(57)【要約】【課題】プローブの寸法精度が高く、基板の完成形状の自由度が高いプローブユニットの製造方法を提供する。【解決手段】はじめに基板の四つの完成形の輪郭を形成するための凹部を基板１０の表面に形成し、凹部を犠牲層１２で埋め、次に基板１０の表面上に先端部が犠牲層１２の表面上に至るプローブ１４を形成し、基板１０及びプローブ１４の表面上に保護膜１６を形成し、基板１０を裏面から犠牲層１２に至るまで除去して薄くし、最後に犠牲層１２を除去する。プローブ１４を形成した後で基板１０を裏面側から除去して薄くすると、犠牲層１２で埋められた貫通部が基板１０に形成される。この犠牲層１２を除去すると、貫通部で基板１０が分割され、基板の四つの完成形が形成される。このように１つの基板１０から複数の基板の完成形を得ることができ、製造効率が向上する。さらに保護膜１６によりプローブ１４の変形を防止できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板からプローブの先端部が突出しているプローブユニットの製造方法であって、
基板の完成形の輪郭の少なくとも一部を形成するための凹部を前記基板の表面に形成する凹部形成工程と、
前記凹部を犠牲層で埋める犠牲層形成工程と、
前記基板の表面上に先端部が前記犠牲層の表面上に至るプローブを形成するプローブ形成工程と、
前記基板を裏面から前記犠牲層に至るまで除去し薄くする基板除去工程と、
前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項２】
前記凹部形成工程は、前記基板の複数の完成形の輪郭について少なくともそれぞれの一部を形成するための前記凹部を前記基板の表面に形成することを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項３】
前記プローブ形成工程後、前記基板除去工程前に、前記基板及び前記プローブの表面上に保護膜を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項４】
前記犠牲層形成工程後、前記犠牲層除去工程前に、前記基板が複数の完成形に分離する位置で前記凹部を横断する接続部を前記基板の表面上に形成することを特徴とする請求項２に記載のプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路や液晶パネル等の電子デバイスの電気的特性を検査するためのプローブユニットの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、並列配置された多数のプローブの先端部が基板から突出しているプローブユニットが知られている。半導体集積回路や液晶パネルでは電極のピッチが狭小化する傾向にあり、これに伴ってプローブのピッチも狭小化している。特許文献１には、リソグラフィ技術を用いることにより、基板の表面上に多数のプローブを狭いピッチで配列するプローブユニットの製造方法が開示されている。また、特許文献１には、基板を切断することにより基板の完成形の輪郭を形成する方法が開示されている。また特許文献１には、犠牲層で基板の貫通孔を埋め、プローブを形成した後に犠牲層を除去して基板の完成形の輪郭を形成する方法が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２８６７５５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献１に開示されているように切断により基板の輪郭を形成する場合、例えば外周刃砥石を用いたダイサーでは直線的な加工しかできないため、複雑な輪郭を形成することができない。また特許文献１に記載されているようにプローブが形成された面の裏側から基板に切り込みを入れる場合、設計通りの加工位置を狙うことが困難である。またプローブが形成された面の裏側から基板に切り込みを入れる場合、切り込み加工によりプローブを変形させるおそれがある。
【０００５】
また、特許文献１に開示されているように貫通孔を埋める犠牲層を用いて基板の完成形の輪郭を形成する場合、貫通孔の端部を基礎板で閉塞しておかないと、機械的強度が低くなるため犠牲層の表面の平面度が悪くなる。すると、犠牲層の表面に形成されるプローブの寸法精度が低下する。また、貫通孔の端部を基礎板で閉塞しておく場合、犠牲層及びプローブを形成した後に基板から基礎板を剥離する工程が必要になる。したがって、貫通孔の端部を閉塞する基礎板を基板に接合する工程では、後のプローブの形成に問題を生じず且つ基板から基礎板を剥離することを容易にするような工夫が必要になる。また、特許文献１に開示された方法では、貫通孔で基板の完成形の輪郭を形成するため、基板の完成形状が限定される。
