(57)【要約】【課題】スループットを維持しつつ、消費電力を低減できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１に、全ユニットを起動する通常モードに加え、省エネルギーモードを選択可能に設ける。後者が選択されると、基板処理に最低限必要な必須ユニットのみが起動され、基板処理に供される。ただし、処理効率を高める必要があれば、追加ユニットを起動して処理に供することが可能である。待機時には必須ユニットのみを起動し他は停止させるか、あるいは全ユニットを停止させることが出来る。また、通常モードが選択されても、待機状態が一定時間以上続くと、省エネルギーモードに移行可能とする。【選択図】        図５
2004200485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の処理ユニットが同種のユニットごとに分類されて少なくとも１つの処理部が構成された基板処理装置であって、
個々の処理ユニットの起動および停止を独立に制御する制御手段と、
前記個々の処理ユニットの動作条件に係るデータを記憶する記憶手段と、
を備え、
所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している一部の処理ユニットのみを使用した処理が可能である、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
優先的に起動させる少なくとも１つの第１処理ユニットがあらかじめ選択されて定められ、前記第１処理ユニットを特定する情報が前記記憶手段に記憶されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している処理ユニットがないときは、前記制御手段が前記第１処理ユニットを起動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
所定の基板処理を実行する際に、前記第１処理ユニットのみを起動する第１モードと、
全ての処理ユニットを起動する第２モードと、
が、選択可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記制御手段が、所定の基板処理に供された後に一定時間が経過した少なくとも１つの処理ユニットを、停止させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
停止対象となる処理ユニットが、前記第１処理ユニット以外の処理ユニットであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
必要に応じて起動させる少なくとも１つの第２処理ユニットがあらかじめ選択されて定められ、前記第２処理ユニットを特定する情報が前記記憶手段に記憶されており、
前記第２処理ユニットは、前記第１処理ユニットのみが所定の基板処理に供されている際に起動されて、前記基板処理に供されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置であって、
所定の基板処理が終了後、前記制御手段が前記第１処理ユニット以外の処理ユニットを停止させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７に記載の基板処理装置であって、
所定の基板処理が終了後、前記制御手段が前記全ての処理ユニットを停止させ、次後の基板処理を行う際に、前記第１処理ユニットを起動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
複数の処理ユニットが同種のユニットごとに分類されて少なくとも１つの処理部が構成された基板処理装置の動作方法であって、
個々の処理ユニットの起動および停止を独立に制御する制御工程と、
前記個々の処理ユニットの動作条件に係るデータを記憶する記憶工程と、
を備え、
所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している一部の処理ユニットのみを使用した処理が可能である、
ことを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置の動作方法であって、
優先的に起動させる少なくとも１つの第１処理ユニットを選択して定める工程、
をさらに備え、
前記記憶工程が、
前記第１処理ユニットとして定められた処理ユニットについて特定する情報を記憶する工程、
を含むことを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理装置の動作方法であって、
前記所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している処理ユニットがないときは、前記制御工程において前記第１処理ユニットが起動されることを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理装置の動作方法であって、
所定の基板処理を実行する際に、前記第１処理ユニットのみを起動する第１モードと、
全ての処理ユニットを起動する第２モードと、
のいずれかを選択する工程、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理装置の動作方法であって、
前記制御工程が、
所定の基板処理に供された後に一定時間が経過した少なくとも１つの処理ユニットを停止させる工程、
を含むことを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の基板処理装置の動作方法であって、
停止対象となる処理ユニットが、前記第１処理ユニット以外の処理ユニットであることを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１６】
請求項１２ないし請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置の動作方法であって、
