(57)【要約】【課題】波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線を用いた極微細加工プロセスにおいて、パターン幅や径が１００ｎｍ以下でユニフォーミティー（面内均一性）などの点においても優れる微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線に対して感応性を有するホトレジスト組成物を用いて形成したホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線に対して感応性を有するホトレジスト組成物を用いて形成したホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法。
【請求項２】
被覆形成剤が水溶性ポリマーを含有する、請求項１記載の微細パターンの形成方法。
【請求項３】
水溶性ポリマーがアルキレングリコール系重合体、セルロース系誘導体、ビニル系重合体、アクリル系重合体、尿素系重合体、エポキシ系重合体、メラミン系重合体、およびナイロン系重合体の中から選ばれる少なくとも１種である、請求項２記載の微細パターンの形成方法。
【請求項４】
被覆形成剤が固形分濃度３〜５０質量％の水溶液である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細パターンの形成方法。
【請求項５】
微細パターンが径若しくは幅１００ｎｍ以下のホールパターンまたはトレンチパターンである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細パターンの形成方法。
【請求項６】
熱処理を、基板上のホトレジストパターンに熱流動を起させない温度で加熱して行う、請求項１〜５のいずれか１項に記載の微細パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はホトリソグラフィ技術分野における微細パターンの形成方法に関する。さらに詳しくは、近年の半導体デバイスの集積化、微小化に対応し得る微細パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶デバイス等の電子部品の製造においては、基板にエッチングなどの処理を施すに際し、活性放射線に感応するいわゆる感放射線ホトレジストを用いて基板上に被膜（ホトレジスト層）を設け、次いでこれを活性放射線で選択的に照射して露光し、現像処理を行って、ホトレジスト層を選択的に溶解除去して基板上に画像パターン（ホトレジストパターン）を形成し、これを保護層（マスクパターン）として基板にホールパターン、トレンチパターン等のコンタクト用パターンなどの各種パターンを形成するホトリソグラフィー技術が用いられている。
【０００３】
近年、半導体デバイスの集積化、微小化の傾向が高まり、これらパターンの形成についてもより一層の微細化が要求されている。これに伴い、マスクパターン形成に用いられる活性光線も、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーザー光や、電子線（ＥＢ線）などの短波長の照射光が利用され、マスクパターン形成材料としてのホトレジスト材料についても、これらの照射光に対応した物性をもつものの研究・開発が行われている。
【０００４】
特に最近では、波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光（例えばＡｒＦ、Ｆ２エキシマレーザー光）または電子線を用いた極微細加工プロセスの開発が精力的に進められており、これら極短波長光線対応ホトレジスト材料を用いてより微細な高精度のホトレジストパターンを形成することが重要な課題となっている。
【０００５】
これら極短波長光線対応ホトレジスト材料を用いた既存のパターンの形成方法としては、例えば、シリコンウェーハ上に当該極短波長光線対応ホトレジスト組成物を塗布、乾燥してホトレジスト層を形成し、該ホトレジスト層に波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線を選択的に照射し、その後アルカリ現像液にて現像を行い、パターンを形成する方法が代表的方法として挙げられる。
【０００６】
しかしながら上記既存の方法では、幅や径が１００ｎｍ以下の微細パターンを形成するのが困難であり、たとえ幅や径が１００ｎｍ以下の微細パターンが形成された場合であっても、このような微細なパターンにおいてはパターン寸法にバラツキを生じやすく、ユニフォーミティー（面内均一性）の点などにおいて問題があり、実用上、半導体製造に適さないことがほとんどである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線を用いた極微細加工プロセスにおいて、パターン幅や径が１００ｎｍ以下でユニフォーミティー（面内均一性）などの点においても優れる微細パターンの形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線に対して感応性を有するホトレジスト組成物を用いて形成したホトレジストパターンを有する基板上に、パターン微細化用被覆形成剤を被覆した後、熱処理により該被覆形成剤を熱収縮させ、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間の間隔を狭小せしめ、次いで上記被覆形成剤を除去する工程を含む、微細パターンの形成方法を提供する。
