(57)【要約】【課題】低コストで量産性が高く、磁気特性面内分布が均一で、表面欠陥数の少ない品質が安定した磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板１０１の両面に、スパッタリングにより磁性膜１０５を形成するターゲット４００を、消費していく過程でその厚さによる寿命に達するまでに、エロージョン面４０１を少なくとも１回、裏側の非使用面４０３に対し略平行に追加工（切削）することでエロージョンによる窪みを少なくもしくは無くし、ターゲット４００を再使用する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ合金ターゲットをスパッタして基板に磁性膜を形成する方法において、前記ターゲットを消費していく過程でその厚さによる寿命に達するまでに、該ターゲットのスパッタする面を少なくとも１回、当該ターゲットの裏面に略平行に切削して、エロージョンによる窪みを少なくして再使用することを特徴とする磁性膜の形成方法。
【請求項２】
前記Ｃｏ合金ターゲットは、Ｃｏを主成分とし少なくともＣｒを５ａｔ．％≦Ｃｒ≦２０ａｔ．％の範囲で含有し、前記スパッタリングは直流マグネトロンスパッタリングであり、スパッタ電圧の平均値Ｖａｖｅとスパッタ電圧の標準偏差σとの関係がσ／Ｖａｖｅ≦０．０３５であることを特徴とする請求項１記載の磁性膜の形成方法。
【請求項３】
基板の両面にスパッタリングにて下地膜、磁性膜及び保護膜を形成し、該保護膜に潤滑膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記磁性膜のターゲットはＣｏ合金ターゲットであり、該ターゲットを消費していく過程でその厚さによる寿命に達するまでに、当該ターゲットのスパッタする面を切削して再使用することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記切削は少なくとも１回、前記ターゲットの裏面に略平行に行い、エロージョンによる窪みを少なくすることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記Ｃｏ合金ターゲットは、Ｃｏを主成分とし少なくともＣｒを５ａｔ．％≦Ｃｒ≦２０ａｔ．％の範囲で含有し、前記スパッタリングは直流マグネトロンスパッタリングであり、スパッタ電圧の平均値Ｖａｖｅとスパッタ電圧の標準偏差σとの関係がσ／Ｖａｖｅ≦０．０３５であることを特徴とする請求項３又は４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記基板はガラスであり、該ガラス基板と前記下地膜の間にＮｉ−Ｔａ合金のシード膜を形成し、前記下地膜はＣｒ−Ｔｉ−Ｂ合金の第１下地膜とＣｒ−Ｍｏ合金の第２下地膜を積層し、前記磁性膜は少なくともＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔを含む合金であり、前記保護膜はカーボンを主成分とすることを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
基板の両面にスパッタリングにて下地膜、第１磁性膜、中間膜、第２磁性膜及び保護膜を形成し、該保護膜に潤滑膜を形成する磁気記録媒体の製造方法において、前記第１磁性膜のターゲットはＣｏ合金ターゲットであり、該ターゲットを消費していく過程でその厚さによる寿命に達するまでに、当該ターゲットのスパッタする面を切削して再使用することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記切削は少なくとも１回、前記ターゲットの裏面に略平行に行い、エロージョンによる窪みを少なくすることを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記Ｃｏ合金ターゲットは、Ｃｏを主成分とし少なくともＣｒを５ａｔ．％≦Ｃｒ≦２０ａｔ．％の範囲で含有し、前記スパッタリングは直流マグネトロンスパッタリングであり、スパッタ電圧の平均値Ｖａｖｅとスパッタ電圧の標準偏差σとの関係がσ／Ｖａｖｅ≦０．