(57)【要約】【課題】ダイシング後のウエハのブレーキングに際してのウエハテープを、均一に伸縮し易くする。【解決手段】ウエハテープのエキスパンド機構部５０に、ウエハリング２１に支持されたウエハテープのウエハリング２１内周縁域に向けて、張力低減手段としての熱風吹出口５５ｃを設け、ウエハテープを加熱して柔らかくする。併せて、ウエハリング２１を設けるウエハリング載置部材をモータ５３で回転させて、スポット的に吹き付けられる熱風を、ウエハテープのウエハリング２１の全内周縁に当てるようにする。このようにウエハテープの周縁側に熱風を吹き付けることにより、ウエハテープを均一に伸縮させることができる。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシング後のウエハ上の半導体チップの個片化に使用するウエハ裏面に設けたウエハ支持部材の伸縮工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記ウエハ支持部材の周縁側の張力低減を、前記ウエハ支持部材の引き伸ばし前、あるいは半導体チップ個片化後の前記ウエハ支持部材の収縮前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ダイシング後のウエハ上の半導体チップの個片化に使用するウエハ裏面に設けたウエハ支持部材の伸縮工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記ウエハ支持部材と、加熱方向を前記ウエハ支持部材の周縁側に向けた加熱手段とを相対回転させて、
前記ウエハ支持部材の引き伸ばし前、あるいは半導体チップ個片化後の前記ウエハ支持部材の収縮前に前記ウエハ支持部材の周縁側を加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ダイシング後のウエハ上の半導体チップの個片化に使用するウエハ裏面に設けたウエハ支持部材の伸縮工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記ウエハ支持部材と、加熱方向を前記ウエハ支持部材の周縁側に向けた加熱手段とを相対回転させて、
前記ウエハ支持部材の引き伸ばし前、あるいは半導体チップ個片化後の前記ウエハ支持部材の収縮前に前記ウエハ支持部材の周縁側を加熱し、
前記ウエハ支持部材の引き伸ばしは、引き伸ばし途中で引き伸ばし力を緩和して、再度引き伸ばしを続行することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ダイシング後のウエハ上の半導体チップの個片化を、ウエハ裏面に設けられ、ウエハリングに保持されたウエハ支持部材の引き伸ばしで行うエキスパンド機構を有する半導体製造装置であって、
前記ウエハ支持部材の前記ウエハリングの内周縁に沿った側を加熱する加熱手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
ダイシング後のウエハ上の半導体チップの個片化を、ウエハ裏面に設けられ、ウエハリングに保持されたウエハ支持部材の引き伸ばしで行うエキスパンド機構を有する半導体製造装置であって、
前記ウエハリングと、加熱方向を前記ウエハリングに向けた加熱手段とを、相対回転させる回転手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関し、特に、ウエハからの半導体チップの個片化に際して、ウエハ裏面のウエハ支持部材の伸縮技術に適用して有効な技術である。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
前工程によりウエハ上に作り込まれた多数の半導体チップは、ダイシングにより個片化され、個片化された半導体チップがダイボンディング工程に供給され、リードフレームなどにダイボンダされる。
【０００４】
ウエハ上に作り込まれた半導体チップの個片化は、例えば、次のようにして行われる。すなわち、ウエハの裏面に、例えば、ウエハテープ（ウエハシート、あるいはダイシートとも呼ばれる）などのように粘着性のシート状に形成されたウエハ支持部材を貼り付け、その状態でウエハをダイシングソーでカットする。
