(57)【要約】【課題】樹脂封止形半導体装置を製造する際に、樹脂封止体内のボイドの発生を防止し、且つ支持板の裏面側に均一厚さの薄い封止樹脂層を良好に形成する。【解決手段】キャビティ（１８）内に対して進退自在に移動可能な押圧型片（１３ａ）を支持板（２）の他方の主面（２ｃ）から離れた離間位置に配置し、一方の型片（１２）及び他方の型片（１３）を型締めし、ゲート（１５）からキャビティ（１８）内に流動状態の樹脂（２１）を部分的に注入する。続いて、支持型片（３１）を支持板（２）の一方の主面（２ａ）に当接させた状態で、離間位置から支持板（２）の他方の主面（２ｃ）に接近する近接位置に押圧型片（１３ａ）を移動した後、支持板（２）の一方の主面（２ａ）から支持型片（３１）を離間させ、ゲート（１５）から更に流動状態の樹脂（２１）を注入してキャビティ（１８）内を完全に充填する。キャビティ（１８）内の樹脂（２１）の硬化後に支持板（２）を被覆する樹脂封止体（７）が形成されたリードフレーム組立体（１）を成形型（１１）から取り出す。【選択図】  図３
2004153153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形型を構成する一方の型片と他方の型片との間に形成されるキャビティ内に進退自在に移動可能な支持型片を半導体素子が固着された支持板の一方の主面に当接させると共に、前記キャビティ内に対して進退自在に移動可能な押圧型片を前記支持板の他方の主面から離れた離間位置に配置して、前記一方の型片及び前記他方の型片を型締めする工程と、
ゲートから前記キャビティ内に流動状態の樹脂を部分的に注入する工程と、
前記支持型片の端面を前記支持板の一方の主面に当接させた状態で、前記離間位置から前記支持板の他方の主面に接近する近接位置に前記押圧型片を移動する工程と、
その後、前記支持板の一方の主面から前記支持型片を離間させる工程と、
前記ゲートから更に流動状態の前記樹脂を注入して前記キャビティ内を完全に充填する工程と、
前記キャビティ内の前記樹脂の硬化後に前記支持板を被覆する樹脂封止体が形成されたリードフレーム組立体を前記成形型から取り出す工程とを含むことを特徴とする樹脂封止形半導体装置の製法。
【請求項２】
前記半導体素子を固着した一方の主面を有する前記支持板、該支持板の一方の縁部側に並列に配置された複数のリード端子及び前記半導体素子の電極と前記リード端子とを電気的に接続するリード細線を有する前記リードフレーム組立体を準備する工程と、前記キャビティ内に前記支持板を配置すると共に前記リードフレーム組立体を前記一方の型片と前記他方の型片との間に挟持して前記一方の型片及び前記他方の型片を型締めする工程とを含む請求項１に記載の樹脂封止形半導体装置の製法。
【請求項３】
前記他方の型片は固定型であり、前記一方の型片は前記固定型に対して接近・分離できる可動型である請求項１に記載の樹脂封止形半導体装置の製法。
【請求項４】
前記キャビティ内の前記支持板に対して進退自在に移動可能な押圧型片は、前記他方の型片に形成された開口部内に摺動可能に配置され、前記押圧型片は、前記キャビティの底壁面を構成する請求項１又は２に記載の樹脂封止形半導体装置の製法。
【請求項５】
前記支持型片の幅は、前記キャビティの幅に略等しいかこれよりも小さく、前記支持型片は、前記支持板との接触面の一部に切欠部を有する請求項１〜３の何れか１項に記載の樹脂封止形半導体装置の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製法、特に半導体素子を固着した支持板の裏面を含む全面を樹脂封止体によって被覆したフルモールド型の樹脂封止形半導体装置の製法に属する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子が固着された支持板の裏面を含む全体が樹脂封止体によって被覆された樹脂封止形半導体装置は公知である。例えば、図７に示す従来の樹脂封止形半導体装置は、リードフレーム組立体（１）と、リードフレーム組立体（１）の内端部を密封する樹脂封止体（７）とを備えている。リードフレーム組立体（１）は、半導体素子（３）を固着した一方の主面（２ａ）を有する支持板（２）と、支持板（２）の一方の縁部（２ｂ）側に並列に配置された３本のリード端子（４）と、半導体素子（３）の電極とリード端子（４）とを電気的に接続するリード細線（５）とを備えている。樹脂封止体（７）は、例えば周知のトランスファモールド法によって樹脂成形され、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側及びリード端子（４）の内端部のみならず、半導体素子（３）、リード細線（５）及び支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側も被覆する。例えば、銅（Ｃｕ）等の金属から成る板材を周知のプレス加工により形成されるリードフレーム組立体（１）の表面にはニッケル（Ｎｉ）メッキが施される。