(57)【要約】【課題】基材の水平度の調整を容易にかつ再現性良く行える基材ホルダの固定具、並びにそれを用いた基材ホルダの固定構造及び方法を提供する。【解決手段】基材ホルダ固定部１８に基材ホルダ１９を着脱自在に固定するための基材ホルダ固定構造において、前記基材ホルダに該基材ホルダを貫通するように第１のネジ孔１０３が設けられ、前記基材ホルダ固定部に第２のネジ孔１０１が設けられ、かつ、前記第１のネジ孔に螺合可能でかつ軸方向に貫通するよう挿通孔が形成された中空ボルト２１と、前記中空ボルトに螺合可能な緩み防止ナット２０と、前記第２のネジ孔に螺合可能でかつ前記中空ボルトの挿通孔に挿通可能な挿通ボルト２２とを有し、前記中空ボルトの軸部の長さが前記第１のネジ孔の長さと前記緩み防止ナットの厚みとの和よりも長い固定具を備える。【選択図】  図２
2004315908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空成膜装置の真空チャンバの基材ホルダ固定部に基材ホルダを着脱自在に固定するための基材ホルダ固定構造において、
前記基材ホルダに該基材ホルダを貫通するように第１のネジ孔が設けられ、
前記基材ホルダ固定部に第２のネジ孔が設けられ、
かつ、前記第１のネジ孔に螺合可能でかつ軸方向に貫通するよう挿通孔が形成された中空ボルトと、前記中空ボルトに螺合可能な緩み防止ナットと、前記第２のネジ孔に螺合可能でかつ前記中空ボルトの挿通孔に挿通可能な挿通ボルトとを有し、前記中空ボルトの軸部の長さが前記第１のネジ孔の長さと前記緩み防止ナットの厚みとの和よりも長い固定具を備える、基材ホルダ固定構造。
【請求項２】
前記第１のネジ孔及び前記第２のネジ孔が複数設けられ、前記固定具を複数備える、請求項１に記載の基材ホルダ固定構造。
【請求項３】
前記中空ボルトの挿通孔が該中空ボルトの軸部と略同軸に形成されている、請求項１又は２に記載の基材ホルダ固定構造。
【請求項４】
真空成膜装置の真空チャンバの基材ホルダ固定部に基材ホルダを着脱自在に固定するための基材ホルダ固定方法において、
前記基材ホルダに該基材ホルダを貫通するように第１のネジ孔が設けられ、
前記基材ホルダ固定部に第２のネジ孔が設けられ、
かつ、前記第１のネジ孔に螺合可能でかつ軸方向に貫通するよう挿通孔が形成された中空ボルトと、前記中空ボルトに螺合可能な緩み防止ナットと、前記第２のネジ孔に螺合可能でかつ前記中空ボルトの挿通孔に挿通可能な挿通ボルトとを有し、前記中空ボルトの軸部の長さが前記第１のネジ孔の長さと前記緩み防止ナットの厚みとの和よりも長い固定具を準備し、
前記中空ボルトに前記緩み防止ナットを螺合した後、前記中空ボルトを前記基材ホルダの第１のネジ孔に該第１のネジ孔を挿通するように螺合し、
前記第１のネジ孔を螺合する後又は以前に前記基材ホルダに基材を装着し、
前記挿通ボルトを前記中空ボルトの挿通孔を挿通して前記第２のネジ孔に螺合することにより、前記基材が装着された基材ホルダを前記基材ホルダ固定部に固定し、
その後、前記緩み防止ナットを回動させて前記中空ボルトを前記基材ホルダに固定する、基材ホルダ固定方法。
【請求項５】
前記第１のネジ孔及び前記第２のネジ孔が複数設けられ、前記固定具を複数用いる、請求項４に記載の基材ホルダ固定方法。
【請求項６】
前記中空ボルトの挿通孔が該中空ボルトの軸部と略同軸に形成されている、請求項４又は５に記載の基材ホルダ固定方法。
【請求項７】
真空成膜装置の真空チャンバの基材ホルダ固定部に基材ホルダを着脱自在に固定するための基材ホルダ固定具であって、
前記基材ホルダに該基材ホルダを貫通するように設けられた第１のネジ孔に螺合可能でかつ軸方向に貫通するよう挿通孔が形成された中空ボルトと、
前記中空ボルトに螺合可能な緩み防止ナットと、
前記基材ホルダ固定部に設けられた第２のネジ孔に螺合可能でかつ前記中空ボルトの挿通孔に挿通可能な挿通ボルトとを備え、
