(57)【要約】【課題】半導体ウエーハ（２）の裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことを可能にする、半導体ウエーハの処理方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの裏面の研削に先立って、少なくとも中央領域（１２）には多数の細孔（１６）が形成されている保護基板（１０）の片面に半導体ウエーハの表面を対向せしめて、保護基板上に半導体ウエーハを装着する。【選択図】        図２
2004153193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面には格子状に配列されているストリートによって多数の矩形領域が区画され、該区画の各々には回路が施されている半導体ウエーハの処理方法にして、
該半導体ウエーハの該表面を、少なくとも中央領域には多数の細孔が形成されている保護基板の片面に対向せしめて、該半導体ウエーハを該保護基板上に装着する装着工程と、
該半導体ウエーハが装着された該保護基板を研削用チャック手段上に保持し、該半導体ウエーハの露呈せしめられている裏面を研削手段によって研削する研削工程と、
該研削用チャック手段上から該保護基板を離脱せしめ、次いで該研削用チャック手段から離脱せしめた該保護基板に装着されている該半導体ウエーハの該裏面を保持手段上に貼着し、しかる後に該半導体ウエーハの該表面から該保護基板を離脱せしめる移し替え工程と、
該半導体ウエーハが装着されている該保持手段を切断用チャック手段上に保持し、該半導体ウエーハの露呈されている該表面から切断手段を作用せしめて該ストリートに沿って該半導体ウエーハを切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウエーハの処理方法。
【請求項２】
該保持手段は中央に装着開口を有する装着フレーム及び該装着開口を跨ぐ状態で該装着フレームに貼着されている装着テープから構成されており、該移し替え工程においては、該装着フレームの該装着開口内において、該研削用チャック手段から離脱せしめた該保護基板に装着されている該半導体ウエーハの該裏面を該装着テープに貼着せしめ、かくして該保持手段に該半導体ウエーハを装着する、請求項１記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項３】
該装着工程においては、該半導体ウエーハの該表面に樹脂溶液を塗布し、該半導体ウエーハの該表面を該保護基板の該片面に対向せしめる前又は後に溶剤を蒸発せしめて接着性を有する樹脂膜を形成し、該樹脂膜を介して該半導体ウエーハを該保護基板上に装着する、請求項１又は２記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項４】
該樹脂溶液は該半導体ウエーハの該表面上に樹脂溶液滴を供給し、該半導体ウエーハを１０乃至３０００ｒ．ｐ．ｍ．の速度で回転せしめることによって該半導体ウエーハの該表面に塗布される、請求項３記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項５】
該樹脂膜は１乃至１００μｍ  の厚さを有する、請求項３又は４記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項６】
該移し替え工程においては、該半導体ウエーハの該表面から該保護基板を離脱せしめるのに先立って、該保護基板の該細孔を通して該樹脂膜に溶剤を供給して該樹脂膜を溶解する、請求項３から５までのいずれかに記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項７】
該樹脂溶液は水溶性であり、該溶剤は水である、請求項６記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項８】
該装着工程においては、両面接着テープを介して該半導体ウエーハの該表面を該保護基板の該片面に接着せしめる、請求項１記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項９】
