(57)【要約】【課題】本発明は、フィジカルアタックおよびケミカルアタックに対し高い耐性を有する、かつ寿命が改善された光学素子を提供することを目的とする。【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ装置における多層ミラーといったような、１つ以上のバックミンスターフラーレンを含有する少なくとも１層を有する光学素子を提供する。典型的にバックミンスターフラーレンはキャッピング層として存在し、光学素子のアウターキャッピング層として提供されるか、あるいは、異なる材料から形成されたアウターキャッピング層に隣接するサブキャッピング層を形成する。代替的または追加的に、バックミンスターフラーレン含有層は多層ミラーにおける２層間の中間層として存在する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとから成るリソグラフィ投影装置において、１つ以上のバックミンスターフラーレンからなる少なくとも１層を有する少なくとも１つの光学素子を備えていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
光学素子はその表面に１層以上のキャッピング層を有し、該キャッピング層の少なくとも１層は１つ以上のバックミンスターフラーレンからなることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記の１つ以上のキャッピング層の外側（アウター）層は１つ以上のバックミンスターフラーレンからなることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
光学素子はその表面に単一キャッピング層を有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
光学素子は、アウターキャッピング層とアウターキャッピング層と光学素子間に、サブキャッピング層を含む少なくとも２層のキャッピング層を有し、該サブキャッピング層は１つ以上のバックミンスターフラーレンからなることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
サブキャッピング層はアウターキャッピング層に隣接することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
光学素子は多層ミラーであることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
１つ以上のバックミンスターフラーレンからなる層は、多層ミラーにおける２層間の１つ以上の界面に存在することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
１つ以上のバックミンスターフラーレンからなるキャッピング層は厚さが１ｎｍから３ｎｍ、あるいは７ｎｍから８ｎｍであることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
１つ以上のフラーレンからなるキャッピング層は、１層から５層、望ましくは２層から３層のバックミンスターフラーレン分子の層を有することを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記の１つ以上のバックミンスターフラーレンはＣ60からなることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと、パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと、放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップとからなるデバイス製造方法において、１つ以上のバックミンスターフラーレンからなる少なくとも１層を有する少なくとも１つの光学素子を提供することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとから成るリソグラフィ投影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書において使用する「パターニング手段」なる用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に作り出されるべきパターンと一致するパターン化断面を与えるために使用し得る手段に当たるものとして広義に解釈されるべきである。また、「ライトバルブ」なる用語もこうした状況において使用される。一般的に、上記のパターンは、集積回路や他のデバイス（以下を参照）であるような、デバイスにおいて目標部分に作り出される特別な機能層に相当する。そのようなパターニング手段には以下が含まれる。すなわち、
−  マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過（透過性マスクの場合）や選択的反射（反射性マスクの場合）を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
−  プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターニング手段は１つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第ＵＳ５，２９６，８９１号および同第ＵＳ５，５２３，１９３号、並びに、ＰＣＴ特許種出願第ＷＯ９８／３８５９７および同ＷＯ９８／３３０９６から得ることが出来る。詳細はこれらの文献を参照されたい。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
