(57)【要約】【課題】ソース電極と画素電極のコンタクト部の段差を抑制して最表面の平坦性を改善し、当該コンタクト部の面積を小さくすることによって液晶表示装置の表示品質を向上させる。【解決手段】透明基板１０１上に、画素毎に、当該ＴＦＴアレイ基板１００の最表面１２１の近傍にまで突出した凸パターン１１５を形成し、その凸パターン１１５によって、ＴＦＴ１２０のソース電極１０７を最表面１２１の近傍にまで持ち上げる。最表面１２１を形成する平坦化膜（カラーフィルター１０９と透明有機層間絶縁膜１１１）を形成し、ＴＦＴ１２０を覆うと共に、最表面１２１を凸パターン１１５の頂面とほぼ同じ高さにする。画素電極１１２は、コンタクトホール１０５を介して凸パターン１１５の頂面でソース電極１０７と接続する。【選択図】　　図１
2004070196.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に画素毎に形成されたスイッチング素子と、
前記透明基板上に前記画素毎に形成された、当該液晶表示装置用基板の最表面の近傍にまで突出した凸パターンと、
前記画素毎に前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた、前記スイッチング素子の電極と、
前記画素のすべてについて前記スイッチング素子と前記凸パターンと前記スイッチング素子の電極を覆うように形成された、前記最表面を形成する平坦化膜と、
前記最表面上に前記画素毎に形成された画素電極とを備え、
前記画素電極は、前記最表面の近傍において対応する前記スイッチング素子の電極と接触せしめられている液晶表示装置用基板。
【請求項２】
前記スイッチング素子がＴＦＴであり、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極である請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在している請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在しており、前記凸パターンの頂面で前記画素電極に接触している請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記平坦化膜が、透明な有機層間膜を含んでいる請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
カラーフィルターを含んでおり、前記凸パターンの前記頂面はそのカラーフィルターよりも前記最表面に近い位置にある請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
カラーフィルターを含んでおり、前記カラーフィルターの前記凸パターン側の境界と、前記平坦化膜の前記凸パターン側の境界とが、互いに重なっている請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
透明基板上に、画素毎に当該液晶表示装置用基板の最表面の近傍にまで突出する凸パターンを形成する工程と、
前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられるように、対応するスイッチング素子の電極を前記画素毎に形成する工程と、
前記最表面を形成する平坦化膜を、前記画素のすべてについて前記スイッチング素子と前記凸パターンと前記スイッチング素子の電極を覆うように形成する工程と、
前記最表面上に前記画素毎に画素電極を形成する工程とを備え、
前記画素電極は、前記最表面の近傍において対応する前記スイッチング素子の電極に接触せしめられる液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記スイッチング素子がＴＦＴであり、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極である請求項８に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられる前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在する請求項８または９に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられる前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在し、さらに前記凸パターンの頂面で前記画素電極に接触する請求項８または９に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記平坦化膜が、透明な有機層間膜を含んでいる請求項８〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
カラーフィルターを形成する工程を含んでおり、前記凸パターンの前記頂面はそのカラーフィルターよりも前記最表面に近い位置に設定される請求項８〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項１４】
カラーフィルターを形成する工程を含んでおり、前記カラーフィルターの前記凸パターン側の境界と、前記平坦化膜の前記凸パターン側の境界とが、互いに重なる位置にある請求項８〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板と、
前記液晶表示装置用基板と対向する対向基板と、
前記液晶表示装置用基板および前記対向基板によって挟持された液晶層とを備えている液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用基板及びその製造方法並びに液晶表示装置に関し、さらに言えば、スイッチング素子の電極と最表面の画素電極とを結合させるためのコンタクトホールによってコンタクト部分に生じる段差をなくすと共に、当該コンタクト部分の面積を小さく抑えることができる、有機膜を用いた液晶表示装置用基板と、その基板の製造方法、並びにその基板を用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、一般に、ゲート電極とデータ電極をマトリクス状に配置し、それらの交点にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉ１ｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）を配置してなるＴＦＴアレイ基板と、対向電極を備えた対向基板と、それら両基板の間に挟持された液晶層とから構成される。
