(57)【要約】　　　（修正有）【課題】樹脂封止型半導体装置の製造工程において、封止テープを装着しながら樹脂封止を行なうに際し、量産に適した装置を提供する。【解決手段】封止金型は上金型１５１ａと下金型１５１ｂとからなり、下金型１５１ｂには、多数の半導体製品成型部１６０（ダイキャビティ）と、各半導体製品成型部１６０に封止樹脂を供給するための封止樹脂流通路１６１とが設けられている。そして、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６ｂとの間で一定の張力を加えながら、連続的に封止テープ１５２の巻き出しと巻き取りとを行なう。また、巻き出しロール１５６ａ及び巻き取りロール１５６ｂのうちいずれか一方をロール軸方向に平行な方向に移動させるズレ補正手段としてのロール移動機構、又はθ補正機構が設けられている。【選択図】　　図１７
2004056105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程で、樹脂封止される半導体装置と封止金型との間に封止テープを介在させて樹脂封止を行なうために使用される封止テープ供給装置であって、
封止テープのうち樹脂封止工程で使用されていない部分を上記封止金型に連続的に供給することが可能に構成された巻きだしロールと、
封止テープのうち樹脂封止工程で使用された部分を巻き取る巻き取りロールと、
上記巻きだしロールまたは上記巻き取りロールのいずれか一方を、各ロール軸に平行な方向に平行に移動させる移動手段と
を備えていることを特徴とする封止テープ供給装置。
【請求項２】
樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程で、樹脂封止される半導体装置と封止金型との間に封止テープを介在させて樹脂封止を行なうために使用される封止テープ供給装置であって、
封止テープのうち樹脂封止工程で使用されていない部分を上記封止金型に連続的に供給することが可能に構成された巻きだしロールと、
封止テープのうち樹脂封止工程で使用された部分を巻き取る巻き取りロールと、
上記巻きだしロールまたは上記巻き取りロールのいずれか一方に設けられたθ補正機構と
を備えていることを特徴とする封止テープ供給装置。
【請求項３】
請求項２記載の封止テープ供給装置において、
上記θ補正機構は、巻きだしロール又は巻き取りロールのいずれか一方のロール軸に平行な方向に対して角度調整が可能であることを特徴とする封止テープ供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ及びリードフレームを封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の製造において用いられる封止テープ供給装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。
【０００３】
以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。
【０００４】
図２１（ａ）は、従来の樹脂封止型半導体装置の平面図であり、図２１（ｂ）は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【０００５】
図２１（ａ），（ｂ）に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置である。
【０００６】
従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード２０１と、ダイパッド２０２と、そのダイパッド２０２を支持する吊りリード２０３とよりなるリードフレームとを備えている。そして、ダイパッド２０２上に半導体チップ２０４が接着剤により接合されており、半導体チップ２０４の電極パッド（図示せず）とインナーリード２０１とは、金属細線２０５により電気的に接続されている。そして、ダイパッド２０２，半導体チップ２０４，インナーリード２０１，吊りリード２０３及び金属細線２０５は封止樹脂６により封止されている。この構造では、インナーリード２０１の裏面側には封止樹脂２０６は存在せず、インナーリード２０１の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナーリード２０１の下部が外部電極２０７となっている。
【０００７】
なお、図２１（ａ）は、封止樹脂２０６を透明体として扱い、半導体装置の内部を透過して示しているが、図中、半導体チップ２０４は破線で示し、金属細線２０５は図示を省略している。
【０００８】
また、従来においては、プリント基板等の実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する場合に、外部電極と実装基板の電極との接合において必要な封止樹脂２０６の裏面からのスタンドオフ高さを確保するために、図２２に示すように、外部電極２０７に対して、半田からなるボール電極２０９を設け、ボール電極２０９によりスタンドオフ高さを確保して、実装基板上に実装していた。
【０００９】
次に、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２３〜図２６は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００１０】
まず、図２３に示すように、インナーリード２０１、ダイパッド２０２を有するリードフレーム２１０を用意する。なお、図中、ダイパッド２０２は吊りリードによって支持されているものであるが、吊りリードの図示は省略している。また、吊りリードにはディプレス部が形成され、ダイパッド２０２はアップセットされている。なお、このリードフレーム２１０には、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられていない。
【００１１】
次に、図２４に示すように、用意したリードフレームのダイパッド２０２の上に半導体チップ２０４を接着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。
【００１２】
