(57)【要約】【課題】　メモリ・サブシステムの性能を、より最適に管理するシステムを提供する。【解決手段】　コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する方法は、このメモリ・サブシステム内に、どのようなタイプのメモリ・モジュールの装着状態があるかコンピュータシステムに通知するステップ、フロントサイド・バス（ＦＳＢ）が動作する第２の周波数に対して選択された比率である第１の周波数でメモリ・サブシステムを動作させるステップ、および、この比率を変えて、メモリ・サブシステムの性能を最適化するステップ、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する方法であって、
　どのようなタイプのメモリ・モジュールの装着状態が前記メモリ・サブシステム内にあるかを、前記コンピュータシステムに通知するステップと、
　フロントサイド・バス（ＦＳＢ）が動作する第２の周波数に対して選択された比率である第１の周波数で前記メモリ・サブシステムを動作させるステップと、
　前記比率を変えて、前記メモリ・サブシステムの性能を最適化するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
　前記通知するステップは、シリアル・プレゼンス・ディテクト（ＳＰＤ）機構を利用することを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
　前記通知するステップは、ＳＰＤを利用して、前記メモリ・サブシステムに含まれるメモリ・モジュールを設定することを含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
　前記通知するステップは、ユーザ・インターフェースを利用して、前記第１の周波数を変更することを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
　前記通知するステップは、ＳＰＤを用いて、前記メモリ・サブシステム内のメモリ・モジュールの適正な装着状態を実施することを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
　前記最適化するステップは、ＧＳＰ（ガーディアン・サービス・プロセッサ）コンソールを通じて、前記比率をセットすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
　前記最適化するステップは、前記メモリ・モジュールの装着状態のＳＰＤ検出の結果に基づいて、前記比率を自動的に設定することを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
　前記最適化するステップは、前記第２の周波数に対してほぼ１：１の比率である前記第１の周波数を用いて、前記メモリ・サブシステムを最高速度で動作するようにセットすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
　前記最適化するステップは、前記第２の周波数に対して１：１よりも大きい比率である前記第１の周波数を用いて、前記メモリ・サブシステムを最高速度で動作するようにセットすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項１０】
　前記最適化するステップは、前記メモリ・サブシステムを、最高速度よりも遅い速度で動作するようにセットすることを含む請求項１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、メモリ・サブシステムの動作周波数管理に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連出願）
