(57)【要約】      （修正有）【課題】  従来技術より複雑でなく高価でない態様で、チップ・キャリア用に少なくとも１つのキャパシタを提供する。【解決手段】  チップ・パッケージは基板２６を備え、その基板上には複合キャパシタ／スティフナ２０が設けられている。前記基板の表面には前記金属層のうちの１つ６２が存在する。前記一の金属層には別の誘電体層５０が接着されている。前記一の金属層の反対側で前記別の誘電体層に金属プレート１２が接着されている。前記金属プレートは前記別の誘電体層を貫通する導体によって電力または接地に、前記一の金属層は接地または電力に、それぞれ電気的に接続されてキャパシタ２０を形成している。前記一の金属層が前記複数の誘電体層のうちの１つに、前記複数の金属層のうちの別のものが前記複数の誘電体層のうちの対応する別のものに接合しているのと同じ態様で接合している。【選択図】図１
2004289133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と、前記誘電体層でインターレースされた複数の金属層とを備えた基板であって、前記基板の表面には前記金属層のうちの１つが存在する、基板と、
前記一の金属層に接着された別の誘電体層と、
前記一の金属層の反対側で前記別の誘電体層に接着された金属プレートであって、前記金属プレートは前記別の誘電体層を貫通する導体によって電力または接地に、前記一の金属層は接地または電力に、それぞれ電気的に接続されており、前記金属プレート、前記別の誘電体層、および前記一の金属層がキャパシタを形成している、金属プレートと
を備え、
前記一の金属層が前記複数の誘電体層のうちの１つに、前記複数の金属層のうちの別のものが前記複数の誘電体層のうちの対応する別のものに接合しているのと同じ態様で接合している
チップ・パッケージ。
【請求項２】
前記一の金属層および前記一の誘電体層は前記複数の金属層のうちの別のものおよびそれに対応する誘電体層と、前記一の金属層および前記別の金属層のエッチング量を除いて、実質的に同じである、
請求項１に記載のチップ・パッケージ。
【請求項３】
前記複数の金属層および前記複数の誘電体層は、前記別の誘電体層および前記金属プレートが前記一の金属層上に接合される前に、ユニットとして互いに接合されている、
請求項１に記載のチップ・パッケージ。
【請求項４】
さらに、
前記金属プレートから開始し、前記別の誘電体層を通過し、前記一の金属層上に存在するとともに接地に接続された対応する金属パッドで終端する金属導体
を備えた、
請求項１に記載のチップ・パッケージ。
【請求項５】
前記一の金属層が前記金属パッドから分離された電力プレーンを構成している、
請求項４に記載のチップ・パッケージ。
【請求項６】
前記金属導体が、前記金属プレートから突出し、前記誘電体層中の孔を通過しているディンプルである、
請求項４に記載のチップ・パッケージ。
【請求項７】
前記一の金属層が、各々が異なる電圧レベルにある複数の電力プレーンに分割されており、
前記複数の電力プレーン、前記別の誘電体層の対応する部分、および前記金属プレートが対応する複数のキャパシタを形成している、
請求項１に記載のチップ・パッケージ。
【請求項８】
前記金属プレートは前記複数の金属層の各々より厚く、前記基板に剛性を顕著に付与している、
請求項１に記載のチップ・パッケージ。
【請求項９】
前記金属プレートがチップを受け入れる切り欠きを備えている、
請求項１に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１０】
その上にチップをマウントする基板と、
前記基板上に設けられた第１の金属プレートであって、前記第１の金属プレートは前記チップを受け入れる切り欠きを備えており、前記第１の金属プレートは電力または接地に接続されている、第１の金属プレートと、
前記第１の金属プレート上に設けられた誘電体層と、
前記第１の金属プレートの反対側で前記誘電体層上に設けられた第２の金属プレートであって、前記第２の金属プレートは前記チップを受け入れるとともに前記第１の金属プレートの前記切り欠きと位置合わせされた切り欠きを備え、前記第２の金属プレートは電力または接地に接続されており、それにより、前記第１の金属プレート、前記誘電体層、および前記第２の金属プレートでキャパシタを形成しており、前記第２の金属プレートは前記誘電体層および前記第１の金属プレートを貫通する導体によって電力または接地に接続されいてる、第２の金属プレートと
を備えた
チップ・パッケージ。
【請求項１１】
前記第２の金属プレートが、前記第２の金属プレートから突出したディンプルによって接地または電力に接続されており、前記ディンプルは前記誘電体層および前記第１の金属プレートに設けられた孔を貫通している、
請求項１０に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１２】
前記第２の金属プレートが、前記第２の金属プレートから前記誘電体層および前記第１の金属プレートに設けられた孔を貫通している導体によって接地または電力に接続されている、
請求項１０に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１３】
前記第２の金属プレートが、前記基板上に設けられた金属パッドによって接地または電力に接続されており、前記金属パッドは前記導体に接続されている、
請求項１２に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１４】
前記第１の金属プレートが２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚であり、前記第２の金属プレートが２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚である、
請求項１０に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１５】
前記第１の金属プレートおよび前記第２の金属プレートは、前記基板に接続する前は可撓性である、
請求項１０に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１６】
前記基板が誘電体層とエッチング済み金属箔とを交互に有し、
前記第１の金属プレートおよび前記第２の金属プレートが前記エッチング済み金属箔より厚い、
請求項１０に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１７】
その上にチップをマウントする基板であって、前記基板は当該基板の表面に電力層または接地層を備えている、基板と、
前記基板の電力層または接地層の上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられた第１の金属プレートであって、前記第１の金属プレートは電力レベルまたは接地に接続されており、前記基板の前記電力層または接地、前記第１の誘電体層、および前記第１の金属プレートが第１のキャパシタを形成している、第１の金属プレートと、
