(57)【要約】【課題】半導体チップと電極部材との固着にあたり、安定した固着強度を与え、固着後の信頼性に優れ、作業性及び生産性にも優れるといった特性を維持し、かつ、接着時の熱処理の低温化及び短時間化を可能にするダイボンド用接着フィルム及び該接着フィルムを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】以下の一般式（１）：【化１】2004266160.tif 000005（式中、Ｒはジイソシアネート残基を表し、ｎ個のＲは芳香族ジイソシアネート残基及び脂肪族ジイソシアネート残基をそれぞれ少なくとも１つ含み、Ｒ１  はモノイソシアネート残基を表し、ｎは２〜１００の整数である）で表されるポリカルボジイミドからなるダイボンド用接着フィルム、及び該接着フィルムにより半導体チップと電極部材とを固着してなる半導体装置。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般式（１）：
【化１】
2004266160.tif 000004
（式中、Ｒはジイソシアネート残基を表し、ｎ個のＲは芳香族ジイソシアネート残基及び脂肪族ジイソシアネート残基をそれぞれ少なくとも１つ含み、Ｒ１  はモノイソシアネート残基を表し、ｎは２〜１００の整数である）
で表されるポリカルボジイミドからなるダイボンド用接着フィルム。
【請求項２】
芳香族ジイソシアネート残基がトリレンジイソシアネート残基、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート残基及びナフタレンジイソシアネート残基からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、脂肪族ジイソシアネート残基がヘキサメチレンジイソシアネート残基である請求項１記載のダイボンド用接着フィルム。
【請求項３】
モノイソシアネート残基が１−ナフチルイソシアネート残基である請求項１又は２記載のダイボンド用接着フィルム。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか記載のダイボンド用接着フィルムにより半導体チップと電極部材とを固着してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップと電極部材の固着材料である、ダイボンド用接着フィルム及び該接着フィルムを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の製造過程においてリードフレームや電極部材への半導体チップの固着にフィルム状のダイアタッチ材を用いる方法の開発が行われている。このようなダイアタッチ材の例として、接着時の熱処理を従来の銀ペーストと同様の温度で行うことのできる、ポリイミド樹脂を含有したダイボンド用接着フィルムが示されている（特許文献１）。しかし、半導体チップ及び電極部材へのダメージをさらに減少させるためには、接着時の熱処理のより一層の低温化が望まれる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−２２８６９７号公報（〔０００４〕）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体チップと電極部材との固着にあたり、安定した固着強度を与え、固着後の信頼性に優れ、作業性及び生産性にも優れるといった特性を維持し、かつ、接着時の熱処理の低温化及び短時間化を可能にするダイボンド用接着フィルム及び該接着フィルムを用いた半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下の一般式（１）：
【０００６】
【化２】
2004266160.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｒはジイソシアネート残基を表し、ｎ個のＲは芳香族ジイソシアネート残基及び脂肪族ジイソシアネート残基をそれぞれ少なくとも１つ含み、Ｒ１  はモノイソシアネート残基を表し、ｎは２〜１００の整数である）
で表されるポリカルボジイミドからなることを特徴とするダイボンド用接着フィルム、及び該ダイボンド用接着フィルムにより半導体チップと電極部材とを固着してなる半導体装置に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明のダイボンド用接着フィルムは、前記一般式（１）で表されるポリカルボジイミドからなることを特徴とする。
【０００９】
本発明において、前記一般式（１）で表されるポリカルボジイミドは、芳香族ジイソシアネート残基及び脂肪族ジイソシアネート残基を少なくともそれぞれ１種含む２種以上のジイソシアネートを縮合反応させ、モノイソシアネートで末端封鎖することにより得られる。
【００１０】
前記一般式（１）中、Ｒは、原料として用いられるジイソシアネートの残基を、Ｒ１  は、同様に原料として用いられるモノイソシアネートの残基を表す。また、ｎは２〜１００の整数である。ｎが１００を超えると、常温での放置においても数分から数時間で容易にゲル化するため、実用上好ましくない。また、ｎが２未満であると、皮膜の信頼性に欠けるので好ましくない。
【００１１】
原料であるジイソシアネートには、芳香族ジイソシアネート及び脂肪族ジイソシアネートを少なくともそれぞれ１種用いる。
