(57)【要約】【課題】光半導体素子を高い位置決め精度で光素子実装基板へ確実に実装することができる光半導体素子の実装方法を提供する。【解決手段】所定の構造物及び位置合わせ用の位置マーカ１ａを一の面に有する同一ロットで製造された複数の光半導体素子１Ｂと、前記光半導体素子１Ｂが実装される他の面を有する光素子実装基板２とを用意し、前記光半導体素子１Ｂを前記光素子実装基板２にジャンクションダウン方式で実装する光半導体素子の実装方法であって、前記位置マーカ１ａに代える代替マーカ１ｃ１，１ｃ２を前記構造物の中から少なくとも一つ選定し、前記代替マーカ１ｃ１，１ｃ２を利用して前記光半導体素子１Ｂを前記光素子実装基板２に実装することを特徴とする光半導体素子の実装方法。【選択図】　　　図１
2004056055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の構造物及び位置合わせ用の位置マーカを一の面に有する同一ロットで製造された複数の光半導体素子と、前記光半導体素子が実装される他の面を有する光素子実装基板とを用意し、
前記一の面及び前記他の面の画像を画像処理して、前記一の面に含まれる第１の基準点及び前記他の面に含まれる第２の基準点の位置を算出し、
前記一の面及び前記他の面に沿う方向にて前記第１の基準点と前記第２の基準点とが一致するよう位置合わせして、前記光半導体素子を前記光素子実装基板にジャンクションダウン方式で実装する光半導体素子の実装方法であって、
前記位置マーカに代える代替マーカを前記構造物の中から少なくとも一つ選定し、
前記代替マーカを利用して前記第１の基準点と前記第２の基準点とを一致させることを特徴とする光半導体素子の実装方法。
【請求項２】
前記複数の光半導体素子のうち少なくとも一つの光半導体素子にて、前記位置マーカに代える代替マーカを前記所定の構造物から選定し、前記代替マーカと前記位置マーカとの間の相対位置を求めて相対位置データとして記憶し、
前記少なくとも一つの光半導体素子以外の前記光半導体素子を前記光素子実装基板に実装する際に、前記代替マーカを認識するよう前記一の面の画像を画像処理し、この画像処理結果及び記憶した前記相対位置データに基づき前記第１の基準点の位置を算出する請求項１の光半導体素子の実装方法。
【請求項３】
前記光半導体素子の位置マーカはＶ字溝マーカである請求項１または２の光半導体素子の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光素子実装基板への光半導体素子の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種の光半導体素子は、光の入射端面または出射端面に、光ファイバまたは光導波路等の光部品が光学的に結合され、モジュール化され使用される。その場合、光半導体素子と光部品との光軸を一致させることが必要である。
【０００３】
とくに、半導体レーザ素子（ＬＤ）や導波路型ホトダイオード（ＷＧ−ＰＤ）のような光半導体素子に光ファイバなどを光学的に結合する場合には、軸心調整は互いの位置ずれを±１μｍ度以下の精度に制御することが必要である。
【０００４】
従来、上記した軸心調整は次のようにして行われている。すなわち、例えば半導体レーザ素子の出射端面に光ファイバの端面を対向させた状態で当該半導体レーザ素子を発光させ、光ファイバからの出力光をモニタリングし、その光出力が最大となった位置で光軸の一致が実現したものとし、その位置で両者を固定する。
しかしながら、この方法による軸心調整は、作業がきわめて煩雑であり、モジュールの低コスト化および大量生産化を図るという点で限界がある。
【０００５】
そのため、最近ではパッシブアライメント方式と呼ばれる、次のような方法の開発・実用化が進められている。すなわち、光半導体素子と、それを実装するための光素子実装用基板との間の位置関係を高精度で決定し、同時に、光素子実装用基板と光部品との間の位置関係も高精度で決定する。そのことにより、光半導体素子を発光させなくても、光半導体素子と光部品とは、光素子実装基板を媒介にして光学的に結合される。
