(57)【要約】【課題】  簡便な構成により各画素に対し正常にインクを吐出可能にし、不良発生の生じ難い有機ＥＬ装置を製造するための有機ＥＬ装置製造用基板を提供する。【解決手段】  本発明の有機ＥＬ装置製造用基板１００は、表示用画素形成領域２Ａと、検査用画素形成領域２Ｂと、表示用画素形成領域２Ａと検査用画素形成領域２Ｂとにおいて同一プロセスにて形成された液受容部と、を備えることを特徴とする。【選択図】    図４
2004200158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ装置を製造するための有機ＥＬ装置製造用基板であって、
表示用画素形成領域と、
検査用画素形成領域と、
前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とにおいて同一プロセスにて形成さ
れた液受容部と、
を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置製造用基板。
【請求項２】
前記液受容部は、隔壁にて囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁が、前記表示
用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とにおいて同一プロセスにて形成されたもので
あることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置製造用基板。
【請求項３】
有機ＥＬ装置を製造するための有機ＥＬ装置製造用基板であって、
表示用画素形成領域と、
検査用画素形成領域と、
前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とに形成された液受容部と、を備え
、
前記液受容部が、前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とにおいて同一の
構成単位を備えることを特徴とする有機ＥＬ装置製造用基板。
【請求項４】
前記液受容部は、隔壁にて囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁が、前記表示
用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とにおいて同一の構成であることを特徴とする
請求項３に記載の有機ＥＬ装置製造用基板。
【請求項５】
基板上に複数の有機ＥＬ装置ユニットを含むとともに、該有機ＥＬ装置ユニットには前
記表示用画素形成領域が形成されており、その有機ＥＬ装置ユニットが個々に切り離され
て使用に供されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装
置製造用基板。
【請求項６】
前記検査用画素形成領域は、前記有機ＥＬ装置ユニットの外部に形成されて使用に供さ
れないことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置製造用基
板。
【請求項７】
表示用画素領域と、検査用画素領域とを備える有機ＥＬ装置であって、
前記表示用画素領域と前記検査用画素領域には、同一プロセスにて形成された液受容部
が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記液受容部は、隔壁にて囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁が、前記表示
用画素領域と前記検査用画素領域とにおいて同一プロセスにて形成されたものであること
を特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
表示用画素領域と、検査用画素領域とを備える有機ＥＬ装置であって、
前記表示用画素領域と前記検査用画素領域には、同一の構成単位を備える液受容部が形
成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記液受容部は、隔壁にて囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁が、前記表示
用画素領域と前記検査用画素領域とにおいて同一の構成であることを特徴とする請求項９
に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置製造用基板を用いた有機ＥＬ装
置の製造方法であって、
前記有機ＥＬ装置製造用基板の前記検査用画素形成領域に形成された液受容部に対し、
有機ＥＬ素子形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程と、
前記検査用画素形成領域の液受容部における前記液状組成物の状態を検査する検査工程
とを含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
有機ＥＬ装置の製造方法であって、
表示用画素形成領域と検査用画素形成領域とを含む基板上に、各領域において同一のプ
ロセスにて液受容部形成用の隔壁を形成する工程と、
前記検査用画素形成領域であって、前記隔壁にて囲まれた領域に形成された液受容部に
対して、有機ＥＬ素子形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程と、
前記検査用画素形成領域の液受容部における前記液状組成物の状態を検査する検査工程
とを含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記検査工程において、前記液状組成物の前記液受容部における濡れ状態を観察するこ
とを特徴とする請求項１１又は１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記検査工程において、滴下された液状組成物の液滴の広がり度合いを複数の液受容部
において測定することを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記検査工程を経た後、前記表示用画素形成領域の液受容部に対して、有機ＥＬ素子形
成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する工程を含むことを特徴とする請求項１１な
いし１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１６】
基板上に、有機ＥＬ素子形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する滴下工程を含
む有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記滴下工程の前に、前記基板に対し、前記液状組成物の溶媒のみを前記液滴吐出装置
にて吐出する工程と、前記溶媒の状態を検査する検査工程とを含むことを特徴とする有機
ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板として、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置製造用基板を
用い、該有機ＥＬ装置製造用基板の前記表示用画素形成領域に対し、前記液状組成物を吐
出することを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記検査工程において、前記溶媒の濡れ状態を観察することを特徴とする請求項１６又
は１７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記検査工程において、滴下された溶媒の液滴の広がり度合いを複数の液受容部におい
て測定することを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置
の製造方法。
【請求項２０】
前記検査工程において、前記有機物残渣が無い場合には、前記溶媒を乾燥させた後に前
記滴下工程を行うことを特徴とする請求項１６ないし１９のいずれか１項に記載の有機Ｅ
Ｌ装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電
子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置製造用基板、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電
子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の機能材料をインク化し、当該インク（組成物）を基材上に吐出
する液滴吐出法により、機能材料のパターニングを行う方法を採用して、一対の電極間に
該機能材料からなる機能層が挟持された構成の電気光学装置、特に機能材料として有機発
光材料を用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の開発が行われている。
【０００３】
上述した機能材料のパターニング法として、基材上に形成したＩＴＯ等からなる画素電
極の周囲にバンク部を形成し、次に画素電極及びこの画素電極に隣接する前記バンク部の
一部を親液性に処理するとともにバンク部の残りの部分を撥液性に処理し、次に機能層の
構成材料を含むインクを画素電極に吐出して乾燥することにより、画素電極上に機能層を
形成する方法が採用されている。具体的には、複数のノズルが副走査方向に沿って配列さ
れてなるノズル列を有する液滴吐出ヘッドを用い、この液滴吐出ヘッドを基板に対して主
走査方向に走査しつつ、前記ノズルからインクを吐出することにより、画素電極上に機能
層を形成する方法が知られている。例えば特許文献１参照。
【特許文献１】特開平１０−１２３７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の方法においては、画素電極及びバンク部の一部を親液性に処理し、バンク部の他
の部分を撥液性に処理することで、インクの画素電極上への選択的な吐出を可能としてい
るが、バンク形成時の有機物の残渣や、バンクないし画素電極の表面形状等の影響により
、インクの撥液性又は親液性が異常となる場合があった。このような異常が生じた場合に
、インクを吐出して機能層を形成し、有機ＥＬ素子を製造したとしても、例えば、画素毎
の発光量を一定に保てなくなる等の表示不具合が生じる惧れがあった。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、簡便な構成により各画素に対し正
常にインクを吐出可能にし、不良発生の生じ難い有機ＥＬ装置を製造するための有機ＥＬ
装置製造用基板を提供することを目的とし、該基板を用いた有機ＥＬ装置、及び該基板を
用いた有機ＥＬ装置の製造方法、ならびに有機ＥＬ装置を備える電子機器を提供すること
を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ装置製造用基板は、有機ＥＬ装置を製
造するための有機ＥＬ装置製造用基板であって、表示用画素形成領域と、検査用画素形成
領域と、前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とにおいて同一プロセスにて
形成された液受容部と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
このような有機ＥＬ装置製造用基板によると、表示用画素形成領域と検査用画素形成領
域とにおいて同一プロセスにて形成される液受容部を備えるため、各領域において液受容
部が少なくとも同一の構成単位を含むこととなる。したがって、当該有機ＥＬ装置製造用
基板を用いた有機ＥＬ装置の製造工程において、例えば検査用画素形成領域の液受容部（
検査側液受容部）に対して予備的にインク（有機ＥＬ素子形成用組成物）を吐出するもの
とし、この検査側液受容部におけるインクの状態、例えばインクの撥液状態等を検査して
、然る後に表示用画素形成領域の液受容部（表示側液受容部）にインクを吐出する工程を
少なくとも採用可能となる。その結果、例えば検査側液受容部において滴下したインクの
状態に異常が発生していた場合には、これを不良として扱い製造用基板としての使用を中
止し、一方、検査側液受容部においてインクの状態に異常発生がなかった場合には、続い
て表示側液受容部にインクを吐出することで正常なインクの吐出が可能となり、形成され
た有機ＥＬ素子にて構成される有機ＥＬ装置は素子異常に基づく不良発生が極めて少ない
ものとなる。
【０００８】
前記液受容部は、隔壁（バンク部）にて囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁
が、前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とにおいて同一プロセスにて形成
されているものとすることができる。この場合、検査用画素形成領域のバンク部（検査側
バンク部）において上記インクの撥液状態等を検査することが可能となり、該検査が一層
容易となる。
【０００９】
一般的に、バンク部において、フォトリソグラフィーによるパターニング形成後のバン
ク材の残渣等がある場合、基板状態で目視あるいは顕微鏡外観検査によってそれらを検出
することは、非常に困難である。また、形成された画素内部に対するインク液滴の接触角
測定により、濡れ性の異常として残渣を検出することを考えた場合にも、画素のサイズが
数十μｍオーダーであることから現実的に検出困難である。しかしながら、実際にこのよ
うな残渣がある領域にインクを吐出した場合、画素内での局部的な濡れ性の不均一が生じ
ていることにより、インクが部分的にバンクから溢れ出たり、あるいは部分的に濡れ広が
らないといった吐出外観異常が生じ、これがそのまま有機ＥＬ素子を形成する有機層（機
能層）の不均一な形成という結果を招くことが多い。
そこで、本発明のような構成の有機ＥＬ装置製造用基板を用いることで、上記問題が解
決され、検査用画素形成領域を設けて、その検査用画素形成領域のみにインクを吐出し、
インクの外観検査を行った後に、表示用画素形成領域にインクを吐出する方法を採用する
ことが可能となる。この方法では、直接表示用画素形成領域内の残渣の有無を検査するこ
とはできないが、表示用画素形成領域よりも例えば広範囲に及ぶ残渣が存在する場合に、
検査用画素形成領域の吐出外観不良を検出可能となる。また、この場合、検査用に別途イ
ンク（検査用インク）を用意する必要がなく、表示用画素形成領域に対して吐出するイン
クと同じものを吐出可能で、検査用画素形成領域におけるインクの検査後に、引き続き同
じインクを用いて表示用画素形成領域への有機層（機能層）の形成ができるため、例えば
検査用画素形成領域に吐出したインクを乾燥する必要もなくなる。
【００１０】
また、上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置製造用基板の異なる態様は、
有機ＥＬ装置を製造するための有機ＥＬ装置製造用基板であって、表示用画素形成領域と
、検査用画素形成領域と、前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とに形成さ
れた液受容部とを備え、前記液受容部が、前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成
領域とにおいて同一の構成単位を備えることを特徴とする。この場合も、液受容部が、表
