(57)【要約】【課題】透過電極上部に反射電極を形成することで反射効率を向上できる、反射透過型の液晶表示装置を提供すること。【解決手段】本発明は、各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線とデータ配線の交差部分に形成された薄膜トランジスタと、前段ゲート配線の一部からなるストレージ下部電極と、前記ストレージ下部電極上にゲート絶縁膜を間に置いて、形成されたストレージ上部電極と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ストレージ上部電極のうち、少なくともいずれか一つに直接連結されるように前記画素領域に形成された透過電極と、前記透過電極の一部が露出されるように前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする。【選択図】図１１
2004070355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、
　交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、
　前記ゲート配線とデータ配線の交差部分に形成された薄膜トランジスタと、
　前段ゲート配線の一部からなるストレージ下部電極と、前記ストレージ下部電極上にゲート絶縁膜を間に置いて形成されたストレージ上部電極と、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ストレージ上部電極のうち、少なくともいずれか一つに直接連結されるように前記画素領域に形成された透過電極と、
　前記透過電極の一部が露出されるように前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置。
【請求項２】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、
　交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、　前記ゲート配線とデータ配線の交差部分に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極に一体化して形成され、前段ゲート配線上に形成されたストレージキャパシタのストレージ上部電極と
　前記ストレージ上部電極に直接コンタクトするように前記画素領域に形成された透過電極と、
　前記透過電極の一部が露出されるように傾斜段差を有する第１透過ホールが備えられた保護膜と、
　前記透過電極が第２透過ホールを有して露出するように、前記傾斜段差部分と、前記保護膜上部と、前記傾斜段差に隣接した前記第１透過ホールの下面の前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置。
【請求項３】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、
　交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、
　前記ゲート配線とデータ配線との交差部分に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極と離隔して隣り合う前段ゲート配線上に形成されたストレージキャパシタの前記ストレージ上部電極と、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ストレージ上部電極に直接コンタクトするように前記画素領域に形成された透過電極と、
　前記透過電極の一部が露出されるように傾斜段差を有する第１透過ホールが備えられ、前記ストレージ上部電極及びドレイン電極を含む前記反射領域に凹凸が形成された保護膜と、
　前記透過電極が第２透過ホールにより露出するように屈曲を有して反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置。
【請求項４】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、
　交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、
　前記ゲート配線とデータ配線の交差部分に形成された薄膜トランジスタと、
　前段ゲート配線の一部からなるストレージ下部電極と、前記ストレージ下部電極上にゲート絶縁膜を間に置いて形成されたストレージ上部電極と、
　前記ストレージ上部電極の一方領域において、コンタクトホールを有して前記薄膜トランジスタを含む基板上に形成されたバッファ絶縁膜と、
　前記コンタクトホールを通じて前記ストレージ上部電極とコンタクトするように前記画素領域に形成された透過電極と、
　前記透過電極の一部が露出されるように前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置。　
【請求項５】
　各画素領域が反射領域と透過領域で定義される液晶表示装置において、
　交差配置されて画素領域を定義する複数のゲートライン及びデータラインと、
　前記ゲートライン及びデータラインの交差部分に形成された薄膜トランジスタと、
　前記ゲートライン及びデータラインの一方先端に、第１、第２ホールを有して内部が隔離形成されたゲートパッド及びソースパッドと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結して前記画素領域に形成された透過電極と、
　前記第１、第２ホールを通じて前記ゲートパッド及び前記ソースパッドとコンタクトされているゲートパッド端子及びソースパッド端子と、
　前記ゲートパッドとソースパッドの側面を覆うように前記透過電極を含む前記基板上に形成された層間絶縁膜と、
　前記反射領域の上部に形成された凹凸パターンと、
　前記透過電極の一部が露出されるように前記凹凸パターンを含む反射領域上に形成された反射電極とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置。
【請求項６】
　各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される液晶表示装置において、
　交差配置されて画素領域を定義する複数のゲートライン及びデータラインと、
　前記ゲートラインとデータラインとの交差部分に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極と一体化して形成され、前段ゲートライン上に形成されたストレージキャパシタのストレージ上部電極と、
　前記ゲートライン及びデータラインの一方先端に、第１、第２ホールを有する、内部が隔離形成されたゲートパッド及びソースパッドと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結して前記画素領域に形成された透過電極と、
　前記第１、第２ホールを通じて前記ゲートパッド及び前記ソースパッドとコンタクトされているゲートパッド端子及びソースパッド端子と、
　前記ゲートパッド及びソースパッドの側面を覆うように前記透過電極を含む前記基板上に形成された層間絶縁膜と、
　前記透過電極の一部が露出されるように傾斜段差を有する第１透過ホールが備えられた保護膜と、
　前記ストレージ上部電極及びドレイン電極を含む前記反射領域上部に形成された凹凸パターンと、
　前記透過電極が第２透過ホールを有して露出されるように、前記凹凸パターンを含む前記傾斜段差部分と、前記保護膜上部と、前記傾斜段差に隣接した前記第１透過ホールの下面の前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置。
【請求項７】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置の製造方法において、
　一直線方向に配列され片側が突出してゲート電極を構成する複数のゲート配線を形成する段階と、
　前記ゲート配線と交差配置されて画素領域を定義し、片側が突出してソース電極を構成する複数のデータ配線を形成する段階と、
　前記ゲート電極及びソース電極と共に薄膜トランジスタを構成するドレイン電極及びゲート配線にストレージ上部電極を一体化して形成する段階と、
　前記ストレージ上部電極に直接コンタクトするように前記画素領域に透過電極を形成する段階と、
　前記透過電極の一部が露出されるように透過ホールを備えた保護膜を形成する段階と、
　前記透過電極とコンタクトするように前記反射領域に反射電極を形成する段階とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
　前記反射電極は、前記透過ホールの縁で前記透過電極とコンタクトするように形成することを特徴とする請求項7に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
　前記透過電極は、前記ドレイン電極と前記ストレージ上部電極の両方に直接コンタクトするように形成されることを特徴とする請求項7に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
　前記保護膜として前記基板全面に第１、第２保護膜を順次に塗布する段階と、
　露光及び現像工程で反射領域に該当する前記第２保護膜に凹凸パターンを形成する段階と、
　フォトリソグラフィー工程を進めて画素領域の透過電極の片側領域が露出されるように透過ホールを形成する段階とを更に含むことを特徴とする請求項7に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
　各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される液晶表示装置の製造方法において、
　一直線方向に配列され片側が突出してゲート電極を構成する複数のゲート配線を形成する段階と、
　前記ゲート電極を含む基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
　前記ゲート電極の上部の前記ゲート絶縁膜上に第１、第２半導体層が積層された半導体パターンを形成する段階と、
　前記ゲート配線と交差配置されて画素領域を定義し、片側が突出してソース電極を構成する複数のデータ配線を形成する段階と、
　前記ゲート電極及びソース電極と共に薄膜トランジスタを構成するドレイン電極及び前段ゲート配線のストレージ上部電極を一体化して形成する段階と、
　前記ストレージ上部電極に直接コンタクトするように前記画素領域に透過電極を形成する段階と、
　前記ソース／ドレイン電極をマスクとして前記第１半導体層が露出されるように前記第２半導体層をエッチングしてアクティブ層とオーミックコンタクト層を形成する段階と、
　前記透過電極の一部が露出されるように透過ホールを備えた保護膜を形成する段階と、
　前記透過電極とコンタクトするように前記反射領域に反射電極を形成する段階とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置の製造方法において、
　基板上に一直線方向に配列され片側が突出してゲート電極を構成する複数のゲート配線を形成する段階と、　
　前記ゲート配線と交差配置されて画素領域を定義し、片側が突出してソース電極を構成する複数のデータ配線を形成する段階と、
　前記ゲート電極及びソース電極と共に薄膜トランジスタを構成するドレイン電極及び前段ゲート配線のストレージ上部電極を一体化して形成する段階と、
　前記薄膜トランジスタを含む前記基板上に前記ストレージ上部電極の一方領域にコンタクトを有するようにバッファ絶縁膜を形成する段階と、
　前記コンタクトホールを通じて前記ストレージ上部電極とコンタクトするように前記画素領域に透過電極を形成する段階と、
　前記透過電極の一部が露出するように透過ホールを備えた保護膜を形成する段階と、
　前記透過電極とコンタクトするように前記反射領域に反射電極を形成する段階とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
　前記コンタクトホールは、前記バッファ絶縁膜上の前記ストレージ上部電極の一部がオープンするようにフォトレジストパターンを形成する段階と、
　前記フォトレジストパターンをマスクとして前記バッファ絶縁膜をエッチングする段階と、
を含めて形成することを特徴とする請求項12に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
　前記ゲート配線を形成した後に、
　前記ゲート電極を含んだ前記基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
　前記ゲート電極の上部の前記ゲート絶縁膜上に第１、第２半導体層が積層された半導体パターンを形成する段階と、
　前記ソース/ドレイン電極をマスクとして前記第１半導体層が露出するように前記第２半導体層をエッチングしてアクティブ層とオーミックコンタクト層を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項12に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
　各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される液晶表示装置の製造方法において、
一直線方向に配列されて片側が突出してゲート電極を構成する複数のゲートラインを形成する段階と、
　前記ゲートラインの先端に第１ホールを有し、内部が隔離されるようにゲートパッドを形成する段階と、
　前記ゲートラインと交差配置されて画素領域を定義する複数のデータラインと前記データラインから突出したソース電極と、前記ソース電極から離隔したドレイン電極を形成する段階と、
　前記データラインの先端に第２ホールを有し、内部が隔離されるようにソースパッドを形成する段階と、
　前記ドレイン電極とコンタクトされるように画素領域に透過電極を形成する段階と、
　前記第１、第２ホールを通じて前記ゲートパッド及び前記ソースパッドとコンタクトされるようにゲートパッド端子及びソースパッド端子を形成する段階と、
　前記ゲートパッドとソースパッドの側面を覆うように前記透過電極を含む前記基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
　前記透過電極の一部が露出されるように透過ホールを備えた保護膜を形成する段階と、
　前記反射領域の前記保護膜上に凹凸パターンを形成する段階と、
　前記透過電極とコンタクトするように前記凹凸パターンを含む前記反射領域に反射電極を形成する段階とを含むことを特徴とする反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
　前記層間絶縁膜は、前記ゲートパッド及び前記ソースパッドの側面から約３μm程度延長されるように形成することを特徴とする請求項15に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
　前記透過ホールを形成する時、前記ゲートパッド端子及び前記ソースパッド端子に第１、第２コンタクトホールが形成されることを特徴とする請求項15に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
　前記凹凸パターンは、前記保護膜上にフォトアクリルのような有機物質を塗布した後、エンボッシング技術を使用して形成されることを特徴とする請求項15に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
