(57)【要約】【課題】回転する給電ディスクに圧挿される給電用コンタクトの安定化、長寿命化及び交換容易性を達成する。【解決手段】回転する基板ドームに接触させるコンタクトを給電ベース下面に回転自在に連結し、コンタクトが回転する基板ドームに対して自重で落ち込む構成としたことにより、スプリングを配置せずにコンタクトを基板ドームに圧接することを可能としたものである。【選択図】    図２
2004238709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽外部に設置した電源から電力を真空槽内の回転基板ドームに印加する電力供給装置において、
真空槽とは電気的に絶縁され、該電源に接続されたとき電力が供給される給電ベース、
該給電ベース下面に取付けられそして該給電ベースに供給された電力を受け、該基板ドームに接触する導電性コンタクト、
該基板ドームと該コンタクトとの接触面において該コンタクトが受ける該基板ドームの回転方向の力と垂直な方向にある位置に配置した、該給電ベースと該コンタクトとを連結する回動軸とからなり、
該回動軸を中心に該コンタクトを揺動可能に保持していることを特徴とする電力給電装置。
【請求項２】
請求項１の電力給電装置において、該給電ベース下方に回動軸を固定配置し、貫通穴を設けたコンタクトプレートを該回動軸に挿入し、該コンタクトプレートに該コンタクトを固定し、該回動軸を中心に該コンタクトを揺動可能に配置し、回転する該基板ドームに該コンタクトが自重で落ち込み該基板ドームに圧接する構成としたことを特徴とする電力給電装置。
【請求項３】
請求項１又は２の電力給電装置において、該コンタクトの該基板ドームとの接触面断面が円弧状であることを特徴とする電力供給装置。
【請求項４】
請求項１又は２の電力給電装置において、該コンタクトを給電ベース円周上に複数個設置することを特徴とする電力供給装置。
【請求項５】
請求項１又は２の電力給電装置において、該給電ベース上に複数の貫通穴を設け、該貫通穴はいずれも該コンタクトプレートに該コンタクトを固定するねじの軸線上に位置することを特徴とする電力供給装置。
【請求項６】
電力を基板ドームに直接印加すると共に該基板ドームを回転制御する薄膜製造装置における電力給電機構において、真空槽外部に設置した電源から真空槽とは電気的に絶縁されて電力が供給される給電ベースと、該給電ベース下方に固定される凹型形状のブロックと、該ブロックの凹部に係合する凸型形状のコンタクトプレートと、該コンタクトプレートに固定され該基板ドームに接触するコンタクトと、該ブロックと該コンタクトプレートとを連結する連結手段と、該給電ベースと該コンタクトプレートを接続し電力の供給を補助する給電プレートとにより構成され、該給電ベースに対して該コンタクトプレートを連結する回動軸を中心に揺動可能に配置することを特徴とする電力給電機構。
【請求項７】
電力を基板ドームに直接印加すると共に該基板ドームを回転制御する薄膜製造方法において、真空槽外部に設置した電源から真空槽とは電気的に絶縁されて電力が供給される給電ベース下方に該基板ドームに接触するコンタクトを連結し、該給電ベースと該コンタクトとの連結は、該基板ドームと該コンタクトとの接触面において該コンタクトが受ける基板ドームの回転方向の力と垂直な方向にある位置に配置した回動軸により行い、該回動軸を中心に該コンタクトを揺動可能に保持することを特徴とする電力給電方法。
【請求項８】
真空槽外部の電源からの電力を真空槽内の基板ドームに印加すると共に該基板ドームと回転させる機構を含む真空装置において、
コンタクト接触面を有する給電デスク（７１）が設けられた基板ドーム、
給電デスクに対向して配置された給電ベース（２）、及び
基板ドーム回転時に給電デスクと電気的に接触するよう、給電デスクのコンタクト接触面に略垂直な面内で少なくとも所定の角度だけ回動自在に該給電ベースに取付けられた導電性コンタクト（１）とからなる真空装置。
【請求項９】
請求項８の真空装置において、コンタクトの該回動力の少なくとも一部が該コンタクトの重量で与えられるように、該コンタクトは給電ベースに取付けられている真空装置。
【請求項１０】
請求項９の真空装置において、基板ドームの回転時におけるコンタクトの給電デスクへの接触力の少なくとも１部が、該回動力で与えられている真空装置。
