(57)【要約】【課題】特別な前処理を行なうことなく、有機化処理された粘土を用いる簡便な方法により、層状化合物を十分に剥離し、成形時の加工特性を失うことなく、且つ分子量低下を起さないポリカーボネート系樹脂組成物及びその製造方法を提供する。【解決手段】層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）からなる組成物であって、層状化合物（Ａ）の最大層厚が２０ｎｍ以下であるポリカーボネート系樹脂組成物である。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）からなる組成物であって、層状化合物（Ａ）の最大層厚が２０ｎｍ以下であるポリカーボネート系樹脂組成物。
【請求項２】
層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）の総和を１００質量％として、（Ａ）成分が０．１〜５０質量％である請求項１に記載のポリカーボネート系樹脂組成物。
【請求項３】
層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ１）を溶融混練して、マスターバッチ樹脂組成物（Ｃ）とし、更に、該組成物（Ｃ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ２）とを溶融混練する請求項１に記載のポリカーボネート系樹脂組成物の製造方法。
【請求項４】
層状化合物（Ａ）１〜６０質量％とポリカーボネート系樹脂（Ｂ１）９９〜４０質量％を溶融混練して、マスターバッチ樹脂組成物（Ｃ）とし、更に、（Ｃ）成分と（Ｂ２）成分の総和を１００質量％とした時、（Ａ）成分が０．１〜５０質量％となるように、該組成物（Ｃ）にポリカーボネート系樹脂（Ｂ２）を加えて溶融混練する請求項３に記載のポリカーボネート系樹脂組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、層状化合物とポリカーボネート系樹脂からなるポリカーボネート系樹脂組成物及び該樹脂組成物の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、ポリカーボネート系樹脂は、無機フィラー表面にある吸着水やそれに起因する水酸化物イオンにより、コンパウンド最中や、成形品とした場合にも分子量低下が促進され、特に、ナノコンポジットではこのような問題が多く発生している。
このため、無機フィラー表面を有機化処理する方法として、オニウム塩としてアルキルホスホニウム塩を用いる手法（例えば、特許文献１参照。）や、粘土層の剥離・分散の為に、オニウム塩ではなく、シロキシ化合物を用いる手法（例えば、特許文献２参照。）が提案されている。
しかし、これらの手法を用いた場合も、粘土鉱物の層剥離が十分に起きず、ナノコンポジットとしての性能が十分に発現しない等の問題点があるほか、射出成形時等の成形加工に際して、流動性等の加工性が低下する等の問題が存在する。
特許文献１で得られるポリカーボネート系樹脂組成物は、含まれる層状化合物の最大膜厚は２０ｎｍを超え、層状化合物の剥離が不十分な為、ナノコンポジットのポテンシャルを十分に引き出しているとは言えない。
また、特許文献２には、層状化合物の最大膜厚の下限は５ｎｍ程度との記載はあるが、実施例や詳細の説明を見ても、層状化合物の最大膜厚を５ｎｍ程度まで剥離させる方法は一切示唆開示されておらず、本発明の層状化合物の最大膜厚が２０ｎｍ以下のポリカーボネート系樹脂組成物が開示されているとは言えない。
更に、両末端シリカポリカーボネート（ＰＣＳ）について、その合成法及び関連物性が報告されている(例えば、特許文献３参照。）。
そして、ＰＣＳの両末端を酸により架橋し、その結果、Ｓｉ―Ｏ部（無機）含有ポリカーボネート複合材料が得られている。
更に、金属酸化微粒子の界面改質剤としてＰＣＳを利用することが報告されている(例えば、特許文献４参照。）。
金属酸化微粒子の具体例としては、酸化ケイ素（シリカ）粒子、酸化チタン（チタニア）粒子、酸化ジルコニウム（ジルコニア）粒子等を挙げているが、粘土鉱物系ナノコンポジット材料に関する報告はない。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−２０７１３４号公報
【特許文献２】
特開２０００―１６９６８９号公報
【特許文献３】
特開平１１―２０９５９６号公報
【特許文献４】
特開平２０００―３２７９３０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、特別な前処理を行なうことなく、有機化処理された粘土等を用いる簡便な方法により、層状化合物を十分に剥離し、成形時の加工特性を失うことなく、且つ分子量低下を起さないポリカーボネート系樹脂組成物及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ポリカーボネート系樹脂中の層状化合物の最大層厚が２０ｎｍ以下である、ポリカーボネート系樹脂組成物により、前記課題が解決することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
即ち、本発明は、
１．層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）からなる組成物であって、層状化合物（Ａ）の最大層厚が２０ｎｍ以下であるポリカーボネート系樹脂組成物、
２．層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）の総和を１００質量％として、（Ａ）成分が０．１〜５０質量％である上記１に記載のポリカーボネート系樹脂組成物、
３．層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ１）を溶融混練して、マスターバッチ樹脂組成物（Ｃ）とし、更に、該組成物（Ｃ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ２）とを溶融混練する上記１に記載のポリカーボネート系樹脂組成物の製造方法。
