(57)【要約】【課題】所定の方向で力もしくは圧力を測定するために小さく、センサエレメントが測定場所に対し熱的に遮断されるかもしくは熱的なストレスが減退させられた装置を提供すること。【解決手段】主基体面（２２）を有する基体（２０）が設けられ、力もしくは圧力を測定する前記方向（２５）が前記主基体面（２２）に対し平行に設定されていること。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の方向（２５）でセンサエレメントを用いて力を測定するための装置であって、前記センサエレメントが主基体面（２２）を備えた基体（２０）を有している形式のものにおいて、力を測定する前記所定の方向（２５）が前記主基体面（２２）に対し平行に設定されていることを特徴とする、力を測定するための装置。
【請求項２】
前記センサエレメントが前記基体（２０）に、前記主基体面（２２）に対し垂直な切欠き（４０）を備えている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
センサエレメントを用いて力を測定するための装置であって、前記センサエレメントが基体（２０）を有し、該基体（２０）が主基体面（２２）を備えている形式のものにおいて、前記センサエレメントが緊張ゾーン（３０）と弱化ゾーン（４０）とを有し、前記緊張ゾーン（３０）がほぼ前記基体（２０）の全厚さ（２７）に亘って、前記主基体面（２２）に対し垂直に設けられており、前記弱化ゾーン（４０）が同様にほぼ前記基体（２０）の全厚さ（２７）に亘って。前記主基体面（２２）に対し垂直に設けられていることを特徴とする、力を測定するための装置。
【請求項４】
前記緊張ゾーン（３０）と前記弱化ゾーン（４０）とが前記主基体面（２２）に隣り合って設けられている、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記弱化ゾーン（４０）が前記基体における切欠き（４０）として、前記主基体面（２２）に対し垂直な方向（２６）で設けられている、請求項３又は４記載の装置。
【請求項６】
前記切欠き（４０）が、前記基体（２０）の全厚さ（２７）に亘って、切欠き（４０）として前記主基体面（２２）に対し垂直に設けられている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記切欠き（４０）が前記基体（２０）を通る孔として前記主基体面（２２）に対して垂直な方向（２６）に設けられている、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
前記切欠き（４０）がほぼ長方形に設けられている、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
前記緊張ゾーン（３０）が前記基体（２０）の縁に設けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
前記緊張ゾーン（３０）にて力導入エレメント（５０，５１，５２）が前記基体（２０）と一体に結合されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
前記力導入エレメント（５０，５１，５２）が先細部（５０）として又は楔体（５１）として又は３角形体（５０）として設けられているか又は板ばね状の構造体（５２）として設けられ、該板ばね状の構造体（５２）が前記緊張ゾーン（３０）、前記切欠き（４０）及び前記力導入エレメントを有している、請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記力導入エレメント（５０，５１，５２）が前記緊張ゾーン（３０）の中央に設けられている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
前記基体（２０）が半導体材料から成っている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
前記基体（２０）が少なくとも１部領域にてシリコンオンインシュレータ材料から又はシリコンカーバイトオンインシュレータ材料から成っている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】
前記センサエレメントがマイクロメカニック式のセンサエレメントとして設けられかつ／又は前記基体（２０）の上に統合された評価電子装置が設けられている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１６】