前記中空ボルトの軸部の長さが前記第１のネジ孔の長さと前記緩み防止ナットの厚みとの和よりも長い、基材ホルダ固定具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空成膜装置の基材ホルダ固定具並びにそれを用いた基材ホルダ固定構造及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空成膜装置では、真空チャンバ内に基材を保持する基材ホルダと膜材料を蒸発させる蒸発源とが対向するように配置されている。そして、基材ホルダに基材を取り付けて減圧下で蒸発源から膜材料を蒸発させることにより、その蒸発した膜材料が基材表面に析出して膜が形成される。
【０００３】
ところで、一般に、基材ホルダは、真空チャンバの基材ホルダ固定部に着脱自在に取り付けられ、基材をその基材ホルダ固定部から外した状態で、成膜前の基材がその上に装着されあるいは成膜後の基材がその上から取り外される。
【０００４】
一方、このような蒸着によって成膜する真空成膜装置では、蒸発源と基材との距離に応じて基材上に形成される膜の厚みが変化するので、蒸発源に対する基材の相対的姿勢を一定に保つ必要がある。例えば、蒸発源の上方に基材が配置される場合には基材を水平に保持する必要がある。
【０００５】
ここで、試料（基材に相当）の水平度を調整するための従来の装置として、試料の下方に設けられた試料支持手段である三つのピンを前記試料の傾斜度合いに応じて上下に変位させることによって前記試料の水平度を調整する試料保持装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平０８−９７１３３号公報（第１頁、第１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一方、前述の従来の真空成膜装置では、基材が傾斜して装着された場合には、基材ホルダ固定部と基材ホルダとの間に薄板等を挟み込むことによって基材ホルダの固定角度を調整（シム調整）し、これによって基材の水平度を調整していた。しかし、このようなシム調整による基材の水平度の調整では、基材の微妙な位置調整を短時間において実施することが困難であると共に、振動等により前記薄板の配設位置が微妙に変位するため、その調整を基材ホルダに基材を装着する度に行う必要があるという問題があった。
【０００８】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、真空成膜装置において、基材の水平度の調整を容易にかつ再現性良く行える基材ホルダの固定具、並びにそれを用いた基材ホルダの固定構造及び方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、本発明に係る基材ホルダ固定構造及び方法は、真空成膜装置の真空チャンバの基材ホルダ固定部に基材ホルダを着脱自在に固定するための基材ホルダ固定構造および方法において、前記基材ホルダに該基材ホルダを貫通するように第１のネジ孔が設けられ、前記基材ホルダ固定部に第２のネジ孔が設けられ、かつ、前記第１のネジ孔に螺合可能でかつ軸方向に貫通するよう挿通孔が形成された中空ボルトと、前記中空ボルトに螺合可能な緩み防止ナットと、前記第２のネジ孔に螺合可能でかつ前記中空ボルトの挿通孔に挿通可能な挿通ボルトとを有し、前記中空ボルトの軸部の長さが前記第１のネジ孔の長さと前記緩み防止ナットの厚みとの和よりも長い固定具を備え又は準備し、前記中空ボルトに前記緩み防止ナットを螺合した後、前記中空ボルトを前記基材ホルダの第１のネジ孔に該第１のネジ孔を挿通するように螺合し、前記第１のネジ孔を螺合する後又は以前に前記基材ホルダに基材を装着し、前記挿通ボルトを前記中空ボルトの挿通孔を挿通して前記第２のネジ孔に螺合することにより、前記基材が装着された基材ホルダを前記基材ホルダ固定部に固定し、その後、前記緩み防止ナットを回動させて前記中空ボルトを前記基材ホルダに固定する。
【００１０】
