(57)【要約】【課題】高圧下の物体比熱を、従来の装置における高圧容器より小型かつ簡易な構成として、容易にしかも高精度で測定できるようにする。【解決手段】高圧下比熱測定装置において、高圧容器内に測定容器が配置され、前記測定容器には前記高圧容器内に通じる連通孔が形成されるとともに、前記測定容器には熱ポンプ兼熱量センサーとしてのサーモモジュールが取り付けられた構成とし、前記測定容器に試料を配置して高圧を与え、前記サーモモジュールに接続されたモニター部に表示された測定値に所定のデータ処理を行うことにより、試料の比熱を算出する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧容器内に測定容器が配置され、前記測定容器には前記高圧容器内に通じる連通孔が形成されるとともに、熱ポンプ兼熱流センサーとしてのサーモジュールが取り付けられていることを特徴とする、高圧下比熱測定装置。
【請求項２】
前記サーモモジュールが、ペルティエ効果素子である、請求項１記載の高圧下比熱測定装置。
【請求項３】
前記測定容器が、良熱伝導性材料からなる請求項１または２記載の高圧下比熱測定装置。
【請求項４】
前記測定容器が、断熱層により覆われた請求項１，２または３記載の高圧下比熱測定装置。
【請求項５】
前記サーモモジュールが、高圧容器外に設けられたモニター部に接続されている請求項１，２，３または４記載の高圧下比熱測定装置。
【請求項６】
比熱測定が、コンピュータ制御されている請求項１，２，３，４または５記載の高圧下比熱測定装置。
【請求項７】
請求項１乃至６記載の高圧下比熱測定装置に試料を充填した後、前記高圧容器内を所定の高圧とすることで前記測定容器内を所定の高圧とし、前記サーモモジュールに通電して前記測定容器への熱収支を測定することにより比熱を求めることを特徴とする、高圧下比熱測定方法。
【請求項８】
前記比熱を、測定値に対する所定のデータ処理方法により算出することを特徴とする、請求項７記載の高圧下比熱測定方法。
【請求項９】
前記データ処理方法が、式
【数１】
2004069327.tif 000010
但し、Ｍは熱容量、ｎは熱電堆の堆数、Иはゼーベック係数、Πはペルティエ係数、Ｖｓは定常状態における電圧、Ｖ（ｔ）は時刻ｔでの電圧、Ｒはサーモモジュールの内部抵抗、Ｒｄｓは定常状態における抵抗、Ｒｄ（ｔ）は時刻ｔでの抵抗。
による計算方法により算出するデータ処理方法である、請求項８記載の高圧下比熱測定方法。
【請求項１０】
前記コンピュータ制御が、所定の時間による定常電流の向きの逆転、または請求項９記載のデータ処理方法によるデータ処理、またはその両方である、請求項６記載の高圧下比熱測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高圧下における物体比熱を測定する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高圧を利用した技術は、工業や基礎研究等の広範な分野で有用な技術として位置づけられている。例えば、ＰＣＢやダイオキシンの分解は、超臨界流体の利用によって可能となっているが、係る超臨界流体は高温・高圧の状態において使用されるものであり、かかる高圧での比熱測定と比熱データは、その実現に不可欠な科学的基礎を与えるものである。
【０００３】
また、溶液中において蛋白質をはじめとする生体高分子の状態及び機能は、圧力によって大きく変化するものであるが、従来の生体高分子の制御には温度・ｐＨ・触媒が用いられていた。これらに対し、圧力の使用は時間応答の速さ・可逆性等、優れた特性を持っており、今後生命工学分野では圧力の使用が重要なキー技術となると考えられている。従って、係る技術の確立と実用化には、生体高分子の状態を熱的に高感度で検出する比熱測定が重要な技術となっている。
【０００４】
さらに、近年においては、食品加工の新しい手法としての加圧が重要な技術となっており、加熱の代わりに加圧によって蛋白質等を変性させ、食品改良や、熟成の時間短縮等が実現され始めている。この手法の開発と加工工程のモニターに高圧下での比熱測定法が利用されている。