　本願は、Aｎｄｒｅｗ　Ｈ．ＢAＲＲ氏らによってなされた「性能要件に基づく、ブレード型アーキテクチャにおけるブレードの周波数管理のためのシステム、方法、装置」と称する米国特許出願第１０／２１６，４３７号、Aｎｄｒｅｗ　Ｈ．ＢAＲＲ氏らによってなされた「キャパシティ・オン・デマンドを可能にするコンピュータシステムの周波数管理のためのシステムおよび方法」と称する米国特許出願第１０／２１６，４３８号、ＲｉｃAｒｄｏ　ＥＳＰＩＮＯＺA−ＩＢAＲＲA氏らによってなされた「プロセッサ・レベルにて性能を最適化するシステム、方法、装置」と称する米国特許出願第１０／２１６，２８３号、ＲｉｃAｒｄｏ　ＥＳＰＩＮＯＺA−ＩＢAＲＲA氏らによってなされた「ブレード型システムにおいて、装着により周波数および性能を調整するシステムおよび方法」と称する米国特許出願第１０／２１６，２３４号、Aｎｄｒｅｗ　Ｈ．ＢAＲＲ氏らによってなされた「性能要件に基づく、ブレード型アーキテクチャにおけるブレードの電圧管理」と称する米国特許出願第１０／２１６，２８４号、Aｎｄｒｅｗ　Ｈ．ＢAＲＲ氏らによってなされた「プロセッサ・レベルでの性能最適化と共同する電圧調整」と称する米国特許出願第１０／２１６，２８６号、ＲｉｃAｒｄｏ　ＥＳＰＩＮＯＺA−ＩＢAＲＲA氏らによってなされた「プロセッサまたはブレードの動作周波数を管理するシステムおよび方法」と称する米国特許出願第１０／２１６，２８５号、ＲｉｃAｒｄｏ　ＥＳＰＩＮＯＺA−ＩＢAＲＲA氏らによってなされた「ブレード型システム内のブレードの動作周波数を管理するシステムおよび方法」と称する米国特許出願第１０／２１６，２２９号、Aｎｄｒｅｗ　Ｈ．ＢAＲＲ氏らによってなされた「装着状態に基づく、ブレード型システム内のプロセッサの電圧管理」と称する米国特許出願第１０／２１６，２３３号、および、Aｎｄｒｅｗ　Ｈ．ＢAＲＲ氏らによってなされた「性能と電力消費を最適化するプロセッサの電圧管理のためのシステムおよび方法」と称する米国特許出願第１０／２１６，２３２号に関係がある。以上の米国特許出願はすべて、２００２年８月１２に出願されたものである。
【０００３】
　コンピュータは、通常、データを格納および検索できるようにするメモリ・サブシステムを含む。このメモリ・サブシステムは、少なくとも１つのメモリボードと、このメモリボード上にあるスロットに装着（load）できるＤＩＭＭ（Dual　In-Line　Memory　Module）などの一組のメモリモジュールを含むことが多い。これらのメモリ・モジュールの間隔は、機構的ボード・スペース要件と、メモリ・モジュールを冷却できる能力によって、制約を受ける。
【０００４】
　メモリ・モジュールを、その間隔を詰めてスロットに装着すると、このメモリボード上に格納できるデータの量が最大化される。しかしながら、これらのメモリ・モジュールは、メモリ・モジュール間で利用できるエアフローが少なくなって、冷却が困難となる。したがって、間隔をさらに詰めたメモリ・モジュールは、さらに小さい電力で（すなわち、さらに低い周波数で）動作しなければならない。
【０００５】
　メモリ・モジュールを、その間隔をさらに広げてスロットに装着すると、モジュールを冷却できる能力が増して、モジュールがさらに高い周波数で動作するので、メモリ・アクセス・タイムが最小化される。しかしながら、モジュールの間隔を広げると、メモリボード上に格納できるデータの量が少なくなる。
【０００６】
　現在利用できるコンピュータシステムのメモリ・サブシステムは、メモリ・サイズとメモリ性能（すなわち、アクセス・タイム）の一方あるいは両方を犠牲にするように要求する。コンピュータシステムの要求に応じて、性能およびメモリ・サイズに対してメモリ・サブシステムを最適化できるハードウェアは１つもない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の目的は、メモリ・サブシステムの性能を、より最適に管理するシステムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する方法は、このメモリ・サブシステム内に、どのようなタイプのメモリ・モジュールの装着状態（loading）があるかコンピュータシステムに通知するステップ、フロントサイド・バス（frontside bus, ＦＳＢ）が動作する第２の周波数に対して選択された比率である第１の周波数でメモリ・サブシステムを動作させるステップ、および、この比率を変えて、メモリ・サブシステムの性能を最適化するステップ、を含む。
【０００９】
　コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する方法は、フロントサイド・バス（ＦＳＢ）が動作している第２の周波数とは非同期である第１の周波数でメモリ・サブシステムを動作させるステップ、別々の周波数発生器を通じて第１の周波数を制御するステップ、および、この周波数発生器に信号を入力するステップ、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