このような構成とすると、中空ボルトに緩み防止ナットを螺合した後、中空ボルトを基材ホルダの第１のネジ孔に該第１のネジ孔を挿通するように螺合し、例えば予め基材ホルダに基材を装着しておき、挿通ボルトを、中空ボルトの挿通孔を挿通して第２のネジ孔に螺合することにより、基材が装着された基材ホルダを基材ホルダ固定部に固定することができる。この際、中空ボルトを回動させて第１のネジ孔からの突出長さを調整することにより、基材ホルダの第１のネジ孔が設けられた部分と基材ホルダ固定部との間隔を容易に調整することができる。また、中空ボルトが緩み防止ナットで基材ホルダに固定されるので、挿通ボルトを抜いて基材ホルダ固定部から基材ホルダを外しても、基材ホルダと基材ホルダ固定部との間隔が変化しない。そのため、基材の水平度の調整を再現性良く行うことができる。
【００１１】
また、前記第１のネジ孔及び前記第２のネジ孔が複数設けられ、前記固定具を複数備え又は用いる。
【００１２】
このような構成とすると、複数の中空ボルトを回動させて第１のネジ孔からの突出長さを調整することにより、基材の傾斜の状況に応じて、基材ホルダと基材ホルダ固定部との間隔を調整することができる。そのため、基材の傾斜が如何なる状態であっても、基材の水平度の調整を精密に行うことができる。
【００１３】
また、前記中空ボルトの挿通孔が該中空ボルトの軸部と略同軸に形成されている。
【００１４】
このような構成とすると、挿通ボルトを中空ボルトの挿通孔に挿通させたままの状態で、中空ボルトを回動することができる。つまり、基材ホルダと基材ホルダ固定部とを連結させたままの状態において、中空ボルトを回動させ第１のネジ孔からの突出長さを調整することにより、基材ホルダの第１のネジ孔が設けられた部分と基材ホルダ固定部との間隔を調整することができる。そのため、基材の水平度の調整を容易にかつ効率的に行うことができる。
【００１５】
また、本発明に係る基材ホルダ固定具は、真空成膜装置の真空チャンバの基材ホルダ固定部に基材ホルダを着脱自在に固定するための基材ホルダ固定具であって、前記基材ホルダに該基材ホルダを貫通するように設けられた第１のネジ孔に螺合可能でかつ軸方向に貫通するよう挿通孔が形成された中空ボルトと、前記中空ボルトに螺合可能な緩み防止ナットと、前記基材ホルダ固定部に設けられた第２のネジ孔に螺合可能でかつ前記中空ボルトの挿通孔に挿通可能な挿通ボルトとを備え、前記中空ボルトの軸部の長さが前記第１のネジ孔の長さと前記緩み防止ナットの厚みとの和よりも長い。
【００１６】
このような構成とすると、中空ボルトに緩み防止ナットを螺合した後、中空ボルトを基材ホルダの第１のネジ孔に該第１のネジ孔を挿通するように螺合し、挿通ボルトを、中空ボルトの挿通孔を挿通して第２のネジ孔に螺合することにより、基材ホルダを基材ホルダ固定部に着脱自在に固定することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る基材保持ユニットを用いた真空成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態では、真空成膜装置としてイオンアシスト成膜装置を例示している。また、基材として、円形の基板を例示している。
【００１８】
図１において、イオンアシスト成膜装置１００は、図示されない真空ポンプ等により内部の気体が排出され、その内部を所定の気圧にて維持することが可能な真空チャンバＡを備えている。また、この真空チャンバＡの外部には、側面補強リブＥ及び上面補強リブＦが配設されている。これらの側面補強リブＥ及び上面補強リブＦは複数の板状の補強材を相互に直交するように配設して構成されており、真空チャンバＡの側面及び上面に図示されない手段によって止着されている。一方、真空チャンバＡの下部には、イオンアシスト成膜装置１００を設置場所に設置するための設置用架台Ｇが配設されている。この設置用架台Ｇは、真空チャンバ用架台Ｄと投光部用架台Ｃと縦フレームＢとを有して構成されている。そして、縦フレームＢが、真空チャンバ用架台Ｄと投光部用架台Ｃとのそれぞれが互いに所定の間隔を隔てて水平にかつ上から下へこの順に配置されるように、真空チャンバ用架台Ｄの下面と投光部用架台Ｃの端面とを固定しており、それによって、配置用架台Ｇが形成されている。
【００１９】
