(57)【要約】【課題】裏面電極の剥離の発生を防止するとともに、基板割れを防止できる太陽電池素子の形成方法を提供する。【解決手段】一導電型を呈する半導体基板１の一主面側に逆導電型半導体不純物を拡散するとともに、第一の金属を主成分とする表面電極４を形成し、他の主面側に第二の金属を主成分とする集電部５と、この第二の金属よりも半田濡れ性のよい第三の金属を主成分とする出力取出部６から成る裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法であって、上記半導体基板１の一主面側に上記表面電極４となる第一の金属を主成分とするペーストを塗布するとともに、他の主面側に上記裏面電極の集電部５となる第二の金属を主成分とするペーストを塗布して１回目の焼成を行った後、他の主面側に上記裏面電極の出力取出部６となる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して２回目の焼成を行う。【選択図】  図１
2004179333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型を呈する半導体基板の一主面側に逆導電型半導体不純物を拡散するとともに、第一の金属を主成分とする表面電極を形成し、他の主面側に第二の金属を主成分とする集電部とこの第二の金属よりも半田濡れ性のよい第三の金属を主成分とする出力取出部とから成る裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法において、前記半導体基板の一主面側に前記表面電極となる第一の金属を主成分とするペーストを塗布するとともに、他の主面側に前記裏面電極の集電部となる第二の金属を主成分とするペーストを塗布して１回目の焼成を行った後、他の主面側に前記裏面電極の出力取出部となる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して２回目の焼成を行うことを特徴とする太陽電池素子の形成方法。
【請求項２】
前記第一の金属と前記第三の金属が銀からなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池素子の形成方法。
【請求項３】
前記半導体基板がシリコンからなり、前記第三の金属を主成分とするペーストにアルミニウムを含有することを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池素子の形成方法。
【請求項４】
前記第二の金属がアルミニウムからなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の太陽電池素子の形成方法。
【請求項５】
前記１回目の焼成は前記２回目の焼成よりも高温であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の太陽電池素子の形成方法。
【請求項６】
前記１回目の焼成は前記２回目の焼成よりも長時間であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の太陽電池素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池素子の形成方法に関し、特に金属ペーストを焼き付けて表面電極と裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の太陽電池素子を図１に示す。例えばＰ型半導体基板１の表面近傍の全面に一定の深さまでＮ型不純物を拡散させてＮ型を呈する拡散層２を設け、半導体基板１の表面に窒化シリコン膜などから成る反射防止膜３を設け、表面に表面電極４を設けるとともに、裏面にアルミニウムなどから成る集電部５と銀などから成る出力取出部６とで構成される裏面電極５、６を設けている。また半導体基板１の裏面には高濃度のＰ型拡散層７が形成される。
【０００３】
これらの太陽電池素子の裏面電極５、６を形成するには、アルミニウムからなる第二の金属を主成分とするペーストを半導体基板１の裏面の一部を除いた大部分に塗布して乾燥した後、この第二の金属を主成分とするペーストを塗布しなかった部分とその周縁部を覆うように銀からなる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して乾燥し、最後に半導体基板１の表面に銀からなる第一の金属を主成分とするペーストを塗布して乾燥して、第一の金属を主成分とするペーストと第二の金属を主成分とするペーストと第三の金属を主成分とするペーストとを同時に焼成する方法、すなわち同時焼成法が従来用いられてきた（例えば特許文献１参照。）。
【０００４】
また、アルミニウムからなる第二の金属を主成分とするペーストを半導体基板１の裏面の一部を除いた大部分に塗布して乾燥した後、この第二の金属を主成分とするペーストを塗布しなかった部分とその周縁部を覆うように銀からなる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して乾燥して１回目の焼成を行った後、半導体基板１の表面に銀からなる第一の金属を主成分とするペーストを塗布して乾燥して２回目の焼成を行う方法もある（例えば特許文献１参照。）。