該装着工程においては、該半導体ウエーハの該表面と該保護基板の該片面とを水を介して圧着せしめる、請求項１記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項１０】
該半導体ウエーハの該表面と該保護基板の該片面とを水を介して圧着せしめるのに先立って、該半導体ウエーハの該表面上に保護樹脂テープを貼着する、請求項９記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項１１】
該移し替え工程においては、該保護基板を加熱して該半導体ウエーハの該表面と該保護基板との間に介在せしめられている水を蒸発せしめる、請求項９又は１０記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項１２】
該移し替え工程において、該半導体ウエーハの該裏面を該装着手段に貼着する前に、該半導体ウエーハの該裏面にダイアタッチフィルムを施す、請求項１から１１までのいずれかに記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項１３】
該保護基板は該中央領域を囲繞する枠領域を有し、該枠領域には細孔が形成されておらず、該半導体ウエーハが該保護基板の該中央領域内に装着される、請求項１から１２までのいずれかに記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項１４】
該保護基板の該中央領域における該細孔の面積率は１乃至５０％であり、該細孔の直径は０．１乃至１．５ｍｍである、請求項１３記載の半導体ウエーハの処理方法。
【請求項１５】
該保護基板は厚さが０．１乃至１．０ｍｍの金属薄板から形成されている、請求項１３記載の半導体ウエーハの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、表面には格子状に配列されているストリートによって多数の矩形領域が区画され、矩形領域の各々には回路が施されている半導体ウエーハの処理方法、更に詳しくは上記半導体ウエーハの裏面を研削手段によって研削する研削工程及び上記半導体ウエーハの表面から切断手段を作用せしめてストリートに沿って切断する切断工程を含む半導体ウエーハの処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】当業者には周知の如く、半導体チップの製造においては、半導体ウエーハの表面に、格子状に配列されたストリートによって多数の矩形領域を区画し、かかる矩形領域の各々に半導体回路を施している。そして、半導体ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを低減せしめ、次いでストリートに沿って半導体ウエーハを切断し、矩形領域を個々に分離して半導体チップを形成している。半導体ウエーハの裏面を研削する際には、半導体回路を保護するために半導体ウエーハの表面に保護樹脂テープを貼着し、かかるテープを貼着した表面を下方に向けた状態で、即ち表裏を反転した状態で半導体ウエーハを研削用チャック手段上に保持し、半導体ウエーハの裏面に研削手段を作用せしめる。半導体ウエーハをストリートに沿って切断する際には、半導体ウエーハを保持手段に装着する。保持手段は、通常、中央に装着開口を有する装着フレーム及び装着開口を跨ぐ状態で装着フレームに貼着されている装着テープから構成されており、装着フレームの装着開口内においては半導体ウエーハの裏面を装着テープに貼着することによって、装着手段に半導体ウエーハが装着される。半導体ウエーハの表面に貼着されている保護樹脂テープを離脱せしめて、半導体ウエーハが装着されている装着手段を切断用チャック手段上に保持し、そして半導体ウエーハの露呈されている表面に切断手段を作用せしめる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近時においては、著しく小型且つ軽量の半導体チップを形成するために、半導体ウエーハの厚さを著しく薄くする、例えば１００μｍ  以下、殊に５０μｍ  以下にすることが望まれることが少なくない。