(57)【要約】【課題】フォトマスクの位置決めを容易にする。【解決手段】フォトマスクのマスク本体３６に第二のパターン４１を設け、支持基板上のフォトレジスト層４９に第一のパターン５０を設ける。第二のパターン４１及び第一のパターン５０を、それぞれ同形状のマーク４２、５１を等ピッチで配列した構成とし、これらマーク４２、５１のうちそれぞれ一つを基準マークＳ、Ｓｂとする。第二のパターン４１の各マーク４２と第一のパターン５０の各マーク５１とで、同一の配列方向におけるピッチを変える。第二のパターン４１の基準マークＳを第一のパターン５０の基準マークＳｂに対して位置決めし、基準マークＳに対してずれの生じている方向において位置の一致するマーク４２、５１と基準マークＳとの位置関係から得られる第一のパターン５０と第二のパターン４１とのずれ方向及びそのずれ量の情報に基づいて位置決めを行う。【選択図】　図１１
2004070167.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられるフォトレジストにフォトマスクを施すフォトマスク設置工程と、前記フォトマスクが施された状態で前記フォトレジストを露光する露光工程とを有するフォトレジストの露光方法であって、
前記基板またはフォトレジストに、同形状のマークを等ピッチで配列して該マークのうちの一つを基準マークとする第一のパターンを設け、
前記フォトマスクに、同形状のマークを前記第一のパターンと同じ配列方向に沿って該第一のパターンとは異なるピッチで配列してそのうちの一つを基準マークとする第二のパターンを設け、
前記フォトマスク設置工程は、前記第二のパターンの基準マークを前記第一のパターンの基準マークに対して位置決めする位置決め工程を有し、
該位置決め工程は、前記第二のパターンのマークのうち前記第一のパターンに位置が一致するマークと前記基準マークとの位置関係から、前記フォトマスクの位置調整を行うことを特徴とするフォトレジストの露光方法。
【請求項２】
基板上に設けられるフォトレジストにフォトマスクを施すフォトマスク設置工程と、前記フォトマスクが施された状態で前記フォトレジストを露光する露光工程とを有するフォトレジストの露光方法であって、
前記フォトマスクは、マスク本体を複数の区画に区分し、各区画には、それぞれ非遮光部を、少なくともその一部において、所定ピッチをなしかつ各区画間で１または複数ピッチ分互いに位置をずらせて設けて、複数の区画を順次前記フォトレジストに施して露光を行うことで該フォトレジストに複数区画の各非遮光部に対応して交互に配列されたレジストパターンを形成する構成とし、
前記マスク本体に、前記各区画のそれぞれの露光時における位置決めに用いられる第二のパターンを複数設け、これら第二のパターンを、同形状のマークを同じ配列方向に沿って各第二のパターンごとに異なるピッチで設けて該マークのうちの一つを基準マークとする構成とし、
前記露光工程を経た後に前記フォトマスクを移動させて前記各区画を前記フォトレジストの異なる位置に対向させるフォトマスク移動工程と、
前記露光工程において前記基準マークを含む前記第二のパターンの各マークを用いて前記フォトレジストに形成されるレジストパターンを第一のパターンとし、前記第二のパターンの基準マークを前記第一のパターンの基準マークに対して位置決めして、前記第二のパターンのマークのうち前記第一のパターンに位置が一致するマークと前記基準マークとの位置関係から、前記フォトマスクの位置調整を行う位置決め工程と、
前記フォトレジストを露光する再露光工程とを有し、
以降は前記レジストパターンが完成するまで、前記フォトマスク移動工程、前記位置決め工程、前記再露光工程を順次繰り返すことを特徴とするフォトレジストの露光方法。
【請求項３】
フォトレジストの露光に用いられるフォトマスクであって、
マスク本体は複数の区画に区分され、
各区画には、それぞれ非遮光部が、少なくともその一部において、所定ピッチをなしかつ各区画間で１または複数ピッチ分互いに位置をずらせて設けられて、複数の区画を順次前記フォトレジストに施して露光を行うことで該フォトレジストに複数区画の各非遮光部に対応して交互に配列されたレジストパターンが形成される構成とされ、
前記マスク本体には、前記各区画のそれぞれの露光時における位置決めに用いられる第二のパターンが複数設けられ、
これら第二のパターンは、同形状のマークが同じ配列方向に沿って各第二のパターンごとに異なるピッチで設けられて該マークのうちの一つが基準マークとされる構成とされ、
前記各区画の少なくとも一部と、これら一部の区画の位置決めに用いられる第二のパターンとは、それぞれ前記マスク本体に点対称にして配置されていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項４】
前記レジストパターンのうち隣接するレジストパターンに対して前記フォトレジストの露光限界以下の配列ピッチで隣接する部位の露光に用いられる非遮光部が、それぞれ異なる区画に設けられていることを特徴とする請求項３記載のフォトマスク。
【請求項５】
フィルム上に形成されたパターン配線の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、
基板上にマスクを施すマスキング工程と、前記基板上においてマスクされていない部分に、前記パターン配線に供される金属層をめっき処理により形成するめっき処理工程と、前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、前記フィルムと前記金属層とからなる部分と、前記基板とを分離する分離工程とを有し、
前記マスキング工程が、前記基板上にフォトレジストを形成するフォトレジスト形成工程と、
該フォトレジストを請求項１または２に記載のフォトレジストの露光方法を用いて露光して、このフォトレジストに非定着部と定着部とを形成するパターン形成工程と、
前記基板上から前記フォトマスク及び前記非定着部を除去する除去工程とを有し、
前記めっき処理工程では、前記金属層を、前記基板上において前記非定着部が除去された領域にめっき処理により形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項６】
フィルム上に形成されたパターン配線の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブであって、
請求項５記載のコンタクトプローブの製造方法によって製造されたことを特徴とするコンタクトプローブ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトレジストの露光方法、これに用いるフォトマスク、コンタクトプローブの製造方法、及びコンタクトプローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンタクトプローブ１は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップやＬＣＤ（液晶表示体）等の回路の電気的テストに用いられるものであって、例えば図１３に示すようにＮｉ（ニッケル）基合金等からなる複数本のパターン配線２の上に接着剤層を介してフィルム３が被着され、パターン配線２の先端部はコンタクトピン２ａとされている。またフィルムの幅広の基部１ｂには窓部４が形成され、この窓部４にはパターン配線２の引き出し配線部５が設けられている。なお、フィルム３はポリイミド等の樹脂フィルム層からなり、或いはポリイミド等の樹脂フィルム層に銅箔等の金属フィルム層がグラウンドとして積層されたもの等でもよい。
