(57)【要約】【課題】孤立した配線パターンに対する電解めっきを適切に行うことが可能な電解めっき方法及び半導体装置用パッケージの外部接続端子を提供する。【解決手段】めっき治具の導通ピン１０００を孔３３０に挿入させ、当該導通ピン１０００の先端を、孔３３０の底に露出している内層配線パターン３４０に接触させる。これにより、内層配線パターン３４０が通電する。更には、この内層配線パターン３４０とビア３５０を介して電気的に接続された孤立配線パターン３２０が通電し、当該孤立配線パターン３２０に対する電解めっきが可能となる。【選択図】        図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成され、前記配線パターンと電気的に接続される孤立配線パターンが形成された第２の絶縁層とによって構成される半導体装置用パッケージの外部接続端子における電解めっき方法において、
前記第２の絶縁層に形成される孔、又は、前記第２の絶縁層と前記孤立配線パターンの双方に形成される孔にめっき治具の導通ピンを挿入し、該導通ピンの先端を前記配線パターンに接触させることにより、前記孤立配線パターンの電解めっきを行う電解めっき方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電解めっき方法によって製造される半導体装置用パッケージの外部接続端子。
【請求項３】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記第１の絶縁層上に形成され、前記配線パターンを露出させるための第１の孔が形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成され、前記配線パターンと電気的に接続される孤立配線パターンと、
を備える半導体装置用パッケージの外部接続端子。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置用パッケージの外部接続端子において、
前記孤立配線パターンは、前記第１の孔の上方に前記配線パターンを露出させるための第２の孔が形成されている半導体装置用パッケージの外部接続端子。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置用パッケージの外部接続端子において、
前記第２の孔は、前記孤立配線パターンの余剰部分に形成される半導体装置用パッケージの外部接続端子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置用パッケージの外部接続端子における電解めっき方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置用パッケージは、内部にレーザダイオード、フォトダイオード等の光素子をはじめとする半導体装置が収納される。これらの半導体装置とパッケージ外部との電気的接続をとるために、外部接続端子であるセラミック端子が用いられる。
【０００３】
図１は、従来の半導体装置用パッケージ及びセラミック端子の上面図である。同図における半導体装置用パッケージ５００は、内部に光素子が収納されるものであり、側壁部に当該光素子と光ファイバを接合するための接合部５１０が形成されている。また、半導体装置用パッケージ５００の他の側壁部には、貫通溝が形成され、当該貫通溝にセラミック端子６００及び７００が装着されている。
【０００４】
セラミック端子６００及び７００は、絶縁層上に、光素子と電気的に接続される配線パターン６１０、７１０及び７２０が形成されることにより構成される。図２は、セラミック端子７００において配線パターン７１０及び７２０が形成される絶縁層７０１の上面図である。なお、絶縁層７０１における配線パターン７１０及び７２０の形成面上には、図２の点線部に示す領域に他の絶縁層が形成される。
【０００５】
セラミック端子６００の配線パターン６１０は、レール８００に連結されたリード８１０と接続されている。同様に、セラミック端子７００の配線パターン７１０は、レール８５０に連結されたリード８６０と接続されている。このため、レール８００及び８５０が電源に接続されることにより、配線パターン６１０及び７１０が通電し、これら配線パターン６１０及び７１０に電解めっきが施される。
【０００６】
一方、セラミック端子７００に形成されている配線パターン７２０は、リード８６０が接続されずに孤立した状態であり、配線パターン７１０と同様の方法で電解めっきを施すことができない。このため、従来は図３に示すように、配線パターン７２０と隣接する配線パターン７１０との間に暫定的な配線パターン７２２を形成することによって、配線パターン７２０を通電させて電解めっきを施し、その後、配線パターン７２２を除去することが行われていた（例えば特許文献１参照）。