(57)【要約】【課題】半田ディッピング工程を使用せず第１、２リードフレームを接合しながら、良好な接合信頼性を確保することができるデュアルダイパッケージの製造方法を提供すること。【解決手段】チップ積層パッケージまたはパッケージ積層体にリードフレームを接合する方法、チップ積層パッケージ、チップ積層パッケージの製造方法を接合部材は、少なくとも１つのリードフレームの接合部に形成されている。接合部材は、抗酸化性及び金属間拡散性を有し、金ワイヤー、金バンプ、金バー、半田バンプ、半田、または半田バーから形成されても良い。熱及び圧力下において、リードフレームをクランプまたは押し付けることにより、接合部材は、確実に接合部でリードフレームを相互接続する金属間接合層を形成する。【選択図】図３
2004056138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　それぞれが接合部を有する少なくとも２つのリードフレームを接合する方法であって、
　少なくとも１つの前記接合部に接合部材を形成する段階と、
　前記各リードフレームの前記接合部が金属間接合層によって相互接合されるように、リードフレームを熱及び圧力下で押圧することにより、接合部材から金属間接合層を形成する段階と、
を備えることを特徴とする接合方法。
【請求項２】
　前記接合部材は、抗酸化性及び金属間拡散性を有することを特徴とする請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
　前記接合部材は、金属ワイヤー、金属バンプ、金属バーからなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項２に記載の接合方法。
【請求項４】
　前記接合部材を形成する段階の前に、少なくとも１つの前記接合部にメッキ層を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の接合方法。
【請求項５】
　前記メッキ層は、半田及び銀からなる群より選ばれた部材で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の接合方法。
【請求項６】
　前記接合部材を形成する段階において、前記接合部材は前記メッキ層上に形成することを特徴とする請求項４に記載の接合方法。
【請求項７】
　複数の第１リード、前記第１リードの端部に接続された第１サイドレールを有する第１リードフレームと、複数の第２リード、ダムバー、前記第２リードから延びる複数の外部リード、前記外部リードの端部に接続された第２サイドレールを有する第２リードフレームと、の少なくとも一方に接合部材を形成する段階と、
　前記第１リード及び前記第２リードの一部が前記金属間接合層により相互接続され、前記第１サイドレール及び前記ダムバーが前記金属間接合層により相互接続されるように、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームを熱及び圧力下で押圧することにより、接合部材から金属間接合層を形成する段階と、
を備えることを特徴とする少なくとも２つのリードフレームを接合する方法。
【請求項８】
　前記接合部材は、抗酸化性及び金属間拡散性を有することを特徴とする請求項７に記載の接合方法。
【請求項９】
　前記接合部材は、金属ワイヤー、金属バンプ、金属バーからなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項８に記載の接合方法。
【請求項１０】
　前記接合部材は、金及び半田からなる群より選ばれた部材で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の接合方法。
【請求項１１】
　前記第１リードの一部及び前記第１サイドレールの一部に、第１メッキ層を形成する段階と、
前記第２リードの一部及び前記ダムバーの一部に、第２メッキ層を形成する段階と、
をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の接合方法。
【請求項１２】
　前記第１メッキ層及び前記第２メッキ層は、銀及び半田からなる群より選ばれた部材で形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の接合方法。
【請求項１３】
　前記接合部材は、前記第１メッキ層及び前記第２メッキ層の少なくとも一方に形成することを特徴とする請求項１１に記載の接合方法。
【請求項１４】
　第１リードは、各々、第１ボンディング部及び第１接合部を有し、第２リードは、各々、第２ボンディング部及び第２接合部を有することを特徴とする請求項７に記載の接合方法。
【請求項１５】
　前記第１接合部及び前記第１サイドレールの一部に、第１メッキ層を形成する段階と、
前記第２接合部及び前記ダムバーの一部に、第２メッキ層を形成する段階と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の接合方法。
【請求項１６】
　前記接合部材は、前記第１メッキ層及び前記第２メッキ層の少なくとも一方に形成することを特徴とする請求項１５に記載の接合方法。
【請求項１７】
　第１リードフレームに貼付けられる第１半導体チップと、
