(57)【要約】【課題】汎用性に優れたレジストパターンを基板上に安定して形成することができるレジストパターン形成装置およびレジストパターンの形成方法を提供する。また、歩留まりよく、安定して製造可能な太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】基板１にレジスト液を塗布することにより、基板１上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成装置であって、基板１にレジスト液を塗布するノズル２と、ノズル２にレジスト液を供給するレジスト液供給手段と、ノズル２の吐出口と基板１との間隔（クリアランス３）を測定するセンサー４と、クリアランス３が変化するようにノズル２を移動させ、固定することができるノズル移動手段と、センサー４により測定したクリアランス３を所定の値に保つために、ノズル移動手段を制御する制御系５とを備えればよい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジスト液を塗布することにより、前記基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成装置であって、
前記基板に前記レジスト液を塗布するノズルと、
前記ノズルに前記レジスト液を供給するレジスト液供給手段と、
前記ノズルの吐出口と前記基板との間隔を測定するセンサーと、
前記間隔が変化するように前記ノズルを移動させ、固定することができるノズル移動手段と、
前記センサーにより測定した前記間隔を所定の値に保つために、前記ノズル移動手段を制御する制御系とを備えるレジストパターン形成装置。
【請求項２】
前記レジスト液供給手段が、前記レジスト液を加圧することによって前記ノズルに前記レジスト液を供給するレジスト液加圧手段を備える請求項１に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項３】
前記レジスト液供給手段が、圧縮ガス源と、前記圧縮ガス源から供給される圧縮ガスの圧力を調整するレギュレータとを備えている請求項２に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項４】
少なくとも１つの前記センサーを、前記ノズルに接して配置している請求項１に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項５】
前記センサーが、光センサーである請求項１に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項６】
前記光センサーが、光源として半導体レーザまたはＨｅ−Ｎｅレーザを備える請求項５に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項７】
前記センサーが、エアセンサーである請求項１に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項８】
前記ノズルの吐出口をレジスト溶解液に接触させる手段をさらに備える請求項１に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項９】
前記ノズルが交換可能である請求項１に記載のレジストパターン形成装置。
【請求項１０】
基板にレジスト液を塗布することにより、前記基板上にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法であって、
（ｉ）前記基板に前記レジスト液を塗布するためのノズルを前記基板に接近させながら、前記ノズルの吐出口と前記基板との間隔をセンサーにより測定し、前記間隔を所定の値に保つために前記基板に対する前記ノズルの位置を調整する工程と、
（ｉｉ）前記間隔を所定の値に保ちながら、前記ノズルの吐出口から前記レジスト液を吐出し、前記基板上に所定のレジストパターンを形成する工程とを含むレジストパターンの形成方法。
【請求項１１】
前記センサーが、光センサーである請求項１０に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１２】
前記センサーが、エアセンサーである請求項１０に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１３】
前記（ｉ）の工程の前に、前記ノズルの吐出口をレジスト溶解液に予め接触させる工程を含む請求項１０に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１４】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、かつ、互いに直列接続された複数のユニットセルとを備えた太陽電池の製造方法であって、
