(57)【要約】【課題】論理・機能デバイス層と、この論理・機能デバイス層の上方にある相互接続層とを有する集積回路構造を提供すること。【解決手段】相互接続層は、基板と、この基板内の導電性フィーチャ１２２と、この導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップ１５１を有する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層の論理・機能デバイス層と、
前記論理・機能デバイス層の上方にある少なくとも１層の相互接続層と
を含む集積回路構造であって、
前記相互接続層が、
基板と、
前記基板内の導電性フィーチャと、
前記導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップと
を含む構造。
【請求項２】
前記導電性フィーチャと前記キャップの間に障壁層をさらに含む、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記障壁層が導電性材料を含む、請求項２に記載の構造。
【請求項４】
前記相互接続層が上面を構成し、前記キャップが前記上面に沿って位置決めされる、請求項１に記載の構造。
【請求項５】
前記上面に沿ってかつ前記導電性フィーチャに隣接してマスク材料をさらに含む、請求項４に記載の構造。
【請求項６】
前記基板の誘電率が前記マスクよりも低い、請求項５に記載の構造。
【請求項７】
前記基板の誘電率が３．０よりも低い、請求項１に記載の構造。
【請求項８】
少なくとも１層の論理・機能デバイス層の上方で集積回路構造に使用される相互接続層構造であって、前記相互接続層が、
基板と、
前記基板内に導電性フィーチャと、
前記導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップと
を含む構造。
【請求項９】
前記導電性フィーチャと前記キャップの間に障壁層をさらに含む、請求項８に記載の構造。
【請求項１０】
前記障壁層が導電性材料を含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
前記相互接続層が上面を含み、前記キャップが前記上面に沿って位置決めされる、請求項８に記載の構造。
【請求項１２】
前記上面に沿ってかつ前記導電性フィーチャに隣接してマスク材料をさらに含む、請求項１１に記載の構造。
【請求項１３】
前記基板の誘電率が前記マスクよりも低い、請求項１２に記載の構造。
【請求項１４】
前記基板の誘電率が３．０よりも低い、請求項８に記載の構造。
【請求項１５】
少なくとも１層の論理・機能デバイス層と、
前記論理・機能デバイス層の上方にある少なくとも１層の相互接続層と
を含む集積回路構造であって、
前記相互接続層が、
基板と、
前記基板内の導電性フィーチャと、
前記導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップと、
前記導電性フィーチャと前記キャップの間の導電性障壁層と
を含む構造。
【請求項１６】
前記相互接続層が上面を含み、前記キャップが前記上面に沿って位置決めされる、請求項１５に記載の構造。
【請求項１７】
前記上面に沿ってかつ前記導電性フィーチャに隣接してマスク材料をさらに含む、請求項１６に記載の構造。
【請求項１８】
前記基板の誘電率が前記マスクよりも低い、請求項１７に記載の構造。
【請求項１９】
前記基板の誘電率が３．０よりも低い、請求項１５に記載の構造。
【請求項２０】
相互接続構造の金属フィーチャを選択的にキャッピングするための方法であって、前記相互接続構造が、少なくとも１層の論理・機能デバイス層の上方に位置決めされ、
前記金属フィーチャをリセス形成するステップと、
前記相互接続構造の全面にキャップ層を堆積するステップと、
前記相互接続構造を平坦化して、前記金属フィーチャの上方にのみキャップを形成するステップと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、集積回路構造の外部相互接続層における銅配線接続上方の絶縁体／導体に関し、より詳細には、そのような相互接続層を形成するために改善されたプロセスおよび構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の処理は、一般に、前工程（ＦＥＯＬ）と後工程（ＢＥＯＬ）の処理に分けることができる。ＦＥＯＬ処理中に、様々な論理・機能デバイスを製造する。ＦＥＯＬ処理では、一般に、論理・機能デバイスの数多くの層を形成することになる。相互接続層は、ＢＥＯＬ処理中に、これら論理層および機能層の上方に形成され、その結果集積回路構造が完成する。したがってＢＥＯＬ処理では一般に、絶縁体および導電性配線およびコンタクトの形成が行われる。
