(57)【要約】【課題】  半導体装置に生じる応力を緩和することにより信頼性の向上を図ることにある。【解決手段】  半導体装置は、集積回路１２と集積回路１２に電気的に接続された電極１４とを有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に、電極１４を避けて形成された樹脂層２０と、電極１４に電気的に接続され、樹脂層２０上にランド３２を有する配線層３０と、を含む。ランド３２には、樹脂層２０を露出する貫通穴３４が形成されている。【選択図】      図４
2004153249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記樹脂層上に設けられたランドを有する配線層と、
を含み、
前記ランドには、前記樹脂層を露出する貫通穴が形成されてなる半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記ランドの平面形状は、ほぼ円形状である半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置において、
前記貫通穴は、長穴である半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記貫通穴は、前記ランドの外周に沿った方向に長い長穴である半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ランドには、複数の前記貫通穴が形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記複数の貫通穴は、前記ランドの外周に沿って配列されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６記載の半導体装置において、
前記複数の貫通穴は、隣同士の距離がほぼ同じになるように配置されてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ランドは、前記樹脂層の上面に形成されてなる半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記半導体基板の平面的に異なる位置に複数形成され、
前記ランドは、いずれかの前記樹脂層の上面及び側面に一体的に形成されてなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記貫通穴は、前記ランドにおける前記樹脂層の側面の部分に形成されてなる半導体装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０記載の半導体装置において、
前記樹脂層の側面は、テーパが付されてなる半導体装置。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、ほぼ円錐台形状をなしている半導体装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に形成され、前記ランドの少なくとも一部を露出させる開口部を有するレジスト層をさらに含む半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、
前記レジスト層の前記開口部の平面形状は、ほぼ円形状である半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３又は請求項１４記載の半導体装置において、
前記レジスト層は、前記貫通穴の少なくとも一部を覆ってなる半導体装置。
【請求項１６】
請求項１３から請求項１５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記レジスト層は、前記貫通穴を覆うように形成され、
前記貫通穴は、前記レジスト層の前記開口部の外周にほぼ接してなる半導体装置。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記ランドに設けられた外部端子をさらに含む半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置において、
前記外部端子の上端部を避けて、少なくとも下端部を覆ってなる第２の樹脂層をさらに含む半導体装置。
【請求項１９】
請求項１から請求項１８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体チップである半導体装置。
【請求項２０】
請求項１から請求項１８のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体ウエハである半導体装置。
【請求項２１】
請求項１から請求項２０のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項２２】
請求項１から請求項２０のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項２３】
集積回路を有する半導体基板の前記集積回路に電気的に接続された電極が形成された面に、前記電極を避けて樹脂層を形成すること、及び、
前記電極に電気的に接続される配線層を、前記樹脂層上にランドを有するように形成することを含み、
