(57)【要約】【課題】フィルム内での相分離、析出が低く抑えられ、引き裂き強度、耐折強度及び光学特性に優れ、良好な長期保存安定性を有するセルロースアシレートフィルムを提供し、それを用いて光学フィルム、偏向板、光学補償フィルム、液晶表示装置、ハロゲン化銀写真感光材料用支持体などを提供する。【解決手段】セルロースアシレート、特定の重合体主鎖の末端にシリル基を結合して成るカップリング化合物、及びシランカップリング化合物の少なくとも１種を含有するセルロースアシレート組成物を流延することにより作製されたことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースアシレート、並びに、ラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）とポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分から構成される重合成分（Ｂ）とからなるブロック共重合体の少なくとも１種を含有することを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
【請求項２】
前記のブロック共重合体が、ＡＢ型、ＡＢＡ型又はクシ型のブロック共重合体であることを特徴とする請求項１記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項３】
前記のポリエステル重合成分が、脂環式炭化水素基を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載セルロースアシレートフィルム。
【請求項４】
前記重合成分（Ａ）が、光安定化基及び帯電防止性基の少なくともいずれか一方を含有するラジカル重合性単量体に相当する重合成分を少なくとも１種含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項５】
前記のブロック共重合体が、ポリエステル成分の重合体主鎖又はポリエーテル成分の重合体主鎖の片末端にのみラジカル重合性基を結合して成る一官能性マクロモノマーとラジカル重合性単量体とのクシ型ブロック共重合体であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項６】
微粒子を含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項７】
前記のセルロースアシレートが、その水酸基への置換度が、下記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｂ）の全てを満足するセルロースアシレートであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（ＩＩＩａ）    ２．６≦ＳＡ’＋ＳＢ’≦３．０
（ＩＩＩｂ）    ２．０≦ＳＡ’≦３．０
（ＩＩＩｃ）    ０≦ＳＢ’≦０．８
ＳＡ’はアセチル基の置換度、ＳＢ’は炭素原子数３〜２２のアシル基の置換度である。
【請求項８】
セルロースアシレート、並びに、ラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）とポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分から構成される重合成分（Ｂ）とからなるブロック共重合体の少なくとも１種を含有するセルロースアシレート組成物を、溶液流延方法により製膜することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを使用した光学フィルム。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを使用した画像表示装置。
【請求項１１】
膜厚が３０〜２５０μｍである請求項１乃至７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを使用したハロゲン化銀写真感光材料用支持体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セルロースアシレートフィルム、その製造方法、並びに該セルロースアシレートフィルムを用いた光学フィルム、画像表示装置及びハロゲン化銀写真感光材料に関する。
特に、本発明は、液晶表示装置等に用いられる偏光板保護フィルム、位相差フィルム、視野拡大フィルム、プラズマディスプレイに用いられる反射防止フィルムなどの各種機能性光学フィルムやハロゲン化銀写真感光材料の支持体フィルムに関する。さらに、本発明は、有機ＥＬディスプレイ等に適用される各種機能フィルムを構成する光学フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
セルロースアシレートフィルムは、透明で、優れた物理的、機械的性質を有し、且つ温度湿度変化に対する寸法変化が少なく、従来からハロゲン化銀感光材料フィルム用支持体、製図トレーシングフィルム、電気絶縁材料などの広い分野で使用され、最近では液晶画像表示装置の偏光板用保護フィルムとして使用されている。
【０００３】
しかし、そのままでは、引裂強度、耐折強度が低く、特に低湿度の状態下では、非常に脆くなり裂け易い欠点があった。このため、これらを改良するために、セルロースアシレートの溶液流延製膜方法を用い、セルロースアシレート溶液に可塑剤（例えば、リン酸エステル類、カルボン酸エステル類等）を適宜選択して単独又は混合したドープ組成物を用いることが試みられている。また、ポリメチルアクリレート又はメチルアクリレートのコポリマーをセルローストリアセテートと混合させて、セルロースアシレートフィルムの可塑性等を付与する技術がある。しかしながら、これらの支持体でも、長期保存下の膜強度安定性、フィルムの着色等が充分でなかった。
【０００４】
セルロースアシレートとの相溶性を高めるものとして低分子量体含量の多い分子量分布を特定化したポリエステルのブレンドが提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、ポリマーが低分子量体であるために、ポリマーとしての特性を充分に発現できないという課題がある。
【０００５】
さらに、ドープ組成物中に重合体を共存して流延製膜する際、アルキル基、アシル基、アミド基置換のセルロースアシレート以外のグルカン系樹脂を使用する技術（例えば、特許文献２、３参照）、ポリエステル及び／又はポリエーテルを使用した技術（特許文献４参照）、ポリエステルエーテル、ポリエステルウレタン又はポリエステルを使用した技術（特許文献５参照）、コポリエステルエーテルを使用した技術（特許文献６参照）がある。しかしながら、セルロースアシレートとの相溶性の問題又はセルロースアシレートへ導入する量の制限の点から、これらの技術では未だ充分とはいえない。
【０００６】
一方、近年、液晶画像表示装置は高精細化がますます進み、偏光板用保護フィルムとして優れた光透過性、光学的な無配向性、偏光素子との良好な接着性、優れた平面性、紫外線吸収性、帯電防止性等の性能の向上や、耐久性化が求められている。また、ＣＲＴに代わって注目を集めている液晶表示装置に用いることのできる光学的に異方性を有する光学補償フィルムは、液晶表示装置は異方性をもつ液晶材料を使用するために斜めから見ると表示性能が低下するという視野角の問題があり、更なる性能向上が望まれている。
【０００７】
光学補償フィルムとしては、液晶性化合物の配向形態を固定化して得られる異方性材料が最近の主流であるが、その製造方法は従来セルロースエステルフィルムを支持体とし、その上に液晶性化合物を溶剤塗布している為、セルロースエステルフィルム中の添加剤がブリード現象によって液晶性化合物中に混入してしまい、液晶性化合物の配向を乱してしまったり、白濁させたりしてしまうなどの問題点を有していた。これらの特性を改良するために、例えばフィルム製造中に紫外線吸収性基を含有した高分子の添加が提案されている（例えば、特許文献７乃至１０参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−２２９５６号公報
【特許文献２】
特開２０００−１５４２７８号公報
【特許文献３】
特開２０００−２３９５３５号公報
【特許文献４】
特開２００２−２２９５６号公報
【特許文献５】
特開平５−１９７０７３号公報
【特許文献６】
特開平２−２９２３４２号公報
【特許文献７】
特開平６−１４８４３０号公報
【特許文献８】
特開２００２−３１７１５号公報
【特許文献９】
特開平６−１４８４３０号公報
【特許文献１０】
特開２００２−４７３５７号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、フィルム内での相分離及び析出現象を抑制し、硬度と耐脆性を両立、膜柔軟性および耐久性に優れたセルロースアシレートフィルムを提供することにある。
本発明の他の目的は、優れた特性を有する前記セルロースアシレートフィルムを用いて得られる光学フィルム（偏光フィルム、光学補償フィルムなど）、画像表示装置、及びハロゲン化銀写真感光材料を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、膜厚が８０μｍ以下の薄膜でも、引き裂き強度、耐折強度に優れたセルロースアシレートフィルムを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下記構成のセルロースアシレートフィルム、その製造方法、光学フィルム（光学補償フィルム、偏光フィルムなど）、画像表示装置（液晶表示装置など）、ハロゲン化銀写真感光材料などが提供され、本発明の前記目的が達成される。
【００１１】
（１）セルロースアシレート、並びに、ラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）とポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分から構成される重合成分（Ｂ）とからなるブロック共重合体の少なくとも１種を含有することを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
（２）前記のブロック共重合体が、ＡＢ型、ＡＢＡ型又はクシ型のブロック共重合体であることを特徴とする上記（１）に記載のセルロースアシレートフィルム。
（３）前記のポリエステル重合成分が、脂環式炭化水素基を含有することを特徴とする上記（１）又は（２）に記載セルロースアシレートフィルム。
（４）前記重合成分（Ａ）が、光安定化基及び帯電防止性基の少なくともいずれか一方を含有するラジカル重合性単量体に相当する重合成分を少なくとも１種含有することを特徴とする上記（１）乃至（３）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（５）前記のブロック共重合体が、ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の片末端にのみラジカル重合性基を結合して成る一官能性マクロモノマーとラジカル重合性単量体とのクシ型ブロック共重合体であることを特徴とする上記（１）乃至（４）ずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（６）微粒子を含有することを特徴とする上記（１）乃至（５）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（７）前記のセルロースアシレートが、その水酸基への置換度が、下記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｂ）の全てを満足するセルロースアシレートであることを特徴とする上記（１）乃至（６）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（ＩＩＩａ）    ２．６≦ＳＡ’＋ＳＢ’≦３．０
（ＩＩＩｂ）    ２．０≦ＳＡ’≦３．０
（ＩＩＩｃ）    ０≦ＳＢ’≦０．８
ＳＡ’はアセチル基の置換度、ＳＢ’は炭素原子数３〜２２のアシル基の置換度である。
（８）セルロースアシレート、並びに、ラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）とポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分から構成される重合成分（Ｂ）とからなるブロック共重合体の少なくとも１種を含有するセルロースアシレート組成物を、溶液流延方法により製膜することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【００１２】
（９）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを使用した光学フィルム。
（１０）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のセルロースアセレートフィルムを用いた光学用偏光フィルム。
（１１）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを用いた液晶表示素材。
（１２）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを用いた光学補償フィルム。
（１３）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを用いた画像表示装置。
（１４）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムを用いた液晶表示装置。
（１５）上記（１）乃至（７）のいずれかに記載され、かつその膜厚が３０〜２５０μｍであるセルロースアシレートフィルムを、ハロゲン化銀写真感光材料用支持体として用いることを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のセルロースアシレートフィルムとその製造方法について、さらに詳細に説明する。
本発明のセルロースアシレートフィルムは、上記のとおり、セルロースアシレートとともに、ラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）とポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分から構成される重合成分（Ｂ）とからなるブロック共重合体の少なくとも１種を含有するセルロースアシレート組成物を流延する流延工程と光照射の工程と含む溶液流延方法により製造されるものである。
【００１４】
［セルロースアシレート］
本発明に用いられるセルロースアシレートについて以下に記す。
【００１５】
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンター、ケフナー、木材パルプ（広葉樹パルプ、針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。
本発明においてはセルロースからエステル化してセルロースアシレートを作製するが、特に好ましい前述のセルロースがそのまま利用できる訳ではなく、リンター、ケフナー、パルプを精製して用いられる。
【００１６】
［セルロースアシレート溶液（ドープ）の調製及びフィルムの作製］
上述のセルロースを原料から製造される本発明のセルロースアシレートについて記載する。
本発明のセルロースアシレートは、セルロースの水酸基への置換度が下記式（ＩＩＩａ）〜（ＩＩＩｃ）の全てを満足するものが好ましい。
