(57)【要約】【課題】ピット残りとなるような大きいピットを低減できる液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法を提供する。【解決手段】希土類−鉄ガーネット成分を酸化鉛系フラックスに溶かした融液にガーネット基板を接触させ、この基板を融液表面で回転させながら上記基板上に希土類−鉄ガーネット膜を結晶育成する液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法であって、上記基板の回転方向を周期的に反転させると共にその反転周期が５〜３０秒であることを特徴とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類−鉄ガーネット成分を酸化鉛系フラックスに溶かした融液にガーネット基板を接触させ、この基板を融液表面で回転させながら上記基板上に希土類−鉄ガーネット膜を結晶育成する液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法において、上記基板の回転方向を周期的に反転させると共にその反転周期が５〜３０秒であることを特徴とする液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法。
【請求項２】
上記基板の回転数が４０〜２００ｒｐｍであることを特徴とする請求項１記載の液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法。
【請求項３】
上記反転周期をａ（秒）、回転数をｒ（ｒｐｍ）としたとき、８０／√ｒ≦ａ≦２００／√ｒの条件を満たすことを特徴とする請求項２記載の液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気光学デバイスに用いる希土類−鉄ガーネット膜に係り、特に、光通信に用いられる光アイソレータ用の希土類−鉄ガーネット膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−１６７８９５号公報（請求項３、段落番号００１２〜００１３）
【特許文献２】
特開平２−９４６１４号公報（２頁左下欄３行〜４行）
【非特許文献１】
日本応用磁気学会第３８回研究会資料（１９８５年）ｐ．５１〜５５
【０００４】
希土類−鉄ガーネット膜（以下、ＲＩＧ膜と記す）のファラデー効果を利用した磁気光学デバイスが精力的に開発されている。その中でも特に光通信における光源への戻り光を遮断する光アイソレータ、あるいは、発電所から消費者までの電力輸送経路である変電所、送電線、配電線に流れる電流により生じる磁界の大きさを測定して異常を発見する光磁界センサなどは既に実用化段階に入り、磁気光学デバイスに用いられるＲＩＧ膜もより安価なものが求められてきている。
【０００５】
このＲＩＧ膜は、通常、液相エピタキシャル法（以下、ＬＰＥ法と示す）によって結晶育成されている。すなわち、ＬＰＥ法によるＲＩＧ膜の結晶育成は、例えば、フラックス成分である酸化鉛、酸化ビスマス、酸化ホウ素と、希土類−鉄ガーネット成分である希土類酸化物、酸化鉄、場合によって非磁性元素の酸化物などを白金ルツボ内に充填し、約９５０℃で融解させた後、この融液に、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｒで置換しその格子定数を大きくしたガドリニウム・ガリウム・ガーネット基板（以下、高格子定数ＧＧＧ基板と記す）を接触させ、この高格子定数ＧＧＧ基板上にＲＩＧ膜を約８５０℃でエピタキシャル成長させて行われる。
【０００６】
そして、育成されたＲＩＧ膜は、この後、各磁気光学デバイスに合わせて所望の膜厚に研磨加工されて適用される。尚、酸化ビスマスはフラックス成分として説明したが、ビスマスは上記ＲＩＧ膜を構成する元素でもあり、希土類−鉄ガーネット成分でもある。
【０００７】
ところで、このように結晶育成されたＲＩＧ膜の表面には、ピットと呼ばれる三角錐状の結晶欠陥が発生する。このピットも小さいものは上記研磨加工で取り除くことが可能であるが、大きいものは研磨加工後もＲＩＧ膜に黒い点状のシミ（以下、ピット残りと呼ぶ）のように残る。
【０００８】
そして、ピット残りを有するＲＩＧ膜を、例えば光アイソレータに用いた場合には、挿入損失の増大やアイソレーションの低下をもたらし、また、光磁界センサに用いた場合には、センサ出力と測定磁界の直線性に悪影響を及ぼす。
【０００９】
そこで、特許文献１では、ピットの発生原因が融液中に溶け出す白金ルツボの白金であるとし、かつ、９５０℃では白金ルツボから融液中に白金は溶出しないとし、融解温度の保持時間を限定することにより、融液中への白金の溶け出しを抑制して上記ピットの発生を数個／ｃｍ２まで防止した方法を提案しているが、ピット密度をゼロにするには至っていない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように小さいピットは研磨加工で取り除くことができるが、大きいものは研磨加工後もＲＩＧ膜に黒い点状のシミのように残り、特性の劣化を招くことが知られている。
【００１１】
この弊害を解消する方法として、ピットの発生そのものを低減、抑制する方法と、例えピットは発生しても、研磨加工によって取り除くことのできないピット残りとなるような大きいピットの発生を低減、抑制する方法が考えられる。
【００１２】
そして、特許文献１において前者の方法が提案されているが、ピット密度をゼロにするには至っておらず、かつ、特許文献１ではピットのサイズについて特に注意は払われていなかった。
【００１３】