前記ランドに前記樹脂層を露出する貫通穴を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の半導体装置の製造方法において、
前記貫通穴を、前記配線層と同時に形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項２３又は請求項２４記載の半導体装置の製造方法において、
前記ランドに複数の前記貫通穴を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２３から請求項２５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記ランドの少なくとも一部を露出させる開口部を有するようにレジスト層を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２３から請求項２６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記ランドに外部端子を設けることをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２３から請求項２７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の平面的に異なる位置に複数の前記樹脂層を形成し、
少なくとも前記樹脂層を覆うように前記配線層の材料を設け、
前記配線層の材料の上に、マスクとしてメッキ層をパターニングし、
前記配線層の材料のうち前記メッキ層で覆われた部分を残すように、前記配線層の材料及び前記メッキ層をエッチングすることで、前記配線層及び前記貫通穴を形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置が基板に実装された場合、両者間の電気的接続部に加えられる応力を緩和させることが重要である。この応力は、半導体チップと基板との熱膨張係数の違いによって生じる。従来、この応力が十分に緩和できないことによって、半導体装置の外部端子（ハンダボール）の破壊や、配線の断線が生じることがあった。特に、ウエハ単位でパッケージングを行うウエハレベルＣＳＰで、その信頼性の向上が期待されていた。
【０００３】
本発明の目的は、半導体装置に生じる応力を緩和することにより信頼性の向上を図ることにある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続され、前記樹脂層上に設けられたランドを有する配線層と、
を含み、
前記ランドには、前記樹脂層を露出する貫通穴が形成されてなる。
【０００５】
本発明によれば、ランドには、樹脂層を露出する貫通穴が形成されている。これによって、ランドが変形しやすくなるので、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、配線層の断線や例えば外部端子の破壊などを防止して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０００６】
（２）この半導体装置において、
前記ランドの平面形状は、ほぼ円形状であってもよい。
【０００７】
（３）この半導体装置において、
前記貫通穴は、長穴であってもよい。
【０００８】
（４）この半導体装置において、
前記貫通穴は、前記ランドの外周に沿った方向に長い長穴であってもよい。
【０００９】
これによれば、ランドの中央部を避けて貫通穴を形成することができる。
【００１０】
（５）この半導体装置において、
前記ランドには、複数の前記貫通穴が形成されてもよい。
【００１１】
これによって、より一層、ランドが変形しやすくなる。
【００１２】
（６）この半導体装置において、
前記複数の貫通穴は、前記ランドの外周に沿って配列されてもよい。
【００１３】
これによれば、ランドの中央部が応力に対して変位しやすくなるので、応力を効果的に緩和することができる。
【００１４】
（７）この半導体装置において、
前記複数の貫通穴は、隣同士の距離がほぼ同じになるように配置されてもよい。
【００１５】
これによって、ランド平面上のあらゆる方向に加えられる応力に対して、ランドが変形しやすくなる。
【００１６】
（８）この半導体装置において、
前記ランドは、前記樹脂層の上面に形成されてもよい。
【００１７】
（９）この半導体装置において、
前記樹脂層は、前記半導体基板の平面的に異なる位置に複数形成され、
前記ランドは、いずれかの前記樹脂層の上面及び側面に一体的に形成されてもよい。
【００１８】
（１０）この半導体装置において、
前記貫通穴は、前記ランドにおける前記樹脂層の側面の部分に形成されてもよい。
【００１９】
（１１）この半導体装置において、
前記樹脂層の側面は、テーパが付されてもよい。
【００２０】
これによって、例えば、ランドにおける樹脂層の側面の部分に貫通穴を形成しやすくすることができる。
【００２１】
（１２）この半導体装置において、
前記樹脂層は、ほぼ円錐台形状をなしてもよい。
【００２２】
（１３）この半導体装置において、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に形成され、前記ランドの少なくとも一部を露出させる開口部を有するレジスト層をさらに含んでもよい。
