(57)【要約】【課題】撮像の際の副走査が規則的であり、副走査の制御が容易である固体撮像装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】第１のリニアセンサ２、第２のリニアセンサ１０及びオーバーフロードレイン７を有する固体撮像装置１において、オーバーフロードレインに入射する光を第１のセンサ列に集光する第１のオンチップレンズ８と、第１のオンチップレンズと間隔が小または零であり、オーバーフロードレインに入射する光を第２のセンサ列に集光する第２のオンチップレンズ１５とを備え、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離の１／２である。【選択図】    図１
2004200974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のセンサ列、該第１のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート及び該第１の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第１の電荷転送レジスタを有する第１のリニアセンサと、
第２のセンサ列、該第２のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート及び該第２の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第２の電荷転送レジスタを有する第２のリニアセンサと、
前記第１のリニアセンサと前記第２のリニアセンサの間に配設されたオーバーフロードレインとを有する固体撮像装置において、
前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第１のセンサ列に集光する第１のオンチップレンズと、
該第１のオンチップレンズとの間隔が小または零であり、前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第２のセンサ列に集光する第２のオンチップレンズとを備え、
前記第１のオンチップレンズの光学中心と前記第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、前記第１のセンサ列及び前記第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離の１／２倍である
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
第１のセンサ列、該第１のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート及び該第１の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第１の電荷転送レジスタを有する第１のリニアセンサと、
第２のセンサ列、該第２のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート及び該第２の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第２の電荷転送レジスタを有する第２のリニアセンサと、
前記第１のリニアセンサと前記第２のリニアセンサの間に配設されたオーバーフロードレインと、
前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第１のセンサ列に集光する第１のオンチップレンズと、
該第１のオンチップレンズとの間隔が小または零であり、前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第２のセンサ列に集光する第２のオンチップレンズとを備える固体撮像装置の駆動方法であって、
前記第１のセンサ列及び前記第２のセンサ列の単位蓄積時間に、前記第１のオンチップレンズの光学中心と前記第２のオンチップレンズの光学中心との距離の２倍の距離を副走査する
固体撮像装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は固体撮像装置及びその駆動方法に関する。詳しくは、第１のリニアセンサと第２のリニアセンサの間に横型のオーバーフロードレインが配設された固体撮像装置及びその駆動方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
入力光に応じた量の信号電荷を蓄積するフォトダイオードから成る画素が一次元的に配列され、これら画素からの信号電荷をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）の電荷転送方式によって出力部側に転送する電荷転送部を有するＣＣＤリニアセンサは、コピー，ファクシミリ，ＯＣＲ，パターン認識及び各種計測など、多くの分野で使用されている。
以下、図面を用いて従来の固体撮像装置について説明する。
【０００３】
図５は従来のＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な構成図を示し、図６は従来のＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な断面図を示している。ここで示すＣＣＤ固体撮像装置１０１における第１のＣＣＤリニアセンサ１０２は、フォトダイオードから成る光電変換部（画素）１０３が直線的に多数配列されて成る第１のセンサ列１０４を有し、この第１のセンサ列の一方側には各光電変換部で光電変換された信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート１０５及びこの第１の読み出しゲートにより読み出された信号電荷を出力部側に転送する第１の電荷転送レジスタ１０６が設けられており、第１のセンサ列の他方側には第１のオーバーフローコントロールバリア１０７及びオーバーフロードレイン１０８が配設されている。