【０００６】
本発明はこれらの問題に鑑みて創作されたものであって、プローブの寸法精度が高く、基板の完成形状の自由度が高いプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るプローブユニットの製造方法は、基板からプローブの先端部が突出しているプローブユニットの製造方法であって、基板の完成形の輪郭の少なくとも一部を形成するための凹部を前記基板の表面に形成する凹部形成工程と、前記凹部を犠牲層で埋める犠牲層形成工程と、前記基板の表面上に先端部が前記犠牲層の表面上に至るプローブを形成するプローブ形成工程と、前記基板を裏面から前記犠牲層に至るまで除去し薄くする基板除去工程と、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程と、を含むことを特徴とする。犠牲層の表面上にプローブを形成するとき、基板自体を、犠牲層を補強する部材として用いることにより、犠牲層の表面の平面度を向上させることができる。犠牲層の表面の平面度を向上させることにより、プローブの寸法精度を高くすることができる。プローブを形成した後で基板を裏面側から除去して薄くすると、犠牲層で埋められた貫通部が基板に形成される。この犠牲層を除去すると、貫通部で基板が分離し、基板の完成形の少なくとも一部の輪郭が形成される。このようにして形成する輪郭は凹部の形状によって制御することができるため、設計自由度が高い。
【０００８】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記凹部形成工程は、前記基板の複数の完成形の輪郭について少なくともそれぞれの一部を形成するための前記凹部を前記基板の表面に形成することを特徴とする。犠牲層を除去することで１つの基板から複数の基板の完成形を得るようにすると、製造効率が向上する。
【０００９】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記プローブ形成工程後、前記基板除去工程前に、前記基板及び前記プローブの表面上に保護膜を形成することを特徴とする。基板除去工程前にプローブを保護膜で保護しておくことにより、基板を除去する加工によりプローブが変形することを防止できる。
【００１０】
さらに本発明に係るプローブユニットの製造方法では、前記犠牲層形成工程後、前記犠牲層除去工程前に、前記基板が複数の完成形に分離する位置で前記凹部を横断する接続部を前記基板の表面上に形成することを特徴とする。犠牲層を除去することにより分離する基板の完成形を互いに繋ぎ止める接続部を予め形成しておくことにより、基板の完成形同士が接近し基板上のプローブ同士が接触し損傷することを防止することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の複数の実施例を図面に基づいて説明する。
（第１実施例）
図１から図８は、本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す図である。各図の（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は図１（Ａ）のａ−ａ線の断面図である。
【００１２】
はじめに図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板１０に四つの完成形の輪郭を形成するための凹部１８を基板１０の表面に形成する。この凹部１８は、深さが０．０１〜０．３ｍｍ、幅が０．２〜５ｍｍであることが好ましい。なおこの凹部１８は、基板の完成形の輪郭の少なくとも一部を形成するための形状に形成すればよく、基板１０の表面を横断するように形成してもよい。基板１０には例えばガラス板、合成樹脂板、セラミック板、シリコン板、金属板などを用いる。このうちガラス板、ならびにジルコニア、アルミナなどからなるセラミック板などの絶縁性基板を用いることが好ましい。金属板などの導電性基板を用いる場合は、基板１０の凹部１８を形成する側の面に絶縁層を形成した基板１０を使用する。凹部１８の加工方法としては、例えば切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、サンドブラスト加工、ホーニング加工、レーザ加工などがある。基板１０にセラミック板を用いる場合、基板１０を焼成する以前に凹部１８を加工してもよい。基板１０に金属板を用いる場合、予め凹部１８が形成された基板１０を成形するための鋳型を作製し、その鋳型を用いた金属板の鋳造により凹部１８を形成してもよい。基板１０にシリコン板を用いる場合、異方性エッチングにより凹部１８を形成してもよい。
【００１３】
