(57)【要約】【課題】観察対象物の観察領域周辺を除去する際に、観察領域の位置を正確に認識できる観察対象物の加工方法及び微細加工方法を提供する。【解決手段】スライダ１０７のエアベアリング面１０９に付着した微小な異物Ｄを観察するために、この異物Ｄを含む観察領域１１７をエアベアリング面１０９に想定する。続いて、観察領域１１７を覆うデポジション膜１２１を形成する。続いて、後に形成する目印１２３を挟むように凸状部分１２２を形成する。続いて、観察領域１１７の位置を示す目印１２３を形成する。続いて、目印１２３に基づいて観察領域１１７の位置を認識しながら、観察領域１１７の周辺を除去する。【選択図】  図７
2004301564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観察対象物の主面上に想定された観察領域の位置を示す目印、及び凸状部分を前記主面上の前記観察領域に基づいた位置に形成する工程と、
前記観察領域及び前記目印の双方を含む領域の周辺部分を除去する工程と
を備えることを特徴とする観察対象物の加工方法。
【請求項２】
前記目印を形成する前に前記凸状部分を形成することを特徴とする請求項１に記載の観察対象物の加工方法。
【請求項３】
前記凸状部分の前記主面からの高さが前記目印よりも高くなるように前記凸状部分を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の観察対象物の加工方法。
【請求項４】
２本の前記凸状部分が前記目印を間に挟むように該凸状部分を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の観察対象物の加工方法。
【請求項５】
前記凸状部分が前記目印を囲むように該凸状部分を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の観察対象物の加工方法。
【請求項６】
加工対象物の主面上に想定された所定領域の位置を示す目印、及び凸状部分を前記主面上に形成する工程と、
前記所定領域及び前記目印の双方を含む領域の周辺部分を除去する工程と
を備えることを特徴とする微細加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、観察対象物の加工方法及び微細加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
観察対象物の内部状態や表面状態などを観察・解析する方法としては、観察対象物の微小部分をサンプルとして切り出し、このサンプルを透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、以下ＴＥＭという）などを用いて観察・解析する方法がある。この方法は、例えば非特許文献１に開示されている。この方法では、まず観察対象物において観察したい部分を確認し、観察領域を想定する。そして、観察領域の位置を示す目印を観察領域の近傍に形成する。目印としては、例えば、収束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ、以下ＦＩＢという）加工により観察対象物の主面に溝を形成する。そして、観察対象物の観察領域を保護する保護膜を前記目印を覆わないように形成した後、先に形成した目印をもとに観察領域を認識しながら観察領域周辺をＦＩＢ加工により除去する。必要であれば、観察領域をＦＩＢ加工によりサンプルとして切り出す。最後に、観察領域の断面をＴＥＭなどを用いて観察し、解析する。
【０００３】
【非特許文献１】
平坂雅男・朝倉健太郎共編「ＦＩＢ・イオンミリング技法Ｑ＆Ａ」アグネ承風社ｐ３２、ｐ４４、及びｐ７３
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、観察領域周辺をＦＩＢ加工などにより除去する際には、除去屑が発生する。上記した方法では目印に除去屑が堆積してしまい、観察領域の位置を正確に認識できなくなる。また、ＦＩＢにはフレアと呼ばれるビームの回り込みが存在する。このＦＩＢのフレアによって目印が崩れてしまうことによっても、観察領域の位置を正確に認識できなくなる。すなわち、上記した方法では、作業の途中に目印を認識できなくなるという問題点がある。また、作業途中に目印を形成し直す方法もあるが、溝状の目印を同一の箇所に何度も形成しようとした場合、加工精度上もとの目印から少し位置がずれてしまい、目印を形成し直すたびに目印の位置がずれていく。すなわち、観察領域の位置を認識する精度が低下する。