(57)【要約】【課題】ＳＣ−１洗浄液に研磨スラリ中の汚染金属を持ち込ませないようにして、半導体ウェーハの品質を向上させこれを用いて作製される半導体デバイスの歩留まりを向上させる。またＳＣ−１洗浄液中の汚染金属の濃度と、半導体ウェーハの内部の金属汚染量との関係を明確にして、これらの関係を用いて半導体ウェーハの品質を向上させこれを用いて作製される半導体デバイスの歩留まりを向上させる。【解決手段】研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程の後に、半導体ウェーハをＨＦ洗浄するＨＦ洗浄工程と、半導体ウェーハをＳＣ−１洗浄するＳＣ−１洗浄工程とが実施される。また半導体ウェーハの内部の汚染金属が表面に析出されたとき１０９atoms/cm２以下になるように、汚染金属の濃度が５０ppt以下のＳＣ−１洗浄液を用いて、半導体ウェーハが洗浄される。【選択図】  図１
2004200314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、研磨された半導体ウェーハを、洗浄液を用いて洗浄する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法において、
前記研磨工程の後に、
半導体ウェーハをＨＦ洗浄するＨＦ洗浄工程と、
半導体ウェーハをＳＣ−１洗浄するＳＣ−１洗浄工程と
を実施すること
を特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、研磨された半導体ウェーハを、洗浄液を用いて洗浄する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法において、
前記研磨工程の後に、
半導体ウェーハをＨＦ洗浄するＨＦ洗浄工程と、
半導体ウェーハを、汚染金属の濃度が５０ppt以下になっているＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄するＳＣ−１洗浄工程と
を実施すること
を特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
ＳＣ−１洗浄液は、汚染金属の濃度が５０pptに到達しないサイクルで交換されること
を特徴とする請求項２記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】
ＳＣ−１洗浄液を用いて半導体ウェーハを洗浄する工程を含む半導体ウェーハの製造方法において、
半導体ウェーハの内部の汚染金属が表面に析出されたとき１０９atoms/cm２以下になるように、汚染金属の濃度が５０ppt以下のＳＣ−１洗浄液を用いて、半導体ウェーハを洗浄すること
を特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハなどの半導体ウェーハの表面を洗浄する工程を含む半導体ウェーハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンのインゴットから鏡面シリコンウェーハを最終的に製造する各工程の１つに、面取り工程がある。面取り工程では、シリコンウェーハの端面に研磨スラリを供給しながら、クロスやバフなどの研磨部材を用いて端面が鏡面状に研磨される。研磨スラリは、一般的に、粒径が５０〜１００ｎｍ程度のシリカ（ＳiＯ２）粒子（砥粒）を、ｐＨが１０〜１１程度のＮaＯＨやＫＯＨなどのアルカリ水溶液中にコロイド状に分散させたものである。
【０００３】
面取り工程の後には、ＳＣ−１洗浄工程が実施される。ＳＣ−１洗浄工程では、
シリコンウェーハの表面に付着している粒子、有機物、金属不純物などの汚染物がＳＣ−１洗浄液の化学作用によって落とされる。ＳＣ−１洗浄は、アンモニア（ＮＨ４ ＯＨ）と、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と、水（Ｈ２Ｏ）とを容積配合比で１：１〜２：７で混合したＳＣ−１洗浄液に、シリコンウェーハを概ね７０〜９０゜Ｃの温度で概ね１０〜２０分間浸漬処理して洗浄するという洗浄方法であり、特に付着パーティクル（微粒子）の除去に効果がある。
【０００４】
