(57)【要約】【課題】ペルチェ素子への電力供給用電源を外部に設けることを不要とすることにより、装置の小型化を可能にしたままで回路構成の簡単化を図り、更に冷却能力の向上を図ること。【解決手段】インバータ装置の運転が行われると、半導体チップ４のスイッチング素子がスイッチング動作を行うため半導体チップ４のチップ面温度が急上昇する。このとき、ゼーベック素子６における下端面の温度Ｔ１と上端面の温度Ｔ０との間の温度差により熱起電力がゼーベック素子６に発生する。この熱起電力は、点線矢印で示すように、各ペルチェ素子５に対して供給される。すると、ペルチェ素子５の下端側では発熱作用が行われ、上端側では吸熱作用が行われる。このときの吸熱作用により半導体チップ４に対する冷却が行われる。【選択図】　図１
2004056054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に取り付けられた半導体チップと、
ペルチェ効果発生のための起電力の供給を受け、前記半導体チップに形成されたスイッチング素子を冷却するペルチェ素子と、
を備えた半導体スイッチ装置において、
前記ペルチェ素子に対し前記ペルチェ効果の発生のための起電力を供給するゼーベック素子を備えた、
ことを特徴とする半導体スイッチ装置。
【請求項２】
前記ゼーベック素子は、１つのＮ形半導体部と、このＮ形半導体部の両端面に各一方の端面が接続された２つのＰ形半導体部とから成り、この２つのＰ形半導体部の各他方の端面間に発生する起電力を前記ペルチェ素子に供給するものである、
ことを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチ装置。
【請求項３】
前記ゼーベック素子は、一方の端部が前記半導体チップの外面上に取り付けられ、この一方の端部と前記半導体チップの外面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものである、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体スイッチ装置。
【請求項４】
前記ペルチェ素子は、前記半導体チップの内部に形成された溝部に配設されたものである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体スイッチ装置。
【請求項５】
前記ペルチェ素子は、前記半導体チップと当接する前記絶縁基板の当接面上に形成された溝部に配設されたものである、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体スイッチ装置。
【請求項６】
前記ゼーベック素子及び前記ペルチェ素子は、前記半導体チップと当接する前記絶縁基板の当接面上に形成された溝部に配設されたものであり、
更に、前記ゼーベック素子は、一方の端部が前記半導体チップの絶縁基板に対する当接面に当接し、この一方の端部とこの当接面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものである、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体スイッチ装置。
【請求項７】
前記ペルチェ素子は、前記半導体チップと当接する前記絶縁基板の当接面上に形成された溝部に配設されたものと、前記半導体チップの外面上に配設されたものとの双方を含んでいる、
ことを特徴とする請求項３記載の半導体スイッチ装置。
【請求項８】
前記ゼーベック素子は、一方の端部が前記半導体チップの外面上に取り付けられ、この一方の端部と前記半導体チップの外面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものと、一方の端部が前記半導体チップの絶縁基板に対する当接面に当接し、この一方の端部とこの当接面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものとの双方を含んでいる、
ことを特徴とする請求項７記載の半導体スイッチ装置。
【請求項９】
前記半導体チップの外面上に配設された前記ゼーベック素子及び前記ペルチェ素子に、大気に露出する突出部が形成された放熱板を取り付けた、
ことを特徴とする請求項７又は８記載の半導体スイッチ装置。
【請求項１０】
前記半導体チップ、及びこの半導体チップから突出する前記放熱板の突出部に対して冷却風を送出する冷却ファンを備えた、
ことを特徴とする請求項９記載の半導体スイッチ装置。
【請求項１１】
前記半導体チップの温度を検出可能な個所に取り付けられ、検出温度に対応する検出電圧を出力するチップ温度検出用ゼーベック素子と、
前記絶縁基板又は前記絶縁基板と接触する部材に取り付けられ、検出温度に対応する検出電圧を出力する温度検出器と、
