(57)【要約】【課題】インダクタ部分とコンデンサ部分とが積層方向に関して互いに隣り合うように位置されている積層体を備える、積層型ＬＣ複合部品において、積層体を得るための焼成工程において、積層体にクラックやデラミネーションなどの構造欠陥を生じさせにくくする。【解決手段】積層体１２におけるインダクタ部分１４に形成された複数のコイル導体１７〜２２のうち、コンデンサ部分１５，１６に比較的近いものほど、比較的遠いものに比べて、そのターン数をより少なくし、それによって、インダクタ部分１４の、コンデンサ部分１５，１６側の境界近傍での焼成時の収縮挙動の差を低減し、応力を緩和する。【選択図】        図２
2004153502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の積層されたセラミック層をもって構成される積層体を備え、
前記積層体には、インダクタ部分とコンデンサ部分とが積層方向に関して互いに隣り合うように位置され、
前記インダクタ部分には、前記セラミック層間の複数の界面に沿って延びる複数のコイル導体が形成され、前記コンデンサ部分には、前記セラミック層間の複数の界面に沿って延びる複数のコンデンサ導体が形成され、
前記積層体は、前記コイル導体および前記コンデンサ導体とともに焼成されることによって得られる、積層型ＬＣ複合部品であって、
複数の前記コイル導体のうち、前記コンデンサ部分に比較的近い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体は、前記コンデンサ部分に比較的遠い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体に比べて、その総面積がより小さくされていることを特徴とする、積層型ＬＣ複合部品。
【請求項２】
前記コイル導体はスパイラル状である、請求項１に記載の積層型ＬＣ複合部品。
【請求項３】
前記コンデンサ部分に比較的近い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体は、前記コンデンサ部分に比較的遠い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体に比べて、そのターン数がより少なくされていることを特徴とする、請求項２に記載の積層型ＬＣ複合部品。
【請求項４】
前記コイル導体の積層方向に重なる数は、前記積層体の外周側ほど、より少なくされていることを特徴とする、請求項２または３に記載の積層型ＬＣ複合部品。
【請求項５】
前記コンデンサ部分に比較的近い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体は、前記コンデンサ部分に比較的遠い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体に比べて、その幅方向寸法がより小さくされていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の積層型ＬＣ複合部品。
【請求項６】
前記インダクタ部分は、第１および第２の前記コンデンサ部分の間に挟まれるように位置していることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の積層型ＬＣ複合部品。
【請求項７】
前記インダクタ部分は、前記積層体の積層方向の端部に位置し、複数の前記コイル導体のうち、前記積層体の端部に比較的近い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体は、前記積層体の端部に比較的遠い前記セラミック層間の界面に沿って延びる前記コイル導体に比べて、その総面積がより小さくされていることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の積層型ＬＣ複合部品。
【請求項８】
前記インダクタ部分に備える、前記コンデンサ部分に最も近い前記コイル導体と前記コンデンサ部分に備える、前記インダクタ部分に最も近い前記コンデンサ導体との間の距離は、１５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の積層型ＬＣ複合部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、積層型ＬＣ複合部品に関するもので、特に、これを得るための焼成工程でのデラミネーションやクラックを生じさせにくくするための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１には、この発明にとって興味ある従来の積層型ＬＣ複合部品に備える部品本体としての積層体１が断面図で示されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