　前記反射電極は抵抗の小さい第１金属と反射度のよい第２金属を積層して形成することを特徴とする請求項15に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
　前記ゲートパッド端子及び前記ソースパッド端子とコンタクトするように前記第１、第２コンタクトホール内にボンディングバンプを形成することを特徴とする請求項17に記載の反射透過型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、液晶表示装置に関するもので、特に、反射モードと透過モードを選択的に使用できる反射透過型液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　一般に、液晶表示装置はバックライトを光源として用いる透過型液晶表示装置と、バックライトを光源として使用せず、自然光及び人造光を用いる反射型液晶表示装置とに分類できる。
【０００３】
　この時、透過型液晶表示装置はバックライトを光源として使用して暗い外部環境でも明るい画像を実現する。しかしながら、明るいところでは使用できず、電力消耗が大きいという問題点があった。
【０００４】
　反面、反射型液晶表示装置はバックライトを使用しないので消費電力を減らすことはできるが、外部から自然光が暗い時には使用できないという限界があった。かかる限界などを克服するために提案されたものが反射透過型液晶表示装置である。
【０００５】
　このような反射透過型液晶表示装置は、単位画素領域内に反射部と透過部を同時に備えて透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置の機能を同時に有するもので、バックライトの光と外部の自然光源または人造光源をいずれも利用できるので周辺環境に制約を受けることなく、電力消費を減らすことができるという長所がある。
【０００６】
　尚、前記液晶表示装置は液晶の電荷維持能力を補助するために追加的なストレージキャパシタを構成する。
　ストレージキャパシタを形成する構造のうち、前段ゲート配線と画素電極との間にキャパシタが形成される構造をストレージオンゲート構造と呼ぶ。
　前記ストレージキャパシタは対応する薄膜トランジスタのターンオフ区間で液晶キャパシタに充填された電圧を維持させる。
　これによって前記薄膜トランジスタのターンオフ区間で液晶キャパシタを通じて漏洩電流の発生が防止され、フリッカー発生による画質低下を解決することができる。
【０００７】
　以下、図面を参照して一般的な反射透過型液晶表示装置について説明する。
　図１は一般的な反射透過型カラー液晶表示装置を示した分解斜視図である。
　図１に示すように、一般的な反射透過型液晶表示装置１１は、ブラックマトリックス１６を含むカラーフィルター１７とカラーフィルター上に透明な共通電極１３が形成された上部基板１５と、画素領域Ｐと画素領域に透過部Ａと反射部Ｃが同時に形成された画素電極１９とスイッチング素子Ｔとアレイ配線が形成された下部基板２１とで構成され、前記上部基板１５と下部基板２１との間には液晶２３が充填されている。
【０００８】
　前記下部基板２１はＴＦＴアレイ基板ともいい、スイッチング素子の薄膜トランジスタＴがマトリクス状に位置し、かかる多数の薄膜トランジスタを交差して通過するゲート配線２５とデータ配線２７が形成される。
　この時、前記画素領域Ｐは前記ゲート配線２５とデータ配線２７とが交差して定義される領域である。
【０００９】
　このような構成を有する反射透過型液晶表示装置の動作特性は図２を参照して説明する。
　図２は一般的な反射透過型の液晶表示装置を示した断面図である。
　図２に示すように、概略的な反射透過型液晶表示装置１１は共通電極１３が形成された上部基板１５と、透過ホールＡを含む反射電極１９ｂと透過電極１９ａで構成された画素電極１９が形成された下部基板２１と、前記上部基板１５と下部基板２１の間に充填された液晶２３と、前記下部基板２１の下部に位置したバックライト４１で構成される。
【００１０】
　かかる構成を有する反射透過型液晶表示装置１１を反射モードで使う場合には光の大部分に外部の自然光源又は人造光源を使う。
　前記した構成を参照して反射モード時と透過モード時の液晶表示装置の動作を説明する。
【００１１】
　反射モードの場合、液晶表示装置は外部の自然光源又は人造光源を使うことになり、前記液晶表示装置の上部基板１５に入射した光Ｂは前記反射電極１９ｂに反射して前記反射電極と前記共通電極１３の電界により配列された液晶２３を通過し、前記液晶２３の配列によって液晶を通過する光の量が調節されてイメージを実現する。
【００１２】
　反対に透過モードで動作する場合には、光源として前記下部基板２１の下部に位置したバックライト４１の光を使用する。前記バックライト４１から出射した光は前記透明電極１９ａを通じて前記液晶２３に入射し、前記透過ホールの下部の透明電極１９ａと前記共通電極１３の電界により配列された液晶２３により前記下部バックライト４１から入射した光の量を調節してイメージを実現する。
【００１３】
　以下、添付した図面を参照して背景技術による反射透過型液晶表示装置及びその製造方法について説明する。
　一般的に液晶表示装置は下部基板と言われる薄膜トランジスタアレイ基板と、上部基板と言われるカラーフィルタ−基板と、前記両基板の間に形成された液晶とからなる。
　以下、説明する内容は下部基板の薄膜トランジスタアレイ基板に関するものである。
【００１４】
　先ず、背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置及びその製造方法について説明する。
　図３、図４は背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の平面図及び構造断面図である。
　図５Ａないし図５Ｃは、背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図であり、図６Ａないし図６Ｃはそれぞれ図５Ａないし図５ＣのＩ−Ｉ’、II−II’、III−III’に沿って切断して工程順序によって図示した工程断面図である。
【００１５】
　背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置は、図３と図４に示すように透明な基板３０上に一定間隔を有して一直線方向に平行にゲート配線３１が配列され、前記ゲート配線３１から一方にゲート電極３１ｂが突出形成され、また、前段ゲート配線と一体化して形成され、ストレージキャパシタ位置にストレージ下部電極３１ｃが形成されている。
【００１６】
　また、ゲート配線３１とゲート電極３１ｂ及びストレージ下部電極３１ｃを含んだ基板３０上に、上部階と電気的に絶縁させるためのゲート絶縁膜３２があり、前記ゲート電極３１ｂ上部のゲート絶縁膜３２上にアクティブ層３３が形成されている。この時、アクティブ層３３はアモルファスシリコン層からなる。
　また、チャンネル領域を除いたアクティブ層３３上にドーピングされたアモルファスシリコンからなったオーミックコンタクト層３３ａが形成されている。
【００１７】
　また、前記ゲート配線３１と交差して画素領域を定義するデータ配線３４があり、前記データ配線３４で片側方向に突出し、アクティブ層３３の片側とオーバーラップしたソース電極３４ｂがあり、前記ソース電極３４ｂから離隔してアクティブ層３３の他側とオーバーラップして形成されたドレイン電極３４ｃがある。
　また、前記ドレイン電極３４ｃと一体化して形成され、前段ゲート配線に形成された前記ストレージ下部電極３１ｃの上部まで延長されたストレージ上部電極３４ｄがある。
【００１８】
　また、前記ドレイン電極３４ｃ及びストレージ上部電極３４ｄを含む基板全面に第１保護膜３５が形成されている。
　この時、第１保護膜３５はストレージ上部電極３４ｄとゲートパッド３１Ａとソースパッド３４Ａの上部にそれぞれ第１、第２、第３コンタクトホール３６ａ、３６ｂ、３６ｃを形成し、画素領域に透過ホール３６ｄを形成する。
　また、前記透過ホール３７の下面を除いた画素領域に反射電極３７が形成されている。
　この時反射電極３７は画素領域を定義するデータ配線３４と所定間隔重なって形成される。
【００１９】
　また、第１、第２、第３コンタクトホール及び透過ホールの下面を除いた前記基板３０の全面に第２保護膜３８が形成されている。
　また、前記第１、第３コンタクトホール３６ａ、３６ｃ及びこれに隣接した第２保護膜３８上部にゲートパッド端子３９ａとソースパッド端子３９ｂが形成されており、第２コンタクトホール３６ｂを通じてストレージ上部電極３４ｄとコンタクトし、透過ホール３６ｄを含む画素領域に透過電極３９ｃが形成されている。
【００２０】
　前記構成のように、画素領域で透過電極３９ｃはストレージ上部電極３４ｄと第２コンタクトホール３６ｂを通じてコンタクトされる。
　また、前記反射電極３７と透過電極３９ｃが重なって画素電極を成す。
　前記構成の背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法は、図５Ａと図６Ａに示すように透明な基板３０上に導電性金属のアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、他の導電性合金を蒸着し、パターニングして、先端に所定面積をなすようにゲートパッド３１ａと、前記ゲートパッド３１ａで一方に延長されたゲート配線３１と、前記ゲート配線３１で所定面積に突出して形成したゲート電極３１ｂとを形成する。
【００２１】
　前記ゲート配線３１を形成すると共に、前段ゲート配線のストレージキャパシタ領域にストレージ下部電極３１ｃを形成する。
　次にゲート配線３１が形成された基板３０全面に、シリコンジオキサイド（ＳｉＯ２）やシリコンニトライド（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質を蒸着し、連続してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と不純物が含まれたアモルファスシリコンを蒸着して、ゲート絶縁膜３２と半導体層（アモルファスシリコン＋不純物アモルファスシリコン）を形成する。
【００２２】
　それ以後に前記半導体層をパターニングして、前記ゲート電極３１ｂの上部に島状のアクティブ層３３を形成する。
　また、前記アクティブ層３３が形成された基板３１の全面に、モリブデン、タングステン、クロームのような導電性金属を蒸着しパターニングする。
　前記パターニング工程を進めて、前記ゲート絶縁膜３２を間に置いて交差するデータ配線３４を形成し、データ配線３４の先端にソースパッド３４ａを形成し、前記ゲート電極３１ｂの上部に一方に突出して形成され、アクティブ層３３の片側と重なるようにソース電極３４ｂを形成する。
【００２３】
　また、前記データ配線３４を形成すると共に、ソース電極３４ｂと所定間隔離隔して前記アクティブ層３３の他側と重なるようにドレイン電極３４ｃを形成し、前記ドレイン電極３４ｃと一体化して連結され、前段ゲート配線に形成されたストレージ下部電極３１ｃの上部にストレージ上部電極３４ｄを形成する。
　また、前記ソース電極３４ｂとドレイン電極３４ｃをマスクとしてチャンネル領域の不純物アモルファスシリコンをエッチングしてアクティブ層３３上にオーミックコンタクト層３３ａを形成する。
【００２４】
　次に図５Ｂと図６Ｂに示すように、ストレージ上部電極３４ｄを含む基板全面に、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル系樹脂などが含まれた有機絶縁物のうちのいずれか一つを選択して塗布して第１保護膜３５を形成する。以降、第１保護膜３５をパターニングして画素領域に透過ホール３６ｄを形成する。
　また、透過ホール３６ｄを含む第１保護膜３５上に抵抗値が小さく反射率に優れた反射金属を蒸着した後パターニングして、画素領域に反射電極３７を形成する。
【００２５】
　また、反射電極３７を含む基板３０上にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を蒸着して第２保護膜３８を形成する。
　また、第２保護膜３８と反射電極３７とゲート絶縁膜３１ｃをエッチングして、ストレージ上部電極３４ｄとゲートパッド３１ａとソースパッド３４ａの上部に、それぞれ第１、第２、第３コンタクトホールを形成する。この時透過ホール部分は基板が露出する。
【００２６】
　次に、図５Ｃと図６Ｃに示すように、前記ソース電極３４ｂとドレイン電極３４ｃが形成された基板３０の全面に、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）とインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などを含む透明導電性金属グループのうちのいずれか一つを選択して蒸着しパターニングして、前段ゲート配線上に形成された前記ストレージ上部電極３４ｄと直接コンタクトするように画素領域に透過電極３９ｃを形成する。
【００２７】
　前記反射電極３７を形成すると共に、ゲートパッド３１ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した第２保護膜３８上に前記ゲートパッド３１ａと接触するゲートパッド端子３９ａを形成し、ソースパッド３４ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した第２保護膜３８上にソースパッド３４ａと接触するソースパッド端子３９ｂを形成する。
　この時、反射電極３７は前記画素領域を定義するデータ配線３４と所定間隔オーバーラップするように形成する。
【００２８】
　次に、背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置及びその製造方法について説明する。
　図７、図８は、背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の平面図及び構造断面図である。
　図９Ａないし図９Ｃは、背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法を、アレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図であり、図１０Ａないし図１０Ｃは、それぞれ図９Ａないし図９ＣのIV−IV’、Ｖ−Ｖ’、VI−VI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図である。
【００２９】
　背景技術の第２方法は、反射部に凹凸パターンを適用して製作した反射透過型液晶表示装置であって、図７と図８に示すように、反射部（透過ホール５６ｄ）を除いた画素領域）の第１保護膜５５ａ上に、凹凸を有する第２保護膜５５ｂ（図７の円形部分）があり、第２保護膜５５ｂ上で反射電極５７が屈曲を有する以外は背景技術の第１方法に示された反射透過型の液晶表示装置とその構成が同一である。
【００３０】
　前記構成を有する背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法は、図１０Ｂと図１０Ｃで第１保護膜５５ａ上に第２保護膜を塗布した後に、露光及び現像工程で反射部に対応される第２保護膜５５ｂが凹凸パターンを有するように形成する以外は背景技術の第１方法に示された反射透過型の液晶表示装置とその構成方法が同一である。
【００３１】
　前記のような背景技術の第１、第２方法による反射透過型の液晶表示装置は製造工程の時、画素領域とドレイン電極を連結させるために、ドレイン電極と一体化して形成されたストレージ上部電極にコンタクトホールを形成する工程が必要であり、コンタクトホール形成部分だけ反射部の開口率が減少する問題がある。
