(57)【要約】【課題】二重波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカを提供する。【解決手段】レーザビームを発振するレーザ共振器１０１と、レーザ共振器１０１からのレーザビームを受けて２次調和波長を生成する２次調和波長モジュール１１３と、共振器１０１と２次調和波長モジュール１１３との間に着脱自在に配されて装着時にレーザ共振器１０１から発振されたレーザビームを反射する反射ミラー１０２とを備える。本発明の二重波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカによれば、一つのレーザ共振器１０１で２波長のレーザビームを容易に選択して使用できるメリットがある。【選択図】図４
2004179625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを発振するレーザ共振器と、
前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて２次調和波長を生成する２次調和波長モジュールと、
前記共振器と前記２次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配され、レーザビーム経路上に装着時に前記レーザ共振器から発振されたレーザビームを一方向に反射する反射ミラーとを備え、
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路上に装着した時には１０６４ｎｍ波長のレーザビームを発振し、
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から脱着した時には５３２ｎｍ波長のレーザビームを発振することを特徴とする１０６４／５３２ｎｍ波長兼用レーザシステム。
【請求項２】
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から装着及び脱着させる水平移動手段または回動手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の１０６４／５３２ｎｍ波長兼用レーザシステム。
【請求項３】
レーザビームを発振するレーザ共振器と、前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて２次調和波長を生成する２次調和波長モジュールと、前記共振器と前記２次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配置された反射ミラーとを備えるレーザシステムと、
前記反射ミラーに反射されたレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第１ガルバノスキャナと、
前記第１ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第１ｆ−θレンズと、
前記第１ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第１ウェーハホルダと、
前記反射ミラーが脱着時に前記レーザ共振器から発振され、前記２次調和波長モジュールを通過したレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第２ガルバノスキャナと、
前記第２ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第２ｆ−θレンズと、
前記第２ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第２ウェーハホルダとを備えることを特徴とする１０６４／５３２ｎｍ波長兼用チップスケールマーカ。
【請求項４】
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から装着及び脱着させる水平移動手段または回動手段をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の１０６４／５３２ｎｍ波長兼用チップスケールマーカ。
【請求項５】
レーザビームを発振するレーザ共振器と、
前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて３次調和波長を生成する３次調和波長モジュールと、
前記共振器と前記３次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配され、レーザビーム経路上に装着時に前記レーザ共振器から発振されたレーザビームを一方向に反射する反射ミラーとを備え、
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路上に装着した時には１０６４ｎｍ波長のレーザビームを発振し、
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から脱着した時には３５５ｎｍ波長のレーザビームを発振することを特徴とする１０６４／３５５ｎｍ波長兼用レーザシステム。
【請求項６】
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から装着及び脱着させる水平移動手段または回動手段をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の１０６４／３５５ｎｍ波長兼用レーザシステム。
【請求項７】
レーザビームを発振するレーザ共振器と、前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて３次調和波長を生成する３次調和波長モジュールと、前記共振器と前記３次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配置された反射ミラーとを備えるレーザシステムと、
