(57)【要約】【課題】処理液の使用量の増加および処理のスループットの低下を招くことなく、基板に供給される処理液の温度などを一定に保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】処理液供給ノズル２には、薬液タンク２３から汲み出されて、温度調節器２５で温度調節された薬液（温調液）が薬液供給路２１を通して供給されるようになっている。処理液供給ノズル２に関連して、処理液供給ノズル２から吐出された処理液を受けるための受け部材３が備えられている。受け部材３には、薬液タンク２３へと延びた薬液帰還路３３が接続されている。処理開始前は、薬液タンク２３、薬液供給路２１、受け部材３および薬液帰還路３３からなる薬液循環路を温調液が循環している。ウエハＷがスピンチャック１に受け渡されると、受け部材３が処理液退避位置に移動されて、処理液供給ノズル２からウエハＷに温調液が供給される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持手段と、
基板の表面に供給すべき処理液を貯留する貯留槽と、
上記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて処理液を吐出するノズルと、
このノズルと上記貯留槽とを接続しており、上記貯留槽から上記ノズルへ処理液を供給するための供給路と、
上記ノズルから吐出される処理液を、上記基板保持手段に保持された基板の表面に接触する前に受け取るための受け部材と、
この受け部材と上記貯留槽とを接続しており、上記受け部材で受け取られた処理液を上記貯留槽へ帰還させるための帰還路と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記ノズルから吐出される処理液の供給先を基板表面と上記受け部材とに切り換える切換手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記切換手段は、上記ノズルと上記受け部材とを相対的に移動させる相対移動手段を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記供給路に介装されて、上記貯留槽から上記ノズルへ供給される処理液の温度を調節する温度調節器をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理方法であって、
貯留槽に貯留された処理液を汲み出してノズルに送る工程と、
上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に供給する処理液供給工程と、
この処理液供給工程が行われていないときに、上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に接触する前に受け部材で受け取って上記貯留槽に帰還させる処理液帰還工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に対して処理液を用いた表面処理が施される。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置では、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に処理液を供給する処理液供給ノズルとが備えられていて、スピンチャックに保持された基板が水平面内で回転され、その一方で、処理液供給ノズルから基板の表面に処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液による処理が施される。
【０００３】
このような枚葉型の基板処理装置の中には、処理に適した一定温度に調節された処理液（温調液）を用いるものがある。基板に対して温調液を用いた表面処理を施すための装置は、たとえば、本願出願人の先願に係る下記特許文献１に開示されている。
下記特許文献１に開示された装置では、図５に示すように、処理に用いられる処理液は、処理液タンク１０１に貯留されており、処理液供給ノズル１０２には、処理液タンク１０１から延びた処理液供給路１０３が接続されている。処理液供給路１０３の途中部には、処理液タンク１０１側から順に、ポンプ１０４、温度調節器１０５、フィルタ１０６および処理液供給バルブ１０７が介装されている。温度調節器１０５は、処理液タンク１０１から処理液供給ノズル１０２に向けて送られる処理液の温度を処理に適した一定温度に調節するためのものであり、フィルタ１０６は、処理液供給ノズル１０２に向けて送られる温調液中の異物を除去するためのものである。また、処理液供給路１０３には、フィルタ１０６と処理液供給バルブ１０７との間の分岐点Ｊにおいて、処理液帰還路１０８が分岐接続されている。処理液帰還路１０８の先端は、処理液タンク１０１に接続されており、処理液帰還路１０８の途中部には、処理液帰還バルブ１０９が介装されている。
【０００４】
