(57)【要約】【課題】信頼性の高い接合を可能にする端子、この端子の形成方法、半導体チップ、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の端子３は、基板２の一方の面２１側に形成された配線パターン２１１の一部に接触するように設けられ、その基板２と反対側の端部には、全周に亘って凹没する段差部３０を有し、これにより信頼性の高い接合が可能となっている。端子３は、その高さ方向に沿って段差部３０を１つ有し、段差部３０より基板２側の基板側部分３ａと、残りの端部側部分３ｂとで構成され、これらは基板２から遠ざかる方向に向かって横断面積が連続的に減少するテーパ状をなしている。また、基板側部分３ａの横断面積（平均）をＡ［ｍｍ２］とし、端部側部分３ｂの横断面積（平均）をＢ［ｍｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが０．３〜０．９なる関係を満足するのが好ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に設けられた端子であって、
前記基材と反対側の端部に、その全周に亘って凹没する段差部が形成されていることを特徴とする端子。
【請求項２】
前記段差部は、平面視で環状をなしている請求項１に記載の端子。
【請求項３】
前記段差部は、その幅がほぼ一定である請求項１または２に記載の端子。
【請求項４】
前記端子は、前記基材から遠ざかる方向に向かって横断面積が連続的に減少する部分を有する請求項１ないし３のいずれかに記載の端子。
【請求項５】
前記端子は、その高さ方向に沿って前記段差部を１つ有し、前記段差部より前記基材側の基材側部分の横断面積（平均）をＡ［ｍｍ２］とし、残りの端部側部分の横断面積（平均）をＢ［ｍｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが０．３〜０．９なる関係を満足する請求項１ないし４のいずれかに記載の端子。
【請求項６】
前記端子は、その高さ方向の任意の位置における横断面形状が、いずれもほぼ相似形である請求項１ないし５のいずれかに記載の端子。
【請求項７】
前記端子は、その横断面形状がほぼ長方形をなしている請求項１ないし６に記載の端子。
【請求項８】
前記端子は、複数の金属層の積層体で構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の端子。
【請求項９】
複数の前記金属層のうち、最も前記基材側に位置する金属層は、ＮｉまたはＮｉを含む合金を主成分とした金属で構成されている請求項８に記載の端子。
【請求項１０】
前記端子の前記基材と反対側の端部には、前記端子の構成材料より融点の低い低融点金属を主材料とする低融点金属層が設けられている請求項１ないし９のいずれかに記載の端子。
【請求項１１】
前記段差部は、前記低融点金属を載置する機能または溶融状態の前記低融点金属の流出を阻止する機能を有する請求項１０に記載の端子。
【請求項１２】
基材上に、該基材から遠ざかる方向の途中で、横断面積が段階的に減少する貫通孔を有するマスクを形成する工程と、
前記貫通孔内に端子を形成する工程と、
前記マスクの厚さ方向の少なくとも一部を除去する工程とを有することを特徴とする端子の形成方法。
【請求項１３】
前記マスクは、複数のマスク層の積層体で構成される請求項１２に記載の端子の形成方法。
【請求項１４】
複数の前記マスク層は、マスク形状が一括して形成される請求項１３に記載の端子の形成方法。
【請求項１５】
前記マスクは、フォトリソグラフィー法により形成される請求項１２ないし１４のいずれかに記載の端子の形成方法。
【請求項１６】
前記マスクの構成材料は、ネガタイプの感光性樹脂を主とするものである請求項１５に記載の端子の形成方法。
【請求項１７】
前記マスクは、複数のマスク層で構成され、これらのうちの任意の２つのマスク層について、前記基材に近い側に位置するマスク層の構成材料が、前記基材に遠い側に位置するマスク層の構成材料より、光に対する感度が低いもの、または、光の透過率が低いものである請求項１５または１６に記載の端子の形成方法。
【請求項１８】
前記端子の形成に先立って、前記マスクの表面付近を硬化させる工程を有する請求項１２ないし１７のいずれかに記載の端子の形成方法。
【請求項１９】
前記硬化は、前記マスクに紫外線を照射することにより行われる請求項１８に記載の端子の形成方法。
【請求項２０】
前記端子は、無電解メッキ法により形成される請求項１２ないし１９のいずれかに記載の端子の形成方法。
【請求項２１】
前記マスクは、剥離液により除去される請求項１２ないし２０のいずれかに記載の端子の形成方法。
【請求項２２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の端子を有することを特徴とする半導体チップ。
【請求項２３】
請求項２２に記載の半導体チップが配線基板に実装されてなることを特徴とする半導体実装基板。
【請求項２４】
請求項２３に記載の半導体実装基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２５】
請求項２４に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２６】
表示部を備える請求項２５に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、端子、端子の形成方法、半導体チップ、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高性能化、小型化にともない半導体チップの高密度実装の必要性が高まっている。
半導体チップの配線基板への実装方法としては、例えば、半導体チップ側の端子（バンプ）と、配線基板の端子とを、半田等のろう材を介して接続する方法等により行われている。かかる方法によれば、半導体チップと配線基板とを接続する際の加熱温度を低く抑えることができるので、接合すべき端子同士のズレを防止して、これらの接合信頼性（接続信頼性）を向上させることや、コストを削減させることができるという利点がある。
【０００３】
しかしながら、このような実装方法では、高密度実装に伴って端子の間隔（ピッチ）を狭くした場合に、隣接する端子に設けられたろう材が溶融して互いに接触し、隣接する端子同士の間でショートが生じる場合がある。
かかる問題点を解決すべく、側面の高さ方向に沿って、複数の凹部を形成した構成の端子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この端子では、半導体チップを配線基板に実装する際に、溶融状態のろう材の過剰分を凹部に逃がすことができ、ろう材の面方向への広がりを抑えることができる。その結果、かかる端子を備える半導体チップの配線基板への接合信頼性を高めることができる。
【０００４】
ところで、端子にろう材を設ける方法としては、例えば、ディッピング法や印刷法等が挙げられるが、特許文献１に記載の端子に対して、これらの方法を用いてろう材を設けた場合、いずれの場合も、溶融状態のろう材が凹部を伝って半導体チップの基板にまで至り、基板上でろう材の接触が生じるおそれがある。
なお、かかる不都合を防止すべく、端子に設けるろう材の量を少なくした場合には、半導体チップ側の端子と、これに対応する配線基板側の端子とを確実に接合（接続）することができず、半導体チップと配線基板との接合信頼性（接続信頼性）が低下する場合がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−７６０４７号公報（図５）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、信頼性の高い接合を可能にする端子、この端子の形成方法、半導体チップ、信頼性の高い半導体実装基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の端子は、基材上に設けられた端子であって、
