(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線及びデータ線の交差する個所における段差を低減可能であり、これによりコントラスト比が高く、明るく高品位な画像表示を実現する。【解決手段】電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質（５０）が挟持されてなる。該一対の基板のうち一方の基板上に、画素電極（９ａ）と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（３０）と、該薄膜トランジスタのゲート電極部（３ｇ）及び該ゲート電極部よりも膜厚が厚いと共に該ゲート電極部に対して走査信号を供給する本線部（３ａ）を含む走査線（３）と、ゲート電極部の上方を該走査線に交差して延びると共に薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線（６ａ）とを備える。【選択図】　　図４
2004101744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、該一対の基板のうち一方の基板上に、
画素電極と、
該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタのゲート電極部及び該ゲート電極部よりも膜厚が厚いと共に該ゲート電極部に対して走査信号を供給する本線部を含む走査線と、
前記ゲート電極部の上方を該走査線に交差して延びると共に前記薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記本線部は、第１導電層及び該第１導電層上に積層された第２導電層を含む多層構造を有し、前記ゲート電極部は、前記第１導電層のみからなる単一層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記本線部は、第１導電層及び該第１導電層上に積層された第２導電層を含む多層構造を有し、前記ゲート電極部は、前記第２導電層のみからなる単一層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１導電層及び前記第２導電層は、同一材料からなることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１導電層及び前記第２導電層は、別材料からなることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１導電層及び前記第２導電層のうち少なくとも一方は、導電性のポリシリコン膜からなることを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第１導電層及び前記第２導電層は、同時にパターニングされてなることを特徴とする請求項２から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記走査線の上面は、平坦化されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記走査線の上面は、前記ゲート電極部が前記本線部と比べて窪んでいることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記ゲート電極部の膜厚は、前記本線部の膜厚よりも、前記データ線の膜厚分だけ薄いことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記本線部は、層間絶縁膜を介して積層されており且つ相互にコンタクトホールで接続された複数層からなることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記複数層からなる本線部の合計膜厚は、前記ゲート電極部の膜厚よりも、前記データ線の膜厚分だけ厚いことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記一方の基板上に前記薄膜トランジスタの半導体層及びゲート絶縁膜を形成する素子形成工程と、
前記半導体層のチャネル領域に対向する前記ゲート電極部を含む前記走査線を形成する走査線形成工程と、
前記走査線上に層間絶縁膜を介して前記データ線を形成するデータ線形成工程と
を備えており、
前記走査線形成工程では、前記ゲート電極部の膜厚を前記本線部の膜厚より薄くするように前記ゲート電極部及び前記本線部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
液晶装置等の電気光学装置には、マトリクス状に複数の画素電極が配置され、これらの格子状の間隙に沿って縦横に走査線及びデータ線が配線され、更にそれらの配線の交点に対応して各画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、適宜「ＴＦＴ」という。）が配置された構造を有するものがある。ここで、走査線とデータ線とは、ＴＦＴ付近で層間絶縁膜を介して立体交差するのが一般的である。また、走査線としては、ＴＦＴのゲート電極を含む構造のもの、即ち走査線が、複数のＴＦＴの半導体層に対向する個所を連ねて延びる構造も一般的である。
【０００３】
ここで、デ−タ線は、アナログ電圧の画像信号を画素電極に供給するために、比較的大きな断面積を必要としている。他方、走査線は、ＴＦＴを駆動するため十分な電流を供給するために、やはり比較的大きな断面積を必要としている。このためデータ線及び走査線の幅や厚みは、ある程度大きくとる必要がある。この際、配線幅を大きくすることは、画素電極を形成可能な基板上領域を相対的に狭くして、各画素の開口率を下げる。尚、ここに各画素の「開口率」とは、各画素の全領域に対する、表示に寄与する光が透過又は反射する領域の比率である。よって、実践上は、各画素の開口率を高めつつ配線の断面積を確保するために、配線膜厚を、ある程度厚くしているのが一般的である。
【０００４】
この結果、データ線及び走査線の両者が重なる交点では、基板上における積層構造の高さが、他の個所におけるそれより高くなる傾向がある。即ち、ＴＦＴ等が作り込まれ且つデータ線と走査線とが交差する領域には、積層構造の表面に、段差が大きい凸部が形成されている。
