(57)【要約】【目的】安価で簡便に広視野角特性と高コントラスト比とを両立できる液晶素子の駆動方法を提供すること。【構成】第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１，β２としたとき、β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と０≦β１＜β２なる領域Ｄ２とが存在する液晶素子の駆動方法として、液晶素子のカイラルスメクチック液晶層に対して所望とする表示階調レベルに応じて電圧値が異なる階調信号を印加することによって階調情報を表示可能とすることと、前記階調情報の最も小さい値（Ｌ０）表示の際には、Ｄ１領域に対してはゼロではない第１の極性の電圧を印加することと、Ｄ２領域に対してはゼロではない第２の極性の電圧を印加する。【選択図】　　　図１
2004070063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１，β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在する液晶素子の駆動方法であって、
液晶素子のカイラルスメクチック液晶層に対して所望とする表示階調レベルに応じて電圧値が異なる階調信号を印加することによって階調情報を表示可能とすることと、前記階調情報の最も小さい値（Ｌ０）表示の際には、Ｄ１領域に対してはゼロではない第１の極性の電圧を印加することと、Ｄ２領域に対してはゼロではない第２の極性の電圧を印加することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
【請求項２】
カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１，β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在する液晶素子の駆動方法であって、
液晶素子のカイラルスメクチック液晶層に対して所望とする表示階調レベルに応じて電圧値が異なる階調信号を印加することによって階調情報を表示可能とすることと、前記階調情報の最も小さい値（Ｌ０）表示の際には、Ｄ１領域とＤ２領域共に振幅値がゼロではない交流電圧を印加することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
【請求項３】
前記交流電圧は直流に交流成分が重畳されたものであることを特徴とする請求項２記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項４】
前記直流に関し、Ｄ１領域に印加する直流成分はゼロではない第１の極性の電圧であり、Ｄ２領域に印加する直流成分はゼロではない第２の極性の電圧であることを特徴とする請求項３記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項５】
前記交流電圧に関し、第１の極性を印加するときのパルス幅と第２の極性を印加するときのパルス幅が異なることを特徴とする請求項２記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項６】
前記パルス幅に関し、Ｄ１領域においては第１の極性を印加するときのパルス幅の方が第２の極性を印加するときのパルス幅よりも長く、Ｄ２領域においては第２の極性を印加するときのパルス幅の方が第１の極性を印加するときのパルス幅よりも長いことを特徴とする請求項５記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項７】
前記液晶素子を照明する照明手段を具備し、該照明手段によって前記液晶素子に光を照射し、前記液晶素子によって光学変調されることによって画像情報を形成し、それを表示する液晶表示装置において、
前記Ｄ１領域において第１の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ１１と、前記Ｄ１領域において第２の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ１２と、前記Ｄ２領域において第１の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ２１と、前記Ｄ２領域において第２の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ２２と、の関係が、
Ｓ１１＞Ｓ１２
Ｓ２１＜Ｓ２２
の２式を共に満たすような照明光の制御を行って表示することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶装置がバックライトを具備することを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶装置がフロントライトと反射板とを具備することを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶素子を照明する照明手段を具備し、該照明手段によって前記液晶素子に光を照射し、前記液晶素子によって光学変調されることによって画像情報を形成し、それを表示する液晶表示装置において、
前記Ｄ１領域において第２の極性電圧が印加されている表示期間において、実質的に光照射されない期間が存在することと、前記Ｄ２領域において第１の極性電圧が印加されている表示期間において、実質的に光照射されない期間が存在すること、の少なくとも何れかの条件を満たすような照明光の制御を行って表示することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
前記液晶装置がバックライトを具備することを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記液晶装置がフロントライトと反射板とを具備することを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１ゲートライン毎に交互に存在している液晶素子に対して１ゲートライン毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いるライン反転駆動によって線順次駆動することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項１４】
前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１画素毎に交互に（市松状に）存在しており、且つ、前記液晶素子に対して、１画素毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いるドット反転駆動によって線順次駆動することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項１５】
前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が、複数の画素を一まとまりとしたブロック毎に交互に存在しており、且つ、前記液晶素子に対して、前記１ブロック毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いて線順次駆動することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項１６】
カイラルスメクチック液晶が、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）
の相転移系列を示す液晶であることを特徴とする液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶を利用して種々の表示を行うカイラルスメクチック液晶素子とその駆動方法及び液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ネマチック液晶を利用したアクティブマトリクス型の液晶パネルが種々提案されている。以下、この液晶パネルについて説明する。
【０００３】
従来、１つ１つの画素にトランジスタのようなアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型液晶パネルとしてはネマチック液晶を用いたものがあり、様々なモードで使用されている。
【０００４】
例えば、広汎に用いられている代表的なモードとしてツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モードがあり、該モードについては、「エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、ＡＰＰｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ、第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁〜１２８頁」に開示されている。
【０００５】
又、最近では、従来型液晶パネルの欠点である視野角特性を改善するものとして、横方向電界を利用したインプレインスイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが発表されている。
【０００６】
ところで、上述したネマチック液晶を用いた場合には（何れのモードでも）応答速度が遅いという問題があり、近年は、そのような問題点のないカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルが注目されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反強誘電性液晶」等が提案されており、未だ実用化には至っていないものの、何れもサブミリ秒以下の高速応答性が実現できると報告されている。
