(57)【要約】【課題】紫外線を照射することで洗浄処理を行う処理装置において、基板面に対してばらつきがなく均一に不活性ガスを供給できる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板の後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａのほぼ直下を過ぎたことをセンサ４３が検出すると、上流側ノズル４１ａの噴出及び下流側の集ガス部材４２ｂからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材４２ａからの排気が開始される。これにより、基板面に対して窒素ガスをばらつきなく供給することができる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対し紫外線を照射する照射部と、
前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、
前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する制御部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記下流側に配置され、前記第１の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第１の排気部をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記上流側に配置され、前記第２の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第２の排気部をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の噴出部に対向する位置を過ぎた第１の時間に、または、前記照射部の上流端に対向する位置を過ぎた第２の時間に、
前記第１の噴出部からの噴出を停止するとともに前記第２の噴出部からの噴出を開始するように制御する手段を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記照射部の下流端に対向する位置を過ぎた第３の時間に、または、前記第２の噴出部に対向する位置を過ぎた第４の時間に、
前記第２の噴出部からの噴出を停止するように制御する手段を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第１の噴出部からの噴出を開始するように制御する手段を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記第１の時間または前記第２の時間に、前記第１の排気部による排気を停止するとともに前記第２の排気部による排気を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第２の排気部による排気を停止するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第１の排気部による排気を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板に対し紫外線を照射する照射部と、
前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、
前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、
前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部及び前記第２の噴出部のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する制御部とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
（ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、
（ｂ）前記照射部より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｃ）前記照射部より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理方法であって、
（ｅ）前記下流側で、前記工程（ｂ）で噴出される不活性気体を排気する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理方法であって、
（ｆ）前記上流側で、前記工程（ｃ）で噴出される不活性気体を排気する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｄ）は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記工程（ｂ）で不活性気体を噴出する第１の噴出部に対向する位置を過ぎた第１の時間に、または、前記照射部の上流端に対向する位置を過ぎた第２の時間に、
前記工程（ｂ）での噴出を停止するとともに前記工程（ｃ）での噴出を開始する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｄ）は、
搬送される基板の搬送方向における後端が、前記照射部の下流端に対向する位置を過ぎた第３の時間に、または、前記工程（ｃ）で不活性気体を噴出する第２の噴出部に対向する位置を過ぎた第４の時間に、