【０００５】
しかしながら、このような凸部の存在は、基板製作の最終工程のラビング処理において、その周囲にラビング不良を発生させる。そして、係るラビング不良は、例えば液晶の配向不良等の電気光学物質の配向不良を引き起こし、最終的には、コントラスト比の低下など、画質劣化につながるという問題点がある。
【０００６】
加えて、例えば液晶は、画素電極からの電界が印加されない状態では、配向膜によって所定のプレチルト角でラビング方向に一様に配向される。ここで、配向膜の表面に凹凸或いは段差があると、段差により配向状態が乱れるという問題点もある。
【０００７】
このような問題に対処すべく、例えば、段差に対応した溝を基板に掘り、当該段差を緩和する技術がある（特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−１４２４１４号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この技術によれば、配線部分の全体を概ね一律に埋め込むことが可能であるものの、特に走査線及びデータ線が交差する個所における局所的な段差或いは凸部を低減するのには向いておらず、これを行うのは技術的に困難である。
【００１０】
他方、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械研磨）処理等の平坦化処理により、配向膜の下地層表面を平坦化する技術も開発されている。しかしながら、このような平坦化技術によれば、膜厚制御が困難であると共に、工程の増加や製造設備の複雑高度化を招き、コスト上昇に繋がるという問題点もある。
【００１１】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、走査線及びデータ線の交差する個所における段差を低減可能であり、これによりコントラスト比が高く、明るく高品位な画像表示が可能である電気光学装置及びその製造方法並びにこのような電気光学装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質が挟持されてなり、該一対の基板のうち一方の基板上に、画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲート電極部及び該ゲート電極部よりも膜厚が厚いと共に該ゲート電極部に対して走査信号を供給する本線部を含む走査線と、前記ゲート電極部の上方を該走査線に交差して延びると共に前記薄膜トランジスタに画像信号を供給するデータ線とを備える。
【００１３】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、薄膜トランジスタに対して、走査線を介して走査信号をそのゲート電極に供給しつつ、データ線を介して画像信号をそのソース領域に供給する。これにより、薄膜トランジスタにより画像信号に応じて、そのドレイン領域に接続された画素電極をスイッチング制御でき、アクティブマトリクス駆動による表示動作が可能となる。ここで特に、走査線及びデータ線は、ゲート電極部の上方で交差しているので、何らの対策も施さねば、この個所で、積層構造の合計膜厚が増大して、その最上層表面に、段差或いは凸部が局所的に出現する筈である。しかるに本発明によれば、ゲート電極部及び本線部を含んでなる走査線は、本線部の膜厚が、ゲート電極部の膜厚よりも厚い。従って、当該膜厚の差に応じて、ゲート電極部の上方にて走査線がデータ線が重なることにより生じる段差或いは凸部の高さを低減できる。
【００１４】
この結果、例えば基板製作の最終工程のラビング処理において、低減された又は消滅した段差或いは凸部の周囲に発生するラビング不良を低減できる。よって、ラビング不良によって引き起こされる、例えば液晶の配向不良等の電気光学物質の配向不良を低減できる。加えて、係る段差の低減によって、段差に起因する液晶の配向不良等の電気光学物質の動作不良を低減できる。従って、表示画像におけるコントラスト比を向上できる。しかも、本発明の如き構造を採用することで、段差や凸部を増大させることなく、データ線や走査線の配線膜厚を厚くでき、その分だけ同一導電率を確保するために必要な配線幅を狭くできる。これにより、各画素の開口率を高められる。従って、最終的には、明るく高品位の画像表示が可能となる。
【００１５】
加えて、前述した特許文献１が開示する技術の如く、段差に対応した溝を基板に掘る必要も無く、更に前述したＣＭＰ処理等の複雑高度な工程も必要としていない。よって、比較的容易に製造できるという利益も得られる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記本線部は、第１導電層及び該第１導電層上に積層された第２導電層を含む多層構造を有し、前記ゲート電極部は、前記第１導電層のみからなる単一層構造を有する。
【００１７】
この態様によれば、本線部は、第１導電層及び第２導電層を含む多層構造を有し、ゲート電極部は、これらのうち第１導電層のみからなる単一層構造を有するので、データ線が上方に重なるゲート電極部分の膜厚が局所的に薄くされた積層構造が比較的容易に得られる。しかも、ゲート電極部は、下層側に位置する第１導電層からなるので、先ずゲート電極部に相応しい第１導電層を形成し、更に本線部として相応しい第２導電層をその上に形成すれば、比較的容易にして当該積層構造が得られる。
【００１８】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記本線部は、第１導電層及び該第１導電層上に積層された第２導電層を含む多層構造を有し、前記ゲート電極部は、前記第２導電層のみからなる単一層構造を有する。
【００１９】
この態様によれば、本線部は、第１導電層及び第２導電層を含む多層構造を有し、ゲート電極部は、これらのうち第２導電層のみからなる単一層構造を有するので、データ線が上方に重なるゲート電極部分の膜厚が局所的に薄くされた積層構造が比較的容易に得られる。しかも、ゲート電極部は、上層側に位置する第２導電層からなるので、先ず本線部に相応しい第１導電層を形成し、更にゲート電極部として相応しい第２導電層をその上に形成すれば、比較的容易にして当該積層構造が得られる。
