(57)【要約】【課題】変調信号の振幅が小さいときでも光変調器の動作点を最適化できるようにする。【解決手段】データ信号Ｄに低周波信号Ａが重畳された変調信号Ｍとバイアス電圧Ｂとを光変調器１２に与え、変調信号Ｍによって強度変調された光Ｐｍを出射させ、その出射光Ｐｍの受光信号Ｅから抽出された信号Ａ′と変調信号Ｍに重畳されている信号Ａとの位相差に基づいてバイアス電圧Ｂを制御する光変調装置において、光変調器１２の出射光Ｐｍの消光比が最大となるときまたは誤り率が最小となるときの信号Ａ、Ａ′の位相差の検出値を基準値Ｒとして予めメモリ３６に記憶しておき、以後に検出される位相差の検出値Ｑが基準値Ｒに一致するように光変調器１２のバイアス電圧Ｂを制御する。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ信号に低周波信号が重畳された変調信号と動作点設定用のバイアス電圧とを光変調器に与えて該光変調器から前記変調信号によって強度変調された光を出射させ、該出射光から前記低周波信号と同一周波数の信号を抽出し、該抽出した信号と前記低周波信号との位相差を検出し、該位相差の検出値に基づいて前記光変調器に与えるバイアス電圧を制御する光変調器のバイアス電圧制御方法において、
前記光変調器の出射光の消光比またはビット誤り率を測定しながら前記バイアス電圧を可変して、前記消光比が最大またはビット誤り率が最小となるときの前記位相差の検出値を基準値として予め求めておき、
以後に検出される位相差の検出値が前記基準値に一致するように前記バイアス電圧を制御することを特徴とする光変調器のバイアス電圧制御方法。
【請求項２】
前記基準値が、異なる振幅の変調信号についてそれぞれ得られた複数の値であり、
前記複数の基準値に基づいて、以後に入力される変調信号の振幅に対応した基準値を求め、
以後に検出される位相差の検出値が前記求めた基準値と一致するように前記バイアス電圧を制御することを特徴とする請求項１記載の光変調器のバイアス電圧制御方法。
【請求項３】
バイアス電圧により動作点が設定される光変調器（１２）と、
低周波信号を出力する低周波信号発生手段（１６）と、
データ信号に前記低周波信号を重畳して生成した変調信号を前記光変調器に与える変調信号供給手段（１３）と、
前記光変調器の出射光を電気信号に変換する受光素子（１８）と、
前記受光素子の出力信号から、前記低周波信号と同一周波数の信号成分を抽出するフィルタ（１９）と、
前記フィルタの出力信号と前記低周波信号との位相差を検出する位相差検出手段（２０）と、
前記光変調器の出射光の消光比が最大となるまたはビット誤り率が最小となるときの前記位相差検出手段の検出値を基準値として予め記憶しているメモリ（３６）と、
前記位相差検出手段の検出値と前記メモリに記憶されている基準値とを比較する比較手段（３７）と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、前記光変調器のバイアス電圧を、前記位相差検出手段の検出値が前記基準値に一致する方向に可変制御するバイアス電圧制御手段（３８）とを備えた光変調装置。
【請求項４】
前記メモリには、振幅が異なる変調信号についての基準値が予め記憶されており、
前記メモリに記憶されている各振幅毎の基準値に基づいて、前記光変調器に供給される変調信号の振幅に対応する基準値を求めて前記比較手段に設定する基準値設定手段（３９）を有していることを特徴とする請求項３記載の光変調装置。
【請求項５】
前記光変調器の出射光の消光比またはビット誤り率を測定する測定手段（３４）と、