前記工程（ｃ）での噴出を停止する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｄ）は、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記工程（ｂ）での噴出を開始する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記第１の時間または前記第２の時間に、前記工程（ｅ）での排気を停止するとともに前記工程（ｆ）での排気を開始する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の基板処理方法であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記工程（ｆ）での排気を停止する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の基板処理方法であって、
前記第３の時間または前記第４の時間に、前記工程（ｅ）での排気を開始する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】
（ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、
（ｂ）前記照射部より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｃ）前記照射部より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、
（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板に付着した有機物等の付着物を除去する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）等の製造工程においては、被処理体であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィ工程の前には、基板に付着した有機物等の不純物を除去するために、例えば紫外線を基板に照射する洗浄処理が行われている。かかる洗浄処理が行われる洗浄装置として、例えば基板の面に対向させて紫外線照射装置を配置し、その紫外線照射装置の両側に、窒素等の不活性ガスを基板に対して供給する機構を設けている（例えば、特許文献１参照。）。不活性ガスを供給する理由は、基板上の空気に含まれる酸素の量を適量に調整して、紫外線と酸素との反応で生成されるオゾンの発生を抑えるためである。すなわち、オゾンの発生量が多い場合には、紫外線がそのオゾンに吸収され洗浄処理の能力が低下してまうからである。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１１３１６３号公報（図１、３）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近ではガラス基板が大型化しているため、紫外線照射装置の両側から不活性ガスを供給しても基板の全面に対して均一に不活性ガスが行き渡らないという問題が生じている。その結果、紫外線照射装置と基板との間に存在する空気の量も基板の面上においてばらつきが生じる。これにより、基板の面上においてオゾンの発生を抑えることができない部位があり、その部位における洗浄能力が低下してしまう。
【０００６】
そこで、不活性ガスの供給量を極力多くして、基板の全面に不活性ガスを行き渡らせることも考えられる。しかしながら、紫外線等の照射による洗浄処理においては、酸素ラジカルの反応によって有機物を除去しているので、不活性ガスの供給量が多すぎることにより、酸素が減少しすぎても洗浄処理能力は低下する。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、紫外線を照射することで洗浄処理を行う処理装置において、基板面に対してばらつきがなく均一に不活性ガスを供給できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る基板処理装置は、基板に対し紫外線を照射する照射部と、前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する制御部とを具備する。
【０００９】
本発明では、制御部の制御により、例えば搬送される基板が第２の噴出部より第１の噴出部に近い位置にある場合は、第１の噴出部から不活性気体を噴出させる。また、例えば搬送される基板が第１の噴出部より第２の噴出部に近い位置にある場合は、第１の噴出部から不活性気体を噴出させる。これにより、基板の面に均一に不活性気体を行き渡らせることができ、洗浄能力を向上させることができる。特に、本発明は基板が大型である場合には有効である。
【００１０】
さらに、照射部の幅（搬送方向における幅）が、搬送方向における基板の幅より小さい場合には、なお効果的である。
【００１１】
本発明の一の形態では、前記下流側に配置され、前記第１の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第１の排気部をさらに具備する。本発明では、上流側に配置された第１の噴出部から不活性気体が噴出され、その不活性気体を下流側で排気している。したがって照射部により紫外線が照射されている間、基板に沿って均一に不活性気体が流れ、洗浄能力を向上させることができる。
【００１２】
本発明の一の形態では、前記上流側に配置され、前記第２の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第２の排気部をさらに具備する。本発明では、下流側に配置された第２の噴出部から不活性気体が噴出され、その不活性気体を上流側で排気している。したがって照射部により紫外線が照射されている間、基板に沿って均一に不活性気体が流れ、洗浄能力を向上させることができる。
