(57)【要約】【課題】結晶を種子（核）として、永い期間をかけて育成或いは成長させ、更に精度の高い加工を含む、すべての工程を無くすことである。【解決手段】非結晶板１に結晶体２の結晶構造を写して結晶板３とする製造方法である。結晶体が有する結晶構造を非結晶板に写すことも、又基板となる結晶構造体さえあれば非結晶板に連続転写することも可能なのである。【選択図】  図３
2004323340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非結晶板（１）に結晶体（２）の結晶構造を写して結晶板（３）とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非結晶板と結晶体の相互或いは交互の平面或いは曲面を表面処理して、光・熱・電気等の応用と併用が自在な窯を可動して非結晶板に結晶体の結晶構造を写して結晶板とする製造方法。
本発明でいう非結晶とは、結晶に非ず、詳しくは結晶のように＊１結晶構造をもたないものをいう。
【０００２】
＊１結晶構造：結晶を構成する原子，イオンあるいは分子は３次元の周期性を
もって配列し空間格子を形成している．
「岩波理化学辞典第４版」
所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．３８５  右欄下
【０００３】
たとえば非結晶である＊２石英ガラス（シリカガラス）は、結晶である＊３水晶と同じ物質である二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からできている。
一つの例して、非結晶（石英ガラス）と結晶（水晶）の相違を極めて大胆に仮説すれば、小学校の校庭内という定められた枠組みの中で、休み時間に、同じ学年で、同じ制服を着た学童達（原子や分子）がそれぞれの形でおもいおもいに、バラバラ（無秩序）で好き勝手に遊んでいるこの不安定な状態が、非結晶（石英ガラス）なのである。
一方、同じ校庭内で、一線で区切られ、先生を前にして、同じ学年で、同じ制服を着た学童達（原子や分子）が、全員正面を向いて、右え習えをし、一定の間隔を空けて（三次元的な周期性を持って）、規則正しく整列（配列）して、手と手を固く結んで、安定した状態（結晶構造をもった）が結晶（水晶）であるといえる。
本発明は、この不安定な状態の非結晶を誘って、光・熱・電気等の応用と併用が自在な窯（炉）を可動して、放射線の吸収、放電、高速粒子線の衝撃などにより、原子、分子、イオンなどが高エネルギー状態に励起され、化学反応や結晶格子の変化をおこしやすい状態となる＊４活性化を促し、結晶に習って、結晶構造を写し非結晶を結晶と全く同じような安定した状態にさせること、すなわち、非結晶体（石英ガラス）に結晶体（水晶）の結晶構造を写して結晶板（水晶）とすることである。
【０００４】
＊２［１］石英ガラス．：シリカガラスともいわれ，シリカ（ＳｉＯ２）の網目状構造だけで，網目修飾イオンはない．
「岩波理化学辞典第４版」
発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．２４９右欄下
＊３水晶：石英の大きく結晶化したものを指す．
「岩波理化学辞典第４版」
発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．６４１  右欄上＊４活性化：［１］放射線の吸収，放電，高速粒子線の衝撃などにより原子，分子，イオンなどが高エネルギー状態に励起され，化学反応や結晶格子の変化をおこしやすい状態となることをいう．
「岩波理化学辞典第４版」
発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．２３７  左欄下
【０００５】
【従来の技術】
従来の人工的な結晶の作り方は、作ると言うよりは育てる、育成（成長）させると言うことである。従ってものを育てるには農作物と同じように、先ず一粒の種子（例えば麦の種子）を畑に蒔けば成長して実（麦の実）が稔るように、結晶を育てるには、一粒の種子となる結晶の核（
