(57)【要約】【解決課題】反射鏡が入射光を吸収して熱変形すると高精度な光学系の場合、性能が許容範囲外になってしまう。【解決手段】収差を測定するシステムを備え、その測定結果に基づいて反射鏡を変形させ、熱変形を補正する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
変形可能な反射鏡を有し、マスク上のパターンをウェハ上に投影するするＥＵＶ光リソグラフィ用の投影光学系であって、
該投影光学系の収差を測定するための測定システム、
該変形可能な反射鏡を変形させるためのアクチュエーターのアレイ、
該測定システムの出力に応じて該アクチュエーターを制御する制御手段、
を有することを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
請求項１記載の投影光学系であって、
前記アクチュエーターが流体の圧力により駆動される、柔軟性を有する小袋であることを特徴とする投影光学系。
【請求項３】
請求項２記載の投影光学系であって、
前記小袋はリング形状であり、
バネがリングの中に、反射鏡に垂直に接続配置されている
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項４】
請求項２又は３のいづれかに記載された投影光学系であって、前記流体が空気であり、小袋が空気袋である、
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項５】
請求項１記載の投影光学系であって、
前記アクチュエーターが熱的アクチュエーターである、
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項６】
請求項５記載の投影光学系であって、
熱的アクチュエーターに対応して熱センサーが配置されている
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項７】
請求項５又は６記載の投影光学系であって、
前記熱的アクチュエーターが、
加熱のための電気抵抗体と
冷却のためのペルチェ素子
であることを特徴とする投影光学系。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載された投影光学系であって、
前記測定システムは、
前記マスクの面内であって露光照明される領域外に位置する測定用光源及び、
前記ウェハの面内であって露光される領域外に位置するセンサーを有し、
該光源位置と該センサー位置が前記投影光学系において共役関係にある
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項９】
請求項８記載の投影光学系であって、
前記光源が前記マスク面内の異なる複数の位置に配置されていることを特徴とする投影光学系。
【請求項１０】
請求項８に記載の投影光学系であって、
前記光源が伸び縮みするアームにより保持・移動される
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載された投影光学系であって、
複数の測定位置での測定データを基にして前記パターンを投影する位置での投影光学系の収差を求める
ことを特徴とする投影光学系。
【請求項１２】
ＥＵＶ領域の光を用いてマスク上のパターンをウェハ上に投影する投影露光方法であって、
変形可能な反射鏡により投影光学系を構成し、
該投影光学系の収差を測定し、
測定結果を基に収差を補正するための該反射鏡の変形量を計算し、
計算結果を基に該反射鏡を変形させる
ことを特徴とする投影露光方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載された投影露光方法であって、
マスク面内の露光照明領域外に測定用光源を配置し、
ウェハ面内の露光領域外に測定用センサーを配置し、
該測定用光源と該測定用センサーが投影光学系の共役な位置に有るようにして該収差を測定する
ことを特徴とする投影露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射光学素子を用いた高精度な光学系に関するものであり、特には高精度なリソグラフィ露光システム及びその方法で、アダプティヴ（ａｄａｐｔｉｖｅ：補償）反射光学素子を使って収差を低減するシステム及び方法であって、その光学系の収差を測定して制御することを含むシステム及び方法である。