前記反射ミラーに反射されたレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第１ガルバノスキャナと、
前記第１ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第１ｆ−θレンズと、
前記第１ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第１ウェーハホルダと、
前記反射ミラーが脱着時に前記レーザ共振器から発振され、前記３次調和波長モジュールを通過したレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第２ガルバノスキャナと、
前記第２ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第２ｆ−θレンズと、
前記第２ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第２ウェーハホルダとを備えることを特徴とする１０６４／３５５ｎｍ波長兼用チップスケールマーカ。
【請求項８】
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から装着及び脱着させる水平移動手段または回動手段をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の１０６４／３５５ｎｍ波長兼用チップスケールマーカ。
【請求項９】
レーザビームを発振するレーザ共振器と、
前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて４次調和波長を生成する４次調和波長モジュールと、
前記共振器と前記４次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配され、レーザビーム経路上に装着時に前記レーザ共振器から発振されたレーザビームを一方向に反射する反射ミラーとを備え、
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路上に装着した時には１０６４ｎｍ波長のレーザビームを発振し、
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から脱着した時には２６６ｎｍ波長のレーザビームを発振することを特徴とする１０６４／２６６ｎｍ波長兼用レーザシステム。
【請求項１０】
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から装着及び脱着させる水平移動手段または回動手段を備えることを特徴とする請求項９に記載の１０６４／２６６ｎｍ波長兼用レーザシステム。
【請求項１１】
レーザビームを発振するレーザ共振器と、前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて４次調和波長を生成する４次調和波長モジュールと、前記共振器と前記４次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配置された反射ミラーとを備えるレーザシステムと、
前記反射ミラーに反射されたレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第１ガルバノスキャナと、
前記第１ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第１ｆ−θレンズと、
前記第１ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第１ウェーハホルダと、
前記反射ミラーが脱着時に前記レーザ共振器から発振され、前記４次調和波長モジュールを通過したレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第２ガルバノスキャナと、
前記第２ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第２ｆ−θレンズと、
前記第２ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第２ウェーハホルダとを備えることを特徴とする１０６４／２６６ｎｍ波長兼用チップスケールマーカ。
【請求項１２】
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から装着及び脱着させる水平移動手段または回動手段をさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の１０６４／２６６ｎｍ波長兼用チップスケールマーカ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は二重波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカに係り、さらに詳細にはマーキング表面のコーティング有無によりレーザ波長を選択して使用できるチップスケールマーカに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体工程にて使用するウェーハは数千個または数万個のチップよりなっている。それらチップを生産ロット別に区別するために各チップの表面に文字及び／または数字を表示する。この時、マーキングのために使用する装備としてレーザビームを使用するチップスケールマーカ装備が使われる。従来にはダイシングされた小さなチップにロット番号をマーキングしたが、先端技術の発達で集積回路（ＩＣ）の超小型及び軽量化が可能になるにつれて作業効率を上げて大量生産のために、ウェーハ上で個別チップに対してマーキングを行った後でダイシングを行った。
【０００３】
かようなウェーハは片面に表面実装された回路を有し、他面にロット番号のマーキングを施す。
