(57)【要約】【課題】半導体装置の製造パターンデータを構成する合計図形数を削減することを課題とする。【解決手段】まず、半導体装置のパターンを設計するための設計パターンデータを記憶装置に記憶させる。次に、設計パターンデータのパターン図形の輪郭線上の各点を補正する。次に、補正された設計パターンデータを基に０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせである製造パターンデータを作成する。【選択図】        図４
2004301892.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のパターンを設計するための設計パターンデータを記憶装置に記憶させる記憶ステップと、
前記設計パターンデータのパターン図形の輪郭線上の各点を補正する補正ステップと、
前記補正された設計パターンデータを基に０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせである製造パターンデータを作成する作成ステップとを有するパターン作成方法。
【請求項２】
前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線上の各点の補正量の極大値及び極小値を検出するステップと、前記極大値及び極小値の補正点を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成するステップとを有する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項３】
前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線上の自己の補正点とそれに隣接する補正点との補正量の差がしきい値を超えた補正点同士を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項４】
前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線の各補正点を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項５】
前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線の各補正点を基に近似直線を演算するステップと、前記近似直線を輪郭とする製造パターンデータを作成するステップとを有する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項６】
前記作成ステップは、ＸＹ平面上の前記補正前のパターンの隣接する２辺の角に最も近い２つの補正点をそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、その交点を新たな補正点として作成するステップと、前記新たな補正点を基に製造パターンデータを作成するステップとを有する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項７】
前記作成ステップは、前記補正前のパターンの第１の辺において角に最も近い２つの点の補正点を結ぶ線の第１の延長線を演算するステップと、前記第１の辺に隣接する第２の辺において前記角に最も近い２つの点の補正点を結ぶ線の第２の延長線を演算するステップと、前記第１及び第２の延長線の交点を新たな補正点として作成するステップと、前記新たな補正点を基に製造パターンデータを作成するステップとを有する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項８】
前記作成ステップは、電子ビーム又はレーザビームを照射してマスクパターンを有するレチクルマスクを製造するための製造パターンデータを作成する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項９】
前記作成ステップは、電子ビーム又はレーザビームを照射して半導体ウエハ上にパターンを直接描画するための製造パターンデータを作成する請求項１記載のパターン作成方法。
【請求項１０】
半導体装置のパターンを設計するための設計パターンデータを記憶するための記憶手段と、
前記設計パターンデータのパターン図形の輪郭線上の各点を補正する補正手段と、
前記補正された設計パターンデータを基に０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせである製造パターンデータを作成する作成手段とを有するパターン作成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン作成技術に関し、特に半導体装置のパターン作成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のレチクルマスクの作製においては、パターンの微細化が進んで、光近接効果補正（ＯＰＣ）処理等の図形パターン補正処理が必須となっている。このＯＰＣ処理で図形パターン補正処理を行う場合、光近接効果を確認するため、半導体ウエハ転写後のパターン形状評価やシミュレーション等により、半導体ウエハ転写後のパターン寸法及び形状を把握し、より原図形（設計者作成の図形パターン）に近づくようなパターン変形や図形パターンの発生が施される。