０３５であることを特徴とする請求項７又は８記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記基板はガラスであり、該ガラス基板と前記下地膜の間にＮｉ−Ｔａ合金のシード膜を形成し、前記下地膜はＣｒ−Ｔｉ−Ｂ合金の第１下地膜とＣｒ−Ｍｏ合金の第２下地膜を積層し、前記中間膜はＲｕであり、前記第２磁性膜はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ合金であり、前記保護膜はカーボンを主成分とすることを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に低コストで量産性が高く、品質安定性が良好な磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク装置に対する大容量化の要求は益々高まりつつある。このため、磁気記録媒体には高保磁力化、高Ｓ／Ｎ化が求められている。このような磁気記録媒体として、特許文献１には、ＣｏにＣｒ、Ｐｔ等を添加した磁性膜を用いた磁気記録媒体が開示されている。磁気記録媒体の更なる高保磁力化、高Ｓ／Ｎ化に対応する為、磁性膜の組成が低Ｃｒ、高Ｐｔ濃度化する傾向にある。この磁性膜組成の変遷は、磁性膜形成に用いるＣｏ合金ターゲットの組成の変遷であり、Ｃｏ合金ターゲットの磁束密度と透磁率を高くする傾向となる。また、垂直磁気記録媒体の分野では軟磁性ターゲットつまり高い磁束密度と透磁率のターゲットが多く用いられている。
【０００３】
【特許文献１】
特許第３２２２１４１号公報（第３−６頁、第１図、第２図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
高い磁束密度と透磁率のターゲットでは、マグネトロンスパッタリングにおけるプラズマを維持するための漏洩磁場を確保し難くなる傾向があり、その結果、プラズマ中の電子の閉じ込め性が劣化し、安定した放電状態を得る事が難しくなる。また、直流マグネトロンスパッタリングでは、ターゲット表面に発生した磁界と電界が直行している部分に放電が集中し、この部分が最も顕著にスパッタされる特徴を持つ為、長時間スパッタした時にはターゲット表面に不均一なエロージョンが発生する傾向がある。
【０００５】
その不均一なエロージョン形状が起因し、漏洩磁場が不均一となり、放電状態を安定に維持することが困難となったり、磁性膜の磁気特性の面内分布が劣化する等の不具合が発生し、ターゲットの厚さによる寿命に達する前に使用出来なくなるという問題がある。また、特に磁束密度と透磁率が高いターゲットではこの傾向が顕著となる。
【０００６】
高い透磁率のターゲットであっても、ターゲット厚さを薄くすれば、放電領域内に十分な漏洩磁場を確保することが容易となるが、これは同時に製造できるターゲットの使用量を減らすことになり、その結果、頻繁にターゲットを交換する必要が発生し製造コストに影響を与えることになる。特にＰｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ等の高価な貴金属を含有するターゲットを使用する場合には、製造コストへの影響は更に大きい。
【０００７】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、低コストで量産性が高く、品質安定性が良好な磁性膜の形成方法を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、低コストで量産性が高く、品質安定性が良好な磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の磁性膜の形成方法は、スパッタリングにおいて、ターゲットを消費していく過程でその厚さによる寿命に達するまでに、ターゲットのエローション面を少なくとも１回、裏側の非使用面に対し略平行に追加工（切削）することでエロージョンによる窪みを少なくもしくは無くし、ターゲットを再使用するものである。これにより、ターゲットライフを通して放電の安定性を確保するとともに、磁気特性面内分布、表面欠陥数のバラツキの少ない、品質的に安定した磁性膜を形成することができる。