示用画素形成領域と検査用画素形成領域とにおいて同一構成単位を備えるため、上記同様
、当該有機ＥＬ装置製造用基板を用いた有機ＥＬ装置の製造工程において、検査側液受容
部に対して予備的にインクを吐出するものとし、この検査側液受容部におけるインクの状
態を検査して、然る後に表示側液受容部にインクを吐出する工程を少なくとも採用可能と
なる。したがって、例えば検査側液受容部において滴下したインクの状態に異常が発生し
ていた場合には、これを不良として扱い製造用基板としての使用を中止し、一方、検査側
液受容部においてインクの状態に異常発生がなかった場合には、続いて表示側液受容部に
インクを吐出して正常なインクの吐出が可能となり、形成された有機ＥＬ素子にて構成さ
れる有機ＥＬ装置は素子異常に基づく不良発生が極めて少ないものとなる。
【００１１】
前記液受容部は、隔壁（バンク部）にて囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁
が、前記表示用画素形成領域と前記検査用画素形成領域とにおいて同一の構成であるもの
とすることができる。この場合、検査用画素形成領域のバンク部（検査側バンク部）にお
いて上記インクの撥液状態等を検査することが可能となり、該検査が一層容易となる。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬ装置製造用基板においては、基板上に複数の有機ＥＬ装置ユニ
ットを含むとともに、該有機ＥＬ装置ユニットには前記表示用画素形成領域が形成されて
おり、その有機ＥＬ装置ユニットが個々に切り離されて使用に供されるものとすることが
できる。このような構成により、個々の有機ＥＬ装置ユニットが、有機ＥＬ装置を構成す
ることとなり、有機ＥＬ装置の製造効率が一層高くなる。また、この場合、前記検査用画
素形成領域は、前記有機ＥＬ装置ユニットの外部に形成されて使用に供されないものとす
ることができ、すなわち、検査用画素形成領域を表示用画素形成領域の外部に形成して、
該検査用画素形成領域を製造工程上において検査のためのみに使用し、実際の有機ＥＬ装
置には搭載しない構成とすることで、製造される有機ＥＬ装置の発光領域（表示領域）を
一層広くすることが可能となる。
【００１３】
なお、上記インク（有機ＥＬ素子形成用組成物）としては、例えば発光層ないし正孔注
入／輸送層等の機能層形成材料、詳しくは機能層形成有機材料を所定の溶媒に分散又は溶
解したものを用いることができる。また、インクの吐出は、例えば液滴吐出ヘッドを備え
た液滴吐出装置にて行うことができる。また、インクの状態検査としては、例えば検査側
液受容部、すなわち検査側バンク部におけるインクの濡れ広がりの均一性を、目視あるい
は顕微鏡観察にて行うことができる。このような検査により、例えば、インクの撥液性を
異常とするような液受容部の異常、具体的にはバンク部形成の際の有機物残渣の有無等が
検査されることとなる。
【００１４】
次に、本発明の有機ＥＬ装置は、表示用画素領域と、検査用画素領域とを備える有機Ｅ
Ｌ装置であって、前記表示用画素領域と前記検査用画素領域には、同一プロセスにて形成
された液受容部が形成されていることを特徴とする。このような有機ＥＬ装置によると、
その製造工程において、例えば基板上の検査用画素領域に対応する位置の液受容部（検査
側液受容部）に対して予備的にインク（有機ＥＬ素子形成用組成物）を吐出するものとし
、この検査側液受容部におけるインクの状態、例えばインクの撥液状態等を検査して、然
る後に表示用画素領域に対応する位置の液受容部（表示側液受容部）にインクを吐出する
工程を少なくとも採用可能となる。したがって、例えば検査側液受容部において滴下した
インクの状態に異常が発生していた場合には、これを不良として扱う一方、検査側液受容
部においてインクの状態に異常発生がなかった場合には、続いて表示側液受容部にインク
を吐出して正常なインクの吐出が可能となるため、本発明の有機ＥＬ装置は不良発生が極
めて少ないものとなる。
【００１５】
前記液受容部は、隔壁（バンク部）にて囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁
が、前記表示用画素領域と前記検査用画素領域とにおいて同一プロセスにて形成されたも
のとすることができる。この場合、当該有機ＥＬ装置の上述した製造工程において、検査
用画素領域のバンク部（検査側バンク部）において上記インクの撥液状態等を検査するこ
とが可能となり、該検査が一層容易となる。
【００１６】
また、本発明の有機ＥＬ装置は、その異なる態様として、表示用画素領域と、検査用画
素領域とを備える有機ＥＬ装置であって、前記表示用画素領域と前記検査用画素領域には
、同一の構成単位を備える液受容部が形成されていることを特徴とする。この場合も、当
該有機ＥＬ装置の製造工程において、基板上の検査用画素領域に対応する液受容部におけ
る上記インクの状態を検査し、その検査に基づき表示用画素領域に対応する液受容部に対
してインクを吐出する工程を採用することが可能となるため、製造される当該有機ＥＬ装
置の不良発生が極めて少ないものとなる。なお、前記液受容部を、隔壁（バンク部）にて
囲まれた凹状部として構成されており、該隔壁が、前記表示用画素領域と前記検査用画素
領域とにおいて同一の構成とすることができる。
【００１７】
次に、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、上記有機ＥＬ装置製造用基板を用いた有機
ＥＬ装置の製造方法であって、前記有機ＥＬ装置製造用基板の前記検査用画素形成領域に
形成された液受容部に対し、有機ＥＬ素子形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下す
る工程と、前記検査用画素形成領域の液受容部における前記液状組成物の状態を検査する
検査工程とを含むことを特徴とする。
【００１８】
このような方法によると、検査用画素形成領域の液受容部に対し予備的に液状組成物を
吐出（予備吐出）した後、検査工程において検査用画素形成領域の液受容部における液状
組成物の状態の検査を行い、該検査結果に基づいて表示用画素形成領域の液受容部に対し
て液状組成物を吐出（本吐出）することが可能となるため、表示用画素形成領域の液受容
部に対して液状組成物を正常に吐出することが可能となる。すなわち、表示用画素形成領
域において、液受容部（例えばバンク部）に対する濡れ性の不均一が極めて生じ難くなる
ため、製造される有機ＥＬ装置においては発光ムラ等の不具合が生じ難くなる。
【００１９】
また、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、その異なる態様として、表示用画素形成領
域と検査用画素形成領域とを含む基板上に、各領域において同一のプロセスにて液受容部
形成用のバンク部を形成する工程と、前記検査用画素形成領域であって、前記バンク部の
間に形成された液受容部に対して、有機ＥＬ素子形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて
滴下する工程と、前記検査用画素形成領域の液受容部における前記液状組成物の状態を検
査する検査工程とを含むことを特徴とする。この場合も、検査用画素形成領域の液受容部
に対し予備的に液状組成物を吐出（予備吐出）した後、検査工程において検査用画素形成
領域の液受容部における液状組成物の状態の検査を行い、該検査結果に基づいて表示用画
素形成領域の液受容部に対して液状組成物を吐出（本吐出）することが可能となるため、
表示用画素形成領域の液受容部に対して液状組成物を正常に吐出することが可能となる。
すなわち、表示用画素形成領域において、液受容部（例えばバンク部）に対する濡れ性の
不均一が極めて生じ難くなるため、製造される有機ＥＬ装置においては発光ムラ等の不具
合が生じ難くなる。
【００２０】
なお、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記検査工程では、前記液状組成物
の撥液性を異常とするような有機物残渣の有無を観察することができる。このような検査
工程により、液状組成物の異常発生を確実に抑制することが可能となる。また、検査工程
を経た後、前記表示用画素形成領域の液受容部に対して、有機ＥＬ素子形成用の液状組成
物を液滴吐出装置にて滴下する工程を含むものとすることができ、この有機ＥＬ素子形成
用の液状組成物としては、例えば発光層を形成するための発光層形成材料や、正孔注入／
輸送層を形成するための正孔注入／輸送層形成材料等の有機材料を溶媒に分散又は溶解し
たものを例示することができる。
【００２１】
なお、検査工程として、滴下された液状組成物の液滴の広がり度合いを複数の液受容部
において測定することができる。この場合、１つの液受容部の略中央付近に１滴の液状組
成物を滴下し、その液滴の広がり度合いを各液受容部毎にそれぞれ測定することで、液受
容部に対する濡れ性の均一度合いを検査することができる。つまり、液受容部毎に広がり
度合いのばらつきが大きい場合は、各液受容部間で濡れ性が不均一であることを検知でき
る一方、広がり度合いのばらつきが小さい場合は、各液受容部間で濡れ性が均一であるこ
とを検知できる。このような検査結果に基づいて、基板全体で均一な液状組成物の塗布が
可能となるのである。
【００２２】
さらに、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、その異なる態様として、基板上に、有機
ＥＬ素子形成用の液状組成物を液滴吐出装置にて滴下する滴下工程を含み、前記滴下工程
の前に、前記基板に対し、前記液状組成物の溶媒のみを前記液滴吐出装置にて吐出する工
程と、前記溶媒の状態を検査する検査工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
このような製造方法によると、液状組成物の溶媒（好ましくは揮発性溶媒）を液滴吐出
装置にて実際の基板上、詳しくは表示用画素を形成する領域に吐出し、例えば目視外観検
査による吐出ムラや、顕微鏡外観検査による異常外観等を検査するものとしたため、実際
の基板上において、液滴の濡れ性異常を招く残渣を検出することができるようになる。そ
して、外観検査を行った後は、溶媒を乾燥させて除去することができるため、検査を行っ
た基板を使って、実際の有機層（機能層）形成のための吐出工程、すなわち表示用画素形
成領域に対し有機ＥＬ素子形成用の液状組成物を吐出する工程を行うことが可能となり、
製造される有機ＥＬ装置においては発光ムラ等の不具合が発生し難くなる。
【００２４】
なお、検査工程として、滴下された溶媒の液滴の広がり度合いを複数の液受容部におい
て測定することができる。この場合、１つの液受容部の略中央付近に１滴の溶媒を滴下し
、その液滴の広がり度合いを各液受容部毎にそれぞれ測定することで、液受容部に対する
濡れ性の均一度合いを検査することができる。つまり、液受容部毎に広がり度合いのばら
つきが大きい場合は、各液受容部間で濡れ性が不均一であることを検知できる一方、広が
り度合いのばらつきが小さい場合は、各液受容部間で濡れ性が均一であることを検知でき
る。このような検査結果に基づいて、基板全体で均一な液状組成物の塗布が可能となる。
【００２５】
また、本発明の製造方法は、複数層の機能層が電極間に形成されてなる有機ＥＬ表示装
置の製造方法に適用するのが好ましく、前記複数層の機能層のうち少なくとも１層を、液
滴吐出ヘッドに形成されてなる複数のノズルから液滴を吐出することにより形成すること
ができる。前記機能層としては、例えば正孔注入／輸送層、或いは発光層を含むものとす
ることができる。このような場合、機能層が正孔注入／輸送層または発光層を含むものな
ので、正孔注入／輸送層または発光層をほぼ均一な膜厚で形成できる。
【００２６】
また、本発明の製造方法においては、例えば、前記機能層の間にバンク部が形成され、
前記バンク部は、親液性に処理された第１バンク層と、撥液性に処理された第２バンク層
から形成されてなり、前記第１バンク層を前記電極の一部と重なるように形成することが
好ましい。
【００２７】
次に、本発明の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする。このよ
うな電子機器によれば、発光ムラの少ない、品質の高い表示を提供することが可能となる
。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置、及び有機ＥＬ表示装置の製造方法
について説明する。
図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す平面模式図であって、図２は
、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の平面模式図及び断面模式図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の走査線１０１と、走査
線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延
びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及
び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００２９】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッ
チを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフト
レジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ａの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給され
るスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ
１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保
持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トラン
ジスタ１１３と、この駆動用薄膜トランジスタ１１３を介して電源線１０３に電気的に接
続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この
画素電極１１１と陰極（対向電極（電極））１２との間に挟み込まれた機能層１１０とが
設けられている。なお、電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により、発光素子が構
成されている。
【００３０】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１
２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持
容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のオン・オフ状態が決まる
。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素
電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１