必要に応じて起動させる少なくとも１つの第２処理ユニットを選択して定める工程をさらに備え、
前記記憶工程が、
前記第２処理ユニットとして定められた処理ユニットについて特定する情報を記憶する工程、
を含み、
前記第２処理ユニットは、前記第１処理ユニットのみが所定の基板処理に供されている際に起動されて、前記基板処理に供されることを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理装置の動作方法であって、
前記制御工程が、
所定の基板処理が終了後、前記第１処理ユニット以外の処理ユニットを停止させる工程、
を含むことを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の基板処理装置の動作方法であって、
前記制御工程が、
所定の基板処理が終了後、前記全ての処理ユニットを停止させる工程と、
次後の基板処理を行う際に、前記第１処理ユニットを起動させる工程と、
を含むことを特徴とする基板処理装置の動作方法。
【請求項１９】
コンピュータで実行されることにより、前記コンピュータを、請求項１ないし請求項９のいずれかの基板処理装置の制御手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置における消費エネルギーを低減する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶デバイス等の製造工程において、半導体基板やガラス基板などに種々の処理を行う基板処理装置においては、１つの処理工程を担う処理ユニットを複数備える多ユニット化、および、一の装置において異なる処理工程を連続的に行うべく異種の処理ユニットを隣接配置する複合化によって、スループットの向上という製造メーカーの要求に応えている。
【０００３】
こうした多ユニット化、複合化が進むにつれて、基板処理装置を稼働させるために必要な電力も増大する傾向にある。特に、その起動時には、定常時に比して多くの電力を要することから、この起動時の消費電力を低減する技術は、これまでに知られている（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−３２２９０６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板処理装置においては、一般に、いったん電源を切ると次に電源を投入したとしても、装置の稼働状態が安定するまでに時間がかかることから、必要なときに出来るだけ即座に処理を開始できるように、処理を行っていないときでも電源を投入したままで維持されることが多い。電源のｏｎ／ｏｆｆを頻繁に繰り返すよりも、稼働状態が安定する場合が多いからである。従って、稼働率が低いときでも高い稼働率のときと大差なく電力が消費されることになり、維持コストや電力供給コストを押し上げる要因となっている。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、スループットを維持しつつことなく、消費電力を低減できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、複数の処理ユニットが同種のユニットごとに分類されて少なくとも１つの処理部が構成された基板処理装置であって、個々の処理ユニットの起動および停止を独立に制御する制御手段と、前記個々の処理ユニットの動作条件に係るデータを記憶する記憶手段と、を備え、所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している一部の処理ユニットのみを使用した処理が可能である、ことを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、優先的に起動させる少なくとも１つの第１処理ユニットがあらかじめ選択されて定められ、前記第１処理ユニットを特定する情報が前記記憶手段に記憶されていることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している処理ユニットがないときは、前記制御手段が前記第１処理ユニットを起動することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、所定の基板処理を実行する際に、前記第１処理ユニットのみを起動する第１モードと、全ての処理ユニットを起動する第２モードと、が、選択可能であることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記制御手段が、所定の基板処理に供された後に一定時間が経過した少なくとも１つの処理ユニットを、停止させることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、停止対象となる処理ユニットが、前記第１処理ユニット以外の処理ユニットであることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項７の発明は、請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、必要に応じて起動させる少なくとも１つの第２処理ユニットがあらかじめ選択されて定められ、前記第２処理ユニットを特定する情報が前記記憶手段に記憶されており、前記第２処理ユニットは、前記第１処理ユニットのみが所定の基板処理に供されている際に起動されて、前記基板処理に供されることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項８の発明は、請求項７に記載の基板処理装置であって、所定の基板処理が終了後、前記制御手段が前記第１処理ユニット以外の処理ユニットを停止させることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項９の発明は、請求項７に記載の基板処理装置であって、所定の基板処理が終了後、前記制御手段が前記全ての処理ユニットを停止させ、次後の基板処理を行う際に、前記第１処理ユニットを