【００１０】
また、前記ターゲットはＣｏを主成分とし少なくともＣｒを５≦Ｃｒ≦２０ａｔ．％の範囲で含有するターゲットであり、かつ前記スパッタリングは直流マグネトロンスパッタリングであり、スパッタリングプロセス中のスパッタ電圧の平均値Ｖａｖｅとスパッタ電圧の標準偏差σとの関係が、σ／Ｖａｖｅ≦０．０３５である。これにより、簡便にターゲットの使用限界を見極められ、安定した磁気特性の磁性膜が得られる。
【００１１】
前記スパッタ電圧は、スパッタ放電のインピーダンスを考慮して、高入力抵抗の直流電圧計を設置することにより簡便に測定することができる。また、スパッタ電圧のサンプリング周期は数十ｍｓ以下程度の短い周期が好ましい。これは、サンプリング周期が長い時にはスパッタ電圧のバラツキを読み落すことがある為で、特に回転磁石式のスパッタリングの場合では磁石回転数の周期の１／１０倍以上が好ましい。
【００１２】
前記スパッタリングで使用するガスは、Ａｒが安価で扱い易く好ましいが、ＫｒやＸｅ等の希ガス、またはそれらにＯ２やＮ２等の反応性ガスを混合して使用する事も出来る。また、前記スパッタガスのガス圧は０．４Ｐａ以上、２．０Ｐａ以下が好ましい。ガス圧が０．４Ｐａ以下であればプラズマ中の電子とガス分子との衝突が減り、電子によるスパッタガスの衝突電離が少なくなり、スパッタ電流を低下させるだけでなく放電の発生自体が困難となり好ましくない。また、比較的高いガス圧はイオン電流を増加させ、放電を安定させる効果があり好ましいが、ガス圧が２．０Ｐａ以上になるとターゲットから放出された材料が基板へ飛行中に雰囲気中のガス分子に衝突拡散し、磁性膜の膜厚分布の不均一、つまりは磁気特性の面内分布を不均一にさせるだけでなく、シールドへの過剰付着によるコンタミ発生の原因になるので好ましくない。
【００１３】
また前記ターゲットには、ターゲットと基板間距離の調整やターゲットをカソードに組み付ける等の目的で、Ｃｕ材等のバッキングプレートをインジウム等でボンディングしたターゲットを使用する事も出来るが、ターゲット裏面に配置した磁石からのスペースロスが大きくなり、ターゲット表面の漏洩磁場が弱くなる為、バッキングプレート付でないターゲットの方が好ましい。
【００１４】
前記ターゲットの実質的な板厚は、ターゲット当りの製造量を上げ、コストを低減出来る為、６ｍｍ以上であることが好ましい。ターゲット厚さを薄くすれば、放電領域内に十分な漏洩磁場を確保することが容易となるが、同時に製造に使用できるターゲットの使用量を減らす事になり、その結果、頻繁にターゲットを交換する必要が発生し製造コストに影響を与えるので好ましくない。更に、Ｐｔ等の高価な貴金属を含有するターゲットの価格は、その材料費のみならずターゲット製造費も貴金属を含有しないターゲットよりも高く、ターゲット当りの製造量を下げることは製造コストを増大させる原因になるので好ましくない。
【００１５】
上記他の目的を達成するために本発明の磁気記録媒体の製造方法は、スパッタリングにより基板の両面に下地膜、磁性膜及び保護膜を形成し、保護膜に潤滑剤を塗布する磁気記録媒体の製造方法において、磁性膜形成のためのターゲットがＣｏを主成分としＣｒを５≦Ｃｒ≦２０ａｔ．％含有する磁性合金ターゲットの場合、ターゲットが比較的高い磁束密度と透磁率を持つことが多く、長時間スパッタした為に発生する不均一なエロージョン形状により、プラズマが集中することでスパッタ電圧にバラツキが発生した場合、ターゲット表面を旋盤で削るなどして追加工する。これにより、広範囲なプラズマを再現することが出来、その結果、同一のターゲットを再度生産に使用出来、実質的なターゲットの使用効率を上げることを可能とするため、コスト低減となり好ましい。またこの製造方法は、ターゲットライフを通して磁気特性の安定した記録媒体を製造可能とする。
【００１６】