【００２０】
上述した第１及び第２導電層に係る態様では、前記第１導電層及び前記第２導電層は、同一材料からなるように構成してもよい。
【００２１】
このように構成すれば、ゲート電極部分及び本線部を同一材料から且つ相異なる膜厚を有するように形成できる。即ち、第１及び第２導電層間に電位障壁等が発生する可能性は無くなり、両者間で良好な電気的接続状態を実現できる。更に両者間の界面等で発生する応力を低減できる。
【００２２】
或いは上述した第１及び第２導電層に係る態様では、前記第１導電層及び前記第２導電層は、別材料からなるように構成してもよい。
【００２３】
このように構成すれば、例えば導電性のポリシリコン膜等の、ゲート電極部に相応しい材料からなる導電層を、当該ゲート電極部をなす第１又は第２導電層とすることができる。同時に、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の高融点金属などを含んでなる導電性の高い金属材料等の、配線或いは本線部に相応しい材料からなる導電層を、当該ゲート電極部をなさない方の第１又は第２導電層とすることができる。よって、ゲート電極部としての特性に優れると同時に本線部としての特性に優れる走査線を実現可能となる。
【００２４】
或いは上述した第１及び第２導電層に係る態様では、前記第１導電層及び前記第２導電層のうち少なくとも一方は、導電性のポリシリコン膜からなるように構成してもよい。
【００２５】
このように構成すれば、ゲート酸化膜上に配置されるゲート電極に適したゲート電極部を、走査線の一部として構築できる。また、ポリシリコン膜よりも導電性に優れた導電層を用いて本線部を形成すれば、良好なゲート電極部を構築しつつ本線部において優れた導電性を確保できる。
【００２６】
或いは上述した第１及び第２導電層に係る態様では、前記第１導電層及び前記第２導電層は、同時にパターニングされてなるように構成してもよい。
【００２７】
このように構成すれば、同時に第１及び第２導電層をパターニングすることにより、平面形状がほぼ同じである第１及び第２導電層が積層されてなる走査線を実現できる。また、製造プロセスにおけるパターニング工程についても、第１導電層と第２導電層とを別々にパターニングするのに比べて簡略化できる。また、両者間におけるパターンずれもない。
【００２８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記走査線の上面は、平坦化されている。
【００２９】
この態様によれば、走査線の上面は、本線部及びゲート電極部を通じて平坦化されている。従って、段差低減のための何らの対策も採らなかった場合に生じ得る、ゲート電極部に位置する薄膜トランジスタ、走査線及びデータ線の三者が重なってできる段差或いは凸部を、データ線の存在によってのみ生じる、比較的高さの低い段差或いは凸部に低減できる。
【００３０】
或いは本発明の電気光学装置の他の態様では、前記走査線の上面は、前記ゲート電極部が前記本線部と比べて窪んでいる。
【００３１】
この態様によれば、走査線の上面は、ゲート電極部にて窪んでいる。従って、段差低減のための何らの対策も採らなかった場合に生じ得る、走査線及びデータ線が重なってできる段差或いは凸部を、窪み内にデータ線が沈み込む分だけ低減できる。
【００３２】
この態様では、前記ゲート電極部の膜厚は、前記本線部の膜厚よりも、前記データ線の膜厚分だけ薄いように構成してもよい。
【００３３】
このように構成すれば、走査線及びデータ線が重なってできる段差或いは凸部を、窪み内にデータ線が埋め込まれることで殆どなくせる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記本線部は、層間絶縁膜を介して積層されており且つ相互にコンタクトホールで接続された複数層からなる。
【００３５】
この態様によれば、層間絶縁膜を介して積層された二層構造を有する本線部によって、配線として良好な導電特性が得られる。また、冗長配線として本線部を構築できる。加えて、ゲート電極部から層間絶縁膜を介して離間した方の導電層については、ゲート電極や薄膜トランジスタに対する電気的、化学的或いは物理的な影響が小さいので、配線としてより優れた金属材料等からなる配線を、本線部の一部として用いることが可能となる。更に、複数層を直接積層して厚い本線部を構築する場合と比べて、積層界面で生じる応力を低減でき、クラック等の配線不良が生じる可能性を低減できる。
【００３６】
この態様では、前記複数層からなる本線部の合計膜厚は、前記ゲート電極部の膜厚よりも、前記データ線の膜厚分だけ厚いように構成してもよい。
【００３７】
このように構成すれば、本線部の膜厚は、ゲート電極部の膜厚よりも、データ線の膜厚分だけ厚いので、本線部と比べて、ゲート電極部をデータ線の膜厚分だけ窪ませることができる。よって、ゲート電極部で走査線とデータ線とが交差することで生じる段差或いは凸部の高さを低減できる。
【００３８】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記一方の基板上に前記薄膜トランジスタの半導体層及びゲート絶縁膜を形成する素子形成工程と、前記半導体層のチャネル領域に対向する前記ゲート電極部を含む前記走査線を形成する走査線形成工程と、前記走査線上に層間絶縁膜を介して前記データ線を形成するデータ線形成工程とを備えており、前記走査線形成工程では、前記ゲート電極部の膜厚を前記本線部の膜厚より薄くするように前記ゲート電極部及び前記本線部を形成する。
【００３９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を比較的容易に製造できる。
【００４０】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備する。
【００４１】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高コントラスト比であり、明るく表示品質に優れた、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４４】