（Ｉ）前記絶縁性基板上に第１の電極膜を形成する工程と、
（ＩＩ）前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を分割する工程と、
（ＩＩＩ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成する工程と、
（ＩＶ）前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を分割する工程と、
（Ｖ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成する工程と、
（ＶＩ）前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を分割する工程とを含み、
前記第１の電極膜および前記第２の電極膜から選ばれる少なくとも１つの電極膜は、
（Ａ）レジスト液を塗布してストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記少なくとも１つの電極膜を形成する工程と、
（Ｃ）前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記少なくとも１つの電極膜を共に除去する工程とを含む工程によって分割され、
前記（Ａ）の工程が、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のレジストパターンの形成方法を含む太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジストパターンの形成方法とそれを用いた太陽電池の製造方法、ならびに、レジストパターン形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、基板などの上にレジストパターンを形成する方法として、フォトリソグラフィ法などが用いられている。
【０００３】
また、太陽電池の製造方法において、電極層をストライプ状に加工し分割することによって、基板上に複数のユニットセルを直列接続した集積型太陽電池を実現する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この場合、上記電極層の加工、分割は、上記フォトリソグラフィ法によってストライプ状のレジストパターンを形成し、エッチング法と組み合わせることにより行うこともできる。
【０００４】
【特許文献１】
特開昭５７−１２５６８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記フォトリソグラフィ法には、（１）多くのプロセスを必要とする、（２）基本的にバッチ処理であるため連続的なレジストパターン形成に適していない、（３）基板の大きさや形状に制約があり、例えば、大面積の基板や帯状の基板に対するレジストパターンの形成が難しい、などの課題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のレジストパターン形成装置は、基板にレジスト液を塗布することにより、前記基板上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成装置であって、
前記基板に前記レジスト液を塗布するノズルと、
前記ノズルに前記レジスト液を供給するレジスト液供給手段と、
前記ノズルの吐出口と前記基板との間隔を測定するセンサーと、
前記間隔が変化するように前記ノズルを移動させ、固定することができるノズル移動手段と、
前記センサーにより測定した前記間隔を所定の値に保つために、前記ノズル移動手段を制御する制御系とを備えている。
【０００７】
上記レジストパターン形成装置において、前記レジスト液供給手段が、前記レジスト液を加圧することによって前記ノズルに前記レジスト液を供給するレジスト液加圧手段を備えていてもよい。また、上記レジストパターン形成装置において、前記レジスト液供給手段が、圧縮ガス源と、前記圧縮ガス源から供給される圧縮ガスの圧力を調整するレギュレータとを備えていてもよい。
【０００８】
上記レジストパターン形成装置において、少なくとも１つの前記センサーを、前記ノズルに接して配置していてもよい。
【０００９】
上記レジストパターン形成装置において、前記センサーが、光センサーであってもよい。また、上記レジストパターン形成装置において、光源として半導体レーザまたはＨｅ−Ｎｅレーザを備えていてもよい。
【００１０】
上記レジストパターン形成装置において、前記センサーが、エアセンサーであってもよい。
【００１１】
上記レジストパターン形成装置において、前記ノズルの吐出口をレジスト溶解液に接触させる手段をさらに備えていてもよい。
【００１２】