【０００３】
しかし、ＯＰＣ処理等で補正された図形パターンは、上記パターン変形や新たなパターン図形発生により、原図形と比較し、パターン数やデータ量の増大が懸念されている。補正処理にともなうパターン数削減は、レチクルマスク作成工程での露光装置及び検査装置でのデータ量削減によるハンドリング軽減において必要とされる。
【０００４】
現状、ＯＰＣ処理等で実施されている図形パターン形状のパターン変形や発生については、半導体ウエハ転写後の実測値やシミュレーション等で得られる結果を基に、図形パターン形状を変化させている。図形パターンの変形には、図形パターンの辺や頂点を補正したい方向へ移動させたり、より補正精度を向上させるため、微細なグリッドを用いたり、補正参照個所を多く設定することで補正後の図形パターンの半導体ウエハ転写結果により忠実な図形パターンを作成している。補正する図形パターンは、矩形形状（階段状）で再形成され、補正精度を向上させるためには緻密なパターン発生が、必要とされている。
【０００５】
図１１（Ａ）〜（Ｅ）は、従来技術によるパターンデータ作成方法を示す。図１１（Ａ）において、設計パターンデータの原図形１１０１の補正を行う場合を例に説明する。原図形１１０１の輪郭線周辺１１０２〜１１０４の光強度分布を演算し、補正値を求める。次に、図１１（Ｂ）に示すように、補正値を基に、原図形１１０１の輪郭線上の各点の補正点１１１２〜１１１４を演算して求める。
次に、図１１（Ｃ）に示すように、原図形１１０１に対して、補正点１１１２を基に補正図形１１２２を付加し、補正点１１１３を基に補正図形１１２３を付加し、補正点１１１４を基に補正図形１１２４を付加する。
【０００６】
図１１（Ｄ）は、図１１（Ａ）〜（Ｃ）と同様の手順により、原図形１１３０に対して補正図形１１３１を付加及び一部削除した図形の例を示す。図１１（Ｅ）は、図１１（Ｄ）の図形を、電子ビーム又はレーザビーム露光装置のための製造パターンデータに変換した図形である。製造パターンデータは、例えば１６個の長方形（矩形）１１４０の組み合わせで表現される。すなわち、製造データは、単純な長方形の組み合わせとして表現される。
【０００７】
製造パターンデータを構成する図形１１４０の数は、少ないことが好ましい。しかし、補正により図形の形状が複雑になると、図形数が増加し、露光に長時間を要する。また、データ量が増加するので、ハンドリング負荷が増大する。
【０００８】
また、パターンの角に付加される補助パターンの作成方法については、下記の特許文献１が公開されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−２９６６４５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のＯＰＣ処理等では、半導体ウエハ転写後の実測値やシミュレーション結果より補正する図形パターン形状は、パターンの辺に対して補正参照個所から水平方向及び垂直方向（０度及び９０度方向）へ補正されている。また、補正後の図形は補正個所単位で補正値が異なれば、新たに図形頂点が発生し、図形数の増加が懸念されている。
【００１１】
この図形数の増加は、半導体ウエハ転写結果により忠実な図形パターンを形成するため、補正参照個所を多くすればするほど、さらに図形数は増加していく。
また、補正値の単位を微細に設定し、忠実性を求めるほど図形数は増大する。
【００１２】
本発明の目的は、半導体装置の製造パターンデータを構成する合計図形数を削減することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明では、まず、半導体装置のパターンを設計するための設計パターンデータを記憶装置に記憶させる。次に、設計パターンデータのパターン図形の輪郭線上の各点を補正する。次に、補正された設計パターンデータを基に０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせである製造パターンデータを作成する。
【００１４】
製造パターンデータを長方形の組み合わせのみで表現しようとすると、複雑なパターンは多数の長方形の組み合わせで表現しなければならない。これに対して、製造パターンデータを、０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせで表現することにより、製造パターンデータを構成する合計図形数を削減することができる。露光装置及び検査装置で扱う製造パターンデータ量が減少するので、ハンドリング負荷及びデータ転送負荷を軽減することができる。また、露光時間及び検査時間を短縮することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施形態による半導体パターン作成方法を示す。記憶手段１０１には、設計パターンデータが記憶されている。設計パターンデータは、ＣＡＤ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ−ａｉｄｅｄ  ｄｅｓｉｇｎ）により作成される半導体装置のパターンの設計データである。記憶手段１０２には、図形補正パラメータが記憶されている。コンピュータ１０３は、例えばワークステーションであり、記憶手段１０１及び１０２内の設計パターンデータ及び図形補正パラメータを基に、光近接効果補正（ＯＰＣ）等の補正を行う。この補正は、記憶手段１０１内の設計パターンデータのパターン図形の輪郭線上の各点を補正するものである。光近接効果補正は、微細な領域のレジストを露光するときに、レチクルマスクのパターン形状に補正を加え、他の露光領域の影響によるレジストパターンの変形を防ぐものである。
