(57)【要約】【課題】高ＳＮ比で、かつ熱ゆらぎ安定性に優れた磁気記録媒体を提供する。【解決手段】本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基板１と、非磁性基板１上に形成された（１００）配向したｆｃｔ構造を有する非磁性下地材料からなる非磁性層３と、非磁性層３上に形成された（１００）配向したＬ１０規則合金であるＦｅＰｄ合金を磁性材料として用いた磁性層５とを備える。非磁性層５の膜厚は１〜５０ｎｍが好ましい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板と、該非磁性基板上に形成された（１００）配向したｆｃｔ構造を有する非磁性下地材料からなる非磁性層と、該非磁性層上に形成された（１００）配向したＬ１０規則合金であるＦｅＰｄ合金を磁性材料として用いた磁性層とを備え、非磁性層の膜厚が１〜５０ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体において、
前記磁性材料のＰｄ組成は原子比で５０〜６５％の範囲とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気記録媒体において、
前記磁性層は、ＦｅＰｄを酸化物によりグラニュラー化されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性下地材料のｃ軸とａ軸の格子定数の比であるｃ／ａの値は０．９４〜１．０６の範囲とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性基板上にさらに、金属もしくは非金属のアモルファスシード層を備えることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性下地材料は、Ｉｎ０．０２ＷＯ３，Ｎｉ０．８Ｃｕ０．２Ｃｒ２Ｏ４，Ｙｂ８Ｓ０１３．６，ＲｂＨ２ＡｓＯ４のいずれかよりなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性層は、２種類以上の非磁性下地材料が積層されてなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の磁気記録媒体において、磁性材料は前記ＦｅＰｄ合金を主成分とし、ＦｅＰｄに対し、非金属元素または非金属化合物をモル比で５〜２５％含有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性層と前記磁性層の結晶面間隔ミスフィットが６％以内とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記非磁性基板は、ガラス基板またはシリコン基板であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の磁気記録媒体を製造するための工程からなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＰＣ（パソコン）やネットワーク端末機器、ＡＶ機器などで使用するＨＤＤ（ハードディスクドライブ）装置で使用される磁気記録媒体に関し、特に高熱安定性を有した磁気記録媒体の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の磁気記録媒体は、非常な勢いで高記録密度化が進んでいる。現在、この磁気記録媒体においては、基板として通常アルミもしくはガラスを用い、ＣｒおよびＣｒ合金上にＣｏＣｒ合金記録層を設け、記録磁化の方向を面内に向け記録する長手記録方式が用いられている。長手記録方式において線記録密度を向上するには、記録時の反磁界の影響を減少するために、記録媒体である磁性層の残留磁化（Ｍｒ）と磁性層厚（ｔ）の積（Ｍｒ・ｔ）を小さくし、保磁力を増大する必要がある（例えば、特許文献１参照）。また、磁化遷移領域から発生する媒体雑音を低減するために磁性層結晶粒の微細化と結晶粒間の交換相互作用の低減による活性化粒径の低減が必要である。
【０００３】
しかし、このような磁性層結晶粒の微細化や粒間相互作用の低減により活性化粒径が低減した媒体では、熱的には不安定となり残留磁化の減少とそれに伴う記録遷移幅の増大がおき、結果としてヘッド出力の時間減少を加速させてしまう。
この熱揺らぎを改善するためには、磁性層の磁気異方性エネルギー（Ｋｕ）を大きくすることが有効であり、現状ではＣｏＣｒ合金にＰｔを多く添加することで磁気異方性エネルギーを高めている。
【０００４】
また、最近においては、磁気異方性エネルギーを大きくすることなく熱安定性を確保する反強磁性結合（ＡＦＣ：Ａｎｔｉ−Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を用いたＡＦＣ媒体が実用化されつつある（例えば、特許文献２参照）。ＡＦＣ媒体は、記録層の下に１ｎｍ以下のスペーシング層と安定化層と呼ばれる磁性層を設けた媒体である。このＡＦＣ媒体は、記録層と安定化層間で反強磁性的な交換作用が働くため、安定化層分の磁性体積が増え熱安定性が高まる。
