(57)【要約】【課題】基板上のすべてのアライメントマーク上の薄膜を同条件で除去できる薄膜除去装置を提供する。【解決手段】ウエハＷの表面の薄膜を除去すべき矩形状の領域（薄膜除去対象領域）内でスリット形状のレーザ光像をスキャンさせて、その薄膜除去対象領域内の薄膜をレーザアブレーション現象で除去するレーザ薄膜除去部と、ウエハＷを平面内で９０度回転させるウエハ回転部とを備えている。まず、ＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域Ａｘ内でスリット形状のレーザ光像をＸ方向にスキャンさせて、薄膜除去対象領域Ａｘ内の薄膜を除去した後、ウエハＷを９０度回転させて、次に、ＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙ内で薄膜除去対象領域Ａｘからの薄膜除去時と同形状のレーザ光像をＸ方向にスキャンさせることにより、薄膜除去対象領域Ａｙ内の薄膜を除去する。【選択図】        図３
2004200405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向と直交する方向にスキャンさせることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去するレーザ薄膜除去部と、
基板表面上に上記所定方向と直交する方向に沿って設定された第１の薄膜除去対象領域からの薄膜除去時と基板表面上に上記所定方向に沿って設定された第２の薄膜除去対象領域からの薄膜除去時とで、基板表面に対して、基板表面に結像されるスリット形状のレーザ光像の向きが９０度異なるように、基板を基板表面に平行な平面内で９０度回転させる基板回転部と
を含むことを特徴とする薄膜除去装置。
【請求項２】
基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段に保持された基板の表面に所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向と直交する方向にスキャンさせることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去するレーザ薄膜除去手段と、
基板表面上に上記所定方向と直交する方向に沿って設定された第１の薄膜除去対象領域からの薄膜除去時と基板表面上に上記所定方向に沿って設定された第２の薄膜除去対象領域からの薄膜除去時とで、基板表面に対して、基板表面に結像されるスリット形状のレーザ光像の向きが９０度異なるように、上記基板保持手段に保持された基板を基板表面に平行な平面内で９０度回転させる基板回転手段と
を含むことを特徴とする薄膜除去装置。
【請求項３】
基板表面に所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向と直交する方向に移動させることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する第１のレーザ薄膜除去部と、
上記所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を９０度回転させた形状のレーザ光像を基板表面に結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向に移動させることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する第２のレーザ薄膜除去部と、
上記第１のレーザ薄膜除去部から処理済みの基板を搬出して、その基板を上記第２のレーザ薄膜除去部に向けて搬送し、上記第１のレーザ薄膜除去部からの搬出時と上記第２のレーザ薄膜除去部への搬入時とで基板の周方向位置が同じになるように、上記第１のレーザ薄膜除去部から搬出した基板を上記第２のレーザ薄膜除去部に搬入する基板搬送機構と
