(57)【要約】【課題】半導体装置の生産効率の向上を図る。【解決手段】半導体装置の製造において、分離領域によって区画された複数の個片化領域を有する多面取基板と、記録した識別データを無線で送信する無線タグとを準備する工程と、前記複数の個片化領域のうちの不良箇所を座標データ化して基板不良座標データを作成し、この基板不良座標データと、前記多面取基板の識別データとをオンラインサーバのデータファイルに記録する工程と、前記無線タグに前記多面取基板の識別データを記録する工程と、前記多面取基板に無線タグを搭載する工程と、前記無線タグに記録された前記多面取基板の識別データと、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された前記多面取基板の識別データとを照合し、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された基板不良座標データに基づいて、前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、良品の個片化領域に半導体チップを搭載する工程とを有する。【選択図】        図４
2004179234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離領域によって区画された複数の個片化領域を有する多面取基板と、記録した基板識別データを無線で送信する無線タグとを準備する工程と、
前記複数の個片化領域のうちの不良箇所を座標データ化して基板不良座標データを作成し、この基板不良座標データと、前記多面取基板の基板識別データとをオンラインサーバのデータファイルに記録する工程と、
前記無線タグに前記多面取基板の基板識別データを記録する工程と、
前記多面取基板に無線タグを搭載する工程と、
前記無線タグに記録された前記多面取基板の基板識別データと、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された前記多面取基板の基板識別データとを照合し、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された基板不良座標データに基づいて、前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、良品の個片化領域に半導体チップを搭載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記無線タグに記録された前記多面取基板の基板識別データと、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された前記多面取基板の基板識別データとを照合し、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された基板不良座標データに基づいて、前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、良品の個片化領域の接続部と、この良品の個片化領域に搭載された半導体チップの接続部とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、前記ワイヤボンディング工程にてワイヤボンディング不良が発生した不良個所を座標データ化してワイヤボンディング不良座標データを作成し、このワイヤボンディング不良座標データを前記オンラインサーバのデータファイルに記録する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程を施した後、前記多面取基板に搭載された半導体チップを一括して樹脂封止して、前記多面取基板の片面に樹脂封止体を形成する工程と、
前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、前記樹脂封止工程にて不良が発生した不良個所を座標データ化して封止不良座標データを作成し、この封止不良座標データを前記オンラインサーバのデータファイルに記録する工程とを更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記多面取基板の複数の個片化領域に夫々対応する前記樹脂封止体の領域に、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された基板不良座標データ、ワイヤボンディング不良座標データ、及び封止不良座標データに基づく不良個所を除いてマーキングする工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、複数の個片化領域を持つ多面取基板を用いる半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話、携帯型情報処理端末機器、携帯型パーソナルコンピュータ等の小型電子機器に組み込まれる半導体装置においては、薄型化、小型化及び多ピン化が要求されている。このような要求に好適な半導体装置として、例えばＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型と呼称される半導体装置が知られている。このＢＧＡ型半導体装置においては、種々な構造のものが提案され、製品化されているが、その中の一つにフェースアップ構造がある。
【０００３】
フェースアップ構造のＢＧＡ型半導体装置は、主に、配線基板と、配線基板の主面側に配置された半導体チップと、半導体チップの主面（素子形成面）に形成された複数の接続部と配線基板の主面に形成された複数の接続部とを夫々電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、半導体チップ、複数のボンディングワイヤ等を封止した樹脂封止体と、配線基板の主面と反対側の裏面側に外部接続用端子として配置された複数のボール状バンプとを有する構成になっている。
【０００４】
フェースアップ構造のＢＧＡ型半導体装置の製造においては、生産効率の向上を図るため、複数の個片化領域（製品形成領域）を持つ多面取基板を使用し、この多面取基板の各個片化領域に夫々実装された半導体チップを片面モールドにより一括して樹脂封止する方式（以下、一括モールド方式と言う）が採用されている。一括モールド方式については、例えば下記の特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１２５７８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
一括モールド方式を採用するＢＧＡ型半導体装置の製造は、主に、多面取基板を準備し、その後、多面取基板の主面に、その各製品形成領域毎に夫々半導体チップを搭載し、その後、多面取基板の各個片化領域毎に、半導体チップの主面に形成された電極パッド（接続部）と個片化領域に形成された電極パッド（接続部）とをボンディングワイヤで電気的に接続し、その後、多面取基板の各個片化領域に夫々実装された半導体チップを一括して樹脂封止して、多面取基板の主面側に樹脂封止体を形成し、その後、多面取基板の裏面側に、その各個片化領域毎にボール状バンプを形成し、その後、多面取基板の各個片化領域毎に、多面取基板及び樹脂封止体を個片化（分割切断））することによって行われる。