４．層状化合物（Ａ）１〜６０質量％とポリカーボネート系樹脂（Ｂ１）９９〜４０質量％を溶融混練して、マスターバッチ樹脂組成物（Ｃ）とし、更に、（Ｃ）成分と（Ｂ２）成分の総和を１００質量％とした時、（Ａ）成分が０．１〜５０質量％となるように、該組成物（Ｃ）にポリカーボネート系樹脂（Ｂ２）を加えて溶融混練する上記３に記載のポリカーボネート系樹脂組成物の製造方法、
を提供するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
層状化合物（Ａ）の例としては、粘土、粘土鉱物又はイオン交換性層状化合物が挙げられる。
粘土とは、細かい含水ケイ酸塩鉱物の集合体であって、適当量の水を混ぜてこねると可塑性を生じ、乾けば剛性を示し、高温度で焼くと焼結するような物質をいう。
また、粘土鉱物とは、粘土の主成分をなす含水珪酸塩をいう。これらは、天然産のものに限らず、人工合成したものであってもよい。
イオン交換性層状化合物とは、イオン結合等によって構成される面が互いに弱い結合力で平行に積み重なった結晶構造をとる化合物であり、含有するイオンが交換可能なものをいう。
粘土鉱物の中には、イオン交換性層状化合物であるものもある。
【０００８】
１：１型粘土鉱物としては、カオリナイト、ディッカイト、ハロイサイト、アンチゴナイト、クリソタイル等が挙げられる。
２：１型粘土鉱物としては、モンモリロナイト、ヘクトライト、弗素ヘクトライト、サポナイト、バイデライト、スチブンサイト、バーミキュライト等のスメクタイト類、白雲母、金雲母等の雲母類、弗素白雲母、弗素金雲母、Ｋ型弗素テニオライト、Ｋ型四珪素雲母等の非膨潤性合成雲母類、Ｌｉ型弗素テニオライト、Ｎａ型弗素テニオライト、Ｎａ型弗素四珪素雲母、Ｌｉ型弗素四珪素雲母等の膨潤性合成雲母類、マーガライト、パイロフィライト、タルク、緑泥石等が挙げられる。
好ましくは、２：１型粘土鉱物，即ち、スメクタイト類、膨潤性合成雲母類，更に好ましくは、スメクタイトと呼ばれる粘土鉱物群の使用が好ましく，具体的な鉱物名としては、モンモリロナイト、ヘクトライト、弗素四珪素雲母が挙げられる。
【０００９】
層状化合物としては、有機化粘土を用いることもできる。
有機化粘土とは、前記粘土鉱物の内、層の間に交換性陽イオンを包含する化合物（例えば，スメクタイト類、膨潤性合成雲母等）を各種の有機オニウム塩で置換したものである。
有機化粘土の製法は、公知のインターカレーション方式、例えば、特公昭６１−５４９２号公報，特開昭６０−４２４５１号公報、特願平５−２４５１９９号公報、特願平５−２４５２００号公報及び特開２０００−１６９６８９号公報等に従えばよい。
本発明に用いられる有機オニウムイオンとは、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン、スルホニウムイオン、複素芳香環由来のオニウムイオンに代表されるものである。
該オニウムイオン構造を存在させることにより、負に帯電した珪酸塩層の層間に分子間力の小さい炭化水素構造を導入することができ、有機オニウムイオンの種類には特に制限されない。
これらのうち、入手容易性、安定性の点からは、アンモニウムイオン、ホスホニウムイオン及び複素芳香環由来のオニウムイオンが好適である。
【００１０】
アンモニウムイオンとしては、ドデシルアンモニウム、ヘキサデシルアンモニウム、オクタデシルアンモニウム等の第１級アンモニウム、メチルドデシルアンモニウム、ブチルドデシルアンモニウム、メチルオクタデシルアンモニウム等の第２級アンモニウム、ジメチルドデシルアンモニウム、ジメチルヘキサデシルアンモニウム、ジメチルオクタデシルアンモニウム、ジフェニルドデシルアンモニウム、ジフェニルオクタデシルアンモニウム等の第３級アンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム等の同一のアルキル基を有する第４級アンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルテトラデシルアンモニウム、トリメチルヘキサデシルアンモニウム、トリメチルオクタデシルアンモニウム、トリメチルエイコサニルアンモニウム、トリメチルオクタデセニルアンモニウム、トリメチルオクタデカジエニルアンモニウム等のトリメチルアルキルアンモニウム、トリエチルドデシルアンモニウム、トリエチルテトラデシルアンモニウム、トリエチルヘキサデシルアンモニウム、トリエチルオクタデシルアンモニウム等のトリエチルアルキルアンモニウム、トリブチルドデシルアンモニウム、トリブチルテトラデシルアンモニウム、トリブチルヘキサデシルアンモニウム、トリブチルオクタデシルアンモニウム等のトリブチルアルキルアンモニウム、ジメチルジオクチルアンモニウム、ジメチルジデシルアンモニウム、ジメチルジテトラデシルアンモニウム、ジメチルジヘキサデシルアンモニウム、ジメチルジオクタデシルアンモニウム、ジメチルジオクタデセニルアンモニウム、ジメチルジオクタデカジエニルアンモニウム等のジメチルジアルキルアンモニウム、ジエチルジドデシルアンモニウム、ジエチルジテトラデシルアンモニウム、ジエチルジヘキサデシルアンモニウム、ジエチルジオクタデシルアンモニウム等のジエチルジアルキルアンモニウム、ジブチルジドデシルアンモニウム、ジブチルジテトラデシルアンモニウム、ジブチルジヘキサデシルアンモニウム、ジブチルジオクタデシルアンモニウム等のジブチルジアルキルアンモニウム、メチルベンジルジヘキサデシルアンモニウム等のメチルベンジルジアルキルアンモニウム、ジベンジルジヘキサデシルアンモニウム等のジベンジルジアルキルアンモニウム、トリオクチルメチルアンモニウム、トリドデシルメチルアンモニウム、トリテトラデシルメチルアンモニウム等のトリアルキルメチルアンモニウム、トリオクチルエチルアンモニウム、トリドデシルエチルアンモニウム等のトリアルキルエチルアンモニウム、トリオクチルブチルアンモニウム、トリドデシルブチルアンモニウム等のトリアルキルブチルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム等の芳香環を有する第４級アンモニウム、トリメチルフェニルアンモニウム等の芳香族アミン由来の第４級アンモニウム等のイオンが挙げられ、