を含むことを特徴とする薄膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板の表面にレーザ光を照射して、その基板の表面に形成されている薄膜を除去する薄膜除去装置に関する。薄膜除去の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、多層構造の半導体装置の製造プロセスでは、フォトリソグラフィ工程が繰り返されて、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）上に、パターニングされた配線層や絶縁層が積層形成されていく。各層間における位置関係を適切にするためには、パターニング対象層上に積層されたレジスト膜を選択的に露光する際のウエハのアライメント（位置決め）が重要になる。ウエハのアライメントは、たとえば、ウエハ上に形成されているアライメントマークをＣＣＤカメラで検出し、その検出結果に基づいて、ウエハの位置を調整することにより達成される。
【０００３】
一方、露光時におけるレジスト膜の下層での不要な光反射は、レジストパターンのライン・エッジ・ラフネス（ＬＥＲ）の悪化を招くので、パターニング対象層とレジスト膜との間には、通常、その不要な光反射を防止するための反射防止膜が設けられる。
ところが、反射防止膜が設けられていると、ウエハ表面への露光光の照射では、ＣＣＤカメラでアライメントマークを検出できず、ウエハをアライメントすることができない。反射防止膜に吸収されない波長の光をウエハ表面に照射すれば、ＣＣＤカメラでアライメントマークを検出できるが、そのような波長の光をウエハ表面に照射するための光学系は、露光精度を維持する必要性から露光光軸上に配置することはできないので、アライメントマークの検出誤差が大きく、結果として、アライメントの精度が低くなってしまう。また、いわゆるスピンコータによって形成されるレジスト膜は、ウエハの中央部で凹んだ表面形状を有しているため、ウエハの周縁部では、レジスト膜の表面が傾斜していることによって光が屈折し、アライメントマークを正確に検出することができず、アライメント誤差はさらに増大する。
【０００４】
そこで、ウエハのアライメントに際しては、ウエハ上に形成されているアライメントマークを露出させるために、そのアライメントマーク上の一定領域からレジスト膜および反射防止膜などの薄膜が除去される。
アライメントマーク上の薄膜を除去するための装置として、最近、レーザアブレーション現象を利用した薄膜除去装置が注目されている。この種の薄膜除去装置の先行技術は、たとえば、下記特許文献１に開示されている。すなわち、ウエハを載置するためのウエハステージと、このウエハステージに載置されたウエハの表面にレーザ光を照射するためのレーザ照射系とが備えられており、アライメントマーク上の一定の矩形状領域（薄膜除去対象領域）にレーザ光が一括照射される。レーザ光が照射された領域では、ウエハ表面の薄膜が爆発的に気化するアブレーション現象が生じ、その結果、そのレーザ光が照射された領域からウエハ表面の薄膜が除去される。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−１１３７７９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、薄膜除去対象領域にレーザ光を一括照射する構成では、薄膜除去対象領域からレーザアブレーション現象によって気化された薄膜（薄膜気化物）が飛散し、これがパーティクルとなって、薄膜除去対象領域の周囲に多量に付着するという問題があった。
そこで、本願発明者は、ウエハ表面にスリット形状のレーザ光像を結像させ、薄膜除去対象領域内でスリット形状のレーザ光像をスキャンさせることにより、その薄膜除去対象領域内の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する手法（スキャンアブレーション）ことを考えた。スリット形状のレーザ光像は幅が狭いので、スキャンの過程で各レーザ光像が結像した領域（スリット形状の領域）で発生して、その長手方向に飛散する薄膜の気化物の量は、薄膜除去対象領域にレーザ光を一括照射した場合に同方向に飛散する薄膜気化物の量に比べて大幅に少ない。また、レーザ光像をその長手方向と直交する方向に移動させれば、スリット形状の領域からその幅狭方向に飛散した薄膜気化物がパーティクルとなってウエハ表面に付着しても、その付着したパーティクルをスキャンの過程で薄膜とともに除去することができる。よって、薄膜除去対象領域にレーザ光を一括照射した場合に比べて、薄膜除去対象領域の周囲へのパーティクルの付着量を大幅に低減することができる。
【０００７】