【００１３】
本発明の一の形態では、前記制御部は、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の噴出部に対向する位置を過ぎた第１の時間に、または、前記照射部の上流端に対向する位置を過ぎた第２の時間に、前記第１の噴出部からの噴出を停止するとともに前記第２の噴出部からの噴出を開始するように制御する手段を具備する。本発明では、第１の噴出部から噴出される不活性気体が搬送される基板に吹付けられなくなった後に、第２の噴出部に切り替えて不活性気体を噴出させている。これにより、紫外線が照射されている間は常に基板に沿って均一に不活性気体が流れ、洗浄能力を向上させることができる。
【００１４】
本発明の一の形態では、前記制御部は、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記照射部の下流端に対向する位置を過ぎた第３の時間に、または、前記第２の噴出部に対向する位置を過ぎた第４の時間に、前記第２の噴出部からの噴出を停止するように制御する手段を具備する。本発明では、１枚の基板の処理が終われば、次に基板が搬送されてくるまで、第２の噴出部からの噴出を停止させておく。そして、例えば次に搬送されてくる基板の搬送方向における前端が第１の噴出部の対向する位置を過ぎた時に、第１の噴出部から不活性気体の噴出を開始すればよい。あるいは、第２の噴出部からの噴出を停止した時に合わせて、つまり、前記第３の時間または前記第４の時間に、第１の噴出部から不活性気体の噴出を開始すればよい。
【００１５】
本発明の一の形態では、前記第１の時間または前記第２の時間に、前記第１の排気部による排気を停止するとともに前記第２の排気部による排気を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。本発明では、上記第２の噴出部からの気体の噴出の開始に合わせて第２の排気部による排気を開始している。
【００１６】
本発明の一の形態では、前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第２の排気部による排気を停止するように制御する手段をさらに具備する。本発明では、１枚の基板の処理が終われば、次に基板が搬送されてくるまで、第２の噴出部からの噴出を停止しているので、これに合わせて第２の排気部による排気を停止させているのである。そして、このように第２の排気部による排気を停止した時に合わせて、つまり、前記第３の時間または前記第４の時間に、前記第１の排気部による排気を開始すればよい。
【００１７】
本発明の第２の観点に係る基板処理装置は、基板に対し紫外線を照射する照射部と、前記照射部に対向して配置され、基板を所定の方向に搬送する搬送機構と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の上流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第１の噴出部と、前記照射部より、前記搬送機構による搬送の下流側に配置され、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する第２の噴出部と、前記搬送機構による搬送される基板の位置に応じて、前記第１の噴出部及び前記第２の噴出部のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する制御部とを具備する。
【００１８】
本発明において、例えば、前記第１の制御部は、搬送される基板の搬送方向における前端が、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部との間における第１の位置を過ぎるまでは、前記第１の噴出部から第１の量で噴出させ、前記基板の前端が前記第１の位置を過ぎた時以降、前記第１の噴出部から前記第１の量より少ない量で噴出させる。すなわち、例えば基板の前端が第１の噴出部を過ぎ第１の位置を過ぎるまでは、不活性気体が基板裏面側に逃げやすいので噴出量を多くすることで良好な気流を形成することができる。そして基板の前端が第１の位置を過ぎれば、不活性気体が基板裏面側に逃げにくくなるので、噴出量を少なくしても良好な気流を形成できるとともに不活性気体の使用量を削減することができる。ここで第１の位置は、第２の噴出部に対向する位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００１９】
またあるいは、前記第１の制御部は、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の噴出部と前記第２の噴出部との間における第２の位置を過ぎるまでは、前記第２の噴出部から第２の量で噴出させ、前記基板の後端が前記第２の位置を過ぎた時以降、前記第２の噴出部から前記第２の量より多い量で噴出させる。このような制御によっても、例えば基板が搬送され後端が第２の位置を過ぎれば、不活性気体が基板裏面側に逃げやすくなるので、噴出量を多くすることで良好な気流を形成できるとともに不活性気体の使用量を削減することができる。ここで第２の位置は、第１の噴出部に対向する位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００２０】
また、上記第１の量と第２の量は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２１】