次に、凹部１８の深さより厚く犠牲層１２を形成し、その後、研磨などにより犠牲層１２の表面部分を除去し、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように犠牲層１２を含む基板１０表面全体が平坦になり凹部１８にのみ犠牲層１２が残るように形成する。表面部分を除去する前の犠牲層１２の厚みは、基板１０の厚み、ならびに凹部１８の深さによって変わるが０．０５〜０．４ｍｍ程度が好ましい。この犠牲層１２には例えばＣｕなどの金属、エポキシ樹脂やウレタン樹脂、あるいは炭酸カルシウムなどの無機塩類を用いる。犠牲層１２にエポキシ樹脂やウレタン樹脂を用いる場合、基板１０にガラス板、セラミック板、金属板などを用いて後続の工程で犠牲層１２を選択的に除去できるようにする。
【００１４】
具体的には、犠牲層１２に金属を用いる場合、凹部１８が形成された側の基板１０の全面に金属をめっきし、次いでこのめっきした面を基板１０が露出するまで研磨し、金属が凹部１８にのみ残り基板全体が平坦になるようにして、犠牲層１２を形成する。基板１０が導電性である場合、基板１０の絶縁層が露出するまで、めっきした金属の表面を研磨する。
【００１５】
犠牲層１２に金属を用いる場合、凹部１８の隅が図示したように角張った形状であるとそこにめっきの過程で空洞ができる可能性があるので、凹部１８の隅は丸まった形状であることが好ましい。犠牲層１２にエポキシ樹脂やウレタン樹脂を用いる場合は凹部１８の隅の形状に制限はなく、角張った形状であってもよい。
また犠牲層１２に無機塩類を用いる場合、無機塩類の粉体を凹部１８に空洞及び窪みができないように充填してプレスした後、表面を研磨して平坦にし、凹部１８にのみ犠牲層１２を形成する。
【００１６】
本工程では、貫通孔でない凹部１８を犠牲層１２で埋めるため、基板１０に基礎板を接合する必要がなく基板１０自体が補強部材としての役割をなし、犠牲層１２の表面の平面度を向上させることができる。さらには、基礎板剥離工程が不要になるので、後に形成されるプローブが基礎板剥離の際の物理的な力により損傷するなどの問題が発生しない。
【００１７】
次に図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板１０の表面上に先端が犠牲層１２上に至るプローブ１４を形成する。本工程では、前工程で犠牲層１２の表面が平坦に形成されているので、犠牲層１２上に微小なピッチでプローブ１４を並列に配列することができる。プローブ１４の具体的な形成方法は例えば、はじめに犠牲層１２を含む基板１０の表面全体にめっき下地層を形成する。次に、形成しようとするプローブに対応する部分のみめっき下地層を露出させてそれ以外の部分をレジストで被覆し、露出しためっき下地層の表面に金属めっきを施す。最後にプローブ以外の部分のめっき下地層及びレジストを除去する。この他、フォトエッチングによるパターニング、基板上への導電性ペーストの印刷など既知のパターニング方法を用いることにより、めっき下地層を予めプローブ１４のパターンに形成してから金属めっきを行ってもよい。なおプローブ１４が適当な硬さ及び弾性を有するようにするために、めっきする金属材料として例えばＮｉ、Ｎｉ−Ｗ、ＮｉＦｅなどのニッケル合金または金属ガラスを用いる。プローブ１４の厚み（基板１０表面に対する垂直方向の厚み）は、１０〜８０μｍ程度であることが好ましい。また、レジスト被覆領域、フォトエッチングのパターン形状、又は導電性ペーストの印刷領域の調整によりプローブ１４の形状を調整し、基板１０からのプローブ１４の突出量を変更できるため、基板１０からプローブ１４の先端が全く突出しないプローブユニットを作成することも可能である。
【００１８】
次に図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、プローブ１４が形成された基板１０の表面全体に保護膜１６を形成する。この保護膜１６には例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、金属、ガラスなど、基板１０の裏面を除去するときにプローブ１４を保護し、またプローブ１４から除去する時にプローブ１４に損傷を与えない材質を用いる。工程を簡素化するため、保護膜１６に犠牲層１２と同じ材質を用いることが望ましい。このように保護膜１６はプローブ１４の保護を目的として形成されるが、必ずしも形成せずともよい。
【００１９】