起動させることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項１０の発明は、複数の処理ユニットが同種のユニットごとに分類されて少なくとも１つの処理部が構成された基板処理装置の動作方法であって、個々の処理ユニットの起動および停止を独立に制御する制御工程と、前記個々の処理ユニットの動作条件に係るデータを記憶する記憶工程と、を備え、所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している一部の処理ユニットのみを使用した処理が可能である、ことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の基板処理装置の動作方法であって、優先的に起動させる少なくとも１つの第１処理ユニットを選択して定める工程、をさらに備え、前記記憶工程が、前記第１処理ユニットとして定められた処理ユニットについて特定する情報を記憶する工程、を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１２の発明は、請求項１１に記載の基板処理装置の動作方法であって、前記所定の基板処理を実行する際に、その時点で起動している処理ユニットがないときは、前記制御工程において前記第１処理ユニットが起動されることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１３の発明は、請求項１２に記載の基板処理装置の動作方法であって、所定の基板処理を実行する際に、前記第１処理ユニットのみを起動する第１モードと、全ての処理ユニットを起動する第２モードと、のいずれかを選択する工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１４の発明は、請求項１３に記載の基板処理装置の動作方法であって、前記制御工程が、所定の基板処理に供された後に一定時間が経過した少なくとも１つの処理ユニットを停止させる工程、を含むことを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１５の発明は、請求項１４に記載の基板処理装置の動作方法であって、停止対象となる処理ユニットが、前記第１処理ユニット以外の処理ユニットであることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１６の発明は、請求項１２ないし請求項１５のいずれかに記載の基板処理装置の動作方法であって、必要に応じて起動させる少なくとも１つの第２処理ユニットを選択して定める工程をさらに備え、前記記憶工程が、前記第２処理ユニットとして定められた処理ユニットについて特定する情報を記憶する工程、を含み、前記第２処理ユニットは、前記第１処理ユニットのみが所定の基板処理に供されている際に起動されて、前記基板処理に供されることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１７の発明は、請求項１６に記載の基板処理装置の動作方法であって、前記制御工程が、所定の基板処理が終了後、前記第１処理ユニット以外の処理ユニットを停止させる工程、を含むことを特徴とする。
【００２４】
また、請求項１８の発明は、請求項１６に記載の基板処理装置の動作方法であって、前記制御工程が、所定の基板処理が終了後、前記全ての処理ユニットを停止させる工程と、次後の基板処理を行う際に、前記第１処理ユニットを起動させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１９の発明は、コンピュータで実行されることにより、前記コンピュータを、請求項１ないし請求項９のいずれかの基板処理装置の制御手段として機能させることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
＜第１の実施の形態＞
＜全体構成＞
図１は本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の全体概略を示す斜視図であり、図２は基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。この基板処理装置１は、基板Ｗにレジスト塗布処理及び現像処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）であり、大別してインデクサＩＤとユニット配置部ＭＰとを備えて構成されている。
【００２７】
インデクサＩＤは、移載ロボットＴＦ及び載置ステージ１５を備えている。載置ステージ１５には、４つのキャリアＣを水平方向に沿って配列して載置することができる。それぞれのキャリアＣには、多段の収納溝が刻設されており、それぞれの溝には１枚の基板Ｗを水平姿勢にて（主面を水平面に沿わせて）収容することができる。従って、各キャリアＣには、複数の基板Ｗ（例えば２５枚）を水平姿勢かつ多段に所定の間隔を隔てて積層した状態にて収納することができる。
【００２８】
移載ロボットＴＦは、１本の移載アームを備えており、その移載アームを高さ方向に昇降動作させること、回転動作させること、及び、水平方向に進退移動させることができる。また、移載ロボットＴＦ自身がキャリアＣの配列方向に沿って移動することにより、移載アームをキャリアＣの配列方向に沿って水平移動させることができる。つまり、移載ロボットＴＦは、移載アームを３次元的に移動させることができる。
【００２９】
このような移載ロボットＴＦの動作により、インデクサＩＤは、複数の基板Ｗを収納可能なキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出してユニット配置部ＭＰに渡すとともに、ユニット配置部ＭＰから処理済の基板Ｗを受け取ってキャリアＣに収納することができる。
【００３０】
ユニット配置部ＭＰには、基板Ｗに所定の処理を行う処理ユニットが２列構成で複数配置されている。また、ユニット配置部ＭＰに備わる複数の処理ユニットは、同一の処理を行う同種のユニットごとに、一の処理部を構成する。