【核】▲２▼《物》気体の凝縮や液体の沸騰、また液体中から結晶が生成する時などに、その液滴・気泡・微結晶を作り出す最初のきっかけとなるもの。−例えば非特許文献１）、たとえば水晶の種子を選んで水熱合成法（高温の水とくに高温高圧の水の存在の下に行なわれる物質の合成および結晶成長法をいう．  −例えば、非特許文献２参照）と言う畑に蒔けば成長（集積）して水晶のより大きな実、（即ちインゴット，一瑰の単結晶）が稔る。これまでに単結晶を育成するために種々の方法が開発されてきた、それらは結晶化される方法によって、液相である▲１▼融液からの育成、▲２▼溶液からの育成、▲３▼気相からの育成、▲４▼固相からの育成、これらの組み合わせによる成長に大別されいずれも、種子から結晶に育成或いは成長させたものに外ならない。
【０００６】
【非特許文献１（かく）核】
編  松村明  「大辞林」    発行所（株）三省堂１９８８年１１月３日、Ｐ．４２６上／４段
【非特許文献２（水熱合成）】
「岩波理化学辞典第４版」
発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．６４７左欄下
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の人工的な結晶の作り方は、一言で言えば、種子から育成（成長）させる方法である。従って、種子を蒔いてから育成（成長）させ、その期間に起こる天変地異（突発事故）を克服して、成長が完了する期間（収穫）は、その実（結晶）の大きさに比例して短いものでも数週間、永いものでは数ヶ月におよぶ、この育成期間と加工費用は計り知れない。
さらに又、収穫した実（結晶）を食品（製品）とする加工工程（洗浄・方位測定・切断・研磨・成形・検査等々）は、緊張の連続と高度の熟練度を要し、工程中の破損する確率も高く、重なる加工費用の加算は言うまでもない。
従来の育成方法で、最大の欠点は、長期に亘る育成（成長）期間である。
【０００８】
本発明は、結晶構造をもたない非結晶板と、結晶構造をもった結晶体の相互或いは交互の平面或いは曲面を表面処理（研削・研磨による表面処理、有機・無機による洗浄・腐食・日本化学会の危険区分▲１▼〜▲１１▼の物質による表面処理する方法等。）して、光・熱・電気等の応用（例えば、紫外・可視・赤外線・加熱・冷却・加圧・衝撃・振動・波動・気圧・気体・等々の高低）と併用が自在な窯の中、あるいは外であわせ、窯を可動して、短時間（短期間）で、非結晶板に結晶体の結晶構造を写し結晶板とする製造方法。を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、従来の育成方法の最大の欠点である長期に亘る育成期間を無くし、更に育成完了後の方位測定等々製品にするための全ての加工工程をも無くすことができる。
【００１０】
ここで従来の主な加工工程である方位測定・切断・研削・研磨・成形・検査等々のうち極めて重要な結晶の方位測定、方位測定とはそれぞれの結晶には、三斜・単斜・斜方・六方・三方・正方・立方（等軸）と、七つの晶系があり用途によって選ばれた結晶にＸ線を入射して回折され（散乱されて干渉しあいできた斑点）その結晶が有する主軸（例えば、七つの晶系の内、六方晶系を選んで仮定すれば
【図１．２．３】参照にして、ａ１軸・ａ２軸・ａ３軸・ｃ軸の内、主軸はｃ軸を示す）に対して斜度（／）何度°何分′何秒″の単位で極めて高精度に測定し方位を検出する。
従って、方位測定はそれぞれの結晶がもつ多種多様な形状（例えば、円錐形、六角柱等々）から、製品が必要とする目的としての方位に成形され、その方位によって、歩留りは三割以下であり極めて悪く無駄が多い。
【００１１】
本発明は上記のような、永い育成期間、高精度の加工工程、方位測定による歩留りの悪さ等々は、全く関係なく只、非結晶板に基板となる結晶体の結晶構造を写すだけでよい。
例解すれば、写真による物体（結晶体）の映像（結晶が有する特異な結晶構造体）をフイルム（基板となる結晶構造体）から印画紙（非結晶板）に写す（転写す）ことも又、たった一枚のフイルム（基板となる結晶構造体）さえあれば印画紙（非結晶板）に印刷（連続転写）することも可能なのである。
従って極く簡単で、無駄なく、然も極めて安価で非結晶板を結晶板とする製造方法を、提供することを目的としている。
【００１２】
非結晶板に、結晶体の基板となる結晶構造を写す条件は、