【０００５】
カットは、例えば、ウエハ厚さの９０％程度までカットしておき、その後、ウエハテープをエキスパンド機構により引き伸ばすことにより未カットの残り部分をブレーキングして、完全に個片化する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記技術においては、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【０００７】
近年、生産効率などの観点から、ウエハの大径化が積極的に検討されている。ウエハの大径化に伴い、ウエハテープも併せて大径化させなければならない。しかし、かかる大径化は、ウエハテープの均一な引き伸ばし、均一な収縮を行い難くする。
【０００８】
ウエハテープの均一な引き伸ばしが行われないと、ブレーキングによる半導体チップの個片化に際して、ダイシングにより形成されたスクライブ部分での不均一な割れ方が発生する。不均一なブレーキングの場合には、ダイボンディング工程などでの半導体チップのピックアップに際して、ピックアップする半導体チップが、隣接する半導体チップに接触したりなどして、半導体チップの割れ、欠けが発生するおそれがある。
【０００９】
また、個片化終了後のウエハテープで均一な収縮が行われない場合には、例えば、ウエハテープの一部に弛みなどが発生し、かかる弛みがウエハケースに戻すなどの際に引っかかるなどする搬送時の障害発生の原因となることもある。
【００１０】
一方、ウエハテープの大径化は、その引き伸ばしに大きな力が求められるため、その分エキスパンド機構部に設けるモータを大きくするなどの対策が必要となる。しかし、かかる対策は、小型化、省スペース化が求められる半導体製造装置の要請に反し、実際的な対策として採用し難い。
【００１１】
ウエハテープの引き延ばし量も、大径化に伴い必然的に大きくなる。そのため、引き伸ばし時間、あるいは、引き伸ばし後にウエハテープを収縮させて元の状態に戻すリフォーム時間も長くなり、かかるウエハテープの伸縮に関係する時間の短縮対策も大きな課題として求められる。
【００１２】
このように、これまでのウエハサイズではそれ程大きな問題として認識されてこなかったことが、上記のようにウエハの大径化が検討される中で、重要な課題として顕在化されるようになってきた。
【００１３】
本発明の目的は、ウエハ上に作り込まれた半導体チップの個片化に際してのウエハテープの伸縮を均一に行えるようにすることにある。
【００１４】
他の本発明の目的は、ウエハ上に作り込まれた半導体チップの個片化に際してのウエハテープの伸縮を容易に行えるようにすることにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１７】
本発明は、ウエハ上に作り込まれ、ダイシングされた半導体チップを、ウエハ裏面に貼ったウエハテープを引き伸ばすことにより個片化する際に、ウエハテープの張力低減を行って引き伸ばし易くし、引き伸ばしの均一化を図れるようにするものである。
【００１８】
ウエハテープの引き伸ばしに際しては、一気に所定量の引き伸ばしを行わずに、途中で引き伸ばし力を一旦緩和して、再度、残りの引き伸ばし量にまで必要な引き伸ばしを行うことで、所定量の引き伸ばしに必要な力を小さくすることができる。
【００１９】
また、エキスパンド機構で引き伸ばされたウエハテープは、元の状態にまで収縮させるが、本発明は、かかる収縮前に、上記と同様にウエハテープの張力低減を行うことにより収縮し易くして、均一な収縮を図るものである。
【００２０】
ウエハテープの張力低減は、例えば、ウエハテープの保持治具としてのウエハリングに保持された状態のウエハテープの裏面で、ウエハリングの内周縁に沿った側を加熱するなどしてウエハテープを柔らかくして行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
