(57)【要約】【課題】製造工程におけるステップ数の削減し、低コスト且つ高性能なフィルタ特性を有する複合フィルタを提供し、もって、デュアルモード携帯電話機の小型軽量化に寄与する。【解決手段】ＳＡＷフィルタ２２を下にし、ＭＣＦ２４を上にして直交するよう重ねてパッケージ２０に収容する。このとき、ＭＣＦ２４の圧電基板をＭＣＦ素子の形成に必要な面積より少し大きめなものとし、且つ、それに形成するＭＣＦ素子を、圧電基板の中央に設けずに、端にずらしておくことで、互いのフィルタ素子部分は重ならないよう配置されるので電気的アイソレーションが図られた複合フィルタを得ることができる。これにより、ＳＡＷフィルタとＭＣＦと振動子とを個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を大幅に縮小することができ、デュアルモード携帯電話機の小型化と低コスト化が実現する。【選択図】                  図１
2004179979.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＡＷフィルタ素子を形成した第１の圧電基板と、モノリシック・フィルタ素子を形成した第２の圧電基板とを上下に重ねて収容する複合フィルタにおいて、
前記互いのフィルタ素子部分は重ならないよう配置することで電気的アイソレーションを図ったことを特徴とする複合フィルタ。
【請求項２】
前記請求項１記載の複合フィルタにおいて、
ＳＡＷフィルタ素子を形成した矩形の第１の圧電基板を下にし、モノリシック・フィルタ素子を形成した矩形の第２の圧電基板を上にして直交するよう重ねて収容し、
且つ、前記モノリシック・フィルタ素子は矩形の第２の圧電基板長手方向の何れかの端に寄せて形成したことを特徴とする複合フィルタ。
【請求項３】
前記請求項１または２記載の何れかの複合フィルタにおいて、
前記モノリシック・フィルタ素子を形成した第２の圧電基板が凹陥型超薄板であることを特徴とする複合フィルタ。
【請求項４】
前記請求項３記載の複合フィルタにおいて、
凹陥型超薄板の薄肉部のうち前期モノリシック・フィルタ素子のエネルギー閉じ込め振動領域外にスリット部を設け、
当該凹陥型超薄板からなる第２の圧電基板の固定に際し、導電性接着剤の薄肉部への浸入を防止したことを特徴とする複合フィルタ。
【請求項５】
前記請求項１乃至４記載の何れかの複合フィルタにおいて、
前記第２の圧電基板には、モノリシック・フィルタ素子と振動子、または、２つのモノリシック・フィルタ素子を形成したことを特徴とする複合フィルタ。
【請求項６】
前記請求項１乃至５の何れかに記載の複合フィルタをＩＦフィルタとしてそれぞれ用い、通信方式の異なる複数の携帯電話システムに対応可能としたことを特徴とする携帯電話機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複合フィルタおよびこれを用いた携帯電話機に関し、特に、異なるシステムにて利用可能なデュアルモード携帯電話機を構成する上で必要とされる圧電フィルタの小型化に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話に代表される移動体通信が普及し、それぞれの国や地域、あるいはサービス提供事業者の別において異なる通信方式の移動通信システムが運用されている。また、移動通信システムの時代変遷による世代別のシステムが存在し、同一の国や地域、あるいはサービス提供事業者の中でも複数の移動通信システムが運用されている場合もある。
例えば、新しい携帯電話通信方式としてＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）方式を用いた移動通信システムが運用され始めている。これは第１世代のＦＤＭＡ（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ  ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ａｃｃｅｓｓ）や第２世代のＴＤＭＡ（Ｔｉｍｅ  ｄｉｖｉｓｉｏｎ  ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ａｃｃｅｓｓ）方式に次ぐ世代の携帯電話通信方式として位置付けられており、周波数利用効率の高い通信が可能なことから周波数不足解消の切り札としても期待されている。