【０００３】
最近、低誘電率（および軟質）の絶縁体（誘電体）が、古くて硬質の高誘電率の絶縁材料に取って代わりつつある。低誘電率材料は、一般にその誘電率が３．０よりも低く、ポリマー低Ｋ誘電体製品、例えば米国ニューヨーク州のDow Chemical Company（ダウケミカル・カンパニー）から入手可能なＳｉＬＫや、米国ニュージャージー州のHoneywell（ハネウェル）から入手可能なＦＬＡＲＥ、米国ニュージャージー州のHoneywell,Inc.（ハネウェル・インコーポレイテッド）から入手可能なナノガラスなどの微孔質ガラス（多孔質ＳｉＯ２）、ならびに米国カリフォルニア州のAppliedMaterial（アプライドマテリアル）から入手可能なブラック・ダイヤモンド（黒色ダイヤモンド）、米国カリフォルニア州のNovellus Systems,Inc.（ノベラスシステム・インコーポレイテッド）から入手可能なコーラル（サンゴ）（シリコン・カーバイド・ベース誘電体）、および米国ニュージャージー州のAlliedSignal（アライドシグナル）から入手可能なキセロゲルなどが含まれる。これらの低誘電率絶縁体は、「低Ｋ」誘電体と呼ばれる。これらの低Ｋ誘電体は、全体容量を低下させ、その結果デバイスの速度を高めてより低い電圧を利用することが可能になる（デバイスをより小型化し、より安価なものにする）ので有利である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
金属（銅やタングステンなど）は、一般に、ＢＥＯＬ相互接続層の配線および電気接続として使用する。ＢＥＯＬ相互接続層に低Ｋ誘電体を使用することの１つの欠点とは、高Ｋ誘電体の場合よりも低Ｋ誘電体のほうが、金属マイグレーション（例えば銅の移行）の影響を受け易いことである。この問題に対する従来の１つの解決策は、金属フィーチャ上の低Ｋ誘電体材料の金属拡散障壁としてブランケット誘電体キャップ（高誘電率である）を使用することである。このブランケット誘電体キャップは、低ｋ誘電体材料中の酸素が金属を酸化するのを防止する酸素障壁としても働くことができる。
【０００５】
しかしこの誘電体キャップは、通常、その誘電率がより高く、金属フィーチャ間の誘電体材料全体の有効誘電率に大きな影響を及ぼすことになる。さらに誘電体キャップは、一般に、効果的になるようその厚さを最小限にする必要がある（例えば２５０Å）。しかし、誘電体キャップをある厚さよりも厚く形成すると、相互接続層の誘電率は、所望のレベルを超えて大幅に歪むことになる。したがって、ブランケット誘電体キャップを必要としない新しいタイプの相互接続層が求められている。以下に述べる本発明は、そのような相互接続層を生成するための方法および構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、少なくとも１層の論理・機能デバイス層と、その論理・機能デバイス層の上方にある少なくとも１層の相互接続層とを有する集積回路構造を提供する。相互接続層は、基板と、その基板内にある導電性フィーチャと、その導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップとを有する。
【０００７】
また本発明は、導電性フィーチャとキャップとの間に障壁層も有する。障壁層は導電性材料でよい。相互接続層は上面を有し、キャップはその上面に沿って位置決めされている。本発明は、上面に沿ってかつ導電性フィーチャに隣接して、マスク材料を有する。基板の誘電率はマスクよりも低く、３．０より低い。
【０００８】
本発明は、相互接続構造の金属フィーチャを選択的にキャッピングする方法も提供する。相互接続構造は、少なくとも１層の論理・機能デバイス層の上方に位置決めする。本発明は、金属フィーチャをリセス形成し、次いで相互接続構造の上にキャップ層を堆積する。次いで本発明は、相互接続構造を平坦化して、金属フィーチャの上方にのみキャップを形成する。
【０００９】
