(57)【要約】【目的】本発明の目的は、高集積化、微細化が進行した半導体集積回路等の被測定対象物に対応するにあたって、高精度のプローブを製造することができるプローブの製造方法、プローブカードの製造方法及びプローブ用金型の製造方法を提供することにある。【構成】本発明のプローブ１００の製造方法は、プローブ用金型３００を柔らかい材質の板状部材７００に押し当てて当該プローブ１００に対応する形状を有する型８００を作成し、当該型８００の面上にプローブ１００となるメッキ構造体１００ａを形成した後、型８００を除去するようにしたことを特徴としている。【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ用金型を柔らかい材質の板状部材に押し当てて当該プローブに対応する形状を有する型を作成し、当該型の面上にプローブとなるメッキ構造体を形成した後、前記型を除去するようにしたことを特徴とするプローブの製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に作成された半導体集積回路の電気的特性を測定する際に使用されるプローブと、このプローブが接続されたプローブ基板とを具備するプローブカードの製造方法において、プローブ用金型を柔らかい材質の板状部材に押し当てて当該プローブに対応する形状を有する型を作成し、当該型の面上にプローブとなるメッキ構造体を形成する工程と、配線パターンが形成されたプローブ用基板と前記型とを対向させて位置合わせする工程と、当該型に形成されたプローブとなるメッキ構造体の上面と前記プローブ基板の配線パターンとを導電性を有する接着剤を用いて接着させる工程とを有することを特徴とするプローブカードの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプローブ用金型を製造する方法において、凹部を基板に形成する工程と、前記基板の少なくとも前記凹部に第１シード層を形成する工程と、前記第１シード層が形成された基板に前記凹部を露出させた第１の開口を有する第１レジスト層を形成する工程と、前記凹部及び第１の開口にわたって導電性を有する第１メッキ構造体を形成する工程と、第１レジスト層及び第１メッキ構造体の上に第２シード層を形成する工程と、この第２シード層の上に前記第１メッキ構造体の一部を少なくとも露出させた第２の開口を有する第２レジスト層を作成する工程と、前記第２の開口に第２メッキ構造体を前記第１メッキ構造体に接続して形成する工程と、基板及び第１、第２レジスト層を除去する工程とを有することを特徴とするプローブ用金型の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載のプローブ用金型を製造する方法において、基板の端部に傾斜部を形成する工程と、前記基板の少なくとも前記傾斜部にシード層を形成する工程と、当該基板に少なくとも前記傾斜部を露出させた開口を有するレジスト層を形成する工程と、前記開口に導電性を有するメッキ構造体を形成する工程と、基板及びレジスト層を除去する工程とを有することを特徴とするプローブ用金型の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４記載のプローブ用金型の製造方法において、前記開口を作成する工程には、リソグラフィ技術が用いられており、このフォトリソグラフィーの光源には、Ｘ線が用いられることを特徴とするプローブ用金型の製造方法。
【請求項６】
請求項３、４又は５記載のプローブ用金型の製造方法において、前記メッキ構造体を形成する手段として、電気メッキ、無電解メッキ、スパッタ又はＣＶＤが用いられることを特徴とするプローブ用金型の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路の電気的特性を測定するプローブカードに使用するプローブの製造方法、プローブカードの製造方法及びプローブ用金型の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、カンチレバータイプのプローブカード（例えば、特許文献１及び２）は、一般的に、基板に機械加工や手作業によって数多くのプローブを取り付けていた。