同じ物質であること、若しくは異なった物質であっても同じ晶系を有すること。同じ物質であることの例として、前述したように、石英ガラス（シリカガラス）は、水晶（単結晶）と同じ物質である二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からできている結晶構造をもたない非結晶である。
従って、同じ物質である石英ガラス（非結晶）に、水晶（結晶）の基板となる結晶構造を写すことができる。
若しくは、異なった物質であっても同じ晶系を有することの例として、すでに
【００１０】にて、前述したように結晶には、三斜・単斜・斜方・六方・三方・正方・立方（等軸）と、七つの晶系に分類されている。
ここでいう同じ晶系とは、例えば、六方晶系どうしとか、立方晶系どうしとか、同じ晶系を有する同晶系をいう、
たとえ異なった物質であっても、同じ立方晶系どうしの例として、ダイヤモンド（Ｃ）の他、半導体のシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニュム（Ｇｅ）等も、同じ立方晶系なのである。
従って、異なった物質（例えば、ダイヤモンドと半導体シリコン）であっても、同晶系（立方晶系で同じ晶系）であれば、相互のいずれかが基板となり結晶構造を写すことができる。
【００１３】
ここで本発明の参考までに、結晶体の基板となる結晶構造の結晶軸と熱膨張係数との関係について解説する。
たとえば、水晶結晶と同晶系（同じ六方晶系）のサファイア（Ａｌ２Ｏ３）単結晶の場合は、
結晶には、異方性（物質の物理的性質がその方向によって異なること。）と、等方性（物質の物理的性質がその方向によって異ならない。）がある。
異方性の一例として、六方晶系である、＊５Ａｌ２Ｏ３単結晶の場合，ｃ軸の方向とａ軸の方向ではその熱膨張係数が著しく相違している。
【図１】参照    ｃ軸方向の熱膨張係数：６７×１０−７ｃｍ／℃／ｃｍ
ａ軸方向の熱膨張係数：５０×１０−７ｃｍ／℃／ｃｍ
したがつて成長方向がきまらない場合は，この熱膨張係数の異方性によって，成長が終わっての消火冷却に際して収縮に伴う不規則な亀裂を発生することが多いが，〜右上５行目通常，頭部に少し衝撃を加えると，ｃ軸を含む縦の方向に二つに割れる特性をもっており，原石は通常このように割れた状態で販売されている。
上記のように、同じ晶系（六方晶系）で、しかも構成される成分（Ａｌ２Ｏ３）が同じサファイアの単結晶であっても、収縮に伴う不規則な亀裂を発生することが多い、六方晶系の形（
【図１】参照）は、ｃ軸方向に縦長の六角柱で、縦と横即ち、ｃ軸方向（縦方向）とａ軸方向（横方向）の熱膨張係数が異なるから、成長が終わっての消火冷却（徐冷後）に際して収縮に伴う不規則な亀裂（剥離）を発生する。この亀裂（剥離）の原因は、異方性による膨張係数の差（相違）によるもので、この亀裂（剥離）の現象は、異方性の結晶に止まらず等方性の結晶にもおよぶことがあり、不可避的な要因なのである。
【００１４】
＊５Ａｌ２Ｏ３〜割れた状態で販売されている。
「結晶工学ハンドブック」発行所共立出版株式会
昭和４６年５月１０日、  Ｐ．９０１  左下  ３２行目  〜右上  ８行目
【００１５】
上記のように、結晶（一塊の単結晶）であっても、膨張係数の差（膨張×収縮）は、不可避的な亀裂（剥離）の要因となる。
【００１６】
そこで、本発明の非結晶板（１）に結晶体（２）の結晶構造を写して結晶板（３）とする製造方法は、この膨張係数の差（膨張×収縮）による、不可避的な亀裂（剥離）の要因を、意図的に剥離として活用し、非結晶板（１）を結晶板（３）とする製造方法なのである。
【００１７】
剥離として活用する過程の例として、非結晶板と結晶体の熱膨張係数の差（膨張×収縮）がちいさい場合は、徐冷（徐々に、ゆるやかに常温にもどす）することによって極めて容易に、然も簡単に、自然に、互いに剥離する。
又いずれかを、温めるか冷やすかによって、膨張或いは収縮の差によっても剥離する。
また、膨張係数の差が、おおきい場合は、徐冷中（徐々に、ゆるやかに常温にもどしていくうち）に、相互のいずれかが膨張或いは収縮に耐えきれずに、破壊（散乱）するおそれがあるので、破壊する前に、光・熱・電気等の応用（例えば、紫外・可視・赤外線・加熱・冷却・加圧・衝撃・振動・波動・気圧・気体・等々の高低）と併用が、自在な窯（炉）の中で意図的に剥離させことも可能である。
【００１８】
上記のように、不可避的な亀裂（剥離）の要因を、意図的に剥離として活用する製造方法の発想は、
