(57)【要約】【課題】必要な保持容量を充分に確保することで表示品位に優れ、データ線の断線による歩留まり低下の恐れのない構造を有する高精細な液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、互いに交差する複数のデータ線６ａおよび複数の走査線３ａと、これらデータ線および走査線によって区画されたドット領域４１に設けられたＴＦＴ３０と、ＴＦＴと電気的に接続された画素電極９とが備えられている。また、画素電極と電気的に接続された容量電極４４と、誘電体膜を介して容量電極と対向配置されて保持容量６０を構成する容量線３ｂとが設けられ、任意の１ドット領域に対応する容量電極４４が、当該ドット領域からデータ線６ａを挟んで隣接するドット領域にはみ出して配置されている。【選択図】　　　　図４
2004101615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差して設けられた複数のデータ線および複数の走査線と、これらデータ線および走査線によって区画されたドット領域に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に接続された画素電極とが備えられたアクティブマトリクス基板であって、
前記画素電極と電気的に接続された容量電極と、誘電体膜を介して前記容量電極と対向配置されて保持容量を構成する容量線とが設けられ、
任意の１ドット領域に対応して設けられた容量電極が、当該ドット領域からデータ線を越えて隣接するドット領域にはみ出して配置されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
前記容量電極および前記容量線が、前記データ線に沿って延在する前記データ線よりも幅広の突出部をそれぞれ有しており、前記誘電体膜を介して対向する前記容量電極の突出部と前記容量線の突出部とが前記保持容量の一部を構成することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記容量線は、隣接するドット領域にわたって線幅が一定であることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
前記容量電極が、多結晶シリコンからなり、前記薄膜トランジスタの半導体層と一体に構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板、液晶装置、電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置等をはじめとする電気光学装置においては、液晶等の電気光学材料を挟持する一対の基板の一方にアクティブマトリクス基板が多用されている。アクティブマトリクス基板には、複数のデータ線と複数の走査線とが互いに交差して設けられ、これらデータ線および走査線によって区画された複数のドット領域がマトリクス状に配置されている。各ドット領域毎に薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，　以下、ＴＦＴと略記する）と、ＴＦＴと電気的に接続された画素電極とが備えられている。この構成により、ＴＦＴを介して各ドット領域の画素電極に個別の画像信号が書き込まれる。
【０００３】
図１３は、アクティブマトリクス基板の１ドット領域の一構成例を示す平面図である。データ線３０１と走査線３０２とが互いに交差して設けられ、これらデータ線３０１と走査線３０２によって区画されたドット領域３０３内にＴＦＴ３０４を構成する半導体層３０５が設けられている。走査線３０２の本線から分岐した２つのゲート電極３０６が設けられ、これらゲート電極３０６と半導体層３０５が交差することでダブルゲート型のＴＦＴを構成している。半導体層３０５の一端はコンタクトホール３０７を介してデータ線３０１に接続される一方、他端は矩形状に形成された容量電極３０８となっている。また、図示横方向に隣接するドット領域３０３にわたって容量線３０９が設けられ、容量電極３０８と平面的に重なる部分で保持容量３１０を構成している。なお、容量線３０９がデータ線３０１と交差する部分は、データ線３０１にぶら下がる寄生容量を極力小さくするべく、他の部分よりも線幅が細く形成されている。半導体層３０５はコンタクトホール３１１を介して画素電極３１２に接続されている。
【０００４】
図１４は、アクティブマトリクス基板の１ドット領域の他の構成例を示す平面図である（例えば、特許文献１参照）。データ線４０１と走査線４０２とが互いに交差して設けられ、これらデータ線４０１と走査線４０２によって区画されたドット領域４０３に略Ｕ字状の半導体層４０４が設けられている。この半導体層４０４は走査線４０２と２回交差することでダブルゲート型のＴＦＴ４０５を構成している。Ｕ字状の半導体層４０４の一端はコンタクトホール４０６を介してデータ線４０１に接続される一方、他端はデータ線４０１に沿って延びる延在部４０４ａとなっている。また、走査線４０２も、本線から分岐してデータ線４０１に沿って延びる延在部４０２ａを有しており、半導体層４０４の延在部４０４ａと走査線４０２の延在部４０２ａとが平面的に重なった部分が保持容量４０７を構成している。