図１は、本発明の半導体装置の製造方法で使用される半導体製造装置を、ダイボンダに構成した場合を示す要部平面図である。図２は、図１に示す構成のダイボンダの要部側面図である。図３は、ウエハリングに支持させたウエハ支持部材上にウエハを設けた状態を示す平面図である。図４は、図１に示すダイボンダに組み込んだエキスパンド機構部の概略構成を一部断面で示す断面説明図である。図５は、図４に示すエキスパンド機構部の概略構成を示す平面説明図である。
【００２３】
図１に示す場合には、半導体製造装置１０は半導体チップをボンディングするダイボンダ１０ａに構成されている。ダイボンダ１０ａには、ワーク供給部１１が設けられ、ワーク供給部１１の前面にワーク搬送レール１２が設けられている。
【００２４】
ワーク搬送レール１２に沿って、ワークグリップ機構部１３が設けられ、ワークグリップ機構部１３には、上下動する爪の間にワークＷを挟持する複数のグリップ部１３ａが設けられている。
【００２５】
ワークグリップ機構部１３は、ワークグリップ機構駆動部１４に接続され、ワークグリップ機構駆動部１４の左右の移動にしたがって、ワーク搬送レール１２に沿った左右移動ができるようになっている。
【００２６】
ワーク搬送レール１２の側方には、ウエハカセット１５からウエハホルダ１６に、ウエハＦを、ガイド１７ａに沿って移動して取り出すウエハ取出部１７が設けられている。
【００２７】
ウエハホルダ１６とワーク搬送レール１２との間には、ウエハテープに貼り付けられたウエハＦの個片化された半導体チップを、ウエハテープの裏面側から各々別に突き上げるダイ突上部１８が設けられている。
【００２８】
併せて、図２に示すように、個片化された半導体チップを吸着して、図１に示すダイボンディングポイントＰで、搬送されてきたワークＷにダイボンダするボンディングヘッド１９が設けられている。
【００２９】
ボンディングヘッド１９は、図１の両矢印に示すように、半導体チップの吸着、解放ができるように上下動可能に構成された吸着部１９ａが設けられ、吸着部１９ａはボンディングヘッド１９に従って、ダイ突上部１８とダイボンディングポイントＰとの間を往復動できるように構成されている。
【００３０】
かかる構成のダイボンダ１０ａでは、ウエハカセット１５から取り出されるウエハＦは、図３に示すように、ウエハリング２１に支持されたウエハ支持部材３１としてのウエハテープ３１ａ上に貼り付けられ、既にダイシングによりセミフルカットされてスクライブ３２が形成され、半導体チップ４０の個片化がある程度なされている。
【００３１】
このようにウエハリング２１に支持されたウエハＦは、ウエハテープ３１ａのエキスパンド機構部５０を組み込んだウエハホルダ１６に移される。ウエハホルダ１６では、図４、５に示すエキスパンド機構部５０により、ウエハテープ３１ａが周縁側に向けて引き伸ばされる。
【００３２】
ウエハホルダ１６に組み込まれたエキスパンド機構部５０には、図４に示すように、ウエハリング載置部材５１が設けられている。ウエハリング載置部材５１は回転リング５２上に設けられ、回転リング５２の回転と共に、ウエハリング載置部材５１、ウエハリング２１が回転させられるようになっている。
【００３３】
回転手段としては、例えば、回転リング５２の周囲に、図５に示すように、モータ５３により回転させられる無端状ベルト、あるいは無端状チェーンなどの無端状動力伝達手段５４を設け、モータ回転により回転リング５２を回転させる構成にしておけばよい。
【００３４】
また、図４に示すように、ウエハテープ３１ａの張力低減手段として、加熱手段５５が設けられている。加熱手段５５は、熱風発生装置５５ａと、熱風発生装置５５ａにより発生した熱風をエキスパンド機構部５０内に導くダクト５５ｂとから構成されている。ダクト５５ｂの一端側は、図５に示すように、ウエハリング載置部材５１上に載置したウエハリング２１の内周縁側に向けて上方に開口された熱風吹出口５５ｃに形成されている。
【００３５】
なお、図５では、説明が分かり易いように、ウエハリング押さえ５６は図示を省略している。
【００３６】
