(57)【要約】【課題】表面の耐久性があり、感度の低下や残留電位の上昇等の電気的特性の悪化を招かない機械的、電気的耐久性を両立した電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供すること。【解決手段】電子写真感光体の表面保護層が下記式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物を少なくとも含有する電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置。【化１】2004101913.tif 000009（式中、Ａはａ個の芳香環を有する正孔輸送性基、Ｒ１は置換又は無置換の有機基、Ｑは加水分解性基又は水酸基、Ｒ２は置換又は無置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは正の整数を示し、ｍ／ａ≧０．５である）【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に少なくとも電荷発生層、電荷輸送層、表面保護層を順次積層してなる電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面保護層が下記式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物を少なくとも含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2004101913.tif 000007
（式中、Ａはａ個の芳香環を有する正孔輸送性基を示し、Ｒ１は置換又は無置換の有機基を示し、Ｑは加水分解性基又は水酸基を示し、Ｒ２は置換又は無置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは正の整数を示し、ｍ／ａ≧０．５である）
【請求項２】
支持体上に電荷発生層、電荷輸送層までを形成した後、上記式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物とアルコールを含有する溶液に浸漬することによって表面保護層を形成する請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
上記式（１）においてＡが下記式（２）で示される請求項１又は２に記載の電子写真感光体。
【化２】
2004101913.tif 000008
（式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は有機基を示し、少なくとも一つは芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基であり、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は同一であっても異なっていてもよい）
【請求項４】
上記式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物が４．５〜６．２ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
電子写真感光体の表面保護層が１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上のドリフト移動度を有する請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
上記式（１）においてＡがトリフェニルアミン構造を有する請求項１〜５のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項７】
上記式（１）においてｍ＝２〜３、ａ＝３〜６である請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の電子写真感光体と、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現像する現像手段及び転写工程後の電子写真感光体上に残余するトナーを回収するクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段とを共に一体に支持し、画像形成装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の電子写真感光体、該電子写真感光体を帯電させる帯電手段、帯電した電子写真感光体に対し露光を行い静電潜像を形成する露光手段、静電潜像の形成された電子写真感光体をトナーで現像する現像手段及び電子写真感光体上のトナー像を転写材上に転写する転写手段を具備することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特定の組成の表面保護層を有する電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真感光体の表面層には、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段等により電気的あるいは機械的な影響が直接に加えられるために、それらに対する耐久性が要求される。具体的には、摺擦による電子写真感光体表面の摩耗や傷の発生及びコロナ帯電による電子写真感光体表面の劣化等に対する耐久性が要求される。また、現像とクリーニングの繰り返し等に起因した、電子写真感光体表面へのトナー付着という問題もあり、これに対しては電子写真感光体表面のクリーニング性の向上が求められている。また、感度の低下や残留電位の上昇等の悪化を招かないような電気的特性も要求されている。
【０００３】
上記のような電子写真感光体表面に要求される様々な特性を満たすために、電荷発生層もしくは電荷輸送層上に樹脂を主成分とする種々の表面保護層を設ける試みがなされ、導電性粒子として金属酸化物粒子を添加することによって抵抗を制御した保護層が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、表面層中に種々の物質を添加することで電子写真感光体表面の物性を改善することも検討されている。例えば、シリコーンの低表面エネルギーに注目した添加物としては、シリコーンオイル（例えば、特許文献２参照）、ポリジメチルシロキサン、シリコーン樹脂粉体（例えば、特許文献３参照）、架橋シリコーン樹脂、（ポリカーボネート−シリコーン）ブロック共重合体、シリコーン変成ポリウレタン、シリコーン変成ポリエステル及びコロイダルシリカ含有シリコーン樹脂等が報告されている。低表面エネルギーの代表的なポリマーとしてはフッ素系高分子があり、例えば、ポリテトラフルオロエチレン粉体及びフッ化カーボン粉末等が挙げられる。
【０００５】
上記のように、樹脂バインダー成分中に正孔輸送性有機分子を分散した表面層以外にも電気的特性の向上のために金属酸化物粒子等の種々の物質を分散した表面保護層や電荷輸送層が提案されているが、通常のバインダー樹脂成分には正孔輸送能はないため、バインダー樹脂の含有量を多くした場合には感度の低下や残留電位の上昇等の電気的特性の悪化を招き易いという問題があった。
【０００６】
また、金属酸化物等を含む表面保護層は高い硬度及び電荷輸送能を有するものが得られるが、表面抵抗が低いために画像ボケし易いという問題がある。
【０００７】
上記に列挙した問題点を改善する方法として、我々は有機ケイ素変成正孔輸送性化合物を重縮合することによって得られる樹脂を含有する表面層を有する電子写真感光体を提案した（特許文献４参照）。しかし、有機ケイ素変成正孔輸送性化合物はアルコールへの溶解度が低く、浸漬コーティングに十分な塗工液濃度にするには芳香族系やエーテル、エステル又はケトン等の有機溶剤の使用が必要であった。そのため、電荷輸送層上に表面保護層を浸漬コーティングしようとすると、ポリカーボネート等のバインダー樹脂が溶解してしまうということがあった。従って、これまでの技術では浸漬コーティングする際には、無溶解性の熱硬化樹脂を用いた電荷輸送層上に有機ケイ素変成正孔輸送性化合物を用いた表面保護層を形成するか、電荷輸送層上ではなく電荷発生層上に有機ケイ素変成正孔輸送性化合物を用いた表面層を形成することしかできなかった。
