(57)【要約】【課題】試験対象基板の表面にうねりがある場合でも、安定してプローブ針を接触させることが可能なプローブカードを提供する。【解決手段】可撓性を有する膜の片面から複数のプローブ針が突出している。【選択図】  図２
2004301527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する膜と、
前記膜の片面から突出した複数のプローブ針と
を有するプローブカード。
【請求項２】
さらに、
前記膜の表面上または内部に配置され、第１の電極層、誘電体層、第２の電極層が積層されて構成され、前記プローブ針が前記膜に結合する場所の貫通孔が形成されているキャパシタと、
前記第１の電極層と、前記プローブ針の少なくとも１つの第１のプローブ針とを電気的に接続する第１の接続部材と、
前記第２の電極層と、前記プローブ針の少なくとも１つの第２のプローブ針とを電気的に接続する第２の接続部材と
を有する請求項１に記載のプローブカード。
【請求項３】
前記第１のプローブ針が前記膜に結合している位置まで前記第１の電極層が広がって前記第１の接続部材を構成し、前記第１のプローブ針が前記第１の電極層の面に接触している請求項２に記載のプローブカード。
【請求項４】
前記第２のプローブ針が前記膜に結合している位置に、前記第１の電極層、誘電体層、及び第２の電極層を貫通する開口が形成されており、前記第２の接続部材が、前記第２のプローブ針の前記膜側の端部から前記開口内を通って前記第２の電極層まで達している請求項２または３に記載のプローブカード。
【請求項５】
前記プローブ針が、前記膜に結合した基部、前記基部の先端から前記膜の面に並行な方向に延びた中間部、及び前記中間部の、前記基部からずれた位置に結合する先端部を含み、
さらに、前記中間部と前記膜との間に配置され、該中間部、該膜、及び前記基部の側面に固定され、前記膜よりも剛性の高い材料で形成された補強部材を有する請求項１〜４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項６】
さらに、前記膜に密着し、該膜よりも剛性の高い材料で形成され、前記プローブ針の結合している位置以外の部分において切断され、複数の小片に分離されている剛性基板を有する請求項１〜４のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項７】
前記剛性基板が単結晶シリコンで形成され、単結晶シリコン基板をへき開することにより前記小片に分離されている請求項６に記載のプローブカード。
【請求項８】
（ａ）支持基板の第１の面に複数の凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部内に導電性部材を充填する工程と、
（ｃ）前記支持基板の第１の面上に、前記導電性部材に接続された配線を含む配線層を積み上げる工程と、
（ｄ）前記支持基板の前記第１の面とは反対側の第２の面から該支持基板を研削し、前記導電性部材の端面を露出させる工程と、
（ｅ）前記導電性部材の露出した端面に接続された導電性の先端部を形成する工程と、
（ｆ）前記支持基板を前記第２の面からエッチングし、除去する工程と
を有するプローブカードの製造方法。
【請求項９】
（ａ）支持基板の第１の面に複数の凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部内に導電性部材を充填する工程と、
（ｃ）前記支持基板の第１の面上に、前記導電性部材に接続された配線を含む配線層を積み上げる工程と、
（ｄ）前記支持基板の前記第１の面とは反対側の第２の面から該支持基板を研削し、前記導電性部材の端面を露出させる工程と、
（ｅ）前記導電性部材の露出した端面に接続された導電性の先端部を形成する工程と、
（ｆ）前記支持基板を、前記導電性部材の配置されていない位置において切断し、複数の小片に分離する工程と
