(57)【要約】【課題】簡単な構造で半導体レーザ素子のたわみを回避する。【解決手段】本発明は、レーザ光線（３）が出射可能な出射面（２）を有する半導体レーザ素子と、少なくともレーザ光線（３）の出射方向（Ｚ）に対して実質的に垂直な第１の方向（Ｙ）に関して前記出射面（２）から出射されるレーザ光線（３）のダイバージェンスを低減させることができるコリメーティングレンズ手段（６）とを含む半導体レーザ装置に関し、前記半導体レーザ装置は、さらに補助物体（４）を含み、該補助物体は、半導体レーザ素子（１）と、コリメーティングレンズ手段（６）とに固定結合されている。さらに本発明は、半導体レーザ素子（１）と、補助物体（４）と、コリメーティングレンズ手段（６）とによって構成されている半導体レーザモジュール、および半導体レーザ装置を製造するための方法に関する。【選択図】      図１
2004200634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光線（３）が出射可能な出射面（２）を有する半導体レーザ素子（１）と、
少なくともレーザ光線（３）の出射方向（Ｚ）に対して実質的に垂直な第１の方向（Ｙ）に関して前記出射面（２）から出射されるレーザ光線（３）のダイバージェンスを低減可能なコリメーティングレンズ手段（６）とを含む半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザ装置は、さらに補助物体（４）を含み、該補助物体は、半導体レーザ素子（１）とコリメーティングレンズ手段（６）とに固定結合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子（１）と補助物体（４）との間の固定結合は、第１のロウ付け層（５）によって実現されることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記補助物体（４）とコリメーティングレンズ手段（６）との間の固定結合は、第２のロウ付け層（８）によって実現されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記固定結合に寄与する少なくとも１つのロウ付け層（５，８）は、０．０５μｍから１μｍの間の厚みを呈することを特徴とする請求項２または３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記固定結合に寄与する少なくとも１つのロウ付け層（５，８）は、０．１μｍから０．５μｍの間の厚みを呈することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体レーザ素子（１）と補助物体（４）は、実質的に同じ材料を含んで成ることを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記半導体レーザ素子（１）と補助物体（４）は、ヒ化ガリウムを含んで成ることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記コリメーティングレンズ手段（６）は、キャリア（７）とともに一体的に基板に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記コリメーティングレンズ手段（６）は、キャリア（７）とともに一体的にガラス基板に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記キャリア（７）は、第２のロウ付け層（８）を介して補助物体（４）と固定結合されていることを特徴とする請求項８または９記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記コリメーティングレンズ手段（６）および／またはキャリア（７）は、実質的に補助物体（４）と同じ熱膨張係数を呈している材料を含んで成ることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記コリメーティングレンズ手段（６）および／またはキャリア（７）は、実質的にヒ化ガリウムと同じ熱膨張係数を呈している材料を含んで成ることを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記半導体レーザ装置は、さらに半導体レーザ素子（１）と結合されている冷却物体（９）を含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