前記チップ温度検出用ゼーベック素子からの検出電圧と、前記温度検出器からの検出電圧とを入力し、これら検出電圧の合計値が予め設定された異常判別値を超えた場合に異常警報信号を出力する異常温度監視手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体スイッチ装置。
【請求項１２】
前記半導体チップの外面上には、この半導体チップのスイッチング素子をボンディングワイヤを介して他の外部回路に接続するための接続部が形成されており、しかも、この接続部が形成された位置はこの外面上に取り付けられた複数の前記ゼーベック素子の位置を基準としている、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体スイッチ装置。
【請求項１３】
前記ボンディングワイヤに代えて基板パターンを用いた、
ことを特徴とする請求項１２記載の半導体スイッチ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップに形成されたスイッチング素子に対してペルチェ素子を用いた電子冷却を行う半導体スイッチ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
インバータ装置は、エレベータ、鉄道車両、圧延等の各分野においてモータ制御用の電力変換装置として用いられ、更に無停電電源装置（ＵＰＳ）においても広汎に用いられている。このインバータ装置は、今後も需要が大幅に伸びることが予想され、各インバータメーカは自他製品の差別化のための技術開発に鎬を削っている。現在のインバータ装置の技術開発の主な焦点は、静音化、小型化等による性能向上であるが、そのためにはインバータ装置に用いられている半導体スイッチ装置の冷却効率をいかに増大させるかが問題となる。そのため、本願の発明者は、半導体スイッチ装置内の半導体チップの冷却手段としてペルチェ素子を用いて電子冷却を行う構成を、特願平１１−１５２３０５号、及び特願２００１−９０４１１号においてこれまで提案してきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の従来技術の構成では、ペルチェ素子に電力供給を行うための電源を半導体スイッチ装置の外部に設けなければならず、スイッチング素子のスイッチング損失ばかりかペルチェ素子の損失についても考慮しなければならなかった。そして、ペルチェ素子に電力供給を行うタイミングについても、インバータ装置の運転特性や半導体チップの熱抵抗の変化特性等を考慮した制御を行わなければならず、回路構成が複雑にならざるを得なかった。更に、従来の半導体スイッチ装置では、ペルチェ素子の電源を外部に設けなければならないために、装置の小型化を図るためにはペルチェ素子の使用個数をそれほど多くすることができなかった。したがって、半導体チップの片側のみにしかペルチェ素子を配設する構成となってしまい、半導体チップに対する冷却能力の向上という点ではなお改良の余地を有するものであった。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、ペルチェ素子への電力供給用電源を外部に設けることを不要とすることにより、装置の小型化を可能にしたままで回路構成の簡単化を図り、更に冷却能力の向上を図ることが可能な半導体スイッチ装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための手段として、請求項１記載の発明は、絶縁基板上に取り付けられた半導体チップと、ペルチェ効果発生のための起電力の供給を受け、前記半導体チップに形成されたスイッチング素子を冷却するペルチェ素子と、を備えた半導体スイッチ装置において、前記ペルチェ素子に対し前記ペルチェ効果の発生のための起電力を供給するゼーベック素子を備えた、ことを特徴とする。
【０００６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記ゼーベック素子は、１つのＮ形半導体部と、このＮ形半導体部の両端面に各一方の端面が接続された２つのＰ形半導体部とから成り、この２つのＰ形半導体部の各他方の端面間に発生する起電力を前記ペルチェ素子に供給するものである、ことを特徴とする。
【０００７】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の発明において、前記ゼーベック素子は、一方の端部が前記半導体チップの外面上に取り付けられ、この一方の端部と前記半導体チップの外面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものである、ことを特徴とする。