【０００８】
そこで我々は鋭意検討を重ねた結果、式（１）においてｍ／ａ≧０．５を満たす場合に有機ケイ素変成正孔輸送性化合物のアルコールへの溶解度が増大し、前述したような有機溶剤を使わずに、電荷輸送層を溶解することなく表面保護層を浸漬コーティングできることを見いだし、本発明に至った。
【０００９】
【特許文献１】
特開昭５７−３０８４３号公報
【特許文献２】
特開昭６１−１３２９５４号公報
【特許文献３】
特開平４−３２４４５４号公報
【特許文献４】
特開平１１−１５１８５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、アルコール溶液の塗工液を用いることによって、電荷輸送層を溶解することなく表面保護層を浸漬コーティングし、上記の問題点を解決することのできる、すなわち表面の耐久性があり、感度の低下や残留電位の上昇等の電気的特性の悪化を招かない機械的、電気的耐久性を両立した電子写真感光体、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に従って、支持体上に少なくとも電荷発生層、電荷輸送層、表面保護層を順次積層してなる電子写真感光体において、該電子写真感光体の表面保護層が下記式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物を少なくとも含有することを特徴とする電子写真感光体が提供される。
【００１２】
【化３】
2004101913.tif 000002
【００１３】
式中、Ａはａ個の芳香環を有する正孔輸送性基を示し、Ｒ１は置換又は無置換の有機基を示し、Ｑは加水分解性基又は水酸基を示し、Ｒ２は置換又は無置換の一価炭化水素基を示し、ｎは１〜３の整数を示し、ｍは正の整数を示し、ｍ／ａ≧０．５である。
【００１４】
また、本発明に従って、上記電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置が提供される。
【００１５】
式（１）はクロロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン類、ＳｉＨ含有物等であり、Ｑは加水分解性基又は水酸基を示し、加水分解性基としては、アルコキシ基、オキシム基、イソシアナト基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、ハロゲン基等が挙げられ、反応性の高さと保存性のバランスにより決定される。
【００１６】
式（１）の正孔輸送性基Ａとしては、正孔輸送性を示すものであればいずれのものでもよく、その水素付加化合物（正孔輸送性有機分子）としては、例えば、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン等のトリアリールアミン誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体、Ｎ−フェニルカルバゾール誘導体等が挙げられる。
【００１７】
式（１）のＲ１の有機基はアルキレン基又はアリーレン基を示し、炭素数１〜１８であることが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、シクロヘキシリデン基、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、更にはこれらが結合した基等が挙げられる。また、Ｒ１が有してもよい置換基としてはメチル基及びエチル基等のアルキル基、フェニル基のアリール基、フッ素原子塩素原子等のハロゲン原子が挙げられる。
【００１８】
式（１）のＲ２の一価炭化水素基はアルキル基又はアリール基を示し、炭素数１〜６であることが好ましく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、フェニル基及びメトキシエチル基等が挙げられる。また、Ｒ２が有してもよい置換基としてはメチル基及びエチル基等のアルキル基、フェニル基のアリール基、フッ素原子塩素原子等のハロゲン原子が挙げられる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２０】
本発明は、支持体上に電荷発生層、電荷輸送層までを形成した後、式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物とアルコールを含有する溶液に浸漬することによって表面保護層を形成することを前提としたものである。正孔輸送性化合物は多数の芳香環を含むため、通常はアルコールには溶解しにくいが、我々の検討の結果、有機ケイ素変成によりアルコールへの溶解性が向上する。アルコールへの溶解性は、正孔輸送性基Ａに含まれる芳香環の数ａが大きくなるにつれ減少するが、有機ケイ素変成の数ｍとの関係がｍ／ａ≧０．５である場合にアルコールへの十分な溶解性を示し、前述したような有機溶剤を使わずに、電荷輸送層を溶解することなく表面保護層を浸漬コーティングできることを発見し、本発明に至った。
【００２１】
また、本発明における電荷輸送性とは電荷を輸送する能力のことであり、イオン化ポテンシャルで６．２ｅＶ以下であることが好ましい。つまり、式（１）で示される有機ケイ素変成電荷輸送性化合物の重縮合生成物及びＡの水素付加物は、イオン化ポテンシャルが６．２ｅＶ以下であることが好ましく、特に４．５〜６．２ｅＶであることが好ましい。イオン化ポテンシャルが６．２ｅＶを超えると正孔注入が起こり難く、帯電し易くなる。また、４．５ｅＶ未満では化合物が容易に酸化されるために劣化し易くなる。イオン化ポテンシャルは、大気下光電子分析法（理研計器製、光電子分光装置ＡＣ−２）によって測定される。
【００２２】
また、上記有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の重縮合生成物は、正孔輸送能として１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃ以上のドリフト移動度を有しているものが好ましい。１×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃ未満では電子写真感光体として露光後、現像までに正孔が十分に移動できないために見かけ上感度が低減し、残留電位も高くなってしまう問題が発生する場合がある。
【００２３】
正孔輸送性基Ａの具体的な構造としては、下記式（２）で示されるものが好ましい。
【００２４】
【化４】
2004101913.tif 000003
【００２５】
式中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は有機基を示し、少なくとも一つは芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基であり、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は同一であっても異なっていてもよい。
【００２６】
このように正孔輸送性基Ａは、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５からｍ個の水素原子が除かれて形成された基である。Ｒ３、Ｒ４及びＲ５の構造の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００２７】