　前記第１、２半導体チップが互いに隣接するように、前記第１リードフレームに積層された前記第２リードフレームに貼付けられる第２半導体チップと、
　前記第１、２リードフレームの一部を相互接続する金属間接合層と、
を備えることを特徴とするチップ積層パッケージ。
【請求項１８】
　前記金属間接合層は、抗酸化性及び金属間拡散性を有する接合部材から形成されていることを特徴とする請求項１７に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項１９】
　前記接合部材は、金属ワイヤー、金属バンプ、金属バーからなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項１８に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２０】
　前記第１リードフレームは、第１ボンディング部及び第１接合部を有する複数の第１リードを備えることを特徴とする請求項１７に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２１】
　前記第１リードは、前記第１ボンディング部が前記第１接合部よりも下側に位置するように屈曲されていることを特徴とする請求項２０に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２２】
　前記第１リードフレームは、前記第１接合部上に形成された第１メッキ層を有することを特徴とする請求項２０に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２３】
　前記第１メッキ層は、銀及び半田からなる群より選ばれた部材で形成されていることを特徴とする請求項２２に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２４】
　前記第１半導体チップは、活性面を有し、前記活性面が前記第１ボンディング部と対向するように、第１ボンディング部に貼付けられていることを特徴とする請求項２０に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２５】
　前記第１半導体チップは、接着テープにより前記第１ボンディング部に貼付けられていることを特徴とする請求項２４に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２６】
　前記第２リードフレームは、
　第２ボンディング部及び第２接合部を有する複数の第２リードと、
　前記第２接合部の端部に接続された第２ダムバーと、
　前記第２ダムバーから延びる複数の外部リードと、
を備えることを特徴とする請求項１７に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２７】
　前記第２リードは、前記第２ボンディング部が前記第２接合部よりも上側に位置するように屈曲されていることを特徴とする請求項２６に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２８】
　前記第２リードフレームは、前記第２接合部上に形成された第２メッキ層を有することを特徴とする請求項２７に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項２９】
　前記第２メッキ層は、銀及び半田からなる群より選ばれた部材で形成されていることを特徴とする請求項２８に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項３０】
　前記第２半導体チップは、活性面を有し、前記活性面が前記第２ボンディング部と対向するように、第２ボンディング部に貼付けられていることを特徴とする請求項２６に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項３１】
　前記第１半導体チップと前記第１リードフレームの一部とを第１ボンディングワイヤーにより電気的に接続する第１電極パッドと、
　前記第２半導体チップと前記第２リードフレームの一部とを第２ボンディングワイヤーにより電気的に接続する第２電極パッドと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項３２】
　第１、２半導体チップと、第１、２リードフレームの少なくとも一部とを取り囲む樹脂成形体をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のチップ積層パッケージ。
【請求項３３】
　第１半導体チップが貼付けられ、複数の第１リードを有する第１リードフレームに接合部材を形成する段階と、
　前記第１半導体チップと隣接に位置するように、第２半導体チップが貼付けられ、複数の第２リードを有する第２リードフレームに前記第１リードフレームを積層する段階と、
　第１、２リードフレームの一部を相互接続する金属間接合層が接続部材から形成されるように、熱及び圧力下で第１、２リードフレームを押圧する段階と、
を備えることを特徴とするチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項３４】