然るに、半導体ウエーハの厚さが著しく薄くなると、半導体ウエーハの剛性が著しく小さくなり、半導体ウエーハの取扱い、例えば研削用チャック手段上から離脱せしめて保持手段に装着する際の半導体ウエーハの搬送、が著しく困難になる、半導体ウエーハの表面に適宜の粘着剤を介して貼着される保護樹脂テープとして剛性が比較的高いテープ、例えば比較的厚いポリエチレンテレフタレートフィルム又はシート、を使用すると、半導体ウエーハの搬送が可能になるが、半導体ウエーハの表面に剛性が比較的高いテープを貼着すると、半導体ウエーハを損傷せしめることなく半導体ウエーハの表面からテープを剥離することが相当困難になる。
【０００４】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、半導体ウエーハの裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことを可能にする、新規且つ優れた半導体ウエーハの処理方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、上記主たる技術的課題を達成するために、半導体ウエーハの裏面の研削に先立って、少なくとも中央領域には多数の細孔が形成されている保護基板の片面に半導体ウエーハの表面を対向せしめて、保護基板上に半導体ウエーハを装着する。
【０００６】
即ち、本発明によれば、上記主たる技術的課題を達成する半導体ウエーハの処理方法として、表面には格子状に配列されているストリートによって多数の矩形領域が区画され、該区画の各々には回路が施されている半導体ウエーハの処理方法にして、
該半導体ウエーハの該表面を、少なくとも中央領域には多数の細孔が形成されている保護基板の片面に対向せしめて、該半導体ウエーハを該保護基板上に装着する装着工程と、
該半導体ウエーハが装着された該保護基板を研削用チャック手段上に保持し、該半導体ウエーハの露呈せしめられている裏面を研削手段によって研削する研削工程と、
該研削用チャック手段上から該保護基板を離脱せしめ、次いで該研削用チャック手段から離脱せしめた該保護基板に装着されている該半導体ウエーハの該裏面を保持手段上に貼着し、しかる後に該半導体ウエーハの該表面から該保護基板を離脱せしめる移し替え工程と、
該半導体ウエーハが装着されている該保持手段を切断用チャック手段上に保持し、該半導体ウエーハの露呈されている該表面から切断手段を作用せしめて該ストリートに沿って該半導体ウエーハを切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウエーハの処理方法が提供される。
【０００７】
好適実施形態においては、該保持手段は中央に装着開口を有する装着フレーム及び該装着開口を跨ぐ状態で該装着フレームに貼着されている装着テープから構成されており、該移し替え工程においては、該装着フレームの該装着開口内において、該研削用チャック手段から離脱せしめた該保護基板に装着されている該半導体ウエーハの該裏面を該装着テープに貼着せしめ、かくして該保持手段に該半導体ウエーハを装着する。該装着工程においては、該半導体ウエーハの該表面に樹脂溶液を塗布し、該半導体ウエーハの該表面を該保護基板の該片面に対向せしめる前又は後に溶剤を蒸発せしめて接着性を有する樹脂膜を形成し、該樹脂膜を介して該半導体ウエーハを該保護基板上に装着するのが好適である。好ましくは、該樹脂溶液は該半導体ウエーハの該表面上に樹脂溶液滴を供給し、該半導体ウエーハを１０乃至３０００ＲＰＭの速度で回転せしめることによって該半導体ウエーハの該表面に塗布される。該樹脂膜は１乃至１００μｍ  の厚さを有するのが好適である。該移し替え工程においては、該半導体ウエーハの該表面から該保護基板を離脱せしめるのに先立って、該保護基板の該細孔を通して該樹脂膜に溶剤を供給して該樹脂膜を溶解するのが好ましい。好適には、該樹脂溶液は水溶性であり、該溶剤は水である。
【０００８】
