(57)【要約】【課題】半導体素子から発生する熱を効率よく放熱し、さらに／もしくは電磁波による機器の障害を防止するための優れた電磁波吸収性を有する効果を発現することのできる放熱体をを提供する。【解決手段】樹脂材料にフィラーとして熱伝導性材料を充填した放熱体であって、前記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素で被覆された遷移金属磁性粒子と、窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体で構成されていることを特徴とする放熱体とする。前記熱伝導性材料はフィラーとして２０〜９０体積％の割合で前記樹脂材料に充填されている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材料にフィラーとして熱伝導性材料を充填した放熱体であって、
前記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素で被覆された遷移金属磁性粒子と、窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体で構成されていることを特徴とする放熱体。
【請求項２】
前記熱伝導性材料はフィラーとして２０〜９０体積％の割合で前記樹脂材料に充填されていることを特徴とする請求項１に記載の放熱体。
【請求項３】
前記熱伝導性材料はフィラーとして４０〜８５質量％の割合で前記樹脂材料に充填されていることを特徴とする請求項１に記載の放熱体。
【請求項４】
前記遷移金属粒子および繊維状構造体について、窒化ホウ素組成のものと炭素組成のものを共に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の放熱体。
【請求項５】
遷移金属磁性粒子を被覆する窒化ホウ素または炭素は、５０ｎｍ以下の厚みであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の放熱体。
【請求項６】
前記窒化ホウ素または炭素に被覆された遷移金属磁性粒子は、その平均粒径が０．０１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の放熱体。
【請求項７】
前記窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体は、成長方向に員環構造が連続的に積層した構造、または員環構造が成長方向に連結して個々の連結面が積層した中空構造が断続的に形成されている構造のいずれかを備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の放熱体。
【請求項８】
前記窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体は、一部または端部に遷移金属磁性粒子を内包または担持することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の放熱体。
【請求項９】
樹脂材料にフィラーとして熱伝導性材料を充填した放熱体であって、
前記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素の中空の球状粒子と、窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体とを主として構成されることを特徴とする放熱体。
【請求項１０】
樹脂材料にフィラーとして熱伝導性材料を充填した放熱体であって、
前記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素の中空の球状粒子と、窒化ホウ素または炭素の中空繊維状構造体に被覆または内包された導電体金属粒子であることを特徴とする放熱体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピューター、携帯端末、電器電子機器、家電用品、精密機器、医療機器および車両用電子機器などの分野において、ＩＣ、ＬＳＩ、ＣＰＵ、ＭＰＵ等の半導体素子より発生する熱を効率よく放出するのに有用な放熱体に関し、また付加的には前記半導体から発生する電波による障害を防止する機能をも有する放熱体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピューター、携帯端末機器、家電や医療機器などの電力および信号伝達・処理を司る電子部品は、その容量および処理速度が著しく向上し、形状は小型薄型化が推進されている。それに伴い、内部半導体素子も高密度化・小型化され、当該素子から発生する熱は増加の一途をたどり、それを効率良く放散・除去することが重要な課題となっている。さらにまたこのような半導体素子から成る電子部品は情報の処理形態の主流がアナログ方式からデジタル方式へと移行し、情報の高密度化を達成するために電子回路などの高周波数化が進められ、より高度な情報化が達成されている。