【請求項１１】
請求項８の真空装置において、コンタクトは給電デスク面に略平行な軸の周りを回動自在に取付けられている真空装置。
【請求項１２】
請求項８又は１１の真空装置において、コンタクトの基板ドームとの接触面の断面は円弧状である真空装置。
【請求項１３】
請求項１１又は１２の真空装置において、該コンタクトの回動軸はコンタクトの給電デスクとの接触面に対し給電デスク回転方向に後方に位置している真空装置。
【請求項１４】
請求項１の電力供給装置と基板ドームとからなる真空装置。
【請求項１５】
電力源と請求項８又は１４の真空装置からなる真空装置システム。
【請求項１６】
請求項１５のシステムにおいて、該電力源は高周波電力源である真空装置システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射防止膜や各種フィルター・ミラー等に応用される光学薄膜の製造装置のうち高周波電力を基板に直接印加して成膜を行う装置に関し、特に基板への高周波電力給電機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【図９】は特開２００１−７３１３６号公報に開示される光学薄膜製造装置の概略構成図である。
【０００３】
同図において、符号５０は真空排気口５１とガス導入口５２を備えた真空槽を示し、該真空槽５０の内部には、基板５３を取り付けた基板ドーム５４と対向する位置に蒸発源５５及び熱電子放出機構５６が設けられる。該基板ドーム５４へは真空槽外部に設けられた高周波電源６０からマッチングボックス６１を介して高周波電力が供給される。高周波電源６０より出力される高周波電力を直接基板ドーム５４に印加すると、基板ドーム５４と蒸発源５５との空間にグロー放電が発生しプラズマ状態になる。本装置は、基板ドーム５４に取り付けられた成膜基板５３表面に自己誘起された負の直流電界により、その高いエネルギーで高充填密度な薄膜を形成させるものである。この時、基板ドーム５４は基板ドーム回転機構５７を介して回転する。基板ドーム５４の近傍に設けられたモニタ筒５８内部のモニタリング基板６２に堆積する光学薄膜を外部の光学式膜厚計５９で観測制御しながら所望の光学薄膜を得ようとするものである。
【０００４】
同図に示す薄膜製造装置は、均一性の高い膜厚分布の薄膜を形成するために基板ドーム５４を回転させながら成膜を行うため、回転する基板ドーム５４に安定して高周波電力を供給する手段が求められる。
【０００５】
【図１０】は基板ドーム５４に高周波電力を供給する高周波電力給電機構の概略説明図であり、高周波電力給電機構７０がモニタ筒５８の底面に係合し、基板ドーム５４上面の給電ディスク７１に接触することで、モニタ筒５８及び回転する基板ドーム５４に高周波電力を供給する様子を示す。高周波電力給電機構７０には真空槽５０及び基板ドーム５４の回転軸とは電気的に絶縁されて高周波電力が供給される。
【０００６】
【図１１】及び
【図１２】に従来の高周波電力給電機構の斜視図を示す。
【０００７】
従来の高周波電力給電機構は、真空槽５０外部に設置した高周波電源６０から真空槽とは電気的に絶縁されて高周波電力が印加される給電ベース８４と、給電ベース８４下方に設けられたコンタクトプレート８１と、給電ベース８４に対してコンタクトプレート８１を保持する２本のシャフト８２と、コンタクトプレート８１下面に固定され回転する基板ドームに接触するコンタクト８０と、給電ベース８４からコンタクトプレート８１への高周波電力の供給を補助する箔状の給電プレート８５と、給電ベース８４とコンタクトプレート８１との間に設けられた２本のスプリング８３とにより構成される。
【０００８】
コンタクトプレート８１には２つの貫通穴が設けられ、貫通穴に２本のシャフト８２を挿入することによりシャフト８２に沿って移動可能に保持される。２本のスプリング８３は２本のシャフト８２の外周にそれぞれ配置され、スプリング８３の弾性力によりコンタクトプレート８１を介してコンタクト８０を給電ディスク７１平面に圧接することで回転する基板ドーム５４に安定して高周波電力を印加するものである。
【０００９】
コンタクト８０は回転する給電ディスク７１に圧接する為、コンタクト８０と給電ディスク７１の接触面が磨耗してしまう。そこで、コンタクト８０には硬度の小さい材料を使用し、給電ディスク７１には硬度の大きい材料を用いることで、コンタクト８０を消耗品として交換する構成としている。
