(57)【要約】【課題】高アスペクト比の加工を実現することができ、微小部品を作製することができる電子部品の製造方法及びダイシング方法、並びにこれらを実施するための装置を提供すること。【解決手段】所定の間隔を置いて複数の素子１を一体化して板状体２を作製する工程と、板状体２を複数の素子１間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程とを有する、電子部品の製造方法又はダイシング方法に係り、また、所定の間隔を置いて複数の素子１を一体化してなる板状体２を複数の素子１間で個片化する電子部品の製造装置において、板状体２に対して少なくとも２種のダイシングを行うためのダイシング手段２９を有することを特徴とする、電子部品の製造装置又はダイシング装置。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔を置いて複数の素子を一体化して板状体を作製する工程と、前記板状体を前記複数の素子間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程とを有する、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記板状体を支持基板上に固定して、ブレード、レーザー、ドライエッチング及びウェットエッチングのうちの少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって前記個片化を行う、請求項１に記載した電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記板状体を前記支持基板上に固定して、所定の深さ位置までブレードによってダイシングした後、レーザーによって更にダイシングを行う、請求項２に記載した電子部品の製造方法。
【請求項４】
積層体をダイシングするに際し、剥離し易い層を前記ブレードによってダイシングした後、前記レーザーによって更にダイシングを行う、請求項３に記載した電子部品の製造方法。
【請求項５】
有害物含有層を前記ブレードによってダイシングした後、有害物非含有層を前記レーザーによって更にダイシングする、請求項３に記載した電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記板状体の一方の面側において前記支持基板上に固定し、前記板状体の他方の面上に保護膜を形成して、この保護膜を含めて所定の深さ位置までブレード又はレーザーによってダイシングした後、ドライエッチング或いはウェットエッチングにより更にダイシングを行う、請求項２に記載した電子部品の製造方法。
【請求項７】
所定の間隔を置いて複数の素子を一体化して板状体を作製する工程と、前記板状体を前記複数の素子間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程とを有する、ダイシング方法。
【請求項８】
前記板状体を支持基板上に固定して、ブレード、レーザー、ドライエッチング及びウェットエッチングのうちの少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって前記個片化を行う、請求項７に記載したダイシング方法。
【請求項９】
前記板状体を前記支持基板上に固定して、所定の深さ位置までブレードによってダイシングした後、レーザーによって更にダイシングを行う、請求項８に記載したダイシング方法。
【請求項１０】
積層体をダイシングするに際し、剥離し易い層を前記ブレードによってダイシングした後、前記レーザーによって更にダイシングを行う、請求項９に記載したダイシング方法。
【請求項１１】
有害物含有層を前記ブレードによってダイシングした後、有害物非含有層を前記レーザーによって更にダイシングする、請求項９に記載したダイシング方法。
【請求項１２】
前記板状体の一方の面側において前記支持基板上に固定し、前記板状体の他方の面上に保護膜を形成して、この保護膜を含めて所定の深さ位置までブレード又はレーザーによってダイシングした後、ドライエッチング或いはウェットエッチングにより更にダイシングを行う、請求項８に記載したダイシング方法。
【請求項１３】
所定の間隔を置いて複数の素子を一体化してなる板状体を前記複数の素子間で個片化する電子部品の製造装置において、前記板状体に対して少なくとも２種のダイシングを行うためのダイシング手段を有することを特徴とする、電子部品の製造装置。
【請求項１４】
前記ダイシング手段による各ダイシングのタイミングをとりながら順次行う、請求項１３に記載した電子部品の製造装置。
【請求項１５】
前記ダイシング手段に対し前記板状体を相対的に移動させながら前記各ダイシングを行う、請求項１４に記載した電子部品の製造装置。
【請求項１６】
前記各ダイシングを制御するための制御部を有する、請求項１４に記載した電子部品の製造装置。
【請求項１７】
前記板状体を支持基板上に固定して、ブレード、レーザー、ドライエッチング及びウェットエッチングのうちの少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって前記個片化を行う、請求項１３に記載した電子部品の製造装置。
【請求項１８】
前記板状体を前記支持基板上に固定して、所定の深さ位置までブレードによってダイシングした後、レーザーによって更にダイシングを行う、請求項１７に記載した電子部品の製造装置。
