(57)【要約】【課題】放射線像変換パネルにおいて、蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向から検出する場合における輝尽発光光の検出量の低下を抑制する。【解決手段】励起光Ｌｅの照射を受けて蓄積性蛍光体層８０から射出された輝尽発光光の発光角度分布がＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層８０の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した発光角度分布Ｐ３となるように表面に平坦化処理を施した蓄積性蛍光体層８０を備えた放射線像変換パネル７９を使用し、照射部８３から蓄積性蛍光体層８０に向けて垂直入射された励起光Ｌｅによりこの蓄積性蛍光体層８０から射出された上記発光角度分布Ｐ３を持つ輝尽発光光Ｋを、上記励起光Ｌｅが垂直入射される光路に対して斜めの方向に配置されたラインセンサ８５で検出する。【選択図】　　　　　図１０
2004101237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光の照射を受けて輝尽発光光を発生する蓄積性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルであって、
前記蓄積性蛍光体層が、前記輝尽発光光を、ＣＯＳθ分布より前記蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で射出することを特徴とするものである放射線像変換パネル。
【請求項２】
前記蓄積性蛍光体層の前記輝尽発光光が射出される射出側の表面に、前記輝尽発光光がＣＯＳθ分布より前記蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で射出されるように該表面を平坦化する平坦化処理が施されていることを特徴とする請求項１記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
前記平坦化処理が、前記蓄積性蛍光体層の射出側の表面を研磨して該蓄積性蛍光体層を平坦化するものであることを特徴とする請求項２記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
前記平坦化処理が、前記蓄積性蛍光体層の射出側の表面の凹部に屈折率が１より大きい部材を充填して該蓄積性蛍光体層を平坦化するものであることを特徴とする請求項２記載の放射線像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射線像変換パネルに関し、詳しくは、励起光の照射を受けて輝尽発光光を発生する蓄積性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、Ｘ線等の放射線を照射するとこの放射線エネルギの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光を照射すると蓄積された放射線エネルギに応じて輝尽発光を示す蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、人体等の被写体の放射線像を蓄積性蛍光体層に一旦潜像として記録し、この蓄積性蛍光体層にレーザ光等の励起光を照射して輝尽発光光を生じせしめ、この輝尽発光光を光電的に検出して被写体の放射線像を取得する放射線像記録装置および放射線像読取装置等からなる放射線像記録再生システムがＣＲ（Ｃｏｍｐｕｔｅｄ　Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）としてが知られている。
【０００３】
上記放射線像記録再生システムの記録媒体には、蓄積性蛍光体の粉体を支持体上に塗布することにより蓄積性蛍光体層を形成して作成した放射線像変換パネル、あるいは基板上に蒸着により蓄積性蛍光体の柱状結晶からなる蓄積性蛍光体層を形成して作成した放射線像変換パネルが使用されている。これらの放射線像変換パネルは、励起光の照射により蓄積性蛍光体層から発生した輝尽発光光がこの蓄積性蛍光体層から射出される際の射出角に対する光強度の分布（以後、発光角度分布と言う）が、この蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に偏っていることが知られている。具体的には、蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光の発光角度分布は、図１１に示すように、蓄積性蛍光体層１から上記法線方向Ｈへ向けて射出される輝尽発光光の光強度Ｋ０とこの法線方向Ｈと角度θをなす方向へ向けて（すなわち射出角θで）射出される輝尽発光光の光強度Ｋθとの関係が、Ｋθ＝Ｋ０×ＣＯＳθで示される、いわゆるＣＯＳθ分布（図１１中Ｐ１で示す）より蓄積性蛍光体パネルの表面の法線方向に対して垂直な方向に押しつぶされて扁平した発光角度分布（図１１中Ｐ１′で示す）を有している。