前記測定手段の測定結果を監視しながらバイアス電圧を可変して、前記消光比が最大となるまたはビット誤り率が最小となるときの前記位相差検出手段の検出値を前記基準値として前記メモリに記憶する基準値取得手段（４０）とを有していることを特徴とする請求項３または請求項４記載の光変調装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光変調器の動作点のずれをバイアス電圧の制御によって小さくするものにおいて、特に、変調信号の振幅が小さいときでも光変調器の動作点のずれを小さくできるようにするための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光の強度を高速なデータ信号等の入力信号によって強度変調する光変調装置では、電界の光への作用（電気光学効果）や磁界の光への作用（磁気光学効果）によって光を変調する光変調器が用いられている。
【０００３】
これらの光変調器の動作点は直流のバイアス電圧によって決定されるが、光変調器に一定のバイアス電圧を印加して動作点を設定しても、温度や経時変化の影響によって光変調器自体の変調特性が変化して、動作点ずれが発生する。
【０００４】
このため、この種の光変調器を用いた光変調装置では、光変調器の出射光に基づいて動作点のずれを検出し、そのずれが減少する方向にそのバイアス電圧を可変して、常に設定した動作点で光変調器が動作するようにフィードバック制御している。
【０００５】
図９は、このようなフィードバック制御によって動作点を安定化する従来の光変調装置１０の構成を示している。
【０００６】
図９において、レーザダイオード１１から出射された光Ｐは、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）が有する電気光学効果を利用した光変調器１２に入射される。
【０００７】
ドライブアンプ１３は、入力されるデータ信号Ｄに低周波発振器１６の出力信号Ａ（例えば１ｋＨｚの正弦波）が重畳された変調信号Ｍを生成して光変調器１２に入力する。
【０００８】
光変調器１２は、入射光Ｐを変調信号Ｍによって強度変調し、その強度変調された光Ｐｍを光カプラ１７に出射する。
【０００９】
光カプラ１７は入射光Ｐｍを２分岐し、その一方Ｐｍ１を光変調装置の出射光として外部へ出力し、他方Ｐｍ２を例えばピン（ＰＩＮ）フォトダイオードからなる受光素子１８に入射する。
【００１０】
受光素子１８は、入射光Ｐｍ２をその強度変化に応じて電圧が変化する電気信号Ｅに変換してＢＰＦ（バンドパスフィルタ）１９に出力する。
【００１１】
ＢＰＦ１９は、受光素子１８の出力信号Ｅから、低周波発振器１６の出力信号Ａと同一周波数成分の信号Ａ′を抽出して、位相検出器２０に出力する。
【００１２】
位相検出器２０は、低周波発振器１６の出力信号ＡとＢＰＦ１７の出力信号Ａ′との位相差に応じて電圧が変化する信号Ｑを、動作点のずれに対応した信号として直流アンプ２１に出力する。
【００１３】
直流アンプ２１は、位相検出器２０の出力信号Ｑを受け、低周波発振器１６の出力信号ＡとＢＰＦ１７の出力信号Ａ′の位相差がゼロとなる方向に変化するバイアス電圧を光変調器１２に供給する。
【００１４】
一方、光変調器１２は、図１０に示すように、入力電圧の単調変化に対して、出射光の強度が正弦状に周期変化する変調特性Ｆを有しているが、この変調特性は、温度変化や経時変化等によって、特性Ｆ′、Ｆ″のように変動する。
【００１５】
光変調器の動作点として好ましいのは、入力信号に対するダイナミックレンジが最も広くなる点であり、この点は正弦波状の変調特性Ｆの最大と最小の中間の点（以下安定点と記す）Ｓ１〜Ｓｎである。
【００１６】
前記したバイアス電圧の制御は、信号Ａに対して信号Ａ′の位相を一致させるように制御することで、これらの安定点の一つＳｋに動作点を設定しており、動作点が安定点Ｓｋからずれると、そのずれの量と方向に応じて信号Ａに対する信号Ａ′の位相が変化し、その動作点のずれをなくす方向にバイアス電圧Ｂを変化させ、動作点が安定点Ｓｋに一致した状態を維持する。
