(57)【要約】【課題】低いアドレス放電開始電圧でアドレス放電を発生させることが出来るプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】前面基板１と背面基板４の間の蛍光体層７が形成されているとともに放電ガスが封入された放電セルＣ内で、表示電極ＸとＹ間における表示放電と表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間におけるアドレス放電を発生させるプラズマディスプレイパネルにおいて、放電セルＣ内の表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間に位置する部分に、ダイヤモンドを含有する絶縁材料によってダイヤモンド含有層１７Ａが形成されている。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
二枚の基板の間の蛍光体層が形成されているとともに放電ガスが封入された放電セル内で、対になった表示電極間における表示放電とこの対になった表示電極のうちの一方の表示電極とアドレス電極との間におけるアドレス放電を発生させるプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電セル内の一方の表示電極とアドレス電極との間でアドレス放電が発生される部分に、ダイヤモンドを含有する絶縁材料によってダイヤモンド含有層が形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記ダイヤモンド含有層を形成する絶縁材料が、蛍光体層を形成する蛍光材料と同じ色の蛍光材料である請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記ダイヤモンド含有層を形成する絶縁材料が、蛍光体層を形成する蛍光材料とは異なる他の絶縁材料である請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記ダイヤモンド含有層に含有されるダイヤモンドが粉末である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記ダイヤモンド粉末の径が、０．１〜３μｍである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記ダイヤモンドが水素終端されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記ダイヤモンドが、水素中アニールまたは水中プラズマ中アニールの方法によって水素終端されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記ダイヤモンドは、高圧合成または爆縮合成されたものである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記ダイヤモンド粒子が不純物を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記不純物が、リンまたは窒素，ボロンである請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記放電ガスが水素ガスを含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記放電ガス中の水素ガスの濃度が４パーセント以下である請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記ダイヤモンド含有層が、ＣＶＤ法によって形成されるダイヤモンドを含む請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記ダイヤモンド含有層が、スクリーン印刷またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート方法によって形成される請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記アドレス電極が陰極側に設定されてアドレス放電が行われる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記二枚の基板の一方の基板側に対になった表示電極が形成され、他方の基板側にアドレス電極が形成され、蛍光体層のアドレス電極に対向する部分にダイヤモンド含有層が形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記ダイヤモンド含有層が、蛍光体層のアドレス電極に対向する中央位置に形成されている請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記ダイヤモンド含有層が、蛍光体層の表面の全面に形成されている請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記ダイヤモンド含有層が、蛍光体層の表面のアドレス電極に対向する中央部分に形成されている請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記蛍光体層と他方の基板との間の全面にダイヤモンド含有層が形成されている請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記蛍光体層の中央部分と他方の基板との間にダイヤモンド含有層が形成されている請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記蛍光体層が、蛍光材料にダイヤモンドが含有されたダイヤモンド含有層によって構成されている請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
前記放電セルが、蛍光体層が形成されて対になった表示電極間で表示放電が行われる表示放電セルと、対になった表示電極の一方の表示電極とアドレス電極との間でアドレス放電が行われるアドレス放電セルに区画され、ダイヤモンド含有層がこのアドレス放電セル内に形成されている請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２４】
前記アドレス放電セル内において、アドレス電極が、他方の基板上に形成された突起部によって一方の基板側に形成された表示電極に接近する方向に持ち上げられ、ダイヤモンド含有層が、この突起部によって持ち上げられたアドレス電極を覆う位置に形成されている請求項２３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２５】
前記アドレス放電セル内において、他方の基板上のアドレス電極を覆う位置に強誘電体層が形成され、ダイヤモンド含有層が、この強誘電体層上に形成されている請求項２３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２６】
前記二枚の基板の一方の基板側に対になった表示電極の一方の表示電極が形成され、他方の基板側に対になった表示電極の他方の表示電極とアドレス電極が形成され、ダイヤモンド含有層がこのアドレス電極を覆う位置に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２７】
