(57)【要約】【課題】マスクを安全に保持することができるマスク検査装置を提供する。【解決手段】レチクル１０は、ピン１０６により下方から支持されると共に、押さえ金具１０４の当てコマ１０４ｂに押し当てられ、押さえ金具１０５の傾斜面１０５ｂに添えられ、チャック１０２に対して位置決めされた状態で保持される。この状態で、チャック１０２ごとステージ１０１上に搬送する。ピン１０６が上昇してチャック１０２にレチクル１０を押し当て吸着させた後、再び下降する。レチクル１０の計測が終了すると、再びピン１０６が上昇し、レチクル１０を下から支持して押さえ金具１０４，１０５の支持位置まで下降させる。この状態でチャック１０２ごとステージ１０１上から搬出する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感応基板上に露光転写すべきデバイスパターンが形成されたマスク上のパターンの位置及び／又は欠陥を検査する装置であって、
前記マスクを吊すような形態で前記マスクの周辺部（保持部）を保持する保持手段と、
該保持手段の下方において前記マスクを機械的に支持するマスクサポート機構と、
を具備することを特徴とするマスク検査装置。
【請求項２】
前記マスクサポート機構が、昇降式となっていることを特徴とする請求項１に記載のマスク検査装置。
【請求項３】
前記サポート機構が、検査対象であるマスクの位置決め機構を兼ねることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスク検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス等の原版であるマスク（レチクルを含む）の検査装置に関する。特には、マスクを安全に保持することができるマスク検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路等のリソグラフィ工程では、マスク上に形成された原版パターンを、露光装置を用いてウェハ（感応基板）上に露光転写する。ここで、レチクルのパターン位置に欠陥や歪みがあると、転写露光したパターンの位置や形状の正確さ（露光精度）が低下する。このような事態となるのを防ぐため、マスクのパターン位置誤差（ｉｍａｇｅ　　ｐｌａｃｅｍｅｎｔエラー，ＩＰエラー）や欠陥、歪みについて検査し、不良の生じているレチクルを排除するようにしている。あるいは、露光装置側に適当な補正手段（像形状補正レンズや偏向器）がある場合には、レチクル上のパターンの誤差が、このパターンの像には表れないように補正することもできる。
【０００３】
ところで、デバイスパターンのさらなる微細化に対応すべく、電子線露光によるウェハ量産技術の開発が進められているが、電子線露光におけるマスク（レチクル）の構造に伴うマスク検査上の課題がある。ここで、まず、ウェハの量産露光に適用が可能と考えられている分割転写式の電子線投影露光技術について説明する。
【０００４】
図３は、分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す図である。
【０００５】
光学系の最上流に配置される電子銃１は、下方に向けて電子線を照射する。電子線１の下方にはコンデンサレンズ２，３が備えられており、電子線はこれらのコンデンサレンズ２，３によって収束されブランキンク開口７にクロスオーバーｃ．ｏ．を結像する。
【０００６】
コンデンサレンズ３の下には、矩形開口４が備えられている。この矩形開口（照射ビーム形成開口）４は、レチクル（マスク）１０の一つのサブフィールド（露光の１単位となるパターン小領域）を照射する照明ビームのみを通過させる。この開口４の像は、レンズ９によってレチクル１０に結像される。
【０００７】
ビーム成形開口４の下方には、ブランキング偏光器５が配置されている。偏光器５は、必要時に照明ビームを偏向させてブランキング開口７の非開口部に当て、ビームがレチクル１０に当たらないようにする。
