(57)【要約】【課題】容易に荷電粒子線露光装置に用いられるマスクを作成することができるマスク処理装置、マスク処理方法、プログラム、およびマスクを提供する。【解決手段】設計データ１５１、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データ１５２に基づいて、アライメントマークを生成し、メンブレン形状設計を行い、ＰＵＦ分割および境界処理を行い、相補分割を行い、つなぎ処理を行い、相補パターンの配置処理を行い、パターン形状検証を行い、メンブレン内保証を行い、マスク構成処理を行い、露光検証を行い、マスク反転補正処理を行い、補正結果検証を行い、データ変換処理を行い、描画メンブレンデータおよび描画パターンデータを生成する。【選択図】  図３９
2004266234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補ステンシルマスクデータを生成するマスク処理装置であって、
設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する相補分割手段と、
前記相補分割手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成するマスクデータ生成手段を有する
マスク処理装置。
【請求項２】
前記マスク特性データは、前記相補ステンシルマスクに形成される梁の梁位置データを含み、
前記相補分割手段は、前記設計データ、および前記マスク特性データの内の前記梁位置データに基づいて、前記相補分割パターンを生成し、
前記マスクデータ生成手段は、前記相補分割手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データの内の前記梁位置データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成する
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項３】
前記マスクデータ生成手段は、前記相補分割手段が前記所定処理単位毎に生成した前記相補分割パターンに基づいて、前記相補ステンシルマスク上で欠陥パターンが生成されるか否かを検証する形状検証手段を有する
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項４】
前記マスクデータ生成手段は、前記相補分割手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記相補ステンシルマスクの内のメンブレンの内部応力による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する補正手段を有する
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項５】
前記マスクデータ生成手段は、前記相補分割手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記相補ステンシルマスクのマスク部材の機械的特性による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する補正手段を有する
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項６】
前記マスクデータ生成手段は、前記相補分割処理手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの表裏反転による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する反転補正手段を含む
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項７】
前記マスクデータ生成手段は、前記相補分割手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、当該相補分割パターンが複数露光により前記設計データの内のパターンと一致するか否かの検証を行い、前記検証の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する露光検証手段を含む
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項８】
前記設計データ、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの内の前記メンブレンの形状を描画させるメンブレンデータを生成するメンブレンデータ生成手段を有する
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項９】
前記マスク特性データは、前記相補ステンシルマスクを生成するステンシルマスク生成装置の特性に関する装置特性データを含み、
前記メンブレンデータ生成手段により生成された前記メンブレンデータ、前記マスクパターンデータ生成手段により生成された相補ステンシルマスクデータ、および前記装置特性データに基づいて、前記ステンシルマスク生成装置に、前記メンブレンを描画させる描画メンブレンデータ、および前記メンブレン内に前記相補分割パターンを描画させる描画パターンデータを生成する描画データ生成手段を有する
請求項８に記載のマスク処理装置。
【請求項１０】
前記設計データおよび前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記ステンシルマスク用のアライメントデータを生成するアライメントデータ生成手段を有し、
前記マスクデータ生成手段は、前記アライメントデータ生成手段が生成した前記アライメントデータを含む前記相補ステンシルマスクデータを生成する
請求項１に記載のマスク処理装置。
【請求項１１】
相補ステンシルマスクデータを生成するマスク処理方法であって、
設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の工程と、
前記第１の工程で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成する第２の工程を有する
マスク処理方法。
【請求項１２】
前記マスク特性データは、前記相補ステンシルマスクに形成される梁の梁位置データを含み、
前記第１の工程は、前記設計データ、および前記マスク特性データの内の前記梁位置データに基づいて、前記相補分割パターンを生成し、
前記第２の工程は、前記第１の工程で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データの内の前記梁位置データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成する
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項１３】
前記第２の工程は、前記第１の工程により前記所定処理単位毎に生成された前記相補分割パターンに基づいて、前記相補ステンシルマスク上で欠陥パターンが生成されるか否かを検証する工程を有する
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項１４】
前記第２の工程は、前記第１の工程で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記相補ステンシルマスクの内のメンブレンの内部応力による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する工程を含む
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項１５】
前記第２の工程は、前記第１の工程で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記相補ステンシルマスクのマスク部材の機械的特性による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する工程を含む
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項１６】
前記第２の工程は、前記第１の工程で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの表裏反転による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する工程を含む
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項１７】
前記第２の工程は、前記第１の工程で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、当該相補分割パターンが複数露光により前記設計データの内のパターンと一致するか否かの検証を行い、前記検証の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する工程を含む
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項１８】
前記マスク特性データは、前記相補ステンシルマスクを生成するステンシルマスク生成装置の特性に関する装置特性データを含み、
前記第１の工程は、前記設計データ、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの内の前記メンブレンの形状を描画させるメンブレンデータを生成する工程を含み、
前記第２の工程の後、前記メンブレンデータ、前記相補ステンシルマスクデータ、および前記装置特性データに基づいて、前記ステンシルマスク生成装置に、前記メンブレンを描画させる描画メンブレンデータ、および前記メンブレン内に前記相補分割パターンを描画させる描画パターンデータを生成する工程を有する
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項１９】
第１の工程は、前記設計データおよび前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記ステンシルマスク用のアライメントデータを生成する工程を含み、
前記第２の工程は、前記アライメントデータを含む前記相補ステンシルマスクデータを生成する
請求項１１に記載のマスク処理方法。
【請求項２０】
相補ステンシルマスクデータを生成するマスク処理方法であって、
設計データ、および少なくとも梁の梁位置データ、相補ステンシルマスクを生成するステンシルマスク生成装置の特性に関する装置特性データを含み、相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の工程と、
前記設計データ、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの内の前記メンブレンの形状を描画させるメンブレンデータを生成する第２の工程と、
前記第１の工程により前記所定処理単位毎に生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補分割パターンを前記ステンシルマスクの所定位置に配置する第３の工程と、
前記第３の工程で配置された前記相補分割パターンに基づいて、前記相補ステンシルマスク上で欠陥パターンが生成されるか否かを検証する第４の工程と、
前記相補ステンシルマスクの内のメンブレンの内部応力による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第５の工程と、
前記相補ステンシルマスクのマスク部材の機械的特性による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第６の工程と、
前記相補分割パターンが複数露光により前記設計データの内のパターンと一致するか否かの検証を行う第７の工程と、
前記相補ステンシルマスクの表裏反転による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記相補ステンシルマスクデータを生成する第８の工程と、
前記第８の工程により生成された前記相補ステンシルマスクデータ、および前記設計データに基づいて、当該設計データの内のパターンと一致するか否かを検証する第９の工程と、
前記メンブレンデータ、前記相補ステンシルマスクデータ、および前記装置特性データに基づいて、前記ステンシルマスク生成装置に、前記メンブレンを描画させる描画メンブレンデータ、および前記メンブレン内に前記相補分割パターンを描画させる描画パターンデータを生成する第１０の工程を有する