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−１４８８４７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、各ドットへの信号書き込み後、次の書き込みまでの保持期間において、ＴＦＴのオフリーク電流による液晶印加電圧の低下分Ｖｏｆｆは、Ｖｏｆｆ∝ｅｘｐ（−ｔ／τ）と表される。ここで、τ＝Ｒｏｆｆ・（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）、Ｒｏｆｆ：ＴＦＴのオフ抵抗、Ｃｌｃ：液晶容量、Ｃｓｔ：保持容量、である。よって、液晶印加電圧の低下を抑えるために、このオフリーク電流は、精細度によらず、コントラスト比低下や表示ムラが生じない程度に小さく抑制される必要がある。ところが、ＲｏｆｆはＴＦＴのオフ特性で決まる抵抗値であり、トランジスタのＷ（ゲート幅）／Ｌ（ゲート長）に反比例するが、トランジスタのパターンルールや信頼性の制限から、高精細パネルではＷ／Ｌをそれ程小さくすることはできず、Ｒｏｆｆの増大には限界がある。一方、液晶容量Ｃｌｃは画素電極の面積に比例するため、高精細にするにつれて１ドットあたりの液晶容量はピッチの２乗に反比例して小さくなる。結果として、高精細パネルではτが小さくなるために液晶印加電圧の低下分Ｖｏｆｆが大きくなり、コントラスト比の低下や画素ムラが生じやすくなる。
【０００７】
そこで、τを大きくとるためには、保持容量Ｃｓｔを大きくとることが必須となる。しかしながら、保持容量を大きくすると容量線の時定数ＲＣが大きくなり、容量線の電位を一定に保つことが困難になる。例えば、図１３の従来例においては、上述したように、データ線３０１の寄生容量を小さくするために容量線３０９がデータ線３０１と交差する部分の線幅が細く形成されている。ところが、この線幅が細い部分があるために、抵抗Ｒが大きくなり、時定数ＲＣが大きくなってしまう。また、図１３の構造では保持容量を大きくすればするほど、開口率が低下するという問題もある。
【０００８】
一方、図１４の従来例においては、データ線の下にのみ保持容量を形成しているため、開口率の点で有利である。しかしながら、逆に言えば、開口率を下げることなく、これ以上保持容量を大きくすることが困難である、という欠点を有している。また、容量線を別に設けず、走査線を利用して保持容量を形成しているため、走査線の時定数が大きくなり、ＴＦＴの動作に支障がある、という問題がある。さらに、断面構造上はデータ線の下に走査線と半導体層が位置することになる。特に半導体層が多結晶シリコンからなる場合、図１５に示すように、半導体層４０４が薄くても、端部のエッチング形状がいわゆるオーバーハング形状となりやすく、尖った角部４０４ｔがしばしば発生する。すると、その上に積層する絶縁膜４１０のカバレッジが悪くなり、さらに走査線、データ線と積層していくと、特にデータ線の断線が発生しやすくなり、歩留まり低下の原因となる。高精細パネルにおいて開口率を上げようとするとデータ線を細くする必要があるが、その場合にデータ線の下に上記のような段差ができることは断線の問題を深刻化することになる。
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、必要な保持容量を充分に確保することで表示品位に優れ、また、データ線の断線による歩留まり低下の恐れのない構造を有する液晶装置等の電気光学装置、およびそれに用いるアクティブマトリクス基板をを提供することを目的とする。また、上記の電気光学装置を備えた高品位の表示を実現可能な電子機器を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のアクティブマトリクス基板は、互いに交差して設けられた複数のデータ線および複数の走査線と、これらデータ線および走査線によって区画されたドット領域に設けられたＴＦＴと、前記ＴＦＴと電気的に接続された画素電極とが備えられたアクティブマトリクス基板であって、前記画素電極と電気的に接続された容量電極と、誘電体膜を介して前記容量電極と対向配置されて保持容量を構成する容量線とが設けられ、任意の１ドット領域に対応して設けられた容量電極が、当該ドット領域からデータ線を越えて隣接するドット領域にはみ出して配置されていることを特徴とする。
【００１１】
図１４の従来例の構成（データ線下に保持容量を作り込む構成）は、開口率の点で優れてはいるが、保持容量を形成する個所がデータ線下に限られることで根本的に大きな保持容量をとることができない。例えば、特開平１０−１４８８４７号公報には、ソース線の下に保持容量を形成する構成が記載されている。一方、図１３の従来例の構成（容量電極と容量線とで保持容量を形成する構成）は、一つのドット領域に対応する容量電極をそのドット領域内に収めるように配置したものであり、図１４の構成に比べて、開口率で劣るものの、保持容量を大きくとることができる。しかしながら、容量電極とデータ線とを平面的に重ねると、図１４の場合と同様、データ線の形成領域に段差が生じ、断線の問題が生じるため、容量電極とデータ線とを平面的に重ねないようにする必要がある。したがって、図１３に示したように、容量電極の縁をデータ線の縁よりもドット領域の内側に配置しなければならず、隣接するドット領域の容量電極間は少なくともデータ線の線幅と位置合わせ余裕とを加えた分の間隔だけ離間させる必要があるため、保持容量の増大には限界があった。
