(57)【要約】【課題】  発光基層上に発光膜を選択的に形成する、半導体製造における発光基層のスクリーン印刷方法を提供する。【解決手段】  第一の領域６２と第二の領域６４を含む基層６６を設けるステップと、フォトレジスト層６０を前記基層に塗布するステップと、前記フォトレジスト層を照射して前記第一の領域においては溶解性部分を形成し、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成するステップと、前記溶解性部分を前記第一の領域から溶解して除去するステップと、そして前記第一の領域に発光膜７０を設けるステップとを有する方法、並びに、そのシステム。【選択図】  図３Ｂ
2004153261.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の領域と第二の領域を含む基層を設けるステップと、フォトレジスト層を前記基層に塗布するステップと、前記フォトレジスト層を照射して前記第一の領域においては溶解性部分を形成し、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成するステップと、前記溶解性部分を前記第一の領域から溶解して除去するステップと、前記第一の領域に発光膜を設けるステップとを有する方法。
【請求項２】
前記第二の領域から前記非溶解性部分を除去するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フォトレジスト層が、照射前に溶解性であり、照射後に非溶解性となるフォトレジスト層、及び照射前に非溶解性であり、照射後に溶解性となるフォトレジスト層からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第一の領域上に溶解性部分を形成し、前記第二の領域上に非溶解性部分を形成する為に前記フォトレジスト層を照射するステップが、前記フォトレジスト層上にマスクを形成するステップを更に有し、前記マスクが前記第一の領域への光を阻むものであり、前記フォトレジスト層への照射が前記マスクを介して行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基層が、更に発光ダイオードを具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記発光ダイオードが、赤色ＬＥＤ、黄色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、エメラルドグリーンＬＥＤ、青色ＬＥＤ及び紫外線ＬＥＤから成るグループから選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記発光ダイオードが、ＧａＮ  ＬＥＤ、ＩｎＧａＮ  ＬＥＤ、ＡｌＩｎＧａＰ  ＬＥＤ、ＴＳ−ＡｌＩｎＧａＰ  ＬＥＤ、Ａｓ−ＡｌＩｎＧａＰ  ＬＥＤ、ＧａＰ  ＬＥＤ、ＬＰＥ−ＧａＰ  ＬＥＤ、及びＬＰＥ−Ａｓ−ＡｌＩｎＧａＰ  ＬＥＤから成るグループから選択されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記基層が更にボンディングパッドを具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基層が更に事前形成された電子回路を具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基層が更に複数の層を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記フォトレジスト層を前記基層に塗布するステップが、スピンコーティング、スプレイング及び蒸着から成るグループから選択された塗布方法により、更にフォトレジスト層を前記基層へと塗布することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記発光膜が燐光物質及び担体を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記燐光物質が、黄色燐光物質、黄色／緑色燐光物質、赤色燐光物質、緑色燐光物質、青色燐光物質及びそれらの組み合わせから成るグループから選択されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記燐光物質が、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+；ＹＡＧ：Ｃｅ，Ｐｒ；（Ｔｂ1-xＣｅx）3Ａｌ5Ｏ12；ＣａＳ：Ｃｅ+3；ＳｒＳ：Ｅｕ2+：（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ2+；ＹＶＯ4：