前記冷却物体（９）は、第３のロウ付け層（１０）を介して半導体レーザ素子（１）と結合され、前記第３のロウ付け層（１０）は、約５μｍの厚みを呈することが可能であることを特徴とする請求項１３記載の半導体レーザ装置。
【請求項１５】
半導体レーザ素子（１）と、コリメーティングレンズ手段（６）と、補助物体（４）とを含み、該半導体レーザ素子（１）と、コリメーティングレンズ手段（６）と、補助物体（４）とは、これら半導体レーザ素子（１）、コリメーティングレンズ手段（６）、補助物体（４）およびこれらの相互結合に該当する、請求項１〜請求項１２に記載のいずれかの特徴を有することを特徴とする、請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体レーザ装置のための半導体レーザモジュール。
【請求項１６】
半導体レーザ素子（１）、補助物体（４）およびコリメーティングレンズ手段（６）が、固定結合されて請求項１５に基づく半導体レーザモジュールにされるステップを含む、請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体レーザ装置を製造するための方法。
【請求項１７】
前記半導体レーザ素子（１）は、補助物体（４）と、および／または補助物体（４）は、コリメーティングレンズ手段（６）とそれぞれロウ付けされることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体レーザ素子（１）と補助物体（４）とのロウ付け、および／または補助物体（４）とコリメーティングレンズ手段（６）とのロウ付けは、約４００℃の温度で行われることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
別のステップにおいて請求項１５に基づく半導体レーザモジュールは、冷却物体（９）と結合されることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記半導体レーザモジュールは、１８０℃から２００℃の間の温度で冷却物体（９）とロウ付けされることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光線が出射可能な出射面を有する半導体レーザ素子と、少なくともレーザ光線の出射方向に対して実質的に垂直な第１の方向に関して前記出射面から出射されるレーザ光線のダイバージェンスを低減させることができるコリメーティングレンズ手段とを含む半導体レーザ装置に関する。さらに本発明は、このような半導体レーザ装置のための半導体レーザモジュール、およびこのような半導体レーザ装置を製造するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
国際公開第０２／０８２１６４号パンフレット（特許文献１）において、上述した種類の半導体レーザ装置と方法とが知られている。その中に記述された半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子を含み、該半導体レーザ素子は、冷却物体にロウ付けされていてもよい。その中に記述された半導体レーザ素子は、いわゆるレーザダイオードバーであってよく、該レーザダイオードバーは、ある方向において互いに間隔をあけて配置された、該方向に沿って延びる線形放出面を呈している。半導体レーザ素子の出射面の手前に従来の技術においてコリメーティングレンズ手段が配置されていて、該コリメーティングレンズ手段は、とりわけレーザダイオードバーの場合、速軸コリメーティングレンズとして形成されている。この速軸コリメーティングレンズは、線形放出面が相並んで配置されている方向に対して垂直な方向にレーザ光線のダイバージェンスを低減させる。この方向は速軸と呼ばれる。この方法で速軸の方向に平行に揃えられたレーザ光線は、これに引き続いてさらに、たとえばこれに垂直な方向に、すなわち遅軸において平行に揃えることができ、そしてたとえばガラスファイバに焦点を合わせることができる。
【０００３】