以上のように、観察領域周辺をＦＩＢ加工などにより除去する際には、観察領域の位置を正確に認識することが難しいという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような問題点を解決するために、観察対象物の観察領域周辺を除去する際に、観察領域の位置を正確に認識できる観察対象物の加工方法及び微細加工方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明による観察対象物の加工方法は、観察対象物の主面上に想定された観察領域の位置を示す目印、及び凸状部分を主面上の観察領域に基づいた位置に形成する工程と、観察領域及び目印の双方を含む領域の周辺部分を除去する工程とを備えることを特徴とする。この観察対象物の加工方法によれば、主面に形成された凸状部分によって、観察領域及び目印の双方を含む領域の周辺部分を除去する際の除去屑及びフレアから目印を守ることができる。従って、観察領域の周辺部分を除去する際に該観察領域の位置を正確に認識することができる。なお、本発明で意味するところの観察領域に基づいた位置とは、結果として観察領域と何らかの対応関係を有していれば良く、目印等の設定と凸状部分形成の順序は問わない。例えば、目印及び凸状部分のうちいずれか一方を観察領域に対応させ、他方を一方に基づいて形成してもよい。
【０００７】
また、観察対象物の加工方法は、目印を形成する前に凸状部分を形成することを特徴としてもよい。これによって、凸状部分を形成する工程における目印への影響をなくすことができ、観察領域の位置をより正確に認識することができる。
【０００８】
また、観察対象物の加工方法は、凸状部分の主面からの高さが目印よりも高くなるように凸状部分を形成することを特徴としてもよい。これによって、除去屑及びフレアから目印をより好適に守ることができる。
【０００９】
また、観察対象物の加工方法は、２本の凸状部分が目印を間に挟むように該凸状部分を形成することを特徴としてもよい。或いは、観察対象物の加工方法は、凸状部分が目印を囲むように該凸状部分を形成することを特徴としてもよい。凸状部分がこれらのように形成されていることによって、除去屑及びフレアから目印をより好適に守ることができる。
【００１０】
また、本発明による微細加工方法は、加工対象物の主面上に想定された所定領域の位置を示す目印、及び凸状部分を主面上に形成する工程と、所定領域及び目印の双方を含む領域の周辺部分を除去する工程とを備えることを特徴とする。この微細加工方法によれば、主面に形成された凸状部分によって、所定領域の周辺部分を除去する際の除去屑及びフレアから目印を守ることができる。従って、所定領域の周辺部分を除去する際に該所定領域の位置を正確に認識することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１２】
（実施の形態）
本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法を説明する前に、観察対象物の加工方法及び微細加工方法において用いられるＦＩＢ装置について説明する。図１は、本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の実施形態に用いられるＦＩＢ装置１を示す図である。
【００１３】
ＦＩＢ装置１は、加工対象である観察対象物２から微小サンプルを切り出して観察・解析するための装置である。図１を参照すると、ＦＩＢ装置１は、試料室３、イオン光学系５、イオン源７、ステージ９、真空排気系１１、ノズル１３、検出器１５、及びプローブ１２９を備えている。また、ＦＩＢ装置１は、イオン源７、ノズル１３、及び検出器１５を制御するための制御装置１７、及び制御装置１７に接続された表示装置１９をさらに備えている。
【００１４】
試料室３は、観察対象物２の周囲を真空状態とするための容器である。試料室３の内部は密閉されており、真空排気系１１によって内部の空気が排出されて真空状態となる。また、試料室３には観察対象物２を載置するステージ９と、微小サンプルを移動するためのプローブ１２９が設けられている。
【００１５】
試料室３の上方には、観察対象物２にイオンビームＩを照射するためのイオン光学系５が設けられている。イオンビームＩは、微小サンプルを保護するデポジション膜の形成、並びに微小サンプルの切り出し（スパッタエッチング）及び観察に用いられる。図２は、イオン光学系５を示す図である。図２を参照すると、イオン光学系５は、イオン源７、サプレッサー２３、引出し電極２５、第１のレンズ２７、絞り２９、非点補正電極３１、第２のレンズ３３、及び偏向電極３５を備えている。
【００１６】