１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００３１】
次に図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、本実施形態の表示装置１は、ガラス等か
らなる透明な基体２と、マトリックス状に配置された発光素子と、封止基板を具備してい
る。基体２上に形成された発光素子は、画素電極１１１と、機能層１１０と、陰極１２に
より形成されている。
基体２は、例えばガラス等の透明基板であり、基体２の中央に位置する表示領域２ａと
、基体２の周縁に位置して表示領域２ａの外側に配置された非表示領域２ｂとに区画され
ている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり
、有効表示領域とも言う。また、非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー領
域２ｄが形成されている。
【００３２】
また、図２（ｂ）に示すように、基体２の厚さ方向において、発光素子及びバンク部か
らなる発光素子部１１と基体２との間には回路素子部１４が備えられ、この回路素子部１
４に前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄
膜トランジスタ１１３等が備えられている。
また、陰極１２は、その一端が基体２上に形成された陰極用配線（図示略）に接続して
おり、この配線の一端部１２ａがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。ま
た、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続され
ている。
【００３３】
また、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、回路素子部１４の非表示領域２ｂには
、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２（ａ）中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が
配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子
部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５
に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けら
れている。
更に表示領域２ａの図２（ａ）中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査
回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる
。
【００３４】
また図２（ｂ）に示すように、発光素子部１１上には封止部３が備えられている。この
封止部３は、基体２に塗布された封止樹脂６０３と、缶封止基板６０４とから構成されて
いる。封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化
樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
この封止樹脂６０３は、基体２の周囲に環状に塗布されており、例えば、マイクロディ
スペンサ等により塗布されたものである。この封止樹脂６０３は、基体２と缶封止基板６
０４を接合するもので、基体２と缶封止基板６０４の間から缶封止基板６０４内部への水
又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を
防止する。
缶封止基板６０４は、ガラス又は金属からなるもので、封止樹脂６０３を介して基体２
に接合されており、その内側には表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられている
。また凹部６０４ａには水、酸素等を吸収するゲッター剤６０５が貼り付けられており、
缶封止基板６０４の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようになっている。なお、こ
のゲッター剤６０５は省略しても良い。
【００３５】
次に図３には、表示装置における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図３に
は３つの画素領域Ａが図示されている。この表示装置１は、基体２上に、ＴＦＴなどの回
路等が形成された回路素子部１４と、機能層１１０が形成された発光素子部１１とが順次
積層されて構成されている。
この表示装置１においては、機能層１１０から基体２側に発した光が、回路素子部１４
及び基体２を透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０か
ら基体２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基体２を
透過して基体２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極１２として、透明な材料を用いることにより陰極側から発光する光を出射さ
せることができる。透明な材料としては、ＩＴＯ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを用
いる事ができる。膜厚としては７５ｎｍほどの膜厚にする事が好ましく、この膜厚よりも
薄くした方がより好ましい。
【００３６】
回路素子部１４には、基体２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、
この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている
。尚、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイ
オン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１
４１ｃとなっている。
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁
膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなる
ゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４
２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲ
ート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられてい
る。
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース
、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４
６が形成されている。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所
定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極
１１１に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜ト
ランジスタ１１３が形成されている。
尚、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジ
スタ１１２も形成されているが、図３ではこれらの図示を省略している。
【００３７】
次に図３に示すように、発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層さ
れた機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１
０を区画するバンク部１２２と、機能層１１０上に形成された陰極１２とを主体として構
成されている。これら画素電極（第１電極）１１１、機能層１１０及び陰極１２（対向電
極（電極））によって発光素子が構成されている。
ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形にパタ
ーニングされて形成されている。この画素電極１１１の厚さは、５０〜２００ｎｍの範囲
が好ましく、特に１５０ｎｍ程度がよい。この各画素電極１１１…の間にバンク部１１２
が備えられている。
【００３８】
バンク部１２２は、図３に示すように、基体２側に位置する無機物バンク層１１２ａ（
第１バンク層）と基体２から離れて位置する有機物バンク層１１２ｂ（第２バンク層）と
が積層されて構成されている。
【００３９】
無機物バンク層、有機物バンク層（１１２ａ、１１２ｂ）は、画素電極１１１の周縁部
上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク
層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク
層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている
。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央
側に更に形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部１１
２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応
する下部開口部１１２ｃが設けられている。
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部
開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように
設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより広
く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と
、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合
は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜する
形状となる。
そしてバンク部１２２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通するこ
とにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２
ｇが形成されている。
【００４０】
また、無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機材料からなる
ことが好ましい。この無機物バンク層１１２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ま
しく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１１２ａが後述
する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので
好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、下部開口部１１２ｃによる段差が大き
くなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので
好ましくない。
【００４１】
更に、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒
性のある材料から形成されている。この有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．
５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する
正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層が
上部開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍ
を越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、有機物バンク層１１２ｂ上に
形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有
機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１１３と
の絶縁を高めることができる点でより好ましい。
【００４２】
また、バンク部１２２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている
。
親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１
１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によっ
て親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面
及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テ
トラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面
がフッ化処理（撥液性に処理）されている。尚、有機物バンク層は、フッ素ポリマーを含
有する材料により形成しても良い。
【００４３】
次に図３に示すように、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸
送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとか
ら構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接して電子注入輸送層などの機能を有する
他の機能層を更に形成しても良い。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに
、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔
注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光
層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔
注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再
結合し、発光が得られる。
【００４４】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上
に形成される平坦部１１０ａ1と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第