また、前記ターゲットに非エロージョン部がある場合、スパッタによりターゲットから放出された材質がターゲット表面の非エロージョン部に再付着し堆積したものが、ターゲット使用量が増加するに従い、段階的に飛散し媒体表面に付着する傾向があり、ターゲット使用過程で追加工することにより前記付着物を除去することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞
図１は本発明の実施例１による磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体の断面模式図である。基板１０１は直径６４ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍのアルミノシリケート系の強化ガラス基板をアルカリ洗浄し、純水リンス洗浄し、乾燥させて用いた。この基板１０１の両面に、図２に模式的に示したスパッタリング装置にて多層膜を形成した。スパッタリング装置は、真空メインチャンバ２１１に取込み室２０１、第一成膜室２０２、加熱室２０３、酸化室２０４、第二成膜室２０５、第三成膜室２０６、第四成膜室２０７、第五成膜室２０８、第六成膜室２０９、取出し室２１０を接続した構成となっている。
【００１８】
取込み室２０１に基板１０１を導入した後、まず、第一成膜室２０２にて基板１０１の両面にＮｉ−３７．５ａｔ％Ｔａ合金からなるシード膜１０２を３０ｎｍ形成した。その後、加熱室２０３にてランプヒータによりシード膜１０２を形成した基板１０１を約２５０°Ｃ加熱した後、酸化室２０４にて９９％Ａｒ−１％Ｏ２混合ガスをガス圧力０．９Ｐａ、ガス流量２１ｓｃｃｍの雰囲気に４．２秒間曝し、第二成膜室２０５にてＣｒ−１５ａｔ．％Ｔｉ−３ａｔ．％Ｂ合金からなる第１下地膜１０３を７ｎｍ形成し、第三成膜室２０６にてＣｒ−３０ａｔ．％Ｍｏ合金からなる第２下地膜１０４を４ｎｍ形成した。
【００１９】
続いて、第四成膜室２０７にて後述する合金からなる磁性膜１０５を１６ｎｍ形成し、第五成膜室２０８をプロセス無しで通過させ、第六成膜室２０９にてカーボンを主成分とする保護膜１０６を３ｎｍ形成した。その後、基板１０１を取出し室２１０を経由してスパッタリング装置から取出し、保護膜１０６上にパーフルオロアルキルポリエーテルを主成分とする潤滑剤を塗布して厚さ２ｎｍの潤滑膜１０７を形成した。
【００２０】
上記シード層１０２、第１下地膜１０３、第２下地膜１０４、並びに磁性膜１０５の形成には、全てスパッタガスとしてＡｒを用い、スパッタガス圧は０．９Ｐａとした。なお、図１には基板１０１の片側に形成した層構成を示したが、本実施の形態においては基板１０１の両面に媒体を形成しており、もう一方の面にも図１に示した各層がこの順番で形成されている。
【００２１】
図３は磁性膜１０５を形成する第四成膜室（スパッタリングチャンバ）２０７の構成を示す模式図である。他の第一から第六成膜室も同様の構成とした。基板１０１に対向する位置に配置したカソード３０１の上にＣｏ−１８ａｔ．％Ｃｒ−１３ａｔ．％Ｐｔ−６ａｔ．％Ｂからなる合金で、初期厚さが８ｍｍのターゲット４００を取付け、真空ポンプにて４×１０−４Ｐａまで真空排気した後、Ａｒスパッタガスを０．９Ｐａの圧力で封入し、磁性膜１０５の膜厚を１６ｎｍ狙いとし、前記スパッタ条件を満たすために、以下に示すようにターゲット４００の追加工（切削）を行い製造を行った。この時、回転モータ３０３による磁石ユニット３０４の回転周期を１００ｍｓ、スパッタ電圧のサンプリング周期を４ｍｓとした。また、比較例１としてターゲット４００の追加工を行わないこと以外は上記実施例１と同様に製造を行なった。
【００２２】
表１に比較例１及び実施例１でのターゲット使用量に対する検討結果を示す。ここで、ターゲット使用量（ｋＷｈ）とはターゲット４００に投入した電力（ｋＷ）とスパッタ時間（ｈｒ）の積で、製造した記録媒体の枚数に準ずる量である。また、表１のスパッタ条件の欄には前記スパッタ条件σ／Ｖａｖｅ≦０．０３５を満たすか否かの判定を記した。
【００２３】
【表１】
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【００２４】