　特に背景技術の第２方法による反射透過型の液晶表示装置は、ストレージ上部電極に形成するコンタクトホール領域には凹凸パターンを形成することができないので、反射部の開口率の減少が相対的に第１方法を用いる場合に比べて更に減少する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
　本発明は、上記背景技術の問題点を解決するためのもので、その目的は反射部の開口率を向上できる反射透過型液晶表示装置を提供することが目的である。
【００３３】
　本発明の他の目的は、コンタクト形成マスク数を減らして工程を単純化できる反射透過型液晶表示装置の製造方法を提供することが目的である。
　本発明の他の目的は、薄膜トランジスタのチャンネル領域が損傷されることを防止できる反射透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供することが目的である。
　また、本発明の他の目的は、ゲートパッドとソースパッドで反射金属をエッチングするとき、工程信頼性を向上できる反射透過型液晶表示装置を提供することが目的である。
【００３４】
　本発明の他の目的は、透過電極上部に反射電極を形成することで反射効率を向上できる反射透過型の液晶表示装置を提供することが目的である。
　本発明の他の目的は、フォトアクリルで構成した凹凸パターンが劣化する問題を解決できる反射透過型の液晶表示装置の製造方法を提供することが目的である。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
　前記のような目的を達成するための本発明の反射透過型の液晶表示装置は、各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線とデータ配線の交差部分に形成された薄膜トランジスタと、前段ゲート配線の一部からなるストレージ下部電極と、前記ストレージ下部電極上にゲート絶縁膜を間に置いて形成されたストレージ上部電極と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ストレージ上部電極のうち、少なくともいずれか一つに直接連結されるように前記画素領域に形成された透過電極と、前記透過電極の一部が露出されるように前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする。
【００３６】
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極は画素領域に延長して前記ストレージ上部電極と連結する。
　前記透過電極が前記薄膜トランジスタのドレイン電極の延長部と前記ストレージ上部電極のうち、いずれか一つに連結される。
【００３７】
　前記透過電極が前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ストレージ上部電極の両方に直接連結される。
　 前記反射領域で前記透過電極と前記反射電極との間には保護膜が介在される。前記保護膜は前記反射領域において凹凸パターンを有する。
　前記反射電極はモリブデン−アルミニウム又はモリブデン―アルミニウム・インジウム合金の２層構造をなす。
【００３８】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線とデータ配線の交差部分に形成された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタのドレイン電極に一体化して形成され、前段ゲート配線上に形成されたストレージキャパシタのストレージ上部電極と、
　前記ストレージ上部電極に直接コンタクトするように前記画素領域に形成された透過電極と、
　前記透過電極の一部が露出されるように傾斜段差を有する第１透過ホールが備えられた保護膜と、
　前記透過電極が第２透過ホールを有して露出するように、前記傾斜段差部分と、前記保護膜上部と、前記傾斜段差に隣接した前記第１透過ホールの下面の前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする。
【００３９】
　前記反射電極は傾斜段差から延長された前記第１透過ホールの下面で前記透過電極とコンタクトする。
【００４０】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線とデータ配線との交差部分に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と離隔して隣り合う前段ゲート配線上に形成されたストレージキャパシタの前記ストレージ上部電極と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記ストレージ上部電極に直接コンタクトするように前記画素領域に形成された透過電極と、前記透過電極の一部が露出されるように傾斜段差を有する第１透過ホールが備えられ、前記ストレージ上部電極及びドレイン電極を含む前記反射領域に凹凸が形成された保護膜と、前記透過電極が第２透過ホールにより露出するように屈曲を有して反射領域に形成された反射電極とを含む。
【００４１】
　前記ゲート配線と同一平面上の前記前段ゲート配線にストレージキャパシタのストレージ下部電極が構成される。
【００４２】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、交差配置されて画素領域を定義する複数のゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線とデータ配線の交差部分に形成された薄膜トランジスタと、前段ゲート配線の一部からなるストレージ下部電極と、前記ストレージ下部電極上にゲート絶縁膜を間に置いて形成されたストレージ上部電極と、前記ストレージ上部電極の一方領域において、コンタクトホールを有して前記薄膜トランジスタを含む基板上に形成されたバッファ絶縁膜と、前記コンタクトホールを通じて前記ストレージ上部電極とコンタクトするように前記画素領域に形成された透過電極と、前記透過電極の一部が露出されるように前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする。
　前記バッファ絶縁膜はシリコン窒化膜からなる。
【００４３】
　各画素領域が反射領域と透過領域で定義される液晶表示装置において、交差配置されて画素領域を定義する複数のゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインの交差部分に形成された薄膜トランジスタと、前記ゲートライン及びデータラインの一方先端に、第１、第２ホールを有して内部が隔離形成されたゲートパッド及びソースパッドと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結して前記画素領域に形成された透過電極と、前記第１、第２ホールを通じて前記ゲートパッド及び前記ソースパッドとコンタクトされているゲートパッド端子及びソースパッド端子と、前記ゲートパッドとソースパッドの側面を覆うように前記透過電極を含む前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記反射領域の上部に形成された凹凸パターンと、前記透過電極の一部が露出されるように前記凹凸パターンを含む反射領域上に形成された反射電極とを含む。
【００４４】
　前記透過電極を含む前記層間絶縁膜上に保護膜が更に介在し、前記保護膜は前記透過電極と前記層間絶縁膜の下部に構成し、前記透過電極と前記ゲートパッド端子と前記ソースパッド端子は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、錫酸化物（ＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウム錫亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）のような透明導電金属からなる。
【００４５】
　前記層間絶縁膜はシリコン酸化膜で形成し、前記層間絶縁膜は前記ゲートパッドと前記ソースパッドの側面で約３μm程度延長されている。
　前記透過電極の下部に、前記薄膜トランジスタのドレイン電極上部にコンタクトホールを有する絶縁膜が更に備えられ、前記コンタクトホールを通じて前記透過電極が前記ドレイン電極とコンタクトする。
【００４６】
　前記反射電極は、素領域を定義する前記データラインとオーバーラップして形成される。
　前記反射電極はモリブデン−アルミニウムまたはモリブデン−アルミニウム・ネオジム合金の２層構造をなす。
　前段ゲートラインと一体化して形成されたストレージ下部電極と、前記ストレージ下部電極上にゲート絶縁膜を間に置き、ストレージ上部電極を更に形成する。
【００４７】
　前記透過電極は、前記ストレージ上部電極及び前記薄膜トランジスタのドレイン電極にオーバーラップして直接コンタクトされ、前記薄膜トランジスタのドレイン電極は、画素領域に延長されて前記ストレージ上部電極と連結される。
【００４８】
　前記ソースパッドの下部には一定面積を占有する半導体層が更に形成されており、前記第２ホールは前記半導体層の一方領域が露出されるように形成され、前記ゲートパッド端子及び前記ソースパッド端子とコンタクトされるようにボンディングバンプを更に形成する。
【００４９】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置において、
　交差配置されて画素領域を定義する複数のゲートライン及びデータラインと、前記ゲートラインとデータラインとの交差部分に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と一体化して形成され、前段ゲートライン上に形成されたストレージキャパシタのストレージ上部電極と、前記ゲートライン及びデータラインの一方先端に、第１、第２ホールを有する、内部が隔離形成されたゲートパッド及びソースパッドと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結して前記画素領域に形成された透過電極と、前記第１、第２ホールを通じて前記ゲートパッド及び前記ソースパッドとコンタクトされているゲートパッド端子及びソースパッド端子と、前記ゲートパッド及びソースパッドの側面を覆うように前記透過電極を含む前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記透過電極の一部が露出するように傾斜段差を有する第１透過ホールが備えられた保護膜と、前記ストレージ上部電極及びドレイン電極を含む前記反射領域上部に形成された凹凸パターンと、前記透過電極が第２透過ホールを有して、露出されるように、前記凹凸パターンを含む前記傾斜段差部分と、前記保護膜上部と、前記傾斜段差に隣接した前記第１透過ホールの下面の前記反射領域に形成された反射電極とを含むことを特徴とする。
【００５０】
　前記反射電極は傾斜段差から延長された前記第１透過ホールの下面で前記透過電極とコンタクトされる。
【００５１】
　各画素領域が反射領域と透過領域とで定義される液晶表示装置の製造方法において、一直線方向に配列され、片側が突出してゲート電極を構成する複数のゲートラインを形成する段階と、前記ゲートラインの先端に第１ホールを有し、内部が隔離されるようにゲートパッドを形成する段階と、前記ゲートラインと交差配置されて画素領域を定義する複数のデータラインと前記データラインから突出したソース電極と、前記ソース電極から離隔したドレイン電極を形成する段階と、前記データラインの先端に第２ホールを有して内部が隔離されるようにソースパッドを形成する段階と、前記ドレイン電極とコンタクトされるように画素領域に透過電極を形成する段階と、前記第１、第２ホールを通じて前記ゲートパッド及び前記ソースパッドとコンタクトされるようにゲートパッド端子及びソースパッド端子を形成する段階と、前記ゲートパッドとソースパッドの側面を覆うように前記透過電極を含む前記基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記透過電極の一部が露出されるように透過ホールを備えた保護膜を形成する段階と、前記反射領域の前記保護膜上に凹凸パターンを形成する段階と、前記透過電極とコンタクトするように前記凹凸パターンを含む前記反射領域に反射電極を形成する段階とを含む。
【００５２】
　前記層間絶縁膜はシリコン膜で形成し、前記層間絶縁膜は前記ゲートパッド及び前記ソースパッドの側面から約３μm程度延長されるように形成する。前記透過ホールを備えた保護膜は、前記透過電極を形成する前に形成する。
【００５３】
　前記保護膜は、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル系樹脂などが含まれた有機絶縁物質グループのうち、いずれか一つで形成する。
　前記透過ホールを形成する時、前記ゲートパッド端子と、前記ソースパッド端子に第１、第２コンタクトホールを形成し、前記凹凸パターンは、前記保護膜上にフォトアクリルのような有機物質を塗布した後エンボッシング(embossing)技術を使用して形成する。
【００５４】
　前記反射電極は、前記透過ホールの周縁で前記透過電極とコンタクトするように形成し、前記反射電極は抵抗の小さい第１金属と反射度のよい第２金属を積層して形成し、前記第１金属はモリブデンを使い、第２金属はアルミニウム又はアルミニウム・ネオジム合金を使う。
【００５５】
　前記透過電極は、前記ドレイン電極と前記ストレージ上部電極の両方に直接コンタクトされるように形成し、前記ゲートパッド端子及び前記ソースパッド端子とコンタクトするように前記第１、第２コンタクトホール内にボンディングバンプを形成する。
【発明の効果】
【００５６】
　前記構造を有する本発明による反射透過型液晶表示装置及びその製造方法は次のような効果がある。
　第一に、ドレイン電極と透過電極、ストレージ上部電極と透過電極間に別途のコンタクトホール形成工程を進めないので、工程を単純化できる。
　第二に、ストレージキャパシタ上にコンタクトホールを形成しなくてもよいので、背景技術のコンタクトホールの形成領域だけ開口率が減少することを防止できる。
　第三に、反射電極が、第１透過ホールの側面の傾斜段差部に形成されるのみならず、傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面で透過電極とコンタクトするので、反射部の開口率を増大できる。
　第四に、透過電極形成後にドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングするので、薄膜トランジスタのチャンネル領域が損傷することを防止できる。
　第五に、透過電極を形成する前にバッファ絶縁膜を蒸着するので、後に透過電極形成のためのウェットエッチング工程の時に、薄膜トランジスタのチャンネル領域が損傷することを防止できる。
　第六に、ゲートパッドとソースパッドを、その内部に第１、第２ホールを形成して隔離し、第１、第２ホールでゲートパッドとソースパッドの側面を覆うように層間絶縁膜を形成するので、後に反射電極をエッチングするときに損傷が発生することを防止することができ、工程の信頼性を向上させることができる。
　第七に、反射電極をモリブデン−アルミニウム又はモリブデン−アルミニウム・ネオジム合金のように２層構造に形成するので、透過電極との界面でガルバニック問題が発生することを防止できる。
　第八に、反射電極を透過電極より上部に形成するので、背景技術に比べて反射効率を向上させることができる。
　第九に、フォトアクリルで構成された凹凸パターンを形成した後に別途のシリコン窒化物を蒸着する工程が必要しないので、温度に比べてフォトアクリルが劣化する問題が発生することを防止できる。
【実施例】
【００５７】
　以下、添付された図面を参照して本発明による反射透過型の液晶表示装置を実施例別に分けて説明する。
