(57)【要約】【課題】専門知識や技能の有無を問わず、誰でも簡単にプログラムを作成してテストを行える半導体試験装置及び試験方法を提供する。【解決手段】表形式でデータを入力できる表計算ソフト上で、テスト項目毎にテスト条件設定データとテストスペックデータを入力したテストプログラム条件表１を記述チェックブロック１６により重複した設定条件を符号化した後、実行メモリ１０で順次テストプログラムデータをロードし、そのデータによりＣＰＵブロック１１が測定モジュール１２を制御することにより半導体の試験を行うようにしたものである。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行及び列を有する表にテスト項目毎にテスト条件設定データとテストスペックが記載されたテストプログラムデータを読み込み、これを記憶するテストプログラム記憶装置と、前記テストプログラム記憶装置に記憶されたテストプログラムデータを随時変更する変更装置と、前記テストプログラムデータに応じて信号の発生及び取り込みを行う測定モジュール装置と、前記測定モジュール装置を制御してテスト項目を実行する制御装置とを具備することを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
テストプログラム記憶装置は、テストプログラムデータの重複部分を符号化するものであり、テスト条件設定時間を短縮できるものであることを特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。
【請求項３】
変更装置は、即時にテスト条件設定を行または列単位で変更できるものであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体試験装置。
【請求項４】
複数の行及び列を有する表にテスト項目毎にテスト条件設定データとテストスペックが記載されたテストプログラムデータを読み込み、これを記憶する第一の工程と、前記第一の工程に記憶されたテストプログラムデータを随時変更する第二の工程と、前記テストプログラムデータに応じて信号の発生及び取り込みを行う第三の工程と、前記第三の工程を制御してテスト項目を実行する第四の工程とを具備することを特徴とする半導体試験方法。
【請求項５】
第一の工程はテストプログラムデータの重複部分を符号化する工程であることを特徴とする請求項４記載の半導体試験方法。
【請求項６】
第二の工程は、即時にテスト条件設定を行または列単位で変更できる工程であることを特徴とする請求項４または５記載の半導体試験方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路（以下ＩＣという）の試験装置及び試験方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣを出荷する前に電気的特性を満足しているかどうかを確認するための検査が行われるのが普通であり、その検査は、通常数百項目の検査内容を連続して実行する検査プログラムを作成し、良否の判別を行うものである。
【０００３】
以下、従来の半導体試験装置及び試験方法について図面を参照しながら説明する。図１０は従来の半導体試験装置による試験の全体構成を示す説明図、図１１は従来の半導体試験装置のプログラム概要図である。
【０００４】
図１０において、１０１は試験条件をまとめた試験条件一覧表、１０２は規格値データ、１０３はピン条件データ、１０４はシリアル設定データ値、１０５はリレー表である。１０６はプログラムコーディングブロック、１１７は試験条件一覧表１０１からプログラムコーディング作業を行う作業者、１０７はプログラム作成ブロック、１０８はコンパイルブロック、１０９はコンパイルエラーチェックブロック、１１０は半導体試験装置本体、１１４は測定モジュール、１１５は被測定ＩＣを動作させるための部品が実装された測定ボード、１１１はプログラム作成ブロック１０７で作成されたプログラム内容に従って、測定モジュール１１４を制御するためのコントローラブロックで、コントローラブロック１１１にはプログラム作成ブロック１０７で作成したテストプログラムを記憶するためのメモリ１１２と、メモリ１１２の内容に従って測定モジュール１１４を制御するＣＰＵ１１３を有している。また、状態表示モニタ１１６でプログラム実行中の各項目の試験条件，試験状態及び試験結果を見ることができ、作業者１１７は状態表示モニタ１１６を監視することにより試験中に発生した不具合を修正（デバッグ）する。
