(57)【要約】【課題】発光素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止する構造とした発光装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、発光素子の設けられた基板１１と対向１２とを貼りあわせる構造とし、シール材が未硬化の時に、基板と対向を貼り合わせるときの圧力によって生じる、基板とシール材の間に生じるずれ応力がある場合にシール材の粘度が低下し、ずれ応力を取り去ったあとに粘度がもとの状態にもどる材料を利用することを特徴とする発光装置とその作製方法である。【選択図】  図１
2004213910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透光性である一対の基板間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置の作製方法であって、
一対の基板の間にはシール剤を前記画素部の外周を囲うように配置し、
シール剤が未硬化の時に、前記基板への圧力によって生じる、基板とシール剤の間に生じるずれ応力がある場合にシール剤の粘度が低下し、ずれ応力を取り去ったあとに粘度がもとの状態にもどる材料でなり、
前記シール剤には一対の基板の間隔を一定にする間隔保持材があること
を特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１においてシール剤が光硬化型樹脂であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１においてシール剤が光硬化と熱硬化を併用する樹脂であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１においてシール剤がエポキシ樹脂を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１においてシール剤がアクリル樹脂で含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１においてシール剤がビニルエーテル樹脂で含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１において、静止状態とずれ応力が加わっているときの粘度の比が３以上であるシール剤であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１において、間隙保持剤は無機材料からなることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１において、間隙保持剤はＳｉＯ２を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
少なくとも一方が透光性である一対の基板間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置の作製方法であって、
一対の基板の間にはシール剤を前記画素部の外周を囲うように配置し、
一対の基板を重ね合わせ
重ね合わせた一対の基板面に対して垂直な方向に圧力を加え、
シール剤が未硬化の時に、前記基板への圧力によって生じる、基板とシール剤の間に生じるずれ応力がある場合にシール剤の粘度が低下し、ずれ応力を取り去ったあとに粘度がもとの状態にもどる材料でなり、
前記シール剤には一対の基板の間隔を一定にする間隔保持材があること
を特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０においてシール剤が光硬化型樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０においてシール剤が光硬化と熱硬化を併用する樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０においてシール剤がエポキシ樹脂を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０においてシール剤がアクリル樹脂を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０においてシール剤がビニルエーテル樹脂を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０において、静止状態とずれ応力が加わっているときの粘度の比が３以上であるシール剤であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や有機化合物を含む発光層を有する発光表示装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本発明において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、自発光型の素子としてＥＬ素子を有した発光装置の研究が活発化しており、特に、ＥＬ材料として有機材料を用いた発光装置が注目されている。この発光装置はＥＬディスプレイとも呼ばれている。
【０００４】
なお、ＥＬ素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明の成膜装置および成膜方法により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
【０００５】
発光装置は、液晶表示装置と異なり自発光型であるため視野角の問題がないという特徴がある。即ち、屋外に用いられるディスプレイとしては、液晶ディスプレイよりも適しており、様々な形での使用が提案されている。
【０００６】
ＥＬ素子は一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。
【０００７】
また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、低分子系の材料を用いて形成しても良いし、高分子系の材料を用いて形成しても良い。
【０００８】
なお、本明細書において、陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層という。したがって、上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含まれるものとする。
【０００９】
また、本明細書中では、陰極、ＥＬ層及び陽極で形成される発光素子をＥＬ素子といい、これには、互いに直交するように設けられた２種類のストライプ状電極の間にＥＬ層を形成する方式（単純マトリクス方式）、又はＴＦＴに接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間にＥＬ層を形成する方式（アクティブマトリクス方式）の２種類がある。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
【００１０】
ＥＬ層を形成するＥＬ材料は極めて劣化しやすく、酸素もしくは水の存在により容易に酸化もしくは吸湿して劣化するため、発光素子における発光輝度の低下や寿命が短くなる問題がある。
【００１１】
そこで発光素子部分への酸素、水分の到達を防止すべく、封止缶と呼ばれるステンレスの薄板をプレス加工した缶や、へこんだ部分があらかじめ作ってあるガラス基板を使って、発光素子部分を覆うように貼り付けて封止し、さらにその内部にドライエアを封入し、乾燥剤を貼り付ける。なお、このガラス基板については以下、特に断りがなければ対向と呼ぶことにする。
【００１２】
封止缶や対向を発光素子に貼り付けるときは通常、接着剤を使っている。以下、この接着剤をシール剤と呼ぶ。シール剤は、封止工程中のＥＬ層への熱的な影響や工程時間を考慮して、室温からおおむね１００℃以下の温度範囲で短時間のうちに硬化し、しかも硬化後は酸素、水分の透過がきわめて少ないものを利用する。また、作業の簡便性を考慮して一液型のシール剤を利用する。シール剤は未硬化の状態では室温ではおおむね1〜1000Pa・sの粘度であり、流動性を有している。
【００１３】
シール剤はディスペンサと呼ばれる塗布装置や、印刷機を利用して基板上に所定のパターンを形成する。
【００１４】
シールパターンは発光領域を囲むような位置関係となるように塗布する。発光領域は長方形型が一般的なので、シールパターンもそれを囲むような長方形状になる。基板に発光領域が複数形成されているときはそれに応じてシールパターンを複数配置する。
【００１５】
一方の封止缶または基板にシールパターン形成後、他方の基板を重ね合わせ、さらに両側から挟むようにして圧力をかけながらシール剤を硬化させる。硬化後は基板を所定の形状に切り離す、スクライブ工程へと移る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
塗布するシールのパターン数が多い場合や、封止工程における貼り合わせ前の待ち時間が長くなると、塗布した未硬化のシールパターンがだれはじめていびつな形になってくる。
【００１７】
このシールの断面を図２に模式的に示す。（Ａ）は塗布直後、（Ｂ）は塗布後１時間ほど放置した状態である。２０１，２０２はシール剤の断面、２０３，２０４は対向である。塗布直後は（Ａ）ような断面形状だが、時間がたつにつれて重力や基板の表面張力の影響で変形して（Ｂ）のようになる。さらにこの変形の度合いが場所によって異なるので、この状態のままで張り合わせをすると、貼り合わせ後の基板とシールの接着度がパネル面内で不均一になり、場所によっては、大気中の水分がより浸入しやすい状態になり、ダークスポットなど表示不良の原因となる不具合が発生しやすかった。
【００１８】