　次に、同じ要素に同じ番号を付した以下の図を参照して、１つまたは複数のメモリ・サブシステムの性能を最適化する装置および方法のいくつかの好ましい実施形態を詳しく説明する。
【００１１】
　添付図面のうちの図１（A）を参照すると、メモリ・モジュール２０を、メモリボード１０のスロットの全部に装着しているメモリボード１０の平面図が図１（A）に示されている。メモリ・モジュール２０は、ＤＩＭＭを含むことがあるが、ただし、それに限定されない。図１（A）に示されるメモリ・モジュール２０は、第１の周波数ｆ１で動作することができる。
【００１２】
　添付図面のうちの図１（Ｂ）を参照すると、メモリボード１０の１つ置きのスロットが空の（すなわち、装着されてない）スロット３０であり、また第２の周波数ｆ２で動作できるメモリ・モジュール２０（例えば、ＤＩＭＭ）を、残りのスロットに装着しているメモリボード１０の平面図が図１（Ｂ）に示されている。図１（Ｂ）に示されるメモリ・モジュール２０の間隔が広くなるために、冷却がさらに効率的に行われ、また第２の周波数ｆ２が、第１の周波数ｆ１よりも高くなり得る。
【００１３】
　図１（A)と図１（B）は、メモリ・モジュール２０の密な間隔（図１（A）に示される）とメモリ性能（図１（B）に示される）との間でなせるトレードオフを示している。図１（A）のメモリボード１０は、メモリ・モジュール２０が密な装着状態であり、また、メモリボード１０中の装着されたスロットは、その間隔が非常に詰まっている。メモリ・サイズがもっとも重要なパラメータであり、またアクセス・タイム性能が、それよりも重要でないシステム・アプリケーションでは、図１（A）に示されるように装着されたメモリボード１０が好ましいと言える。上に論じられる冷却制約条件を満たすために、メモリボード１０（例えば、図１（A）に示されるもの）を含むメモリ・サブシステムは、代替冷却条件下ではこのメモリ・サブシステムが動作し得る、最高の周波数よりも低い第１の周波数ｆ１で動作し得る。
【００１４】
　図１（B）のメモリボード１０は、メモリ・モジュール２０から利用できる最高のアクセス・タイム性能を要求し、メモリ・サイズはそれよりも重要でない、システム・アプリケーションに用いられるのが好ましい。図１（B）に示されるように、メモリボード１０中の１つ置きのスロットには、メモリ・モジュール２０（例えば、ＤＩＭＭ）が装着されている。このようなタイプの構成により、メモリ・モジュール２０の周りのエアフローを増すことができ、冷却が容易となる。それゆえ、図１（B）に示される構成から、メモリ・モジュール２０は、さらに高い第２の周波数ｆ２で動作することができ、それにより、メモリ・サブシステムの性能が高められる。
【００１５】
　全部装着されたメモリボード１０と交互に装着されたメモリボード１０が論じられてきたので、現在のメモリ・モジュールの装着状態のタイプをコンピュータシステムに通知する２つの模範的な方法について論じる。周波数の変更を実施し、それにより、メモリ・サブシステムの性能を最適化する２つの模範的な方法についても論じる。周波数の変更を実施する模範的な方法は、利用できるメモリ・サブシステムのアーキテクチャによって決まることが多いことが明らかとなろう。しかしながら、周波数の調整は、同一のハードウェアおよびソフトウェアを用いて実行できることに留意されたい。言い換えれば、ユーザは、別のメモリボードを購入して、周波数を切り替える必要はない。
【００１６】
　現在のメモリ・モジュールの装着状態のタイプをコンピュータシステムに通知する第１の模範的な方法は、シリアル・プレゼンス・ディテクト（ＳＰＤ）機構を利用している。ＳＰＤ機構の様々なバージョンが、一般に当技術分野において知られており、使えるＳＰＤ機構であれば、どんなものでも選択できる。一般のＳＰＤ機構により、コンピュータシステムのブートときに、コンピュータシステム内のメモリ・モジュールは、それらのメモリ・モジュールのサイズ、データの幅、速度、電圧に関する情報を用いて、最高の信頼性および性能を得るように適正に設定されることが可能である。この情報は、電気的に消去・書込み可能なＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）に格納されることが可能である。
【００１７】