【０００２】
【従来の技術】
多くの製造工程や科学的な処理工程において、極度に高精度で、収差のない光学系を利用して可視領域以外の波長で観察したり、露光することが望まれている。例えば、決められた位置に、決められた線幅を有する回路要素を露光する露光工程が常に求められている。この回路要素は１つのチップ内に数千万から数億個含まれている。各回路要素は非常に小さく、互いに近接して配置されていて、一般的には高い集積度の回路要素と言われている。このような回路要素により、信号伝搬時間が短くなったり、ノイズを受けにくくなったりできる。更に、高機能化といった利点もあり、場合によっては製造コストの低減という効果もある。このような状況がより狭い線幅を有するパターン領域を増加させる要因になっている。この狭い線幅を有するパターンはレジストを露光することによって作られる。従って、露光装置の分解能と収差はきちんと決めれられたバジェット（ｂｕｄｇｅｔ）内に収まっていなければならず、通常バジェットは最小線幅の十分の一程度である。
【０００３】
投影光学系の分解能は露光に使用するエネルギーの波長の関数であるが、位相シフトマスクのような手段を用いて露光波長以下の露光分解能達成が可能になっている。しかしながら、極端に小さい線幅パターンを分解するにはやはり対応して露光波長を短くする必要がある。リソグラフィ露光にＸ線を用いることは知られているが、実際には実用化されてはいない。その理由は、Ｘ線ではサイズの縮小は出来ないために、露光に用いるマスクを作るためには、最終的に必要な最小線幅と同じ線幅を有するマスクを作る必要があるからである。光学的な露光方法や電子ビーム投影システムを用いると像の縮小が可能になり、レチクルには投影される像よりも大きいパターンを持たせることが可能である。
【０００４】
しかしながら、この２つの技術を比べると、電子ビーム投影システム用のレチクルは光学レチクルよりもずっと価格が高く、またより重要な点は、電子ビーム露光では集積回路全体を露光するためにより多くの露光が必要であるということである。それは、チップでの露光フィールドが電子ビーム投影システムの露光フィールドで制限されているためである。従って、光学的露光システムに引き続き関心が集められ、より短波長、例えばＥＵＶのような波長を使う方向に進んでいる。
【０００５】
ＥＵＶ光の波長範囲は１２ｎｍから１４ｎｍと考えられているが、特には１３ｎｍを中心にして帯域幅が１ｎｍ内に入るものである。そのような波長では、可視光領域では透明な像形成用の物質やレンズ用の物質も不透明である。従って、開発されているシステムはただ反射系のみである。このような反射系はレンズ系より複雑である。その理由はレチクルの照明系と投影パターンをターゲットに照射する投影系とが干渉することを回避しなければならないからである。このことは一般的に、光学素子の数を増やして収差を低減し、全体系を十分良く補正された系にすると、素子数の増加が相互干渉を起こしやすくなることと関連している。上記の環境下で高い製造収率を確保するには、投影光学系が高い安定性を有することのみならず、システムの性能を頻度高く測定し、調整する必要がある。
【０００６】
波面収差の計測技術は良く知られており、それにより投影光学系及び光学素子の特性を精度良く特徴づけることが出来る。しかしながら、実際にそのような測定を行うことは複雑で困難である。例えば、露光中に露光自体と干渉しないで特性を測定することは、軸上又は露光フィールド内では不可能である。タ−ゲットが置かれている、システムの焦点面に影を落としたり、焦点面を占領してしまうからである。露光と露光の間で測定を行えば、露光中の特性を測定していることにはならず、露光中のリソグラフィ投影光学系の特徴づけを行っているわけではない。ただ、現状では誤差を見込んで実際的に用いられている。　光学性能は一般的にはシステムの光軸から離れれば劣化する。実際問題として、所定の像を投影するには、全体的に精度が十分高く、高い分解能を有し、無収差を保てる光学フィールドを使用する必要がある。従って、この目的のためには、光学素子や光学システムの結像性能を直接測定出来ない測定法や、予測できない測定は除外されることになる。しかしながら、現実の測定システムは極度に複雑であり、収差補正の測定が容易ではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
