(57)【要約】【課題】基板母材に形成された画素基板領域を所望に切断でき、画素基板の端部を貼りあわせて大画面化することを容易にできる。【解決手段】基板母材１の画素基板領域に画素パターン８を形成し、画素基板領域の切断される端部に沿って所定の幅の切断領域１１を設け、切断領域１１を隔てた画素基板領域と対向する切捨て領域の基板母材１に擬似画素パターン１２を形成する。そして、切断領域１１と交わる基板母材１の端部の切断開始位置に切り込みを形成し、切断領域１１に沿ってレーザー光を照射し加熱後、冷却してクラック７を発生させる。本来、パターンが形成されない切捨て領域に擬似画素パターン１２が形成されるため、クラック７が切断領域１１に誘導されて進行し、画素基板領域の端部に沿って切断することができる。【選択図】          図１
2004294948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板母材の画素基板領域に画素パターンを形成する工程と、
前記画素基板領域の切断される端部に沿って所定の幅の切断領域を設け、前記切断領域を隔てた前記画素基板領域と対向する切捨て領域の前記基板母材に、擬似画素パターンを形成する工程と、
前記基板母材の少なくとも一方の面であって切断開始側の前記切断領域と交わる前記基板母材の端部の切断開始位置に切り込みを形成する工程と、
前記切断開始側の前記切り込みから他方の側の切断終了側へ前記切断領域に沿って加熱光を照射して前記切断領域を加熱した後、前記加熱された切断領域に沿って冷却してクラックを発生させ、前記画素基板領域と前記切捨て領域とを切断する工程と、を有する
画素基板の製造方法。
【請求項２】
前記画素パターンおよび前記擬似画素パターンを、前記基板母材より高い熱伝導率で形成する
請求項１に記載の画素基板の製造方法。
【請求項３】
前記擬似画素パターンを、前記画素基板領域の切断される端部に沿った位置で前記画素パターンと略同じ熱伝導率で形成する
請求項２に記載の画素基板の製造方法。
【請求項４】
前記画素基板領域の周縁に互いが略直交する前記切断領域を設ける
請求項１に記載の画素基板の製造方法。
【請求項５】
前記切り込みを形成する切断開始位置を含む前記基板母材の端部側に、前記画素パターンに隣接して第１の切断開始誘導パターンを形成し、前記擬似画素パターンに隣接して第２の切断開始誘導パターンを形成することにより、前記切断領域に接続する切断開始領域を形成する工程を含む
請求項１に記載の画素基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の切断開始誘導パターンは、前記切断開始領域の幅が前記基板母材の端部に向かって徐々に幅広くなるように形成する
請求項５に記載の画素基板の製造方法。
【請求項７】
前記切り込みは、第２の切断開始誘導パターンより第１の切断開始誘導パターンに近い位置に形成する
請求項６に記載の画素基板の製造方法。
【請求項８】
切断を終了する前記基板母材の端部側に、前記画素パターンに隣接して第１の切断終了誘導パターンを形成し、前記擬似画素パターンに隣接して第２の切断終了誘導パターンを形成することにより前記切断領域に接続する切断終了領域を形成する工程を含む
請求項１に記載の画素基板の製造方法。
【請求項９】
前記切断終了領域は略同じ幅を持つように前記第１および第２の切断終了誘導パターンが形成される
請求項８に記載の画素基板の製造方法。
【請求項１０】
基板母材の画素基板領域に画素パターンを形成する工程と、前記画素基板領域の切断される第１の端部に沿って所定の幅の第１の切断領域を設け、前記第１の切断領域を隔てた前記画素基板領域と対向する第１の切捨て領域の前記基板母材に、第１の擬似画素パターンを形成する工程と、
前記第１の切断領域と交わる前記基板母材の切断を開始する端部側に、前記画素パターンに隣接して第１の切断開始誘導パターンを形成し、前記擬似画素パターンに隣接して第２の切断開始誘導パターンを形成することにより、前記切断領域に接続する切断開始領域を形成する工程と、
切断を終了する前記基板母材の端部側に、前記画素パターンに隣接して第１の切断終了誘導パターンを形成し、前記擬似画素パターンに隣接して第２の切断終了誘導パターンを形成することにより前記切断領域に接続する切断終了領域を形成する工程と、
前記画素基板領域の切断される端部であって前記第１の端部と交わる第２の端部に沿って所定の幅の第２の切断領域を設け、前記第２の切断領域を隔てた前記画素基板領域と対向する第２の切捨て領域の前記基板母材に、第２の擬似画素パターンを形成する工程と、
前記第２の切断領域と交わる前記基板母材の切断を開始する端部側に、前記画素パターンに隣接して第３の切断開始誘導パターンを形成し、前記擬似画素パターンに隣接して第４の切断開始誘導パターンを形成することにより、前記切断領域に接続する切断開始領域を形成する工程と、
前記基板母材の少なくとも一方の面であって切断開始側の前記第１の切断領域と交わる前記基板母材の端部の第１の切断開始位置に第１の切り込みを形成する工程と、
