(57)【要約】      （修正有）【課題】静電チャックにおいて、残留吸着力が大きく、ウェハＷを静電チャックから引き剥がす際にウェハが破損する場合があった。また、ウェハＷの裏面にパーティクルが多量に発生するという課題があった。【解決手段】板状セラミックス体２の一方の主面にウェハＷを保持する載置面３を備え、内部或いは他方の主面に吸着用電極４を備えるとともに、該吸着用電極４が載置面３に対し凸面状となるように形成することにより、吸着用電極４と載置面３間に形成された絶縁層５の厚みが外周部よりも中心部が薄くなるように配置する。【選択図】図１
2004179364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状セラミックス体の一方の主面にウェハを載せる載置面と、前記板状セラミックス体の内部或いは他方の主面に吸着用電極とを備え、前記吸着用電極と前記載置面間に形成された絶縁層の厚みが外周部よりも中心部が小さいことを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記絶縁層の外周部と中心部の厚みの差は、前記絶縁層の厚みの平均値の２〜２００％であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記載置面に対し前記吸着用電極が凸状であることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記吸着用電極の外周部は環状に配設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置、イオンプレーティング装置、蒸着装置等の成膜装置やエッチング装置において、例えば半導体ウェハ等の被加工物を保持するのに用いる静電チャックに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置、イオンプレーティング装置、蒸着装置等の成膜装置やエッチング装置では、半導体ウェハ（以下ウェハＷと略する）を精度良く固定し、かつ被吸着物であるウェハＷの均熱性を得るため、平坦かつ平滑に仕上げられた板状体の表面に強制的に吸着させることが行われており、この吸着手段として、静電吸着力を利用した静電チャックが用いられている。
【０００３】
成膜装置やエッチング装置に用いられる従来の静電チャックは、上記板状セラミックス体の一方の主面（一方の最も広い面）を吸着面としたもので、板状セラミックス体の内部やその他方の主面（他方の最も広い面）に吸着用電極を備えるとともに、吸着用電極に電圧を印加してウェハＷとの間に誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力等の静電吸着力を発現させることにより、ウェハＷを吸着面に強制的に吸着固定させることができるようになっている。この時ウェハＷの保持精度は、吸着面の面精度に倣うことから、吸着面全体を平滑かつ平坦に仕上げたものが用いられていた。
【０００４】
図４に従来の静電チャックを示すように、この静電チャック５１は、板状セラミックス体５２の上面をウェハＷを載せる載置面５３とするとともに、板状セラミックス体５２の内部に静電吸着用の一対の吸着用電極５４が埋設され、板状セラミックス体５２の下面に吸着用電極５４と電気的に接続した通電端子５６が固定されている。そして、一対の通電端子５６に高圧直流電源６２から１００〜１０００Ｖの直流電圧を印加すると、ウェハＷと載置面５３の間に静電吸着力が発現するため、この静電吸着力によってウェハＷを載置面５３に吸着固定することができる。また、ガス導入孔５８はガス溝５９と連通し、ガス導入孔５８に外部からヘリウムガス等を供給すると、ガス溝５９を介して載置面５３とウェハＷとの間にガスを充てんされ、ウェハＷの表面の温度差を小さくすることができる。
【０００５】
