(57)【要約】　　　（修正有）【課題】収容された光デバイスに、光ファイバの引張りや温度による影響を及ぼすことなく良好に気密封止できる光モジュールを提供する。【解決手段】光モジュール１は、光ファイバ２が結合された光デバイス３を収容したパッケージ部材４を有している。パッケージ部材４は、ケース部５とこのケース部５を封止するカバー部６とを有しており、パッケージ部材４の側面には、光ファイバ２が挿通した貫通部１０が設けられている。光ファイバ２と貫通部１０の内壁部との間には磁性流体１２が配されている。カバー部６上面における貫通部１０上方に位置する部位には永久磁石等の磁界発生部１１が設けられて、貫通部１０に磁極を形成させている。この磁極の引き付け力により磁性流体１２を貫通部１０内に保持させて気密封止する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバと、
前記光ファイバが結合された光デバイスと、
前記光デバイスを収容し、内壁部が磁性材料で形成され前記光ファイバが挿通した貫通部が設けられたパッケージ部材と、
前記光ファイバと前記貫通部の前記内壁部との間に配された磁性流体と、
磁界を発生し前記貫通部に磁極を形成させる磁界発生部と、を備えることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記貫通部は断面が四角形状に形成され、前記貫通部の前記内壁部には、前記光ファイバの挿通方向と交差する方向に延びる複数の溝部が並列されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
【請求項３】
前記パッケージ部材はケース部と前記ケース部を封止するカバー部とを有し、前記ケース部と前記カバー部とが接合することで前記貫通部が形成され、前記溝部は前記ケース部と前記カバー部とに対称に並列されていることを特徴とする請求項２記載の光モジュール。
【請求項４】
前記貫通部は断面が円形状に形成され、前記貫通部の前記内壁部には、リング状の溝部が前記光ファイバの挿通方向に複数並列されていることを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
【請求項５】
前記パッケージ部材はケース部と前記ケース部を封止するカバー部とを有し、前記ケース部と前記カバー部とが接合することで前記貫通部が形成され、前記ケース部と前記カバー部との接合により前記リング状の溝部を形成する半円状の切欠部が前記ケース部と前記カバー部とに対称に並列されていることを特徴とする請求項４記載の光モジュール。
【請求項６】
前記光ファイバは、前記貫通部に挿通した部位の外周面が磁性材料からなる金属膜で覆われていることを特徴とする請求項１〜５いずれか一項記載の光モジュール。
【請求項７】
前記金属膜の内側にはガラスが充填されていることを特徴とする請求項１〜６いずれか一項記載の光モジュール。
【請求項８】
前記磁界発生部は、永久磁石であることを特徴とする請求項１〜７いずれか一項記載の光モジュール。
【請求項９】
前記磁界発生部は、電磁石であることを特徴とする請求項１〜７いずれか一項記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記磁性流体を構成するベース液は、炭化水素系、エステル類、ポリフェニルエーテル類、シリコーンオイル類、フッ素化オイル類の少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１〜９いずれか一項記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記磁性流体を構成するベース液の蒸気圧は１．５×１０−５Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１〜１０いずれか一項記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信等に用いられる光モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のアレイ導波路型回折格子（ＡＷＧ）や可変光減衰器（ＶＯＡ）等を有する光デバイスをパッケージ内に収容した光モジュールでは、光ファイバにメタライズを施し半田によってパッケージの光ファイバ導入部分を封止している（例えば、特許文献１参照）。また、樹脂によってパッケージの光ファイバ導入部分を封止するものなどもある（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２０１６５６号公報（第１１〜１３頁、第３図）