【００２３】
（１４）この半導体装置において、
前記レジスト層の前記開口部の平面形状は、ほぼ円形状であってもよい。
【００２４】
（１５）この半導体装置において、
前記レジスト層は、前記貫通穴の少なくとも一部を覆ってもよい。
【００２５】
（１６）この半導体装置において、
前記レジスト層は、前記貫通穴を覆うように形成され、
前記貫通穴は、前記レジスト層の前記開口部の外周にほぼ接してもよい。
【００２６】
（１７）この半導体装置において、
前記ランドに設けられた外部端子をさらに含んでもよい。
【００２７】
（１８）この半導体装置において、
前記外部端子の上端部を避けて、少なくとも下端部を覆ってなる第２の樹脂層をさらに含んでもよい。
【００２８】
（１９）この半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体チップであってもよい。
【００２９】
（２０）この半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体ウエハであってもよい。
【００３０】
（２１）本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
【００３１】
（２２）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００３２】
（２３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路を有する半導体基板の前記集積回路に電気的に接続された電極が形成された面に、前記電極を避けて樹脂層を形成すること、及び、
前記電極に電気的に接続される配線層を、前記樹脂層上にランドを有するように形成することを含み、
前記ランドに前記樹脂層を露出する貫通穴を形成する。
【００３３】
本発明によれば、ランドに、樹脂層を露出する貫通穴を形成する。これによって、ランドを変形しやすくすることができるので、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、配線層の断線や例えば外部端子の破壊などを防止して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００３４】
（２４）この半導体装置の製造方法において、
前記貫通穴を、前記配線層と同時に形成してもよい。
【００３５】
これによって、少ない工程で半導体装置を製造することができる。
【００３６】
（２５）この半導体装置の製造方法において、
前記ランドに複数の前記貫通穴を形成してもよい。
【００３７】
これによって、より一層、ランドを変形しやすくすることができる。
【００３８】
（２６）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記ランドの少なくとも一部を露出させる開口部を有するようにレジスト層を形成することをさらに含んでもよい。
【００３９】
（２７）この半導体装置の製造方法において、
前記ランドに外部端子を設けることをさらに含んでもよい。
【００４０】
（２８）この半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の平面的に異なる位置に複数の前記樹脂層を形成し、
少なくとも前記樹脂層を覆うように前記配線層の材料を設け、
前記配線層の材料の上に、マスクとしてメッキ層をパターニングし、
前記配線層の材料のうち前記メッキ層で覆われた部分を残すように、前記配線層の材料及び前記メッキ層をエッチングすることで、前記配線層及び前記貫通穴を形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００４２】
（第１の実施の形態）
図１〜図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。図１は半導体装置の平面図であり、図２は図１のII−II線断面の部分拡大図であり、図３は図１のIII−III線断面の部分拡大図である。図４は、ランドとレジスト層との関係を説明する図であり、半導体装置の一部（配線層、外部端子など）が省略されている。なお、図５〜図８は、本実施の形態の変形例を示す図である。半導体装置１は、半導体基板１０と、樹脂層２０と、配線層３０と、を含む。
【００４３】
半導体基板１０は、シリコン基板であることが多いがその材料は限定されない。図１に示すように、半導体基板１０は、半導体チップであってもよい。半導体チップの形状は、直方体であることが多いが、立方体又は球であってもよい。
【００４４】
変形例として、半導体基板１０は、半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハは、複数の半導体チップとなる領域の集合体である（図９参照）。
【００４５】