さらに、板状セラミックス体５２にはリフトピン穴６０を穿設してあり、このリフトピン穴６０よりリフトピン６１が昇降可能になっている。そして、載置面５３に載せられたウェハＷを取り外すには、吸着用電極５４への通電を止め、リフトピン６１を載置面５３より突出させることにより、ウェハＷを載置面５３より持ち上げて不図示のハンドリングアームでウェハＷを移送するようになっている。
【０００６】
しかし、ウェハＷを載置面５３より離脱させるにあたり、吸着用電極５４への通電を止めてもウェハＷと載置面５３の近傍に帯電した電荷は直ぐにはなくならず、ウェハＷを載置面５３に吸着する力、即ち残留吸着力が発生する。このような残留吸着力が発生した状態でリフトピン６０を突出させウェハＷを無理に持ち上げようとすると、ウェハＷが破損することがあった。そこで、吸着用電極５４への通電を止めてから一定の時間を経過した後ウェハＷを持ち上げることでウェハＷの破損を防止していた。前記の一定の時間は離脱時間と呼ばれ、ウェハＷの処理時間を短縮する上で大きなネックとなっていた。
【０００７】
特許文献１には上記の離脱時間を短縮するためにウェハＷと載置面５３の間に導電性ガスを供給し、ウェハＷと載置面５３に蓄積した電荷を逃がす方法が提案されている。
【０００８】
また、離脱性時間を短縮する手段として特許文献２には、静電吸着用の内部電極として金網を用い、この金網からなる内部電極の開口部の割合を５０〜８０％とするとともに、開口部の最端幅を０．２３ｍｍ以上とすることにより、実用に供する程度の吸着力を維持しつつ、ウェハの離脱時間を小さくさせる技術が提案されている。
【０００９】
また、静電チャック５１における他の問題としてパーティクルの発生があった。静電チャック５１は静電気力によりウェハＷを吸着するが、静電吸着する際に載置面５３とウェハＷの間で微小な機械的な擦れが発生する。そこで、ウェハＷと静電チャック５１の載置面５３はともに微量ではあるが摩耗する。この摩耗によって生じた摩耗粉がパーティクルとなって静電気を帯びたウェハＷの裏面、及び静電チャックの載置面表面に付着する。これらの付着したパーティクルは、一部は脱落し、処理チャンバー内に飛散する。この飛散したパーティクルは、処理中のウェハＷの表面に再付着することにより、ウェハＷ上の微細な配線を短絡させたり、コンタミとなってウェハＷの電気的な特性を劣化させる。さらに、ウェハＷ裏面に付着したパーティクルは、次の処理工程に持ち込まれ、次の処理チャンバー内で機械的な振動等により飛散し、同様にウェハＷの表面に付着し、ウェハＷに成膜した膜特性を劣化させる等の問題が発生する。
【００１０】
そこで、特許文献３には、図５に示すように載置面５３に機械加工によりガス溝５９を形成し、ウェハＷと載置面５３の接触面積を減少させることによりパーティクルの発生を抑えた静電チャック５１が提案されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開平９−２１９４４１号公報
【特許文献２】
特開２０００−１５８２７５公報
【特許文献３】
特開１９９８−２３３４３４公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載の静電チャックは残留吸着力が小さくなるよう工夫されているが、まだ残留吸着力が大きく、ウェハＷを載置面５３から離脱させようとリフトピンを上昇させるとウェハＷが破損する虞があった。
【００１３】
また、特許文献１のような導電性ガスを供給する手段については、イオンプレーティングや、ＣＶＤプロセスでは使用できないという問題がある。その理由としては、イオンプレーティングのように高真空下の成膜プロセスで静電チャック５１を使用する場合、微量の導電性ガスがウェハＷと載置面５３の間からチャンバー内に漏れる為、チャンー内の高真空を維持できなくなる。この為、ウェハＷは、真空度の低い環境下で処理される事になり、ウェハに成膜した膜の電気的特性が変化し、所定のイオンプレーティング処理ができないとの問題が発生した。また、ＣＶＤ工程においては、処理ガスの純度は成膜された膜の純度や、膜厚、膜質等に多大な影響を及ぼす為、異質な導電性ガスが処理室内に漏れると微量であっても悪影響を及ぼす虞があった。