上記レジストパターン形成装置において、前記ノズルが交換可能であってもよい。
【００１３】
本発明のレジストパターンの形成方法は、基板にレジスト液を塗布することにより、前記基板上にレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法であって、
（ｉ）前記基板に前記レジスト液を塗布するためのノズルを前記基板に接近させながら、前記ノズルの吐出口と前記基板との間隔（クリアランス）をセンサーにより測定し、前記間隔を所定の値に保つために前記基板に対する前記ノズルの位置を調整する工程と、
（ｉｉ）前記間隔を所定の値に保ちながら、前記ノズルの吐出口から前記レジスト液を吐出し、前記基板上に所定のレジストパターンを形成する工程とを含んでいる。
【００１４】
上記レジストパターンの形成方法において、前記センサーが、光センサーであってもよい。
【００１５】
上記レジストパターンの形成方法において、前記センサーが、エアセンサーであってもよい。
【００１６】
上記レジストパターンの形成方法において、前記（ｉ）の工程の前に、前記ノズルの吐出口をレジスト溶解液に予め接触させる工程を含んでいてもよい。
【００１７】
本発明の太陽電池の製造方法は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成され、かつ、互いに直列接続された複数のユニットセルとを備えた太陽電池の製造方法であって、
（Ｉ）前記絶縁性基板上に第１の電極膜を形成する工程と、
（ＩＩ）前記第１の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第１の電極膜を分割する工程と、
（ＩＩＩ）前記第１の電極膜上にｐｎ接合を含む半導体膜を形成する工程と、
（ＩＶ）前記半導体膜の一部をストライプ状に除去することによって前記半導体膜を分割する工程と、
（Ｖ）前記半導体膜上および前記半導体膜が除去されて露出した前記第１の電極膜上に第２の電極膜を形成する工程と、
（ＶＩ）  前記第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することによって前記第２の電極膜を分割する工程とを含み、
前記第１の電極膜および前記第２の電極膜から選ばれる少なくとも１つの電極膜は、
（Ａ）レジスト液を塗布してストライプ状のレジストパターンを形成する工程と、
（Ｂ）前記レジストパターンを覆うように前記少なくとも１つの電極膜を形成する工程と、
（Ｃ）前記レジストパターンおよび前記レジストパターン上に形成された前記少なくとも１つの電極膜を共に除去する工程とを含む工程によって分割され、
前記（Ａ）の工程が、上記本発明のレジストパターンの形成方法を含んでいる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態において、同一の部分については同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
【００１９】
（実施の形態１）
まず、本発明におけるレジストパターン形成装置の例について説明する。
【００２０】
図１は、本発明におけるレジストパターン形成装置の例を示す模式図である。図１に示す例は、基板１にレジスト液を塗布することにより、基板１上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成装置である。図１に示すレジストパターン形成装置は、基板１にレジスト液を塗布するノズル２と、ノズル２にレジスト液を供給するレジスト液供給手段と、ノズル２の吐出口と基板１とのクリアランス３を測定するセンサー４と、クリアランス３が変化するようにノズル２を移動させ、固定することができるノズル移動手段と、センサー４により測定したクリアランス３を所定の値に保つために、上記ノズル移動手段を制御する制御系５とを備えている。
【００２１】
図１に示す例において、上記ノズル移動手段は、ノズル２を結合した吐出部７と、吐出部７と結合した駆動部６とを備えている。駆動部６によって吐出部７を移動させれば、ノズル２は吐出部７と結合しているため、吐出部７の移動に従ってノズル２を移動させることができる。また、上記レジスト液供給手段は、吐出部７と、レジスト液を吐出部７に送る容器部８とを備えている。なお、吐出部７は、ノズル移動手段の一部であり、レジスト液供給手段の一部である。また、図１中の点線は、各部と制御部５との間で信号の授受が行われることを示している。
【００２２】
図１に示す例では、基板１とノズル２の吐出孔とのクリアランス３を所定の値に保ったまま、基板１にレジスト液を塗布することができる。そのため、レジスト液塗布時に、クリアランス３が変化することによるレジストパターンの乱れ（パターンが断続する、パターン幅が不安定になるなど）の発生が抑制され、均一な、パターン幅の安定したレジストパターンを形成することができる。また、多少の凹凸が存在するなどといった、基板の表面形状や状態に関わらず、より安定してレジストパターンを形成することができる。
