(57)【要約】【課題】実装特性とはんだ濡れ性の双方を低コストで容易に満足することのできるスズめっき浴を得る。【解決手段】スズめっき浴は、第１スズ塩と、錯化剤と、炭素数が６〜１８のアルキル基とエチレンオキサイドの付加モル総数が１２〜８０のポリオキシエチレンアルキルアミン又はポリオキシエチレンアルキルアミドのうちの少なくとも１種以上とを含有し、水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０であって、かつ浴温が４０℃未満に調製されている。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１スズ塩と、錯化剤と、下記一般式〔Ａ〕で表されるポリオキシエチレンアルキルアミン
【化１】
2004238651.tif 000008
又は下記一般式〔Ｂ〕で表されるポリオキシエチレンアルキルアミド
【化２】
2004238651.tif 000009
のうちの少なくとも１種以上とを含有し、
水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０であって、かつ浴温が４０℃未満に調製されていることを特徴とするスズめっき浴。
【請求項２】
請求項１記載のスズめっき浴を使用して部品素体の表面に形成された導電部上にめっき処理を施し、電子部品を製造することを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスズめっき浴（以下、「Ｓｎめっき浴」という）、及び電子部品の製造方法に関し、より詳しくは積層セラミックコンデンサ等の電子部品の電解めっき工程に使用されるＳｎめっき浴、及び該Ｓｎめっき浴を使用した電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
セラミックス素体の表面に電極が形成された電子部品では、通常、電極のはんだ濡れ性を向上させるために電極表面にＳｎめっきが施されている。
【０００３】
そして、従来より、（１）第１スズ塩と、（２）錯化剤と、（３）炭素数６〜１８のアルキル基、及びエチレンオキサイドの付加モル数が２〜１１のポリオキシエチレンアルキルアミン若しくはポリオキシエチレンアルキルアミドからなる光沢剤とを含有し、かつ水素イオン指数ｐＨが３〜１０に調製されたＳｎめっき浴が知られている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１０−３０６３９６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１は、エチレンオキサイドの付加モル数が２〜１１と少なく、したがって分子量が小さいため、光沢剤の吸着作用が低下し、その結果Ｓｎ析出皮膜の凹凸が増大してはんだ濡れ性の低下を招き、このため満足なめっき性能を有する電子部品を効率良く得るのが困難であるという問題点があった。
【０００６】
一方、この種の電子部品の製造方法では、めっき処理時に電極成分やセラミック成分が溶出し、めっき液や洗浄水が電極部分やセラミック部分に浸入して電子部品の内部に水分が残留する虞がある。そして、はんだ付け実装時における温度上昇により前記内部に残留した水分が膨張して突沸し、所謂「はんだ飛び」（「はんだはぜ」ともいう）という現象が生じる。その結果、隣接した電子部品間ではんだ部同士が電気的に接続されてしまって短絡不良が発生し、電子部品の基板に対するはんだ実装性、すなわち実装特性の悪化を招くという問題点があった。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、実装特性とはんだ濡れ性の双方を低コストで容易に充足することのできるＳｎめっき浴、及び電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究したところ、エチレンオキサイドの付加モル数を１２〜８０の範囲とし、かつ水素イオン指数ｐＨを５．０〜７．０の範囲に調製し、さらに浴温を４０℃未満とすることにより、実装特性とはんだ濡れ性とを両立させることのできるＳｎめっき浴を得ることができるという知見を得た。