【００１４】
一方、半導体製造装置に供せられる静電チャックの重要な特性としてパーティクルの発生の低減が求められている。特許文献３には載置面に多くの溝を機械加工により形成し、ウェハＷとの接触面積を減少させることでパーティクルの発生を低減させる技術が提案されている。
【００１５】
しかし、パーティクルが発生する最大の要因は、大きな静電吸着力によってウェハＷを吸着させた際に、ウェハＷが載置面に倣い矯正されるように接触する際の摩擦にある。この摩擦は載置面５３全面において吸着力のバラツキがあると顕著となる。載置面５３の全面で吸着力のバラツキがあると吸着力の大きな部分が吸着力の弱い部分よりも先に吸着固定され、ウェハＷが吸着力の大きさに対応して凹凸に変形し、変形した状態で部分的に吸着した後、ウェハＷが平坦に横方向に滑りながらウェハＷ全面が吸着されることから多量のパーティクルが発生するとの課題があった。
【００１６】
また、載置面５３にガス溝５９を形成し、接触面積を減少させた場合は、ガス溝５９の形成されていない吸着部分とガス溝５９の形成された部分で大きな吸着力の差が生じ、ウェハＷが凹凸に変形することからガス溝５９のエッジ部分から多量のパーティクルが発生するとの問題があった。このことから、載置面５３の全面の部分的な吸着力のバラツキをなくすことがパーティクル低減の対策となるのであるが、載置面５３の全面の吸着力のバラツキをなくすことは容易ではなく、パーティクルを低減することができないとの課題があった。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
そこで上記課題に鑑み、本発明の静電チャックは、板状セラミックス体の一方の主面にウェハを載せる載置面と、前記板状セラミックス体の内部或いは他方の主面に吸着用電極とを備え、前記吸着用電極と前記載置面間に形成された絶縁層の厚みが外周部よりも中心部が小さいことを特徴とする。
【００１８】
また、前記絶縁層の外周部と中心部の厚みの差は、前記絶縁層の厚みの平均値の２〜２００％であることを特徴とする。
【００１９】
また、前記載置面に対し前記吸着用電極が凸状であることを特徴とする。
【００２０】
また、前記吸着用電極の外周部は環状に配設されていることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２２】
図１は本発明の一例である静電チャック１を示す図で、図１（ａ）は斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線の断面図である。さらに、図２は静電チャック１の内部に配置された吸着用電極４を模式的に示す図である。
【００２３】
この静電チャック１は、ウェハＷとほぼ同じ大きさの円板状をした板状セラミックス体２の表面にウェハＷを保持する載置面３を備え、内部に吸着用電極４を備える。
【００２４】
上記の板状セラミックス体２には、例えば一対の吸着用電極４ａ、４ｂを備え、該吸着用電極４ａ、４ｂと電気的に接続された給電端子６を取り出すための電極取り出し孔７を備え、給電端子６は吸着用電極４とチタンや銀を含むロウ材で接合し固定してある。また、前記ロウ材の替わりに導電性接着剤で接合固定することもできる。
【００２５】
また、ウェハＷを載置面３に載せたり、ウェハＷを吸着保持後に載置面３より引き離すためのリフトピン穴１０が、板状セラミックス体２を貫通するように形成されている。さらにウェハＷの裏面にヘリウムガス等の冷却ガスを導入できるようにガス溝９とそれに連通するガス導入孔８を穿孔してある。
【００２６】
このような構造の静電チャック１は上記吸着用電極４ａ、４ｂの間に給電端子６を介して電圧を印加すると、吸着用電極４ａ、４ｂとウェハＷの間に静電気力発現し、ウェハＷを載置面３に吸着保持することができる。
