(57)【要約】【課題】固体電解コンデンサの電極体について、誘電体被膜の上に固体電解質層を形成する場合、重合液が多孔質体の層に十分に含浸されないことにより、空孔に固体電解質層が形成されないことを防ぐことができ、静電容量の大きい固体電解コンデンサを提供することを目的とする。【解決手段】弁金属箔１と、前記弁金属箔上に形成された弁金属粉末からなる多孔質体の層と、前記多孔質体の上に形成された誘電体被膜と、前記誘電体被膜の上に形成された固体電解質層７で構成され、前記多孔質体の層は、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３とＣＶ値の大きい弁金属粉末２からなり、これらは前記多孔質体の層の表面から前記弁金属箔１と前記多孔質体の層との接合面まで貫くように形成したものである。【選択図】  図１
2004266119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁金属箔と、前記弁金属箔上に形成された弁金属粉末からなる多孔質体の層と、前記多孔質体の上に形成された誘電体被膜と、前記誘電体被膜の上に形成された固体電解質層で構成され、前記多孔質体の層はＣＶ値の小さい弁金属粉末とＣＶ値の大きい弁金属粉末からなり、これら弁金属粉末は前記多孔質体の層の表面から前記弁金属箔と前記多孔質体の層との接合面まで貫くように形成した固体電解コンデンサ。
【請求項２】
ＣＶ値の小さい弁金属粉末が多孔質体の層の内周に、ＣＶ値の大きい弁金属粉末が多孔質体の外周になるように多孔質体の層を形成した請求項１記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
ＣＶ値の小さい弁金属粉末とＣＶ値の大きい弁金属粉末が縞模様になるように多孔質体の層を形成した請求項１記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
貫通孔を有する弁金属箔と、前記弁金属箔の両面に形成された弁金属粉末からなる多孔質体とから構成され、前記弁金属箔の一方の面に形成された弁金属粉末のＣＶ値を、前記弁金属箔の他方の面に形成された弁金属粉末のＣＶ値よりも大きくした固体電解コンデンサ。
【請求項５】
ＣＶ値の小さい弁金属粉末がＣＶ値≦８００００であり、ＣＶ値の大きい弁金属粉末がＣＶ値＞８００００である請求項１〜４のいずれか１つに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項６】
弁金属粉末はタンタルまたは／およびニオブである請求項１または請求項４のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は固体電解コンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、電源回路の２次側やパーソナルコンピュータのＣＰＵ周りなどに使用されるコンデンサは小型大容量化が強く望まれており、さらに高周波に対応してＥＳＲ（等価直列抵抗）の低いものが要求されている。
【０００３】
そこで、従来の技術として、図９に示すようなタンタル電解コンデンサがある。
【０００４】
図９において８１は陽極引出端子となる弁金属箔、８２はこの弁金属箔８１に形成された弁金属の多孔質体であり、弁金属粉末ペーストを焼結させることで形成される。
【０００５】
また、誘電体被膜８３は弁金属の多孔質体８２の表面及び内部に形成され、陽極酸化により緻密な膜を容易に形成することができる。
【０００６】
さらに、８４は誘電体被膜８３の上に形成された固体電解質層であり、この固体電解質層８４はポリピロールやポリチオフェンなどの導電性高分子を化学重合や電解重合によって形成する。
【０００７】
８５は固体電解質層８４の上に形成された集電体層であり、固体電解質層８４の上にカーボンや銀等の導電ペーストを塗布したりして形成することができる。
【０００８】
これにより、インピーダンスの低い固体電解コンデンサとすることができることにより高周波応答性に優れたものとすることができる（例えば特許文献１参照）。
【０００９】