１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ2から構成されている。また、正孔注入
／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層
１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にの
み形成される形態もある）。
この平坦部１１０ａ1は、その厚さが一定で例えば５０〜７０ｎｍの範囲に形成される
。
周縁部１１０ａ2が形成される場合においては、周縁部１１０ａ2は、第１積層部１１２
ｅ上に位置するとともに上部開口部１１２ｄの壁面、即ち有機物バンク層１１２ｂに密着
している。また、周縁部１１０ａ2の厚さは、電極面１１１ａに近い側で薄く、電極面１
１１ａから離れる方向に沿って増大し、下部開口部１１２ｄの壁面近くで最も厚くなって
いる。
周縁部１１０ａ2が上記の様な形状を示す理由としては、正孔注入／輸送層１１０ａが
、正孔注入／輸送層形成材料及び極性溶媒を含む第１組成物を開口部１１２内に吐出して
から極性溶媒を除去して形成されたものであり、極性溶媒の揮発が主に無機物バンク層の
第１積層部１１２ｅ上で起こり、正孔注入／輸送層形成材料がこの第１積層部１１２ｅ上
に集中的に濃縮・析出されたためである。
【００４５】
また発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ1及び周縁部１１
０ａ2上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ1上での厚さが５０〜８０ｎｍの範囲と
されている。
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ1、緑色（Ｇ）に発光す
る緑色発光層１１０ｂ2、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ3、の３種類を有
し、各発光層１１０ｂ1〜１１０ｂ3がストライプ配置されている。
【００４６】
上記のように、正孔注入／輸送層１１０ａの周縁部１１０ａ2が上部開口部１１２ｄの
壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しているので、発光層１１０ｂが有機物バンク層
１１２ｂに直接に接することがない。従って、有機物バンク層１１２ｂに不純物として含
まれる水が発光層１１０ｂ側に移行するのを、周縁部１１０ａ2によって阻止することが
でき、水による発光層１１０ｂの酸化を防止できる。
また、無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ2が形
成されるため、周縁部１１０ａ2が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁
された状態となり、周縁部１１０ａ2から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない
。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ1のみに流れ、正孔を平坦部
１１２ａ1から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部
分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にする
ことができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央
側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平
坦部１１０ａ1との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の
発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００４７】
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親
液性を示すので、機能層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密
着し、無機物バンク１１２ａ上で機能層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰
極１２との短絡を防止できる。
また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄ壁面が撥液性を
示すので、機能層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、機能層１１０
が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００４８】
尚、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（
ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物
を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、［化１］〜［化
５］が、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ
チオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ロー
ダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラ
フェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いるこ
とができる。
【００４９】
【化１】
2004200158.tif 000003
【００５０】
【化２】
2004200158.tif 000004
【００５１】
【化３】
2004200158.tif 000005
【００５２】
【化４】
2004200158.tif 000006
【００５３】
【化５】
2004200158.tif 000007
【００５４】
次に陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になっ
て機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とア
ルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事
関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接
に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。また、フッ化リチウムは発光層
の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを
形成する場合もある。
尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１１０ｂ2にはフッ化リチウムに限らず、他の
材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3のみにフッ化リチウ
ムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2にはフッ化リチ
ウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2上
にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
尚、フッ化リチウムの厚さは、例えば２〜５ｎｍの範囲が好ましく、特に２ｎｍ程度が
よい。またカルシウムの厚さは、例えば２〜５０ｎｍの範囲が好ましく、特に２０ｎｍ程
度がよい。
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基体２側に
反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい
。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲が好ましく、特に２００ｎｍ程
度がよい。
更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設け
ても良い。
尚、このように形成した発光素子上に封止缶６０４を配置する。図２（ｂ）に示すよう
に、封止缶６０４を封止樹脂６０３により接着し、表示装置１を形成する。
【００５５】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１は、図４に示すように、最終的に切り出されて基体２を構成す
る基体形成領域２Ａを平面内に複数備える基板母材１００に対して、各基体形成領域２Ａ
に必要な構成要素（図２に示した機能層１１０等）を形成した後、封止部３（図２参照）
により各基体形成領域２Ａを封止して得られる表示装置ユニット３００から製造される。
すなわち、表示装置１を単体として製造するのではなく、表示装置ユニット３００から複
数の表示装置１を製造するものとしている。
【００５６】
上記基体形成領域２Ａは表示用画素形成領域をなし、実際の表示を行うための画素Ａ（
図３参照）が形成される領域である。一方、各基体形成領域２Ａの間には検査用画素形成
領域（ダミー領域）２Ｂが形成され、該検査用画素形成領域２Ｂには、基体形成領域２Ａ
の画素Ａのバンク部形成工程と同様のプロセスで検査用バンク部が形成される。したがっ
て、検査用画素形成領域に形成される検査用バンク部は、画素Ａのバンク部１２２と同一
の構成を有し、同一材料にて構成されることとなる。ここで、表示装置ユニット３００に
おいては、基体形成領域２Ａと検査用画素形成領域２Ｂとの間に、図４の破線で示したよ
うな切断線Ｄを設け、該切断線Ｄに沿って切り取りが行われ、基体形成領域２Ａは基体２
として実際の有機ＥＬ装置に組み込まれることとなる一方、検査用画素形成領域２Ｂは破
棄されて使用に供されない。
【００５７】
以下、基体形成領域２Ａに対して、機能層１１０等を形成する各工程について説明する
。すなわち、本実施形態の表示装置１の製造工程では、基体形成工程（基板母材形成工程
）として、例えば、(1)バンク部形成工程、(2)プラズマ処理工程（親液化工程及び撥液化
工程を含む）、(3)正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）、(4)発光層形成工程（
機能層形成工程）、(5)対向電極形成工程、及び(6)封止工程とを具備して構成されている
。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場
合、また追加される場合もある。
【００５８】
(1)バンク部形成工程
バンク部形成工程は、基体形成領域２Ａ及び検査用画素形成領域２Ｂにバンク部１２２
及び検査用バンク部１２３を形成する工程である。バンク部１１２及び検査用バンク部は
、上述の通り同一プロセスにて形成され、それぞれ第１のバンク層として無機物バンク層
１１２ａが形成されてなり、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された
構造である。以下に各層の形成方法について説明する。
【００５９】
(1)-1無機物バンク層の形成
まず、図５に示すように、基板母材１００上の所定の位置（基体形成領域２Ａ及び検査
用画素形成領域２Ｂ）に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが
形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ上及び電極(ここでは画素電極)１１１上であ
る。なお、基体形成領域２Ａの第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信
号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されているが、検査用画素形成領域２Ｂに
は、必ずしも薄膜トランジスタ１１３等を必ずしも形成する必要はない。
【００６０】
無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜を材料として用
いることができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等
によって形成される。
更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５
０ｎｍがよい。
無機物バンク層１１２は、層間絶縁層１１４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形
成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開
口部を有する無機物バンク層１１２が形成される。開口部は、画素電極１１１の電極面１
１１ａの形成位置に対応するもので、図５に示すように下部開口部１１２ｃとして設けら
れる。
このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部（一部）と重なるように
形成される。図５に示すように、画素電極１１１の一部と無機物バンク層１１２ａとが重
なるように無機物バンク層１１２ａを形成することにより、発光層１１０の発光領域を制
御することができる。
【００６１】
(1)-2有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２バンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
図６に示すように、基体形成領域２Ａ及び検査用画素形成領域２Ｂに形成した無機物バ
ンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂとして
、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの
材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングし
て形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２
ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応す
る位置に設けられる。
【００６２】
上部開口部１１２ｄは、図６に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部
開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂはテーパ
ーを有する形状が好ましく、有機物バンク層の開口部が画素電極１１１の幅より狭く、有
機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅になるように有機
物バンク層を形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部
１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の