あるいは、配線パターン７２０と電源からの通電が行われている部分とを導通リング等の導通部材により接続し、配線パターン７２０を通電させて電解めっきを施し、その後、導通部材を除去することが行われていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−１３５２６９号公報（第３−４頁、図１）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配線パターン７２０と隣接する配線パターン７１０との間に暫定的な配線パターン７２２を形成する方法では、配線パターン７２２を除去する際に、配線パターン７２０が傷つきやすい。また、配線パターン７２０と電源からの通電が行われている部分とを導通部材により接続する方法も、同様に導通部材を除去する際に、配線パターン７２０が傷つきやすい。このように配線パターン７２０が傷つくと半導体装置用パッケージ５００内部に収容される光素子の通電状態が悪化する。このため、できるだけ配線パターン７２０を傷つけることなく電解めっきが可能な方法が要求されている。
【０００９】
そこで、本願は、孤立した配線パターンに対する電解めっきを適切に行うことが可能な電解めっき方法及び半導体装置用パッケージの外部接続端子を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は請求項１に記載されるように、配線パターンが形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成され、前記配線パターンと電気的に接続される孤立配線パターンが形成された第２の絶縁層とによって構成される半導体装置用パッケージの外部接続端子における電解めっき方法において、前記第２の絶縁層に形成される孔、又は、前記第２の絶縁層と前記孤立配線パターンの双方に形成される孔にめっき治具の導通ピンを挿入し、該導通ピンの先端を前記配線パターンに接触させることにより、前記孤立配線パターンの電解めっきを行う。
【００１１】
このような電解めっき方法は、半導体装置用パッケージの外部接続端子が、配線パターンが形成された第１の絶縁層と、当該第１の絶縁層の上面に形成され、孤立配線パターンが形成される第２の絶縁層とによって構成されてており、且つ、配線パターンと孤立配線パターンとが電気的に接続されている場合に、孤立配線パターンの電解めっきを可能とするものであり、導通ピンは孔へ挿入されるため、位置が固定され、孤立配線パターンが傷つくことが防止される。また、導通ピンの先端は第１の絶縁層に形成された配線パターンに接触するため、孤立配線パターンが傷つくことが防止される。
【００１２】
また、本発明は請求項２に記載されるように、請求項１に記載の電解めっき方法によって製造される半導体装置用パッケージの外部接続端子である。
【００１３】
また、本発明は請求項３に記載されるように、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成される配線パターンと、前記第１の絶縁層上に形成され、前記配線パターンを露出させるための第１の孔が形成された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に形成され、前記配線パターンと電気的に接続される孤立配線パターンとを備える半導体装置用パッケージの外部接続端子である。
【００１４】
半導体装置用パッケージの外部接続端子がこのような構成を有することにより、請求項１に記載の電解めっき方法により、孤立配線パターンに対する電解めっきが可能となる。
【００１５】
また、本発明は請求項４に記載されるように、請求項３に記載の半導体装置用パッケージの外部接続端子において、前記孤立配線パターンは、前記第１の孔の上方に前記配線パターンを露出させるための第２の孔が形成されている半導体装置用パッケージの外部接続端子である。
【００１６】
また、本発明は請求項５に記載されるように、請求項４に記載の半導体装置用パッケージの外部接続端子において、前記第２の孔は、前記孤立配線パターンの余剰部分に形成される。
【００１７】
孤立配線パターンの余剰部分、例えば、半導体装置用パッケージに収納される半導体装置の端子が接触しない部分に第２の孔が形成される場合には、半導体装置の通電状態が悪化することを防止できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
図４は、本発明の実施形態に係る半導体装置用パッケージ及びセラミック端子の上面図である。同図における半導体装置用パッケージ１００は、内部に半導体装置、具体的には、レーザダイオード、フォトダイオード等の光素子が収納される。
【００２０】
半導体装置用パッケージ１００の側壁部には光素子と光ファイバを接合するための貫通孔である接合部１１０が形成されている。また、半導体装置用パッケージ１００の他の側壁部には、貫通溝が形成され、当該溝にセラミック端子２００及び３００が装着されている。これらセラミック端子２００及び３００は、半導体装置用パッケージ１００内に収納される光素子とパッケージ外部との電気的接続をとるために用いられる。なお、これらセラミック端子２００及び３００は、半導体装置用パッケージ１００に形成された貫通溝にロウ付けされることにより、固定される。
【００２１】