そして、図２５に示すように、ダイパッド２０２上に接合された半導体チップ２０４とインナーリード２０１とを金属細線２０５により電気的に接続する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線２０５には、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。
【００１３】
次に、図２６に示すように、ダイパッド２０２，半導体チップ２０４，インナーリード２０１，吊りリード及び金属細線２０５を封止樹脂２０６により封止する。この場合、半導体チップ２０４が接合されたリードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファーモールドされるが、特にインナーリード２０１の裏面が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行なわれる。
【００１４】
最後に、樹脂封止後に封止樹脂２０６から外方に突出しているインナーリード２０１の先端部２１１を切断する。この切断工程により、切断後のインナーリード２０１の先端面と封止樹脂６の側面とがほぼ同じ面上にあるようになり、インナーリード２０１の下部が外部電極２０７となる。
【００１５】
そして、従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程では、樹脂封止工程で、封止樹脂２０６がインナーリード２０１の裏面側に回り込んで、樹脂バリ（樹脂のはみ出し分）を形成する場合があることから、通常は、樹脂封止工程の後、インナーリード２０１の切断工程の前に、樹脂バリを吹き飛ばすためのウォータージェット工程を導入している。
【００１６】
なお、必要に応じて、図２２に示すように、外部電極２０７の下面上に半田からなるボール電極を形成し、樹脂封止型半導体装置とする。また、半田ボールのかわりに半田メッキ層を形成する場合もあった。
【００１７】
【特許文献１】
特開平７−２９９２７号公報（図１−５）
【特許文献２】
特開平９−１０７０６１号公報（第６頁第１０欄第５行，図５）
【特許文献３】
特開平８−７８８２１号公報（段落［０００６］）
【特許文献４】
特開平１０−６３５８公報（第３頁第３欄第１１行，第１，９，１１図）
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の樹脂封止型半導体装置では、半導体装置の裏面において、外部電極２０７の下面と封止樹脂２０６との面がほぼ同じ面上にあるので、封止樹脂２０６からのスタンドオフ高さが得られない。そのために、半田等からなるボール電極２０９を設けて、実装基板上に実装しなければならず、効率的な実装を行なうことができないという課題があった。
【００１９】
また、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の樹脂封止工程においては、半導体チップが接合されたリードフレームを封止金型内に収納し、下金型の面にインナーリードを押圧して密着させて、樹脂封止しているが、それでも封止樹脂がインナーリードの裏面側に回り込んで、外部電極の表面に樹脂バリ（樹脂のはみ出し分）が発生するという課題があった。
【００２０】
そこで、従来は、外部電極２０７上の樹脂バリ２０６ａを吹き飛ばすためにウォータージェット工程を導入していたが、このようなウォータージェット工程には多大の手間を要し、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程削減等の工程の簡略化の要請に反する。つまり、樹脂バリの発生は、そのような工程の簡略化のための大きな阻害要因となっていた。また、ウォータージェットにより、樹脂バリだけでなく柔らかい金属メッキも剥がれるという品質上の大きな問題が発生するおそれもあった。
【００２１】
本発明の目的は、樹脂封止工程において、リードフレームの裏面への樹脂バリの発生を抑制し、あるいは外部電極の封止樹脂からのスタンドオフ高さを確保しうる手段を講ずるとともに、そのような構造を有する樹脂封止型半導体装置を量産工程で得るための樹脂封止型半導体装置の製造装置に付随する装置を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の封止テープの供給装置は、樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程で、樹脂封止される半導体装置と封止金型との間に封止テープを介在させて樹脂封止を行なうために使用される封止テープ供給装置であって、封止テープのうち樹脂封止工程で使用されていない部分を上記封止金型に連続的に供給することが可能に構成された巻きだしロールと、封止テープのうち樹脂封止工程で使用された部分を巻き取る巻き取りロールと、上記巻きだしロールまたは上記巻き取りロールのいずれか一方を、各ロール軸に平行な方向に平行に移動させる移動手段，θ補正機構とを備えている。
【００２３】
この封止テープ供給装置を用いることにより、封止テープを用いた樹脂封止を行う工程を能率よく行なうことができ、特に樹脂封止型半導体装置の量産工程で用いることで、著効を発揮することができる。巻きだしロールまたは巻き取りロールのいずれか一方を、各ロール軸に平行な方向に平行に移動させる移動手段，又はθ補正機構とを備えることにより、封止テープの供給，排出を円滑に行なうことが可能になる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
まず、各実施形態に共通に適用できる本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法について説明する。
【００２５】
図１（ａ）は、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の構造例を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示すＩｂ−Ｉｂ線における断面図である。ただし、図１（ａ）においては封止樹脂１７を透明体として扱い、半導体チップ１５は破線で示す輪郭を有するものとしており、金属細線１６の図示は省略している。