積層体１は、複数の積層されたセラミック層２をもって構成される。積層体１には、インダクタ部分３とコンデンサ部分４および５とが積層方向に関して互いに隣り合うように位置されている。図１１に示した例では、インダクタ部分３は、第１および第２のコンデンサ部分４および５の間に挟まれるように位置している。
【０００４】
インダクタ部分３には、セラミック層２間の複数の界面に沿って延びる複数のコイル導体６が形成され、第１および第２のコンデンサ部分４および５には、それぞれ、セラミック層２間の複数の界面に沿って延びる複数のコンデンサ導体７および８が形成されている。これらコイル導体６ならびにコンデンサ導体７および８は、たとえば銅を含む導電性ペーストの焼結体によって構成される。
【０００５】
積層体１には、また、インダクタ部分３と第１および第２のコンデンサ部分４および５の各々との間に位置する中間層９および１０が設けられている。
【０００６】
このような積層体１は、コイル導体６ならびにコンデンサ導体７および８とともに焼成されることによって得られるものである。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−２０３５５２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような積層体１を得るための焼成の結果、積層体１にクラックやデラミネーションなどの構造欠陥が発生することがある。このような構造欠陥は、中間層９および１０において生じやすい傾向があり、特に、図１１において破線で囲んだ領域Ａのように、インダクタ部分３の、中間層９および１０の各々側の境界近傍においてより生じやすい。この原因は、次のように考えられる。
【０００９】
第１に、コイル導体６ならびにコンデンサ導体７および８に含まれる導電成分としての銅などは、焼成時において、セラミック層２側へと拡散し、セラミック層２の焼結を促進するように作用する。そのため、中間層９および１０の各々における、インダクタ部分３側の境界近傍またはコンデンサ部分４および５の各々側の境界近傍と中間層９および１０の各々の厚み方向の中央部との間で、焼成時の収縮度合いに比較的大きな差が生じる。この収縮度合いの差は、特に、中間層９および１０の各々のインダクタ部分３との境界近傍において大きくなり、そのため、比較的大きな応力がこれらの部分に発生する。その結果、前述したようなクラックやデラミネーションなどの構造欠陥が発生しやすくなる。
【００１０】
第２に、焼成時において、コイル導体６ならびにコンデンサ導体７および８が、セラミック層２より先に焼結が進行し、そのため、コイル導体６ならびにコンデンサ導体７および８において、セラミック層２よりも先に膨張および収縮が生じる。このことも、中間層９および１０においてクラックやデラミネーションなどの構造欠陥を生じさせる原因となる。
【００１１】
第３に、コイル導体６は、その等価直列抵抗の低減のため、コンデンサ導体７および８よりも厚く形成されるのが一般的である。一例として、コンデンサ導体７および８は、焼成前において約１．５μｍおよび焼成後において約１．２μｍの各厚みを有しているのに対し、コイル導体６は、焼成前において約５．５μｍおよび焼成後において約４．４μｍの各厚みを有している。そのため、コイル導体６は、焼成時において、その厚み方向に比較的大きな応力を及ぼし、その結果、中間層９および１０の各々のインダクタ部分３との境界近傍において、セラミック層２間に隙間を生じさせ、これが原因となって、クラックやデラミネーションなどの構造欠陥を発生させることがある。
【００１２】
第４に、焼成前の積層体１に対してはプレス工程が実施されるが、このプレス工程の結果、上述のように比較的厚いコイル導体６が積層方向に多数重なる部分とそうでない部分との間で密度の差が比較的大きく生じ、これが原因となって、クラックやデラミネーションなどの構造欠陥を招くこともある。
【００１３】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、積層型ＬＣ複合部品を提供しようとすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、複数の積層されたセラミック層をもって構成される積層体を備え、積層体には、インダクタ部分とコンデンサ部分とが積層方向に関して互いに隣り合うように位置され、インダクタ部分には、セラミック層間の複数の界面に沿って延びる複数のコイル導体が形成され、コンデンサ部分には、セラミック層間の複数の界面に沿って延びる複数のコンデンサ導体が形成され、積層体は、コイル導体およびコンデンサ導体とともに焼成されることによって得られる、積層型ＬＣ複合部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１５】