前記切断開始側の前記第１の切り込みから他方の側の切断終了側へ前記第１の切断領域に沿って加熱光を照射して前記第１の切断領域を加熱した後、前記加熱された第１の切断領域に沿って冷却してクラックを発生させ、前記画素基板領域と前記第１の切捨て領域とを切断する工程と、
前記基板母材の少なくとも一方の面であって切断開始側の前記第２の切断領域と交わる前記基板母材の端部の第２の切断開始位置に第２の切り込みを形成する工程と、
前記切断開始側の前記第２の切り込みから他方の側の切断終了側へ前記第２の切断領域に沿って加熱光を照射して前記第２の切断領域を加熱した後、前記加熱された第２の切断領域に沿って冷却してクラックを発生させ、前記画素基板領域と前記第１の切捨て領域とを切断する工程と、
を有する
画素基板の製造方法。
【請求項１１】
基板母材と、
前記基板母材の画素基板領域に形成される画素パターンと、
前記画素基板領域の切断される端部に沿って所定の幅で設けられた切断領域を隔てた前記画素基板領域と対向する切捨て領域の前記基板母材に形成される擬似画素パターンと、
を有する画素基板母材。
【請求項１２】
前記基板母材の切断を開始する端部側であって前記画素パターンに隣接する前記基板母材に形成される第１の切断開始誘導パターンと、
前記基板母材の切断を開始する端部側であって前記擬似画素パターンに隣接する前記基板母材に形成される第２の切断開始誘導パターンと、
前記第１および第２の切断開始誘導パターンにより形成され前記切断領域に接続する切断開始領域と、
を有する請求項１１に記載の画素基板母材。
【請求項１３】
前記基板母材の切断を終了する端部側であって前記画素パターンに隣接する前記基板母材に形成される第１の切断終了誘導パターンと、
前記基板母材の切断を開始する端部側であって前記擬似画素パターンに隣接する前記基板母材に形成される第２の切断終了誘導パターンと、
前記第１および第２の切断開始終了パターンにより形成され前記切断領域に接続する切断終了領域と、
を有する請求項１１に記載の画素基板母材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は画素基板の製造方法およびその画素基板母材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画像表示装置は、薄型、軽量、小型化などを求める要請により、ＣＲＴからフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）へ移行し、ＦＤＰへの移行のスピードはますます加速している。フラットパネルディスプレイは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、フィールドエミッション・エミッション・ディスプレイ（ＦＥＤ）などがあり、視認性を向上するために大画面化への要求がある。
【０００３】
代表的なＦＰＤのＬＣＤであって、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて駆動するＴＦＴ−ＬＣＤは、ガラス基板母材にＴＦＴを配置しＴＦＴアレイ基板を形成するＴＦＴアレイ基板形成工程と、ＴＦＴアレイ基板と対向するカラーフィルター基板との間に液晶材を封じ込み液晶セルを形成しパネル基板とするパネル基板形成工程と、パネル基板を制御するための駆動回路や光源となるバックライトなどを取り付けるモジュール工程などを経て製造される。
【０００４】
自己発光型でありＬＣＤより応答速度が優れるなどの特徴を有するＯＥＬＤは、ＬＣＤのいくつかの製造技術を転用して製造でき、特に、ＴＦＴアレイ基板形成工程における製造技術などが利用される。
【０００５】
ＴＦＴアレイ基板形成工程は、画面サイズとなる画素基板領域のガラス基板母材にＴＦＴを規則正しく配置した後、画素基板領域の端部に沿ってガラス基板母材を切断し、画素基板であるＴＦＴアレイ基板を形成する。
【０００６】
図４は、画素基板領域の端部に沿ってガラス基板母材を切断するレーザーカット装置を示す。ガラス基板母材１は、定盤２に載せられ、吸着用排気口３から吸気されることにより保持される。次いで、保持されたガラス基板母材１を切断する領域である切断領域の端部に、スクライブ刃４で切り込みを形成する。そして、ガラス基板母材１の切り込みから切断領域に沿って、レーザー５により加熱光であるレーザー光５ａを照射して、ガラス基板母材１の切断領域を加熱し、その直後、加熱されたガラス基板母材１の切断領域に冷却装置６により空気、二酸化炭素、アルコールなどの冷却剤６ａを吹き付けて冷却する。ガラス基板母材１の切断領域は、短時間に加熱と冷却が行われるため、熱膨張と熱収縮による応力歪みが生じ、切り込みを起点に切断領域に沿ってガラス基板母材１にクラックが発生し、切断される。レーザーカット装置を用いる切断方法は、ダイシング方法やスクライブ・アンド・ブレーク方法など、他の切断方法と異なり、ガラス基板母材１を削らず、また、押し潰さない。このため、本方法において、切断面はひび割れなどが発生せずに滑らかであり、ガラス基板母材１の端面の強度が保持される。