【０００４】
また、従来のＣＣＤ固体撮像装置における第２のＣＣＤリニアセンサ１０９は、上記した第１のＣＣＤリニアセンサと同様に、フォトダイオードから成る光電変換部（画素）が直線的に多数配列されて成る第２のセンサ列１１０を有し、この第２のセンサ列の一方側には各光電変換部で光電変換された信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート１１１及びこの第２の読み出しゲートにより読み出された信号電荷を出力部側に転送する第２の電荷転送レジスタ１１２が設けられており、第２のセンサ列の他方側には第２のオーバーフローコントロールバリア１１３及び上記したオーバーフロードレインが配される様に構成されている。なお、従来のＣＣＤ固体撮像装置では、第１のＣＣＤリニアセンサにおける第１のセンサ列領域及び第２のＣＣＤリニアセンサにおける第２のセンサ列領域が開口した遮光膜１１４が第１のＣＣＤリニアセンサ及び第２のＣＣＤリニアセンサの上方に配設されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
上記の様に構成された第１のＣＣＤリニアセンサでは、入力光に応じて第１のセンサ列の各光電変換部に蓄積された信号電荷は、第１の読み出しゲートを介して第１の電荷転送レジスタに読み出され、読み出された信号電荷は第１の電荷転送レジスタにより順次転送された後、第１の電荷電圧変換部１１５において信号電圧に変換され、更にはアンプ等から成る第１の出力回路１１６を経て信号出力ＯＵＴ１となる。なお、第１のオーバーフローコントロールバリアを溢れた信号電荷はオーバーフロードレインに捨てられることとなる。
【０００６】
また、上記の様に構成された第２のＣＣＤリニアセンサでは、上記した第１のＣＣＤリニアセンサと同様に、入力光に応じて第２のセンサ列の各光電変換部に蓄積された信号電荷は、第２の読み出しゲートを介して第２の電荷転送レジスタに読み出され、読み出された信号電荷は第２の電荷転送レジスタにより順次転送された後、第２の電荷電圧変換部１１７において信号電圧に変換され、更にはアンプ等から成る第２の出力回路１１８を経て信号出力ＯＵＴ２となる。なお、第２のオーバーフローコントロールバリアを溢れた信号電荷は、上記した第１のＣＣＤリニアセンサと共用のオーバーフロードレインに捨てられることとなる。
【０００７】
ここで、上記したＣＣＤ固体撮像装置では、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の間にオーバーフロードレインを配設し、オーバーフローコントロールバリアを溢れた信号電荷をオーバーフロードレインに捨てることができる様に構成されているために、センサ列のオーバーフローマージンを担保することが可能となる。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−１６２３８１号公報（第２−５頁、第１図）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置では、第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとを隣接して配設しようとしても、第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとの間にオーバーフロードレインを配設しているために第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサに少なくともオーバーフロードレインの幅に相当するギャップが生じてしまい、ＣＣＤ固体撮像装置により撮像する際に副走査の制御が複雑になるという不都合が生じる。
【００１０】
以下、第１のオーバーフローコントロールバリアの幅、第２のオーバーフローコントロールバリアの幅及びオーバーフロードレインの幅の総和が、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の幅ｄと同じであるＣＣＤ固体撮像装置によって図７中符号Ａで示す撮像領域を図７中符号Ｂで示す方向に副走査することによって撮像を行う場合を例に挙げ、図８［１］を参照して第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとを隣接して配設することができないことによる不都合を説明する。なお、図７及び図８中符号（１）〜（８）は、撮像領域を距離ｄ毎に区切った領域を表している。
【００１１】
第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとの間に距離ｄのギャップを有するＣＣＤ固体撮像装置を用いて撮像する場合には、先ず時刻ｔ１において、図８［１］中（ａ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（３）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（１）で示す領域の撮像を行う。
【００１２】
次に、ＣＣＤ固体撮像装置を距離ｄの副走査を行い、時刻ｔ２において、図８［１］中（ｂ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（４）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（２）で示す領域の撮像を行う。
【００１３】
続いて、ＣＣＤ固体撮像装置を距離３ｄの副走査を行い、時刻ｔ３において、図８［１］中（ｃ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（７）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（５）で示す領域の撮像を行う。
【００１４】
