(57)【要約】【課題】  外形的な欠陥を有する基板であっても、ウエハ製造に問題が生じない反射型マスクを実現すること。【解決手段】  その上に非反射部が形成された反射部としての多層膜と、該多層膜を支持する基板とを有し、前記非反射部と前記反射部とでパターンを形成する反射型マスクであって、  前記基板上の前記パターンが形成されている領域の周囲には、前記多層膜が無い。【選択図】  図１
2004266300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上に非反射部が形成された反射部としての多層膜と、該多層膜を支持する基板とを有し、前記非反射部と前記反射部とでパターンを形成する反射型マスクであって、
前記基板上の前記パターンが形成されている領域の周囲には、前記多層膜が無い反射型マスク。
【請求項２】
前記基板上の前記多層膜が無い部分にアライメントマークを有することを特徴とする請求項１記載の反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線あるいは真空紫外線を反射型マスクに照射し、反射鏡によってレジスト上に縮小投影するリソグラフィ装置に用いられる反射型マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を製造するために微細なパターンを光学的にレジストに転写するリソグラフィでは、半導体素子の高集積化、微細化に伴ってより解像度が高いＸ線あるいは真空紫外線を用いる露光装置が用いられるようになってきた。このような露光装置はシンクロトロンあるいはレーザープラズマなどの光源からのＸ線あるいは真空紫外線を、転写パターンが形成されている反射型マスクに照射し、これによって反射されたＸ線あるいは真空紫外線を複数枚の反射鏡によってレジスト上に縮小投影する。
【０００３】
上記のような露光装置に用いられる反射型マスクとしては、反射鏡の上に転写パターンに応じた吸収体、あるいは反射防止膜などが設けらたものがあった。反射鏡としては複数の物質を交互に積層した多層膜が用いられている。
【０００４】
反射型マスクの作製における欠陥の修復としては、図１４に示す特開平５−５５１２０号公報に記載されたものがある。
【０００５】
図１４においては、基板１４０１上に反射部材である下部多層膜１４０２、非反射体１４０３、反射部材である上部多層膜１４０４を連続に成膜し、その後に上部多層膜１４０４を所望のパターンに形成して反射部とする。
【０００６】
上部多層膜１４０４によるパターンに反射不良等の部分的な欠陥が発生した場合には、欠陥部の上部多層膜１４０４、非反射体１４０３とも除去することにより下部多層膜１４０２をあらわにし、下部多層膜１４０２を反射型マスクの反射部とすることにより欠陥の修復を行なっている。
【０００７】
反射型マスクの構造は大きく分けて、図１５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３つの種類に分類できる。
【０００８】
図１５（ａ）に示すものでは、基板１５０１上に多層膜にて形成された反射部１５０２を積層形成し、さらにその上にパターン化された非反射部１５０３が積 層形成されている。図１５（ｂ）に示すものでは基板１５０４上に多層膜により形成され、パターン化された反射部１５０５が形成されている。また、図１５（ｃ）に示すものでは基板１５０６上に多層膜による反射部１５０７を積層形成し、該反射部１５０７の層構造の規則性を部分的に破壊することにより、反射部１５０７中にパターン化された非反射部１５０８を形成している。
【０００９】
上記のように構成される反射型マスクに生じる欠陥について説明する。
【００１０】
図１６に示す反射型マスクは、反射パターン１６０９と非反射パターン１６１０によってマスクパターンが形成されているが、本来非反射の部分が反射される白欠陥と本来反射の部分が非反射となる黒欠陥が生じている。
【００１１】
反射型マスクの作製上において、これらの欠陥が発生する原因を分類すると、
第１に反射型マスクの基板に欠陥が存在する場合、
第２に反射部の多層膜の成膜時に欠陥が発生する場合、
第３に反射部と非反射部の所望のパターンを形成する時に発生する場合、
とに分けられる。
【００１２】
第３の、反射部と非反射部の所望のパターンを形成する時に発生した欠陥の修復は、第１表に示すように反射型マスクの構造、作製法により容易さが異なる。
【００１３】
【表１】
2004266300.tif 000003
【００１４】
表中、○、△、×の順に欠陥修復の容易さの度合を示し、△／○は○と△の中間であることを示す。
【００１５】
特に、図１５（ｂ）、（ｃ）の２つのタイプにおける黒欠陥の修復は、欠陥部に再度反射部、即ち多層膜構造を形成することにより行なわれるため極めて困難である。
【００１６】