【００２７】
本発明の静電チャック１は、吸着用電極４と載置面３との間に形成された絶縁層５の厚みが外周部よりも中心部が小さいことを特徴とする。このような構成の吸着用電極４ａ、４ｂに通電した場合、短時間の挙動であるがウェハＷは、吸着力の高い載置面３の中心部が先に静電吸着力により吸着し、その後載置面３の外周部に向かって吸着されることになりウェハＷの面内方向に大きな力が加わることなく吸着することができることから、ウェハＷと載置面３の間で横方向の大きな摩擦力が生じる虞が少なく、パーティクルの発生を防止できる。
【００２８】
尚、ウェハＷが載置面３の吸着力にバラツキがある静電チャックでは、吸着力の大きな部分から吸着され、二つの吸着力の大きな部分の間でウェハＷが変形し、その後載置面３に倣って吸着することから、つまりウェハＷの２点間でウェハＷが反った状態で吸着した後、ウェハＷの２点間の全面が吸着されることから、その２点間が載置面３に平行な横方向に動くことによりウェハＷと載置面５３の間で摩擦が発生しパーティクルを多量に発生させると考えられる。しかし、本発明の静電チャック１は、前述のように載置面３に倣うように吸着、離脱することから、ウェハＷと載置面３の間には横方向の移動により擦れが発生することはほとんどなくパーティクルを発生させることが少なく好ましい。
【００２９】
また、一般に残留吸着力は吸着力に比例して大きくなることから、給電端子６への通電を止めた直後において、絶縁層５の厚みが大きく吸着力の小さな載置面３の外周部の残留吸着力は小さく、外周部は中心部に比べ残留吸着力が小さい。そして、ウェハＷを載置面３から引き剥がす為に、リフトピン１１が機械的にウェハＷを押し上げるが、リフトピン１１がウェハＷの外周部を押すと外周部は残留吸着力が小さいことからウェハＷを上方に容易に押し上げることができる。この時、中心部には外周部よりも大きな残留吸着力が残っているが、外周部が押し上げられることから、比較的吸着面積の小さな中心部はリフトピン１１の力がウェハＷを変形させその反作用が効果的に作用し容易にウェハＷの全面を押し上げることができる。
【００３０】
従って、給電端子６への通電を止めてウェハＷを引き剥がす場合は、リフトピン１１の押し上げによって、残留吸着力の弱いウェハＷの外周部から剥がれて、徐々に中心部に向かって引き剥がされることから摩擦が発生することはほとんどなくパーティクルの発生を防止できる。よって、従来の発明による静電チャックで生じるウェハＷの吸着、及び離脱の際に発生する有害なパーティクル数を極めて少なくできる。
【００３１】
また、吸着電極４ａ、４ｂの絶縁層５の厚みは、外周部よりも中心部が絶縁層の厚みが小さく、その厚みの差は前記絶縁層の平均値の２〜２００％であると好ましい。更に好ましくは６〜１２０％である。その理由は、ウェハＷは例えば半導体製造プロセスによって熱処理や成膜処理が施される為、これらの影響で残留応力が発生し、１０μｍ程度の反りが発生していることが一般的である。
【００３２】
この為、本発明による静電チャックの効果を得る為には、１０μｍの絶縁層５の厚みの差があれば良いのであるが、ウェハＷを吸着させた吸着の直後にこのウェハＷの反りが矯正され、この際にウェハＷの部分的な横移動が発生し擦れが発生する場合がある為、絶縁層５の厚みは、外周部よりも中心部が小さく、かつ絶縁層５の厚みの平均値の２％以上、更に好ましくは６％程度の絶縁層５の差であることが必要である。これによりウェハＷの反りが発生していてもウェハＷと載置面間の横方向への移動、滑りを発生させずに吸着できるのである。この結果、パーティクルの発生を抑えることができるのである。
【００３３】
尚、絶縁層５の平均値とは、略円形状の静電吸着用電極４の中心の絶縁層厚み１ヶ所と静電吸着用電極４の最外周を円周上に８等分した位置の絶縁層厚み８ヶ所、及び、静電吸着用電極の中心点と最外周の中間位置にあたる８ヶ所の合計１９ヶ所における絶縁層厚みの合計数値を測定ヶ所である１９で除した値とすることにより、極力、静電吸着用の電極４の断面形状が凹凸であっても絶縁層厚みとして平均化できる算出方法とした。また、前記中心部の絶縁層５の厚みとは上記中心の絶縁層厚みであり、外周辺とは上記の最外周を円周上に８等分した位置の絶縁層厚み８ヶ所の平均値で表すことができる。