ウエハリング載置部材５１の上方には、昇降可能に設けられたウエハリング押さえ５６が設けられている。ウエハリング押さえ５６を上昇させて、ウエハリング押さえ５６とウエハリング載置部材５１との間に搬入スペースを設けることにより、ウエハＦの裏面のウエハテープ３１ａを図３に示すように支持したウエハリング２１を搬入して載置することができるようになっている。
【００３７】
ウエハリング２１を載置した状態で、ウエハリング押さえ５６を下降させてウエハリング２１をウエハリング載置部材５１上に固定する。その状態で、エキスパンドリングをウエハリング２１に対して二重筒状に作動させて、ウエハテープ３１ａの引き伸ばしを行い、ウエハテープ３１ａ上のウエハＦのブレーキングを行うことができるようになっている。
【００３８】
図６には、上記構成のエキスパンド機構部５０を用いて、ウエハ上に設けられた半導体チップ４０の個片化を行うフローを示している。以下、図６に沿って、図４、５に示すエキスパンド機構部５０を用いたウエハテープ３１ａの均一引き伸ばしによるブレーキングについて説明する。
【００３９】
前工程終了後の完成したウエハＦは、図３に示すように、ウエハリング２１に周囲を保持されたウエハテープ３１ａ上にマウンティングされ、ウエハＦ裏面にウエハテープ３１ａが貼られた状態にされる。ウエハテープ３１ａは、樹脂テープ上に接着剤が塗布された構成で、この接着剤塗布面にウエハＦの裏面が貼られた状態となっている。
【００４０】
このようにしてウエハＦがウエハテープ３１ａ上に固定された状態で、ダイシングソーを高速回転させてウエハＦをＸＹ軸方向に縦横に、約３０μｍ程度の厚さを残した状態でセミフルカットする。このようにしてダイシングによりセミフルカットすることにより、図３に示すように、ウエハＦ上にはスクライブ３２が形成される。かかる工程を、図６では、ステップＳ１１０で、スクライブ形成として示した。
【００４１】
このようにしてスクライブ３２が縦横に形成されることにより、ウエハＦ上では、半導体チップ４０がある程度個片化される。スクライブ３２の形成がされ、半導体チップ４０のある程度の個片化がなされた状態のウエハＦを表面に接着した状態のウエハテープ３１ａを支持したウエハリング２１は、前記説明のように、ウエハリング押さえ５６を上げた状態で、ウエハホルダ１６内に組み込まれたエキスパンド機構部５０内に搬入される。
【００４２】
エキスパンド機構部５０では、このようにウエハリング押さえ５６を開放した状態で、ウエハリング２１をウエハリング載置部材５１上に置き、その状態でウエハリング押さえ５６を下降させてウエハリング２１をウエハリング載置部材５１上に固定する。
【００４３】
ウエハリング２１をエキスパンド機構部５０内にセットした状態で、図６のステップＳ１２０に示すように、ウエハテープ３１ａの張力低減を行う。ピンと張った状態で、ウエハテープ３１ａの引き伸ばしを行う場合には、ウエハテープ３１ａの材質、エキスパンド機構の構成などによって多少の違いはあるものの、例えば、大径化した１２インチのウエハＦに適用する場合には、約１トン程度の力で、約２０ｍｍ程度の引き伸ばし量が必要となる。
【００４４】
かかる力で引き伸ばすに際しては、ウエハテープ３１ａの張力が小さい程、例えば、ウエハテープ３１ａを柔らかくして張力を低減させる程、引き伸ばし力も小さくて済み、引き伸ばし易いこととなる。そこで、張力低減手段として、ウエハテープ３１ａを加熱する加熱手段５５を設け、加熱により柔らかくして引き伸ばし易くしている。
【００４５】
加熱手段５５では、図４、５に示すように、熱風発生装置５５ａが発生した熱風を、ダクト５５ｂを介して、熱風吹出口５５ｃから、ウエハテープ３１ａの裏面に吹き付けて加熱する。
【００４６】
図５に示す構成では、熱風の吹き付けは、ウエハテープ３１ａのウエハリング２１に支持された状態でのウエハリング２１の内周縁側にスポット的に吹き付けるようにしている。かかるスポット的な熱風吹き付けと併せて、モータ５３により回転リング５２を回転させることにより、ウエハリング載置部材５１上に固定したウエハリング２１を回転させる。
【００４７】
