(57)【要約】【課題】機械的或いは熱的なストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成され、複数の絶縁膜よりなる絶縁膜積層体と、絶縁膜積層体に埋め込まれた複数の導電層よりなる配線構造体と、配線構造体を構成する複数の導電層よりなり、複数の絶縁膜の少なくとも表面側にそれぞれ埋め込まれた複数のダミーパターンとを有し、配線構造体近傍の複数のダミーパターンが、ビア部を介して互いに接続されている。これにより、配線構造体近傍の層間絶縁膜が補強され、機械的或いは熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。【選択図】  図３
2004153015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に埋め込まれた配線構造体と、
前記配線構造体近傍の前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に埋め込まれた第１の導電層よりなる第１のダミーパターンと、
前記配線構造体近傍の前記第２の絶縁膜に埋め込まれた第２の導電層よりなり、前記第１のダミーパターンにビア部を介して接続された第２のダミーパターンと
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記配線構造体は、前記第１の絶縁膜に埋め込まれ、前記第１の導電層と同一の導電層よりなる第１の配線パターンと、前記第２の絶縁膜に埋め込まれ、前記第２の導電層と同一の導電層よりなり、前記第１の配線パターンにビア部を介して接続された第２の配線パターンとを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記第２のダミーパターンは、前記第２の導電層よりなるパターンの面内におけるパターン密度が均一になるように周期的に形成された複数の孤立パターンを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第２のダミーパターンを前記第１のダミーパターンに接続する前記ビア部は、前記配線構造体近傍に配置された前記複数の孤立パターンに形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第２の配線パターンを前記第１の配線パターンに接続する前記ビア部は、溝状のパターンを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記配線構造体は、ガードリング、インダクタ又はパッドである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に形成され、複数の絶縁膜よりなる絶縁膜積層体と、
前記絶縁膜積層体に埋め込まれた複数の導電層よりなる配線構造体と、
前記配線構造体を構成する複数の前記導電層によりなり、複数の前記絶縁膜の少なくとも表面側にそれぞれ埋め込まれた複数のダミーパターンとを有し、
前記配線構造体近傍の前記複数のダミーパターンは、ビア部を介して互いに接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に、第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンの近傍に形成され、前記第１の配線パターンと同一の導電層よりなる第１のダミーパターンとを埋め込む工程と、
前記第１の配線パターン及び前記第１のダミーパターンが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、ビア部を介して前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターンと、前記第２の配線パターンの近傍に形成され、前記第２の配線パターンと同一の導電層よりなり、ビア部を介して前記第１のダミーパターンに接続された第２のダミーパターンとを埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のダミーパターンを形成する工程では、前記第２の配線パターン及び前記第２のダミーパターンを構成する導電層よりなるパターンの面内におけるパターン密度が均一になるように、周期的に形成された複数の孤立パターンにより構成される前記第２のダミーパターンを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のダミーパターンを形成する工程では、前記配線構造体近傍に配置された前記複数の孤立パターンに前記ビア部を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に、低誘電率材料を用いた層間絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造プロセスでは、一の半導体ウェーハ上に多数の素子を形成した後、半導体ウェーハをダイシングラインに沿って切断し、個々のＬＳＩチップに分離する。このダイシングライン部の側壁には、素子の形成過程で積層した数々の層間絶縁膜の界面が露出する。この界面は水分の浸入経路となり、半導体装置の誤動作や破壊など、信頼性上の問題を引き起こすこともある。また、ダイシングの際の応力や封止樹脂との間の熱膨張係数差に基づく応力等により層間絶縁膜にクラックが発生し、このクラックが水分の浸入経路となることもある。
【０００３】
このため、各ＬＳＩのチップ周縁部に、ダイシングラインの内側を全周に渡って囲む構造体を設け、層間絶縁膜界面からの水分の浸入や、層間絶縁膜のクラックがチップ内部に伝搬するのを防止している。このような構造体は、内部回路を構成する配線層と同一の層からなるダミーパターンを積層することにより構成したものであり、ガードリング、シールリング、耐湿リング等と呼ばれることもある。水分の浸入やクラックを防止するための構造体は、例えば特許文献１乃至８に記載されている。
【０００４】
一方、半導体装置の大規模高集積化に伴い、配線の設計ルールも世代と共に縮小化されている。従来、配線層は、配線材料を堆積した後、リソグラフィー及びドライエッチングを用いてパターニングすることにより形成されてきたが、世代が進むにつれて技術的な限界が生じ始めている。このため、従来の配線層の形成プロセスに代わる新たな形成プロセスとして、層間絶縁膜に溝パターンやホールパターンを形成した後、この溝やホールに配線材料を埋め込む、いわゆるダマシンプロセスと呼ばれる手法が利用されつつある。ダマシンプロセスは、反応性エッチングが困難な銅などの低抵抗材料を用いて配線層を形成することも容易であり、微細パターンを有する低抵抗の配線層を形成するうえで極めて有効である。
【０００５】