【００１２】
芳香族ジイソシアネートとしては、具体的には、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、１−メトキシフェニル−２，４−ジイソシアネート、３，３’−ジメトキシ−４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、３，３’−ジメチル−４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、２，２−ビス［４−（４−イソシアネートフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−イソシアネートフェノキシ）フェニル］プロパン等を用いることができる。これらの中でも、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート及びナフタレンジイソシアネートからなる群より選ばれる少なくとも１種が反応が容易に進行し特に好適に使用できる。なお、これらの芳香族ジイソシアネートは単独で用いても２種以上を混合して使用してもよい。
【００１３】
脂肪族ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート、リジンジイソシアネート、メチルシクロヘキサン−２，４’−ジイソシアネート等を用いることができる。これらの中でも、ヘキサメチレンジイソシアネートが反応が容易に進行し特に好適に使用できる。なお、これらの脂肪族ジイソシアネートは単独で用いても２種以上を混合して使用してもよい。
【００１４】
原料として用いられる芳香族ジイソシアネートの脂肪族ジイソシアネートに対するモル比は、５１／４９〜９９／１が好ましく、６０／４０〜９５／５がより好ましい。
【００１５】
原料であるモノイソシアネートは芳香族系又は脂肪族系のいずれであってもよく、芳香族系又は脂肪族系のものを単独で若しくは両者を共に用いることができる。
【００１６】
モノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、フェニルイソシアネート、ｐ−ニトロフェニルイソシアネート、ｐ−及びｍ−トリルイソシアネート、ｐ−ホルミルフェニルイソシアネート、ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネート、１−ナフチルイソシアネート等が挙げられる。これらのモノイソシアネートは単独で若しくは２種以上を混合して用いることができる。
【００１７】
モノイソシアネートとしては、モノイソシアネート同士間での反応が生じず、かつ効率よくポリカルボジイミドの末端封鎖が進行するという観点から、芳香族モノイソシアネートが好適に使用され、１−ナフチルイソシアネートがより好適に使用される。
【００１８】
末端封鎖に使用されるモノイソシアネートは、使用するジイソシアネート成分１００モルに対して１〜１０モルの範囲で用いるのが好ましい。ジイソシアネート成分１００モルに対してモノイソシアネート成分を１モル以上で用いると、得られるポリカルボジイミドの分子量が大きくなりすぎたり架橋反応が生ずることがないため、例えば、ポリカルボジイミド溶液の粘度の上昇ないし当該溶液の固化が生じたり、当該溶液の保存安定性の低下が生ずることがないので好ましい。また、ジイソシアネート成分１００モルに対してモノイソシアネート成分を１０モル以下で用いると、ポリカルボジイミド溶液の粘度が適度であり、例えば、当該溶液の塗布乾燥によるフィルム成型において良好な成膜を行うことができるので好ましい。モノイソシアネートをジイソシアネート成分に対し前記範囲で用いて末端封鎖したポリカルボジイミドの溶液は、特に保存安定性に優れる。
【００１９】
本発明において、ポリカルボジイミドの製造は、所定の溶媒中、カルボジイミド化触媒の存在下、原料としてのジイソシアネートを縮合反応によりカルボジイミド化させ、モノイソシアネートにより末端封鎖することにより行う。
【００２０】
反応温度としては、０〜５０℃が好ましく、１０〜４０℃がより好ましい。反応温度がかかる範囲内であれば、脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとの縮合反応が充分に進行するので好ましい。
【００２１】
反応溶液中のジイソシアネート濃度は５〜８０重量％であるのが好適である。ジイソシアネート濃度がかかる範囲内にあれば、カルボジイミド化が充分に進行し、また、反応の制御が容易であるので好ましい。
【００２２】
モノイソシアネートによる末端封鎖は、ジイソシアネートのカルボジイミド化の初期、中期、末期又は全般にわたり、モノイソシアネートを反応溶液中に加えることにより行うことができる。当該モノイソシアネートとしては芳香族モノイソシアネートが好ましい。
【００２３】
芳香族モノイソシアネートを用いる場合は、脂肪族ジイソシアネートと芳香族ジイソシアネートとからなるポリカルボジイミドの末端のイソシアネート基に対し、反応溶液中に過剰に存在する芳香族ジイソシアネートを、さらに反応させた後、芳香族モノイソシアネートにより末端封鎖することが好ましい。これらの反応温度は４０〜１５０℃が好ましく、５０〜１２０℃がより好ましい。反応温度がかかる範囲内であれば、任意の溶媒を用いて反応を円滑に進行させることができるので好ましい。