アクティヴ光学系（Ａｃｔｉｖｅ　Ｏｐｔｉｃｓ）は良く知られているが、今日までこのようなシステムに使用されたことはない。アクティヴ光学系では光学素子の特性を変化させるために光学素子の全体的な形状や局所的な形状を変化させる機能が備わっている。Ｊｏｈｎ　Ｗ．Ｈａｒｄｙによる論文、”Ａｃｔｉｖｅ　Ｏｐｔｉｃｓ：　Ａ　Ｎｅｗ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｌｉｇｈｔ”　（Ｐｒｏ．　ｏｆ　ｔｈｅ　ＩＥＥＥ，　Ｖｏｌ．　６６，　Ｎｏ．６，　１９７８）はこの技術の概観を提供し、本発明の関連参考である。特に、光学素子である反射鏡に局所的な変形を与えて、例えば大気の揺らぎを補正しようとする機構配置は参考資料となる。しかし、光学素子の一部に変形させるような機械的アクチュエ−タ（上記文献に記載されている）には多くの問題があり、例えば安定性の問題、ヒステリシスの問題等があったり、また、光学素子の変形量が超短波長の数分の一であるような場合には制御上好ましくないものもある。
【０００８】
従って、本発明はＥＵＶ波長領域で動作するシステムで、１つ又は複数のアダプティヴ光学（ａｄａｐｔｉｖｅ　ｏｐｔｉｃｓ：補償光学）素子を制御してシステムの光学性能を最適化し、収差を最小にするシステムを提供することを目的にしている。
【０００９】
さらに、上記アダプティヴな光学素子の制御に好適な測定システムを提供することを目的にしている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
先ず、本発明の骨子を記す。
【００１１】
本発明は、波長領域１〜５０ｎｍのＥＵＶ光用に使用するひとつ、又は複数の変形可能な反射鏡を有する投影光学系で、安定に動作させる装置が組み込まれた投影光学系を提供するものである。即ち、変形可能な光学素子を準備し、その光学素子を面上で連続的に変形させる装置を提供している。この時、反射鏡を変形させる力が複数の離散的な場所で作用させられている。これによって、ＥＵＶ波長領域で動作する光学システムの収差が所定通りに補正される。収差は設計形状と比較して測定される。たとえば、反射素子の互いに隣接する局所領域に直接的に圧力を、変形可能な光学素子の背面に並べた複数のエアベローズにより加える。他の方法は、熱膨張係数を有する光学素子に温度の傾きを、変形可能な光学素子の背面に並べた複数の熱的なアクチュエータにより与える。複数のアクチュエータのそれぞれを組み合わせて制御することにより光学素子の特性が所定の特性になるように補正される。
【００１２】
さらに、この補正のためのデータを作るために収差を計測する測定システムがあり、変形可能な反射鏡を変形させるアクチュエ−タのアレイを制御する制御手段がある。
【００１３】
以下に本発明を詳細に記す。
【００１４】
本発明で先に記した課題を解決するための手段は、
変形可能な反射鏡を有し、マスク上のパターンをウェハ上に投影するするＥＵＶ光リソグラフィ用の投影光学系であって、　投影光学系の収差を検出するための測定システム、変形可能な反射鏡を変形させるためのアクチュエーターのアレイ、　測定システムの出力に応じてアクチュエーターを制御する制御手段、を有する投影光学系である。
【００１５】
ＥＵＶ領域の光を用いる投影光学系では反射鏡により構成されるが、反射鏡は大きな吸収を有している。本発明の手段は、吸収によって生じる熱による反射鏡の変形、変形に伴う収差を測定し、測定結果を基に反射鏡を変形させて収差を補正する。このため、熱吸収による収差が十分良く補正される。
【００１６】
また、この時、アクチュエ−ターとして流体、特に空気の圧力を利用する小袋や電歪効果を利用するピエゾ素子による機械的なアクチュエーターを用いたり、熱を加えて熱膨脹を利用するアクチュエ−ターを用いる。このようなアクチュエーターは動作的に安定しており、ヒステリシスもなく、反射鏡の変形量の制御が容易に行える。
【００１７】
さらに、この時、測定システムとしては、投影光学系のマスク面とウェハ面に、露光光を遮らないようにそれぞれ光源とセンサーを配置して収差を測定する。従って、露光中であっても収差の測定が可能であり、高精細な結像特性を常に維持できる。