【０００８】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発明において、前記ペルチェ素子は、前記半導体チップの内部に形成された溝部に配設されたものである、ことを特徴とする。
【０００９】
請求項５記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の発明において、前記ペルチェ素子は、前記半導体チップと当接する前記絶縁基板の当接面上に形成された溝部に配設されたものである、ことを特徴とする。
【００１０】
請求項６記載の発明は、請求項１又は２記載の発明において、前記ゼーベック素子及び前記ペルチェ素子は、前記半導体チップと当接する前記絶縁基板の当接面上に形成された溝部に配設されたものであり、更に、前記ゼーベック素子は、一方の端部が前記半導体チップの絶縁基板に対する当接面に当接し、この一方の端部とこの当接面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものである、ことを特徴とする。
【００１１】
請求項７記載の発明は、請求項３記載の発明において、前記ペルチェ素子は、前記半導体チップと当接する前記絶縁基板の当接面上に形成された溝部に配設されたものと、前記半導体チップの外面上に配設されたものとの双方を含んでいる、ことを特徴とする。
【００１２】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の発明において、前記ゼーベック素子は、一方の端部が前記半導体チップの外面上に取り付けられ、この一方の端部と前記半導体チップの外面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものと、一方の端部が前記半導体チップの絶縁基板に対する当接面に当接し、この一方の端部とこの当接面から離間する方向に位置する所定部分との間に生じる温度差に基づき前記起電力を発生させるものとの双方を含んでいる、ことを特徴とする。
【００１３】
請求項９記載の発明は、請求項７又は８記載の発明において、前記半導体チップの外面上に配設された前記ゼーベック素子及び前記ペルチェ素子に、大気に露出する突出部が形成された放熱板を取り付けた、ことを特徴とする。
【００１４】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の発明において、前記半導体チップ、及びこの半導体チップから突出する前記放熱板の突出部に対して冷却風を送出する冷却ファンを備えた、ことを特徴とする。
【００１５】
請求項１１記載の発明は、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発明において、前記半導体チップの温度を検出可能な個所に取り付けられ、検出温度に対応する検出電圧を出力するチップ温度検出用ゼーベック素子と、前記絶縁基板又は前記絶縁基板と接触する部材に取り付けられ、検出温度に対応する検出電圧を出力する温度検出器と、前記チップ温度検出用ゼーベック素子からの検出電圧と、前記温度検出器からの検出電圧とを入力し、これら検出電圧の合計値が予め設定された異常判別値を超えた場合に異常警報信号を出力する異常温度監視手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
請求項１２記載の発明は、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発明において、前記半導体チップの外面上には、この半導体チップのスイッチング素子をボンディングワイヤを介して他の外部回路に接続するための接続部が形成されており、しかも、この接続部が形成された位置はこの外面上に取り付けられた複数の前記ゼーベック素子の位置を基準としている、ことを特徴とする。
【００１７】
請求項１３記載の発明は、請求項１２記載の発明において、前記ボンディングワイヤに代えて基板パターンを用いた、ことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ａの構成図である。銅などの熱伝導性の良好な材質により形成されたベース部材２に絶縁基板３が取り付けられ、この絶縁基板３上に半導体チップ４が配設されている。半導体チップ４には、インバータ装置の主回路を構成するスイッチング素子が形成されている。半導体チップ４には、また、絶縁基板３との当接面に溝部４ａが形成されており、この溝部４ａ内にスイッチング素子の冷却を行う複数個のペルチェ素子５が配設されている。そして、半導体チップ４上部の外面上には、ペルチェ素子５と逆の物理現象を発生させるゼーベック素子６が複数個配設されている。半導体チップ４及びゼーベック素子６の周囲はカバー部材７により覆われており、カバー部材７の内側にはゲル状絶縁材８が充填されている。
