(57)【要約】【課題】超伝導フィルタのような超伝導現象を利用し、導体として、酸化物超伝導導体層と金属導体層とが積層された状態で形成され、フェールセーフ機能を発揮するように構成されている、誘電体共振器において好適に用いられる高周波用誘電体磁器を提供する。【解決手段】Ｂａ［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］ｖ  Ｏｗ  の組成を有し、図１に示した３成分組成図において、（ｘ，ｙ，ｚ）が、Ａ（０．０８，０．２９，０．６３）、Ｂ（０．３０，０．２２，０．４８）、Ｃ（０．３０，０．２５，０．４５）およびＤ（０．０８，０．３２，０．６０）を結ぶ多角形の範囲内にあり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００、０≦ａ≦１．０、０＜ｂ≦１．０、および０．９８≦ｖ≦１．０３を満足する、高周波用誘電体磁器。【選択図】        図１
2004210620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：Ｂａ［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］ｖ  Ｏｗ  で表わされる組成を有し、［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］の組成範囲が、添付の図１に示した３成分組成図において、（ｘ，ｙ，ｚ）が、Ａ（０．０８，０．２９，０．６３）、Ｂ（０．３０，０．２２，０．４８）、Ｃ（０．３０，０．２５，０．４５）およびＤ（０．０８，０．３２，０．６０）を結ぶ多角形の範囲内にあり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００であり、さらに、０≦ａ≦１．０、０＜ｂ≦１．０、および０．９８≦ｖ≦１．０３を満足し、ｗが磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の数である、高周波用誘電体磁器。
【請求項２】
さらに、１．００＜ｖ≦１．０２の条件を満足する、請求項１に記載の高周波用誘電体磁器。
【請求項３】
誘電体ブロックが入出力端子に電磁界結合して作動するものである、誘電体共振器であって、前記誘電体ブロックは、請求項１または２に記載の高周波用誘電体磁器からなり、前記誘電体ブロックの表面に、酸化物超伝導導体層および金属導体層が積層された状態で形成されている、誘電体共振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において利用される高周波用誘電体磁器、および、それを用いて構成される誘電体共振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体共振器や回路基板等を構成する材料として、誘電体磁器が広く利用されている。
【０００３】
たとえば誘電体共振器や誘電体フィルタ等に用いられる高周波用誘電体磁器に対しては、その誘電特性に関して、次のようなことが要求される。
【０００４】
（１）誘電体中では電磁波の波長が１／（εｒ  ）１／２  に短縮されるので、小型化の要求への対応として、比誘電率（εｒ  ）が大きいこと。
【０００５】
（２）誘電損失が小さい、すなわちＱ値が高いこと。
【０００６】
（３）共振周波数の温度安定性が優れている、すなわち共振周波数の温度係数（τｆ  ）が０ｐｐｍ／℃付近であること。
【０００７】
従来、高周波用誘電体磁器としては、たとえば、Ｂａ（Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ３  系（特許文献１参照）、Ｂａ（Ｓｎ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３  系（特許文献２参照）、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４  系（特許文献３参照）等、多数提案されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開昭５６−９６７６９号公報
【特許文献２】
特開平２−１０７５５３号公報
【特許文献３】