【０００３】
このようなコンタクトプローブ１は、メカニカルパーツに組み込まれてプローブ装置とされ、コンタクトピン２ａを半導体ＩＣチップやＬＣＤ等のパッドやバンプ等の微細な電極端子に接触させることにより、上記パターン配線２を介してこの半導体チップ等の電気的テストが行われる。
【０００４】
上述のコンタクトプローブ１の各パターン配線２等の微細なパターン配線は、マスク露光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって製作されている。
すなわち、基板上にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層上に所望の形状のパターンを有するフォトマスクを施した状態でフォトレジスト層を露光して、フォトレジスト層に、製作するパターン配線と同じパターンをなす非定着部とこの非定着部以外の領域からなる定着部とを形成する。ここで、非定着部とは、フォトレジスト層において現像した際に除去される部分を指し、定着部とは、現像した後に残存する部分を指している。
そして、基板上からフォトマスクを除去し、フォトレジスト層を現像して非定着部を除去した後に、基板上において非定着部が除去された領域に金属層をめっき処理により形成して、所望の形状の金属パターン、すなわちパターン配線を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来は、基板に設けられる目印に対してフォトマスクに設けられる目印を位置決めすることによってこれらの位置決めを行っており、基板に対するフォトマスクの位置ずれは、例えば基板に設けられた配線用のスルーホール等の目印となるものに対するフォトマスクの非遮光部の位置関係を観察することで確認していたので、位置ずれが生じていることはわかるものの、そのずれ量を知ることはできず、位置調整に時間がかかっていた。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、フォトマスクの位置決めを容易に行うことができるフォトレジストの露光方法及びこれに用いるフォトマスク、コンタクトプローブの製造方法、及びコンタクトプローブを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるフォトレジストの露光方法は、基板上に設けられるフォトレジストにフォトマスクを施すフォトマスク設置工程と、前記フォトマスクが施された状態で前記フォトレジストを露光する露光工程とを有するフォトレジストの露光方法であって、前記基板またはフォトレジストに、同形状のマークを等ピッチで配列して該マークのうちの一つを基準マークとする第一のパターンを設け、前記フォトマスクに、同形状のマークを前記第一のパターンと同じ配列方向に沿って該第一のパターンとは異なるピッチで配列してそのうちの一つを基準マークとする第二のパターンを設け、前記フォトマスク設置工程は、前記第二のパターンの基準マークを前記第一のパターンの基準マークに対して位置決めする位置決め工程を有し、該位置決め工程は、前記第二のパターンのマークのうち前記第一のパターンに位置が一致するマークと前記基準マークとの位置関係から、前記フォトマスクの位置調整を行うことを特徴としている。
【０００８】
このフォトレジストの露光方法においては、フォトマスクは、その第二のパターンの基準マークを、基板自体、または基板上に設けられるフォトレジストに設置される第一のパターンの基準マークに対して位置決めした状態にして、フォトレジスト上に施される。
第一のパターンのマーク及び第二のパターンのマークはそれぞれ等ピッチで設けられており、かつ第一のパターンのマークと第二のパターンのマークとでは、同一の配列方向におけるピッチが異なっているので、第一のパターンと第二のパターンとを重ね合わせると、第一のパターンのマークと第二のパターンのマークとは、同一の配列方向において一部のマークのみ位置が一致する。
【０００９】
そして、第一のパターンと第二のパターンとの位置決めが正しく行われていない場合には、位置決めが正しく行われている場合に一致するマークではなく、基準マークに対してずれの生じている方向に配列される他のマークの位置が一致する。ここで、これら位置の一致するマークは、第一のパターンと第二のパターンとのずれ量によって異なる。
そして、基準マーク同士の位置ずれが生じている場合には、第二のパターンのマークのうち第一のパターンに位置が一致するマークと基準マークとの位置関係から、基準マーク同士のずれ方向及びそのずれ量の情報を得て、この情報に基づいてフォトマスクの位置の微調整を行う。
【００１０】
ここで、基板に第一のパターンを設ける代わりに、予め第一のパターンの設けられた基板を用いてもよい。また、フォトレジストに第一のパターンを設ける場合には、フォトレジストに印刷等によって第一のパターンを設けるほか、フォトレジストに第一のパターンとなるレジストパターンを形成してもよい。
また、第一のパターンのパターン及び第二のパターンのマークは、一方向にのみ配列してもよく、二次元的に配列してもよい。
【００１１】
本発明にかかるフォトレジストの露光方法は、基板上に設けられるフォトレジストにフォトマスクを施すフォトマスク設置工程と、前記フォトマスクが施された状態で前記フォトレジストを露光する露光工程とを有するフォトレジストの露光方法であって、前記フォトマスクは、マスク本体を複数の区画に区分し、各区画には、それぞれ非遮光部を、少なくともその一部において、所定ピッチをなしかつ各区画間で１または複数ピッチ分互いに位置をずらせて設けて、複数の区画を順次前記フォトレジストに施して露光を行うことで該フォトレジストに複数区画の各非遮光部に対応して交互に配列されたレジストパターンを形成する構成とし、前記マスク本体に、前記各区画のそれぞれの露光時における位置決めに用いられる第二のパターンを複数設け、これら第二のパターンを、同形状のマークを同じ配列方向に沿って各第二のパターンごとに異なるピッチで設けて該マークのうちの一つを基準マークとする構成とし、前記露光工程を経た後に前記フォトマスクを移動させて前記各区画を前記フォトレジストの異なる位置に対向させるフォトマスク移動工程と、前記露光工程において前記基準マークを含む前記第二のパターンの各マークを用いて前記フォトレジストに形成されるレジストパターンを第一のパターンとし、前記第二のパターンの基準マークを前記第一のパターンの基準マークに対して位置決めして、前記第二のパターンのマークのうち前記第一のパターンに位置が一致するマークと前記基準マークとの位置関係から、前記フォトマスクの位置調整を行う位置決め工程と、前記フォトレジストを露光する再露光工程とを有し、以降は前記レジストパターンが完成するまで、前記フォトマスク移動工程、前記位置決め工程、前記再露光工程を順次繰り返すことを特徴としている。
【００１２】
本発明にかかるフォトマスクは、フォトレジストの露光に用いられるフォトマスクであって、マスク本体は複数の区画に区分され、各区画には、それぞれ非遮光部が、少なくともその一部において、所定ピッチをなしかつ各区画間で１または複数ピッチ分互いに位置をずらせて設けられて、複数の区画を順次前記フォトレジストに施して露光を行うことで該フォトレジストに複数区画の各非遮光部に対応して交互に配列されたレジストパターンが形成される構成とされ、前記マスク本体には、前記各区画のそれぞれの露光時における位置決めに用いられる第二のパターンが複数設けられ、これら第二のパターンは、同形状のマークが同じ配列方向に沿って各第二のパターンごとに異なるピッチで設けられて該マークのうちの一つが基準マークとされる構成とされ、前記各区画の少なくとも一部と、これら一部の区画の位置決めに用いられる第二のパターンとは、それぞれ前記マスク本体に点対称にして配置されていることを特徴としている。
