(57)【要約】【課題】ＣＲ発振回路を内蔵する半導体集積回路において、抵抗値や容量値のトリミングを行う際に発振周波数を測定する回数を低減し、製造コストを削減する。【解決手段】この半導体集積回路は、トリミングデータに基づいて少なくとも１つの抵抗を選択するトリミング回路１６と、トリミング回路によって選択された抵抗を用いて発振動作を行うＣＲ発振回路１１と、ＣＲ発振回路の出力信号をカウントするカウンタ１３と、カウント値が所定の範囲内であるか否かを判定する判定回路１４と、所定の範囲内のカウント値に対応するトリミングデータを記憶するメモリ１８と、テストモードにおいては複数の抵抗を所定の順序で選択するようにトリミングデータを生成し、通常モードにおいてはメモリに記憶されているトリミングデータを用いてトリミング回路を制御するトリミング制御回路１５とを具備する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを選択するトリミング回路と、
前記トリミング回路によって選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、
所定の期間においてＣＲ発振回路の出力信号をカウントするカウンタと、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを判定する判定回路と、
所定の範囲内であると前記判定回路が判定したカウント値に対応するトリミングデータを記憶するメモリと、
テストモードにおいては、前記トリミング回路が前記複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択するようにトリミングデータを生成し、通常モードにおいては、前記メモリに記憶されているトリミングデータを用いて前記トリミング回路を制御するトリミング制御回路と、
を具備する半導体集積回路。
【請求項２】
前記判定回路が、所定の範囲内であると判定したカウント値に対応するトリミングデータをパラレルデータとして出力し、
前記判定回路から出力されるパラレルデータをシリアルデータに変換して前記メモリに供給するデータ変換回路をさらに具備する請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを選択するトリミング回路と、
前記トリミング回路によって選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、
所定の期間においてＣＲ発振回路の出力信号をカウントすると共に、その測定回数をカウントするカウンタと、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを判定する判定回路と、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であると前記判定回路が判定したときの測定回数を記憶するメモリと、
テストモードにおいては、前記トリミング回路が前記複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択するようにトリミングデータを生成し、通常モードにおいては、前記メモリに記憶されている測定回数に基づいてトリミングデータを生成するトリミング制御回路と、
を具備する半導体集積回路。
【請求項４】
前記判定回路によって得られた判定結果に従って、前記カウンタから出力される測定回数を表すデータをラッチして前記メモリに供給するラッチ回路をさらに具備する請求項３記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記トリミング制御回路が、テストモードに移行した際に、複数の抵抗の内から所定の抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するように前記トリミング回路を制御し、その後、前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の下限値よりも小さい場合に、抵抗値を小さくするように前記トリミング回路を制御し、前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の上限値よりも大きい場合に、抵抗値を大きくするように前記トリミング回路を制御する、請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記トリミング制御回路が、テストモードに移行した際に、２Ｎ個の抵抗値の内から第Ｎ番目若しくは第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するか、又は、（２Ｎ＋１）個の抵抗値の内から第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するように前記トリミング回路を制御する、請求項５記載の半導体集積回路。
【請求項７】
トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、カウンタと、判定回路と、メモリと、トリミング制御回路とを含む半導体集積回路の製造方法であって、
前記半導体集積回路をテストモードにして、クロック信号を供給するステップ（ａ）と、
前記トリミング制御回路の制御の下で前記複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択しながら、クロック信号に基づいて定められる所定の期間において、前記ＣＲ発振回路の出力信号を前記カウンタによってカウントするステップ（ｂ）と、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを前記判定回路によって判定するステップ（ｃ）と、
