(57)【要約】【課題】多層回路基板など被対象物内部の３次元位置で実働状態でのＥＭＩ電流を計算し、解析することを可能にするＥＭＩ電流解析装置を提供する。【解決手段】観測位置が被対象物１０８の空間測定位置２２である近傍界で測定し、電磁界の測定値と空間測定位置２２を求める工程１、観測位置が前記空間測定位置２２とした電流と電磁界のマトリクス関係を作成する工程２、観測位置が被対象物１０８の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程３、観測位置が前記空間測定位置２２とした電流と電磁界のマトリクス関係と、観測位置が前記導体表面位置とした電流と電磁界のマトリクス関係を、投入混合選別した新しいマトリクス関係を合成作成する工程４と、この新しいマトリクス関係により被対象物１０８のＥＭＩ電流を求め解析する工程５、である電磁界測定値と電磁界シミュレータを合成する工程を実行する。【選択図】        図１
2004301569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被対象物を空間測定位置の近傍界で測定し、電磁界の測定値と空間測定位置を求める工程、
観測位置が被対象物の空間測定位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程、
観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程、
上記のマトリクスの関係を合成させ、仮定した外部からの印加電圧電流電界磁界のある関係行をなくし、測定値の関係行に置き換えた新しいマトリクス関係を作る工程、
この新しいマトリクス関係により被対象物の電流を求める工程、を実行することを特徴とするＥＭＩ電流解析装置。
【請求項２】
被対象物を空間測定位置の近傍界で測定し、電磁界の測定値により被対象物の外層導体表面の電流を求める工程、
観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクスの関係を作成する工程、
外層導体表面の電流を上記のマトリクスの関係に組み入れ、仮定した外部からの印加電圧電流電界磁界のある関係行をなくした新しいマトリクス関係を作る工程、
この新しいマトリクスの関係により被対象物の電流を求める工程、を実行することを特徴とするＥＭＩ電流解析装置。
【請求項３】
被対象物の外層導体表面の電流を求める工程において、
被対象物を空間測定位置である近傍界で、電磁界の測定値と空間測定位置を測定する工程、
観測位置が被対象物の空間測定位置とした電流と電磁界の関係を表すローカルマトリクス関係を作成する工程、
観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すローカルマトリクス関係を作成する工程、
上記のローカルマトリクス関係を合成させ、仮定した外部からの印加電圧電流電界磁界のある関係行をなくし、測定値の関係行に置き換えた新しいローカルマトリクス関係を作る工程、
この新しいローカルマトリクス関係により対象物の外層導体表面の電流を求める工程、を実行することを特徴とするＥＭＩ電流解析装置。
【請求項４】
請求項１または２記載のＥＭＩ電流解析装置であって、
さらに、上記の新しいマトリクス関係により被対象物の電流を求める工程の実行により求めたＥＭＩ電流を式に代入し、実働状況でのすべてのポートの集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）を計算し、被対象物の実働状態の集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）を逆に求める作業の実行を含むことを特徴とするＥＭＩ電流解析装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路または半導体集積回路を搭載した電気回路多層基板である被対象物のＥＭＩの設計測定解析作業において、電気回路基板などの空間測定位置である近傍の各空間測定位置でそのＥＭＩ近傍電磁界測定値を用い、被対象物内における３次元の各位置で実際に流れているＥＭＩ電流の計算作業を行ない、また、ＥＭＩ電流を低減設計できるＥＭＩ電流解析装置に対し、その測定方式、計算工程の方式技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気製品全般において電磁波妨害（以下ＥＭＩと略す）の低減が課題となっている。更に最近では、製品のみならず基板部品レベル、半導体集積回路（以下ＩＣとする）レベルと、そのＩＣを搭載した電気回路多層基板でＥＭＩを低減することが望まれている。
【０００３】
基板全体からのＥＭＩが多いとわかって、それを減少するためのＩＣ回路を改善する場合、あるいはＩＣ搭載基板のＥＭＩを減少するための各回路の変更、改善をする場合において、ＩＣあるいはＩＣ搭載基板内部には多くの電気回路が組み込まれているが、この回路から発生する実際のＥＭＩ源であるＥＭＩ電流を求め計算し特定し低減設計することが有効である。このためのＥＭＩ測定技術とＥＭＩ電流解析装置が必要である。本装置により、とくに回路内部において３次元位置でのＥＭＩ電流が詳細に判明すれば、この解析作業でその対策が容易に見つけることができる。
【０００４】
この一例を従来の第１の例として説明する。
【０００５】
本例を図２の工程図で示す。すなわち、被対象物の空間測定位置の近傍界で測定し、磁界の測定値と空間測定位置を求める工程６と、観測位置が被対象物の空間測定位置とした電流と磁界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程７と、磁界測定値と、観測位置が被対象物の空間測定位置とした電流と磁界の関係を表すマトリクス関係により被対象物の電流を求める工程８、を備えたＥＭＩ電流解析装置である。
【０００６】
このようなＥＭＩ電流解析装置は、既に提案されているものである。すなわちＥＭＩ近傍磁界測定値より被対象物内の３次元位置での電気導体に生じているＥＭＩ源であるＥＭＩ電流を計算で求めるものである。
【０００７】
すなわち、従来の第１の例のＥＭＩ電流解析装置において、図３は測定値と空間測定位置を求める工程６を実施する機構例である。また図４は従来の第１の例のブロック図である。これにより、各工程を次ぎに説明する。
【０００８】
（１）工程６で、ＩＣを搭載した基板などである被対象物１０８の上にＥＭＩ磁界測定用センサ９を配置し、センサ移動機構部１８によりＥＭＩ磁界測定用センサ９を移動させ、ＥＭＩ測定部１９とＥＭＩ測定操作手段２０によって、磁界の大きさと位相であるＥＭＩ近傍磁界測定値を計測し、被対象物１０８の表面上の全域で収納するＥＭＩ近傍磁界測定値保持部１０に収納するものである。
【０００９】
また、センサ移動機構部１８を操作し、ＥＭＩ磁界測定用センサ９の先端部中心が被対象物１０８の上の空間測定位置２２にあり、接触あるいは極近接した時に移動を停止し、その時のＥＭＩ磁界測定用センサ９の先端部中心のＸ位置データ、Ｙ位置データ、Ｚ位置データを得、これらを空間測定位置ＸＹＺデータとし、これを測定域の全域で保持できる空間測定位置ＸＹＺデータ保持部１１に収納するセンサ移動測定位置ＸＹＺデータ操作手段２１をもつ。
【００１０】
ここで、ＥＭＩ測定操作手段２０は、この位置でのＥＭＩ近傍磁界測定値をこの空間測定位置ＸＹＺデータに対応してＥＭＩ近傍磁界測定値保持部１０の当該位置に収納するものである。
【００１１】
また、被対象物構成体存在位置入力加工調整手段１４により、被対象物１０８の電気導体などの存在位置に関する被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータを全域で収納する被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータ保持部１２に予めインプットすることができるようになっている。また、結果として、この各位置で計算したＥＭＩ電流計算データを被対象物１０８の全域で収納するＥＭＩ電流データ保持部１３をもつものである。
【００１２】
センサ移動機構部１８により、ＥＭＩ磁界測定用センサ９を被対象物１０８に接触かあるいは近接状態で移動させ、これらの位置における磁界の大きさと位相、すなわちＥＭＩ近磁界計測データを計測する。
【００１３】
ＥＭＩ磁界測定用センサを平面方向ＸＹおよびＺ方向即ち上下方向に移動させ、また、回転させることができるセンサ移動機構部１８は、ＥＭＩ磁界測定用センサ９の先端部中心が被対象物１０８に接触あるいは極近接した時、信号を発するようになっている。この時、センサの移動を停止させ、この時のＺ位置データ、およびＸ位置データ、Ｙ位置データを得、これらは被対象物１０８表面上での近傍位置でありこれを空間測定位置ＸＹＺデータとするものである。また固定された基点磁界センサ２５が設置されており、ＥＭＩ磁界測定用センサ９の検出ループはセンサ移動機構部１８の回転軸２６にたいして傾いており、回転軸２６で傾いた検出ループを１２０度毎停止し、ＥＭＩ測定部１９で各測定操作し、この測定値を座標変換計算することにより、基点磁界センサ２５の位相の基点にたいし、空間測定位置２２での３次元方向のＥＭＩ近磁界計測データを得ている。
【００１４】
本例の場合は磁界系を対象にしており、すなわちこの空間測定位置２２の磁界ＨＫにおいて、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の各大きさと位相をそれぞれＨＫＸｅ（ｊαｈ）、ＨＫＹｅ（ｊβｈ）、ＨＫＺｅ（ｊγｈ）のようでなかたちでＥＭＩ近傍磁界計測データとして得られるものである。ここに空間測定位置ＸＹＺデータと、この被対象物１０８に極近接した各位置でのＥＭＩ近磁界計測データを取得できるものである。
【００１５】
（２）工程７では、よく知られるように、マックスウエル電磁方程式にローレンツゲージを適用した積分方程式の表示に関し、被対象物１０８の観測位置が空間測定位置２２、すなわちここでは磁界空間測定位置であるとして、次ぎが知られる。
【００１６】
【数１】
2004301569.tif 000003
【００１７】
Ｉは被対象物１０８域内の電流ベクトルであり、Ｒは電流ベクトルＩの地点から磁界ベクトルＨＫの地点を指した位置ベクトル、ｒはベクトルＲの大きさ、Ｓは電流Ｉが存在している被対象物１０８の導体全表面積とする。またこれはある周波数ωのみに関するものであり、ｋは波数でωをそのところの光速ｃで割った値のものでありｋ＝ω／ｃである。ｅは自然対数の底、ｊは√（−１）である。またＨＫｉは測定位置での入射磁界である。