イオン源７は、イオンを発生するための装置である。イオンとしては、例えばＧａイオンが用いられる。イオン源７には、電源３７の正電極が接続されており、電気的ポテンシャルを付与されている。なお、電源３７の負電極は接地されている。また、サプレッサー２３には電源４１の正電極が接続され、引出し電極２５には電源３９の負電極が接続されている。電源４１の負電極及び電源３９の正電極は、電源３７の正電極に接続されている。こうしてサプレッサー２３及び引出し電極２５に印加された電圧によって、イオン源７からイオンが引き出される。
【００１７】
イオン源７から引き出されたイオンは、第１のレンズ２７、絞り２９、非点補正電極３１、及び第２のレンズ３３によってビーム状に収束され、イオンビームＩとなる。イオンビームＩは、偏向電極３５によって向きを変えられて、試料室３にセットされた観察対象物２の主面２ａに照射される。
【００１８】
再び図１を参照すると、ノズル１３がその出射口を観察対象物２へ向けて設けられている。ノズル１３は、観察対象物２の観察領域をイオンビームＩから保護するためのデポジション膜を観察対象物２の観察領域上に形成するための装置である。ノズル１３は、出射口からデポジションガスＧを噴射する。
【００１９】
ここで、図３は、デポジション膜を形成する過程を示す図である。なお、以下に説明するデポジション膜の形成方法は、イオンビームアシステッド法、あるいはＦＩＢ−ＣＶＤ法と呼ばれる。図３を参照すると、観察対象物２の主面２ａに、ノズル１３からデポジションガスＧが噴射されている。そこへ、イオン光学系５によりイオンビームＩを照射する。すると、主面２ａ上においてイオンビームＩによりデポジションガスＧが分解され、主面２ａ上に分解された成分が到達する。ここで、イオンビームＩは、イオン光学系５の偏向電極３５（図２を参照）により徐々に偏向され、観察対象物２の主面２ａ上を走査（スキャン）する。こうして、デポジション膜４３が形成される。なお、デポジション膜４３としては様々な材料を用いることが可能である。一例としては、Ｗ、Ｃ、Ｐｔ、Ａｕなどが挙げられる。また、例えばＣからなるデポジション膜４３を形成する場合には、デポジションガスＧとしてピレン等が用いられる。
【００２０】
再び図１を参照すると、検出器１５がその入射口を観察対象物２に向けて設けられている。検出器１５は、観察対象物２の主面２ａにイオンビームＩを照射することにより発生する２次電子を検出するための装置である。ＦＩＢ装置１では、観察対象物２の表面をイオンビームＩにより走査し、発生した２次電子を検出器１５により検出することによって観察対象物２の主面２ａの表面形状を観察することができる（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＩＭと呼ばれる）。検出器１５により検出された２次電子は制御装置１７によって解析されて、観察対象物２の主面２ａの表面形状が求められ、表示装置１９に表示される。
【００２１】
次に、本実施形態における観察対象物について説明する。本実施形態では、情報処理装置などに用いられるハードディスク装置が有するスライダを観察対象物とし、このスライダに付着した微小な異物を含む領域を所定の観察領域として想定する。図４は、ハードディスク装置の構成を示す斜視図である。ハードディスク装置１００は、ヘッドジンバルアセンブリ１０３を作動させて、高速回転するハードディスク１０１の記録面１０１ａに、薄膜磁気ヘッド１０５によって磁気情報（磁気信号）を記録及び再生するものである。ヘッドジンバルアセンブリ１０３は、薄膜磁気ヘッド１０５が形成されたスライダ（磁気ヘッドスライダ）１０７を搭載したジンバル１１１と、これが接続されたサスペンションアーム１１３とを備え、支軸１１５まわりに回転可能となっている。ヘッドジンバルアセンブリ１０３を回転させると、スライダ１０７は、ハードディスク１０１の半径方向を横切る方向に移動する。
【００２２】
図５は、スライダ１０７の斜視拡大図である。スライダ１０７は、略直方体形状をなし、基台１０７ａの先端面上に薄膜磁気ヘッド１０５が形成されている。薄膜磁気ヘッド１０５は、図示しないオーバーコート層によって保護されている。図５における手前側の面は、ハードディスク１０１の記録面１０１ａに対向する面であり、エアベアリング面（ＡＢＳ：Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）１０９と称されるものである。ハードディスク１０１が回転する際、この回転に伴う空気流によってスライダ１０７が浮上し、エアベアリング面１０９はハードディスク１０１の記録面１０１ａから隔離する。このとき、エアベアリング面１０９とハードディスク１０１の記録面１０１ａとの間隔はわずかであり、微小な異物、例えば最大径が０．５μｍ以下の異物がエアベアリング面１０９に付着すると上記した動作に支障をきたす。従って、このような微小な異物をＴＥＭ、ＦＩＢ、ＳＥＭなどによって観察・解析することが必要となる。本実施形態では、このようにスライダ１０７のエアベアリング面１０９に付着した微小な異物を含む領域を所定の観察領域として想定する。