【０００６】
そして、パッシブアライメント方式で互いに固定される光半導体素子と光素子実装基板の双方には、それらの間の位置関係を決定するための位置合わせ用マーカが高精度に刻設されている。
【０００７】
位置合わせ用マーカが形成されている光半導体素子としては、例えば特開平７−５０４４９号が開示する半導体レーザ素子がある。この半導体レーザ素子１’においては、図２に示したように、半導体レーザ素子１’の長さ方向に延びる２つの互いに平行なメサが、長さ方向と直交する幅方向に所定の間隔をおいて基板上に形成されている。この２つのメサは、半導体レーザ素子１’を製造する過程において同一のエッチング工程で形成されるので、メサ同士の中心距離は高精度に決定されている。そして、一方のメサはレーザ光を発振する活性層１ｂ’を含み、他方のメサの直上部にＶ字溝マーカ１ａ’が形成されている。したがって、Ｖ字溝マーカ１ａ’と活性層１ｂ’との間の幅方向での中心距離Ｘ０’はメサ同士の中心距離と等しくなるため、Ｖ字溝マーカ１ａ’を位置合わせ用マーカとして利用することができる。なお、Ｖ字溝マーカ１ａ’は、一方のメサを結晶成長法により半導体材料で埋め込むときに、他方のメサ上面にのみ誘電体層を残しておくことで、そのメサ直上部における半導体層の成長を抑制することにより形成される。
【０００８】
一方、位置合わせ用マーカが形成された光素子実装基板としては、例えば図３に示した光素子実装基板２が挙げられる。この光素子実装基板２には、二つのＶ字溝マーカ２ａ，２ａが表面に形成されており、これらのＶ字溝マーカ２ａ，２ａは、それぞれ光素子実装基板２の長さ方向に延び、かつ幅方向に所定の間隔で形成されている。
【０００９】
例えば、図２で示した半導体レーザ素子１’を、図３で示した光素子実装基板２へ実装する工程を、半導体レーザ素子１’の変形例である、図４に示した半導体レーザ素子１Ａの場合について具体的に説明する。
【００１０】
まず、図５に示したように、所定の間隔で配置された２台の位置確認用カメラ３ａ，３ｂで、半導体レーザ素子１Ａと、光素子実装基板２の表面をそれぞれ撮像する。
【００１１】
次に、図示しない画像処理手段を用いて、得られた画像を、例えばパターンマッチング法等の画像処理法で処理する。この処理によって、図４に示したように、半導体レーザ素子１ＡのＶ字溝マーカ１ａの中心線と、例えば、半導体レーザ素子１Ａの角部の表面に位置する電極の端辺を幅方向に延ばした線ｈ１，ｈ２との交点を、それぞれ、Ｖ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２として認識する。そして、画像処理手段は、認識したＶ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２の位置座標に基づき、光素子実装基板２に対して半導体レーザ素子１Ａを位置合わせするために使用される、半導体レーザ素子１Ａ側の基準点Ａｃの位置を算出する。
【００１２】
また、画像処理手段は、光素子実装基板２の二つのＶ字溝マーカ２ａ，２ａをそれぞれ認識した後に、図３に示したように、これらのＶ字溝マーカ２ａ，２ａの位置座標に基づいて、光素子実装基板２に対して半導体レーザ素子１Ａを位置合わせするために用いられる光素子実装基板２側の基準点Ｂｃの位置を算出する。
【００１３】
次に、画像処理手段は、図５に示したように、半導体レーザ素子１Ａ側の基準点Ａｃと、光素子実装基板２側の基準点Ｂｃとの間の間隔Ｌを求める。なお、図５においては説明を簡単にするために、水平面内での半導体レーザ素子１Ａと光素子実装基板２の角度ズレが無い状態を記載している。
【００１４】
そして、画像処理手段は間隔Ｌに応じて移動手段（図示しない）を駆動して、半導体レーザ素子１Ａを光素子実装基板２の上に移動させ、図６に示したように、半導体レーザ素子１Ａの基準点Ａｃと光素子実装基板２の基準点Ｂｃとが水平面内で一致するように位置合わせし、その後半導体レーザ素子１Ａと光素子実装基板２とが互いに固定される。