このような半導体レーザ素子において問題なのは、冷却物体として一般に大きな銅ブロックが、そして半導体レーザ素子として、大抵の場合ヒ化ガリウムから成るダイオードがそれぞれ使用されるという事実である。ヒ化ガリウムと銅とは、それぞれの熱膨張係数が著しく異なっている。このような理由から冷却物体と半導体レーザ素子との間のロウ付け層を非常に薄いものにすることができず、そして非常に高い温度の下で製造することもできない。その理由は、これら両方の場合において半導体レーザ素子が損傷を受けるほど非常に大きな熱応力が現れるためである。このためロウ付け層は、通常では約５μｍの厚みを有し、そして１８０℃から２００℃の間の温度で製造される。したがってこのロウ付け層は、比較的柔らかいロウ付け層である。とりわけこの柔らかいロウ付け層に基づいて、たとえば別の選択肢として固定方法、たとえば冷却物体への半導体レーザ素子のネジ止めなどの場合においても、その放出面、またはその出射面の全長にわたって半導体レーザ素子がたわむ可能性がある。このたわみは、一般に「スマイル歪みと称される。速軸コリメーティングレンズを通過する「スマイル」歪みを有するレーザ光線は、たとえば出射面が外側の範囲に比べて下方に変位している中央部の範囲において上方に偏向している。このようにして、従来の技術においては、コリメーティングレンズ手段から出射されるレーザ光線であって、速軸の方向に離間して進行し、したがってそれ以上処理するのが困難であるレーザ光線が得られる。このことは、従来の技術によって知られている半導体レーザ装置において半導体レーザ装置から出てくるレーザ光線の大きな強度損失へとつながる。先に述べた従来技術において、比較的手間のかかる手段によって、この「スマイル」歪みを補正するように試みられている。そのためにはとりわけ多くの異なる、相並んで配置された、互いに傾斜させられたレンズ手段が使用される。
【０００４】
【特許文献１】
国際公開第０２／０８２１６４号パンフレット
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の根底になっている課題は、当初述べた種類の半導体レーザ装置を生み出すことであって、該装置において簡単な手段でこのような歪みの回避を達成できる。さらにこのような半導体レーザ装置のための半導体レーザモジュールを生み出すべきである。さらにこのような半導体レーザ装置を製造するための方法を提示すべきである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このことは、本発明によれば半導体レーザ装置に関しては請求項１の特徴によって、そして半導体レーザモジュールに関しては請求項１５の特徴によって、そして方法に関しては請求項１６の特徴によってそれぞれ解決される。
【０００７】
請求項１によれば、半導体レーザ装置はさらに補助物体を含み、該補助物体は、半導体レーザ素子と、さらにまたコリメーティングレンズ手段と固定結合されている。これによって達成されるコリメーティングレンズ手段と半導体レーザ素子との間の固定結合によって、半導体レーザ素子がたわむ際に同時にコリメーティングレンズ手段もたわむことが達成される。これによって、たとえばレーザ光線向けの長く伸びた線形出射面が中央部で下方にたわむとき、コリメーティングレンズ手段も同じ程度で下方にたわませられる。このようにして従来の技術においてたわんでいないコリメーティングレンズ手段を通過する「スマイル」歪みのあるレーザ光線に基づいて知られている典型的な問題が生じることがない。
【０００８】
共に発生するコリメーティングレンズ手段のたわみに基づいて、コリメーティングレンズ手段から出射するレーザ光線がもはや速軸の方向において離間して進行しないことが達成される。これによってレーザ光線は、遙かに良好に遅軸方向において平行に揃えることができ、そしてさらに集光させることができる。これによって本発明に基づく半導体レーザ装置によって遙かに大きな出力密度を達成できる。
【０００９】
本発明に従えば、半導体レーザ素子と補助物体との間の固定結合が第１のロウ付け層として製造されてもよい。さらにまた、補助物体とコリメーティングレンズ手段との間の固定結合が第２のロウ付け層として製造されてもよい。これらのロウ付け層は、０．０５μｍから１μｍの間の厚みを、とりわけ０．１μｍから０．５μｍの間の厚みを呈することができる。このような薄い、しかも堅固なロウ付け層によって、半導体レーザ素子と補助物体との間の、および補助物体とコリメーティングレンズ手段との間の非常に堅固な結合を生み出すことができる。このようにして、半導体レーザ素子がたわむ際にコリメーティングレンズ手段がほぼ同じ程度でたわむことが保証されている。