【０００７】
次に、このようなカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルの一例について説明する。
【０００８】
例えば、特開２０００−３３８４６４号にて開示されている液晶パネルは、カイラルスメクチック液晶として、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）の相転移系列を示す液晶を、仮想コーンのエッジより内側の位置で安定化するように調整して用いており、斯かる液晶を一対の基板間に注入した後の冷却過程において（正確には、Ｃｈ−ＳｍＣ＊　相転移の際、又はＩＳＯ−ＳｍＣ＊　相転移の際に）液晶２にＤＣ電圧を印加する等して層方向を一方向に均一化させている。この液晶パネルは、応答速度が速いという効果を有する他、階調制御が可能であって、動画質に優れ、高輝度であって量産性に優れるという特徴を有している。又、この液晶パネルは、自発分極値を小さくでき、アクティブ素子とのマッチングが良いものとなっている。
【０００９】
更に、特開２０００−２７５６８４号では所定の領域ごとに前記層の方向を変化させることによって、優れた動画質という特徴を維持したまま、より一層の視野角の向上が図られている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した特開２０００−２７５６８４号で述べた液晶パネル（以下先願１と記載）においては領域ごとに層の方向を変化させることが特徴としているが、本発明者等の詳細な検討によると、用いる液晶材料によっては素子全面を同じ層方向に制御したサンプルＡと、先願１に記載に従って領域ごとに層の方向を変化させたサンプルＢとを比較したとき、従来通りの駆動方法を用いて評価したサンプルＢのコントラスト比がサンプルＡに対して小さい値を取ってしまう場合があることが分かった。
【００１１】
即ち、先願１で述べた液晶パネルは、視野角特性については極めて良好な特性を示すものの、用いる液晶材料によってはコントラスト比が小さくなってしまうことから、視野角とコントラストとを両立させるためには用いる液晶材料の選択肢が可成り限られたものとなっていた。
【００１２】
そこで、本発明は、先願１の液晶素子に対して新たな駆動方法、更には周辺部材を採用することにより安価で簡便に広視野角特性と高コントラスト比とを両立できる液晶素子とその駆動方法及び液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、カイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１，β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在する液晶素子の駆動方法であって、
液晶素子のカイラルスメクチック液晶層に対して所望とする表示階調レベルに応じて電圧値が異なる階調信号を印加することによって階調情報を表示可能とすることと、前記階調情報の最も小さい値（Ｌ０）表示の際には、Ｄ１領域に対してはゼロではない第１の極性の電圧を印加することと、Ｄ２領域に対してはゼロではない第２の極性の電圧を印加することを特徴とする。
【００１４】
又、本発明は、前記液晶素子を照明する照明手段を具備し、該照明手段によって前記液晶素子に光を照射し、前記液晶素子によって光学変調されることによって画像情報を形成し、それを表示する液晶表示装置において、
前記Ｄ１領域において第１の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ１１と、前記Ｄ１領域において第２の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ１２と、前記Ｄ２領域において第１の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ２１と、前記Ｄ２領域において第２の極性電圧が印加されている表示期間における光照射量Ｓ２２と、の関係が、
Ｓ１１＞Ｓ１２
Ｓ２１＜Ｓ２２
の２式を共に満たすような照明光の制御を行って表示することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図１〜図６を参照して説明する。
【００１６】
先ず、本実施の形態にて製造され駆動される液晶素子の全体構成について図１を参照して説明する。
【００１７】
本実施の形態に係る液晶素子は、図１に符号Ｐで示すように、所定間隙を開けた状態に配置された一対の基板１ａ，１ｂと、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙に配置されたカイラルスメクチック液晶２と、複数の画素を構成すると共に該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むように配置された一対の電極３ａ，３ｂと、これらの一対の電極の何れか一方３ｂに接続された状態で各画素毎に配置された複数のアクティブ素子４と、を備えており、前記一対の電極３ａ，３ｂを介して前記カイラルスメクチック液晶２に電圧を印加することにより駆動されるように構成されている。
【００１８】
尚、カイラルスメクチック液晶２としては、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）、又は、等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）、の相転移系列を示すものを挙げることができる。斯かる液晶２は、電圧を印加していない状態で液晶分子が仮想コーンのエッジ、或いは仮想コーンの内側の位置で安定化する状態で用いると良い。
【００１９】
次に、本実施の形態に係る液晶素子の製造方法について説明する。
【００２０】
上述した液晶素子Ｐを製造するに際しては、一対の基板の両側に一軸配向処理を施す工程と、所定間隙を開けた状態に一対の基板１ａ，１ｂを配置する工程と、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙にカイラルスメクチック液晶２を配置する工程と、該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一対の電極３ａ，３ｂを配置する工程と、アクティブ素子４を各画素毎に一方の電極３ｂに接続した状態に配置する工程と、を適切な順序で実施する。
【００２１】
次に、液晶素子Ｐの詳細構造について説明する。
【００２２】
先ず、カイラルスメクチック液晶２について説明する。
【００２３】
本実施の形態にて用いるカイラルスメクチック液晶２は、上述のような相転移系列のもの、即ち、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）、又は等方性液体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）、の相転移系列を示すものが好ましいが、具体的には、次の（１）〜（４）に示す化合物を挙げることができる。
（１）
【００２４】
【化１】
2004070063.tif 000003
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ｎ：０又は１
（２）
【００２５】
【化２】
2004070063.tif 000004
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（３）
【００２６】
【化３】
2004070063.tif 000005
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（４）
【００２７】
【化４】
2004070063.tif 000006
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ところで、本実施の形態では、カイラルスメクチック液晶２については、その液晶材料の組成を調整し、更に液晶材料の処理や素子構成、例えば配向制御膜６ａ，６ｂの材料、処理条件等を適宜設定することにより、
▲１▼駆動電圧が印加されていない場合には、該液晶の平均分子軸（液晶分子）が単安定化されている配向状態を示し、
▲２▼第１の極性（例えば正極性）の駆動電圧が印加されて駆動される場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記単安定化された位置から一方の側にチルトし、
▲３▼他方の極性（前記第１の極性に対する逆極性を言う。例えば負極性。以下、同じ）の電圧が印加されている場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記単安定化された位置から他方の側（即ち、前記第１の極性の電圧を印加したときにチルトする側とは反対の側）にチルトする、ような特性を示すようにすることができる。
【００２８】
つまり、本実施の形態に用いる液晶２は、例えば図５に示す特性のものであって、カイラルスメクチック液晶本来のメモリ性（双安定性）が消失されたものであって、チルト角の大きさを印加電圧によって連続的に制御することができ、それに伴って液晶素子の光量も連続的に変化させることができ、階調表示を可能とするものである。この場合、前記第１の極性の駆動電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角は、前記他の極性の電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角と異ならせると良い。例えば、該他の極性の電圧を印加した場合、該電圧の大きさに拘らず、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ１領域と呼ぶ。