該装着工程においては、両面接着テープを介して該半導体ウエーハの該表面を該保護基板の該片面に接着せしめることもできる。或いは、該装着工程においては、該半導体ウエーハの該表面と該保護基板の該片面とを水を介して圧着せしめることもできる。該半導体ウエーハの該表面と該保護基板の該片面とを水を介して圧着せしめるのに先立って、該半導体ウエーハの該表面上に保護樹脂テープを貼着するのが好適である。該移し替え工程においては、該保護基板を加熱して該半導体ウエーハの該表面と該保護基板との間に介在せしめられている水を蒸発せしめることができる。
【０００９】
該移し替え工程において、該半導体ウエーハの該裏面を該装着手段に貼着する前に、該半導体ウエーハの該裏面にダイアタッチフィルムを施すのが好適である。好ましくは、該保護基板は該中央領域を囲繞する枠領域を有し、該枠領域には細孔が形成されておらず、該半導体ウエーハが該保護基板の該中央領域内に装着される。該保護基板の該中央領域における該細孔の面積率は１乃至５０％であり、該細孔の直径は０．１乃至１．０ｍｍであるのが好適である。該保護基板は厚さが０．２乃至１．０ｍｍの金属薄板から形成されているのが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の半導体ウエーハの処理方法の好適実施形態について詳細に説明する。
【００１１】
図１は半導体ウエーハの典型例を図示している。図示の半導体ウエーハ２は円板形状の一部にオリエンテーションフラットと称される直線縁４を形成した形状であり、その表面には格子状に配列されたストリート６によって多数の矩形領域８が区画されている。矩形領域８の各々には半導体回路が施されている。
【００１２】
図１と共に図２を参照して説明すると、本発明の半導体ウエーハの処理方法においては、最初に、半導体ウエーハ２を保護基板１０上に装着する装着工程が遂行される。図示の保護基板１０は全体として円板形状であり、円形中央領域１２と環状枠領域１４とを有する。中央領域１２は半導体ウエーハ２の直径に対応した直径を有する。かかる中央領域１２には多数の細孔１６が形成されている。中央領域１２における細孔１６の面積率は１乃至５０％であり、細孔１６の直径は０．１乃至１．０ｍｍ、特に０．５ｍｍ程度であるのが好適である。枠領域１４には細孔が形成されておらず、枠領域１４は中実である。かような保護基板１０は、厚さが０．１乃至１．０ｍｍ、特に０．５ｍｍ程度である適宜の金属薄板、例えばＳＵＳ４２０薄板の如きばね特性を有するステンレス薄板、から形成されているのが好都合である。所望ならば、適宜の合成樹脂から保護基板１０を形成することもできる。
【００１３】
本発明の好適実施形態においては、半導体ウエーハ２を保護基板１０上に装着する際には、半導体ウエーハ２の表面上に樹脂溶液１８を塗布する。樹脂溶液１８の塗布は、半導体ウエーハ２の表面に樹脂溶液滴を供給し、半導体ウエーハ２を例えば１０乃至３０００ｒ．ｐ．ｍ．程度の速度で回転せしめることによって好都合に遂行することができる。次いで、支持手段２０上に載置した保護基板１０の片面（図２において上面）に、樹脂溶液１８が塗布されている半導体ウエーハ２の表面を対向せしめて、保護基板１０の中央領域１２上に積重する。支持手段２０には電機抵抗加熱器の如き適宜の加熱手段（図示していない）が内蔵されている。保護基板１０の中央領域１２上に半導体ウーハ２を積重せしめた後に、支持手段２０に内蔵されている加熱手段を作用せしめて樹脂溶液１８を８０乃至２５０℃程度に加熱し、樹脂溶液１８中の溶剤を蒸発せしめて樹脂膜２２（図３を参照されたい）を形成する。かくして、保護基板１０の中央領域１２上の樹脂膜２２を介して半導体ウエーハ２を装着する。形成される樹脂膜２２の厚さは１乃至１００μｍ  程度でよい。好ましい樹脂溶液１８としては、適度の接着性を有する樹脂膜２２を形成する水溶性樹脂溶液、例えば東京応化工業株式会社から商品名「ＴＰＦ」として販売されている水溶性樹脂溶液を挙げることができる。
【００１４】
上述した実施形態においては、保護基板１０に半導体ウエーハ２を積重せしめた後に樹脂溶液１８を加熱して樹脂膜２２を形成しているが、樹脂溶液１８を加熱して樹脂膜２２にせしめた後に保護基板１０上に半導体ウエーハ２を積重せしめることもできる。所望ならば、半導体ウエーハ２の表面に塗布した樹脂溶液１８を加熱して一旦樹脂膜２２にせしめた後に半導体ウエーハ２を保存し、半導体ウエーハ２を保護基板１０上に装着する際に樹脂膜２２に溶剤を供給して樹脂溶液１８にせしめ、保護基板１０上に半導体ウエーハ２を積重せしめた後に樹脂溶液１８を加熱して再び樹脂膜２２にせしめることもできる。
