(57)【要約】【課題】密着性、及び耐半田リフロー性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）ホスファゼン化合物を必須成分とし、（Ｃ）無機充填材の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に８０〜９４重量％であり、（Ｅ）ホスファゼン化合物の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に０．０５〜２．０重量％であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）ホスファゼン化合物を必須成分とし、（Ｃ）無機充填材の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に８０〜９４重量％であり、（Ｅ）ホスファゼン化合物の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に０．０５〜２．０重量％であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2004210849.tif 000021
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は水素又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、互いに同一もしくは異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数）
【請求項２】
（Ａ）エポキシ樹脂に一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と共に一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を含む請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化２】
2004210849.tif 000022
（Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数）
【請求項３】
（Ｂ）フェノール樹脂に一般式（３）で示されるフェノール樹脂を含む請求項１又は２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化３】
2004210849.tif 000023
（Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数）
【請求項４】
（Ｅ）ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼン化合物である請求項１、２、又は３に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
上記環状ホスファゼン化合物が、一般式（４）である請求項４に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化４】
2004210849.tif 000024
（ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異なる有機基）
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＩＣ、トランジスタ等の半導体装置は、小型化、高速化への要求から、年々その集積度や動作速度を高めることが必要になり、結果として、消費電力の増大、すなわち発熱量の増大を招いている。一方、低コスト化への要求も高い。これらの要求に応えるべく、半導体装置に従来の４２合金フレームに換えて熱伝導率が高く、かつ低コストな銅フレームも用いる例が増えてきた。また、最近では、従来の半田メッキに換えて、リードフレームにＮｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等をプレプレーティングしたリードフレームを用いる例も増えてきた。
従来のエポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填剤等からなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物によって封止した半導体装置では、上記様々なリードフレーム表面物質との密着性が十分ではなく、特にＮｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等をプレプレーティングしたリードフレームでは従来のものと比べ、密着性が著しく低下するため、特に吸湿した半導体装置を赤外線（ＩＲ）リフロー方式で表面実装すると、封止樹脂とリードフレーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間で剥離が生じたり、パッケージクラックが生じたりする。
封止樹脂とリードフレーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの密着性を向上させる方法としては、非イオン系界面活性剤を含有する手法（例えば、特許文献１参照）や、エポキシ化ポリオレフィンを含有する手法（例えば、特許文献２参照）が検討されているが、Ｎｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等をプレプレーティングしたリードフレームとの密着性が不充分であった。
このため、Ｎｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等をプレプレーティングしたリードフレームを用いる場合でも密着性の良い、半導体装置全体のＩＲリフローによる表面実装を行っても剥離やクラックの起こらない半導体封止用エポキシ樹脂の開発が強く望まれていた。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−１６９６７１号公報（第２〜５頁）
【特許文献２】
特開平１０−０７７３３３号公報（第２〜５頁）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、密着性、耐半田リフロー性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］  （Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、及び（Ｅ）ホスファゼン化合物を必須成分とし、（Ｃ）無機充填材の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に８０〜９４重量％であり、（Ｅ）ホスファゼン化合物の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に０．０５〜２．０重量％であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【化５】
2004210849.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は水素又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、互いに同一もしくは異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数）
【０００６】
［２］  （Ａ）エポキシ樹脂に一般式（１）で示されるエポキシ樹脂と共に一般式（２）で示されるエポキシ樹脂を含む第［１］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【化６】