（第１実施形態）
先ず本発明の第１実施形態の電気光学装置について、図１から図４を参照して説明する。ここに、図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図３及び図４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４５】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。
【００４６】
蓄積容量７０の固定電位側容量電極は、固定電位を供給する容量線３００の一部からなる。容量線３００は、走査線３に沿って横方向に延びて形成されている。
【００４７】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３が設けられている。そして、走査線３とデータ線６ａとの交差する個所には夫々、ＴＦＴ３０が設けられている。
【００４８】
図２から図４に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０上において、ＴＦＴ３０の半導体層１ａのうち、図２中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように島状のゲート電極部３ｇが形成されている。走査線３は、ゲート電極部３ｇとこれに接続された本線部３ａとを含んで一本のＸ方向に延びる配線として構成されている。本線部３ａに対して、ゲート電極部３ｇは、幅広に形成されている。
【００４９】
このような本線部３ａ及びゲート電極部３ｇとから構成される走査線３における、ＴＦＴ３０上側の積層構造の段差を低減する構成及び効果については、後に詳述する。
【００５０】
図２から図４に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５１】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電性の遮光膜からなり上側遮光膜の一例を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。容量線３００は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、容量線３００は、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の他の金属を含んでもよい。但し、容量線３００は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持ってもよい。
【００５２】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての容量線３００とＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは上側遮光膜の他の例としての機能を持ち、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を持つ。但し、中継層７１も、容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成してもよい。
【００５３】
容量線３００は平面的に見て、走査線３に沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図２中上下に突出している。そして、図２中縦方向に夫々延びるデータ線６ａと図２中横方向に夫々延びる容量線３００とが相交差して形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の上側に、平面的に見て格子状の上側遮光膜（内蔵遮光膜）が構成されており、各画素の開口領域を規定している。
【００５４】
図２から図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。
【００５５】
下側遮光膜１１ａは、前述の如く上側遮光膜の一例を構成する容量線３００と同様に、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、下側遮光膜１１ａは、Ａｌ、Ａｇ等の他の金属を含んでもよい。
【００５６】
また容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。係る定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３に供給するための後述の走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御する後述のデータ線駆動回路に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００５７】
図３及び図４において、ＴＦＴアレイ基板１０は、その基板本体として、石英板、ガラス板等からなる透明な第２透明基板２０２を備えてなる。ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と対向する側の表面付近には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５８】
他方、対向基板２０は、その基板本体として、石英板、ガラス板等からなる透明な第１透明基板２０１を備えてなる。第１透明基板２０１の液晶層５０と対向する側の表面付近には、対向電極２１が形成されている。更に、その最上層部分にラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００５９】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く上側遮光膜を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。