（ＩＩＩａ）：２．６≦ＳＡ’＋ＳＢ’≦３．０
（ＩＩＩｂ）：２．０≦ＳＡ’≦３．０
（ＩＩＩｃ）：    ０≦ＳＢ’≦０．８
【００１７】
ここで、ＳＡ’はセルロースの水酸基の水素原子を置換しているアセチル基の置換度、またＳＢ’はセルロースの水酸基の水素原子を置換している炭素原子数３〜２２のアシル基の置換度を表す。なお、ＳＡはセルロースの水酸基の水素原子を置換しているアセチル基を表し、ＳＢはセルロースの水酸基の水素原子を置換している炭素原子数３〜２２のアシル基を表す。
【００１８】
セルロースを構成するβ−１，４結合しているグルコース単位は、２位、３位及び６位に遊離の水酸基を有している。セルロースアシレートは、これらの水酸基の一部又は全部をアシル基によりエステル化した重合体（ポリマー）である。アシル置換度は、２位、３位及び６位のそれぞれについて、セルロースがエステル化している割合（各位それぞれ１００％のエステル化は置換度１）を意味する。本発明では、ＳＡとＳＢの置換度の総和（ＳＡ’＋ＳＢ’）は、より好ましくは２．７〜２．９６であり、特に好ましくは２．８０〜２．９５である。また、ＳＢの置換度（ＳＢ’）は０〜０．８であり、特には０〜０．６である。さらにＳＢはその２８％以上が６位水酸基の置換基であるのが好ましく、より好ましくは３０％以上が６位水酸基の置換基であり、３１％以上がさらに好ましく、特には３２％以上が６位水酸基の置換基であることも好ましい。また更に、セルロースアシレートの６位のＳＡとＳＢの置換度の総和が０．８以上であり、さらには０．８５以上であり、特には０．９０以上であるセルロースアシレートフィルムも好ましいものとして挙げることができる。これらのセルロースアシレートフィルムにより溶解性の好ましい溶液が作製でき、特に非塩素系有機溶媒において、良好な溶液の作製が可能となる。
【００１９】
本発明に用いられるセルロースアシレートの炭素数３〜２２のアシル基（ＳＢ）としては、脂肪族基でもアリール基でもよく、特に限定されない。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの具体的なアシル基、及びセルロースアシレートの合成方法は、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号，ｐ．９に詳細に記載されている。
【００２０】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、フィルムを構成するポリマー成分が実質的に前記の定義を有するセルロースアシレートからなることが好ましい。「実質的に」とは、全ポリマー成分の５５質量％以上（好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上）を意味する。
【００２１】
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度２００〜７００、好ましくは２３０〜５５０、更に好ましくは２３０〜３５０であり、特に好ましくは粘度平均重合度２４０〜３２０である。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、ｐ．１０５−１２０、１９６２年）により測定できる。更に特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。
本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．７−１２に詳細に記載されている。
【００２２】
次いで、本発明に供されるブロック共重合体について詳述する。
本発明のブロック共重合体は、ラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）（以下「ブロックＡ」と称することもある）とポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分から構成される重合成分（Ｂ）（以下「ブロックＢ」と称することもある）とから成るブロック共重合体である。
このブロック共重合体は、ＡＢ型、ＡＢＡ型又はクシ型構造である。以下にその模式図を示す。
【００２３】
【化１】
2004315574.tif 000002
【００２４】
本発明のブロック共重合体の質量平均分子量は５×１０３〜５×１０５であることが好ましく、より好ましくは８×１０３〜１×１０５であり、特に好ましくは１×１０４〜８×１０４である。
ブロックＡとブロックＢの構成比は、ブロックＡ／ブロックＢ＝９５／５〜５／９５であることが好ましく、より好ましくはブロックＡ／ブロックＢ＝９０／１０〜２０／８０であり、特に好ましくはブロックＡ／ブロックＢ＝８０／２０〜３０／７０である。
特に、クシ型のブロック共重合体の場合には、後述するポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の片末端にのみラジカル重合性基を結合して成る一官能性マクロモノマーとラジカル重合性単量体（「ラジカル重合性モノマー」とも称する）の共重合性の観点から、ブロックＡとブロックＢの構成比は、ブロックＡ／ブロックＢ＝９５／５〜２０／８０であることが好ましく、より好ましくはブロックＡ／ブロックＢ＝９０／１０〜４０／６０である。
【００２５】
これらブロック共重合体のセルロースアシレート組成物中の割合は０．５〜４０質量％、好ましくは１〜３０質量％、より好ましくは２〜２０質量％である。
【００２６】
ラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）（ブロックＡ）について、以下に述べる。ブロックＡは以下の一般式（Ｉ）で表されるラジカル重合成分を含有することが好ましい。
【００２７】
【化２】
2004315574.tif 000003
【００２８】
前記一般式（Ｉ）において、［  ］内は繰り返し単位を表す。
【００２９】
一般式（Ｉ）中、Ｖ１は−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＯＯ−、−Ｏ−、−ＣＯＮＨＣＯＯ−、−ＣＯＮＨＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＣＯＮ（Ｑ１）−、−ＳＯ２Ｎ（Ｑ１）−又はフェニレン基（以下フェニレン基をＰｈで表すこともある。ただしＰｈは１，２−、１，３−及び１，４−フェニレン基を含む。以下、同様）を表す。ここで、Ｑ１は水素原子又は炭素数１〜８の置換されていてもよい脂肪族基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−クロロエチル基、２−ブロモエチル基、２−シアノエチル基、２−メトキシエチル基、ベンジル基、フロロベンジル基、メチルベンジル基、シクロヘキシルメチル基、２−エトキシエチル基、３−メトキシプロピル基等）を表す。
Ｖ１の好ましい態様として、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＯＯ−、−Ｏ−が挙げられる。
【００３０】
ａ１及びａ２は同じでも異なってもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、−ＣＮ基、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等）又は−ＣＨ２ＣＯＯＲ１０基（Ｒ１０はアルキル基を表す。例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等）を表す。
【００３１】
Ｒは、脂肪族基、アリール基又は複素環基を表す。脂肪族基としては、炭素数１〜２２の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ナノデシル基、エイコサニル基、ヘネイコサニル基、ドコサニル基等）、炭素数２〜２２の直鎖状若しくは分岐状のアルケニル基（例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、オクテニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基、エイコセニル基、ドコセニル基、ブタジエニル基、ペンタジエニル基、ヘキサジエニル基、オクタジエニル基等）、炭素数２〜２２の直鎖状若しくは分岐状のアルキニル基（例えば、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ヘキシニル基、オクタニル基、デカニル基、ドデカニル基等）、及び炭素数５〜２２の脂環式炭化水素基（脂環式炭化水素基としては、単環式、多環式、架橋環式の脂肪族環状炭化水素基が挙げられ、その具体例としては、シクロペンタン、シクロペンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエン、シクロヘプタン、シクロヘプテン、シクロへプタジエン、シクロオクタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロオクタトリエン、シクロソナン、シクロソネン、シクロデカン、シクロデセン、シクロデカンジエン、シクロデカトリエン、シクロウンデカン、シクロドデカン、ビシクロヘプタン、ビシクロヘキサン、ビシクロヘキセン、トリシクロヘキセン、ノルカラン、ノルピナン、ノルボルナン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、トリシクロヘプタン、トリシクロヘプテン、デカリン、アダマンタン等の環構造炭化水素等）が挙げられる。
これらの中で、炭素数１〜１８の直鎖状、炭素原子数３〜１８の分岐状、並びに炭素原子数５〜１６の環状の脂肪族基がより好ましい。
【００３２】
該脂肪族基は置換基を有していてもよく、その導入し得る置換基としては、水素を除く一価の非金属原子団が用いられる。
該非金属原子団の具体的な例としては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ニトロ基、−ＯＨ基、−ＯＲ１１、−ＳＲ１１、−ＣＯＲ１１、−ＣＯＯＲ１１、−ＯＣＯＲ１１、−ＳＯ２Ｒ１１、−ＮＨＣＯＮＨＲ１１、−Ｎ（Ｒ１２）ＣＯＲ１１、−Ｎ（Ｒ１２）ＳＯ２Ｒ１１、−Ｎ（Ｒ１３）（Ｒ１４）、−ＣＯ（Ｒ１３）（Ｒ１４）、−ＳＯ２（Ｒ１３）（Ｒ１４）、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１５）（Ｒ１６）、−ＯＰ（＝Ｏ）（Ｒ１５）（Ｒ１６）、−Ｓｉ（Ｒ１７）（Ｒ１８）（Ｒ１９）、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、炭素数２〜１８のアルキニル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８のアリール基（アリール環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、ジヒドロナフタレン、インデン、フルオレン、アセナフチレン、アセナフテン、ビフェニレン等）、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子のいずれかを少なくとも１個含有する単環式又は多環式の環構造を有する複素環基（複素環基としては、例えば、フラニル基、テトラヒドロフラニル基、ピラニル基、ピロイル基、クロメニル基、フェノキサチイニル基、インダゾイル基、ピラゾイル基、ピリジイル基、ピラジニル基、ピリミデイニル基、インドイル基、イソインドイル基、キノニイル基、ピロリジニル基、ピロリニル基、イミダゾリニル基、ピラゾリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基等）等が挙げられる。
【００３３】
該置換基としてのアルケニル基、アルキニル基、脂環式炭化水素基、アリール基、複素環基は、更に置換基を有していてもよく、その置換基としては、前記の脂肪族基に導入し得る基として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００３４】
前記Ｒ１１は、炭素数１〜２２の脂肪族基、炭素数６〜１８のアリール基、又は複素環基を表す。Ｒ１１における脂肪族基は前記Ｒで表される脂肪族基と同義である。Ｒ１１におけるアリール基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示したアリール基と同様のものが挙げられる。かかるアリール基は、更に置換基を有していてもよく、その置換基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示したものと同様のものが挙げられる。Ｒ１１における複素環基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示した複素環基と同様のものが挙げられる。
Ｒ１２は、水素原子又はＲ１１基と同様のものを表す。
【００３５】
前記Ｒ１３及びＲ１４は、各々独立に、水素原子、又はＲ１１と同様のものを表し、更に、Ｒ１３とＲ１４とは互いに結合して、Ｎ原子を含有する５員又は６員の環を形成してもよい。
前記Ｒ１５及びＲ１６は、各々独立に、−ＯＨ、炭素数１〜２２の脂肪族基、炭素数６〜１４のアリール基、又は−ＯＲ１１を表す。Ｒ１５及びＲ１６における脂肪族基は前記Ｒで表される脂肪族基と同義である。Ｒ１５及びＲ１６におけるアリール基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示したアリール基と同様のものが挙げられる。かかるアリール基は更に置換基を有していてもよく、その置換基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示したものと同様のものが挙げられる。但し、かかる極性置換基において、Ｒ１５及びＲ１６の双方が−ＯＨで表されることはない。
前記Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は、各々独立に、炭素数１〜２２の炭化水素基又は−ＯＲ２０を表し、これらの置換基の内少なくとも１つは炭化水素基を表す。炭化水素基は前記Ｒで示される脂肪族基及びアリール基と同様のものを表し、−ＯＲ２０は前記−ＯＲ１１と同様の内容を表す。
【００３６】
前記式（Ｉ）におけるＲで表されるアリール基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示したアリール基と同様のものが挙げられる。また、かかるアリール基は更に置換基を有していてもよく、その導入し得る置換基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００３７】
前記式（Ｉ）におけるＲで表される複素環基としては、前記Ｒで表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示した複素環基と同様のものが挙げられる。また、かかる複素環基は更に置換基を有していてもよく、その導入し得る置換基としては、前記Ｒで表表される脂肪族基に導入し得る置換基として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００３８】
一般式（Ｉ）において、更に好ましくは、Ｒが−Ｌ１−Ｒ０で表される置換基が挙げられる。
