(57)【要約】【課題】配線容量を自動的に計算することができる配線構造データを作成する配線構造データ作成装置を提供する。【解決手段】配線構造データ作成装置は、層間膜構造データを生成する層間膜構造データ生成手段と、第１導電体構造データを生成する導電体構造データ生成手段と、前記複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報と前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データとに基づいて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加した第２導電体構造データを生成する同一電位導電体情報付加手段と、第２導電体構造データと層間膜構造データとに基づいて配線構造データを作成する合成手段とを具備する。【選択図】　図１
2004070835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に積層された複数の層間膜の断面形状をそれぞれ表す層間膜断面形状情報に基づいて前記複数の層間膜の３次元構造を表す層間膜構造データを生成する層間膜構造データ生成手段と、
前記半導体装置に設けられた複数の導電体の間の関係をそれぞれ示す導電体情報に基づいて前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す第１導電体構造データを生成する導電体構造データ生成手段と、
前記複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報と前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データとに基づいて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加した第２導電体構造データを生成する同一電位導電体情報付加手段と、
前記同一電位導電体情報付加手段によって生成された前記第２導電体構造データと前記層間膜構造データ生成手段によって生成された前記層間膜構造データとに基づいて、前記半導体装置の配線構造を表す配線構造データを作成する合成手段とを具備することを特徴とする配線構造データ作成装置。
【請求項２】
前記同一電位導電体情報付加手段は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データを、各導電体がＸＹ平面上に投影された矩形図形を表す矩形図形データにそれぞれ変換する矩形図形変換手段と、
前記矩形図形変換手段によってそれぞれ変換された前記矩形図形データ同士を比較する矩形図形比較手段と、
前記矩形図形比較手段による比較結果に応じて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加する付加手段とを有している、請求項１記載の配線構造データ作成装置。
【請求項３】
前記矩形図形変換手段は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データから、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を形成する各頂点の座標をそれぞれ抽出する頂点座標抽出手段と、
各導電体が前記ＸＹ平面上にそれぞれ投影された前記図形を形成する各線分の大きさと向きとをそれぞれ表す線データを前記第１導電体構造データから抽出する線データ抽出手段と、
前記線データ抽出手段によって抽出された前記線データを互いに比較する線データ比較手段と、
前記線データ比較手段による比較結果に基づいて、各導電体がＸＹ平面上に投影された前記図形を矩形図形にそれぞれ変換し、変換した矩形図形を表す前記矩形図形データを生成する矩形図形生成手段とを有している、請求項２記載の配線構造データ作成装置。
【請求項４】
前記矩形図形変換手段は、各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形を形成する各線分のうち斜め方向に沿って伸びる線分をＸ軸方向に沿って伸びる線分とＹ軸方向に沿って伸びる線分とに分解する最小グリッド丸め手段をさらに有している、請求項３記載の配線構造データ作成装置。
【請求項５】
前記矩形図形比較手段は、互いに同一の階層に存在する前記矩形図形データ同士を比較する同一階層間比較手段と、
互いに異なる階層に存在する前記矩形図形データ同士を比較する上下階層間比較手段とを有している、請求項２記載の配線構造データ作成装置。
【請求項６】
前記導電体情報は、各導電体の配置を示すマスクレイアウト情報を含んでおり、
前記同一電位導電体情報付加手段に設けられた前記矩形図形変換手段は、前記マスクレイアウト情報に基づいて前記第１導電体構造データを前記矩形図形データに変換する、請求項２記載の配線構造データ作成装置。
【請求項７】
前記矩形図形変換手段に設けられた前記線データ抽出手段は、第１線分と前記第１線分の終点を始点とする第２線分と前記第２線分の終点を始点とする第３線分とをそれぞれ表す３個の線データを抽出し、
前記線データ比較手段は、前記前記線データ抽出手段によって抽出された前記３個の線データを互いに比較する、請求項３記載の配線構造データ作成装置。
【請求項８】
前記矩形図形変換手段に設けられた前記線データ抽出手段は、各頂点のうち、Ｙ座標が最小であって且つＸ座標が最小である第１頂点とＹ座標が最小であってＸ座標が２番目に小さい第２頂点とによって形成される第１線分と、前記第１線分と前記第１頂点を共有する第２線分と、前記第１線分と前記第２頂点を共有する第３線分とをそれぞれ表す３個の線データを抽出し、
前記線データ比較手段は、前記線データ抽出手段によって抽出された前記３個の線データを互いに比較する、請求項３記載の配線構造データ作成装置。
【請求項９】
前記矩形図形変換手段に設けられた前記線データ抽出手段は、各頂点のうち、Ｘ座標が最小であって且つＹ座標が最小である第１頂点とＸ座標が最小であってＹ座標が２番目に小さい第２頂点とによって形成される第１線分と、前記第１線分と前記第１頂点を共有する第２線分と、前記第１線分と前記第２頂点を共有する第３線分とをそれぞれ表す３個の線データを抽出し、
前記線データ比較手段は、前記前記線データ抽出手段によって抽出された前記３個の線データを互いに比較する、請求項３記載の配線構造データ作成装置。
【請求項１０】
前記矩形図形比較手段は、前記矩形図形データを形成する各頂点のＸ座標の最大値および最小値ならびにＹ座標の最大値および最小値同士を比較する、請求項２記載の配線構造データ作成装置。
【請求項１１】
前記矩形図形比較手段は、一方の矩形図形データを形成する各頂点の座標の最大値および最小値と、他方の矩形図形データを形成する各頂点の座標同士を比較する、請求項２記載の配線構造データ作成装置。
【請求項１２】
半導体装置に積層された複数の層間膜の断面形状をそれぞれ表す層間膜断面形状情報に基づいて前記複数の層間膜の３次元構造を表す層間膜構造データを生成する層間膜構造データ生成工程と、