【０００５】
測定ボード１１５に装着された被測定ＩＣを半導体試験装置でテストするには被測定ＩＣ毎にプログラムを作成する必要がある。そのプログラムは被測定ＩＣの規模にもよるが、およそ数百項目のテストを行うものとなっており、作業者１１７が試験条件一覧表１０１に記載されている規格値データ１０２、ピン条件データ１０３、シリアル設定データ値１０４やリレー条件１０５から一項目毎に手動で入力を行って作成する。このプログラムには、試験条件一覧表１０１に記載されたデータ条件を満たすために半導体検査装置本体１１０とこれに内蔵された測定モジュール１１４を制御するための専用コマンドをプログラムに組み込まなくてはならない。作業者１１７はプログラムコーディングブロック１０６で、各試験項目毎に試験条件データと複数の制御コマンドにより各項目毎にプログラム原型を作成し、作成されたプログラム原型からプログラム作成ブロック１０７によりプログラムを作成する。
【０００６】
図１１は従来の半導体試験装置のプログラムの一例を示しており、プログラム原型から記述されたプログラム１１００は、試験項目の管理用に試験項目番号と名称１１０１を設定し、リレー設定条件１００２でリレーのオン／オフを指示を行い、ピン条件１１０３で電圧、電流の印加を行うピンの設定、データ測定ピンの設定１００４で測定すべきピンの設定等を行うように構成されている。
【０００７】
作成されたプログラムはコンパイルブロック１０８で半導体試験装置本体１１０や測定モジュール１１４を直接制御できるデータ形式に変換される。コンパイルエラーチェックブロック１０９では、コンパイルされたプログラムデータに条件抜け、記述間違いや制御コマンドが適正か否かをチェックする。もし、このときコンパイルエラーが発生すれば、エラーの出ている箇所を作業者１１７がエラー解析を行い修正したプログラム原型から再度プログラムを作成する。エラーチェック、追加、修正の作業工程を終えたプログラムデータは、半導体試験装置本体１１０のコントローラブロック１１１のメモリ１１２に転送される。
【０００８】
テストの実行は、ＣＰＵ１１３によってメモリ１１１に転送されたデータに従って順次、ピン条件、リレー設定、シリアルデータを測定モジュール１１４に設定し、測定モジュール１１４は、測定ボード１１５に装着されたＩＣに電圧印可や測定用信号（シリアルデータや正弦波等）を与えて、それにより装着されたＩＣからの出力信号を検出してＣＰＵ１１３に測定データを返す。ＣＰＵ１１３は、返ってきた測定データの結果を判断してテストの判定を行う。テスト中は、状態表示モニタ１１６によりテスト結果や動作状態を監視することができ、検査結果が得られると次の測定項目条件をＣＰＵ１１３が設定してテストを行う。これらの動作を繰り返して最終項目まで進むとテストを終了する。
【０００９】
このテスト途中で動作異常またはテスト結果に問題が発生した場合はデバッグ作業となり、作業者１１７は、その原因を解析し問題箇所が判別すれば、問題対策案をまとめてプログラムコーディングブロック１０６で問題箇所のプログラム原型を作成し、上記のプログラム作成ブロック１０７以降の動作を繰り返してテストを完了させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような半導体試験装置及び試験方法では、プログラム作成及びデバッグ作業には規格値、ピン条件やリレーの設定条件データの入力以外にテスターを制御するための専門コマンドや技能が必要であり、しかも知識、技能の習得に時間がかかるため誰でも短期間で開発することができないという問題点を有していた。
【００１１】