前記第１の金属プレート上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第１の金属プレートの反対側で前記第２の誘電体層上に設けられた第２の金属プレートであって、前記第２の金属プレートは電力レベルまたは接地に接続されており、前記第２の金属プレート、前記第２の誘電体層、および前記第１の金属プレートが第２のキャパシタを形成しており、前記第２の金属プレート、前記第２の誘電体層、前記第１の金属プレート、および前記第１の誘電体層はすべて前記チップを受け入れる切り欠きを備えており、前記第２の金属プレートは前記第２の誘電体層、前記第１の金属プレート、および前記第１の誘電体層を貫通する導体によって前記電力レベルまたは接地に接続されている、第２の金属プレートと
を備えた
チップ・パッケージ。
【請求項１８】
前記基板は交互に積層された誘電体材料とエッチング済み金属箔で形成されており、
前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層は前記基板中の誘電体材料と組成が異なり、
前記第１の金属プレートおよび前記第２の金属プレートは前記エッチング済み金属箔より厚い、
請求項１７に記載のチップ・パッケージ。
【請求項１９】
前記基板の前記表面上に設けられた前記電力層または接地層は、前記チップを相互接続する金属パッドを除いて、前記チップの直下に金属箔を実質的に有さない、
請求項１７に記載のチップ・パッケージ。
【請求項２０】
前記第１の金属プレートは前記第１の金属プレートから、前記第１の誘電体層中の孔を貫通する導体によって電力レベルまたは接地に接続されている、
請求項１７に記載のチップ・パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に集積回路（「チップ」）パッケージに関し、特にチップ・キャリア用のデカップリング・キャパシタとスティフナに関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、チップは有機基板または非有機基板にマウントしてチップ「パッケージ」またはチップ「モジュール」を形成する。このマウントには、周知のワイヤ・ボンディング手法または「フリップ・チップ」手法を使用することができる。ワイヤ・ボンディング手法では、チップ上のパッドと基板上のパッドとをワイヤでボンディングして電気的（および機械的）接続を形成している。フリップ・チップ構成では、チップはその一面にパッドを備えており、それらのパッドを基板上の対応するパッドにはんだボールによって直接にマウントする。これにより、電気的接続と機械的接続の双方が実現する。このようなフリップ・チップ・ボンディング手法の１つがインターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション（International Business Machines Corporation)によって開発され、「コントロール・コラプス・チップ・コネクション（Cintrolled Collapse Chip Connection)」略して「Ｃ４」と呼ばれている。当産業では他のフリップ・チップ・ボンディング手法も周知である。通常、（ワイヤ・ボンディングで形成されたものであれ、フリップ・チップで形成されたものであれ）チップ・パッケージまたはチップ・モジュールは引き続いて印刷回路板にマウントされる。
【０００３】
チップ内の回路はノイズに満ちている。すなわち、チップ内のトランジスタのスイッチングに対する高周波変動事故が存在する。このことは現代のＣＭＯＳ技術にとって特に当てはまる。この問題は回路の高密度化によって複雑になっている。また、一部のＣＭＯＳ構成は低電源電圧で動作するから、電力プレーンまたは接地プレーンのわずかな電圧変動によってディジタル値が一時的に不適当なものになる可能性がある。さらに、ある場合には、チップが出すノイズが印刷回路板上の回路に影響することもありうる。
【０００４】
電力と接地との間にある種のデカップリング・キャパシタを設けることは周知である。たとえば、チップにデカップリング・キャパシタを設けること、または、チップ・キャリアや印刷回路板に個別のデカップリング・キャパシタを設けることは知られていた。個別キャパシタはキャパシタ要素へ導く金属リードを備えている。そして、チップ・キャリア（または印刷回路板）上のノイズ源とこの金属リードとの間には導電パターンが設けられている。個別キャパシタに付随する問題の１つはノイズ源と実際のキャパシタとの間の金属リードと導電パターンに起因する直列抵抗と直列インダクタンスである。また、印刷回路板内に「埋め込み容量」を設けることは知られていた。たとえば、次に示す米国特許公報を参照されたい。すなわち、ハワード（Howard）らの米国特許第５０７９０６９号、シスラー（Sisler）の米国特許第５０１０６４１号、ジァップ（Japp）らの米国特許第６３４３００１号、ハワード（Howard）らの米国特許第５１６１０８６号、アダエ＝アモアコー（Adae-Amoakoh）らの米国特許第６５２４３５２号、ジァップ（Japp）らの米国特許第６４９６３５６号、ホファース（Hoffarth）らの米国特許第５９７２０５３号、ローファー（Lauffer)らの米国特許第５７９６５８７号、パパトマス（Papathomas）らの米国特許第６３４３００１号である。「埋め込み容量」は多層印刷回路板の一部として形成された金属層、誘電体層、および金属層から成る。一方の金属層は電力プレーンであり、他方の金属層は接地プレーンである。このような埋め込み容量は次のようにして形成することができる。通常、印刷回路板は互いに積層した「コア」で形成する。「コア」は互いに積層した銅箔と誘電体層から成る層である。コアを互いに積層して印刷回路板を形成する前に、必要に応じて銅層を回路化する。信号経路にすることを意図した銅層は信号導体から多量の銅をエッチング除去する。電力プレーンと接地プレーンにすることを意図した他の銅層は比較的少量の銅しかエッチング除去しない。埋め込みキャパシタを形成するには、電力プレーンと接地プレーンを互いに近接して配置し、単一の誘電体層によってのみ分離する。米国特許第６３４３００１号には、２つの電力プレーンの間に配置された共通接地プレーンと、この共通接地プレーンと隣接する誘電体層とを貫通して２つの電力プレーンを相互接続するめっきスルーホールとを共有する２つの電力プレーンを備えた並列キャパシタ構造が開示されている。米国特許第４９３７６４９号には、集積回路の表面に形成されたキャパシタが開示されている。
【０００５】
一部のチップ・キャリア基板は薄いので、スティフナを必要とする。チップ・キャリア基板に比較的厚い金属層を接着させてチップ・キャリアを補強することが知られていた。また、金属層に中央切り欠きを設けてチップを収容することも知られていた。