すなわち、この発明に係る積層型ＬＣ複合部品では、複数のコイル導体のうち、コンデンサ部分に比較的近いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体は、コンデンサ部分に比較的遠いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体に比べて、その総面積がより小さくされていることを特徴としている。
【００１６】
上述のようなコイル導体の総面積の差をもたらすため、コイル導体がスパイラル状である場合には、好ましい実施態様では、コンデンサ部分に比較的近いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体は、コンデンサ部分に比較的遠いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体に比べて、そのターン数がより少なくされる。
【００１７】
この好ましい実施態様において、より好ましくは、コイル導体の積層方向に重なる数は、積層体の外周側ほど、より少なくされる。
【００１８】
コイル導体の総面積の差をもたらすため、上述のようなターン数の差に代えて、あるいはターン数の差に加えて、コンデンサ部分に比較的近いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体の幅方向寸法を、コンデンサ部分に比較的遠いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体の幅方向寸法に比べて、より小さくされてもよい。
【００１９】
この発明に係る積層型ＬＣ複合部品の典型的な実施態様では、インダクタ部分は、第１および第２のコンデンサ部分の間に挟まれるように位置される。
【００２０】
この発明に係る積層型ＬＣ複合部品において、インダクタ部分は、積層体の積層方向の端部に位置していてもよい。この場合、複数のコイル導体のうち、積層体の端部に比較的近いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体は、積層体の端部に比較的遠いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体に比べて、その総面積がより小さくされることが好ましい。
【００２１】
また、この発明は、インダクタ部分に備える、コンデンサ部分に最も近いコイル導体とコンデンサ部分に備える、インダクタ部分に最も近いコンデンサ導体との間の距離が、１５０μｍ以下である場合に、特に有利に適用される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１ないし図６は、この発明の第１の実施形態を説明するためのものである。ここで、図１は、積層型ＬＣ複合部品１１を示す平面図であり、図２は、積層型ＬＣ複合部品１１に備える部品本体としての積層体１２の、図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。図３は、積層型ＬＣ複合部品１１が与える等価回路図である。
【００２３】
積層体１２は、図２に示すように、複数の積層されたセラミック層１３をもって構成される。セラミック層１３は、たとえば、比誘電率が１２程度の誘電体セラミックから構成され、５〜２５μｍ程度の厚みを有している。
【００２４】
積層体１２には、インダクタ部分１４とコンデンサ部分１５および１６とが積層方向に関して互いに隣り合うように位置されている。この実施形態では、インダクタ部分１４は、第１および第２のコンデンサ部分１５および１６の間に挟まれるように位置している。
【００２５】
インダクタ部分１４には、後で図５を参照して詳細に説明するように、セラミック層１３間の複数の界面に沿って延びる複数のコイル導体１７、１８、１９、２０、２１および２２が形成されている。また、第１のコンデンサ部分１５には、後で図４を参照して詳細に説明するように、セラミック層１３間の複数の界面に沿って延びる複数のコンデンサ導体２３および２４が形成されている。第２のコンデンサ部分１６には、後で図６を参照して詳細に説明するように、セラミック層１３間の複数の界面に沿って延びる複数のコンデンサ導体２５および２６が形成されている。
【００２６】
積層体１２は、コイル導体１７〜２２およびコンデンサ導体２３〜２６とともに焼成されることによって得られるものである。コイル導体１７〜２２およびコンデンサ導体２３〜２６は、たとえば、銅、ニッケルもしくは銀またはこれを含む合金を導電成分として含む導電性ペーストを印刷し、積層体１２の焼成工程において、これを焼結させることによって形成される。なお、このような印刷法に代えて、蒸着法、スパッタリング法またはフォトリソグラフィー法が適用されてもよい。
【００２７】