【００２４】
カルボジイミド化触媒としては、公知のリン系触媒がいずれも好適に用いられる。例えば、１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−２−ホスホレン−１−オキシド、１−エチル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシド、或いはこれらの３−ホスホレン異性体等のホスホレンオキシドが挙げられる。
【００２５】
ポリカルボジイミドの製造に用いられる溶媒（有機溶媒）としては、公知のものが使用される。具体的には、テトラクロロエチレン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒が挙げられる。これらの溶媒は単独で若しくは２種以上を混合して用いることができる。また、これらの溶媒は、得られたポリカルボジイミドを溶解する場合にも用いられる。
【００２６】
なお、反応の終点は、赤外分光分析（ＩＲ測定）によるカルボジイミド構造（Ｎ＝Ｃ＝Ｎ）由来の吸収（２１４０ｃｍ−１）の観測及びイソシアネート由来の吸収（２２８０ｃｍ−１）の消失により確認することができる。
【００２７】
カルボジイミド化反応の終了後、通常、ポリカルボジイミドは溶液として得られるが、さらにメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン等の貧溶媒に得られた溶液を投入し、ポリカルボジイミドを沈澱として析出させ、未反応のモノマーや触媒を取り除いてもよい。
【００２８】
また、一旦、沈澱として回収されたポリカルボジイミドの溶液を調製するには、当該沈澱を所定の操作により洗浄し、乾燥を行い、再度有機溶媒に溶解する。このような操作を行うことにより、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性を向上させることができる。
【００２９】
さらに、ポリカルボジイミド溶液中に副生成物が含まれる場合には、例えば、適当な吸着剤を用い、副生成物を吸着除去して、精製してもよい。吸着剤としては、例えば、アルミナゲル、シリカゲル、活性炭、ゼオライト、活性酸化マグネシウム、活性ボーキサイト、フラースアース、活性白土、分子ふるいカーボン等が挙げられ、それらの吸着剤は単独で若しくは２種以上を併用することができる。
【００３０】
以上より、本発明におけるポリカルボジイミドが得られる。接着フィルムを構成するポリカルボジイミドとしては、接着時の熱処理の低温化の観点から、主鎖構造が芳香族及び脂肪族ジイソシアネートから構成され、かつ末端封鎖が芳香族モノイソシアネートよりなるものが好適である。
【００３１】
具体的には、ポリカルボジイミドとしては、前記一般式（１）のＲで表されるジイソシアネート残基中、芳香族ジイソシアネート残基の脂肪族ジイソシアネート残基に対するモル比は、好ましくは５１／４９〜９９／１、より好ましくは６０／４０〜９５／５であるものが好ましく、前記一般式（１）のＲ１  で表されるモノイソシアネート残基が芳香族モノイソシアネート残基であるものが好ましい。また、該芳香族ジイソシアネート残基としては、トリレンジイソシアネート残基、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート残基及びナフタレンジイソシアネート残基からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましく、ナフタレンジイソシアネート残基がより好ましく、該脂肪族ジイソシアネート残基としては、ヘキサメチレンジイソシアネート残基が好ましく、該芳香族モノイソシアネート残基としては、１−ナフチルイソシアネート残基が好ましい。
【００３２】
本発明のダイボンド用接着フィルムは、例えば、前記一般式（１）で表されるポリカルボジイミドをトルエン、シクロヘキサノン等の溶媒に溶解させた溶液を、キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティング等の公知の方法により、離型性表面を有する支持体の上に塗布し、加熱乾燥させて、製膜することにより得られる。
【００３３】
前記支持体としては、金属箔、プラスチックフィルム等の絶縁性フィルム等が挙げられる。これらの支持体は、それぞれ単独で用いてもよく、また両者を２層以上積層した２層基材を用いてもよい。このような２層基材としては、例えば銅／ポリイミドの２層基材等が挙げられる。
【００３４】
支持体上に塗布したポリカルボジイミド溶液の加熱乾燥は、ポリカルボジイミドの硬化反応をあまり進行させずに乾燥させるよう、溶媒の除去が可能な程度の温度、時間で行うことが好ましい。具体的な加熱乾燥の温度としては、２０〜３５０℃が好ましく、５０〜２５０℃がより好ましく、７０〜２００℃が特に好ましい。また、時間は、３０秒〜３０分が好ましく、１〜１０分がより好ましく、２〜５分が特に好ましい。
【００３５】
接着フィルムを製造する際には、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図るために、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、合金、アルミナ、シリカ、マグネシア、窒化ケイ素等のセラミック、カーボン等の種々の無機粉末を必要に応じて、１種又は２種以上を配合してもよい。