だれについては流動性をもつ材料を扱う以上避けがたい問題だが、シールの粘度をあげればその程度は減らすことができる。しかし、粘度をあげると別の問題が発生した。
【００１９】
基板と対向を貼り合わせるとき、シールの粘度が高くなるとシールがつぶれにくくなる。そこでかなりの圧力を加えると、こんどは基板が圧力で破損するということもあって、簡単に圧力を高くすればいいというものではなかった。
【００２０】
また、TFTが形成された基板のように、画像の信号を供給するための配線であるバスラインなどのパターンが形成されていて、基板面内に構成物の膜厚分に相当する段差ができている場合、その部分では平坦な部分に比べ、シール剤の粘度が高いとシール剤が回り込みにくくなることもあった。その結果シール剤と基板や基板上の構造物との間に隙間ができてしまい、封止がうまくいかなくなっていた。また接着強度がシール内部でむらができていた。
【００２１】
本発明は、これらの問題を解決し、発光素子への酸素の到達、もしくは水分の到達を防止する構造とした発光装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくとも一方が透光性である一対の基板間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置の作製方法であって、一対の基板の間にはシール剤を前記画素部の外周を囲うように配置し、シール剤が未硬化の時に、前記基板への圧力によって生じる、基板とシール剤の間に生じるずれ応力がある場合にシール剤の粘度が低下し、ずれ応力を取り去ったあとに粘度がもとの状態にもどる材料でなり、前記シール剤には一対の基板の間隔を一定にする間隔保持材があること
を特徴とする発光装置である。
【００２３】
また、前記シール剤が光硬化型樹脂であることを特徴とする発光装置である。
【００２４】
また、前記シール剤が光硬化と熱硬化を併用する樹脂であることを特徴とする発光装置である。
【００２５】
また、前記シール剤がエポキシ樹脂であることを特徴とする発光装置である。
【００２６】
また、前記静止状態とずれ応力が加わっているときの粘度の比が３以上であるシール剤であることを特徴とする発光装置である。
【００２７】
また、前記間隙保持剤は無機材料からなることを特徴とする発光装置。
【００２８】
また、前記間隙保持剤はＳｉＯ２を含むことを特徴とする発光装置。
【００２９】
また、少なくとも一方が透光性である一対の基板間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部を備えた発光装置の作製方法であって、一対の基板の間にはシール剤を前記画素部の外周を囲うように配置し、一対の基板を重ね合わせ、その一対の基板面に対して垂直な方向に圧力を加え、シール剤が未硬化の時に、前記基板への圧力によって生じる、基板とシール剤の間に生じるずれ応力がある場合にシール剤の粘度が低下し、ずれ応力を取り去ったあとに粘度がもとの状態にもどる材料でなり、前記シール剤には一対の基板の間隔を一定にする間隔保持材があることを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００３０】
また、前記シール剤が光硬化型樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００３１】
また、前記シール剤が光硬化と熱硬化を併用する樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００３２】
また、前記シール剤がエポキシ樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００３３】
また、前記静止状態とずれ応力が加わっているときの粘度の比が３以上であるシール剤であることを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００３４】
本明細書に示す発明は、基板張り合わせの時のシール剤への圧力と、圧力によってシール剤に加わるずれ応力の関係に注目したものである。
【００３５】
材料に対するずれ応力で材料自身の粘度が変化する性質を、一般的にチキソトロピー性、あるいは簡単にチキソ性と呼んでいる。チキソトロピー性は揺変性ともよばれている。ペーストのような分散系では回転粘度計で材料の粘度を測ったとき回転数に応じて粘度が下がる性質を指す。ちなみに水のようなニュートン流体であれば一定である。
【００３６】
回転式粘度計で粘度を測定するとして、このとき所定の回転数aとbにおける粘度の比をとったものをここではチキソトロピーインデックスTIと定義する。TI値は１以上になるように比をとる。
【００３７】
貼り合わせの時の基板とシール剤の様子を概念図を図１３に示す。図中には個々の場所に作用する力を矢印で示している。力の向きを矢印の向きで表しているが、矢印の長さは必ずしも力の大きさを表しているわけではない。
【００３８】
図１３において１３０１は基板、１３０２は対向、１３０３はシール剤、１３０４は基板とシール剤との間に作用するずれ応力の方向を示したものである。１３０５は貼り合わせ工程でシールが広がる方向である。このような性質の材料を用いると、貼り合わせのプレス圧力１３０６にもとづくシール剤へのずれ応力１３０４は、まさにプレスにより基板間隔が減少してシール剤が広がっている最中がもっとも大きく、そのためその瞬間の材料の広がり速度（変形速度）もそのときに最大となるので、このときに一気に材料の粘度が低下する。従って段差構造に最も近い部分での材料の広がり方がスムーズになり、段差部分にもうまくシールが回り込む。
【００３９】
なお、シール剤のシールパターンを単純な形状とすることで、ディスペンサー装置だけでなく他のシールパターン形成方法、例えば印刷法なども用いることもできる。特にディスペンサは特に専用の大がかりな固定パターンのマスクを使用せずとも多品種パターンを形成できるので現在広く利用されている。
【００４０】
ディスペンサは、あたかもペンで線を描画するように基板にシール剤のパターンを描画できる装置であり、未硬化のシール剤を、シリンジと呼ばれる注射器の胴体の様な形をした容器に充填し、一方から圧縮空気などで圧力をかけて、他方に設けられたノズルからシールを少しずつ流し出しながら、基板にシールパターンを形成するものである。
【００４１】
また、発光素子は、シール剤と基板とで封止されるため、水分や酸素を効果的にブロッキングすることができる。なお、一対の基板を貼りあわせる際、減圧または窒素雰囲気で行うことが望ましい。
【００４２】
なお、このとき基板同士の間隔が狭い方が、より水が浸入しにくい。しかし、単に基板を貼り合わせただけでは基板の間隔を一定にすることが難しいので間隙保持のための材料として堅い材料でできたスペーサを接着剤の中に混入させる。材質は無機材料、たとえばSiO2を主成分とした材料で構成されたものを利用する。スペーサは球状、あるいは円筒形の形をしている。高チキソトロピー性の材料は基板張り合わせ工程で圧力がかかっているときにシール剤の粘度が低くなるので不用意につぶれすぎないようにするためにスペーサを混入させることは大変有効である。
【００４３】
上記各作製方法に関する構成において、シール剤を硬化させる工程は、紫外線を照射する工程、または加熱する工程である。
【００４４】
シール剤の材質は酸素や水分の透過性が低く、加熱硬化するものでも１００℃以下で硬化するものがよい。ＥＬ層のガラス転移点は多くの材料では１００℃から１５０℃にあり、ガラス転移点を超えた温度を加えるとＥＬ層の組成が変化してしまうからである。
【００４５】
なお、発光素子（ＥＬ素子）は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Electro Luminescence）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
【００４６】
ＥＬ層を有する発光素子（ＥＬ素子）は一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。
【００４７】
また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用いて形成しても良い。また、無機材料を含む層を用いてもよい。なお、本明細書において、陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称してＥＬ層という。したがって、上記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含まれる。
【００４８】
また、本発明において、第２の電極（陰極または陽極）としては、発光が透過する膜厚の薄い金属膜、代表的にはアルミニウムを主成分とする膜を用いるが、金属薄膜は酸化しやすく、電気抵抗値が高くなってしまう。また、第２の電極が後述する光透過層に含まれる成分と反応する恐れもある。そこで、有機化合物を含む層上に形成される第２の電極（陰極または陽極）を透明な保護層、例えばCaF2、MgF2、またはBaF2で覆うことによってブロックしてもよい。また、CaF2、MgF2、BaF2は、蒸着法で形成することが可能であり、連続的に陰極と透明な保護層とを蒸着法で形成することによって、不純物の混入や電極表面が大気に触れることを防ぐことができる。また、CaF2、MgF2、BaF2は、ＬｉＦと比べれば安定な材料であり、ＴＦＴにまで拡散して悪影響を与えることはほとんどない。
【００４９】
また、保護層はスパッタ法で形成しても良い。この場合、珪素からなるターゲット、または酸化珪素からなるターゲット、または窒化珪素からなるターゲットを使用してスパッタを行えばよい。例えば、珪素からなるターゲットを使用し、かつスパッタ室１３１内の雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気としてスパッタを行うことによって、窒化珪素膜を形成することができる。