【請求項１９】
積層体をダイシングするに際し、剥離し易い層を前記ブレードによってダイシングした後、前記レーザーによって更にダイシングを行う、請求項１８に記載した電子部品の製造装置。
【請求項２０】
有害物含有層を前記ブレードによってダイシングした後、有害物非含有層を前記レーザーによって更にダイシングする、請求項１８に記載した電子部品の製造装置。
【請求項２１】
前記板状体の一方の面側において前記支持基板上に固定し、前記板状体の他方の面上に保護膜を形成して、この保護膜を含めて所定の深さ位置までブレード又はレーザーによってダイシングした後、ドライエッチング或いはウェットエッチングにより更にダイシングを行う、請求項１７に記載した電子部品の製造装置。
【請求項２２】
所定の間隔を置いて複数の素子を一体化してなる板状体を前記複数の素子間で個片化する電子部品の製造装置において、前記板状体に対して少なくとも２種のダイシングを行うためのダイシング手段を有することを特徴とする、ダイシング装置。
【請求項２３】
前記ダイシング手段による各ダイシングのタイミングをとりながら順次行う、請求項２２に記載したダイシング装置。
【請求項２４】
前記ダイシング手段に対し前記板状体を相対的に移動させながら前記各ダイシングを行う、請求項２３に記載したダイシング装置。
【請求項２５】
前記各ダイシングを制御するための制御部を有する、請求項２３に記載したダイシング装置。
【請求項２６】
前記板状体を支持基板上に固定して、ブレード、レーザー、ドライエッチング及びウェットエッチングのうちの少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって前記個片化を行う、請求項２２に記載したダイシング装置。
【請求項２７】
前記板状体を前記支持基板上に固定して、所定の深さ位置までブレードによってダイシングした後、レーザーによって更にダイシングを行う、請求項２６に記載したダイシング装置。
【請求項２８】
積層体をダイシングするに際し、剥離し易い層を前記ブレードによってダイシングした後、前記レーザーによって更にダイシングを行う、請求項２７に記載したダイシング装置。
【請求項２９】
有害物含有層を前記ブレードによってダイシングした後、有害物非含有層を前記レーザーによって更にダイシングする、請求項２７に記載したダイシング装置。
【請求項３０】
前記板状体の一方の面側において前記支持基板上に固定し、前記板状体の他方の面上に保護膜を形成して、この保護膜を含めて所定の深さ位置までブレード又はレーザーによってダイシングした後、ドライエッチング或いはウェットエッチングにより更にダイシングを行う、請求項２６に記載したダイシング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品の製造方法及びダイシング方法、並びにこれらを実施するための装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、Ｓｉ系若しくはＧａ系の半導体部品を個片化する場合には、半導体部品をダイシングテープ上に貼り付けて、それを切り出すことで大量の部品を作製することが可能である。
【０００３】
また、通常のダイシング方法であるブレードを用いるブレードダイシングでは、ダイシングテープに切り込むぐらいの深さまで切ることでダイシングを行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ダイシングテープには伸延性があり、チップの位置間隔が数ミクロンから数十ミクロン程度ずれることがある。
【０００５】
そこで、石英ガラスなどの固体基板に貼り付けてダイシングする方法もあるが、この場合、ブレードで基板に切り込むくらいの深さまで切る。これにより、石英ガラスなどの基板に傷を付けるために、基板を一度しか使うことができなくなる。逆に、基板に傷を付けない程度にダイシングすると、チップ部品の個片化ができなくなる。
【０００６】
一方、既に回路や素子がプラスチックにモールドされた状態の素子を分離する方法としてもダイシングは有効であり、この場合、支持基板に傷をつけない方法としてレーザーを用いたレーザーダイシングがあるが、レーザーダイシングでは一般的にダイシング面に傾斜が生じ、アスペクト比の高い溝を形成することが難しいという側面がある。
【０００７】
また、プラスチック部品が何層かの積層構造をなしている場合は、レーザーダイシングによる個片化を行う際に、その層構造が剥離し易いという問題点がある。
【０００８】
さらに、ＧａＡｓなどのＡｓ系化合物半導体をレーザーダイシングによって個片化する場合、Ａｓが析出してしまい、作業者にとって有害となる。
【０００９】
本発明は、上述したような問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、高アスペクト比の加工を実現することができ、微小部品を作製することができる電子部品の製造方法及びダイシング方法、並びにこれらを実施するための装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、所定の間隔を置いて複数の素子を一体化して板状体を作製する工程と、前記板状体を前記複数の素子間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程とを有する、電子部品の製造方法に係り、また、所定の間隔を置いて複数の素子を一体化してなる板状体を前記複数の素子間で個片化する電子部品の製造装置において、前記板状体に対して少なくとも２種のダイシングを行うためのダイシング手段を有することを特徴とする、電子部品の製造装置に係るものである。