マスク処理方法。
【請求項２１】
情報処理装置に実行させるプログラムであって、
設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の手順と、
前記第１の手順で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、相補ステンシルマスクデータを生成する第２の手順とを実行させるための
プログラム。
【請求項２２】
前記マスク特性データは、前記相補ステンシルマスクに形成される梁の梁位置データを含み、
前記第１の手順は、前記設計データ、および前記マスク特性データの内の前記梁位置データに基づいて、前記相補分割パターンを生成し、
前記第２の手順は、前記第１の手順で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データの内の前記梁位置データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成する
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項２３】
前記第２の手順は、前記第１の手順により前記所定処理単位毎に生成された前記相補分割パターンに基づいて、前記相補ステンシルマスク上で欠陥パターンが生成されるか否かを検証する手順を有する
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項２４】
前記第２の手順は、前記第１の手順で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記相補ステンシルマスクの内のメンブレンの内部応力による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する手順を含む
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項２５】
前記第２の手順は、前記第１の手順で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記相補ステンシルマスクのマスク部材の機械的特性による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する手順を含む
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項２６】
前記第２の手順は、前記第１の手順で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの表裏反転による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記変位補正処理の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する手順を含む
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項２７】
前記第２の手順は、前記第１の手順で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、当該相補分割パターンが複数露光により前記設計データの内のパターンと一致するか否かの検証を行い、前記検証の結果に基づいて前記相補ステンシルマスクデータを生成する手順を含む
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項２８】
前記マスク特性データは、前記相補ステンシルマスクを生成するステンシルマスク生成装置の特性に関する装置特性データを含み、
前記第１の手順は、前記設計データ、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの内の前記メンブレンの形状を描画させるメンブレンデータを生成する手順を含み、
前記第２の手順の後、前記メンブレンデータ、前記相補ステンシルマスクデータ、および前記装置特性データに基づいて、前記ステンシルマスク生成装置に、前記メンブレンを描画させる描画メンブレンデータ、および前記メンブレン内に前記相補分割パターンを描画させる描画パターンデータを生成する手順を有する
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項２９】
第１の手順は、前記設計データおよび前記マスク特性データに基づいて、少なくとも前記ステンシルマスク用のアライメントデータを生成する手順を含み、
前記第２の手順は、前記アライメントデータを含む前記相補ステンシルマスクデータを生成する
請求項２１に記載のプログラム。
【請求項３０】
情報処理装置に実行させるためのプログラムであって、
設計データ、および少なくとも梁の梁位置データ、相補ステンシルマスクを生成するステンシルマスク生成装置の特性に関する装置特性データを含み、相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の手順と、
前記設計データ、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの内の前記メンブレンの形状を描画させるメンブレンデータを生成する第２の手順と、
前記第１の手順により前記所定処理単位毎に生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補分割パターンを前記ステンシルマスクの所定位置に配置する第３の手順と、
前記第３の手順で配置された前記相補分割パターンに基づいて、前記相補ステンシルマスク上で欠陥パターンが生成されるか否かを検証する第４の手順と、
前記相補ステンシルマスクの内のメンブレンの内部応力による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第５の手順と、
前記相補ステンシルマスクのマスク部材の機械的特性による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第６の手順と、
前記相補分割パターンが複数露光により前記設計データの内のパターンと一致するか否かの検証を行う第７の手順と、
前記相補ステンシルマスクの表裏反転による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記相補ステンシルマスクデータを生成する第８の手順と、
前記第８の手順により生成された前記相補ステンシルマスクデータ、および前記設計データに基づいて、当該設計データの内のパターンと一致するか否かを検証する第９の手順と、
前記メンブレンデータ、前記相補ステンシルマスクデータ、および前記装置特性データに基づいて、前記ステンシルマスク生成装置に、前記メンブレンを描画させる描画メンブレンデータ、および前記メンブレン内に前記相補分割パターンを描画させる描画パターンデータを生成する第１０の手順とを実行させるための
プログラム。
【請求項３１】
請求項１〜８のいずれかに記載のマスク処理装置により生成された前記相補ステンシルマスクデータに基づいて生成された
マスク。
【請求項３２】
請求項９に記載のマスク処理装置により生成された前記描画メンブレンデータおよび前記描画パターンデータに基づいて前記ステンシルマスク生成装置により生成された
マスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体製造装置のリソグラフィ工程で用いられるマスクを処理するマスク処理装置、マスク処理方法、プログラム、およびマスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子の微細化に伴い、光学系の解像度限界を超えるために、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子線を用いて回路パターンを描画する微細加工技術が開発されている。
従来のいわゆる直描方式の電子線露光方式は、微細パターンになるほどデータ規模が大きくなり、描画時間がかかり、結果的に生産性が低くなる。そのため、所定のパターンを有する転写マスクに電子線／イオンビームを照射してウェーハ上にパターンを形成する電子線／イオンビーム露光装置が知られている。
これらの技術としては、例えば電子線リソグラフィ（ＥＰＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）（例えば、非特許文献１参照）、低加速電子線リソグラフィ（ＬＥＥＰＬ：Ｌｏｗ  ｅｎｅｒｇｙ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）（例えば、非特許文献２参照）、あるいはイオンビーム転写リソグラフィ（ＩＰＬ：Ｉｏｎ  ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）（例えば、非特許文献３参照）等が知られている。
【０００３】
【非特許文献１】
Ｈ．Ｃ．Ｐｆｅｉｆｆｅｒ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３４、６６５８（１９９５）．
【非特許文献２】
Ｔ．Ｕｔｓｕｍｉ，Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔｏ  Ｎｏ．５８３１２７２（３Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １９９８）．
【非特許文献３】
Ｈ．Ｌｏｅｓｃｈｎｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｖａｃ．ＳｃｉＴｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１９，２５２０（２００１）．
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上述した露光装置に用いられる電子線透過マスクは、例えば、厚さ１００ｎｍから１０μｍ程度の薄膜（メンブレンとも言う）に開口パターンが形成されているステンシルマスクである。
しかし、メンブレンに孔を開けるため、ドーナッツ状のパターン（中心部が脱落してしまう）やリーフパターン（片持ち梁構造なので不安定）など、形成不可能あるいは形成困難なパターンがある。
【０００５】
また、非常に薄いメンブレンを使用する場合、メンブレンに孔を開けることにより、その内部応力状態変化が起こり、パターン形状に変化が生じる等の問題がある。
そのため、荷電粒子線露光装置で用いられるステンシルマスクを作成するためには、従来の光によるマスクのためのデータ処理とは異なる新しい機能を持つデータ処理装置および方法が望まれている。
【０００６】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、容易に荷電粒子線露光装置に用いられるマスクを作成することができるマスク処理装置、マスク処理方法、プログラム、およびマスクを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の第１の観点は、相補ステンシルマスクデータを生成するマスク処理装置であって、設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する相補分割手段と、前記相補分割手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成するマスクデータ生成手段を有する。
【０００８】
本発明の第１の観点によれば、相補分割手段では設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンが生成される。
マスクデータ生成手段では、相補分割手段が生成した相補分割パターン、およびマスク特性データに基づいて、相補ステンシルマスクデータが生成される。
【０００９】
さらに、前記目的を達成するために、本発明の第２の観点は、相補ステンシルマスクデータを生成するマスク処理方法であって、設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の工程と、前記第１の工程で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成する第２の工程を有する。
【００１０】