請求項１から１５までのいずれか１項記載の力を測定するための装置を用いて圧力を測定する装置において、測定面（３１１）が設けられ、測定しようとする圧力が前記測定面（３１１）に対する圧力の測定を介して測定されることを特徴とする、圧力を測定する装置。
【請求項１７】
圧力センサ、特に内燃機関の燃焼室における圧力を測定する圧力センサにおいて、当該圧力センサ（１１）が請求項１から１６までのいずれか１項記載の装置を有していることを特徴とする、圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は独立請求項の上位概念として記載されている装置もしくは圧力センサから出発している。中空室の上側に設けられた、例えば金属又は例えば半導体材料から成るダイヤフラムが力の作用もしくは圧力の作用によって偏位させられ、該ダイヤフラムの偏位が例えば伸び測定条片（ストレーンゲージ）によって測定可能である圧力センサもしくは力センサはすでに公知である。この場合には通常は、主基体面を有する基体が設けられており、測定しようとする力が主基体面に対し垂直に設定された方向で基体に作用する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、冒頭に述べた装置のセンサエレメントを小さく構成し、ひいては全体として本発明の装置を小さく構成することである。
【０００３】
【課題を解決するための手段】
本発明の課題は主基体面を有する基体が設けられ、力を測定するための所定の方向が主基体面に対して平行に設定されていることにより解決された。
【０００４】
【発明の利点】
主基体面を有する基体が設けられ、力を測定する所定の方向が前記主基体面に対し平行に設定されることにより、一方では本発明の装置のセンサエレメントを小さく構成することができるようになる。さらにこれによって測定の場所に対するセンサエレメントの熱的な遮断もしくは熱的なストレス減退を達成することが可能になった。通常の走行運転で燃焼室圧が測定可能であることにより機関管理の新しい可能性が開かれるようになった。燃焼室圧をベースとした機関管理システムには多様な有効性、例えば特にディーゼル機関において有害物質の放出と騒音レベルの減退が期待されている。さらに機関欠陥の認識と回避を目的とした機関のオンライン診断も有意義である。燃焼室における極端な条件に基づき従来の、大量生産された（高）圧力センサには物理的な限界がある。燃焼室内の温度は１０００℃を越える。この温度はシリンダ壁に熱的に連結されることでセンサ先端では３５０℃よりも低い温度に低減させられることができる。最新型の４弁型機関のシリンダヘッドにおける空間的な狭さに基づきセンサの構成寸法も著しく制限される。したがってセンサのヘッドは既に２弁型機関の場合に、少なくとも２０ｍｍの構成長さに亘って最大４ｍｍの直径を越えないようにしたい。４弁型機関の場合には１００ｍｍまでの長さ及びそれを越える長さが議論の対象となる。したがって構成長さはヴァリエーションに要求される多様性に基づき任意に選択できる必要がある。ディーゼル機関の場合には検出しようとする圧力領域は最大２００ｂａｒ＋約１００ｂａｒの破壊圧安全リザーブである。さらにシリンダヘッドには３０ｇまでの横加速が作用する。信頼性の理由からセンサは−４０℃から３００℃までの温度変化に３００００回まで、機能減退なしで又は故障なしで耐えることが要求される。さらに、このようなセンサの能力を好適に活用するためには２０ｋＨｚまでの動的解像が要求される。
【０００５】
３５０℃までの温度では、可能な電子的な変換原理（圧電式、圧電抵抗式等）の使用は強く制限される。特にシリコンをベースとした通常のエレクトロニクスはもはや使用することはできない。何故ならばこれは最大１５０℃までしか有意義には働かないからである。従ってポリシリコンストレーンゲージ又はシリコンに拡散された従来の圧電抵抗を使用することはできない。寸法の制限と達成可能な比較的にわずかな信号は、金属薄膜センサエレメントの使用を妨げる。さらに実地においては燃焼室圧センサにポンチを設け、該ポンチが燃焼室の内外のダイヤフラムの行程を低温領域のマイクロメカニック式圧力センサに伝達し、燃焼室の縁部の高温領域から低温領域へ機械電気的な信号変換が移されるようにすることはできない。何故ならばこの場合には２０ｋＨｚの必要な動作に基づき原則的にはポンチ長さひいては全幾何学的形状の制限を考慮する必要があるからである。直径が＜４ｍｍである要求された幾何学的な構成は２５ｍｍ以上の構成長さに亘っては実現できない。何故ならばすでにこのようなポンチとケーシングとにおいては約５ｋＨｚで曲げ振動が発生するからである。したがって本発明による力を測定するためもしくは圧力を測定するための装置もしくは圧力センサは、燃焼室圧センサの技術的問題の電子的な解決を提供するという利点を有している。この場合、本発明の装置は最小の空間に対し提供されることができる。燃焼室ダイヤフラムにて直接もしくは燃焼室ダイヤフラムの比較的に近くで行われる信号変換によっては連結部材を使用した場合の幾何学的な制限が回避され、これによりヴァリエーションの多様性が可能にされる。