【特許文献２】
特開平１１−１１６９３４号公報（第３〜４頁、第１図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、パッケージの光ファイバ導入部分を半田によって封止する場合は、半田の溶融温度までパッケージ全体或いは一部を加熱する必要があるため、パッケージ内の光デバイスに悪影響を及ぼす虞がある。また、半田は溶融した状態から固化した状態になる際に凝集するため、光ファイバが光デバイスに対して引っ張られ、光デバイスの特性が変化するという不都合が生じる。
【０００５】
また、パッケージの光ファイバ導入部分を樹脂によって封止する場合、樹脂がエポキシ系の場合はＵＶ硬化性樹脂を用いることで、温度による光デバイスへの悪影響を防ぐことができるが、硬化時の凝集により半田と同様に光ファイバが光デバイスに対して引っ張られる現象が生じて光デバイスの特性が変化するという問題がある。
【０００６】
その他の樹脂としてシリコーン系樹脂を用いた場合は、室温硬化可能で耐湿性も良く、硬化時の凝集も比較的小さいため、上記のような問題は回避できる。しかし、シリコーン系樹脂は、塗布する際に気泡が入りやすく、また、光ファイバ導入部分の全体に送り込ませることが難しいため、パッケージを良好に気密封止することが困難となる。
【０００７】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、収容された光デバイスに、光ファイバの引張りや温度による影響を及ぼすことなく良好に気密封止できる光モジュールを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の光モジュールは、光ファイバと、光ファイバが結合された光デバイスと、光デバイスを収容し、内壁部が磁性材料で形成され光ファイバが挿通した貫通部が設けられたパッケージ部材と、光ファイバと貫通部の内壁部との間に配された磁性流体と、磁界を発生し貫通部に磁極を形成させる磁界発生部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
このような光モジュールは、光ファイバが挿通された貫通部に磁性流体を配し、この貫通部に磁界発生部によって磁極を形成させる。そして、磁極の引き付ける力によって磁性流体を貫通部内に保持させることにより、貫通部を封止しパッケージ部材内を気密封止する。これにより、パッケージ部材内の光デバイスに温度による影響を与えることなく、パッケージ部材内を良好に気密封止することができる。また、磁性流体は完全固化しないため、貫通部を封止する際に凝集が少なく、光ファイバに作用する力が少ない。このため、光デバイスに対する引張り力が抑制でき、光デバイスに影響を及ぼすことなくパッケージ部材内を気密封止することができる。
【００１０】
また、貫通部は断面が四角形状に形成され、貫通部の内壁部には、光ファイバの挿通方向と交差する方向に延びる複数の溝部が並列されていることが好ましい。この場合、貫通部を磁性流体で封止した際に、光ファイバの挿通方向に沿って、溝部が形成する空間の層と磁性流体の層とが交互に複数形成される。これにより、パッケージ部材内をより確実に気密封止することが可能となる。
【００１１】
この場合、パッケージ部材はケース部とケース部を封止するカバー部とを有し、ケース部とカバー部とが接合することで貫通部が形成され、溝部はケース部とカバー部とに対称に並列されているのが好ましい。これにより、磁性流体の層がより安定した状態で形成されるため、パッケージ部材内の気密性をより高めることができる。
【００１２】
貫通部は断面が円形状に形成され、貫通部の内壁部には、リング状の溝部が光ファイバの挿通方向に複数並列されていてもよい。この場合も、上記同様、貫通部を封止した際に、光ファイバの挿通方向に沿って、空間の層と封止能力の高い磁性流体の層とが交互に多段階形成される。したがって、パッケージ部材内をより確実に気密封止することができる。
【００１３】