真空チャンバＡは、その底部が真空チャンバ用架台Ｄに固定されている。また、真空チャンバＡの天井壁の中央部には開口部４０が設けられ、その開口部４０に内孔が連続するように筒状の連結枠１２が前記天井壁の上面（外面）に立設されている。連結枠１２は、その上端部が補強リブＦから突出するように真空チャンバＡの上面に固定されている。連結枠１２の上端部には円筒状のケーシング１５が上方に延びるように配設されている。ケーシング１５は連結枠１２と同軸状に配置され、下端部に設けられたフランジによって連結枠１２の上端面に取り付けられている。ケーシング１５には基材支持体１０が取り付けられている。すなわち、基材支持体１０は、上下方向に延びる円筒状の第１の中空回転軸１０ａと該第１の中空回転軸１０ａの下端に取り付けられた第２の中空回転軸１０ｂとを有し、第１の中空回転軸１０ａがケーシング１５の内孔に嵌挿されかつ該ケーシング１５の内周面に配設された軸受け１７によって回動自在に支持されている。これにより、基材支持体１０がケーシング１５に取り付けられている。また、第１の中空回転軸１０ａの外周面とケーシング１５の内周面との間には磁性流体シール１３が配設され、それにより、真空チャンバＡの内部が外部に対し気密に保持されている。さらに、第１の中空回転軸１０ａとケーシング１５との間にはダイレクトドライブモータ１４が配設されており、第１の中空回転軸１０ａが該ダイレクトドライブモータ１４によって回転駆動される。一方、第２の中空回転軸１０ｂは、上端面が閉鎖され下端が開放された円筒形状を有し、第１の中空回転軸１０ａと中心軸ｃを共有するようにして、その上端が該第１の中空回転軸１０ａの下端に取り付けられている。また、前記第２の中空回転軸１０ｂは、その下端に真空チャンバＡの内部において基材を保持する、後述する基材保持ユニット７が実質的に略水平な状態で取り付けられている。なお、この基材保持ユニット７には、多重薄膜層が成膜される被成膜面を下方に向けるようにして基材８が装着される。そして、基材支持体１０、センサ支持体１１、磁性流体シール１３、軸受け１７、ダイレクトドライブモータ１４、及びケーシング１５が基材回転装置３０を構成しており、この基材回転装置３０おいては、基材支持体１０の下端に配設された基材保持ユニット７がダイレクトドライブモータ１４によって回転駆動される。
【００２０】
一方、ケーシング１５の上端には、センサ支持体１１が取り付けられている。センサ支持体１１は、センサ取り付け部１１ａと基部１１ｂとを有している。基部１１ｂは、上端が閉鎖され下端が開放されかつ上部が大径で残りの部分が小径に形成された２段円筒形状を有している。そして、基部１１ｂの段差面がケーシング１５の上端面に当接するようにして、該基部１１ｂが該ケーシング１５に取り付けられ、基部１１ｂの小径部が中空回転軸１０ａの内孔を、隙間を有するようにして挿通している。この基部１１ｂの下端には、センサ取り付け部１１ａが取り付けられている。センサ取り付け部１１ａは、その中心軸（実質的に中空回転軸１０ａの中心軸ｃに一致する）に対し対称な形状に形成されその下端中央部に受光部９が配設されている。この受光部９は、その受光ヘッド９ａが下方を向くように取り付けられている。このような構成により、基材８に形成される多重薄膜層の膜厚をモニタするための受光部９を、真空チャンバＡの気密状態を維持したままその内部に位置せしめることが可能になっている。なお、受光部９は基材８の上側に設けられている。すなわち、受光ヘッド９ａが基材８の裏面側を臨むように取り付けられている。この受光部９には、後述する投光部１より投光され、基材８を透過した光を受光することによる電気信号が発生する。そして、受光部９に発生する電気信号は、基材８に形成される多重薄膜層の膜厚に関する情報を含んでいるため、その電気信号を解析することにより、基材８に形成された多重薄膜層の膜厚を測定することができる。なお、受光部９に発生する電気信号は、基部１１ｂの内側の信号線１６を経由して真空チャンバＡの外部に導かれ、図示されないイオンアシスト成膜装置の制御装置に入力され、そこで多重薄膜層の膜厚に係る解析が行われる。
【００２１】
真空チャンバＡの下部には、受光部９の受光ヘッド９ａと対向する位置に、投光部１が配設されている。この投光部１は、投光ヘッド２から、受光部９によって検出され得る波長の光を出射する。なお、本実施例におけるイオンアシスト成膜装置１００では、投光部１は真空チャンバＡの底部を貫通するように設置されており、その下端が投光部用架台Ｃによって固定されている。