【００３４】
また、絶縁層５の厚みの差が２００％以上になると静電吸着力の中心部と外周部の吸着力の差が大きくなり、載置面３の中心部の吸着力は得られるものの外周部の吸着力が低くなり、ウェハＷを精度良く吸着できなくなる虞がありあまり好ましくない。この為には、絶縁層５の厚み平均値の差を２００％程度以下とし、外周部の吸着力の低下を防ぐ必要がある。更に好ましくは絶縁層５の平均値の差は１２０％程度とし、外周部の吸着力をより大きくすることが好ましい。
【００３５】
絶縁層５の厚みの平均値の２〜２００％とするには、載置面３に対し吸着用電極４を凸面状とすることが好ましい。凸面状とすることで、載置面３の中心部と外周部の絶縁層５の厚みを上記の範囲内に容易に調整することができる。
【００３６】
尚、吸着電極４は双極型で説明したが、単極型でも同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００３７】
また、本発明の他の実施例として、図３に示すように中心部に円板状電極３１とその外周部に円環状の吸着用電極３２とを吸着用電極４としてそれぞれに埋設し、円板状電極３１と円環状の吸着用電極３２の絶縁層５の厚みの差が絶縁層５の平均厚みの２〜２００％とすることができる。この静電チャックは、円板状電極３１のサイズがウェハＷを持ち上げるリフトピン穴の位置よりも小さく、外周部の円環状電極３２の内径はリフトピン穴位置より内側にあると好ましい。円板状電極３１はリフトピン孔より内側にあることから、リフトピンで持ち上げた際に容易にウェハＷを持ち上げることができる。そして、パーティクルの発生も抑えてウェハＷを引き剥がすことができるのである。
【００３８】
尚、円板状電極３１は円を２分した半円形でも、櫛歯状でもく、これに対応して上記円環状電極３２は２つに分割した形状でも良い。
【００３９】
次に、本発明の静電チャックの製造方法について説明する。このような有効な特徴を持つ静電チャック１を製造する方法としては、特に板状セラミックス体２の製造方法が重要である。このような板状セラミックス体を製造する方法としては、セラミックグリーンシートの積層技術を用いるか、プレス成形技術を用いて製作する。
【００４０】
例えば、セラミックグリーンシートの積層技術を用いて板状セラミックス体２を製作する場合、複数枚のセラミックグリーンシートを用意し、あるセラミックグリーンシート上に吸着用電極４をなす導体ペーストを印刷し、残りのセラミックグリーンシートを積み重ねて積層し、セラミックグリーンシートを焼結させることができる温度にて焼成することにより得ることができる。吸着用電極４を載置面３に対して凸面形状を得る為には、この焼成の際に機械的加工によって凹面形状を形成した焼成用のセット板（棚板という）を準備し、板状セラミックス体２の成形体をこの棚板の上に置き、さらに焼成中の変形加重を与える為の重石をおいた状態で焼成すれば良い。
【００４１】
また、プレス成形技術を用いて板状セラミックス体２を製作する場合、セラミック原料粉末を金型中に充填してプレス成形した後、成形体上に吸着用電極４をなす導体ペーストを印刷するか、あるいは金属箔又は金網を載せ、さらにセラミック原料粉末を充填した後、焼成、或いはホットプレス前に同様に略凹面形状の棚板で焼成することにより得ることができる。
【００４２】
次いで、得られた板状セラミックス体２の一方の主面に給電端子６を挿入、固定するための穴を穿孔し、この穴に給電端子６を挿入してロウ付け等の接合技術を用いて接合する。
【００４３】