ここで、上記の固体電解コンデンサの固体電解質層８４を誘電体被膜８３の上に形成するためには、まず誘電体被膜８３が形成された電極体をモノマー液に含浸させる。モノマー液には、ピロールが含まれている。次に、この電極体をモノマー液から取り出して、酸化液に含浸させて、重合させる。
【００１０】
上記の重合工程によって、誘電体被膜８３の上にポリピロールの固体電解質層８４を形成することができる。この重合工程において、固体電解質層８４が誘電体被膜８３の上を完全に覆うよう形成するためには、モノマー液や酸化液たる重合液を多孔質体の層の空孔に十分に含浸させる必要がある。
【００１１】
重合液が多孔質体の層の空孔に十分に含浸させることができなければ、重合液が含浸されていない部分は固体電解質層８４が形成されることはなく、静電容量を引き出すことができない。
【００１２】
また、図９に示す固体電解コンデンサの固体電解質層８４を誘電体被膜８３の上に形成するためには、上記のような化学重合や電解重合のほかにも誘電体被膜８３が形成された電極体を硝酸マンガン液中に浸漬させ熱分解することで、誘電体被膜８３の上に二酸化マンガン膜を形成することによっても実現することができる（例えば特許文献２参照）。
【００１３】
この熱分解の場合も同様に、二酸化マンガン膜が誘電体被膜８３の上を完全に覆うよう形成するためには硝酸マンガン液を多孔質体の層の空孔に十分に含浸させる必要がある。
【００１４】
硝酸マンガン液が多孔質体の層の空孔に十分に含浸させることができなければ、硝酸マンガン液が含浸されていない部分は二酸化マンガン膜が形成されることはなく、静電容量を引き出すことができない。
【００１５】
【特許文献１】
特開２００２−２８９４８０号公報（第３，４頁、第１図）
【特許文献２】
特開２００２−１３４３６７号公報（第５頁）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の固体電解コンデンサではポリピロール等の固体電解質層が誘電体被膜の上に形成しにくいため、十分な静電容量を引き出すことができないという課題があった。
【００１７】
上記の固体電解コンデンサは、より静電容量を大きくするために多孔質体の層にＣＶ値の高いタンタル粉末を用いる。このＣＶ値のＣはコンデンサ用粉末１ｇ当たりのコンデンサの容量であり、Ｖは化成電圧である。つまり一次粒子の粒径を小さくして実行面積を拡大させるものであり、単位体積当たりの静電容量を増加させるというものである。
【００１８】
しかし、固体電解質層を形成するときには、重合液が多孔質体の層の小さな空孔に十分に含浸されないために固体電解質層が形成されない部分が生じる。この現象は特に多孔質体の層の内部である弁金属箔の表面付近にみられる。そのため固体電解質層を形成されない部分については十分な静電容量を引き出すことができないため、結果として静電容量の大きい固体電解コンデンサを実現することができない。
【００１９】
一方、多孔質体の層の空孔に十分に重合液が含浸されるためには多孔質体の層の空孔が大きくなるように平均粒子径の大きいタンタル粉末を用いればよいが、弁金属粉末の表面積が小さくなり（ＣＶ値が小さい）静電容量の大きい固体電解コンデンサを実現することができない。
【００２０】
また、上記の課題は固体電解質層として誘電体被膜の上にポリチオフェン等の固体電解質層を形成する時や、熱分解を用いて二酸化マンガンを形成する時にも生じる。
【００２１】
そこで、本発明は上記の課題を解決するものであり、多孔質体の層の空孔に十分に重合液を含浸させることで固体電解質層をほぼ全ての誘電体被膜の上に形成することができることから、高周波特性に優れた静電容量の大きい固体電解コンデンサを提供する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、弁金属箔と、前記弁金属箔上に形成された弁金属粉末からなる多孔質体の層と、前記多孔質体の上に形成された誘電体被膜と、前記誘電体被膜の上に形成された固体電解質層で構成され、前記多孔質体の層は、ＣＶ値の小さい弁金属粉末とＣＶ値の大きい弁金属粉末からなり、これら弁金属粉末は前記多孔質体の層の表面から前記弁金属箔と前記多孔質体の層との接合面まで貫くように形成した固体電解コンデンサである。
【００２３】