本発明は、図面を参照すると共に、以下の本発明の好ましい実施形態の詳細な説明から、より良く理解されよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
上述のように、高Ｋ誘電体キャップの従来の用法には、いくつかの欠点がある。本発明は、配線や中間相互接続などの金属領域の上方のみにキャップ材料を形成することによって、そのような欠点を克服するものである。より詳細には以下に示すように、本発明は、相互接続層を所定レベルに至るまで研磨し、金属部分の上面にリセス部を形成し、相互接続層の全面にキャップ層を堆積し、次いでキャップ材料が金属部分上方のリセス部内にのみ残るよう、相互接続層を研磨する。このような処理を行うことにより、本発明では、構造内の高Ｋ誘電体キャップ材料の量が大幅に減少し、それによって、誘電体キャップ材料のブランケット層を利用するときに直面する問題（上記論じたもの）が回避される。
【００１１】
本発明の構造を実現するのに使用される処理を図１〜１２に示す。これらの図は、本発明の複数の実施形態を表している。まず図１は、低Ｋ誘電体１２１中に形成された導電性フィーチャ１２２を含む、未完成のＢＥＯＬ相互接続構造を示す。導電性フィーチャ１２２は、銅やタングステンなど任意の一般的な導体でよく、特定の適用例および設計に応じてワイヤ、コンタクト、スタッド、バイアなどの機能を果たすことができ、これを本明細書ではときどき「金属」または「銅」フィーチャ／導体と呼ぶ。
【００１２】
金属フィーチャ１２２の周りにはライナ１２０を配置し、それによって、金属フィーチャ１２２が低Ｋ誘電体１２１中に拡散しないようにしている。図１は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）ハード・マスク１２５、および反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）マスク１２３、１２４も示す。図１に示す構造を形成するのに使用される方法および材料は周知であり、したがって簡潔のため、かつ本発明の顕著な特徴があいまいにならないように、本明細書では論じない。
【００１３】
化学的機械研磨プロセスを、図１に示す構造に利用して、金属フィーチャ１２２の最上部分とＲＩＥマスク１２３、１２４の全てを除去する。この研磨プロセスは、金属残さを除去して表面１３０をほぼ均一に形成する短期非摩耗性スラリ研磨を含む（または上記研磨プロセスの後にこのようなスラリ研磨を行う）。この処理により、構造の高さは、図２の１３０で示されるレベルまで低下する。このレベル１３０は、通常のＣＭＰ研磨終点１２６（図１および２の破線で示す）よりも高い。従来、この構造は、レベル１２６に至るまで研磨して、ブランケット高Ｋ誘電体キャップで覆っていた（これには上記論じたような欠点がある）。
【００１４】
従来行われていたようにブランケット高Ｋ誘電体キャップを形成するのではなく、本発明では、金属構造１２２をリセス形成し（以下に論じるいくつかの異なるプルセスを使用して）、次いでそのリセス部分にキャップ材料（絶縁体でも導体でもよい）を充填する。金属構造をリセス形成する方法の１つを図３に示す。このプロセスでは、金属フィーチャ１２２の上部を酸化して、ハード・マスク１２５付近に酸化物部分１４０を生成する。次いで酸化物を侵食する湿式または乾式化学反応（ＲＩＥ）を使用して、この酸化部分を除去する（図４に示す）。この結果、金属フィーチャ１２２の上方にリセス部１５０を含む、図４に示す構造が得られる。リセス部の深さは、ハード・マスク１２５の高さにほぼ等しい。例えばハード・マスクの厚さは約５００Ａでよく、リセス部は約５００Ａでよい。適用例および所望の全体誘電率に応じてリセス部をさらに深く形成することができる（例えば＞１０００Ａ）。
【００１５】
あるいは、酸化物１４０を生成するのではなく、図２に示す構造を、金属フィーチャ１２２を侵食するがハード・マスク１２５にはほとんど影響を及ぼさない追加の化学エッチングまたはドライ・エッチングにかけてリセス部１５０を生成することができる（それによって、図３に示す処理を飛ばして先に進むことができる）。例えば、上記論じた非磨耗性スラリ研磨を、ある時間だけさらに継続し、同様の量の導体１２２を除去してリセス部１５０を生成し、図４に示す構造を生成することができる。
【００１６】