前記基材と反対側の端部に、その全周に亘って凹没する段差部が形成されていることを特徴とする。
これにより、電子機器の高性能化、小型化に伴って要求される、狭ピッチ化（端子の配線密度の高密度化）に対応することができるとともに、信頼性の高い接合が可能になる。
【０００８】
本発明の端子では、前記段差部は、平面視で環状をなしていることが好ましい。
これにより、より信頼性の高い接合が可能になる。
【０００９】
本発明の端子では、前記段差部は、その幅がほぼ一定であることが好ましい。。
これにより、より信頼性の高い接合が可能になる。
【００１０】
本発明の端子は、前記基材から遠ざかる方向に向かって横断面積が連続的に減少する部分を有することが好ましい。
これにより、さらなる狭ピッチ化に対応することができる。
【００１１】
本発明の端子は、その高さ方向に沿って前記段差部を１つ有し、
前記段差部より前記基材側の基材側部分の横断面積（平均）をＡ［ｍｍ２］とし、残りの端部側部分の横断面積（平均）をＢ［ｍｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが０．３〜０．９なる関係を満足することが好ましい。
これにより、より信頼性の高い接合が可能になる。
【００１２】
本発明の端子は、その高さ方向の任意の位置における横断面形状が、いずれもほぼ相似形であることが好ましい。
これにより、端子をより容易に形成すること、すなわち、製造工程の簡易化等を図ることができる。
【００１３】
本発明の端子は、その横断面形状がほぼ長方形をなしていることが好ましい。
これにより、隣接する端子同士の狭ピッチ化に対応しつつ、接合すべき端子同士の十分な接触面積を確保することができる。
【００１４】
本発明の端子は、複数の金属層の積層体で構成されていることが好ましい。
これにより、各種目的に応じた端子を形成することができる。
【００１５】
本発明の端子では、複数の前記金属層のうち、最も前記基材側に位置する金属層は、ＮｉまたはＮｉを含む合金を主成分とした金属で構成されていることが好ましい。
これらのものは、硬度が高くかつ導電性に優れ、また、例えば半導体チップに形成された配線パターンの構成材料との密着性も高い。
【００１６】
本発明の端子では、前記基材と反対側の端部には、前記端子の構成材料より融点の低い低融点金属を主材料とする低融点金属層が設けられていることが好ましい。
これにより、より信頼性の高い接合（接続）が可能になる。
【００１７】
本発明の端子では、前記段差部は、前記低融点金属を載置する機能または溶融状態の前記低融点金属の流出を阻止する機能を有することが好ましい。
これにより、隣接する端子同士の間でのショートを確実に防止することができる。
【００１８】
本発明の端子の形成方法は、基材上に、該基材から遠ざかる方向の途中で、横断面積が段階的に減少する貫通孔を有するマスクを形成する工程と、
前記貫通孔内に端子を形成する工程と、
前記マスクの厚さ方向の少なくとも一部を除去する工程とを有することを特徴とする。
これにより、電子機器の高性能化、小型化に伴って要求される、狭ピッチ化（端子の配線密度の高密度化）に対応することができるとともに、信頼性の高い接合が可能な端子が得られる。
【００１９】
本発明の端子の形成方法では、前記マスクは、複数のマスク層の積層体で構成されることが好ましい。
これにより、本発明の端子を形成するのに必要な形状のマスクをより容易に得る（形成する）ことができる。
【００２０】
本発明の端子の形成方法では、複数の前記マスク層は、マスク形状が一括して形成されることが好ましい。
これにより、製造工程数の削減や製造コストの低減を図ることができる。
【００２１】
本発明の端子の形成方法では、前記マスクは、フォトリソグラフィー法により形成されることが好ましい。
これにより、端子同士の間隔（ピッチ）をより小さくすることができるとともに、形状および位置精度のよいマスクパターンが形成できる。
【００２２】
本発明の端子の形成方法では、前記マスクの構成材料は、ネガタイプの感光性樹脂を主とするものであることが好ましい。
これにより、本発明の端子を形成するのに必要な形状のマスクをより容易に得る（形成する）ことができる。
【００２３】
本発明の端子の形成方法では、前記マスクは、複数のマスク層で構成され、これらのうちの任意の２つのマスク層について、前記基材に近い側に位置するマスク層の構成材料が、前記基材に遠い側に位置するマスク層の構成材料より、光に対する感度が低いもの、または、光の透過率が低いものであることが好ましい。
これにより、本発明の端子を形成するのに必要な形状のマスクをより容易に得る（形成する）ことができる。
【００２４】
本発明の端子の形成方法では、前記端子の形成に先立って、前記マスクの表面付近を硬化させる工程を有することが好ましい。
これにより、次工程以降における各種処理に対するマスクの耐性（強度）を向上させることができる。
【００２５】
本発明の端子の形成方法では、前記硬化は、前記マスクに紫外線を照射することにより行われることが好ましい。
これにより、大掛かりな設備を必要とせず、容易かつ確実にマスクの表面付近を硬化させることができる。
【００２６】
本発明の端子の形成方法では、前記端子は、無電解メッキ法により形成されることが好ましい。
これにより、配線パターン上に直接端子を形成することが可能であるため、製造コストを低減することができ、また、隣接する端子同士の間隔（ピッチ）をより小さくすることができる。
【００２７】
本発明の端子の形成方法では、前記マスクは、剥離液により除去されることが好ましい。
これにより、マスクの除去を、大掛かりな設備を必要とせず、容易かつ確実に行うことができる。
【００２８】
本発明の半導体チップは、本発明の端子を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い接合が可能な半導体チップが得られる。
【００２９】
本発明の半導体実装基板は、本発明の半導体チップが配線基板に実装されてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い半導体実装基板が得られる。
【００３０】
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体実装基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００３１】
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００３２】
本発明の電子機器では、表示部を備えることが好ましい。
本発明の電子機器は、特に、各種の表示機能を有する電子機器に適用するのが好ましい。
【００３３】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体チップには、ベアチップ（個別のチップおよびウェハの双方）および半導体パッケージのいずれのものをも含む。
以下、本発明の端子、端子の形成方法、半導体チップ、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