Ｅｕ3+，Ｂｉ3+；ＣａＳ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ+；Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ：Ｍｎ4+；ＣａＳ：Ｅｕ2+；ＺｎＳ：Ｍｎ2+；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ）2Ｓ4：Ｅｕ2+；ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；ＺｎＳ：Ｃｕ+；ＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+及びこれらの組み合わせからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記担体が、シリコンゲル、ポリマーベースのインク及びエポキシからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記基層を複数の発光ダイオードチップへとソー分割するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記複数のＬＥＤチップをベースへと作動可能に接続するステップと、前記複数のＬＥＤチップの１つの周囲にレンズを構築するステップとを更に有する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第一の領域と第二の領域を含み、更に第一の光を放射する第一の発光手段を有する基層にフォトレジスト層を塗布する手段と、前記フォトレジスト層を照射して前記第一の領域においては溶解性部分を形成し、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成する手段と、前記溶解性部分を前記第一の領域から溶解する手段と、そして前記第一の領域に発光膜を設ける手段であって、前記発光膜が第二の発光手段と前記第二の発光手段を支持する手段とを有し、前記第二の発光手段が前記第一の光に呼応するものであることを特徴とする手段と、前記第一の発光手段に呼応する第二の発光手段に光を発する第二の手段とを有するシステム。
【請求項１９】
前記非溶解性部分を前記第二の領域から除去するための手段を更に有する請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記フォトレジスト層を照射して前記第一の領域においては溶解性部分を形成し、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成する手段が、前記フォトレジスト層上に前記第一の領域から光を遮断するマスクを形成する手段と、前記マスクを介して前記フォトレジスト層を照射するための手段とを更に有することを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
前記基層が、更に前記基層を電気的に接続する為の手段を更に有することを特徴とする請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
前記基層を複数の発光ダイオードチップへとソー分割する手段を更に有する請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
前記複数のＬＥＤチップの１つを作動可能にリードフレームへと接続する為の手段と、そして前記複数のＬＥＤチップの１つの周囲にレンズを構築する為の手段とを更に有する請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
第一の領域と第二の領域を含む基層を設けるステップと、照射前には溶解性であり、照射後には非溶解性となるフォトレジスト層を前記基層に塗布するステップと、前記第一の領域上の前記フォトレジスト層をマスキングするステップと、前記フォトレジスト層を照射して第一の領域においては溶解性部分、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成するステップと、前記溶解性部分を前記第一の領域から溶解するステップと、前記第一の領域に燐光物質とシリコンゲルを含む発光膜を設けるステップと、前記非溶解性部分を前記第二の領域から除去するステップとを有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造方法に関するものであり、より具体的には発光基層上に発光膜を選択的に形成する発光基層のスクリーン印刷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今の照明技術の進歩により、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ系の紫外線及び青色発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用した白色固体照明が開発された。