本発明は上記従来の問題点を解決するものであり、専門知識や技能の有無を問わず、誰でも簡単にプログラムを作成してテストを行える半導体試験装置及び試験方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体試験装置は、複数の行及び列を有する表にテスト項目毎にテスト条件設定データとテストスペックが記載されたテストプログラムデータを読み込み、これを記憶するテストプログラム記憶装置と、前記テストプログラム記憶装置に記憶されたテストプログラムデータを随時変更する変更装置と、前記テストプログラムデータに応じて信号の発生及び取り込みを行う測定モジュール装置と、前記測定モジュール装置を制御してテスト項目を実行する制御装置とを具備したものであり、また本発明の半導体試験方法は、複数の行及び列を有する表にテスト項目毎にテスト条件設定データとテストスペックが記載されたテストプログラムデータを読み込み、これを記憶する第一の工程と、前記第一の工程に記憶されたテストプログラムデータを随時変更する第二の工程と、前記テストプログラムデータに応じて信号の発生及び取り込みを行う第三の工程と、前記第三の工程を制御してテスト項目を実行する第四の工程とを具備したものである。
【００１３】
本発明によれば、従来専門知識が必要であったテストプログラムのコーディング作業を無くすことができるので、ミスの無いテストプログラムを誰でも簡単に、しかも短期間に開発することができ、また、テストプログラムをデバッグした情報は直ちに表計算上の項目表へ変換することが可能であるため、スペックと実際の試験内容が違うというようなミスも起こらない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照しながら説明するが、本発明の半導体試験装置及び試験方法は相互に密接な関係にあるので、両者を並行して説明するものとする。
【００１５】
図１は本発明の半導体試験装置及び試験方法の一実施の形態における全体構成を示すブロック図、図２は本発明の半導体試験装置の一実施の形態における記述チェックブロックの構成図、図３は本発明の半導体試験装置の一実施の形態における重複したデータを符号化した模式図、図４は本発明の半導体試験装置の一実施の形態における重複簡素化符号変換に関するブロックの構成図、図５は本発明の半導体試験装置の一実施の形態における電圧電流信号源及び測定機の構成図、図６は本発明の半導体試験装置の一実施の形態における測定モジュールの構成図、図７は本発明の半導体試験装置の一実施の形態における内容変更チェックブロックの構成図、図８は本発明の半導体試験装置の一実施の形態に基づく試験方法における重複データ修正処理動作のフローチャート、図９は本発明の半導体試験装置の一実施の形態に基づく試験方法において修正された重複データ修正状態を示す状態図である。
【００１６】
図１において、１は表計算ソフト上に記述されたテストプログラム条件表、２は半導体試験装置本体である。半導体試験装置本体２は、表形式で記述されたテストプログラム条件表１に記述されたデータから重複している記述を符号化する記述チェックブロック１６と、テストプログラムを一時的に記憶及び書き換えを行う実行メモリ１０と実行メモリ１０に記憶されたテストプログラムで記述された内容に従い測定条件の設定、任意データの発生、測定データの読み込みと測定、演算及び規格値の判定を行うＣＰＵブロック１１、ＣＰＵブロック１１で制御され測定を行う測定モジュール１２、被測定ＩＣを測定するために必要な抵抗，コンデンサ，切り換えリレー等を含めた周辺回路が搭載された測定ボード１３、表計算ソフトからロードされたテストプログラム条件表１に記述されたテストプログラムデータで不具合が発生したとき、これに基づき任意にその測定条件、発生信号、演算式や規格値を手動で入力するためのリレー設定ＳＷ、電圧電流調整機能や任意信号発生制御機能等の調整を即時実行するための修正パネル１４、デバッグで修正された内容を一時記憶して変更内容を実行メモリ１０に記憶されているテストプログラムへの書き込みを制御する変更内容チェックブロック１５で構成されている。なお、試験の実行、すなわち、テストプログラム条件表１のデータの半導体試験装置２への転送、保存や、半導体試験装置２の起動、不具合発生時のデバッグ作業は作業要員１７が行う。
【００１７】