さらに、前記目的を達成するために、本発明の第３の観点は、相補ステンシルマスクデータを生成するマスク処理方法であって、設計データ、および少なくとも梁の梁位置データ、相補ステンシルマスクを生成するステンシルマスク生成装置の特性に関する装置特性データを含み、相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の工程と、前記設計データ、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの内の前記メンブレンの形状を描画させるメンブレンデータを生成する第２の工程と、前記第１の工程により前記所定処理単位毎に生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補分割パターンを前記ステンシルマスクの所定位置に配置する第３の工程と、前記第３の工程で配置された前記相補分割パターンに基づいて、前記相補ステンシルマスク上で欠陥パターンが生成されるか否かを検証する第４の工程と、前記相補ステンシルマスクの内のメンブレンの内部応力による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第５の工程と、前記相補ステンシルマスクのマスク部材の機械的特性による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第６の工程と、前記相補分割パターンが複数露光により前記設計データの内のパターンと一致するか否かの検証を行う第７の工程と、前記相補ステンシルマスクの表裏反転による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記相補ステンシルマスクデータを生成する第８の工程と、前記第８の工程により生成された前記相補ステンシルマスクデータ、および前記設計データに基づいて、当該設計データの内のパターンと一致するか否かを検証する第９の工程と、前記メンブレンデータ、前記相補ステンシルマスクデータ、および前記装置特性データに基づいて、前記ステンシルマスク生成装置に、前記メンブレンを描画させる描画メンブレンデータ、および前記メンブレン内に前記相補分割パターンを描画させる描画パターンデータを生成する第１０の工程を有する。
【００１１】
さらに、前記目的を達成するために、本発明の第４の観点は、情報処理装置に実行させるプログラムであって、設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の手順と、前記第１の手順で生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、相補ステンシルマスクデータを生成する第２の手順とを実行させる。
【００１２】
さらに、前記目的を達成するために、本発明の第５の観点は、情報処理装置に実行させるためのプログラムであって、設計データ、および少なくとも梁の梁位置データ、相補ステンシルマスクを生成するステンシルマスク生成装置の特性に関する装置特性データを含み、相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する第１の手順と、前記設計データ、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクの内の前記メンブレンの形状を描画させるメンブレンデータを生成する第２の手順と、前記第１の手順により前記所定処理単位毎に生成された前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補分割パターンを前記ステンシルマスクの所定位置に配置する第３の手順と、前記第３の手順で配置された前記相補分割パターンに基づいて、前記相補ステンシルマスク上で欠陥パターンが生成されるか否かを検証する第４の手順と、前記相補ステンシルマスクの内のメンブレンの内部応力による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第５の手順と、前記相補ステンシルマスクのマスク部材の機械的特性による前記相補分割パターンの変位補正処理を行う第６の手順と、前記相補分割パターンが複数露光により前記設計データの内のパターンと一致するか否かの検証を行う第７の手順と、前記相補ステンシルマスクの表裏反転による前記相補分割パターンの変位補正処理を行い、前記相補ステンシルマスクデータを生成する第８の手順と、前記第８の手順により生成された前記相補ステンシルマスクデータ、および前記設計データに基づいて、当該設計データの内のパターンと一致するか否かを検証する第９の手順と、前記メンブレンデータ、前記相補ステンシルマスクデータ、および前記装置特性データに基づいて、前記ステンシルマスク生成装置に、前記メンブレンを描画させる描画メンブレンデータ、および前記メンブレン内に前記相補分割パターンを描画させる描画パターンデータを生成する第１０の手順とを実行させる。
【００１３】
さらに、前記目的を達成するために、本発明の第６の観点は、前記マスク処理装置により生成された前記相補ステンシルマスクデータに基づいて生成されたマスク。
【００１４】
さらに、前記目的を達成するために、本発明の第７の観点は、前記マスク処理装置により生成された前記描画メンブレンデータおよび前記描画パターンデータに基づいて前記ステンシルマスク生成装置により生成されたマスク。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係るマスク処理装置を含むマスク処理システムの一実施形態を示す図である。
マスク処理システム１００は、例えば図１に示すように、マスク処理装置１、設計処理装置２、マスク作成処理装置３、マスク作成装置４、露光処理装置５、および露光装置６を有する。
マスク処理装置１、設計処理装置２、マスク作成処理装置３、マスク作成装置４、露光処理装置５、および露光装置６は、通信ネットワークＮＥＴ７により接続されている。マスク処理装置１は、本発明に係るマスク処理装置に相当する。
【００１６】
設計処理装置２は、例えば所望の半導体集積回路の設計データを生成し、通信ネットワークＮＥＴ７を介してマスク処理装置１に出力する。
マスク処理装置１は、例えば設計処理装置２から出力された設計データ、マスク作成装置４に関する装置特性パラメータや、露光装置５に関する装置特性パラメータ等を含む、ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて相補ステンシルマスクデータ、詳細には後述する描画メンブレンデータや描画パターンデータ等を生成し、ネットワークＮＥＴ７を介してマスク作成処理装置３に出力する。
マスク作成処理装置３は、マスク処理装置１から出力された描画メンブレンデータや描画パターンデータ等に基づいて、マスク作成装置４を制御してマスク作成装置４に実際に所望のマスクを生成させる。
【００１７】
露光処理装置５は、所定の露光処理工程に応じて露光装置６を制御する。
露光装置６は、露光処理装置５による制御のもと、マスク作成装置４で生成された相補ステンシルマスクを介して、例えば低加速電子線を照射して、ウェーハ上に所望の設計データに応じた回路パターンを露光する。ウェーハ上の回路パターンは不図示のエッチング装置によりエッチング処理されて、所望の回路パターンが生成される。例えば本実施形態の露光装置６においては、低加速電子線を用いた場合、ウェーハとマスクの間に約５０μｍのギャップを設け、マスクを等倍で露光する。
この際、電子線は物体中を通り抜けることができないので、例えばシリコン（Ｓｉ）、ダイヤモンド、ＳｉＣ等のマスクに穴が形成されたステンシルマスクが用いられる。
【００１８】
図２は、図１に示したマスク処理システムの動作を説明するための概念図である。ステンシルマスクを生成する際に問題となるドーナツパターンとリーフパターンを例示して説明する。
例えば図２（ａ）に示すような設計データｎ１の場合に、ドーナツパターンｎ１１は、単純に形成されたステンシルマスクｎ２では図２（ｂ）に示すように、中央部のパターンｎ２１１を支えることができないために、欠落した形状ｎ２１になり、そのステンシルマスクｎ２を用いて露光した場合には、図２（ｃ）に示すようにウェーハｎ３上では中央部が欠落したパターンｎ３１が形成される。
また、図２（ａ）に示すようなリーフパターンｎ１２は、薄いステンシルマスクｎ２では図２（ｂ）に示すように、中央の凸部ｎ２２１が支えられる部分が少なく重力のために垂れ下がる等の変形が生じ、その支点部分に応力が集中し破壊を起こす可能性がある。このステンシルマスクｎ２を用いて露光した場合には、例えば図２（ｃ）に示すように中央部ｎ３２１が変形した形状のパターンｎ３２が形成されてしまう。
【００１９】
一方、本実施形態に係るマスク処理システム１００では、図２（ｄ）に示すような設計データｎ１の場合には、マスクパターンｎ２１，ｎ２２それぞれを、図２（ｅ）に示すように複数のマスクｎ２０００，ｎ２００１上に、複数のパターンｎ２０１〜ｎ２０７に相補分割し、その複数のマスクｎ２００，ｎ２００１を複数回露光することにより、図２（ｆ）に示すようにウェーハｎ３０上に所望のパターンｎ３０１，ｎ３０２を形成することができる。
【００２０】
図３は、図２に示したマスクパターンと相補分割の他の具体例を示す図である。
また、図２（ｄ）に示したドーナツパターンｎ１１を相補分割して、例えば図３（ａ），（ｂ）に示すようにステンシルマスクｎ２００３にパターンｎ２３１，ｎ２３２、ステンシルマスクｎ２００４にパターンｎ２３３，ｎ２３４を形成する。そのステンシルマスクｎ２００３，ｎ２００４を複数回露光することにより、図３（ｃ）に示すようにウェーハｎ３００１上に所望のドーナツ形状のパターンｎ３０１を形成する。
【００２１】
また、図２（ｄ）に示したリーフパターンｎ１２を相補分割して、例えば図３（ｄ），（ｅ）に示すようにステンシルマスクｎ２００５にパターンｎ２３５、ステンシルマスクｎ２００６にパターンｎ２３６を形成する。そのステンシルマスクｎ２００５，ｎ２００６を複数回露光することにより、図３（ｆ）に示すように、ウェーハｎ３００１上に所望のドーナツ形状のパターンｎ３０２を形成する。
【００２２】
図４は、図１に示したマスク処理システムの動作を説明するための図である。
例えばマスク処理システム１００では、この相補分割と、マスクの形成および露光時の要求精度を実現し、薄いメンブレンによるマスクの歪や破壊を防ぐために、梁構造を持たせた相補梁付マスクを用いる。
【００２３】
例えば図４（ａ）に示した設計データｎ１００内のパターンｎ１０１は、図４（ｂ）に示すように相補分割処理により複数の梁付の相補マスクｎ２００７，ｎ２００８に、パターンｎ２４１、パターンｎ２４２として分割される。相補マスクｎ２００７，ｎ２００８には、複数の梁ｂが格子形状に形成されている。このため梁ｂの位置を考慮せずに単純に相補分割すると図４（ｂ）に示すように、パターンｎ２４２は梁ｂに対応する位置ｂｂには形成することができない。この相補マスクｎ２００７，ｎ２００８を用いてウェーハｎ３００２上に複数回露光（多重露光とも言う）を行うと、図４（ｃ）に示すように梁ｂの影響によりパターンｎ３１０、ｎ３１１が形成される。
【００２４】
図５は、４つの相補マスクを用いた場合の相補分割を説明するための図である。
図５（ａ）に示すような設計データｎ１００内のパターンｎ１０１は、複数、例えば４つの相補マスクｎ２０１１〜ｎ２０１４に、パターンｎ２５１〜ｎ２５４を相補分割する。この相補マスクｎ２０１１〜ｎ２０１４には、梁ｂが形成されている。この梁ｂは、相補マスクｎ２０１１〜ｎ２０１４を用いて、ずらしながら重ねて多重露光を行う際に、所定の位置が少なくとも１回は露光するように設けられている。この相補マスクｎ２０１１〜ｎ２０１４をずらしながら重ねて多重露光を行うことで、ウェーハｎ３００３上に所望のパターンｎ３２０を形成することができる。また、多重露光を行い所定位置に梁ｂを設けているので、照射されない部分がない。
【００２５】
図６は相補ステンシルマスクの具体例を示す図である。図６（ａ）は第１の相補ステンシルマスク、図６（ｂ）は第２の相補ステンシルマスクを示す図である。
相補ステンシルマスクは、所定条件を満たすように梁位置やメンブレンの配置位置により複数の種類があり、例えば第１の相補ステンシルマスクｃ１は、例えば図６（ａ）に示すように、４つの区画それぞれにおいて、所定位置に格子形状に梁が形成されたマスク（ＣＯＳＭＯＳ−Ｉと言う）であり、第２の相補ステンシルマスクｃｃ２は図６（ｂ）に示すように、４つの区画それぞれにおいて、互いに所定方向に平行に梁が形成されたマスク（ＣＯＳＭＯＳ−ＩＩと言う）である。
以下、図６（ａ）に示した第１の相補ステンシルマスクｃ１（ＣＯＳＭＯＳ−Ｉ）について説明する。
【００２６】
図７は、図６に示した相補マスクの全体図である。図７に示すように、第１の相補ステンシルマスク（以下マスク、ステンシルマスクとも言う）ｃ１は、例えばシリコンウェハｃ２を用いて形成される。シリコンウェハｃ２の中央部は正方形状に除去されており、この部分にメンブレンｃ３が形成されている。メンブレンｃ３周囲の厚膜のシリコンウェハは、薄いメンブレンｃ３を支持するための支持枠（フレーム）として用いられる。