【００１５】
かくして、半導体レーザ素子１Ａは高精度に光素子実装基板２へ実装されると同時に、Ｖ字溝マーカ１ａから幅方向に所定距離Ｘ０だけ離れている半導体レーザ素子１Ａの活性層１ｂも、光素子実装基板２上の所定位置に配置される。
【００１６】
なお、光半導体素子を光素子実装基板へと実装する場合、実装される光半導体素子の表面と裏面のうち、表面側を下にして実装用基板に実装する、いわゆるジャンクションダウン方式による実装が一般に採用されている。
【００１７】
その理由は、光半導体素子の裏面は、たとえ研磨処理が施されているとはいえ、その表面粗さの精度が±１０μｍ程度であるのに対し、気相エピタキシャル成長法で半導体の積層構造として形成されている表面の場合は、各半導体層の厚み精度が±０．１μｍ程度に制御されているので、光半導体素子における受・発光部である活性層の高さを位置決めする基準面としては、この表面側の方が優れており、高さ方向における位置決め精度を高めることができるからである。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した半導体レーザ素子の場合、図７（ｃ）に示したように、Ｖ字溝マーカ１ａの近傍に、Ｖ字溝マーカ１ａに沿って幅および高さが不均一な凸部が発生することがある。
【００１９】
このような凸部が発生した光半導体素子１Ｂの表面を撮像すると、その画像においては、図７（ａ）に示したようにＶ字溝マーカ１ａの境界は不規則に蛇行して見える。画像処理手段がこのような画像においてＶ字溝マーカ１ａを認識する場合、Ｖ字溝マーカ１ａの中央の位置を正確に求めることが困難なため、Ｖ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２を正確に決定することができずに半導体レーザ素子１Ｂの位置決め精度が悪化するという問題がある。そして最悪の場合、画像処理手段がＶ字溝マーカ１ａを認識することができず、実装装置が異常停止することもある。
【００２０】
本発明は、上記した問題を解決し、光半導体素子を高い位置決め精度で光素子実装基板へ確実に実装することができる光半導体素子の実装方法の提供を目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、上記した目的を達成するために、所定の構造物及び位置合わせ用の位置マーカを一の面に有する同一ロットで製造された複数の光半導体素子と、前記光半導体素子が実装される他の面を有する光素子実装基板とを用意し、前記一の面及び前記他の面の画像を画像処理して、前記一の面に含まれる第１の基準点及び前記他の面に含まれる第２の基準点の位置を算出し、前記一の面及び前記他の面に沿う方向にて前記第１の基準点と前記第２の基準点とが一致するよう位置合わせして、前記光半導体素子を前記光素子実装基板にジャンクションダウン方式で実装する光半導体素子の実装方法であって、前記位置マーカに代える代替マーカを前記構造物の中から少なくとも一つ選定し、前記代替マーカを利用して前記第１の基準点と前記第２の基準点とを一致させることを特徴とする光半導体素子の実装方法が提供される（請求項１）。
【００２２】
具体的な態様として、前記複数の光半導体素子のうち少なくとも一つの光半導体素子にて、前記位置マーカに代える代替マーカを前記所定の構造物から選定し、前記代替マーカと前記位置マーカとの間の相対位置を求めて相対位置データとして記憶し、前記少なくとも一つの光半導体素子以外の前記光半導体素子を前記光素子実装基板に実装する際に、前記代替マーカを認識するよう前記一の面の画像を画像処理し、この画像処理結果及び記憶した前記相対位置データに基づき前記第１の基準点の位置を算出する（請求項２）。
また、前記光半導体素子の位置マーカとしてはＶ字溝マーカがあげられる（請求項３）。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る光半導体素子の実装方法を図面に則して説明する。
