(57)【要約】【課題】本発明の目的は、樹脂膜のあるアレイ基板において、断線や短絡した不良配線を補修したアレイ基板および補修方法を提供することにある。【解決手段】本発明は、一対のコンタクトホール２２を介してバイパス線２８を形成している。コンタクトホール２２は、樹脂膜２０の表面から配線１６まで貫通している。コンタクトホール２２の内壁において、樹脂膜２０の部分をテーパー状にする。テーパー状であるため、従来困難であったコンタクトホール２２の配線形成が可能である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の複数の配線と、
前記配線上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の樹脂膜と、
を含むアレイ基板であって、
前記複数の配線のうち、断線によって２つに分かれた配線と、
前記樹脂膜の表面から前記２つに分かれた配線のそれぞれまで貫通し、かつ、樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成した一対のコンタクトホールと、
前記一対のコンタクトホールを通って前記２つに分かれた配線を接続するバイパス線と、
を含むアレイ基板。
【請求項２】
前記樹脂膜の部分のコンタクトホールの大きさが前記絶縁膜および配線の部分のコンタクトホールの大きさよりも大きい請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
基板と、
前記基板上の複数の下層配線と、
前記基板と下層配線上の第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を介して下層配線と立体交差する複数の上層配線と、
前記上層配線上の第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上の樹脂膜と、
を含むアレイ基板であって、
前記上層配線と下層配線との立体交差する部分において、該上層配線と下層配線とを短絡する層間短絡部と、
前記樹脂膜上面から前記上層配線における前記層間短絡部を挟む位置までを貫通し、かつ、前記樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成した一対のコンタクトホールと、
前記一対のコンタクトホールを通って上層配線に接続するバイパス線と、
前記上層配線において、前記一対のコンタクトホールに挟まれ、かつ、前記層間短絡部を挟む位置に、該上層配線の層間短絡部を分離する断線部と、
を含むアレイ基板。
【請求項４】
前記樹脂膜の部分のコンタクトホールの大きさが前記第２絶縁膜および上層配線の部分のコンタクトホールの大きさよりも大きい請求項３に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記樹脂膜において、前記コンタクトホールの開口部を形成する部分が曲面になっている請求項１乃至４に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記樹脂膜に設けられた前記一対のコンタクトホールを結ぶ溝を含み、前記バイパス線が、該溝の中に設けられる請求項１乃至５に記載のアレイ基板。
【請求項７】
基板と、
前記基板上の複数の配線と、
前記配線上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の樹脂膜と、
を含むアレイ基板の補修方法であって、
前記複数の配線のうち、断線によって２つに分かれた配線を検出するステップと、
前記樹脂膜表面から前記２つに分かれた配線のそれぞれまで貫通し、かつ、樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成したコンタクトホールを設けるステップと、前記一対のコンタクトホールを通って、前記２つに分かれた配線を接続するバイパス線を設けるステップと、
を含むアレイ基板の補修方法。
【請求項８】
基板と、
前記基板上の複数の下層配線と、
前記基板と下層配線上の第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜を介して下層配線と立体交差する複数の上層配線と、
前記上層配線上の第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上の樹脂膜と、
を含むアレイ基板の補修方法であって、