図１は、本発明の半導体実装基板の全体構成を示す縦断面図であり、図２は、実装前の本発明の半導体チップおよび配線基板の構成を示す縦断面図であり、図３は、本発明の端子の構成を示す平面図である。以下の説明では、図１〜図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す半導体実装基板（半導体装置）１００は、本発明の半導体チップ１が配線基板４に実装され、半導体チップ１と配線基板４との間に形成される間隙７が封止材（アンダーフィル材やＮＣＰ）９で封止されてなるものである。
【００３５】
図２に示すように、本発明の半導体チップ１は、基板２と、基板２の一方の面（下面）２１側に設けられた複数の端子（バンプ）３と、低融点金属層８とを有している。
基板２は、例えば、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、３０〜１０００μｍ程度とされる。
また、基板２は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
【００３６】
この基板２の一方の面２１側には、集積回路（図示せず）が形成され、この集積回路は、パッシベーション膜（絶縁膜）２１２で覆われている。そして、このパッシベーション膜２１２から、集積回路の配線パターン２１１の一部が露出しており、かかる配線パターン２１１の露出部（パッド）に接触するように端子３が配設されている。なお、本実施形態では、基板２、集積回路、配線パターン２１１およびパッシベーション膜２１２により、基材が構成されている。
配線パターン２１１は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｓｉまたはこれらを含む合金等で構成されている。さらに、この配線パターン２１１上には、例えば無電解メッキ法等により、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ等が施されている。
【００３７】
また、パッシベーション膜２１２は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ−Ｎ）、ポリイミド、その他の酸化物、窒化物、酸化窒化物等で構成されている。このパッシベーション膜２１２は、これらの材料の単層膜であってもよく、２層以上が積層された多層膜であってもよい。
なお、集積回路は、基板２の他方の面２２側に形成されていてもよく、面２１側および面２２側の双方に形成されていてもよい。また、基板２が複数の層の積層体で構成される場合には、集積回路は、基板２の内部に形成されていてもよい。
【００３８】
端子３は、その基板２と反対側の端部に、その全周に亘って凹没する段差部３０を有している。本実施形態では、端子３は、その厚さ方向に沿って、この段差部３０を１つ（１段）有しており、この段差部３０より基板２側の基板側部分（図２中、上側部分）３ａと、残りの端部側部分（図２中、下側部分）３ｂとで構成されている。このような構成により、電子機器の高性能化、小型化に伴って要求される、狭ピッチ化（端子の配線密度の高密度化）に対応することができる。
【００３９】
また、後述する低融点金属層８を、端子３の基板２と反対側の端部に設ける際には、例えば、端子３の基板２と反対側の端部を鉛直上方に向けた状態で、この端部に溶融状態の低融点金属を供給することが行われるが、この際、段差部３０が、溶融状態の低融点金属を受け止め、溶融状態の低融点金属が端子３の側方への流出を阻止することができる。すなわち、段差部３０は、溶融状態の低融点金属の流出を阻止する機能を有する。これにより、隣接する端子３に供給された低融点金属が、基板２の面２１にまで至り、互いに接触するのを防止することができる。その結果、隣接する端子３同士の間でのショートをより確実に防止することができる。
【００４０】
また、段差部３０は、低融点金属を載置する機能を有する。すなわち、端子３が段差部３０を有することにより、端子３と低融点金属との接触面積を増大させることができ、端部側部分３ｂの周囲（端子３の基板２と反対側の端部）に、端子３と配線基板４の端子６との接続（接合）の際に必要かつ十分な量の低融点金属を設けることができる。
【００４１】
この段差部３０は、図３に示すように、平面視で環状（リング状）をなし、その幅（図３中、幅Ｗ）がほぼ一定となるように設定されている。これにより、段差部３０は、端子３の周方向において、より均等に溶融状態の低融点金属を保持することができ、前述したような効果がより顕著に発揮される。その結果、より信頼性の高い接合が可能になる。
この幅Ｗは、特に限定されないが、１〜５μｍ程度であるのが好ましく、１〜３μｍ程度であるのがより好ましい。
【００４２】
このような端子３は、図２に示すように、基板側部分（基材側部分）３ａおよび端部側部分３ｂの双方が、基板２から遠ざかる方向に向かって横断面積が連続的に減少するテーパ状をなしている。これにより、さらなる狭ピッチ化（端子の配線密度の高密度化）に対応することができる。
なお、端子３は、図示の構成とは異なり、その高さ方向に沿って、横断面積がほぼ一定となっていてもよい。
【００４３】
また、端子３の寸法は、特に限定されないが、例えば、図３に示すように、基板側部分３ａの横断面積（平均）をＡ［ｍｍ２］とし、端部側部分３ｂの横断面積（平均）をＢ［ｍｍ２］としたとき、Ｂ／Ａが０．３〜０．９なる関係を満足するのが好ましく、０．７〜０．９なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
具体的には、基板側部分３ａの横断面積（平均）Ａは、５００〜３０００μｍ２程度であるのが好ましく、６００〜１８００μｍ２程度であるのがより好ましい。一方、端部側部分３ｂの横断面積（平均）Ｂは、１５０〜２７００μｍ２程度であるのが好ましく、４００〜１７００μｍ２程度であるのがより好ましい。
【００４４】
端子３の横断面形状も、特に限定されず、例えば、長方形、正方形のような四角形、三角形、六角形のような多角形、円形等のいかなるものであってもよいが、ほぼ長方形をなすものであるのが好ましい。これにより、隣接する端子３同士の狭ピッチ化に対応しつつ、後述する配線基板４の端子６との十分な接触面積を確保することができる。
【００４５】
また、基板側部分３ａの横断面形状と端部側部分３ｂの横断面形状とは、異なっていてもよいが、ほぼ相似形であるのが好ましい。換言すれば、端子３は、その高さ方向の任意の位置における横断面形状が、いずれもほぼ相似形であるのが好ましい。これにより、端子３をより容易に形成すること、すなわち、製造工程の簡易化等を図ることができる。
【００４６】
本実施形態では、このような端子３は、第１の金属層３１と第２の金属層３２との２層の金属層の積層体で構成されている。端子３を複数の金属層の積層体で構成することにより、各種目的に応じた端子３を形成することができる。
第１の金属層３１は、最も基板２側に位置し、端子３の本体を構成する部分である。この第１の金属層３１は、配線パターン２１１と相互拡散しにくい材料（バリアメタル）で構成されているのが好ましい。また、隣接する端子３同士の間隔（ピッチ）が小さくなった場合、比較的硬質の材料で構成されているのが好ましい。これにより、端子３全体として変形しにくいため、隣接する端子３同士の接触を防ぐことができる。
【００４７】
第１の金属層３１の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐ、Ｂまたはこれらを含む合金等が挙げられるが、これらの中でも、特に、ＮｉまたはＮｉを含む合金を主成分にした金属であるのが好ましい。これらのものは、配線パターン２１１とのバリアメタル性に優れ、さらに、硬度が高くかつ導電性に優れ、また、前述したような配線パターン２１１の構成材料との密着性も高い。
【００４８】
