(57)【要約】【課題】安定パワーを使用した温度制御を実行する場合に、事前に取得した安定パワーに過不足が発生した場合でも、不安定な温度制御にならず、すばやく目的の温度に安定するための温度制御方法を提供し、生産時間の短縮によって、生産性を向上させることができる半導体処理装置、半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】基板の温度処理時に制御部から出力される電力値に基づく電力を加熱装置に供給することにより、前記基板を所望温度で温度処理するようにした半導体処理装置において、予め所定のタイミングにおいて前記制御部より出力される電力値を取得して記憶しておき、前記記憶された電力値と、前記記憶時以後における前記所定のタイミングにおいて前記制御部から出力される電力値との差に基づいて、前記基板の温度処理時に前記制御部から出力される電力値を補正し、該補正された電力値に基づく電力を前記加熱装置に供給するようにした。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の温度処理時に制御部から出力される電力値に基づく電力を加熱装置に供給することにより、前記基板を所望温度で温度処理するようにした半導体処理装置において、
予め所定のタイミングにおいて前記制御部より出力される電力値を取得して記憶しておき、
前記記憶された電力値と、前記記憶時以後における前記所定のタイミングにおいて前記制御部から出力される電力値との差に基づいて、前記基板の温度処理時に前記制御部から出力される電力値を補正し、該補正された電力値に基づく電力を前記加熱装置に供給するようにしたことを特徴とする半導体処理装置。
【請求項２】
基板の温度処理時に制御部から出力される電力値に基づく電力を加熱装置に供給することにより、前記基板を所望温度で温度処理するようにした半導体装置の製造方法において、
予め所定のタイミングにおいて前記制御部より出力される電力値を取得して記憶しておく工程と、
前記記憶された電力値と、前記記憶時以後における前記所定のタイミングにおいて前記制御部から出力される電力値との差に基づいて、前記基板の温度処理時に前記制御部から出力される電力値を補正する工程と、
該補正された電力値に基づく電力を前記加熱装置に供給する工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置等の半導体処理装置及び半導体装置の製造方法における温度制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術として、半導体製造装置の減圧ＣＶＤ処理炉を例に説明する。減圧ＣＶＤ処理炉の構造例を図８に示す。図８に示した減圧ＣＶＤ処理炉は、炉内を加熱するためのヒータ１０１と、ヒータ１０１の温度を検出するヒータ熱電対１０２と、外管（アウターチューブ）１０３と内管（インナーチューブ）１０４の間の温度を検出するカスケード熱電対１０５と熱処理するためのウエハを搭載したボート１０６と、ヒータ熱電対１０２及びカスケード熱電対１０５の検出温度と設定温度Yからヒータ１０１への操作量Ｚ（電力値）を演算して求める温度コントローラ（温度制御部）１０７から構成されている。
【０００３】
ヒータ１０１は、炉内温度をより高精度に制御するためにゾーン分割されており、たとえば４ゾーン分割の場合には、上部から順にＵ，ＣＵ，ＣＬ，Ｌゾーンなどと呼ばれる。それぞれのゾーンごとに、ヒータ熱電対１０２とカスケード熱電対１０５が設置されている。この減圧ＣＶＤ処理炉における温度制御の目的は、熱処理するためのウエハに、より近い場所（炉内）に設置してあるカスケード熱電対１０５の検出温度を、設定温度Ｙと一致させることである。
【０００４】
次に、図９の減圧ＣＶＤ処理炉で、一般に使用される処理シーケンスについて説明する。図９（ａ）は、減圧ＣＶＤ処理炉で行われるプロセス処理の１例のフローチャートを示し、図９（ｂ）は、そのときの炉内の温度変化の概略を示したものである。ステップＳ１は、炉内の温度を比較的低い温度Ｔ0で安定させる処理である。ステップＳ１では、ボートはまだ炉内へ挿入されていない。ステップＳ２は、ボートを炉内に挿入する処理（ボートロード）である。ステップＳ３は、設定温度Ｔ0からウエハに成膜処理等のプロセス処理を施すための設定温度Ｔ1まで徐々に炉内の温度を上昇させる処理（ランプアップ）である。ステップＳ４はウエハにプロセス処理を施すために炉内の温度を設定温度Ｔ1で安定させる処理である。ステップＳ５は、設定温度Ｔ1から再び比較的低い設定温度Ｔ0まで徐々に炉内の温度を下降させる処理（ランプダウン）である。ステップＳ６は、プロセス処理が施されたウエハを搭載しているボートを炉内から引き出す処理である。