また、配線層の微細化に伴って配線間隔も狭まっており、層間絶縁膜を介して構成される寄生容量の増加が半導体装置の高速化を妨げる要因の一つともなっている。そこで、層間絶縁膜として、従来のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜よりも誘電率の低い有機系絶縁材料（ｌｏｗ−ｋ材料）を用いることが検討されている。なお、有機系絶縁材料としては、有機ＳＯＧ材料である、ダウ・ケミカル社製の有機系ポリマーＳｉＬＫ（登録商標）、ハネウェル社製の有機系ポリマーＦＬＡＲＥ（登録商標）等が知られている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−２３２０８１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２３２１０４号公報
【特許文献３】
特開２０００−２３２１０５号公報
【特許文献４】
特開２０００−２７７４６５号公報
【特許文献５】
特開２０００−２７７７１３号公報
【特許文献６】
特開２００１−０５３１４８号公報
【特許文献７】
特開２００１−１６８０９３号公報
【特許文献８】
特開２００２−１３４５０６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記有機系絶縁材料などの低誘電率材料は、シロキサン結合を有する従来のシリコン酸化膜を元にした材料と比較して、ヤング率、硬さ、熱膨張率といった物理的特性が大きく異なっている。一般に、低誘電率化を図るには、原子或いは分子といった材料内部の構造変化が必要である。原子間距離或いは分子間距離が増加するほどに誘電率を低くできるが、原子間距離或いは分子間距離の増加は結合力の低下をもたらすことになる。したがって、低誘電率材料を用いて多層配線構造を形成した場合、シロキサン結合を有する従来のシリコン酸化膜を元にした絶縁材料を用いる場合と比較して、層間絶縁膜界面の密着性が低下するとともに、膜自体の機械的強度も低下する。
【０００８】
このため、低誘電率材料を用いた層間絶縁膜を有する半導体装置は、従来の絶縁膜材料を用いた半導体装置と比較して機械的強度が弱く、従来構造では問題にならなかった製造過程の機械的応力によってもクラックや剥離が生じることが判明した。
【０００９】
例えば、デュアルダマシンプロセスにおいて、層間絶縁膜の平坦化や銅配線の埋め込みの際に用いるＣＭＰ（化学的機械的研磨：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）過程において、層間絶縁膜界面や層間絶縁膜内部に機械的ストレスが加わりクラックや剥離が生じることがあった。
【００１０】
また、ガードリングやインダクタなど、鋭角に曲がる配線を積み上げた構造体には、プロセス中の熱応力や実装後におけるパッケージからの応力が集中しやすく、パターン角部近傍から層間絶縁膜にクラックが発生することがあった。
【００１１】
また、パッドにはワイヤーボンディングやバンプ形成の際の応力が配線材料に集中するため、この機械的応力によってパッドの上部或いは下部にクラックが生じることがあった。
【００１２】
また、冗長回路用のヒューズ回路領域では、金属ヒューズをレーザで切断する際に、レーザの熱衝撃によりクラックが生じることがあった。
【００１３】
層間絶縁膜に発生したクラックは、デバイス機能を損なうものではないが、デバイスの使用中にクラックが拡大するなどし、信頼性上で重大な問題を引き起こすことがある。このため、低誘電率材料を用いた半導体装置においてクラックや剥離を効果的に防止しうる構造及び製造方法が望まれている。
【００１４】
本発明の目的は、低誘電率材料を用いた層間絶縁膜を有する半導体装置に関し、機械的或いは熱的なストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを効果的に防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に埋め込まれた配線構造体と、前記配線構造体近傍の前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に埋め込まれた第１の導電層よりなる第１のダミーパターンと、前記配線構造体近傍の前記第２の絶縁膜に埋め込まれた第２の導電層よりなり、前記第１のダミーパターンにビア部を介して接続された第２のダミーパターンとを有することを特徴とする半導体装置。
【００１６】
また、上記目的は、半導体基板上に形成され、複数の絶縁膜よりなる絶縁膜積層体と、前記絶縁膜積層体に埋め込まれた複数の導電層よりなる配線構造体と、前記配線構造体を構成する複数の前記導電層によりなり、複数の前記絶縁膜の少なくとも表面側にそれぞれ埋め込まれた複数のダミーパターンとを有し、前記配線構造体近傍の前記複数のダミーパターンは、ビア部を介して互いに接続されていることを特徴とする半導体装置によっても達成される。
【００１７】
また、上記目的は、半導体基板上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に、第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンの近傍に形成され、前記第１の配線パターンと同一の導電層よりなる第１のダミーパターンとを埋め込む工程と、前記第１の配線パターン及び前記第１のダミーパターンが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜に、ビア部を介して前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターンと、前記第２の配線パターンの近傍に形成され、前記第２の配線パターンと同一の導電層よりなり、ビア部を介して前記第１のダミーパターンに接続された第２のダミーパターンとを埋め込む工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によっても達成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による半導体装置及びその製造方法について図１乃至図９を用いて説明する。
【００１９】
図１は半導体チップ上に形成される配線構造体を示す平面図、図２は本実施形態による半導体装置の構造を示す平面図、図３は本実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図、図４乃至図９は本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００２０】
はじめに、本実施形態による半導体装置の構造について図１乃至図３を用いて説明する。
【００２１】
半導体ウェーハ上には、複数の半導体チップ領域１が設けられている。半導体チップ領域１の周縁部には、半導体チップ領域１の内部回路領域を囲うようにガードリング２が設けられている。ガードリング２により囲われた内部回路領域には、冗長回路用のヒューズ回路領域３が設けられている。ヒューズ回路領域３の周縁部には、ヒューズ回路領域３を囲うようにガードリング４が設けられている。内部回路領域には、また、インダクタ５が設けられている。内部回路領域の周縁部には、半導体チップと外部回路との電気的な接続を行うためのパッド６が設けられている。
【００２２】