【００２９】
一方、前記処理条件を変えることにより、図５に示す特性に対してｙ軸に対して線対称な特性、即ち図６に示すように前記逆（例えば負）の極性の電圧を印加したときには大きく透過率が上昇し、前記第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときには逆極性（負）の電圧を印加したときとは異なった小さなチルト角をとらせることができる。又、このとき第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときに、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ２領域と呼ぶ。
【００３０】
次に、カイラルスメクチック液晶２以外の各構成部材等について説明する。
【００３１】
上述した基板１ａ，１ｂには、ガラスやプラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。
【００３２】
又、電極３ａ，３ｂには、Ｉｎ２　Ｏ３　やＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサ
イド）等の材料を用いれば良く、これらの電極３ａ，３ｂはそれぞれの基板１ａ，１ｂに形成すると良い。尚、アクティブ素子４を接続する方の電極３ｂは、ドット状にマトリクス状に配置し、他方の電極３ａは、基板のほぼ全面（或は特定の領域）に形成すると良い。更に、アクティブ素子４としては、ＴＦＴやＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）等を用いれば良い。
【００３３】
又更に、各電極３ａ，３ｂの表面には、これらの電極間のショートを防止するための絶緑膜を形成すると良く（図１には、一方の電極３ｂを覆う絶縁膜５ｂのみ図示）、斯かる絶緑膜は、ＳｉＯ２　、ＴｉＯ２　、Ｔａ２　Ｏ５　等にて形成すれば
良い。
【００３４】
又、カイラルスメクチック液晶２に接する位置には、その配向状態を制御するために一軸配向処理を施した配向制御膜６ａ，６ｂを配置すると良い。斯かる配向制御膜６ａ，６ｂとしては、
＊ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等の有機材料から成る溶液を塗布して膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したものや、
＊ＳｉＯ等の酸化物や窒化物から成る無機材料を基板１ａ，１ｂに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成した斜方蒸着膜、
＊紫外線照射等によって一軸配向規制力を発生し得る光配向膜を用いたもの、を挙げることができる。尚、この配向制御膜６ａ，６ｂの材質や一軸配向処理の条件等により、液晶分子のプレチルト角（即ち、配向制御膜６ａ，６ｂの界面近傍において液晶分子が配向制御膜６ａ，６ｂに対してなす角度）が調整される。
【００３５】
このような配向制御膜６ａ，６ｂは、カイラルスメクチック液晶２の両側に配置してそれらの両方の基板に対して一軸配向処理を施せば良く、その場合における一軸配向処理方向（特にラビング方向）の関係は、用いる液晶材料を考慮して、
＊アンチパラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ逆方向）、
＊パラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ同方向）、
＊４５°以下の範囲でクロスする関係、
の何れかになるように設定すれば良い。尚、４５°以下の範囲でクロスする関係とは、２つのベクトル（一軸配向処理方向を示すベクトル）が４５°以下の範囲内でクロスする場合であって、それぞれのベクトル方向が同方向（正確には、４５°以下の角度ズレを有する）である場合や、それぞれのベクトル方向が逆方向である場合の両方を挙げることができる。そして、互いのベクトルの交差角度（狭い方の交差角度）の値が４５°以下で且つ０°に近いような場合は、それぞれのベクトルの関係が実質的にアンチパラレル乃至パラレルの関係と見なしても良い。
【００３６】
又、上述のアンチパラレル或はパラレルの関係もそれぞれベクトル同士が必ず平行である以外に、例えば数°程度ずれているような場合でも実質的にアンチパラレル乃至パラレルの関係と見なしても良い。
【００３７】
更に、基板１ａ，１ｂの間隙は、例えばシリカビーズ等から成るスペーサー（不図示）を配置する、若しくは隔壁（リブ）構造を形成することによって所定の間隙寸法を規定するようにしてもよい。ここで言う隔壁（リブ）とは、例えばアクリル樹脂を、高さが略基板１ａ，１ｂの間隙寸法とし、幅１〜５００μｍ、長さは表示素子のパネルサイズを最大とした任意のサイズに適宜パターニングした構造体のことを指す。尚、間隙寸法は、液晶材料を考慮して最適範囲になるように調整すれば良いが、均一な一軸配向性を達成させ、且つ、電圧が印加されていない状態での液晶分子の平均分子軸を配向処理軸Ｒの平均方向の軸と実質的に一致させるために、０．３〜１０μｍの範囲に設定することが好ましい。
【００３８】
又更に、基板１ａ，１ｂの間隙にエポキシ樹脂等から成る接着粒子（不図示）を分散配置して、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐの耐衝撃性を向上させても良い。
【００３９】
更に、液晶素子Ｐは、透過型としても良く、反射型としても良い。尚、透過型の場合には両方の基板１ａ，１ｂを透明にする必要があり、反射型の場合には、基板１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機能を付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能を付与する方法としては、
＊反射板や反射膜を、基板とは別体に設ける方法や、
＊基板自体を反射部材で形成する方法や、
等を挙げることができる。ここで、透過型の液晶素子の場合には両方の基板に偏光板を（それらの偏光軸が互いに直交するように）配置すれば良く、反射型の液晶素子の場合には少なくとも一方の基板に偏光板を設ければ良い。
【００４０】
尚、本発明の液晶素子では、後述するように、透過型・反射型何れの場合でも液晶素子Ｐを照明する照明方法を工夫し、液晶素子の駆動状況に応じて同期させるよう照明することにより、コントラスト値をより高めることが可能となる。
【００４１】
ところで、上述した液晶素子Ｐを用いてカラー表示を行うようにしても良い。このようなカラー表示を行う方法としては、
＊各画素にカラーフィルターを配置する方法や、
＊そのようなカラーフィルターを用いず、液晶素子に対して異なる色の光を順次照射すると共に該光の照射に同期させて画像を変更する方法（所謂フィールドシーケンシャル方式）、を挙げることができる。
【００４２】
又、上述した電極の何れ一方３ｂには、駆動回路（図２の符号２１参照）を接続して階調信号を入力し、該信号によってチルト角度（即ち、液晶の平均分子軸の単安定位置からのチルト角度）の大きさを制御して光透過率を制御し、それによって階調表示を行うようにすると良い。
【００４３】
次に、本実施の形態に係る液晶素子Ｐの詳細構成の一例について、図１及び図２を参照して説明する。
【００４４】
図１に示す液晶素子Ｐは、所定間隙を開けた状態に配置した一対のガラス基板１ａ，１ｂを備えており、一方のガラス基板１ａの全面には、ほぼ均一な厚みの共通電極３ａが形成され、共通電極３ａの表面には配向制御膜６ａが形成されている。
【００４５】
又、他方のガラス基板１ｂの側には、図２に示すように、ゲート線Ｇ１，Ｇ２　，…が図示Ｘ方向に多数配置され、ゲート線Ｇ１　，Ｇ２　，…とは絶縁された状態のソース線Ｓ１　，Ｓ２　，…が図示Ｙ方向に多数配置されている。そして、これらのゲート線Ｇ１　，Ｇ２　，…及びソース線Ｓ１　，Ｓ２，…の各交点の画素には、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ（アモルファスＳｉＴＦＴ）４や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜から成る画素電極３ｂ及び保持容量電極７等が配置されている。
【００４６】
このうち、アモルファスＳｉＴＦＴ４は、図１に示すように、ゲート電極１０と、窒化シリコン（ＳｉＮＸ　）から成る絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｂと、半導体層であるａ−Ｓｉ層１１やｎ＋　ａ−Ｓｉ層１２，１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、チャネルを保護するチャネル保護膜１６と、によって構成されている。即ち、ガラス基板１ｂには各画素毎にゲート電極１０が形成され、該ゲート電極１０の表面は絶縁膜５ｂにて覆われ、絶縁膜５ｂの表面であってゲート電極１０を形成した位置にはａ−Ｓｉ層１１が形成されている。
【００４７】
又、このａ−Ｓｉ層１１の表面には、互いに離間するようにｎ＋ａ−Ｓｉ層１２，１３が形成されており、各ｎ＋　ａ−Ｓｉ層１２，１３にはソース電極１４やドレイン電極１５が互いに離間した状態に形成されている。更に、これらのａ−Ｓｉ層１１や電極１４，１５を覆うようにチャネル保護膜１６が形成されている。