【０００５】
通常ステップＳ１からステップＳ６の処理は繰り返し行われるため、１つ１つのステップを短時間で行うことが生産性向上につながる。しかしながら、図８の減圧ＣＶＤ処理炉のように、複数の加熱ゾーンに分割されている場合、ゾーン間の干渉などが原因で、すばやく目的の温度に安定させることが困難な場合が多い。そこで、目的の温度で安定するためのヒータパワー値（以下、安定パワーと呼ぶ）を、事前にテーブルに取得しておき、温度変化が過渡期の場合に、テーブル取得しておいた安定パワーを使用することで、温度安定までの時間を短縮させようとする温度制御方法が使用されている。
【０００６】
図１０に、安定パワーを使用した温度制御の温度データの一例を示す。ボートロード時は、室温のウエハを搭載したボートが炉内に挿入されるために、カスケードＴＣの温度は設定温度に対して大きく下降した後、徐々に上昇して設定温度に安定するが、通常の温度制御では、温度の下降をすばやく回復させようとヒータパワーを多く出力しすぎていたために、設定温度を大きくオーバーシュートした後、ゆっくり設定温度に安定している。これに対して、安定パワーを使用した温度制御は、安定パワーを使用することで、ヒータパワーを多く出力することがないので、温度下降の後、大きくオーバーシュートすることなく、すばやく設定温度に安定している。このように、安定パワーを使用した温度制御は、すばやく目的の温度に安定することができ、装置のスループット向上に有効な方法といえる。
【０００７】
しかし、事前に取得した安定パワーが実際に必要な安定パワーとの間に過不足を生じる場合がある。たとえば、ヒータへの供給電源の電源変動や、装置の各部分における経年変化、また炉内に挿入するウエハの状態が安定パワー取得時と違う（安定パワー取得時は、新品ウエハを使用したが、実際に安定パワーを使用して温度制御をするときはウエハに加工がされた状態である）などの要因がある。このような場合、テーブルに取得しておいた安定パワーを使用した温度制御を行うと、かえって不安定要因となって、温度が安定するまでの時間が長くなり、スループットの悪化につながる。このため、事前に取得した安定パワーに過不足が発生した場合でも、不安定な温度制御にならず、すばやく目的の温度に安定するための温度制御方法が求められていた。
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、例えば安定パワーを使用した温度制御を実行する場合に、事前に取得した安定パワーに過不足が発生した場合でも、不安定な温度制御にならず、すばやく目的の温度に安定するための温度制御方法を実行し得る半導体処理装置及び半導体装置の製造方法を提供し、生産時間の短縮によって、生産性を向上させることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は、基板の温度処理時に制御部（例えばＰＩＤ調節器）から出力される電力値（例えば予め取得された安定パワー出力値：第１の電力値）に基づく電力を加熱装置に供給することにより、前記基板を所望温度で温度処理するようにした半導体処理装置（半導体製造装置）において、予め所定のタイミング（基準点：例えばステップＳ２の終了後、ステップＳ３に移行する直前の点）において前記制御部より出力される電力値（第２の電力値）を取得して記憶しておき、前記記憶された電力値（第２の電力値）と、前記記憶時以後における前記所定のタイミングにおいて前記制御部から出力される電力値（第３の電力値）との差に基づいて、前記基板の温度処理時に前記制御部から出力される電力値（第１の電力値）を補正し、該補正された電力値（第４の電力値）に基づく電力を前記加熱装置に供給するようにしたことを特徴とする。
【００１０】
本発明は、例えば、半導体製造装置等の半導体処理装置の温度制御システムにおいて、測定温度が目的の温度に安定したときのヒータへの出力パワー値を事前にメモリなどに取得しておき、測定温度の変化が過渡的な場合に、メモリに取得したヒータへの出力パワー値を温度制御に使用することによってすばやく温度安定を図ろうとする温度制御方法を採用する温度制御システムを有する半導体製造装置等の半導体処理装置に適用され、事前に取得したヒータへの出力パワー値と、それを使用して温度制御する場合の実際に温度安定するために必要なヒータへの出力パワー値との間の過不足分を補正して、温度制御に使用する。なお、ヒータへの出力パワー値は所定のパラメータに対応して関数計算されて出力されるような値であってもよい。
【００１１】
