(57)【要約】【課題】新規な構成にて高品質で大口径のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。【解決手段】成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給してＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶を成長させる。成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４の周囲に、周囲部材６が、種結晶支持部４とは離間した状態で配置されている。周囲部材６における原料ガス供給側と対向する面Ｆ１は、ＳｉＣ単結晶の成長方向に対し外側を向いている。【選択図】        図１
2004323276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶（５）に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶（５）からＳｉＣ単結晶（７）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置において、
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の周囲に、周囲部材（６）を、ＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）とは離間した状態で配置し、かつ、当該周囲部材（６）における原料ガス供給側と対向する面（Ｆ１）を、ＳｉＣ単結晶（７）の成長方向に対し外側に向けたことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項２】
成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶（５）に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶（５）からＳｉＣ単結晶（７）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置において、
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の周囲に、周囲部材（１０）を、ＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）とは離間した状態で配置し、かつ、当該周囲部材（１０）における原料ガス供給側と対向する面が、内周側のインナー部（Ｆ１１）と外周側のアウター部（Ｆ１０）からなり、アウター部（Ｆ１０）においてはＳｉＣ単結晶（７）の成長方向に対し外側に向けられているとともに、インナー部（Ｆ１１）においてはＳｉＣ単結晶（７）の成長方向に対し内側に向けられていることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項３】
成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶（５）に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶（５）からＳｉＣ単結晶（７）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置において、
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の周囲に、周囲部材（１５）を、ＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）とは離間した状態で配置し、かつ、当該周囲部材（１５）における原料ガス供給側と対向する面が、内周側のインナー部（Ｆ２１）と外周側のアウター部（Ｆ２０）からなり、アウター部（Ｆ２０）においてはＳｉＣ単結晶（７）の成長方向に対し外側に向けられているとともに、インナー部（Ｆ２１）においてはＳｉＣ単結晶（７）の成長方向に対し直交する面のうちのＳｉＣ種結晶（５）の表面と同じ面となっていることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
前記ＳｉＣ単結晶（７）の成長方向に対し外側に向けた角度（θ１）が１０〜８０°であることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
前記ＳｉＣ単結晶（７）の成長方向に対し外側を向けた部位の長さ（Ｌ１）が３ｍｍ以上であることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
前記周囲部材（６，１０）を、ＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）と離間させるとともに成長用容器（１，２）の内壁での原料ガス供給側と対向する部位とも離間した状態で配置したことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項７】
成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶（５）に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶（５）からＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置において、
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ単結晶が成長する領域の周囲に、複数の板材（２０，２１，２２，２３）をＳｉＣ単結晶の成長方向において離間する状態で配置し、かつ、複数の板材（２０，２１，２２，２３）は、ＳｉＣ種結晶（５）から成長するＳｉＣ単結晶が位置する開口部（２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ）がＳｉＣ単結晶の成長方向において広がっていることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