図２に示すように、半導体基板１０には、１つ又は複数の集積回路１２が形成されている。集積回路１２は、半導体基板１０の一方の面側に形成されてもよい。半導体基板１０には、それが半導体チップである場合、１つの集積回路１２が形成されてもよい。半導体基板１０には、１つの集積回路１２に対応して、複数の電極１４が形成されている。複数の電極１４のいずれかは、集積回路１２に電気的に接続されている。複数の電極１４は、図１に示すように、半導体チップの平行な２辺に沿って端部に配列されていてもよいし、４辺に沿って端部に配列されていてもよいし、中央部に配列されていてもよい。電極１４を避けて、半導体基板１０の表面（電極１４が形成された面）には、保護膜（例えばパッシベーション膜）１６が形成されている。保護膜１６は、電気的な絶縁膜である。保護膜１６は、無機系の材料（ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＭｇＯなど）で形成されることが多いが、有機系の材料（ポリイミド樹脂など）で形成されてもよい。
【００４６】
樹脂層２０は、半導体基板１０上（例えば保護膜１６上）に形成されている。樹脂層２０は、電極１４を避けて形成されている。図１に示す例では、樹脂層２０は、半導体チップの端部を避けて中央部に形成されている。樹脂層２０は、平面的に異なる位置に形成される複数の外部端子５０を含む領域に形成されてもよい。樹脂層２０は、１層又は複数層であってもよい。
【００４７】
樹脂層２０は、応力緩和機能を有してもよい。樹脂層２０は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。樹脂層２０は、少なくとも半導体基板１０と外部端子５０との間に形成されている。
【００４８】
配線層３０は、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成されている。配線層３０は、いずれかの電極１４と電気的に接続されており、電極１４から樹脂層２０上に延びている。すなわち、配線層３０の一部（例えばランド）は、樹脂層２０上に形成されている。配線層３０は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれか１つ又は複数を積層することで形成してもよい。半導体チップの端部に複数の電極１４が形成される場合、配線層３０は半導体チップの端部から中央部に向けて延びる。
【００４９】
配線層３０は、ランド３２を有する。半導体チップには、複数のランド３２が形成されている。ランド３２は、少なくとも１層（図２に示す例では複数層）からなる配線層３０の一部である。配線層３０は、ランド３２と、ランド３２と電極１４とを電気的に接続するラインとを含む。ランド３２とラインとは、導電層を含む。図４に示すように、ランド３２は、配線層３０のラインよりも、幅が広くなっている。ランド３２の幅とは、ラインの配線層３０への進入方向に対して直交する方向の幅のうち、一番広い幅をいう。ランド３２の平面形状は、円形状であってもよい。あるいは、ランド３２の平面形状は、楕円形、矩形のいずれであってもよい。ランド３２は、樹脂層２０の上面に形成されている。ラインも、少なくとも一部が樹脂層２０の上面に形成されている。樹脂層２０の上面に複数のランド３２が形成されてもよい。
【００５０】
図３に示すように、ランド３２には、樹脂層２０を露出する貫通穴３４が形成されている。こうすることで、ランド３２が、貫通穴３４を有しない場合と比べて、応力に対して変形しやすくなる。すなわち、ランド３２が変形することで応力を緩和するので、配線層３０が断線するのを防止することができる。図３に示すように、ランド３２が複数層からなる場合、貫通穴３４は全部の層を貫通する穴である。貫通穴３４は、ランド３２の端部に形成されてもよいし、中央部に形成されてもよい。図４に示すように、１つのランド３２に複数の貫通穴３４が形成されてもよい。こうすることで、より一層、ランド３２が変形しやすくなる。
【００５１】
図４に示すように、貫通穴３４は、長穴であってもよい。その場合、ランド３２の外周に沿った方向に長い長穴であってもよい。これによれば、長穴を形成する場合であっても、ランド３２の中央部を避けて貫通穴３４を形成することができるので、外部端子５０を設ける領域を広く確保することができる。長穴の内側のコーナーは、角部になっていてもよい。
【００５２】
複数の貫通穴３４は、ランド３２の外周に沿って配列されてもよい。すなわち、複数の貫通穴３４は、ランド３２の外周端部で、その外周に沿って配列されている。ランド３２が円形状である場合に、複数の貫通穴３４は、ランド３２の形状よりもわずかに小さい仮想円周（図示しない）上に配列されてもよい。ランド３２の中央部を複数の貫通穴３４で囲むことで、ランド３２の中央部が応力に対して変位しやすくなるので、応力を効果的に緩和することができる。
【００５３】
複数の貫通穴３４は、隣同士の距離がほぼ同じになるように配置されてもよい。こうすることで、ランド平面上のあらゆる方向に加えられる応力に対して、ランド３２が変形しやすくなる。複数の貫通穴３４は、ランド３２における対称な位置に配置されてもよい。詳しくは、複数の貫通穴３４は、ランド３２の中心点（図示しない）に対して点対称となる位置に配置されてもよいし、ランド３２の中心線（図示しない）に対して線対称となる位置に配置されてもよい。
【００５４】
図７の変形例に示すように、長穴である貫通穴３６の内側のコーナーは、丸くなっていてもよい。ランド３２に角部をなくすことで、ランド３２に加えられる応力の集中を分散することができる。
【００５５】