まず、光半導体素子として、同一プロセスで一括製造された同一ロットの複数の半導体レーザ素子１Ｂを用意し、またこれら半導体レーザ素子１Ｂが実装される光素子実装基板２を用意する。
【００２４】
各半導体レーザ素子１Ｂは活性層１ｂを含み、活性層１ｂは半導体レーザ素子１Ｂの表面から所定の高さに高精度にて位置付けられている。また、半導体レーザ素子１Ｂの表面には、幅方向にみたときに活性層１ｂに対して高精度に位置付けられている位置合わせ用の位置マーカとしてＶ字溝マーカ１ａが形成されている（図７（ｂ）参照）。
【００２５】
このＶ字溝マーカ１ａの近傍には、Ｖ字溝マーカ１ａに沿って幅および高さが不均一な凸部が発生している（図７（ｃ）参照）。そして、このＶ字溝マーカ１ａが形成された半導体レーザ素子１Ｂの表面（以下、単にレーザ素子表面という）には、半導体レーザ素子１Ｂが所定の機能を発揮するために必要な、例えば電極やトレンチ等の所定の構造物も形成されている。
【００２６】
光素子実装基板２の半導体レーザ素子１Ｂが実装される表面（以下、単に実装面と言う）の所定位置には、位置合わせ用のＶ字溝マーカ２ａ，２ａが形成されている。これらＶ字溝マーカ２ａ，２ａは、互いに幅方向に所定距離だけ離隔し、また、それぞれ長手方向に所定の長さを有する（図３参照）。
【００２７】
次に、用意された複数の半導体レーザ素子１Ｂのうち最初に実装されるものを、図１に示したように、レーザ素子表面をカメラ３ａによる撮影位置に位置付けながらカメラ３ａに対向させる一方、この半導体レーザ素子１Ｂが実装される光素子実装基板２を実装面をカメラ３ｂによる撮影位置に位置付けながらカメラ３ｂに対向させる。ここで、カメラ３ａは上方を向き、カメラ３ｂは下方を向いている。また、これらカメラ３ａ，３ｂは水平方向に所定距離だけ離隔して固定されている。そして、これらカメラ３ａ，３ｂが離隔している水平方向に、半導体レーザ素子１Ｂ及び光素子実装基板２はそれらの幅方向が沿うように配置されている。
【００２８】
かくして撮影位置に配置されたレーザ素子表面及び実装面を、カメラ３ａ，３ｂが撮像する。そして、図示しない画像処理手段は、実装面の画像を、例えばパターンマッチング法等の画像処理法で処理することにより、光素子実装基板２の二つのＶ字溝マーカ２ａ，２ａを認識し、これらＶ字溝マーカ２ａ，２ａの位置座標に基づき、Ｖ字溝マーカ２ａ，２ａの長手方向の中心から光素子実装基板２の幅方向に所定距離だけ離れ、実装面に含まれる基準点Ｂｃの位置を算出する。
【００２９】
また、画像処理手段は、図示しない画像表示手段にレーザ素子表面の画像を表示する。画像処理法ではＶ字溝マーカ１ａを高精度に認識することは困難であることから、オペレータは、表示されたレーザ素子表面の画像において、Ｖ字溝マーカ１ａを視覚により認識して画像上にて指すことによって、画像処理手段にＶ字溝マーカ１ａの位置座標を入力する。
【００３０】
より具体的には、オペレータはＶ字溝マーカ１ａの中心線と、例えば、レーザ素子表面の角部に位置する電極の端辺を幅方向に延ばした線ｈ１，ｈ２との交点を、それぞれ、Ｖ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２として指して画像処理手段に認識させる。
そして、画像処理手段は、認識したＶ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２の位置座標に基づき、レーザ素子表面に含まれる基準点Ａｃの位置を算出する。
【００３１】
なお、光素子実装基板２側の基準点Ｂｃの実装面における位置及び半導体レーザ素子１Ｂ側の基準点Ａｃのレーザ素子表面における位置は、半導体レーザ素子１Ｂと、光素子実装基板２に位置合わせされ、半導体レーザ素子１Ｂに光学的に結合される光部品との間における相対位置関係を考慮した上で、適宜設定することができる。例えば、この基準点Ａｃは、半導体レーザ素子１Ｂの略中央に設定される。
