(57)【要約】【課題】絶縁基板が変形していない状態で回路のパターンニングを行なうことができ、高密度・高精度に回路形成することができる三次元回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】三次元立体形状を有する絶縁基板１の表面に樹脂層２を形成する樹脂層形成工程。樹脂層２を部分的に除去して絶縁基板１の表面を部分的に露出させる絶縁基板露出工程。絶縁基板１のこの露出した表面に、樹脂層２の表面も含めて導体膜３を形成する導体膜形成工程。絶縁基板１の露出した表面に形成した導体膜３にめっきを施すことによって電気回路５を形成する電気回路形成工程。絶縁基板１の表面の樹脂層２を除去する樹脂層除去工程。これらの工程から三次元回路基板を製造する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元立体形状を有する絶縁基板の表面に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層を部分的に除去して絶縁基板の表面を部分的に露出させる絶縁基板露出工程と、絶縁基板のこの露出した表面に、樹脂層の表面も含めて導体膜を形成する導体膜形成工程と、絶縁基板の露出した表面に形成した導体膜にめっきを施すことによって電気回路を形成する電気回路形成工程と、絶縁基板の表面の樹脂層を除去する樹脂層除去工程とを有することを特徴とする三次元回路基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板の表面にフッ素樹脂プラズマ処理を行なった後に、樹脂層形成工程において、絶縁基板の表面に樹脂層を形成することを特徴とする請求項１に記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項３】
樹脂層形成工程において、絶縁基板の表面に樹脂液をスプレー塗布した後に硬化させることによって、樹脂層を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項４】
樹脂層を四フッ化エチレン樹脂で形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁基板露出工程において、樹脂層にレーザを照射することによって、樹脂層を部分的に除去することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁基板露出工程において、絶縁基板の立体表面の高さに応じてレーザの焦点位置を制御しながら、レーザを照射することを特徴とする請求項５に記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板露出工程において、レーザのスポット形状を角型、長角型、長円型のいずれかに設定して、レーザを照射することを特徴とする請求項５又は６に記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項８】
電気回路形成工程において、電気回路の厚みが樹脂層の厚みより小さくなるようにめっき厚を設定して、めっきを施すことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項９】
樹脂層除去工程において、高圧水洗を行なうことによって、樹脂層の除去を行なうことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の三次元回路基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかの方法によって製造されたものであることを特徴とする三次元回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、三次元立体形状を有する絶縁基板の表面に電気回路を設けて形成される三次元回路基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、三次元立体形状を有する絶縁基板１の表面に電気回路を設けることによって作製される三次元回路基板の製造方法の一例を示すものである。すなわち、まず図１０（ａ）のように、樹脂成形を行なうことによって表面が三次元立体形状に形成された絶縁基板１を作製し、この絶縁基板１の表面にスパッタリングなどＰＶＤ法（物理蒸着法）で銅等の金属からなる導体膜３を図１０（ｂ）のように形成する。次に、形成すべき回路の輪郭に沿ってレーザを走査させながら照射し、図１０（ｃ）のように回路の輪郭の部分の導体膜３を除去する。この後、導体膜３を除去した輪郭で囲まれる部分の導体膜３に通電して電気めっきすることによって、この輪郭で囲まれる導体膜３の表面にのみめっき層４を形成し、導体膜３とめっき層４とから電気回路５を形成する。そしてライトエッチングして輪郭の外側の導体膜３を除去することによって、図１０（ｄ）のように電気回路５を設けた三次元回路基板を製造することができるものである（例えば特許文献１等参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−６６５３３号公報
