(57)【要約】【課題】より確実且つ簡易な手段によりバンプによる接続信頼性を高め得る半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】バンプを基板上に備えてなる半導体装置の製造方法において、該バンプの上に弾性率（−５５℃）が１００ＭＰａ〜５ＧＰａであって厚みが前記バンプ高さの５〜４０％である接着フィルムを被せ、バンプが該接着フィルムを突き破って突出するようにして該接着フィルムを基板上に設けることを特徴とする半導体装置の製造方法を解決手段とする。【選択図】          図３
2004200394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプを基板上に備えてなる半導体装置の製造方法において、バンプが設けられた基板面上に弾性率（−５５℃）が１００ＭＰａ〜５ＧＰａであって厚みが前記バンプ高さの５〜４０％である接着フィルムを被せ、該接着フィルムを突き破ってバンプが突出するようにして該接着フィルムを基板上に設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接着フィルムが熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂組成物がポリカルボジイミド樹脂組成物であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記バンプをリフローによって回路基板上に実装する際に、併せて前記接着フィルムを硬化させることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部端子としてバンプを備えた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＣＳＰやＢＧＡなどの半導体装置は、マザーボードやドーターボード等の回路基板上に実装するための接続手段としてバンプを用いている。そして、該バンプによる接続信頼性を向上させる方法としては、バンプの底部周辺のみに樹脂を塗布してバンプを補強する方法（特許文献１）や、予めバンプの位置する部分に穴をあけておいたバンプ補強用フィルムを回路基板上に貼り付けておき、その後にバンプを形成する方法（特許文献２）などが採用されている。
【０００３】
【特許文献１】
ＷＯ  ０２／２４３９１公報
【特許文献２】
特開２０００−２０８５４７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前者の方法ではバンプのピッチや配置などが原因で樹脂が不均一に塗布される可能性があり、塗布量が少なくなった部分では補強不足が生じて接続信頼性の向上にバラツキが生じることとなる。また、製造工程が複雑となるため、半導体装置が高コストになるという問題がある。
【０００５】
また、後者の方法ではバンプの位置および大きさに合わせて補強用シートに貫通穴を形成しておく必要があり、形成された貫通穴の形状や位置によって接続信頼性に悪影響を及ぼすおそれがある。また、製造工程が複雑となって高コストになるという問題がある。
【０００６】
そこで本発明は、より確実且つ簡易な手段によりバンプによる接続信頼性を高め得る半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明は、バンプを基板上に備えてなる半導体装置の製造方法において、該バンプの上に弾性率（−５５℃）が１００ＭＰａ〜５ＧＰａであって厚みが前記バンプ高さの５〜４０％である接着フィルムを被せ、該接着フィルムを突き破ってバンプが突出するようにして該接着フィルムを基板上に設けることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【０００８】
斯かる半導体装置の製造方法によれば、バンプが接着フィルムを突き破って突出するので、接着フィルムには予め貫通穴を設けておく必要がなく、簡易な製造工程によって半導体装置を製造することができる。また、接着フィルムからバンプを突出させることにより、バンプと回路基板との電気的接続に際して該接着フィルムが悪影響を及ぼすことがなく、バンプによる接続信頼性を確実に向上させることができる。
【０００９】
また、本発明は、前記半導体装置において、好ましくは前記接着フィルムが熱硬化性樹脂組成物であることを特徴とする。また、より好ましくは、前記熱硬化性樹脂組成物がポリカルボジイミド樹脂組成物であることを特徴とする。
【００１０】
接着フィルムが熱硬化性樹脂組成物であれば、比較的柔らかい状態で基板上に接着させることができ、バンプを該接着フィルムから突出させやすくなる。また、バンプと接着フィルムとが密着した状態となるため、より確実にバンプを補強することができる。さらに、実装工程のリフローにおいて、同時に該接着フィルムを硬化させることができ、製造工程も簡易なものとなる。