【００１６】
次に、コンピュータ１０３は、補正された設計パターンデータを製造パターンデータに変換し、記憶手段１０４に記憶させる。この製造パターンデータは、０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせのデータである。
【００１７】
レチクル露光装置１０５は、記憶手段１０４内の製造パターンデータを基に、レチクル１０６上に電子ビーム又はレーザビームを照射して所定のマスクパターンを作成する。ウエハ露光装置１０７は、レチクル１０６を介して半導体ウエハ１０８上に光露光する。レチクル１０６はマスクとなり、半導体ウエハ１０８上のフォトレジストには所定パターンの露光が行われる。次に、現像することにより、半導体ウエハ１０８上には所定パターンのフォトレジストのみが残る。次に、例えば、フォトレジストをマスクとしてエッチングすることにより、フォトレジストの下の配線層又は絶縁層等を所定のパターンに形成することができる。
【００１８】
以上のように、記憶手段１０１内の設計パターンデータはＣＡＤにより生成されたパターンデータであり、記憶手段１０４内の製造パターンデータはレチクル露光装置１０５が使用するためのパターンデータである。製造パターンデータを、０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせとすることにより、図形数を削減することができ、データ量を少なくすることができる。これにより、レチクル露光装置１０５が扱うデータ量が少なくなり、露光時間を短縮することができる。また、検査装置は、データ量が少なくなるので、レチクル１０６上のパターンの検査時間を短縮することができる。
【００１９】
なお、ウエハ露光装置１０７は、レチクル１０６を用いずに、直接、半導体ウエハ１０８上にパターンを描画してもよい。すなわち、ウエハ露光装置１０７は、記憶手段１０４内の製造パターンデータを基に、電子ビーム又はレーザビームを照射して半導体ウエハ１０８上にパターンを直接描画してもよい。
【００２０】
図２は、図１のコンピュータ１０３のハードウエハ構成図である。このコンピュータ１０３は、ＣＡＤによる設計パターンデータ１０１を作成することもできる。バス２０１には、中央処理装置（ＣＰＵ）２０２、ＲＯＭ２０３、ＲＡＭ２０４、ネットワークインタフェース２０５、入力装置２０６、出力装置２０７及び外部記憶装置２０８が接続されている。
【００２１】
ＣＰＵ２０２は、データの処理及び演算を行うと共に、バス２０１を介して接続された上記の構成ユニットを制御するものである。ＲＯＭ２０３には、予めブートプログラムが記憶されており、このブートプログラムをＣＰＵ２０２が実行することにより、コンピュータが起動する。外部記憶装置２０８にコンピュータプログラムが記憶されており、そのコンピュータプログラムがＲＡＭ２０４にコピーされ、ＣＰＵ２０２により実行される。このコンピュータは、コンピュータプログラムを実行することにより、設計パターンデータを補正し、製造パターンデータに変換することができる。
【００２２】
外部記憶装置２０８は、例えばハードディスク記憶装置等であり、電源を切っても記憶内容が消えない。外部記憶装置２０８は、コンピュータプログラム、設計パターンデータ及び製造パターンデータ等を記録媒体に記録したり、記録媒体からコンピュータプログラム等を読み出すことができる。
【００２３】
ネットワークインタフェース２０５は、ネットワークに対してコンピュータプログラム及び製造パターンデータ等を入出力することができる。入力装置２０６は、例えばキーボード及びポインティングデバイス（マウス）等であり、各種指定又は入力等を行うことができる。出力装置２０７は、ディスプレイ及びプリンタ等である。
【００２４】
図３（Ａ）及び（Ｂ）は、光近接効果補正方法を説明するための図である。図３（Ａ）に、設計パターンデータの原図形３０１の補正方法を示す。補正は、原図形３０１の輪郭線上の各点について行う。例えば、領域３０２は、原図形３０１の周辺の領域である。
【００２５】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の領域３０２のＸ−Ｘ線に沿った断面の光強度分布を示すグラフである。横軸は、原図形３０１からの距離であり、単位が任意である。縦軸は、原図形３０１を露光する場合の光強度［％］を示す。距離が小さい場所では光強度が強く、距離が大きい場所では光強度が弱くなる。光強度のしきい値３１１を設け、各距離での光強度としきい値３１１との差分をΔｄとする。