【００１９】
ゼーベック素子６は、ペルチェ素子５に対してペルチェ効果を発生させるために必要な起電力をゼーベック効果により発生させて供給するものであり、各ゼーベック素子６から各ペルチェ素子５に向かう点線矢印は、このような起電力の供給を行うことを示している。このゼーベック素子６がペルチェ素子５に対して起電力を供給できる理由は、ゼーベック素子６の上端側の温度Ｔ０と、下端側の温度Ｔ１との差が非常に大きくなることである。つまり、半導体チップ４のスイッチング素子がスイッチング動作を行うと半導体チップ４の温度は急激に上昇するので、半導体チップ４の外面に接触しているゼーベック素子６の下端側の温度Ｔ１は非常に高くなる。このとき、下端側に比べて半導体チップ４の外面から遠く離れているゼーベック素子６の上端側の温度Ｔ０はそれほど上昇することはない。したがって、Ｔ１≫Ｔ０となりゼーベック効果が発生するので、各ゼーベック素子６は各ペルチェ素子５に対して充分な起電力を供給することが可能になる。
【００２０】
図２は、このゼーベック効果により発生する熱起電力Ｖの求め方を説明するためのゼーベック素子６の概念的な構成図である。この図に示すように、ゼーベック素子６は、１つのＮ形半導体部６１と、その両端面に一方の端面が接続された２つのＰ形半導体部６２，６３とから構成されている。Ｎ形半導体部６１の材料としては、例えばビスマス・テルルが、また、Ｐ形半導体部６２，６３の材料としては、例えばビスマス・アンチモンが一般的に知られている。
【００２１】
図２に示すように、Ｎ形半導体部６１とＰ形半導体部６２，６３との各接続部をＡ１，Ａ２、Ｐ形半導体部６２，６３の端面をＡ０としたとき、接続部Ａ１，Ａ２における温度がＴ１，Ｔ２、端面Ａ０における温度がＴ０であるとすると、熱起電力Ｖは下式（１）により求めることができる。但し、（１）式において、ΔＥＮはＮ形半導体部６１の両端間の電位差、ΔＥＰはＰ形半導体部６２，６３の両端間の電位差を示し、各積分区間の始点及び終点を便宜上Ａ１，Ａ２，Ａ０等を用いて表すことにする。また、αＮ，αＰはそれぞれＮ形半導体部６１、及びＰ形半導体部６２，６３の絶対ゼーベック係数、αＮＰは相対ゼーベック係数である。
【００２２】
【数１】
2004056054.tif 000003
【００２３】
図３は、ペルチェ素子５に対するゼーベック素子６の接続の仕方を示す説明図である。この図では、２つのゼーベック素子６が直列接続され、ペルチェ素子５に対して起電力２Ｖが印加される場合を示しているが、接続数を増やすことにより更に大きな起電力を得ることが可能である。なお、図３において、Ｎ形半導体部６１とＰ形半導体部６２とを結ぶ接続部Ａ１は金属板により形成されており、この接続部Ａ１が絶縁材６４を介して半導体チップ４に取り付けられている。
【００２４】
図４は、図２又は図３に示した接続部Ａ１，Ａ２及び端面Ａ０における各温度変化についての特性図である。この図に示すように、時間の経過と共に、接続部Ａ１（ゼーベック素子の「一方の端部」）と接続部Ａ２（ゼーベック素子の「所定部分」）との温度差が大きくなり、ゼーベック素子６がペルチェ素子５に対して充分な起電力を供給することが可能になる。
【００２５】
次に、上記の第１の実施形態の動作につき説明する。インバータ装置の運転が行われると、半導体チップ４のスイッチング素子がスイッチング動作を行うため半導体チップ４のチップ面温度が急上昇する。これにより、ゼーベック素子６におけるＡ１，Ａ２，Ａ０の各個所の温度は図４に示した特性図に従って上昇するが、各個所の温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ０はＴ１＞Ｔ２＞Ｔ０の関係にあり、このときの温度差により前記（１）式で示した熱起電力Ｖがゼーベック素子６に発生する。
【００２６】
各ゼーベック素子６に発生したこの熱起電力は、図１の点線矢印で示すように、各ペルチェ素子５に対して供給される。ペルチェ素子５にゼーベック素子６からの起電力が供給されると、ペルチェ素子５の下端側（絶縁基板３に接する側）では発熱作用が行われ、上端側では吸熱作用が行われる。このときの吸熱作用によりペルチェ素子５の半導体チップ４に対する冷却が行われる。そして、複数個のペルチェ素子５は半導体チップ４の断面積に対して均等に配列されており、半導体チップ４に対して均一な冷却を行うことができるようになっている。また、ペルチェ素子５の下端側（絶縁基板３に接する側）は前記の発熱作用により高温になるが、この熱は絶縁基板３とベース部材２（銅などの熱伝導性の良い材料で形成されている）を介して外部に放熱され、更に、ペルチェ素子５が配設されていない半導体チップ４の個所では従来と同様に絶縁基板３及びベース部材２を介して均一な放熱が行われる。
