(57)【要約】【課題】レーザトリミングによって劣化した特性を効果的に回復させ得る熱処理工程を備えた、セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】卑金属を含む導体膜３が形成され、かつ焼成工程を経て得られた酸化物セラミックをもって構成される部品本体を備える単板コンデンサ１のようなセラミック電子部品に対して、導体膜３の一部を除去するようにレーザ光を照射してトリミング部５を形成した後、熱処理するにあたって、熱処理温度を、焼成工程での焼成温度［℃］の５０％以上かつ焼成温度未満の温度とし、熱処理雰囲気を、ｌｏｇ  （熱処理温度での卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）−８以上、かつｌｏｇ  （熱処理温度での卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）＋５以下とする。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
卑金属を含む導体膜が形成され、かつ焼成工程を経て得られた酸化物セラミックをもって構成される部品本体を作製する工程と、
前記部品本体に向かってレーザ光を照射することによって、前記導体膜の一部を除去する、トリミング工程と、
前記トリミング工程の後の前記酸化物セラミックを熱処理する工程と
を備え、
前記熱処理する工程は、前記焼成工程での焼成温度［℃］の５０％以上かつ焼成温度未満の温度で実施され、
前記熱処理する工程での雰囲気は、これをｌｏｇ（酸素分圧［ＭＰａ］）で表わしたとき、ｌｏｇ（熱処理温度での前記卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）−８以上、かつｌｏｇ（熱処理温度での前記卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）＋５以下である、セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記酸化物セラミックは誘電体セラミックであり、前記セラミック電子部品はＬＣフィルタである、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、セラミック電子部品の製造方法に関するもので、特に、導体膜の一部を除去するトリミング工程を備える、セラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多層回路部品などの発振周波数や中心周波数などの特性調整方法の１つとして、多層回路部品内の導体膜の面積を変化させることによって、静電容量やインダクタンスなどを変えることが行なわれている。たとえば、チップ多層ＬＣフィルタの中心周波数ｆ０  は、ｆ０  ＝１／｛２π×（Ｌ×Ｃ）１／２  ｝で表わされるため、チップ内のコンデンサ回路の静電容量Ｃあるいはコイル回路のインダクタンスＬを自由に変えることができれば、所望の中心周波数ｆ０  を得ることが可能となる。
【０００３】
そこで、予めコンデンサ部および／またはコイル部の導体膜面積を必要量より大きく設計しておき、後工程で、特定の導体膜を、たとえばサンドブラストやレーザなどによって、一部除去すること、すなわちトリミングすることが行なわれている。
【０００４】
上述のトリミングは、多層回路部品の発振周波数や中心周波数などの調整に限らず、たとえばセラミックコンデンサの静電容量の調整など、セラミック電子部品一般に対して、しばしば行なわれている。
【０００５】
また、実際にトリミングを利用するのは、加工精度のばらつきに起因する特性のばらつきを小さくし、不良率の低減や特性の高精度化を実現することを目的とすることが多い。特に、レーザによるトリミングは、加工精度が高いので、より高いレベルでの特性制御を達成できる。
【０００６】
しかしながら、現状のレーザトリミング技術では、レーザトリミング後の特性劣化という問題については、必ずしも十分に解決されていない。
【０００７】
すなわち、一般に、レーザ光の照射部は、摂氏数１０００度といった高温になるため、照射部にある導体膜やセラミックは溶融し、セラミックにあっては、その結晶構造が壊れ、アモルファス化またはアモルファスに近い状態となり、また、多量の酸素欠陥が生じることがある。そして、このような酸素欠陥によって、酸化物セラミックは、レーザ照射部やその周囲において絶縁抵抗の低下が生じる。その結果、たとえば、コンデンサ回路の誘電損失が増大したり、狙いどおりの静電容量値やインダクタンス値が得られなかったりすることがある。
【０００８】
このため、上述のような特性劣化が許容される部品や、ある程度の特性劣化で留まるセラミック材料を用いた部品にのみ、レーザトリミングが適用されているのが現状である。
【０００９】