【０００９】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るＳｎめっき液は、第１スズ塩と、錯化剤と、下記一般式〔Ａ〕で表されるポリオキシエチレンアルキルアミン
【００１０】
【化３】
2004238651.tif 000002
又は、下記一般式〔Ｂ〕で表されるポリオキシエチレンアルキルアミド
【００１１】
【化４】
2004238651.tif 000003
のうちの少なくとも１種以上とを含有し、水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０であって、かつ浴温が４０℃未満に調製されていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記Ｓｎめっき浴を使用して部品素体の表面に形成された導電部上にめっき処理を施し、電子部品を製造することを特徴としている。
【００１３】
上記製造方法によれば、実装特性に優れ、かつ良好なはんだ濡れ性を有する信頼性の高い電子部品を低コストで容易に製造することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００１５】
本発明の一実施の形態としてのＳｎめっき浴は、第１スズ塩と、錯化剤と、光沢剤として下記一般式〔Ａ〕で示されるポリオキシエチレンアルキルアミン又は下記一般式〔Ｂ〕で示されるポリオキシエチレンアルキルアミドとを含有すると共に、水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０であって、かつ浴温が４０℃未満に調製され、これにより実装特性とはんだ濡れ性の双方を充足している。
【００１６】
【化５】
2004238651.tif 000004
【００１７】
【化６】
2004238651.tif 000005
以下、水素イオン指数ｐＨ、浴温、及び上記一般式〔Ａ〕〔Ｂ〕でアルキル基の炭素数ｎ及びエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）を上記範囲に限定した理由を詳述する。
【００１８】
（１）水素イオン指数ｐＨ
Ｓｎめっき浴の水素イオン指数ｐＨを５．０〜７．０の範囲に調製することにより、化学的溶解を抑制して実装特性の向上を図ることができる。
【００１９】
すなわち、水素イオン指数ｐＨが５．０未満になると、めっき時に外部電極（導電部）やセラミック素体の成分が溶出する化学的溶解が進行し、めっき液や洗浄水が溶出部分に浸入して残留する。そして、はんだ付け実装時の温度上昇により、内部に残留しているめっき液や洗浄水が突沸し、「はんだ飛び」が生じる。
【００２０】
一方、水素イオン指数ｐＨが７．０を超えると、はんだ濡れ性の低下を招く。
【００２１】
そこで、本実施の形態では、水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０となるように調製している。
【００２２】
（２）浴温
浴温の設定は、水素イオン指数ｐＨと共に、化学的溶解を抑制して実装特性の向上に影響を与え、さらにはんだ濡れ性についても影響を及ぼす。
【００２３】
すなわち、浴温が４０℃以上になると、Ｓｎ２＋からＳｎ４＋への酸化速度が増大するが、Ｓｎ４＋はめっき皮膜として析出しないばかりか、Ｓｎ２＋が析出するのを妨げ、めっき皮膜のはんだ濡れ性低下を招来する。しかも浴温が４０℃以上になると、化学的溶解も進行し、実装特性にも悪影響を及ぼす。
【００２４】
一方、めっき析出の効率を考慮すると、浴温は少なくとも２０℃は必要である。
【００２５】
そこで、本実施の形態では、Ｓｎめっき浴の浴温を４０℃未満、好ましくは２０〜４０℃に制御している。
【００２６】
（３）上記一般式〔Ａ〕及び〔Ｂ〕におけるアルキル基の炭素数ｎ及びエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）
良好なはんだ濡れ性を得るために、本実施の形態では光沢剤として上記一般式〔Ａ〕で示されるポリオキシエチレンアルキルアミン又上記一般式〔Ｂ〕で示されるポリオキシエチレンアルキルアミドを添加している。
【００２７】
しかしながら、アルキル基の炭素数ｎが１８を超えるとセラミック素体が還元分解し易くなる。一方、アルキル基の炭素数ｎが６未満になるとめっき析出に対する抑制効果を失い、セラミック素体上にもＳｎめっきが析出しやすくなる。
