(57)【要約】【課題】リソグラフィ投影装置において、基板上に現像された複数のパターンの相対的配置を測定するための改良形の方法を提供すること。【解決手段】デバイス・パターン上に重畳している基準マークを使用して、基板上にステップ・モードにより現像したパターンの相対的位置を測定するための方法。本明細書には、また、この方法で使用するための基準マークを含むリソグラフィ投影装置のマークも開示されている。【選択図】図２
2004200701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス製造方法であって、
放射線感光材料の層により少なくとも一部がカバーされている基板を供給するステップと、
放射線システムにより放射線の投影ビームを供給するステップと、
デバイス・パターンを含む少なくとも１つのパターニング手段を供給するステップと、
投影ビームを前記デバイス・パターンの形にするために、前記少なくとも１つのパターニング手段を使用するステップと、
放射線感光材料の層の複数の目標部分上に、放射線の前記のパターン化されたビームを投影するステップとを含み、
前記デバイス・パターンがその内部に少なくとも１つの基準マークを有することと、２つの目標部分の前記少なくとも１つの基準マークの整合を測定することにより、前記複数の目標部分の中の２つの相対的配置を決定するステップとを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項２】
前記複数の目標部分が界面において相互に隣接または重なっていて、前記目標部分上に投影された前記デバイス・パターンが、各界面に関連する前記少なくとも１つの基準マークの中の少なくとも１つを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基準マークが、前記パターンが前記基準マークに対して少なくとも２本の対称軸を有するように前記パターン内に位置している、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記基板上に複数の現像したパターンを形成するために、前記放射線感光材料を現像するステップを含む、前記請求項の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記決定ステップで整合のずれが検出された場合に、放射線感光材料の前記露光された層が除去され、前記方法が再度実行される、前記請求項の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記決定ステップに基づいて以降の投影ステップを最適化するステップを含む、前記請求項の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記請求項の何れか１項により製造したデバイス。
【請求項８】
放射線ビームをデバイス・パターンの形にするためのリソグラフィ投影マスクであって、前記マスクがデバイス・パターンを備え、前記デバイス・パターンがその内部に少なくとも１つの基準マークを有することを特徴とするリソグラフィ投影マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線感光材料の層により少なくとも一部がカバーされている基板を供給するステップと、放射線システムにより放射線の投影ビームを供給するステップと、デバイス・パターンを含む少なくとも１つのパターニング手段を供給するステップと、投影ビームを上記デバイス・パターンの形にするために、上記少なくとも１つのパターニング手段を使用するステップと、放射線感光材料の層の複数の目標部分上に、放射線のパターン化されたビームを投影するステップとを含むデバイス製造方法に関する。本発明は、また、上記方法により製造したデバイスおよび放射線ビームをデバイス・パターンの形にするためのリソグラフィ投影マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書において使用する「パターニング手段」という用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に形成されるパターンに対応するパターン化された断面を与えるために使用することができる手段を指すものとして広義に解釈されるべきである。「ライト・バルブ」という用語もこの意味で使用することができる。一般的に、上記パターンは、集積回路または他のデバイス（下記の説明を参照）などの目標部分に形成するデバイスの特定の機能層に対応する。このようなパターニング手段としては下記のものがある。すなわち、
−  マスク。マスクの概念は、リソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリ・マスク・タイプ、レベンソン・マスク・タイプ、減衰位相シフト・マスク・タイプおよび種々のハイブリッド・マスク・タイプ等がある。放射線ビーム内にこのようなマスクを置くと、マスク上のパターンにより、マスク上に入射する放射線が選択的に透過（透過性マスクの場合）または選択的に反射（反射性マスクの場合）される。あるマスクの場合には、支持構造は、一般的に、確実にマスクを入射放射線ビーム内の所望する位置に保持することができ、そうしたい場合には、ビームに対してマスクが移動することができるようなマスク・テーブルである。