上述した特開平５−５５１２０号公報に記載されたものは、上記の困難を避けるため、図１５（ｂ）に示したタイプの反射型マスクにおいて、予め、所望パターンの反射部を形成する多層膜の下層に多層膜を設け、欠陥部において下層の多層膜を露出せしめることにより修復を行なっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上述した欠陥修復法は、反射型マスクの作製において多層膜を２度成膜するという工程があるため、反射型マスクが高価になるという問題点がある。また、第１の欠陥発生原因である反射型マスクの基板の欠陥は、主に、付着したごみや凹凸等による外形的な欠陥に起因するものであり、基板上に形成される膜表面が平坦にならないことである。このような欠陥を有する基板上に形成された反射部では露光光が正常に反射されることはなく、ウエハに対し正確なパターンを転写することができない。
【００１８】
当然ながら２つの反射多層膜を形成しても、基板側に近い反射多層膜では基板の欠陥の影響を強くうけやすいため、基板欠陥によって欠陥が発生しているときには、欠陥修復ができないという問題点がある。
【００１９】
反射型マスクの基板は研磨により作製される。また、該基板上に積層される多層膜は数十から数百層の成膜であるために、これらの成膜工程が施された基板は非常に高価であり、若干の欠陥ならば多層膜を除去せずに利用する方がコストを 低く抑えることができる。
【００２０】
本発明は上述した従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、外形的な欠陥を有する基板であっても、ウエハ製造に問題が生じない反射型マスクを製造する装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の反射型マスクは、その上に非反射部が形成された反射部としての多層膜と、該多層膜を支持する基板とを有し、前記非反射部と前記反射部とでパターンを形成する反射型マスクであって、
前記基板上の前記パターンが形成されている領域の周囲には、前記多層膜が無い。
【００２２】
この場合、前記基板上の前記多層膜が無い部分にアライメントマークを有することとしてもよい。
【００２３】
上述の課題は、軟Ｘ線あるいは真空紫外線を発生する光源からの軟Ｘ線あるいは真空紫外線を、原版としてのパターンが形成されている反射型マスクに照射し、これによって反射された軟Ｘ線あるいは真空紫外線を複数枚の反射鏡によって レジストの塗布されたウエハ上に縮小投影する露光装置に用いられる反射型マスクに生じるものである。
【００２４】
本発明においては、反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンを形成する以前に、反射型マスクに位置基準を形成する（この位置基準は基板の外形であることも含む）、欠陥を該位置基準に対する位置として測定、欠陥の位置を該位置基準に対する位置として記憶装置に保存する。
【００２５】
反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンの配置は予め記憶装置に保存し、該記憶装置に保存されたデータを基に、欠陥が非反射部に位置するように、反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンの位置基準に対する位置を決定する。測定された全ての欠陥を非反射部に位置させることが困難な時には、反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンを形成する以前の反射型マスクを、反射型マスク作製工程から除去する。
【００２６】
本発明は、反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンを該位置基準に対して決定された位置に形成するために、反射部あるいは非反射部を形成することにより作製されたことを特徴とするリソグラフィ用反射型マスク、および、その作製方法、更にその反射型マスクを用いた露光装置および該露光装置により製造された半導体デバイスにより達成される。
【００２７】
反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンを形成する以前に反射型マスクの欠陥が発生するのは、
反射型マスクの基板に欠陥が存在する場合、
反射部の多層膜の成膜時に欠陥が発生する場合、
レジストの塗布においてゴミの付着が生じた場合
等がある。
【００２８】
本発明において、レジストの露光、現像時において発生したパターンの欠陥は 、反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンを形成する以前に発生した反射型マスクの欠陥とはしない。そのため、欠陥の検査は多層膜成膜前、成膜後あるいはレジスト塗布後に行なわれる。
【００２９】