【００１３】
ここで、近年、半導体素子の微細化・高集積化が進められており、これに対応するために、コンタクトプローブのコンタクトピン等のパターン配線も狭ピッチ化が求められている。すなわち、パターン配線の製造段階において用いるフォトレジストのレジストパターンを微細化する必要がある。
従来のフォトレジストの露光方法は、フォトマスクとして、形成すべき全レジストパターンの形成に用いられる非遮光部が、一つのマスク本体上に形成すべきレジストパターンの配置と同じ配置にして設けられたフォトマスクを用いて、一度の露光で全てのレジストパターンを同時に形成していた。
【００１４】
しかし、フォトレジストの露光の際にフォトマスクの各非遮光部を通過した露光光は、回折や散乱によってフォトマスクの裏側に回りこむので、非遮光部のピッチをフォトレジストの解像限界以下まで狭めてしまうと、隣接する遮光部間でこれら非遮光部からの回折光や散乱光が互いに干渉して強め合ったり定在波が生じるなどしてしまい、露光光のコントラストが低下して形成されるレジストパターンの形状精度が低下し、また本来露光されるべきでない領域でフォトレジストを露光させてしまう。
ここで、フォトレジストの解像限界は、露光に用いる露光光学系の特性（例えば露光光の波長等）とフォトレジストの特性によって定まる。
このように、マスク本体における非遮光部のピッチには下限があるので、従来はレジストパターンの微細化には限界があった。
【００１５】
これに対して、本発明にかかるフォトレジストの露光方法で用いるフォトマスクは、マスク本体が複数区画に区分され、各区画には、それぞれ非遮光部が、少なくともその一部において、所定ピッチをなしかつ各区画で１または複数ピッチ分互いに位置をずらせて設けられている。これら区画は、仮想的に重ね合わせてみると、各区画の各非遮光部が、遮光部を介して交互に配列するパターンを形成するようになっている。
なお、各区画において非遮光部を所定ピッチで配列することによって非遮光部間の遮光部も所定ピッチで１または複数ピッチ分互いに位置をずらせて配列されていることになる。
【００１６】
そして、各区画を順次フォトレジストに施して露光した後にフォトレジストを現像すると、各区画の各非遮光部（及び各遮光部）を交互に配列した状態のレジストパターンが形成される。なお、フォトレジストがネガ型であればレジストパターンとしてフォトマスクの遮光部に対向する位置に開口部が形成され、ポジ型であればフォトマスクの非遮光部に対向する位置に開口部が形成されることになる。
【００１７】
このように、これらレジストパターンのうちの少なくとも一部は、隣接するレジストパターンの形成に用いた区画とは異なる区画を用いて露光を行うことによって形成される。これにより、各区画における非遮光部のピッチを前記露光光の干渉が生じないピッチとしつつ、レジストパターンのピッチは各区画のそれぞれの非遮光部のピッチより小さくでき、レジストパターンの微細化を促進できる。ここで、全非遮光部をより多くの区画に分割して設けることで、得られるレジストパターンのピッチを変えることなく、各区画における非遮光部のピッチをより広くすることができる。
【００１８】
また、本発明にかかるフォトマスクでは、各区画のうちの少なくとも一部が、マスク本体に対して点対称にして設けられているので、点対称にして配置される区画を用いて露光を行った後は、マスク本体を対称中心回りに回転させることで、他の点対称にして配置される区画を、フォトレジスト上の目的の位置に対向させることができる。また、このフォトマスクのフォトレジストに対する位置決めは、基板上に形成されたフォトレジストに初回の露光で第二のパターンを用いて形成されたパターンを第一のパターンとして、請求項１記載のフォトレジストの露光方法と同様に、この第一のパターンに対して、露光に用いる区画に対応する第二のパターンを位置決めすることによって行われる。
【００１９】
ここで、本発明にかかるフォトマスクは、一つのレジストパターンの一部の露光に用いられる複数の非遮光部がそれぞれ異なる区画に設けられて、これら区画を順次前記フォトレジストに施して露光を行うことで、前記一つのレジストパターンが形成される構成としてもよい。
また、隣接するレジストパターンの露光に用いられる非遮光部の全てがそれぞれ異なる区画に設けられた構成とする必要はなく、隣接するレジストパターンに対して前記フォトレジストの露光限界以下のピッチで隣接する部位の露光に用いられる非遮光部が、それぞれ異なる区画に設けられる構成とされていれば、他の隣接するレジストパターンの露光に用いられる非遮光部は同一の区画に設けてもよい。
【００２０】
本発明にかかるコンタクトプローブの製造方法は、フィルム上に形成されたパターン配線の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、基板上にマスクを施すマスキング工程と、前記基板上においてマスクされていない部分に、前記パターン配線に供される金属層をめっき処理により形成するめっき処理工程と、前記マスクを取り除いた金属層の上に前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、前記フィルムと前記金属層とからなる部分と、前記基板とを分離する分離工程とを有し、前記マスキング工程が、前記基板上にフォトレジストを形成するフォトレジスト形成工程と、該フォトレジストを請求項１または２に記載のフォトレジストの露光方法を用いて露光して、このフォトレジストに非定着部と定着部とを形成するパターン形成工程と、前記基板上から前記フォトマスク及び前記非定着部を除去する除去工程とを有し、前記めっき処理工程では、前記金属層を、前記基板上において前記非定着部が除去された領域にめっき処理により形成することを特徴としている。
【００２１】
このようなコンタクトプローブの製造方法によって製造されるコンタクトプローブは、そのパターン配線が請求項１または２に記載のフォトレジストの露光方法を用いて製造されるので、パターン配線の形状精度が高い。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図１から図１２を用いて説明する。
図１は、本実施形態にかかるコンタクトプローブを示す斜視図、図２は本実施形態にかかるコンタクトプローブを用いるプローブ装置の分解斜視図、図３は図２に示すプローブ装置の要部縦断面図、図４から図７は、本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程で用いる露光装置の構成を示す図、図８から図１２は、それぞれ本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程を示す図である。
【００２３】
本実施の形態のコンタクトプローブ１１は、図１３に示すコンタクトプローブ１とほぼ同一構成とされ、図１に示すように、ＮｉやＮｉ基合金等の金属で形成されるパターン配線１２を、ポリイミド等のフィルム１３の片面に被着した構造となっている。パターン配線１２の先端部は、フィルム１３の先端部まで設けられている。
【００２４】