前記上層配線と下層配線との立体交差する部分において、該上層配線と下層配線とを短絡する層間短絡部を検出するステップと、
前記樹脂膜上面から前記上層配線における前記層間短絡部を挟む位置をまで貫通し、かつ、前記樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成した一対のコンタクトホールを設けるステップと、
前記一対のコンタクトホールを電気的に接続するバイパス線を設けるステップと、
前記上層配線において、前記一対のコンタクトホールに挟まれ、かつ、前記層間短絡部を挟む位置に、該上層配線を分離する断線部を設けるステップと、
を含むアレイ基板の補修方法。
【請求項９】
前記樹脂膜において、前記コンタクトホールの開口部を形成する部分に曲面を形成するステップと、
前記一対のコンタクトホールを接続する溝を設けるステップと、
を含み、前記バイパス線が該曲面および溝に設けられる請求項７または８に記載のアレイ基板の補修方法。
【請求項１０】
前記コンタクトホールを設けるステップ、溝を設けるステップ、および、バイパス線を設けるステップがレーザを用いて行う請求項９に記載のアレイ基板の補修方法。
【請求項１１】
前記溝を設けるステップにおけるレーザの走査速度がバイパスを設けるステップにおけるレーザの走査速度よりも速い請求項１０に記載のアレイ基盤の補修方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶ディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレイのアレイ基板の配線において、断線や短絡した不良配線を補修したアレイ基板およびその補修方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイはパーソナル・コンピュータやテレビなどをはじめとして、多くの分野で使用されている。フラットパネルディスプレイに使用されるアレイ基板は、複数の配線、スイッチング素子、電極などがガラス基板上に配置されている。需要に伴いフラットパネルディスプレイの大型化ならびに高精細化が進んでおり、高精細化に伴ってゲート線、信号線、スイッチング素子などは微細化が進んでいる。
【０００３】
アレイ基板は、ゲート線、信号線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子などの材料を積層、エッチングを繰り返して製造する。アレイ基板の製造時に、アレイ基板上への異物の付着やエッチングのミスなどによって信号線などが開放、すなわち断線する場合がある。例えば図４（ａ）に示すように、アレイ基板５０は、エッチングのミスによってガラス基板１２上に設けられた信号線１６が断線する場合がある。この場合の信号線１６の補修方法は以下の工程になる。
【０００４】
図４（ａ）に示すように、パルスレーザ３４にて被覆絶縁膜１８の表面から信号線１６までコンタクトホール４６を開ける。コンタクトホール４６を開ける位置は、断線部分３２の近傍の信号線１６である。図４（ａ）に示すように一対のコンタクトホール４６を開ける。例えばパルスレーザ３４の出力は、０．２から１．０ｍＪである。なお、レーザの出力を測定するパワーモニターおよび、測定位置によって誤差が発生する場合がある。
【０００５】
一対のコンタクトホール４６を開けたあと、図４（ｂ）に示すように、コンタクト４８を形成する。さらに図４（ｃ）に示すように、バイパス線２８を形成する。コンタクト４８やバイパス線２８の形成は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）でおこなう。コンタクト４８やバイパス線２８を形成するとき、ＣＷ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｗａｖｅ）レーザ３６を使用して、被覆絶縁膜１８の上面にＣＷレーザ３６を走査する。例えばＣＷレーザ３６の出力は２から４０ｍＷ、走査速度は０．５から３μｍ／ｓｅｃである。以上の工程によって、図４（ｄ）に示すように、バイパス線２８が形成され、信号線１６の補修が完了する。
【０００６】
異物によって断線が生じると、被覆絶縁膜１８の表面に凹凸が生じたり、被覆絶縁膜１８上に異物が突出したりするため、バイパス線２８の形成が難しくなる。
【０００７】