ところで、アライメントマークには、マスクに対するウエハＷの前後方向の位置合わせのためのＸマークと、マスクに対するウエハＷの左右方向の位置合わせのためのＹマークとがある。たとえば、図８に示すように、ＸマークＭｘは、ウエハＷに形成されたスクライブラインＳＬｘ上に、そのスクライブラインＳＬｘに沿うＸ方向に長く形成されており、ＹマークＭｙは、スクライブラインＳＬｘと直交するスクライブラインＳＬｙ上に、スクライブラインＳＬｙに沿うＹ方向に長く形成されている。
【０００８】
そのため、上述のスキャンアブレーションの手法でＸマークＭｘおよびＹマークＭｙ上の薄膜を除去するためには、それぞれＸマークＭｘ上のＸ方向に長い矩形状の領域ＡｘおよびＹマークＭｙ上のＹ方向に長い矩形状の領域Ａｙを薄膜除去対象領域として、たとえば、各薄膜除去対象領域Ａｘ，ＡｙのＹ方向の幅にほぼ等しい長さのレーザ光像をＸ方向に移動させなければならない。したがって、ＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙからの薄膜除去時には、ＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域内Ａｘでスキャンするレーザ光像よりも長いスリット形状のレーザ光をスキャンさせる必要がある。
【０００９】
しかし、ＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域Ａｘからの薄膜除去時とＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙからの薄膜除去時とでレーザ光像の長さが異なると、加工品質や薄膜除去対象領域Ａｘ，Ａｙの周囲へのパーティクルの付着量にばらつきが生じてしまう。すなわち、レーザ光像の長さ（スリット長）が長いほど、レーザ光像内での光学的条件にばらつきが生じやすいので、ＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙの加工品質がＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域Ａｘの加工品質よりも低下する。また、レーザ光像の長さが長いほど、パーティクルの発生量が増加するので、ＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙの周囲には、ＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域Ａｘの周囲よりも多くのパーティクルが付着する。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、基板上のＸマークおよびＹマーク上の薄膜を同条件で除去できる薄膜除去装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）表面に所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向と直交する方向にスキャンさせることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去するレーザ薄膜除去部（１）と、基板表面上に上記所定方向と直交する方向に沿って設定された第１の薄膜除去対象領域（Ａｘ）からの薄膜除去時と基板表面上に上記所定方向に沿って設定された第２の薄膜除去対象領域（Ａｙ）からの薄膜除去時とで、基板表面に対して、基板表面に結像されるスリット形状のレーザ光像の向きを９０度異なるように、基板を基板表面に平行な平面内で９０度回転させる基板回転部（３）とを含むことを特徴とする薄膜除去装置である。
【００１２】
なお、上記基板回転部による基板の９０度回転は、基板を２７０度回転させる場合を含む。つまり、上記基板回転部は、基板を基板表面に平行な平面内で２７０度回転させて、結果的に、その回転の前後で基板を９０度回転させるものを含む。
括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【００１３】
たとえば、第１の薄膜除去対象領域内でスリット形状のレーザ光像を所定方向にスキャンさせて、第１の薄膜除去対象領域内の薄膜を除去した後、その基板をレーザ薄膜除去部から基板回転部へ移送させる。そして、基板回転部で基板を９０度回転させた後、その基板を再びレーザ薄膜除去部に搬入し、第２の薄膜除去対象領域内でレーザ光像を所定方向にスキャンさせて、第２の薄膜除去対象領域内の薄膜を除去することにより、第１の薄膜除去対象領域内の薄膜と第２の薄膜除去対象領域内の薄膜とを同条件で除去することができる。よって、基板上にＸマークおよびＹマークの２種類のアライメントマークが形成されている場合であっても、そのＸマークおよびＹマーク上の薄膜を同条件で除去することができる。