前記半導体装置に設けられた複数の導電体の間の関係をそれぞれ示す導電体情報に基づいて前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す第１導電体構造データを生成する導電体構造データ生成工程と、
前記複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報と前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データとに基づいて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加した第２導電体構造データを生成する同一電位導電体情報付加工程と、
前記同一電位導電体情報付加工程によって生成された前記第２導電体構造データと前記層間膜構造データ生成工程によって生成された前記層間膜構造データとに基づいて、前記半導体装置の配線構造を表す配線構造データを作成する合成工程とを包含することを特徴とする配線構造データ作成方法。
【請求項１３】
前記同一電位導電体情報付加工程は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データを、各導電体がＸＹ平面上に投影された矩形図形を表す矩形図形データにそれぞれ変換する矩形図形変換工程と、
前記矩形図形変換工程によってそれぞれ変換された前記矩形図形データ同士を比較する矩形図形比較工程と、
前記矩形図形比較工程による比較結果に応じて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加する付加工程とを有している、請求項１２記載の配線構造データ作成方法。
【請求項１４】
前記矩形図形変換工程は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データから、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を形成する各頂点の座標をそれぞれ抽出する頂点座標抽出工程と、
各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形を形成する各線分の大きさと向きとをそれぞれ表す線データを前記第１導電体構造データから抽出する線データ抽出工程と、
前記線データ抽出工程によって抽出された前記線データを互いに比較する線データ比較工程と、
前記線データ比較工程による比較結果に基づいて、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を矩形図形にそれぞれ変換し、変換した矩形図形を表す前記矩形図形データを生成する矩形図形生成工程とを有している、請求項１３記載の配線構造データ作成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の配線構造を表す配線構造データを作成するための配線構造データ作成装置および及び配線構造データ作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の配線構造は、チップの面積を削減するために微細化および多層化がなされており、さらに、駆動能力を向上させるために配線容量を低減することを狙った層間膜構造の複雑化の傾向にある。このような配線構造が実際に狙いどおりの配線容量になっているか否かを見積もるためには、もはや机上計算では困難であり、コンピュータに処理させることが一般的である。コンピュータ処理によって、より正確に配線容量を見積もるためには、配線構造を表す配線構造データを実態にあったように３次元的に作成することが望ましい。そのためには、マスクレイアウト情報および配線の断面構造を表す情報に基づいて、配線構造を表す３次元図形データを作成する必要がある。
【０００３】
図２１は、従来の配線構造データ作成装置９０の構成を示すブロック図である。配線構造データ作成装置９０は、層間膜構造データ生成器１７を備えている。層間膜構造データ生成器１７は、入力器２８へ入力された層間膜断面形状情報２５に基づいて層間膜構造データ２６を生成する。
【０００４】
図２２は、層間膜断面形状情報２５を説明するための図である。層間膜断面形状情報２５は、半導体装置に積層される複数の層間膜の高さおよび誘電率を示す情報を含んでいる。図２２に示す例では、４個の層間膜Ｄ、層間膜Ｅ、層間膜Ｆおよび層間膜Ｇがこの順番に積層されており、層間膜Ｄは高さｈ４および誘電率ｄを有しており、層間膜Ｅは高さｈ５および誘電率ｅを有しており、層間膜Ｆは高さｈ６および誘電率ｆを有しており、層間膜Ｇは高さｈ７および誘電率ｇを有していることが示されている。
【０００５】
図２３は、層間膜構造データ生成器１７によって生成される層間膜構造データ２６を説明するための斜視図である。層間膜構造データ生成器１７は、層間膜断面形状情報２５に基づいて図２３に示すように層間膜Ｄ、層間膜Ｅ、層間膜Ｆおよび層間膜Ｇの構造を表す層間膜構造データ２６を生成する。
【０００６】
配線構造データ作成装置９０は、導電体構造データ生成器１６を備えている。導電体構造データ生成器１６は、入力器２８へ入力されたマスクレイアウト情報２２とレイヤ名定義情報２１と導電体断面形状情報２０とに基づいて導電体構造データ９３を生成する。
【０００７】
図２４はマスクレイアウト情報２２を説明するための図であり、図２５はレイヤ名定義情報２１を説明するための図であり、図２６は導電体断面形状情報２０を説明するための図であり、図２７は導電体構造データ９３を説明するための斜視図である。
【０００８】
マスクレイアウト情報２２は、半導体装置に設けられる各導電体の配置を示している。図２４に示す例では、導電体Ｃ１が設けられるレイヤｃ１と導電体Ｂ１が設けられるレイヤｂ１と導電体Ａ１が設けられるレイヤａ１と導電体Ａ２が設けられるレイヤａ２との配置が示されている。
【０００９】
レイヤ名定義情報２１には、各導電体がそれぞれ設けられる各レイヤの名称が定義されている。図２５に示す例では、レイヤａ１には「ＭＥＴＡＬ１」という名称が定義されており、レイヤｂ１には「Ｖｉａ１」という名称が定義されており、レイヤｃ１には「ＭＥＴＡＬ２」という名称が定義されている。
【００１０】
導電体断面形状情報２０は、半導体装置に設けられる各導電体の断面形状を示す情報を含んでいる。図２６に示す例では、「ＭＥＴＡＬ１」という名称のレイヤに設けられた導電体は高さｈ１を有しており、「Ｖｉａ１」という名称のレイヤに設けられた導電体は高さｈ２を有しており、「ＭＥＴＡＬ２」という名称のレイヤに設けられた導電体は高さｈ３を有していることが示されている。
【００１１】
導電体構造データ生成器１６は、マスクレイアウト情報２２とレイヤ名定義情報２１と導電体断面形状情報２０とに基づいて、図２７に示すような導電体Ａ１、導電体Ａ２、導電体Ｂ１および導電体Ｃ１の３次元構造を示す導電体構造データ９３を生成する。
【００１２】