【００２３】
図６〜図１０は、上記したＦＩＢ装置１を用いて、スライダ１０７から微小な異物が付着した部分を微小サンプルとして切り出して観察・解析する方法を説明するための図である。
【００２４】
図６（ａ）は、スライダ１０７のエアベアリング面１０９の一部を拡大した図である。また、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示されたスライダ１０７のＩ−Ｉ断面を示す断面図である。ＦＩＢ装置１にスライダ１０７をセットした後、検出器１５によりエアベアリング面１０９を観察しながら異物Ｄを探し当てる。以下において、異物Ｄを含む領域を所定の観察領域１１７として説明する。なお、異物Ｄの断面を観察したいときは、図６（ａ）に示されるように観察領域１１７の幅を異物Ｄの径より細く想定するとよい。観察領域１１７をこのように想定し、観察領域１１７の幅に基づいて観察対象物を薄膜化することによって、異物Ｄの断面を観察することができる。
【００２５】
次に、図６（ｃ）及び（ｄ）に示されるように、観察領域１１７の位置を示すための仮の目印１１９を観察領域１１７の近傍に形成する。仮の目印１１９の形成方法としては、例えばＦＩＢ装置１のイオン光学系５からイオンビームＩ（図１参照）を照射して、観察領域１１７近傍の所望の位置に溝状の仮の目印１１９を形成するとよい。あるいは、デポジションガスＧを噴射しながらイオンビームＩを観察領域１１７近傍の所望の位置に照射してデポジション膜を形成し、このデポジション膜を仮の目印１１９としてもよい。また、仮の目印１１９を複数、例えば観察領域１１７近傍であって観察領域１１７を挟む位置に形成してもよい。
【００２６】
続いて、図６（ｅ）及び（ｆ）に示されるように、スライダ１０７のエアベアリング面１０９における観察領域１１７を覆う領域に、デポジションガスＧを噴射するとともにイオンビームＩを照射してデポジション膜１２１を形成する。このデポジション膜１２１は、微小サンプルを切り出す際に、イオンビームＩによって微小サンプルが損傷しないように微小サンプルを保護するための保護膜となる。また、このとき、仮の目印１１９が露出するようにデポジション膜１２１を形成する。仮の目印１１９は、その全部が露出していても良いし、その一部が露出していてもよい。デポジション膜１２１の寸法は、観察領域１１７を覆うのに充分な寸法とするとよい。例えば、デポジション膜１２１を長さ１０〜２０μｍ、幅２〜４μｍに形成する。また、デポジション膜１２１の厚さは、イオンビームＩによって微小サンプルを切り出す作業時間やイオンビームＩの強度に応じて所望の厚さとすることができる。例えば、デポジション膜１２１を厚さ１．０〜２．０μｍに形成する。
【００２７】
続いて、図７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、デポジション膜１２１によって隠れた観察領域１１７を仮の目印１１９に基づいて認識し、目印予定領域１２４を観察領域１１７上に想定する。ここで、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示されたスライダ１０７のＩＩ−ＩＩ断面を示す断面図である。目印予定領域１２４は、観察領域１１７の位置を示すための目印を設ける領域であり、この目印は、後の観察領域１１７の周辺部分を除去する工程において使用される。なお、目印予定領域１２４は観察領域１１７上に限らず、観察領域１１７の近傍に想定してもよい。本実施形態では、目印予定領域１２４を観察領域１１７の長手方向と平行な方向を長手方向として想定する。
【００２８】
そして、デポジション膜１２１上にデポジションガスＧを噴射するとともにイオンビームＩを照射して、デポジション膜からなる凸状部分１２２を主面１０９上における目印予定領域１２４の近傍に形成する。本実施形態では、２本の凸状部分１２２を目印予定領域１２４を挟むように形成するとともに、２本の凸状部分１２２のそれぞれを目印予定領域１２４の長手方向（すなわち、観察領域１１７の長手方向）と平行な方向を長手方向として形成する。結局、目印予定領域１２４が観察領域１１７の位置に基づいた領域であるため、凸状部分１２２も観察領域１１７の位置に基づいて形成されたこととなる。また、本実施形態では、２本の凸状部分１２２のそれぞれをデポジション膜１２１上に形成する。また、炭素Ｃを用いてデポジション膜を形成すると遅いスパッタレートで形成することとなるので、凸状部分１２２を炭素Ｃを含む材料からなるように形成すれば、凸状部分１２２を硬く形成することができる。また、凸状部分１２２をデポジション膜１２１と同じ材料で形成すれば、デポジション膜１２１を形成した後に続けて凸状部分１２２を形成できるので作業が容易である。なお、凸状部分１２２の外形寸法としては、例えば幅０．３μｍ、高さ（厚さ）０．５〜１μｍ程度がよい。