前述の通り、半導体ウェーハ上に形成されたこれら構造体は、機械的或いは熱的な応力により層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離をもたらす原因となることがある。本実施形態では、これら構造体による層間絶縁膜の破壊を防止しうる半導体装置の構造について、本発明を半導体チップの周縁部に設けられるガードリング近傍の構造に適用した場合を例にして説明する。
【００２３】
図２は、図１に示す半導体チップの左上角部を拡大した平面図である。
【００２４】
図２に示すように、ガードリング２は、ビア部２ａと、ビア部２ａ上に形成された配線部２ｂとから構成されるリング状のパターンを積層することにより形成される。このリングパターンは、内部回路領域に形成される配線層と同一の導電層により形成されるものであるため、本明細書では、便宜上、リングパターンの構成部分についてもビア部及び配線部（又は配線パターン）とも呼ぶこととする。
【００２５】
ガードリング２の周辺には、ダミーパターン７が形成されている。ダミーパターン７は、デュアルダマシンプロセスにより配線層を形成する際のＣＭＰ過程において、研磨量の面内ばらつき、例えば銅のオーバーポリッシュに起因するディッシングや、層間絶縁膜のオーバーポリッシュに起因するエロージョンを低減するためのものである。ガードリング２近傍のダミーパターン７は、ビア部７ａ及び７ｂを有している。
【００２６】
図３は、本実施形態による半導体装置の概略断面図であり、図２のＡ−Ａ′線に沿った断面を示している。
【００２７】
図３に示すように、シリコン基板１０上には、素子分離膜１２が形成されている。素子分離膜１２が形成されたシリコン基板１０上には、ゲート電極１４及びソース／ドレイン拡散層１６を有するＭＯＳトランジスタが形成されている。ＭＯＳトランジスタが形成されたシリコン基板１０上には、コンタクトプラグ２２が埋め込まれた層間絶縁膜１８が形成されている。
【００２８】
層間絶縁膜１８上には、ＳｉＣ膜／ＳｉＬＫ膜／ＳｉＣ膜の積層構造よりなる層間絶縁膜２４が形成されている。層間絶縁膜２４には、内部回路領域に配線層３８ａが、ダミーパターン形成領域にダミーパターン３８ｂが、ガードリング形成領域にリングパターン３８ｃが、それぞれ埋め込まれている。配線層３８ａ、ダミーパターン３８ｂ及びリングパターン３８ｃは、同一の導電層により構成されている。層間絶縁膜２４上には、層間絶縁膜２４と同様の積層構造よりなる層間絶縁膜４０，４４，４８が形成されている。層間絶縁膜４０には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層４２ａ、ダミーパターン４２ｂ、リングパターン４２ｃが埋め込まれている。層間絶縁膜４４には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層４６ａ、ダミーパターン４６ｂ、リングパターン４６ｃが埋め込まれている。層間絶縁膜４８には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層５０ａ、ダミーパターン５０ｂ、リングパターン５０ｃが埋め込まれている。
【００２９】
層間絶縁膜４８上には、ＳｉＯＣ膜／ＳｉＣ膜／ＳｉＯＣ膜／ＳｉＣ膜の積層構造よりなる層間絶縁膜５２が形成されている。層間絶縁膜５２には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層６４ａ、ダミーパターン６４ｂ、リングパターン６４ｃが埋め込まれている。層間絶縁膜５２上には、層間絶縁膜５２と同様の積層構造よりなる層間絶縁膜６６，７０，７４が形成されている。層間絶縁膜６６には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層６８ａ、ダミーパターン６８ｂ、リングパターン６８ｃが埋め込まれている。層間絶縁膜７０には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層７２ａ、ダミーパターン７２ｂ、リングパターン７２ｃが埋め込まれている。層間絶縁膜７４には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層７６ａ、ダミーパターン７６ｂ、リングパターン７６ｃが埋め込まれている。
【００３０】
層間絶縁膜７４上には、ＳｉＯ２膜／ＳｉＣ膜／ＳｉＯ２膜／ＳｉＣ膜の積層構造よりなる層間絶縁膜７８が形成されている。層間絶縁膜７８には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層８０ａ、ダミーパターン８０ｂ、リングパターン８０ｃが埋め込まれている。層間絶縁膜７８上には、層間絶縁膜７８と同様の積層構造よりなる層間絶縁膜８２が形成されている。層間絶縁膜８２には、層間絶縁膜２４の場合と同様に、配線層８４ａ、ダミーパターン８４ｂ、リングパターン８４ｃが埋め込まれている。
【００３１】
層間絶縁膜８２上には、ＳｉＯ２膜／ＳｉＣ膜の積層構造よりなる層間絶縁膜８６が形成されている。層間絶縁膜８６には、コンタクトプラグ８８が埋め込まれている。層間絶縁膜８６上には、コンタクトプラグに接続されたリングパターン９０ｃが形成されている。リングパターン９０ｃが形成された層間絶縁膜８６上には、ＳｉＮ膜／ＳｉＯ２膜の積層構造よりなるカバー膜９２が形成されている。
【００３２】
ガードリング形成領域は、内部回路領域を囲う環状の領域であり、この領域にガードリング２が形成される。本実施形態による半導体装置では、ガードリング形成領域に形成されたコンタクトプラグ２２、リングパターン３８ｃ，４２ｃ，４６ｃ，５０ｃ，６４ｃ，６８ｃ，７２ｃ，７６ｃ，８０ｃ，８４ｃ、コンタクトプラグ８８及びリングパターン９０ｃが、層厚方向に接続されてなる積層構造体により、ガードリング２が構成されている。
【００３３】
ダミーパターン形成領域は、デュアルダマシンプロセスにより配線層を形成する際のＣＭＰ過程において、研磨量の面内ばらつき、例えば銅のオーバーポリッシュに起因するディッシングや、層間絶縁膜のオーバーポリッシュに起因するエロージョンを低減するためのダミーパターンが形成された領域である。ダミーパターン形成領域には、ウェーハ面内でのパターン密度を揃えるように、各層において配線層と同一導電層からなるダミーパターンが配置されている。ダミーパターン形成領域には、例えば図２に示すように、矩形状のダミーパターン７が周期的に形成される。
【００３４】
ここで、本実施形態による半導体装置は、層厚方向に隣接するダミーパターンが接続されていることに特徴がある。隣接する層に形成されたダミーパターンを接続することにより、接続されたダミーパターン周辺の層間絶縁膜の機械的強度、特に層厚方向の強度が増加する。これにより、層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部に生じた応力により層間絶縁膜にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００３５】
なお、本願発明者等が検討したところでは、ガードリングから１０μｍ程度の距離に配置されるダミーパターンをビア部を介して接続することにより、プロセス中におけるクラックの発生や、アセンブリ時（ワイヤーボンディング又はバンプ接続）におけるクラックの発生、ヒューズをレーザブローする際のクラックの伝搬を抑制できた。
