(57)【要約】      （修正有）【課題】めっき法を用いながら、下地金属層の不要な部分を除去するクイックエッチング工程を不要とし、また連続搬送型製法にしても給電できるプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上にめっき法により金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法において、前記絶縁基板上に金属配線パターンをめっきで形成するためのフォトレジストマスクパターンを形成する工程と、前記フォトレジストマスクパターン付の絶縁基板上に全面金属膜を形成する工程と、ハーフエッチングでフォトレジストマスクパターン以外の部分の金属膜８を残しながら、フォトレジストマスクパターン表面上の導通用以外の金属膜を除去する工程と、めっきでフォトレジストマスクパターン以外の部分に金属めっき被膜を形成する工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離し、所要の金属配線パターンを形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上にめっき法により金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法において、前記絶縁基板上に金属配線パターンをめっきで形成するためのフォトレジストマスクパターンを形成する工程と、前記フォトレジストマスクパターン付の絶縁基板上に全面金属膜を形成する工程と、ハーフエッチングでフォトレジストマスクパターン以外の部分の金属膜を残しながら、フォトレジストマスクパターン表面上の導通用以外の金属膜を除去する工程と、めっきでフォトレジストマスクパターン以外の部分に金属めっき被膜を形成する工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離し、所要の金属配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板がテープ状であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記金属がＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂから選ばれたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁基板がポリイミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁基板の表面粗さＲｚは０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れか記載のプリント配線板の製造方法
【請求項６】
前記フォトレジストマスクパターン付絶縁基板上の全面金属膜の製法としては、スパッタリング、無電解めっき法などから選ばれたものであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記フォトレジストマスクパターン付の絶縁基板上に全面形成された金属膜の膜厚は０．１〜５μｍであることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき法によるプリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板を製造するにはサブトラクティブ法が広く用いられている。しかし、近年、電子機器の小型化、実装の高密度化及び高性能化（高速化）に伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パターンの微細化が求められているにつれて、サブトラクティブ法で対応しきれなくなっているのが現状である。更なる微細なパターンを形成する有効な手段としてセミアディティブ法がよく知られている。
【０００３】
これまで、セミアディティブ法でプリント配線板を作製するには、特許文献１記載のように、先ず絶縁性基板上に薄い下地金属層を形成し、次に前記下地金属層の表面にめっき用のフォトレジストのマスクパターンを形成する。次に電解めっき法で金属めっき被膜を形成し、フォトレジストのマスクパターンを剥離する。最後に、クイックエッチングで下地金属層の不要となった部分を除去することによって金属配線パターンを形成することができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−７８２３４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
セミアディティブ法でサブトラクティブ法より微細な金属配線パターンを形成することができるが、不要となった部分を除去するためのクイックエッチングを行う時に金属めっき被膜に多大なダメージを与えるため、微細な金属配線パターン（特に線幅１０μｍ以下）を形成することが非常に困難である。また連続搬送型製法にすると下地金属層がフォトレジストマスクパターンの下にあるため、給電（電極とめっき基板との導通）が難問になっている。
【０００６】