上記構成によって、多孔質体の層にはＣＶ値の小さい弁金属粉末とＣＶ値の大きい弁金属粉末が形成されるため、固体電解質層を形成するための重合液は多孔質体の表面だけでなくＣＶ値の小さい弁金属粉末からもＣＶ値の大きい弁金属粉末にまわり込むため、多孔質体の層の空孔に十分に固体電解質層を形成するための重合液を含浸させることにより固体電解質層を誘電体被膜の上に形成し、十分な静電容量を引き出し静電容量の高い固体電解コンデンサを得ることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
上記の課題を解決するために本発明は、弁金属箔と、前記弁金属箔上に形成された弁金属粉末からなる多孔質体の層と、前記多孔質体の上に形成された誘電体被膜と、前記誘電体被膜の上に形成された固体電解質層で構成され、前記多孔質体の層は、ＣＶ値の小さい弁金属粉末とＣＶ値の大きい弁金属粉末からなり、これら弁金属粉末は前記多孔質体の層の表面から前記弁金属箔と前記多孔質体の層との接合面まで貫くように形成した固体電解コンデンサである。この発明によって、固体電解質層を形成しにくい多孔質体のどの部分にも固体電解質層を厚く形成できるためＥＳＲの低いコンデンサにすることができる。
【００２５】
また本発明は、ＣＶ値の小さい弁金属粉末が多孔質体の層の内周に、ＣＶ値の大きい弁金属粉末が多孔質体の外周になるように多孔質体の層を形成した固体電解コンデンサである。この発明によって、脱バインダー時にバインダーの逃げ道ができる為残留カーボンを抑制し漏れ電流を減らすことができる。
【００２６】
また本発明は、ＣＶ値の小さい弁金属粉末とＣＶ値の大きい弁金属粉末が縞模様になるように多孔質体の層を形成した固体電解コンデンサである。この発明によって、多孔質体の層の空孔に十分に固体電解質層を形成するための重合液を含浸させることにより、固体電解質層を誘電体被膜の上に形成し、十分な静電容量を引き出す固体電解コンデンサを得ることができる。
【００２７】
また本発明は、貫通孔を有する弁金属箔と、前記弁金属箔の両面に形成された弁金属粉末からなる多孔質体とから構成され、前記弁金属箔の一方の面に形成された弁金属粉末のＣＶ値を、前記弁金属箔の他方の面に形成された弁金属粉末のＣＶ値よりも大きくした固体電解コンデンサである。この発明によって、多孔質体の層の空孔に十分に誘電体被膜を形成するための化成液や固体電解質層を形成するための重合液を含浸させることにより、誘電体被膜や固体電解質層を形成し、漏れ電流が低く、静電容量を十分引き出す固体電解コンデンサを得ることができる。
【００２８】
また本発明は、ＣＶ値の小さい弁金属粉末がＣＶ値≦８００００であり、ＣＶ値の大きい弁金属粉末がＣＶ値＞８００００である請求項１〜４のいずれか１つに記載の固体電解コンデンサである。この発明によって高周波特性に優れた大容量の固体電解コンデンサを得ることができる。
【００２９】
また本発明は、弁金属粉末はタンタルまたは／およびニオブである固体電解コンデンサであり、大容量の固体電解コンデンサを得ることができる。
【００３０】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【００３１】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１における固体電解コンデンサの断面図であり、１は弁金属箔でありタンタル箔を用いた。そして、ＣＶ値の大きい弁金属粉末２と、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３により多孔質体の層が形成されて、その多孔質体の層の上に誘電体被膜５が形成されている。
【００３２】
この誘電体被膜５は陽極酸化により緻密な膜を容易に形成することができる。７は誘電体被膜５の上に形成された固体電解質層であり、８は集電体層でカーボン層、銀ペイント層により形成される。
【００３３】
図２は本発明の実施例１における固体電解コンデンサの電極体の正面図である。図３は本発明の実施例１における固体電解コンデンサの電極体の断面図である。４は弁金属粉末の焼結体からなる多孔質体の層であり、ＣＶ値の大きい弁金属粉末２とＣＶ値の小さい弁金属粉末３を有する。すなわち、平均粒子径の小さいタンタル粉末をＣＶ値の大きい弁金属粉末２に、平均粒子径の大きいタンタル粉末をＣＶ値の小さい弁金属粉末３に用いる。そして、このＣＶ値の大きい弁金属粉末２とＣＶ値の小さい弁金属粉末３により多孔質体の層４が形成される。