【００２３】
クリアランス３の上記所定の値は、形成するレジストパターンのパターン幅などによって決定すればよい。例えば、１μｍ〜５００μｍの範囲である。
【００２４】
駆動部６としては、吐出部７を（即ち、ノズル２を）、クリアランス３が変化するように移動でき、任意の位置で固定できる構造であれば特に限定されない。例えば、モータや、エアシリンダーなどを組み合わせればよい。モータとしてエンコーダ付モータを用いれば、センサー４により測定したクリアランス３の値に応じた制御部５からの信号に、より簡便に追従することができる。なお、クリアランス３が変化するようにノズル２を移動させる方向は特に限定されない。最も簡単な例としては、ノズル２を、基板１に対して垂直な方向に移動させればよい。
【００２５】
ノズル２としては、例えば、ステンレス製などの金属製のノズルを用いればよい。また、形成するレジストパターンのパターン幅に応じて、ノズル２の先端の外径（即ち、ノズル２の吐出口における外径）を変更すればよい。また、ノズル２は、交換可能であってもよい。この場合、ノズル自体を交換することによって、ノズル２の先端の外径を変更することができる。また、例えば、２００μｍ幅のレジストパターンを形成する際には、ノズル２の先端の外径は、２００μｍ以下が好ましい。
【００２６】
吐出部７は、内部にバルブを備えており、このバルブを制御することにより外部から供給されるレジスト液をノズル２から吐出することができる。なお、上記バルブの制御には制御部５を用いてもよい。図１に示す例では、容器部８から吐出部７にレジスト液が送られる。
【００２７】
センサー４としては、クリアランス３を測定できるものであれば、特に限定されない。例えば、光センサーやエアセンサーを用いることができる。光センサーを用いれば、容易かつ正確にクリアランス３を測定することができる。また、メンテナンス性も良好である。光センサーとしては、取り扱いが容易であり、精度がよいことなどから、Ｈｅ−Ｎｅレーザや半導体レーザなどのレーザを用いたセンサーが好ましい。なお、エアセンサーについては、具体的な配置例も含めて後述する。
【００２８】
センサー４を配置する位置は、クリアランス３を測定することができれば、特に限定されない。例えば、図１に示す例のように、吐出部７の側方に、吐出部７と結合してセンサー４を配置してもよい。なかでも、センサー４を、基板１のまさにレジスト液を塗布しようとする領域におけるクリアランス３を測定するように配置すれば（例えば、基板を移動させてレジストパターンを形成する場合などでは、ノズルに対して基板が移動してくる方向にセンサーを配置する。あるいは、ノズルを移動させてレジストパターンを形成する場合には、ノズルの移動する方向にセンサーを配置すれば）、レジスト液を塗布する基板１の状態を（例えば、基板１の表面の凹凸などを）予め測定しておくことができるため、より安定してレジストパターンを形成することができる。
【００２９】
また、必要に応じて上記センサーを複数配置することもできる。また、例えば、少なくとも１つのセンサーを、ノズルに接して配置してもよい。この場合、ノズル吐出口と基板とのクリアランスをより正確に測定することができる。センサーをノズルに接して配置する具体例については後述する。
【００３０】
本発明のレジストパターン形成装置において、レジスト液供給手段の一部として、レジスト液を加圧することによってノズルにレジスト液を供給するレジスト液加圧手段を備えていてもよい。ノズルにレジスト液を安定して供給することができ、より安定してレジストパターンを形成することができる。
【００３１】
例えば、吐出部７にレジスト液を送る容器部８が、レジスト液加圧手段を備えていてもよい。
【００３２】
また、図１に示す例のように、圧縮ガスを吐出部７に送る圧縮ガス源９と、圧縮ガス源９から供給される圧縮ガスの圧力を調整するレギュレータ１０とを、レジスト液加圧手段として備えていてもよい。吐出部７に送られた圧縮ガスによって、吐出部７内のレジスト液を加圧することができる。また、レギュレータ１０を制御部５によって制御すれば、レジスト液にかかる圧力をより容易に調整することができ、より安定してレジストパターンを形成することができる。なお、圧縮ガスとしては、例えば、空気などを用いればよい。
【００３３】
図１に示す例において、レギュレータ１０と吐出部７との間に、さらに圧力センサーを備えてもよい。この圧力センサーにより、吐出部７に送られる圧縮ガスの圧力を（即ち、レジスト液に加わる圧力を）測定し、その測定値に応じてレギュレータ１０を調整すれば、より安定してレジストパターンを形成することができる。