【０００５】
ＦｅＰｔ，ＣｏＰｔ，ＦｅＰｄなどの材料は、規則合金化することで高い異方性エネルギーを持つことが知られている（例えば、非特許文献１参照）。通常のＣｏＣｒ合金では、異方性エネルギーが２×１０６ｅｒｇ／ｃｃという値であるが、ＦｅＰｄの規則合金では、１．８×１０７ｅｒｇ／ｃｃという値であり、一桁大きな値を示す。この規則合金はＬ１０形の合金であり、ｃ軸＜００１＞方向が磁化容易軸となる。
【０００６】
ここで磁化容易軸であるｃ軸を面内に配向させるには、ＦｅＰｄ膜を（１００）もしくは（０１０）配向させなければならない。通常ＰｔやＣｒなどの立方晶下地層を用いて１５０℃以上の基板加熱で成膜した場合、下地のＰｔやＣｒは（１００）配向となり、その上層の規則合金は（００１）配向してしまい、磁化容易軸が垂直に配向してしまう。これは（００１）面の軸長が等価であるためと考えられる。
【０００７】
なお、特許文献３において、立方晶下地（ｂｃｃ，ｆｃｃ）の他にｆｃｔ（ｆａｃｅ  ｃｅｎｔｅｒｅｄ  ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）およびｂｃｔ下地材料も用いることができるとの記載があるが、ｆｃｔ構造を有する具体的な材料についての記載はなく、ｆｃｔおよびｂｃｔ下地材料による具体的な効果も記載されていない。
【０００８】
また一般的に、ＦｅＰｔ，ＣｏＰｔ，ＦｅＰｄなどの材料を規則化させ、大きな異方性エネルギーを発現させるには、５００℃〜６００℃の加熱処理が必要であることが知られている。
【０００９】
一方、ＦｅＰｄ磁性層の場合には４００℃以上でスパッタすると強磁性（規則化）することが解っている（非特許文献２参照）。
【００１０】
【特許文献１】
特開平８−３２９４４４号公報
【００１１】
【特許文献２】
特開平１３−５６９２４号公報
【００１２】
【特許文献３】
特開２００２−２０８１２９号公報
【００１３】
【非特許文献１】
Ｃ．  Ｐｌｕｏ  ａｎｄ  Ｄ．  Ｊ．  Ｓｅｌｌｍｙｅｒ．  ”Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ  ａｎｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｆｅｐｔ：  ＳｉＯ２  Ｇｒａｎｕｌａｒ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ”，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  Ｖｏｌ７５，  Ｎｏ．  ２０，１５．  ｐｐ．  ３１６２，  １９９９
【００１４】
【非特許文献２】
Ｐ  Ｃａｒｏ  ｅｔ  ａｌ．，  ”  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ａｎｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｏｒｄｅｒ  ｉｎ  ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ  ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ＦｅＰｄ（００１）  ａｌｌｏｙｓ  ”，  Ｊ．  Ｃｒｙｓｔ．  Ｇｒｏｗｔｈ  １８７（１９９８），  ｐｐ．  ４２６−４３４
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
通常のアルミ，ガラス基板を用いたＣｏＣｒ合金磁性層の長手記録媒体において、粒径の微細化と粒間相互作用を低減して活性化粒径を低減しつつ熱揺らぎを特性を向上するためには、磁性層組成や下地層材料などの最適化が必要である。
粒径の微細化には下地層の薄膜化および多層化が有効であり、粒間相互作用の低減に関しては、基板加熱を行うことでＣｏＣｒ合金中のＣｒを結晶粒界に偏析させ、非磁性領域を形成することが有効である。このような活性化粒径が低減した媒体において熱揺らぎを抑制するためには、磁気異方性エネルギーを高くする必要であり、ＣｏＣｒ合金に対しＰｔを多く添加することが行なわれている。
【００１６】
しかし、多量のＰｔ添加は同時に粒間交換相互作用低減を促進する磁性層結晶粒界へのＣｒ偏析を阻害してしまい、ノイズの増大を招いてしまう。このため低ノイズ化と熱揺らぎを両立する組成を選択することが困難であった。また、Ｐｔ量を変化したことにより、ＣｏＣｒ合金磁性層の格子定数が変化し、ＣｏＣｒ合金磁性層ｃ軸の面内配向性が劣化してしまい、そのため保磁力や角型比も劣化してしまうため、下地層組成や成膜プロセスも調整しなければならず、保磁力および角型比を向上する点においても課題があった。
【００１７】