梁ｃ４はシリコンウェハｃ２に複数の開口部を形成した残りの部分である。全ての梁ｃ４の末端はフレームまたは他の梁ｃ３に接続しており、梁ｃ４が途切れている箇所はない。
【００２７】
以下、メンブレンｃ３の梁ｃ４で囲まれた正方形の部分をメンブレン分割領域ｃ５とする。梁ｃ４はの両側のメンブレンｃ３には梁ｃ４に平行に微小な幅で裾野（スカート）を設ける。メンブレン分割領域ｃ５のうち、スカートを除く部分をパターン領域とする。また、梁ｃ４とスカートを合わせた部分を梁用帯部（梁用ゾーン）とする。
【００２８】
次に、図７に示したステンシルマスクにおける梁の配置を説明する。
図８は、図７のメンブレンｃ３の中心付近の拡大図である。図８において、図７に示した梁ｃ４のかわりに梁用ゾーンｃ６で示した。梁用ゾーンｃ６で囲まれた正方形の部分はパターン領域ｃ７である。
【００２９】
図７に示したシリコンウェハｃ２の中心を原点Ｏ、図８に示したメンブレンｃ３をＸ−Ｙ平面と仮定すると、メンブレンｃ３はｘ軸およびｙ軸により４つの領域に分割される。以下これらの領域を区画Ｉ〜ＩＶとする。
メンブレンｃ３は厳密に正方形である必要はなく、区画Ｉ〜ＩＶがｘ軸とｙ軸を２辺とする矩形状あるいはそれに近い形状であれば、区画Ｉ〜ＩＶのすべての辺の長さは完全に一致しなくてもよい。
【００３０】
区画Ｉ〜ＩＶにはそれぞれｘ軸に平行に、複数の梁用ゾーン６が互いに等間隔で配置される。同様に、区画Ｉ〜ＩＶにはそれぞれｙ軸に平行に、複数の梁用ゾーンｃ６が互いに等間隔で配置される。これらの梁用ゾーンｃ６内に図７の梁ｃ４が形成される。
【００３１】
ｘ軸方向において、隣接する区画Ｉと区画ＩＩとの間、または区画ＩＩＩと区画ＩＶとの間で、ｘ軸に平行な梁用ゾーンｃ６の位置は一致しない。同様に、ｙ軸方向において、隣接する区画Ｉと区画ＩＶとの間、または区画ＩＩと区画ＩＩＩとの間で、ｙ軸に平行な梁用ゾーンｃ６の位置は一致しない。
【００３２】
４つの区画Ｉ〜ＩＶのうち、メンブレン３の対角線上にある１組の区画のみで、梁用ゾーンｃ６がｘ軸とｙ軸の両方に接する。図８に示す例では、４つの区画Ｉ〜ＩＶのうち、区画Ｉでは区画ＩＶとの境界部分（ｘ軸に接する部分）に梁用ゾーンｃ６が配置され、区画ＩＩとの境界部分（ｙ軸に接する部分）にも梁用ゾーンｃ６が配置される。
【００３３】
区画Ｉと対角線上にある区画ＩＩＩでは区画ＩＩとの境界部分（ｘ軸に接する部分）に梁用ゾーンｃ６が配置され、区画ＩＶとの境界部分（ｙ軸に接する部分）に梁用ゾーン６が配置される。
あるいは、図８において、対角線上にある他の１組の区画（区画ＩＩと区画ＩＶ）のみで、梁用ゾーンｃ６がｘ軸とｙ軸の両方に接するような配置としてもよい。
【００３４】
図８に示す例では、区画ＩＩと区画ＩＶでは、梁用ゾーンｃ６が隣接する区画との境界に沿って形成されない。区画ＩＩと区画ＩＶの梁用ゾーンｃ６の末端は、隣接する区画の梁用ゾーンｃ６にＴ字型に接続している。区画ＩＩと区画ＩＶの梁用ゾーンｃ６は、一定の条件を満たすように配置される。
梁用ゾーンｃ６の間隔であるパターン領域７の１辺の長さは、例えば梁用ゾーンの幅を１としたとき、３以上の整数となるようにする。
【００３５】
図９は、図７に示したステンシルマスク１の断面図である。
ステンシルマスクｃ１のメンブレンｃ３には、例えば図９に示すようにパターンに対応した孔ｃ８が形成されている。メンブレンｃ３はメンブレン形成用層ｃ３ａの一部である。メンブレンｃ３周囲のシリコンウェハｃ２は、メンブレンｃ３を支持するためのフレームｃ９である。メンブレンｃ３のフレームｃ９側の面に一定の間隔で梁ｃ４が形成されている。なお、シリコン酸化膜ｃ１０はステンシルマスクｃ１の製造工程エッチングストッパー層として用いられる。
【００３６】
ステンシルマスクｃ１は、パターンが転写されるウェーハ表面に、メンブレンｃ３側の面が近接するように配置される。ステンシルマスクｃ１上をフレームｃ９側から電子ブームで走査すると、孔ｃ８の部分のみ電子ビームが透過して、ウェーハ上のレジストにパターンが転写される。
本実施形態に係るステンシルマスクｃ１では梁４部分に孔８を形成できない。従って、上述したようにパターンを相補分割して図７の区画Ｉ〜ＩＶに相補的に形成する。
【００３７】
上述したように、ステンシルマスクｃ１を用いて露光を行う場合、まず、ステンシルマスク１とウェーハを固定して図８に示した区画Ｉ〜ＩＶのパターンを転写する。次に、ステンシルマスクｃ１とウェーハを相対的に移動させ、転写された区画Ｉ〜ＩＶのパターン上に、ステンシルマスク１のそれぞれ異なる区画を配置させる。通常ステンシルマスクｃ１を固定したまま、ウェーハを移動させる方が容易である。
【００３８】
ウェーハを移動させてから、再度、ステンシルマスク１上を電子ビームで走査する。以上の工程を繰り返し、ステンシルマスクｃ１の４つの区画Ｉ〜ＩＶのパターンが重なるように、４回の多重露光を行う。これにより、梁ｃ４の部分に存在するパターンもレジストに相補的に転写される。
【００３９】
図１０は、メンブレン分割領域ｃ５の１つとその周囲の梁ｃ４を拡大した斜視図である。
メンブレンｃ３は、図１０に示すように、梁４によりメンブレン分割領域５に分割されている。パターンに対応した孔ｃ８は、梁ｃ４部分には形成できず、メンブレンｃ３のメンブレン分割領域ｃ５の一部に形成される。メンブレン分割領域ｃ５のうち、点線で囲まれた部分が図８に示したパターン領域に対応する。
【００４０】
メンブレン分割領域のうち、パターン領域ｃ７の外側部分がスカートｃ１１である。梁ｃ３とその両側のスカートｃ１１をあわせた部分が図８の梁用ゾーンｃ６に相当する。原則として、孔ｃ８はパターン領域ｃ７に形成されるが場合によっては、スカートｃ１１の一部にはみ出して形成してもよい。
【００４１】
図１１は、図１０の梁ｃ４近傍を拡大した断面図である。
図１１に示すように、梁ｃ４の幅Ｗ４とその両側のスカートｃ１１の幅Ｗ１１を合わせた幅が、梁用ゾーンｃ６の幅Ｗ６である。梁ｃ４の幅Ｗ４は例えば１００〜２００μｍ程度とすることができる。スカートｃ１１は余白部（マージン）ｃ１２と影部（ブランク）ｃ１３にさらに分割される。マージンｃ１２がパターン領域ｃ７側にあり、ブランクｃ１３は梁ｃ４側にある。
【００４２】
以下、マージンｃ１２とブランクｃ１３について説明する。パターンがパターン領域ｃ７に入りきらない場合、原則として、ステンシルマスクの４つの区画Ｉ〜ＩＶのうちの他の区画に、はみ出した部分のパターンに対応する孔８が形成され、多重露光によってパターンがつなぎ合わされる。
【００４３】
しかしながら、パターンがパターン領域ｃ７からごくわずかにはみ出す場合、他の区画Ｉ〜ＩＶのいずれかに相補パターンをつなぎ合わせることにより、パターンを分割せずに転写できる方が有利である。特に線幅の狭い微小パターン例えばゲートがパターン領域ｃ７からわずかにはみ出すような場合には、相補パターンに分割すると、製造される半導体装置に特性を低下させる可能性が高い。
【００４４】
そこで、パターン領域ｃ７の周囲に孔ｃ８の形成ｓが可能なマージンｃ１２が設けられる。マージンｃ１２の幅Ｗ１２は任意に設定できるが、Ｗ１２を大きくすると、本来のパターン用の領域であるパターン領域ｃ７が小さくなる。従ってＷ１２は例えば数μｍ〜数１０μｍ程度とする。
【００４５】
例えばＬＥＥＰＬによれば、ステンシルマスクに対する電子ビームの入射角を微妙に変化させることが可能である。電子ビームの入射角の範囲は通常、０〜１０ｍｒａｄ程度である。８インチウェハを用いてステンシルマスクを形成した場合、梁ｃ４の高さＨ４は、８インチシリコンウェハの厚さ７２５μｍとなる。
【００４６】
図１１に示すように、電子ビームｃ１４がメンブレンｃ３に斜めに入射すると、梁ｃ４近傍に電子ビームｃ１４が当たらない領域ができる。電子ビームｃ１４の入射角αを最大１０ｍｒａｄとすると、最低必要なブランクｃ１３の幅Ｗ１３は、
Ｗ１３＝１０×１０−３（ｒａｄ）×Ｈ（μｍ）＝７．２５（μｍ）≒７（μｍ）
と計算される。以上のように梁ｃ４とその両側のブランクｃ１３を合わせた部分Ａには、孔ｃ８を形成しない。
【００４７】
本実施形態に係るマスク処理装置１は、例えば上述した梁付ステンシルマスク１ｃに対応できるマスクデータ処理の手順を提供する。詳細には、マスク処理装置１は、例えば設計処理装置２で作成された設計データを元に、使用する露光装置６の装置特性データ、およびマスクのマスク特性データなどの情報が記載されたパラメータに基づいて相補ステンシルマスクデータ、詳細にはマスク描画用のデータを作成する。
【００４８】
図１２は、本発明に係るマスク処理装置の一実施形態のハードウェア的なブロック図である。
マスク処理装置１は、例えば図１２に示すように、入力部１１、出力部１２、インターフェイス（Ｉ／Ｆ：Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１３、ＲＡＭ１４、記憶部１５、およびＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）１６を有する。
入力部１１、出力部１２、Ｉ／Ｆ１３、ＲＡＭ１４、記憶部１５、およびＣＰＵ１６は、バスＢＳにより接続されている。
【００４９】
入力部１１は、所望の入力データをＣＰＵ１６に出力する。例えば入力部１１は、キーボードやマウスや、ＣＤＲＯＭ（Ｒ，ＲＷ）ドライブ、フロッピー（登録商標）ディスクドライブ（ＦＤ）等のデータ入力装置である。例えば設計データ、マスクデータ等を入力データとして入力してもよい。
【００５０】
出力部１２は、ＣＰＵ１６から出力された所定の出力データに応じた出力を行う。例えば出力部１２はディスブレイ等であり、ＣＰＵ１６から出力された出力データに応じた表示を行う。
インターフェイス（Ｉ／Ｆ）１３は、ＣＰＵ１６の制御に応じて、他の情報処理装置、例えば設計処理装置２、マスク作成処理装置３、露光処理装置５等と所望のデータを送受信する。上述したように設計処理装置２から出力された設計データを受信してもよい。
【００５１】
ＲＡＭ１４は、例えばＣＰＵ１６が所定処理を行う際のワークスペースとして用いられる。記憶部１５は、ＣＰＵ１６により所望データの書込み、および読出しが行われる。
記憶部１５は、例えばプログラム１５０、設計データ１５１、およびパラメータ１５２等を有する。
【００５２】
プログラム１５０は、例えば本実施形態に係るマスク処理に関する処理手順を含み、ＣＰＵ１６によりＲＡＭ１４をワークスペースとして実行される。
設計データ１５１は、例えばウェーハ上に形成させる回路の設計データである。
パラメータ１５２は、例えば、マスク作成装置４の装置特性データや、露光装置６の装置特性データや、相補ステンシルマスクのマスク特性データである。例えば露光装置６の処理に係る種類を示すパラメータ、マスク情報、例えばマスクの材質やマスクプロセス等を示すデータ、マスクのマップデータ（配置データ）等を含む。
ＣＰＵ１６は、例えばプログラム１５０に応じたマスク処理に関する処理手順に基づいた処理を行う。
【００５３】
図１３は、図１に示したマスク処理装置のソフトウェア的な機能ブロックの一実施形態を示す図である。
ＣＰＵ１６は、例えば図１３に示すように、アライメントマーク生成部１６０１、メンブレン形状設計部１６０２、ＰＵＦおよび境界処理部１６０３、相補分割部１６０４、つなぎ部１６０５、ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６、パターン形状検証部１６０７、メンブレン内補正部１６０８、マスク構成部１６０９、露光検証部１６１０、マスク反転補正部１６１１、補正結果検証部１６１２、およびデータ変換部１６１３等を有する。
【００５４】
アライメントマーク生成部１６０１は、設計データ１５１およびパラメータ１５２に基づいてアライメントマークｄ１６０１を生成する。例えば詳細には、アライメントマーク生成部１６０１は、データ設計データ１５１およびパラメータ１５２に基づいて、マスクアライメントマークｄ１６０１１、およびウェーハアライメントマークｄ１６０１２を生成する。
【００５５】
マスクアライメントマークｄ１６０１１は、マスク側用のマスクアライメントマークｄ１６０１１であり、ウェーハアライメントマークｄ１６０１２は、後述の工程のアライメントで使用するための、ウェーハ上にパターンニングするウェーハアライメントマークである。
【００５６】
図１４は、アライメントマークを説明するための図である。
例えばＬＥＥＰＬのように相補分割されたマスクを多重露光する際には、マスクｃ１とウェーハｗｆ３を高精度で位置合わせを行う必要がある。このため例えばダイバダイアライメント方式を用いて、照射した白色光の散乱光を測定することで位置合わせを行う。