この半導体試験装置２の主な構成を要約すれば、テストプログラムデータを読み込み、記憶するための更新メモリ２０２（後述）を含む記述チェックブロック１６によるテストプログラム記憶装置と、前記テストプログラム記憶装置に記憶されたテストプログラムデータを随時変更する変換ブロック２０５（後述）を含む記述チェックブロック１６による変更装置と、前記テストプログラムデータに応じて信号の発生及び取り込みを行う測定モジュール１２による測定モジュール装置と、前記測定モジュール装置を制御してテスト項目を実行するＣＰＵブロック１１による制御装置により構成されていることになる。
【００１８】
次に、その動作を含め、半導体試験方法を並行して説明する。
【００１９】
まず、複数の列及び行で表を構成するいわゆる表計算ソフト上で、行（横軸）にテストを行うのに必要な項目名、リレー条件、ピン条件、設定データ、測定種類、演算、規格値の記入欄を設けて、テスト仕様に従って各項目をテスト項目毎に入力する。１行目の入力が終了すると、次行に次項目の条件を入力していく。これを連続で行うことによってテストプログラム条件表１を作成することにより複数項目のテストを設定したプログラムを作成することができる。
【００２０】
テストプログラム条件表１は記述チェックブロック１６へ送られ、記述チェックブロック１６では、このテストプログラムデータを記憶する第一の工程と、また、このテストプログラムデータを随時変更する第二の工程に入ることになるが、その具体的な動作を図２ないし図４（ａ）を用いて説明する。図２において、テストプログラム条件表１から読み込んだ各種設定データは、更新メモリ２０２に送られる。更新メモリ２０２では、複数のバンクが任意長で設定されており、読み込んだテストプログラム条件表１のデータは各バンク毎に指定された位置に例えば、Ｓｔａｒｔ直後には図３の列ａのデータ（項目名）が入力され、その後列ｂ、列ｃと順番に格納して列ｍが格納されると、次のバンクに次行のテストプログラムデータを格納していく。プログラムデータは、行単位すなわち測定項目単位でバンク０から始まりプログラムの最終行であるバンクｎまで格納される（図３中の更新メモリ２０２での状態参照）。
【００２１】
次に、バンク毎に分けられたテストプログラムデータは、任意測定項目のピン条件の設定においてその前の設定項目と同じ設定条件であれば、条件設定時間を短縮するために重複している設定箇所にデータから重複符号に置き換える。すなわち、重複簡素化符号変換ブロック２０５にてバンクが変わってもピン状態が変化しない列、（図３中でハッチングをかけている部分）例えばバンク０とバンク１の列ｃのようなところを検索して重複していることを示す符号に書き換える。重複されたデータの符号化処理の説明の例として、バンク０、バンク１とバンク２を図３に示す更新メモリ２０２での状態とする。
【００２２】
次に、テストプログラムデータが図４（ａ）にて更新メモリ２０２から送られたバンク０のテストプログラムデータは、メモリ４０１に入力される。この時、遅延メモリ４０２にはデータがなく、重複している設定データの検索は行わないので、バンク０のテストプログラムデータはそのまま実行メモリ１０へ送られる。
【００２３】
次にバンク１のテストプログラムデータがメモリ４０１に入ってくると、バンク０のテストプログラムデータは、遅延メモリ４０２へ送られる。データ比較ブロック４０３ではメモリ４０１内のバンク１のテストプログラムデータと遅延メモリ４０２内のバンク０のテストプログラムデータを比較して列単位で設定データが変わっていない箇所（特にピン条件設定）を検索する。比較後、重複符号発生ブロック４０４では、データ比較することによりバンクが変わってもデータが更新されていない列（バンク０とバンク１の場合は列ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ）に入れ替えるための重複符号（本実施の形態の説明では『−』としたが任意でよい）を発生させ、重複符号入替ブロック４０５に送る。重複符号入替ブロック４０５では、バンク１のテストプログラムデータ列ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇに重複符号を入れ替えた後、実行メモリ１０へ送る。