【０００３】
ところで、例えば、新たにＣＤＭＡ方式（ＩＳ−９５規格）の携帯電話サービスを米国にて提供する事業者は、ＣＤＭＡによる移動通信システムだけでは広大なエリアをカバーできないため、すでに全米で広く普及しているＦＤＭＡ方式のＡＭＰＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｐｈｏｎｅ  Ｓｅｒｖｉｃｅ）との両方をサポートするデュアルモード端末を用いたサービスを行なっている。これらは何れも８００ＭＨｚ帯の無線周波数を利用したサービスである。
【０００４】
図８は、デュアルモード携帯電話機の受信回路の構成例を示すブロック図である。
この図に示す受信回路は、アンテナ４４が接続されたデュプレクサ４５と、デュプレクサ４５に接続するＲＦフィルタ４６と、ＲＦフィルタ４６の出力と第１の局部発振器４７の出力とを入力とする第１のミキサ４８と、ミキサ４８に接続する増幅器４９と、増幅器４９の出力を入力とするＣＤＭＡ用ＩＦフィルタ５０およびＡＭＰＳ用ＩＦフィルタ５１と、ＣＤＭＡ用ＩＦフィルタ５０またはＡＭＰＳ用ＩＦフィルタ５１の何れかの出力を選択切替する切替器５２と、切替器５２からの出力と第２の局部発振器５３の出力とを入力とする第２のミキサ５４と、ミキサ５４に接続する復調回路５５とを備えて構成されている。
【０００５】
この受信回路は次のように機能する。即ち、アンテナ４４にて電波信号が受信され、受信された信号はデュプレクサ４５を介してＲＦフィルタ４６に入力される。ＲＦフィルタ４６で不要波が除去された後、ミキサ４８により中間周波（ＩＦ）信号にダウンコンバートされる。次に、中間周波信号は増幅器４９にて所定のレベルに増幅された後、ＩＦフィルタ５０および５１に分配供給され、それぞれのＩＦフィルタにより所望の帯域のみ信号が通過して出力され、切替器５２が対応すべき通信方式モードに応じて一方を選択する。更に、ミキサ５４により、前記選択された信号をディジタル信号処理にて扱える周波数へダウンコンバートし、復調回路５５にて復調される。
【０００６】
ここで、ＣＤＭＡとＡＭＰＳとでは、それぞれ通信方式が異なっており、ＣＤＭＡ方式のＩＦ信号出力の帯域は１８３ＭＨｚ±０．６ＭＨｚと広帯域であるのに対し、ＡＭＰＳ方式のＩＦ信号出力の帯域は１８３ＭＨｚ±０．０１３ＭＨｚとＣＤＭＡ方式に比べて狭帯域である。何れもＩＦ信号の中心周波数は１８３ＭＨｚと同じでありながら帯域幅は大きく異なっている。したがって、各方式で使用されるＩＦフィルタの特性も異なり、デュアルモード携帯電話機を構成する場合には、ＣＤＭＡ方式のＩＦフィルタとして適した比較的広帯域な通過帯域特性を有するＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタと、ＡＭＰＳ方式のＩＦフィルタとして適した狭帯域な通過帯域特性を有するＭＣＦ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  ＣｒｙｓｔａｌＦｉｌｔｅｒ）とを、それぞれ別個に容易する必要がある。
【０００７】
例えば、ＳＡＷフィルタとしては、特開２０００−１６４７４４号に示されるようなパッケージ構造のものがあり、また、ＭＣＦとしては、特開平７−１７６９７１号に示されるようなパッケージ構造が知られている。何れも、個別のパッケージング部品として提供されることになり、上述のようなデュアルモード携帯電話機を作るにあっては、それぞれの部品を実装する面積を必要とし、小型軽量化の妨げとなっていた。
【０００８】
そこで、それぞれの方式に対応するＩＦフィルタを一つのパッケージに収めた複合フィルタが望まれており、例えば、同出願人は、特願２００１−０２２７５１号により、次の図９に示す如く２つのフィルタを一つのパッケージに納めたものを提案している。
