(57)【要約】【課題】高温のウェハを受け入れることができ、搬送機構やウェハに悪影響を及ぼすことのないロードロック室を有した基板処理装置及びこの基板処理装置における基板処理方法を提供すること。【解決手段】ロードロック室１４（１６）にバッファを兼ねた冷却プレート５を設ける構成としたので、真空処理室２で処理されたウェハＷが高温であっても、ウェハＷを冷却することができ、例えばロードロック室１４（１６）を大気解放した後にロードロック室１４（１６）が高温となることを防止できる。これにより、ウェハＷが酸化されたり、搬送機構３に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。【選択図】  図１
2004200329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、少なくとも前記真空処理室と前記待機冷却部との間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記待機冷却部は、前記搬送機構を介して前記真空処理室と対向する位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記待機冷却部は、
基板を載置するプレートと、
このプレートを冷却する冷却機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室に不活性ガスを供給する手段をさらに具備し、
前記不活性ガスは前記プレートとこのプレートに載置された基板との間に向けて流れるように供給されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室は、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部と、少なくとも前記真空処理室、前記待機冷却部及び前記待機加熱部の間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室と
を具備し、
少なくとも前記真空処理室と待機冷却部と待機加熱部とが一直線上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記搬送機構が前記待機冷却部と待機加熱部との間に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記待機冷却部は、
基板を載置するプレートと、
このプレートを冷却する冷却機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室に不活性ガスを供給する手段をさらに具備し、
前記不活性ガスは前記プレートとこのプレートに載置された基板との間に向けて流れるように供給されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室の減圧が開始されてから所定の時間が経過した後、前記待機加熱部による加熱を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室が大気解放される直前に、前記ロードロック室内の圧力を大気圧より高くなるように前記不活性ガスの供給を制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
真空状態で処理を行う真空処理室と、この真空処理室に接続された減圧可能なロードロック室と、このロードロック室に設けられ前記真空処理室で処理された基板をロードロック室に搬入する搬送機構とを有する基板処理装置で基板を処理する基板処理方法であって、
（ａ）前記真空処理室で基板を処理する工程と、
（ｂ）前記搬送機構により前記工程（ａ）で処理された基板をロードロック室に搬入する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）で搬入された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理方法であって、
（ｄ）前記工程（ａ）の前に、前記ロードロック室で、基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｄ）は前記ロードロック室の減圧が開始されてから所定の時間が経過した後、前記加熱を開始する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の基板処理方法であって、
前記工程（ｃ）の途中で、
前記ロードロック室を大気解放する工程と、
前記大気解放する直前に前記ロードロック室内の圧力を大気圧より高くなるように前記不活性ガスを供給する工程と
をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造において、半導体ウェハ等の基板を真空状態で処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造するための工程は多数の工程からなり、例えば、半導体ウェハ（以下、ウェハという。）上に回路パターンを形成するための主な工程としては、ウェハを洗浄する洗浄工程、金属膜や絶縁膜を形成する成膜工程、フォトレジストで配線パターンを形成するフォトリソグラフィ工程、レジストパターンが形成されたウェハをエッチングするエッチング工程、その他不純物を注入する工程等がある。
【０００３】
上記エッチング工程おいて例えばプラズマを用いる場合や、成膜工程において例えばＣＶＤ装置により処理を行う場合、ウェハを真空チャンバ内に搬入してこのチャンバ内で処理を行っている。一般的には、この真空チャンバ内の真空状態を保ちながらウェハを真空チャンバに対して搬入出するために、減圧可能なロードロック室を真空チャンバに接続させている。このような真空の処理装置としては、ウェハを複数収容するカセットに対してアクセスして、ロードロック室とそのカセットとの間でウェハを搬送する搬送ユニットがロードロック室に接続されているものがある。
【０００４】
ところで、このような構成を有した真空処理装置は、例えばロードロック室内において、真空チャンバが接続された側と搬送チャンバが接続された側の両側に、ウェハを一旦保持するための２つのバッファを設け、この２つのバッファの間にウェハを搬送する搬送機構を配置している装置がある。かかる装置では、当該搬送機構が、一方のバッファに搬入したウェハを真空チャンバに搬送するとともに、真空チャンバで処理されたウェハを取り出して他方のバッファに搬入するようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−５３１３１号公報（第４−５項、図１）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような処理装置では、例えばＣＶＤ装置で処理されたウェハは高温（例えば４００℃）となっているため、そのウェハをロードロック室内に搬入する際、ロードロック室内にある搬送機構に悪影響を及ぼすという問題がある。しかも、ロードロック室からその高温のウェハをカセットに戻しているため、そのウェハの温度をカセットの耐熱温度以下にまで冷却する必要がある。また、その高温のウェハをロードロック室に搬入することでロードロック室内が高温となる。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高温のウェハを受け入れることができ、搬送機構やウェハに悪影響を及ぼすことのないロードロック室を有した基板処理装置及びこの基板処理装置における基板処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る基板処理装置は、真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、少なくとも前記真空処理室と前記待機冷却部との間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室とを具備する。
【０００９】
本発明では、ロードロック室に待機冷却部を設ける構成としたので、真空処理室で処理された基板が高温であっても、基板を冷却することができ、ロードロック室内が高温となることを防止できる。これにより、基板が酸化されたり、搬送機構に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、このように基板が冷却されているので、例えば低い耐熱温度を持つカセットに戻すことができる。
【００１０】
また、例えば前記待機冷却部は、前記搬送機構を介して真空処理室と対向する位置に配置することができる。
【００１１】
また、前記待機冷却部は、基板を載置するプレートと、このプレートを冷却する冷却機構とを具備する構成としてもよい。この場合、前記ロードロック室に不活性ガスを供給する手段をさらに具備し、前記不活性ガスは前記プレートとこのプレートに載置された基板との間に向けて流れるように供給されることが好ましい。例えば、このようなプレート表面には、一般にプレートと基板とのギャップを設けるためのプロキシミティピンが突出している。従って、そのギャップに不活性ガスがいち早く流れ込むようにすれば、そのガスの熱伝導作用により効率良く基板を冷却させることができる。
【００１２】