【００３４】
本発明の実施例１における固体電解コンデンサでは、図２に示すように多孔質体の層４に円柱状のＣＶ値の小さい弁金属粉末３を６個設けた。なお円柱状のＣＶ値の小さい弁金属粉末３は必ずしも６個である必要はない。
【００３５】
ここで、ＣＶ値の大きい弁金属粉末２には平均粒子径０．１μｍの公称１５万ＣＶのタンタル粉末を、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３には平均粒子径０．５μｍの公称４万のＣＶタンタル粉末を用いた。
【００３６】
そして、このタンタル粉末を焼結させることで、多孔質体の層４が形成される。
【００３７】
また、図３に示すようにＣＶ値の大きい弁金属粉末２とＣＶ値の小さい弁金属粉末３は多孔質体の層４の表面から多孔質体の層４と弁金属箔１との接合面まで貫くように形成される。
【００３８】
ここで、ＣＶ値が８００００以下のタンタル粉末を用いるとかなりの厚みに対しても固体電解質層を含浸形成することは可能であるが、より大容量化を実現するためには限界がある。一方、ＣＶ値が８００００以上になると固体電解質層を含浸形成することが困難であった。
【００３９】
実験の結果、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３のＣＶ値は≦８００００であれば良いことが分かった。またＣＶ値の大きい弁金属粉末２としてはより大きいＣＶ値であればあるほど大容量の固体電解コンデンサを得ることができる。
【００４０】
そして、電極体の陽極酸化により緻密な誘電体被膜５を多孔質体の上に形成し、この誘電体被膜５の上に固体電解質層７を形成し、陰極として引き出すために銀ペースト及びカーボンを固体電解質層７の上に塗布して集電体層８を形成する。
【００４１】
以上の工程により、タンタルを用いた固体電解コンデンサが構成される。
【００４２】
図４はＣＶ値の大きい弁金属粉末２とＣＶ値の小さい弁金属粉末３からなる多孔質体の層４と、弁金属箔１との接合面付近の拡大図である。５は誘電体被膜であり、６は多孔質体の層４の空孔である。
【００４３】
上記構成の固体電解コンデンサについて、以下その動作を説明する。
【００４４】
本発明の実施例１の固体電解コンデンサにおいて、誘電体被膜５の上に形成される固体電解質層７はポリピロールやポリチオフェン等を化学重合または電解重合によって形成したり、二酸化マンガンを硝酸マンガン液の熱分解等によって形成する。
【００４５】
ポリピロールの固体電解質層７を化学重合により形成するには、まず誘電体被膜５が形成された電極体をピロールのモノマー液に含浸させる。
【００４６】
次に、この電極体をモノマー液から取り出してｐ−トルエンスルホン酸第二鉄等の酸化液に含浸させて重合させる。そして重合後のこの電極体を洗浄する。これによって、誘電体被膜５の上に固体電解質層７が形成される。
【００４７】
この重合工程において、固体電解質層７を誘電体被膜５の上に緻密に形成するためには多孔質体の層の空孔６に重合液を十分に含浸させればよい。誘電体被膜５が形成された電極体を重合液に含浸させると重合液は多孔質体の層の空孔６を充填するが、重合液は液状であるために多孔質体の層の空孔６が狭いと重合液が十分に含浸しきれない。
【００４８】
ＣＶ値が大きい弁金属粉末のみを用いた場合や、ＣＶ値が異なる弁金属粉末を２種類以上用いたとしても、何ら本発明のような構成を有せず、単に混合した弁金属粉末を用いた場合には多孔質体の層の空孔６が狭くなるため、誘電体被膜５が形成された電極体を重合液に含浸させたとしても重合液が十分に多孔質体の層に含浸されず固体電解質層７が形成されない部分が生じてしまう。特にこの現象は多孔質体の内部である弁金属箔１の表面付近に顕著にみられる。
【００４９】
そのため、固体電解質層７を形成できない部分については十分な静電容量を引き出すことができないから、結果として静電容量の低い固体電解コンデンサとなってしまう。
【００５０】
本発明の実施例１の固体電解コンデンサは多孔質体の層４が平均粒子径の小さいタンタル粉末であるＣＶ値の大きい弁金属粉末２と平均粒子径の大きいタンタル粉末であるＣＶ値の小さい弁金属粉末３により形成される。このＣＶ値の小さい弁金属粉末３は多孔質体の層の空孔６が広いため、十分に重合液を含浸することができる。