【０００３】
図８に従来のＴＦＴアレイ基板８００の画素構成の一例を示す。この基板８００には、有機膜で形成したカラーフィルター８０９が設けられており、いわゆる「カラーフィルター・オン（Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ　ｏｎ、ＣＦ−ｏｎ）・ＴＦＴアレイ基板」となっている。「ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ基板」では、カラーフィルター８０９が（対向基板ではなく）ＴＦＴ基板上に設けられるため、アレイ状に配置されたＴＦＴ（ＴＦＴアレイ）とカラーフィルターとの間のギャップをほぼ無くすことができる。このため、ブラックマトリクス（ＢＭ）の線幅を最小限として開口率の低下を抑えながら各画素の微細化を進めることにより、高精細な液晶表示装置を実現することができる。
【０００４】
図８に示した従来のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ基板８００では、透明基板８０１上にゲート電極８０２が形成されており、そのゲート電極８０２は無機ゲート絶縁膜８０３で覆われている。無機ゲート絶縁膜８０３の上には、ゲート電極８０２と重なるように所定形状にパターン化されたアモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｓｉｌｉｃｏｎ：ａ−Ｓｉ）膜８０４が形成されている。そのａ−Ｓｉ膜８０４の一方の側には、ドレイン電極８０６が形成され、その他方の側には、ソース電極８０７が形成されている。ゲート電極８０２と無機ゲート絶縁膜８０３、ａ−Ｓｉ膜８０４、ドレイン電極８０６、ソース電極８０７は、ＴＦＴ８２０を構成する。
【０００５】
ＴＦＴ８２０は、その上に形成された無機層間絶縁膜（パッシベーション膜）８０８によって覆われている。無機層間絶縁膜８０８には、水平断面が矩形のコンタクトホール８０５ａが形成されていて、その直下にあるソース電極８０７の一部を露出させている。
【０００６】
無機層間絶縁膜８０８の上には、所定形状にパターン化されたカラーフィルター（色層）８０９が形成されている。カラーフィルター８０９には、コンタクトホール８０５ａと重なる位置に水平断面が矩形のコンタクトホール８０５ｂが形成されていて、その直下にあるソース電極８０７の一部を露出させている。コンタクトホール８０５ｂは、コンタクトホール８０５ａよりも大きい。
【０００７】
カラーフィルター８０９の上には、ＴＦＴ８２０と重なる位置に所定形状にパターン化された遮光膜８１０が形成されている。遮光膜８１０は、ＴＦＴ８２０のａ−Ｓｉ膜８０４とドレイン電極８０６に外光が照射されるのを防止する作用をする。
【０００８】
カラーフィルター８０９の上にはさらに、遮光膜８１０を覆うように透明有機層間絶縁膜８１１が形成されている。透明有機層間絶縁膜８１１には、コンタクトホール８０５ａおよび８０５ｂと重なる位置に水平断面が矩形のコンタクトホール８０５ｃが形成されていて、その直下にあるソース電極８０７の一部を露出させている。コンタクトホール８０５ｃは、コンタクトホール８０５ａより大きいが、コンタクトホール８０５ｂよりは小さい。
【０００９】
透明有機層間絶縁膜８１１の上、すなわちＴＦＴアレイ基板８００の最表面８２１の上には、画素電極８１２が形成されている。この画素電極８１２は、透明有機層間絶縁膜８１１のコンタクトホール８０５ｃの内壁に沿って延在しており、無機層間絶縁膜８０８のコンタクトホール８０５ａを介してソース電極８０７に接触している。こうして、画素電極８１２とソース電極８０７が電気的に接続されている。
【００１０】
図９は、図８に示した従来のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ基板８００におけるコンタクト部９０３、すなわちコンタクトホール８０５ａの近傍のレイアウトを示す平面図である。
【００１１】
カラーフィルター８０９に使用する着色レジストは、薬品への耐性が弱いため、露出状態のままではその後の工程でカラーフィルター８０９の部分欠損等の不具合が生じる。このため、透明有機層間絶縁膜８１１が、カラーフィルター８０９をその表面だけでなくそのコンタクトホール８０５ｂの内壁面においても確実に覆うように、図８に示す構成が採用されている。換言すれば、図９に示すように、カラーフィルター８０９のコンタクトホール８０５ｂ側の境界９０９と、透明有機層間絶縁膜８１１のコンタクトホール８０５ｃ側の境界９１１を、水平方向に（境界９０９を境界９１１よりも外側に）ずらして別個に設け、それによってカラーフィルター８０９が透明有機層間絶縁膜８１１に確実に覆われるようにしているのである。このような構成は、コンタクトホールの多重構造と呼ぶことができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
通常、透明有機層間絶縁膜８１１の厚さは２〜３［μｍ］、無機層間絶縁膜８０８の厚さは数百［ｎｍ］である。そして、これら二つの膜８１１、８０８の間にさらに、透明有機層間絶縁膜８１１と同等の厚さのカラーフィルター８０９が形成される。したがって、従来のＴＦＴアレイ基板８００では、透明有機層間絶縁膜８１１のコンタクトホール８０５は非常に深く大きな段差（例えば４〜６［μｍ］）を発生させる。そのため、ＴＦＴアレイ基板８００の最表面８２１には、画素毎に図８に示すような凹部が存在することになる。これらの凹部は、液晶の配向を乱すため、透過光の制御が困難となって光が洩れる等の不具合が生じる。その結果、コントラストが低下して表示品質が低下する。
【００１３】
この光洩れを防ぐには、通常、ソース電極８０７を利用して遮光を行う。すなわち、ソース電極８０７の形状と大きさを、その光漏れを完全に遮光できるように設定するのである。しかし、そうすると、開口率が低下し液晶パネルの輝度が低下する。
【００１４】
特に、図８に示したようなコンタクトホールの多重構造（すなわちコンタクト部９０３）を形成するには、それぞれのコンタクトホール８０５ａ、８０５ｂ、８０５ｃを形成する際にマージンを設定する必要があるため、最も外側にあるコンタクトホール８０５ｂのサイズがかなり大きなものとなる。つまり、コンタクト部９０３（つまり図８に示すような凹部）の占める面積が大きくなる。その結果、ソース電極８０７の面積も大きくならざるを得ないため、開口率の低下が相当なものとなる。