【００１０】
本発明の好ましい実施形態に従えば、半導体レーザ素子と補助物体が実質的に同じ材料を含んで成るものであってもよい。半導体レーザ素子と補助物体は、たとえばヒ化ガリウムを含んで成っていてもよい。半導体レーザ素子と補助物体とに関して同じ材料を選択することによって、上述したロウ付け層を製造する際に熱膨張係数が異なることに基づく問題が現れないことが保証されている。熱膨張係数がほぼ同じである場合、これによって非常に薄い、非常に堅固なロウ付け層を生み出すことができる。
【００１１】
本発明に従えば、コリメーティングレンズ手段がキャリアとともに一体的に基板、とりわけガラス基板に形成されてもよい。その際にキャリアは、とりわけ第２のロウ付け層を介して補助物体と固定結合されていてもよい。その際にコリメーティングレンズ手段、および／またはキャリアは実質的に補助物体と同じ熱膨張係数を呈している材料を含んで成るのが有利である。その際にコリメーティングレンズ手段、および／またはキャリアは実質的にヒ化ガリウムと同じ熱膨張係数を呈している材料を含んで成っていてもよい。これによってキャリアと補助物体との間の第２のロウ付け層を製造する場合も熱膨張係数の違いによる問題が生じない。たとえばその中にキャリアとコリメーティングレンズ手段とが形成されている基板にガラスを使用することができ、該ガラスは、ヒ化ガリウムと同じ熱膨張係数を呈している。
【００１２】
さらに本発明に従えば、半導体レーザ装置は半導体レーザ素子と結合される冷却物体を含んでもよい。冷却物体は、第３のロウ付け層を介して結合されていてもよく、その際に該第３のロウ付け層は、とりわけ約５μｍの厚みを呈することができる。この第３のロウ付け層は、本発明によれば従来技術によるロウ付け層とまったくもって同じに設計されていてもよい。本発明において速軸向けコリメーティングレンズ手段は、従来技術において部分的に実践されているようにもはや冷却物体に直接結合されているのではなく、第１と第２のロウ付け層を介して半導体レーザ素子と固定結合されているので、半導体レーザ素子と冷却物体との間の上述した厚くて、柔らかいロウ付け層によっても不都合が生じない。
【００１３】
請求項１５によって本発明に基づく半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子、コリメーティングレンズ手段および補助物体を含み、これら、およびその相互結合は、請求項１〜請求項１２のうちのいずれかの特徴を呈している。このような半導体レーザモジュールは、たとえば別々に取り扱うこともでき、そして現場でユーザによって冷却物体と結合させることができる。半導体レーザモジュールは、半導体レーザ装置の核心を表しており、そして速軸方向において良好に平行に揃えられた強力なレーザ光線を提供することができる。
【００１４】
請求項１６によれば本発明による方法の特徴は、半導体レーザ素子、補助物体およびコリメーティングレンズ手段が請求項１５に従う半導体レーザモジュールと固定結合されていることである。その際にとりわけ半導体レーザ素子は補助物体と、および／または補助物体はコリメーティングレンズ手段と、それぞれロウ付けされていてもよい。
【００１５】
本発明の有利な実施形態によれば、半導体レーザ素子と補助物体の、および／または補助物体とコリメーティングレンズ手段のロウ付けは約４００℃の温度で行われる。このような温度において非常に堅固で、それにも拘わらず薄いロウ付け層が達成される。４００℃という比較的高い温度は、それにも拘わらず使用した材料に関して問題がない。なぜなら、とりわけ使用した材料の熱膨張係数を互いに適合させることに意図されているためである。
【００１６】
好適には、方法のさらなるステップにおいて半導体レーザモジュールを冷却物体と結合させる。その際に半導体レーザモジュールをとりわけ１８０℃と２００℃の間の温度で冷却物体とロウ付けすることができる。既に述べたようにこのことは、本発明に基づく半導体レーザ装置の、または本発明に基づく半導体レーザモジュールのエンドユーザにおいて問題なく行うことができる。
【００１７】
さらに詳しくは、本発明は、レーザ光線が出射可能な出射面を有する半導体レーザ素子と、