【００５０】
また、第１の電極として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の大きい材料）、例えば窒化チタン膜を用い、第２の電極として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の小さい材料）、例えばアルミニウム薄膜を用い、さらにCaF2、MgF2、BaF2で覆うことによって、第１の電極と第２の電極との間の領域を限りなくゼロに近い無酸素状態を維持できる。
【００５１】
また、有機化合物を含む層を形成した基板と対向の間には光透過層を配置する。光透過層としては気体状材料、液体状材料、固体状材料などで発光素子から発する光の透過率が高く、使用する波長範囲でできるだけ一様な透過率であることが望ましい。さらに光透過層は酸素や水分の影響を受けやすい、有機化合物を含む層と近い位置関係になるので、できる限り不活性であることが望ましい。たとえば有機化合物を含む層と対向の貼り合わせ工程を不活性ガス、たとえば高純度窒素雰囲気でおこなえば光透過層はそのまま高純度窒素ガスが充填されている状態となる。また、このほかにも無色透明なフッ素化合物の液体やエポキシ樹脂などの有機物質の硬化物を配置しても良い。
【００５２】
なお、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【００５３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００５４】
（実施の形態１）
図１（Ａ）は、本発明を実施したアクティブマトリクス型の発光装置の上面図である。
【００５５】
図１（Ａ）において、１０１は基板、１０２は対向、１０３は画素部、１０４は駆動回路部、１０５は端子部、１０６はシール剤である。
【００５６】
基板１０１の材料としては、特に限定されないが、対向１０２と貼りあわせるため、熱膨張係数が同一のものとすることが好ましい。下面出射型とする場合には、透光性を有する基板、例えばガラス基板、石英基板、プラスチック基板とする。また、上面出射型とする場合には、半導体基板や金属基板をも用いることができる。基板１０１には、発光素子を複数有する画素部１０３、駆動回路部１０４、端子部１０５が設けられている。
【００５７】
次に本発明の画素部における断面構造の一部を図３に示す。
【００５８】
図３（A）において、３００は基板、３０１ａ、３０１ｂは絶縁層、３０２はＴＦＴ、３０８が第１の電極、３０９は絶縁物、３１０はＥＬ層、３１１は第２の電極、３１２は透明保護層、３１３は光透過層、３１４は対向である。
【００５９】
基板３００上に設けられたTFT３０２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、発光するＥＬ層３１０に流れる電流を制御する素子であり、３０４はドレイン領域（またはソース領域）である。また、３０６は第１の電極とドレイン領域（またはソース領域）とを接続するドレイン電極（またはソース電極）である。また、ドレイン電極３０６と同じ工程で電源供給線やソース配線などの配線３０７も同時に形成される。ここでは第１電極とドレイン電極とを別々に形成する例を示したが、同一としてもよい。基板３００上には下地絶縁膜（ここでは、下層を窒化絶縁膜、上層を酸化絶縁膜）となる絶縁層３０１ａが形成されており、ゲート電極３０５と活性層との間には、ゲート絶縁膜が設けられている。また、３０１ｂは有機材料または無機材料からなる層間絶縁膜である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域３０３を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
【００６０】
また、３０８は、第１の電極、即ち、ＯＬＥＤの陽極（或いは陰極）である。第１の電極３０８の材料としては、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉXＮY、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉX、ＷＮX、ＷＳｉXＮY、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。ここでは、第１の電極３０８として窒化チタン膜を用いる。窒化チタン膜を第１の電極３０８として用いる場合、表面に紫外線照射や塩素ガスを用いたプラズマ処理を行って仕事関数を増大させることが好ましい。
【００６１】
また、第１の電極３０８の端部（および配線３０７）を覆う絶縁物３０９（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を有している。絶縁物３０９としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができるが、ここでは窒化シリコン膜で覆われた感光性の有機樹脂を用いる。例えば、有機樹脂の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物の上端部のみに曲率半径を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【００６２】
また、有機化合物を含む層３１０は、蒸着法または塗布法を用いて形成する。なお、信頼性を向上させるため、有機化合物を含む層３１０の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。蒸着の際、予め、抵抗加熱により有機化合物は気化されており、蒸着時にシャッターが開くことにより基板の方向へ飛散する。気化された有機化合物は、上方に飛散し、メタルマスクに設けられた開口部を通って基板に蒸着される。
【００６３】
例えば、Ａｌｑ3、部分的に赤色発光色素であるナイルレッドをドープしたＡｌｑ3、Ａｌｑ3、ｐ−ＥｔＴＡＺ、ＴＰＤ（芳香族ジアミン）を蒸着法により順次積層することで白色を得ることができる。
【００６４】
また、スピンコートを用いた塗布法により有機化合物を含む層を形成する場合、塗布した後、真空加熱で焼成することが好ましい。例えば、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）を全面に塗布、焼成し、その後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成すればよい。なお、PEDOT／PSSは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、PEDOT／PSSとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。また、有機化合物を含む層３１０を単層とすることもでき、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。
【００６５】
また、３１１は、導電膜からなる第２の電極、即ち、ＯＬＥＤの陰極（或いは陽極）である。第２の電極３１１の材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ2、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した透光性を有する膜を用いればよい。ここでは、第２の電極を通過させて発光させる上面出射型であるので、１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜、もしくはＬｉを微量に含むアルミニウム膜を用いる。第２の電極３１１としてＡｌ膜を用いる構成とすると、有機化合物を含む層３１０と接する材料を酸化物以外の材料で形成することが可能となり、発光装置の信頼性を向上させることができる。また、１ｎｍ〜１０ｎｍのアルミニウム膜を形成する前に陰極バッファ層としてＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＢａＦ2からなる透光性を有する層（膜厚１ｎｍ〜５ｎｍ）を形成してもよい。
【００６６】
また、陰極の低抵抗化を図るため、発光領域とならない領域の第２の電極３１１上に補助電極を設けてもよい。また、陰極形成の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用いて選択的に形成すればよい。
【００６７】
また、３１２は透明保護層であり、金属薄膜からなる第２の電極３１１を保護する。第２の電極３１１は極薄い金属膜であるため、酸素に触れれば容易に酸化などが発生しやすい。光透過層３１３が不活性物質、たとえば高純度窒素ガスであれば、透明保護層は必ずしも必要ではないかもしれないが、それ以外の材料を利用する場合には光透過層に含まれる物質などと反応して変質する恐れがあるのでこのような透明保護層を設けることは有効である。
【００６８】
このような金属薄膜からなる第２の電極３１１を透明保護層３１２、例えばCaF2、MgF2、またはBaF2で覆うことによって酸素や水分をより効果的にブロックする。また、CaF2、MgF2、BaF2は、蒸着法で形成することが可能であり、連続的に陰極と透明な保護層とを蒸着法で形成することによって、不純物の混入や電極表面が大気に触れることを防ぐことができる。加えて、蒸着法を用いれば、有機化合物を含む層へダメージをほとんど与えない条件で透明保護層３１２を形成することができる。また、第２の電極３１１の上下にＣａＦ2、ＭｇＦ2、またはＢａＦ2からなる透光性を有する層を設けて挟むことによって、さらに第２の電極３１１を保護してもよい。
【００６９】