また、熱硬化性樹脂組成物がポリカルボジイミド樹脂組成物であれば、吸水率が低いために接着後の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明は、前記バンプをリフローによって回路基板に接合させる際に、併せて前記接着フィルムを硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１２】
斯かる半導体装置の製造方法によれば、接着フィルムを硬化させるための工程を新たに追加する必要がなく、製造工程が簡易なものとなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１４】
図１〜３は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を示した概略断面図である。本実施形態では、まず、図１に示したように、半田バンプ１が所定位置に配設された基板２の上に接着フィルム３を配し、該接着フィルム３の上からローラー４で加熱、加圧することによって貼り合わせる。接着フィルム３は、ローラー４によって半田バンプ１に押し付けられ、図２に示すように、半田バンプ１が該接着フィルム３を突き破って突出した状態となる。
【００１５】
そして、図３に示すように、該基板２の半田バンプ１とは反対側の面に半導体素子５を搭載することにより、半田バンプ補強用接着フィルム付きの半導体装置１０を得る。
【００１６】
図１に示した本実施形態のように、表面、即ち、基板２とは反対側の面に離型性フィルム６が貼り合わされた接着フィルム３を使用する場合には、ローラー４は、該離型性フィルム６を介して接着フィルム３を押圧し、基板２上に接着させる。
そして、該半導体装置１０を回路基板（図示せず）上に実装する際には、該離型性フィルム６を除去した後、半田バンプ１が回路基板に接するようにして半導体装置１０を回路基板上に載置し、リフローによって半田バンプ１と回路基板とを接合する。
【００１７】
接着フィルム３を貼り合わせる際の加熱温度は、特に限定するものではないが、接着フィルムが基板上に仮貼りできる程度の温度が好ましい。例えば、該接着フィルム３が熱硬化性樹脂組成物である場合には、常温〜１５０℃が好ましく、４０〜１２０℃がより好ましい。
また、加熱手段についても特に限定されず、本実施形態のようにローラー４を加熱する方法以外に、基板２を加熱する方法などが採用できる。
【００１８】
また、貼り合わせる際の圧力についても特に限定するものではなく、バンプ１が変形しない範囲で且つ半田バンプ１が少なくとも接着フィルム３を突き破って突出するような条件とすればよい。例えば、該接着フィルム３がポリカルボジイミド樹脂組成物である場合には、０．１〜３０ｇ／bumpが好ましく、５〜２５ｇ／bumpがより好ましい。
【００１９】
接着フィルムの弾性率（−５５℃）は、１００ＭＰａ〜５ＧＰａが好ましく、１５０ＭＰａ〜３ＧＰａがより好ましい。弾性率（−５５℃）が１００ＭＰａ未満であると柔らかすぎて貼り付け工程での作業性が悪くなり好ましくない。また、５ＧＰａを越えると該接着フィルムを突き破ってバンプを突出させにくくなり、接続信頼性に悪影響を及ぼすか、或いはバンプ根元の補強が不充分となるおそれがあるため、好ましくない。
【００２０】
尚、本発明において弾性率（−５５℃）とは、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９８「プラスチックの非共振強制振動法による動的粘弾性の温度依存性に関する試験方法」に規定された動的貯蔵弾性率をいう。具体的には、動的粘弾性試験装置としてＤＭＳ２１０（セイコーインスツルメンツ製）を用い、引張振動法により求めた。
尚、試験片の寸法は幅１ｃｍ、試験片つかみ具距離は２０ｍｍ、周波数は１０Ｈｚ、昇温速度は１０℃／ｍｉｎで行った。
また、本発明の接着フィルムは、信頼性評価で用いるＴＣＴ試験において低温（−５５℃）時の弾性率が一番高いため、試験温度−５５℃における弾性率を採用した。
【００２１】
接着フィルムの厚みは、バンプの高さの５〜４０％が好ましく、１０〜３０％がより好ましい。斯かる厚みの接着フィルムを使用することにより、接続用電極部間の電気的接続を妨げることなくバンプの根元をより確実に補強することができるという効果がある。
【００２２】
さらに、前記実施形態のように、接着フィルムの表面、即ち基板とは反対側の面には、離型性フィルムを貼り合わせておくことが好ましい。離型性フィルムがあれば使用するまでに接着フィルムの表面に埃などが付着することがなく、また、接着フィルムを補強して搬送や基板への貼り合わせが容易となる。
【００２３】
（接着フィルム）
本発明で用いる接着フィルムの材料は、基板に粘着可能な絶縁性材料であれば特に限定されるものではなく、熱硬化性樹脂組成物や熱可塑性樹脂組成物などを用いることができる。中でも、溶融状態での粘性が低く、高耐熱性を有するという観点からは、熱硬化性樹脂組成物が好ましい。溶融状態での粘性が低ければ、バンプが該接着フィルムを突き破って突出しやすくなり、バンプの接続信頼性に悪影響を及ぼしにくいという利点がある。