次に、ＣＣＤ固体撮像装置を距離ｄの副走査を行い、時刻ｔ４において、図８［１］中（ｄ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（８）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［１］中符号（６）で示す領域の撮像を行う。
【００１５】
上記の様な副走査を行うことにより、全ての撮像領域の撮像を行うのであるが、時刻ｔ１〜ｔ２及び時刻ｔ３〜ｔ４における副走査距離がｄであるのに対して、時刻ｔ２〜ｔ３における副走査距離は３ｄであり、第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとの間にオーバーフロードレインの存在に起因する距離のギャップが存在するために、副走査が不規則になり、副走査の制御が困難になるという不都合が生じてしまう。
【００１６】
なお、上記の説明では第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとの間のギャップが第１のセンサ列及び第２のセンサ列の幅と等しい距離ｄである場合を例に挙げて説明を行ったが、第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとのギャップが距離ｄよりも大きい場合及び距離ｄよりも小さい場合であっても、上記と同様の不都合が生じる。
また、上記の説明では各時刻において、ＣＣＤ固体撮像装置を撮像領域の所定位置で静止して撮像する場合を例に挙げて説明を行ったが、ＣＣＤ固体撮像装置が静止すること無く移動しながら撮像する場合であっても、所定位置で静止して撮像する場合と同様にＣＣＤ固体撮像装置の副走査の制御が困難になるという不都合が生じてしまう。
【００１７】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、撮像の際の副走査が規則的であり、副走査の制御が容易である固体撮像装置及びその駆動方法を提供することを目的とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、第１のセンサ列、該第１のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート及び該第１の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第１の電荷転送レジスタを有する第１のリニアセンサと、第２のセンサ列、該第２のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート及び該第２の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第２の電荷転送レジスタを有する第２のリニアセンサと、前記第１のリニアセンサと前記第２のリニアセンサの間に配設されたオーバーフロードレインとを有する固体撮像装置において、前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第１のセンサ列に集光する第１のオンチップレンズと、該第１のオンチップレンズとの間隔が小または零であり、前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第２のセンサ列に集光する第２のオンチップレンズとを備え、前記第１のオンチップレンズの光学中心と前記第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、前記第１のセンサ列及び前記第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離の１／２倍である。
【００１９】
ここで、オーバーフロードレインに入射する光を第１のセンサ列に集光する第１のオンチップレンズと間隔が小または零であり、オーバーフロードレインに入射する光を第２のセンサ列に集光する第２のオンチップレンズによって、第１のリニアセンサと第２のリニアセンサとを隣接して配設した場合と略同様に、第１のリニアセンサ及び第２のリニアセンサにより入射光を感知することができる。また、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間、即ち、先発の読み出し電圧の印加時から後発の読み出し電圧の印加時までの時間における副走査距離の１／２倍であることによって、撮像領域を過不足無く撮像することができる。
【００２０】
以下、図７で説明した撮像領域と同様の撮像領域を、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間に２ｄの距離の副走査を行って撮像する場合を例に挙げて、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離の１／２倍よりも大きな場合及び第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離の１／２倍よりも小さな場合には撮像領域を過不足無く撮像できないことを説明する。なお、図８［２］及び図８［３］中符号Ｃは第１のオンチップレンズを示し、符号Ｄは第２のオンチップレンズを示している。即ち、符号Ｃは第１のＣＣＤリニアセンサで撮像できる領域を示し、符号Ｄは第２のＣＣＤリニアセンサで撮像ができる領域を示している。
【００２１】