【００１５】
本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、スイッチング素子の電極と画素電極とを接続するためのコンタクト部において最表面の平坦性を改善することができる液晶表示装置用基板およびその製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、スイッチング素子の電極と画素電極とを接続するためのコンタクト部の面積を減少することができる液晶表示装置用基板およびその製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置を提供することにある。
【００１７】
本発明のさらに他の目的は、簡単な構成または手法でコントラストの低下と開口率の低下を抑制できる液晶表示装置用基板およびその製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置を提供することにある。
【００１８】
ここに明記しない本発明のさらに他の目的は、以下の説明および添付図面から明らかになる。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
（１）　上記課題を解決するために、本発明の液晶表示装置用基板は、
透明基板と、
前記透明基板上に画素毎に形成されたスイッチング素子と、
前記透明基板上に前記画素毎に形成された、当該液晶表示装置用基板の最表面の近傍にまで突出した凸パターンと、
前記画素毎に前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた、前記スイッチング素子の電極と、
前記画素のすべてについて前記スイッチング素子と前記凸パターンと前記スイッチング素子の電極を覆うように形成された、前記最表面を形成する平坦化膜と、
前記最表面上に前記画素毎に形成された画素電極とを備え、
前記画素電極は、前記最表面の近傍において対応する前記スイッチング素子の電極と接触せしめられている、というものである。
【００２０】
（２）　本発明の液晶表示装置用基板では、透明基板上に画素毎に形成された、当該液晶表示装置用基板の最表面の近傍にまで突出した凸パターンを有しており、対応するスイッチング素子の電極をその凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げている。この最表面は、全画素の前記スイッチング素子と前記凸パターンと前記スイッチング素子の電極を覆うように形成された平坦化膜によって形成されている。そして、前記最表面上に前記画素毎に形成された画素電極は、前記最表面の近傍において対応する前記スイッチング素子の電極と接触せしめられている。
【００２１】
このため、スイッチング素子の前記電極と前記画素電極とを接続するためのコンタクト部において深いコンタクトホールが必要なくなり、その結果、前記コンタクト部において前記最表面の平坦性を改善することができる。これは、液晶表示装置のコントラストの低下の抑制につながる、
また、前記コンタクト部において深いコンタクトホールが必要なく、スイッチング素子の前記電極と前記画素電極とを接続するための前記コンタクト部において前記最表面の平坦性を改善することができるため、当該コンタクト部において光漏れが生じない。よって、スイッチング素子の前記電極の面積を拡大することが不要となり、その結果、コンタクト部の面積を減少することが可能となる。これは、液晶表示装置の開口率の低下の抑制につながる。
【００２２】
このように、本発明の液晶表示装置用基板によれば、簡単な構成で液晶表示装置のコントラストの低下と開口率の低下を抑制することができる。
【００２３】
（３）　本発明の液晶表示装置用基板の好ましい例では、前記スイッチング素子がＴＦＴであり、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極とされる。
【００２４】
本発明の液晶表示装置用基板の他の好ましい例では、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在する。
【００２５】
本発明の液晶表示装置用基板のさらに他の好ましい例では、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在しており、前記凸パターンの頂面で前記画素電極に接触する。
【００２６】
本発明の液晶表示装置用基板のさらに他の好ましい例では、前記平坦化膜が、透明な有機層間膜を含む。
【００２７】
本発明の液晶表示装置用基板のさらに他の好ましい例では、カラーフィルターを含んでおり、前記凸パターンの前記頂面はそのカラーフィルターよりも前記最表面に近い位置にある。
【００２８】
本発明の液晶表示装置用基板のさらに他の好ましい例では、カラーフィルターを含んでおり、前記カラーフィルターの前記凸パターン側の境界と、前記平坦化膜の前記凸パターン側の境界とが、互いに重なっている。
（４）　本発明の液晶表示装置用基板の製造方法は、
透明基板上に、画素毎に当該液晶表示装置用基板の最表面の近傍にまで突出する凸パターンを形成する工程と、
前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられるように、対応するスイッチング素子の電極を前記画素毎に形成する工程と、
前記最表面を形成する平坦化膜を、前記画素のすべてについて前記スイッチング素子と前記凸パターンと前記スイッチング素子の電極を覆うように形成する工程と、
前記最表面上に前記画素毎に画素電極を形成する工程とを備え、
前記画素電極は、前記最表面の近傍において対応する前記スイッチング素子の電極に接触せしめられる、というものである。
【００２９】
（５）　本発明の液晶表示装置用基板の製造方法では、透明基板上に、画素毎に当該液晶表示装置用基板の最表面の近傍にまで突出する凸パターンを形成した後、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられるように、対応するスイッチング素子の電極を前記画素毎に形成する。そして、前記最表面を形成する平坦化膜を、前記画素のすべてについて前記スイッチング素子と前記凸パターンと前記スイッチング素子の電極を覆うように形成してから、前記最表面上に前記画素毎に画素電極を形成する。さらに、前記画素電極は、前記最表面の近傍において対応する前記スイッチング素子の電極に接触せしめられる。
【００３０】