熱硬化性樹脂組成物としては、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。中でも、該接着フィルムの保存性が良好であるという観点から、ポリカルボジイミド樹脂がより好ましい。
【００２４】
ポリカルボジイミド共重合体としては、例えば下式（１）によって表されるポリカルボジイミド共重合体を使用できる。
【化１】
2004200394.tif 000003
（式（１）において、ｋ、ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ１〜３０の整数、Ｒ1、Ｒ2は有機ジイソシアナート残基、Ｒ3は合成ゴム残基、Ｒ4は有機モノイソシアナート残基を示す。）
【００２５】
式（１）のようなポリカルボジイミド共重合体を製造するには、まず、両末端にカルボキシル基を有する２官能液状ゴムを、有機ジイソシアネートと反応させてポリアミドを得る。次に、カルボジイミド化触媒の存在下、ポリアミド末端のイソシアネート基と有機ジイソシアネートとにより、カルボジイミド化を行い、有機モノイソシアネートにより末端封鎖してポリカルボジイミド共重合体を得ることが好ましい。
【００２６】
より具体的には、前記２官能液状ゴム１モルに対して２倍モル以上、好ましくは４〜８０倍モル、より好ましくは５〜５０倍モルの有機ジイソシアネートを用い、触媒の存在下、通常０〜１２０℃、好ましくは２０〜１００℃で１分〜５時間程度反応させる。そして、系中に水酸基が殆ど存在しなくなった点を両末端ＮＣＯ含有ポリアミド生成反応の終点とする。
次いで、カルボジイミド化触媒の存在下、このポリアミドと系中に過剰に存在する有機ジイソシアネートとを通常４０〜１５０℃、好ましくは５０〜１４０℃にて反応させることにより、前記式（１）のポリカルボジイミド共重合体を得ることができる。
【００２７】
ここで、必要な有機ジイソシアネートは、前記ポリアミド１モルに対して２倍モル以上であり、この反応段階で追加してもよく、反応初期より存在するものであってもよい。また、有機モノイソシアネートによる末端封鎖は、ポリカルボジイミド化の初期、中期、末期又は全般にわたり、有機モノイソシアネートを加えて行うのが好ましい。
【００２８】
反応の終点は、ＩＲ測定によるカルボジイミド基由来の吸収(２１４０ｃｍ-1)の観測およびイソシアネート基由来の吸収(２２８０ｃｍ-1)の消失により確認することができる。
【００２９】
（両末端にカルボキシル基を有する２官能液状ゴム）
両末端にカルボキシル基を有する２官能液状ゴムとしては、例えば、液状ポリブタジエン（例えば、宇部興産製の「Ｈｙｃａｒ  ＣＴＢ」（商標））、液状ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体（例えば、宇部興産製の「ＨｙｃａｒＣＴＢＮ」（商標））、液状ポリイソプレン（例えば、クラレ製の「クラプレンＬＩＲ−４０３」（商標））、又は液状水添ポリイソプレンを使用することができ、さらにこれらの変性品も使用することができる。
【００３０】
（有機ジイソシアネート）
式（１）中でＲ1、Ｒ2は有機ジイソシアネート残基であるが、該有機ジイソシアネートとしては、芳香族ジイソシアネート又は脂肪族ジイソシアネートを使用することができる。芳香族ジイソシアネートとしては、具体的には、４,４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、４,４'−ジフェニルエーテルジイソシアネート、１−ナフチルジイソシアネート、２,６−トリレンジイソシアネート、２,４−トリレンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、１−メトキシフェニル−２,４−ジイソシアネート、３,３'−ジメトキシ−４,４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、４,４'−ジフェニルエーテルジイソシアネート、３,３'−ジメチル−４,４'−ジフェニルエーテルジイソシアネート、２,２−ビス[４−(４−イソシアネートフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス[４−(４−イソシアネートフェノキシ)フェニル]プロパンなどが挙げられる。また、脂肪族ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、シクロヘキシルジイソシアネート、リジンジイソシアネート、メチルシクロヘキサン−２，４−ジイソシアネートなどが挙げられる。
これらの有機ジイソシアネートの中でも、特に、トリレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、１−ナフチルジイソシアネートが好適に使用できる。