【００４８】
そして、ＴＦＴ４のゲート電極１０は上述したゲート線Ｇ１，Ｇ２　，…を介して走査信号ドライバ２０に接続され、ＴＦＴ４のソース電極１４はソース線Ｓ１，Ｓ２　，…を介して情報信号ドライバ２１に接続され、ＴＦＴ４のドレイン電極１５は画素電極３ｂに接続されている。
【００４９】
ところで、上述した保持容量電極７はガラス基板１ｂの表面に形成されており、上述した絶縁膜５ｂは、この保持容量電極７及びガラス基板１ｂを覆う位置まで形成され、上述したソース電極１４や画素電極３ｂはこの絶縁膜５ｂの表面に形成されている。これにより、保持容量電極７と画素電極３ｂとは、絶縁膜５ｂを挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、液晶２と並列の形で設けられた保持容量Ｃｓ　が構成されることとなる（図３参照）。
【００５０】
又、図１に示すように、上述したＴＦＴ４や画素電極３ｂの表面には配向制御膜６ｂが形成されており、その表面には一軸配向処理（ラビング処理）が施されている。
【００５１】
更に、これらのガラス基板１ａ，１ｂの間隙であって、画素電極３ｂと共通電極３ａとの間には、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶２が配置されていて、液晶容量Ｃｌｃが構成されることとなる（図３参照）。
【００５２】
又、このような液晶素子Ｐの両側には、互いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板（不図示）が配置されている。
【００５３】
尚、図１に示す液晶素子ＰではアモルファスＳｉＴＦＴを用いているが、勿論これに限る必要はなく、多結晶Ｓｉ（Ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴや単結晶Ｓｉ（Ｃ−Ｓｉ）ＴＦＴを用いても良い。
【００５４】
又、上述のアクティブ素子を備えた素子において、例えば図７〜９に示すように、１ライン毎、又は画素毎、或は複数の画素を１つの単位としたブロック毎に、上述した電気光学特性の異なるドメインＤ１，Ｄ２を形成している。即ち、隣り合ったライン或は画素又はブロックにおける層方向を互いに異なるようにする。
【００５５】
こうした層方向の異なるドメインＤ１，Ｄ２を形成する手段としては、
１．Ｃｈ−ＳｍＣ＊　相転移の際、又はＩ相−ＳｍＣ＊　相転移の際に、例えばＤ１に負、Ｄ２に正のＤＣ電圧とする等、ドメインによって相転移の際に印加する電圧印加条件を変化させる。
【００５６】
２．Ｄ１，Ｄ２ドメイン部分に異なる配向膜を用いる。
【００５７】
３．Ｄ１，Ｄ２ドメイン部分に対する配向膜の処理法（ラビング強度、ＵＶ照射等の条件）を変える。
等、様々な方法が考えられるが、何れの手段を用いても良い。
【００５８】
一方、こうして得られた液晶素子を線順次駆動する際には、例えば偶数フィールドではパネル全面に第１の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドではパネル全面に第２の極性の電界が印加されるようなフレーム反転駆動によって駆動することができる。
【００５９】
但し、このとき偶数フィールド（第１の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は小さくチルトする。逆に奇数フィールド（第２の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は大きくチルトする。つまり、偶数・奇数フィールド何れにおいてもパネル表示は、領域Ｄ１或は領域Ｄ２の何れかが大きくチルトするため明表示となってしまい、ＣＲＴと同様なインパルス表示することにはならない、所謂ホールド表示になってしまうため、良好な動画質を得ることができない。
【００６０】
そこで、本発明では、Ｄ１とＤ２に対してそれぞれ正の電界と負の電界とが交互に印加されるようにそれぞれの映像信号線に信号を供給し、パネルに電界を与えることで、上記問題を解決することができる。つまり、例えば偶数フィールドでは領域Ｄ１に第１の極性の電界が印加され、領域Ｄ２に第２の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドでは領域Ｄ１に第２の極性の電界が印加され領域Ｄ２に第１の極性の電界が印加されるとする。
【００６１】
このとき、偶数フィールドでは領域Ｄ１に対して第１の極性の電界が印加されているため液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２に対して第２の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は大きくチルトする。逆に奇数フィールドでは領域Ｄ１に対して第２の極性の電界が印加されているため、液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２に対して第１の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は小さくチルトする。つまり、偶数フィールドにおいて高輝度表示で、奇数フィールドにおいて低輝度表示されることから、当該駆動を用いることにより良好な視野角特性を実現しつつ良好な動画質を得ることが可能となる。
【００６２】
尚、上述したように、ここで述べた低輝度表示の際には透過率がゼロの状態、即ち、奇数フィールドにおいて何も表示されないような特性にしても良い。
【００６３】
次に、上述した液晶素子Ｐの駆動方法（通常の画像表示を行う場合の駆動方法）の一例について、１つの画素に着目して詳細に説明する。尚、層方向が異なる隣接ライン（又は画素或はブロック）についてはソース電圧の極性が逆になっているだけで、他は同じと考えて良い。
【００６４】
上述した液晶素子Ｐにおいては、走査信号ドライバ２０から各ゲート線Ｇ１，Ｇ２　，…にはゲート電圧が線順次に印加され、ＴＦＴ４はゲート電圧が印加されることによってオン状態となる。
【００６５】
一方、ゲート電圧の印加に同期して、情報信号ドライバ２１からソース線Ｓ１，Ｓ２　，…にはソース電圧（各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧）が印加される。従って、ＴＦＴ４がオン状態にある画素では、ソース電圧がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して液晶２に印加され、液晶２のスイッチングが画素単位で行われる。
【００６６】
そして、このような駆動を一定期間（フレーム期間）毎に繰り返し、画像の書き換えを行うようになっている。
【００６７】
尚、図４に示すように、１つのフレーム期間Ｆ０　を複数のフィールド期間Ｆ１　，Ｆ２　，…に分割し、各フィールド期間Ｆ１　，Ｆ２　，…でそれぞれ画像書き換えを行うようにしても良い。以下、その駆動方法について説明する。
【００６８】
ここで、図４は各フレーム期間Ｆ０　を２つのフィールド期間Ｆ１　，Ｆ２　に分割した例を示す図であり、同図（ａ）は或る１本のゲート線Ｇｉにゲート電圧Ｖｇ　が印加される様子を示す図、同図（ｂ）は或る１本のソース線Ｓｊにソース電圧Ｖｓが印加される様子を示す図、同図（ｃ）はこれらゲート線Ｇｉ及びソース線Ｓｊ　の交差部の画素（即ち、液晶２）に電圧Ｖｐｉｘ　が印加される様子を示す図、同図（ｄ）は当該画素における透過光量の変化を示す図である。尚、液晶２には、図５に示すような、電圧−透過率特性のものを用いている。
【００６９】
今、或る１本のゲート線Ｇｉ　に一定期間（選択期間Ｔｏｎ）だけゲート電圧Ｖｇが印加され（同図（ａ）参照）、或る１本のソース線Ｓｊには、ゲート電圧Ｖｇ　の印加に同期した選択期間Ｔｏｎに、共通電極３ａの電位Ｖｃ　を基準電位としたソース電圧Ｖｓ（＝＋Ｖｘ　）が印加される（同図（ｂ）参照）。すると、当該画素のＴＦＴ４はゲート電圧Ｖｇ　の印加によってオンされ、ソース電圧Ｖｘ　がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して印加されて液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　の充電がなされる。
【００７０】
ところで、選択期間Ｔｏｎ以外の非選択期間Ｔｏｆｆ　には、ゲート電圧Ｖｇ　は他のゲート線Ｇ１　，Ｇ２　，…に印加されていて同図（ａ）に示すゲート線Ｇｉには印加されず（ゲート電圧Ｖｇ　が印加されていないだけであって、オフ電圧は印加されている）、当該画素のＴＦＴ４はオフとなる。従って、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　は、この間、充電された電荷を保持することとなる（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ１　を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ　（＝＋Ｖｘ）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｘ　が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転が完了せず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ　に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ　は同図（ｃ）のように＋Ｖｘ　よりＶｄ　だけ小さい値を取る。
【００７１】