【００１１】
また、所定の間隔を置いて複数の素子を一体化して板状体を作製する工程と、前記板状体を前記複数の素子間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程とを有する、ダイシング方法に係るものであり、さらに、所定の間隔を置いて複数の素子を一体化してなる板状体を前記複数の素子間で個片化する電子部品の製造装置において、前記板状体に対して少なくとも２種のダイシングを行うためのダイシング手段を有することを特徴とする、ダイシング装置に係るものである。
【００１２】
本発明によれば、前記板状体を前記複数の素子間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程を有するので、例えば前記板状体を支持基板上に固定して前記個片化を行っても、前記支持基板に傷を付けることなくダイシングすることが可能であり、また前記個片化の際に前記複数の素子の位置ずれの発生を防ぐことができ、高アスペクト比の加工が可能となり、微小部品を容易に作製することができる。
【００１３】
また、前記少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせを適宜選択することができるので、例えば前記板状体が厚い場合でも容易にかつ高アスペクト比で前記個片化を行うことができ、異種プラスチック層を有する前記板状体を個片化する場合でも、層間剥離の発生を防ぎつつダイシングすることが可能となる。さらに、前記少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせを適宜選択することにより、ダイシングの際の有害物の発生を防止することも可能となる。
【００１４】
さらに、本発明の電子部品の製造装置及びダイシング装置によれば、前記板状体に対して少なくとも２種のダイシングを行うための前記ダイシング手段を有するので、効率よく本発明の電子部品の製造方法及びダイシング方法を実施することができ、上述したと同様の効果が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明において、前記板状体を前記複数の素子間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程を有することが特徴であるが、特に、前記板状体を支持基板上に固定して、ブレード、レーザー、ドライエッチング及びウェットエッチングのうちの少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって前記個片化を行うことが望ましい。
【００１６】
具体的には、図１に本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）の一例を工程順に概略断面図で示すように、まず、所定の間隔を置いて複数の素子１を一体化して板状体２を作製する。そして、図１（ａ）に示すように、この板状体２を剥離層３を有する支持基板４上に固定する。
【００１７】
板状体２は、例えば複数の素子１、複数の素子１を一体化するための内包層５、内包層５の一方の面上に形成された表面層６からなる。
【００１８】
表面層６は、内包層５に対し外部環境からの保護特性の高い材質からなる膜であることが好ましく、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリアミドイミド（ＰＡＩ）などの耐薬品性が高い樹脂を挙げることができる。
【００１９】
内包層５は、板状体２において最も大きく体積を占めるので、低コストかつ絶縁性のある樹脂からなることが好ましく、一般的にポリエチレンやエポキシ樹脂が用いられている。
【００２０】
剥離層３は、板状体２を支持基板４上に接着固定し、後述するように板状体２を支持基板４から剥離する工程のために形成される。剥離層３には、支持基板４と内包層５の固着力が弱い場合は、接着性の強い樹脂を用いることが好ましく、例えば紫外線硬化させたＰＩやエポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２１】
支持基板４の材質としては、従来公知のものがいずれも使用可能であるが、例えば本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）においてレーザーによるダイシングが含まれる場合、透過率の高い基板を用いることが望ましい。例えば、前記レーザーとしてＹＡＧの３倍高調波（３５５ｎｍ）を用いる場合は、比較的透過率の高い無アルカリガラスやＢＫ７、サファイヤガラスなどを用いることができ、前記レーザーとしてＫｒＦエキシマレーザー（２４５ｎｍ）を用いる場合は、石英ガラスを用いることができる。
【００２２】