【００２６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、この樹脂封止型半導体装置は、インナーリード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド１３を支持するための吊りリード１４とよりなるリードフレームを備えている。そして、ダイパッド１３上に半導体チップ１５が接着剤により接合されており、半導体チップ１５の電極パッド（図示せず）とインナーリード１２とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されている。そして、インナーリード１２，ダイパッド１３，吊りリード１４，半導体チップ１５及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されている。また、ダイパッド１３は、インナーリード１２に対して上方に位置するように、吊りリード１４のディプレス部１９によりアップセットされている。そのため、封止樹脂１７により封止された状態では、封止樹脂１７がダイパッド１３の裏面側にも薄く存在している。インナーリード１２の下面側には封止樹脂１７は存在せず、インナーリード１２の下面が露出されており、このインナーリード１２の下面が実装基板との接続面となる。すなわち、インナーリード１２の下部が外部電極１８となっている。また、この外部電極１８には本来的に樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつこの外部電極１８は封止樹脂１７の裏面よりも下方に少し突出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に突出した外部電極１８の構造は、後述する製造方法によって容易に実現できる。
【００２７】
このような樹脂封止型半導体装置では、インナーリード１２の側方にはアウターリードが存在せず、インナーリード１２の下部が外部電極１８となっているので、半導体装置の小型化を図ることができる。しかも、インナーリード１２の下面つまり外部電極１８の下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極１８が封止樹脂１７の面より突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基板の電極との接合において、外部電極１８のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。したがって、外部電極１８をそのまま外部端子として用いることができ、従来のように、実装基板への実装のために外部電極１８に半田ボールを付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利となる。
【００２８】
また、ダイパッド１３が、インナーリード１２に対してアップセットされ、封止樹脂１７がダイパッド１３の裏面側にも薄く存在しているので、樹脂封止型半導体装置としての信頼性が向上する。
【００２９】
次に、樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２〜図７は、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。
【００３０】
まず、図２に示す工程で、インナーリード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３とが設けられているリードフレーム２０を用意する。図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持されているが、吊りリードはこの断面には現れないために図示されていない。また、吊りリードにはディプレス部が形成され、ダイパッド１３はインナーリード１２の面よりも上方にアップセットされているものである。さらに、用意するリードフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームである。
【００３１】
次に、図３に示す工程で、用意したリードフレームのダイパッド上に半導体チップ１５を載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを支持する部材としてはリードフレームに限定されるものではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えばＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。
【００３２】
そして、図４に示す工程で、ダイパッド１３上に接合した半導体チップ１５とインナーリード１２とを金属細線１６により電気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線としては、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択して用いることができる。また、半導体チップ１５とインナーリード１２との電気的な接続は、金属細線１６を介してでなくバンプなどを介して行なってもよい。
【００３３】
次に、図５に示す工程で、リードフレームのダイパッド１３上に半導体チップ１５が接合された状態で、インナーリード１２の裏面側に封止テープ２１を貼り付ける。
【００３４】
この封止テープ２１は、特にインナーリード１２の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであり、この封止テープ２１の存在によって、インナーリード１２の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。このインナーリード１２等に貼り付ける封止テープ２１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。ここでは、ポリエチレンテレフタレートを主成分としたテープを用い、厚みは５０［μｍ］とした。
【００３５】
なお、ここでは、この封止テープ２１は、リードフレームのインナーリード１２の面にのみ密着した状態でリードフレームの裏面側全体に亘って貼り付けられており、吊りリードのディプレス部によりアップセットされたダイパッド１３の裏面には密着していないが、ダイパッド１３の裏面に密着させ、樹脂封止工程の後に封止テープ２１を剥がすことでダイパッド１３の裏面を露出させ、放熱特性の向上をねらってもよい。
【００３６】