【００３４】
レジスト液供給手段が、吐出したレジスト液の量を測定できる手段をさらに備えていてもよい。
【００３５】
また、本発明のレジストパターン形成装置において、図１に示す基板１を、基板１の面内方向に自由に移動させ、固定することができる基板移動手段を備えていてもよい。基板１にレジストパターンを形成する際には、ノズル２からレジスト液を吐出させながら、基板１を上記基板移動手段によって所定の方向に移動させればよい。上記基板移動手段の制御には、制御部５を用いてもよい。
【００３６】
もしくは、上記基板移動手段の代わりに、または上記基板移動手段に併せて、ノズル２を基板１の面内方向に沿って移動させ、固定することができる手段を備えていてもよい。ノズル２を上記のように移動させる手段は、駆動部６が備えていてもよい。この場合、駆動部６は、ノズル２の吐出口を３次元方向に自由に移動させることができることになる。
【００３７】
図２は、本発明におけるレジストパターン形成装置の別の例を示す模式図である。図２に示す例では、クリアランス３を測定する手段として、エアセンサー４１を備えている。また、図２に示す例では、エアセンサーの一部として圧力センサー１２を備えており、圧力センサー１２によってエアセンサー４１に加わっているガス圧が測定されている。基板１とノズル２の吐出口とのクリアランス３が小さくなるに従い、エアセンサー４１に加わるガス圧は上昇する。このように測定されたガス圧に応じて駆動部６を制御すれば、基板１とノズル２の吐出口とのクリアランス３を所定の値に保つことができる。駆動部６の制御には、制御部５を用いればよい。エアセンサーに供給するガスとしては、例えば、空気などを用いればよい。
【００３８】
また、図２に示す例のように、クリアランス３を測定するセンサーとしてエアセンサー４１を用いる場合、そのガス供給源を、上述したレジスト液加圧手段における圧縮ガス源と共通させてもよい。図２に示す例では、吐出部７に圧縮ガスを送る圧縮ガス源９から、エアセンサー４１にもガスが供給される。エアセンサー４１に供給するガスのガス圧は、圧縮ガス源９とエアセンサー４１との間にレギュレータ１１を備えることによって調整することができる。
【００３９】
図３は、本発明のレジストパターン形成装置におけるエアセンサー４１の配置例を示す模式図である。図３（ａ）に示す例では、吐出部７の側方に、吐出部７と結合してエアセンサー４１を配置している。この場合、ノズル２の吐出口とエアセンサー４１のガス放出口との距離を調整することができるため、ノズル２の吐出口にエアセンサー４１からのガスが直接吹き付けることを防ぐことができる。そのため、硬化しやすいレジスト液の場合に、ノズル２の吐出口付近でレジスト液が硬化するのを抑制することができる。
【００４０】
図３（ｂ）に示す例では、ノズル２に接してエアセンサー４１が配置されている。この場合、ノズル２の吐出口とほぼ同位置で、クリアランス３を測定することができる。なお、ノズル２を囲むようにエアセンサー４１を配置してもよい。また、ノズル２とエアセンサー４１とを一体化させてもよい。その他、エアセンサーの配置位置は、基板とノズルの吐出口とのクリアランスを測定できる限り、レジスト液の材料やレジストパターン形成の方法によって、自由に選ぶことができる。
【００４１】
また、本発明のレジストパターン形成装置において、ノズルの吐出口をレジスト溶解液に接触させる手段を備えていてもよい。例えば、エアセンサーから放出されるガスや、ノズルが長時間空気に曝されることで、ノズルの吐出口付近でレジスト液が硬化する場合がある。そのような場合でも、基板にレジスト液を塗布する前に、予めノズルの吐出口をレジスト溶解液に接触させることで、ノズルの吐出口をレジスト液の吐出に適した状態にすることができる。レジスト溶解液としては、例えば、レジスト液に含まれる溶媒を用いればよい。レジスト液自体を用いることもできる。
【００４２】
なお、本発明における基板としては、特に限定されない。例えば、各種ガラス、ステンレス薄板、ポリイミドなどの樹脂基板、などを用いればよい。また、レジスト液としては、特に限定されない。例えば、熱硬化型エッチングレジストや紫外線（ＵＶ）硬化型エッチングレジスト、印刷インクなどを用いればよい。
【００４３】
（実施の形態２）
次に、本発明におけるレジストパターンの形成方法の例について図２に示すレジストパターン形成装置の例を用いて説明する。
【００４４】
まず、基板１を基板移動手段（図示せず）にセットする。この基板移動手段によって、基板１は、その面内方向に自由に移動することができる。
【００４５】