【００３１】
ユニット配置部ＭＰの図１における手前側の列には、塗布処理部を構成する２つの塗布処理ユニットＳＣ（ＳＣ１、ＳＣ２）が配置されている。塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを図示しない回転機構によって回転させつつ、その基板主面に図示しないレジスト吐出機構によってフォトレジストを滴下することによって均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコータである。
【００３２】
また、ユニット配置部ＭＰの図１における奥側の列であって、塗布処理ユニットＳＣと同じ高さ位置には、現像処理部を構成する２つの現像処理ユニットＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）が配置されている。現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを図示しない回転機構によって回転させつつ、露光後の基板Ｗ上に図示しない現像液供給機構によって現像液を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピンデベロッパである。塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＳＤとは搬送路１４を挟んで対向配置されている。
【００３３】
２つの塗布処理ユニットＳＣ及び２つの現像処理ユニットＳＤのそれぞれの上方には、図示を省略するファンフィルタユニットを挟んで熱処理ユニット群１１（１１ａ、１１ｂ）が配置されている（図示の便宜上、図２では熱処理ユニット群１１及び後述するエッジ露光ユニットＥＥ等を省略）。熱処理ユニット群１１には、昇温処理部を構成する、基板Ｗを加熱して所定の温度にまで昇温させるいわゆるホットプレートＨＰ（ＨＰ１〜ＨＰ４）と、降温処理部を構成する、基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温させるとともに、該基板Ｗを当該所定の温度に維持するいわゆるクールプレートＣＰ（ＣＰ１〜ＣＰ４）とが組み込まれている。図１の場合、手前側の熱処理ユニット群１１ａとして２つのホットプレートＨＰ１およびＨＰ２と２つのクールプレートＣＰ１およびＣＰ２が配置され、奥側の熱処理ユニット群１１ｂとして２つのホットプレートＨＰ３およびＨＰ４と２つのクールプレートＣＰ３およびＣＰ４が配置されている。なお、ホットプレートＨＰには、レジスト塗布処理前の基板Ｗに密着強化処理を行う密着強化ユニットや露光後の基板のベーク処理を行う露光後ベークユニットとして機能するものがあってもよい。
【００３４】
そして、図１に示すように、熱処理ユニット群１１に隣接して、エッジ露光処理部を構成する、基板Ｗのエッジ部分を検出してエッジ露光処理を行う２つのエッジ露光ユニットＥＥ（ＥＥ１、ＥＥ２）が配置されている。エッジ露光ユニットＥＥは、レジストが塗布された基板Ｗに対してその周辺領域の露光を行うために備わる。エッジ露光ユニットＥＥには、基板Ｗを回転させる回転機構と、所定のランプハウスに納められた露光用光源と、該光源からの光を選択的に基板Ｗに照射させることができる開閉自在な露光シャッタ（いずれも図示せず）とが主として備わっており、基板Ｗを回転させつつその端縁部に露光用光源からの光を照射して、周辺部のレジストを露光する。露光された領域に塗布されていたレジストは、現像時に除去されることになる。
【００３５】
塗布処理ユニットＳＣと現像処理ユニットＳＤとの間に挟まれた搬送路１４には搬送ロボットＴＲが配置されている。搬送ロボットＴＲは、２つの搬送アームを備えており、その搬送アームを鉛直方向に沿って昇降させることと、水平面内で回転させることと、水平面内にて進退移動を行わせることができる。これにより、搬送ロボットＴＲは、インデクサＩＤの移載ロボットＴＦとの間で基板Ｗの受け渡しを行いつつ、ユニット配置部ＭＰに配置された各処理ユニットの間で基板Ｗを所定の処理手順にしたがって循環搬送することができる。また、搬送ロボットＴＲは、レジスト塗布後の基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥに搬送するとともに、エッジ露光ユニットＥＥから露光後の基板Ｗを受け取って所定の位置に搬送する役割も担っている。
【００３６】
また、基板処理装置１の側面には、オペレータが操作するための操作部１６と、操作ガイダンスや処理メニュー、動作状態等を表示するためのモニタ１７が設けられている。
【００３７】
図３は、本実施の形態に係る基板処理装置１の制御システムに係るブロック構成図である。基板処理装置１には、図１および図２においては図示しないコントローラ１０と、スイッチ部ＳＷとが備わっている。スイッチ部ＳＷにおける通電のｏｎ／ｏｆｆを切り換えることで、基板処理装置１の全体の起動／停止が行われる。コントローラ１０は、装置各ユニットの稼働および停止の制御を担っている。基板処理装置１は、コントローラ１０の制御下において、塗布、現像、露光等の処理を実行する。なお、スイッチ部ＳＷには、過大電流が基板処理装置１に流入することを防止するブレーカの機能が備わっていることが望ましい。
【００３８】
コントローラ１０は、演算処理を行うＣＰＵ１０ａと、ＲＯＭ１０ｂと、ＲＡＭ１０ｃと、ハードディスクなどからなる記憶部１１を主として備えている。記憶部１１には、基板処理装置１を制御するためのプログラムＰＧと、具体的な制御条件を記述したレシピデータＲＤが主として記憶されている。基板処理装置１の動作は、プログラムＰＧが実行されることによりＣＰＵ１０ａ、ＲＯＭ１０ｂ、ＲＡＭ１０ｃなどの作用によって実現される種々の制御手段等によって制御される。なお、プログラムＰＧはＲＯＭ１０ｂに記憶されていてもよい。
【００３９】
図４は、プログラムＰＧが実行されることによりコントローラ１０に実現される各部を示す図である。コントローラ１０には、プログラムＰＧが実行されることにより、ＣＰＵ１０ａ、ＲＯＭ１０ｂ、ＲＡＭ１０ｃなどによって、統括制御手段２１と、搬送制御手段２２と、塗布制御手段２３と、熱処理制御手段２４と、現像制御手段２５と、エッジ露光制御手段２６と、タイマＴＭとが実現される。