　前記接合部材は、抗酸化性及び金属間拡散性を有することを特徴とする請求項３３に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項３５】
　前記接合部材は、金属ワイヤー、金属バンプ、金属バーからなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項３４に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項３６】
　第１リードは第１ボンディング部及び第１接合部を有し、第２リードは第２ボンディング部及び第２接合部を有することを特徴とする請求項３３に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項３７】
　第１、２半導体チップに形成された電極パッドと、それに対応する第１、２ボンディング部とをボンディングワイヤーにより電気的に接続する段階を有することを特徴とする請求項３６に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項３８】
　前記第１ボンディング部が前記第１接合部よりも下側に位置するように前記第１リードを屈曲する段階と、
前記第２ボンディング部が前記２接合部よりも上側に位置するように前記第２リードを屈曲する段階と、
をさらに備えることを特徴とする請求項３６に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項３９】
　接着テープにより前記第１接合部に前記第１半導体チップを貼付ける段階と、
　接着テープにより前記第２接合部に前記第２半導体チップを貼付ける段階と、
をさらに備えることを特徴とする請求項３６に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項４０】
　少なくとも１つの前記第１接合部上に第１メッキ層を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項３６に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項４１】
　前記第１メッキ層は、銀または半田からなる群より選ばれた部材で形成されていることを特徴とする請求項４０に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項４２】
　前記接合部材は、前記第１メッキ層上に形成されていることを特徴とする請求項４０に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項４３】
　前記第１、２半導体チップと第１、２リードフレームの少なくとも一部とを、樹脂成形体内に封止する段階をさらに備えることを特徴とする請求項３３に記載のチップ積層パッケージの製造方法。
【請求項４４】
　それぞれが接合部を有する少なくとも２つのリードフレームを接合する方法であって、
　少なくとも１つの前記接合部に接合部材を形成する段階と、
　前記各リードフレームに半導体チップを貼付ける段階と、
　前記それぞれのリードフレームの前記接合部が金属間接合層によって相互接続され、請求項１７に記載のチップ積層パッケージを製造するように、熱及び圧力下で前記リードフレームを押圧することにより、接合部材から金属間接合層を形成する段階と、
を備えることを特徴とする接合方法。
【請求項４５】
　請求項１７に記載のチップ積層パッケージを製造する方法であって、
　第１半導体チップが貼付けられ、複数の第１リードを有する第１リードフレームに接合部材を形成する段階と、
　前記第１半導体チップと隣接に位置するように、第２半導体チップが貼付けられ、複数の第２リードを有する第２リードフレームに前記第１リードフレームを積層する段階と、
　第１、２リードフレームの一部を相互接続する金属間接合層が接続部材から形成されるように、熱及び圧力下で第１、２リードフレームを押圧する段階と、
を備えることを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、パッケージ組立技術に関するもので、より詳しくは、チップ積層パッケージまたはパッケージ積層体に２つ以上のリードフレームを接合する方法、チップ積層パッケージを製造する方法、チップ積層パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　最近、半導体技術の発展とユーザからの要求に伴って、電子産業において高記憶容量及び省スペースの傾向が高まっている。このような要求を満たすために、積層半導体チップまたは積層パッケージのような積層技術が紹介されている。
【０００３】
　パッケージ積層体は、それぞれの組立てられたパッケージが機能及び信頼性テストを通過したので、信頼できるという利点がある。また、チップ積層パッケージは、全てのチップが１つのパッケージに一緒に組立てられているので、小型化したサイズを有するという利点がある。従来のチップ積層パッケージは、図１に示したデュアルダイパッケージ（ＤＤＰ）が一般的である。デュアルダイパッケージ１００は、例えば、下部半導体チップ１０及び上部半導体チップ３０の２つの半導体チップを有する。また、デュアルダイパッケージ１００は、例えば、下部リードフレーム２０及び上部リードフレーム４０の２つのリードフレームを有する。リードフレーム２０、４０は、半導体チップ１０、３０が裏面を合わせるように、熱押圧により接合されている。リードフレーム２０、４０の良好な接合のために、図２に示すように、リードフレーム２０、４０の部分はメッキ層２８、４８によりプレメッキされている。