【００１７】
このように、データ信号Ｄに重畳した低周波信号Ａと光変調器１２の出射光から抽出された信号Ａ′との位相を一致させるようにバイアス電圧を制御することで、光変調器１２の動作点のずれを抑制する技術は、例えば次の特許文献１に開示されている。
【００１８】
【特許文献１】特開平８−１３６８７１号公報
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明の発明者らが各種実験を行なった結果、上記のようにデータ信号に重畳した信号Ａと光変調器１２の出射光から抽出した信号Ａ′との位相を一致させるようにバイアス電圧を制御しても、光変調器の動作点が必ずしも最適とはならない場合があることが判明した。
【００２０】
特に、変調度が小さい場合、即ち、変調信号Ｍの振幅が小さい場合にこの問題が顕著化することがわかった。
【００２１】
本発明は、この問題を解決し、変調信号の振幅が小さいときでも光変調器の動作点を最適化できる光変調器のバイアス電圧制御方法および光変調装置を提供することを目的としている。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１の光変調器のバイアス電圧制御方法は、
データ信号に低周波信号が重畳された変調信号と動作点設定用のバイアス電圧とを光変調器に与えて該光変調器から前記変調信号によって強度変調された光を出射させ、該出射光から前記低周波信号と同一周波数の信号を抽出し、該抽出した信号と前記低周波信号との位相差を検出し、該位相差の検出値に基づいて前記光変調器に与えるバイアス電圧を制御する光変調器のバイアス電圧制御方法において、
前記光変調器の出射光の消光比またはビット誤り率を測定しながら前記バイアス電圧を可変して、前記消光比が最大またはビット誤り率が最小となるときの前記位相差の検出値を基準値として予め求めておき、
以後に検出される位相差の検出値が前記基準値に一致するように前記バイアス電圧を制御することを特徴としている。
【００２３】
また、本発明の請求項２の光変調器のバイアス電圧制御方法は、請求項１の光変調器のバイアス電圧制御方法において、
前記基準値が、異なる振幅の変調信号についてそれぞれ得られた複数の値であり、
前記複数の基準値に基づいて、以後に入力される変調信号の振幅に対応した基準値を求め、
以後に検出される位相差の検出値が前記求めた基準値と一致するように前記バイアス電圧を制御することを特徴としている。
【００２４】
また、本発明の請求項３の光変調装置は、
バイアス電圧により動作点が設定される光変調器（１２）と、
低周波信号を出力する低周波信号発生手段（１６）と、
データ信号に前記低周波信号を重畳して生成した変調信号を前記光変調器に与える変調信号供給手段（１３）と、
前記光変調器の出射光を電気信号に変換する受光素子（１８）と、
前記受光素子の出力信号から、前記低周波信号と同一周波数の信号成分を抽出するフィルタ（１９）と、
前記フィルタの出力信号と前記低周波信号との位相差を検出する位相差検出手段（２０）と、
前記光変調器の出射光の消光比が最大となるまたはビット誤り率が最小となるときの前記位相差検出手段の検出値を基準値として予め記憶しているメモリ（３６）と、
前記位相差検出手段の検出値と前記メモリに記憶されている基準値とを比較する比較手段（３７）と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、前記光変調器のバイアス電圧を、前記位相差検出手段の検出値が前記基準値に一致する方向に可変制御するバイアス電圧制御手段（３８）とを備えている。
【００２５】
また、本発明の請求項４の光変調装置は、請求項３の光変調装置において、
前記メモリには、振幅が異なる変調信号についての基準値が予め記憶されており、