【０００４】
なお、蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光が上記のような発光角度分布を有する理由は、蓄積性蛍光体層の表面が集光作用を持つからである。すなわち、蓄積性蛍光体の粉体を塗布したタイプの蓄積性蛍光体層では、蓄積性蛍光体の粉体の粒子は概略球形状を成し、蓄積性蛍光体層中で発生しこの蓄積性蛍光体層の表面に突出した粉体の粒子の凸部を通して射出される輝尽発光光はこの粉体の粒子の凸部の表面で屈折されてこの蓄積性蛍光体層の表面に対する法線方向に向けて集光される。また、蒸着により蓄積性蛍光体の柱状結晶を形成したタイプの蓄積性蛍光体層では、蓄積性蛍光体の柱状結晶の先端部は凸形状となっているので、柱状結晶中の上記凸部より深い位置で発生しこの凸部を通して射出される輝尽発光光も凸部、すなわち柱状結晶の先端部の表面で屈折されてこの蓄積性蛍光体層の表面に対する法線方向に向けて集光される。
【０００５】
上記放射線像読取装置中には、検出面を蓄積性蛍光体層の表面に向けてこの表面と平行にして蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光を受光する装置が知られており、このような向きに受光面が配置された装置は、上記輝尽発光光の射出角が０度（法線方向）に近づくほど輝尽発光光の光強度が高くなる発光角度分布を持つ蓄積性蛍光体層から効率良く輝尽発光光を検出することができる。
【０００６】
また、上記蓄積性蛍光体層から発生する輝尽発光光を検出する放射線像読取装置の中には、蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を、蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に対して傾いた方向（以後、斜め方向という）から検出する装置も知られており、さらに、斜め方向から輝尽発光光を検出するとともに、蓄積性蛍光体層に向けて励起光を上記法線方向から入射（以後、垂直入射という）させるようにし、これにより蓄積性蛍光体層上における輝尽発光光の検出位置の位置ずれを抑制するようにした装置も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
上記蓄積性蛍光体層上における輝尽発光光の検出位置の位置ずれが抑制されるのは以下の作用による。すなわち、蓄積性蛍光体層に励起光を斜め方向から入射（以後、斜入射という）させて発生させた輝尽発光光を検出しているときに、この励起光に対して蓄積性蛍光体層の位置が上下方向に相対的に変動すると、図１２に示すように、例えば、励起光Ｌｅに対して蓄積性蛍光体層１の位置が下方向に変動すると、励起光Ｌｅの蓄積性蛍光体層１への入射位置が変動し、変動前の蓄積性蛍光体層１への励起光Ｌｅの入射位置が位置Ｊ１であったものが変動後には上記入射位置が位置Ｊ２に変化するので、蓄積性蛍光体層１上におけるの輝尽発光光の検出位置の位置ずれが生じるが、図１３に示すように、励起光Ｌｅを蓄積性蛍光体層１へ垂直入射させると、変動前の蓄積性蛍光体層１への入射位置である位置Ｊ３と変動後の入射位置である位置Ｊ４は一致し、蓄積性蛍光体層１上におけるの輝尽発光光の検出位置の位置ずれが生じることはない。そのため、蓄積性蛍光体層１の位置が励起光Ｌｅに対して上下方向に相対的に変動する場合には、励起光Ｌｅを蓄積性蛍光体層１に対して垂直入射させ、この励起光Ｌｅの入射を受けて蓄積性蛍光体層１から発生しこの蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向に配置した検出部２で検出するようにした装置の方が、上記上下方向への変動の影響を受けることなく放射線像を読み取ることができる。
【０００８】
【特許文献１】
特公平４−６８６１４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光は射出角が大きくなるにしたがって光強度が弱くなる発光角度分布を持つため、蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向から検出する場合に、輝尽発光光の検出量が低下してしまうという問題がある。
【００１０】
なお、上記問題は、励起光を蓄積性蛍光体層に斜入射させる場合に限らず、すなわち、励起光を蓄積性蛍光体層へ入射させる角度にかかわらず蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向から検出する場合に一般に考慮しておかねばならない問題である。