【００２８】
また、エチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）が大きくなるほど、水に対する親和性が大きくなるが、前記付加モル総数（ｐ＋ｑ）が８０を超えると水との親和性が強くなりすぎ、このため光沢剤としての作用を奏さなくなる。一方、エチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）が１２未満になると光沢剤のめっき浴中での完全溶解が困難となる。
【００２９】
そこで、本実施の形態では、アルキル基の炭素数ｎが６〜１８、付加モル総数（ｐ＋ｑ）が１２〜８０のポリオキシエチレンアルキルアミン及びポリオキシエチレンアルキルアミドの少なくともいずれか一方を添加している。
【００３０】
そして、Ｓｎを析出させるための第１スズ塩としては、硫酸第１スズ、スルファミン酸第１スズ、塩化第１スズ、酢酸第１スズ、酸化第１スズ、メタンスルホン酸第１スズ、ホウフッ化第１スズ、２−ヒドロキシエタンスルホン酸第１スズ、２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第１スズ、及びフェノールスルホン酸第１スズから選択された少なくとも１種以上を使用することができる。
【００３１】
錯化剤としては、クエン酸、グルコン酸、ヘプトン酸、ピロリン酸、マロン酸、リンゴ酸及びこれらの塩、グルコノラクトン、ヘプトノラクトンから選択された少なくとも１種以上を使用することができる。
【００３２】
また、Ｓｎ２＋からＳｎ４＋への酸化を防止する観点からは、酸化防止剤をＳｎめっき浴中に添加するのが好ましく、斯かる酸化防止剤としては、ヒドロキノン、ピロカテコール、レゾルシン、アスコルビン酸、ヒドラジン等を使用することができる。
【００３３】
このように本Ｓｎめっき浴は、水素イオン指数ｐＨを５．０〜７．０、浴温を４０℃未満とし、かつ上記一般式〔Ａ〕で表されるポリオキシエチレンアルキルアミン又は上記一般式〔Ｂ〕で示されるポリオキシエチレンアルキルアミドの炭素数ｎを６〜１８、エチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）を１２〜８０としているので、実装特性とはんだ濡れ性の双方を充足することのできるスズめっき浴を得ることができる。
【００３４】
次に、上記Ｓｎめっき浴を使用した電子部品としての積層セラミックコンデンサの製造方法を詳述する。
【００３５】
図１は上記積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【００３６】
該積層セラミックコンデンサは、ＢａＴｉＯ３等の誘電体セラミック材料からなるセラミック素体（部品素体）１に内部電極２（２ａ〜２ｆ）が埋設されると共に、該セラミック素体１の両端部には外部電極（導電部）３ａ、３ｂが形成され、さらに該外部電極３ａ、３ｂの表面にはＮｉ皮膜４ａ、４ｂ及びＳｎ皮膜５ａ、５ｂが形成されている。
【００３７】
具体的には、各内部電極２ａ〜２ｆは積層方向に並設されると共に、内部電極２ａ、２ｃ、２ｅは外部電極３ａと電気的に接続され、内部電極２ｂ、２ｄ、２ｆは外部電極３ｂと電気的に接続されている。そして、内部電極２ａ、２ｃ、２ｅと内部電極２ｂ、２ｄ、２ｆとの対向面間で静電容量を形成している。
【００３８】
以下、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を詳述する。
【００３９】
まず、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２等の所定の誘電体セラミック材料を混合し、粉砕、乾燥、仮焼等の工程を経、ドクターブレード法によりセラミックグリーンシート（以下、「セラミックシート」という）を作製する。
【００４０】
次いで、ＡｇやＣｕ等の導電性材料にガラス粒子やワニス等の有機成分が含有された内部電極用導電性ペーストを作製する。そして、該導電性ペーストを使用してセラミックシートの表面にスクリーン印刷を施し、導電パターンを形成し、この後、前記導電パターンの形成されたセラミックシートを積層し、導電パターンの形成されていないセラミックシートで挟持・圧着して積層体を形成する。その後、所定温度（例えば、９００〜１３００℃）で前記積層体に焼成処理を施し、バレル研磨を行って表面を平滑化し、これによりセラミック素体１が作製される。