ここで、Ｌ１は、一般式（Ｉ）における−Ｖ１−と−Ｒ−とを連結する基を表し、直接結合又は総原子数１〜２２個の連結基（ここでいう総原子数には、炭素原子、窒素原子又はケイ素原子に結合する水素原子を除く）を表す。好ましくは直接結合又は総原子数１〜１２の連結基を表す。但し、Ｒ０が単環式脂肪族基の場合は、Ｌ１は直接結合ではなく、総原子数が１〜１２の連結基であることが好ましく、更には総原子数１〜８の連結基であることが好ましい。
【００３９】
Ｌ１における連結基としては炭素原子−炭素原子結合（一重結合又は二重結合）、炭素原子−複素原子結合（複素原子としては例えば、酸素原子、イオウ原子、窒素原子、ケイ素原子等）、複素原子−複素原子結合等から構成される原子団の任意の組み合わせで構成される。連結基として具体的には、以下のものが挙げられる。
【００４０】
【化３】
2004315574.tif 000004
【００４１】
連結基の具体例中、ｊ１、ｊ２は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子（フッ素原子、ハロゲン原子、臭素原子、ヨウ素原子）又は炭素数１〜６の置換されてもよいアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリフロロメチル基、メトキシエチル基、シアノエチル基、クロロエチル基等）を表し、ｊ３は、水素原子又は炭素数１〜１２の置換されてもよい炭化水素基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ベンジル基、フェネチル基、フェニル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基、アセチルフェニル基、トリフロロフェニル基等）を表し、ｊ４、ｊ５は、同じでも異なってもよく、炭素数１〜１２の置換されてもよい炭化水素基（具体的には前記ｊ３と同一の内容を表す）を表す。ｊ６は水素原子又はアルキル基を表し、アルキル基としてはｊ１と同一の内容を表す。
【００４２】
また、上記Ｒ０は、炭素数５〜３０個の環状構造を構成する脂環式炭化水素基であり、単環式、多環式、架橋環式、スピロ環式等の環状構造が挙げられる。具体的には、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ、ペンタシクロ構造等を有する基を挙げることができる。炭素数は６〜２５が好ましい。
【００４３】
以下に上記Ｒ０における脂環式炭化水素基のうち、脂環式部分の構造例を挙げる。なお、下記構造例において、共役しない位置に二重結合を含有してもよい。
【００４４】
【化４】
2004315574.tif 000005
【００４５】
【化５】
2004315574.tif 000006
【００４６】
また、これらの脂環式炭化水素基は少なくとも１種の置換基を有していてもよい。脂環式炭化水素基の置換基としては、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アルコキシ基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、アシル基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。これらの置換基の具体的な内容は、前記式（Ｉ）中のＲで例示したと同一の内容のものが挙げられる。
【００４７】
本発明のラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）は、光安定化性能を有する基を含有する重合成分（Ｄ）を含有することが好ましい。光安定化性能を有する基を含有する重合成分（Ｄ）は、分子中に、前記のラジカル重合成分を含む基（以下「ラジカル重合性基」とも称する）と、光安定化性能を有する基（以下「光安定化基」とも称する）とを含有するモノマーに相当する重合成分であり、該モノマーとしては従来公知の化合物が挙げられる。
【００４８】
ラジカル重合性基と光安定化基とを含有するモノマー（以下「モノマー（Ｄ１）」とも称する）は、分子中にラジカル重合性基を１個又は２個と光安定化基を１個含む化合物が好ましく、ラジカル重合性基を１個と光安定化基を１個含む化合物であることがより好ましい。
【００４９】
光安定化性能を有する基を含有する重合成分（Ｄ）に相当するモノマーとしては、例えば、大沢善次郎「高分子材料の劣化と安定化」ｐ．２３５（（株）シ−エムシー、１９９０年刊）に記載の従来公知の化合物が挙げられる。
好ましい光安定化基は、紫外線吸収性骨格を含む有機残基、ヒンダードアミン骨格を含む有機残基である。紫外線吸収性骨格を含む有機残基は、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収性に優れ、且つ波長４２０ｎｍ以上の可視光の吸収が小さいものが好ましい。例えばオキシベンゾフェノン骨格を含む基、ベンゾフェノン骨格を含む基、ベンゾトリアゾール骨格を含む基、トリアジン骨格を含む基、サリチル酸エステル骨格、シアノアクリレート骨格、又はベンゼン骨格を含む基等が挙げられ、特に紫外線の波長が３２０〜４００ｎｍの波長域に吸収性の良好なベンゾフェノン骨格を含む基、ベンゾトリアゾール骨格を含む基、ｓ−トリアジン骨格を含む基が好ましい。
ヒンダードアミン骨格を含む有機残基としては、２−位と６−位にそれぞれ１〜２個のアルキル基を有するピペリジン環、ピペリジン環が挙げられる。特に、少なくとも一個の２，２，６，６−テトラアルキルピペリジン環を含む有機残基が好ましい。
【００５０】
本発明において、光安定化性能を有する基を含有する重合成分（Ｄ）は、紫外線吸収性骨格を含む有機残基含有モノマー（以下「紫外線吸収性モノマー」（ＤＵ１）とも称する）とヒンダードアミン骨格を含む有機残基含有モノマー（以下「ヒンダードアミン骨格含有モノマー」（ＤＨ）とも称する）とを共存して用いるか、或いは紫外線吸収性骨格を含む有機残基とヒンダードアミン骨格を含む有機残基とを共に含む光安定化モノマーを用いることがより好ましい。このことにより、一層の耐光性が得られる。
【００５１】
具体的には、例えばベンゾフェノン骨格を含む基を含有するモノマーとして、米国特許４３０４８９５号、同３１６２６７６号、特開平１０−１５１７号公報、同１０−６０３０７号公報、同１０−３１６７２６号公報、同１０−１８２７４３号公報、特開２００１−１３９６４０号公報、同２００１−１３９９２４号公報等に記載の化合物等、また、ベンゾトリアゾール骨格を含む基を含有するモノマーとして、例えば、ＡＮＤＲＥＳ  Ｓ．、ＣＨＯＮＧＬＩ  Ｚ．、ＯＴＴＯＶ．、Ｊ．Ｍ．Ｓ．−ＰＵＲＥＡＰＰＬ．、Ａ３０（９＆１０）、ｐ．７４１−７５５（１９９３）、米国特許３４９３５３９号、同４５２８３１１、特開平２−６３４６３号公報、同８−３１１０４５号公報、同９−３１３３号公報、同９−５９２９号公報、同９−１９４５３６号公報、同１０―６０３０７号公報、国際公開第９４／２４１１２号パンフレット、特開２００１−１１４８４１号公報、同２００１−１３９９２４号公報等の記載の化合物、他の紫外線吸収性モノマーとして、特開平７−２５８１６６号、同８−１８８７３７号に記載の化合物が挙げられる。
【００５２】
ヒンダードアミン骨格含有モノマーとして、例えば、特開平７−７００６７号公報、同９−３１３３号公報、同１０−２７９８３２号公報、同１０−２３５９９２号公報、同１１−１３８７２９号公報、特表平１０−１１６８８３号公報、特開２００１−１１４８４１号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【００５３】
また、好ましい紫外線吸収性モノマー（ＤＵ１）としては、下記式（ＤＵ１−Ｉ）で表される、紫外線吸収性骨格を含む有機残基を含有するラジカル重合成分が挙げられる。
【００５４】
【化６】
2004315574.tif 000007
【００５５】
式（ＤＵ１−Ｉ）中、Ｖ２、ｂ３及びｂ４は、各々前記一般式（Ｉ）のＶ１、ａ１及びａ２と同一の内容を表す。
ｂ３及びｂ４は、いずれか一方が水素原子であることが好ましく、水素原子以外の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、メチル基、エチル基が特に好ましい。
Ｌ２は−Ｖ２−と−Ｕ１とを連結する基を表し、単結合又は２価の連結基を示す。２価の連結基としては、前記の一般式（Ｉ）においてＲが−Ｌ１−Ｒ０で表される場合に前記したＬ１と同一のものが挙げられる。更に、Ｌ２は下記式（Ｌ２ａ）〜（Ｌ２ｄ）で表されるピペリジン骨格であることが好ましい。更に、Ｌ２全体の水素原子を含まない連結にかかわる原子数が１〜２０個の範囲、且つ少なくとも一個のピペリジン骨格を含有する連結基であることが好ましい。以下に連結基Ｌ２の具体的な例を挙げる。
【００５６】
【化７】
2004315574.tif 000008
【００５７】
式（Ｌ２ａ）〜（Ｌ２ｄ）中、ｒ１は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｒ２及びｒ３は同じでも異なってもよく、各々水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００５８】
前記式（ＤＵ１−Ｉ）中、Ｕ１は１価の紫外線吸収性骨格を含む有機残基を示す。
紫外線吸収性骨格を含む有機残基は、ベンゾフェノン骨格、サリチル酸骨格、ベンゾトリアゾール骨格、トリアジン骨格、又はベンゼン骨格を含む基であることが好ましく、特にベンゾフェノン骨格を含む１価の基又はベンゾトリアゾール骨格を含む１価の基が好ましい。
【００５９】
【化８】
2004315574.tif 000009
【００６０】
相当するモノマーが有するラジカル重合性基は、前記の式（Ｕ１−Ｉ）及び（Ｕ１−ＩＩ）で示される骨格の各々のベンゼン環、ベンゾトリアゾール環、ｓ−トリアジン環のいずれに存在していてもよい。ベンゾトリアゾール環の２位に１つのベンゼン環が結合している骨格を有する、しかもこのフェニル基の２位に水酸基を有するものが好ましい。また、ラジカル重合性基を含有する基は２個以上存在していてもよい。好ましくは１個存在する。
【００６１】
前記の各骨格において、ラジカル重合性基が存在しない位置には他の置換基が１個以上存在していてもよい。該置換基としては、前記一般式（Ｉ）のＲに記載の置換基と同様のものが挙げられる。好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル（又は炭素数１〜６、もしくは１〜２のアルキル）、アリール（例えば、炭素数６〜２０のもの、例えば、フェニル基）、ヘテロアリール（例えば、ピロロ、フリルもしくはチエニル）、アリールオキシ（例えば、炭素数６〜２０の）、アルコキシ（例えば、炭素数１〜６又は１〜２のアルコキシ）、シアノ、ニトロ、又はハロゲン（例えば、Ｆ又はＣｌ、特にベンゾ環上の５位及び／又は６位上に、及び／又はヒドロキシ置換フェニルの５′位上にＣｌを有するもの）であってよい。ベンゾ環の置換基としてはまた、それに縮合した環、例えば、ベンゾ、ピロロ、フリル又はチエニル環を挙げることができる。アルキル及びアルコキシ置換基のいずれも１〜５個の（又は１〜２個の）介在する酸素、イオウ又は窒素原子を有してよい。
【００６２】
また、ヒンダードアミン骨格含有モノマー（ＤＨ）は、２，６−テトラアルキルピペリジン骨格の１−位、３−位、４−位、５−位のいずれかの置換位置に直接又は連結基を介してラジカル重合性基が結合してなるモノマーに相当する重合成分である。例えば、下記一般式（ＤＨ−１）で表される重合成分が挙げられる。
【００６３】
【化９】
2004315574.tif 000010
【００６４】
式（ＤＨ−１）中のＵ２は、具体的には例えば下記式（Ｕ２−Ｉ）又は（Ｕ２−ＩＩ）が挙げられる。
【００６５】
【化１０】
2004315574.tif 000011
【００６６】
式（Ｕ２−Ｉ）及び（Ｕ２−ＩＩ）中、ｒ１１及びｒ１２は、同じでも異なってもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表すか、又はｒ１１及びｒ１２は一緒になってペンタメチレン基を表す。ｒ１３は、水素原子又はシアノ基を表す。
Ｒ２１は、水素原子、炭素数１〜１８の炭化水素基、―Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２３基（Ｒ２３は、炭素数１〜１８の炭化水素基）、―ＯＣＯＲ２３基、又は−ＯＲ２３基を表す。
Ｒ２２は、水素原子、炭素数１〜１８の炭化水素基、又は−ＯＲ２３基を表す。
尚、前記Ｒ２１及びＲ２３の炭化水素基は、置換されてもよく、具体的には前記一般式（Ａ１−Ｉ）中のＲの炭化水素基と同一の内容を表す。
Ｙ１は、酸素原子又はイミノ基を表し、Ｙ２は、酸素原子、メチン基又は「―Ｌ２―」に直結する基を表す。
【００６７】
また、ベンゾフェノン骨格を含有するラジカル重合成分及びベンゾトリアゾール骨格を含有するラジカル重合成分の他に、前記式（ＤＵ１−Ｉ）で表される重合成分を構成し得るモノマーとしては、（２−シアノ−２−エチル−３，３−ジフェニル−ヘキシル）（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６８】
本発明における、ラジカル重合性基と光安定化基とを含有するモノマー（Ｄ１）はそれぞれ１種を用いてもよく２種以上を用いてもよい。モノマー（Ｄ１）の種類は必要に応じて適宜変更されうる。
【００６９】
上記のとおり、本発明の光安定化性能を有する基を含有する重合成分（Ｄ）を構成するモノマーとしては、前記の紫外線吸収性骨格を含む有機残基及びヒンダードアミン骨格を含む有機残基の各々の少なくとも１種を同一分子内に含有してなるモノマーであることが好ましい。該モノマーの具体例を以下に例示するが本発明はこれらに限定されない。
【００７０】
【化１１】
2004315574.tif 000012
【００７１】
【化１２】
2004315574.tif 000013
【００７２】
本発明のラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）は、帯電防止性能を有する基を含有する重合成分（Ｇ）を含有することも好ましい態様の一つである。帯電防止性能を有する基を含有する重合成分（Ｇ）を構成する重合性基含有モノマーは、分子中に、前記ラジカル重合性基と帯電防止性能を有する基（以下「帯電防止性基」とも称する）とを含有するモノマーであることが好ましく、従来公知の化合物が挙げられる。
【００７３】
帯電防止性能を有する基を含有する重合性基含有モノマーは分子中にラジカル重合性基の１〜２個と帯電防止性能を有する基の１個とを含む化合物が好ましく、ラジカル重合性基を一個含有することがより好ましい。
【００７４】
帯電防止性能を有する基としては、帯電防止性或いはイオン導電性の作用を有するとして知られる従来公知の有機性化合物から成るものが挙げられる。
例えば、ポリオキソアルキレン基、４級アンモニウム塩の基、ホスホニウム塩の基、ホスホン酸塩の基、スルホン酸塩の基等が挙げられる。セルロースアシレートドープ組成物への溶解性、フィルムの帯電防止性能、湿度変化での帯電防止性の安定性等から、４級アンモニウム塩の基、ホスホニウム塩の基が好ましい。
【００７５】
これらの有機性化合物の具体例として、
（１）ポリオキソアルキレン基を含有するモノマー：特開平７−２３８１１５号公報、特開平８−３１１４３５号公報、同９−７８０５６号公報、同１１−１９４４４８号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【００７６】
（２）アルキル４級アンモニウム塩或いは含窒素複素環式４級アンモニウム塩の基を含有するモノマー：特開平６−１６０３２７号公報明細書中の段落番号〔００３０〕〜〔００５３〕記載の化合物、同７−１１８４８０号公報明細書中の段落番号〔００３２〕〜〔００３６〕に記載の繰り返し単位に相当する化合物、同７−１７９０７１号公報明細書中の段落番号〔００１０〕、特表２００１−５０７３８０号公報等が挙げられる。