フィルム１３は、Ｎｉ基合金層等の金属層からなる複数本のパターン配線１２の上に図示しない接着剤層を介して被着され、パターン配線１２の先端部はコンタクトピン１２ａとされている。ここで、コンタクトピン１２ａは、フィルム１３から突出させてもよい。そして、フィルム１３の幅広の基部には窓部１４が形成され、この窓部１４にはパターン配線１２の引き出し配線部１５が設けられている。
ここで、フィルム１３は、パターン配線１２が被着されたポリイミド等の樹脂フィルム層１６にＣｕ、Ｎｉ、Ｎｉ基合金等の金属フィルム層１７がグラウンドとして積層されて構成されているが、樹脂フィルム層１６だけで構成されていてもよい。
【００２５】
コンタクトピン１２ａは、その長手方向に直交する断面が例えば略四角形状とされ、その先端部はフィルム１３に被着される上面と、上面に対向する下面と、上下面間に設けられた側面とで構成されている。
【００２６】
このコンタクトプローブ１１は、図２及び図３に示すようにマウンティングベースやトップクランプやボトムクランプ等のメカニカルパーツ２７に組み込まれてプローブ装置２８とされる。
すなわち、図２及び図３に示すプローブ装置２８において、円盤形状をなし中央窓部２０ａを有するプリント基板２０の上に、例えばトップクランプ２１を取り付け、またコンタクトプローブ１１の先端側を両面テープ等でその下面に取り付けたマウンティングベース２２を、トップクランプ２１にボルト等で固定する。そしてボトムクランプ２４でコンタクトプローブ１１の基部１１ｂを押さえつける。その際、プリント基板２０とコンタクトプローブ１１の基部１１ｂは位置決めピンによって相互の位置決めがなされる。
【００２７】
これによって、コンタクトプローブ１１がマウンティングベース２２の下面でコンタクトピン１２ａを下方に向けた傾斜状態に保持され、コンタクトプローブ１１の基部１１ｂにおいてパターン配線１２の引き出し配線部１５がボトムクランプ２４の弾性体２５で窓部１４を通してプリント基板２０の下面の電極２９に押し付けられて接触状態に保持されることになる。
この状態で、コンタクトピン１２ａを半導体ＩＣチップやＬＣＤ等のパッドやバンプ等の微細な電極端子（図３ではＩＣチップ３０のパッド３０ａ）に接触させることにより、上記パターン配線１２及びプリント基板２０の配線を介してこの半導体チップ等の電気的テストが行われる。
【００２８】
次に、このように構成されるコンタクトプローブ１１の製造方法について工程順に説明する。このコンタクトプローブ１１のパターン配線１２は、従来のコンタクトプローブ１のパターン配線２と同様に、フォトリソ・めっき法によって支持基板の上にめっきを施すことで形成されるものである。
【００２９】
まず、このコンタクトプローブの製造工程のうち、前記フォトリソ・めっき法に用いる露光装置の構成について、図４から図７を用いて説明する。
この露光装置３１は、図４の概略図に示すように光源装置３２と露光ユニット３３とを有している。
光源装置３２は、例えば高圧水銀ランプを光源として波長が例えば３６５ｎｍのｉ線を露光光として用いるものであり、この露光光を露光ユニット３３を通じて後述するフォトレジスト層に照射することによって露光が行われる。ここで、露光光としては、上記ｉ線のような紫外線の他にも、Ｘ線や可視光等、従来フォトレジスト層の露光に使用されている電磁波を用いてもよい。
【００３０】
露光ユニット３３は、フォトリソ・めっき法においてフォトレジストの露光に用いられるフォトマスク３４と、このフォトマスク３４を駆動するマスク駆動装置（図示せず）とを有している。マスク駆動装置は、フォトマスク３４を露光光の入射方向に直交する平面内で回転させるものである。ここで、マスク駆動装置は、フォトマスク３４を前記平面内で平行移動させる構成を有していてもよい。
【００３１】
フォトマスク３４は、図５の概略図に示すように、そのマスク本体３６が複数の区画Ｄに区分され、各区画Ｄには、それぞれ非遮光部３７及び遮光部３８が設けられている。本実施の形態では、フォトマスク３４を、二点鎖線で示すように仮想的に区分している。
各区画Ｄの少なくとも一部は、マスク本体３６において点対称にして配置されており、マスク本体３６を、露光光の入射方向に対して直交する平面上で、点対称にして設けられる区画の対称中心Ｃ回りに所定角度回転させることで（対称中心Ｃを通る露光光の入射方向に平行な軸回りに回転させることで）、これら点対称にして設けられる区画の位置を入れ替えることができる。
【００３２】
本実施の形態では、図５に示すように、マスク本体３６は略長方形板状とされ、マスク本体３６には、長辺３６ａ、３６ｂに沿って３列、短辺３６ｃ、３６ｄに沿って２列にして、計６つの区画が設けられている。
ここで、これら区画Ｄのうち、マスク本体３６の一長辺３６ａに沿って設けられる区画を、一短辺３６ｃ側から他短辺３６ｄ側に向けて順に、第一区画Ｄ１、第二区画Ｄ２、第三区画Ｄ３とし、他方の長辺３６ｂに沿って設けられる区画を、前記一短辺３６ｃ側から前記他短辺３６ｄ側に向けて順に、第四区画Ｄ４、第五区画Ｄ５、第六区画Ｄ６とする。
【００３３】
これら区画のうち、第一区画Ｄ１と第六区画Ｄ６、第二区画Ｄ２と第五区画Ｄ５、第三区画Ｄ３と第四区画Ｄ４とは、マスク本体３６の中心を対称中心Ｃとした点対称にして設けられている。すなわち、これら点対称にして設けられる区画は、対称中心Ｃに対して二回回転対称にして設けられており、マスク本体３６を前記平面上で対称中心Ｃ回りに１８０°回転させることで、これら点対称にして設けられる区画の位置が入れ替えられる。
【００３４】
これら点対称にして設けられる区画では、非遮光部３７及び遮光部３８は、少なくともその一部において、所定ピッチをなしかつ各区画間で１または複数ピッチ分互いに位置をずらせて設けられており、これら区画を順次フォトレジスト層に施して露光を行うことでフォトレジスト層にこれら区画の各非遮光部に対応して交互に配列されたレジストパターンが形成される構成とされている。
ここで、本実施の形態では、点対称にして設けられる各区画のうち、第一、第三、第五区画Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５（以下、奇数区画とする）では同じパターンで非遮光部３７及び遮光部３８を設け、第二、第四、第六区画Ｄ２、Ｄ４、Ｄ６（以下、偶数区画とする）では同じパターンで非遮光部３７及び遮光部３８を設けている。
【００３５】
以下より、これら点対称にして設けられる区画のそれぞれに設けられる非遮光部３７及び遮光部３８の配置の詳細について、図６の概略図を用いて説明する。ここで、以下の説明では、点対称にして設けられる一方の区画の例として奇数区画である第一区画Ｄ１を用い、他方の区画の例として第一区画Ｄ１と点対称となる偶数区画である第六区画Ｄ６を用いる。
【００３６】
第一区画Ｄ１は、図６（ａ）に示すように、それぞれレジストパターンの一つの露光に用いられる非遮光部（開口）３７Ａ、３７Ａ、…と、レジストパターンにおいて隣接するレジストパターンまでの距離がフォトレジストの解像限界以上となる部位の露光に用いられる非遮光部（開口）３７Ｂ、３７Ｂ、…とを有しており、第一区画Ｄ１において、これら非遮光部３７Ａ、３７Ｂは配列方向に沿って交互に設けられている。
このように、非遮光部３７Ａ、…は、それぞれ隣接する非遮光部３７Ａに対して、距離２Ｘおいて、すなわち本来のピッチ２つ分をピッチとして配列されている。そして、これら非遮光部３７Ａ、３７Ｂの間と周囲が遮光部３８Ｓを構成する。