−  プログラマブル・ミラー・アレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス可能面がある。このような装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するという原理である。適当なフィルタを使用することにより、反射ビームから上記の非回折光をろ過して回折光だけを後に残すことができる。このようにして、ビームは、マトリックス・アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってパターン形成される。プログラマブル・ミラー・アレイの他の実施形態は、それぞれが、適当な集中した電界を加えることにより、または圧電作動手段を使用することにより、軸を中心にして個々に傾斜することができる小さなミラーのマトリックス配置を使用する。ここでもまた、アドレスされるミラーが、アドレスされないミラーへの方向と異なる方向に入力放射線ビームを反射するように、ミラーは、マトリックス・アドレス指定することができる。このようにして、反射したビームは、マトリックス・アドレス指定することができるミラーのアドレス・パターンに従ってパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電子手段により行うことができる。上記両方の状況において、パターニング手段は、１つまたはそれ以上のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。本明細書に記載したミラー・アレイのより詳細な情報については、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号、および米国特許第５，５２３，１９３号およびＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号を参照されたい。プログラマブル・ミラー・アレイの場合には、上記支持構造を、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
−  プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構造の一例は、米国特許第５，２２９，８７２号に記載されている。すでに説明したように、この場合の支持構造は、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
【０００３】
説明を簡単にするために、本明細書の残りの部分のいくつかの箇所では、マスクおよびマスク・テーブルを含む例について集中的に説明する。しかし、このような例において説明する一般的原理は、すでに説明したように、パターニング手段の広義な意味で理解されたい。
【０００４】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。このような場合、パターニング手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成することができ、このパターンを、放射線感光材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、１つまたはそれ以上のダイを含む）に画像として形成することができる。一般的に、１つのウェハは、１回に１つずつ、投影システムにより連続的に照射される隣接する目標部分の全ネットワークを含む。１つのマスク・テーブル上に１つのマスクによりパターン形成を行う現在の装置の場合、２種類の異なるタイプがある。リソグラフィ投影装置の１つのタイプの場合には、１回の動作で目標部分上に全マスク・パターンを露光することにより各目標部分を照射することができる。このような装置は、通常、ウェハ・ステッパと呼ばれる。通常、ステップアンドスキャン装置と呼ばれる別の装置の場合には、所与の基準方向（「走査」方向）に投影ビームの下で、マスク・パターンを順次走査し、一方この方向に平行または非平行に基板テーブルを同期状態で走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影システムは、倍率計数Ｍ（一般的に、１より小さい）を有しているので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度に計数Ｍを掛けたものになる。本明細書に記載するリソグラフィ・デバイスについてのより詳細な情報は、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号を参照されたい。
【０００５】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスの場合には、パターン（例えば、マスクにおける）は、放射線感光材料（レジスト）の層で少なくとも一部が覆われている基板上に像形成される。この像形成ステップを行う前に、プライミング、レジスト・コーティングおよびソフトベークなどの種々の処理を基板に対して行うことができる。露光後、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよび像形成特性の測定／検査などの他の種々の処理を基板に対して行うことができる。このような一連の処理は、例えば、ＩＣのようなデバイスの個々の層をパターン形成する際の基準として使用される。次に、このようにパターン化された層に対して、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨などの種々のプロセスを行うことができる。これらすべてのプロセスは、個々の層を仕上げるためのものである。いくつかの層が必要な場合には、全処理またはそれを修正したものを新しい各層に対して行わなければならない。最終的に、デバイスのアレイが基板（ウェハ）上に形成される。次に、これらのデバイスは、ダイシングまたはソーイングのような技術により相互に切り離され、それにより、個々のデバイスをキャリヤ上に装着することもできるし、ピン等に接続することもできる。このようなプロセスに関するより詳細な情報は、例えば、１９９７年にマグローヒル出版社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４を参照されたい。
【０００６】
説明を簡単にするために、今後は投影システムを「レンズ」と呼ぶことにする。しかし、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む種々のタイプの投影システムを含むものと広義に解釈されるべきである。放射線システムは、また、放射線の投影ビームの誘導、成形または制御のためのこれらの設計タイプのうちのどれかにより動作する構成要素を含むこともできる。これらの構成要素も、以下の説明においては、集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ぶことにする。さらに、リソグラフィ装置は、２つまたはそれ以上の基板テーブル（および／または２つまたはそれ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものであってもよい。このような「多段」デバイスの場合には、追加テーブルを並列に使用することもできるし、または１つまたはそれ以上のテーブルを露光のために使用している間に、１つまたはそれ以上のテーブル上で準備ステップを実行することもできる。二段リソグラフィ装置については、米国特許第５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号に開示されている。