詳細には例えば図１４に示すように、マスクｃ１には複数個のマスクアライメントマークｄ１６０１１、例えば孔が設けられ、ウェーハｗｆ３には複数個のマスクアライメントマークｄ１６０１２、例えば溝が設けられる。
【００５７】
マスクｃ１およびウェーハｗｆ３の面に対して斜め方向から、例えば斜め４０度から白色光１ｔ４を照射し、マスクに設けられたマスクアライメントマークｄ１６０１１と、ウェーハｗｆ３に設けられたウェアアライメントマークｄ１６０１２での散乱光および反射光１ｔ５のシグナルのピーク位置からマスクｃ１とウェーハｗｆ３の相対位置を計測し、所望の位置とのずれが計測され、計測されたずれ情報に基づいて、露光（ショット）ごとに位置補正が行われる。
この際、マスクアライメントマークｄ１６０１１、およびウェーハアライメントマークｄ１６０１２からの散乱光および反射光１ｔ５に基づいて、オフセット、回転、および倍率等がショット毎に測定され、またマスクｃ１とウェーハｗｆ３間のギャップの計測も行われ、計測結果に基づいて補正処理が行われる。
【００５８】
アライメントマーク生成部１６０１は、上述したように露光装置６がマスクｃ１を用いてをウェーハｗｆ３に多重露光する際に参照されるので、露光装置６の装置特性データを含むパラメータ１５２に基づいて、マスクアライメントマークｄ１６０１１およびウェーハアライメントマークｄ１６０１２それぞれの配置等の設計を行う。
【００５９】
図１５は、設計データとマスクとの関係を説明するための図である。
図１５に模式的に示すように、設計データ（チップの配置情報とも言う）ｎ１、およびアライメントマークｄ１６０１等によって、後述のメンブレンデータ作成処理において、メンブレンｃ３を作成する領域が決まってくるので、ＣＰＵ１６は、チップやマスクのサイズ等のデータを含むパラメータ１５２を、メンブレン形状設計部１６０２およびＰＵＦ分割および境界処理部１６０３に出力する。
【００６０】
メンブレン形状設計部１６０２は、設計データ１５１、パラメータ１５２、およびアライメントマーク生成部１６０１から出力されたアライメインマークｄ１６０１に基づいて、所定のメンブレン形状を生成する。
メンブレン形状設計部１６０２は、例えばパラメータ１５２に含まれる相補マスクの種類（例えばＣＯＳＭＯＳ−Ｉ，ＩＩ）、設計データ１５０１に含まれるチップサイズ等の情報に基づいて、メンブレン（ＣＯＳＭＯＳ−Ｉ，ＩＩ）に関するデータを設計して、メンブレンを生成させるためのデータをデータ変換部１６１３に出力する。
【００６１】
図１６は、本実施形態に係るマスクの一具体例を示す図である。
メンブレン形状設計部１６０２は、詳細には例えば図１６（ａ）に示すように、チップサイズ１ｃｍ□を４つマスクに配置した際のＣＯＳＭＯＳマスクに応じたメンブレンｃ３を設計するためのデータを生成する。このデータには第１の相補ステンシルマスク（ＣＯＳＭＯＳ−Ｉ）ｃ１に関するデータ、例えば梁ｃ４の幅１ｍｍ、メンブレンｃ３の幅４ｍｍ等の情報を含む。
【００６２】
また、メンブレン形状設計部１６０２は、第２の相補ステンシルマスク（ＣＯＳＭＯＳ−ＩＩ）ｃｃ２の場合には、図１５（ｂ）に示すように、それに応じたメンブレンを設計するためのデータを生成する。例えばこのデータにはＣＯＳＭＯＳ−ＩＩの梁ｃ４およびメンブレンｃ３の幅が２．５ｍｍ等の情報を含む。
梁ｃ４やメンブレンｃ３の幅は、ステンシルマスクｃ１に用いる材質やマスクプロセス等により異なる。このため、メンブレン形状設計部１６０２は、パラメータ１５２に含まれるステンシルマスクｃ１に用いる材質やマスクプロセス等に関するデータに基づいて、梁ｃ４、メンブレンｃ３の幅等を決定する。
【００６３】
図１７は、マスクに関する単位フィールドを説明するための図である。図１７（ａ）は、第１の相補マスク、図１７（ｂ）は第２の相補マスクの単位フィールドを説目するための図である。図１８（ａ）は図１７（ａ）の一部を拡大した図、図１８（ｂ）は図１７（ｃ）の一部を拡大した図である。
本実施形態では図１８（ａ）に示したＣＯＳＭＯＳ−Ｉの梁の幅は約２５０μｍであり、図１８（ｂ）に示したＣＯＳＭＯＳ−ＩＩの梁の幅は約１ｍｍである。
【００６４】
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、設計データ１５１、パラメータ１５２、およびアライメントマークｄ１６０１に基づいて、ＰＵＦ分割処理および境界処理を行う。
相補マスクｃ１，ｃｃ２は、ＣＯＳＭＯＳ単位フィールド（ＣＵＦ：ＣＯＳＭＯＳ  Ｕｎｉｔ  Ｆｉｅｌｄ）を、アレイ形状に配置することで構成される。
第１の相補マスク（ＣＯＳＭＯＳ−Ｉ）ｃ１では、例えば図１７（ａ）に示すように、４つの区画それぞれにおいてＣＵＦがアレイ形状に配置される。また、第２の相補マスク（ＣＯＳＭＯＳ−ＩＩ）においても、図１７（ｂ）に示すように、４つの区画それぞれにおいてＣＵＦがアレイ形状に配置される。
【００６５】
詳細には例えば図１８（ａ）に示すように、第１の相補マスクｃ１のマスクを構成するためには、ＣＵＦの領域を５×５の処理領域に分けて相補分割し、その相補分割した結果を４つの区画に振り分けて相補マスクデータを作成する。また図１８（ｂ）に示すように、第２の相補マスクｃｃ２のマスクを構成するには、ＣＵＦの領域を１０×１０の処理領域に分けて相補分割し、その相補分割した結果を４つの区画に振り分けて相補マスクデータを生成する。
【００６６】
しかし、第１および第２の相補マスクでは、図１７（ａ），（ｂ）のようにマスク形状が異なるため、マスクの作成を行うための最小処理領域も異なる。
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、本実施形態では相補分割終了後、マスク形状に応じたマップに基づいて、相補分割処理後のマスクの配置処理を行うため、このときの処理単位には複数あるマスク形状のいずれにも整合するサイズである処理単位フィールド（以下ＰＵＦ：Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ  Ｆｉｅｌｄ）に分割し、そのＰＵＦ毎に相補分割処理を行う。これにより複雑な相補マスクの処理を単純な相補分割機能で実現できる。
例えば本実施形態においてＰＵＦは、図１８（ｂ）に示したＣＯＳＭＯＳ−ＩＩのＣＵＦを１０×１０に分割した領域である。
【００６７】
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、ＰＵＦで処理を行うために、入力された設計データ（チップデータ）１５１をＰＵＦサイズで分割する。また、このＰＵＦ分割を行う際に境界処理を行う。
【００６８】
図１９は、境界処理を説明するための図である。
境界処理とは、単純に所定のパターンをＰＵＦ毎に相補分割処理を行い、その相補分割処理の結果を統合した際に、隣り合うＰＵＦ境界上にステンシルマスクで問題パターンが生成する場合があり、その問題パターンを生成しないように処理を行う。
【００６９】
問題パターンを説明する。例えばＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、図１９（ａ）に示すようなパターン１０１を、図１９（ｂ）に示すようにＰＵＦＩ，ＩＩに分割する。そしてＰＵＦ毎に相補分割を行い、例えば図１９（ｃ）に示すように、ＰＵＦＩではパターン１０２およびパターン１０３に分割し、ＰＵＦＩＩでは図１９（ｄ）に示すように、パターン１０４ａ，１０４ｂ，１０５に分割する。
【００７０】
例えば相補マスクＡには図１９（ｅ）に示すようにＰＵＦＩの分割パターン１０２とＰＵＦＩＩのパターン１０５が振り分けられて、ＰＵＦＩ，ＩＩが繋ぎ合わされる。
相補マスクＢには図１９（ｆ）に示すようにＰＵＦＩの分割パターン１０３と、ＰＵＦＩＩのパターン１０４ａ，１０４ｂが振り分けられて、ＰＵＦＩ，ＩＩが繋ぎ合わされる。この際、例えば図１９（ｆ）に示すようなパターンをステンシルマスクに形成した場合には、リーフ形状の問題パターンが形成されてしまう。
【００７１】
図２０は境界処理を説明するための図である。
上述した問題パターンを防ぐために、ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、例えばＰＵＦ境界上のパターンをＰＵＦ毎に相補分割する前に、所定の方向、例えばＰＵＦ境界ＢＬに対して垂直方向に沿った方向の辺を抽出して、抽出した辺に応じたベクトルを生成し、対向する同じ長さのペアのベクトルの長さが所定の長さ以上の場合に境界上のパターンを分割し、その分割したパターンに基づいて、ＰＵＦ毎に相補分割を行う。
【００７２】
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、例えば図２０（ａ）に示すように、ＰＵＦ１およびＰＵＦ２の境界線ＢＬ上にパターンＰ３０が存在する場合には、そのパターンＰ３０について、パターン分割処理を行う。
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、例えば図２０（ａ）に示すように、ＰＵＦ１の上のパターンＰ３０に基づいて、境界線ＢＬに垂直方向に沿った、パターンＰ３０の辺に応じてベクトル化処理を行い、ベクトルＶ３１〜Ｖ４０を生成する。
この際、長さが同じベクトルのペアを形成するように、ベクトルの分解等の処理を行う。
【００７３】
図２０（ｃ）に示すように、ＰＵＦおよび境界処理部１６０３では、図２０（ｂ）に示したベクトルＶ３１〜Ｖ４０に基づいて、例えば、境界線ＢＬの位置から境界分割判定線ＢＤＬの移動が開始され、境界分割判定線ＢＤＬと交差するベクトルのペアに対して、所定の分割条件、例えば所定の長さ以上の場合に分割する条件等に基づいて分割線ＰＢＬを生成する。例えば図２０（ｂ）に示したベクトルの場合には、図２０（ｃ）に示すように分割線ＰＢＬ１，ＰＢＬ２を生成する。
【００７４】
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、分割線ＰＬ１およびＰＬ２に基づいて、パターンＰ３０を、例えば図２０（ｄ）に模式的に示すように、パターンＰ３１〜ｐ３７に分割する。
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、上述したように、相補分割部１６０４で相補分割する前に、ＰＵＦ上のパターンに対してパターン分割処理を行い、相補分割部１６０４では、そのパターン分割処理されたパターンをＰＵＦ単位毎に相補分割処理することで、問題パターンの発生を防止することができる。
【００７５】
図２１は、図８に示したステンシルマスクの区画のうち多重露光される最小パターンを抽出した図である。図２２は図２１に示した最小パターンの内の個々のＰＵＦ（ブロック）の配置可能な区画を説明するための図である。図２３は図２２に示したパターンの梁の位置情報を含む配置可能な区画を説明するための図である。
【００７６】
第１の相補マスクｃ１のうち多重露光される最小パターンは、例えば図２１に示すように、区画Ｉ（Ａ），ＩＩ（Ｂ），ＩＩＩ（Ｃ），ＩＶ（Ｄ）それぞれに形成されている。図２１に示すように区画Ｉ〜ＩＶそれぞれには、所定の位置に梁が形成されている。
区画毎の５×５のＰＵＦ（ブロック）それぞれに形成されたパターンは、図２２に示すように、対応した区画Ｉ（Ａ）〜ＩＶ（Ｄ）それぞれに形成可能である。
【００７７】
ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６は、ＰＵＦ毎のパターンを各区画に配置する際に、ＰＵＦに隣接する梁の位置も考慮した場合には、図２３に示すようにＰＵＦに隣接する梁の位置を考慮して配置を行う。
【００７８】
例えば詳細には図２３に示すように、また、ＰＵＦそれぞれには、少なくとも梁ｂｍにかからない辺および頂点がある。例えば、図２３に示すようにＰＵＦ１において、Ｄ領域については２辺が梁にかかる可能性があるが、Ａ領域では４辺について梁にかかる可能性はない。図２３において、隣に梁がある辺を太線で表す。
【００７９】
ＰＵＦ１は、領域Ａ１では梁が４辺に対してかからない。ＰＵＦは領域Ｂ，Ｃでは梁の位置にあるのでパターンを配置できない。領域Ｄでは、梁が図に向って右辺および下辺に梁がかかる。ＰＵＦ２は、領域Ａ２では梁がかからない。
【００８０】
領域１は領域Ａ１および領域Ｄ１に対応する。領域Ｄ１の右辺および下辺は梁ｂｍにかかる。領域２は領域Ａ２および領域Ｂ２に対応する。領域Ｂ２の左辺は梁ｂｍにかかる。領域３は領域Ａ３、領域Ｂ３、および領域Ｄ３に対応する。領域Ａ３の右辺、領域Ｂ３の上辺、領域Ｄ３の左辺および下辺は梁ｂｍにかかる。領域４は領域Ｂ４および領域Ｄ４に対応する。領域Ｂ４の上辺、および領域Ｄ４の下辺は梁ｂｍにかかる。領域５は領域Ａ５、領域Ｂ５、および領域Ｄ５に対応する。領域Ａ５の左辺、領域Ｂ５の上辺および右辺、領域Ｄ５の下辺は梁ｂｍにかかる。