【００２４】
次にバンク２のテストプログラムデータがメモリ４０１に入力されると、前述と同じ作業を行いバンク１とバンク２のテストプログラムデータを比較してデータが変更されていない列を検索することにより、バンク２のテストプログラムデータの列ｄ、ｅに重複符号を入れ替えて実行メモリ１０へ送る。以下、順次前述と同様な処理を行うことにより重複データを符号に入れ替えることができる。（図３中の重複部を符号化した状態参照）データの重複部を符号化したテストプログラムデータが順次、送られて全てのバンクデータが実行メモリ１０に送られる。
【００２５】
テストが開始されると、バンク０のテストプログラムデータが、アクセスバンクに送られる。ここからは、送られてきたテストプログラムデータに応じて信号の発生及び取りこみを行う第三の工程に入るが、ＣＰＵブロック１１内のＣＰＵは、アクセスバンクに転送されてデータにより測定モジュール１２の各種ユニットを制御して、測定ボード１３上にあるリレー、例えば、図１の項目名（１）においてはリレーＫ１，Ｋ２をＯＮさせる。または、図５に示す電圧電流信号源によりピン１には５Ｖ電圧、ピン３には０Ｖ電圧を印加する等の制御を行う。図５の電圧電流信号源及び測定器は各ピンに設定されている。ここで簡単に電圧電流信号源及び測定器の動作の説明を行う。例えば項目名（１）のピン１設定状態においては電圧が５Ｖであるため、スイッチ５０５を電圧ソースモード側に切り替え、電圧供給源５０１を制御して５Ｖの電圧を発生させ、その後、出力スイッチ５０６をオンして被検査ＩＣ５０７に印加する。電圧印加時、電流が流れれば電流測定機構５０３で測定できる。また、ピン条件を図３に示すピン２のようにＨＩＺ状態に設定する場合は出力スイッチ５０６をオフにすればよい。さらにピン条件を図３に示すピン５のように電流印加設定である場合は、スイッチ５０５を電流ソースモード側に切り替え、電流供給源５０２にて０ｍＡを設定した後、出力スイッチ５０６をオンしてピン５に電流を供給できる。また、電流供給時のピン電圧を測定するには電圧測定機構５０４により可能である。
【００２６】
次に、テスト項目を実行する第四の工程に入り、測定モジュール１２では、ＣＰＵブロック１１から出力された測定条件データにより図６に示すように複数の電圧電流発生機能６０１や任意信号発生器６０３を用いて同時に電圧、電流及び任意信号などを印加することによりＩＣから出力される電圧、電流や信号波形を読み取りＡ／Ｄコンバータ６０２で数値化を行う。数値化された測定データがＣＰＵブロック１１に入力されると、測定項目ごとに設定されている変数として必要に応じて、演算を実施後、試験規格値と比較をして良品または不良品の判定をする。ひとつの試験項目が終了すると、次の試験項目の条件や判定用規格値を実行メモリ１０から読み出して、前述のように条件設定や測定を行う。このように、第四の工程では、前記第三の工程を制御してテスト項目実行して行くことになり、これらの動作を繰り返すことにより連続して測定することができる。この結果、作業要員１７はテストプログラムを作成していると意識せずＩＣの試験を行うことができる。また、検査測定実行中、当初表計算上で作成したテストプログラム条件表１から作成したテストプログラムデータでは安定に測定できなかったり、測定値が期待値と異なるような場合には、デバッグ作業を行う。このデバッグと動作確認のための動作即時実行は、修正パネル１４によりリレー条件、ピン条件や任意発生信号等の修正内容を入力すると即時実行することができる。
【００２７】
以下、デバッグと即時実行作業時の動作について図１，図２，図４（ｂ），図７，図８及び図９を用いて説明する。
【００２８】
図４（ｂ）は図７中の重複簡素化符号逆変換７０３の内部構成図であり、また、上述のように図７は変更内容チェックブロックの構成図、図８は重複データ修正処理の動作図、図９は重複データ修正の状態を示す状態図であって、デバッグ作業は、作業者１７が修正パネル１４を操作することによって行われる。
【００２９】