この際、補正値Ｆｃは、光強度差分Δｄ及び補正係数αを基に、次式で演算することができる。この補正値Ｆｃを基に、原図形３０１の輪郭線上の各点の補正を行う。
Ｆｃ＝Δｄ×α
【００２６】
図４（Ａ）〜（Ｅ）は、本実施形態によるパターン作成方法を示す図である。
図４（Ａ）において、設計パターンデータの原図形４０１の補正を行う場合を例に説明する。図３（Ａ）及び（Ｂ）と同様に、原図形４０１の輪郭線周辺４０２〜４０４の光強度分布をシミュレーションにより演算し、上式を用いて、補正値Ｆｃを求める。この際、シミュレーションを行う輪郭線上の点を増加させることにより、補正精度を向上させることができる。次に、図４（Ｂ）に示すように、補正値Ｆｃを基に、原図形４０１の輪郭線上の各点の補正点４１２〜４１４を演算して求める。次に、図４（Ｃ）に示すように、原図形４０１に対して、補正点４１２を基に補正図形４２２を付加し、補正点４１３を基に補正図形４２３を付加し、補正点４１４を基に補正図形４２４を付加する。
【００２７】
図４（Ｄ）は、図４（Ａ）〜（Ｃ）と同様のシミュレーション手順により、原図形４３０に対して補正図形４３１を付加及び一部削除した図形の例を示す。図４（Ｅ）は、図４（Ｄ）の図形を、電子ビーム又はレーザビーム露光装置１０５（図１）のための製造パターンデータに変換した図形である。製造パターンデータは、例えば６個の図形４４１〜４４６の組み合わせで表現される。電子ビーム又はレーザビーム露光装置１０５は、単位図形の組み合わせとして製造パターンデータを表現することができる。その単位図形は、長方形（矩形）の他、長方形を除く平行四辺形、台形、四角形及び三角形である。三角形は、台形の上辺が０であるとして表現することができる。すなわち、製造パターンデータは、０度（水平方向）及び９０度（垂直方向）以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせとして表現することができる。このような単位図形は、図４（Ｃ）及び図４（Ｄ）の補正によるパターン図形変形の際にも用いられる。
【００２８】
図１１（Ａ）〜（Ｅ）の方法によれば、製造パターンデータを複数の長方形の組み合わせで表現するため、１６個という多数の長方形の組み合わせ図形１１４０により製造パターンデータが構成される。
【００２９】
これに対し、本実施形態では、図４（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、長方形の他、平行四辺形、台形、四角形及び／又は三角形で製造パターンデータを表現することにより、６個という少数の図形４４１〜４４６の組み合わせにより製造パターンデータを構成することができる。製造パターンデータを構成する図形数を少なくすることができるので、短時間で露光を行うことができる。また、データ量が減少するので、データハンドリング負荷が軽減する。
【００３０】
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、本実施形態による第１のパターン図形補正方法を示す。図５（Ａ）において、原図形５００に対して、図４（Ｂ）と同様に、輪郭線上の各点の補正点を求める。その補正点を「●」及び「×」印で示す。次に、パターン図形の輪郭線上の各点の補正量の極大値補正点５０１，５０３及び極小値補正点５０２を検出する。
【００３１】
具体的には、辺の一番端の第１の補正点を極大値補正点５０１とする。次に、極大値補正点５０１を基準に下に隣接する補正量を順次比較して行く。補正量は次第に減少して行く。補正点５０２は補正量が減少から増加に変化する極小値点であるので、補正点５０２を極小値補正点とする。再び、下に隣接する補正点の補正量を比較すると、次第に補正量が増加して行く。補正点５０３が辺の一番端の補正点であるので、補正点５０３を極大値補正点とする。次に、極大値の補正点５０１，５０３及び極小値の補正点５０２を直線で結ぶことにより、図５（Ｂ）に示す図形５１０の製造パターンデータを作成することができる。
【００３２】
図６（Ａ）及び（Ｂ）は、本実施形態による第２のパターン図形補正方法を示す。図６（Ａ）において、原図形６００に対して、図４（Ｂ）と同様に、輪郭線上の各点の補正点を求める。その補正点を「●」及び「×」印で示す。次に、補正点の補正量に対して、しきい値を設定する。原図形６００を変形する際に、隣の補正点の補正量を評価し、その補正量がしきい値の範囲内であれば無視する。
補正量がしきい値の範囲外の点６０１〜６０５を検出し、それらの点６０１〜６０５を直線で結び、図形を変形する。
【００３３】
具体的には、辺の一番端の第１の補正点６０１とその下の第２の補正点の補正量を比較する。その補正量の差はしきい値よりも小さいので、この第２の補正点は採用しないこととする。次に、第２の補正点とその下の第３の補正点６０２の補正量を比較する。その補正量の差は、しきい値よりも大きいので、第３の補正点６０２を採用する。次に、同様に、第３の補正点６０２と第４の補正点の補正量を比較し、その後に第４の補正点と第５の補正点の補正量を比較する。これにより、補正点６０１〜６０５がしきい値を超えたものとして採用される。補正点６０１〜６０５を直線で結ぶことにより、図６（Ｂ）に示す図形６１０の製造パターンデータを作成することができる。以上のように、パターン図形の輪郭線上の自己の補正点とそれに隣接する補正点との補正量の差がしきい値を超えた補正点６０１〜６０５同士を直線で結ぶことにより、製造パターンデータを作成することができる。