本発明の一の形態では、前記下流側に配置され、前記第１の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第１の排気部をさらに具備する。また、前記上流側に配置され、前記第２の噴出部から噴出される不活性気体を排気する第２の排気部をさらに具備する。さらに、前記第１の排気部と前記第２の排気部とによるそれぞれの排気量を制御する第２の制御部をさらに具備する。
【００２２】
本発明の一の形態では、搬送される基板の搬送方向における前端が、前記第１の排気部と前記第２の排気部との間における第３の位置を過ぎるまでは、前記第１の制御部は前記第１の噴出部から第３の量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第１の排気部から第１の量で排気させ、前記基板の前端が前記第３の位置を過ぎた時以降、前記第１の制御部は前記第１の噴出部から前記第３の量より少ない量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第１の排気部から前記第１の量より少ない量で排気させる。ここで、第３の位置は、第１の噴出部と第２の噴出部との間の中央位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００２３】
本発明の一の形態では、搬送される基板の搬送方向における後端が、前記第１の排気部と前記第２の排気部との間における第４の位置を過ぎるまでは、前記第１の制御部は前記第２の噴出部から第４の量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第２の排気部から第２の量で排気させ、前記基板の後端が前記第４の位置を過ぎた時以降、前記第１の制御部は前記第２の噴出部から前記第４の量より多い量で噴出させるとともに、前記第２の制御部は前記第２の排気部から前記第２の量より多い量で排気させる。ここで、第４の位置は、第１の噴出部と第２の噴出部の中央位置とすることが望ましいがこれに限られるものではない。
【００２４】
また、不活性気体の噴出量に関して上記第１、第２、第３、第４の量のうち少なくとも２つは同じ量であってもよいし、異なっていてもよい。さらに排気量に関し第１及び第２の量についても同様である。
【００２５】
本発明の第１の観点に係る基板処理方法は、（ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、（ｂ）前記紫外線を照射する位置より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｃ）前記紫外線を照射する位置より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）とによるそれぞれの不活性気体の噴出の開始及び停止を制御する工程とを具備する。
【００２６】
本発明では、工程（ｄ）において、例えば搬送される基板が、照射部における搬送方向中心を基準として上流側にある場合は、上流側から不活性気体を噴出させる。また、例えば搬送される基板が照射部における搬送方向中心を基準として下流側にある場合は、下流側から不活性気体を噴出させる。これにより、基板の面に均一に不活性気体を行き渡らせることができ、洗浄能力を向上させることができる。特に、本発明は基板が大型である場合には有効である。また、例えば照射部が所定の位置に固定されて配置され、この照射部に対して基板を例えば所定の方向に搬送させながら紫外線の照射を行う場合にも有効である。さらに、照射部の幅（搬送方向における幅）が、搬送方向における基板の幅より小さい場合には、なお効果的である。
【００２７】
本発明の第２の観点に係る基板処理方法は、（ａ）所定の方向に搬送される基板に対し、照射部により紫外線を照射する工程と、（ｂ）前記照射部より上流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｃ）前記照射部より下流側から、前記照射部と基板との間に向けて不活性気体を噴出する工程と、（ｄ）搬送される基板の位置に応じて、前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）のうち少なくとも一方の不活性気体の噴出量を制御する工程とを具備する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２９】
図１は本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図２はその正面図、また図３はその背面図である。
【００３０】
この塗布現像処理システム１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００３１】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３２】
処理部３には、カセットステーション２におけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａに沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００３３】
主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成されガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３とが設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられている。