【００１８】
ここで数１を次の方法で離散化するものとする。すなわち、図５のこの従来の第１の例における一般的な離散化説明図を見て、ここでは、被対象物１０８は薄い板の電気導体の立体的な形状とし、さらに薄い板を網目形状で覆うと見做し、この網目で形成されたスケルトン状態で網目体のようなものとする。特徴として薄い電気導体の板の垂直方向には電流が無いとする。ここで、図５において磁界の空間測定位置ＸＹＺデータの位置は被対象物１０８の面上部にある１枚の曲面の場合であり、被対象物１０８として４枚の電気導体とし、被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータ、すなわちＥＭＩ電流の位置データはこの上で網目体の被対象物として構成した多層基板とするデータである。
【００１９】
本説明の離散化では、いわゆる基底関数をデルタ関数にとり、さらに細い線の網目体とし、積分計算を簡略化したものとして説明する。これよりもっと積分計算を詳細化するためには、基底関数を曲面とし詳細な積分作業により実施することが出来る。
【００２０】
ここで、空間測定位置ＸＹのピッチΔＸ、ΔＹは、網目体Ｕ、ＶのピッチΔＵ、ΔＶの半分とする。こうすると１枚の曲面の空間測定位置ＸＹＺの個数と被対象物１０８の網目体の面を４枚としている被対象物構成体存在位置ＵＶＷ、すなわちＥＭＩ電流位置ＵＶＷの点の個数をほぼ等しく出来る。次ぎに、ＥＭＩ電流位置ＵＶＷの点の不必要な電流点を除外し、ＵＶＷの点の個数を減じて、空間測定位置ＸＹＺの点の個数と網目体の４枚のＥＭＩ電流位置ＵＶＷの点の個数を等しくする処置をする。このようにして、後に説明する１次多次元連立方程式が解けるようにする。
【００２１】
今、磁界の積分方程式の数１をこれで離散化するものとして、磁界ベクトルをＨＫとし、ＨＫは、ＸＹＺ方向にＨＫＸｅ（ｊαＨ）、ＨＫＹｅ（ｊβＨ）、ＨＫＺｅ（ｊγＨ）というように分解されたデータとして測定したものである。ここでＨＫＸ、ＨＫＹ、ＨＫＺはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の大きさ、αＨ、βＨ、γＨはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の位相である。ここで、次ぎの式が出来る。
【００２２】
【数２】
2004301569.tif 000004
【００２３】
【数３】
2004301569.tif 000005
【００２４】
【数４】
2004301569.tif 000006
【００２５】
【数５】
2004301569.tif 000007
【００２６】
【数６】
2004301569.tif 000008
【００２７】
【数７】
2004301569.tif 000009
【００２８】
ここで、ｒは空間測定位置ＸＹＺ点とＥＭＩ電流位置ＵＶＷの網目交点との距離ベクトルＲの大きさであり、θｘはベクトルＲとＸ軸となす角度、θｙはベクトルＲとＹ軸となす角度、θｚはベクトルＲとＺ軸となす角度、φｘはベクトルＲとＸ軸で作る面とＸＹ面となす角度、φｙはベクトルＲとＹ軸で作る面とＹＺ面となす角度、φｚはベクトルＲとＺ軸で作る面とＺＸ面となす角度ある。また本例では外部よりの入射磁界ＨＫｉは考えないこととしゼロとしてある。
【００２９】
なおこの場合、空間測定位置ＸＹＺの個数と、被対象物網目体でのＥＭＩ源であるＥＭＩ電流位置ＵＶＷの個数を一致させるようにしておく。
【００３０】
ここで、数５、数６および数７を加算し形式的に等しく書き換えて次ぎのマトリクス式の連立方程式を得る。
【００３１】
【数８】
2004301569.tif 000010
【００３２】
これをそのまま次ぎのように形式的に等しく書き換える。
【００３３】
【数９】
2004301569.tif 000011
【００３４】
ここでこのように、対象物内において、空間測定位置で測定した磁界（ＨＫ）と流れているべきＥＭＩ電流（Ｉ）と、これを関係付けるマトリクス（ＭＨＫ）の関係が成立する。さきに述べた詳細な積分作業による離散化でも結果として、本マトリクス関係と同様の関係式が作成できる。この作業を磁界電流マトリクス生成手段１５によって実施し、結果のマトリクス（ＭＨＫ）の関係を磁界電流マトリクス保持部１６に保持する。これが工程７である。
【００３５】
（３）工程８で、ここでマトリクス電流計算手段１７により、工程６で求めた測定値を投入し、数９の１次多次元連立方程式をＣＧ法、急速勾配法などで解いて、ＥＭＩ源であるＥＭＩ電流ＩをＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）の形で求めることができる。この電流を、ＥＭＩ電流データ保持部１３に収納することとなる。
【００３６】
これで本例において電流が求まったことになる。また、電流データ加工出力表示手段２３によりデータを加工し調整して表示、または出力することになる（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【００３７】
次ぎに、従来の第２の例を説明する。
【００３８】
従来の第２の例は電磁界シミュレータとして市販され利用されている。一般に電界系の関係を扱うものとし、これを図６の工程図で示す。
【００３９】
すなわち本例において、観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程２７、導体表面の自明の電界境界条件とシミュレート計算するための仮定した外部の印加電圧電界を投入し、上記マトリクス関係によりＥＭＩ電流を求める工程２８、を備えたＥＭＩ電流解析装置である。
【００４０】
図７のブロック図により説明する。
【００４１】
（１）工程２７において、被対象物構成体データ入力加工調整手段２９があり、これで被対象物１０８の電気導体などの存在位置、あるいは指令データなどの被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータを被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部３０に全域で収納することができるようになっている。すなわち電磁界回路としての配線パターン、搭載部品などのデータを入力し散乱電磁界マトリクスの作成のための予備作業を行う。
【００４２】
よく知られるように、マックスウエル電磁方程式でローレンツゲージを適用した積分方程式に関し、観測位置が被対象物１０８の導体表面位置にある場合を考え、被対象物への入射電界を加えたいわゆる、電界系の散乱積分方程式において、入射電界ＥＤｉとした場合、導体表面境界条件における関係が表される。ここで本例の電磁界シミュレータでは、磁界系の関係は扱いづらく電界系の関係を利用している。すなわち導体表面位置の電界に関し次ぎの式が成り立つ。
【００４３】
【数１０】
2004301569.tif 000012
【００４４】
ここで、ｒは被対象物の導体表面位置ＸＹＺ点と被対象物網目体すなわちＥＭＩ電流位置ＵＶＷの点との距離ベクトルＲの大きさ、ｎは導体表面に垂直に立てた単位ベクトル、Ｒは被対称物１０８の導体表面観測位置に他の電流ベクトルＩの地点から引いたベクトル、ｅは集中印加電界の設置とする。またｚは集中インピーダンスの設置を示す。ＳはＥＭＩ電流Ｉが存在している被対象物１０８の導体表面全面積とする。またμは透磁率である。
【００４５】
ここで、この数１０を離散化するものとする。すなわち、図８の従来の第２の例における一般的な離散化説明図を見て、ここでも、被対象物１０８は薄い板の電気導体の立体的な形状とし、さらに薄い板を網目形状で覆うと見做し、この網目で形成されたスケルトン状態で網目体のようなものとし、従来の第１の例と同じ考えとする。図８について電界系の数１０を離散化する。ここで入射電界ＥＤｉは本例でも考えないものとしゼロと置く。
【００４６】
本説明の離散化でも、いわゆる電流の基底関数をデルタ関数にとり、さらに細い線とし網目体とし、積分計算を簡略化したものとして説明する。もっと積分計算を詳細化するためには、電流基底関数を曲面とし集中印加電界も曲面状電界とし、いわゆる、観測位置での電界を重み関数で定義し重み関数も曲面としたモーメント法で離散化を実施することが出来る。
【００４７】
ここで、観測位置の導体表面位置ＸＹのピッチΔＸ、ΔＹは、網目体Ｕ、ＶのピッチΔＵ、ΔＶと同じである。被対象物１０８の網目体の面を４枚とし、被対象物構成体存在位置ＵＶＷ、すなわちＥＭＩ電流位置ＵＶＷと、観測位置の導体表面位置ＸＹＺの点は同じ位置の点であり当然個数は同じである。次ぎに、ＥＭＩ電流位置ＵＶＷあるいは観測位置の導体表面位置で、導体でない点を除外する。
【００４８】
今、被対象物１０８観測位置すなわち導体表面位置ＸＹＺの位置で印加した集中印加電界ベクトルをｅとし、ｅはＸＹＺ方向にｅＸｅ（ｊαｅ）、ｅＹｅ（ｊβｅ）、ｅＺｅ（ｊγｅ）というように分解しておく。ｅＸ、ｅＹ、ｅＺはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の集中印加電界の大きさ、αｅ、βｅ、γｅはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の位相である。
【００４９】
また、ＥＭＩ電流位置ＵＶＷは、被対象物１０８の構成体存在位置ＵＶＷの網目交点とし、この各網目交点にあるＥＭＩ電流は、Ｘ方向のダイポールΔｌｘ、Ｙ方向のダイポールΔｌｙ、Ｚ方向のダイポールΔｌｚであるとして、ＥＭＩ電流ベクトルＩは、ＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）のように、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の大きさと位相で表しておく。
【００５０】
本例では数１０をこれで離散化するものとして、次ぎの式が出来る。
【００５１】
【数１１】
2004301569.tif 000013
【００５２】
【数１２】
2004301569.tif 000014
【００５３】
【数１３】
2004301569.tif 000015
【００５４】
【数１４】
2004301569.tif 000016
【００５５】
【数１５】
2004301569.tif 000017
【００５６】
【数１６】
2004301569.tif 000018