係る高圧下での重要な物性値である比熱の測定は、例えば図９に示す高圧下比熱測定装置の測定部１Ａのように、高圧に耐える肉厚の高圧容器２ａを測定用試料容器として兼用して、比熱測定が実施されていたものである（参照文献Ｍ．Ａ．Ａｎｉｓｉｍｏｖ，Ｖ．Ｍ．Ｚａｐｒｕｄｓｋｉｌｌ，Ｇ．Ａ．Ｍｉｌ’ｎｅｒ　　ａｎｄ　Ｅ．Ｉ．Ｐｏｎｏｍａｒｅｋｏ；　　Ｚｈ．　Ｅｋｓｐ．Ｔｈｅｒｏ．Ｆｉｚ．，８０．７８７（１９８１），　　　　　　　　　　　　Ｍ．Ｏｇｕｎｉ，Ｋ．Ｗａｔａｎａｂｅ，Ｔ．Ｍａｔｓｕｏ，Ｈ．ＳｕｇａａｎｄＳ．Ｓｅｋｉ；Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，５５，７７　　　　（１９８２））。
【０００５】
しかし、上記の方法では、高圧容器の熱容量が被測定試料の熱容量よりも大きく、また、容器からの熱リークが測定に大きな影響を与えるため、正確な測定が困難であった。さらに、図９において示すように高圧容器２ａを断熱層６ａで覆うことから、装置全体が大掛かりになるという問題点を有していた。
一方、素材開発分野においても、高温超伝導体等、高機能性材料の探索・開発に高圧を利用する試みもなされているが、これまで高圧下での比熱測定を容易且つ再現性よく行う方法がなかったため、定量的な研究を進展させることが非常に困難であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題点を解決しようとするものであり、高圧下での物体比熱を、従来の装置における高圧容器より小型かつ簡易な構成として、容易にしかも高精度で測定できるようにするとともに、流体のみならず個体の比熱計測にも適用できるようにすることを課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は、高圧容器内に測定容器が配置され、前記測定容器には前記高圧容器内に通じる連通孔が形成されるとともに、前記測定容器には熱ポンプ兼熱量センサーとしてのサーモジュールが取り付けられていることを特徴とする、高圧下比熱測定装置とした。そして、これに試料を充填した後、前記高圧容器に所定の高圧を与え、前記測定容器内を所定の高圧とし、前記サーモモジュールに通電して前記測定容器への熱収支を測定することにより比熱を求めることを特徴とする、高熱下比熱測定方法とした。これにより、ひとつのサーモモジュールで熱ポンプと熱流センサーとを兼ねて簡易な構成となるとともに、測定容器が高圧容器と別体となるため、これを肉薄の低熱容量の容器とすることができることから、全体としてコンパクトな装置になることに加え、測定容器の熱容量による測定値への影響を最小限とすることができる。
【０００８】
また、前記サーモモジュールを、ゼーベック効果素子とすれば高精度の温度差検出を行うことができ、前記測定容器を良熱伝導材料により形成することで、測定容器及びその内部の温度を均一にすることができる。
さらに、前記測定容器を断熱層で覆うことにより、熱のリークを最小限とすることができ、前記サーモモジュールを高圧容器外に設けられたモニター部に接続することで、測定値を経時的にモニターすることができるため高精度の測定を行うことができる。
加えて、前記高圧下比熱測定装置をコンピュータ制御することで、正確な時間及び温度管理が可能となるとともに、測定値から即座に比熱を算出することもできる。
【０００９】
そして、前記比熱を測定値に対する所定のデータ処理方法により算出することで、所定の測定値を入れるだけで試料の比熱を求められるが、そのデータ処理方法を、式
【数２】
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による処理とすることで、誤差を少なくして正確な比熱を求めることができる。
【００１０】
さらにまた、前記高圧下比熱測定装置に対するコンピュータ制御を、所定の時間による定常電流の向きの逆転、または前記式によるデータ処理方法を用いたデータ処理、またはその両方とすることで、自動的な制御により、測定容器からの熱リークの影響を除去しつつ、精度の高い比熱を自動的に算出することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、異なる実施の形態においても、同一構成部には同一の符号を付して説明する。
【００１２】
図１及び図２は、本発明における好ましい実施の形態における高圧下比熱測定装置１を示している。