複数の板材（２０，２１，２２，２３）におけるＳｉＣ単結晶の成長方向での間隔（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）が５ｍｍ以下であるとともに、複数の板材（２０，２１，２２，２３）における隣り合う板材での開口部（２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ）の広がりは半径（Ｌ１０，Ｌ１１，Ｌ１２）が５ｍｍ以下であることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項９】
成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶（５）に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶（５）からＳｉＣ単結晶（７）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置において、
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の周囲に、ＳｉＣ種結晶（５）と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶（３０）を配置し、ＳｉＣ種結晶（５）から成長するＳｉＣ単結晶（７）の周囲において当該ＳｉＣ単結晶（７）と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶（３１）が成長するようにしたことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
１枚のＳｉＣ基板を用いて、その中央部を前記ＳｉＣ種結晶（５）として切り抜いて用いるとともにその外周部を前記ＳｉＣ種結晶（５）と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶（３０）として用いたことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１１】
成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶（５）に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶（５）からＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置において、
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の周囲に、母材となる板材（４２）にＳｉＣ結晶製板材（４１，４３）を貼り合わせてなる周囲部材（４０）を配置したことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
母材となる板材（４２）とＳｉＣ結晶製板材（４１，４３）とは、ＳｉＣ単結晶を成長させるための高温雰囲気下においても密着状態を保持していることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
母材となる板材（４２）もしくはＳｉＣ結晶製板材（４１，４３）の少なくともどちらか一方を複数枚用い、それらを交互に貼り合わせたことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１４】
成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶（５）に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶（５）からＳｉＣ単結晶（７）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置において、
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の周囲に、原料ガス供給側とは対向しない面に開口する溝（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）を有する周囲部材（５０）を配置したことを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
溝（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）の幅が０．５ｍｍ以上であることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
溝（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）の深さが１ｍｍ以上であることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【請求項１７】
請求項１４に記載のＳｉＣ単結晶の製造装置において、
溝（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）は、ＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の周りにおいて、その中心がＳｉＣ種結晶（５）を支持する部材（４）の中心と一致するように複数形成され、かつ、ＳｉＣ種結晶（５）の外周形状と相似形の環状をなしていることを特徴とするＳｉＣ単結晶の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＳｉＣ単結晶の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＳｉＣ単結晶は、高耐圧、高電子移動度という特徴を有するため、パワーデバイス用半導体基板として期待されている。ＳｉＣ単結晶には、一般に昇華法（改良レーリー法）と呼ばれる単結晶成長方法が用いられる。
【０００３】
改良レーリー法によるＳｉＣ単結晶の製造装置の一例を図１４（ａ）に示す。
図１４（ａ）において、黒鉛製坩堝１００の上面開口部には蓋体１０１が設けられている。黒鉛製坩堝１００内にはＳｉＣ原料１０２が配置されるとともに、蓋体１０１から突出する種結晶支持部１０３にＳｉＣ種結晶１０４が接着され、ＳｉＣ原料１０２とＳｉＣ種結晶１０４とが対向している。そして、ＳｉＣ原料１０２を２２００〜２４００℃に加熱して昇華ガスを発生させ、ＳｉＣ原料１０２より数十〜数百℃低温にした種結晶１０４から再結晶化させることで、図１４（ｂ）に示すように、ＳｉＣ単結晶１０５を成長させる。
【０００４】
