(57)【要約】【課題】ウェハレベルでの工程処理により、ＩＣチップの実装工程の効率化を図りつつ、樹脂封止の信頼性を向上させる。【解決手段】樹脂３をＩＣウェハ１上に塗布した後、フォトリソグラフィー技術もしくは表面研磨等を用いて、バンプ電極２を露出させ、ダイシングによりＩＣウェハ１からＩＣチップ１ａ、１ｂを切り出し、ＩＣチップ１ａ、１ｂを実装基板４上にそれぞれ接合・封止する。前記樹脂は保護膜も含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、
前記接合用電極が露出するように前記ＩＣチップ上に塗布され、もしくは実装基板面の接合電極部のみ露出された封止樹脂と、
前記封止樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、
前記ＩＣチップの外周部に形成されたハーフダイス部と、
前記接合用電極を露出させるとともに、前記ハーフダイス部を埋め込むようにして前記ＩＣチップ上に塗布された封止樹脂と、
前記封止樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、
前記接合用電極を覆うようにして、前記ＩＣチップ上もしくは実装基板上に塗布された異方性導電樹脂と、
前記異方性導電樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、
前記接合用電極を露出させるとともに、前記接合用電極より高い位置にくるようにして前記ＩＣチップ上に塗布された封止樹脂と、
前記封止樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に封止樹脂を塗布する工程と、
前記封止樹脂をフォトプロセスにより部分的に除去すること、もしくはメカニカル研磨等により、前記接合用電極を露出させる工程と、
前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、
前記封止樹脂を介し、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に封止樹脂を塗布する工程と、
前記封止樹脂の研磨を行うことにより、前記接合用電極を露出させる工程と、
前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、
前記封止樹脂を介し、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
接合用電極が形成されたＩＣウェハのスクライブラインに跨るようにハーフダイシングを行う工程と、
前記ハーフダイシングにより形成されたハーフカット部を埋め込むようにして、前記ＩＣウェハ上に封止樹脂を塗布する工程と、
前記封止樹脂をフォトプロセスにより部分的に除去すること、もしくはメカニカル研磨等により、前記接合用電極を露出させる工程と、
前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをハーフダイスエリアの内側で完全ダイシングする工程と、
前記封止樹脂を介し、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に異方性導電樹脂を塗布する工程と、
前記異方性導電樹脂が塗布されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、
前記異方性導電樹脂を加圧しながら、前記ダイシングにより得られたＩＣチップ実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に、前記接合用電極より高い位置にくるように封止樹脂を塗布する工程と、
前記封止樹脂をフォトプロセスにより部分的に除去すること、もしくはメカニカル研磨等により、前記接合用電極を露出させる工程と、
前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、
前記封止樹脂を加圧しながら、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ＩＣチップ上に配置された接合用電極は、チップの保護膜より上部に突出したバンプ構造のものを含み、またチップを接合する対向電極は、基板配線厚と同一のものおよび突起状バンプ構造のものを含むことを特徴とする請求項５〜９のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記封止樹脂は、表面の保護皮膜も含み、ポリイミド、エポキシ樹脂、ＣＶＤ酸化膜または窒化膜を含むことを特徴とする請求項５〜１０のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、ＩＣチップのフリップチップ実装に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＩＣチップのフリップチップ実装では、バンプが形成されたＩＣチップを実装基板上に配置した後、ＩＣチップと実装基板との間に樹脂を注入することにより、ＩＣチップを封止する方法があった。
図９は、従来の半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【０００３】
図９（ａ）において、実装基板４１上にはランド４２が設けられている。
そして、図９（ｂ）に示すように、ＩＣチップ４３に設けられたバンプ電極４４をランド４２上に配置し、バンプ電極４４をランド４２に接合する。