【００１４】
請求項２記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（１１）と、この基板保持手段に保持された基板の表面に所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向と直交する方向にスキャンさせることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去するレーザ薄膜除去手段（１２，１１２）と、基板表面上に上記所定方向と直交する方向に沿って設定された第１の薄膜除去対象領域（Ａｘ）からの薄膜除去時と基板表面上に上記所定方向に沿って設定された第２の薄膜除去対象領域（Ａｙ）からの薄膜除去時とで、基板表面に対して、基板表面に結像されるスリット形状のレーザ光像の向きを９０度異なるように、上記基板保持手段に保持された基板を基板表面に平行な平面内で９０度回転させる基板回転手段（４；５）とを含むことを特徴とする薄膜除去装置である。
【００１５】
なお、上記基板回転手段による基板の９０度回転は、基板を２７０度回転させる場合を含む。つまり、上記基板回転手段は、基板を基板表面に平行な平面内で２７０度回転させて、結果的に、その回転の前後で基板を９０度回転させるものを含む。
この構成によれば、たとえば、第１の薄膜除去対象領域内でスリット形状のレーザ光像を所定方向にスキャンさせて、第１の薄膜除去対象領域内の薄膜を除去した後、基板回転手段によって基板を９０度回転させ、次に、第２の薄膜除去対象領域内でレーザ光像を所定方向にスキャンさせて、第２の薄膜除去対象領域内の薄膜を除去することにより、第１の薄膜除去対象領域内の薄膜と第２の薄膜除去対象領域内の薄膜とを同条件で除去することができる。よって、基板上にＸマークおよびＹマークの２種類のアライメントマークが形成されている場合であっても、そのＸマークおよびＹマーク上の薄膜を同条件で除去することができる。
【００１６】
また、基板保持手段で基板を保持した状態で、その基板を９０度回転させることができるから、この請求項２の構成では、請求項１の構成に設けられている基板回転部が不要であり、基板保持手段から基板回転部へ基板を移送する必要がないという利点もある。
請求項３記載の発明は、基板（Ｗ）表面に所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向と直交する方向に移動させることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する第１のレーザ薄膜除去部（６）と、上記所定方向に長いスリット形状のレーザ光像を９０度回転させた形状のレーザ光像を基板表面に結像させ、このレーザ光像を基板表面上で上記所定方向に移動させることにより、基板表面の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する第２のレーザ薄膜除去部（７）と、上記第１のレーザ薄膜除去部から処理済みの基板を搬出して、その基板を上記第２のレーザ薄膜除去部に向けて搬送し、上記第１のレーザ薄膜除去部からの搬出時と上記第２のレーザ薄膜除去部への搬入時とで基板の周方向位置が同じになるように、上記第１のレーザ薄膜除去部から搬出した基板を上記第２のレーザ薄膜除去部に搬入する基板搬送機構（８）とを含むことを特徴とする薄膜除去装置である。
【００１７】