尚、これらのジイソシアネートは、単独で使用しても２種以上を混合して使用してもよい。
【００３１】
（有機モノイソシアネート）
また、カルボジイミド化反応の末期、中期、初期のいずれか、又は全般にわたり、その分子内にＲ4基を有する有機モノイソシアネートを加えて末端封鎖処理をするのが好ましい。末端封鎖したポリカルボジイミド共重合体溶液は、溶液の保存安定性に優れたものとなる。末端封鎖処理に用いられる有機モノイソシアネートとしては、具体的には、フェニルイソシアネート、ｐ−ニトロフェニルイソシアネート、ｐ−及びｍ−トリルイソシアネート、ｐ−ホルミルフェニルイソシアネート、ｐ−イソプロピルフェニルイソシアネート、１−ナフチルイソシアネートなどを用いることができる。特に、有機モノイソシアネート同士が反応せず、且つ効率良くポリカルボジイミドの末端封鎖反応が進行する１−ナフチルイソシアネートが好適に用いられる。この末端封鎖のためのモノイソシアネートは、使用するジイソシアネート成分１００モルに対して１〜１０モルの範囲で用いることが好ましい。ジイソシアネート成分１００モルに対してモノイソシアネート成分を１モル未満しか用いないとすれば、得られるポリカルボジイミドの分子量が大きくなり過ぎたり、架橋反応による溶液粘度の上昇ないし溶液の固化を起こすおそれがあり、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性の著しい低下を引き起こす。また、ジイソシアネート成分１００モルに対してモノイソシアネート成分を１０モルを越えて用いると、得られるポリカルボジイミド溶液の粘度が低すぎるために、溶液の塗布乾燥によるフィルム成形において、良好な成膜ができなくなるおそれがある。
【００３２】
前記ポリアミド化およびカルボジイミド化反応の温度は４０〜１５０℃が好ましく、５０〜１４０℃がより好ましい。反応温度が４０℃より低いと反応時間が長くなりすぎ実用的でない。また、１５０℃を越える反応温度に対しては、溶媒の選択が困難となる。
【００３３】
反応溶液中におけるジイソシアネートモノマー濃度は５〜８０重量％(以下、単に％という)である。モノマー濃度が５％より低いとカルボジイミド化反応が進行しない場合がある。また８０％を越えると反応の制御が困難になる可能性がある。
【００３４】
反応溶液中の有機ジイソシアネート濃度は、５〜８０重量％（以下、単に％という）が好ましい。５％より低い濃度では、カルボジイミド化反応が進行しない場合がある。また、８０％を越える濃度では、反応の制御が困難になるおそれがある。
【００３５】
ポリカルボジイミドの製造に用いられる溶媒、及びポリカルボジイミド溶液に用いられる有機溶媒は、従来公知のものであってよい。具体的には、テトラクロロエチレン、１,２−ジクロロエタン、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用しても２種以上を混合して使用してもよい。
【００３６】
また、カルボジイミド化触媒としては、公知のリン系触媒がいずれも好適に用いられ、例えば１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−２−ホスホレン−１−オキシド、１−エチル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、あるいはこれらの３−ホスホレン異性体などのホスホレンオキシドが使用できる。
【００３７】
また、カルボジイミド化反応の終了後にメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサンなどの貧溶媒に反応液を投入し、ポリカルボジイミドを沈澱として析出させ、未反応のモノマーや触媒を取り除いてもよい。
【００３８】
ポリカルボジイミドの溶液を調製するには、沈澱として析出したポリマーを所定の操作により洗浄、乾燥を行い、再度有機溶媒に溶解する。このような操作を行うことにより、ポリカルボジイミドの溶液安定性を向上させることができる。
【００３９】
また、ポリマー溶液中に含まれる副生成物は適当な吸着剤などに吸着させ、精製してもよい。吸着剤としては、例えばアルミナゲル、シリカゲル、活性炭、ゼオライト、活性酸化マグネシウム、活性ボーキサイト、フラースアース、活性白土、分子ふるいカーボンなどを単独もしくは併用して用いることができる。
【００４０】
(接着フィルムの製造)
本発明で用いる接着フィルムを製造するには、例えば、上述のようなポリカルボジイミド共重合体ワニスを公知の方法(キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなど)によって適当な厚さに製膜する。製膜した後には、通常、溶媒の除去に必要な温度で乾燥する。