【００１９】
本願発明者である同人（等）が、既に取得した特許証三件（１．２．３）により本願の発想を誘導した。
【００２０】
【特許文献１】
１．特許第１８５９２６８号
発明の名称  一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法。
特許請求の範囲．  １．の１３行目
「化学的加圧密着させ、更にこれを前記合成コランダムの融点２０３０℃より低い温度１２００℃で加熱し密着接合させるようにしたことを特徴とする一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造体の製造方法。」
【特許文献２】
２．特許第２５９５１０２号
【特許請求の範囲】
【請求項１】の８行目
「化学結合させて一体化したことを特徴とする主成分及び結晶系を同じくする合成単結晶体を化学結合させて一体同化した同軸結晶結合体の製造方法。」
【特許文献３】
３．特許第２９０２３６５号
【特許請求の範囲】
【請求項１】の８行目
「主成分及び結晶系を同じくする合成単結晶体を化学結合させて一体同化した同軸結晶結合体の製造方法。」
【００２１】
既に取得した特許証三件は、いずれも結晶構造をもった結晶と結晶を、化学結合させ、相互の結晶を一体同化或いは一体化する単結晶構造体の製造方法である。
しかし、加工中に一体同化或いは一体化せずに剥離するものもあり、剥離する原因について究明中に、本願の発想を誘導した。
【００２２】
改めて、本願と取得済の特許との相違は、先ず相互が結晶と結晶ではなく、相互が結晶と非結晶である。次に結晶と結晶を化学結合させ、相互の結晶を一体同化或いは一体化する単結晶構造体の製造方法ではなく、結晶と非結晶を一体化或いは一体同化するまでの状態にちかずけ、非結晶に基板となる結晶体の結晶構造を写しおわったのち、非結晶板を結晶板にして剥離する方法である。
この方法によって、結晶構造を持っていない非結晶板は、結晶構造を持っている結晶板に誘われて、剥離したあとに、結晶体と同じ結晶構造をもった結晶板となる。ここでいう板とは板状であつて、俗にいう箔或いは膜もこれに類する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。
【００２４】
図１に示される実施例では、
非結晶板１を、結晶体２に、近づけて、
【００２５】
図２に示される実施例では、
非結晶板１と結晶体２の相互面（或いは交互の平面或いは曲面）を表面処理して、光・熱・電気等の応用と併用が自在な窯の中、あるいは外であわせ、窯を可動させ、非結晶板１に結晶体２の結晶構造を写すようにして、
【００２６】
図３に示される実施例では、
窯（炉）から出した、結晶板３は、もとの非結晶板１で、既に結晶体２から結晶構造（六方晶系を選んで仮定した、←ａ１軸・←ａ２軸・→ａ３軸・ｃ軸↑の内の主軸とはｃ軸↑を示す。）を写された結晶板３である。
【００２７】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２８】
すでに、
【０００５】で、上述したように、種子結晶からの永い育成期間、成形するための高精度の加工工程、歩留りの悪い方位測定等々は、全く関係なく只、非結晶板１に基板となる結晶体２の結晶構造を写す（転写す）だけでよい。
例解すれば、写真による物体（結晶体）の映像（結晶が有する特異な結晶構造体）をフイルム（基板となる結晶構造体）から印画紙（非結晶板）に写す（転写す）ことも、又たった一枚のフイルム（基板となる結晶構造体）さえあれば印画紙（非結晶板）に印刷（連続転写）することも可能なのである。    従って、
当然のことながら、極く簡単に然も極めて安価で非結晶板を結晶板とする製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】非結晶板１と、七つの晶系の内、六方晶系を選んで仮定した、結晶構造と結晶軸←ａ１軸・←ａ２軸・→ａ３軸・ｃ軸↑（主軸）を示す結晶体２の斜視図である。
【図２】非結晶板１と結晶体２あわせた（斜線部）、斜視図である。
【図３】結晶体２と結晶板３、すでに結晶体２から結晶構造と結晶軸←ａ１軸・←ａ２軸・→ａ３軸・ｃ軸↑（主軸）を、写（転写）されたあとの結晶板３の斜視図である。
【符号の説明】
１  非結晶板
２  結晶体