本発明はこの様な問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、ピット残りとなるような大きいピットを低減できる液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法（すなわち、後者の方法）を提供し、もって上記弊害を解消することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
ところで、ピットの発生原因の一つは、非特許文献１にも記載されているように、ＬＰＥ結晶育成に適用される白金ルツボから融液中に溶け出した白金の微粒子が結晶核となり、希土類−鉄ガーネット膜の結晶成長を妨げることにより三角錐状の穴が発生すると考えられている。三角錐状の穴の形状はピットの発生後に成長したＲＩＧ膜の厚みによって異なり、厚くなると三角形状、または六角形状のファセット（ｆａｃｅｔ）面で囲まれた穴になる。
【００１５】
一方、上記ＲＩＧ膜は、結晶の育成速度を上げることと、均一な組成、厚みにすることを目的として、融液表面でガーネット基板を回転させながら育成される。そして、三角錐状の穴が発生すると、基板を回転することによって生じた融液の流れが、三角錐状の穴で乱れ、三角錐状のピットを中心にヒゲ状の溝が発生する（以下、ピットのヒゲと呼ぶ）。このピットのヒゲがピットを大きくし、研磨加工後のピット残りとなり、特性を劣化させていることが判明した。
【００１６】
そこで、本発明者らはヒゲを含むピットの大きさとガーネット基板の回転に着目して繰返し実験を行うと共に、特許文献２に記載された基板の回転方向を周期的に反転させる方法を採用して更なる実験を重ねた結果、ガーネット基板の回転方向を反転させる反転周期がピットの大きさに多大な影響を及ぼしていることを発見するに至った。
【００１７】
本発明はこの様な技術的発見に基づき完成されている。
【００１８】
すなわち、請求項１に係る発明は、
希土類−鉄ガーネット成分を酸化鉛系フラックスに溶かした融液にガーネット基板を接触させ、この基板を融液表面で回転させながら上記基板上に希土類−鉄ガーネット膜を結晶育成する液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法を前提とし、
上記基板の回転方向を周期的に反転させると共にその反転周期が５〜３０秒であることを特徴とするものである。
【００１９】
また、請求項２に係る発明は、
請求項１記載の発明に係る液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法を前提とし、
上記基板の回転数が４０〜２００ｒｐｍであることを特徴とし、
請求項３に係る発明は、
請求項２記載の発明に係る液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法を前提とし、
上記反転周期をａ（秒）、回転数をｒ（ｒｐｍ）としたとき、８０／√ｒ≦ａ≦２００／√ｒの条件を満たすことを特徴とするものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
上記ＲＩＧ膜は、上述したように、希土類−鉄ガーネット成分を酸化鉛系フラックスに溶かした融液にガーネット基板を接触させ、この基板を融液表面で回転させながら上記基板上にＲＩＧ膜を結晶育成させる液相エピタキシャル法により製造されるが、ＲＩＧ膜表面のピットの大きさと、基板の回転方向を反転させる反転周期との間には密接な関係がある。
【００２２】
育成後のＲＩＧ膜表面の最大ピットサイズと反転周期との関係を図１に示す。また、反転周期の一具体例を図２に示す。図２中のａの時間が反転周期である。尚、図１のデータ点は、回転数を１００ｒｐｍとして得られた実験値である。
【００２３】
そして、図１から確認されるように、反転周期が３０秒を超えると２００μｍ以下だったピットサイズが急激に約４００μｍまで増大してしまうことが分かる。最大ピットサイズが２００μｍ以下であれば研磨により取り除くことが可能であるが、４００μｍ近くの大きなピットについては研磨をしてもピット残りになってしまう。従って、反転周期は３０秒以下であることを要する（請求項１）。
【００２４】
一方、反転周期はＲＩＧ膜の育成速度（単位時間当りのＲＩＧ膜厚みの増加率）にも大きく影響し、反転周期があまり短いと育成速度が遅くなる。図３に反転周期と育成速度との関係を示すが、図３から確認されるように、反転周期が５秒未満では育成速度が極端に低いことが分かる。
【００２５】
従って、大きいピットの存在しない良好なＲＩＧ膜が得られ、しかも経済的に有利な育成速度でＲＩＧ膜を得るためには、反転周期を５〜３０秒として育成することを要する（請求項１）。
【００２６】
次に基板の回転数と反転周期との関係について説明する。
【００２７】
反転周期が短いと育成速度が極端に遅くなることは上述した通りであるが、基板の回転数も育成速度等に影響する。図４に反転周期を５〜３０秒とし、基板の回転数を３０〜３００ｒｐｍの範囲で変化させたときのＲＩＧ膜の評価結果を示す。ここで回転数は、図２に示す例のように回転数が一定となった時の回転数を意味し、反転させる際の過渡的な回転数のことではない。また、図２では回転方向を反転させ、逆方向に回転させているときの回転数を負の値として扱っているが、重要なのは回転方向ではなく絶対値である。そこで、本発明において回転数という場合は絶対値のことを意味する。
【００２８】
そして、回転数を４０ｒｐｍ未満とした場合、育成速度が比較的ゆっくりであるためＲＩＧ膜表面に凹凸が発生することがあった。また、回転数が２００ｒｐｍを超えると基板の融液と接触させていない裏側まで融液が回り込むことがあった。回転数が４０ｒｐｍ未満および２００ｒｐｍを超えたときの育成結果を図４において「△」で表示するが、ＲＩＧ膜表面の凹凸が大きくなるとＲＩＧ膜を研磨する際の負荷が増え、融液の回り込み量が多くなると基板が割れることがある。このため、より好ましくは回転数を４０〜２００ｒｐｍの範囲に設定するのがよい（請求項２）。