【００２７】
このように、図１の構成では、ペルチェ素子５を用いて半導体チップ４に対して電子冷却を行う場合に、半導体チップ４の温度上昇時の温度差を利用して起電力をペルチェ素子５に供給可能なゼーベック素子６を備えているので、従来のようにペルチェ素子５に起電力を供給するための外部電源を不要とすることができ、回路構成を簡単化でき、したがって装置の小型化を図ることができる。
【００２８】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｂの構成図である。図１の半導体スイッチ装置１Ａでは、ペルチェ素子５が半導体チップ４に形成された溝部４ａ内に配設されていたが、この実施形態ではペルチェ素子５が絶縁基板３に形成された溝部３ａ内に配設されている。このような構成によっても、第１の実施形態と同様に半導体チップ４に対して充分な電子冷却を行うことが可能である。そして、本実施形態によれば、半導体スイッチ装置としての性能を決定する半導体チップ４について仕様を変更する必要がなく、従来装置のものをそのまま使用することが可能である。
【００２９】
図６は、本発明の第３の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｃの構成図である。図５の半導体スイッチ装置１Ｂでは、ペルチェ素子５を絶縁基板３の溝部３ａ内に配設して、半導体チップ４の仕様を変更する必要がないようにしていたが、ゼーベック素子６の取付個所については図１の構成と同様に半導体チップ４の外面上であった。これに対し、この実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｃでは、ゼーベック素子６についても絶縁基板３の溝部３ａ内に配設する構成としている。したがって、本実施形態の構成を採用した場合は、絶縁基板のみを変更するだけで、その他の部材は全て従来装置と同じものをそのまま使用することができる。つまり、本実施形態は、既存の半導体スイッチ装置に本発明の主要な技術を適用する場合に有利な構成となっている。なお、本実施形態では、ゼーベック素子６の上端側温度をＴ４、下端側温度をＴ３とすると、Ｔ４≫Ｔ３となる。
【００３０】
図７は、本発明の第４の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｄの構成図である。図５の半導体スイッチ装置１Ｂでは、絶縁基板３の溝部３ａ内に配設されたペルチェ素子５のみによって半導体チップ４に対する冷却を行っていたが、この実施形態では、絶縁基板３の溝部３ａ内に配設されたペルチェ素子５Ａと、半導体チップ４の外面上に配設されたペルチェ素子５Ｂとの双方のペルチェ素子によって半導体チップ４に対する冷却を行っている。つまり、本実施形態では、半導体チップ４の上側及び下側の双方にペルチェ素子を配設しているので、より強力な電子冷却を行うことが可能になっている。
【００３１】
図８は、本発明の第５の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｅの構成図である。図７の半導体スイッチ装置１Ｄでは、半導体チップ４の外面上に配設されたゼーベック素子６が双方のペルチェ素子５Ａ，５Ｂに対して起電力の供給を行っているので、ともすればゼーベック素子６の負荷が大きくなる。これに対し、この実施形態では、半導体チップ４の外面上に配設されたペルチェ素子５Ｂに隣接してゼーベック素子６Ａを配設すると共に、絶縁基板３の溝部３ａ内に配設されたペルチェ素子５Ａに隣接してゼーベック素子６Ｂを配設している。したがって、図７の構成に比べて各ゼーベック素子の負荷を小さくすることができ、それだけ充分余裕を持った状態で強力な電子冷却を安定して行うことが可能である。
【００３２】
図９は、本発明の第６の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｆの構成図である。この構成が図７の半導体スイッチ装置１Ｄと異なる点は、熱伝導性の良好な材料で形成された放熱板９がゼーベック素子６及びペルチェ素子５Ｂの上端面に接触する状態で配設され、折曲形成された突出部９ａがカバー部材７から突出して大気中に露出している点である。このような構成により、冷却効果をより高めることができるようになる。
【００３３】
すなわち、ゼーベック素子６については、半導体チップ４に接触して温度上昇が大きくなる下端面と反対側の上端面に放熱板９を接触させることにより上端面側の熱を突出部９ａから大気中に逃がすことができるので、下端面側と上端面側との温度差を大きくすることができ、ゼーベック効果を促進することができる。また、ペルチェ素子５Ｂについては、上端面側はペルチェ効果によって発熱側となるが、この上端面に放熱板９を接触させることにより上端面側の放熱が活発に行われ、冷却効率を高めることができる。