また透明保護層は蒸着法のみならず、スパッタ法で形成しても良い。この場合には珪素からなるターゲット、酸化珪素からなるターゲットを用いればよい。たとえば珪素からなるターゲットを使用し、スパッタ時の雰囲気を窒素雰囲気か窒素とアルゴンを含む雰囲気とすることで窒化珪素膜を形成することができる。
【００７０】
また、第１の電極として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の大きい材料）、例えば窒化チタン膜を用い、第２の電極として材料自身に酸素原子のない金属（仕事関数の小さい材料）、例えばアルミニウム薄膜を用い、さらにCaF2、MgF2、BaF2、あるいはSiNで覆うことによって、第１の電極と第２の電極との間の領域を限りなくゼロに近い無酸素状態を維持できる。
【００７１】
また、図３（Ｂ）には、発光領域における積層構造を簡略化したものを示す。図３（Ｂ）に示す矢印の方向に発光が放出される。
【００７２】
また、金属層からなる第１の電極３０８に代えて、図３（Ｃ）に示すように透明導電膜からなる第１の電極３１８を用いた場合、上面と下面の両方に発光を放出することができる。透明導電膜としては、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ2Ｏ3―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を用いればよい。
【００７３】
次にシール剤について説明する。シール剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ビニルエーテル樹脂などを利用できるが、酸素、水分などの透過性が低いものを使うことが望ましく、シール剤には一液型と、主剤と硬化剤を混ぜて用いる二液型があってどちらも利用できるが、作業性を考慮すると、硬化手段としてはＵＶを用いて少なくとも数分で硬化反応を終了できるＵＶ硬化型の接着剤を利用する。ＵＶとしてはハロゲンランプ、あるいは水銀ランプや高圧水銀ランプを利用してＵＶ光を採りだし、パネルまでミラー等の光学系で導きシール剤に照射させる。ハロゲンランプの出力波長は比較的ブロードであるのに対して、水銀ランプは３１３ｎｍや３６５ｎｍなど特定の波長にて強い出力が得られる。これはシール剤に含まれる反応開始剤の種類により適宜選択する。
【００７４】
シール剤は静止状態の粘度とずれ応力が材料に加わっているときの粘度の差が大きいもの、すなわちチキソトロピー性が大きいものが望ましく、特に低粘度状態と高粘度状態の比が、３以上であればだれを少なくしつつ、かつプレス時のずれ応力による低粘度状態を得やすい。ただし低粘度状態の時には２００Ｐａ・ｓ以下の粘度であることが望ましい。
【００７５】
なお、シール剤としては酸素、水分の透過性が低く、かつ前記の特性を満たすものであれば、次に示す材料を少なくとも１種類含むものでも利用できる。またこれら複数の材料を混合させても良い。その材料は、エポキシ樹脂であれば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾール型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリシジルエステル樹脂、グリジシルアミン系樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂である。
【００７６】
また、シール剤には重合開始剤として次の材料を少なくとも１種類利用することができ、その材料は、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨウドニウム塩、改良型スルホニウム塩、ブレンステッド酸の鉄芳香族化合物系塩、アルミニウム錯体／光分解性珪素化合である。
【００７７】
さらに、硬化剤として次のものを含んでも良く、その材料は脂肪族ジアミン、脂肪族ポリアミン、芳香族を含む脂肪酸ポリアミン、脂環および環状アミン、芳香族第一アミン、芳香族第三アミン、ジアミン、変性ポリアミン、ポリアミノアミドである。
【００７８】
また、酸素、水分の透過性が低く、かつ前記の特性を満たすものであれば、次に示す材料を少なくとも１種類含んでもよい。その材料は、アクリル樹脂として、エステルアクリレート、エーテルアクリレート、エステルウレタンアクリレート、エーテルウレタンアクリレート、ブタジエンウレタンアクリレート、特殊ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、アミノ樹脂アクリレート、アクリル樹脂アクリレートであり、さらに、ビニルエーテル系樹脂として、脂肪族系ビニルエーテル、芳香族ビニルエーテル、ウレタン系ビニルエーテルである。
【００７９】
シール剤には一対の基板の間隔を保持するための保持剤を添加する。間隔保持剤はスペーサ、あるいはフィラーとも呼ばれる。ただし、フィラーという呼び方をすると水分の透過性を抑制するために混入している無機剤と混同するおそれがあるので、本明細書ではスペーサと呼ぶことにする。スペーサの材質としてはＳｉＯ２などの硬質な無機物を利用できる。また保持剤の形状は直径が２〜２０μｍ程度の、円柱形をしたものや、球形をしたものが利用できる。スペーサはシール剤に対して重量比で１％程度添加する。
【００８０】
シール剤はディスペンサ装置で塗布する。図１１にディスペンサ装置のシリンジ部分１１０１とそこからシール剤１１０２を塗布しているときの状態を示す。シリンジ部分１１０１にはシール剤１１０２が充填されていて、窒素ガスをシリンジ上部から加圧して、シリンジのノズル１１０３から流しながら対向１１０４が装着されているステージ１１０５を縦横に動かして所定のシール剤パターンを形成する。シール剤１１０２を塗布するとき、ノズル１１０３と対向１１０４の間隔はおおむね１００μｍ以下にする。また、塗布直後にシール剤の幅が０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度になるようにノズル内径や、ステージ移動速度を調整する。
【００８１】
なお、シール剤は特に支障がない限りは対向側に塗布する。なぜならば、有機化合物を含む層を形成する側の基板は蒸着装置の中で成膜面を下側（フェイスダウン）にして工程を進めるためで、そのまま貼り合わせ工程に移行することを考慮すると対向側にシールを塗布すればフェイスアップのまま貼り合わせ工程に移行できるからである。
【００８２】
また、本実施の形態に示すシールパターンは簡単な形状なのでシール剤３２は、印刷法で形成することもできる。
【００８３】
次に、有機化合物を含む層を形成した基板と、シール剤を塗布した対向を貼り合わせる。貼り合わせを行う機構をもった装置を図１５に示す。この部分を封止室１５０７と呼ぶことにするが、通常は有機化合物を含む層を形成するための機構をもった装置から連続的に工程を進められるように、基板を搬送するための機構を介して装置同士が接続している。
【００８４】
貼り合わせ工程は不活性雰囲気、たとえば窒素ガス雰囲気にて行い、封止室１５０７に搬送して定盤１５０１、１５０２に基板１５０３と対向１５０４を配置し、基板と対向のアライメント動作を行った後で、定盤を接近させて基板１５０３と対向１５０４を貼り合わせる。基板１５０３と対向１５０４が接触したら、一定時間プレスし、シール剤１５０６を硬化させ、基板と対向を一体のパネルとする。貼り合わせ工程を行う場所にはUV照射機構１５０５が設置されており、UV照射は対向側（下側）から行われる。UV照射機構の光源はメタルハライドランプを利用する。尚、UV照射の際、図示しない遮光マスクを使用し、シール剤の部分だけ選択的にUV照射を施すことが可能である。
【００８５】
このように完成したパネルを装置から取り出したあと、必要に応じてスクライブしてパネルの形状に加工する。
【００８６】
ここで本実施の形態のシール剤の特性を示す。図８にディスペンサ装置で対向にシール剤塗布後、未硬化のシール剤幅の時間変化を示す。本実施の形態で示すシール剤（Ａ）は２時間放置してもシール剤幅がほとんど変化していないことが分かる。一方従来のシール剤（Ｂ）では時間がたつにつれてシールの幅が少しずつ広がり続けている。
【００８７】
さらに図９はシール剤を高温高湿保存（温度６５℃、湿度９５％）した場合の接着強度の変化を示したものである。本実施の形態に示すシール剤は１０００ｈｒという長時間保存していても接着強度の変化がほとんどみられなかった。一方従来シール剤料では放置時間が長くなるにつれて接着強度が低下することが分かった。
【００８８】
ここで、本実施の形態に示すシール剤の接着強度測定方法を図１０に示す。この方法は２枚のガラス基板１００１，１００２の間にシール剤１００３を配置し、基板同士を剥がすときの剥離強度の最大値を接着強度として求めるものである。まず、シール剤１００３が長さ４ｍｍ、幅２ｍｍになるように一方の基板にディスペンスし、他方の基板と貼り合わせる。ＵＶ照射などでシール剤が硬化させたら（Ａ）に示すように、長方形のガラスが十字に重なったような形状にスクライブする。次に、一方の基板１００２の両端をステージにテープなどで固定する。次に他方の基板のいずれか一端にプッシュプルゲージ１００４の先端部１００５を押し当てて基板を剥がす。このときプッシュプルゲージと基板の距離が一定の速度で変化させる。プッシュプルゲージで最大強度が記憶、表示されるように設定すれば２枚の基板が剥がれるときに加わった最大強度が求められる。接着強度はシールの面積に依存するので、単位面積あたりの強度として求める。
【００８９】
この高温高湿保存した試料の顕微鏡写真を図１４に示す。破壊試験後の状態をみると本実施の形態に示すシール剤（Ａ）では全体的にまんべんなくシールが行き渡っていてしかもどの部分でもシールが欠落しているところがないが、従来シール剤（Ｂ）で場所によって基板に対してシールがほとんどついておらず、欠落している部分が多くみられた。