図８の変形例に示すように、貫通穴３８は、丸穴であってもよい。複数の丸穴を、ランド３２の外周に沿って配列してもよい。隣同士の丸穴の距離がほぼ同じであれば、ランド平面状のあらゆる方向に加えられる応力に対して、ランド３２が変形しやすくなる。図８に示す例とは別に、複数の貫通穴（丸穴）３８は、ランド３２の全面に形成してもよい。その場合であっても、ランド３２を応力に対して変形しやすくすることができる。
【００５６】
半導体装置１は、レジスト層（例えばソルダレジスト）４０をさらに含む。レジスト層４０は、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成され、配線層３０の一部を覆っている。レジスト層４０は、ランド３２の少なくとも一部を露出させる開口部４２を有する。図４に示すように、レジスト層４０は、ランド３２の外周端部を覆ってもよい。あるいは、レジスト層４０は、ランド３２を避けて、配線層３０のラインのみを覆ってもよい。
【００５７】
レジスト層４０の開口部４２の平面形状は、円形、楕円又は矩形のいずれであってもよい。開口部４２の平面形状は、ランド３２の平面形状よりも小さい相似形状であってもよい。レジスト層４０がランド３２の一部を覆う場合、レジスト層４０は、貫通穴３４の少なくとも一部を覆ってもよい。
【００５８】
図４に示すように、レジスト層４０は、複数の貫通穴３４を覆ってもよい。こうすることで、レジスト層４０が貫通穴３４内で樹脂層２０に接触するので、両者の密着性が向上する。また、開口部４２が円形状であれば、ランド３２と外部端子５０との接触面を円形状にすることができるので、外部端子５０の応力の集中を分散することができる。貫通穴３４は、レジスト層４０の開口部４２の外周にほぼ接していてもよい。これによれば、貫通穴３４は開口部４２に接するだけで、レジスト層４０に完全に覆われるわけではないので、ランド３２の変形をレジスト層４０によって妨げることがない。
【００５９】
図４に示すように、ランド３２の中央部（図４では複数の貫通穴で囲まれた領域）は、ランド３２の端部と複数箇所で接続されている。したがって、ランド３２の中央部と端部との両者の接続部に応力が集中して、いずれかの箇所で断線が生じても、他の箇所で接続を維持することができる。
【００６０】
図５の変形例に示すように、レジスト層４０は、複数の貫通穴３４の一部を覆ってもよい。図５に示す例では、それぞれの貫通穴３４を部分的に覆っている。例えば、それぞれの貫通穴３４のほぼ半分がレジスト層４０で覆われ、残りの半分が開口部４４から露出してもよい。図５に示す例とは別に、レジスト層４０は、複数の貫通穴３４のいずれか１つ以上（全部を除く）を覆ってもよい。
【００６１】
図６の変形例に示すように、レジスト層４０は、貫通穴３４を覆わなくてもよい。すなわち、複数の貫通穴３４は、レジスト層４０の開口部４６から露出してもよい。その場合、貫通穴３４は、レジスト層４０の開口部４６の内周にほぼ接していてもよい。
【００６２】
半導体装置１は、外部端子５０をさらに含む。外部端子５０は、配線層３０に電気的に接続されている。外部端子５０は、ランド３２上に形成されていてもよい。外部端子５０は、導電性を有する金属（例えば合金）であって、溶融させて電気的な接続を図るためのもの（例えばハンダ）である。外部端子５０は、軟ろう（soft solder）又は硬ろう（hard solder）のいずれで形成されてもよい。外部端子５０は、球状をなしていてもよく、例えばハンダボールであってもよい。
【００６３】
半導体装置１は、外部端子５０の上端部を避けて、少なくとも下端部（根本部）を覆う第２の樹脂層５２をさらに含む。第２の樹脂層５２は、外部端子５０の高さ方向の中央部も覆ってもよい。第２の樹脂層５２は、外部端子５０の周囲を覆う。外部端子５０の上端部は、第２の樹脂層５２から露出させる。例えば、第２の樹脂層５２が開口を有し、外部端子５０の上端部を、開口を介して第２の樹脂層５２から露出させる。第２の樹脂層５２によって、外部端子５０における配線層３０との接続状態を補強することができる。これにより、応力の集中を分散させることができる。なお、第２の樹脂層５２は、樹脂層２０と同一又は異なる材料のいずれで形成されてもよい。
【００６４】
本実施の形態によれば、ランド３２には、樹脂層２０を露出する貫通穴３４が形成されている。これによって、ランド３２が変形しやすくなるので、半導体装置に生じる応力を緩和することができる。したがって、配線層３０の断線や例えば外部端子５０の破壊などを防止して、半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、ランド３２の構造によって応力を緩和するので、例えば樹脂層２０として弾性率の低い材料を使用でき、部品材料の選択の自由度が高まる。
【００６５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１０の電極１４が形成された面に、電極１４を避けて樹脂層２０を形成すること、及び、電極１４に電気的に接続される配線層３０を樹脂層２０上にランド３２を有するように形成することを含む。そして、ランド３２に樹脂層２０を露出する貫通穴３４を形成する。ランド３２には、複数の貫通穴３４を形成してもよい。
【００６６】