この場合、パッケージ部材はケース部とケース部を封止するカバー部とを有し、ケース部とカバー部とが接合することで貫通部が形成され、ケース部とカバー部との接合によりリング状の溝部を形成する半円状の切欠部がケース部とカバー部とに対称に並列されているのが好ましい。これにより、磁性流体の層がより安定した状態で形成されるため、パッケージ部材内の気密性をより高めることができる。
【００１４】
また、本発明の光モジュールにおいて、光ファイバは、貫通部に挿通した部位の外周面が磁性材料からなる金属膜で覆われていることが好ましい。これにより、磁界発生部によって磁力が与えられたとき、金属膜に磁極が発生し、より強い磁力によって磁性流体が保持されるため、封止能力が向上する。
【００１５】
この場合、金属膜の内側にはガラスが充填されているのが好ましい。この場合、例えば金属膜として金属円筒を用い、その内側にガラスを充填することができる。これにより、例えば光ファイバの外周面に金属を蒸着する場合に比べ、より製造が容易になると共に、充填したガラスの分だけ貫通部の隙間が減るため、より封止能力を向上させることができる。
【００１６】
更に、本発明の光モジュールにおいて、磁界発生部は、永久磁石であることが好ましい。これにより、電力の供給等の必要がなく、磁性流体に半永久的に磁力を与え続けることができる。
【００１７】
また、磁界発生部は、電磁石であってもよい。これにより、通電量を調整することで、より強い磁界を発生させることができるため、パッケージ部材のより高い気密が可能となる。
【００１８】
また、磁性流体を構成するベース液は、炭化水素系、エステル類、ポリフェニルエーテル類、シリコーンオイル類、フッ素化オイル類の少なくとも１種からなることが好ましい。これにより、磁性流体のベース液の蒸発量を抑制できるため、長期間に渡るパッケージ部材の気密が可能となる。
【００１９】
また、磁性流体を構成するベース液の蒸気圧は１．５×１０−５Ｐａ以下であることが望ましい。これにより、ベース液の蒸発量をより少なくすることができ、パッケージ部材の気密封止をより長期間持続させることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る光モジュールの好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は、本発明の第１実施形態に係る光モジュールを示す断面図であり、図２は、図１に示すパッケージ部材を示す分解斜視図である。光モジュール１は、光ファイバ２が結合された光デバイス３を収容したパッケージ部材４を有している。パッケージ部材４は、ケース部５とこのケース部５を封止するカバー部６とを有しており、ケース部５内の中央付近には光デバイス３が載置された支持部７が設けられている。また、光デバイス３の光ファイバ２導入部分には、ファイバ保持部材８が設けられている。
【００２２】
図１では、支持部７がケース部５と一体的に形成された場合を示しているが、他の材質により形成された別体であってもよく、更に、ペルチェ素子等の電子冷却素子やセラミックヒータ等のヒータ類を備えてもよい。光デバイス３としては、例えば、アレイ導波路型回折格子（ＡＷＧ）や可変光減衰器（ＶＯＡ）、光分岐挿入装置（ＡＤＭ）等を有するものが挙げられる。
【００２３】
パッケージ部材４の側面には、光ファイバ２が挿通した貫通部１０が設けられており、この貫通部１０は、ケース部５とカバー部６とが接合することで形成されている。ケース部５における貫通部１０の内壁部１３ａは、鉄−ニッケル−コバルト系等の磁性材料で形成されている。また、カバー部６も、鉄−ニッケル系、または鉄−ニッケル−コバルト系の磁性材料で形成され、表面には金メッキが施されている。尚、カバー部６は、磁性材料以外の材料で形成されていてもよく、その場合は、貫通部１０の内壁部１３ｂに相当する部分を、鉄−ニッケル系、または鉄−ニッケル−コバルト系の磁性材料で形成する。
【００２４】
更に、カバー部６上面における貫通部１０上方に位置する部位には永久磁石等の磁界発生部１１が設けられており、この磁界発生部１１が発生した磁界により、貫通部１０の内壁部１３ａ，１３ｂに磁極が形成されている。磁界発生部１１として永久磁石を用いることで、電力の供給等の必要がなく、磁性流体に半永久的に磁力を与え続けることができる。尚、永久磁石としては、例えば、フェライト磁石、アルニコ磁石、希土類磁石等が用いられる。
【００２５】