ところで、半導体作製用の炭化珪素基板としては、現在、直径２インチ程度のものが市販されているが、量産性を向上させるために、より大口径、より高品質の炭化珪素単結晶基板が必要とされている。ところが、図１４（ｂ）に示すように、種結晶１０４の周辺における蓋体１０１の表面に堆積する多結晶１０６と、種結晶１０４から成長する単結晶１０５とが接触する。このため、成長結晶（１０５）の口径拡大が阻害される問題があった。
【０００５】
そこで、この問題を解決するための装置が種々提案されており、例えば、特許文献１には、図１５（ａ）に示すように、種結晶１０４の周辺を仕切り板１１０で覆った成長装置が開示されている。この成長装置では、仕切り板１１０を種結晶１０４より高温に保持することにより、図１５（ｂ）に示すように、多結晶１０６の発生を抑制し、種結晶１０４からのみ単結晶１０５が成長するようにしている。
【０００６】
また、特許文献２では、図１６（ａ）に示すように、種結晶支持部１２０を台形形状とし、種結晶支持部１２０を成長方向へ縮径させている。これにより、図１６（ｂ）に示すように、種結晶支持部１２０の側面に成長する多結晶１０６は外周側に広がるため、種結晶支持部１２０の表面（下面）に支持されたＳｉＣ単結晶１０５は拡大することができる。
【０００７】
また、特許文献３では、図１７（ａ）に示すように、種結晶１０４の下方にテーパ状の部材１３０を設けて、図１７（ｂ）に示すように、成長するＳｉＣ単結晶１０５が、周囲の多結晶から応力を受けることを防止し、口径を拡大させている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１の装置（図１５（ａ），（ｂ））では、得られる単結晶１０５の口径が、仕切り板１１０の開口径によって制限され、口径拡大率を十分大きくすることができない（成長に伴ない径を十分に大きくしていくことができない）。また、装置の構造が複雑で、装置の製作コストと時間を要する問題がある。一方、特許文献２の装置（図１６（ａ），（ｂ））では、口径は拡大するものの、成長結晶（１０５）が周囲の多結晶１０６と一体化し成長するために、多結晶１０６からの応力Ｆにより、結晶性が劣化する。さらに、特許文献３の装置（図１７（ａ），（ｂ））では、テーパ状の部材１３０の表面を原料ガスが通過してくるため、カーボンの微粉末等が混入しやすく、また、成長結晶周辺の過飽和度が上昇し、結晶性が劣化する。
【０００９】
【特許文献１】
特公平６−３７３５３号公報
【特許文献２】
特開２００１−７２４９０号公報
【特許文献３】
特開２００２−６０２９７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、新規な構成にて高品質で大口径のＳｉＣ単結晶を製造することができるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、成長用容器内におけるＳｉＣ種結晶を支持する部材の周囲に、周囲部材を、ＳｉＣ種結晶を支持する部材とは離間した状態で配置し、かつ、当該周囲部材における原料ガス供給側と対向する面を、ＳｉＣ単結晶の成長方向に対し外側に向けたことを特徴としている。これにより、ＳｉＣ単結晶が周囲の多結晶と分離し、かつ口径拡大させることができる。つまり、周囲部材から成長する多結晶は、ＳｉＣ成長結晶に対して、拡大するテーパのように伸長する。その結果、成長結晶は多結晶をガイドとして拡大し、Ｓｉ／Ｃ比が安定化し高品質に拡大することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、成長用容器内におけるＳｉＣ種結晶を支持する部材の周囲に、周囲部材を、ＳｉＣ種結晶を支持する部材とは離間した状態で配置し、かつ、当該周囲部材における原料ガス供給側と対向する面が、内周側のインナー部と外周側のアウター部からなり、アウター部においてはＳｉＣ単結晶の成長方向に対し外側に向けられているとともに、インナー部においてはＳｉＣ単結晶の成長方向に対し内側に向けられていることを特徴としている。これにより、ＳｉＣ単結晶が周囲の多結晶と分離し、かつ口径拡大させることができる。つまり、周囲部材における原料ガス供給側と対向する面のうちのアウター部から成長する多結晶は、ＳｉＣ成長結晶に対して、拡大するテーパのように伸長する。その結果、成長結晶は多結晶をガイドとして拡大し、Ｓｉ／Ｃ比が安定化し高品質に拡大することができる。さらに、結晶成長当初においては周囲部材における原料ガス供給側と対向する面のうちのインナー部に沿って成長方向に広がって成長し、その後の成長においては、成長方向に対し広がる方向に成長していく。このようにして、成長結晶が一旦周囲部材のインナー部に沿って口径拡大した後、周囲の多結晶に沿って口径拡大することになる。こうすることにより、図１７（ａ），（ｂ）に示すごとくテーパ状の部材１３０に沿ってのみ拡大した場合に生じたカーボン微粉末の混入を抑制し、２０ｍｍ以上成長した後に生じる一体化をも防止することが可能となる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、成長用容器内におけるＳｉＣ種結晶を支持する部材の周囲に、周囲部材を、ＳｉＣ種結晶を支持する部材とは離間した状態で配置し、かつ、当該周囲部材における原料ガス供給側と対向する面が、内周側のインナー部と外周側のアウター部からなり、アウター部においてはＳｉＣ単結晶の成長方向に対し外側に向けられているとともに、インナー部においてはＳｉＣ単結晶の成長方向に対し直交する面のうちのＳｉＣ種結晶の表面と同じ面となっていることを特徴としている。これにより、ＳｉＣ単結晶が周囲の多結晶と分離し、かつ口径拡大させることができる。つまり、周囲部材における原料ガス供給側と対向する面のうちのアウター部から成長する多結晶は、ＳｉＣ成長結晶に対して、拡大するテーパのように伸長する。その結果、成長結晶は多結晶をガイドとして拡大し、Ｓｉ／Ｃ比が安定化し高品質に拡大することができる。さらに、結晶成長当初においては種結晶が周囲に対し突出していないため、安定して初期成長し、その後の成長においては、成長方向に対し広がる方向に成長していく。このようにして、成長結晶が安定して口径拡大した後、周囲の多結晶に沿って口径拡大することになる。こうすることにより、図１７（ａ），（ｂ）に示すごとくテーパ状の部材１３０に沿ってのみ拡大した場合に生じたカーボン微粉末の混入を抑制し、２０ｍｍ以上成長した後に生じる一体化をも防止することが可能となる。
【００１４】