【００３４】
図７（Ａ）及び（Ｂ）は、本実施形態による第３のパターン図形補正方法を示す。図７（Ａ）において、原図形７００に対して、図４（Ｂ）と同様に、輪郭線上の各点の補正点を求める。その補正点を「●」印で示す。次に、この各補正点を直線７０１等で結ぶことにより、図７（Ｂ）に示す図形７１０の製造パターンデータを作成することができる。
【００３５】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、本実施形態による第４のパターン図形補正方法を示す。図８（Ａ）において、原図形８００に対して、図４（Ｂ）と同様に、輪郭線上の各点の補正点を求める。その補正点を「●」及び「×」印で示す。次に、各補正点を基に近似直線８０１を演算する。次に、図８（Ｂ）に示す近似直線８０１を輪郭とする図形８１０の製造パターンデータを作成する。
【００３６】
近似直線８０１は、例えば移動平均近似法の演算により求めることができる。
移動平均近似法の原理を説明する。例えば、６個の座標（ｘ，ｙ）の値が以下の数値を持つものとする。
【００３７】
１）        （１，４）
２）        （２，６）
３）        （３，７）
４）        （４，５）
５）        （５，４）
６）        （６，８）
【００３８】
移動平均近似法は、各点毎に前後の値で平均値を算出していく。例えば、３項移動平均の場合は、第２の点では次式により平均値を算出する。
（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３）／３  ＝（４＋６＋７）／３  ＝５．６６
【００３９】
第３の点では、次式により平均値を算出する。
（ｙ２＋ｙ３＋ｙ４）／３  ＝（６＋７＋５）／３  ＝６
このように移動しながら平均値を算出する。
【００４０】
また、５項移動平均の場合、第３の点では、次式により平均値を算出する。
（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＋ｙ４＋ｙ５）／５  ＝（４＋６＋７＋５＋４）／５  ＝５．２
【００４１】
つまり、平均化する項により平滑さも変わり、平均化する項数を多くすればするほど滑らかになる。これにより、近似直線を求めることができる。移動平均近似法以外の方法で、近似直線を算出してもよい。
【００４２】
図９（Ａ）及び（Ｂ）は、本実施形態による第５のパターン図形補正方法を示す。図９（Ａ）において、原図形９００に対して、図４（Ｂ）と同様に、輪郭線上の各点の補正点を求める。その補正点を「●」印で示す。次に、ＸＹ平面上の補正前のパターン９００の隣接するＸ軸方向９１２の辺９０１及びＹ軸方向９１１の辺９０２の角に最も近い２つの補正点９２１，９２２を検出する。次に、補正点９２１をＸ軸方向９１２に移動させ、補正点９２２をＹ軸方向９１１に移動させ、その交点を新たな補正点９２３として作成する。次に、図９（Ｂ）に示すように、新たな補正点９２３を基に直線で結んだ図形９３０の製造パターンデータを作成する。
【００４３】
図１０（Ａ）及び（Ｂ）は、本実施形態による第６のパターン図形補正方法を示す。図１０（Ａ）において、原図形１０００に対して、図４（Ｂ）と同様に、輪郭線上の各点の補正点を求める。その補正点を「●」印で示す。次に、補正前のパターン１０００の第１の辺１００１において角に最も近い２つの点の補正点１０１１，１０１２を結ぶ線の第１の延長線１０１３を演算する。次に、第１の辺１００１に隣接する第２の辺１００２において上記の角に最も近い２つの点の補正点１０２１，１０２２を結ぶ線の第２の延長線１０２３を演算する。次に、第１の延長線１０１３及び第２の延長線１０２３の交点を新たな補正点１０３１として作成する。次に、図１０（Ｂ）に示すように、新たな補正点１０３１を基に直線で結んだ図形１０４０の製造パターンデータを作成する。
【００４４】
以上のように、本実施形態によれば、設計パターンデータの図形の輪郭線上の各点を補正し、補正された設計パターンデータを基に０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせである製造パターンデータを作成することができる。
【００４５】
製造パターンデータを構成する図形パターン数を削減することができるので、レチクルマスク等を作成するための露光装置及び検査装置で扱うデータ量が減少し、ハンドリング負荷及びデータ転送負荷を軽減することができる。また、露光時間及び検査時間を短縮することができる。
【００４６】
パターン形状の補正は、半導体ウエハへの転写結果をフィードバックして忠実な図形パターンを形成するため、しきい値等を用いて誤差を少なくすることで忠実度向上を実現できる。また、半導体電子部品の歩留まりや性能向上に寄与することができる。