を有するプローブカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブカード及びその製造方法に関し、特に検査対象物の表面にうねりがある場合にも、容易にプローブ針を検査対象物に接触させることができるプローブカード及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の高速な半導体チップの試験では、ウエハ上に形成された電子回路の多数のパッドに、それぞれプローブ針を接触させ、予め設定されたプログラムに基づいて、種々の特性を測定する通電試験が行われる。通電試験を行うためのプローブカードに、カンチレバータイプのものやパターニングタイプのものがある。近年、高集積化、パッドの狭ピッチ化、高周波化が進んだ半導体装置を試験するために、プローブカードにおいても、プローブ針を狭ピッチ化し、かつ高周波動作を可能にする必要がある。
【０００３】
プローブ針を狭ピッチ化するために、微細加工が容易なシリコン基板を用いたプローブカードが、特許文献１〜３に提案されている。これらのプローブカードはカンチレバータイプであり、シリコン基板の微細加工技術を適用することにより、狭ピッチ化を実現している。
【０００４】
【特許文献１】
特開平６−２１３９３０号公報
【特許文献２】
特開平７−７０５２号公報
【特許文献３】
特開平８−５０１４６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
シリコンを用いたプローブカードは、試験対象基板の表面にうねりがあるとき、プローブ針をすべてのパッドに安定して接触させることが困難である。
【０００６】
本発明の目的は、試験対象基板の表面にうねりがある場合でも、安定してプローブ針を接触させることが可能なプローブカード及びその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、可撓性を有する膜と、前記膜の片面から突出した複数のプローブ針とを有するプローブカードが提供される。
【０００８】
プローブ針を支持する膜が可撓性を有するため、検査対象物の表面のうねりに応じて膜が撓み、プローブ針を安定して検査対象物の表面に接触させることができる。
【０００９】
このプローブカードは、例えば以下の方法で製造することができる。
本発明の他の観点によると、（ａ）支持基板の第１の面に複数の凹部を形成する工程と、（ｂ）前記凹部内に導電性部材を充填する工程と、（ｃ）前記支持基板の第１の面上に、前記導電性部材に接続された配線を含む配線層を積み上げる工程と、（ｄ）前記支持基板の前記第１の面とは反対側の第２の面から該支持基板を研削し、前記導電性部材の端面を露出させる工程と、（ｅ）前記導電性部材の露出した端面に接続された導電性の先端部を形成する工程と、（ｆ）前記支持基板を前記第２の面からエッチングし、除去する工程とを有するプローブカードの製造方法が提供される。
【００１０】
本発明のさらに他の観点によると、（ａ）支持基板の第１の面に複数の凹部を形成する工程と、（ｂ）前記凹部内に導電性部材を充填する工程と、（ｃ）前記支持基板の第１の面上に、前記導電性部材に接続された配線を含む配線層を積み上げる工程と、（ｄ）前記支持基板の前記第１の面とは反対側の第２の面から該支持基板を研削し、前記導電性部材の端面を露出させる工程と、（ｅ）前記導電性部材の露出した端面に接続された導電性の先端部を形成する工程と、（ｆ）前記支持基板を、前記導電性部材の配置されていない位置において切断し、複数の小片に分離する工程とを有するプローブカードの製造方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明の第１の実施例によるプローブカードの、プローブ針が取り付けられた面の平面図を示す。シリコンからなる枠１Ｆによって、可撓性を有する膜２が支持されている。可撓膜２に、複数のプローブ針３が取り付けられている。プローブ針３は、基部４、中間部５、及び先端部６により構成される。
【００１２】
基部４は、可撓膜２に結合する。基部４の先端に中間部５が結合している。中間部５は、基部４から、可撓膜２の面に平行な方向（図１においては右上の方向）に延びる。先端部６は、基部４からずれた位置において中間部５に取り付けられている。
【００１３】
可撓膜２の表面にキャパシタ７が形成されている。キャパシタ７は、可撓膜２のほぼ全面に配置されており、プローブ針３の基部４と重ならない形状にされている。具体的には、キャパシタ７に、基部４を内包する形状の穴８が形成されている。
【００１４】
図２に、第１の実施例によるプローブカードの断面図を示す。ポリイミドからなる複数の層２１、２２、及び２３により可撓膜２が構成されている。各層２１〜２３の厚さは例えば４５μｍである。各層２１〜２３にはビアホールが形成され、このビアホール内に導電性部材が充填されている。層間に配線が配置されており、上下の配線が、ビアホール内の導電性部材で接続される。