【００５１】
一方、ＣＶ値の大きい弁金属粉末２の場合、多孔質体の層４の表面付近は多孔質体の層４の表面から流れ込む重合液によって十分に重合液が含浸される。しかしながら、弁金属箔１の表面付近は多孔質体の層の空孔６が狭いために、多孔質体の層４の表面から流れ込む重合液による充填は十分ではないが、図４に示すように多孔質体の層４にはＣＶ値の大きい弁金属粉末２とＣＶ値の小さい弁金属粉末３との境を有するため、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３の多孔質体の空孔からＣＶ値の大きい弁金属粉末２の多孔質体の空孔に重合液が容易に流れ込むことができる。
【００５２】
そのため、弁金属箔１の表面付近についても十分に重合液が含浸することができる。なお図４において、矢印は重合液の流れの向きを示している。
【００５３】
以上のように、本発明の実施例１の固体電解コンデンサは多孔質体の層の空孔６への重合液の含浸を良くし、固体電解質層７を多孔質体の層の空孔６の細部まで形成できるため、静電容量が大きく低ＥＳＲ性能を有する固体電解コンデンサを実現することができる。
【００５４】
また、本発明の実施例１の固体電解コンデンサの電極体は弁金属箔１の表面付近についても十分に重合液を含浸させることが可能であるため、多孔質体の層４の厚みを厚くしても多孔質体の層の空孔６へ重合液を含浸することができるために、電極体を厚くして静電容量の大きい固体電解コンデンサを実現することができる。
【００５５】
なお、本発明の実施例１ではＣＶ値の大きい弁金属粉末２に平均粒子径０．１μｍの公称１５万ＣＶのタンタル粉末を、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３に平均粒子径０．５μｍの公称４万のＣＶタンタル粉末を用いたが、ＣＶ値の大きい弁金属粉末２を形成する弁金属粉末の平均粒子径がＣＶ値の小さい弁金属粉末３を形成する弁金属粉末の平均粒子径よりも小さければよく、弁金属粉末としては必ずしもタンタルのみではなく、タンタルとニオブとの混合物であってもよい。
【００５６】
また、本発明の実施例１の固体電解コンデンサは固体電解質層７としてポリピロールを化学重合により形成したが、ポリチオフェン等を化学重合や電解重合で形成する方法でも良い。
【００５７】
さらに、誘電体被膜５が形成された本発明の実施例１の固体電解コンデンサの電極体を硝酸マンガン液中に浸漬させ熱分解することで、誘電体被膜５の上に二酸化マンガン層を形成させる方法でも、同様の効果を得ることができる。
【００５８】
さらに、本発明の実施例１の固体電解コンデンサの電極体の構成は図２に示す構成のみではなく、図５に示すようにＣＶ値の小さい弁金属粉末３が多孔質体の層４の内周に、ＣＶ値の大きい弁金属粉末２が多孔質体の層４の外周になるように多孔質体の層４を形成してもよく、図６に示すようにＣＶ値の小さい弁金属粉末３とＣＶ値の大きい弁金属粉末２が縞模様になるように多孔質体の層４を形成した構成としてもよい。
【００５９】
（実施例２）
図７は、本発明の実施例２における固体電解コンデンサの電極体の断面図である。図８は、本発明の実施例２における固体電解コンデンサの弁金属箔の正面図である。６１は弁金属箔でありタンタル箔を用いた。また、図８に示すように弁金属箔６１には貫通孔７１を設け、断面が長方形になるようにした。４は弁金属粉末からなる多孔質体の層であり、弁金属箔６１の上面にＣＶ値の小さい弁金属粉末３を設け、弁金属箔６１の下面にＣＶ値の大きい弁金属粉末２を設けた。
【００６０】
なお、貫通孔７１は必ずしも４個である必要はない。また貫通孔７１の形状は必ずしも断面が長方形になるよう形成する必要はない。
【００６１】
そして、電極体の陽極酸化により緻密な誘電体被膜５を多孔質体の上に形成し、この誘電体被膜５の上に固体電解質層７を形成し、陰極として引き出すために集電体層８として銀ペースト及びカーボンを固体電解質層７の上に塗布する。これらの工程により、タンタルを用いた固体電解コンデンサが構成される。
【００６２】