前記アレイ基板の被覆絶縁膜１８上に樹脂膜２０を形成するアレイ基板がある。信号線と画素電極の間に樹脂膜を設けることで、信号線と画素電極とをオーバーラップさせることが可能となり、開口率向上、信号線−画素電極間の容量成分によるクロストークなどの影響を緩和することができる。また樹脂膜を設けることで前記アレイ基板の表面を平坦化させることが可能になり、配向不良を抑制することができる。
【０００８】
樹脂膜が形成されたアレイ基板では、断線が起きた場合における補修方法が確立されていない。例えば樹脂膜の厚さが２μｍから５μｍ程度であり、前記パルスレーザを使用して樹脂膜表面から信号線まで貫通するコンタクトホールを開けるとき、コンタクトホールが樹脂膜の厚さの分深くなり、その内壁にＣＶＤをおこなうためにＣＷレーザを照射することが困難である。また長時間、樹脂膜にレーザを照射すると、樹脂膜が溶融する温度まで温度上昇してしまう恐れがある。よって十分なコンタクトを形成することができない。同様に樹脂膜上にバイパス線を形成するときにも、レーザのエネルギーによって樹脂膜が溶融する恐れがある。
【０００９】
樹脂膜を形成する前に断線をチェックすると、断線している信号線を特定できても、断線の位置を特定することができない。これは、樹脂膜を形成したあとに画素電極を形成するため、一般的なアレイテスターで断線を検査できる構成にアレイ基板がなっていないからである。
【００１０】
アレイ基板は複数の層に配線がされるため、層間で配線が短絡する場合がある。特許文献１には、複数の層間で短絡があった場合に、レーザを用いて短絡を矯正する方法が開示されている。レーザCVDによって被覆絶縁膜上にバイパス線を形成する。短絡部分が分離するように配線をカットすることによって、短絡を矯正している。特許文献１に記載の方法は、樹脂膜がないアレイ基板に有効である。樹脂膜を設けたアレイ基板の場合、特許文献１に記載の方法では、樹脂膜上にバイパス線を形成することは、上述したように困難である。
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−７７１９８号公報（図１、図２）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、樹脂膜のあるアレイ基板において、断線や短絡した不良配線を補修したアレイ基板および補修方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のアレイ基板の要旨は、基板と、前記基板上の複数の配線と、前記配線上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の樹脂膜と、を含むアレイ基板であって、前記複数の配線のうち、断線によって２つに分かれた配線と、前記樹脂膜の表面から前記２つに分かれた配線のそれぞれまで貫通し、かつ、樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成した一対のコンタクトホールと、前記一対のコンタクトホールを通って前記２つに分かれた配線を接続するバイパス線と、を含む。本発明は、一対のコンタクトホールを介してバイパス線を形成し、断線によって２つに分かれた配線を接続している。コンタクトホールは、樹脂膜表面から配線まで貫通している。コンタクトホールの内壁において、樹脂膜の部分をテーパー状にし、内壁を傾斜させる。テーパー状であるため、従来困難であったコンタクトホールの配線形成が可能である。
【００１４】
前記樹脂膜の部分のコンタクトホールの大きさは前記絶縁膜および配線の部分コンタクトホールの大きさよりも大きい。
【００１５】
本発明の他のアレイ基板の要旨は、基板と、前記基板上の複数の下層配線と、前記基板と下層配線上の第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を介して下層配線と立体交差する複数の上層配線と、前記上層配線上の第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上の樹脂膜と、を含むアレイ基板であって、前記上層配線と下層配線との立体交差する部分において、該上層配線における前記層間短絡部を挟む位置までを貫通し、前記樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成した一対のコンタクトホールと、前記一対のコンタクトホールを通って上層配線に接続するバイパス線と、前記上層配線において、前記一対のコンタクトホールに挟まれ、かつ、前記層間短絡部を挟む位置に、該上層配線の層間短絡部を分離する断線部と、を含む。本発明は、一対のコンタクトホールを介してバイパス線を形成し、層間短絡部を断線部によって分離することによって、短絡した配線を補修している。コンタクトホールは、樹脂膜表面から配線まで貫通している。コンタクトホールの内壁において、樹脂膜の部分をテーパー状にする。テーパー状であるため、従来困難であったコンタクトホールの配線形成が可能である。