また、磁界発生部１１として永久磁石以外に電磁石を用いてもよい。図３は、磁界発生部１１として用いられる電磁石の一例を示す図である。同図において、電磁石４０は、磁性体（鉄芯）４１にコイル４２が巻き付けられて構成され、コイル４２の両端には電源４３が接続されている。磁界発生部として電磁石を用いた場合、通電量を調整することで、より強い磁界を発生させることができるため、パッケージ部材４のより高い気密が可能となる。
【００２６】
上記ケース部５とカバー部６とは、例えばシーム溶接法により接合される。この場合、図２に示すように、ケース部５は、ケース部５の上部に位置する縁の部分に、鉄−ニッケル系、または鉄−ニッケル−コバルト系の材料からなる金属材９が例えば銀ロウ付けにより接合されている。ケース部５は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体、炭化珪素質焼結体などからなるセラミクスや、ポリフェニルサルフォン（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などのプラスチック材料によって形成されている。ケース部５は、鉄−ニッケル系、鉄−ニッケル−コバルト系等の金属材料あるいは金属磁性材料で形成してもよく、この場合は、上記金属材９を接合することなくカバー部６とシーム溶接することができる。尚、パッケージ部材４の寸法は、例えば、長さ（図２に示すＸ）約６〜８ｃｍ、幅（図２に示すＹ）約４ｃｍ、厚さ（図１に示すＺ）約１．５ｃｍである。
【００２７】
また、光ファイバ２と貫通部１０の内壁部１３ａ，１３ｂとの間には磁性流体１２が配されている。この磁性流体１２は、貫通部１０に形成された磁極の引き付ける力によって貫通部１０内に保持されている。これにより貫通部１０が封止され、パッケージ部材４内が気密封止されている。このとき、パッケージ部材４内は、真空状態、或いはＮ２ガス等の不活性ガスが充填された状態となっている。
【００２８】
このような光モジュール１は、貫通部１０に配された磁性流体１２によって貫通部１０が封止され、パッケージ部材４内が気密封止されている。これにより、半田や樹脂によって封止する際に生じる凝集が起こることがなく、また、加熱の必要もないので、光デバイス３に悪影響を与えることなく、パッケージ部材４内を良好に気密封止することができる。
【００２９】
図４は、本発明の第２実施形態に係る光モジュールを示す断面図である。同図に示す光モジュール２０は、図１に示す光モジュール１において、光ファイバ２の貫通部１０に挿通した部位の外周面が磁性材料からなる金属膜２１ａ（２１ｂ）で覆われている。
【００３０】
図５は、光ファイバの一部が金属膜で覆われた状態の一例を示す図である。同図において、光ファイバ２は、一部の外周面が蒸着等によって形成された金属膜２１ａで覆われている。このように金属膜２１ａで覆われた部位を磁性流体１２と共に貫通部１０に位置させることで、磁界発生部１１による磁界によって金属膜２１ａが磁化され、より強い磁力でもって磁性流体１２が保持されるため、封止能力が向上する。
【００３１】
図６は、光ファイバの一部が金属膜で覆われた状態の他の例を示す図である。図６では、金属膜として金属円筒２１ｂが用いられ、その金属円筒２１ｂに光ファイバ２を挿通し、金属円筒２１ｂと光ファイバ２との間にガラス２２が充填されている。この場合、金属円筒２１ｂに光ファイバ２を挿通し、金属円筒２１ｂと光ファイバ２との間にガラス２２を充填固化させるだけでよいため、製造が容易であると共に、充填したガラス２２の分だけ貫通部１０の隙間が減り、より封止能力を向上させることができる。尚、ガラス２２は、低融点のものが望ましく、例えばＮａ２Ｏ、ＢａＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等によって形成されたものが用いられる。その際、ガラス２２は、約９６０℃〜１０５０℃の温度で金属円筒２１ｂと光ファイバ２との間に充填される。
【００３２】
図７は、本発明の第３実施形態に係る光モジュールの一部を示す断面図であり、図８は、図７に示す光モジュールの貫通部を示す分解図である。図７では、光ファイバ２が挿通された貫通部３０を示している。この貫通部３０は、断面が四角形状となっており、パッケージ部材４のケース部５とカバー部６とが接合されることにより形成される。また、貫通部３０の内壁部１３ａ，１３ｂには、光ファイバ２の挿通方向と交差する方向に延びる複数の溝部３１が、光ファイバの挿通方向の位置を等しくして対称にそれぞれ並列されている。そして上記実施形態と同様に、貫通部３０に配された磁性流体１２が、磁界発生部によって貫通部３０に形成された磁極に吸い寄せられて貫通部３０を封止している。このとき、光ファイバ２の挿通方向に沿って、溝部３１が形成する空間の層と磁性流体１２の層とが交互に複数形成される。このように、複数の磁性流体１２の層によって封止する構造となることで、パッケージ部材４内を確実に封止することができる。また、ケース部５とカバー部６とに対称に溝部３１を設けたことで、磁性流体１２の層がより安定した状態で形成される。