所定の範囲内であると判定したカウント値に対応するトリミングデータを、通常モードにおいて抵抗又はコンデンサを選択するために用いられるデータとして前記メモリに記憶するステップ（ｄ）と、
を具備する製造方法。
【請求項８】
トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、カウンタと、判定回路と、メモリと、トリミング制御回路とを含む半導体集積回路の製造方法であって、
前記半導体集積回路をテストモードにして、クロック信号を供給するステップ（ａ）と、
前記トリミング制御回路の制御の下で前記複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択しながら、クロック信号に基づいて定められる所定の期間において、前記ＣＲ発振回路の出力信号を前記カウンタによってカウントすると共に、その測定回数をカウントするステップ（ｂ）と、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを前記判定回路によって判定するステップ（ｃ）と、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であると前記判定回路が判定したときの測定回数を、通常モードにおいて抵抗又はコンデンサを選択するために用いられるデータとして前記メモリに記憶するステップ（ｄ）と、
を具備する製造方法。
【請求項９】
ステップ（ｂ）が、
複数の抵抗の内から所定の抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するステップ（ｂ１）と、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の下限値よりも小さい場合に、抵抗値を小さくするステップ（ｂ２）と、
前記ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の上限値よりも大きい場合に、抵抗値を大きくするステップ（ｂ３）と、
を含む、請求項７又は８記載の製造方法。
【請求項１０】
ステップ（ｂ１）が、２Ｎ個の抵抗値の内から第Ｎ番目若しくは第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するか、又は、（２Ｎ＋１）個の抵抗値の内から第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択することを含む、請求項９記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に半導体集積回路に関し、特に、ＣＲ発振回路を内蔵する半導体集積回路に関する。さらに、本発明は、そのような半導体集積回路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＲ発振回路を内蔵する半導体集積回路においては、半導体集積回路の製造プロセスの変動等によりコンデンサや抵抗の容量値や抵抗値がばらつくので、ＣＲ発振回路の発振周波数にばらつきが生じてしまう。そこで、ウエハやチップの段階等において半導体集積回路の動作チェックを行う際に、抵抗値や容量値のトリミングを行って、発振周波数のばらつきを修正することが行われている。
【０００３】
従来のトリミング方法は、シリアルインターフェイスによって半導体集積回路の内部にトリミングデータを入力してトリミングを行いながらＣＲ発振回路の発振周波数を測定して合否を判定する工程を、適切な発振周波数が得られるまで繰り返すものだった。しかしながら、このトリミング方法によれば、周波数を測定するためにかなりの時間を要するので、トリミングの回数が多いほど動作チェックに要する時間が増大し、製造コストが大幅に上昇してしまうという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、ＣＲ発振回路を内蔵する半導体集積回路において、抵抗値や容量値のトリミングを行う際に発振周波数を測定する回数を低減し、製造コストを削減することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明の第１の観点に係る半導体集積回路は、トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを選択するトリミング回路と、トリミング回路によって選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、所定の期間においてＣＲ発振回路の出力信号をカウントするカウンタと、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを判定する判定回路と、所定の範囲内であると判定回路が判定したカウント値に対応するトリミングデータを記憶するメモリと、テストモードにおいては、トリミング回路が複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択するようにトリミングデータを生成し、通常モードにおいては、メモリに記憶されているトリミングデータを用いてトリミング回路を制御するトリミング制御回路とを具備する。
【０００６】
ここで、判定回路が、所定の範囲内であると判定したカウント値に対応するトリミングデータをパラレルデータとして出力し、半導体集積回路が、判定回路から出力されるパラレルデータをシリアルデータに変換してメモリに供給するデータ変換回路をさらに具備するようにしても良い。