他の奇数区画においても、同様にして非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…、及び遮光部３８Ｓが配置されている。
【００３７】
そして、同図（ｂ）に示すように、第六区画Ｄ６には、第一区画Ｄ１の各非遮光部３７Ａ、３７Ａ、…に対して距離Ｘ、すなわち本来の１ピッチ分だけ配列方向にずらして（第一区画Ｄ１の各非遮光部３７Ｂ、３７Ｂ、…と配列方向の位置を同じにして）、距離２Ｘをピッチとして複数の非遮光部３７Ｃ、３７Ｃ、…が配列されている。非遮光部３７Ｃは、レジストパターンにおいて隣接するレジストパターンまでの距離がフォトレジストの解像限界以下となる部位の露光に用いられるものである。そして、第六区画Ｄ６において各非遮光部３７Ｃ、…の間と周囲が遮光部３８Ｔを構成する。
他の偶数区画においても、同様にして非遮光部３７Ｃ、…及び遮光部３８Ｔが配置されている。
【００３８】
なお、各非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…、３７Ｃ、…は、製造するパターン配線の形状に応じて適宜形状に形成されるものとする。また、半導体素子等の回路パターンの露光に用いる場合には、各非遮光部は全体が完全に分離していなくてもよい。
【００３９】
上記の構成により、奇数区画と偶数区画について仮想的に重ね合わせた際に、各非遮光部３７Ａ、…と各非遮光部３７Ｃ、…とが均一のピッチＸで交互に配列されるとともに、各非遮光部３７Ａ間で、各非遮光部３７Ｂ、…と各非遮光部３７Ｃ、…とが互いに端部を接して、もしくは一部が重複している構成となる。
これにより、奇数区画と偶数区画とを順次フォトレジスト層に施して露光を行うことで、非遮光部３７Ａを用いて形成されるレジストパターンの間に、非遮光部３７Ｂを用いて形成されるレジストパターンと非遮光部３７Ｃを用いて形成されるレジストパターンとが連続した一つのレジストパターンとして形成されることになり、これら各非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…、３７Ｃ、…によってフォトレジスト層に形成すべき全レジストパターンが形成されることとなる。
ここで、光源装置によるフォトレジストの解像限界（分解能）をＰとして、Ｘ≦Ｐ＜２Ｘの関係が成り立つものとする。あるいはＰ≦Ｘであってもよい。
【００４０】
また、マスク本体３６には、各区画のそれぞれの露光時における位置決めに用いられる第二のパターン４１が設けられている。
この第二のパターン４１のうち、点対称にして設けられる区画の位置決めに用いられる第二のパターン４１は、それぞれマスク本体３６の対称中心Ｃに対して点対称にして配置されており、マスク本体３６を対称中心Ｃ回りに回転させて点対称に配置される第二のパターン４１の位置を入れ替えると、これら第二のパターン４１が対応する区画の位置も入れ替えられるようになっている。
【００４１】
この第二のパターン４１は、必ずしも各区画Ｄのそれぞれに対して一つずつ設ける必要はなく、点対称にして設けられる区画の組のうち、同じ回転対称性を有している組については、同じ第二のパターン４１を共用する構成としてもよい。例えば、ｎ回回転対称にして設けられている区画の組に対しては、少なくとも、対称中心Ｃに対してｎ回回転対称にしてｎ個の第二のパターン４１を設ければよい。
本実施の形態では、前記のように対称中心Ｃに対して二回回転対称にして設けられる区画の組を三組設けており、これらの区画の位置決めに用いる第二のパターン４１は、マスク本体３６のコーナーに、対称中心Ｃに対して二回回転対称にして二組設けている。このフォトマスク３４の位置決めは、これら二組の第二のパターン４１のうち、いずれか一方の組を用いて行われる。
【００４２】
これら第二のパターン４１は、図７に示すように，同形状のマーク４２が同じ配列方向に沿ってそれぞれ対応する区画ごとに異なるピッチで等ピッチにして設けられ、これらマーク４２のうちの一つが位置決めの基準となる基準マークＳとされた構成とされている。
これらマーク４２は、一方向にのみ配列してもよく、また二次元的に配列してもよい。また、これらマーク４２を二次元的に配列した場合には、各マーク４２は、各配列方向に同じピッチで設けてもよく、また各配列方向ごとに異なるピッチで設けてもよい。
これらマーク４２は、遮光部によって構成してもよく、また非遮光部（いわゆる抜きパターン）によって構成してもよい。本実施の形態では、点対称にして設けられる区画のうちの一方の位置決めに用いられる第二のパターン４１ａでは各マーク４２を遮光部によって構成し、他方の区画の位置決めに用いられる第二のパターン４１ｂでは各マーク４２を非遮光部によって構成している。ここで、図７では、第二のパターン４１において遮光部によって構成されている領域をハッチングで示している。
【００４３】
これらマーク４２は、線分や三角形以上の多角形、その他の任意の形状とすることができる。これらマーク４２を線分とした場合には、各マーク４２はその配列方向に対して傾斜または直交させて設け、またマーク４２を線分以外の他の形状とした場合には、各マーク４２はその配列方向に対して傾斜または直交する辺を有する形状とされる。
【００４４】
本実施の形態では、図７に示すように、正方形状をなすマーク４２を直交する二軸方向に沿ってそれぞれ複数列配列しており、各マーク４２は、各配列方向に対して辺を直交させて設けている。ここで、図７において横方向をＸ軸とし、縦方向をＹ軸とし、右方をＸ軸の正方向、上方をＹ軸の正方向とする。
また、点対称にして設けられる区画のうちの一方の区画の位置決めに用いられる第二のパターン４１ａでは、図７（ａ）に示すように、各マーク４２は、一辺の長さがαとされて、各配列方向のピッチをＬａにして配置されており、他方の区画の位置決めに用いられる第二のパターン４１ｂでは、図７（ｂ）に示すように、各マーク４２は、一辺の長さがβとされて、各配列方向のピッチをＬｂ（ただし、Ｌｂ≠Ｌａ）にして配置されている。ここで、本実施の形態では、第二のパターン４１ａ、４１ｂとでは、それぞれのマーク４２の一辺の長さα、βを異なる長さとしている。そして、これら第二のパターン４１ａ、４１ｂの各マーク４２のうち、各配列方向の原点となるマーク４２（図７（ａ）、（ｂ）のそれぞれにおける左下端に位置するマーク４２）を基準マークＳとしている。
【００４５】
次に、上記の露光装置３１を用いて行うコンタクトプローブ１１の製造方法の各工程について、図８から図１２を用いて説明する。
〔支持基板及びベースメタル層形成工程〕
図８（ａ）に示すように、ステンレス製の支持基板４６上に、Ｃｕ（銅）めっきによりベースメタル層４７を形成する。このベースメタル層４７は支持基板４６の上面に均一の厚さで形成される。
次に、この支持基板４６の表面に、マスキング工程によってフォトリソ・めっきに用いるマスクを施す。以下、このマスキング工程中で行われる各工程について説明する。
【００４６】
〔フォトレジスト形成工程〕
まず、図８（ａ）に示すように、この支持基板４６の上にフォトレジスト層４９を形成する。このフォトレジスト層４９は、ネガ型フォトレジストによって形成してもよく、またポジ型フォトレジストによって形成してもよい。本実施の形態では、フォトレジスト層４９をネガ型フォトレジストによって形成している。
【００４７】
〔フォトマスク設置工程〕
次に、フォトレジスト層４９上に前記フォトマスク３４を施す。
ここで、フォトマスク３４は、マスク本体３６全体をフォトレジスト層４９上に施す必要はなく、少なくとも一区画以上がフォトレジスト層４９に対向配置されていればよい。本実施の形態では、全ての区画をフォトレジスト層４９に対向配置させている。