前記ダイヤモンド含有層が、他方の基板の放電セルに面する部分の一部に形成されている請求項２６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２８】
前記ダイヤモンド含有層が、他方の基板の放電セルに面する部分の全面に形成されている請求項２６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２９】
前記二枚の基板のうちパネルの背面側に位置する基板側に、対になった表示電極とこの表示電極に対して放電セル側に位置されるアドレス電極が形成され、ダイヤモンド含有層が、放電セル内においてこのアドレス電極を覆う位置に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３０】
前記二枚の基板のうちパネルの表示面側に位置する基板側に、対になった表示電極とこの表示電極に対して放電セル側に位置されるアドレス電極が形成され、ダイヤモンド含有層が放電セル内においてこのアドレス電極を覆う位置に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマディスプレイパネルのパネル構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大型で且つ薄型のカラー画面表示装置としてプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）が普及して来ている。
【０００３】
このＰＤＰには、大別して、放電空間を挟んで対向する二枚の基板のうち一方の基板に表示電極対が形成され他方の基板にアドレス電極と蛍光体層が形成される反射型面放電方式と、二枚の基板のうち一方の基板に表示電極対のうちの一方の表示電極が形成され他方の基板に他方の表示電極とアドレス電極が形成される対向放電方式と、二枚の基板のうち一方の基板に表示電極対とアドレス電極が形成される方式とがある。
【０００４】
図１は、上記のような放電方式のうち反射型面放電方式の従来のＰＤＰの構成を示す正面図であり、図２は、図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【０００５】
この図１および２において、前面基板１の背面側にそれぞれ表示ラインＬを構成する複数の表示電極対（Ｘ，Ｙ）が配列されて、誘電体層２により被覆されており、さらに、この誘電体層２の背面側がＭｇＯからなる保護層３によって被覆されている。
【０００６】
各表示電極ＸとＹは、それぞれ、対ごとに放電ギャップｇを挟んで対向されるＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａ，Ｙａと、等間隔に並設された透明電極Ｘａ，Ｙａにそれぞれ接続されてその導電性を補う金属膜からなるバス電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されている。
【０００７】
背面基板４の表示面側には、表示電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に延びる複数のアドレス電極Ｄが並列され、このアドレス電極Ｄがアドレス電極保護層５によって被覆されている。
【０００８】
そして、このアドレス電極保護層５上に、行方向（図１の左右方向）に延びる横壁６Ａと列方向（図１の上下方向）に延びる縦壁６Ｂとによって格子状の隔壁６が形成されていて、対になった透明電極Ｘａ，Ｙａとこれに対向するアドレス電極Ｄとの間の放電空間を、放電セルＣ毎に区画している。
【０００９】
そして、各放電セルＣ内において隔壁６の側面とアドレス電極保護層５とを覆うように、蛍光体層７が、それぞれ赤,緑,青の三原色に順に色分けされて形成されている。
【００１０】
上記のように構成された前面基板１と背面基板４は、放電空間を介して互いに平行に対向され、この前面基板１と背面基板４との間の放電空間内に、ネオンとキセノン等を混合した放電ガス（Ｘｅ−Ｎｅ系ガス）が封入される。
【００１１】
このＰＤＰにおける画像形成は、先ず、発光を行う放電セル（発光セル）を選択するためのアドレス放電がアドレス電極Ｄと表示電極Ｙとの間で選択的に行われ、次に、表示電極ＸとＹに交互に印加される放電維持パルスによって、この表示電極ＸとＹの間で発光セル内において表示放電が発生されることにより行われる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成のＰＤＰにおいて、各放電セルＣにおける表示放電の発光効率を高めて画面の輝度を高めるための方法としては、隔壁６の高さを高くしてこの隔壁６の側面に形成された蛍光体層７の反射面の面積を増加させたり、または、放電セルＣ内に封入される放電ガスに含まれるキセノン・ガスの割合を多くしたり、表示電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２の膜厚を大きくする等の方法がある。
【００１３】
しかしながら、放電セルＣ内における表示放電の発光効率を向上させるために、単に隔壁の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくする場合には、アドレス放電が放電空間を介してアドレス電極Ｄと表示電極Ｙの間で行われるために、そのままでは、アドレス電極Ｄに印加されるデータパルスの電圧や表示電極Ｙに印加される走査パルスＳＰの電圧のマージンが減少してしまうことになる。
【００１４】
このため、このデータパルスや走査パルスの電圧を大きくしてアドレス放電の開始電圧を高く設定する必要が生じるが、これによって、アドレス電極にデータパルスを出力するアドレスドライバＩＣや表示電極Ｙに走査パルスを出力するスキャンドライバＩＣの耐高電圧化が必要になり、製品コストの増大を招いてしまうとともにＰＤＰの省電力化の障害になってしまう等の新たな問題が発生する。
【００１５】
さらに、ＰＤＰには、一般に、輝度階調数を増加させることにより、入力されてくる映像信号に対応した中間調の輝度表示を可能にするサブフィールド法と呼ばれる駆動方式が採用されている。
【００１６】
このサブフィールド法においては、表現される輝度の階調教が１フレームにおけるサブフィールドの数が多いほど増加するので、高品位な画像を形成するためにはサブフィールドの数を増やすことが必要となるが、この場合、１フレームの表示時間があらかじめ決められているために、サブフィールド毎の発光時間が短くなって画面の輝度が低下してしまうので、表示放電毎の発光効率を上げることが必要になってくる。
【００１７】
このために、サブフィールド法によって駆動されるＰＤＰにおいては、特に、上記のような問題がクローズアップされてくる。
この発明が解決しようとする課題としては、上述したような問題が一例として挙げられる。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明（請求項１に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルは、二枚の基板の間の蛍光体層が形成されているとともに放電ガスが封入された放電セル内で、対になった表示電極間における表示放電とこの対になった表示電極のうちの一方の表示電極とアドレス電極との間におけるアドレス放電を発生させるプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電セル内の一方の表示電極とアドレス電極との間でアドレス放電が発生される部分に、ダイヤモンドを含有する絶縁材料によってダイヤモンド含有層が形成されていることを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の最も好適と思われる実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明を行う。