【００６０】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００６１】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６２】
図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、ゲート電極部３ｇからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極部３ｇと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００６３】
走査線３上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１及び８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００６４】
次に、図２から図４を参照して、本線部３ａ及びゲート電極部３ｇから構成される走査線３に係る、ＴＦＴ３０上側の積層構造の段差を低減する構成及び効果について説明する。
【００６５】
本実施形態では特に、走査線３及びデータ線６ａは、ゲート電極部３ｇの上方で交差しているので、何らの対策も施さねば、この個所で、積層構造の合計膜厚が増大して、その最上層表面たる配向膜１６の表面に、段差或いは凸部が局所的に出現する筈である。しかるに本実施形態によれば、本線部３ａの膜厚が、ゲート電極部３ｇの膜厚よりも厚い。従って、当該膜厚の差に応じて、ゲート電極部３ｇの上方にて、走査線３の一部をなすゲート電極部３ｇとデータ線６ａとが重なることにより生じる段差或いは凸部の高さを低減できる。
【００６６】
より具体的には、本線部３ａは、第１導電層３４２及びこの上に積層された第２導電層３４０を含む多層構造（二層構造）を有し、ゲート電極部３ｇは、第１導電層３４２のみからなる単一層構造を有する。これにより、ゲート電極部３ｇの膜厚が局所的に薄くされており、この部分で上面側が窪んだ走査線３における積層構造が比較的容易に得られている。しかも、単一層構造を有するゲート電極部３ｇの存在による走査線３が窪んだ部分の幅ｄ１は、データ線６ａの幅ｄ２と殆ど同じか又は若干だけ大きくされている（ｄ１≧ｄ２）。同時に、本線部３ａとゲート電極部３ｇとの段差８２及び８２’の高さは、データ線６ａの膜厚にほぼ等しくなるように設定されている。
【００６７】
このように、走査線３は、データ線６ａに対応する形で、ゲート電極部３ｇにて上面側が窪んでいるので、走査線３及びデータ線６ａが重なってできる段差或いは凸部を、走査線３の窪み内にデータ線６ａが沈み込む分だけ低減できる（図４参照）。即ち、当該段差を殆ど無くすことができる。従って、例えば当該ＴＦＴアレイ基板１０製作の最終工程のラビング処理において、当該消滅した段差或いは凸部の周囲に発生する配向膜１６に係るラビング不良を低減できる。よって、ラビング不良によって引き起こされる、例えば液晶層５０の配向不良を低減できる。加えて、係る段差の低減によって、段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減できる。従って、表示画像におけるコントラスト比を向上できる。しかも、本実施形態の如き構造を採用することで、段差や凸部を増大させることなく、データ線６ａや走査線３の本線部３ａの配線膜厚を厚くでき、その分だけ同一導電率を確保するために必要な配線幅を狭くできる。これにより、各画素の開口率を高められる。従って、明るく高品位の画像表示が可能となる。
【００６８】
加えて本実施形態によれば、ゲート電極部３ｇは、下層側に位置する第１導電層３４２からなるので、後述する製造プロセスにおいて、先ずゲート電極部３ｇに相応しい第１導電層３４２を形成し、更に本線部３ａとして相応しい第２導電層３４０をその上に形成すれば、比較的容易にして当該走査線構造が得られる。この際、前述した特許文献１が開示する技術の如く、段差に対応した溝を基板２０２に掘る必要も無く、更に第３層間絶縁膜４３などに対するＣＭＰ処理等の複雑高度な工程も必要としていない。
【００６９】
尚、第１実施形態及び次に説明する第２又は第３実施形態においては、第１導電層３４２及び第２導電層３４０は、例えばゲート電極に適した導電性のポリシリコン膜等の同一材料からなるように構成してもよい。このように構成すれば、両者間で良好な電気的接続状態を実現でき、更に両者間の界面等で発生する応力を低減できる。或いは、第１導電層３４２及び第２導電層３４０は、別材料からなるように構成してもよい。例えば、第１導電層３４２については、例えばゲート電極に適した導電性のポリシリコン膜等の材料からなるように形成し、第２導電層３４０については、例えば、配線に適したＡｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ等の、ポリシリコン膜より導電性の高い金属材料等の材料からなるように形成してもよい。よって、ゲート電極部３ｇとしての特性に優れると同時に本線部３ａとしての特性に優れる走査線３を実現可能となる。加えて、第１導電層３４２及び第２導電層３４０は、その製造プロセスにおいて、同時にパターニングされてなるように構成してもよい。
【００７０】
以上の結果、本実施形態によれば、走査線３及びデータ線６ａの交差する個所における段差を低減でき、これによりコントラスト比が高く、明るく高品位な画像表示が可能となる。
【００７１】
（第１実施形態の製造プロセス）
次に、上述した第１実施形態の電気光学装置のうちＴＦＴアレイ基板１０側の製造プロセスについて、図５を参照して説明する。ここに、図５は、図４に示したＢ−Ｂ’断面に対応する個所におけるＴＦＴアレイ基板１０の断面構造を工程ごとに示す工程図である。
【００７２】
先ず図５の工程（１）では、石英基板、ガラス基板等の第２基板２０２を用意する。ここで、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気下、約８５０〜１３００℃、より好ましくは１０００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおいて第２基板２０２に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。
