(57)【要約】【課題】熱膨張により２次元メモリのメモリユニットの位置がずれても、この２次元メモリのメモリユニットに対するプローブの確実なアクセスを高い安定性で実現することができ、メモリユニットに対する情報の読み出しや書き込みを支障なく行うことができるマルチプローブ２次元メモリシステムを実現する。【解決手段】マルチプローブにより２次元メモリのメモリユニットの情報の読み出しおよび／または書き込みを行うマルチプローブ２次元メモリシステムにおいて、プローブの先端部の形状を非等方的なものとする。例えば、プローブの先端部を板状でかつ尖ったものとする。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチプローブにより２次元メモリのメモリユニットの情報の読み出しおよび／または書き込みを行うマルチプローブ２次元メモリシステムであって、
上記プローブの先端部が非等方的な形状を有する
ことを特徴とするマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項２】
上記複数のプローブが２次元アレイ状に設けられていることを特徴とする請求項１記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項３】
上記プローブの先端部が板状でかつ尖っていることを特徴とする請求項１記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項４】
上記プローブの先端部が、上記プローブの軸に関して対称的に傾斜した二つの面からなる楔状の形状を有することを特徴とする請求項３記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項５】
上記プローブの先端部が、上記プローブの軸と平行な面と上記プローブの軸に対して傾斜した面とからなる楔状の形状を有することを特徴とする請求項３記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項６】
上記複数のプローブはそれぞれのプローブの先端部の長軸が所定の中心から放射状に配列するように配置されることを特徴とする請求項１記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項７】
上記所定の中心から離れるにつれて上記プローブの先端部の長軸方向の長さが長くなることを特徴とする請求項６記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項８】
上記２次元メモリは矩形であり、上記複数のプローブは、それぞれのプローブの先端部の長軸と上記矩形の長辺とが互いに平行になるように配置されることを特徴とする請求項１記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項９】
上記矩形の上記長辺と直交する中心対称軸から離れるにつれて上記プローブの先端部の長軸方向の長さが長くなることを特徴とする請求項８記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項１０】
上記２次元メモリのメモリユニットは等方的突起構造を有することを特徴とする請求項１記載のマルチプローブ２次元メモリシステム。
【請求項１１】
対象物体の表面を走査する複数のプローブを有するマルチプローブ装置であって、
上記プローブの先端部が非等方的な形状を有する
ことを特徴とするマルチプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マルチプローブ２次元メモリシステムおよびマルチプローブ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体メモリでは達成することのできない大容量メモリの実現が可能な超高密度メモリシステムとして表１に示すようなものが提案され、一部は研究開発段階にある。これは、前世紀末に開発された、走査トンネル顕微鏡（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＳＴＭ）や原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＡＦＭ）などのいわゆる走査プローブ顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＳＰＭ）の流れを汲む技術で、通常の表面測定では単一のプローブ（探針）を用いるところを、Ｎ×Ｎ配列（Ｎは２以上の整数）のマルチプローブを用いてメモリユニット（メモリセル）に記録された情報の読み出しあるいは情報の書き込みを行おうとするものである。