この技術は、耐久性及び信頼性が高いと同時に安価であるという、画期的な高効率・低電圧照明光源の可能性を提供するものである。工業化が高度に進んだ国にとっては潜在的な省エネルギー性は非常に意義深いことである。米国においては、電気の約２０％、そして全エネルギーの約７．２％が照明に使用されている。省エネルギーはまた、石炭及び石油発電所からの排出物質量を減らすことから環境の改善にも繋がるものである。低電圧の固体照明灯は更に、局所電源の利点を生かす可能性を提供することから、高圧送電線網の必要性を小さくするものでもある。低電圧固体照明灯は、分散パネル型照明、適応型照明システム、及びインテリジェント照明方式を含む多岐にわたる新たな照明源と製品を提供するものである。
【０００３】
白色固体照明は、例えばＧａＮ／ＩｎＧａＮをベースとしたエピタキシャル構造のＬＥＤに燐光物質を塗布する等、従来のダイオードに燐光性の材料をコーティングすることにより作ることが出来るものである。燐光物質はダイオードの発する青色又は紫外線光を吸収し、黄色−緑色、又は赤色及び緑色光を再度発光する。再度発された光は吸収されなかった元の青色光と混じり合い、白色光が作られる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１は代表的な白色光ＬＥＤランプの概略図である。ＬＥＤランプ２０は、リフレクタカップ２４を有する第一のリードフレーム２２と、第二のリードフレーム２６と、リフレクタカップ２４中に配置され、第一のリードフレーム２２及び第二のリードフレーム２６に電気的に接続されたＬＥＤチップ２８と、リフレクタカップ２４のＬＥＤチップ２８周囲に設けられた燐光エポキシコーティング３０と、そして第一のリードフレーム２２及び第二のリードフレーム２６の周囲にモールディングされたエポキシレンズ３２とを含む。燐光エポキシコーティング３０をリフレクタカップ２４中に設けるには、別個の製造工程を要する為、製造時間及び費用がかかる。
【０００５】
図２Ａ及び図２Ｂは、代表的な表面実装型（ＳＭＴ）白色光ＬＥＤランプの概略図である。図２Ａはプレディップ処理により製作したＳＭＴ  ＬＥＤランプを示す。ＬＥＤチップ４０がリフレクタカップ４４を有する金属製接触ベース４２上に配置され、これに電気接続される。燐光粒子４８を含む燐光エポキシコーティング４６がリフレクタカップ４４に満たされ、ＬＥＤチップ４０を覆う。エポキシレンズ５０は燐光エポキシコーティング４６上にモールディングされる。燐光エポキシコーティング４６は効率的な光の生成を助けるようにＬＥＤチップ４０近くに設け、また、エポキシレンズ５０は光の伝播を邪魔しないように透明とすることが出来るが、燐光物質濃度及び燐光エポキシコーティング４６形状が違うと、個々のＬＥＤランプの色及び光伝播性が変化することになる。更に、燐光エポキシコーティング４６をリフレクタカップ４４中に設けるには、別個の製造工程を要する為、製造時間及び費用の増大に繋がる。
【０００６】
図２Ａと同様の要素には同様の符号がつけられた図２Ｂにおいては、プレミクス工程により製造されたＳＭＴ  ＬＥＤランプが示されている。燐光物質粒子４８を含む燐光エポキシレンズ５２がリフレクタカップ４４を満たし、ＬＥＤチップ４０を覆って光学ドーム５４を形成している。光学ドーム５４の堆積を増せば一定した色を生成できると同時に、リフレクタカップ４４を充填する為に余剰の製造工程を必要とすることも無いが、しかし燐光物質粒子４８を燐光エポキシレンズ５２全体にわたって分布させることから、光の伝播が阻害され、ＬＥＤランプが非効率的なものとなってしまう。
【０００７】
発光フィルムを発光基層上に選択的に設けることが可能であり、かつ上述した欠点を克服する方法があれば望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明は、第一の領域（６２）と第二の領域（６４）を含む基層（６６）を設けるステップと、フォトレジスト層（６０）を前記基層に塗布するステップと、前記フォトレジスト層を照射して前記第一の領域においては溶解性部分を形成し、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成するステップと、前記溶解性部分を前記第一の領域から溶解して除去するステップと、そして前記第一の領域に発光膜（７０）を設けるステップとを有する方法を提供するものである。ここで、前記第一の領域上に溶解性部分を形成し、前記第二の領域上に非溶解性部分を形成する為に前記フォトレジスト層を照射するステップが、前記フォトレジスト層上にマスク（６８）を形成するステップを更に有し、前記マスクが前記第一の領域への光を阻むものであり、前記フォトレジスト層への照射が前記マスクを介して行われることもできる。また、前記基層が、更に発光ダイオード（ＬＥＤ）、ボンディングパッド（８６）あるいは事前形成された電子回路（８２）を具備することができる。