この構成によれば、第１のレーザ薄膜除去部と第２のレーザ薄膜除去部とで、基板表面に結像されるレーザ光像のサイズが同じであるから、基板表面の薄膜を同条件で除去することができる。よって、基板上にＸマークおよびＹマークの２種類のアライメントマークが形成されている場合であっても、そのＸマークおよびＹマーク上の薄膜を同条件で除去することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る薄膜除去装置の構成を図解的に示す平面図である。この薄膜除去装置は、たとえば、半導体製造工程中の露光処理に先立ち、基板の一例であるウエハＷの表面に形成されているレジスト膜や反射防止膜などの薄膜を局所的に除去して、その下層に設けられたアライメントマークを露出させるために用いられるものであり、ウエハＷの表面の薄膜を除去すべき矩形状の領域（薄膜除去対象領域）内でスリット形状のレーザ光像をスキャンさせて、その薄膜除去対象領域内の薄膜をレーザアブレーション現象で除去するレーザ薄膜除去部１と、ウエハＷの周縁部に形成されているノッチまたはオリフラを検出し、その検出したノッチまたはオリフラの位置に基づいて、ウエハＷを平面内で９０度回転させるウエハ回転部２と、レーザ薄膜除去部１とウエハ回転部２との間に配置されていて、レーザ薄膜除去部１とウエハ回転部２との間でウエハＷを搬送する搬送ロボット３とを備えている。
【００１９】
図２は、レーザ薄膜除去部１の構成を概念的に示す図である。レーザ薄膜除去部１は、ほぼ水平なウエハ載置面１１１を有するウエハステージ１１と、ウエハステージ１１のウエハ載置面１１１上に載置されたウエハＷの表面（上面）にレーザ光を照射するためのレーザ照射系１２と、ウエハＷ上に水流を形成するための水流ノズル１３と、ウエハＷ上に形成される水流の高さを一定に規制するための透明板１４とを備えている。
【００２０】
ウエハステージ１１には、このウエハステージ１１を水平なＸ−Ｙ平面内で移動させるためのＸＹ駆動機構１１２が結合されている。ウエハステージ１１のウエハ載置面１１１にウエハＷを載置した状態でＸＹ駆動機構１１２を動作させることにより、ウエハ載置面１１１上に載置されたウエハＷをウエハステージ１１ごとＸ−Ｙ軸方向に移動させることができ、このウエハＷのＸ−Ｙ軸方向の移動によって、ウエハＷの表面に対するレーザ照射系１２からのレーザ光の照射位置を変えることができる。
【００２１】
レーザ照射系１２は、たとえば、レーザ光をウエハＷの表面に照射して、そのウエハＷの表面にスリット形状のレーザ光像を形成する。ウエハＷの表面のレーザ光が照射された領域（レーザ光像が形成された領域）では、ウエハＷの表面の薄膜が爆発的に気化するアブレーション現象が生じ、その結果、レーザ光が照射された領域からウエハＷの表面の薄膜が除去される。
レーザ照射系１２からウエハＷの表面にレーザ光が照射されている間、水流ノズル１３からウエハＷの表面に水が供給されて、ウエハＷ上にレーザ光の照射領域を一定方向に流れる水流（水膜）が形成される。これにより、レーザアブレーション現象によって生じた薄膜の気化物およびその気化物から生じたパーティクルを水流で押し流すことができ、ウエハＷの表面にパーティクルが付着することを防止できる。また、ウエハＷ上に形成される水流は、透明板１４の下面に接することにより、その高さがウエハＷの表面と透明板１４の下面との間の間隔に規制されている。よって、レーザ照射系１２からのレーザ光は、それぞれ一定厚の透明板１４および水流層を通して、焦点ずれを生じることなく、ウエハＷの表面に照射される。さらに、ウエハＷ上に形成される水流は、ウエハＷを冷却し、レーザアブレーション現象時に発生する熱がウエハＷに悪影響を及ぼすことを防止する役割も果たしている。
【００２２】
図３は、この薄膜除去装置による一連の薄膜除去処理について説明するための流れ図である。薄膜除去の対象となるウエハＷには、スクライブラインＳＬｘ上に、そのスクライブラインＳＬｘに沿う方向に長いＸマークＭｘが形成され、スクライブラインＳＬｘと直交するスクライブラインＳＬｙ上に、スクライブラインＳＬｙに沿う方向に長いＹマークＭｙが形成されている。
薄膜除去の対象となるウエハＷは、レーザ薄膜除去部１に搬入されてきて、その表面を上に向けて、たとえば、スクライブラインＳＬｘがＸ方向に沿うようにウエハステージ１１上に載置される。ウエハＷが載置されると、たとえば、ＸマークＭｘ上に設定した薄膜除去対象領域ＡｘのＸ方向の一方端部の照射開始位置にスリット形状のレーザ光像が結合するように、ウエハＷのＸ方向およびＹ方向の位置が調整される。
【００２３】
この位置調整後、図３(a)に示すように、薄膜除去対象領域Ａｘ内でのスリット形状のレーザ光像のスキャンが行われる。すなわち、ウエハＷの表面にレーザ光が照射される一方で、ウエハＷの位置がＸ方向に沿って一定速度で移動される。このウエハＷの移動により、スリット形状のレーザ光像（レーザ光の照射領域）がウエハＷの表面上をＸ方向に沿って移動する。これにより、レーザ光像が結像した領域で薄膜が爆発的に気化して除去されていき、最終的には、薄膜除去対象領域Ａｘ内の薄膜がきれいに除去されて、図３(b)に示すように、薄膜除去対象領域Ａｘ内にＸマークＭｘが露出する。