【００２９】
続いて、図７（ｃ）及び（ｄ）に示されるように、主面１０９上における目印予定領域１２４上に凸状の目印１２３を形成する。すなわち、目印予定領域１２４上にデポジションガスＧを噴射するとともにイオンビームＩを照射して、デポジション膜からなる凸状の目印１２３を形成する。このとき、目印１２３を炭素Ｃを含む材料からなるように形成すれば、比較的小さなビーム径によりデポジション膜を堆積させることができるので、目印１２３の側面同士の角や上面と側面との間の角を鋭く形成することができる。また、目印１２３を凸状部分１２２と同じ材料で形成すれば、凸状部分１２２を形成した後に続けて目印１２３を形成できるので作業が容易である。なお、目印１２３の外形寸法としては、ＳＩＭなどにおける視認性を考慮して、例えば幅０．３μｍ、高さ（厚さ）０．５〜１μｍ程度がよい。また、主面１０９からの目印１２３の高さが主面１０９からの凸状部分１２２の高さよりも低くなるように、目印１２３を形成することが好ましい。
【００３０】
続いて、図７（ｅ）及び（ｆ）に示されるように、観察領域１１７の長手方向と交差する方向の遠方から観察領域１１７に近づくに従って階段状に深くなるようにスライダ１０７のエアベアリング面１０９をイオンビームＩにより除去して、階段状の溝１２５ａを形成する。こうして、微小サンプルの前面が形成される。
【００３１】
続いて、図８（ａ）及び（ｂ）に示されるように、観察領域１１７、目印１２３、及び凸状部分１２２を含む領域の周辺部分をイオンビームＩにより除去して、溝１２５ｂを形成する。こうして、微小サンプル１２７の背面及び両側面が形成される。なお、このとき、微小サンプル１２７の周囲の一部を連結部分１２８として除去せずに残す。この工程では、スライダ１０７においてイオンビームＩにより除去される部分の体積が大きいので、多量の除去屑が発生するとともに、加工に時間がかかり、微小サンプル１２７の表面がフレアにさらされる時間も長くなる。
【００３２】
続いて、図８（ｃ）及び（ｄ）に示されるように、微小サンプル１２７の底部をイオンビームＩにより斜め方向から除去する。こうして、微小サンプル１２７の底面が形成される。
【００３３】
続いて、図８（ｅ）及び（ｆ）に示されるように、微小サンプル１２７を取り出すためのプローブ１２９を微小サンプル１２７に取り付ける。すなわち、プローブ１２９の先端をデポジション膜１２１の上面に当て、デポジション膜１３１をプローブ１２９の先端とデポジション膜１２１上の一部とを覆うように形成する。このデポジション膜１３１によって、プローブ１２９と微小サンプル１２７とが互いに固定される。
【００３４】
続いて、図９（ａ）〜（ｃ）に示されるように、図８（ｅ）及び（ｆ）に示された連結部分１２８をイオンビームＩにより除去して、微小サンプル１２７を切り出す。このとき、微小サンプル１２７に固定されたプローブ１２９を操作することにより、微小サンプル１２７を移動させる。
【００３５】
続いて、図９（ｄ）及び（ｅ）に示されるように、微小サンプル１２７を支持台２１上に固定する。なお、図９（ｅ）は、図９（ｄ）に示された微小サンプル１２７のＩＩＩ−ＩＩＩ断面を示す断面図である。このとき、微小サンプル１２７が支持台２１に接するように微小サンプル１２７を移動し、デポジション膜１３５を微小サンプル１２７の一側面上から支持台２１上にわたって形成する。加えて、デポジション膜１３３を微小サンプル１２７の背面上から支持台２１上にわたって形成する。このデポジション膜１３３及び１３５により、微小サンプル１２７が支持台２１上に固定される。そして、プローブ１２９をイオンビームＩにより切断する。
【００３６】
続いて、図９（ｆ）及び（ｇ）に示されるように、微小サンプル１２７の前面及び背面の近傍部分をイオンビームＩにより除去して、微小サンプル１２７を観察領域１１７の幅まで薄膜化する。こうして、スライダ１０７及び異物Ｄの断面をＴＥＭにより観察するための薄膜部分１２７ａが形成される。なお、この薄膜化は、微小サンプル１２７の前面及び背面のいずれか一方の近傍部分を除去することにより行ってもよい。
【００３７】