３  結晶板
【図１】
2004323340.tif 000003
【図２】
2004323340.tif 000004
【図３】
2004323340.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成15年7月17日(2003.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】非結晶板（１）に結晶体（２）の結晶構造を写して結晶板（３）とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非結晶板と結晶体の相互或いは交互の平面或いは曲面を表面処理して、光・熱・電気等の応用と併用が自在な窯を可動して非結晶板に結晶体の結晶構造を写して結晶板とする製造方法。
本発明でいう非結晶とは、結晶に非ず、詳しくは結晶のように＊１結晶構造をもたないものをいう。
【０００２】
＊１結晶構造：結晶を構成する原子，イオンあるいは分子は３次元の周期性をもって配列し空間格子を形成している．
「岩波理化学辞典第４版」発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．３８５右欄下
【０００３】
たとえば非結晶である＊２石英ガラス（シリカガラス）は、結晶である＊３水晶と同じ物質である二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からできている。
一つの例して、非結晶（石英ガラス）と結晶（水晶）の相違を極めて大胆に仮説すれば、小学校の校庭内という定められた枠組みの中で、休み時間に、同じ学年で、同じ制服を着た学童達（原子や分子）がそれぞれの形でおもいおもいに、バラバラ（無秩序）で好き勝手に遊んでいるこの不安定な状態が、非結晶（石英ガラス）なのである。
一方、同じ校庭内で、一線で区切られ、先生を前にして、同じ学年で、同じ制服を着た学童達（原子や分子）が、全員正面を向いて、右え習えをし、一定の間隔を空けて（三次元的な周期性を持って）、規則正しく整列（配列）して、手と手を固く結んで、安定した状態（結晶構造をもった）が結晶（水晶）であるといえる。
本発明は、この不安定な状態の非結晶を誘って、光・熱・電気等の応用と併用が自在な窯（炉）を可動して、放射線の吸収、放電、高速粒子線の衝撃などにより、原子、分子、イオンなどが高エネルギー状態に励起され、化学反応や結晶格子の変化をおこしやすい状態となる＊４活性化を促し、結晶に習って、結晶構造を写し非結晶を結晶と全く同じような安定した状態にさせること、すなわち、非結晶体（石英ガラス）に結晶体（水晶）の結晶構造を写して結晶板（水晶）とすることである。
【０００４】
＊２［１］石英ガラス．：シリカガラスともいわれ，シリカ（ＳｉＯ２）の網目状構造だけで，網目修飾イオンはない．
「岩波理化学辞典第４版」発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．２４９右欄下
＊３水晶：石英の大きく結晶化したものを指す．
「岩波理化学辞典第４版」発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．６４１右欄上
＊４活性化：［１］放射線の吸収，放電，高速粒子線の衝撃などにより原子，分子，イオンなどが高エネルギー状態に励起され，化学反応や結晶格子の変化をおこしやすい状態となることをいう．
「岩波理化学辞典第４版」発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．２３７左欄下
【０００５】
【従来の技術】
従来の人工的な結晶の作り方は、作ると言うよりは育てる、育成（成長）させると言うことである。従ってものを育てるには農作物と同じように、先ず一粒の種子（例えば麦の種子）を畑に蒔けば成長して実（麦の実）が稔るように、結晶を育てるには、一粒の種子となる結晶の核（〔核〕▲２▼《物》気体の凝縮や液体の沸騰、また液体中から結晶が生成する時などに、その液滴・気泡・微結晶を作り出す最初のきっかけとなるもの。−例えば非特許文献１）、たとえば水晶の種子を選んで水熱合成法（高温の水とくに高温高圧の水の存在の下に行なわれる物質の合成および結晶成長法をいう．−例えば、非特許文献２参照）と言う畑に蒔けば成長（集積）して水晶のより大きな実、（即ちインゴット，一瑰の単結晶）が稔る。これまでに単結晶を育成するために種々の方法が開発されてきた、それらは結晶化される方法によって、液相である▲１▼融液からの育成、▲２▼溶液からの育成、▲３▼気相からの育成、▲４▼固相からの育成、これらの組み合わせによる成長に大別されいずれも、種子から結晶に育成或いは成長させたものに外ならない。