【０００７】
しかし、上記のレーザーカット装置を用いる切断方法は、応力の歪みによってクラックを発生させて切断する原理であるため、クラック線を所望の形状に発生させることが困難であり、直進性に優れた切断面を形成することが困難などの問題がある。この問題の一因としては、レーザー光５ａが数ｍｍ幅の範囲を加熱するため、その範囲内でクラックが一定の方向に進行しなくなることが考えられる。
【０００８】
図５に示すように、ガラス基板母材１の面の中央部を切断する場合においてはクラック線７が略直線に形成される。一方、ガラス基板母材１の端部の近傍を切断する場合、切断領域を介した端部側と中央側とガラス基板母材１のサイズで異なるため、レーザー光５ａによる加熱後の温度が端部側と中央側とで異なる。このため、クラック線７がガラス基板母材１の端部側に弓なり状に湾曲し、直線性を有しない場合がある。
【０００９】
また、図６に示すように、ガラス基板母材１の画素基板領域に画素パターン８が形成された場合、ガラス基板母材１より熱伝導率が高い金属配線が形成された部分と形成されない部分との間で加熱後および冷却後の温度が異なる。このため、金属配線が形成された部分と形成されない部分との間で膨張収縮の効率の差が発生し、その結果、クラック線７が波打ち形状となる場合がある。
【００１０】
さらに、図５，図６に示すように、切断領域の切り始め側および切り終わり側においては、ガラス基板母材１が保持される定盤２の温度分布や吸着用排気口３での吸着で発生するガラス基板母材１の歪みなどの影響を受け、クラック線７が所望の方向に進行しない場合がある。
【００１１】
以上のように、レーザーカット装置を用いて画素基板を切断する従来の方法は、クラック線７の形状を高精度に制御することが容易ではなく、所望の形状に切断することが困難であった。このような問題に対応するため、さまざまな切断方法が提案されている。（たとえば、特許文献１、特許文献２参照）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−７５０７８号公報（Ｐ．６〜７、図４など）
【特許文献２】
特開２００１−２１５４７９号公報（Ｐ．７〜８、図１〜１２など）
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の方法においては、画素基板の端部を貼りあわせて大画面化する場合、画素基板間のピッチを狭くするために画素基板の端部に沿って所望の形状に切断することが要求されるため、十分な効果を得ることが困難であった。
【００１４】
したがって、本発明は、画素基板領域が形成された基板母材を切断する際に、クラックの形状を高精度に形成して所望に切断でき、画素基板の端部の貼りあわせによる大画面化に対応できる画素基板の製造方法および画素基板母材を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板母材の画素基板領域に画素パターンを形成する工程と、前記画素基板領域の切断される端部に沿って所定の幅の切断領域を設け、前記切断領域を隔てた前記画素基板領域と対向する切捨て領域の前記基板母材に、擬似画素パターンを形成する工程と、前記基板母材の少なくとも一方の面であって切断開始側の前記切断領域と交わる前記基板母材の端部の切断開始位置に切り込みを形成する工程と、前記切断開始側の前記切り込みから他方の側の切断終了側へ前記切断領域に沿って加熱光を照射して前記切断領域を加熱した後、前記加熱された切断領域に沿って冷却してクラックを発生させ、前記画素基板領域と前記切捨て領域とを切断する工程と、を有する画素基板の製造方法とその画素基板母材である。
【００１６】
本発明によれば、本来、パターンが形成されないで切り捨てられる切捨て領域に擬似画素パターンが形成される。このため、加熱および冷却によって発生するクラックが切断領域に誘導されて進行し、画素基板領域の切断される端部に沿った所望の形状に切断することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態の一例について添付図面を参照して説明する。なお、図中、図４，図５，図６と構成上共通する部分には、同一の符号を付した。
【００１８】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１の画素基板母材について、以下に示す。図１は、本発明の実施形態１の画素基板母材を示す平面図であり、アクティブ・マトリクス方式であるＴＦＴ−ＬＣＤのＴＦＴアレイを形成する場合に用いる画素基板母材を示す。本実施形態の画素基板母材は、基板母材１と、画素パターン８と、擬似画素パターン１２とを具備する。
【００１９】
基板母材１は、微細な構造の画素などを形成するため、平坦であって透明な板状のものを用いる。基板母材１は、本実施形態のようにＴＦＴを形成する場合、耐熱性や耐薬品性などを有し、また、アルカリ成分によるＴＦＴ特性への影響がない無アルカリアルミノ硼珪酸系のガラス基板が用いられる。基板母材１は、所望の画面サイズや機械的強度に合わせて、任意の寸法、厚さのガラス基板を用いることができ、本実施形態では、３００ｍｍ×３５０ｍｍの寸法で、０．７ｍｍの厚さのガラス基板を用いる。