縮小露光装置においては、通例、１／５〜１／４程度の縮小露光を行なう。軟Ｘ線あるいは真空紫外線を用いた縮小露光装置は、ウエハ上の最小線幅０．２μｍ以下となる時に使用される。したがって、マスク上の最小線幅は、１μｍ以下である。そのため、最小線幅の１／１０より大きい欠陥は反射型マスクにおいて問題となる欠陥となる。
【００３０】
欠陥検査は、通常、光学顕微鏡で観察し無欠陥と分かっているパターンとの比較を行なう方法、電子ビームを操作しデータと比較を行なう方法、レーザービームを走査し散乱光を検査する方法等がある。
【００３１】
本発明においては、反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンを形成する以前に発生した欠陥であるため、レーザービームを走査し散乱光を検査する方法が好まれるが、当然その限りではない。
【００３２】
欠陥検査により発見された少なくとも１個の欠陥は、予め形成された反射型マスクの位置基準、あるいは、遅くともその検査終了までに形成された反射型マスクの位置基準に対してその位置が記憶される。明らかに、その位置は、位置基準からの面内の少なくとも２つの情報により決定される。そのため、位置基準は、少なくとも２点の位置基準、点と直線からなる位置基準等からなる。
【００３３】
検査により発見された反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンを形成する以前に発生した反射型マスクの欠陥は、その欠陥部を所望のパターンの非反射部に位置させるように演算を行い、所望のパターン配置を位置基準に対して決定する。
【００３４】
演算の結果、問題となる全ての欠陥を非反射部に位置させることができない時には、そのパターン形成以前の反射型マスクを反射型マスク形成工程から除去する。
【００３５】
その後、電子ビームあるいは紫外、真空紫外あるいは軟Ｘ線によるレジストの露光、あるいは、イオンビーム等による所望の非反射部形成時に、位置基準に対して決定された配置にしたがいパターン形成を行なう。
【００３６】
上記のような特徴を有する本発明によって作製された反射型マスクにおいては、パターン形成以前に発生した問題となる欠陥は全て非反射部に位置することとなる。発明による反射型マスクを用いてウエハに露光を行う場合には、反射型マスク基板に欠陥があってもウエハ露光に不具合が生じることはなく、反射型マスク基板の欠陥による悪影響は実効的に無視できる程度のものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００３８】
図１は本発明による反射型マスク製造装置の一実施例の要部構成を示すブロック図である。
【００３９】
本実施例には、露光光１０１によってマスタマスク１０３に位置基準となるパターンとともに描かれた回路パターンをワーキングマスク１０４に転写する投影露光部分が示されている。マスタマスク１０３は、該マスタマスク１０３の種類を確認する機能を備えたマスタマスク搭載手段であるマスク種類確認装置１０２によって保持され、これと対向するワーキングマスク１０４は、マスク移動手段であるマスク移動機構１０５上に載置されている。マスク移動機構１０５は搭載物を図面の左右方向となる面に関してＸＹ移動させ、また、θ回転させることが可能であり、これによりワーキングマスク１０４はマスタマスク１０３と相対する面内で自由に移動可能とされている。
【００４０】
欠陥位置測定手段であるマスク状態確認装置１０６は、光源としてのレーザ発振器、該レーザ発振器のレーザ出力をワーキングマスク１０４へ向けて走査する走査機構および反射レーザ光の検出手段を備えるもので（ともに不図示）、該検出手段が示す反射光の散乱状態からワーキングマスク１０４上の欠陥を検出し、その結果を主制御装置１０７へ出力する。上述したマスク種類確認装置１０２はマスタマスク１０３に設けられた識別マークによってマスタマスク１０３の種類を確認するもので、その結果を主制御装置１０７へ出力する。
【００４１】
主制御装置１０７は、マスタマスク１０３のマスクパターンをその種類に対応して記憶する記憶手段である記憶装置１０８と接続してその動作を制御するもので、マスク状態確認装置１０６の検出結果、マスク種類確認装置１０２による確認内容および記憶装置１０８の記憶内容に応じてマスク移動機構１０５を介してワーキングマスク１０４を移動させ、その露光位置を制御する。また、露光光１０１についても、これを発生する露光用光源自体または光路中に設けられた遮蔽手段を制御することによって部分的な露光制御を行うことが可能となっている。
【００４２】
本実施例においては、主制御装置１０７が、マスク種類確認装置１０２に形成された位置基準のパターンを上記の部分的な露光を行うことによってワーキングマスク１０４上に位置基準を形成することが行われ、
図２は本実施例により製造される反射型マスクの構造を最も的確に示す図である。
【００４３】