【化５】
2004101913.tif 000004
【００２８】
【化６】
2004101913.tif 000005
【００２９】
また、本発明では正孔輸送性基Ａは正孔輸送性を示せばいずれのものでもよいが、式（２）で示され、更にトリフェニルアミン構造を有するものが好ましい。式（２）で示されるがトリフェニルアミン構造を有していない構造は好ましくない。また、アミノシラン等のシランカップリング剤には市販されているものも多く、式（１）の構造を満たすものとして３−アミノプロピルトリメトキシシラン等多く考えられるが、芳香族炭化水素基や芳香族複素環基を多く含まない構造のものは正孔輸送性を示さず、本発明の有機ケイ素変成正孔輸送性化合物とは異なる。
【００３０】
式（１）の有機ケイ素変成電荷輸送性化合物の合成方法としては、公知の方法、例えば、芳香族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水素化ケイ素化合物とから白金系触媒、あるいは有機過酸化物等を触媒にヒドロシリル化反応を行うものが好適に用いられる。この場合に使用される白金触媒については特に限定するものではなく、通常のヒドロシリル化反応、付加型シリコーンゴムに用いられている白金触媒であればよく、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−フォスフィン錯体等が挙げられる。白金触媒の添加量に関しては特に制限するものではないが、残留触媒が特性に悪影響を与えないようにできる限り少量で用いることが好ましい。芳香族環にビニル基を有する化合物と置換基を有する水素化ケイ素化合物とから白金系触媒等により、付加反応により本発明の化合物を合成する場合にはビニル基のα位と反応する場合とβ位と反応する場合があり、一般には混合物が生じる。本発明においては、α位、β位のどちらに反応したのものも用いられるが、ケイ素原子と電荷輸送性基を結合している炭化水素基の炭素数が少ない場合には立体障害からはβ位に反応したものが好ましい。
【００３１】
有機過酸化物としては室温以上に半減期を示すものであればよく、特に、ラウリルパーオキシド等のアルキル過酸化物が水素引き抜きを起こし難いことから好適に用いることができる。ビニル基を有しないものについては、芳香族環をホルミル化し、還元、脱水するか直接Ｗｉｔｔｉｇ反応によりビニル基を導入する方法等により、本発明の合成原料として用いることが可能である。
【００３２】
式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の加水分解、重縮合には、必ずしも触媒が必要ではないが、通常ケイ素樹脂等の加水分解、重縮合に用いられる触媒の使用を妨げるものではなく、加水分解、重縮合に要する時間、硬化温度等を考慮してジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート及びジブチル錫オクトエート等のアルキル錫有機酸塩等もしくはノルマルブチルチタネート等の有機チタン酸エステル等から適宜選択される。
【００３３】
本発明は、支持体上に電荷発生層、電荷輸送層までを形成した後、式（１）で示される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物とアルコールを含有する溶液に浸漬することによって表面保護層を形成することを前提としたものである。正孔輸送性化合物は多数の芳香環を含むため、通常はアルコールには溶解し難いが、我々の検討の結果、有機ケイ素変成によりアルコールへの溶解性が向上する。アルコールへの溶解性は、正孔輸送性基Ａに含まれる芳香環の数ａが大きくなるにつれ減少するが、有機ケイ素変成の数ｍとの関係がｍ／ａ≧０．５である場合にアルコールへの十分な溶解性を示す。正孔輸送性基Ａに含まれる芳香環の数ａは正の整数であるが、ａ＝１〜２では正孔輸送性が発現しない場合が多く、ａ＞７ではｍ／ａ≧０．５を満たす場合においてもアルコールへの溶解性が不十分になる傾向があるため好ましくない。従って、ａ＝３〜６が最も好ましい範囲である。ａ＝３〜６においてアルコールへの溶解性を十分にするためのケイ素変成の数ｍは、ｍ／ａ≧０．５を満たすｍ＝２〜３が最低限必要となる。
【００３４】
本発明の正孔輸送能を有する硬化性組成物を用いて電子写真感光体を製造する例を下記に示す。
【００３５】
電子写真感光体の支持体（図１中の１）としては、支持体自体が導電性を有するもの、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、クロム、チタン、ニッケル、マグネシウム、インジウム、金、白金、銀又は鉄等を用いることができる。その他にアルミニウム、酸化インジウム、酸化スズ又は金等を蒸着等によりプラスチック等の誘電体基材に被膜形成し、導電層としたものや、導電性微粒子をプラスチックや紙に混合したもの等を用いることができる。これらの導電性支持体は、均一な導電性が求められると共に平滑な表面が重要である。表面の平滑性は、その上層に形成される下引き層、電荷発生層、正孔輸送層の均一性に大きな影響を与えることから、その表面粗さは０．３μｍ以下で用いられることが好ましい。０．３μｍを超える凹凸は、下引き層や電荷発生層のような薄い層に印加される局所電場を大きく変化させてしまうためにその特性が大きく変化してしまい、電荷注入や残留電位のむら等の欠陥を生じ易いことから好ましくない。
【００３６】
特に、導電性微粒子をポリマーバインダー中に分散して塗布することにより得られる導電層（図１中の２）は形成が容易であり、均質な表面を形成することに適している。この時、用いられる導電性微粒子の一次粒径は１００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下のものが用いられる。導電性微粒子としては、導電性酸化亜鉛、導電性酸化チタン、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、カーボンブラック、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム又はインジウム等が用いられ、これらを絶縁性微粒子の表面にコーティングして用いてもよい。前記導電性微粒子の含有量は体積抵抗が十分に低くなるように使用され、好ましくは１×１０１０Ω・ｃｍ以下の抵抗となるように添加される。より好ましくは１×１０８Ω・ｃｍ以下で用いられる。
【００３７】
レーザー等のコヒーレントな光源を用いて露光する場合は、干渉による画像劣化を防止するために、上記導電性支持体の表面に凹凸を形成することも可能である。この時は、電荷注入や残留電位のむら等の欠陥が生じ難いように使用する波長の１／２λ程度の凹凸を直径が数μｍ以下のシリカビーズ等の絶縁物を分散することにより、１０μｍ以下の周期で形成して用いることが可能である。
【００３８】
本発明においては、支持体と光導電層の中間に、注入阻止機能と接着機能をもつ下引層（図１中の３）を設けることもできる。下引き層の材料としては、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリビニルブチラール、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ゼラチン及び金属アルコキシドの縮合物等が挙げられる。下引き層の膜厚は０．１μｍ〜１０μｍであることが好ましく、特には０．３μｍ〜３μｍであることが好ましい。
【００３９】
感光層としては、電荷発生材料を含有する電荷発生層（図１中の４）と電荷輸送材料を含有する電荷輸送層（図１中の５）からなる機能分離タイプのものが用いられる。
【００４０】