なおＳＣ−１洗浄工程の後にはポリシング工程が実施される。ポリシング工程では、セラミック等のマウント板がシリコンウェーハに貼付され、マウント板がポリシング装置に固定されてシリコンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。
【０００５】
ところで研磨スラリの中には、汚染金属が含有されている。汚染金属の種類には、銅（Ｃu）、ニッケル（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などがある。銅やニッケルなどの汚染金属は、天然石英からシリカ粒子を製造する過程で外部から不純物として入り込む。
【０００６】
こうした汚染金属を含有した研磨スラリを用いてシリコンウェーハを研磨すると、研磨加工中に汚染金属がシリコンウェーハのバルク中に拡散してシリコンウェーハの品質を劣化させる。そしてこのような品質が劣化したシリコンウェーハを用いて半導体デバイスを製造すると、半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与える。汚染金属の中でも、特に銅は、シリコンウェーハ中の移動速度が最も大きいので、研磨加工中に迅速にシリコンウェーハ内部に深く入り込み、半導体デバイスの歩留まりに甚大な悪影響を与える。
【０００７】
そこで、従来より、研磨スラリ中の汚染金属について、これを半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与えない程度に低濃度にする方法が考えられている。
【０００８】
研磨スラリ中の汚染金属を低濃度にする方法として、研磨スラリの製造工程で精製の工程に時間とコストをかけて汚染金属を除去することが考えられる。確かに精製に時間とコストをかける程、銅などの汚染金属の濃度は低くなるが、作業効率が悪く現実的ではない。
【０００９】
（従来技術１）
そこで特許文献１（特開平１１−１８６２０１号公報）には、陽イオン交換樹脂によって研磨スラリ中の銅、ニッケルの濃度を０．０１〜１ｐｐｂの範囲に収め、かつ水酸化ナトリウム水溶液の添加量を調整して研磨スラリのｐＨを１１以下に抑えることによって、研磨加工中にシリコンウェーハ内に拡散する銅、ニッケルの汚染量を低減させんとする発明が記載されている。
【００１０】
またＳＣ−１洗浄液を製造する過程で、外部から銅などの汚染金属が液中に入り込むことがある。またＳＣ−１洗浄液を繰り返し洗浄に用いると、治具類との接触により外部から銅などの汚染金属が液中に入り込むことがある。汚染金属の種類には、銅（Ｃu）、ニッケル（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などがある。
【００１１】
（従来技術２）
ここでＳＣ−１洗浄液中に汚染金属が含有されている場合、その汚染量に応じた量の汚染金属が洗浄直後のシリコンウェーハの表面に付着することが従来より知られていた。たとえば文献(Ryuta et.Al.Jpn.J.Appl.Pyys.31(1992)p2338)にこのことが記載されている。
【００１２】
ＳＣ−１洗浄の直後にシリコンウェーハの表面に付着している汚染金属は、その後再度洗浄したり、研磨したりすることで容易に除去することができる。
【００１３】
以上のように、
１）研磨スラリによる研磨加工中に汚染金属がシリコンウェーハ内に拡散する。
【００１４】
２）ＳＣ−１洗浄液による洗浄によって汚染金属がシリコンウェーハの表面に付着する。
【００１５】
ことが既に知られており、その対策についても既に公知になっている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが本発明者らが実験を行ったところ、
ａ）汚染金属を含有しているＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄を行うと、洗浄中にシリコンウェーハの表面に汚染金属が付着するばかりではなく、表面に付着した汚染金属の一部は、シリコンウェーハの内部（バルク中）に拡散してシリコンウェーハの品質を劣化させるということを発見するに至った。
【００１７】
ｂ）また研磨スラリ中の汚染金属は、シリコンウェーハの表面に付着されたままＳＣ−１洗浄液に持ち込まれ、ＳＣ−１洗浄液の大半の汚染原因となっていることを発見するに至った。