ブランキング開口７の下には、照明ビーム偏向器８が配置されている。この偏向器８は、主に照明ビームを図４の横方向（Ｘ方向）に順次走査して、照明光学系の視野内にあるレチクル１０のサブフィールドの照明を行う。偏向器８の下方には、照明レンズ９が配置されている。照明レンズ９は、レチクル１０上にビーム成形開口４を結像させる。
【０００８】
レチクル１０は、実際には光軸垂直面内（Ｘ−Ｙ面）に広がっており（図４を参照しつつ後述）、多数のサブフィールドを有する。レチクル１０上には、全体として一個の半導体デバイスチップをなすパターン（チップパターン）が形成されている。レチクル１０は、移動可能なレチクルステージ１１上に保持される。レチクル１０をレチクルステージ１１上で光軸垂直方向（ＸＹ方向）に動かすことにより、照明光学系の視野よりも広い範囲に広がるレチクル上の各サブフィールドを照明することができる。
【０００９】
レチクルステージ１１には、レーザ干渉計を用いた位置検出器１２が付設されており、レチクルステージ１１の位置をリアルタイムで正確に把握することができる。
【００１０】
レチクルステージ１１の下方には、投影レンズ１５及び１９を含む投影光学系が設けられている。レチクル１０の一つのサブフィールドを通過した電子線は、投影レンズ１５、１９、偏向器１６によってウェハ２３上の所定の位置に結像される。ウェハ２３上には、適当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のドーズが与えられ、レチクル上のパターンが縮小されてウェハ２３上に転写される。
【００１１】
レチクル１０とウェハ２３の間を縮小比率で内分する点にクロスオーバーｃ．ｏ．が形成され、同クロスオーバー位置にはコントラスト開口１８が設けられている。コントラスト開口１８は、レチクル１０の非パターン部で散乱された電子線がウェハ２３に到達しないように遮断する。
【００１２】
ウェハ２３の直上には反射電子検出器２２が配置されている。反射電子検出器２２は、ウェハ２３の被露光面や、ステージ上のマークで反射される電子の量を検出する。例えばレチクル１０上のマークパターンを通過したビームでウェハ２３上のマークを走査し、その際のマークからの反射電子を検出することにより、レチクル１０とウェハ２３との相対的位置関係を知ることができる。
【００１３】
ウェハ２３は、図示せぬ静電チャックを介して、ＸＹ方向に移動可能なウェハステージ上２４に載置されている。上記レチクルステージ１１とウェハステージ２４とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、投影光学系の視野を越えて広がるチップパターン内の各部を順次露光することができる。なお、ウェハステージ２４上にも、上述のレチクルステージ１１と同様の位置検出器２５が装備されている。
【００１４】
上記各レンズ２，３，９，１５，１９及び各偏向器５，８，１６は、各々のコイル電源制御部２ａ，３ａ９ａ１５ａ、１９ａ及び５ａ、８ａ、１６ａを介してコントローラ３１により制御される。また、レチクルステージ１１及びウェハステージ２４も、ステージ制御部１１ａ、２４ａを介して、コントローラ３１により制御される。ステージ位置検出器１２，２５は、アンプやＡ／Ｄ変換器等を含むインターフェイス１２ａ、２５ａを介してコントローラ３１に信号を送る。また、反射電子検出器２２も同様のインターフェイス２２ａを介してコントローラ３１に信号を送る。
【００１５】
コントローラ３１は、ステージ位置の制御誤差や投影ビームの位置誤差を把握し、その誤差を像位置調整偏向器１６で補正する。これによりレチクル１０上のサブフィールドの縮小像がウェハ２３上の目標位置に正確に転写される。そして、ウェハ２３上で各サブフィールド像がつなぎ合わされて、レチクル上のチップパターン全体がウェハに転写される。
【００１６】
次に分割転写式の電子線投影露光に用いられるレチクルについて図４を参照しつつ説明する。