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−０２２７７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−０８８８８４号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の半導体集積回路、ＬＣＤデバイス等の被測定対象物については、高集積化、微細化しており、これらの被測定対象物の電気的特性を測定するプローブカードは、従来の機械加工や手作業で製造されるカンチレバータイプでは対応しきれなくなってきている。すなわち、手作業で多くのプローブを基板に配設すると、被測定対象物の電極に接触するプローブカードの先端の接触部の高さ、位置精度にばらつきがある。また、接触部の高さ、位置精度のばらつきは、被測定対象物の電極への接触の安定性を欠く要因となっていた。さらに、手作業による組立には、熟練を要するため、生産性の面からも望ましくない点がある。
【０００５】
また、従来のプローブカードに使用されるプローブは、半導体集積回路の電極に安定した接触をすることができないという欠点がある。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたものであって、高集積化、微細化が進行した半導体集積回路等の被測定対象物に対応するにあたって、高精度のプローブを製造することができるプローブの製造方法、プローブカードの製造方法及びプローブ用金型の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のプローブの製造方法は、プローブ用金型を柔らかい材質の板状部材に押し当てて当該プローブに対応する形状を有する型を作成し、当該型の面上にプローブとなるメッキ構造体を形成した後、前記型を除去するようにしたことを特徴としている。
【０００８】
本発明のプローブカードの製造方法は、半導体基板上に作成された半導体集積回路の電気的特性を測定する際に使用されるプローブと、このプローブが接続されたプローブ基板とを具備するプローブカードの製造方法において、プローブ用金型を柔らかい材質の板状部材に押し当てて当該プローブに対応する形状を有する型を作成し、当該型の面上にプローブとなるメッキ構造体を形成する工程と、配線パターンが形成されたプローブ用基板と前記型とを対向させて位置合わせする工程と、当該型に形成されたプローブとなるメッキ構造体の上面と前記プローブ基板の配線パターンとを導電性を有する接着剤を用いて接着させる工程とを有することを特徴としている。
【０００９】
上記プローブ用金型を製造する方法は、凹部を基板に形成する工程と、前記基板の少なくとも前記凹部に第１シード層を形成する工程と、前記第１シード層が形成された基板に前記凹部を露出させた第１の開口を有する第１レジスト層を形成する工程と、前記凹部及び第１の開口にわたって導電性を有する第１メッキ構造体を形成する工程と、第１レジスト層及び第１メッキ構造体の上に第２シード層を形成する工程と、この第２シード層の上に前記第１メッキ構造体の一部を少なくとも露出させた第２の開口を有する第２レジスト層を作成する工程と、前記第２の開口に第２メッキ構造体を前記第１メッキ構造体に接続して形成する工程と、基板及び第１、第２レジスト層を除去する工程とを有することを特徴としている。
【００１０】
上記プローブ用金型を製造する別の方法は、基板の端部に傾斜部を形成する工程と、前記基板の少なくとも前記傾斜部にシード層を形成する工程と、当該基板に少なくとも前記傾斜部を露出させた開口を有するレジスト層を形成する工程と、前記開口に導電性を有するメッキ構造体を形成する工程と、基板及びレジスト層を除去する工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
より好ましくは、前記開口を作成する工程には、リソグラフィ技術が用いられており、このフォトリソグラフィーの光源には、Ｘ線が用いられることが望ましい。
【００１２】