【０００７】
一般的に、リソグラフィ装置内の放射線ビームは、一度にウェハの小さな部分を露光するのに十分な大きさしか持っていない。ウェハ全体を露光することができるようにする目的でこの問題を克服するために２つの方法が使用される。第１の方法は、基板の広い部分を露光できるようにするために、マスクおよび基板を同時に移動させるいわゆる走査モードである。第２の方法は、全マスク画像が、１回で、基板の目標部分に投影され、次に、異なる部分を放射線ビームで露光することができるように、基板がシフトされるステップ・モードである。基板テーブル上の露光された部分は、部分的に重なっているか隣接している。重なっている場合および隣接している場合の両方において、基板上の空間を最大限に利用するために、それ故処理能力を最大限度まで高めるために、各部分をできるだけ完全に整合させることが望ましいことはいうまでもない。製造中のいくつかのデバイスは、いくつかの目標部分をカバーしていて、これら目標部分の整合は、デバイスを確実に正しく機能させるためにきわめて重要である。この場合、隣接する目標部分に対して同じまたは異なるマスクを使用することができる。
【０００８】
ボックス・イン・ボックスまたは類似の計測学は、位置合わせ誤差を決定するために、２つの同心ボックスまたは類似の図形（５μｍ〜１００μｍの大きさ）の特定の相対的配置をベースとしている。このことは、異なるプロセス・ステップ中に印刷した上記図形の相対的位置を測定することにより行われる。同様に、この方法は、必要な図形が測定のために必要な正しい相対的位置を有するように、隣接するダイまたはフィールドを重ねることにより、上記ダイまたはフィールドの相対的配置／位置合わせ誤差を測定するために使用することができる。
【０００９】
この方法の欠点は、フィールドを重ねなければならないし、問題の領域が計測のために使用している領域とは異なるために、本当のフィールドの隣接またはスティッチを定量することができないことである。すなわち、計測用の図形が重なり領域内に置かれている領域が、デバイスが実際にスティッチされている領域とは異なる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の１つの目的は、上記欠点を克服し、基板上に現像された複数のパターンの相対的配置を測定するための改良形の方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的および他の目的は、上記デバイス・パターンがその内部に少なくとも１つの基準マークを有すること、および上記２つの目標部分の上記少なくとも１つの基準マークの整合を測定することにより、上記複数の目標部分のうちの２つの相対的配置を決定するステップを特徴とする冒頭のところに記載した方法の本発明により達成される。
【００１２】
それ故、上記方法は、隣接しているデバイス・パターンの整合を測定するために使用することができる。その結果、配置誤差の精度をもっと正確にチェックすることができる。また、本発明は、重なっているデバイス・パターンと一緒に使用することもできる。
【００１３】
このシステムの利点は、一般的に、上記測定ステップはリソグラフィ投影装置の他の構成要素の整合を測定するための整合システムをすでに備えている既存のリソグラフィ投影装置で実行することができることである。それ故、整合の程度および必要な修正は、直接リソグラフィ投影装置で測定することができ、測定した整合のずれに対応するように次のウェハを異なる方法でステップさせ、修正が行われる効率が増大するように、結果をフィードバックすることができる。製造するデバイスがいくつかの目標部分上を延びている場合には、この方法は確実にデバイスが正しく機能するように品質制御ステップとして機能する。整合のずれが検出された場合には、レジストを除去して、正しい整合が得られるまでプロセスを再度行うことができる。
【００１４】
他の態様によれば、本発明は、放射線ビームをパターンの形に形成するためのリソグラフィ投影マスクを提供する。上記マスクは、デバイス・パターンを備えていて、上記デバイス・パターンが、その中に少なくとも１つの基準マークを有することを特徴とする。
【００１５】
ＩＣ製造の際の本発明による装置の使用について、本明細書において特定の参照を行うことができるが、このような装置は、多くの他の可能な用途を有することをはっきりと理解されたい。例えば、本発明の装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造の際に使用することができる。当業者であれば、このような別の用途の場合には、「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」のような用語の代わりに、それぞれ、もっと一般的な用語である「マスク」、「基板」および「目標部分」を使用することができることを理解することができるだろう。
【００１６】
本明細書においては、「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長の）、およびＥＵＶ（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する極紫外線）、およびイオン・ビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射線を含む。
【００１７】
添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施形態１）
図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ投影装置の略図である。この装置は、