【０００５】
さらに、アルミニウムからなる第二の金属を主成分とするペーストを半導体基板１の裏面の一部を除いた大部分に塗布して乾燥して１回目の焼成を行った後、この第二の金属を主成分とするペーストを塗布しなかった部分とその周縁部を覆うように銀からなる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して乾燥した後、半導体基板１の表面に銀からなる第一の金属を主成分とするペーストを塗布して乾燥して２回目の焼成を行う方法もある（例えば特許文献１参照。）
これによって半導体基板１の裏面には、集電部５とはんだ濡れ性の良好な出力取出部６が形成されるとともに、集電部５の下の半導体基板１には高濃度のＰ型拡散層７が形成される。
【０００６】
その後、表面電極４および裏面電極の出力取出部６上にはんだ（不図示）を被着して、太陽電池素子を直列もしくは並列に接続するインナーリードを接続する。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−３３５２６７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この従来の太陽電池素子の形成方法では、焼成の際に集電部５のアルミニウムと出力取出部６の銀との重なり部、つまり熱膨張係数の異なる半導体基板１とアルミニウムと銀との重なり部に応力が発生し、半導体基板１の割れの原因になるという問題があった。
【０００９】
また、アルミニウムを焼成してから表裏面に銀を塗布して焼成する方法によれば、上記問題は解決されるもののアルミニウムを主成分とする金属ペーストを塗布して焼成することによって、半導体基板１の裏面にアルミニウムの凝集等による凹凸が形成されることがあり、その凹凸によって表面電極４を形成するためのペーストをスクリーン印刷で塗布する際に半導体基板１に割れが発生するという問題があった。
【００１０】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、裏面電極の剥離の発生を防止するとともに、半導体基板の割れを防止できる太陽電池素子の形成方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る太陽電池素子の形成方法では、一導電型を呈する半導体基板の一主面側に逆導電型半導体不純物を拡散するとともに、第一の金属を主成分とする表面電極を形成し、他の主面側に第二の金属を主成分とする集電部とこの第二の金属よりも半田濡れ性のよい第三の金属を主成分とする出力取出部とから成る裏面電極を形成する太陽電池素子の形成方法において、前記半導体基板の一主面側に前記表面電極となる第一の金属を主成分とするペーストを塗布するとともに、他の主面側に前記裏面電極の集電部となる第二の金属を主成分とするペーストを塗布して１回目の焼成を行った後、他の主面側に前記裏面電極の出力取出部となる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して２回目の焼成を行うことを特徴とする。
【００１２】
上記太陽電池素子の形成方法では、前記第一の金属と前記第三の金属が銀からなることが望ましい。
【００１３】
また、上記太陽電池素子の形成方法では、前記半導体基板がシリコンからなり、前記第三の金属を主成分とするペーストにアルミニウムを含有することが望ましい。
【００１４】
また、上記太陽電池素子の形成方法では、前記第二の金属がアルミニウムからなることが望ましい。
【００１５】
また、上記太陽電池素子の形成方法では、前記１回目の焼成は前記２回目の焼成よりも高温であることが望ましい。
また、上記太陽電池素子の形成方法では、前記１回目の焼成は前記２回目の焼成よりも長時間であることが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
本発明に係る太陽電池素子の構造も基本的には従来の太陽電池素子と同様である。すなわち、例えばＰ型半導体基板１の表面近傍全面に一定の深さまでＮ型不純物を拡散させてＮ型を呈する拡散層２を設け、半導体基板１の表面に窒化シリコン膜などから成る反射防止膜３を設け、表面に表面電極４を設けるとともに、裏面にはアルミニウムなどから成る集電部５と銀などから成る出力取出部６とで構成される裏面電極を設けている。また半導体基板１の裏面には高濃度のＰ型拡散層７が形成される。
【００１７】
このような太陽電池素子は、例えばＰ型半導体基板１をＮ型不純物雰囲気中で熱処理などして、表面領域の全面に一定の深さまでＮ型不純物を拡散させてＮ型を呈する拡散層２を形成し、ＣＶＤ法などで反射防止膜３を形成して拡散層２を分離した後、表面電極４および集電部５と電極取出部６とから成る裏面電極が形成されるとともに、集電部５の下の半導体基板１に高濃度のＰ型拡散層７が形成される。
【００１８】