より好ましくは、前記メッキ構造体を形成する手段として、電気メッキ、無電解メッキ、スパッタ又はＣＶＤが用いられることが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプローブの製造方法を図面を参照して説明する。図１は本発明の実施の形態に係るプローブの製造方法のうち、レジストを塗布するまでの工程を示す概略的説明図、図２は同製造方法のうち、シード層を作成するまでの工程を示す概略的説明図、図３は同製造方法のうち、パターニングされた型の内部をメッキするまでの工程を示す概略的説明図、図４は同製造方法のうち、プローブの型を作成するまでの工程を示す概略的説明図、図５は同製造方法のうち、プローブの型の内部にメッキ構造体を形成するまでの工程を示す概略的説明図、図６は同製造方法により製造されたプローブの概略的側面図である。
【００１４】
まず、本発明の実施の形態に係るプローブの製造方法を説明する前に、このプローブの製造方法で製造されるプローブを図６及び図７の（ｂ）を参照しつつ説明する。
【００１５】
このプローブ１００は、先端が下向きの四角円錐に尖った接触部１１０と、この接触部の上端から水平方向に延びたアーム部１２０と、このアーム部１２０の終端部である接続部１３０とが一体に形成されたものである。接触部１１０は、半導体集積回路１０の電極１１に接触する部分であり、接続部１３０は、プローブカードＡの一部を構成するプローブ基板２００の配線パターン２１０に導電接着剤で接着される部分である。かかるプローブ１００は、一つのプローブカードＡに数百本から数千本も用いられるのが一般的である。
【００１６】
このプローブ１００を製造する製造方法は、半導体基板Ｂ上に作成された半導体集積回路１０の電気的特性を測定する際に使用されるプローブ１００と同一形状のプローブ用金型３００を柔らかい材質の板状部材７００に押し当てて当該プローブ１００に対応する形状を有する型８００を作成し、当該型８００の面上にメッキ構造体１００ａを形成することにより、プローブ１００を製造するようにしている。以下、詳しく説明する。
【００１７】
まず、プローブ用金型３００を図１〜４に基づき製造する。プローブ用金型３００を製造するために使用する基板４００としては、ウエハ等のシリコン基板を用いる。この基板４００には、図１の（ａ）に示すように、一面４１０に異方性エッチング等により複数個の凹部４１１が形成されている。この凹部４１１は、プローブ金型３００の第１メッキ構造体３１０即ちプローブ１００の接触部１１０が作成される部分であって、下向きの四角円錐状に形成されている。また、この凹部４１１は、半導体集積回路１０の導電パット１０の配置パターンに対応した位置に形成されている。
【００１８】
また、この基板４００には、図１の（ｂ）に示すように、一面４１０に第１メッキ構造体３１０を形成する際の電極となる第１シード層５１０がスパッタ、蒸着法等によって作成される。なお、第１シード層５１０は、基板４００の一面４１０に作成されるとしたが、少なくとも凹部４１１に作成されていれば良い。
【００１９】
かかる基板４００の一面４１０には、図１の（ｃ）に示すように、第１シード層５１０の上に第１フォトレジスト６１０をスピンコート等の適切な方法で塗布される。この第１フォトレジスト６１０が硬化した後、平面度を出すためにラッピング又はＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によって研磨を行う。
【００２０】
その後、第１フォトレジスト６１０に対しては、基板４００の凹部４１１の配置パターンに対応、即ち凹部４１１の位置と同じ位置に、開口（図示省略）が設けられたマスク（図示省略）を用いて露光が行われる。そして、露光後の第１フォトレジスト６１０に対して現像が行われ、図２の（ａ）に示すように、凹部４１１の上部のみから第１フォトレジスト６１０が取り除かれた第１の開口４２１を有する第１レジスト層４２０が形成される。なお、このリソグラフィの光源には、Ｘ線が用いられている。また、第１フォトレジスト６１０には、感光性厚膜レジストが使用される。
【００２１】
凹部４１１の第１フォトレジスト６１０が除かれた部分、即ち第１レジスト層４２０の第１の開口４２１の深さと凹部４１１の深さとを合わせた寸法は、十μｍ〜１ｍｍ程度とする。
【００２２】
この基板４００に対して、電気メッキ、無電解メッキ、スパッタ又はＣＶＤ等の電鋳技術を用いて、メッキを行い、凹部４１１と第１の開口４２１とにわたって第１メッキ構造体３１０を形成する（図２の（ｂ）参照）。その後、第１メッキ構造体３１０に対して平面度を出すためにラッピング又はＣＭＰで研磨を行う。