【００２９】
ところで、反転周期を５〜３０秒、回転数を４０〜２００ｒｐｍの範囲に設定しても、その組み合せ条件如何によって発生するピットサイズは多少異なる。具体的にそのことを示すと図４のようになる。
【００３０】
すなわち、図４において最大ピットサイズが１５０μｍ〜２００μｍの場合を「□」、最大ピットサイズが１５０μｍ未満の場合を「○」で示す。
【００３１】
そして、この図４に示された結果から、反転周期をａ（秒）、回転数をｒ（ｒｐｍ）で表したとき、回転数が４０〜２００ｒｐｍの範囲でかつ（８０／√ｒ）の曲線と（２００／√ｒ）の曲線で囲まれた領域内においては、全て最大ピットサイズが１５０μｍ未満の「○」となっていることが確認される。
【００３２】
従って、反転周期を５〜３０秒、回転数を４０〜２００ｒｐｍの範囲に設定し、かつ、反転周期をａ（秒）、回転数をｒ（ｒｐｍ）で表したとき、８０／√ｒ≦ａ≦２００／√ｒの関係を満たすように条件設定すると、ＲＩＧ膜表面に凹凸が生じたり、融液の回り込みが生じたりせず、しかも、最大ピットサイズが１５０μｍ未満になるので更に好ましい（請求項３）。
【００３３】
【実施例】
以下、本発明について実施例により具体的に説明する。
【００３４】
［実施例１］
白金ルツボ中に、ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３をフラックスとし、希土類−鉄ガーネット成分としてＧｄ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３を溶かし込んだ融液を調製した。
【００３５】
そして、この融液を電気炉内で９５０℃に加熱し、育成温度である８１０℃に降温させた後、融液表面に直径３インチの高格子定数ＧＧＧ基板を接触させ、この基板を１５秒周期で正逆１００ｒｐｍの条件で回転させて、基板の片面に厚さ５５０μｍでかつ組成が（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌＧａ）５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００３６】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される５００μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００３７】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１４０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００３８】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１３ｄＢ、アイソレーションは４５ｄＢであった。
【００３９】
［実施例２］
基板の反転周期を３０秒とした以外は実施例１と同様にして、基板の片面に厚さ５５０μｍでかつ組成が（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌＧａ）５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００４０】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される５００μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００４１】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは２００μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００４２】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１５ｄＢ、アイソレーションは４３ｄＢであった。
【００４３】
［実施例３］
白金ルツボ中に、ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３をフラックスとし、希土類−鉄ガーネット成分としてＴｂ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３を溶かし込んだ融液を調製した。
【００４４】
そして、この融液を電気炉内で９５０℃に加熱し、育成温度である８３０℃に降温させた後、融液表面に直径３インチの高格子定数ＧＧＧ基板を接触させ、この基板を１５秒周期で正逆１００ｒｐｍの条件で回転させて、基板の片面に厚さ５００μｍでかつ組成が（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００４５】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される４５０μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００４６】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１３０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００４７】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１３ｄＢ、アイソレーションは４６ｄＢであった。
【００４８】
［実施例４］