そして、図９（ｃ）に示すように、実装基板４１上に固定されたＩＣチップ４３の周りに封止樹脂４５を塗布し、実装基板４１とＩＣチップ４３との間の隙間に封止樹脂４５を侵入させることにより、ＩＣチップ４３を封止する。
【０００４】
図１０は、従来の半導体装置の製造方法の別例を示す断面図である。
図１０（ａ）において、実装基板５１上にはランド５２が設けられている。
そして、図１０（ｂ）に示すように、図１０（ｃ）のＩＣチップ５４の配置位置に対応させて、封止樹脂５３を実装基板５１上に塗布する。
そして、図１０（ｃ）に示すように、ＩＣチップ５４に設けられたバンプ電極５５をランド５２上に配置し、バンプ電極５５をランド５２に接合するとともに、実装基板５１に塗布されている封止樹脂５３を、実装基板５１とＩＣチップ５４との間の隙間で溶融コートまたは押し広げることにより、ＩＣチップ５４を封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図９の半導体装置の製造方法では、実装基板４１とＩＣチップ４３との間の狭い隙間に封止樹脂４５を侵入させる必要があり、封止処理が煩雑になるとともに、バンプ電極４４の間隔が狭くなると、実装基板４１とＩＣチップ４３との間の狭い隙間に封止樹脂４５を完全に回り込ませることが困難となり、半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。
【０００６】
一方、図１０の半導体装置の製造方法では、ＩＣチップ５４の配置位置に対応させて、封止樹脂５３を実装基板５１上に予め塗布する必要があり、封止処理が煩雑になるとともに、ＩＣチップ５４の表面全体への封止樹脂５３の流れ込みや密着が不完全になり易く、半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、実装工程の効率化を図りつつ、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の半導体装置によれば、ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、前記接合用電極が露出するように前記ＩＣチップ上に塗布され、もしくは実装基板面の接合電極部のみ露出された封止樹脂と、前記封止樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする。
【０００８】
これにより、封止樹脂の塗布をＩＣチップ上に行うことができ、ＩＣチップの表面が封止樹脂で覆われた状態で、ＩＣチップのフリップチップ実装を行うことが可能となる。
このため、封止樹脂を実装基板上に塗布する必要がなくなり、実装工程の効率化を図ることが可能となるとともに、接合用電極がＩＣチップ上に密に配置されている場合においても、封止樹脂をＩＣチップ上に完全に行き渡らせて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【０００９】
また、請求項２記載の半導体装置によれば、ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、前記ＩＣチップの外周部に形成されたハーフダイス部と、前記接合用電極を露出させるとともに、前記ハーフダイス部を埋め込むようにして前記ＩＣチップ上に塗布された封止樹脂と、前記封止樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする。
【００１０】
これにより、封止樹脂の塗布をＩＣチップ上に行うことで、ＩＣチップの表面および外周部分のコーナー部が封止樹脂で覆われた状態で、ＩＣチップのフリップチップ実装を行うことが可能となる。
このため、封止樹脂を実装基板上に塗布する必要がなくなり、実装工程の効率化を図ることが可能となるとともに、封止樹脂をＩＣチップの外周部分のコーナー部まで行き渡らせて、樹脂封止の信頼性をより一層向上させることが可能となる。
【００１１】
また、請求項３記載の半導体装置によれば、ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、前記接合用電極を覆うようにして、前記ＩＣチップ上もしくは実装基板上に塗布された異方性導電樹脂と、前記異方性導電樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする。
これにより、ＩＣチップの表面が異方性導電樹脂で覆われた状態で、ＩＣチップのフリップチップ実装を行うことが可能となるとともに、接合用電極を露出させることなく、接合用電極の導通と接合面の封止が可能となる。
【００１２】
このため、封止樹脂を実装基板上に塗布する必要がなくなるだけでなく、接合用電極を露出させるためのフォトリソグラフィー工程も不要となり、実装工程のより一層の効率化を図ることが可能となるとともに、封止効果樹脂をＩＣチップ上に完全に行き渡らせて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
また、請求項４記載の半導体装置によれば、ＩＣチップ上に配置された接合用電極と、前記接合用電極を露出させるとともに、前記接合用電極より高い位置にくるようにして前記ＩＣチップ上に塗布された封止樹脂と、前記封止樹脂を介して前記ＩＣチップが実装された実装基板とを備えることを特徴とする。
【００１３】
これにより、封止樹脂の塗布をＩＣチップ上に行うことが可能となるとともに、接合用電極の接合時に、封止樹脂による封止処理も兼ねることが可能となる。