【００２３】
また、基板４００に対しては、研磨した後、図２の（ｃ）に示すように、第１レジスト層４２０及び第１メッキ構造体３１０の上に、第２メッキ構造体３２０を形成する際の電極となる第２シード層５２０がスパッタ、蒸着法等によって作成される。
【００２４】
そして、第２シード層５２０の上に第２レジスト層４３０となる第２フォトレジスト６２０をスピンコート等の適切な方法で塗布される（図３の（ａ）参照）。この第２のフォトレジスト６２０が硬化した後、平面度を出すためにラッピング又はＣＭＰによって研磨を行う。この第２フォトレジスト６２０にも感光性厚膜レジストが使用される。
【００２５】
この第２フォトレジスト６２０に対しては、プローブ金型３００の第２メッキ構造体３２０即ちプローブ１００のアーム部１２０に対応した開口（図示省略）が設けられたマスク（図示省略）を用いて露光が行われる。そして、露光後の第２フォトレジスト６２０対して現像が行われ、図３の（ｂ）に示すように、第１メッキ構造体３１０が露出した第２開口４３１を有する第２レジスト層４３０が形成される。なお、このリソグラフィの光源には、Ｘ線が用いられている。また、第２フォトレジスト６２０には、感光性厚膜レジストが使用される。
【００２６】
この第２レジスト層４３０に形成される第２の開口４３１の深さは、数十μｍ〜数百μｍ程度とし、長さは、数百μｍ〜数ｍｍ程度とする。
【００２７】
基板４００に対して、電気メッキ、無電解メッキ、スパッタ又はＣＶＤ等の電鋳技術を用いて、メッキを行い、第２開口４３１に第２メッキ構造体３２０を形成する（図３の（ｃ）参照）。この第２メッキ構造体３２０は、第２開口４３１からは第１メッキ構造体３１０が第２シード層５２０を介して露出しているため、第１メッキ構造体３１０と電気的及び機械的に接続した状態で形成される。この第２メッキ構造体３２０がプローブ１００のアーム部１２０に相当する部分となるのである。そして、この状態から、図４の（ａ）に示すように、更にメッキを行う。
【００２８】
その後、基板４００、第１レジスト層４２０及び第２レジスト層４３０を除去すると、プローブ１００と同一形状のプローブ用金型３００が製造される。即ち、接続された第１メッキ構造体３１０と第２メッキ構造体３２０とが、図４の（ｂ）に示すように、プローブ用金型３００となる。
【００２９】
このような工程を経て、作成されたプローブ用金型３００は、Ｘ線を用いたリソグラフィ技術と電鋳技術とを用いているので、高精度に製造される。また、プローブ用金型３００は、繰り返し使用可能であることから、低コスト化を図る上でメリットがある。
【００３０】
次に、図５の（ａ）に示すように、このプローブ用金型３００を加熱した板状部材７００に押し当ててプローブ１００に対応する形状のプローブ型凹部８１０を有する型８００を作成する（図５の（ｂ）参照）。ここでは、板状部材７００として、アクリル等の樹脂性の板が用いられており、ホットエンボス又は射出成形の成形を行い、型８００を作成する。これにより、型８００を量産することができる。なお、板状部材７００は、プローブ用金型３００が押し当てられるものであれば、板状でなくても良い。
【００３１】
この型８００のプローブ型凹部８１０には、図５の（ｃ）に示すように、メッキ構造体１００ａ（後にプローブ１００となる）を形成する際の電極となるシード層５３０がスパッタ、蒸着法等によって作成される。
【００３２】
この型８００に対して、電気メッキ、無電解メッキ、スパッタ又はＣＶＤ等の電鋳技術を用いて、メッキを行い、プローブ型凹部８１０内にメッキ構造体１００ａを形成する（図５の（ｄ）参照）。その後、メッキ構造体１００ａに対して平面度を出すためにラッピング又はＣＭＰで研磨を行う。
【００３３】
そして、型８００を除去すると、プローブ１００が製造される。即ち、メッキ構造体１００ａがプローブ１００となる。
【００３４】
このような工程を経ることによって、図６に示すようなプローブ１００が製造、しかも多数個のプローブ１００が一度に製造されるのである。また、高精度に製造されたプローブ用金型３００が用いられているので、量産されるプローブ１００も高精度に製造される。
【００３５】