【００４８】
〔露光工程〕
そして、この状態で、図９に示すように、光源装置３２から露光光を照射してフォトレジスト層４９を露光する。本実施の形態では、フォトレジスト層４９はネガ型であるために、フォトレジスト層４９においてフォトマスク３４の奇数区画に対向する位置には、各区画に設けられる各非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…に対応する感光領域３７ａ、…、３７ｂ、…に露光光が当たって硬化し、偶数区画に対向する位置には、各区画に設けられる各非遮光部３７Ｃ、…に対応する感光領域３７ｃ、…に露光光が当たって硬化する。ここで、図９（ａ）では、露光装置３１において、フォトマスク３４の奇数区画の非遮光部３７Ａ同士が隣り合っている領域での、非遮光部３７Ａ、…の配列方向に沿った断面を示しており、図９（ｂ）では、フォトマスク３４の偶数区画の、非遮光部３７Ｃ、…の配列方向に沿った断面を示している。
【００４９】
このときのフォトレジスト層４９において図９（ａ）に示す領域の露光量の分布は図１０で実線で示すようになり、感光領域３７ａ、…の露光量は、フォトレジストが感光するのに必要な基準露光量ｂを超える山形ｍ１、…になる。また、図示しないが、感光領域３７ｂ、…の露光量も、基準露光量ｂを超える山形になる。
この場合、隣り合う山形ｍ１はピッチ２Ｘと大きく離間しているために非遮光部３７Ａ等を通過して遮光部３８ｓに回り込む回折光や散乱光等は互いに干渉しないから、この領域に露光光の定在波は発生せず、露光量も基準露光量以下となる。
そして、フォトレジスト層４９において図９（ｂ）に示す領域では、感光領域３７ｃ、…の露光量の分布は図１０で一点鎖線で示すようになり、フォトレジストが感光するのに必要な基準露光量ｂを越える山形ｍ２、…になる。この場合にも、隣り合う山形ｍ２はピッチ２Ｘと大きく離間しているために非遮光部３７Ｃ等を通過して遮光部３８ｔに回り込む回折光や散乱光等は互いに干渉しないから、この領域に露光光の定在波は発生せず、露光量も基準露光量以下となる。
【００５０】
すなわち、フォトレジスト層４９において、フォトマスク３４の奇数区画が対向する位置には、非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…と同じパターンをなす非定着部５２が潜像として形成され、偶数区画が対向する位置には、非遮光部３７Ｃ、…と同じパターンをなす非定着部５２が潜像として形成される。また、フォトレジスト層４９において、非定着部５２以外の領域は、定着部５３となる。
なお、本実施の形態では、露光方法としてフォトレジスト層４９にフォトマスク３４を密着させて設ける密着法を用いたが、これに限られることなく、近接法や縮小投影法などの投影法を用いてもよい。
【００５１】
そして、この露光工程においては、フォトレジスト層４９には、前記非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…、３７Ｃ、…の潜像に加えて、第二のパターン４１の各マーク４２の潜像が形成される。
この第二のパターン４１の各マーク４２の潜像が、以降の工程におけるフォトマスク３４の位置決めの基準となる第一のパターン５０の各マーク５１となり、第一のパターン５０の各マーク５１のうち、第二のパターン４１の基準マークＳを用いて形成されたマーク５１が、第一のパターン５０における基準マークＳｂとされる。本実施の形態では、各マーク４２を非遮光部によって構成した第二のパターン４１ｂの潜像を第一のパターン５０として用いている。
【００５２】
〔フォトマスク移動工程〕
このようにして露光工程を経た後に、フォトレジスト層４９を現像することなく、マスク駆動装置によって、フォトマスク３４を、露光光の入射方向に直交する平面上で対称中心Ｃ回りに回転させ、マスク本体３６において点対称にして設けられる区画の位置を入れ替える。または、マスク駆動装置によってフォトマスク３４を前記平面上で平行移動させることで、各区画をフォトレジスト層４９の異なる領域に対向させる。本実施の形態では、フォトレジスト層４９において、フォトマスク３４の奇数区画が対向していた位置に偶数区画を対向させ、偶数区画が対向していた位置に奇数区画を対向させる。
【００５３】
このようなフォトマスク３４の移動に伴って、これら点対称にして設けられる区画の組に対応する第二のパターン４１の位置も入れ替えられる。本実施の形態では、二回回転対称にして設けられる第二のパターン４１のうちの第二のパターン４１ａが対向していた位置に第二のパターン４１ｂが対向し、第二のパターン４１ｂが対向していた位置に第二のパターン４１ａが対向することとなる。
【００５４】
そして、このフォトマスク３４は、図１１に示すように、これら区画Ｄの組に対応する第二のパターン４１ａを、フォトレジスト層４９上に形成される第一のパターン５０に重ね合わせてこれらの基準マークＳ、Ｓｂ同士を位置決めすることで、支持基板４６に対する位置決めが行われる。
この基準マークＳ、Ｓｂの位置決めは、基準マークＳ、Ｓｂ同士を重ね合わせて、例えば基準マークＳ、Ｓｂの縁部同士を一致させることで行う。ここで、第二のパターン４１ａ及び第一のパターン５０の各マーク４２、５１が二次元的に配列されている場合には、各配列方向に対して傾斜または直交する辺同士を一致させることで行う。本実施の形態では、両基準マークＳ、Ｓｂにおいて、各配列方向の末端側に位置する辺Ｓ１、Ｓｂ１同士、及び辺Ｓ２、Ｓｂ２同士をそれぞれ一致させることで行う。
【００５５】
ここで、前記のように、第一のパターン５０の各マーク５１及び第二のパターン４１ａの各マーク４２はそれぞれ等ピッチで設けられており、かつ第一のパターン５０のマーク５１と第二のパターン４１ａのマーク４２とでは、同一の配列方向におけるピッチが異なっているので、第一のパターン５０と第二のパターン４１ａとを重ね合わせると、第一のパターン５０のマーク５１と第二のパターン４１ａのマーク４２とは、同一の配列方向において一部のマークのみ位置が一致する。基準マークＳ、Ｓｂ同士の位置が完全に一致している場合には、基準マークＳから配列方向に数えてＬａ／（Ｌａ−Ｌｂ）個目のマーク４２が、第一のパターン５０のマーク５１と一致することになる。
【００５６】
そして、第一のパターン５０と第二のパターン４１との位置決めが正しく行われていない場合には、位置決めが正しく行われている場合に一致するマークではなく、基準マークＳに対してずれの生じている方向に配列される他のマークの位置が一致する。ここで、これら位置の一致するマークは、第一のパターン５０と第二のパターン４１とのずれ量によって異なる。
すなわち、ノギス等の測定器に用いられるバーニャと同じ原理によって、基準マークＳ、Ｓｂ間のずれが拡大されて、基準マークＳに対してずれの生じている方向において位置の一致するマークと基準マークＳとの位置関係に反映されることとなる。
【００５７】
第一のパターン５０のマーク５１のピッチはＬａ、第二のパターン４１の各マーク４２のピッチはＬｂであるから、第二のパターン４１において基準マークＳから数えて配列方向の正方向にＭ個目のマーク４２が、第一のパターン５０のマーク５１と一致している場合、この方向におけるずれ量はＭ（Ｌａ−Ｌｂ）μｍとなる。ここで、両基準マークＳ、Ｓｂが少なくとも互いに一部を対向させている場合には、Ｍ＜Ｌａ／（Ｌａ−Ｌｂ）となる。Ｍ≧Ｌａ／（Ｌａ−Ｌｂ）となる場合には、再度基準マークＳ、Ｓｂ同士の位置決めをやり直して、Ｍ＜Ｌａ／（Ｌａ−Ｌｂ）とする。