【００１８】
また、本発明は投影露光方法であって、
ＥＵＶ領域の光を用いてマスク上のパターンをウェハ上に投影する投影露光方法であって、変形可能な反射鏡により投影光学系を構成し、該投影光学系の収差を測定し、測定結果を基に収差を補正するための該反射鏡の変形量を計算し、計算結果を基に該反射鏡を変形させる投影露光方法である。
また、この時、測定光源と測定センサーをマスク面及びウェハ面で、露光光束を遮らないように、それぞれ配置するようにして収差を測定する。
【００１９】
従って、露光中でも収差が測定可能であり、収差の補正がリアルタイムに行え、常に安定した高精細な結像性能を維持できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図、特に、図１を参照する。本発明による反射鏡システムが示されている。このシステムの全ての光学素子は反射系であり、ＥＵＶ光を投影するのに適している。即ち、例示の投影光学系はレチクル１５０により作られたパターンビームをレジストが塗布されたウェハ１６０のようなタ−ゲット上に投影結像するのに適している。更に特記すべきことは、この投影光学系はかなり複雑であり、６枚の反射鏡を有し、光路は各素子間を折れ曲がって進み、基本的に軸外（ｏｆｆ−ａｘｉｓ）投影光学系であり、相当な収差を生じる可能性がある。（例えば、米国特許５，８１５，３１０　発明者Ｗｉｌｌｉａｍｓｏｎ　参照）。
【００２１】
本発明に従うと、図１の投影光学系の素子にはアダプティブな光学素子を用いるのが良い。また、それに似たようなシステムで、全てが反射系であり、ＥＵＶ光を用いて像を投影するものであれば、良い。しかし、少なくとも定期的に（例えば、週に一度）系の収差を測定する必要がある。そうしてアダプティブな光学素子を調整して収差を許容内に収めるように補正を行うことが必要である。本発明による測定システムが投影光学系の一部として組み込まれている。本発明のベストモードでの波長領域はＥＵＶ領域であり、ＥＵＶ放射の波長領域は１２ｎｍ〜１４ｎｍである。特には、１３．５ｎｍ±０．１ｎｍである。この時の反射鏡変形許容量は、投影光学系が４〜６枚で構成される場合、０．３ｎｍ〜０．５ｎｍ程度になる。
【００２２】
測定システム光源１０５として、波長が露光光とは異なる光の光源（投影系が全て反射系なので、これが可能である）が露光光束より若干軸外に配置されている。位置的には、レチクル１５０の面内である。測定光１０７は露光光とは軸が違っており、タ−ゲット／ウェハは一般的にはレチクルと共役であるので、出力される測定光１０７は露光されるウェハの位置とは異なった所に出力される。従って、出力位置に測定システムのセンサーを置いて露光中に収差を測定しても重大な問題を生じない。このセンサーの位置は投影系に像面湾曲がある場合には若干光軸方向にずらされることもある。本発明における「測定システム光源」という表現は、実際に光を発するもの、別の照明源によって照明されている開口、別の照明源によって照明されている高反射部という概念のものである。測定システムのセンサーとしては、例えば、点回折干渉計（ｐｏｉｎｔ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ）が使用可能である。これに関しては以下の文献が参考になる。
Ｇ．　Ｅ．　Ｓｏｍｍａｒｇｒｅｎ等　：　”Ｓｕｂ−ｎａｎｏｍｅｔｅｒ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ　ｆｏｒ　Ａｓｐｈｅｒｉｃ　Ｍｉｒｒｏｒ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ”　；　９ｔｈ　Ｉｎｔ．　Ｃｏｎｆ．　ｏｎ　Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　，　Ｏｓａｋａ，　Ｊａｐａｎ；　８／３０　−　９／１　１９９９；　ＵＣＲＬ−ＪＣ−１３４７６３