【特許文献２】
特開２０００−１５０４１９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の方法で三次元回路基板を製造するにあたっては、絶縁基板１の表面にスパッタリングなどＰＶＤ法で導体膜３を形成した後に、形成すべき回路の輪郭に沿ってレーザを照射して導体膜３を部分的に除去することによって、電気回路５のパターンニングが行なわれることになる。
【０００５】
しかしながら、絶縁基板１にＰＶＤ法で導体膜３を形成する際に、絶縁基板１には高温の熱が作用するので、樹脂成形品で形成される絶縁基板１はその熱負荷によって反り等の変形が発生している。特に三次元立体構造に形成されている絶縁基板１はその厚みの不均一によって変形が発生し易い。そしてパターンニングは、絶縁基板１に予め設定した基準マークなどを基準にしてレーザを走査させることによって行なわれるが、パターンニングの際にこのように絶縁基板１に変形が発生していると、絶縁基板１に形成される電気回路５に位置ズレが生じたりするおそれがあり、高密度・高精度に回路形成することが困難になるという問題を有するものであった。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁基板が変形していない状態で回路のパターンニングを行なうことができ、高密度・高精度に回路形成することができる三次元回路基板の製造方法及び三次元回路基板を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る三次元回路基板の製造方法は、三次元立体形状を有する絶縁基板１の表面に樹脂層２を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層２を部分的に除去して絶縁基板１の表面を部分的に露出させる絶縁基板露出工程と、絶縁基板１のこの露出した表面に、樹脂層２の表面も含めて導体膜３を形成する導体膜形成工程と、絶縁基板１の露出した表面に形成した導体膜３にめっきを施すことによって電気回路５を形成する電気回路形成工程と、絶縁基板１の表面の樹脂層２を除去する樹脂層除去工程とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
また請求項２の発明は、請求項１において、絶縁基板１の表面にフッ素樹脂プラズマ処理を行なった後に、樹脂層形成工程において、絶縁基板１の表面に樹脂層２を形成することを特徴とするものである。
【０００９】
また請求項３の発明は、請求項１又は２の樹脂層形成工程において、絶縁基板１の表面に樹脂液をスプレー塗布した後に硬化させることによって、樹脂層２を形成することを特徴とするものである。
【００１０】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、樹脂層２を四フッ化エチレン樹脂で形成することを特徴とするものである。
【００１１】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかの絶縁基板露出工程において、樹脂層２にレーザを照射することによって、樹脂層２を部分的に除去することを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項６の発明は、請求項５の絶縁基板露出工程において、絶縁基板１の立体表面の高さに応じてレーザの焦点位置を制御しながら、レーザを照射することを特徴とするものである。
【００１３】
また請求項７の発明は、請求項５又は６の絶縁基板露出工程において、レーザのスポット形状を角型、長角型、長円型のいずれかに設定して、レーザを照射することを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項８の発明は、請求項１乃至７のいずれかにおいて、電気回路形成工程において、電気回路５の厚みが樹脂層２の厚みより小さくなるようにめっき厚を設定して、めっきを施すことを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項９の発明は、請求項１乃至８のいずれかにおいて、樹脂層除去工程において、高圧水洗を行なうことによって、樹脂層２の除去を行なうことを特徴とするものである。