【０００３】
従来より、半導体素子より発生した熱の除去は、半導体素子を熱伝導性シート介して放熱フィンや金属板を取り付けることによって行われている。しかしながら、機器の小型薄型化は加速しており、素子の実装集積密度が向上している。このため、空間的占有率が大きな前記放熱フィン等に替わり、情報処理機器のケース等に直接伝熱して放熱する方式が盛んに採用されるようになっている。
【０００４】
直接伝熱する放熱方式においては、半導体素子とケースの間にそのスペースを埋める厚みを有する熱伝導性放熱体を配置するという構成が用いられている。この熱伝導性放熱体は、シリコーン硬化物等の樹脂硬化物に熱伝導性フィラーを充填した可撓性を有する柔らかなものである。しかし、さらなる集積度の向上を達成するには、限られた空間の中でより効率良く熱を放散することが必要である。そのためにはより高い熱伝導性を有する放熱体が求められている。
【０００５】
一方、信号伝送・伝達を高速で行うデジタル回路では、用いられるクロック周波数によりノイズを発生する。また、用いられる信号電圧が低いために、外来の電磁波ノイズにより影響を受けやすい。このため、デジタル回路を用いた電子機器類は、電磁波ノイズにより容易に誤動作を引き起こす可能性を秘めている。内蔵する半導体素子から発生する電磁波ノイズに関しては、自身で発生するノイズを抑制することと、外来の電磁波ノイズの影響を受けないようにすることへの両方の対策が求められる。このためには、電子回路上での対策も必要であるが、電子部品を収納する筐体やシールド板などにより電磁波を吸収する手段が有効である。
【０００６】
その主要な技術として、導電性樹脂を使用する方法、さらに金属メッキ、金属蒸着、導電塗装などにより金属膜を形成する方法などが提案されている。また、電磁波シールド材料に含有させるフィラーとして、炭素六角網面が円筒状に閉じた単層構造あるいはこれらの円筒構造が入れ子状に配置された多層構造をした円筒形の径が１０ｎｍ以下のものとして定義されたカーボンナノチューブを（ＣＮＴ）を用いるものがある（例えば、特許文献１）。また、樹脂成形体に金属メッキ、金属蒸着、導電塗料などにより金属膜を形成する方法も検討されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２９００９４号公報（第４〜５頁、表１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、導電性を確保する目的で混合する炭素繊維や金属繊維などのフィラーは、導電性樹脂で覆われるために、導電性を大きく向上させることは困難となる。また、十分な導電性を確保すべく当該フィラーを多量に添加したり、炭素繊維の繊維長を長くする方法なども考えられるが、多量添加時の成形性劣化や長繊維化の技術的限界などもあり、改善効果は望めない。
【０００９】
また、樹脂成形体に金属メッキ、金属蒸着、導電塗料などにより金属膜を形成する方法では、目的を達成するためには十分な膜厚を必要とし、プロセス時間や作業工程の増加を伴い生産コストの点で好ましくない。また、樹脂成形体との密着性の確保も要求され、さらにプロセスへの付加も発生する。このように、従来技術では、放熱特性および電磁波吸収性ともに向上させるには至っていない。
【００１０】
本発明は、半導体素子から発生する熱を効率よく放熱し、さらに／もしくは電磁波による機器の障害を防止するための優れた電磁波吸収性を有する効果を発現することのできる放熱体を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、熱伝導性材料をフィラーとして３０〜９０体積％充填されてなる樹脂材料からなるものであって、上記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素で被覆された遷移金属磁性粒子と、前記窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体から成ることを特徴とする放熱体である。
【００１２】
遷移金属磁性粒子を被覆する窒化ホウ素または炭素は員環構造を主体としており、当該金属磁性粒子がない中空構造が断続的に形成されて成る構造体であっても、その目的を妨げるものではない。また、窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体も同様に員環構造を主体とした中空構造体から成るものである。これら二つの中空体は連続体であっても支障はない。