　一般的に液晶表示装置は薄膜トランジスタアレイ基板と呼ばれる下部基板と、カラーフィルタ−基板と呼ばれる上部基板と、前記両基板の間に形成された液晶を含めてなる。
　以下説明する下部基板は、薄膜トランジスタアレイ基板に関する。
【第１実施例】
【００５８】
　図１１、図１２は本発明の第１実施例による反射透過型の液晶表示装置の平面図及び構造断面図である。
　また、図１３Ａないし図１３Ｃは本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図である。
また、図１４Ａないし図１４Ｃは図１３Ａないし図１３ＣのVII−VII’、VIII−VIII’、IX−IX’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図である。
　ここで、VII−VIIは薄膜トランジスタとストレージキャパシタを切った断面図であり、VIII−VIII’はストレージキャパシタと透過ホールを切った断面図であり、IX−IX’はゲートパッドを切った断面図である。
【００５９】
　本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置は、図１１と図１２に図示したように、先端の片側領域に大きくゲートパッド８１ａが形成されたゲート配線８１、先端の片側領域にソースパッド８４ａが形成されたデータ配線８４、画素領域、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタからなる。
【００６０】
　前記画素領域は互いに交差して形成されたゲート配線８１とデータ配線８４によって定義され、反射部と透過部とからなる。
　この時、画素領域は透過電極８５がストレージ上部電極８４ｄと直接コンタクトして形成され、透過電極８５上に第２透過ホール８７を有して反射部に反射電極８９ａが形成されている。
【００６１】
　また、薄膜トランジスタはゲート配線８１とデータ配線８４の交差地点に形成され、前記ゲート配線８１で片側方向に突出して形成されたゲート電極８１ｂと、前記データ配線８４で前記ゲート電極８１ｂの上部に延長されたソース電極８４ｂと、前記ソース電極８４ｂと所定間隔離隔されたドレイン電極８４ｃとからなる。
　また、ストレージキャパシタは、前段のゲート配線と連結された片側領域のストレージ下部電極８１ｃと、ゲート電極８１ｂ及びストレージ下部電極８１ｃを上部層と電気的に絶縁させるためのゲート絶縁膜８２と、前記ドレイン電極８４ｃと一体化して延長されて形成されたストレージ上部電極８４ｄとからなる。
【００６２】
　前記のような構成を有する本発明の反射透過型の液晶表示装置を更に具体的に説明すると次のとおりである。
　図１１と図１２に示すように、透明な基板８０上に一定間隔を有して一直線方向に平行にゲート配線８１が配列されており、前記ゲート配線８１から一直線方向にゲート電極８１ｂが突出して形成され、前段ゲート配線から片側方向にゲート電極８１ｂが突出して形成され、前段ゲート配線と一体化して形成されストレージキャパシタ位置にストレージ下部電極８１ｃが形成されている。
【００６３】
　また、ゲート配線８１の先端にはゲートパッド８１ａが形成されており、データ配線８４の先端にはソースパッド８４ａが形成されている。
　また、ゲート配線８１とゲート電極８１ｂ及びストレージ下部電極８１ｃを含む基板８０上に、上部層と電気的に絶縁させるためのゲート絶縁膜８２があり、前記ゲート電極８１ｂ上部のゲート絶縁膜８２上にアクティブ層８３が形成されている。
【００６４】
　この時、アクティブ層８３はアモルファスシリコン層からなり、ゲート電極８１ｂ上部のチャンネル領域を除いたアクティブ層８３上には、ドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層８３ａが形成されている。
　また、前記ゲート配線８１と交差して画素領域を定義するデータ配線８４があり、前記データ配線８４で片側方向に突出してアクティブ層８３の片側とオーバーラップされたソース電極８４ｂがあり、前記ソース電極８４ｂと離隔してアクティブ層８３の他側とオーバーラップして形成されたドレイン電極８４ｃがある。
【００６５】
　また、前記ドレイン電極８４ｃと一体化して形成され、前段ゲート配線に形成された前記ストレージ下部電極８１ｃの上部まで延長形成されたストレージ上部電極８４ｄがある。
　また、前記ストレージ上部電極８４ｄと直接コンタクトするようにオーバーラップした透過電極８５が画素領域に形成されている。
　図示していないが、前記透過電極８５は前記薄膜トランジスタの拡張されたドレイン電極８４ｃに連結され得る。
【００６６】
　この時、透過電極８５は後に説明する第２透過ホール８７より大きく形成すればよい。また、薄膜トランジスタと画素領域を含む前記基板８０の全面に形成され、画素領域の透過電極８５とゲートパッド８１ａ及びソースパッド８４ａの上部にそれぞれ透過ホールと第１、第２コンタクトホール８８ａ、８８ｂが形成された保護膜８６がある。
【００６７】
　透過ホールは、第１透過ホールと第２透過ホールに区分され、第１透過ホールは保護膜８６により傾斜段差を有して形成されたコンタクトホールを示し、第２透過ホールは後に反射電極８９ａにより透過電極８５が露出される領域を示す。
　従って、第１透過ホールは第２透過ホールよりその面積が広い。
【００６８】
　また、画素領域上の第１透過ホールの傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面で透過電極８５とコンタクトするように、反射部上に反射電極８９ａが形成されている。
　前記反射電極８９ａは、画素領域を定義するデータ配線８４と所定間隔重なって形成される。また、前記反射電極８９ａと透過電極８５が重なって画素電極を成す。
【００６９】
　前記のように構成すると、透過電極８５がストレージ上部電極８４ｄと直接コンタクトされているので、ストレージ上部電極８４ｄと透過電極８５との間に別途のコンタクトが不要となって工程を単純化できる。
　また、反射電極８９ａは、保護膜８６の上部、第１透過ホールの傾斜段差部、及び、傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面へまで延長されて形成されているので反射効率を増大できる効果がある。
【００７０】
　次に、前記のような構成を有する反射透過型液晶表示装置の製造方法を図１３Ａないし図１３Ｃと図１４Ａないし図１４Ｃを参照して説明する。
　先ず、図１３Ａと図１４Ａに示すように、透明な基板８０上に導電性金属のアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、他の導電性合金を蒸着しパターニングして、先端に所定面積をなすようにゲートパッド８１ａと、前記ゲートパッド８１ａから片側方向に延長されたゲート配線８１と、前記ゲート配線８１の片側から所定面積に突出して形成されたゲート電極８１ｂとを形成する。
【００７１】
　前記ゲート配線８１を形成すると共に、前段ゲート配線のストレージキャパシタ領域にストレージ下部電極８１ｃを形成する。
　次に、ゲート配線８１が形成された基板８０の全面にシリコンジオキサイド（ＳｉＯ２）やシリコンニトライド（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質を蒸着し、連続してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と不純物が含まれたアモルファスシリコンを蒸着して、ゲート絶縁膜８２と半導体層（アモルファスシリコン＋不純物アモルファスシリコン）を形成する。
【００７２】
　以降に前記半導体層をパターニングして前記ゲート電極８１ｂの上部に島状に半導体パターンを形成する。
　また、前記半導体パターンが形成された基板８１の全面にモリブデン、タングステン、クロームのような導電性金属を蒸着しパターニングする。
　前記パターニング工程を進めて前記ゲート絶縁膜８２を間に置いて交差するデータ配線８４を形成し、データ配線８４の先端にソースパッド８４ａを形成し、前記ゲート電極８１ｂの上部の半導体パターンの片側に重なるようにソース電極８４ｂを突出して形成する。
【００７３】
　また、前記データ配線８４を形成すると共に、ソース電極８４ｂと所定間隔離隔して前記半導体パターンの他側と重なるようにドレイン電極８４ｃを形成し、前記ドレイン電極８４ｃと一体化して連結された形で、前段ゲート配線に形成されたストレージ下部電極８１ｃの上部にストレージ上部電極８４ｄを形成する。
【００７４】
　また、前記ソース電極８４ｂとドレイン電極８４ｃをマスクとして半導体層のドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングして前記半導体層のうち、アモルファスシリコン層からなるアクティブ層８３を形成し、チャンネル領域を除いたアクティブ上８３にはドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層８３ａを形成する。
【００７５】
　次に図１３Ｂと図１４Ｂに示すように、前記ソース電極８４ｂとドレイン電極８４ｃが形成された基板８０の全面にインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）とインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などを含む透明導電性金属グループのうちのいずれか一つを選択して蒸着しウェットエッチングして、前段ゲート配線上に形成された前記ストレージ上部電極８４ｄと直接コンタクトするように画素領域に透過電極８５を形成する。
【００７６】
　この時透過電極８５は、後に第２透過ホール８７（図１３Ｃと図１４Ｃ参照）が形成する領域より大きく形成すればよい。
　以降に図１３Ｃと図１４Ｃに示すように、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル系樹脂などが含まれた有機絶縁物のうち、いずれか一つを選択して塗布して保護膜８６を形成する。
【００７７】
　このような工程において、前記保護膜８６は誘電率の低い絶縁膜を所定の厚さで塗布したもので、反射電極と前記各配線の重複構造による寄生キャパシタンスにより発生する問題を防止できる。
　また、フォトリソグラフィー工程を進めて画素領域の透過電極８５の片側領域が露出されるように第１透過ホールを形成すると、共に、ゲートパッド８１ａとソースパッド８４ａ上にパッドオープン工程を行って、第１、第２コンタクトホール８８ａ、８８ｂ（図１３Ｃ）を形成する。
【００７８】
　以降に保護膜８６が形成された基板８０の全面に、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金又は銀（Ａｇ）のような抵抗値が小さく反射率に優れた反射金属を蒸着した後パターニングして、前記透過電極８５が露出され傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面で前記透過電極８５とコンタクトするように画素領域の反射部に反射電極８９ａを形成する。
【００７９】
　この時、反射電極８９ａは単層構造よりは２層構造（例：モリブデン−アルミニウム、モリブデン−アルミニウム・ネオジム合金）に形成されることが望ましいが、その理由はモリブデンと透明電極が接触するので透明電極とのコンタクト抵抗を低め、アルミニウム、アルミニウム・ネオジム合金とＩＴＯが直接接して生じるガルバニック腐食問題を防止できるからである。
【００８０】
　この時、モリブデンは抵抗が小さく、アルミニウム又はアルミニウム・ネオジム合金は反射度がよい物質である。
　前記反射電極８９ａを形成する共に、ゲートパッド８１ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した保護膜８６上に前記ゲートパッド８１ａと接触するゲートパッド端子８９ｂを形成し、ソースパッド８４ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した保護膜８６上にソースパッド８４ａと接触するソースパッド端子８９ｃを形成する。
【００８１】
　この時、反射電極８９ａは前記画素領域を定義するデータ配線８４と所定間隔にオーバーラップするように形成する。
　このような工程によって反射透過型液晶表示装置を製造すると、ドレイン電極８４ｃと透過電極８５、ストレージ上部電極８４ｄと透過電極８５間に別途のコンタクト工程を進めなくても工程を単純化させることができる。
【００８２】
　また、反射電極８５が第１透過ホールの側面の傾斜段差部に形成されるのみならず、傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面から透過電極８５とコンタクトするようにして、反射部の開口率を増大させることができる。
【第２実施例】
【００８３】
　図１５、図１６は本発明の第２実施例による反射透過型の液晶表示装置の平面図及び構造断面図である。
　また、図１７Ａないし図１７Ｃは本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図である。
【００８４】
　また、図１８Ａないし図１８Ｃはそれぞれ図１７Ａないし図１７ＣのＸ−Ｘ’、XI−XI’、XII−XII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図である。
　ここで、Ｘ−Ｘ’は薄膜トランジスタとストレージキャパシタを切った断面図であり、XI−XI’はストレージキャパシタと透過ホールを切った断面図であり、XII−XII’はゲートパッドを切った断面図である。
【００８５】
　本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置は、図１５と図１６に図示したように、先端の片側領域に大きくゲートパッド９１ａが形成されたゲート配線９１、先端の片側領域にソースパッド９４ａが形成されたデータ配線９４、画素領域、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタからなる。
【００８６】
　前記画素領域は互いに交差して形成されたゲート配線９１とデータ配線９４によって定義され、反射部と透過部とからなる。
　この時、画素領域の透過電極９５は、ドレイン電極９４ｃとストレージ上部電極９４ｄ上に直接コンタクトされ、反射電極９９ａは透過電極９５上に第２透過ホール９７を有して反射部に形成されている。
　前記透過電極９５はドレイン電極９４ｃとストレージ上部電極９４ｄに同時にコンタクトされる。
【００８７】
　また、薄膜トランジスタはゲート配線９１とデータ配線９４の交差地点に形成され、前記ゲート配線９１で片側方向に突出して形成されたゲート電極９１ｂと、前記データ配線９４で前記ゲート電極９１ｂの上部に延長されたソース電極９４ｂと、前記ソース電極９４ｂと所定間隔離隔されたドレイン電極９４ｃとからなる。
　また、ストレージキャパシタは、前段ゲート配線と連結されているストレージ下部電極９１ｃと、ゲート電極９２を間におき、前記ストレージ下部電極９１ｃ上部に形成されたストレージ上部電極９４ｄとからなる。
【００８８】
　前記のような構成を有する本発明の反射透過型の液晶表示装置を更に具体的に説明すると次の通りである。
　図１５と図１６に示すように、透明な基板９０上に一定間隔を有して一直線方向と平行してゲート配線９１が配列されており、前記ゲート配線９１から一直線方向にゲート電極９１ｂが突出して形成され、前段ゲート配線と一体化して形成され、ストレージキャパシタ位置にストレージ下部電極９１ｃが形成されている。
【００８９】