特開昭６１−２５６７７５号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述した特許文献に記載される誘電体磁器は、室温付近での使用を前提としており、室温付近での共振周波数の温度係数（τｆ  ）が０ｐｐｍ／℃付近であること、すなわち室温付近での温度変化に対する周波数変動を一定値以下に抑えることを目的として開発されている。なお、上述の共振周波数の温度係数（τｆ  ）［ｐｐｍ／℃］は、通常、２５℃での共振周波数（ｆ２５）および５５℃での共振周波数（ｆ５５）から次の式（１）に従って計算されるものである。
【００１０】
τｆ  ＝（ｆ５５−ｆ２５）／ｆ２５×｛１／（５５−２５）｝×１０６  …（１）
他方、低損失化を目指した超伝導フィルタのように、液体窒素温度（７７Ｋ）付近の低温域で使用される用途も存在し、たとえば特願２００２−１７９１号では、冷凍機が故障して室温（約２９８Ｋ）にまで温度上昇した場合でも、一定のフィルタ特性を維持できるフェールセーフ機能を備えた誘電体共振器が提案されている。
【００１１】
図２は、上述のように提案された誘電体共振器１の外観を示す斜視図であり、図３は、図１に示した誘電体共振器１の中央縦断正面図である。
【００１２】
誘電体共振器１は、１／２波長ＴＥＭモードの共振器であり、貫通孔２を有する角柱状の誘電体ブロック３を備えている。誘電体ブロック３は、たとえば、１７ｍｍ×１７ｍｍの断面寸法を有し、かつ１８ｍｍの長さ方向寸法を有している。また、貫通孔２は、たとえば、内径２．９ｍｍとされる。
【００１３】
誘電体ブロック３の貫通孔２の内面上には、内導体４が形成され、他方、誘電体ブロック３の外面上には、外導体５が形成されている。このように、誘電体ブロック３に入出力端子すなわち外部結合手段を電磁界結合させることにより、誘電体共振器１は共振器として作動する。
【００１４】
このような誘電体共振器１において、内導体４および外導体５は、図３によく示されているように、酸化物超伝導導体層６および金属導体層７の積層構造をもって構成される。酸化物超伝導導体層６は、たとえばＢｉ系酸化物超伝導体から構成され、金属導体層７は、たとえば銀から構成される。
【００１５】
この誘電体共振器１は、低損失化を目指したものであるので、酸化物超伝導導体層６を構成する酸化物超伝導体が超伝導現象を示す臨界温度以下の温度にて使用される。このような臨界温度以下の低温を得るための冷媒として、液体窒素（７７Ｋ）を用いることが比較的安価な点で有利である。Ｂｉ系酸化物超伝導体にあっては、臨界温度が１１０Ｋといった比較的高温の臨界温度を示すものも知られており、したがって、比較的安価な液体窒素温度での使用が可能である。
【００１６】
この誘電体共振器１は、次のようにしてフェールセーフ機能を発揮するように構成されている。すなわち、酸化物超伝導導体層６を構成する超伝導体が超伝導現象を示す臨界温度以下の温度では、この酸化物超伝導導体層６が内導体４および外導体５として機能する。他方、冷凍機が故障して、臨界温度を超える温度、たとえば室温（２９８Ｋ）にまで温度上昇したときには、酸化物超伝導導体層６を構成する超伝導体の超伝導状態が崩れるが、この場合には、金属導体層７が内導体４および外導体５として機能する。
【００１７】
しかしながら、前述した特許文献１ないし３に記載される誘電体磁器にあっては、室温付近での共振周波数の温度係数（τｆ  ）が０ｐｐｍ／℃付近となるように調整されているが、臨界温度付近では、共振周波数が大きく変化するという問題を有している。
【００１８】
図４には、誘電体ブロック３において、特許文献１ないし３に記載されたような誘電体磁器を用いた場合の１／２波長ＴＥＭモードの誘電体共振器１の共振周波数の温度特性の一例が示されている。図４からわかるように、温度が上昇すると、たとえば１１０Ｋといった臨界温度付近で共振周波数がマイナス方向へ大きく変化している。これは、超伝導状態が崩れた酸化物超伝導導体層６に磁界が浸入するためであると考えられる。
【００１９】
したがって、従来の誘電体磁器を、図２および図３を参照して説明した、酸化物超伝導導体層６および金属導体層７の積層構造を有する内導体４および外導体５を備える誘電体共振器１における誘電体ブロック３の材料として用いることは、必ずしも適当であるとは言えない。
【００２０】