【００１３】
［１］  本発明の放熱体は、樹脂材料にフィラーとして熱伝導性材料を充填した放熱体であって、前記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素で被覆された遷移金属磁性粒子と、窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体で構成されていることを特徴とする。
［２］  前記［１］において、前記熱伝導性材料はフィラーとして２０〜９０体積％の割合で前記樹脂材料に充填されていることを特徴とする。
［３］  前記［１］において、前記熱伝導性材料はフィラーとして４０〜８５質量％の割合で前記樹脂材料に充填されていることを特徴とする。
［４］  前記［１］乃至［３］のいずれかにおいて、前記遷移金属粒子および繊維状構造体について窒化ホウ素組成のものと炭素組成のものを共に有する構成とすることができる。
【００１４】
前記樹脂材料は可塑性の導電性シリコーン硬化物で構成することができる。また、前記樹脂材料は熱可塑性高分子材料で構成してもよい。
【００１５】
［５］  前記［１］乃至［４］において、遷移金属磁性粒子を被覆する窒化ホウ素または炭素は、５０ｎｍ以下の厚みであることを特徴とする。さらに、前記遷移金属磁性粒子は、鉄、ニッケル、コバルトから選ばれるいずれか１つ、または２種以上の合金を主体とすることを特徴とする。
【００１６】
［６］  前記［１］乃至［４］において、前記窒化ホウ素または炭素に被覆された遷移金属磁性粒子は、その平均粒径が０．０１〜１０μｍであることを特徴とする。
【００１７】
［７］  前記［１］乃至［４］において、前記窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体は、成長方向に員環構造が連続的に積層した構造、または員環構造が成長方向に連結して個々の連結面が積層した中空構造が断続的に形成されている構造のいずれかを備えることを特徴とする。また、前記遷移金属磁性粒子を被覆する窒化ホウ素、または前記窒化ホウ素の繊維状構造体は、主として六方晶の結晶構造を有することが望ましい。また、前記遷移金属磁性粒子を被覆する炭素、または前記炭素の繊維状構造体は、主としてグラファイト結晶構造を有することが望ましい。
【００１８】
［８］  前記［１］乃至［４］において、前記窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体は、一部または端部に遷移金属磁性粒子を内包または担持することを特徴とする。
【００１９】
なお、上記本発明に係る放熱体は、遷移金属磁性粒子と繊維状構造体が次ののべる製法によるものであることを特徴とする。
すなわち、前記［１］乃至［４］に係る放熱体は、前記窒化ホウ素で被覆された遷移金属磁性粒子と前記窒化ホウ素の繊維状構造体が、磁性遷移金属の酸化物とホウ素を原料として窒素を含む雰囲気において加熱処理することで同時に生成したものであり、さらに、前記生成の反応による不可避生成物も含むことを特徴とする。また、前記［１］乃至［４］に係る放熱体は、前記炭素で被覆された遷移金属磁性粒子と前記炭素の繊維状構造体は、磁性遷移金属の酸化物と炭素とを原料として不活性な雰囲気において加熱処理することで同時に生成したものであり、さらに、前記生成の反応による不可避生成物も含むことを特徴とする。
【００２０】
［９］  本発明の他の放熱体は、樹脂材料にフィラーとして熱伝導性材料を充填した放熱体であって、前記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素の中空の球状粒子と、窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体とを主として構成されることを特徴とする。この放熱体は、より詳細には、球状中空の形状を有し環状構成体を主体とする窒化ホウ素または炭素粒子と、さらに／または前記窒化ホウ素または炭素の環状構成体を主体とする中空繊維状構造体から成ること構成とすることができる。
【００２１】
［１０］  本発明の他の放熱体は、樹脂材料にフィラーとして熱伝導性材料を充填した放熱体であって、前記熱伝導性材料は、窒化ホウ素または炭素の中空の球状粒子と、窒化ホウ素または炭素の中空繊維状構造体に被覆または内包された導電体金属粒子であることを特徴とする。