請求項４に記載のように、ＳｉＣ単結晶の成長方向に対し外側に向けた角度が１０〜８０°であると、成長結晶が急激に拡大することを抑制し、かつ有効に拡大することができる。
【００１５】
請求項５に記載のように、ＳｉＣ単結晶の成長方向に対し外側を向けた部位の長さが３ｍｍ以上であると、有効に多結晶を外周側へ成長させることができる。
請求項６に記載のように、周囲部材を、ＳｉＣ種結晶を支持する部材と離間させるとともに成長用容器の内壁での原料ガス供給側と対向する部位とも離間した状態で配置することにより、周囲部材を二箇所にわたり空間的に分離した状態で配置すると、実用上好ましいものとなる。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、成長用容器内におけるＳｉＣ単結晶が成長する領域の周囲に、複数の板材をＳｉＣ単結晶の成長方向において離間する状態で配置し、かつ、複数の板材は、ＳｉＣ種結晶から成長するＳｉＣ単結晶が位置する開口部がＳｉＣ単結晶の成長方向において広がっていることを特徴としている。これにより、原料ガスが種結晶端部に集中して入射する度合いが（図１７（ａ）のようにテーパにする場合に比べて）減少する。その結果、口径拡大部の品質劣化が抑制でき、高品質に口径拡大することができる。また、複数の板材の開口部を原料ガスが流れるとき乱れが生じ、図１７（ａ），（ｂ）の場合に比べ結晶表面に集中して入射することを抑制できるため、さらに安定した結晶成長が可能となる。
【００１７】
請求項８に記載のように、複数の板材におけるＳｉＣ単結晶の成長方向での間隔が５ｍｍ以下であるとともに、複数の板材における隣り合う板材での開口部の広がりは半径が５ｍｍ以下であると、板材への多結晶の付着を抑制し、安定して口径拡大できる。
【００１８】
請求項９に記載の発明は、成長用容器内におけるＳｉＣ種結晶を支持する部材の周囲に、ＳｉＣ種結晶と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶を配置し、ＳｉＣ種結晶から成長するＳｉＣ単結晶の周囲において当該ＳｉＣ単結晶と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶が成長するようにしたことを特徴としている。これにより、成長結晶と同じ配向性を持った結晶を周囲に成長させることによって、成長結晶が周囲の結晶と一体化しても、周囲の結晶より生じる応力が最小となる。そのため、高品質に口径拡大できる。
【００１９】
請求項１０に記載のように、１枚のＳｉＣ基板を用いて、その中央部をＳｉＣ種結晶として切り抜いて用いるとともにその外周部をＳｉＣ種結晶と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶として用いると、容易かつ安価にＳｉＣ単結晶を結晶成長できる。
【００２０】
請求項１１に記載の発明は、成長用容器内におけるＳｉＣ種結晶を支持する部材の周囲に、母材となる板材にＳｉＣ結晶製板材を貼り合わせてなる周囲部材を配置したことを特徴としている。これにより、結晶成長部と、周囲部材の熱膨張をほぼ等しくすることが可能となり、結晶と周囲の部材が、昇降温時にもほぼ同じプロファイルで、熱膨張・熱収縮をする。そのため、昇降温中に周囲部材が結晶に応力を及ぼすことを抑制することが可能となる。結果、安定して高品質に口径拡大しつつ結晶成長できる。
【００２１】
請求項１２に記載のように、母材となる板材とＳｉＣ結晶製板材とは、ＳｉＣ単結晶を成長させるための高温雰囲気下においても密着状態を保持していると、成長雰囲気でも密着していることにより、成長雰囲気での効果を最大限に引き出せる。
【００２２】
請求項１３に記載のように、母材となる板材もしくはＳｉＣ結晶製板材の少なくともどちらか一方を複数枚用い、それらを交互に貼り合わせると、母材となる板材の片面のみにＳｉＣ結晶製板材を貼り合わせた場合に比べ、反りを低減することができる。
【００２３】
請求項１４に記載の発明は、成長用容器内におけるＳｉＣ種結晶を支持する部材の周囲に、原料ガス供給側とは対向しない面に開口する溝を有する周囲部材を配置したことを特徴としている。よって、周囲部材に溝があるために、その部材から成長する多結晶は不均一になり、変形し易くなる。また、部材自体も溝のため柔軟性が増す。そのため、成長結晶が周囲部材からの多結晶と接触したときに、応力の大半を周囲部材からの多結晶が受け止めて単結晶は安定して成長することが可能となる。こうすることにより、高品質に口径拡大することができる。
【００２４】
請求項１５に記載のように、溝の幅が０．５ｍｍ以上であると、周囲部材の柔軟性が十分に有効になる。
請求項１６に記載のように、溝の深さが１ｍｍ以上であると、周囲部材の柔軟性が有効になる。
【００２５】
請求項１７に記載のように、溝は、ＳｉＣ種結晶を支持する部材の周りにおいて、その中心がＳｉＣ種結晶を支持する部材の中心と一致するように複数形成され、かつ、ＳｉＣ種結晶の外周形状と相似形の環状をなしているとよい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。
【００２７】
図１は、本実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の概略構成による縦断面図である。図１のＡ−Ａ線での断面図を図２に示す。
図１において、黒鉛製坩堝１と蓋体２にて成長用容器（単結晶の成長用容器）が構成されている。黒鉛製坩堝１は有底円筒状をなし、その上端開口部に蓋体２が設置され、当該開口部を塞いでいる。坩堝１の底面部には原料となる炭化珪素原料粉末３が充填されている。蓋体２の下面においてその中央部には下方に突出する種結晶支持部４が一体的に形成されている。種結晶支持部４の下面にはＳｉＣ種結晶（ＳｉＣ単結晶基板）５の一方の面が接着（接合固定）され、他方の面が炭化珪素原料粉末３と対向した状態で配置されている。ＳｉＣ種結晶５は種結晶支持部４と同径である。ＳｉＣ種結晶５は水平方向に配置され、その下面に対する法線方向、即ち、下方向が結晶成長方向となる。
【００２８】
また、坩堝１の周囲には誘導コイル等の加熱装置（図示略）が設けられ、坩堝１の内部、特に原料粉末３を加熱することができるようになっている。
さらに、成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）の周囲に、周囲部材６が設置されている。周囲部材６は、図１，２に示すようにリング状の板材よりなり、種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）とは離間した状態で配置されている。つまり、周囲部材６は、種結晶支持部４とは空隙ＡＧ１をおくことにより空間的に分離した状態で配置されている。