【００７７】
（３）ホスホニウム塩の基を含有するモノマー：特開平６−２００２３９号公報明細書中の段落番号〔００１２〕〜〔００１４〕記載の化合物、同１０−２１９２３３号公報明細書中の段落番号〔００１１〕記載の化合物、同７−１７９０７１号公報等が挙げられる。
【００７８】
本発明のラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）においては、前記光安定化性能を有する基を含有する重合成分（Ｄ）及び／又は帯電防止性能を有する基を含有する重合成分（Ｇ）の少なくとも一種を含有することが好ましい。重合成分（Ａ）における重合成分（Ｄ）と重合成分（Ｇ）の含有量は、ブロックＡの全重合成分中、１〜８０質量％が好ましく、より好ましくは３〜５０質量％、特に好ましくは５〜４０質量％である。
【００７９】
また、本発明のラジカル重合性単量体から構成される重合成分（Ａ）は、前記重合成分以外の他の重合成分を含有していてもよい。
かかる他の重合成分に相当する単量体の例としては、ビニルシクロアルカン類（ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロペンタン等）；スチレン誘導体（例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ビニルナフタレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、ビニルベンゼンカルボン酸、クロロメチルスチレン、メトキシカルボニルスチレン、メトキシメチルスチレン、ビニルベンゼンカルボキシアミド、ビニルベンゼンスルホンアミド等）；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸等の不飽和カルボン酸；マレイン酸、イタコン酸の環状酸無水物；アクリロニトリル；メタクリロニトリル；重合性二重結合基含有のヘテロ環化合物（具体的には、例えば高分子学会編「高分子データハンドブック−基礎編−」、ｐ１７５から１８４、培風舘（１９８６年刊）に記載の化合物、例えば、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルチオフェン、ビニルテトラヒドロフラン、ビニルオキサゾリン、ビニルチアゾール、Ｎ−ビニルモルホリン等）等が挙げられる。
これら繰り返し単位成分は、ビニルシクロアルカン類、スチレン及びその誘導体（ビニルトルエン、ビニルナフタレン、ハロゲン置換スチレン、メトキシスチレン、メトキシカルボニルスチレン等）の場合は、全繰り返し単位成分中の５０質量％以下、それ以外の繰り返し単位成分の場合は、３０質量％以下で含有されることが好ましい。
【００８０】
次に、重合成分（Ｂ）（ブロックＢ）を構成し得る、ポリエステル重合成分及びポリエーテル重合成分について述べる。
ブロックＢにおける、ポリエステル重合成分は、ジオールとジカルボン酸との重縮合反応又はヒドロキシカルボン酸の自己縮重合反応によって形成されるポリエステル重合体鎖を含有することからなる。
ポリエステル重合成分としては、下記の一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される重合成分を含有することが好ましい。
【００８１】
【化１３】
2004315574.tif 000014
【００８２】
一般式（ＩＩ）又は一般式（ＩＩＩ）中、Ｅ１及びＥ２は、互いに同じでも異なってもよく、各々２価の脂肪族基、２価の芳香族基又はこれら残基の組み合わせにより構成された有機残基を表す〔各々の２価の有機残基の結合中に、−Ｃ（ｋ２）（ｋ３）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（ｋ４）−、−ＳＯ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨＣｌ−、−ＮＨＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＣＯＮ（ｋ４）−、−ＳＯ２Ｎ（ｋ４）−及び−Ｓｉ（ｋ５）（ｋ６）−（ｋ２、ｋ３及びｋ４はそれぞれ水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｋ５及びｋ６はそれぞれ炭素数１〜１２の炭化水素基を表す）から選ばれた少なくとも１つの結合基を介在させてもよい〕。
Ｅ３は２価の脂肪族基を表す。
【００８３】
ブロックＢにおけるポリエーテル重合成分としては下記一般式（ＩＶ）で表される重合成分を含有することが好ましい。
【００８４】
【化１４】
2004315574.tif 000015
【００８５】
Ｗは−ＣＨ（ｇ１）−ＣＨ（ｇ２）−又は−（ＣＨ２）４−を表す｛但し、ｇ１、ｇ２は互いに同じでも異なってもよく、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を表す｝。［  ］内は繰り返し単位を表し、αは１〜３の整数を表す。但し、αが２以上の時は、［  ］内のＷは少なくとも隣の［  ］内のＷと異なる基を表す。
【００８６】
上記式（ＩＩ）で表されるポリエステル重合成分において、Ｅ１及びＥ２は、互いに同じでも異なってもよく、各々、２価の脂肪族基又は２価の芳香族基を含有する２価の有機残基を表す。
２価の脂肪族基としては、炭素数２〜１２のアルキレン基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数３〜３０のシクロアルカン環基、炭素数６〜３０のシクロアルケン環基、２価の芳香族基としては、炭素数６〜１４のアリール基、複素原子（例えば、酸素原子、イオウ原子、窒素原子）を少なくとも１つ含有する５員〜６員の環数の複素環基又は縮環構造を形成してもよい複素環基が挙げられる。
好ましくは、Ｅ１及びＥ２の少なくともいずれか一方が、２価の炭素数３〜３０個の脂環式脂肪族基を含有する。より好ましくは、多環式、架橋環式の環状構造の脂環式脂肪族基が挙げられる。具体的には、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ、ペンタシクロ構造等を有する基を挙げることができる。特に炭素数６〜２５が好ましい。
【００８７】
脂環式炭化水素基の構造例としては、前記のブロックＡの置換基として挙げた脂環式炭化水素構造と同様のものが挙げられる。
【００８８】
また、これらの脂環式炭化水素基は少なくとも１種の置換基を有していてもよい。脂環式炭化水素基の置換基としては、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、アルコキシ基、アミド基、アシル基、アルコキシカルボニル基等が挙げられる。これらの置換基の具体的な内容は、ブロックＡのＲで例示すると同一の内容のものが挙げられる。
【００８９】
上記式（ＩＩ）で表されるポリエステル重合成分において、Ｅ１及びＥ２の少なくともいずれか一方が、脂環式脂肪族基を含有する好ましい態様において、ポリエステル重合成分中、脂環式脂肪族基の含有量は５〜１００モル％が好ましく、より好ましくは２０〜１００モル％、特に好ましくは５０〜１００モル％である。
【００９０】
式（ＩＩＩ）で表されるポリエステル重合成分において、Ｅ３は２価の脂肪族基を表し、具体的には、炭素数２〜１２のアルキレン基、炭素数３〜１２のアルキニル基を表す。
【００９１】
Ｅ１、Ｅ２及びＥ３の具体的な例としては、各々以下の有機残基が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９２】
【化１５】
2004315574.tif 000016
【００９３】
【化１６】
2004315574.tif 000017
【００９４】
一般式（ＩＶ）で表されるポリエーテルにおいてＷは−ＣＨ（ｇ１）−ＣＨ（ｇ２）−又は−（ＣＨ２）４−を表す｛但し、ｇ１、ｇ２は互いに同じでも異なってもよく、それぞれ水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基等）を表す｝。［  ］内は繰り返し単位を表し、αは１〜３の整数を表す。但し、αが２以上のときは、［  ］内のＷは少なくとも隣の［  ］内のＷと異なる基を表し、例えば、以下のごとき組み合わせが考えられる（以下の各例において、Ｗ１、Ｗ２及びＷ３は各々異なる基を表しＷと同一の内容を表す。）
【００９５】
【化１７】
2004315574.tif 000018
【００９６】
具体例としては、例えば以下の構造が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９７】
【化１８】
2004315574.tif 000019
【００９８】
ポリエステル重合成分の合成法は、従来公知の重縮合反応によって合成され、具体的には、滝山栄一郎「ポリエステル樹脂ハンドブック」日刊工業新聞社（１９８６年刊）、高分子学会編「重縮合と重付加」共立出版（１９８０年刊）、Ｉ．Ｇｏｏｄｍａｎ「Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｖｏｌ．１２」ｐ１．  Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ（１９８５年刊）等に記載の方法に従って合成することができる。
【００９９】
ポリエーテル重合成分は、従来公知の合成法によって製造することができる。即ち、カルボン酸類又はアルコール類とエポキシサイド類あるいはテトラヒドロフラン類とのカチオン重合により合成する方法により得られる。具体的には、Ｐ．Ｆ．Ｒｅｍｐｐ  ａｎｄＥ．Ｆｒａｎｔａ、Ａｄｖ：Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．５８，３（１９８４），  Ｒ．Ａｓａｍｉ，  Ｍ．Ｔａｋａｋｉ，  Ｋ．Ｋｉｔａａｎｄ  Ｅ．Ａｓａｋｕｒａ，  Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．１８６，６８５（１９８５），  Ｒ．Ａｓａｍｉ  ａｎｄ  Ｍ．Ｔａｋａｋｉ，  Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｕｐｐｌ．，  １２，１６３（１９８５），  Ｐ．Ｒｅｍｐｐ，  Ｐ．Ｌｕｔｚ，  Ｐ．Ｍａｓｓｏｎ  ａｎｄ  Ｅ．Ｆｒａｎｔａ，  Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｕｐｐｌ．，８，３（１９８４），相田卓三、井上祥平、有機合成協会誌、４３，３００（１９８５）などに記載の合成法によって合成することができる。
【０１００】
［ブロック共重合体の製造］
本発明のブロック共重合体において、ＡＢ型及びＡＢＡ型ブロック共重合体は、ブロックＢを構成するポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分に相当する重合体の各主鎖の末端にラジカル重合性基を結合してなるマクロモノマーを高分子開始剤とし、これとブロックＡを構成するラジカル重合性単量体とをラジカル重合反応することで製造することができる。
【０１０１】
即ち、ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の片末端のみにラジカル重合性基を結合して成るマクロモノマーを高分子開始剤としたときには、ＡＢ型ブロック共重合体が得られる。又、ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の両末端にラジカル重合性基を結合して成るマクロモノマーを高分子開始剤としたときには、ＡＢＡ型ブロック共重合体が得られる。
【０１０２】
ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の重合体主鎖の末端に結合するラジカル重合性基としてはペルオキシド基又はアゾビス基の熱重合性基、ジチオカーバメイト基又はザンテート基の光重合性基等が挙げられる。
【０１０３】
熱重合性基をポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各主鎖の末端に結合した高分子開始剤は、例えばＰ．Ｓ．Ａｎａｎｄ  ｅｔａｌ，  Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．  １８３，１６８５（１９８２），  上田明等、  高分子論文集  ３３（Ｎｏ．３）、１３１（１９７６）、森屋泰夫等  強化プラスチック  ２９（Ｎｏ．３）１０７等に記載の内容と同様にして製造することが出来る。
【０１０４】
ジチオカーバメイト基又はザンテート基から選ばれる光重合性基をポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の末端に結合した高分子開始剤を用いて光ラジカル重合する方法は高分子開始剤のブロック重合反応が完全に進行することが好ましい。
【０１０５】
ジチオカーバメイト基又はザンテート基から選ばれる光重合性基をポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の末端に結合した高分子開始剤の具体的態様としては、下記式（Ｑ−Ｉ）〜（Ｑ−Ｖ）で表される構造が好ましく挙げられる。
【０１０６】
【化１９】
2004315574.tif 000020
【０１０７】
上記式（Ｑ−Ｉ）〜（Ｑ−Ｖ）中、［  ］内は繰り返し単位を表す。
Ｌ３は、ラジカル発生基ＴとＤ３とを連結する２価連結基表す。
Ｌ４は、ラジカル発生基ＴとＤ４とを連結する２価連結基表す。
Ｄ３は−ＣＨ２−又は−ＣＯ−を表す。Ｄ４は−Ｏ−又は−ＮＨ−を表す。Ｒ１は−ＯＨ、−ＯＲ５又は−Ｎ（Ｒ６）  （Ｒ７）を表す（但し、Ｒ５は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。Ｒ６及びＲ７は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。）。
Ｒ２は水素原子、炭素数１〜１２の炭化水素基、−ＣＯＲ８又は−ＣＯＮＨＲ９を表す（Ｒ８及びＲ９はそれぞれ炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。）。
【０１０８】
一般式（Ｑ−Ｉ）及び（Ｑ−Ｖ）中、Ｔはジチオカーバメイト基又はザンテート基を表す。具体的には、Ｔとしては以下のものが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０９】
【化２０】
2004315574.tif 000021
【０１１０】
これらの基が光の照射によりラジカルを発生するラジカル発生基の一例である。ここで挙げた高分子開始剤は光重合開始剤すなわち光重合高分子開始剤であり、ラジカル開始剤機能、連鎖移動機能及び停止反応機能を有し、光リビングラジカル重合反応を起こす（例えば、大津隆行、高分子、３７、２４８（１９８８）に記載の内容が挙げられる）。光照射によって光重合高分子開始剤における、−［Ｃ（＝Ｓ）−Ｓ−Ｃ］−結合の−Ｓ−と−Ｃ−との間にブロックＡのラジカル重合性モノマーが挿入され、これらの繰り返しで重合反応が進行し、ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分から構成される重合成分（Ｂ）とラジカル重合性単量体を含有する重合成分（Ａ）とからなるＡＢブロック共重合体が生成する。