　Ｉ２Ｃベースのインテリジェント・プラットフォーム管理バス（ＩＰＢＭ）インターフェースを通じて、ＳＰＤ機構が実施されることが可能である。このようなインターフェースは、一般に、双方向の通信リンクと、システムの健全性および性能を監視、制御することのできる「インテリジェント」ハードウェアとやり取りする方法とを提供する。しかしながら、ＳＰＤ機構を実施する他の方法も、当業者に明らかになろう。
【００１８】
　現在のメモリ・モジュールの装着状態のタイプをコンピュータシステムに通知する第２の模範的な方法は、ユーザ・インターフェースを利用している。ユーザ・インターフェースを用いて、ユーザは、メモリを、さらに高い周波数、またはさらに低い周波数で（例えば、第１の周波数ｆ１で、または第２の周波数ｆ２で）動作させるように、具体的にコンピュータシステムに通知することができる。さらに、この方法により、ユーザは、メモリ・モジュール（例えば、ＤＩＭＭ）を、メモリボードのスロットに適切に装着し、またＳＰＤを用いて、メモリ・モジュールの適正な装着状態を実施することができる（すなわち、この周波数が、メモリ・モジュールの装着状態に適正でなければ、ＳＰＤは、コンピュータシステムが動作しないようにすることができる）。
【００１９】
　周波数の変更を実施し、それにより、メモリ・サブシステムの性能を最適化する第１の模範的な方法を、Ｐｌｕｔｏベースのコンピュータシステム（例えば、Everest）を参照して論じる。一般に、Ｐｌｕｔｏは、コンピュータシステム内のメモリ、フロントサイド・バス（ＦＳＢ）、入出力（Ｉ／Ｏ）を制御するＣＥＣ（Central　Electronic　Complex）装置である。Ｐｌｕｔｏベースのコンピュータシステムにより、このシステムに入っているメモリ・サブシステムは、フロントサイド・バス（ＦＳＢ）の周波数に対して選択された比率である周波数で動作することができる。この比率は、プログラムおよび／または変更することができる。この比率を変更する場合には、メモリ・サブシステムが動作する周波数も、一般に変更される。
【００２０】
　この比率は、ユーザが、例えばＧＳＰ（ガーディアン・サービス・プロセッサ）コンソールを通じて、その比率を制御するレジスタにアクセスすることで、変更されることが可能である。別法として、ＳＰＤは、どのようにメモリが装着されているのか検出し、つぎに、それに応じて、周波数比率を自動的に設定することができる。これらのオプションをそれぞれ、以下で論じる。
【００２１】
　ユーザが、この周波数比率を制御する１つまたは複数のレジスタにアクセスするときには、このアクセスするステップは、メモリ・サブシステムを始動する前に、あるいは、他の任意の都合の良い時間に実施される。１つまたは複数のレジスタにアクセスしたら、これらのアクセスされたレジスタは、セットされる。
【００２２】
　メモリ・サブシステムの性能を最適化するいくつかの方法により、これらのレジスタは、このメモリ・サブシステムを、ＦＳＢ周波数に対してほぼ１：１の比率で最高速度で動作させるようにセットされても良い。他の方法により、これらのレジスタは、このメモリ・サブシステムを、ＦＳＢ周波数に対して１：１よりも大きい比率で最高速度で動作させるようにセットされても良い。さらに他の方法により、これらのレジスタは、このメモリ・サブシステムを、最高速度よりも遅い速度で動作させるようにセットされても良い。ユーザがどのタイプのセッティングを選択するかは、そのユーザの特定の要件によって決まる。
【００２３】
　ＳＰＤを用いて、どのようにメモリが装着されているのか検出するときには、メモリボードの１つ置きのスロットに、メモリ記憶モジュール（memory storage module）（例えば、ＤＩＭＭ）が装着されているのをＳＰＤが検出したならば、メモリ・サブシステムは、最高速度で、かつ全電力で動作するように設定されることが可能である。さらに一般的に言えば、メモリ記憶モジュールを冷却するのに充分なエアフローを利用できるときはいつでも、最高速度および全電力のタイプの設定が用いられることが可能である。例えば、これらのスロットの７５％、８０％、８５％、または９０％に、メモリ記憶モジュールを交互に装着するときに、最高速度および全電力の設定が採用されることが可能である。
【００２４】
　別法として、メモリボードのスロットの全部またはほぼ全部（例えば、７５％、８０％、８５％、または９０％）に、メモリ記憶モジュールが装着されているのをＳＰＤが検出したならば、メモリ・サブシステムは、メモリ・サブシステムを適切に冷却できるようにする電力レベルおよび周波数で、動作するように設定されることが可能である。言い換えれば、全部のスロットに装着されているのをＳＰＤが検出すると、メモリ・サブシステムは、周波数ｆ１で動作することができ、また１つ置きのスロットに装着されているのをＳＰＤが検出すると、メモリ・サブシステムは、周波数ｆ１よりも高い周波数ｆ２で動作することができる。