【００１８】
ＳＣ−１洗浄液に持ち込まれた研磨スラリ中の汚染金属はＳＣ−１洗浄を実施することでシリコンウェーハの内部に拡散してしまい、ウェーハ内部に拡散された汚染金属は、上述した再洗浄等を実施しても容易に除去することができない。
【００１９】
そして内部に汚染金属が拡散したままのシリコンウェーハを用いて半導体デバイスを製造すると、半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与える。汚染金属の中でも、特に銅は、シリコンウェーハ中の拡散速度が最も大きいので、洗浄中に迅速にシリコンウェーハ内部に深く入り込み、洗浄直後に再洗浄等を行っても除去が極めて困難になる。このため最終工程を経て製造された鏡面シリコンウェーハの内部に多量の銅を含むことになり、この鏡面シリコンウェーハを用いて半導体デバイスを製造すると半導体デバイスの歩留まりに甚大な悪影響を与える。たとえば５０ｐｐｔを超えた濃度の銅を含むＳＣ−１洗浄液を用いてシリコンウェーハを洗浄したとすると、シリコンウェーハ中に拡散する銅の汚染量（atoms/cm２）は、１０９atoms/cm２  よりも大きな値を示し、半導体デバイスの歩留まりに甚大な悪影響を与える。ここで汚染量（atoms/cm２）とは、洗浄後のシリコンウェーハを長期間（たとえば３ヶ月）保管したときにウェーハ表面に析出される汚染金属の単位面積当たりの原子数で評価したものである。
【００２０】
本発明は、ＳＣ−１洗浄液に研磨スラリ中の汚染金属を持ち込ませないようにして、半導体ウェーハの品質を向上させこれを用いて作製される半導体デバイスの歩留まりを向上させることを第１の解決課題とするものである。また本発明は、従来明らかでなかったＳＣ−１洗浄液中の汚染金属の濃度と、半導体ウェーハの内部の金属汚染量との関係を明確にして、これらの関係を用いて半導体ウェーハの品質を向上させこれを用いて作製される半導体デバイスの歩留まりを向上させることを第２の解決課題とするものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段および効果】
第１発明は、
研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、研磨された半導体ウェーハを、洗浄液を用いて洗浄する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法において、
前記研磨工程の後に、
半導体ウェーハをＨＦ洗浄するＨＦ洗浄工程と、
半導体ウェーハをＳＣ−１洗浄するＳＣ−１洗浄工程と
を実施すること
を特徴とする。
【００２２】
第２発明は、
研磨スラリを用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、研磨された半導体ウェーハを、洗浄液を用いて洗浄する工程とを含む半導体ウェーハの製造方法において、
前記研磨工程の後に、
半導体ウェーハをＨＦ洗浄するＨＦ洗浄工程と、
半導体ウェーハを、汚染金属の濃度が５０ppt以下になっているＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄するＳＣ−１洗浄工程と
を実施すること
を特徴とする。
【００２３】
第３発明は、第２発明において、
ＳＣ−１洗浄液は、汚染金属の濃度が５０pptに到達しないサイクルで交換されること
を特徴とする。
【００２４】
第１発明、第２発明、第３発明によれば、半導体ウェーハの金属汚染に影響を与えないＨＦ洗浄液によって、研磨工程で半導体ウェーハの表面に付着した研磨スラリ中の汚染金属を洗い流すようにしたので、ＳＣ−１洗浄液に持ち込まれる汚染金属を少なくすることができる。
【００２５】
またＳＣ−１洗浄液自体が汚染金属によって汚染された場合には、５０ｐｐｔに到達する前の段階でＳＣ−１洗浄液を交換すれば、ＳＣ−１洗浄液による半導体ウェーハの金属汚染をデバイスの歩留まりに悪影響を与えないレベルに維持することができる。
【００２６】
第４発明は、
ＳＣ−１洗浄液を用いて半導体ウェーハを洗浄する工程を含む半導体ウェーハの製造方法において、