【００１５】
可撓膜２の最も下側の層２１の表面（可撓膜２の外側に相当する面）に、キャパシタ７が形成されている。キャパシタ７は、第１の電極層１０、誘電体層１１、及び第２の電極層１２が積層された構造を有する。第１の電極層１０が膜の外側に配置され、第２の電極層１２が第１の電極層１０よりも内側に配置されている。
【００１６】
可撓膜２の底面から下方に向かって複数のプローブ針３が突出している。キャパシタ７は、プローブ針３が可撓膜２に結合する位置と重ならないような形状にされている。具体的には、プローブ針３が可撓膜に結合する位置に、第２の電極層１２及び誘電体層１１を貫通する穴８が形成されている。可撓膜２の面の法線に平行な視線で見た時、穴８は、プローブ針３の結合部を内包する大きさとされている。
【００１７】
各プローブ針３は、基部４、中間部５、及び先端部６から構成される。基部４は、可撓膜２に結合した円柱状の部材であり、可撓膜２の底面に対してほぼ垂直に取り付けられている。中間部５は、基部４の先端に結合し、可撓膜２の底面に平行な方向に延びる。先端部６は、基部４からずれた位置において中間部５に結合し、下方に向かって突出している。
【００１８】
第１の電極層１０の表面及び基部４の側面が、酸化シリコンからなる絶縁膜９で覆われている。中間部５と可撓膜２との間に、シリコンからなる補強部材１Ａが配置されている。補強部材１Ａは、中間部５及び基部４に固定されるとともに、絶縁膜９を介して可撓膜２に固定されている。
【００１９】
可撓膜２の底面の縁に、シリコンからなる枠１Ｆが取り付けられている。枠１Ｆは、可撓膜２の外周の形状を一定に保ち、プローブカードのハンドリングを容易にする。枠１Ｆの厚さは、補強部材１Ａの高さと等しい。枠１Ｆの底面上に、導電膜５Ｆが形成されている。導電膜５Ｆは、プローブ針３の中間部５と同じ材料で形成され、中間部５と同じ厚さを有する。
【００２０】
プローブ針３は、接地電位が印加される接地用プローブ針３Ｇ、電源電圧が印加される電源用プローブ針３Ｖ、及び電気信号を中継するための信号用プローブ針３Ｓに区分される。接地用プローブ針３Ｇが可撓膜２に結合する位置まで、キャパシタ７の第１の電極層１０が広がり、接地用プローブ針３Ｇの基部４が第１の電極層１０に接触している。
【００２１】
電源用プローブ針３Ｖ及び信号用プローブ針３Ｓが可撓膜２に結合する位置には、第１の電極層１０を貫通する穴が形成されている。電源用プローブ針３Ｖは、接続部材２５によりキャパシタ７の第２の電極層１２に接続されている。接続部材２５は、電源用プローブ針３Ｖの基部４から、キャパシタ７を構成する第１の電極層１０、誘電体層１１、及び第２の電極層１２に形成された穴の中、ポリイミド層２１の上面、及びポリイミド層２１に形成されたビアホール内を経由して、第２の電極層１２に達する。
【００２２】
信号用プローブ針３Ｓは、可撓膜２内に埋め込まれた導電性部材や配線を経由して、可撓膜２の上面に露出した表面端子２６に接続されている。
次に、図３〜図６を参照して、上記第１の実施例によるプローブカードの製造方法について説明する。
【００２３】
図３（Ａ）に示すように、厚さ６２５μｍのシリコンウエハ１の表面に、深さ１５０μｍ、直径５０μｍの円柱状の複数の穴３０を形成する。穴３０は、例えばＳＦ６とＣ４Ｆ８とを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により形成することができる。穴３０は、図１に示したプローブ針３の基部４に対応する位置に配置される。
【００２４】
プラズマ励起型化学気相成長（プラズマＣＶＤ）により、酸化シリコンからなる厚さ２μｍの絶縁膜９を堆積させる。絶縁膜９は、穴３０の内面及びシリコンウエハ１の表面を覆う。スパッタリングにより、シード層３１を堆積させ、絶縁膜９の表面を覆う。シード層３１は、厚さ２０ｎｍのクロム（Ｃｒ）層と厚さ５００ｎｍの銅（Ｃｕ）層とがこの順番に積層された２層構造を有する。
【００２５】
図３（Ｂ）に示すように、シード層３１の表面に感光性ドライフィルム３２を圧着し、凹部３０に対応する位置に開口を形成する。銅を電解めっきすることにより、凹部３０内に銅部材４を充填する。その後、ドライフィルム３２を除去する。