図１は、高圧下比熱測定装置１の測定部１Ｂを示す断面端図であり、高圧容器２ｂの中に測定容器３とサーモモジュール５を有して構成されている。測定容器３は、その内外を流体が流通可能な連通孔４ａを有しているとともに、その下部にサーモモジュール５が密着している。
また、測定容器３はその周囲がサーモモジュール５を取り付ける面を除いてテフロン（登録商標）やセラミック等の熱伝導率の小さな材料による断熱層６ｂで覆われている。
尚、測定容器３は、温度均一性を良くするため、例えば銅やベリリウム銅等の良熱伝導性材料で形成することが好ましい。
【００１３】
サーモモジュール５は、Ｎ型・Ｐ型が対になった半導体素子によって構成され、直流電流を流すことで一方の面が吸熱し、他方の面が放熱するペルティエ効果を有するとともに、両面に温度差を与えることで発電するゼーベック効果を有するものである。係るサーモモジュール５は、導電線で高圧容器２ｂの外部のモニター部に接続されているとともに（図示せず）、一方の面を測定容器３に接し、他方の面を高圧容器２側に向けて配置されている。また、高圧容器２ｂは連通孔４ｂが設けられて外部と連結され、これを通じて高圧容器内に所定の高圧が与えられる。
【００１４】
図２は、高圧下比熱測定装置１の全体構成を示す概略回路図であり、測定部１Ｂはリレースイッチ８を経由して、例えばデジタルマルチメーターからなるモニター部１Ｃ及び、例えばパーソナルコンピュータ等による制御部１Ｄと連結されている。
リレースイッチ８は、制御部１Ｄにより制御され、定常電流の向きを切り替える。制御部１Ｄは、所定の制御プログラムを有し、例えば設定された時間ごとにサーモモジュール５に与える電流方向の切り替えを行うとともに、測定部１Ｂからの測定データを所定時間ごとに記録する。さらに、制御部１Ｄに記録されたデータをもとに、所定の計算方法により試料の単位重量あたりの比熱を計算するプログラムを実行させるようにすれば、モニター部１Ｃが測定部１Ｂからの測定データを表示するのみならず、制御部１Ｄからの情報を表示することもできる。
また、耐圧容器２ｂは、恒温槽につけることで温度制御を行うことが好ましい。
【００１５】
本実施の形態における高圧下比熱測定装置１は、上記のような構成であり、高圧容器２ｂと測定容器３とを別体として両者の間を連通させる連通孔４ａを測定容器３に設けることにより、その内外に圧力差を生じないようにして、測定容器３を肉薄の材料で制作できるようになった。これにより、装置全体をコンパクトにできるとともに、測定容器３自体の熱容量を小さくすることができるため、測定試料の比熱を最小限の誤差で測定することができる。
【００１６】
この装置の原理は、試料が入った測定容器３に、熱量ΔＱを与え、それによって生じた温度上昇量（温度差）ΔＴを検出するものである。この時の熱量ΔＱは、熱流センサー（サーモモジュール５）でモニターした値を時間積分して算出するが、測定容器３内の試料体積をＶとすると試料の単位体積あたりの比熱は、ΔＱ／（ΔＴ＊Ｖ）で与えられる。
また、熱流センサーとしてサーモモジュール５を使用するが、これは熱量ΔＱを与えるための熱ポンプと温度差ΔＴの検出センサーとを兼ねている。これにより、この装置の構成を非常にシンプルなものにしている。
【００１７】
一方、測定容器３と高圧容器２ｂとの間で熱伝導によるリークが生じるが、この影響は、後述するシステムの熱回路モデルを解析して求めたデータ処理方法により除去することができる。これにより、誤差の少ない測定値を得ることができるようになった。
尚、温度変化がもたらす試料の体積変化により測定容器３からの熱の流出・入を生じるが、小さな温度上昇量（温度差）ΔＴ（実用使用条件０．１Ｋ以下）に対してはこの量は無視することができる。
【００１８】
固体試料の比熱を測定する場合は、測定容器３の中にこれを設置して測定を行う。この場合の測定結果は、測定容器３内の全物質（圧力媒体としての流体と固体試料）の熱容量であるが、圧力媒体となる流体の単位体積あたりの比熱を予め測定しておけば、その値と固体試料の体積より固体試料の比熱を算出できる。
【００１９】
また、高圧容器２ｂと測定容器３間の熱流が多いと測定誤差が大きくなるが、これを覆っている断熱層６ｂにより、これを最小限とすることができる。
【００２０】
（データ処理方法）