【０００４】
　プレメッキされたリードフレーム２０、４０が熱押圧により接合される場合、図２に示すように、メッキ層２８と４８との接触面が離れ、半導体チップ１０、３０の接合信頼性が劣る。このような欠点は、メッキ層２８、４８の酸化から生じる。酸化は、熱押圧の間、熱を印加することにより促進され、メッキ層２８、４８が適切に接合されなくなる。
【０００５】
　上記問題点を解消するための１つの方案は、パッケージの形成後、半田ディッピング工程を行うことである。図１に示すように、半田ディッピング工程は、リードフレーム２０、４０の接合部分だけでなく、上部リードフレーム４０の外部リード４７に、半田コーティング層９０を形成する。半田コーティング層９０は、下、上部リードフレーム２０、４０の間に向上した電気的接続を提供する。
【０００６】
　半田ディッピング工程は、パッケージ組立工程と別途に行われ、フラクシング（fluxing）、はんだ付け（soldering）、洗浄（cleaning）の段階を含むので、工程時間が長くなり、生産性が低下する。また、半田ディッピング工程は、外部リード４７の寸法を変化させる。このような変化は、テストソケットの接触ピンデザインの変更と、モジュール基板のランドパターンデザインの変更とを必要とする。すなわち、半田コーティング層９０が形成された外部リード４７は、従来のテストソケット及び外部リード４７が適用されたモジュール基板を使用することができない。
【０００７】
　また、図１に示すように、半田コーティング層９０は、半田ディッピング工程により外部リード４７の屈曲された隅部分に多く塗布されている。半田コーティング層９０の塗布部分は、外部リード４７が接触ピンに機械的に接触される場合、テストソケットの接触ピンを汚す恐れがある。また、デュアルダイパッケージ１００が半田によりモジュール基板に実装される場合、隣接した外部リード４７の半田コーティング層９０は、半田ブリッジを形成し、デュアルダイパッケージ１００の電気的短絡を引き起こす。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　従って、本発明の目的は、半田ディッピング工程を使用せず第１、２リードフレームを接合しながら、良好な接合信頼性を確保することができるデュアルダイパッケージの製造方法を提供することにある。
　本発明の他の目的は、デュアルダイパッケージの外部リードの寸法をそのまま維持することができるデュアルダイパッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本発明の実施形態は、少なくとも２つのリードフレームを接合する方法を提供する。第１リードフレームは、それぞれ、第１ボンディング部、第１接合部及び第１サイドレールを有する複数の第１リードを備える。第２リードフレームは、それぞれ、第２ボンディング部、第２接合部、外部リード、ダムバー及び第２サイドレールを有する複数の第２リードを備える。また、第１リードは、第１ボンディング部が第１接合部よりも下側に位置するように屈曲され、第２リードは、第２ボンディング部が第２接合部よりも上側に位置するように屈曲される。
【００１０】
　第１リードフレームは、第１接合部及び第１サイドレールの一部に形成された第１メッキ層を有する。第２リードフレームは、第２接合部及びダムバーの一部に形成された第２メッキ層を有する。第１、２メッキ層は、銀または半田で形成される。
【００１１】
　接合部材は、第１、２接合部の少なくとも１つに形成され、第１メッキ層及び／または第２メッキ層に形成され得る。接合部材は、抗酸化性及び抗金属拡散性を有し、一般に、金属ワイヤー、金属バンプ、金属バーがある。第１、２リードは、第１、２リードを熱及び圧力下で押圧することにより、金属間接合層が第１、２接合部と相互接続するように、接合部材から金属間接合層を形成する。
【００１２】
　本発明の他の実施形態は、チップ積層パッケージ及びその製造方法を提供する。チップ積層パッケージは、第１半導体チップを有する第１リードフレームと、第２半導体チップを有する第２リードフレームと、第１、２リードフレーム部を相互接続する金属間接合層と、を備える。第１、２リードフレームは、第１、２半導体チップが互いに隣接するように積層されている。チップ積層パッケージは、第１半導体チップと第１リードフレームの一部とを第１ボンディングワイヤーによって電気的に接続する第１電極パッドと、第２半導体チップと第２リードフレームの一部とを第２ボンディングワイヤーによって電気的に接続する第２電極パッドと、を備える。第１、２半導体チップと少なくとも第１、２リードフレームの一部とは、樹脂成形体に封止され、チップ積層パッケージを保護する。
【００１３】