【００３４】
図１０は、本発明の第７の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｇの構成図である（なお、図９は正面図であるが図１０は側面図である）。図１０が図９と異なる点は、冷却フィン１０及び冷却ファン１１が設けられている点である。このような、冷却フィン１０及び冷却ファン１１を有する半導体スイッチ装置はもちろん従来から存在したが、従来は２点鎖線で示したようなダクトを設けて冷却ファン１１からの冷却風をカバー部材７へ確実に当てる必要があった。しかし、この実施形態では放熱板９が設けられているので、この放熱板９に対して冷却風を当てることにより冷却効果を高めることができるので、従来設けていたダクトを省略することができ、より簡単な構造とすることができる。
【００３５】
図１１は、本発明の第８の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｈの構成図である。図１１が図１と異なる点は、半導体チップ４の外面上に通常のゼーベック素子６の他にチップ温度検出用ゼーベック素子６Ｚが配設されると共に、絶縁基板３上に温度検出器であるサーミスタ１２が配設され、異常温度監視手段１３がこれらの検出電圧の入力に基づき、異常警報信号を異常警報信号出力端子１４に出力するようになっている点である。
【００３６】
図１２は、この実施形態における異常温度監視手段１３の動作を説明するためのタイムチャートである。すなわち、半導体チップ４のスイッチング素子がスイッチング動作を行うと半導体チップ４の表面温度は正弦波状に変化し、チップ温度検出用ゼーベック素子６Ｚはこのときの変化を図１２に示すような検出電圧として異常温度監視手段１３に出力する。また、サーミスタ１２も絶縁基板３上のほぼ一定の温度を検出電圧として異常温度監視手段１３に出力する。異常温度監視手段１３には予め異常判別値のレベルが設定されており、チップ温度検出用ゼーベック素子６Ｚ及びサーミスタ１２の各検出電圧の合計値がこの異常判別値以下であれば、異常温度監視手段１３は許容範囲と見なし、異常警報信号出力端子１４からの出力信号を「０」信号とする。しかし、この合計値が異常判別値を僅かでも超えたときには異常と見なし、直ちに異常警報信号を異常警報信号出力端子１４に出力する。これにより、インバータ装置の運転は直ちに停止され、半導体チップ４のスイッチング素子の破損を未然に防ぐことができる。
【００３７】
なお、本実施形態では、ペルチェ素子５に対して起電力の供給を行う通常のゼーベック素子６の他に、起電力の供給を行わないチップ温度検出用ゼーベック素子６Ｚを設けているが、これは通常のゼーベック素子６の検出電圧は起電力供給時の負荷変動によりチップ温度を正確に反映しない虞があるからである。しかし、このような負荷変動を考慮して異常温度監視手段１３側に補正機能を具備することにより、いずれかの通常のゼーベック素子６の検出電圧を用いることとし、わざわざチップ温度検出専用のゼーベック素子６Ｚを設ける構成を回避することも可能である。
【００３８】
図１３は、本発明の第９の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｊの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。この実施形態は、半導体チップ４の外面上に複数のゼーベック素子６を取り付けたことにより、配線作業の容易化が可能になることをしめしたものである。すなわち、半導体スイッチ装置１Ｊにはダイオードチップ１５などの外部回路がボンディングワイヤ１６を介して接続されるが、その接続部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃの位置を各ゼーベック素子６の位置を基準にして決定することができる。従来は、半導体チップ４の外面上には何も取り付けられていなかったため、ともすれば配線を間違えたり、接続位置の誤差が大きくなって充分な絶縁距離を確保しにくくなったり、あるいは配線の間違いを生じにくくするためにボンディングワイヤ１６の長さを余分に必要とするような場所に接続位置を決定しなければならないことがあった。しかし、この実施形態では、冷却機能のために取り付けたゼーベック素子６を配線作業を行う際の目印としても活用することにより、正確な配線作業、絶縁距離の確実な確保、配線材の歩留まり向上等を図ることが可能になる。
【００３９】