【０００４】
最近にはウェーハを薄くしてチップを幾重にも重ねて積層する技術の発展と共に、マーキング面に黒色のエポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ：ＥＭＣ）コーティングを施す傾向がある。一般的に、シリコンウェーハ表面にはシリコンウェーハに対して吸収率が高くて高解像度を有するＮｄ：ＹＡＧ ５３２ｎｍレーザ波長でマーキングし、ＥＭＣコーティングされたマーキング表面にはＮｄ：ＹＡＧ １０６４ｎｍレーザ波長でマーキングすることが望ましい。
【０００５】
図１は一般的なレーザシステムの構成を示す図面であり、ウェーハホルダ及びウェーハを共に図示し、図２は図１のレーザシステムが採用された従来のチップスケールマーカの構成を概略的に示す平面図である。
【０００６】
図１を参照すれば、レーザシステム１０はレーザビームを提供するレーザ共振器１１と前記レーザ共振器１１からのレーザビーム経路上に順次位置するガルバノスキャナ１３及びｆ−θレンズ１５が位置する。
【０００７】
前記ガルバノスキャナ１３はＸミラー１３ａ及びＹミラー１３ｂとそれらをそれぞれ駆動するモータ（図示せず）とを備え、それらミラー１３ａ，１３ｂの位置を調節してレーザビームを所定領域でＸ−Ｙ方向に走査する。
【０００８】
前記ｆ−θレンズ１５は入射されたレーザビームがマーキング領域の全体に対して同じ焦点距離を形成させる。
【０００９】
かようなレーザシステムは特許文献１に開示されている。
【００１０】
レーザシステム１０の上にはウェーハホルダ２０が配されており、ウェーハホルダ２０上にウェーハＷが置かれている。
【００１１】
図２を参照すれば、マーキング対象ウェーハＷが置かれるウェーハホルダ２０の垂直下方（便宜のために図２ではウェーハホルダ２０の下にレーザシステム１０を図示）にはレーザシステム１０が配される。そして、ウェーハホルダ２０から所定距離はなされてロボットアーム３０が配される。また、ロボットアーム３０から届く領域にウェーハ予備整列器４０と、マーキング前のウェーハを保存するウェーハカセット５１と、マーキング後のウェーハを保存するウェーハカセット５２とが配されている。
【００１２】
かようなチップスケールマーカの作動過程を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
まず、ロボットアーム３０でウェーハカセット５１からマーキングしようというウェーハを引出して予備整列器４０上に上げる。それにより、予備整列器４０は図３のようにウェーハの表面に形成されたノッチＮまたは基準線Ｒをレファレンスとしてウェーハを整列する。
【００１４】
次に、予備整列されたウェーハはロボットアーム３０によりウェーハホルダ２０に移送され、レーザシステム１０で表面がマーキングされる。マーキングされたウェーハＷはウェーハカセット５２に移送されて保存される。
【特許文献１】特開平９−２４８６９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、前記のようなレーザシステム１０及びチップスケールマーカは一波長のレーザビームだけ使用してウェーハＷをマーキングすべく製作されるので、２種の波長を必要とする場合には使用する波長が異なる２つのレーザシステムを装着せねばならないので、レーザシステムの取付け費がかさむ。
【００１６】
本発明は上記の問題点を改善するために創出されたものであり、レーザシステム１台だけで２種の波長のレーザビームを選択的に使用可能な二重波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために本発明の１０６４／５３２ｎｍ波長兼用レーザシステムは、レーザビームを発振するレーザ共振器と、前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて２次調和波長を生成する２次調和波長モジュールと、前記共振器と前記２次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配され、レーザビーム経路上に装着時に前記レーザ共振器から発振されたレーザビームを一方向に反射する反射ミラーとを備え、
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路上に装着した時には１０６４ｎｍ波長のレーザビームを発振し、前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から脱着した時には５３２ｎｍ波長のレーザビームを発振することを特徴とする。
【００１８】
前記反射ミラーを前記レーザビーム経路から外れさせる水平移動手段または回動手段をさらに備えることが望ましい。
【００１９】
上記の目的を達成するために本発明の１０６４／５３２ｎｍ波長兼用チップスケールマーカは、レーザビームを発振するレーザ共振器と、前記レーザ共振器からのレーザビームを受けて２次調和波長を生成する２次調和波長モジュールと、前記共振器と前記２次調和波長モジュールとの間に着脱自在に配置された反射ミラーとを備えるレーザシステムと；前記反射ミラーに反射されたレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第１ガルバノスキャナと；前記第１ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第１ｆ−θレンズと；前記第１ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第１ウェーハホルダと；前記反射ミラーが脱着時に前記レーザ共振器から発振され、前記２次調和波長モジュールを通過したレーザビームを受けてＸ−Ｙ方向に走査させる第２ガルバノスキャナと；前記第２ガルバノスキャナからのレーザビームがマーキング領域の全体に同サイズの焦点を形成する第２ｆ−θレンズと；前記第２ｆ−θレンズからのレーザビームが照射されるウェーハを支持する第２ウェーハホルダとを備える。