半導体ウェーハの内部の汚染金属が表面に析出されたとき１０９atoms/cm２以下になるように、汚染金属の濃度が５０ppt以下のＳＣ−１洗浄液を用いて、半導体ウェーハを洗浄すること
を特徴とする。
【００２７】
第４発明によれば、図１に示すように、汚染金属の濃度が５０ppt以下のＳＣ−１洗浄液を用いて、半導体ウェーハを洗浄すると、半導体ウェーハの内部の汚染金属が表面に析出されたとき１０９atoms/cm２以下になり、半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与えない汚染レベルに抑えることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して実施の形態について説明する。なお本実施形態では半導体ウェーハとしてシリコン（Ｓi）ウェーハを想定するが以下に述べる実施形態はシリコンウェーハ以外のガリウム砒素ウェーハなどにも適用可能である。また本実施形態では汚染金属として銅（Ｃu）を想定するが、銅以外のニッケル（Ｎi）、クロム（Ｃr）、鉄（Ｆe）などの汚染金属に対しても適用可能である。特にニッケルは銅と同様にシリコンウェーハ中における拡散速度が速いので、以下の実施形態における銅と同様に扱うことができる。
【００２９】
本実施形態のシリコンウェーハの製造工程は以下の各工程を含む。
【００３０】
（面取り工程）
この面取り工程では、シリコンウェーハの端面に研磨スラリを供給しながら、クロスやバフなどの研磨部材を用いて端面が鏡面状に研磨される。研磨スラリは、粒径が５０〜１００ｎｍ程度のシリカ（ＳiＯ２）粒子（砥粒）を、ｐＨが１０〜１１程度のＮaＯＨやＫＯＨなどのアルカリ水溶液中にコロイド状に分散させたものである。
【００３１】
（ＨＦ洗浄工程）
ＨＦ洗浄工程では、たとえば１％のフッ酸水溶液からなるＤＨＦ液に室温で数十秒間シリコンウェーハを浸漬させてシリコンウェーハが洗浄される。
【００３２】
（ＳＣ−１洗浄工程）
ＳＣ−１洗浄工程では、アンモニア（ＮＨ４ ＯＨ）と、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）と、水（Ｈ２Ｏ）とを容積配合比で１：１〜２：７で混合したＳＣ−１洗浄液に、シリコンウェーハを概ね７０〜９０゜Ｃの温度で概ね１０〜２０分間浸漬させてシリコンウェーハが洗浄される。ここでＳＣ−１洗浄工程では、液中の銅の濃度が５０ppt以下になっているＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄が実施される。またＳＣ−１洗浄液は、液中の銅の濃度が５０pptに到達しないサイクルで交換される。
【００３３】
上記面取り工程、ＨＦ洗浄工程、ＳＣ−１洗浄工程の１サイクルを１バッチとする。
【００３４】
なおＳＣ−１洗浄工程の後にはポリシング工程が実施される。ポリシング工程では、シリコンウェーハがセラミック等のマウント板に貼付され、マウント板がポリシング装置に固定されてシリコンウェーハの表面が鏡面状に研磨される。
【００３５】
つぎに上述した各工程を含むシリコンウェーハ製造方法の効果について図２〜図５を参照して説明する。
【００３６】
なお図２〜図５は、ＨＦ洗浄液、ＳＣ−１洗浄液を交換しなかった場合の実験結果を示している。
【００３７】
図２はバッチ数（０バッチ、２４バッチ）とＨＦ洗浄液中の銅（Ｃu）の濃度（ｐｐｔ）との関係を示している。同図２に示すようにバッチ数が増加するにつれて、ＨＦ洗浄液中の銅（Ｃu）の濃度（ｐｐｔ）が高くなっているのがわかる。これは面取り工程でシリコンウェーハの表面に付着された研磨スラリ中の銅がＨＦ洗浄によって液中に洗い落とされ、バッチ数の増加に伴いＨＦ洗浄液中の銅濃度が増加しているものと考えられる。
【００３８】
図３はバッチ数（０バッチ、２４バッチ）とＳＣ−１洗浄液中の銅（Ｃu）の濃度（ｐｐｔ）との関係を示している。ただしＳＣ−１洗浄液が５４リットルの場合である。同図３に示すようにバッチ数が増加するにつれて、ＳＣ−１洗浄液中の銅（Ｃu）の濃度（ｐｐｔ）が高くなっているのがわかる。これはＨＦ洗浄によってシリコンウェーハの表面に付着された研磨スラリ中の銅がＨＦ洗浄液中に洗い落とされるもののＨＦ洗浄で除去できなかった研磨スラリ中の銅がＳＣ−１洗浄液内に持ち込まれ、バッチ数の増加に伴いＳＣ−１洗浄液中の銅濃度が増加しているものと考えられる。