【００１２】
これに対して、本発明のアクティブマトリクス基板においては、容量電極が、自身のドット領域からデータ線を越えて隣のドット領域にはみ出して配置されているため、隣接する容量電極間にはデータ線が位置しない。そのため、隣接する容量電極を図１３の場合よりも近づけることができ、保持容量を充分に大きくとることができる。さらには、本発明の構成においては、保持容量の値が例えば従来と同じで良い場合には、データ線と交差する方向で保持容量を稼げる分、データ線に沿う方向の寸法を小さくすることができるので、開口率の向上に寄与することができる。しかも、データ線の下に容量電極の縁（段差）が位置しないため、容量電極の段差に起因するデータ線の断線を防止することができる。
【００１３】
本発明のアクティブマトリクス基板において、前記容量電極および前記容量線がデータ線に沿って延在するデータ線よりも幅広の突出部をともに有しており、誘電体膜を介して対向する容量電極の突出部と容量線の突出部とが前記保持容量の一部を構成するようにしてもよい。
この構成によれば、ドット領域内にある程度の面積を占有して形成される保持容量に、上記データ線に沿った部分の保持容量が付加されるため、保持容量をより大きくすることができる。また、保持容量を特に大きくする必要がないならば、データ線に沿った部分で保持容量が形成されることによる、データ線の寄生容量を増やすことなく、開口率の向上にも寄与することができる。
【００１４】
つまり、本発明のアクティブマトリクス基板において、前記容量線は、隣接するドット領域にわたって線幅が一定であってもよい。
【００１５】
前記容量電極の構成材料は、特に限定されるものではないが、多結晶シリコンを用いることができ、その場合、ＴＦＴの半導体層と一体に形成されることが望ましい。
この構成によれば、ＴＦＴが駆動能力に優れた多結晶シリコンＴＦＴで構成されるとともに、エッチング加工時にオーバーハング形状になりやすい多結晶シリコンでも断線不良等の原因となることがなく、支障なく用いることができる。
【００１６】
本発明の液晶装置は、上記本発明のアクティブマトリクス基板を備えたことを特徴とする。
大きな保持容量を有し、データ線の断線の恐れのない上記本発明のアクティブマトリクス基板を備えたことによって、コントラスト比等の表示品位に優れ、信頼性の高い液晶装置を実現することができる。
【００１７】
本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。
上記本発明の液晶装置を備えたことによって、表示品位に優れた液晶表示部を有する電子機器を実現することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について図１〜図５に基づいて説明する。
本実施の形態では、アクティブマトリクス方式の透過型の液晶表示装置の例を挙げて説明する。図１は本実施の形態の液晶表示装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
［液晶表示装置の全体構成］
図１および図２に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（アクティブマトリクス基板）と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００２０】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｃａｂｌｅ）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００２１】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数のドット１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらのドット１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に順次供給する方法（点順次駆動）と、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、データを同時一括（線順次駆動）もしくは群毎（セレクタースイッチ）に供給する方法のいずれでもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。また、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に保持容量６０が付加されている。符号３ｂは保持容量６０を構成する容量線である。
【００２２】
［１ドットの詳細構成］