【０１１１】
前記式中、Ｒ５１、Ｒ５２及びＲ５３は、各々同じでも異なってもよく、水素原子、脂肪族基、アリール基、または複素環基を表す。また、Ｒ５１とＲ５２とは、窒素原子を含む環を形成する残基を表す。ここでＲ５１とＲ５２が、ともに水素原子を表すことはない。
Ｒ５４、Ｒ５５及びＲ５６は、脂肪族基、アリール基または複素環基を表す。
Ｒ５１〜Ｒ５３；Ｒ５４〜Ｒ５６が脂肪族基、アリール基または複素環基を表す場合、各有機基は、前記式（Ｉ）中のＲと同一の内容のものが挙げられる。
また、これらの各有機残基は、置換基を有してもよく、置換される置換基としては、前記のＲで置換される置換基と同一の内容のものが挙げられる。
Ｒ５１とＲ５２の総炭素数は１８以下が好ましく、１２以下がより好ましい。
【０１１２】
Ｌ３及びＬ４は、Ｔと繰り返し単位［  ］とを連結する２価連結基を表し、単結合または総原子数１〜２２個の連結基（ここでいう総原子数には、炭素原子、窒素原子またはケイ素原子に結合する水素原子を除く）を表す。好ましくは単結合または総原子数１〜１８の連結基を表す。
【０１１３】
Ｌ３及びＬ４における連結基としては炭素原子−炭素原子結合（一重結合または二重結合）、炭素原子−ヘテロ原子結合（ヘテロ原子としては例えば、酸素原子、イオウ原子、窒素原子、ケイ素原子等）、ヘテロ原子−ヘテロ原子結合等から構成される原子団の任意の組合せで構成される。例えば、原子団としては下記のものが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１４】
【化２１】
2004315574.tif 000022
【０１１５】
前記において、ｚ１、ｚ２は同じでも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子（フッ素原子、ハロゲン原子、臭素原子、ヨウ素原子）又は炭素数１〜６の置換されてもよいアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、トリフロロメチル基、メトキシエチル基、シアノエチル基、クロロエチル基等）を表し、ｚ３は、水素原子又は炭素数１〜１２の置換されてもよい炭化水素基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ベンジル基、フェネチル基、フェニル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基、アセチルフェニル基、トリフロロフェニル基等）を表し、ｚ４、ｚ５は、同じでも異なってもよく、炭素数１〜１２の置換されてもよい炭化水素基（具体的には前記ｚ３と同一の内容を表わす）を表わす。
【０１１６】
Ｌ３及びＬ４で表される連結基としては、さらに２価の脂環式基（脂環式構造の炭化水素環としては、例えばシクロへプタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環、ビシクロペンタン環、トリシクロヘキサン環、ビシクロオクタン環、ビシクロノナン環、トリシクロデカン環、等）、２価のアリール環基（アリール環としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環等）で示される基等の原子団の任意の組合せで構成されるものをも含む。
連結基Ｌ３及びＬ４の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１７】
【化２２】
2004315574.tif 000023
【０１１８】
ＡＢＡ型ブロック共重合体は前記のように、ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の両末端にラジカル重合性基を結合して成るマクロモノマーを高分子開始剤とすることにより得られる。好ましい態様は末端のラジカル重合性基として光重合性基を結合した光重合高分子開始剤とラジカル重合性単量体との光ラジカル重合反応によって製造される。
具体的には前記一般式（Ｑ−Ｉ）〜（Ｑ−Ｖ）におけるＲ１、Ｒ２がさらに下記式（Ｓ−Ｉ）又は式（Ｓ−ＩＩ）で表される基を結合して成るものが挙げられる。
【０１１９】
【化２３】
2004315574.tif 000024
【０１２０】
光重合高分子開始剤の合成法を次に述べる。
ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の末端のヒドロキシル基に官能基（Ｔ）を導入する方法は、従来公知の低分子化合物におけるアルコール類からエステル化する反応あるいはアルコール類からウレタン化する反応を用いる事で合成することができる。即ち、分子内にジチオカーバメイト基又はザンテート基を含有するカルボン酸類、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハライド類又はカルボン酸無水物類との反応でエステル化し、本発明における光重合高分子開始剤を合成する方法、あるいは、分子内にジチオカーバメイト基又はザンテート基を含有するモノイソシアナート類との反応でウレタン化し合成する方法等によって達せられる。具体的には、日本化学会編「新実験化学講座１４、有機化合物の合成と反応〔ＩＩ〕」、第５章、丸善（株）、（１９７７年刊）、「同、有機化合物の合成と反応〔ＩＩＩ〕」、第１６５２頁、丸善（株）、（１９７８年刊）等に詳細に記載された方法を用いて合成することができる。
【０１２１】
前記一般式（Ｑ−Ｉ）〜（Ｑ−Ｖ）で示されるジチオカーバメイト基又はザンテート基から選ばれる光重合性基をポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の末端に結合した高分子開始剤、すなわち光重合高分子開始剤は、上記の様にしてポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の末端のヒドロキシル基に官能基（Ｔ）を導入する方法により合成することができる。その導入方法としては、従来公知の低分子化合物におけるカルボン酸類からエステル化する反応あるいはカルボン酸類から酸アミド化する反応を用いる事で合成することができる。即ち、分子内にジチオカーバメイト基又はザンテート基を含有し且つカルボキシル基と化学反応する官能基としては、例えば、−ＯＨ基、ハロゲン体（塩化物、臭化物、ヨウ化物）、−ＮＨ２、−ＣＯＯＲ３１（Ｒ３１は、メチル基、トリフロロメチル基、２，２，２−トリフロロエチル基等）、及び下記で示す基等を含有する化合物とポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分に相当する重合体を高分子反応する事で該光重合高分子開始剤が合成される。
【０１２２】
【化２４】
2004315574.tif 000025
【０１２３】
光ラジカル重合反応は光Ｉｎｉｆｅｒｔｏｒとして知られており、例えばＴ．Ｏｔｓｕ  ａｎｄ  Ｍ．Ｙｏｓｈｉｄａ，  Ｐｏｌｙｍ．Ｂｕｌｌ．７，１９７（１９８２）大津隆行、高分子、３７、２４８（１９８８）などに記載の内容と同様にして合成される。
【０１２４】
次に本発明のブロック共重合体がクシ型ブロック共重合体である場合の製造法について述べる。
本発明のクシ型共重合体は、クシの部分がブロックＢの重合成分から構成される。ラジカル重合性単量体と、本発明のポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の片末端にのみラジカル重合性基を結合してなる一官能性マクロモノマーとをラジカル重合して得ることができる。
ジチオカーバメイト基又はザンテート基から選ばれる光重合性基をポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の末端に結合した高分子開始剤の一般式（Ｑ−Ｉ）〜（Ｑ−Ｖ）におけるＴが、ＣＨ（ｄ１）＝Ｃ（ｄ２）−Ｖ３−で表されるものが好ましい。ここでｄ１、ｄ２及びＶ３は前記一般式（Ｉ）で表されるラジカル重合成分のａ１、ａ２及びＶ１とそれぞれ同一の内容を表す。
【０１２５】
ポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の片末端のヒドロキシル基のみに重合性二重結合基を導入する方法は、従来公知の低分子化合物におけるアルコール類からエステル化する反応、又はアルコール類からウレタン化する反応を用いる事で合成することができる。即ち、分子内に重合性二重結合基を含有するカルボン酸類、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハライド類又はカルボン酸無水物類との反応でエステル化し、マクロモノマーを合成する方法あるいは、分子内に重合性二重結合基を含有するモノイソシアナート類との反応でウレタン化し、マクロモノマーを合成する方法によって達せられる。具体的には、日本化学会編「新実験化学講座１４、有機化合物の合成と反応〔ＩＩ〕」、第５章、丸善（株）、（１９７７年刊）、「同、有機化合物の合成と反応〔ＩＩＩ〕」、第１６５２頁、丸善（株）、（１９７８年刊）等に詳細に記載された方法を用いて合成することができる。
【０１２６】
ジチオカーバメイト基又はザンテート基から選ばれる光重合性基をポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の末端に結合した高分子開始剤の一般式（Ｑ−Ｉ）〜（Ｑ−Ｖ）におけるＴがＣＨ（ｄ１）＝Ｃ（ｄ２）−Ｖ３−で表される構造をもつマクロモノマーは、前記の様にしてポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分の各重合体主鎖の片末端のヒドロキシル基のみに重合性二重結合基を導入する方法により合成することができる。その導入方法としては、従来公知の低分子化合物におけるカルボン酸類からエステル化する反応、又はカルボン酸類から酸アミド化する反応を用いる事で合成することができる。即ち、分子内に重合性二重結合基を含有し且つカルボキシル基と化学反応する官能基としては、例えば、−ＯＨ基、ハロゲン体（塩化物、臭化物、ヨウ化物）、−ＮＨ２、−ＣＯＯＲ３１（Ｒ３１は、メチル基、トリフロロメチル基、２，２，２−トリフロロエチル基等）とともに下記で示す基等を含有する化合物とポリエステルオリゴマーを高分子反応する事で該マクロモノマーが合成される。
【０１２７】
ＡＢ型又はＡＢＡ型ブロック共重合体に供されるポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分は質量平均分子量２×１０３〜５×１０４、好ましくは３×１０３から４×１０４、より好ましくは３×１０３から３×１０４である。
クシ型ブロック共重合体に供されるポリエステル重合成分又はポリエーテル重合成分は質量平均分子量２０００〜２００００であることが好ましい。より好ましくは３０００〜１５０００である。この範囲においてラジカル重合反応性と得られた重合体の膜特性が良好となる。
【０１２８】
本発明のブロック共重合体とセルロースアシレートは親和性が高く相溶性が良好で、セルロースアシレートフィルム内での相分離を生じにくく、ブロック共重合体とセルロースアシレートとの高分子同士の立体的な絡み合いにより膜の高度と耐脆性が両立し、さらにブロック共重合体を膜性改良に有効な量まで使用できるという点で優れている。
【０１２９】
本発明では、耐傷性やフィルムの搬送性を良好に保持するためにセルロースアシレート組成物に微粒子を添加するのが好ましい。
それらは、マット剤、ブロッキング防止剤あるいはキシミ防止剤と称されて従来から利用されている。それらは、前述の機能を呈する素材であれば特に限定されないが、これらのマット剤の好ましい具体例は、無機化合物としては、ケイ素を含む化合物、二酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化バリウム、酸化ジルコニウム、酸化ストロンチウム、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化スズ・アンチモン、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成ケイ酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウム等が好ましく、更に好ましくはケイ素を含む無機化合物や酸化ジルコニウムであり、セルロースアシレートフィルムの濁度を低減できるので二酸化ケイ素が特に好ましい。
又、表面処理された無機微粒子もセルロースアシレート中への分散性が良好となり好ましい。処理法としては、例えば、特開昭５４−５７５６２号公報に記載の方法が挙げられる。粒子としては、例えば、特開２００１−１５１９３６号公報に記載のものが挙げられる。
有機化合物としては、例えば、架橋ポリスチレン、シリコーン樹脂、フッ素樹脂及びアクリル樹脂等のポリマーが好ましく、なかでも、シリコーン樹脂が好ましく用いられる。シリコーン樹脂のなかでも、特に三次元の網状構造を有するものが好ましい。
【０１３０】
これらの添加剤をセルロースアシレート溶液へ添加する場合は、特にその方法は限定されず、いずれの方法でも所望のセルロースアシレート溶液を得ることができれば問題ない。例えば、セルロースアシレートと溶媒を混合する段階で添加物を含有させてもよいし、セルロースアシレートと溶媒で混合溶液を作製した後に添加物を添加してもよい。更にはドープを流延する直前に添加混合してもよく、いわゆる直前添加方法であり、その混合にはスクリュー式混練がオンラインで設置して用いられる。添加剤の混合は、混合物それ自身を添加してもよいが、予め溶媒やバインダー（好ましくはセルロースアシレート）を用いて溶解しておいたり、場合により分散して安定化した溶媒として用いることも好ましい態様である。
【０１３１】
これらの微粒子の１次平均粒子径としては、ヘイズを低く抑えるという観点から、好ましくは０．００１〜２０μｍであり、より好ましくは０．００１〜１０μｍであり、更に好ましくは０．００２〜１μｍであり、特に好ましくは０．００５〜０．５μｍである。
セルロースアシレートに対する微粒子の添加量は、セルロースアシレート１００質量部に対して、微粒子は０．０１〜０．３質量部が好ましく、０．０５〜０．２質量部がさらに好ましい。
【０１３２】
本発明のセルロースアシレート組成物には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、光学異方性コントロール剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができる。その添加する時期はドープ作製工程において何れで添加してもよいが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開平２００１−１５１９０２号公報などに記載されており、これらは従来から知られている技術である。さらにこれらの詳細は、前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．１６−２２に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。これらの添加剤の使用量は、セルロールアシレート全組成物中、０．００１〜２０質量％の範囲で適宜用いられることが好ましい。
【０１３３】