以下、上述したプローブの製造方法によって製造されたプローブ１００を用いてプローブカードを製造する作業について図７及び図８を参照しつつ説明する。図７は本発明の実施の形態に係るプローブカードの製造方法のうち、製造されたプローブをプローブ基板に取り付けるまでの工程を示す概略的説明図、図８は同製造方法により製造されたプローブカードの概略的背面図である。
【００３６】
図５の（ｄ）に示す状態の型８００（即ち、型８００のプローブ型凹部８１０内にメッキ構造体１００ａが付随したままの状態の型８００）と、プローブカードＡの一部を構成する配線パターン２１０が形成されたプローブ基板２００とを対向させて位置合わせし、型８００に形成されたプローブ１００となるメッキ構造体１００ａの上面と、プローブ基板２００の配線パターン２１０とを導電性の接着剤を用いて接着させる（図７の（ａ）参照）。
【００３７】
この際、プローブ用金型３００を製造するに当って、基板４００に形成される凹部４１１が半導体基板Ｂ上の電極１１の配置パターンに対応するように予め作成されているので、プローブカードＡと型８００とを位置合わせし、接着させるだけで、一度に多数個のプローブ１００をプローブ基板２００に接続させることができる。なお、プローブ１００は、一本単位で交換可能になっている。
【００３８】
そして、プローブ１００をプローブ基板２００に接続させた後、図７の（ｂ）に示すように、型８００を除去すると、図８に示すようなプローブカードＡが製造される。
【００３９】
このような工程を経ることによって、プローブカードＡは、高精度のプローブ１００を得ることができ、その結果、高集積化、微細化を図ることができる。また、多数のプローブ１００を一度に簡単にプローブ基板２００に取り付けることができるので、従来の機械加工又は手作業と比べて作業精度を上げることができ、且つ作業時間を短縮することができる。
【００４０】
以下、本発明の別の実施の形態に係るプローブカードＣの製造方法について図９〜１４を参照しながら説明する。図９は本発明の別の実施の形態に係るプローブカードの製造方法のうち、レジストを塗布するまでの工程を示す概略的説明図、図１０は同製造方法のうち、パターニングされた型の内部をメッキするまでの工程を示す概略的説明図、図１１は同製造方法のうち、プローブの型を作成するまでの工程を示す概略的説明図、図１２は同製造方法のうち、プローブの型の内部にメッキ構造体を形成するまでの工程を示す概略的説明図、図１３は同製造方法により製造されたプローブカードの概略的側面図、図１４は同製造方法により製造されたプローブカードの概略的背面図である。なお、プローブカードＡの製造方法と同一の部分は説明を省略し、同一の構成部分の符号については同一番号を用いる。
【００４１】
まず、プローブカードＣ（図１３の（ｂ）及び図１４参照）に使用されるプローブ１００と同一形状のプローブ用金型３００を製造する。プローブカードＡの製造方法と異なるのは、図９の（ａ）に示すように、基板４００の複数の凹部４１１の代わりに、基板４００の端部４１２に傾斜部４１３が形成されている点である。そして、図９の（ｂ）、（ｃ）に示すように、基板４００の一面４１０及びこの傾斜部４１３にシード層５４０を作成し、シード層５４０の上にフォトレジスト６３０を塗布する。なお、フォトレジスト６３０は、シード層５４０の上に形成されていれば良い。
【００４２】
この基板４００に対して、リソグラフィ技術を用いて、開口４４１を有するレジスト層４４０を作成する。プローブカードＡの製造方法と最も異なるのは、このリソグラフィ技術を用いて、開口４４１を作成する工程である。具体的には、フォトレジスト６３０に対して、半導体基板Ｂ上の電極１１の配置パターンに対応する位置に開口（図示省略）が設けられたマスク（図示省略）を用いて露光が行われる。そして、露光後のフォトレジスト６３０対して現像が行われ、図１０の（ａ）に示すように、半導体基板Ｂ上の電極１１の配置パターンに対応する位置に、少なくとも傾斜部４１３を露出させた複数の開口４４１を有するレジスト層４４０が形成される。
【００４３】
この基板４００に対して、図１０の（ｂ）に示すように、メッキ構造体３３０を作成する。そして、この状態から、図１０の（ｃ）に示すように、更にメッキを行う。このような工程を経て、図１１の（ａ）に示すような、プローブ用金型３００を製造する。