【０００６】
【非特許文献１（かく）核】編松村明  「大辞林」発行所（株）三省堂１９８８年１１月３日、Ｐ．４２６上段
【非特許文献２（水熱合成）】
「岩波理化学辞典第４版」発行所（株）岩波書店１９９４年７月１８日、Ｐ．６４７左欄下
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の人工的な結晶の作り方は、一言で言えば、種子から育成（成長）させる方法である。従って、種子を蒔いてから育成（成長）させ、その期間に起こる天変地異（突発事故）を克服して、成長が完了する期間（収穫）は、その実（結晶）の大きさに比例して短いものでも数週間、永いものでは数ヶ月におよぶ、この育成期間と加工費用は計り知れない。
さらに又、収穫した実（結晶）を食品（製品）とする加工工程（洗浄・方位測定・切断・研磨・成形・検査等々）は、緊張の連続と高度の熟練度を要し、工程中の破損する確率も高く、重なる加工費用の加算は言うまでもない。
従来の育成方法で、最大の欠点は、長期に亘る育成（成長）期間である。
【０００８】
本発明は、結晶構造をもたない非結晶板と、結晶構造をもった結晶体の相互或いは交互の平面或いは曲面を表面処理（研削・研磨による表面処理、有機・無機による洗浄・腐食・日本化学会の危険区分１〜  の物質による表面処理する方法等。）して、光・熱・電気等の応用（例えば、紫外・可視・赤外線・加熱・冷却・加圧・衝撃・振動・波動・気圧・気体・等々の高低）と併用が自在な窯の中、あるいは外であわせ、窯を可動して、短時間（短期間）で、非結晶板に結晶体の結晶構造を写し結晶板とする製造方法。を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、従来の育成方法の最大の欠点である長期に亘る育成期間を無くし、更に育成完了後の方位測定等々製品にするための全ての加工工程をも無くすことができる。
【００１０】
ここで従来の主な加工工程である方位測定・切断・研削・研磨・成形・検査等々のうち極めて重要な結晶の方位測定、方位測定とはそれぞれの結晶には、三斜・単斜・斜方・六方・三方・正方・立方（等軸）と、七つの晶系があり用途によって選ばれた結晶にＸ線を入射して回折され（散乱されて干渉しあいできた斑点）その結晶が有する主軸（例えば、七つの晶系の内、六方晶系を選んで仮定すれば〔図１．２．３〕参照にして、ａ１軸・ａ２軸・ａ３軸・ｃ軸の内、主軸はｃ軸を示す）に対して斜度（／）何度°何分′何秒″の単位で極めて高精度に測定し方位を検出する。
従って、方位測定はそれぞれの結晶がもつ多種多様な形状（例えば、円錐形、六角柱等々）から、製品が必要とする目的としての方位に成形され、その方位によって、歩留りは三割以下であり極めて悪く無駄が多い。
【００１１】
本発明は上記のような、永い育成期間、高精度の加工工程、方位測定による歩留りの悪さ等々は、全く関係なく只、非結晶板に基板となる結晶体の結晶構造を写すだけでよい。
例解すれば、写真による物体（結晶体）の映像（結晶が有する特異な結晶構造体）をフィルム（基板となる結晶構造体）から印画紙（非結晶板）に写す（転写す）ことも又、たった一枚のフィルム（基板となる結晶構造体）さえあれば印画紙（非結晶板）に印刷（連続転写）することも可能なのである。
従って極く簡単で、無駄なく、然も極めて安価で非結晶板を結晶板とする製造方法を、提供することを目的としている。
【００１２】
非結晶板に、結晶体の基板となる結晶構造を写す条件は、
同じ物質であること、若しくは異なった物質であっても同じ晶系を有すること。同じ物質であることの例として、前述したように、石英ガラス（シリカガラス）は、水晶（単結晶）と同じ物質である二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からできている結晶構造をもたない非結晶である。