他方、上述のように劣化した特性を回復させる技術も提案されている（たとえば、特許文献１および２参照）。特許文献１および２では、レーザトリミング後に、大気中において熱処理を施し、それによって、酸化物セラミックのレーザ照射部を再酸化することによって、劣化した特性の回復を図ることが提案されている。
【００１０】
【特許文献１】
特開平９−１６２６０７号公報
【特許文献２】
特開平１０−１９０３２７号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１および２に記載されるようなレーザ照射部の再酸化処理による場合、劣化した特性の回復が不十分であることが多い。また、導体膜が卑金属を含む場合には、再酸化処理によって導体膜表面に生成した酸化層を除去する工程が必要となる。さらに、酸化物セラミックが還元性雰囲気中で焼成される場合、この酸化物セラミックの焼成雰囲気と熱処理の雰囲気とが大幅に異なるため、熱処理によって、酸化物セラミックの特性が不所望に変化してしまうという可能性もある。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、上述した問題を解決し得る、セラミック電子部品の製造方法、特に、レーザトリミング後の熱処理方法を提供しようとすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明は、卑金属を含む導体膜が形成され、かつ焼成工程を経て得られた酸化物セラミックをもって構成される部品本体を作製する工程と、部品本体に向かってレーザ光を照射することによって、導体膜の一部を除去する、トリミング工程と、トリミング工程の後の酸化物セラミックを熱処理する工程とを備える、セラミック電子部品の製造方法に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１４】
すなわち、上述の熱処理する工程は、焼成工程での焼成温度［℃］の５０％以上かつ焼成温度未満の温度で実施されることを第１の特徴としている。
【００１５】
そして、熱処理する工程での雰囲気は、これをｌｏｇ  （酸素分圧［ＭＰａ］）で表わしたとき、ｌｏｇ  （熱処理温度での前記卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）−８以上、かつｌｏｇ  （熱処理温度での前記卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）＋５以下であることを第２の特徴としている。
【００１６】
上述の第１の特徴は、レーザ光の照射によって結晶構造が壊れ、アモルファス化またはアモルファスに近い状態となった箇所を再結晶化させることを可能にする。この再結晶化処理は、前述した再酸化処理よりも、特性回復に対する効果が大きい。
【００１７】
また、前述した第２の特徴は、導体膜に含まれる卑金属を酸化することを防止し、したがって、導体膜の表面に形成された酸化層を除去する工程を不要とし、また、酸化物セラミックの特性を変化させないようにすることを可能にする。
【００１８】
この発明は、特に、酸化物セラミックが誘電体セラミックであり、セラミック電子部品がＬＣフィルタである場合において有利に適用される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
この発明による製造方法が適用されて製造されるセラミック電子部品のいくつかの例について説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１および図２には、セラミック電子部品の一例としての単板コンデンサ１が示されている。ここで、図１は正面図であり、図２は平面図である。
【００２１】
単板コンデンサ１は、焼成工程を経て得られた酸化物セラミックとしての誘電体セラミックをもって構成される板状の部品本体２を備えている。部品本体２の各主面上には、卑金属を含む導体膜３および４がそれぞれ形成されている。導体膜３および４は互いに対向し、それによって、導体膜３および４間には静電容量が形成される。
【００２２】
このような単板コンデンサ１を得た後、その静電容量を調整するため、部品本体２に向かってレーザ光を照射し、それによって、導体膜３または４の一部を除去する、トリミング工程が実施される。図２には、このトリミング工程において、導体膜３の一部を除去するように形成されたトリミング部５が図示されている。
【００２３】
このトリミング工程によって劣化した特性を回復するため、トリミング工程の後、熱処理される。この熱処理工程では、部品本体２を得るための焼成工程での焼成温度［℃］の５０％以上かつ焼成温度未満の温度が適用される。また、熱処理工程での雰囲気は、これをｌｏｇ  （酸素分圧［ＭＰａ］）で表わしたとき、ｌｏｇ  （熱処理温度での卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）−８以上、かつｌｏｇ  （熱処理温度での卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）＋５以下とされる。