【０００３】
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【０００４】
表１に示すように、これらの超高密度メモリシステムは、原子・分子操作、熱・機械的加工、化学結合、電界蒸発、電荷トラッピング、磁気記録、近視野光磁気記録、相変化記録、と記録方法は多様であり、また対応する記録媒体も多様なものが提案されている。加工サイズは数ｎｍから数十ｎｍである。
【０００５】
さて、メモリの高密度化は記録媒体の情報を担持するメモリユニットのサイズの縮小を意味するが、このメモリに用いるマルチプローブもまた高精度に制御する必要がある。
【０００６】
一方、メモリの大容量化はメモリの全体のサイズの大型化を意味するが、上述のメモリユニットのサイズに対するメモリ全体のサイズの比の増大は、マルチプローブの精度に対する要求を厳しいものとしている。特に、熱膨張に伴うプローブとメモリとの位置ずれの問題は重要であり、縮小化される一方のメモリユニットにどうプローブをアクセスさせるかという点で、厳密な温度制御が必要であるなど、系の本来のコンパクトさを損なう要求として大きな問題となっている。熱膨張の問題は実はスケーリング変化に等しいが、メモリ全体のサイズを１ｃｍのオーダーとすると、温度制御の精度（許容温度ゆらぎ）としては、ΔＴ≦（メモリユニットのサイズ）／［（メモリ全体のサイズ）・κ］が求められることになる。ここで、κは記録媒体の熱膨張率である。例えば、メモリユニットのサイズ＝１０ｎｍ、メモリ全体のサイズ＝３ｍｍ、κ＝３．５×１０−６／Ｋ（記録媒体としてシリコンを用いた場合を想定）とするとΔＴ≦１０ｎｍ／（３ｍｍ・３．５×１０−６／Ｋ）≒１Ｋが必要である。すなわち、温度の変動を１度以内に抑える必要がある。
【０００７】
上述のプローブとメモリとの位置ずれは、超高密度のマルチプローブメモリにおいては解決しなければならない重要な課題であるが、従来その有効な解決策は見出されていなかった。
【０００８】
最近、シリコン基板表面にマイクロマシニング技術によりＡＦＭカンチレバーアレイを形成し、カンチレバー先端の等方的形状のティップ（プローブ）を記録媒体の熱感応性樹脂（ポリマー層）に接触させることによりデータの書き込みおよび読み出しを行うメモリシステムが提案されている（非特許文献１）。
【非特許文献１】
ＩＥＥＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ＯＮ  ＮＡＮＯＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，ＶＯＬ．１，ＮＯ．１，ＭＡＲＣＨ  ２００２
【０００９】
なお、板状でかつ尖った先端部を有する探針を用いた走査型トンネル顕微鏡が本発明者により提案されている（特許文献１）。この特許文献１によれば、板状でかつ尖った先端部を有する探針を用いることにより、この探針と試料との間に流れるトンネル電流が非対称となることを利用して電子の運動量の検出を行ったり、この探針と試料とを相対的に回転させて電子の運動量の検出を行ったりすることができることが示されている。
【特許文献１】
特許第３１１８８１３号
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
非特許文献１によれば、記録面密度として１Ｔｂ／ｉｎ２  が達成されたとのことであるが、このメモリシステムも、上述の従来の超高密度メモリシステムと同様に、熱膨張などによるメモリユニット間のずれに対してプローブを高精度に追随させることは困難であった。
【００１１】
したがって、この発明が解決しようとする課題は、熱膨張などにより２次元メモリのメモリユニットの位置がずれても、この２次元メモリのメモリユニットに対するプローブの確実なアクセスを高い安定性で実現することができ、メモリユニットに対する情報の読み出しや書き込みを支障なく行うことができるマルチプローブ２次元メモリシステムを提供することにある。
【００１２】