【００１６】
また請求項１０に係る三次元回路基板は、上記の請求項１乃至９のいずれかの方法によって製造されたものであることを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１８】
絶縁基板１は図１（ａ）のように表面を三次元立体形状に形成されるものであり、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂材料を射出成形等することによって所望の形状に作製される樹脂成形品を用いることができるものである。絶縁基板１としてはこのような樹脂製の他に、セラミックなどで形成したものを用いることもできる。
【００１９】
ここで、絶縁基板１の表面に樹脂層２を形成するに先立って、絶縁基板１の表面にはフッ素プラズマ処理を施しておくのが望ましい。フッ素プラズマ処理は図３（ａ）に示すように、チャンバー１１内に一対の電極１２，１３を対向して配置すると共に電極１２，１３にＲＦ電源１４を接続して形成されるプラズマ処理装置を用いて行なうことができるものである。すなわち、一対の電極１２，１３のうち一方の電極１２を基板ホルダーとして絶縁基板１を保持し、真空ポンプによってチャンバー１１内を１０−４Ｐａ台にまで真空引きを行ない、絶縁基板１を保持する電極１２の側にＲＦパワー１ｋＷ程度の高周波電圧を印加する。そしてチャンバー１１内にプラズマ用ガスとしてＣＦ４をガス圧１０Ｐａ程度で導入すると、チャンバー１１内でＣＦ４プラズマＰが生成され、高周波電圧を印加することによって負のバイアス電圧がかかっている絶縁基板１の表面に、プラズマＰ中のフッ素イオン１５が図３（ｂ）のように衝突し、絶縁基板１の表層にフッ素を導入することができるものである。このように絶縁基板１の表面にフッ素を導入してフッ化することによって、後述の樹脂層形成工程で絶縁基板１の表面に被覆される樹脂層２の密着力を弱めることができるものであり、樹脂層２を後述の樹脂層除去工程で絶縁基板１の表面から剥離する際に、樹脂層２の剥離を容易に行なうことができるようになるものである。
【００２０】
また、絶縁基板１に形成する電気回路５の密着性を高めるために、絶縁基板１の表面にプラズマ改質処理を施すようにすることもできる。プラズマ改質処理は図４に示すように、チャンバー２４内に基板ホルダーとなる電極２５を配置すると共に電極２５にＲＦ電源２６を接続して形成されるプラズマ処理装置を用いて行なうことができるものである。図４において２７はマッチングボックス、２８はブロッキングコンデンサである。そして真空ポンプによってチャンバー２４内を１０−４Ｐａ台にまで真空引きを行ない、絶縁基板１を保持する電極２５の側にＲＦパワー１ｋＷ程度の高周波電圧を印加し、チャンバー２４内にプラズマ用ガスとして窒素あるいは酸素をガス圧１０Ｐａ程度で導入すると、チャンバー２４内で窒素あるいは酸素のプラズマＰが生成され、高周波電圧を印加することによって負のバイアス電圧がかかっている絶縁基板１の表面に、プラズマＰ中の窒素あるいは酸素が衝突し、絶縁基板１の表層に窒素官能基あるいは酸素官能基を形成することができるものである。このように絶縁基板１の表面をプラズマ改質処理して窒素や酸素を含んだ官能基を導入することによって、金属との密着性を高め、電気回路５の密着強度を高めることができるものである。尚、このプラズマ改質処理は、後述の、絶縁基板露出工程の後、導体膜形成工程の前に行なうようにしてもよい。
【００２１】
そしてまず樹脂層形成工程で、絶縁基板１の三次元立体形状の表面の全面に樹脂層２を形成し、図１（ｂ）及び図２（ａ）に示すように、絶縁基板１の表面を樹脂層２で被覆する。樹脂層２の厚みは１０〜１００μｍ程度が好ましい。
【００２２】
絶縁基板１の表面に樹脂層２を形成するにあたっては、例えば樹脂を溶媒に溶解して調整した樹脂液１７に図５（ａ）（ｂ）のように浸漬して引き上げるディップ法により、樹脂液１７を絶縁基板１の表面に塗布することによって行なう方法がある。しかしこのようなディップ法で樹脂液１７を絶縁基板１の表面に塗布して樹脂層２を形成する場合、絶縁基板１の表面は三次元立体形状に形成されているので、図５（ｃ）に示すように、凹凸の凸の箇所（イ矢印）では液流れが生じると共に凹の箇所（ロ矢印）では液溜りが生じて、均一な厚みで樹脂層２を形成することができない。そこで本発明では、図１（ｂ）のように、樹脂液を絶縁基板１の表面に噴霧器のノズル１８からスプレーし、絶縁基板１の表面に付着させた樹脂液を硬化させることによって樹脂層２を形成するようにするのが好ましい。このように液状樹脂を絶縁基板１の表面にスプレーすれば、絶縁基板１の表面に付着した液状樹脂の薄い被膜は流れることなく硬化して樹脂層２となるので、樹脂層２を均一な膜厚で形成することができるものである。