【００２０】
画素パターン８は、基板母材１の一方の面であって基板母材１の中央に位置する画素基板形成領域の全面に形成される。本実施形態では、基板母材１の中心部分を画面サイズの矩形形状である画素基板形成領域としている。画素パターン８は、画素基板形成領域に画素がマトリクス状に配置され、画素にデータを供給するための配線などを具備する。そして、画素には、ＴＦＴ、蓄積キャパシタなどが設けられる。配線は、映像データを画素電極に供給するためのデータ信号線と、番地指定データを画素電極に供給するためのゲート電極線とで構成され、データ信号線とゲート電極線は互いに直交している。配線は、基板母材１と熱伝導率が異なり、高い熱伝導率であるＡｌ，Ｍｏ，Ａｌ−Ｔｉなどの金属で形成される。ＴＦＴはスイッチング素子として機能し、配線から供給される映像データを画素電極へ取り入れるか否かを制御する。ＴＦＴに取り入れられた映像データは、蓄積キャパシタに一時的に蓄えられ、蓄えられた電荷を用いることにより映像を表示できる。
【００２１】
切断領域１１は、切断の際に加熱光の照射などがされクラックが発生する領域であり、画素基板領域の切断される端部に沿って平行に一定の幅で基板母材１に設けられる。切断領域１１の幅は任意に設定できるが、画素パターン８を有効利用するために、後述する加熱光の照射する幅と略同じ幅であることが好ましい。
【００２２】
擬似画素パターン１２は、画素パターン８が形成された基板母材１と同じ面に、切断時に切り捨てられる基板母材１の切捨て領域に、矩形形状で形成される。切捨て領域は、切断領域１１を介して画素基板領域の切断される端部と対向する基板母材１に位置する。そして、擬似画素パターン１２は、切捨て領域の基板母材１に基板母材１より高い熱伝導率となるように形成される。本実施形態においては、擬似画素パターン１２は、画素パターン８の金属の配線と同じＡｌなどを用いて形成され、画素パターン８の金属配線と同じ構造であって直交したパターンで形成される。画素パターン８は、金属配線の他、画素が形成されているが、画素は薄膜で形成され、また、金属配線よりも基板母材１と熱伝導率が近い。このため、Ａｌなどの金属配線のみで構成される擬似画素パターン１２は、画素基板領域の切断される端部に沿って画素パターン８と略同じ熱伝導率で形成され、画素パターン８の擬似的なパターンとして形成される。
【００２３】
以上のように、本実施形態の画素基板母材は、加熱および冷却される切断領域の中心線の両側に基板母材１より高い熱伝導率のパターンが形成される。
【００２４】
本発明の実施形態１に係る画素基板の製造方法について説明する。前述の画素基板形成用母材を形成後、切断して画像形成基板であるＴＦＴアレイを形成する製造方法について、図１を用いて説明する。
【００２５】
本実施形態における画素基板の製造方法は、順次、画素パターン形成工程と、擬似画素パターン形成工程と、切り込み形成工程と、画素基板形成工程と、を実施する。
【００２６】
画素パターン形成工程は、基板母材１の画素基板領域に画素パターン８を形成する工程である。基板母材１は、透明なガラス基板であり、無アルカリアルミノ硼珪酸系のガラスを用いる。基板母材１の一方の面の画素基板領域に、画素パターン８として、ＴＦＴ、蓄積キャパシタ、ＩＴＯの画素電極などの画素を形成し、データ信号線とゲート電極線との配線を形成する。ＴＦＴ、蓄積キャパシタ、ＩＴＯの画素電極などの画素は、たとえば、ＣＶＤ法などの成膜工程、レジストなどを用いたパターン形成工程、ＲＩＥ法などのエッチング工程、イオン注入工程、熱処理工程などの所定の工程を経て形成される。矩形形状である画素基板領域には、複数の画素と配線とがマトリクス状に形成される。画素パターン８を構成する配線は、基板母材１と異なる熱伝導率と異なるＡｌなどの金属を用いて形成される。配線は、スパッタリング法などによる成膜工程、レジストなどを用いたパターン形成工程、ＲＩＥ法などのエッチング工程などの所定の工程を経て形成される。
【００２７】
擬似画素パターン形成工程は、切断時に切り捨てられる基板母材１の切捨て領域に、擬似画素パターン１２を形成する工程である。擬似画素パターン１２は、前述したように、切捨て領域に画素基板領域の切断される端部に沿った位置で画素パターン８と略同じ熱伝導率となるように形成される。本実施形態においては、擬似画素パターン１２は、画素パターン８に形成された金属配線と同じＡｌを用いて形成され、画素パターン８の金属配線と同じ構造であって、金属配線が直交したパターンで形成される。擬似画素パターン１２の金属配線は、前述の画素パターン８の金属配線と同様に、スパッタリング法などによる成膜工程、レジストなどを用いたパターン形成工程、ＲＩＥ法などのエッチング工程などの所定の工程を経て形成される。以上のように、画素パターン形成工程と擬似画素パターン形成工程とを経て、前述の画素基板母材であるＴＦＴアレイが形成される。