また、本発明に基づく部品の製造方法（ダイシング方法）においてレーザーによるダイシングが含まれている場合、上記した剥離層３の材質は、レーザー光照射によって光を吸収してアブレーション現象を起こすような樹脂、例えばエポキシ系、ＰＩ、ＰＡＩ等を選定することが望ましい。基本的には、支持基板４、剥離層３及び内包層５の材質については、張り合わせ工程での特性に依存しており、まず、支持基板４の材質を決定して、次いで内包層５及び剥離層３の材質を決定することが好ましい。
【００２３】
次に、図１（ｂ）に示すように、剥離層３を含む深さ位置までブレード７を用いてダイシングを行い、溝８ａを形成する。ブレード７は、ダイサーによって１００００〜４５０００ｒｐｍ程度に高速回転して、溝８ａを形成する。
【００２４】
従来のブレードダイシングのみで前記個片化を行う場合、溝８ａの深さは支持基板４を含む深さ位置を適当としていたが、これに対し本発明に基づく方法におけるブレードダイシングは、剥離層３を含む深さ位置までとし、支持基板４までは切り込まない程度の深さを最善とする。これにより、支持基板４は傷付かないので、再利用が可能となる。また、内包層５等の構成物質にＡｓなどの有害物質が含まれる場合、エキシマレーザーを用いてダイシングするに際し、レーザー光を内包層５等に直接照射するとＡｓが粒子として析出して作業環境に暴露される危険性があるが、これに対しブレードによるダイシングでは、Ａｓは析出せず、削り粉等が生じても切削水と共に排水されてしかるべき処置を施されるために、作業者に危険が及ぶことはない。
【００２５】
上記のブレードダイシング後、図１（ｃ）に示すように、ブレード７により形成された溝８ａに対して紫外線レーザー光９を照射し、レーザーによって更にダイシングを行って溝８ｂを形成すると共に、板状体２を個片化して電子部品１０を得る。
【００２６】
この際、レーザー光９は正確に剥離層３の樹脂のみをアブレーション加工して除去し、支持基板４は透過して加工されないので、溝８ｂは図示するように支持基板４までできれいに止まり、従来のブレードダイシングのみの個片化のように支持基板４に傷を付けることなく、支持基板４を何度でも使用することができる。これにより、本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）は、より一層の低コスト化を図ることができる。また、従来のレーザーダイシングのみで前記個片化した場合のように、ダイシング面に傾斜もあまり付かず、きれいな断面を有し、アスペクト比の高い溝８ｂを形成することができる。
【００２７】
そして、図１（ｄ）に示すように、粘着層１１付きの転写基板１２に上記に得られた電子部品１０を転写し、剥離層３及び支持基板４を除去して次の任意の工程へ移すことができる。
【００２８】
本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）によれば、板状体２を複数の素子１間で例えばブレード及びレーザーのダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程を有するので、板状体２を支持基板４上に固定して前記個片化を行っても、支持基板４に傷を付けることなくダイシングすることが可能であり、また前記個片化の際に複数の素子１の位置ずれの発生を防ぐことができ、高アスペクト比の加工が可能となり、微小な電子部品１０をより一層容易に作製することができる。
【００２９】
また、例えば板状体２が厚い場合でも容易にかつ高アスペクト比で前記個片化を行うことができる。板状体２が異種プラスチック層からなる場合でも、層間剥離の発生を防ぎつつダイシングすることが可能となる。さらに、板状体２が有害物含有層を有する場合でも、ダイシングの際に有害物が発生するのを防止することも可能となる。
【００３０】
本発明において、前記板状体を個片化して得られる電子部品とは、半導体ＩＣ（集積回路：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、発光ダイオードなどの絶縁性樹脂に素子が埋め込まれたタイプのもの、即ちＬＩＰ（ＬＥＤ  Ｉｎ  Ｐｌａｓｔｉｃ）が具体的に挙げられるが、これに限られるものではない。
【００３１】
図２は、本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）の一部拡大概略断面図である。
【００３２】
図２（ａ）に示すように、板状体２は、ベアチップ１３、ＳｉＯ２膜１４、Ａｌ電極パッド１５、Ｎｉ無電解めっき層（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）１６、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２膜又はポリイミド膜からなるパッシベーション膜１７及び保護樹脂１８からなっていてもよく、この場合、図示省略したが複数のベアチップ１３が所定の間隔を置いて一体化されている。この板状体２を、剥離層３を挟んで支持基板４上に固定する。
【００３３】
そして、例えばブレードを用いてダイシングを行い、溝８ａを形成する。この際、ブレードダイシングによる溝８ａの深さは剥離層３を含む深さ位置までとし、これにより、支持基板４が傷付くことはないので、再利用が可能となる。
【００３４】