2004210849.tif 000003
（Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数）
【０００７】
［３］  （Ｂ）フェノール樹脂に一般式（３）で示されるフェノール樹脂を含む第［１］又は［２］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【化７】
2004210849.tif 000004
（Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数）
【０００８】
［４］  （Ｅ）ホスファゼン化合物が、環状ホスファゼン化合物である第［１］、［２］、又は［３］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［５］  上記環状ホスファゼン化合物が、一般式（４）である第［４］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
【化８】
2004210849.tif 000005
（ｎは３〜７の整数、Ｒは互いに同一もしくは異なる有機基）
【０００９】
［６］  第［１］〜［５］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明は、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機充填材、硬化促進剤、及びホスファゼン化合物を必須成分とし、上記無機充填材の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に８０〜９４重量％であり、上記ホスファゼン化合物の配合量が全エポキシ樹脂組成物中に０．０５〜２．０重量％であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
【００１１】
本発明で用いる一般式（１）で示されるエポキシ樹脂は、密着性、特にＮｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ等をプレプレーティングしたリードフレームに対する密着性に優れる。また弾性率が低いまま高い強度が得られるため、吸湿した半導体装置を赤外線（ＩＲ）リフロー方式で表面実装する時に生じる封止樹脂とリードフレーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間での剥離やパッケージクラックに対して有効である。
【化９】
2004210849.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は水素又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、互いに同一もしくは異なっていてもよい。ｎは平均値で、１〜１０の正数）
【００１２】
本発明で用いるエポキシ樹脂は、一般式（１）で示されるエポキシ樹脂の本来の特性を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂を併用してもよい。併用する場合は、分子中にエポキシ基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般で、極力低粘度のものを使用することが望ましく、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格を有する）、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格を有する）、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これら併用できるエポキシ樹脂のうち、特に一般式（２）で示されるエポキシ樹脂が好ましい。
【化１０】
2004210849.tif 000007
（Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数）
【００１３】
本発明に用いられるフェノール樹脂としては、１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー及びポリマー全般を指し、例えばフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン骨格又はジフェニレン骨格を有する）樹脂、ナフトールアラルキル（フェニレン骨格又はジフェニレン骨格を有する）樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ナフトール樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。これらのフェノール樹脂は、分子量、軟化点、水酸基当量等に特に限定しないが、軟化点１１０℃以下の比較的低粘度のフェノール樹脂が好ましい。軟化点が１１０℃を越えるとエポキシ樹脂の低粘度化の効果が薄れるので好ましくない。これら併用できるフェノール樹脂のうち、特に一般式（３）で示されるフェノール樹脂が好ましい。
【化１１】
2004210849.tif 000008
（Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一でも異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは平均値で、１〜５の正数）
【００１４】
全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量比としては、好ましくは０．５〜２．０であり、特に０．７〜１．５がより好ましい。上記の範囲を外れると、耐湿性、硬化性等が低下する可能性がある。
【００１５】
本発明に用いられる無機充填材については、特に限定されないが、一般に封止材料に用いられている無機充填材を使用することができる。例えば溶融破砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉末、２次凝集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム等が挙げられ、特に溶融球状シリカ粉末が好ましい。形状は限りなく真球状であることが好ましく、また粒子の大きさの異なるものを混合することにより充填量を多くすることができる。
本発明に用いられる無機充填材の配合量としては、全エポキシ樹脂成形材料中に８０〜９４重量％が好ましく、下限値を下回ると成形された半導体装置の吸湿量が増大し、半田リフロー処理温度での強度が低下してしまうため、半田リフロー処理時に半導体装置にクラックが発生し易くなり好ましくない。一方上限値を越えると、成形材料の成形時の流動性が低下し、未充填や半導体素子のチップシフト、ダイパッドシフトが発生し易くなり好ましくない。
本発明に用いる無機充填材は、予め十分に混合しておくことが好ましい。また必要に応じて無機充填材をカップリング剤やエポキシ樹脂あるいはフェノール樹脂で予め被覆して用いてもよく、被覆の方法としては、溶剤を用いて混合した後に溶媒を除去する方法や直接無機充填材に添加し、混合機を用いて混合する方法等がある。
【００１６】