−  プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構成の例が米国特許第ＵＳ５，２２９，８７２号に開示されている。詳細については、当該文献を参照されたい。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して導くものとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。
【０００３】
リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この場合、パターニング手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成する。そして、放射線感光原料（レジスト）の層が塗布された基板（シリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイから成る）にこのパターンを像形成することが出来る。一般的に、シングルウェハは、投影システムを介して１つずつ順次照射される近接目標部分の全体ネットワークを含んでいる。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを用いる現在の装置は、異なる２つのタイプのマシンに区分される。リソグラフィ投影装置の一タイプでは、全体マスクパターンを目標部分に１回の作動にて露光することによって各目標部分が照射される。こうした装置は一般的にウェハステッパと称されている。ステップアンドスキャン装置と称される別の装置では、所定の基準方向（「スキャニング」方向）にマスクパターンを投影ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板テーブルをこの方向と平行に、あるいは反平行にスキャニングすることにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影装置は倍率係数Ｍ（一般的に、＜１）を有することから、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスクテーブルが走査される速度の係数Ｍ倍となる。ここに記載を行ったリソグラフィデバイスに関するさらなる情報は、参考までに記載を行うと、例えば、米国特許第ＵＳ６，０４６，７９２号から得ることが出来る。
【０００４】
リソグラフィ投影装置を使用する製造工程において、パターン（例えばマスクにおける）は少なくとも部分的に放射線感光材（レジスト）の層で覆われた基板上に像形成される。この像形成ステップに先立ち、基板は、プライミング、レジスト塗布、およびソフトベークといったような各種の工程を経る。露光後、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、および像形成フューチャの測定／検査といったような他の工程を通る。この一連の工程の配列は、例えばＩＣといったような素子の個々の層をパターン化するための基本として使用される。このようなパターン形成された層は、それから、全て個々の層を仕上げる目的である、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨等といった種々のプロセスを経る。数枚の層が必要とされる場合には、全体工程、もしくはその変形をそれぞれの新しい層に繰り返す必要がある。最終的に、素子のアレイが基板（ウェハ）上に形成される。次に、これらの素子はダイシングやソーイングといったような技法で相互より分離される。それから個々の素子は、キャリアに装着されたり、ピンに接続されたりし得る。こうした工程に関するさらなる情報は、参考までに例をあげると、１９９７年にマグローヒル出版会社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４に記載されている。
【０００５】
簡潔化の目的で、これより投影システムを「レンズ」と称するものとする。しかし、この用語は、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの誘導、成形、あるいは制御を行う、こうした設計タイプのいずれかに応じて稼動する構成要素も備えることが出来る。こうした構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。さらに、リソグラフィ装置は２つあるいはそれ以上の基板テーブル（および、あるいは２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」デバイスにおいては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。例えば、デュアルステージリソグラフィ装置について、米国特許第ＵＳ５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号において記載がなされている。詳細はこれら文献を参照されたい。
【０００６】
本発明は、主として、極紫外線（ＥＵＶ）範囲の電磁放射線を使用する装置に関する。一般的に、使用される放射線の波長は約５０ｎｍ以下であり、望ましくは約２０ｎｍ以下、最も望ましくは約１５ｎｍ以下である。リソグラフィ業界においてかなり注目されているＥＵＶ領域における波長の例として１３．４ｎｍがあるが、この領域には他に、例えば１１ｎｍといった波長が期待されている。
【０００７】
例えば多層薄膜ミラーのようなＥＵＶ装置において使用される光学素子は、その反射性と光学品質を著しく減じるおそれのある物理的損傷かつ化学的損傷に特に敏感である。ＥＵＶ放射線に露光される多層ミラーに関連する主な問題は、（ｉ）最上層の酸化、（ｉｉ）ミラー表面上の炭素成長、そして（ｉｉｉ）多層におけるインターミキシングである。同様の問題は、多層ミラー以外にも、ＥＵＶに露光され続けられないものであっても、光学素子に関連して生じる。これは、単純に、光学素子全てに影響を与える二次電子放射線により炭素成長が生じる可能性があるためである。