以上のようなことから、超伝導フィルタのような超伝導現象を利用し、かつフェールセーフ機能を有する誘電体共振器において用いられる誘電体磁器にあっては、比誘電率（εｒ  ）が高いことやＱ値が高いことに加えて、正常稼動温度（たとえば７０Ｋ）と故障時の室温（たとえば２９８Ｋ）付近との間での周波数変動が一定値以下であることが望まれる。
【００２１】
そこで、この発明の目的は、上述したような要望を満たし得る高周波用誘電体磁器を提供しようとすることである。
【００２２】
この発明の他の目的は、上述したような高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体共振器を提供しようとすることである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る高周波用誘電体磁器は、上述した技術的課題を解決するため、一般式：Ｂａ［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］ｖ  Ｏｗ  で表わされる組成を有し、［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］の組成範囲が、添付の図１に示した３成分組成図において、（ｘ，ｙ，ｚ）が、Ａ（０．０８，０．２９，０．６３）、Ｂ（０．３０，０．２２，０．４８）、Ｃ（０．３０，０．２５，０．４５）およびＤ（０．０８，０．３２，０．６０）を結ぶ多角形の範囲内にあり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００であり、さらに、０≦ａ≦１．０、０＜ｂ≦１．０、および０．９８≦ｖ≦１．０３を満足するものであることを特徴としている。なお、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な正の任意の数である。
【００２４】
この発明に係る高周波用誘電体磁器において、さらに、１．００＜ｖ≦１．０２の条件を満足することが好ましい。
【００２５】
この発明は、また、誘電体ブロックが入出力端子に電磁界結合して作動するものである、誘電体共振器にも向けられる。この発明に係る誘電体共振器において、誘電体ブロックが、上述したこの発明に係る高周波用誘電体磁器からなることを特徴とするとともに、誘電体ブロックの表面に、酸化物超伝導導体層および金属導体層が積層された状態で形成されていることを特徴としている。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図２および図３を参照して前述した誘電体共振器１は、この発明に係る高周波用誘電体磁器を用いて構成される誘電体共振器の一例でもある。したがって、この誘電体共振器１の説明については、前述の説明を援用する。
【００２７】
誘電体共振器１に備える誘電体ブロック３が、この発明に係る高周波用誘電体磁器から構成される。
【００２８】
この発明に係る高周波用誘電体磁器は、前述したように、一般式：Ｂａ［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］ｖ  Ｏｗ  で表わされる組成を有している。
【００２９】
ここで、［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］の組成範囲は、図１に示した３成分組成図において、（ｘ，ｙ，ｚ）が、Ａ（０．０８，０．２９，０．６３）、Ｂ（０．３０，０．２２，０．４８）、Ｃ（０．３０，０．２５，０．４５）およびＤ（０．０８，０．３２，０．６０）を結ぶ多角形の範囲内にあり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００であり、さらに、０≦ａ≦１．０、０＜ｂ≦１．０、および０．９８≦ｖ≦１．０３を満足している。なお、ｗは磁器としての電気的中性を保つのに必要な任意の数である。
【００３０】
この発明に係る高周波用誘電体磁器において、さらに、１．００＜ｖ≦１．０２の条件を満足することが好ましい。
【００３１】
上述の高周波用誘電体磁器において、その組成範囲は、後述する実験結果から求められたものであるが、この組成範囲を限定した理由について説明する。
【００３２】
まず、図１に示した３成分組成図において、多角形の頂点ＡおよびＤを結ぶ線分ＡＤの外側および頂点ＢおよびＣを結ぶ線分ＢＣの外側では、言い換えると、ｘ＜０．０８およびｘ＞０．３０であると、誘電体磁器のＱ値が低くなって好ましくない。
【００３３】