また、本発明は、第一の領域（６２）と第二の領域（６４）を含み、更に第一の光を放射する第一の発光手段を有する基層（６６）にフォトレジスト層（６０）を塗布する手段と、前記フォトレジスト層を照射して前記第一の領域においては溶解性部分を形成し、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成する手段と、前記溶解性部分を前記第一の領域から溶解する手段と、そして前記第一の領域に発光膜（７０）を設ける手段であって、前記発光膜が第二の発光手段と前記第二の発光手段を支持する手段とを有し、前記第二の発光手段が前記第一の光に呼応するものであることを特徴とする手段と、そして前記第一の発光手段に呼応する第二の発光手段に光を発する第二の手段とを有するシステムを提供するものである。
さらに、本発明は、第一の領域（６２）と第二の領域（６４）を含む基層（６６）を設けるステップと、照射前には溶解性であり、照射後には非溶解性となるフォトレジスト層（６０）を前記基層に塗布するステップと、前記第一の領域上の前記フォトレジスト層をマスキング（６８）するステップと、前記フォトレジスト層を照射して第一の領域においては溶解性部分、前記第二の部分においては非溶解性部分を形成するステップと、前記溶解性部分を前記第一の領域から溶解するステップと、前記第一の領域に燐光物質とシリコンゲルを含む発光膜（７０）を設けるステップと、そして前記非溶解性部分を前記第二の領域から除去するステップとを有する方法をも提供するものである。
このように本発明の一態様によれば、発光基層上に発光膜を選択的に設ける方法、例えば発光ダイオード上に燐光物質を設ける等の方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、燐光性材料の濃度を厳密に制御しながら発光基層上に発光膜を選択的に設ける方法が提供される。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、一定した色と光伝播性とを持つＬＥＤを製造することを可能とする、発光基層上に発光膜を選択的に設ける方法が提供される。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、効率的な光生成を行うＬＥＤを製造することを可能とする、発光基層上に発光膜を選択的に設ける方法が提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、効率的でコスト効率の高い製造を可能とする、発光基層上に発光膜を選択的に設ける方法が提供される。
【００１３】
上述及び他の特徴及び利点は、添付図を参照すると共に現在推奨される本発明の実施例に関する詳細説明を読むことにより明らかとなる。詳細説明及び添付図は、本発明を説明する目的で呈示したものにしか過ぎず、本発明の範囲を限定する意図はない。本発明の範囲は、特許請求の範囲により定められるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、発光基層上に選択的に発光膜を形成する為の方法及びシステムを提供するものであり、これは例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）上に燐光物質を含むシリコンゲル担体を設けるものである。発光膜と発光基層の組み合わせは、例えば白色等、所望の発光色が得られるように選択される。スクリーン印刷法は、基層にフォトレジスト層を設け、フォトレジスト層をマスキングし、マスクを介してフォトレジスト層を照射することにより溶解性及び非溶解性部分を作り、溶解性部分を溶解して基層を露出し、溶解性部分を除去した領域に発光フィルムを設けるという工程を含む。その後、基層がソー処理されてＬＥＤチップ、即ちＬＥＤランプが形成される。
【００１５】
図３Ａ〜図３Ｃは、本発明に基づき、発光基部上に発光膜を選択的に形成する場合を描いた断面図である。発光ダイオード（ＬＥＤ）上にスクリーン印刷することにより燐光性物質を形成する場合の一例を描いたものである。
【００１６】
図３Ａを見ると、フォトレジスト層６０が基層６６上の第一の領域６２及び第二の領域６４において形成されている。フォトレジスト層６０は照射前においては、溶解性を呈し、照射後においては非溶解性を呈するものである。フォトレジスト層６０は、スピンコート法、スプレイ法、蒸着法、又はフォトレジスト層を基層６６上に設けるという機能を実施する他の方法により、基層上に設けられる。当業者には明らかなように、他のコーティング法、及びポジティブ又はネガティブフォトレジストといった他のフォトレジスト法も本発明の範囲において使用可能である。