次のフィールド期間Ｆ２　においては、上述したゲート線Ｇｉ　には再びゲート電圧Ｖｇ　が印加され（同図（ａ）参照）、これと同期してソース線Ｓｊ　には、先のものとは逆極性のソース電圧−Ｖｘ　が印加される（同図（ｂ）参照）。これによって、ソース電圧−Ｖｘ　が液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　に充電されると共に、非選択期間Ｔｏｆｆにおいてはその電荷が保持される（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ２　を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ　（＝−Ｖｘ　）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｙ　が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。
【００７２】
ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転は完了しておらず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ　に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ　は図４（ｃ）のように−Ｖｘ　よりＶｄ　だけ大きい値を取る。
【００７３】
ところで、図４に示す駆動方法によれば、各フィールド期間Ｆ１，Ｆ２　単位で印加電圧の大きさに応じて液晶２がスイッチングされ、各フィールド期間Ｆ１，Ｆ２　単位で異なる階調表示状態（透過光量Ｔｘ　，Ｔｙ　）が得られ、フレーム期間Ｆ０　の全体でそれらＴｘ　，Ｔｙ　を平均した透過光量が得られる。
【００７４】
尚、液晶２には図５に示す特性のものを用いているため、２番目のフィールド期間Ｆ２　における透過光量Ｔｙ　は、Ｔｘ　より可成り小さい値若しくはほぼ０レベルであり、フレーム期間全体の透過光量は、上述のような透過光量の平均化によって最初のフィールド期間Ｆ１　の透過光量に比べて大きく低下することとなる。従って、実際の駆動においては、フレ−ム期間全体で得たい透過光量（表示画像の階調）に基づいて、最初のフィールド期間Ｆ１　の透過光量Ｔｘ　を（表示諧調よりも高めに）決定し、該透過光量Ｔｘ　を得るような電圧Ｖｘ　を印加すれば良い。
【００７５】
又、上述のように駆動した場合、奇数フィールド期間（例えばＦ１）では正極性の電圧（＋ＶＸ　）が液晶２に印加され、偶数フィールド期間（例えばＦ２　）では負極性の電圧（−ＶＸ　）が液晶２に印加されることとなるため、液晶２に実際に印加される電圧が時間的に交流化され、液晶２の劣化が防止される。
【００７６】
更に、最初のフィールド期間Ｆ１　においては高輝度表示を行い、次のフィールド期間Ｆ２　では低輝度表示を行うため、時間開口率が５０％以下程度となる。従って、斯かる液晶素子で動画像を表示した場合、その画質が良好なものとなる。
【００７７】
ところで、コレステリック相からカイラルスメクチックＣ相へと相転移する相転移過程を詳細に偏光顕微鏡観測したとき、スメクチックＡ相と酷似した配向状態が観測される場合がある。
【００７８】
しかしながら、本発明に使用される素子の本質はＳｍＣ＊相でスメクチック層の法線方向と一軸配向処理方向とが大きく異なっており、電圧無印加時に安定な分子位置がラビング方向に近い位置にあることである。つまり、こうした関係の層形成方向が実現されている場合には、上記スメクチックＡ相的な液晶相は配向には寄与しないこととなるため、本願においてはこうした材料についてもスメクチックＡ相を含まない材料と定義する。
【００７９】
次に、本実施の形態の効果について説明する。
【００８０】
本発明では階調情報の最も小さい値（Ｌ０）表示の際には、
１．Ｄ１領域に対してはゼロではない第１の極性の電圧を印加することと、Ｄ２領域に対してはゼロではない第２の極性の電圧を印加すること、
２．Ｄ１領域、Ｄ２領域共に振幅値がゼロではない交流電圧を印加すること、によって安価で簡便に視野角特性とコントラスト比とを両立できる液晶素子が実現できる。
【００８１】
ここで、その効果について先ず電圧無印加状態において階調情報の最も小さい値（Ｌ０）を表示させる場合について、液晶分子の挙動から説明する。
【００８２】
簡単のため、平均的な一軸配向処理方向がソース線に平行となるよう上下の両基板にラビング処理を施し、上述したアンチパラレルラビング構成となるよう上下基板を配置した場合において、等方相−コレステリック（Ｃｈ）相−カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相という相系列を有する液晶材料を用いる場合を考える。このとき、コレステリック相において液晶分子は基板界面、バルク共にラビング方向を向いて配向している。つまり、このとき、液晶分子のダイレクタは平均的にはソース線に平行方向を向いていることになる。
【００８３】
次いで、この状態から冷却してＳｍＣ＊相へと転移させる過程について説明する。
【００８４】
通常、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後の層構造は分子配向方向が一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と平行な方向を向いたままで、層の形成方向はおよそカイラルスメクチックＣ相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向に形成される。ここで、層の形成方向は＋方向と−方向の２通りが存在する。
【００８５】
そこで、本素子を上述したような良好な動画質を示すデバイスとして用いるためには、層の方向を何れか一方に制御し、且つ、それに応じた信号波形を用いて駆動する必要がある。ここでは、この層方向の制御のために、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へ相転移する温度近傍において弱い直流（例えば−２Ｖ程度）の電圧を用いて制御させるものとする。このように負の電圧にて層方向制御した場合におけるカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相での電気光学特性は図５に示すようなものとなり、正の電圧印加時において大きく分子がチルトし、負の電圧では小さくチルト若しくは全くチルトしないという特性にすることができる。
【００８６】
このとき、カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相における液晶分子の配向方向は、液晶材料によってはＳｍＣ＊相を呈する温度範囲内においてコレステリック（Ｃｈ）相における分子配向方向と略平行方向を維持するものもあるが、多くの液晶材料ではカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相において温度が変化するに連れＣｈ相における分子配向方向から数度程度のずれを生じてしまう。このＣｈ相における分子配向方向からのずれは以下のような原因で発生する。
【００８７】
先ず、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後では、上述したように分子配向方向は平均的な一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と略平行な方向を向いている。そして、およそカイラルスメクチックＣ相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向にスメクチック層が形成される。
【００８８】
次いで、更に温度を下げていった時に、多くの液晶材料ではチルト角（Θ）に温度依存性が存在するために、層法線方向からの液晶分子の開き角が温度と共に変化する。即ち、温度を変化させることにより、電圧無印加時の液晶分子配向方向が変化する結果、Ｃｈ相における分子配向方向からのずれが生じてしまうことになる。このずれ角は、上記説明から分かるように、ＳｍＣ＊相内でのチルト角（Θ）の温度依存性が大きい程ずれ量が大きくなっている。尚、このときの液晶分子の平均的な一軸配向処理方向からずれる方向は、例えばスメクチック層の層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から反時計回りの位置に存在する場合には、時計回りの方向にずれることになる。
【００８９】
逆に層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から時計回りの位置に存在する場合には、反時計回りの方向にずれることになる。
【００９０】
ところで、本発明の液晶素子は、上述したようにパネル内にＤ１とＤ２という２つの層方向を持つ領域を作りこんでいる。その作りこみ方は、例えば所望の領域に対してＣｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において正の電圧を印加するか、負の電圧を印加するかを選択すること等により２つの領域を選択的に形成することが可能となる。
【００９１】
ところが、特に例えばチルト角（Θ）に温度依存性がある液晶材料を用いる場合には、上述したように平均的な一軸配向処理方向からずれた位置に安定位置が存在することになる。このとき平均的な一軸配向処理方向とＳｍＣ＊相における安定位置とのずれ角をρ［ｄｅｇ．］とすると、Ｄ１とＤ２では層の方向が異なっていることから、ＳｍＣ＊相における安定位置はＤ１とＤ２との間で２ρ［ｄｅｇ．］だけ異なることになる。
【００９２】