電荷発生材料としては、例えば、セレン−テルル、ピリリウム系染料、チオピリリウム系染料、フタロシアニン系顔料、アントアントロン系顔料、ジベンズピレンキノン系顔料、ピラントロン系顔料、トリスアゾ系顔料、ジスアゾ系顔料、アゾ系顔料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料又はシアニン系顔料等を用いることができる。
【００４１】
本発明の表面保護層は、正孔輸送能を有する表面保護層（図１中の６）として用いることが可能である。
【００４２】
本発明の表面層では、式（１）で示される正孔輸送性化合物の重縮合生成物を含有し、機械的特性の改良や耐久性向上のために添加剤を用いることができる。このような添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、安定化剤、架橋剤、潤滑剤及び導電性制御剤等が用いられる。
【００４３】
本発明における電荷発生層の膜厚は３μｍ以下であることが好ましく、特には０．０１〜１μｍであることが好ましい。また、電荷輸送層の膜厚は１〜４０μｍであることが好ましく、特には３〜３０μｍであることが好ましい。
【００４４】
本発明における表面保護層の厚みは、１〜１５μｍであることが好ましい。１μｍ未満では保護効果が十分ではなく、１５μｍを超えると感光層全体の膜厚が増加することにより、画像劣化が生じ易くなってしまうことから好ましくない。
【００４５】
図２に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた画像形成装置の概略構成を示す。
【００４６】
図２において、２１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸２２を中心に矢印方向に所定の周速度（プロセススピード）をもって回転駆動される。電子写真感光体２１は、回転過程において、一次帯電手段２３によりその周面に正又は負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光等の露光手段（不図示）から出力される目的の画像情報の時系列電気デジタル画像信号に対応して強度変調された露光光２４を受ける。こうして電子写真感光体２１の周面に対し、目的の画像情報に対応した静電潜像が順次形成されていく。
【００４７】
形成された静電潜像は、次いで現像手段２５内の荷電粒子（トナー）で正規現像又は反転現像により可転写粒子像（トナー像）として顕画化され、不図示の給紙部から電子写真感光体２１と転写手段２６との間に電子写真感光体２１の回転と同期して取り出されて給送された転写材２７に、電子写真感光体２１の表面に形成担持されているトナー像が転写手段２６により順次転写されていく。この時、転写手段にはバイアス電源（不図示）からトナーの保有電荷とは逆極性のバイアス電圧が印加される。
【００４８】
トナー画像の転写を受けた転写材２７は、電子写真感光体面から分離されて像定着手段２８へ搬送されてトナー像の定着処理を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【００４９】
トナー像転写後の電子写真感光体２１の表面は、クリーニング手段２９によって転写残りトナー等の付着物の除去を受けて清浄面化される。近年、クリーナレスシステムも研究され、転写残りトナーを直接、現像器等で回収することもできる。更に、前露光手段（不図示）からの前露光光３０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、一次帯電手段２３が帯電ローラー等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
【００５０】
本発明においては、上述の電子写真感光体２１、一次帯電手段２３、現像手段２５及びクリーニング手段２９等の構成要素のうち、複数のものを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンター等の画像形成装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。例えば、一次帯電手段２３、現像手段２５及びクリーニング手段２９の少なくとも１つを電子写真感光体２１と共に一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール等の案内手段３２を用いて装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ３１とすることができる。
【００５１】
また、露光光２４は、画像形成装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光、あるいは、センサーで原稿を読取り、信号化し、この信号に従って行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動又は液晶シャッターアレイの駆動等により照射される光である。
【００５２】
本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に利用するのみならず、レーザービームプリンター、ＣＲＴプリンター、ＬＥＤプリンター、ＦＡＸ、液晶プリンター及びレーザー製版等の電子写真応用分野にも幅広く適用し得るものである。
【００５３】
図３に本発明の画像形成装置の第２の例であるフルカラー複写機の概略構成を示す。
【００５４】
図においてイメージスキャナ部２０１は、原稿を読み取り、デジタル信号処理を行う部分である。また、プリンター部２０２は、イメージスキャナ２０１に読み取られた原稿画像に対応した画像を用紙にフルカラーでプリント出力する部分である。
【００５５】
イメージスキャナ部２０１において、２００は原稿厚板であり、原稿台ガラス２０３上の原稿２０４を固定するために用いられる。原稿２０４は、ハロゲンランプ２０５の光で照射される。原稿２０４からの反射光はミラー２０６、２０７に導かれ、レンズ２０８により３本のＣＣＤラインセンサで構成される３ラインセンサ（以下ＣＣＤという）２１０上に像を結ぶ。ＣＣＤ２１０は、原稿からの光情報を色分解して、フルカラー情報のうちレッド（Ｒ）、グリーン（Ｇ）及びブルー（Ｂ）成分として信号処理部２０９に送られる。なお、２０５、２０６は速度Ｖで、２０７は１／２Ｖでラインセンサの電気的走査方向（以下、主走査方向）に対して垂直方向（以下、副走査方向）に機械的に動くことにより、原稿全面を走査する。
【００５６】
信号処理部２１１では読み取られた信号を電気的に処理し、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、イエロー（Ｙ）及びブラック（ＢＫ）の各成分に分解し、プリンター部２００に送られ、計４回の原稿走査により一回のプリントアウトが完成する。
【００５７】
イメージスキャナ部２０１より送られてくるＭ、Ｃ、Ｙ及びＢＫの画像信号は、レーザドライバ２１２に送られる。レーザドライバ２１２は画像信号に応じ、半導体レーザー２１３を変調駆動する。レーザー光は、ポリゴンミラー２１４、ｆ−θレンズ２１５、ミラー２１６を介し、電子写真感光体ドラム２１７上を走査する。
【００５８】
回転現像器２１８は、マゼンタ現像器２１９、シアン現像器２２０、イエロー現像器２２１及びブラック現像器２２２より構成され、４つの現像器が交互に電子写真感光体ドラムに接し、電子写真感光体ドラム２１７上に形成されたＭ、Ｃ、Ｙ及びＢＫの静電潜像を対応するトナーで現像する。
【００５９】
転写ドラム２２３は、用紙カセット２２４又は２２５より給紙された用紙を巻付け、電子写真感光体ドラム２１７上に現像されたトナー像を用紙に転写する。
【００６０】
このようにしてＭ、Ｃ、Ｙ及びＢＫの４色が順次転写された後に、用紙は定着ユニット２２６を通過して定着後、排紙される。
【００６１】
【実施例】
次に、本発明に用いられる硬化性有機ケイ素高分子の合成例を示す。
【００６２】