即ち、図８に示すように、リードフレーム組立体（１）を構成する支持板（２）の一方の縁部（２ｂ）の略中央から１本のリード端子（４ａ）が延出して形成され、リード端子（４ａ）の両側に支持板（２）の一方の縁部（２ｂ）から離間して２本のリード端子（４ｂ，４ｃ）が配置され、２本のリード端子（４ｂ，４ｃ）はリード細線（５）を介して半導体素子（３）の電極に電気的に接続される。リードフレーム組立体（１）を構成する支持板（２）、半導体素子（３）、リード端子（４）の一部及びリード細線（５）は、エポキシ等の熱硬化性樹脂から成る樹脂封止体（７）により被覆される。上記と類似の構成を有する樹脂封止形半導体装置は、例えば下記の特許文献１に開示されている。
【０００３】
ここで、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に形成される樹脂封止体（７）の厚みは、半導体素子（３）から発生する熱を支持板（２）を通じて外部に効率よく放散するため、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側に形成される樹脂封止体（７）の厚みよりも十分に薄く、例えば０．５ｍｍ程度に形成する必要がある。このため、図９（Ａ）に示すように成形型（１１）を構成する上型（１２）と下型（１３）との間に形成されるキャビティ（空所）（１８）内に支持板（２）を配置すると共にリード収容溝（１６）に各リード端子（４）を配置し、リードフレーム組立体（１）を上型（１２）と下型（１３）との間に挟持して上型（１２）及び下型（１３）を型締めした後、図９（Ｂ）に示すようにランナ（樹脂供給路）（１４）からゲート（樹脂注入口）（１５）を介してキャビティ（１８）内に流動状態の樹脂（２１）を押圧注入すると、樹脂（２１）の殆どは抵抗が少ない支持板（２）の一方の主面（２ａ）側に流入する。この結果、図９（Ｃ）に示すように、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側では、ランナ（１４）からゲート（１５）を介して他方の主面（２ｃ）側に直接的に注入された樹脂（２１）と支持板（２）の一方の主面（２ａ）側から回り込んで他方の主面（２ｃ）側に注入された樹脂（２１）とが衝突し、その衝突部分に樹脂（２１）が注入されない未充填部分、即ちボイド（２２）が発生する問題点があった。
【０００４】
上記の問題点を解決するため、キャビティを構成する成形金型の下型壁面を可動とする樹脂封止形半導体装置の製法が公知である。例えば、下記の特許文献２に示される樹脂封止形半導体装置の製法では、樹脂注入の初期段階に、キャビティ９を構成する成形金型の下金型可動部４の壁面を相対的に下側に移動させて樹脂７を注入することによって、ダイ・パッド（支持板）６の裏面側にも樹脂７が良好に注入される。また、成形金型に注入される樹脂７が流動性を維持する間にキャビティ９を構成する成形金型の下金型可動部４の壁面を相対的に上側に移動させてダイ・パッド６の裏面とキャビティ９の底面との間隔を狭め、ダイ・パッド６の裏面側に薄い封止樹脂の層を形成する。ダイ・パッド６の裏面側にゲートを通じて直接的に樹脂７を良好に注入できる上記の製法では、ボイド等の樹脂未充填部分が発生せず、ダイ・パッド６の裏面側に薄い封止樹脂の層を良好に形成できることが期待された。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１５０４４９号公報（第５頁、図３及び図７）
【特許文献２】
特開平５−２６７３７４号公報（第５頁、図１及び図２）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の樹脂封止形半導体装置の製法では、実際には、キャビティ９を構成する成形金型の下金型可動部４の壁面を相対的に上側に移動させる際に、ダイ・パッド（支持板）６が裏面側に注入された流動状態の樹脂７により上方に押されて傾斜する等の問題点が発生したため、実用に供することは極めて困難であった。また、ダイ・パッド６の主面側及び裏面側に向かう樹脂７の流入バランスが期待される程に改善されないため、ダイ・パッド６の裏面側に厚さが均一で且つ薄い封止樹脂の層を良好に形成することはできなかった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、リードフレームの裏面側に封止樹脂の未充填部分（ボイド）が発生せず、厚さが均一で且つ薄い封止樹脂の層を良好に形成できる樹脂封止形半導体装置の製法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明による樹脂封止形半導体装置の製法は、成形型（１１）を構成する一方の型片（１２）と他方の型片（１３）との間に形成されるキャビティ（１８）内に進退自在に移動可能な支持型片（３１）を半導体素子（３）が固着された支持板（２）の一方の主