例えば、ポリカルボジイミド共重合体を原料として用いる場合には、硬化反応をあまり進行させずに乾燥させるよう、塗工温度は例えば２０〜３５０℃、好ましくは５０〜２５０℃、最も好ましくは７０〜２００℃とする。また、乾燥時間は、例えば３０秒〜３０分、好ましくは１分〜１０分、最も好ましくは２分〜５分とする。乾燥温度が２０℃より低いとフィルム中に溶剤が残存し、フィルムの信頼性が乏しくなり好ましくない。また、乾燥温度が３５０℃より高いと、フィルムの熱硬化が進みやすいため、好ましくない。乾燥時間は、３０秒より短いとフィルム中に溶剤が残存しフィルムの信頼性が乏しくなり、３０分より長いとフィルムの熱硬化が進行してしまうため、いずれも好ましくない。
【００４１】
接着フィルムの製造にあたっては、その加工性、耐熱性を損なわない範囲で微細な無機充填剤を配合してよい。また表面平滑性を出すための平滑剤、レベリング剤、脱泡剤などの各種添加剤を必要に応じて添加してもよい。これらの配合量は、共重合体１００重量部に対して、０．１〜１００重量部、好ましくは０．２〜５０重量部である。
また、接着力向上のため、接着フィルムにシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤などの各種添加剤を必要に応じて添加してもよい。
【００４２】
接着フィルムの製造にあたっては、熱伝導性の向上、弾性率の調節などを図るため、例えば、シリカ、窒化ケイ素などのセラミック、その他カーボンなどの種々の絶縁性の無機粉末を必要に応じ１種または２種以上配合してもよい。
【００４３】
斯かる離型性フィルムとしては、接着フィルムを基板上に貼り合せる際の加熱加圧に耐え得るものであり、且つ剥離する際に接着フィルムが離型性フィルム上に残らないように剥離できるものが良い。
このような材料としては、シリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、脂肪族アミド系、シリカ系など公知の離型剤などで離型処理されたプラスチックフィルムを使用できる。該プラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム等のフッ素樹脂フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルムを挙げることができる。
【００４４】
該離型性フィルムの厚みは特に限定されず、例えば１０〜２００μｍが好ましく、２０〜１５０μｍがより好ましい。
【００４５】
また、接着フィルムの両面に離型性フィルムを設けておくことも可能であり、斯かる接着フィルムを使用する場合には、接着フィルムから片面の離型性フィルムを剥がした後、剥き出しになった接着フィルムの面を基材のバンプ面に貼り合わせればよい。両面に離型性フィルムを設けておくことにより、より確実に埃等の付着を防止できる。
【００４６】
次に、本発明を実施例および比較例により、さらに具体的に説明する。
【００４７】
実施例
（ポリカルボジイミドの製造）
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコに、トリレンジイソシアネート（異性体混合物：三井武田ケミカル製、タケネート８０)１０．５ｇ（６０mmol）と、ナフタレンジイソシアネート１５．０ｇ（６０mmol）と、液状ポリブタジエン−アクリロニトリル共重合体（B.Ｆ.Goodrich製、Hycar-CTBN1300X13）８６．１ｇと、トルエン２３２ｇとを入れて混合した。これを５０℃で１時間攪拌した後、１−ナフチルイソシアネート８．３２ｇ（４９．２mmol）と、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシド０．４６ｇ（２．４mmol）とを添加して攪拌しながら１００℃に昇温し、さらに２時間保持した。合成はすべて窒素気流下で行い、反応の進行は赤外分光法（日本電子製、ＦＴ／ＩＲ−２３０）により確認した。具体的には、イソシアネートのＮ−Ｃ−Ｏ伸縮振動（２２７０ｃｍ-1）の吸収量の減少と、カルボジイミドのＮ−Ｃ−Ｎ伸縮振動（２１３５ｃｍ-1）の吸収量の増加と、結合部分のアミド基のＣ−Ｏ伸縮振動（１６９５ｃｍ-1）の吸収量の増加を観測することによって反応の進行と終点を確認した。その後、反応液を室温まで冷却することによって接着フィルムの原料であるポリカルボジイミド溶液（１）を得た。
【００４８】
（半導体装置の作製）
該ポリカルボジイミド溶液（１）を用いて接着フィルムを作製し、半田バンプ付き基板に貼り付け、半田バンプ補強付き半導体装置を作製した。
より具体的に説明すると、上述のようにして得られたポリカルボジイミド溶液を、剥離剤で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型性フィルム（厚さ５０μｍ）の上にラミネーター（塗工速度１ｍ／ｍｉｎ、乾燥温度１３０℃で１分、１５０℃で１分）を用いて塗工し、厚さ５０μｍ接着フィルムを得た。尚、該接着フィルムをさらに１７５℃で５時間キュアさせ、離型性フィルムを除去した後の弾性率（−５５℃）は、２．１ＧＰａであった。