積層体１２の外表面上には、図１に示すように、外部端子電極２７、２８、２９および３０が形成される。外部端子電極２７および２８は、積層体１２の各端部に設けられ、外部端子電極２９および３０は、積層体１２の各側面の中央部に設けられている。なお、外部端子電極２９および３０は、この積層型ＬＣ複合部品１１がたとえばノイズフィルタとして用いられるとき、ともに接地されるものであるので、積層体１２を周回する一体的な電極として形成されてもよい。
【００２８】
外部端子電極２７〜３０は、たとえば銅または銅合金を導電成分として含む導電性ペーストを、積層体１２の外表面上の所定の領域に付与し、これを焼き付けることによって形成される。この場合、外部端子電極２７〜３０のための導電性ペーストは、焼成前の積層体１２の外表面上に付与し、積層体１２の焼成工程において、この導電性ペーストを同時に焼き付けるようにしてもよい。また、外部端子電極２７〜３０上には、必要に応じて、ニッケルめっきおよび半田または錫めっきが施される。
【００２９】
次に、積層体１２に備えるコイル導体１７〜２２およびコンデンサ導体２３〜２６の詳細について説明する。図４ないし図６は、積層体１２をセラミック層１３毎に分解して示す平面図である。図２に示した積層体１２に備える複数のセラミック層１３は、上から順に、図４（ａ）から図６（ｄ）までの順に示されている。
【００３０】
図４（ａ）に示したセラミック層１３は、図２に示した積層体１２の上方の端部に位置する外層３１を与えるもので、外層３１を形成するため、このようなセラミック層１３が適当数積層される。
【００３１】
次に、図４（ｂ）および（ｃ）に示したセラミック層１３上にそれぞれ形成されたコンデンサ導体２３および２４は、図２に示した第１のコンデンサ部分１５を与えるものである。図４（ｂ）に示したコンデンサ導体２３は、セラミック層１３の両側部に引き出される引出し部３２および３３を有していて、図１に示した外部端子電極２９および３０にそれぞれ電気的に接続される。図４（ｃ）に示したコンデンサ導体２４は、セラミック層１３の一方の端部にまで引き出される引出し部３４を有していて、図１に示した外部端子電極２７に電気的に接続される。
【００３２】
コンデンサ導体２３および２４は、セラミック層１３を介して互いに対向して静電容量を形成するものであるが、必要とする静電容量に応じて、コンデンサ導体２３および２４の各々を形成したセラミック層１３の積層数が設定される。
【００３３】
次に、図４（ｄ）に示したセラミック層１３は、図２に示した積層体１２における第１のコンデンサ部分１５とインダクタ部分１４との間に位置する中間層３５を与えるもので、中間層３５を形成するため、このようなセラミック層１３が適当数積層される。
【００３４】
次に、図５（ａ）ないし（ｆ）に示した各セラミック層１３上にそれぞれ形成されたコイル導体１７〜２２は、図２に示したインダクタ部分１４を与えるものである。コイル導体１７〜２２の各々の詳細について以下に説明する。
【００３５】
図５（ａ）に示したコイル導体１７は、実質的に１ターンを与えるスパイラル状に形成され、その一方端には、セラミック層１３の一方の端部にまで引き出される引出し部３６を形成し、その他方端には、セラミック層１３を貫通するビアホール導体３７が設けられる。引出し部３６は、図１に示した外部端子電極２７に電気的に接続される。
【００３６】
なお、このビアホール導体３７および後述するビアホール導体３８〜４１は、対応のセラミック層１３となるセラミックグリーンシートにレーザ加工またはパンチング等によって貫通孔を設け、この貫通孔に導電性ペーストを充填することによって形成されるものである。
【００３７】
図５（ｂ）に示したコイル導体１８は、実質的に２ターンを与えるスパイラル状に形成され、その一方端は、上述したビアホール導体３７に電気的に接続され、その他方端には、セラミック層１３を貫通するビアホール導体３８が設けられる。
【００３８】
図５（ｃ）に示したコイル導体１９は、実質的に３ターンを与えるスパイラル状に形成され、その一方端は、上述したビアホール導体３８に電気的に接続され、その他方端には、セラミック層１３を貫通するビアホール導体３９が設けられる。
【００３９】
図５（ｄ）に示したコイル導体２０は、実質的に３ターンを与えるスパイラル状に形成され、その一方端は、上述したビアホール導体３９に電気的に接続され、その他方端には、セラミック層１３を貫通するビアホール導体４０が設けられる。
【００４０】
図５（ｅ）に示したコイル導体２１は、実質的に２ターンを与えるスパイラル状に形成され、その一方端は、上述したビアホール導体４０に電気的に接続され、その他方端には、セラミック層１３を貫通するビアホール導体４１が設けられる。
【００４１】
