(57)【要約】【課題】光源サイズの拡大を防ぐとともに光の吸収損失を小にして光度を大にでき、かつ、所望の方向および範囲に集光された光を照射することのできる発光装置を提供する。【解決手段】外付けのレンズ５に素子収容部５０を設け、素子収容部５０の内周面に蛍光体層５Ａを薄く設けてＬＥＤ素子４を一体的に包囲するようにしたので、蛍光体層５Ａを均一に薄く形成することが可能になる。また、均一な薄さを有する蛍光体層５Ａを形成できることにより、光吸収による光度の低下を防ぐことができる。また、蛍光体層５Ａの層厚による光源のサイズ拡大を最小限に抑えることができるので、集光光学系によって光をスポット状に集光させることができ、所定の照射範囲における光度を大にできる。【選択図】      図１
2004266148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の波長の光を放射する半導体発光素子部と、
前記光を透過させる光透過性材料によって形成されて前記半導体発光素子部を覆って一体的に収容する空間を有する光透過部と、
前記空間の形状に沿って薄層状に形成されて前記光の照射に基づいて励起される蛍光体部とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記光透過部は、前記光を集光する集光光学形状を有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記半導体発光素子部は、実装面と反対側に設けられる光出射面から前記光を放射させるフリップチップ型のＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記空間は、前記半導体発光素子部の外形に沿って近接して設けられることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子部は、複数のＬＥＤ素子を規則的に配列して形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子部は、発光波長の異なる複数のＬＥＤ素子を規則的に配列して形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項７】
金属材料によって電極を形成する第１の工程と、
前記電極に半導体発光素子を実装する第２の工程と、
前記半導体発光素子を収容する素子収容部の形状に沿って薄層状に形成された蛍光体層を有する光透過部を前記電極に対して位置決めする第３の工程と、
前記素子収容部の前記蛍光体層によって前記半導体発光素子が包囲されるように前記光透過部と前記電極とを接着固定する第４の工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記素子収容部は、光透過性樹脂の成型加工後に蛍光体材料を吹き付けることによって前記蛍光体層を形成されていることを特徴とする請求項７記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極は、高熱伝導性のサブマウント材の表面に設けられるリード状電極であることを特徴とする請求項７記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極は、高熱伝導性を有するベース材の表面に絶縁層を介して設けられる銅箔電極であることを特徴とする請求項７記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体発光素子は、前記電極にフリップチップ接合されることを特徴とする請求項７記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：以下「ＬＥＤ」という。）から放射される光を蛍光体で吸収し、異なる波長の光に波長変換して放射させる発光装置に関し、特に、光度を大にするとともに集光性に優れる発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＥＤチップから放射される光を蛍光体で波長変換して放射する発光装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図９は、特許文献１に示される発光装置を示し、図９（ａ）は縦断面図である。この発光装置１０は、リードフレーム１１Ａおよび１１Ｂと、リードフレーム１１Ａに形成されるカップ１２と、カップ１２内に保持されるＬＥＤ１３と、ＬＥＤ１３の電極部とリードフレーム１１Ａおよび１１Ｂとを電気的に接続するボンディングワイヤ１４と、カップ１２内に設けられるＬＥＤ１３を封止する封止部１５と、光透過性を有して全体を封止する砲弾形状のエポキシ樹脂１６とを有する。