少なくともレーザ光線の出射方向に対して実質的に垂直な第１の方向に関して前記出射面から出射されるレーザ光線のダイバージェンスを低減可能なコリメーティングレンズ手段とを含む半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザ装置は、さらに補助物体を含み、該補助物体は、半導体レーザ素子とコリメーティングレンズ手段とに固定結合されていることを特徴とする半導体レーザ装置である。
【００１８】
本発明において、前記半導体レーザ素子と補助物体との間の固定結合は、第１のロウ付け層によって実現されることを特徴とする。
【００１９】
本発明において、前記補助物体とコリメーティングレンズ手段との間の固定結合は、第２のロウ付け層によって実現されることを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記固定結合に寄与する少なくとも１つのロウ付け層は、０．０５μｍから１μｍの間の厚みを呈することを特徴とする。
【００２１】
本発明において、前記固定結合に寄与する少なくとも１つのロウ付け層は、０．１μｍから０．５μｍの間の厚みを呈することを特徴とする。
【００２２】
本発明において、前記半導体レーザ素子と補助物体は、実質的に同じ材料を含んで成ることを特徴とする。
【００２３】
本発明において、前記半導体レーザ素子と補助物体は、ヒ化ガリウムを含んで成ることを特徴とする。
【００２４】
本発明において、前記コリメーティングレンズ手段は、キャリアとともに一体的に基板に形成されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明において、前記コリメーティングレンズ手段は、キャリアとともに一体的にガラス基板に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明において、前記キャリアは、第２のロウ付け層を介して補助物体と固定結合されていることを特徴とする。
【００２７】
本発明において、前記コリメーティングレンズ手段および／またはキャリアは、実質的に補助物体と同じ熱膨張係数を呈している材料を含んで成ることを特徴とする。
【００２８】
本発明において、前記コリメーティングレンズ手段および／またはキャリアは、実質的にヒ化ガリウムと同じ熱膨張係数を呈している材料を含んで成ることを特徴とする。
【００２９】
本発明において、前記半導体レーザ装置は、さらに半導体レーザ素子と結合されている冷却物体を含むことを特徴とする。
【００３０】
本発明において、前記冷却物体は、第３のロウ付け層を介して半導体レーザ素子と結合され、前記第３のロウ付け層は、約５μｍの厚みを呈することが可能であることを特徴とする。
【００３１】
本発明は、半導体レーザ素子と、コリメーティングレンズ手段と、補助物体とを含み、該半導体レーザ素子と、コリメーティングレンズ手段と、補助物体とは、これら半導体レーザ素子、コリメーティングレンズ手段、補助物体およびこれらの相互結合に該当する、上述の特徴を有することを特徴とする、上述の半導体レーザ装置のための半導体レーザモジュールである。
【００３２】
本発明は、半導体レーザ素子、補助物体およびコリメーティングレンズ手段が、固定結合されて上述の半導体レーザモジュールにされるステップを含む、上述の半導体レーザ装置を製造するための方法である。
【００３３】
本発明において、前記半導体レーザ素子は、補助物体と、および／または補助物体は、コリメーティングレンズ手段とそれぞれロウ付けされることを特徴とする。
【００３４】
本発明において、前記半導体レーザ素子と補助物体とのロウ付け、および／または補助物体とコリメーティングレンズ手段とのロウ付けは、約４００℃の温度で行われることを特徴とする。
【００３５】
本発明において、別のステップにおいて請求項１５に基づく半導体レーザモジュールは、冷却物体と結合されることを特徴とする。
【００３６】
本発明において、前記半導体レーザモジュールは、１８０℃から２００℃の間の温度で冷却物体とロウ付けされることを特徴とする。
【００３７】
【発明の実施の形態】
添付した図面を参考にして望ましい実施例に関する以下の記述によって本発明のその他の特徴および長所が明らかになる。
【００３８】