【０００９】
図９は従来の複合フィルタの構成例を示す図であり、同図（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋と上側ＩＦフィルタ（ＳＡＷフィルタ）とを取り外した状態の平面図、（ｃ）は蓋のみ取り外した状態の平面図を示す。
この例に示す複合フィルタ１は、セラミックからなるパッケージベース２内にＭＣＦ３とＳＡＷフィルタ４を所定の隙間を開けて積層し、パッケージキャップ５により気密封止して構成される。
前記パッケージベース２は、段差収納構造になっており、下部に位置する収納部６には、バンプ８を接続部材としてフリップチップボンディング法によりＭＣＦ３が搭載される。他方、上部に位置する収納部７は、収納部６よりも収納面積が広く、この収納部７には、ボンディングワイヤ９を接続部材としてワイヤボンディング法によりＳＡＷフィルタ４が搭載される。
【００１０】
上述のＭＣＦ３とＳＡＷフィルタ４について、それぞれ図１０および図１１を用いて説明する。
まず、図１０はＭＣＦの構成例を示す図であり、同図（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図を示す。
この図に示すＭＣＦ３は、多重モード水晶フィルタとも呼ばれ、例えば、ＡＴカット水晶片からなる圧電基板１２の片面に２つ以上の分割電極１３を設け、もう一方の面に共通電極（アース電極）１４を設けて、それぞれ分割電極１３と共通電極１４間で発生させた振動エネルギーを結合することによりフィルタ特性を得るものである。具体的には、圧電基板１２の分割電極１３間は所定の隙間を開けて形成し、その反対側の面には、前記分割電極と対向するように共通電極１４を形成した構造を採る。なお、この例にあっては、凹陥部１１を有する圧電基板１２が用いられており、分割電極１３と共通電極１４の振動領域となる部分は凹陥部１１内の薄肉部に形成されている。このように凹みが形成された圧電基板は、凹陥型超薄板と呼ばれ、これは基本波モードの振動周波数が高周波の場合に対応するために工夫された形状である。つまり、例えば、ＡＴカットのような厚みすべり振動の水晶基板にあっては、周波数が高くなるにつれ厚みが薄くなってくるが、薄くなれば壊れ易くなり取扱が困難になる。そこで、水晶基板の中央部分のみエッチングによって薄くし、その周りの枠は厚さを残しておくことで強度を保ち、取扱を容易にしているのである。そして、圧電基板１２の厚肉部において、各電極から引き出された電極パッド部にそれぞれバンプ８が設けられ、該バンプ８を介してパッケージベース２に導通固定される。
【００１１】
次に、図１１はＳＡＷフィルタの構成例を示す図である。この図に示すＳＡＷフィルタ４は、所謂、トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの例であって短冊型圧電基板の片面上に２つのＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１６、１７を配置し、一方の入力用ＩＤＴ１６により励振された弾性表面波が基板の表面に沿って伝搬し、これを他方の出力用ＩＤＴ１７により検出するよう機能することで、所定のフィルタ特性を得るものである。ＩＤＴ電極のそれぞれは、２つのクシ型の電極を噛み合せたような構造を持ち、それぞれのクシ型電極はワイヤ・ボンディングによりパッケージベース２のボンディングパット１０に導通固定される。
【００１２】
即ち、従来の複合フィルタ１は、上述の如く一つのパッケージにＭＣＦとＳＡＷフィルタとからなる２つのＩＦフィルタを収納することで、部品点数の削減と実装面積の縮小が図かるのに有効な部品として、デュアルモード携帯電話機などに用いられている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の複合フィルタにおいては、以下に示すような問題点があった。つまり、その製造工程において、次のような５段階のステップ数を必要とする。まず、▲１▼ＭＣＦ３をマウントし、バンプ接合による固定がなされた後、▲２▼ＭＣＦ３について周波数調整を行なう。ＭＣＦ周波数調整工程では、モノリシックフィルタ素子を構成する電極に銀を蒸着するなどして行なわれる。そして次に、▲３▼ＳＡＷフィルタ４を接着剤１８にて接着固定した後、▲４▼ワイヤボンディングによる導通接続が行なわれる。▲５▼最後にパッケージキャップを被せて気密封止する。