【００２９】
より詳しくは、周囲部材６は、種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）と離間させるとともに成長用容器（１，２）の内壁での原料ガス供給側と対向する部位である蓋体２の下面とも離間した状態で配置されている。つまり、周囲部材６と種結晶支持部４との間に空隙ＡＧ１をおくとともに、周囲部材６と蓋体２の下面との間に空隙ＡＧ２をおくことにより、周囲部材６を二箇所にわたり空間的に分離した状態で配置している。
【００３０】
また、周囲部材６における原料ガス供給側と対向する面（図１の下面）Ｆ１は、図３に示すＳｉＣ単結晶７の成長方向（下方向）に対し外側に向けている。詳しくは、周囲部材６は、テーパ形状をした薄板であり、テーパの角度θ１（図１参照）、即ち、ＳｉＣ単結晶７の成長方向（下方向）に対し外側に向けた角度θ１が１０〜８０°となっている。また、ＳｉＣ単結晶７の成長方向に対し外側を向けた部位の長さＬ１は３ｍｍ以上となっている。この周囲部材６には成長時において多結晶が付着する。この際、周囲部材６の下面（Ｆ１）の法線は坩堝１の外周側を向いているので、図３に示すように、周囲部材６の下面（Ｆ１）から成長する多結晶８は、坩堝１の外側に向けて成長することになる。
【００３１】
次に、本装置を用いて、単結晶を成長させる順序（工程）について説明する。
まず、黒鉛製坩堝１から蓋体２を取り外し、種結晶支持部４に種結晶５を接着剤によって接合する。そして、炭化珪素原料粉末３を入れた坩堝１に蓋体２を取り付ける。
【００３２】
この状態で、坩堝１の周囲に配した誘導コイル等の加熱装置（図示略）で加熱する。このとき、原料粉末３が炭化珪素の昇華温度以上であるとともに種結晶５が原料粉末３より低い温度となるように、坩堝１内に温度勾配を設ける。坩堝１の雰囲気は、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気とし、圧力は０．１〜１００Ｔｏｒｒ程度とするのがよい。これにより、原料粉末３の昇華ガスが発生して上方へ拡散し、より低温の種結晶５から再結晶化する。この再結晶化に伴ないＳｉＣ種結晶５の下面からＳｉＣ単結晶７（図３参照）が成長する。即ち、成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給することによりＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶７が下方に成長する。このとき、周囲部材６の下面（Ｆ１）からは多結晶８が成長し、この多結晶８は外周方向に広がって成長する。そのため、多結晶８が、種結晶５から成長する単結晶７のガイドとなる。
【００３３】
このようにして、周囲部材６から成長する多結晶８は、ＳｉＣ成長結晶（７）に対して、拡大するテーパのように伸長し、成長結晶（７）は多結晶８をガイドとして拡大し、急激な口径拡大による欠陥の発生を抑制する。また、ガイド部材を使用していないので原料ガスのＳｉ／Ｃ比のゆらぎも防止できる。その結果、ＳｉＣ単結晶７が周囲の多結晶８と分離し、かつ口径拡大させることができ、Ｓｉ／Ｃ比が安定化し高品質に拡大することができる（口径拡大部を高品質に成長させることができ、従来よりも大口径の結晶の作製が可能となる）。
【００３４】
従来の技術との比較で説明するならば、図１４（ａ），（ｂ）の場合においては、ＳｉＣ単結晶１０５はほとんど拡大できず、また、ＳｉＣ単結晶１０５と多結晶１０６が一体化しやすかった。また、図１５（ａ），（ｂ）の場合においては、ＳｉＣ単結晶１０５と多結晶１０６は分離可能であるが、ＳｉＣ単結晶１０５は拡大しない。図１６（ａ），（ｂ）の場合においては、ＳｉＣ単結晶１０５は拡大するが周辺の多結晶１０６により結晶性が劣化する。図１７（ａ），（ｂ）の場合においては、ＳｉＣ単結晶１０５は拡大するが、カーボン等の混入により周辺での結晶性が劣化する。
【００３５】
これに対し本実施形態（図３）においては、ＳｉＣ単結晶７は拡大でき、また、ＳｉＣ単結晶７と多結晶８が一体化しにくく、かつ、結晶性に優れている。
特に、ＳｉＣ単結晶７の成長方向に対し外側に向けた角度θ１が１０〜８０°であるので、成長結晶が急激に拡大することを抑制し、かつ有効に拡大することができる（ＳｉＣ単結晶７の急激な拡大に伴う結晶性劣化を防止し、また、有効に拡大する領域を確保することができる）。また、ＳｉＣ単結晶７の成長方向に対し外側を向けた部位の長さＬ１が３ｍｍ以上であるので、有効に多結晶８を外周側へ成長させることができる。さらに、周囲部材６を、種結晶支持部４と離間させるとともに成長用容器（１，２）の内壁での原料ガス供給側と対向する部位とも離間した状態で配置した（空隙ＡＧ１と空隙ＡＧ２により周囲部材６を二箇所にわたり空間的に分離した状態で配置した）。よって、温度差が径方向において付きやすく、分離部分への多結晶の付着を抑制し、２０ｍｍ以上の成長によっても成長結晶（７）と周囲部材６からの多結晶８を分離することが可能となる。
即ち、周囲部材６と種結晶支持部４の間に流れ込んだ原料ガスが、周囲部材６の裏面にまで回りこむことにより、周囲部材６が種結晶支持部４および蓋体２と一体化するのを防止することができる。
［実施例］
本実施形態の効果を確認するために、図１，２の装置を用いて炭化珪素単結晶を成長させた。種結晶としてはアチソン結晶を用い、これを直径１０ｍｍのウエハ状に成形した後、蓋体２に設けた種結晶支持部４の支持面に接着剤を用いて貼り付けた。種結晶支持部４の外径は１０ｍｍとした。種結晶支持部４の周囲に配置する部材６としては厚さ２ｍｍのカーボン部材を用い、カーボン部材を単結晶７の成長方向に対し３０°外側に傾けた（θ１＝３０°）。周囲部材６と種結晶５との距離は１ｍｍとした。
【００３６】
坩堝１内に、炭化珪素原料粉末３として市販の炭化珪素研磨剤を充填し、その上端開口部に種結晶５を貼り付けた蓋体２を嵌着固定して、図略の成長用炉中で加熱した。この際、まず、坩堝１内を図略の真空排気系にてアルゴンガス雰囲気に置換し、雰囲気圧力７００Ｔｏｒｒで、坩堝１の内部温度を成長温度まで上昇させた後、雰囲気圧力を成長圧力（１０Ｔｏｒｒ）まで減圧し、成長を開始した。加熱は図略の誘導コイルによる誘導加熱方式とし、原料粉末３を約２２００〜２３００℃に加熱して、これより低い温度に保持した種結晶５から単結晶７を成長させた。成長時間は２４時間とし、成長中は温度と圧力を一定に保った。成長終了時は、まず、雰囲気圧力を７００Ｔｏｒｒまで上げてから、温度を常温まで低下させた。