本発明で用いられる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基の反応を促進するものであれば特に限定しないが、例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のジアザビシクロアルケン及びその誘導体、トリブチルアミン、ベンジルジメチルアミン等のアミン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ安息香酸ボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイックアシッドボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフトイルオキシボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラナフチルオキシボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【００１７】
本発明に用いられるホスファゼン化合物は、一般式（５）で示される骨格の構造を有しエポキシ樹脂組成物の成形時の溶融粘度を低下させ、半導体素子やリードフレームとの濡れ性を向上させ、半田リフロー処理後の基材との界面の剥離、ひいてはクラックを減少させるものである。
【化１２】
2004210849.tif 000009
【００１８】
一般式（５）中のＲ１としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基等が挙げられ、更に窒素、硫黄、酸素、弗素原子等を含有する基、例えばアミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等が挙げられ、互いに同一もしくは異なっていてもよい。
一般式（５）で示される骨格を有するホスファゼン化合物には、直鎖状と環状のものがある。一般式（５）で示される骨格を有する直鎖状ホスファゼン化合物としては、一般式（６）で示されるものが好ましい。
【化１３】
2004210849.tif 000010
【００１９】
一般式（６）中のｎは３〜１０００の整数で、Ｒ２としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基等が挙げられ、更に窒素、硫黄、酸素、弗素原子等を含有する基、例えばアミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等が挙げられ、互いに同一もしくは異なっていてもよい。これらのうち、耐熱性、耐湿性の点からアリールオキシ基が好ましく、樹脂成分との相溶性やエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、２ｎ個のＲ２のうち少なくともｎ個はフェノキシ基が望ましい。
一般式（５）で示される骨格を有する環状ホスファゼン化合物としては、一般式（４）で示されるものが好ましい。
【化１４】
2004210849.tif 000011
【００２０】
一般式（４）中のｎは３〜７の整数で、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基等が挙げられ、更に窒素、硫黄、酸素、弗素原子等を含有する基、例えばアミノ基、メルカプト基、ヒドロキシ基、フルオロアルキル基等が挙げられ、互いに同一もしくは異なっていてもよい。
これらのうち、耐熱性、耐湿性の点からアリールオキシ基が好ましく、樹脂成分との相溶性やエポキシ樹脂組成物の流動性の点から、２ｎ個のＲのうち少なくともｎ個はフェノキシ基が望ましい。更に好ましい化合物としては、３量体の６員環構造のものであり、少量の他の環状化合物を含んでいてもよい。
一般式（４）で示される環状ホスファゼン化合物の具体例としては、ヘキサプロピルシクロトリホスファゼン、テトラエトキシジプロポキシシクロトリホスファゼン、ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼン、ヘキサアニリノシクロトリホスファゼン、ヘキサキス（３−メルカプトプロピル）シクロトリホスファゼン、ヘキサキス（ヘプタフルオロプロピルオキシ）シクロトリホスファゼン等が挙げられる。具体的な構造は、式（７）、式（８）で示される。
【化１５】
2004210849.tif 000012
【化１６】
2004210849.tif 000013
【００２１】
本発明に含まれる他の環状ホスファゼン化合物としては、一般式（４）で示される少なくとも１個の環状ホスファゼン化合物が２価の有機基を介して、少なくとも１個の他の環状ホスファゼン化合物と結合した構造のものが挙げられる。環状ホスファゼン化合物同士を結合する２価の有機基としては、１，６−ジオキシヘキサン等のジオール化合物の水酸基から２個の水素原子を除いた基、或いはハイドロキノン、４，４’−ビフェノール、ビスフェノールＦ等の２官能フェノール化合物の水酸基から２個の水素原子を除いた基等が好ましい。相互の環状ホスファゼン化合物は同一でも異なっていてもよい。環状ホスファゼン化合物同士を結合した構造としては、式（９）が例示されるが、これに限定されるものではない。なお、ホスファゼン化合物については、特開昭５５−２７３４４号公報、特開平１１−１８１４２９号公報等に開示されている。
【化１７】
2004210849.tif 000014
【００２２】
ホスファゼン化合物の配合量は、全エポキシ樹脂組成物中０．０５〜２．０重量％が必要である。下限値を下回ると成形時の溶融粘度の低下が少なく耐半田リフロー性が期待できず、上限値を越えると硬化性が低下し生産性が劣り、硬化物の強度も低下し、その結果として耐半田リフロー性が悪化する。
前記配合量内ならリードフレームに対し優れた密着性を示し、その結果耐半田リフロー性が向上した半導体装置を得ることができる。
【００２３】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分の他、必要に応じてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化成分、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類もしくはパラフィン等の離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合しても差し支えない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用いて常温混合し、ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形すればよい。
【００２４】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
2004210849.tif 000015
【化１８】
2004210849.tif 000016
【００２６】
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン              ０．３０重量部
カーボンブラック                                        ０．３０重量部
カルナバワックス                                        ０．３０重量部
を常温でミキサーを用いて混合し、７０〜１２０℃で２軸ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００２７】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。
硬化トルク：キュラストメータ（（株）オリエンテック・製、ＪＳＲキュラストメータＩＶＰＳ型）を用いて、金型温度１７５℃、加熱開始９０秒後のトルクを求めた。キュラストメータにおけるトルクは硬化性のパラメータであり、数値の大きい程、硬化性が良好である。単位はＮ・ｍ。