合成例１〜５に、式（１）で表される有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の合成例を示す。また、比較合成例１〜２としてｍ／ａ＜０．５となる有機ケイ素変成正孔輸送性化合物の合成例を示す。
【００６３】
［合成例１］
４，４’−ビス［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンの合成
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ホルミルフェニル）アミノベンゼンの合成＞
三つ口フラスコにトリフェニルアミン５０．７ｇとＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液を９５℃で５時間反応させ、５リットルの温水へ注ぎ１時間攪拌した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ホルミルフェニル）アミノベンゼンを得た。収量３６．４ｇ。
【００６４】
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンの合成＞
水素化ナトリウム４．８ｇ、１，２−ジメトキシエタン７００ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらメチルトリフェニルホスフォニウムブロマイド７３．２ｇを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反応混合液にＮ，Ｎ−ビス（４−ホルミルフェニル）アミノベンゼン３０．０ｇを加え、７０℃で５時間反応させた後、水洗し、トルエン抽出した。次いで、トルエン溶液を塩化カルシウムで脱水後、溶媒を除去し淡黄色のＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンを得た。収量１８．４ｇ。
【００６５】
＜Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンのヒドロシリル化＞
トルエン４０ｍｌ、メチルジメトキシシラン６．１ｇ（５８ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１７ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼン２．６ｇ（８．７ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４，４’−ビス［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを得た。収量４．４ｇ。
【００６６】
この化合物のイオン化ポテンシャルを大気下光電子分析法（理研計器製、光電子分光装置ＡＣ−２）にて測定したところ、５．６０ｅＶであった。
【００６７】
合成した４，４’−ビス［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン８．０ｇをイソプロパノール１２．０ｇに溶解したところ、均一で透明な溶液となった。
【００６８】
この溶液をポリカーボネート上にワイヤーバーコート法により塗布し、１５５℃にて３時間熱硬化したところ、ヒビ割れのない透明な膜が作製できた。
【００６９】
［合成例２］
４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンの合成
合成例１と同様にＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼンを得た。トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン９．５ｇ（５８ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１７ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらＮ，Ｎ−ビス（４−ビニルフェニル）アミノベンゼン２．６ｇ（８．７ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを得た。収量５．３ｇ。
【００７０】
合成した４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン８．０ｇをイソプロパノール１２．０ｇに溶解したところ、均一で透明な溶液となった。
【００７１】
［合成例３］
４，４’−ビス［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］−４”−メチル−トリフェニルアミンの合成
＜４−メチル−トリフェニルアミンの合成＞
ヨードベンゼン３３．９ｇ（１６６ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム２２．９ｇ（１６６ｍｍｏｌ）及び銅粉７．０ｇを４−ニトロトルエン２０ｍｌに加え、攪拌下加熱環流を８時間行った。冷却後濾過し、濾液を除去した。得られた反応混合物をシリカゲルカラムを通し４−メチル−トリフェニルアミンを得た。収量１３．５ｇ。
【００７２】
＜４，４’−ジホルミル−４”−メチル−トリフェニルアミンの合成＞
三つ口フラスコに４−メチル−トリフェニルアミン５３．６ｇ、ＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液を９５℃で５時間反応させ、４リットルの温水へ注ぎ１時間攪拌した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、４，４’−ジホルミル−４”−メチル−トリフェニルアミンを得た。収量５１．５ｇ。
【００７３】
＜４，４’−ジビニル−４”−メチル−トリフェニルアミンの合成＞
水素化ナトリウム１２．１ｇ、１，２−ジメトキシエタン５８０ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらトリメチルホスフォニウムブロマイド１０８．５ｇを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反応混合液に４，４’−ジホルミル−４”−メチル−トリフェニルアミン４７．９ｇを加え、７０℃で５時間反応させた後、濾別し、濾取したケーキをエーテル抽出し濾液と一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。これをエタノールで再結晶二回行い、針状、４，４’−ジビニル−４”−メチル−トリフェニルアミンを得た。収量４０．２ｇ。
【００７４】
＜４，４’−ジビニル−４”−メチル−トリフェニルアミンのヒドロシリル化＞
トルエン４０ｍｌ、メチルジメトキシシラン３．８４ｇ及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．５４ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながら４，４’−ジビニル−４”−メチル−トリフェニルアミン４．７１ｇのトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４，４’−ビス［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］−４”−メチル−トリフェニルアミンを得た。収量６．７６ｇ。
【００７５】
合成した４，４’−ビス［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］−４”−メチル−トリフェニルアミン８．０ｇをイソプロパノール１２．０ｇに溶解したところ、均一で透明な溶液となった。
【００７６】