また、第２の金属層３２は、種々の目的で設けることができるが、本実施形態では、後述する低融点金属層８との密着性（接合性）を向上させる目的で設けらる。この場合、第２の金属層３２の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｕまたはこれらを含む合金等が挙げられる。
端子３は、それぞれ、ほぼ等しい厚さ（高さ）に設定されており、その厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、１５〜２５μｍ程度とされる。
なお、端子３を複数の金属層の積層体で構成する場合、３層以上であってもよく、また、端子３は、単層のものであってもよい。
【００４９】
このような端子３の基板２と反対側の端部（端部側部分３ｂの周囲）には、端子３の構成材料より融点の低い低融点金属を主材料とする低融点金属層８が設けられている。低融点金属層８は、比較的低温（例えば、１５０〜２５０℃程度）で溶融するので、端子３と端子６との接合（接続）に際し、加熱温度を低くすることができ、その結果、半導体チップ１および配線基板４の面方向および厚さ方向への膨張を、それぞれ、小さくすることができ、接合すべき端子同士の位置ズレを防止することができる。このため、接合すべき端子同士をより確実に接合することができ（すなわち、より信頼性の高い接合（接続）が可能になり）、半導体チップ１と配線基板４との接合信頼性（接続信頼性）をより向上させることができる。
低融点金属としては、例えば、半田または鉛フリー半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろうのようなろう材が好適に使用される。なお、ここで、鉛フリー半田とは、実質的に鉛を含まないか、または、鉛を含む場合でも、その含有量が極めて少ない半田のことを言う。
【００５０】
一方、図２に示す配線基板４は、基板５と、基板５の一方の面（上面）５１側に設けられた複数の端子６とを有している。
基板５は、例えば、各種ガラス、各種セラミックス、Ｓｉ等の半導体材料、各種樹脂材料、またはこれらを任意に組み合わせたもの等で構成されている。
基板５の厚さ（平均）は、特に限定されないが、好ましくは、２０μｍ〜３ｍｍ程度とされる。
また、基板５は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
【００５１】
この基板５の一方の面５１側には、例えば、Ａｕ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＩＴＯまたはこれらを含む合金等で構成される配線パターン６０が形成され（設けられ）ている。そして、この配線パターン（リード）６０の端部が各端子６を構成している。
なお、配線パターン６０は、基板２が複数の層の積層体で構成される場合には、基板５の内部に形成されていてもよい。
【００５２】
以上のような配線基板４に、半導体チップ１を、それらの対応する端子３、６同士が接合するように実装し、半導体チップ１と配線基板４との間隙７を封止材（アンダーフィル材）９により封止して、本発明の半導体実装基板１００とする。
端子３と端子６との接合は、例えば、接合すべき端子同士を、低融点金属層８を介して位置あわせ（位置決め）した後、半導体チップ１および配線基板４の一方または双方を加熱して、低融点金属層８（および端子３の一部）を溶融または軟化した後、硬化（固化）することにより行うことができる。
【００５３】
この加熱は、例えば、ボンディングツールによる加熱や、リフロー（熱風、赤外線等による加熱）等により行うことができる。
加熱の温度（加熱温度）は、特に限定されないが、好ましくは、２００〜５００℃程度、より好ましくは、２５０〜４５０℃程度とされる。
また、この加熱の時間（加熱時間）も、特に限定されないが、好ましくは、１〜５０秒程度、より好ましくは、１〜１０秒程度とされる。
さらに、この加熱の際には、必要に応じて、例えば、加圧や、高周波、超音波等の付与等を併用するようにしてもよい。
【００５４】
このとき、本発明の端子３には、前述したような段差部３０が設けられているので、溶融状態の低融点金属のうちの不要分（過剰分）は、段差部３０に収容（吸収）される。このため、半導体チップ１の端子３と配線基板４の端子６との接合（接続）に際し、溶融状態の低融点金属が横方向（面方向）に広がり互いに接触し、隣接する端子３同士がショートするのを好適に防止することができる。特に、図示の構成とは上下逆となるようにして、すなわち、端子３の基板２と反対側の端部を鉛直上方に向けた状態で、半導体チップ１を配線基板４に実装する際に、かかる効果が顕著に発揮される。
【００５５】
以上のようにして、半導体チップ１の各端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを接合した状態では、半導体チップ１の基板２と配線基板４の基板５との間には、間隙７が形成されている。換言すれば、接合された端子３および６と、これに隣接する接合された端子３および６との間に間隙７が存在する。この間隙７に、封止材９を充填して、封止する。
【００５６】
間隙７への封止材９の充填方法は、特に限定されないが、例えば、半導体チップ１の縁部からノズル等を用いて封止材９を供給、充填する方法を用いることができる。半導体チップ１の縁部に供給された封止材９は、毛細管現象により間隙７のほぼ全域に展開され、間隙７が封止される。かかる方法によれば、比較的容易に、間隙７に封止材９を充填することができる。
間隙７に封止材９を充填（封止）することにより、間隙７への水分（湿気）の侵入防止、半導体チップ１と配線基板４との密着性（接合強度）の向上、半導体チップ１および配線基板４の保護等の効果が発揮される。
【００５７】
封止材９は、樹脂材料を主とするものが好ましく、特に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケトン樹脂等の熱硬化性樹脂またはその前駆体（未硬化または半硬化の熱硬化性樹脂）を主材料とするものが好ましい。これにより、前記効果がより顕著に発揮される。
また、封止材９中には、カップリング剤、着色剤、難燃剤、低応力成分、離型剤、酸化防止剤、無機フィラー等の各種添加剤が配合（混合）されていてもよい。
【００５８】
間隙７に充填された熱硬化性樹脂の前駆体による封止材９は、必要時に硬化させる。この封止材９の硬化は、好ましくは加熱（例えば、１００〜３００℃程度）により行われるが、その他、例えば、紫外線、電子線、放射線等の照射により硬化させる方法もある。
なお、封止材９は、半導体チップ１の端子３と、これに対応する配線基板４の端子６とを位置決めするのに先立って、半導体チップ１の面２１側および／または配線基板４の面５１側に供給しておき、半導体チップ１を配線基板４に積層するようにしてもよい。
【００５９】
このような構成により、前述のような材料で構成される封止材９は、適度な粘着性（または接着性）を有することから、接合すべき端子同士の位置決めを行う際に、この位置決めをより容易かつ確実に行うことができるという利点がある。
また、この場合、封止材９には、導電性粒子を含むものを用いることもできる。これにより、半導体チップ１の端子３や配線基板４の端子６に、高さのバラツキがある場合等でも、半導体チップ１を配線基板４に実装した際に、このバラツキに起因して生じる端子３、６間の隙間（ギャップ）を導電性粒子により補うことができ、その結果、各端子３とこれに対応する端子６とを確実に接合し、導通させることができるという利点がある。
このような導電性粒子としては、例えば、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の各種金属材料で構成される粒子、各種樹脂材料で構成された粒子の表面を前記の金属材料で被覆したもの等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６０】