【００２６】
図３（Ｃ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）により、基板表面の平坦化を行う。基板１の平坦な表面上に、絶縁膜９が残り、凹部３０内に銅部材４が残る。銅部材４は、図２に示されたプローブ針３の基部４になる。なお、凹部３０の内面は、絶縁膜９で被覆されている。実際には、絶縁膜９と銅部材４との界面にシード層３１が残るが、図３（Ｃ）及びこれ以降の図面ではシード層３１の記載を省略している。
【００２７】
図４（Ｄ）に示すように、平坦化された基板面上に第１の電極層１０、誘電体層１１、及び第２の電極層１２を順番に積層する。第１の電極層１０は、基板側から順番に、厚さ５０ｎｍのＴｉＯ２層、厚さ５０ｎｍのＴｉ層、及び厚さ２００ｎｍのＰｔ層が積層された３層構造を有する。誘電体層１１は、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）からなる厚さ２００ｎｍの層である。第２の電極層１２は、Ｐｔからなる厚さ２００ｎｍの層である。これらの膜は、スパッタリングにより形成することができる。
【００２８】
図４（Ｅ）に示す状態に至るまでの工程を説明する。第２の電極層１２の上にレジスト膜を形成し、凹部３０に対応する位置に開口を形成する。この開口は、基板表面の法線に平行な視線で見た時、銅部材４を内包する大きさとされている。このレジスト膜をエッチングマスクとして第２の電極層をエッチングし、開口を形成する。レジスト膜を除去し、新たにレジスト膜を形成する。このレジスト膜の、凹部３０に対応する位置に、第２の電極層１２に形成されている開口よりも小さな開口を形成する。レジスト膜をエッチングマスクとして誘電体層１１をエッチングし、開口を形成する。誘電体層１１に形成される開口は、第２の電極層１２に形成されている開口よりも大きい。開口形成後、レジスト膜を除去する。
【００２９】
第２の電極層１２の上に、新たなレジスト膜を形成する。このレジスト膜の、凹部３０に対応する位置に、誘電体層１１に形成されている開口よりも小さな開口を形成する。ただし、接地用プローブ針を構成する基部４Ｇの位置には、開口を形成しない。このレジスト膜をエッチングマスクとして第１の電極層１０をエッチングし、第１の電極層１０に開口を形成する。その後、エッチングマスクとして使用したレジスト膜を除去する。
【００３０】
このようにして、接地用プローブ針を構成する基部４Ｇの位置においては、第２の電極層１２と誘電体層１１との２層を貫通する開口８が形成され、電源用プローブ針を構成する基部４Ｖ及び信号用プローブ針を構成する基部４Ｓの位置においては、第２の電極層１２、誘電体層１１、及び第１の電極層１０の３層を貫通する開口８が形成される。
【００３１】
図４（Ｆ）に示すように、第２の電極層１２の上に感光性の厚さ５μｍのポリイミド層２１を形成する。ポリイミド層２１は、例えばポリイミド前駆体をスピナを用いてスピン塗布することにより形成される。
【００３２】
凹部３０が配置されている位置に、ポリイミド層２１を貫通するビアホール３５を形成するとともに、電源用プローブ針の基部４Ｖの近傍に、第２の電極層１２の上面の一部を露出させるビアホール３６を形成する。ビアホール３５は、第２の電極層１２、誘電体層１１、及び第１の電極層１０に形成された穴８よりも細く、穴８の内周よりもさらに内側に配置される。
【００３３】
図５（Ｇ）に示した状態に至るまでの工程について説明する。ポリイミド層２１の表面、ビアホール３５及び３６の内面を覆うようにシード層を形成する。シード層は、厚さ２０ｎｍのＣｒ層と厚さ５００ｎｍのＣｕ層との２層構造を有する。ポリイミド層２１の表面上に形成すべき配線に対応する開口を有するレジストパターンを形成する。Ｃｕを電解めっきし、レジストパターンを除去する。ポリイミド層２１の表面上に残っているシード層をエッチング除去する。これにより、ビアホール３５及び３６が銅で充填されるとともに、ポリイミド層２１の表面上に銅配線が形成される。
【００３４】
電源用プローブ針の基部４Ｖが、ビアホール３５内に充填された銅部材、ポリイミド層２１の表面上に形成された配線２５、及びビアホール３６内に充填された銅部材を経由して、第２の電極層１２に接続される。
【００３５】