【００１６】
前記コンタクトホールにおいて、前記樹脂膜の部分のコンタクトホールの大きさは前記第２絶縁膜および上層配線の部分のコンタクトホールの大きさよりも大きい。
【００１７】
前記樹脂膜において、前記コンタクトホールの開口部を形成する部分は曲面になっている。
【００１８】
前記樹脂膜に設けられた前記一対のコンタクトホールを結ぶ溝を含み、前記バイパス線は、該溝の中に設けられる。
【００１９】
本発明のアレイ基板の補修方法の要旨は、基板と、前記基板上の複数の配線と、前記配線上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の樹脂膜と、を含むアレイ基板の補修方法であって、前記複数の配線のうち、断線によって２つに分かれた配線を検出するステップと、前記樹脂膜表面から前記２つに分かれた配線のそれぞれまで貫通し、かつ、樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成したコンタクトホールを設けるステップと、前記一対のコンタクトホールを通って、前記２つに分かれた配線を接続するバイパス線を設けるステップと、を含む。
【００２０】
本発明の他の補修方法の要旨は、基板と、前記基板上の複数の下層配線と、前記基板と下層配線上の第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を介して下層配線と立体交差する複数の上層配線と、前記上層配線上の第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上の樹脂膜と、を含むアレイ基板の補修方法であって、前記上層配線と下層配線との立体交差する部分において、該上層配線と下層配線とを短絡する層間短絡部を検出するステップと、前記樹脂膜上面から前記上層配線における前記層間短絡部を挟む位置を貫通し、かつ、前記樹脂膜の部分の内壁をテーパー状に形成した一対のコンタクトホールを設けるステップと、前記一対のコンタクトホールを電気的に接続するバイパス線を設けるステップと、前記上層配線において、前記一対のコンタクトホールに挟まれ、かつ、前記層間短絡部を挟む位置に、該上層配線を分離する断線部を設けるステップと、を含む。
【００２１】
前記樹脂膜において、前記コンタクトホールの開口部を形成する部分に曲面を形成するステップと、前記一対のコンタクトホールを接続する溝を設けるステップと、を含み、前記バイパス線は該曲面および溝に設けられる。
【００２２】
前記コンタクトホールを設けるステップ、溝を設けるステップ、および、バイパス線を設けるステップはレーザを用いて行う。
【００２３】
前記溝を設けるステップにおけるレーザの走査速度はバイパスを設けるステップにおけるレーザの走査速度よりも速い。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明のアレイ基板および補修方法の実施の形態について図面を用いて説明する。先に配線が断線した場合について説明する。
【００２５】
図１は断線が補修されたアレイ基板１０の断面図であり、アレイ基板１０は、基板１２と、基板１２上の複数の信号線（配線）１６と、信号線１６上の被覆絶縁膜（絶縁膜）１８と、被覆絶縁膜１８上の樹脂膜（ポリマー）２０とを含む。
【００２６】
図１においては、アレイ基板１０の製造時に異物３０によって信号線１６に断線部分３２が生じ、信号線１６が分かれている。例えば樹脂膜２０の厚みは２から５μｍ、信号線１６の厚みは０．３から０．５μｍ、被覆絶縁膜１８の厚みは０．２から０．５μｍである。図示していないが、所定位置において、基板１２とゲート絶縁膜１４との間に複数のゲート線が設けられ、信号線１６と立体交差する。基板１２はガラス基板を用いる。
【００２７】
樹脂膜２０は、樹脂材料を被覆絶縁膜１８上に塗布し、アレイ基板１０をスピンさせる。スピンにより樹脂材料が平坦化される。そして樹脂材料を硬化させて平らな樹脂膜２０を形成する。樹脂膜２０が信号線１６などと比較して厚いため、異物３０があっても樹脂膜２０を形成したときに樹脂膜２０表面が平坦化される。異物３０としては、ＣＶＤゴミやレジストゴミなどがある。エッチングのミスなどによって断線した場合も、断線部分３２の被覆絶縁膜１８は凹むが樹脂膜２０の表面は平坦化される。