【００２０】
図３は、この発明によるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の実施形態における第１の例を示す断面図である。
【００２１】
この例におけるＰＤＰは、前述した図１および２のＰＤＰと同様の反射型面放電方式ＰＤＰであって、前面基板１の背面側に複数の表示電極対（Ｘ，Ｙ）が配列されて、誘電体層２により被覆されており、さらに、この誘電体層２の背面側がＭｇＯからなる保護層３によって被覆されている。
【００２２】
各表示電極ＸとＹは、それぞれ、幅の広いＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａ，Ｙａと、その導電性を補う幅の狭い金属膜からなるバス電極Ｘｂ，Ｙｂとから構成されていて、透明電極ＸａとＹａが放電ギャップｇを挟んで互いに対向するように配置されている。
【００２３】
背面基板４の表示面側には、表示電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に延びるアドレス電極Ｄが配列され、このアドレス電極Ｄがアドレス電極保護層５によって被覆されている。
【００２４】
そして、表示電極対（Ｘ，Ｙ）とアドレス電極Ｄが交差する部分の放電空間に、隔壁６によって区画された放電セルＣが形成されており、この放電セルＣ内に、ネオンとキセノン等を混合した放電ガス（Ｘｅ−Ｎｅ系ガス）が封入されている。
【００２５】
以上の構成は図２の構成と同様であり、同一の符号が付されている。
【００２６】
この第１の例のＰＤＰは、放電セルＣ内において、アドレス電極保護層５の表面と隔壁６の側面に形成された蛍光体層１７のアドレス電極保護層５上の中央部に位置する部分が、ダイヤモンド含有層１７Ａとなっている。
【００２７】
このダイヤモンド含有層１７Ａは、蛍光体層１７を形成する赤または緑，青の蛍光材料にダイヤモンド粉末を含有させたもので、蛍光材料のみによって形成された他の部分１７Ｂと一体的に蛍光体層１７を構成している。
【００２８】
このダイヤモンド含有層１７Ａは、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【００２９】
このダイヤモンド含有層１７Ａに含有されているダイヤモンド粉末の粒径は、数ミクロン以下（例えば０．１〜３μｍ）のものが好適であり、高圧合成または爆縮合成の何れのものでもよい。
また、このダイヤモンド粉末は、リン（Ｐ）や窒素（Ｎ），ボロン（Ｂ）等の不純物を含み、その結果として透明でなくても良い。
【００３０】
さらに、このダイヤモンド含有層１７Ａは、他の粉末やＭｇＯガラスペーストとともに形成するようにしても良い。
【００３１】
このダイヤモンド含有層１７Ａに含まれるダイヤモンド粉末は、その表面が水素終端されていることが好ましく、その水素化法には、水素中アニールや水素プラズマ中アニール等の方法が用いられる。
【００３２】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、蛍光体層１７のダイヤモンド含有層１７Ａが形成されている部分を挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層１７Ａに含有されるダイヤモンド粉末によって、蛍光体層１７は蛍光材料のみによって形成されている場合よりもアドレス放電開始電圧が低下する。
【００３３】
すなわち、アドレス放電開始電圧は二次電子放出係数γに依存するため、ダイヤモンド含有層１７Ａ内に含有されているダイヤモンド粉末によって、放電ガス中のＸｅイオンからの二次電子放出が増大され、これによって、アドレス放電開始電圧が低下する。
【００３４】
従って、放電セルＣ内における表示放電の発光効率を向上させるために、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、ダイヤモンド含有層１７Ａを形成することによって、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【００３５】
また、このダイヤモンド含有層１７Ａに含まれるダイヤモンド粉末の表面が水素終端されている場合には、このダイヤモンド粉末が負性電子親和力を持つので、Ｘｅイオンからの二次電子放出がさらに増大され、これによって、アドレス放電開始電圧がさらに低下する。
【００３６】
また、さらに、ダイヤモンド含有層１７Ａに含まれるダイヤモンド粉末の表面が酸素終端されている場合でも、放電ガス中に微量（例えば４パーセント以下）の水素を混合することで、ダイヤモンド粉末の表面を水素化することができ、これによって、Ｘｅイオンからの二次電子放出をさらに増大させて、アドレス放電開始電圧を低下させることが出来る。
【００３７】
ここで、ダイヤモンド含有層１７Ａのダイヤモンド粉末は、光電効果などによって電子を放出し易く、プラスに帯電するので、アドレス電極Ｄの極性が陰極と陽極のどちらの場合であっても、アドレス放電開始電圧を低下させる効果を発揮し、また、光電効果によって電子を供給して、それがプライミング粒子になることによりアドレス放電の開始の遅れを改善するので、アドレス放電期間を短くすることができる。
【００３８】
しかしながら、アドレス電極Ｄの極性は、陰極に設定するほうが、放電ガス中のＸｅイオンからの二次電子放出係数γがより大きくなり、これによって、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来るようになる。
【００３９】
なお、上記においては、ダイヤモンド含有層１７Ａが蛍光体層７の他の部分１７Ｂと同じ蛍光材料にダイヤモンド粉末を含有させることによって形成されている例が示されているが、放電セルＣ内における蛍光体の蛍光面積が十分に確保される場合は、ダイヤモンド含有層１７Ａを他の絶縁材料によって形成するようにしてもよい。
【００４０】
図４は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第２の例を示す断面図である。
【００４１】
この第２の例のＰＤＰは、上述した第１の例のＰＤＰと同じ反射型面放電方式ＰＤＰであって、蛍光体層以外の部分は第１の例のＰＤＰとほぼ同様の構成を有しており、同一の符号が付されている。
【００４２】
この第２の例のＰＤＰは、蛍光体層２７が、アドレス電極保護層５の表面と隔壁６の側面を覆うように赤または緑，青の蛍光材料によって形成された蛍光材料層２７Ｂと、この蛍光材料層２７Ｂの表面を全て覆うように形成されたダイヤモンド含有層２７Ａとによって構成されている。
【００４３】
このダイヤモンド含有層２７Ａは、第１の例のダイヤモンド含有層１７Ａと同様に、蛍光材料層２７Ｂと同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粒子を含有させたもので、ダイヤモンド粉末の粒径，ダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【００４４】