本発明の実施例２の固体電解コンデンサにおいて、誘電体被膜５の上に形成される固体電解質層７は本発明の実施例１の固体電解コンデンサと同様にポリピロールを化学重合等により形成される。
【００６３】
上記構成の固体電解コンデンサについて、以下その動作を説明する。
【００６４】
ピロールや酸化剤による重合工程において、本発明の実施例２の固体電解コンデンサの誘電体被膜５が形成された電極体を重合液に含浸させると、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３については多孔質体の層の空孔６が広いことから十分に重合液が含浸することができる。
【００６５】
一方、ＣＶ値の大きい弁金属粉末２の場合、多孔質体の層４の表面付近は多孔質体の層４の表面から流れ込む重合液によって十分に重合液が含浸される。また弁金属箔６１の表面付近は多孔質体の層の空孔６が狭いために多孔質体の層４の表面から流れ込む重合液による充填は十分ではない。しかしながら、貫通孔７１を設けることで多孔質体の層４にはＣＶ値の大きい弁金属粉末２とＣＶ値の小さい弁金属粉末３とで境を形成されるため、ＣＶ値の小さい弁金属粉末３の多孔質体の空孔からＣＶ値の大きい弁金属粉末２の多孔質体の空孔に重合液が容易に流れ込むことができる。そのために弁金属箔１の表面付近についても十分に重合液が含浸することができる。
【００６６】
また、誘電体被膜５を形成するための化成液も固体電解質層７を形成する場合と同様の効果により、多孔質体の上に緻密な誘電体被膜５を形成でき、漏れ電流を小さくすることができる。
【００６７】
以上のように、本発明の実施例２の固体電解コンデンサの電極体は多孔質体の層の空孔６への化成液や重合液の含浸性が良く、緻密な誘電体被膜５と抵抗の低い固体電解質層７を細部まで形成でき、漏れ電流が低く、静電容量が大きく且つ低ＥＳＲ特性を有する固体電解コンデンサを実現することができる。
【００６８】
また、本発明の実施例２の固体電解コンデンサの電極体は弁金属箔６１の表面付近についても十分に化成液や重合液を含浸させることが可能であるため、多孔質体の層４の厚みを厚くしても十分に多孔質体の層の空孔６への化成液や重合液の含浸を良くすることができることから、電極体を厚くすることで静電容量が大きい固体電解コンデンサを実現することができる。
【００６９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、多孔質体の層にＣＶ値の小さい弁金属粉末とＣＶ値の大きい弁金属粉末を形成することで、固体電解質層を形成するための重合液は多孔質体の表面だけでなくＣＶ値の小さい弁金属粉末の空孔からもＣＶ値の大きい弁金属粉末にまわり込むことが可能となり、多孔質体の層の空孔の細部に抵抗の低い固体電解質層を形成することができることから、静電容量が大きく低ＥＳＲ性能を有する固体電解コンデンサを提供することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における固体電解コンデンサの断面図
【図２】同固体電解コンデンサの電極体の正面図
【図３】同断面図
【図４】同固体電解コンデンサの電極体の多孔質体の層と弁金属箔との接合面付近の拡大図
【図５】同固体電解コンデンサの電極体の正面図
【図６】同固体電解コンデンサの電極体の正面図
【図７】本発明の実施例２における固体電解コンデンサの電極体の断面図
【図８】同固体電解コンデンサの電極体の弁金属箔の正面図
【図９】従来の技術の固体電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
１  弁金属箔
２  ＣＶ値の大きい弁金属粉末
３  ＣＶ値の小さい弁金属粉末
５  誘電体被膜
７  固体電解質層
８  集電体層
６１  弁金属箔
７１  貫通孔
【図１】
2004266119.tif 000003
【図２】
2004266119.tif 000004
【図３】
2004266119.tif 000005
【図４】
2004266119.tif 000006
【図５】
2004266119.tif 000007
【図６】
2004266119.tif 000008
【図７】
2004266119.tif 000009
【図８】
2004266119.tif 000010
【図９】
2004266119.tif 000011