本発明に基づく半導体レーザ装置はレーザ光線３が出射可能な出射面２を有する半導体レーザ素子１を含んでいることが図１から判明する。半導体レーザ素子１は、とりわけ半導体レーザバーとして製造されていてもよい。このような半導体レーザバーは、Ｘ方向（図面に書き込んだ座標系を参照のこと）において離間されて相並んで配置された一連の線形放出面を含んでおり、その際にこれらの放出面は、同じく実質的にＸ方向に延びている。これに垂直なＹ方向において放出面は、非常に僅かな大きさしか呈していない。このような理由からレーザ光線３は、Ｙ方向において比較的高いダイバージェンス、いわゆる速軸ダイバージェンスを呈している。
【００３９】
本発明による半導体レーザ装置は、さらに補助物体４を含んでおり、該補助物体は、図示された実施例において半導体レーザ素子１の上面に配置されており、とりわけ該半導体レーザ素子と固定結合されている。半導体レーザ素子１と補助物体４との間の固定結合は、第１のロウ付け層５によって達成できる。この第１のロウ付け層５は、比較的薄くてよく、とりわけ０．１μｍから０．５μｍの厚みであってもよい。この第１のロウ付け層は、約４００℃の温度の下でロウ付けによって形成できる。
【００４０】
半導体レーザ素子１と補助物体４は、同じ材料によって構成されていてもよい。たとえば半導体レーザ素子１も補助物体４も、ヒ化ガリウムによって構成されていてもよい。半導体レーザ素子１も補助物体４もともに同じ材料によって構成されているという事実に基づいて、第１のロウ付け層５を介して互いに結合されている両方の部品を加熱、または冷却する際に熱応力が現れない。このような理由から半導体レーザ素子１と補助物体４との間の結合は、非常に堅固なものとして、とりわけ上述した非常に薄くて、堅固な第１のロウ付け層５として選ぶことができる。
【００４１】
図１から判明するように、半導体レーザ装置はコリメーティングレンズ手段６を含み、該コリメーティングレンズ手段は、キャリア７とともに一体式ユニットを形成しており、該ユニットは、補助物体４と堅固に結合されている。その際にコリメーティングレンズ手段６は、速軸コリメーティングレンズとして形成されていてもよい。とりわけコリメーティングレンズ手段６は、Ｘ軸方向に円筒軸を有する円筒レンズ幾何学形状を呈することができる。コリメーティングレンズ手段６とキャリア７は、とりわけ一体式ガラス基板に形成されている。
【００４２】
図１から判明するように、補助物体４はＺ軸方向において出射面２から一部分だけ突き出している。補助物体４のＺ軸方向における端面は、出射面２に対して平行に、そして該出射面に対して一部分だけＺ軸のプラス方向にずらされている。キャリア７は、補助物体４のこの端面と、たとえば第２のロウ付け層８によって固定結合されている。この第２のロウ付け層も、たとえば約４００℃の温度の下で製造された、厚みたとえば０．１μｍから０．５μｍのロウ付け層であってもよい。
【００４３】
本発明によればキャリア７を一体化したコリメーティングレンズ手段６をガラスから製造できるという可能性があり、該ガラスは、補助物体４と同じ熱膨張係数を呈している。とりわけこれによって、コリメーティングレンズ手段６とキャリア７とを形成しているガラスは、ヒ化ガリウムと同じ熱膨張係数を呈することができる。
【００４４】
図１には、さらに冷却物体９が示されていて、該冷却物体は、第３のロウ付け層１０を介して半導体レーザ素子１と結合されている。冷却物体９は、たとえば銅によって製造されていてよく、そして従来の技術によって知られているように半導体レーザ素子１の活性層を冷却するのに用いられる。該活性層は、図１からも判明するように、半導体レーザ素子１の比較的下方に配置されていて、その結果、冷却物体９によって該活性層を効果的に冷却することができる。冷却物体９と半導体レーザ素子１との間の第３のロウ付け層１０は、従来の技術によっても知られているように比較的柔らかいロウ付け層として形成されている。このような柔らかいロウ付け層は、約１８０℃から２００℃の間の温度の下でロウ付けされる。さらに冷却物体９と半導体レーザ素子１との間の第３のロウ付け層は、厚みがたとえば約５μｍと比較的厚い。
【００４５】
図１には、さらに半導体レーザ素子１から出射されるレーザ光線３がＹ方向に関してコリメーティングレンズ手段６によって平行に揃えられることが示されている。Ｘ軸に関して平行に揃えるために、Ｚ軸のプラス方向において、本発明に基づく半導体レーザ装置に別のコリメーティングレンズ手段、特に、いわゆる遅軸コリメーティングレンズを配置してもよい。
【００４６】