【００２３】
また、樹脂層２を形成する樹脂としては任意のものを用いることができるが、なかでも四フッ化エチレン樹脂を用いるのが好ましい。四フッ化エチレン樹脂は絶縁基板１に対する密着力が弱いので、四フッ化エチレン樹脂で樹脂層２を形成することによって、後述の樹脂層除去工程で絶縁基板１の表面から樹脂層２を剥離する際に、樹脂層２を容易に剥がすことができるようになるものである。
【００２４】
上記のように樹脂層形成工程で絶縁基板１の表面に樹脂層２を形成した後、図１（ｃ）及び図２（ｂ）のように、絶縁基板露出工程で樹脂層２を部分的に除去し、絶縁基板１の表面の一部を露出させる露出部２０を形成する。樹脂層２の部分的な除去で形成される露出部２０は、絶縁基板１の表面に電気回路５を形成すべき箇所において、電気回路５と同じのパターン形状で形成されるものである。従って露出部２０によって絶縁基板１の表面は、電気回路５を形成すべき箇所において、電気回路５と同じパターン形状で露出されるものであり、樹脂層２に露出部２０を形成することは、絶縁基板１に電気回路５を形成するためのパターニングに相当するものである。
【００２５】
絶縁基板露出工程で樹脂層２を部分的に除去して露出部２０を形成するにあたっては、レーザＬを樹脂層２に照射して、レーザＬを照射した部分の樹脂層２を蒸発させて除去することによって行なうことができる。レーザＬとしてはパルスレーザなど任意のものを用いることができるものであり、樹脂層２に照射されるレーザスポットを、絶縁基板１の表面に沿って走査（スキャン）させることによって、電気回路５のパターン形状に樹脂層２を除去して露出部２０を形成することができるものである。例えば、レーザエネルギー０．１〜０．５ｍＪ、パルス幅２０〜１００ｍｓｅｃ、レーザ照射スポット径５０〜３００μｍ、スキャン速度２００〜１０００ｍｍ／ｓｅｃの条件でパルスレーザを照射することによって、樹脂層２を部分的に除去して絶縁基板１の表面を部分的に露出させる露出部２０を形成することができる。
【００２６】
このとき、絶縁基板１の予め設定した基準マークなどを基準にしてレーザＬを走査させることによって、電気回路５を形成すべき箇所において、電気回路５と同一のパターン形状で、露出部２０を形成するパターニングを行なうことができるものである。そして絶縁基板露出工程は、絶縁基板１にＰＶＤ法で導体膜３を形成する導体膜形成工程よりも前の工程であり、絶縁基板１にはまだ高い温度が作用していず、絶縁基板１には熱変形が発生していない。従って、絶縁基板１に予め設定した基準マークなどを基準にしてレーザを走査させて露出部２０を形成するパターニングを行なうにあたって、露出部２０の形成位置がズレたり変形したりするようなことがなくなり、正確な位置に正確な形状・寸法で露出部２０を形成して、露出部２０に形成されることになる電気回路５を正確な位置に正確な形状・寸法で形成することができるものであり、高密度・高精度に回路形成することが可能になるものである。
【００２７】
また上記のように樹脂層２にレーザを照射することによって、樹脂層２を部分的に除去して露出部２０を形成するにあたって、樹脂層２を被覆した絶縁基板１の表面は三次元立体形状に形成されているので、レーザ焦点位置を一定にしてレーザを走査させると、三次元立体形状の高さに応じて樹脂層２に照射されるレーザのスポット径が変化し、樹脂層２に形成される露出部２０の幅が一定せず、均一な回路幅で電気回路５を形成することができない。そこで本発明では、絶縁基板１の三次元立体形状の高さを検知すると共に、この高さに応じてレーザの光束を絞るレンズの位置を調節することによって、三次元立体形状の高さに応じてレーザ焦点位置を調節するフィードバック制御を行ない、樹脂層２に照射されるレーザのスポット径が一定になるようにしてある。この場合、レーザ焦点位置を変えることにことによって、樹脂層２に照射されるレーザのスポット径を変えて露出部２０の幅を変えることができ、電気回路５を任意の回路幅で形成することも可能になるものである。
【００２８】