ホスホニウムイオンとしては、テトラブチルホスホニウム、テトラオクチルホスホニウム、トリメチルデシルホスホニウム、トリメチルドデシルホスホニウム、トリメチルヘキサデシルホスホニウム、トリメチルオクタデシルホスホニウム、トリブチルドデシルホスホニウム、トリブチルヘキサデシルホスホニウム、トリブチルオクタデシルホスホニウム等の第４級ホスホニウムイオンが挙げられ、複素芳香環由来のオニウムイオンとしては、ピリジニウム、キノリニウム等のイオンが挙げられる。
【００１１】
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物におけるポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されるものではなく、脂肪族、脂環族、芳香族ポリカーボネートのいずれも含むものであるが、芳香族ポリカーボネートが好ましい。
芳香族ポリカーボネートは、多価フェノール類を含むことのある１種以上のビスフェノール類と、ビスアルキルカーボネート、ビスアリールカーボネート、ホスゲン等の炭酸エステル類との反応により製造される。
【００１２】
ビスフェノール類としては、具体的には、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、即ち、ビスフェノールＡ、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フェニルメタン、１１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｓｅｃ−ブチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルプロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジベンジルメタン、４，
４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、フェノールフタレイン等が挙げられる。
この中で代表的なものは、ビスフェノールＡ、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン等であり、最も一般的にはビスフェノールＡが用いられる。
多価フェノール類は、ポリカーボネート系樹脂のレオロジー的性質を変化させたり、表面摩耗性特性を改良する目的で共重合成分として用いられ、例えば、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等のトリスフェノール類等が挙げられる。
また、上記ポリカーボネート系樹脂の主骨格内にポリシロキサン部を有する、ポリカーボネートポリシロキサン共重合体も挙げられる。
【００１３】
本発明のポリカーボネート系樹脂（Ｂ），（Ｂ１）及び（Ｂ２）は同一でも異なっていてもよい。
ポリカーボネート系樹脂（Ｂ１）及び（Ｂ２）の重量平均分子量にもよるが、本発明のポリカーボネート系樹脂組成物（ポリカーボネート系ナノコンポジット）中の末端ＯＨ基は、ベース樹脂のポリカーボネート系樹脂（Ｂ）に対し、好ましくは２０モル％以下であり、特に好ましくは１０モル％以下である。
末端ＯＨ基が２０モル％を超えると、材料としての耐久性に問題を生じたり、黄変などの原因となることがある。
【００１４】
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物は、層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）からなる組成物であって、層状化合物（Ａ）の最大層厚が２０ｎｍ以下であり、５ｎｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以下であることが更に好ましい。
尚、粘土の分子構造にもよるが、層厚の下限は通常１ｎｍである。
最大層厚が２０ｎｍを超えると、分散不良の二次凝集体を形成することがあり、耐衝撃性の大きな低下の因子となることがある。
本発明の方法によると層厚は２０ｎｍ以下となるが、層厚を制御するには、例えば、層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）からマスターバッチを作成する際、生成するポリカーボネートオリゴマーと層状化合物をよく接触させる必要がある。
【００１５】
また、本発明のポリカーボネート系樹脂組成物において、層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ）の総和を１００質量％として、（Ａ）成分が０．１〜５０質量％、好ましくは、１〜２０質量％，更に好ましくは１〜１５質量％である。
層状化合物が０．１質量％以下では、諸物性がベース樹脂のポリカーボネート系樹脂（Ｂ）との差が無く、添加効果が発現し難い。
５０質量％を超えると、成形性に問題がでるほか、ポリカーボネート系樹脂組成物が脆くなり、材料としての基本物性が保持できなくなる。
【００１６】
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物の製造方法は、層状化合物（Ａ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ１）を溶融混練して、マスターバッチ樹脂組成物（Ｃ）とし、更に、該組成物（Ｃ）とポリカーボネート系樹脂（Ｂ２）とを溶融混練するものである。
又、層状化合物（Ａ）１〜６０質量％とポリカーボネート系樹脂（Ｂ１）９９〜４０質量％を溶融混練して、マスターバッチ樹脂組成物（Ｃ）とし、更に、（Ｃ）成分と（Ｂ２）成分の総和を１００質量％とした時、（Ａ）成分が０．１〜５０質量％となるように、該組成物（Ｃ）にポリカーボネート系樹脂（Ｂ２）を加えて溶融混練するものである。