【００３６】
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について図４乃至図９を用いて説明する。
【００３７】
まず、シリコン基板１０上に、例えばＳＴＩ法により、素子領域を画定する素子分離膜１２を形成する。
【００３８】
次いで、素子分離膜１２が形成されたシリコン基板１０上に、通常のＭＯＳトランジスタの形成方法と同様にして、ゲート電極１４及びソース／ドレイン拡散層１６を有するＭＯＳトランジスタを形成する（図４（ａ））。
【００３９】
次いで、ＭＯＳトランジスタが形成されたシリコン基板１０上に、例えばＣＶＤ法により例えば膜厚７００ｎｍのシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜１８を形成する。
【００４０】
次いで、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜１８の表面を研磨し、層間絶縁膜１８の表面を平坦化する。
【００４１】
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、層間絶縁膜１８に、シリコン基板１０に達するコンタクトホール２０を形成する。なお、ガードリング形成領域に形成されるコンタクトホール２０は、内部回路領域を囲うリング状の溝パターンとなる。
【００４２】
次いで、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚１５ｎｍのＴｉ（チタン）膜と、例えば膜厚１０ｎｍのＴｉＮ（窒化チタン）膜と、例えば膜厚２５０ｎｍのＷ（タングステン）膜とを形成する。
【００４３】
次いで、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１８の表面が露出するまで、Ｗ膜、ＴｉＮ膜及びＴｉ膜を平坦に除去し、コンタクトホール２０内に埋め込まれ、Ｔｉ膜、ＴｉＮ膜及びＷ膜よりなるコンタクトプラグ２２を形成する（図４（ｂ））。
【００４４】
次いで、コンタクトプラグ２２が埋め込まれた層間絶縁膜１８上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚３０ｎｍのＳｉＣ膜２４ａを堆積する。
【００４５】
次いで、ＳｉＣ膜２４ａ上に、例えばスピンコート法により、例えば膜厚４５０ｎｍのＳｉＬＫ膜２４ｂを形成する。
【００４６】
次いで、ＳｉＬＫ膜２４ｂ上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚３０ｎｍのＳｉＣ膜２４ｃを形成する。
【００４７】
こうして、ＳｉＣ膜２４ｃ／ＳｉＬＫ膜２４ｂ／ＳｉＣ膜２４ａの積層構造を有する層間絶縁膜２４を形成する（図４（ｃ））。なお、ＳｉＣ膜２４ａ，２４ｃは、エッチングストッパ膜及び銅の拡散防止膜として機能する。
【００４８】
次いで、フォトリソグラフィーにより、層間絶縁膜２４上に、層間絶縁膜２４に形成される配線層、ダミーパターン及びリングパターンの形成予定領域を露出するフォトレジスト膜２６を形成する（図４（ｄ））。
【００４９】
次いで、フォトレジスト膜２６をマスクとして、ＳｉＣ膜２４ｃを異方性エッチングする（図５（ａ））。
【００５０】
次いで、フォトレジスト膜２６を除去した後、フォトリソグラフィーにより、ビアホールの形成予定領域を露出するフォトレジスト膜２８を形成する。フォトレジスト膜２８は、ダミーパターン形成領域では、ガードリング形成領域近傍のダミーパターンを層厚方向に接続するためのビアホールの形成予定領域を露出し、ガードリング形成領域では、リングパターンをコンタクトプラグ２２に接続するための溝状のビアホールの形成予定領域を露出する（図５（ｂ））。
【００５１】
次いで、フォトレジスト膜２８をマスクとして、ＳｉＬＫ膜２８ｂをエッチングする。このエッチングでは、ＳｉＬＫ膜２８ｂの中央部近傍においてエッチングが停止するように、エッチング時間を制御する（図５（ｃ））。
【００５２】
次いで、フォトレジスト膜２８を除去した後、ＳｉＣ膜２４ｃをマスクとしてＳｉＬＫ膜２４ｂ及びＳｉＣ膜２４ａをエッチングし、層間絶縁膜２４に、配線層のビア部を埋め込むためのビアホール３０ａ及び配線溝３２ａ、ダミーパターンを埋め込むためのビアホール３０ｂ及び溝３２ｂ、リングパターンを埋め込むためのビアホール３０ｃ及び溝３２ｃを形成する（図５（ｄ））。
【００５３】
次いで、例えばスパッタ法により、例えば膜厚２０ｎｍのＴａＮ（窒化タンタル）膜よりなるバリアメタル３４と、例えば膜厚８０ｎｍのＣｕ（銅）膜３６ａとを堆積する（図６（ａ））。
【００５４】
次いで、Ｃｕ膜３６ａをシードとして、電解メッキにより、Ｃｕ膜３６ａ上に更にＣｕ膜を堆積し、トータル膜厚９００ｎｍのＣｕ膜３６を形成する（図６（ｂ））。
【００５５】
次いで、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜２４の表面が露出するまでＣｕ膜３６及びバリアメタル３４を平坦に除去し、ビアホール３０ａ及び配線溝３２ａに埋め込まれた配線層３８ａ、ビアホール３０ｂ及び溝３２ｂに埋め込まれたダミーパターン３８ｂ、ビアホール３０ｃ及び溝３２ｃに埋め込まれたリングパターン３８ｃを形成する（図６（ｃ））。
【００５６】
次いで、例えば図４（ｃ）乃至図６（ｃ）に示す工程を繰り返し、層間絶縁膜４０に埋め込まれた配線層４２ａ、ダミーパターン４２ｂ及びリングパターン４２ｃ、層間絶縁膜４４に埋め込まれた配線層４６ａ、ダミーパターン４６ｂ及びリングパターン４６ｃ、層間絶縁膜４８に埋め込まれた配線層５０ａ、ダミーパターン５０ｂ及びリングパターン５０ｂを形成する（図６（ｄ））。
【００５７】
この際、リングパターン近傍のダミーパターンは、ビアホールを介して下層のダミーパターンに接続されている。したがって、ダミーパターン間の層厚方向の機械的強度が増しており、ＣＭＰ過程の機械的ストレスによりリングパターン近傍の層間絶縁膜にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００５８】
次いで、層間絶縁膜４８上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＣ膜５２ａと、例えば膜厚５００ｎｍのＳｉＯＣ膜５２ｂと、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＣ膜５２ｃと、例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＯＣ膜５２ｄと、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＣ膜５２ｅとを順次堆積し、ＳｉＣ膜５２ｅ／ＳｉＯＣ膜５２ｄ／ＳｉＣ膜５２ｃ／ＳｉＯＣ膜５２ｂ／ＳｉＣ膜５２ａの積層構造を有する層間絶縁膜５２を形成する（図７（ａ））。ＳｉＣ膜５２ａ，２４ｃ，５２ｅは、エッチングストッパ膜及び銅の拡散防止膜として機能する。