そして、半田バンプ径３００μｍ、バンプ高さ２７０μｍ、バンプピッチ５００μｍ、１０００bump／chip、チップサイズ６ｍｍ×６ｍｍの基板上に、前記接着フィルム（硬化前）をローラー（温度７０℃、圧力２５ｇ／bump）によって速度１０ｃｍ／minで貼り付け、半田バンプ補強接着フィルム付き半導体装置を得た。得られた半導体装置から離型性フィルムを除去した後、回路基板上に載置してリフローを実施して実装した。
【００４９】
（試験）
この半導体装置を用い、ＴＣＴ試験（−５５℃×３０min／１２５℃×３０min）を行った。
【００５０】
（結果）
ＴＣＴ試験で１０００サイクルまで接続不良は発生されなかった。１０００サイクル後、半田バンプ接続部分の断面を観察したところ、オープンの原因となる大きなクラックは見られなかった。
【００５１】
比較例１
基板に接着フィルムを貼り付けないこと以外は、実施例と同様にして半導体装置を作製し、同様のＴＣＴ試験を行った。
（結果）
ＴＣＴ試験の結果、２００サイクルで抵抗値が上昇し、接続不良が発生した。不良発生後の半田バンプ接続部分の断面を観察したところ、半田バンプの基部に大きなクラックが発生していることがわかった。
【００５２】
比較例２
（ポリカルボジイミドの製造）
攪拌装置、滴下漏斗、還流冷却器、温度計を取り付けた５００ｍＬの四つ口フラスコに、トリレンジイソシアネート（同上)１４０ｇ（８０３．８８mmol）と、ポリヘキサメチレンカーボネートジオール（宇部興産製、UH-CARB300）１４０ｇ（４７．５４mmol）と、トルエン２９０ｇとを入れ、５０℃で３０分攪拌してウレタン化を行った。その後、該溶液を４０℃まで冷却し、１−ナフチルイソシアネート５．４４ｇ（３２．１６mmol）と、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド１．２３６ｇ（６．４３mmol）とを添加して攪拌しながら１００℃に昇温し、さらに２時間保持した。合成はすべて窒素気流下で行い、反応の進行は赤外分光法（日本電子製、ＦＴ／ＩＲ−２３０）により確認した。具体的には、イソシアネートのＮ−Ｃ−Ｏ伸縮振動（２２７０ｃｍ-1）の吸収量の減少と、カルボジイミドのＮ−Ｃ−Ｎ伸縮振動（２１３５ｃｍ-1）の吸収量の増加と、結合部分のアミド基のＣ−Ｏ伸縮振動（１６９５ｃｍ-1）の吸収量の増加を観測することによって反応の進行と終点を確認した。その後、反応液を室温まで冷却することによって接着フィルムの原料であるポリカルボジイミド溶液（２）を得た。
【００５３】
前記ポリカルボジイミド溶液（２）を用いる以外は、実施例と同様にして半導体装置を作製し、同様のＴＣＴ試験を行った。
尚、ポリカルボジイミド溶液（２）を用いて作製した接着フィルムの弾性率（−５５℃）は、１０．０ＧＰａであった。
（結果）
ＴＣＴ試験の結果、３００サイクルで抵抗値が上昇し、接続不良が発生した。不良発生後の半田バンプ接続部分の断面を観察したところ、半田バンプの基部に大きなクラックが発生していることがわかった。
【００５４】
比較例３
接着フィルムの厚みを２００μｍ（半田バンプ高さの７４％）としたこと以外は実施例と同様にして半導体装置を作製し、該半導体装置を回路基板に載置してリフローを実施した。
（結果）
接着フィルムが半田バンプと回路基板電極との接続の妨げとなり、半田バンプと回路基板電極との実装位置のズレが発生し、電気的接続が得られない部分が発生した。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、より確実且つ簡易な手段によりバンプによる接続信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態において、基板に接着フィルムを貼り付ける方法を示した概略断面図。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態において、基板上に接着フィルムが貼り付けられた状態を示した概略断面図。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態において、バンプとは反対側の面に半導体素子が搭載された状態を示した概略断面図。
【符号の説明】
１        半田バンプ
２        基板
３        接着フィルム
４        ローラー
５        半導体素子
６        離型性フィルム
１０      半導体装置
【図１】
2004200394.tif 000004
【図２】
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【図３】
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