図２８は、半導体装置に積層された層間膜Ｄ、Ｅ、ＦおよびＧならびに半導体装置に設けられた導電体Ａ１、Ａ２、Ｂ１およびＣ１を説明するための斜視図である。配線構造データ作成装置９０には、３次元形状合成器９８が設けられている。３次元形状合成器９８は、層間膜構造データ生成器１７によって生成された層間膜構造データ２６と導電体構造データ生成器１６によって生成された導電体構造データ９３とを合成して、図２８に示す半導体装置２３の配線構造を表すコンピュータ処理が可能な配線構造データ９７を生成する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前述した従来技術の構成では、互いに同一の電位を識別するための情報が配線構造データ９７に含まれていないために、コンピュータ処理によって配線容量を求めることができないという問題がある。
【００１４】
例えば図２７に示すような導電体だけの３次元構造データにおいて、導電体Ａ１、導電体Ｂ１および導電体Ｃ１が互いに電気的に接続されているために、導電体Ａ１、導電体Ｂ１および導電体Ｃ１が互いに同電位である場合には、何らかの方法によって導電体だけの３次元構造データである導電体構造データ９３に、導電体Ａ１、導電体Ｂ１および導電体Ｃ１が互いに同電位であることを示す情報を付加する作業が発生してしまうという問題ある。コンピュータ処理によって容量を計算する対象となる半導体装置上の領域が比較的狭く、かつ配線構造も単純であれば、手作業によって導電体構造データ９３を修正することも可能であるけれども、容量計算の領域が広く配線構造も複雑な場合には多大な時間と労力が必要とされるという問題がある。また、手作業によれば人為的ミスが発生するという問題がある。
【００１５】
本発明は係る問題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線容量を自動的に計算することができる配線構造データを作成する配線構造データ作成装置および配線構造データ作成方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために本発明に係る配線構造データ作成装置は、半導体装置に積層された複数の層間膜の断面形状をそれぞれ表す層間膜断面形状情報に基づいて前記複数の層間膜の３次元構造を表す層間膜構造データを生成する層間膜構造データ生成手段と、前記半導体装置に設けられた複数の導電体の間の関係をそれぞれ示す導電体情報に基づいて前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す第１導電体構造データを生成する導電体構造データ生成手段と、前記複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報と前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データとに基づいて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加した第２導電体構造データを生成する同一電位導電体情報付加手段と、前記同一電位導電体情報付加手段によって生成された前記第２導電体構造データと前記層間膜構造データ生成手段によって生成された前記層間膜構造データとに基づいて、前記半導体装置の配線構造を表す配線構造データを作成する合成手段とを具備することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る配線構造データ作成方法は、半導体装置に積層された複数の層間膜の断面形状をそれぞれ表す層間膜断面形状情報に基づいて前記複数の層間膜の３次元構造を表す層間膜構造データを生成する層間膜構造データ生成工程と、前記半導体装置に設けられた複数の導電体の間の関係をそれぞれ示す導電体情報に基づいて前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す第１導電体構造データを生成する導電体構造データ生成工程と、前記複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報と前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データとに基づいて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加した第２導電体構造データを生成する同一電位導電体情報付加工程と、前記同一電位導電体情報付加工程によって生成された前記第２導電体構造データと前記層間膜構造データ生成工程によって生成された前記層間膜構造データとに基づいて、前記半導体装置の配線構造を表す配線構造データを作成する合成工程とを包含することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本実施の形態に係る配線構造データ作成装置においては、複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報と複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す第１導電体構造データとに基づいて、複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報が第１導電体構造データに付加された第２導電体構造データが生成される。このため、第２導電体構造データに基づいて、複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を容易に識別することができる。その結果、第２導電体構造データに基づいて半導体装置の配線容量を容易に計算することができる。
【００１９】
前記同一電位導電体情報付加手段は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データを、各導電体がＸＹ平面上に投影された矩形図形を表す矩形図形データにそれぞれ変換する矩形図形変換手段と、前記矩形図形変換手段によってそれぞれ変換された前記矩形図形データ同士を比較する矩形図形比較手段と、前記矩形図形比較手段による比較結果に応じて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加する付加手段とを有していることが好ましい。
【００２０】
前記矩形図形変換手段は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データから、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を形成する各頂点の座標をそれぞれ抽出する頂点座標抽出手段と、各導電体が前記ＸＹ平面上にそれぞれ投影された前記図形を形成する各線分の大きさと向きとをそれぞれ表す線データを前記第１導電体構造データから抽出する線データ抽出手段と、前記線データ抽出手段によって抽出された前記線データを互いに比較する線データ比較手段と、前記線データ比較手段による比較結果に基づいて、各導電体がＸＹ平面上に投影された前記図形を矩形図形にそれぞれ変換し、変換した矩形図形を表す前記矩形図形データを生成する矩形図形生成手段とを有していることが好ましい。