より一般的には、この発明が解決しようとする課題は、対象物体の表面上の測定点に対するプローブの確実なアクセスを高い安定性で実現することができ、被測定点における測定を支障なく行うことができるマルチプローブ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、この発明の第１の発明は、
マルチプローブにより２次元メモリのメモリユニットの情報の読み出しおよび／または書き込みを行うマルチプローブ２次元メモリシステムであって、
プローブの先端部が非等方的な形状を有する
ことを特徴とするものである。
【００１４】
ここで、複数のプローブは、典型的には２次元アレイ状に設けられる。プローブの先端部の形状については、基本的には特許文献１で述べたことが成立する。典型的には、プローブの先端部は板状でかつ尖っている。具体的には、プローブの先端部は、例えば、プローブの軸に関して対称的に傾斜した二つの面からなる楔状の形状（Ｖ字形状）、あるいは、プローブの軸と平行な面とプローブの軸に対して傾斜した面とからなる楔状の形状を有する。
【００１５】
この場合、好適には、複数のプローブは、それぞれのプローブの先端部の長軸が２次元メモリとマルチプローブとの位置ずれの主方向に配列するようにする。具体的には、例えば、複数のプローブは、それぞれのプローブの先端部の長軸が所定の中心から放射状に配列するように配置される。あるいは、２次元メモリが矩形である場合、複数のプローブは、それぞれのプローブの先端部の長軸とこの矩形の長辺とが互いに平行になるように配置される。２次元メモリの所定の基準（中心点、対称軸）からの距離の関数としてこの位置ずれが表されるときには、好適には、この関数を反映してそれと正の相関を持つようプローブの先端部の長軸の長さを調節する。具体的には、上記のように、それぞれのプローブの先端部の長軸が所定の中心から放射状に配列するように配置される場合には、この所定の中心から離れるにつれてプローブの先端部の長軸方向の長さが長くなるようにし、２次元メモリが矩形であり、複数のプローブがそれぞれのプローブの先端部の長軸とこの矩形の長辺とが互いに平行になるように配置される場合には、矩形の長辺と直交する中心対称軸から離れるにつれてプローブの先端部の長軸方向の長さが長くなるようにする。
【００１６】
２次元メモリは、典型的には、メモリ容量が、０．１／（κΔＴ）２  以上１／（κΔＴ）２  以下（ただし、κは２次元メモリの熱膨張率、ΔＴは２次元メモリの温度制御の精度）である。また、２次元メモリは、典型的には、有効領域のサイズが１ｃｍのオーダー、具体的には０．１ｃｍ〜数ｃｍであり、メモリユニットのサイズがＬκΔＴ（ただし、Ｌは２次元メモリの全体のサイズ、κは２次元メモリの熱膨張率、ΔＴは２次元メモリの温度制御の精度）の程度である。メモリユニットは、種々の材料を用いて構成することができ、具体的には例えば、磁性体、強誘電体、電荷蓄積体、熱感応性樹脂などのほか、生体膜を用いて構成することもできる。メモリユニットの記録は極性記録であっても非極性記録であってもよいが、メモリユニット自身からの記録信号に基づいてより正確な制御を行うことができる非極性記録の方が好ましい。また、メモリユニットの配列は、特に限定されないが、例えば、６回対称性または４回対称性を有する。メモリユニットは、好適には等方的突起構造を有するようにする。
【００１７】
メモリユニットを生体膜により構成する場合、例えば６回対称性を有するメモリユニット配列の実現には、哺乳類の膀胱組織、より具体的には、膀胱上皮の非対称ユニット膜（生体膜）などを用いることができる。この膀胱組織には、綺麗な６回対称性の構造が存在するので、これを用いることで、ひとつずつメモリユニットを並べるのではなく、発生学的に生成するこの組織を面として抽出して、メモリユニットアレイの構成に利用することができる。この組織は有機物（炭化水素）ベースのものであるが、この組織の凸凹をテンプレートとして、例えば陽極酸化によるアルミニウム多孔質体を形成し、ここに磁性体、強誘電体、マイクロキャパシターなどを配置することによりメモリユニットとすることもできる。あるいは、このた有機物（炭化水素）ベースの組織を、いわゆる化石化プロセスを使って、ＳｉＯ２  ベースの組織や、あるいは直接酸化物強誘電体や磁性体へと転化することも有効である。
【００１８】
更に、メモリユニットの配列が対称性を共有する少なくとも２重の階層構造を有するようにしてもよい。
以上のことは、その性質に反しない限り、以下の発明についても同様に成立する。
【００１９】
この発明の第２の発明は、