従って、同じ物質である石英ガラス（非結晶）に、水晶（結晶）の基板となる結晶構造を写すことができる。
若しくは、異なった物質であっても同じ晶系を有することの例として、すでに「００１０」にて、前述したように結晶には、三斜・単斜・斜方・六方・三方・正方・立方（等軸）と、七つの晶系に分類されている。
ここでいう同じ晶系とは、例えば、六方晶系どうしとか、立方晶系どうしとか、同じ晶系を有する同晶系をいう、
たとえ異なった物質であっても、同じ立方晶系どうしの例として、ダイヤモンド（Ｃ）の他、半導体のシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニュム（Ｇｅ）等も、同じ立方晶系なのである。
従って、異なった物質（例えば、ダイヤモンドと半導体シリコン）であっても、同晶系（立方晶系で同じ晶系）であれば、相互のいずれかが基板となり結晶構造を写すことができる。
【００１３】
ここで本発明の参考までに、結晶体の基板となる結晶構造の結晶軸と熱膨張係数との関係について解説する。
たとえば、水晶結晶と同晶系（同じ六方晶系）のサファイア（ＡＩ２Ｏ３）単結晶の場合は、
結晶には、異方性（物質の物理的性質がその方向によって異なること。）と、
等方性（物質の物理的性質がその方向によって異ならない。）がある。
異方性の一例として、六方晶系である、＊５Ａｌ２Ｏ３単結晶の場合，ｃ軸の方向とａ軸の方向ではその熱膨張係数が著しく相違している。
〔図１〕参照    ｃ軸方向の熱膨張係数：６７×１０−７ｃｍ／℃／ｃｍ
ａ軸方向の熱膨張係数：５０×１０−７ｃｍ／℃／ｃｍ
したがって成長方向がきまらない場合は，この熱膨張係数の異方性によって，成長が終わっての消火冷却に際して収縮に伴う不規則な亀裂を発生することが多いが，〜右上５行目通常，頭部に少し衝撃を加えると，ｃ軸を含む縦の方向に二つに割れる特性をもっており，原石は通常このように割れた状態で販売されている。
上記のように、同じ晶系（六方晶系）で、しかも構成される成分（ＡＩ２Ｏ３）が同じサファイアの単結晶であっても、収縮に伴う不規則な亀裂を発生することが多い、六方晶系の形（〔図１〕参照）は、ｃ軸方向に縦長の六角柱で、縦と横即ち、ｃ軸方向（縦方向）とａ軸方向（横方向）の熱膨張係数が異なるから、成長が終わっての消火冷却（徐冷後）に際して収縮に伴う不規則な亀裂（剥離）を発生する。この亀裂（剥離）の原因は、異方性による膨張係数の差（相違）によるもので、この亀裂（剥離）の現象は、異方性の結晶に止まらず等方性の結晶にもおよぶことがあり、不可避的な要因なのである。
【００１４】
＊５Ａｌ２Ｏ３〜割れた状態で販売されている。
「結晶工学ハンドブック」発行所共立出版株式会
昭和４６年５月１０日、Ｐ．９０１左下３２行目〜右上８行目
【００１５】
上記のように、結晶（一塊の単結晶）であっても、膨張係数の差（膨張×収縮）は、不可避的な亀裂（剥離）の要因となる。
【００１６】
そこで、本発明の非結晶板（１）に結晶体（２）の結晶構造を写して結晶板（３）とする製造方法は、この膨張係数の差（膨張×収縮）による、不可避的な亀裂（剥離）の要因を、意図的に剥離として活用し、非結晶板（１）を結晶板（３）とする製造方法なのである。
【００１７】
剥離として活用する過程の例として、非結晶板と結晶体の熱膨張係数の差（膨張×収縮）がちいさい場合は、徐冷（徐々に、ゆるやかに常温にもどす）することによって極めて容易に、然も簡単に、自然に、互いに剥離する。
又いずれかを、温めるか冷やすかによって、膨張或いは収縮の差によっても剥離する。
また、膨張係数の差が、おおきい場合は、徐冷中（徐々に、ゆるやかに常温にもどしていくうち）に、相互のいずれかが膨張或いは収縮に耐えきれずに、破壊（散乱）するおそれがあるので、破壊する前に、光・熱・電気等の応用（例えば、紫外・可視・赤外線・加熱・冷却・加圧・衝撃・振動・波動・気圧・気体・等々の高低）と併用が、自在な窯（炉）の中で意図的に剥離させことも可能である。
【００１８】
上記のように、不可避的な亀裂（剥離）の要因を、意図的に剥離として活用する製造方法の発想は、
【００１９】
本願発明者である同人（等）が、既に取得した特許証三件（１．２．３）により本願の発想を誘導した。
【００２０】
【特許文献１】
１．特許第１８５９２６８号