次に、例えばレーザーを用いて更にダイシングを行い、図２（ｂ）に示すように、溝８ｂを形成することによって前記個片化を行うことができる。このとき、前記レーザーは正確に剥離層３の樹脂のみをアブレーション加工して除去し、支持基板４は透過して加工されないので、溝８ｂは図示するように支持基板４までできれいに止まり、従来のブレードダイシングのみの個片化のように支持基板４に傷を付けることなく、支持基板４を何度でも使用することができる。これにより、本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）は、より一層の低コスト化を図ることができる。また、従来のレーザーダイシングのみで前記個片化した場合のように、ダイシング面に傾斜もあまり付かず、きれいな断面を有し、アスペクト比の高い溝８ｂを形成することができる。
【００３５】
上記にＬＩＰの例を説明したが、前記板状体は、これに代えて例えば図３に示すようなＧａＡｓ系半導体層を有する積層体であってもよい。
【００３６】
即ち、図３（ａ）に示すように、板状体２は、ｎ−電極１９付きのｎ−ＩｎＰ基板２０、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層２１、ｐ−ＩｎＰブロック層２２、ｎ−ＩｎＰ層２３、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２４、ｐ−ＩｎＰ層２５、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層２６、ｐ−電極２７からなっていてもよい。なお、図中矢印は、電流の流れを示す。この板状体２を、剥離層３を挟んで支持基板４上に固定する。
【００３７】
そして、例えばブレードを用いてダイシングを行い、溝８ａを形成する。この際、ブレードダイシングによる溝８ａの深さは剥離層３を含む深さ位置までとし、これにより、支持基板４が傷付くことはないので、再利用が可能となる。
【００３８】
次に、例えばレーザーを用いて更にダイシングを行い、図３（ｂ）に示すように、溝８ｂを形成することによって前記個片化を行うことができる。このとき、レーザーは正確に剥離層３の樹脂のみをアブレーション加工して除去し、支持基板４は透過して加工されないので、溝８ｂは図示するように支持基板４までできれいに止まり、従来のブレードダイシングのみの個片化のように支持基板４に傷を付けることなく、支持基板４を何度でも使用することができる。これにより、本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）は、より一層の低コスト化を図ることができる。また、従来のレーザーダイシングのみで前記個片化した場合のように、ダイシング面に傾斜もあまり付かず、きれいな断面を有し、アスペクト比の高い溝８ｂを形成することができる。
【００３９】
なお、図３に示すように、板状体２がＡｓ等の有害物含有層を有していても、前記有害物含有層をブレードによってダイシングした後、有害物非含有層をレーザーによって更にダイシングするので、従来のレーザーのみを用いてのダイシングのように、ダイシング時にＡｓ等の有害物が析出することなく、作業員の安全を確保することができる。
【００４０】
また、図３に示すように板状体２が積層体であっても、例えば剥離し易い層をブレードでダイシングした後、レーザーによって更にダイシングを行うことができるので、層間剥離を生じることなく、高アスペクト比の加工を実現することができる。
【００４１】
図４は、本発明に基づく電子部品の製造装置（ダイシング装置）の概略断面図である。
【００４２】
図４に示すように、本発明に基づく電子部品の製造装置（ダイシング装置）は、例えばブレード７によるダイシングとレーザー２８によるダイシングを行うためのダイシング手段２９を有しており、各ダイシング７、２８のタイミングをとりながら順次行うことができる。具体的には、ダイシング手段２９は、ブレード７、ブレード７を駆動するための駆動部３０、レーザー２８、ブレードダイシング及びレーザーダイシングを制御するための制御部３１、溝の深さや位置等を計測し、板状体２の前記個片化の確認を行うセンサ３２等からなることが望ましい。また、板状体２は粘着層３３を有する搬送手段３４に固定され、ダイシング手段２９に対し板状体２を図中矢印３５方向に相対的に移動させながら、各ダイシング７、２８を行うことができる。
【００４３】
本発明に基づく電子部品の製造装置（ダイシング装置）によれば、上記のように板状体２に対して少なくとも２種のダイシング、例えばブレードダイシング及びレーザーダイシングを行うためのダイシング手段２９を有するので、効率よく本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）を実施することができ、上述したと同様の効果が得られる。
【００４４】
ここで、上記にブレードダイシングとレーザーダイシングを組み合わせた場合を例示したが、本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）は、ブレード、レーザー、ドライエッチング及びウェットエッチングのうちの少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって前記個片化を行うことが望ましく、例えば図５（ａ）に示すような組み合わせ例が挙げられる。
【００４５】