Ｇ．　Ｅ．　Ｓｏｍｍａｒｇｒｅｎ　：　”Ｐｈａｓｅ　Ｓｈｉｆｔｉｎｇ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ　ｆｏｒ　Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ　Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　Ｏｐｔｉｃｓ”，　ＯＳＡ　ＴＯＰＳ　ｏｎ　Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，　　１９９６　；　ＰＰ．１０８　−　１１２
Ｇ．　Ｅ．　Ｓｏｍｍａｒｇｒｅｎ　等　：　”１００−ｐｉｃｏｍｅｔｅｒ　ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ　ｆｏｒ　ＥＵＶＬ”　；　Ｅｍｅｒｇｉｎｇ　Ｌｉｔｈｉｇｒａｐｈｉｃ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ＶＩ　；　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ，　Ｖｏｌ．　４６８８　；　　ｐｐ．　３１６
−　３２８
先に記したように、測定は露光中に行えるが、必要に応じて露光と露光の間やウェハ交換時、アライメント時に行っても良い。さらに、他の型のセンサーで有っても良い。センサーの位置に関しては、伸び縮みするアーム１０６を設け、光源及びセンサー位置を変化させることも出来る。このようにすれば、投影光学系の露光光束軸上の特性を確認できたり、その軸上とその軸外で特性の校正が出来るようになる。　このような測定システムを投影光束軸の周りに複数設けたり、またはひとつのシステムを複数点に移動して測定し、それらの点での測定結果をつなぎ合わせると投影光学系の特性がより正確に把握できる。
【００２３】
測定結果の処理に関しては、測定が若干露光光束の軸外になっているので、計算１２５は経験的に導かれるか、内挿によるものである。また、制御はルックアップテ−ブル（ＬＵＴ）の形をとり、測定結果に基づいて性能の調整や補正を行って最適な性能になるようにする。
【００２４】
軸外の測定システムにより測定された収差を基にしてシステムの収差が決定され、次いで例えば計算１２５により設計を行い、経験的に求められるルックアップテ−ブル（ＬＵＴ）１２０からシステムの光学素子の適切な補正量が決まり、これが制御手段１１５に送られる。これらの詳細は本発明には重要ではないが、それらは、アダプティブな光学素子１３０の形状を変化させるために適切な機械的な装置である。
【００２５】
以上により、測定中にも露光状態が完全に又は実質的に保持される。
【００２６】
光学素子１３０の基本的な詳細部を図２を参照しながら述べる。図２には光学素子の断面が描かれている。反射鏡の表面２１０は凹面として描かれているが、形状は何でも良い。平面でも、凸形状でも良い。同様に、反射鏡の表面２１０は変形可能であり、反射鏡の変形特性はアクチュエ−タ−２３０の型と位置によって決まる。このことは後述の好ましい実施例と関連して説明する。アクチュエ−タ−２３０の動作は光学素子２１０の取り付けられたボディや基板によって支持されている。この他にも関連する装置が知られ、好ましい特性が広い範囲で検討されているが、本発明では潜在的に高い空間周波数動作（１０次項の補正が可能な程度）を追求している。また、一方では、光学素子表面の急激な変化の回避、ひとつの動作あたりの低価格化、高い安定性、その時に保持電力が少ないものが求めるられる。このような特性は、高精度、高分解能、無収差な、反射鏡の特定小領域を短波長の数分の一以下の変形量で制御し、それを実用的なコストで調整する機能を実現するために必要である。勿論、経験的に求められた調整に誤差を生じさせるヒステリシスや機械的メモリー性がないものが求められる。この特性を実現するために、複数の離散的なアクチュエ−タ−２３０が光学素子の裏面に取り付けられている。図３には上面図、図４には側面図が示されている。
【００２７】
本発明のアダプティブな光学素子を構成する例を、断面図として図５に示した。ここでは、本発明による光学素子は比較的薄い反射鏡３１０であり（図には尺度は記されていないが）、それにより比較的小さな力によって変形させることができる。厚めで、より固い基板３２０が反射鏡の裏面に置かれている。反射鏡の端部は基板部材に取り付けられている。取り付け方は、例えば接着、ボルト締め、一体化製造で行える。本実施例では、反射鏡３１０を変形させるアクチュエータは反射鏡と基板間に置かれた空気袋（ｂｌａｄｄｅｒ）３３０である。この空気袋はその中への空気の導入と排気によって反射鏡に加える力を変化させる。