上記表面電極４、集電部５、および電極取出部６は、以下のように形成される。すなわち、半導体基板１の表面に表面電極４となる例えば銀からなる第一の金属を主成分とするペーストを塗布するとともに、裏面に集電部５となるアルミニウムからなる第二の金属を主成分とするペーストを塗布して約７００〜８００℃で３〜３０分程度の１回目の焼成を行う。このときの焼成温度が７００℃以下であったり、焼成時間が３分以下であったりすると、表面電極４の半導体基板１との接触抵抗を十分に低下させることができなかったり、裏面のアルミニウムが十分に半導体基板１に拡散されず、太陽電池素子の特性低下を招くおそれがある。また、焼成温度が８００℃以上であったり、焼成時間が３０分以上であったりすると、拡散層２の不純物が再度拡散されることによって接合が深くなったり、表面電極４が拡散層２の接合を破壊するなどの問題が発生するおそれがある。
【００１９】
次に、半導体基板１の裏面に出力取出部６となる例えば銀からなる第三の金属を主成分とするペーストを塗布し、約６５０〜７８０℃で１〜２０分程度の２回目の焼成を行う。このときの焼成温度が６５０℃以下であったり、焼成時間が１分以下であったりすると、銀が十分に焼結せずに剥離の原因となったり、接触抵抗が十分に低下しないなどの問題が発生するおそれがある。反対に焼成温度が７８０℃以上であったり、焼成時間が２０分以上であったりすると、上記と同様に拡散層２の不純物が再度拡散されることによって接合が深くなったり、表面電極４が拡散層２の接合を破壊するなどの問題が発生するおそれがある。
【００２０】
この方法によれば、集電部５のアルミニウムからなる第二の金属は１回目の焼成によって焼結する。したがって、その後その上に出力取出部６となる銀からなる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して２回目の焼成を行っても、アルミニウムはすでに焼結しているので、銀とは合金化しにくい。これによって熱膨張係数の異なる半導体基板１とアルミニウムと銀との重なり部での応力が緩和され、従来問題であったこの重なり部での応力に起因する半導体基板１の割れを低減できる。
【００２１】
また、集電部５のアルミニウムからなる第二の金属を主成分とするペーストを焼成する前に銀からなる第一の金属を主成分とするペーストを塗布するため、アルミニウムの表面に焼成によって凹凸が形成されても、基板割れの原因とはならない。
【００２２】
第一の金属としては銀以外に金、銅、白金などを用いることができる。
【００２３】
第二の金属としてはアルミニウム以外に銅、亜鉛、ガリウム、インジウムなどを用いることができる。
【００２４】
第三の金属として銀以外に金、銅、白金などを用いることができる。
【００２５】
このような金属を主成分とするペーストは、溶剤とバインダーと金属とを混合して構成される。
【００２６】
また、出力取出部６として塗布される銀からなる第三の金属を主成分とするペーストにはアルミニウムを含有することが望ましい。半導体基板１に使用するシリコンへの拡散係数の大きなアルミニウムを銀に含有させることにより、１回目の焼成よりも低温で短時間な２回目の焼成でも出力取出部６のシリコンとの接着強度を確保することができるからである。
【００２７】
また、１回目の焼成は２回目の焼成よりも高温で長時間であることが望ましい。１回目の焼成によって焼き付けられた集電部５のアルミニウムが２回目の焼成によって焼き付けられる出力取出部６の銀と合金化することをさらに抑えることができるからである。
【００２８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。例えば１回目の焼成によって形成される集電部５のアルミニウムからなる第二の金属を主成分とするペーストと表面電極４の銀からなる第一の金属を主成分とするペーストとを塗布する順番はどちらが先でも構わない。また、ペーストを塗布した後の乾燥は、次のペーストを塗布するときに印刷機の作業テーブルやスクリーンに前のペーストが付着するといった問題がなければ省略してもよい。
【００２９】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る太陽電池素子の形成方法によれば、半導体基板の一主面側に表面電極となる第一の金属を主成分とするペーストを塗布するとともに、他の主面側に裏面電極の集電部となる第二の金属を主成分とするペーストを塗布して１回目の焼成を行った後、他の主面側に裏面電極の出力取出部となる第三の金属を主成分とするペーストを塗布して２回目の焼成を行うことから、熱膨張係数の異なる半導体基板と第二の金属と第三の金属との重なり部での応力が緩和され、この重なり部での応力に起因する太陽電池素子の割れを低減できる。また、第二の金属にアルミニウムを使用してもアルミニウムを焼成する前に表面電極となる第一の金属を主成分とするペーストを塗布するため、焼成によってアルミニウムの表面に凹凸が形成されても基板割れは起こりにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】太陽電池素子の構造を説明する図である。
【符号の説明】
１・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・反射防止膜、４・・・表面電極、５・・・集電部、６・・・出力取出部、７・・・高濃度Ｐ型拡散層
【図１】
2004179333.tif 000003