この特定の実施形態の場合には、放射線源ＬＡも含む放射線（例えば、ＵＶ、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＥｘ、ＩＬと、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダーを備え、品目ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続している第１の対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えば、レジストでコーティングされたシリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダーを備え、品目ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続している第２の対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたはそれ以上のダイを備える）上にマスクＭＡの照射デパイス・パターンＤＰを画像形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、屈折タイプ）を備える。
【００１９】
本明細書で説明するように、上記装置は透過タイプのものである（例えば、透過性マスクを有している）。しかし、一般的にいって、上記装置は、例えば、反射性タイプのもの（例えば、反射性マスクを含む）であってもよい。別の方法としては、上記装置は、上記のようなあるタイプのプログラマブル・ミラー・アレイのような他のタイプのパターニング手段を使用することもできる。
【００２０】
放射線源ＬＡ（例えば、水銀ランプ）は、放射線ビームを生成する。このビームは、直接、または、例えば、ビーム・エクスパンダＥｘのようなコンディショニング手段を通過した後で、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の輝度分布の（通常、それぞれσアウタおよびσインナと呼ばれる）外部および／または内部の半径方向の広がりを設定するための、調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、一般的に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯのような種々の他の構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その断面内に必要な均一性と輝度分布を有する。
【００２１】
図１の場合、放射線源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に収容することができるが（例えば、放射線源ＬＡが水銀ランプの場合、多くの場合そうであるように）、リソグラフィ投影装置から離れたところに設置することもでき、放射線源ＬＡが発生する放射線ビームは装置内に導入される（例えば、適当な方向づけミラーにより）。この後者のシナリオは、多くの場合、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザの場合に使用される。本発明および特許請求の範囲はこれらのシナリオの両方を含む。
【００２２】
その後で、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡを照射する。マスクＭＡにより選択的に反射した後で、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬは基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を結ぶ。第２の位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）の助けにより、例えば、ビームＰＢの経路内の異なる目標部分Ｃに位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために、第１の位置決め手段を使用することができる。通常、対象物テーブルＭＴ、ＷＴの運動は、図１にははっきりと示していないロング・ストローク・モジュール（粗位置決め用）、およびショート・ストローク・モジュール（微細位置決め用）の助けを借りて行われる。しかし、ウェハ・ステッパ（ステップアンドスキャン装置とは対照的な）の場合には、マスク・テーブルＭＴは、ショート・ストローク・アクチュエータに単に接続することもできるし、固定することもできる。
【００２３】
図の装置は、下記の２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードの場合には、マスク・テーブルＭＴは、本質的に固定状態に維持され、全マスク画像は、１回で（すなわち、１回の「照射」で）目標部分Ｃ上に投影される。次に、異なる目標部分ＣをビームＰＢで照射することができるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向にシフトされる。
２．走査モードの場合には、所与の目標部分Ｃが１回の「照射」で露光されない点を除けば、本質的には同じシナリオが適用される。代わりに、マスク・テーブルＭＴを、速度ｖで所与の方向（例えば、ｙ方向のような、いわゆる「走査方向」）に移動することができ、その結果、投影ビームＰＢはマスク画像上を走査する。同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、Ｍは、レンズＰＬの倍率（通常、Ｍ＝１／４または１／５）である。このようにして、解像度を犠牲にしないで比較的広い目標部分Ｃを露光することができる。
【００２４】
本発明は、主として基板Ｗ上の複数の目標部分Ｃが順次露光されるステップ・モードに関する。基板上で使用される表面積を最大にするために、それ故、プロセスの効率を最大にするために、目標部分が隣接するか、または小さな部分（いわゆるパターン・スティッチ）だけ重なるように、目標部分は整合される。このタイプのプロセスは、目標部分Ｃが相互に正確に位置している場合だけ、効果的になる。本発明はステップ・モードを最適化することができるように、隣接する目標部分の整合を測定するための方法に関する。