基板の反転周期を３０秒とした以外は実施例３と同様にして、基板の片面に厚さ５００μｍでかつ組成が（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００４９】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される４５０μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００５０】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１７０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００５１】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１４ｄＢ、アイソレーションは４２ｄＢであった。
【００５２】
［実施例５］
白金ルツボ中に、ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３をフラックスとし、希土類−鉄ガーネット成分としてＧｄ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３を溶かし込んだ融液を調製した。
【００５３】
そして、この融液を電気炉内で９５０℃に加熱し、育成温度である８６０℃に降温させた後、融液表面に直径３インチの高格子定数ＧＧＧ基板を接触させ、この基板を１５秒周期で正逆１００ｒｐｍの条件で回転させて、基板の片面に厚さ５５０μｍでかつ組成が（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００５４】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される５００μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００５５】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１４０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００５６】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１５ｄＢ、アイソレーションは４３ｄＢであった。
【００５７】
［実施例６］
基板の反転周期を３０秒とした以外は実施例５と同様にして、基板の片面に厚さ５５０μｍでかつ組成が（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００５８】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される５００μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００５９】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１８０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００６０】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１４ｄＢ、アイソレーションは４５ｄＢであった。
【００６１】
［実施例７］
白金ルツボ中に、ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３をフラックスとし、希土類−鉄ガーネット成分としてＴｂ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３を溶かし込んだ融液を調製した。
【００６２】
そして、この融液を電気炉内で９５０℃に加熱し、育成温度である８３０℃に降温させた後、融液表面に直径３インチの高格子定数ＧＧＧ基板を接触させ、この基板を２５秒周期で正逆５０ｒｐｍの条件で回転させて、基板の片面に厚さ５００μｍでかつ組成が（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００６３】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される４５０μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００６４】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１３０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００６５】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１４ｄＢ、アイソレーションは４６ｄＢであった。
【００６６】
［実施例８］
白金ルツボ中に、ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３をフラックスとし、希土類−鉄ガーネット成分としてＴｂ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３を溶かし込んだ融液を調製した。
【００６７】
そして、この融液を電気炉内で９５０℃に加熱し、育成温度である８３０℃に降温させた後、融液表面に直径３インチの高格子定数ＧＧＧ基板を接触させ、この基板を１０秒周期で正逆２００ｒｐｍの条件で回転させて、基板の片面に厚さ５００μｍでかつ組成が（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００６８】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される４５０μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００６９】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１２０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００７０】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１４ｄＢ、アイソレーションは４５ｄＢであった。