次に、板状セラミックス体２の載置面３に、ガス溝９が必要な場合は、ガス溝を加工すれば良いのであるが、ガス溝９の形成にあたっては、ブラスト加工やマシニング加工、あるいは超音波加工等を用い、深さが数十μｍから数百μｍのガス溝を所定のパターン形状に形成すれば良い。
【００４４】
しかる後、載置面３にラッピング加工を施す。この時、ラップ板として鋳鉄製のものを用い、１０μｍから３μｍの大きさを有するダイヤモンド砥粒を用いてラッピングする。なお、さらに銅盤や錫盤を用いて仕上げ研磨を施しても構わない。
【００４５】
そして、ポリウレタン等の樹脂パッドを貼り付けたラップ板を用い、回転するラップ板の周縁部に板状セラミックス体の他方の主面を押し当てながら自転させた状態で、板状セラミックス体とラップ板との間にコロイダルシリカを供給しながらラップ加工を行うことにより、ウェハ載置面３に対して凸面状の静電吸着用電極４を備えた板状体２を容易に得ることができる。
【００４６】
また、本発明の他の実施形態である図３の静電チャックは、中心部に円板状電極３１とその外周部に円環状の円環状電極３２とを埋設深さを変えて埋設し、平坦な棚板上で焼成することで板状セラミックス体２を得ることができる。
【００４７】
また、本発明は前述した実施形態だけに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、改良や変更したものでも良いことは言う迄もない。
【００４８】
【実施例】
（実施例１）
本発明による静電チャック１の効果を確認する為、図２に示すように断面が、載置面３に対して凸面状の吸着用電極を有する静電チャックを用意して、残留吸着力、及びウェハＷ裏面のパーティクルを測定する実験を行った。
【００４９】
本実験に際して、従来の静電チャックのように吸着用電極が平坦な形状であり、よって絶縁層厚みが面内で略等しくバラツキのある静電チャック（試料Ｎｏ．１）と吸着用電極の形状が本発明とは逆の図５に示すような凹み形状の比較用の静電チャック（試料Ｎｏ．２）を作製・準備し効果を比較検証した。
【００５０】
実験に使用した静電チャックは、いずれも板状セラミックス体の寸法として外径φ２００ｍｍ、厚み５ｍｍで、材質は、純度９９％の窒化アルミニウム質焼結体とした。また、絶縁層の厚みは、０．５ｍｍとした。また、被吸着物は、φ２００ｍｍ、厚み０．７ｍｍのシリコン製のウェハＷとした。
【００５１】
実験条件は、１０−６ＴＯＲＲの真空チャンバー内とし、給電端子への吸着電圧を＋／−２５０ＶとしウェハＷを吸着した。尚、評価温度は、常温とした。
【００５２】
残留吸着力の測定は、リフトピンに歪みゲージを取り付け、吸着電圧を印加後、電圧を０Ｖにし、５秒後にウェハＷを載置面から引き剥がす際のリフトピンにかかる全加重を比較測定した。又、ウェハＷを１回、吸着・離脱試験した直後のウェハＷのパーティクル数を測定した。また、パーティクル数の測定は、ＴＥＮＫＯＲ社製のウェハパーティクルカウンター（機種名：ＳＰ−１）を用いてウェハ裏面に付着した０．３ミクロン以上のパーティクルを測定した。そして、その結果を表１に示した。
【００５３】
【表１】
2004179364.tif 000003
【００５４】
表１より判るように、試料Ｎｏ．１の従来の静電チャックは、吸着用電極が載置面に対して平坦状で、絶縁層の厚みが略一定であることから、残留吸着力が１１５Ｐａと大きく、また、ウェハＷ裏面のパーティクル数も１２，０００ヶと多かった。さらに、パーティクルの付着位置を確認して見ると溝付近に多かった。この現象から載置面５３の周辺のエッジ部やその断面形状が四角形状のガス溝５７のエッジ部分によりシリコンウェハが傷付けられたり、エッジ部に欠けや脱粒が発生し、パーティクルが付着したものと思われる。
【００５５】
また、試料Ｎｏ．２の吸着用電極が凹面形状の静電チャックは、外周部の吸着力が大きいことから残留吸着力は１３６Ｐａと大きく、ウェハＷが離脱と同時にウェハＷが破損した。これは、円周の広い面積の外周部に高い残留吸着力が発生している為と考えられる。
【００５６】