図４は、電子線投影露光用のレチクルの構成例を模式的に示す図である。（Ａ）は全体の平面図であり、（Ｂ）は一部の斜視図であり、（Ｃ）は一つの小メンブレン領域の平面図である。このようなレチクルは、例えばシリコンウェハに電子線描画・エッチングを行うことにより製作できる。
【００１７】
図４（Ａ）には、レチクル１０における全体のパターン分割配置状態が示されている。同図中に多数の正方形４１で示される領域が、一つのサブフィールドに対応したパターン領域を含む小メンブレン領域である。同領域４１の厚さは、例えば１〜２μｍである。図４（Ｃ）に示すように、小メンブレン領域４１は、中央部のパターン領域（サブフィールド）４２と、その周囲の額縁状の非パターン領域（スカート）４３とからなる。サブフィールド４２は、転写すべきパターンの形成された部分である。スカート４３はパターンの形成されていない部分であり、照明ビームの縁の部分が当たる。パターン形成の形態としては、メンブレンに孔明き部を設けるステンシルタイプと、電子線の高散乱体からなるパターン層をメンブレン上に形成する散乱メンブレンタイプとがある。このメンブレン領域４１の下面が本明細書にいうパターン面（パターン領域）である。
【００１８】
小メンブレン領域４１の周囲の直交する格子状のグリレージ（マイナーストラット、支持体層）４５と呼ばれる部分は、レチクルの機械強度を保つための梁である。グリレージ４５の厚さは、例えば０．７ｍｍである。上述のメンブレン小領域４１は、グリレージ４５の下端と同一のレベルで広がっている。図４（Ａ）に示すように、図の横方向（Ｘ方向）に多数の小メンブレン領域４１が並んで一つのグループ（エレクトリカルストライプ４４）をなし、そのようなエレクトリカルストライプ４４が図の縦方向（Ｙ方向）に多数並んで１つのメカニカルストライプ４９を形成している。エレクトリカルストライプ４４の長さ（メカニカルストライプ４９の幅）は照明光学系の偏向可能視野の大きさによって制限される。
【００１９】
メカニカルストライプ４９は、Ｘ方向に並列に複数存在する。隣り合うメカニカルストライプ４９の間に示されている幅の太い梁は、レチクル全体のたわみを小さく保つためのストラット（メジャーストラット，支持体層）４７である。ストラット４７はグリレージ４５と一体である。レチクル１０の外周縁部５０は円形であり、グリレージ４５やストラット４７と同じ厚さである。この外周縁部５０が、レチクルステージ１１上でレチクル保持装置（チャック）１１ｂ（図５参照）に保持するマスク保持部５０である。
【００２０】
次に、レチクル１０の電子線露光装置内での取り付け方について説明する。
図５は、電子線露光装置内のレチクルステージ１１に保持されたレチクル１０と投影光学系２６を概略的に示す図である。レチクルステージ１１にはマスク保持装置１１ｂが設けられている。マスク保持装置１１ｂは、例えば、リング形状の静電吸着チャックである。分割転写方式のマスク（レチクル）１０は、露光装置内では、レチクル１０のパターン面１０ａが下向きにされ、マスク保持装置（以下、チャックともいう）１１ｂに保持される。具体的には、チャック１１ｂの保持面（上面）１１ｃにマスク１０の保持部（外周縁部）５０の下面５０ａが静電吸着される。露光装置での保持状態において、レチクル１０のパターン面（小メンブレン領域４１の下面）１０ａは下向きとなっている。
【００２１】
これは、以下の理由による。通常、露光装置内では、レチクル１０が上方に、ウェハ２３が下方に位置する。ここで、レチクル１０のパターン面１０ａを上向き、すなわちグリレージやストラット（支持体層）を下向きに保持すると、小メンブレン領域４１を通過したパターンビームがグリレージやストラットの脇を通ることになる。すると、ビームがグリレージやストラットの帯電による影響を受け、ビーム偏向するおそれがある。そこで、パターンビームが上記支持体層の影響を受けないようにするため、パターン面１０ａが下向きにされるのである。
【００２２】
次に、レチクル１０のマスク検査装置内での取り付け方について説明する。