前記補正の方法においては、基準点でのヒータへの出力パワー値と、事前に取得した同じ基準点でのヒータへの出力パワー値との差を求め、この差又はこの差の係数倍によって、事前に取得した測定温度が目的の温度に安定したときのヒータへの出力パワー値を補正することができる。
【００１２】
また、本発明は、基板の温度処理時に制御部から出力される電力値に基づく電力を加熱装置に供給することにより、前記基板を所望温度で温度処理するようにした半導体装置の製造方法において、予め所定のタイミングにおいて前記制御部より出力される電力値を取得して記憶しておく工程と、前記記憶された電力値と、前記記憶時以後における前記所定のタイミングにおいて前記制御部から出力される電力値との差に基づいて、前記基板の温度処理時に前記制御部から出力される電力値を補正する工程と、該補正された電力値に基づく電力を前記加熱装置に供給する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
なお、実施の形態においては、基板を収納する反応室と、前記反応室に収納された基板を加熱する加熱装置と、前記反応室内の温度から前記加熱装置の電力を制御する制御手段とを備え、前記反応室に反応ガスを供給、及び排気しつつ前記基板を処理する半導体処理装置において、予め前記基板の処理温度時における第１の電力値と前記処理温度時以外の所定時における第２の電力値を記憶しておき、次の処理工程時には、前記第２の電力値と同所定時における第３の電力値を取得し、前記第２の電力値と前記第３の電力値との電力差と、前記第１の電力値との加減することにより、処理温度時における第４の電力値を求め、前記第４の電力値により、前記制御手段が処理温度時の電力制御をすることを特徴とする半導体処理装置が記載されている。
【００１４】
また、実施の形態においては、基板を収納する反応室と、前記反応室に収納された基板を加熱する加熱装置と、前記反応室に反応ガスを供給、及び排気しつつ処理する半導体装置の製造方法において、予め前記基板の処理温度時における第1の電力値と前記処理温度時以外の所定時における第2の電力値を記憶する工程を有し、次の処理工程時には、前記第2の電力値と同所定時における第3の電力値を取得し、前記第2の電力値と前記第3の電力値との電力差と、前記第1の電力値とを加減することにより、処理温度時における第4の電力値を求める工程と、前記第4の電力値により、処理温度時に前記加熱装置を制御する工程とを有することを特徴とした半導体装置の製造方法が記載されている。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
実施の形態は、半導体処理装置としての半導体製造装置を減圧ＣＶＤ処理炉に例をとって説明する。実施の形態は、予め、事前に取得した安定パワーと、実際に必要な安定パワーとの間の過不足分を求め事前に取得した安定パワーを補正するものである。過不足分を求める方法はいくつかあるが、処理シーケンス内に基準点を設けて、安定パワーを取得した時の基準点でのヒータパワー値と、安定パワーを使用する処理シーケンス内の基準点でのヒータパワー値を比較し、その差を安定パワー間の過不足分（または過不足分の補正に使用するための値）とする方法について説明する。
【００１６】
実施の形態１．
図１は、実施の形態における減圧ＣＶＤ装置の反応炉と主制御部を示す構成図である。図１において、主制御部１は、温度制御部２とガス流量制御部３と圧力制御部４と駆動制御部５を備えている。反応炉１００において、外管（以下アウターチューブ２０５）は例えば石英（ＳｉＯ2）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞され、下端に開口を有する円筒状の形態である。内管（以下インナーチューブ２０４）は、上端及び下端の両端に開口を有する円筒状の形態を有し、アウターチューブ２０５内に同心円状に配置されている。アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４の間の空間は筒状空間２５０を成す。インナーチューブ２０４の上部開口から上昇したガスは筒状空間２５０を通過して排気管２３１から排気されるようになっている。
【００１７】
アウターチューブ２０５およびインナーチューブ２０４の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド２０９が係合され、このマニホールド２０９にアウターチューブ２０５およびインナーチューブ２０４が保持されている。このマニホールド２０９は保持手段（以下ヒータベース２５１）に固定される。アウターチューブ２０５の下端部およびマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下Ｏリング２２０）が配置され、両者の間が気密にシールされている。