さて、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離２ｄの１／２倍よりも大きな場合、例えば１．５ｄである場合には、先ず時刻ｔ１において、図８［２］中（ａ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［２］中符号（２−２）で示す図８［２］中符号（２）で示す領域の半分の領域及び図８［２］中符号（３）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［２］中符号（１）で示す領域及び図８［２］中符号（２−１）で示す図８［２］中符号（２）で示す領域の半分の領域の撮像を行い、続いて、ＣＣＤ固体撮像装置を距離２ｄの副走査を行うと、時刻ｔ２において、図８［２］中（ｂ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［２］中符号（４−２）で示す図８［２］中符号（４）で示す領域の半分の領域及び図８［２］中符号（５）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［２］中符号（３）で示す領域及び図８［２］中符号（４−１）で示す図８［２］中符号（４）で示す領域の半分の領域の撮像を行うことになるのであるが、図８［２］中符号（３）で示す領域については、時刻ｔ１及び時刻ｔ２で重複して撮像することとなり不要な撮像時間を発生させるため、実際の撮像には適さない。
【００２２】
また、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離２ｄの１／２倍よりも小さな場合、例えば０．５ｄである場合には、先ず時刻ｔ１において、図８［３］中（ａ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［３］中符号（１−２）で示す図８［３］中符号（１）で示す領域の半分の領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［３］中符号（１−１）で示す図８［３］中符号（１）で示す領域の半分の領域の撮像を行い、続いて、ＣＣＤ固体撮像装置を距離２ｄの副走査を行うと、時刻ｔ２において、図８［３］中（ｂ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図８［３］中符号（３−２）で示す図８［３］中符号（３）で示す領域の半分の領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図８［３］中符号（３−１）で示す図８［３］中符号（３）で示す領域の半分の領域の撮像を行うことになるのであるが、図８［３］中符号（２）で示す領域については、時刻ｔ１及び時刻ｔ２のいずれにおいても撮像しないこととなってしまう。
【００２３】
即ち、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離２ｄの１／２倍よりも大きな場合及び第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離２ｄの１／２倍よりも小さな場合にはいずれも撮像領域を過不足無く撮像できない。なお、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離が第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間における副走査距離２ｄの１／２倍である場合における固体撮像装置の具体的な駆動方法、即ち、撮像領域を過不足無く撮像する場合については以下で説明を行う。
【００２４】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置の駆動方法は、第１のセンサ列、該第１のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート及び該第１の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第１の電荷転送レジスタを有する第１のリニアセンサと、第２のセンサ列、該第２のセンサ列で光電変換された信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート及び該第２の読み出しゲートを介して読み出された信号電荷を転送する第２の電荷転送レジスタを有する第２のリニアセンサと、
前記第１のリニアセンサと前記第２のリニアセンサの間に配設されたオーバーフロードレインと、前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第１のセンサ列に集光する第１のオンチップレンズと、該第１のオンチップレンズとの間隔が小または零であり、前記オーバーフロードレインに入射する光を前記第２のセンサ列に集光する第２のオンチップレンズとを備える固体撮像装置の駆動方法であって、前記第１のセンサ列及び前記第２のセンサ列の単位蓄積時間に、前記第１のオンチップレンズの光学中心と前記第２のオンチップレンズの光学中心との距離の２倍の距離を副走査する。
【００２５】
ここで、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間に、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離の２倍の距離を副走査することによって、撮像領域を過不足無く撮像することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００２７】
図１は本発明を適用した固体撮像装置の一例を説明するための模式的な断面図であり、ここで示すＣＣＤ固体撮像装置１における第１のＣＣＤリニアセンサ２は、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置における第１のＣＣＤリニアセンサと同様に、フォトダイオードから成る光電変換部（画素）が直線的に多数配列されて成る第１のセンサ列３を有し、この第１のセンサ列の一方側には各光電変換部で光電変換された信号電荷を読み出す第１の読み出しゲート４及びこの第１の読み出しゲートにより読み出された信号電荷を出力部側に転送する第１の電荷転送レジスタ５が設けられており、第１のセンサ列の他方側には第１のオーバーフローコントロールバリア６及びオーバーフロードレイン７が配設されている。