【００２１】
前記矩形図形変換手段は、各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形を形成する各線分のうち斜め方向に沿って伸びる線分をＸ軸方向に沿って伸びる線分とＹ軸方向に沿って伸びる線分とに分解する最小グリッド丸め手段をさらに有していることが好ましい。
【００２２】
前記矩形図形比較手段は、互いに同一の階層に存在する前記矩形図形データ同士を比較する同一階層間比較手段と、互いに異なる階層に存在する前記矩形図形データ同士を比較する上下階層間比較手段とを有していることが好ましい。
【００２３】
前記導電体情報は、各導電体の配置を示すマスクレイアウト情報を含んでおり、前記同一電位導電体情報付加手段に設けられた前記矩形図形変換手段は、前記マスクレイアウト情報に基づいて前記第１導電体構造データを前記矩形図形データに変換することが好ましい。
【００２４】
前記矩形図形変換手段に設けられた前記線データ抽出手段は、第１線分と前記第１線分の終点を始点とする第２線分と前記第２線分の終点を始点とする第３線分とをそれぞれ表す３個の線データを抽出し、前記線データ比較手段は、前記前記線データ抽出手段によって抽出された前記３個の線データを互いに比較することが好ましい。
【００２５】
前記矩形図形変換手段に設けられた前記線データ抽出手段は、各頂点のうち、Ｙ座標が最小であって且つＸ座標が最小である第１頂点とＹ座標が最小であってＸ座標が２番目に小さい第２頂点とによって形成される第１線分と、前記第１線分と前記第１頂点を共有する第２線分と、前記第１線分と前記第２頂点を共有する第３線分とをそれぞれ表す３個の線データを抽出し、前記線データ比較手段は、前記線データ抽出手段によって抽出された前記３個の線データを互いに比較することが好ましい。
【００２６】
前記矩形図形変換手段に設けられた前記線データ抽出手段は、各頂点のうち、Ｘ座標が最小であって且つＹ座標が最小である第１頂点とＸ座標が最小であってＹ座標が２番目に小さい第２頂点とによって形成される第１線分と、前記第１線分と前記第１頂点を共有する第２線分と、前記第１線分と前記第２頂点を共有する第３線分とをそれぞれ表す３個の線データを抽出し、前記線データ比較手段は、前記前記線データ抽出手段によって抽出された前記３個の線データを互いに比較することが好ましい。
【００２７】
前記矩形図形比較手段は、前記矩形図形データを形成する各頂点のＸ座標の最大値および最小値ならびにＹ座標の最大値および最小値同士を比較することが好ましい。
【００２８】
前記矩形図形比較手段は、一方の矩形図形データを形成する各頂点の座標の最大値および最小値と、他方の矩形図形データを形成する各頂点の座標同士を比較することが好ましい。
【００２９】
本実施の形態に係る配線構造データ作成方法においては、複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報と複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す第１導電体構造データとに基づいて、複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報が第１導電体構造データに付加された第２導電体構造データが生成される。このため、第２導電体構造データに基づいて、複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を容易に識別することができる。その結果、第２導電体構造データに基づいて半導体装置の配線容量を容易に計算することができる。
【００３０】
前記同一電位導電体情報付加工程は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データを、各導電体がＸＹ平面上に投影された矩形図形を表す矩形図形データにそれぞれ変換する矩形図形変換工程と、前記矩形図形変換工程によってそれぞれ変換された前記矩形図形データ同士を比較する矩形図形比較工程と、前記矩形図形比較工程による比較結果に応じて、前記複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報を前記第１導電体構造データに付加する付加工程とを有していることが好ましい。
【００３１】
前記矩形図形変換工程は、前記複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す前記第１導電体構造データから、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を形成する各頂点の座標をそれぞれ抽出する頂点座標抽出工程と、各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形を形成する各線分の大きさと向きとをそれぞれ表す線データを前記第１導電体構造データから抽出する線データ抽出工程と、前記線データ抽出工程によって抽出された前記線データを互いに比較する線データ比較工程と、前記線データ比較工程による比較結果に基づいて、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を矩形図形にそれぞれ変換し、変換した矩形図形を表す前記矩形図形データを生成する矩形図形生成工程とを有していることが好ましい。
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００３３】
図１は、実施の形態に係る配線構造データ作成装置１００の構成を示すブロック図である。配線構造データ作成装置１００は、層間膜構造データ生成器１７を備えている。層間膜構造データ生成器１７は、入力器２８へ入力された層間膜断面形状情報２５に基づいて層間膜構造データ２６を生成する。層間膜断面形状情報２５は、半導体装置に積層される複数の層間膜の高さおよび誘電率を示す情報を含んでいる。層間膜構造データ生成器１７は、層間膜断面形状情報２５に基づいて、半導体装置に積層される複数の層間膜の構造を表す層間膜構造データ２６を生成する。
【００３４】
配線構造データ作成装置１００は、導電体構造データ生成器１６を備えている。導電体構造データ生成器１６は、入力器２８へ入力されたマスクレイアウト情報２２とレイヤ名定義情報２１と導電体断面形状情報２０とに基づいて導電体構造データ３を生成する。マスクレイアウト情報２２は、半導体装置に設けられる各導電体の配置を示している。レイヤ名定義情報２１には、各導電体がそれぞれ設けられる各レイヤの名称が定義されている。導電体断面形状情報２０は、半導体装置に設けられる各導電体の断面形状を示す情報を含んでいる。導電体構造データ生成器１６は、マスクレイアウト情報２２とレイヤ名定義情報２１と導電体断面形状情報２０とに基づいて、複数の導電体の３次元構造を示す導電体構造データ３を生成する。