【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向から検出する場合における輝尽発光光の検出量の低下を抑制することができる放射線像変換パネルを提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の放射線像変換パネルは、励起光の照射を受けて輝尽発光光を発生する蓄積性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルであって、蓄積性蛍光体層が、輝尽発光光を、ＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で射出することを特徴とするものである。
【００１３】
前記放射線像変換パネルは、蓄積性蛍光体層の輝尽発光光が射出される射出側の表面に、輝尽発光光がＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で射出されるように、この表面を平坦化する平坦化処理を施したものとすことができる。
【００１４】
前記平坦化処理は、蓄積性蛍光体層の射出側の表面を研磨してこの蓄積性蛍光体層を平坦化するものとしたり、あるいは、蓄積性蛍光体層の射出側の表面の凹部に屈折率が１より大きい部材を充填して該蓄積性蛍光体層を平坦化するものとすることができる。
【００１５】
【発明の効果】
本発明の放射線像変換パネルによれば、蓄積性蛍光体層が輝尽発光光をＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で射出するようにしたので、蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光の斜め方向へ向かう光強度成分をより大きくすることができ、蓄積性蛍光体層から発生した輝尽発光光を斜め方向から検出する場合における輝尽発光光の検出量の低下を抑制することができる。
【００１６】
また、この放射線像変換パネルを、蓄積性蛍光体層の輝尽発光光が射出される射出側の表面に、輝尽発光光がＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で射出されるようにこの表面を平坦化する平坦化処理が施されたものとすれば、蓄積性蛍光体層の表面の形状に起因する集光作用を低減することができ、蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光の光強度の斜め方向の成分を確実に増大させることができる。
【００１７】
ここで、平坦化処理を、蓄積性蛍光体層の射出側の表面を研磨して蓄積性蛍光体層を平坦化するものとしたり、あるいは蓄積性蛍光体層の射出側の表面の凹部に屈折率が１より大きい部材を充填して蓄積性蛍光体層を平坦化するものとすれば、より確実に蓄積性蛍光体層の表面の形状に起因する上記集光作用を低減し、蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光の光強度の斜め方向の成分を確実に増大させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。図１は本発明の実施の形態による放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図、図２から図５は実施例１から実施例４の概略構成を示す断面図、図６および図７は比較例１および比較例２の概略構成を示す断面図、図８は比較例１および比較例２で作成したサンプルの発光角度分布をＣＯＳθ分布と比較した図、図９は実施例１から実施例４で作成されたサンプルの発光角度分布をＣＯＳθ分布と比較した図、および図１０は平坦化処理が施された蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向から検出する様子を示す概念図である。
【００１９】
図１に示すように、本発明の実施の形態による放射線像変換パネル１００は、励起光の照射を受けて輝尽発光光を発生する蓄積性蛍光体層１０を支持体５上に備えている。蓄積性蛍光体層１０は、輝尽発光光Ｋが射出される蓄積性蛍光体層１０の射出側Ｓの表面１１に、輝尽発光光ＫがＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布（図１中Ｐ２で示す）で射出されるようにこの表面１１を平坦化する平坦化処理が施されている。
【００２０】
以下、上記平坦化処理を施した蓄積性蛍光体層の実施例について具体的に説明する。
【００２１】
１．まず始めに、蓄積性蛍光体層の表面の凹凸形状の凸部を研磨して蓄積性蛍光体層の表面を平坦化する第１の平坦化処理について説明する。
【００２２】
＜実施例１＞
実施例１の放射線像変換パネルは、支持体であるガラス基板上に形成した蓄積性蛍光体の柱状結晶に第１の平坦化処理を施して形成した蓄積性蛍光体層を備えたものである。
【００２３】