【００５９】
なお、図７（ａ）以降の図面では、層間絶縁膜４４より下の構造を省略している。
【００６０】
次いで、フォトリソグラフィーにより、ビアホールの形成予定領域を露出するフォトレジスト膜５４を形成する。フォトレジスト膜５４は、ダミーパターン形成領域では、ガードリング形成領域近傍のダミーパターンを層厚方向に接続するためのビアホールの形成予定領域を露出し、ガードリング形成領域では、リングパターンをコンタクトプラグ２２に接続するための溝状のビアホールの形成予定領域を露出する（図７（ｂ））。
【００６１】
次いで、フォトレジスト膜５４をマスクとして、ＳｉＣ膜５２ｅ、ＳｉＯＣ膜５２ｄ、ＳｉＣ膜５２ｃ及びＳｉＯＣ膜５２ｂをエッチングし、配線層間を接続するためのビアホール５６ａ、ダミーパターン間を接続するためのビアホール５６ｂ、リングパターン間を接続するための溝状のビアホール５６ｃを、ＳｉＣ膜５２ａ上まで開口する（図７（ｃ））。
【００６２】
次いで、フォトレジスト膜５４を除去する。
【００６３】
次いで、例えばスピンコート法により非感光性樹脂５８を塗布した後、ビアホール５６ａ，５６ｂ，５６ｃ内に非感光性樹脂５８が残存するように、層間絶縁膜５２上の非感光性樹脂５８を溶解・除去する（図７（ｄ））。なお、非感光性樹脂５８は、後工程においてビアの保護膜として機能する。
【００６４】
次いで、非感光性樹脂５８が埋め込まれた層間絶縁膜５２上に、フォトリソグラフィーにより、層間絶縁膜５２に形成される配線層、ダミーパターン及びリングパターンの形成予定領域を露出するフォトレジスト膜６０を形成する（図８（ａ））。
【００６５】
次いで、フォトレジスト膜６０をマスクとして及びＳｉＣ膜５２ｃをストッパとして、ＳｉＣ膜５２ｅ及びＳｉＯＣ膜５２ｄを異方性エッチングし、ＳｉＯＣ膜５２ｄ及びＳｉＣ膜５２ｅに、配線層を埋め込むための配線溝６２ａ、ダミーパターンを埋め込むための溝６２ｂ、リングパターンを埋め込むための溝６２ｃを形成する（図８（ｂ））。
【００６６】
次いで、フォトレジスト膜６０とともに非感光性樹脂５８を除去した後（図８（ｃ））、ＳｉＣ膜５２ａ，５２ｃ，５２ｅを異方性エッチングし、ＳｉＣ膜５２ｅを除去するとともに、ビアホール５６ａを配線層５０ａ上まで、ビアホール５６ｂをダミーパターン５０ｂ上まで、ビアホール５６ｃをリングパターン５０ｃ上まで、配線溝６２ａ及び溝６２ｂ，６２ｃをＳｉＯＣ膜５２ｂ上まで、それぞれ開口する。（図８（ｄ））。
【００６７】
次いで、例えば図６（ａ）乃至図６（ｃ）に示すと同様にして、ビアホール５６ａ及び配線溝６２ａに埋め込まれた配線層６４ａ、ビアホール５６ｂ及び溝６２ｂに埋め込まれたダミーパターン６４ｂ、ビアホール５６ｃ及び溝６２ｃに埋め込まれたリングパターン６４ｃを形成する（図９（ａ））。
【００６８】
この際、リングパターン近傍のダミーパターンは、ビアホールを介して下層のダミーパターンに接続されている。したがって、ダミーパターン間の層厚方向の機械的強度が増しており、ＣＭＰ過程の機械的ストレスによりリングパターン近傍の層間絶縁膜にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００６９】
次いで、例えば図７（ａ）乃至図９（ａ）に示す工程を繰り返し、層間絶縁膜６６に埋め込まれた配線層６８ａ、ダミーパターン６８ｂ及びリングパターン６８ｃ、層間絶縁膜７０に埋め込まれた配線層７２ａ、ダミーパターン７２ｂ及びリングパターン７２ｃ、層間絶縁膜７４に埋め込まれた配線層７６ａ、ダミーパターン７６ｂ及びリングパターン７６ｃを形成する（図９（ｂ））。
【００７０】
次いで、ＳｉＯＣ膜の代わりにＳｉＯ膜を用い、例えば図７（ａ）乃至図９（ａ）に示す工程を繰り返し、層間絶縁膜７８に埋め込まれた配線層８０ａ、ダミーパターン８０ｂ及びリングパターン８０ｃ、層間絶縁膜８２に埋め込まれた配線層８４ａ、ダミーパターン８４ｂ及びリングパターン８４ｃを形成する。
【００７１】
次いで、層間絶縁膜８２上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚５０ｎｍのＳｉＣ膜８６ａと、例えば膜厚５００ｎｍのＳｉＯ膜８６ｂとを堆積し、ＳｉＯ膜／ＳｉＣ膜の積層構造を有する層間絶縁膜８６を形成する。
【００７２】
次いで、例えば図４（ｂ）に示す工程と同様にして、層間絶縁膜８６に埋め込まれたコンタクトプラグ８８を形成する。
【００７３】
次いで、コンタクトプラグ８８が埋め込まれた層間絶縁膜８８上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１００ｎｍのＴｉＮ膜と、例えば膜厚９００ｎｍのＡｌ（アルミ）膜と、例えば膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜とを堆積する。
【００７４】
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、ＴｉＮ膜／Ａｌ膜／ＴｉＮ膜の積層膜をパターニングし、配線層（図示せず）、パッド（図示せず）、リングパターン９０ｃ等を形成する。
【００７５】
次いで、リングパターン９０ｃ等が形成された層間絶縁膜８８上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚１２００ｎｍのＳｉＯ膜９２ａと、例えば膜厚４００ｎｍのＳｉＮ膜９２ｂとを堆積し、ＳｉＮ膜／ＳｉＯ膜の積層構造よりなるカバー膜を形成する（図９（ｃ））。
【００７６】
このように、本実施形態によれば、ガードリング近傍において、層厚方向に隣接するダミーパターンを接続するので、接続したダミーパターン近傍の層間絶縁膜を補強することができる。これにより、機械的或いは熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００７７】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による半導体装置及びその製造方法について図１０を用いて説明する。なお、図１乃至図９に示す第１実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００７８】
図１０は本実施形態による半導体装置の構造を示す平面図及び断面図である。
【００７９】
図１０（ｂ）に示すように、基板１００上には、層間絶縁膜１０２が形成されている。層間絶縁膜１０２には、配線層１０４とダミーパターン１０６とが埋め込まれている。配線層１０４は、複数のビア部１０４ａと、これらビア部１０４ａ上に形成された配線部１０４ｂとを有している。配線層１０４近傍のダミーパターン１０６には、ビア部１０６ａが設けられている。
【００８０】
ダミーパターン１０６は、図１０（ａ）に示すように、パッド周辺部に周期的に設けられたものであり、例えば、デュアルダマシンプロセスにより配線層を形成する際のＣＭＰ過程において、研磨量の面内ばらつき、例えば銅のオーバーポリッシュに起因するディッシングや、層間絶縁膜のオーバーポリッシュに起因するエロージョンを低減するために形成されるものである。
【００８１】