【００１０】
上記構成により、コンタクト８０を給電ベース８４に固定してしまうと、回転によりコンタクト８０が消耗したときに、コンタクト８０と給電ディスク７１の接触が不安定となり基板ドーム５４に安定して高周波電力が供給されず放電不良を起こしてしまう。そのため、コンタクト８０は給電ディスク７１との接触面と垂直方向に自由度をもって移動可能に設置されなくてはならない。更に基板ドーム５４は成膜が終了する度に取り外すため、給電ディスク７１と給電ベース８４との距離は基板ドーム５４の固定の度に多少の誤差を生じてしまう。こうした誤差にも対応するため、従来の高周波電力給電機構７０は、給電ディスク７１の平面と垂直方向にシャフト８２を設け、コンタクトプレート８１をシャフト８２に沿って移動可能に保持することにより、コンタクトプレート８１が給電ディスク７１平面に対して垂直方向に揺動可能となるようにしていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
【図１３】は、従来の高周波電力給電機構の概略断面図である。
【００１２】
コンタクト８０は回転する給電ディスク７１に圧接するため、給電ディスク７１の回転方向の力（図中矢印ｆ）が加えられる。この力によりシャフト８２とコンタクトプレート８１の間には強い摩擦抵抗が生じ、成膜時に異音が発生するという問題や、シャフト８２及びコンタクトプレート８１が抵抗力により磨耗してしまうという問題が発生していた。
【００１３】
又、従来機構では給電ディスク７１にコンタクト８０を圧接するためスプリング８３を用いていたが、成膜時給電機構は高温になるためスプリング８３が熱により劣化し、放電の不安定がおきて基板ドーム５４に安定して電力を供給できないという問題も発生していた。
【００１４】
更に、コンタクト８０は消耗品であるため交換の必要があるが、従来のコンタクト８０は交換に時間がかかるという問題もあった。これは、給電ベース８４からコンタクトプレート８１を取り外すために、シャフト８２及びスプリング８３を一度取り外し、コンタクトプレート８１からコンタクト８０を取り外して交換を行っていたためであり、交換時間に約３０分間要してしまっていた。又、交換手順が複雑なためメンテナンス作業者の教育が必要であるという問題もあった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、回転する基板ドームに接触させるコンタクトを給電ベース下面に回転自在に連結することにより、シャフトに沿ってコンタクトプレートを上下させるという従来の方法では、基板ドームの回転によりコンタクトを支えるシャフトに横方向の強い力が働き、成膜時に異音が発生するという問題を解決するものである。又、コンタクトが回転する基板ドームに対して自重で落ち込む構成としたことにより、スプリングを配置せずにコンタクトを基板ドームに圧接することを可能としたものである。
【００１６】
本発明の第１の側面は、真空槽外部に設置した電源から電力を真空槽内の回転基板ドームに印加する電力供給装置であって、真空槽とは電気的に絶縁され、電源に接続されたとき電力が供給される給電ベース、給電ベース下面に取付けられそして給電ベースに供給された電力を受け、基板ドームに接触する導電性コンタクト、該基板ドームと該コンタクトとの接触面において該コンタクトが受ける該基板ドームの回転方向の力と垂直な方向にある位置に配置した、該基板ドームと該コンタクトとを連結する軸とからなり、該連結軸を中心に該コンタクトを揺動可能に保持していることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第２の側面は、電力を基板ドームに直接印加すると共に該基板ドームを回転制御する薄膜製造装置における電力給電機構であって、真空槽外部に設置した電源から真空槽とは電気的に絶縁されて高周波電力が供給される給電ベースと、該給電ベース下方に固定される凹型形状のブロックと、該ブロックの凹部に係合する凸型形状のコンタクトプレートと、該コンタクトプレートに固定され該基板ドームに接触するコンタクトと、該ブロックと該コンタクトプレートとを連結する連結軸と、該給電ベースと該コンタクトプレートを接続し電力の供