そして、ダイヤモンド含有層２７Ａの形成方法は、ＣＶＤ（化学蒸着）法が好適であるが、この他、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【００４５】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、蛍光体層２７のダイヤモンド含有層２７Ａを挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層２７Ａに含有されるダイヤモンド粒子によって、蛍光体層２７を蛍光材料のみによって形成した場合よりもアドレス放電開始電圧が低下し、これによって、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【００４６】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【００４７】
図５は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第３の例を示す断面図である。
【００４８】
この第３の例のＰＤＰも、前述した第１の例のＰＤＰと同じ反射型面放電方式ＰＤＰであって、蛍光体層以外の部分は第１の例のＰＤＰとほぼ同様の構成を有しており、同一の符号が付されている。
【００４９】
この第３の例のＰＤＰは、蛍光体層３７が、アドレス電極保護層５の表面と隔壁６の側面を覆うように赤または緑，青の蛍光材料によって形成された蛍光材料層３７Ｂと、この蛍光材料層３７Ｂのアドレス電極保護層５に対向する中央部分にこの蛍光材料層３７Ｂの表面の一部を覆うように形成されたダイヤモンド含有層３７Ａとによって構成されている。
【００５０】
このダイヤモンド含有層３７Ａは、第１の例のダイヤモンド含有層１７Ａと同様に、蛍光材料層３７Ｂと同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粒子を含有させたもので、ダイヤモンド粉末の粒径，ダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【００５１】
そして、ダイヤモンド含有層３７Ａの形成方法は、ＣＶＤ（化学蒸着）法が好適であるが、この他、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【００５２】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、蛍光体層３７の蛍光材料層３７Ｂ上に形成されたダイヤモンド含有層３７Ａを挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層３７Ａに含有されるダイヤモンド粉末によって、蛍光体層３７を蛍光材料のみによって形成した場合よりもアドレス放電開始電圧が低下し、これによって、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を行わせることが出来るようになる。
【００５３】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【００５４】
なお、上記においては、蛍光体層３７のダイヤモンド含有層３７Ａが、蛍光材料層３７Ｂと同じ蛍光材料にダイヤモンド粒子を含有させることによって形成されている例が示されているが、放電セルＣ内における蛍光材料層３７Ｂの蛍光面積が十分に確保される場合は、ダイヤモンド含有層１７Ａを他の絶縁材料によって形成するようにしてもよい。
【００５５】
図６は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第４の例を示す断面図である。
【００５６】
この第４の例のＰＤＰも、前述した第１の例のＰＤＰと同じ反射型面放電方式ＰＤＰであって、蛍光体層以外の部分は第１の例のＰＤＰとほぼ同様の構成を有しており、同一の符号が付されている。
【００５７】
この第４の例のＰＤＰは、蛍光体層４７が、アドレス電極保護層５の表面と隔壁６の側面を覆うように形成されたダイヤモンド含有層４７Ａと、このダイヤモンド含有層４７Ａの表面を覆うように赤または緑，青の蛍光材料によって形成された蛍光材料層４７Ｂとによって構成されている。
【００５８】
このダイヤモンド含有層４７Ａは、蛍光材料層４７Ｂと同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粉末を含有させたものであっても良いし、または、他の絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたものであっても良く、ダイヤモンド粉末の粒径，ダイヤモンド含有層の形成方法，ダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【００５９】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、蛍光体層４７のダイヤモンド含有層４７Ａを挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層４７Ａに含有されるダイヤモンド粉末によって、蛍光体層４７を蛍光材料のみによって形成した場合よりもアドレス放電開始電圧が低下し、これによって、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を行わせることが出来るようになる。
【００６０】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【００６１】
図７は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第５の例を示す断面図である。
【００６２】
この第５の例のＰＤＰも、前述した第１の例のＰＤＰと同じ反射型面放電方式ＰＤＰであって、蛍光体層以外の部分は第１の例のＰＤＰとほぼ同様の構成を有しており、同一の符号が付されている。
【００６３】
この第５の例のＰＤＰは、蛍光体層５７が、放電セルＣ内に位置するアドレス電極保護層５の表面のほぼ中央部分にプレート状に形成されたダイヤモンド含有層５７Ａと、このダイヤモンド含有層５７Ａおよびアドレス電極保護層５，隔壁６の側面を覆うように赤または緑，青の蛍光材料によって形成された蛍光材料層５７Ｂとによって構成されている。
【００６４】
このダイヤモンド含有層５７Ａは、蛍光材料層５７Ｂと同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粒子を含有させたものであっても良いし、または、他の絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたものであっても良く、ダイヤモンド粉末の粒径，ダイヤモンド含有層の形成方法，ダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【００６５】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、蛍光体層５７のダイヤモンド含有層５７Ａを挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層５７Ａに含有されるダイヤモンド粉末によって、蛍光体層５７を蛍光材料のみによって形成した場合よりもアドレス放電開始電圧が低下し、これによって、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくする場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を行わせることが出来るようになる。