対象物体の表面を走査する複数のプローブを有するマルチプローブ装置であって、
プローブの先端部が非等方的な形状を有する
ことを特徴とするものである。
【００２０】
ここで、マルチプローブ装置には各種のマルチプローブ２次元探査システムが含まれ、具体的には、マルチプローブ２次元メモリシステムのほか、対象物体の表面化学情報などを検出するマルチプローブ２次元検出システムやマルチプローブ２次元情報処理システムなどが含まれる。マルチプローブ２次元検出システムは、より具体的には、例えば対象物体の表面の吸着種の超並列センシング（例えば、ガスセンシング、においセンシング、味センシングなど）や、対象物体の最表面の原子層オーダーの微細形状情報の収集や、対象物体の最表面の化学反応種情報の収集などに適用することができる。これらは、化学産業、医療、製薬、バイオ関連、食品産業などへの広範な応用が可能である。
【００２１】
上述のように構成されたこの発明によれば、プローブの先端部が非等方的な形状を有するので、熱膨張などにより２次元メモリのメモリユニットの位置、より一般的には対象物体の表面上の被測定点の位置がずれても、プローブの先端部の長軸を２次元メモリとマルチプローブとの位置ずれの主方向、より一般的には対象物体とマルチプローブとの位置ずれの主方向に合わせることにより、この２次元メモリのメモリユニット、より一般的には対象物体の被測定点に対するプローブの確実なアクセスが高い安定性で可能となる。言い換えれば、メモリユニットあるいは被測定点に対するプローブのアクセスに関し、位置ずれに対して強い。また、確実なアクセスを実現するために、必ずしも精密なサーボシステムを用いる必要がないので、簡便である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
説明の便宜上、最初にまず、従来の等方的な先端形状のプローブからなるマルチプローブを用いて２次元メモリのメモリユニットの情報を読み出す場合を考える。なお、従来のマルチプローブシステムにおいて、プローブの先端形状を等方的にすることは、通常要求されることで暗黙の了解事項である。
【００２３】
図１は、量子ドット状のメモリユニットが記録媒体上に４回対称性を持って正方格子状に２次元配列した２次元メモリの上に、円錐軸の周りに２π等方的な形状を有する円錐状のプローブ列、すなわちマルチプローブが配置されている様子を示す。
【００２４】
ここで、ある形状を有するプローブと記録媒体との間のカップリング（結合）を考える。図２にプローブと記録媒体とが互いに対向した部分の断面図を示す。図２において、ｆ  （ｘ１  ）は記録媒体のメモリユニット（この場合、等方的な形状を有する尖塔状ドット）の断面形状を表す形状関数、ｇ  （ｘ２  ）はプローブ（この場合、平頭プローブ）の断面形状を表す形状関数である。
【００２５】
カップリングの強さＩは、プローブと記録媒体との間に流れる電流（ＳＴＭの場合）や、プローブと記録媒体との間に働く原子間力（ＡＦＭの場合）で測られる。このカップリング強さＩは、プローブの座標ｘ１  および記録媒体の座標ｘ２  の２点の関数Ｆ（ｘ１  ，ｘ２  ）を用いて（１）式のように表される。
Ｉ＝∫Ｆ（ｘ１  ，ｘ２  ）ｄｘ１  ｄｘ２                  （１）
（１）式をパラメータ空間上の２次元ベクトルｘ＝（ｘ１  ，ｘ２  ）を用いて書き直すと
Ｉ＝∫Ｆ（ｘ）ｄｘ                          （２）
のようになる。
【００２６】
Ｆ（ｘ）はプローブと記録媒体との間の距離ｒ（ｘ）に対して指数関数的に減衰するので、Ｉはほぼ最近接位置ｘ０  の値で決まると近似することができる（なお、（１）式の導出でも紙面に垂直な方向にはすでにこの近似を用いた）。すなわち、（２）式は
Ｉ〜∫ｅｘｐ［−ｒ（ｘ）／ａ］δ（ｘ−ｘ０  ）ｄｘ        （３）
と書くことができる。ただし、ａは定数、δ（ｘ）はデルタ関数である。
【００２７】
（３）式より、
Ｉ〜ｅｘｐ［−ｒ（ｘ０  ）／ａ］                  （４）
となる。ここで、プローブと記録媒体との間の最短距離ｒ（ｘ０  ）をｒ０  と書くと、（４）式は
Ｉ〜ｅｘｐ（−ｒ０  ／ａ）
＝ｅｘｐ［−（１／ａ）／（１／ｒ０  ）］        （５）
となる。
（５）式は、カップリング強さＩが、図３Ａに示すように、プローブと記録媒体との間の最短距離ｒ０  の逆数１／ｒ０  に対して正の相関関係を有することを示す。