図１４は、本発明の第１０の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｋの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。図１４が図１３と異なる点は、ボンディングワイヤ１６の代わりに基板パターン１８を用い、接続部１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃがスルーホール１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃとなっている点である。この実施形態においても、上記した第９の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
なお、既述した各実施形態の半導体スイッチ装置１Ａ〜１Ｋの構成は、いずれもインバータ装置に使用されるものを想定しているが、本発明の半導体スイッチ装置の適用はこのようなものに限定されるわけではなく、例えば、マイコン制御用のＩＣチップなど電子冷却が有効と考えられる回路に対して広く適用可能なものである。
【００４１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、ペルチェ素子に対しペルチェ効果の発生のための起電力を供給するゼーベック素子を備えた構成としたので、ペルチェ素子への電力供給用電源を外部に設けることが不要となり、装置の小型化を可能にしたままで回路構成の簡単化を図り、更に冷却能力の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ａの構成図。
【図２】図１におけるゼーベック素子６について、ゼーベック効果により発生する熱起電力Ｖの求め方を説明するための概念的な構成図。
【図３】図１におけるペルチェ素子５に対するゼーベック素子６の接続の仕方を示す説明図。
【図４】図２又は図３に示した接続部Ａ１，Ａ２及び端面Ａ０における各温度変化についての特性図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｂの構成図。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｃの構成図。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｄの構成図。
【図８】本発明の第５の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｅの構成図。
【図９】本発明の第６の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｆの構成図。
【図１０】本発明の第７の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｇの構成図。
【図１１】本発明の第８の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｈの構成図。
【図１２】図１１における異常温度監視手段１３の動作を説明するためのタイムチャート。
【図１３】本発明の第９の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｊの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図。
【図１４】本発明の第１０の実施形態に係る半導体スイッチ装置１Ｋの構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図。
【符号の説明】
１Ａ〜１Ｋ　半導体スイッチ装置
２　ベース部材
３　絶縁基板
３ａ　溝部
４　半導体チップ
４ａ　溝部
５，５Ａ，５Ｂ　ペルチェ素子
６，６Ａ，６Ｂ　ゼーベック素子
６Ｚ　チップ温度検出用ゼーベック素子
６１　Ｎ形半導体部
６２，６３　Ｐ形半導体部
６４　絶縁材
Ａ０　端面
Ａ１，Ａ２　接続部
Ｔ１〜Ｔ４　温度
７　カバー部材
８　ゲル状絶縁材
９　放熱板
９ａ　突出部
１０　冷却フィン
１１　冷却ファン
１２　サーミスタ（温度検出器）
１３　異常温度監視手段
１４　異常警報信号出力端子
１５　ダイオードチップ
１６　ボンディングワイヤ
１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ　接続部
１８　基板パターン
１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ　スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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