【０００４】
図９（ｂ）は、カップ１２の部分拡大図を示す。ＬＥＤ１３は、透明スペーサ１５Ａによって封止されており、透明スペーサ１５Ａの表面には蛍光材料１５Ｂが層状に設けられている。
【０００５】
このような構成によると、蛍光材料１５Ｂが均一に照明されることによって一定で均一な白色光を得ることができる。
【０００６】
図１０は、特許文献１に示された発光装置の他の構成を部分的に示す。この構成では、ＬＥＤ１３に紫外線硬化樹脂を滴下することにより形成される透明スペーサと１５Ａと、透明スペーサ１５Ａの表面に滴下されることによって層状に形成される蛍光材料１５Ｂによって基板１７に実装されたＬＥＤ１３を半球状に封止している。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−０７７７２３号公報（第１図、第３図、および第４図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の発光装置によると、ＬＥＤの周囲に樹脂や蛍光材料を滴下しているため、封止形状や厚さを精度良く設けることができないという問題がある。また、ＬＥＤを樹脂で半球状に封止した場合には、滴下された蛍光材料が樹脂の周囲に流れて堆積し、その部分で光が吸収されることによって光取り出し効率が低下するという不都合もある。
【０００９】
また、図９（ｂ）においては蛍光材料１５Ｂが発光するので、発光面積がおよそ１０倍となり、集光光学系による集光効果を得にくくなるという問題がある。即ち、図１１（ａ）に示すように、光源１９から放射される光を集光光学系１８で集光するとき、光源１９の発光面積が小さく、点光源とみなせるときには光Ｌが充分に集光される。一方、図１１（ｂ）に示すように光源１９の発光面積が大であると充分な集光ができないことから、点光源とみなせない集光度の低下が生じる。
【００１０】
従って、本発明の目的は、光源サイズの拡大を防ぐとともに光の吸収損失を小にして光度を大にでき、かつ、所望の方向および範囲に集光された光を照射することのできる発光装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、所定の波長の光を放射する半導体発光素子部と、
前記光を透過させる光透過性材料によって形成されて前記半導体発光素子部を覆って一体的に収容する空間を有する光透過部と、
前記空間の形状に沿って薄層状に形成されて前記光の照射に基づいて励起される蛍光体部とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【００１２】
光透過部は、光を集光する集光光学形状を有するようにしても良い。また、半導体発光素子部は、実装面と反対側に設けられる光出射面から光を放射させるフリップチップ型のＬＥＤ素子を用いることもできる。
【００１３】
半導体発光素子部を覆う空間は、半導体発光素子部の外形に沿って近接して設けられることが好ましい。また、半導体発光素子部は、複数のＬＥＤ素子を規則的に配列して形成されていても良く、発光波長の異なる複数のＬＥＤ素子を規則的に配列して形成されていても良い。
【００１４】
このような構成によれば、半導体発光素子部の近傍に均一な厚さで蛍光体部が配置されることにより、蛍光体の励起発光によって見かけ上の光源サイズが大になることを抑制するとともに光吸収量が低減される。
【００１５】
また、本発明は、上記目的を達成するため、金属材料によって電極を形成する第１の工程と、
前記電極に半導体発光素子を実装する第２の工程と、
前記半導体発光素子を収容する素子収容部の形状に沿って薄層状に形成された蛍光体層を有する光透過部を前記電極に対して位置決めする第３の工程と、
前記素子収容部の前記蛍光体層によって前記半導体発光素子が包囲されるように前記光透過部と前記電極とを接着固定する第４の工程とを有することを特徴とする発光装置の製造方法を提供する。
【００１６】
素子収容部は、光透過性樹脂の成型加工後に蛍光体材料を吹き付けることによって前記蛍光体層を形成されることが好ましい。
【００１７】
電極は、高熱伝導性のサブマウント材の表面に設けられるリード状電極、又は、高熱伝導性を有するベース材の表面に絶縁層を介して設けられる銅箔電極を用いることができる。また、半導体発光素子は、電極にフリップチップ接合されていることが好ましい。
【００１８】
このような構成によれば、光透過部を別工程で製造できることによって生産性に優れるとともに、半導体発光素子部の近傍に均一な厚さの蛍光体部が精度良く配置される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の部分拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面を示す。