【００３６】
さらに、本発明の接着フィルムには、無機充填剤、表面平滑性を出すための平滑剤、脱泡剤、接着力を向上させるシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤等の各種添加剤が、フィルムの加工性、耐熱性を損なわない範囲で適宜配合されていてもよい。これら添加剤の配合量は、ポリカルボジイミド１００重量部に対して、０．１〜１００重量部が好ましく、０．２〜５０重量部がより好ましい。
【００３７】
本発明のダイボンド用接着フィルムの厚さは、１〜２００μｍ程度が好ましい。またフィルムの形状や大きさは、リードフレームや半導体チップ等、被着体に応じて適宜に選択することができる。
【００３８】
本発明のダイボンド用接着フィルムは、リール等に長尺状態に巻回したリボン状で用いるのが取扱いが容易であり好ましく、また支持体上に製膜した接着フィルムは、使用時に支持体から剥離して使用されるのが一般的である。
【００３９】
本発明のダイボンド用接着フィルムは、被着体の種類、接着時の荷重等によって異なるが、比較的低温、かつ短時間で被着体に固着させることができる。その固着強度は安定しており、固着後の信頼性も高いことから、本発明の接着フィルムは、半導体装置における半導体チップと電極部材との固着にも好適に用いることができる。
【００４０】
従って、本発明においては、さらに本発明のダイボンド用接着フィルムにより半導体チップと電極部材とを固着させた半導体装置が提供される。半導体チップと電極部材との固着は、例えば、本発明の接着フィルムをダイシング装置上に固定し、シリコンウェハの片面を接着フィルムに２０〜１００℃にて仮接着して固定した後、ダイシング装置により、接着フィルムが仮接着されたシリコンウェハを切断して、接着剤を保持した半導体チップを得、接着剤が仮接着された半導体チップを電極部材、例えばリードフレームのダイパッド上に載せて加熱し、接着剤層中のポリカルボジイミドを硬化させることにより、行うことができる。また、別の手段として、接着フィルムをカッター等適宜の手段により所定の寸法（長さや形状等）に切断し、形成した切断片を電極部材、例えばリードフレームのダイパッド上に仮接着し、その上に半導体チップを載せて加熱する方法であってもよい。
【００４１】
なお、加熱手段は特に限定されず、例えば、ヒーター、超音波、紫外線等、公知の手段を用いることができる。また、加熱温度や時間は、被着体にかける荷重等により異なるが、加熱温度は、好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは１００〜１５０℃であり、加熱時間は、好ましくは１秒〜３０分、より好ましくは１秒〜１分である。
【００４２】
固着させた半導体チップと電極部材は、接着フィルム中のポリカルボジイミドを完全に硬化させるため、さらに、１２０〜２００℃程度の温度で、１〜５時間程度加熱することが好ましい。半導体チップの周囲を、エポキシ樹脂等の樹脂により封止する場合には、この加熱処理を、封止用樹脂成型後の硬化と同時に行ってもよい。
【００４３】
【実施例】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は当該実施例のみに限定されるものではない。
【００４４】
なお、以下において、合成反応は全て窒素気流下で行った。ＩＲ測定は、ＦＴ／ＩＲ−２３０（日本分光製）を用いて行った。
【００４５】
実施例１
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコにトリレンジイソシアネート（異性体混合物：三井武田ケミカル製Ｔ−８０）を１２．９ｇ（７４．１ｍｍｏｌ）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを１１１．２６ｇ（４４４．６ｍｍｏｌ）、ナフタレンジイソシアネートを３１．１５ｇ（１４８．２ｍｍｏｌ）、ヘキサメチレンジイソシアネートを１２．４６ｇ（７４．１ｍｍｏｌ）、トルエンを２０２．５６ｇ入れ、混合した。
【００４６】
さらに、１−ナフチルイソシアネートを１２．５４ｇ（７４．１ｍｍｏｌ）と３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシドを０．７１ｇ（３．７０５ｍｍｏｌ）添加し、２５℃で２時間攪拌した後、攪拌しながら１００℃に昇温し、２時間保持した。
【００４７】
反応の進行はＩＲ測定により確認した。具体的にはイソシアネートのＮ＝Ｃ＝Ｏ伸縮振動（２２８０ｃｍ−１）の吸収の減少とカルボジイミドのＮ＝Ｃ＝Ｎ伸縮振動（２１４０ｃｍ−１）の吸収の増加を観測した。ＩＲ測定にて反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することにより、ポリカルボジイミド溶液を得た。なお、前記一般式（１）におけるｎは１３〜５３で分布していた。
【００４８】
次いで、ポリカルボジイミド溶液を剥離剤（フッ素化シリコーン）で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ（厚さ５０μｍ）〔三菱化学ポリエステルフィルム（株）製〕の上に塗布した。これを、１３０℃にて１分間加熱した後、１５０℃で１分間加熱し、セパレータを外して、接着フィルム（厚さ５０μｍ）を得た。