次に、本発明のセルロースアシレートを溶解する有機溶媒について記述する。用いる溶媒としては、低級脂肪族炭化水素の塩化物（メチレンクロライド等）、低級脂肪族アルコール（メタノール、エタノール、プロピルアルコール、ブタノール等）が主溶媒として挙げられる。その他の溶媒の例としては、アセトン、炭素原子数４〜１２までのケトン、炭素原子数３〜１２のエステル、炭素原子数３〜１２のエーテル、炭素原子数５〜８の環状炭化水素類が挙げられる。本発明においては、以上のような溶媒の中で。メチレンクロライド、アセトン、酢酸メチル及びジオキソランの中から選ばれる溶媒またはこれらの混合物を主溶媒とすることが好ましい。また、メチレンクロライドのようなハロゲン化炭化水素を含まない非ハロゲン系有機溶媒として、例えば、特開２００２−１４６０４５号明細書の段落番号［００１６］から［００２１］等に記載の溶媒系の例が挙げられる。これらの具体的な例は、前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．１２−１６に記載の内容が挙げられる。
【０１３４】
本発明のセルロースアシレートは、有機溶媒に１０〜３０質量％溶解している溶液であることが好ましいが、より好ましくは１３〜２７質量％であり、特には１５〜２５質量％溶解しているセルロースアシレート溶液であることが好ましい。これらの濃度にセルロースアシレートを調製する方法は、溶解する段階で所定の濃度になるように調製してもよく、また予め低濃度溶液（例えば９〜１４質量％）として作製した後に後述する濃縮工程で所定の高濃度溶液に調整してもよい。さらに、予め高濃度のセルロースアシレート溶液として後に、種々の添加物を添加することで所定の低濃度のセルロースアシレート溶液としてもよく、いずれの方法で本発明のセルロースアシレート溶液濃度になるように実施されれば特に問題ない。
【０１３５】
本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製については、その溶解方法は特に限定されず、室温溶解法でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。これらに関しては、例えば特開平５−１６３３０１号、特開昭６１−１０６６２８号、特開昭５８−１２７７３７号、特開平９−９５５４４号、特開平１０−９５８５４号、特開平１０−４５９５０号、特開２０００−５３７８４号、特開平１１−３２２９４６号、特開平１１−３２２９４７号、特開平２−２７６８３０号、特開２０００−２７３２３９号、特開平１１−７１４６３号、特開平０４−２５９５１１号、特開２０００−２７３１８４号、特開平１１−３２３０１７号、特開平１１−３０２３８８号などの各公報にセルロースアシレート溶液の調製法が記載されている。以前記載したこれらのセルロースアシレートの有機溶媒への溶解方法は、本発明においても適宜本発明の範囲であればこれらの技術を適用できるものである。これらの詳細は、特に非塩素系溶媒系については前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．２２−２５に詳細に記載されている方法で実施される。さらに本発明のセルロースアシレートのドープ溶液は、溶液濃縮、ろ過が通常実施され、同様に前記の公技番号２００１−１７４５号，ｐ．２５に詳細に記載されている。なお、高温度で溶解する場合は、使用する有機溶媒の沸点以上の場合がほとんどであり、その場合は加圧状態で用いられる。
【０１３６】
本発明のセルロースアシレート溶液は、その溶液の粘度と動的貯蔵弾性率がある範囲であることが好ましい。試料溶液１ｍＬをレオメーター（ＣＬＳ  ５００）に直径４ｃｍ／２°のＳｔｅｅｌ  Ｃｏｎｅ（共にＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｎｔｓ社製）を用いて測定した。測定条件はＯｓｃｉｌｌａｔｉｏｎ  Ｓｔｅｐ／Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｒａｍｐで４０℃〜−１０℃の範囲を２℃／分で可変して測定し、４０℃の静的非ニュートン粘度ｎ＊（Ｐａ・ｓｅｃ）及び−５℃の貯蔵弾性率Ｇ’（Ｐａ）を求めた。尚、試料溶液は予め測定開始温度にて液温一定となるまで保温した後に測定を開始した。本発明では、４０℃での粘度が１〜３００Ｐａ・ｓｅｃであり、かつ−５℃での動的貯蔵弾性率が１万〜１００万Ｐａである。より好ましくは、４０℃での粘度が１〜２００Ｐａ・ｓｅｃであり、かつ−５℃での動的貯蔵弾性率が３万〜５０万Ｐａである。
【０１３７】
次に、本発明のセルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。本発明のセルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、セルローストリアセテートフィルム製造に供するドラム方法若しくはバンド方法と称される、従来公知の溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。
【０１３８】
以下、バンド法を例として製膜の工程を説明する。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。ハロゲン化銀写真感光材料や電子ディスプレイ用機能性保護膜に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらの各製造工程については、前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．２５−３０に詳細に記載され、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離、延伸などに分類される。
【０１３９】
ここで、本発明においては流延部の空間温度は特に限定されないが、−５０〜５０℃であることが好ましい。更には−３０〜４０℃であることが好ましい。特に低温での空間温度により流延されたセルロースアシレート溶液は、支持体の上で瞬時に冷却されゲル強度アップすることでその有機溶媒を含んだフィルムを保持することができる。これにより、セルロースアシレートから有機溶媒を蒸発させることなく、支持体から短時間で剥ぎ取りことが可能となり、高速流延が達成できるものである。なお、空間を冷却する手段としては通常の空気でもよいし窒素やアルゴン、ヘリウムなどでもよく特に限定されない。またその場合の湿度は０〜７０％ＲＨが好ましく、さらには０〜５０％ＲＨが好ましい。また、本発明ではセルロースアシレート溶液を流延する流延部の支持体の温度が−５０〜１３０℃であり、好ましくは−３０〜２５℃である。流延部を本発明の温度に保つためには、流延部に冷却した気体を導入して達成してもよく、あるいは冷却装置を流延部に配置して空間を冷却してもよい。この時、水が付着しないように注意することが重要であり、乾燥した気体を利用するなどの方法で実施できる。
【０１４０】
流延工程では１種類のセルロースアシレート溶液を単層流延してもよいし、２種類以上のセルロースアシレート溶液を同時及び又は逐次共流延してもよい。
【０１４１】
前記のような二層以上の複数のセルロースアシレート溶液を共流延する方法としては、例えば、支持体の進行方向に間隔を置いて設けた複数の流延口からセルロースアシレートを含む溶液をそれぞれ流延させて積層させる方法（例えば、特開平１１−１９８２８５号公報記載の方法）、２つの流延口からセルロースアシレート溶液を流延する方法（特開平６−１３４９３３号公報記載の方法）、高粘度セルロースアシレート溶液の流れを低粘度のセルロースアシレート溶液で包み込み、その高、低粘度のセルロースアシレート溶液を同時に押出す方法（特開昭５６−１６２６１７号公報記載の方法）等が挙げられる。本発明ではこれらに限定されるものではない。
【０１４２】
得られたフィルムを支持体（バンド）から剥ぎ取り、更に乾燥させる。乾燥工程における乾燥温度は４０〜２５０℃、特に７０〜１８０℃が好ましい。
更に残留溶媒を除去するために、５０〜１６０℃で乾燥させ、その場合逐次温度を変えた高温風で乾燥して残留溶剤を蒸発させることが好ましい。以上の方法は、特公平５−１７８４４号公報に記載されている。この方法によると、流延から剥ぎ取りまでの時間を短縮することができる。使用する溶媒によって乾燥温度、乾燥風量及び乾燥時間が異なり、使用溶媒の種類、組み合わせに応じて適宜選ぶことができる。最終仕上がりフィルムの残留溶媒量は２質量％以下、更に０．４質量％以下であることが、寸度安定性良好なフィルムを得る上で好ましい。これらの乾燥工程の具体的な方法は、例えば、前述の発明協会公開技報に記載の従来公知の方法及び装置のいずれを用いてもよく、特に限定されるものではない。
【０１４３】
本発明の光重合反応は、ドープを流延してから乾燥が終了するまでの間の任意の場所で行えばよいが、特にドープ膜が支持体上にあるときに光照射することが好ましい。光照射の光源は、紫外線光域或いは近赤外線光のものであればいずれでもよく、紫外線光の光源として、超高圧、高圧、中圧、低圧の各水銀灯、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、メタルハライド灯、キセノン灯、太陽光等が挙げられる。波長３５０〜４２０ｎｍの入手可能な各種レーザー光源をマルチビーム化照射等、又、近赤外光光源としてはハロゲンランプ、キセノンランプ、高圧ナトリウムランプ、波長７５０〜１４００ｎｍの入手可能な各種レーザー光源をマルチビーム化照射等を採用することができる。
【０１４４】
光照射による光ラジカル重合の場合は空気又は不活性気体中で行うことができ、ラジカル重合性モノマーの重合の誘導期を短くするか、又は重合率を十分に高める等のためにできるだけ酸素濃度を少なくした雰囲気とすることが好ましい。照射する紫外線の照射強度は、０．１〜１００ｍＷ／ｃｍ２程度が好ましく、ドープ膜表面上での光照射量は１００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。また、光照射工程でのドープ膜の温度分布は、均一なほど好ましく、±３℃以内が好ましく、更には±１．５℃以内に制御されることが好ましい。この範囲において、ドープ膜の面内及び層内深さ方向での重合反応が均一に進行するので好ましい。
【０１４５】
本発明に従い製造されるフィルムの厚さは、５〜５００μｍであることが好ましく、１５〜３００μｍであることが更に好ましく、２０〜２００μｍであることが最も好ましい。また、光学フィルム用の場合には２０〜１２０μｍ、更には３０〜８０μｍも好ましい態様である。
【０１４６】
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層及びバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸又はアルカリ処理を用いることができる。これらについては、詳細が前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．３０−３２に詳細に記載されている。これらの中でも特に好ましくは、アルカリ鹸化処理でありセルロースアシレートフィルムの表面処理としては極めて有効である。
【０１４７】
アルカリ鹸化処理は、鹸化液を塗布することで行うことも好ましい。塗布方法としては、ディップコーティング法、カーテンコーティング法、エクストルージョンコーティング法、バーコーティング法及びＥ型塗布法を挙げることができる。アルカリ鹸化処理塗布液の溶媒は、鹸化液の透明支持体に対して塗布するために濡れ性が良く、また鹸化液溶媒によって透明支持体表面に凹凸を形成させずに、面状を良好なまま保つ溶媒を選択することが好ましい。具体的には、例えば、特開２００２−８２２２６号公報、国際公開第０２／４６８０９号パンフレットに内容の記載が挙げられる。
【０１４８】
フィルムと乳剤層との接着を達成するために、表面活性化処理をしたのち、直接セルロースアシレートフィルム上に機能層を塗布して接着力を得る方法と、一旦何がしかの表面処理をした後、あるいは表面処理なしで、下塗層（接着層）を設けこの上に機能層を塗布する方法とがある。これらの下塗層についての詳細は、前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．３２に記載されている。また本発明のセルロースアシレートフィルムの機能性層についても各種の機能層が前記の公技番号２００１−１７４５号，ｐ．３２−４５に詳細に記載されている。
【０１４９】
本発明で作製されたセルロースアシレートフィルムの用途についてまず簡単に述べる。
本発明のセルロースアシレートフィルムからなる光学フィルムは、特に偏光板保護フィルム用として有用である。偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号に記載されているような易接着加工を施してもよい。保護フィルム処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明の光学フィルムを適用した偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが特に好ましい。
【０１５０】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な用途で用いることができ、画像表示装置、特に液晶表示装置の光学補償シートとして用いると効果がある。本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ  Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  Ａｌｉｇｎｅｄ）及びＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、前記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。セルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置又はＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。
【０１５１】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号公報、国際公開第９８４８３２０号パンフレット、特許第３０２２４７７号公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、国際公開第００−６５３８４号パンフレットに記載がある。本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ  ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ  ｅｔ  ａｌ．，ＳＩＤ  ９８  Ｄｉｇｅｓｔ  １０８９  （１９９８））に記載がある。以上述べてきたこれらの詳細なセルロースアシレートフィルムの用途は前記の発明協会公開技法公技番号２００１−１７４５号，ｐ．４５−５９に詳細に記載されている。
【０１５２】
また、本発明のセルロースアシレートフィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料用支持体としても有用である。本発明のセルロースアシレートフィルムは、印刷製版用、医療用、一般写真用等のいずれのハロゲン化銀写真感光材料の支持体として用いることができる。また、その膜厚は３０〜２５０μｍであることがより好ましい。このようなハロゲン化銀写真感光材料についてはＴ．  Ｈ．  Ｊａｍｅｓ  ｅｔ．  ａｌ．  Ｔｈｅ  Ｔｈｅｏｒｙ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  第４版  （Ｍａｃｍｉｌｌａｎ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．，  Ｉｎｃ．  １９７７）等に記載されている。