即ち、上記したブレードによるダイシングを行った後、レーザーによって更にダイシングするのに代えて、ブレードダイシング後、ドライエッチングによって更にダイシングを行う組み合わせ；レーザーダイシング後、ドライエッチングによって更にダイシングを行う組み合わせ；ブレードダイシング後、ウェットエッチングによって更にダイシングを行う組み合わせ；レーザーダイシング後、ウェットエッチングによって更にダイシングを行う組み合わせ等が挙げられる。
【００４６】
図５（ｂ）に示すように、各ダイシングを単独で行った場合、例えばブレードダイシングのみで前記個片化を行った場合、前記板状体等の材質を問わずに行うことができるが、ブレードの歯が割れたり、上述したように前記支持基板の再利用が不可能になる等の問題点があり；レーザーダイシングのみで前記個片化を行った場合、前記個片化を高精度に行うことができるが、デフォーカスが生じてアスペクト比の高い加工が難しく、また上述したようにＡｓ等の有害物の析出等の問題点があり；ドライエッチングのみで前記個片化を行った場合、レーザー等の場合とは逆向きの角度で傾斜面を形成することができるが、時間がかかることや上記した傾斜面の傾きの違いが逆に問題となる等の問題点があり；ウェットエッチングのみで前記個片化を行った場合、高速処理を可能とするが、周囲環境や時間の管理が難しい等の問題点を有している。
【００４７】
これに対し、本発明に基づく電子部品の製造方法（ダイシング方法）によれば、図５に示すようなダイシング方法のうちの少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって前記個片化を行うので、上述したような各ダイシングを単独で行った場合に生じる問題点を解決しつつ、かつそれぞれの長所を十分に活かしながら前記個片化を行うことができ、より高アスペクトル比の加工が可能となる。
【００４８】
なお、ドライエッチングによるダイシングは、Ｏ２やＣＦ４などの活性なガスの低圧雰囲気下でプラズマを発生させ、化学的に有機物を除去する方法である。例えば、前記板状体の前記支持基板とは反対側の面上にＴｉ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属膜（保護膜）を蒸着又はスパッタによって製膜し、その後、ブレード若しくはレーザーによって金属膜を含む所定の深さ位置までダイシングを行う。次いで、上記のプラズマによる有機物除去処理を全面に対して行うと、前記金属膜が存在する部分と、存在していない部分とでは、明らかに表面が侵される速度に違いができ、これをダイシングに利用することができる。
【００４９】
また、ドライエッチング又はウェットエッチングによるダイシングは、ブレードダイシング又はレーザーダイシングの後に行うことが望ましく、これによって溝の幅の調整をより一層容易に行うことができ、また電子部品を所望とする形状に容易に形成することができる。
【００５０】
【発明の作用効果】
本発明によれば、前記板状体を前記複数の素子間で少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせによって個片化する工程を有するので、例えば前記板状体を支持基板上に固定して前記個片化を行っても、前記支持基板に傷を付けることなくダイシングすることが可能であり、また前記個片化の際に前記複数の素子の位置ずれの発生を防ぐことができ、高アスペクト比の加工が可能となり、微小部品を容易に作製することができる。
【００５１】
また、前記少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせを適宜選択することができるので、例えば前記板状体が厚い場合でも容易にかつ高アスペクト比で前記個片化を行うことができ、異種プラスチック層を有する前記板状体を個片化する場合でも、層間剥離の発生を防ぎつつダイシングすることが可能となる。さらに、前記少なくとも２種のダイシング方法の組み合わせを適宜選択することにより、ダイシングの際の有害物の発生を防止することも可能となる。
【００５２】
さらに、本発明の電子部品の製造装置及びダイシング装置によれば、前記板状体に対して少なくとも２種のダイシングを行うための前記ダイシング手段を有するので、効率よく本発明の電子部品の製造方法及びダイシング方法を実施することができ、上述したと同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による電子部品の製造方法の一例を工程順に示す概略断面図である。
【図２】同、電子部品の製造方法の一部拡大概略断面図である。
【図３】同、他の例による電子部品の製造方法の一部拡大概略断面図である。
【図４】同、電子部品の製造装置の一例の概略断面図である。
【図５】同、電子部品の製造装置の各ダイシングの組み合わせ例を示すものである。
【符号の説明】
１…素子、２…板状体、３…剥離層、４…支持基板、５…内包層、
６…表面層、７…ブレード、８ａ、８ｂ…溝、９…レーザー光、
１０…電子部品、１１…粘着層、１２…転写基板、２８…レーザー、
２９…ダイシング手段、３０…駆動部、３１…制御部、３２…センサ、
３３…粘着層、３４…搬送手段
【図１】
2004179565.tif 000003
【図２】
2004179565.tif 000004
【図３】
2004179565.tif 000005
【図４】
2004179565.tif 000006
【図５】
2004179565.tif 000007