【００４９】
実施例２
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコにトリレンジイソシアネート（異性体混合物：三井武田ケミカル製Ｔ−８０）を１０４．４９（６００ｍｍｏｌ）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを４５．０５ｇ（１８０ｍｍｏｌ）、ヘキサメチレンジイソシアネートを６０．５５ｇ（３６０ｍｍｏｌ）、トルエンを１６５．７９ｇ入れ、混合した。
【００５０】
さらに、１−ナフチルイソシアネートを１．９３ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）と３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシドを２．１９ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）添加し、２５℃で３時間攪拌した後、攪拌しながら１００℃に昇温し、２時間保持した。
【００５１】
実施例１と同様にして、ＩＲ測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することにより、ポリカルボジイミド溶液を得た。なお、前記一般式（１）におけるｎは１６〜６５で分布していた。
【００５２】
次いで、ポリカルボジイミド溶液を用い、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。
【００５３】
実施例３
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコにトリレンジイソシアネート（異性体混合物：三井武田ケミカル製Ｔ−８０）を１５６．７４（９００ｍｍｏｌ）、ヘキサメチレンジイソシアネートを４５．４１ｇ（２７０ｍｍｏｌ）、トルエンを１８３．６２ｇ入れ、混合した。
【００５４】
さらに、１−ナフチルイソシアネートを１．９８ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）と３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシドを２．２５ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）添加し、２５℃で３時間攪拌した後、攪拌しながら１００℃に昇温し、２時間保持した。
【００５５】
実施例１と同様にして、ＩＲ測定により反応の終点を確認し、反応液を室温まで冷却することにより、ポリカルボジイミド溶液を得た。なお、前記一般式（１）におけるｎは１７〜７０で分布していた。
【００５６】
次いで、ポリカルボジイミド溶液を用い、実施例１と同様にして接着フィルムを得た。
【００５７】
比較例１
攪拌装置、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコに、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパンを４１ｇ（０．１モル）、ジメチルアセトアミドを１５０ｇ入れ、攪拌した。２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパンの溶解後、フラスコを氷浴中で冷却しながら、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート二無水物）４１ｇ（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温で３時間反応させたのち、キシレン３０ｇを添加し、Ｎ２  ガスを吹き込みながら１５０℃に加熱し、水と共にキシレンを共沸除去した。その反応液を水中に注ぎ、沈澱したポリマーを濾過により採取し、乾燥させて、ポリイミドを得た。このポリイミド１００重量部に対してジメチルアセトアミド３００重量部を添加してワニスとし、このワニスをポリエステルフィルム上に３０〜５０μｍの厚さで塗布し、８０℃で１０分、続いて１５０℃で３０分加熱し、接着フィルムを得た。
【００５８】
試験例
実施例１、２、３及び比較例１で得られた接着フィルムを、４ｍｍ四方の大きさに切断し、これを４ｍｍ四方の半導体チップと銀メッキ付リードフレームの間に挟み、表１に示す条件で加熱圧着したのち、プッシュプルゲージを用いてせん断接着力を測定した。なお、比較例１の接着フィルムについては、（ａ）及び（ｂ）の２通りの条件下で試みたが、実施例と同じ条件（ａ）下では接着が不可能であった。結果を表１に示す。
【００５９】
【表１】
2004266160.tif 000003
【００６０】
以上の結果より、実施例１〜３は比較例１に比べ、低温かつ短時間で半導体チップをリードフレームに固定することができ、せん断接着力も大きいことが分かる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明のダイボンド用接着フィルムは、比較的低温、短時間で接着時の熱処理を行うことができ、かつ固着強度の安定性及び固着後の信頼性にも優れることから、半導体装置における半導体チップと電極部材の固着にも好適に用いることができる。