【００１７】
基層６６は発光膜を設けることが望ましいいずれの発光基層であっても良い。一実施例においては、基層６６は、電気信号に呼応して、代表的には可視光又はＵＶ光領域にある赤外線（ＩＲ）から紫外線（ＵＶ）のスペクトルに含まれる光（例えば赤色、黄色、緑色、エメラルドグリーン、青色、又はＵＶ光）を発光する１つ以上のＬＥＤを含むものである。ＬＥＤの例としては、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＴＳ−ＡｌＩｎＧａＰ、Ａｓ−ＡｌＩｎＧａＰ、ＧａＰ、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）−ＧａＰ、ＬＰＥ−Ａｓ−ＡｌＩｎＧａＰ、又は電気信号に呼応して発光を生じるという上述の機能を実施することが出来る他のいずれかのものが含まれる。所望の色を生成出来るように、ＬＥＤは発光膜に合わせて選択される。基層６６の表面は、平坦面、段差又は傾斜面といったように、基層の上又は中に含まれる部品及び造作によって異なる形状を持っている。一般に、基層６６はその表面に平行及び垂直な造作を含んでいる。例えば、ＬＥＤチップを製造する為の基層６６はｎ辺が１つのレベルを形成し、ｐ辺が他のレベルを形成する段差形状を持っていることが一般的である。２つのボンディングパッドが使用されるが、一方はｎ辺に取り付けられ、他方はｐ辺に取り付けられる。
【００１８】
一実施例においては、基層６６は燐光物質が塗布された後に分割される発光ダイオード接合である。他の実施例においては、基層６６は、ＬＥＤチップを搭載したプリント回路基板（ＰＣＢ）であり、燐光物質の塗布後にＬＥＤランプへと分割されるものである。更に他の実施例においては、基層６６は、事前にワイヤボンディングを形成した発光ダイオード接合であり、従って基層が分割された時点でＬＥＤチップはワイヤボンディングを含んでいることになる。更に他の実施例においては、基層６６はトランジスタ、抵抗及びダイオードから成る他の事前形成された電子回路を含む基層であり、この為基層が分割された場合には、ＬＥＤチップは、他の回路の一部となる。更に他の実施例においては、基層６６はＬＥＤに加えて異なる電子部品を形成する複数の層を含むことになる。
【００１９】
マスク６８を第一の領域６２上に形成し、発光源又は他の放射源によりマスクの上から照射を行うことにより、第二の領域６４におけるフォトレジスト層６０を非溶解性に変える。第一の領域６２におけるフォトレジスト層６０はマスク６８に覆われており、溶解性のまま維持される。その後マスク６８が除去され、第一の領域６２における溶解性のフォトレジスト層６０が溶解して除去される。
【００２０】
図３Ｂを見ると、発光膜７０が基層６６上の、フォトレジスト層６０が除去された第一の領域６２に形成されている。発光膜７０は発光性粒子又は材料を含む担体を含んでいる。一実施例においては、発光膜７０は燐光物質で懸濁させたシリコンゲルである。他の実施例においては、発光膜７０は燐光物質で懸濁させたポリマーベースのインク、燐光物質で懸濁させたエポキシ、或いは懸濁させた燐光物質の機能を提供する発光膜を形成する、実質的に均一な厚みを持つ何らかである。発光膜７０用の材料の組成及び粘度は、所望の色（例えば白色）をＬＥＤランプから得る為に必要な燐光物質の最適な厚さを形成することが出来るように選択されるものである。発光膜７０の材料は、高い移行性（例えば反射率が約１．５等）を持つもので、基層６６から発された光が透過し、燐光物質から発された光が逃げられるようにしたものが一般的であるが、しかし他の実施例においては発光膜７０が所要される特定の効果を発揮するように、反射性物質、分散性物質或いは染料又は顔料を含む場合もある。
【００２１】
発光膜７０は、ペインティング、スクレーピング、ラビング、スプレイング、ワイピング、或いは発光膜材料を実質的に均一な厚さに塗布する機能を実行する何らかの方法により基層６６上に設けられる。随意選択として、アセトンのようなプライマーを、発光膜７０を設ける以前に基層６６上に塗布することにより、基層６６と発光膜７０との接着性を高めることも出来る。プライマーは基層６６から蒸発し、基層表面を調製する。
【００２２】
一実施例においては、発光膜７０の厚さは実質的に第二の領域６４におけるフォトレジスト層６０と同じであるが、他の実施例においては、発光膜７０の厚さは第二の領域６４におけるフォトレジスト層６０よりも厚い場合も薄い場合もある。
【００２３】