【００２８】
断線によって分かれた信号線１６のそれぞれ、被覆絶縁膜１８、および樹脂膜２０を貫通するコンタクトホール２２が一対設けられる。コンタクトホール２２において、樹脂膜２０の部分の内壁はテーパー状になっている。コンタクトホール２２の開口部は、例えば円形である。コンタクトホール２２において、樹脂膜２０の部分は被覆絶縁膜１８や信号線１６の部分の大きさより大きくなっている。例えば樹脂膜２０の部分のコンタクトホール２２の大きさは、コンタクトホール２２の開口部で直径１５から３０μｍである。被覆絶縁膜１８や信号線１６の部分のコンタクトホール２２の大きさは、直径３から１０μｍである。
【００２９】
樹脂膜２０において、コンタクトホール２２の開口部を形成する部分は、曲面２４になっている。曲面２４は、バイパス線２８が設けられる部分のみでも良い。コンタクトホール２２と溝２６の境が曲面２４になり、バイパス線２８が断線しにくくなる。
【００３０】
コンタクトホール２２同士を接続する溝２６が樹脂膜２０に設けられ、この溝２６の中にバイパス線２８が設けられる。一方のコンタクトホール２２において信号線１６に接続されて設けられたバイパス線２８は、溝２６の中を介して他方のコンタクトホール２２の信号線１６に接続される。
【００３１】
以上の樹脂膜２０の形状にすることによって、従来では難しかった樹脂膜２０があるアレイ基板１０の信号線１６の断線をバイパス線２８によって接続できる。
【００３２】
信号線１６の補修を行う補修装置は、周知の補修装置で、後述するように２種類のレーザを使用し、各工程でレーザの出力や走査速度を変更する。
【００３３】
断線のある信号線１６の補修方法について説明する。アレイテスターによって、アレイ基板１０の信号線１６の断線をチェックする。図２（ａ）に示す断線部分３２を発見すると、後述する工程によって、断線部分３２にバイパス線２８を形成する。
【００３４】
樹脂膜２０上を介して２本に切断された信号線１６をバイパス線２８で接続するために、図２（ｂ）のように樹脂膜２０の表面から断線された信号線１６まで、コンタクトホール２２を開ける。コンタクトホール２２を開けるとき、従来の被覆絶縁膜１８と信号線１６にコンタクトホール２２を開ける場合より高パワー、例えば０．４ｍＪから１．３ｍＪのパルスレーザ３４を使用する。パルスレーザ３４を高パワーで使用することで、信号線１６を配線金属が急激に昇華する温度までエネルギーを与え、吹き飛ばす。樹脂膜２０を吹き飛ばして、コンタクトホール２２の内壁において、樹脂膜２０の部分をテーパー状にする。
【００３５】
図２（ｃ）に示すように、ＣＷレーザ３６の走査速度を高速にして、２つのコンタクトホール２２を結ぶ溝２６を設ける。例えばこのときのＣＷレーザ３６の出力は２から４０ｍW、走査速度は６から２０μｍ／ｓｅｃである。溝２６の深さは、例えば、０．２から２μｍとし、断線の原因となった異物３０の影響を受けない深さにする。
【００３６】
高パワーのパルスレーザ３４でコンタクトホール２２を開けただけでは、コンタクトホール２２の開口部が鋭利になっている。このままバイパス線２８を形成するとバイパス線２８が開口部で切断される恐れがある。図２（ｃ）のように溝２６を設けるときにコンタクトホール２２の開口部に曲面２４が設けられるようにＣＷレーザ３６を走査し、バイパス線２８を形成したときに、バイパス線２８が切断されなくする。溝２６や曲面２４を形成するときに、バイパス線２８を形成するための原料ガスを用いる。原料ガスは、例えばタングステンヘキサカーボニル（Ｗ（ＣＯ）６）を使用する。溝２６や曲面２４を形成したときにわずかにバイパス線２８が形成される。
【００３７】
溝２６や曲面２４の形成に原料ガスを用いると、次の工程でバイパス線２８を形成するときに、直ちにバイパス線２８を形成することができる。溝２６や曲面２４の形成ならびにバイパス線２８の形成の時間を問わないのであれば、原料ガスを用いずに溝２６や曲面２４を形成することが可能である。
【００３８】
コンタクトホール２２の形成後、バイパス線２８の形成をおこなう。樹脂膜２０のない従来技術であれば、コンタクト４８を形成する工程を別途に設けるが、従来の方法でコンタクト４８を形成すると、長時間、コンタクトホール２２にレーザ光を照射することになり、レーザのエネルギーによって樹脂膜２０の温度が熱分解温度に達し、樹脂膜２０が熱分解して溶融や蒸散する恐れがある。本発明では後述する方法で、バイパス線２８を形成する際に同時にコンタクト４８を形成する。