次に、図６に示す工程で、半導体チップ１５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリードフレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を流し込んで樹脂封止を行う。この際、インナーリード１２の裏面側に封止樹脂１７が回り込まないように、金型でリードフレームのインナーリード１２の先端部分２２を下方に押圧して、樹脂封止する。また、インナーリード１２の裏面側の封止テープ２１面を金型面側に押圧して樹脂封止を行う。
【００３７】
最後に、図７に示す工程で、インナーリード１２の裏面に貼付した封止テープ２１をピールオフにより除去し、封止樹脂１７の裏面より突出した外部電極１８を形成する。そして、インナーリード１２の先端部２２を、インナーリード１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、図７に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
【００３８】
図８は、外部電極１８の部分を拡大して示す樹脂封止型半導体装置の部分裏面図である。同図に示すように、ここでは、封止テープ２１をリードフレームの裏面に貼付した樹脂封止工程を行なっているので、インナーリード１２の裏面や側面、すなわち外部電極１８の表面上における樹脂バリの発生を防止することができる。また、従来の製造方法のごとく、封止樹脂１７が外部電極１８の表面に回り込み、外部電極１８の一部が封止樹脂１７内に埋没することを防止することができる。
【００３９】
以上の製造方法では、樹脂封止工程の前に予めインナーリード１２の裏面に封止テープ２１を貼付しているので、封止樹脂１７が回り込むことがなく、外部電極となるインナーリード１２の裏面には樹脂バリの発生はない。したがって、インナーリードの下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、インナーリード上に形成された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれのあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれは解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキが可能となる。
【００４０】
なお、図６に示すように、樹脂封止工程においては、溶融している封止樹脂の熱によって封止テープ２１が軟化するとともに熱収縮するので、インナーリード１２が封止テープ２１に大きく食い込み、インナーリード１２の裏面と封止樹脂１７の裏面との間には段差が形成される。したがって、インナーリード１２の裏面は封止樹脂１７の裏面から突出した構造となり、インナーリード１２の下部である外部電極１８のスタンドオフ高さを確保できる。そのため、この突出した外部電極１８をそのまま外部端子として用いることができることになる。
【００４１】
また、インナーリード１２の裏面と封止樹脂１７の裏面との間の段差の大きさは、封止工程前に貼付した封止テープ２１の厚みによりコントロールすることができる。ここでは、５０［μｍ］の封止テープ２１を用いているので、段差の大きさつまり外部電極１８の突出量は、一般的にはその半分程度であり最大５０［μｍ］である。すなわち、封止テープ２１がインナーリード１２の裏面よりも上方に入り込む量が封止テープ２１の厚さ分で定まることから、外部電極１８の突出量を封止テープ２１の厚みによりセルフコントロールでき、製造の容易化を図ることができる。この外部電極１８の突出量を管理するためには、量産工程で封止テープ２１の厚みを管理するだけでよく、別工程を設ける必要がないので、以上の製造方法は、工程管理のコスト上きわめて有利な方法である。なお、貼付する封止テープ２１については、所望とする段差の大きさに合わせて、材質の硬度、厚み、および熱による軟化性を決定することができる。
【００４２】
なお、図１（ｂ）に示すように、上記樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド１３の裏面側に封止樹脂１７が存在しているものの、その厚みはダイパッド１３のアップセット量に等しく極めて薄い。したがって、この樹脂封止型半導体装置は、実質的には片面封止型の半導体装置である。
【００４３】
なお、ここでは、樹脂封止工程前に予め封止テープ２１をリードフレームのインナーリード１２の下面に貼付した例を示したが、このような貼り付ける方法ではなく、封止テープ２１を封止金型にセットし、その上にリードフレーム１２を密着させてもよい。この場合は、後述するように、封止テープの封止金型へのリール供給が可能となり、さらなる工程の合理化となる。
【００４４】
なお、ここでは、リードフレームの裏面に封止テープを貼付して樹脂封止を行なう製造方法の例を示したが、本発明の方法は、リードフレームを備えている半導体装置に限定されるものではない。本発明の基本的な概念である樹脂封止工程で封止テープを用いる方法は、広く半導体チップを搭載し、樹脂封止される部材を有する半導体装置の樹脂封止工程に適用できるものであり、ＴＡＢタイプ、基板タイプなどの半導体装置の樹脂封止工程に適用できる。
【００４５】
以下、本発明の各実施形態について説明する。以下の各実施形態では、樹脂封止型半導体装置のシワの発生を防止するための封止テープを連続的に供給する方法と、封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置とについて、図面を参照しながら説明する。
【００４６】
（第１の実施形態）
図９（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の第１の実施形態における封止テープの供給装置を付設した樹脂封止装置および樹脂封止工程を示す斜視図である。また、図１０は、第１の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【００４７】