【００５７】
【数１７】
2004301569.tif 000019
【００５８】
【数１８】
2004301569.tif 000020
【００５９】
【数１９】
2004301569.tif 000021
【００６０】
ここで、ｒは被対象物の導体表面のＸＹＺ点とＥＭＩ源電流位置ＵＶＷの網目交点との距離すなわちベクトルＲの大きさ、θｘはベクトルＲとＸ軸となす角度、θｙはベクトルＲとＹ軸となす角度、θｚはベクトルＲとＺ軸となす角度、φｘはベクトルＲとＸ軸で作る面とＸＹ面となす角度、φｙはベクトルＲとＹ軸で作る面とＹＺ面となす角度、φｚはベクトルＲとＺ軸で作る面とＺＸ面となす角度ある。ここで数１７と数１８と数１９を加算し、形式的に等しく書き換えて次ぎのマトリクス式の連立方程式を得る。
【００６１】
【数２０】
2004301569.tif 000022
【００６２】
これをそのまま次ぎのように形式的に等しく書き換える。
【００６３】
【数２１】
2004301569.tif 000023
【００６４】
ここでこのように、対象物内において、印加した集中印加電界（ｅ）と流れているべきＥＭＩ電流（Ｉ）と、被対象物内において、これを関係付けるマトリクス（ＭＥＤ）と集中インピーダンスＺの関係が成立する。さきに述べたモーメント法の詳細な積分作業による離散化でも結果として、本マトリクスの関係式が同様に作成できる。
【００６５】
この作業を電界電流散乱マトリクス生成手段３１によって実施し、結果のマトリクス（ＭＥＤ）とその関係を電界電流散乱マトリクス保持部３２に保持する。これが工程２７である。
【００６６】
（２）工程２８では、ここで被対象物構成体データ入力加工調整手段２９による被対象物計算条件データ入力加工があり、数２１を解くため、あらかじめ条件値を入力し設定しておく。これらは主として、印加する集中印加電界（ｅ）の値と集中インピーダンスＺの値の入力であり、また搭載部品のデータであり、これらは被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部３０に保持しておいたものである。このうち集中インピーダンスＺを変更すると、電界電流散乱マトリクス生成手段３１で電界電流散乱マトリクスの作成がやり直しとなり、結果を再度電界電流散乱マトリクス保持部３２に収納することになる。
【００６７】
ところで、この従来の第２の例である電磁界シミュレータでは図８に示したように、集中印加電界（ｅ）は被対象物の周りの外部系から印加するＥＭＩの電磁波の加振電源であり、この隘路となる地点をポート４４と呼ぶ。またポート４４に集中印加電界（ｅ）を置かず、集中インピーダンスＺを置く場合もあり、この場合は外部に集中出力として内から見た外部のインピーダンスを設定できる。集中印加電界（ｅ）は一般に仮定の値として、操作者が入力するか、周波数応答計算、Ｓパラメータ計算のため決まった値を入れるかなど、いずれにしても単純な形となり、複雑に組み合わせ入力することはできない。一般には入力の列ベクトル（ｅ）はポート４４以外ではゼロの値である。集中インピーダンスＺはポート４４に設置してもよいし、またそれ以外の位置に設置してもよい。
【００６８】
散乱マトリクス電流計算手段３５により、被対象物シミュレーション計算条件データを保持している被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部３０よりデータを出し、数２１に投入し、この１次多次元連立方程式を解く。
【００６９】
この関係式をＣＧ法、急速勾配法などで解いてＥＭＩ源であるＥＭＩ電流ＩをＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）の形で求めることになる。この電流を、シミュレータ電流データ保持部３６に収納する。
【００７０】
また、このＥＭＩ電流はシミュレータ電流データ加工出力表示手段３７により、Ｓパラメータ、周波数応答、ＥＭＩシミュレータ電流自身の表示などのために加工、調整され、これを出力することができる。これが工程２８である。
【００７１】
本例の電磁界シミュレータでは、被対象物構成体データ入力加工調整手段２９は回路構造入力エディタ部とし、電界電流散乱マトリクス生成手段３１と散乱マトリクス電流計算手段３５は電磁計算実行部とし、シミュレータ電流データ加工出力表示手段３７は出力加工表示部となっていて、これらが連携し、ＥＭＩ電流低減回路設計、解析改善が行われる。
【００７２】
【特許文献１】
特開２０００−３４６８８６号公報
【００７３】
【特許文献２】
特開２００１−０９１５５５号公報
【００７４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしここで、従来の第１の例では、数９で、この計算の実用上の適用において、ＥＭＩ磁界測定用センサ９の近傍磁界測定値の測定値の有効数字桁効数字が少ない、すなわち測定誤差が入るということになる。また磁界電流マトリクスが実際の被対象物１０８を精度よく表しきれないという一般状況のため、図５を見て、被対象物１０８と測定位置ＸＹＺデータ面との距離ｔにおいて、被対象物構成体存在位置ＵＶＷピッチすなわちＥＭＩ電流位置ピッチΔＵ、ΔＶの１．５倍程度以上になると、１次多次元連立方程式を解く処理はでき、計算はできるが、このＥＭＩ電流計算データ結果が振動し正常な値が得られない現象が生じ、電流の分解能が得られない不具合点がある。この結果、多層基板の厚さをｄとして、２枚目の層ではこれが加わり距離ｔが１．５倍以上になり、２枚以上の層を扱う一般の場合、計算はできるが正常な値は得られない状況にある。
【００７５】
従来の第２の例の電磁界シミュレータでは、集中印加電界（ｅ）は、ＥＭＩの電磁波の加振電源であり、被対象物の周りの外部系との隘路となる場所であるポート４４で印加される。この値は一般に操作者が入力するか、Ｓパラメータ計算のため決まった値を入れるとか、どのような複雑な加振電源でも計算でき応答を求めることができる。しかしここでＥＭＩを解析する大きい周波数を扱うのに、集中印加電界（ｅ）につき、操作者がどのように入力を決定するのかの根拠は存在しない。集中印加電界（ｅ）の入力はすべて仮定であり、シミュレータとよばれる所以である。すなわちここでは実働状態で現実に発生している集中印加電界（ｅ）の値とは無縁の値を入れるため、この計算結果は現実に現れる測定値、特に大きさにおいて相関を取ることは不可能である。操作者が決めた加振電源、集中印加電界（ｅ）でＥＭＩ電流、周波数応答、Ｓパラメータが求められるが、実働状態での解析作用は不可能であり、この改善が求められる。
【００７６】
本発明の主要な点は、従来の第１の例の測定値と観測位置が空間測定位置２２である電磁界電流マトリクスでＥＭＩ電流を求める装置、あるいは、従来の第２の例の電磁界シミュレータの不満点を改善し、被対象物１０８がまさに実働状態でのＥＭＩ電流値の計算を可能にする、ＥＭＩ電流解析装置の提供を課題とする。
【００７７】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【００７８】
【課題を解決するための手段】
図１において本発明を説明する。
【００７９】
観測位置が被対象物１０８の空間測定位置２２である近傍界で測定し、電磁界の測定値と空間測定位置２２を求める工程１、電磁界の測定値と空間測定位置２２を利用した条件関係を作成する、あるいは観測位置が被対象物の空間測定位置２２とした電流と電磁界のマトリクス関係を作成する工程２、観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程３、電磁界の測定値を利用し作成した関係、あるいは観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクス関係を、投入混合選別し、合成した新しいマトリクス関係を作成する工程４、この新しいマトリクス関係により被対象物１０８のＥＭＩ電流を求め解析する工程５、を備えていることを特徴とし、３次元位置での実働状態でのＥＭＩ電流を計算解析する装置である。ポイントは工程２の作成と工程４の作成にありこれを実施例により説明する。
【００８０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００８１】
図９において本発明の第１の実施例を説明する。
【００８２】
本実施例では電界系と磁界系の両者を合わせた電磁界を扱っていくのが特徴である。すなわち、被対象物を空間測定位置２２の近傍界で測定し、電磁界の測定値と空間測定位置２２を求める工程３８、観測位置が被対象物の空間測定位置２２とした電流と電磁界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程３９、観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクス関係を作成する工程４０、上記のマトリクス関係を合成させ、導体表面の仮定した外部からの印加電圧電流電界磁界のある関係行をなくし、測定値の関係行を残した新しいマトリクス関係を作成する工程４１、上記の新しいマトリクス関係により対象物のＥＭＩ電流を求め解析する工程４２、を備えたことを特徴とする。
【００８３】
図１０のブロック図で説明する。本発明の実施例では電磁界を扱っていくので、測定用センサも電界と磁界を測定するＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９とする。図１１で示すように、（ａ）の磁界センサでは傾いたループ形状のセンサを使用し、（ｂ）の電界センサでは傾いた２枚のうちわ状の電極形状のセンサを使用する。これらを取り替えて電磁界を測定する。また図１１に示す様に、回転軸２６の上にあるセンサの中心が空間測定位置２２の位置となる。
【００８４】
（１）工程３８で、被対象物１０８の上にＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９を配置し、センサ移動機構部１８によりＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９を移動させ、ＥＭＩ測定部１９ａとＥＭＩ測定操作手段２０ａによって、電磁界の大きさと位相であるＥＭＩ近傍電磁界測定値を計測し、被対象物１０８の表面上の全域で収納するＥＭＩ近傍電磁界測定値保持部１１０に収納するものである。
【００８５】