半導体レーザ素子１とコリメーティングレンズ手段６との間の固定結合に基づいて、温度変化がある場合に、そしてそれによってたとえば半導体レーザ素子１のたわみが生じる場合にコリメーティングレンズ手段６は同じ程度でたわみ、その結果、レーザ光線の万が一の歪み、たとえば公知の「スマイル」歪みは現れない。
【００４７】
本発明に基づく半導体レーザ装置を製造するための本発明に基づく方法において、まず半導体レーザ素子１と、補助物体４と、キャリア７を一体化したコリメーティングレンズ手段６とによって構成されている半導体レーザモジュールが製造される。この半導体レーザモジュールは、たとえば第１の工程において補助物体４を半導体レーザ素子１にロウ付けすることによって製造できる。第２の工程でキャリア７が、補助物体４にロウ付けされ、その際にたとえば半導体レーザ素子１のスイッチがオンにされていれば、コリメーティングレンズ手段６から出射されるレーザ光線３に基づいて半導体レーザ素子１の手前でのコリメーティングレンズ手段６の位置決めが正確であるかどうかをチェックできる。
【００４８】
この方法で製造された半導体レーザモジュールは、別の段階で冷却物体９にロウ付けできる。半導体レーザモジュールは、とりわけ個別に取り扱うことともできる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、補助物体は、半導体レーザ素子と、コリメーティングレンズ手段とにも固定結合されているので、従来のような「スマイル」歪みのあるレーザ光線に基づいて知られている典型的な問題が生じることがない。
【００５０】
本発明によれば、半導体レーザモジュールは、半導体レーザ素子、コリメーティングレンズ手段および補助物体を含み、これら、およびその相互結合は、上述した特徴を呈しているので、速軸方向において良好に平行に揃えられた強力なレーザ光線を提供することができる。
【００５１】
本発明によれば、半導体レーザ素子、補助物体およびコリメーティングレンズ手段が、固定結合されて本発明の半導体レーザモジュールにされるので、速軸方向において良好に平行に揃えられた強力なレーザ光線を提供することができる半導体レーザ装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく半導体レーザ装置を模式的に示す側面図である。
【符号の説明】
１  半導体レーザ素子
２  出射面
３  レーザ光線
４  補助物体
５  ロウ付け層
６  コリメーティングレンズ手段
７  キャリア
８  ロウ付け層
９  冷却物体
１０  ロウ付け層
【図１】
2004200634.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成15年11月10日(2003.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
レーザ光線（３）が出射可能な出射面（２）を有する半導体レーザ素子（１）と、
少なくともレーザ光線（３）の出射方向（Ｚ）に対して実質的に垂直な第１の方向（Ｙ）に関して前記出射面（２）から出射されるレーザ光線（３）のダイバージェンスを低減可能なコリメーティングレンズ手段（６）とを含む半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザ装置は、さらに補助物体（４）を含み、該補助物体は、半導体レーザ素子（１）とコリメーティングレンズ手段（６）とに結合手段を介して固定結合され、半導体レーザ素子（１）と補助物体（４）との熱膨張係数はほぼ等しく、および／または補助物体（４）とコリメーティングレンズ手段（６）の熱膨張係数はほぼ等しいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに詳しくは、本発明は、レーザ光線が出射可能な出射面を有する半導体レーザ素子と、
少なくともレーザ光線の出射方向に対して実質的に垂直な第１の方向に関して前記出射面から出射されるレーザ光線のダイバージェンスを低減可能なコリメーティングレンズ手段とを含む半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザ装置は、さらに補助物体を含み、該補助物体は、半導体レーザ素子とコリメーティングレンズ手段とに結合手段を介して固定結合され、半導体レーザ素子と補助物体との熱膨張係数はほぼ等しく、および／または補助物体とコリメーティングレンズ手段の熱膨張係数はほぼ等しいことを特徴とする半導体レーザ装置である。