【００１４】
このようなステップ数を削減しようとした場合、ＳＡＷフィルタ４を反転させ、導電性接着剤により接続固定するようにすれば、上記▲３▼および▲４▼を一括して行なうことができるが、そのようにするとＳＡＷフィルタとＭＣＦとの間で電磁的結合が生じて互いに影響し合い、フィルタ特性の劣化につながってしまう。そのため、ＳＡＷフィルタとＭＣＦとの間のクリアランスを図るために距離を離す必要が生じ、複合フィルタの高さ方向の小型化に支障きたすことになる。
【００１５】
そこで、形状の大型化を伴うことなく、製造工程におけるステップ数の削減し低コスト且つ高性能なフィルタ特性を有する複合フィルタの登場が望まれていた。
【００１６】
本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであり、デュアルモード携帯電話機の小型化に最適な複合フィルタを提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係わる複合フィルタの請求項１の発明は、ＳＡＷフィルタ素子を形成した第１の圧電基板と、モノリシック・フィルタ素子を形成した第２の圧電基板とを上下に重ねて収容する複合フィルタにおいて、
前記互いのフィルタ素子部分は重ならないよう配置することで電気的アイソレーションを図ったことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係わる複合フィルタの請求項２の発明は、前記請求項１記載の複合フィルタにおいて、ＳＡＷフィルタ素子を形成した矩形の第１の圧電基板を下にし、モノリシック・フィルタ素子を形成した矩形の第２の圧電基板を上にして直交するよう重ねて収容し、且つ、前記モノリシック・フィルタ素子は矩形の第２の圧電基板長手方向の何れかの端に寄せて形成したことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係わる複合フィルタの請求項３の発明は、前記請求項１または２記載の何れかの複合フィルタにおいて、前記モノリシック・フィルタ素子を形成した第２の圧電基板が凹陥型超薄板であることを特徴とする複合フィルタ。
【００２０】
また、本発明に係わる複合フィルタの請求項４の発明は、前記請求項３記載の複合フィルタにおいて、凹陥型超薄板の薄肉部のうち前期モノリシック・フィルタ素子のエネルギー閉じ込め振動領域外にスリット部を設け、当該凹陥型超薄板からなる第２の圧電基板の固定に際し、導電性接着剤の薄肉部への浸入を防止したことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明に係わる複合フィルタの請求項５の発明は、前記請求項１乃至４記載の何れかの複合フィルタにおいて、前記第２の圧電基板には、モノリシック・フィルタ素子と振動子、または、２つのモノリシック・フィルタ素子を形成したことを特徴とする複合フィルタ。
【００２２】
また、本発明に係る請求項６の携帯電話機の発明は、前記請求項１乃至５の何れかに記載の複合フィルタをＩＦフィルタとしてそれぞれ用い、通信方式の異なる複数の携帯電話システムに対応可能としたことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図示した実施の形態例に基づいて本発明を詳細に説明する。
図１は本発明に係わる複合フィルタの第１の実施の形態例を示す図であり、同図（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
【００２４】