まず、デバッグ対象となるテスト項目で一時的に試験を中止して、不具合を解決すると推測される設定条件を修正パネル１４から手動で新たな設定条件を入力する。修正パネル１４から入力された設定条件に書き換えられたテストプログラムデータは、変更内容チェックブロック１５に送られる。修正パネル１４で設定条件を書き換えられたテストプログラムデータは、メモリ７０１に送られる。また、変更内容チェックブロック１５には、記述チェックブロック１６よりテストプログラムデータを実行メモリ１０に初めて読み込んだときオンするスイッチ７０８を通過してテストプログラム条件表１より作成し、重複符号化処理されたデータがメモリ７０２に記憶される。設定条件が変更されたデータと修正前データはデータ比較入替ブロック７０４で、メモリ７０１に記憶された設定条件が変更されたデータ列が重複符号化されたデータか否かを検出する。
【００３０】
ここで検出と変更方法の一例をバンク３の列ｇが変更対象である場合を例にして説明する。検出変更方法は図８に従って進められる。図８において、Ｓｔｅｐ１により修正パネル１４で設定条件が変更されると、Ｓｔｅｐ２でどのバンクのどの列が変更されたか調べる。（本実施の形態では、項目名（４）においてピン５の設定を−１ｍＡから＋１ｍＡに変更するとした）次に、Ｓｔｅｐ２で変更箇所がバンク３列ｇであることを検出するとＳｔｅｐ３で変更対象箇所が符号化されたデータであるか判別する。バンク３列ｇには重複符号化されたデータが入っていたため、Ｓｔｅｐ５へ進む。Ｓｔｅｐ５ではバンク３の前のバンク２のデータが重複符号化されているデータか調べる。バンク２の列ｇのデータは実データが入っているため、フィードバック処理を実施しないでＳｔｅｐ６へ進む。本実施の形態では、バンク２列ｇのデータが実データであっためフィードバック処理（更に一つ前のバンクを調べる）を行わないが、バンク２の列ｇに重複符号化されたデータが入っていた場合は、フィードバック処理を行いカウンターの値を１増加する。フィードバック動作は、変更対象バンクが実データでのある列を検出するまで行われ、フィードバック動作を行うたびにカウンターの値を１つ増やす。
【００３１】
Ｓｔｅｐ６ではＳｔｅｐ５のカウンターの値を判断する。本実施の形態ではカウンターは動作していないためＳｔｅｐ７に進む。Ｓｔｅｐ７では、変更対象（バンク３）より後のバンク列（バンク４）のデータを調べる。ここでは、バンク４の列ｇは重複符号化されているのでＰ２の処理を行う。また、仮にＳｔｅｐ５にてカウンターが動作した場合は、Ｓｔｅｐ８にて変更対象より後のバンク列のデータを調べて、もし重複符号化されていればＰ４の処理を行う。そのときに変更対象箇所より後項目のバンク列には、変更対象箇所よりカウンターでカウントした値だけ前に移動した先のバンク列データ値を入力する。本実施の形態では処理しなかったＳｔｅｐ４の処理を補足として説明する。Ｓｔｅｐ３にて変更対象が符号化されていない場合は、Ｓｔｅｐ４へ進む。Ｓｔｅｐ４では変更対象箇所より後のバンクが符号化されているか否かを判別する。符号化されていない場合は、変更対象箇所だけを変更する（Ｐ５）。符号化されている場合は、変更対象箇所は基準となっていてこのバンク列のデータが符号化されているため、変更対象箇所のデータを一つ後ろのバンク列に書き込む（Ｐ６）。また、上記の方法を用いてデータ比較入替ブロック７０４で判断した処理方法によってメモリ７０１、メモリ７０２出力を各々重複簡素化逆変換ブロック７０３により重複符号化されているデータを元に戻す。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示す重複簡素化符号逆変換ブロック７０３について説明すると、メモリ４５１には、最初にバンク０のテストプログラムデータが入力され、次にバンク１のデータと言うように順次データが入力される。例えば、バンク０のデータ後にバンク１のデータが入力されると、バンク０のデータは遅延メモリ４５２に転送されるという処理を行う。メモリ４５１と遅延メモリ４５２のデータはデータ比較ブロック４５３で送られてデータ比較された後、比較された出力データから重複符号検出ブロック４５４で重複符号を検出する。