【００２８】
他方、図３Ｂに示すように、最短距離ｒ０  の逆数１／ｒ０  は、ｆ・ｇと正の相関関係を有する。
したがって、カップリング強さＩは、図３Ｃに示すように、ｆ・ｇと正の相関関係を有することになる。
【００２９】
そこで、プローブと記録媒体との並列配置に対し、ｘ軸をプローブの位置（空間座標）を示す座標軸、ｙ軸をプローブと記録媒体との間の相対熱膨張を示す座標軸とし、ｚ軸にｆ・ｇ（上記のようにカップリング強さＩと正の相関関係を有する）を３次元プロットすると、図４が得られる。ただし、ｆ、ｇの関数形としては、周期性を表すため、ｆについては、正弦曲線の正の部分のみを縦横方向に掛け算したものを用い、ｇについては縦方向（紙面に垂直な方向）には正弦波の正の部分のみ、横方向には０と一定値とを周期的に繰り返す関数を用い、それらを掛け合わせたものを用いた。
【００３０】
図５は図４の等高線図であり、図中白い部分がｆ・ｇが大きい（したがってカップリング強さＩが大きい）所を示す。図５より、等高線は左右対称の山脈状のピークを持つことが分かる。これは、図２で仮定したように、プローブ、メモリユニットともに等方的な先端形状を持つからである。
【００３１】
図５に示すように、熱膨張の大きい所でｆ・ｇにうねりが生じている。ｆ・ｇが小さい所は、プローブが、互いに隣接する二つのメモリユニット（この場合、量子ドット）に跨がっていることを示している。ｘ＝０でプローブとメモリユニットとの位置は完全に揃っているが、２次元メモリとマルチプローブとの熱膨張に差があると、この熱膨張差に起因する２次元メモリとマルチプローブとの位置ずれのため、ｘが大きくなるにつれて急速にｆ・ｇが小さくなる。つまり、ｘが大きくなるにつれて急速にカップリング強度Ｉが小さくなる。例えば、ｘ＝１６では、相対熱膨張は０．０１〜０．０２（１〜２％）程度で、ｆ・ｇ、したがってカップリング強度Ｉは約半分強にまで落ちることが分かる。
【００３２】
さて、以上のことを前提として、この発明の一実施形態によるマルチプローブ２次元メモリシステムについて説明する。
図６にこのマルチプローブ２次元メモリシステムを示す。図６に示すように、このマルチプローブ２次元メモリシステムにおいては、プローブの先端部は非等方的な形状、具体的にはＶ字形の楔形状を有する。一方、メモリユニットは等方的突起構造を有する。
【００３３】
図６に示す、非等方性の先端形状を有するプローブと２次元メモリとの配置に対し、ｘ軸をプローブの位置（空間座標）、ｙ軸を２次元メモリとマルチプローブとの相対熱膨張とし、ｚ軸にｆ・ｇをプロットすると、図７が得られる。
【００３４】
図８は図７の等高線図であり、図中白い部分がｆ・ｇが大きい所を示す。図８より、等高線は、系統的にシフトする左右非対称な断崖状のピークを持ち、大きなｆ・ｇ、すなわち高いカップリング強さＩを維持することが分かる。これは、図６に示すように、プローブが非等方的な先端形状を持つからである。
【００３５】
図８より、熱膨張の大きい所でｆ・ｇに強弱が生じているが、等方的な先端形状を持つプローブの場合（図４）と異なり、ｆ・ｇの大きい所が台地状に維持されることが分かる。熱膨張の差による２次元メモリとマルチプローブとの間のずれに対しても、両者が完全に揃っているｘ＝０からｘが大きくなるにつれて現れるｆ・ｇの減少の度合いも小さいことが分る。例えば、ｘ＝１６で、相対熱膨張０．０２（２％）程度に対しても最大のカップリング強さＩを維持している。
【００３６】
図９および図１０は先端形状が非等方的なプローブの例を示す。ここで、図９Ａおよび図１０Ａはプローブの正面図、図９Ｂおよび図１０Ｂはそれぞれ図９Ａおよび図１０Ａの断面図である。図９および図１０に示すように、これらの非等方形状のプローブはいずれも板状でかつ先端部が尖ったものであるが、このうち図９に示すプローブはＶ字形の楔形状、すなわちその断面において両側から徐々に幅が狭まるタイプのもの、図１０に示すプローブはその断面において片側からのみ幅が狭まるタイプのものである。ただし、図示は省略するが、これらの中間のタイプを使用することもできる。
【００３７】
図１１は２次元メモリに対する非等方性の先端形状を有するプローブの配置法の例を示す。この場合、プローブと２次元メモリとの間の位置ずれが大きくなる方向に、非等方形状のプローブの先端部の長軸方向を揃えるのが基本である。
【００３８】