【００３４】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、カセットステーション２側から、基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９と、基板Ｇにスクラビングブラシで洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０とが設けられている。
【００３５】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３６】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００３７】
熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）と、本発明に係る基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）とが設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック１５には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）からエッジリムーバ（ＥＲ）にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック１５内で基板Ｇが搬送されるようになっている。
【００３８】
レジスト処理ブロック１５に隣接して多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３９】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００４０】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）端部の上には、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００４１】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００４２】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００４３】
以上のように構成された塗布現像処理システム１の処理工程については、先ずカセットＣ内の基板Ｇが処理部３部における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０において、基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００４４】
次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００４５】
次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００４６】
次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）において基板Ｇは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【００４７】
次に、基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００４８】
図４は、本発明に係るエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９を示す斜視図である。また、図５は、図４に示すエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９の断面図である。
【００４９】
このエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９には、基板Ｇを所定の方向（矢印Ａで示す方向）に搬送する搬送装置５５が設けられている。この搬送装置５５は、例えば基板Ｇの両端を支持する１対のローラ部材３６がシャフト３７に取り付けられている。これら１対のローラ部材３６とシャフト３７とでなる搬送ローラが複数配列され、これら複数の搬送ローラは同時に図示しないモータにより回転するようになっている。これにより、この搬送装置５５は基板Ｇを所定の方向に搬送できるようになっている。
【００５０】
搬送装置５５に搬送される基板Ｇの例えば上面側には、搬送装置５５に対向して、基板に紫外線を照射する照射ユニット４０が配置されている。この照射ユニット４０は、筐体４９内に例えば円筒状のエキシマＵＶランプ４８が複数設けられ、これらＵＶランプ４８の上部には紫外線を反射する反射板５１が備えられている。また、筐体４９の下端部には窓５４が取り付けられており、ＵＶランプ４８からの紫外線はこの窓５４を介して基板Ｇに照射されるようになっている。窓５４は例えば石英ガラス等からなっている。
【００５１】
照射ユニット４０の下部には、ローラ部材３６を挟んで排気用のケース５０が配置されている。このケース５０には例えば排気口５３が設けられており、この排気口５３から紫外線照射の処理により発生する例えばオゾン等のガスを排気するようになっている。オゾンガスは空気より重く下方に流れるため、このように下方で排気を行うことが好ましい。
【００５２】
照射ユニット４０より搬送上流側には、例えば不活性気体として、窒素ガス供給タンク４４から供給管５８ａを介して供給される窒素ガスを噴出するノズル４１ａが配置されている。また、同様に照射ユニット４０の下流側には、窒素ガス供給タンク４４から供給管５８ｂを介して窒素ガスを噴出するノズル４１ｂが配置されている。これらのノズル４１ａ、４１ｂは照射ユニット４０と搬送される基板Ｇとの隙間ｔに窒素ガスを噴出できるようになっている。ここで隙間ｔの距離は例えば２．５ｍｍ程度である。これらノズル４１ａ、４１ｂは、例えば円筒状をなし、隙間ｔに向けて窒素ガスを噴出できるように噴出孔５６が設けられている。これらの噴出孔５６は、例えばノズル４１ａ、４１ｂの長手方向に沿って複数設けられている。