【００６６】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【００６７】
図８は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第６の例を示す断面図である。
【００６８】
この第６の例のＰＤＰは、前述した第１の例のＰＤＰと同じ反射型面放電方式ＰＤＰであるが、第１の例のＰＤＰが表示放電とアドレス放電を同じ放電セル内において発生させるのに対し、表示放電が行われる表示放電セルＣ１とアドレス放電が行われるアドレス放電セルＣ２が別個に設けられている構成を備えている。
【００６９】
すなわち、対となるように構成された表示放電セルＣ１とアドレス放電セルＣ２の間が、隣接する表示ラインとの間を仕切る第１横壁６６Ａよりも高さが低い第２横壁６６Ｂによって仕切られており、この表示放電セルＣ１とアドレス放電セルＣ２は、第２横壁６６Ｂと保護層３との間に形成された隙間ｒを介して連通されている。
【００７０】
そして、表示放電セルＣ１は、表示電極対（Ｘ１，Ｙ１）の対になった透明電極Ｘａ１，Ｙａ１に対向されており、アドレス放電セルＣ２は、各表示電極Ｘ１，Ｙ１の透明電極Ｘａ１，Ｙａ１のバス電極Ｘｂ１，Ｙｂ１から隣接する他の表示電極対（Ｘ１，Ｙ１）の方向にそれぞれ張り出している部分Ｘａ２，Ｙａ２に対向されている。
【００７１】
この表示放電セルＣ１内には蛍光体層７が形成され、アドレス放電セルＣ２内には、ダイヤモンド含有層６７が、アドレス電極保護層５の表面と第１横壁６６Ａおよび第２横壁６６Ｂ（さらには、図示されていない縦壁）の側面を覆うように形成されている。
【００７２】
このダイヤモンド含有層６７Ａは、絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたもので、このダイヤモンド粉末の粒径，ダイヤモンド含有層の形成方法，ダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【００７３】
前面基板１と誘電体層２の間のアドレス放電セルＣ２に対向する部分には、黒色の光吸収層１０が形成されている。
【００７４】
この例のＰＤＰは、表示放電セルＣ１内において、表示放電が、放電ギャップｇ１を介して互いに対向する透明電極ＸａとＹａの間で発生され、アドレス放電セルＣ２内において、アドレス放電が、透明電極Ｙａ１のバス電極Ｙｂから隣接する他の表示電極対（Ｘ１，Ｙ１）の方向に張り出している部分Ｙａ２とアドレス電極Ｄとの間で発生される。
【００７５】
このように、上記ＰＤＰは、アドレス放電セルＣ２内において、アドレス放電が、透明電極Ｙａ１の張り出し部分Ｙａ２とアドレス電極Ｄとの間でダイヤモンド含有層６７を挟んで発生されるので、このダイヤモンド含有層６７に含有されるダイヤモンド粉末によって、ダイヤモンド含有層６７が形成されていない場合と比べてアドレス放電開始電圧を低下させることが出来る。
【００７６】
これによって、表示放電セルＣ１内における表示放電の発光効率を上げるために第１横壁６６Ａの高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、低いアドレス放電開始電圧によってアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【００７７】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【００７８】
図９は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第７の例を示す断面図である。
【００７９】
この第７の例のＰＤＰは、上述した第６の例のＰＤＰと同様に、対になった表示放電セルＣ１とアドレス放電セルＣ２を備えた反射型面放電方式ＰＤＰである。
【００８０】
この例のＰＤＰは、隣接する表示ラインとの間を仕切る第１横壁７６Ａと、対になっている表示放電セルＣ１とアドレス放電セルＣ２の間を仕切る第２横壁７６Ｂが同じ高さになるように形成されていて、誘電体層２の背面側に放電空間内に突出するように形成された嵩上げ誘電体層２Ａが、第１横壁７６Ａの頂部に当接されていることによって、隣接する表示ライン間が閉じられている。
【００８１】
そして、表示放電セルＣ１内には蛍光体層７が形成され、アドレス放電セルＣ２内には、絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたダイヤモンド含有層７７が形成されている。
【００８２】
この例のＰＤＰの他の部分の構成は、第６の例のＰＤＰと同様であり、同一の符号が付されている。
【００８３】
この例のＰＤＰも、アドレス放電セルＣ２内に形成されたダイヤモンド含有層７７によって、低いアドレス放電開始電圧によってアドレス放電を発生させることが出来る。
【００８４】
図１０は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第８の例を示す断面図である。
【００８５】
この第８の例のＰＤＰは、前述した第６の例のＰＤＰの構成に加えて、背面基板４上にアドレス放電セルＣ２内に突出するように突起リブ８０が形成されていて、この突起リブ８０によって、アドレス電極Ｄ１およびアドレス電極保護層８５が前面基板１側に接近する方向に持ち上げられた構成になっている。
【００８６】
そして、表示放電セルＣ１内には蛍光体層７が形成され、アドレス放電セルＣ２内には、絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたダイヤモンド含有層８７が形成されている。
【００８７】
この例のＰＤＰの他の部分の構成は、第６の例のＰＤＰと同様であり、同一の符号が付されている。
【００８８】
この例のＰＤＰは、第６の例のＰＤＰと同様にアドレス放電セルＣ２内に形成されたダイヤモンド含有層８７によって、低いアドレス放電開始電圧でアドレス放電を発生させることが出来るとともに、アドレス電極Ｄ１が突起リブ８０によって透明電極Ｙａ１の張り出し部分Ｙａ２に接近されていることにより、さらにアドレス放電開始電圧が低下される。
【００８９】
図１１は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第９の例を示す断面図である。
【００９０】
この第９の例のＰＤＰは、前述した第７の例のＰＤＰの構成に加えて、背面基板４上にアドレス放電セルＣ２内に突出するように突起リブ９０が形成されていて、この突起リブ９０によって、アドレス電極Ｄ１およびアドレス電極保護層９５が前面基板１側に接近する方向に持ち上げられた構成になっている。
【００９１】