【０００７】
一括モールド方式を採用するＢＧＡ型半導体装置の製造においては、複数の個片化領域を持つ多面取基板が使用されているが、この多面取基板は、実質的な製造工程を施す前の段階において必ずしも全ての個片化領域が良品になっているとは限らず、一部の個片化領域が不良となっている場合がある。不良の個片化領域にはダイボンディング工程において半導体チップを搭載しないようにする必要があるため、ダイボンディング工程において不良の個片化領域を識別できるように、不良の個片化領域にシール等の目印を付けているが、この目印は主に手作業で行っているため、半導体装置の生産効率低下を招く要因になっている。
【０００８】
また、量産の製造ラインでは、様々な不良が発生する。例えば、ワイヤボンディング工程ではワイヤ接続不良、モールド工程ではワイヤ流れに起因するワイヤタッチ不良や樹脂の流れに起因するボイド不良等が発生する。これらの不良は、各個片化領域毎に作業者が伝票に記入して管理しているため、付帯作業が多く、半導体装置の生産効率低下を招く要因となっている。
【０００９】
本発明の目的は、半導体装置の生産効率の向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）半導体装置の製造において、
分離領域によって区画された複数の個片化領域を有する多面取基板と、記録した基板識別データを無線で送信する無線タグとを準備する工程と、
前記複数の個片化領域のうちの不良箇所を座標データ化して基板不良座標データを作成し、この基板不良座標データと、前記多面取基板の基板識別データとをオンラインサーバのデータファイルに記録する工程と、
前記無線タグに前記多面取基板の基板識別データを記録する工程と、
前記多面取基板に無線タグを搭載する工程と、
前記無線タグに記録された前記多面取基板の基板識別データと、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された前記多面取基板の基板識別データとを照合し、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された基板不良座標データに基づいて、前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、良品の個片化領域に半導体チップを搭載する工程とを有する。
【００１１】
（２）前記手段（１）に記載の半導体装置の製造において、
前記無線タグに記録された前記多面取基板の基板識別データと、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された前記多面取基板の基板識別データとを照合し、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された基板不良座標データに基づいて、前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、良品の個片化領域の接続部と、この良品の個片化領域に搭載された半導体チップの接続部とをボンディングワイヤで電気的に接続する工程を更に有する。
【００１２】
（３）前記手段（２）に記載の半導体装置の製造において、
前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、前記ワイヤボンディング工程にてワイヤボンディング不良が発生した不良個所を座標データ化してワイヤボンディング不良座標データを作成し、このワイヤボンディング不良座標データを前記オンラインサーバのデータファイルに記録する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１３】
（４）前記手段（３）に記載の半導体装置の製造において、
前記ダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程を施した後、前記多面取基板に搭載された半導体チップを一括して樹脂封止して、前記多面取基板の片面に樹脂封止体を形成する工程と、
前記多面取基板の複数の個片化領域のうち、前記樹脂封止工程にて不良が発生した不良個所を座標データ化して封止不良座標データを作成し、この封止不良座標データを前記オンラインサーバのデータファイルに記録する工程とを更に有する。
【００１４】
（５）前記手段（４）に記載の半導体装置の製造において、
前記多面取基板の複数の個片化領域に夫々対応する前記樹脂封止体の領域に、前記オンラインサーバのデータファイルに記録された基板不良座標データ、ワイヤボンディング不良座標データ、及び封止不良座標データに基づく不良個所を除いてマーキングする工程を更に有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
本実施形態では、一括モールド方式を採用するＢＧＡ型半導体装置に本発明を適用した例について説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態の半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は模式的断面図）であり、
図２は、本実施形態の半導体装置の製造に使用される多面取基板の概略構成を示す模式的平面図であり、
図３は、図２の多面取基板の要部模式的断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態のＢＧＡ型半導体装置１は、主に、配線基板２、半導体チップ３、複数のボンディングワイヤ５、樹脂封止体６、及び外部接続用端子として複数の突起状電極（例えば半田バンプ）７等を有する構成になっている。半導体チップ３及び複数のボンディングワイヤ５は、樹脂封止体６によって封止されている。
【００１８】
半導体チップ３は、配線基板２の互いに反対側に位置する主面及び裏面のうちの主面に接着材４を介在して接着固定されている。半導体チップ３の厚さ方向と直行する平面形状は方形状で形成され、本実施形態においては例えば長方形で形成されている。
【００１９】
半導体チップ３は、例えば、単結晶シリコンからなる半導体基板と、この半導体基板の回路形成面上において絶縁層、配線層の夫々を複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜とを有する構成となっている。半導体チップ３には、集積回路として例えば制御回路が内蔵されている。この制御回路は、主に、半導体基板の回路形成面に形成されたトランジスタ素子及び配線層に形成された配線によって構成されている。
【００２０】