従って、例えば透過型の液晶素子においてクロスニコル下において電圧無印加時の安定状態を黒表示にしようとすると、Ｄ１とＤ２の少なくとも何れか一方はクロスニコルの偏光板の偏光軸から少なくともρ［ｄｅｇ．］以上ずれてしまう結果、黒表示時において光り抜けが生じコントラストの低下の原因となる。
【００９３】
そこで、本発明では上述のように黒状態を電圧無印加時の安定状態とはせず、適宜調整された電圧を印加する状態を黒状態、即ち階調情報の中で最も小さい値を取る状態として駆動することにより、上記コントラストの低下を防ぐことができる。ここでは、その方法について次のような具体例を示して説明する。
【００９４】
第１の方法はＤ１領域とＤ２領域に応じて、前記階調情報の最も小さい値（Ｌ０）表示の際には、Ｄ１領域に対してはゼロではない第１の極性の電圧を印加することと、Ｄ２領域に対してはゼロではない第２の極性の電圧を印加することである。ここで、前記Ｄ１領域における一軸配向処理方向からの液晶分子のずれが時計回りにρ［ｄｅｇ．］、前記Ｄ２領域における一軸配向処理方向からの液晶分子のずれが反時計回りにρ［ｄｅｇ．］であるとする。このとき、Ｄ１領域では、第１の極性の電圧を印加することにより反時計回りに大きく反転し、第２の極性の電圧を印加することにより時計回りに小さく反転する。
【００９５】
一方、Ｄ２領域では第２の極性の電圧を印加することにより時計回りに大きく反転し、第１の極性の電圧を印加することにより反時計回りに小さく反転する。即ち、Ｄ１領域では電圧無印加状態においてソース線から時計回りにずれた位置で安定化されており、それに対して第１の極性の電圧を印加することにより、平均分子軸はソース線を通り過ぎる形で大きくスイッチングすることになる。
【００９６】
従って、Ｄ１領域では黒表示状態において液晶分子の反転量が反時計回りにρ［ｄｅｇ．］となるような電圧を常に印加しておくことにより、液晶の平均分子軸と偏光板の偏光方向とを近づけることが可能となり、黒表示状態における光抜けの量を減少させ、コントラスト値を増加させることができる。Ｄ２領域も同様にして、黒表示状態において液晶分子の反転量が時計回りにρ［ｄｅｇ．］となるような電圧を常に印加しておくことにより、コントラスト値を増加させることができる。
【００９７】
第２の方法は、Ｄ１領域とＤ２領域に応じて、前記階調情報の最も小さい値（Ｌ０）表示の際に交流電圧を印加することである。つまり、本発明の液晶素子は、例えばＤ１領域の場合には、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側に大きくチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側に小さくチルトする（若しくは全くチルトしない）という特性（Ｄ２領域はその逆）を有している。ここでは簡単のため、第２の極性を印加したときには全くチルトしない特性を有している液晶素子（Ｄ２領域では第１の極性を印加したときには全くチルトしない特性）について考える。
【００９８】
このような特性の素子に対して、直流成分を含まない単純な交流を印加した場合には、上述のように一方の極性のみに対して大きく応答し、逆方向の極性に対しては全く応答しない。例えばＤ１領域では、第１の方法の場合と同様に、一軸配向処理方向からの液晶分子のずれが時計回りにρ［ｄｅｇ．］、前記Ｄ２領域における一軸配向処理方向からの液晶分子のずれが反時計回りにρ［ｄｅｇ．］であるとする。このとき、Ｄ１領域では第１の極性の電圧を印加することにより反時計回りに大きく反転し、Ｄ２領域では第２の極性の電圧を印加することにより時計回りに大きく反転する。
【００９９】
即ち、Ｄ１領域では電圧無印加状態においてソース線から時計回りにずれた位置で安定化されており、それに対して第１の極性の電圧を印加することにより、平均分子軸はソース線を通り過ぎる形で大きくスイッチングすることになる。従って、Ｄ１領域の黒表示状態において、交流印加時の条件として、第１の極性の電圧印加の際に、液晶分子の反転量が反時計回りにρ［ｄｅｇ．］となるように振幅を設定しておくことにより、第１の極性印加時には液晶の平均分子軸と偏光板の偏光方向とを近づけることが可能となる。
【０１００】
一方、第２の極性の電圧印加時には、液晶分子はソース線（偏光軸）からρ［ｄｅｇ．］ずれた状態のままである。従って、第２の極性の電圧印加時には、黒表示状態における光抜けの量に関する改善効果は無いものの、第１の極性の電圧印加時には偏光軸と液晶の平均分子配向方向を近づけることができるため、黒表示状態における光抜けの量を減少させることができ、時間平均的にはコントラスト値を増加させることができる。Ｄ２領域も同様の考え方で、交流印加によってコントラスト値を増加させることができる。この第２の方法は、第１の方法と比較するとコントラストの改善効果は少ないものの、第１の方法のように常に一方方向の極性を印加し続ける訳ではないため、液晶層中においてイオン等の電荷の偏りが生じづらく、表示焼き付き特性の点からは有利と考えられる。
【０１０１】
又、上記第２の方法の説明では直流成分を含まない場合について説明したが、次に直流成分を含む場合について説明する。
【０１０２】
上記説明では簡単のため、例えばＤ１領域における第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側に大きくチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、全くチルトしないという特性（Ｄ２領域はその逆）の素子について説明した。
【０１０３】
一方、前記第２の極性の電圧印加時において小さくチルトする素子もある。この場合に交流を印加した場合には、第１の極性印加時には上述の場合と同様の考え方で偏光軸方向と液晶分子の平均配向方向とが近づくために黒表示状態における光抜け量は減少するが、第２の極性印加時には逆の方向にスイッチングしてしまうために、逆に光り抜け量は大きくなってしまう。
【０１０４】
又、複屈折媒体を偏光が通過する場合の透過率の考え方より、光軸方向（液晶の分子軸方向）と偏光板の偏光軸とのなす角φとすると、透過光量Ｉはｓｉｎ２２φに比例することになる。つまり、もし仮に正逆両方のチルトの角度が等量であったとしても、逆方向のチルト（偏光板の偏光軸から離れる方向へのチルト）の方が透過光量に与える影響が大きくなってしまう。尚、本発明の液晶素子では、第２の極性の電圧印加によるチルトの方が第１の極性の電圧印加によるチルトよりも小さい素子を用いているため、透過光量に与える影響は相対的に少なくなるとは考えられるものの、やはり第２の極性の電圧印加によるチルトは極力小さくしておくことが望ましい。
【０１０５】
以上の観点から、第２の極性の電圧印加時（Ｄ２領域は第１の極性）のチルトを極力小さくする方法として、
１．前記交流電圧として直流に交流成分が重畳されたものを用いることと、その際には、Ｄ１領域に印加する直流成分はゼロではない第１の極性の電圧であり、Ｄ２領域に印加する直流成分はゼロではない第２の極性の電圧とする。
【０１０６】
２．前記交流電圧として、第１の極性を印加するときのパルス幅と第２の極性を印加するときのパルス幅が異なるようにすることと、その際には、Ｄ１領域においては第１の極性を印加するときのパルス幅の方が第２の極性を印加するときのパルス幅よりも長く、Ｄ２領域においては第２の極性を印加するときのパルス幅の方が第１の極性を印加するときのパルス幅よりも長いものとする。
の２通りの手法が考えられる。
【０１０７】
これらのうち１は偏光板の偏光軸に近づくようにスイッチングする印加電圧極性を強め、逆に離れるようにスイッチングする印加電圧極性を弱めることにより、コントラストに悪影響を及ぼす逆方向電圧印加の影響を最小限に留めることができる。一方、２は偏光板の偏光軸に近づくようにスイッチングする印加時間を長くし、逆に離れるようにスイッチングする印加電圧極性を短くすることにより、コントラストに悪影響を及ぼす逆方向電圧印加の影響を最小限に留めることができる。
【０１０８】
更に、本素子がバックライトを具備する透過型の液晶素子であったり、フロントライトを有する反射型の液晶素子であったりする等、本液晶素子を照明する照明手段を有している場合には、この照明方法を制御することによってもコントラストに悪影響を及ぼす逆方向電圧印加の影響を最小限に留めることができる。即ち、上述のように逆方向電圧の印加期間はコントラストに対しては悪影響を及ぼす、若しくは何も影響しない（改善効果がない）という期間になっている。この期間に照明装置からの照明光を切ることにより、コントラストの改善効果が得られる正方向の電圧印加期間のみが実質的に表示される期間となる結果、コントラストの高い液晶装置を得ることができる。
【０１０９】
以上述べたように、このような駆動方法を採用することによって階調情報の中で最も暗い表示レベル（黒表示状態）を表示する際にも液晶分子配向方向を偏光板の偏光軸により近づけることが可能となり、同一パネル内に２つの層方向を作り込んだ液晶素子においても、パネル全面にて良好なコントラスト比を実現できる。
【０１１０】
【実施例】
以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
（液晶組成物の調製）
先ず、下記液晶性化合物を、それぞれの右側に併記した重量比率で混合し液晶組成物ＬＣ−１を調製した。
【０１１１】
【化５】
2004070063.tif 000007
上記液晶組成物ＬＣの物性パラメータを以下に示す。
【０１１２】
2004070063.tif 000008
（液晶セルの作製）
本実施例においては、図１及び図２に示すアクティブマトリクス型液晶パネル（液晶素子）Ｐを作製した。
【０１１３】