【００５３】
なお、図５に示すように照射ユニット４０の方向Ａにおける幅は例えば７００ｍｍで、基板Ｇの方向Ａにおける幅は１２００ｍｍとされているが、これらの数値にはもちろん限定されない。照射ユニットの幅が基板Ｇより大きくてもよい。
【００５４】
ノズル４１ａ、４１ｂのそれぞれ上流側、下流側には、各ノズル４１ａ、４１ｂから噴出された窒素ガスをそれぞれ排気するための集ガス部材４２ｂ、４２ａが配置されている。これら集ガス部材４２ａ、４２ｂは例えば直方体をなし、その下部に開口５７を有している。集ガス部材４２ａ、４２ｂはそれぞれ排気管５９ａ、５９ｂに接続されており、排気管５９ａ、５９ｂは真空装置４５に接続されている。この真空装置４５により、集ガス部材４２ａ、４２ｂのそれぞれの開口５７から集められたガスを排気管５９ａ、５９ｂを介して排気されるようになっている。この真空装置４５は、例えばブロアファンや、あるいは真空ポンプ等により構成されている。
【００５５】
窒素ガス供給タンク４４と、供給管５８ａ、５８ｂとの間には、供給用切替バルブ４６が設けられている。この供給用切替バルブ４６は、制御部３８におけるバルブコントローラ３９によって制御され、窒素ガス供給タンク４４と、供給管５８ａまたは５８ｂのいずれか一方とを接続するとともに、両供給管へのガスの供給を遮断するようになっている。これにより、いずれか一方のノズル４１ａまたは４１ｂに窒素ガスを供給したり、供給を遮断したりすることができるようになっている。
【００５６】
また、真空装置４５と排気管５９ａ、５９ｂとの間には、排気用切替バルブ４７が設けられている。この排気用切替バルブ４７も、上記同様に制御部３８におけるバルブコントローラ３９によって制御され、真空装置４５と、排気管５９ａまたは５９ｂのいずれか一方とを接続するとともに、両排気管からの排気を停止するようになっている。これにより、いずれか一方の集ガス部材４２ａまたは４２ｂからガスを排気したり、排気を停止したりすることができるようになっている。
【００５７】
搬送装置５５において、例えば搬送ローラの下方部には基板の存在を検出するセンサ４３が配置されている。このセンサ４３は、自身が配置されている位置における基板の存在を検出するものである。このセンサ４３は、例えば振り子センサや反射型の光センサ等を使用することができる。
【００５８】
上記制御部３８は、このセンサ４３の検出信号を受け取り、バルブコントローラ３９はこの受信信号に基づき各切替バルブ４６、４７を制御するようになっている。
【００５９】
次に、図６を参照して、以上のように構成されたエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９の動作について説明する。
【００６０】
まず、このユニット１９に基板Ｇが搬入されてきて、図６（ａ）に示すように、上流側のノズル４１ａを通過して、基板Ｇが照射ユニット４０の下方を通過する。この時、上流側のノズル４１ａから窒素ガスを照射ユニット４０と基板Ｇとの間に向けて噴出させ、照射ユニット４０から紫外線を照射している。上流側のノズル４１ａからの窒素ガスは、下流側のノズル４１ｂから噴出させている時以外は常に噴出させておいてもよい。あるいは基板Ｇの前端Ｇａがノズル４１ａのほぼ直下を通過した時を図示しないセンサ等により検出してこれを基に噴出を開始してもよい。これにより、窒素ガスの使用量を抑えることができる。また、ノズル４１ａからの窒素ガスの噴出すると同時に、下流側の集ガス部材４２ｂより排気を開始する。これにより、このような大型のガラス基板であっても、搬送される基板Ｇの表面に沿って均一に窒素ガスが流れるので、紫外線の照射による洗浄能力を向上させることができる。
【００６１】
次に、図６（ｂ）に示すように、基板Ｇの後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａのほぼ直下を過ぎた時、この時の基板Ｇの位置をセンサ４３が検出する。センサ４３は、基板Ｇの前端Ｇａを検出することで、その後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａのほぼ直下を過ぎたことを検出している。このような検出は、基板Ｇの幅の寸法によって、センサ４３の配置させる位置を適宜変更することにより行うことができる。このように基板の後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａのほぼ直下を過ぎたことをセンサ４３が検出すると、制御部３８の判断により、上流側ノズル４１ａの噴出及び下流側の集ガス部材４２ｂからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材４２ａからの排気が開始される。このように図６（ｂ）に示す状態より後においては、上流側ノズル４１ａの直下に基板Ｇがないため、仮に窒素ガスを噴出してもローラ部材３６より下方に向かうだけなので効果がない。したがって、本実施の形態では、下流側ノズル４１ｂから窒素ガスを噴出して搬送される基板Ｇの表面に沿って均一に窒素ガスを行き渡らせるようにしている。これにより、洗浄能力を向上させることができる。
【００６２】
そして、次に図６（ｃ）に示すように、センサ４３により基板の後端Ｇｂを検出すると、制御部３８の判断により、各ノズル４１ａ、４１ｂからの噴出及び各集ガス部材４２ａ、４２ｂからの排気が停止される。なお、この時、上流側ノズル４１ａからの噴出を開始してもよい。またさらに、上流側ノズル４１ａから噴出を開始した場合には下流側の集ガス部材４２ｂから排気を開始してもよい。