【００９０】
（実施の形態２）
１枚の基板に複数の画素部を形成する場合、即ち多面取りの例を図４に示す。
【００９１】
ここでは１枚の基板を用いて４つのパネルを形成する例を示す。
【００９２】
まず、不活性気体雰囲気で対向４０１上にディスペンサ装置でシール剤４０２を所定の位置に形成する。（図４（Ａ））
【００９３】
次いで、画素部３４が設けられた第１基板と、シール剤が設けられた基板とを貼りあわせる。（図４（Ｂ））なお、シール剤によって一対の基板を貼りつける直前には真空でアニールを行って脱気を行うことが好ましい。次いで、紫外線照射を行って、シール剤３２を硬化させる。なお、紫外線照射に加えて、熱処理を行ってもよい。
【００９４】
次いで、スクライバー装置を用いて鎖線で示したスクライブライン３５を形成する。（図４（Ｃ））スクライブライン３５は、第１シール剤に沿って形成すればよい。
【００９５】
次いで、ブレイカー装置を用いて基板を分断する。（図４（Ｄ））こうして、１枚の基板から４つのパネルを作製することができる。
【００９６】
また、本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせすることができる。
【００９７】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００９８】
【実施例】
［実施例１］
本実施例では、有機化合物を含む層を発光層とする発光素子を備えた発光装置の一例を図５に示す。
【００９９】
なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された５０１はソース信号線駆動回路、５０２は画素部、５０３はゲート信号線駆動回路である。また、５０４は対向、５０５はシール剤、５２５はスペーサである。
【０１００】
なお、５０８はソース信号線駆動回路５０１及びゲート信号線駆動回路５０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１０１】
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。基板５１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路５０１と画素部５０２が示されている。
【０１０２】
なお、ソース信号線駆動回路５０１はｎチャネル型ＴＦＴ５２３とｐチャネル型ＴＦＴ５２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１０３】
また、画素部５０２はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）５１３を含む複数の画素により形成される。
【０１０４】
ここでは第１の電極５１３がＴＦＴのドレインと直接接している構成となっているため、第１の電極５１３の下層はシリコンからなるドレインとオーミックコンタクトのとれる材料層とし、有機化合物を含む層と接する表面に仕事関数の大きい材料層とすることが望ましい。例えば、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造とすると、配線としての抵抗も低く、且つ、良好なオーミックコンタクトがとれ、且つ、陽極として機能させることができる。また、第１の電極５１３は、窒化チタン膜の単層としてもよいし、３層以上の積層を用いてもよい。
【０１０５】
また、第１の電極（陽極）５１３の両端には絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）５１４が形成される。絶縁物５１４は有機樹脂膜もしくは珪素を含む絶縁膜で形成すれば良い。ここでは、絶縁物５１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いて図５に示す形状の絶縁物を形成する。また、絶縁物５１４を窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、または窒化珪素膜からなる保護膜で覆ってもよい。この保護膜はスパッタ法（ＤＣ方式やＲＦ方式）により得られる窒化珪素または窒化酸化珪素を主成分とする絶縁膜、または炭素を主成分とする薄膜である。シリコンターゲットを用い、窒素とアルゴンを含む雰囲気で形成すれば、窒化珪素膜が得られる。また、窒化シリコンターゲットを用いてもよい。また、保護膜は、リモートプラズマを用いた成膜装置を用いて形成してもよい。また、保護膜に発光を通過させるため、保護膜の膜厚は、可能な限り薄くすることが好ましい。
【０１０６】
また、第１の電極（陽極）５１３上には、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって有機化合物を含む層５１５を選択的に形成する。さらに、有機化合物を含む層５１５上には第２の電極（陰極）５１６が形成される。これにより、第１の電極（陽極）５１３、有機化合物を含む層５１５、及び第２の電極（陰極）５１６からなる発光素子５１８が形成される。ここでは発光素子５１８は白色発光とする例であるので着色層５３１とＢＭ５３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない）が設けている。
【０１０７】
次に、上記に示した有機発光素子の作成を目的とした、マルチチャンバー方式の製造装置について記述する。この製造装置は、薄膜トランジスタ・陽極（第１の電極）・該陽極の端部を覆う絶縁物等が予め設けられている基板を投入して成膜等の処理を連続的に行った後、基板とは別に投入した対向と一体化させることによって封止処理を行い、パネルを完成させるものである。
【０１０８】
図６は、ゲート６００ａ〜６００wと、搬送室６０１・６０２・６０３・６０４・６０５（各搬送室には基板を搬送するための搬送ロボットが設置されている）と、仕込室６１１と、受渡室６１２・６１３・６１４と、カセット室６２０ａ・６２０ｂと、トレー装着ステージ６２１と、成膜室６２２と、基板加熱室６２３と、基板・マスクストック室６２４と、前処理室６２５と、基板加熱室６２６と、蒸着室６２７Ｈa・６２７Ｒa・６２７Ｇa・６２７Ｂa・６２７Ｇa・６２７Ｅaと、蒸着源を設置する蒸着前室６２７Ｈb・６２７Ｒb・６２７Ｇb・６２７Ｂb・６２７Ｅbと、蒸着室６２８・６２９と、スパッタ室６３０・６３１と、対向ガラス用N2置換室６３２・グローブBOX６３３・準備室６３４と、基板・対向ストック室６３５と、封止室６３６と、取出室６３７と、を有するマルチチャンバー方式の製造装置である。
【０１０９】
本製造装置への基板の投入方法について説明する。カセット室６２０ａまたはカセット室６２０ｂに基板が収納されたカセットを投入する。本製造装置は、2種類の大きさの基板を取り扱うことが出来る装置を利用した。取り扱う基板が大型基板（本実施例では300mm×360mmとする）である場合、カセット室６２０bに大型基板が収納された大型カセットを投入する。取り扱う基板が小型基板（本実施例では126.6mm×126.6mmとする）である場合、カセット室６２０aに小型基板が収納された小型カセットを投入すると共に、小型基板を複数枚（本実施例では4枚とする）搭載して搬送するための基板トレー（本実施例では大型基板と同サイズの300mm×360mmとする）が収納されたトレーカセット（本実施例では4段とする）をカセット室６２０bに投入する。このようにカセット室６２０bには大型カセット及びトレーカセットの両方が設置出来る形になっている。尚、大型基板・小型基板共、投入時の向きはフェイスアップ（後工程で成膜される面が上側）である。
【０１１０】
本製造装置へのメタルマスクの投入方法について説明する。基板・マスクストック室６２４に前処理室６２５、蒸着室６２７Ｈa・６２７Ｒa・６２７Ｂa・６２７Ｇa・６２７Ｅa、蒸着室６２８・６２９、スパッタ室６３０・６３１の計１０室で使用するメタルマスクを計１０枚セットする。
【０１１１】
本製造装置への対向の投入方法について説明する。基板が大型基板（300×360mm）の場合は、基板と同サイズの大型対向を、カセット室６２０bで使用したものと同一の大型カセットに収納し、対向ガラス用N2置換室６３２に最大2個セットする。基板が小型基板（126.6mm×126.6mm）の場合は、基板より一回り小さいサイズ（本実施例では122.6mm×122.6mmと、基板より外周2mm分小さいとする）の小型対向を、複数枚搭載可能な（本実施例では4枚とする）対向トレー（本実施例では300×360mmとする）に搭載したものを、カセット室６２０bで使用したものと同一のトレーカセットに収納し、対向ガラス用N2置換室６３２にセットする。尚、大型対向・小型対向共、投入時及びその後の処理時における向きはフェイスアップ（後に基板と貼り合せる際に、基板と接触する面が上側）である。
【０１１２】
以下、まず基板の処理方法に関して順に説明する。
【０１１３】
搬送室６０１は常時N2雰囲気大気圧となっており、これに設置された搬送ロボット（基板吸着機構を有する）が基板を取りに行く。大型基板の場合はカセット室６２０bから基板を取り出し、仕込室６１１に搬送する。小型基板の場合はカセット室６２０bからトレーを取り出しトレー装着ステージ６２１に搬送後、カセット室６２０aから小型基板を取り出しトレー装着ステージ６２１に搬送後、トレーに装着する（本実施例では最大４枚）。この後、大型基板或いは小型基板入りトレーを仕込室６１１へ搬入する。この時点以降、基板の向きはフェイスダウン（後工程で成膜される面が下側）になる。
【０１１４】
このように、本製造装置においては、小型基板に対しては４枚同時の処理となるため、小型基板に対するスループットは極めて高いと言える。以下、特に断らない限り、大型基板に対する処理のみについて記載することにし、大型基板を単に基板と記載するが、小型基板に対する処理についても全く同様である。