【００４７】
本実施形態は、コンピュータがプログラムを実行することによって実現することができる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体等のコンピュータプログラムプロダクトも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びコンピュータプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。記録媒体としては、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。
【００４８】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【００４９】
本発明の実施形態は、例えば以下のように種々の適用が可能である。
【００５０】
（付記１）半導体装置のパターンを設計するための設計パターンデータを記憶装置に記憶させる記憶ステップと、
前記設計パターンデータのパターン図形の輪郭線上の各点を補正する補正ステップと、
前記補正された設計パターンデータを基に０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせである製造パターンデータを作成する作成ステップとを有するパターン作成方法。
（付記２）前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線上の各点の補正量の極大値及び極小値を検出するステップと、前記極大値及び極小値の補正点を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成するステップとを有する付記１記載のパターン作成方法。
（付記３）前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線上の自己の補正点とそれに隣接する補正点との補正量の差がしきい値を超えた補正点同士を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成する付記１記載のパターン作成方法。（付記４）前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線の各補正点を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成する付記１記載のパターン作成方法。
（付記５）前記作成ステップは、前記パターン図形の輪郭線の各補正点を基に近似直線を演算するステップと、前記近似直線を輪郭とする製造パターンデータを作成するステップとを有する付記１記載のパターン作成方法。
（付記６）前記作成ステップは、ＸＹ平面上の前記補正前のパターンの隣接する２辺の角に最も近い２つの補正点をそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、その交点を新たな補正点として作成するステップと、前記新たな補正点を基に製造パターンデータを作成するステップとを有する付記１記載のパターン作成方法。
（付記７）前記作成ステップは、前記補正前のパターンの第１の辺において角に最も近い２つの点の補正点を結ぶ線の第１の延長線を演算するステップと、前記第１の辺に隣接する第２の辺において前記角に最も近い２つの点の補正点を結ぶ線の第２の延長線を演算するステップと、前記第１及び第２の延長線の交点を新たな補正点として作成するステップと、前記新たな補正点を基に製造パターンデータを作成するステップとを有する付記１記載のパターン作成方法。
（付記８）前記作成ステップは、電子ビーム又はレーザビームを照射してマスクパターンを有するレチクルマスクを製造するための製造パターンデータを作成する付記１記載のパターン作成方法。
（付記９）前記作成ステップは、電子ビーム又はレーザビームを照射して半導体ウエハ上にパターンを直接描画するための製造パターンデータを作成する付記１記載のパターン作成方法。
（付記１０）前記補正ステップは、光近接効果補正のためのパターン補正を行う付記１記載のパターン作成方法。
（付記１１）前記作成ステップは、少なくとも長方形を除く四角形、平行四辺形又は台形のいずれかを含む製造パターンデータを作成する付記１記載のパターン作成方法。
（付記１２）前記作成ステップは、少なくとも三角形を含む製造パターンデータを作成する付記１記載のパターン作成方法。
（付記１３）半導体装置のパターンを設計するための設計パターンデータを記憶するための記憶手段と、
前記設計パターンデータのパターン図形の輪郭線上の各点を補正する補正手段と、
前記補正された設計パターンデータを基に０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせである製造パターンデータを作成する作成手段とを有するパターン作成装置。