この溶液を銅基板上にワイヤーバーコート法により塗布し、１２０℃にて１２時間熱硬化し、約５μｍの膜を作製した。次に、蒸着により半透明金電極を形成した。
【００７７】
このサンプルに対してパルス巾３ｎｓｅｃの波長３３７ｎｍの窒素レーザーを用いてＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ法にてドリフト移動度を測定したところ９×１０−７ｃｍ２／Ｖｓｅｃであった。
【００７８】
［合成例４］
４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンの合成
＜３，４−ジメチル−トリフェニルアミンの合成＞
ヨードベンゼン３３．９ｇ（１６６ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム２２．９ｇ（１６６ｍｍｏｌ）及び銅粉７．０ｇを４−ニトロ−ｏ−キシレン２５ｍｌに加え、攪拌下加熱環流を８時間行った。冷却後濾過し、濾液を除去した。得られた反応混合物をシリカゲルカラムを通し３，４−ジメチル−トリフェニルアミンを得た。収量１４．２ｇ。
【００７９】
＜４，４’−ジホルミル−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンの合成＞
三つ口フラスコに３，４−ジメチル−トリフェニルアミン５６．５ｇ、ＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液を９５℃で５時間反応させ、４リットルの温水へ注ぎ１時間攪拌した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、４，４’−ジホルミル−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンを得た。収量５３．８ｇ。
【００８０】
＜４，４’−ジビニル−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンの合成＞
水素化ナトリウム１２．１ｇ、１，２−ジメトキシエタン５８０ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらトリメチルホスフォニウムブロマイド１０８．５ｇを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反応混合液に４，４’−ジホルミル−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミン５０．１ｇを加え、７０℃で５時間反応させた後、濾別し、濾取したケーキをエーテル抽出し濾液と一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。これをエタノールで再結晶二回行い、針状、４，４’−ジビニル−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンを得た。収量４２．０ｇ。
【００８１】
＜４，４’−ジビニル−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンのヒドロシリル化＞
トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン６．０ｇ及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．５４ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながら４，４’−ジビニル−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミン４．９２ｇのトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状の４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンを得た。収量７．５０ｇ。
【００８２】
合成した４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミン８．０ｇをイソプロパノール１２．０ｇに溶解したところ、均一で透明な溶液となった。
【００８３】
［合成例５］
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス｛４−〔２−（メチルジメトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ’−フェニル−ベンジジンの合成
＜Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ’−フェニル−ベンジジンの合成＞
三つ口フラスコに既知の方法により合成したＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−ベンジジン６７．３ｇ、ＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液を９５℃で５時間反応させ、４リットルの温水へ注ぎ１時間攪拌した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、不純物を分取ＨＰＬＣにて取り除いた後、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ’−フェニル−ベンジジンを得た。収量６．３ｇ。
【００８４】
＜Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（４−ビニルフェニル）−Ｎ’−フェニル−ベンジジンの合成＞
水素化ナトリウム１２．１ｇ、１，２−ジメトキシエタン５８０ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらトリメチルホスフォニウムブロマイド１０８．５ｇを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反応混合液にＮ，Ｎ，Ｎ’−トリス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ’−フェニル−ベンジジン５８．４ｇを加え、７０℃で５時間反応させた後、濾別し、濾取したケーキをエーテル抽出し濾液と一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。これをエタノールで再結晶二回行い、針状、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（４−ビニルフェニル）−Ｎ’−フェニル−ベンジジンを得た。収量４９．１ｇ。
【００８５】
＜Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリス（４−ビニルフェニル）−Ｎ’−フェニル−ベンジジンのヒドロシリル化＞
トルエン４０ｍｌ、メチルジメトキシシラン２０．３ｇ及びジクロロ（ｈ−シクロオクタ−１，５−ジエン）白金（ＩＩ）１．７３ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらＮ，Ｎ，Ｎ’−トリス（４−ビニルフェニル）−Ｎ’−フェニル−ベンジジン１０．９ｇ（１９．３ｍｍｏｌ）のトルエン溶液４０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状のＮ，Ｎ，Ｎ’−トリス｛４−〔２−（メチルジメトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ’−フェニル−ベンジジンを得た。収量は１４．１ｇであった。
【００８６】