【００７３】
続いて、このように処理された第２基板２０２の全面に、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリング法などにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは約２００ｎｍの膜厚の遮光層を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、図２に示したようなパターンの下側遮光膜１１ａを画像表示領域１０ａ内に形成する。
【００７４】
続いて、下側遮光膜１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する。
【００７５】
続いて、下地絶縁膜１２の上に、減圧ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン膜を形成しアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜を固相成長させる。或いは、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を直接形成する。次に、このポリシリコン膜に対し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより、図２に示した所定パターンを有する半導体層１ａを画像表示領域１０ａ内に形成する。更に、熱酸化すること等により、ゲート絶縁膜となる絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａの厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。
【００７６】
次に図５の工程（２）では、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を、例えば３００ｎｍなど約１００〜５００ｎｍの厚さに堆積し、更にＰ（リン）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２から図４に示した所定パターンを有する第１導電層３４２を画像表示領域１０ａ内に形成する。次に、低濃度及び高濃度の２段階で不純物イオンをドープすることにより、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを含む、ＬＤＤ構造の画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａを画像表示領域１０ａ内に形成する。
【００７７】
次に図５の工程（３）では、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を、例えば３００ｎｍなど約２００〜６００ｎｍの厚さに堆積し、更にＰ（リン）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図２から図４に示した所定パターンを有する第２導電層３４０を画像表示領域１０ａ内に形成する。尚、上述した第１導電層３４２及び第２導電層３４０に対する熱拡散工程、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程については、少なくともそれらの一工程を、第１導電層３４２及び第２導電層３４０に対して同時に行うようにしてもよい。また、第２導電層３４０については、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜をスパッタリング法により成膜し、これをパターニングすることで形成してもよい。
【００７８】
次に図５の工程（４）では、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等からなる第１層間絶縁膜４１を形成する。続いて、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化して中継層７１を形成する。続いて、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる誘電体膜７５を膜厚５０ｎｍ程度の比較的薄い厚さに堆積した後、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより容量線３００を形成する。これらにより、画像表示領域１０ａ内に、蓄積容量７０を形成する。
【００７９】
次に図５の工程（５）では、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４２を形成する。続いて、第２層間絶縁膜４２上の全面に、スパッタリング等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜として、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３００ｎｍに堆積する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有するデータ線６ａを画像表示領域１０ａ内に形成する。
【００８０】
次に図５の工程（６）では、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層間絶縁膜４３を形成する。続いて、スパッタ処理等によりＩＴＯ膜を形成し、更にフォトリソグラフィ及びエッチングを行なうことにより、画素電極９ａを形成する。その後、この上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布し、更に所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６が形成される。
【００８１】
尚、図５には図示されない各種コンタクトホール（図２及び図３参照）については、例えば反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチング、又はウエットエッチング若しくはこれらの組合せによって、各層間絶縁膜の成膜後の各段階で、各層間絶縁膜の所定個所に適宜開孔する。