【００４０】
統括制御手段２１は、レシピデータＲＤに記述された内容の読みとり、後述する各制御手段において行うべき制御内容の設定、各部の動作状態の管理、操作部１６における操作の制御、モニタ１７における表示の制御など、基板処理装置１全体の動作制御を担う。
【００４１】
搬送制御手段２２は、移載ロボットＴＦおよび搬送ロボットＴＲの動作制御を担う。具体的には、キャリアＣとの間の基板Ｗの取り出しおよび払い出し、移載ロボットＴＦと搬送ロボットＴＲとの間の基板Ｗの受け渡し、搬送ロボットＴＲと各処理ユニットとの間の基板Ｗの受け渡しに係る動作が、搬送制御手段２２の制御に基づいて実行される。
【００４２】
塗布制御手段２３は、塗布処理部に相当する２つの塗布処理ユニットＳＣ（ＳＣ１、ＳＣ２）の動作を制御する。例えば、各塗布処理ユニットＳＣのｏｎ／ｏｆｆ動作、塗布処理ユニットＳＣそれぞれに備わる図示しない基板回転機構やレジスト吐出機構などの動作、レジストの流量や温度、ユニット内部の温度、湿度などが、塗布制御手段２３によって制御される。２つの塗布処理ユニットＳＣは、塗布制御手段２３によってそれぞれ独立に制御されるので、それぞれの塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２においては異なる基板Ｗを同時かつ並行して処理が可能（以下、こうした態様を「並行処理」と称する）であり、また、後述する省エネルギーモードが選択された場合、いずれか一方のみを稼働させて処理を行う（以下、こうした態様を「選択処理」と称する）ことも可能である。
【００４３】
熱処理制御手段２４は、昇温処理部に相当する４つのホットプレートＨＰ（ＨＰ１〜ＨＰ４）と、降温処理部に相当する４つのクールプレートＣＰ（ＣＰ１〜ＣＰ４）の動作を制御する。例えば、各ホットプレートＨＰおよびクールプレートＣＰのｏｎ／ｏｆｆ動作、各ホットプレートＨＰおよびクールプレートＣＰそれぞれにおいて所定の保持温度を実現するために必要なフィードバック制御などを担う。各ホットプレートＨＰおよびクールプレートＣＰは、熱処理制御手段２４によってそれぞれ独立に制御される。よって、ホットプレートＨＰおよびクールプレートＣＰにおいても、並行処理および選択処理が可能である。この場合は、４つのホットプレートＨＰおよびクールプレートＣＰからそれぞれ、任意の数が選択処理の対象となる。
【００４４】
現像制御手段２５は、現像処理部に相当する２つの現像処理ユニットＳＤ（ＳＤ１、ＳＤ２）の動作を制御する。例えば、各現像処理ユニットＳＤのｏｎ／ｏｆｆ動作、現像処理ユニットＳＤそれぞれに備わる図示しない基板回転機構や現像液吐出機構などの動作、現像液の流量や温度、ユニット内部の温度、湿度などが、現像制御手段２５によって制御される。２つの現像処理ユニットＳＤは、現像制御手段２５によってそれぞれ独立に制御される。よって、現像処理ユニットＳＤにおいても並行処理、選択処理が可能である。
【００４５】
エッジ露光制御手段２６は、エッジ露光処理部に相当する２つのエッジ露光ユニットＥＥ（ＥＥ１、ＥＥ２）の動作を制御する。例えば、各エッジ露光ユニットＥＥのｏｎ／ｏｆｆ動作、エッジ露光ユニットＥＥそれぞれに備わる図示しない基板回転機構の動作、露光用光源の点灯／消灯、光源の光量、露光シャッタの開閉などが、エッジ露光制御手段２６によって制御される。２つのエッジ露光ユニットＥＥは、エッジ露光制御手段２６によってそれぞれ独立に制御される。すなわち、エッジ露光ユニットＥＥにおいても、並行処理、選択処理が可能である。
【００４６】
タイマＴＭは、各制御手段が行う制御の基準となる時刻を与えるために備わる内部時計である。
【００４７】
基板処理装置１の各部の動作は、記憶部１１に記録されたレシピデータＲＤに記述された設定内容、処理内容に従って、コントローラ１０の各制御手段が各部を制御することにより実現される。
【００４８】
＜処理動作＞
次に、基板処理装置１において行われる、主として省エネルギーに係る動作の内容を説明する。図５は、本実施の形態に係る基板処理装置１の動作フローを示す図である。
【００４９】
まず、基板処理装置１のスイッチ部ＳＷに所定の操作が行われることで、基板処理装置１全体が通電状態にされる（ステップＳ１）と、必要に応じてレシピデータの読み込みがなされた後、動作モードの選択が行われる（ステップＳ２）。ここで、基板処理装置１のオペレータによって、以降の処理を、「省エネルギーモード」で行うか、「通常モード」で行うかについての選択がなされる。「省エネルギーモード」とは、全ての処理ユニットの中から、原則として、レシピデータに記述された処理を行うために最低限必要な一部の処理ユニット（以降、「必須ユニット」と称する）のみを起動させてこの必須ユニットのみで処理を行い、処理状況に応じて必要であれば、他の処理ユニット（以降、「追加ユニット」と称する）を起動させるモードである。一方、「通常モード」とは、すべての処理ユニットを起動させて処理を行うモードである。
【００５０】
まず、ステップＳ２で省エネルギーモードが選択された場合を説明する。この場合、統括制御手段２１が、各処理ユニットのうち、必須ユニットのみを起動するように各制御手段に命令し、各制御手段は、これに応答して必須ユニットのみを起動する（ステップＳ３）。ここで、必須ユニットとしてどの処理ユニットを設定するかについてはオペレータが任意に決定できるが、それぞれの処理部に備わる処理ユニットが、少なくとも１つずつは選択されねばならない。その決定は、例えば、オペレータが操作部１６を操作することによりなされてもよいし、あらかじめ記憶部１１にいくつかのパターンが設定されていて、これをオペレータが選択する態様であってもよい。以下、基板処理装置１において、塗布処理ユニットＳＣ１、現像処理ユニットＳＤ１、エッジ露光ユニットＥＥ１、ホットプレートＨＰ１、ＨＰ２、クールプレートＣＰ１、ＣＰ２が必須ユニットとして設定されているものとして説明するが、この組み合わせには限定されない。