この例に示す複合フィルタ１９は、段差収納構造を有するセラミックのパッケージベース２０の下部に位置する収納部２１にＳＡＷフィルタ２２を配置し、上部に位置する収納部２３にＭＣＦ２４を配置し、金属のパッケージキャップ２５により気密封止して構成する。
前記ＳＡＷフィルタ２２は、ＩＤＴ電極を形成した面を下向きにして載置され、ＩＤＴ電極と同一面に設けた４点の金属のバンプ２６を接続部材としてフリップチップボンディング法により収納部２１の内底面に設けられた接続端子に接合する。
また、前記ＭＣＦ２４は、凹陥型超薄板の凹陥部２７を上向きにして載置され、該凹陥型超薄板の一端において、ＭＣＦ素子を形成する各電極から引き伸ばされるパッド電極を導電性接着剤２８により収納部２３の内底面に設けられた接続端子に接着固定し片端支持にする。
【００２５】
上述の複合フィルタ１９の製造工程は、次のようなステップ数となる。
まず、▲１▼ＳＡＷフィルタ２２をマウントし、バンプ接合による固定がなされた後、▲２▼ＭＣＦ２４をマウントし、導電性接着剤２８にて接着固定し、▲３▼ＭＣＦ２４について周波数調整を行なう。ＭＣＦ周波数調整工程では、モノリシックフィルタ素子を構成する電極に銀を蒸着するなどして行なわれる。▲４▼最後にパッケージキャップ２５を被せて気密封止する。即ち、ステップ数は４段階で済み、従来例に比べてステップ数は低減できる。また、従来例に示したものにあっては、ＭＣＦ周波数調整工程の後にＳＡＷフィルタが搭載されていたので、ＳＡＷフィルタの有無によるＭＣＦ周波数への影響が生じる可能性があったが、本発明のものによれば、ＳＡＷフィルタ２２とＭＣＦ２４の両方を固定してからのＭＣＦ周波数調整工程となるため、それによるＭＣＦの周波数ズレがなくなる。
【００２６】
ここで、ＳＡＷフィルタ２２とＭＣＦ２４との位置関係について説明する。この例では、ＳＡＷフィルタ２２とＭＣＦ２４は共に長方形であって、互いに直交するよう配置された位置関係となっている。ＳＡＷフィルタ２２とＭＣＦ２４とでは、中心周波数が同一のフィルタ特性とした場合、原理的な差違によりＭＣＦの方がより小型でありパッケージ内の占有面積は少なくて済む。即ち、この例において特徴的な点は、ＭＣＦ２４の圧電基板をＭＣＦ素子の形成に必要な面積より少し大きめなものとし、且つ、それに形成するＭＣＦ素子を、圧電基板の中央に設けずに、端にずらしたところにある。これにより、ＳＡＷフィルタ２２とＭＣＦ２４の圧電基板同士の中心点を重ね合わせて積層したとしても、互いのフィルタ素子部分は重ならずに距離が離れるため、互いに影響し合うことなく電気的なアイソレーションが図られる。
これと同時に、ＳＡＷフィルタ２２は、ＩＤＴ電極を有する機能面を下向きにして実装されており、ＳＡＷフィルタ２２とＭＣＦ２４との間は、ＳＡＷフィルタ２２の圧電基板の厚さを挟んで隔離されるため、電気的のみならず音響的にも互いに影響し合うことを防止できる。
また、この例にあっては、ＭＣＦ２４は凹陥型超薄板の凹陥部２７を上向きにして載置したが、凹陥部２７を下向きにして載置しても良い。
【００２７】
なお、複合フィルタ１９の内部回路は、図２（ａ）乃至（ｃ）に示すように、用途に応じて平衡または不平衡の何れにすることも可能である。即ち、同図（ａ）に示すようにＳＡＷフィルタとＭＣＦを共に平衡接続としたり、（ｂ）に示すようにＳＡＷフィルタを平衡接続にし、ＭＣＦを不平衡接続としたり、或いは（ｃ）に示すようにＳＡＷフィルタとＭＣＦを共に不平衡接続とすることは自由である。
【００２８】
このように第１の実施の形態例の如く構成した複合フィルタ１９は、形状の大型化を伴うことなく、製造工程におけるステップ数の削減し低コスト且つ高性能なフィルタ特性を有するものとなる。そして、この複合フィルタ１９をＣＤＭＡとＡＭＰＳの両方の通信方式に対応するデュアルモード携帯電話機に実装し、ＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとしてＳＡＷフィルタ２２を用い、ＡＭＰＳ用ＩＦフィルタとしてＭＣＦ２４を用いた場合には、ＳＡＷフィルタとＭＣＦとを個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を大幅に縮小することができ、デュアルモード携帯電話機の小型化と低コスト化に寄与する。