【０００７】
また、本発明の第２の観点に係る半導体集積回路は、トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを選択するトリミング回路と、トリミング回路によって選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、所定の期間においてＣＲ発振回路の出力信号をカウントすると共に、その測定回数をカウントするカウンタと、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを判定する判定回路と、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であると判定回路が判定したときの測定回数を記憶するメモリと、テストモードにおいては、トリミング回路が複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択するようにトリミングデータを生成し、通常モードにおいては、メモリに記憶されている測定回数に基づいてトリミングデータを生成するトリミング制御回路とを具備する。
【０００８】
ここで、半導体集積回路が、判定回路によって得られた判定結果に従って、カウンタから出力される測定回数を表すデータをラッチしてメモリに供給するラッチ回路をさらに具備するようにしても良い。
【０００９】
以上において、トリミング制御回路は、テストモードに移行した際に、複数の抵抗の内から所定の抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するようにトリミング回路を制御し、その後、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の下限値よりも小さい場合に、抵抗値を小さくするようにトリミング回路を制御し、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の上限値よりも大きい場合に、抵抗値を大きくするようにトリミング回路を制御しても良い。特に、テストモードに移行した際に、２Ｎ個の抵抗値の内から第Ｎ番目若しくは第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するか、又は、（２Ｎ＋１）個の抵抗値の内から第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するようにトリミング回路を制御することが望ましい。
【００１０】
本発明の第１の観点に係る半導体集積回路の製造方法は、トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、カウンタと、判定回路と、メモリと、トリミング制御回路とを含む半導体集積回路の製造方法であって、半導体集積回路をテストモードにして、クロック信号を供給するステップ（ａ）と、トリミング制御回路の制御の下で複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択しながら、クロック信号に基づいて定められる所定の期間において、ＣＲ発振回路の出力信号をカウンタによってカウントするステップ（ｂ）と、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを判定回路によって判定するステップ（ｃ）と、所定の範囲内であると判定したカウント値に対応するトリミングデータを、通常モードにおいて抵抗又はコンデンサを選択するために用いられるデータとしてメモリに記憶するステップ（ｄ）とを具備する。
【００１１】
また、本発明の第２の観点に係る半導体集積回路の製造方法は、トリミングデータに基づいて複数の抵抗又はコンデンサの内から選択された少なくとも１つの抵抗又はコンデンサを用いて発振動作を行うＣＲ発振回路と、カウンタと、判定回路と、メモリと、トリミング制御回路とを含む半導体集積回路の製造方法であって、半導体集積回路をテストモードにして、クロック信号を供給するステップ（ａ）と、トリミング制御回路の制御の下で複数の抵抗又はコンデンサを所定の順序で選択しながら、クロック信号に基づいて定められる所定の期間において、ＣＲ発振回路の出力信号をカウンタによってカウントすると共に、その測定回数をカウントするステップ（ｂ）と、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを判定回路によって判定するステップ（ｃ）と、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲内であると判定回路が判定したときの測定回数を、通常モードにおいて抵抗又はコンデンサを選択するために用いられるデータとしてメモリに記憶するステップ（ｄ）とを具備する。
【００１２】
以上において、ステップ（ｂ）が、複数の抵抗の内から所定の抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するステップ（ｂ１）と、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の下限値よりも小さい場合に、抵抗値を小さくするステップ（ｂ２）と、ＣＲ発振回路の出力信号のカウント値が所定の範囲の上限値よりも大きい場合に、抵抗値を大きくするステップ（ｂ３）とを含むようにしても良い。特に、ステップ（ｂ１）において、２Ｎ個の抵抗値の内から第Ｎ番目若しくは第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択するか、又は、（２Ｎ＋１）個の抵抗値の内から第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択することが望ましい。