合成したＮ，Ｎ，Ｎ’−トリス｛４−〔２−（メチルジメトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ’−フェニル−ベンジジン８．０ｇをｓｅｃ−ブタノール１２．０ｇに溶解したところ、均一で透明な溶液となった。
【００８７】
［比較合成例１］
４−［２−メチルジメトキシシリル］エチル］−トリフェニルアミンの合成
＜４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドの合成＞
三つ口フラスコにトリフェニルアミン１０１．４ｇとＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下し、温度を９５℃に上げて５時間反応させた。反応液を４リットルの温水へ注ぎ１時間攪拌した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドを得た。収量９１．５ｇ。
【００８８】
＜４−ビニルトリフェニルアミンの合成＞
水素化ナトリウム１４．６ｇ、１，２−ジメトキシエタン７００ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらトリメチルホスフォニウムブロマイド１３０．８ｇを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。これに４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド１００ｇを加え、７０℃に温度を上げ５時間反応させた。反応液を濾過し、濾液と沈殿物のエーテル抽出液を一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。これをエタノールから再結晶を行い、針状、淡黄色のビニルトリフェニルアミンを得た。収量８３．４ｇ。
【００８９】
＜４−ビニルトリフェニルアミンのヒドロシリル化＞
トルエン４０ｍｌ、メチルジメトキシシラン６．３ｇ（６０ｍｍｏｌ）及びトリス（テトラメチルジビニルジシロキサン）二白金（０）のトルエン溶液０．０１８ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながら４−ビニルトリフェニルアミン８．２ｇのトルエン溶液２０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除き、淡黄色油状の４−［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを得た。収量１０．５ｇ。
【００９０】
合成した４−［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン８．０ｇをイソプロパノール１２．０ｇに溶解したところ、白色の懸濁液となり、数分後には成分が分相した液となった。
【００９１】
更に、４−［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン８．０ｇをトルエン１２．０ｇに溶解したところ、均一で透明な溶液となったが、この溶液をポリカーボネート上にワイヤーバーコート法により塗布したところ、ポリカーボネートが溶解し、平滑な膜とはならなかった。
【００９２】
［比較合成例２］
Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジンの合成
＜Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジンの合成＞
三つ口フラスコに既知の方法により合成したＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−ベンジジン１００ｇ、ＤＭＦ３５．５ｍｌを入れ、氷水冷却下、攪拌しながらオキシ塩化リン８４．４ｍｌを滴下した。滴下終了後、混合溶液を９５℃で５時間反応させ、４リットルの温水へ注ぎ１時間攪拌した。その後、沈殿物を濾取し、エタノール／水（１：１）の混合溶液で洗浄し、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジンを得た。収量８８．９ｇ。
【００９３】
＜Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジンの合成＞
水素化ナトリウム１２．１ｇ、１，２−ジメトキシエタン５８０ｍｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらトリメチルホスフォニウムブロマイド１０８．５ｇを加えた。次に、無水エタノールを一滴加えた後、７０℃で４時間反応させた。以上のようにして得られた反応混合液にＮ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン８２．８ｇを加え、７０℃で５時間反応させた後、濾別し、濾取したケーキをエーテル抽出し濾液と一緒にし水洗した。次いで、エーテル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去し、反応混合物を得た。これをエタノールで再結晶二回行い、針状、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジンを得た。収量６９．７ｇ。
【００９４】
＜Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジンのヒドロシリル化＞
トルエン４０ｍｌ、トリエトキシシラン３１．７ｇ及びジクロロ（ｈ−シクロオクタ−１，５−ジエン）白金（ＩＩ）１．７３ｍｍｏｌを三つ口フラスコに取り、室温で攪拌しながらＮ，Ｎ’−ビス（４−ビニルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン１５．７ｇ（１９．３ｍｍｏｌ）のトルエン溶液４０ｍｌを滴下した。滴下終了後、７０℃で３時間攪拌を行った後、溶媒を減圧下で除去し、淡黄色油状のＮ，Ｎ’−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジンを得た。収量は２４．３ｇであった。
【００９５】
合成したＮ，Ｎ’−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン８．０ｇをｓｅｃ−ブタノール１２．０ｇに溶解したところ、白色の粘体となり、数分後には成分が分相した。
【００９６】
更に、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−〔２−（トリエトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン８．０ｇをトルエン１２．０ｇに溶解したところ、均一で透明な溶液となったが、この溶液をポリカーボネート上にワイヤーバーコート法により塗布したところ、ポリカーボネートが溶解し、平滑な膜とはならなかった。
【００９７】
（実施例１）
引き抜き加工により得られた外径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー上に、フェノール樹脂（商品名：プライオーフェン、大日本インキ化学工業（株）製）１６７質量部をメチルセロソルブ１００質量部に溶解したものへ導電性硫酸バリウム超微粒子（１次粒径５０ｎｍ）２００質量部及び平均粒径２μｍのシリコーン樹脂粒子３質量部を分散したものを浸漬コーティング法により塗工し、乾燥後の膜厚が１５μｍの導電層を形成した。
【００９８】
上記導電層上にアルコール可溶性共重合ポリアミド（商品名：アミランＣＭ−８０００、東レ（株）製）５質量部をメタノール９５質量部に溶解した溶液を浸漬コーティング法により塗工した。８０℃で１０分間乾燥して、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。
【００９９】