従って、マスターバッチ樹脂組成物（Ｃ）中に占める層状化合物（Ａ）が１〜６０質量％であり、好ましくは２〜３０質量％、更に好ましくは５〜１５質量％である。
また、（Ｃ）成分とポリカーボネート系樹脂（Ｂ２）の総和を１００質量％とした時の、（Ａ）成分が０．１〜５０質量％であり、好ましくは１．０〜２０質量％、更に好ましくは１．０〜１５質量％である。
マスターバッチ樹脂組成物中に占める層状化合物（Ａ）が１質量％未満であると、希釈する際の効率が低下するので、実用的ではなく、６０質量％を超えると、ベース樹脂のポリカーボネート系樹脂（Ｂ）が劣化を引き起こす恐れがある。
更に、（Ｃ）成分と（Ｂ２）成分の総和を１００質量％とした時の、（Ａ）成分が１質量％未満であると、力学的物性の補強が実質なされないほど、ベース樹脂のポリカーボネート系樹脂（Ｂ）との差別化ができず、５０質量％を超えると、
分散不良を招き、使用時の耐久性に問題を生じることがある。
【００１７】
本発明においては、界面補強剤を必要に応じて併用することも可能である。
界面補強剤は、主骨格としてポリカーボネート樹脂部分を有する下記一般式（Ｉ）で表される。
【化１】
2004210852.tif 000002
〔一般式（Ｉ）中、ｅは０〜１の整数。ＲＢ及びＲＣは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−構造、−Ｃ（＝Ｏ）−構造、−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−構造、−Ｃ（ＣＨ２ＯＨ）−構造で表される。
ｅが１である場合には、ＲＢ及びＲＣは、例えば、ＯＨ末端ポリカーボネートと、イソシアネート基、エポキシ基、カルボキシル基、酸ハロゲン化物基等を有する官能基含有化合物との反応で形成される。
また、ｅが０である場合には、ＲＢ及びＲＣは、例えば、官能基含有フェノール等で末端修飾化したことにより、末端は官能基含有フェノキシ基になるためＲＢ及びＲＣはない。〕
尚、一般式（Ｉ）において、ポリカーボネート系樹脂セグメントの両側にある−Ｏ−は、ポリカーボネート系樹脂セグメント中の末端の−Ｏ−を記載したものである。
【００１８】
ＲＡ及びＲＤは、同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立に、下記一般式（II）〜（Ｖ)のいずれかで表される。
一般式（II）
【化２】
2004210852.tif 000003
（式中、ｆは０〜２５の整数、Ｍは炭素原子、珪素原子、硫黄原子、リン原子、チタン原子、ジルコニウム原子である。
Ｍ−Ｒ１、Ｍ−Ｒ２間の結合は、単結合又は二重結合である。
ｈは１〜３の整数、Ｒ１は、酸素原子、ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ハロメトキシ基、アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には同一も異なっていてもよい。
Ｒ２は、水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一であっても異なっていてもよい。）
【００１９】
Ｒ１のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ペンチロキシ基、ヘプチロキシ基、オクチロキシ基等が挙げられる。
Ｒ２の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等の直鎖の炭化水素基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分岐型炭化水素基、フェニル基等芳香環等が挙げられる。
【００２０】
一般式（II）で表される基としては、例えば、［Ｍ＝炭素原子］トリハロメチル基（例：−ＣＦ３）等、ハロアルキル基（例：−ＣＨ２ＣＨ２Ｆ）等、［Ｍ＝珪素原子］トリアルコキシシリルアルキル基（例：−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３）等、［Ｍ＝硫黄原子］ハロスルホニル基（例：ＳＣｌ（＝Ｏ）２）、ベンゼンスルホニル基（例：ＳＰｈ（＝Ｏ）２）、ハロベンゼンスルホニル基（例：Ｓ（Ｃ６Ｈ４Ｆ）（＝Ｏ）２）等、［Ｍ＝リン原子］ジアルコキシホスフィニル基（例：（Ｏ＝）Ｐ（ＯＥｔ）２）等、［Ｍ＝チタン原子］ジアルコキシアルキルチタニウムアルキル基等、［Ｍ＝ジルコニウム原子］トリアルコキシジルコニウムアルキル基等、［Ｒ１＝ハロメチル基（例：トリフルオロメチル基（−ＣＦ）等）］（例：トリス（トリフルオロメチル）シリル基）等、［Ｒ１＝ハロメトキシ基（例：トリフルオロメトキシ基（−ＯＣＦ３）等）］（例：トリス（トリフルオロメトキシ）シリル基）等、［Ｒ１＝ハロアセチル基（例：トリフルオロアセチル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＣＦ３）等）］（例：トリス（トリフルオロアセチル）シリル基）等、［Ｒ１＝イソプロペノキシ基］（例：トリ（イソプロペノキシ）シリル基）等、［Ｒ１＝メチルエチルケトキシイミノ基］（例：トリス（メチルエチルケトキシイミノ）シリル基）等、［Ｒ１＝アルコキシ基（例：メトキシ基、
エトキシ基、プロポキシ基）等］（例：トリメトキシシリルプロピル基、トリエトキシシリルプロピル基、トリプロポキシシリルプロピル基）等、［Ｒ１＝アミノ基（例：ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基）等］（例：トリ（ジメチルアミノ）シリルプロピル基、トリ（ジエチルアミノ）シリルプロピル基）等、［Ｒ２＝炭素数１〜３０の炭化水素基（例：メチル基、エチル基、プロピル基、分岐型炭化水素基（例：ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基）、芳香環（例：フェニル基）］（例：ジメトキシメチルシリルプロピル基、ジメトキシエチルシリルプロピル基、ジメトキシプロピルシリルプロピル基、ジメトキシ（ｉ−プロピル）シリルプロピル基、ジメトキシ（ｔｅｒｔ−ブチル）シリルプロピル基、ジメトキシ（フェニル）シリルプロピル基）等が挙げられる。