【００４１】
次に、ＡｇやＣｕ等の導電性材料を含有した外部電極用導電性ペーストを作製し、該導電性ぺーストをディップ方式等によりセラミック素体１の両端部に塗布した後、温度６００〜８００℃で焼付処理を行なう。これによりワニス等の有機成分が燃焼して焼失し、外部電極３ａ、３ｂが前記両端部に形成される。そしてこの後、外部電極３ａ、３ｂの形成されたセラミック素体１を被めっき物とし、電解バレルめっき法によりＮｉめっきを施し、Ｎｉ皮膜４ａ、４ｂを形成する。
【００４２】
すなわち、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を含有したＮｉめっき浴（ワット浴）を準備し、該Ｎｉめっき液でめっき槽を満たす。
【００４３】
そして、Ｎｉ製のアノード板と、カソード棒や被めっき物及び導電性媒体が内有されたバレルとをめっき槽に浸漬し、バレルを回転、揺動等させながら所定の電流密度（例えば、２０Ａ／ｍ２）でアノード・カソード間に所定時間電流を通電することにより、電解めっきを施し、外部電極３ａ、３ｂの表面にＮｉ皮膜４ａ、４ｂを形成する。
【００４４】
次に、このＮｉ皮膜４ａ、４ｂが形成されたセラミック素体１を被めっき物として電解バレルめっき法によりＳｎめっきを施し、Ｓｎ皮膜５ａ、５ｂを形成する。
【００４５】
すなわち、上述したＳｎメッキ浴でめっき槽を満たす。
【００４６】
そして、Ｓｎ製のアノード板と、カソード棒や被めっき物及び導電性媒体が内有されたバレルとをめっき槽に浸漬し、バレルを回転、揺動等させながら所定の電流密度（例えば、２０Ａ／ｍ２）でアノード・カソード間に所定時間電流を通電することにより、電解めっきを施し、Ｎｉ皮膜４ａ、４ｂの表面にＳｎ皮膜５ａ、５ｂを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００４７】
このように本実施の形態では、水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０、浴温が４０℃未満に調製されたＳｎめっき浴を使用しているので、被めっき物の化学的溶解が抑制され、良好な実装特性を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００４８】
しかも、Ｓｎめっき浴には、光沢剤として、炭素数ｎが６〜１８のアルキル基を有し、かつエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）が１２〜８０であるポリオキシエチレンアルキルアミン又はポリオキシエチレンアルキルアミドを添加しているので、良好なはんだ濡れ性を有し、めっき性能に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００４９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態ではアノードとしてＳｎ製のアノード板を使用したが、ボール状のアノードを使用しても良いのはいうまでもない。
【００５０】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５１】
（実施例１）
第１スズ塩としてスルファミン酸第１スズを５００ｍｏｌ／ｍ３、錯化剤としてグルコン酸ナトリウムを１０００ｍｏｌ／ｍ３、光沢剤として炭素数ｎが１０のアルキル基とエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）が２０のポリオキシエチレンアルキルアミンを０．１ｋｇ／ｍ３、及び導電剤としてスルファミン酸ナトリウムを１００ｍｏｌ／ｍ３夫々添加し、水素イオン指数ｐＨが７．０、浴温が２０℃のＳｎめっき浴を作製した。
【００５２】
次いで、Ｎｉアノードと、導電性カソードや通電媒体及び縦１０ｍｍ、横５ｍｍ、厚み５ｍｍの被めっき物（セラミック素体の両端部にＣｕやＡｇを主成分とする電極が形成されたもの）が内有されたバレルとを任意のＮｉめっき浴に浸漬して前記バレルを回転させ、アノード、カソード間に電流密度２０Ａ／ｍ２の電流を１２０分間通電し、被めっき物に電解Ｎｉめっきを施し、膜厚約３〜４μｍのＮｉ皮膜を形成した。