このため、ＩＣチップをテープ基板上に実装する場合においても、封止樹脂を実装基板上に塗布する必要がなくなり、実装工程の効率化を図ることが可能となるとともに、ＩＣチップとテープ基板との間の隙間に封止樹脂を完全に行き渡らせて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１４】
また、請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に封止樹脂を塗布する工程と、前記封止樹脂をフォトプロセスにより部分的に除去すること、もしくはメカニカル研磨等により、前記接合用電極を露出させる工程と、前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、前記封止樹脂を介し、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
これにより、複数のＩＣチップに対して封止樹脂を一括して塗布することができ、ＩＣチップ上への封止樹脂の塗布を効率よく行うことが可能となるとともに、ＩＣチップの表面が封止樹脂で覆われた状態で、ＩＣチップのフリップチップ実装を行うことが可能となり、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１６】
また、請求項６記載の半導体装置の製造方法によれば、接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に封止樹脂を塗布する工程と、前記封止樹脂の研磨を行うことにより、前記接合用電極を露出させる工程と、前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、前記封止樹脂を介し、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、複数のＩＣチップに対して封止樹脂を一括して塗布することが可能となるとともに、フォトリソグラフィー技術を用いることなく、接合用電極を露出させることができ、樹脂封止の信頼性を向上させつつ、樹脂封止を効率よく行うことが可能となる。
また、請求項７記載の半導体装置の製造方法によれば、接合用電極が形成されたＩＣウェハのスクライブラインに跨るようにハーフダイシングを行う工程と、前記ハーフダイシングにより形成されたハーフカット部を埋め込むようにして、前記ＩＣウェハ上に封止樹脂を塗布する工程と、前記封止樹脂をフォトプロセスにより部分的に除去すること、もしくはメカニカル研磨等により、前記接合用電極を露出させる工程と、前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをハーフダイスエリアの内側で完全ダイシングする工程と、前記封止樹脂を介し、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
これにより、複数のＩＣチップの表面および外周部エッジ部に対して封止樹脂を一括して塗布することが可能となるとともに、ＩＣチップの表面および外周部エッジ部が封止樹脂で覆われた状態で、ＩＣチップのフリップチップ実装を行うことが可能となり、製造工程の煩雑化を抑制しつつ、樹脂封止の信頼性をより一層向上させることが可能となる。
【００１９】
また、請求項８記載の半導体装置の製造方法によれば、接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に異方性導電樹脂を塗布する工程と、前記異方性導電樹脂が塗布されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、前記異方性導電樹脂を加圧しながら、前記ダイシングにより得られたＩＣチップ実装する工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
これにより、複数のＩＣチップに対して異方性導電樹脂を一括して塗布することが可能となるともに、接合用電極を露出させることなく、接合用電極の導通をとるとともに封止処理が可能となり、接合および樹脂封止工程のより一層の効率化を図りつつ、封止樹脂をＩＣチップ上に完全に行き渡らせて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【００２１】
また、請求項９記載の半導体装置の製造方法によれば、接合用電極が形成されたＩＣウェハ上に、前記接合用電極より高い位置にくるように封止樹脂を塗布する工程と、前記封止樹脂をフォトプロセスにより部分的に除去すること、もしくはメカニカル研磨等により、前記接合用電極を露出させる工程と、前記接合用電極が露出されたＩＣウェハをチップ状にダイシングする工程と、前記封止樹脂を加圧しながら、前記ダイシングにより得られたＩＣチップを実装する工程とを備えることを特徴とする。
【００２２】
これにより、複数のＩＣチップ、ウェハレベルに対して封止樹脂を一括して塗布することが可能となり、ＩＣチップをテープ基板上に実装する場合においても、実装工程の効率化を図ることが可能となるとともに、ＩＣチップとこれの実装基板との間の隙間に封止樹脂を完全に行き渡らせて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【００２３】
また、請求項１０記載の半導体装置の製造方法によれば、前記ＩＣチップ上に配置された接合用電極は、チップの保護膜より上部に突出したバンプ構造のものを含み、またチップを接合する対向電極は、基板配線厚と同一のものおよび突起状バンプ構造のものを含むことを特徴とする。