図５（Ｈ）に示すように、ポリイミド層２１の上に、２層目のポリイミド層２２及び３層目のポリイミド層２３を積層する。ポリイミド層２２及び２３には、１層目のポリイミド層２１と同様のビアホールや配線が形成される。
【００３６】
図６（Ｉ）に示すように、基板１の底面から基板１を研削し、凹部３０の底面が露出する直線で研削を停止する。ＳＦ６とＣ４Ｆ８を用いたＲＩＥにより、基板１の底面側の表層部をエッチングし、凹部３０の底面を露出させる。凹部３０の底面には、酸化シリコンからなる絶縁膜９が露出する。
【００３７】
図６（Ｊ）に示すように、基板１の底面に露出した絶縁膜９を、バッファード弗酸を用いてエッチングする。これにより、基部４Ｇ、４Ｖ及び４Ｓが露出する。
【００３８】
図２に示した状態に至るまでの工程について説明する。図６（Ｊ）の基板１の底面上に、シード層をスパッタリングにより形成する。シード層は、厚さ２０ｎｍのＣｒ層と厚さ５００ｎｍのＣｕ層とが積層された２層構造を有する。シード層の表面上に厚さ約５μｍのレジスト膜を形成し、このレジスト膜に、中間部５及び図１に示した枠１Ｆに対応する開口を形成する。
【００３９】
銅を電解めっきし、厚さ５μｍの中間部５を形成する。枠１Ｆに対応する領域に厚さ５μｍの銅層５Ｆが形成される。レジスト膜上に厚さ約１０μｍの２層目のレジスト膜を形成する。２層目のレジスト膜に、先端部６に対応する開口を形成する。なお、この開口は、基板から離れるに従って断面が小さくなるようなテーパ状にされている。銅を電解めっきすることにより、高さ１０μｍの先端部６を形成する。
【００４０】
１層目及び２層目のレジスト膜を除去し、その後シード層をエッチング除去する。
中間部５及び銅層５Ｆをエッチングマスクとして、基板１をエッチングする。基板１のエッチングは、ＳＦ６とＣ４Ｆ８を用いたＲＩＥにより行うことができる。図３（Ａ）に示した工程で形成した酸化シリコンからなる絶縁膜９がエッチングストッパとして働き、絶縁膜９が露出した時点でエッチングを停止させることができる。これにより、中間部６と可撓膜２との間にシリコンからなる補強部材１Ａが残り、銅層５Ｆで覆われていた領域に、シリコンからなる枠１Ｆが残る。
【００４１】
第１の実施例によるプローブカードでは、プローブ針３が可撓膜２に取り付けられている。プローブカードの製造途中に、可撓膜２やプローブ針３を支持するために用いられた剛性基板１は、最終的にはエッチングされ、枠１Ｆ及び補強部材１Ａの部分にのみ残る。剛性の高い補強部材１Ａが離散的に分布するため、可撓膜２は、検査対象物の表面のうねりに応じて撓むことができる。このため、プローブ針３を安定して検査対象物の表面に接触させることができる。
【００４２】
また、キャパシタ７が可撓膜２の底面のほぼ全面に亘って配置されている。このため、大きな静電容量を確保することができ、高周波ノイズを効率的に除去することができる。
【００４３】
上記第１の実施例では、キャパシタ７を可撓膜２の底面上に配置したが、複数のポリイミド層からなる可撓膜２の内層に配置してもよい。
図７に第２の実施例によるプローブカードの断面図を示す。図２に示した第１の実施例では、プローブ針３の先端部６が基部４からずれた位置で中間部５に結合していたが、第２の実施例では、可撓膜２の面の法線に平行な視線で見た時、基部４、中間部５及び先端部６がほぼ重なる。このため、基板１をその底面からエッチングする時に、基部４の側面に密着している部分もエッチング除去され、図２に示した補強部材１Ａが残らない。
【００４４】
基部４のみで十分な機械的強度が得られる場合には、第２の実施例のように、補強部材１Ａの無い構造としてもよい。中間部５が、可撓膜２の面に平行な方向に延びないため、プローブ針３をより高密度に配置することが可能になる。
【００４５】
また、図２に示した状態から、シリコンを等方的にエッチングして補強部材１Ａを除去してもよい。これにより、カンチレバータイプのプローブ針を形成することができる。
【００４６】
図８に、第３の実施例によるプローブカードの断面図を示す。第１の実施例では、図２に示したように、基板１の大部分がエッチングされて、枠１Ｆ及び補強部材１Ａのみが残されていた。第３の実施例で、基板１が残されている。ただし、基板１は、プローブ針３の配置されていない領域でへき開されて複数の小片に分離されている。
【００４７】
基板１のへき開されている箇所で、可撓膜２が屈曲するため、試験対象物の表面のうねりを吸収し、プローブ針３を安定して試験対象物に接触させることができる。