装置の運転中は、ポンプ１０４および温度調節器１０５が常に駆動されており、基板の表面に温調液による処理を施すべき時には、処理液帰還バルブ１０９が閉じられ、処理液供給バルブ１０７が開かれて、処理液供給路１０３を流れる温調液が処理液供給ノズル１０２へと供給される。一方、基板の処理を行わない時（基板の表面への温調液の供給を行わない時）には、処理液供給バルブ１０７が閉じられ、処理液帰還バルブ１０９が開かれて、処理液供給路１０３を流れる温調液が分岐点Ｊから処理液帰還路１０８を通して処理液タンク１０１に戻される。これにより、基板の処理を行わない時には、処理液タンク１０１、処理液供給路１０３および処理液帰還路１０８からなる処理液循環路を温調液が循環することになる。こうして温調液を循環させておくことによって、処理液供給バルブ１０７の開成後、速やかに、基板に供給すべき温調液を処理液供給ノズル１０２に供給することができる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２０６９５７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、処理液循環路を温調液が循環している間、処理液供給路１０３の分岐点Ｊよりも処理液供給ノズル１０２側には温調液が流入しないから、分岐点Ｊと処理液供給バルブ１０７との間、さらには処理液供給バルブ１０７と処理液供給ノズル１０２の先端との間に溜まった処理液の温度は低下していく。このため、基板の処理を行わない状態が長い時間続いた場合、処理液供給バルブ１０７の開成直後に、分岐点Ｊと処理液供給ノズル１０２の先端との間の低温の処理液（処理に適した温度よりも低い温度の処理液）が基板に供給されてしまい、その基板における処理品質が悪くなるおそれがあった。
【０００７】
また、基板に対して温調液を用いた表面処理を施すための装置に限らず、基板に対して温度調節されていない処理液を用いた表面処理を施す装置であっても、処理液供給路の処理液供給バルブよりも上流側に処理液帰還路を分岐接続した構造を有している場合、処理品質の悪化の問題を生じるおそれがある。たとえば、処理液としてエッチング液などの薬液が用いられている場合には、基板の処理を行わない状態が長い時間続くと、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液中に薬液成分の析出物が発生し、処理液供給バルブの開成直後に、その薬液成分の析出物（パーティクル）を含む処理液が供給されることによって、基板が汚染されるおそれがある。そのうえ、処理液中の薬液成分が析出すると、その処理液の濃度は低下するため、処理液供給バルブの開成直後は、適正な濃度よりも低濃度の処理液が基板に供給されることになり、洗浄不足やエッチング不足などの処理不良を生じるおそれもある。また、処理液として純水が用いられている場合には、基板の処理を行わない状態が長い時間続くと、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液中にバクテリアなどの雑菌が発生し、処理液供給バルブの開成直後に、その雑菌を含む処理液が供給されることによって、基板が汚染されるおそれがある。
【０００８】
このような問題を回避するために、基板の搬入前に、処理液供給バルブを開いて、処理液帰還路の分岐点と処理液供給ノズルの先端との間に溜まった処理液を廃棄する手法（処理液のプリディスペンス）が考えられる。しかしながら、この手法では、処理液の使用量が増加し、また、プリディスペンスを行う時間分だけ、処理のスループットが低下してしまう。
そこで、この発明の目的は、処理液の使用量の増加および処理のスループットの低下を招くことなく、基板に供給される処理液の条件（温度、濃度など）を一定に保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段（１）と、基板の表面に供給すべき処理液を貯留する貯留槽（２３）と、上記基板保持手段に保持された基板の表面に向けて処理液を吐出するノズル（２；４；６；８）と、このノズルと上記貯留槽とを接続しており、上記貯留槽から上記ノズルへ処理液を供給するための供給路（２１）と、上記ノズルから吐出される処理液を、上記基板保持手段に保持された基板の表面に接触する前に受け取るための受け部材（３；５；７；９）と、この受け部材と上記貯留槽とを接続しており、上記受け部材で受け取られた処理液を上記貯留槽へ帰還させるための帰還路（３３）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
上記の構成によれば、ノズルから吐出される処理液を、受け部材で受け取り、この受け部材から帰還路を通して貯留槽に戻すことができる。つまり、貯留槽、供給路、受け部材および帰還路からなる処理液循環路に処理液を循環させることができる。
【００１１】
貯留槽、供給路、受け部材および帰還路からなる処理液循環路には、処理液が滞留する部分は存在しないから、特に、従来のようにノズルの先端付近で処理液が滞留しないから、処理液循環路に処理液を循環させている状態から基板に対して処理液を供給する状態に切り換えても、温度や濃度の異なる処理液、汚染物質（パーティクルや雑菌）を含む処理液などが基板に供給されることがない。したがって、処理の全期間を通じて、基板の表面に供給される処理液の条件を一定に保つことができるから、基板の表面に対して、高品質な処理を安定して行うことができる。そのうえ、基板への処理液の供給開始前に、ノズルから処理液をプリディスペンスさせる必要がないから、処理液の使用量の増加および処理のスループットの低下を招くこともない。