【００８１】
領域６は領域Ａ６、および領域Ｃ６に対応する。領域Ｃ６の上辺および左辺は梁ｂｍにかかる。領域７は領域Ａ７、領域Ｂ７、および領域Ｃ７に対応する。領域Ｂ７の左辺、および領域Ｃ７の上辺は梁ｂｍにかかる。領域８は領域Ａ８、領域Ｂ８、領域Ｃ８に対応する。領域Ａ８の右辺、領域Ｃ８の上辺は梁ｂｍにかかる。領域９は領域Ｂ９、および領域Ｃ９に対応する。領域Ｃ９は上辺および右辺に梁ｂｍがかかる。領域１０は領域Ａ１０、および領域Ｂ１０が対応する。領域Ａ１０は左辺、領域Ｂ１０は右辺に梁ｂｍがかかる。
【００８２】
領域１１は領域Ａ１１、領域Ｃ１１、領域Ｄ１１が対応する。領域Ａ１１の下辺、領域Ｃ１１の左辺、領域Ｄ１１上辺および右辺に梁ｂｍがかかる。領域１２は領域Ａ１２、領域Ｂ１２、および領域Ｃ１２に対応する。領域Ａ１２下辺、領域Ｂ１２の左辺に梁ｂｍがかかる。領域１３は領域Ａ１３、領域Ｂ１３、領域Ｃ１３、および領域Ｄ１３に対応する。領域Ａ１３の下辺および右辺、領域Ｄ１３の上辺および左辺に梁ｂｍがかかる。領域１４は領域Ｂ１４、領域Ｃ１４、および領域Ｄ１４に対応する。領域Ｃ１４の右辺、領域Ｄ１４の上辺に梁ｂｍがかかる。領域１５は領域Ａ１５、領域Ｂ１５、および領域Ｄ１５に対応する。領域Ａ１５の左辺および下辺、領域Ｂ１５の右辺、領域Ｄ１５の上辺に梁ｂｍがかかる。
【００８３】
領域１６は領域Ｃ１６および領域Ｄ１６に対応する。領域Ｃ１６の左辺、領域Ｄ１６の右辺に梁ｂｍがかかる。領域１７は領域Ｂ１７および領域Ｃ１７に対応する。領域Ｂ１７の左辺および下辺に梁ｂｍがかかる。領域１８は領域Ｂ１８、領域Ｃ１８、および領域Ｄ１８に対応する。領域Ｂ１８の下辺、領域Ｄ１８の左辺に梁ｂｍがかかる。領域１９は領域Ｂ１９、領域Ｃ１９、および領域Ｄ１９に対応する。領域Ｂ１９の下辺、領域Ｃ１９の右辺に梁ｂｍがかかる。領域２０は領域Ｂ２０および領域Ｄ２０に対応する。領域Ｂ２０の右辺および下辺に梁ｂｍがかかる。
【００８４】
領域２１は領域Ａ２１、領域Ｃ２１、および領域Ｄ２１に対応する。領域Ａ２１の上辺、領域Ｃ２１左辺および下辺、領域Ｄ２１の右辺に梁ｂｍがかかる。領域２２は領域Ａ２２および領域Ｂ２２に対応する。領域Ａ２２の上辺、領域Ｂ２２の下辺に梁ｂｍがかかる。領域２３は領域Ａ２３、領域Ｃ２３、領域Ｄ２３に対応する。領域Ａ２３の上辺および右辺、領域Ｃ２３の下辺、領域Ｄ２３の右辺に梁ｂｍがかかる。領域２４は領域Ｃ２４および領域Ｄ２４に対応する。領域Ｃ２４の右辺に梁ｂｍがかかる。領域２５は領域Ａ２５および領域Ｄ２５に対応する。領域Ａ２５の上辺に梁ｂｍがかかる。
【００８５】
ＰＵＦおよび境界処理部１６０３で相補分割された相補パターンは、ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６により、所定の配置データに基づいて、上述のパターンＰ３１〜３７を領域Ｉ〜ＩＶに配置する。
【００８６】
図２４は、配置の一具体例を示す図である。詳細には、図２４に示すように、領域ＩにパターンＰ３１、領域ＩＩにパターンＰ３３，ｐ３４，ｐ３６、領域Ｂ２にパターンＰ３５，３６、領域Ｄ１にパターンＰ３２を配置する。
【００８７】
この際、ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６は、各ＰＵＦについて相補分割後に境界線ＢＬをまたぐパターンがあるものは、図２１〜２３に示した配置データに基づいて、梁ｂｍにかからない領域（少なくともＡ，Ｂ，Ｃ，またはＤ）を選択することで梁ｂｍが中途半端な位置でパターンを分割することを防ぐことができる。
【００８８】
例えば領域２５のＰＵＦにおいて相補分割後に上辺および左辺にＰＵＦ境界をまたぐパターンが存在する場合は、領域Ａ２５に配置すると梁ｂｍにかかってしまうが、領域Ｄ２５に配置すれば梁ｂｍにかかることはない。
このように１のＰＵＦから２５のＰＵＦまでを処理していくことで相補分割パターンを配置する場合に、パターンを梁ｂｍで強制的に分断されること無く配置することができる。
本実施形態では、ＰＵＦ分割の際に相補分割後のパターン同士が接触（点接触を除く）しても、相補矛盾が起きないような位置でパターンを分割する。
【００８９】
また、例えば、この境界処理を相補分割処理に含めてもよい。この場合にはＰＵＦで相補分割を行い境界部で他のフィールドを考慮して処理を行うので、アルゴリズムが非常に複雑になり信頼性低下の要因となりかねない。
本実施形態に係るＰＵＦおよび境界処理部１６０３は、ＰＵＦ分割を行う際に境界処理を行うので、隣のフィールドの図形情報も簡単に取得できる。この境界処理は、ＰＵＦ境界上で発生する可能性のある微小図形問題も解消する。
【００９０】
相補分割部１６０４は、上述したようにパターンに基づいて相補分割処理を行う。相補分割の詳細については、特許３１０５５８０号、特公平７−６６１８２、特開平１１−３５４４２２、特開２０００−９１１９１、特開２００１−２４４１９２、特開２００１−２７４０７２、特開２００２−９９０７５、山下他第４８回応用物理学関係連合講演会講演予稿集３０ａ−ＺＥ−５、山下他第６１回応用物理学会学術講演会７ａ−Ｘ−８等、いくつかの公知技術が選択可能である。
【００９１】
例えば公知技術となっている相補分割処理は、２相補が多い。例えば２相補分割は、第２の相補マスク（ＣＯＳＭＯＳ−ＩＩ）では問題なく処理することができる。
しかし、第１の相補マスク（ＣＯＳＭＯＳ−Ｉ）については、図２２，２３の配置データのようにＰＵＦによって、２〜４相補可能な部分がある。ステンシルマスクの場合、メンブレンに孔を開ける面積の疎密によりパターン歪を生じる可能性があるので、３相補、４相補も可能なＰＵＦについては、その全てに対してパターンを割り振ることでパターン面積の疎密差を軽減させる必要がある。
相補分割部１６０４は、基本的には２相補分割したパターンを振り分ける際に、３相補以上に割り振るように処理をする。
【００９２】
相補分割処理されたパターンを多重露光処理処理を行い、所望のパターンを形成する際に、相補分割パターンのつなぎ精度が問題となる場合がある。  このため、つなぎ部１６０５は、相補分割部１６０４が相補分割処理を行う際に、分割部分に所定のパターンを追加またはパターンを伸ばす。
【００９３】
図２５は、多重露光処理の際のつなぎ精度を説明するための図である。
詳細には、例えば図２５（ａ）に示す相補パターンｅ１１，ｅ１２を含む相補マスクｅ１と、図２５（ｂ）に示す相補パターンｅ２１，ｅ２２を含む相補マスクｅ２を用いてウェーハに多重露光した際に、例えば図２５（ｃ）に示すような、転写パターンｅ３００が形成される。転写パターンｅ３００には、パターンｅ３１１，ｅ３１２，ｅ３２１，ｅ３２２が形成されるが、例えば電子線を用いた多重露光の際のパターンの角の丸めや、相補マスクｅ１，ｅ２のアライメントずれのために、パターンｅ３１１とパターンｅ３２１が断線、およびパターンｅ３２２とパターンｅ３１２が断線する場合がある。
【００９４】
この断線を防ぐ方法としては、例えば特許２７０６９９号、特許２７３０６８７号に開示されているように、パターンを相補分割した際の分割部分に、所定のパターンを追加またはパターンを伸ばす方法が知られている。
【００９５】
図２６は、つなぎ処理を説明するための図である。
つなぎ部１６０５は、詳細には例えば図２６（ａ）に示すようなパターンｅ１０を分割線ＢＬに基づいて相補分割部１６０４が、図２６（ｂ）に示すように相補マスクｅ２１にパターンｅ１１を、図２６（ｃ）に示すように相補マスクｅ２２にパターンｅ１２を相補分割処理を行った場合に、分割線ＢＬとの分割部分に断線を補うように所定のパターンｅ１１１、ｅ１２１を追加する。
【００９６】
つなぎ部１６０５は、後工程で高加速露光機を用いて露光する場合、単純に所定パターンを追加すると、パターンの太りが生じる可能性があるのでパターン太りを抑えるために、所定パターンよりも小さなパターンを追加する。この際、例えば特開昭６４−２６９５３２号公報等で開示されている技術を用いる。また、後工程で低加速露光機を用いて露光する場合には、このパターンの太りはほとんどないので、微小なパターンを追加して補正を行う。
つなぎ部１６０５は、上述したようにＰＵＦ分割処理の際の切断部と、相補分割処理の際の切断部に、上述したパターン追加処理を行う。
【００９７】
図２７は、つなぎ処理の動作を説明するための図である。
つなぎ部１６０５は、所定のパターンが相補分割処理により、図２７（ａ）に示すような相補パターンｅ１１，ｅ１２を有する相補マスクｅ１、図２７（ｂ）に示すような相補パターンｅ２１，ｅ２２を有する相補マスクｅ２に分割された場合には、断線を防止するようにパターンｅ１１１，ｅ１２１，ｅ２２１を追加する。その結果の相補マスクｅ１，ｅ２を用いて多重露光処理を行うと、例えば図２７（ｃ）に示すようにパターンｅ４１１，ｅ４２１が接続し、パターンｅ４１２が接続した転写パターンｅ４００を形成することができる。
【００９８】
ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６は、ＰＵＦおよび相補分割部１６０４、およびつなぎ部１６０５により相補分割されたパターンデータを、パラメータ１５２に含まれるマスク形状に応じたマップデータ（配置データ）に基づいて、ステンシルマスクの各区画に配置を行う。
【００９９】
ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６は、詳細には例えば図２２，２３に示した、記憶部１５に記憶されているＰＵＦのデータをどの様に割り振るかを示す配置データに基づいて、相補分割パターンを所定の形状のステンシルマスクの所定の区画に配置する。この際、ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６は、２相補、３相補や４相補に関するデータや、隣接するブロックの梁位置に関するデータ等に基づいて、相補パターンの配置処理を行う。
【０１００】
また、本実施形態のＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６は、他のマスク形状の場合であっても、そのマスク形状に対応するマップに基づいて配置処理を行うので、例えば所定のマスク形状専用の配置処理フローに従って処理を行う場合に比べて、主要な配置処理フローを変更することなく他のマスク形状に容易に対応することができる。
【０１０１】
ＰＵＦそれぞれは、ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６により、メンブレンそれぞれの内に配置、統合される。その結果、隣接するＰＵＦにおいて、ドーナツ形状やリーフ形状のパターンや、相補分割機能の不具合でステンシルマスク上に形成することができない欠陥パターンが生じる可能性がある。
【０１０２】
パターン形状検証部１６０７は、ＣＯＳＭＯＳ配置２０５により配置されるメンブレン毎の相補パターンが、メンブレンｃ１上に形成可能か否かの検証を行う。
【０１０３】
図２８は、パターン形状検証部のドーナッツパターンの検出処理を説明するための図である。
パターン形状検証部１６０７は、欠陥パターン、例えば図２８に示すようなドーナッツパターンを以下のように検出する。
パターン形状検証部１６０７は、例えばパターンを一筆書きする際に、２回以上たどる頂点が２つ以上存在するパターンを欠陥パターンとする。
【０１０４】
詳細には、図２８に示すように、パターンｆ１について、頂点Ａを始点および終点として一筆書きでは、次のように頂点がたどられる。頂点Ａ，頂点Ｂ，…，頂点Ｅと順にたどったところで、パターンｆ１の内周側に辺を追加して頂点Ｆをたどり、さらに、頂点Ｇ，頂点Ｈ，頂点Ｉと順にたどったところで、再びパターンｆ１の外周上の頂点Ｅに戻り、頂点Ａで終了する。この際、複数回たどる頂点の数は、頂点Ａが２回、頂点Ｅが２回、さらに、頂点Ｉが２回（だたし、このうち１回は通過）の３つの頂点である。
【０１０５】
以上のように、１つのパターンについて一筆書きを終了した時点で、当該パターンの一筆書きにおいて、２回以上たどる頂点としてカウントされた頂点が２つ以上である場合に、このパターンを欠陥パターンとして抽出する。
つまり、上述したドーナッツ形状のパターンであれば、これを一筆書きする際には、ドーナッツ形状の中央部の島部分ａと、その周囲を囲む部分との間をつないで描画される辺（頂点Ｅ−頂点Ｉ）が生じ、少なくともこの辺の両端に形成される頂点は２回ずつたどられることになる。
【０１０６】
図２９〜３１は、パターン形状検証部のリーフパターンの検出処理を説明するための図である。
パターン形状検証部１６０７は、例えば図２９〜３１に示すようなリーフパターンを以下のように検出する。