【００２５】
　ユーザにより、あるいは、Ｐｌｕｔｏベースのシステム内のＳＰＤを通じて、個々のモジュールがすべて適正に設定されたら、メモリ・サブシステムに印加される電圧を調整することで、メモリ・サブシステムの性能をさらに最適化することができる。電圧を調整して性能を最適化する方法は、コンピュータシステム（例えば、上に論じられるもの）を動作させているときに、当業者に明らかになろう。
【００２６】
　周波数の変更を実施し、それにより、メモリ・サブシステムの性能を最適化する第２の模範的な方法は、メモリ・サブシステムがＦＳＢ（または、他の任意のプロセッサ・バス）とは非同期に動作するコンピュータシステムおよびアーキテクチャに関係する。このようなシステムでは、メモリ・サブシステムは、このシステムにおける他の周波数とは別のそれ自体の周波数を持っているか、あるいは、或る比率で動作することができる。
【００２７】
　メモリ・サブシステム２３０の動作周波数を管理する一手法を描いたブロック図２００を示す図２を参照すると、メモリ・サブシステム２３０の動作周波数は、別々の周波数発生器２２０で制御可能である。周波数発生器２２０への入力信号は、手動設定装置（例えば、ディップ・スイッチ）、入出力エキスパンダ（Ｉ／ＯＸ）チップ、マイクロプロセッサ／マイクロコントローラ、および／または、抵抗器ジャンパ（全体が参照数字２１０で示される）を制御することで、制御可能である。通常の当業者であれば、所望の機能を果たすことのできる多くの共通手動設定装置があることが理解されよう。例えば、ディップ・スイッチ、ピン・ヘッドの上に設けられるジャンパ、回転設定スイッチ、および／または、はんだブリッジが用いられても良い。周波数発生器２２０はまた、ＦＰＧA（field-programmable gate array、書替え可能ゲートアレイ）またはＰＬＤ（programmable logic device、プログラム可能な論理素子）（図示されてない）によって制御されても良い。周波数発生器２２０は、メモリ・サブシステムへの周波数出力を制御するシリアル設定入力を含むか、あるいは、代りに、パラレル設定入力を用いて、周波数出力を制御することができる。
【００２８】
　上述の必要な構成要素がすべて提供されたら、メモリ・サブシステム２３０の性能は、別々の周波数発生器２２０を用いて、メモリ・サブシステム２３０内のメモリ記憶モジュール（例えば、ＤＩＭＭ）に対する周波数構成ビット（frequency configuration bit）を制御することで、最適化されることが可能である。この制御するステップは、Ｉ２ＣベースのＩ／ＯＸを利用することができる。Ｉ／ＯＸを利用するときには、ＧＳＰを用いて、Ｉ／ＯＸにアクセスすることができる。
【００２９】
　Ｉ／ＯＸを利用する代りに、１つまたは複数の手動設定装置（例えば、ディップ・スイッチ）を用いて、周波数構成ビットを制御することができる。同様に、１つまたは複数のマイクロプロセッサおよび／または抵抗器ジャンパを利用することができる。やはり、メモリ・サブシステムの性能をさらに最適化するために、メモリ記憶モジュールの電圧を調整することができる。
【００３０】
　手動設定装置および／または抵抗器ジャンパ２１０を用いているときに、コンピュータシステムの容易に手が届く部分に、その手動設定装置および／または抵抗器ジャンパ２１０が付け加えられて、手動で操作されることが可能である。しかしながら、ＧＳＰからのＩ２Ｃバスを通じて、Ｉ／ＯＸ、マイクロプロセッサ／マイクロコントローラ、ＦＰＧA、または、ＰＬＤ２１０のどれにでもアクセスできることも可能である。
【００３１】
　したがって、ＧＳＰは、使用されている任意のＩ／ＯＸ、マイクロプロセッサ／マイクロコントローラ、ＦＰＧA、および／または、ＰＬＤ２１０を制御して、メモリ記憶モジュール（例えば、ＤＩＭＭ）の周波数を間接的にセットするために用いられることがある。これは、別々の周波数発生器２２０への入力信号を制御して、メモリ記憶モジュールの周波数を変更する。
【００３２】