【００４８】
上記実施例では、可撓膜２をポリイミドで形成したが、可撓性を有する他の絶縁材料で形成してもよい。例えば、プラスチック等の一般的な熱硬化性樹脂で形成してもよい。
【００４９】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５０】
上記実施例から、以下の付記に示された発明が導出される。
（付記１）  可撓性を有する膜と、
前記膜の片面から突出した複数のプローブ針と
を有するプローブカード。
【００５１】
（付記２）  さらに、
前記膜の表面上または内部に配置され、第１の電極層、誘電体層、第２の電極層が積層されて構成され、前記プローブ針が前記膜に結合する場所に貫通孔が形成されているキャパシタと、
前記第１の電極層と、前記プローブ針の少なくとも１つの第１のプローブ針とを電気的に接続する第１の接続部材と、
前記第２の電極層と、前記プローブ針の少なくとも１つの第２のプローブ針とを電気的に接続する第２の接続部材と
を有する付記１に記載のプローブカード。
【００５２】
（付記３）  前記第１のプローブ針が前記膜に結合している位置まで前記第１の電極層が広がって前記第１の接続部材を構成し、前記第１のプローブ針が前記第１の電極層の面に接触している付記２に記載のプローブカード。
【００５３】
（付記４）  前記第２のプローブ針が前記膜に結合している位置に、前記第１の電極層、誘電体層、及び第２の電極層を貫通する開口が形成されており、
前記第２の接続部材が、前記第２のプローブ針の前記膜側の端部から前記開口内を通って前記第２の電極層まで達している付記２または３に記載のプローブカード。
【００５４】
（付記５）  前記プローブ針が、前記膜に結合した基部、前記基部の先端から前記膜の面に並行な方向に延びた中間部、及び前記中間部の、前記基部からずれた位置に結合する先端部を含み、
さらに、前記中間部と前記膜との間に配置され、該中間部、該膜、及び前記基部の側面に固定され、前記膜よりも剛性の高い材料で形成された補強部材を有する付記１〜４のいずれかに記載のプローブカード。
【００５５】
（付記６）  さらに、前記膜に密着し、該膜よりも剛性の高い材料で形成され、前記プローブ針の結合している位置以外の部分において切断され、複数の小片に分離されている剛性基板を有する付記１〜４のいずれかに記載のプローブカード。
【００５６】
（付記７）  前記剛性基板が単結晶シリコンで形成され、単結晶シリコン基板をへき開することにより前記小片に分離されている付記６に記載のプローブカード。
【００５７】
（付記８）  （ａ）支持基板の第１の面に複数の凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部内に導電性部材を充填する工程と、
（ｃ）前記支持基板の第１の面上に、前記導電性部材に接続された配線を含む配線層を積み上げる工程と、
（ｄ）前記支持基板の前記第１の面とは反対側の第２の面から該支持基板を研削し、前記導電性部材の端面を露出させる工程と、
（ｅ）前記導電性部材の露出した端面に接続された導電性の先端部を形成する工程と、
（ｆ）前記支持基板を前記第２の面からエッチングし、除去する工程と
を有するプローブカードの製造方法。
【００５８】
（付記９）  前記配線層が、可撓性を有する絶縁層を含む付記８に記載のプローブカードの製造方法。
（付記１０）  前記工程（ｃ）が、
前記支持基板の第１の面上に、第１の電極層、誘電体層、及び第２の電極層を、この順番に積層する工程と、
前記第２の電極層及び前記誘電体層に、前記支持基板の法線に平行な視線で見た時、前記導電性部材を内包する形状の開口を形成する工程と、
前記第１の電極層に、該第１の電極層に接続すべき導電性部材が配置された位置には該第１の電極層を残し、その他の導電性部材が配置された位置においては、前記支持基板の法線に平行な視線で見た時、前記導電性部材を内包する形状の開口を形成する工程と、
前記支持基板の第１の面上に可撓性を有する材料からなる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記第２の電極層に接続すべき導電性部材の端面を露出させる第１のビアホール、及び前記第２の電極層の表面の一部を露出させる第２のビアホールを形成する工程と、