このようにウエハリング２１を回転させることにより、上記スポット的熱風吹き付けが、ウエハテープ３１ａのウエハリングの内周縁に沿った全域に行えることとなる。ウエハテープ３１ａの引き伸ばしに際して、このようにウエハリング２１の全内周縁に沿った部分の熱風吹き付けによりウエハテープ３１ａを柔らかくすることで、かかる処理を行わない場合に比べて、引き伸ばし易くすることができる。
【００４８】
なお、熱風の吹き付け箇所により、その引き伸ばし易さは異なることが確認された。ウエハテープ３１ａの引き伸ばしは、エキスパンドリングをウエハテープ３１ａを張ったウエハリング２１に対して、二重筒状に作動させることにより行うため、ウエハリング２１のリング周囲に沿った部分の張力の低減が大きく引き伸ばし易さに影響を与える。
【００４９】
そこで、上記構成では、少なくとも、ウエハリング２１の全内周縁に沿って熱風吹き付けによる加熱軟化を行い、張力低減を図る構成を採用した。このようにして、ステップＳ１２０で、熱風吹き付けによるウエハテープ３１ａの張力低減を行った状態で、ウエハテープ３１ａの引き伸ばしをステップＳ１３０で行う。
【００５０】
ウエハリング２１の全内周縁に沿った部分が熱風吹き付けにより加熱して柔らかくされているため、エキスパンドリングをウエハテープ３１ａを張ったウエハリング２１に対して、二重筒状に作動させることによりウエハテープ３１ａの引き伸ばしを行うと、ウエハテープ３１ａは、ウエハリング２１のリングに沿って、略均一に放射方向に引き伸ばされることとなる。
【００５１】
このようにして、ウエハテープ３１ａを所定量、均一に引き伸ばすことにより、すなわちエキスパンドすることにより、ステップＳ１４０で示すブレーキングが行われる。
【００５２】
ウエハテープ３１ａ上には、ダイシングにより予めセミフルカットでスクライブ形成されたウエハＦが貼り付けられており、裏面のウエハテープ３１ａが引き伸ばされることにより、隣接する半導体チップ４０同士を接合していたスクライブ３２が分離されて、ステップＳ１５０に示すように完全に個片化することとなる。
【００５３】
ウエハテープ３１ａの引き伸ばしによる個片化に際しては、ウエハテープ３１ａが不均一に引き伸ばされると、例えば、引き伸ばし量が適性量以上である部分では、隣接する半導体チップ４０の分離は完全に行われるが、引き伸ばし量が適性量に満たない部分では、隣接する半導体チップ４０の不分離状態が発生する。
【００５４】
かかる不分離状態を残した状態で、ダイボンディング工程に移行すると、個片化された半導体チップ４０のダイボンディング時のピックアップに際して、不分離状態の半導体チップ４０が強制的に分離されることとなり、その際に割れたり、欠けたりする。また、引き伸ばし量が足りず、隣接半導体チップとの間隔が十分でない場合には、ピックアップ時に、隣接半導体チップに接触したりなどして、チップ割れや欠けが発生する場合もある。
【００５５】
一方、適性量、均一に引き伸ばされてブレーキングがなされた状態では、ウエハＦ上に個片化された隣接半導体チップ４０間は、ほぼ等しい適性間隔を置いて配列されていることとなる。このため、ボンディングヘッドによるピックアップ時に、ピックアップされる半導体チップ４０が隣接する半導体チップ４０に当たったりすることがなく、かかる半導体チップ同士の衝突によるチップ欠けなどの破損障害を防止することができる。
【００５６】
このように、ステップＳ１２０でウエハテープ３１ａの張力低減を行った後で、ウエハテープ３１ａの引き伸ばしを行うことにより、ウエハテープ３１ａを均一に引き伸ばし易くすることができる。
【００５７】
張力低減は、理想的には、ウエハテープ３１ａの全面で行うことが好ましいが、しかし、ウエハリング２１に張られた状態では、ウエハテープ３１ａの引き伸ばしはウエハリング２１の周縁に沿って全方向に放射状に引き伸ばされるため、ウエハリング２１の内周縁に沿った帯域の張力低減を行うことでも、十分に均一な引き伸ばしが行えるのである。
【００５８】
しかし、かかるウエハリング２１の内周縁に沿った帯域の全周ではなく、その一部を部分的に張力低減した場合でも、全くかかる帯域の張力低減を行わない場合に比べて、引き伸ばしの均一化は優れており、併せて、引き伸ばし易くすることもできる。