蓄積性蛍光体が蒸着されるガラス基板と、蒸着源となる蓄積性蛍光体原料とを上下に対向させて、それぞれを蒸着装置の真空チャンバー内の所定位置に配置し、真空チャンバー内を１×１０−３Ｐａまで排気した。その後、Ａｒガスを導入して真空チャンバー内を０．８Ｐａの真空度とした。次いで、蒸着が施される側に配置されたランプヒーターからなる熱源で、真空チャンバー内のガラス基板を１００℃に加熱した。つづいて、蒸着源を抵抗加熱で昇温し蒸発させて１０μｍ／分の速度でガラス基板上に堆積させ、蓄積性蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚４５０μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）をガラス基板上に形成した。なお、このとき形成された蓄積性蛍光体層の表面は各柱状結晶の先端の凸部が並べられた凹凸形状を有するものとなる。その後、上記蓄積性蛍光体層の表面の凸部を研磨し、図２に示すような、表面に研磨加工が施されて平坦化された柱状構造の蓄積性蛍光体３Ａからなる蓄積性蛍光体層１０Ａをガラス基板５Ａ上に備えた放射線像変換パネル１００Ａを得た。
【００２４】
２．次に蓄積性蛍光体層の表面の凹凸形状の凹部に屈折率が１より大きい部材を充填して蓄積性蛍光体層を平坦化する第２の平坦化処理について説明する。
【００２５】
＜実施例２＞
実施例２の放射線像変換パネルは、支持体上に蓄積性蛍光体の粉体を塗布した後、第２の平坦化処理を施して形成した蓄積性蛍光体層を備えたものである。
【００２６】
蓄積性蛍光体の粉体と有機高分子材料からなるバインダーとを重量比３０：１〜１０：１程度となるように混合し、この混合液を支持体上に塗布して蓄積性蛍光体層を得た。この場合、バインダーの量が少ないので蓄積性蛍光体層の表面には蓄積性蛍光体の粉体の粒子が露出して凸部となり、この表面に凹凸形状が形成されている。上記蓄積性蛍光体層の上に、空気より屈折率が大きい、すなわち屈折率が１より大きい有機高分子材料（例えば、バインダーとなるアクリル樹脂やウレタン樹脂、屈折率約１．５）を溶かした溶液を塗布し、有機高分子材料からなる厚さ３０μｍの層を設けた。これにより、上記表面の凹凸形状の凹部に屈折率が１より大きい部材である有機高分子材料を充填する第２の平坦化処理が施され、図３に示すような、表面が有機高分子材料層４Ｂで平坦化された蓄積性蛍光体層１０Ｂを支持体５Ｂ上に備えた放射線像変換パネル１００Ｂを得た。
【００２７】
＜実施例３＞
実施例３の放射線像変換パネルは、支持体であるガラス基板上に形成した蓄積性蛍光体の柱状結晶に第２の平坦化処理を施して形成した蓄積性蛍光体層を備えたものである。
【００２８】
蓄積性蛍光体が蒸着されるガラス基板と、蒸着源となる蓄積性蛍光体原料とを上下に対向させて、それぞれを蒸着装置の真空チャンバー内の所定位置に配置し、真空チャンバー内を１×１０−３Ｐａまで排気した。その後、Ａｒガスを導入して真空チャンバー内を０．８Ｐａの真空度とした。次いで、蒸着が施される側に配置されたランプヒーターからなる熱源で、真空チャンバー内のガラス基板を１００℃に加熱した。つづいて、蒸着源を抵抗加熱で昇温し蒸発させて１０μｍ／分の速度でガラス基板上に堆積させ、蓄積性蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚４５０μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）をガラス基板上に形成した。なお、このとき形成された蓄積性蛍光体層の表面は各柱状結晶の先端の凸部が並べられた凹凸形状を有するものとなる。その後、蓄積性蛍光体層の表面に樹脂バインダーを介して膜厚１２μｍのＰＥＴを貼り付けた。これにより、各柱状結晶の先端の凸部の間に存在する凹部に屈折率が１より大きい部材である樹脂バインダーが充填され、図４に示すように樹脂バインダー６Ｃを介しＰＥＴ膜７Ｃが貼り付けられて表面が平坦化された蓄積性蛍光体層１０Ｃをガラス基板５Ｃ上に備えた放射線像変換パネル１００Ｃを得た。
【００２９】
＜実施例４＞
実施例４の放射線像変換パネルは、支持体であるガラス基板上に形成した蓄積性蛍光体の柱状結晶に第２の平坦化処理を施して形成した蓄積性蛍光体層を備えたものである。
【００３０】
蓄積性蛍光体が蒸着されるガラス基板（支持体）と、蒸着源となる蓄積性蛍光体原料とを上下に対向させて、それぞれを蒸着装置の真空チャンバー内の所定位置に配置し、真空チャンバー内を１×１０−３Ｐａまで排気した。その後、Ａｒガスを導入して真空チャンバー内を０．８Ｐａの真空度とした。次いで、蒸着が施される側に配置されたランプヒーターからなる熱源で、真空チャンバー内のガラス基板を１００℃に加熱した。つづいて、蒸着源を抵抗加熱で昇温し蒸発させて１０μｍ／分の速度でガラス基板上に堆積させ、蓄積性蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に林立した構造の第１の蓄積性蛍光体層（層厚４５０μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）をガラス基板上に形成した。なお、このとき形成された第１の蓄積性蛍光体層の表面は各柱状結晶の先端の凸部が並べられた凹凸形状を有するものとなる。その後、ガラス基板の温度が３００℃になるようにランプヒーターの出力を上げ、真空度を１×１０−３Ｐａにして、上記形成された第１の蓄積性蛍光体層の表面に膜厚２０μｍとなるようにさらに蓄積性蛍光体を蒸着し、凹凸形状の凹部に屈折率が１より大きい部材である蓄積性蛍光体を充填して第２の蓄積性蛍光体層を形成した。これにより、図５に示すように第１の蓄積性蛍光体層９Ｄの凹凸形状をなす表面に第２の蓄積性蛍光体層８Ｄが積層されて表面が平坦化された蓄積性蛍光体層１０Ｄをガラス基板５Ｄ上に備えた放射線像変換パネル１００Ｄを得た。