【００１８】
マニホールド２０９の下部には、ガスの供給管２３２が貫通するように設けられている。これらのガスの供給管２３２により、処理用のガスがアウターチューブ２０５内に供給されるようになっている。これらのガスの供給管はガスの流量制御手段（以下マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１）に連結されており、ＭＦＣ２４１はガス流量制御部３に接続されており、供給するガスの流量を所定の量に制御し得る。
【００１９】
マニホールド２０９の上部には、圧力調節器（例えばＡＰＣ、Ｎ2バラスト制御器があり、以下ここではＡＰＣ２４２とする）及び、排気装置（以下真空ポンプ２４６）に連結されたガスの排気管２３１が接続されており、アウターチューブ２０５とインナーチューブ２０４との間の筒状空間２５０を流れるガスを排出し、アウターチューブ２０５内をＡＰＣ２４２により圧力を制御することにより、所定の圧力の減圧雰囲気にするよう圧力検出手段（以下圧力センサ２４５）により検出し、圧力制御部４により制御する。
【００２０】
マニホールド２０９の下端開口部には、例えばステンレス等によりなる円盤状の蓋体（以下シールキャップ２１９）がＯリング２２０を介して気密シール可能に着脱自由に取付けられている。又、シールキャップ２１９には、回転手段（以下回転軸２５４）が連結されており、回転軸２５４により、基板保持手段（以下ボート２１７）及びボート２１７上に保持されている基板（以下ウエハ２００）を回転させる。又、シールキャップ２１９は昇降手段（以下ボートエレベータ１１５）に連結されていて、ボート２１７を昇降させる。回転軸２５４、及びボートエレベータ１１５を所定のスピードにするように、駆動制御部５により制御する。
【００２１】
アウターチューブ２０５の外周には加熱手段（以下ヒータ２０７）が同心円状に配置されている。ヒータ２０７は、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にするよう温度検出手段（以下熱電対２６３：図８のカスケード熱電対に相当）により温度を検出し、温度制御部２により制御する。
【００２２】
図１に示した処理炉による減圧ＣＶＤ処理方法の一例を説明すると、まず、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させる。ボート２１７に複数枚のウエハ２００を保持する。次いで、ヒータ２０７により加熱しながら、アウターチューブ２０５内の温度を所定の処理温度にする。ガスの供給管２３２に接続されたＭＦＣ２４１により予めアウターチューブ２０５内を不活性ガスで充填しておき、ボートエレベータ１１５により、ボート２１７を上昇させてアウターチューブ２０５内に移し、アウターチューブ２０５の内部温度を所定の処理温度に維持する。アウターチューブ２０５内の所定の真空状態まで排気した後、回転軸２５４により、ボート２１７及びボート２１７上に保持されているウエハ２００を回転させる。同時にガスの供給管２３２から処理用のガスを供給する。供給されたガスは、アウターチューブ２０５内を上昇し、ウエハ２００に対して均等に供給される。
【００２３】
減圧ＣＶＤ処理中のアウターチューブ２０５内は、排気管２３１を介して排気され、所定の真空になるようＡＰＣ２４２により圧力が制御され、所定時間減圧ＣＶＤ処理を行う。
【００２４】
このようにして、減圧ＣＶＤ処理が終了すると、次のウエハ２００の減圧ＣＶＤ処理に移るべく、アウターチューブ２０５内のガスを不活性ガスで置換するとともに、圧力を常圧にし、その後、ボートエレベータ１１５によりボート２１７を下降させて、ボート２１７及び処理済のウエハ２００をアウターチューブ２０５から取出す。アウターチューブ２０５から取出されたボート２１７上の処理済のウエハ２００は、未処理のウエハ２００と交換され、再度前述同様にしてアウターチューブ２０５内に上昇され、減圧ＣＶＤ処理が成される。
【００２５】
図２は実施の形態における温度制御部の一つの構成例を示すブロック図である。この実施の形態における温度制御部２は、所定のシーケンスに従って、温度を安定させるために必要な安定パワー出力値（第１の電力値）を予め取得して格納し、安定パワーを用いた温度制御に際し、格納された安定パワー出力値（第１の電力値）を読み出して電力供給を行うためのメモリである安定パワー出力値テーブル２１と、安定パワー出力値テーブル２１から得られるパワー出力値を補正し、補正されたパワー値に基づく電力を電力供給部を介してヒータに出力するためのヒータパワー値補正部２２とを備えている。