　また、ゲート配線９１の先端には、ゲートパッド９１ａ及びストレージ下部電極９１ｃ上に上部層と電気的に絶縁させる役割を果たすゲート絶縁膜９２が形成されており、前記ゲート電極９１ｂ上部のゲート絶縁膜９２上にアクティブ層９３が構成されている。
【００９０】
　この時、アクティブ層９３はアモルファスシリコン層からなり、ゲート電極９１ｂ上部のチャンネル領域を除いたアクティブ層９３上には、ドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層９３ａが形成されている。
　また、前記ゲート配線９１と交差して画素領域を定義するデータ配線９４があり、前記データ配線９４で片側方向に突出してアクティブ層９３の片側とオーバーラップしたソース電極９４ｂがあり、前記ソース電極９４ｂと離隔してアクティブ層９３の他側とオーバーラップして形成されたドレイン電極９４ｃがある。
【００９１】
　また、前記ドレイン電極９４ｃと離隔して、前段ゲート配線に形成された前記ストレージ下部電極９１ｃの上部にストレージ上部電極９４ｄが形成されている。
　また、画素領域に、前記ストレージ上部電極９４ｄ及びドレイン電極９４ｃにオーバーラップして直接コンタクトされた透過電極９５がある。
【００９２】
　この時、透過電極９５は後に説明する第２透過ホール９７より大きく形成すればよい。
　また、薄膜トランジスタと画素領域を含む前記基板９０の全面に形成され、画素領域の透過電極９５とゲートパッド９１ａ及びソースパッド９４ａの上部に、それぞれ第１透過ホールと第１、第２コンタクトホール９８ａ、９８ｂが形成された保護膜９６がある。
【００９３】
　透過ホールは、第１透過ホールと第２透過ホールに区分され、第１透過ホールは保護膜９６により傾斜段差を有して形成されたコンタクトホールを示し、第２透過ホールは後に反射電極９９ａにより透過電極９５が露出される領域を示す。
　従って、第１透過ホールは第２透過ホールよりその面積が広い。
【００９４】
　また、画素領域上の傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面で透過電極９５とコンタクトするように、反射部上に反射電極９９ａが形成されている。
　前記反射電極９９ａは、画素領域を定義するデータ配線９４と所定間隔重なって形成される。また、前記反射電極９９ａと透過電極９５が重なって画素電極を成す。
【００９５】
　前記のように構成すると、透過電極９５がストレージ上部電極９４ｄと直接コンタクトされているので、ドレイン電極９４ｃと透過電極９５、ストレージ上部電極９４ｄと透過電極９５との間に別途のコンタクトが不要となって工程を単純化できる。
　また、反射電極９９ａは、保護膜９６の上部、第１透過ホールの傾斜段差部、及び、傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面へまで延長して形成されているので反射効率を増大できる効果がある。
【００９６】
　次に前記のような構成を有する反射透過型液晶表示装置の製造方法を図１７Ａないし図１７Ｃと図１８Ａないし図１８Ｃを参照して説明する。
　先ず、図１７Ａと図１８Ａに示すように透明な基板９０上に導電性金属のアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、他の導電性合金を蒸着しパターニングして、先端に所定面積をなすようにゲートパッド９１ａと、前記ゲートパッド９１ａから片側方向に延長されたゲート配線９１と、前記ゲート配線９１から所定面積に突出して形成されたゲート電極９１ｂとを形成する。
【００９７】
　前記ゲート配線９１を形成すると共に、前段ゲート配線のストレージキャパシタ領域にストレージ下部電極９１ｃを形成する。
　次に、ゲート配線９１ｂが形成された基板９０の全面にシリコンジオキサイド（ＳｉＯ２）やシリコンニトライド（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質を蒸着し、連続してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と不純物が含まれたアモルファスシリコンを蒸着して、第１絶縁層と半導体層（アモルファスシリコン＋不純物アモルファスシリコン）を形成する。
【００９８】
　以降に前記半導体層をパターニングして前記ゲート電極９１ｂの上部に島状に半導体パターンを形成する。
　また、前記半導体パターンが形成された基板９０の全面にモリブデン、タングステン、クロームのような導電性金属を蒸着しパターニングする。
　前記パターニング工程を進めて前記第１絶縁層を間に置いて交差するデータ配線９４を形成し、データ配線９４の先端にソースパッド９４ａを形成し、前記ゲート電極９１ｂの上部に片側方向に突出して形成され半導体パターンの片側と重なるようにソース電極９４ｂを形成する。
【００９９】
　また、前記データ配線９４を形成すると共に、ソース電極９４ｂと所定間隔離隔して前記半導体パターンの他側と重なるようにドレイン電極９４ｃを形成し、前記ドレイン電極９４ｃと離隔して前段ゲート配線に形成されたストレージ下部電極９１ｃの上部にストレージ上部電極９４ｄを形成する。
【０１００】
　また、前記ソース電極９４ｂとドレイン電極９４ｃをマスクで半導体層のドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングして前記半導体層のうち、アモルファスシリコン層からなるアクティブ層９３を形成し、
チャンネル領域を除いたアクティブ９３上にはドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層９３ａを形成する。
【０１０１】
　次に図１７Ｂと図１８Ｂに示すように、前記ソース電極９４ｂとドレイン電極９４ｃが形成された基板９０の全面にインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）とインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などを含む透明導電性金属グループのうち、いずれか一つを選択して蒸着しウェットエッチングして、前段ゲート配線上に形成された前記ストレージ上部電極９４ｄと直接コンタクトするように画素領域に透過電極９５を形成する。
【０１０２】
　この時、透過電極９５は、後に第２透過ホール（図１７Ｃと図１８Ｃ参照）が形成する領域より大きく形成すればよい。
　以降に図１７Ｃと図１８Ｃに示すように、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル系樹脂などが含まれた有機絶縁物のうち、いずれか一つを選択して塗布して保護膜９６を形成する。
【０１０３】
　このような工程において、前記保護膜９６は誘電率の低い絶縁膜を所定の厚さで塗布されたもので、反射電極と前記各配線の重複構造による寄生キャパシタンスにより発生する問題を防止できる。
　また、フォトリソグラフィー工程を進めて画素領域の透過電極９５の片側領域が露出されるように透過ホールを形成すると共に、ゲートパッド９１ａとソースパッド９４ａ上にパッドオープン工程を行って、第１、第２コンタクトホール９８ａ、９８ｂ（図示せず）を形成する。
【０１０４】
　以降に保護膜９６が形成された基板９０の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金又は銀（Ａｇ）のような抵抗値が小さく反射率に優れた反射金属を蒸着した後パターニングして、前記透過電極９５が露出され透過ホール９７の縁から前記透過電極９５とコンタクトするように画素領域の反射部に反射電極９９ａを形成する。
【０１０５】
　この時、反射電極９９ａは単層構造よりは２層 構造（例：モリブデン−アルミニウム、モリブデン−アルミニウム・ネオジム合金）で形成することが望ましいが、その理由はモリブデンと透明電極が接触するので透明電極とのコンタクト抵抗を低め、アルコニウム、アルミニウム・ネオジム合金とＩＴＯが直接接して生じるガルバニック腐食問題を防止できるからである。
【０１０６】
　前記反射電極９９ａを形成すると共に、ゲートパッド９１ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した保護膜９６上に前記ゲートパッド９１ａと接触するゲートパッド端子９９ｂを形成し、ソースパッド９４ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した保護膜９６上にソースパッド９４ａと接触するソースパッド端子９９ｃを形成する。
【０１０７】
　この時、反射電極９９ａは前記画素領域を定義するデータ配線９４と所定間隔オーバーラップするように形成する。
　このような工程によって反射透過型液晶表示装置を製造するとドレイン電極９４ｃと透過電極９５、ストレージ上部電極９４ｄと透過電極９５との間に別途のコンタクト工程を進めなくても工程を単純化させることができる。
　また、反射電極９５が第１透過ホールの側面の傾斜段差部に形成されるのみならず、傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面から透過電極９５とコンタクトするようにして、反射部の開口率を増大させることができる。
【第３実施例】
【０１０８】
　図１９、図２０は本発明の第３実施例による反射透過型の液晶表示装置の平面図及び構造断面図である。
　また、図２１Ａないし図２１Ｃは本発明の第３実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図である。
【０１０９】
　また、図２２Ａないし図２２Ｃはそれぞれ図２１Ａないし図２１ＣのXIII−XIII’、XIV−XIV’、XV−XV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図である。
　ここで、XIII−XIII’は薄膜トランジスタとストレージキャパシタを切った断面図であり、XIV−XIV’はストレージキャパシタと透過ホールを切った断面図であり、XV−XV’はゲートパッドを切った断面図である。
【０１１０】
　本発明の第３実施例による反射透過型液晶表示装置は、反射電極１１９ａが凹凸構造を有するという特徴がある。
　即ち、反射電極１１９ａが形成される保護膜の上部に凹凸構造が形成され、凹凸構造を有する保護膜上に反射電極１１９ａが形成されている。
　この時、保護膜上部の凹凸は第２透過ホール１１７が形成される領域を除いた全体画素領域（反射部）に形成される。
【０１１１】
　前記のような特徴を有する本発明の第３実施例による反射透過型液晶表示装置は、図１９と図２０に図示したように先端の片側領域に大きくゲートパッド１１１ａが形成されたゲート配線１１１、先端の片側領域にソースパッド１１４ａが形成されたデータ配線１１４、画素領域、薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタからなる。
【０１１２】
　前記画素領域は互いに交差して形成されたゲート配線１１１とデータ配線１１４によって定義され、反射部と透過部とからなる。
　この時、画素領域の透過電極１１５は、ドレイン電極１１４ｃとストレージ上部電極１１４ｄ上に直接コンタクトされ、反射電極１１９ａは透過電極１１５上に第２透過ホール１１７を有して反射部に形成されている。
　前記透過電極１１５はドレイン電極１１４ｃとストレージ上部電極１１４ｄに同時にコンタクトする。
【０１１３】
　また、薄膜トランジスタはゲート配線１１１とデータ配線１１４の交差地点に形成され、前記ゲート配線１１１で片側方向に突出して形成されたゲート電極１１１ｂと、前記データ配線１１４で前記ゲート電極１１１ｂの上部に延長されたソース電極１１４ｂと、前記ソース電極１１４ｂと所定間隔離隔されたドレイン電極１１４ｃとからなる。
　また、ストレージキャパシタは、前段ゲート配線と連結されているストレージ下部電極１１１ｃと、ゲート電極１１２を間におき、前記ストレージ下部電極１１１ｃ上部に形成されたストレージ上部電極１１４ｄとからなる。
【０１１４】
　前記のような構成を有する本発明の反射透過型の液晶表示装置を更に具体的に説明すると次のとおりである。
　図１９と図２０に示すように、透明な基板１１０上に一定間隔を有し、一直線方向に平行してゲート配線１１１が配列されており、前記ゲート配線１１１から一直線方向にゲート電極１１１ｂが突出して形成され、前段ゲート配線と一体化して形成され、ストレージキャパシタ位置にストレージ下部電極１１１ｃが形成されている。
【０１１５】
　また、ゲート配線１１１とゲート電極１１１ｂ及びストレージ下部電極１１１ｃ上に、上部層と電気的に絶縁させる役割を果たすゲート絶縁膜１１２が形成されており、前記ゲート電極１１１ｂ上部のゲート絶縁膜１１２上にアクティブ層１１３が構成されている。
【０１１６】
　この時、アクティブ層１１３はアモルファスシリコン層からなり、ゲート電極１１１ｂ上部のチャンネル領域を除いたアクティブ層１１３上には、ドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層１１３ａが形成されている。
　また、前記ゲート配線１１１と交差して画素領域を定義するデータ配線１１４があり、前記データ配線１１４から片側方向に突出してアクティブ層１１３の片側とオーバーラップしたソース電極１１４ｂがあり、前記ソース電極１１４ｂと離隔してアクティブ層１１３の他側とオーバーラップして形成されたドレイン電極１１４ｃがある。
【０１１７】
　また、前記ドレイン電極１１４ｃと離隔して、前段ゲート配線に形成された前記ストレージ下部電極１１１ｃの上部にストレージ上部電極１１４ｄが形成されている。
　また、画素領域に、前記ストレージ上部電極１１４ｄ及びドレイン電極１１４ｃにオーバーラップして直接コンタクトされた透過電極１１５がある。
【０１１８】
　この時、透過電極１１５は後に説明する第２透過ホール１１７より大きく形成すればよい。
　また、薄膜トランジスタと画素領域を含む前記基板１１０の全面に形成され、画素領域の透過電極１１５とゲートパッド１１１ａ及びソースパッド１１４ａの上部に、それぞれ第１透過ホールと第１、第２コンタクトホール１１８ａ、１１８ｂが形成された第１、第２保護膜１１６ａ、１１６ｂが積層して形成されている。
【０１１９】
　この時、第１、第２保護膜１１６ａ、１１６ｂは、後に反射電極１１９ａが形成される上部で凹凸を有する。即ち、第２透過ホールを除いた反射部全体で凹凸を有する。
　透過ホールは第１透過ホールと第２透過ホールとに区分され、第１透過ホールは第１保護膜１１６ａにより傾斜段差を有して形成されたコンタクトホールを示し、第２透過ホールは後に反射電極１１９ａにより透過電極１１５が露出される領域を示す。
　従って、第１透過ホールは第２透過ホールよりその面積が広い。
【０１２０】
　また、画素領域上の傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面で透過電極１１５とコンタクトするように、反射部上に反射電極１１９ａが形成されている。
　前記反射電極１１９ａは、画素領域を定義するデータ配線１１４と所定間隔が重なって形成される。また、前記反射電極１１９ａと透過電極１１５が重なって画素電極を成す。
【０１２１】
　前記のように構成すると、透過電極１１５がストレージ上部電極１１４ｄと直接コンタクトされているので、ドレイン電極１１４ｃと透過電極１１５、ストレージ上部電極１１４ｄと透過電極１１５との間に別途のコンタクトが不要となって工程を単純化できる。
　また、反射電極１１９ａは、第１保護膜１１６ａ上部、第１透過ホールの傾斜段差部、及び、傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面へまで延長して形成されているので反射効率を増大できる効果がある。
　のみならず、反射電極１１９ａが凹凸を成しているので、有効視野角の範囲で反射率を向上させることができる。