【００１３】
本発明によれば、テストモードにおいては、トリミング回路によって抵抗又はコンデンサの値を変化させながらＣＲ発振回路の出力信号をカウントして所定の範囲内であると判定されたカウント値をメモリに記憶し、通常モードにおいては、メモリに記憶されているカウント値に基づいてトリミング回路を制御することにより、抵抗値や容量値のトリミングを行う際に発振周波数を測定する回数を低減し、製造コストを削減することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１に、本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示す。図１に示すように、半導体集積回路１０は、コンデンサと抵抗によって発振周波数が決定されるＣＲ発振回路１１を含んでいる。ＣＲ発振回路の種類としては、ブリッジ型発振回路や移相型発振回路が知られている。例えば、ウィーンブリッジ発振回路においては、コンデンサの容量Ｃと抵抗の抵抗値Ｒを用いて、発振周波数ｆ０が次式で与えられる。
ｆ０＝１／（２πＣＲ）
この式で示すように、抵抗値Ｒが小さくなると発振周波数ｆ０が大きくなり、反対に、抵抗値Ｒが大きくなると発振周波数ｆ０が小さくなる。そこで、本実施形態においては、ＣＲ発振回路１１の発振周波数ｆ０を調整するために、抵抗値Ｒを変化させるトリミング回路１６を用いている。トリミング回路１６は、トリミングデータに基づいて、複数の抵抗の内から少なくとも１つの抵抗を選択する。ＣＲ発振回路１１は、トリミング回路１６によって選択された少なくとも１つの抵抗を用いて発振動作を行う。
【００１５】
また、半導体集積回路１０は、ゲート回路１２と、カウンタ１３と、判定回路１４と、トリミングデコーダ１５と、データ変換回路１７と、トリミング用メモリ１８とを含んでいる。テストモード信号が供給されて半導体集積回路１０がテストモードになると、トリミングデコーダ１５は、トリミング回路１６が複数の抵抗を所定の順序で選択するようにトリミングデータを生成する。トリミング回路１６によって抵抗値Ｒが設定されると、ゲート回路１２は、外部基準クロック信号を用いて、カウンタ１３のカウント期間を設定する。カウンタ１３は、このカウント期間において、ＣＲ発振回路１１の出力信号をカウントする。判定回路１４は、カウント値が所定の範囲内であるか否かを判定し、所定の範囲内であると判定したカウント値に対応するトリミングデータをパラレルデータとして出力する。データ変換回路１７は、判定回路１４から出力されたパラレルデータをシリアルデータに変換してトリミング用メモリ１８に供給する。トリミング用メモリ１８は、このシリアルデータを記憶する。
【００１６】
このようにして、所定の範囲内の発振周波数ｆ０を実現するための抵抗値Ｒが決定されると、半導体集積回路１０は、通常モードにおいて使用できるようになる。通常モードにおいては、トリミングデコーダ１５が、トリミング用メモリ１８に記憶されているトリミングデータを用いてトリミング回路を制御する。
【００１７】
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路の製造方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。図２は、本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路の製造方法を示すフローチャートである。図２に示されている工程は、全体の製造工程の最後に行われるものであり、ハードウエアとしては完成したウエハ又はチップに適切な発振周波数を与えるためのデータを記憶させ、実際に発振させて発振周波数を確認するものである。
【００１８】
まず、半導体集積回路１０にテストモード信号を供給して、半導体集積回路１０をテストモードにしておく。ステップＳ１１において、半導体集積回路１０に外部基準クロックを供給することにより、ゲート回路１２がカウント期間を設定する。このカウント期間において、カウンタ１３がＣＲ発振回路１１の出力信号をカウントする（ステップＳ１２）。ステップＳ１３において、判定回路１４が、カウント値が所定の範囲内に入っているか否かを判定する。判定の結果、カウント値が所定の範囲内に入っていない場合には、ステップＳ１４に進み、トリミング回路１６が抵抗値を変更することによりトリミングを行う。その後、ステップＳ１１〜Ｓ１３を繰り返す。一方、カウント値が所定の範囲内に入っている場合には、ステップＳ１５に進み、カウント値に対応するトリミングデータをトリミング用メモリ１８に書き込む。その後、半導体集積回路をテストモードから通常モードに移行させ、ステップＳ１７において、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を測定する。
【００１９】
本実施形態によれば、半導体集積回路において適切なトリミングデータを自動的に決定してトリミング用メモリに書き込むので、計測器を用いた発振周波数の測定は最終的に１回だけ行えばよく、半導体集積回路の試験に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００２０】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図３に、本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示す。本実施形態においては、半導体集積回路２０が、図１に示す判定回路１４及びデータ変換回路１７の替わりに、判定回路２１及びラッチ回路２２を含んでいる。