【００２２】
投光部１の右側及び左側の所定の位置には、真空チャンバＡの底面からの距離が双方共に略等しくかつ所定の距離を隔てて、二種類の蒸発源３ａ及び３ｂがそれぞれ配設されている。これらの蒸発源３ａ及び３ｂは、ルツボ５ａ及び５ｂと、図示されない電子銃と、図示されない膜物質とを備えて構成されている。なお、ルツボ５ａ及び５ｂの上部には膜物質が置かれており、電子銃から出射された電子ビームがこれらの膜物質に照射されることによって、各膜物質からそれぞれの膜材料が蒸発する。また、蒸発源３ａ及び３ｂの各々の上方には、遮蔽板４ａ及び４ｂが設けられている。この遮蔽板４ａ及び４ｂは、蒸発源３ａ及び３ｂの上部から所定の距離を隔て略平行に設けられており、さらに、支柱６ａ及び６ｂを回転中心として揺動可能に構成されている。
【００２３】
蒸発源３ａ及び３ｂの双方から等しい距離を隔て、さらに投光部１から所定の距離を隔てた位置には、図示されないイオンガンが配設されている。このイオンガンには、イオンビームを発射するための図示されないグリッド穴が設けられている。そして、このイオンガンは、そのグリッド穴を基材８の方向に向けるように真空チャンバＡの底面に対して一定の角度で傾斜して固定されている。また、このイオンガンに隣接するようにして、図示されないニュートライザが配設されている。このニュートライザには電子を発射する発射口が設けられており、このニュートライザは、その発射口をイオンガンのグリッド穴の近傍に位置するように配設されている。
【００２４】
ここで、本発明に係る基材保持ユニット７について詳細に解説する。図２は、図１に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの詳細な構成を模式的に示す断面図である。また、図３は、図１に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの構成を模式的に示す全体図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
図２に示すように、基材保持ユニット７は、基材ホルダ固定部材（基材ホルダ固定部）１８と、基材ホルダ１９と、基材ホルダ固定具２３とを備えている。基材ホルダ固定部材１８は、中央部に円形の位置決め用開口１８ａを有する中空円板状に形成され、その上面の外周部に全周に渡る段部１８ｂが形成されている。基材ホルダ固定部材１８には厚み方向に貫通する第２のネジ孔１０１が複数（ここでは８）形成されている。基材ホルダ固定部材１８は、段部１８ｂが第２の中空回転軸１０ｂの下端に嵌合するようにして、該第２の中空回転軸１０ｂに固定されている。
【００２５】
基材ホルダ１９は、中央部に円形の開口１９ｂを有する中空円板状の本体１９ａと、本体１９ａの内周面の下端部から内方に延びる中空円板状の受け部１９ｃと、本体１９ａの上面の外周部に突設された短円筒状の位置決め用凸部１９ｄとを有している。そして、開口１９ｂと受け部１９ｃとで形成される、上端が開放された空間が基材（ここでは基板）収容部１０２を構成している。基材８は、受け部１９ｃ上に載置されるようにしてこの基材収容部１０２に収容される。さらに、基材ホルダ１９の、基材ホルダ固定部材１８の第２のネジ孔１０１に対応する部分には、厚み方向に貫通する第１のネジ孔１０３が形成されている。
【００２６】
基材ホルダ固定具２３は、中空ボルト２１と、緩み防止ナット２０と、挿通ボルト２２とを有している。この基材ホルダ固定具は、第１及び第２のネジ孔１０１及び１０３の数に対応する数（ここでは８）備えられている（図３参照）。
【００２７】
中空ボルト２１は、軸部が基材ホルダ１９の第１のネジ孔１０３に螺合可能でかつ軸部及び頭部を軸方向に貫通するよう挿通孔２２ａが形成されている。挿通孔２２ａは軸部と同軸に形成されている。また軸部は、基材ホルダ１９に設けられた第１のネジ孔１０３の長さ（本体１９ａの厚さ）と緩み防止ナット２０の厚みとの和より所定長だけ長く形成されている。