更に、第１のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第１のセンサ列に集光する第１のオンチップレンズ８が第１のセンサ列の上方に配設されている。
【００２８】
ここで、図１中符号ａで示す第１のオンチップレンズの幅は第１のセンサ列の幅と同一となる様に形成されており、図１中符号ｂで示す第１のオンチップレンズにより集光された光が入射する領域以外の領域は、アルミニウム膜９により遮光がなされている。
即ち、第１のオンチップレンズの幅が第１のセンサ列の幅と同一であると共に、第１のセンサ列のうち第１のオンチップレンズにより集光された光が入射する領域以外の領域について遮光がなされる様に構成されることにより、第１のセンサ列が第１のオンチップレンズが設けられた位置で入射光を感知した場合と同様の出力を第１のＣＣＤリニアセンサから得ることができる。
【００２９】
また、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の一例における第２のＣＣＤリニアセンサ１０は、上記した第１のＣＣＤリニアセンサと同様に、フォトダイオードから成る光電変換部（画素）が直線的に多数配列されて成る第２のセンサ列１１を有し、この第２のセンサ列の一方側には各光電変換部で光電変換された信号電荷を読み出す第２の読み出しゲート１２及びこの第２の読み出しゲートにより読み出された信号電荷を出力部側に転送する第２の電荷転送レジスタ１３が設けられており、第２のセンサ列の他方側には第２のオーバーフローコントロールバリア１４及び上記したオーバーフロードレインが配される様に構成されている。即ち、オーバーフロードレインを挟んで第１のＣＣＤリニアセンサと第２のＣＣＤリニアセンサとが線対称となる様に構成されている。
更に、第２のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第２のセンサ列に集光する第２のオンチップレンズ１５が第２のセンサ列の上方であり、上記した第１のオンチップレンズとの間隔が小または零となる様に配設されている。
【００３０】
ここで、上記した第１のオンチップレンズと同様に、図１中符号ｃで示す第２のオンチップレンズの幅は第２のセンサ列の幅と同一となる様に形成されており、図１中符号ｄで示す第２のオンチップレンズにより集光された光が入射する領域以外の領域は、アルミニウム膜により遮光がなされている。
即ち、第２のオンチップレンズの幅が第２のセンサ列の幅と同一であると共に、第２のセンサ列のうち第２のオンチップレンズにより集光された光が入射する領域以外の領域について遮光がなされる様に構成されたことにより、第２のセンサ列が第２のオンチップレンズが設けられた位置で入射光を感知した場合と同様の出力を第２のＣＣＤリニアセンサから得ることができる。
また、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の一例では、第１のセンサ列の幅と第２のセンサ列の幅とは同一となるように形成されているために、第１のオンチップレンズの幅と第２のオンチップレンズの幅は同一である。
【００３１】
なお、第１のオンチップレンズは第１のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第１のセンサ列に集光することができれば充分であって、第１のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第１のセンサ列に集光することができるのであれば、第１のオンチップレンズはいかなる形状であっても良く、図２（ａ）で示す様に、画素毎に凸部が形成された形状であっても良いし、図２（ｂ）で示す様に、第１のセンサ列全体として凸部が形成された形状であっても良い。
同様に、第２のオンチップレンズは第２のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第２のセンサ列に集光することができれば充分であって、第２のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第２のセンサ列に集光することができるのであれば、第２のオンチップレンズはいかなる形状であっても良く、画素毎に凸部が形成された形状であっても良いし、第２のセンサ列全体として凸部が形成された形状であっても良い。
【００３２】
また、上記した様に、第１のオンチップレンズは第１のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第１のセンサ列に集光することができれば充分であって、必ずしも第１のオンチップレンズの幅が第１のセンサ列の幅と同一となる様に形成される必要は無い。なお、ＣＣＤ固体撮像装置の縮小化の観点からは、図３で示す様に、第１のセンサ列の幅が第１のオンチップレンズにより集光された光が入射する領域の幅と同一となる様な構成とした方が好ましい。
同様に、第２のオンチップレンズは第２のオーバーフローコントロールバリア及びオーバーフロードレインに入射する光を第２のセンサ列に集光することができれば充分であって、必ずしも第２のオンチップレンズの幅が第２のセンサ列の幅と同一となる様に形成される必要は無い。なお、ＣＣＤ固体撮像装置の縮小化の観点からは、第１のセンサ列の場合と同様に、第２のセンサ列の幅が第２のオンチップレンズにより集光された光が入射する領域の幅と同一となる様な構成とした方が好ましい。
【００３３】
上記の様に構成された第１のＣＣＤリニアセンサでは、第１のオンチップレンズで集光され、第１のセンサ列に入射した入力光に応じて第１のセンサ列の各光電変換部に蓄積された信号電荷は、第１の読み出しゲートを介して第１の電荷転送レジスタにより順次転送される。なお、第１のオーバーフローコントロールバリアを溢れた信号電荷は、上記した従来のＣＣＤ固体撮像装置におけるＣＣＤリニアセンサと同様に、オーバーフロードレインに捨てられることとなる。
【００３４】