（付記１４）前記作成手段は、前記パターン図形の輪郭線上の各点の補正量の極大値及び極小値を検出する手段と、前記極大値及び極小値の補正点を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成する手段とを有する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記１５）前記作成手段は、前記パターン図形の輪郭線上の自己の補正点とそれに隣接する補正点との補正量の差がしきい値を超えた補正点同士を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記１６）前記作成手段は、前記パターン図形の輪郭線の各補正点を直線で結ぶことにより製造パターンデータを作成する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記１７）前記作成手段は、前記パターン図形の輪郭線の各補正点を基に近似直線を演算する手段と、前記近似直線を輪郭とする製造パターンデータを作成する手段とを有する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記１８）前記作成手段は、ＸＹ平面上の前記補正前のパターンの隣接する２辺の角に最も近い２つの補正点をそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させ、その交点を新たな補正点として作成する手段と、前記新たな補正点を基に製造パターンデータを作成する手段とを有する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記１９）前記作成手段は、前記補正前のパターンの第１の辺において角に最も近い２つの点の補正点を結ぶ線の第１の延長線を演算する手段と、前記第１の辺に隣接する第２の辺において前記角に最も近い２つの点の補正点を結ぶ線の第２の延長線を演算する手段と、前記第１及び第２の延長線の交点を新たな補正点として作成する手段と、前記新たな補正点を基に製造パターンデータを作成する手段とを有する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記２０）前記作成手段は、電子ビーム又はレーザビームを照射して製造パターンを有するレチクルマスクを製造するための製造パターンデータを作成する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記２１）前記作成手段は、電子ビーム又はレーザビームを照射して半導体ウエハ上にパターンを直接描画するための製造パターンデータを作成する付記１３記載のパターン作成装置。
（付記２２）前記補正手段は、光近接効果補正のためのパターン補正を行う付記１３記載のパターン作成装置。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、製造パターンデータを長方形の組み合わせのみで表現しようとすると、複雑なパターンは多数の長方形の組み合わせで表現しなければならない。これに対して、製造パターンデータを、０度及び９０度以外の角度を有する図形を含む一又は複数の図形の組み合わせで表現することにより、製造パターンデータを構成する合計図形数を削減することができる。露光装置及び検査装置で扱う製造パターンデータ量が減少するので、ハンドリング負荷及びデータ転送負荷を軽減することができる。また、露光時間及び検査時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態による半導体パターン作成方法を示す図である。
【図２】コンピュータのハードウエハ構成図である。
【図３】図３（Ａ）及び（Ｂ）は光近接効果補正方法を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｅ）は本実施形態によるパターン作成方法を示す図である。
【図５】図５（Ａ）及び（Ｂ）は本実施形態による第１のパターン図形補正方法を示す図である。
【図６】図６（Ａ）及び（Ｂ）は本実施形態による第２のパターン図形補正方法を示す図である。
【図７】図７（Ａ）及び（Ｂ）は本実施形態による第３のパターン図形補正方法を示す図である。
【図８】図８（Ａ）及び（Ｂ）は本実施形態による第４のパターン図形補正方法を示す図である。
【図９】図９（Ａ）及び（Ｂ）は本実施形態による第５のパターン図形補正方法を示す図である。
【図１０】図１０（Ａ）及び（Ｂ）は本実施形態による第６のパターン図形補正方法を示す図である。
【図１１】図１１（Ａ）〜（Ｅ）は従来技術によるパターンデータ作成方法を示す図である。
【符号の説明】
１０１，１０２，１０４  記憶手段
１０３  コンピュータ
１０５  レチクル露光装置
１０６  レチクル
１０７  ウエハ露光装置
１０８  半導体ウエハ
２０１  バス
２０２  ＣＰＵ
２０３  ＲＯＭ
２０４  ＲＡＭ
２０５  ネットワークインタフェース
２０６  入力装置
２０７  出力装置
２０８  外部記憶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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