【００３１】
３．次に、表面に平坦化処理を施さない蓄積性蛍光体層からなる放射線像変換パネルについて説明する。
【００３２】
＜比較例１＞
比較例１の放射線像変換パネルは、支持体上に蓄積性蛍光体の粉体を塗布して形成した蓄積性蛍光体層を備えたものである。
【００３３】
蓄積性蛍光体の粉体と有機高分子材料からなるバインダーとを重量比３０：１〜１０：１程度となるように混合し、この混合液を支持体上に塗布して蓄積性蛍光体層を得た。この場合、バインダー量が少ないので蓄積性蛍光体層の表面には蓄積性蛍光体の粉体の粒子が露出して凸部となり、この表面に凹凸形状が形成されている。これにより、図６に示すような、表面に蓄積性蛍光体の粉体の粒子３Ｅが露出した凸部を有する蓄積性蛍光体層１０Ｅが支持体５Ｅ上に形成された放射線像変換パネル１００Ｅを得た。
【００３４】
＜比較例２＞
比較例２の放射線像変換パネルは、支持体であるガラス基板上に形成した蓄積性蛍光体の柱状結晶からなる蓄積性蛍光体層を備えたものである。
【００３５】
支持体である蓄積性蛍光体が蒸着されるガラス基板と、蒸着源となる蓄積性蛍光体原料とを上下に対向させて、それぞれを蒸着装置の真空チャンバー内の所定位置に配置し、真空チャンバー内を排気して、１×１０−３Ｐａの真空度とした。
【００３６】
次いで、蒸着が施される側に配置されたランプヒーターからなる熱源で、真空チャンバー内のガラス基板を１００℃に加熱した。つづいて、蒸着源を抵抗加熱で昇温し蒸発させて１０μｍ／分の速度でガラス基板上に堆積させ、蓄積性蛍光体の柱状結晶が略垂直方向に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚５００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）をガラス基板上に形成し、蓄積性蛍光体層の表面に各柱状結晶の先端からなる凸部が並べられた放射線像変換パネルを作成した。これにより、図７に示すような、表面に柱状結晶３Ｆの先端からなる凸部が並べられた凹凸形状を有する蓄積性蛍光体層１０Ｆが支持体５Ｆ上に形成された放射線像変換パネル１００Ｆを得た。なお、蓄積性蛍光体を基板上に蒸着する際に、蒸着源を２つに分けて二元蒸着しても良い。
【００３７】
４．上記実施例および比較例において作成された放射線像変換パネルから射出される輝尽発光光の発光角度分布を測定した実験結果について説明する。
【００３８】
上記比較例１と比較例２、および実施例１から実施例４で作成された放射線像変換パネルのサンプルに対して励起光となるレーザー光を垂直入射させて、各サンプルの表面から発せられる輝尽発光の発光角度分布を測定した。
【００３９】
図８および図９に、縦軸を輝尽発光光の光強度、横軸を蓄積性蛍光体層から射出される輝尽発光光の射出角とし、射出角０度における輝尽発光光の光強度を基準にして（値１．０にして）示した、比較例と実施例の蓄積性蛍光体層からの発光角度分布のグラフを示す。図８に示すように、平坦化処理が施されていない比較例１および比較例２で作成されたサンプルの発光角度分布は略ＣＯＳθ分布と略一致する。これに対して、図９に示すように、平坦化処理が施された実施例１から実施例４で作成されたサンプルの発光角度分布はＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した分布となっていることがわかる。なお、図９では、実施例１と実施例３における発光角度分布が殆ど一致しているので互いの発光角度分布を重ねて示している。
【００４０】
図１０に、上記平坦化処理が施された蓄積性蛍光体層を備えた放射線像変換パネルを用い、励起光を蓄積性蛍光体層に垂直入射させ、蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向から検出するようにして輝尽発光光の検出量の低下を抑制するとともに、上記励起光と蓄積性蛍光体層の位置が上下方向に相対的に変動する際の蓄積性蛍光体層上への励起光の入射位置の位置ずれを抑制した放射線像読取装置中の輝尽発光光を検出する検出手段の概略構成を示す。
【００４１】
上記検出手段９０は、放射線像変換パネル７９に備えられた蓄積性蛍光体層８０上に配置された、この蓄積性蛍光体層８０に線状の励起光Ｌｅを垂直入射させる照射部８３と、励起光Ｌｅの照射を受けて蓄積性蛍光体層８０から射出された輝尽発光光Ｋを検出する、上記蓄積性蛍光体層８０に垂直入射される励起光Ｌｅの光路に対して斜め方向に、かつ上記光路に対して対称的に配置された線状の方向（以後、主走査方向という）に延びるラインセンサ８５を備えている。