【０００６】
小川幸樹（日本特殊陶業株式会社（NGK Spark Plug Co. LTD））の特開２０００−２３２２６０号公報には、チップ・キャリア用にキャパシタとスティフナとを組み合わせたものが開示されている。このキャパシタ／スティフナは電極１２３／銅プレート・スティフナ１２１、電極１２４、および介在誘電体層１２２を備えている。キャパシタの一面を電極１２３で被覆するとともに、キャパシタの側面とキャパシタの他面の外周も電極１２３で被覆している。形成したあと、このキャパシタは導電樹脂ボディ１４３、１４４で配線板の主ボディ１１０の一面に電気的機械的に接続されるとともに、配線層１０２に電気的機械的に接続する。このキャパシタ／スティフナは中央にチップを収容する開口を備えている。
【特許文献１】米国特許第５０７９０６９号
【特許文献２】米国特許第５０１０６４１号
【特許文献３】米国特許第６３４３００１号
【特許文献４】米国特許第５１６１０８６号
【特許文献５】米国特許第６５２４３５２号
【特許文献６】米国特許第６４９６３５６号
【特許文献７】米国特許第５９７２０５３号
【特許文献８】米国特許第５７９６５８７号
【特許文献９】米国特許第６３４３００１号
【特許文献１０】米国特許第４９３７６４９号
【特許文献１１】特開２０００−２３２２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は従来技術より複雑でなく高価でない態様で、チップ・キャリア用に少なくとも１つのキャパシタを提供することである。
【０００８】
本発明の別の目的は従来技術より複雑でなく高価でない、チップ・キャリア用の複合キャパシタ／スティフナを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明はその上に複合キャパシタ／スティフナを有する基板を備えたチップ・パッケージに関する。本発明の一実例では、前記基板は複数の誘電体層と、前記誘電体層でインターレースされた複数の金属層とを備えている。前記基板の表面には前記金属層のうちの１つが存在する。前記一の金属層には別の誘電体層が接着されている。前記一の金属層の反対側で前記別の誘電体層に金属プレートが接着されている。前記金属プレートは前記別の誘電体層を貫通する導体によって電力または接地に、前記一の金属層は接地または電力に、それぞれ電気的に接続されている。前記金属プレート、前記別の誘電体層、および前記一の金属層がキャパシタを形成している。前記一の金属層が前記複数の誘電体層のうちの１つに、前記複数の金属層のうちの別のものが前記複数の誘電体層のうちの対応する別のものに接合しているのと同じ態様で接合している。
【００１０】
本発明は基板および別の複合キャパシタ／スティフナを備えたチップ・パッケージにも関する。前記基板上には第１の金属プレートが設けられている。前記第１の金属プレートは前記チップを受け入れる切り欠きを備えている。前記第１の金属プレートは電力または接地に接続されている。前記第１の金属プレート上には誘電体層が設けられている。前記第１の金属プレートの反対側で前記誘電体層上に第２の金属プレートが設けられている。前記第２の金属プレートは前記チップを受け入れるとともに前記第１の金属プレートの前記切り欠きと位置合わせされた切り欠きを備えている。前記第２の金属プレートは電力または接地に接続されており、それにより、前記第１の金属プレート、前記誘電体層、および前記第２の金属プレートでキャパシタを形成している。前記第２の金属プレートは前記誘電体層および前記第１の金属プレートを貫通する導体によって電力または接地に接続されている。
【００１１】
本発明は基板および別の複合キャパシタ／スティフナを備えたチップ・パッケージにも関する。前記基板は当該基板の表面に電力層または接地層を備えている。前記基板の電力層または接地層の上には第１の誘電体層が設けられている。前記第１の誘電体層上には第１の金属プレートが設けられている。前記第１の金属プレートは電力レベルまたは接地に接続されており、前記基板の前記電力層または接地、前記第１の誘電体層、および前記第１の金属プレートが第１のキャパシタを形成している。前記第１の金属プレート上には第２の誘電体層が設けられている。前記第１の金属プレートの反対側で前記第２の誘電体層上には第２の金属プレートが設けられている。前記第２の金属プレートは電力レベルまたは接地に接続されており、前記第２の金属プレート、前記第２の誘電体層、および前記第１の金属プレートが第２のキャパシタを形成している。前記第２の金属プレートは前記第２の誘電体層、前記第１の金属プレート、および前記第１の誘電体層を貫通する導体によって前記電力レベルまたは接地に接続されている。前記第２の金属プレート、前記第２の誘電体層、前記第１の金属プレート、および前記第１の誘電体層はすべて前記チップを受け入れる切り欠きを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、図面を詳細に参照する。図面を通じて、同じ参照符号は同じ構成要素を表わす。図１は本発明に係り参照符号１０で一般的に表したチップ・パッケージの断面図である。チップ・パッケージ１０は基板２６と複合キャパシタ／スティフナ２０の金属プレート１２とを備えている。金属プレート１２にはたとえば、２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚の陽極酸化したアルミニウム、２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚の銅、または２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚のステンレス鋼を用いることができ、チップ・キャリアに顕著な剛性を付与している。しかし、留意点を挙げると、チップ・キャリア用に顕著な剛性はあまり必要ではなく容量値が欲しいという場合には、金属プレート１２を薄く、たとえば基板２６中の金属層と同じくらいの厚さにしてもよい。金属プレート１２はチップ１８用に矩形の中央切り欠き１６を備えている。金属プレート１２は基板２６中の接地プレーン７４と電気的に接続している。この接続は金属プレート１２と基板２６との間の誘電体層５０を貫通する複数の導体３６、３６、基板２６の表面の金属パッド２２、２２、および基板２６中のビア（バイア）７２、７２を通じてなされている。キャパシタ／スティフナ２０は金属プレート１２、誘電体層５０、および基板２６の上部金属層６２、６２、６３、６３から構成されている。本発明の好適な実施形態では、誘電体層５０は２．５４〜５．０８×１０-1ｍｍ（１〜２ミル）厚の高誘電率の接着剤（たとえばGE Silicone 3281）またはセラミック−ポリマー複合体のシートから成る。この層はキャパシタ２０の誘電体要素として機能するだけでなく、圧力（たとえば２．４１３ＭＰａ（３５０ｐｓｉ））と熱（たとえば１５０℃）を加えることにより金属プレート１２と基板２６とを接着するようにも機能している。