【００３５】
配線構造データ作成装置１００には、同一電位導電体情報付加器１が設けられている。図２は、同一電位導電体情報付加器１の構成を示すブロック図である。同一電位導電体情報付加器１は、矩形図形変換器６を有している。図３は、矩形図形変換器６の構成を示すブロック図である。矩形図形変換器６には、頂点座標抽出器９が設けられている。頂点座標抽出器９は、複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す導電体構造データ３から、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を形成する各頂点の座標をそれぞれ抽出する。
【００３６】
矩形図形変換器６は、線データ抽出器１０を有している。線データ抽出器１０は、各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形を形成する各線分の大きさと向きとをそれぞれ表す線データを導電体構造データ３から抽出する。
【００３７】
矩形図形変換器６には、線データ比較器１１が設けられている。線データ比較器１１は、線データ抽出器１０によって抽出された線データを互いに比較する。
【００３８】
図４は、ＸＹ平面上に投影された導電体の図形を説明するための図である。図４に示す例では、ＸＹ平面上に投影された導電体の図形は、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅおよび点Ｆをこの順番に結んだ図形である。線分ＡＢは垂直方向に沿って伸びており、線分ＢＣは水平方向に沿って伸びており、線分ＣＤは垂直方向に沿って伸びており、線分ＤＥは水平方向に沿って伸びており、線分ＥＦは垂直方向に沿って伸びており、線分ＦＡは水平方向に沿って伸びている。点ＡはＸ座標Ｘ１およびＹ座標Ｙ１を有しており、点ＢはＸ座標Ｘ１およびＹ座標Ｙ２を有しており、点ＣはＸ座標Ｘ２およびＹ座標Ｙ２を有しており、点ＤはＸ座標Ｘ２およびＹ座標Ｙ３を有しており、点ＥはＸ座標Ｘ３およびＹ座標Ｙ３を有しており、点ＦはＸ座標Ｘ３およびＹ座標Ｙ１を有している。
【００３９】
線データ抽出器１０は、第１線分と第１線分の終点を始点とする第２線分と第２線分の終点を始点とする第３線分とをそれぞれ表す３個の線データを抽出する。例えば図４に示す例では、線データ抽出器１０は、線分ＡＢと線分ＡＢの終点Ｂを始点とする線分ＢＣと線分ＢＣの終点Ｃを始点とする線分ＣＤとをそれぞれ表す３個の線データを抽出する。線データ比較器１１は、線データ抽出器１０によって抽出された線分ＡＢと線分ＢＣと線分ＣＤとの大きさと向きとをそれぞれ表す３個の線データを比較する。
【００４０】
矩形図形変換器６には、矩形図形生成器１２が設けられている。矩形図形生成器１２は、線データ比較器１１による比較結果に基づいて、各導電体がＸＹ平面上に投影された図形を矩形図形にそれぞれ変換し、変換した矩形図形を表す矩形図形データを生成する。
【００４１】
例えば図４に示す例では、矩形図形生成器１２は、点Ａから線分ＣＤに向って垂線をひく。垂線と線分ＣＤとの間の交点をＧとすると、点ＧはＸ座標Ｘ２およびＹ座標Ｙ１を有している。図形ＡＢＣＧは矩形になっており、図形ＧＤＥＦも矩形になっている。このように矩形図形生成器１２は、図形ＡＢＣＤＥＦを矩形ＡＢＣＧと矩形ＧＤＥＦとに分割する。
【００４２】
再び図２を参照すると、同一電位導電体情報付加器１は、矩形図形比較器７が設けられている。矩形図形比較器７は、入力器２８に入力された導電体間接続定義情報２に基づいて、矩形図形変換器６に設けられた矩形図形生成器１２によって生成された矩形図形データ同士を比較する。
【００４３】
図５は、導電体接続定義情報２の構成を説明するための図である。導電体接続定義情報２には、複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせが定義されている。図５に示す例では、レイヤａに設けられた導電体とレイヤｂに設けられた導電体とは互いに電気的に接続されているために同電位であり、レイヤｂに設けられた導電体とレイヤｃに設けられた導電体とは互いに電気的に接続されているために同電位であることを示している。
【００４４】
矩形図形比較器７は、導電体間接続定義情報２に基づいて、矩形図形生成器１２によって生成された矩形図形データ同士を比較し、一方の矩形図形データによって表される導電体の電位と他方の矩形図形データによって表される導電体の電位とが同一であるか否かを判断する。
【００４５】
図６は配線構造データ作成装置１００の同一電位導電体情報付加器１に設けられた矩形図形比較器７の構成を示すブロック図である。矩形図形比較器７は、同一階層間比較器１４と上下階層間比較器１５とを有している。同一階層間比較器１４は、互いに同一の階層に存在する矩形図形データ同士を比較する。
【００４６】
図７は、同一階層間比較器１４の処理を説明するための図である。矩形図形Ａ、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄによってそれぞれ表される導電体は、いずれも同一の階層に存在している。矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄによってそれぞれ表される導電体は、互いに電気的に接続されているために互いに同一の電位を有している。矩形図形Ａによって表される導電体は、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄによってそれぞれ表される導電体と電気的に絶縁されており、異なる電位を有している。
【００４７】
同一階層間比較器１４は、矩形図形Ａ、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄについて、例えばポリシリコン、第１アルミ等のレイヤ名称および頂点座標同士を比較して、同一の電位を有している導電体をあらわす矩形図形同士であるか否かを判断する。例えば、図７に示す例では、矩形図形Ａ、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄの座標データに基づいて、矩形図形Ａ、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄのうち矩形図形Ａを除く矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄによってそれぞれ表される導電体が互いに同一の電位を有していると判断する。
【００４８】
図８は、上下階層間比較器１５の処理を説明するための図である。上下階層間比較器１５は、同一階層間比較器１４による処理の後、互いに異なる階層に存在する矩形図形データ同士を比較する。矩形図形Ａおよび矩形図形Ｃによってそれぞれ表される導電体は上階層に設けられており、矩形図形Ｂおよび矩形図形Ｄによってそれぞれ表される導電体は上階層よりも下に位置する下階層に設けられている。矩形図形Ａによって表される上階層に設けられた導電体は、矩形図形Ｂによって表される下階層に設けられた導電体と互いに電気的に接続されているために互いに同一の電位を有している。矩形図形Ｃによって表される上階層に設けられた導電体は、矩形図形Ｄによって表される下階層に設けられた導電体と互いに電気的に接続されているために互いに同一の電位を有している。