【０１１５】
また、仕込室６１１は、常時真空に保たれている搬送室６０２と連結されているため、基板を搬入した後は排気を行ってから搬送室６０２に基板を搬出することになる。基板搬出後は仕込室６１１に不活性ガスを導入して大気圧に戻し（ベント）、次に搬送室６０１から流れて来る基板の搬入に備えておけばよい。
【０１１６】
搬送室６０１その他真空排気が可能な処理室の真空排気用のポンプとして、磁気浮上型のターボ分子ポンプ、クライオポンプ、またはドライポンプが備えられており、これによって到達真空度を10-5〜10-6Paにすることが可能であり、さらにポンプ側および排気系からの不純物の逆拡散を制御することができる。装置内部に不純物が導入されるのを防ぐため、導入するガスとしては、窒素や希ガス等の不活性ガスを用いる。装置内部に導入されるこれらのガスは、装置内に導入される前にガス精製機により高純度化されたものを用いる。従って、ガスが高純度化された後に蒸着装置に導入されるようにガス精製機を備えておく必要がある。これにより、ガス中に含まれる酸素や水、その他の不純物を予め除去することができるため、装置内部にこれらの不純物が導入されるのを防ぐことができる。
【０１１７】
尚、基板を仕込室に搬送する前に、成膜室６１２においてインクジェット法やスピンコート法などで高分子材料からなる正孔注入層を形成してもよい。第１の電極（陽極）上に、正孔注入層（陽極バッファー層）として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）、ポリアニリン／ショウノウスルホン酸水溶液（PANI／CSA）、PTPDES、Et-PTPDEKＥ、またはPPBAなどを全面に塗布、焼成してもよい。焼成する際には成膜室６２２での成膜後、基板を基板加熱室６２３に搬送し、必要ならば基板加熱室６２３を真空状態にした後、基板加熱を行えばよい。スピンコートなどを用いた塗布法で高分子材料からなる正孔注入層を形成した場合、平坦性が向上し、その上に成膜される膜のカバレッジおよび膜厚均一性を良好なものとすることができる。特に発光層の膜厚が均一となるため均一な発光を得ることができる。この場合、正孔注入層を塗布法で形成した後、蒸着法による成膜を行う直前に真空加熱（100〜200℃）を行うことが好ましい。これは基板加熱室６２３や前処理室６２５、基板加熱室６２６等で行うことが出来る。例えば、第１の電極（陽極）の表面をスポンジで洗浄した後、スピンコート法でポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（PEDOT／PSS）を全面に膜厚60ｎｍ、80℃、10分間で仮焼成、200℃、１時間で本焼成し、さらに蒸着直前に真空加熱（170℃、加熱30分、冷却30分）を行い、その後大気に触れることなく真空蒸着法で発光層の形成を行えばよい。特に、ITO膜表面に凹凸や微小な粒子が存在している場合、PEDOT／PSSの膜厚を厚くすることでこれらの影響を低減することができる。
【０１１８】
また、PEDOT／PSSはＩＴＯ膜上に塗布すると濡れ性があまりよくないため、PEDOT／PSS溶液をスピンコート法で１回目の塗布を行った後、一旦純水で洗浄することによって濡れ性を向上させ、再度、PEDOT／PSS溶液をスピンコート法で2回目の塗布を行い、焼成を行って均一性良く成膜することが好ましい。なお、１回目の塗布を行った後、一旦純水で洗浄することによって表面を改質するとともに、微小な粒子なども除去できる効果が得られる。
【０１１９】
また、スピンコート法による成膜の場合、PEDOT／PSSが全面に塗布されてしまうため、基板の端面や周縁部、端子部、陰極と下部配線との接続領域などにおいては選択的に除去する必要がある。この除去は、前処理室６２５でメタルマスク使用の下、O2プラズマ等によるアッシングによって行うことが出来る。本実施例では、前処理室６２５には、マスフローコントローラ（MFC）で流量制御可能なガス導入口が2系統設けられているため、Ar、H、F、及びOから選ばれた最大２種のガスを励起してプラズマを発生させることによってドライエッチング処理を行うことが出来る（Ar+O2プラズマ処理、等）。この時メタルマスクを併用することで、プラズマを照射させたくない領域を隠すことが出来る。基板とマスクのアライメントはCCDカメラによるマーカー認識を通じて行えばよい。
【０１２０】
ところで、完成後の発光素子において、表示画素内で画素周辺部から輝度が劣化するというシュリンク現象が見られることがある。この防止策の一つとして、有機化合物を含む膜の蒸着直前の真空加熱が挙げられる。これは前処理室６２５、あるいは基板加熱室６２６に設けられたヒーター（シースヒータ等）で行うことが可能である。上記基板に含まれる水分やその他のガスを徹底的に除去するために、脱気のためのアニールを真空（5×10-3torr（0.665Pa）以下、好ましくは10-4〜10-6Pa）で行う。特に、層間絶縁膜や隔壁の材料として有機樹脂膜を用いた場合、有機樹脂材料によっては水分を吸着しやすく、さらに脱ガスが発生する恐れがあるため、有機化合物を含む層を形成する前に100℃〜250℃、好ましくは150℃〜200℃、例えば30分以上の加熱を行った後、30分の自然冷却を行って吸着水分を除去する真空加熱を行うことは有効である。
【０１２１】
但し、必要な加熱及び冷却時間が長いため、連続して基板を流す場合はスループットが著しく低下する。そのため、基板加熱室６２６は多段になっている。本実施例では前処理室６２５での基板加熱（基板面内温度分布を均一にするためシースヒータが採用されている）は最大同時１枚であるのに対し、基板加熱室６２６は４段のエレベータ構造になっているため、最大同時4枚の基板加熱が可能であり、大幅な処理時間の短縮が実現される。また、本実施例では基板加熱室６２６にはシースヒータが5段、即ち基板の段数より１段多く設置されているため、基板がどの段に収納されても全く同じように基板両面から加熱を行うことが出来る。加熱後の基板は基板・マスクストック室６２４に搬送し、ここで冷却を行えばよい。この処理によって、基板加熱室６２６の空いた段には次の基板を速やかに搬入することが出来、結果として処理時間の短縮につながる。
【０１２２】
次いで、上記真空加熱を行った後、搬送室６０２から基板を蒸着室６２７Ｈaに搬送して真空蒸着を行い、正孔注入層または正孔輸送層を形成する。次いで、搬送室６０２から常時真空に保たれている受渡室６１２を経由して、常時真空に保たれている搬送室６０３に基板を搬送する。
【０１２３】
その後、搬送室６０３に連結された蒸着室６２７Ra・６２７Ga・６２７Ba・６２７Eaへ基板を適宜搬送して、赤色発光層・緑色発光層・青色発光層・電子輸送層または電子注入層等の有機層を真空蒸着法によって形成する。
【０１２４】
蒸着室６２７Ha・６２７Ra・６２７Ga・６２７Ba・６２７Eaで使用するEL材料を適宜選択することにより、発光素子全体として、単色（例えば白色）、或いはフルカラー（赤色・緑色・青色）の発光を示す発光素子を形成することが出来る。
【０１２５】
上記工程によって適宜、有機化合物を含む層を積層した後、搬送室６０３から常時真空に保たれている受渡室６１３を経由し、常時真空に保たれている搬送室６０４に基板を搬送する。
【０１２６】
次いで、基板を蒸着室６２８、蒸着室６２９に適宜搬送し、電子注入層及び陰極を形成する。これらは、抵抗加熱を用いた真空蒸着法により形成された無機膜から成る。例えば、蒸着室６２８で電子注入層（LiFを代表とした、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の酸化物・フッ化物が代表的）、蒸着室６２９で陰極（Al代表とした単体金属）を順に積層することによって形成可能である。また、特に電子注入層を設けることなく、蒸着室６２８や蒸着室６２９において、AlLi、MgAg、MgIn等の合金或いはMgN、CaN等の導電性化合物からなる単層、もしくはAl：Li、Mg：Ag等2種類の金属の共蒸着による単層をもって陰極としてもよい。
【０１２７】
また、真空蒸着法ではなくスパッタ法を用いて陰極を形成することも出来る。この場合は基板をスパッタ室６３０、スパッタ室６３１に適宜搬送すればよい。例えば、蒸着室６２８や蒸着室６２９でAlを形成する代わりに、スパッタ室６３０やスパッタ室６３１でスパッタ法によってAlを形成することが出来る。また、陰極を透明電極としたい場合は、スパッタ室６３０やスパッタ室６３１でITO（酸化インジウム：酸化スズ合金）に代表される透明導電膜をスパッタ法により形成すればよい。
【０１２８】
最後に、スパッタ室６３０やスパッタ室６３１において、窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜からなる保護膜を形成することが好ましい。前記例の場合、珪素からなるターゲット、または酸化珪素からなるターゲット、または窒化珪素からなるターゲットを使用してスパッタを行えばよい。例えば、珪素からなるターゲットを使用し、かつスパッタ室６３１内の雰囲気を窒素雰囲気または窒素とアルゴンを含む雰囲気としてスパッタを行うことによって、窒化珪素膜を形成することができる。以上の工程で積層構造の発光素子が形成される。
【０１２９】
次いで、発光素子が形成された基板を大気開放することなく、搬送室６０４から受渡室６１４に搬送する。さらに受渡室６１４から搬送室６０５を経由し、基板・対向ストック室６３５に搬送する。基板・対向ストック室６３５は基板及び対向を一時ストックしておくための部屋であり、多段エレベータ構造を有している。各段は基板・対向兼用である。本実施例では24段のエレベータ構造になっており、大型基板・大型対向の場合は投入した基板及び対向の一部が、小型基板・小型対向の場合は投入した基板（トレー）及び対向（トレー）の全てが、それぞれ収納可能である。そのため、もし基板・対向ストック室６３５に空段が存在しない場合は、空段ができるまで受渡室６１４で基板を待機させておけばよい。また、基板・対向ストック室６３５と搬送室６０５の間には仕切りのためのゲート等は特に設置されておらず、空間としては基板・対向ストック室６３５は搬送室６０５と一体である。