【００８２】
以上説明した製造プロセスにより、上述した第１実施形態の電気光学装置を比較的容易に製造できる。
【００８３】
特に、以上説明した本実施形態の製造プロセスによれば、図５の工程（２）及び工程（３）で、走査線３のうちゲート電極部３ｇが薄く且つ本線部３ａが厚く形成されるので、走査線３の上面側が窪んだ積層構造が得られる。このため、工程（４）及び工程（５）で、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２にも、ゲート電極３ｇの上方では、窪みが形成される。そして、工程（５）において、この窪み内に、データ線６ａが概ね嵌め込まれることになるので、工程（６）で得られる第３層間絶縁膜４３の表面或いは配向膜１６の表面は、平坦化されることとなる。
【００８４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態における電気光学装置について、図６を参照して説明する。第２実施形態における基本的な構造は、概ね上述した第１実施形態の場合と同様である。図６は、第２実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。また、図６において、上述した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８５】
図６に示すように、第２実施形態では、走査線３−２が、第１実施形態における走査線３に係る第１導電層３４２及び第２導電層３４０の上下配置を逆転した積層構造を有している。即ち、走査線３−２は、データ線６ａとほぼ同一の膜厚を有する第１導電層３４２−２と、ゲート電極として適当なポリシリコン膜等からなる第２導電層３４０−２から構成されている。そして、本線部３ａ−２は、第１導電層３４２−２及び第２導電層３４０−２を含む多層構造を有し、ゲート電極部３ｇ−２は、これらのうち第２導電層３４０−２のみからなる単一層構造を有する。その他の構成については、上述した第１実施形態の場合と同様である。
【００８６】
第２実施形態によれば、走査線３−２は、データ線６ａに対応する形で、ゲート電極部３ｇ−２にて上面側が窪んでいるので、走査線３−２及びデータ線６ａが重なってできる段差を、走査線３−２の窪み内にデータ線６ａが沈み込む分だけ低減できる。
【００８７】
尚、このような走査線３−２は、例えば、第１実施形態の製造プロセスにおいて、概ね図５の工程（２）及び工程（３）で示した導電層の形成順序を逆転させることにより形成すればよい。
【００８８】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態における電気光学装置について、図７を参照して説明する。第３実施形態における基本的な構造は、概ね上述した第１実施形態の場合と同様である。図７は、第３実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。また、図７において、上述した第１又は第２実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８９】
図７に示すように、第３実施形態では、走査線３−３が、第１実施形態における走査線３に係る第１導電層３４２及び第２導電層３４０の間に層間絶縁膜４０を介在させ、且つ両導電層間をコンタクトホール１８２及び１８２’で接続した積層構造を有している。即ち、走査線３−３は、ゲート電極として適当なポリシリコン膜等からなる第１導電層３４２−３と、データ線６ａとほぼ同一の膜厚を有する第２導電層３４０−３とから構成されている。そして、本線部３ａ−３は、第１導電層３４２−３及び第２導電層３４０−３を含む多層構造を有し、ゲート電極部３ｇ−３は、これらのうち第１導電層３４２−３のみからなる単一層構造を有する。その他の構成については、上述した第１実施形態の場合と同様である。
【００９０】
第３実施形態によれば、走査線３−３は、データ線６ａに対応する形で、ゲート電極部３ｇ−３にて上面側が窪んでいるので、走査線３−３及びデータ線６ａが重なってできる段差を、走査線３−３の窪み内にデータ線６ａが沈み込む分だけ低減できる。また、走査線３−３に冗長配線を持たせることが出来る。加えて、ゲート電極３ｇ−３から層間絶縁膜４０を介して離間した第２導電層３４０−３については、ゲート電極３ｇ−３やＴＦＴ３０に対する電気的、化学的或いは物理的な影響が小さいので、配線としてより優れた金属材料等から形成できる。更に、複数層を直接積層して厚い本線部を構築する場合と比べて、積層界面で生じる応力を低減でき、クラック等の配線不良が生じる可能性を低減できる。
【００９１】
尚、このような走査線３−３は、例えば、第１実施形態の製造プロセスにおいて図５の工程（２）と工程（３）との間に、概ね層間絶縁膜４０を形成する工程及び層間絶縁膜４０にコンタクトホール１８２及び１８２’を開孔する工程を挿入することで形成すればよい。
【００９２】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態における電気光学装置について、図８を参照して説明する。第４実施形態における基本的な構造は、概ね上述した第１実施形態の場合と同様である。図８は、第４実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。また、図８において、上述した第１実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００９３】
図８に示すように、第４実施形態では、走査線３−４が、例えば導電性のポリシリコン膜等のゲート電極に適した材料からなる単一層の本線部３ａ−４及びゲート電極部３ｇ−４を含んでなる。その他の構成については、上述した第１実施形態の場合と同様である。
【００９４】
第４実施形態によれば、走査線３−４は、データ線６ａに対応する形で、ゲート電極部３ｇ−４にて上面側が窪んでいるので、走査線３−４及びデータ線６ａが重なってできる段差を、走査線３−４の窪み内にデータ線６ａが沈み込む分だけ低減できる。
【００９５】