【００１２】
なお、処理液循環路に処理液を循環させている状態と基板に対して処理液を供給する状態との切換えは、請求項２に記載されているように、上記ノズルから吐出される処理液の供給先を基板表面と上記受け部材とに切り換える切換手段（３１）をさらに含むことによって達成することができる。
上記切換手段は、請求項３に記載されているように、上記ノズルと上記受け部材とを相対的に移動させる相対移動手段（３１）を含んでいてもよく、この場合、上記ノズル（２；４）と上記受け部材（３；５）とを相対的に水平移動させることによって、上記ノズルから吐出される処理液の供給先の切換えが達成されてもよいし、上記ノズル（６）と上記受け部材（７）とを相対的に上下動させることによって、上記ノズルから吐出される処理液の供給先の切換えが達成されてもよい。
【００１３】
一方、上記切換手段は、上記ノズル（８）および受け部材（９）は相対的に固定配置されていて、上記ノズルから吐出される処理液の流速を調整することにより、上記ノズルから吐出される処理液の供給先の切換えを達成するものであってもよい。
また、上記基板処理装置は、請求項４に記載のように、上記供給路に介装されて、上記貯留槽から上記ノズルへ供給される処理液の温度を調節する温度調節器（２５）をさらに含み、この温度調節器によって一定温度に調節された処理液を基板の表面処理に用いるものであってもよい。
【００１４】
請求項５記載の発明は、基板（Ｗ）の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理方法であって、貯留槽（２３）に貯留された処理液を汲み出してノズル（２；４；６；８）に送る工程と、上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に供給する処理液供給工程と、この処理液供給工程が行われていないときに、上記ノズルから吐出される処理液を基板の表面に接触する前に受け部材（３；５；７；９）で受け取って上記貯留槽に帰還させる処理液帰還工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１５】
この方法によれば、請求項１の発明に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置であって、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷに処理液を供給するための処理液供給ノズル２と、処理液供給ノズル２から吐出された処理液を受けるための受け部材３とを備えている。ウエハＷに対する処理は、処理液を用いた処理であれば、たとえば、エッチング液または洗浄液を用いて、ウエハＷの表面からパーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去するエッチング（洗浄）処理であってもよいし、オゾン水または過酸化水素水などを含む酸化性液体を用いて、ウエハＷの表面に酸化膜を形成させる酸化処理であってもよい。
【００１７】
スピンチャック１は、たとえば、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸１１と、スピン軸１１の上端に取り付けられたスピンベース１２と、このスピンベース１２の周縁部に配設された複数本のチャックピン１３とを有していて、複数本のチャックピン１３でウエハＷの端面を協働して挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な状態で保持できる構成になっている。また、スピン軸１１には、モータなどの駆動源を含む回転駆動機構１４が結合されており、チャックピン１３でウエハＷをほぼ水平に保持した状態で、回転駆動機構１４からスピン軸１１に回転力を入力することによって、ウエハＷをほぼ水平な面内で回転させることができるようになっている。
【００１８】
処理液供給ノズル２には、薬液供給路２１を通して薬液が供給され、また、純水供給路２２を通して純水が供給されるようになっている。薬液は、薬液タンク２３に貯留されていて、この薬液タンク２３からポンプ２４によって汲み出され、薬液供給路２１を処理液供給ノズル２に向けて送られる。薬液供給路２１には、ポンプ２４の下流側に、温度調節器２５、フィルタ２６および薬液バルブ２７が介装されている。温度調節器２５は、薬液供給路２１を処理液供給ノズル２に向けて送られる薬液の温度を処理に適した一定温度に調節するためのものであり、フィルタ２６は、その温度調節器２５によって温度調節された薬液（以下「温調液」という。）中の異物を除去するためのものである。一方、純水供給路２２には、図外の純水供給源からの純水を処理液供給ノズル２に供給したり、その供給を停止したりするための純水バルブ２８が介装されている。
【００１９】
また、処理液供給ノズル２には、たとえば、ボールねじおよびモータを含む昇降駆動機構２９が結合されている。この昇降駆動機構２９の働きにより、処理液供給ノズル２は、スピンチャック１の側方に設定された鉛直線に沿って、スピンチャック１の上方に大きく退避した位置とスピンチャック１に保持されたウエハＷに近接した位置との間で昇降されるようになっている。