前記導電性金属粒子は、銀、金、白金を含む貴金属または銅から選ばれた少なくとも一つの元素を主体として構成されていることが望ましい。なお、上記［９］または［１０］において、前記フィラーに含まれる中空の球状粒子は金属を含有しないか或いは金属の含有量が少ない。中空の部分が金属粒子を溶解・除去した部位に相当するためである。このように一部で金属粒子を含まない粒子を備えている構成は、金属粒子を含むフィラーの構成に比べると僅かに低い特性となるが、比較例に比べれば十分に高い性能を発揮することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明に係る放熱体の成形体を構成するために使用されるシリコン硬化物としては、一般的に電子材料の用途に使用されているシリコン、例えば付加反応により加硫する液状シリコーン樹脂、過酸化物を加硫剤に用いる熱加硫型ミラブルタイプのシリコン樹脂等を不都合なく用いることができる。
【００２３】
半導体素子の放熱体としては特に発熱面と放熱フィン等の放熱面との密着性が要求されるため、シリコンの中でも柔軟性を有するもの、ゴム弾性を有するものが好適である。その具体例としては、一分子中にビニル基とＨ−Ｓｉ基の両方を有する一液性のシリコン、又は末端あるいは側鎖にビニル基を有するオルガノポリシロキサンと末端あるいは側鎖に２個以上のＨ−Ｓｉ基を有するオルガノポリシロキサンとの二液性のシリコンなどを挙げることができる。必要に応じて、硬化剤やその他の添加剤を配合しても良い。
【００２４】
電磁吸収特性を主体とした本発明において用いる熱可塑性樹脂には、特に制限は無いが、特に薄肉成形品を得ようとする場合には、流動性に優れるポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン６、ナイロン６６、６Ｔ／６６、６Ｔ／６、６Ｔ／６Ｉ、６Ｔ／６Ｉ／６６、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、液晶ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、およびポリアセタール（ホモポリマー、コポリマー）などの結晶性熱可塑性樹脂が好ましく用いられる。
【００２５】
熱可塑性樹脂組成物には、機械物性、成形性および表面外観など損なわない範囲で、酸化防止剤、耐熱剤、難燃剤などの熱可塑性樹脂の改質剤や、ガラス繊維、アラミド繊維、アルミナ繊維、炭化珪素繊維、セラミック繊維、金属繊維などの繊維状充填剤や、ワラステナイト、ゼオライト、タルク、マイカ、クレー、パイロフィライト、ベントナイト、アルミナシリケートなどの珪酸塩、アルミナ、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化鉄などの金属化合物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ドロマイトなどの炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウムなどの硫酸塩、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウムなどの水酸化物、ガラスビーズ、セラミックビーズ、炭化珪素およびシリカなどの非繊維状充填剤を配合することも可能であり、さらにはこれら充填剤を２種類以上併用することも可能である。
【００２６】
本発明で使用される熱伝導性フィラーには、窒化ホウ素または炭素で被覆された遷移金属磁性粒子と、前記窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体が使用される。遷移金属磁性粒子は特に電磁波の吸収性を向上する目的で有効であるが、必ずしも含まれる必要はない。前記二つの形態から成る窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体は共に員環構造を主体として構成され、それらが成長方向に層状に積層した、または層状構造が成長方向に連続した集合体でもある。
【００２７】
窒化ホウ素は六方晶（ｈ−ＢＮ）を主体とした結晶構造であり、炭素はグラファイト構造を主体とした結晶構造である。いずれも一つの形態は球状形状である。球状形状は、遷移金属磁性粒子の表面に層状に積層した構造（積層厚さ５０ｎｍ以下）に相当する。前記遷移金属磁性粒子を除去した窒化ほう素の殻であってもよい。遷移金属磁性粒子を内包しない場合は中空構造が断続的に形成されて成る構造体となる。磁性粒子の粒子径は数μｍから数十ｎｍである。
【００２８】