図６は、従来より用いられているマスク検査装置を概略的に示す模式図である。このマスク検査装置は、ＸＹステージ７１や、ＸＹステージ７１上にレチクル１０を保持するマスク保持装置７１ｂを有する。マスク保持装置７１ｂは、例えば、リング形状の静電吸着チャックである。また、ＸＹステージ７１上には、レチクル１０のパターン面１０ａの像を取得して検査する検査光学系を有する。検査光学系は、対物レンズ７２やマスク１０からの反射光を検出する検出器７３を含む。
【００２３】
検査対象であるレチクル１０は、マスク保持装置（チャック）７１ｂ上に載せられる。この状態でチャック７１ｂごとステージ７１上まで搬送（自動搬送）される。レチクル１０が搬送された後、チャック７１ｂの吸着力が発生する。そして、レチクル１０はチャック７１ｂに静電吸着により保持される。具体的には、レチクル１０は、マスク保持部５０のこの状態における下面５０ｂがチャック７１ｂの保持面（上面）７１ｃに静電吸着される。この検査装置内での保持状態において、レチクル１０のパターン面１０ａは上向きとなっている。
【００２４】
検査装置内でレチクル１０のパターン面１０ａが上向きにされ支持体層４５側からチャックに保持されるのは、以下の理由による。通常、マスク検査装置の検出系（手段）は、レチクル１０の上方に位置する。そして、サブフィールドの位置を示すためのマークは、マイナーストラット（ｍｉｎｏｒ　　ｓｔｒｕｔ，支持体層）４５のパターン面１０ａ側の面に形成されている。パターン面１０ａを下向き、すなわち、ストラット（支持体層）４５を上向きに保持すると、マークが上（検出系）から見えずその位置を計測できない。このため、マスク検査装置ではパターン面１０ａを上向きにするのである。
【００２５】
上記検査装置でのレチクル１０の保持状態は、露光装置内でレチクル１０のパターン面１０ａを下向きにして、露光装置のチャック１１ｂへの吸着面５０ａを静電吸着していたのと異なる。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のマスク（レチクル）を、検査装置において、パターン面を上向きにしたまま、マスクをつり下げるような状態でマスク保持部のパターン面側を静電吸着によりチャックで保持することも考えられる。この場合、露光装置におけるのと同様に、検査装置でもマスク保持部のパターン面側がチャックにより保持される。したがって、この場合は、検査装置と露光装置におけるマスク保持状態の差は、重力（自重）により撓むマスクの方向のみが異なることになる。重力方向の違いによるマスク上のパターンの位置座標変化は、例えば変形解析等の結果から予測（補正）可能である。そして、検査装置での計測結果から予測されるパターンの位置変化を補正することにより、露光装置に保持した状態におけるパターンの位置座標を精度良く予測することが可能である。
【００２７】
しかし、上記のようにパターン面を上向きにしたままマスクをつり下げるような状態でパターン面側をチャックで吸着保持する場合、以下の課題がある。それは、チャックの吸着力が発生していない状態ではマスクが落下してしまうことである。これでは、マスクをチャックごと搬送することができない。そうすると、検査装置内でマスクの計測を行う際にチャックごとの自動搬送を含めることができなくなり、検査効率が悪くなる。その上、自動搬送まで含めた精密な計測ができないと検査精度に悪影響を及ぼすことが懸念される。
【００２８】
さらに、ステージ上で、マスクがチャックに吸着保持された状態においても、何らかの事故が発生しチャックの吸着力が途絶えた場合には、マスクが落下するおそれがある。これでは、落下によりマスクが破損してしまうといった重大な事故に繋がるおそれがある。
【００２９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、マスクを安全に保持することができるマスク検査装置を提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るマスク検査装置は、感応基板上に露光転写すべきデバイスパターンが形成されたマスク上のパターンの位置及び／又は欠陥を検査する装置であって、前記マスクを吊すような形態で前記マスクの周辺部（保持部）を保持する保持手段と、該保持手段の下方において前記マスクを機械的に支持するマスクサポート機構と、を具備することを特徴とする。