【００５１】
なお、処理ユニットの「起動」とは、以降も含め、レシピデータに記述されている所定の動作条件を実現する動作をいい、「起動」の対象となっていない処理ユニットであっても、該動作条件は実現されていないものの、最小限の通電状態（スタンバイ状態）に維持されていてもよい。この場合、「停止」とは、完全に通電されない状態に限らず、処理可能な「起動」状態から、スタンバイ状態に移行する場合も含むものとする。例えば、ホットプレートＨＰを余熱状態に保つことや、エッジ露光ユニットＥＥにおいて露光用光源の消灯のみを行うことなどがスタンバイ状態の例に相当する。
【００５２】
必須ユニットが起動されて、それぞれがレシピデータに記述された使用条件を満たす状態に達すると、各制御手段から統括制御手段２１に処理可能状態に達したことを示す信号が発せられる。すべての必須ユニットが処理可能な状態に達すると、基板処理が可能になり、レシピデータの内容に基づいて、基板Ｗに対し一連の処理動作が実行される（ステップＳ４）。すなわち、キャリアＣから順次取り出される複数の基板Ｗに対して、塗布処理ユニットＳＣ１におけるレジスト塗布処理、エッジ露光ユニットＥＥ１におけるエッジ露光処理、現像処理ユニットＳＤ１における現像処理、そして、上記各処理間にはホットプレートＨＰ１、ＨＰ２およびクールプレートＣＰ１およびＣＰ２における所定の熱処理が、連続的に行われる。その際、搬送ロボットＴＲは、稼働している必須ユニットのみを基板Ｗの搬送先とするように、統括制御手段２１および搬送制御手段２２により制御される。この場合、処理に最低限必要な一部の処理ユニットのみを起動して処理を行うので、消費電力が抑制されることになる。
【００５３】
複数の基板Ｗに対して、処理を続行する中で（ステップＳ５でＮＯ）、統括制御手段２１は、オペレータからの追加処理ユニットの起動要求（以下、これを「追加起動要求」と称する）の有無を常に監視する（ステップＳ６）。省エネルギーモードが選択され、必須ユニットのみで処理を行っている際には、例えば、オペレータが、必須ユニットのみによる処理では生産効率が悪いと判断した場合や、当初予定よりも繰り上げて処理を行いたい場合などに、オペレータは、操作部１６を通じて所定の処理を行うことにより、その時点で起動されていない追加ユニットの起動を要求する、追加起動要求を行うことが出来る。もちろん、必須ユニットのみで処理を継続することも可能である（ステップＳ６でＮＯ）。
【００５４】
追加起動要求が行われると（ステップＳ６でＹＥＳ）、統括制御手段２１は、これに応答して、各制御手段にそれぞれの制御対象となっている追加ユニットを起動させる（ステップＳ７）。その後、各制御手段から追加ユニットが処理可能状態に達したことを示す信号が発せられると、統括制御手段２１および搬送制御手段２２は、追加ユニットを搬送先に含めることになり、起動しているすべての処理ユニットにより基板Ｗに対する処理動作が継続されることになる。
【００５５】
なお、追加ユニットの設定もオペレータの任意であり、必ずしも必須ユニットに設定されなかった処理ユニットのすべてを対象とする必要はない。その決定は、例えば、オペレータがあらかじめ操作部１６を操作することによりなされてもよいし、あらかじめ記憶部１１にいくつかのパターンが設定されていて、これをオペレータが選択する態様であってもよい。例えば、上述のように必須ユニットが設定されている場合に、エッジ露光ユニットＥＥ２だけを追加ユニットに選択する態様であってもよいし、これにホットプレートＨＰ３、クールプレートＣＰ３を含めて追加ユニットを設定してもよいし、その他の組み合わせでもよい。
【００５６】
予定されていた一連の処理が終了すると（ステップＳ５でＹＥＳ）、次の処理要求があるまで基板処理装置１は待機することになる。処理要求は、オペレータが操作部１６を操作することで与えられてもよいし、キャリアＣが自動搬送されるような態様であれば、その搬送タイミングに合わせて自動的に与えられる態様であってもよい。いずれにせよ、処理要求があると、追加ユニットを用いて処理を行っていた場合には、統括制御手段２１が各制御手段に命令することにより、追加ユニットが停止され（ステップＳ８）、新たな処理が行われることになるまで、必須ユニットのみを起動した状態で待機することになる（ステップＳ９でＮＯ、ステップＳ１０でＮＯ）。これにより、待機状態における消費電力が抑制されることになる。なお、間断をおかず引き続き別の処理を行うことが明らかな場合は、必要であれば追加ユニットを起動したまま保つことが出来る態様であってもよい。
【００５７】
しばらくの待機の後、別の処理ロットの到着などで、新たな処理が行われることになると（ステップＳ１０でＹＥＳ）、処理に先立って、必要であればモードの変更を行うことが出来る（ステップＳ１１）。変更の必要がなければ（ステップＳ１１でＮＯ）、ステップＳ４に戻って、引き続き省エネルギーモードで新たな基板Ｗに対して処理が行われることになる。省エネルギーモードから通常モードに変更する際には（ステップＳ１１でＹＥＳ）、ステップＳ１２へと移行し、後述する通常モードで処理が行われることになる。
【００５８】
また、その後、しばらく基板処理装置１を使用しない場合は、電源を落とす態様も可能である（ステップＳ９でＹＥＳ、ステップＳ１９）。
【００５９】
次に、ステップＳ２で通常モードが選択された場合の動作について説明する。通常モードは、すなわち、従来の基板処理装置で行われる動作と同様である。処理ロットが多く、かつ、高い処理効率が必要な場合は、通常モードによる処理を行うことが望ましい。この場合、統括制御手段２１は、全ての処理ユニットを起動するように各制御手段に命令し、各制御手段は、これに応答して対応する処理ユニットを起動する（ステップＳ１２）。なお、ステップＳ１１でモード変更された場合は、必須ユニット以外の処理ユニットが起動されることになる。
【００６０】
各処理ユニットが使用可能状態になると、所定の処理動作が実行される（ステップＳ１３、ステップＳ１４でＮＯ）。
【００６１】