図１０は、微小サンプル１２７の薄膜部分１２７ａを観察するためのＴＥＭ５０を示す図である。ＴＥＭ５０は、電子発生装置５１、及び検出装置５３を備えている。微小サンプル１２７の薄膜部分１２７ａは、電子発生装置５１と検出装置５３との間にセットされる。電子発生装置５１は電子銃及び集束レンズなどから構成されており、薄膜部分１２７ａに電子ビームＥ１を照射する。そして、電子ビームＥ１のうち薄膜部分１２７ａを透過することができた電子が、電子ビームＥ２として検出装置５３に入射する。検出装置５３は、対物レンズ、投影レンズ、及び蛍光スクリーンなどから構成されており、電子ビームＥ２に基づいて蛍光スクリーン上に像を形成する。こうして、薄膜部分１２７ａの像が得られ、例えば異物Ｄの組成などを観察・解析することができる。
【００３８】
以上に説明した、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法は、以下の効果を有する。すなわち、観察領域１１７の周辺部分を除去する工程においては、多量の除去屑が発生するとともに、ＦＩＢのフレアが長時間にわたって微小サンプル１２７及び目印１２３に照射されることとなる。目印１２３に除去屑がかかると、その輪郭が明確でなくなり観察領域１１７の位置を正確に認識することが困難となる。また、目印１２３にフレアが照射されると、その形が崩れてしまい観察領域１１７の位置を正確に認識することが困難となる。これに対し、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法では、凸状部分１２２を形成することによって、観察領域１１７及び目印１２３の双方を含む領域の周辺部分を除去する際の除去屑及びフレアから目印１２３を守ることができる。従って、観察領域１１７の周辺部分を除去する際に該観察領域１１７の位置を正確に認識することができる。また、目印を繰り返し形成する必要がなくなり、繰り返し形成することによる位置ずれも発生しない。
【００３９】
また、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法では、目印１２３を形成する前に、凸状部分１２２を形成している。凸状部分１２２を形成する際にデポジションガスＧやイオンビームＩが拡がるような場合には、凸状部分１２２の他の部分にもデポジション膜が付着することとなる。目印１２３にこのようなデポジション膜が付着すると、目印１２３の外形が不明確となりかねない。これに対し、目印１２３を形成する前に凸状部分１２２を形成すれば、凸状部分１２２を形成する際の目印１２３への影響をなくすことができるので、観察領域１１７をより正確に認識することができる。
【００４０】
また、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法では、目印１２３が凸状を呈しており、目印１２３の主面１０９からの高さが、凸状部分１２２よりも低く形成されている。すなわち、凸状部分１２２の主面１０９からの高さが、目印１２３よりも高く形成されている。これによって、除去屑及びフレアから目印１２３をより好適に守ることができる。
【００４１】
また、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法では、２本の凸状部分１２２が目印１２３を挟むように該凸状部分１２２を形成している。凸状部分１２２をこのように形成することによって、除去屑及びフレアから目印１２３をより好適に守ることができる。また、凸状部分１２２をこのように形成すれば、目印１２３と凸状部分１２２とが平行に並ぶかたちになる。従って、微小サンプル１２７を薄膜化するときに（図９（ｇ）、（ｆ）参照）、目印１２３及び凸状部分１２２が、微小サンプル１２７の薄膜化度合いを示す目盛りの役割を果たすこともできる。
【００４２】
ここで、図１１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の変形例を説明するための図である。すなわち、凸状部分１２２を、図１１（ａ）に示されるように１本のみ形成してもよい。観察領域１１７の周辺部分を除去する際に、最も加工体積の大きい部分と観察領域１１７との間にこの１本を形成すれば、凸状部分１２２を形成する時間が必要最小限で済み、かつ目印１２３を守ることができる。
【００４３】
また、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示されるように、凸状部分を、目印予定領域１２４（すなわち、目印１２３の位置）を囲むように形成してもよい。凸状部分をこのように形成すれば、目印１２３の周囲を略隙間無く囲うことができるので、観察領域１１７の周辺部分を除去する際に除去屑やフレアの影響をより少なくし、目印１２３をより好適に守ることができる。目印予定領域１２４を囲む形状は、図１１（ｂ）に示される凸状部分１２２ａのように矩形でもよいし、図１１（ｃ）に示される凸状部分１２２ｂのように円形でもよい。