熱膨張が位置ずれの原因であり、２次元メモリも円形あるいは正方形で対称性が高い場合には、位置ずれも等方的になる。この場合には、好適には、図１１Ａに示すように、各プローブの先端部の長軸が中心から放射状に配列するようにする。
【００３９】
一方、並進移動が位置ずれの主因である場合（例えば、２次元メモリが矩形などの場合）には、好適には、図１１Ｂに示すように、主な並進移動方向（矩形の２次元メモリの場合にはその長辺の方向）とプローブの先端部の長軸とが互いに平行に配列するようにする。
【００４０】
上記の二つの場合において、プローブの先端部の長軸の長さは、場所の関数として変化させてもよい。
すなわち、熱膨張が位置ずれの原因であり、２次元メモリのサイズが大きい場合には、周辺部での伸びは中心部に比べてかなり大きくなる。したがって、各プローブの先端部の長軸が中心から放射状に配列している図１１Ａに示す配置においては、各プローブを各メモリユニットに確実にアクセスさせるためには、その中心から離れるにつれてプローブの先端部の長軸方向の長さを長くすることが有効である。
【００４１】
一方、並進移動が位置ずれの主因で２次元メモリのサイズが大きい場合にも、周辺部での伸びは中心部に比べてかなり大きくなる。したがって、主な並進位置ずれ方向と非等方形状のプローブの先端部の長軸とが平行な図１１Ｂに示す配置においては、各プローブを各メモリユニットに確実にアクセスさせるためには、２次元メモリの長手方向と直交する中心対称軸から離れるにつれてプローブの先端部の長軸方向の長さを長くすることが有効である。
【００４２】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構造、形状などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれらと異なる数値、構造、形状などを用いてもよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によるマルチプローブ２次元メモリシステムによれば、プローブの先端部が非等方的な形状を有することにより、熱膨張などにより２次元メモリのメモリユニットの位置がずれても、この２次元メモリのメモリユニットに対するプローブの確実なアクセスを高い安定性で実現することができ、メモリユニットに対する情報の読み出しや書き込みを支障なく行うことができる。あるいは、ブ２次元メモリシステムを提供することにある。
【００４４】
また、この発明によるマルチプローブ装置によれば、プローブの先端部が非等方的な形状を有することにより、対象物体の表面上の測定点に対するプローブの確実なアクセスを高い安定性で実現することができ、被測定点における測定を支障なく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】量子ドット状のメモリユニットが２次元配列された２次元メモリの上に先端部の形状が等方的なプローブからなるマルチプローブが配置されている状態を示す略線図である。
【図２】プローブと記録媒体とのカップリングを説明するための略線図である。
【図３】カップリングの強さＩと形状関数の積ｆ・ｇとの間の相関関係を説明するための略線図である。
【図４】図１に示す場合にプローブの位置および相対熱膨張の関数として形状関数の積ｆ・ｇを３次元プロットした略線図である。
【図５】図４を等高線で表示した略線図である。
【図６】この発明の一実施形態によるマルチプローブ２次元メモリシステムを示す略線図である。
【図７】図６に示す場合にプローブの位置および相対熱膨張の関数として形状関数の積ｆ・ｇを３次元プロットした略線図である。
【図８】図７を等高線で表示した略線図である。
【図９】この発明の一実施形態によるマルチプローブ２次元メモリシステムにおいて用いられるプローブの例を示す略線図である。
【図１０】この発明の一実施形態によるマルチプローブ２次元メモリシステムにおいて用いられるプローブの他の例を示す略線図である。
【図１１】各プローブの先端部の長軸が中心から放射状に配列した例および主な並進移動方向と各プローブの先端部の長軸とが互いに平行な例を示す略線図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004213750.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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