半導体チップ３の互いに反対側に位置する主面（回路形成面）及び裏面のうちの主面には、半導体チップ３の互いに反対側に位置する２つの辺側に、この２つの辺に沿って複数の電極パッド（接続部，ボンディングパッド）３ａが形成されている。この複数の電極パッド３ａの夫々は、半導体チップ３の多層配線層のうちの最上層の配線層に形成され、制御回路を構成するトランジスタ素子と電気的に接続されている。
【００２１】
配線基板２は、詳細に図示していないが、絶縁層、導電層の夫々を順次積み重ねた多層配線構造となっている。各絶縁層は例えばガラス繊維にエポキシ系の樹脂を含浸させたガラスエポキシ基板で形成され、各配線層は例えば銅（Ｃｕ）からなる金属膜で形成されている。配線基板２の平面形状は方形状で形成され、本実施形態においては例えば長方形で形成されている。
【００２２】
配線基板２の主面には、その最上層の導電層に形成された配線の一部分からなる複数の電極パッド（接続部，ランド）２ａが配置されている。また、配線基板２の裏面には、その最下層の導電層に形成された配線の一部分からなる複数の電極パッド（接続部，ランド）２ｂが配置されている。
【００２３】
複数の突起状電極７は、配線基板２の裏面に配置された複数の電極パッド２ｂに夫々固着され、電気的にかつ機械的に接続されている。突起状電極７は、例えばＰｂ−Ｓｎ組成の半田材からなるボール状バンプで形成されている。
【００２４】
樹脂封止体６の厚さ方向と直行する平面形状は方形状で形成され、本実施形態においては例えば長方形で形成されている。樹脂封止体６は、低応力化を図る目的として、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及び多数のフィラー（例えばシリカ）等が添加されたエポキシ系の熱硬化性絶縁樹脂で形成されている。
【００２５】
半導体チップ３の主面に配置された複数の電極パッド３ａは、ボンディングワイヤ５を介して配線基板２の主面に配置された複数の電極パッド２ａに夫々電気的に接続されている。ボンディングワイヤ５としては、例えば金（Ａｕ）ワイヤを用いている。ボンディングワイヤ５の接続方法としては、例えば、熱圧着に超音波振動を併用したボールボンディング（ネイルヘッドボンディング）法を用いている。
【００２６】
樹脂封止体６及び配線基板２の平面サイズはほぼ同一となっており、樹脂封止体６及び配線基板２の側面は面一となっている。本実施形態の半導体装置１の製造においては、後で詳細に説明するが、分離領域によって区画された複数の個片化領域を持つ多面取基板１０（図２参照）を使用し、多面取基板の各個片化領域に夫々実装された複数の半導体チップを一括して樹脂封止する一括モールド方式が採用されている。
【００２７】
図２に示すように、多面取基板（分割用配線基板）１０の厚さ方向と直行する平面形状は方形状で形成され、本実施形態においては例えば長方形で形成されている。多面取基板１０の主面にはモールド領域１１が設けられ、このモールド領域１１の中には複数の個片化領域１３が設けられ、この各々の個片化領域１３の中にはチップ搭載領域（図示せず）が設けられている。各々のチップ搭載領域には半導体チップ３が搭載され、モールド領域１１には各々のチップ搭載領域に搭載された複数の半導体チップ３を一括して樹脂封止する樹脂封止体が形成される。
複数の個片化領域１３は、これらの境界を規定する分離領域１２によって区画され、行列状に配置されている。
【００２８】
多面取基板１０の周辺領域には、図２及び図３に示すように、多面取基板１０の主面から厚さ方向に向かって窪む凹部１４が設けられている。この凹部１４は、多面取基板１０のモールド領域１１の外側に配置されている。
【００２９】
凹部１４の中には、図３に示すように、無線タグ１５が搭載されている。本実施形態の無線タグ１５は、これに限定されないが、基板識別データを記録（記憶，格納）するメモリ回路と、無線通信用のＲＦ回路と、これらをつなぐロジック回路とを基本構成とする集積回路を有し、更にアンテナを有するチップ型構造になっている。また、本実施形態の無線タグ１５は、内部に電池などの電源を備えておらず、例えば読み取り装置（リーダー）が発した電波をアンテナを介して受け取り、受け取った電波を使って電磁誘導で発電し、発電した電源で回路を動かし、記録（記憶，格納）した基板識別データを無線で送信するものである。なお、無線タグは、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、非接触ＩＤタグとも呼ばれている。
【００３０】
次に、ＢＧＡ型半導体装置１の製造について、図４乃至図９を用いて説明する。
図４は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示すフローチャートであり、
図５は、本実施形態の半導体装置の製造において、オンラインサーバのデータファイルに記録するデータを示すブロック図であり、
図６乃至図９は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す模式図である。
【００３１】
まず、多面取基板１０及び無線タグ１５を準備する（図４（ａ）及び図６（ａ）参照）。
次に、多面取基板１０を無線タグ搭載装置に搬送し、その後、多面取基板１０の凹部１４の中に無線タグ１５を搭載する（図４（ｂ）及び図６（ｂ）参照）。この無線タグ搭載装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置とオンラインで接続された無線タグ用データ書き込み装置が設けられている。
【００３２】
次に、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうちの不良個所３１（図６（ａ）及び図６（ｂ）参照）を座標データ化して基板不良座標データ３２（図５参照）を作成し、この基板不良座標データ３２と、多面取基板１０の基板識別データ３０とをオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する（図５参照）。また、多面取基板１０に搭載された無線タグ１５に多面取基板１０の基板識別データ３０を記録する。オンラインサーバのデータファイル２１には、基板識別データ３０及び基板不良座標データ３２の他に、ファイル名、日付、製品名、組立ロット番号、基板型名、基板ロット等のデータも記録する。無線タグ１５への基板識別データ３０の記録（書き込み）は、無線タグ搭載装置に設けられた無線タグ用データ書き込み装置で行う。基板不良座標データ３２の作成は、無線タグ搭載装置に設けられたデータ処理装置で行う。
【００３３】
なお、データファイル２１への基板不良座標データ３２及び基板識別データ３０の記録、並びに無線タグ１５への基板識別データ３０の記録は、多面取基板１０に無線タグ１５を搭載する工程の前に行っても良い。この場合、データファイル２１への基板不良座標データ３２及び基板識別データ３０の記録は、オンラインサーバ２０にオンラインで接続された他のデータ処理装置で行い、無線タグ１５への基板識別データ３０の記録は、前記他のデータ処理装置にオンラインで接続された他の無線タグ用データ書き込み装置で行う。
【００３４】