【００３３】
図９は、図７に示す光モジュールの貫通部の他の例を示す分解図である。同図において、貫通部３０は、断面が円形状となっており、パッケージ部材４のケース部５とカバー部６とが接合されることにより形成される。そして、貫通部３０の内壁部１３ａ，１３ｂには、ケース部５とカバー部６との接合後、リング状の溝部３１が光ファイバの挿通方向に複数並ぶように、半円状の切欠部３２が光ファイバの挿通方向の位置を等しくして対称にそれぞれ並列されている。これにより、光ファイバ２の挿通方向に沿って、溝部３１が形成するリング状の空間の層と磁性流体１２のリング状の層とが交互に複数形成されるため、パッケージ部材４内をより確実に気密封止することができる。尚、貫通部３０の径は、例えば約０．４ｍｍである。
【００３４】
また、図７に示す光モジュールの貫通部３０は、図５または図６に示す金属膜２１ａ，２１ｂを備えた光ファイバ２を適用することもできる。その場合の貫通部を示す断面図を図１０に示す。この場合、複数の磁性流体１２によって封止する構造となると共に、磁界発生部１１による磁界によって金属膜２１ａ，２１ｂが磁化され、より強い磁力でもって磁性流体１２が保持されるため、封止能力がより一層向上する。
【００３５】
上記した各実施形態において、磁性流体１２は、炭化水素系、エステル類、ポリフェニルエーテル類、シリコーンオイル類、フッ素化オイル類の少なくとも１種からなるベース液により構成されているのが好ましい。また、ベース液の蒸気圧は、１．５×１０−５Ｐａ以下であることが望ましい。これにより、磁性流体１２のベース液の蒸発量を抑制できるため、長期間に渡るパッケージ部材の気密が可能となる。
【００３６】
次に、実施例を参照して本発明の光モジュールをより具体的に説明する。
【００３７】
【実施例１】
本実施例では、ベース液の蒸気圧が５×１０−４Ｐａ及び７×１０−８Ｐａである磁性流体を用いて貫通部を封止した２つの光モジュール（以下、それぞれ順に光モジュールＡ，Ｂとする）と、光ファイバが挿通された貫通部を半田付けにより封止した光モジュール（以下、光モジュールＣとする）とを比較した結果を示す。
【００３８】
光モジュールＡ，Ｂにおいては、まず、鉄−ニッケル−コバルト系の材料でケース部とカバー部とを製作し、ケース部内の底部に光デバイス載置用の支持部を形成した。また、図１０に示すように、光ファイバが挿通する貫通部の内壁部には溝部を形成し、光ファイバの貫通部に挿通する部分にはメタライズ（金属膜）を施した。
【００３９】
光デバイスは、導波路の一部にシリコーンを注入した温度無依存型の平面導波路型合分波器を用い、樹脂を介して支持部に載置した。平面導波路型合分波器の出入力部分にはファイバアレイ（ファイバ保持部材）を設け、このファイバアレイを介して上記光ファイバを平面導波路型合分波器に結合させた。
【００４０】
また、ケース部とカバー部とは、シーム溶接によって結合した。カバー部上面の貫通部上方に位置する部位には永久磁石を取り付けた。そして、蒸気圧が５×１０−４Ｐａ及び７×１０−８Ｐａのパーフルオロポリエーテルをベース液とした磁性流体を上記貫通部に注入した２つの光モジュールＡ，Ｂを製造した。
【００４１】
これら２つの光モジュールＡ，Ｂは、貫通部封止後の平面導波路型合分波器の中心波長に変化は無かったが、光モジュールＣでは、貫通部封止後の平面導波路型合分波器の中心波長に０．０１ｎｍのズレが生じた。
【００４２】
また、上記３つの光モジュールＡ〜Ｃを長時間使用して比較したところ、１０００時間経過した頃から光モジュールＣの挿入損失増加が観察された。そこで、光モジュールＣを分解して調べたところ、半田付けの部分にクラックが生じていた。
【００４３】
その後、２５００時間経過した頃には、光モジュールＡの挿入損失に使用範囲ながら若干の増加傾向が見られた。
【００４４】
一方、光モジュールＢは、３０００時間経過した後でも使用開始直後と特性に変化は見られず、良好に動作することが確認された。