【００１５】
更に、上述した実施形態においては樹脂膜２２を介して半導体ウエーハ２を保護基板１０上に装着しているが、これに代えて、適宜の両面接着テープを介して保護基板１０の中央領域１２に半導体ウエーハ２を装着することもできる。両面接着テープは、少なくとも半導体ウエーハ２の表面に密着せしめられる片面に施されている接着剤は紫外線照射により硬化せしめられる紫外線硬化型、加熱によって硬化せしめられる熱硬化型或いはレーザ光照射により硬化せしめられるレーザ硬化型のものであるのが好都合である。また、本発明者等の経験によれば、保護基板１０の中央領域１２と半導体ウエーハ２の表面との間に水を介在せしめて両者を圧着せしめると、適宜の接着力によって保護基板１０の中央領域１２上に半導体ウエーハ２を装着することができることも判明している。この場合には、半導体ウエーハ２の表面に形成されている回路を保護するために、半導体ウエーハ２の表面を保護基板１０の中央領域１２に圧着する前に半導体ウエーハ２の表面に適宜の保護テープを貼着することが望ましい。好ましい保護テープとしては、半導体ウエーハ２の表面に密接せしめられる片面に紫外線硬化型、熱硬化型或いはレーザ硬化型接着剤が施された比較的剛性が小さいポリオレフィンルムを挙げることができる。
【００１６】
図３を参照して説明を続けると、上述した装着工程に続いて研削工程が遂行される。この研削工程においては、半導体ウエーハ２が装着されている保護基板１０が研削用チャック手段２４上に保持され、半導体ウエーハ２の裏面が露呈せしめられる。研削用チャック手段２４は円板形状の多孔性中央部材２６とこの中央部材２６を囲繞する環状ケーシング２８とを有する。環状ケーシング２８内に固定されている中央部材２６の直径は保護基板１０の中央領域１２の直径に対応せしめられている。所望ならば、中央部材２６の直径を保護基板１０全体の直径に対応せしめることもできる。中央部材２２と環状ケーシング２８の上面とは同一平面をなす。半導体ウエーハ２の裏面を研削する際には、半導体ウエーハ２が装着された保護基板１０を、その中央領域１２を研削用チャック手段２４の中央部材２６に整合せしめて、研削用チャック手段２４上に載置する。次いで、中央部材２６を真空源（図示していない）に接続せしめ、保護基板１０の中央領域１２及び研削用チャック手段２４の中央部材２６を介して大気を吸引し、研削用チャック手段２４上に保護基板１０を介して半導体ウエーハ２を真空吸着する。そして、半導体ウエーハ２の上方に露呈せしめられている裏面を研削手段３０によって研削する。研削手段３０は環状研削工具から構成されており、かかる研削工具の下面にはダイヤモンド粒子を含有した研削片が配設されている。半導体ウエーハ２を吸着した研削用チャック手段２４はその中心軸線を中心として回転せしめられ、研削手段３０もその中心軸線を中心として回転せしめられ、そして研削手段３０が半導体ウエーハ２の裏面に押圧せしめられて半導体ウエーハ２の裏面が研削される。かような研削工程は適宜の研削機、例えば株式会社ディスコから商品名「ＤＦＧ８４１」として販売されている研削機、によって好都合に遂行することができる。
【００１７】
上記研削工程において半導体ウエーハ２の裏面が所要とおりに研削されると、移し替え工程が遂行される。この移し替え工程においては、研削用チャック手段２４を真空源から遮断して研削用チャック手段２４の吸引作用を解除し、研削用チャック手段２４上から保護基板１０及びこの保護基板１０に装着されている半導体ウエーハ２を離脱せしめる。研削用チャック手段２４上からの半導体ウエーハ２の離脱、そしてまた離脱した半導体ウエーハ２の搬送は、保護基板１０を把持して遂行することができ、従って半導体ウエーハ２が著しく薄くせしめられた場合でも、半導体ウエーハ２を損傷せしめることなく遂行することができる。図示の実施形態においては、図４に図示する如く、離脱せしめた保護基板１０及び半導体ウエーハ２を支持手段３２上に載置する。支持手段３２は円板形状の中央部材（図示していない）とこの中央部材を囲繞する環状ケーシング３４とを有する。