次に、多面取基板１０をダイボンディング装置に搬送する。このダイボンディング装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００３５】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２に基づいて、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、良品の個片化領域１３に半導体チップ３を搭載する（図４（ｃ）及び図６（ｃ）参照）。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０をダイボンディング装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０をダイボンディング装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０をダイボンディング装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０をダイボンディング装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。良品の個片化領域１３への半導体チップ３の搭載は、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２をダイボンディング装置のデータ処理装置に呼び出し、この基板不良座標データ３２に基づくデータ処理装置の制御によって行われる。
【００３６】
次に、多面取基板１０をワイヤボンディング装置に搬送する。このワイヤボンディング装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００３７】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２に基づいて、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、良品の個片化領域１３の電極パッド（接続部）２ａと、この良品の個片化領域１３に搭載された半導体チップ３の電極パッド（接続部）３ａとをボンディングワイヤ５で電気的に接続する（図４（ｄ）及び図７（ｄ）参照）。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０をワイヤボンディング装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０をワイヤボンディング装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０をワイヤボンディング装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０をワイヤボンディング装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。良品の個片化領域１３の電極パッド２ａと半導体チップ３の電極パッド３ａとのワイヤボンディングは、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２をワイヤボンディング装置のデータ処理装置に呼び出し、この基板不良座標データ３２に基づくデータ処理装置の制御によって行われる。
【００３８】
次に、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、ワイヤボンディング工程にてワイヤボンディング不良が発生した不良個所３３（図７（ｄ）参照）を座標データ化してワイヤボンディング不良座標データ３４（図５参照）を作成し、このワイヤボンディング不良座標データ３４をオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する（書き込む）。ワイヤボンディング不良座標データ３４の作成は、ワイヤボンディング装置に設けられたデータ処理装置で行う。
【００３９】
次に、多面取基板１０を外観検査装置に搬送する。この外観検査装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００４０】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、その後、外観検査装置で組立不良を検査する（図４（ｅ）及び図７（ｅ）参照）。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０を外観検査装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０を外観検査装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０を外観検査装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０を外観検査装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。
【００４１】
次に、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、外観検査工程にて組立不良が発覚した不良個所３５（図７（ｅ）参照）を座標データ化して組立不良座標データ３６（図５参照）を作成し、この組立不良座標データ３６をオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する。組立不良座標データ３６の作成は、外観検査装置に設けられたデータ処理装置で行う。
【００４２】
次に、多面取基板１０をトランスファモールディング装置に搬送する。このトランスファモールディング装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００４３】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、その後、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、良品の個片化領域１３に実装された半導体チップ３を一括して樹脂封止して、多面取基板１０の片面に樹脂封止体６を形成する（図４（ｆ）及び図７（ｆ）参照）。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０をトランスファモールディング装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０をトランスファモールディング装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０をトランスファモールディング装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０をトランスファモールディング装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。