【００３２】
更に、オペレータは、表示された半導体レーザ素子１Ｂの画像において、その表面に形成されている構造物の中から、例えばＶ字溝マーカ１ａとは活性層１ｂを挟んで反対側に位置する２つの電極の角部を指すことによって、これら２つの電極の角部をＶ字溝マーカ１ａに代える代替マーカ１ｃ１，１ｃ２として選定し、かつ、これらの代替マーカ１ｃ１，１ｃ２を画像処理手段に登録する。
【００３３】
ここで、画像処理手段は、代替マーカ１ｃ１，１ｃ２の登録に伴って、代替マーカ１ｃ１とＶ字溝マーカポイント１ａ１との間、および代替マーカ１ｃ２とＶ字溝マーカポイント１ａ２との間の相対位置関係、すなわち幅方向及び長さ方向の間隔をそれぞれ算出してそれらを相対位置データとして記憶する。
【００３４】
かくして、半導体レーザ素子１Ｂ側の基準点Ａｃの位置と、光素子実装基板２側の基準点Ｂｃの位置とが算出された後に、画像処理手段は、図１に示したように、半導体レーザ素子１Ｂ側の基準点Ａｃと、光素子実装基板２側の基準点Ｂｃとの間の相対位置関係として間隔Ｌを求める。
ただし、図１においては半導体レーザ素子１Ｂと光素子実装基板２の角度ずれが無い状態を示している。
【００３５】
そして、画像処理手段は、図１に示したように、間隔Ｌに基づいて、基準点Ａｃと基準点Ｂｃとが、レーザ素子表面及び実装面に沿う方向、換言すれば幅方向にみて互いに一致するように、図示しない移動手段を駆動する。そして、図６に示したように、光素子実装基板２の所定位置に半導体レーザ素子１Ｂが位置決めされたところで、所定圧力で半導体レーザ素子１Ｂを光素子実装基板２へ押し付けながら光素子実装基板２を加熱する。これにより、半導体レーザ素子１Ｂは、例えば予めその表面に形成されていた図示しない半田層を介して光素子実装基板２へ固定される。
【００３６】
かくして、最初の半導体レーザ素子１Ｂが光素子実装基板２にジャンクションダウン方式で実装された後に、残りの半導体レーザ素子１Ｂが、以下のようにして光素子実装基板２へ順次実装される。
【００３７】
まず、半導体レーザ素子１Ｂ及び光素子実装基板２がカメラ３ａ，３ｂに対向するよう配置され、カメラ３ａ，３ｂが半導体レーザ素子１Ｂのレーザ素子表面の画像及び光素子実装基板２の実装面の画像を撮影する。
次いで、画像処理手段は、光素子実装基板２の画像上にＶ字溝マーカ２ａ，２ａを認識し、それに基づいて基準点Ｂｃを算出する。
【００３８】
その一方において、画像処理手段は、図１に示したように、最初の半導体レーザ素子１Ｂの実装時に登録された代替マーカ１ｃ１，１ｃ２を、実装中の半導体レーザ素子１Ｂの画像上において画像処理法により認識してその位置座標を求め、この求められた代替マーカ１ｃ１，１ｃ２の位置座標と、最初の半導体レーザ素子１Ｂの実装時に記憶した代替マーカ１ｃ１，１ｃ２とＶ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２との間の相対位置データとに基づき、実装中の半導体レーザ素子１Ｂの表面に含まれる基準点Ａｃの位置を算出する。
【００３９】
そして、画像処理手段は、基準点Ａｃと基準点Ｂｃとの間の間隔Ｌを算出し、この間隔Ｌに応じて駆動手段を駆動する。これによって、半導体レーザ素子１Ｂと光素子実装基板２とは、基準点Ａｃと基準点Ｂｃとがレーザ素子表面及び実装面に沿う方向にみて一致するよう互いに位置合わせされる。
かくして位置あわせされた後、最初の半導体レーザ素子１Ｂの実装の場合と同様にして、半導体レーザ素子１Ｂは光素子実装基板２に固定・実装される。
【００４０】
すなわち、残りの半導体レーザ素子１Ｂを実装する際には、最初の半導体レーザ素子１Ｂの場合と比較して、オペレータによるＶ字溝マーカ１ａの認識、並びに代替マーカ１ｃ１，１ｃ２の選定およびその画像処理手段への登録が省略されている。更に画像処理手段については、代替マーカ１ｃ１，１ｃ２とＶ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２との間の相対位置関係の算出が省略されている。