また、センサ移動機構部１８を操作し、ＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９の先端部中心のＸ位置データ、Ｙ位置データ、Ｚ位置データを得、これらを空間測定位置ＸＹＺデータとし、これを測定域の全域で保持できる空間測定位置ＸＹＺデータ保持部１１ａに収納するセンサ移動測定位置ＸＹＺデータ操作手段２１ａをもつ。ここで、ＥＭＩ測定操作手段２０ａはこの位置でのＥＭＩ近傍電磁界測定値をこの空間測定位置ＸＹＺデータに対応してＥＭＩ近傍電磁界測定値保持部１１０の当該位置に収納する。
【００８６】
また、被対象物構成体データ入力加工調整手段２９ａにより、被対象物１０８の電気導体などの存在位置に関する被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータを全域で収納する被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部４３に予めインプットすることができるようになっている。また、結果として、この各位置で計算したＥＭＩ電流計算データを被対象物１０８の全域で収納するＥＭＩ電流データ保持部１３をもつものである。
【００８７】
センサ移動機構部１８によりＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９を被対象物１０８に接触かあるいは最接近状態で移動させ、これらの位置の、電磁界の大きさと位相すなわちＥＭＩ近磁界計測データを計測する。
【００８８】
ＥＭＩ電磁界測定用センサを平面方向ＸＹおよびＺ方向即ち上下方向に移動させ、また、回転させることができるセンサ移動機構部１８は、ＥＭＩ電磁界測定用センサの先端部中心が被対象物１０８に接触あるいは極近接した時、信号を発するようになっており、この時、センサの移動を停止させ、この時のＺ位置データ、およびＸ位置データ、Ｚ位置データを得、これらは被対象物１０８表面上での最接近位置でありこれを空間測定位置ＸＹＺデータとする。
【００８９】
また固定された基点電磁界センサ１２５が設置されており、ＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９が図１１で説明したようにセンサ先端がセンサ移動機構部１８の回転軸２６にたいして傾いており、回転軸２６で傾いたＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９を１２０度毎停止し、ＥＭＩ測定部１９ａで各測定操作し、この測定値を座標変換計算することにより、基点電磁界センサ１２５の位相の基点にたいしてこの空間測定位置２２でのＥＭＩ近傍電磁界計測データを得る。
【００９０】
すなわち、この空間測定位置２２の電界ＥＫにおいて、ＥＫＸｅ（ｊαＥ）、ＥＫＹｅ（ｊβＥ）、ＥＫＺｅ（ｊγＥ）、あるいは、磁界ＨＫにおいて、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の各大きさと位相をそれぞれＨＫＸｅ（ｊαＨ）、ＨＫＹｅ（ｊβＨ）、ＨＫＺｅ（ｊγＨ）のようでなかたちでＥＭＩ近傍電磁界計測データとして得られるものである。ここに空間測定位置ＸＹＺデータと、この被対象物１０８に近接した各位置でのＥＭＩ電磁界計測データを取得する。これが工程３８である。
【００９１】
（２）次ぎに工程３９を説明する。本工程の作業は従来の第１の例のごとくである。よく知られるように、マックスウエル電磁方程式をローレンツゲージで変形した積分方程式に関し、磁界系は従来の第１の例のごとく前説明と同様とし、ここでは電界系で説明していく。観測位置が空間測定位置２２であるとし、測定電界ベクトルＥＫを表すと次の式になる。
【００９２】
【数２２】
2004301569.tif 000024
【００９３】
Ｉは被対象物１０８域内の電流ベクトルであり、Ｒは電流ベクトルＩの地点から電界ベクトルの地点を指した位置ベクトル、ｒはベクトルＲの大きさ、Ｓは電流Ｉが存在している被対象物１０８の導体全表面積とする。また、これはある周波数ωのみに関するものであり、ｋは波数でωをそのところの光速ｃで割った値のものでありｋ＝ω／ｃである。ｅは自然対数の底、ｊは√（−１）である。またμは透磁率である。
【００９４】
ここで、数２２を離散化する。すなわち、図１２の第１の実施例における一般的な離散化断面説明図を見て、従来の第１の例の磁界系の作業と同様に電界系も実施する。
【００９５】
本離散化でも、いわゆる基底関数をデルタ関数にとり、さらに細い線とし網目体とし、積分計算を簡略化したものとして説明する。同様に、積分計算を詳細化するためには、基底関数を曲面とし詳細な積分作業により求めることが出来る。
【００９６】
ここでの提案は、空間測定位置ＸＹのピッチΔＸ、ΔＹは、網目体Ｕ、ＶのピッチΔＵ、ΔＶと同じくらいとしておく。これで後に説明する１次多次元連立方程式に合成できるようにする。
【００９７】
今、測定域にある空間測定位置２２の観測位置すなわち空間測定位置ＸＹＺの位置で測定した電界ベクトルをＥＫとし、ＥＫはＸＹＺ方向にＥＫＸｅ（ｊαＥ）、ＥＫＹｅ（ｊβＥ）、ＥＫＺｅ（ｊγＥ）というように分解されたデータとして測定したものである。ここで、ＥＫＸ、ＥＫＹ、ＥＫＺはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の大きさ、αＥ、βＥ、γＥはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の位相である。
【００９８】
また、ＥＭＩ電流位置ＵＶＷは被対象物１０８の構成体存在位置ＵＶＷの網目交点とし、この各網目交点にある電流で、Ｘ方向のダイポールΔｌｘ、Ｙ方向のダイポールΔｌｙ、Ｚ方向のダイポールΔｌｚであるとして、これに流れる電流を、各波源位置ＵＶＷのＥＭＩ電流ベクトルＩとし、ＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）のように、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の大きさと位相に分解する。
【００９９】
ここで数２２を同様に離散化するものとして、次ぎの式が出来る。
【０１００】
【数２３】
2004301569.tif 000025
【０１０１】
【数２４】
2004301569.tif 000026
【０１０２】
【数２５】
2004301569.tif 000027
【０１０３】
【数２６】
2004301569.tif 000028
【０１０４】
【数２７】
2004301569.tif 000029
【０１０５】
【数２８】
2004301569.tif 000030
【０１０６】
【数２９】
2004301569.tif 000031
【０１０７】
【数３０】
2004301569.tif 000032
【０１０８】
【数３１】
2004301569.tif 000033
【０１０９】
ここで数２９と数３０と数３１を加算し形式的に等しく書き換えて次ぎのマトリクス式の連立方程式を得る。
【０１１０】
【数３２】
2004301569.tif 000034
【０１１１】
これを次ぎのように形式的に等しく書き換え次ぎの電界系の式ができる。
【０１１２】
【数３３】
2004301569.tif 000035
【０１１３】
また同様に従来の第１の例で示した磁界系の式も同様にできる。
【０１１４】
【数３４】
2004301569.tif 000036
【０１１５】
ここでこのように、対象物内において、測定した電磁界（ＥＫ）（ＨＫ）と流れているべきＥＭＩ電流（Ｉ）と、これを関係付けるマトリクス（ＭＥＫ）（ＭＨＫ）の関係が成立する。さきに述べた詳細な積分作業による離散化でも結果として、本マトリクス関係と同様の関係式が作成できる。この作業を電磁界電流マトリクス生成手段１１５によって実施し、結果のマトリクス（ＭＥＫ）（ＭＨＫ）の関係を電磁界電流マトリクス保持部１１６に保持する。これが工程３９である。
【０１１６】
（３）次ぎに工程４０を説明する。被対象物構成体データ入力加工調整手段２９ａにより、被対象物１０８の電気導体などの存在位置あるいは指令データに関し、被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データを全域で収納することができる被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部４３にあらかじめ収納することができるようになっている。すなわち、被対象物構成体データ入力加工調整手段２９ａは、電磁界回路としての配線パターン部品などのデータを入力し散乱電磁マトリクスの作成のための予備作業をあらかじめ行うことができる。
【０１１７】
ここでまた、マックスウエル電磁方程式にローレンツゲージを適用した積分方程式に関し、電界系の関係の作成は従来の第２の例と同様とし、ここでは磁界系で説明していく。磁界ベクトルＨＤを表すのに、観測位置が導体表面位置にある場合を考え、被対象物１０８への入射磁界ＨＤｉを加えたいわゆる磁界系散乱方程式において、導体表面位置から見た場合、磁界に関し次ぎの関係がある。
【０１１８】
【数３５】
2004301569.tif 000037
【０１１９】
ここで特にｎは導体表面に垂直に立てた単位ベクトル、Ｒは被対称物の導体表面観測位置に他の電流ベクトルＩの地点から引いたベクトル、ｈは集中印加磁界の設置とする。Ｓは電流Ｉが存在している被対象物１０８の導体全表面積とする。
【０１２０】
ここで、図１２について、数３５を電界系と同様な作業で離散化する。ここで入射磁界ＨＤｉは本実施例においても考えないものとしゼロと置く。
【０１２１】
本説明の離散化では、いわゆる電流の基底関数をデルタ関数にとり、さらに細い線とし網目体とするのは同様であり、また、積分計算を詳細化するため、電流基底関数を曲面とし、観測位置での磁界を重み関数で定義し、重み関数も曲面としモーメント法で詳細な積分作業により求めることが出来ることも同様である。
【０１２２】
図１２において、ＥＭＩ電流位置ＵＶＷは被対象物１０８の構成体存在位置ＵＶＷの網目交点とし、この各網目交点にある電流で、Ｘ方向のダイポールΔｌｘ、Ｙ方向のダイポールΔｌｙ、Ｚ方向のダイポールΔｌｚであるとして、これに流れる電流を、各波源位置ＵＶＷのＥＭＩ電流ベクトルＩとし、ＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）のように、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の大きさと位相で表しておく。