一方の形態である窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体は、球状形態と同様に層状構造が積層しており、既に公知となっている繊維状炭素体と異なり内部は中空である。さらに、積層した炭素体によって中空構造が断続的に空間的に閉じ込められた構造を有している。炭素六角網面が円筒状に閉じた単層構造あるいはこれらの円筒構造が入れ子状に配置された多層構造をした円筒形の径が１０ｎｍ以下のものとして定義されたカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を採用した従来技術とは、明白に異なる。
【００２９】
磁性粒子を被覆する、または繊維状構造体がｈ−ＢＮまたはグラファイト構造を主体とする構造であることはＸ線、赤外およびラマンなどのスペクトル分析法によって同定するこが可能である。さらに詳細に構造を同定するためには透過型電子顕微鏡によって直接、その像を観察することが有効である。
【００３０】
本発明の窒化ホウ素または炭素は例えば次のようにして製造することができる。すなわち、遷移金属元素の酸化物粉末粒子とホウ素または炭素粉末粒子と十分混合し、その後窒素ガスまたは窒素ガスを含む非酸化性ガス雰囲気中で温度１０７３〜１７７３Ｋまで加熱することで同時に二つの形態の構造体が得られる。遷移金属磁性粒子を取除く場合には、例えば鉄元素の場合には塩酸溶液など、酸性溶液中で処理すれば良い。前記原料および雰囲気中のもとプラズマ中で反応熱処理を行うことでも製造目的を達成することは可能である。
【００３１】
本発明における導電性フィラーの樹脂組成物中への配合量は、機械物性、成形性および成形体表面の外観の面からも規定される。例えば熱導電性を十分に発揮するためには樹脂の含有率を少なくなるようにすることが好ましい。しかしながら、フィラーのみでの成形性は劣化するため、上限を９０体積％とする。一方、樹脂の含有率が向上するにしたがい成形性は向上するものの、フィラーの含有率が低下するにしたがい熱伝導率は低下し、さらに電磁波の吸収特性も低下する。このため、下限は２０体積％とする。なお、樹脂組成物の外観の光沢性や平坦性を良好にする上で、前記導電性フィラーの配合量について体積％の上限をさらに絞ることが望ましい。よりわかり易くするために添加量を質量％で表わすと、前記導電性フィラーが４５〜８５質量％（より望ましくは５０〜８０質量％）となるように、樹脂材料にフィラーを充填して放熱体を構成する。ここで、質量％とは樹脂組成物の単位質量あたりに含有されるフィラーの質量を百分率で表わしたものである。
【００３２】
本発明に使用される熱伝導性フィラーに含まれる窒化ホウ素または炭素に被覆された磁性粒子と、窒化ホウ素または炭素の繊維状構造体との体積比は特に限定されたものではなく、目的する熱伝導度および吸収特性を発現する対象となる電磁波の周波数に好適なように、それら体積比を決定する。また、本発明における前記磁性体の平均粒子径については特に限定されるものではないが、いずれも円形または楕円形に近いものほど望ましい。当該フィラーは予め混合しても、あるいは放熱体に混合するときに別々に加えてもよい。
【００３３】
本発明の放熱体の平面形状は、半導体素子と密着できる形状ないしは半導体素子を埋没できる形状であれば、特に制限されるものではなく、例えば三角形、四角形、五角形などの多角形、円形、楕円形等の任意の形状を用いることができる。さらには、半導体素子が密着ないしは埋没しやすいように凹凸をつけてもかまわない。
【００３４】
本発明の放熱体は、具体的には成分を所定量混合、成形、加硫および硬化、必要に応じて所望の形状に切断する工程を経て得られる。その混合には、ロールミル、ニーダー、バンバリーミキサー等の混合機を用いることができる。また、成形方法は、特に制限されるものではないが、押出し成形法若しくはプレス成形法が好ましい。ドクターブレード法では、有機溶剤を添加して粘度を調整するため、成形後に有機溶剤を除去する工程が必要となり生産性が低くなる。
【００３５】
電磁波の吸収性能を高めるために、金属箔等を当該放熱体に貼り合わせるか放熱体内に挟み込んでも良い。なお、このように金属箔体または薄膜を共に供した場合には、電磁波吸収性能以外に、特定周波数帯域における電磁波シールド性能を発現することは何ら支障なく、構造上その特性は十分期待できる。
【００３６】
（実施例）
以下、実施例および比較例をあげて更に具体的に本発明を説明する。
（実施例１）および（比較例１）
導電性フィラー材料の製造は次のように行った。３：１の質量比となる酸化鉄微粒子とホウ素を良く混合し、次いでこれを熱処理炉中に設置し空気を完全に窒素で置換した後に、窒素ガスを流しながら温度１４７３Ｋまで加熱して２時間保持した。その後冷却し、生成物を電子顕微鏡で観察した結果、窒化ホウ素によって被覆されたＦｅ微粒子と、中空構造が断続的に形成されて成る窒化ホウ素の繊維状構造体を得たことを確認した。両者の窒化ホウ素ともに、結晶構造はその格子縞の間隔から六方晶に属するｈ−ＢＮであった。