貫通穴３４は、配線層３０の形成後に形成してもよい。その場合、露光技術などを適用してマスクとなるレジスト（図示しない）をパターニングし、レジストからの露出部をエッチングすることで貫通穴３４を形成してもよい。また、貫通穴３４は、配線層３０と同時に形成してもよい。その場合、上述の露光技術を適用して配線層３０のパターニングと同時に貫通穴３４を形成してもよい。あるいは、メッキ法によって導電材料を析出させてもよい。それらを同時に形成すれば、少ない工程で簡単に貫通穴３４を形成することができる。なお、貫通穴３４の形成は、その他の周知の技術（レーザビーム、インクジェット又は印刷など）を適用して行ってもよい。
【００６７】
その後、レジスト層（例えばソルダレジスト）４０を塗布し、所定の部分（ランドの少なくとも一部を含む部分）を露光技術やレーザビームにより露出させる。そして、ハンダなどを印刷してリフロー工程を経て、外部端子５０を形成する。さらに、第２の樹脂層５２を半導体基板１０の全面に設け、外部端子５０の少なくとも上端部をプラズマなどのアッシングによって開口させてもよい。
【００６８】
上述の工程を半導体ウエハの状態で行った場合には、図９に示すように、半導体基板１１を、例えばブレード６０によって、それぞれの集積回路を囲むラインＬで切断する。こうして、半導体基板１１を切断して複数の半導体装置１が得られる。これによれば、ウエハ単位でパッケージングがなされる。こうして得られた半導体装置１は、そのパッケージサイズが半導体チップにほぼ等しいので、ＣＳＰに分類することができる。なお、その他の内容は、上述の半導体装置で説明した内容が該当する。
【００６９】
図１０は、半導体装置が実装された回路基板を示す図である。回路基板（マザーボード）７０には、配線パターン７２が形成され、配線パターン７２に外部端子５０が接合されている。これによれば、回路基板７０と半導体基板１０との熱膨張係数の違いによって生じる応力を効果的に緩和することができる。
【００７０】
（第２の実施の形態）
図１１〜図１５（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。本実施の形態では、樹脂層及びランドの形態が上述と異なっている。本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【００７１】
まず、半導体基板１０を用意する。半導体基板１０には、集積回路１２、電極１４及び保護膜１６が形成されている。半導体基板１０は、半導体ウエハであってもよい。これによれば、半導体装置の製造工程をウエハ状態で一括処理できるので生産性が高い。図１１には、半導体ウエハのうち、１つの半導体チップとなる部分が示されている。あるいは、半導体チップの状態で以下の製造工程を行ってもよい。
【００７２】
図１１に示すように、半導体基板１０上（例えば保護膜１６上）に樹脂層１２０を形成する。詳しくは、複数の樹脂層１２０を、半導体基板（詳しくは半導体ウエハの半導体チップとなる領域）１０の平面的に異なる位置に形成する。例えば、平面的に異なる位置に形成される外部端子５０の領域に対応して、複数の樹脂層１２０を形成してもよい。すなわち、それぞれの外部端子５０は、いずれかの樹脂層１２０上に配置されるようにしてもよい。樹脂層１２０を半導体チップとなる領域の中央部に形成すれば、端部に形成される複数の電極１４を避けることができる。なお、樹脂層１２０のその他の内容は、第１の実施の形態で説明した樹脂層の内容が該当する。
【００７３】
図１２に示すように、樹脂層１２０は、上面１２２及び側面１２４を有する。樹脂層１２０の上面１２２は、平らな面であることが好ましい。樹脂層１２０の側面１２４は、テーパが付されていることが好ましい。詳しくは、図１２に示すように、樹脂層１２０の側面１２４には、上面１２２の面積が半導体基板１０側の下面（底面）の面積よりも小さくなるようなテーパが付されてもよい。こうすることで、垂直に立ち上がる場合よりも、樹脂層１２０の側面１２４の部分に、貫通穴１３４を形成しやすくすることができる。樹脂層１２０の平面形状は円形状であってもよい。図示する例では、樹脂層１２０は、円錐台形状をなしている。樹脂層１２０の高さは、例えば約３０μｍであってもよい。
【００７４】
樹脂層１２０は、露光技術によって形成することができる。その場合、樹脂層１２０の材料は、フォトポリマーなどの感光性材料を使用することができる。樹脂層１２０を半導体基板１０の面の全体に設けて、マスクを介して、エネルギー（多くの場合光エネルギー）を照射する。樹脂層１２０の材料がポジ型であれば、エネルギー照射部分の溶解性が増加し、当該部分が現像によって除去される。逆に、樹脂層１２０の材料がネガ型であれば、エネルギー照射部分の溶解性が減少し、当該部分を除く部分が現像によって除去される。露光技術によれば、マスクの厚さ及び開口の大きさや、エネルギーの照射量及び角度などを調整することで、樹脂層１２０の側面１２４にテーパを付すことができる。
【００７５】
次に、図１３に示すように、配線層１３０の材料である第１の層８０を形成する。第１の層８０は、少なくとも、複数の樹脂層１２０を覆うように形成する。その場合、第１の層８０を半導体基板１０の面の全体（上面１２２及び側面１２４を含む）に形成してもよい。第１の層８０は、例えば、スパッタリングで形成してもよい。