【０１２３】
またｈは集中印加磁界のベクトルとし、ｈはＸＹＺ方向にｈＸｅ（ｊαｈ）、ｈＹｅ（ｊβｈ）、ｈＺｅ（ｊγｈ）というように分解しておく。ここでｈＸ、ｈＹ、ｈＺはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の大きさ、αｈ、βｈ、γｈはそれぞれＸ、Ｙ、Ｚ方向の位相である。
【０１２４】
そこで次ぎの式が出来る。
【０１２５】
【数３６】
2004301569.tif 000038
【０１２６】
【数３７】
2004301569.tif 000039
【０１２７】
【数３８】
2004301569.tif 000040
【０１２８】
【数３９】
2004301569.tif 000041
【０１２９】
【数４０】
2004301569.tif 000042
【０１３０】
【数４１】
2004301569.tif 000043
【０１３１】
ここで数３９と数４０と数４１とを加算し形式的に等しく書き換えて次ぎのマトリクス式の連立方程式を得る。
【０１３２】
【数４２】
2004301569.tif 000044
【０１３３】
これをそのまま次ぎのように形式的に等しく書き換える。
【０１３４】
【数４３】
2004301569.tif 000045
【０１３５】
また電界系でも従来の第２の例で実施したのと同様の作業で次ぎの式となる。
【０１３６】
【数４４】
2004301569.tif 000046
【０１３７】
ここでこのように、被対象物１０８内において、印加した集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）と流れているべきＥＭＩ電流（Ｉ）と、対象物内において、これを関係付けるマトリクス（ＭＥＤ）（ＭＨＤ）と集中インピーダンスＺの関係が成立する。さきに述べたモーメント法の詳細な積分作業による離散化作業でも結果として、本マトリクス関係と同様の関係が作成できる。この作業を電磁界電流散乱マトリクス生成手段１３１によって実施し、結果のマトリクス（ＭＥＫ）（ＭＨＫ）の関係を電磁界電流散乱マトリクス保持部１３２に保持する。これが工程４０である。
【０１３８】
（４）次ぎに工程４１を説明する。ここで被対象物１０８の電磁界電流散乱マトリクス保持部１３２にある、数４４または数４３を見る。本式において、印加する集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）と集中インピーダンスＺに注目する。図１２に示す様に、集中印加電磁界（ｅ）あるいは（ｈ）は、ＥＭＩの電磁波の加振電源であり、被対象物の周りの外部系との隘路となる接点でポート４４に印加される。したがってポート以外は集中印加電磁界は無いのでゼロである。つまり、入力の列ベクトル（ｅ）（ｈ）は、ポート４４以外はゼロの値が入る。被対象物１０８にはポート４４は多数ある。これらの行の関係としてとくに次ぎに取り出す。
【０１３９】
【数４５】
2004301569.tif 000047
【０１４０】
【数４６】
2004301569.tif 000048
【０１４１】
ここで、被対象物の電磁界電流マトリクス保持部１１６にある数３３または数３４をみて見る。本式において、図１３に示す様に、ポート４４付近の空間測定位置２２のなかで、定めた空間測定位置１４４の関係する行の式に注目する。それらの一部をとくに取り出し、示すと次ぎの式となる。
【０１４２】
【数４７】
2004301569.tif 000049
【０１４３】
【数４８】
2004301569.tif 000050
【０１４４】
これら関係式の列ベクトルであるＥＭＩ電流ＩすなわちＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）は同じものである。よって数４５、数４６、数４７、数４８を交換合成できる。ここで重要なのは集中印加電磁界の列ベクトル（ｅ）（ｈ）のゼロでない印加電磁界が加わっているポート４４での行の関係式、数４５、数４６であり、これと、定めた空間測定位置１４４における行の関係式、数４７、数４８と交換する。これにより、次ぎの新しいマトリクスの関係が成立する。
【０１４５】
【数４９】
2004301569.tif 000051
【０１４６】
【数５０】
2004301569.tif 000052
【０１４７】
こうすることにより、操作者が人為的に入力する集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）に代わり、実測した測定電磁界（ＥＫ）（ＨＫ）が入り、これによってＥＭＩ電流を求める新しい１次多次元連立方程式ができる。
【０１４８】
つまり、マトリクスの行と列の数をあわすことができる。これにより、ポートにおける仮定の集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）の入力が関係式よりなくなる。
【０１４９】
本発明の特徴として、この仮定の集中印加電磁界の入力に代わって、実働中の実測した電磁界測定値を投入しているため、被対象物１０８の実働の状態が表現されているのである。これらの作業をマトリクス合成調整手段４５が行い、数４９、数５０の関係を合成マトリクス保持部４６に保持しておく。これが工程４１である。
【０１５０】
（５）工程４２で、ここで合成マトリクス電流計算手段４７により、工程３８で求めた測定値（ＥＫ）（ＨＫ）を投入する。数４９あるいは数５０の１次多次元連立方程式をＣＧ法、急速勾配法などで解いて、ＥＭＩ源であるＥＭＩ電流ＩをＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）の形で求めることになる。この電流を、ＥＭＩ電流データ保持部１３に収納する。
【０１５１】
ここで電界系の数４９を利用するか、磁界系の数５０を利用するかについては、薄い電気導体板を考えているので、磁界系の数５０の利用では導体表面の裏表の観測位置を取ることが必要となり、１次多次元連立方程式の次数が高くなり不利である。ここでは、電界系の数４９を利用する。ただし被対象物１０８の全長が扱う電磁波の波長よりかなり小さい場合誤差になるので磁界系の数５０の利用がよい。
【０１５２】
ここで、ＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９の近傍電磁界測定値の測定値の有効数字桁効数字が少なく測定誤差が入るということで、電流計算データ結果が振動し正常な値が得られないという問題は、被対象物１０８と空間測定位置ＸＹＺデータ面との距離ｔにおいて、被対象物構成体存在位置ＵＶＷピッチすなわちＥＭＩ電流位置ピッチΔＵ、ΔＶの１．５倍程度以下であり、また２層目からは観測位置が導体表面直近そのものという原理で、１次多次元連立方程式が正常に解ける状況が得られ、この結果多層基板であっても計算は発散しないで正常なＥＭＩ電流値が得られ、本発明の目的が達成できる。
【０１５３】
次ぎに、電流データ加工とポートの集中印加電磁界計算出力表示手段４８によりデータを加工し調整して表示し、または出力することになる。ＥＭＩ電流データ保持部１３には被対象物のＥＭＩ電流が求まっている。そこで数４５、数４６に注目する。これらはポートの集中印加電磁界の計算式であり、求めたＥＭＩ電流Ｉをこれに代入すると、実働状況でのすべてのポートの集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）が計算でき判明する。
【０１５４】
一般に、ポートの集中印加電磁界の直接測定は難しいが、本発明ではこの計算作業で容易に求まる。すなわち、従来の第２の例である電磁シミュレータでは集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）を仮定している状態のため実働状態を表わせなかったが、本発明では被対象物の実働状態の集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）を逆に計算し求まる。ここで、実働の動作のＥＭＩ電流が求められ、本発明の効果として、これで遠方電磁界を計算した場合、この計算値と遠方電磁界の測定値とは相関を取ることが可能となる。
【０１５５】
つぎに、図１４において本発明の第２の実施例を説明する。
【０１５６】
本発明の第１の実施例において、現在ある電磁界シミュレータでは通常、観測位置が被対象物の空間測定位置２２としての空間測定位置２２でのマトリクス関係を表す工程３９が無い。これを新たに作成する必要があり、現状の電磁界シミュレータを基にして改善する場合では計算工程の追加のため改造コストがかかる。
【０１５７】
そこで、この工程３９が無くてもよい実施例を第２の実施例とする。すなわち、被対象物を空間測定位置２２の近傍界で測定し、外層導体表面の電流を求める工程４９、観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクスを作成する工程５０、外層導体表面の電流を上記マトリクスに投入組み入れ、仮定した外部からの印加電圧電流電界磁界のある関係行をなくした新しいマトリクスの関係を作成する工程５１、上記の新しいマトリクス関係により対象物の電流を求める工程５２を備えたものである。
【０１５８】
これを図１５のブロック図で説明する。
【０１５９】
（１）工程４９において、被対象物を空間測定位置２２の近傍界で測定し、図１６に示すように外層導体表面の１地点の電流Ｉｓ５３を求める。外層導体表面の１地点の電流ＩｓをＩＸｓｅ（ｊαｉ）、ＩＹｓｅ（ｊβｉ）、ＩＺｓｅ（ｊγｉ）のように求めておく。すなわち、外層導体表面の１地点の電流Ｉｓ５３を、被対象物のポート４４の近くの外層導体表面の他の多くの地点で求める。この外層導体表面の電流を求めるのが工程４９である。本工程を実施する外層導体表面の電流を求める手段６９の詳細は後述するの第３の実施例で説明する。
【０１６０】
（２）次ぎに工程５０では、本発明の第１の実施例の工程３９と同じように、被対象物構成体データ入力加工調整手段２９ａにより、被対象物１０８の電気導体などの存在位置あるいは指令データに関し、被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータを全域で収納する被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部４３に収納することができるようになっている。すなわち、電磁界回路としての配線パターン部品などのデータを入力し散乱電磁マトリクスの作成のための予備作業をあらかじめ行うことができる。