【０００８】
こうした問題を解決するため、光学素子への保護キャッピング層が提案されている。保護キャッピング層に使用する以前提示された材料に、ルテニウム−モリブデン保護層、さらには炭素あるいは炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）層が含まれている。しかし、これらの材料で完全に満足できるものはない。ルテニウム−モリブデン多層は、実際的なツール状況（すなわち、高エネルギー、低波長の電磁放射線と結合した酸化剤および炭化剤の残圧による実質的な真空）下で、照射の約５０時間後に強い不可逆な劣化の兆候を強く示す。よって、ＥＵＶ多層ミラーの所望の寿命は３０，０００時間のオーダーであるのに対し、ルテニウム−モリブデンキャップド多層ミラーはこれにかなり及ばない。炭素および炭化ホウ素キャッピング層にしても低下を免れない。この場合は二次電子とシステム内に存在する分子（例えば水と炭化水素）の結合によると考えられる。さらに、そのような層は従来技術における現在も使用されている洗浄工程に耐え得ない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、フィジカルアタックおよびケミカルアタックに対し高い耐性を有する、かつ寿命が改善された光学素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本目的並びに他の目的は、冒頭の段落において特定したようなリソグラフィ装置において、１つ以上のバックミンスター（以下フラーレンと称する）フラーレンからなる少なくとも１層を有する少なくとも１つの光学素子を備えていることを特徴とする本発明に従い達成される。
【００１１】
キャッピング層にフラーレンを使用することにより、非常に安定した、化学的不活性保護コーティングの提供が可能となる。典型的フラーレンのＣ60は、ダイヤモンドの結合エネルギー（約７．４ｅＶ）オーダーの非常に高い結合エネルギー（７．３ｅＶ）を有する。ゆえに、Ｃ60および他のフラーレンは酸化と放射線誘発ダメージに特に高い耐性を有する。これに対し、黒鉛状／無定形炭素の結合エネルギーは約３−５ｅＶであり、ケミカルアタックへの耐性はそれほど高くない。フラーレンキャッピング層は照射の長い時間にわたってその最初の構造を維持出来、光学処理の改良を可能にする。ミラーのより長い寿命によって装置のダウンタイムも減じられる。
【００１２】
フラーレンキャッピング層のさらなる長所は、ミラー最上部における炭素成長を低減することにある。ミラー上の炭素成長の主たる原因は、ミラー表面に吸収された炭化水素の解離にあることが分かっている。この解離は主に、放射中のミラー表面からの二次電子の放出によるものである。しかし、フラーレンは非常に効果的な電子アクセプタである。従い、フラーレンキャッピング層は、ミラー表面における二次電子の収率を減じ、結果、炭化水素の解離を減じることで炭素成長を減じる。さらに、フラーレン層は付着確率の低さにその特徴を有する。
【００１３】
本発明は３つの詳細な実施例を示す。第一の実施例において、フラーレン層は光学素子のアウターキャッピング層を形成する。フラーレンは化学的に不活性であるため、このアウターキャッピング層は付着確率が低いことを特徴とする。よってこれは炭素汚染を減じ、それにより洗浄工程の頻度を低減する。
【００１４】
第二の提案において、フラーレン層の最上部に存在する、例えばルテニウム層といったような、アウターキャッピング層を有するサブキャッピング層を形成するフラーレン膜に関する。この配列の長所は、キャッピング層を有した多層におけるインターミキシングが減じられることである。フラーレンは比較的低密度であるため、光吸収を増すことなく、かなり厚いキャッピング層の使用が可能となる。これは、アウターキャッピング層と多層ミラー間の距離を増すことになり、拡散バリアを改善する。
【００１５】
さらなる実施例において、多層ミラーにおける個々の層の界面にフラーレン含有中間層が存在する。それにより、層の応力およびインターミキシングを低減することが可能である。
【００１６】
本発明のさらなる態様に基づいて、放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと、パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと、放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップとからなるデバイスの製造方法が提供される。ここで、１つ以上のフラーレンからなる少なくとも１層を有する少なくとも１つの光学素子を提供することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明による装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、こうした装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、本発明による装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「レチクル」、「ウェハ」、「ダイ」といった用語は、それぞれ「マスク」、「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。
【００１８】