【００２８】
次いで、切り込み形成工程は、画素基板母材であるＴＦＴアレイの基板母材１の少なくとも一方の面であって切断開始側の切断領域１１と交わる基板母材１の端部に切り込みを形成する工程である。まず、図１、図４に示すように、画素パターン８と擬似画素パターン１２が形成された基板母材１を、加熱光を照射する面を上面として定盤２に載せ、吸着用排気口３から吸気することにより保持する。次いで、切断領域１１の切断方向への延長線と交わる切断開始側の基板母材１の端部の辺にスクライブ刃４を位置合わせする。そして、回転状態のスクライブ刃４を切り込みを位置合わせされた基板母材１の端部に接触させて削り、切り込みを形成する。切り込みは、基板母材１の厚みより浅い厚みで形成され、たとえば、厚み０．７ｍｍ程度の基板母材に、２００μｍ程度の深さで形成される。切り込みは、画素パターン８が形成されている面から形成しても、他方の面から形成してもよい。
【００２９】
次いで、画素基板形成工程は、画素基板領域と切捨て領域とを切断領域１１で切断して画素基板を形成する工程である。まず、切断開始側に形成された切り込みに加熱光であるレーザー光５ａを照射する。レーザー光５ａはＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザーなどを用いることができ、本実施形態では高出力な加熱レーザーであるＣＯ２レーザーを、照射幅２〜３ｍｍ程度の条件で用いる。そして、切断開始側に形成された切り込みから他方の側の切断終了側への切断方向に、切断領域１１に沿って、一定の速度でレーザー光５ａを照射して切断領域１１を加熱する。その直後、加熱された切断領域を追随して切断方向に、切断領域１１に沿って冷却剤６ａを吹き付けて冷却する。冷却剤６ａは、空気、二酸化炭素、アルコール、窒素ガスなどの冷媒を用いることができ、本実施形態では空気を用いる。基板母材１の切断領域１１は、加熱後に短時間で冷却が行われるため、熱膨張と熱収縮による応力歪みが生じ、基板母材１の端部の切り込みを起点にクラック線７が発生し、画素基板領域と切捨て領域とが切断され、画素基板が形成される。
【００３０】
そして、パネル基板形成工程と、モジュール工程などを経てＴＦＴ−ＬＣＤを形成し、切断端面を互いに貼りあわせて大画面化される。
【００３１】
上述したように、本実施形態においては、本来、パターンが形成されない切捨て領域に擬似画素パターン１２が形成され、切断領域１１の切断方向を介した両側の基板母材１は略同等な切断強度となる。このため、パターンが形成されない切断領域１１に沿ってクラック線７が誘導され、より高精度に切断できる。
【００３２】
また、画素パターン８と同様に、基板母材１より高い熱伝導率の擬似画素パターン１２が形成され、加熱および冷却される切断領域１１の切断方向を介した両側には、基板母材１より高い熱伝導率のパターンが形成される。このため、パターンが形成されない切断領域１１とその切断領域１１を介した両側との間で、加熱時および冷却時の温度差が大きくなり、クラック線７が切断領域１１に沿って誘導され、より高精度にクラックが進行する。したがって、図１に示すように、クラック線７が波打って発生することを防止し、また、クラック線７が基板母材１の端部側に弓なり状に湾曲することを防止でき、画素基板領域の切断される端部に沿った所望の形状に切断することができる。
【００３３】
また、本実施形態において、擬似画素パターン１２は、画素基板領域の切断される端部に沿って画素パターン８と略同じ熱伝導率で形成され、画素パターン８の擬似画素パターン１２として形成されている。このため、クラック線７の発生が一定方向に定まり、直線性に優れたクラック線７を所望の形状で発生させることができる。
【００３４】
また、本実施形態において、擬似画素パターン１２は、画素パターン８の金属配線と同じ構造であり、さらに、同じ熱伝導率の金属材料を用いて形成される。このため、擬似画素パターン１２は、画素パターン８の金属配線を形成する工程と同様であり、効率的に容易に形成することができる。
【００３５】
以上のように、本実施形態は、画素基板の近傍を所望に切断でき、画素基板の端部の貼りあわせピッチを狭くすることができるため、貼り合わせによる大画面化を容易にできる。
【００３６】
＜実施形態２＞
つぎに、本発明の実施形態２の画素基板母材について、以下に示す。図２は、本発明の実施形態２の画素基板母材を示す平面図であり、実施形態１と同様に、アクティブ・マトリクス方式であるＴＦＴ−ＬＣＤのＴＦＴアレイを形成する場合に用いる画素基板母材を示す。本実施形態の画素基板母材は、切断開始側に第１の切断開始誘導パターン２２ａと、第２の切断開始誘導パターン２２ｂと、切断開始領域２１とを有すること、および、切断終了側に第１の切断終了誘導パターン３２ａと、第２の切断終了誘導パターン３２ｂと、切断終了領域３１と、を有することを除き、実施形態１と同様である。このため、実施形態１と共通する部分については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３７】