【００２８】
空気袋の大きさは任意であるが、好ましくは非常に小さなもので、光学素子の形状補正を行う面上で連なって配置されることが好ましい。小さなダクト３４０やバルブ３５０が有って、基板への圧力導入口として空気袋のサイズに合わせて配備されている。好ましくはこれらは加圧装置や排気装置に接続されていて、各空気袋の内圧が調整可能になされている。空気袋はシールされた袋であり、材質はゴムとか他の柔軟性を有する弾性膜である。先に記した、システムの収差測定を行って光学素子の好ましい形状が決まると、圧力制御器や導入口の封止によって内圧を所定の圧力に保つ。
【００２９】
実際に動作させる時には、製作時の誤差、熱変形、取り付け時の変形等を考慮する必要があるが、先に記したような測定システムを用いて反射鏡の変形はマッピングされる。この時の測定手段としては、前述のもの以外に、例えば、Ｆｅｚｅａｕ干渉計のようなものである。その他に適切な補正量を計算したり、また歪みを補正するための各空気袋の圧力を計算するために計算アルゴリズムがある。
【００３０】
空気袋を使用すると正圧を加えられるが、真空排気や負圧も使用出来る。負圧や正・負圧の組み合わせは困難な場合には、反射鏡を予め変形させておいて（即ち、好ましい形状よりより凹とか、より凸にしておく）、正圧だけで必要な制御が出来るようにしておく方法もある。また、空気袋の圧力を最大動作圧よりも若干上げておいても良い。
【００３１】
他の形態とし、図６に空気袋中で負の圧力を使用する場合の、空気袋の好ましい形態を示した。その場合、空気袋は部分的に壊れるようになされており、部分的な破損を制御して反射鏡にかかる力を調整する。図６に示されているように、空気袋は反射鏡と基板に接着剤により取り付けられており、例えば剛性を有するリングとか、空気袋を厚くしたようなもので作られた縦方向の補強３７０が配置されていて、空気袋の縦方向周辺の強度を上げている。この空気袋の内部の圧力が上がると、空気袋は破壊され、反射鏡と基板の接合点は内側に引かれることになる。
【００３２】
更に別の実施の形態が図７に記されている。空気袋３３０はリング状やドーナッツ形状（車のタイヤを考えれば良い）に作られていて張力バネ３６０がその中心に配置されている。この場合、空気袋の内圧は作用としてはバネを互いに力を及ぼし合い、それにより制御が改良され、空気袋への負の圧力を必要とせずに反射鏡の変形が可能になる可能性がある。言い換えると、図７の配置では反射鏡の変形は内側にも外側にも、正の圧力だけで行えることになる。
【００３３】
本発明の他の好ましい実施例が図８に記されている。この実施例では、本発明による光学素子は反射鏡４１０であり、熱膨張による変形に対して好ましい、小さな変形をもたらせるような厚さになっている。そして熱の流れは熱的なアクチュエーターによって与えられるが、加熱に対しては抵抗体、冷却に対してはペルチェ素子（Ｐｅｌｔｉｅｒ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）といったものである。こういった熱的アクチュエーターの詳細は本発明にとって重要ではない。
【００３４】
このような熱的アクチュエーター４３０は如何なる性質のものであっても、好ましくは反射鏡４１０の裏面側で、反射鏡４１０とヒートシンク４２０の間に配置される。そのような配置を採ることにより、熱的アクチュエーター４３０は、反射鏡への熱の出入りを制御することができ、熱膨張を制御できることになる。複数の動的取り付け部（ｋｉｎｅｍａｔｉｃ　ｍｏｕｎｔ）４５０は好ましくは、３つからなり（図４ではひとつしか描かれていないが）、反射鏡の周囲に１２０度毎に配置されている。この取り付け部により、応力を伝えることなく、反射鏡の保持が可能になる。動的取り付け部も又、反射鏡の裏面近くに置かれることが好ましい。そうすることによって、反射鏡が加熱され、膨張することによって、反射鏡の前面、反射面（凹面、平面、凸面のいずれかを問わず）が裏面よりも大きく動き得る。これによって内部にストレスが残らなくなる。それは、反射鏡の大部分が動的取り付け部よりも前方にあるからである。もちろん、この点は設計によって変更は可能であり、反射鏡の反射面の動きを調節して熱的アクチュエーター４３０の選択にあわせたり、熱分解能にあわせることも可能である。