次に図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板１０を基板１０の裏面から研磨などにより除去し犠牲層１２が基板１０の裏面に露出するまで所定の厚みに加工する。この加工により、犠牲層１２で埋められた貫通部が基板１０に形成される。基板１０は、貫通部によって四つの完成形に対応する部位１１とそれ以外の不要部位１３とに分けられるが、完成形に対応する部位１１及び不要部位１３同士が犠牲層１２及び保護膜１６により連結され分離しない状態にある。なお、この基板１０の除去加工の方法としては、例えばサンドブラスト加工、切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、ホーニング加工、レーザ加工などがある。
【００２０】
次に図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、保護膜１６を除去する。保護膜１６が金属である場合にはエッチングを用いて除去する。保護膜１６が樹脂である場合には加温したＮ−メチルピロリドンなどによる溶解、アッシング、ドライエッチングなどを用いて除去する。保護膜１６が炭酸カルシウムなどの無機物の場合には硝酸による溶解などを用いて除去する。
【００２１】
次に図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、犠牲層１２を除去し基板１０の不要部位１３から四つの完成形に対応する部位１１を分離する。具体的な除去方法は上述した保護膜１６の除去方法と同様である。なお、本実施例では犠牲層１２より先に保護膜１６を除去したが、保護膜１６より先に犠牲層１２を除去してもよい。
【００２２】
基板１０の不要部位１３から四つの完成形に対応する部位１１が分離すると、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板１０からプローブ１４の先端部が突出しているプローブユニット１が完成する。
【００２３】
以下、本実施例の製造方法で製造されたプローブユニット１の使用方法について説明する。
図９は、プローブユニット１を用いた電子デバイスの導通検査方法を示す断面図である。図９（Ａ）は一つのプローブユニット１を単独で用いる場合を示す断面図であり、図９（Ｂ）は複数のプローブユニット１を同時に用いる場合を示す断面図である。
【００２４】
プローブユニット１を単独で用いる場合、例えば図９（Ａ）に示すように、一つのプローブユニット１をプローブベース２４に固定し、昇降機能を有する検査装置本体の台座２６にプローブベース２４を固定する。台座２６に固定されたプリント配線板２２とプローブユニット１とは、フレキシブルプリント配線板２０によって電気的に接続される。台座２６を降下させてプローブ１４を電子デバイス３０の電極３２に接触させた状態で電子デバイス３０の導通検査を実施する。
【００２５】
プローブユニット１を複数同時に用いる場合、例えば図９（Ｂ）に示すように、複数のプローブユニット１をそれぞれプローブベース２４に固定し、プローブベース２４をプリント配線板２２に固定してプローブカード２８を構成する。プローブカード２８は昇降機能を有する検査装置に固定される。プリント配線板２２とプローブユニット１とは、フレキシブルプリント配線板２０によって電気的に接続される。台座２６を降下させてプローブ１４を電子デバイス３０の電極３２に接触させた状態で電子デバイス３０の導通検査を実施する。
【００２６】
以下、本実施例の変形例１について説明する。
図１０は、変形例１を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
この変形例では、図３（Ａ）、（Ｂ）に対応する工程で、凹部１８の一部にのみ、すなわち後に形成されるプローブ１４の下敷きとなる部分にのみ犠牲層１２を形成し、その後図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板１０から犠牲層１２上に至るプローブ１４を形成する。平坦な犠牲層１２を形成する目的は、その上にプローブ１４を微小なピッチで配列させることにあるので、犠牲層１２はプローブ１４の下敷きとなる部分にのみ形成すればよく、必ずしも凹部１８全体を犠牲層１２で埋める必要はない。
【００２７】
以下、本実施例の変形例２について説明する。
図１１は、変形例２を示す平面図である。
この変形例では、図１１に示すように、角形の基板に代えて円形の基板１０を用い、図２（Ａ）、（Ｂ）に対応する工程で円形の基板１０に三種類の輪郭の完成形を計七つ形成するための凹部を形成する。これにより、一つの基板１０から三種類の輪郭の複数の完成形を一度に得ることができる。
【００２８】
以下、本実施例の製造方法で製造されるプローブユニットの変形例について説明する。
図１２は、プローブユニットの変形例を示す平面図である。