【００５８】
本実施の形態では、図１１に丸で囲って示すように、第二のパターン４１において基準マークＳから数えてＸ軸の正方向に二つ目、Ｙ軸の正方向に二つ目のマーク４２が、第一のパターン５０のマーク５１と互いの辺Ｓ１、Ｓｂ１、及びＳ２，Ｓｂ２を一致させているので、基準マークＳ同士のＸ軸方向のずれ量は、２×（５０−４７．５）μｍ＝５μｍ、同様にＹ軸方向のずれ量も５μｍとなる。
【００５９】
そして、第一のパターン５０と第二のパターン４１との位置決めが正しく行われている場合には次の工程に移行し、位置ずれが生じている場合には、上記のようにして得られた第一のパターン５０と第二のパターン４１とのずれ方向及びそのずれ量の情報に基づいて、再度フォトマスク３４の位置決めを行う。
【００６０】
〔再露光工程〕
そして、この状態で、フォトレジスト層４９を再度露光して、フォトレジスト層４９においてフォトマスク３４の各区画に対向する位置に、各区画に設けられる各非遮光部３７Ａ、…３７Ｂ、…、３７Ｃ、…と同じパターンをなす非定着部５２と、非定着部５２以外の領域からなる定着部５３とを潜像として形成する。
【００６１】
本実施の形態では、フォトレジスト層４９において、露光工程でフォトマスク３４の奇数区画が対向していた位置には、非遮光部３７Ｃ、…と同じパターンをなす非定着部５２が形成され、露光工程でフォトマスク３４の偶数区画が対向していた位置には、非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…と同じパターンをなす非定着部５２が形成される。すなわち、フォトレジスト層４９において各区画が対向する位置には、それぞれ非遮光部３７Ａ、…と同じパターンをなす定着部５１と、非遮光部３７Ｂ、…、３７Ｃ、…とが接続された形状の非定着部５２とが形成される。これにより、フォトレジスト層４９には、前記パターン配線１２と同じパターンのレジストパターンが潜像として形成される。
【００６２】
この再露光工程において、これら非定着部５２のうち少なくとも隣接する非定着部５２との間の距離がフォトレジストの解像限界以下となる部分は、隣接する非定着部５２の形成に用いた区画とは異なる区画を用いて露光を行うことによって形成される。これにより、各区画における非遮光部３７のピッチを前記露光光の干渉が生じないピッチとしつつ、非定着部５２のピッチは各区画のそれぞれの非遮光部３７のピッチより小さくでき、非定着部５２の微細化を促進できる。
フォトレジスト層４９において奇数区画を施した際の感光領域３７ａ、…と、この感光領域３７ａに隣接する、偶数区画を施した際の感光領域３７ｃ、…との間の遮光領域に侵入する回折光や散乱光等が図１０に示す露光量分布において重なっても同時に露光されないために互いに干渉することがないからこの遮光領域に定在波は生じない。そのためこの遮光領域における総露光量は初回の露光におけるこの領域の露光量と再露光におけるこの領域の露光量を単純に加えただけであり、この遮光領域の露光量がフォトレジストの感光に要する基準光量ｂに到達しない。
そのために、その後にフォトレジスト層４８を現像することで図８（ｂ）及び図１２に示すような開口部４９ａ…のレジストパターンが形成される。開口部４９ａのピッチＸは光源装置３１による解像限界Ｐ以下となる。
【００６３】
また、この再露光工程において、フォトレジスト層４９には、前記非遮光部３７Ａ、…、３７Ｂ、…、３７Ｃ、…の潜像に加えて、第二のパターン４１の各マーク４２の潜像が形成される。
ここで、フォトレジスト層４９において、露光工程で形成された第一のパターン５０の各マーク５１と、再露光工程で第二のパターン４１のマーク４２を用いて形成された潜像との位置関係から、フォトマスク３４の位置決めの際と同様にして、再露光工程におけるフォトマスク３４の位置決めが正しく行われていたかどうかを知ることができる。
【００６４】
そして、このように再露光工程を経たのちは、全てのレジストパターンが完成するまで、前記フォトマスク移動工程と前記再露光工程とを交互に繰り返し行う。
【００６５】
〔除去工程〕
このようにフォトレジスト層４９に非定着部５２と定着部５３とを形成した後に、フォトマスク３４を除去するとともに、フォトレジスト層４９を現像して前記パターン配線１２と同パターンをなす非定着部５２を除去して、図８（ｂ）及び図１２に示すように、残存するフォトレジスト層４９（定着部５３）に開口部４９ａを形成する。
非定着部５２は、前記のようにフォトマスク３４のマスクパターンに忠実な形状に形成されているので、非定着部５２を除去して得られるフォトレジスト層４９の開口部４９ａも、フォトマスク３４のマスクパターンに忠実な形状に形成される。
なお、このように開口部４９ａが形成されたフォトレジスト層４９が、本願請求項にいう「マスク」に相当する。
【００６６】
次に、上記マスキング工程に続いて行われる各工程について順に説明する。
〔めっき処理工程〕
そして、図８（ｃ）に示すように、前記開口部４９ａにおいて露出されたＣｕ面上に、前記パターン配線１２となるＮｉ基合金層（金属層）Ｎを電解めっき処理により形成する。ここで、この金属層は、Ｎｉ基合金に限らず、Ｎｉによって構成してもよい。
これにより、開口部４９ａ内には、開口部４９ａ及び支持基板４６の表面の形状が正確に転写されたＮｉ基合金層Ｎが形成される。
【００６７】
〔フィルム被着工程〕
次に、図８（ｄ）に示すように、残りのフォトレジスト層４９（定着部５３）を除去した後、図８（ｅ）に示すように、前記Ｎｉ基合金層Ｎの上に、コンタクトピン１２ａ（すなわち前記パターン配線１２の先端部）となる部分も含めて覆うようにして、前記フィルム１３を接着剤５３により接着する。
【００６８】
〔分離工程〕
そして、図８（ｆ）に示すように、フィルム１３とパターン配線１２とベースメタル層４７とからなる部分を支持基板４６から分離させた後、Ｃｕエッチによるベースメタル層４７の除去作業を経て、図８（ｇ）に示すように、フィルム１３にパターン配線１２のみを接着させた状態として、コンタクトプローブ１１を完成させる。
【００６９】
このように、本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造方法によれば、フォトマスク３４の位置決めを容易に行うことができるので、フォトレジスト層４９を露光して得られる非定着部５２と定着部５３とを、マスクパターンに忠実な形状に形成することができ、定着部５３をマスクとしてめっき処理によって形成したパターン配線１２がマスクパターンに忠実な形状となるので、パターン配線１２の形状精度の高いコンタクトプローブ１１を製造することができる。
そして、このようにパターン配線１２の形状精度の高いコンタクトプローブ１１によれば、パターン配線１２のピッチを狭くしても、回路の電気的テストを良好に行うことができる。
【００７０】
ここで、上記実施の形態では、フォトレジスト層４９として、ネガ型のフォトレジストを用いた例を示したが、これに限られることなく、ポジ型のフォトレジストを用いてもよい。フォトレジスト層４９としてポジ型フォトレジストを用いた場合には、フォトレジスト層４９において感光した部分が非定着部５２となり、感光しなかった部分が定着部５３となるので、フォトマスク３４として、上記実施の形態とは非遮光部３７と遮光部３８とを入れ替えたフォトマスク３４を用いる。
【００７１】