前記メモリに記憶されている各振幅毎の基準値に基づいて、前記光変調器に供給される変調信号の振幅に対応する基準値を求めて前記比較手段に設定する基準値設定手段（３９）を有している。
【００２６】
また、本発明の請求項５の光変調装置は、請求項３または請求項４の光変調装置において、
前記光変調器の出射光の消光比またはビット誤り率を測定する測定手段（３４）と、
前記測定手段の測定結果を監視しながらバイアス電圧を可変して、前記消光比が最大となるまたはビット誤り率が最小となるときの前記位相差検出手段の検出値を前記基準値として前記メモリに記憶する基準値取得手段（４０）とを有している。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を説明する前に、本発明の基になる実験およびその結果について説明する。
【００２８】
この実験は、図１に示しているように、前記した光変調装置１０の直流アンプ２１の出力の代わりに、電圧可変電源１からバイアス電圧Ｂを光変調器１２に供給するとともに、出射光Ｐｍ１を光波形観測装置２に入力しその波形から消光比（ハイレベルとローレベルの電力比）を測定し、低周波信号Ａ、Ａ′を波形観測装置３に入力してその位相差Δφを測定して行なったものである。なお、両信号Ａ、Ａ′を波形観測する代わりに、位相検出器２０の出力信号Ｑを観測してもよい。
【００２９】
この実験システムで、光変調器１２に供給するバイアス電圧Ｂを変化させたときの出射光Ｐｍ１の消光比ＥＲの変化と、信号Ａ、Ａ′の位相差Δφの変化を求めると、図２の結果が得られた。
【００３０】
図２の測定結果から、信号Ａ、Ａ′の位相差Δφがゼロとなるときのバイアス電圧Ｂａと、消光比ＥＲが最大となるときのバイアス電圧Ｂｂとが一致していないことがわかる。
【００３１】
したがって、両信号Ａ、Ａ′の位相が一致するように制御した場合、出射光の消光比ＥＲは最大とはならず、動作点として不適切になってしまう。
【００３２】
また、光波形観測装置２の代わりに光信号誤り測定装置を用いて消光比ＥＲの代わりに出射光Ｐｍ１のデータ信号成分の誤り率を測定した場合も、その誤り率が最小となるときのバイアス電圧と信号Ａ、Ａ′の位相差Δφがゼロとなるときのバイアス電圧とが一致しない場合があることを確認している。
【００３３】
本発明は、上記実験結果に着目したものであり、光変調器１２の出射光の消光比ＥＲが最大となるとき（またはビット誤り率が最小となるとき）の両信号Ａ、Ａ′の位相差の検出値を基準値として予め求めておき、以後の両信号Ａ、Ａ′の位相差の検出値が基準値に一致するように制御することで、光変調器に対してより適切な動作点を与えるようにしたものである。
【００３４】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図３は、本発明を適用した光変調装置３０の構成を示している。
【００３５】
図３において、レーザダイオード１１、光変調器１２、ドライブアンプ１３、低周波発振器１６、光カプラ１７、受光素子１８、ＢＰＦ１９、位相検出器２０は、前記した図９の光変調装置１０に示したものと同一である。
【００３６】
なお、光変調器１２として、その内部にモニタ用の受光素子が内蔵されている場合には、光カプラ１７および受光素子１８を省略し、図３の点線で示すように光変調器１２の内部受光素子の出力信号Ｅ′をＢＰＦ１９に直接入力することもできる。
【００３７】
この光変調装置３０は、前記したドライブアンプ１３、低周波発振器１６、光カプラ１７、受光素子１８、ＢＰＦ１９、位相検出器２０の他に、Ａ／Ｄ変換器３１、Ｄ／Ａ変換器３２およびコントローラ３５を有している。
【００３８】
ドライブアンプ１３は、入力されるデータ信号Ｄに低周波信号Ａが重畳された変調信号Ｍを生成して光変調器１２に与え、光変調器１２から変調信号Ｍによって強度変調された光Ｐｍを出射させる変調信号供給手段を構成する。