【００４１】
代替マーカと活性層との間における相対位置精度は、Ｖ字溝マーカと活性層との間における相対位置精度には遠く及ばない。しかしながら、同一ロットで製造された光半導体素子の間では、電極やトレンチ等の構造物と、Ｖ字溝マーカ、したがって活性層との間の相対位置はほぼ一定である。したがって、同一ロットの複数の光半導体素子を実装する際には、少なくとも一つの光半導体素子について代替マーカとＶ字溝マーカとの相対位置を求めれば、それを残りの光半導体素子にもあてはめることができる。
【００４２】
そのゆえ、上記した光半導体素子の実装方法によれば、Ｖ字溝マーカ１ａの代わりに半導体レーザ素子１Ｂの表面に形成されている構造物を代替マーカ１ｃ１，１ｃ２として選定して利用することによって、Ｖ字溝マーカ１ａの近傍に凸部が発生した場合でも、半導体レーザ素子１Ｂの基準点Ａｃを、光素子実装基板２の基準点Ｂｃへ高い精度にて位置決めできる。
【００４３】
そして、上記した光半導体素子の実装方法によって光半導体素子が実装された光素子実装基板２に対して、光ファイバなどの光部品が高い位置決め精度で設計通りに位置決めされた場合、光半導体素子と、光ファイバとの間は光学的に良好に結合される。
【００４４】
また上記したように、上記した実施形態例によれば、複数の光半導体素子を実装する際に、オペレータは最初の光半導体素子を実装するときだけ作業すればよく、全ての光半導体素子のＶ字溝マーカを画像処理法によって認識した場合と比較しても、オペレータの作業量の増加は僅かであり、短時間で全ての光半導体素子の実装を行なうことができる。
【００４５】
なお、本発明は種々変形が可能であって、例えば上記した実施形態例において、光素子実装基板に発光素子である半導体レーザ素子を実装したが、受光素子であってもよいのは勿論である。
【００４６】
また、例えば上記した実施形態例において、実装された光半導体素子は、例えば図２，４，７に示したように、代替マーカとなる構造物と位置合わせ用のＶ字溝マーカが表面に形成されている他は格段限定されるものではない。また、光半導体素子が実装される光素子実装基板も、例えば図３に示したように、位置合わせ用のＶ字溝マーカが表面に形成されている他は格段限定されるものではない。
【００４７】
そして、代替マーカとして選定される構造物は、光学的に識別可能であれば格段限定されるものではない。このような構造物としては、光半導体素子に所要の機能を付与するために形成された、例えば電極やトレンチなどを挙げることができる。
【００４８】
また、選定される代替マーカの数は少なくとも一つあれば良いが、代替マーカとして電極の角部などの一次元で規定される箇所を選定した場合には、光半導体素子と光素子実装基板との間の位置関係に回転の自由度が残らないように、上記実施形態例の様に代替マーカを２点以上選定し、それぞれの代替マーカを利用して光半導体素子と光素子実装基板との間の位置合わせを行なうのが好ましい。なお、２次元で規定される線状の箇所を代替マーカとして選定したときには、その数は一つであっても良いのはもちろんである。
【００４９】
なお、上記した実施形態においては、光素子実装基板への光半導体素子の位置決め精度を高めるために、いくつかの光半導体素子において代替マーカとＶ字溝マーカとの間隔を測定し、それらの平均値を画像処理手段へ入力するのが好ましい。
【００５０】
実施例１
図７に示した形状を有する、外形寸法が、幅２５０μｍ，長さ３００μｍ，厚み１３０μｍであり、活性層１ｂとＶ字溝マーカ１ａとの間の幅方向での中心距離Ｘ０が５０μｍである半導体レーザ素子１Ｂを２０個用意した。また、図３に示した形状を有する、外形寸法が、幅２．４ｍｍ，長さ１．５ｍｍ，厚み１．０ｍｍであり上面に幅１０μｍ，長さ３５μｍ，深さ１０μｍのＶ字溝マーカ２ａが二つ、中心距離３０μｍで互いに平行に形成されている光素子実装基板２を２０個用意した。