【００２９】
次に図３は、本発明に係る複合フィルタの第２の実施の形態例を示す図であり、同図（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
なお、上述の図１に示したものと同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。即ち、この図に示す複合フィルタ２９は、２つの凹陥部３０、３１を有するＭＣＦ３２を用いている。
【００３０】
前記ＭＣＦ２９は、同図（ｂ）に示すように、長方形の圧電基板の長手方向両側に設けた凹陥部３０と凹陥部３１とに、それぞれＭＣＦ素子３３と振動子３４を形成したものである。ＭＣＦ２９の固定は、圧電基板の凹陥部３０側の端部にてＭＣＦ素子３３の３極を導電性接着剤２８にて接着固定し、他方、圧電基板の凹陥部３１側の端部にて振動子３４の２極を導電性接着剤２８にて接着固定する。
【００３１】
つまり、上述した第１の実施の形態例では、下部に位置するＳＡＷフィルタ２２とのアイソレーションのために、ＭＣＦ２４の圧電基板をＭＣＦ素子の形成に必要な面積よりも大きくしておき、ＭＣＦ素子を圧電基板の中央を避けて端にずらしているのだが、圧電基板を大きくした分の面積について、更に有効に利用するのである。そこで、１枚の圧電基板上にＭＣＦ素子３３と振動子３４を形成したＭＣＦ３２を収納部２３に収納して複合フィルタ２９を構成する。
【００３２】
この場合、複合フィルタ２９の内部回路は、例えば、図７（ａ）に示すように、振動子とＳＡＷフィルタとＭＣＦとを内蔵したものとなる。そして、この複合フィルタ２９を、ＣＤＭＡとＡＭＰＳの両方の通信方式に対応するデュアルモード携帯電話機に実装し、ＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとしてＳＡＷフィルタ２２を用い、ＡＭＰＳ用ＩＦフィルタとしてＭＣＦ３２のＭＣＦ素子３３を用い、更に、ＩＦ周端数からダウンコンバートする際の第２の局部発振器（２ｎｄ−Ｌｏ  ＯＳＣ）の周波数源としてＭＣＦ３２の振動子３４を用いた場合には、ＳＡＷフィルタとＭＣＦと振動子とを個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を大幅に縮小することができ、デュアルモード携帯電話機の小型化と低コスト化に寄与する。
【００３３】
ところで、上述の図３に示した複合フィルタ２９のＭＣＦ３２を、凹陥部を形成した面を上にしてパッケージベース２０の収納部２３に導電性接着剤２８にて接着固定するにあたり、次の図４（ａ）に示すようにＭＣＦ素子３３の共通電極の固定部分において、導電性接着剤２８が圧電基板の薄肉部（凹陥部範囲内）に張り出して固着（図中のＡに示す部分）される場合がある。
このように薄肉部へ導電性接着剤２８が付着して個化すると、その歪によりＭＣＦ素子３３のフィルタ特性へ影響して特性劣化に繋がってしまう。また、衝撃が加わった時、当該薄肉部が破損し易くなる。
【００３４】
そこで、これを防止するための工夫を施すことが望ましい。図４（ｂ）に示す工夫例では、凹陥部内の薄肉部におけるＭＣＦ素子の振動領域の外側に、スリット（細長い貫通孔）３５を設け、導電性接着剤２８が薄肉部へ浸入することを防止している。この図４（ｂ）に示したスリット３５を設けたＭＣＦを用いた場合の複合フィルタの構造について次の図５に示す。
【００３５】
図５は、本発明に係る複合フィルタの第３の実施の形態例を示す図であり、同図（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
なお、上述の図３に示したものと同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。即ち、この図に示す複合フィルタ３６は、凹陥部３０内にスリット３５を形成したＭＣＦ３７を用いている。
【００３６】