また、請求項１１記載の半導体装置の製造方法によれば、前記封止樹脂は、表面の保護皮膜も含み、ポリイミド、エポキシ樹脂、ＣＶＤ酸化膜または窒化膜を含むことを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図１（ｂ）〜（ｄ）および図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００２５】
図１（ａ）において、ＩＣウェハ１には、スクライブラインＳＢ１で区分けされたＩＣパターンが形成され、このＩＣパターンが形成されたＩＣウェハ１上には、図１（ｂ）に拡大して示すように、バンプ電極２が形成されている。
そして、図１（ｃ）に示すように、フォトソルダもしくは封止効果樹脂などの樹脂３をＩＣウェハ１上に塗布する。
【００２６】
ここで、ＩＣウェハ１の状態のままで、樹脂３をＩＣウェハ１上に塗布することにより、複数のＩＣチップ、ウェハレベルに対して樹脂３を一括して塗布することができ、製造工程の煩雑化を抑制することが可能となる。
次に、図１（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、樹脂３のパターニングを行うことにより、バンプ電極２上の樹脂３を除去し、バンプ電極２を露出させる。
【００２７】
なお、ＩＣウェハ１上に塗布された樹脂３を研磨することにより、バンプ電極２を露出させるようにしてもよい。
次に、図２（ａ）に示すように、スクライブラインＳＢ１に沿ってＩＣウェハ１のダイシングを行うことにより、ＩＣウェハ１からＩＣチップ１ａ、１ｂを切り出す。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１ａ、１ｂを実装基板４上にそれぞれ実装し、実装基板４に設けられたランド５にバンプ電極２ａ、２ｂをそれぞれ接合するとともに、ＩＣチップ１ａ、１ｂを樹脂３ａ、３ｂでそれぞれ封止する。
これにより、ＩＣチップ１ａ、１ｂの表面が樹脂３ａ、３ｂでそれぞれ覆われた状態で、ＩＣチップ１ａ、１ｂを実装基板４上にそれぞれ実装することが可能となり、バンプ電極２ａ、２ｂが密に配置されている場合においても、樹脂３ａ、３ｂの回り込みの不具合をそれぞれ解消して、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【００２９】
図３（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図２（ｂ）〜（ｄ）および図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、ＩＣウェハ１１には、スクライブラインＳＢ２で区分けされたＩＣパターンが形成され、このＩＣパターンが形成されたＩＣウェハ１１上には、図３（ｂ）に拡大して示すように、バンプ電極１２が形成されている。
【００３０】
そして、図３（ｂ）に示すように、スクライブラインＳＢ２に跨るようにＩＣウェハ１１のハーフダイシングを行うことにより、ＩＣウェハ１１に溝１３を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、溝１３が埋め込まれるようにして、フォトソルダもしくは封止効果樹脂などの樹脂１４をＩＣウェハ１１上に塗布する。
【００３１】
ここで、ハーフダイシングされたＩＣウェハ１１上に樹脂１４を塗布することにより、複数のＩＣチップ、ウェハレベルに対して樹脂１４を一括して塗布することが可能となるとともに、ＩＣチップの外周部エッジ部全体も容易に覆うことができ、製造工程の煩雑化を抑制することが可能となる。
次に、図３（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、樹脂１４のパターニングを行うことにより、バンプ電極１２上の樹脂１４を除去し、バンプ電極１２を露出させる。
【００３２】
なお、ＩＣウェハ１上に塗布された樹脂１４を研磨することにより、バンプ電極１２を露出させるようにしてもよい。
次に、図４（ａ）に示すように、スクライブラインＳＢ２に沿ってＩＣウェハ１１のダイシングを行うことにより、ＩＣウェハ１１からＩＣチップ１１ａ、１１ｂを切り出す。
【００３３】
次に、図４（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１１ａ、１１ｂを実装基板１５上にそれぞれ実装し、実装基板１５に設けられたランド１５にバンプ電極１２ａ、１２ｂをそれぞれ接合するとともに、ＩＣチップ１１ａ、１１ｂを樹脂１４ａ、１４ｂでそれぞれ封止する。
これにより、ＩＣチップ１１ａ、１１ｂの表面および外周部エッジ部が樹脂１４ａ、１４ｂでそれぞれ覆われた状態で、ＩＣチップ１１ａ、１１ｂを実装基板１５上にそれぞれ実装することが可能となる。
【００３４】
このため、製造工程の煩雑化を抑制しつつ、ＩＣチップ１１ａ、１１ｂの外周部エッジ部角にも樹脂１４ａ、１４ｂをそれぞれ回り込ませて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
図５（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図５（ｂ）〜（ｄ）および図６は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００３５】
図５（ａ）において、ＩＣウェハ２１には、スクライブラインＳＢ３で区分けされたＩＣパターンが形成され、このＩＣパターンが形成されたＩＣウェハ２１上には、図５（ｂ）に拡大して示すように、バンプ電極２２が形成されている。