層間絶縁膜１０２上には、配線層１１０及びダミーパターン１１２が埋め込まれた層間絶縁膜１０８が形成されている。配線層１１０は、複数のビア部１１０ａと、これらビア部１１０ａ上に形成された配線部１１０ｂとを有し、ビア部１１０ａを介して配線層１０４に接続されている。配線層１１０近傍のダミーパターン１１２には、ビア部１１２ａが設けられており、ビア部１１２ａを介してダミーパターン１０６に接続されている。
【００８２】
同様にして、層間絶縁膜１０８上には、配線層１１６及びダミーパターン１１８が埋め込まれた層間絶縁膜１１４と、配線層１２２及びダミーパターン１２４が埋め込まれた層間絶縁膜１２０と、配線層１２８及びダミーパターン１３０が埋め込まれた層間絶縁膜１２６とが形成されている。
【００８３】
こうして、配線層１０４，１１０，１１６，１２２，１２８がビア部を介して層厚方向に互いに接続されたパッド構造体が構成されている。また、パッド構造体近傍のダミーパターン１０６，１１２，１１８，１２４，１３０は、ビア部を介して層厚方向に互いに接続されている。
【００８４】
図１０（ｂ）に示すように、半導体チップと外部回路との電気的な接続を行うためのパッドは、ガードリングと同様に、複数の配線層を積層することにより構成されることがある。パッドは、通常の配線パターンと比較して大きな面積を有するとともに、ワイヤーボンディングやバンプ形成の際に機械的な応力が加わるため、機械的或いは熱的な応力により周辺の層間絶縁膜にクラックや剥離が生じることがある。
【００８５】
したがって、第１実施形態による半導体装置の場合と同様に、パッドの周辺に設けられたダミーパターンにビア部を設け、図１０（ｂ）に示すように層厚方向のダミーパターンを接続することにより、接続したダミーパターン近傍の層間絶縁膜を補強することができる。これにより、機械的或いは熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００８６】
このように、本実施形態によれば、パッド構造体の近傍において、層厚方向に隣接するダミーパターンを接続するので、接続したダミーパターン近傍の層間絶縁膜を補強することができる。これにより、パッド上にワイヤーボンディングを行う場合やバンプを形成する際の機械的なストレスや、製造プロセス過程における熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００８７】
なお、上記実施形態では、説明の便宜上、層間絶縁膜、配線層及びダミーパターンの構造を簡略化したが、これら構造体は、第１実施形態による半導体装置の場合と同様の構造により形成することができる。
【００８８】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による半導体装置及びその製造方法について図１１を用いて説明する。なお、図１乃至図１０に示す第１及び第２実施形態による半導体装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００８９】
図１１は本実施形態による半導体装置の構造を示す平面図及び断面図である。
【００９０】
図１１（ｂ）に示すように、基板１００上には、ダミーパターン１０６が埋め込まれた層間絶縁膜１０２と、ダミーパターン１１２が埋め込まれた層間絶縁膜１０８と、ダミーパターン１１８が埋め込まれた層間絶縁膜１１４とが順次形成されている。
【００９１】
層間絶縁膜１１４上には、配線層１２２及びダミーパターン１２４が埋め込まれた層間絶縁膜１２０と、配線層１２８及びダミーパターン１３０が埋め込まれた層間絶縁膜１２６とが形成されている。配線層１２８は、複数のビア部１２８ａと、これらビア部１２８ａ上に形成された配線部１２８ｂとを有し、ビア部１２８ａを介して配線層１２２に接続されている。配線層１２８近傍のダミーパターン１３０には、ビア部１３０ａが設けられており、ビア部１３０ａを介してダミーパターン１２４に接続されている。
【００９２】
こうして、配線層１２２，１２８がビア部１２８ｂを介して層厚方向に互いに接続された配線構造体が構成されている。このような配線構造体は、例えば、平面上で螺旋を描くように形成されるスパイラルインダクタにおいて用いられている。このようなインダクタでは、複数の配線層をビアを介して接続することにより、配線抵抗を低減している。
【００９３】
図１１（ａ）に示すように、スパイラルインダクタもガードリングの場合と同様、鋭角に曲がる配線を積み上げた構造体であるため、パターン角部近傍における機械的或いは熱的な応力により周辺の層間絶縁膜にクラックや剥離が生じることがある。
【００９４】
したがって、第１実施形態による半導体装置の場合と同様に、配線層の周辺に設けられたダミーパターンにビア部を設け、図１１（ｂ）に示すように層厚方向のダミーパターンを接続することにより、接続したダミーパターン近傍の層間絶縁膜を補強することができる。これにより、機械的或いは熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００９５】
このように、本実施形態によれば、インダクタの近傍において、層厚方向に隣接するダミーパターンを接続するので、接続したダミーパターン近傍の層間絶縁膜を補強することができる。これにより、機械的或いは熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【００９６】
なお、上記実施形態では、説明の便宜上、層間絶縁膜、配線層及びダミーパターンの構造を簡略化したが、これら構造体は、第１実施形態による半導体装置の場合と同様の構造により形成することができる。
【００９７】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００９８】
例えば、上記第１実施形態では、第１層銅配線層により構成されるダミーパターン３８ｂから、第１０層銅配線層により構成されるダミーパターン８４ｂまでを、層厚方向にすべて接続しているが、必ずしもすべての層のダミーパターンを接続する必要はない。
【００９９】
例えば、第１実施形態による半導体装置の場合、層間絶縁膜４８と層間絶縁膜５２との界面近傍のダミーパターンのみを接続するようにしてもよい。第１実施形態による半導体装置の場合、第４銅配線層と第５銅配線層との間においてＳｉＬＫ膜を主体とする層間絶縁膜からＳｉＯＣ膜を主体とする層間絶縁膜に変えているが、ＳｉＬＫやＦＬＡＲＥなどのポリアリルエーテル系樹脂からなる膜とＳｉＯＣやＳｉＯ２などのオルガノシリケートグラスからなる膜とでは熱膨張係数が大きく異なるため、この界面近傍の層間絶縁膜は熱的な応力の影響を受けやすいと考えられる。したがって、層間絶縁膜４８と層間絶縁膜５２との界面近傍のダミーパターンのみを接続する場合でも、層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離を防止する効果を十分に期待できる。
【０１００】
また、上記第１実施形態では、ガードリング近傍のダミーパターンのみを層厚方向に接続したが、すべてのダミーパターンを層厚方向に接続してもよい。また、応力の影響を受けやすいパターン角部近傍のダミーパターンのみを層厚方向に接続してもよい。