【００４４】
図１２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の別の変形例を説明するための図である。上述した実施形態では、デポジション膜１２１によって隠れた観察領域１１７を認識するために目印１２３を形成しているが、デポジション膜１２１の表面に例えば異物Ｄの形状が浮き出ていれば、これによっても観察領域１１７の位置を認識することが可能になる。すなわち、このような場合、異物Ｄが浮き出ている部分を目印として観察領域１１７を認識することができる。この場合、目印１２３の形成は不要となる。
【００４５】
異物Ｄが浮き出ている部分を観察領域１１７の位置を示す目印とするならば、凸状部分１２２によってこの部分を除去屑やフレアから守るとよい。すなわち、図１２（ａ）に示されるように、異物Ｄの位置を挟むように２本の凸状部分１２２を形成するとよい。或いは、図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示されるように、異物Ｄの位置を囲うように凸状部分を形成するとよい。このとき、図１２（ｂ）に示されるように凸状部分１２２ａを矩形に形成してもよいし、図１２（ｃ）に示されるように凸状部分１２２ｂを円形に形成してもよいことはもちろんである。
【００４６】
（実施例）
図１３〜図１６は、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の実施例を示す写真である。図１３は、スライダ１０７の主面１０９上の異物Ｄと、その近傍に形成された仮の目印１１９を示している。本実施例では、この異物Ｄを解析するためにこの異物Ｄを通る観察領域１１７を想定する。
【００４７】
図１４は、異物Ｄを覆って形成されたデポジション膜１２１を示している。このように、デポジション膜１２１は観察領域１１７を覆うように形成される。また、図１４に示されるように、異物Ｄの外形がデポジション膜１２１の表面に浮き出ている場合には、目印１２３を形成しなくても良い場合もある。
【００４８】
図１５は、デポジション膜１２１上に形成された２本の凸状部分１２２及び目印１２３を示している。このように、目印１２３を観察領域１１７の位置が容易にわかるように配置するとよい。また、図１５に示されるように凸状部分１２２を目印１２３の長さよりも長く形成すると、除去屑やフレアから目印１２３をより好適に守ることができる。
【００４９】
図１６は、観察領域１１７、目印１２３、及び凸状部分１２２を含む領域の周辺部分を除去した状態を示している。図１６に示されるように、周辺部分を除去した後は凸状部分１２２に除去屑が堆積していたり、或いはフレアによる凸状部分１２２の形状変化が生じる。従って、もし凸状部分１２２がなければ、除去屑やフレアによって目印１２３が同様な影響を受けてしまい、観察領域１１７を正確に認識することが困難となる。目印１２３を挟むように凸状部分１２２を形成することによって、周辺部分の除去後も図１６のように目印１２３がはっきりとした輪郭をとどめることができる。
【００５０】
本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法は、上記した実施形態及び実施例に限られるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記した実施形態及び実施例では、本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法をＴＥＭによる観察・解析において用いているが、この他にも走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）や、オージェ電子分光法（Ａｕｇｅｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＡＥＳ）、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＡＦＭ）などを用いた観察・解析においても、観察対象物の観察領域周辺を除去する際に、本発明により観察領域の位置を容易に認識することができる。
【００５１】
また、上記した実施形態及び実施例では、本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法をＦＩＢ加工により微小サンプルを切り取る際に用いているが、この他にも例えばアルゴンエッチング法などにより観察領域を加工する際においても該観察領域の位置を容易に認識することができる。
【００５２】