また、上記の様に構成された第２のＣＣＤリニアセンサでは、上記した第１のＣＣＤリニアセンサと同様に、第２のオンチップレンズで集光され、第２のセンサ列に入射した入力光に応じて第２のセンサ列の各光電変換部に蓄積された信号電荷は、第２の読み出しゲートを介して第２の電荷転送レジスタにより順次転送される。なお、第２のオーバーフローコントロールバリアを溢れた信号電荷は、上記した第１のＣＣＤリニアセンサと共用のオーバーフロードレインに捨てられることとなる。
【００３５】
以下、上記の様に構成された第１のＣＣＤリニアセンサ及び第２のＣＣＤリニアセンサを備えるＣＣＤ固体撮像装置の駆動方法について説明する。即ち、本発明を適用した固体撮像装置の駆動方法の一例を、第１のオンチップレンズの幅及び第２のオンチップレンズの幅がｄであり、第１のセンサ列及び第２のセンサ列の単位蓄積時間に、第１のオンチップレンズの光学中心と第２のオンチップレンズの光学中心との距離ｄの２倍の距離である２ｄの副走査を行い、図４中符号ｅで示す撮像領域を撮像するＣＣＤ固体撮像装置の駆動方法を例に挙げて説明する。なお、図４中符号（１）〜（８）は、撮像領域を距離ｄ毎に区切った領域を表している。また、図４中符号ｆは第１のオンチップレンズを示し、符号ｇは第２のオンチップレンズを示している。即ち、符号ｆは第１のＣＣＤリニアセンサで撮像できる領域を示し、符号ｇは第２のＣＣＤリニアセンサで撮像できる領域を示している。
【００３６】
本発明を適用した固体撮像装置の駆動方法の一例では、先ず時刻ｔ１において、図４（ａ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（２）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（１）で示す領域の撮像を行う。
【００３７】
次に、ＣＣＤ固体撮像装置を距離２ｄの副走査を行い、時刻ｔ２において、図４（ｂ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（４）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（３）で示す領域の撮像を行う。
【００３８】
続いて、ＣＣＤ固体撮像装置を距離２ｄの副走査を行い、時刻ｔ３において、図４（ｃ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（６）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（５）で示す領域の撮像を行う。
【００３９】
次に、ＣＣＤ固体撮像装置を距離２ｄの副走査を行い、時刻ｔ４において、図４（ｄ）で示す様に、第１のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（８）で示す領域、第２のＣＣＤリニアセンサにより図４中符号（７）で示す領域の撮像を行う。
【００４０】
上記した様に、本発明を適用した固体撮像装置の一例では、第１のセンサ列と第２のセンサ列との間にオーバーフロードレインが配設されていることにより、オーバーフローコントロールバリアを溢れた信号電荷をオーバーフロードレインに捨てることができ、センサ列のオーバーフローマージンを担保することができると共に、時刻ｔ１〜ｔ２、時刻ｔ２〜ｔ３及び時刻ｔ３〜ｔ４のいずれの場合も規則的に距離２ｄの副走査を行うことによって全ての撮像領域を過不足無く撮像することができ、副走査の制御が容易である。
【００４１】
なお、上記の説明では各時刻において、ＣＣＤ固体撮像装置を撮像領域の所定位置で静止して撮像する場合を例に挙げて説明を行ったが、ＣＣＤ固体撮像装置が静止すること無く移動しながら撮像する場合であっても、所定位置で静止して撮像する場合と同様に規則的にＣＣＤ固体撮像装置の副走査を行うことによって全ての撮像領域を過不足無く撮像することができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上述べてきた如く、本発明の固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法によれば、撮像の際の副走査が規則的であり、副走査の制御が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図２】オンチップレンズの形状を説明するための斜視図である。
【図３】本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の他の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図４】本発明を適用した固体撮像装置の駆動方法の一例を説明するための模式的な図である。
【図５】従来のＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な構成図である。
【図６】従来のＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式的な断面図である。
【図７】撮像工程を説明するための斜視図である。
【図８】撮像工程を説明するための模式的な図である。
【符号の説明】
１    ＣＣＤ固体撮像装置
２    ＣＣＤリニアセンサ
３    第１のセンサ列
４    第１の読み出しゲート
５    第１の電荷転送レジスタ
６    第１のオーバーフローコントロールバリア
７    オーバーフロードレイン
８    第１のオンチップレンズ
９    アルミニウム膜
１０    第２のＣＣＤリニアセンサ
１１    第２のセンサ列
１２    第２の読み出しゲート
１３    第２の電荷転送レジスタ
１４    第２のオーバーフローコントロールバリア
１５    第２のオンチップレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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