そこで本発明では、異方性エネルギーの大きいＦｅＰｄ合金磁性層を用いて、高ＳＮ比で、かつ熱ゆらぎ安定性に優れた長手磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基板と、該非磁性基板上に形成された（１００）配向したｆｃｔ構造を有する非磁性下地材料からなる非磁性層と、該非磁性層上に形成された（１００）配向したＬ１０規則合金であるＦｅＰｄ合金を磁性材料として用いた磁性層とを備え、非磁性層の膜厚が１〜５０ｎｍである形態としたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して本発明に係る磁気記録媒体の一実施の形態について説明する。図１は本実施形態の磁気記録媒体を示す断面図である。本実施形態の磁気記録媒体の各層の材料および製造方法についてのより具体的な説明は、以下の実施例の記載をもってその説明に代える。
【００２０】
図１において、１は非磁性基板であり、非磁性基板１上に順次、シード層２、下地層３、磁性層５、保護層６、および潤滑層７が積層されて本実施形態の磁気記録媒体が形成される。ここで、下地層３は１００）配向したｆｃｔ（ｆａｃｅ  ｃｅｎｔｅｒｅｄ  ｔｅｔｒａｇｏｎａｌ）構造を有する非磁性下地材料からなり、磁性層５は（１００）配向したＬ１０規則合金であるＦｅＰｄ合金からなる。
【００２１】
別の形態として、下地層３と磁性層５の間に中間層（図示せず）が形成される形態、および、磁性層５が２層積層構造（図示せず）とされる形態を実施することもできる。
【００２２】
本出願人は、このような構成を用いた磁気記録媒体は低ノイズで、かつ熱ゆらぎ安定性に優れていることを見出して本発明に想到し、本実施形態の磁気記録媒体を実施したものである。
【００２３】
以下に、本実施形態におけるｆｃｔ構造の下地層３による効果を述べる。
【００２４】
本実施形態においては、磁性層５としてのＦｅＰｄ膜の磁化容易軸を面内に配向させるため、ｆｃｔ構造を有する下地材料を下地層３に用いた。ｆｃｔ構造は、ａ軸とｃ軸の長さが異なるためＦｅＰｄ膜の（１００）および（０１０）配向の促進が期待できる。これにより、ｃ軸の面内配向分散が低下するため、磁気異方性分散の低下にもつながり保磁力の向上と熱揺らぎの向上が期待できる。
【００２５】
ここで、ｆｃｔ（１００）配向の効果について補足説明する。
磁性層５は（１００）配向したＬ１０規則合金（「Ｌ１０」は規則合金の種類を表わす）であるＦｅＰｄ膜からなり、結晶構造を考えるとｆｃｔ構造である。
ｆｃｔ構造（正方晶）は、ｂｃｃ，ｆｃｃなどの立方晶とは軸長の定義が異なっており、立方晶ではａ＝ｂ＝ｃであるが、ｆｃｔではａ＝ｂ≠ｃである。このため、立方晶では各面が正方形であるとして考えることができるが、ｃ軸を面内に配向（ｃが基板に平行）させた長手記録媒体とした場合、基板に平行な磁性層結晶面は長方形となる。したがって、規則合金からなる磁性層５のｃ軸を面内に優先配向させるには、各面が正方形の立方晶下地を用いるよりは、長方形の面を有するｆｃｔ構造を用いて、長方形の結晶面が基板に対して平行になる（１００）もしくは（０１０）配向にすることが好ましい。
なお、下地層３の膜厚は１〜５０ｎｍとすることが好ましい。
【００２６】
ＦｅＰｄ面間隔は、ａ軸方向で３．８５２Å、ｃ軸方向で３．７２３Åであるため、ｆｃｔ構造を有する下地層の面間隔としては、ｃ軸とａ軸の格子定数の比であるｃ／ａの値が０．９４〜１．０６の範囲で、かつＦｅＰｄ（１００）面間隔の整数倍の格子定数を有している材料が望ましい。また、さらに良好なエピタキシャル配向を実現し、ｃ軸の面内配向分散を低下させるためには、ｆｃｔ構造を有する非被磁性材料である下地層３と合金磁性材料であるＦｅＰｄ膜（磁性層５）の結晶間ミスフィットをａ軸ｃ軸方向共に±６％以内となる材料を選択するとより好ましい。
【００２７】
非磁性基板１の予備加熱温度は、４００℃以上であることが望ましい。この時、非磁性基板１としてガラス基板を選択した場合には、非磁性基板１上にアルカリ元素拡散防止層として金属もしくは非金属のアモルファスシード層２を１〜１０ｎｍの膜厚で設け、さらに下地層３を形成することが望ましい。
【００２８】
これにより、下地層３の配向劣化による磁気特性劣化および磁性層５の腐食を抑えることができる。また、媒体ノイズを低減するためには、結晶粒径を小さくし結晶粒間の相互作用を小さくしなければならない。このためＦｅＰｄ磁性層単体ではなく、磁性層５の主成分をＦｅＰｄとし、これに対し、非金属元素または非金属化合物をモル比で５〜２５％含有した状態で成膜し、グラニュラー構造とするとより好ましい。
【００２９】
さらに、ＦｅＰｄ合金磁性材料からなる磁性層５のＰｄ組成を原子比で５０〜６５％の範囲とするとより好ましい。
【００３０】
【実施例】
（実施例１）