【００２６】
ヒータパワー値補正部２２は、基板の一連の処理工程において、予め（例えば安定パワー出力値を取得するとき）基準点（所定のタイミング）におけるヒータパワー値（第２の電力値）を取得し記憶しておくためのヒータパワー値メモリ２３と、その後（安定パワーを使用する処理シーケンス）における基板の一連の処理工程において、上記基準点と同じ、又は相当する基準点におけるヒータパワー値（第３の電力値）を取得するヒータパワー値取得部２４と、これら記憶されたヒータパワー値と取得された新たなヒータパワー値とを比較し、減算を行う第１比較器（加算器）２５と、比較器２５により減算された結果を安定パワー出力値テーブル２１からの出力値より減算して補正された安定パワー値（第４の電力値）とする第２比較器（加算器）２６とを備えている。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態の動作について説明する。図３は温度制御部の動作を示すフローチャートである。
安定パワーを使用した温度制御を実行するに先だっては、図３（ａ）に示される温度制御前工程が処理される。この工程では、安定パワーを使用する時と同じ条件で安定パワー出力値（第１の電力値）を取得し、この取得値がメモリ（安定パワー出力値テーブル）に記憶される（ステップＳ１２）。例えば、図９（ｂ）の処理シーケンスのステップＳ３〜Ｓ４の昇温時に、安定パワーを使用してすばやく温度を安定させようとする場合、ステップＳ４で温度が安定したときのヒータパワー値をテーブル（安定パワー出力値テーブル２１）に取得する。取得したテーブルの内容は、たとえば図４のようなものである。図４のように、安定パワーは加熱ゾーンごとに異なるため、加熱ゾーンごとに区別してテーブル化する。このような安定パワー取得時において、処理シーケンス内に基準点を設けて、基準点でのヒータパワー値（第２の電力値）も合わせてテーブル（基準点のヒータパワー値メモリ２３）に取得しておく（ステップＳ１１）。なお、ステップＳ１１とステップＳ１２の工程順は逆であっても良い。
【００２８】
基準点としては、例えば図９（ｂ）の温度制御形態においては、ステップＳ２の終了後、ステップＳ３に移行する前の点を選ぶこととする。安定パワーを取得する際に、この基準点でのヒータパワー値も合わせてテーブル（基準点のヒータパワー値メモリ（テーブル）２３）に取得する。取得したテーブルの内容は、例えば図５のようなものである。なお、基準点の定め方は、一例として、シーケンス（処理内容を設定したレシピ）で定めるようにすることができる。この場合、レシピはどのような処理を時間に即して行うかを時々刻々と記述したものであり、ある一時刻だけではなく、ステップの何分から何分までの間を基準点として選び、それらの平均値を基準点でのヒータパワー値とすることもできる。即ち、制御周期の数倍（２倍とか５倍とか）、あるいは一定時間（５秒間隔とか１０秒間隔）に拡張して基準点とすることもできる。
【００２９】
そして、図３（ｂ）に示される安定パワー出力値を使用した温度制御を行う場合（安定パワー出力値テーブル２１の値に基づいて温度制御を行う場合）、安定パワー出力値は、処理シーケンスのステップＳ３〜Ｓ４の昇温時に使用するために取得したので、ステップＳ３の開始時から安定パワー出力値を使用する。これに際して基準点はステップＳ２の終了後、ステップＳ３に移行する直前の点が選ばれているので、補正部２２は安定パワーを使用した温度制御を行う際に、ヒータパワー取得部２４により取得された現在の基準点でのヒータパワー値を取得すると共に（ステップＳ２１）、テーブル（基準点のヒータパワー値メモリ２３）に取得しておいた基準点でのヒータパワー値を読み出し、これら値を比較器２５において比較する（ステップＳ２２）。このとき安定パワーを取得したときと、すべての条件が同じであるならば、基準点でのヒータパワー値も、ほぼ同じ値になるはずである。
【００３０】
しかし、ヒータへの供給電源の電源変動や、装置の各部分における経年変化、また炉内に挿入するウエハの状態が安定パワー取得時と違う（安定パワー出力値の取得時は、新品のウエハを使用したが、実際に安定パワーを使用して温度制御をするときはウエハに加工がされた状態である）などの要因により、基準点でのヒータパワー値に差が生じることがある。基準点で差が生じるということは、事前に取得した安定パワーも実際に必要な安定パワーとの間に、差が生じていると考えられる。このように、安定パワーに差が生じたことによって、温度が不安定になることを防ぐために、基準点でのヒータパワー値の差を使用して、取得しておいた安定パワーを補正して温度制御を行う（ステップＳ２３）。即ち比較器２５による減算結果（比較結果）を比較器２６に与え、この比較結果を安定パワー出力値テーブルから得られる安定パワー出力値から減じてその結果を電力供給部３０に与える（ステップＳ２４）。