次に、電荷発生層用分散液としてＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２゜）の９．０゜、１４．２゜、２３．９゜及び２７．１゜に強いピークを有するオキシチタニルフタロシアニン顔料５質量部をシクロヘキサノン９５質量部にポリビニルベンザール（ベンザール化度７５％以上）２部を溶解した液に加え、サンドミルで２時間分散した。この分散液を先に形成した下引き層の上に乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるように浸漬コーティング法で塗工した。
【０１００】
次に、下記構造式で示されるトリアリールアミン系化合物５０質量部と、
【０１０１】
【化７】
2004101913.tif 000006
ポリカーボネート（商品名：ユーピロンＺ−２００、三菱ガス化学（株）製）５０質量部をクロロベンゼン４００質量部に溶解して調製した溶液を、上記電荷発生層上に浸漬コーティング法により塗布し、１１７℃で１時間加熱乾燥して、膜厚が１０μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１０２】
次に、合成例１で合成した４，４’−ビス［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン８．０質量部をイソプロパノール１２．０質量部に溶解した溶液を、上記電荷輸送層上に浸漬コーティング法により塗布し、１５５℃で３時間加熱乾燥して、膜厚が３μｍの表面保護層を形成した。
【０１０３】
この電子写真感光体を−６００Ｖに帯電し、波長６８０ｎｍの光を用いて電子写真特性を測定したところ、Ｅ１／２（−３００Ｖまで帯電電位が減少するために必要な露光量）が０．１５Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−１９Ｖと非常に良好であった。
【０１０４】
本電子写真感光体をキヤノン製レーザービームプリンターＬＢＰ−ＳＸの改造機｛（１／ｅ２）を副走査方向で６３．５μｍ、主走査方向で２０μｍの照射スポット径となるように改造｝を用い初期帯電−６００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、１万枚の耐久試験後においても画像の劣化がなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。
【０１０５】
（実施例２）
実施例１と同様に電荷輸送層までを形成した。
【０１０６】
次に、合成例２で合成した４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］トリフェニルアミンを用いた以外は、実施例１と同様にして表面保護層を形成した。
【０１０７】
この電子写真感光体を実施例１と同様に評価したところ、Ｅ１／２が０．１３Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−１８Ｖと非常に良好であった。
【０１０８】
本電子写真感光体を実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンターを用い、初期帯電−６００Ｖに設定して画像評価を行ったところ、５０００枚の耐久試験後の電子写真感光体の摩耗量は０．１μｍ以下と極めて少なく、耐久後の水の接触角も１００度と良好で、画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。
【０１０９】
（実施例３）
実施例１と同様に電荷輸送層までを形成した。
【０１１０】
次に、合成例４で合成した４，４’−ビス［２−（トリエトキシシリル）エチル］−３”，４”−ジメチル−トリフェニルアミンを用いた以外は、実施例１と同様にして表面保護層を形成した。
【０１１１】
この電子写真感光体を実施例１と同様に評価したところ、Ｅ１／２が０．１３Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−２２Ｖと非常に良好であった。
【０１１２】
本電子写真感光体を実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンターを用い、初期帯電−５００Ｖに設定して画像評価を行ったとろ、１万枚の耐久試験後の電子写真感光体の摩耗量は０．３μｍと極めて少なく、水の接触角は１０１度と良好で黒ポチ等の電荷注入及び干渉縞による画像の劣化もなく、６００ｄｐｉ相当の入力信号においてのハイライト部の１画素再現性も十分であった。
【０１１３】
（実施例４）
実施例１と同様に電荷輸送層までを形成した。
【０１１４】
次に、合成例５で合成したＮ，Ｎ，Ｎ’−トリス｛４−〔２−（メチルジメトキシシリル）エチル〕フェニル｝−Ｎ’−フェニル−ベンジジンを用いた以外は、実施例１と同様にして表面保護層を形成した。
【０１１５】
この電子写真感光体を実施例１と同様にして評価したところ、Ｅ１／２が０．１２Ｊ／ｃｍ２、残留電位が−１３Ｖと非常に良好であった。
【０１１６】
本電子写真感光体を実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンターを用い、初期帯電−５００Ｖに設定して画像評価を行ったとろ、１万枚の耐久試験後の摩耗量は０．２５μｍと極めて少なく、水の接触角は１００度であり、ハイライト部、高濃度部の再現性の優れた画像が得られた。
【０１１７】
（比較例１）
電荷輸送層の膜厚を１３μｍとした以外は、実施例１と同様にして電荷輸送層までを形成し、表面保護層は形成しなかった。
【０１１８】
この電子写真感光体を実施例１と同様に評価したところ、Ｅ１／２は０．１３Ｊ／ｃｍ２であり、残留電位が−１９Ｖと良好であったが、実施例１と同様のキヤノン製レーザービームプリンターを用い、初期帯電−５００Ｖに設定して画像評価を行ったとろ、１万枚の耐久試験後の摩耗量は２．５μｍと実施例に比べて非常に大きくなった。
【０１１９】
（比較例２）
実施例１と同様に電荷輸送層までを形成した。
【０１２０】
次に、比較合成例１で合成した４−［２−（メチルジメトキシシリル）エチル］トリフェニルアミン８．０ｇをトルエン１２．０ｇに溶解した溶液を、上記電荷輸送層上に浸漬コーティング法により塗布したところ、塗布中に電荷輸送層が溶解して平滑な電子写真感光体表面にはならず、この電子写真感光体は実施例１と同様の評価はできなかった。
【０１２１】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、アルコール溶液の塗工液を用いることによって、電荷輸送層を溶解することなく表面保護層が浸漬コーティングされ、機械的、電気的耐久性を両立した電子写真感光体、該電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の層構成の例を示す図である。
【図２】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを備えた画像形成装置の概略構成の例を示す図である。
【図３】本発明の画像形成装置のフルカラー複写機の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１　導電性支持体
２　導電層
３　下引層
４　電荷発生層
５　電荷輸送層
６　表面保護層
２１　電子写真感光体
２２　軸
２３　帯電手段
２４　露光光
２５　現像手段
２６　転写手段
２７　転写材
２８　定着手段
２９　クリーニング手段
３０　前露光光
３１　プロセスカートリッジ
３２　案内手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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