面（２ａ）に支持型片（３１）の端面（３１ａ）を当接させると共に、キャビティ（１８）内に対して進退自在に移動可能な押圧型片（１３ａ）を支持板（２）の他方の主面（２ｃ）から離れた離間位置に配置して、一方の型片（１２）及び他方の型片（１３）を型締めする工程と、ゲート（１５）からキャビティ（１８）内に流動状態の樹脂（２１）を部分的に注入する工程と、支持型片（３１）の端面（３１ａ）を支持板（２）の一方の主面（２ａ）に当接させた状態で、前記の離間位置から支持板（２）の他方の主面（２ｃ）に接近する近接位置に押圧型片（１３ａ）を移動する工程と、その後、支持板（２）の一方の主面（２ａ）から支持型片（３１）を離間させる工程と、ゲート（１５）から更に流動状態の樹脂（２１）を注入してキャビティ（１８）内を完全に充填する工程と、キャビティ（１８）内の樹脂（２１）の硬化後に支持板（２）を被覆する樹脂封止体（７）が形成されたリードフレーム組立体（１）を成形型（１１）から取り出す工程とを含む。
【０００９】
支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が相対的に大きい支持板（２）の他方の主面（２ｃ）から離れた離間位置に押圧型片（１３ａ）を配置して、流動状態の樹脂（２１）をキャビティ（１８）内に注入すると同時に、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側への樹脂（２１）の流通を支持型片（３１）により制限するので、ゲート（１５）を通じて支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に十分な量の樹脂（２１）を最初から良好に注入でき、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に封止樹脂の未充填部分（ボイド）が発生しない。また、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に樹脂（２１）が流動し、一方の主面（２ａ）側及び他方の主面（２ｃ）側での樹脂（２１）の配合バランスが向上するため、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に薄い封止樹脂の層を良好に形成することができる。また、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）に接近する近接位置に離間位置から押圧型片（１３ａ）を移動する際に、支持板（２）が支持型片（３１）により支持されるので、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）に注入された流動状態の樹脂（２１）の押圧力により支持板（２）が傾斜せず、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に厚さの均一な封止樹脂の層を形成することができる。
【００１０】
本発明の実施の形態では、半導体素子（３）を固着した一方の主面（２ａ）を有する支持板（２）、支持板（２）の一方の縁部（２ｂ）側に並列に配置された複数のリード端子（４）及び半導体素子（３）の電極とリード端子（４）とを電気的に接続するリード細線（５）を有するリードフレーム組立体（１）を準備する工程と、キャビティ（１８）内に支持板（２）を配置すると共にリードフレーム組立体（１）を一方の型片（１２）と他方の型片（１３）との間に挟持して一方の型片（１２）及び他方の型片（１３）を型締めする工程とを含む。他方の型片（１３）は固定型であり、一方の型片（１２）は固定型に対して接近・分離できる可動型である。キャビティ（１８）内の支持板（２）に対して進退自在に移動可能な押圧型片（１３ａ）は、他方の型片（１３）に形成された開口部（１３ｃ）内に摺動可能に配置され、キャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）を構成する。即ち、押圧型片（１３ａ）を支持板（２）に対して離間又は接近する方向に移動させることにより、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）を相対的に増加又は減少させることができる。
【００１１】