図３は、図１及び図２の装置を簡略化した熱回路モデルを示しており、これを用いて解析したデータ処理方法について説明する。
【００２１】
図３において、定熱流源は回路に一定の熱流Ｊを流す。これはサーモモジュール５に一定の電流を流すことによって実現する。Ｍは測定容器３とその内容物との熱容量である。ＲＭは測定容器３と外部の間の熱抵抗である。
この回路において熱流が流れていない場合は、サーモモジュール５の上下間の温度差ΔＴは定常状態で０である。時刻ｔ＝０で熱流を流し始めた時、測定容器３に流れ込む熱流量Ｊｍの時間変化は図４のようになる。十分に時間が経過すると系は定常状態になるが、このときの温度差ΔＴｓは次の関係を満たす。
ΔＴｓ＝Ｊ・ＲＭ
また、定常状態に達するまでに測定容器３に流れ込んだ熱量ΔＱは、
【数３】
2004069327.tif 000004
となり、熱容量Ｍは以下の式で表される。
【数４】
2004069327.tif 000005
【００２２】
ここでの熱容量Ｍは、測定容器３の熱容量Ｍ０と容器内部の試料の熱容量Ｍｓとの和である。測定容器３の熱容量Ｍ０は、試料を入れない真空状態での測定を行う事によって求められる。この量をＭから差し引けば目的とする試料の熱容量Ｍｓ（＝Ｍ−Ｍ０）を求める事ができる。
【００２３】
測定容器３と外部との間の熱流はサーモモジュール５のエレメントを通じて熱が流れる経路、測定容器３から外部に向かってテフロン（登録商標）キャップ等の断熱層６ｂを通じて流れる経路、サーモモジュール５のエレメント間の隙間に充填された試料を通じて流れる経路の３経路をとる。それぞれの経路の熱抵抗を、ＲＴＭ、ＲＷ、Ｒｓとする。この内Ｒｓは試料の有無や測定条件（圧力、温度）によって大きく変化する。また、ＲＴＭ　とＲＷは温度や圧力によって少し変化する。この事は、ΔＴｓの値が測定条件によって変わることを意味する。そこで、ＲＭの値はΔＴｓの実測値と式ＲＭ＝ΔＴｓ／Ｊを用いて決める。
【００２４】
また、熱量ＪとＪｍとの間には次の関係がある。
Ｊ＝　Ｊｍ＋Ｊｒ＝　Ｊｍ＋（ΔＴ／　ＲＭ）＝　Ｊｍ＋Ｊ（ΔＴ／　ΔＴｓ）
よって熱容量Ｍは、
【数５】
2004069327.tif 000006
で与えられる。
【００２５】
本方法ではΔＴの検出センサーとしての熱流源のサーモモジュール５を使用しているが、この等価回路を図５に示す。ここで、
Ｖ＝Ｖｚ＋ＩＲ
Ｖｚ＝ｎ・И・ΔＴ
Ｊ＝ｎ・Π・Ｉ
の関係がある。ここでＲはサーモモジュール５の内部抵抗、Πはペルティエ係数、Иはゼーベック係数、ｎは熱電堆の堆数である。これらの関係より、
ΔＴ＝（Ｖ−ＩＲ）／（ｎ・И）
となる。故に熱容量Ｍは
【数６】
2004069327.tif 000007
と表される。ここでＶｓ＝ｎ・И・ΔＴｓである。式（１）の右辺の各値は、実験条件と測定によって決めることができる。
【００２６】
サーモモジュール５には、若干の熱容量があり、この事はＪｒ＝ΔＴ／ＲＭの関係に誤差を生じさせる。この誤差要因は測定容器３の熱容量Ｍ０を増加させると考えることができるので、上述した真空状態での測定分を差し引くことによって誤差を低減できる。
一方、サーモモジュール５に電流を流すと、不可逆なジュール発熱を生ずる。このジュール発熱量はサーモモジュール５に流す電流の２乗に比例するので、電流値を少なくすることによって、電流値に比例するペルティエ効果の熱輸送量に比べて十分に少なくすることが可能である。サーモモジュール５のジュール発熱量を少なくすることは装置全体を安定な定常状態に保つ上で重要である。
また、測定時の温度変化による試料の体積変化により、測定容器３からの流出・入を生じるが、小さなΔＴ（実際の使用条件では０．１Ｋ以下）に対してはこの量は無視することができる。
【００２７】
尚、個体試料の比熱測定をする時は、試料容器の中に試料を設置して測定を行う。この場合に測定される熱容量は、試料容器内部の全物質（圧力媒体としての流体と固体試料）の熱容量である。試料容器内に圧力媒体の流体だけを満たした場合の測定で得られる熱容量をＭ０、体積比熱をＣ０とすると、固体試料の体積比熱ＣはＣ＝（（Ｍ−Ｍ０）／ｖ）＋　Ｃ０で与えられる。ここでｖは固体試料の体積である。
【００２８】
【実施例】