【００３９】
図３から１バッチ当たりの銅持ち込み量を試算すると以下のようになる。
【００４０】
ＳＣ−１洗浄液が５４リットルであり、０バッチのときに既にＳＣ−１洗浄液の銅濃度は４２．１０ｐｐｔであり、２４バッチのときのＳＣ−１洗浄液の銅濃度が１６５．５４ｐｐｔであるので、
５４×１０３  （ｇ）×（１６５．５４−４２．１０）×１０−９÷２４（バッチ）＝０．２７８（ｍｇ）/バッチ
となる。
【００４１】
図４は研磨スラリ中の銅、ＳＣ−１洗浄液中の銅がシリコンウェーハの銅汚染に影響していることを示す実験結果である。
【００４２】
図４の図中左の実験結果は、面取り工程、ＨＦ洗浄工程、ＳＣ−１洗浄工程を１バッチ、２４バッチ実施したときのシリコンウェーハの表面の銅汚染量ＬＮ１、シリコンウェーハ内部の銅汚染量ＬＮ２を示す。また図４の図中右の実験結果は、
面取り工程を実施しないでＨＦ洗浄工程、ＳＣ−１洗浄工程を１バッチ、２４バッチ実施したときのシリコンウェーハの表面の銅汚染量ＬＮ３、シリコンウェーハ内部の銅汚染量ＬＮ４を示す。図４の図中右の場合には、シリコンウェーハ内部の銅をほぼ完全に表面に析出させ表面の銅をエッチングによって除去した「Ｃuレスシリコンウェーハ」を使用した。
【００４３】
ここでシリコンウェーハ表面の銅汚染量とは、ウェーハ表面の銅の汚染量を面積密度（atoms/cm２）で示したものである。またシリコンウェーハ内部の銅汚染量とは、ウェーハ内部の銅がウェーハ表面に析出されたときの銅汚染量を面積密度（atoms/cm２）で示したものである。
【００４４】
同図４に示すように面取り工程を実施した場合（図４中左）には、面取り工程を実施しなかった場合（図４中右）よりも、初期のバッチ（１バッチ）においてシリコンウェーハの銅汚染量は、ウェーハ表面、ウェーハ内部ともに高い値を示している（ＬＮ１、ＬＮ２はそれぞれＬＮ３、ＬＮ４よりも高い値を示している）。これは面取り工程時にシリコンウェーハに、銅を含んだ研磨スラリが付着されることによってウェーハ表面、シリコン内部共に銅によって汚染されることを示している。つまり初期のバッチでは面取り工程で使用される研磨スラリ中の銅がシリコンウェーハの銅汚染に影響を与えていると考えられる。
【００４５】
そして２４バッチでは、面取り工程を実施しなかった場合（図４中右）は、面取り工程を実施した場合（図４中左）と同等のレベルに、シリコンウェーハはウェーハ表面、シリコン内部共に銅によって汚染されている。これはバッチ数の増加によってＳＣ−１洗浄液中の銅濃度が増加してＳＣ−１洗浄液自体の銅汚染がシリコンウェーハの銅汚染に影響を与えていると考えられる。
【００４６】
図５の図中左の実験結果は、上述したＣuレスシリコンウェーハを用いてＨＦ洗浄のみを１バッチ、２４バッチ実施したときのシリコンウェーハの表面の銅汚染量ＬＮ５、シリコンウェーハ内部の銅汚染量ＬＮ６を示す。また図５の図中右の実験結果は、同じくＣuレスシリコンウェーハを用いてＳＣ−１洗浄のみを１バッチ、２４バッチ実施したときのシリコンウェーハの表面の銅汚染量ＬＮ７、シリコンウェーハ内部の銅汚染量ＬＮ８を示す。
【００４７】
図２で既に説明したようにＨＦ洗浄液自体はバッチ数の増加とともに銅汚染量が増加するものの図５の図中左の実験結果からはＨＦ洗浄液自体の銅汚染はシリコンウェーハの銅汚染には影響を及ぼさないことがわかる。これに対して図３で既に説明したようにＳＣ−１洗浄液自体はバッチ数の増加とともに銅汚染量が増加することがわかり、図５の図中右の実験結果からＳＣ−１洗浄液のバッチ数の増加に伴う銅汚染量の増加がシリコンウェーハの銅汚染に影響を与えていることがわかる。
【００４８】
以上の実験結果から面取り工程における研磨スラリ中の銅をＳＣ−１洗浄液内に持ち込ませないようにするとともに、ＳＣ−１洗浄液が銅によって汚染された場合にはＳＣ−１洗浄液自体の銅汚染を除去することが、シリコンウェーハの銅汚染を防ぐ上で重要となる。
【００４９】
本実施形態では、シリコンウェーハの銅汚染に影響を与えないＨＦ洗浄液によって（図５左の実験結果参照）、面取り工程でシリコンウェーハの表面に付着した研磨スラリ中の銅を洗い流すようにしたので、ＳＣ−１洗浄液に持ち込まれる銅を少なくすることができる。しかもＨＦ洗浄液自体は頻繁に交換することを要しない。