また、本発明の他の実施の形態では、支持型片（３１）の幅（Ｗ１）がキャビティ（１８）の幅（Ｗ０）に略等しいかこれよりも小さく、支持型片（３１）は支持板（２）との接触面（３１ａ）の一部に切欠部（３１ｃ）を有する。このため、支持型片（３１）の端面（３１ａ）を支持板（２）の一方の主面（２ａ）に当接させたとき、支持型片（３１）の切欠部（３１ｃ）によりゲート（１５）から通じる樹脂流通路（１７）が形成される。これにより、ゲート（１５）を通じて注入された流動状態の樹脂（２１）が支持型片（３１）の切欠部（３１ｃ）を通して支持板（２）の主面（２ａ）側に流入するため、支持型片（３１）により支持板（２）の一方の主面（２ａ）側への樹脂（２１）の流通を制限することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による樹脂封止形半導体装置の製法の実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。但し、これらの図面では図７〜図９に示す箇所と実質的に同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本発明による実施の形態の樹脂封止形半導体装置の製法では、図１に示すように、一方の型片である可動型となる上型（１２）、他方の型片である固定型となる下型（１３）及び支持型片（３１）を有する樹脂成形用の成形型（１１）を準備する。上型（１２）は下型（１３）に対して接近・分離することができ、上型（１２）と下型（１３）とを閉じると、成形型（１１）内にキャビティ（空所）（１８）が形成される。下型（１３）は、キャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）を構成し且つキャビティ（１８）の厚み方向に移動可能な押圧型片（１３ａ）と、キャビティ（１８）の側壁面（１８ｃ）の下半分を構成し且つリード収容溝（１６）を含む下型本体（１３ｂ）とを有する。キャビティ（１８）内の支持板（２）に対して進退自在に移動可能な押圧型片（１３ａ）は、他方の型片（１３）に形成された開口部（１３ｃ）内に摺動可能に配置され、キャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）を構成する。押圧型片（１３ａ）は、油圧式、電動式又は空圧式等の駆動装置（４１）により垂直方向に駆動され、キャビティ（１８）の厚み方向に移動する。したがって、押圧型片（１３ａ）をキャビティ（１８）内に配置された支持板（２）の他方の主面（２ｃ）から離間又は支持板（２）の他方の主面（２ｃ）に接近する方向に移動させることにより、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）を相対的に増加又は減少することができる。即ち、キャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）を構成する下型（１３）の押圧型片（１３ａ）を最も下側の離間位置に移動すると、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が大きくなり、キャビティ（１８）の大きさ（厚み）が最大となる。この結果、最終的に形成すべき樹脂封止体（７）の厚みよりも大きくなる。一方、キャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）を構成する下型（１３）の押圧型片（１３ａ）を最も上側の近接位置に移動すると、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が小さくなり、キャビティ（１８）の大きさ（厚み）が最小となる。この結果、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が最終的に支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に形成すべき樹脂封止体（７）の厚みに等しくなり、キャビティ（１８）は最終的に形成すべき樹脂封止体（７）の外形に合致する形状となる。
【００１３】
支持型片（３１）は、キャビティ（１８）内に対して厚み方向に進退自在に上型（１２）の貫通孔（１２ａ）内に摺動可能に配置され、油圧式、電動式又は空圧式等の駆動装置（４２）により垂直方向に上下駆動される。図２に示すように、本実施の形態では支持型片（３１）の幅（Ｗ１）がキャビティ（１８）の幅（Ｗ０）よりも小さいため、支持型片（３１）の側面（３１ｂ）はキャビティ（１８）の側壁面（１８ｃ）に接触しない。したがって、支持型片（３１）をキャビティ（１８）内に突出させたときに、支持型片（３１）の側面（３１ｂ）とキャビティ（１８）の側壁面（１８ｃ）との間に樹脂流通路（１７）が形成される。これにより、ゲート（１５）を通じて注入された流動状態の樹脂（２１）が樹脂流通路（１７）を経由して支持板（２）の一方の主面（２ａ）側に流入するため、支持型片（３１）により支持板（２）の一方の主面（２ａ）側への樹脂（２１）の流通を制限することができる。支持型片（３１）を最も下側に移動すると、支持型片（３１）の端面（３１ａ）が支持板（２）の一方の主面（２ａ）に当接する。また、支持型片（３１）を最も上側に移動すると、支持型片（３１）の端面（３１ａ）がキャビティ（１８）の上壁面（１８ｂ）と面一となり、支持型片（３１）の端面（３１ａ）がキャビティ（１８）の上壁面（１８ｂ）の一部を構成する。
【００１４】