受け部材３は、処理液供給ノズル２からの処理液を受け取ることができる容器状に形成されており、受け部材移動用モータ３１によってほぼ水平な面内で揺動されるアーム３２の先端に取り付けられている。受け部材移動用モータ３１は、出力軸３１１が鉛直線に沿うように処理液供給ノズル２のノズルヘッド２ｈの側面に取り付けられており、その出力軸３１１がアーム３２の他端（受け部材３が取り付けられている側とは反対側の端部）に接続されている。受け部材移動用モータ３１の出力軸３１１を所定の角度範囲内で往復回転させることにより、アーム３２を揺動させることができ、これに伴って、受け部材３を、処理液供給ノズル２から吐出される処理液の通過線上の位置（処理液捕獲位置）とその通過線上から外れた位置（処理液退避位置）とに移動させることができる。
【００２０】
受け部材３の底部には、薬液帰還路３３の一端が接続されている。薬液帰還路３３は、処理液供給ノズル２の昇降に伴って伸縮するベローズＢ内を挿通されて、その他端が薬液タンク２３に接続されている。また、薬液帰還路３３には、薬液帰還バルブ３４が介装されている。
ウエハＷに対する処理を開始する前には、処理液供給ノズル２は、ウエハＷの搬入を阻害しないように上方に大きく退避している。また、受け部材３が処理液捕獲位置に配置されて、薬液バルブ２７が開成された状態で、ポンプ２４および温度調節器２５が駆動されている。このとき、純水バルブ２８は閉成されている。さらに、薬液帰還バルブ３４が開成されている。これにより、薬液タンク２３から汲み出された薬液が処理に適した一定温度に調節されて温調液となり、この温調液が薬液供給路２１を通して処理液供給ノズル２に供給される。そして、処理液供給ノズル２から吐出された温調液は、受け部材３によって受け取られ、薬液帰還路３３を通して薬液タンク２３に戻される。つまり、ウエハＷに対する処理を開始する前は、薬液タンク２３、薬液供給路２１、受け部材３および薬液帰還路３３からなる薬液循環路を温調液が循環している。
【００２１】
図示しない搬送ロボットによって処理対象のウエハＷが搬入されてきて、そのウエハＷがスピンチャック１に受け渡されると、昇降駆動機構２９が駆動されて、処理液供給ノズル２がウエハＷの上面に近接した位置まで下降される。また、回転駆動機構１４が駆動されて、スピンチャック１（すなわち、ウエハＷ）が予め定める回転速度で回転される。そして、受け部材移動用モータ３１が駆動されて、受け部材３が処理液捕獲位置から処理液退避位置に移動されることにより、処理液供給ノズル２から回転中のウエハＷの上面中央に温調液が供給される。ウエハＷの上面中央に供給された温調液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの上面中央から周縁に向けて拡がる。これによって、ウエハＷの上面全域に温調液が行き渡り、ウエハＷの上面全域が温調液による薬液処理（たとえば、エッチング液によるエッチング処理）を受ける。
【００２２】
このように、ウエハＷに対する処理を開始する前に、薬液タンク２３、薬液供給路２１、受け部材３および薬液帰還路３３からなる薬液循環路に温調液を循環させておくことによって、ウエハＷがスピンチャック１に受け渡された後、直ちに、そのウエハＷに温度精度の良い温調液を供給することができ、温調液によるウエハＷの表面処理を開始することができる。また、薬液循環中、薬液供給路２１内や処理液供給ノズル２内に薬液が滞留する部分はないから、ウエハＷに対する処理の開始直後に、処理に適した温度よりも低い温度の薬液や汚染物質（パーティクル）を含む薬液、濃度が低下した薬液がウエハＷに供給されることはなく、薬液処理の全期間を通じて、一定の温度条件、濃度条件およびパーティクル条件（清浄度）を満たした薬液をウエハＷに供給することができる。したがって、ウエハＷの表面に対して、高品質な処理を安定して行うことができる。そのうえ、ウエハＷへの温調液の供給開始前に、処理液供給ノズル２から温調液をプリディスペンスさせる必要がないから、薬液の使用量の増加および処理のスループットの低下を招くこともない。
【００２３】
ウエハＷに対する薬液処理が予め定める時間だけ行われると、ポンプ２４および温度調節器２５が停止されて、薬液バルブ２７が閉成されることにより、処理液供給ノズル２からウエハＷへの温調液の供給が停止される。そして、純水バルブ２８が開成されて、処理液供給ノズル２からウエハＷの上面中央に純水が供給される。このとき、スピンチャック１によるウエハＷの回転は続けられており、処理液供給ノズル２からウエハＷの上面中央に供給された純水は、ウエハＷの回転による遠心力によって、そのウエハＷの上面中央から周縁に向けて拡がる。これにより、ウエハＷの上面全域に純水が行き渡り、ウエハＷに付着した薬液を洗い流すためのリンス処理が達成される。また、リンス処理の間は、薬液帰還バルブ３４が閉成されて、薬液タンク２３内の薬液を含む雰囲気が薬液帰還路３３を通って処理室（スピンチャック１を収容したチャンバ）内に流入することが防止されている。
【００２４】