　チップ積層パッケージを形成するために、上述した接合部材は、第１リードフレーム及び／または第２リードフレーム上に形成される。第１、２リードフレームは、互いに隣接する第１、２半導体チップと一緒に積層され、熱及び圧力下で押圧されて接合部材から金属間接合層を形成する。金属間接合層は、少なくとも第１、２リードフレームの一部を相互接続する。また、第１リードフレーム及び／または第２リードフレームは、銀または半田で形成されたメッキ層を有する。接合部材は、第１メッキ層及び／または第２メッキ層上に形成されても良い。
【発明の効果】
【００１４】
　本発明の一実施形態において、ワイヤー、バンプまたはバーのような接合部材を使用することにより、２つ以上のリードフレームを容易に且つ確実に接合することができる。本発明の一実施形態による方法は、従来の半田ディッピング工程のニーズを減らす。その結果、半田ディッピング工程の使用による問題点を減らすことができる。また、リードフレームの接合方法は、成形工程と同時に行われるので、簡略化させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
　以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態をより詳しく説明する。
　図３を参照すれば、本発明の実施形態により形成されたチップ積層パッケージの一例としてデュアルダイパッケージ２００が示されている。パッケージ２００は、例えば、第１半導体チップ１１０及び第２半導体チップ１３０の２つの半導体チップを有する。各半導体チップ１１０、１３０は、活性面及び裏面を有する。少なくとも１つの電極パッド１１２、１３２は、各半導体チップ１１０、１３０の活性面の中心線に沿って配置されている。
【００１６】
　パッケージ２００は、例えば、第１リードフレーム１２０及び第２リードフレーム１４０の２つのリードフレームを有する。図３及び図４に示すように、第１リードフレーム１２０は、第１ボンディング部１２３及び第１接合部１２５を有する第１リード１２１を備える。同様に、図３及び図５に示すように、第２リードフレーム１４０は、第２ボンディング部１４３及び第２接合部１４５を有する第２リード１４１を備える。第２リードフレーム１４０は、第２リード１４１から延びる外部リード１４７をさらに備える。
【００１７】
　第１リード１２１は、第１ボンディング部１２３が第１接合部１２５よりも下側に位置するように屈曲されている。これに対して、第２リード１４１は、第２ボンディング部１４３が第２接合部１４５よりも上側に位置するように屈曲されている。第１半導体チップ１１０は、活性面が第１ボンディング部１２３と対向するように、接着テープ１２６により第１ボンディング部１２３に貼付けられている。しかしながら、従来の技術により確認された他の適した接着剤を使用することができる。第１半導体チップ１１０の電極パッド１１２は、第１リード１２１の２列の間に配置されている。第２半導体チップ１３０は、活性面が第２ボンディング部１４３と対向するように、接着テープ１４６により第２ボンディング部１４３に貼付けられている。第２半導体チップ１３０の電極パッド１３２は、第２リード１４１の２列の間に配置されている。第１、２リード１２１、１４１は、第１、２半導体チップ１１０、１３０が互いに隣接するように配置されている。
【００１８】
　各電極パッド１１２、１３２は、ボンディングワイヤー１６２、１６４によって、第１、２リード１２１、１４１の該当ボンディング部１２３、１４３に電気的に接続されている。半導体チップ１１０、１３０、ボンディングワイヤー１６２、１６４、第１、２リード１２１、１４１の大部分は、外部及び潜在的に有害な環境から保護するために、樹脂成形体１８０で封止されている。
【００１９】
　第１、２接合部１２５、１４５は、一緒に接合され、互いに電気的に接続されている。第２リードフレーム１４０の外部リード１４７は、樹脂成形体１８０から突出し、共通接続端子として機能する。外部リード１４７は、外部回路基板への実装に適した形状を有する。図３は、外部リード１４７の形状の一例、例えばガルウィング（gull wing）を示しているが、他の適した形状を適用することができる。外部リード１４７は、回路基板上への良好な実装のために、錫（Ｓｎ）でメッキすることができる。参照番号１９０は、錫メッキ層を表す。
【００２０】
　各接合部１２５、１４５は、半田または銀のようなメッキ層（図８の参照番号１２８、１４８）を有する。第１、２接合部１２５、１４５（第１、２メッキ層１２８、１４８をそれぞれ含む）は、その間に挿入された接合部材を介して、熱及び圧力下で接合されている。接合部材は、１８０℃の高温で抗酸化性及び金属間拡散性を有する。接合部材の適した例は、金または半田、例えば金ボンディングワイヤー、金バンプ、金バー、半田バンプ、半田バーを含む。接合部材は、第１リードフレーム１２０と第２リードフレーム１４０との間を強く接続している。
【００２１】
　図４〜図８は、図３に示したチップ積層パッケージを形成するためのリードフレームの接合方法を示す。