【００２０】
本発明の他の目的を達成するために本発明の１０６４／３５５ｎｍ波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカは、前記２次調和波長モジュールの代わりに３次調和波長モジュールを備えることを特徴とする。
【００２１】
本発明のさらに他の目的を達成するために本発明の１０６４／２６６ｎｍ波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカは、前記２次調和波長モジュールの代わりに４次調和波長モジュールを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明による二重波長兼用レーザシステム及びチップスケールマーカは一つのレーザ共振器で２波長のレーザビームを容易に選択して使用できるメリットがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例による１０６４／５３２ｎｍ波長兼用レーザシステム及びそれを備えたレーザマーカを詳細に説明する。
【００２４】
図４は本発明の第１実施例による１０６４／５３２ｎｍ波長兼用レーザシステムの概略的な構成を示す図であり、ウェーハホルダ及びウェーハを共に図示し、図５は図４のレーザシステムを採用したチップスケールマーカの概略的な構成を示す平面図であり、従来技術にて詳細に説明した構成要素と同じ構成要素には同じ名称を使用して詳細な説明は省略する。
【００２５】
図４を参照すれば、レーザ共振器１０１から発振された１０６４ｎｍ波長のレーザビームは第１反射ミラー１０２により第１経路Ｐ１に反射される。前記第１反射ミラー１０２に反射されたレーザビームは光学ユニット１０５であるガルバノスキャナ１０６及びｆ−θレンズ１０８を介してウェーハＷ′に照射される。ガルバノスキャナ１０６はＸミラー１０６ａ及びＹミラー１０６ｂを備える。光学ユニット１０５上方には第１ウェーハホルダ１２１及びウェーハＷ′が配され、レーザ共振器１０１から発振されたレーザビームがウェーハＷ′に照射される。
【００２６】
一方、前記第１反射ミラー１０２をレーザビームの経路から離隔させれば、レーザビームは第２経路Ｐ２に進む。第２経路Ｐ２には基本波長を２次調和波長に変換する２次調和波長モジュール１１３、第２反射ミラー１１４、光学ユニット１１５であるガルバノスキャナ１１６及びｆ−θレンズ１１８が順次配されている。ガルバノスキャナ１１６はＸミラー１１６ａ及びＹミラー１１６ｂを備える。光学ユニット１１５上方には第２ウェーハホルダ１２２及びウェーハＷ″が配され、レーザ共振器１0１から発振されたレーザビームがウェーハＷ″に照射される。
【００２７】
前記第１反射ミラー１０２をレーザビーム経路から着脱させることにより基本波長または２次調和波長を選択的に使用可能なので、ウェーハのマーキング面上のコーティング形成の有無により容易に所望の調和波長を選択できる。
【００２８】
前記第１反射ミラー１０２をレーザビーム経路から着脱させる方法は、第１反射ミラー１０２を図４に点線で示したように、図示されていない水平移動手段を使用して左右に移動したり、または図６に示すように図示されていない回転手段（回動手段）を使用して第１反射ミラー１０２を支持する部材１０７を、支持軸１０９を基準に回転したりすることにより可能である。
【００２９】
前記レーザシステムの作用を、図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
まず、基本波長のレーザビームを使用する場合を説明する。第１反射ミラー１０２をレーザビームの経路上に位置させた後で、レーザ共振器１０１からレーザビームを発振すれば、発振されたレーザビームは第１反射ミラー１０２に反射されて第１経路Ｐ１に沿ってガルバノスキャナ１０６及びｆ−θレンズ１０８を介してウェーハＷ′に照射される。
【００３１】
次に、２次調和波長を使用する場合を説明する。まず、第１反射ミラー１０２をレーザビームの経路から離隔させる。すなわち、図４のように左側に外したり、または図６に示されるように支持軸１０９を中心に図示されていない回転手段で第１反射ミラー１０２を所定角度で回転したりする。次に、レーザ共振器１０１からレーザビームを発振すれば、基本波長のレーザビームは第２経路Ｐ２から２次調和波長モジュール１１３をたどりつつ第２調和波長に変換される。次に、第２調和波長は第２反射ミラー１１４により経路が変更されてガルバノスキャナ１１６及びｆ−θレンズ１１８を介してウェーハＷ″に照射される。
【００３２】
図５は図４のレーザシステムを含むレーザマーカの望ましい実施例の構成を概略的に示す平面図である。
【００３３】
図５を参照すれば、基本波長のレーザビームが照射されるウェーハを支持する第１ウェーハホルダ１２１と第２調和波長のレーザビームが照射されるウェーハを支持する第２ウェーハホルダ１２２とが互いに離隔されて配されており、それぞれのウェーハホルダの垂直下方（便宜のために図５ではウェーハホルダ１２１，１２２の下に図示）にはガルバノスキャナ１０６，１１６及びｆ−θレンズ１０８，１１８を含む光学ユニット１０５，１１５と反射ミラー１０２，１１４が配されている。そして、第１反射ミラー１０２及び第２反射ミラー１１４間には２次調和波長モジュール１１３が配される。また、前記ウェーハホルダ１２１，１２２上にウェーハＷ′，Ｗ″を引込み及び引出しするロボットアーム１３０と、ウェーハを保存する２つのウェーハカセット１５１，１５２及びウェーハを予備整列させる予備整列器１４０が配されている。
【００３４】
前記第１反射ミラー１０２をレーザビーム経路から着脱させることにより基本波長または第２調和波長を選択的に使用可能なので、ウェーハのマーキング面上のコーティング形成有無により容易に所望の調和波長を選択できる。
【００３５】