基板２０１上には堆積したごみである欠陥２０２があり、該欠陥２０２を含んだ基板２０１上に反射多層膜である反射部２０３が形成され、この上にさらに非反射部２０４が部分的に積層形成されている。欠陥２０２の上部は平坦とはなっていないが、欠陥２０２に対応する部分は非反射部２０４が形成されているため、本実施例により製造された反射型マスクではウエハを露光するときの欠陥による悪影響は実効的に無視できる程度のものとなっている。
【００４４】
上記のような構造の反射型マスクとするための主制御装置１０７の制御動作について図３および図４を参照して説明する。
【００４５】
図３は本実施例における主制御装置１０７の露光制御動作を示すフローチャート、図４は主制御装置１０７が部分的な露光を行うことによって基板上に形成された位置基準と、マスク状態確認装置１０６によって確認された欠陥の位置関係を示す図である。
【００４６】
図３および図４を参照して本実施例の露光動作について説明する。
【００４７】
露光動作が開始となると、主制御装置１０７は、マスタマスク１０３に設けられた位置基準となるパターン部分のみに露光光が照射されるように露光用光源自体または光路中に設けられた遮蔽手段を制御して、ワーキングマスク１０４上に図４に示す位置基準４０７を形成する（ステップＳ３０１）。続いて、マスク状態確認装置１０６により、ワーキングマスク１０４上の欠陥４０６の位置を確認する（ステップＳ３０２）。次に、欠陥４０６の位置を位置基準４０７に対しての相対位置として記憶装置１０８に格納し（ステップＳ３０３）、続いて、記憶装置１０８にマスク種類確認装置１０２が出力するマスクの種類に対応して記憶されているパターンを読み出す（ステップＳ３０４）。
【００４８】
次に、ステップＳ３０３にて記憶装置１０８に格納した位置基準４０７に対する欠陥４０６のすべての位置が、ステップＳ３０４にて読み出したパターンの非反射部４１０となるようなワーキングマスク１０４の配置を演算し、パターンの位置基準４０７に対する位置を算出して移動位置を決定する（ステップＳ３０５）。なお、該ステップＳ３０５にて決定された位置基準４０７に対するパターン位置は、後述する本発明による反射型マスクを用いたウエハ露光に用いられるために記憶装置１０８に格納される。続いて、上記の決定内容に従ってワーキングマスク１０４の位置をマスク移動機構１０５を介して移動させ、露光光１０１を 照射し、パターン形成を行う（ステップＳ３０６）。
【００４９】
パターンが図４の点線のように配置されるとき、欠陥４０６は全てパターンの外側あるいは非反射部４１０に位置することとなり、ウエハ露光時での欠陥の悪影響を除くことができる。
【００５０】
上記のステップＳ３０５での移動位置を決定する工程において、欠陥４０６の数が多すぎたり、欠陥４０６の幾つかの配置が原因して問題となる欠陥を全て非反射部に位置させることが不可能であることが起きる。
【００５１】
このような問題が生じた場合には、この欠陥をもつ所望パターン形成前のワーキングマスク１０４に対して反射型マスク作製工程を継続することなく、反射型マスク作製工程から除去する。このため、作製時間に不必要な時間をかけることが避けられている。
【００５２】
また、上記の除去以外の問題解決方法としては、記憶装置１０８より各欠陥４０６の位置に適応するパターンのマスタマスク１０３の種類を読み出してマスタマスク１０３を交換する方法も考えられる。このような構成とした場合には、製作時間がかかるものの、ワーキングマスク１０４の使用効率を向上することができ、歩留りを高くし、作製される半導体素子の価格を下げることができる効果がある。
【００５３】
上記のようにして形成される図５に示される反射部のパターン４０９および非反射部４１０の形成方法を具体的に以下に説明する。
【００５４】
通常良く使われる方法として、まず、研磨された基板上に形成された反射部としての多層膜上に、非反射部を蒸着により形成する。基板としては、ＳｉＣ、石英、Ｓｉ等を研磨したものが好んで用いられる。
【００５５】
反射部としての多層膜は波長１３ｎｍ近傍においてはＭｏ、Ｒｕ、Ｒｈ等の単体あるいは合金とＳｉの組み合せが好んで用いられる。波長５ｎｍ近傍においてはＣｒ、Ｃｏ、Ｎｉ等の単体あるいは合金とＣの組み合せが好んで用いられる。非反射部用の材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ等の重金属が好んで使われる。ハーフトーンタイブの反射型マスクを作製する時は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の半導体や金属も好んで使われる。
【００５６】
次に、レジストをコーティングし、紫外可視域の露光光（または電子ビーム）で所望パターンを露光する。このとき、上述したようにパターンの位置が位置基準に対して予め決定されているように、即ち、欠陥が全て非反射部に位置下状態とされて露光が行なわれる。
【００５７】