図１に示す成形型（１１）を使用する樹脂封止形半導体装置の製法は以下の通りである。まず、半導体素子（３）を固着した一方の主面（２ａ）を有する支持板（２）と、支持板（２）の一方の縁部（２ｂ）側に並列に配置された３本のリード端子（４）と、半導体素子（３）の電極とリード端子（４）とを電気的に接続するリード細線（５）とを備えたリードフレーム組立体（１）を用意する。本実施の形態で使用するリードフレーム組立体（１）は、図８に示す従来のリードフレーム組立体（１）と略同一であるため、詳細な説明は省略する。
【００１５】
次に、図１に示すようにリードフレーム組立体（１）を成形型（１１）を構成する上型（１２）と下型（１３）との間に配置して上型（１２）と下型（１３）を閉じる。上型（１２）と下型（１３）を型締めすると、支持板（２）がキャビティ（１８）内に配置されると共に、リード収容溝（１６）に配置された各リード端子（４）が上型（１２）と下型（１３）との間に挟持される。これにより、支持板（２）がキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）から浮いた状態に位置決めされる。上型（１２）と下型（１３）を閉じた後、図３（Ａ）に示すように支持型片（３１）を最も下側に移動させてキャビティ（１８）内に突出させ、半導体素子（３）とゲート（１５）との間の領域内で支持板（２）の一方の主面（２ａ）に支持型片（３１）の端面（３１ａ）を当接させる。このとき、キャビティ（１８）に連絡するゲート（１５）に支持型片（３１）を対向させるが、支持型片（３１）の幅（Ｗ１）がキャビティ（１８）の幅（Ｗ０）よりも小さいため、支持型片（３１）の側面（３１ｂ）とキャビティ（１８）の側壁面（１８ｃ）との間にはゲート（１５）から通じる樹脂流通路（１７）が形成される。これと共に、キャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）を構成する下型（１３）の押圧型片（１３ａ）を最も下側の離間位置に移動させる。これにより、図１に示すように、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が相対的に増加し、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が支持板（２）の一方の主面（２ａ）とキャビティ（１８）の上壁面（１８ｂ）との間隔（Ｌ１）に実質的に等しくなる。このため、リードフレーム組立体（１）を構成する支持板（２）がキャビティ（１８）の厚み方向の略中央に位置決めされる。
【００１６】
上記の状態で、図３（Ａ）に示すようにランナ（１４）からゲート（１５）を介してキャビティ（１８）内に流動性を有する樹脂（２１）を押圧注入する。ゲート（１５）からキャビティ（１８）内に注入された樹脂（２１）は、支持型片（３１）の側面（３１ｂ）とキャビティ（１８）の側壁面（１８ｃ）との間に形成される樹脂流通路（１７）を介して支持板（２）の一方の主面（２ａ）側に流入すると共に、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に直接的に流入する。このとき、支持板（２）の一方の主面（２ａ）とキャビティ（１８）の上壁面（１８ｂ）との間隔（Ｌ１）及び支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が実質的に等しいため、ゲート（１５）を通じて支持板（２）の一方の主面（２ａ）側及び他方の主面（２ｃ）側に均等な量の樹脂（２１）が注入される。更に、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側への樹脂（２１）の流通が支持型片（３１）により制限されるため、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側及び他方の主面（２ｃ）側での樹脂（２１）の配合バランスが向上する。このため、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側及び他方の主面（２ｃ）側に樹脂（２１）をバランスよく注入することができる。
【００１７】
続いて、図３（Ｂ）に示すように、支持型片（３１）の端面（３１ａ）を支持板（２）の一方の主面（２ａ）に当接させた状態で、キャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）を構成する下型（１３）の押圧型片（１３ａ）を最も上側の近接位置に移動して、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）を相対的に減少させる。この際に、支持板（２）は支持型片（３１）によって支持されるので、下型（１３）の押圧型片（１３ａ）を上側に移動しても支持板（２）は傾斜しない。