前記ＭＣＦ３７は同図（ｂ）に示すように、ＭＣＦ素子３８が形成された凹陥部３０の薄肉範囲内において、ＭＣＦ素子３８の共通電極の固定端側にスリット３５を設けたものである。共通電極は、このスリット３５を迂回したパターンの引き回しを行ない、圧電基板の端部にて導電接着剤２８により接着固定する。
【００３７】
このように構成すれば、導電性接着剤２８はスリット３５に阻まれて薄肉部へ浸入することがなくなるので、１枚の圧電基板上にＭＣＦ素子３８と振動子３４を形成したＭＣＦ３７を用いたとしても、ＭＣＦのフィルタ特性の劣化や、耐衝撃性の低下を防止することができる。
【００３８】
次に、図６は本発明に係る複合フィルタの第４の実施の形態例を示す図あであり、同図（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
なお、上述の図５に示したものと同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略する。即ち、この図に示す複合フィルタ３９は、２つの凹陥部３０、３１の夫々にＭＣＦ素子３８と４２を設けたＭＣＦ４１を用いている。
【００３９】
前記ＭＣＦ４１は、１枚の圧電基板上に２つのＭＣＦ素子３８と４２とを対称的に配置したものである。これらＭＣＦ素子が形成される凹陥部３０、３１の薄肉部には、それぞれスリット３５とスリット４０とが設けられている。このスリット３５とスリット４０は、導電性接着剤２８が薄肉部へ浸入するのを防止するためのものである。更に、ＭＣＦ４１は、２つのＭＣＦ素子３８と４２との間の厚肉部において、略Ｈ型のスリット４３が形成されている。このスリット４３は、２つのＭＣＦ素子３８と４２の音響的結合を防止し、且つ、ＭＣＦ４１とパッケージベース２０とにおける熱膨張係数の差違による温度変化時の歪ストレスの緩和作用として機能する。
【００４０】
この例に示す複合フィルタ３９の内部回路は、例えば図７（ｂ）に示すように、２つのＭＣＦとＳＡＷフィルタとを内蔵したものとなる。そして、複合フィルタ３９を、ＣＤＭＡとＡＭＰＳ方式に加え、更に、例えば、ヨーロッパで普及しているＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）、あるいは、日本で普及しているＰＤＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ）等の通信方式にも対応したトリプルモード携帯電話機に実装し、ＣＤＭＡ用ＩＦフィルタとしてＳＡＷフィルタ２２を用い、ＡＭＰＳ用ＩＦフィルタとしてＭＣＦ４１のＭＣＦ素子３８を用い、ＧＳＭ又はＰＤＣ用ＩＦフィルタとしてＭＣＦ４１のＭＣＦ素子４２を用いれば、各フィルタを個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を大幅に縮小することができ、国際ローミングサービスに適したトリプルモード携帯電話機の小型化と低コスト化に寄与する。
【００４１】
ところで、一般に、２つの分割電極と一つの共通電極で構成するようなモノリシック・フィルタ素子を２ポールと呼ぶ。また、フィルタ特性を急峻なものとするために、２ポールのフィルタ素子を複数個多段接続（カスケード接続）して構成することも行なわれている。そのため、２ポールフィルタ素子を２個多段接続したものは４ポールとなり、同様に３個とすれば６ポールとなる。
つまり、この図に示したＭＣＦ４１のＭＣＦ素子３８と４２とを多段接続すれば、減衰傾度が急峻なフィルタ特性が得られ、ＡＭＰＳ用ＩＦフィルタとして、より高性能なものを得ることもできる。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明に係わる複合フィルタは、一つのパッケージにＭＣＦとＳＡＷフィルタとからなる二つ以上のフィルタ素子を上下に重ねて積層収容するにあたり、互いのフィルタ素子部分は重ならないよう配置してアイソレーションをしつつ、製造工程におけるステップ数を低減した、低コスト且つ高性能なフィルタ素子を得ることができる。そして、この複合フィルタを用いて形態電話機を構成すれば、小型かつ高性能なデュアルモード携帯電話機を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る複合フィルタの第１の実施の形態例を示す図である。（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