図５（ｆ）に示したコイル導体２２は、実質的に１ターンを与えるスパイラル状に形成され、その一方端は、上述したビアホール導体４１に電気的に接続され、その他方端には、セラミック層１３の一方の端部にまで引き出される引出し部４２を形成している。この引出し部４２は、図１に示した外部端子電極２８に電気的に接続される。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示したセラミック層１３は、図２に示した積層体１２におけるインダクタ部分１４と第２のコンデンサ部分１６との間の中間層４３を与えるもので、中間層４３を形成するため、このようなセラミック層１３が適当数積層される。
【００４３】
次に、図６（ｂ）および（ｃ）に示したセラミック層１３上にそれぞれ形成されたコンデンサ導体２５および２６は、図２に示した第２のコンデンサ部分１６を与えるものである。コンデンサ導体２５は、セラミック層１３の両側部に引き出される引出し部４４および４５を有し、これら引出し部４４および４５は、図１に示した外部端子電極２９および３０にそれぞれ電気的に接続される。コンデンサ導体２６は、セラミック層１３の一方の端部にまで引き出される引出し部４６を有し、この引出し部４６は、図１に示した外部端子電極２８に電気的に接続される。
【００４４】
コンデンサ導体２５および２６についても、これらはセラミック層１３を介して互いに対向して静電容量を形成するものであるが、必要とする静電容量に応じて、コンデンサ導体２５および２６の各々を形成したセラミック層１３の積層数が設定される。
【００４５】
図６（ｄ）に示したセラミック層１３は、図２に示した積層体１２の下方の端部に位置する外層４７を与えるもので、外層４７を形成するため、このようなセラミック層１３が適当数積層される。
【００４６】
以上のような構成を有する積層型ＬＣ複合部品１１は、図３に示すようなπ型ＬＣフィルタに対応する等価回路を実現する。図３において、図１および図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付すことによって、その対応関係を容易に理解できるようにしている。
【００４７】
このような積層型ＬＣ複合部品１１によれば、図２によく示されているように、セラミック層１３間の界面に沿って延びるコイル導体１７〜２２の各々のターン数は、コンデンサ部分１５および１６の各々により近づくほど、より少なくされ、それによって、コイル導体１７〜２２の総面積が、コンデンサ部分１５および１６の各々により近づくほど、より小さくされている。したがって、インダクタ部分１４における、中間層３５および４３の各々との境界近傍での焼成時の収縮挙動を、中間層３５および４３に近づけることができ、これらの部分で生じ得る応力を低減し、その結果、クラックやデラミネーションのような構造欠陥を生じさせにくくすることができる。
【００４８】
また、この積層型ＬＣ複合部品１１では、コイル導体１７〜２２の積層方向に重なる数は、積層体１２の外周側ほど、より少なくされている。したがって、焼成前の積層体１２に対して実施されるプレス工程の結果、コイル導体１７〜２２の存在のためにもたらされる密度の差を低減することができ、これに起因する構造欠陥も生じさせにくくすることができる。
【００４９】
なお、インダクタ部分１４に備えるコイル導体１７〜２２のうち、コンデンサ部分１５および１６の各々に最も近いコイル導体１７および２３とコンデンサ部分１５および１６の各々に備えるコンデンサ導体２３〜２６のうち、インダクタ部分１４に最も近いものとの間の距離、言い換えると、中間層３５および４３の各々の厚みが、１５０μｍより大きい場合には、前述したような焼成時の収縮挙動に起因する構造欠陥が比較的生じにくい。したがって、この実施形態において採用される構造は、特に、中間層３５および４３の各々の厚みが１５０μｍ以下であるとき、特に効果的である。
【００５０】
図７は、この発明の第２の実施形態を説明するための図２に相当する図である。図７において、図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５１】
図７に示した積層体５１は、図２に示した積層体１２における第１のコンデンサ部分１５を備えないものに相当する構造を有している。
【００５２】
積層体５１において、インダクタ部分１４は、積層体５１の積層方向の端部に位置している。また、この端部には、外層５２が設けられるが、この実施形態では、複数のコイル導体１７〜２２の各々のターン数は、積層体５１の端部に近づくほど、より少なくなるようにされている。これは、外層５２とインダクタ部分１４との間での焼成時の収縮挙動の差を低減するのに効果的である。
【００５３】
図８は、この発明の第３の実施形態を説明するための図２または図７に相当する図である。図８において、図２または図７に示す要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５４】