そして、図５（ｃ）に示すように、バンプ電極２２が覆われるように、異方性導電樹脂２３をＩＣウェハ２１上に塗布する。
【００３６】
ここで、ＩＣウェハ２１の状態のままで、異方性導電樹脂２３をＩＣウェハ２１上に塗布することにより、複数のＩＣチップに対して樹脂２３を一括して塗布することができ、製造工程の煩雑化を抑制することが可能となる。
次に、図６（ａ）に示すように、スクライブラインＳＢ３に沿ってＩＣウェハ２１のダイシングを行うことにより、ＩＣウェハ２１からＩＣチップ２１ａ、２１ｂを切り出す。
【００３７】
次に、図６（ｂ）に示すように、ＩＣチップ２１ａ、２１ｂを実装基板２４上にそれぞれ加圧しながら実装し、実装基板２４に設けられたランド２５にバンプ電極２２ａ、２２ｂをそれぞれ接合するとともに、ＩＣチップ２１ａ、２１ｂを樹脂２３ａ、２３ｂでそれぞれ封止する。
これにより、バンプ電極２２ａ、２２ｂを露出させることなく、バンプ電極２２ａ、２２ｂとランド１５との導通をとることが可能となり、バンプ電極２２ａ、２２ｂをそれぞれ露出させるためのフォトリソグラフィー工程が不要となることから、実装接合および樹脂封止の信頼性を向上させつつ、製造工程を簡略化することが可能となる。
【００３８】
図７（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図７（ｂ）〜（ｄ）および図８は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
図７（ａ）において、ＩＣウェハ３１には、スクライブラインＳＢ４で区分けされたＩＣパターンが形成され、このＩＣパターンが形成されたＩＣウェハ３１上には、図７（ｂ）に拡大して示すように、バンプ電極３２が形成されている。
【００３９】
そして、図７（ｃ）に示すように、フォトソルダもしくは封止効果樹脂などの樹脂３３をＩＣウェハ３１上に塗布する。
ここで、ＩＣウェハ３１上に樹脂３３を塗布する場合、樹脂３３の表面全体がバンプ電極３２の頂上よりも高くなるような厚みに設定する。
次に、図７（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いて、樹脂３３のパターニングを行う、もしくは研磨等の別方法により、バンプ電極３２上の樹脂３３を除去し、バンプ電極３２を露出させる。
【００４０】
次に、図８（ａ）に示すように、スクライブラインＳＢ４に沿ってＩＣウェハ３１のダイシングを行うことにより、ＩＣウェハ３１からＩＣチップ３１ａ、３１ｂを切り出す。
次に、図８（ｂ）に示すように、ＩＣチップ３１ａ、３１ｂをテープ基板３４上に加圧しながらそれぞれ実装し、テープ基板３４に設けられたランド３５にバンプ電極３２ａ、３２ｂをそれぞれ接合するとともに、ＩＣチップ３１ａ、３１ｂを樹脂３３ａ、３３ｂでそれぞれ封止する。
【００４１】
これにより、複数のＩＣチップ３１ａ、３１ｂに対して樹脂３３ａ、３３ｂを一括して塗布することが可能となり、ＩＣチップ３１ａ、３１ｂを実装基板３４上に実装する場合においても、実装工程の効率化を図ることが可能となるとともに、ＩＣチップ３１ａ、３１ｂと実装基板３４との間の隙間に樹脂３３ａ、３３ｂを完全に行き渡らせて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、封止樹脂もしくは接合兼封止樹脂をＩＣチップ上に塗布してから、ＩＣチップのフリップチップ実装を行うことにより、封止樹脂を実装基板上に塗布する必要がなくなり、実装工程の効率化を図ることが可能となるとともに、封止樹脂をＩＣチップ上に完全に行き渡らせて、樹脂封止の信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図１（ｂ）〜（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の第２実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図２（ｂ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の第３実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図３（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の第４実施形態に係るＩＣウェハの概略構成を示す平面図、図７（ｂ）〜（ｄ）は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】従来の半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法の別例を示す断面図である。
【符号の説明】
１、１１、２１、３１  ＩＣウェハ、ＳＢ１〜ＳＢ４  スクライブライン、１ａ、１ｂ、１１ａ、１１ｂ、２１ａ、２１ｂ、３１ａ、３１ｂ  ＩＣチップ、２、２ａ、２ｂ、１２、２２、２２ａ、２２ｂ、３２、３２ａ、２ｂ  バンプ電極、３、３ａ、３ｂ、１４、１４ａ、１４ｂ、２３、２３ａ、２３ｂ、３３、３３ａ、３３ｂ  樹脂、４、１５、２４  実装基板、５、１６、２５  ランド、１３、１３ａ、１３ｂ  溝、３４  実装基板、３５  突起電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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