このため、スイッチング素子の前記電極と前記画素電極とを接続するためのコンタクト部において深いコンタクトホールが必要なくなり、その結果、前記コンタクト部において前記最表面を平坦化することができる。これは、液晶表示装置のコントラストの低下の抑制につながる、
また、前記コンタクト部において深いコンタクトホールが必要なく、スイッチング素子の前記電極と前記画素電極とを接続するための前記コンタクト部において前記最表面を平坦化することができるため、当該コンタクト部において光漏れが生じない。よって、スイッチング素子の前記電極の面積を拡大することが不要となり、その結果、コンタクト部の面積を減少することが可能となる。これは、液晶表示装置の開口率の低下の抑制につながる。
【００３１】
このように、本発明の液晶表示装置用基板の製造方法によれば、簡単な手法で液晶表示装置のコントラストの低下と開口率の低下を抑制することができる。
【００３２】
（６）　本発明の液晶表示装置用基板の製造方法の好ましい例では、前記スイッチング素子がＴＦＴであり、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられた前記電極が、前記ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極とされる。
【００３３】
本発明の液晶表示装置用基板の製造方法の他の好ましい例では、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられる前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在する。
【００３４】
本発明の液晶表示装置用基板の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記凸パターンによって前記最表面の近傍にまで持ち上げられる前記電極が、前記凸パターンの頂面と側面に沿って延在し、さらに前記凸パターンの頂面で前記画素電極に接触する。
【００３５】
本発明の液晶表示装置用基板の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記平坦化膜が、透明な有機層間膜を含む。
【００３６】
本発明の液晶表示装置用基板の製造方法のさらに他の好ましい例では、カラーフィルターを形成する工程を含んでおり、前記凸パターンの前記頂面はそのカラーフィルターよりも前記最表面に近い位置に設定される。
【００３７】
本発明の液晶表示装置用基板の製造方法のさらに他の好ましい例では、カラーフィルターを形成する工程を含んでおり、前記カラーフィルターの前記凸パターン側の境界と、前記平坦化膜の前記凸パターン側の境界とが、互いに重なる位置にある。
【００３８】
（７）　本発明の液晶表示装置は、
上記（１）または（３）の液晶表示装置用基板と、
前記液晶表示装置用基板と対向する対向基板と、
前記液晶表示装置用基板および前記対向基板によって挟持された液晶層とを備えている。
【００３９】
（８）　本発明の液晶表示装置では、上記（１）または（３）の液晶表示装置用基板を備えているので、当該基板と同じ効果が得られる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法の実施の形態について、〔第１実施形態〕、〔第２実施形態〕の順に図面を参照して詳細に説明する。
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置用基板１００の画素構成を示す要部断面図であり、図３におけるＡ−Ａ’線に沿った断面を示している。
【００４１】
この基板１００は、カラーフィルターを搭載したＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板であり、ゲート電極とデータ電極（いずれも図示せず）をマトリクス状に配置すると共に、それら電極の各交点にＴＦＴを配置している。実際のＴＦＴ基板は、マトリックス状に配置された多数の画素を有しているが、それらの画素の構成はいずれも同じであるから、以下の説明では主として単位画素についてのみ説明する。
【００４２】
図１に示した第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ基板１００では、透明基板１０１上にゲート電極１０２が形成されており、そのゲート電極１０２は無機ゲート絶縁膜１０３で覆われている。無機ゲート絶縁膜１０３の上には、ゲート電極１０２と重なるように所定形状にパターン化されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜１０４が形成されている。無機ゲート絶縁膜１０３の上には、さらに、画素電極１１２と重なる箇所に凸パターン１１５が形成されている。この凸パターン１１５は、ソース電極１０７の略中央部（画素電極１１２との接触部）を最表面１２１の近傍まで持ち上げるためのものである。凸パターン１１５は、ａ−Ｓｉ膜１０４とは重なっていない。
【００４３】
凸パターン１１５は、その上端面が当該基板１００の最表面１２１の近傍に位置するように形成されている、換言すれば、この凸パターン１１５は当該基板１００の最表面１２１の近傍にまで突出している。凸パターン１１５の水平断面形状は、矩形である。ソース電極１０７の平面形状も矩形であるが、凸パターン１１５の水平断面形状はソース電極１０７の平面形状よりも小さくしてある。したがって、凸パターン１１５の全体がソース電極１０７で覆われている。凸パターン１１５は、有機レジスト材料の膜をパターン化して形成したものである。
【００４４】
ａ−Ｓｉ膜１０４の一方の側には、ドレイン電極１０６が形成され、その他方の側には、凸パターン１１５と重なるようにソース電極１０７が形成されている。ソース電極１０７は、前述したように、その略中央部が凸パターン１１５によって最表面１２１の近傍まで持ち上げられている。ソース電極１０７は、凸パターン１１５の全頂面と全側面に沿って延在している。換言すれば、ソース電極１０７は、凸パターン１１５の全頂面と全側面に接触していると共に、それら頂面と側面の全体を覆っている。したがって、凸パターン１１５の全体がソース電極１０７で覆われていて、最表面１２１の側からは見えなくなっている。
【００４５】
ゲート電極１０２と無機ゲート絶縁膜１０３、ａ−Ｓｉ膜１０４、ドレイン電極１０６、ソース電極１０７は、ＴＦＴ１２０を構成する。無機ゲート絶縁膜１０３は、透明基板１０１のほぼ全面にわたって形成されており、全ＴＦＴ１２０において共用される。