本明細書において使用した「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）、およびＥＵＶ（極紫外線、例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。
【００１９】
本発明の実施例についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。尚図面において、同様の部分は同様の参照番号を付して説明を行うものとする。
【００２０】
図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。この装置は、特別な本実施形態において放射線源ＬＡも備えた、放射線の投影ビームＰＢ（例えばＥＵＶ放射線）を供給する放射線システムＥｘ、ＩＬと、マスクＭＡ（例えばレクチル）を保持するマスクホルダーを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確にマスクの位置決めを行う第一位置決め手段に連結を行った第一オブジェクト・テーブル（マスクテーブル）ＭＴと、基板Ｗ（例えば、レジスト塗布シリコンウェハ）を保持する基板ホルダを備え、かつ、品目ＰＬに対して正確に基板の位置決めを行う第二位置決め手段に連結を行った第二オブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴと、マスクＭＡの照射部分を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に像形成する投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば屈折／反射光学レンズシステム／ミラー群）とにより構成されている。ここで示しているように、この装置は反射タイプ（すなわち反射マスクを有する）である。しかし、一般的には、例えば透過マスクを有する透過タイプのものも可能である。あるいは、本装置は、上記に関連するタイプであるプログラマブルミラーアレイといったような、他の種類のパターニング手段も使用可能である。
【００２１】
ソースＬＡ（例えばレーザー生成プラズマソースあるいは放電プラズマソース）は放射線のビームを作り出す。このビームは、直接的に、あるいは、例えばビームエキスパンダーＥｘといったようなコンディショニング手段を横断した後に、照明システム（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、ビームにおける強度分布の外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒに相当する）を設定する調整手段ＡＭから成る。さらに、照明装置ＩＬは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに照射するビームＰＢは、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。
【００２２】
図１に関して、ソースＬＡはリソグラフィ装置のハウジング内にある（これは例えばソースが水銀ランプである場合に多い）が、しかし、リソグラフィ投影装置から離して配置することも可能であることを注記する。この場合、ソースＬＡが作り出す放射線ビームは（適した誘導ミラーにより）装置内に導かれる。この後者のシナリオでは、ソースＬＡがエキシマレーザーである場合が多い。本発明および請求項はこれら両方のシナリオを網羅するものである。
【００２３】
続いてビームＰＢはマスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。ビームＰＢはマスクＭＡにより選択的に反射され、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせるレンズＰＬを通過する。第二位置決め手段（および干渉計測手段ＩＦ）により、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め手段は、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするように使用可能である。一般的に、オブジェクト・テーブルＭＴおよびオブジェクト・テーブルＷＴの運動はロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。これについては図１に明示を行っていない。しかし、ウェハステッパの場合（ステップアンドスキャン装置とは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。
【００２４】
ここに表した装置は２つの異なるモードにて使用可能である。
１．  ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が１回の作動（すなわち１回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分ＣがビームＰＢにより照射され得る。
２．  スキャンモードにおいて、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Ｃは１回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルＭＴが、速度ｖにて所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に運動可能であり、それによってビームＰＢがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルＷＴが速度Ｖ＝Ｍｖで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（一般的にＭ＝１／４あるいは１／５）である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Ｃを露光することが可能となる。