環状ケージング３４内に固定されている中央部材の直径は保護基板１０の中央領域１２の直径に対応せしめられている。中央部材と環状ケーシング３４の上面は同一平面をなす。環状ケーシング３４内には電気抵抗加熱器でよい加熱手段（図示していない）が配設されている。図４を参照して説明を続けると、保持基板１０及び半導体ウエーハ２を支持手段３２上に載置する際には、加熱手段を作動せしめて中央部材を８０乃至２００℃程度に加熱する。そして、中央部材を真空源（図示していない）に接続せしめ、保護基板１０の中央領域１２及び支持手段３２の中央部材を介して大気を吸引し、支持手段３２上に保持基板１０を介して半導体ウエーハ２を吸引する。次いで、それ自体は周知のダイアタッチフィルム３６の片面を、半導体ウエーハ２の上方に露呈されている裏面に密接せしめて、半導体ウエーハ２の裏面にダイアタッチフィルム３６を貼着する。ダイアタッチフィルム３６は半導体ウエーハ２と実質上同一の形状でよい。しかる後に、加熱手段の作動を停止し、半導体ウエーハ２及びダイアタッチフィルム３６を常温に冷却する。
【００１８】
しかる後に、図示の実施形態においては、更に、図５に図示する如く、支持手段３２上に保持されている半導体ウエーハ２の裏面に保持手段３８を装着する。図示の保持手段３８は装着フレーム４０及び装着テープ４２から構成されている。適宜の金属薄板或いは合成樹脂から形成することができる装着フレーム４０は中央に比較的大きな装着開口４４を有する。装着フレーム４０の片面（図５において上面）には、装着開口４４を跨ぐ状態で装着テープ４２が貼着されている。装着テープ４２の片面（図５において下面）は粘着性を有する。半導体ウエーハ２の裏面は装着フレーム４０の装着開口４４内に位置せしめられ、半導体ウエーハ２の裏面に装着テープ４２が貼着される。かくして、半導体ウエーハ２の裏面に装着テープ４２を介して装着フレーム４０が接続され、保持手段３８に半導体ウエーハ２及び保護基板１０が装着される。図６は、一体的に組み合わされている装着フレーム４０、装着テープ４２、半導体ウエーハ２及び保護基板１０を支持手段３２上から離脱せしめて表裏を反転せしめた状態、即ち装着テープ４２を最下方に保護基板１０を最上方に位置せしめた状態を図示している。所望ならば、装着フレーム４０及び装着テープ４２から構成された保持手段３８に代えて、他の形態の装着手段、例えば円形薄板から構成された保持手段を使用することもできる。
【００１９】
次いで、保護基板１０を半導体ウエーハ２の表面から離脱せしめる。かくすると、図７に図示するとおり、半導体ウエーハ２がその表面を上方に露呈せしめて装着テープ４２を介して装着フレーム４０に装着された状態が達成される。半導体ウエーハ２の表面と保護基板１０とが樹脂膜２２を介して接合されている場合には、保護基板１０の中央領域１２に形成されている細孔１６を通して樹脂膜２２に溶剤、樹脂膜２２が水溶性樹脂溶液１８の場合に水、を供給して樹脂膜２２を樹脂溶液１８にせしめることによって、半導体ウエーハ２を損傷せしめることなく半導体ウエーハ２の表面から保護基板１０を充分容易に離脱せしめることができる。保護基板１０の中央領域１２には細孔１６が形成されていることも、半導体ウエーハ２の表面と保護基板１０との接合力を適宜に低減せしめていることも留意されるべきである。半導体ウエーハ２と保護基板１０とが両面接着テープを介して接合されており、半導体ウエーハ２に密接せしめられている接着剤が例えば紫外線硬化型である場合には、かかる接着剤に紫外線を照射して接着力を低減せしめることによって、半導体ウエーハ２の表面からの保護基板１０の離脱を助長せしめることができる。樹脂膜２２が例えば紫外線硬化型である場合も同様である。半導体ウエーハ２に密接せしめられている接着剤が例えば紫外線硬化型ものである場合には、半導体ウエーハ２の裏面の研削に先立って、かかる接着剤に紫外線を照射して硬化せしめその弾性率を増大せしめることもできる。かくすると、半導体ウエーハ２の表面と保護基板１０との接合力が低下せしめられるが、接着剤の弾性率が増大せしめられることに起因して半導体ウエーハ２の裏面の研削精度が向上せしめられる（この点については特開平１０−５０６４２号公報を参照されたい）。半導体ウエーハ２の表面と保護基板１０とが水を介在せしめて圧着されることによって接合されている場合には、保護基板１０及び半導体ウエーハ２を適宜に加熱して両者間の水を蒸発せしめ、かくして半導体ウエーハ２の表面からの保護基板１０の離脱を助長せしめることができる。