【００２０】
以下の説明では、集光の定義として、光軸方向にスポット状に集光する集光の他に、光軸と直交する方向への集光や、光軸に対して所定の角度を有する方向への集光についても含まれるものとする。
【００２１】
この発光装置１は、図１（ａ）に示すように、熱伝導性に優れる銅等の金属材料によって形成されるリード２Ａおよび２Ｂと、リード２Ａおよび２Ｂの素子搭載側に設けられて表面に配線パターン３Ａおよび３Ｂを有するサブマウント３と、配線パターン３Ａおよび３Ｂに位置して実装されるＬＥＤ素子４と、ＬＥＤ素子４を包囲するようにリード２Ａおよび２Ｂに外付け固定されるレンズ５とを有する。
【００２２】
サブマウント３は、ＡｌＮ等の高熱伝導性材料によって形成されており、表面に形成される銅箔の配線パターン３Ａおよび３Ｂにバンプ４Ａを介してＬＥＤ素子４をフリップチップ接合されている。また、配線パターン３Ａはリード２Ａと、配線パターン３Ｂはリード２Ｂと図示しないビアホールを介して電気的に接続されている。
【００２３】
ＬＥＤ素子４は、例えば、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体やＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）等で４５０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色系で発光するように形成されている。このＬＥＤ素子４は、電極形成面の反対側に形成されるサファイア基板側から主として光を出射し、１０００×１０００μｍのチップサイズを有する。なお、青色系ＬＥＤの素子構造については周知技術であるので、詳細な説明については省略する。
【００２４】
レンズ５は、エポキシ樹脂等の光透過性樹脂を射出成型することによって砲弾形状で形成されており、ＬＥＤ素子４を搭載したリード２Ａおよび２Ｂに対して所定の位置に位置決め固定されるようになっている。この位置決めについては図示しないが、リード２Ａおよび２Ｂに形成された凹部と、レンズ５に形成される凸部との凹凸嵌合に基づいて行っている。なお、他の位置決め方法によって位置精度良く固定するようにしても良い。
【００２５】
また、レンズ５は、図１（ｂ）に示すように、リード２Ａおよび２Ｂへの位置決め固定時にＬＥＤ素子４を収容する窪み状の素子収容部５０を有し、素子収容部５０の内周面には薄い層状に形成された蛍光体層５Ａが設けられている。この素子収容部５０は、図１（ｃ）に示すように、ＬＥＤ素子４との間に形成される隙間５Ｂが可能な限り小となるサイズで形成されている。蛍光体層５Ａは、上記した波長の青色光によって励起されて黄色光を放射するＣｅ：ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）からなる。
【００２６】
このような発光装置１を製造するには、まず、金属材料の打ち抜き加工によってリード２Ａおよび２Ｂを形成する。また、リード２Ａおよび２Ｂの打ち抜き加工時に位置決め用の凹部を圧痕形成する。次に、リード２Ａおよび２Ｂの素子搭載側に高熱伝導性材料によってサブマウント３を形成する。次に、サブマウント３の表面に銅箔による所定の回路パターン３Ａおよび３Ｂを形成する。次に、回路パターン３Ａおよび３Ｂの所定の位置にバンプ４Ａを介してＬＥＤ素子４をフリップチップ接合する。
【００２７】
レンズ５は別工程で形成される。まず、レンズ形状に応じた金型に光透過性樹脂を充填することにより砲弾形状で素子収容部５０を有したレンズ５を射出成型する。また、樹脂成型時に位置決め用の凸部をあわせて成型する。次に、素子収容部５０に蛍光体を薄く塗布して蛍光体層５Ａを形成する。
【００２８】
次に、上記したレンズ５に設けられた凸部と、リード２Ａおよび２Ｂに設けられた凹部とが嵌合するように両者を位置決め固定する。このとき、素子収容部５０に透明なシリコン樹脂を注入する。次に、リード２Ａおよび２Ｂにレンズ５を被せて接着固定するとともにＬＥＤ素子４をシリコン封止する。
【００２９】
以下に、第１の実施の形態の発光装置の動作を説明する。
【００３０】
図示しない駆動部は、リード２Ａおよび２Ｂに駆動電圧を印加する。ＬＥＤ素子４は駆動電圧に基づいて発光して青色光を放射する。ＬＥＤ素子４から放射される青色光は蛍光体層５Ａに照射される。蛍光体層５Ａは青色光に基づいて励起されて黄色光を放射する。この黄色光と青色光とが蛍光体層５Ａで混合されることによって白色光となる。白色光はレンズ５内を進み、砲弾形状部分で集光されてレンズ５外に放射される。放射された白色光は光源部のサイズと光学系形状によって定まる相似比で所定の照射範囲に集光される。