【００２４】
これらの熱処理工程での温度条件および雰囲気条件は、実験に基づいて求められたものであるので、以下に、その実験例について説明する。
【００２５】
（実験例１）
図１に示すような構造を有する単板コンデンサ１を作製した。ここで、部品本体２を構成する誘電体セラミックとして、表１および表２の「誘電体セラミック」の欄に示したものを主成分とするものを用い、導体膜３および４の導電成分として、同じく「導体膜用卑金属」の欄に示したものを用い、同じく「焼成温度」の欄に示した焼成温度を適用して、還元性気雰囲気中において焼成工程を実施し、部品本体２と導体膜３および４とを同時に焼成した。得られた単板コンデンサ１の部品本体２は、幅が約７ｍｍ、長さが約７ｍｍおよび厚さが約０．６ｍｍの寸法であった。
【００２６】
次に、各試料に係る単板コンデンサ１について、Ｑ値（１／ｔａｎδ）を、周波数１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓ  および温度２５℃の条件にて測定した。また、温度２５℃にて２００Ｖの直流電圧を２分間印加して、絶縁抵抗（ＩＲ）を測定した。これらの測定結果が、表３および表４の「レーザトリミング前」における「Ｑ」および「ｌｏｇ  ＩＲ」の欄にそれぞれ示されている。
【００２７】
次に、各試料に係る単板コンデンサ１の一方主面に向かって、レーザ光を照射し、３ｍｍ角の正方形を描くように走査して、図２に示すようなトリミング部５を形成した。ここで、レーザパワーは１．８Ｗ、Ｑレートは２ｋＨｚ、レーザ走査速度は６ｍｍ／秒、トリミング回数は２回とした。
【００２８】
次に、レーザトリミング後の単板コンデンサ１について、レーザトリミング前に行なったのと同様の条件で、Ｑ値および絶縁抵抗を測定した。これらＱ値および絶縁抵抗の測定箇所は、図２に示すように、導体膜３におけるトリミング部５によって切断された外側の領域Ａと他方の導体膜４の領域Ｃとの間とした。これらの結果が、表３および表４の「レーザトリミング後」の「Ａ−Ｃ間」の「Ｑ」および「ｌｏｇ  ＩＲ」の欄にそれぞれ示されている。
【００２９】
また、図２に示すように、導体膜３におけるレーザトリミング部５によって切断された外側の領域Ａと内側の領域Ｂとの間での抵抗値も測定した。この測定結果としての「ｌｏｇ  ＩＲ」は、表３および表４における「レーザトリミング後」の「Ａ−Ｂ間」の欄に示されている。
【００３０】
表３および表４からわかるように、「レーザトリミング後」は、「レーザトリミング前」と比較して、Ｑ値が大幅に低下した。また、部品本体２を構成する誘電体セラミックの種類によっては、「レーザトリミング後」の「Ａ−Ｂ間」の抵抗値については、１０６  Ω程度にまで低くなるものがあった。これは、「Ａ−Ｂ間」に主成分の誘電体セラミックとは異なるアモルファスまたはアモルファスに近い状態の低抵抗層がレーザトリミングによって生成したためである。この低抵抗層は、Ｑ値を低下させることがわかっている。
【００３１】
次に、各試料に係る単板コンデンサ１を熱処理した。ここで、熱処理温度として、表１および表２の「熱処理トップ温度」の欄に示した温度を適用し、熱処理時の雰囲気として、同じく「熱処理トップ温度における酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」の欄に示した酸素分圧を適用した。
【００３２】
また、表１および表２には、「導体膜用卑金属」の欄に示した卑金属についての熱処理トップ温度における酸化還元平衡酸素分圧が「熱処理トップ温度における平衡酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」の欄に示されている。同欄には、また、括弧書きにて、上記平衡酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  に対して、８を減じた値と５を加えた値との間の範囲（以下、「好適酸素分圧範囲」という。）が示されている。
【００３３】
さらに、表１および表２には、「熱処理昇降温速度」および「熱処理トップ温度キープ時間」が示されている。
【００３４】
このような熱処理後において、前述したレーザトリミング後の場合と同様の条件にて、同様の電気的特性を測定した。その測定結果が表３および表４の「熱処理後」の欄に示されている。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
【表２】
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【００３７】
【表３】
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【００３８】
【表４】
2004266113.tif 000006
【００３９】
表１ないし表４において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外のものである。