【００４５】
【実施例２】
本実施例では、光ファイバの一部分を金属円筒で覆い、光ファイバと金属円筒との間にガラスを充填させて製造した光モジュールを長時間使用した結果を示す。
【００４６】
光モジュールの製造においては、まず、酸化アルミニウム質焼結体でケース部を製作し、ケース部内の底部に光デバイス載置用の支持部を形成した。その際、ケース部の上部に位置する縁の部分にＷ（タングステン）メタライズを施し、その上に鉄−ニッケル−コバルト系の材料からなる金属材（シームリング）を銀ロウ付けにより接合した。また、光ファイバが挿通する貫通部は、鉄−ニッケル−コバルト系の材料によって形成し、更に、図１０に示すように内壁部に溝部を形成した。また、カバー部は、鉄−ニッケル−コバルト系の材料で製作した。
【００４７】
光デバイスは、平面導波路型光スイッチを用い、樹脂を介して支持部に載置した。平面導波路型光スイッチの出入力部分にはファイバアレイ（ファイバ保持部材）を設け、このファイバアレイを介して光ファイバを平面導波路型光スイッチに結合させた。光ファイバは、貫通部に挿通する部分を鉄−ニッケル−コバルト系材料製の金属円筒で覆い、その金属円筒と光ファイバとの間には低融点ガラスを充填させた。ケース部とカバー部とは、シーム溶接によって結合した。カバー部上面の貫通部上方に位置する部位には、フェライトを芯とした電磁石を取り付けた。そして、蒸気圧が５×１０−４Ｐａ及び７×１０−８Ｐａのパーフルオロポリエーテルをベース液とした磁性流体を上記貫通部に注入した２つの光モジュールを製造した。
【００４８】
以上のようにして製造した２つの光モジュールを長時間使用した。その結果、双方とも３０００時間経過した後でも使用開始直後と特性に変化は見られず、良好に動作することが確認された。
【００４９】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、パッケージ部材の対向する面から光ファイバを１本づつ光モジュール内に導入しているが、これには限定されない。例えば、光デバイスがＬＤの場合や、リボンファイバを用いる場合等においては、パッケージ部材の一側面からのみ光ファイバを導入してもよい。また、ファイバ保持部材としてファイバアレイを用い、複数本の光ファイバを光モジュール内に導入するようにしてもよい。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の光モジュールは、光ファイバが挿通された貫通部に磁性流体を配し、この貫通部に磁界発生部によって磁極を形成させ、その磁極の引き付ける力によって磁性流体を貫通部内に保持させる。これにより、パッケージ部材内の光デバイスに温度による影響を与えることなく、パッケージ部材内を良好に気密封止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光モジュールを示す断面図である。
【図２】図１に示すパッケージ部材を示す分解斜視図である。
【図３】磁界発生部として用いられる電磁石の一例を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る光モジュールを示す断面図である。
【図５】図４に示す光ファイバの一部が金属膜で覆われた状態の一例を示す図である。
【図６】図４に示す光ファイバの一部が金属膜で覆われた状態の他の例を示す図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る光モジュールの一部を示す断面図である。
【図８】図７に示す光モジュールの貫通部を示す分解図である。
【図９】図７に示す光モジュールの貫通部の他の例を示す分解図である。
【図１０】図７に示す光ファイバの一部が金属膜で覆われた状態を示す図である。
【符号の説明】
１…光モジュール、２…光ファイバ、３…光デバイス、４…パッケージ部材、５…ケース部、６…カバー部、８…ファイバ保持部材、９…金属材、１０…貫通部、１１…磁界発生部、１２…磁性流体、１３ａ，１３ｂ…内壁部、２０…光モジュール、２１ａ，２１ｂ…金属膜、２１ｂ…金属円筒（金属膜）、２２…ガラス、３０…貫通部、３１…溝部、３２…切欠部、４０…電磁石。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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