図１２（Ａ）に示すように、プローブユニット１ａの基板の完成形１１には複数の貫通孔６０がある。これらの貫通孔６０は、プローブユニット１ａの製造過程において、完成形１１の外側だけでなく完成形１１の内部にも凹部を形成して犠牲層で埋められた貫通部を形成することにより形成する。図１２（Ｂ）に示すように、プローブユニット１ｂの基板の完成形１１は、第１部位１１ａ及び第２部位１１ｂに分かれていてもよい。図１２（Ｃ）に示すように、プローブユニット１ｃの基板の完成形１１には、抜きとなる開口部１１ｃがあってもよい。図１２（Ｃ）に示すように、プローブユニット１ｄの基板１０の完成形１１は、プローブ１４の下敷きとなる部位７０が櫛歯状に形成されていてもよい。なお、ここに説明した完成形１１の輪郭はほんの一例であり、その他各種の形状に設計することができる。
【００２９】
（第２実施例）
図１３は、本発明の第２実施例による製造方法を示す平面図である。
はじめに、第１実施例の図６に示す工程までを第１実施例と同様に実施する。次に図１３（Ａ）に示すように、基板１０の隣り合う完成形に対応する部位１１の間の犠牲層１２を横断して完成形に対応する部位１１同士を連結する帯状の接続部５０を各完成形に対応する部位１１間に二つずつ形成する。接続部５０にはプローブ１４と同じ材料、樹脂、金属、ガラスなどを用い、形成方法には例えばめっき、スパッタ、塗布、リソグラフィなどを用いる。
【００３０】
次に図１３（Ｂ）に示すように、犠牲層１２を除去し、接続部５０によって互いに連結された複数の基板の完成形に対応する部位１１を不要部位１３から分離する。
【００３１】
次に図１３（Ｃ）に示すように、基板１０の完成形に対応する部位１１から接続部５０を剥離などにより除去して完成形に対応する部位１１同士を分離し、プローブユニット２を完成させる。
【００３２】
尚、上述の説明では保護膜除去後に接続部５０を形成しているが、犠牲層形成工程後かつ犠牲層除去工程前の任意の過程で接続部５０を形成することができる。接続部５０にプローブ１４と同じ材料を用いた場合、プローブ形成と同時に接続部５０を形成でき効率的である。
【００３３】
本発明の第２実施例によると、接続部５０を形成することにより、犠牲層１２を除去しても基板１０の各完成形に対応する部位１１の相対的な位置関係を維持することができるので、完成形に対応する部位１１同士が互いに干渉し合ってプローブ１４の突出部分が変形することを防止できる。
【００３４】
（第３実施例）
図１４は、本発明の第３実施例による製造方法を示す平面図である。
まず図１４（Ａ）に示すように、第１実施例による製造方法に準じて、基板１０の完成形の輪郭の一部を形成するための凹部を形成して犠牲層１２で埋め、プローブ１４及び保護膜１６を形成して裏面から基板１０を除去し、所定の厚みに薄く加工する。
【００３５】
次に図１４（Ｂ）に示すように、図１４（Ａ）のａ−ａ線、ｂ−ｂ線及びｃ−ｃ線で基板１０を犠牲層１２及び保護膜１６がある状態で切断して両端部を除去し、基板１０を複数の完成形の輪郭に分離する。
【００３６】
次に図１４（Ｃ）に示すように、完成形の輪郭に分離した基板１０から保護膜１６を除去する。
【００３７】
次に図１４（Ｄ）に示すように、基板１０から犠牲層１２を除去し、プローブユニット３を完成させる。
【００３８】
尚、上述したように基板１０を薄く加工した後、犠牲層１２及び保護膜１６がともに存在する状態で基板１０を切断してから保護膜１６を除去してもよいし、基板を薄く加工した後、保護膜１６を除去し犠牲層１２を残存させた状態で基板１０を切断してもよい。また、保護膜１６を形成せず犠牲層１２のみを形成しておき、基板１０を薄く加工した後に切断を行ってもよい。
【００３９】
犠牲層１２はプローブ１４の下敷きとなる部分にのみ形成すればよいので、凹部１８は基板１０の完成形の輪郭の一部を形成するために形成すればよい。したがって本実施例のように、凹部及び犠牲層１２を形成して基板１０を薄く加工することにより基板１０の完成形の輪郭の一部を先に形成しておき、その後犠牲層１２を残存させた状態で切断し犠牲層１２を除去することで基板１０の完成形を得てもよい。
【００４０】
（第４実施例）
図１５及び図１６は、本発明の第４実施例による製造方法を示す平面図である。本発明の第４実施例では、基板の完成形同士が連結された部位を形成して犠牲層を除去した後、その完成形連結部位を取り出して切断し、完成形部位に分離する。
まず図１５（Ａ）に示すように、第１実施例の図２（Ａ）、（Ｂ）に対応する工程で、四つの完成形が連結された輪郭の完成形連結部位１５を形成するための凹部を形成した後、第１実施例の図３（Ａ）、（Ｂ）から図５（Ａ）、（Ｂ）、図１（Ａ）、（Ｂ）及び図６（Ａ）、（Ｂ）の工程を行う。
【００４１】
次に図１５（Ｂ）に示すように、犠牲層１２を例えばサンドブラスト加工、切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、ホーニング加工、レーザ加工などにより除去し、基板１０の不要部位１３を取り除き、完成形連結部位１５を取り出す。