【０００６】
ＳＯＩ材料（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を使用することにより、３５０℃を越える耐温性が充たされるようになる。これは、測定しようとする圧力のゾーンに比較的に近くセンサエレメントを近づけることを可能にし、燃焼室からセンサエレメントへの圧力の伝達による誤差の程度が少なくなるという利点をもたらす。基体材料としてもしくはセンサエレメントの材料としてシリコンカーバイトオンインシュレータを使用することによってセンサエレメントを約５００℃の温度まで熱的に負荷することができるようになる。
【０００７】
さらに本発明によるセンサエレメントの基体は測定面に対し起立して組込まれることが有利である。この場合、起立して組込まれることは、測定しようとする力の方向もしくは測定しようとする圧力に相当する力の方向が基体の主基体面に対し垂直に作用ししていることを意味する。これにより有利な形式で、必要である組込み面を減じ、その際に同時に背後からの接触、つまりダイヤフラムの、燃焼室とは反対側における接触の可能性が与えられる。本発明による構造ではＳＯＩチップは規定された個所にて完全に分離され、しかもウェーハ厚さ全体に亘って分離される。これにより起立した構成でかつ主基体面に対して平行に力が作用させられる曲げビームが生じる。
【０００８】
本発明によれば有利な形式で、曲げビームをＳＯＩ材料からマイクロメカニック式の曲げビームとして最大の信号活用のために形成することが可能である。本発明によれば曲げビーム内に伸び抵抗を設けることができる。
【０００９】
さらに有利な形式で、規定された力の連結のために、突起もしくは突起の種々のヴァリエーションを設けることができる。これにより、本発明による装置を、ダイヤフラムに対するシリコンチップの支持面を最大にして、ひいてはダイヤフラムとチップとの間の温度伝達を最大にして構成することができる。さらにこの場合には、燃焼室側にて支持される機体部分が比較的に高い温度抵抗を、基体狭窄（突起）と減少させられた接触領域とによって有しており、センサエレメントが燃焼室側からの高すぎる温度負荷に対し保護されていることが有利である。
【００１０】
さらに特にセンサエレメントの配置により、必要に応じてＳＯＩセンサチップの上に１次的なセンサ信号のための高温安定の評価電子装置を一緒に統合することが可能になる。
【００１１】
さらに本発明による装置と本発明による圧力センサとによっては、これらがマイクロメカニック式の標準プロセスを使用して製作可能で、この結果、装置が安価にかつ丈夫に、特に製作誤差に関して有利に製作可能であるという利点が得られる。
【００１２】
さらに本発明による装置においてはＳＯＩチップの上もしくはＳＯＩチップ内に圧電抵抗式の信号変換のために単結晶のシリコンを設けることが有利である。これにより高いＫ係数と、−基体切欠きのないチップの力負荷に比較して敏感な曲げビームの配置と関連して−高い１次測定信号とが実現されることができる。これにより本発明により有利な形式で１次測定信号を大きな距離に亘って案内することが実現され、現場で増強することは必然的ではなくなった。これは長い距離に亘る信号案内を必要とする長い、細身のセンサ構造におけるヴァリエーションの多様性に関して特に有利である。
【００１３】
さらに本発明による装置において有利であることはわずかな基板重量もしくはわずかなセンサエレメント重量が使用されていることである。これは特にマイクロメカニックの使用によって可能であり、これにより１００ｋＨｚよりも著しく大きい高い固有振動周波数が得られる。
【００１４】
以下、図面に示された本発明の実施例について詳細に説明する。
【００１５】
【実施例】