次に、本発明の端子の形成方法および低融点金属層の形成方法（半導体チップの製造方法）について説明する。図４および図５は、それぞれ、本発明の端子の形成方法および低融点金属層の形成方法を示す工程図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図４および図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、端子３および低融点金属層８の形成方法について、図４および図５を参照しつつ説明する。
【００６１】
[１Ａ]  マスク（レジスト層）の形成工程
基板２の配線パターン２１１が形成された側の面（図４中、上面）に、マスクを形成する。マスクとしては、例えば、フォトリソグラフィー法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法等により形成されたものが挙げられるが、特に、フォトリソグラフィー法により形成されたものが好ましい。マスクをフォトリソグラフィー法により形成することにより、端子３を形成するための間隔（ピッチ）をより小さくすることができ、さらに形状および位置精度がよいという利点がある。
【００６２】
なお、以下では、フォトリソグラフィー法により形成されたレジスト層、特に、２層のレジスト層（マスク層）の積層体をマスクとして用いる場合を代表に説明する。マスクとして、複数のレジスト層（マスク層）の積層体で構成されるものを用いることにより、本発明の端子３を形成するのに必要な形状のレジスト層（マスク）をより容易に得る（形成する）ことができる。以下、詳細に説明する。
【００６３】
まず、基板２の一方の面（図４中、上面）２１側に配線パターン２１１が形成された基板２を用意する。なお、図示の構成では、配線パターン２１１を含み、基板２の一方の面２１の全面が、パッシベーション膜２１２で覆われている。
次に、図４（Ａ）に示すように、この基板２の面２１側に、すなわち、パッシベーション膜２１２上に、第１のレジスト材料１０ａと第２のレジスト材料１０ｂとを、この順で積層するようにして供給する。
【００６４】
これらのレジスト材料は、同じタイプのものを用いるのが好ましい。これにより、露光および現像を、第１のレジスト材料１０ａおよび第２のレジスト材料１０ｂに対して一括して行うことができる。このため、製造工程数の削減や製造コストの低減を図ることができる。
レジスト材料１０ａ、１０ｂの供給方法としては、特に限定されないが、例えば、液体タイプのものの場合には、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等を用いることができ、ドライフィルムタイプのものの場合には、基板２へ直接圧着する方法等を用いることができる。
【００６５】
このレジスト材料１０ａ、１０ｂは、それぞれ、主として感光性樹脂で構成されている。この感光性樹脂は、光照射部分が硬化するネガタイプ、光照射部分が溶解するポジタイプ等が挙げられるが、これらの中でも、特に、ネガタイプの感光性樹脂を主とするものであるのが好ましい。ネガタイプの感光性樹脂を主とするレジスト材料１０ａ、１０ｂを用いることにより、本発明の端子３を形成するのに必要な形状のレジスト層（マスク）１１をより容易に得る（形成する）ことができる。
【００６６】
このようなネガタイプの感光性樹脂としては、例えば、ポリケイ皮酸ビニル、ポリビニルアジドベンザジル、アクリルアミド、ポリイミド、ノボラック樹脂を主成分とするもの（例えば、酸発生剤や架橋剤を含有するノボラック樹脂のような化学増幅型樹脂）等が挙げられる。
なお、本実施形態では、レジスト材料１０ａ、１０ｂとして、ネガタイプの感光性樹脂を主とするものを使用する場合を一例に説明する。
【００６７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、形成すべき端子３の形状に対応したマスクＭを用いて、第１のレジスト材料１０ａおよび第２のレジスト材料１０ｂに対して、露光および現像を一括して行った後、硬化していない部分のレジスト材料１０ａ、１０ｂを除去（現像）する。これにより、図４（Ｃ）に示すように、基板２側の第１のレジスト層（第１のマスク層）１１ａと、第１のレジスト層１１ａに接触する第２のレジスト層（第２のマスク層）１１ｂとで構成され、複数の貫通孔１１１を有するレジスト層（マスク）１１が形成される。
【００６８】
貫通孔１１１は、基板２から遠ざかる方向の途中で横断面積が段階的に減少している。この横断面積の段階的な減少は、各レジスト層（マスク層）同士の境界部において生じるようにすることができる。これには、第１のレジスト層（基板２に近い側に位置するマスク層）１１ａの構成材料（第１のレジスト材料１０ａ）が、第２のレジスト層（基板２に遠い側に位置するマスク層）１１ｂの構成材料（第２のレジスト材料１０ｂ）より、光（感光光）に対する感度が低いもの（すなわち、重合反応や架橋反応等により大きい光量を要するもの）、または、光（感光光）の透過率が低いものを選択するのが好ましい。
【００６９】
これにより、第１のレジスト材料１０ａが、第２のレジスト材料１０ｂよりも硬化し難くすることができるので、第２のレジスト材料１０ｂがマスクＭの開口部に対応する領域でほとんど硬化した時点においても、第１のレジスト材料１０ａは、重合反応や架橋反応等が十分に進行せず、未硬化のままとなる。このため、第１のレジスト材料１０ａと第２のレジスト材料１０ｂとで、硬化の程度が異なる時点で露光を終了することにより、第１のレジスト層１１ａと第２のレジスト層１１ｂとの境界部において横断面積が段階的に減少する貫通孔１１１を有するレジスト層（マスク）１１を、容易に形成することができる。
【００７０】
また、レジスト材料１０ａ、１０ｂは、いずれも、光（感光光）の光源に近い側（基板２から遠い側）でより早期に硬化に至る。このため、得られるレジスト層１１ａ、１１ｂのいずれにおいても、貫通孔１１１を、その横断面積が基板２から遠ざかる方向に向かって減少（漸減）する形状とすることができる。このようなレジスト層（マスク）１１を用いて端子３を形成することにより、端子３の形状を、基板２から遠ざかる方向に向かって横断面積が減少する形状（逆テーパ状）とすることができる。このため、レジスト層１１を除去する（特に、剥離する）際には、端子３にレジスト層１１が引っかかるのを防止することができ、レジスト層（マスク）１１を容易に除去（剥離）することができる。
【００７１】
このような第１のレジスト層１１ａおよび第２のレジスト層１１ｂの厚さは、それぞれ、特に限定されないが、前記範囲の高さの端子３を形成する場合には、例えば、次のようにすることができる。
すなわち、第１のレジスト層１１ａの厚さ（平均）は、１０〜２０μｍ程度であるのが好ましい。また、第２のレジスト層１１ｂの厚さ（平均）は１０〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
【００７２】
［２Ａ］  マスク（レジスト層）の硬化工程
次に、得られたレジスト層１１の表面付近を硬化させる。この硬化方法としては、例えば、紫外線、電子線、放射線等の照射、または、加熱等の方法が挙げられるが、これらの中でも、特に、紫外線の照射による方法が好ましい。かかる方法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、容易かつ確実にレジスト層１１の表面付近を硬化させることができる。