【０１５３】
【実施例】
以下に本発明のセルロースアシレートについての具体的な実施例を記述するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５４】
＜高分子開始剤（Ｑ）の合成例＞
高分子開始剤（Ｑ）の合成例１：高分子開始剤（Ｑ−１）
１，６−ヘキサンジオール２６．４ｇ、トリシクロ〔５．２．１．０２，６〕デカン−８，９−ジカルボン酸３８ｇ、ジブチルスズオキサイド０．０１ｇ及びメシチレン１５０ｇの混合物をＤｅａｎ−Ｓｔａｒ環流装置を付したフラスコ中で攪拌しながら環流下に８時間加熱した。トルエン溶媒とともに共沸で留去された水の量は約３．５ｇであった。室温に冷却後、メタノール８００ｍｌ中に再沈し、液状物をデカント後補集し、減圧下に乾燥した。
上記反応生成物を、ジメチルホルムアミドに溶解し、０．１Ｎソジウムメチラートメタノール溶液で電位差滴定する方法によりヒドロキシル基及びカルボキシル基を測定したところ、各々３００μｍｏｌ／ｇｒとなった。
上記固形物５０ｇ、下記ジチオカーバメイト化合物１２ｇ、及びテトラヒドロフラン２００ｇの混合物を室温で攪拌下に溶解した。ジシクロヘキシルカルボジイミド（Ｄ．Ｃ．Ｃ）１０．２ｇ、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノピリジン０．２ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇの混合溶液を、攪拌下に上記混合物に１時間で滴定した。更にそのまま４時間攪拌した。
Ｄ．Ｃ．Ｃ溶液を滴下するにつれ、不溶の結晶が析出した。反応混合物中に３％ギ酸水溶液３ｇを加えて、室温で２時間攪拌した。反応混合物をセライトを用いた吸引濾過で濾別し、濾液をメタノール５００ｍｌに再沈し、固形物を濾集した。これをテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した後、メタノール５００リットル中に再度再沈し、固形物を補集後、減圧乾燥した。得られた生成物の収量は４２ｇで、質量平均分子量Ｍｗは２×１０４であった（Ｍｗはゲルパーミエーションクロマトグラフィー法のポリスチレン換算値）。得られた高分子開始剤（Ｑ−１）を、上記と同様の電位差滴定方法でヒドロキシル基量を測定したところ、３μｍｏｌ／ｇｒで、反応率は９９％であった。
【０１５５】
【化２５】
2004315574.tif 000026
【０１５６】
高分子開始剤（Ｑ）の合成例２：高分子開始剤（Ｑ−２）
Ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ  Ａ  ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅ（Ａｌｄｖｉｃｈ社製）８０．８ｇ、無水コハク酸１．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物１．６ｇ及びトルエン２００ｇの混合物を、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒ環流装置を付したフラスコ中で攪拌しながら環流下に６時間加熱した。冷却後、メタノール１リットル中に再沈し、沈降物を補集・減圧乾燥して、収量８８ｇの生成物を得た。この反応物をトルエンに溶解し、０．１Ｎ水酸化カリウムとメタノール溶液で中和滴定する方法によりカルボキシル基含量を測定し、２５０μｍｏｌ／ｇｒとなった。
次に上記反応物５０ｇ、下記ザンテート化合物１３ｇ、及びトルエン１５０ｇの混合溶液とｔ−ブチルハイドロキノン０．３ｇを上記反応物に加えた後、Ｄ．Ｃ．Ｃ．１０．３ｇ、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ピリジン０．１ｇ及び塩化メチレン３０ｇの混合溶液を攪拌下に上記混合物に１時間で滴下した。更に、そのまま、４時間攪拌した。
反応混合物を２００メッシュのナイロン布を通して、不溶物を濾別した。濾液をメタノール８００ｍｌ中に再沈し、粉末を濾集した。これを塩化メチレン１００ｇに溶解し、再度メタノール５００ｍｌ中に再沈した。粉末を濾集し、減圧下に乾燥し、Ｍｗ１．２×１０４の高分子開始剤を３５ｇ得た。この高分子開始剤を前記の中和滴定法により滴定して残存するカルボキシル基含量を測定した所、０．５μｍｏｌ／ｇｒとなり、反応率は９９．８％であった。
【０１５７】
【化２６】
2004315574.tif 000027
【０１５８】
高分子開始剤（Ｑ）の合成例３：高分子開始剤（Ｑ−３）
高分子開始剤（Ｑ−１）５０ｇ、下記ジチオカーバメイト化合物１０．５ｇ、塩化メチレン１５０ｇの混合溶液に、Ｄ．Ｃ．Ｃ．６ｇ、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン０．１ｇ及び塩化メチレン１０ｇの混合溶液を温度２０〜２５℃で攪拌下に３０分間で滴下し、そのまま更に４時間攪拌した。この反応混合物にギ酸５ｇを加えて１時間攪拌した後、析出した不溶物を濾別した。濾液をメタノール１リットル中に再沈し、溶媒をデカンテーションで取り除き沈殿物を補集し減圧乾燥した。得られた粘稠物は、収量２８ｇでＭｗは２×１０４であった。
【０１５９】
【化２７】
2004315574.tif 000028
【０１６０】
高分子開始剤（Ｑ）の合成例４：高分子開始剤（Ｑ−４）
１，３−シクロヘキサンジカルボン酸４３．０ｇ、１，４−シクロヘキサンメタンジオール３６．１ｇ及びジブチルスズオキサイド０．００５ｇの混合物を窒素雰囲気に温度１４０℃に加熱した。減圧度２０ｍｍＨｇで１時間攪拌後、温度１６０℃で減圧度５ｍｍＨｇで３時間攪拌した。
次にこの反応混合物に、１，４−シクロメタンジオール５ｇを加えて、上記と同様に温度１６０℃で減圧度５ｍｍＨｇで２時間攪拌した。
放冷後、トルエン１８０ｇを加えて溶解した後、メタノール１リットル中に再沈し、沈降物を補集・減圧乾燥して、収量７２ｇを得た。
上記反応生成物５０ｇ、下記ザンテート化合物２０ｇを用いて、前記の高分子開始剤（Ｑ）の合成例１と同様のＤ．Ｃ．Ｃを用いる方法で、高分子開始剤を合成した。収量４５ｇで、Ｍｗ３×１０４であった。
【０１６１】
【化２８】
2004315574.tif 000029
【０１６２】
高分子開始剤（Ｑ）の合成例５：高分子開始剤（Ｑ−５）
１，４−シクロヘキサンメタンジオール７２．１ｇ、無水コハク酸５０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物０．７ｇ及びキシレン２００ｇの混合物を、前記高分子開始剤（Ｑ）合成例２と同様にして反応した。
次に、アクリル酸８．６ｇ及びトルエン７５ｇの混合溶液とｔ−ブチルハイドロキノン０．５ｇを上記反応物に加えた後、更に攪拌しながら環流下に４時間反応した。室温に冷却後、メタノール１リットル中に再沈し、析出した固形物を濾取し、減圧乾燥した。収量は６７ｇで、得られた高分子開始剤（Ｑ−５）の重量平均分子量は８×１０３であった。
【０１６３】
【化２９】
2004315574.tif 000030
【０１６４】
高分子開始剤（Ｑ）の合成６：高分子開始剤（Ｑ−６）
下記構造のジオール化合物６４．５ｇ、無水グルタル酸２８．６ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸０．４ｇ及びメシチレン２２０ｇの混合物を、上記高分子開始剤（Ｑ）合成例５と同様にして反応した。
室温に冷却後、メタノール１リットル中に再沈し、沈殿物を濾集し減圧乾燥した。上記固形物５０ｇを用いて、前記高分子開始剤（Ｑ）合成例１に記載のＤ．Ｃ．Ｃを用いる方法で、下記構造の重合性モノマーを用いて反応し、高分子開始剤（Ｑ−６）４０ｇを得た。Ｍｗは７×１０３であった。
【０１６５】
【化３０】
2004315574.tif 000031
【０１６６】
＜ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ）の合成例＞
ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ）の合成例１：ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−１）
シクロヘキシルアクリレート３０ｇ、高分子開始剤（Ｑ−１）２０ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇの混合物を窒素気流下に温度５０℃に加温し均一溶液とした。この溶液に４００Ｗの高圧水銀灯で１０ｃｍの距離から、ガラスフィルターを通して、８時間光照射重合した。
この重合物をメタノール８００ｍｌ中に再沈し、沈殿物を捕集し乾燥して収量４２ｇの生成物を得た。Ｍｗは３．５×１０４であった。
【化３１】
2004315574.tif 000032
【０１６７】
ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ）の合成例２：ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−２）
下記構造の単量体（Ａ−１）１７．５ｇ、メチルメタクリレート７．５ｇ、高分子開始剤（Ｑ−２）２５ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇの混合物を用いて、合成例（ＰＩ−１）と同様にして重合体を得た。収量４３ｇでＭｗは２．３×１０４であった。
【化３２】
2004315574.tif 000033
【０１６８】
ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ）の合成例３〜６：ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−３）〜（ＰＩ−６）
上記のＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−１）の合成例と同様にして、下記表１の各重合体を得た。
【表１】
2004315574.tif 000034
【０１６９】
＜ＡＢＡ型ブロック共重合体（ＰＩＩ）の合成例＞
ＡＢＡ型ブロック共重合体（ＰＩＩ）の合成例１：ＡＢＡ型ブロック共重合体（ＰＩＩ−１）
シクロヘキシルアクリレート３０ｇ、高分子開始剤（Ｑ−４）２０ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇの混合物を用いて、合成例（ＰＩ−１）と同様にして重合体を得た。
収量４３ｇでＭｗは４×１０４であった。
【化３３】
2004315574.tif 000035
【０１７０】
ＡＢＡ型ブロック共重合体（ＰＩＩ）の合成例２：ＡＢＡ型ブロック共重合体（ＰＩＩ−２）
シクロヘキシルアクリレート２５ｇ、高分子開始剤（Ｑ−３）２５ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇの混合物を用いて、合成例（ＰＩ−１）と同様にして重合体を得た。
収量４１ｇでＭｗは３×１０４であった。
【化３４】
2004315574.tif 000036
【０１７１】
＜クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ）の合成例＞
クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ）の合成例１：クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ−１）
下記の単量体（Ａ−２）４０ｇ、メチルアクリレート２０ｇ、マクロモノマー（Ｍ−１）４０ｇ及びトルエン２００ｇの混合物を、窒素気流下に撹拌しながら温度７５℃に加温した。これに、２，２−アゾビスイソブチロニトリル（略称Ａ．Ｉ．Ｂ．Ｎ．）１．５ｇを加えて４時間反応し、更に、Ａ．Ｉ．Ｂ．Ｎ．１．０ｇを加えて、温度８０℃に加温して４時間反応した。室温に冷却後、メタノール１．０リットル中に再沈して、沈降物を捕集し乾燥した。収量８５ｇでＭｗ４．５×１０４であった。
【化３５】
2004315574.tif 000037
【０１７２】
クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ）の合成例２：クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ−２）
下記の単量体（Ａ−３）５０ｇ、エチルメタクリレート２０ｇ、マクロモノマー（Ｍ−２）３０ｇ及びトルエン２００ｇの混合物を用いて、上記合成例（ＰＩＩ−１）と同様にして重合体を得た。収量８６ｇでＭｗ３．８×１０４であった。
【化３６】
2004315574.tif 000038
【０１７３】
クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ）の合成例３〜７：クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ−３）〜（ＰＩＩＩ−７）
クシ型ブロック共重合体の合成例（ＰＩＩＩ−１）と同様にして、下記表２の各重合体を合成した。収量は８３〜８７ｇでＭｗは３．５〜５×１０４の範囲であった。
【表２】
2004315574.tif 000039
【０１７４】
［実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２］
＜セルローストリアセテートフィルムの製造＞
実施例１
（セルローストリアセテート溶液（ドープ）（Ｄ−１）の調製）
攪拌羽根を有するステンレス製溶解タンクに、下記の溶媒混合溶液によく攪拌しつつ、セルローストリアセテート粉体（平均サイズ２ｍｍ）を徐々に添加してドープを調製した。添加後、室温（２５℃）にて１時間、３５℃にて放置しセルローストリアセテートを膨潤させた。なお、用いた溶媒は、すべてその含水率が０．２質量％以下のものを利用した。
実施例１のドープの調製に用いた各成分の成分比を下記に示す。
【０１７５】
セルローストリアセテート（置換度２．８３、６位のアシル化の置換度０．９３、２，３位のアシル化の置換度１．９０、粘度平均重合度３２０、含水率０．４質量％、メチレンクロライド溶液中６質量％の粘度３０５ｍＰａ・ｓ）１７．５質量部
ジクロロメタン                                          ４５質量部
メチルエチルケトン                                      ２０質量部
メタノール                                                ５質量部
エタノール                                                ５質量部
ｎ−ブタノール                                            ５質量部
可塑剤Ａ（ジペンタエリスリトールヘキサアセテート）        １質量部
微粒子（シリカ（粒径２０ｎｍ））                        ０．１質量部
下記のＵＶ吸収剤（Ｕ１）                              ０．８質量部
下記のＵＶ吸収剤（Ｕ２）                              ０．７質量部
下記ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−７）                ２．５質量部
【０１７６】