給を補助する給電プレートとにより構成され、該給電ベースに対して該コンタクトプレートを連結軸を中心に揺動可能に配置することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第３の側面は、真空槽外部の電源からの電力を真空槽内の基板ドームに印加すると共に該基板ドームと回転させる機構を含む真空装置であって、コンタクト接触面を有する給電デスク（７１）が設けられた基板ドーム、給電デスクに対向して配置された給電ベース（２）、及び基板ドーム回転時に給電デスクと電気的に接触するよう、給電デスクのコンタクト接触面に略垂直な面内で少なくとも所定の角度だけ回動自在に該給電ベースに取付けられた導電性コンタクト（１）とからなる。
【００１９】
本発明の第４の側面は、電力を基板ドームに直接印加すると共に該基板ドームを回転制御する薄膜製造方法であって、真空槽外部に設置した高周波電源から真空槽とは電気的に絶縁されて高周波電力が供給される給電ベース下方に該基板ドームに接触するコンタクトを連結し、該給電ベースと該コンタクトとの連結は、該基板ドームと該コンタクトとの接触面において該コンタクトが受ける基板ドームの回転方向の力と垂直な方向にある位置に配置した回動軸により行い、該回動軸を中心に該コンタクトを揺動可能に保持することを特徴とする。
【００２０】
前記第１、第２、第３の側面の本発明の実施形態において、給電ベース下方に連結軸を固定配置し、貫通穴を設けたコンタクトプレートを該連結軸に挿入し、該コンタクトプレートに該コンタクトを固定し、該連結軸を中心に該コンタクトを揺動可能に配置し、回転する該基板ドームに該コンタクトが自重で落ち込み該基板ドームに圧接する構成とし、コンタクトは該基板ドームとの接触面断面が円弧状であり、該コンタクトを給電ベース円周上に複数個設置され、該給電ベースに複数の貫通穴を設け、該貫通穴はいずれも該コンタクトプレートに該コンタクトを固定するねじの軸線上に位置する。
【００２１】
前記第３の側面の本発明の実施形態において、コンタクトの該回動力の少なくとも一部が該コンタクトの重量で与えられるように、該コンタクトは給電ベースに取付けられ、基板ドームの回転時におけるコンタクトの給電デスクへの接触力の少なくとも１部が、該回動力で与えられ、コンタクトは給電デスク面に略平行な軸の周りを回動自在に取付けられ、コンタクトの基板ドームとの接触面の断面は円弧状であり、該コンタクトの回動軸はコンタクトの給電デスクとの接触面に対し給電デスク回転方向に後方に位置している。
【００２２】
本発明に従い、電力源と上述の電力供給装置を含む真空装置からなる真空装置システムが提供され、実施形態として電力源は高周波電力源である。
【００２３】
【発明の実施の形態】
実施例の構成の説明
本発明の高周波電力給電機構は
【図９】に示す従来の光学薄膜製造装置に使用されるため、従来と同一である部分には同一符号を付し説明を省略する。
【００２４】
以下、本発明実施例を図面に基づいて説明する。
【００２５】
【図１】及び
【図２】に本発明機構の斜視図を示す。
【００２６】
本発明機構は、高周波電力が供給される給電ベース２と、給電ベース２下方に配置される複数のコンタクト１により構成される。本実施例では６つの隣青銅材からなるコンタクト１を設けているが、配置するコンタクト１の数は目的に合わせて適宜調整可能である。本発明で複数のコンタクト１を設けることにより安定して高周波電力を供給することが可能になり、更にコンタクト１の消耗を軽減することが可能となる。
【００２７】
【図３】に本発明コンタクトの組立概略図を示す。
【００２８】
上記コンタクト１は、ステンレス鋼給電ベース２下面に固定されるステンレス鋼ブロック４と、コンタクト１を固定するステンレス鋼コンタクトプレート３と、コンタクトプレート３とブロック４とを連結する連結ピン５とにより給電ベース２に保持される。給電ベースへ供給された高周波電力は、ブロック４、コンタクトプレート３及び連結ピンそして箔状導電性ストリップ８５を経由してコンタクトへ供給される。
【００２９】