【００５３】
次いで、Ｓｎアノードと、導電性カソードや通電媒体及び前記被めっき物が内有されたバレルとをＳｎめっき浴に浸漬して前記バレルを回転させ、アノード、カソード間に電流密度２０Ａ／ｍ２の電流を１２０分間通電し、被めっき物に電解Ｓｎめっきを施し、膜厚約４〜５μｍのＳｎ皮膜を形成した。
【００５４】
（実施例２）
第１スズ塩として硫酸第１スズを４００ｍｏｌ／ｍ３、錯化剤としてグルコヘプトノラクトンを２０００ｍｏｌ／ｍ３、光沢剤として炭素数ｎが１２のアルキル基とエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）が６０のポリオキシエチレンアルキルアミンを３．０ｋｇ／ｍ３、及び導電剤として硫酸アンモニウムを１０００ｍｏｌ／ｍ３夫々添加し、水素イオン指数ｐＨが６．０、浴温が３０℃のＳｎめっき浴を作製した。
【００５５】
そして、実施例１と同様、被めっき物に電解Ｎｉめっきを施してＮｉ皮膜を形成し、さらに被めっき物を前記Ｓｎめっき浴に浸漬して該被めっき物に電解Ｓｎめっきを施し、Ｓｎ皮膜を形成した。
【００５６】
（実施例３）
第１スズ塩としてメタンスルホン酸第１スズを３００ｍｏｌ／ｍ３、錯化剤としてクエン酸水素二アンモニウムを１０００ｍｏｌ／ｍ３、及び光沢剤として炭素数ｎが１２のアルキル基とエチレンオキサイドの付加モル総数（ｐ＋ｑ）が１２のポリオキシエチレンアルキルアミドを１．０ｋｇ／ｍ３夫々添加し、水素イオン指数ｐＨが５．０、浴温２５℃のＳｎめっき浴を作製した。
【００５７】
そして、実施例１と同様、被めっき物に電解Ｎｉめっきを施してＮｉ皮膜を形成し、さらに被めっき物を前記Ｓｎめっき浴に浸漬して該被めっき物に電解Ｓｎめっきを施し、Ｓｎ皮膜を形成した。
【００５８】
（比較例１）
Ｓｎめっき浴の水素イオン指数ｐＨを４．０に調製した以外は、実施例１と同様の条件でＮｉめっき及びＳｎめっきを順次施し、外部電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成した。
（比較例２）
Ｓｎめっき浴の浴温を５０℃とした以外は、実施例１と同様の条件でＮｉめっき及びＳｎめっきを順次施し、外部電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成した。
（比較例３）
光沢剤として３．０ｋｇ／ｍ３のジメチルアルキルラウリルベタインを使用した以外は、実施例２と同様の条件でＮｉめっき及びＳｎめっきを順次施し、外部電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成した。
（比較例４）
Ｓｎめっき浴の水素イオン指数ｐＨを８．０とした以外は、実施例２と同様の条件でＮｉめっき及びＳｎめっきを順次施し、外部電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成した。
【００５９】
（比較例５）
水素イオン指数ｐＨを３．０とした以外は、実施例３と同様の条件でＮｉめっき及びＳｎめっきを順次施し、外部電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成した。
【００６０】
（比較例６）
Ｓｎめっき浴の浴温を６０℃とした以外は、実施例３と同様の条件でＮｉめっき及びＳｎめっきを順次施し、外部電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成した。
【００６１】
表１は各実施例及び比較例のめっき組成、水素イオン指数ｐＨ、及び浴温を示している。
【００６２】
【表１】
2004238651.tif 000006
次に、本発明者らは、各実施例及び比較例について、はんだ濡れ性、及び実装特性を評価した。
【００６３】
ここで、はんだ濡れ性は、各実施例及び比較例の積層セラミックコンデンサを夫々１０個づつ用意し、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）を行った後、メニスコグラフ法によりはんだの引張力とはんだの排斥力とが等しくなるゼロクロス時間で評価した。