以下にＵＶ吸収剤（Ｕ１）及び（Ｕ２）としてＵＶ吸収剤（Ｕ）の構造を挙げる。
【０１７７】
【化３７】
2004315574.tif 000040
【０１７８】
つぎに、このドープは弱い超音波照射することで泡抜きを実施した。脱泡したドープは１．５ＭＰａに加圧した状態で、最初公称孔径５μｍの焼結金属フィルターを通過させ、ついで同じく２．５μｍの焼結金属フィルターを通過させた。それぞれの１次圧、１．５、１．２であり、２次圧はそれぞれ１．０、０．８ＭＰａであった。濾過後のドープの温度は３５℃に調整してステンレス製のストックタンク内に貯蔵した。ストックタンクは中心軸にアンカー翼を有して周速０．３ｍ／ｓｅｃで常時攪拌された。
【０１７９】
（フィルム製膜）
上記の溶解法で得られたドープを４０℃にし、流延ギーサーを通して表面温度２０℃とした鏡面ステンレス支持体上に流延して製膜した。
バンド上に流延されたドープは、最初に平行流の乾燥風を送り乾燥した。乾燥する際の乾燥風からのドープへの総括伝熱係数は２４ｋｃａｌ／ｍ２・ｈｒ・℃であった。乾燥風の温度はバンド上部で１４０℃、下部で１００℃とした。
流延後５秒間は遮風装置により乾燥風が直接ドープに当らない様にし、その後、多数のロールを有する乾燥ゾーンを搬送することで、厚さ８０μｍのセルローストリアセテートを作製した。
【０１８０】
実施例２
実施例１のセルローストリアセテート溶液（ドープ）（Ｄ−１）のＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−７）の代わりに、クシ型ブロック共重合体（ＰＩＩＩ−３）を同量用いた他は、実施例１と同様にして、セルローストリアセテートフィルムを作製した。
【０１８１】
比較例１
実施例１のセルローストリアセテート溶液（Ｄ−１）の調製における組成分において、ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−７）の代わりに下記構造の比較用ポリマー（ＰＲ−１）を用いた他は、実施例１と同様にして乾燥後の膜厚８０μｍのセルローストリアセテートフィルムを作製した。
【０１８２】
【化３８】
2004315574.tif 000041
【０１８３】
比較例２
実施例１のセルローストリアセテート溶液（Ｄ−１）の調製における組成分において、ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−７）の代わりにポリメチルメタクリレート（Ｍｗ３×１０４）を用いた他は、実施例１と同様にして乾燥後の膜厚８０μｍのセルローストリアセテートフィルムを作製した。
【０１８４】
＜偏光子の作製＞
ＰＶＡフィルムをヨウ素２．０ｇ／Ｌ、ヨウ化カリウム４．０ｇ／Ｌの水溶液に２５℃にて２４０秒浸漬し、さらにホウ酸１０ｇ／Ｌの水溶液に２５℃にて６０秒浸漬後、テンター延伸機に導入し、５．３倍に延伸し、以降幅を一定に保ち、収縮させながら８０℃雰囲気で乾燥させた後テンターから離脱して巻き取った。延伸開始前のＰＶＡフィルムの含水率は３１％で、乾燥後の含水率は１．５％であった。
左右のテンタークリップの搬送速度差は、０．０５％未満であった。テンター出口におけるシワ、フィルム変形は観察されなかった。
得られた偏光子の５５０ｎｍにおける透過率４３．７％、偏光度は９９．９７％であった。
【０１８５】
＜偏光板の作製＞
上記の各製膜したセルローストリアセテートフィルムを、温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度４０℃に昇温した後に、下記に示す組成のアルカリ溶液（Ｓ−１）をロッドコーターを用いて塗布量１５ｃｃ／ｍ２で塗布し、１１０℃に加熱した（株）ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に１５秒滞留させた後に、同じくロッドコーターを用いて純水を３ｃｃ／ｍ２塗布した。この時のフイルム温度は４０℃であった。次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを３回繰り返した後に７０℃の乾燥ゾーンに５秒間滞留させて乾燥した。
アルカリ溶液（Ｓ−１）組成
水酸化カリウム                                      ８．５５質量％
水                                                ２３．２３５質量％
イソプロパノール                                  ５４．２０質量％
界面活性剤（Ｋ−１：Ｃ１４Ｈ２９Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２０Ｈ）    １．０質量％
プロピレングリコール                              １３．０質量％
消泡剤サーフィノールＤＦ１１０Ｄ（日信化学工業（株）製）  ０．０１５質量％
乾燥後それぞれのセルローストリアセテートのアルカリ鹸化処理した側にポリビニルアルコール系粘着材を約３０μｍの厚みに塗布し、上記偏光子の両側に貼り合わせ、さらに８０℃で乾燥して偏光板を作成した。
【０１８６】
＜結果＞
上記の得られたセルローストリアセテートフィルム及び偏光板の性能の結果を表３に記載した。
【０１８７】
【表３】
2004315574.tif 000042
【０１８８】
表３記載の評価項目の評価方法は以下の通りにして行なった。
１）膜の離型性
セルローストリアセテートフィルムの製膜実験中において、流延バンドからの製膜フィルムの離型性を目視観察した。
○：流延バンドから問題なく離型出来る。
×：流延バンド上に付着現象を生じ、離型されない。
【０１８９】
２）ヘイズ
セルローストリアセテートフィルムのヘイズは、日本電色工業（株）製、１００１ＤＰ型を用いて、９０℃／８０％の高温高湿下で５００時間保管しその後で調べた。
【０１９０】
３）引き裂き強度
セルローストリアセテートフィルムの引き裂き強度は、東洋精機製作所製軽過重引き裂き強度試験器を用い、ＩＳＯ６３８３／２．１９８３に従って引き裂きに要する過重を評価した。９０℃／８０％の高温高湿下で５００時間保管しその後で調べた。試料サイズは５０ｍｍ×６４ｍｍ、２５℃６０％ＲＨで２時間調整した後に実施した。
【０１９１】
４）折れ曲げ性
ＩＳＯ８７７６に準じて、東洋精機製耐折試験機を用いて測定した。測定は１水準につき試料の長手方向、幅方向でそれぞれ１０回行い、その平均値を求めた。これを試料の厚みから次式を用いて１００μｍ厚みの値に換算した。
１００μｍ換算の耐折強度（回）＝実測耐折強度（回）×（厚み（μｍ）／１００）×４評価は、以下の基準に従った。
◎  ４００回以上、○  ２００回以上、△  １００回以上、×  ８０回以下
５）異物・汚れ
セルローストリアセテートフィルムを（５０℃／８０％ＲＨ）の条件下に１００時間曝した後で調べた。そのフィルムから全幅で長手方向に１ｍの長さに切り出し、この試料にシャーカステン上で光を透過させながらルーペで異物・汚れの有無及び大きさを観察し、下記グレードで評価した。
Ａ：５０μｍ以上の大きさの異物、汚れはなく、５０μｍ未満のものが、０〜１０個観察された。
Ｂ：５０μｍ以上の大きさの異物、汚れはなく、５０μｍ未満のものが、１１〜３０個観察された。
Ｃ：５０μｍ以上の大きさの異物、汚れが１〜１０個観察され、５０μｍ以下のものが３１〜５０個観察された。
Ｄ：５０μｍ以上の大きさの異物、汚れが１１〜３０個観察され、５０μｍ以下のものが５１〜９９個観察された。
Ｅ：５０μｍ以上の大きさの異物、汚れが３１個以上観察され、５０μｍ以下のものが１００個以上観察された。
【０１９２】
６）偏光度
偏光板の偏光度は、分光光度計により可視領域における並行透過率Ｙｐ、直行透過率Ｙｃを求め、次式に基づき偏光度Ｐを決定した。
【０１９３】
【数１】
2004315574.tif 000043
【０１９４】
７）耐久性
偏光板から１５０ｍｍ×１５０ｍｍの大きさの試料を２枚切り出し、（５０℃／８０％ＲＨ）の条件下に１００時間曝し、クロスニコルにより偏光板の縁に発生する白抜けの面積を全体の面積に対する面積比として観察して、下記のグレードで評価した。
◎：白抜け部分が全くなかった。
○：白抜けが全体の面積に対して２％未満。
○〜△：白抜け部分が全体の面積に対して２％以上６％未満。
△：白抜け部分が全体の面積に対して５％以上１０％未満。
×：白抜け部分が全体の面積に対して１０％以上あった。
【０１９５】
本発明の実施例１及び実施例２のセルローストリアセテートフィルムの光学特性（ヘイズ値、異物・汚れ、等）、膜の引き裂き強度及び耐折れ曲げ性は良好であり、それらを用いて作製した偏光板も、偏光度、耐久性は良好であった。
一方、比較例１の各セルローストリアセテートフィルムは、引き裂き強度及び折れ曲げ性において低い値を示した。比較例２の各セルローストリアセテートフィルムは、強制経時で黄変が生じてヘイズ値、異物・汚れが低下し、引き裂き強度も低かった。又、両比較例ともに、偏光板とした場合にも耐久性が不充分であった。
以上の様に、本発明のセルローストリアセテートフィルム及びそれを用いた偏光板は、優れた性能を示した。
【０１９６】
［実施例３〜実施例１４］
実施例１におけるセルローストリアセテートフィルム溶液（Ｄ−１）において、ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−７）の代わりに、下表４の各化合物を同量づつ用いた他は、実施例１と同様にして、乾燥後の膜厚８０μｍの各セルローストリアセテートフィルム、更に各偏光板を作製した。
【０１９７】
【表４】
2004315574.tif 000044
【０１９８】
得られた実施例３〜１４の各セルローストリアセテートフィルム及び各偏光板を、実施例１と同様にして性能と評価を行なった。各実施例のものは、実施例１と同等以上の性能を示し、良好であった。
【０１９９】
［実施例１５］
（セルローストリアセテート溶液の調製）
実施例１におけるセルローストリアセテート溶液の組成物の代わりに、下記内容の組成物を用いた他は、実施例１と同様にしてセルローストリアセテート溶液を得た。
【０２００】
セルローストリアセテート（置換度２．８２、６位アセチル基の置換度０．９
３、粘度平均重合度３２０、含水率０．２質量％）            ２０質量部
ジクロロメタン                                          ６２質量部
アセトン                                                  ５質量部
メタノール                                                ６質量部
ブタノール                                                ５質量部
可塑剤（Ｃ）：トリフェニルフォスフェート              ０．４質量部
下記光学異方性調整剤（Ｄ）                            １．０質量部
シリカ微粒子（粒径２０ｎｍ）                          ０．１質量部
ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−２）                    ０．８質量部
ＡＢ型ブロック共重合体（ＰＩ−６）                    ０．８質量部
【０２０１】
【化３９】
2004315574.tif 000045
【０２０２】
次に、上述したセルローストリアセテート溶液をスクリュー押し出し機で送液して、−７０℃で１０分間となるように冷却部分を通過させた。冷却は冷凍機で冷却した−８０℃の冷媒（３Ｍ社製、『フロリナート』を用いて実施した。そして、冷却により得られた溶液は、静止型混合器を設置した熱交換器により１２０℃まで温度を上昇させ、３分間保持した後冷却し５０℃としてステンレス製の容器に移送し、５０℃で２時間攪拌し脱泡を行った。この後、絶対濾過精度０．０１ｍｍの濾紙（東洋濾紙（株）製、『＃６３』）で濾過し、さらに、絶対濾過精度０．００２５ｍｍの濾紙（ポール社製、『ＦＨ  ０２５』）にて濾過し、セルローストリアセテート溶液を調製した。
【０２０３】
（フィルム製膜）
実施例１と同様にして、膜厚６５μｍのセルローストリアセテートフィルムを作製した。
【０２０４】
（偏光板の作製）
上記のフィルムを用いて、実施例１と同様にして、偏光板を作製した。得られたフィルム及び偏光板の性能について、実施例１と同様に評価した。
本発明のセルローストリアセテートフィルムは、膜の離型性に全く問題がなく、ヘイズ値も小さくて、異物・汚れも見られなかった。又、引き裂き強度・耐折れ曲げ性及び耐久性も極めて良好であった。偏光板の性能も良好であった。
【０２０５】
［実施例１６］
特開平１１−３１６３７８号公報の（実施例１）において、その第１透明支持体を本発明の実施例１５で得られるセルローストリアセテートフィルム（第２フィルム）に変更する以外は、全く同様にして特開平１１−３１６３７８号公報の（実施例１）を実施して試料１を作製した。得られた楕円偏光板は、優れた光学特性は優れたものであった。従って、本発明のセルローストリアセテートフィルムが光学偏光板に適応されても問題のない好ましい態様であることが明らかである。
【０２０６】
［実施例１７］
特開平７−３３３４３３号公報の実施例１の富士写真フィルム（株）製セルローストリアセテートを、本発明の実施例１５のセルローストリエステルフィルムに変更する以外は、特開平７−３３３４３３号公報の実施例１と全く同様にした光学補償フィルターフィルム試料を作製した。得られたフィルターフィルムは左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルローストリアセテートフィルムが、光学的用途として優れたものであることが判る。
【０２０７】
［実施例１８］
本発明のフィルムは更に多種の光学用途に利用される。本発明の代表として実施例１５のフィルムを、例えば特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学的異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載のＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載のＯＣＢ型液晶表示装置に用いたところ良好な性能が得られた。
【０２０８】
［実施例１９］
実施例１〜２の本発明の各試料において、そのフィルム厚さを１００μｍとする以外は、実施例１と全く同様にしてそのフイルムである本発明の試料を作製した。得られたフィルムの一方に、特開平４−７３７３６号公報の実施例１の（バック層組成）第一層及び第２層を付与し、カチオン系ポリマーを導電性層とするバック層を作製した。更に、得られたバック層を付与したフィルムベースの反対の面に、特開平１１−３８５６８号公報の実施例１の試料１０５を塗布し、ハロゲン化銀カラー写真感光材料を作製した。得られたカラーフイルムは優れた映像が得られかつその取り扱い性においても問題のないものであった。
【０２０９】
【発明の効果】
本発明のセルロースアシレートフィルムは、フィルム内での相分離、析出が低く抑えられ、引き裂き強度、耐折強度及び光学特性に優れ、良好な長期保存安定性を有する。
前記特性に優れた本発明のセルロースアシレートフィルムは、光学フィルム、偏向板、光学補償フィルムなどに公的に用いられる。これらのフィルムは液晶表示装置などに適用することが出来る。また、本発明のセルロースアシレートフィルムはハロゲン化銀写真感光材料の支持体にも好適に用いられる。