発明の名称  一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造方法。
特許請求の範囲．１．の１３行目
「化学的加圧密着させ、更にこれを前記合成コランダムの融点２０３０℃より低い温度１２００℃で加熱し密着接合させるようにしたことを特徴とする一体同化した合成コランダムの単結晶構造体の製造体の製造方法。」
【特許文献２】
２．特許第２５９５１０２号
「発明の名称」  主成分及び結晶系を同じくする合成単結晶体を化学結合させて一体同化した同軸結晶結合体の製造方法。
「特許請求の範囲」
「請求項１」の８行目
「化学結合させて一体化したことを特徴とする主成分及び結晶系を同じくする合成単結晶体を化学結合させて一体同化した同軸結晶結合体の製造方法。」
【特許文献３】
３．特許第２９０２３６５号
「発明の名称」  主成分及び結晶系を同じくする合成単結晶体を化学結合させて一体同化した同軸結晶結合体の製造方法。
「特許請求の範囲」
「請求項１」の８行目
「主成分及び結晶系を同じくする合成単結晶体を化学結合させて一体同化した同軸結晶結合体の製造方法。」
【００２１】
既に取得した特許証三件は、いずれも結晶構造をもった結晶と結晶を、化学結合させ、相互の結晶を一体同化或いは一体化する単結晶構造体の製造方法である。
しかし、加工中に一体同化或いは一体化せずに剥離するものもあり、剥離する原因について究明中に、本願の発想を誘導した。
【００２２】
改めて、本願と取得済の特許との相違は、先ず相互が結晶と結晶ではなく、相互が結晶と非結晶である。次に結晶と結晶を化学結合させ、相互の結晶を一体同化或いは一体化する単結晶構造体の製造方法ではなく、結晶と非結晶を一体化或いは一体同化するまでの状態にちかずけ、非結晶に基板となる結晶体の結晶構造を写しおわったのち、非結晶板を結晶板にして剥離する方法である。
この方法によって、結晶構造を持っていない非結晶板は、結晶構造を持っている結晶板に誘われて、剥離したあとに、結晶体と同じ結晶構造をもった結晶板となる。ここでいう板とは板状であって、俗にいう箔或いは膜もこれに類する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。
【００２４】
図１に示される実施例では、
非結晶板１を、結晶体２に、近づけて、
【００２５】
図２に示される実施例では、
非結晶板１と結晶体２の相互面（或いは交互の平面或いは曲面）を表面処理して、光・熱・電気等の応用と併用が自在な窯の中、あるいは外であわせ、窯を可動させ、非結晶板１に結晶体２の結晶構造を写すようにして、
【００２６】
図３に示される実施例では、
窯（炉）から出した、結晶板３は、もとの非結晶板１で、既に結晶体２から結晶構造（六方晶系を選んで仮定した、←ａ１軸・←ａ２軸・→ａ３軸・ｃ軸↑の内の主軸とはｃ軸↑を示す。）を写された結晶板３である。
【００２７】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成されているので、以下に記載されるような効果を奏する。
【００２８】
すでに、［０００５］で、上述したように、種子結晶からの永い育成期間、成形するための高精度の加工工程、歩留りの悪い方位測定等々は、全く関係なく只、非結晶板１に基板となる結晶体２の結晶構造を写す（転写す）だけでよい。
例解すれば、写真による物体（結晶体）の映像（結晶が有する特異な結晶構造体）をフィルム（基板となる結晶構造体）から印画紙（非結晶板）に写す（転写す）ことも、又たった一枚のフィルム（基板となる結晶構造体）さえあれば印画紙（非結晶板）に印刷（連続転写）することも可能なのである。      従って、当然のことながら、極く簡単に然も極めて安価で非結晶板を結晶板とする製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】非結晶板１と、七つの晶系の内、六方晶系を選んで仮定した、結晶構造と結晶軸←ａ１軸・←ａ２軸・→ａ３軸・ｃ軸↑（主軸）を示す結晶体２の斜視図である。
【図２】非結晶板１と結晶体２あわせた（斜線部）、斜視図である。
【図３】結晶体２と結晶板３、すでに結晶体２から結晶構造と結晶軸←ａ１軸・←ａ２軸・→ａ３軸・ｃ軸↑（主軸）を、写（転写）されたあとの結晶板３の斜視図である。
【符号の説明】
１  非結晶板
２  結晶体
３  結晶板