【００３９】
ここで、データ信号Ｄに重畳される低周波信号Ａの振幅はデータ信号Ｄの振幅に対して十分小さいものとし、変調信号Ｍの振幅は、光変調器１２の変調特性Ｆの正の傾き部分の電圧範囲より狭いものとする。
【００４０】
光変調器１２の出射光Ｐｍのうち、光カプラ１７で分岐された一方の光Ｐｍ２は、受光素子１８に入射して電気信号Ｅに変換され、その電気信号ＥからＢＰＦ１９によって低周波信号Ａと等しい周波数成分の信号Ａ′が抽出され、その抽出された信号Ａ′と低周波信号Ａとが位相差検出手段としての位相検出器２０に入力される。
【００４１】
位相検出器２０は両信号Ａ、Ａ′の位相差を検出し、その位相差に応じて電圧が変化する信号ＱをＡ／Ｄ変換器３１に出力する。Ａ／Ｄ変換器３１は、位相検出器２０の出力信号Ｑをサンプリングしてデジタル値に変換し、コンピュータ構成のコントローラ３５に入力する。
【００４２】
ここで、両信号Ａ、Ａ′の位相差に対する位相検出器２０の検出値は、その位相差に比例した直流電圧とするが、この検出値は、両信号Ａ、Ａ′の立ち上がり（または立ち下がり）やゼロクロスの時間差を表すデータ、その時間差を低周波信号Ａの周期で除算して得られる時間比のデータあるいはその時間比に２πを乗じた角度等であってもよい。
【００４３】
コントローラ３５は、入力された信号Ｑに基づいて光変調器１２に与えるバイアス電圧Ｂを決定し、そのデータをＤ／Ａ変換器３２に出力して決定されたバイアス電圧Ｂを光変調器１２に与える。
【００４４】
このコントローラ３５は、メモリ３６、比較手段３７、バイアス電圧制御手段３８を有している。
【００４５】
メモリ３６には、光変調器１２の出射光の消光比ＥＲが最大となるとき（または誤り率が最小となるとき）の位相検出器２０の検出値が基準値Ｒとして予め記憶されている。
【００４６】
この基準値Ｒは、前記した図１の実験システムで出射光の消光比ＥＲが最大となるとき（または誤り率が最小となるとき）の両信号Ａ、Ａ′の位相差に対応しており、その位相差に位相検出器２０の感度を乗じて得られる値である。
【００４７】
比較手段３７は、位相検出器２０の出力信号Ｑの電圧値Ｖｑ（位相差の検出値）とメモリ３６に記憶されている基準値Ｒとの大小比較を行なう。
【００４８】
バイアス電圧制御手段３８は、バイアス電圧ＢのデータをＤ／Ａ変換器３２に出力して光変調器１２にバイアス電圧Ｂを供給するとともに、比較手段３７の比較結果に基づいて、そのバイアス電圧Ｂを、位相検出器２０の検出値Ｖｑが基準値Ｒに一致するように可変制御する。
【００４９】
図４は、このコントローラ３５の処理手順を示すフローチャートである。
以下、このフローチャートにしたがって、コントローラ３５の動作を説明する。
【００５０】
動作初期時にコントローラ３５のバイアス電圧制御手段３８は、バイアス電圧Ｂを初期値Ｂｓに設定する（Ｓ１）。
【００５１】
この初期値Ｂｓは、図５に示しているように、光変調器１２の動作点が光変調器１２の変調特性Ｆの正の傾き領域の中央近傍となるように設定されている。
【００５２】
光変調器１２は、図５に示しているように初期バイアス電圧Ｂｓによって決まる動作点で変調信号Ｍ（データ信号Ｄ＋低周波信号Ａ）による変調動作を行い、その変調信号Ｍで強度変調された光Ｐｍを出射する。
【００５３】
この出射光Ｐｍのうち、光カプラ１７で分岐された光Ｐｍ２が受光素子１８で受光され、その受光信号がＢＰＦ１９に入力されて、低周波信号Ａと同一周波数成分の信号Ａ′が抽出され、両信号Ａ、Ａ′の位相差に比例して電圧が変化する信号Ｑが位相検出器２０から出力され、Ａ／Ｄ変換器３１によってデジタル値に変換されてコントローラ３５に入力する。
【００５４】