そして、表示放電セルＣ１内には蛍光体層７が形成され、アドレス放電セルＣ２内には、絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたダイヤモンド含有層９７が形成されている。
【００９２】
この例のＰＤＰの他の部分の構成は、第７の例のＰＤＰと同様であり、同一の符号が付されている。
【００９３】
この例のＰＤＰは、第７の例のＰＤＰと同様にアドレス放電セルＣ２内に形成されたダイヤモンド含有層９７によって、低いアドレス放電開始電圧でアドレス放電を発生させることが出来るとともに、アドレス電極Ｄ１が突起リブ９０によって透明電極Ｙａ１の張り出し部分Ｙａ２に接近されていることにより、さらにアドレス放電開始電圧が低下される。
【００９４】
図１２は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１０の例を示す断面図である。
【００９５】
この第１０の例のＰＤＰは、前述した第６の例のＰＤＰの構成に加えて、アドレス放電セルＣ２内においてアドレス電極保護層５上に、強誘電体材料によって強誘電体層１００が形成され、この強誘電体層１００上に絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたダイヤモンド含有層１０７が形成されている。
【００９６】
この例のＰＤＰの他の部分の構成は、第６の例のＰＤＰと同様であり、同一の符号が付されている。
【００９７】
この例のＰＤＰは、第６の例のＰＤＰと同様に、アドレス放電セルＣ２内に形成されたダイヤモンド含有層１０７によって、低いアドレス放電開始電圧でアドレス放電を発生させることが出来るとともに、強誘電体層１００によって、透明電極Ｙａ１の張り出し部分Ｙａ２とアドレス電極Ｄとの間の見かけの放電距離が短縮されて、これにより、さらにアドレス放電開始電圧が低下される。
【００９８】
図１３は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１１の例を示す断面図である。
【００９９】
この第１１の例のＰＤＰは、前述した第７の例のＰＤＰの構成に加えて、アドレス放電セルＣ２内においてアドレス電極保護層５上に、強誘電体材料によって強誘電体層１１０が形成され、この強誘電体層１１０上に絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させたダイヤモンド含有層１１７が形成されている。
【０１００】
この例のＰＤＰの他の部分の構成は、第７の例のＰＤＰと同様であり、同一の符号が付されている。
【０１０１】
この例のＰＤＰは、第７の例のＰＤＰと同様に、アドレス放電セルＣ２内に形成されたダイヤモンド含有層１１７によって、低いアドレス放電開始電圧でアドレス放電を発生させることが出来るとともに、強誘電体層１１０によって、透明電極Ｙａ１の張り出し部分Ｙａ２とアドレス電極Ｄとの間の見かけの放電距離が短縮されて、これにより、さらにアドレス放電開始電圧が低下される。
【０１０２】
図１４は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１２の例を示す断面図である。
【０１０３】
この第１２の例のＰＤＰは、対向放電方式のＰＤＰであって、前面基板１の背面に表示電極対（Ｘ２，Ｙ２）の一方の表示電極Ｙ２が形成されて、誘電体層２および保護層３により被覆され、背面基板４上に他方の表示電極Ｘ２が表示電極Ｙ２と対向して同一方向に延びるように形成されて、誘電体層１２５Ａにより被覆されている。
【０１０４】
この誘電体層１２５Ａ上には、アドレス電極Ｄ２が、表示電極Ｘ２およびＹ２と直交する方向に延びるように形成されおり、このアドレス電極Ｄ２の三方がアドレス電極保護層１２５Ｂによって被覆され、さらに、このアドレス電極保護層１２５Ｂの三方を覆うように、ダイヤモンド含有層１２７Ａが形成されている。
【０１０５】
そして、この表示電極Ｘ２，Ｙ２とアドレス電極Ｄ２が交差する位置に形成される放電セルＣが、隔壁１２６によって区画されており、この隔壁１２６の放電セルＣに面する側面に、蛍光体層１２７Ｂが形成されている。
【０１０６】
ダイヤモンド含有層１２７Ａは、蛍光体層１２７Ｂと同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良く、または、他の絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良い。
【０１０７】
このダイヤモンド粉末の粒径やダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【０１０８】
そして、ダイヤモンド含有層１２７Ａの形成方法は、ＣＶＤ（化学蒸着）法が好適であるが、この他、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【０１０９】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙ２とアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、ダイヤモンド含有層１２７Ａを挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層１２７Ａに含有されるダイヤモンド粉末によって、低いアドレス放電開始電圧で開始され、これによって、表示電極Ｘ２とＹ２の間で発生される表示放電の発光効率を上げるために、隔壁１２６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【０１１０】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【０１１１】
図１５は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１３の例を示す断面図である。
【０１１２】
この第１３の例のＰＤＰも、上記第１２の例のＰＤＰと同様の対向放電方式のＰＤＰであって、アドレス電極Ｄ２を被覆するアドレス電極保護層１３５Ｂが、表示電極Ｘ２を被覆する誘電体層１３５Ａの放電セルＣに面する部分の全面を覆うように形成され、さらに、ダイヤモンド含有層１３７Ａが、このアドレス電極保護層１３５Ｂの全面を覆うように形成されている。
【０１１３】
この例のＰＤＰの他の部分の構成は、第１２の例の構成とほぼ同様であり、同一の符号が付されている。
【０１１４】
ダイヤモンド含有層１３７Ａは、蛍光体層１２７Ｂと同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良く、または、他の絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良い。
【０１１５】
このダイヤモンド粉末の粒径やダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【０１１６】