図８に示した積層体６１のインダクタ部分１４には、セラミック層１３の延びる方向に配列された複数のインダクタ６２、６３および６４が設けられ、アレイ型の積層型ＬＣ複合部品を構成するようにされている。
【００５５】
図９は、この発明の第４の実施形態による積層型ＬＣ複合部品７１を示す断面図である。
【００５６】
積層型ＬＣ複合部品７１は、積層体７２を備え、積層体７２は、複数の積層されたセラミック層７３をもって構成される。この実施形態では、セラミック層７３の積層方向は、図９による左右方向であって、基板（図示せず。）の実装面に対して平行な方向とされる。
【００５７】
積層体７２には、第１および第２のインダクタ部分７４および７５の間にコンデンサ部分７６が挟まれるように位置されている。
【００５８】
第１のインダクタ部分７４には、セラミック層７３間の複数の界面に沿って延びる複数のコイル導体７７が形成され、第２のインダクタ部分７５には、セラミック層７３間の複数の界面に沿って延びる複数のコイル導体７８が形成され、コンデンサ部分７６には、セラミック層７３間の複数の界面に沿って延びる複数のコンデンサ導体７９および８０が形成される。
【００５９】
積層体７２における、第１のインダクタ部分７４とコンデンサ部分７６との間には中間層８１が設けられ、第２のインダクタ部分７５とコンデンサ部分７６との間には、中間層８２が設けられ、積層体７２の一方の端部には外層８３が設けられ、同じく他方の端部には、外層８４が設けられる。
【００６０】
積層体７２の外表面上であって、一方の端部には、外部端子電極８５が形成され、他方の端部には、外部端子電極８６が形成され、中間部には、周回するように、外部端子電極８７が設けられる。
【００６１】
複数のコイル導体７７および複数のコイル導体７８の各々についてのセラミック層７３を介しての接続は、前述したコイル導体１７〜２２の場合と同様、ビアホール導体（図示せず。）によって達成される。
【００６２】
第１のインダクタ部分７４に設けられた複数のコイル導体７７による接続の一方端は、ビアホール導体８８を介して外部端子電極８５に電気的に接続される。これらコイル導体７７による接続の他方端は、ビアホール導体８９を介して、第２のインダクタ部分７５に設けられた複数のコイル導体７８による接続の一方端に電気的に接続される。また、第２のインダクタ部分７５に設けられたコイル導体７８による接続の他方端は、ビアホール導体９０を介して外部端子電極８６に電気的に接続される。
【００６３】
また、上述のビアホール導体８９は、コンデンサ部分７６に設けられたコンデンサ導体７９とは電気的に絶縁されながら、コンデンサ導体８０と電気的に接続される。コンデンサ導体７９は、外部端子電極８７に電気的に接続される。
【００６４】
このような積層型ＬＣ複合部品７１においても、コンデンサ部分７６に比較的近いセラミック層７３間の界面に沿って延びるコイル導体７７および７８は、コンデンサ部分７６に比較的遠いセラミック層７３間の界面に沿って延びるコイル導体７７および７８に比べて、そのターン数がより少なくされている。
【００６５】
また、外層８３および８４の各々に比較的近いセラミック層７３間の界面に沿って延びるコイル導体７７および７８は、外層８３および８４の各々に比較的遠いセラミック層７３間の界面に沿って延びるコイル導体７７および７８に比べて、そのターン数がより少なくされている。
【００６６】
図１０は、この発明の第５の実施形態を説明するための図２に相当する図である。図１０において、図２に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６７】
図１０に示した積層体９１のインダクタ部分１４に設けられる複数のコイル導体１７ａ〜２２ａについては、次のような特徴を有している。すなわち、複数のコイル導体１７ａ〜２２ａのうち、コンデンサ部分１５および１６の各々に比較的近いものは、比較的遠いものに比べて、その幅方向寸法がより小さくされ、それによって、総面積がより小さくなるようにされている。
【００６８】
このように、インダクタ部分の、コンデンサ部分側の境界近傍における焼成時の収縮挙動の差をより小さくし、応力を緩和するためには、コンデンサ部分に比較的近いコイル導体の総面積を、比較的遠いコイル導体の総面積より小さくすればよく、その典型的な方法として、第１ないし第４の実施形態のように、ターン数をより少なくする方法と、第５の実施形態のように、コイル導体の幅方向寸法をより小さくする方法とがある。
【００６９】
なお、上述した応力の緩和のため、コンデンサ部分に設けられたコンデンサ導体について、インダクタ部分により近いものほど、その面積を小さくすることも有効な方法の１つとして考えられる。
【００７０】
また、セラミック層は、誘電体セラミックからなる場合に限らず、磁性体セラミックから構成されても、あるいは、コンデンサ部分において誘電体セラミックを用い、かつインダクタ部分において磁性体セラミックを用いてもよい。