中央側に延出された形になる。
このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バ
ンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク
層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成され、基体形成
領域２Ａ及び検査用画素形成領域２Ｂに対してそれぞれバンク部１２２及び検査用バンク
部１２３が形成されることなる。
【００６３】
なお、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に
２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚
より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れ
てしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口
部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカ
バレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを
２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１１３との絶縁を高めること
ができる点で好ましい。
【００６４】
(2)プラズマ処理工程
次にプラズマ処理工程では、画素電極１１１の表面を活性化すること、更にバンク部１
２２及び検査用バンク部１２３の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性
化工程では、画素電極１１１（ＩＴＯ）上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として
行っている。更に、画素電極１１１の表面の親液化処理（親液化工程）、バンク部１２２
表面の撥液化処理（撥液化工程）を行う。
【００６５】
このプラズマ処理工程は、例えば(2)-1予備加熱工程、(2)-2活性化処理工程（親液化工
程）、(2)-3撥液化処理工程（親液化工程）、及び(2)-4冷却工程とに大別される。なお、
このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行
われる。
【００６６】
まず、図７は、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図７に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、
第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基体２を搬送
する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心と
して放射状に配置されている。
【００６７】
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。
(2)-1予備加熱工程
予備加熱工程は、図７に示す予備加熱処理室５１において行われる。そしてこの処理室
５１により、バンク部形成工程から搬送された基板母材１００を所定の温度に加熱する。
予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基板母材１００
は第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送され、それぞれの処理室５２，５３に
おいてバンク部１２２及び検査用バンク部１２３にプラズマ処理を行い親液化する。この
親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基体を冷却処理室に搬送し、冷却処
理室５４おいて基体を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置により次の工程であ
る正孔注入／輸送層形成工程に基体を搬送する。
【００６８】
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。(2)-1予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、バンク部１
２２及び検査用バンク部１２３を含む基板母材１００を所定の温度まで加熱する。
基板母材１００の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基板母材１００を載せるステー
ジにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基板母材１００を加熱する手段が
とられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
予備加熱処理室５１において、例えば７０℃〜８０℃の範囲に基板母材１００を加熱す
る。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて
基板母材１００を事前に加熱し、基板母材１００の温度ばらつきを解消することを目的と
している。
【００６９】
ここで、仮に予備加熱工程を加えなければ、基板母材１００は室温から上記のような温
度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温
度が常に変動しながら処理される事になる。したがって、基板温度が変化しながらプラズ
マ処理を行うことは、有機ＥＬ素子の特性の不均一につながる可能性がある。したがって
、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
そこで、プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試
料ステージ上に基板母材１００を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合
に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温
度にほぼ一致させることが好ましい。
例えば、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例
えば７０〜８０℃まで予め基板母材を予備加熱することにより、多数の基板にプラズマ処
理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ
一定にすることができる。これにより、基板母材１００の表面処理条件を同一にし、バン
ク部１２２及び検査用バンク部１２３の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、
一定の品質を有する表示装置を製造することができる。また、基板母材１００を予め予備
加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
【００７０】
(2)-2活性化処理（親液化工程）
つぎに第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電
極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化工
程が含まれる。
親液化工程として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ
処理）を行う。図８には第１プラズマ処理を模式的に示した図である。図８に示すように
、バンク部１２２及び検査用バンク部１２３を含む基板母材１００は加熱ヒータ内蔵の試
料ステージ５６上に載置され、基板母材１００の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程
度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基板母材１００に対向して配置されている。基
板母材１００は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印
方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基板母材１００に対してプラズマ状態
の酸素が照射される。
Ｏ２プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流
量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度７０〜９
０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された
基体２の保温のために行われる。
【００７１】
このＯ２プラズマ処理により、図９に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、
無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び有機物バンク層１１２ｂの上部開口部
１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの
各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。図９では、親液処理された部分を一点鎖
線で示している。なお、このＯ2プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の
通り画素電極であるＩＴＯ上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【００７２】
(2)-3撥液処理工程（撥液化工程）
つぎに、第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフル
オロメタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。第２プラズマ
処理室５３の内部構造は図８に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。
即ち、基板母材１００は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の
搬送速度で搬送され、その間に基板母材１００に対してプラズマ状態のテトラフルオロメ
タン（四フッ化炭素）が照射される。
ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化
メタンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基体搬送速度０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ
、基体温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラ
ズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基板母材１００の保温のために
行われる。
なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカ
ーボン系のガスを用いることができる。
【００７３】
ＣＦ４プラズマ処理により、図１０に示すように、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機
物バンク層の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ
素基が導入されて撥液性が付与される。図１０では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示し
ている。有機物バンク層１１２ｂを構成するアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物は
プラズマ状態のフルオロカーボンが照射することで容易に撥液化させることができる。ま
た、Ｏ２プラズマにより前処理した方がフッ素化されやすい、という特徴を有しており、
本実施形態には特に有効である。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２
ｅもこのＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。
図１０では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００７４】
(2)-4冷却工程
次に冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基板母
材１００を管理温度まで冷却する。これは、以降の工程である液滴吐出工程（機能層形成
工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基板母材１００を配置するためのプレートを有し、そのプレー
トは基板母材１００を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
また、プラズマ処理後の基板母材１００を室温、または所定の温度（例えば液滴吐出工
程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、
基板母材の温度が一定となり、基板母材１００の温度変化が無い均一な温度で次工程を行
うことができる。したがって、このような冷却工程を加えることにより、液滴吐出法等の
吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。
例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、
第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送層を均一に形
成することができる。
【００７５】
上記のプラズマ処理工程では、材質が異なる有機物バンク層１１２ｂ及び無機物バンク
層１１２ａに対して、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理とを順次行うことにより、
バンク部１２２及び検査用バンク部１２３に親液性の領域と撥液性の領域を容易に設ける
ことができる。
【００７６】
尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図７に示したものに限られず、例
えば図１１に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１１に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６
２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基
体２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬
送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