【００３１】
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）外付けのレンズ５に素子収容部５０を設け、素子収容部５０の内周面に蛍光体層５Ａを薄く設けてＬＥＤ素子４を一体的に包囲するようにしたので、蛍光体層５Ａを均一に薄く形成することが可能になる。また、均一な薄さを有する蛍光体層５Ａを形成できることにより、光吸収による光度の低下を防ぐことができる。また、蛍光体層５Ａの層厚による光源のサイズ拡大を最小限に抑えることができるので、集光光学系によって光をスポット状に集光させることができ、所定の照射範囲における光度を大にできる。
（２）また、光源としてサイズの大（例えば、１０００μｍ角程度）なるＬＥＤ素子４を用いた場合でも蛍光体層５Ａに覆われることによる光源サイズの拡大を防いで集光性を確保することが可能になる。
（３）レンズ５を別体で形成し、リード２Ａおよび２Ｂに対して位置決め固定するようにしたので、ＬＥＤ素子４と蛍光体層５Ａとが適切な位置関係で配置されるようになり、所望の照射方向および照射範囲に精度良く光を集光させることができるようになる。また、用途や集光性に応じた形状のレンズ５を選択的に取り付けることが可能になる。
（４）レンズ５に素子収容部５０に蛍光体層５Ａを設ける方法では、層厚を均一に、かつ、薄く形成する形成方法を選択できるので、高価な蛍光体を使用する場合でも使用量を低減することが可能になり、製造コストを安価にすることができる。
（５）高熱伝導性を有するサブマウント３を介してＬＥＤ素子４をリード２Ａおよび２Ｂに搭載しているので、放熱性が向上し、光度の増大要求に伴う発光装置の大出力化に余裕をもって対応することができる。
【００３２】
図２は、第２の実施の形態に係るレンズの素子収容部を示す。このレンズ５は、ＬＥＤ素子４を包囲する素子収容部５０をＬＥＤ素子４の外形とほぼ同じ矩形状に形成したものである。なお、以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成を有する部分については同一の引用数字を付しているので重複する説明を省略する。
【００３３】
上記した第２の実施の形態によると、ＬＥＤ素子４と蛍光体層５Ａとの間の隙間５Ｂをより小にできることから、光源サイズの拡大をより効果的に抑制でき、そのことによって放射される光の集光性をより高めることができる。
【００３４】
図３は、第３の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の部分拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ断面を示す。
【００３５】
この発光装置１は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、サブマウント３の配線パターン３Ａ、３Ｂ、および３Ｃにそれぞれ位置して実装されるＬＥＤ素子４と、ＬＥＤ素子４を包囲するようにリード２Ａおよび２Ｂに外付け固定されるレンズ５とを有する。
【００３６】
ＬＥＤ素子４は、図３（ｃ）に示すように、赤色光を放射する赤色ＬＥＤ素子４０と、赤色ＬＥＤ素子４０の周囲に配置される８個の青色ＬＥＤ素子４１とを配線パターン３Ａ、３Ｂ、および３Ｃにそれぞれフリップチップ接合しており、各ＬＥＤ素子は３００×３００μｍのチップサイズを有する。
【００３７】
蛍光体層５Ａは、青色ＬＥＤ素子４１から放射される青色光に基づいて励起されて黄色光を放射するＣｅ：ＹＡＧからなる。
【００３８】
上記した第３の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて青色ＬＥＤ素子４１から放射される青色光と、青色光によって励起された蛍光体層５Ａから放射される黄色光とが混合されることによって白色光が得られるとともに、赤色ＬＥＤ素子４０から放射される赤色光が加わることによって、演色性の高い白色光を得ることができる。
【００３９】
なお、複数のＬＥＤ素子を設ける他の構成として、例えば、青色ＬＥＤ素子４１に代えて紫外線ＬＥＤ素子４１を赤色ＬＥＤ素子４０の周囲に配置し、赤色、青色、および緑色の蛍光体を混合した蛍光体層５Ａに紫外光を通過させることに基づいて白色光を得るようにしても良い。また、赤色ＬＥＤ素子４０を設ける代わりに９個の青色ＬＥＤ素子４１を設けても良い。
【００４０】
また、上記した実施の形態では、ＬＥＤ素子４の光を蛍光体で波長変換する構成を説明したが、例えば、素子収容部５０の内周面に光拡散層を形成し、ＬＥＤ素子４から放射された光を光拡散層で拡散させるものであっても良い。これによれば、複数の発光素子を連続な光源に近似させることができ、かつ、光源サイズを小にできるという効果を奏する。