【００２４】
ウエハＷの表面に複数のＸマークＭｘが形成されている場合には、上述の動作（ウエハＷの位置調整および薄膜除去対象領域Ａｘ内でのレーザ光像のスキャン）が繰り返し行われる。そして、すべてのＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域Ａｘから薄膜が除去されると、搬送ロボット３によって、レーザ薄膜除去部１からウエハＷが搬出されて、そのウエハＷがウエハ回転部２に搬入される。ウエハ回転部２では、たとえば、ウエハＷの周縁部に形成されているノッチＮが検出され、そのノッチＮの回転方向位置に基づいて、ウエハＷがその表面に平行な平面内で９０度回転される。回転後のウエハＷは、搬送ロボット３によって、ウエハ回転部２から搬出されて、レーザ薄膜除去部１に再び搬入される。
【００２５】
レーザ薄膜除去部１に再び搬入されるウエハＷは、スクライブラインＳＬｙがＸ方向に沿った状態になっており、この状態でレーザ薄膜除去部１のウエハステージ１１上に載置される。ウエハＷが載置されると、たとえば、ＹマークＭｙ上に設定した薄膜除去対象領域ＡｙのＹ方向の一方端部の照射開始位置にスリット形状のレーザ光像が結合するように、ウエハＷのＸ方向およびＹ方向の位置が調整される。
【００２６】
この位置調整後、図３(c)に示すように、薄膜除去対象領域Ａｙ内でのスリット形状のレーザ光像のスキャンが行われる。すなわち、ウエハＷの表面にレーザ光が照射される一方で、ウエハＷの位置がＸ方向に沿って一定速度で移動される。このウエハＷの移動により、スリット形状のレーザ光像がウエハＷの表面上をＸ方向に沿って移動する。これにより、レーザ光像が結像した領域で薄膜が爆発的に気化して除去されていき、最終的には、薄膜除去対象領域Ａｙ内の薄膜がきれいに除去されて、図３(d)に示すように、薄膜除去対象領域Ａｙ内にＹマークＭｙが露出する。ウエハＷの表面に複数のＸマークＭｘが形成されている場合には、レーザ薄膜除去部１へのウエハＷの再搬入以降の動作（ウエハＷの位置調整および薄膜除去対象領域Ａｙ内でのレーザ光像のスキャン）が繰り返し行われる。
【００２７】
すべてのＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙから薄膜が除去されると、薄膜除去のための全工程は終了であり、薄膜除去対象領域Ａｘ，Ａｙから薄膜の除去されたウエハＷがレーザ薄膜除去部１から搬出されていく。
以上のように、この薄膜除去装置は、まず、ＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域Ａｘ内でスリット形状のレーザ光像をＸ方向に沿ってスキャンさせて、薄膜除去対象領域Ａｘ内の薄膜を除去した後、ウエハＷを９０度回転させて、次に、ＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙ内で薄膜除去対象領域Ａｘからの薄膜除去時と同形状のレーザ光像をＸ方向に沿ってスキャンさせることにより、薄膜除去対象領域Ａｙ内の薄膜を除去する構成になっている。これにより、ＸマークＭｘ上の薄膜除去対象領域Ａｘ内の薄膜とＹマークＭｙ上の薄膜除去対象領域Ａｙ内の薄膜とを同条件で除去することができ、加工品質や薄膜除去対象領域Ａｘ，Ａｙの周囲へのパーティクルの付着量のばらつきの少ないウエハＷを得ることができる。
【００２８】
なお、この実施形態では、ウエハＷを９０度回転させるためのウエハ回転部２を設けているが、たとえば、図４に示すように、ウエハステージ１１上に少なくとも３本のローラピン４を立設し、ローラピン４でウエハＷを保持した状態で薄膜除去処理を行い、各ローラピン４を回転させることにより、ウエハＷを９０度回転させるようにしてもよい。また、図５に示すように、ウエハステージ１１に回転駆動機構５を結合し、この回転駆動機構５によって、ウエハステージ１１ごとウエハＷを９０度回転させるようにしてもよい。これらの構成を採用した場合、ウエハ回転部２および搬送ロボット３は不要になる。
【００２９】