【００５９】
しかし、ウエハリング２１の内周縁に沿った帯域ではなく、ウエハテープ３１ａの中央付近の張力低減を行った場合には、ウエハリング２１の内周縁に沿った帯域の張力低減を行った場合に比べて、ウエハテープの引き伸ばしの均一化は劣る。
【００６０】
但し、ウエハテープ３１ａの中央付近を加熱するなどして張力低減を図り、その温熱がウエハリング２１の内周縁の帯域にまで及んで、実質的に周縁帯域の張力低減を行ったと同様の状態で引き伸ばしが行えれば、周辺域の全帯域の張力低減を行った場合と同様の引き伸ばしの均一性が得られることは言うまでもない。
【００６１】
上記説明では、内周縁域の張力低減手段として、熱風吹き付け手段を採用したが、例えば、赤外線照射などの加熱手段を採用しても構わない。赤外線照射以外でも、ウエハテープ３１ａを特定波長の電磁波により軟化するように材質構成しておき、かかる特定波長の電磁波を照射することにより張力低減を図るようにしても構わない。
【００６２】
また、上記説明では、内周縁の全周に亘る張力低減手段として、熱風のスポット吹き付けと、ウエハテープ３１ａの回転とを合わせて行うようにしたが、かかる回転機構を設けることなく、ウエハテープ３１ａのリング内周縁の全周に亙ってリング状に熱風吹き付けなどの張力低減処理を行うようにしても構わない。
【００６３】
上記説明では、ウエハテープを回転させる構成としたが、ウエハテープを静止した状態で、加熱手段側を回転させる構成でも構わない。さらには、ウエハテープ側と、加熱手段側とを、互いに反対方向に回転させる構成でも構わない。すなわち、一方のウエハテープ３１ａ、ウエハリング２１に対して、他方の加熱手段側を相対的に回転させるようにしておけばよい。
【００６４】
また、個片化が終了した後は、引き伸ばし状態になっているウエハテープ３１ａを収縮させなければならないが、収縮に際しても、ステップＳ１６０に示すように、予め、ウエハテープの張力低減を行っておく。張力低減手段は、ステップＳ１２０で採用した構成を用いればよい。例えば、熱風吹出による加熱手段５５を用いて、ウエハリング２１の内周縁の全周に亙って、ウエハテープ３１ａに熱風を吹き付けて柔らかくすることにより張力低減を図ることができる。
【００６５】
上記ウエハテープ３１ａの引き伸ばしに際しては、所定の伸ばし量を獲得するため一気に連続的に引き伸ばしを行っても構わないが、本発明者は、引き伸ばしの途中で、一度引き伸ばし力を緩和させることで、全体としての引き伸ばし力が、小さくて済むことを見出した。
【００６６】
すなわち、エキスパンドリングを作動させることにより、ウエハリング２１と二重筒状にして、ウエハリング２１に張ったウエハテープ３１ａの周囲を引き伸ばすが、エキスパンドリングを一気に連続的に作動させることなく、途中で一端停止させ、その後、少しエキスパンドリングを戻し、再度停止させて、その後、再度引き伸ばし動作を連続的に行わせて、所定量の引き伸ばし量までウエハテープ３１ａをエキスパンドする。
【００６７】
かかる方法を採用することにより、ウエハテープ３１ａの材質、引き伸ばし量などにより多少の違いはあるものの、例えば、１トンの引き伸ばし力が必要な場合でも、４００Ｋｇの引き伸ばし力に低減できるなど引き伸ばし力の大幅な低減が図れる場合があることが確認された。
【００６８】
ステップＳ１６０で、上記要領でウエハテープ３１ａの張力低減を行った後に、ウエハリング押さえ５６を開放することにより、ウエハテープ３１ａは、ステップＳ１７０に示すように均一に収縮する。このように均一に収縮させることにより、不均一収縮で見られるウエハテープ３１ａの波打ち現象に基づく弛みを解消して、ウエハ搬送時の弛み部分の引っ掛かりなどの搬送障害を防ぐことができる。
【００６９】
ウエハテープ３１ａの引き伸ばし、収縮に関しては、ウエハＦの大径化が進む程、ウエハテープ３１ａの伸縮面積が広くなり、その均一性の要請がより顕在化されることとなる。現在、半導体分野では、１２インチなど大径ウエハの取り扱いが検討されているが、かかる大径ウエハの取り扱いにおいて、上記説明のウエハテープ３１ａの均一な引き伸ばし、収縮に関係する構成を有効に適用できる。