【００４１】
図４は、第４の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の部分拡大図である。
【００４２】
この発光装置１は、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、絶縁層６Ａと、アルミニウム等の良熱伝導体からなるベース材６Ｂと、絶縁層６Ａの表面に設けられる銅箔等の配線パターン３Ａおよび３Ｂを有した基板６を用いており、配線パターン３Ａおよび３Ｂに第１の実施の形態で説明したＬＥＤ素子４より小なるサイズ（３００×３００μｍ）のＬＥＤ素子４をフリップチップ接合した構成において第１の実施の形態と相違している。
【００４３】
上記した第４の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて放熱性に優れる基板６を用いているので、ＬＥＤ素子４の点灯に伴う発熱を基板６を介して効率良く放散させることができ、ＬＥＤ素子４の大出力化に対応することができる。また、ＬＥＤ素子４のサイズ小になっても蛍光体層５Ａの厚さが薄いので、光が遮蔽されることを防げる。また、小型のＬＥＤ素子４を用いることで、光を集光光学系でより小サイズのスポット状に集光させることができ、所定の照射範囲における光度を向上させることができる。
【００４４】
図５は、第５の実施の形態に係る発光装置の縦断面を示す。
【００４５】
この発光装置１は、第４の実施の形態で説明した基板６の配線パターン３Ａに３００×３００μｍのサイズのＬＥＤ素子４をフェイスアップ接合し、ＬＥＤ素子４の電極部と配線パターン３Ａおよび３Ｂとをボンディングワイヤ７によって電気的に接続している。
【００４６】
レンズ５は、ＬＥＤ素子４およびボンディングワイヤ７を包囲するようにドーム状に形成された素子収容部５０を有し、素子収容部５０の内周面には薄い層状に形成された蛍光体層５Ａが設けられている。素子収容部５０の内側には図示しない透明なシリコン樹脂が注入されている。
【００４７】
上記した第５の実施の形態によると、ＬＥＤ素子４をフェイスアップ接合する場合であっても光源のサイズ拡大を抑制でき、光度を大にできるとともに、集光性の向上を実現できる。なお、素子収容部５０のドーム形状は、ボンディングワイヤ７を保護することのできる最小半径サイズで形成されることが好ましく、例えば、円錐状に形成されていても良い。
【００４８】
上記した各実施の形態では、レンズ５に凹状に形成した素子収容部５０に蛍光体層５Ａを薄く形成した発光装置を説明したが、例えば、蛍光体層５Ａをコンパクトに薄く形成することができれば、レンズ５と蛍光体層５Ａとを別体で設けることも可能である。
【００４９】
図６は、第６の実施の形態に係る発光装置の縦断面を示す。
【００５０】
この発光装置１は、基板６の配線パターン３Ａにフェイスアップ接合されたＬＥＤ素子４と、ＬＥＤ素子４をドーム状に包囲するように別体で設けられる光透過性樹脂のキャップ８と、キャップ８の外表面に薄く層状に形成された蛍光体層５Ａとを有し、レンズ５は素子収容部５０と蛍光体層５Ａとの間に隙間５Ｃを有して基板６と一体化されている。また、キャップ８の内側には透明なシリコン樹脂が注入されている。
【００５１】
上記した第６の実施の形態によると、レンズ５と蛍光体層５Ａとを別工程で形成できることから、蛍光体層５Ａをキャップ８の表面に形成する際の形成厚の制御を容易に行うことができる。なお、キャップ８の形状は図示されるドーム状のものに限定されず、例えば、フリップチップ接合されたＬＥＤ素子４を覆うことのできる矩形状に形成されていても良い。
【００５２】
また、上記した集光光学系は光源の光軸方向に光を集光するものであるが、例えば、光源の光軸と直交する方向に光を照射する発光装置への適用も可能である。
【００５３】
図７は、第７の実施の形態に係る発光装置の縦断面を示す。
【００５４】
この発光装置１は、第４の実施の形態に示す砲弾形状のレンズ５に代えて、ＬＥＤ素子４から放射される光を光軸と直交する水平方向に放射する水平放射型のレンズ５を設けた構成を有する。レンズ５は、ＬＥＤ素子４から放射される光を全反射する反射面５Ｄを一体的に設けられている。
【００５５】
上記した第７の実施の形態によると、反射面５Ｄで反射された光を水平方向に放射させることによって、光軸と直交する方向への光取り出し効率が向上し、レンズ５の側面方向への集光性が向上する。このことによって水平方向の所定の照射範囲における光度を大にできる。
【００５６】
また、集光光学系として、透過光学系と反射光学系とを組み合わせた構成を介して光を照射する発光装置への適用も可能である。
【００５７】