また、頂点ＡおよびＢを結ぶ線分ＡＢの外側では、焼結が不安定となって好ましくない。
【００３４】
また、頂点ＣおよびＤを結ぶ線分ＣＤの外側では、Ｑ値が低くなって好ましくない。
【００３５】
また、ａについては、０〜１．０の範囲で任意に選ぶことができるが、ｂについては、０＜ｂ≦１．０とされ、０を含まないようにされる。これは、次の理由による。
【００３６】
すなわち、前述した図４に示すように、誘電体共振器１の共振周波数は、温度が上昇すると、酸化物超伝導導体層６を構成する超伝導体の臨界温度付近でマイナス方向へ大きく変化する。これは、超伝導状態が崩れた酸化物超伝導導体層６の影響であり、この酸化物超伝導導体層６は、温度上昇に伴って、共振周波数をマイナス方向へ変化させるように作用する。そこで、この発明では、酸化物超伝導導体層６による共振周波数のマイナス方向への変化を、誘電体ブロック３が有する共振周波数の温度特性によって相殺しようとするものであり、誘電体ブロック３を、プラス側の共振周波数の温度係数を有するもので構成しようとしている。
【００３７】
上述の場合において、誘電体共振器１全体としてのたとえば７０Ｋでの共振周波数と２９８Ｋでの共振周波数とを互いに一致させるために要求される誘電体ブロック３についての７０Ｋから２９８Ｋへの共振周波数の変化率については、誘電体共振器１の構造や酸化物超伝導導体層６の厚みや材質等に依存するため、一定の値とはならないが、本件発明者による検討の結果、次のような値とされることが好ましいことがわかっている。
【００３８】
すなわち、誘電体ブロック３を構成する高周波用誘電体磁器についての７０Ｋでの共振周波数をｆ７０、２９８Ｋでの共振周波数をｆ２９８  として、共振周波数の温度変化率（Δｆ／ｆ０  ）［ｐｐｍ］を、
Δｆ／ｆ０  ＝｛（ｆ２９８  −ｆ７０）／ｆ７０｝×１０６  …（２）
の式に従って算出したとき、この共振周波数の温度変化率（Δｆ／ｆ０  ）が＋１５００〜＋５０００ｐｐｍ程度であることが要求される。
【００３９】
前述したように、ｂについては、０＜ｂ≦１．０とされるのは、ｂが小さくなるほど、Δｆ／ｆ０  が小さくなる傾向がある。そして、ｂが０になると、Δｆ／ｆ０  が＋１５００［ｐｐｍ］より小さくなり、酸化物超伝導導体層６による共振周波数のマイナス方向への変化を、誘電体ブロック３の共振周波数のプラス方向への変化によって十分に補償し得ず、誘電体共振器１の正常稼動温度と室温付近とにおける周波数変動を一定値以下にすることができない。
【００４０】
また、ｖについては、前述したように、０．９８≦ｖ≦１．０３に選ばれるが、ｖがこの範囲を外れると、Ｑ値が低くなって好ましくない。なお、ｖが１．００＜ｖ≦１．０２の範囲に選ばれると、より高いＱ値を得ることができ、より好ましい。
【００４１】
この発明に係る高周波用誘電体磁器は、この発明の目的を損なわない範囲で、わずかな不純物を含有していてもよい。たとえば、ＺｎＯ、ＮｉＯ、Ｆｅ２  Ｏ３  、Ｃｒ２  Ｏ３  、Ｂ２  Ｏ３  、Ａｌ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、ＭｎＯ２  、Ｓｂ２  Ｏ３  、ＷＯ３  等を、０．０１〜０．５０重量％程度含有していても、誘電体磁器の特性が大きく影響されることはない。
【００４２】
以上、この発明に係る高周波用誘電体磁器が、誘電体共振器において適用される場合について説明したが、この発明に係る高周波用誘電体磁器は、その他の高周波用誘電体磁器が適用される分野にも適用可能であり、特に、酸化物超伝導導体層と金属導体層との積層構造を有する電極等の導体を備える電子部品において有利に適用することができる。
【００４３】
次に、この発明に係る高周波用誘電体磁器の組成範囲を決定するため、およびこの発明に係る高周波用誘電体磁器によって得られる効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００４４】
【実験例】
誘電体磁器のための出発原料として、各々高純度の炭酸バリウム（ＢａＣＯ３  ）、酸化錫（ＳｎＯ２  ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２  ）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３  ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２  Ｏ５  ）および酸化タンタル（Ｔａ２  Ｏ５  ）の各粉末を準備した。