第１および第２の切断開始誘導パターン２２ａ，２２ｂは画素パターン８が形成された基板母材１と同じ面に形成される。第１の切断開始誘導パターン２２ａは、基板母材３の切断を開始する端部側であって画素パターン８に隣接する基板母材３に形成される。第２の切断開始誘導パターン２２ｂは、基板母材３の切断を開始する端部側であって擬似画素パターン１２に隣接する基板母材３に形成される。切断開始領域２１は、第１および第２の切断開始誘導パターン２２ａ，２２ｂにより形成され切断領域１１に接続する。
【００３８】
本実施形態において、第１の切断開始誘導パターン２２ａは、切断開始領域２１の幅が基板母材１の端部に向かって徐々に幅広くなるように形成される。つまり、第１の切断開始誘導パターン２２ａは、切断開始領域２１の切断方向と沿った端部と隣接する辺が、切断開始領域２１の切断方向に対して切断開始側が所定の角度で傾いて形成される。切断開始領域２１の切断方向と沿った端部と隣接する辺と切断開始領域２１の切断方向との傾きは、基板母材１の大きさや切断領域１１の位置によって異なる。また、第１の切断開始誘導パターン２２ａは、画素パターン８に形成された金属配線と同じＡｌなどを用いて形成される。第１の切断開始誘導パターン２２ａは、切断開始領域２１の切断方向と沿った端部と隣接する辺を除き、画素パターン８の金属配線と同じ構造であって、金属配線が直交したパターンで形成される。つまり、第１の切断開始誘導パターン２２ｂの切断開始領域２１に接する端部は、切断開始領域２１の切断方向に沿って平行ではない。
【００３９】
また、第２の切断開始誘導パターン２２ｂは、切断開始領域２１を介した一方の側であって、第１の切断開始誘導パターン２２ａと対向する他方の側の基板母材１に形成される。第２の切断開始誘導パターン２２ｂは、画素パターン８に形成された金属配線と同じＡｌなどを用い、画素パターン８の金属配線と同じ構造であって、金属配線が直交したパターンで形成される。つまり、第２の切断開始誘導パターン２２ｂの切断開始領域２１に接する端部は、切断開始領域２１の切断方向に沿って平行となるように形成される。
【００４０】
第１および第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３２ｂは画素パターン８が形成された基板母材１と同じ面に形成される。第１の切断終了誘導パターン３２ａは、基板母材１の切断を終了する端部側であって画素パターン８に隣接する基板母材１に形成される。第２の切断終了導パターン３２ｂは、基板母材１の切断を開始する端部側であって擬似画素パターン１２に隣接する基板母材１に形成される。切断終了領域３１は、第１および第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３２ｂにより略同じ幅を持つように形成され、切断領域１１に接続する。つまり、第１の切断終了誘導パターン３２ａおよび第２の切断終了誘導パターン３２ｂは、切断領域１１を切断終了側に延長した画素基板領域の周縁の基板母材１に位置し、切断時に切断される切断終了領域３１の両側に形成される。また、切断終了領域３１は、切断領域１１の切断方向に対して切断終了側が所定の角度で基板母材１の中央側に傾いて形成される。切断終了領域３１と切断領域１１の切断方向との傾きは、前述の第２の切断開始誘導パターン２２ｂと同様に、基板母材１の大きさや切断領域１１の位置によって異なる。
【００４１】
本発明の実施形態２に係る画素基板の製造方法について説明する。前述の画素基板形成用母材を形成後、切断して画像形成基板であるＴＦＴアレイを形成する製造方法について、図２を用いて説明する。本実施形態の画素基板の製造方法は、切断開始誘導パターン形成工程と、切断終了誘導パターン形成工程とを有すること除き、実施形態１と同様である。このため、実施形態１と共通する部分については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
切断開始誘導パターン形成工程は、第１およびと第２の切断開始誘導パターン２２ａ，２２ｂを形成し、切断開始領域２１を形成する工程である。第１および第２の切断開始誘導パターン２２ａ，２２ｂは、切り込みを形成する切断開始位置を含む基板母材１の端部に形成される。第１の切断開始誘導パターン２２ａは画素パターン８に隣接して形成され、第２の切断開始誘導パターン２２ｂは擬似画素パターン１２に隣接して形成される。そして、第１およびと第２の切断開始誘導パターン２２ａ，２２ｂを形成することにより、切断領域１１と接続する切断開始領域２１が形成される。前述したように、第１の切断開始誘導パターン２２ａは、切断開始領域の幅が基板母材１の端部に向かって徐々に幅広くなるように形成される。
【００４３】