このプラズマ処理装置６０では、図７に示したプラズマ処理装置５０と同様に、バンク
部形成工程から搬送された基板母材１００を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ
処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行っ
た後、基体２を次の正孔注入／輸送層形成工程に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装置を用い
ても良い。
【００７７】
(3)正孔注入／輸送層形成工程（機能層形成工程）
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえば液滴吐出装置を用いることに
より、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物（組成物）を電極面１１１ａ上に吐出
する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２
ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、正孔注入／輸送層１１０ａが形成さ
れた無機物バンク層１１２ａをここでは第１積層部１１２ｅという。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする
事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが
好ましい。
なお、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともある。
すなわち、画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
液滴吐出による製造方法は以下の通りである。
【００７８】
本実施形態の表示装置の製造方法に好適に用いられる液滴吐出ヘッドの一例として、図
１２のようなヘッドＨを例示できる。このヘッドＨは図１２に示すように、複数の液滴吐
出ヘッドＨ1と、これらの液滴吐出ヘッドＨ1を支持する支持基板Ｈ7を主として構成され
ている。
更に、基体と上記のヘッドＨの配置に関しては図１３のように配置することが好ましい
。
図１３に示す液滴吐出装置において、符号１１１５は基板母材１００を載置するステー
ジであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガ
イドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３に
より図中ｙ軸方向（副走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ
軸方向に回転できるようになっており、液滴吐出ヘッドＨ1を主走査方向に対して所定の
角度に傾けることができるようになっている。
【００７９】
図１３に示す基板母材１００は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となってい
る。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域（表
示用画素形成領域）２Ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基
板母材１００上の左側の表示領域２Ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１
１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介し
て基板母材１００を図中上側に移動させ、基板母材１００を走査させながら塗布を行う。
次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基体の中央の表示領域２Ａに対して組成物を塗布
する。右端にある表示領域２Ａに対しても前記と同様である。尚、図１２に示すヘッドＨ
及び図１３に示す液滴吐出装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工
程に用いても良い。
【００８０】
図１４は液滴吐出ヘッドＨ1をインク吐出面の側からみた斜視図である。図１４に示す
ように、液滴吐出ヘッドＨ1のインク吐出面（基板母材１００との対向面）には、ヘッド
の長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列でノズルｎが複数設
けられている。このように、複数のノズルｎが列状に配列されることにより２つのノズル
列Ｎ、Ｎが構成されている。１つのノズル列Ｎに含まれるノズルｎの数は例えば１８０個
であり、１つの液滴吐出ヘッドＨ1に３６０個のノズルｎが形成されている。また、ノズ
ルｎの孔径は例えば２８μｍであり、ノズルｎ間のピッチは例えば１４１μｍである。
【００８１】
液滴吐出ヘッドＨ1は、例えば、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示す内部構造を有す
る。具体的には、液滴吐出ヘッドＨ1は、例えばステンレス製のノズルプレート２２９と
、それに対向する振動板２３１と、それらを相互に接合する仕切部材２３２とを有する。
ノズルプレート２２９と振動板２３１との間には、仕切部材２３２によって複数の組成物
室２３３と液溜まり室２３４とが形成されている。複数の組成物室２３３と液溜まり室２
３４とは通路２３８を介して互いに連通している。
【００８２】
振動板２３１の適所には組成物供給孔２３６が形成され、この組成物供給孔２３６に組
成物供給装置２３７が接続される。組成物供給装置２３７は、正孔注入／輸送層形成材料
を含む第１組成物を組成物供給孔２３６に供給する。供給された第１組成物は液溜まり２
３４に充満し、更に通路２３８を通って組成物室２３３に充満する。
【００８３】
ノズルプレート２２９には、組成物室２３３から第１組成物をジェット状に噴射するた
めのノズルｎが設けられている。また、振動板２３１の組成物室２３３を形成する面の裏
面には、組成物室２３３に対応させて組成物加圧体２３９が取り付けられている。この組
成物加圧体２３９は、図１５（ｂ）に示すように、圧電素子２４１並びにこれを挟持する
一対の電極２４２ａ及び２４２ｂを有する。圧電素子２４１は電極２４２ａ、２４２ｂへ
の通電によって矢印Ｃで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより組成物室２３
３の容積が増大する。すると、増大した容積分に相当する第１組成物が液溜まり２３４か
ら通路２３８を通って組成物室２３３に流入する。
【００８４】
次に圧電素子２４１への通電を解除すると、圧電素子２４１と振動板２３１はともに元
の形状に戻る。これにより、組成物室２３３も元の容積に戻るため組成物室２３３の内部
にある第１組成物の圧力が上昇し、ノズルｎから基体２へ向けて第１組成物が液滴１１０
ｃとなって噴出する。
【００８５】
図１６には、基板母材１００に対して液滴吐出ヘッドＨ1を走査させた状態を示す。図
１６に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1は、図中Ｘ方向に沿う方向に相対的に移動しなが
ら第１組成物を吐出するが、その際、ノズル列Ｎの配列方向Ｚが、主走査方向（Ｘ方向に
沿う方向）に対して傾斜した状態になっている。
図１７には、図１６の要部を液滴吐出ヘッドＨ1側から見た拡大図を示す。図１７では
、図中Ｙ方向（副走査方向）に沿って配置された３つの画素領域Ａ1〜Ａ3が図示されてい
る。そして、液滴吐出ヘッドＨ1の一部に設けられた符号ｎ1a〜ｎ3bで表される６つのノ
ズルが図示されている。６つのノズルのうちのノズルｎ1a、ｎ2a、ｎ3aの３つは、液滴吐
出ヘッドＨ1が図示Ｘ方向に移動した場合に各画素領域Ａ1〜Ａ3上にそれぞれ位置するよ
うに配置されており、残りの３つのノズルｎ1b、ｎ2b、ｎ3bは、液滴吐出ヘッドＨ1が図
示Ｘ方向に移動した場合に隣接する画素領域Ａ1〜Ａ3の間に位置するように配置されてい
る。尚、これら６つのノズルｎ1a〜ｎ3bは、いずれも１のノズル列Ｎに含まれるものであ
る。この液滴吐出ヘッドＨ1は、図示略の駆動手段により、図示Ｙ方向及び図示Ｙ方向の
反対方向にシフトできるようになっている。
このように、液滴吐出ヘッドＨ1のノズル列Ｎを主走査方向に対して傾けて配置するこ
とにより、ノズルピッチを画素領域Ａのピッチに対応させることができる。また、傾き角
度調整することにより、どのような画素領域Ａのピッチに対しても対応させることができ
る。
【００８６】
次に、液滴吐出ヘッドＨ1を走査して各画素領域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１０ａを形
成する工程について説明する。この工程には、（１）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を１回で
行う方法、（２）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、かつ各走査中において複数
のノズルを用いる方法、（３）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、かつ各走査毎
に別のノズルを用いる方法、の３つの工程がある。以下、（１）〜（３）の方法を順次説
明する。
【００８７】
（１）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を１回で行う方法
図１８は、液滴吐出ヘッドＨ1の１回の走査で各画素領域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１
０ａを形成する場合の工程を示す工程図である。図１８（ａ）は、液滴吐出ヘッドＨ1が
図１７における位置から図示Ｘ方向に沿って走査した後の状態を示し、図１８（ｂ）は図
１８（ａ）に示す状態から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向に走査するとともに、
図示Ｙ方向の反対方向にシフトした状態を示し、図１８（ｃ）は図１８（ｂ）に示す状態
から液滴吐出ヘッドＨ1が僅かに図示Ｘ方向に走査するとともに、図示Ｙ方向にシフトし
た状態を示している。また図２１には画素領域Ａ及び液滴吐出ヘッドの断面模式図を示し
ている。
【００８８】
図１８（ａ）では、液滴吐出ヘッドＨ1に形成された各ノズルのうち、３つのノズルｎ1
a〜ｎ3aから正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を画素領域Ａ1〜Ａ3に吐出する
。尚、本実施形態では液滴吐出ヘッドＨ1を走査することにより第１組成物を吐出するが
、基板母材１００を走査することによっても可能である。更に、液滴吐出ヘッドＨ1と基
板母材１００とを相対的に移動させることによっても第１組成物を吐出させることができ
る。なお、これ以降の液滴吐出ヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００８９】
液滴吐出ヘッドＨ1による吐出は以下の通りである。すなわち、図１８（ａ）及び図２
１に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1に形成されてなるノズルｎ1a〜ｎ3aを電極面１１１
ａに対向して配置し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから最初の第１組成物の液滴１１０ｃ1を吐出す
る。画素領域Ａ1〜Ａ3は、画素電極１１１と当該画素電極１１１の周囲を区画するバンク
部１２２及び検査用バンク部１２３から形成されており、これらの画素領域Ａ1〜Ａ3に対
し、ノズルｎ1a〜ｎ3aから１滴当たりの液量が制御された最初の第１組成物の液滴１１０
ｃ1を吐出する。
【００９０】
次に図１８（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に僅かに走査させる
とともに、図示Ｙ方向の反対方向にシフトさせることによってノズルｎ1b〜ｎ3bを各画素
領域Ａ1〜Ａ3上に位置させる。そして、各ノズルｎ1b〜ｎ3bから第１組成物の２滴目の液
滴１１０ｃ2を画素領域Ａ1〜Ａ3に向けて吐出する。
更に図１８（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に僅かに走査させる
とともに、図示Ｙ方向にシフトさせることによってノズルｎ1a〜ｎ3aを再び各画素領域Ａ
1〜Ａ3上に位置させる。そして、各ノズルｎ1a〜ｎ3aから第１組成物の３滴目の液滴１１
０ｃ3を画素領域Ａ1〜Ａ3に向けて吐出する。
【００９１】
このようにして、液滴吐出ヘッドＨ1を図示Ｘ方向に沿って走査させつつ、図示Ｙ方向
に沿って僅かにシフトさせることにより、一の画素領域Ａに対して２つのノズルから第１
組成物の液滴を順次吐出する。一の画素領域Ａに対して吐出する液滴の数は、例えば６〜
２０滴の範囲とすることができるが、この範囲は画素の面積によって代わるものであり、
この範囲より多くても少なくても構わない。各画素領域（電極面１１１ａ上）に吐出する
第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする
正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定
される。
【００９２】
このように、１回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合において、第１組成物の吐
出のたびにノズルの切替えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各々２つのノズルから第
１組成物を吐出するので、従来のように、１の画素領域Ａに対して１つのノズルで複数回
吐出する場合と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、各画素電極１
１１…における第１組成物の吐出量のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送層を同じ膜
厚で形成することができる。これにより、画素毎の発光量を一定に保つことができ、表示
品質に優れた表示装置を製造することができる。
【００９３】
（２）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、かつ各走査中において複数のノズル
を用いる方法
図１９は、液滴吐出ヘッドＨ1の３回の走査で各画素領域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１
０ａを形成する場合の工程を示す工程図である。図１９（ａ）は、液滴吐出ヘッドＨ1に
よる１回目の走査後の状態を示し、図１９（ｂ）は２回目の走査後の状態を示し、図１９
（ｃ）は３回目の走査後の状態を示す。
【００９４】
１回目の走査では、図１７に示した液滴吐出ヘッドＨ1の各ノズルのうち、ノズルｎ1a
〜ｎ3aを各画素領域Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の最初の液滴１１０ｃ1を吐出し、