【０１３０】
また、搬送室６０５は予め水分や酸素等をなるべく除去するため、ロットを流す前に予め十分排気しておく必要があるが、ロットを流し始めた後は常時N2大気圧に保たれるため、搬送室６０５に基板を搬送する際には受渡室６１４をベントする必要がある。基板を搬送室６０５に搬送した後は、再度受渡室６１４を排気し、次の基板を搬送室６０４から搬送可能な状態にしておく。つまり、受渡室６１４は基板が通過する度に排気・ベントを繰り返す。
【０１３１】
以下、対向の処理方法について順に説明する。以下、特に断らない限り、大型対向基板に対する処理のみについて記載することにし、大型対向基板を単に対向と記載する。
【０１３２】
対向ガラス用N2置換室６３２を排気・ベントする処理を1回以上（本実施例では3回とする）行った後で、対向をグローブBOX６３３に搬送する。このように排気・ベント処理を1回以上行うことによって、グローブBOX内の水分濃度・酸素濃度を極力低濃度に保っておく。
【０１３３】
グローブBOX６３３では対向に関する前処理（乾燥剤、シール剤の準備）が行われる。まず最初に、発光素子が設けられた基板を貼り合せた後にパネル内外の水分を吸収しパネルの劣化を抑制する役割を果たす、乾燥剤を対向に導入するのが好ましい。本実施例では、予め対向にはザグリ部分が設けられていて、このザグリ部分に乾燥剤を貼り付けるとする。なお、ザグリ部分は画素領域を避けるように、駆動回路周辺部などに設けた。これは画素領域の真上にザグリ部分がくると、ザグリ部分と乾燥剤が光の取り出しを妨げてしまうからである。貼り付け作業は、グローブBOXに設置された第1のグローブ（図示しない）によって手作業で行われる。また乾燥剤は、対向ガラス用N2置換室６３２を通じて、ロットを流す前に予め外部からグローブBOX６３３内に用意しておけばよい。乾燥剤貼り付け終了後は、自動的に基板がシールディスペンサ部分に搬送される。
【０１３４】
シールディスペンサを使用して、発光素子が設けられた基板と最終的に貼り合わせるためのシール剤を対向に塗布する。このシールディスペンサ部には予めシールディスペンサの種々の調整を手作業で行うための第2のグローブ（図示しない）が設置されている。またシール剤は、乾燥剤と同様、対向ガラス用N2置換室６３２を通じて、ロットを流す前に予め外部からグローブBOX６３３内に用意しておけばよい。
【０１３５】
また、シール剤５０５は対向５０４と基板５１０とを貼り合せている。シール剤５０５としては、代表的には紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂を用いる。ここでは２５℃における特性として、粘度４６Ｐａ・ｓ（１０ｒｐｍ）、１５１．８Ｐａ・ｓ（１ｒｐｍ）、比重１．３７、チキソトロピーインデックスが３．３の高耐熱のＵＶエポキシ樹脂を用いる。また、シール剤５０５としてはスペーサ（直径８．８μｍ）を含む。
【０１３６】
また、シール剤塗布時のシールディスペンサーの各パラメータ設定値は次のようにした。基板とノズルの間隔は５０μｍ、ノズルの内径０．５ｍｍ、このノズル内径にしたときのディスペンス直後のシール幅０．７ｍｍ、描画時のステージ送り速度２０ｍｍ／ｓ。これによりシール剤は途中で断線することなくパターンを形成できた。シール剤塗布終了後、対向は自動的に準備室６３４に搬送される。
【０１３７】
準備室６３４を排気・ベントする処理を1回以上（本実施例では2回とする）行った後で、最後にもう1度準備室６３４をベントする。その後、準備室６３４から搬送室６０５を通じて対向を基板・対向ストック室６３５に搬送する。但し、基板・対向ストック室６３５に空段が存在しない場合は、空段ができるまで準備室６３４で対向を待機させておけばよい。
【０１３８】
以下、基板・対向ストック室６３５に一時ストックされている基板と対向を貼り合せる処理について説明する。
【０１３９】
基板・対向ストック室６３５から基板及び対向を搬送室６０５経由で封止室６３６に搬送する。封止室の露点温度は−８５℃に保持する。その後、基板と対向のアライメント動作を行った後で、基板と対向を貼り合わせ、加圧する。基板と対向が接触するまでのステージ移動速度は２０ｍｍ／ｓ、また、基板と対向が接触後、２枚の基板を重ね合わせているときのプレス設定圧力は４８ｋｇｆ、重ね合わせの保持時間は６０ｓｅｃである。その後、シール剤を硬化させ、基板と対向を一体のパネルとする。本実施例ではシール剤はUV硬化樹脂であり、封止室６３６にはUV照射機構が設置されており、UV照射は対向側（下側）から行われる。UV照射機構の光源はメタルハライドランプを使用した。照射強度は６Ｊ／ｃｍ２である。また照射時間は９０秒である。尚、UV照射の際、遮光マスクを使用し、シール剤の部分だけ選択的にUV照射を施すことが可能である。本実施例では遮光マスクは石英ガラス上にCr膜が成膜されたものであり、搬送室の搬送ロボットでは搬送不可能であるため、封止室に直接作業者が予めセッティングを行っておくものとする。
【０１４０】
このように完成したパネルは搬送室６０５経由で取出室６３７に搬送する。取出室にはカセット室６２０bや対向ガラス用N2置換室６３２でも使用した大型カセット或いはトレーカセットをセット可能になっており、両者のうちどちらをセットするかは取出室６３７の段取り替えによって選択可能である。投入した全ての基板及び対向の処理が完了した後、取出室からカセットに収納されたパネルを取り出せばよい。
【０１４１】
尚、小型基板・小型対向の貼り合わせの場合は若干機構が複雑なので、図１２を用いて説明する。これらの封止の際は、小型基板を搭載した基板トレー１２０１と小型対向を搭載したトレー１２０２同士を接触させる必要がある（図１２a）。基板トレー１２０１には小型基板を位置決め・固定するためのクランプ１２０３が設けられており、この部分が出っ張っている。そのため、小型対向１２０５入り対向トレー１２０２と貼り合せる際の障害となる。従って、このクランプを逃がすためのクランプ逃げ部１２０４を小型対向トレー１２０２に設けている。そのため、小型対向１２０５のサイズを小型基板１２０６に比べ僅かに小さく（本実施例では外周2mm）設定している。また、基板を吸着させ、加圧するための吸着・加圧プレート１２０７は基板トレー１２０１の構造に合わせて凹凸を有しており、貼り合わせ時には吸着・加圧プレート１２０７凸部が基板トレー１２０１のザグリ部に入り込み、基板１２０６裏面（成膜面の反対側）と接する。さらに、遮光マスク１２０８も対向トレー１２０２の構造に合わせて凹凸を有しており、UV照射時には遮光マスク１２０８の凸部１２０９（Cr成膜面）が対向トレー１２０２のザグリ部に入り込み、対向１２０５裏面（シール剤塗布面の反対側）と接する。封止処理終了後に搬送対象となるのは、小型パネルと、基板トレーと、対向トレーの3つが一体となった完成パネル（図b）である。これを搬送室１０５経由で取出室１３７に搬送する。本実施例では、取出室１３７のトレーカセット1個につき完成パネルを2体収納することで、トレーカセット4個で計8体の完成パネルを収納する。トレーカセットの重量が約5kg、基板トレー・対向トレーの重量が約1kgのため、1個のトレーカセットに4体の完成パネルを収納すると総重量が約15kgとなってしまい、取り出し作業が困難になる。トレーカセット1個当たり2体の完成パネルを収納することによって、全重量を10kg以下に抑えている。
【０１４２】
一方、大型基板・大型対向を貼り合わせる場合は、吸着・加圧プレート、及び遮光マスクはいずれも平坦な物を使用する。つまり、流す基板・対向のサイズによって、これらは段取り替えを行う必要がある。
【０１４３】
さらに、パネル貼り合わせ工程が終わってパネルを取り出したあと、シール剤の硬化反応を加速させるため、パネルを８０℃の温度で１ｈｒ保持した。こうして本製造装置を使用することで、信頼性の高い発光装置を作製することが可能となる。
【０１４４】
また、本実施例では封止基板１１０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Fiberglass-Reinforced Plastics）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、第１シール剤１１０５、第２シール剤１１０７を用いて封止基板１１０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うように第３のシール剤で封止することも可能である。
【０１４５】
また、本実施例は実施の形態１、２のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【０１４６】
［実施例２］
本実施例では、実施の形態２で示した断面構造と異なる例を図７に示す。
【０１４７】
図７（A）において、７００は基板、７０１ａ、７０１ｂは絶縁層、７０２はＴＦＴ、７０９は絶縁物、７１０はＥＬ層、７１１は第２の電極、７１２は透明保護層、７１３は光透過層、７１４は対向である。
【０１４８】
基板７００上に設けられたTFT７０２（ｐチャネル型ＴＦＴ）は、発光するＥＬ層７１０に流れる電流を制御する素子であり、７０４はドレイン領域（またはソース領域）である。また、ここでは図示しないが、一つの画素には、他にもＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴ）を一つ、または複数設けている。また、ここでは、一つのチャネル形成領域７０３を有するＴＦＴを示したが、特に限定されず、複数のチャネルを有するＴＦＴとしてもよい。