【００４９】
上下階層間比較器１５は、矩形図形Ａ、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄについて、例えばポリシリコン、第１コンタクト、第１アルミ等のレイヤ名称および頂点座標同士を比較して、同一の電位を有している導電体をあらわす矩形図形同士であるか否かを判断する。例えば、図８に示す例では、矩形図形Ａ、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄのレイヤ名称および座標データに基づいて、矩形図形Ａ、矩形図形Ｂ、矩形図形Ｃおよび矩形図形Ｄのうち矩形図形Ａと矩形図形Ｂとによってそれぞれ表される導電体が互いに同一の電位を有しており、矩形図形Ｃと矩形図形Ｄとによってそれぞれ表される導電体が互いに同一の電位を有していると判断する。
【００５０】
同一階層間比較器１４による処理の後で上下階層間比較器１５による処理を実行する例を示したが、上下階層間比較器１５による処理を実行した後で同一階層間比較器１４による処理を実行してもよい。
【００５１】
同一電位導電体情報付加器１には、付加器８が設けられている。付加器８は、一方の矩形図形データによって表される導電体の電位と他方の矩形図形データによって表される導電体の電位とが同一であると矩形図形比較器７が判断したときに、一方の矩形図形データによって表される導電体の電位と他方の矩形図形データによって表される導電体の電位とが同一であることを示す情報を導電体構造データ３に付加して、導電体構造データ４を生成する。
【００５２】
配線構造データ作成装置１００は、３次元形状合成器１８を備えている。３次元形状合成器１８は、同一電位導電体情報付加器１に設けられた付加器８によって生成された導電体構造データ４と層間膜構造データ作成器１７によって作成された層間膜構造データ２６とを合成して、半導体装置の配線構造を表すコンピュータ処理が可能な配線構造データ２７を生成する。
【００５３】
以上のように実施の形態１によれば、複数の導電体のうち互いに電気的に接続された導電体の組み合わせを定義した導電体接続情報２と複数の導電体の３次元構造をそれぞれ表す導電体構造データ３とに基づいて、複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を識別するための情報が導電体構造データ３に付加された導電体構造データ４が生成される。このため、導電体構造データ４に基づいて、複数の導電体のうち互いに同一の電位を有する導電体を容易に識別することができる。その結果、導電体構造データ４に基づいて半導体装置の配線容量を容易に計算することができる。
【００５４】
図９は、実施の形態に係る配線構造データ作成装置１００の同一電位導電体情報付加器１に設けられた他の矩形図形変換器６Ａの構成を示すブロック図である。図１ないし図８を参照して前述した配線構造データ作成装置の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。従って、これらの構成要素の詳細な説明は省略する。矩形図形変換器６Ａが前述した矩形図形変換器６と異なる点は最小グリッド丸め器１３をさらに有している点である。
【００５５】
最小グリッド丸め器１３は、各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形を形成する各線分のうち斜め方向に沿って伸びる線分をＸ軸方向に沿って伸びる線分とＹ軸方向に沿って伸びる線分とに分解する。
【００５６】
図１０は、最小グリッド丸め器１３の処理を説明するための図である。図１０に示す例では、各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形を形成する線分ＡＢは、斜め方向に沿って伸びている。点Ａは、Ｘ座標Ｘ１およびＹ座標Ｙ１を有している。最小グリッド丸め器１３は、斜め方向に沿って伸びる線分ＡＢを、Ｘ軸方向に沿って伸びる線分ＡＣとＹ軸方向に沿って線分ＡＢと交差して伸びる線分ＣＤとＸ軸方向に沿って線分ＡＢと交差して伸びる線分ＤＥとＹ軸方向に沿って線分ＡＢと交差して伸びる線分ＥＦとＸ軸方向に沿って線分ＦＢとに分解する。
【００５７】
このように、最小グリッド丸め器１３は、斜め方向に沿って伸びる線分ＡＢを、Ｘ軸方向に沿って伸びる線分ＡＣ、線分ＤＥおよび線分ＦＢと、Ｙ軸方向に沿って伸びる線分ＣＤおよび線分ＥＦとに線分ＡＢに沿って分解する。このため、各導電体がＸＹ平面上にそれぞれ投影された図形が斜め方向に沿って伸びる線分を含んでいる場合であっても、斜め方向に沿って伸びる線分がＸ軸方向に沿って伸びる線分とＹ軸方向に沿って伸びる線分とに分解されるために、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿った矩形図形を表す矩形図形データに変換することができる。
【００５８】
図１１は、配線構造データ作成装置１００に設けられた同一電位導電体情報付加器１の他の動作を示すフローチャートである。マスクレイアウト情報２２に基づいて作成される３次元の導電体構造データ３について接続関係を考えるとき、接続箇所の高さ方向の座標は通常同じであるため、マスクレイアウト情報２２と同じＸＹ平面で作られる図形データについてレイヤ名称と頂点座標とを格納する（Ｓ１）。次に、ＸＹ平面で作られる図形データが矩形データでない場合には、図形データ同士の位置関係を調べることが非常に困難となるため、頂点データに基づいて全ての図形データを矩形データに変換する（Ｓ２）。そして、同一階層間及び上下階層間において矩形データのレイヤ名と頂点データとを比較し、同電位であるか否かを判断し識別する（Ｓ３）。
【００５９】
図１２は矩形図形変換器６の他の処理動作を示すフローチャートであり、図１３ないし図１５は矩形図形変換器６の他の処理を説明するための図である。
【００６０】
導電体の３次元データについて、ＸＹ平面においてすべて矩形データとするため、頂点座標をもとに、例えば点Ａを起点としてＡＢ、ＢＣ、ＣＤのように必ず線分の終点が次の線分の始点になるように３つの線分を線データ抽出器１０が抽出する（ステップＳ４）。
【００６１】
次に、３つの線分に新たに１線分加えると矩形データとなりうる可能性を判定する（ステップＳ５）。図１３に示すように、矩形データとなりうる可能性のあるパターンはすべてコの字型をした３パターンＰ１、Ｐ２およびＰ３に分類される。３つの線分がコの字型をした３パターンＰ１、Ｐ２およびＰ３に分類されない場合は（ステップＳ５においてＮＯ）、分類されるまで起点を移動するためにステップＳ４へ戻る。
【００６２】