尚、基板１ａ，１ｂには厚さ１．１ｍｍのガラス基板を用い、それらには透明電極３ａ，３ｂを７００Å厚のＩＴＯにて形成した。又、一方のガラス基板１ａにはＲＧＢのカラーフィルター（不図示）を形成した。そして、画面サイズは１０．４インチとし、画素数（即ち、ＲＧＢの色画素（サブピクセル）によって構成される画素の数）は８００（横）×６００（縦）とした。尚、このときサブピクセル数は２４００（横）×６００（縦）となり、各サブピクセルの開口部のサイズは７５μｍ（横）×２３０μｍ（縦）であった（ゲートラインが横、ソースラインが縦）。
【０１１４】
更に、アクティブ素子４にはａ−ＳｉＴＦＴを用い、該ＴＦＴ４のゲート絶縁膜５ｂには窒化シリコン膜３ｂを用いた。
【０１１５】
又、配向制御膜６ａ，６ｂは、ポリイミド膜にて形成した。具体的には、市販のＴＦＴ用配向膜（日産化学社製のＳＥ７９９２）をスピンコート法により透明電極３ａ，３ｂを覆うように塗布し、その後、８０℃の温度で５分間の前乾燥を行い、更に２００℃の温度で１時間の加熱焼成を施すことによって形成し、その膜厚を１５０Åとした。尚、これらの配向制御膜６ａ，６ｂには、ナイロン布コットン布によるラビング処理（一軸配向処理）を施した。このラビング処理には、外周面にコットン布を貼り合わせた径１０ｃｍのラビングロールを用い、押し込み量を０．７ｍｍ、送り速度を１０ｃｍ／ｓｅｃとし、回転数を１０００ｒｐｍ、送り回数を４回とした。尚、このときのラビング方向は上下基板ともソース線に平行になるよう設定した。
【０１１６】
続いて、一方の基板上には、平均粒径１．５μｍのシリカビーズ（スペーサー）を散布し、各基板のラビング処理方向が互いにアンチパラレルとなるように貼り合わせ、均一な基板間隙のセルを得た。
【０１１７】
このようなプロセスで作製したセルに液晶組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶がカイラルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却し（但し、冷却速度は１℃／ｍｉｎとした）、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊
相に相転移する際に（Ｔ
ｃ−２℃〜Ｔｃ＋２℃の温度範囲内で）印加する電圧条件として、１ゲートライン毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊
相に相転移する際に、
奇数行に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧を、偶数行に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧を印加して液晶パネルＰ１を作製した。このときの層構造の様子を図７に模式的に示す。図７における斜線が層の方向を模式的に表している。
【０１１８】
こうして得られた液晶パネルＰ１の配向状態を室温にて偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２０度反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２０度時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
【０１１９】
更に詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において反時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
【０１２０】
次に、液晶パネルＰ１を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、このとき使用するバックライトとして、白色蛍光管を用いた市販のライトボックス（富士カラー販売：Ｎｅｗ５０００インバーター）を使用した。又、このときの駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行に対しては正極性、偶数行に対しては負極性の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行に対しては負極性、偶数行に対しては正極性の電圧を印加する、
という所謂ライン反転駆動によって駆動した。このときの動画質評価として下記に示す評価法を用いた。
【０１２１】
ＴＦＴを用いたアクティブマトリックスパネルであるサンプルＰ１を用いて動画質評価を行った。この動画質評価は１０名程度の非専門家による主観評価とし、下記５段階の尺度（カテゴリー）で評価した。評価に使用した画像は、ＢＴＡのハイビジョン標準画像（静止画）から３種類（肌色チャート、観光案内板、ヨットハーバー）を選び、その中の中心部分の４３２×１６８画素を切り出して使用した。
【０１２２】
更に、これらの画像をテレビ番組の一般的な動き速度程度である６．８（ｄｅｇ／ｓｅｃ）の一定速度で移動させて動画像を作成し、画像のボケを評価した。
【０１２３】
・尺度５…画面の周辺ボケが全く観察されずキレの良い良好な動画質。
【０１２４】
・尺度４…画面の周辺ボケが殆ど気にならない。
【０１２５】
・尺度３…画面の周辺ボケが観察され、細かい文字は判別し難い。
【０１２６】
・尺度２…画面の周辺ボケが顕著となり、大きな文字も判別し難い。
【０１２７】
・尺度１…画面全体にボケが顕著となり、原画像が殆ど判別不能。
【０１２８】
このときの画像ソースのコンピューター側からの出力は、１秒間に６０画面分を順次走査（プログレッシブ）するようなピクチャーレートとした。
【０１２９】
先ず、ＴＦＴパネル側（サンプル）の表示は、１秒間に６０フレームの表示を行い、上述したように１フレームを前半後半の２フィールドに分割して実質的に周波数１２０Ｈｚで動作させ、前半にて高輝度表示、後半にて低輝度表示となるようライン反転駆動を行った。
【０１３０】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１３１】
尚、この評価を一般的なＣＲＴを用いて行うと５段階評価で全員が５、応答が数十ｍＳ掛かる市販のＴＦＴタイプの液晶ディスプレイを用いると５段階評価で２〜３程度の評価結果であった。
【０１３２】
次いで、液晶パネルＰ１のコントラスト比を測定した。このときの黒状態として、液晶層には実質的に電圧が印加されない状態となるよう調整した。又、白状態として、ソース波形として±５Ｖの電圧を印加して、そのときの輝度を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例２）
実施例１で述べたパネルＰ１を用いて駆動方法を変更してコントラストを測定した。尚、このときの黒表示の際に用いる駆動方法として、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に負極性を印加した奇数行に対しては常に＋５００ｍＶ
の直流を印加しておき、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に正極性を
印加した偶数行に対しては常に−５００ｍＶの直流を印加してコントラスト値を測定した。又、白表示時は実施例１と同様の条件とした。その結果、コントラストは１００であった。
（実施例３）
実施例１で述べたパネルＰ１を用いて駆動方法を変更してコントラストを測定した。尚、このときの黒表示の際に用いる駆動方法として、ソース電圧が±５００ｍＶの交流電圧を印加してコントラスト値を測定した。このときの極性として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行に対しては正極性、偶数行に対しては負極性の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行に対しては負極性、偶数行に対しては正極性の電圧を印加する、
という所謂ライン反転駆動によって駆動した。尚、白表示時は実施例１と同様の条件とした。その結果、コントラストは６０であった。
（実施例４）
実施例１で述べたパネルＰ１を用いて駆動方法を変更してコントラストを測定した。尚、このときの黒表示の際に用いる駆動方法として、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に負極性を印加した奇数行に対しては＋２５０ｍＶの直流に±２５０ｍＶの交流を重畳させたソース波形を印加しておき、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に正極性を加した偶数行に対しては−２５０ｍＶの直流に±２５０ｍＶの交流を重畳させたソース波形を印加しておき、直流を印加してコントラスト値を測定した。このとき重畳する交流の極性と表示フィールドとの関係は例３と同様とした。又、白表示時は実施例１と同様の条件とした。その結果、コントラストは８５であった。
（実施例５）
実施例１で述べたパネルＰ１を用いて駆動方法を変更してコントラストを測定した。尚、このときの黒表示の際に用いる駆動方法として、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に負極性を印加した奇数行に対しては±５００ｍＶの交流であって正極性の印加時間τ（＋）と負極性の印加時間τ（−）との比が６：４となるような非対称パルス幅交流となるようなソース波形を印加しておき、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に正極性を印加した偶数行に対しては±５００ｍＶの交流であって、正極性の印加時間τ（＋）と負極性の印加時間τ（−）との比が４：６となるような非対称パルス幅交流となるようなソース波形を印加してコントラスト値を測定した。その結果、コントラストは８５であった。