本発明の一の形態では、前記ロードロック室は、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部をさらに具備する。例えば本発明では、ロードロック室に搬送チャンバを接続することで、この搬送チャンバからロードロック室に搬送されてくる基板を、この待機加熱部で一旦待機させ、真空処理室における処理の予備加熱を行う。これにより、搬送機構による基板の搬送効率と、基板に対する処理の処理効率（真空処理室での処理を前提とした予備加熱を含む処理効率、すなわち真空処理室で処理を考慮した全体的な処理効率）の両者を向上させることができる。
【００１３】
本発明の第２の観点に係る基板処理装置は、真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部と、少なくとも前記真空処理室、前記待機冷却部及び前記待機加熱部の間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室とを具備し、少なくとも前記真空処理室と待機冷却部と待機加熱部とが一直線上に配置されている。
【００１４】
本発明では、待機冷却部により基板を冷却することでロードロック室内が高温となることを防止できるとともに、真空処理室と待機冷却部と待機加熱部とが一直線上に配置されているので、装置全体の幅を小さくすることができ、その幅方向で、真空処理室及びロードロック室の増設が容易となる。特にこのような効果は、搬送機構が待機冷却部と待機加熱部との間に配置される構成とすることでより効果的になる。また、基板が冷却されているので、例えば低い耐熱温度を持つカセットに戻すことができる。
【００１５】
本発明の一の形態では、前記ロードロック室の減圧が開始されてから所定の時間が経過した後、前記待機加熱部による加熱を開始するように制御する手段をさらに具備する。このように、ある程度ロードロック室を減圧してから待機加熱部による加熱を開始する方が、減圧の開始と同時に加熱を開始する場合に比べ、ロードロック室内にある空気による熱伝導を少なくすることができる。その結果、基板が酸化されたり、搬送機構に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、ロードロック室の減圧と同時に、水分が残った状態で待機加熱部により加熱してしまうと悪性のガスが発生するという問題がある。しかし本発明によれば、ロードロック室の減圧により室内の水分を蒸発させることができ、かかる問題を回避することができる。
【００１６】
本発明の一の形態では、前記ロードロック室が大気解放される直前に、前記ロードロック室内の圧力を大気圧より高くなるように前記不活性ガスの供給を制御する手段をさらに具備する。これにより、ロードロック室内にパーティクルが流入することを防止できる。
【００１７】
本発明に係る基板処理方法は、真空状態で処理を行う真空処理室と、この真空処理室に接続された減圧可能なロードロック室と、このロードロック室に設けられ前記真空処理室で処理された基板をロードロック室に搬入する搬送機構とを有する基板処理装置で基板を処理する基板処理方法であって、（ａ）前記真空処理室で基板を処理する工程と、（ｂ）前記搬送機構により前記工程（ａ）で処理された基板をロードロック室に搬入する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）で搬入された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する工程とを具備する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１９】
図１は一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、図２はその側面図である。
【００２０】
この基板処理装置１は、カセット載置台７と、搬送チャンバ１５と、ロードロック室１６と、真空処理室２とが図中Ｙ方向に一直線上に配置されて構成されている。
【００２１】
カセット載置台７には、例えば２５枚のウェハＷを多段に配置させて収容する例えばＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）等の密閉性を有するカセット８がＸ方向に例えば２つ並んで載置されている。
【００２２】
搬送チャンバ１５には、多関節型のウェハ搬送体９と、プリアライメントステージ６とが設けられている。ウェハ搬送体９は、カセット８からウェハＷを取り出してロードロック室１６に渡し、また、ロードロック室からウェハＷを取り出してカセット８に渡すようになっている。このウェハ搬送体９はベース部９ａによって水平面内（θ方向）で回転自在になっており、また、図２に示すようにモータ９ａによってカセット８の高さ分だけ昇降自在となっている。プリアライメントステージ６は、ウェハの水平面内の方向の位置決めを行う機能を有している。
【００２３】