切断終了誘導パターン形成工程は、第１およびと第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３２ｂを形成し、切断終了領域３１を形成する工程である。第１および第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３２ｂは、切断を終了する基板母材１の端部側に形成される。第１の切断終了誘導パターン３２ａは画素パターン８に隣接して形成され、第２の切断終了誘導パターン３２ｂは擬似画素パターン１２に隣接して形成される。そして、第１およびと第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３２ｂを形成することにより、切断領域１１と接続する切断終了領域３１が形成される。
【００４４】
第１および第２の切断開始誘導パターン２２ａ，２２ｂと、第１および第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３２ｂは、実施形態１の擬似画素パターン１２と同様に形成される。つまり、第１および第２の切断開始誘導パターン２２ａ，２２ｂと第１および第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３３ｂは、擬似画素パターン１２および画素パターン８に形成された金属配線と同じＡｌを用いて形成される。これらは、前述の画素パターン８などの金属配線と同様に、スパッタリング法などによる成膜工程、レジストなどを用いたパターン形成工程、ＲＩＥ法などのエッチング工程などの所定の工程を経て形成される。
【００４５】
そして、本実施形態においては、切り込みは、切断開始側の切断領域１１と交わる基板母材１の端部であって、第２の切断開始パターン２２ｂより第１の切断開始パターン２２ａに近い位置に形成する。切り込みを形成する位置は、基板母材１の大きさや切断領域１１の位置によって所望に設定できる。切り込みは、前述の実施形態１の切り込み形成工程と同様な方法により形成する。切り込みを形成した後、実施形態１の画素基板形成工程と同様に、切断開始領域２１の切り込みから切断領域１１に沿って、一定の速度でレーザー光５ａを照射して、切断開始領域２１および切断領域１１を加熱する。そして、その直後、加熱された切断開始領域２１および切断領域１１を追随して、冷却剤６ａを吹き付けて冷却する。このように加熱および冷却を行い、基板母材１の端部の切り込みを起点にクラック線７を発生させ、画素基板領域と切捨て領域とを切断し、画素基板を形成する。
【００４６】
上述したように本実施形態においては、切捨て領域に擬似画素パターン１２が形成されると共に、切断開始側に第１の切断開始誘導パターン２２ａと第２の切断開始誘導パターン２２ｂとが形成され、切断終了側に第１の切断終了誘導パターン３２ａと第２の切断終了誘導パターン３２ｂとが形成される。このため、切断開始領域２１の切断方向を介した両側の基板母材１は、略同等な切断強度となる。したがって、切断開始される基板母材１の端部においても、実施形態１と同様に、パターンが形成されない切断開始領域２１とその切断開始領域２１を介した両側との間で発生するクラック線７が切断開始領域２１に沿って誘導される。そして、切断開始領域２１に沿って誘導されたクラック線７は、切断開始領域２１と接続する切断領域１１に誘導されるため、より高精度にクラックが進行する。
【００４７】
そして、切断開始領域２１の幅は基板母材１の端部に向かって徐々に幅広くなるように形成され、切り込みは第２の切断開始パターン２２ｂより第１の切断開始パターン２２ａに近い位置に形成されている。このため、クラック線７が、第２の切断開始誘導パターン２２ｂ側に発生することを防止でき、切断領域１１にクラック線７を誘導される。したがって、クラック線７が弓なり状に湾曲することを防止でき、直線性を有するクラック線７を発生させることができる。この結果、切断開始領域２１の切断面が貼り合わせ時に貼り合わせ端面より突出することを防止でき、貼り合わせの邪魔にならない。
【００４８】
また、切断終了側の基板母材１に第１および第２の切断終了誘導パターン３２ａ，３２ｂが形成されているため、その間の切断終了領域３１に沿ってクラック線７が誘導される。そして、切断終了領域３１は切断領域１１の切断方向に対して切断終了側が所定の角度で基板母材１の中央側に傾いて形成されるため、クラック線７が切断終了する際に、基板母材１の中央部側に誘導される。このため、切断領域１１で発生するクラック線７が基板母材１の端部側に弓なり状に湾曲することを防止でき、高精度で直線性を有するクラック線７を発生させることができる。この結果、切断終了領域３１の切断面が貼り合わせ時に貼り合わせ端面より突出することを防止でき、貼り合わせの邪魔にならない。
【００４９】
そして、従来、切断開始側および切断終了側は、基板母材１を保持する条件などによって、クラック線７の発生方向が一定でない場合があったが、本実施形態においては、図２に示すように、切断開始側および切断終了側においても、画素基板領域の切断される端部に沿った形状に切断することができ、直線性に優れたクラック線７を発生できる。したがって、本実施形態は、基板母材１に形成された画素基板領域を所望に切断でき、画素基板端部の貼りあわせによる大画面化を容易にできる。