これらの中でも、トリアルコキシシリル基が好ましい。
【００２１】
一般式（III）
【化３】
2004210852.tif 000004
（式中、ｉは０〜２５の整数、ｊは１〜５の整数、Ｒ３は、ハロゲン基、水酸基、ハロメチル基、ニトロ基、マレイミド基、シアノ基、ハロメトキシ基、ハロメチルチオ基、ハロアセチル基、アセチル基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には同一であっても、異なっていてもよい。
Ｒ４は、水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよい。）
Ｒ４の炭化水素基としては、Ｒ２の例と同じである。
【００２２】
一般式（III）で表される基としては、例えば、［Ｒ３＝ハロゲン基］ｏ−クロロフェニル基、ｍ−クロロフェニル基、ｐ−クロロフェニル基等のクロロフェニル基、ｏ−クロロフェニルプロピル基等のクロロフェニルプロピル基、上記化合物における塩素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロフェニル基、ハロフェニルアルキル基、［Ｒ３＝シアノ基］ｏ−シアノフェニル基、ｍ−シアノフェニル基、ｐ−シアノフェニル基等のシアノフェニル基、ｏ−シアノフェニルプロピル基等のシアノフェニルアルキル基、［Ｒ３＝ニトロ基］ｏ−ニトロフェニル基、ｍ−ニトロフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基等のニトロフェニル基、ｏ−ニトロフェニルプロピル基等のニトロフェニルアルキル基、［Ｒ３＝マレイミド基］ｏ−マレイミドフェニル基、ｍ−マレイミドフェニル基、ｐ−マレイミドフェニル基等のマレイミドフェニル基、ｏ−マレイミドフェニルプロピル基等のマレイミドフェニルアルキル基、［Ｒ３＝ハロメチル基］ｏ−トリフルオロメチルフェニル基、ｍ−トリフルオロメチルフェニル基、ｐ−トリフルオロメチルフェニル基等のトリフルオロメチルフェニル基、ｏ−フルオロメチルフェニル基、ｍ−フルオロメチルフェニル基、ｐ−フルオロメチルフェニル基等のフルオロメチルフェニル基、ｏ−トリフルオロメチルフェニルプロピル基等のトリフルオロメチルフェニルアルキル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメチルフェニル基、ハロメチルフェニルアルキル基、［Ｒ３＝ハロメトキシ基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｍ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメトキシフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルプロピル基等のトリフルオロメトキシフェニルアルキル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル基、ハロメトキシフェニルアルキル基、［Ｒ３＝ハロメチルチオ基］ｏ−トリフルオロメチルチオフェニル基、ｍ−トリフルオロメチルチオフェニル基、ｐ−トリフルオロメチルチオフェニル基等のトリフルオロメチルチオフェニル基、ｏ−トリフルオロメチルチオフェニルプロピル基等のトリフルオロメチルチオフェニルアルキル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメチルチオフェニル基、ハロメチルチオフェニルアルキル基、［Ｒ３＝ハロアセチル基］ｏ−トリフルオロアセチルフェニル基、ｍ−トリフルオロアセチルフェニル基、ｐ−トリフルオロアセチルフェニル基等のトリフルオロアセチルフェニル基、ｏ−トリフルオロアセチルフェニルプロピル基等のハロアセチルフェニルアルキル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロアセチルフェニル基、ハロアセチルフェニルアルキル基、［Ｒ３＝アセチル基］ｏ−アセチルフェニル基、ｍ−アセチルフェニル基、ｐ−アセチルフェニル基等のアセチルフェニル基、ｏ−アセチルフェニルプロピル基等のアセチルフェニルアルキル基、［Ｒ３＝アルコキシカルボニル基］ｏ−メトキシカルボニルフェニル基、ｍ−メトキシカルボニルフェニル基、ｐ−メトキシカルボニルフェニル基、ｏ−エトキシカルボニルフェニル基、ｍ−エトキシカルボニルフェニル基、ｐ−エトキシカルボニルフェニル基等のアルコキシカルボニルフェニル基、ｏ−メトキシカルボニルフェニルプロピル基等のアルコキシカルボニルフェニルアルキル基、［Ｒ３＝アルコキシ基］ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−エトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エトキシフェニル基、ｏ−プロポキシフェニル基、ｍ−プロポキシフェニル基、ｐ−プロポキシフェニル基例等のアルコキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニルプロピル基等のアルコキシフェニルアルキル基、［Ｒ３＝アミノ基］ｏ−ジメチルアミノフェニル基、ｍ−ジメチルアミノフェニル基、ｐ−ジメチルアミノフェニル基、ｏ−ジエチルアミノフェニル基、ｍ−ジエチルアミノフェニル基、ｐ−ジエチルアミノフェニル基等のジアルキルアミノフェニル基、ｏ−ジメチルアミノフェニルプロピル基等のジアルキルアミノフェニルアルキル基が挙げられる。
【００２３】