レジスト層１１の表面付近を硬化させておくことにより、後の工程［３Ａ］および［４Ａ］における処理に対するレジスト層１１の耐性（強度）を向上させることができる。
【００７３】
また、前記の硬化方法には、２種以上を組み合わせて用いることができ、例えば、レジスト層１１の表面付近を紫外線により硬化（仮硬化）させて、レジスト形状が変化しないようにした後、レジスト層１１全体を加熱により硬化（本硬化）させることができる。これにより、後の工程［４Ａ］における処理に対するレジスト層１１の耐性（強度）を、より向上させることができる。
【００７４】
［３Ａ］  パッシベーション膜の除去工程
次に、レジスト層１１の貫通孔１１１内側に位置するパッシベーション膜２１２を除去する。これにより、図４（Ｄ）に示すように、配線パターン２１１の一部を貫通孔１１１内に露出させる。
このパッシベーション膜２１２の除去方法としては、例えば、ＣＦ４、ＣＨＦ３、酸素またはこれらを含む混合ガスをプラズマガスとして用いるドライエッチング法、アルカリ溶液や酸溶液（弱フッ酸液）のようなエッチング液を用いるウェットエッチング法、レーザー加工等が挙げられる。また、これらの方法は、任意の２種以上を組み合わせて用いることもできる。
なお、例えば、パッシベーション膜２１２が形成されていない基板２や、予め、端子３を形成すべき部分の配線パターン２１１がパッシベーション膜２１２から露出している基板２等を用いる場合には、本工程［３Ａ］を省略することができる。
【００７５】
［４Ａ］  端子の形成工程
次に、第１の金属層３１および第２の金属層３２を、この順で、貫通孔１１１内に形成する。これらの金属層３１、３２は、それぞれ、貫通孔１１１に沿って、貫通孔１１１の形状に対応して形成される。これにより、図５（Ｅ）に示すように、貫通孔１１１内に配線パターン２１１に接触する端子３が形成される。
【００７６】
端子３の形成方法としては、例えば、無電解メッキ、電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、ディッピング法、印刷法、溶射等が挙げられるが、これらの中でも、特に、無電解メッキ法が好ましい。
【００７７】
以下、無電解メッキ法を用いて端子３を形成する方法について、詳述する。
なお、以下では、第１の金属層３１としてＮｉ層（ニッケル層）を形成する場合を一例として説明する。Ｎｉ層は、Ａｕ層（金層）と比べてコストが低く、かつ、短時間に形成できるという利点を有している。
まず、配線パターン２１１がＡｌ（アルミニウム）で構成されている場合には、配線パターン２１１の貫通孔１１１内に露出した部分に、アルカリ性のＺｎ（亜鉛）溶液を使用して、配線パターン２１１上にジンケート処理を施す。すなわち、Ａｌ（配線パターン２１１）の表面をＺｎに置換する。
【００７８】
また、配線パターン２１１の表面にＺｎを析出させるときに、配線パターン２１１をアルカリ性のＺｎ溶液に浸した後に、置換したＺｎを硝酸によって溶解させ、再びアルカリ性のＺｎ溶液に浸してもよい。
また、配線パターン２１１にジンケート処理を施す前には、パッシベーション膜２１２の残さを所定の溶液（例えば弱フッ酸溶液）で溶解しておくことが好ましい。
【００７９】
さらに、パッシベーション膜２１２の残さを溶解した後には、配線パターン２１１をアルカリ性の溶液に浸して、配線パターン２１１の露出部の酸化膜を除去することが好ましい。
以上のような処理により、Ａｌ（配線パターン２１１）の表面を良好にＺｎに置換することができる。
【００８０】
次に、表面をＺｎで置換した配線パターン２１１上に無電解Ｎｉメッキ液を供給し、ＺｎとＮｉの置換反応を経て、Ｎｉ層を配線パターン２１１上に形成する。また、このとき、メッキ液を９０℃程度に加熱（加温）するようにしてもよい。
【００８１】
Ｎｉ層の高さ（厚さ）は、作業温度（メッキ液の温度）、作業時間（メッキ時間）、メッキ液の量、メッキ液のｐＨ、メッキ回数（ターン数）等のメッキ条件を設定することにより調整することができる。
なお、配線パターン２１１とＮｉ層との間（界面付近）には、配線パターン２１１の表面に置換したＺｎが残っていてもよい。
上述とは別に、ジンケート処理を行わずに、Ａｌで構成された配線パターン２１１上に、Ｐｄ（パラジウム）等の還元剤を含む溶液を供給した後、無電解Ｎｉメッキ液を供給して、Ｐｄ等を核としてＮｉを析出させ、配線パターン２１１上にＮｉ層を形成してもよい。
【００８２】
また、配線パターン２１１がＣｕ（銅）を含む材料で構成されている場合には、例えば配線パターン２１１上にＮｉ層を形成する際に、Ｐｄ等の還元剤を含む溶液を配線パターン２１１上に供給した後、無電解Ｎｉメッキ液を供給することにより、Ｐｄ等を核としてニッケルを析出させればよい。
なお、第１の金属層３１を、その他の金属（上述したＡｕ、Ｃｕ等）で構成する場合には、所定の溶液（例えばＡｕメッキ液またはＣｕメッキ液）に、基板２を浸漬することにより行うことができる。この場合、溶液には、アルカリ性のものを使用してもよいし、溶液を加熱（加温）してもよい。
【００８３】
次に、第１の金属層３１の上面（表面）に、第２の金属層３２形成用の無電解メッキ液を供給し、第２の金属層３２を形成する。
なお、第２の金属層３２は、前述したようにＣｕ、Ａｕまたはこれらを含む合金で構成することができるが、端子３の基板２と反対側の端部（第２の金属層３２の上面）に、Ｓｎを主成分とする合金で構成される低融点金属層８を、ディッピング法や印刷法を用いて形成する場合には、第２の金属層３２は、Ａｕで構成することが好ましい。
【００８４】
なお、低融点金属層８を形成しない場合であっても、第２の金属層３２を、Ｃｕ、Ａｕまたはこれらを含む合金で構成することにより、端子３の先端部分（第２の金属層３２）を使用して、配線基板４の端子６との電気的接続を良好にすることができる。特に、第２の金属層３２をＡｕで構成すると、端子３は、その基板２と反対側の端部にのみＡｕ層（第２の金属層３２）を有することになるので、Ａｕ層に濡れ易いろう材（半田等）を用いて配線基板４の端子６との接合を行う場合には、ろう材が溶融時に端子３の外側に広がりにくくすることができる。
【００８５】
このようなマスクの形成工程、マスクの硬化工程、パッシベーション膜の除去工程、端子の形成工程を用いて端子３を形成することにより、隣接する端子３同士の間隔（ピッチ）をより小さく（例えば、図３中長さＬを１０〜３０μｍ程度）することができる。これにより、電子機器の高性能化、小型化に伴って要求される、狭ピッチ化（端子の配線密度の高密度化）に対応することができる。
なお、各金属層３１、３２を、異なる形成方法を用いて形成するようにしてもよい。
【００８６】
レジスト層１１（マスク）を用いて端子３を形成することにより、端子３が貫通孔１１１を超えて横方向（面方向）に広がって形成されることを確実に防止することができる。このため、隣接する端子３同士の間隔（ピッチ）をより狭く設定した場合でも、これらが不本意に接触してしまうのを防止することができ、所望の間隔となるように端子３を正確に形成することができる。
【００８７】
また、前記工程［３Ａ］および本工程［４Ａ］において、レジスト層１１を兼用することにより、各工程毎にマスクを設ける手間を省略することができるという利点がある。
なお、本工程［４Ａ］に各種メッキ法を用いる場合には、必要に応じて、本工程［４Ａ］に先立って、メッキ液から半導体チップ１を保護するための保護膜を半導体チップ１の裏面や側面に形成するようにしてもよい。
【００８８】
［５Ａ］  マスク（レジスト層）の除去工程
次に、レジスト層１１を除去する。これにより、図５（Ｆ）に示すように、段差部３０を有する端子３（段差部３０より基板２側の基板側部分３ａと、残りの端部側部分３ｂとを有する端子３）が得られる。