ガラス製非磁性基板１を４００℃で予備加熱し、非磁性基板１上にＴａ製シード層２を  ＤＣマグネトロンスパッタ法で形成して膜厚５ｎｍとした。次に、ＲＦマグネトロンスパッタ法により順次、Ｎｉ０．８Ｃｕ０．２Ｃｒ２Ｏ４で下地層３を形成して膜厚３０ｎｍとし、（Ｆｅ５５Ｐｄ）−１０ＳｉＯ２で磁性層５を形成して膜厚１０ｎｍとした。その後、ＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン保護層６を形成して膜厚３ｎｍとし、保護層６上にフロロカーボン系の液体潤滑剤を１．４ｎｍ塗布することで潤滑層７を形成した。
【００３１】
こうして得られた磁気記録媒体の磁気特性について、ＶＳＭを用い、最大印加磁場１５ｋＯｅにて磁気ヒステリスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比（ＳＮＲ）と出力減衰率の測定を行った。図２に示す図表に、これらの評価結果を示す。
【００３２】
なお、Ｘ線回折装置を用い、３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３および磁性層５は（１００）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００３３】
比較例（１）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、非磁性基板１をアルミ（Ａｌ）基板とし、ＮｉＰ無電界メッキ膜を膜厚１０μｍに形成し、２００℃で予備加熱を行い、ＤＣマグネトロンスパッタ法により順次、シード層２をＣｒで形成して膜厚４ｎｍとし、立方結晶構造を有するＣｒＭｏ２０で下地層３を形成して膜厚５ｎｍとし、中間層（図示せず）をＣｏＣｒ１３Ｔａ４で形成して膜厚１．５ｎｍとし、磁性層５を２層積層構造として下側磁性層をＣｏＣｒ２３Ｐｔ１２Ｂ５で形成して膜厚４ｎｍとし、上側磁性層をＣｏＣｒ１５Ｐｔ１２Ｂ８で形成して膜厚８ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００３４】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用い磁気ヒステリスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００３５】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、シード層２、下地層３は（２００）が中間層、磁性層５は（１１０）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００３６】
比較例（２）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、下地層３をＣｒ３０Ｍｏで形成して膜厚３０ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００３７】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用い磁気ヒステリスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００３８】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３は（１００）、磁性層５は（００１）および（１００）が非磁性基板１に対して平行に配向していた。
【００３９】
（実施例２）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、磁性層５をＦｅ５５Ｐｄで形成して膜厚１０ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００４０】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用い磁気ヒステリスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００４１】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３および磁性層５は（１００）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００４２】
（実施例３）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、下地層３をＩｎ０．０２ＷＯ３で形成して膜厚３０ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００４３】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用い磁気ヒステリスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００４４】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３および磁性層５は（１００）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００４５】