どの場合でも、図４に示す構造を生成した後は、本発明のいくつかの実施形態において、障壁層１６０を構造表面にかつリセス部１５０内に堆積する。いくつかのその他の実施形態では層１６０を形成せず、この処理は図４に示す構造から図７に示す構造へと直接進み（以下に詳細に論じる）、キャップ材料１８０をリセス部１５０内に直接堆積する。障壁層１６０は、全面（垂直面１６５を含む）に堆積することができる。あるいは拡散障壁１６０は、やはり特定の適用例に応じて水平面のみ（垂直面１６５を避けて）に堆積することができる。リセス部１５０内にボイドが形成されない共形的プロセス（例えば無電解めっきや方向性物理蒸着法など）で、障壁層１６０を堆積することが好ましい。
【００１７】
利用される障壁材料１６０の化学的構成は、それぞれの特定の設計に応じて異なる。例えば一実施形態で、層１６０は、導体材料１２２がキャップ材料１８０（以下に論じる）中に拡散するのを防止するエレクトロマイグレーション阻止／拡散障壁金属キャップ（例えばＣｏＷＰやパラジウム、ニッケル、コバルト、アンチモン、クロム、モリブデン、白金、ルテニウム、ロジウム、ベリリウム、ハフニウム、カルシウム、インジウム、カドミウム、亜鉛、スズ、タンタル、チタン）を構成する。
【００１８】
障壁層１６０により、キャップをさらに薄く作製することができる（障壁層は、金属フィーチャ１２２からキャップ１８０に金属が拡散するのを防止するので）。キャップ１８０と導体１２２の間でのマイグレーションを減少させることによって、障壁層１６０はエレクトロマイグレーションの寿命を延ばし（導体１２２のマイグレーションを減少させる）、その結果、このようなマイグレーションによって引き起こされる応力も減少する。
【００１９】
エレクトロマイグレーションの寿命および応力によって引き起こされるボイド形成は、導体１２２と障壁層１６０の界面における原子の輸送に依存する。障壁層１６０は、そのような原子の輸送を減少させ、それによって最大限の信頼性が得られる。導体のマイグレーション速度（流動速度）は、移動度（Ｄ／ｋＴ）×Ｆの積であり、ただしＤは導体の有効拡散率であり、Ｔは単位ケルビン（Ｋ）で表す絶対温度であり、ｋはボルツマン定数であり、Ｆは印加電場または応力勾配からの駆動力である。
【００２０】
障壁１６０は、導体１２２と金属（または誘電体）１８０との接着性も改善し、防食層としての機能も果たす。障壁層１６０は導電性であり、相互接続層全体を通して短絡を引き起こす可能性があるので、従来の構造では役に立たないと考えられる。
【００２１】
一実施形態では、障壁層１６０をリセス部内に直接堆積し、これを図５に示す。別の実施形態では、障壁層１６０を形成する前に、プラズマ蒸着（ＰＶＤ）Ｐｄシーディング層１７０を図６に示すように堆積する。前処理プロセス（例えば酸による前処理や形成ガス・アニール、水素プラズマ処理など）により、Ｐｄシーディング層１７０の堆積を進行させることができる。前処理およびＰｄシーディングにより、ＣｏＷＰ層１６０の均一性が増す。図７は、キャップ層１８０の形成／堆積を示す。前述のように、キャップ層１８０を、図５に示すリセス部１５０内に直接形成することができ、または図６に示すように、キャップ層１８０を堆積する前に、様々な障壁層１６０、１７０を任意選択で含めることができる。リセス部１５０内にボイドが形成されない共形的プロセスで、キャップ層１８０を堆積することが好ましい。また、基板を空気に曝すことなく障壁層１６０、１７０を堆積した後に、キャップ層１８０を堆積することも好ましい。
【００２２】
キャップ層は、導体でも絶縁体でもよい。キャップ層は、ＳｉＯ２、ホウ素ドープＳｉＯ２、ＢＰＳＧ（ホウ素リンケイ酸ガラス）、炭化ケイ素、窒素ドープ炭化ケイ素、酸化物、Ｓｉ３Ｎ４などを含めた絶縁材料を含むことができ、一般にその誘電率は、低Ｋ誘電体１２１または金属材料、例えばＴａＮやＴｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｔａ、Ｗなどよりもかなり高く、一般に低Ｋ誘電体材料に対する接着性が良好であり、良好な銅および酸素障壁でもある。図８に示すように、化学的機械研磨プロセスによって、この構造をレベル１２６に至るまで平坦化し、それによってキャップ１８０（および任意選択的な層１６０、１７０）は、導体１２２上のリセス部１５０内にのみ残り、相互接続層の上面に沿って複数のキャップが生成される。したがって本発明のプロセスによれば、キャップ材料１８０はブランケット層を含まず、代わりにキャップ材料１８０は、相互接続層全面にわたって導体１２２上にのみ位置決めされた、明確に分離された複数のキャップを構成する。上述の構造では、ＢＥＯＬ相互接続層に含まれるキャップ材料の体積が大幅に減少する。