【００４６】
ＴＦＴ１２０は、透明基板１０１のほぼ全面にわたって形成された無機層間絶縁膜（パッシベーション膜）１０８によって覆われている。無機層間絶縁膜１０８の厚さは通常、数百［ｎｍ］である。無機層間絶縁膜１０８には、凸パターン１１５の頂面において、水平断面が矩形のコンタクトホール１０５が形成されていて、その直下にあるソース電極１０７の一部を露出させている。コンタクトホール１０５の大きさは、凸パターン１１５の頂面のそれよりも小さく設定されているため、凸パターン１１５の頂面ではソース電極１０７の一部のみが露出している。
【００４７】
無機層間絶縁膜１０８の上には、所定形状にパターン化されたカラーフィルター（色層）１０９が形成されている。層状のカラーフィルター１０９の厚さは、その上面が凸パターン１１５の頂面より低くなるように設定されている。つまり、凸パターン１１５の上部が、カラーフィルター１０９よりも上方に突出するように（凸パターン１１５がカラーフィルター１０９内に埋もれてしまわないように）形成されているのである。
【００４８】
カラーフィルター１０９の上には、ＴＦＴ１２０と重なる位置に所定形状にパターン化された遮光膜１１０が形成されている。遮光膜１１０は、ＴＦＴ１２０のａ−Ｓｉ膜１０４とドレイン電極１０６に外光が照射されるのを防止する作用をする。
【００４９】
カラーフィルター１０９の上にはさらに、遮光膜１１０を覆うように透明有機層間絶縁膜１１１が形成されている。透明有機層間膜１１１の厚さは、通常２〜３［μｍ］である。透明有機層間絶縁膜１１１の厚さは、その上面が凸パターン１１５の頂面上にある無機層間絶縁膜１０８の部分の上面と同一平面となるように設定されている。このため、透明有機層間絶縁膜１１１にはコンタクトホールがなく、無機層間絶縁膜１０８に設けたコンタクトホール１０５が凸パターン１１５の頂面上で透明有機層間絶縁膜１１１から露出している。よって、その直下にあるソース電極１０７の一部も、コンタクトホール１０５を介して透明有機層間絶縁膜１１１から露出している。コンタクトホール１０５は、薄い無機層間絶縁膜１０８に設けられているものであるから、非常に浅いものである。
【００５０】
透明有機層間絶縁膜１１１の上面、すなわちＴＦＴアレイ基板１００の最表面１２１には、画素電極１１２が形成されている。この画素電極１１２は、無機層間絶縁膜１０８に設けたコンタクトホール１０５を介して、直下にあるソース電極１０７に接触している。こうして、画素電極１１２とソース電極１０７が電気的に接続されているのである。
【００５１】
図３は、図１に示した第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ基板１００におけるコンタクト部３０３、すなわちコンタクトホール１０５の近傍のレイアウトを示す平面図である。図３に示すように、遮光膜１１０は格子状のパターンを有しており、各画素に対応して略矩形の透過部３０２が形成されている。各画素に対して、一つの透過部３０２と一つのコンタクト部３０３が形成されている。
【００５２】
図４は、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板１００におけるコンタクト部３０３の近傍の平面図である。同図に示すように、ソース電極１０７と画素電極１１２を接続するコンタクト部３０３において、カラーフィルター１０９の凸パターン１１５側の境界３０９と、透明有機層間絶縁膜１１１の凸パターン１１５側の境界３１１はいずれも、凸パターン１１５の側面を覆っている無機層間絶縁膜１０８の表面（これは上下方向に延在している）に接触している。したがって、最表面１２１の側から見ると両境界３０９と３１１は互いに重なって見える、つまり「面一」になっている。そのため、従来のように（図９参照）、多重構造のコンタクトホール８０５ａ、８０５ｂ、８０５ｃのためにコンタクト部９０３を広く設計する必要がなくなり、コンタクト部９０３の面積を小さくして、開口率およびパネル輝度を向上させることができる。
【００５３】
以上説明したように、本発明の第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板１００では、透明基板１０１上に画素毎に形成された、当該基板１００の最表面１２１の近傍にまで突出した凸パターン１１５を有しており、対応するスイッチング素子すなわちＴＦＴ１２０のソース電極１０７をその凸パターン１１５によって最表面１２１の近傍にまで持ち上げている。最表面１２１は、全画素のＴＦＴ１２０と凸パターン１１５とソース電極１０７を覆うように形成された透明有機層間絶縁膜（平坦化膜）１１１の上面によって形成されている。そして、最表面１２１上に前記画素毎に形成された画素電極１１２は、最表面１２１の近傍（凸パターン１１５の頂面付近）において対応するＴＦＴ１２０のソース電極１０７に対して、コンタクトホール１０５を介して接触せしめられている。
【００５４】
このため、ＴＦＴ１２０のソース電極１０７と画素電極１１２とを接続するためのコンタクト部３０３において深いコンタクトホールが必要なくなり、その結果、コンタクト部３０３において最表面１２１の平坦性を大幅に改善して、最表面１２１をほぼ平坦にすることができる。よって、従来のＴＦＴアレイ基板８００において最表面８２１の段差のために生じていた液晶配向の乱れが除去でき、液晶表示装置のコントラストの低下を抑制できる。
【００５５】
また、コンタクト部３０３において深いコンタクトホールが必要なく、ＴＦＴ１２０のソース電極１０７と画素電極１１２とを接続するためのコンタクト部３０３において最表面１２１の平坦性を大幅に改善することができるため、コンタクト部３０３において光漏れが生じない。よって、ソース電極１０７の面積を拡大することが不要となり、その結果、コンタクト部３０３の面積を減少することが可能となる。これは、液晶表示装置の開口率の低下の抑制につながる。
【００５６】
このように、第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板１００によれば、簡単な構成で液晶表示装置のコントラストの低下と開口率の低下を抑制することができ、液晶表示装置の画質を向上することができる。
【００５７】
次に、以上の構成を持つ第１実施形態のＴＦＴアレイ基板１００の製造方法を、図５および図６を参照しながら説明する。
【００５８】