【００２５】
本発明の場合には、マスクＭＡは、その上に基板Ｗの目標部分Ｃ上に投影されるデバイス・パターンＤＰを有する（デバイスの詳細を示していない図２参照）。マスクＭＡのデバイス・パターンＤＰは、投影はされるが、最終的に製造されるデバイスの作業部分を形成しない少なくとも１つの基準マーク５を備える。基準マーク５は、以下に説明するように、目標部分Ｃの相対的配置を測定するために使用される。デバイス・パターン内の基準マーク５、すなわち、マスクのデバイス・パターンの一部は、基準マーク５の全側面上で基準マークを完全に囲んでいて、基準マーク５はデバイス・パターンの縁部だけに存在しない。
【００２６】
図３を見れば分かるように、基板Ｗがステップ・モードで露光されると、図２に示すマスクＭＡのデバイス・パターンＤＰに対応する複数のパターンが、最初、基板の表面上の放射線感光材料上の目標部分Ｃ上に投影され、次に、複数の現像されたパターン１０、２０、３０、４０、５０を形成するために基板が現像される。これらのパターン１０、２０、３０、４０、５０は、図に示すように隣接することもできるし、または上記のように若干重なることもできる。基板の表面の面内のＸＹ方向のパターンの相対的な整合は、各現像したパターン１０、２０、３０、４０、５０の少なくとも１つの基準マーク５、５１、５２の整合を測定することにより決定することができる。
【００２７】
隣接する現像パターン１０、２０、３０、４０、５０は、同じタイプのものでなくてもよい。特に製造する１つのデバイスがいくつかの目標部分上に延びる場合には、同じタイプのものでなくてもよい。この場合には、異なるデバイス・パターンＤＰを有する異なるマスクが使用されるが、隣接するデバイス・パターンは、互換性を有するように配置された整合マーク５を含む必要がある。整合マーク５は、現像パターン１０、２０、３０、４０、５０内に完全に位置する。
【００２８】
図４は、基準マーク５１および５２の相対的位置の測定による、２つの隣接する現像したパターン３０、４０の整合のずれの測定の詳細図である。このような測定は、パターンの現像の前後に行うことができる。現像した隣接するパターン３０、４０間のずれを測定することにより、ステップ・モード中の基板テーブルの位置決めの際の誤差を計算することができ、以降の基板の製造プロセス、特にステップ中の基板Ｗの動きをこの情報に基づいて最適化することができる。
【００２９】
上記方法は、製造するデバイスがいくつかの目標部分を横切る場合には、品質制御方法として使用することができる。この場合、デバイスを欠陥デバイスとする整合のずれの程度を検出した場合には、露光した放射線感光材料の層を除去して、その層に対するプロセスを再度行うことができる。このようにして、デバイスがいずれの場合も整合のずれにより機能しない場合には、前の層を蒸着した場合の努力も無駄にならないし、以降の層の蒸着を容易に行うことができる。
【００３０】
理解いただけると思うが、現像した隣接するパターンの少なくとも１つの基準マーク５、５１、５２を相互に接近して位置決めすれば、現像した隣接するパターン３０、４０の相対的配置を最も正確に行うことができる。このような配置は、投影および現像した場合に、デバイス・パターンＤＰのもう１つの縁部に隣接するデバイス・パターンＤＰの各縁部に関連する少なくとも１つの基準マーク５、５１、５２の中の少なくとも１つを有することにより行うことができる。このような配置は、デバイス・パターンＤＰに基準マーク５に対して少なくとも２本の対称軸を供給することにより行うことができる。その様子を図２に示すが、この図を見れば、少なくとも２本の軸８０、８５が存在することが分かる。デバイス・パターンＤＰが長方形である場合には、マークは任意の場所に置くことができるとしても基準マーク５を各縁部に沿ってその中間に、縁部から離れる方向に間隔を置いて位置させると便利である。しかし、もちろん、基準マーク５は、実際のデバイスの詳細を含んでいないデバイス・パターンＤＰの領域内に位置させなければならない。
【００３１】
リソグラフィ投影機械は、すでに、位置決めマークＭ１、Ｍ２を使用するマスクＭＡ、整合マークＰ１、Ｐ２を使用する基板Ｗのような種々のデバイスを正確に位置決めするための整合センサを備える。これらの整合システムは、回折格子を使用する光学的回折方法をベースとしている。図５は、本発明のデバイス・パターンＤＰで使用することができる基準マーク５である。リソグラフィ投影装置の既存の整合システムは、現像したパターン１０、２０、３０、４０、５０の相対的なずれを測定するために、このようなマーク５を使用することができる。整合マークのこのパターンは周知のものであり、国際特許出願第ＷＯ９８／３９６８９号に詳細に説明されている。またこの文献にはこのようなマークを使用する軸上のおよび軸から外れた整合についても記載されている。
【００３２】
以上、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は上記以外の方法でも実施することができることを理解することができるだろう。上記説明は本発明を制限するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置である。
【図２】本発明のマスクによるリソグラフィ・デバイス・パターンである。
【図３】基板表面上の複数の現像したパターンである。
【図４】基板表面上の隣接するパターンの整合のずれの測定値である。
【図５】本発明による基準マークである。  図面において、対応する参照符号はその対応する部品を示す。
【符号の説明】
【００３４】
ＬＡ  放射線源
ＰＢ  投影ビーム
ＭＴ  マスク・テーブル
ＷＴ  基板テーブル
ＤＰ  デバイス・パターン
５，５１，５２  基準マーク
１０，２０，３０，４０，５０  パターン
８０，８５  軸
【図１】
2004200701.tif 000003
【図２】
2004200701.tif 000004
【図３】
2004200701.tif 000005
【図４】
2004200701.tif 000006
【図５】
2004200701.tif 000007
【外国語明細書】
2004200701000001.pdf