予定されていた一連の処理が終了すると（ステップＳ１４でＹＥＳ）、次の処理要求があるまで基板処理装置１は待機することになるが、通常モードの場合、新たな処理が行われることになるまで、全ての処理ユニットを起動した状態で待機することになる（ステップＳ１５でＮＯ、ステップＳ１６でＮＯ）。この場合、待機状態において消費電力は抑制されないが、いったん停止させた処理ユニットを再起動させる際の起動に電力の消費量を考慮すると、この方がトータルとしての消費電力を抑制できる場合もあるので、処理効率との兼ね合いで、最適なモードが選択されることが望ましい。
【００６２】
しばらくの待機の後、別の処理ロットの到着などで、新たな処理が行われることになると（ステップＳ１６でＹＥＳ）、通常モードの場合も、処理に先立って、必要であればモードの変更を行うことが出来る（ステップＳ１７）。変更の必要がなければ（ステップＳ１７でＮＯ）、ステップＳ１２に戻って、引き続き通常モードで新たな基板Ｗに対して処理が行われることになる。通常モードから省エネルギーモードへの変更が選択されると（ステップＳ１７でＹＥＳ）、統括制御手段２１は、必須ユニットのみ起動状態を維持し、それ以外の処理ユニットは停止させる（ステップＳ１８）。その後、ステップＳ４へと移行し、前述の省エネルギーモードで処理が行われることになる。
【００６３】
また、通常モードでの動作後、しばらく基板処理装置１を使用しない場合は、電源を落とす態様も可能である（ステップＳ１５でＹＥＳ、ステップＳ１９）。
【００６４】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、基板処理装置１は省エネルギーモードを備えているので、要求される処理能力に応じて、最低限必要な処理ユニットのみを起動させて処理を行う態様と全ての処理ユニットを起動して最大限の処理効率を実現して処理を行う態様とを選択的に行うことができ、かつ、処理を行わないときには、必要最小限の処理ユニットのみを起動して待機することが出来るので、基板処理装置における消費電力を従来よりも抑制することができる。
【００６５】
＜第２の実施の形態＞
基板処理装置における処理の態様は、第１の実施の形態に示す場合に限定されない。以下、第１の実施の形態の通常モードにおける電力消費を、より抑制可能な態様について説明する。なお、本実施の形態においても、基板処理装置１の構成は基本的に同じであるので、その説明は省略する。
【００６６】
図６は、第２の実施の形態に係る基板処理装置１の動作フローを示す図である。図６の動作フローは、図５の動作フローと概ね一致するが、通常モードが選択された場合にステップＳ２１およびステップＳ２２が付加されている点で相違する。省エネルギーモードにおける動作など、この相違点に関係しない動作以外については、基本的に第１の実施の形態と同様であるので、同一の符号を付して説明は省略する。
【００６７】
本実施の形態において、ステップＳ２にて通常モードが選択されて、その後、所定の処理が終了すると（ステップＳ１２、ステップＳ１３、ステップＳ１４でＹＥＳ）、統括制御手段２１によって、必須ユニットに設定されている処理ユニットを除く各処理ユニットが、最後に動作を終えてからの時間が、タイマＴＭに基づいてそれぞれ計測される（ステップＳ２１）。そして、あらかじめ設定されているしきい値時間が経過するか否かが監視される（ステップＳ２２）。しきい値時間が経過すると（ステップＳ２２でＹＥＳ）、ステップＳ８に移行し、必須ユニットを除く処理ユニットが停止されることになる。すなわち、本実施の形態では、通常モードで処理を行った後、待機状態において一定時間不使用であると、自動的に省エネルギーモードに移行し、省エネルギーモードでの待機状態で新たな処理要求を待つことになる。
【００６８】
しきい値時間は、オペレータが操作部１６を通じて任意に設定可能である。また、各処理ユニットごとに個別に設定し、段階的に省エネルギーモードに移行する態様であってもよい。
【００６９】
以上より、本実施の形態においては、通常モードの待機状態が一定時間に達すると省エネルギーモードに移行するので、装置の稼働状況に対する監視負担を低減させつつ、消費電力の低減を行える。結果的に、第１の実施の形態に比べ、消費電力をさらに抑制することが出来る。
【００７０】
＜第３の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態の省エネルギーモードにおける電力消費を、より抑制可能な態様について説明する。なお、本実施の形態においても、基板処理装置１の構成は基本的に同じであるので、その説明は省略する。
【００７１】
図７は、第３の実施の形態に係る基板処理装置１の動作フローを示す図である。図７の動作フローは、図６の動作フローと概ね一致するが、省エネルギーモードが選択された場合にステップＳ８に代わりステップＳ３１が設けられている点と、ステップＳ１１でＮＯの場合に帰還するポイントが異なる点で相違する。通常モードにおける動作など、この相違点に関係しない動作以外については、基本的に第２の実施の形態と同様であるので、同一の符号を付して説明は省略する。
【００７２】
本実施の形態の場合、ステップＳ２にて省エネルギーモードが選択されて、その後、所定の処理が終了すると（ステップＳ３、ステップＳ４、ステップＳ５でＹＥＳ）、統括制御手段２１は、その時点で起動していた全処理ユニットを停止させる命令を発する（ステップＳ３１）点で、第１および第２の実施形態と相違する。これにより、省エネルギーモードにおける待機状態の消費電力をさらに低減することが出来る。
【００７３】
その後、新たな処理の要求があり（ステップＳ１１でＹＥＳ）、モードの変更を行わず引き続き省エネルギーモードで動作させる場合（ステップＳ１１でＮＯ）は、この時点で起動している処理ユニットがないので、ステップＳ３に戻って、統括制御手段２１が、必須ユニットの起動を命令する。必須ユニットが使用可能な状態に達した時点で、新たな処理動作が開始されることになる（ステップＳ３、ステップＳ４）。
【００７４】
一方、モードを変更して通常モードで動作させる場合には、ステップＳ１２に移行して、統括制御手段２１が全処理ユニットの起動を命令する。全ての処理ユニットが使用可能な状態になった時点で、新たな処理動作が開始されることになる（ステップＳ１２、ステップＳ１３）。