【００５０】
また液中の銅汚染濃度が５０ｐｐｔ以下のＳＣ−１洗浄液を用いてシリコンウェーハを洗浄し、ＳＣ−１洗浄液自体が銅によって汚染された場合には、液中の銅汚染濃度が５０ｐｐｔに達する前の段階でＳＣ−１洗浄液を交換するようにしているので、ＳＣ−１洗浄液によるシリコンウェーハの銅汚染を防ぐことができる。
【００５１】
図１は、ＳＣ−１洗浄液中の銅の濃度（ｐｐｔ）とシリコンウェーハの銅汚染量（atoms/cm２）との関係を示している。
【００５２】
図１において特性Ｌ1（○印がプロットされた点）は、ＳＣ−１洗浄液を用いて洗浄したシリコンウェーハを長期間（たとえば３ヶ月）保管したときに内部に拡散していた銅がウェーハ表面に析出される汚染量（atoms/cm２）を示している。つまり特性Ｌ1はシリコンウェーハ内部に拡散する銅の汚染量を示している。
【００５３】
また図１において特性Ｌ2（×印がプロットされた点）は、ＳＣ−１洗浄液を用いて洗浄した直後のシリコンウェーハの表面に付着されている（ウェーハ内部に入り込んでいない）銅の汚染量（atoms/cm２）を示している。
【００５４】
同図１に特性Ｌ1で示すようにＳＣ−１洗浄液中の銅の濃度（ｐｐｔ）の増加とともに、シリコンウェーハ内部に拡散する銅の汚染量（atoms/cm２）が増加する。しかしＳＣ−１洗浄液中の銅の濃度を５０ｐｐｔ以下にすると、シリコンウェーハ内部に拡散する銅の汚染量を１０９atoms/cm２以下に抑制することができる。また  ＳＣ−１洗浄液中の銅の濃度を５０ｐｐｔ以下にすると、シリコンウェーハ表面に付着する銅の汚染量を１０１０atoms/cm２以下に抑制することができる。ここで汚染量１０９〜１０１０atoms/cm２  は半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与える汚染レベルのしきい値であると考えられる。
【００５５】
したがって銅の濃度が５０ppt以下のＳＣ−１洗浄液を用いて、シリコンウェーハを洗浄すると、シリコンウェーハの内部に拡散する銅の汚染量つまりそれが表面に析出されたときの銅の汚染量を１０９atoms/cm２以下の汚染レベル、つまり半導体デバイスの歩留まりに悪影響を与えない汚染レベルに抑えることができる。
【００５６】
本実施形態では、銅の濃度が５０ppt以下になっているＳＣ−１洗浄液を用いてＳＣ−１洗浄が実施され、また銅の濃度が５０pptに到達しないサイクルでＳＣ−１洗浄液を交換するようにしており、これによりシリコンウェーハ内部の銅汚染をデバイスの歩留まりに悪影響を与えないレベルに抑制することができる。
【００５７】
なお実施形態では、ＨＦ洗浄によってＳＣ−１洗浄液内に銅を持ち込ませないようにしているが、参考例としてＨＦ洗浄工程の代わりに以下の工程を実施してもよい。
【００５８】
（超音波洗浄工程）
この超音波洗浄工程では、面取り後にシリコンウェーハの表面を超音波によって洗浄しウェーハ表面の銅を取り除く。
【００５９】
また上記超音波洗浄工程は、ＨＦ洗浄工程と併用して実施してもよい。
【００６０】
また実施形態ではＳＣ−１洗浄液を想定して説明したが、参考例としてＳＣ−１洗浄液の代わりに、塩酸と、過酸化水素水と、水とを混合したＳＣ−２洗浄液を用いて洗浄を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はＳＣ−１洗浄液中の銅（Ｃu）の濃度（ｐｐｔ）と、ウェーハ表面の銅の汚染量（atoms/cm２）との関係を示すグラフである。
【図２】図２はバッチ数（１バッチ、２４バッチ）とＨＦ洗浄液中の銅濃度との関係を示す図である。
【図３】図３はバッチ数（１バッチ、２４バッチ）とＳＣ−１洗浄液中の銅濃度との関係を示す図である。
【図４】図４はバッチ数とシリコンウェーハの銅汚染量との関係を示す図である。
【図５】図５はバッチ数とシリコンウェーハの銅汚染量との関係を示す図である。
【図１】
2004200314.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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