次に、基板１にレジスト液を塗布するためのノズル２を、駆動部６により基板１に接近させながら、エアセンサー４１を作動し、基板１とノズル２の吐出口とのクリアランス３の測定を開始する。クリアランス３の測定を続けて行い、クリアランス３が所定の値になるまで、ノズル２を基板１に接近させる。なお、エアセンサー４１作動時には、レギュレータ１１により所定の圧力に調整されたガスが圧縮ガス源９からエアセンサー４１に供給されている。また、クリアランス３は、クリアランス３の値に応じたエアセンサー４１に加わるガス圧の変化を、圧力センサー１２で測定することにより求められる。
【００４６】
クリアランス３の上記所定の値としては、形成するレジストパターンのパターン幅によって決定すればよい。例えば、１μｍ〜５００μｍの範囲である。
【００４７】
次に、エアセンサー４１により測定したクリアランス３に応じて、駆動部６を制御してノズル２の位置を調整し、クリアランス３の値を一定に保持する。
【００４８】
続けて、クリアランス３の値を一定に保持しながら、ノズル２の吐出口からレジスト液を吐出する。さらに、レジスト液を吐出しながら、基板１を上記基板移動手段によって所定の方向および所定の量移動させることで、基板１上に所定のレジストパターンを形成することができる。なお、エアセンサー４１によるクリアランス３の測定は、所定のレジストパターンを形成し終わるまで続ければよい。レジストパターン形成後は、上記測定を終了し、あらかじめ定めておいた位置にノズル２を移動させればよい。
【００４９】
基板１の移動方向は、必要なレジストパターンの形状に応じて自由に設定すればよい。例えば、基板１を一方向に移動させて直線状のレジストパターンを形成し、一度レジスト液の吐出を停止した後に基板１を上記移動方向と垂直な方向に移動させ、再び上記のように基板１を一方向に移動させて直線状のレジストパターンを形成すれば、ストライプ状のレジストパターンを形成することができる。
【００５０】
ノズル２の吐出口からのレジスト液の吐出は、レジスト液に圧力を加えることによって行ってもよい。例えば、図２に示す容器部８内部に圧力を加えればよい。上記圧力を加える手段としては、例えば、容器部８に圧縮ガスを導入すればよい。
【００５１】
また、図２に示すように、レジスト液の加圧を、レギュレータ１０によって所定の圧力に調整された圧縮ガスを吐出部７に送ることで行ってもよい。
【００５２】
上記のようにして加圧されたレジスト液の圧力は、例えば、基板としてステンレス薄板を、レジスト液としてグラビア用印刷インクを、ノズルとして孔径が１００μｍのノズルを用いた場合、１０ｋＰａ〜５００ｋＰａの範囲であり、５０ｋＰａ〜４００ｋＰａの範囲が好ましい。
【００５３】
また、ノズル２を基板１に接近させる前に、ノズル２の吐出口をあらかじめレジスト溶解液に接触させてもよい。例えば、エアセンサー４１から放出されるガスや、ノズル２が長時間空気に曝されることにより、ノズル２の吐出口付近でレジスト液が硬化する場合がある。このような場合においても、基板１にレジスト液を塗布する前に、予めノズル２の吐出口をレジスト溶解液に接触させることで、ノズル２の吐出口をレジスト液の吐出に適した状態にすることができる。レジスト溶解液としては、例えば、レジスト液に含まれる溶媒を用いればよい。レジスト液自体を用いることもできる。
【００５４】
なお、クリアランス３が測定可能であれば、エアセンサー４１の代わりに他のセンサーを用いてもよい。例えば、光センサーを用いることができる。用いるセンサーは必要に応じて自由に設定すればよい。
【００５５】
また、基板移動手段、駆動部６、レギュレータ１０および１１、吐出部７の制御や、圧力センサー１２によるクリアランス３の測定には、制御部５を用いることができる。
【００５６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明におけるレジストパターンの形成方法およびレジストパターン形成装置のまた別の例について説明する。
【００５７】
図４に示すレジストパターン形成装置の例では、吐出部７および吐出部７に結合したノズル２が複数個配置されている。図４に示すように、複数のノズル２から基板１上にレジスト液を吐出すれば、基板１上にストライプ状のレジストパターン５１を形成することができる。
【００５８】
また、図４に示す例では、ノズル２の吐出口と基板１とのクリアランスを測定するセンサー４を備えている。レジストパターン５１形成の際には、センサー４により上記クリアランスを測定し、上記クリアランスを所定の値に保ちながら、ノズル２の吐出口からレジスト液を吐出すればよい。レジスト液塗布時に、上記クリアランスが変化することによるレジストパターンの乱れ（パターンが断続する、パターン幅が不安定になるなど）の発生が抑制され、均一な、パターン幅の安定したレジストパターン５１を形成することができる。また、多少の凹凸が存在するなどといった、基板１の表面形状や状態に関わらず、より安定してレジストパターン５１を形成することができる。
【００５９】