　図４に示すように、第１リードフレーム１２０は、従来に通常的に使用されたＬＯＣ（lead-on-chip）リードフレームである。上述したように、第１リードフレーム１２０は、２列に配列された複数の第１リード１２１を備える。各第１リード１２１において、第１ボンディング部１２３は、第１接合部１２５に一体的に接続されている。パッケージの形状を組立てる前、第１リードフレーム１２０は、第１接合部１２５の端部に接続された第１サイドレール１２２を有する。従来に知られたように、第１サイドレール１２２は、成形工程においてダムバーとして機能する。少なくとも１つ接着テープ１２６は、第１リード１２１の各列に貼付けられている。通常、接着テープ１２６は、第１ボンディング部１２３に貼付けられている。第１メッキ層１２８は、第１接合部１２５及び第１サイドレール１２２の一部に形成されている。第１メッキ層１２８は、１８０℃の成形温度で抗酸化性を有し、優れた金属間拡散性を有する。第１メッキ層１２８として使用するための適切な例は、半田及び銀がある。
【００２２】
　図５に示すように、第２リードフレーム１４０は、ＬＯＣリードフレームである。第２リードフレーム１４０は、外部リード１４７及び第２ダムバー１４４を有すること以外には、第１リードフレーム１２０と同様の構造を有する。第２ダムバー１４４は第２接合部１４５の端部に接続され、外部リード１４７は第２ダムバー１４４から外側に延びている。外部リード１４７の外端及び第２ダムバー１４４の両端は、第２サイドレール１４２に接続されている。第２リードフレーム１４０は、第２接合部１４５及び第２ダムバー１４４の一部に形成されている第２メッキ層１４８を有する。第２メッキ層１４８は、第１リードフレーム１２０の第１メッキ層１２８と同一材料、すなわち半田または銀から形成されても良い。
【００２３】
　第１、２半導体チップ１１０、１３０は、それぞれ第１、２リードフレーム１２０、１４０に貼付けられている。各第１、２半導体チップ１１０、１３０は、ボンディングワイヤー１６２、１６４によって、各リードフレーム１２０、１４０に電気的に接続されている。
【００２４】
　接合部材として使用されたワイヤー１６６は、図６に示すように、第１メッキ層１２８にボンディングされている。ボンディングワイヤー１６６は、ボールボンディング及び／またはステッチボンディングのようなワイヤーボンディング技術によって、第１サイドレール１２２に沿って不連続的に形成されている。ボンディングワイヤー１６６は、金からなり、第１、第２リードフレーム１２０、１４０の一方または両方に形成され得る。ボンディングワイヤー１６６が第１、第２リードフレーム１２０、１４０の両方に配置されるか否かは、接合部材に必要なボンディングワイヤー１６６の量によって決まる。例えば、第２リードフレーム１４０がボンディングワイヤー１６６を必要とするなら、ボンディングワイヤー１６６は第２ダムバー１４４に沿って形成される。
【００２５】
　一実施形態のおいて、ボンディングワイヤー１６６が第１サイドレール１２２のある位置から始まり別の位置で終わるが、ボンディングワイヤー１６６は、第１接合部１２５のある位置から始まり第１サイドレール１２２のある位置で終わることもできる。
【００２６】
　図７、８に示すように、第１、第２リードフレーム１２０、１４０は、成形工程の間一緒に接合され、樹脂成形体を形成する（例えば、図３の参照番号１８０）。成形工程において、第１半導体チップ１１０を含む第１リードフレーム１２０は、キャビティ１５１を有する下部金型１５２に配置されている。第２半導体チップ１３０を含む第２リードフレーム１４０は、第１、第２半導体チップ１１０、１３０が裏面を合わせるように、第１リードフレーム１２０上に積層されている。キャビティ１５１内に液状成形樹脂を注入するために、上部金型１５４は、下部金型１５２を押し付け、熱及び圧力下で第１、２リードフレーム１２０、１４０をクランプする。その結果、ボンディングワイヤー１６６は、メッキ層１２８と１４８との間を平面に押し付けられて広がり、ボンディングワイヤー１６６及び第１、第２メッキ層１２８、１４８の拡散ボンディングによって、金属間接合層１７０を形成する。
【００２７】
　例えば、第１リードフレーム１２０の第１接合部１２５及び第１サイドレール１２２と、第２リードフレーム１４０の第２接合部１４５及び第２ダムバー１４４とが、約１７５〜１８５℃の温度、約７０〜１１０ｔｏｎの圧力下でクランプされると、約３０μｍの直径を有するボンディングワイヤー１６６は、約１０〜１５μｍの厚さを有する金属間接合層１７０を形成する。第１、２リードフレーム１２０、１４０の接合工程は、別個または追加の工程なく、通常の成形工程内において同時に行われる。
【００２８】
　図９及び図１０は、本発明の実施形態によるチップ積層パッケージを走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により撮影した写真である。特に、この写真は、上述した工程により接合された２つのリードフレームを示す。この例において、第１、２メッキ層１２８、１４８は半田により形成され、金ワイヤーは半田メッキ層上にボンディングされる。図１０に示すように、金ワイヤーは、第１接合部１２５と第２接合部１４５との間に金属間接合層１７０を形成する。その結果、第１リード１２１と第２リード１４１との間に、より信頼性のある接続を達成することができる。
【００２９】