　このように、反射電極１１９ａが凹凸を有する構造はストレージ上部電極とドレイン電極が連結された構造でも適用できる。
【０１２２】
　次に、前記のような構成を有する反射透過型液晶表示装置の製造方法を図２１Ａないし図２１Ｃと図２２Ａないし図２２Ｃを参照して説明する。
　先ず、図２１Ａと図２２Ａに示すように透明な基板１１０上に導電性金属のアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、他の導電性合金を蒸着しパターニングして、先端に所定面積をなすようにゲートパッド１１１ａと、前記ゲートパッド１１１ａから片側方向に延長されたゲート配線１１１と、前記ゲート配線１１１から所定面積に突出して形成されたゲート電極１１１ｂとを形成する。
【０１２３】
　前記ゲート配線１１１を形成すると共に、前段ゲート配線のストレージキャパシタ領域にストレージ下部電極１１１ｃを形成する。
　次に、ゲート配線１１１が形成された基板１１０の全面にシリコンジオキサイド（ＳｉＯ２）やシリコンニトライド（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質を蒸着し、連続してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と不純物が含まれたアモルファスシリコンを蒸着して、第１絶縁層と半導体層（アモルファスシリコン＋不純物アモルファスシリコン）を形成する。
【０１２４】
　以降に前記半導体層をパターニングして前記ゲート電極１１１ｂの上部に島状に半導体パターンを形成する。
　また、前記半導体パターンが形成された基板１１０の全面にモリブデン、タングステン、クロームのような導電性金属を蒸着しパターニングする。
　前記パターニング工程を進めて前記第１絶縁層を間に置いて交差するデータ配線１１４を形成し、データ配線１１４の先端にソースパッド１１４ａを形成し、前記ゲート電極１１１ｂの上部に片側方向に突出して形成し半導体パターンの片側と重なるようにソース電極１１４ｂを形成する。
【０１２５】
　また、前記データ配線１１４を形成すると共に、ソース電極１１４ｂと所定間隔離隔して前記半導体パターンの他側と重なるようにドレイン電極１１４ｃを形成し、前記ドレイン電極１１４ｃと離隔して前段ゲート配線に形成されたストレージ下部電極１１１ｃの上部にストレージ上部電極１４ｄを形成する。
【０１２６】
　また、前記ソース電極１１４ｂとドレイン電極１１４ｃをマスクとして半導体層のドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングして前記半導体層のうち、アモルファスシリコン層からなるアクティブ層１１３を形成し、チャンネル領域を除いたアクティブ１１３上にはドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層１１３ａを形成する。
【０１２７】
　次に図２１Ｂと図２２Ｂに示すように、前記ソース電極１１４ｂとドレイン電極１１４ｃが形成された基板１１０の全面にインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）とインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などを含む透明導電性金属グループのうち、いずれか一つを選択して蒸着しウェットエッチングして、前段ゲート配線上に形成された前記ストレージ上部電極１１４ｄと直接コンタクトするように画素領域に透過電極１１５を形成する。
【０１２８】
　この時、透過電極１１５は、後に第２透過ホール（図２１Ｃと図２２Ｃ参照）が形成する領域より大きく形成すればよい。
　以降に図２１Ｃと図２２Ｃに示すように、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル系樹脂などが含まれた有機絶縁物のうち、いずれか一つを選択して塗布して第１，第２保護膜１１６ａ、１１６ｂを形成する。
【０１２９】
　また、露光及び現像工程で、反射部に対応する第２保護膜１１６ｂに凹凸パターンを有するようにする。
　即ち、第２保護膜１１６ｂの凹凸は第２透過ホール１１７を除いた画素領域に形成する。
　また、フォトリソグラフィー工程を進めて画素領域の透過電極１１５の片側領域が露出されるように透過ホールを形成すると、共に、ゲートパッド１１１ａとソースパッド１１４ａ上にパッドオープン工程を行って、第１、第２コンタクトホール１１８ａ、１１８ｂ（図示せず）を形成する。
【０１３０】
　以降に凹凸構造を有する第２保護膜１１６ｂを含む基板１１０の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金又は銀（Ａｇ）のような抵抗値が小さく反射率に優れた反射金属を蒸着した後パターニングして、前記透過電極１１５が露出され傾斜段差から延長された第１透過ホール１１７の下面で前記透過電極１１５とコンタクトするように画素領域の反射部に反射電極１１９ａを形成する。
【０１３１】
　この時、反射電極１１９ａは単層構造よりは２層構造（例：モリブデン−アルミニウム、モリブデン−アルミニウム・ネオジム合金）で形成することが望ましいが、その理由はモリブデンと透明電極が接触するので透明電極とのコンタクト抵抗を低め、アルミニム、アルミニウム・ネオジム合金とＩＴＯが直接接して生じるガルバニック腐食問題を防止できるからである。
【０１３２】
　前記反射電極１１９ａを形成する共に、ゲートパッド１１１ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した第１、第２保護膜１１６ａ、１１６ｂ上に前記ゲートパッド１１１ａと接触するゲートパッド端子１１９ｂを形成し、ソースパッド１１４ａ上のコンタクトホール及びこれに隣接した第１、第２保護膜１１６ａ、１１６ｂ上にソースパッド１１４ａと接触するソースパッド端子１１９ｃを形成する。
この時、反射電極１１９ａは前記画素領域を定義するデータ配線１１４と所定間隔オーバーラップするように形成する。
【第４実施例】
【０１３３】
　本発明の第４実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法は、本発明の第１実施例において、透過電極を形成した後に半導体パターンのドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングして、アクティブ層とオーミックトコンタクト層を形成する以外は殆ど同一の方法により製造される。
【０１３４】
　前記透過電極を形成した後にドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングする理由は、本発明の第１実施例においてドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングしてオーミックコンタクト層を形成した後に、透明導電性金属を蒸着しウェットエッチングして透過電極を形成する時、ウェットエッチング工程によって薄膜トランジスタのチャンネル領域が損傷されることを防止するためである。
【０１３５】
　以下、本発明の第４実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法について説明する。
　図２３Ａないし図２３Ｃは、本発明の第４実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図であり、図２４Ａないし図２４Ｃは、それぞれ図２３Ａないし図２３ＣのXVI−XVI’、XVII−XVII’、XVIII−XVIII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図である。
【０１３６】
　先ず、図２３Ａと図２４Ａに示すように、透明な基板１８０上に導電性金属のアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、他の導電性合金を蒸着しパターニングして、先端に所定面積をなすようにゲートパッド１８１ａと、前記ゲートパッド１８１ａで一方に延長されたゲート配線１８１と、前記ゲート配線１８１の片側で所定面積に突出して形成したゲート電極１８１ｂとを形成する。
【０１３７】
　前記ゲート配線１８１を形成すると共に、前段ゲート配線のストレージキャパシタ領域にストレージ下部電極１８１ｃを形成する。
　次に、ゲート配線１８１が形成された基板１８０の全面にシリコンジオキサイド（ＳｉＯ２）やシリコンニトライド（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質を蒸着し、連続してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）と不純物が含まれたアモルファスシリコンを蒸着して、ゲート絶縁膜１８２と半導体層（アモルファスシリコン＋不純物アモルファスシリコン）を形成する。
【０１３８】
　以降に前記半導体層をパターニングして前記ゲート電極１８１ｂの上部に島状のアクティブ層１８３を形成する。
　また、前記アクティブ層１８３が形成された基板１８１の全面にモリブデン、タングステン、クロームのような導電性金属を蒸着しパターニングする。
　前記パターニング工程を進めて前記ゲート絶縁膜１８２を間に置いて交差するデータ配線１８４を形成し、データ配線１８４の先端にソースパッド１８４ａを形成し、前記ゲート電極１８１ｂの上部の半導体パターン１８３の一方と重なるようにソース電極１８４ｂを突出して形成する。
【０１３９】
　また、前記データ配線１８４を形成すると共に、ソース電極１８４ｂと所定間隔離隔し前記半導体層１８３の他側と重なるようにドレイン電極１８４ｃを形成し、前記ドレイン電極１８４ｃと一体化して連結され、前段ゲート配線に形成されたストレージ下部電極１８１ｃの上部にストレージ上部電極１８４ｄを形成する。
【０１４０】
　次に図２３Ｂと図２４Ｂに示すようにソース電極１８４ｄとドレイン電極１８４ｃが形成された基板１８０の全面にインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）とインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などを含む透明導電性金属グループのうち、いずれか一つを選択して蒸着しウェットエッチングして、前段ゲート配線上に形成された前記ストレージ上部電１８４ｄと直接コンタクトするように画素領域に透過電極１８５を形成する。
【０１４１】
　この時、透過電極１８５は後に第２透過ホールが形成される領域より大きく形成すればよい。
　後に前記ソース電極１８４ｂとドレイン電極１８４ｃをマスクとして半導体パターン１８３のドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングして前記半導体パターン１８３のうちアモルファスシリコン層からなるアクティブ層１８３ａを形成し、チャンネル領域を除いたアクティブ層１８３ａ上にはドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層１８３ｂを形成する。
【０１４２】
　それ以後の図２３Ｃと図２４Ｃに示した反射透過型液晶表示装置の製造方法は、本発明の第１実施例による製造方法と同一に行われるので以下説明を省く。
　このような工程によって反射透過型液晶表示装置を製造すると、本発明の第１実施例による工程単純化及び開口率の増大の効果のみならず、透過電極の形成時に薄膜トランジスタのチャンネル領域が損傷されないようにできるという効果がある。
【第５実施例】
【０１４３】
　本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法は、本発明の第１実施例と殆ど同一であるが、僅かな差は、ソース／ドレイン電極と透過電極との間にシリコン窒化膜で形成したバッファ絶縁膜を挿入し、透過電極とストレージ上部電極がコンタクトされる部分にコンタクトホールを形成するものである。
【０１４４】
　前記ソース／ドレイン電極と透過電極との間にシリコン窒化膜で形成されたバッファ絶縁膜を挿入する理由は、本発明の第１実施例において、ドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングしてオーミック電極を形成した後に、透明導電性金属を蒸着し、ウェットエッチングして透過電極を形成する時、ウェットエッチング工程によって薄膜トランジスタのチャンネル領域が損傷されることを防止するためである。
【０１４５】
　以下、本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置及びその製造方法について説明する。
　図２５、図２６は、本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置
の平面図及び構造断面図である。
　図２７Ａないし図２７Ｃは、本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図であり、図２８Ａないし図２８Ｃは、それぞれ図２７Ａないし図２７ＣのXIV−XIV’、XX−XX’、XXI−XXI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図である。
【０１４６】
　先ず、本発明による反射透過型液晶表示装置は図２５と図２６に示すように、基板２８０上にゲート配線２８１、ゲート電極２８１ｂ、ゲートパッド２８１ａ、ストレージ下部電極２８１ｃ、ゲート絶縁膜２８２、データ配線２８４、ソースパッド２８４ａ、ソース電極２８４ｂ、ドレイン電極２８４ｃ、ストレージ上部電極２８４ｄ、アクティブ層２８３及びオーミックコンタクト層２８３ａの構成は本発明の第１実施例と同一である。
【０１４７】
　差がある部分は、前記ソース／ドレイン２８４ｂ／２８４ｃを含む基板の全面にシリコン酸化膜で構成されたバッファ絶縁膜２８５が挿入され、前記ストレージ上部電極２８４ｄの片側領域に第１コンタクトホール２８６が形成されており、透過電極２８７が第１コンタクトホール２８６を通じてストレージ上部電極２８４ｄとコンタクトして画素領域に形成されていることである。
　前記で、透過電極２８７が第１コンタクトホール２８６を通じてストレージ上部電極２８４ｄとコンタクトされている以外は、透過電極２８７の形状は本発明の第１実施例と同一である。
【０１４８】
　以下の保護膜２８８，透過ホール（第２透過ホール）２８９、第２コンタクトホール２９０ａ、第３コンタクトホール２９０ｂ、反射電極２９１ａとゲートパッド端子２９１ｂ、ソースパッド端子２９１ｃの構成は、本発明の第１実施例と同一である。
　前記において、本発明の第２コンタクトホール２９０ａ、第３コンタクトホール２９０ｂは、本発明の第１実施例の第１コンタクトホール８８ａ、第２コンタクトホール８８ｂとそれぞれ対応する。
【０１４９】
　以降、図２７Ｂと図２８Ｂに示すように、ソース／ドレイン電極２８４ｂ／２８４ｃ、アクティブ層２８３オーミックコンタクト層２８３ａを含む基板２８０の全面に、シリコン窒化膜で構成されたバッファ絶縁膜２８５を蒸着する。
　以降、ストレージ上部電極２８４ｄの片側領域上がオープンするようにフォトレジストパターン（図示せず）を形成し、フォトレジストパターンをマスクとしてバッファ絶縁膜２８５をエッチングして第１コンタクトホール２８６を形成する。
【０１５０】
　次に、前記第１コンタクトホール２８６が形成されたバッファ絶縁膜２８５上にインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）とインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などを含む透明導電性金属グループのうち、いずれか一つを選択して蒸着し、ウェットエッチングして、第１コンタクトホール２８６を通じて前記ストレージ上部電極２８４ｄとコンタクトするように画素領域に透過電極２８７を形成する。