また、レーザの照射スポット形状を、図６（ａ）のような角型、図６（ｂ）のような長角型、あるいは図６（ｃ）のような長円型のいずれかに形成すれば（各スポットをＳで示す）、このスポットＳを移動させることによって、屈曲する照射パターンの角部をエッジ形状に仕上げることができ、電気回路５が屈曲するパターンを有する場合に、屈曲する角部をエッジ形状に形成することができるものである。レーザの照射スポット形状を角型、長角型、長円型に成形するには、アパーチャやプリズム、シリンドリカルレンズ等を用いておこなうことができる。またパルスレーザを用いて走査をおこなうと、走査して照射した縁部がジグザグになるが、照射スポット形状を上記のように角型、長角型、長円型に成形して、スポット形状の長辺と平行な方向に走査しながら照射をおこなうと、照射の縁部のジグザグが小さくなり、電気回路５の両側縁を直線状に仕上げることができるものである。
【００２９】
上記のように絶縁基板露出工程で樹脂層２を部分的に除去して絶縁基板１を部分的に露出させる露出部２０を形成した後、導体膜形成工程で、露出部２０に露出される絶縁基板１の表面に導体膜３を形成する。導体膜３の形成は、スパッタリングや真空蒸着などＰＶＤ法で、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ等の金属粒子２３を図１（ｄ）のように蒸着させることによって行なうことができる。また化学めっきなどによって行なうことも可能である。このように露出部２０を通して絶縁基板１の表面に電気回路５と同じパターンで導体膜３を形成することができるものであり、このとき図２（ｃ）のように絶縁基板１の上に残存する樹脂層２の表面にも導体膜３が形成される。絶縁基板１の表面形成する導体膜３は、通電してその表面に電気めっき行なうことができるものであればよいので薄膜で良く、０．１〜１０μｍ程度の膜厚であることが好ましい。これより薄すぎると、後述の電気回路形成工程で電気めっきを行なう際にめっき層４を析出させることができないおそれがある。
【００３０】
図７はスパッタリングによって導体膜３を形成する一例を示すものであり、チャンバー３０内に基板ホルダーとなる電極３１と金属材料からなるターゲット３２とを対向させて配置し、電極３１とターゲット３２との間に直流電源３３を接続してスパッタリング装置が形成してある。そして真空ポンプによってチャンバー３０内を１０−４Ｐａ台にまで真空引きを行ない、ターゲット３２にＤＣパワー３ｋＷ程度の直流電圧を印加し、チャンバー３０内にプラズマ用ガスとしてＡｒをガス圧０．５Ｐａ程度で導入すると、チャンバー２４内でＡｒプラズマＰが生成される。このプラズマＰのＡｒイオンがターゲット３２に衝突することによって金属粒子が叩き出され、この金属粒子がマイナスに帯電している絶縁基板１に向けて飛翔して、絶縁基板１の表面に付着することによって、絶縁基板１の表面に導体膜３を形成することができるものである。
【００３１】
ここで、絶縁基板１の表面に電気回路５のパターンで導体膜３を形成するにあたって、図８（ａ）に示すように、電気回路５と同じパターンの開口部３４を設けたマスク３５を用い、このマスク３５の開口部３４を通して金属粒子を絶縁基板１の表面に蒸着させることによって行なうこともできる。しかしこの方法では、絶縁基板１にマスク３５を密着させることが難しく、開口部３４を通過した金属粒子が絶縁基板１とマスク３５の隙間においてマスク３５の裏側へ回り込み、図８（ｂ）に示すように絶縁基板１の表面に形成される導体膜３は周囲がぼけてしまい、高密度・高精度に回路形成することは困難であるという問題がある。特に、絶縁基板１の三次元立体形状にマスク３５を密着させて被せることは難しく、三次元立体形状によってはマスク３５を形成することが不可能な場合もある。さらに図８（ｃ）のように絶縁基板１に形成する電気回路５が孤立した閉状態の回路である場合、電気回路５で囲まれる部分のマスク３５を支持できないので、このような電気回路５をマスク３５によってパターンニングすることはできない。
【００３２】
これに対して本発明のように、絶縁基板１の表面に樹脂層２を被覆し、樹脂層２を部分的に除去して形成される露出部２０を通してＰＶＤ法などで絶縁基板１の露出表面に導体膜３を形成するようにすれば、樹脂層２がマスクとなって、電気回路５を形成すべき部分のみに導体膜３を形成することができるが、樹脂層２は絶縁基板１の表面がどのような三次元立体形状であっても密着させて形成することができるものであり、導体膜３の周囲がぼけるようなこともなくなるものである。また絶縁基板１に形成する電気回路５が孤立した閉状態の回路であっても、電気回路５で囲まれる部分の樹脂層２は絶縁基板１の表面に保持させることができるので、このような電気回路５であっても何ら支障なくパターンニングすることができるものである。