図９（ａ）に示すように、封止金型は上金型１５１ａと下金型１５１ｂとからなり、下金型１５１ｂには、多数の半導体製品成型部１６０（ダイキャビティ）と、各半導体製品成型部１５５に封止樹脂を供給するための封止樹脂流通路１６１とが設けられている。また、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６ｂとの間で一定の張力を加えながら、連続的に封止テープ１５２の巻き出しと巻き取りとを行なうことが可能に構成されている。
【００４８】
そして、図９（ｂ）に示すように、多数の半導体チップを搭載したリードフレーム１５３が下金型１５１ｂの半導体製品成型部１６０に供給され、樹脂タブレット１５４ａが下金型１５１ｂの封止樹脂供給部に投入される。
【００４９】
次に、図１０に示すように、封止金型の上金型１５１ａと下金型１５１ｂとが型締めされ、ピストン１５８により下方から溶融した封止樹脂が各半導体製品成型部１６０に供給されて、樹脂封止型半導体装置１５５が射出成形される。そして、射出成形が終了すると、下金型１５１ｂが開く。
【００５０】
この時、下金型１５１ｂが開くと同時に、図９（ｃ）に示す樹脂カル１５４ｂと樹脂封止型半導体装置１５５から封止テープ１５２が引き離される。また、封止テープ１５２のうち、この樹脂封止工程で使用された部分は巻き取りロールー１５６ｂに巻き取られ、次の樹脂封止工程で使用する部分は巻き出しロール１５６ａから供給される。その間に、樹脂カル１５４ｂと樹脂封止型半導体装置１５５とは、下金型１５１ｂから取り出される。
【００５１】
本実施形態の第１の実施形態によると、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６ｂとの間で、連続的に封止テープ１５２を供給することにより、封止テープを用いた樹脂封止工程を迅速に行なうことができ、生産効率の向上を図ることができる。
【００５２】
また、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６ｂとに回転力を加えることで、封止テープ１５２に適正な張力を与えることができ、樹脂封止工程における封止テープ１５２のシワの発生を抑制することができる。
【００５３】
図１８（ａ），（ｂ）は、封止テープ供給装置を設けず、かつ封止テープに張力を与えずに樹脂封止を行なうようにした樹脂封止装置の斜視図、および樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。ただし、図１８（ａ），（ｂ）において図９（ａ），（ｂ）と同じ符号で示す部材は既に説明したとおりである。この場合には、封止テープ１５２を単に広げて封止金型に装着するだけで、何も張力は付与されていない。
【００５４】
図１９（ａ），（ｂ）は、図１８（ａ），（ｂ）に示すごとく封止テープに張力を付与しない状態で樹脂封止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封止体の断面図である。ただし、図１９（ａ），（ｂ）において図１（ａ），（ｂ）と同じ符号で示す部材は既に説明したとおりである。この場合には、封止テープ１５２を単に広げて封止金型に装着するだけで、何も張力は付与されていない。また、図２０（ａ），（ｂ）は、図９（ａ），（ｂ）に示すごとく封止テープに張力を付与した状態で樹脂封止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封止体の断面図である。ただし、図１９（ａ）および図２０（ａ）では、樹脂封止体と同じ上下関係で表示するために、図１８（ａ），図９（ａ）に示す状態とは上下を逆にして表示している。
【００５５】
封止テープに張力を付与しないで樹脂封止を行なうと、封止テープには、図１９（ａ）に示すようなシワや、たるみ，破れなどが生じることがある。そして、このシワなどが生じると、それがそのまま封止樹脂１７に転写されるので、樹脂封止工程の終了後の取り出された樹脂封止体の封止樹脂１７の裏面には、図１９（ｂ）に示すようなくぼみなどが発生するおそれがあった。このようなくぼみが発生すると、外観が損なわれるだけでなく、封止されている部材の一部が露出したり、封止樹脂１７のクラックが生じるなどのおそれがある。
【００５６】
それに対し、本実施形態のごとく封止テープをロール供給装置を介して封止金型に装着することにより、封止テープに一定の張力が付与されるので、樹脂封止工程においては、図２０（ａ）に示すように封止テープにシワが発生したり、リード間に封止テープが引き込まれたりするのを抑制することができる。そして、樹脂封止工程の終了後に取り出された樹脂封止体の封止樹脂１７の裏面にくぼみやリード間のシワなどが発生しないので、外観的にも特性的にも良好な樹脂封止型半導体装置が得られる。すなわち、不良率の低減による歩留まりの向上を図ることができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
図１１は、本実施形態の第２の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図である。また、図１２は、第２の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【００５８】
図１１に示すように、第２の実施形態における封止金型の構造は、上記図９（ａ）に示す第１の実施形態に示す封止金型の構造と同じであるので、同図において図９（ａ）と同じ符号を付した部材の説明は省略する。本実施形態では、４つの回転ロール１５９が設けられており、この４つの回転ロール１５９の間に封止テープ１５２がフープ状に張架されている。そして、上記４つの回転ロール１５９のうちのいずれか１つが駆動ロールとして機能するように構成されており、封止テープ１５２を図中時計回りに回転移動させる構成となっている。また、封止金型の側方かつ封止テープ１５２が封止金型から送られる側には、封止テープを１５２を清掃するためのクリーナー１６５が設けられている。
【００５９】