【００６３】
図７は、本発明の他の実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットを示す断面図である。なお、図７において、図５における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。
【００６４】
このエキシマＵＶ処理ユニットでは、搬送される基板Ｇを検出するセンサ４３ａ、４３ｂが設けられている。センサ４３ａは上流側ノズル４１ａのほぼ直下の位置に配置され、センサ４３ｂは下流側ノズル４１ｂのほぼ直下の位置に配置されている。また、これらの配置に代えて、センサ４３ａ´を例えば照射ユニット４０の上流側端部のほぼ直下の位置に設けてもよい。さらに、センサ４３ｂ´を例えば照射ユニット４０の下流側端部のほぼ直下の位置に設けてもよい。
【００６５】
次に、図８を参照してこの実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットの動作について説明する。
【００６６】
まず、このエキシマＵＶ処理ユニットに基板Ｇが搬入されてきて、基板Ｇの前端が上流側のノズル４１ａのほぼ直下を過ぎた時、上流側ノズル４１ａからの窒素ガスの噴出を開始するとともに、下流側の集ガス部材４２ｂより排気を開始する。そしてその状態のまま図８（ａ）に示すように基板Ｇを搬送させる。なお、上流側のノズル４１ａからの窒素ガスは、下流側のノズル４１ｂから噴出させている時以外は常に噴出させておいてもよい。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に示すように、基板Ｇの後端Ｇｂが上流側のノズル４１ａのほぼ直下を過ぎた時（第１の時間）、センサ４３ａがその後端Ｇｂを検出する。この検出に基づき、上記の実施の形態と同様に、制御部３８の判断により、上流側ノズル４１ａの噴出及び下流側の集ガス部材４２ｂからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材４２ａからの排気が開始される。このように、搬送される基板Ｇの表面に沿って均一に下流側のノズル４１ｂからの窒素ガスが行き渡り、洗浄能力を向上させることができる。
【００６８】
あるいは、センサ４３ａ´を設ける場合には、基板Ｇの後端Ｇｂが照射ユニット４０の上流側端部のほぼ直下を過ぎた時（第２の時間）、センサ４３ａ´がその後端Ｇｂを検出する。そしてこれに基づき、制御部３８の判断により、上流側ノズル４１ａの噴出及び下流側の集ガス部材４２ｂからの排気が停止されるとともに、下流側ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出及び上流側の集ガス部材４２ａからの排気が開始される。
【００６９】
次に、図８（ｃ）に示すように、基板Ｇの後端Ｇｂが下流側ノズル４１ｂのほぼ直下の位置を過ぎた時（第４の時間）、センサ４３ｂがその後端Ｇｂを検出する。そしてこれに基づき、制御部３８の判断により、各ノズル４１ａ、４１ｂからの噴出及び各集ガス部材４２ａ、４２ｂからの排気が停止される。
【００７０】
あるいは、センサ４３ｂ´を設ける場合には、基板Ｇの後端Ｇｂが照射ユニット４０の下流側端部のほぼ直下を過ぎた時（第３の時間）、センサ４３ｂ´がその後端Ｇｂを検出する。そしてこれに基づき、制御部３８の判断により、各ノズル４１ａ、４１ｂからの噴出及び各集ガス部材４２ａ、４２ｂからの排気が停止される。なお、この時、上流側ノズル４１ａからの噴出を開始してもよい。またさらに、上流側ノズル４１ａから噴出を開始した場合には下流側の集ガス部材４２ｂから排気を開始してもよい。
【００７１】
次に図９を参照して、窒素ガスの噴出及びその排気の制御について他の実施の形態について説明する。
【００７２】
図９（ａ）は上流側ノズル４１ａによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び下流側集ガス部材４２ｂによる排気量の時間変化を示している。ここで、噴出量、排気量とは、例えば単位時間当りのガス量及び排気の量である。この例では、例えば搬送される基板の前端Ｇａが下流側ノズル４１ｂの直下位置を過ぎた時に、噴出量及び排気量をそれぞれそれまでより少なくしている。これにより、基板前端Ｇａがノズル４１ｂの直下位置を過ぎるまでは窒素ガスが基板Ｇの裏面側に逃げやすいので噴出量を多くすることで良好な気流を形成することができる。そして基板前端Ｇａがノズル４１ｂの直下位置を過ぎれば、窒素ガスが基板の裏面側に逃げにくくなるので、噴出量を少なくしても良好な気流を形成できるとともにガスの使用量を削減することができる。なお、噴出量及び排気量を変えるタイミングは、基板前端Ｇａがノズル４１ｂの直下位置を過ぎる時に限られず、例えば下流側集ガス部材４２ｂの直下位置や照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時であってもよい。
【００７３】
図９（ｂ）は下流側ノズル４１ｂによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び上流側集ガス部材４２ａによる排気量の時間変化を示している。この例では、例えば搬送される基板の後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａの直下位置を過ぎた時に、噴出量及び排気量をそれぞれそれまでより少なくしている。このような制御によっても、基板後端Ｇｂが上流側ノズル４１ａの直下位置を過ぎれば、窒素ガスが基板裏面側に逃げやすくなるので、噴出量を多くすることで良好な気流を形成できるとともにガスの使用量を削減することができる。なお、噴出量及び排気量を変えるタイミングは、基板後端Ｇｂがノズル４１ａの直下位置を過ぎる時に限られず、例えば上流側集ガス部材４２ａの直下位置や照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時であってもよい。