リンス処理が予め定める時間だけ続けられると、純水バルブ２８が閉成され、その後は、ウエハＷを予め定める高回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転させて、ウエハＷに付着している純水の液滴を遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ工程が行われる。その一方で、受け部材移動用モータ３１が駆動されて、受け部材３が処理液退避位置から処理液捕獲位置に移動され、また、昇降駆動機構２９が駆動されて、処理液供給ノズル２がスピンチャック１の上方に大きく退避した位置まで上昇される。そして、次のウエハＷの処理に備えて、薬液バルブ２７および薬液帰還バルブ３４が開成され、ポンプ２４および温度調節器２５が駆動されることにより、薬液タンク２３、薬液供給路２１、受け部材３および薬液帰還路３３からなる薬液循環路を温調液が循環させられる。
【００２５】
スピンドライ工程は、ウエハＷの表面を乾燥させるのに十分な時間続けられる。スピンドライ工程の終了後は、スピンチャック１の回転が止められて、図示しない搬送ロボットによって、スピンチャック１から処理後のウエハＷが搬出されていく。
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、受け部材３を移動させることによって、処理液供給ノズル２から吐出される温調液をウエハＷに供給したり、受け部材３で受け取ったりする構成を取り上げたが、温調液の供給先の切換えは、他の構成によっても達成することができる。
【００２６】
たとえば、図２に示すように、処理対象のウエハＷの上方のほぼ水平な面内で揺動可能に設けられたアーム４１の先端に処理液供給ノズル４を取り付け、そのウエハＷの側方に受け部材５を固定配置して、アーム４１を揺動させることにより、処理液供給ノズル４から吐出される温調液をウエハＷに供給したり、受け部材５で受け取って薬液タンクに帰還させたりするようにしてもよい。この場合、温調液の供給先をウエハＷと受け部材５とに即座に切り換えることができるように、受け部材５には、平面視においてウエハＷの上面の中央付近まで延びた樋部５１が形成されていることが好ましい。
【００２７】
また、受け部材または処理液供給ノズルを水平方向に移動させる構成に限らず、図３に示すように、処理対象のウエハＷの側方または上方に受け部材７を固定配置し、その受け部材７の上方で昇降可能に処理液供給ノズル６を設けて、処理液供給ノズル６を上下動させることにより、温調液の供給先をウエハＷと受け部材７とに切り換えるようにしてもよい。
さらには、受け部材および処理液供給ノズルの両方を固定配置した構成によっても、温調液の供給先の切換えを達成することができる。たとえば、図４に示すように、処理対象のウエハＷの斜め上方に処理液供給ノズル８を固定配置するとともに、その処理液供給ノズル８の先端の下方に受け部材９を固定配置して、処理液供給ノズル８から吐出される温調液の流速を調整することにより、温調液の供給先をウエハＷと受け部材９とに切り換えるようにしてもよい。処理液供給ノズル８から吐出される温調液の流速の調整は、たとえば、処理液供給ノズル８に接続された薬液供給路に流量調整弁を介装しておき、この流量調整弁の開度を制御することにより達成されてもよいし、薬液供給路に介装されたポンプ２４の送液能力を制御することにより達成されてもよい。
【００２８】
また、上記の実施形態において、薬液がウエハＷに供給されるときの流量と比較して、薬液が薬液循環路を循環しているときの流量を、薬液を循環できる程度の小さな流量としてもよい。具体的には、薬液循環時に流量調整弁で流量を抑えたり、ポンプ２４の送液能力を抑制するようにすればよい。
さらにまた、上記の実施形態では、処理対象の基板の一例としてウエハＷを取り上げたが、処理対象の基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板であってもよい。
【００２９】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す図である。
【図２】処理液供給ノズルを水平移動させることにより、温調液のウエハへの供給と温調液の受け部材による受け取りとを切り換えるようにした構成について説明するための図解図である。
【図３】処理液供給ノズルを上下動させることにより、温調液のウエハへの供給と温調液の受け部材による受け取りとを切り換えるようにした構成について説明するための図解図である。
【図４】受け部材および処理液供給ノズルの両方を固定配置した構成について説明するための図解図である。
【図５】従来の基板処理装置における配管構造を示す図である。
【符号の説明】
１      スピンチャック
２      処理液供給ノズル
３      受け部材
４      処理液供給ノズル
５      受け部材
６      処理液供給ノズル
７      受け部材
８      処理液供給ノズル
９      受け部材
２１    薬液供給路
２３    薬液タンク
２５    温度調節器
３１    受け部材移動用モータ
３３    薬液帰還路
Ｗ      ウエハ
【図１】
2004179323.tif 000003
【図２】
2004179323.tif 000004
【図３】
2004179323.tif 000005
【図４】
2004179323.tif 000006
【図５】
2004179323.tif 000007