【００３９】
図２（ｄ）に示すように、２つのコンタクトホール２２および溝２６を通して２つに分かれた信号線１６を接続するバイパス線２８を形成する。ＣＷレーザ３６で、従来の配線時よりも低いレーザパワーで、かつＣＷレーザの走査速度を溝２６形成時よりも低速にして配線する。バイパス線２８を形成するときの原料ガスは上記のように、例えばタングステンヘキサカルボニルを使用することで、バイパス線２８はタングステンで形成される。タングステン以外にもクロムやモリブデンで形成するようにしてもよい。ＣＷレーザ３６の出力は、例えば１から１０ｍW、レーザ走査速度は０．３ら５μｍ／ｓｅｃである。レーザ出力を抑えているため、樹脂膜２０が熱分解して溶融や蒸散する恐れがない。
【００４０】
コンタクトホール２２の内壁を形成する樹脂膜２０の部分はテーパー状になっている。コンタクトホール２２の深さが深くなってもコンタクトホール２２の内壁にＣＷレーザ３６を照射することができる。これによりコンタクトホール２２の内壁にバイパス線２８を形成することができる。内壁にバイパス線２８を形成する際、コンタクトホール２２の信号線１６にバイパス線２８が接続され、この接続部分がコンタクトとなる。
【００４１】
バイパス線２８は、コンタクトホール２２の内壁を形成している信号線１６に接続するようにする。レーザ出力が低パワーであるが、低速で走査するので、十分な膜厚があるバイパス線２８が形成される。膜厚は例えば０．２から２μｍ以下にし、バイパス線２８が溝２６からはみ出さないようにする。
【００４２】
バイパス線２８は溝２６の中に形成されるため、樹脂膜２０の表面を傷つけることはない。またバイパス線２８は溝２６の中に配線されているため、樹脂膜２０の表面にバイパス線２８が突出することはない。そのため液晶ディスプレイの製造工程であるラビング処理の際に、アレイ基板１０からバイパス線２８がはがれる問題が起こりにくい。
【００４３】
以上のように本発明によって、従来困難であった樹脂膜２０を有するアレイ基板１０の断線を補修することができるようになった。アレイ基板１０の歩留まりを向上することができる。
【００４４】
次に複数の層間で短絡が発生した場合について説明する。図３に示すように、２本の配線１６，３８が立体交差する箇所で短絡が発生している場合である。この短絡箇所を層間短絡部４０とする。
【００４５】
アレイ基板１１は、基板１２上に設けられたゲート線（下層配線）３８がゲート絶縁膜（第１絶縁膜）１４を介して信号線（上層配線）１６と立体交差する。信号線１６やゲート絶縁膜１４上に被覆絶縁膜（第２絶縁膜）１８が設けられ、被覆絶縁膜１８上に樹脂膜２０が設けられる。
【００４６】
補修をおこなったアレイ基板１１の構成は、樹脂膜２０上面から信号線１６における層間短絡部４０を挟む位置を貫通し、樹脂膜２０の部分の内壁がテーパー状になっている一対のコンタクトホール２２と、一対のコンタクトホール２２を通って信号線１６に接続するバイパス線２８と、信号線２８において、一対のコンタクトホール２２に挟まれ、かつ、層間短絡部４０を挟む位置に、信号線１６の層間短絡部４０を分離する断線部４２と、を含む。
【００４７】
コンタクトホール２２の構成は、断線を補修したアレイ基板１０のコンタクトホール２２と同様の構成である。
【００４８】
バイパス線２８は、樹脂膜２０の表面でコの字型（溝型）になっている。これは、穴４４を開けて断線部４２を信号線１６に設ける必要があるからである。バイパス線２８は、断線を補修したアレイ基板１０と同様に、樹脂膜２０に設けられた溝２６の中に設けられる。
【００４９】
断線部４２は、樹脂膜２０の表面から信号線１６を貫通する穴４４によって形成する。断線部４２は２箇所に設ける。層間短絡部４０を挟む位置で信号線１６に穴４４を開けて断線させることによって、信号線１６とゲート線３８との短絡を補修、すなわち信号線１６とゲート線３８とを分離している。断線された信号線１６はバイパス線２８によって接続される。
【００５０】
断線部４２およびコンタクトホール２２の形成する位置は、できる限り層間短絡部４０の近傍にする。
【００５１】
配線１６，３８が短絡したアレイ基板１１の補修方法について説明する。断線の場合と同様に一般的なアレイテスターで短絡を検査する。短絡が発見されたアレイ基板１１を後述する方法で補修する。