パターン形状検証部１６０７は、（内角−１８０°）の値が所定値以上である頂点を有するパターン、および内角が１８０°を越える頂点が連続して設けられており、これらの連続する頂点における（内角−１８０°）の和が所定値以上であるパターンを欠陥パターンであるとする。
【０１０７】
詳細には例えば、図２９に示すようなパターンｆ２に関して、頂点Ａ，頂点Ｂ，…，頂点Ｆの順に、各頂点の内角θを検出する。この際、検出された内角に基づき、（内角θ−１８０°）の値が所定値θｓ以上である頂点を有していれば、その露光パターンを欠陥パターンとして抽出する。例えば所定値θｓは９０°に設定する。
【０１０８】
これにより、例えば図２９に示した露光パターンｆ２において、リーフ状領域ｂを構成する頂点Ｃの内角θが２７０°であった場合、この頂点Ｃの（内角θ−１８０°）は９０°であり、パターン形状検証部１６０７は、所定値θｓ＝９０°以上という条件に適合するので、このパターンを欠陥パターンとして検出する。
【０１０９】
同様に、パターン形状検証部１６０７は、例えば図３０に示したようなパターンにおいて、リーフ状領域ｂを構成する頂点Ｄの内角θが２７０°であった場合、頂点Ａ，頂点Ｂ，…，頂点Ｈの順に、内角を検出すると、頂点Ｃ、頂点Ｄにおいて、（内角θ−１８０°）は９０°となり、このパターンを欠陥パターンとして検出する。
【０１１０】
また、パターンの内角に基づいて、次のような欠陥パターン抽出も同時に行う。
先ず、パターンに沿って、順次、頂点の内角θを検知していき、検知した内角θが１８０°を越える場合に、その頂点における（内角θ−１８０°）の値を算出する。そして、連続して配置された次の頂点の内角θが、１８０°を越える場合に、この頂点における（内角θ−１８０°）の値を算出し、前の頂点における（内角θ−１８０°）の値に順次積算していく。一方、次の頂点の内角θが、１８０°を越えない場合には、この積算値をキャンセルして０に戻す。そして、積算値が所定値θｓｓ以上となるパターンを欠陥パターンとして抽出する。ここで所定値θｓｓは例えば９０°に設定される。
【０１１１】
例えば、図３０に示したパターンｆ３において、リーフ状領域ｂを構成する頂点Ｃ、頂点Ｄの内角θが２７０°であった場合、頂点Ａから順に内角θを検出していくと、頂点Ｃの内角は１８０°以上であるため、この頂点Ｃについて（内角−１８０°）＝９０°を算出しておく。続いて頂点Ｄの内角も１８０°以上であるため、この頂点Ｄについて（内角−１８０°）＝９０°を算出し、前の頂点Ｃにおける（内角−１８０°）の値に順次積算していく。積算した結果９０°＋９０°＝１８０°≧所定値（９０°）であるため、このパターンを欠陥パターンとして検出する。
【０１１２】
同様に、図３１に示したパターンｆ４において、リーフ状領域ｂを囲むパターンｆ４における頂点Ｃ〜頂点Ｊの各内角θが２２５°であった場合、頂点Ａから順に内角θを検知していくと、先ず、頂点Ｃにおいて、（内角θ−１８０°）＝４５°隣、これに続く頂点Ｄにおいて（内角θ−１８０°）＝４５°となり、これらを積算する。この結果４５°＋４５°＝９０°≧所定値θｓｓ（９０°）であるため、このパターンｆ４を欠陥パターンとして検出する。
【０１１３】
なお、所定値θｓｓが、例えばθｓｓ＝１００°に設定されている場合であっても、次の頂点Ｅにおける（内角θ−１８０°）＝４５°が積算され、４５°＋４５°＋４５°＝１３５°≧所定値θｓｓ（１００°）となるため、このパターンを検出パターンとして検出する。
また、θｓおよびθｓｓの設定を調整することにより、パターン形状検証部１６０７が検出するリーフ状領域ｂの突出の度合いを調整することができる。
【０１１４】
また、パターン形状検証部１６０７は、欠陥パターンとして、例えば所定長さ以上の長尺形状のパターンを検出する。長尺形状のパターンは、実パターンとしてステンシルマスクに形成された場合に、長尺方向の中央領域に歪が生じやすいためである。
上述したパターン形状検証部１６０７により検出された欠陥パターンは、例えば相補分割部１６０４により再度相補分割処理が行われる。
【０１１５】
図３２は、ステンシルマスクに形成される孔による歪を説明するための図である。
例えば図３２に模式的に示すように、メンブレンｃ３にパターンに応じた孔ｈ１を形成した場合、孔に応じたパターン変位が生じる。これは、メンブレンｃ３内に一定の内部応力が働いており、メンブレンｃ３に孔ｈ１を開けることによって内部応力に変化が起こるためである。このパターン変位を防ぐ方法はない。
メンブレン内補正部１６０８は、設計データ１５１およびパラメータ１５２に応じて、パターン形状検証部１６０７により検証された相補パターンに応じた孔ｈ１をメンブレンｃ３に開けたときに起きる変位量を算出し、算出結果に応じて、変位した結果希望するパターンになるように相補ステンシルマスクデータに補正を行う。
【０１１６】
メンブレン内補正部１６０８は、詳細には、メンブレンｃ３が梁ｃ４によって固定しており、メンブレンｃ３内のパターンによる梁ｃ４への影響はわずかであるので、梁ｃ４を剛体とみなし、メンブレンｃ３単位で解析を行う。メンブレンｃ３には相補パターンに応じた孔ｈ１が形成されるため、メンブレン毎に変位解析を行う。
【０１１７】
メンブレン内補正部１６０８は、例えば有限要素法や差分法により、メンブレン内の変位解析を行う。この際、メンブレンの孔（パターン）ｈ１は非常に多いため、解析時間がかかる。本実施形態のメンブレン内補正部１６０８は、変位高速解析法によりメンブレン内の変位を解析する。変位高速解析処理は、例えば所定のサイズ以上のメンブレンに形成される孔のみの変位量を算出し、算出の結果に基づいて所望の孔の位置や形状を補正する。
【０１１８】
メンブレン内補正部１６０８は、例えば有限要素法で平面応力解析を行う場合には、解析の対象物の形状を応力解析するために、例えば図３２に示すように単純な要素に分割する。この際、相補パターンに応じた孔を除いたマスク表面を例えば三角形の単純要素の集合体に分割する。分割の要素としては三角形以外でも四角形や各要素辺上に解析上の節点を持たせた複雑な要素に分割してもよい。三角形要素の場合、各要素について各三角形の頂点における応力解析により変位量を求める。
【０１１９】
例えば図３２に示した孔ｈ１は、一辺１０μｍの正方形、孔ｈ２は一辺１００ｎｍの正方形である。
有限要素法による応力解析では、１個の要素に対して、応力変化が大きい（応力が集中しやすい）と予想される部分または精密な解析を行うことが望ましい部分、例えば図３２では、所定のサイズよりも多きい孔ｈ１の周辺部では、より細かい要素に分割する。
【０１２０】
この際、所定のサイズよりも小さい孔２の周辺部は、通常の要素に分割する。これは、所定サイズ以下の孔ｈ２は形状的変化量が許容範囲内であるとして大きな補正を行わなくとも、所望のパターンが露光されるためである。こうすることにより、高速に有限要素法を実行することができる。
また、所定サイズは、対象とする半導体デバイスに用いられるステンシルマスクに許容される寸法精度と、ステンシルマスクの材料および厚さにより求まる、応力に対するパターンの変化度合いの両者の関係で決定される。
【０１２１】
図３３（ａ）は、応力解析結果による補正処理の結果、湾曲した輪郭を有する孔（パターン）を示す図である。図３３（ｂ）は補正処理の結果、階段上の補正を行ったパターンを示す図である。
【０１２２】
メンブレン内補正部１６０８は、上述した変位量を算出し、算出結果に基づいて補正量を生成する。この補正量は、各節点をそれぞれ独立にどの程度補正すべきかを示す値である。この値をそのまま使用して補正を行うと、孔ｈ１は、図３３（ａ）に示すように、例えば曲線形状の輪郭を有する曲線になる。この曲線を含むパターンを大量に生成することは、マスクデータ処理やマスク作成プロセスへの負担を大きくすることになる。
【０１２３】
このため、マスク作成上許容される精度から補正処理で許容される精度を求め、その値を基準に補正用許容ピッチを求め、その許容ピッチで、曲線となる部分について、例えば図３３（ｂ）に示すように、階段形状に孔ｈ１を補正して、曲線を解消し、縦横の直線のみの孔ｈ１ｂにする。
このようにすることで、データ処理についても、マスク作成についても、曲線による余分な負担が軽減する。
【０１２４】
図３４は、メンブレン内補正部の補正処理の一具体例を示す図である。
また、メンブレン内補正部１６０８は、メンブレンの内の孔パターンの面積に基づいて、開口部パターン面積密度（開口面積率）を算出し、そのパターン面積密度に応じて仮想的な厚さを設定する。
例えば詳細には図３４に示すように、パターン面積密度が大きい要素ほど、所定厚さより仮想的に薄いと設定する。本実施形態では例えば孔（パターン）ｈ１の周辺部は所定厚さの５６％、孔（パターン）ｈ２の周辺部は所定厚さの９３％、その他の孔（パターン）のない周辺部は所定厚さの９９％であるとする。
【０１２５】
そして、孔（パターン）を含み所定厚の各要素の弾性マトリクスを、孔を含まず仮想厚の各要素の擬似弾性マトリクスに近似して、有限要素法で解析し、その結果に応じて孔（パターン）の形状および位置の補正を行う。ここで弾性マトリクスは応力と歪との関係を示す量であり、擬似弾性マトリクスは、孔（パターン）を含まないパターン面積密度に応じた仮想的な厚さとした場合の弾性マトリクスである。
【０１２６】
マスク構成部１６０９は、メンブレン内補正部１６０８により補正されたデータ、およびパラメータ１５２に基づいて、１チップ分のメンブレン内補正を行い、マスク構成に応じて補正済みチップの配置を行う。メンブレン内の変位はメンブレン内のパターンが同じなら、マスク上どの場所においても同じ結果が得られる。この際、ＣＯＳＭＯＳマスク全体を構成するため、アライメントパターンなど周辺パターンもあわせて配置する。
【０１２７】
露光検証部１６１０は、上述したマスク構成部１６０９が生成したマスク構成に基づいて、配置ミスや、構成したＣＯＳＭＯＳマスクを４回露光したときに目的の設計データが得られているか検証処理を行う。
詳細には、露光検証部１６１０は、検証方法として、得られた４相補データの図形演算ＡＮＤを行い、元の設計データ１５１の配置と、梁データを配置したデータと一致するかで検証を行う。この検証をすることで露光精度を保証することができる。
【０１２８】
図３５（ａ）は、マスク作成時、図３５（ｂ）はマスク使用時のステンシルマスクを模式的に示す断面図である。図３６は、歪補正を説明するための図であるマスク作成時、詳細にはマスク描画およびメンブレン上のパターンのエッチング時には図３５（ａ）に示すようにメンブレンｃ３が梁ｃ４の上部に位置するように形成し、マスク使用時、詳細には例えば電子ビームによる露光時には図３５（ｂ）に示すように、メンブレンｃ３が梁ｃ４の下部に位置するようにマスクを表裏反転して使用する。
【０１２９】
このため、マスク反転補正部１６１１は、重力により、図３６（ａ）に示すようにマスク作成時にはメンブレンｃ３の梁側面と対向する面が凹むようにマスク中央部が下方向にたわみ、一方、図３６（ｂ）に示すようにマスク使用時には、表裏反転のためにメンブレンｃ３の梁側面が凹むようにマスク中央部が下方向にたわむために、データパラメータ１５２に含まれるマスクの機械的特性を示すデータ、および露光検証部１６１０により検証された相補パターンデータに基づいて、たわみの変化による歪の補正処理を行う。
【０１３０】
詳細には、このマスク反転による歪は、メンブレン内のパターンには依存しないため、マスク構造による歪量を解析した結果、あるいは実験による結果から作成した、歪分布から各メンブレン内のパターンへ変位量を適用する。マスク作成時とマスク使用時の表裏反転がない場合は、この処理をする必要はない。
【０１３１】
補正結果検証部１６１２は、マスク反転補正処理１６１１によるマスク反転補正処理の結果、設計データ１５１およびパラメータ１５２に基づいて、その処理結果が正しいパターンになるか検証を行う。補正量はシミュレーションを用いて解析するので、同じシミュレーションを用いても結果が同一になるのは明らかである。
【０１３２】
本実施形態に係る補正結果検証部１６１２は、検証用に、マスク反転補正処理で用いたアルゴリズムとは異なるアルゴリズムを用いて、歪補正のシミュレーションを行う。これにより信頼性の高い検証が可能となる。
補正結果検証部１６１２は、詳細には補正ずみ設計データをマスク歪、メンブレン内歪の条件下でのシミュレーションを行った結果に基づいて、元の設計データ１５１と比較を行い、相異が精度内範囲であるか否かを判別する。補正結果検証部１６１２は、精度範囲内である場合には、上述した一連の処理により生成された補正ステンシルマスクデータをデータ変換部１６１３に出力する。
【０１３３】
データ変換部１６１３は、メンブレン形状設計部１６０２から出力されたメンブレンを生成させるためのデータ、および、補正結果検証部１６１２により出力された、補正ステンシルマスクデータ、およびパラメータ１５２に基づいて、例えば図１に示したマスク作成装置４にメンブレンを作成させる描画メンブレンデータｄ１６１３１、およびパターン作成を行わせる描画パターンデータｄ１６１３２を生成し出力する。この際描画パターンデータｄ１６１３２には、マスクアライメントマークｄ１６０１１が含まれる。