また、上記実施の形態では、フォトマスク３４を複数区画に区分し、目的のレジストパターンの形成に用いる非遮光部３７を各区画に分割して設けて、各区画を順次用いてフォトレジスト層４９の露光を行うことで目的のレジストパターンの形成を行う例を示したが、これに限られることなく、マスク本体を区分せずに目的のレジストパターンの形成に用いる全ての非遮光部３７を一組設けた構成のフォトマスクや、マスク本体を複数区画に区分して、各区画のそれぞれに、目的のレジストパターンの形成に用いる全ての非遮光部３７を設けた構成のフォトマスクを用いて、一度の露光で全ての非遮光部３７を用いて露光を行ってもよい。この場合にも、支持基板４６、または支持基板４６上のフォトレジスト層４７に第一のパターン５０を設け、マスク本体には前記第二のパターン４１を設けて、フォトマスク設置工程において前記位置決め工程と同様にしてこの第二のパターン４１を第一のパターン５０に対して位置決めすることで、フォトマスクと支持基板４６との位置決めを高精度に行うことができる。
【００７２】
また、上記実施の形態では、フォトレジスト層４９の露光を、一枚のフォトマスク３４を用いて行う例を示したが、これに限られることなく、複数枚のフォトマスクを用いて行ってもよい。この場合には、各フォトマスクのそれぞれに、上記実施の形態のフォトマスク３４の各区画Ｄと同じ配置にして非遮光部３７及び遮光部３８とを設け、さらに各フォトマスクごとにマーク４２のピッチの異なる第二のパターン４１を設けて、この第二のパターン４１を用いて各フォトマスクの露光時における位置決めを行う。
【００７３】
また、上記実施の形態では、フォトマスク３４の位置決めに用いられる第一のマーク５０として、初回の露光によって支持基板４６上のフォトレジスト層４９に形成したレジストパターンを用いた例を示したが、これに限られることなく、パターン形成の露光を行う前に、第一のマーク５０のみの形成に用いられるフォトマスクを用いてフォトレジスト層４９の露光を行ってフォトレジスト層４９に第一のパターン５０を形成したり、単に印刷技術等を用いてフォトレジスト層４９に第一のパターン５０を設けてもよく、予め支持基板４６に第一のパターン５０を設けてもよい。
【００７４】
また、上記実施の形態では、フォトマスク３４において点対称にして設けられる区画の位置決めに用いられる第二のパターン４１として、各パターン４２を遮光部によって構成したものと、非遮光部によって構成したものとを設けた例を示したが、これに限られることなく、すべての第二のパターン４１において各パターン４２を非遮光部（抜きパターン）によって構成してもよい。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
本発明にかかるフォトレジストの露光方法によれば、フォトマスクは、その第二のパターンの基準マークを、基板自体、または基板上に設けられるフォトレジストに設置される第一のパターンの基準マークに対して位置決めした状態にして、フォトレジスト上に施される。
そして、第一のパターンと第二のパターンとの位置決めが正しく行われていない場合には、基準マーク間のずれが拡大されて、基準マークに対してずれの生じている方向において位置の一致するパターンと基準マークとの位置関係に反映されるので、フォトマスクの位置決めが容易になり、位置決め精度を向上させて、形状精度の高いレジストパターンを形成することができる。
【００７６】
また、本発明にかかるフォトマスクは、形成すべきレジストパターンのうちの少なくとも一部は、隣接するレジストパターンの形成に用いた区画とは異なる区画を用いて露光を行うことによって形成される。これにより、各区画における非遮光部のピッチを前記露光光の干渉が生じないピッチとしつつ、レジストパターンのピッチは各区画のそれぞれの非遮光部のピッチより小さくでき、レジストパターンの微細化を促進できる。
ここで、全非遮光部をより多くの区画に分割して設けることで、得られるレジストパターンのピッチを変えることなく、各区画における非遮光部のピッチをより広くすることができる。
【００７７】
また、本発明にかかるフォトマスクでは、フォトレジストの露光を複数回に分けて行う構成としながら、全ての非遮光部を一つのマスク本体に設けているので、各回の露光ごとに異なるフォトマスクを用いる場合に比べて経済的であり、またフォトマスクの維持管理が容易となる。
さらに、このフォトマスクでは、各区画のうちの少なくとも一部が、マスク本体に対して点対称にして設けられているので、マスク本体を対称中心回りに回転させることで、各区画を、フォトレジスト上の目的の位置に対向させることができる。また、このフォトマスクの位置決めは、請求項１または２に記載のフォトレジストの露光方法におけるフォトマスクの位置決めと同様にして行うことができるので、フォトレジストに対するフォトマスクの位置決めを容易かつ高精度に行うことができる。
【００７８】
そして、このフォトレジストの露光方法を用いるコンタクトプローブの製造方法によれば、パターン配線の形状精度の高いコンタクトプローブを製造することができる。
そして、このようにパターン配線の形状精度の高いコンタクトプローブによれば、パターン配線のピッチを狭くしても、回路の電気的テストを良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態にかかるコンタクトプローブの先端部の斜視図である。
【図２】本発明にかかるコンタクトプローブを用いるプローブ装置の分解斜視図である。
【図３】図２に示すプローブ装置の要部縦断面図である。
【図４】本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造に用いる露光装置の要部の構成を概略的に示す図である。
【図５】本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造に用いる露光装置のフォトマスクの構成を概略的に示す図である。
【図６】図５に示すフォトマスクの構成を示す図である。
【図７】図５に示すフォトマスクの構成を示す図である。
【図８】本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程を示す図である。
【図９】本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程のうちの露光工程を示す図である。
【図１０】図９に示す露光によるフォトレジスト層の露光量分布図である。
【図１１】本実施形態にかかるコンタクトプローブの製造工程の、フォトマスク移動工程におけるフォトマスクの位置決めの様子を示す図である。
【図１２】現像後のフォトレジスト層のレジストパターンを示す要部縦断面図である。
【図１３】従来のコンタクトプローブの平面図である。
【符号の説明】
１１　コンタクトプローブ　　　　　　１２　パターン配線
１２ａ　コンタクトピン　　　　　　　１３　フィルム
３４　フォトマスク　　　　　　　　　３６　マスク本体
３７　非遮光部　　　　　　　　　　　４１　第二のパターン
４６　支持基板　　　　　　　　　　　４７　ベースメタル層
４９　フォトレジスト層　　　　　　　５０　第一のパターン
５１　非定着部（レジストパターン）　５２　定着部（マスク）
Ｄ　区画　　　　　　　　　　　　　　Ｎ　Ｎｉ基合金層（金属層）
Ｓ、Ｓｂ　基準マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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