【０１０１】
また、上記第３実施形態では、ビア部を介して接続される配線層と同一導電層からなるダミーパターンのみを層厚方向に接続したが、更に下層又は上層のダミーパターンまでを接続するようにしてもよい。
【０１０２】
また、上記実施形態では、ダミーパターンとして、デュアルダマシンプロセスにより配線層を形成する際のＣＭＰ過程において、研磨量の面内ばらつき、例えば銅のオーバーポリッシュに起因するディッシングや、層間絶縁膜のオーバーポリッシュに起因するエロージョンを低減するために形成されるダミーパターンを示したが、ダミーパターンはこれに限定されるものではない。
【０１０３】
また、上記第１乃至第３実施形態では、各層に形成されるダミーパターンが同じパターンにより形成されているが、必ずしも同じパターンにする必要はない。各層のパターンレイアウトは、ダミーパターンの目的に応じて適宜決定することが望ましい。
【０１０４】
層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離を誘起する構造体の近傍に何らかのダミーパターンが形成されている場合にはこのダミーパターンを層厚方向に接続するようにすればよいし、ダミーパターンが形成されていない場合には、新たなダミーパターンを設けてこれを層厚方向に接続するようにすればよい。
【０１０５】
また、上記実施形態では、層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離を誘起する配線構造体として、ガードリング、パッド、インダクタを例示したが、これら以外の構造体においても本発明の効果を期待できる。
【０１０６】
以上詳述したとおり、本発明の特徴をまとめると以下の通りとなる。
【０１０７】
（付記１）  半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に埋め込まれた配線構造体と、
前記配線構造体近傍の前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に埋め込まれた第１の導電層よりなる第１のダミーパターンと、
前記配線構造体近傍の前記第２の絶縁膜に埋め込まれた第２の導電層よりなり、前記第１のダミーパターンにビア部を介して接続された第２のダミーパターンと
を有することを特徴とする半導体装置。
【０１０８】
（付記２）  付記１記載の半導体装置において、
前記配線構造体は、前記第１の絶縁膜に埋め込まれ、前記第１の導電層と同一の導電層よりなる第１の配線パターンと、前記第２の絶縁膜に埋め込まれ、前記第２の導電層と同一の導電層よりなり、前記第１の配線パターンにビア部を介して接続された第２の配線パターンとを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【０１０９】
（付記３）  付記１又は２記載の半導体装置において、
前記第２のダミーパターンは、前記第２の導電層よりなるパターンの面内におけるパターン密度が均一になるように周期的に形成された複数の孤立パターンを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１０】
（付記４）  付記３記載の半導体装置において、
前記第２のダミーパターンを前記第１のダミーパターンに接続する前記ビア部は、前記配線構造体近傍に配置された前記複数の孤立パターンに形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１１】
（付記５）  付記３又は４記載の半導体装置において、
前記第１のダミーパターンは、前記第１の導電層よりなるパターンの面内におけるパターン密度が均一になるように周期的に形成された複数の孤立パターンを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１２】
（付記６）  付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、銅を主体とする導電性材料により構成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１３】
（付記７）  付記１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、異なる絶縁材料を主体とする膜により構成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１４】
（付記８）  付記７記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜は、ポリアリルエーテル系樹脂からなる膜を主体とする膜であり、
前記第２の絶縁膜は、オルガノシリケートグラスからなる膜を主体とする膜である
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１５】
（付記９）  付記１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第２の配線パターンを前記第１の配線パターンに接続する前記ビア部は、溝状のパターンを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１６】
（付記１０）  付記１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記配線構造体は、ガードリング、インダクタ又はパッドである
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１７】
（付記１１）  半導体基板上に形成され、複数の絶縁膜よりなる絶縁膜積層体と、
前記絶縁膜積層体に埋め込まれた複数の導電層よりなる配線構造体と、
前記配線構造体を構成する複数の前記導電層によりなり、複数の前記絶縁膜の少なくとも表面側にそれぞれ埋め込まれた複数のダミーパターンとを有し、
前記配線構造体近傍の前記複数のダミーパターンは、ビア部を介して互いに接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【０１１８】
（付記１２）  半導体基板上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜の少なくとも表面側に、第１の配線パターンと、前記第１の配線パターンの近傍に形成され、前記第１の配線パターンと同一の導電層よりなる第１のダミーパターンとを埋め込む工程と、
前記第１の配線パターン及び前記第１のダミーパターンが埋め込まれた前記第１の絶縁膜上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に、ビア部を介して前記第１の配線パターンに接続された第２の配線パターンと、前記第２の配線パターンの近傍に形成され、前記第２の配線パターンと同一の導電層よりなり、ビア部を介して前記第１のダミーパターンに接続された第２のダミーパターンとを埋め込む工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１１９】