【００３５】
好ましくは熱的アクチュエーター４３０は、図３に示されているように、面状のアレイに配置され、互いに等距離にあって正三角形の頂点を形成するようになされることである。このアクチュエーターが形成する三角形から見れば反射鏡の裏面は傾いていることになる。もし必要なら、熱センサーを同じようなアレイ面内や三角形の重心に配置してフィードバックをかけてもよい。しかしながら、一般的には、そのようなフィードバックは必要ないと思われる。それは、反射鏡から構成されるシステムの収差を測定し、その結果に基づいてフィードバックをかけることができるからである。さらに、極端に高い強度の照明光でなければ、反射鏡に入射するエネルギーによって光学素子の入射部の局所的な加熱が生じることはあまりない。それは、反射鏡が一応高い反射率を有しているからである。反射鏡の熱的な膨張もまた熱容量とヒートシンクの効率から安定になる。このような観点から、好ましいことは、ヒートシンクを配置して温度を良く制御することであり、それによって補正の再現性が確保され、投影光学系全体の熱的安定性が確立される。熱的アクチュエーターの配置は元々安定なものであり、温度センサー又は／及び収差測定からのフィードバックと組み合わせると補正や調整はたまに行えば良いことになる。
【００３６】
従って、本発明はアダプティブな光学素子を駆動するアクチュエーターシステムを供給するものであり、そのシステムには摺動部材がなく、システムは反射鏡の表面を非常に短い光の波長の十分の一内の精度で再現良く変形させることができる。尚、本発明のシステムは屈折光学系を含む光学素子にも容易に適用出来るものである。光学素子に面を補正するためのチャネルは簡単に、低コストで形成でき、互いに近接して配置することにより高い空間周波数を有する変形も補正出来る。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の投影光学系、露光方法を用いると、ＥＵＶ領域による露光であっても熱による反射鏡の変形がもたらす収差を許容範囲内に容易に収めることが出来る。このための装置も価格的に問題は無く、実用的に問題なく実施できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を反射系に応用した時の全体的なシステムの好ましい形態を示
す。
【図２】本発明に組み込まれる好ましい反射鏡の断面の模式図である。
【図３】本発明に従って離散的に配置されたアクチュエ−タの配置を示す平面模式図である。
【図４】本発明に従って離散的に配置されたアクチュエ−タの配置を示す側面模式図である。
【図５】本発明による反射鏡及びアクチュエータの実施形態であり、アクチュエータは空気袋であり、空気の圧力で作動する。
【図６】本発明によるアクチュエーターで、補強材を伴った空気袋であり、部分的（一部の個数）を破壊して力を調節する。
【図７】本発明によるアクチュエーターであり、バネを伴った空気袋で、空気の正圧力だけで力を調節する。。
【図８】本発明による反射鏡及びアクチュエ−タの別の代替実施形態であり、アクチュエ−タは熱的なアクチュエータを用いている図である。
【符号の説明】
１０５　　・・・　測定システム用光源
１０６　　・・・　測定光源又はセンサー保持・移動用アーム
１０７　　・・・　測定光
１３０　　・・・　光学素子
１５０　　・・・　レチクル
１６０　　・・・　ウェハ
２１０　　・・・　光学素子
２３０　　・・・　アクチュエーター
３１０　　・・・　反射鏡
３４０　　・・・　ダクト
３５０　　・・・　バルブ
３６０　　・・・　張力バネ
４１０　　・・・　反射鏡
４２０　　・・・　ヒートシンク
４３０　　・・・　熱アクチュエータ
【図１】
2004056125.tif 000003
【図２】
2004056125.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004056125.tif 000007
【図６】
2004056125.tif 000008
【図７】
2004056125.tif 000009
【図８】
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