まず、比較例１ではターゲット４００の使用量が３０ｋＷｈまではスパッタ条件σ／Ｖａｖｅは０．０２２程度であり、その時の磁性膜１０５の保磁力面内分布は４．６％を確保できていたが、ターゲット使用量が４５ｋＷｈとなった時点でσ／Ｖａｖｅは０．０３６となり、保磁力面内分布は６．３％と増大した。更にターゲット使用量が４８ｋＷｈとなった時点で放電が停止し製造を継続することが出来ない状態となった。これは、高い透磁率のターゲット４００において、ターゲット表面に発生した不均一なエロージョンにより、漏洩磁場分布が不均一となることでプラズマ密度が不均一になり、その結果、保磁力の面内分布を不均一にさせ、最終的には放電自体が停止するという状態に陥った結果である。
【００２５】
一方この比較例１に対し、実施例１ではスパッタ条件σ／Ｖａｖｅが０．０３５以下を満たすように製造を行った。ターゲット使用量が４０ｋＷｈでσ／Ｖａｖｅが０．０３４となった時点で、一時製造を中止し、図４に示すように、Ｃｏ合金ターゲット４００をエロージョン面（スパッタする面）４０１から裏面４０３に平行に２ｍｍ（４０２）切削する追加工を行い再度製造を継続した。放電安定性の確認例として図５にターゲット使用量４０ｋＷｈ時点（追加工前）のスパッタ電圧の波形を、図６にターゲット使用量４５ｋＷｈ時点（追加工後）でのスパッタ電圧の波形を示す。図５及び図６よりターゲット４００の追加工によりスパッタ電圧の安定性が向上していることが分る。
【００２６】
そしてその後、表１に示した実施例１の通り、ターゲット使用量を９０ｋＷｈまで伸ばすことが可能となり、ターゲット使用効率を大幅に向上させ、製造コストを大幅に低減させることが可能となった。更にターゲットライフを通しての保磁力面内分布を５．０％以下に保つことが確認された。これは、高い透磁率のターゲットにおいて、ターゲット表面に発生した不均一なエロージョンの為、漏洩磁場分布が不均一となることでプラズマ密度が不均一になり、その結果、磁気特性分布が不均一になり、更には放電停止という状態に陥る状況を、前記スパッタ条件を満たす範囲で製造を行うことにより、簡便に放電安定性を得ることが可能となり、同時に磁性膜及び磁気記録媒体の保磁力面内分布を安定的に製造することが可能となることを示している。
＜実施例２＞
実施例２として、磁性膜１０５を形成するターゲット４００を、Ｃｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−１０ａｔ．％Ｐｔからなる合金で、初期厚さ８ｍｍとし、ターゲット使用量４０ｋＷｈ及び７０ｋＷｈで各１ｍｍずつエロージョン面を追加工した以外は上記実施例１と同様に製造を行なった。また、比較例２として、ターゲット４００を、Ｃｏ−１４ａｔ．％Ｃｒ−１０ａｔ．％Ｐｔからなる合金で、初期厚さ８ｍｍとし、追加工を行なわないこと以外は上記実施例２と同様に製造を行なった。
【００２７】
図７にターゲット使用量に対する磁気記録媒体表面に存在する微小欠陥数を光学式欠陥検出装置で測定した結果を示す。図７から分るように、比較例２ではターゲット使用量４０ｋＷｈ以降放電が不安定となり製造を中止した６０ｋＷｈ時まで、媒体の表面欠陥数が増加した。これは、スパッタによりターゲット４００から放出した材料がターゲット表面の非エロージョン部に再付着し堆積したものが、ターゲット使用量が増加するに従い、段階的に飛散し媒体表面に付着したものと考えられる。
【００２８】
一方実施例２ではターゲット４００の段階的な追加工の効果により、ターゲット使用量が９０ｋＷｈまで使用可能となり、媒体表面欠陥数の増加も抑制された。言い換えると、実施例２ではターゲット４００の使用効率が大幅に改善され、そのターゲット寿命を通して品質の安定した磁気記録媒体の製造が可能となった。＜実施例３＞
実施例３による磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法で製造した磁気記録媒体の断面模式図を図８に示す。実施例３の形態では、前記実施例１で示した構成に対して、第三成膜室２０６でＣｏ−８ａｔ．％Ｃｒ合金からなる第１磁性膜７０１を２ｎｍ、第四成膜室２０７でＲｕからなる中間膜７０２を０．５ｎｍ、第五成膜室２０８でＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１２ａｔ．％Ｐｔ−８ａｔ．％Ｂ合金からなる第２磁性膜７０３を１６ｎｍ順次形成した以外は、実施例１と同様とした。