図８は、第８の実施の形態に係る発光装置の縦断面を示す。
【００５８】
この発光装置１は、基板６上にフェイスアップ接合されたＬＥＤ素子４と、ＬＥＤ素子４の周囲に設けられるシリコン樹脂等の光透過性材料からなる反射型のレンズ５と、レンズ５の反射膜５Ｅで反射された光を通過させるスリット９Ａを有する遮光板９とを有する。
【００５９】
レンズ５は、半球状の外形を有して形成されており、表面にスパッタリング等の周知の成膜技術により薄膜形成されたアルミニウム等の反射膜５Ｅを有する。
【００６０】
また、レンズ５は、中心部分に基板６を収容する空間５０Ａを有し、空間５０Ａの先端部分はドーム状に形成されている。また、この先端部分の内周面には蛍光体層５Ａが薄く層状に形成されている。
【００６１】
ＬＥＤ素子４から放射される光は、蛍光体層５Ａを介してレンズ５に放射される。レンズ５を透過した光は、反射膜５Ｅで反射されることによりスリット９Ａを介してレンズ５の外部に放射される。
【００６２】
上記した第８の実施の形態によると、レンズ５を透過して光反射膜５Ｅで反射された光をスリット９Ａから放射させるような場合でも、光源サイズが小であることによって良好な集光性を付与することができる。
【００６３】
なお、上記した各実施の形態では、素子収容部５０をレンズ５に設けた構成を説明したが、素子収容部５０をレンズ５と異なる光透過性部材に設け、この光透過性部材とレンズ５とを一体化することで集光光学系を構成するようにしても良い。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の発光装置によると、外付けのレンズに素子収容部を設け、素子収容部の内周面に蛍光体層を薄く設けてＬＥＤ素子を一体的に包囲するようにしたため、光源サイズの拡大を防ぐとともに光の吸収損失を小にして光度を大にでき、かつ、所望の方向および範囲に集光された光を照射することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の部分を拡大した部分断面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ部における部分断面図である。
【図２】第２の実施の形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図３】第３の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の部分を拡大した部分断面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ部における部分断面図である。
【図４】第４の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）はＬＥＤ素子の部分を拡大した部分断面図である。
【図５】第５の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図６】第６の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図７】第７の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図８】第８の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図９】（ａ）は、従来の発光装置を示す縦断面図である。
（ｂ）は、（ａ）のＬＥＤの部分拡大図である。
【図１０】従来の発光装置の他の構成を示す部分断面図である。
【図１１】（ａ）は、光源サイズが小である場合の集光性を示す図である。
（ｂ）は、光源サイズが大である場合の集光性を示す図である。
【符号の説明】
１、発光装置  ２Ａ、リード  ２Ｂ、リード  ３、サブマウント
３Ａ、回路パターン  ３Ａ、配線パターン  ３Ｂ、配線パターン
４Ａ、バンプ  ４、ＬＥＤ素子  ５、レンズ  ５Ａ、蛍光体層
５Ｂ、隙間  ５Ｃ、隙間  ５Ｄ、反射面  ５Ｅ、反射膜
６、基板  ６Ａ、絶縁層  ６Ｂ、ベース材  ７、ボンディングワイヤ
８、キャップ  ８、透光性樹脂部  ９、遮光板  ９Ａ、スリット
１０、発光装置  １１Ａ、リードフレーム  １２、カップ
１４、ボンディングワイヤ  １５、封止部  １５Ａ、透明スペーサ
１５Ｂ、蛍光材料  １６、エポキシ樹脂  １７、基板
１８、集光光学系  １９、光源  ４０、素子  ４１、素子
５０、素子収容部  ５０Ａ、空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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