【００１３】
図１にさらに示されているように、基板２６は複数の層から成り、誘電体材料と銅箔とを交互に有する。銅箔は回路化されており、信号ラインを実現しているとともに、電力プレーンと接地プレーンも実現している。基板の表面６０には（異なる電圧レベルに接続された）少なくとも１つの電力プレーン６２、６２、および６３、６３が設けられており、キャパシタ２０を完成させている。図示した実施形態では、２つの異なる電力レベル用に２つの別個の電力プレーン６２と６３がある。チップ１８は２つの異なる電圧レベルを使用しており、両方の電圧レベル用に高周波デカップリングを必要としているから、２つの電力プレーンを設けて２つの異なるキャパシタを形成している。しかし、別のチップは１つの電圧レベルしか有しておらず、または１つの電圧レベル用にしか高周波デカップリングを必要としていないから、高周波キャパシタを１つしか必要としない。この場合、基板２６の表面には電力プレーンが１つしかない。そして、この１つの電力プレーンは同じ電圧レベルに電気的に接続された両金属層６２と６３を備えている。少なくとも１つの電力プレーンを形成するための方法は種々存在する。通常、電力プレーンは互いに積層された複数の「コア」で形成された基板に固有のものである。各コアは互いに積層された誘電体層（たとえば５．０８×１０-1ｍｍ（２０ミル）厚のＦＲ４、２．５４×１０-1ｍｍ（１０ミル）厚のＰＴＦＥ、または５．０８×１０-1ｍｍ（２０ミル）厚のＤｒｉｃｌａｄ誘電体）と（通常１．０１６×１０-2〜２．５４×１０-2ｍｍ（０．４〜１．０ミル）厚の）銅箔層とから成る。通常、各コア上の銅箔は他のコアに積層する前にある程度エッチングする。コアが接地プレーンまたは電力プレーンとして機能する場合、限られた領域を除去して他の電圧接続用のパッド、信号接続用のパッド、または貫通するビアの形成を可能にする。（コアが信号プレーンとして機能する場合、コアの大部分を選択的に除去して信号導体を形成する。）いずれにしても、電力プレーン６２、６３は基板の一部であり、誘電体層５０と金属プレート１２を基板に取り付ける前に形成されていたものである。これはキャパシタ／スティフナの下部金属層を形成する経済的な方法である。また、基板２６の上部表面を使用して電力プレーンを形成することにより、上述したように、必要な場合に少なくとも２つのキャパシタを形成することが可能になる。
【００１４】
電力プレーン６２への電力の供給は基板２６中のビア６５、６５、内部電力プレーン６６、および、電力プレーン６６とチップ・キャリアのマウント先である印刷回路板（図示せず）とに接続された少なくとも１つのはんだボール６４、６４から行う。電力プレーン６２用に電圧を生成する電源は印刷回路板または他のどこかに設けることができ、その電力は印刷回路板に供給される。また、電力プレーン６３への電力の供給は基板２６中のビア６７、６７、内部電力プレーン６８、および、電力プレーン６８とチップ・キャリアのマウント先である印刷回路板（図示せず）とに接続された少なくとも１つのはんだボール６９、６９から行う。電力プレーン６３用に電圧を生成する電源は印刷回路板または他のどこかに設けることができ、その電力は印刷回路板に供給される。さらに、基板２６の表面に設けられた電力プレーン６２と６３との間にはギャップも存在する。それらのギャップの中には、上述したように、金属プレート１２の金属導体３６、３６に接続されたパッド２２、２２が存在する。パッド２２、２２はビア７２、７２、内部接地プレーン７４、および接地プレーンと印刷回路板とに接続されたはんだボール７７、７７によって接地に接続されている。したがって、基板２６の表面には、金属プレート１２、誘電体層５０、ならびに電力プレーン６２および６３によって２つのキャパシタが形成されている。上述したように、１つのキャパシタしか必要でない場合には、電力プレーン６２および６３の双方を適当なビアによって必要に応じて同じ内部電力プレーン６６または６８に接続する。
【００１５】
図１には、金属プレート１２中の切り欠き１６内の基板２６上にマウントされたチップ１８も示されている。チップ１８は「フリップ・チップ」構成をとっており、たとえばその下側に、チップ１８を基板２６上の結合パッド８２、８４、８６に相互接続するＣ４はんだボールを備えている。パッド８２はビア９２によって内部電力プレーン６６に接続されている。パッド８４はビア９４によって内部電力プレーン６８に接続されている。パッド８４はビア９９によって内部接地プレーン７４に接続されている。したがって、チップ１８は金属プレート１２、誘電体層５０、および表面電力プレーン６２、６３で形成された２つのキャパシタに接続されている。チップ１８は他のはんだボール、金属パッド、およびビア（図示せず）によって基板２６中の複数の信号導体にも接続されている。２つのキャパシタはチップに近接しているから、チップとキャパシタとの間の直列抵抗と直列インダクタンスは最小化されている。
【００１６】
また、付随する印刷回路板に個別キャパシタをいくつか追加することは可能であるとともに望ましい。これら追加のキャパシタは複合キャパシタ２０ほどの高周波デカップリング能力を備えていないが、大容量値を備えることができる。したがって、金属プレート１２、誘電体層５０、および電力プレーン６２、６３で形成されるキャパシタが高周波デカップリングの大部分を担い、個別キャパシタが低周波デカップリングと中間周波デカップリングの大部分を担うことになる。個別キャパシタは印刷回路板（図示せず）上で電力プレーンと接地プレーンとの間に接続することになる。
【００１７】
導体３６、３６を形成する方法には様々なものがある。本発明の一実施形態では、導体３６、３６は図３に示す押し出し工具１３０によって形成した、金属プレート１２の中空の「ディンプル」（くぼみ）に下方に面している。押し出し工具１３０は突出ディンプル１３７、１３７を備えた押し出しプレート１３４を備えている。押し出し工具１３０はプレート１３４に下向きの力を印加する油圧シリンダも備えている。押し出し工具１３０はディンプル１３７、１３７よりわずかに大きくそれらと位置合わせされた孔１４６、１４６を備えた支持プレート１４４も備えている。まず、支持プレート１４４上に金属プレート１２を載置し、突出ディンプル１３７、１３７を備えた押し出しプレート１３４をこの金属プレート１２に対して押圧し、金属プレート１２にディンプル３６、３６を刻印する。望ましい場合には、押し出しプレート１３４はディンプルを形成するのと同時に切り欠き１６を形成する矩形のパンチを備えていてもよい。図１に示すように、金属プレート１２の表面には複数のディンプルが分散されており、それによりキャパシタとノイズ源との間の直列抵抗と直列インダクタンスを最小化している。金属プレート１２と積層する前に誘電体層５０にディンプルを受け入れる孔をパンチする。これにより、ディンプルが、下にある金属パッド２２、２２まで貫通することが可能になる。誘電体接着層を塗布したら、金属プレート１２に（１５０℃の）熱と（２．４１３ＭＰａ（３５０ｐｓｉ）の）下向きの力を加え、金属プレート１２と接着層５０を基板２６に積層する。