【０１３４】
詳細には、データ変換部１６１３は、例えばマスク作成処理装置３の制御によりマスク作成装置４が、シリコンウェーハからメンブレンを描画（掘る）させるための描画メンブレンデータｄ１６１３１を生成し、メンブレンｃ３内に相補分割パターンを描画させるための描画パターンデータｄ１６１３２を生成する。ＣＰＵ１６は、生成された描画メンブレンデータｄ１６１３１および描画パターンデータｄ１６１３２は、例えばＩ／Ｆ１３および通信ネットワークＮＥＴ７を介して、マスク作成処理装置３に出力する。
【０１３５】
図３７は、図１に示したマスク処理システム１００の動作を示すフローチャートである。図３７を参照しながらマスク処理システム１００の動作を説明する。ステップＳＴ１において、例えば設計処理装置２では、例えば所望の半導体集積回路の設計データ１５１が生成され、通信ネットワークＮＥＴ７を介してマスク処理装置１に出力される。
【０１３６】
ステップＳＴ２において、マスク処理装置１では、設計処理装置２から出力された設計データ１５１、およびマスク作成装置４に関する装置特性パラメータや、露光装置５に関する装置特性パラメータ等を含む、ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて相補ステンシルマスクデータ、詳細には描画メンブレンデータｄ１６１３１および描画パターンデータｄ１６１３２が生成され、ネットワークＮＥＴ７を介してマスク作成処理装置３に出力される。
【０１３７】
ステップＳＴ３において、マスク作成処理装置４では、描画メンブレンデータｄ１６１３１および描画パターンデータｄ１６１３２に基づいて、マスク作成装置３を制御し、例えば図７に示すように実際に相補ステンシルマスクｃ１を生成させる。この際、マスクアライメントマークも相補ステンシルマスクに形成される。
ステップＳＴ４において、露光処理装置５では露光装置６を制御して、生成された相補ステンシルマスクｃ１を用いて、マスクアライメントマーク、およびウェーハアライメントマークに基づいてアライメントが行われ、電子線による多重露光により、所望の設計データに応じた回路パターンがシリコンウェーハ上に露光される。その後、エッチング処理等が行われ、所望の設計パターンに応じた回路パターンがシリコンウェーハ上に形成され、カッティング、パッケージング等が行われ、所望の半導体装置が生成される。
【０１３８】
図３８は、図１に示したマスク処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。図３８を参照しながら、マスク処理装置の動作を簡単に説明する。
ステップＳＴ２１において、マスク処理装置１では、例えばアライメントマーク生成部１６０１では、設計データ１５１およびパラメータ１５２に基づいて、アライメントマーク等が生成される。
【０１３９】
ステップＳＴ２２において、マスク処理装置１では、生成されたアライメントデータ、設計データ１５１、およびパラメータ１５２に基づいて、上述した内部データ処理が行われ、相補マスクパターンデータ、詳細には、描画メンブレンデータｄ１６１３１および描画パターンデータｄ１６１３２が生成される。
【０１４０】
図３９は、図１に示したマスク処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。図３９を参照しながらマスク処理装置１の動作を、ＣＰＵ１６の動作を中心に簡単に説明する。
ステップＳＴ２０１において、メンブレン形状設計部１６０２では、上述したようにステップＳＴ２１でアライメントマーク生成部１６０１により生成されたアライメインマークｄ１６０１、設計データ１５１、およびパラメータ１５２に基づいて、メンブレンを生成させるためのデータが生成されデータ変換部１６１３に出力される。
【０１４１】
ステップＳＴ２０２において、ＰＵＦおよび境界処理部１６０３では、設計データ１５１、パラメータ１５２、およびアライメントマークｄ１６０１に基づいて、ＰＵＦ分割処理および境界処理が行われる。この際、上述したように、設計データ１５１をＰＵＦの境界処理が行われＰＵＦに分解される。
【０１４２】
相補分割部１６０４では、ＰＵＦおよび境界処理部１６０３によりＰＵＦ分解された、設計データ１５１、パラメータ１５２に基づいて相補分割処理が行われ（ＳＴ２０３）、つなぎ部１６０５では、ＰＵＦ分割処理の際の切断部と、相補分割処理の際の切断部に、所定のパターン追加処理を行われ（ＳＴ２０４）、ＣＯＳＭＯＳ配置部１６０６では、相補分割されたパターンデータを、パラメータ１５２に含まれるマスク形状に応じたマップデータ（配置データ）に基づいて、ステンシルマスクｃ１の各区画に配置が行われる（ＳＴ２０５）。
【０１４３】
ステップＳＴ２０６において、パターン形状検証部１６０７では、ＣＯＳＭＯＳ配置２０５により配置されるメンブレン毎の相補パターンが、メンブレンｃ１上に形成可能か否かの検証が行われ、メンブレン内補正部１６０８では、設計データ１５１およびパラメータ１５２に応じて、パターン形状検証部１６０７により検証された相補パターンに応じた孔をメンブレンｃ３に開けたときに起きる変位量を算出し、算出結果に応じて、変位した結果希望するパターンになるように相補ステンシルマスクデータに補正が行われる（ＳＴ２０７）。
【０１４４】
ステップＳＴ２０８において、マスク構成部１６０９では、メンブレン内補正部１６０８により補正されたデータ、およびパラメータ１５２に基づいて、１チップ分のメンブレン内補正を行い、マスク構成に応じて補正済みチップの配置が行われ、露光検証部１６１０では、上述したマスク構成部１６０９が生成したマスク構成に基づいて、配置ミスや、構成したＣＯＳＭＯＳマスクを４回露光したときに目的の設計データが得られているか検証処理が行われる（ＳＴ２０９）。
【０１４５】
ステップＳＴ２１０において、マスク反転補正部１６１１では、データパラメータ１５２に含まれるマスクの機械的特性を示すデータ、および露光検証部１６１０により検証された相補パターンデータに基づいて、たわみの変化による歪の補正処理が行われ、補正結果検証部１６１２では、マスク反転補正処理１６１１によるマスク反転補正処理の結果、設計データ１５１およびパラメータ１５２に基づいて、その処理結果が正しいパターンになるか検証が行われる（ＳＴ２１１）。
【０１４６】
ステップＳＴ２１２において、データ変換部１６１３では、メンブレン形状設計部１６０２から出力されたメンブレンを生成させるためのデータ、および、補正結果検証部１６１２により出力された、補正ステンシルマスクデータ、およびパラメータ１５２に基づいて、例えば図１に示したマスク作成装置４にメンブレンを作成させる描画メンブレンデータｄ１６１３１、およびパターン作成を行わせる描画パターンデータｄ１６１３２が生成される。
【０１４７】
以上説明したように、マスクデータ処理手順を実行することで、設計データ１５１とマスクの特性を示すマスク特性データ１５２に基づいて、所望の相補ステンシルマスクを容易にかつ、高い信頼性で生成することができる。
【０１４８】
また、使用方法が容易であり、処理を全て自動で行うことで人為的ミスを防ぐことが出来る。
また、ＰＵＦ分割、配置処理を一定の手順で行うことで、大規模チップが処理できる。
また、配置データに基づいて容易に４回露光型相補マスクを生成することができる。
【０１４９】
なお、本発明は本実施形態に限られるものではなく、任意好適な種々の変更が可能である。
例えば、本実施の形態に係る処理手順は、上述の順番に限られるものではない。例えば、所定の検証処理および補正処理の順番は、所望の結果が得られるような順番で実行してよい。
【０１５０】
【発明の効果】
本発明によれば、容易に荷電粒子線露光装置に用いられるマスクを作成することができるマスク処理装置、マスク処理方法、プログラム、およびマスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマスク処理装置を含むマスク処理システムの一実施形態を示す図である。
【図２】図１に示したマスク処理システムの動作を説明するための概念図である。
【図３】図２に示したマスクパターンと相補分割の他の具体例を示す図である。
【図４】図１に示したマスク処理システムの動作を説明するための図である。
【図５】４つの相補マスクを用いた場合の相補分割を説明するための図である。
【図６】相補ステンシルマスクの具体例を示す図である。（ａ）は第１の相補ステンシルマスク、（ｂ）は第２の相補ステンシルマスクを示す図である。
【図７】図６に示した相補マスクの全体図である。
【図８】図７のメンブレンｃ３の中心付近の拡大図である。
【図９】図７に示したステンシルマスク１の断面図である。
【図１０】メンブレン分割領域の１つとその周囲の梁を拡大した斜視図である。
【図１１】図１０の梁近傍を拡大した断面図である。
【図１２】本発明に係るマスク処理装置の一実施形態のハードウェア的なブロック図である。
【図１３】図１に示したマスク処理装置のソフトウェア的な機能ブロックの一実施形態を示す図である。
【図１４】アライメントマークを説明するための図である。
【図１５】設計データとマスクとの関係を説明するための図である。
【図１６】本実施形態に係るマスクの一具体例を示す図である。
【図１７】マスクに関する単位フィールドを説明するための図である。
【図１８】（ａ）は図１７（ａ）の一部を拡大した図、（ｂ）は図１７（ｃ）の一部を拡大した図である。
【図１９】境界処理を説明するための図である。
【図２０】境界処理を説明するための図である。
【図２１】図８に示したステンシルマスクの区画のうち多重露光される最小パターンを抽出した図である。
【図２２】図２２は図２１に示した最小パターンの内の個々のＰＵＦ（ブロック）の配置可能な区画を説明するための図である。
【図２３】図２２に示したパターンの梁の位置情報を含む配置可能な区画を説明するための図である。
【図２４】配置の一具体例を示す図である。
【図２５】多重露光処理の際のつなぎ精度を説明するための図である。
【図２６】つなぎ処理を説明するための図である。
【図２７】つなぎ処理の動作を説明するための図である。
【図２８】パターン形状検証部のドーナッツパターンの検出処理を説明するための図である。
【図２９】パターン形状検証部のリーフパターンの検出処理を説明するための図である。
【図３０】パターン形状検証部のリーフパターンの検出処理を説明するための図である。
【図３１】パターン形状検証部のリーフパターンの検出処理を説明するための図である。
【図３２】ステンシルマスクに形成される孔による歪を説明するための図である。
【図３３】（ａ）は、応力解析結果による補正処理の結果、湾曲した輪郭を有する孔（パターン）を示す図である。（ｂ）は補正処理の結果、階段上の補正を行ったパターンを示す図である。
【図３４】メンブレン内補正部の補正処理の一具体例を示す図である。
【図３５】（ａ）は、マスク作成時、（ｂ）はマスク使用時のステンシルマスクを模式的に示す断面図である。
【図３６】歪補正を説明するための図である。
【図３７】図１に示したマスク処理システム１００の動作を示すフローチャートである。
【図３８】図１に示したマスク処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３９】図１に示したマスク処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
１…マスク処理装置、２…設計処理装置、３…マスク作成処理装置、４…マスク作成装置、５…露光処理装置、６…露光装置、１１…入力部、１２…出力部、１３…インターフェイス（Ｉ／Ｆ：Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、１４…ＲＡＭ、１５…記憶部、１６…ＣＰＵ、１００…マスク処理システム、１５０…プログラム、１５１…設計データ、１５２…パラメータ、１６０１…アライメントマーク生成部、１６０２…メンブレン形状設計部、１６０３…ＰＵＦおよび境界処理部、１６０４…相補分割部、１６０５…つなぎ部、１６０６…ＣＯＳＭＯＳ配置部、１６０７…パターン形状検証部、１６０８…メンブレン内補正部、１６０９…マスク構成部、１６１０…露光検証部、１６１１…マスク反転補正部、１６１２…補正結果検証部、１６１３…データ変換部。
【図１】
2004266234.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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