前記第１反射ミラー１０２をレーザビーム経路から着脱させる方法は第１反射ミラー１０２を図５に点線で示すように、図示されていない水平移動手段を使用して上下に移動したり、または図６に示されるように、図示されていない回転手段を使用して第１反射ミラー１０２を、支持軸１０９を基準に回転したりすることにより可能である。
【００３６】
前記ウェーハホルダ１２１，１２２と予備整列器１４０及びウェーハカセット１５１，１５２はロボットアーム１３０が届く距離内に配される。また、第１ウェーハカセット１５１及び第２ウェーハカセット１５２はそれぞれ相異なる波長のレーザビームでマーキングされるウェーハを保存することが望ましい。また、一つの波長だけを利用してレーザマーキングをする場合には、一つのカセットはマーキング前のウェーハを保存し、もう一つのウェーハカセットはマーキング後のウェーハを保存することもある。
【００３７】
前記構成を有するチップスケールマーカの作用を、図面を参照して詳細に説明する。
【００３８】
まず、基本波長のレーザビームを使用してマーキングする過程を説明する。ロボットアーム１３０で一面にＥＭＣコーティングが形成されたウェーハが保存された第１ウェーハカセット１５１からマーキング対象ウェーハを引出して予備整列器１４０に上げておく。それにより、予備整列器１４０はウェーハに形成されたノッチＮまたは基準線Ｒをレファレンスとして予備整列を実施する。
【００３９】
次に、ロボットアーム１３０で予備整列されたウェーハを第１ウェーハホルダ１２１に上げておく。次に、第１反射ミラー１０２をレーザビーム経路上に位置させた後でレーザ共振器１０１からレーザビームを発振すれば、レーザビームは第１反射ミラー１０２から反射されて第１経路Ｐ１に沿って光学ユニット１０５を介してウェーハＷに照射される。マーキング作業が完了したウェーハはロボットアーム１３０を使用してウェーハホルダ１２１から第１ウェーハカセット１５１に保存される。
【００４０】
次に、第２調和波長のレーザビームを使用してマーキングする過程を説明する。まず、第１反射ミラー１０２をレーザビーム経路から離隔させる。すなわち、図５のように、水平移動手段（図示せず）を使用して下方に外させるか、あるいは図６のように図示されていない回転手段を使用して第１反射ミラー１０２をレーザビーム経路から離隔させる。次に、ロボットアーム１３０で一面にＥＭＣコーティングが形成されていないウェーハが保存された第２ウェーハカセット１５２からマーキング対象ウェーハを引出して予備整列器１４０に上げておく。それにより、予備整列器１４０はウェーハに形成されたノッチＮまたは基準線Ｒをレファレンスとして予備整列を実施する。
【００４１】
次に、ロボットアーム１３０で予備整列されたウェーハを第２ウェーハホルダ１２２に上げておく。次に、レーザ共振器１０１からレーザビームを発振すれば、基本波長のレーザビームは第２経路Ｐ２で２次調和波長モジュール１１３を介して２次調和波長に変換される。２次調和波長に変換されたレーザビームは第２反射ミラー１１４で反射されて第２経路Ｐ２に沿って光学ユニット１１５を介してウェーハＷ″に照射される。マーキング作業が完了したウェーハはロボットアーム１３０を使用してウェーハホルダ１２２から第２ウェーハカセット１５２に保存される。
【００４２】
前記実施例ではレーザ共振器１０１から発振された基本波長のレーザビームを第２調和波長に変換するモジュール１１３を使用するものを説明したが、前記２次調和波長モジュール１１３の代わりに３次調和波長モジュールまたは４次調和波長モジュールを使用しても前述のような構成で基本波長（１０６４ｎｍ）を３次調和波長（３５５ｎｍ）または４次調和波長（２６６ｎｍ）に変更して使用できる。かような２波長を発振するレーザシステムは前述の実施例と実質的に同じ構成と作用とを有するので詳細な説明は省略する。
【００４３】
本発明は図面を参照して実施例を参考に説明されたが、それは例示的なものに過ぎず、当分野にて当業者ならばそれから多様な変形及び均等な実施例が可能であるという点が理解されるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲に限って決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
二重波長兼用レーザシステムによりマーキング表面のコーティング有無によりレーザ波長を選択して使用できるチップスケールマーカに適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】一般的なレーザシステムの構成を示す図である。
【図２】図１のレーザシステムが採用された従来のチップスケールマーカの構成を概略的に示す平面図である。
【図３】ウェーハに形成されたノッチまたは基準線の一例を示す図である。
【図４】本発明の望ましい実施例による１０６４／５３２ｎｍ波長兼用レーザシステムの概略的な構成を示す図である。
【図５】図４のレーザシステムを採用したチップスケールマーカの概略的な構成を示す平面図である。
【図６】図４の第１反射ミラーの回転手段を説明する図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０１    レーザ共振器
１０２    第１反射ミラー
１０５，１１５    光学ユニット
１０６，１１６    ガルバノスキャナ
１０７    支持部材
１０８，１１８    ｆ−θレンズ
１０９    支持軸
１１３    ２次調和波長モジュール
１１４    第２反射ミラー
１２１，１２２    ウェーハホルダ
１３０    ロボットアーム
１４０    予備整列器
１５１，１５２    ウェーハカセット
【図１】
2004179625.tif 000003
【図２】
2004179625.tif 000004
【図３】
2004179625.tif 000005
【図４】
2004179625.tif 000006
【図５】
2004179625.tif 000007
【図６】
2004179625.tif 000008