【００７０】
次に、上記説明のダイシングされたウエハＦ上の半導体チップの個片化に際して、ウエハＦの裏面に貼ったウエハテープ３１ａを均一に伸縮させる手法を採用した場合の半導体装置の製造方法について、以下、図７に示す製造フローに基づき説明する。
【００７１】
図７のステップＳ２１０に示すように、前工程処理が終了した完成ウエハをステップＳ２２０のダイシング工程に供給する。完成したウエハＦは、図３に示すように、ウエハリング２１に支持させたウエハテープ３１ａの接着剤塗布面上に、裏面側を接着させた状態で供給される。
【００７２】
ステップＳ２２０のダイシング工程では、上記ウエハリング２１に支持させたウエハテープ３１ａに裏面を接着させたウエハＦ面を、ダイシングソーでセミフルカットする。ウエハＦの底面側を一部残しておく。この状態で、前記説明のように、ウエハカセット１５内に格納されて、ダイボンダ１０ａに供給される。
【００７３】
ダイボンダ１０ａに供給されたダイシング後のウエハＦは、ウエハリング２１のウエハテープ３１ａに接着された状態でウエハホルダ１６に搬送され、ブレーキングされてウエハＦ上に設けられた半導体チップ４０の個片化が行われる。
【００７４】
すなわち、ウエハホルダ１６に搬送されたウエハＦは、ウエハホルダ１６内に組み込まれているエキスパンド機構部５０内のウエハリング載置部材５１上に供給され、その状態でウエハリング押さえ５６が下降する。
【００７５】
ウエハリング押さえ５６の下降に伴って、張力低減手段として設けた加熱手段５５の熱風吹出口５５ｃから、ウエハテープ３１ａのウエハリング２１の内周縁に向けてスポット的に熱風吹き付けが行われる。併せて、回転リング５２がモータ５３により回転させられ、熱風が吹き付けられているウエハテープ３１ａもウエハリング２１と共に回転させられる。
【００７６】
かかる回転により、ウエハテープ３１ａの全周縁に熱風が吹き付けられて、ウエハテープ３１ａが柔らかくされて張力低減が行われる。この状態で、ウエハテープ３１ａの引き伸ばしが均一に行われ、ブレーキングにより半導体チップ４０の十分な個片化がなされる。さらに、個片化後には、再度ウエハテープ３１ａの全周縁に熱風が吹き付けられて、ウエハテープ３１ａの均一な収縮が行われる。
【００７７】
このようにして十分に個片化された半導体チップ４０は、ウエハテープ３１ａの裏面側から紫外線が照射されて、ウエハテープ３１ａ上に塗布した接着剤の接着力を弱めて、ボンディングヘッド１９によるピックアップが容易に行えるようにされる。
【００７８】
一方、ダイボンダ１０ａでは、例えば、ワークＷとして、図８に示すようなリードフレーム６０がワーク供給部１１からワーク搬送レール１２に沿って、グリップ部１３ａに把持された状態で、ダイボンディングポイントＰまで搬送されている。
【００７９】
搬送されたリードフレーム６０のダイパッド６１が、ダイボンディングポイントＰに位置した状態で、上記ボンディングヘッド１９によりピックアップされた半導体チップ４０がダイパッド６１上にボンディングされることとなる。ボンディングヘッド１９による半導体チップ４０のピックアップに際しては、ピックアップする半導体チップ４０の裏面側がダイ突上部１８により突き上げられて、ボンディングヘッド１９による半導体チップ４０の吸着が確実に行えるようになっている。
【００８０】
このようにしてステップＳ２３０でダイボンディングが行われ、かかるダイボンディング工程終了後は、リードフレーム６０のインナーリード６２と、半導体チップ４０の電極４１とが、ステップＳ２４０で、図９に示すように、金線などのワイヤ４２でワイヤボンディングされる。
【００８１】
ステップＳ２４０のワイヤボンディング工程終了後は、ステップＳ２５０で示す封止工程で、図９に示す構成のワイヤボンディング終了後の状態を樹脂封止して保護する。
【００８２】