【００２８】
次に、以上のように構成されたイオンアシスト成膜装置１００の動作について説明する。
【００２９】
最初に、基材ホルダ１９の固定方法について説明する。
【００３０】
まず、基材ホルダ固定具２３を準備する。次いで、中空ボルト２１に緩み防止ナット２０を螺合する。このとき、緩み防止ナット２１を中空ボルト２１の基部までネジ込んで置く。
【００３１】
次いで、中空ボルト２１を基材ホルダ１９に設けられた第１のネジ孔１０３に該第１のネジ孔１０３を挿通するように螺合する。
【００３２】
次いで、基材ホルダ１９の受け部１９ｃに基材８を載置する。なお、基材８は、これより以前に予め基材ホルダ１９の受け部１９ｃに載置しておいても良い。
【００３３】
次いで、基材ホルダ１９の本体１９ａの上面を基材ホルダ固定部材１８の下面に当接させる。この際、基材ホルダ１９の位置決め用凸部１９ｄを基材ホルダ固定部材１８の位置決め用開口１８ａに嵌挿する。これにより、基材ホルダ１９が水平方向に位置決めされる。また、基材ホルダ１９の第１のネジ孔１０３を基材ホルダ固定部材１８の第２のネジ孔１０１に合わせる。
【００３４】
次いで、挿通ボルト２２を中空ボルト２１の挿通孔２２ａを挿通して第２のネジ孔１０１に螺合する。この際、挿通ボルト２２を、完全に締め付けないで、中空ボルト２１の先端と基材ホルダ固定部材１８との間に若干隙間が存在するように、仮止めする。この状態で、各中空ボルト２１を回して、その先端の基材ホルダ１９の本体１９ａ上面からの突出量を調整し、その調整によって、基材ホルダ１９、すなわち基材８の水平度を調整する。そして、基材８の水平度が所定の許容範囲内に入ったことが確認された後、挿通ボルト２２を回して中空ボルト２１を基材ホルダ固定部材１８に固定する。これにより、基材８が装着された基材ホルダ１９が中空ボルト２１を介して基材ホルダ固定部材１８に固定される。
【００３５】
次いで、緩み防止ナット２０を上方に移動するように回して、中空ボルト２１が基材ホルダ１９に対して回動しないよう該中空ボルト２１を固定する。これにより、中空ボルト２１が緩むのが防止される。また、上記のようにして設定された基材８の水平度が保存される。
【００３６】
次に、イオンアシスト成膜装置１００の成膜動作について説明する。
【００３７】
まず、イオンガン７から発射するイオンビームの発射条件を所定の発射条件となるよう設定する。次に、イオンアシスト成膜装置１００を始動すると、以下のように動作する。
【００３８】
まず、真空ポンプが作動して、真空チャンバＡの内部から気体を排出し、それにより、真空チャンバＡの内部が所定の圧力になるように調整する。次いで、ダイレクトドライブモータ１４が作動し、基材保持ユニット７を回転駆動して、基材８を所定の回転数で回転させる。次いで、二つの蒸発源３ａ及び３ｂに配置される膜物質（膜材料）に対して電子銃から電子ビームが照射され加熱され、それによって、これらの蒸発源から膜材料を蒸発させるための準備が行われる。蒸発源３ａ及び３ｂから膜材料を蒸発させる準備が整った後、基材８への蒸発源３ａ及び３ｂから蒸発した膜材料の蒸着が開始される。このとき、蒸発源３ａ及び３ｂに配置された蒸発物質から蒸発する二種類の膜材料が、真空チャンバＡ内に交互に拡散される。これは、例えば、基材８に蒸発源３ａから蒸発する膜材料を蒸着させない場合には、遮蔽板４ｂを蒸発源３ｂの上方より退避させかつ蒸発源３ａの上方に遮蔽板４ａを覆うように駆動し、蒸発源３ａから蒸発する膜材料を蒸着させる場合には、遮蔽板４ｂを蒸発源３ｂの上方を覆うように駆動しかつ蒸発源３ａの上方より遮蔽板４ａを退避させるように駆動することにより行われる。以上の動作によって、蒸発源３ａ及び３ｂから蒸発した膜材料は真空チャンバＡの内部に交互に拡散し、その結果、基材８の表面には、二種類の膜材料が交互に蒸着される。なお、このとき、上記の蒸着過程においてイオンガンとニュートライザとが作動して酸素イオンと電子とから酸素分子を形成し、その酸素分子を基材８上に照射する。これにより、基材８上に形成される蒸着膜が物理的に押し固められ、緻密な状態の所定の分光特性を有する多重薄膜層が得られる。これにより、基材１８への成膜が終了し、その後、基材ホルダ１９を基材ホルダ固定部材１８から取り外す。