そして、ダイヤモンド含有層１３７Ａの形成方法は、ＣＶＤ（化学蒸着）法が好適であるが、この他、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【０１１７】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙ２とアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、ダイヤモンド含有層１３７Ａを挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層１３７Ａに含有されるダイヤモンド粒子によって、低いアドレス放電開始電圧で開始され、これによって、表示電極Ｘ２とＹ２の間で発生される表示放電の発光効率を上げるために、隔壁１２６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【０１１８】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【０１１９】
図１６および１７は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１４の例を示す断面図である。
【０１２０】
この第１４の例のＰＤＰは、背面基板４側に表示電極対（Ｘ３，Ｙ３）とアドレス電極Ｄ３が共に形成される方式のＰＤＰであり、それぞれ透明電極Ｘａ３，Ｙａ３とバス電極Ｘｂ３，Ｙｂ３からなる第１の例の表示電極対と同様の構成の表示電極対（Ｘ３，Ｙ３）が、背面基板４上に形成されて、誘電体層１４５Ａによって被覆されている。
【０１２１】
そして、この誘電体層１４５Ａの表面が保護層１４５Ｂによって被覆されており、この保護層１４５Ｂ上に、図１７に示されるような形状のアドレス電極Ｄ３が形成されている。
すなわち、図１７において、アドレス電極Ｄ３は、表示電極Ｘ３，Ｙ３と直交する方向に延びる電極本体部Ｄ３Ａと、この電極本体部Ｄ３Ａから直角方向に延びて先端部が透明電極Ｙａ３と重なる位置に位置される突出部Ｄ３Ｂとから構成されている。
【０１２２】
このアドレス電極Ｄ３は、アドレス電極保護層１４５Ｃによって被覆され、そして、このアドレス電極保護層１４５Ｃの表面を覆うように、ダイヤモンド含有層１４７Ａが形成されている。
【０１２３】
そして、この透明電極Ｙａ３とアドレス電極Ｄ３の突出部Ｄ３Ｂが重なる位置に形成される放電セルＣが、隔壁１４６によって区画されており、この隔壁１４６の放電セルＣに面する側面に、蛍光体層１４７Ｂが形成されている。
【０１２４】
ダイヤモンド含有層１４７Ａは、蛍光体層１２７Ｂと同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良く、または、他の絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良い。
【０１２５】
このダイヤモンド粉末の粒径やダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【０１２６】
そして、ダイヤモンド含有層１４７Ａの形成方法は、ＣＶＤ（化学蒸着）法が好適であるが、この他、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【０１２７】
上記ＰＤＰは、アドレス放電が、背面基板４側において表示電極Ｙ３の透明電極Ｙａ３とアドレス電極Ｄの突出部Ｄ３Ｂとの間で発生され、このとき、このダイヤモンド含有層１４７Ａに含有されるダイヤモンド粉末によって、低いアドレス放電開始電圧でアドレス放電が開始される。
【０１２８】
これによって、表示電極Ｘ３とＹ３の間で発生される表示放電の発光効率を上げるために、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【０１２９】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【０１３０】
図１８は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１５の例を示す断面図である。
【０１３１】
この第１５の例のＰＤＰは、第１４の例の場合と反対に、前面基板１側に表示電極対（Ｘ４，Ｙ４）とアドレス電極Ｄ４が共に形成される方式のＰＤＰであり、表示電極Ｘ４とＹ４が第１の例の表示電極対と同様の態様で前面基板１上に形成されて、誘電体層２によって被覆されている。
【０１３２】
そして、この誘電体層２を被覆する保護層３の背面側に、アドレス電極Ｄ４が形成されている。
【０１３３】
このアドレス電極Ｄ４の形状は、図１７に示されるアドレス電極Ｄ３と同様の形状を備えていて、表示電極Ｘｂ４，Ｙｂ４と直交する方向に延びる図示しない電極本体部からこの電極本体部と直角方向に延びて先端部が透明電極Ｙａ４と重なる位置に位置される突出部Ｄ４Ｂとから構成されている。
【０１３４】
このアドレス電極Ｄ４は、アドレス電極保護層１５５によって被覆され、そして、このアドレス電極保護層１５５の表面を覆うように、ダイヤモンド含有層１５７が形成されている。
【０１３５】
そして、この透明電極Ｙａ４とアドレス電極Ｄ４の突出部Ｄ４Ｂが重なる位置に形成される放電セルＣが、隔壁１５６によって区画されており、この放電セルＣ内において、隔壁１５６の側面と背面基板４を被覆する誘電体層１５２の表面を覆うように、蛍光体層７が形成されている。
【０１３６】
ダイヤモンド含有層１５７は、蛍光体層７と同じ色の蛍光材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良く、または、他の絶縁材料にダイヤモンド粉末を含有させて形成するようにしても良い。
【０１３７】
このダイヤモンド粉末の粒径やダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄの極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【０１３８】
そして、ダイヤモンド含有層７の形成方法は、ＣＶＤ（化学蒸着）法が好適であるが、この他、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【０１３９】
上記ＰＤＰは、アドレス放電が、前面基板１側において表示電極Ｙ４の透明電極Ｙａ４とアドレス電極の突出部Ｄ４Ｂとの間で発生され、このとき、このダイヤモンド含有層１５７に含有されるダイヤモンド粉末によって、低いアドレス放電開始電圧でアドレス放電が開始される。
【０１４０】
これによって、表示電極Ｘ４とＹ４の間で発生される表示放電の発光効率を上げるために、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくするような場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【０１４１】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【０１４２】
図１９は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１６の例を示す断面図である。
【０１４３】
この第１６の例のＰＤＰは、前述した第１の例のＰＤＰと同じ反射型面放電方式ＰＤＰであって、蛍光体層以外の部分は第１の例のＰＤＰとほぼ同様の構成を有しており、同一の符号が付されている。
【０１４４】
この第１６の例のＰＤＰは、赤、緑、青の色の蛍光材料にダイヤモンド粒子が含有されて形成されるダイヤモンド含有層１６７が、蛍光体層として、アドレス電極保護層５の表面と隔壁６の側面を覆うように形成されていている。
【０１４５】