図１の上方部分には力を測定するためもしくは圧力を測定するための装置が示され、符号１０が付けられている。図１の下方部分には同様に装置１０が示されているが、平面図で示されている。この場合、当該装置は図１の上方部分では斜視図で示されている。本発明の装置１０は基体２０を有し、該基体２０は主基体面２２を有している。基体２０は厚さ２７を有し、この場合、厚さ２７は基体表面全体に亘って一様に設けられていなければならないことはない。本発明の装置１０は力を測定するためもしくは圧力を測定するために用いられる。この場合には測定面が設けられ、該測定面を介し圧力の測定が力の測定に変えられることができる。この場合、力は所定の方向でセンサエレメント１０へ導入される。この場合、前記力は図１にて符号Ｆで示され、センサエレメント１０への所定の方向は図１においては符号２５で示されている。本発明の装置は、力を測定するためもしくは圧力を測定するための公知の装置とは特に、力Ｆを導入するための所定の方向が主基体面２２に対し平行に設定されていることで異なっている。このためにセンサエレメント１０はその基体２０に、図１の下方部分にて符号３０で示した緊張ゾーンを有し、図１の上方部分と下方部分とにて符号４０で示された、弱化ゾーンを有している。前記緊張ゾーン３０と前記弱化ゾーン４０は、力Ｆが矢印２５の方向で基体２０へ導入された場合に、緊張ゾーン３０にて機械的な応力が導入され、この応力で緊張ゾーンが通常は機械的に軽く曲げられるように協働する。この曲げは別の図面に示された、曲げ測定手段、例えば圧電抵抗を用いて測定されることができる。緊張ゾーン３０が曲げられることができるためには、弱化ゾーン４０が存在していることが必要である。すなわち、基体２０は弱化ゾーン４０にて前記方向２５では他の領域よりも小さい抵抗を有している。弱化ゾーン４０におけるセンサエレメントの強度の弱化は特に、弱化ゾーン４０が切欠きを有していることで達成される。この場合、切欠きは特に基体２０の全厚さ２７を貫く透かし孔として設けられている。この切欠きもしくはこの透かし孔はしたがって主基体面２２に対し垂直な方向２６で設けられている。特に図１の下方部分から判るように、図１の下方部分にて破線でほぼ囲った緊張ゾーン３０が主基体面にて弱化ゾーン４０に隣り合って設けられている。本発明によれば特に、緊張ゾーン３０は基体２０の縁に近く設けられ、弱化ゾーン４０は緊張ゾーン３０から発して基体２０の内部へ向かって存在している。本発明によれば弱化ゾーン４０は特にほぼ方形の切欠きとして、かつ特に方形の孔として、すなわち基体２０の全厚さ２７を貫く透かし孔として設けられている。
【００１６】
図６には本発明による装置１０を備えた本発明による圧力センサ１１が示されている。圧力センサ１１は基体２０、弱化ゾーン４０、緊張ゾーン３０の他にセンサエレメントの保持体３２０を有している。さらに本発明による圧力センサ１１はケーシング３３０とダイヤフラム３１０とを有している。ケーシング３３０は特に細長い管として設けられ、該管内には、保持体３２０に固定されたセンサエレメントもしくは基体２０が押込まれる。ダイヤフラム３１０はケーシング３３０に、例えば溶着、接着又は類似した接合技術によって結合されている。これに対し選択的にダイヤフラム３１０はケーシング３３０と一体に結合されていることができる。これに対し選択的にダイヤフラム３１０はケーシング３３０と一体に結合されていることもできる。内燃機関のための燃焼室圧センサとして圧力センサ１１を使用する場合には、ダイヤフラム３１０内燃機関の燃焼室に境界を接して配置され、図６に示されていない燃焼室における圧力状態をセンサエレメントもしくは基体２０に伝達する。この場合にはダイヤフラム３１０は測定面３１１を備え、燃焼室内を支配している圧力がダイヤフラム面３１０に対しほぼ垂直な方向で測定面３１１に力を作用させる。この力の作用方向は図１と関連して述べた所定の方向２５に相当する。ダイヤフラム３１０に対する力の作用は本発明によればセンサエレメントもしくは基体２０に伝達されるので、緊張ゾーン３０における緊張状態が燃焼室内を支配している圧力状態のための尺度として用いられることができる。ダイヤフラム３１０からセンサエレメントへ力の作用を伝達するためには、本発明によれば、特に図６に示すように、ダイヤフラム３１０とセンサエレメントとの間に力導入エレメント５０が設けられている。保持体３２０の上の装置１０をケーシング３３０内に組込むためには当該装置１０はケーシング３３０内へ導入され、有利にはわずかなプレロード、例えば約１５Ｎのプレロードをかけてダイヤフラム３１０に当接させられる。このダイヤフラム３１０はケーシング３３０の上に固定されかつセンサもしくは当該装置１０を燃焼室に対しシールする。プレロードは本発明によれば低い温度でも必要な力接続をダイヤフラム３１０とセンサもしくは当該装置１０との間に保証するために必要である。燃焼室圧が変化することでダイヤフラムが変形し、これにより力導入エレメント５０を介し、マイクロ曲げビームとも呼ばれている緊張ゾーン３０が曲げ変形され、ひいては電気的な信号が生ぜしめられる。本発明によればダイヤフラム３１０と力導入エレメント５０との間の支持面もしくは結合面が特に小さくなるように力導入エレメント５０が設けられていることは特に有利である。これによって、例えば３００℃を越える温度を有する熱いダイヤフラム３１０の場合ですら、著しく少ない温度、特に２３０℃以下の温度がセンサエレメントにて、達成可能である。この様な形式で確実な形式でＳＯＩチップもしくはＳＯＩ基体を燃焼室圧センサ１１の基体２０として使用することができる。