【０００９】
上記において、熱処理を、基板上のホトレジストパターンに熱流動を起させない温度で加熱して行うのが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳述する。
【００１１】
本発明において、ホトレジストパターンの材料となるホトレジスト用組成物は、波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光（ＡｒＦ、Ｆ２等のエキシマレーザーなど）または電子線に対して感応性を有するものが用いられる。
【００１２】
このようなホトレジスト用組成物としては、露光あるいは電子線描画により酸を発生する酸発生剤を含む化学増幅型のものが好ましく、例えば、ポリヒドロキシスチレン単位および３級アルキルエステル化された保護基を有する（メタ）アクリレート単位を少なくとも有するポリマーと、酸発生剤を含む化学増幅型ポジ型ホトレジストや、少なくとも１つの多環式炭化水素基を側鎖に有し、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する（メタ）アクリレート単位を構成単位として含むポリマーと、酸発生剤を含む化学増幅型ポジ型ホトレジスト、等が挙げられるが、これら例示に限定されるものでないことはもちろんである。
【００１３】
本発明で用いるホトレジストパターンを有する基板の作製は、半導体デバイスの製造において用いられる常法により行うことができる。例えば、シリコンウェーハ等の基板上に、上記波長２００ｎｍ以下の短波長光線または電子線に感応性を有するホトレジスト用組成物を、スピンナーなどで塗布、乾燥してホトレジスト層を形成した後、縮小投影露光装置等により、エキシマレーザー光などの活性光線を所望のマスクパターンを介して照射するか、あるいは電子線により描画した後、加熱し、次いでこれを現像液、例えば１〜１０質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液等のアルカリ性水溶液などを用いて現像処理することによって、基板上にホトレジストパターンを形成することができる。
【００１４】
従来、波長２００ｎｍ以下の短波長の活性光線、電子線を用いてのパターン形成では、当該工程の段階では、幅や径が１００ｎｍ以下のパターンを形成することは難しかった。本発明方法では、さらに以下の工程を含み、これら後続の工程を含むことにより、１００ｎｍ以下という極めて微細なパターンの形成も、面内均一性を維持しつつ、行うことができた。
【００１５】
ａ．被覆形成剤塗布工程
上述のようなマスクパターンとしてのホトレジストパターンを有する基板上全面に亘って、パターン微細化用被覆形成剤を塗布し被覆する。なお、被覆形成剤を塗布した後に、８０〜１００℃の温度で３０〜９０秒間、基板にプリベークを施してもよい。
【００１６】
被覆方法は従来の熱フロープロセスにおいて通常行われていた方法に従って行うことができる。すなわち、バーコーター法、ロールコーター法、スピンナーを用いた回転塗布方法等の公知の塗布手段により、上記パターン微細化用被覆形成剤の水溶液を、基板上に塗布する。
【００１７】
本発明に用いられる被覆形成剤は、基板上に設けられたホトレジストパターンの間に画定された、ホールパターン、トレンチパターンなどに代表されるパターンを被覆するためのものであって、その熱収縮作用によって、上記ホトレジスト間に画定されたパターンの広さ、幅を狭小ならしめて、微小なパターンを形成するのに用いられるものである。
【００１８】
このような被覆形成剤として、水溶性ポリマーを含有するものが好ましく用いられる。
【００１９】
上記水溶性ポリマーは、室温で水に溶解し得るポリマーであればよく、特に制限されるものでないが、アクリル系重合体、ビニル系重合体、セルロース系誘導体、アルキレングリコール系重合体、尿素系重合体、メラミン系重合体、エポキシ系重合体、アミド系重合体などが好ましく用いられる。
【００２０】
アクリル系重合体としては、例えば、アクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン等の単量体を構成成分とする重合体または共重合体が挙げられる。
【００２１】
ビニル系重合体としては、例えば、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルイミダゾリジノン、酢酸ビニル等の単量体を構成成分とする重合体または共重合体が挙げられる。
【００２２】
セルロース系誘導体としては、例えばヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロール、セルロールアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース等が挙げられる。
【００２３】
アルキレングリコール系重合体としては、例えば、エチレングリコール、プロピレンググリコール等の付加重合体または付加共重合体などが挙げられる。
【００２４】
尿素系重合体としては、例えば、メチロール化尿素、ジメチロール化尿素、エチレン尿素等を構成成分とするものが挙げられる。
【００２５】
メラミン系重合体としては、例えば、メトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミン、メトキシエチル化メラミン等を構成成分とするものが挙げられる。