そして、第１の実施形態とほぼ同じ手順で射出成型までを行なう。すなわち、図１２に示すように、多数の半導体チップを搭載したリードフレーム１５３が下金型１５１ｂの半導体製品成型部１６０に供給され、樹脂タブレットが下金型１５１ｂの封止樹脂供給部に投入される。そして、封止金型の上金型１５１ａと下金型１５１ｂとが型締めされ、ピストン１５８により下方から溶融した封止樹脂が各半導体製品成型部１６０に供給されて、樹脂封止型半導体装置１５５が射出成形される。そして、射出成形が終了すると、下金型１５１ｂが開く。また、下金型１５１ｂが開くと同時に、樹脂カル１５４ｂと樹脂封止型半導体装置１５５から封止テープ１５２が引き離される。また、回転ロール１５９が回転して、封止テープ１５２が回転移動するとともにクリーナー１６５によって清掃され、使用された部分に付着している樹脂カス，ゴミ等は除去される。このとき、封止テープ１５２はフープ状になっており、フープが一回転するとテープ送りのピッチが変更され、少なくとも２〜３ラウンドの間は、既に使用した領域間に存在する未使用領域のテープ部分を使用できることが最も重要である。なお、その間に、樹脂カル１５４ｂと樹脂封止型半導体装置１５５とは、下金型１５１ｂから取り出される。
【００６０】
本実施形態によると、上記第１の実施形態と同様に、連続的に封止テープ１５２を供給しながら樹脂封止を行なうことができるので、生産効率を高めることができる。また、回転ロール１５９間に外方への引っ張り力を加えることで、封止テープ１５２に適正な張力を与え、くぼみなどのない外観的にも特性的に優れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。すなわち、不良率の低減による歩留まりの向上を図ることができる。
【００６１】
加えて、本実施形態のような封止テープ供給装置を用い、閉ループ状の封止テープ１５２を清掃しながら使用することで、封止テープ１５２を無駄なく使用できる利点がある。
【００６２】
なお、封止テープ１５２に張力を与えるための付勢用ロール（図１１の破線参照）を別途設けてもよい。
【００６３】
（第３の実施形態）
図１３（ａ）は、本実施形態の第３の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図である。また、図１３（ｂ）は、第３の実施形態における封止テープ供給装置及び下金型の上面図である。
【００６４】
図１３（ａ），（ｂ）に示すように、第３の実施形態における封止金型の構造は、上記図９（ａ）に示す第１の実施形態に示す封止金型の構造と同じであるので、図中図９（ａ）と同じ符号を付した部材の説明は省略する。本実施形態では、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６ｂとの間で一定の張力を加えながら、連続的に封止テープ１５２の巻き出しと巻き取りとを行なうことが可能に構成されており、さらに、封止金型から離れた位置に、封止テープ１５２を予備加熱するためのヒータ１６６が設けられている。また、本実施形態では、第１の実施形態とは異なり、巻き出しロール１５６ａ及び巻き取りロール１５６ｂは、封止テープ１５２を封止金型とは離れた場所と封止金型の上金型−下金型間の位置との間で移動可能なローラーユニット内に組み込まれている。
【００６５】
本実施形態では、封止テープ１５２を封止金型に供給する前にヒータ１６６で封止金型の温度よりも低い温度で予備加熱を行なってから射出成型までを行なう。すなわち、多数の半導体チップを搭載したリードフレームが下金型１５１ｂの半導体製品成型部１６０に供給され、樹脂タブレットが下金型１５１ｂの封止樹脂供給部に投入される。そして、封止金型の上金型１５１ａと下金型１５１ｂとが型締めされ、溶融した封止樹脂が各半導体製品成型部１６０に供給されて、樹脂封止型半導体装置が射出成形される。そして、射出成形が終了すると、下金型１５１ｂが開く。また、下金型１５１ｂが開くと同時に、樹脂カルと樹脂封止型半導体装置１５５から封止テープ１５２が引き離される。また、封止テープ１５２のうち、この樹脂封止工程で使用された部分は巻き取りロール１５６ｂに巻き取られ、次の樹脂封止工程で使用する部分は巻き出しロール１５６ａから供給される。その間に、樹脂カルと樹脂封止型半導体装置とは、下金型１５１ｂから取り出される。封止テープ１５２は、射出成型の終了後に下金型１５１ｂから離されて完全に単独の状態になった後、いったん、ローラーユニットごと所定の位置に移動し、使用された部分だけ巻き取りロールー１５６ｂで巻き取られ、封止テープ１５２の未使用部分が供給され、封止テープ１５２の未使用部分は封止金型より低い温度で予備加熱される。
【００６６】
本実施形態によると、上記第１の実施形態と同様に、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６ｂとの間で、連続的に封止テープ１５２を供給することにより、封止テープを用いた樹脂封止工程を迅速に行なうことができ、生産効率の向上を図ることができる。また、巻き出しロール１５６ａと巻き取りロール１５６ｂとに回転力を加えることで、封止テープ１５２に適正な張力を与え、くぼみなどのない外観的にも特性的に優れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。すなわち、不良率の低減による歩留まりの向上を図ることができる。
【００６７】
加えて、封止テープ１５２を連続的に供給する際にテープを熱せられている封止金型に接触しないようにして供給し、さらに供給する直前に封止テープ１５２を予備加熱することで、封止テープ１５２のシワ、たるみの発生をより効果的に抑制することができるので、樹脂封止型半導体装置の不良の発生率を大幅に低減させることができる。
【００６８】
（第４の実施形態）
図１４は、本実施形態の第４の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図である。また、図１５は、第４の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【００６９】
本実施形態では、上記第３の実施形態と同様に、巻き出しロール１５６ａ及び巻き取りロール１５６ｂと封止テープ１５２を予備加熱するためのヒータ１６６とを有するローラユニットを備えている。ただし、本実施形態では、ローラユニットは常に封止テープ１５２を上金型−下金型間に保持するように構成されている。
【００７０】
本実施形態では、ローラユニットが封止金型の設置されている場所から離れた場所まで大きく移動できるように構成されていない点を除くと、第３の実施形態と同様の手順で射出成形及びその後の処理が行なわれるので、それらについての説明は省略する。なお、図１５において図１０におけると同じ符号で示されている部材は、図１０において説明したとおりである。
【００７１】