【００１７】
基体２０の材料としてＳＯＩを使用することにより電子的な構造の機能性は３５０℃の上の温度まで保証される。これにより機械−電気的な信号変換は３００℃以上の温度を有する燃焼室ダイヤフラム３１０にて直接的に行われることになる。この結果、本発明によれば、熱いセンサダイヤフラム３１０と機械的−電気的な信号変換場所との間で別の区間を経た力の連結、例えばポンチを用いた力の連結は回避することができる。ＳＯＩ基体の場合には例えば単結晶のシリコンが、緊張ゾーン３０における機械的な応力の圧電抵抗的な信号変換のために使用され、これにより大きな信号強さが生じる。このためには本発明によれば単結晶のシリコンが圧電抵抗式の層として１２０までのＫファクタを有していることが有利である。これにより、Ｖｏｌｔあたり１．６２ｍＶまでの高い感受性を得ることができる。この値では、２００ｂａｒの場合には相応してＶｏｌｔあたり３２４ｍＶの信号が達成される。これは、ＳＯＩ基体に電子的な機能を統合する可能性が与えられているとしてもセンサエレメントもしくはセンサエレメントの基体の上で信号を増強すること自体は不要になるという利点を有している。さらに本発明によれば付加的な機能、例えばデータ評価をＳＯＩ基体２０の上で実施することもできる。これに対し選択的に、特に付加的な機能が基体２０の上に統合されていないと、信号を伝達する導線を評価ユニットまで相応に長く保つことが前述の大きな信号によってできるようになる。これは本発明の圧力センサ１１の種々の構成形態にてヴァリエーションの大きな多様性を保証する。
【００１８】
図２から図５には本発明による装置１０の種々のマイクロメカニックの実施例が示されている。この場合にはそれぞれ力導入の方向は矢印で示されかつ符号“Ｆ”が付けられている。さらに基体２０は弱化ゾーン４０と共に示されている。基体２０の上には、図２から５までにおいては特別には符号で示されていない緊張ゾーン３０の最大応力個所に圧電抵抗６０が設けられている。圧電抵抗６０は本発明によれば特に基体２０のＳＯＩ材料における単結晶のシリコン領域として設けられているが、これは本発明によれば圧電ポジティブな他の材料を備えていることもできる。図４と５とにおいては圧電抵抗式のエレメントは最早特別には示されていない。さらに前記図２から５までにはそれぞれ２つ例に基づき接触個所が符号７０で示されている。接触個所７０は比較的にオーム抵抗の小さい導線、例えば金属導線を用いて圧電抵抗エレメント６０と接続されている。接触個所７０は圧電抵抗領域６０によって惹起された電気的な信号の取出しに役立つ。例として図２から図５までには装置１０の幅２２０と装置１０の長さ２００と緊張ゾーンの部分の寸法２１０とが示されている。例えば装置の幅２２０は１．６ｍｍ、装置１０の長さは３ｍｍ、緊張ゾーンの寸法２１０は０．４３ｍｍである。しかしこの値は本発明では単に１例であるに過ぎない。さらに図３から図５までには力導入ゾーンもしくは力導入エレメントは符号５０，５１，５２で示されている。これらの力導入ゾーンもしくは力導入エレメント５０，５１，５２は本発明による装置１０の種々のマイクロメカニック式の実施例に対応している。すべての実施例はここでは緊張ゾーン３０とも呼ばれているマイクロ曲げビームをそれに統合されたシリコン圧電抵抗と共に製作することを基本としている。このシリコン圧電抵抗はマイクロ曲げビーム３０が曲げられた場合もしくはマイクロ曲げビーム３０に機械的な応力がかかった場合にその電気的な抵抗を変化させる。この場合、抵抗はマイクロ構造体が曲げられた場合に最大の機械的変形が期待される個所に常に配置される。このためには緊張ゾーン３０のビーム中央がきわめて適していることが証明された。さらに抵抗は本発明によれば特にホイートストーンブリッジに接続され、これにより温度とドリフト効果とが相殺されることができるようになっている。本発明による最も簡単な解決策は図２に、本発明による第１実施例として示されている。