【００４４】
次に、多面取基板１０をＸ線検査装置に搬送する。このＸ線検査装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００４５】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、その後、Ｘ線検査装置で封止不良を検査する（図４（ｇ）及び図８（ｇ）参照）。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０をＸ線検査装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０をＸ線検査装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０をＸ線検査装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０をＸ線検査装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。
【００４６】
次に、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、Ｘ線検査工程にて封止不良が発覚した不良個所３７（図８（ｇ）参照）を座標データ化して封止不良座標データ３８（図５参照）を作成し、この封止不良座標データ３８をオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する。封止不良座標データ３８の作成は、Ｘ線検査装置に設けられたデータ処理装置で行う。
【００４７】
次に、多面取基板１０をボール搭載装置に搬送する。この半田ボール搭載装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００４８】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、その後、多面取基板１０の裏面にボール搭載装置で半田ボールを搭載し、その後、半田ボールを溶融して突起状電極７である半田バンプを形成する（図４（ｈ）及び図８（ｈ）参照）。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０を半田ボール搭載装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０を半田ボール搭載装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０を半田ボール搭載装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０を半田ボール搭載装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。
【００４９】
半田ボールの搭載は、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２、ワイヤボンディング不良座標データ３４、組立不良座標データ３６、及び封止不良座標データ３８に基づく不良個所を除いて行う。半田ボールの搭載は、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２、ワイヤボンディング不良座標データ３４、組立不良座標データ３６、及び封止不良座標データ３８を半田ボール搭載装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの不良座標データに基づくデータ処理装置の制御によって行われる。
【００５０】
次に、多面取基板１０をマーキング装置に搬送する。このマーキング装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００５１】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、その後、多面取基板１０の複数の個片化領域１３に夫々対応する樹脂封止体６の領域に、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２、ワイヤボンディング不良座標データ３４、組立不良座標データ３６、及び封止不良座標データ３８に基づく不良個所を除いてマーク３９をマーキングする（図４（ｉ）及び図８（ｉ）参照）。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０をマーキング装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０をマーキング装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０をマーキング装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０をマーキング装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。
【００５２】
樹脂封止体６へのマーキングは、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２、ワイヤボンディング不良座標データ３４、組立不良座標データ３６、及び封止不良座標データ３８をマーキング装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの不良座標データに基づくデータ処理装置の制御によって行われる。
【００５３】
次に、多面取基板１０をダイシング装置に搬送する。このダイシング装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００５４】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、その後、多面取基板１０の分離領域１２に沿って多面取基板２０及び樹脂封止体６をダイシング装置で切断する（図４（ｊ）及び図９（ｊ）参照）。これにより、図１に示す半導体装置１がほぼ完成する。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０をダイシング装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０をダイシング装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０をダイシング装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０をダイシング装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。このダイシング工程は、多面取基板１０をダイシングシートに貼り付けた状態で行う。
【００５５】