なお、ウェハ搬送体９はアームを１本有するシングル型でもあってもよいし、アームを２本有するデュアル型であってもどちらでもよい。
【００２４】
また、搬送チャンバ１５においてカセット８が臨む位置には、例えば上下に開閉可能なシャッタ３０が設けられており、これによりウェハ搬送体９がカセット８にアクセスできるようになっている。さらに、搬送チャンバ１５内には、大気圧下でＮ２ガスのダウンフローが形成されている。
【００２５】
真空処理室２は、図１に示すように例えばＸ方向に並んで２つ配置されており、真空状態を保つことが可能なチャンバ内において例えばＣＶＤ処理を行うようになっている。また、この２つの真空処理室２に対応して２つのロードロック室１４、１６がＸ方向に並んで配置されている。ロードロック室１４，１６は、それらの一端側にゲートバルブ１０が設けられており、これらのゲートバルブ１０を介して搬送チャンバ１５にそれぞれ接続されている。また同様に、ロードロック室１４，１６は他端側にもそれぞれゲートバルブ１２が設けられており、それらのゲートバルブ１２を介して真空処理室２にそれぞれ接続されている。
【００２６】
図３は、ロードロック室１４、１６の断面図である。
【００２７】
これらロードロック室１４、１６は同一の構成を有している。これらロードロック室１４（１６）は筐体３１を有しており、室内の中央付近には例えばアームを１本有する多関節型の搬送機構３が設けられている。この搬送機構３は、ベース部３ａが回転自在となっており、ロードロック室１４（１６）と真空処理室２との間でウェハＷを搬送するようになっている。
【００２８】
搬送機構３の真空処理室２側にはウェハＷを一旦待機させるための載置台４が配置されている。この載置台４の上部において筐体３１の外側には、ケース２５が取り付けられており、このケース内には、載置台４に載置されたウェハＷを加熱するためのランプ２６が設けられている。この加熱は、真空処理室２で行われるＣＶＤ処理の予備加熱である。ランプ２６は、例えばタングステンハロゲンランプを用いることができる。この載置台４は、図示しない駆動部により上下移動可能となっており、これにより搬送機構３との間でウェハの受け渡しが可能となっている。なお、この受け渡し機構としては、ウェハを裏面から支持するピンを設け、このピンをベルト駆動やエアシリンダ等によって上下移動させるように構成してもよい。
【００２９】
ランプ２６の直下位置には、筐体３１に形成された開口部３７が設けられ、この開口部３７には窓部材３９が嵌め込まれている。この窓部材３９は例えば石英ガラスを用いることができる。
【００３０】
搬送機構３の搬送チャンバ１５側には、ウェハＷを一旦待機させるとともに、ウェハＷを冷却する冷却プレート５が配置されている。この冷却プレート５には図示しない冷却水を流通させるパイプが内蔵されており、これにより、ウェハＷを冷却するようになっている。また、冷却プレート５の表面には、図示しないプロキシミティピンが突出しており、このピンにウェハＷが載置されるようになっている。また、冷却プレート５の下部には、このプレート５に対して例えば上下駆動機構２１により出没自在に設けられ、ウェハＷを支持する例えば３本の支持ピン２０が配置されている。これらの支持ピン２０は、冷却プレート５に貫通された穴を通って一体的に上下に移動することにより、例えば、搬送機構３からウェハＷを受け取り、受け取ったウェハＷをプレート５上に（プロキシミティピン上に）載置するようになっている。
【００３１】
ロードロック室１４（１６）の下部には、Ｎ２ガス供給源３６から供給管２９を介してＮ２ガスを室内に供給するための供給口３４が設けられている。また、ロードロック室１４（１６）の下部には、例えば室内を減圧するために室内のガスを排出する排出口３５が設けられており、例えば真空ポンプ３３により減圧するようになっている。Ｎ２ガス供給源３６や真空ポンプ３３は集中制御部４０によってＮ２ガスの供給量やその供給のタイミング、真空ポンプ３３による減圧のタイミング等が制御されるようになっている。
【００３２】
さらに、ロードロック室１４（１６）の上部には例えば圧力センサ２８が設けられ、集中制御部４０はこの圧力センサ２８による検出信号を受け取り、この信号に基づいてＮ２ガス供給源３６から供給されるＮ２ガスの供給量を制御するようになっている。
【００３３】
さらに集中制御部４０は、ランプ２６による加熱温度やその加熱のタイミング等、ゲートバルブ１０，１２の開閉等のタイミングも統括的に制御するようになっている。
【００３４】
次に、以上のように構成された基板処理装置１の動作を説明する。
【００３５】