これらの中でも、［Ｒ３＝ハロメトキシ基］ｏ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｍ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｐ−トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｍ−ジフルオロメトキシフェニル基、ｐ−ジフルオロメトキシフェニル基等のフルオロメトキシフェニル基等、ｏ−トリフルオロメトキシフェニルプロピル基等のトリフルオロメトキシフェニルアルキル基、上記弗素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたハロメトキシフェニル基、ハロメトキシフェニルアルキル基、［Ｒ３＝アルコキシ基］ｏ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｏ−エトキシフェニル基、ｍ−エトキシフェニル基、ｐ−エトキシフェニル基、ｏ−プロポキシフェニル基、ｍ−プロポキシフェニル基、ｐ−プロポキシフェニル基例等のアルコキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニルプロピル基等のアルコキシフェニルアルキル基が好ましい。
【００２４】
一般式（IV）
【化４】
2004210852.tif 000005
（式中、ｋは０〜５の整数、ｍは１〜３の整数、Ｒ５は、ハロゲン基、水酸基、アセトキシ基、イソプロペノキシ基、メチルエチルケトキシイミノ基、炭素数１〜８のアルコキシ基又は炭素数２〜８のアミノ基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよい。
Ｒ６は、水素原子又は炭素数１〜３０の炭化水素基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよい。）
Ｒ６の炭化水素基としては、Ｒ２の例と同じである。
【００２５】
一般式（IV）で表される基としては、トリ（クロロ）シリル基（-SiCl３）、トリ（ヒドロキシ）シリル基（-Si(OH)３）、トリ（アセトキシ）シリル基（-Si(OCOMe)３）、トリ（イソプロペノキシ）シリル基（-Si(OC(CH2)Me)３)、トリ（メチルエチルケトキシイミノ）シリル基（-Si(ONC(Me)Et)３)、トリ（メトキシ）シリル基（-Si(OMe)３)、トリ（エトキシ）シリル基（-Si(OEt)３)、トリ（ジメチルアミノ）シリル基（-Si(NMe２)３）、トリ（クロロ）シリルプロピル基（-(CH２)３SiCl３）、トリ（ヒドロキシ）シリルプロピル基（-(CH２)３Si(OH)３）、トリ（アセトキシ）シリルプロピル基（-(CH２)３Si(OCOMe)３)、トリ（イソプロペノキシ）シリルプロピル基（-(CH２)３Si(OC(CH２)Me)３)、トリ（メチルエチルケトキシイミノ）シリルプロピル基（-(CH２)３Si(ONC(Me)Et)３)、トリ（メトキシ）シリルプロピル基（-(CH２)３Si(OMe)３)、トリ（エトキシ）シリルプロピル基（-(CH２)３Si(OEt)３)、トリ（ジメチルアミノ）シリルプロピル基（-(CH２)３Si(NMe２)３）等が挙げられる。
これらの中でも、トリ（メトキシ）シリル基、トリ（エトキシ）シリル基、トリ（メトキシ）シリルプロピル基、トリ（エトキシ）シリルプロピル基が好ましい。
【００２６】
一般式（Ｖ）
【化５】
2004210852.tif 000006
（式中、ｎは０〜５の整数、ｐは１〜３の整数。
Ｒ７は、炭素数１〜８のアルコキシ基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよい。
Ｒ８は、水酸基、ハロゲン基又は炭素数１〜１２の炭化水素基であり、複数の場合には同一でも異なっていてもよい。）
Ｒ７のアルコキシ基の例としては、Ｒ１の例と同様である。
また、Ｒ８の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等の直鎖の炭化水素基、ｉ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の分岐型炭化水素基、フェニル基等芳香環等が挙げられる。
【００２７】
一般式(Ｖ)で表される基としては、例えば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリプロポキシシリル基等のトリアルコキシシリル基、ジメトキシメチルシリル基、ジメトキシエチルシリル基、ジメトキシプロピルシリル基、ジエトキシメチルシリル基、ジエトキシエチルシリル基、ジエトキシプロピルシリル基等のジアルコキシアルキルシリル基、メトキシジメチルシリル基、メトキシジエチルシリル基、メトキシジプロピルシリル基、エトキシジメチルシリル基、エトキシジエチルシリル基、エトキシジプロピルシリル基等のアルコキシジアルキルシリル基、ジメトキシフェニルシリル基、ジエトキシフェニルシリル基等のジアルコキフェニルシリル基、メトキシジフェニルシリル基、エトキシジフェニルシリル基等のアルコキシジフェニルシリル基、ジメトキシクロルシリル基、ジエトキシクロルシリル基等のジアルコキシクロルシリル基、上記化合物における塩素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたジアルコキシハロシリル基、メトキシジクロルシリル基、エトキシジクロルシリル基等のアルコキシジクロルシリル基、上記化合物における塩素の部分を他のハロゲン元素で置き換えたアルコキシジハロシリル基、ジメトキシヒドロキシルシリル基、ジエトキシヒドロキシルシリル基等のジアルコキシヒドロキシルシリル基、メトキシジヒドロキシルシリル基、エトキシジヒドロキシルシリル基等のアルコキシジヒドロキシルシリル基が挙げられる。
これらの中でも、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、トリプロポキシシリル基等のトリアルコキシシリル基が好ましい。
【００２８】
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物において、界面補強剤の重量平均分子量は２，０００〜５０，０００であること好ましく、２，０００〜１５，０００であることが更に好ましい。