このダイヤモンド含有層１６７のダイヤモンド粉末の粒径，ダイヤモンド粉末に含まれる不純物，終端の形態，アドレス電極Ｄ４の極性に対する特性などに関しては、前述した第１の例の場合とほぼ同様である。
【０１４６】
そして、ダイヤモンド含有層１６７の形成方法は、ＣＶＤ（化学蒸着）法が好適であるが、この他、スクリーン印刷法またはインクジェット，ノズル吐出，スピンコート等の各種方法によって形成される。
【０１４７】
上記ＰＤＰは、表示電極Ｙとアドレス電極Ｄとの間で行われるアドレス放電が、ダイヤモンド含有層１６７を挟んで行われるので、このダイヤモンド含有層１６７に含有されるダイヤモンド粉末によって、低いアドレス放電開始電圧によってアドレス放電を発生させることができ、これによって、表示電極ＸとＹ間で発生される表示放電の発光効率を上げるために、隔壁６の高さを高くしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、誘電体層２の膜厚を大きくする場合でも、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を行わせることが出来るようになる。
【０１４８】
そして、このダイヤモンド含有層１６７は、表示電極ＸとＹ間で表示放電が発生された際に、このダイヤモンド含有層１６７を形成する蛍光体が励起されて発光を行う。
【０１４９】
このアドレス放電開始電圧が低下するメカニズムについては、第１の例のＰＤＰとほぼ同様である。
また、この例においても、第１の例の場合と同様に、放電ガス中に微量の水素を混合させることで、アドレス放電開始電圧をさらに低下させることが出来る。
【０１５０】
上記各例におけるプラズマディスプレイパネルは、二枚の基板の間の蛍光体層が形成されているとともに放電ガスが封入された放電セル内で、対になった表示電極間における表示放電とこの対になった表示電極のうちの一方の表示電極とアドレス電極との間におけるアドレス放電を発生させるプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電セル内の一方の表示電極とアドレス電極との間でアドレス放電が発生される部分に、ダイヤモンドを含有する絶縁材料によってダイヤモンド含有層が形成されているプラズマディスプレイパネルの実施形態を、その上位概念の実施形態としている。
【０１５１】
この上位概念の実施形態におけるプラズマディスプレイパネルは、放電セル内において、対になった表示電極の一方の表示電極とアドレス電極との間でアドレス放電が発生される際に、放電セルのアドレス放電が発生される部分に形成されたダイヤモンド含有層に含有されるダイヤモンドによって、放電ガスからの二次電子の放出が増大され、これによって、低いアドレス放電開始電圧によってアドレス放電を発生させることが出来る。
【０１５２】
従って、放電セル内における表示放電の発光効率を向上させるために、二枚の基板の間隔を大きくしたり、または、放電ガス中のキセノンガスの割合を増加させたり、表示電極を被覆する誘電体層の膜厚を大きくするような場合でも、ダイヤモンド含有層によって、アドレス放電開始電圧を上昇させることなくアドレス放電を発生させることが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＰＤＰの構成を模式的に示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】この発明によるＰＤＰの第１の例を示す断面図である。
【図４】この発明によるＰＤＰの第２の例を示す断面図である。
【図５】この発明によるＰＤＰの第３の例を示す断面図である。
【図６】この発明によるＰＤＰの第４の例を示す断面図である。
【図７】この発明によるＰＤＰの第５の例を示す断面図である。
【図８】この発明によるＰＤＰの第６の例を示す断面図である。
【図９】この発明によるＰＤＰの第７の例を示す断面図である。
【図１０】この発明によるＰＤＰの第８の例を示す断面図である。
【図１１】この発明によるＰＤＰの第９の例を示す断面図である。
【図１２】この発明によるＰＤＰの第１０の例を示す断面図である。
【図１３】この発明によるＰＤＰの第１１の例を示す断面図である。
【図１４】この発明によるＰＤＰの第１２の例を示す断面図である。
【図１５】この発明によるＰＤＰの第１３の例を示す断面図である。
【図１６】この発明によるＰＤＰの第１４の例を示す断面図である。
【図１７】同例におけるアドレス電極を示す正面図である。
【図１８】この発明によるＰＤＰの第１５の例を示す断面図である。
【図１９】この発明によるＰＤＰの第１６の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１                          …前面基板（一方の基板）
４                          …背面基板（他方の基板）
６, １２６，１４６，１５６  …隔壁
６６Ａ, ７６Ａ              …第１横壁
６６Ｂ, ７６Ｂ              …第２横壁
７，１７Ｂ，２７Ｂ，３７Ｂ，４７Ｂ，５７Ｂ，１２７Ｂ，１４７Ｂ      …蛍光体層
１７Ａ，２７Ａ，３７Ａ，４７Ａ，５７Ａ，６７，７７，８７，９７，１０７，１１７，１２７Ａ，１３７Ａ，１４７Ａ，１５７，１６７                …ダイヤモンド含有層
Ｘ，Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４  …表示電極（他方の表示電極）
Ｙ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４  …表示電極（一方の表示電極）
Ｙａ２                      …張り出し部分
Ｄ，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４  …アドレス電極
Ｄ３Ｂ，Ｄ４Ｂ              …突出部
Ｃ                          …放電セル
Ｃ１                        …表示放電セル
Ｃ２                        …アドレス放電セル
【図１】
2004200040.tif 000003
【図２】
2004200040.tif 000004
【図３】
2004200040.tif 000005
【図４】
2004200040.tif 000006
【図５】
2004200040.tif 000007
【図６】
2004200040.tif 000008
【図７】
2004200040.tif 000009
【図８】
2004200040.tif 000010
【図９】
2004200040.tif 000011
【図１０】
2004200040.tif 000012
【図１１】
2004200040.tif 000013
【図１２】
2004200040.tif 000014
【図１３】
2004200040.tif 000015
【図１４】
2004200040.tif 000016
【図１５】
2004200040.tif 000017
【図１６】
2004200040.tif 000018
【図１７】
2004200040.tif 000019
【図１８】
2004200040.tif 000020
【図１９】
2004200040.tif 000021