本実施形態によると、第３の実施形態と同様に、封止テープ１５２を連続的に供給する際にテープを熱せられている封止金型に接触しないようにして供給し、さらに供給する直前に熱することで、封止テープ１５２のシワ、たるみの発生を低減し、樹脂封止型半導体装置不良の発生率を低減させることができる。特に、第３の実施形態に比べて省スペースで封止テープ１５２を供給できることが最も重要である。
【００７２】
（第５の実施形態）
図１６（ａ）は、本実施形態の第５の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図である。また、図１６（ｂ）は、第５の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【００７３】
図１６（ａ）に示すように、第５の実施形態における封止金型の構造は、上記図９（ａ）に示す第１の実施形態に示す封止金型の構造と同じであるので、同図において図９（ａ）と同じ符号を付した部材の説明は省略する。本実施形態では、封止テープ供給装置において、巻き出しロール１５６ａ及び巻き取りロール１５６ｂとに加えて、上金型１５１ａのコーナー部に封止テープ１５２の破れを防止するための補助ロール１６７が設けられている点が特徴である。
【００７４】
そして、第１の実施形態とほぼ同じ手順で射出成型までを行なう。すなわち、図１６（ｂ）に示すように、多数の半導体チップを搭載したリードフレーム１５３が下金型１５１ｂの半導体製品成型部１６０に供給され、樹脂タブレットが下金型１５１ｂの封止樹脂供給部に投入される。そして、封止金型の上金型１５１ａと下金型１５１ｂとが型締めされ、ピストン１５８により下方から溶融した封止樹脂が各半導体製品成型部１６０に供給されて、樹脂封止型半導体装置１５５が射出成形される。そして、射出成形が終了すると、下金型１５１ｂが開く。また、下金型１５１ｂが開くと同時に、樹脂カルと樹脂封止型半導体装置１５５から封止テープ１５２が引き離される。その間に、樹脂カルと樹脂封止型半導体装置１５５とは、下金型１５１ｂから取り出される。本実施形態では、供給される未使用部分の封止テープ１５２は上金型１５１ａのコーナー部にある補助ロール１６７に沿って供給される。
【００７５】
本実施形態によると、上記第１の実施形態と同様に、連続的に封止テープ１５２を供給しながら樹脂封止を行なうことができるので、生産効率を高めることができる。また、巻き出しロール−巻き取りロール間に外方への引っ張り力を加えることで、封止テープ１５２に適正な張力を与え、くぼみなどのない外観的にも特性的に優れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。すなわち、不良率の低減による歩留まりの向上を図ることができる。
【００７６】
加えて、上金型１５１ａのコーナー部に補助ロール１５７を設け、補助ロール１５７に沿って封止テープ１５２を供給するので、封止テープ１５２が供給される際のテープのシワ、たるみ、破れの発生を低減することができ、樹脂封止型半導体装置不良の発生率をより効果的に低減させることができる。
【００７７】
（第６の実施形態）
図１７（ａ）は、本実施形態の第６の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図である。また、図１７（ｂ）は、封止テープの上から封止テープ及び下金型を見たときの平面図である。
【００７８】
図１７（ａ）に示すように、本実施形態における封止金型の構造は、上記図９（ａ）に示す第１の実施形態に示す封止金型の構造と同じであるので、同図において図９（ａ）と同じ符号を付した部材の説明は省略する。本実施形態では、封止テープ供給装置において、巻き出しロール１５６ａ及び巻き取りロール１５６ｂのうち少なくともいずれか一方にズレ補正手段としてのθ補正機構が設けられている。また、巻き出しロール１５６ａ及び巻き取りロール１５６ｂのうちいずれか一方をロール軸方向に平行な方向に移動させるズレ補正手段としてのロール移動機構が設けられている。ただし、このズレ補正手段としては、θ補正機構とロール移動機構のうちいずれか一方が設けられていれば、封止テープ１５２にシワが発生しないように、封止テープ１５２の横ズレを補正して封止テープ１５２に均一な張力を与えることができる。
【００７９】
そして、第１の実施形態とほぼ同じ手順で射出成型までを行なう。すなわち、多数の半導体チップを搭載したリードフレームが下金型１５１ｂの半導体製品成型部１６０に供給され、樹脂タブレットが下金型１５１ｂの封止樹脂供給部に投入される。そして、封止金型の上金型１５１ａと下金型１５１ｂとが型締めされ、溶融した封止樹脂が各半導体製品成型部１６０に供給されて、樹脂封止型半導体装置が射出成形される。そして、射出成形が終了すると、下金型１５１ｂが開く。また、下金型１５１ｂが開くと同時に、樹脂カルと樹脂封止型半導体装置１５５とから封止テープ１５２が引き離される。その間に、樹脂カルと樹脂封止型半導体装置１５５とは、下金型１５１ｂから取り出される。
【００８０】
本実施形態によると、上記第１の実施形態と同様に、連続的に封止テープ１５２を供給しながら樹脂封止を行なうことができるので、生産効率を高めることができる。また、巻き出しロール−巻き取りロール間に外方への引っ張り力を加えることで、封止テープ１５２に適正な張力を与え、くぼみなどのない外観的にも特性的に優れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。すなわち、不良率の低減による歩留まりの向上を図ることができる。
【００８１】
加えて、巻き出しロール１５６ａ又は巻き取りロール１５６ｂにθ補正機構又はロール移動機構が設けられているので、使用される際における封止テープ１５２のたるみ、シワ等で歪むθ方向のテープのズレを補正することができ、生産効率を大幅に向上させることができる。
【００８２】
【発明の効果】
本発明の封止テープ供給装置によると、量産工程における樹脂封止型半導体装置の製造に供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の封止樹脂を透過して示す平面図及び断面図である。
【図２】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面図である。