【００２６】
さらに、エポキシ系重合体、ナイロン系重合体などの中で水溶性のものも用いることができる。
【００２７】
中でも、アルキレングリコール系重合体、セルロース系重合体、ビニル系重合体、アクリル系重合体の中から選ばれる少なくとも１種を含む構成とするのが好ましく、特には、ｐＨ調整が容易であるという点からアクリル系重合体が最も好ましい。さらには、アクリル系重合体以外の水溶性ポリマーとの共重合体とすることが、加熱処理時にホトレジストパターンの形状を維持しつつ、ホトレジストパターン間隔の収縮効率を高くすることができるという点から好ましい。水溶性ポリマーは１種または２種以上を用いることができる。
【００２８】
水溶性ポリマーは、共重合体として用いた場合、構成成分の配合比は特に限定されるものでないが、特に経時安定性を重視するなら、アクリル系重合体の配合比を、それ以外の他の構成重合体よりも多くすることが好ましい。なお、経時安定性の向上は、アクリル系重合体を上記のように過多に配合する以外に、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の酸性化合物を添加することにより解決することも可能である。
【００２９】
被覆形成剤にはさらに、水溶性アミンを配合してもよい。水溶性アミンとしては、２５℃の水溶液におけるｐＫａ（酸解離定数）が７．５〜１３のアミン類が、不純物発生防止、ｐＨ調整等の点から好ましく用いられる。具体的には、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；トリエチルアミン、２−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等が挙げられる。中でも、沸点１４０℃以上（７６０ｍｍＨｇ）のものが好ましく、例えばモノエタノールアミン、トリエタノールアミン等が好ましく用いられる。
【００３０】
水溶性アミンは、被覆形成剤（固形分）に対して０．１〜３０質量％程度の割合で配合するのが好ましく、特には２〜１５質量％程度である。０．１質量％未満では経時による液の劣化が生じるおそれがあり、一方、３０質量％超ではホトレジストパターンの形状悪化を生じるおそれがある。
【００３１】
また本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤には、ホトレジストパターン寸法の微細化、ディフェクトの発生抑制などの点から、所望により、さらに非アミン系水溶性有機溶媒を配合してもよい。
【００３２】
かかる非アミン系水溶性有機溶媒としては、水と混和性のある非アミン系有機溶媒であればよく、例えばジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、グリセリン、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、２，３−ブチレングリコール等の多価アルコール類およびその誘導体が挙げられる。中でも、ホトレジストパターン寸法の微細化、ディフェクト発生抑制の点から多価アルコール類およびその誘導体が好ましく、特にはグリセリンが好ましく用いられる。非アミン系水溶性有機溶媒は１種または２種以上を用いることができる。
【００３３】
非アミン系水溶性有機溶媒を配合する場合、水溶性ポリマーに対して０．１〜３０質量％程度の割合で配合するのが好ましく、特には０．５〜１５質量％程度である。上記配合量が０．１質量％未満ではディフェクト低減効果が低くなりがちであり、一方、３０質量％超ではホトレジストパターンとの間でミキシング層を形成しがちとなり、好ましくない。
【００３４】
被覆形成剤にはさらに、塗布均一性、面内均一性等の点から、所望により、界面活性剤を配合することができる。
【００３５】
界面活性剤としては、上記水溶性ポリマーに添加した際、溶解性が高く、懸濁を発生せず、ポリマー成分に対する相溶性がある、等の特性を有するものが好ましく用いられる。このような特性を満たす界面活性剤を用いることにより、特に被覆形成剤を塗布する際の気泡（マイクロフォーム）発生と関係があるとされる、ディフェクトの発生を効果的に防止することができる。
【００３６】
上記の点から、本発明に用いられる界面活性剤としては、Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤、第４級アンモニウム塩系界面活性剤、およびポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤の中から選ばれる少なくとも１種が好ましく用いられる。
【００３７】
Ｎ−アルキルピロリドン系界面活性剤としては、下記一般式（Ｉ）
【００３８】
2004078034.tif 000002
【００３９】
（式中、Ｒ１は炭素原子数６以上のアルキル基を示す）
で表されるものが好ましい。
【００４０】