ブロック４は凹型形状であり、両端の突出部を一直線上に貫通する貫通穴８が設けられている。コンタクトプレート３はブロック４の凹部に係合する凸型形状であり、ブロック４と係合する中央の突出部に貫通穴９が設けられている。連結ピン５はブロック４とコンタクトプレート３とを係合した状態で貫通穴８及び９に挿入される。上記構造により、コンタクトプレート３は連結ピン５を軸に給電ベース２に対して回動自在に取付けられる。箔状導電性ストリップ８５の一端は給電ベース２の面そして他端はコンタクトプレート２に取付けられている。
【００３０】
【図４】は、本発明コンタクトの概略断面図である。基板ドーム５４の回転時、コンタクト１には給電ディスク７１との接触面に回転方向の力（図中矢印ｆ）が加えられる。従来は、この力が給電機構に摩擦抵抗を引き起こしていたが、本発明は、コンタクト１に働く回転方向の力と垂直方向に配置した連結ピンを給電ディスクとの接触面に対して回転方向後方側に取付け、連結ピン５により給電ベース２とコンタクト１とを連結することで、給電機構に不要な摩擦抵抗が生じることを防ぐものである。
【００３１】
又、連結ピン５を軸に回転自在にコンタクト１を連結することにより、コンタクト１がコンタクト１とコンタクトプレート３の重量に基づく自重により給電ディスク７１に落ち込む構造となっているため、従来のようにスプリングを使用しなくてもコンタクト１を給電ディスク７１に圧接することが可能となる。このため、本発明実施例のコンタクトとコンタクトプレートの重量は２０ｇとなり、従来の１２ｇより重くなっている。これにより、熱によるスプリング劣化の問題からも解消された。
【００３２】
コンタクト１は回転する給電ディスク７１平面に対して垂直方向に移動可能に配置される必要があることは従来技術でも述べた通りであるが、
【図５】を参照に本発明機構の給電ディスク７１平面に対する垂直方向移動の様子を示す。
【００３３】
図中（ａ）は給電ベース２と給電ディスク７１の距離が短い場合を示し、（ｂ）は距離が長い場合を示す。コンタクト１はその断面が円弧状になっているため、図のように給電ベース２と給電ディスク７１との距離が変化しても常に等しい接触面積で安定して電力を供給することが可能である。
【００３４】
又、コンタクト１が使用により消耗し削り取られる場合は、図中（ａ）に示す状態から（ｂ）に示す状態に変化する。このとき使用開始時にはコンタクト１の給電ディスク７１との接触面は図中ｘで示す位置であるが、消耗によりコンタクト１が落ち込むことで、給電ディスク７１との接触面が図中ｙで示す位置に変化する。つまり、本発明機構ではコンタクト１の消耗部位が変化するために、従来の機構に比べ高寿命化をはかることができる。更に消耗部位が変化することにより、コンタクト１と給電ディスク７１との接触面積の変化が少なく電力を安定して供給できるという効果も奏する。即ち、コンタクトの表面が自動的に円弧状に磨耗し、円弧状の表面が維持される。
【００３５】
【図６】はブロック４とコンタクトプレート３との連結部を示す。コンタクトプレート３は、ブロック４と係合する中央の突出部の先端ｚがブロック４に接する位置まで回転自在である。つまりコンタクトの回転可能角度は、図中（ａ）に示す位置から（ｂ）に示す位置までである。コンタクトプレート３の回転限界角度はブロック４とコンタクトプレート３の形状及び連結ピン５の挿入位置により決定される。
【００３６】
最後に本発明機構のメンテナンスについて説明する。
【００３７】
本発明機構は、給電ベース２に貫通穴６を設け、コンタクトプレート３にコンタクト１を固定するねじ７の延長線と給電ベース２の貫通穴６とが一致するような構成をとっている。貫通穴６はねじ７と同数設けられ、貫通穴６にレンチを挿入することでねじ７を直接取り外すことができる。
【００３８】
これにより、消耗品であるコンタクト１の交換の際、ブロック４やコンタクトプレート３等を給電ベース２から取り外すことなくコンタクト１を交換できるため、交換時間を著しく短縮した。又、交換手順を簡素化することにより作業者の教育もなくなり、メンテナンス性を向上させることが可能となった。具体的には従来の機構ではコンタクトの交換に３０分間かかっていたが本機構では５分間で交換が可能となった。
【００３９】
実施例の作用・動作の説明
以下、本発明機構と従来機構の比較実験データを示す。
【００４０】
【図７】は、図に示す装置を用いて高周波電力の放電テストを行った結果である。
【００４１】