また、下型（１３）の押圧型片（１３ａ）を上側に移動する際に、キャビティ（１８）内の樹脂（２１）は流動性を維持するので、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に充填された樹脂（２１）が支持板（２）と下型（１３）の押圧型片（１３ａ）との間で押し潰されて拡がり、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が最終的に支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に形成すべき樹脂封止体（７）の厚みに等しくなる。このときに成形型（１１）内に形成されるキャビティ（１８）は、最終的に形成すべき樹脂封止体（７）の外形に合致する形状となる。これにより、キャビティ（１８）内の支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側は樹脂（２１）により略完全に充填されるが、キャビティ（１８）内の支持板（２）の一方の主面（２ａ）側は樹脂（２１）により完全に充填されず、未だ樹脂（２１）が充填されない空所が存在する。但し、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側に形成されたキャビティ（１８）内の殆どの領域には樹脂（２１）が充填されているので、支持型片（３１）を上側に移動しても、連続して注入される流動状態の樹脂（２１）の押圧力によって支持板（２）は傾斜しない。
【００１８】
次に、図３（Ｃ）に示すように支持型片（３１）を最も上側に移動して、支持型片（３１）の端面（３１ａ）を支持板（２）の一方の主面（２ａ）から離間させる。このとき、支持型片（３１）の端面（３１ａ）がキャビティ（１８）の上壁面（１８ｂ）と面一、即ち支持型片（３１）の端面（３１ａ）及びキャビティ（１８）の上壁面（１８ｂ）が同一平面上に位置する。このため、支持型片（３１）の端面（３１ａ）がキャビティ（１８）の上壁面（１８ｂ）の一部を構成する。続いて、ランナ（１４）からゲート（１５）を介して支持板（２）の一方の主面（２ａ）側の樹脂未充填領域（２３）及びキャビティ（１８）内の空所に流動性を有する樹脂（２１）を連続して注入する。これにより、図３（Ｄ）に示すようにキャビティ（１８）内全体に樹脂（２１）が充填され、キャビティ（１８）内に充填された樹脂（２１）が硬化した後、上型（１２）と下型（１３）を開放し、ランナ（１４）及びゲート（１５）の部分を除去すれば、支持板（２）の全面が樹脂封止体（７）により被覆された樹脂封止形半導体装置が得られる。
【００１９】
本実施の形態では、下記のような作用効果が得られる。
［１］  支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）が相対的に大きく且つ支持板（２）の他方の主面（２ｃ）から離れた最も下側の離間位置に押圧型片（１３ａ）を配置して、流動状態の樹脂（２１）をキャビティ（１８）内に注入すると同時に、支持板（２）の一方の主面（２ａ）側への樹脂（２１）の流通を支持型片（３１）により制限するので、ゲート（１５）を通じて支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に十分な量の樹脂（２１）を最初から良好に注入できる。したがって、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に封止樹脂の未充填部分（ボイド）が発生しない。
［２］  支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に流動状態の樹脂（２１）が直接的に流入し、一方の主面（２ａ）側及び他方の主面（２ｃ）側での樹脂（２１）の配合バランスが向上するので、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に薄い封止樹脂の層を良好に形成することができる。
［３］  最も下側の離間位置から支持板（２）の他方の主面（２ｃ）に接近する最も上側の近接位置に押圧型片（１３ａ）を移動する際に、支持板（２）が支持型片（３１）により支持されるので、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）に注入された流動状態の樹脂（２１）の押圧力により支持板（２）が傾斜せず、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に厚さの均一な封止樹脂の層を形成することができる。
［４］  低い粘度の樹脂（２１）でも、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に樹脂（２１）を良好に充填することができる。
［５］  樹脂（２１）の注入速度が高い場合でも支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に封止樹脂の未充填部分（ボイド）が発生しないので、樹脂（２１）の注入速度を自由に上昇させることができる。