【００５１】
そして、図１に示したように、カメラ３ａ，３ｂで、最初に実装される半導体レーザ素子１Ｂ、および光素子実装基板２の表面をそれぞれ撮像した。オペレータは、図示しない画像処理手段が画像表示手段に表示した半導体レーザ素子１Ｂの画像において、図７に示したように、Ｖ字溝マーカポイント１ａ１，１ａ２に代える代替マーカ１ｃ１，１ｃ２として電極の角部を二つ選定し、これらを画像処理手段に登録した。更に、オペレータは、Ｖ字溝マーカポイント１ａ１と代替マーカ１ｃ１との間及びＶ字溝マーカポイント１ａ２と代替マーカ１ｃ２との間の間隔を測定し、測定した値を画像処理手段に入力した。このときの間隔は、それぞれ半導体レーザ素子１Ｂの幅方向および長さ方向でそれぞれ８５μｍ，１５μｍであった。
【００５２】
一方、画像処理手段は、光素子実装基板２の画像を処理することによりＶ字溝マーカ２ａ，２ａを認識し、それに基づき基準点Ｂｃの位置を算出した。
そして、画像処理手段は、基準点Ａｃと基準点Ｂｃのとの間の間隔Ｌを算出した。画像処理手段は、この算出した結果に基づき駆動手段を介して、基準点Ａｃ，Ｂｃを互いに位置合わせした。かくして基準点Ａｃ，Ｂｃ同士が位置決めされたところで、所定圧力で半導体レーザ素子１Ｂを光素子実装基板２へ押し付けながら光素子実装基板２を加熱することにより、図６に示したように、予め半導体レーザ素子１Ｂの表面に形成しておいた図示しない半田層を介して、最初の半導体レーザ素子１Ｂを光素子実装基板２へと固定した。
【００５３】
なお、カメラ３ａ，３ｂはそれぞれ２０倍レンズを備えたＣＣＤカメラであり、画像処理手段６および画像表示手段７はコンピュータとそのモニタである。
残りの半導体レーザ素子１Ｂについては、画像処理手段は、最初の半導体レーザ素子１Ｂで測定された代替マーカ１ｃ１，１ｃ２を認識し、代替マーカ１ｃ１，１ｃ２の位置座標と記憶している相対位置データとに基づいて基準点Ａｃを算出した。そして、基準点Ａｃと基準点Ｂｃとの間隔Ｌを算出して、この間隔Ｌに応じて駆動手段を駆動し、半導体レーザ素子を光素子実装基板へ実装した。
こうして得られた半導体レーザ素子１Ｂの実装精度を赤外顕微鏡での透過測定で測定してみたところ、標準偏差で０．４μｍに収まっている事を確認した。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子の実装方法によれば、光半導体素子の位置マーカの代わりに代替マーカを選定して利用するので、光半導体素子の位置マーカの近傍に凸部が発生した場合でも、光半導体素子と光素子実装基板とを、作業時間の増加を抑制しながら、互いに高い精度にて確実に位置付けられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態例の光半導体素子の実装方法の説明図である。
【図２】ジャンクションダウン方式で実装される光半導体素子の断面図である。
【図３】光素子実装基板の斜視図である。
【図４】ジャンクションダウン方式で実装される他の光半導体素子の（ａ）平面図，（ｂ）正面図，（ｃ）図４（ｂ）の領域ＩＶｃの拡大図である。
【図５】従来の光半導体素子の実装方法の説明図である。
【図６】光素子実装基板に光半導体素子が実装された状態の説明図である。
【図７】Ｖ字溝マーカの近傍に凸部が発生した他の光半導体素子の（ａ）平面図，（ｂ）正面図，（ｃ）図７（ｂ）の領域ＶＩＩｃの拡大図である。
【符号の説明】
１Ｂ　光半導体素子（半導体レーザ素子）
１ａ　Ｖ字溝マーカ（位置マーカ）
１ａ１，１ａ２　Ｖ字溝マーカポイント
１ｃ１，１ｃ２　代替マーカ
２　光素子実装基板
２ａ　Ｖ字溝マーカ
Ａｃ　基準点（第１の基準点）
Ｂｃ　基準点（第２の基準点）
Ｌ　基準点Ａｃと基準点Ｂｃとの間の間隔（相対位置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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