【０１５１】
　この透過電極２８７は、次に第２透過ホール２８９（図２７Ｃと図２８Ｃ参照）が形成される領域より大きく形成すればよい。
　また、図２７Ｃと図２８Ｃに示すように、保護膜２８８、透過ホール（第２透過ホール）２８９、第２コンタクトホール２９０ａ、第３コンタクトホール２９０ｂ、反射電極２９ａ、ゲートパッド端子２９１ｂ及びソースパッド端子２９１ｃを本発明の第１実施例と同一方法により製造する。
　前記工程によると、本発明の第１実施例による効果だけではなく、透過電極形成時に、薄膜トランジスタのチャンネル領域が損傷されることを防止できる効果をも奏する。
【第６実施例】
【０１５２】
　図２９と図３０は本発明の第６実施例による反射透過型液晶表示装置の平面図及び構造断面図であり、図３１Ａないし図３１Ｃは、本発明の第６実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図である。
　また、図３２Ａないし図３２Ｃは、それぞれ図３１Ａないし図３１ＣのXXII−XXII’、XXIII−XXIII’、XXIV−XXIV’とXXV−XXV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図である。
【０１５３】
　ここで、XXII−XXII’は薄膜トランジスタとストレージキャパシタを切った断面であり、XXIII−XXIII’はストレージキャパシタと透過ホールを切った断面図であり、XXIV−XXIV’はゲートパッドを切った断面図であり、XXV−XXV’はソースパッドを切った断面図である。
【０１５４】
　本発明は、フォトアクリルで構成した凹凸パターンを備えた反射透過型液晶表示装置であって、図２９と図３０に示すように、ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａが、内部に第１、第２ホールを有して形成され、反射電極３１９ａが透過電極３１５の上部に形成され、透過ホールを形成する前にゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａ及びゲートライン３１１の側面まで延長するように保護膜のパターンを形成することに特徴がある。
【０１５５】
　前記のような特徴を有する本発明の反射透過型液晶表示装置を更に詳しく説明すると次の通りである。
　図２９と図３０に示すように、透明な基板３１０上に一定間隔を有して一直線方向に平行してゲートライン３１１が配列されており、前記ゲートライン３１１の先端の内部に第１ホールが形成されて隔離されたゲートパッド３１１ａが形成されており、前記ゲートライン３１１から一直線方向に突出したゲート電極３１１ｂがあり、前段ゲートラインと一体化して形成され、ストレージキャパシタ位置にストレージ下部電極３１１ｃが形成されている。
【０１５６】
　また、ゲートライン３１１とゲート電極３１１ｂ及びストレージ下部電極３１１ｃ上に上、部層と電気的に絶縁させる役割を果たすゲート絶縁膜３１２が形成されており、前記ゲート電極３１１ｂ上部のゲート絶縁膜３１２上にアクティブ層３１３が形成されている。
【０１５７】
　この時、アクティブ層３１３はアモルファスシリコン層からなり、ゲート電極３１１ｂ上部のチャンネル領域を除いたアクティブ層３１３上には、ドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層３１３ａが形成されている。
　また、前記ゲートライン３１１と交差して画素領域を定義するデータライン３１４があり、前記データライン３１４の先端に内部に第２ホールが形成されて隔離されたソースパッド３１４ａが形成され、前記データライン３１４から片側方向に突出してアクティブ層３１３の片側とオーバーラップしたソース電極３１４ｂがあり、前記ソース電極３１４ｂと離隔してアクティブ層３１３の他側とオーバーラップして形成されたドレイン電極３１４ｃがある。
【０１５８】
　前記ソースパッド３１４ａの下部には一定面積を示す半導体層３１３ｂが形成されており、第２ホールは半導体層３１３ｂの片側領域が露出されるように形成されている。
　また、前記ドレイン電極３１４ｃと離隔して、前段ゲートラインに形成された前記ストレージ下部電極３１１ｃの上部にストレージ上部電極３１４ｄが形成されている。
【０１５９】
　前記したように、ゲートライン３１１とデータライン３１４とが交差する領域に薄膜トランジスタが形成されている。
　また、画素領域に、前記ストレージ上部電極３１４ｄ及びドレイン電極３１４ｃにオーバーラップされて直接コンタクトされた透過電極３１５がある。この時、透過電極３１５は後に説明する第２透過ホール３１７より大きい。
　前記のように透過電極３１５をドレイン電極３１４ｃ及びストレージ上部電極３１４ｄと直接コンタクトさせると、ドレイン電極３１４ｃと透過電極３１５，ストレージ上部電極３１４ｄと透過電極３１５の間に別途のコンタクトが不要となって工程を単純化できる。
　また、前記ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａの上部に第１、第２ホールを通じて接触するようにゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂが形成されている。
　前記透過電極３１５とゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂは、インジウム錫酸化物、錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物又はインジウム錫亜鉛酸化物のような透明導電金属で形成されている。
【０１６０】
　また、図示してはいないが、前記透過電極３１５の下部に、ドレイン電極３１４ｃとストレージ上部電極３１４ｄにコンタクトホールを有する保護膜を更に備えて、透過電極３１５がコンタクトホールを通じてドレイン電極３１４ｃとストレージ上部電極３１４ｄにコンタクトするようにできる。
【０１６１】
　また、薄膜トランジスタと画素領域を含む前記基板３１０全面にシリコン窒化膜で構成された層間絶縁膜３２０が形成されている。この時層間絶縁膜３２０は、第１、第２ホール上部のゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂの上部に、ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａの側面を覆うように拡張して形成されている。
　前記層間絶縁膜３２０は、前記ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａの側面で最小限３μｍ程度拡張されている。
【０１６２】
　前記のように、層間絶縁膜３２０が第１，第２ホールでゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａの側面を覆うように形成すると、後に第１、第２ホールの反射電極を全て除去する時、透明電極金属で形成されたゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂがエッチングによって損傷し、ピンホールを通じて下部のゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａに損傷を与えることを防止できる。
　また、前記画素領域の透過電極３１５とゲートパッド３１１ａ及びソースパッド３１４ａ上部に、それぞれ第１透過ホールと第１、第２コンタクトホール３１８ａ、３１８ｂが形成された第１保護膜３１６ａが形成されている。
　また、反射部（透過ホールの下面を除いた画素領域）の第１保護膜３１６ａ上に突出して凹凸パターン３１６ｂ（図７の円で示した部分）が形成されている。
【０１６３】
　前記透過ホールは、第１透過ホールと第２透過ホールとに区分され、第１透過ホールは第１保護膜３１６ａにより傾斜段差を有して形成されたコンタクトホールを示し、第２透過ホールは後に反射電極３１９ａにより透過電極３１５が露出される領域を示す。
　従って、第１透過ホールは第２透過ホールよりその面積が広い。
　また、画素領域上の傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面で透過電極３１５とコンタクトするように、反射部上に前記第１保護膜３１６ａと凹凸パターン３１６ｂ上部に反射電極３１９ａが曲折して形成されている。
　前記反射電極３１９ａは、画素領域を定義するデータライン３１４とオバーラップして形成される。また、前記反射電極３１９ａと透過電極３１５が重なって画素電極を成す。
【０１６４】
　前記反射電極は、単層構造よりは抵抗の小さい第１金属と反射度のよい第２金属を積層して形成し、この時前記第１金属はモリブデンを使用し、第２金属層はアルミニウム又はアルミニウム・ネオジム合金を使用する。
【０１６５】
　前記のような構成により反射電極３１９ａを形成する理由は、モリブデンと透明ＩＴＯがコンタクトする時にアルミニウムやアルミニウム・ネオジム合金が透明電極とコンタクト時よりもコンタクト抵抗が小さいからであり、また、アルミニウム、アルミニウム・ネオジム合金とＩＴＯが直接接すると、その界面で拡散が発生してアルミニウム２０３が生成されてガルバニック腐食問題が発生するが、これを防止するためである。
　また、反射電極３１９ａは、第１保護膜３１６ａの上部、第１透過ホールの傾斜段差部、及び、傾斜段差部から延長された第１透過ホールの下面へまで延長されて形成されているので反射効率を増大できる効果がある。
【０１６６】
　のみならず、反射電極３１９ａが凹凸を成し、反射電極３１９ａが透過電極３１５上部に形成されているので、有効視野角の範囲での反射率を向上させることができる。
　このように、反射電極３１９ａが凹凸を有するストレージ上部電極とドレイン電極が連結された構造にも適用できる。
　前記で第１保護膜３１６ａは、透過電極３１５と層間絶縁膜３２０の下部に構成でき、この場合には凹凸パターン３１６ａが層間絶縁膜３２０上に形成される。
【０１６７】
　参考迄に、図示してはいないが、ゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂに信号を印加するために、これにボンディングバンプを形成し、ＣＯＧ方式の場合には、第１、第２コンタクトホール３１８ａ、３１８ｂ内にＣＯＧボンディングバンプが形成される。
　また、ＣＯＦとＴＡＰ方式の場合にはボンディングバンプが大きく、第１、第２コンタクトホール内にボンディングバンプが入らないこともあるが、この時は第１、第２コンタクトホールに導電ボールが形成され、導電ボール上部にボンディングバンプが形成されるので、第１、第２コンタクトホールを通じてゲートパッド端子１１５ａとソースパッド端子１１５ｂとボンディングバンプが連結され、別途のボンディング問題は発生しない。
【０１６８】
　次に、前記のような構成を有する反射透過型液晶表示装置の製造方法を図３１Ａないし図３１Ｃと図３２Ａないし図３２Ｃを参照して説明する。
　先ず、図３１Ａと図３２Ａに示すように透明な基板３１０上に導電性の金属のアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、他の導電性合金を蒸着し、パターニングして先端に所定面積をなし、第１ホールを有するゲートパッド３１１ａから一方に延長されたゲートライン３１１の所定面積を突出させてゲート電極３１１ｂを形成する。
【０１６９】
　前記ゲートライン３１１を形成すると共に、前段ゲートラインのストレージキャパシタ領域にストレージ下部電極３１１ｃを形成する。
　次に、ゲートライン３１１が形成された基板３１０の全面にシリコン酸化膜膜ＳｉＯ２やシリコン酸化膜のような絶縁物質を蒸着し、連続してアモルファスシリコンと不純物が含まれたアモルファスシリコンを蒸着して第１絶縁層と半導体層（アモルファスシリコン＋不純物シリコン）を形成する。
　以降に前記半導体層をパターニングして前記ゲート電極３１１ｂの上部に島状に半導体パターンを形成する。
【０１７０】
　また、前記半導体パターンが形成された基板３１０の全面にモリブデン、タングステン、クロームのような導電性金属を蒸着しパターニングする。
　前記パターニング工程を進めて前記第１絶縁層を間に置きゲートライン３１１と交差配列するようにデータライン３１４を形成し、データライン３１４の片側から突出して前記半導体パターンの片側と重なるようにソース電極３１４ｂを形成する。
　また、前記データライン３１４を形成すると共に、ソース電極３１４ｂと所定間隔離隔し、前記半導体パターンの他側と重なるようにドレイン電極３１４ｃを形成し、前記ドレイン電極３１４ｃと離隔して、前段ゲートラインのストレージ下部電極３１１ｃの上部にストレージ上部電極３１４ｄを形成する。
【０１７１】
　また、前記ソース電極３１４ｂとドレイン電極３１４ｃをマスクとして半導体層のドーピングされたアモルファスシリコン層をエッチングして前記半導体層のうち、アモルファスシリコン層からなるアクティブ層３１３を形成し、チャンネル領域を除いたアクティブ上３１３にはドーピングされたアモルファスシリコン層からなるオーミックコンタクト層３１３ａを形成する。
【０１７２】
　次に図３１Ｂと図３２Ｂに示すように、前記ソース電極３１４ｂとドレイン電極３１４ｃが形成された基板３１０の全面にインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）とインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などを含む透明導電性金属グループのうち、ドレイン電極３１４ｃ及び前段ゲートライン上に形成された前記ストレージ上部電極３１４ｄと直接コンタクトするように画素領域に透過電極３１を形成する。
【０１７３】
　この時、透過電極３１５は後に第２透過ホール（図３１Ｃと図３２Ｃ参照）が形成される領域より大きく形成すればよい。
　次に、透過電極３１５を含む基板３１０の全面にシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜３２０を蒸着した後、ゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂの片側領域と画素領域内の透過電極３１５の片側領域が露出するように層間絶縁膜３２０をパターニングする。
前記で、層間絶縁膜３２０はゲートパッド３１１とソースパッド３１４ａの側面を覆うように形成する。この時、前記層間絶縁膜３２０は前記ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａの側面で最小限３μｍ程度拡張して形成されている。
【０１７４】
　以降図３１Ｃと図３２Ｃに示すように、ベンゾシクロブテン、フォトアクリル系樹脂などが含まれた有機絶縁物のうち、いずれか一つを選択して塗布して第１保護膜３１６ａを形成する。
　また、第１保護膜３１６ａ上にフォトアクリルのような有機物質を塗布した後、エンボッシング(embossing)技術を使用して前記有機物質をパターニングして反射部に対応する部分に凹凸パターン３１６ｂを形成する。
　次に、フォトリソグラフィー工程を進めて第１保護膜３１６ａと凹凸パターンをパターニングして、画素領域の透過電極３１５の片側領域が露出するように第１透過ホールを形成し、同時にゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂ上にパッドオープン工程をして第１、第２コンタクトホールを形成する。
【０１７５】