【００４４】
そして、図１１の（ｂ）に示すように、このプローブ用金型３００を加熱した板状部材７００に押し当ててプローブ１００に対応する形状のプローブ型凹部８１０を有する型８００を作成する（図１１の（ｃ）参照）。
【００４５】
型８００に対して、図１２に示すように、シード層５３０を作成した後、電鋳技術を用いてメッキを行い、メッキ構造体１００ａを作成する。
【００４６】
そして、図１３の（ａ）に示すように、この型８００と、プローブカードＣ（図１３の（ｂ）及び図１４参照）の一部を構成する配線パターン２１０が形成されたプローブ基板２００とを対向させて位置合わせし、型８００に形成されたプローブ１００となるメッキ構造体１００ａの上面と、プローブ基板２００の配線パターン２１０とを導電性の接着剤を用いて接着する。
【００４７】
この際、プローブ用金型３００を製造するに当って、基板４００に形成されるレジスト層４４０の開口４４１が半導体基板Ｂ上の電極１１の配置パターンに対応するように予め作成されているので、プローブカードＡと型８００とを位置合わせし、接着させるだけで、一度に多数個のプローブ１００をプローブ基板２００に接続させることができる。
【００４８】
そして、プローブ１００をプローブ基板２００に接続させた後、型８００を除去すると、図１３の（ｂ）に示すようなプローブカードＣが製造される。
【００４９】
このような工程を経ることによって、プローブカードＣは、Ｘ線を用いたリソグラフィ技術と電鋳技術を用いて　高精度のプローブ１００を製造することができる。その結果、プローブ１００をプローブ基板２００に取り付けるに当って、プローブ１００のピッチ間隔を狭くすることができるので高集積化、微細化を図ることができる。また、多数のプローブ１００を一度に簡単にプローブ基板２００に取り付けることができるので、従来の機械加工又は手作業と比べて作業精度を上げることができ、且つ作業時間を短縮することができる。
【００５０】
プローブ１００は、ここでは、プローブ用金型３００を用いて製造されるとしたが、これに限定されることはなく、プローブを製造する金型を用いたものであればよい。
【００５１】
なお、リソグラフィ技術の光源として、Ｘ線が用いられるとしたが、紫外線等、従来リソグラフィ技術に用いられる光源を用いることも可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の請求項１のプローブの製造方法は、プローブ用金型を柔らかい材質の板状部材に押し当てて当該プローブに対応する形状を有する型を作成し、当該型の面上にプローブとなるメッキ構造体を形成した後、前記型を除去するようにしたことを特徴としている。
【００５３】
このような請求項１のプローブの製造方法による場合、プローブ用金型を用いているので、均一形状のプローブを量産することができる。その結果、高集積化、微細化が進行した半導体集積回路等の被測定対象物に対応することができる。
【００５４】
本発明の請求項２のプローブカードの製造方法は、半導体基板上に作成された半導体集積回路の電気的特性を測定する際に使用されるプローブと、このプローブが接続されたプローブ基板とを具備するプローブカードの製造方法において、プローブ用金型を柔らかい材質の板状部材に押し当てて当該プローブに対応する形状を有する型を作成し、当該型の面上にプローブとなるメッキ構造体を形成する工程と、配線パターンが形成されたプローブ用基板と前記型とを対向させて位置合わせする工程と、当該型に形成されたプローブとなるメッキ構造体の上面と前記プローブ基板の配線パターンとを導電性を有する接着剤を用いて接着させる工程とを有することを特徴としている。
【００５５】
このような請求項２のプローブの製造方法による場合、プローブ用金型を用いているので、高精度のプローブを得ることができ、その結果、高集積化、微細化を図ることができる。また、多数のプローブを一度に簡単にプローブ基板に取り付けることができるので、従来の機械加工又は手作業と比べて作業精度を上げることができ、且つ作業時間を短縮することができる。
【００５６】