［６］  樹脂（２１）の注入速度が高い場合でも支持板（２）の他方の主面（２ｃ）側に樹脂（２１）を良好に充填できるので、より硬化時間の短い樹脂を使用でき、生産効率を向上することができる。
【００２０】
本発明の実施態様は前記の実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、上記の実施の形態では一方の型片（１２）を可動型である上型とし、他方の型片（１３）を固定型である下型としたが、その代わりに、図４及び図５に示すように、一方の型片（１２）を固定型である下型とし、他方の型片（１３）を可動型である上型としてもよい。この際に、リードフレーム組立体（１）を構成する支持板（２）は一方の主面（２ａ）を下側、他方の主面（２ｃ）を上側に向けて配置する。また、上記の実施の形態では下型（１３）に押圧型片（１３ａ）を設け、押圧型片（１３ａ）を上下に移動することにより、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）を可変する方法を示したが、押圧型片（１３ａ）を固定し、リードフレーム組立体（１）が挟持された上型（１２）及び下型本体（１３ｂ）を上下に移動することにより、支持板（２）の他方の主面（２ｃ）とキャビティ（１８）の底壁面（１８ａ）との間隔（Ｌ２）を可変してもよい。また、図１及び図４に示す実施の形態では一方の型片（１２）側にランナ（１４）及びゲート（１５）を設けたが、その代わりに、他方の型片（１３）側にランナ（１４）及びゲート（１５）を設けてもよい。また、図１及び図４に示す実施の形態では支持型片（３１）の幅（Ｗ１）をキャビティ（１８）の幅（Ｗ０）よりも小さくしたが、図６に示すように支持型片（３１）の幅（Ｗ２）をキャビティ（１８）の幅（Ｗ０）に略等しくすると共に、支持板（２）の一方の主面（２ａ）に接触する支持型片（３１）の端面（３１ａ）の一部分に切欠部（３１ｃ）を形成してもよい。この場合は、支持型片（３１）の端面（３１ａ）を支持板（２）の一方の主面（２ａ）に当接させたとき、支持型片（３１）の切欠部（３１ｃ）によりゲート（１５）から通じる樹脂流通路（１７）が形成される。これにより、ゲート（１５）から注入された流動状態の樹脂（２１）が支持型片（３１）の切欠部（３１ｃ）を通して支持板（２）の一方の主面（２ａ）側に流入するので、図６に示す場合でも支持型片（３１）により支持板（２）の一方の主面（２ａ）側への樹脂（２１）の流通を制限することができる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体素子が固着されたリードフレームの裏面側に厚さが均一で且つ薄い封止樹脂の層を良好に形成できるので、半導体素子で発生した熱を効率よく外気中に放散することができる。また、樹脂を成形型のキャビティ内に注入する際にボイド等の樹脂未充填部分が発生しないので、信頼性の高い樹脂封止形半導体装置を歩留まり良く製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による樹脂封止形半導体装置の製法の実施の形態で使用する樹脂成形用の成形型にリードフレーム組立体を装着した状態を示す縦断面図
【図２】図１の支持型片を示す横断面図
【図３】図１の成形型への樹脂注入の過程を示す縦断面図
【図４】図１の上型を固定型とし、下型を可動型とした実施の形態を示す縦断面図
【図５】図４の支持型片を示す横断面図
【図６】支持型片の他の実施の形態を示す横断面図
【図７】従来の樹脂封止形半導体装置を示す縦断面図
【図８】図７に示すリードフレーム組立体の平面図
【図９】従来の成形型への樹脂注入の過程を示す縦断面図
【符号の説明】
（１）・・リードフレーム組立体、  （２）・・支持板、  （２ａ）・・一方の主面、  （２ｂ）・・一方の縁部、  （２ｃ）・・他方の主面（裏面）、  （３）・・半導体素子、（４）・・リード端子、  （５）・・リード細線、  （７）・・樹脂封止体、  （１１）・・成形型、  （１２）・・上型（一方の型片）、  （１２ａ）・・貫通孔、  （１３）・・下型（他方の型片）、  （１３ａ）・・押圧型片、  （１３ｂ）・・下型本体、  （１３ｃ）・・開口部、  （１４）・・ランナ、  （１５）・・ゲート、  （１６）・・リード収容溝、  （１７）・・樹脂流通路、  （１８）・・キャビティ、  （１８ａ）・・底壁部、  （１８ｂ）・・上壁部、  （１８ｃ）・・側壁部、  （２１）・・樹脂、  （２２）・・ボイド、  （２３）・・樹脂未充填領域、  （３１）・・支持型片、  （３１ａ）・・端面、  （３１ｂ）・・側面、  （３１ｃ）・・切欠部、  （４１，４２）・・駆動装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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