【図２】図１に示す複合フィルタの内部回路例を示す図であり、（ａ）〜（ｃ）はＳＡＷフィルタおよびＭＣＦの接続構成を示す。
【図３】本発明に係る複合フィルタの第２の実施の形態例を示す図である。（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
【図４】（ａ）は薄肉部への導電性接着剤の浸入の場面を示す図であり、（ｂ）はスリット形成による浸入防止の場面を示す図である。
【図５】本発明に係る複合フィルタの第３の実施の形態例を示す図である。（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
【図６】本発明に係る複合フィルタの第４の実施の形態例を示す図である。（ａ）は側面断面図、（ｂ）は蓋を取り外した状態の平面図である。
【図７】（ａ）は図３および図５に示す複合フィルタの内部回路例を示す図であり、（ｂ）は図６に示す複合フィルタの内部回路例を示す図である。
【図８】デュアルモード携帯電話機の受信回路の構成例を示す機能ブロック図である。
【図９】従来の複合フィルタの構成例を示す（ａ）側面断面図、（ｂ）蓋とＳＡＷフィルタを取り外した状態の平面図、（ｃ）蓋のみ取り外した状態の平面図である。
【図１０】ＭＣＦの構成例を示す（ａ）側面断面図、（ｂ）底面図である。
【図１１】ＳＡＷフィルタの構成例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１・・・複合フィルタ
２・・・パッケージベース
３・・・ＭＣＦ（モノリシック・クリスタル・フィルタ）
４・・・ＳＡＷフィルタ
５・・・パッケージキャップ
６、７・・・収納部
８・・・バンプ
９・・・ボンディング・ワイヤ
１０・・・ボンディング・パッド
１１・・・凹陥部
１２・・・圧電基板
１３・・・分割電極
１４・・・共通電極
１５・・・圧電基板
１６・・・ＩＤＴ電極（入力）
１７・・・ＩＤＴ電極（出力）
１８・・・接着剤
１９・・・複合フィルタ
２０・・・パッケージベース
２１・・・収納部
２２・・・ＳＡＷフィルタ
２３・・・収納部
２４・・・ＭＣＦ
２５・・・パッケージキャップ
２６・・・バンプ
２７・・・凹陥部
２８・・・導電性接着剤
２９・・・複合フィルタ
３０・・・凹陥部
３１・・・凹陥部
３２・・・ＭＣＦ
３３・・・ＭＣＦ素子
３４・・・振動子
３５・・・スリット
３６・・・複合フィルタ
３７・・・ＭＣＦ
３８・・・ＭＣＦ素子
３９・・・複合フィルタ
４０・・・スリット
４１・・・ＭＣＦ
４２・・・ＭＣＦ素子
４３・・・スリット
４４・・・アンテナ
４５・・・デュプレクサ
４６・・・ＲＦフィルタ
４７・・・１ｓｔ  Ｌｏ  ＯＳＣ（第１の局部発振器）
４８・・・第１のミキサ
４９・・・増幅器
５０・・・ＩＦフィルタ（ＣＤＭＡ用ＳＡＷフィルタ）
５１・・・ＩＦフィルタ（ＡＭＰＳ用ＭＣＦ）
５２・・・切替器
５３・・・２ｎｄ  Ｌｏ  ＯＳＣ（第２の局部発振器）
５４・・・第２のミキサ
５５・・・復調回路
【図１】
2004179979.tif 000003
【図２】
2004179979.tif 000004
【図３】
2004179979.tif 000005
【図４】
2004179979.tif 000006
【図５】
2004179979.tif 000007
【図６】
2004179979.tif 000008
【図７】
2004179979.tif 000009
【図８】
2004179979.tif 000010
【図９】
2004179979.tif 000011
【図１０】
2004179979.tif 000012
【図１１】
2004179979.tif 000013