【０１６１】
次ぎに、マックスウエル電磁方程式から求まる、電磁界系の散乱積分方程式に関し、本発明の第１の実施例と同様な作業を実施し、結果として次式を得る。
【０１６２】
【数５１】
2004301569.tif 000053
【０１６３】
【数５２】
2004301569.tif 000054
【０１６４】
ここでこのように、被対象物１０８内において、印加した集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）と流れているべき電流（Ｉ）と、対象物内において、これを関係付けるマトリクス（ＭＥＤ）（ＭＨＤ）と集中インピーダンスＺの関係が同様に成立している。この作業を電磁界電流散乱マトリクス生成手段１３１によって実施し、結果の、マトリクス（ＭＥＤ）（ＭＨＤ）とその関係を電磁界電流散乱マトリクス保持部１３２に保持する。
【０１６５】
（３）工程５１では、工程４９において、外層導体表面の１地点の電流Ｉｓ５３であるＩｓＸｅ（ｊαｉ）、ＩｓＹｅ（ｊβｉ）、ＩｓＺｅ（ｊγｉ）が求まっているため、この電流の値の関係を工程５０より求めた数５１、数５２の関係に代入する。すると次ぎの式となる。
【０１６６】
【数５３】
2004301569.tif 000055
【０１６７】
【数５４】
2004301569.tif 000056
【０１６８】
本式において、Ｉｐ＋１からＩｐ＋ｎの電流は、Ｉｓ１からＩｓｐ以外の電流である。印加する集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）に注目すると、集中印加電磁界（ｅ）あるいは（ｈ）はＥＭＩの電磁波の加振電源であり、被対象物の周りの外部系との隘路となるポート４４に印加されているものである。したがって数５１、数５２で判るように、ポート以外は集中印加電磁界は無いのでゼロである、つまり入力の列ベクトル（ｅ）（ｈ）はポート４４以外はゼロの値が入っている。
【０１６９】
図１６の説明図において、被対象物１０８にはポート４４は多数ある。ここで数５３または数５４を見る。本式において、図１６に示すポート４４の被対象物の導体表面位置すなわちポート４４の関係の行の式に注目する。それらの一部を取り出しとくに示すと次ぎの式となる。
【０１７０】
【数５５】
2004301569.tif 000057
【０１７１】
【数５６】
2004301569.tif 000058
【０１７２】
ここで、数５３または数５４を見て、本式において、図１６に示すポート４４の集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）の行の式、数５５、数５６の部分を削除する。こうして結果としてマトリクスの行と列の数を同じである次ぎの新しいマトリクスの関係ができる。すなわち、次の式となる。
【０１７３】
【数５７】
2004301569.tif 000059
【０１７４】
【数５８】
2004301569.tif 000060
【０１７５】
このよう外層導体表面の１地点の電流Ｉｓ５３を投入して、集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）のマトリクス関係の行の式を削除しても、行数と列数の等しい新しいマトリクス関係ができることになる。
【０１７６】
操作者が人為的に入力する集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）に代わり、外層導体表面の１地点の電流Ｉｓ５３が入り、マトリクスの行と列の数を同じにでき、ＥＭＩ電流を求める１次多次元連立方程式の計算ができる。すなわち、ポートの仮定の集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）の入力も必要なく、計算が可能となる。この新たな関係を合成マトリクス保持部５５に収納する。この作業をマトリクス合成調整手段５４が行う。これが工程５１である。
【０１７７】
（４）工程５２では、マトリクス合成調整手段５４により、５１の工程で求めた数５７あるいは数５８の１次多次元連立方程式をＣＧ法、急速勾配法などで解いて、ＥＭＩ源であるＥＭＩ電流ＩをＩＸｅ（ｊαｉ）、ＩＹｅ（ｊβｉ）、ＩＺｅ（ｊγｉ）の形で求めることになる。この電流を、ＥＭＩ電流データ保持部５７に収納することとなる。この作業を合成マトリクス電流計算手段５６が実施する。
【０１７８】
次ぎに、集中印加電磁界計算出力表示手段５８によりデータを加工し調整して表示、または出力することになる。ＥＭＩ電流データ保持部５７には被対象物のＥＭＩ電流が求まっている。そこで数５５、数５６に注目する。これらはポートの集中印加電磁界の計算式であり、求めたＥＭＩ電流Ｉと外層導体表面の電流ＩｓＸｅ（ｊαｉ）、ＩｓＹｅ（ｊβｉ）、ＩｓＺｅ（ｊγｉ）を数５５、数５６に代入すると、実働状況でのすべてのポートの集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）が計算でき判明する。
【０１７９】
本実施例では説明のように、電磁界シミュレータでは観測位置が被対象物の空間測定位置２２としての空間測定位置２２でのマトリクスの関係を新たに作成する工程３８の必要がなく、現状の電磁界シミュレータを改造する場合において、外層導体表面の電流を別の工程で求めておくと、現状の電磁シミュレータを改造する場合において、工程３８の計算工程の追加が不要になりコストがかからない利点がある。
【０１８０】
つぎに、第３の実施例を説明する。
【０１８１】
これは外層導体表面の電流を求める手段６９の実施例である。図１７の工程図で示す。
【０１８２】
被対象物を空間測定位置２２の近傍界で測定する工程５９、観測位置が被対象物の空間測定位置２２とした電流と電磁界の関係を表すローカルマトリクスを作成する工程６０、観測位置が被対象物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すローカルマトリクスを作成する工程６１、上記のマトリクスを合成させ、仮定した外部からの印加電圧電流電界磁界のある関係行をなくし、測定値の関係行を残した新しいローカルマトリクスの関係を作る工程６２、上記の新しいローカルマトリクス関係により被対象物の外層導体表面の電流を求める工程６３を備えていることを特徴とする。これを、図１８のブロック図と図１９により次ぎに説明する。
【０１８３】
（１）工程５９は第１の実施例の工程３８と同等である。被対象物１０８の上にＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９を配置し、センサ移動機構部１８によりＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９を移動させ、ＥＭＩ測定部１９ａとＥＭＩ測定操作手段２０ａによって、電磁界の大きさと位相であるＥＭＩ近傍電磁界測定値を計測し、被対象物１０８の表面上の全域で収納するＥＭＩ近傍電磁界測定値保持部１１０に収納するものである。センサ移動機構部１８を操作し、ＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９の先端部中心のＸ位置データ、Ｙ位置データ、Ｚ位置データを得、これらを空間測定位置ＸＹＺデータとし、これを測定域の全域で保持できる空間測定位置ＸＹＺデータ保持部１１ａに収納するセンサ移動測定位置ＸＹＺデータ操作手段２１ａをもつ。
【０１８４】
また、被対象物構成体データ入力加工調整手段２９ａは、電気導体などの存在位置に関する被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータを全域で収納する被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部４３に予めインプットすることができるようになっている。また、結果として、この各位置で計算した外層導体表面電流計算データを収納する外層導体表面電流データ保持部６８をもつものである。
【０１８５】
センサ移動機構部１８によりＥＭＩ電磁界測定用センサ１０９を被対象物１０８に接触かあるいは最接近状態で移動させ、これらの位置の、磁界の大きさと位相すなわちＥＭＩ近磁界計測データを計測する。
【０１８６】
すなわちこの空間測定位置２２の磁界ＨＫにおいて、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の各大きさと位相をそれぞれＨＫＸｅ（ｊαＨ）、ＨＫＹｅ（ｊβＨ）、ＨＺｋｅ（ｊγＨ）あるいは、電界ＥＫにおいて、ＥＫＸｅ（ｊαＥ）、ＥＫＹｅ（ｊβＥ）、ＥＫＺｅ（ｊγＥ）のようでなかたちでＥＭＩ近傍電磁界計測データとして得られるものである。ここに空間測定位置ＸＹＺデータと、この被対象物１０８に極近接した各位置でのＥＭＩ近磁界計測データを取得する。これが工程５９である。
【０１８７】
（２）工程６０において、マックスウエル電磁方程式をローレンツゲージで変形した積分方程式に関し、第１の実施例の結果の式で数１、数２２に注目する。
【０１８８】
ここで、本実施例の特徴であるローカルエリア６４を決定する。電磁界測定値はＩＣ搭載基板である被対象物１０８に極近接している近磁界の測定データである。この特徴によりローカルエリア６４以外の電流１４５は、ローカルエリアの中心位置の電磁界に影響を及ぼさないこととするのが特徴である。
【０１８９】
よって、本発明では数１、数２２と同じく次の式がローカルエリア６４内で成立するものとする。測定電界ベクトルＥＫを表すと次のようになる。
【０１９０】
【数５９】
2004301569.tif 000061
【０１９１】
測定磁界ベクトルＨＫを表すと次にようになる。
【０１９２】
【数６０】
2004301569.tif 000062
【０１９３】
なお、ＳＬはローカルエリア６４内の被対象物１０８の表面積を示す。数５９、数６０を離散化するものとし、結果の関係として電界系、磁界系でローカルエリア６４内で成立するものとする。このためＬを付けて表す。
【０１９４】
ここで、図１９のローカルエリア６４の説明図において、ローカルエリア６４以外の電流１４５はローカルエリアの中心位置の電磁界に影響を及ぼさないことに関するより詳しい説明をする。
【０１９５】