本実験に用いた高圧下比熱測定装置の全体構成は、基本的に図２のブロック図と同様である。図６は、本装置の測定部１Ｂ’を示す断面端図である。これも図１の測定部１Ｂと同様であるが、測定容器３は、内径１０．８ｍｍ、外径１１．８ｍｍ、高さ７．０ｍｍ、肉厚０．５ｍｍの銅製セルからなり、これが８ｍｍ四方で厚さ２ｍｍのサーモモジュール５の上に固定されている。そして、これらの周りは内径１２．０ｍｍ、外径１５．５ｍｍ、高さ１４ｍｍのテフロン（登録商標）のキャップからなる断熱層６ｂで覆われている。尚、断熱層６ｂの周りが内径１６．０ｍｍ、外径１８．０ｍｍ、高さ１６．０ｍｍ、肉厚１ｍｍの銅製セル３ｂで覆われている点で図１の１Ｂと異なるが、内側のセルと外側のセルはそれぞれ２箇所に僅かな連通孔４ａ，４ａ’があり、ここを通して流体のサンプルが出入り可能となっている。
【００２９】
また、図７は、サーモモジュール５（Ｆｅｒｒｏｔｅｃｈ．，９５０２／０３１／０２１Ｍ型、ｎ＝３１，　７．９８ｘ７．９８ｘ２．０６ｍｍ３）とモニター部１Ｃの電気的な回路図を示している。モニター部１Ｃは、デジタルマルチメーター（ｋｅｉｔｈｌｅｙ社２００２型）からなり、４端子抵抗測定動作で使用することにより、そのＨ／Ｌ端子間には定電流電源が繋がり、ＳＨ／ＳＬ端子間には、電圧計が繋がっている。係るデジタルマルチメーターからの出力データはＳＨ／ＳＬ端子間の電圧Ｖを定電流値Ｉで割った抵抗値Ｒｄであるが、Ｉの値は一定（７．０５または１．００ｍＡ）であるので、Ｖ＝Ｉ・Ｒｄの関係よりＶの値がわかる。実際にはデジタルマルチメーターの表示値Ｒｄを用いて熱容量は、
【数７】
2004069327.tif 000008
と表される。ここでＲｄ　（ｔ）は時刻ｔでの表示値でＲｄｓは時間が十分経過して定常となった時の表示値である。この式には測定に使用した電流Ｉの値は含まれていない。
尚、サーモモジュール５へ流す定電流の方向切り替えにはリレースイッチ８ＭＡＴＵＳＩＴＡ，ＳＰ２−ＤＣ５Ｖ）を用いた。これは計時機能を備えたパーソナルコンピュータによってコントロールされている。また、デジタルマルチメーターの表示値Ｒｄ（ｔ）の記録にもこのパーソナルコンピュータが使用される。
【００３０】
（実験結果）
次に、測定試料として二酸化炭素を用い、臨界点近傍（温度３０８．２５Ｋ、圧力８．　１０Ｍｐａ）で測定を行った測定結果のグラフを図８に示す。
尚、電流方向のスイッチを切り替える毎に定常状態の値は交互に２つの値をとる。これはサーモモジュールの基盤を水平に設置したため下の基板が上の基板より高温になる条件で対流が生じて熱輸送量が増したことによる。よって熱量の積分には対流の生じない下の基板が上の基板より低温になる領域を用いる。
【００３１】
上述のグラフを解析した結果を以下の表１に示す。
この実験で使用したサーモモジュールのИは４．２ｘ１０−−４（Ｖ／Ｋ）、Πは１．２６ｘ１０−１（Ｖ）であった。これらの式を（２）に代入すれば、熱容量Ｍ０が求まる。
尚、Ｓ１値は奇数回におけるグラフの面積であり、Ｓ２値は偶数回におけるグラフの面積である。
この結果を式（２）に代入して比熱を求めると、
Ｃ＝１１９９．４８／Ｊｍｏｌ−１　（３０８．２５Ｋ，８．１０ＭＰａ）
となった。
【表１】
2004069327.tif 000009
【００３２】
試料容器の体積ｖは６．４１ｘ１０−７ｍ３であるので、密度の文献値（ＮＩＳＴ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｗｅｂｂｏｏｋ−Ｔｈｅｒｍｏｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｆｌｕｉｄ　ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いて二酸化炭素のモル比熱の値は１．２０ｘ１０−７ｍ３Ｊ・ｍｏｌ−１と求めることができる。この値は文献値１．２９ｘ１０−７ｍ３Ｊ・ｍｏｌ−１と７％の誤差で一致する。
【００３３】
上記の式（２）の式の計算ではサーモモジュールの特性値であるИとΠに常圧での測定値を用いた。また、試料の容積ｖには試料容器の実測値を用いた。ИとΠの測定条件での値とサーモモジュールのエレメントの間の小さな空隙に満たされた試料の影響を含んだ補正された体積の値を用いることは、既に比熱のわかっている流体を標準試料として用い、（１つの）測定定数である（ｎ２ИΠ／ｖ）の値を使用する温度と圧力範囲で予め求めておくことによって実現できる。