本発明の請求項３のプローブ用金型の製造方法は、請求項１又は２記載のプローブ用金型を製造する方法であって、凹部を基板に形成する工程と、前記基板の少なくとも前記凹部に第１シード層を形成する工程と、前記第１シード層が形成された基板に前記凹部を露出させた第１の開口を有する第１レジスト層を形成する工程と、前記凹部及び第１の開口にわたって導電性を有する第１メッキ構造体を形成する工程と、第１メッキ構造体が形成された第１レジスト層の上に第２シード層を形成する工程と、この第２シード層の上に前記第１メッキ構造体の一部を少なくとも露出させた第２の開口を有する第２レジスト層を作成する工程と、前記第２の開口に第２メッキ構造体を前記第１メッキ構造体に接続して形成する工程と、基板及び第１、第２レジスト層を除去する工程とを有することを特徴としている。
【００５７】
本発明の請求項４のプローブ用金型の製造方法は、請求項１又は２記載のプローブ用金型を製造する方法であって、基板の端部に傾斜部を形成する工程と、前記基板の少なくとも前記傾斜部にシード層を形成する工程と、当該基板に少なくとも前記傾斜部を露出させた開口を有するレジスト層を形成する工程と、前記開口に導電性を有するメッキ構造体を形成する工程と、基板及びレジスト層を除去する工程とを有することを特徴とするプローブ用金型の製造方法。
【００５８】
このような請求項３又は４のプローブ用金型の製造方法による場合、リィソグラフィ技術を用いているので、高精度のプローブ用金型を製造することができ、この結果、高集積化、微細化が進行した半導体集積回路等の被測定対象物に対応することができる。また、繰り返し使用可能であることから、低コスト化を図る上でメリットがある。
【００５９】
本発明の請求項５のプローブ用金型の製造方法は、前記開口を作成する工程には、リソグラフィ技術が用いられており、このリソグラフィの光源には、Ｘ線が用いられる。
【００６０】
本発明の請求項６のプローブ用金型の製造方法は、請求項１、２又は３記載のプローブ用金型の製造方法において、前記メッキ構造体を形成する手段として、電気メッキ、無電解メッキ、スパッタ又はＣＶＤが用いられる。
【００６１】
このような請求項５又は６のプローブ用金型の製造方法による場合、高精度なプローブ用金型を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るプローブの製造方法のうち、レジストを塗布するまでの工程を示す概略的説明図である。
【図２】同製造方法のうち、シード層を作成するまでの工程を示す概略的説明図である。
【図３】同製造方法のうち、パターニングされた型の内部をメッキするまでの工程を示す概略的説明図である。
【図４】同製造方法のうち、プローブの型を作成するまでの工程を示す概略的説明図である。
【図５】同製造方法のうち、プローブの型の内部にメッキ構造体を形成するまでの工程を示す概略的説明図である。
【図６】同製造方法により製造されたプローブの概略的側面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るプローブカードの製造方法のうち、製造されたプローブをプローブ基板に取り付けるまでの工程を示す概略的説明図である。
【図８】同製造方法により製造されたプローブカードの概略的背面図である。
【図９】本発明の別の実施の形態に係るプローブカードの製造方法のうち、レジストを塗布するまでの工程を示す概略的説明図である。
【図１０】同製造方法のうち、パターニングされた型の内部をメッキするまでの工程を示す概略的説明図である。
【図１１】同製造方法のうち、プローブの型を作成するまでの工程を示す概略的説明図である。
【図１２】同製造方法のうち、プローブの型の内部にメッキ構造体を形成するまでの工程を示す概略的説明図である。
【図１３】同製造方法のうち、同製造方法により製造されたプローブカードの概略的側面図である。
【図１４】同製造方法により製造されたプローブカードの概略的背面図である。
【符号の説明】
Ａ　　　プローブカード
Ｃ　　　プローブカード
１００　プローブ
２００　プローブ基板
３００　プローブ用金型
４００　基板
Ｂ　　　半導体基板
１０　　半導体集積回路
１１　　電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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