(57)【要約】【課題】本発明の目的は、信頼性の高い配線基板を簡単に製造することにある。【解決手段】熱可塑性樹脂によって形成された受理層１０を熱によって軟化させる。熱によって軟化した状態の受理層１０上に、導電性微粒子を含む溶剤により、配線層１４を形成する。配線層１４を加熱して導電性微粒子を相互に結合させる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂によって形成された受理層を熱によって軟化させること、
熱によって軟化した状態の前記受理層上に、導電性微粒子を含む溶剤により、配線層を形成すること、及び、
前記配線層を加熱して前記導電性微粒子を相互に結合させること、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を含む前記溶剤を吐出して前記配線層を形成する配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記受理層を基材上に形成する配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を相互に結合させた後に、前記基材を前記受理層から除去することをさらに含む配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の方法により製造されてなる配線基板。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、
を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
従来、プリント配線板は、基材に銅箔を貼りエッチングにより配線を形成することで製造されていた。これによれば、プロセスが複雑であり、エッチングのために、高価なマスクが必要であるし、多くの設備が必要であった。そこで、近年、表面処理の施された基材に金属インクを吐出して配線を形成する技術が開発されている。表面処理として、フッ素被膜を基材に形成し（ＦＡＳ（Ｆｌｕｏｒｉｃ  Ａｌｋｙｌ  Ｓｉｌａｎｅ）処理）、これを多孔質にすることで金属インクの表面張力をコントロールする場合、配線と基材との密着性を高めることが難しかった。または、表面処理として、ポリビニルアルコールを基材に塗布して膨潤性を有する受理層を形成する方法や、水酸化アルミニウムを基材に塗布して空隙を有する受理層を形成する方法では、受理層は吸水性が高いために水分を含みやすく内層として好ましくない。また、配線と基材との密着性を高めることも難しかった。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い配線基板を簡単に製造することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、熱可塑性樹脂によって形成された受理層を熱によって軟化させること、
熱によって軟化した状態の前記受理層上に、導電性微粒子を含む溶剤により、配線層を形成すること、及び、
前記配線層を加熱して前記導電性微粒子を相互に結合させること、
を含む。本発明によれば、導電性微粒子を含む溶剤を設けるときに、受理層は軟化した状態であるから、にじみや溜まり（Ｂｕｌｇｅ）の発生を抑制することができる。また、固化した受理層と、相互に結合した導電性微粒子を含む配線層とは密着性が高い。そのため、信頼性の高い配線基板を簡単に製造することができる。
（２）この配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を含む前記溶剤を吐出して前記配線層を形成してもよい。
（３）この配線基板の製造方法において、
前記受理層を基材上に形成してもよい。
（４）この配線基板の製造方法において、
前記導電性微粒子を相互に結合させた後に、前記基材を前記受理層から除去することをさらに含んでもよい。
（５）本発明に係る配線基板は、上記方法によって製造されてなる。
（６）本発明に係る半導体装置は、上記配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された半導体チップと、
を有する。
（７）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図１（Ａ）に示すように、熱可塑性樹脂（例えば、ポリアミドや熱可塑性ポリイミド等の有機材料）によって形成された受理層１０を使用する。受理層１０は、基材（例えば基板）１２上に形成してもよい。基材１２は、銅などの金属であってもよいし、熱硬化性の樹脂（例えば、ポリイミドやエポキシ樹脂等）であってもよいし、ガラスであってもよい。受理層１０は、表面が平坦になるように形成してもよい。受理層１０は絶縁性を有し、（第１の）絶縁層ということができる。
【０００７】