更に液滴吐出ヘッドＨ1を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3bを各画素領
域Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の２滴目の液滴１１０ｃ2を吐出する。これにより、
図１９（ａ）に示すように、各画素領域Ａ1〜Ａ3に２つの液滴１１０ｃ1，１１０ｃ2が吐
出される。各液滴１１０ｃ1，１１０ｃ2は、図１９（ａ）に示すように相互に間隔を空け
て吐出してもよく、重ねて吐出してもよい。
【００９５】
次に２回目の走査では、１回目の場合と同様に、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各画素領域Ａ1〜
Ａ3に対向させて第１組成物の３滴目の液滴１１０ｃ3を吐出し、更に液滴吐出ヘッドＨ1
を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3bから第１組成物の４滴目の液滴１１
０ｃ4を吐出する。これにより図１９（ｂ）に示すように、各画素領域Ａ1〜Ａ3に更に２
つの液滴１１０ｃ3，１１０ｃ4が吐出される。尚、３滴目及び４滴目の液滴１１０ｃ3，
１１０ｃ4は、図１９（ｂ）に示すように、１滴目及び２滴目の液滴１１０ｃ1，１１０ｃ
2と重ならないように吐出しても良く、重ねて吐出しても良い。
【００９６】
更に３回目の走査では、１、２回目の場合と同様に、ノズルｎ1a〜ｎ3aを各画素領域Ａ
1〜Ａ3に対向させて第１組成物の５滴目の液滴１１０ｃ5を吐出し、更に液滴吐出ヘッド
Ｈ1を副走査方向に僅かにシフトさせてノズルｎ1b〜ｎ3bから第１組成物の６滴目の液滴
１１０ｃ6を吐出する。これにより図１９（ｃ）に示すように、各画素領域Ａ1〜Ａ3に更
に２つの液滴１１０ｃ5，１１０ｃ6が吐出される。尚、５滴目及び６滴目の液滴１１０ｃ
5，１１０ｃ6は、図１９（ｃ）に示すように、他の液滴１１０ｃ1〜１１０ｃ4と重ならな
いように吐出しても良く、重ねて吐出しても良い。
【００９７】
このように、複数回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合において、各走査中にノ
ズルの切替えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各々２つのノズルから第１組成物を吐
出するので、従来のように、１の画素領域Ａに対して１つのノズルで複数回吐出する場合
と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、各画素電極１１１…におけ
る第１組成物の吐出量のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送層を同じ膜厚で形成する
ことができる。これにより、画素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れた
表示装置を製造することができる。
【００９８】
（３）液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回で行い、かつ各走査毎に別のノズルを用いる
方法
図２０は、液滴吐出ヘッドＨ1の２回の走査で各画素領域Ａ1…に正孔注入／輸送層１１
０ａを形成する場合の工程を示す工程図である。図２０（ａ）は、液滴吐出ヘッドＨ1に
よる１回目の走査後の状態を示し、図２０（ｂ）は２回目の走査後の状態を示す。更に図
２０（ｃ）は１、２回目の走査後の別の状態を示す。
【００９９】
１回目の走査では、図１７に示した液滴吐出ヘッドＨ1の各ノズルのうち、ノズルｎ1a
〜ｎ3aを各画素領域Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の最初の液滴１１０ｃ1、２、３滴
目の液滴１１０ｃ2、１１０ｃ3を順次吐出する。これにより、図２０（ａ）に示すように
、各画素領域Ａ1〜Ａ3に３つの液滴１１０ｃ1，１１０ｃ2、１１０ｃ3が吐出される。各
液滴１１０ｃ1，１１０ｃ2、１１０ｃ3は、図２０（ａ）に示すように相互に間隔を空け
て吐出してもよく、相互に重ねて吐出してもよい。
【０１００】
次に２回目の走査では、液滴吐出ヘッドＨ1を副走査方向に僅かにシフトさせてノズル
ｎ1b〜ｎ3b各画素領域Ａ1〜Ａ3に対向させて第１組成物の４、５，６滴目の液滴１１０ｃ
4、１１０ｃ5、１１０ｃ6を順次吐出する。これにより図２０（ｂ）に示すように、各画
素領域Ａ1〜Ａ3に更に３つの液滴１１０ｃ4，１１０ｃ5，１１０ｃ6が吐出される。尚、
４〜６滴目の液滴１１０ｃ4，１１０ｃ5、１１０ｃ6は、図２０（ｂ）に示すように、１
〜３滴目の液滴１１０ｃ1〜１１０ｃ3の間をうめるように吐出しても良く、１〜３滴目の
液滴１１０ｃ1〜１１０ｃ3に重ねて吐出しても良い。
【０１０１】
更に図２０（ｃ）は１、２回目の走査後の別の状態を示す。図２０（ｃ）においては、
走査回数を２回とし、１回目の走査で１〜３滴目の液滴を吐出し、２回目の走査で液滴吐
出ヘッドＨ1をシフトさせて別のノズルから４〜６滴目の液滴を吐出する点については、
図２０（ａ）及び（ｂ）の場合と同様である。図２０（ａ）及び（ｂ）との相違点は、各
液滴の吐出位置が異なることである。即ち図２０（ｃ）では、１回目の走査により各画素
領域Ａ1〜Ａ3の図中下半分の領域に液滴１１０ｃ1〜１１０ｃ3を吐出し、２回目の走査に
より各画素領域Ａ1〜Ａ3の図中上半分の領域に液滴１１０ｃ4〜１１０ｃ6を吐出している
。
【０１０２】
尚、図１９及び図２０においては、一の画素領域Ａに対して吐出する液滴の数をそれぞ
れ６滴としたが、６〜２０滴の範囲としてもよく、またこの範囲は画素の面積によって代
わるものであるから、この範囲より多くても少なくても構わない。各画素領域（電極面１
１１ａ上）に吐出する第１組成物の全量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大き
さ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材
料の濃度等により決定される。
【０１０３】
このように、複数回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合において、各走査毎にノ
ズルの切替えを行い、各画素領域Ａ1〜Ａ3に対して各々２つのノズルから第１組成物を吐
出するので、従来のように、１の画素領域Ａに対して１つのノズルで複数回吐出する場合
と比較して、ノズル間の吐出量のバラツキが相殺されるので、各画素電極１１１…におけ
る第１組成物の吐出量のバラツキが小さくなり、正孔注入／輸送層を同じ膜厚で形成する
ことができる。これにより、画素毎の発光量を一定に保つことができ、表示品質に優れた
表示装置を製造することができる。
【０１０４】
尚、液滴吐出ヘッドＨ1の走査を複数回行う際には、液滴吐出ヘッドＨ1の走査方向を各
回毎に同一の方向としても良く、反対方向としても良い。
【０１０５】
次に、実際の吐出手順について説明する。本実施形態では、まず、図２１に示すように
、検査用画素表示領域２Ｂのみに第１組成物の液滴１１０ｃを吐出するものとしている。
すなわち、検査用バンク部１２３，１２３に囲まれた開口部（液受容部）に対して液滴１
１０ｃの吐出を予備的に行うものとしている。
【０１０６】
ここで、液滴１１０ｃの充填後、検査用バンク部１２３，１２３にて形成された開口部
たる液受容部における液滴の濡れ性を評価する。具体的には、顕微鏡観察により検査用バ
ンク部１２３上での液滴１１０ｃの外観検査を行い、例えば検査用バンク部１２３上に液
滴１１０ｃの残渣が観察された場合には、その基板母材１１０を不良として扱う。一方、
液滴１１０ｃの残渣が観察されなかった場合には、図２２に示すように、その基板母材１
１０の基材形成領域２Ａに対して第１組成物の液滴１１０ｃを本吐出するものとしている
。したがって、仮に、第１組成物の液滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１
２ｆ上に吐出され、その液滴１１０ｃが検査用バンク部１２３上に配置された場合にも、
不良を予め認識することができ、結果的に液滴を確実に開口部（液受容部）に吐出するこ
とが可能となる。
【０１０７】
基材形成領域２Ａに吐出された液滴１１０ｃは、濡れ性不良は生じず、最終的には親液
処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２
ｃ、１１２ｄ内に充填されることとなる。
【０１０８】
なお、ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(P
EDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒
に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルア
ルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)
、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテ
ート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる
。
より具体的な第１組成物の組成としては、PEDOT/PSS混合物(PEDOT/PSS=1:20)：２２．
４重量％、PSS：１．４４重量％、IPA：１０重量％、NMP：２７．０重量％、DMI：５０重
量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４
〜１２ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ2に詰まりが生じることがなく安
定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０
ｂ1〜１１０ｂ3に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
【０１０９】
次に、図２３に示すような乾燥工程を行う。乾燥工程を行う事により、吐出後の第１組
成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０
ａを形成する。
乾燥処理を行うと、第１組成物滴１１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バ
ンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せ
て正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
これにより図２３に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料
からなる周縁部１１０ａ2が形成される。この周縁部１１０ａ2は、上部開口部１１２ｄの
壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側で
は薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっ
ている。
【０１１０】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、
これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ1が形
成される。電極面１１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／
輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部
１１０ａが形成される。
このようにして、周縁部１１０ａ2及び平坦部１１０ａ1からなる正孔注入／輸送層１１
０ａが形成される。
なお、周縁部１１０ａ2には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が
形成される形態であっても構わない。
【０１１１】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３〜１３．３Ｐ
ａ（１〜０．１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。急激に圧力を低下させると第１組成物滴１１
０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を高温にしてしまうと、極性溶媒の
蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。したがって、３０℃〜８０℃の範
囲が好ましい。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行
うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好まし
い。
【０１１２】
(4)発光層形成工程
次に発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程、および乾燥工程、と
からなる。
まず、正孔注入／輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改質工程を行う。こ
の工程にについては、以下に詳述する。次に、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、
液滴吐出法により第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出し
た第２組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１
０ｂを形成する。
【０１１３】
次に発光層形成工程として、液滴吐出法により、発光層形成材料を含む第２組成物を正
孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出した後に乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に
発光層１１０ｂを形成する。なお、この場合も図２１と同様に、検査用画素形成領域２Ｂ
に対して予備吐出を行い、液滴の濡れ性を検査した後に基体形成領域２Ａに対して本吐出
を行うものとすることもできる。
図２４に、発光層１１０ｂの液滴吐出方法の概略を示す。図２４に示すように、液滴吐
出ヘッドＨ5と基板母材１００とを相対的に移動し、液滴吐出ヘッドに形成された吐出ノ
ズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物
が吐出される。
【０１１４】
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１
１０ａに吐出ノズルを対向させ、液滴吐出ヘッドＨ5と基板母材１００とを相対移動させ
ながら、第２組成物が吐出される。吐出ノズルＨ6から吐出される液量は１滴当たりの液
量が制御されている。このように液量が制御された液（第２組成物滴１１０ｅ）が吐出ノ
ズルから吐出され、この第２組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する
。
発光層形成工程は、正孔注入／輸送層形成工程と同様に、一の画素領域に対して複数の