【００６４】
すなわち、温度１０５℃、湿度１００％の条件で４時間放置した各試験片を、ロジン系不活性タイプのフラックスに浸漬し、次いで、浸漬速度２５．０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬深さ４．０ｍｍ、浸漬時間２０．０ｓｅｃで浴温２３０℃のはんだ溶融槽（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に浸漬し、前記ゼロクロス時間を測定し、はんだ濡れ性を評価した。
【００６５】
また、実装特性は、各実施例及び比較例の積層セラミックコンデンサ１０００個について、温度３００℃の加熱を２回行い、「はんだ飛び」の発生個数を測定し、実装特性を評価した。
【００６６】
表２は各実施例及び比較例におけるはんだ濡れ性及び「はんだ飛び」の発生個数を示している。
【００６７】
【表２】
2004238651.tif 000007
尚、表２中、はんだ濡れ性は、各１０個の全ての試験片についてゼロクロス時間が２．０ｓｅｃ以下の場合を良品と判断して○印で示し、ゼロクロス時間が平均で２．０ｓｅｃを超えた場合を不良品と判断して×印で示している。
【００６８】
この表１及び表２から明らかなように、比較例１は本発明の光沢剤を使用しているため、はんだ濡れ性は良好であるが、水素イオン指数ｐＨが４．０と小さいため、化学的溶解が生じ、このため「はんだ飛び」が５箇所発生し、実装特性の悪化が認められた。
【００６９】
比較例２は、浴温が５０℃と高いため、ゼロクロス時間の平均が２．１ｓｅｃとはんだ濡れ性が悪く、しかも「はんだ飛び」が２箇所発生し、実装特性の悪化が認められた。
【００７０】
比較例３は、「はんだ飛び」は発生せず、実装特性は良好であったが、光沢剤として本発明範囲外のジメチルアルキルラウリルベタインを使用しているため、ゼロクロス時間の平均が２．４ｓｅｃとはんだ濡れ性が悪くなることが確認された。
【００７１】
比較例４は、水素イオン指数ｐＨが８．０と大きいため、実装特性は良好であったが、ゼロクロス時間の平均が２．２ｓｅｃとはんだ濡れ性が悪くなった。
【００７２】
比較例５は、水素イオン指数ｐＨが３．０と小さいため、化学的溶解が生じ、このため「はんだ飛び」が１０箇所発生し、実装特性の悪化が認められた。
【００７３】
比較例６は、浴温が６０℃と高いため、「はんだ飛び」が１２箇所発生し、実装特性の悪化が認められた。
【００７４】
これに対して実施例１〜３は、水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０、浴温が２０〜３０℃であり、本発明範囲内の光沢剤を使用しているので、ゼロクロス時間の最大値が１．２〜１．３ｓｅｃ、最小値が０．８〜０．９ｓｅｃ、平均値が１．０〜１．１ｓｅｃであり、良好なはんだ濡れ性が得られ、また「はんだ飛び」も発生せず、良好な実装特性が得られることが確認された。
【００７５】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係るＳｎめっき浴は、第１スズ塩と、錯化剤と、所定のポリオキシエチレンアルキルアミン、又は所定のポリオキシエチレンアルキルアミドのうちの少なくとも１種以上を含有し、水素イオン指数ｐＨが５．０〜７．０であって、かつ浴温が４０℃未満に調製されているので、はんだ濡れ性を損なうことなく、「はんだ飛び」を回避して実装特性を向上させることができる。
【００７６】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、上記Ｓｎめっき浴を使用して部品素体の表面に形成された導電部上にめっき処理を施し、電子部品を製造するので、実装特性及びはんだ濡れ性に優れた信頼性の高い電子部品を低コストで容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＳｎめっき浴を使用して製造された電子部品としての積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  セラミック素体（部品素体）
３ａ、３ｂ  外部電極（導電部）
【図１】
2004238651.tif 000010