（実施例６）
実施例１で述べたパネルＰ１を用いて、実施例３で述べた駆動方法を用いてコントラストを測定した。尚、このときに用いるバックライトとして、実施例１等で用いた市販のライトボックスではなく、市販の白色ＬＥＤを縦横各２０個ずつパネル面内に均等にマトリクス状に配置したものを光源として用いた。更に、このとき、コントラストを測定する際には、液晶素子の駆動とＬＥＤの点灯・消灯を同期させて表示させて測定を行った。
【０１３３】
このときのタイミングチャートを図１０に示す。この図に示すように、
１．前半フィールドではパネルの奇数行に対しては正極性、偶数行に対しては負極性の電圧を印加するとともに、少なくともこれらの極性が印加されている画素直下のＬＥＤは点灯し、
２．後半フィールドではパネルの奇数行に対しては負極性、偶数行に対しては正極性の電圧を印加するとともに、これらの極性が印加されている画素直下のＬＥＤは極力消灯する、
というような同期の取り方をしている。その結果、コントラストは１００であった。
（実施例７）
実施例１で述べたパネルＰ１を用いて、実施例４で述べた駆動方法を用いてコントラストを測定した。尚、このときに用いるバックライトとして、実施例３で用いた白色ＬＥＤを用いた。又、実施例３と同様に点灯・消灯の同期させて表示させて測定を行った。その結果、コントラストは１００であった。
（実施例８）〜（実施例１４）
実施例１〜７で用いたＰ１とは層方向の異なる領域の作り込み方の異なる液晶パネルＰ２を得た。
【０１３４】
このとき領域を作り込む際に、液晶相転移時に印加する電圧条件として、１ゲートライン（行）毎且つ１ソースライン（列）毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に、
１．奇数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
２．奇数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
３．偶数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
４．偶数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ２を作製した。このときの層構造の様子を図８に模式的に示す。図８における斜線が層の方向を模式的に表している。
【０１３５】
こうして得られた液晶パネルＰ２の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
【０１３６】
これらのパネルを用いて、実施例１〜７と同様の実験を行った。
【０１３７】
このときのパネル駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては正極性（又は負極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては正極性（又は負極性）の電圧を印加する、
という所謂ドット反転駆動によって駆動した。
【０１３８】
尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜７と同じものとした。
【０１３９】
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【０１４０】
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、Ｐ２のパネルを用い、実施例１〜７と同様の駆動を行った際のコントラスト値は、実施例１〜７で示した駆動法のそれぞれの対応する結果と同じ値を示していた。
【０１４１】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例１５）〜（実施例２１）
実施例１〜７とは領域の作り込み方の異なる液晶パネルＰ３を得た。このとき層方向の異なる領域を作り込む際に、液晶相転移時に印加する電圧条件として、ＲＧＢを一まとまりとして１画素として考えたとき、縦横に隣接する画素に対して印加する電圧の正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊
相に相転移
する際に、
１．奇数行且つ奇数列に位置する画素に対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
２．奇数行且つ偶数列に位置する画素に対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
３．偶数行且つ奇数列に位置する画素に対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
４．偶数行且つ偶数列に位置する画素に対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ３を作製した。このときの層構造の様子を図９に模式的に示す。図９における斜線が層の方向を模式的に表している。
【０１４２】
こうして得られた液晶パネルＰ３の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
【０１４３】
次に、液晶パネルＰ３を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、このとき駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列の画素に対しては正極性（又は負極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては負極性（又は正極性）の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列の画素に対しては負極性（又は正極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては正極性（又は負極性）の電圧を印加する、
という３サブピクセルを一まとまりとしたブロックごとに駆動するようなブロック毎に反転する駆動によって駆動した。尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜１４と同じものとした。
【０１４４】
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【０１４５】
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、それぞれのパネルのコントラスト値は、実施例１〜７及び実施例８〜１４で示したそれぞれの対応する駆動法での値と同じ値を示していた。
【０１４６】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【０１４７】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、１パネル内に複数の層方向を形成するカイラルスメクチック液晶を有するアクティブマトリクス型液晶パネルを作製するに当たり、黒表示させる際にも適宜電圧を印加することにより、広視野角特性と高コントラスト比とを両立させることができる。このときバックライトの点灯・消灯を同期させるとより効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】
アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す断面図である。
【図２】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す回路図である。
【図３】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す等価回路図である。
【図４】アクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方法を示すタイミングチャートである。
【図５】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その１）である。
【図６】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その２）である。
【図７】実施例１〜６の層構造を示す図である。
【図８】実施例７〜１２の層構造を示す図である。
【図９】実施例１３〜１８の層構造を示す図である。
【図１０】バックライトの点灯・消灯のタイミングを示す図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ　　　　ガラス基板（基板）
２　　　　　　　　カイラルスメクチック液晶
３ａ　　　　　　　共通電極（電極）
３ｂ　　　　　　　画素電極（電極）
４　　　　　　　　ＴＦＴ（アクティブ素子）
Ｐ　　　　　　　　液晶パネル（液晶素子）
【図１】
2004070063.tif 000009
【図２】
2004070063.tif 000010
【図３】
2004070063.tif 000011
【図４】
2004070063.tif 000012
【図５】
2004070063.tif 000013
【図６】
2004070063.tif 000014
【図７】
2004070063.tif 000015
【図８】
2004070063.tif 000016
【図９】
2004070063.tif 000017
【図１０】
2004070063.tif 000018