【００４０】
表３および表４から明らかなように、この発明の範囲内にある試料によれば、Ｑ値が比較的大きく、すなわち誘電損失が比較的小さくなっており、熱処理の効果が認められた。これは、「Ａ−Ｂ間」のアモルファスまたはアモルファスに近い状態の低抵抗層が、熱処理によって再結晶化され、「レーザトリミング前」の誘電体セラミックに近い状態に戻ったためであると考えられる。
【００４１】
これに対して、表１および表２に示すように、「熱処理トップ温度」［℃］が、「焼成温度」［℃］の５０％未満であると、試料１１、１６、２０、２３、２６および２９のように、Ｑ値（誘電損失）については一応の回復を見せているが、［焼成温度」の５０％以上の「熱処理トップ温度」で熱処理を施した試料と比較すると、この回復の度合いは小さかった。これは、アモルファスまたはアモルファスに近い状態の低抵抗層の再結晶化が不十分であったためであると考えられる。このことから、「熱処理トップ温度」［℃］は、「焼成温度」［℃］の５０％以上であることが必要であることがわかる。
【００４２】
次に、熱処理雰囲気について、表１および表２に示した「熱処理トップ温度における酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」と「熱処理トップ温度における卑金属の平衡酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」、特に好適酸素分圧範囲とを比較しながら考察する。
【００４３】
試料１２、１７、２１、２４、２７および３０は、好適酸素分圧範囲より酸化側の雰囲気で熱処理を行なったものである。これらの試料では、Ｑ値（誘電損失）については一応回復しているものの、好適酸素分圧範囲の雰囲気で熱処理を行なったものに比べて、回復の度合いは小さかった。これは、熱処理によって、導体膜３および４の表面が酸化し、Ｑ値が小さく、すなわち誘電損失が増加したためであると考えられる。
【００４４】
この発明では、トリミング部５に生成される低抵抗層を、焼成温度［℃］の５０％以上の温度で熱処理を施すことによって再結晶化させることで特性の回復を図っているため、従来の再酸化処理の場合よりも低い酸素分圧での熱処理が可能であるが、好適酸素分圧範囲は、卑金属の平衡酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  に対して５を加えた値を上限とし、卑金属の平衡酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  よりも多少酸化側の雰囲気での熱処理も許容している。これは、導体膜３および４を比較的長時間さらすと、酸化されるような多少酸化側の雰囲気であっても、熱処理時間が短ければ、反応が進行する前に熱処理が終わり、導体膜３および４の表面の酸化による特性劣化にまで至らないようにすることができるためである。
【００４５】
また、試料１３では、好適酸素分圧範囲よりも還元側の雰囲気で熱処理を行なったものである。この場合、Ｑ値（誘電損失）は回復せず、また、「Ａ−Ｃ間」での絶縁抵抗も劣化した。これは、熱処理によって、部品本体２を構成する誘電体セラミック自体の還元も生じたためであると考えられる。
【００４６】
このようなことから、熱処理雰囲気は、好適酸素分圧範囲にあること、すなわち「熱処理トップ温度における卑金属の平衡酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」に対して、８を減じた値と５を加えた値との範囲にある必要があることがわかる。
【００４７】
（第２の実施形態）
図３は、この発明が適用されるセラミック電子部品の他の例としての多層ＬＣフィルタ１１を示す断面図である。図４は、図３に示した多層ＬＣフィルタ１１の表面または内部に形成される種々の導体膜のパターンを示す平面図である。図５は、図３に示した多層ＬＣフィルタ１１が与える等価回路図である。
【００４８】
多層ＬＣフィルタ１１は、焼成工程を経て得られるものであって、酸化物セラミックとしての誘電体セラミックからなる複数のセラミック層１２をもって構成される部品本体１３を備えている。部品本体１３の４つの側面には、外部電極１４〜１９が形成されている。これら外部電極１４〜１９のうち、外部電極１４〜１７は、多層ＬＣフィルタ１１の端子として機能し、外部電極１８および１９は、この多層ＬＣフィルタ１１内における相互接続用配線導体として機能する。
【００４９】
次に、図４を参照しながら、部品本体１３に関連して形成される卑金属を含む種々の導体膜について説明する。なお、図４において、（ａ）は、部品本体１３に備える最も上のセラミック層１２の上面を示し、（ｂ）〜（ｇ）の順序で、より下に位置するセラミック層１２が図示されている。
【００５０】
図４（ａ）に示すように、最も上のセラミック層１２の上面上には、トリミング用導体膜２０および２１が形成される。これらトリミング用導体膜２０および２１は、コンデンサ用導体膜を兼ねるもので、それぞれ、外部電極１８および１９に電気的に接続される。