【００７１】
また、この発明が向けられる積層型ＬＣ複合部品は、ノイズフィルタとして用いられる場合に限らず、たとえばローパスフィルタのような高周波ＬＣフィルタなどにも適用することができる。
【００７２】
また、コイル導体の形状は、スパイラル状に限らず、たとえば、らせん状、ミアンダ状、直線状などであってもよい。
【００７３】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、複数のコイル導体のうち、コンデンサ部分に比較的近いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体が、コンデンサ部分に比較的遠いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体に比べて、ターン数がより少なくされたり、幅方向寸法がより小さくされたりして、その総面積がより小さくされているので、インダクタ部分の、コンデンサ部分側の境界近傍での焼成時の収縮挙動の差が低減され、したがって、この部分で生じ得る応力が緩和され、その結果、積層体において、クラックやデラミネーションのような構造欠陥を生じさせにくくすることができる。
【００７４】
上述した総面積をより小さくするため、コイル導体のターン数をより少なくする場合において、コイル導体の積層方向に重なる数が、積層体の外周側ほど、より少なくなるようにされていると、焼成前の積層体に対して実施されるプレス工程の結果もたらされる密度の差に起因する構造欠陥をより生じさせにくくすることができる。
【００７５】
また、インダクタ部分が、積層体の積層方向の端部に位置している場合、この端部に比較的近いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体が、この端部に比較的遠いセラミック層間の界面に沿って延びるコイル導体に比べて、その総面積をより小さくすると、インダクタ部分の、積層体の端部側での構造欠陥も生じさせにくくすることができる。
【００７６】
また、インダクタ部分に備える、コンデンサ部分に最も近いコイル導体とコンデンサ部分に備える、インダクタ部分に最も近いコンデンサ導体との間の距離が１５０μｍ以下であると、上述したような構造欠陥がより生じやすい。したがって、この発明は、上述の距離が１５０μｍ以下の場合において、特に有利に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態による積層型ＬＣ複合部品１１を示す平面図である。
【図２】図１に示した積層体１２の、図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図である。
【図３】図１に示した積層型ＬＣ複合部品１１が与える等価回路図である。
【図４】図２に示した積層体１２における外層３１から中間層３５に至る部分について、セラミック層１３毎に分解して示す平面図である。
【図５】図２に示した積層体１２におけるインダクタ部分１４について、セラミック層１３毎に分解して示す平面図である。
【図６】図２に示した積層体１２における中間層４３から外層４７に至る部分について、セラミック層１３毎に分解して示す平面図である。
【図７】この発明の第２の実施形態を説明するための図２に相当する図である。
【図８】この発明の第３の実施形態を説明するための図２に相当する図である。
【図９】この発明の第４の実施形態による積層型ＬＣ複合部品７１を示す断面図である。
【図１０】この発明の第５の実施形態を説明するための図２に相当する図である。
【図１１】この発明にとって興味ある従来の積層型ＬＣ複合部品に備える積層体１を示す断面図である。
【符号の説明】
１１，７１  積層型ＬＣ複合部品
１２，５１，６１，７２，９１  積層体
１３，７３  セラミック層
１４，７４，７５  インダクタ部分
１５，１６，７６  コンデンサ部分
１７〜２２，１７ａ〜２２ａ，７７，７８  コイル導体
２３〜２６，７９，８０  コンデンサ導体
【図１】
2004153502.tif 000003
【図２】
2004153502.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004153502.tif 000006
【図５】
2004153502.tif 000007
【図６】
2004153502.tif 000008
【図７】
2004153502.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004153502.tif 000011
【図１０】
2004153502.tif 000012
【図１１】
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