コントローラ３５は、位相検出器２０の検出値Ｖｑとメモリ３６に記憶されている基準値Ｒとの大小比較を比較手段３７によって行ない、位相差の検出値Ｖｑが所定誤差内で基準値Ｒに一致する場合には、バイアス電圧を変化させずに、一定時間待って前記比較処理に戻る（Ｓ２、Ｓ３）。
【００５５】
また、検出値Ｖｑが基準値Ｒより大きい場合、バイアス電圧制御手段により、検出値Ｖｑが小さくなる方向にバイアス電圧Ｂを所定ステップΔＢだけ可変（図４では増加）させてから、一定時間待って比較処理に戻る（Ｓ４）。
【００５６】
また、検出値Ｖｑが基準値Ｒより小さい場合、バイアス電圧制御手段３８により、検出値Ｖｑが大きくなる方向にバイアス電圧Ｂを所定ステップΔＢだけ可変（図４では減少）させてから、一定時間待って比較処理に戻る（Ｓ５）。
【００５７】
以後、処理Ｓ２〜Ｓ５が繰り返されて、常に位相検出器２０の検出値Ｖｑが所定誤差内で基準値Ｒに一致するように制御される。
【００５８】
このため、光変調器１２の動作点は、ドリフトがあっても、その出射光の消光比ＥＲが最大となる状態（または誤り率が最小となる状態）、即ち、適正な動作点が維持され、動作点ずれはおこらない。
【００５９】
このように実施形態の光変調装置３０およびバイアス電圧制御方法は、光変調器１２の出射光の消光比が最大となるとき、または誤り率が最小となるときの位相差の検出値を基準値として予め求めておき、以後に検出される位相差の検出値がその基準値に一致するようにバイアス電圧を制御している。
【００６０】
このため、光変調器１２の動作点を常にその出射光の消光比が最大となる、または誤り率が最小となる最適な状態に維持することができる。
【００６１】
また、別の実験により、この基準値Ｒは、変調信号Ｍの振幅に対する依存性を示すことが確認されている。
【００６２】
したがって、変調信号Ｍの振幅を変更する可能性がある場合やドリフト等によって変動してしまう場合には、変調信号Ｍの振幅に応じて基準値Ｒを変更する必要がある。
【００６３】
この場合には、前記実験システムにおいて、変調信号Ｍの振幅を変え、異なる振幅Ｖ１〜Ｖｎ毎の基準値Ｒ１〜Ｒｎを予め求めて、図６のようにメモリ３６に記憶しておくとともに、変調信号Ｍの振幅Ｖｘを検出する振幅検出器３３と、その検出された振幅Ｖｘに対応する基準値Ｒｘあるいは振幅Ｖｘに最も近い振幅に対応する基準値Ｒｘをメモリ３６から選択して比較手段３７に設定する基準値設定手段３９を設けて対応することができる。
【００６４】
また、基準値設定手段３９が、メモリ３６に記憶されている各振幅毎の基準値から、その振幅と基準値とを関係付ける関係式を求め、検出された変調信号Ｍの振幅Ｖｘと関係式とから、最適な基準値を算出して比較手段３７に設定してもよい。
【００６５】
また、基準値設定手段３９は、上記のように振幅検出手段３３によって検出される変調信号Ｍの振幅Ｖｘに応じて自動的に選択あるいは算出するもののほかに、メモリ３６に記憶されている基準値のなかから図示しない操作部の操作で選択された基準値を比較手段３７に設定するように構成してもよい。
【００６６】
このように変調信号Ｍの異なる振幅毎の基準値が予めメモリ３６に記憶されている光変調装置では、変調信号Ｍの振幅に対して最適な基準値を設定することができ、変調信号Ｍの振幅切り換えや振幅変動がある場合でも、動作点を最適な状態に維持することができる。
【００６７】
また、前記実施形態では、基準値Ｒがメモリ３６に予め記憶されている場合について説明したが、光変調装置自身に基準値を求めて記憶する機能を設けることもできる。
【００６８】
例えば、図７に示す光変調装置３０のように、受光素子１８の出力信号Ｅに基づいて出射光の消光比ＥＲを測定する消光比測定手段３４と、測定された消光比ＥＲを監視しながらバイアス電圧Ｂを可変して、消光比ＥＲが最大となるときの位相検出器２０の検出値を基準値Ｒとしてメモリ３６に書き込む基準値取得手段４０とを設けて、装置の初期動作時等に基準値を求める構成としてもよい。