【００１８】
導体３６、３６は次のようにしても形成することができる。まず、金属プレート１２と誘電体層５０を熱と圧力によって基板２６に積層する（このとき誘電体層５０に孔をプレパンチしない）。次いで、金属プレート１２と誘電体層５０を貫通して孔様の「盲管ビア」を機械的に開ける。次いで、導電性のエポキシ、充填剤、またははんだを盲管ビアに充填して金属プレートと基板２６の上部表面の金属パッド２２、２２とを相互接続する。
【００１９】
図４は本発明に係り参照符号１１０で一般的に表した別のチップ・パッケージの断面図である。チップ・パッケージ１１０は基板１２６と、複合キャパシタ／スティフナ１２０の上部金属プレート１１２と、複合キャパシタ／スティフナ１２０の下部金属プレート１１３と、介在する誘電体層１５０とを備えている。図５は上部金属プレート１１２の上面図である。各金属プレート１１２、１１３にはたとえば、２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚の陽極酸化したアルミニウム、２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚の銅、または２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚のステンレス鋼を用いることができ、チップ・キャリアに顕著な剛性を付与している。しかし、留意点を挙げると、チップ・キャリア用に顕著な剛性はあまり必要ではなく容量値が欲しいという場合には、金属プレート１１２、１１３を薄く、たとえば基板１２６中の金属層と同じくらいの厚さにしてもよい。各金属プレート１１２、１１３はチップ１１８用に矩形の中央切り欠き１１６を備えている。金属プレート１１２は基板２６中の接地プレーン１７４と電気的に接続している。この接続は（誘電体層１５０と金属プレート１１３中のクリアランス・ホール１３７、１３７を貫通する）複数の導体１３６、１３６、基板１２６の表面の金属パッド１２２、１２２、およびビア１７２、１７２を通じてなされている。本発明の好適な実施形態では、誘電体層１５０は２．５４〜５．０８×１０-2ｍｍ（１〜２ミル）厚の高誘電率の接着剤（たとえばGE Silicone 3282）またはセラミック−ポリマー複合体のシートから成る。この層はキャパシタ１２０の誘電体要素として機能するだけでなく、圧力（たとえば２．４１３ＭＰａ（３５０ｐｓｉ））と熱（たとえば１５０℃）を加えることにより金属プレート１１２と金属プレート１１３とを接着するようにも機能している。金属プレート１１３は金属パッド１６９、１６９にはんだ付けすることにより、電力プレーン１６４に電気的に接続している。金属パッド１６９、１６９は電力プレーン１６４に通じる盲管ビア１７０、１７０に接続されている。通常、キャパシタ／スティフナ１２０は基板１２６とは別個に形成したあと、金属パッド１６９、１６９によって基板１２６にはんだ付けして機械的接続と上述した電気的接続を行う。必要な場合には、金属プレート１１３と基板１２６との間に接着層を用いて機械的接続性を高めてもよい。また、必要な場合には、キャパシタ１２０の各層は基板１２６の各層を互いに積層するのと同時に互いに積層したのち基板１２６に積層してもよい。
【００２０】
図４にさらに示されているように、基板１２６は複数の層から成り、誘電体と銅箔とを交互に有する。銅箔は回路化されており、金属パッド１６９、１６９、信号ライン、電力プレーン１６４、および接地プレーン１７４を実現している。基板１２６の上部表面１６０は金属パッド１６９、１６９を備えた誘電体材料から成る。基板１２６は互いに積層された複数の「コア」で形成されている。各コアは互いに積層された誘電体層（たとえば５．０８×１０-1ｍｍ（２０ミル）厚のＦＲ４、２．５４×１０-1ｍｍ（１０ミル）厚のＰＴＦＥ、または５．０８×１０-1ｍｍ（２０ミル）厚のＤｒｉｃｌａｄ誘電体）と銅箔層（通常１．０１６×１０-2〜２．５４×１０-2ｍｍ（０．４〜１．０ミル）厚）とから成る。通常、各コア上の銅箔は他のコアに積層する前にある程度エッチングする。内部コアが接地プレーンまたは電力プレーンとして機能する場合、限られた領域を除去して他の電圧接続用のパッド、信号接続用のパッド、または貫通するビアの形成を可能にする。（内部コアが信号プレーンとして機能する場合、コアの大部分を選択的に除去して信号導体を形成する。）
【００２１】
電力プレーン１６４への電力の供給は基板１２６中のビア１６５、１６５、およびチップ・キャリアのマウント先である印刷回路板（図示せず）中の電力プレーンに接続された少なくとも１つのはんだボール１８４、１８４から行う。電力プレーン１６４用に電圧を生成する電源は印刷回路板または他のどこかに設けることができ、その電力は印刷回路板に供給される。内部接地プレーン１７４はビア１６３、１６３、および印刷回路板中の接地プレーンに接続されたはんだボール１７７、１７７によって接地されている。
【００２２】
図４には、金属プレート１１２中の切り欠き１１６内の基板１２６上にマウントされたチップ１１８も示されている。チップ１１８は「フリップ・チップ」構成をとっており、たとえばその下側に、チップ１１８を基板１２６上の結合パッド１８２、１８３、１８６に相互接続するＣ４はんだボールを備えている。パッド１８２はビア１９２によって内部電力プレーン１６４に接続されている。パッド１８３はビア１９４によって、（部分的に示す）内部信号ライン１９７に接続されている。パッド１８６はビア１９９によって内部接地プレーン１７４に接続されている。したがって、チップ１１８は金属プレート１１２、誘電体層５０、および金属プレート１１３で形成されたキャパシタ１２０に接続されている。チップ１１８は基板１２６中の複数の信号導体にも接続されている。キャパシタはチップに近接しているから、チップとキャパシタとの間の直列抵抗と直列インダクタンスは最小化されている。
【００２３】
また、多くの用途では、付随する印刷回路板に個別キャパシタをいくつか追加することは可能であるとともに望ましい。これら追加のキャパシタは複合キャパシタ１２０ほどの高周波デカップリング能力を備えていないが、大容量値を備えることができる。したがって、金属プレート１１２、誘電体層１５０、および金属プレート１１３で形成されるキャパシタが高周波デカップリングの大部分を担い、個別キャパシタが低周波デカップリングと中間周波デカップリングの大部分を担うことになる。個別キャパシタは印刷回路板（図示せず）上で電力プレーンと接地プレーンとの間に接続することになる。
【００２４】