レジスト層１１の除去方法としては、例えば、剥離液を用いる剥離法（いわゆるリフトオフ法）、酸素プラズマガスのようなプラズマガスを用いるドライエッチング法、有機系剥離液や、アルカリ溶液や酸溶液のようなエッチング液を用いるウェットエッチング法、レーザー加工等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、レジスト層１１の除去方法としては、特に、ウェットエッチング法や剥離法が好ましい。
ウェットエッチング法や剥離法によれば、レジスト層１１の除去を、大掛かりな設備を必要とせず、容易かつ確実に行うことができる。
【００８９】
エッチング液や剥離液としては、端子３を実質的に溶解しないような組成のものを選択するようにするのが好ましい。具体的には、剥離液としては、例えば有機剥離液の場合、有機アミン系、ジメチルスルホキシド系、セロソルブ系、ｎ−メチルピロソドン系等の有機材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９０】
なお、レジスト層１１（マスク）は、その全てを除去しなくてもよく、その厚さ方向の一部を残すようにしてもよい。これにより、半導体チップ１を、予め、隣接する端子３同士の間隙に樹脂が充填されたものとすることができるので、このような半導体チップ１を配線基板４に実装することにより、端子３の周辺に空隙が形成されることを好適に防止することができ、空隙へ水分が侵入することに起因して生じる隣接する端子３同士の間でのマイグレーションをより確実に防止することができる。その結果、半導体チップ１と配線基板４との接合信頼性（接続信頼性）をより向上させることができる。
【００９１】
［６Ａ］  低融点金属層の形成工程
次に、端子３の基板２と反対側の端部を、溶融状態の低融点金属に浸漬（接触）させる。すなわち、ディッピング法を用いて、端子３の基板２と反対側の端部に低融点金属層８を形成する。これにより、図５（Ｇ）に示すように、端子３の端部側部分３ｂの周囲を覆うように低融点金属層８が形成される。
かかるディッピング法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、容易に低融点金属層８を形成することができる。
以上のような工程を経て、本発明の半導体チップ１が得られる。
【００９２】
次に、本発明の端子、低融点金属層および低融点金属層の形成方法の他の実施形態について説明する。
図６は、本発明の端子および低融点金属層（本発明の半導体チップ）の他の実施形態を示す縦断面図であり、図７は、低融点金属層の形成方法の他の実施形態を示す工程図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図６および図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、本発明の端子、低融点金属層および低融点金属層の形成方法の他の実施形態について説明するが、前記実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９３】
本実施形態では、端子３が３層の積層体で構成され、また、低融点金属層８が印刷法を用いて、端子３の基板２と反対側の端面に形成され、それ以外は、前記実施形態と同様である。以下、これらについて、順次説明する。
図６に示す端子３は、第１の金属層３１、第２の金属層３２および第３の金属層３３の３層の積層体で構成されている。
第１の金属層３１および第２の金属層３２は、それぞれ、前記実施形態で説明したのと同様の構成とされている。
【００９４】
また、第３の金属層３３は、第２の金属層３２と低融点金属層８との密着性（接合性）を向上させる目的で設けられている。これにより、端子３の基板２と反対側の端部には、端子３と配線基板４の端子６との接続（接合）の際に、必要かつ十分な量の低融点金属を設けることができる。
このような第３の金属層３３の構成材料としては、例えば、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎまたはこれらを含む合金等が挙げられる。
【００９５】
次に、低融点金属層８の形成方法について説明する。
［１Ｂ］〜［４Ｂ］
まず、前記実施形態の工程（工程［１Ａ］〜工程［４Ａ］）と同様にして、端子３を形成する（図７（Ｅ）参照）。
なお、工程［４Ｂ］では、第１の金属層３１、第２の金属層３２および第３の金属層３３を、この順で、貫通孔１１１内に形成する。
また、各金属層３１、３２、３３のうちの１層または２層を、異なる形成方法を用いて形成するようにしてもよい。
【００９６】
［５Ｂ］  低融点金属層の形成工程
次に、端子３形成用のレジスト層１１（マスク）を用いて、端子３の基板２と反対側の端面に、溶融状態の低融点金属を供給する。すなわち、印刷法により、端子３の基板２と反対側の端部に、低融点金属層８を形成する。これにより、図７（Ｆ）に示すように、端子３の基板２と反対側の端面に低融点金属層８が形成される。
【００９７】
かかる印刷法によれば、レジスト層１１（マスク）を兼用することにより、各工程毎にマスクを設ける手間を省略すること、すなわち、製造工程数の削減を図ることができる。
なお、図示の構成では、低融点金属層８にリフローが施され、低融点金属層８は、丸みを帯びた形状をなしている。また、このリフローは、レジスト層１１（マスク）を除去した後に低融点金属層８に施すようにしてもよい。この場合でも、端子３は、段差部３０を有することにより、溶融状態の低融点金属が基板２に至り、基板２上で接触し、隣接する端子３同士がショートするのを好適に防止することができる。
【００９８】
［６Ｂ］  マスク（レジスト層）の除去工程
次に、前記［６Ａ］と同様の工程を行う。
以上のような工程を経て、本発明の半導体チップ１が得られる（図７（Ｇ）参照）。
【００９９】
次に、本発明の半導体実装基板１００を備える電子デバイス、すなわち、本発明の電子デバイスについて説明する。
以下では、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合を一例に説明する。
図８は、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１００】
図８に示す表示装置（電気光学装置）３００は、透過型の液晶表示装置であり、表示パネル（表示部）２００と、本発明の半導体実装基板１００と、図示しないバックライトとを有している。
表示パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼りあわされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶を含む液晶層２７０とを有している。
【０１０１】
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶層２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶層２７０に電圧が印加される。
【０１０２】
また、第１パネル基板２２０の下面および第２パネル基板２４０の上面（いずれも液晶層２７０と反対側の面）には、それぞれ、偏光板２６０、２８０が設けられている。
また、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０１）を有している。この張出領域２０１にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
【０１０３】
半導体実装基板（可撓性回路基板）１００は、配線基板４と、この配線基板４に実装された半導体チップ１とを有している。