【００６９】
また、図８に示す光変調装置のように、前記した図６の振幅検出器３３、基準値設定手段３９および図７の消光比測定手段３４、基準値取得手段４０を設け、初期動作時に振幅の異なる変調信号Ｍを与え、各振幅Ｖ１〜Ｖｎ毎に消光比ＥＲが最大となるときの位相検出器２０の検出値を基準値Ｒ１〜Ｒｎとしてそれぞれ求めて各振幅Ｖ１〜Ｖｎとともにメモリ３６に記憶し、その記憶された基準値と振幅に基づいて、以後に供給される変調信号Ｍの振幅に対応する基準値を求めて比較手段３７に設定してもよい。
【００７０】
なお、一般的には、光信号の消光比ＥＲが最大となるときに誤り率が最小となるので、上記したように、消光比ＥＲを最大にする動作点を維持することで、誤り率を最小にすることができる。ただし、条件によっては消光比ＥＲが最大のときに誤り率が最小とならない場合もあり、その場合には、光信号の利用目的に応じて消光比が最大となる動作点と誤り率が最小となる動作点のいずれかを優先すればよい。
【００７１】
また、誤り率が最小となる動作点を維持する場合には、図７、図８の光変調装置３０の消光比測定手段３４の代わりに、受光素子１８の出力信号Ｅのビット誤り率を測定する誤り測定手段を用い、その誤り率が最小となるときの位相検出器２０の検出値を基準値Ｒとしてメモリ３６に書き込む構成にすることも可能である。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光変調器のバイアス電圧制御方法および光変調装置は、光変調器の出射光の消光比が最大となるときまたは誤り率が最小となるときの低周波信号と光変調器の出射光から抽出された信号との位相差の検出値を基準値として予め記憶しておき、以後に検出される位相差の検出値が基準値に一致するように光変調器のバイアス電圧を制御している。
【００７３】
このため、光変調器の動作点を常にその出射光の消光比が最大となるまたは誤り率が最小となる最適な状態に維持することができる。
【００７４】
また、異なる振幅の変調信号についての基準値を記憶しておき、その記憶されている基準値に基づいて、光変調器に供給される変調信号の振幅に対応した基準値を求めて位相差の検出値と比較するものでは、変調信号の振幅の切り換えや変動があっても、その振幅に適した基準値に対してバイアス電圧を制御することができ、光変調器の動作点を最適にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基になる実験システムの構成図
【図２】実験の測定結果例を示す図
【図３】本発明の実施形態の構成を示す図
【図４】本発明の実施形態の要部の処理手順を示す図
【図５】本発明の実施形態の動作を説明するための図
【図６】本発明の実施形態の変形例を示す図
【図７】本発明の実施形態の変形例を示す図
【図８】本発明の実施形態の変形例を示す図
【図９】従来装置の構成図
【図１０】光変調器の変調特性図
【符号の説明】
１……電圧可変電源、２……光波形観測装置、３……波形観測装置、１１……レーザダイオード、１２……光変調器、１３……ドライブアンプ、１６……低周波発振器、１７……光カプラ、１８……受光素子、１９……ＢＰＦ、２０……位相検出器、３０……光変調装置、３１……Ａ／Ｄ変換器、３２……Ｄ／Ａ変換器、３３……振幅検出器、３４……消光比測定器、３５……コントローラ、３６……メモリ、３７……比較手段、３８……バイアス電圧制御手段、３９……基準値設定手段、４０……基準値取得手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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