【００４５】
次に、上記各粉末を、表１ないし表３の「Ｂａ［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］ｖ  Ｏｗ  」の欄に示したｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂおよびｖとなるように調合し、この調合粉末を、ボールミルによって１６時間湿式混合した後、脱水および乾燥し、１１００〜１３００℃の温度で３時間仮焼した。
【００４６】
次に、上述のようにして得られた仮焼粉末に、適量のバインダを加えて、再度、ボールミルによって１６時間湿式粉砕した。
【００４７】
次に、上述のようにして得られた各試料に係る誘電体磁器のための原料粉末を、１０００〜２０００ｋｇ／ｃｍ２  の圧力で円板状にプレス成形した後、１５００〜１６００℃の温度で、４〜１０時間、大気中において焼成し、直径８．５ｍｍおよび厚み４．２ｍｍの焼結体を得た。
【００４８】
このようにして得られた各焼結体について、測定周波数１０〜１１ＧＨｚにおいて、比誘電率（εｒ  ）を測定するとともに、Ｑ値をＴＥ０１１  モードを使用した両端短絡型誘電体共振器法にて測定した。Ｑ値については、Ｑ×ｆに換算した。
【００４９】
また、ＴＥ０１δモード共振周波数から、前記式（１）に従って、２５〜５５℃の温度範囲における共振周波数の温度係数（τｆ  ）を求めた。
【００５０】
さらに、ＴＥ０１１  モード共振周波数について、７０Ｋ（−１９６℃）から２９８Ｋ（２５℃）にまで温度上昇させた際の周波数変化率（Δｆ／ｆ０  ）を、前記式（２）に基づいて求めた。
【００５１】
表１ないし表３には、上述したマイクロ波誘電特性、すなわち、比誘電率（εｒ  ）、Ｑ×ｆ、共振周波数の温度係数（τｆ  ）および周波数変化率（Δｆ／ｆ０  ）が示されている。なお、表１ないし表３において、「Δｆ／ｆ０  」の欄が空欄になっている試料については、これを求めなかったことを示している。
【００５２】
【表１】
2004210620.tif 000003
【００５３】
【表２】
2004210620.tif 000004
【００５４】
【表３】
2004210620.tif 000005
【００５５】
表１ないし表３において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の試料である。
【００５６】
また、図１には、「１」〜「５８」の数字が記入されているが、これらは、表１ないし表３に示した試料番号に対応するもので、各数字によって示された位置が、当該試料についてのｘ、ｙおよびｚの各値を示している。
【００５７】
表１ないし表３を参照して、この発明に係る高周波用誘電体磁器における組成範囲を限定した理由について説明する。
【００５８】
まず、図１にも示したｘ、ｙおよびｚについて説明すると、ｘについては、試料１〜３のように、ｘ＜０．０８となり、図１において線分ＡＤの外側の組成となるか、あるいは、試料５８のように、ｘ＞０．３０になり、図１において線分ＢＣの外側の組成になると、表１および表３に示すように、Ｑ×ｆが小さくなり、好ましくない。
【００５９】
また、試料１２および４８のように、図１において線分ＡＢの外側の組成になると、表１および表３に示すように、焼結が不安定となり、好ましくない。
【００６０】
また、試料４２および５４のように、図１において線分ＣＤの外側の組成になると、表３に示すように、Ｑ×ｆが小さくなり、好ましくない。
【００６１】
次に、ｂについては、試料１９〜２１、３０〜３２および３６〜３８の比較からわかるように、ｂが小さくなると、Δｆ／ｆ０  が小さくなる傾向があり、試料１９、３０および３６のように、ｂが０．０になると、Δｆ／ｆ０  ＜１５００［ｐｐｍ］となって、前述したように、酸化物超伝導導体層による共振周波数の変動を補償するに足る効果を期待できない。
【００６２】
また、試料２２のように、ｖ＜０．９８となったり、試料２９のように、ｖ＞１．０３となると、Ｑ×ｆが小さくなって、好ましくない。
【００６３】