【００４２】
照射部８３は主走査方向に並べられた多数の半導体レーザ８１と主走査方に延びるレンズ８２とからなり、半導体レーザ８１から射出された励起光Ｌｅがレンズ８２で集光され、この励起光Ｌｅが放射線像変換パネル上の線状の領域Ｒに垂直入射される。
【００４３】
ラインセンサ８５は、蓄積性蛍光体層８０上の線状の領域Ｒを後述するラインＣＣＤの受光面に結像させる主走査方向に並ぶ多数の屈折率分布型レンズからなるレンズ部８６と、レンズ部８６を通して入射された輝尽発光光を上記励起光Ｌｅから分離して透過させる励起光カットフィルタ８７と、上記結像された輝尽発光光を検出するラインＣＣＤ８８とからなる。
【００４４】
ここで、蓄積性蛍光体層８０への線状の励起光Ｌｅの垂直入射により蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光の発光角度分布はＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した分布（図１０中Ｐ３で示す）となるので、この蓄積性蛍光体層８０に対して斜め方向から輝尽発光光を検出するように配置された２つのラインセンサ８５で輝尽発光光を効率良く検出することができる。なお、上記ラインセンサ８５で輝尽発光光の検出を行ないつつ、放射線像変換パネル７９が上記主走査方向と交わる副走査方向に移動されて励起光Ｌｅが蓄積性蛍光体層８０上の領域に２次元状に走査され、この走査により発生した輝尽発光光に基づいてこの蓄積性蛍光体層８０に記録された放射線像が読み取られる。
【００４５】
なお、輝尽発光光がＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で蓄積性蛍光体層から射出されるようにする処理は、平坦化処理に限らず、蓄積性蛍光体層から輝尽発光光がＣＯＳθ分布より蓄積性蛍光体層の表面の法線方向に押しつぶされて扁平した強度分布で射出されるようにする処理であればどのような処理であってもよい。
【００４６】
また、上記実施の形態においては、線状の励起光の照射を受けて蓄積性蛍光体層から発生した輝尽発光光をラインセンサで検出する例を示したが、点状の励起光の主走査方向への走査によって蓄積性蛍光体層から発生した輝尽発光光を、斜め方向に配置された集光ガイドを通して集光し光電子増倍管で検出する放射線像読取装置等に上記蓄積性蛍光体パネルを使用しても上記効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図
【図２】表面が研磨によって平坦化された蓄積性蛍光体層を備えた実施例１の放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図を示す図
【図３】凹部に有機高分子材料層が充填されて平坦化された蓄積性蛍光体層を備えた実施例２の放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図
【図４】樹脂バインダーを介してＰＥＴ膜が貼り付けられて表面が平坦化された蓄積性蛍光体層を備えた実施例３の放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図
【図５】凹凸を有する第１の蓄積性蛍光体層の表面に第２の蓄積性蛍光体層が積層され平坦化されて形成された実施例４の放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図
【図６】蓄積性蛍光体の粉体の粒子が露出して表面に凹凸形状が形成された蓄積性蛍光体層を備えた比較例１の放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図
【図７】表面に柱状結晶の先端からなる凸部が並べられている蓄積性蛍光体層を備えた比較例２の放射線像変換パネルの概略構成を示す断面図。
【図８】比較例１および比較例２で作成したサンプルの発光角度分布をＣＯＳθ分布と比較した図
【図９】実施例１から実施例４で作成されたサンプルの発光角度分布をＣＯＳθ分布と比較した図
【図１０】平坦化処理が施された蓄積性蛍光体層から射出された輝尽発光光を斜め方向から検出する様子を示す概念図
【図１１】ＣＯＳθ分布を示す図
【図１２】励起光を斜め入射させたときの放射線像変換パネルへの励起光の入射位置の変動を示す図
【図１３】励起光を垂直入射させたときの放射線像変換パネルへの励起光の入射位置の変動を示す図
【符号の説明】
５　　支持体
１０　　蓄積性蛍光体層
１００　　放射線像変換パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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