また、図４に示す例では、吐出部７およびノズル２が複数並んでいるさらに外側に、センサー４がそれぞれ配置されている。この場合、２本あるセンサー４によって、４本あるノズル２の位置を調節し、基板１とノズル２の吐出口とのクリアランスを一定の値に保てばよい。
【００６０】
なお、ノズル２が複数ある場合のセンサー４の配置は、図４に示す例に限定されない。必要に応じて、任意の位置に、任意の数のセンサーを配置することができる。また、センサーとノズルとの対応は自由に設定することができる。例えば、複数のセンサーを配置した場合、センサーの測定値の平均値によりノズル全体の位置を調節してもよいし、各センサーの測定値に応じて、各ノズルそれぞれの位置を調節してもよい。それぞれをグループ化して、グループごとに独立して制御することも可能である。また、ノズル２が複数配置されている場合のセンサー４の数は、１以上の数で自由に設定することができる。
【００６１】
図５に示すレジストパターン形成装置の例では、連続して供給される基板５２上にレジストパターン５３が形成される。また、図５に示す例では、図４に示す例と同様に、吐出部７および吐出部７に結合したノズル２が複数個配置されている。図５に示すように、基板５２を移送しながら複数のノズル２から基板５２上にレジスト液を吐出すれば、基板５２の進行方向に対して平行に、ストライプ状のレジストパターン５３を連続して形成することができる（ロール・トゥ・ロール方式）。
【００６２】
また、図５に示す例においても、ノズル２の吐出口と基板５２とのクリアランスを測定するセンサー４を備えている。レジストパターン５３形成の際には、センサー４により上記クリアランスを測定し、上記クリアランスを所定の値に保ちながら、ノズル２の吐出口からレジスト液を吐出すればよい。レジスト液塗布時に、上記クリアランスが変化することによるレジストパターンの乱れ（パターンが断続する、パターン幅が不安定になるなど）の発生が抑制され、均一な、パターン幅の安定したレジストパターン５３を形成することができる。また、多少の凹凸が存在するなどといった、基板５２の表面形状や状態に関わらず、より安定してレジストパターン５３を形成することができる。
【００６３】
また、図５に示す例では、センサー４は、ノズル２に対して基板５３が移動してくる方向に配置されている。基板５３の状態を（例えば、基板５３の表面の凹凸などを）予め測定しておくことができるため、より安定してレジストパターン５３を形成することができる。
【００６４】
センサー４の数および配置は図４に示す例と同様に、特に限定されない。ロール・トゥ・ロール方式の場合、基板に張力を与えている場合が多く、基板の高さがロール軸に対する基板中心と端部で変化することが少ないため、複数のノズル群の両端にセンサーを配置してもよい。
【００６５】
なお、基板５２としては、例えば、ステンレス薄板やポリイミドなどの樹脂基板、などの可撓性を有する基板を用いればよい。
【００６６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明における太陽電池の製造方法の例について説明する。
【００６７】
図６は、集積型太陽電池の一例を示す断面図である。図６に示す太陽電池は、絶縁性基板６１上に、第１の電極膜６２、半導体膜６３および第２の電極膜６４が積層されている。第１の電極膜６２、半導体膜６３および第２の電極膜６４は、それぞれ領域Ａ６５、領域Ｂ６６および領域Ｃ６７において分割されている。図６に示す太陽電池は、複数のユニットセルが直列接続されている。このような太陽電池は、例えば、以下のようにして製造することができる。なお、絶縁性基板６１としては、表面が絶縁処理された基板を用いてもよい。
【００６８】
まず、絶縁性基板６１上に第１の電極膜６２を形成し、第１の電極膜６２の一部をストライプ状に除去することにより（上記除去された部分は、領域Ａ６５に相当する）、第１の電極膜６２を分割する。次に、第１の電極膜６２上にｐｎ接合を含む半導体膜６３を形成し（このとき領域Ａ６５にも半導体膜６３が形成される）、半導体膜６３の一部をストライプ状に除去することにより（上記除去された部分は、領域Ｂ６６に相当する）、半導体膜６３は分割される。続けて、半導体膜６３上および半導体膜６３の一部がストライプ状に除去されることによる露出した第１の電極膜６２上（領域Ｂ６６に相当する）に第２の電極膜を形成する。次に、上記形成した第２の電極膜の一部をストライプ状に除去することにより（上記除去された部分は、領域Ｃ６７に相当する）、図６に示す太陽電池を製造することができる。
【００６９】
本発明における太陽電池の製造方法では、上述した、第１の電極膜６２、半導体膜６３および第２の電極膜６４から選ばれる少なくとも１つの電極膜の一部をストライプ状に除去し、分割する工程を、例えば、実施の形態２および３に記載したレジストパターンの形成方法を含む工程を用いて行えばよい。上記工程の一例を、図７を用いて説明する。