　図１１は、本発明の他の実施形態によるリードフレームの接合に使用された接合部材の他の例として、複数の金バンプ２６６を示す。特に、この他の実施形態において金バンプ２６６は、接合部材として使用されたボンディングワイヤー１６６の代わりに、接合部材として使用することができる。金バンプ２６６は、サイドレール２２２の一部に形成された第１メッキ層２２８上に、一定の間隔を置いて形成される。第２メッキ層（図示せず）は、第２リードフレーム（図示せず）上に任意的に形成しても良い。第１メッキ層２２８は、リードフレーム２２０の接合部２２５に延びるので、金バンプ２６６は、接合部２２５に形成されても良い。リードフレーム２２０は、第１リードフレーム１２０に対応する。図１１は、第１リードフレーム２２０上に金バンプ２６６を示しているが、金バンプ２６６は、第２リードフレーム（図示せず）または、第１リードフレーム２２０及び第２リードフレーム（図示せず）の両方に形成されても良い。金バンプ２６６が第１リードフレーム２２０及び第２リードフレーム（図示せず）の両方に形成される場合には、２つのリードフレームに配置された金バンプ２６６が、互いに重ならないように形成する。
【００３０】
　その後、ボンディングワイヤー１６６と同様に、金バンプ２６６は、成形工程の間、メッキ層への拡散ボンディングにより金属間接合層（図示せず）を形成する。金バンプ２６６の代わりに接合部材として半田バンプ（図示せず）を使用することもできる。
【００３１】
　図１２は、本発明のさらに他の実施形態において、金属間接合層を形成し、リードフレームを相互接続するのに使用された接合部材の他の例として、少なくとも１つの金バー３６６を示す。図１２に示すように、金バー３６６は、接合部３２５の一部及びリードフレーム３２０のサイドレール３２２の一部を被覆するメッキ層３２８に形成されている。金バー３６６は、一方のリードフレームまたは両方のリードフレームに形成されても良い。金バー３６６の代わりに、接合部材として半田バー（図示せず）を使用することもできる。
【００３２】
　本発明は、本発明の技術的思想から逸脱することなく、他の種々の形態で実施することができる。前述の実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例のみに限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神及び特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来のリードフレームの接合方法により形成されたチップ積層パッケージの断面図である。
【図２】図１に示したＡ部分の拡大図で、ＳＥＭにより撮影した写真である。
【図３】本発明の少なくとも１つの実施形態によるリードフレームの接合方法を使用するチップ積層パッケージの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による第１リードフレームの斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態による第２リードフレームの斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態において、第１リードフレーム上に接合部材として形成されたボンディングワイヤーを説明する斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態において、金属間接合層により接合された第１、２リードフレームを説明する断面図である。
【図８】図７に示したＢ部分の拡大断面図である。
【図９】本発明の一実施形態においてＳＥＭにより撮影した写真を説明する、第１、２リードフレームの接合部分の断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態においてＳＥＭにより撮影した写真を説明する、図９に示したＣ部分の拡大断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態によるリードフレームの接合方法において、第１リードフレーム上に接合部材として形成された金バンプの斜視図である。
【図１２】本発明の他の実施形態によるリードフレームの接合方法において、第１リードフレーム上に接合部材として形成された金バーの斜視図である。
【符号の説明】
【００３４】
　１１０、２１０、３１０　　　第１半導体チップ
　１２０、２２０、３２０　　　第１リードフレーム
　１２１　　　第１リード
　１２２、２２２、３２２　　　第１サイドレール
　１２３　　　第１ボンディング部
　１２５　　　第１接合部
　１２６、１４６　　　接着テープ
　１２８、１４８　　　メッキ層
　１３０　　　第２半導体チップ
　１４０　　　第２リードフレーム
　１４１　　　第２リード
　１４２　　　第２サイドレール
　１４３　　　第２ボンディング部
　１４４　　　第２ダムバー
　１４５　　　第２接合部
　１５０　　　成形金型
　１６２　　　第１ボンディングワイヤー
　１６４　　　第２ボンディングワイヤー
　１６６　　　接合用ボンディングワイヤー
　１７０　　　接合層
　１８０　　　パッケージ胴体
　１９０　　　錫コーティング層
　２００　　　デュアル ダイパッケージ
　２６６　　　金バンプ
　３６６　　　金バー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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