【００３７】
その後、成長用炉から坩堝１を取り出し、種結晶５から成長したＳｉＣ単結晶７を取り出した。ＳｉＣ単結晶７は周囲部材６から成長した多結晶８とは分離しており、また、周囲部材６からの多結晶８はほぼ周囲部材６の表面（Ｆ１）に垂直に、即ち、水平方向とは６０°の傾きで成長しており、これが成長結晶（７）の急激な広がりを抑制し、成長結晶（７）は水平方向とは６０°の傾きで口径拡大していた。
【００３８】
成長量は１０ｍｍで拡大量は片側で（半径で）５．８ｍｍ、両側で（直径で）１１．６ｍｍ拡大した。
断面に切断して、顕微鏡により評価を行ったところ、拡大部は良好な結晶で、カーボンの微粉末の混入もほとんど観察されなかった。この結果、高品質に口径拡大することが確認できた。
【００３９】
なお、図１に代わる構成として、図４に示すようにしてもよい。つまり、周囲部材９を、蓋体２の下面の全面に当接するようにして種結晶支持部４の周囲に配置してもよい。即ち、空隙ＡＧ１のみで空間的に分離した状態で配置してもよい。
【００４０】
また、図１に代わる構成として、図５に示すようにしてもよい。
図５において、成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）の周囲に、周囲部材１０を、種結晶支持部４とは離間した状態で配置している。周囲部材１０における原料ガス供給側と対向する面（下面）が、ＳｉＣ種結晶５に近い内周側のインナー部Ｆ１１と、ＳｉＣ種結晶５から離れる外周側のアウター部Ｆ１０からなる。アウター部Ｆ１０においてはＳｉＣ単結晶７の成長方向に対し外側に向けられているとともに、インナー部Ｆ１１においてはＳｉＣ単結晶７の成長方向に対し内側に向けられている。
【００４１】
これにより、ＳｉＣ単結晶７が周囲の多結晶８と分離し、かつ口径拡大させることができる。つまり、周囲部材１０における原料ガス供給側と対向する面のうちのアウター部Ｆ１０から成長する多結晶８は、ＳｉＣ成長結晶（７）に対して、拡大するテーパのように伸長する。その結果、成長結晶（７）は多結晶８をガイドとして拡大する。よって、Ｓｉ／Ｃ比が安定化し高品質に拡大することができる。さらに、結晶成長当初においては周囲部材１０における原料ガス供給側と対向する面のうちのインナー部Ｆ１１に沿って成長方向に広がって成長し、その後の成長においては、成長方向に対し広がる方向に成長していく。このようにして、成長結晶（７）が一旦周囲部材１０のインナー部Ｆ１１に沿って口径拡大した後、周囲の多結晶８に沿って口径拡大することになる。こうすることにより、図１７（ａ），（ｂ）のごとくテーパ状の部材１３０に沿ってのみ拡大した場合に生じたカーボン微粉末の混入を抑制し、２０ｍｍ以上成長した後に生じる一体化をも防止することが可能となる。
【００４２】
また、図５に代わる構成として、図６（ａ），（ｂ）に示すようにしてもよい。
図６（ａ）において、成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）の周囲に、周囲部材１５を、種結晶支持部４とは離間した状態で配置している。周囲部材１５における原料ガス供給側と対向する面が、内周側のインナー部Ｆ２１と外周側のアウター部Ｆ２０からなる。アウター部Ｆ２０においてはＳｉＣ単結晶７の成長方向に対し外側に向けられているとともに、インナー部Ｆ２１においてはＳｉＣ単結晶７の成長方向に対し直交する面のうちのＳｉＣ種結晶５の表面と同じ面となっている。即ち、図６（ａ）においてインナー部Ｆ２１はＳｉＣ種結晶５の表面（下面）と同じ高さとなっている。
【００４３】
これにより、図６（ｂ）に示すように、ＳｉＣ単結晶７が周囲の多結晶８と分離し、かつ口径拡大させることができる。つまり、周囲部材１５における原料ガス供給側と対向する面のうちのアウター部Ｆ２０から成長する多結晶８は、ＳｉＣ成長結晶（７）に対して、拡大するテーパのように伸長する。その結果、成長結晶（７）は多結晶８をガイドとして拡大し、Ｓｉ／Ｃ比が安定化し高品質に拡大することができる。さらに、結晶成長当初においては種結晶５が周囲に対し突出していないため、安定して初期成長し、その後の成長においては、成長方向に対し広がる方向に成長していく。このようにして、成長結晶（７）が安定して口径拡大した後、周囲の多結晶８に沿って口径拡大することになる。こうすることにより、図１７（ａ），（ｂ）に示すごとくテーパ状の部材１３０に沿ってのみ拡大した場合に生じたカーボン微粉末の混入を抑制し、２０ｍｍ以上成長した後に生じる一体化をも防止することが可能となる。
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４４】
図７は、本実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図である。
成長用容器（１，２）内におけるＳｉＣ単結晶が成長する領域（種結晶５の下方の領域）の周囲に、複数の板材２０，２１，２２，２３をＳｉＣ単結晶の成長方向において離間する状態で配置している。各板材２０，２１，２２，２３はリング状をなしている。最も上側の板材（リング）２０はＳｉＣ種結晶５とほぼ同じ高さにおいて水平に配置され、開口部２０ａ（内径Ｗ１）を有する。この板材（リング）２０の下方に板材（リング）２１，２２，２３が平行に配置されている。板材（リング）２０の下の板材（リング）２１は開口部２１ａ（内径Ｗ２）を有し、その下の板材（リング）２２は開口部２２ａ（内径Ｗ３）を有し、その下の板材（リング）２３は開口部２３ａ（内径Ｗ４）を有する。板材（リング）２０，２１，２２，２３の開口部２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａは、その中心が上下方向において一致している。この開口部２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａに、ＳｉＣ種結晶５から成長するＳｉＣ単結晶が位置することになる。また、開口部２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａは、ＳｉＣ単結晶７の成長方向において広がっている（Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３＜Ｗ４）。板材２０，２１，２２，２３は黒鉛よりなる（板材２０，２１，２２，２３はカーボン部材である）