（実施例４）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、非磁性基板１をシリコン（Ｓｉ）基板として予備加熱を５５０℃で行い、シード層２をＴａＣｒで形成して膜厚５ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００４６】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用い磁気ヒステリシスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００４７】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３および磁性層５は（１００）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００４８】
（実施例５）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、下地層３をＲｂＨ２Ａｓ４で形成して膜厚３０ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００４９】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用い磁気ヒステリスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００５０】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３および磁性層５は（１００）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００５１】
（実施例６）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、シード層２をＴｉ５０Ｃｒで形成して膜厚５ｎｍとし、下地層３をＹｂ８Ｓ１３．６で形成して膜厚２５ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００５２】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用いた磁気ヒステリシスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００５３】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３および磁性層５は（１００）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００５４】
（実施例７）
上記実施例１に示した磁気記録媒体について、下地層３を２層積層構造とし、下側下地層をＩｎ０．０２ＷＯで形成して膜厚３５ｎｍとし、上側下地層をＮｉ０．８Ｃｕ０．２Ｃｒ２Ｏ４で形成して膜厚１０ｎｍとした。上記の点以外は、実施例１のものと同様に作製して磁気記録媒体を得た。
【００５５】
こうして得られた磁気記録媒体について、実施例１と同様にＶＳＭを用いた磁気ヒステリスループを測定し、これより保磁力Ｈｃを求めた。同時にＳ／Ｎ比と出力減衰率の測定を行った。図２に示した図表に、これらの評価結果を示す。
【００５６】
なお、Ｘ線回折装置を用いて３０ｋＶ−２００ｍＡの条件下で構造解析を行った結果、下地層３および磁性層５は（１００）が非磁性基板１に対して平行に優先配向していた。
【００５７】
図２の通り、非磁性基板１上に（１００）配向したｆｃｔ構造を有する非磁性下地材料を形成し、その上層に（１００）配向したＬ１０規則合金であるＦｅＰｄ合金を酸化物によりグラニュラー構造とした各実施例の磁気記録媒体は、高Ｓ／Ｎで、かつ熱ゆらぎ安定性に優れた長手磁気記録媒体であることを見出した。
各実施例の磁気記録媒体は従来のＣｏＣｒ合金を用いた磁気記録媒体よりも高保磁力を有し、Ｓ／Ｎおよび熱的安定性を向上することができた。
【００５８】
【発明の効果】
以上のように本発明においては、ｆｃｔ構造を有した下地層を用い、規則化したＦｅＰｄ磁性層を非金属元素および非金属化合物によりグラニュラー化させ（１００）配向させることで微細な結晶粒を形成しつつ良好なｃ軸面内配向性が実現できる。これにより近年の磁気記録媒体の必要特性である高Ｓ／Ｎと熱的安定化の両立を行うことが可能となり、情報記録密度の高い大容量記憶装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係る磁気記録媒体の各実施例による特性を比較して示す図表である。
【符号の説明】
１  非磁性基板
２  シード層
３  下地層
５  磁性層
６  保護層
７  潤滑層
【図１】
2004213833.tif 000003
【図２】
2004213833.tif 000004