図４は、本実施の形態の液晶表示装置１００を構成するＴＦＴアレイ基板上の１つのドットの概略構成を示す平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。本実施の形態のＴＦＴアレイ基板は、トップゲート型の多結晶シリコンＴＦＴを備えた例である。
データ線６ａと走査線３ａとが互いに交差して設けられ、これらデータ線６ａと走査線３ａによって区画されたドット領域４１に略Ｕ字状の半導体層４２が設けられている。本実施の形態のＴＦＴ３０は、Ｕ字状の半導体層４２が走査線３ａと２回交差することでダブルゲート構造のＴＦＴを構成している。Ｕ字状の半導体層４２の一端はソースコンタクトホール４３を介してデータ線６ａに接続される一方、他端はＴＦＴ３０の半導体層４２と一体化した容量電極４４が形成されている。図中符号９の破線で示す矩形は画素電極の輪郭を示しており、画素電極９の縁はデータ線６ａと走査線３ａに沿うように形成されている。
【００２３】
本実施の形態において、画素電極９とＴＦＴ３０の半導体層４２とは中継導電層４５を介して電気的に接続されている。すなわち、画素コンタクトホール４６を介して画素電極９と中継導電層４５とが電気的に接続され、ドレインコンタクトホール４７を介して中継導電層４５とＴＦＴ３０の半導体層４２とが電気的に接続されたことにより、画素電極９とＴＦＴ３０の半導体層４２とが電気的に接続されている。また、図示横方向に隣接するドット領域４１にわたって線幅が略一定の容量線３ｂが設けられている。そして、容量線３ｂと容量電極４４とが平面的に重なる部分で保持容量６０が構成されている。例えば図４の中央のドット領域４１に着目したときに、容量電極４４は当該ドット領域４１内に収まるように配置されておらず、データ線６ａを挟んで隣接するドット領域４１（図４における右側のドット領域）にはみ出すように配置されている。また同様に、当該ドット領域４１内に反対側の隣接するドット領域４１（図４における左側のドット領域）の容量電極４４がはみ出してきている。ＴＦＴアレイ基板１０上の全てのドット領域４１において、この位置関係は同じである。なお、ここでは、容量電極４４が図４における右側のドット領域４１にはみ出す例を挙げたが、はみ出す方向はどちらでもよく、図４における左側のドット領域４１にはみ出す構成であっても良い。
【００２４】
本実施の形態の液晶表示装置１００のＴＦＴアレイ基板１０は、図５に示すように、例えば石英、ガラス、プラスチック等からなる基板本体１０Ａの全面に下地絶縁膜１２が形成され、下地絶縁膜１２上にＴＦＴ３０が設けられている。下地絶縁膜１２は基板本体１０Ａの表面の荒れや汚染等でＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有している。ＴＦＴ３０は、上述したように、ダブルゲート構造であり、かつ、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造を有している。よって、ＴＦＴ３０は、ゲート電極３５（走査線３ａ）、当該ゲート電極３５からの電界によりチャネルが形成される半導体層４２のチャネル領域１ａ、ゲート電極３５と半導体層４２とを絶縁するゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜２、半導体層４２の低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層４２の高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。半導体層４２には、多結晶シリコンが用いられている。
【００２５】
半導体層４２の高濃度ドレイン領域１ｅは、そのまま側方に延在して容量電極４４となっている。そして、容量電極４４の上方には、絶縁薄膜２を介してゲート電極３５と同層の容量線３ｂが形成されている。よって、容量電極４４と容量線３ｂとが絶縁薄膜２を介して配向配置されていることで保持容量６０が構成されている。ゲート電極３５および容量線３ｂは、例えば多結晶シリコンで形成することができる。ゲート電極３５および容量線３ｂを覆うように第１層間絶縁膜１３が形成されており、第１層間絶縁膜１３上にはデータ線６ａおよび中継導電層４５が同層で形成されている。データ線６ａおよび中継導電層４５は、例えばアルミニウム等の低抵抗金属で構成することができる。また、第１層間絶縁膜１３を貫通するソースコンタクトホール４３が形成され、ソースコンタクトホール４３を介してデータ線６ａと半導体層４２の高濃度ソース領域１ｄとが電気的に接続されている。一方、第１層間絶縁膜１３を貫通するドレインコンタクトホール４７が形成され、ドレインコンタクトホール４７を介して中継導電層４５と半導体層４２の高濃度ドレイン領域１ｅとが電気的に接続されている。
【００２６】