その使用量は、層状化合物（Ａ）〔質量％〕／界面補強剤〔質量％〕＝０．１〜５０、好ましくは０．１〜３０、更に好ましくは０．１〜１０である。
界面補強剤の重量平均分子量が２，０００〜５０，０００であると、ポリカーボネートと良好な相溶性を示し、かつ製造時の熱劣化が防止できる。
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物は、更に熱可塑性樹脂を配合してなり、層状化合物（Ａ）を０．１〜５０質量％含有すること好ましく、含有量が１．０〜２０質量％であると更に好ましい。
【００２９】
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない限りにおいて、必要に応じ、通常のポリカーボネート系樹脂にブレンドされる熱可塑性樹脂や熱可塑性エラストマー、例えば、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアリーレンスルフィド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、無水マレイン酸変性ポリスチレン樹脂、エポキシ基を有する化合物で変性されたポリスチレン樹脂、芳香族ポリカーボネートポリシロキサン共重合体、ポリエステルエラストマー、酸無水物基又はエポキシ基を有する化合物で変性されたスチレン系熱可塑性エラストマー、アクリルゴム、コア−シェル型アクリルゴム、ＭＢＳゴム等を加えてもよい。
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物には、耐衝撃性付与剤（特開平８−６７８１６号公報）を添加すると、衝撃強度を向上させることもできる。
【００３０】
又、本発明のポリカーボネート系樹脂組成物には、目的に応じて、顔料や染料、熱安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、滑剤、可塑剤、難燃剤、及び帯電防止剤等の添加剤を添加することができる。
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物は、射出成形や、押出成形、熱プレス成形で成形しても良く、ブロー成形にも使用できる。
従って、本発明のポリカーボネート系樹脂組成物は、透明性が維持されかつ機械的特性に優れるフィルムにも利用できる。
そのような成形品やフィルムは外観、機械的特性および耐熱変形性等に優れる為、例えば、自動車部品、家庭用電気製品部品、精密機械部品、家庭日用品、包装・容器資材、電気磁気基材、その他一般工業用資材に好適に用いられる。
【００３１】
本発明において、混練とは、ポリカーボネート系樹脂組成物にせん断力作用させる操作を言う。
その操作には、単軸又は多軸押出機、ニーダー、バンバリーミキサー、ロール、プラストミル等を使用することができる。
回転数としては、１〜３０００ｒｐｍ、好ましくは１０〜１０００ｒｐｍが良い。
回転数が１ｒｐｍ未満では、著しい生産性の低下を招き、実際的でない上に成形機中の滞留時間が大幅に伸びるため、成形機の中でのベース樹脂の劣化が起こる。
３０００ｒｐｍを超えると、滞留時間が不十分で、フィラーの分散が不十分となる。
混練処理圧力としては、０〜４０ＭＰａ、好ましくは、０．１〜１０ＭＰａが挙げられる。
混練処理温度としては、ポリカーボネート系樹脂組成物中のポリカーボネート系樹脂が溶融する温度でよいが、一般に２５０〜３２０℃の範囲、好ましくは２６０〜３００℃がよい。
混練処理温度が２５０℃より未満では、成形時のトルクが大幅に増大し、機械に大きな負担がかる。
３２０℃を超えると、ベース樹脂の劣化が激しくなる。
混練処理時間としては、３０秒〜１時間でよい。
混練処理時には、ポリカーボネート系樹脂組成物を不活性ガス雰囲気下におくことが好ましい。
場合により、スチームを添加したり、減圧下ポリカーボネート系樹脂組成物中の揮発分を除去してもよい。
混練処理後の成形条件は、一般に、成形圧力として２〜４０ＭＰａが挙げられる。
成形温度は、一般に２５０〜３２０℃の範囲、好ましくは２６０〜３００℃がよい。
成形温度が２５０℃より未満では、成形時のトルクが大幅に増大し、機械に大きな負担がかる。
３２０℃を超えると、ベース樹脂の劣化が激しくなる。
成形機としては、押出成形機、射出成形機等を使用し、せん断処理と成形を同時に行うこともできる。
【００３２】
本発明は、マスターバッチを経由する方法が非常に有効である。
その際、前記のように、ポリカーボネート系樹脂中に含有させることができる層状化合物（Ａ）は１〜６０質量％、好ましくは２〜３０質量％、特に５〜１５質量％である。
このマスターバッチを第二段目で、ポリカーボネート系樹脂と混合し、溶融混練・押出を行い、ナノコンポジットとする。
この際、層状化合物（Ａ）がポリカーボネート系樹脂組成物中、０．１〜５０質量％、好ましくは１．０〜２０質量％、更に好ましくは１．０〜１５質量％となるように希釈されることが必要である。
マスターバッチ製造時も、最終組成物製造時も同様の溶融混練条件を用いることができる。
但し、最終混練時、希釈樹脂の形状（パウダー又はペレット）をマスターバッチと合わせておく必要があり、これを行わないと、ホッパー中で樹脂相がお互いに分離してしまう恐れがある。
【００３３】
【実施例】
次に、本発明を実施例により、更に詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例１
（１）ポリカーボネート系樹脂組成物（ナノコンポジット）マスターバッチの製造
有機化ベントナイト（ホージュン社製：Ｓ−Ｂｅｎ Ｅ）１０ｇ及びポリカーボネート（出光石油化学社製：ＦＮ２５００Ａ、ＭＦＲ＝８ｇ／１０分：３００℃、１．２ｋｇ荷重、粘度平均分子量：２５０００）３０ｇ、アデカスタブＰＥＰ３６（旭電化工業（株）製、リン系安定剤）１００ｍｇの混合物を、内容積６０ミリリットルのバッチ式プラストミル（東洋精機社製）を使用し、２８０℃及び回転速度５０ｒｐｍの条件で１５分間、熱せん断処理した。
この混練物を熱時にプレート状に延伸し、切断・粉砕することでマスターバッチを作成した。