ノズルにより第２組成物の吐出を行う。
【０１１５】
即ち、図１８、図１９及び図２０に示した場合と同様に、液滴吐出ヘッドＨ5を走査し
て各正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。発光層１１０ｂの材料と
しては、例えば、［化１］〜［化５］が、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体
、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレ
ン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９，１０-
ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナ
クリドン等をドープして用いることができる。
【０１１６】
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例え
ば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメ
チルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／
輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１１７】
図２４に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上
に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理
された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２
ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、
第２組成物滴１１０ｅが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【０１１８】
次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わった後、吐出後の第２組成物滴１１０ｅ
を乾燥処理することにより発光層１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により第２組
成物に含まれる非極性溶媒が蒸発し、図２５に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3が
形成される。なお、図２５においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、
図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたもの
であり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
【０１１９】
続けて、図２６に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3の場合と同様の工
程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ1を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ2を形
成する。
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような
順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能
である。
【０１２０】
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ3の場合、例えば、窒素雰囲気
中、室温で圧力を１３３．３〜１３．３Ｐａ（１〜０．１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１０
分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物が突沸してしまうので好ましくない。ま
た、温度を高温にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部
１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。好ましくは、３０℃〜８０℃の範
囲が良い。
また緑色発光層１１０ｂ2、および赤色発光層ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が
多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１
０分行う条件とするのがよい。
その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが
形成される。
【０１２１】
(5)対向電極（陰極）形成工程
次に対向電極形成工程では、図２７に示すように、発光層１１０ｂ及び有機物バンク層
１１２ｂの全面に陰極１２（対向電極）を形成する。なお，陰極１２は複数の材料を積層
して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成すること
が好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層に
ＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも
仕事関数が高い材料、例えばＡｌを用いる事もできる。
【０１２２】
これらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好まし
く、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ま
しい。
また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、更に所定の色に対
応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ3上のみに形成しても良
い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ1、１１０ｂ2には、
カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとなる。
【０１２３】
また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａ
ｇ膜等を用いることが好ましい。また、その厚さは、例えば１００〜１０００ｎｍの範囲
が好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度がよい。また陰極１２上に、酸化防止のために
ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１２４】
(6)封止工程
最後に封止工程は、発光素子が形成された基体２と封止基板３ｂとを封止樹脂３ａによ
り封止する工程である。たとえば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂３
ａを基体２の全面に塗布し、封止樹脂３ａ上に封止用基板３ｂを積層する。この工程によ
り基体２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水
や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
更に、図２に例示した基板５の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に
回路素子部１４の配線を接続し、図４に示した切断線Ｄに沿って基体形成領域２Ａのみを
取り出し、本実施形態の表示装置１が得られる。
【０１２５】
以上、本実施形態の表示装置１の製造方法を示したが、本実施形態では、検査用画素形
成領域２Ｂに対して予備的に液滴を吐出し、これを外観検査することを特徴としている。
ここで、検査用画素形成領域２Ｂは、基板母材１００上の基体形成領域２Ａの周辺に設け
る構成としたが、例えば基体形成領域２Ａのダミー領域２ｄ（例えば図２（ｂ）参照）を
検査用画素形成領域として、該ダミー領域２ｄのバンク部間の開口部に対して液滴を予備
吐出し、これを外観観察するものとすることも可能である。なお、検査用バンク部１２３
（バンク部１２２）にて観察される外観不良は、例えば検査用バンク部１２３（バンク部
１２２）をフォトリソグラフィーにてパターン形成した後の樹脂等の残渣等に基づき、又
はバンク部（検査用バンク部）の親液処理ないし撥液処理の不具合に基づき、濡れ性不良
が生じたものである。
【０１２６】
図２８は、外観観察の結果を模式的に示す平面図であって、検査用バンク部１２３に囲
まれてできた開口部１１２ｄ（１１２ｃ）の平面模式図である。図２８（ａ）は正常な吐
出外観であって、開口部全体に液滴１１０ｃ濡れ広がっているものである。一方、図２８
（ｂ）及び図２８（ｃ）は異常吐出外観であって、図２８（ｂ）は検査用バンク部１２３
に液滴１１０ｃが乗り上げたもので、例えば検査用バンク部１２３の残渣等により検査用
バンク部１２３の撥液処理が不十分となったことに起因している。また、図２８（ｃ）は
画素電極１１１に液滴１１０ｃが濡れ広がっていない状態であって、例えば画素電極１１
１の親液処理が不十分であることに起因しており、これら図２８（ｂ），（ｃ）のような
外観が観察された場合は、不良として扱うものとしている。
【０１２７】
一方、上記のような検査用画素形成領域２Ｂを形成し、液滴の外観検査を行う方法以外
にも、以下のような検査方法を採用することも可能である。
すなわち、液滴を構成する組成物（液状組成物）１１０ｃのうち、溶媒のみからなるダ
ミーインクを用意し、これを使って実際の基体形成領域２Ａのバンク部１２２，１２２間
に予備的に吐出を行うものとすることもできる。この場合、図２９に示すように、ダミー
インクを吐出した後、外観観察を行い、異常があった場合には当該基板母材１００を不良
と扱い、異常がなかった場合には、溶媒のみからなるダミーインクの乾燥後、組成物１１
０ｃを本吐出するものとしている。
【０１２８】
この場合、予備的な溶媒のみの吐出により、該溶媒によるダミーインクの外観観察を行
い、濡れ性異常等を実践的に観察することが可能で、後の本吐出工程において濡れ性異常
発生等を防止ないし抑制することが可能となる。
【０１２９】
さらに、例えば図３１に示すように、１つの開口部１１２ｄ（１１２ｃ）に対して、そ
の略中央付近に１滴の液滴１１０ｃを滴下し、その液滴１１０ｃの広がり度合いを測定す
ることで濡れ性を検査することもできる。つまり、図３１（ａ），（ｂ）に示すように、
複数の開口部１１２ｄ（１１２ｃ）において上記広がり度合いｄ１，ｄ２をそれぞれ測定
し、各開口部１１２ｄ（１１２ｃ）における該広がり度合いのばらつきを測定することで
、各開口部１１２ｄ（１１２ｃ）での濡れ性のばらつきを評価することができるのである
。
【０１３０】
例えば、開口部毎に広がり度合いのばらつきが大きい場合は、各開口部間で濡れ性が不
均一であることを検知できる一方、広がり度合いのばらつきが小さい場合は、各開口部間
で濡れ性が均一であることを検知できる。このような検査結果に基づいて、基板全体で均
一な液状組成物の塗布を実現することが可能となる。なお、このような広がり度合いのば
らつき評価により、開口部における濡れ性のばらつき検知が可能となる以外に、例えば液
滴吐出装置における目詰まり等に起因する吐出不良等を検知することも可能となる。
【０１３１】
（第２の実施形態）
次に、第１の実施形態の表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。図３０
は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図３０において、符号６００は携帯電話本体
を示し、符号６０１は表示装置１を用いた表示部を示している。このような電子機器は、
第１の実施形態の表示装置１を用いた表示部を備えたものであり、先の第１の実施形態の
表示装置１の特徴を有するので、表示ムラの少ない表示品質に優れた効果を有する電子機
器となる。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造の平面模式図。
【図２】図１の表示装置の平面模式図及び断面模式図。
【図３】図１の表示装置の要部断面模式図。
【図４】図１の表示装置の製造用基板を示す平面模式図。
【図５】図１の表示装置の製造方法を説明する工程図。
【図６】図５に続く製造方法を説明する工程図。
【図７】プラズマ処理装置の一例を示す平面模式図。
【図８】プラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図。
【図９】図６に続く製造方法を説明する工程図。
【図１０】図９に続く製造方法を説明する工程図。
【図１１】プラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図。
【図１２】液滴吐出用ヘッドの一例を示す平面図。
【図１３】液滴吐出装置の一例を示す平面図。
【図１４】液滴吐出ヘッドの一例を示す斜視図。
【図１５】図１４に示す液滴吐出ヘッドの内部構造を示す斜視図及び断面図。
【図１６】基体に対する液滴吐出ヘッドの配置状態を示す平面図。
【図１７】図１６の要部を示す拡大図。
【図１８】液滴吐出ヘッドの１回の走査で正孔注入／輸送層を形成する場合の工程を示す工程図。
【図１９】液滴吐出ヘッドの３回の走査で正孔注入／輸送層１１０ａを形成する場合の工程を示す工程図。
【図２０】液滴吐出ヘッドの２回の走査で正孔注入／輸送層１１０ａを形成する場合の工程を示す工程図。
【図２１】図１０に続く製造方法を説明する工程図。
【図２２】図２１に続く製造方法を説明する工程図。
【図２３】図２２に続く製造方法を説明する工程図。
【図２４】図２３に続く製造方法を説明する工程図。
【図２５】図２４に続く製造方法を説明する工程図。
【図２６】図２５に続く製造方法を説明する工程図。
【図２７】図２６に続く製造方法を説明する工程図。
【図２８】外観検査工程における外観観察結果の態様を示す平面模式図。
【図２９】外観検査工程の他の例を示すフローチャート。
【図３０】本発明の第２の実施形態である電子機器を示す斜視図。
【図３１】外観検査工程における外観観察結果の異なる態様を示す平面模式図。
【符号の説明】
【０１３３】
１…表示装置（有機ＥＬ装置）、２Ａ…基材形成領域（表示用画素形成領域）、２Ｂ…
ダミー領域（検査用画素形成領域）、１００…基板母材（有機ＥＬ装置製造用基板）、１
２２…バンク部（隔壁）、１２３…検査用バンク部（検査用隔壁）
【図１】
2004200158.tif 000008
【図２】
2004200158.tif 000009
【図３】
2004200158.tif 000010
【図４】
2004200158.tif 000011
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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