ステップＳ２５０の樹脂封止後は、ステップ２６０でリードフレーム６０のアウターリードにめっきを行い、ステップＳ２７０でリード切断を行い、リードの曲げ加工を行う。ステップＳ２８０でモールド部に製品番号などのマーキングを行い、ステップＳ２９０で半導体装置の組立が完成する。
【００８３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８４】
例えば、上記実施の形態では、本発明に係るエキスパンド機能をダイボンダ装置に組み込んだ場合を説明したが、独立したエキスパンド装置として構成してもよい。
【００８５】
また、本発明に係るエキスパンド機能は、前記実施の形態のダイボンダ以外にも、ウエハテープのエキスパンド機能を必要とする機器構成に適用でき、例えば、チップマウンタ、ダイソータ、ダイサーなどへの適用が可能である。
【００８６】
前記実施の形態では、回転リングの回転手段として、回転リングの周囲に、モータで回転するループ状に形成した無端状バンドなどを設ける構成としたが、モータ回転するローラを回転リングの胴体周縁に接触させて回転させるなどの構成を採用しても構わない。
【００８７】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【００８８】
すなわち、ウエハ裏面に貼ったウエハテープを、引き伸ばしあるいは収縮前に、均一に伸縮し易くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体製造装置の一実施の形態を、エキスパンド機構を組み込んだダイボンダに構成した場合の要部平面図である。
【図２】図１に示すダイボンダの要部側面図である。
【図３】ウエハリングに支持されたウエハテープ上にダイシングされたウエハが設けられている状態を示す平面図である。
【図４】ウエハテープのエキスパンド機構部の概略構成を一部断面で示した断面説明図である。
【図５】図４に示すエキスパンド機構部にウエハリングをセットした状態で、ウエハテープ部分の図示を省略した場合を示す平面説明図である。
【図６】ウエハテープの伸縮工程を示すフロー図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の一例を示すフロー図である。
【図８】リードフレームの一例を示す平面図である。
【図９】半導体装置の組立構造の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
１０    半導体製造装置
１０ａ  ダイボンダ
１１    ワーク供給部
１２    ワーク搬送レール
１３    ワークグリップ機構部
１３ａ  グリップ部
１４    ワークグリップ機構駆動部
１５    ウエハカセット
１６    ウエハホルダ
１７    ウエハ取出部
１７ａ  ガイド
１８    ダイ突上部
１９    ボンディングヘッド
１９ａ  吸着部
２１    ウエハリング
３１    ウエハ支持部材
３１ａ  ウエハテープ
３２    スクライブ
４０    半導体チップ
５０    エキスパンド機構部
５１    ウエハリング載置部材
５２    回転リング
５３    モータ
５４    無端状動力伝達手段
５５    加熱手段
５５ａ  熱風発生装置
５５ｂ  ダクト
５５ｃ  熱風吹出口
５６    ウエハリング押さえ
６０    リードフレーム
６１    ダイパッド
６２    インナーリード
Ｓ１１０  ステップ
Ｓ１２０  ステップ
Ｓ１３０  ステップ
Ｓ１４０  ステップ
Ｓ１５０  ステップ
Ｓ１６０  ステップ
Ｓ１７０  ステップ
Ｓ２１０  ステップ
Ｓ２２０  ステップ
Ｓ２３０  ステップ
Ｓ２４０  ステップ
Ｓ２５０  ステップ
Ｓ２６０  ステップ
Ｓ２７０  ステップ
Ｓ２８０  ステップ
Ｓ２９０  ステップ
Ｆ      ウエハ
Ｐ      ダイボンディングポイント
Ｗ      ワーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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