【００３９】
この場合、まず、挿通ボルト２２を基材ホルダ固定部材１８から外して、基材ホルダ１９を基材ホルダ固定部材１８から取り外す。次いで、基材ホルダ１９から多重薄膜層が成膜された基材８を取り出す。このとき、緩み防止ナット２０によって各中空ボルト２１の基材ホルダ１９からの突出量が保存されているので、基材８を交換する毎に基材８の水平度を調整することが不要となり、かつ一旦設定された基材８の水平度が好適に再現される。
【００４０】
このように、本実施の形態におけるイオンアシスト成膜装置１００では、基材８の水平度が中空ボルト２１の回動によって調整される。その結果、基材８の水平度の調整は容易にかつ迅速に再現性良く行われることになる。特に、光多重通信用分光フィルタの生産においては、その効率の改善に非常に効果的である。
【００４１】
なお、本実施の形態では、基材ホルダ固定具２３の数を８としたが、任意の数としても良い。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２では、基材保持ユニットが、基材が中孔を備えたドーナツ板形状を有している場合に対応し得るように構成されている。
【００４２】
図４は、本発明の実施の形態２に係る基材保持ユニットを用いた真空成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。本実施の形態でも、真空成膜装置としてイオンアシスト成膜装置を例示している。なお、本実施の形態においては、基材保持ユニットの構成以外については、実施の形態１と同様である。従って、ここでは、基材保持ユニットの構成以外に関する説明は省略する。
【００４３】
図５は、図４に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの詳細な構成を模式的に示す断面図である。また、図６は、図４に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの構成を模式的に示す全体図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
図５に示すように、基材保持ユニット７は、基材ホルダ固定部材（基材ホルダ固定部）１８と、基材ホルダ１９と、基材ホルダ固定具２３とを備えている。基材ホルダ固定部材１８は、中央部に円形の開口１８Ｃを有する中空円板状に形成されている。また、基材ホルダ固定部材１８の前記開口１８Ｃの側面から所定の距離を隔てた位置には、その開口１８Ｃと同軸に全周に渡る円形の位置決め用溝１８ｄが形成されている。さらに、基材ホルダ固定部材１８の上面の外周部には、その全周に渡る段部１８ｂが形成されている。基材ホルダ固定部材１８には厚み方向に貫通する第２のネジ孔１０１が複数（ここでは４）形成されている。基材ホルダ固定部材１８は、段部１８ｂが第２の中空回転軸１０ｂの下端に嵌合するようにして、該第２の中空回転軸１０ｂに固定されている。
【００４４】
基材ホルダ１９は、中央部に円形の開口１９ｂを有する中空円板状の本体１９ａと、本体１９ａの外周面の下端部から外方に延びる中空円板状の受け部１９ｃと、本体１９ａの上面の内周部に突設された短円筒状の位置決め用凸部１９ｄとを有している。そして、基材ホルダ固定部材１８と受け部１９ｃとで形成される、外周が開放された空間が基材収容部１０２を構成している。中孔を備えたドーナツ板形状を有する基材８は、受け部１９ｃ上に載置されるようにしてこの基材収容部１０２に収容される。さらに、基材ホルダ１９の、基材ホルダ固定部材１８の第２のネジ孔１０１に対応する部分には、厚み方向に貫通する第１のネジ孔１０３が形成されている。
【００４５】
基材ホルダ固定具２３は、中空ボルト２１と、緩み防止ナット２０と、挿通ボルト２２とを有している。この基材ホルダ固定具は、第１及び第２のネジ孔１０１及び１０３の数に対応する数（ここでは４）備えられている（図６参照）。
【００４６】