【００７５】
以上より、本実施の形態においては、省エネルギーモードにおける待機状態で必須ユニットを含めた全ての処理ユニットを停止させることで、第１および第２の実施の形態に比べ、消費電力をさらに抑制することが出来る。
【００７６】
＜変形例＞
基板処理装置を構成する処理ユニットの種類は、上述の例に限定されない。反射防止膜を形成するための処理ユニットや、レジストの密着強化処理のためのユニット、回路パターンを形成するための露光装置との間で基板を受け渡す別のインデクサユニット、レジスト膜厚や形成された回路パターンを検査する検査ユニットなど、種々の処理ユニットが設けられていてもよい。これらの処理ユニットの中から、適宜必須ユニットや追加ユニットが定められてもよい。また、同種の処理ユニットの個数も、上述の例に限定されない。ユニット数が増加し、装置が大型化するほど、必須ユニットのみで処理を行うことで得られる、消費電力低減の効果が大きくなる。さらに、各処理ユニットの配置も、上述の例には限定されない。処理ユニットの種類および個数に応じて、処理効率がより高まる配置が行われてもよい。
【００７７】
なお、一の処理工程に係る処理ユニットが１つだけ備わっている場合であっても、これを必須ユニットとすることで、本発明の効果を得ることは出来る。
【００７８】
個々の処理ユニットについて、個別にマニュアルで起動および停止が出来る態様であってもよい。
【００７９】
必須ユニットおよび追加ユニットの設定は、適宜変更可能であってよい。
【００８０】
上述の実施の形態では、追加ユニットは指定の有無のみが定められているが、追加ユニットを段階的に設定し、必要に応じて少しずつ起動および停止させていく態様であってもよい。このようにすることで、処理効率を踏まえつつ、消費電力をより細かに調整することが可能である。
【００８１】
また、上述の実施の形態においては、必須ユニットが全て使用可能となった時点で処理が開始される態様となっているが、処理工程の前段にある処理ユニットが処理可能となった時点で処理を開始し始め、後段の処理に係る処理ユニットは、その処理に間に合うように起動される態様であってもよい。
【００８２】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１ないし請求項１９の発明によれば、新たに処理ユニットを起動させて基板処理を行うことがないので、消費電力を抑制しつつ所定の処理を実行することが出来る。
【００８３】
また、請求項２ないし請求項９、および、請求項１１ないし請求項１８の発明によれば、所定の処理を行うために最低限必要な処理ユニットがあらかじめ選択されるので、不要な処理ユニットが起動したままの状態を回避することができ、消費電力を抑制することが出来る。
【００８４】
また、請求項３ないし請求項９、および、請求項１２ないし請求項１８の発明によれば、所定の処理を行うために最低限必要な処理ユニットのみが起動されるので、処理の実行時のみならず、待機時の消費電力をも抑制することが出来る。
【００８５】
また、請求項４ないし請求項９、および、請求項１３ないし請求項１８の発明によれば、要求される処理効率に応じて、処理ユニットが起動されるので、一の装置において消費電力の低減と高いスループットの発揮との両立が可能である。
【００８６】
また、請求項５ないし請求項９、および、請求項１４ないし請求項１８の発明によれば、長時間使用しない処理ユニットを自動的に停止させることが出来るので、装置の稼働状況に対する監視負担を低減させつつ、消費電力の低減を行える。
【００８７】
また、請求項６ないし請求項９、および、請求項１５ないし請求項１８の発明によれば、最低限の処理ユニットは起動したまま維持されるので、新たな基板処理を行う際に迅速に対応することが出来る。
【００８８】
また、請求項７ないし請求項９、および、請求項１６ないし請求項１８の発明によれば、処理状況に応じてスループットを調整することが出来るので、要求される処理効率と消費電力の抑制とをバランスさせつつ基板処理を行うことが出来る。
【００８９】
また、請求項８、請求項９、請求項１７、および請求項１８の発明によれば、最低限の処理ユニットは起動したまま維持されるので、消費電力を抑制しつつ、新たな基板処理を行う際に迅速に対応することが出来る。
【００９０】
また、請求項９および請求項１８の発明によれば、消費電力をより抑制することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板処理装置１の全体概略を示す斜視図である。
【図２】基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。
【図３】基板処理装置１の制御システムに係るブロック構成図である。
【図４】プログラムＰＧが実行されることによりコントローラ１０に実現される各部を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る基板処理装置１の動作フローを示す図である。
【図６】第２の実施の形態に係る基板処理装置１の動作フローを示す図である。
【図７】第３の実施の形態に係る基板処理装置１の動作フローを示す図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置
１０  コントローラ
１１、１１ａ、１１ｂ  熱処理ユニット群
１４  搬送路
１５  載置ステージ
Ｃ  キャリア
ＥＥ、ＥＥ１、ＥＥ２  エッジ露光ユニット
ＨＰ、ＨＰ１〜ＨＰ４  ホットプレート
ＩＤ  インデクサ
ＭＰ  ユニット配置部
ＯＥ  外部電源
ＳＣ、ＳＣ１、ＳＣ２  塗布処理ユニット
ＳＤ、ＳＤ１、ＳＤ２  現像処理ユニット
ＳＷ  スイッチ部
ＴＦ  移載ロボット
ＴＲ  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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