まず、シャッタ３０が開き、ウェハ搬送体９がカセット８にアクセスして１枚のウェハＷが取り出される。取り出されたウェハＷはプリアライメントステージ６に搬入されてプリアライメントされた後、再びウェハ搬送体９により取り出され、例えばロードロック室１４に搬入される。この場合、ウェハ搬送体９が載置台４にアクセスしウェハＷを載置する。
【００３６】
ロードロック室１４において、ウェハが載置台４に載置され、この載置台４でウェハＷが待機する。その後ゲートバルブ１０が閉められ、真空ポンプ２３により室内が減圧され始める。この減圧は、例えば真空処理室２内の圧力と同圧（例えば２０Ｐａ〜１３３０Ｐａ（約０．１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ））となるまで行われる。
【００３７】
また、減圧が開始されてから所定の時間が経過した後に、載置台４に載置されたウェハＷに対するランプ２６による予備加熱が開始される。ここで、所定の時間とは、減圧が開始されてから、例えばロードロック室１４内の圧力が２０Ｐａ〜１３３０Ｐａになるまでの間の時間であればいつでもよい。例えば、５秒でもよいし１０秒でもよい。
【００３８】
このように、ある程度ロードロック室１４を減圧してからランプ２６による加熱を開始する方が、減圧の開始と同時に加熱を開始する場合に比べ、ロードロック室内にある空気による熱伝導を少なくすることができる。その結果、ウェハが酸化されたり、搬送機構３に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、ロードロック室１４の減圧と同時に、水分が残った状態で加熱してしまうと悪性のガスが発生するという問題がある。しかし本実施形態によれば、ロードロック室１４の減圧により室内の水分を蒸発させることができ、かかる問題を回避することができる。
【００３９】
図４は、このような本実施形態におけるロードロック室１４内の圧力及び加熱温度の時間変化を示すグラフである。本実施形態では、加熱開始から例えば３０秒から４０秒程度でウェハが約３００℃まで加熱される。
【００４０】
この予備加熱が終了すると、搬送機構３によりウェハが取り上げられ、ゲートバルブ１２が開きウェハは真空処理室２に搬入される。搬入されたウェハはこの真空処理室でＣＶＤ処理が行われる。
【００４１】
そして真空処理室２でのＣＶＤ処理が終了すると、ゲートバルブ１２が開き搬送機構３が真空処理室２にアクセスしてウェハが取り出され、ウェハはロードロック室１４に搬入され、冷却プレート５に載置される。
【００４２】
冷却プレート５に載置された後、ロードロック室内にＮ２ガス供給源３６よりＮ２ガスが供給される。そして集中制御部４０が、室内の圧力が大気圧よりわずかに大きくなったという圧力センサ２８からの信号を受けることにより、ゲートバルブ１０を開き、ロードロック室１４を大気解放する。これにより、ロードロック室１４内にパーティクルが流入することを防止できる。
【００４３】
また、Ｎ２ガスが供給されることで、プレート５とウェハとの隙間に流れ込んだガスの熱伝導作用によりウェハが冷却される。本実施形態では、例えばＣＶＤ処理されることにより４００℃であったウェハを８０℃まで冷却する。このときのロードロック室１４内の圧力とウェハの冷却温度との時間変化のグラフを図５に示す。
【００４４】
その後、ウェハはウェハ搬送体９によりロードロック室１４内の冷却プレート５から取り出され、カセット８に戻される。
【００４５】
以上のような動作を繰り返すことにより、複数のウェハに対し連続的にＣＶＤ処理を行う。
【００４６】
また、本実施形態では、図１に示すように２つのロードロック室１４と１６との間のゲートバルブ１１を介して両室の間でウェハの受け渡しを行って効率的な処理を行うようにすることも可能である。例えば、両室１４及び１６がそれぞれ真空状態であるときにゲートバルブ１１を開き、ロードロック室１４側の載置台４で加熱されていたウェハを、例えばロードロック室１６側の搬送機構が取り出してロードロック室１６側に接続されている真空処理室に搬入することができる。
【００４７】
以上のように本実施形態では、ロードロック室１４（１６）に冷却プレート５を設ける構成としたので、真空処理室２で処理されたウェハが高温であっても、ウェハを冷却することができ、ロードロック室１４（１６）が高温となることを防止できる。これにより、ウェハが酸化されたり、搬送機構３に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、また、ウェハが冷却されているので、例えば７０℃〜８０℃という低い耐熱温度を持つカセットに戻すことができる。
【００４８】
また、本実施形態では、搬送チャンバ１５からロードロック室に搬送されてくる基板を、この載置台４で一旦待機させ、真空処理室２における処理の予備加熱を行っている。そして、この予備加熱を行っている間に、搬送機構３は既に真空処理室２で処理された基板を取り出し、この基板を冷却プレート５に置き、さらに搬送機構３は予備加熱を終えたウェハを真空処理室２に搬送している。