【図３】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合する工程を示す断面図である。
【図４】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面図である。
【図５】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の製造工程における封止テープをリードフレームの下に敷く工程を示す断面図である。
【図６】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図７】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるインナーリードの先端カット工程の終了後の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図８】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置の製造工程によって形成された樹脂封止型半導体装置の部分裏面図である。
【図９】第１の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置および樹脂封止工程を示す斜視図である。
【図１０】第１の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【図１１】第２の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図である。
【図１２】第２の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【図１３】第３の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図、ならびに封止テープ供給装置及び下金型の上面図である。
【図１４】第４の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図である。
【図１５】第４の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【図１６】第５の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図、及び第５の実施形態における樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【図１７】第６の実施形態における封止テープ供給装置を付設した樹脂封止装置の斜視図、及び封止テープの上から封止テープ及び下金型を見たときの平面図である。
【図１８】封止テープ供給装置を設けず、かつ封止テープに張力を与えずに樹脂封止を行なうようにした樹脂封止装置の斜視図、および樹脂封止工程中の１つの工程を示す断面図である。
【図１９】封止テープに張力を付与しない状態で樹脂封止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封止体の断面図である。
【図２０】封止テープに張力を付与した状態で樹脂封止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封止体の断面図である。
【図２１】裏面側に外部電極を有するタイプの従来の樹脂封止型半導体装置の平面図及び断面図である。
【図２２】外部電極にボール電極を設けてスタンドオフ高さを確保した従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面図である。
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合する工程を示す断面図である。
【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面図である。
【図２６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１２　　インナーリード
１３　　ダイパッド
１４　　吊りリード
１５　　半導体チップ
１６　　金属細線
１７　　封止樹脂
１８　　外部電極
１９　　ディプレス部
２０　　リードフレーム
２１　　封止テープ
１５１ａ　上金型
１５１ｂ　下金型
１５２　　封止テープ
１５３　　リードフレーム
１５４ａ　樹脂タブレット
１５４ｂ　樹脂カル
１５５　　樹脂封止型半導体装置
１５６ａ　巻き出しロール
１５６ｂ　巻き取りロール
１５８　　ピストン
１５９　　回転ロール
１６０　　半導体製品成形部
１６１　　封止樹脂流通路
１６５　　クリーナー
１６６　　ヒータ
１６７　　補助ロール
【図１】
2004056105.tif 000003
【図２】
2004056105.tif 000004
【図３】
2004056105.tif 000005
【図４】
2004056105.tif 000006
【図５】
2004056105.tif 000007
【図６】
2004056105.tif 000008
【図７】
2004056105.tif 000009
【図８】
2004056105.tif 000010
【図９】
2004056105.tif 000011
【図１０】
2004056105.tif 000012
【図１１】
2004056105.tif 000013
【図１２】
2004056105.tif 000014
【図１３】
2004056105.tif 000015
【図１４】
2004056105.tif 000016
【図１５】
2004056105.tif 000017
【図１６】
2004056105.tif 000018
【図１７】
2004056105.tif 000019
【図１８】
2004056105.tif 000020
【図１９】
2004056105.tif 000021
【図２０】
2004056105.tif 000022
【図２１】
2004056105.tif 000023
【図２２】
2004056105.tif 000024
【図２３】
2004056105.tif 000025
【図２４】
2004056105.tif 000026
【図２５】
2004056105.tif 000027
【図２６】
2004056105.tif 000028