実験は、基板ドームの回転数：３０ｒｐｍ、高周波電力：３００Ｗ、ＡＰＣ圧力２×Ｅ−２Ｐａで行い、そのときの印加降下電圧（Ｖｄｃ）を測定した。ここでＡＰＣとは真空槽内部の圧力をガス流量ではなく圧力で制御する方法であり、印加降下電圧とはセルフバイアスの値、すなわち真空槽内部での直流成分の電圧値を示し、この値が高いほどイオンアシストの効果が高いといえる。
【００４２】
図中１０は従来の高周波電力給電機構を用いた結果を示し、１１は本発明高周波電力給電機構を用いた結果を示す。
【００４３】
同図より、本発明給電機構を用いることにより、従来に比べより安定して電力を供給できるようになったことがわかる。
【００４４】
【図８】は、従来品と本発明品の使用可能時間を比較した結果である。
【００４５】
使用不可の判定は、コンタクト表面上部から２ｍｍ消耗した時点とする。
【００４６】
図より、従来品の使用可能時間が２００時間であるのに対し、本発明品の使用可能時間は１２００時間であり、６倍以上の長寿命となったことがわかる。
【００４７】
他の実施例の説明、他の用途への転用例の説明
上記実施例では、高周波電力の供給について説明したが、直流電力の供給にも対応可能である。
【００４８】
又、他の回転体への電力供給に応用が可能である。
【００４９】
【発明の効果】
本発明は、回転する基板ドームに接触させるコンタクトを給電ベース下面に回転自在に連結することにより給電機構に不要な摩擦抵抗力が生じることを防ぐことが可能になった。
【００５０】
又、上記機構により、コンタクトが回転する基板ドームに対して自重で落ち込むため、スプリングを配置せずにコンタクトを基板ドームに圧接することが可能となった。
【００５１】
コンタクトを複数設けたことと、回転自在に連結したために使用によりコンタクトの消耗部位が変化することで、コンタクトの寿命を飛躍的に向上させることが可能となった。
【００５２】
更に、給電ベースに貫通穴を設け直接コンタクトのみを取り外すことを可能としたため、メンテナンス性が向上し、実生産時における装置停止時間の短縮に貢献できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明高周波電力給電機構の下方斜視図
【図２】本発明高周波電力給電機構の上方斜視図
【図３】本発明コンタクトの組立概略図
【図４】本発明コンタクトの概略断面図
【図５】本発明コンタクトの説明図
【図６】本発明ブロックとコンタクトプレート連結部を示す図
【図７】従来機構と本発明機構の放電テスト比較実験結果を示す図
【図８】従来機構と本発明機構の使用可能時間比較結果を示す図
【図９】光学薄膜製造装置を示す図
【図１０】高周波電力給電機構の概略説明図
【図１１】従来高周波電力給電機構の下方斜視図
【図１２】従来高周波電力給電機構の上方斜視図
【図１３】従来コンタクト概略の断面図
【符号の説明】
１  コンタクト
２  給電ベース
３  コンタクトプレート
４  ブロック
５  連結ピン
６  貫通穴
７  ねじ
８  貫通穴
９  貫通穴
１０  従来機構の印加降下電圧
１１  本発明機構の印加降下電圧
５０  真空槽
５１  真空排気口
５２  ガス導入口
５３  基板
５４  基板ドーム
５５  蒸発源
５６  熱電子放出機構
５７  基板ドーム回転機構
５８  モニタ筒
５９  光学式膜圧計
６０  高周波電源
６１  マッチングボックス
６２  モニタリング基板
７０  高周波電力給電機構
７１  給電ディスク
８０  コンタクト
８１  コンタクトプレート
８２  シャフト
８３  スプリング
８４  給電ベース
８５  給電プレート
【図１】
2004238709.tif 000003
【図２】
2004238709.tif 000004
【図３】
2004238709.tif 000005
【図４】
2004238709.tif 000006
【図５】
2004238709.tif 000007
【図６】
2004238709.tif 000008
【図７】
2004238709.tif 000009
【図８】
2004238709.tif 000010
【図９】
2004238709.tif 000011
【図１０】
2004238709.tif 000012
【図１１】
2004238709.tif 000013
【図１２】
2004238709.tif 000014
【図１３】
2004238709.tif 000015