配線基板４は、可撓性を有する基板５の一方の面（図８中、上面）５１に配線パターン（リード）６０が形成され、その一端部（図８中、左側）において、配線パターン６０が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。
【０１０４】
そして、この一端部において、配線パターン６０と張出領域２０１に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電性ペースト、異方性導電性膜）４００を介して接続されている。
また、配線パターン６０の面方向の中央部には、配線パターン６０の端部により端子６が形成されており、この端子６に半導体チップ１の端子３が接合（接続）されている。
これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップ１との電気的導通が得られている。
【０１０５】
半導体チップ１は、表示パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップ１の駆動制御により、表示パネル２００では、所望の情報（静止画および動画の双方を含む画像）が表示される。
なお、本発明の電子デバイスは、図示の表示装置３００への適用に限定されず、例えば、有機または無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の他の表示装置、インクジェット記録ヘッド等の液滴吐出用ヘッド等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【０１０６】
以下、本発明の電子機器について、図９〜図１１に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図９は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、表示ユニット１１０６が前述の表示装置３００を備えており、表示パネル（表示部）２００の表示面が表示ユニット１１０６の前面に向くよう配置されている。
【０１０７】
図１０は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の表示装置３００を備えている。
表示装置３００の表示パネル（表示部）２００は、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間において、その表示面が携帯電話機１２００の前面に向くよう配置されている。
【０１０８】
図１１は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０９】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の表示装置３００の表示パネル（表示部）２００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示パネル２００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図１１においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示パネル２００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【０１１０】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図１１に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１１１】
なお、本発明の電子機器は、図９のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１０の携帯電話、図１１のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【０１１２】
以上述べたように、本発明によれば、端子の基材と反対側の端部に、その全周に亘って凹没する段差部が形成されているので、この端部に低融点金属層を設ける場合には、接合すべき端子同士の接合に、必要かつ十分な量の低融点金属を保持することができる。また、段差部は、接合すべき端子同士を接合する際には、溶融状態となった低融点金属を収容（吸収）することができる。このようなことから、接合すべき端子同士の信頼性の高い接合が可能になる。
また、本発明によれば、このような構成の端子を、容易かつ確実（寸法精度よく）に形成することができる。
【０１１３】
以上、本発明の端子、端子の形成方法、半導体チップ、半導体実装基板、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
例えば、本発明では、各前記実施形態のうちの任意の２以上の構成を組み合わせることもできる。
【０１１４】
また、例えば、本発明の端子の形成方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
また、各前記実施形態では、端子は、その高さ方向に沿って、段差部を１つ（１段）有する構成について説明したが、複数（複数段）の段差部を有する構成であってもよい。
また、各前記実施形態では、本発明の端子を半導体チップ側の端子に適用する場合について説明したが、本発明の端子は、配線基板側の端子に適用するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体実装基板の全体構成を示す縦断面図である。
【図２】実装前の本発明の半導体チップおよび配線基板の構成を示す縦断面図である。
【図３】本発明の端子の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の端子の形成方法および低融点金属層の形成方法を示す工程図（縦断面図）である。
【図５】本発明の端子の形成方法および低融点金属層の形成方法を示す工程図（縦断面図）である。
【図６】本発明の端子および低融点金属層（本発明の半導体チップ）の他の実施形態を示す縦断面図である。
【図７】低融点金属層の形成方法の他の実施形態を示す工程図（縦断面図）である。
【図８】本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１‥‥半導体チップ  ２‥‥基板  ２１、２２‥‥面  ２１１‥‥配線パターン  ２１２‥‥パッシベーション膜  ３‥‥端子  ３ａ‥‥基板側部分  ３ｂ‥‥端部側部分  ３０‥‥段差部  ３１、３２、３３‥‥金属層  ４‥‥配線基板５‥‥基板  ５１‥‥面  ６‥‥端子  ６０‥‥配線パターン  ７‥‥間隙  ８‥‥低融点金属層  ９‥‥封止材  １０‥‥レジスト材料  １０ａ‥‥第１のレジスト材料  １０ｂ‥‥第２のレジスト材料  １１‥‥レジスト層  １１ａ‥‥第１のレジスト層  １１ｂ‥‥第２のレジスト層  １１１‥‥貫通孔  １００‥‥半導体実装基板  ２００‥‥表示パネル  ２０１‥‥張出領域  ２１０‥‥透明電極  ２２０‥‥第１パネル基板  ２３０‥‥シール材  ２４０‥‥第２パネル基板  ２５０‥‥透明電極  ２６０、２８０‥‥偏光板  ２７０‥‥液晶層３００‥‥表示装置  ４００‥‥異方性導電性材料  ４１０‥‥導電性粒子  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ  Ｍ‥‥マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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