かかるＮ−アルキルピロリドン系界面活性剤として、具体的には、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−へプチル−２−ピロリドン、Ｎ−オクチル−２−ピロリドン、Ｎ−ノニル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−デシル−２−ピロリドン、Ｎ−ウンデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ドデシル−２−ピロリドン、Ｎ−トリデシル−２−ピロリドン、Ｎ−テトラデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ペンタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキサデシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプタデシル−２−ピロリドン、Ｎ−オクタデシル−２−ピロリドン等が挙げられる。中でもＮ−オクチル−２−ピロリドン（「ＳＵＲＦＡＤＯＮＥ　ＬＰ１００」；ＩＳＰ社製）が好ましく用いられる。
【００４１】
第４級アンモニウム系界面活性剤としては、下記一般式（ＩＩ）
【００４２】
2004078034.tif 000003
【００４３】
〔式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立にアルキル基またはヒドロキシアルキル基を示し（ただし、そのうちの少なくとも１つは炭素原子数６以上のアルキル基またはヒドロキシアルキル基を示す）；Ｘ−は水酸化物イオンまたはハロゲンイオンを示す〕
で表されるものが好ましい。
【００４４】
かかる第４級アンモニウム系界面活性剤として、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、トリデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ペンタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、へプタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、オクタデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。中でも、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく用いられる。
【００４５】
ポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、下記一般式（ＩＩＩ）
【００４６】
2004078034.tif 000004
【００４７】
（式中、Ｒ６は炭素原子数１〜１０のアルキル基またはアルキルアリル基を示し；Ｒ７は水素原子または（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）Ｒ６（ここでＲ６は上記で定義したとおり）を示し；ｎは１〜２０の整数を示す）
で示されるものが好ましい。
【００４８】
かかるポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤としては、具体的には「プライサーフＡ２１２Ｅ」、「プライサーフＡ２１０Ｇ」（以上、いずれも第一工業製薬（株）製）等として市販されているものを好適に用いることができる。
【００４９】
界面活性剤を配合する場合、被覆形成剤（固形分）に対して０．１〜１０質量％程度の割合で配合するのが好ましく、特には０．２〜２質量％程度である。上記範囲内で配合することにより、塗布性の悪化に起因する、面内均一性の低下に伴うパターンの収縮率のバラツキ、あるいはマイクロフォームと呼ばれる塗布時に発生する気泡に因果関係が深いと考えられるディフェクトの発生といった問題を効果的に予防し得る。
【００５０】
本発明に用いられる被覆形成剤は、固形分濃度３〜５０質量％の水溶液として用いるのが好ましく、固形分濃度５〜３０質量％の水溶液として用いるのが特に好ましい。固形分濃度が３質量％未満では基板への被覆不良となるおそれがあり、一方、５０質量％超では、濃度を高めたことに見合う効果の向上が認められず、取扱い性の点からも好ましくない。
【００５１】
なお、本発明に用いられるパターン微細化用被覆形成剤は、上記したように溶媒として水を用いた水溶液として通常用いられるが、水とアルコール系溶媒との混合溶媒を用いることもできる。アルコール系溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール等の１価アルコール等が挙げられる。これらのアルコール系溶媒は、水に対して３０質量％程度を上限として混合して用いられる。
【００５２】
ｂ．熱処理（熱収縮）工程
次いで熱処理を行って、被覆形成剤からなる塗膜を熱収縮させる。この塗膜の熱収縮力の影響を受けて、該塗膜に接するホトレジストパターンの寸法が、塗膜の熱収縮相当分大きくなり、ホトレジストパターンが幅広・広大となり、ホトレジストパターン間の間隔が狭められる。このホトレジストパターン間の間隔は、すなわち、最終的に得られるパターンの径や幅を規定することから、これによりホールパターンの径やトレンチパターンの幅を狭小化、幅狭化させることができ、パターンの微細化を行うことができる。
【００５３】