【００５１】
図４（ｂ）に示すように、トリミング用導体膜２０および２１の下方には、アース用導体膜２２が形成される。アース用導体膜２２は、コンデンサ用導体膜を兼ねるもので、トリミング用導体膜２０および２１の各々に共通して対向する状態とされる。アース用導体膜２２は、外部電極１６および１７に電気的に接続される。
【００５２】
図４（ｃ）に示すように、アース用導体膜２２の下方の位置には、コンデンサ用導体膜２３および２４が形成される。これらコンデンサ用導体膜２３および２４は、ともに、上記アース用導体膜２２に対向する状態とされる。コンデンサ用導体膜２３および２４は、それぞれ、外部電極１８および１９に電気的に接続される。
【００５３】
図４（ｄ）に示すように、コンデンサ用導体膜２３および２４の下方の位置には、コンデンサ用導体膜２５および２６が形成される。コンデンサ用導体膜２５および２６は、それぞれ、コンデンサ用導体膜２３および２４に対向し、また、それぞれ、外部電極１４および１５に電気的に接続される。
【００５４】
図４（ｅ）に示すように、コンデンサ用導体膜２５および２６の下方の位置には、コンデンサ用導体膜２７が形成される。コンデンサ用導体膜２７は、コンデンサ用導体膜２５および２６の各々に共通に対向する。コンデンサ用導体膜２７は、外部電極１４〜１９のいずれにも電気的に接続されない。
【００５５】
図４（ｆ）に示すように、コンデンサ用導体膜２７の下方の位置には、インダクタ用導体膜２８および２９が形成される。一方のインダクタ用導体膜２８は、外部電極１６および１８間を電気的に接続するように延び、他方のインダクタ用導体膜２９は、外部電極１７および１９間を電気的に接続するように延びる。
【００５６】
図４（ｇ）に示すように、インダクタ用導体膜２８および２９の下方の位置には、アース用導体膜３０が形成される。アース用導体膜３０は、外部電極１６および１７に電気的に接続される。
【００５７】
以上の導体膜２０〜３０の積層方向での互いの位置関係については、図３を参照すれば、容易に理解することができる。
【００５８】
このような多層ＬＣフィルタ１１によって、図５に示すような等価回路が与えられる。図５において、図３および図４に示した要素に相当する要素には、同様の参照符号を付し、対応関係が明らかにされている。
【００５９】
以上説明したような多層ＬＣフィルタ１１を得た後、部品本体１３に向かってレーザ光を照射することによって、トリミング用導体膜２０および２１の一部を除去する、トリミング工程が実施され、次いで、このトリミング工程の後において、多層ＬＣフィルタ１１が熱処理される。
【００６０】
上述の熱処理における温度条件および雰囲気条件は、前述した単板コンデンサ１の場合と同様であるが、この多層ＬＣフィルタ１１の場合についても、これら熱処理における温度条件および雰囲気条件を求めるために実施した実験例について説明する。
【００６１】
（実験例２）
実験例２では、図３ないし図５を参照して説明した多層ＬＣフィルタ１１を作製した。ここで、セラミック層１２を、ＢａＯ−Ｎｄ２  Ｏ３  −ＴｉＯ２  系セラミックから構成し、外部電極１４〜１９ならびに導体膜２０〜３０に含まれる導電材料として、Ｃｕを用い、セラミック層１２と外部電極１４〜１９ならびに導体膜２０〜３０とを、還元性雰囲気中において１０００℃の温度で同時に焼成することによって、多層ＬＣフィルタ１１を得た。この多層ＬＣフィルタ１１に備える部品本体１３は、幅が約２．５ｍｍ、長さが約３．２ｍｍおよび厚さが１．６ｍｍの寸法であった。
【００６２】
このようにして得られた１０個の試料すなわち試料３１〜４０について、この段階で、中心周波数（ｆ０  ）および挿入損失（Ｉ．Ｌ．）を測定した。その結果が、表６の「レーザトリミング前」における「ｆ０  」および「Ｉ．Ｌ．」にそれぞれ示されている。なお、挿入損失（Ｉ．Ｌ．）は、多層ＬＣフィルタ１１におけるコンデンサ部の誘電損失が大きくなるほど、大きくなるものである。
【００６３】
次に、各試料に係る多層ＬＣフィルタ１１に対してレーザトリミングを実施した。ここで、レーザパワーは、１．８Ｖ、Ｑレートは２ｋＨｚ、レーザ走査速度は６ｍｍ／秒、トリミング回数は４回とした。そして、このレーザトリミングによって、部品本体１３の上面にあるトリミング用導体膜２０および２１を、０．５ｍｍ角の大きさだけ除去した。
【００６４】
次に、上述のようなレーザトリミングを実施した後の多層ＬＣフィルタ１１について、レーザトリミング前と同様の条件で、中心周波数（ｆ０  ）および挿入損失（Ｉ．Ｌ．）を測定した。その結果が、表６の「レーザトリミング後」における「ｆ０  」および「Ｉ．Ｌ．」にそれぞれ示されている。
【００６５】