これにより、原料ガスが種結晶端部に集中して入射する度合いが（図１７（ａ）のようにテーパにする場合に比べて）減少する。また、図１７（ａ）のようにテーパにする場合に比べて原料ガスの接触面積を減少させることができ、原料ガス中に、カーボン部材から生じるカーボン微粉末が混入することが低減でき、結晶中へのカーボン微粉末の混入も少なくなる。また、原料ガスが種結晶５に対して平行成分を持ち種結晶５の表面に取り込まれるため、成長結晶の外周の過飽和度の上昇を抑制できる。その結果、口径拡大部の品質劣化が抑制でき、高品質に口径拡大することができる。また、複数の板材（リング）２０〜２３の開口部２０ａ〜２３ａを原料ガスが流れるとき乱れが生じ、図１７（ａ），（ｂ）の場合に比べ結晶表面に集中して入射することを抑制できるため、さらに安定した結晶成長が可能となる。
【００４５】
また、複数の板材（リング）２０，２１，２２，２３におけるＳｉＣ単結晶の成長方向での間隔Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３が５ｍｍ以下、詳しくは２ｍｍである。さらに、複数の板材（リング）２０，２１，２２，２３における隣り合う板材（リング）での開口部２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａの広がりは半径Ｌ１０，Ｌ１１，Ｌ１２が５ｍｍ以下、詳しくは２ｍｍである。即ち、（Ｗ２−Ｗ１）／２＝Ｌ１０，（Ｗ３−Ｗ２）／２＝Ｌ１１，（Ｗ４−Ｗ３）／２＝Ｌ１２が５ｍｍ以下、詳しくは２ｍｍである。このサイズの広がり寸法であれば、多結晶が板材（リング）２０，２１，２２，２３から成長せずに単結晶のみが成長できる。このようにして、板材（リング）２０〜２３への多結晶の付着を抑制し、安定して口径拡大できる。
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４６】
図８は、本実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図である。
成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）の周囲での蓋体２の下面に、ＳｉＣ種結晶５と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶３０が配置されている。そして、図９に示すように、ＳｉＣ種結晶５から成長するＳｉＣ単結晶７の周囲において当該ＳｉＣ単結晶７と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶３１が成長する。このように、成長結晶（７）と同じ配向性を持った結晶３１を周囲に成長させることにより、成長結晶（７）が周囲の結晶３１と一体化しても、周囲の結晶３１より生じる応力が最小となる。そのため、高品質に口径拡大できる。即ち、ＳｉＣ単結晶７が拡大して成長し、周囲部材であるＳｉＣ結晶３０から成長する結晶３１と一体化しても、応力を最小限に抑制でき、結晶拡大部に生じる歪みを最小にできる。
【００４７】
このように、図１４（ａ），（ｂ）の場合においては、ＳｉＣ単結晶１０５の周辺の多結晶１０６からの応力Ｆが大きくなっていた。これに対し本実施形態においては配向性が揃っているため、応力がほとんどない。
【００４８】
また、本実施形態においては、１枚のＳｉＣ基板を用いて、その中央部をＳｉＣ種結晶５として切り抜いて用いるとともにその外周部をＳｉＣ種結晶５と同じ配向性を持ったＳｉＣ結晶３０として用いている。つまり、ＳｉＣ種結晶５の周囲に、炭化珪素単結晶の作製時に切り落とした外周部を方位を合わせて貼り付けている。これにより、種結晶として用いる結晶の外周部をそのまま周囲部材（３０）に使用することにより、容易かつ安価にＳｉＣ単結晶を結晶成長できる。
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４９】
図１０は、本実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図である。
成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）の周囲に周囲部材４０を配置している。周囲部材４０は、母材となる板材４２にＳｉＣ結晶製板材４１，４３を貼り合わせている。詳しくは、母材となる板材４２はカーボン製板材であり、カーボン製板材４２の表裏、それぞれにＳｉＣ結晶製板材（４１，４３）が貼り付けられている。貼り付けにはカーボン同士を強固に接着させる接着剤を用い、２５００℃でも密着した状態が保たれている。周囲部材４０はＳｉＣ種結晶５とほぼ同じ高さに水平に配置されている。
【００５０】
この構成とすることにより、結晶成長部と、周囲部材４０の熱膨張をほぼ等しくすることができ、結晶と周囲の部材が、昇降温時にもほぼ同じプロファイルで、熱膨張・熱収縮をする。そのため、昇降温中に周囲部材が結晶に応力を及ぼすことを抑制することが可能となる。つまり、周囲部材４０との熱膨張差により、成長結晶周囲の空間が影響を受けていたものを低減できる。結果、安定して高品質に口径拡大しつつ結晶成長できる。詳しくは、高品質な成長結晶、及び取り出しが可能となる。
【００５１】
また、母材となる板材４２とＳｉＣ結晶製板材４１，４３とは、ＳｉＣ単結晶を成長させるための高温雰囲気下においても密着状態を保持しているので（成長雰囲気でも密着しており）、成長雰囲気での効果を最大限に引き出せる。こうすることにより、成長空間を安定させ、口径拡大が可能となる。
【００５２】
また、母材となる板材４２の両面にＳｉＣ結晶製板材（４１，４３）をそれぞれ貼り合わせている（２枚のＳｉＣ結晶製板材４１，４３でカーボン製板材４２を挟んでいる）。よって、母材となる板材４２の片面のみにＳｉＣ結晶製板材を貼り合わせた場合に比べ、ＳｉＣ結晶材料とカーボン材料との熱膨張差による反りを低減することができる。
【００５３】
このように、板材１枚に対してＳｉＣ板材を２枚用いてＳｉＣ／板／ＳｉＣのサンドイッチ構造とすることにより熱膨張による反りを防止することができる。逆に、ＳｉＣ板材１枚に対して板材を２枚用いて板／ＳｉＣ／板のサンドイッチ構造とすることにより熱膨張による反りを防止することができる。要は、母材となる板材（４２）もしくはＳｉＣ結晶製板材（４１，４３）の少なくともどちらか一方を複数枚用い、それらを交互に貼り合わせるようにするとよい。