前記第１のビアホール内、前記絶縁層の上面上、及び前記第２のビアホール内を経由して、前記導電性部材と前記第２の電極層とを接続する接続部材を形成する工程と
を含む付記８または９に記載のプローブカードの製造方法。
【００５９】
（付記１１）  前記工程（ｅ）が、
前記支持基板の第２の面上に、前記導電性部材に接続され、前記第２の面に平行な方向に延びた導電性の中間部材を形成する工程と、
前記導電性部材からずれた位置において、前記中間部材に接続された前記先端部を形成する工程と
を含み、
前記工程（ｆ）において、前記中間部材をマスクとして、前記支持基板をエッチングする付記８〜１０のいずれかに記載のプローブカードの製造方法。
【００６０】
（付記１２）  （ａ）支持基板の第１の面に複数の凹部を形成する工程と、
（ｂ）前記凹部内に導電性部材を充填する工程と、
（ｃ）前記支持基板の第１の面上に、前記導電性部材に接続された配線を含む配線層を積み上げる工程と、
（ｄ）前記支持基板の前記第１の面とは反対側の第２の面から該支持基板を研削し、前記導電性部材の端面を露出させる工程と、
（ｅ）前記導電性部材の露出した端面に接続された導電性の先端部を形成する工程と、
（ｆ）前記支持基板を、前記導電性部材の配置されていない位置において切断し、複数の小片に分離する工程と
を有するプローブカードの製造方法。
【００６１】
（付記１３）  前記配線層が、可撓性を有する絶縁層を含む付記１２に記載のプローブカードの製造方法。
（付記１４）  前記工程（ｃ）が、
前記支持基板の第１の面上に、第１の電極層、誘電体層、及び第２の電極層を、この順番に積層する工程と、
前記第２の電極層及び前記誘電体層に、前記支持基板の法線に平行な視線で見た時、前記導電性部材を内包する形状の開口を形成する工程と、
前記第１の電極層に、該第１の電極層に接続すべき導電性部材が配置された位置には該第１の電極層を残し、その他の導電性部材が配置された位置においては、前記支持基板の法線に平行な視線で見た時、前記導電性部材を内包する形状の開口を形成する工程と、
前記支持基板の第１の面上に可撓性を有する材料からなる絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に、前記第２の電極層に接続すべき導電性部材の端面を露出させる第１のビアホール、及び前記第２の電極層の表面の一部を露出させる第２のビアホールを形成する工程と、
前記第１のビアホール内、前記絶縁層の上面上、及び前記第２のビアホール内を経由して、前記導電性部材と前記第２の電極層とを接続する接続部材を形成する工程と
を含む付記１２または１３に記載のプローブカードの製造方法。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プローブカードが、試験対象物の表面にうねりに対応して変形するため、プローブ針を安定して試験対象物に接触させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例によるプローブカードの底面図である。
【図２】第１の実施例によるプローブカードの断面図である。
【図３】第１の実施例によるプローブカードの製造方法を説明するための製造途中のプローブカードの断面図（その１）である。
【図４】第１の実施例によるプローブカードの製造方法を説明するための製造途中のプローブカードの断面図（その２）である。
【図５】第１の実施例によるプローブカードの製造方法を説明するための製造途中のプローブカードの断面図（その３）である。
【図６】第１の実施例によるプローブカードの製造方法を説明するための製造途中のプローブカードの断面図（その４）である。
【図７】第２の実施例によるプローブカードの断面図である。
【図８】第３の実施例によるプローブカードの断面図である。
【符号の説明】
１  基板
１Ｆ  枠
２  可撓膜
３  プローブ針
４  基部
５  中間部
６  先端部
７  キャパシタ
８  穴
９  絶縁膜
１０  第１の電極層
１１  誘電体層
１２  第２の電極層
２１、２２、２３  層間絶縁膜
２５  接続部材
３０  穴
３１  シード層
３５、３６  ビアホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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