【００７６】
図１４に示すように、第１の層８０上に第２の層８２をパターニングする。第２の層８２は、配線層１３０を形成するときのマスクとなる。図１４に示す例では、第２の層８２は、第１の層８０のうち配線層１３０として残す部分に重ねるように形成する。第２の層８２を、開口部を有するように形成してもよい。第２の層８２の開口部は、配線層１３０における貫通穴１３４（図１５（Ｂ）参照）の形成領域に形成する。こうすることで、貫通穴１３４を有する配線層１３０を形成することができる。第２の層８２の開口部は、樹脂層１２０の側面１２４の部分に形成してもよい。なお、第２の層８２は、予めレジスト（図示しない）をパターニングしておき、当該レジストの開口部分に形成すればよい。当該レジストは、第２の層８２を形成した後に剥離する。
【００７７】
第２の層８２は、導電材料であってもよい。その場合、第２の層８２の一部は、配線層１３０の一部を構成してもよい。第２の層８２は、電気メッキ又は無電解メッキによって形成されるメッキ層であってもよい。これによれば、メッキ層である第２の層８２の一部を残すことで、配線層１３０上に改めてメッキ層を形成せずに済む。
【００７８】
図１５（Ａ）に示すように、第１及び第２の層８０，８２をエッチング（例えばウエットエッチング）する。これによって、第１の層８０は、第２の層８２から露出する部分が除去され、第２の層８２で覆われた部分がエッチングされずに残る。また、第２の層８２は、少なくとも一部が除去される。こうして、配線層１３０を形成する。図１５（Ｂ）の斜視図に示すように、配線層１３０は貫通穴１３４を有する。貫通穴１３４は、樹脂層１２０の側面１２４に形成してもよい。貫通穴１３４内には、樹脂層１２０が露出する。本実施の形態では、配線層１３０は、第１の層８０を有する。配線層１３０は、第２の層８２の一部をさらに有してもよい。
【００７９】
図１６は、本実施の形態に係る半導体装置の部分拡大図である。また、図１７は、図１６の平面図であり、半導体装置の一部（配線層、外部端子など）が省略されている。本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板１０と、樹脂層１２０と、配線層１３０と、を含む。図１６に示す例では、半導体装置は、レジスト層４０と、外部端子５０と、第２の樹脂層５２と、をさらに含む。
【００８０】
配線層１３０は、ランド１３２を有する。図１７に示すように、ランド１３２は、樹脂層１２０の上面１２２及び側面１２４に一体的に形成されている。ランド１３２には、貫通穴１３４が形成されている。貫通穴１３４は、ランド１３２における樹脂層１２０の側面１２４の部分に形成されてもよい。樹脂層１２０の側面１２４にテーパが付されていれば、貫通穴１３４が形成しやすい。変形例として、貫通穴１３４は、ランド１３２における樹脂層１２０の上面に形成されてもよいし、ランド１３２における樹脂層１２０の上面及び側面に一体的に形成されてもよい。
【００８１】
レジスト層４０の開口部４８は、ランド１３２を露出する。図１７に示すように、開口部４８は、ランド１３２における樹脂層１２０の上面１２２の部分を露出してもよい。こうすることで、ランド１３２の平らな部分に外部端子５０を形成することができる。
【００８２】
本実施の形態においても第１の実施の形態で説明した効果を達成することができる。また、本実施の形態のその他の内容は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００８３】
本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図１８にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１９には携帯電話２０００が示されている。
【００８４】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】図２は、図１のII−II線断面の部分拡大図である。
【図３】図３は、図１のIII−III線断面の部分拡大図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、図１１のXII−XII線断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１５】図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０  半導体基板、  １２  集積回路、  １４  電極、  ２０  樹脂層
３０  配線層、  ３２  ランド、  ３４  貫通穴、  ３６  貫通穴
３８  貫通穴、  ４０  レジスト層、  ４２  開口部、  ４４  開口部
４６  開口部、  ４８  開口部、  ５０  外部端子、  ５２  第２の樹脂層
７０  回路基板、  ８０  第１の層、  ８２  第２の層
１２０  樹脂層、  １２２  上面、  １２４  側面、  １３０  配線層
１３２  ランド、  １３４  貫通穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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