次に、多面取基板１０及び樹脂封止体６を切断して個片化したままの状態でダイシングシートを治具詰め装置に搬送する。この治具詰め装置には、オンラインサーバ２０とオンラインで接続されたデータ処理装置が設けられ、更にこのデータ処理装置にオンラインで接続された無線タグ用データ読み取り装置が設けられている。
【００５６】
次に、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板識別データ３０とを照合し、その後、ダイシングシートからトレー等の治具に個片化された良品の半導体装置１を治具詰め装置で詰め込む。基板識別データ３０の照合は、無線タグ１５に記録された基板識別データ３０を治具詰め装置の無線タグ用データ読み取り装置で読み取り、この読み取った基板識別データ３０を治具詰め装置のデータ処理装置に呼び出し、更にデータファイル２１に記録された基板識別データ３０を治具詰め装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの基板識別データ３０を治具詰め装置のデータ処理装置で処理することによって行われる。
【００５７】
良品の半導体装置１の治具詰めは、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２、ワイヤボンディング不良座標データ３４、組立不良座標データ３６、及び封止不良座標データ３８を治具詰め装置のデータ処理装置に呼び出し、これらの不良座標データに基づくデータ処理装置の制御によって行われる。
これにより、半導体装置１の製造がほぼ完了する。
【００５８】
本実施形態の半導体装置１の製造は、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうちの不良箇所３１を座標データ化して基板不良座標データ３２を作成し、この基板不良座標データ３２と、多面取基板１０の基板識別データ３０とをオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する工程と、
無線タグ１５に多面取基板１０の基板識別データ３０を記録する工程と、
多面取基板１０に無線タグ１５を搭載する工程と、
無線タグ１５に記録された多面取基板１０の基板識別データ３０と、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された多面取基板１０の基板識別データ３０とを照合し、オンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録された基板不良座標データ３２に基づいて、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、良品の個片化領域１３に半導体チップ３を搭載する工程とを有する。このような工程を有することにより、不良の個片化領域１３にシール等の目印を手作業で付ける必要がないため、半導体装置１の生産効率の向上を図ることができる。
【００５９】
本実施形態の半導体装置１の製造は、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、ワイヤボンディング工程にてワイヤボンディング不良が発生した不良個所３３を座標データ化してワイヤボンディング不良座標データ３４を作成し、このワイヤボンディング不良座標データ３４をオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する工程を有する。このような工程を有することにより、ワイヤボンディング工程においてワイヤ接続不良が発生した個片化領域１３を作業者が伝票に記入して管理する必要がないため、半導体装置１の生産性の向上を図ることができる。
【００６０】
本実施形態の半導体装置１の製造は、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、外観検査工程にて組立不良が発覚した不良個所３５を座標データ化して組立不良座標データ３６を作成し、この組立不良座標データ３６をオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する工程を有する。このような工程を有することにより、外観検査工程にて組立不良が発覚した不良個所３５を作業者が伝票に記入する必要がないため、半導体装置１の生産性の向上を図ることができる。
【００６１】
本実施形態の半導体装置１の製造は、多面取基板１０の複数の個片化領域１３のうち、樹脂封止工程にて不良が発生した不良個所３７を座標データ化して封止不良座標データ３８を作成し、この封止不良座標データ３８をオンラインサーバ２０のデータファイル２１に記録する工程を有する。このような工程を有することにより、樹脂封止工程において、ワイヤ流れに起因するワイヤタッチ不良や樹脂の流れに起因するボイド不良等の不良が発生した個片化領域１３を作業者が伝票に記入する必要がないため、半導体装置１の生産性の向上を図ることができる。
【００６２】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００６３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本発明によれば、半導体装置の製造効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は模式的平面図，（ｂ）は模式的断面図）である。
【図２】本発明の一実施形態である半導体装置の製造に使用される多面取基板の概略構成を示す模式的平面図である。
【図３】図２の多面取基板の要部模式的断面図である。
【図４】本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】本発明の一実施形態である半導体装置の製造において、オンラインサーバのデータファイルに記録するデータを示すブロック図である。
【図６】本発明の一実施形態である半導体装置の製造工程を示す模式図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程を示す模式図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程を示す模式図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程を示す模式図である。
【符号の説明】
１…半導体装置、２…配線基板、３…半導体チップ、４…接着材、５…ボンディングワイヤ、６…樹脂封止体、７…突起状電極、
１０…多面取基板、１１…モールド領域、１２…分離領域、１３…個片化領域、１４…凹部、１５…無線タグ、
２０…オンラインサーバ、２１…データファイル、
３０…基板識別データ、３２…基板不良座標データ、３４…ワイヤボンディングワイヤ不良座標データ、３６…組立不良座標データ、３８…封止不良座標データ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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