図１（Ｂ）に示すように、受理層１０を熱によって軟化させる。この状態で、受理層１０は、粘性を持っていてもよい。軟化した状態の受理層１０上に配線層（以下、第１の配線層ともいう。）１４を形成する。配線層１４は、導電性微粒子を含む溶剤（例えば、金属インク）によって形成する。導電性微粒子は、金や銀等の酸化しにくく、電気抵抗の低い材料から形成されていてもよい。金の微粒子を含む溶剤として、真空冶金株式会社の「パーフェクトゴールド」、銀の微粒子を含む溶剤として、同社の「パーフェクトシルバー」を使用してもよい。なお、微粒子とは、特に大きさを限定したものではなく、溶剤とともに吐出できる粒子である。配線層１４の形成は、インクジェット法やバブルジェット（登録商標）法などの導電性微粒子を含む溶剤の吐出（例えば、その液滴の吐出）によって行ってもよいし、マスク印刷やスクリーン印刷によって行ってもよい。導電性微粒子は、反応を抑制するために、コート材によって被覆されていてもよい。溶剤は、乾燥しにくく再溶解性のあるものであってもよい。導電性微粒子は、溶剤中に均一に分散していてもよい。
【０００８】
本実施の形態によれば、導電性微粒子を含む溶剤は、軟化した状態の熱可塑性樹脂上に設けられるので、配線層１４を形成するときに、にじみや溜まり（Ｂｕｌｇｅ）の発生を抑制することができる。配線層１４を乾燥させて、溶剤を揮発させ、導電性微粒子（あるいは導電性微粒子及びコート材）を残してもよい。乾燥は、室温以上１００℃以下の温度で行ってもよい。または、配線層１４を加熱して、導電性微粒子を被覆するコート材を分解してもよい。
【０００９】
図１（Ｃ）に示すように、配線層１４に熱を供給する。熱は、配線層１４の導電性微粒子を相互に結合（例えば焼結）させる温度（例えば、３００〜６００℃程度）であってもよい。熱の供給時間は１時間程度であってもよい。こうすることで、導電性微粒子は、導電膜又は導電層となる。また、熱可塑性樹脂は、さらに軟化してもよい。
【００１０】
図１（Ｄ）に示すように、受理層１０は、冷却されて固化する。なお、積極的に受理層１０を冷却しなくても、常温（あるいは室温）にて受理層１０の温度を下げてもよい。受理層１０を構成する熱可塑性樹脂が固化し導電性粒子が相互に結合すると、受理層１０及び配線層１４は密着性が高くなるので、信頼性の高い配線基板が得られる。
【００１１】
図２（Ａ）に示すように、配線層１４を覆うように、受理層１０上に絶縁層（第２の絶縁層ともいう。）２０を形成してもよい。絶縁層２０の材料は、受理層１０の内容が該当してもよい。絶縁層２０を設ける場合、その前に少なくとも配線層１４から溶剤を揮発させておく。本実施の形態では、配線層１４の導電性微粒子を相互に結合（例えば焼結）させた後に絶縁層２０を形成する。絶縁層２０を熱可塑性樹脂で形成する場合、これを熱によって軟化させる。このとき、受理層１０を熱によって軟化させてもよい。また、絶縁層２０には、コンタクトホール２４を形成する。
【００１２】
図２（Ｂ）に示すように、絶縁層２０上に第２の配線層２６を形成する。第２の配線層２６の材料及び形成方法は、上述した第１の配線層１４の内容が該当してもよい。第２の配線層２６に対して、絶縁層２０は、上述した受理層１０と同じ機能を果たすので、絶縁層２０を受理層ということもできる。第２の配線層２６は、コンタクトホール２４を介して、第１の配線層１４に接触するように形成する。第２の配線層２６を、導電性微粒子を含む溶剤で形成する場合、これをコンタクトホール２４に吐出してもよい。
【００１３】
図２（Ｃ）に示すように、熱を供給することによって、第２の配線層２６の導電性微粒子を相互に結合させてもよい。絶縁層２０及び第２の配線層２６は、受理層１０及び第１の配線層１４について上述した特徴を有し、同じ作用効果を達成してもよい。
【００１４】
図３（Ａ）に示すように、第２の配線層２６を覆うように、絶縁層（第２の絶縁層）２０上に第３の絶縁層３０を形成してもよい。第３の絶縁層３０の材料は、絶縁層２０の内容が該当してもよい。第３の絶縁層３０にはコンタクトホール３４を形成してもよい。また、コンタクトホール３４を介して第２の配線層２６上にコンタクトポスト３６を形成してもよい。
【００１５】
図３（Ｂ）に示すように、コンタクトポスト３６上に端子部３８を形成してもよい。端子部３８は、コンタクトポスト３６の上面よりも大きくなるように形成してもよい。その場合、端子部３８の周縁部が第３の絶縁層３０上に載っていてもよい。端子部３８は、ＮｉやＣｕなどの無電解めっき等によって形成することができる。
【００１６】
さらに、基材１２を受理層１０から除去してもよい。例えば、基材１２として銅板を使用し、塩化第二鉄などのエッチング液に基材１２を浸漬してこれを溶解してもよい。この工程は、導電性微粒子（第１及び第２の配線層１４，２６）を相互に結合させた後に行う。こうすることで、薄膜積層配線基板が得られる。
【００１７】
本実施の形態によれば、固化した受理層１０と、相互に結合した導電性微粒子を含む配線層１４との密着性が高い。そのため、信頼性の高い配線基板を簡単に製造することができる。
【００１８】
（第２の実施の形態）