【００３１】
マスクを吊すような形態で保持する検査装置で、マスクサポート機構によりマスクを機械的に支持する。これにより、マスク検査装置の保持手段に吸着力が発生していないときでも、マスクが落下するのを防ぐので、安全にマスク検査できる。
【００３２】
さらに、マスクが落下することなく、ステージ上に保持手段ごとマスクを搬送できるので、効率よくマスク検査を行える。
【００３３】
また、検査装置でマスクを吊すような形態でパターン面側から保持することにより、露光装置におけるマスクの面と同じ側が保持される。つまり、露光装置での保持状態に近似した状態でマスク検査が行える。よって、露光装置でのパターンの位置座標を精度良く知ることができる。
【００３４】
本発明のマスク検査装置では、前記マスクサポート機構が、昇降式となっていることが好ましい。
【００３５】
マスクがマスク検査装置の保持手段に保持されるまで、マスクサポート機構が上昇してマスクを機械的にサポートする。マスクが保持手段に保持されている間は、マスクサポート機構が降下してマスクに機械的に触れない。このようにマスクサポート機構が昇降式になっている。マスクの計測中に、マスクサポート機構がマスクに触れないので、マスクの計測精度に影響を与えず、高精度な計測をすることができる。
【００３６】
本発明のマスク検査装置では、前記サポート機構が、検査対象であるマスクの位置決め機構を兼ねることが好ましい。
【００３７】
マスクサポート機構が、マスク検査装置の保持手段に対するマスクの位置決めも行うので、マスクを保持手段に保持する際に、マスクと保持手段との位置関係がばらつかない。よって、マスクの搬送から保持手段への保持を経て計測に至る一連の動作を正確かつスムーズに行うことができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかるマスク検査装置のマスク保持部（周辺部）周辺を側方から見た概略的な断面図である。また、図２は、このマスク検査装置の一連の動作を示す図である。
図１及び図２を参照して、はじめにマスク検査装置の構成について説明する。
【００３９】
マスク検査装置は、ＸＹステージ１０１上にマスク（レチクル）１０を保持する保持手段（チャック）１０２と、レチクル１０を機械的に支持するサポート機構１０４，１０５，１０６，１０７とを有する。チャック１０２の上方には、レチクル１０のパターン面１０ａの像を取得して検査する検査光学系（図６参照）が備えられる。
【００４０】
図１に示されるように、ＸＹステージ１０１上の支柱１０１’の上面には、球形のルビーボール１０３が、はめ込まれている。ルビーボール１０３は、ある円周上に１２０°振り分けで３個設けられている。リング状のチャック１０２は、このルビーボール１０３上に３点で支持される。チャックの下面１０２ａには、レチクル１０を吸着する吸着面１０２ｂが設けられる。チャック１０２には、図示せぬ真空（Ｖａｃ）配管が接続されている。この真空配管を介して、チャック１０２の吸着面１０２ｂに真空による吸着力を発生させる。レチクル１０のマスク保持部（周辺部）５０の上面５０ａが、チャック１０２の吸着面１０２ｂに吸着する。このとき、レチクル１０のパターン面１０ａは上向きである。図１では、レチクル１０がチャック１０２に吸着された状態が示されている。
【００４１】