　図３は、コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する第１の模範的な方法のステップを含む流れ図を示している。この方法のステップ３００は、メモリ・サブシステム内に、どのようなタイプのメモリ・モジュールの装着状態があるかコンピュータシステムに通知する。言い換えれば、メモリ・モジュール（例えば、ＤＩＭＭ）が、メモリボード中のスロットの全部に装着されているか、あるいは、ほぼ装着されているかどうか、このステップの間にコンピュータシステムに通知する。ステップ３１０は、フロントサイド・バス（ＦＳＢ）が動作する第２の周波数に対して選択された比率である第１の周波数でメモリ・サブシステムを動作させる。例えば、この周波数比率は、メモリ・サブシステムが最高速度で動作しているときに、１：１であるか、あるいは、１：１よりも大きいこともある。次に、ステップ３２０は、この比率を変更して、メモリ・サブシステムの性能を最適化する。この選ばれた比率は、一般に、ステップ３００において検出されたメモリ・モジュールの装着状態のタイプによって決まる。
【００３３】
　図４は、コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する第２の模範的な方法のステップを含む流れ図を示している。この方法のステップ４００は、フロントサイド・バス（ＦＳＢ）が動作している第２の周波数とは非同期である第１の周波数でメモリ・サブシステムを動作させる。次に、ステップ４１０は、別々の周波数発生器を通じて第１の周波数を制御する。最後に、ステップ４２０は、この周波数発生器に信号を入力する。ステップ４２０の間に入力された信号は、この周波数発生器に対して、第１の周波数を制御するやり方を変更させる効果を及ぼすことがある。通常、この入力された信号は、手動設定装置（例えば、ディップ・スイッチ）、入出力エキスパンダ（Ｉ／ＯＸ）チップ、マイクロプロセッサ／マイクロコントローラ、抵抗器ジャンパ、ＦＰＧA、ＰＬＤの少なくとも１つによって制御される。
【００３４】
　メモリ・サブシステムの性能を最適化する装置および方法が、模範的な実施形態に関連して述べられてきたが、当業者であれば、以上の教示に照らして多くの変更が可能であり、また、本願が、そのどんな変形例もカバーするように意図されていることが理解されよう。
【００３５】
　例えば、開示された装置および方法は、ＤＩＭＭを利用してデータを格納する。しかしながら、他のタイプのメモリ記憶モジュールも、同じように用いられることがある。したがって、この開示全体を通じて、図示され、参照されるＤＩＭＭは、特記しない限り、所望の機能を果たすのに適した一切の装置／技術を表わすことになっている。同様に、様々な動作を行ういくつかのプロセッサもいくつか開示されている。この特定のプロセッサは、本明細書に述べられる方法および／または装置にとって重要ではない。したがって、本明細書に述べられる方法および／または装置を、任意の特定の形態のプロセッサに限定することは、出願者の意図ではない。
【００３６】
　この開示全体を通じて、さらに他の例証があり、本明細書にはっきりと特定されてはいないが、それでも、クレーム記載の機能を果たすことのできる構造、材料、または動作の利用を、本明細書に述べられる方法および／または装置の範囲から除外することは、出願者の意図ではない。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】（A）は周波数ｆ１で動作しているメモリ・モジュールを、メモリボードのスロットの全部に装着しているメモリボードの平面図を示し、（B）は周波数ｆ１よりも高い周波数ｆ２で動作しているメモリ・モジュールを、メモリボードの１つ置きのスロットに装着しているメモリボードの平面図を示す。
【図２】手動設定装置（例えば、ディップ・スイッチ）、入出力エキスパンダ（Ｉ／ＯＸ）チップ、マイクロプロセッサ／マイクロコントローラ、または抵抗器ジャンパのいずれかを用いて、個々のメモリ記憶モジュールの動作周波数を管理する一手法を描いたブロック図。
【図３】コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する第１の模範的な方法の流れ図。
【図４】コンピュータシステム内のメモリ・サブシステムの性能を最適化する第２の模範的な方法の流れ図。
【符号の説明】
【００３８】
２３０　メモリ・サブシステム
【図１】
2004078934.tif 000003
【図２】
2004078934.tif 000004
【図３】
2004078934.tif 000005
【図４】
2004078934.tif 000006