そして、３つの線分に新たに１線分加えると矩形データとなりうると判断されたときは（ステップＳ５においてＹＥＳ）、図形データの凹凸を判断する（Ｓ６）。３つの線分がコの字型をした３パターンに分類されても、例えば図１４に示すような凹部ＡＢＣＤが形成されたパターンＰ４では、新たに１線分加えることによって矩形データを作成することができない。凸部ＡＢＣＤが形成されたパターンＰ５では、新たに１線分加えることによって矩形データを作成することができる。
【００６３】
このような凹凸を判断するために、矩形データをつくるために加える線分と対向する線分、例えば図１４では線分ＡＤに対向する線分ＢＣを、線分ＡＤの方向に線分ＦＧまで平行移動していく。ここで、すべて線分について向きのデータをも予め保持させておき、線分ＦＧに到達するまでに交わった線分の数とその向きを判定する。例えば図１４では、必ず線分の終点が次の線分の始点になるように線分を作っていくと、線分ＢＣは右方向のデータとなる。線分ＦＧは左向きのデータで、線分ＢＣを平行移動して交わった線分はこの１つとなる。このような場合凸のデータと判断できる。
【００６４】
また、図１５に示すように、パターンＰ６のＰＱＲＳのような一度も左向きにならないような場合を、１つのＰＳの右向きデータとみなし、同様にパターンＰ７のＷＸＹＺのような一度も右向きにならないような場合を、１つのＷＺの左向きデータとみなしておく。
【００６５】
図１４において、仮に線分ＢＣと線分ＦＧ間に図１５に示すパターンＰ６のＰＱＲＳのような右向きデータが１つある場合、線分ＢＣを平行移動して交わった線分は左向きが１つ、右向きが１つとなる。このような場合凹のデータと判断できる。つまり、平行移動して交わる線分について、平行移動する線分と逆方法の線分と同じ向きの線分との間の差をとり、両者の差が０ならば凹のデータと判断することができ、両者の差が１ならば凸のデータと判断することができるのである。
【００６６】
次に、凸のデータと判断できた場合、必ず線分の終点が次の線分の始点になるように作成した３つの線分のうち、１番目もしくは３番目の線分上に矩形データを作成するために必要な点を新たに発生させ、この矩形データを元の導電体の図形データから分離する（ステップＳ７）。例えば、図１３のパターンＰ１のように線分ＡＢに比べ線分ＣＤの方が長い場合は、線分ＣＤ上に線分ＥＡと線分ＢＣとが平行となるような点Ｅを発生させ、矩形データＡＢＣＥを元の導電体の図形データから分離する。同様にパターンＰ３のように線分ＣＤに比べ線分ＡＢの方が長い場合は、線分ＡＢ上に線分ＤＥと線分ＡＢが平行となるような点Ｅを発生させ、矩形データＥＢＣＤを元の導電体の図形データから分離する。パターンＰ２のように、線分ＡＢと線分ＣＤの長さが同じである場合は、ＡをＥもしくはＤをＥとして、矩形データＥＢＣＤもしくはＡＢＣＥをもとの導電体の図形データから分離する。
【００６７】
次に、例えば新たに発生させた点を起点として以上のステップ（ステップＳ４からステップＳ７）を繰り返し（ステップＳ８）、元の導電体の図形データがすべて矩形データとして分離できれば終了する。
【００６８】
図１６は矩形図形変換器６のさらに他の処理動作を示すフローチャートであり、図１７は矩形図形変換器６のさらに他の処理を説明するための図である。
【００６９】
はじめに、導電体の３次元データについて、ＸＹ平面の頂点座標のうち、Ｙ座標が最小でかつＸ座標も最小となる点とＹ座標が最小でかつＸ座標が２番目に最小となる起点とによって作られる線分を作成する（ステップＳ９）。例えば、図１７に示すバターンＰ８においては線分ＡＢとなる。次に、作成された線分の各両端座標を共有する２つの線分の長さを比較する（ステップＳ１０）。例えば、図１７に示すバターンＰ８においては、線分ＡＢの各両端座標を共有する２つの線分は線分ＢＣと線分ＨＡとである。従って、この両線分の長さを比較する。
【００７０】
次に、比較した両線分の長さが同じでない場合（ステップＳ１０においてＮＯ）、長い方の線分上に起点からみて短い方の線分と同じ大きさになるような点を新たに発生させる（ステップＳ１１）。例えば、図１７に示すバターンＰ８においては、線分ＨＡ上の点Ｉを新たに発生させる。
【００７１】
そして、起点で作られる線分を元にして作成された矩形データを元の導電体の図形データから分離する（ステップＳ１２）。例えば、図１７に示すバターンＰ８においては、元の導電体の図形データＡＢＣＤＥＦＧＨから矩形データＡＢＣＩを分離することとなる。
【００７２】
以上のステップ（ステップＳ９からステップＳ１２）を繰り返し（ステップＳ１３）、元の導電体の図形データがすべて矩形データとして分離できれば終了する。例えば、図１７に示すバターンＰ８においては、図形データＩＤＥＦＧＨについて繰り返すことになる。この方法では図形バターンの凹凸を判断する必要がなく、処理が簡素化される。このため、処理時間を短縮することができる効果が大きい。なお、本実施の形態においては、Ｙ座標が最小でかつＸ座標も最小となる点とＹ座標が最小でかつＸ座標が２番目に最小となる起点とによって作られる線分としたが、Ｘ座標が最小でかつＹ座標も最小となる点とＸ座標が最小でかつＹ座標が２番目に最小となる起点とによって作られる線分としてもよい。
【００７３】
図１８は矩形図形変換器６のさらに他の処理動作を示すフローチャートであり、図１９は矩形図形変換器６のさらに他の処理を説明するための図である。
【００７４】
はじめに、導電体間接続定義情報２から例えばポリシリコンだけ、あるいは第一アルミだけというように、同一階層間の矩形データについて、同一電位とすべきレイヤ名を抽出する（ステップＳ１４）。
【００７５】
次に、抽出されたレイヤ名の矩形データについて、頂点座標のうちＸ座標の最大値と最小値およびＹ座標の最大値と最小値を各矩形データ同士で比較し、同一階層間での各矩形データの位置関係を確認する（ステップＳ１５）。例えば、図１９ではパターンＰ９とパターンＰ１０との間の位置関係を調べるため、パターンＰ９のＸ座標の最大値Ｘ２とパターンＰ１０のＸ座標の最小値Ｘ１１との大きさを比べ、パターンＰ９のＸ座標の最小値Ｘ１とパターンＰ１０のＸ座標の最大値Ｘ２２との大きさを比べる。同様に、パターンＰ９のＹ座標の最大値Ｙ２とパターンＰ１０のＹ座標の最小値Ｙ１１との大きさを比べ、パターンＰ９のＹ座標の最小値Ｙ１とパターンＰ１０のＹ座標の最大値Ｙ２２との大きさを比べる。仮にＸ２≧Ｘ１１かつＸ２２≧Ｘ１かつＹ２≧Ｙ１１かつＹ２２≧Ｙ１という条件を満たせば、パターンＰ９とパターンＰ１０は接しているか重なっていることになる。
【００７６】
以上のステップ（ステップＳ１４からステップＳ１５）を同一層間でのすべての各矩形データの位置関係が確認できるまで繰り返す（Ｓ１６）。
【００７７】
次に、同一層間でのすべての各矩形データのうち接しているか重なっている矩形データを同電位として認識させる（ステップＳ１７）。上下層間についても、導電体間接続定義情報２から例えばポリシリコンと第一コンタクト、あるいは第一コンタクトと第一アルミというように、上下層間間の矩形データについて、同一電位とすべきレイヤ名を抽出する（ステップＳ１８）。例えば図１９においてパターンＰ９を下階層、パターンＰ１０を上階層と考えれば、同一層間と同様の処理によって矩形データの位置関係が確認でき、同一層間と上下層間のすべての矩形データについて同電位のものとそれ以外に場合分けが可能となる。