サポート機構は、押さえ金具１０４，１０５と、ピン１０６と、ピン駆動部１０７とを備える。ピン１０６及びピン駆動部１０７は図１で省略されており、図２にのみ示されている。押さえ金具１０４，１０５は、チャック１０２の下面１０２ａから下方に突き出すように設けられる。これらの押さえ金具１０４，１０５は、レチクル１０を支持すると共に、レチクル１０のチャック１０２への位置決めも行っている。詳しく言えば、図の右側の片方の押さえ金具１０４の下部は内側に突出しており（内突部１０４ｃ）、同部１０４ｃの上面には、階段状の当てコマ１０４ｂが形成されている。図の左側のもう片方の押さえ金具１０５の下部も内側に突出しており（内突部１０５ｃ）、同部１０５ｃの上面には、傾斜面１０５ｂが形成されている。（当てコマは形成されず、フリーとなっている。）レチクル１０の保持部５０の一端１０ｂは、押さえ金具１０４の当てコマ１０４ｂ（階段状の面）に押し当てられる。レチクルの保持部５０のもう一端１０ｃは、押さえ金具１０５の傾斜面１０５ｂに添えられる。こうして、レチクル１０は、押え金具１０４，１０５によりＸＹ方向に移動しないように支持される。当てコマ１０４ｂの位置は、チャック１０２に対して固定されているので、上述のように、レチクル１０を押さえ金具１０４，１０５に支持すると、レチクル１０がチャック１０２に位置決めされることになる。
【００４２】
押さえ金具１０４の当てコマ１０４ｂ（階段状の面）からチャック１０２の下面１０２ａまでの間隔ｄ１は、レチクル１０の厚みｄ２より大きい。したがって、レチクル１０がチャック１０２に吸着された状態（図２（ｃ）参照）では、レチクル１０は押さえ金具１０４，１０５と接触しない。
【００４３】
押さえ金具１０４，１０５の下面１０４ａ，１０５ａには、押え金具１０４と押え金具１０５との間を橋渡しするようにピン駆動部１０７が設けられる。このピン駆動部１０７の上面１０７ａに、チャック１０２方向に向かって（図２で上向きに）ピン１０６は伸びるように設けられている。ピン１０６は、レチクル１０を下方から機械的に支持する。具体的には、図２（Ａ）で示されるように、ピン１０６は、押え金具１０４，１０５に保持されたレチクル１０のマスク保持部５０を下方から支持できるように、ピン駆動部１０７の上面１０７ａの保持部５０に対応する位置に、例えば２個所設けられる。ピン１０６は、例えばピエゾ素子等の圧電素子により駆動され、昇降可能である。図２（Ａ）（Ｅ）には、レチクル１０が押さえ金具１０４，１０５に支持されると共に、ピン１０６により下方から機械的に支持（サポート）されている状態が示される。
【００４４】
次に、マスク検査装置の動作について図２を参照しつつ説明する。
まず、レチクル１０を、マスク検査装置内で押さえ金具１０４，１０５により支持すると共に、ピン１０６により下方から支持する。このとき、上述したように、レチクル１０の保持部５０の一端１０ｂは押さえ金具１０４の当てコマ１０４ｂに押し当てられ、レチクル１０の保持部５０のもう一端１０ｃは押さえ金具１０５の傾斜面１０５ｂに添えられている。この状態（押さえ金具１０４，１０５による支持位置）では、チャック１０２に対してレチクル１０はＸＹ方向に位置決めがなされている。この状態で、チャック１０２ごとステージ１０１上に搬送する（図２（Ａ））。
【００４５】
レチクル１０をステージ１０１上に載置した後、チャック１０２の吸着面１０２ｂにＶａｃ配管を介して吸着力を発生させる。一方、レチクル１０を下から支持しているピン１０６を上昇させ、レチクル１０を押さえ金具１０４，１０５による支持位置から持ち上げて、チャック１０２の吸着面１０２ｂに接触させる（図２（Ｂ））。
【００４６】
レチクル１０のマスク保持部５０の上面５０ａが吸着面１０２ｂに吸着すると、ピン１０６は下降する（図２（Ｃ））。レチクル１０の計測中は、レチクル１０は、チャック１０２のみと接触しており、ピン１０６や押さえ金具１０４，１０５とは接触しない。これは、上述したように、当てコマ１０４ｂからチャック１０２の上面１０２ａまでの間隔ｄ１がレチクル１０の厚みｄ２より大きいからである。これにより、計測中に、レチクル１０に余分な力が加えられることが無い。
【００４７】
計測が終了すると、ピン１０６が再び上昇し、レチクル１０を下から支持する（図２（Ｄ））。チャック１０２の吸着力が消された後、ピン１０６は、レチクル１０を押さえ金具１０４，１０５の支持位置まで下降させる。この状態で、チャック１０２ごとレチクル１０をステージ１０１上から搬出する（図２（Ｅ））。
【００４８】