重複符号検出ブロック４５４が重複符号を含む列を検出すると、メモリ４５１に記憶されているデータより前に遅延メモリ４５２に記憶されているデータから符号化前のデータ抽出と記憶ブロック４５５で重複符号化前のデータを抽出して記憶する。なお、記憶した重複符号化列位置とデータは該当列データに実データ入力されると位置情報とデータをクリアする。符号化前のデータ抽出と記憶ブロック４５５に記憶されている列情報とデータで設定データ入替ブロック４５６は、メモリ４５１の出力データの該当する重複符号化データを実データに入れ替えて出力することにより符号化逆変換を行う。データ入替処理が終了したデータを再度、重複簡素化符号変換ブロック２０５で符号化処理を行った後、実行メモリ１０にテストプログラムデータを転送して実行することにより、デバッグ作業において一度もテストプログラム条件表１のデータを変更すること無く、簡単に即時実行しながらデバッグできる。
【００３３】
以上のように、本実施の形態によれば、表計算ソフトを用いて表に必要条件を入力し、その表を読み込ませてＩＣの試験を行えばよいので、デバッグ作業も簡単であり、また、テスト項目を行、列で作成しているため、テスト順番の変更、修正が容易であって、不要となったテスト項目の削除を行う場合も必要項目の測定条件を誤って削除することがない。
【００３４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、従来専門知識が必要であったテストプログラムのコーディング作業が無いので、ミスの無いテストプログラムを誰でも簡単にしかも短期間に開発することができ、また、テストプログラムをデバッグした情報は、直ちに表計算上の項目表への変換が可能であるためスペックと実際の試験内容が違うというようなミスも起こらないという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体試験装置及び試験方法の一実施の形態における全体構成を示すブロック図
【図２】本発明の半導体試験装置の一実施の形態における記述チェックブロックの構成図
【図３】本発明の半導体試験装置の一実施の形態における重複したデータを符号化した模式図
【図４】本発明の半導体試験装置の一実施の形態における重複簡素化符号変換に関するブロックの構成図
【図５】本発明の半導体試験装置の一実施の形態における電圧電流信号源及び測定機の構成図
【図６】本発明の半導体試験装置の一実施の形態における測定モジュールの構成図
【図７】本発明の半導体試験装置の一実施の形態における内容変更チェックブロックの構成図
【図８】本発明の半導体試験装置の一実施の形態に基づく試験方法における重複データ修正処理動作のフローチャート
【図９】本発明の半導体試験装置の一実施の形態に基づく試験方法において修正された重複データ修正状態を示す状態図
【図１０】従来の半導体試験装置による試験の全体構成を示す説明図
【図１１】従来の半導体試験装置のプログラム概要図
【符号の説明】
１　テストプログラム条件表
２　半導体試験装置本体
１０　実行メモリ
１１　ＣＰＵブロック
１２　測定モジュール
１３　測定ボード
１４　修正パネル
１５　変更内容チェックブロック
１６　記述チェックブロック
１７　作業要員
２０２　更新メモリ
２０５　重複簡素化符号変換ブロック
４０１　メモリ
４０２　遅延メモリ
４０３　データ比較ブロック
４０４　重複符号発生ブロック
４０５　重複符号入替ブロック
４５１　メモリ
４５２　遅延メモリ
４５３　データ比較ブロック
４５４　重複符号検出ブロック
４５５　符号化前のデータ抽出と記憶ブロック
４５６　設定データ入替ブロック
５０１　電圧供給源
５０２　電流供給源
５０３　電流測定機構
５０４　電圧測定機構
５０５　スイッチ
５０６　出力スイッチ
５０７　被検査ＩＣ
６０１　電圧電流発生機能
６０２　Ａ／Ｄコンバータ
６０３　任意信号発生器
７０１　メモリ
７０２　メモリ
７０３　重複簡素化逆変換ブロック
７０４　データ比較入替ブロック
７０８　スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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