【実施例１】
【００２５】
図２から図４は、フラーレンキャッピング層の本提案の実施例である。各図において、光学素子は、シリコン（２）とモリブデン（３）が交互になった層からなる多層ミラーである。図２は、アウターキャッピング層（４）がフラーレンからなる本発明の第一実施例を図示したものである。一般的に、本図に示すようにフラーレン含有層は多層ミラー上に直接配置されることから、単一のキャッピング層が存在するのみである。しかし、また別の実施例において、多層ミラーとフラーレン含有層間に追加のキャッピング層を存在させることも可能である。例えば、ルテニウム、イリジウム、あるいは黒鉛状炭素層が使用され得る。かつ／またはさらなるフラーレン含有層が使用され得る。
【実施例２】
【００２６】
図３は、サブキャッピング層が１つ以上のフラーレンからなる本発明のまた別の実施例を示したものである。図３に示すように、アウターキャッピング層（ａ）とサブキャッピング層（ｂ）の２つのキャッピング層が存在する。サブキャッピング層（ｂ）はフラーレンからなる。例えば、アウターキャッピング層はルテニウムにより形成されるが、イリジウムまたは黒鉛状炭素といったような他のキャッピング材料も同様に使用され得る。
【００２７】
一般的には、図３に示すように２つのキャッピング層が存在する。しかし、サブキャッピング層（ｂ）と多層ミラー間、あるいは、アウターキャッピング層（ａ）とサブキャッピング層（ｂ）間のどちらかに、さらに１層以上のキャッピング層を形成することも可能である。こうした追加のキャッピング層は、ルテニウム、黒鉛状炭素、もしくはさらなるフラーレン層を含めた、他の適した材料から形成され得る。しかし、一般的にフラーレン層はアウターキャッピング層に隣接する。
【００２８】
図２および図３は、一層あるいは複数層のキャッピング層がシリコン層上に配置された、モリブデンとシリコンより形成された多層ミラーを示したものである。しかし、一層あるいは複数層のキャッピング層はモリブデン層上にも等しく配置され得る。もしくは、本発明による一層あるいは複数層のキャッピング層は、モリブデン／シリコンミラー以外にも多層構造にて使用され得る。多層ミラー以外の光学素子もまた使用可能である。例えば、本発明のキャッピング層は、かすり入射ミラー、コレクタ、レチクル、かつあらゆるタイプのセンサーとの使用が可能である。
【実施例３】
【００２９】
図４は、多層ミラーにのみ適用可能な本発明のまた別の実施例を示したものである。本実施例において、フラーレン含有中間層は、多層ミラーにおける個々の層間の１つ以上の界面に存在する。所望により、シリコン（２）層およびモリブデン（３）層を他の適した材料と替えることも可能である。この実施例においては一般的にキャッピング層を有し、例えば図２および図３に示したようなキャッピング層が使用される。
【００３０】
広範囲の異なるフラーレンが本発明において使用され得る。例えば、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ74、Ｃ80、Ｃ82、および、Ｃ260とＣ960を含めた他のより大型のフラーレンを使用することも可能である。フラーレンなる言葉は、上に挙げた炭素のみを含む構造を包括することを意図するものであり、同様に、（ｉ）１つ以上の炭素原子がＮ（例えばＣ59Ｎ）のようなヘテロ原子に置き換えられる構造、（ｉｉ）原子あるいは分子がフラーレン環（例えばＬａ−Ｃ60およびＬｉ−Ｃ60）内に存在する内包フラーレン、（ｉｉｉ）マルチシェル型のネストしたフラーレンをも網羅する。望ましいフラーレンは炭素のみを含む構造であり、特に、Ｃ60、Ｃ70、Ｃ74、Ｃ80、およびＣ82が最も望ましい。
【００３１】
フラーレン層は一般的な技術を用いて光学素子表面に加えられる。典型的には、フラーレンは、所望のフラーレンを含有する材料から（熱により、あるいは電子気化によって）気化される。次に、１つ以上の分子の層が光学素子上で成長可能となる。これは一般的に、分子が比較的弱い結合をなすｆｃｃ格子構造の層となる。より密度の高い、密着結合した層は、フラーレンを重合させて、共有結合により連結した分子の鎖あるいは網目を作り出すことによって形成される。これは例えば、光励起により、あるいは高圧力を用いて、あるいはアルカリドーピングにより実行される。
【００３２】
一般的に、フラーレンからなるキャッピング層は１層から５層の分子の層を含む。好ましくは、２層から３層の分子の層が存在する。フラーレン含有キャッピング層は一般的に３ｎｍ未満の厚さであるが、約７ｎｍから８ｎｍの厚さのものもまた有用である。図３におけるアウターキャッピング層のような他のキャッピング層の厚さは好ましくは１ｎｍから３ｎｍオーダーのものである。
【００３３】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明の範囲を逸脱することなく他の方法でも具体化できることは当業者にとって明らかである。本詳細説明は本発明を制限する意図ではない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施例に従うリソグラフィ投影装置を示したものである。
【図２】本発明の実施例に従うキャップされた多層ミラーにおける層の構造を示したものである。
【図３】本発明の第二実施例に従うキャップされた多層ミラーにおける層の構造を示したものである。
【図４】本発明の第三実施例に従うキャップされた多層ミラーにおける層の構造を示したものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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