図６は、この発明の他の実施形態に係る薄膜除去装置の構成を図解的に示す平面図である。この薄膜除去装置は、ウエハに形成されているＸマーク上の薄膜を除去するためのＸマーク上薄膜除去部６と、ウエハに形成されているＹマーク上の薄膜を除去するためのＹマーク上薄膜除去部７と、Ｘマーク上薄膜除去部６からＹマーク上薄膜除去部７にウエハを搬送するための搬送ロボット８とを備えている。
【００３０】
Ｘマーク上薄膜除去部６は、ウエハの表面にＹ方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像をＸ方向に移動させることにより、ウエハに形成されたＸマーク上の矩形状領域（薄膜除去対象領域）内の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する構成を有している。一方、Ｙマーク上薄膜除去部７は、ウエハの表面にＸ方向に長いスリット形状のレーザ光像を結像させ、このレーザ光像をＹ方向に移動させることにより、ウエハに形成されたＹマーク上の矩形状領域（薄膜除去対象領域）内の薄膜をレーザアブレーション現象で除去する構成を有している。Ｙマーク上薄膜除去部７がウエハ上に結像させるレーザ光像は、Ｘマーク上薄膜除去部６がウエハ上に結像させるレーザ光像を９０度回転させた形状と同形状である。なお、搬送ロボット８は、たとえば、Ｘマーク上薄膜除去部６からのウエハの搬出時とＹマーク上薄膜除去部７へのウエハの搬入時とで、ウエハの周方向位置が同じになるように、Ｘマーク上薄膜除去部６からＹマーク上薄膜除去部７にウエハを搬送する。
【００３１】
この薄膜除去装置によっても、Ｘマーク上の薄膜除去対象領域内の薄膜とＹマーク上の薄膜除去対象領域内の薄膜とを同条件で除去することができ、加工品質や薄膜除去対象領域の周囲へのパーティクルの付着量のばらつきの少ないウエハを得ることができる。
以上、この発明のいくつかの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することも可能である。たとえば、図７に示すように、レーザ薄膜除去部１を複数設けて、各レーザ薄膜除去部１でウエハから薄膜を除去する処理を並行して行わせてもよい。こうすることにより、同時に複数枚のウエハを処理することができ、薄膜除去装置のスループットを上げることができる。
【００３２】
なお、薄膜除去部１を複数設ける場合、その複数のレーザ薄膜除去部１を一列に配列するとともに、各レーザ薄膜除去部１とウエハ回転部２との間でウエハの受け渡しができるように、ウエハ回転部２をレーザ薄膜除去部１の配列方向に沿って移動可能に設けることが好ましい。こうすれば、ウエハ回転部２が１つで済み、装置コストおよびサイズの増大を抑えることができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る薄膜除去装置の構成を図解的に示す平面図である。
【図２】レーザ薄膜除去部の構成を概念的に示す図である。
【図３】図１に示す薄膜除去装置による一連の薄膜除去処理について説明するための流れ図である。
【図４】ウエハを回転させるための他の構成について説明するための図である。
【図５】ウエハを回転させるためのさらに他の構成について説明するための図である。
【図６】この発明の他の実施形態に係る薄膜除去装置の構成を図解的に示す平面図である。
【図７】レーザ薄膜除去部を複数設けた構成について説明するための平面図である。
【図８】アライメントマーク（ＸマークおよびＹマーク）について説明するための図である。
【符号の説明】
１      レーザ薄膜除去部
２      ウエハ回転部
３      搬送ロボット
４      ローラピン
５      回転駆動機構
６      Ｘマーク上薄膜除去部
７      Ｙマーク上薄膜除去部
８      搬送ロボット
１１    ウエハステージ
１２    レーザ照射系
１１２  ＸＹ駆動機構
Ａｘ    薄膜除去対象領域
Ａｙ    薄膜除去対象領域
Ｍｘ    Ｘマーク
Ｍｙ    Ｙマーク
ＳＬｘ  スクライブライン
ＳＬｙ  スクライブライン
Ｗ      ウエハ
【図１】
2004200405.tif 000003
【図２】
2004200405.tif 000004
【図３】
2004200405.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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