（付記１３）  付記１２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のダミーパターンを形成する工程では、前記第２の配線パターン及び前記第２のダミーパターンを構成する導電層よりなるパターンの面内におけるパターン密度が均一になるように、周期的に形成された複数の孤立パターンにより構成される前記第２のダミーパターンを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２０】
（付記１４）  付記１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のダミーパターンを形成する工程では、前記配線構造体近傍に配置された前記複数の孤立パターンに前記ビア部を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２１】
（付記１５）  付記１２乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の配線パターン及び前記第２のダミーパターンを形成する工程は、
前記第２の絶縁膜に、前記第２の配線パターンを埋め込むための第１のビアホール及び配線溝並びに前記第２のダミーパターンを埋め込むための第２のビアホール及び溝を形成する工程と、
前記配線溝、前記第１のビアホール、前記溝及び前記第２のビアホールが形成された前記第２の絶縁膜上に、銅を主体とする導電膜を堆積する工程と、
前記第２の絶縁膜の表面が露出するまで前記導電膜を平坦に除去し、前記導電膜よりなり前記配線溝及び前記第１のビアホールに埋め込まれた前記第２の配線パターンと、前記導電膜よりなり前記溝及び前記第２のビアホールに埋め込まれた前記第２のダミーパターンを形成する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２２】
（付記１６）  付記１２乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線構造体上に、ワイヤーボンディングを行う工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２３】
（付記１７）  付記１２乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線構造体上に、バンプを形成する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２４】
（付記１８）  付記１２乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜を形成する工程又は前記第２の絶縁膜を形成する工程では、ポリアリルエーテル系樹脂からなる膜を主体とする膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２５】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、ガードリング、パッド、インダクタ等の層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離を誘起しうる配線構造体の近傍に、これら配線構造体を構成する導電層と同様の導電層からなるダミーパターンを設け、層厚方向に位置するダミーパターンをビア部を介して互いに接続するので、接続したダミーパターン近傍の層間絶縁膜を補強することができる。これにより、機械的或いは熱的ストレスにより層間絶縁膜界面或いは層間絶縁膜内部にクラックや剥離が生じるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体チップ上に形成される配線構造体を示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置の構造を示す平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図５】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図６】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図７】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図８】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図９】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半導体装置の構造を示す平面図及び概略断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態による半導体装置の構造を示す平面図及び概略断面図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ領域
２，４…ガードリング
３…ヒューズ回路領域
５…インダクタ
６…パッド
７…ダミーパターン
１０…シリコン基板
１２…素子分離膜
１４…ゲート電極
１６…ソース／ドレイン拡散層
１８，２４，４０，４４，４８，５２，６６，７０，７４，７８，８２，８６…層間絶縁膜
２２，８８…コンタクトプラグ
２４ａ，２４ｃ，５２ａ，５２ｃ，５２ｅ，７８ａ，７８ｃ，７８ｅ，８６ａ…ＳｉＣ膜
２４ｂ…ＳｉＬＫ膜
２６，２８，６０…フォトレジスト膜
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，５６ａ，５６ｂ，５６ｃ…ビアホール
３２ａ，６２ａ…配線溝
３２ｂ，３２ｃ，６２ｂ，６２ｃ…溝
３４…バリアメタル
３６…Ｃｕ膜
３８ａ，４２ａ，４６ａ，５０ａ，６４ａ，６８ａ，７２ａ，７６ａ，８０ａ，８８ａ…配線層
３８ｂ，４２ｂ，４６ｂ，５０ｂ，６４ｂ，６８ｂ，７２ｂ，７６ｂ，８０ｂ，８８ｂ…ダミーパターン
３８ｃ，４２ｃ，４６ｃ，５０ｃ，６４ｃ，６８ｃ，７２ｃ，７６ｃ，８０ｃ，８８ｃ，９０ｃ…リングパターン
５２ｂ，５２ｄ…ＳｉＯＣ膜
５８…非感光性樹脂
７８ｂ，７８ｄ…ＳｉＯ２膜
９２…カバー膜
１００…基板
１０２，１０８，１１４，１２０，１２６…層間絶縁膜
１０４，１１０，１１６，１２２，１２８…配線層
１０６，１１２，１１８，１２４，１３０…ダミーパターン
【図１】
2004153015.tif 000003
【図２】
2004153015.tif 000004
【図３】
2004153015.tif 000005
【図４】
2004153015.tif 000006
【図５】
2004153015.tif 000007
【図６】
2004153015.tif 000008
【図７】
2004153015.tif 000009
【図８】
2004153015.tif 000010
【図９】
2004153015.tif 000011
【図１０】
2004153015.tif 000012
【図１１】
2004153015.tif 000013