レジストのタイプとしてはネガ型でもポジ型でもかまわないが、現像後、非反射部の所望のパターンがレジストのパターンとして得られるように露光する。その後、ドライエッチングにより、反射部上にある非反射部材を除去し、反射部である多層膜をあらわにする。
【００５８】
このことにより、図１３（ａ）に示したタイプの反射型マスクが作製される。図１３（ａ）に示したタイプの反射型マスクは、反射部としての多層膜上にレジストをコーティングし、露光、現像した後に非反射部の蒸着を行い、さらにレジストを除去して反射部をあらわにするという、いわゆるリフト法によっても作製することができる。
【００５９】
図１３（ｂ）、（ｃ）に対応した反射型マスクにおいても同様に、図６、図７に示すように欠陥部を非反射部に位置させることにより、実効的に影響を無視できる程度に欠陥の影響を減少できる。なお、図７に示される反射型マスクの作製においては、反射部に収束イオンビームを照射して反射部としての多層膜の規則性を破壊することにより、非反射部を作製することができる。
【００６０】
所望のパターンを形成する方法としては、上で述ベた電子ビームによるレジストの露光、収束イオンビームによる多層膜の規則性の破壊以外にも、紫外線、真空紫外線、Ｘ線によるレジストの露光等によっても行なえることは当然である。
【００６１】
図８（ａ）は上記のように作製された反射型マスク８１８を用いてウエハを露光する縮小投影露光装置の構成を示す図、図８（ｂ）は、その結像系の構成を示す図である。
【００６２】
軟Ｘ線（または真空紫外線）を発生する光源８１３から放射された軟Ｘ線（または真空紫外線）である露光光８１４は、２枚のミラー８１５および８１６からなる照明光学系を経て拡大された露光光８１７とされ、マスクステージ８２５上に保持された反射型マスク８１８に照射される。反射型マスク８１８の反射部から反射された軟Ｘ線および真空紫外線は、図８（ｂ）に示される結像光学系により、ウエハステージ８２６に保持されたウエハ８１９に照射され、反射型マスク８１８上のパターンがウエハ８１９に縮小結像される。
【００６３】
マスクステージ８２５上には基準アライメントマーク８２２が設置され、該アライメントマーク８２２には、ミラー８３０によって折り返された光源８２０からの光８２１が照射される。基準アライメントマーク８２２の反射光は、上記の結像光学系を経てウエハステージ８２６上のアライメントマーク８２３と干渉し、その干渉した強度が検出器８２４により測定され反射型マスク８１８およびウエハ８１９のアライメントが行なわれる。
【００６４】
アライメントを行うための光源８２０は軟Ｘ線（または真空紫外線）を発生する光源８１３と同一でも良い。また、アライメントマーク８２３はマスクステージ８２５上、ウエハステージ８２６上とも、多層膜からなる軟Ｘ線（または真空紫外線）の反射パターンでも良い。図示はしていないが、ウエハステージ８２６のアライメントマーク８２３とウエハ８１９のアライメントマーク、マスクステージ８２５上の基準アライメントマーク８２２と反射型マスク８１８のアライメ ントマークは、それぞれ、アライメント光学系により位置合わせが行なわれる。
【００６５】
図９（ａ），（ｂ）は、上記実施例における、反射型マスク８１８の構成を示す図である。
【００６６】
反射型マスク８１８を構成する基板９０５は、マスク支持板９３０に貼り合わされる。反射型マスク８１８のマスクステージ８２５へのチャッキングは、マスク支持板９３０の外形あるいはマスク支持板９３０に設置された位置基準９３１を用いて行なわれ、この工程が、マスクのプリアライメントとなる。そのため、反射型マスク８１８上に非反射部パターン９０９および反射部パターン９１０によって形成されるマスクパターンは、マスク支持板９３０の外形あるいはマスク支持板に設置された位置基準９３１に対して予め定められた位置にある必要がある。
【００６７】
本発明における反射型マスク８１８は、図１に示した主制御装置１０７の制御により、基板９０５に位置基準が形成され、かつ、反射部あるいは非反射部からなる所望のパターンの位置がその位置基準に対する位置として設定されている。このため、基板９０５のマスク支持板９３０への貼り合わせは、図１に示した記憶装置１０８に格納された基板９０５上の位置基準９０７に対するパターン位置に基づいて、マスク支持板９３０に設置された位置基準９３１とパターンとが所定の位置関係となるように行なわれ、これに基づいて上記のアライメント動作が行われる。
【００６８】
なお、アライメント動作を行う制御装置については特に説明しなかったが、図１に示した記憶装置１０８を記憶手段として共有する制御装置または主制御装置１０７としてもよい。このように構成した場合には、基板９０５上の位置基準９０７を基準アライメントマークとして用い、記憶装置１０８に格納された基板９０５上の位置基準９０７に対するパターン位置に基づいアライメント動作を行うことが可能となる。したがって、貼り合わせには上述したようなマスク支持板９ ３０に設置された位置基準９３１とパターンとが所定の位置関係とすることが要求されることはなく、単純に貼り合わせるだけでよいこととなり、作業時間を短縮し、製造効率を向上することができる効果がある。