導体１３６、１３６を形成する方法には様々なものがある。本発明の一実施形態では、導体１３６、１３６は図３に示す押し出し工具１３０によって形成した、金属プレート１１２の中空の「ディンプル」に下方に面している。上述したように、押し出し工具１３０は適切に配置された突出ディンプルを備えた押し出しプレートを備えている。押し出し工具１３０は押し出しプレートに下向きの力を印加する油圧シリンダも備えている。押し出し工具１３０はディンプルよりわずかに大きくそれらと位置合わせされた孔を備えた支持プレートも備えている。まず、支持プレート上に金属プレート１１２を載置し、突出ディンプルを備えた押し出しプレートをこの金属プレート１１２に対して押圧し、金属プレート１１２にディンプルを刻印する。望ましい場合には、押し出しプレートはディンプルを形成するのと同時に切り欠き１１６を形成する矩形のパンチを備えていてもよい。図５に示すように、金属プレート１１２には複数のディンプルが分散されており、それによりキャパシタとノイズ源との間の直列抵抗と直列インダクタンスを最小化している。金属プレート１１２と積層する前に誘電体層１５０および金属プレート１１３にディンプルを受け入れる孔をパンチする。これにより、ディンプルが金属プレート１１３と接触することなく、下にある金属パッド１２２、１２２まで貫通することが可能になる。
【００２５】
図６は本発明に係り参照符号２１０で一般的に表した別のチップ・パッケージの断面図である。チップ・パッケージ２１０は次の点でチップ・パッケージ１１０とは異なる。すなわち、チップ・パッケージ２１０が２つの積層キャパシタを備えているのに対して、チップ・パッケージ１１０はキャパシタを１つしか備えていない。チップ・パッケージ２１０は基板１２６と、上部金属プレート１１２と、誘電体層１５０と、下部金属プレート１１３と、別の誘電体層１１４とを備えている。上部金属プレート１１２、誘電体層１５０、および下部金属プレート１１３によって複合キャパシタ／スティフナ２２０の一方のキャパシタを形成している。下部金属プレート１１３、誘電体層１１４、および基板１２６の表面に設けられた金属層６２、６２によって複合キャパシタ／スティフナ２２０の他方のキャパシタを形成している。金属層６２、６２は基板１２６を形成する元を成す１つのコアの銅箔部である。後述するように、上部金属プレート１１２は接地に接続されており、下部金属プレート１１３は１つの電力プレーンに接続されており、金属層６２、６２は別の電力プレーンに接続されている。各金属プレート１１２、１１３にはたとえば、２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚の陽極酸化したアルミニウム、２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚の銅、または２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚のステンレス鋼を用いることができ、チップ・キャリアに顕著な剛性を付与している。しかし、留意点を挙げると、チップ・キャリア用に顕著な剛性はあまり必要ではなく容量値が欲しいという場合には、金属プレート１１２、１１３を薄く、たとえば基板１２６中の金属層と同じくらいの厚さにしてもよい。各金属プレート１１２、１１３はチップ１１８用に矩形の中央切り欠き１１６を備えている。金属プレート１１２は基板２６中の接地プレーン１７４と電気的に接続している。この接続は（誘電体層１５０、１１４と金属プレート１１３中のクリアランス・ホール１３７、１３７を貫通する）複数の導体１３６、１３６、基板１２６の表面の金属パッド１２２、１２２、およびビア１７２、１７２を通じてなされている。本発明の好適な実施形態では、誘電体層１５０、１１４は各々、２．５４〜５．０８×１０-2ｍｍ（１〜２ミル）厚の高誘電率の接着剤（たとえばGE Silicone 3282）またはセラミック−ポリマー複合体のシートから成る。誘電体層１５０はキャパシタ２２０の誘電体要素として機能するだけでなく、圧力（たとえば２．４１３ＭＰａ（３５０ｐｓｉ））と熱（たとえば１５０℃）を加えることにより金属プレート１１２と金属プレート１１３とを接着するようにも機能している。誘電体層１１４はキャパシタ２２０の誘電体要素として機能するだけでなく、圧力（たとえば２．４１３ＭＰａ（３５０ｐｓｉ））と熱（たとえば１５０℃）を加えることにより金属プレート１１３と基板１２６とを接着するようにも機能している。金属プレート１１３は導体２３１により電力プレーン１６４に電気的に接続している。導体２３１は金属プレート１１３から電力プレーン１６４に全通する盲管ビア、または金属プレート１１３から、電力プレーン１６４に至る���管ビアに通じる下向きに面したディンプルから成る。層１１２、１５０、１１３は基板１２６とは別のユニットとして形成したあと、誘電体層１１４によって基板１２６に接着する。しかし、キャパシタ２２０の層１１２、１５０、１１３、１１４は、基板１２６の各層を互いに積層するのと同時に互いに積層したのち基板１２６に積層してもよい。
【００２６】
図６にさらに示されているように、基板１２６は複数の層から成り、誘電体と銅箔とを交互に有する。銅箔は回路化されており、金属パッド１２２、１２２、信号ライン１９７、電力プレーン６６、電力プレーン１６４、および接地プレーン１７４を実現している。基板１２６の上部表面１６０は金属箔パッド１６９、１６９を備えた金属箔層６２、６２から成る。基板１２６は互いに積層された複数の「コア」で形成されている。各コアは互いに積層された誘電体層（たとえば５．０８×１０-1ｍｍ（２０ミル）厚のＦＲ４、２．５４×１０-1ｍｍ（１０ミル）厚のＰＴＦＥ、または５．０８×１０-1ｍｍ（２０ミル）厚のＤｒｉｃｌａｄ誘電体）と銅箔層（通常１．０１６×１０-2〜２．５４×１０-2ｍｍ（０．４〜１．０ミル）厚）とから成る。通常、各コア上の銅箔は他のコアに積層する前にある程度エッチングする。内部コアまたは外部コアが接地プレーンまたは電力プレーンとして機能する場合、限られた領域を除去して他の電圧接続用のパッド、信号接続用のパッド、または貫通するビアの形成を可能にする。内部コアが信号プレーンとして機能する場合、コアの大部分を選択的に除去して信号導体を形成する。
【００２７】
電力プレーン１６４への電力の供給は基板１２６中のビア１６５、１６５、およびチップ・キャリアのマウント先である印刷回路板（図示せず）中の電力プレーンに接続された少なくとも１つのはんだボール１８４、１８４から行う。電力プレーン１６４用に電圧を生成する電源は印刷回路板または他のどこかに設けることができ、その電力は印刷回路板に供給される。電力プレーン６６への電力の供給は基板１２６中のビア１９１、１９１、およびチップ・キャリアのマウント先である印刷回路板（図示せず）中の電力プレーンに接続された少なくとも１つのはんだボール１９９、１９９から行う。電力プレーン６６用に電圧を生成する電源は印刷回路板または他のどこかに設けることができ、その電力は印刷回路板に供給される。内部接地プレーン１７４はビア１６３、１６３、および印刷回路板中の接地プレーンに接続されたはんだボール１７７、１７７によって接地されている。