次に、各試料に係る多層ＬＣフィルタ１１を熱処理した。ここで、熱処理温度として、表５の「熱処理トップ温度」を適用し、雰囲気として、同じく「熱処理トップ温度における酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」を適用した。表５には、表１および表２の場合と同様、「熱処理トップ温度におけるＣｕの平衡酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」が好適酸素分圧範囲とともに示され、また、「熱処理昇降温速度」および「熱処理トップ温度キープ時間」が示されている。
【００６６】
次に、上述の熱処理後において、レーザトリミング前と同じ条件で、各試料に係る多層ＬＣフィルタ１１について、中心周波数（ｆ０  ）および挿入損失（Ｉ．Ｌ．）を測定した。その結果が、表６の「熱処理後」における「ｆ０  」および「Ｉ．Ｌ．」にそれぞれ示されている。
【００６７】
【表５】
2004266113.tif 000007
【００６８】
【表６】
2004266113.tif 000008
【００６９】
表５および表６において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外のものである。
【００７０】
表６からわかるように、この発明の範囲内にある試料３１〜３８では、「Ｉ．Ｌ．」が、「熱処理後」において、「レーザトリミング後」より小さく、「レーザトリミング前」と同等程度まで回復しており、熱処理の効果が認められた。これは、熱処理によって、多層ＬＣフィルタ１１のコンデンサ部におけるレーザ照射部が再結晶化されたことによると考えられる。
【００７１】
これに対して、「熱処理トップ温度」［℃］が、焼成工程での焼成温度である１０００℃の５０％未満である試料３９では、「熱処理後」において、「Ｉ．Ｌ．」が一応回復しているものの、その度合いが小さい。
【００７２】
また、熱処理雰囲気に関して、好適酸素分圧範囲から外れた「熱処理トップ温度における酸素分圧ｌｏｇ  ｐＯ２  」で熱処理された試料４０においても、「熱処理後」において、「Ｉ．Ｌ．」が一応回復しているものの、その度合いは小さい。
【００７３】
以上、この発明を、図１および図２に示した単板コンデンサ１ならびに図３ないし図５に示した多層ＬＣフィルタ１１に適用された場合について説明したが、この発明は、卑金属を含む導体膜が形成され、かつ焼成工程を経て得られた酸化物セラミックをもって構成される部品本体を備えるセラミック電子部品であれば、どのような構造のセラミック電子部品に対しても適用することができる。
【００７４】
また、トリミングされる導体膜は、部品本体の外表面上にある場合に限らず、部品本体の内部にあってもよい。
【００７５】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、レーザトリミング後の熱処理工程において、熱処理温度［℃］を、焼成工程での焼成温度［℃］の５０％以上かつ焼成温度未満の温度に制御するとともに、熱処理雰囲気を、ｌｏｇ  （熱処理温度での卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）−８以上、かつｌｏｇ  （熱処理温度での卑金属の酸化還元平衡酸素分圧［ＭＰａ］）＋５以下に制御しているため、卑金属を含む導体膜が酸化されることなく、レーザトリミングによって結晶構造が壊れた酸化物セラミックを効果的に再結晶化させ、それによって、レーザトリミングによって劣化した特性を回復させることができる。
【００７６】
そのため、この発明は、従来、レーザトリミングを適用できなかった材料に対しても適用することが可能となり、したがって、セラミック電子部品の設計の自由度が増すとともに、セラミック電子部品の高性能化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明が適用されるセラミック電子部品の一例としての単板コンデンサ１を示す正面図である。
【図２】図１に示した単板コンデンサ１を示す平面図であり、レーザトリミングを実施して形成されたトリミング部５を併せて示している。
【図３】この発明が適用されるセラミック電子部品の他の例としての多層ＬＣフィルタ１１を示す断面図である。
【図４】図３に示した多層ＬＣフィルタ１１に形成される導体膜２０〜３０を図解するため、多層ＬＣフィルタ１１に備える特定のセラミック層１２の表面を示す平面図である。
【図５】図３に示した多層ＬＣフィルタ１１が与える等価回路図である。
【符号の説明】
１  単板コンデンサ
２，１３  部品本体
３，４，２０〜３０  導体膜
５  トリミング部
１１  多層ＬＣフィルタ
１２  セラミック層
【図１】
2004266113.tif 000009
【図２】
2004266113.tif 000010
【図３】
2004266113.tif 000011
【図４】
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【図５】
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