【００４２】
最後に図１５（Ｃ）に示すように、完成形連結部位１５を切断して完成形１１を取り出し、四つのプローブユニット４を完成させる。
【００４３】
また図１６に示すように、二つの完成形が互いに連結された完成形連結部位１５を二つ基板１０に形成してから、犠牲層１２を除去し、完成形連結部位１５を切断して四つのプローブユニット４を作製してもよい。
【００４４】
以上説明した本発明の複数の実施例によると、以下の効果がある。
（１）犠牲層１２の表面の平面度を高くすることができるため、プローブ１４の寸法精度を高くすることができる。
（２）裏面から切り込みを入れる必要がないので、プローブ１４を損傷することなく設計通りの加工を行うことができる。
【００４５】
（３）基板１０の完成形の輪郭を凹部１８の形状によって制御でき、設計自由度が高い。
（４）複数の完成形の輪郭を形成するための凹部を基板表面に形成し犠牲層１２を除去することで、一つの基板１０から複数の完成形を一時に得ることができ、効率的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図２】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図３】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図４】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図６】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図７】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図８】（Ａ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第１実施例による製造方法で製造されたプローブユニットを用いた電子デバイスの導通試験方法を示す断面図である。
【図１０】（Ａ）は本発明の第１実施例の変形例１によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例の変形例１によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図１１】（Ａ）は本発明の第１実施例の変形例２によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第１実施例の変形例２によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１実施例による製造方法で製造されたプローブユニットを示す平面図である。
【図１３】本発明の第２実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【図１４】本発明の第３実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【図１５】本発明の第４実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【図１６】本発明の第４実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図である。
【符号の説明】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、２、３、４  プローブユニット
１０    基板
１１  完成形
１２  犠牲層
１３  不要部位
１４  プローブ
１５  完成形連結部位
１６  保護膜
１８  凹部
５０  接続部
６０  貫通孔
７０  スリット
【図１】
2004294062.tif 000003
【図２】
2004294062.tif 000004
【図３】
2004294062.tif 000005
【図４】
2004294062.tif 000006
【図５】
2004294062.tif 000007
【図６】
2004294062.tif 000008
【図７】
2004294062.tif 000009
【図８】
2004294062.tif 000010
【図９】
2004294062.tif 000011
【図１０】
2004294062.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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