【００２１】
カウンタ１３は、カウント期間においてＣＲ発振回路１１の出力信号をカウントすると共に、その測定回数をカウントする。判定回路２１は、ＣＲ発振回路１１の出力信号のカウント値が所定の範囲内であるか否かを判定し、所定の範囲内であると判定したときに、ラッチ回路２２に確定信号を出力する。ラッチ回路２２は、この確定信号に応答して、カウンタ１３から出力される測定回数を表すデータをラッチしてトリミング用メモリ１８に供給する。トリミング用メモリ１８は、このデータを記憶する。
【００２２】
このようにして、所定の範囲内の発振周波数ｆ０を実現するための抵抗値Ｒが決定されると、半導体集積回路２０は、通常モードにおいて使用できるようになる。通常モードにおいては、トリミングデコーダ１５が、トリミング用メモリ１８に記憶されているデータに基づいてトリミングデータを生成する。
【００２３】
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路の製造方法について、図３及び図４を参照しながら説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路の製造方法を示すフローチャートである。
【００２４】
まず、半導体集積回路２０にテストモード信号を供給して、半導体集積回路２０をテストモードにしておく。ステップＳ２１において、トリミングデコーダ１５は、複数の抵抗の内から所定の抵抗値を有する少なくとも１つの抵抗を選択する。ここで、所定の抵抗値としては、Ｎを自然数として、２Ｎ個の抵抗値の内で第Ｎ番目若しくは第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値か、又は、（２Ｎ＋１）個の抵抗値の内で第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値であることが望ましい。
【００２５】
ステップＳ２２において、半導体集積回路２０に外部基準クロックを供給することにより、ゲート回路１２がカウント期間を設定する。このカウント期間において、カウンタ１３がＣＲ発振回路１１の出力信号をカウントする（ステップＳ２３）。ステップＳ２４において、判定回路２１が、カウント値が所定の範囲内に入っているか否かを判定する。判定の結果、カウント値が所定の範囲内に入っていない場合には、ステップＳ２５に進む。
【００２６】
ステップＳ２５において、トリミングデコーダ１５は、カウント値に基づいて抵抗値を変更する。例えば、トリミングデコーダ１５は、ＣＲ発振回路１１の出力信号のカウント値が所定の範囲の下限値よりも小さい場合には、抵抗値を小さくし、ＣＲ発振回路１１の出力信号のカウント値が所定の範囲の上限値よりも大きい場合には、抵抗値を大きくするようにしても良い。その後、ステップＳ２２〜Ｓ２４を繰り返す。このようにすれば、ステップＳ２１において２Ｎ個の抵抗値の内から第Ｎ番目若しくは第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値が設定されているか、又は、（２Ｎ＋１）個の抵抗値の内から第（Ｎ＋１）番目の大きさの抵抗値が設定されている場合に、ステップＳ２２〜Ｓ２４の繰り返し回数を抵抗値の総数の半分程度に制限することができる。
【００２７】
一方、カウント値が所定の範囲内に入っている場合には、ステップＳ２６に進み、ラッチ回路２２が、測定回数を表すデータをラッチし、必要であればＣＲ発振回路１１の出力信号のカウント初期値が大き過ぎたのか小さ過ぎたのかを表す情報と共に、トリミング用メモリ１８に書き込む。トリミングデコーダ１５は、このデータに基づいて、適切な発振周波数を与えるトリミングデータを求めることができる。その後、半導体集積回路をテストモードから通常モードに移行させ、ステップＳ２７において、ＣＲ発振回路１１の発振周波数を測定する。
【００２８】
以上の実施形態においては、ＣＲ発振回路の発振周波数を決定する抵抗をトリミングする場合について説明したが、同様に発振周波数を決定するコンデンサをトリミングするようにしても良い。
【００２９】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によれば、ＣＲ発振回路を内蔵する半導体集積回路において、抵抗値や容量値のトリミングを行う際に発振周波数を測定する回数を低減し、製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体集積回路の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体集積回路の製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０、２０  半導体集積回路
１１  ＣＲ発振回路
１２  ゲート回路
１３  カウンタ
１４、２１  判定回路
１５  トリミングデコーダ
１６  トリミング回路
１７  データ変換回路
１８  トリミング用メモリ
２２  ラッチ回路
【図１】
2004179505.tif 000003
【図２】
2004179505.tif 000004
【図３】
2004179505.tif 000005
【図４】
2004179505.tif 000006