【００５２】
コンタクトホール２２を設ける。コンタクトホール２２の設け方は、配線１６が断線したアレイ基板１０での設け方と同様である。
【００５３】
コンタクトホール２２の開口部に曲面を設け、さらに溝２６を設ける。曲面や溝２６の設ける場合も、配線が断線したアレイ基板１０での設け方と同様である。溝２６を設けるときに、樹脂膜２０の表面でコの字型になるようにする。
【００５４】
コンタクトホール２２にコンタクトを設けずにバイパス線２８を形成するのは、断線の補修方法と同様である。
【００５５】
バイパス線２８を設ける。バイパス線２８の設け方も、配線が断線したアレイ基板１０での設け方と同様である。樹脂膜２０の表面で溝２６がコの字型になっているため、バイパス線２８も溝２６にあわせてコの字型になる。
【００５６】
溝２６、バイパス線２８をコの字型に形成する以外に、溝２６、バイパス線２８と穴４４とが交叉しない形であれば任意でよい。
【００５７】
信号線１６に断線部４２を設ける。使用するレーザはパルスレーザである。例えば、出力を１．１ｍＪにして、樹脂膜２０の表面から信号線１６まで貫通する穴４４を開ける。断線部４２は信号線１６に２箇所設ける。断線部４２の位置は、信号線１６において、一対のコンタクトホール２２に挟まれ、かつ、層間短絡部４０を挟む位置である。
【００５８】
以上の工程で、層間短絡部４０が発生したアレイ基板１１の補修が完了する。本発明によって、断線したアレイ基板１０の補修と同様に、樹脂膜２０を有するアレイ基板１１の補修をおこなうことができる。断線部４２を設けた時の穴４４を、被覆絶縁膜１８や樹脂膜２０と同様の材料で穴埋めしても良い。
【００５９】
信号線１６の断線や信号線１６とゲート線３８との短絡の補修について記載したが、他の配線においても同様の方法で補修が可能である。
【００６０】
樹脂膜２０をテーパー状にする以外に、コンタクトホール２２の内壁にレーザを照射できる形状であれば、他の形状でも良い。コンタクトホール２２において信号線１６や被覆絶縁膜１８の部分をテーパー状にしても良い。
【００６１】
レーザの種類を１種類にして、上記の出力や走査速度で使用しても良い。
【００６２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されることはない。その他、本発明は、主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
【００６３】
【発明の効果】
本発明によると、レーザによってコンタクトホールの内壁をテーパー状にしたり、溝を設けたりした後、バイパス線を形成することによって、従来困難であった樹脂膜を有するアレイ基板の断線や短絡を補修することができるようになった。アレイ基板の歩留まりを向上することができる。コンタクトホールの開口部に曲面を設けることによって、バイパス線を形成するときにバイパス線が断線しにくくなっている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る断線した配線を補修したアレイ基板の断面図である。
【図２】アレイ基板の補修方法を示す図であり、（ａ）は断線を示す断面図であり、（ｂ）はコンタクトホールを開ける断面図であり、（ｃ）は曲面と溝を設ける断面図であり、（ｄ）はバイパス線を形成する断面図である。
【図３】本発明に係る短絡した配線を補修したアレイ基板の断面斜視図である。
【図４】樹脂膜のない場合の補修方法を示す図であり、（ａ）はコンタクトホールを開ける断面図であり、（ｂ）はコンタクトを形成する断面図であり、（ｃ）はバイパス線を形成する断面図であり、（ｄ）は補修されたアレイ基板の断面図である。
【符号の説明】
１０，１１，５０：アレイ基板
１２：基板
１４：ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）
１６：信号線（配線、上層配線）
１８：被覆絶縁膜（絶縁膜、第２絶縁膜）
２０：樹脂膜
２２，４６：コンタクトホール
２４：曲面
２６：溝
２８：バイパス線
３０：異物
３２：断線部分
３４：パルスレーザ
３６：ＣＷレーザ
３８：ゲート線
４０：層間短絡部
４２：断線部
４４：穴
４８：コンタクト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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