当該製造方法の概略は次の通りである。すなわち、まず、透明基板１０１上にゲート電極１０２を所定パターンで画素毎に形成し、さらに無機ゲート絶縁膜１０３を介してａ−Ｓｉ膜１０４を所定パターンで画素毎に形成する。次に、各画素においてコンタクト部３０３となるべき箇所に凸パターン１１５を形成した後、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７を形成する。そして、無機層間絶縁膜１０８を形成した後、その上に着色レジストにて層状のカラーフィルター１０９を所定パターンで形成する。カラーフィルター１０９の上には、金属または黒色レジストにて遮光膜１１０を形成する。さらに、遮光膜１１０を覆うように透明有機層間絶縁膜１１１を形成してから、無機層間絶縁膜１０８にソース電極１０７と画素電極１１２を接続するためのコンタクトホール１０５を形成し、最後に透明導電膜をパターン化して画素電極１１２を形成する。
【００５９】
以下、上記の各工程を順に詳細に説明する。
【００６０】
まず、図５（ａ）に示すように、透明基板１０１の表面に、画素毎にゲート電極１０２を形成する。透明基板１０１は、製造工程中の加熱処理において変性、変形しない透明なものであればよく、ガラス、石英、プラスチックが用いられるが、一般にはガラスが多用される。ゲート電極１０２は通常、ゲート配線と一体的に形成される。ゲート電極（ゲート配線）１０２に使用されるＣｒ，Ａｌ等の金属膜は、スパッタリング法等により透明基板１０１の表面に形成され、その後、フォトリソグラフィーおよびエッチングにて所定形状にパターン化されて、ゲート電極（ゲート配線）１０２となる。
【００６１】
次に、透明基板１０１の全面に、ゲート電極１０２を覆うように無機ゲート絶縁膜１０３を形成する。無機ゲート絶縁膜１０３には通常、シリコン酸化膜が用いられる。そして、無機ゲート絶縁膜１０３の上に、ゲート電極１０２と重なるようにａ−Ｓｉ膜１０４が画素毎に所定パターンで形成される。ａ−Ｓｉ膜１０４は、ＣＶＤ法等によって形成されてから、フォトリソグラフィーおよびエッチングにて所定形状にパターン化される。この時の状態は図５（ａ）に示すようになる。
【００６２】
次に、無機ゲート絶縁膜１０３の上に、図５（ｂ）に示すように、凸パターン１１５を画素毎に形成する。凸パターン１１５の高さは、無機層間絶縁膜１０８とカラーフィルター１０９と透明有機層間絶縁膜１１１の厚さの和にほぼ等しく設定する。例えば、約２〜３［μｍ］の高さとする。凸パターン１１５の材料は、このような高さのパターンを形成して維持できるものであれば任意である。本実施形態では、感光性の有機レジストを使用している。この感光性有機レジストを無機ゲート絶縁膜１０３の上に所定厚さで塗布し、その後、所望パターンのマスクを用いてこれを露光し、続いて現像を行う。こうして、図５（ｂ）に示すように、所定形状の凸パターン１１５を形成する。この際、凸パターン１１５が逆テーパー状、つまり頂部側（最表面１２１側）が太く基部側（透明基板１０１側）が細いテーパー状となるのを防ぐため、中間ベーク処理を実施し、その後に本焼成を実施するのが好ましい。中間ベーク処理は、ホットプレート等を用いて１００〜１５０［℃］の温度で２〜５［分］程度行うのが好ましい。本焼成は、ホットプレート等を用いて２００〜２３０［℃］の温度で１［時間］程度行うのが好ましい。
【００６３】
次に、図５（ｃ）に示すように、画素毎にドレイン電極１０６とソース電極１０７を形成する。ドレイン電極１０６は、従来と同様に、一端が対応するａ−Ｓｉ膜１０４に接触し、他の部分は無機ゲート絶縁膜１０３の上にある。これに対し、ソース電極１０７は、一端が対応するａ−Ｓｉ膜１０４に接触し、他の部分は対応する凸パターン１１５の全体を覆うように形成される。ソース電極１０７は、凸パターン１１５の全側面と全頂面を覆っており、他の部分は無機ゲート絶縁膜１０３の上にある。ドレイン電極１０６およびソース電極１０７に使用するＣｒ，Ａｌ等の金属膜は、スパッタリング法等により形成され、フォトリソグラフィーおよびエッチングにて所定形状にパターン化される。本実施形態では、凸パターン１１５に有機レジスト材を使用しているため、その金属膜は、有機レジスト材の耐熱温度である２３０［℃］程度以下の温度で成膜する必要がある。この時の状態は図５（ｃ）に示すようになる。
【００６４】
次に、図６（ａ）に示すように、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７並びに凸パターン１１５を覆うように、無機層間絶縁膜１０８を形成する。無機層間絶縁膜１０８の厚さは数百［ｎｍ］で薄いため、無機層間絶縁膜１０８はドレイン電極１０６、ソース電極１０７および凸パターン１１５の凹凸に沿って延在する。つまり、無機層間絶縁膜１０８の表面にはその凹凸を反映した凹凸が現れている。無機層間絶縁膜１０８は、凸パターン１１５の全側面と全頂面を覆っている。無機層間絶縁膜１０８には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等が用いられ、スパッタリング法やＣＶＤ法により形成される。
【００６５】
その後、無機層間絶縁膜１０８の上に、層状のカラーフィルター１０９を所定パターンで形成する。カラーフィルター１０９の厚さは、その上面が凸パターン１１５の頂面より低くなるように設定する。つまり、凸パターン１１５の上部が、カラーフィルター１０９よりも上方に突出するように（凸パターン１１５がカラーフィルター１０９内に埋もれてしまわないように）形成する。カラーフィルター１０９に使用される材料としては、露光光照射にて変性する感光性レジストが好ましく、通常は、ネガ型の感光性着色レジストで、感光性ポリイミド、ＰＶＡ系樹脂、感光性アクリル樹脂、感光性エポキシ樹脂などが使用される。このような感光性レジストを無機層間絶縁膜１０８の上に塗布した後、フォトリソグラフィー法で所定形状にパターン化し、その後、本焼成を行う。本焼成の条件は任意であるが、例えば、ホットプレート等を用いて２００〜２３０［℃］の温度で１［時間］程度行う。
【００６６】
次に、図６（ｂ）に示すように、カラーフィルター１０９の上のＴＦＴ１２０と重なる位置に、所定形状にパターン化された遮光膜１１０を形成する。遮光膜１１０は、スパッタリング法等で成膜したＣｒ等の金属膜をフォトリソグラフィーおよびエッチングにて形成することができる。あるいは、感光性の黒色レジストを塗布した後、その黒色レジスト膜を所望パターンのマスクを用いて露光および現像してから、本焼成を行って形成することもできる。
【００６７】