【０１４９】
また、図７（Ａ）に示す構造は、金属層の積層からなる第１の電極７０８ａ〜７０８ｃを形成し、該第１の電極の端部を覆う絶縁物（バンク、隔壁と呼ばれる）７０９を形成した後、該絶縁物７０９をマスクとして自己整合的にエッチングを行い、該絶縁物の一部をエッチングするとともに第１の電極の中央部を薄くエッチングして端部に段差を形成する。このエッチングによって第１の電極の中央部は薄く、且つ、平坦な面とし、絶縁物で覆われた第１の電極の端部は厚い形状、即ち、凹部形状となる。そして、第１の電極上には有機化合物を含む層７１０、および第２の電極７１１を形成して発光素子を完成させる。
【０１５０】
図７（Ａ）に示す構造は、第１の電極の段差部分に形成された斜面で横方向の発光を反射または集光させて、ある一方向（第２の電極を通過する方向）に取り出す発光量を増加させるものである。
【０１５１】
従って、斜面となる部分７０８ｂは、光を反射する金属、例えばアルミニウム、銀などを主成分とする材料とすることが好ましく、有機化合物を含む層７１０と接する中央部７０８ａは、仕事関数の大きい陽極材料、或いは、仕事関数の小さい陰極材料とすることが好ましい。電源供給線やソース配線などの配線７０７も同時に形成されるため、低抵抗な材料を選択することが好ましい。
【０１５２】
また、第１の電極の中央部に向かう傾斜面における傾斜角度（テーパー角度とも呼ぶ）は、５０°を超え、６０°未満、さらに好ましくは５４．７°であることが好ましい。なお、この第１の電極の傾斜面で反射された光が層間で分散したり、迷光とならないように適宜、傾斜角度、有機化合物層の材料および膜厚、または第２の電極の材料および膜厚を設定することが必要である。
【０１５３】
本実施例では、７０８ａとしてチタン膜（６０ｎｍ）と窒化チタン膜（膜厚１００ｎｍ）の積層、７０８ｂとしてＴｉを微量に含むアルミニウム膜（３５０ｎｍ）、７０８ｃとしてチタン膜（１００ｎｍ）とする。この７０８ｃは、７０８ｂを保護してアルミニウム膜のヒロック発生、変質などを防ぐ。また、７０８ｃとして窒化チタン膜を用い、遮光性を持たせ、アルミニウム膜の反射を防いでもよい。また、７０８ａとしてシリコンからなる７０４との良好なオーミックコンタクトを取るために７０８ａの下層にチタン膜を用いたが、特に限定されず、他の金属膜を用いてもよい。また、７０８ａは窒化チタン膜の単層としてもよい。
【０１５４】
また、本実施例では窒化チタン膜を陽極として用いるため、ＵＶ処理やプラズマ処理を行う必要があるが、７０８ｂ、７０８ｃをエッチングする際に同時に窒化チタン膜表面へのプラズマ処理が行われるため、陽極として十分な仕事関数を得ることができる。
【０１５５】
また、窒化チタン膜に代わる陽極材料としては、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉX、ＷＮX、ＷＳｉXＮY、ＮｂＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を総膜厚１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で用いればよい。
【０１５６】
また、図７（Ａ）に示した構造は、絶縁物７０９をマスクとして自己整合的にエッチングを行うため、マスク数の増加はなく、トータルとして少ないマスク数および工程数で上面出射型の発光装置を作製することができる。
【０１５７】
また、図７（Ａ）と異なる構造を図７（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）の構造は、絶縁層８０１ｃを層間絶縁膜として用い、第１の電極とドレイン電極（またはソース電極）とを異なる層に設けることで、マスク数は増加する一方、発光領域の面積を増大させることができる構造である。
【０１５８】
図７（Ｂ）において、８００は基板、８０１ａ、８０１ｂ、８０１ｃは絶縁層、８０２はＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）、８０３はチャネル形成領域、８０４はドレイン領域（またはソース領域）、８０５はゲート電極、８０６はト゛レイン電極（またはソース電極）、８０７は配線、８０８は第１の電極、８０９は絶縁物、８１０はＥＬ層、８１１は第２の電極、８１２は透明保護層、８１３は第２のシール剤、８１４は対向である。
【０１５９】
また、第１の電極８０８として透明導電膜を用いれば両面発光型の発光装置を作製することができる。
【０１６０】
また、本実施例は実施の形態１、２、実施例１のいずれか一と自由に組み合わせることができる。
【０１６１】
［実施例３］
本発明を実施することによって有機化合物を含む層を有するモジュール（アクティブマトリクス型ＥＬモジュール、パッシブマトリクス型ＥＬモジュール）を組み込んだ全ての電子機器が完成される。
【０１６２】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１６、図１７に示す。
【０１６３】
図１６（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体１６０１、画像入力部１６０２、表示部１６０３、キーボード１６０４等を含む。
【０１６４】
有機化合物を含む層を有するモジュールとして両面から発光を得られる構成になっているモジュールを利用すると、表示部のちょうど裏側にも画像を形成できるようになる。たとえば図１６（Ａ）であればパーソナルコンピュータの表示部１６０３とキーボード１６０４を折り畳んで閉じた状態でも、裏面表示部１６２５でパーソナルコンピュータの動作状態などを表示できるので、わざわざ表示部１６０３をみなくても簡単な確認であれば可能である。
【０１６５】
図１６（Ｂ）はビデオカメラであり、本体１６０５、表示部１６０６、音声入力部１６０７、操作スイッチ１６０８、バッテリー１６０９、受像部１６１０等を含む。
【０１６６】
図１６（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体１６１１、カメラ部１６１２、受像部１６１３、操作スイッチ１６１４、表示部１６１５等を含む。
【０１６７】
図１６（Ｄ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体１６１６、表示部１６１７、スピーカ部１６１８、記録媒体１６１９、操作スイッチ１６２０等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【０１６８】
図１６（Ｅ）はデジタルカメラであり、本体１６２１、表示部１６２２、接眼部１６２３、操作スイッチ１６２４、受像部（図示しない）等を含む。
【０１６９】
図１７（Ａ）は携帯電話であり、本体１７０１、音声出力部１７０２、音声入力部１７０３、表示部１７０４、操作スイッチ１７０５、アンテナ１７０６、画像入力部（ＣＣＤ、イメージセンサ等）１７０７等を含む。
【０１７０】
図１７（Ｂ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体１７０８、表示部１７０９、１７１０、記憶媒体１７１１、操作スイッチ１７１２、アンテナ１７１３等を含む。
【０１７１】
図１７（Ｃ）はディスプレイであり、本体１７１４、支持台１７１５、表示部１７１６等を含む。
【０１７２】
ちなみに図１１（Ｃ）に示すディスプレイは中小型または大型のもの、例えば５〜２０インチの画面サイズのものである。また、このようなサイズの表示部を形成するためには、基板の一辺が１ｍのものを用い、多面取りを行って量産することが好ましい。
【０１７３】
さらに、この両面表示について図示はしていないが、有機化合物を含む層を有するモジュールとして両面から発光を得られる構成になっているモジュールを利用すると、本実施例に示す他の電子機器すべてに適用できる。
【０１７４】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器の作製方法に適用することが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態１、２、実施例１、２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１７５】
【発明の効果】
本発明により、一対の基板を貼り合せる際、シールつぶれが均一になり、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１を示す図。
【図２】シールの断面を示す図。
【図３】実施の形態１を示す図。
【図４】実施の形態２を示す図。
【図５】アクティブマトリクス型発光装置の構成を示す図。（実施例１）
【図６】実施例１を示す図。
【図７】実施例２を示す図。
【図８】シール剤の幅の時間変化を示す図。（実施の形態１）
【図９】接着強度と保存試験時間の関係を示す図。（実施の形態１）
【図１０】接着強度測定方法を示す図。（実施の形態１）
【図１１】シールディスペンサを示す図。（実施の形態１）
【図１２】小型基板張り合わせのためのプレートを示す図。（実施の形態１）
【図１３】貼り合わせプレス時のシール剤の状態を示す図。（実施の形態１）
【図１４】高温高湿保存後の試料の状態を示す図。（実施の形態１）
【図１５】貼り合わせ機構の概念図（実施の形態１）
【図１６】電子機器の一例を示す図。（実施例３）
【図１７】電子機器の一例を示す図。（実施例３）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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