【００２８】
図６には、金属プレート１１２、１１３中の切り欠き１１６内の基板１２６上にマウントされたチップ１１８も示されている。チップ１１８は「フリップ・チップ」構成をとっており、たとえばその下側に、チップ１１８を基板１２６上の結合パッド１８２、１８３、１８６に相互接続するＣ４はんだボールを備えている。パッド１８２はビア１９２によって内部電力プレーン１６４に接続されている。パッド１８３はビア１９４によって、（部分的に示す）内部信号ライン１９７に接続されている。パッド１８６はビア１９６によって内部電力プレーン６６に接続されている。パッド１８７はビア１８９によって接地プレーン１７４に接続されている。したがって、チップ１１８は金属プレート１１２、誘電体層５０、金属プレート１１３、誘電体層１１４、および電力プレーン６２、６２で形成されたキャパシタ２２０に接続されている。チップ１１８は基板１２６中の複数の信号導体にも接続されている。複合キャパシタはチップに近接しているから、チップと複合キャパシタとの間の直列抵抗と直列インダクタンスは最小化されている。
【００２９】
また、多くの用途では、付随する印刷回路板に個別キャパシタをいくつか追加することは可能であるとともに望ましい。これら追加のキャパシタは複合キャパシタ２２０ほどの高周波デカップリング能力を備えていないが、大容量値を備えることができる。したがって、金属プレート１１２、誘電体層１５０、および金属プレート１１３で形成されるキャパシタと、金属プレート１１３、誘電体１１４、および金属層６２、６２で形成されるキャパシタとが高周波デカップリングの大部分を担い、個別キャパシタが低周波デカップリングと中間周波デカップリングの大部分を担うことになる。個別キャパシタは印刷回路板（図示せず）上で電力プレーンと接地プレーンとの間に接続することになる。
【００３０】
導体１３６、１３６を形成する方法には様々なものがある。本発明の一実施形態では、導体１３６、１３６は図３に示す押し出し工具１３０によって形成した、金属プレート１１２の中空の「ディンプル」に下方に面している。上述したように、押し出し工具１３０は適切に配置された突出ディンプルを備えた押し出しプレートを備えている。押し出し工具１３０は押し出しプレートに下向きの力を印加する油圧シリンダも備えている。押し出し工具１３０はディンプルよりわずかに大きくそれらと位置合わせされた孔を備えた支持プレートも備えている。まず、支持プレート上に金属プレート１１２を載置し、突出ディンプルを備えた押し出しプレートをこの金属プレート１１２に押圧し、金属プレート１１２にディンプルを刻印する。望ましい場合には、押し出しプレートはディンプルを形成するのと同時に切り欠き１１６を形成する矩形のパンチを備えていてもよい。図６に示すように、複数の導体１３７、１３７があり、それによりキャパシタとノイズ源との間の直列抵抗と直列インダクタンスを最小化している。同様に、下方に面するディンプルは金属プレート１１３にも形成することができる。金属プレート１１２と積層する前に誘電体層１５０、金属プレート１１３、および誘電体層１１４に金属プレート１１２のディンプルを受け入れる孔をパンチする。これにより、ディンプルが金属プレート１１３と接触することなく、下にある金属パッド１２２、１２２まで貫通することが可能になる。また、基板１２６と積層する前に誘電体層１１４に金属プレート１１３のディンプルを受け入れる孔をパンチする。これにより、ディンプルが基板１２６まで貫通することが可能になる。
【００３１】
以上、チップ・キャリア基板用の複合キャパシタ／スティフナと（顕著な剛性のない）複合キャパシタを開示した。しかしながら、本発明の範囲の内で、多くの変更と置換をなしうる。したがって、上では説明と非限定によって本発明を開示したので、本発明の範囲を確定するには特許請求の範囲を参照すべきである。
【００３２】
まとめとして以下の事項を開示する。
（１）
複数の誘電体層と、前記誘電体層でインターレースされた複数の金属層とを備えた基板であって、前記基板の表面には前記金属層のうちの１つが存在する、基板と、
前記一の金属層に接着された別の誘電体層と、
前記一の金属層の反対側で前記別の誘電体層に接着された金属プレートであって、前記金属プレートは前記別の誘電体層を貫通する導体によって電力または接地に、前記一の金属層は接地または電力に、それぞれ電気的に接続されており、前記金属プレート、前記別の誘電体層、および前記一の金属層がキャパシタを形成している、金属プレートと
を備え、
前記一の金属層が前記複数の誘電体層のうちの１つに、前記複数の金属層のうちの別のものが前記複数の誘電体層のうちの対応する別のものに接合しているのと同じ態様で接合している
チップ・パッケージ。
（２）
前記一の金属層および前記一の誘電体層は前記複数の金属層のうちの別のものおよびそれに対応する誘電体層と、前記一の金属層および前記別の金属層のエッチング量を除いて、実質的に同じである、
上記（１）に記載のチップ・パッケージ。
（３）
前記複数の金属層および前記複数の誘電体層は、前記別の誘電体層および前記金属プレートが前記一の金属層上に接合される前に、ユニットとして互いに接合されている、
上記（１）に記載のチップ・パッケージ。
（４）  さらに、
前記金属プレートから開始し、前記別の誘電体層を通過し、前記一の金属層上に存在するとともに接地に接続された対応する金属パッドで終端する金属導体
を備えた、
上記（１）に記載のチップ・パッケージ。
（５）
前記一の金属層が前記金属パッドから分離された電力プレーンを構成している、
上記（４）に記載のチップ・パッケージ。
（６）
前記金属導体が、前記金属プレートから突出し、前記誘電体層中の孔を通過しているディンプルである、
上記（４）に記載のチップ・パッケージ。
（７）
前記一の金属層が、各々が異なる電圧レベルにある複数の電力プレーンに分割されており、
前記複数の電力プレーン、前記別の誘電体層の対応する部分、および前記金属プレートが対応する複数のキャパシタを形成している、
上記（１）に記載のチップ・パッケージ。
（８）
前記金属プレートは前記複数の金属層の各々より厚く、前記基板に剛性を顕著に付与している、
上記（１）に記載のチップ・パッケージ。
（９）
前記金属プレートがチップを受け入れる切り欠きを備えている、
上記（１）に記載のチップ・パッケージ。
（１０）
その上にチップをマウントする基板と、
前記基板上に設けられた第１の金属プレートであって、前記第１の金属プレートは前記チップを受け入れる切り欠きを備えており、前記第１の金属プレートは電力または接地に接続されている、第１の金属プレートと、
前記第１の金属プレート上に設けられた誘電体層と、