上記実施の形態によれば、マスクサポート機構によりレチクル１０を下から機械的に支持するので、チャック１０２に吸着力が発生していないときでも、レチクル１０が落下しない。よって、安全にマスク検査が行える。
【００４９】
また、マスク検査装置では、マスクを吊すような形態でパターン面１０ａ側からチャック１０２に保持する。これで、露光装置におけるレチクル１０の面と同じ側の面が保持される。この場合、検査装置と露光装置とにおけるマスク保持状態の差は、重力（自重）により撓むマスクの方向のみが異なることになる。重力方向の違いによるマスク上のパターンの位置座標変化は、例えば変形解析等の結果から予測（補正）可能である。よって、露光装置でのパターンの位置座標を精度良く知ることができる。
【００５０】
レチクル１０の計測中等、レチクル１０がチャック１０２に吸着された状態では、ピン１０６や押さえ金具１０４，１０５がレチクル１０に接触しない。よって、マスクに余分な力が加えられることが無く、計測精度に悪影響を与えないので、高精度な計測が期待できる。
【００５１】
マスクサポート機構が、チャック１０２に対するレチクル１０の位置決めも兼ねるので、レチクル１０をチャック１０２に保持する際に、両者の位置関係がばらつかない。よって、レチクル１０の搬送から搬出までの一連の動作を正確かつスムーズに行うことができる。
【００５２】
これらの一連の動作を自動搬送で行うとによりさらに効率の向上を図ることができる。
【００５３】
尚、上記実施の形態では、レチクル１０をチャック１０２に真空吸着させているが、静電吸着等、他の吸着手段を用いることができる。
【００５４】
また、ピン１０６はピエゾ素子等の圧電素子により駆動したが、これに限られず、他の駆動手段を用いることができる。
さらに、ピン１０６はピン駆動部１０７上に２個所設けられたが、レチクル１０の保持部５０を下方から機械的に支持できればよく、例えばさらに複数個所設けてもよい。
【００５５】
また、検査装置のルビーボール１０３は３個所設けられたが、これに限られない。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、マスク検査装置でマスクを安全に保持すると共に効率よく計測でき、精度の良いパターンの位置座標を予測することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかるマスク検査装置の一部分を側方から見た概略的な断面図である。
【図２】本実施の形態にかかるマスク検査装置の動作機構を示す側方から見た概略的な断面図である。
【図３】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全体における結像関係及び制御系を示す図である。
【図４】電子線投影露光用のレチクルの構成例を模式的に示す図である。
【図５】電子線露光装置内のレチクルステージに保持されたレチクルと投影光学系を概略的に示す図である。
【図６】従来より用いられているマスク検査装置を概略的に示す模式図である。
【符号の説明】
１０　　レチクル　　　　　　　　　　　　　１０ａ　　パターン面
１０ｂ，１０ｃ　　一端　　　　　　　　　　５０　　マスク保持部
５０ａ　　上面　　　　　　　　　　　　　　１０１　　ＸＹステージ
１０２　　チャック
１０２ａ，１０４ａ，１０５ａ　下面　　　　１０２ｂ　　吸着面
１０３　　ルビーボール　　　　　　　　　　１０４，１０５　　押さえ金具
１０４ｃ，１０５ｃ　　内突部　　　　　　　１０４ｂ　　当てコマ
１０５ｂ　　傾斜面　　　　　　　　　　　　１０６　　ピン
１０７　　ピン駆動部　　　　　　　　　　　１０７ａ　　　　上面
【図１】
2004094069.tif 000003
【図２】
2004094069.tif 000004
【図３】
2004094069.tif 000005
【図４】
2004094069.tif 000006
【図５】
2004094069.tif 000007
【図６】
2004094069.tif 000008