【００７４】
次に図１０を参照して、窒素ガス及びその排気の制御についてさらに他の実施の形態について説明する。
【００７５】
図１０（ａ）は上流側ノズル４１ａによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び下流側集ガス部材４２ｂによる排気量の時間変化を示している。この例では、基板が搬送されることで照射ユニット４０により照射される基板上の領域が徐々に大きくなるので、これに合わせて噴出量及び排気量を徐々に多くしていく。そして例えば基板の前端Ｇａが照射ユニット４０の中央位置を過ぎれば、気流の形成が徐々に容易となっていくので噴出量及び排気量を徐々に少なくしていくことでガスの使用量を削減することができる。なお、噴出量及び排気量の傾きを変えるタイミングは、基板の前端Ｇａが照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時に限られない。
【００７６】
図１０（ｂ）は下流側ノズル４１ｂによる窒素ガスの噴出量の時間変化及び上流側集ガス部材４２ａによる排気量の時間変化を示している。基板が搬送されることで基板上の照射領域が徐々に小さくなるので、これに合わせて噴出量及び排気量を徐々に多くしていく。そして、例えば基板の後端Ｇｂが照射ユニット４０の中央位置を過ぎれば、気流の形成が徐々に困難となって行くので噴出量及び排気量を徐々に多くしていくことで良好な気流の形成を行うことができる。なお、噴出量及び排気量の傾きを変えるタイミングは、基板の後端Ｇｂが照射ユニット４０の中央の直下位置を過ぎる時に限られない。
【００７７】
なお、図９及び図１０で説明した噴出量及び排気量の制御は、図４における供給管５８ａ及び５８ｂ、排気管５９ａ及び５９ｂにそれぞれ例えば流量調整弁等を介在させ、この流量調整弁を制御することにより行うことができる。
【００７８】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００７９】
例えば、エキシマＵＶ処理ユニットにおいて、エキシマＵＶランプを用いたが、これに限らず、クリプトンランプやアルゴンランプ等のＵＶランプであってもよい。
【００８０】
また、上記各実施の形態では搬送装置５５を用いて基板を搬送させながら紫外線を照射する構成としたが、基板を固定させておき、照射ユニット４０及びノズル４１ａ等を一体的に基板に対して移動させながら紫外線を照射する構成としてもよい。
【００８１】
図９及び図１０で説明したガスの噴出量及び排気量の制御において、基板Ｇａの前端Ｇａが集ガス部材４２ｂの直下を過ぎれば、基板裏面側へガスが逃げにくくなるのでガスの噴出量または排気量をさらに小さくするようにしてもよい。これによりガスの使用量を削減できる。また、基板の前端Ｇａが上流側ノズル４１ａの直下を過ぎた時またはその直後に、ノズル４１ａからの窒素ガスの噴出量を一瞬多くする制御を組み合わせてもよい。これにより、処理開始時の窒素ガス供給の均一性を向上させることができる。また、同様に、基板の後端Ｇｂが下流側ノズル４１ｂの直下を過ぎた時またはその直後に、ノズル４１ｂからの窒素ガスの噴出量を一瞬多くする制御を組み合わせてもよい。さらに、図１０（ａ）、（ｂ）で示すグラフの傾きは直線状でなくとも、曲線状や階段状（段階的）あるいはこれらの組み合わせであってもよい。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板面に対してばらつきがなく均一に不活性ガスを供給でき、洗浄能力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】一実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットを示す斜視図である。
【図５】図４に示すエキシマＵＶ処理ユニットの断面図である。
【図６】図４及び図５に示すエキシマＵＶ処理ユニットの動作を示す図である。
【図７】他の実施の形態に係るエキシマＵＶ処理ユニットを示す断面図である。
【図８】図７に示すエキシマＵＶ処理ユニットの動作を示す図である。
【図９】（ａ）は上流側ノズルとによる窒素ガスの噴出量の変化及び下流側集ガス部材４２ｂによる排気量の変化を示す図であり、（ｂ）は下流側ノズルによる窒素ガスの噴出量の変化及び上流側集ガス部材による排気量の変化を示す図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図９（ａ）、図９（ｂ）に示す形態の変形例である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
ｔ…隙間
Ａ…搬送方向
Ｇｂ…基板の後端
１９…エキシマＵＶ処理ユニット
３８…制御部
４０…照射ユニット
４１ａ…上流側ノズル
４１ｂ…下流側ノズル
４２ａ…上流側集ガス部材
４２ｂ…下流側集ガス部材
４３…センサ
４４…窒素ガス供給タンク
４５…真空装置
５５…搬送装置
【図１】
2004179383.tif 000003
【図２】
2004179383.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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