尚、このような走査線３−４は、例えば、第１実施形態の製造プロセスにおいて図５の工程（２）及び工程（３）に代えて、概ねポリシリコン膜を厚く形成する工程と、これに続いてゲート電極部３ｇ−４となる領域をエッチングにより局所的に薄膜化する工程を用いて形成すればよい。
【００９６】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態における電気光学装置について、図９を参照して説明する。第５実施形態における基本的な構造は、概ね上述した第１実施形態の場合と同様である。図９は、第５実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。また、図９において、上述した第１又は第４実施形態と同様の構成要素には同様の参照符号を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００９７】
図９に示すように、第５実施形態では、走査線３−５が、例えば導電性のポリシリコン膜等のゲート電極に適した材料からなる単一層の本線部３ａ−５及びゲート電極部３ｇ−５を含んでなる。そして、走査線３−５の上面は、例えばＣＭＰ処理等によって平坦化されている。その他の構成については、上述した第１実施形態の場合と同様である。
【００９８】
第５実施形態によれば、走査線３−５は、平坦化されることで、半導体層１ａ及び絶縁膜２の膜厚分を吸収しているので、その分だけ、走査線３−５及びデータ線６ａが重なってできる段差を低減できる。
【００９９】
尚、このような走査線３−５は、例えば、第１実施形態の製造プロセスにおいて図５の工程（２）及び工程（３）に代えて、概ねポリシリコン膜を厚く形成する工程と、この膜に対するＣＭＰ処理等の平坦化処理を施す工程を用いて形成すればよい。
【０１００】
以上説明した第１から第５実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３の一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また各実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。更に、ＴＦＴ３０は、トップゲート型に限らず、ボトムゲート型でもよい。
【０１０１】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図１０及び図１１を参照して説明する。尚、図１０は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１１は、図１０のＨ−Ｈ’断面図である。
【０１０２】
図１０において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３に走査信号を所定タイミングで供給することにより走査線３を駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１１に示すように、図１０に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【０１０３】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１０４】
以上図１から図１１を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１０５】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。
【０１０６】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１２は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１０７】
図１２において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１０８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】第１実施形態における図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】第１実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】第１実施形態の電気光学装置の製造プロセスを示す工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態における、図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態における図２のＢ−Ｂ’断面に対応する個所における断面図である。
【図１０】本発明の電気光学装置の実施形態における電気光学基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である
【図１１】図１０のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１２】本発明の電子機器の実施形態に係る投射型カラー表示装置の概略ブロック図である。
【符号の説明】
１ａ’…チャネル領域
３…走査線
３ａ…本線部
３ｇ…ゲート電極部
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
【図１】
2004101744.tif 000003
【図２】
2004101744.tif 000004
【図３】
2004101744.tif 000005
【図４】
2004101744.tif 000006
【図５】
2004101744.tif 000007
【図６】
2004101744.tif 000008
【図７】
2004101744.tif 000009
【図８】
2004101744.tif 000010
【図９】
2004101744.tif 000011
【図１０】
2004101744.tif 000012
【図１１】
2004101744.tif 000013
【図１２】
2004101744.tif 000014