発光膜７０中の燐光物質は、基層６６から発されたエネルギーを受け、そのエネルギーを異なる波長にして再放射する機能を実施するいずれかの燐光物質である。例として、黄色又は黄色／緑色燐光物質、赤色燐光物質、緑色燐子物質、青色燐光物質、或いはそれらの組み合わせを挙げることが出来る。黄色、又は黄色／緑色燐光物質はＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+；ＹＡＧ：Ｃｅ，Ｐｒ；（Ｔｂ1-xＣｅx）3Ａｌ5Ｏ12；及びＣａＳ：Ｃｅ+3を含む。赤色燐光物質は、ＳｒＳ：Ｅｕ2+：（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ2+；及びＹＶＯ4：Ｅｕ3+，Ｂｉ3+：ＣａＳ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ+；Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ：Ｍｎ4+；ＣａＳ：Ｅｕ2+；及びＺｎＳ：Ｍｎ2+を含む。緑色燐光物質は、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ）2Ｓ4：Ｅｕ2+：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+；及びＺｎＳ：Ｃｕ+を含む。青色燐光物質はＢａＭｇ2Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+を含む。
【００２４】
当業者には明らかなように、基層及び燐光物質発光スペクトルの選択により、所望するいずれのカラースペクトルでも生成することも出来る。所望の光の色を出す為には、基層と燐光物質の様々な組み合わせが使用される。一実施例においては、基層がＩＲからＵＶの範囲にある第一の光を発するものであり、単一の燐光物質が第一の光を受けて所望の色である第二の光を放射するものである。例えば、ＵＶ  ＬＥＤの基層と、赤色燐光物質の発光膜は赤色光の生成に用いられる。
【００２５】
他の実施例においては、基層が第一の光を放射し、単一の燐光物質が第一の光を受け、第一の光との混合により所望の色が得られる第二の光を放射するものである。例えば、青色ＬＥＤの基層と、黄色燐光物質を含む発光層が、ＬＥＤからの青色光と燐光物質からの黄色光とが混合された場合に生じる白色光の生成に用いられる。
【００２６】
他の実施例においては、基層が第一の光を放射し、燐光物質の混合体が第一の光を受けて、所望の色の第二の光を放射するものである。例えば、ＵＶ  ＬＥＤの基層と、青色、赤色、緑色燐光物質の混合体を含む発光膜が、白色光の生成に用いられる。
【００２７】
更に他の実施例においては、基層が第一の光を放射し、燐光物質の混合体が、第一の光との混合により所望の色が得られる第二の光を放射するものである。例えば、青色ＬＥＤの基層と、赤色、緑色燐光物質の混合体を含む発光膜が、ＬＥＤからの青色光と燐光物質からの赤色及び緑色光とが混合した場合に生じる白色光の生成に用いられる。
【００２８】
図３Ｃを見ると、第二の領域６４におけるフォトレジスト層６０がエッチングされている、もしくは第二の領域６４からフォトレジスト層６０を除去する機能を果たす他の方法により除去されている。基層６６の第二の領域６４上に事前形成された、例えばワイヤボンディング（図示せず）のような構造体は露出される。他の実施例においては、第二の領域６４におけるフォトレジスト層６０は除去されず、最終組立部品の一部として残される。使用された発光膜材料によって必要な場合、発光膜７０に硬化が実施される。シリコンゲルの場合、室温に２４時間おいた後に１５０℃で１５分間にわたり硬化させる、或いは他の所望の温度及び時間の組み合わせで硬化させる。
【００２９】
一実施例においては、発光膜７０を設けた基層６６は、個々のＬＥＤチップスへとソー分割され、ＬＥＤチップに電気接続が作られ、そしてこれらがＬＥＤランプへと設置される。他の実施例においては、発光膜７０を設けた基層６６は個々のＬＥＤランプへとソー分割される。ＬＥＤチップの上にレンズを構築する為に、ポリプロピレン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、或いはシリコーンのような液体ポリマー系が使用される。
【００３０】