図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。図４（Ａ）に示すように、本実施の形態では、上述した受理層１０上に配線層４０を形成する。また、上述した基材１２を使用してもよい。配線層４０は、コンタクトポスト４２を有するように形成する。受理層１０及び配線層４０の材料及び形成方法は、第１の実施の形態で説明した内容を適用してもよい。すなわち、軟化した状態の受理層１０上に配線層４０を形成し、配線層４０を加熱して導電性微粒子を相互に結合させる。
【００１９】
図４（Ｂ）に示すように、配線層４０を覆うように、受理層１０上に絶縁層４４を形成する。絶縁層４４はコンタクトポスト４２を覆ってもよい。絶縁層４４の材料及び形成方法は、第１の実施の形態で説明した絶縁層２０の内容を適用してもよい。なお、配線層４０の導電性微粒子を相互に結合してから絶縁層４４を設けてもよい。そして、絶縁層４４の、コンタクトポスト４２上の部分を除去する。この除去工程は、絶縁層４４を構成する熱可塑性樹脂が軟化した状態のまま行ってもよいし、熱可塑性樹脂が固化した後に行ってもよい。また、この除去工程は、絶縁層４４の表面部の溶解によって行ってもよい。こうして、図４（Ｃ）に示すように、コンタクトポスト４２の上面を露出させる。
【００２０】
図４（Ｄ）に示すように、絶縁層４４上に第２の配線層４６を形成する。第２の配線層４６の材料及び形成方法は、第１の実施の形態で説明した第２の配線層２６の内容を適用してもよい。第２の配線層４６に対して、絶縁層４４は、上述した受理層１０と同じ機能を果たすので、絶縁層４４を受理層ということもできる。第２の配線層２６は、コンタクトポスト４２上を通るように形成する。その後、第２の配線層４６の導電性微粒子を相互に結合させて、積層配線基板を製造することができる。本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した作用効果を得ることができる。
【００２１】
（第３の実施の形態）
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第２の実施の形態で説明したように、受理層１０上に配線層４０を形成し、その上に絶縁層４４を形成する。絶縁層４４は、コンタクトポスト４２を覆うように形成する。その他の詳細は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して説明した内容と同じである。
【００２２】
図５（Ａ）に示すように、絶縁層４４を構成する熱可塑性樹脂が軟化した状態で、その上に第２の配線層５０を形成する。第２の配線層５０の材料及び形成方法は、第１の実施の形態で説明した第２の配線層２６の内容を適用してもよい。第２の配線層５０に対して、絶縁層４４は、上述した受理層１０と同じ機能を果たすので、絶縁層４４を受理層ということもできる。この状態で、第２の配線層５０とコンタクトポスト４２との間にも、絶縁層４４の一部が介在している。
【００２３】
図５（Ｂ）に示すように、熱によって第２の配線層５０の導電性微粒子を相互に結合させる。このときの熱によって、絶縁層４４を軟化（さらに軟化）させてもよい。導電性微粒子が相互に結合して導電膜又は導電層が形成された後に、第２の配線層５０及び配線層４０に対して、両者を挟み込む方向に加圧力を加えてもよい。
【００２４】
こうして、図５（Ｃ）に示すように、コンタクトポスト４２と第２の配線層５０とを電気的に導通させる。こうして、積層配線基板を製造することができる。本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した作用効果を得ることができる。
【００２５】
図６には、上述したいずれかの実施の形態で説明した配線基板１０００と、これに電気的に接続された半導体チップ１と、を有する半導体装置が示されている。この半導体装置を有する電子機器として、図７にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図８には携帯電話３０００が示されている。
【００２６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明の第３の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明する図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ  １０…受理層  １２…基材  １４…配線層  ２０…絶縁層２２…マスク層  ２４…コンタクトホール  ２６…第２の配線層  ３０…第３の絶縁層  ３４…コンタクトホール  ３６…コンタクトポスト  ３８…端子部  ４０…配線層  ４２…コンタクトポスト  ４４…絶縁層  ４６…第２の配線層  ５０…第２の配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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