本発明は、めっき法を用いながら、下地金属層の不要な部分を除去するクイックエッチング工程を不要とし、また連続搬送型製法にしても給電できるプリント配線板の製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１としては、絶縁基板上にめっき法により金属配線パターンを形成するプリント配線板の製造方法において、前記絶縁基板上に金属配線パターンをめっきで形成するためのフォトレジストマスクパターンを形成する工程と、前記フォトレジストマスクパターン付の絶縁基板上に全面金属膜を形成する工程と、ハーフエッチングでフォトレジストマスクパターン以外の部分の金属膜を残しながら、フォトレジストマスクパターン表面上の導通用以外の金属膜を除去する工程と、めっきでフォトレジストマスクパターン以外の部分に金属めっき被膜を形成する工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離し、所要の金属配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【０００８】
請求項２としては、絶縁基板がテープ状であることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【０００９】
請求項３としては、前記金属がＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂなどから選ばれたものであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１０】
請求項４としては、前記絶縁基板がポリイミド、液晶ポリマなどから選ばれたものであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１１】
請求項５としては、前記絶縁基板の表面粗さＲｚは０．１μｍ以上であることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１２】
請求項６としては、前記フォトレジストマスクパターン付絶縁基板上の全面金属膜の製法としては、スパッタリング、無電解めっき法などから選ばれたものであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１３】
請求項７としては、前記フォトレジストマスクパターン付の絶縁基板上に全面形成された金属膜の膜厚は０．１〜５μｍであることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わるプリント配線板の製造方法を図１を使い製造工程に従って詳細に説明する。また、記述を簡略するため、以下の文章の中にフォトレジストマスクパターンをマスクパターンと称する。
【００１５】
本発明における絶縁基板は、連続搬送しながらプリント配線板を作成する場合には、可撓性のあるテープ状であることが好ましい。また、絶縁基板は絶縁性を有する基板であれば特に限定されるものではないが、耐熱性、吸水性や電気特性の点から、ポリイミド、液晶ポリマ等を使用することが好ましい。
【００１６】
また絶縁基板の表面は、絶縁基板上に形成する金属配線と絶縁基板との間の密着力を向上するため、表面粗さＲｚが、０．１μｍ以上であることが好ましい。そのような表面粗さを有する絶縁基板は、薬液を用いた表面粗化法、或いは化学研磨で金属箔付絶縁基板上の金属箔を除去する方法で得ることができる。
【００１７】
ここで表面粗化法に用いる薬液としては、過マンガン酸塩が使用できる。また、化学研磨に用いられる薬液については、金属によって変わる。例えば、金属が銅の場合は過酸化水素水＋硫酸又は過硫酸アンモニウムが使用できる。また、ニッケルであれば、メック社製のメックリムーバＮＨ−１８６２が使用できる。
【００１８】
次に、前記表面粗化された絶縁基板上にドライフィルムをラミネートし、露光・現像などの工程を経てから、金属配線パターンを形成するためのめっき用マスクパターンを形成する（図１（ａ）参照）。ドライフィルムの厚みは１０〜３０μｍで、好ましいのは１５μｍである。
【００１９】
次に、スパッタリング及び／又は無電解めっき法でマスクパターン付絶縁基板上に全面金属膜を形成する（図１（ｂ１）参照）。図１（ｂ２）に示したのは図１（ｂ１）のＡ線からの断面図である。金属配線パターンの引き出し部が導通用の金属膜とつながる状態を示している。無電解めっきで形成すると触媒を除去しにくいことから、スパッタリング法が好ましい。また形成された金属膜の膜厚は０．１〜５μｍで、好ましいのは１μｍである。
【００２０】
前記金属がＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｂなどの導電性金属から選ぶことができる。導通性、加工性、コストなどから総合的に考慮すれば、Ｃｕが好ましい。
【００２１】