本発明の第１の実施例に沿って数５９、数６０の離散化を実施するものであるが、それは、数５９あるいは数６０などの項のなかで、次ぎの式に注目する。
【０１９６】
【数６１】
2004301569.tif 000063
【０１９７】
項１と項２の値を見て判るようにローカルエリアの中心部でｒが近接され小さいので値は大きくなり、また、周辺部でｒが大きいので、値は急速に小さくなる。この結果、ローカルエリアの中心位置の電磁界に影響を及ぼさないとみなすのである。
【０１９８】
またローカルエリアが有限であるため、ローカルエリアの周辺部の電流（Ｉ）は真の電流にたいしずれることは明白であるが、しかしながら、ローカルエリアの中心線２４付近の中央部の特に外層導体表面中央点１４６においては、電流（Ｉ）は真の電流とみなす。これは、中央部分における計算電流（Ｉ）としてはローカルエリアの電流から満遍なく影響を受けた計算になるので、とくに本発明の特徴として、電流（Ｉ）のローカルエリアの中心線２４付近の中央部、特に外層導体表面中央点１４６において真の電流とするのである。
【０１９９】
したがって次ぎの式を有効とする。
【０２００】
【数６２】
2004301569.tif 000064
【０２０１】
【数６３】
2004301569.tif 000065
【０２０２】
ここでこのように、ローカルエリア６４内の被対象物において、測定した電磁界（ＥＫ）（ＨＫ）と流れているべき電流（Ｉ）と、これを関係付けるローカルマトリクス（ＭＥＫ）Ｌ（ＭＨＫ）Ｌの関係が成立する。このローカルマトリクス（ＭＥＫ）Ｌ（ＭＨＫ）Ｌの関係を電磁界電流ローカルマトリクス保持部２１６に保持する。この作業を電磁界電流ローカルマトリクス生成手段２１５で実施する。これが工程６０である。
【０２０３】
（３）次ぎに工程６１を説明する。被対象物構成体データ入力加工調整手段２９ａにより、被対象物１０８の電気導体などの存在位置あるいは指令データに関し、被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータを全域で収納する被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部４３に収納することができるようになっている。すなわち電磁界回路としての配線パターン部品などのデータを入力し散乱電磁マトリクスの作成のための予備作業をあらかじめ行う。
【０２０４】
次ぎに、マックスウエル電磁方程式をローレンツゲージで変形した積分方程式に関し、観測位置が導体表面にある場合を考え、被対象物１０８への入射電磁界を加えた散乱方程式において入射電界ＥＤｉあるいは入射磁界ＨＤｉとし、ローカルエリア６４に関し、導体表面位置を見た場合の関係が成立する。
【０２０５】
ここでも、本発明の特徴であるローカルエリア６４以外の電流１４５はローカルエリアの中心位置の電磁界に影響を及ぼさないこととする。ここでも、ローカルエリア６４内において、本発明において、数１０、数３５と同じく次のローカルの式が成立する。導体表面電界に関しては次のようになる。
【０２０６】
【数６４】
2004301569.tif 000066
【０２０７】
導体表面磁界に関しては次のようになる。
【０２０８】
【数６５】
2004301569.tif 000067
【０２０９】
ここで、図１９のローカルエリア６４の説明図において、ローカルエリア６４以外の電流１４５はローカルエリアの中心位置の電磁界に影響を及ぼさないこと、ローカルエリアの中心線２４付近の中央部の特に外層導体表面中央点１４６においては、電流（Ｉ）は真の電流とみなすことの理由は、工程６０の説明と同じである。
【０２１０】
よって、電界系、磁界系、で有効であるとし、Ｌを付けて表す。すなわち、導体表面電界と導体表面磁界に関して、それぞれ次の式となる。
【０２１１】
【数６６】
2004301569.tif 000068
【０２１２】
【数６７】
2004301569.tif 000069
【０２１３】
ここでこのように、ローカルエリア６４において、印加した集中印加電磁界（ｅ）（ｈ）と流れているべき電流（Ｉ）Ｌと、これを関係付けるローカルマトリクス（ＭＥＤ）Ｌ（ＭＨＤ）Ｌと集中インピーダンスＺの関係を作成できる。この作業を電磁界電流散乱ローカルマトリクス生成手段２３１よって実施し電磁界電流散乱ローカルマトリクス保持部２３２に保持する。これが工程６１である。
【０２１４】
（４）次ぎに工程６２で、ここでは被対象物の電磁界電流散乱ローカルマトリクス保持部２３２と、電磁界電流ローカルマトリクス保持部２１６にある、数６２、数６３、数６６、数６７の交換合成を実施する。
【０２１５】
ここで重要なのは集中印加電磁界の列ベクトル（ｅ）（ｈ）のゼロ以外のポートの集中印加電磁界での行の関係式が存在する場合、これと、空間測定位置２２での行の式と交換する。これにより、次ぎの新しいローカルマトリクス関係が成立する。これをあらためて式にすると次のようになる。
【０２１６】
【数６８】
2004301569.tif 000070
【０２１７】
【数６９】
2004301569.tif 000071
【０２１８】
これらの作業をマトリクス合成調整手段６５が行い、数６８、数６９の関係をローカル合成マトリクス保持部６６に保持しておく。これが工程６２である。
【０２１９】
（５）工程６３では、ローカルエリア６４の中心のさらに外層導体表面中央点１４６の電流Ｉｓｃを、ＩｓｃＸｅ（ｊαｉ）、ＩｓｃＹｅ（ｊβｉ）、ＩｓｃＺｅ（ｊγｉ）の形で求める。これは合成マトリクス電流計算手段６７により、１次多次元連立方程式をＣＧ法、あるいは電流Ｉｓｃのみ求められるクラメル法などで計算し解く。この外層導体表面中央点１４６のみの電流Ｉｓｃを、外層導体表面電流データ保持部６８に収納することとなる。
【０２２０】
次ぎにローカルエリア６４を次々に移動させ、被対象物１０８のポートの付近など必要域１４７としてあらかじめ決めた位置における外層導体表面電流Ｉｓｃを次々と計算し、これを外層導体表面電流データ保持部６８に次々に収納し、被対象物１０８のポートの付近など必要域における外層導体表面電流を求める。これが工程６３である。
【０２２１】
ここで電界系の数６８を利用するか、磁界系の数６９を利用するかに付いて説明する。電界系の数６８はローカルエリア６４の大きさが波長よりかなり小さい場合では、定常電流部分が精度が悪化し計算できなくなる。一方、磁界系の数６９は導体の裏と表の観測位置を扱うため、１次多次元連立方程式の次数が高くなり不利である。しかし本例ではローカルエリアの大きさが波長よりかなり小さいので定常電流部分が精度よく計算できる磁界系の数６９を利用する。
【０２２２】
ここで、本実施例を利用すると、特に、被測定物の実働状況の外層導体表面電流が計算で判明する。この外層導体表面電流によっても、ＥＭＩ低減改善では寄与効果があり利用価値が高い。これを第４の実施例で説明する。
【０２２３】
本発明の第４の実施例として外層導体表面電流を求めるための測定と計算の実例について説明する。
【０２２４】
図２０において、観測位置である空間測定位置の面２２ａが１枚であり、また、ＵＶＷ網目体では電気導体面が２枚である。被対象物１０８ａの構造は幅が１．２ｍｍの薄いＡ導体ライン１４８が手前から向こうにあり、電流が流れている。また、その下にＢ導体べた１４９が全面にあり、電流が中央付近で流れているマイクロストリップライン構造である。本実施例では外層表面層電流としてはＡ伝導体ライン１４８の電流を求めるものである。
【０２２５】
本例のローカルエリア６４ａは図２０に示す。測定作業は必要域１４７で幅１．４ｍｍ長さ２０ｍｍの幅を広げた範囲の測定作業を実施する。本マイクロストリップライン構造の計算で、ローカルエリア６４ａとして、厚み０．８ｍｍ目安で、幅Ｌが３．０ｍｍ角の大きさを考える。空間測定位置ＸＹＺの位置ピッチについてΔＸ、ΔＹを０．２ｍｍ、ＥＭＩ電流位置の網目体Ｕ、ＶのピッチもΔＵ、ΔＶは０．２ｍｍで、Ａ導体ライン１４８とＢ導体べた１４９の間隔ｄａは０．６ｍｍである。また測定高さｔａは０．２ｍｍである。
【０２２６】
本実施例では、ＥＭＩ磁界測定用センサ９はＹ方向の磁界を測定し、Ｘ方向の磁界は実情的に０を置いた。
【０２２７】
またローカルエリア長が３．０ｍｍあるため、周波数５００ＭＨＺの波長に対し、十分小さいので磁界系のローカルマトリクス関係を用いる。
【０２２８】
本実施例を、第３の実施例で既に説明した工程の図１７によって、作業フロー図２１により次に説明する。
【０２２９】
（１）工程５９で、作業１０１において、Ａ導体ライン１４８、Ｂ導体べた１４９の電気導体存在位置を、広範囲にわたり、被対象物構成体データ入力加工調整手段２９ａにより、被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部４３に読み込み保持する。
【０２３０】
作業１０２において、センサ移動機構部１８によりＥＭＩ磁界測定用センサ９をΔＸ、ΔＹの各位置に移動させておいて、被対象物１０８ａの必要域１４７を広げた範囲について、空間測定位置ＸＹＺデータ面（空間測定位置の面）２２ａの空間測定位置ＸＹＺデータを空間測定位置ＸＹＺデータ保持部１１ａに収納し、また、ＥＭＩ磁界測定用センサ９で磁界計測データを取得し、ＥＭＩ近傍電磁界測定値保持部１１０に収納する。
【０２３１】
（２）工程６０に入り、作業１０３において、計算で求めたい外層表面電流の必要域１４７として、Ａ導体ライン１４８のＹ方向に７点、Ｘ方向に２０点の位置として決める。
【０２３２】
作業１０４において、ローカルエリア６４ａとしてＸ方向１５点、Ｙ方向１５点、Ｚ方向厚み０．８ｍｍ程度を決める。
【０２３３】
作業１０５において、観測位置が空間測定位置の面２２ａのローカル磁界マトリクス関係式の数７０を作成し、保持する。
【０２３４】
【数７０】
2004301569.tif 000072
【０２３５】
（３）工程６１に入り、作業１０６において、観測位置が導体表面位置のローカル磁界マトリクス関係を次の式のように定め、保持する。
【０２３６】
【数７１】
2004301569.tif 000073
【０２３７】
（４）工程６２に入り、作業１０７において、観測位置が空間測定位置の面２２ａのローカルマトリクス関係と観測位置が導体表面のローカル磁界マトリクスを合成し、新しいローカルマトリクス関係を次の式のように作成し、保持する。
【０２３８】
【数７２】
2004301569.tif 000074
【０２３９】