図４は、本発明に基づいて発光基層上に発光膜を形成する為のダイレベル基層の上面図である。ダイレベル基層は、個々のＬＥＤチップを作る為に用いられる。基層８０は、その中に形成された複数のＬＥＤ８２を含んでいる。ＬＥＤは発光領域８４と、少なくとも１つのボンディングパッド８６を有する。ＬＥＤ８２の発光領域８４及びボンディングパッド８６は、用途によって異なるサイズ、形状を持つものである。通常は量産することが出来るように、単一の基層８０上には数百ものＬＥＤ８２がある。基層８０の調製にあたり、発光膜が発光領域８４のみに形成されることになるように、フォトレジスト層及びマスクが用いられるが、随意選択として発光領域８４の周囲のわずかな余剰領域を含む形でこれを実施することも出来る。このわずかな余剰領域（通常は２〜３μｍ幅）により、発光領域８４から放射される全ての光を、発光膜の端部周辺でリークさせずに確実に発光膜を通過させることが出来るようになる。スクリーン印刷技術により、ボンディングパッド８６上に発光膜が形成されてしまうことによる電気接続障害の発生を防止することが出来る。スクリーン印刷技術は更に、発光領域８４の形成も限定するものである。基層８０の他の部分に形成された場合、発光材料を無駄にすることになるからである。発光膜が形成され、フォトレジスト層が除去されると、基層８０が個々のＬＥＤチップへとソー分割される。随意選択として、ＬＥＤチップの所望パターンを得る為に基層８０をアレイのまま残しておいても良い。
【００３１】
図５は、本発明に基づいて発光膜を形成する為のパッケージ基層を示す上面図である。パッケージ基層は、個々のＬＥＤランプを作る為に用いられる。基層９０は、プリント回路基板（ＰＣＢ）９６中に形成されたリフレクタカップ９４中に配置された複数のＬＥＤチップ９２を含んでいる。ＬＥＤチップ９２は発光領域９８と少なくとも１つのボンディングパッド１００を持っている。ＬＥＤチップ９２の発光領域９８とボンディングパッド１００はその特定の用途に応じて様々なサイズ及び形状を持つものである。ＰＣＢボンディングパッド１０２はＰＣＢ９６上に設けられている。ボンディングパッド１００及びＰＣＢボンディングパッド１０２は、ＬＥＤチップ９２及びＰＣＢ９６を電気接続する為のポイントを提供するものである。一般に、量産する為に数百ものＬＥＤチップ９２が単一の基層９０上にある。基層９０の調製においては、発光領域９８のみに発光膜が設けられるようにフォトレジスト層及びマスクが使用されるが、随意選択として、発光領域９８の周囲のわずかな余剰領域を含む形でこれを実施することも出来る。このわずかな余剰領域（通常は２〜３μｍ幅）により、発光領域９８から放射される全ての光を、発光膜の端部周辺でリークさせずに確実に発光膜を通過させることが出来るようになる。スクリーン印刷技術により、ボンディングパッド１００及びＰＣＢボンディングパッド１０２上に発光膜が形成されてしまうことによる電気接続障害の発生を防止することが出来る。スクリーン印刷技術は更に、発光領域８４の形成も限定するものである。リフレクタカップ９４及びＰＣＢ９６上に形成された場合、発光材料を無駄にすることになるからである。発光膜が形成され、フォトレジスト層が除去されると、基層９０が個々のＬＥＤランプへとソー分割される。随意選択として、ＬＥＤランプの所望パターンを得る為に基層９０をアレイのまま残しておいても良い。
【００３２】
本願に説明及び図示したものは、本発明の特定のアプリケーション及び実施例を説明したものであり、本開示、又は特許請求の範囲をそれらに限定するものではない。例えば、異なる発光基層、発光膜、キャリア、燐光物質、及びスクリーン印刷方法を使用することが出来る。本明細書を読み、添付図を見ることにより、本発明の実施例は他にも多数可能であることが当業者には明らかであり、そのような実施例は、本発明の特許請求の範囲に入るものである。
【００３３】
本願に開示した本発明の実施例は、現時点で推奨されるものであり、本発明の技術的思想及び範囲から離れることなく様々な変更及び改変が可能である。本発明の範囲は、特許請求の範囲に示されており、その範囲に含まれる全ての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】代表的な白色光ＬＥＤランプの概略図である。
【図２Ａ】代表的な方面実装型白色光ＬＥＤランプの概略図である。
【図２Ｂ】代表的な方面実装型白色光ＬＥＤランプの概略図である。
【図３Ａ】本発明に基づいて発行基層上に発光膜を選択的に設ける方法を説明する断面図である。
【図３Ｂ】本発明に基づいて発行基層上に発光膜を選択的に設ける方法を説明する断面図である。
【図３Ｃ】本発明に基づいて発行基層上に発光膜を選択的に設ける方法を説明する断面図である。
【図４】本発明に基づいて発光基層上に発光膜を形成する為の、ダイレベルの基層を示す上面図である。
【図５】本発明に基づいて発光基層上に発光膜を形成する為の、パッケージ基層を示す上面図である。
【符号の説明】
【００３５】
６０  フォトレジスト
６２  第一の領域
６４  第二の領域
６６  発光基層
６８  マスク
７０  発光膜
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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