前記第１の金属プレートの反対側で前記誘電体層上に設けられた第２の金属プレートであって、前記第２の金属プレートは前記チップを受け入れるとともに前記第１の金属プレートの前記切り欠きと位置合わせされた切り欠きを備え、前記第２の金属プレートは電力または接地に接続されており、それにより、前記第１の金属プレート、前記誘電体層、および前記第２の金属プレートでキャパシタを形成しており、前記第２の金属プレートは前記誘電体層および前記第１の金属プレートを貫通する導体によって電力または接地に接続されいてる、第２の金属プレートと
を備えた
チップ・パッケージ。
（１１）
前記第２の金属プレートが、前記第２の金属プレートから突出したディンプルによって接地または電力に接続されており、前記ディンプルは前記誘電体層および前記第１の金属プレートに設けられた孔を貫通している、
上記（１０）に記載のチップ・パッケージ。
（１２）
前記第２の金属プレートが、前記第２の金属プレートから前記誘電体層および前記第１の金属プレートに設けられた孔を貫通している導体によって接地または電力に接続されている、
上記（１０）に記載のチップ・パッケージ。
（１３）
前記第２の金属プレートが、前記基板上に設けられた金属パッドによって接地または電力に接続されており、前記金属パッドは前記導体に接続されている、
上記（１２）に記載のチップ・パッケージ。
（１４）
前記第１の金属プレートが２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚であり、前記第２の金属プレートが２．５４〜６．３５×１０-1ｍｍ（１０〜２５ミル）厚である、
上記（１０）に記載のチップ・パッケージ。
（１５）
前記第１の金属プレートおよび前記第２の金属プレートは、前記基板に接続する前は可撓性である、
上記（１０）に記載のチップ・パッケージ。
（１６）
前記基板が誘電体層とエッチング済み金属箔とを交互に有し、
前記第１の金属プレートおよび前記第２の金属プレートが前記エッチング済み金属箔より厚い、
上記（１０）に記載のチップ・パッケージ。
（１７）
その上にチップをマウントする基板であって、前記基板は当該基板の表面に電力層または接地層を備えている、基板と、
前記基板の電力層または接地層の上に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層上に設けられた第１の金属プレートであって、前記第１の金属プレートは電力レベルまたは接地に接続されており、前記基板の前記電力層または接地、前記第１の誘電体層、および前記第１の金属プレートが第１のキャパシタを形成している、第１の金属プレートと、
前記第１の金属プレート上に設けられた第２の誘電体層と、
前記第１の金属プレートの反対側で前記第２の誘電体層上に設けられた第２の金属プレートであって、前記第２の金属プレートは電力レベルまたは接地に接続されており、前記第２の金属プレート、前記第２の誘電体層、および前記第１の金属プレートが第２のキャパシタを形成しており、前記第２の金属プレート、前記第２の誘電体層、前記第１の金属プレート、および前記第１の誘電体層はすべて前記チップを受け入れる切り欠きを備えており、前記第２の金属プレートは前記第２の誘電体層、前記第１の金属プレート、および前記第１の誘電体層を貫通する導体によって前記電力レベルまたは接地に接続されている、第２の金属プレートと
を備えた
チップ・パッケージ。
（１８）
前記基板は交互に積層された誘電体材料とエッチング済み金属箔で形成されており、
前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層は前記基板中の誘電体材料と組成が異なり、
前記第１の金属プレートおよび前記第２の金属プレートは前記エッチング済み金属箔より厚い、
上記（１７）に記載のチップ・パッケージ。
（１９）
前記基板の前記表面上に設けられた前記電力層または接地層は、前記チップを相互接続する金属パッドを除いて、前記チップの直下に金属箔を実質的に有さない、
上記（１７）に記載のチップ・パッケージ。
（２０）
前記第１の金属プレートは前記第１の金属プレートから、前記第１の誘電体層中の孔を貫通する導体によって電力レベルまたは接地に接続されている、
上記（１７）に記載のチップ・パッケージ。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による複合キャパシタ／スティフナを備えたチップ・パッケージの断面図である。
【図２】図１の複合キャパシタ／スティフナを形成するのに使用する金属プレートの上面図である。
【図３】図１の金属プレートを形成するのに使用する押し出す工具の側面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態による複合キャパシタ／スティフナを備えたチップ・パッケージの断面図である。
【図５】図４の複合キャパシタ／スティフナの上面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態による複合キャパシタ／スティフナを備えたチップ・パッケージの断面図である。
【図７】図６の複合キャパシタ／スティフナの上面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  チップ・パッケージ
１２  金属プレート
１６  切り欠き
１８  チップ
２０  複合キャパシタ／スティフナ
２２  金属パッド
２６  基板
３６  導体
５０  誘電体層
６０  基板の表面
６２  電力プレーン
６３  電力プレーン
６６  電力プレーン
６７  ビア
６８  電力プレーン
６９  はんだボール
７２  ビア
７４  接地プレーン
７７  はんだボール
８２  結合パッド
８４  結合パッド
８６  結合パッド
９４  ビア
９９  ビア
１１０  チップ・パッケージ
１１２  金属プレート
１１３  金属プレート
１１４  誘電体層
１１６  切り欠き
１１８  チップ
１２０  複合キャパシタ／スティフナ
１２２  金属パッド
１２６  基板
１３０  押し出し工具
１３４  押し出しプレート
１３６  導体
１３７  クリアランス・ホール
１３７  突出ディンプル
１４４  支持プレート
１４６  孔
１５０  誘電体層
１６０  上部表面
１６３  ビア
１６４  電力プレーン
１６５  ビア
１６９  金属パッド
１７０  盲管ビア
１７２  ビア
１７４  接地プレーン
１７７  はんだボール
１８２  結合パッド
１８３  結合パッド
１８４  はんだボール
１８６  結合パッド
１８９  ビア
１９１  ビア
１９２  ビア
１９４  ビア
１９７  内部信号ライン
１９９  ビア
２１０  チップ・パッケージ
【図１】
2004289133.tif 000003
【図２】
2004289133.tif 000004
【図３】
2004289133.tif 000005
【図４】
2004289133.tif 000006
【図５】
2004289133.tif 000007
【図６】
2004289133.tif 000008
【図７】
2004289133.tif 000009