【００４９】
すなわち、載置台４及び冷却プレート５は、搬送機構３による搬送効率を高めるバッファとしての機能をも兼ねており、スループットの向上を図ることができる。さらに、ウェハに対する処理効率（真空処理室２で処理を考慮した全体的な処理効率）の両者を向上させることができる。
【００５０】
さらに、載置台４、冷却プレート５、搬送機構３及び真空処理室２を一直線上に配置したので、基板処理装置１のＸ方向の全体の幅を小さくすることができ、その幅方向で、真空処理室２及びロードロック室の増設が容易となる。
【００５１】
図６は、ロードロック室１４（１６）の変形例を示す断面図である。なお、図５において、図３における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。
【００５２】
この実施形態では、Ｎ２ガスを供給する供給口３４ａ（図中、左側の供給口）が、その先端を冷却プレート５と支持ピン２０に支持されたウェハＷとの間に向けて配置されている。これにより、ロードロック室１４（１６）を大気解放する前段階で、ロードロック室にＮ２ガスを供給する際に、そのギャップにＮ２ガスがいち早く流れ込むようにすれば、そのガスの熱伝導作用により効率良くウェハＷを冷却させることができる。
【００５３】
なお、この実施形態では、支持ピン２０でウェハを支持させつつウェハを冷却するようにしたが、もちろん冷却プレート５上に設けられたプロキシミティピンに載置させ、ウェハとプレート５との間のギャップにＮ２ガスが流入するようにして冷却するようにしてもよい。
【００５４】
図７は、他の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。この基板処理装置は、上記実施形態のロードロック室１４と１６とが一体となって１つの筐体５５を有するロードロック室５０が設けられている。このロードロック室５０の略中央部には、搬送装置４５がモータ４５ａを中心に回転可能に設けられている。この搬送装置４５は、２つの冷却プレート５の間でウェハを搬送し、効率的な処理を行う。
【００５５】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００５６】
例えば、図１に示す基板処理装置１の搬送チャンバ１５のＸ方向の幅を長くし、さらにロードロック室と真空処理室との組み合わせたユニットを増設して、スループットを向上させるようにしてもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、基板として半導体ウェハを例に挙げたが、液晶デバイスに用いられるガラス基板にも本発明は適用可能である。
【００５８】
さらに、搬送機構３を間にした、加熱用の載置台４と冷却プレート５との配置を逆にしてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では載置台４にウェハを載置させてランプ２６で加熱するようにしたが、このような加熱方法に限られず、載置台が電熱線等のヒータを内蔵した加熱プレートであってもよい。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ロードロック室に高温のウェハを受け入れることができ、パーティクルの流入を防止して搬送機構やウェハに悪影響を及ぼすことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図２】図１における基板処理装置を示す側面図である。
【図３】ロードロック室の断面図である。
【図４】ロードロック室内の圧力及び加熱温度の時間変化を示すグラフである。
【図５】ロードロック室内の圧力及び冷却温度の時間変化を示すグラフである。
【図６】ロードロック室の変形例を示す断面図である。
【図７】他の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【符号の説明】
Ｗ…ウェハ
１…基板処理装置
２…真空処理室
３…搬送機構
３ａ…ベース部
４…載置台
５…冷却プレート
５…プレート
７…カセット載置台
１４，１６…ロードロック室
２６…ランプ
３６…ガス供給源
４０…集中制御部
【図１】
2004200329.tif 000003
【図２】
2004200329.tif 000004
【図３】
2004200329.tif 000005
【図４】
2004200329.tif 000006
【図５】
2004200329.tif 000007
【図６】
2004200329.tif 000008
【図７】
2004200329.tif 000009