【００３３】
上記のように導体膜形成工程で、露出部２０において露出する絶縁基板１の表面に、樹脂層２の表面も含めて導体膜３を形成した後、電気回路形成工程で、露出部２０において露出する絶縁基板１に形成した導体膜３に電気めっきを施すことによって、電気回路５を形成する。電気めっきは、露出部２０内において露出する絶縁基板１の表面の導体膜３に通電しながら、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ等のめっき浴に浸漬することによって行なうことができるものであり、樹脂層２の表面に形成されている導体膜３は露出部２０内の導体膜３と電気的に絶縁されているので、樹脂層２の表面の導体膜３にはめっきは析出せず、図１（ｅ）及び図２（ｄ）のように、露出部２０内において露出する絶縁基板１の表面の導体膜３にのみＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ等のめっき層４が形成され、この導体膜３とめっき層４とからなる電気回路５を形成することができるものである。
【００３４】
ここで、めっき層４の厚みは、樹脂層２の厚みから、露出部２０内において形成された導体膜３の厚みを引いた寸法より小さい寸法に形成して、めっき層４と導体層３からなる電気回路５の厚みが樹脂層２の厚みより小さくなるように設定するのが好ましい。めっき層４の厚みがこれより大きい寸法であると、めっき層４の表層部が露出部２０からはみ出して、樹脂層２の表面に形成された導体膜３と接触し、この樹脂層２の表面の導体膜３にも電気が流れてめっきが析出して、図９のようにめっき層４と樹脂層２の表面の導体膜３とが一体化してしまうことになる。従ってこの場合には、後述の樹脂層除去工程で樹脂層２を絶縁基板１から剥がすことが困難になり、また樹脂層２を剥がす際にめっき層４に無理な力が作用して、電気回路５の断面形状を変形させてしまうおそれがある。めっき層４の厚みを上記のように設定することによって、このような問題はなくなるものである。
【００３５】
上記のように電気回路形成工程で、露出部２０において露出する絶縁基板１に形成した導体膜３に電気めっきを施すことによって電気回路５を形成した後、絶縁基板１の表面に残存している樹脂層２を剥離して除去する。樹脂層２を除去する手段は特に限定されるものではないが、図１（ｆ）に示すように、絶縁基板１の表面の全面にノズル３７から２〜１０ＭＰａ程度の高圧水を噴出することによって、水圧で樹脂層２を剥離することによって行なうのが好ましい。このように高圧水洗で樹脂層２を剥がすことによって、絶縁基板１から樹脂層２を迅速にかつ大量に除去することができるものであり、樹脂層２の表面の導体膜３も同時に除去することができるものである。
【００３６】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る三次元回路基板の製造方法は、三次元立体形状を有する絶縁基板の表面に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、樹脂層を部分的に除去して絶縁基板の表面を部分的に露出させる絶縁基板露出工程と、絶縁基板のこの露出した表面に、樹脂層の表面も含めて導体膜を形成する導体膜形成工程と、絶縁基板の露出した表面に形成した導体膜にめっきを施すことによって電気回路を形成する電気回路形成工程と、絶縁基板の表面の樹脂層を除去する樹脂層除去工程とからなるので、絶縁基板露出工程で行なう、樹脂層を部分的に除去して絶縁基板の表面を部分的に露出させるパターニングは、絶縁基板にＰＶＤ法等で導体膜を形成する導体膜形成工程よりも前の工程であり、絶縁基板に熱変形が発生していない状態で、絶縁基板露出工程においてパターニングを行なうことができ、電気回路を正確な位置に正確な形状・寸法で形成することができるものであって、高密度・高精度に回路形成することが可能になるものである。
【００３７】
また請求項２の発明は、請求項１において、絶縁基板の表面にフッ素樹脂プラズマ処理を行なった後に、樹脂層形成工程において、絶縁基板の表面に樹脂層を形成するようにしたので、フッ素樹脂プラズマ処理を行なうことによって、絶縁基板の表面をフッ化させて樹脂層の密着力を弱めることができるものであり、樹脂層除去工程で樹脂層を絶縁基板から容易に剥離することができるものである。
【００３８】