セラミック端子２００には、半導体装置用パッケージ１００の内部に収容される光素子と電気的に接続される配線パターン２１０が形成される。同様に、セラミック端子３００には、半導体装置用パッケージ１００の内部に収容される光素子と電気的に接続される配線パターン３１０と、孤立配線パターンとしての配線パターン３２０が形成される。
【００２２】
図５は、セラミック端子３００の斜視図である。同図に示すように、アルミナセラミック等の下位絶縁層３０２と上位絶縁層３０４とを積層して構成される絶縁層３０１の上面に、配線パターン３１０及び３２０が形成される。これらのうち、配線パターン３２０には、後述する孔３３０が形成されている。更に、配線パターン３１０及び３２０が形成された絶縁層３０１の上面には絶縁層３０６が形成される。また、絶縁層３０１の下面及び絶縁層３０６の上面には、セラミック端子３００が半導体装置用パッケージ１００に形成された貫通溝にロウ付けされる際に、当該貫通溝の内周部と接合するメタライズ層３０８及び３０９が形成される。
【００２３】
また、図６は、セラミック端子３００において配線パターン３１０及び３２０が形成される絶縁層３０１の上面図である。なお、同図における点線部は、絶縁層３０６が形成される領域を示す。
【００２４】
なお、セラミック端子２００は、孤立配線パターンが形成されておらず、その孤立配線パターンに孔が形成されていないこと以外は、図５及び図６に示すセラミック端子３００と同様の構成を有する。
【００２５】
セラミック端子２００における配線パターン２１０と、セラミック端子３００における配線パターン３１０及び３２０とは、例えばタングステンペーストを焼成することにより形成される。また、これら配線パターン２１０、３１０及び３２０のうち、配線パターン２１０は、レール４００に連結されたリード４１０と、ロウ付けにより接続されている。このため、レール４００が電源に接続されることにより、セラミック端子３００に形成された各配線パターン２１０が通電し、これら配線パターン２１０に電解めっきが施される。
【００２６】
同様に、配線パターン３１０は、レール４５０に連結されたリード４６０と、ロウ付けにより接続されている。このため、レール４５０が電源に接続されることにより、セラミック端子３００に形成された各配線パターン３１０が通電し、これら配線パターン３１０に電解めっきが施される。電解めっきは、例えばニッケルめっきや金メッキである。なお、レール４００及び４５０は、配線パターン２１０及び３１０への電解めっきが行われた後、除去される。
【００２７】
一方、セラミック端子３００に形成されている配線パターン３２０は、図６に示すように、他の配線パターン３１０のように、セラミック端子３００の一方の長辺から他方の長辺へ延在するように形成されていない。このため、配線パターン３２０は、リード４６０が接続されずに孤立した状態であり、レール４５０が電源に接続されても通電せず、配線パターン２１０や配線パターン３１０と同様の方法で電解めっきを施すことができない。
【００２８】
そこで、本実施形態では、以下のようにして配線パターン３２０に対する電解めっきを可能とする。
【００２９】
図７は、セラミック端子３００における配線パターン３２０（以下、「孤立配線パターン３２０」と称する）近傍の断面図である。同図に示すように、下位絶縁層３０２の上面であって、孤立配線パターン３２０の下部には、配線パターン３４０（以下、「内層配線パターン３４０」と称する）が形成されている。この内層配線パターン３４０は、配線パターン３２０等と同様に、例えばタングステンペーストを焼成することにより形成される。
【００３０】
更に、孤立配線パターン３２０及び上位絶縁層３０４には、これら孤立配線パターン３２０及び上位絶縁層３０４を貫通し、内層配線パターン３４０を露出させるための孔３３０が形成されている。なお、孔３３０は、孤立配線パターン３２０の余剰部分、例えば、半導体装置用パッケージ１００に収納される半導体装置の端子が接触しない部分に形成されることが好ましい。この場合には、孔３３０が形成されることによって、半導体装置の端子と孤立配線パターン３２０との接触面積が減少し、当該半導体装置の通電状態が悪化することを防止できる。
【００３１】
また、上位絶縁層３０４の内部には、孤立配線パターン３２０と内層配線パターン３４０とを電気的に接続するためのビア３５０が形成されている。
【００３２】
孤立配線パターン３２０に対する電解めっきの際には、図８に示すように、めっき治具の導通ピン１０００を孔３３０に挿入させ、当該導通ピン１０００の先端を、孔３３０の底に露出している内層配線パターン３４０に接触させる。これにより、内層配線パターン３４０が通電する。更には、この内層配線パターン３４０とビア３５０を介して電気的に接続された孤立配線パターン３２０が通電し、当該孤立配線パターン３２０に対する電解めっきが可能となる。なお、ここで用いられる電解めっきは、配線パターン３１０等に対する電解めっきと同様であり、例えばニッケルめっきや金メッキである。
【００３３】
このような電解めっき方法では、導通ピン１００が孔３３０に挿入されることにより位置が固定されるため、当該導通ピン１０００が滑動することによって孤立配線パターン３２０を傷つけることが防止される。また、導通ピン１０００の先端は、下位絶縁層３０２に形成された内層配線パターン３４０に接触し、孤立配線パターン３２０には直接に接触しないため、導通ピン１０００の先端が孤立配線パターン３２０を傷つけることが防止される。