（第５の実施の形態）
次に、第５の実施の形態を、第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５４】
図１１は、本実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図である。
図１１のＡ−Ａ線での断面図を図１２に示す。
成長用容器（１，２）内における種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）の周囲での蓋体２の下面に、溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃを有する周囲部材５０を配置している。溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃは、図１１に示すように、原料ガス供給側とは対向しない上面に開口しており、ＳｉＣの成長空間側には開口していない。また、溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃは、図１２に示すように、種結晶支持部４の周りにおいて同心円上に、かつ、ＳｉＣ種結晶５の外周形状と相似形の環状をなすように複数形成されている。図１１に示すように、溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃの幅は０．５ｍｍ以上であり、溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃの深さは１ｍｍ以上である。このような溝構造とすることにより、周囲部材５０の柔軟性が十分に有効になる。広義には、溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃは、種結晶支持部４（ＳｉＣ種結晶５を支持する部材）の周りにおいて、その中心が種結晶支持部４の中心と一致するように複数形成され、かつ、ＳｉＣ種結晶５の外周形状と相似形の環状をなしている。
【００５５】
また、周囲部材５０において同心円上に溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃが形成されているので、周囲部材５０の下面での温度分布が不均一になる。即ち、溝５１ａ，５１ｂ，５１ｃが有る箇所においては無い箇所よりも高温となる。そのため、図１３に示すように、周囲部材５０の下面から成長する多結晶８は不均一になり、変形し易くなる。また、周囲部材５０自体に溝（スリット）５１ａ，５１ｂ，５１ｃが形成されているため、柔軟性が増す（可動性が大きい）。よって、成長結晶（７）が周囲部材５０からの多結晶８と衝突（接触）して相互作用したときに、応力の大半を周囲部材５０からの多結晶８が受け止めて応力を吸収する。その結果、成長結晶（７）の外周部に応力が入りずらくなり、単結晶７は安定して成長して高品質に口径拡大できる。
【００５６】
これまでの説明においては昇華法（原料として固定原料を用いる方法）にて単結晶を成長する場合について説明してきたが、例えば、Ｓｉ含有ガスとしてモノシランと、Ｃ含有ガスとしてプロパンといった混合ガスを反応容器を導入して単結晶を成長する場合に適用してもよい。要は、成長用容器（１，２）内に配したＳｉＣ種結晶５に対して原料となるガスを供給して当該ＳｉＣ種結晶５からＳｉＣ単結晶７を成長させるＳｉＣ単結晶の製造装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線での断面図。
【図３】結晶成長時のＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図４】ＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図５】ＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）はＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図７】第２の実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図８】第３の実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図９】ＳｉＣ単結晶の成長時における製造装置の縦断面図。
【図１０】第４の実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図１１】第５の実施の形態におけるＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図１２】図１１のＡ−Ａ線での断面図。
【図１３】ＳｉＣ単結晶の製造装置の一部を拡大した縦断面図。
【図１４】（ａ），（ｂ）は従来技術を説明するためＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図１５】（ａ），（ｂ）は従来技術を説明するためＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図１６】（ａ），（ｂ）は従来技術を説明するためＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【図１７】（ａ），（ｂ）は従来技術を説明するためＳｉＣ単結晶の製造装置の縦断面図。
【符号の説明】
１…坩堝、２…蓋体、４…種結晶支持部、５…ＳｉＣ種結晶、６…周囲部材、７…ＳｉＣ単結晶、９…周囲部材、１０…周囲部材、１５…周囲部材、２０，２１，２２，２３…板材、２０ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ…開口部、３０…ＳｉＣ結晶、４０…周囲部材、４１，４２，４３…板材、５０…周囲部材、５１ａ，５１ｂ，５１ｃ…溝、Ｆ１…面、Ｆ１０…アウター部、Ｆ１１…インナー部、Ｆ２０…アウター部、Ｆ２１…インナー部、Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３…間隔、Ｌ２…長さ、ＡＧ１…空隙、ＡＧ２…空隙。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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