また請求項３の発明は、請求項１又は２の樹脂層形成工程において、絶縁基板の表面に樹脂液をスプレー塗布した後に硬化させることによって、樹脂層を形成するようにしたので、スプレー塗布して絶縁基板の表面に付着させた樹脂液の薄い被膜は流れることなく硬化して樹脂層となるものであり、樹脂層を均一な膜厚で形成することができるものである。
【００３９】
また請求項４の発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、樹脂層を四フッ化エチレン樹脂で形成するようにしたので、四フッ化エチレン樹脂は絶縁基板に対する密着力が弱く、樹脂層除去工程で絶縁基板から樹脂層を容易に剥離することができるものである。
【００４０】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４の絶縁基板露出工程において、樹脂層にレーザを照射することによって、樹脂層を部分的に除去するようにしたので、レーザを走査させることによって、任意のパターンで樹脂層の部分的な除去を行なうことができるものである。
【００４１】
また請求項６の発明は、請求項５の絶縁基板露出工程において、絶縁基板の立体表面の高さに応じてレーザの焦点位置を制御しながら、レーザを照射するようにしたので、樹脂層に照射されるレーザのスポット径を一定にすることができ、均一な回路幅で電気回路を形成することができるものである。
【００４２】
また請求項７の発明は、請求項５又は６の絶縁基板露出工程において、レーザのスポット形状を角型、長角型、長円型のいずれかに設定して、レーザを照射するようにしたので、屈曲する照射パターンの角部をエッジ形状に仕上げることができ、電気回路が屈曲するパターンを有する場合に、屈曲する角部をエッジ形状に形成することができるものである。
【００４３】
また請求項８の発明は、請求項１乃至７のいずれかの電気回路形成工程において、電気回路の厚みが樹脂層の厚みより小さくなるようにめっき厚を設定して、めっきを施すようにしたので、めっきが樹脂層の表面の導体膜と一体化することを防ぐことができ、樹脂層除去工程で樹脂層を絶縁基板から容易に剥がすことができるものである。
【００４４】
また請求項９の発明は、請求項１乃至８のいずれかの樹脂層除去工程において、高圧水洗によって樹脂層の除去を行なうようにしたので、絶縁基板から樹脂層を迅速にかつ大量に除去することができるものである。
【００４５】
本発明の請求項１０に係る三次元回路基板は、上記の請求項１乃至９のいずれかの方法によって製造されたものであるので、高密度・高精度に回路形成した三次元回路基板を得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ）乃至（ｆ）はそれぞれ斜視図である。
【図２】（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、（ｂ）は図１（ｃ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は図１（ｄ）のＡ−Ａ線断面図、（ｄ）は図１（ｅ）のＡ−Ａ線断面図、（ｅ）は図１（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】同上の一工程を示すものであり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は斜視図である。
【図４】同上の一工程の概略断面図である。
【図５】同上の一工程を示すものであり、（ａ），（ｂ）は縮小した概略断面図、（ｃ）は断面図である。
【図６】同上の一工程を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はレーザの照射スポット形状を示す概略図である。
【図７】同上の一工程の概略断面図である。
【図８】マスクを用いた導体膜の形成を示すものであり、（ａ），（ｂ）は断面図、（ｃ）は斜視図である。
【図９】回路形成工程でのめっき層が厚い場合の問題を示す断面図である。
【図１０】従来例を示すものであり、（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれ斜視図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
２  樹脂層
３  導体膜
４  めっき層
５  電気回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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