【００２３】
図９〜１２は、本発明のさらに別の実施形態を示し、ＲＩＥマスク１２３、１２４を無傷のまま残しながらリセス部１５１を形成する。したがってこの実施形態は、リセス部１５１を形成する前に、図１に示すＲＩＥマスク１２３、１２４を除去しないので（図９に示すように）、図２に示す実施形態とは異なるものである。リセス部１５１を形成するためのプロセスは上記論じたものと同じであり、図２に示すようなＲＩＥマスク１２３、１２４を除去するステップなしで実施されるだけである。
【００２４】
図１０は、障壁層１６０の形成を示す。しかしこの実施形態は、リセス部１５１の側壁１６５に障壁層を形成する必要がないことを示す。前述の実施形態と同様に、障壁層１６０は、全面にまたは水平面のみに形成することができる。さらにこの実施形態は、任意選択のＰｄシーディング層１７０を利用しない（しかし利用することもできる）。図１１では、キャップ層１８０を堆積し（上記論じたように）、図１２では、構造を平坦化して、図８に示すものと実質的に同様の構造を得る。
【００２５】
上述のように、ブランケット誘電体キャップを使用すると、そのキャップは有効果的な障壁になるようにある厚さを持たなければならないので、ＢＥＯＬ相互接続層の誘電率を望ましくない状態に変化させる。しかしこの厚さは、通常、線幅および太さが減少するにつれ（処理生成から処理生成まで）、それに合わせて変化しない。本発明は、キャップ材料が金属フィーチャ上のみ（金属フィーチャ間ではない）に残るよう選択的キャップ・プロセス（上述）を使用する。このプロセスおよび構造は、ＢＥＯＬ相互接続層で使用される高Ｋ誘電体キャップ材料の量を大幅に減少させる。
【００２６】
さらに、本発明のいくつかの実施形態は、金属フィーチャ１２２とキャップ１８０の間に障壁層１６０を含む。導体１２２の表面拡散を減少させることによって、障壁層１６０は、エレクトロマイグレーションの寿命を延ばし（導体１２２のマイグレーションを低下させる）、したがってそのようなマイグレーションによって引き起こされる応力も減少する。障壁１６０は、導体１２２と金属または誘電体キャップ１８０との接着性も改善し、防食層として機能することもできる。障壁層１６０は導電性であり、したがって導体のブランケット層は相互接続層全体を通して短絡を引き起こす可能性があるので、従来のブランケット・タイプの構造では役に立たないと考えられる。本発明の構造は、埋込みエッチング停止層にも有用であるが、その理由は、従来のブランケット誘電体キャップのように、キャップ材料がエッチング停止層の有効性に支障をきたさないからである。
【００２７】
本発明を好ましい実施形態に関して述べてきたが、当業者なら、上記請求項の精神および範囲内で修正を加えることにより本発明を実施できることを理解するであろう。
【００２８】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２９】
（１）少なくとも１層の論理・機能デバイス層と、
前記論理・機能デバイス層の上方にある少なくとも１層の相互接続層と
を含む集積回路構造であって、
前記相互接続層が、
基板と、
前記基板内の導電性フィーチャと、
前記導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップと
を含む構造。
（２）前記導電性フィーチャと前記キャップの間に障壁層をさらに含む、上記（１）に記載の構造。
（３）前記障壁層が導電性材料を含む、上記（２）に記載の構造。
（４）前記相互接続層が上面を構成し、前記キャップが前記上面に沿って位置決めされる、上記（１）に記載の構造。
（５）前記上面に沿ってかつ前記導電性フィーチャに隣接してマスク材料をさらに含む、上記（４に記載の構造。
（６）前記基板の誘電率が前記マスクよりも低い、上記（５）に記載の構造。
（７）前記基板の誘電率が３．０よりも低い、上記（１）に記載の構造。
（８）少なくとも１層の論理・機能デバイス層の上方で集積回路構造に使用される相互接続層構造であって、前記相互接続層が、
基板と、
前記基板内に導電性フィーチャと、
前記導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップと
を含む構造。
（９）前記導電性フィーチャと前記キャップの間に障壁層をさらに含む、上記（８に記載の構造。
（１０）前記障壁層が導電性材料を含む、上記（９に記載の構造。
（１１）前記相互接続層が上面を含み、前記キャップが前記上面に沿って位置決めされる、上記（８に記載の構造。
（１２）前記上面に沿ってかつ前記導電性フィーチャに隣接してマスク材料をさらに含む、上記（１１）に記載の構造。
（１３）前記基板の誘電率が前記マスクよりも低い、上記（１２）に記載の構造。
（１４）前記基板の誘電率が３．０よりも低い、上記（８）に記載の構造。
（１５）少なくとも１層の論理・機能デバイス層と、
前記論理・機能デバイス層の上方にある少なくとも１層の相互接続層と
を含む集積回路構造であって、
前記相互接続層が、
基板と、
前記基板内の導電性フィーチャと、
前記導電性フィーチャの上方にのみ位置決めされたキャップと、
前記導電性フィーチャと前記キャップの間の導電性障壁層と
を含む構造。
（１６）前記相互接続層が上面を含み、前記キャップが前記上面に沿って位置決めされる、上記（１５）に記載の構造。
（１７）前記上面に沿ってかつ前記導電性フィーチャに隣接してマスク材料をさらに含む、上記（１６）に記載の構造。
（１８）前記基板の誘電率が前記マスクよりも低い、上記（１７）に記載の構造。
（１９）前記基板の誘電率が３．０よりも低い、上記（１５）に記載の構造。
（２０）相互接続構造の金属フィーチャを選択的にキャッピングするための方法であって、前記相互接続構造が、少なくとも１層の論理・機能デバイス層の上方に位置決めされ、
前記金属フィーチャをリセス形成するステップと、
前記相互接続構造の全面にキャップ層を堆積するステップと、
前記相互接続構造を平坦化して、前記金属フィーチャの上方にのみキャップを形成するステップと
を含む方法。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図２】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図３】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図４】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図５】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図６】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図７】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図８】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図９】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図１０】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図１１】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【図１２】本発明による未完成の集積回路構造を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３１】
１２０  ライナ
１２１  低Ｋ誘電体
１２２  銅
１２３  ＲＩＥマスク
１２４  ＲＩＥマスク
１２５  ＣＭＰハード・マスク
１２６  通常のＣＭＰ終点
【図１】
2004200684.tif 000003
【図２】
2004200684.tif 000004
【図３】
2004200684.tif 000005
【図４】
2004200684.tif 000006
【図５】
2004200684.tif 000007
【図６】
2004200684.tif 000008
【図７】
2004200684.tif 000009
【図８】
2004200684.tif 000010
【図９】
2004200684.tif 000011
【図１０】
2004200684.tif 000012
【図１１】
2004200684.tif 000013
【図１２】
2004200684.tif 000014