　また、凹凸パターン３１６ｂを含む基板３１０の全面に、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金又は銀（Ａｇ）のような抵抗値が小さく反射率に優れた反射金属を蒸着した後パターニングして、前記透過電極３１５が露出され傾斜段差及び第１透過ホールの下面で前記透過電極３１５とコンタクトするように画素領域の反射部に反射電極３１９ａを形成する。前記で実質的に透過電極３１５が露出される第２透過ホール３１７が形成される。
　この時、反射電極３１９ａは、単層構造よりは抵抗の小さい第１金属と反射度のよい第２金属を積層して形成するが、この時第１金属はモリブデンを使用し、第２金属はアルミニウム又はアルミニウム・ネオジム合金を使用する。
【０１７６】
　前記のように形成する理由は、モリブデンと透明電極が接触するとアルミニウム、アルミニウム・ネオジム合金とＩＴＯが直接接して生じるその界面からアルミニウム２０３が形成されてガルバニック腐食問題が発生することを防止できるからである。
　前記反射金属を除去するとき、前記ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａ上部の反射金属も全て除去する。
【０１７７】
　この時、ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａ自体がその内部に第１，第２ホールを有して隔離されており、その上部に側面を覆うように層間絶縁膜３２０が形成されているので、反射金属をエッチングするエッチング液が透明導電金属で形成されたゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂのピンホールを通じて浸透することを防止して、ゲートパッド３１１ａとソースパッド３１４ａは損傷の発生を防止できる。
【０１７８】
　この時、反射電極３１９ａは、前記画素領域を定義するデータライン３１４と所定間隔オーバーラップするように形成する。
　前記で、第１保護膜３１６ａは透過電極３１５と層間絶縁膜３２０の下部に形成させることもでき、この場合には凹凸パターン３１６ｂを層間絶縁膜３２０上に形成する。
【０１７９】
　参考迄に、図示してはいないが、ゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂに信号を印加するために、これにボンディングバンプを形成し、ＣＯＧ方式の場合には、第１、第２コンタクトホール３１８ａ、３１８ｂ内にＣＯＧボンディングバンプが形成される。
　また、ＣＯＦとＴＡＰ方式の場合にはボンディングバンプが大きく、第１、第２コンタクトホール内にボンディングバンプが入らないこともあるが、この時は第１、第２コンタクトホールに導電ボールが形成され、導電ボール上部にボンディングバンプが形成されるので、第１、第２コンタクトホールを通じてゲートパッド端子３１５ａとソースパッド端子３１５ｂとボンディングバンプが連結され、別途のボンディング問題は発生しない。
【０１８０】
　以上本発明の好適な一実施態様について説明したが、前記実施態様に限定されず、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。　
【図面の簡単な説明】
【０１８１】
【図１】一般的な反射透過型液晶表示装置の一部を図示した分解斜視図。
【図２】一般的な反射透過型液晶表示装置の断面図。
【図３】背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の平面図。
【図４】背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の構造断面図。
【図５Ａ】背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図５Ｂ】背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図５Ｃ】背景技術の第１方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図６Ａ】図５Ａないし図５ＣのＩ−Ｉ’、II−II’、III−III’に沿って切断して工程順序によって図示した工程断面図。
【図６Ｂ】図５Ａないし図５ＣのＩ−Ｉ’、II−II’、III−III’に沿って切断して工程順序によって図示した工程断面図。
【図６Ｃ】図５Ａないし図５ＣのＩ−Ｉ’、II−II’、III−III’に沿って切断して工程順序によって図示した工程断面図。
【図７】背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の平面図及び構造断面図。
【図８】関連技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の平面図。
【図９Ａ】背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図９Ｂ】背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図９Ｃ】背景技術の第２方法による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図１０Ａ】図９Ａないし図９ＣのIV−IV’、Ｖ−Ｖ’、VI−VI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１０Ｂ】図９Ａないし図９ＣのIV−IV’、Ｖ−Ｖ’、VI−VI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１０Ｃ】図９Ａないし図９ＣのIV−IV’、Ｖ−Ｖ’、VI−VI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１１】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置の平面図。
【図１２】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置の構造断面図。
【図１３Ａ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図１３Ｂ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図１３Ｃ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図１４Ａ】図１３Ａないし図１３ＣのVII−VII’、VIII−VIII’、IX−IX’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１４Ｂ】図１３Ａないし図１３ＣのVII−VII’、VIII−VIII’、IX−IX’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１４Ｃ】図１３Ａないし図１３ＣのVII−VII’、VIII−VIII’、IX−IX’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１５】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の平面図。
【図１６】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の構造断面図。
【図１７Ａ】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図１７Ｂ】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図１７Ｃ】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図１８Ａ】図１７Ａないし図１７ＣのＸ−Ｘ’、XI−XI’、XII−XII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１８Ｂ】図１７Ａないし図１７ＣのＸ−Ｘ’、XI−XI’、XII−XII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１８Ｃ】図１７Ａないし図１７ＣのＸ−Ｘ’、XI−XI’、XII−XII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図１９】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の平面図。
【図２０】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置の平面図及び構造断面図。
【図２１Ａ】本発明の第３実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２１Ｂ】本発明の第３実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２１Ｃ】本発明の第３実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２２Ａ】図２１Ａないし図２１ＣのXIII−XIII’、XIV−XIV’、XV−XV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２２Ｂ】図２１Ａないし図２１ＣのXIII−XIII’、XIV−XIV’、XV−XV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２２Ｃ】図２１Ａないし図２１ＣのXIII−XIII’、XIV−XIV’、XV−XV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２３Ａ】本発明の第４実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２３Ｂ】本発明の第４実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２３Ｃ】本発明の第４実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２４Ａ】図２３Ａないし図２３ＣのXVI−XVI’、XVII−XVII’、XVIII−XVIII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２４Ｂ】図２３Ａないし図２３ＣのXVI−XVI’、XVII−XVII’、XVIII−XVIII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２４Ｃ】図２３Ａないし図２３ＣのXVI−XVI’、XVII−XVII’、XVIII−XVIII’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２５】本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置の平面図。
【図２６】本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置の構造断面図。
【図２７Ａ】本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２７Ｂ】本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２７Ｃ】本発明の第５実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図２８Ａ】図２７Ａないし図２７ＣのXIX−XIX’、XX−XX’、XXI−XXI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２８Ｂ】図２７Ａないし図２７ＣのXIX−XIX’、XX−XX’、XXI−XXI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２８Ｃ】図２７Ａないし図２７ＣのXIX−XIX’、XX−XX’、XXI−XXI’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図２９】本発明の第６実施例による反射透過型液晶表示装置の平面図。
【図３０】本発明の第６実施例による反射透過型液晶表示装置の構造断面図。
【図３１Ａ】本発明の第６実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図３１Ｂ】本発明の第６実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図３１Ｃ】本発明の第６実施例による反射透過型液晶表示装置の製造方法をアレイ基板の画素を拡大して示した段階的な平面図。
【図３２Ａ】図３１Ａないし図３１ＣのXXII−XXII’、XXIII−XXIII’、XXIV−XXIV’とXXV−XXV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図３２Ｂ】図３１Ａないし図３１ＣのXXII−XXII’、XXIII−XXIII’、XXIV−XXIV’とXXV−XXV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【図３２Ｃ】図３１Ａないし図３１ＣのXXII−XXII’、XXIII−XXIII’、XXIV−XXIV’とXXV−XXV’に沿って切断し、工程順序によって図示した工程断面図。
【符号の説明】
【０１８２】
８０，９０１１０，１８０，２８０　基板
８１、９１、１１１、１８１、２８１　ゲート配線
８１ａ、９１ａ、１１１ａ、１８１ａ、２８１ａ　ゲートパッド
８１ｂ、９１ｂ、１１１ｂ、１８１ｂ、２８１ｂ　ゲート電極
８１ｃ、９１ｃ、１１１ｃ、１８１ｃ、２８１ｃ　ストレージ下部電極
８２、９２、１１２、１８２、２８２　　ゲート絶縁膜
８３、９３、１１３、１８３ａ、２８３　アクティブ層
８３ａ、９３ａ、１１３ａ、１８３ａ、２８３ａ　オーミックコンタクト層
８４、９４、１１４、１８４、２８４　データ配線
８４ａ、９４ａ、１１４ａ、１８４ａ、２８４ａ　ソースパッド
８４ｂ、９４ｂ、１１４ｂ、１８４ｂ、２８４ｂ　ソース電極
８４ｃ、９４ｃ、１１４ｃ、１８４ｃ、２８４ｃ　ドレイン電極
８４ｄ、９４ｄ、１１４ｄ、１８４ｄ、２８４ｄ　ストレージ上部電極
８５、９５、１１５、１８５、２８７　透過電極
８６、９６、１８６、２８８　保護膜
８７、９７、１１７、１８９　第２透過ホール
８８ａ、９８ａ、１１８ａ、１８８ａ、２８６ａ　第１コンタクトホール
８９ａ、９９ａ、１１９ａ、１８９ａ、２９１ａ　反射電極
８９ｂ、９９ｂ、１１９ｂ、１８９ｂ、２９１ｂ　ゲートパッド端子
８９ｃ、９９ｃ、１１９ｃ、１８９ｃ、２９１ｃ　ソースパッド端子
１１６ａ、１１６ｂ、第１、第２保護膜
１８３　半導体パターン
２９０ｂ　第３コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２７Ｃ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２８Ｃ】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３１Ｃ】
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【図３２Ａ】
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【図３２Ｂ】
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【図３２Ｃ】
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