これらに対して、この発明の範囲内にある試料によれば、図１に示した３成分組成図において、（ｘ，ｙ，ｚ）が、Ａ（０．０８，０．２９，０．６３）、Ｂ（０．３０，０．２２，０．４８）、Ｃ（０．３０，０．２５，０．４５）およびＤ（０．０８，０．３２，０．６０）を結ぶ多角形の範囲内にあり、さらに、０≦ａ≦１．０、０＜ｂ≦１．０、および０．９８≦ｖ≦１．０３を満足しているので、Ｑ×ｆが大きく、また、Δｆ／ｆ０  として、１５１０〜５１２０ｐｐｍの値、概して、１５００〜５０００ｐｐｍ程度の値を示している。
【００６４】
また、この発明の範囲内にある試料２３〜２８の間で比較すると、ｖの値に関して、特に試料２６および２７のように、１．００＜ｖ≦１．０２とした場合には、Ｑ×ｆがより大きくなり、より高いＱ値が得られることがわかる。
【００６５】
次に、前述したように、誘電体磁器のΔｆ／ｆ０  が＋１５００〜＋５０００ｐｐｍ程度というように、プラス側の周波数変化率を有していると、超伝導状態が崩れた酸化物超伝導導体層によって与えられるマイナス側の周波数変化率を補償できることを確認するため、この発明の範囲内にある試料２６とこの発明の範囲外にある試料３６との各々に係る誘電体磁器を用いて、１／２波長ＴＥＭモードの誘電体共振器を作製した。この誘電体共振器では、誘電体ブロック上に、内導体および外導体の各々となる、Ｂｉ系酸化物超伝導体からなる酸化物超伝導導体層および銀からなる金属導体層を積層して形成した。これら試料２６および３６の各々に係る誘電体共振器の共振周波数の温度特性が図５に示されている。
【００６６】
表２に示すように、Δｆ／ｆ０  が＋１００ｐｐｍである試料３６では、図５に示すように、７０Ｋと２９８Ｋとの間の周波数変化量（Δｆ）が約５ＭＨｚである。これに対して、表２に示すように、Δｆ／ｆ０  が＋２４６０ｐｐｍである試料２６では、図５に示すように、７０Ｋと２９８Ｋとの間での周波数変化量（Δｆ）が１ＭＨｚ以内に抑えられている。このことから、正常稼動温度（７０Ｋ）と故障時の室温（２９８Ｋ）とにおける誘電体共振器の周波数変動を一定値以下に抑えるためには、用いられる誘電体共振器のΔｆ／ｆ０  が＋１５００〜＋５０００ｐｐｍ程度であればよいことがわかる。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る高周波用誘電体磁器によれば、比誘電率（εｒ  ）が比較的高くかつＱ値が比較的高いので、誘電体共振器のための誘電体ブロックの材料として有利に用いることができるとともに、たとえば７０Ｋから室温付近までの共振周波数の変化率を＋１５００〜＋５０００ｐｐｍ程度とすることができる。
【００６８】
したがって、超伝導フィルタのような超伝導現象を利用する誘電体共振器であって、酸化物超伝導導体層と金属導体層との積層構造を有する導体を備えることによって、フェールセーフ機能を発揮するように構成されている、誘電体共振器に適用されると、事故等によって室温付近にまで温度上昇し、酸化物超伝導導体層を構成する酸化物超伝導体の超伝導状態が崩れることによって、共振周波数がマイナス方向へ変化しても、誘電体磁器が有する上述したプラス側の共振周波数の温度特性がこれを相殺するように作用し、結果として、正常稼動温度での共振周波数と室温での共振周波数との差を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る高周波用誘電体磁器における［（Ｓｎａ  Ｚｒ１−ａ  ）ｘ  Ｍｇｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ］の組成を規定するｘ、ｙおよびｚの範囲を示す３成分組成図である。
【図２】この発明にとって興味ある誘電体共振器１の外観を示す斜視図である。
【図３】図２に示した誘電体共振器１の中央縦断正面図である。
【図４】従来の高周波用誘電体磁器を用いて構成された１／２波長ＴＥＭモード共振器の共振周波数の温度特性の一例を示す図である。
【図５】この発明に従って実施した実験例における試料２６および３６の各々についての酸化物超伝導導体層を形成した１／２波長ＴＥＭモード共振器の共振周波数の温度特性を示す図である。
【符号の説明】
１  誘電体共振器
３  誘電体ブロック
４  内導体
５  外導体
６  酸化物超伝導導体層
７  金属導体層
【図１】
2004210620.tif 000006
【図２】
2004210620.tif 000007
【図３】
2004210620.tif 000008
【図４】
2004210620.tif 000009
【図５】
2004210620.tif 000010