【００７８】
図２０は矩形図形変換器のさらに他の処理動作を示す図である。
【００７９】
図１８を参照して前述したフローチャート１８における各矩形データの位置関係を確認するステップＳ１５を実行する替わりに、まず比較元の矩形データの最大座標および最小座標と比較する矩形データの各座標データを比較することによって確認する（ステップＳ１９）。例えば、図１９に示すバターンＰ９が比較元でバターンＰ１０が比較対象とする。バターンＰ９の最小座標Ａ（Ｘ１，Ｙ１）と最大座標Ｃ（Ｘ２，Ｙ２）およびバターンＰ１０の頂点データＰ（Ｘ１１、Ｙ１１）を抽出し、Ｘ１≦Ｘ１１≦Ｘ２かつＹ１≦Ｙ１１≦Ｙ２であれば、バターンＰ９とバターンＰ１０とは接しているか重なっていることになり、位置関係を確認することが可能となる。
【００８０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、配線容量を自動的に計算することができる配線構造データを作成する配線構造データ作成装置および配線構造データ作成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の構成を示すブロック図
【図２】実施の形態に係る配線構造データ作成装置に設けられた同一電位導電体情報付加器の構成を示すブロック図
【図３】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器の構成を示すブロック図
【図４】実施の形態に係るＸＹ平面上に投影された導電体の図形を説明するための図
【図５】実施の形態に係る配線構造データ作成装置に入力される導電体接続定義情報の構成を説明するための図
【図６】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形比較器の構成を示すブロック図
【図７】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器の矩形図形比較器に設けられた同一階層間比較器の処理を説明するための図
【図８】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器の矩形図形比較器に設けられた上下階層間比較器の処理を説明するための図
【図９】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた他の矩形図形変換器の構成を示すブロック図
【図１０】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器の他の矩形図形変換器に設けられた最小グリッド丸め器の処理を説明するための図
【図１１】実施の形態に係る配線構造データ作成装置に設けられた同一電位導電体情報付加器の動作を示すフローチャート
【図１２】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器の処理動作を示すフローチャート
【図１３】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器の処理を説明するための図
【図１４】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器の処理を説明するための図
【図１５】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器の処理を説明するための図
【図１６】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器の他の処理動作を示すフローチャート
【図１７】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器の他の処理を説明するための図
【図１８】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器のさらに他の処理動作を示すフローチャート
【図１９】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器のさらに他の処理を説明するための図
【図２０】実施の形態に係る配線構造データ作成装置の同一電位導電体情報付加器に設けられた矩形図形変換器のさらに他の処理動作を示す図
【図２１】従来の配線構造データ作成装置の構成を示すブロック図
【図２２】従来の配線構造データ作成装置に入力される層間膜断面形状情報を説明するための図
【図２３】半導体装置に積層された層間膜の構造を表す層間膜構造データを説明するための斜視図
【図２４】従来の配線構造データ作成装置に入力されるマスクレイアウト情報を説明するための図
【図２５】従来の配線構造データ作成装置に入力されるレイヤ名定義情報を説明するための図
【図２６】従来の配線構造データ作成装置に入力される導電体断面形状情報を説明するための図
【図２７】半導体装置に設けられた導電体の構造を表す導電体構造データを説明するための斜視図
【図２８】半導体装置に積層された層間膜および半導体装置に設けられた導電体を説明するための斜視図
【符号の説明】
１　同一電位導電体情報付加器
２　導電体接続定義情報
３　第１導電体構造データ
４　第２導電体構造データ
６　矩形図形変換器
７　矩形図形比較器
８　付加器
９　頂点座標抽出器
１０　線データ抽出器
１１　線データ比較器
１２　矩形図形生成器
１３　最小グリッド丸め器
１４　同一階層比較器
１５　上下階層比較器
１６　導電体構造データ生成器
１７　層間膜構造データ作成器
１８　３次元形状合成器
１９　導電体情報
２０　導電体断面形状情報
２１　レイヤ名定義情報
２２　マスクレイアウト情報
２３　半導体装置
２５　層間膜断面形状情報
２６　層間膜構造データ
２７　配線構造データ
Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｃ１　導電体
Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ　層間膜
【図１】
2004070835.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004070835.tif 000009
【図８】
2004070835.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004070835.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2004070835.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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