次に、化学研磨と同じ薬液でハーフエッチングを行い、マスクパターン以外の部分の金属膜を残しながら、マスクパターン上の導通用以外の金属膜を除去し、金属膜の下地層を形成する（図２（ｃ、ｄ１、ｄ２）参照）。マスクパターン付絶縁基板上に全面金属膜を形成する時にマスクパターン上とマスクパターン以外の部分（絶縁基板の表面に金属配線を形成する場所）に金属膜が形成される。その時に、マスクパターン上の金属膜が表面に露出しているのに対して、マスクパターン以外の部分に形成される金属膜は絶縁基板上にあるため、高さがマスクパターンより低い。ハーフエッチングをする時にマスクパターン上の部分の金属膜表面の液の流れがマスクパターン以外の部分よりよいことから、時間を調整すれば、マスクパターン上の不要となった金属膜を完全に除去しながら、マスクパターン以外の部分の金属膜を残すことができる。残された金属膜が下地層になる。また、保護板を設けることによって、マスクパターン上の導通用の金属膜をハーフエッチング工程から保護すると同時に金属配線パターンの引き出し部と導通用の金属膜とのつながりに影響を与えないことができる（図１（ｂ２）参照）。
【００２２】
次に、めっき法で金属めっき被膜を形成し（図３（ｅ）参照）、不要となった導通部分を切除してから、剥離液でマスクパターンを剥離し、所要の金属配線パターンを形成する（図３（ｆ）参照）。
【００２３】
最後にレジストマスクパターンを剥離してプリント配線板を得ることができる。なお、剥離する際の薬液としては、例えば３％の水酸化ナトリウムを用いることができる。
【００２４】
【実施例】
（実施例１）
まず、ポリイミド基板１の表面を過マンガン酸塩で粗化を行った。その時の表面粗さＲｚは１μｍ以上であった。
【００２５】
次に、粗化されたポリイミド基板１上にニチゴーモートン社製のＮＩＴ（膜厚１５μｍ）ドライフィルムを１００℃、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ２でラミネートし、約５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で選択的に露光し、３０℃１％の炭酸ナトリウム溶液で約１０秒間現像を行うことにより金属配線パターンを形成するためのめっきマスクパターン２を形成した（図１（ａ）参照）。
【００２６】
次に、スパッタリング法でマスクパターン付ポリイミド基板の全面に金属膜３を形成した（図１（ｂ１）〜（ｂ２）参照）。
【００２７】
次に、過硫酸アンモニウムからなるハーフエッチング液でエッチング時間をコントロールして、マスクパターン上の導通用以外の金属膜７を除去しながら（保護板６でエッチング液から導通用金属膜４と金属配線パターンの引き出し部５を保護する）、マスクパターン以外の部分の金属膜８を残した（図２（ｃ、ｄ１、ｄ２）参照）。残された金属膜は下地層７になる。
【００２８】
次に、電解めっき法で前記下地層の上に高さ１０μｍの金属めっき被膜９を形成してから（図３（ｅ）参照）、導通用金属膜４とその下にあるマスクパターンとポリイミド基板部分を切除した。
【００２９】
最後に、マスクパターンを５０℃の３％炭酸ナトリウム溶液で剥離して、プリント配線板１０を作製した（図３（ｆ）参照）。
【００３０】
（実施例２）
まず、過硫酸アンモニウムからなる化学研磨液で銅箔付きポリイミドの銅箔（三井金属製の３ＥＣ−ＶＬＰ）を化学研磨で除去することによって、粗化された表面を有するポリイミドの絶縁基板１を形成した。表面粗さＲｚは４μｍである。
【００３１】
次に、実施例１の粗化されたポリイミド基板１上にドライフィルムをラミネートする工程〜マスクパターンを剥離して、プリント配線板１０を作製する工程と同じ工程でプリント配線板１０を作製した（図３（ｆ）参照）。
【００３２】
（実施例３）
テープ状のポリイミド絶縁基板を用いて、実施例１、２と同じ工程で連続搬送型でプリント配線板１０を作製した（図３（ｆ）参照）。なお、導通用の金属膜がマスクパターンの表面にあるため、連続搬送で配線パターンを形成する時に給電することができた。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、セミアディティブ法による金属配線パターンを形成する時の不要となった下地層を除去するためのクイックエッチング工程が省かれたため、微細な配線パターンを形成できると同時に、配線幅のサイズも正確に把握できる。また、導通用の金属膜がマスクパターンの表面にあるため、連続搬送で配線パターンを形成する時に給電という難題を解決することができた。
【００３４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わるプリント配線板の製造工程図である。
【図２】本発明に係わるプリント配線板の製造工程図である。
【図３】本発明に係わるプリント配線板の製造工程図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
２  めっき用のマスクパターン
３  全面金属膜
４  導通用金属膜
５  金属配線パターンの引き出し部
６  導通用金属膜の保護板
７  マスクパターン上の導通用以外の金属膜
８  下地層
９  めっき金属被膜
１０  プリント配線板
【図１】
2004289053.tif 000003
【図２】
2004289053.tif 000004
【図３】
2004289053.tif 000005