【００６９】
次に、上記説明した露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。
【００７０】
図１０は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。
【００７１】
ステップＳ１００１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップＳ１００２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップＳ１００３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ１００４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップＳ１００５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップＳ１００４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリエ程（ダイシング、ボンディング）、パッケージングエ程（チップ封入）等の工程を含む。ステップＳ１００６（検査）ではステップＳ１００５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップＳ１００７）される。
【００７２】
図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。
【００７３】
ステップＳ１１０１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１１０２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１０３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１０４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１１０５（レジスト処理 ）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１１０６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップＳ１１０７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップＳ１１０８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１１０９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００７４】
次に、本発明の他の実施例について説明する。
【００７５】
図１２および図１３のそれぞれは、本発明による反射型マスク製造装置の第２の実施例および第３の実施例の要部構成を示すブロック図である。
【００７６】
図１に示した実施例においては、露光光により投影露光する装置を示したが、上記の構成は、図１２に示す電子ビーム露光機１２０２より出力される電子ビーム１２０１により、ワーキングマスク１２０４を直接描画するＥＢ露光装置や、図１３に示すパターン光をレンズ系１３０９によってワーキングマスク１３０４に縮小投影露光する縮小投影露光装置にも当然転用出来るものである。
【００７７】
図１２中の、ワーキングマスク１２０４、マスク移動機構１２０５、マスク状態確認装置１２０６および記憶装置１２０８のそれぞれは、図１に示したワーキングマスク１０４、マスク移動機構１０５、マスク状態確認装置１０６および記憶装置１０８はものと同様に構成されるものであり、主制御装置１２０７は、マスク状態確認装置の検出結果に基づいて電子ビーム露光機１２０２を直接制御することにより、記憶装置１２０８に記憶されているさまざまなマスクパターンを非反射部が欠陥部に位置するようにワーキングマスク１２０４上に形成する。
【００７８】
図１３に示す縮小投影露光装置は、マスタマスク１３０３とワーキングマスク １３０４との間に位置するように縮小光学系であるレンズ系１３０９を設けた点以外は図１に示した投影露光装置と同様の構成である。図中の露光光１３０１、マスク種類確認装置１３０２、マスタマスク１３０３、ワーキングマスク１３０４、マスク移動機構１３０５、マスク状態確認装置１３０６、主制御装置１３０７および記憶装置１３０８のそれぞれは図１に示した露光光１０１、マスク種類確認装置１０２、マスタマスク１０３、ワーキングマスク１０４、マスク移動機構１０５、マスク状態確認装置１０６、主制御装置１０７および記憶装置１０８と同様の構成であるために説明は省略する。