【００５０】
＜実施形態３＞
つぎに、本発明の実施形態３について、以下に示す。図３は、本発明の実施形態３の画素基板母材を示す平面図であり、実施形態１または２と同様に、アクティブ・マトリクス方式であるＴＦＴ−ＬＣＤのＴＦＴアレイを形成する場合に用いる画素基板母材を示す。
【００５１】
本実施形態の画素基板母材は、画素パターン８が形成された画素基板領域の周縁に互いが略直交している第１および第２の切断領域１１，１３が設けられ、それぞれ、第１の擬似画素パターン１２、第２の擬似画素パターン１４が実施形態１と同様に形成される。そして、実施形態２と同様に、第１の切断領域１１の切断開始側に第１の切断開始領域２１と、第１の切断開始誘導パターン２２ａと、第２の切断開始誘導パターン２２ｂが形成され、第１の切断領域１１の切断終了側に第１の切断終了領域３１と、第１の切断終了誘導パターン３２ａと、第２の切断終了誘導パターン３２ｂが形成される。そして、実施形態２と同様に、第２の切断領域１３の切断開始側に第２の切断開始領域２３と、第３の切断開始誘導パターン２４ａと、第４の切断開始誘導パターン２４ｂが形成される。
【００５２】
本実施形態の画素基板母材は、本発明の実施形態２と同様に形成される。このため、実施形態１または２と共通する部分については、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００５３】
実施形態２と異なり、本実施形態において切断終了領域３１は、第１の切断領域１１の切断方向に対して平行に形成される。そして、本実施形態においては、実施形態２と同様な方法により、第１の切断開始領域２１から第１の切断領域１１および切断終了領域３１へ第１のクラック線７ａを誘導し発生させて切断後、同様に第２の切断開始領域２３から第２の切断領域１３に第２のクラック線７ｂを誘導し発生させて切断する。
【００５４】
上述の本実施形態においては、実施形態１または実施形態２の効果に加え、画素基板領域の周縁に互いが略直交している第１および第２の切断領域１１，１３があるため、第１及び第２のクラック線７ａ，７ｂは共に画素基板領域の切断する端部に沿って発生する。このため、画像基板を高精度な直角状に切断できる。したがって、本実施形態は、画素基板端部の貼りあわせによる大画面化が容易である。
【００５５】
なお、本発明の実施に際しては、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【００５６】
たとえば、画素パターンを基板母材の一方の面に形成し、擬似画素パターンを画素パターンが形成された基板母材の他方の面に形成してもよい。このように、画素パターンと擬似画素パターンを基板母材の異なる面に形成することで、基板母材の厚み方向に、垂直性を有する切断面を形成することができ、貼りあわせによる大画面化を容易にできる。
【００５７】
また、上記の実施の形態は、アクティブマトリクス方式であるＴＦＴ−ＬＣＤについての適用例であるが、パッシブマトリクス方式のＬＣＤ、ＯＥＬＤ，ＰＤＰなどにも適用できる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、基板母材に形成された画素基板領域を所望に切断でき、画素基板端部の貼りあわせによる大画面化を容易にできる画素基板の製造方法および当該方法に用いる画素基板母材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の実施形態１における画素基板母材の平面図である。
【図２】図２は本発明の実施形態２における画素基板母材の平面図である。
【図３】図３は本発明の実施形態３における画素基板母材の平面図である。
【図４】図４は画素基板母材を切断するレーザーカット装置を示す図である。
【図５】図５は従来の方法で切断された基板母材を示す平面図である。
【図６】図６は従来の方法で切断された画素基板母材を示す平面図である。
【符号の説明】
１  基板母材，２  定盤，３  吸着用排気口，４  スクライブ刃，５  レーザー，５ａ  レーザー光、６  冷却装置、６ａ  冷却剤，７，７ａ，７ｂ  クラック線，８  画素パターン，１１  切断領域（第１の切断領域），１２  擬似画素パターン（第１の擬似画素パターン），１３  第２の切断領域，１４  第２の擬似画素パターン，２１  切断開始領域（第１の切断開始領域），２２ａ  第１の切断開始誘導パターン，２２ｂ  第２の切断開始誘導パターン，２３  第２の切断開始領域，２４ａ  第３の切断開始誘導パターン，２４ｂ  第４の切断開始誘導パターン，３１  切断終了領域，３２ａ  第１の切断終了誘導パターン，３２ｂ  第２の切断終了誘導パターン
【図１】
2004294948.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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