加熱温度は、被覆形成剤からなる塗膜の熱収縮を起こし得る温度であって、パターンの微細化を行うに十分な温度であれば、特に限定されるものでないが、ホトレジストパターンに熱流動を起させない温度で加熱するのが好ましい。ホトレジストパターンに熱流動を起させない温度とは、被覆形成剤からなる塗膜の形成がされてなく、ホトレジストパターンだけを形成した基板を加熱した場合、該ホトレジストパターンに寸法変化を生じさせない温度をいう。このような温度での加熱処理により、プロフィルの良好な微細パターンの形成をより一層効果的に行うことができ、また特にウェーハ面内におけるデューティ（Ｄｕｔｙ）比、すなわちウェーハ面内におけるパターン間隔に対する依存性を小さくすることができる等の点において極めて効果的である。
【００５４】
本発明では、ホトレジスト材料よりも低い軟化点をもつ被覆形成剤材料が好ましく用いられる。
【００５５】
現在のホトリソグラフィー技術において用いられる種々のホトレジスト組成物の軟化点を考慮すると、好ましい加熱処理は通常、８０〜１６０℃程度の温度範囲で、ただしホトレジストが熱流動を起さない温度で、３０〜９０秒間程度行われる。
【００５６】
ｃ．被覆形成剤除去工程
この後、パターン上に残留する被覆形成剤からなる塗膜は、水系溶剤、好ましくは純水により１０〜６０秒間洗浄することにより除去する。なお、水除去に先立ち、所望によりアルカリ水溶液（例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、コリンなど）で除去処理をしてもよい。本発明に係る被覆形成剤は、水での洗浄除去が容易で、かつ、基板およびホトレジストパターンから完全に除去することができる。
【００５７】
そして基板上に、幅広・広大となったホトレジストパターンの間に画定された、微小化されたパターンを有する基板が得られる。
【００５８】
本発明により得られる微細パターンは、これまでの方法によって得られる解像限界よりもより微細なパターンサイズを有するとともに、良好なプロフィルを有し、所要の要求特性を十分に満足し得る物性を備えたものである。
【００５９】
なお、上記ａ．〜ｃ．工程を複数回、繰返して行ってもよい。このようにａ．〜ｃ．工程を複数回繰返すことにより、ホトレジストパターンを徐々に幅広・広大とすることができる。また被覆形成剤として、水溶性ポリマーを含有したものを用いることにより、複数回の水洗除去作業においても、その都度完全に被覆形成剤を除去することができることから、厚膜のホトレジストパターンを有する基板を用いた場合でも、パターン崩れや変形を生じることなく、良好なプロフィルの微細パターンを形成することができる。
【００６０】
本発明が適用される技術分野としては、半導体デバイス製造等の分野が挙げられる。
【００６１】
【実施例】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、配合量は特記しない限り質量％である。
【００６２】
（実施例１）
ポリアクリレート（ＰＡＡ）およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）を含有するコポリマー（ＰＡＡ：ＰＶＰ＝２：１（重合比））６．３６ｇ、トリエタノールアミン０．５７ｇ、およびポリオキシエチレンのリン酸エステル系界面活性剤（「プライサーフ　Ａ２１０Ｇ」；第一工業製薬（株）製）０．０７ｇを水９３ｇに溶解して被覆形成剤を調製した。
【００６３】
一方、基板上に電子線に対して感応性をもつホトレジストとして、ポリヒドロキシスチレン：ｔｅｒｔ−ブチルアクリレートを重合比７０：３０で含有するコポリマー１０ｇ、パーフルオロスルホニウムトリフェニルサルフェイト塩を１．０ｇ、トリブチルアミン０．００９ｇ、サリチル酸０．００５ｇおよび界面活性剤（「ＸＲ−１０４」；大日本インキ（株）製）０．００６ｇを乳酸エチル８９ｇに溶解させ調製した。
【００６４】
基板上に前記ホトレジストを回転塗布し、１４０℃で９０秒間ベーク処理し、膜厚０．４０μｍのホトレジスト層を形成した。
【００６５】
該ホトレジスト層に対して、露光装置（「ＨＬ−８００Ｄ」；日立計測器（株）製）を用いて描画処理し、１３０℃にて９０秒間加熱処理を施し、２．３８質量％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）水溶液を用いて現像処理してホトレジストパターンを形成した。このホトレジストパターンの形成により、パターン径１００ｎｍのホールパターンを得た。
【００６６】
次に、このホールパターン上に、前記被覆形成剤を塗布し、１２０℃で６０秒間加熱処理し、該ホールパターンの微細化処理を行った。続いて２３℃で純水を用いて被覆形成剤を除去した。そのときのホールパターンのパターン径は６５ｎｍであった。該微細化されたパターンの径の±１０％分以上に相当する６．５ｎｍ以上のパターン寸法のバラツキがあるものは観察されず、面内均一性に優れるものであった。
【００６７】
（比較例１）
上記実施例１で用いたホトレジストを用いて、被覆形成剤を用いたパターンの微細化処理を行わなかった以外は、実施例１と同様の操作でホトレジストパターンの形成処理を行い、パターン径１００ｎｍのホールパターンを得た。このとき面内にはパターン径の±１０％分以上に相当する１０ｎｍ以上のパターン寸法のバラツキが発生し、著しく歩留まりの低下を引起すおそれがあった。
【００６８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、波長２００ｎｍ以下の高エネルギー光または電子線を用いた極微細加工プロセスにおいて、パターン幅や径が１００ｎｍ以下で、しかもユニフォーミティー（面内均一性）などの点においても優れる微細パターンの形成方法が提供される。