この場合にはダイヤフラム３１０は、ビームもしくは緊張ゾーン３０を規定された形式で負荷するように形成されていなければならない。図３に示された本発明による装置１０の第２の実施例においては、規定された前記力の導入はすでに力導入エレメント５０によって実現されている。力導入エレメント５０は図３では「突起」として示され、マイクロメカニック式に示されたビームもしくは緊張ゾーン３０に曲げモーメントをもたらし、ひいては平衡させられたホイートストーンブリッジの離調をもたらす。本発明の装置のおよその寸法は例えば２〜３ｍｍで、きわめて小さいことが可能である。しかし本発明によればさらに小さい装置１０を設ける可能性も得られる。本発明の装置１０の第３実施例は図４に示されており、変更された力導入エレメント５１を有している。当該装置１０の第３の実施例における力導入エレメント５１はほぼ３角形である。３角形の尖端部は緊張ゾーン３０の規定された個所に向けられておりかつ３角形の底辺部はダイヤフラム３１０と接触させられている。この場合には本発明による装置１０の第３実施例では、力導入エレメント５１は３角形の切取られた尖端部と、ダイヤフラム３１０に向かって延長された３角形底辺部とを備えている。この力導入エレメント５１は選択的に楔形であり、その尖端が緊張ゾーン３０に向けられていることもできる。力導入エレメント５０，５１は特に基体２０の先細部の形で設けられ、力の導入がより良く規定可能でかつ力の導入個所が場所的に特定可能になっている。さらにこのような基体先細部によって有利には、圧電抵抗が存在するか又は一般的に測定エレメントが存在する基体領域をダイヤフラム３１０の領域から熱的により有効に遮断することができる。何故ならば力導入エレメント５０，５１の先細領域を経た熱の伝達は小さいからである。図５に示された本発明による装置１０の第４実施例においては、曲げビームの代わりに緊張ゾーン３０として板ばね状の構造体５２が用いられている。この構造体５２に圧電抵抗が統合されている。板ばね状の構造体５２はほぼ４つの脚部を有し、菱形構造体と称することもできる。この菱形構造体の１つのコーナは基体と一体に結合され、菱形構造体が基体に結合された前記コーナに対向したコーナが力導入エレメントとして用いられ、菱形構造体の残った２つのコーナは、圧電抵抗を受容する領域を有している。力導入エレメントとして役立つコーナは本発明によれば扁平化されて設けられている。菱形構造体の内部には切欠き４０が設けられ、板ばね状の構造体５２は緊張ゾーン３０、切欠き４０及び力導入エレメントを有している。
【００１９】
ホイートストーンブリッジを接触させるためには図２から５までにおいては金属製の接触路７０が設けられている。基体２０に統合されているが、図面には示されていない評価回路の場合には、接触路７０は完全に増強されたＮ信号をタップするために用いられる。基体２０は保持体３２０によって保持されている。この場合、固定は適当なクランプ装置で当接させるか又は結合技術、例えばガラス化で行うことができる。接触路に対する電気的な接続は例えばワイヤボンディング、サーモコンプレッションボンディング又は溶接で行うことができる。
【００２０】
ボンド路と圧電抵抗６０へのボンド路７０の接続導線は、本発明によれば、金属化領域として設けられている。
【００２１】
緊張ゾーン３０の最大曲げ量としては本発明によれば中央部における約３．７μｍのたわみを設定している。ビーム中央の応力は力導入エレメント側と切欠き側とでは図２から４までにおいてはほぼ同じ大きさでかつ反対に向けられている。したがってビーム中央は圧電抵抗６０の配置に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の装置もしくは本発明の圧力センサの機体構造を示した図。
【図２】本発明の装置の第１実施例を示した図。
【図３】本発明による装置の第２実施例を示した図。
【図４】本発明による装置の第３実施例を示した図。
【図５】本発明による装置の第４実施例を示した図。
【図６】センサにおける本発明による装置の構造原理を示した図。
【符号の説明】
１０　力もしくは圧力を測定する装置、　１１　圧力センサ、　２０　基体、２２　主基体面、　３０　緊張ゾーン、　４０　弱化ゾーン、　３１０　ダイヤフラム、　３２０　保持体、　３３０　ケーシング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004101517.tif 000007
【図６】
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