【００７１】
［実施例９］
白金ルツボ中に、ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３をフラックスとし、希土類−鉄ガーネット成分としてＴｂ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３を溶かし込んだ融液を調製した。
【００７２】
そして、この融液を電気炉内で９５０℃に加熱し、育成温度である８３０℃に降温させた後、融液表面に直径３インチの高格子定数ＧＧＧ基板を接触させ、この基板を２０秒周期で正逆１５０ｒｐｍの条件で回転させて、基板の片面に厚さ５００μｍでかつ組成が（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００７３】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される４５０μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００７４】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは１４０μｍ、ピット残り数は０個であった。
【００７５】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．１５ｄＢ、アイソレーションは４５ｄＢであった。
【００７６】
［比較例１］
基板の反転周期を１２０秒とした以外は実施例１と同様にして、基板の片面に厚さ５５０μｍでかつ組成が（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌＧａ）５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００７７】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される５００μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００７８】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは３５０μｍ、ピット残り数は２８個であった。
【００７９】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．５７ｄＢ、アイソレーションは３２ｄＢであった。
【００８０】
［比較例２］
基板の反転周期を１２０秒とした以外は実施例３と同様にして、基板の片面に厚さ５００μｍでかつ組成が（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００８１】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される４５０μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００８２】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは４２０μｍ、ピット残り数は３５個であった。
【００８３】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．６１ｄＢ、アイソレーションは３２ｄＢであった。
【００８４】
［比較例３］
基板の反転周期を１２０秒とした以外は実施例５と同様にして、基板の片面に厚さ５５０μｍでかつ組成が（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌ）５Ｏ１２であるＲＩＧ膜を結晶育成した。
【００８５】
次に、結晶育成させたＲＩＧ膜表面を、光学顕微鏡により最大ピットサイズを測定し、かつ、光アイソレータとして使用される５００μｍの膜厚になるよう光学研磨を施すと共に、ピット残りの個数を調べた。
【００８６】
その結果、最大ピットサイズとピット残りの個数は表１に示すように、それぞれ最大ピットサイズは３６０μｍ、ピット残り数は４０個であった。
【００８７】
また、このＲＩＧ膜を用いて光アイソレータを作製し、特性を評価したところ、挿入損失は０．５５ｄＢ、アイソレーションは３１ｄＢであった。
であった。
【００８８】
【表１】
2004323298.tif 000002
【００８９】
【発明の効果】
請求項１〜３記載の発明に係る液相エピタキシャル法による希土類−鉄ガーネット膜の製造方法によれば、基板の回転方向を周期的に反転させると共にその反転周期を５〜３０秒に設定しているため、ピットによる特性不良がなく、光アイソレータや光磁界センサ等に適用される希土類−鉄ガーネット膜を容易に製造することができる効果を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】最大ピットサイズと反転周期との関係を示すグラフ図。
【図２】反転周期を説明するためのグラフ図。
【図３】反転周期と育成速度との関係を示すグラフ図。
【図４】反転周期と回転数とを組み合せた場合の育成結果を示すグラフ図。
【図１】
2004323298.tif 000003
【図２】
2004323298.tif 000004
【図３】
2004323298.tif 000005
【図４】
2004323298.tif 000006