【００２０】
上述した移し替え工程に続いて切断工程が遂行される。図７と共に図８を参照して説明すると、切断工程においては、切断用チャック手段４６上に、半導体ウエーハ２が装着された保持手段３８が装着されて半導体ウエーハ２の表面が露呈される。切断用チャック手段４６は円板形状の多孔性中央部材４８とこの中央部材４８を囲繞する環状ケーシング５０とを有する。中央部材４８の外径は半導体ウエーハ２の直径に略対応せしめられている。中央部材４８と環状ケーシング５０の上面は同一平面を形成する。半導体ウエーハ２を切断する際には、保持手段３８に装着されている半導体ウエーハ２を装着テープ４２を介して切断用チャック手段４６上に位置せしめ、中央部材４８を介して大気を吸引して装着テープ４２を介して半導体ウエーハ２を中央部材４８上に真空吸着する。装着フレーム４０は環状ケージング５０に付設されているクランプ手段（図示していない）によって環状ケージング５０に固定される。そして、半導体ウエーハ２の上方に露呈されている表面に切断手段５２を作用せしめてストリート６に沿って切断する。切断手段５２は円板形状の切削ブレードから構成されており、高速回転せしめられ、その周縁を半導体ウエーハ２に作用せしめれる。そして、切断用チャック手段４６がストリート６（図１及び図７）に沿って切断手段５２に対して相対的に移動せしめられる。かくして、半導体ウエーハ２は個々の矩形領域８（図１及び図７）に分離される。ダイアタッチフィルム３６は切断されるが装着テープ４２は切断されることなく維持され、従って個々に分離された矩形領域８は装着テープ４２を介して装着フレーム４０に装着され続ける。かような半導体ウエーハ２の切断は、適宜の切断機、例えば株式会社ディスコから商品名「ＤＦＤ６００シリーズ」として販売されている切断機、によって好都合に遂行することができる。所望ならば、切断手段としてレーザ光を使用する切断機を使用することもできる。半導体ウエーハ２を個々の矩形領域８に分離した後においては、装着フレーム４０を把持することによって装着フレーム４０に装着され続けている個々の矩形領域８が切断用チャック手段４６から離脱され、そして装着フレーム４０から個々の矩形領域８が取り出されて半導体チップにせしめられる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明の半導体ウエーハの処理方法によれば、半導体ウエーハの裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体ウエーハの典型例を示す斜面図。
【図２】半導体ウエーハを樹脂膜を介して保護基板に装着する装着工程を示す斜面図。
【図３】樹脂膜を介して保護基板に装着された半導体ウエーハの裏面を研削する状態を示す断面図。
【図４】移し替え工程において、半導体ウエーハの裏面にダイアタッチフィルムを貼着する様式を示す斜面図。
【図５】移し替え工程において、半導体ウエーハを保持手段に装着する様式を示す斜面図。
【図６】半導体ウエーハを保持手段に装着した状態を示す斜面図。
【図７】保持手段に装着された半導体ウエーハから保護基板を離脱せしめた状態を示す斜面図。
【図８】半導体ウエーハをストリートに沿って切断する状態を示す断面図。
【符号の説明】
２：半導体ウエーハ
６：ストリート
８：矩形領域
１０：保護基板
１２：保護基板の中央領域
１４：保護基板の枠領域
１６：細孔
１８：樹脂溶液
２２：樹脂膜
２４：研削用チャック手段
３０：研削手段
３６：ダイアタッチフィルム
３８：保持手段
４０：装着フレーム
４２：装着テープ
４４：装着開口
４６：切断用チャック手段
５２：切断手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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