吸湿率：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒で、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍの円板を成形し、１７５℃、８時間で加熱処理し、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、重量変化を測定して吸湿率を求めた。単位は重量％。
密着性：４２合金フレーム、銅フレーム、銅フレームの表面にＡｇメッキしたもの（以下、Ａｇメッキという）、銅フレームの表面にＮｉメッキし、さらにＰｄメッキしたもの（以下、ＮｉＰｄメッキという）、銅フレームの表面にＮｉメッキし、さらにＰｄメッキし、さらにＡｕメッキしたもの（以下、ＮｉＰｄＡｕメッキという）の上に、２ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍのテストピースを、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間６０秒で成形し、ポストキュアとして１７５℃で８時間加熱処理した後、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃）を行った。自動せん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社・製、ＰＣ２４００）を用いて、エポキシ樹脂組成物の硬化物とフレームとのせん断強度を測定した。単位はＮ／ｍｍ2。
耐半田リフロー性−１：１００ピンＴＱＦＰパッケージ（パッケージサイズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップのサイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは４２合金フレーム。）を金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間９０秒で成形を行い、１７５℃で８時間の加熱処理をした。成形品パッケージを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、その後成形品パッケージを２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。使用するパッケージ数は２０個。顕微鏡でパッケージを観察し、外部クラック率［（クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。またチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／（チップ面積）×１００］を％で表示した。
耐半田リフロー性−２：１００ピンＴＱＦＰパッケージ（パッケージサイズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップのサイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは銅フレーム。）を金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間９０秒で成形を行い、１７５℃で８時間の加熱処理をした。成形品パッケージを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、その後成形品パッケージを２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。使用するパッケージ数は２０個。顕微鏡でパッケージを観察し、外部クラック率［（クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。またチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／（チップ面積）×１００］を％で表示した。
【００２８】
耐半田リフロー性−３：１００ピンＴＱＦＰパッケージ（パッケージサイズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップのサイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは銅フレームで、その表面にＮｉＰｄメッキをしている）を金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間９０秒で成形を行い、１７５℃で８時間の加熱処理をした。成形品パッケージを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、その後成形品パッケージを２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。使用するパッケージ数は２０個。顕微鏡でパッケージを観察し、外部クラック率［（クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。またチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／（チップ面積）×１００］を％で表示した。
耐半田リフロー性−４：１００ピンＴＱＦＰパッケージ（パッケージサイズは１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップのサイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは銅フレームで、その表面にＮｉＰｄＡｕメッキをしている）を金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間９０秒で成形を行い、１７５℃で８時間の加熱処理をした。成形品パッケージを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、その後成形品パッケージを２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。使用するパッケージ数は２０個。顕微鏡でパッケージを観察し、外部クラック率［（クラック発生パッケージ数）／（全パッケージ数）×１００］を％で表示した。またチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率［（剥離面積）／（チップ面積）×１００］を％で表示した。
【００２９】
実施例２〜９、比較例１〜６
表１の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。結果を表１、表２に示す。
実施例１以外で用いた原料は、以下の性状のものである。
エポキシ樹脂２：式（１０）で表されるエポキシ樹脂（軟化点６０℃、エポキシ当量２７５）
【化１９】
2004210849.tif 000017
【００３０】
フェノール樹脂２：式（１１）で表されるフェノール樹脂（軟化点６５℃、エポキシ当量２００）
【化２０】
2004210849.tif 000018
【００３１】
フェノール樹脂３：フェノールノボラック型フェノール樹脂（軟化点７４℃、水酸基当量１０６）
トリフェニルホスフィン（以下、ＴＰＰという。）
ホスファゼン化合物２：式（８）で示されるホスファゼン化合物
【化２１】
2004210849.tif 000019
【００３２】
【表１】
2004210849.tif 000020
【００３３】
【発明の効果】
本発明に従うと、良好な密着性を有するエポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置は、耐半田リフロー性に優れている。