データ線６ａおよび中継導電層４５を覆うように第２層間絶縁膜１４が形成されており、第２層間絶縁膜１４上に画素電極９が形成されている。画素電極９は例えばＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電膜で形成されている。そして、第２層間絶縁膜１４を貫通する画素コンタクトホール４６が形成され、画素コンタクトホール４６を介して画素電極９と中継導電層４５とが電気的に接続されている。以上の構成により、中継導電層４５を介して半導体層４２の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９とが電気的に接続されている。なお、図５においては図示を省略したが、液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板として、画素電極９の上方を含むＴＦＴアレイ基板１０の最表面には、ラビング処理等の配向処理が施されたポリイミド膜等からなる配向膜が設けられている。
【００２７】
他方、対向基板２０側については図示を省略するが、基板本体上の全面にわたってＩＴＯなどの透明導電膜からなる共通電極が設けられ、共通電極の全面には、ＴＦＴアレイ基板側と同様の配向膜が設けられている。また、カラー表示を行う場合には、各ドット領域に対応して例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層を備えたカラーフィルターを基板本体上に形成すれば良い。
【００２８】
本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０においては、容量電極４４が、自身のドット領域４１からデータ線６ａを越えて隣のドット領域４１にはみ出して配置されているため、図４に示した通り、隣接する容量電極４４間にデータ線６ａが位置することがない。そのため、隣接する容量電極間には常にデータ線が存在していた従来の構成（図１３）に比べて、隣接する容量電極４４間の間隔をはるかに狭めることができ、容量電極４４の面積を大きく取れることで保持容量を増やすことができる。さらに、本実施の形態の構成において、保持容量が従来と同等で良いならば、データ線６ａと交差する方向で保持容量を大きくとれる分、データ線６ａに沿う方向の容量電極４４の寸法を従来よりも小さくすることができるので、開口率の向上に寄与することができる。しかも、データ線６ａの下に容量電極４４の縁（段差）が位置することがないため、容量電極４４の段差に起因するデータ線６ａの断線を防止することができる。その結果、このＴＦＴアレイ基板１０を用いたことによって、コントラスト比等の表示品位に優れ、信頼性の高い液晶表示装置を実現することができる。
【００２９】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態について図６、図７に基づいて説明する。
第１の実施の形態ではトップゲート型のＴＦＴを備えたＴＦＴアレイ基板の例を挙げたが、本実施の形態ではボトムゲート型のＴＦＴを備えたＴＦＴアレイ基板の例を挙げて説明する。ただし、基本構成は第１の実施の形態と同様であるため、液晶表示装置の全体構成の説明は省略する。
図６は本実施の形態のＴＦＴアレイ基板上の１つのドットの概略構成を示す平面図である。図７は図６のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。図６、図７において図４、図５と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３０】
図６に示した平面構造については図４と略同様である。本実施の形態の場合、ＴＦＴ３１がボトムゲート型であるため、走査線３ａと半導体層４２の上下関係が、走査線３ａが下側、半導体層４２が上側となっている点のみが異なっている。図７に示した断面構造についても同様である。すなわち、下地絶縁膜１２上にゲート電極３５（走査線３ａ）と容量線３ｂとが同層で形成され、ゲート絶縁膜をなす絶縁薄膜２を介してその上層側に半導体層４２が形成されている。それより上側の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００３１】
本実施の形態のＴＦＴアレイ基板においても、容量電極４４が隣のドット領域４１にはみ出して配置されたことで保持容量を増やすことができる、もしくは保持容量が従来と同等で良いならば開口率の向上に寄与することができる、容量電極の段差に起因するデータ線の断線を防止することができる、コントラスト比等の表示品位に優れ、信頼性の高い液晶表示装置を実現できる、といった第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００３２】
［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態について図８、図９に基づいて説明する。
本実施の形態は、第１の実施の形態と同様、トップゲート型のＴＦＴを備えたＴＦＴアレイ基板の例である。ただし、容量電極および容量線のパターン形状が第１の実施の形態と異なっている。基本構成は第１の実施の形態と同様であるため、液晶表示装置の全体構成の説明は省略する。
図８は本実施の形態のＴＦＴアレイ基板上の１つのドットの概略構成を示す平面図である。図９は図８のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。Ａ−Ａ’線に沿う断面図は第１の実施の形態の図５と共通である。図８、図９において図４、図５と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３３】