中空ボルト２１は、軸部が基材ホルダ１９の第１のネジ孔１０３に螺合可能でかつ軸部及び頭部を軸方向に貫通するよう挿通孔２２ａが形成されている。挿通孔２２ａは軸部と同軸に形成されている。また軸部は、基材ホルダ１９に設けられた第１のネジ孔１０３の長さ（本体１９ａの厚さ）と緩み防止ナット２０の厚みとの和より所定長だけ長く形成されている。
【００４７】
このような構成としても、実施の形態１と同様の効果を得ることが可能である。なお、本実施の形態では、基材ホルダ固定具２３の数を４としたが、任意の数としても良い。
【００４８】
以上の説明では、イオンアシスト成膜装置１００についての一例を挙げて説明したが、単なる蒸着やイオンプレーティング等により成膜する装置であっても本発明を実施または応用することが可能である。さらに、基材ホルダ等の回転体を回転させる成膜装置一般について、本発明を実施または応用することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】
本発明は以上に述べたような形態で実施され、真空成膜装置において、基材の水平度の調整を容易にかつ再現性良く行える基材ホルダの固定具、並びにそれを用いた基材ホルダの固定構造及び方法を提供することができるという効果を奏する。この効果は、光多重通信用分光フィルタの生産効率の改善を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るイオンアシスト成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの詳細な構成を模式的に示す断面図である。
【図３】図１に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの構成を模式的に示す全体図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係るイオンアシスト成膜装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】図４に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの詳細な構成を模式的に示す断面図である。
【図６】図４に示すイオンアシスト成膜装置における基材保持ユニットの構成を模式的に示す全体図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１    投光部
２    投光ヘッド
３ａ  蒸発源
３ｂ  蒸発源
４ａ  遮蔽板
４ｂ  遮蔽板
５ａ  ルツボ
５ｂ  ルツボ
６ａ  支柱
６ｂ  支柱
７    基材保持ユニット
８    基材
９    受光部
９ａ  受光ヘッド
１０    基材支持体
１０ａ  第１の中空回転軸
１０ｂ  第２の中空回転軸
１１    センサ支持体
１１ａ    センサ取り付け部
１１ｂ  基部
１２    連結枠
１３    磁性流体シール
１４    ダイレクトドライブモータ
１５    ケーシング
１６    信号線
１７    軸受け
１８    基材ホルダ固定部材
１８ａ  位置決め用開口
１８ｂ  段部
１８ｃ  開口
１８ｄ  位置決め用溝
１９    基材ホルダ
１９ａ  本体
１９ｂ  開口
１９ｃ  受け部
１９ｄ  位置決め用凸部
２０    緩み防止ナット
２１    中空ボルト
２２    挿通ボルト
２２ａ  挿通孔
２３    基材ホルダ固定具
３０    基材回転装置
４０    開口部
１００  イオンアシスト成膜装置
１０１  第２のネジ孔
１０２  基材収容部
１０３  第１のネジ孔
Ａ      真空チャンバ
Ｂ      縦フレーム
Ｃ      投光部用架台
Ｄ      真空チャンバ用架台
Ｅ      側面補強リブ
Ｆ      上面補強リブ
Ｇ      設置用架台
ｃ      中心軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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