これに対し、本発明の試料Ｎｏ．２〜９は、載置面３に対し、静電吸着電極４が凸面状であり、外周部よりも中心部の絶縁層５の厚みの差が１〜２２０％である静電チャック１は残留吸着力が１０〜４５Ｐａと小さい値であり、パーティクル数は３０００個以下と少なく好ましかった。
【００５７】
本発明のすべての実施例の試料Ｎｏ．３〜９は、半導体製造装置に要求される３０００ヶ以下を十分に満たすものであった。
【００５８】
また、試料Ｎｏ．３は、本発明による、載置面３に対し、静電吸着用電極が凸面状に形成された静電チャックであるが、中心部と外周部の絶縁層厚みの平均値の差が１％しかない試料である。この試料の場合は、パーティクルが３，０００ヶとやや多く、残留吸着力も４５Ｐａとやや大きかった。特にパーティクルが多かったが、この理由としては、ウェハＷ自体の反りによりウェハＷを吸着した直後にウェハＷの反りの矯正によりウェハが載置面に対して横移動した為に、擦れが発生した為と考えられる。
【００５９】
また、絶縁層５の厚みの差を、２２０％とした試料Ｎｏ．９を評価したところ、パーティクル５００ヶ、残留吸着力１０Ｐａと良好な結果であったが、絶縁層の厚みが厚い為に、吸着力が小さく、ウェハＷ裏面に供給したヘリウムガスがウェハＷと載置面から漏れる良が多かった。
【００６０】
従って試料Ｎｏ．３、９から絶縁層厚みの差は、２〜２００％とすると更に好ましく、より好ましくは６〜１２０％である。
【００６１】
この結果より、板状セラミックス体の表面にウェハＷを保持する載置面を備え、内部に吸着用電極を備えるとともに、該吸着用電極が載置面に対し凸面状となるように形成することにより、吸着用電極と載置面間に形成された絶縁層厚みが外周部よりも中心部が薄くなるように配置すると優れたウェハＷの離脱特性を示す。
【００６２】
また、外周部よりも中心部が絶縁層の厚みが薄く、その厚みの平均値の差が２〜２００％であると更に好ましく、６〜１２０％であると最も優れたウェハＷ離脱特性を示し、ウェハＷ裏面の有害なパーティクルを低減できると言える。
【００６３】
【発明の効果】
板状セラミックス体の表面にウェハを保持する載置面を備え、内部に吸着用電極を備えるとともに、該吸着用電極が載置面に対し凸面状となるように形成することにより、吸着用電極と載置面間に形成された絶縁層厚みが外周部よりも中心部が小さくなるように配置され、特にその平均値の厚みの差が２〜２００％。さらに好ましくは６〜１２０％とすることにより静電チャックの残留吸着力、及びウェハ裏面の有害なパーティクルを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の一例である静電チャックを示す斜視図、（ｂ）はそのＸ−Ｘ線断面図である。
【図２】本発明の静電チャックの内部に配置される吸着用電極を示す断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態の吸着用電極を示す断面図である。
【図４】従来の静電チャックを模式的に示す断面図である。
【図５】従来の静電チャックを模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１、５１：静電チャック
２、５２：板状セラミックス体
３、５３：載置面
４、５４、４ａ、４ｂ：静電吸着用電極
５、５５：絶縁層
６、５６：給電端子
７、５７：電極取り出し孔
８、５８：ガス導入孔
９、５９：ガス溝
１０、６０：リフトピン穴
１１，６１：リフトピン
１５：金属ベース
６２：静電チャック用電源
Ｗ：ウェハ
【図１】
2004179364.tif 000004
【図２】
2004179364.tif 000005
【図３】
2004179364.tif 000006
【図４】
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【図５】
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