【００７９】
上記のように構成された本発明による反射型マスクの第２および第３の実施例においては、欠陥により生ずるレジストの露光時における欠陥を減少させ、歩留りの向上を図ることがのできるＥＢ露光装置および縮小投影露光装置を実現することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明による反射型マスク製造装置の一実施例の要部構成を示すブロック図である。
【図２】本実施例により製造される反射型マスクの構造を最も的確に示す図である。
【図３】本実施例における主制御装置１０７の露光制御動作を示すフローチャートである。
【図４】主制御装置１０７が部分的な露光を行うことによって基板上に形成された位置 基準と、マスク状態確認装置１０６によって確認された欠陥の位置関係を示す図である。
【図５】形成されるパターンを示す図である。
【図６】本発明により作製される反射型マスクの他の例を示す図である。
【図７】本発明により作製される反射型マスクの他の例を示す図である。
【図８】（ａ）は本発明による反射型マスクを用いてウエハを露光する縮小投影露光装置の構成を示す図、（ｂ）は、その結像系の構成を示す図である。
【図９】上図８に示した実施例に使用される反射型マスクの構成を示す図である。
【図１０】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【図１１】ウエハプロセスの詳細な工程を示すフローチャートである。
【図１２】本発明による反射型マスク製造装置の第２の実施例の要部構成を示すブロック図である。
【図１３】本発明による反射型マスク製造装置の第３の実施例の要部構成を示すブロック図である。
【図１４】従来例の構成を示す図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）のそれぞれは、反射型マスクの構造を示す図である。
【図１６】反射型マスクに生じる欠陥を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０１    露光光
１０２    マスク種類確認手段
１０３    マスタマスク
１０４    ワーキングマスク
１０５    マスク移動機構
１０６    マスク状態確認装置
１０７    主制御装置
１０８    記憶装置
２０１    基板
２０２    欠陥
２０３    反射部
２０４    非反射部
Ｓ３０１〜Ｓ３０６    ステップ
４０５    基板
４０６    欠陥
４０７    位置基準
４０８    パターン
４０９    反射部のパターン
４１０    非反射部のパターン
６０１    基板
６０２    欠陥
６１１    パターン
７０１    基板
７０２    欠陥
７１２ａ    反射部
７１２ｂ    非反射部
８１３，８２０    光源
８１４，８１７    露光光
８１５，８１６，，８２７，８２８，８２９    ミラー
８１８    反射型マスク
８１９    ウエハ
８２１    光
８２２    基準アライメントマーク
８２３    アライメントマーク
８２４    検出器
８２５    マスクステージ
８２６    ウエハステージ
９０５    基板
９０７，９３１    位置基準
９０９    非反射部パターン
９１０    反射部パターン
９３０    マスク支持板
Ｓ１０７１〜Ｓ１０７７，Ｓ１１８１〜Ｓ１１８９    ステップ
１２０１    電子ビーム
１２０２    電子ビーム露光機
１３０１    露光光
１３０２    マスク種類確認手段
１３０３    マスタマスク
１２０４，１３０４    ワーキングマスク
１２０５，１３０５    マスク移動機構
１２０６，１３０６    マスク状態確認装置
１２０７，１３０７    主制御装置
１２０８，１３０８    記憶装置
【図１】
2004266300.tif 000004
【図２】
2004266300.tif 000005
【図３】
2004266300.tif 000006
【図４】
2004266300.tif 000007
【図５】
2004266300.tif 000008
【図６】
2004266300.tif 000009
【図７】
2004266300.tif 000010
【図８】
2004266300.tif 000011
【図９】
2004266300.tif 000012
【図１０】
2004266300.tif 000013
【図１１】
2004266300.tif 000014
【図１２】
2004266300.tif 000015
【図１３】
2004266300.tif 000016
【図１４】
2004266300.tif 000017
【図１５】
2004266300.tif 000018
【図１６】
2004266300.tif 000019