【００３７】
得られた生成物はフィラーとして、付加反応型シリコーン樹脂と混ぜて、撹拌混合機で撹拌混合を行った。前記フィラーと樹脂との配合比率を表１に示した。表１において、得られた混合物を、一軸式押出機で真空押出して、厚さ１ｍｍとなるように成形した後、温度４００Ｋの乾燥機中に７時間静置して加硫・硬化させ、放熱体を作製した。得られた放熱体の熱伝導率および電磁波吸収特性を測定した結果を表１に示す。
【００３８】
ここに、熱伝導率は放熱体をＴＯ−３型銅製ヒーターケースと銅板との間に挟み、放熱体厚みの１０％を圧縮した後、銅製ヒーターケースに電力５Ｗを印加して４分間保持し、銅製ヒーターケースと銅板との温度差を測定して、以下の数式（１）から算出した値である。熱伝導率の単位は（Ｗ／ｍ・Ｋ）とし、他の単位は電力（Ｗ）、厚み（ｍ）、温度差（Ｋ）、測定面積（ｍ２）とした。
熱伝導率＝｛電力×厚み｝／｛温度差×測定面積｝    ・・・（１）
【００３９】
電磁波シールドまたは吸収特性は、同軸管で構成されたフィクスチャにドーナツ状試料を装着し、これをケーブルでネットワークアナライザーと接続し、ポート間の透過特性を測定することで、１０ＭＨｚ〜６ＧＨｚの範囲で評価した。
【００４０】
（実施例２）（比較例２）
炭素によって被覆されたＦｅ微粒子、および中空構造が断続的に形成されて成る炭素の繊維状構造体から成るフィラー材料の製造を次のように行った。２：１の質量比となる酸化鉄微粒子と炭素を良く混合し、次いでこれを熱処理炉中に設置し空気を完全に窒素で置換した後に、窒素ガスを流しながら温度１４７３Ｋまで加熱し２時間保持した。その後冷却し、生成物を電子顕微鏡で観察した結果、員環構造を主体とする炭素によって被覆されたＦｅ微粒子と、同じ員環構造を主体とする中空構造が断続的に形成されて成る炭素の繊維状構造体から成ることを確認した。両者の炭素ともに、員環構造はその格子縞の間隔から導電性を有するグラファイトであった。
【００４１】
得られた生成物はフィラーとして、付加反応型シリコーン樹脂と撹拌混合機で撹拌混合を行った。前記フィラーと樹脂との配合比率を表１に示した。得られた混合物を、一軸式押出機で真空押出して、厚さ１ｍｍとなるように成形した後、温度４００Ｋの乾燥機中に７時間静置して加硫・硬化させ、放熱体を作製した。実施例１と同様に得られた放熱体の熱伝導率および電磁波吸収特性を測定した結果を表１に示す。
【００４２】
（実施例３）
熱可塑性樹脂（ＰＰＳ樹脂、ＰＢＴ樹脂）と窒化ホウ素を原料として実施例１と同様な手段で形成したフィラーを表１に示す割合でドライブレンドした後、ＰＰＳ樹脂を用いた場合は温度５９０Ｋ、ＰＢＴ樹脂を用いた場合は温度５３０Ｋの押出条件に設定した２軸スクリュー式押出機により溶融混練後ペレット形状にした。得られたペレットを乾燥後、射出成形機を用いて、ＰＰＳ樹脂はシリンダー温度５９０Ｋ、金型温度４００Ｋ、ＰＢＴ樹脂はシリンダー温度５３０Ｋ、金型温度３３０Ｋの条件で射出成形することにより、所定の特性評価用試験片を得た。１５０×１５０×１ｍｍ厚の角板を射出成形し得られた電磁波吸収材料の成形体の電磁波吸収レベルを表１に示す。
【００４３】
（比較例３）
付加反応型シリコーン樹脂単体、および本発明の規定量に満たない窒化ホウ素または炭素を当該樹脂または熱可塑性樹脂と混合した試料、さらには前記２種のフィラーの混合体と熱可塑性樹脂から成る試料を作成した。実施例と同様に熱伝導率と高周波の透過特性を評価した結果を表１に示す。
【００４４】
表１から、本発明による窒化ホウ素または炭素構造体から成るフィラーを添加した樹脂成形体では、良好な熱伝導特性を示すことがわかる。また、所定の電磁波に対する透過特性の結果から、炭素構造体からなるフィラーを含有する樹脂成形体では、低周波数においては電磁波の遮蔽（シールド）特性に優れ、一方、窒化ホウ素構造体からなるフィラーを含有する樹脂成形体では高周波数において電磁波の吸収効果に優れていることが明らかである。このように、本発明では熱伝導特性に優れるばかりでなく、電磁波のシールドまたは吸収特性にも優れる放熱体であることも示された。
【００４５】
なお、比較例として調整した試料のように、本発明の規定を超えて窒化ホウ素または炭素構造体から成るフィラーを樹脂に含有させた場合には、表１に記載した如く成形性が極度に低下し十分な成形体としての強度が得られなくなる。
【００４６】
【表１】
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【００４７】
【発明の効果】
本発明の構成によれば、より高度な熱伝導性と電磁波吸収効果を有する放熱体が提供することができる。