【００３４】
ところで、上述した実施形態では、孤立配線パターン３２０及び上位絶縁層３０４を貫通し、内層配線パターン３４０を露出させるための孔３３０が形成されたが、上位絶縁層３０４のみを貫通し、内層配線パターン３４０を露出させるための孔３６０が形成されるようにしても良い。
【００３５】
図９は、セラミック端子３００の他の例において配線パターン３１０及び３２０が形成される絶縁層３０１の上面図である。同図に示すように、孤立配線パターン３２０の周辺の絶縁層３０１に孔３６０が形成されている。また、図１０は、セラミック端子３００の他の例における孤立配線パターン３２０近傍の断面図である。同図に示すように、上位絶縁層３０４には、当該上位絶縁層３０４を貫通し、内層配線パターン３４０を露出させるための孔３６０が形成されている。
【００３６】
孤立配線パターン３２０に対する電解めっきの際には、図７と同様、めっき治具の導通ピンを孔３６０に挿入させ、当該導通ピンの先端を、孔３６０の底に露出している内層配線パターン３４０に接触させる。これにより、内層配線パターン３４０が通電する。更には、この内層配線パターン３４０とビア３５０を介して電気的に接続された孤立配線パターン３２０が通電し、当該孤立配線パターン３２０に対する電解めっきが可能となる。
【００３７】
このように、孤立配線パターン３２０の周辺に、上位絶縁層３０４のみを貫通し、内層配線パターン３４０を露出させるための孔３６０が形成される構成は、孤立配線パターン３２０の表面積が狭く、当該孤立配線パターン３２０に孔が形成されると、半導体装置用パッケージ１００に収納される半導体装置の端子と配線パターン３２０との接触面積が減少し、当該半導体装置の通電状態が悪化するような場合に有用である。
【００３８】
なお、上述した実施形態では、セラミック端子３００が２層の絶縁層３０２及び３０４によって構成される場合について説明したが、３層以上の絶縁層から構成される場合にも本発明を適用することができる。この場合、最上位の絶縁層以外の何れかの絶縁層の上面に内層配線パターンを形成するとともに、当該内層配線パターンを露出させる孔を形成し、更に内層配線パターンと最上位の絶縁層の上面に形成された孤立配線パターンとを電気的に接続することにより、孤立配線パターンに対する電解めっきが可能となる。
【００３９】
また、上述した実施形態では、光素子を収容する半導体装置用パッケージ１００について説明したが、光素子以外の他の半導体装置を収容する半導体装置用パッケージについても、同様に本発明を適用することができる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、孤立した配線パターンに対する電解めっきを適切に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体装置用パッケージ及びセラミック端子の上面図である。
【図２】従来のセラミック端子において配線パターンが形成される絶縁層の上面図である。
【図３】従来のセラミック端子の他の例において配線パターンが形成される絶縁層の上面図の他の例である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置用パッケージ及びセラミック端子の上面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るセラミック端子の斜視図である。
【図６】本発明の実施形態に係るセラミック端子において配線パターンが形成される絶縁層の上面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るセラミック端子の断面図である。
【図８】導通ピン挿入時のセラミック端子の断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係るセラミック端子の他の例において配線パターンが形成される絶縁層の上面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係るセラミック端子の他の例の断面図である。
【符号の説明】
１００  半導体装置用パッケージ
２００、３００  セラミック端子
２１０、３１０  配線パターン
３０１、３０６  絶縁層
３０２  下位絶縁層
３０４  上位絶縁層
３０８、３０９  メタライズ層
３２０  孤立配線パターン
３３０、３６０  孔
３４０  内層配線パターン
３５０  ビア
４００、４５０  レール
４１０、４６０  リード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004323893.tif 000009
【図８】
2004323893.tif 000010
【図９】
2004323893.tif 000011
【図１０】
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