その後、遮光膜１１０を覆うように、カラーフィルター１０９の上に耐薬品性の高い材料からなる透明有機層間絶縁膜１１１を形成する。これは、感光性着色レジストからなるカラーフィルター１０９が以降の工程で変質または品質劣化することがないようにするためであるから、カラーフィルター１０９の全面を透明有機層間絶縁膜１１１で覆う必要がある。透明有機層間膜１１１の厚さは、通常２〜３［μｍ］である。本実施形態では、透明有機層間絶縁膜１１１の厚さは、その上面が凸パターン１１５の頂面上にある無機層間絶縁膜１０８の部分の上面と同一平面となるように設定する。このため、透明有機層間絶縁膜１１１にはコンタクトホールがなく、無機層間絶縁膜１０８に設けたコンタクトホール１０５とソース電極１０７の一部が、凸パターン１１５の頂面上で透明有機層間絶縁膜１１１から露出する。
【００６８】
本実施形態では、透明有機層間絶縁膜１１１には耐薬品性の高い感光性レジストを使用している。この感光性レジストをカラーフィルター１０９の上に所定厚さで塗布した後、所望のパターンを持つマスクを用いて露光し、現像することにより、図６（ｂ）に示すような透明有機層間絶縁膜１１１を得る。透明有機層間絶縁膜１１１用の感光性レジストの感光材に着色がある場合は、現像後に全面露光にてブリーチングを実施して脱色し、その後に本焼成を行うのが好ましい。
【００６９】
次に、凸パターン１１５の頂面において最表面１２１から露出している無機層間絶縁膜１０８に、ソース電極１０７との接続に用いるコンタクトホール１０５を形成する。これは、フォトリソグラフィーならびにエッチングにて行う。この時の状態は図６（ｂ）に示すようになる。
【００７０】
その後、透明有機層間絶縁膜１１１の表面すなわち最表面１２１に、スパッタリング法等により透明導電膜を形成し、その膜をフォトリソグラフィーならびにエッチングにて所定形状にパターン化して、図６（ｃ）に示すように画素電極１１２を得る。無機層間絶縁膜１０８にはコンタクトホール１０５が形成されているので、画素電極１１２はそのコンタクトホール１０５を介してソース電極１０７に接触する。この時の状態は図６（ｃ）に示すようになり、図１の構成を持つＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板１００が得られる。
【００７１】
上述した各工程において、成膜前およびフォトリソグラフィーにおけるレジスト塗布前には、基板の洗浄工程を設けるのが通常である。洗浄方法としては、ブラッシング洗浄、超音波洗浄、イソプロパノール等による薬液洗浄または純水洗浄を用いることができる。洗浄後の基板乾燥は、ＩＲヒータ、ホットプレート等で、１２０〜１８０［℃］／２〜５［分］程度の条件で行われる。
【００７２】
また、レジストを塗布する方法は任意であり、スピンコート、スリットコートまたはコーティング等の方法にて行うことができる。レジスト塗布の直後に行う減圧乾燥は、レジストに含有する溶剤成分を揮発させ、次工程の仮焼成における熱分布を緩和する役目を果たし、到達真空圧とそのための時間は、塗布量および溶剤含有率等に応じて任意に設定される。仮焼成は、レジストに含有する溶剤成分を減圧乾燥工程よりさらに揮発除去する工程であり、ホットプレート、オーブン等で７０〜１００［℃］／２〜４［分］程度の条件で行われる。
【００７３】
レジストの仮焼成を完了した基板は、露光工程にて所定パターンで露光せしめられる。露光方法は任意であり、レジストに対し感光変性させるものであればよく、例えばマスクを用いた投射方式やレーザによる描画等で行う。露光に使用する光は、レジストが感度を有する波長を持つものであれば任意であり、紫外線、水銀ランプのｇ，ｈ，ｉ線、キセノンランプ光、エキシマレーザー光、Ｘ線、電子線、γ線またはイオンビーム等を任意に使用する。
【００７４】
露光完了後の現像処理は、使用したレジスト組成物に対応する方法で行う。現像液は、有機アルカリ溶液または無機アルカリ溶液等を使用するのが一般的である。
【００７５】
エッチング方法は任意であり、ガス反応およびプラズマ等によるドライエッチングや酸性溶液等によるウェットエッチングが一般的である。
【００７６】
有機膜の形成工程では、現像処理にて所望パターンが形成された後に本焼成を行って、有機膜の形成を完了する。本焼成は、ホットプレート、オーブン等を用い、２００〜２３０［℃］程度で約１［時間］の条件下で恒温加熱処理にて行う。さらに、後工程における加熱処理を行い、含有物揮発ガス発生等の不具合が生じることを防止する。
【００７７】
以上説明したように、本実施形態のＴＦＴアレイ基板１００の製造方法によれば、図１に示した構成のＴＦＴアレイ基板１００が容易に得られる。
【００７８】
第１実施形態の液晶表示装置は、図２に示すように、図１に示したＴＦＴアレイ基板１００と、このＴＦＴアレイ基板１００に対して所定の間隙をあけて対向させた、対向電極（図示せず）を備えた対向基板２００と、両基板１００と２００の間に形成された所定の液晶材料（図示せず）を含む液晶層とを備えて構成される。対向基板２０２の構造とその製造方法、並びに、液晶表示装置の全体構造とその組立工程については周知であるから、それらについての説明は省略する。
【００７９】
この液晶表示装置では、図１に示したＴＦＴアレイ基板１００を使用しているので、そのＴＦＴアレイ基板１００と同じ効果が得られる。
〔第２実施形態〕
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置用基板１００Ａについて説明する。第１実施形態は、本発明をカラーフィルターを搭載したＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板に適用したものであったのに対し、第２実施形態はカラーフィルターを搭載しないＴＦＴアレイ基板に適用したものである。
【００８０】
第２実施形態に係るＴＦＴアレイ基板１００Ａの構成を図７（ｂ）に示す。このＴＦＴアレイ基板１００Ａは、カラーフィルター１０９と遮光膜１１０を有しない点を除いて、第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板１００と同じ構成を有する。よって、図７（ｂ）において同一または対応する要素には図１と同一の符号を付してその説明を省略する。
【００８１】
第２実施形態のＴＦＴアレイ基板１００Ａでは、無機層間絶縁膜１０８の上に直ちに透明有機層間絶縁膜１１１が形成されており、透明有機層間絶縁膜１１１の厚さは、その上面（最表面１２１）が無機層間絶縁膜１０８のそれと同一となるように設定されている。ここでは、透明有機層間絶縁膜１１１の厚さを約１〜２［μｍ］としている。凸パターン１１５の高さは、透明有機層間絶縁膜１１１の厚さとほぼ同等に設定されている。