また、上記した実施形態及び実施例では、ハードディスク装置のスライダを観察対象物としている。本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法では、これ以外にも様々な物を観察対象物及び加工対象物とすることができる。
【００５３】
また、上記した実施形態及び実施例では、凸状部分１２２の形状として、細長い棒状のもの、矩形や円形で目印を囲うものなどを示した。凸状部分１２２の形状としては、これ以外にも様々な形状とすることができる。また、上記した実施形態及び実施例では、目印１２３を凸状に形成している。目印１２３としては、これ以外にも例えば溝状に形成してもよい。
【００５４】
【発明の効果】
本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法によれば、観察対象物の観察領域周辺を除去する際に、観察領域の位置を正確に認識できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の第１実施形態に用いられるＦＩＢ装置を示す図である。
【図２】図２は、イオン光学系を示す図である。
【図３】図３は、デポジション膜を形成する過程を示す図である。
【図４】図４は、ハードディスク装置の構成を示す斜視図である。
【図５】図５は、スライダの斜視拡大図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｆ）は、ＦＩＢ装置を用いて、スライダから微小な異物が付着した部分を微小サンプルとして切り出して観察・解析する方法を説明するための図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｆ）は、ＦＩＢ装置を用いて、スライダから微小な異物が付着した部分を微小サンプルとして切り出して観察・解析する方法を説明するための図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｆ）は、ＦＩＢ装置を用いて、スライダから微小な異物が付着した部分を微小サンプルとして切り出して観察・解析する方法を説明するための図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｇ）は、ＦＩＢ装置を用いて、スライダから微小な異物が付着した部分を微小サンプルとして切り出して観察・解析する方法を説明するための図である。
【図１０】図１０は、微小サンプルを観察するためのＴＥＭを示す図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の変形例を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の別の変形例を示す図である。
【図１３】本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の実施例を示す写真である。
【図１４】本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の実施例を示す写真である。
【図１５】本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の実施例を示す写真である。
【図１６】本実施形態による観察対象物の加工方法及び微細加工方法の実施例を示す写真である。
【符号の説明】
１…ＦＩＢ装置、２…観察対象物、２ａ…主面、３…試料室、５…イオン光学系、５…グルーブ、７…イオン源、９…ステージ、１１…真空排気系、１３…ノズル、１５…検出器、１７…制御装置、１９…表示装置、２１…支持台、２３…サプレッサー、２５…電極、２７…レンズ、３１…非点補正電極、３３…レンズ、３５…偏向電極、３７、３９、４１…電源、４３…デポジション膜、５１…電子発生装置、５３…検出装置、６１…記録装置、６５…レーザ光源、６７…制御装置、６９…入力装置、１００…ハードディスク装置、１０１…ハードディスク、１０１ａ…記録面、１０３…ヘッドジンバルアセンブリ、１０５…薄膜磁気ヘッド、１０７…スライダ、１０７ａ…基台、１０９…エアベアリング面、１１１…ジンバル、１１３…サスペンションアーム、１１５…支軸、１１７…観察領域、１１９…仮の目印、１２１、１３１、１３３、１３５…デポジション膜、１２２、１２２ａ、１２２ｂ…凸状部分、１２３…目印、１２４…目印予定領域、１２５ａ、１２５ｂ…溝、１２７…微小サンプル、１２７ａ…薄膜部分、１２８…連結部分、１２９…プローブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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