このものは、焦熱処理で灰分を測定したところ、１７％であった。
このことは、容易にスケールアップが可能であり、ラボプラストミル二軸押出機でも同じものを作成したところ、温度は２７５℃、５０ｒｐｍの条件で押出すことが好適であった。
（２）ポリカーボネート系樹脂組成物（ナノコンポジット）の製造
上記（１）で製造したマスターバッチ１００ｇとポリカーボネート樹脂（出光石油化学社製：ＦＮ２５００Ａ、上記（１）に同じ）を４８０ｇ、及び安定剤としてＰＥＰ３６を２ｇ、プラスチック袋中で良く振蓋攪拌・混合し、ラボプラストミル二軸押出機で溶融混練した（温度条件２８０℃、１２０ｒｐｍ）。
ダイスから押出された溶融樹脂は、温水（４０℃）が通じている冷却槽に直に導き、ペレタイザーにて粒子化した。
こうして得られた粒子を、１２０℃で８時間乾燥した。
次に、得られたペレットを、成形温度２７０℃、金型温度８０℃において射出成形し、各種試験片とした。
得られたペレットは、焼成処理で灰分を重量測定したところ、５質量％が無機分と判明した。
（３）ポリカーボネート系樹脂組成物（ナノコンポジット）の特徴
上記（２）の工程で得られたポリカーボネート系樹脂組成物の試験片を用いて、下記項目の各性能について性能の評価を行った。
これらの結果を第１表に示す。
【００３４】
▲１▼曲げ弾性率
ＡＳＴＭ  Ｄ  ７９０に準拠し、測定した。
▲２▼引張弾性率・引張破断強度
ＡＳＴＭ  Ｄ  ６３８に準拠し、測定した。
▲３▼アイゾット衝撃強度
ＡＳＴＭ  Ｄ  ２５６に準拠し、試験片として肉圧３．１８ｍｍ（ノッチ付）のものを用い、２３℃において測定した。
▲４▼成形収縮率
ＡＳＴＭ  Ｄ  ９５５に準拠し、測定した。
▲５▼線膨脹係数
ＡＳＴＭ  Ｄ  ６９６に準拠し、測定した。
メルトフローインデックス（ＭＦＲ）
ＡＳＴＭ  Ｄ  １２３８に準拠し、３００℃、１．２ｋｇ荷重の条件で測定し、１０分間に吐出される質量に換算する手法で測定した。
【００３５】
▲６▼分光学的測定による粘土ナノフィラー分散状態の評価
〔広角Ｘ線回折（ＷＡＸＳ）による底面間隔の測定〕
Ｘ線発生装置（リガク電機製ＲＪ２００）を用い、ターゲットＣｕＫα線、モノクロメータ、電圧５０ｋＶ、電流１８０ｍＡ、走査角２θ＝１．５〜４０．０°、ステップ角＝０．１°の測定条件で底面間隔を測定した。
底面間隔は、広角Ｘ線回折ピーク角値をＢｒａｇｇの式に代入して算出した。
この際、広角Ｘ線ピーク角値は１．３°であったことから、間隔は約４０ｎｍと判明した。
有機化粘土（Ｓ−ＢＥＮ Ｅ）は、２θ値が、４．３°（底面間隔は約２１ｎｍ）であったことから、ポリカーボネート系樹脂の分子鎖が粘土の層間に挿入されて底面間隔が拡張された、いわゆる、層間挿入型のナノコンポジットが生成していると判断した。
【００３６】
〔透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による粘土分散状態の測定〕
厚み約１３０ｎｍの超薄切片を用いた。
透過型電子顕微鏡（日本電子ＪＥＭ−１０１０）を用い、加速電圧１００ｋＶで倍率４万倍〜１００万倍で粘土複合体の分散状態を観測撮影した。
１００個以上の分散粒子が存在する領域を選択し、粒子数、層厚および層長を、目盛り付きの定規を用いた手計測又は、必要に応じて米国立衛生研究所のＮＩＨ
Ｉｍａｇｅ  Ｖ．１．５７を用いて処理することにより測定した。
粘土の単層は層厚１ｎｍ、層長約１００ｎｍであるが、全体的に平均して２〜３層（２−３ｎｍ）が積層した、マトリクスのポリマー中に均一分散している状態が観測できた。
【００３７】
比較例１
（１）ポリカーボネート系樹脂組成物（ナノコンポジット）の製造（マスターバッチを経由しない直接溶融混練法）
有機化ベントナイト（ホージュン社製：Ｓ−ＢＥＮ Ｅ）８０ｇ及びポリカーボネート樹脂（出光石油化学製：ＦＮ２５００Ａ）９２０ｇ、アデカスタブＰＥＰ３６（旭電化工業（株）製、リン系安定剤）１ｇの混合物を、ラボプラストミル二軸押出機（東洋精機社製）を使用し、２８０℃及び回転速度１２０ｒｐｍの条件で溶融混練処理した。
ダイスから押出された溶融樹脂は流水が通じている冷却槽に直に導き、ペレタイザーにて粒子化した。
こうして得られた粒子は、１２０℃で８時間乾燥した。
本品は、焼成処理で灰分を重量測定したところ、５質量％が無機分と判明した。
次に、得られたペレットを、成形温度２７０℃、金型温度８０℃において射出成形し、各種試験片とした。
（２）ポリカーボネート系ナノコンポジットの特徴
実施例１と同じ測定項目について、同じ条件下で測定し、これらの結果を第１表に示した。
また、粘土の層厚は４５〜１５０ｎｍであった。
【００３８】
比較例２
ポリカーボネート樹脂（出光石油化学社製：ＦＮ２５００Ａ）１０００ｇに、アデカスタブＰＥＰ３６（旭電化工業（株）製、リン系安定剤）１ｇをドライブレンドし、ラボプラストミル二軸押出機（東洋精機社製）を使用し、２８０℃及び回転速度１２０ｒｐｍの条件で溶融混練処理した。
ダイスから押出された溶融樹脂は流水が通じている冷却槽に直に導き、ペレタイザーにて粒子化した。
こうして得られた粒子は、１２０℃で８時間乾燥した。
このようにして製造したペレットについて、成形温度２７０℃、金型温度８０℃において射出成形し、各種試験片とした。
実施例１と同じ測定項目について、同じ条件下で測定し、これらの結果を第１表に示した。
【００３９】
【表１】
2004210852.tif 000007
【００４０】
【発明の効果】
本発明のポリカーボネート系樹脂組成物では、層状化合物（Ａ）が、厚み２０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下、更に好ましくは２ｎｍ以下に層状化合物が十分に剥離分散しているため、透明性や外観を損なうことなく、無機分低含量で比重の大幅な増加がなく、弾性率等の機械的物性を向上し、その他のポリマーとのアロイ・ブレンド化を行うことができる。
従って、本発明により、製造・成形加工時に分子量低下がなく、かつ成形性が損なわれないないポリカーボネート系樹脂組成物（ナノコンポジット材料）が提供できる。