数７２において、ＨＫ１からＨＫ２２５はＹ方向実軸磁界測定値を当て、ＨＫ２２６からＨＫ４５０はＹ方向虚軸磁界測定値を当てている。また、Ｉｓｃ１１３はＸ方向中央一点１５０の実軸電流、Ｉｓｃ１０１３はＸ方向中央一点１５０の虚軸電流を示している。中央一点１５０のＸ方向の電流の大きさ、および電流の位相は次式で計算する。
【０２４０】
【数７３】
2004301569.tif 000075
【０２４１】
【数７４】
2004301569.tif 000076
【０２４２】
これらはローカルエリアの中心線２４のＡ導体ライン１４８の外層導体表面中央点１４６のＸ方向の電流の大きさと位相に当たる。
【０２４３】
（５）工程６３に入り、作業１０８において、測定値を投入し新しいローカルマトリクス関係を解き、決めた外層表面電流位置での電流を計算し保持する。
【０２４４】
次ぎに、作業１０９で次の計算したい外層表面電流位置を決める。そして作業１０４へと進む。外層電流位置の全部が終了して作業を終える。
【０２４５】
以上により実例である第４の実施例で、外層表面層電流すなわちＡ導体ライン１４８の電流が求まる。
【０２４６】
本作業において、表面層電流位置をＡ導体ライン１４８の中央の地点をローカルエリアの中心線２４としたローカルエリア６４ａとして、ＣＧ法によりローカルエリア内のＸ方向の全位置の電流が計算できる。このローカルエリア内のＸ方向の全位置の電流の大きさの計算結果を図２２に示す。本図の中央一点１５０が外層表面電流として有効である。他の地点の電流は真の値よりずれているので廃棄される。
【０２４７】
つぎに必要域１４７において計算したＡ導体のＸ方向の外層表面層電流の大きさと位相の計算結果を図２３に示す。電流値は必要域１４７での長さ２０ｍｍで同じ程度であり、これはストリップライン構造のＡ導体ライン１４８の特性インピーダンスと終端抵抗１５１の値が一致していて定在波成分はないと見ることができる。位相が２１°程度ずれているので、波長の長さの値に見合ったものと見ることができる。
【０２４８】
ここで図２０を見て、求めた外層表面層電流を第３の実施例の作業を適用することができる。すなわち、マイクロストリップライン構造の全系ついて求めたＥＭＩ電流により、これを式に代入し、集中印加電界である給電点電圧１５２が逆に求まる。ここでは給電点電圧１５２すなわち、本例におけるＥＭＩ加振源の実働状態での値が求まったことになる。この意味により、一般の多層回路基板でも、同様に、実働状態のＥＭＩ加振源が求まることを実証している。
【０２４９】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０２５０】
【発明の効果】
従来の第１の例のように電磁界の測定値を利用する場合では、数９の関係で計算の実用上の適用において、ＥＭＩ電磁界測定用センサ測定値の有効数字桁効数字が少ない、すなわち測定誤差が入るということになる。また電磁界電流マトリクスが実際の被対象物１０８を精度よく表しきれないという一般状況のため、多層伝導体より成る基板などの被対象物に対し、１次多次元連立方程式を解く処理はでき計算はできるが、このＥＭＩ電流計算データ結果が振動し正常な値が得られない現象が生じ、電流の分解能が得られ不具合点がある。
【０２５１】
一方、従来の第２の例のシミュレータでは、集中印加電磁界（ｅ）あるいは（ｈ）はＥＭＩの電磁波の加振電源であり、これは一般に操作者が入力するか、周波数応答あるいはＳパラメータ計算のため決まった値を入れるとか、で設定あるいは仮定する。どのような複雑な加振電源でも計算できる利点はある。しかし、ここで集中印加電磁界（ｅ）あるいは（ｈ）は実働では不明であり入力値を決定する根拠は存在しない、入力はすべて仮定である。すなわち現実の実働動作とは無縁の計算結果上のことであり現実の測定値と相関を取ることは不可能である。
【０２５２】
これを改善するため本発明では、被対象物１０８を空間測定位置２２である近傍界で測定し、電磁界の測定値と空間測定位置２２を求め、電磁界の測定値から得られる関係を作成し、観測位置が被対象物１０８の空間測定位置２２とした電流と電磁界の関係を表すマトリクスと観測位置が測定物の導体表面位置とした電流と電磁界の関係を表すマトリクスの関係を作成し、このような電磁界の測定値から得た関係、マトリクスの関係を合わせ選別した別のマトリクスの関係を合成し、このマトリクスにより被対象物１０８の電流を求めることで従来の不具合点を改善し次ぎの効果が得られる。
【０２５３】
（１）１次多次元連立方程式の未知のＥＭＩ電流の値の計算の実用上の適用において、被対象物が多層基板であってＥＭＩ電流計算データ結果が振動し正常な値が得られない現象を解決しＥＭＩ電流が３次元の位置で３方向で得られるようになる。
【０２５４】
（２）ＥＭＩの電磁波の加振電源である集中印加電磁界（ｅ）あるいは（ｈ）を操作者が仮定して入力する必要がなく、入力データは実際の実働時に得た電磁界測定値を入力して計算できる。このため現実の実働動作の状態でのＥＭＩ電流が求まる。このＥＭＩ電流により計算した遠方界での電磁界の値は、実測できる遠方界の現実の電磁界測定値と相関を取ることが可能である。
【０２５５】
（３）実働状態で流れているＥＭＩ電流から逆算し、不明であったＥＭＩの電磁波の加振電源である集中印加電磁界（ｅ）あるいは（ｈ）が計算でき判明させることができる。
【０２５６】
（４）判明したＥＭＩの電磁波の加振電源である集中印加電磁界（ｅ）、（ｈ）を基にして、被対象物内部回路のＥＭＩ低減対策シミュレーション作業ができるため実働状態でのより正確な解析作業が実施できる。
【０２５７】
以上の効果により、多層基板など被対象物の内部のＥＭＩ電流が３次元位置において各位置で実働状態で判明することができ、またＥＭＩ低減対策設計作業が高精度でできるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＭＩ電流解析装置の工程説明図である。
【図２】従来の第１の例の電流解析装置の工程説明図である。
【図３】従来の第１の例の測定値を求める機構例の説明図である。
【図４】従来の第１の例のブロック説明図である。
【図５】従来の第１の例における一般的な離散化説明図である。
【図６】従来の第２の例の電流解析装置の工程説明図である。
【図７】従来の第２の例のブロック説明図である。
【図８】従来の第２の例における一般的な離散化説明図である。
【図９】本発明の第１の実施例の電流解析装置の工程説明図である。
【図１０】本発明の第１の実施例のブロック説明図である。
【図１１】本発明のＥＭＩ電磁界測定用センサの説明図である。
【図１２】本発明の第１の実施例における一般的な離散化説明図である。
【図１３】本発明の第１の実施例における観測位置説明図である。
【図１４】本発明の第２の実施例の電流解析装置の工程説明図である。
【図１５】本発明の第２の実施例のブロック説明図である。
【図１６】本発明の第２の実施例の外層導体表面説明図である。
【図１７】本発明の第３の実施例の外層導体表面の電流を求める工程説明図である。
【図１８】本発明の第３の実施例の外層導体表面の電流を求めるブロック説明図である。
【図１９】本発明の第３の実施例のローカルエリア説明図である。
【図２０】本発明の第４の実施例のマイクロストリップライン構造説明図である。
【図２１】本発明の第４の実施例の作業フロー図である。
【図２２】本発明の第４の実施例のローカルエリア計算結果の説明図である。
【図２３】本発明の第４の実施例の大きさと位相の計算結果の説明図である。
【符号の説明】
１〜８，２７，２８，３８〜４２，４９〜５２，５９〜６３  工程
９  ＥＭＩ磁界測定用センサ
１０  ＥＭＩ近傍磁界測定値保持部
１１，１１ａ  空間測定位置ＸＹＺデータ保持部
１２  被対象物構成体存在位置ＵＶＷデータ保持部
１３  ＥＭＩ電流データ保持部
１４  被対象物構成体存在位置入力加工調整手段
１５  磁界電流マトリクス生成手段
１６  磁界電流マトリクス保持部
１７  マトリクス電流計算手段
１８  センサ移動機構部
１９、１９ａ  ＥＭＩ測定部
２０、２０ａ  ＥＭＩ測定操作手段
２１、２１ａ  センサ移動測定位置ＸＹＺデータ操作手段
２２  空間測定位置
２２ａ  空間測定位置の面
２３  電流データ加工出力表示手段
２４  ローカルエリアの中心線
２５  基点磁界センサ
２６  回転軸
２９、２９ａ  被対象物構成体データ入力加工調整手段
３０  被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部
３１  電界電流散乱マトリクス生成手段
３２  電界電流散乱マトリクス保持部
３５  散乱マトリクス電流計算手段
３６  シミュレータ電流データ保持部
３７  シミュレータ電流データ加工出力表示手段
４３  被対象物構成体存在位置ＵＶＷ加工データ保持部
４４  ポート
４５  マトリクス合成調整手段
４６  合成マトリクス保持部
４７  合成マトリクス電流計算手段
４８  電流データ加工とポートの集中印加電磁界計算出力表示手段
５３  外層導体表面の１地点の電流
５４  マトリクス合成調整手段
５５  合成マトリクス保持部
５６  合成マトリクス電流計算手段
５７  ＥＭＩ電流データ保持部
５８  集中印加電磁界計算出力表示手段
６４、６４ａ  ローカルエリア
６５  マトリクス合成調整手段
６６  ローカル合成マトリクス保持部
６７  合成マトリクス電流計算手段
６８  外層導体表面電流データ保持部
６９  外層導体表面の電流を求める手段
１０８、１０８ａ  被対象物
１０９  ＥＭＩ電磁界測定用センサ
１１０  ＥＭＩ近傍電磁界測定値保持部
１１５  電磁界電流マトリクス生成手段
１１６  電磁界電流マトリクス保持部
１２５  基点電磁界センサ
１３１  電磁界電流散乱マトリクス生成手段
１３２  電磁界電流散乱マトリクス保持部
１４４  定めた空間測定位置
１４５  ローカルエリア以外の電流
１４６  外層導体表面中央点
１４７  必要域
１４８  Ａ導体ライン
１４９  Ｂ導体べた
１５０  中央一点
１５１  終端抵抗
１５２  給電点電圧
２１５  電磁界電流ローカルマトリクス生成手段
２１６  電磁界電流ローカルマトリクス保持部
２３１  電磁界電流散乱ローカルマトリクス生成手段
２３２  電磁界電流散乱ローカルマトリクス保持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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