【００３１】
具体的な例として、たとえば図４、図５のように事前に取得したパワーに対して、実際に安定パワーを使用する際の基準点でのＵゾーンのヒータパワー値が２０％だったとすると、事前に取得した基準点でのＵゾーンのヒータパワー値は２３％だったので、２０％−２３％＝−３％の差が生じたことになる。そこで、ステップＳ３から安定パワー出力値を使用する際には、テーブルに取得したＵゾーンの安定パワー出力値３５％に、基準点での差−３％を加えて、３５％＋（−３％）＝３２％を補正後の安定パワー出力値として温度制御に使用する。
【００３２】
実施の形態２．
図６は本発明の他の実施の形態を示すブロック図であり、補正部が基準点での差をそのまま補正値として使用するのではなく、図７のような補正係数テーブル（図６の２８）を有し、基準点での差（例えば−３％）にＵゾーンの補正係数（ｋ：例えば０．９０）を乗算し、３５％＋｛（−３％）×０．９０｝＝３２．３％を補正後の安定パワー出力値として温度制御に使用することもできる。図６の補正係数乗算器２７に使用される係数ｋの値は補正係数テーブル２８より各ゾーンに対応して読み出されて使用される。
【００３３】
ヒータへ出力するためのパワー値を求める温度制御部２におけるＰＩＤ演算は、ＰＩＤ定数と呼ばれるパラメータを調整することで、同じ偏差に対しても、大きくパワーを出力したり、小さく出力することができる。そのため、大きくパワーを出力するＰＩＤ定数のときには、ヒータのパワー値がやや振動的になったりすることもあり、基準点でのパワー値の差に、時間的な誤差（基準点と基準点での前後で大きな差）が発生することも考えられるため、補正係数を導入することにより、基準点での半分を補正したい場合などにも対応できる。これにより、基準点での差をそのまま補正すると、誤差を含んでいる場合は性能悪化の原因となる場合恐れを解消することができる。
【００３４】
一例まで、本実施例の処理炉にて処理される処理条件は、Ｓｉ3Ｎ4膜の成膜において、ウエハ温度６００〜８００℃、ガス種供給量はＤＣＳ：３００ｓｃｃｍ、ＮＨ3：９００ｓｃｃｍ、処理圧力は３０Ｐａである。
【００３５】
なお、上記実施の形態では、減圧ＣＶＤ処理炉を用いた場合に例を取って説明したが、その他の温度制御システムにも応用できることは言うまでもない。
以上、本発明の実施の形態においては、安定パワー取得時と、実際に安定パワーを使用する時との、安定パワーの差を補正することにより、温度制御が不安定になることを防ぎ、素早く目的の温度に安定するので、生産時間を短縮し、生産性を向上させることができる。
【００３６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、半導体製造装置等の温度制御システムにおいて、安定パワー使用した温度制御を実行する場合に、事前に取得した安定パワーに過不足が発生した場合でも、不安定な温度制御にならず、すばやく目的の温度に安定するための温度制御方法を提供し、生産時間の短縮によって、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体処理装置としての半導体製造装置として減圧ＣＶＤ処理炉を示す構成図である。
【図２】温度制御装置のブロック図を示す図である。
【図３】温度制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】安定パワーテーブルの一例を示す図である。
【図５】基準点でのヒータパワー値の取得例を示す図である。
【図６】他の温度制御装置を示すブロック図である。
【図７】補正係数テーブルの一例を示す図である。
【図８】減圧ＣＶＤ処理炉の構成を示す図である。
【図９】実施の形態の動作を示すフローチャート及びタイムチャートである。
【図１０】従来の温度制御データ例を示す図である。
【符号の説明】
１  主制御部、２  温度制御部、３  ガス流量制御部、４  圧力制御部、５  駆動制御部、２１  安定パワー出力値テーブル、２２  補正部、２３  基準点のヒータパワー値メモリ、２４  基準点のヒータパワー値取得部、２７  補正係数乗算部、２８  補正係数テーブル、２００  ウエハ、２０７  ヒータ、２１７  基板保持手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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