【００２９】
Ｃｏ−８ａｔ．％Ｃｒ合金ターゲットの初期厚さを５ｍｍとして、第１磁性膜７０１の製造を行ったときの第三成膜室２０６でのターゲット使用量に対する検討結果を表２に示す。また比較例３として、前記Ｃｏ−８ａｔ．％Ｃｒ合金ターゲットに追加工を行わないこと以外は実施例３と同様に製造した結果を併せて表２に示す。
【００３０】
【表２】
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【００３１】
表２に示すように、比較例３ではターゲット使用量が２８ｋＷｈ程度になった時点でσ／Ｖａｖｅが０．０４０と放電が不安定となり、最終的にはターゲット使用量３２ｋＷｈの時点で放電が停止する結果となった。これに対し実施例３ではターゲット使用量が２０ｋＷｈになった時点で前記Ｃｏ−８ａｔ．％Ｃｒターゲットをエロージョン面より１ｍｍ切削する追加工を実施した。その結果、ターゲットの厚さによる寿命に達するまで安定した放電を維持することが出来、ターゲット使用量を４０ｋＷｈまで伸ばすことが出来、ターゲット使用効率を大幅に向上することが可能となった。
【００３２】
【発明の効果】
以上のとおり本発明によれば、低コストで量産性が高く、磁気特性面内分布のバラツキが少ない品質が安定した磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１及び実施例２による磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法で製造した磁気記録媒体の断面模式図である。
【図２】本発明の磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法が実施されるスパッタリング装置のステーション構成を示す模式図である。
【図３】本発明の磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法製造方法が実施されるスパッタリングチャンバの構成を示す模式図である。
【図４】本発明の磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法におけるターゲット追加工の一例を示す模式図である。
【図５】本発明の磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法におけるターゲット追加工前のスパッタ電圧の放電波形を示す図である。
【図６】本発明の磁性膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法におけるターゲット追加工後のスパッタ電圧の放電波形を示す図である。
【図７】本発明の実施例２の製造方法と比較例２におけるターゲット使用量と媒体表面欠陥数の推移を示す図である。
【図８】本発明の実施例３による製造方法で製造した磁気記録媒体の断面模式図である。
【符号の説明】
１０１…基板
１０２…シード膜
１０３…第１下地膜
１０４…第２下地膜
１０５…磁性膜
１０６…保護膜
１０７…潤滑膜
２０１…取込み室
２０２…第一成膜室
２０３…加熱室
２０４…酸化室
２０５…第二成膜室
２０６…第三成膜室
２０７…第四成膜室
２０８…第五成膜室
２０９…第六成膜室
２１０…取出し室
２１１…メインチャンバ
３０１…カソード
３０３…回転モータ
３０４…磁石ユニット
４００…ターゲット
４０１…エロージョン面
４０２…追加工量
４０３…ターゲット裏面
７０１…第１磁性膜
７０２…中間膜
７０３…第２磁性膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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