本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０は、図８に示すように、容量電極４４および容量線３ｂがともにデータ線６ａに沿って図中下方に延在する突出部４４ｃ，３ｃをそれぞれ有している。また、図９に示すように、これら突出部４４ｃ，３ｃはともにデータ線６ａよりも線幅が広く形成されている。したがって、データ線下に保持容量を作り込んだ従来の構成（図１４）とは異なり、データ線６ａの形成領域にはデータ線６ａと平行な方向の段差が存在しない。これら突出部４４ｃ，３ｃは容量電極４４および容量線３ｂと一体のものであるから、容量電極４４の突出部４４ｃと容量線３ｂの突出部３ｃとは絶縁薄膜２を介して対向しており、保持容量の一部を構成する。
【００３４】
この構成によれば、第１，第２の実施の形態と同様の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。すなわち、ドット領域内に矩形状に形成される保持容量に、上記データ線６ａに沿う突出部４４ｃ，３ｃによる保持容量が付加されるため、保持容量をより大きくすることができる。また、保持容量が従来と同等で良いならば、突出部４４ｃ，３ｃによる保持容量が付加されることによる、データ線６ａの寄生容量を増やすことなく、開口率の向上にも寄与することができる。
【００３５】
［電子機器］
上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００３６】
図１１は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００３７】
図１２は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００３８】
図１０、図１１、図１２に示す電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えているので、コントラスト比等の表示品位に優れ、信頼性の高い表示を実現可能な電子機器を実現することができる。
【００３９】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では、ＴＦＴがダブルゲート型、ＬＤＤ構造の多結晶シリコンＴＦＴであるとして説明したが、ＴＦＴの具体的な構成はこれに限ることはない。また、パターン形状、断面構造、各膜の構成材料等に関する記載はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また、本発明のアクティブマトリクス基板は、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、あるいはプラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子を用いた電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器に対しても適用可能であることは言うまでもない。
【００４０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、容量電極が隣のドット領域にはみ出して配置されたことで保持容量を増やすことができる、もしくは保持容量が従来と同等で良いならば開口率の向上を図ることができる。また、容量電極の段差に起因するデータ線の断線を防止することができる。その結果、コントラスト比等の表示品位に優れ、信頼性の高い液晶表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図３】同、液晶表示装置の複数の画素における等価回路図。
【図４】同、液晶表示装置の１ドットの概略構成を示す平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図。
【図６】第２の実施形態の液晶表示装置の１ドットの構成を示す平面図。
【図７】図６のＢ−Ｂ’線に沿う断面図。
【図８】第３の実施形態の液晶表示装置の１ドットの構成を示す平面図。
【図９】図８のＣ−Ｃ’線に沿う断面図。
【図１０】本発明の液晶表示装置を備えた電子機器の一例を示す斜視図。
【図１１】同、電子機器の他の例を示す斜視図。
【図１２】同、電子機器のさらに他の例を示す斜視図。
【図１３】従来の液晶表示装置の１ドットの一構成例を示す平面図。
【図１４】従来の液晶表示装置の１ドットの他の構成例を示す平面図。
【図１５】図１４の構成例の不具合を説明するための断面図。
【符号の説明】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）、３０，３１…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、４１…ドット領域、４４…容量電極、６０…保持容量、１００…液晶表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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