【００８２】
したがって、第１実施形態と同様に、ＴＦＴ１２０のソース電極１０７と画素電極１１２とを接続するためのコンタクト部３０３において深いコンタクトホールが必要なくなり、その結果、コンタクト部３０３において最表面１２１の平坦性を大幅に改善して、最表面１２１をほぼ平坦にすることができる。よって、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８３】
第２実施形態のＴＦＴアレイ基板１００Ａの製造方法は、カラーフィルター１０９と遮光膜１１０を形成する工程が不要である点を除いて、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板１００のそれと同じである。
【００８４】
すなわち、第１実施形態と同様にして無機層間絶縁膜１０８を形成した後、直ちに、透明有機層間絶縁膜１１１を形成する。透明有機層間絶縁膜１１１の厚さは、その上面が凸パターン１１５の頂面上にある無機層間絶縁膜１０８の部分の上面と同一平面となるように設定する。このため、透明有機層間絶縁膜１１１にはコンタクトホールがなく、無機層間絶縁膜１０８に設けたコンタクトホール１０５とソース電極１０７の一部が、凸パターン１１５の頂面上で透明有機層間絶縁膜１１１から露出する。
【００８５】
その後、凸パターン１１５の頂面において最表面１２１から露出している無機層間絶縁膜１０８に、ソース電極１０７との接続に用いるコンタクトホール１０５を形成する。図７（ａ）はこの時の状態を示す。
【００８６】
最後に、透明有機層間絶縁膜１１１の表面すなわち最表面１２１に、図７（ｂ）に示すように画素電極１１２を形成する。こうして、第２実施形態のＴＦＴアレイ基板１００Ａが得られる。
［変形例］
上記の第１〜第２実施形態は本発明を具体化した例を示すものであり、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明の趣旨を外れることなく種々の変形が可能であることは言うまでもない。
【００８７】
例えば、上記両実施形態では、スイッチング素子としてＴＦＴを用いているが、他のスイッチング素子、例えば単結晶Ｓｉ基板を用いた電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）とも使用できる。また、ＴＦＴの半導体膜として、ａ−Ｓｉに代えて他の半導体材料、例えばポリシリコンを使用してもよい。
【００８８】
さらに、上記両実施形態では、ソース電極１０７が凸パターン１１５の全側面と全頂面を覆っているが、本発明はこれに限定されるものではない。ソース電極１０７が、最表面１２１の近傍（透明基板１０１から遠い箇所）で画素電極１１２に接触できればよく、必ずしもソース電極１０７が凸パターン１１５の全側面と全頂面を覆う必要はない。
【００８９】
凸パターン１１５の形状と高さは、任意に調整できることは言うまでもない。凸パターン１１５用の材料も、凸パターン１１５を形成して維持できるものであればよく、任意に選定できる。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置用基板およびその製造方法、並びにそれを用いた液晶表示装置によれば、スイッチング素子の電極と画素電極とを接続するためのコンタクト部において最表面の平坦性を改善することができると共に、スイッチング素子の電極と画素電極とを接続するためのコンタクト部の面積を減少することができる。さらに、簡単な構成または手法でコントラストの低下と開口率の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板の要部断面図である。
【図２】第１実施形態の液晶表示装置の概略構造を説明する斜視図である。
【図３】第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板の単位画素についての平面図である。
【図４】第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板のコンタクト部近傍の平面図である。
【図５】第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板の製造方法を段階的に説明する要部断面図である。
【図６】第１実施形態のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板の製造方法を段階的に説明する要断面図で、図５の続きである。
【図７】本発明の第２実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法を段階的に説明する要断面図である。
【図８】従来のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板の要断面図である。
【図９】従来のＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板のコンタクトホール部近傍の平面図である。
【符号の説明】
１００　　ＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴアレイ基板
１００Ａ　　ＴＦＴアレイ基板
１０１　　透明基板
１０２　　ゲート電極
１０３　　無機絶縁膜
１０４　　アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜
１１５　　凸パターン
１０６　　ドレイン電極
１０７　　ソース電極
１０８　　無機層間絶縁膜
１０９　　色層
１１０　　遮光層
１１１　　透明有機層間絶縁膜
１１２　　画素電極
１１５　　凸パターン
１２０　　ＴＦＴ
１２１　　最表面
２００　　対向基板
３０２　　透過部
３０３　　コンタクト部
３０９　カラーフィルターの境界
３１１　透明有機層間絶縁膜の境界
【図１】
2004070196.tif 000003
【図２】
2004070196.tif 000004
【図３】
2004070196.tif 000005
【図４】
2004070196.tif 000006
【図５】
2004070196.tif 000007
【図６】
2004070196.tif 000008
【図７】
2004070196.tif 000009
【図８】
2004070196.tif 000010
【図９】
2004070196.tif 000011