【００７０】
まず、図７（ａ）に示すように、絶縁性基板６１上に、ノズル７２からレジスト液を塗布し、ストライプ状のレジストパターン７１を形成する。上記塗布されたレジストパターン７１の幅は、例えば、５０μｍ〜２００μｍの範囲であり、レジストパターン７１同士の間隔（ピッチ）は、例えば、３ｍｍ〜８ｍｍの範囲である。レジストパターン同士は、例えば、等間隔で配置すればよい。
【００７１】
このとき、絶縁性基板６１とノズル７２の吐出口とのクリアランスを所定の値に保ちながら、絶縁性基板６１上へレジストパターン７１を形成すればよい。例えば、実施の形態２または実施の形態３で説明したような方法を用いればよい。また、上記レジストパターンの形成は、例えば、実施形態１または実施の形態３で説明したレジストパターン形成装置を用いればよい。
【００７２】
また、レジストパターン７１の形成は、レジスト液に圧力を加えることによりレジスト液を吐出させて行ってもよい。上記圧力は、吐出するレジスト液の粘度によっても異なるが、例えば、レジスト液として熱硬化型エッチングレジストやＵＶ硬化型エッチングレジスト、印刷インクを用いた場合は、１０ｋＰａ〜５００ｋＰａの範囲である。また、この場合、幅が２００μｍのレジストパターンを形成するには、先端の外径が２００μｍ以下のノズルを用いればよい。なお、絶縁性基板としては、例えば、表面を絶縁処理したステンレス薄板やポリイミドなどの樹脂基板を用いればよい。
【００７３】
次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁性基板６１およびレジストパターン７１を覆うように、第１の電極膜６２を形成する。このとき、レジストパターン７１上に形成された第１の電極膜６２は、レジストパターン７１の厚さ分だけ浮いた形で形成される。
【００７４】
次に、図７（ｃ）に示すように、レジストパターン７１およびレジストパターン７１上に形成された第１の電極膜６２を除去する。レジストパターン７１上に形成された第１の電極膜６２は、レジストパターン７１を除去することによって同時に除去することができる。上記のようにして、第１の電極膜６２の一部をストライプ状に除去し、第１の電極膜６２を分割することができる。
【００７５】
レジスト液が水溶性の化合物（水溶性の樹脂など）を含む場合や、レジスト液が水溶性インクである場合には、水を含む液体（例えば、水）を用いることによってレジストパターン７１を除去してもよい。また、レジスト液７１が有機溶媒に可溶な高分子化合物を含む場合には、有機溶媒を用いることによってレジストパターン７１を除去してもよい。
【００７６】
また、レジストパターン７１を除去する方法の１つとして、液体中で超音波洗浄を行う方法などが挙げられる。レジスト液の粘性が高い場合は、ブラシを用いて洗浄を行うなどの機械的な手段を用いた洗浄方法であってもよい。また、洗浄の前に、レジストパターン７１の大部分を予め研削などではく離させ、その後、液体を用いた洗浄でレジストパターン７１の残留部を除去してもよい。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法によれば、汎用性に優れたレジストパターンを基板上に安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるレジスタパターン形成装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明におけるレジスタパターン形成装置の一例を示す模式図である。
【図３】本発明のレジスタパターン形成装置における、センサーの配置例を示す模式図である。
【図４】本発明におけるレジストパターン形成装置の別の例を示す模式図である。
【図５】本発明におけるレジストパターン形成装置の別の例を示す模式図である。
【図６】本発明の太陽電池の製造方法によって製造される太陽電池の一例を示す断面図である。
【図７】本発明における太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１、５２  基板
２、７２  ノズル
３  クリアランス
４  センサー
５  制御部
６  駆動部
７  吐出部
８  容器部
９  圧縮ガス源
１０、１１  レギュレータ
１２  圧力センサー
４１  エアセンサー
５１、５３、７１  レジストパターン
６１  絶縁性基板
６２  第１の電極膜
６３  半導体膜
６４  第２の電極膜
６５  領域Ａ
６６  領域Ｂ
６７  領域Ｃ
【図１】
2004153005.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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