【００３４】
（実施例の評価）
本実施例において、二酸化炭素の比熱測定結果において、文献値に対し７％の誤差であった。この７％の誤差は、熱測定においては比較的小さな誤差と考えられる。従って、シンプルな構成の装置を用いて高圧下で高精度な比熱測定を実施できたということができる。また、本実施例における実験結果から、サーモモジュール５の基盤を水平に設置した場合、下の基盤が上の基盤より高温になる条件での測定は、本目的には不要であることがわかった。これを除くことは図１０の回路を用い、サーモモジュール５の下の基盤が上の基盤より低温になるように定常電流の向きを選び、この電流をリレースイッチ８’で開閉することにより実現される。
そして、本方法の特徴は以下の４点に要約することができる。
１．測定容器の内外は、原理的に圧力差が生じないため、肉薄の材料を用いてこれを従来の比熱測定用容器と比べて小型にすることができた。
２．測定容器の内外は、熱的に断熱ではなく一定の熱抵抗で保たれるようになっていて、その熱伝導による影響は、システムの熱回路モデルを解析し、それに基づいたデータ処理をすることにより除去することができた。これにより、誤差の少ない測定値を得られるようになった。
３．比熱測定に要する温度差は０．１Ｋ以下であり、相転移点近傍など比熱の温度変化が大きい条件でも正確な測定が可能であった。
４．熱ポンプを兼ねる熱流センサーとしてサーモモジュールを使用したことで、本実施例のシステムの構成は非常にシンプルなものとなった。即ち、本システムは、高圧容器、比熱測定用の測定容器の他、サーモモジュール１個とパソコン制御されたデジタルマルチメーター１台のみであった。
尚、本発明を実施するための最良の構成は上記の記載で開示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３５】
【発明の効果】
上記のように、本発明である高圧下比熱測定装置及び方法により、高圧下での物体比熱を、従来の装置における高圧容器より小型かつ簡易な構成として、容易にしかも高精度で測定できるようになった。また、液体のみならず個体の比熱計測にも適用できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における測定装置の測定部を示す断面端図である。
【図２】本発明の実施の形態における測定装置の概略回路図である。
【図３】本発明の実施の形態における測定装置を簡略化して示した回路図である。
【図４】本発明の実施の形態における熱流量と温度差の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の実施の形態における測定装置のサーモモジュールの等価回路図である。
【図６】本発明の実施例における測定装置の測定部を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例における測定装置のサーモモジュールと表示部の電気的な概略回路図である。
【図８】本発明の実施例における測定結果を示すグラフである。
【図９】従来の測定装置における測定部の断面図である。
【図１０】本発明の実施において好ましい測定装置のサーモモジュールと表示部の電気的な概略回路図である。
【符号の説明】
１　高圧下比熱測定装置、１Ａ，１Ｂ，１Ｂ’　測定部、１Ｃ、１Ｃ’　モニター部、１Ｄ　制御部、２，２ａ　高圧容器、３　測定容器、４ａ，４ａ’，４ｂ　連通孔、５　サーモモジュール、６ａ，６ｂ　断熱層、７　管、８，８’　リレースイッチ
【図１】
2004069327.tif 000011
【図２】
2004069327.tif 000012
【図３】
2004069327.tif 000013
【図４】
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【図５】
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【図６】
2004069327.tif 000016
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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