(57)【要約】【課題】エネルギー効率が高く、かつ、低コストの、光で光の透過率を制御する方法、その方法を用いた装置、例えば、光光変換器、光メモリを提供する。【解決手段】光ヒステリシス物質に励起光を照射して光ヒステリシス物質の光透過率を制御する。第１のしきい値１は、励起光強度の増加走査で低光透過率状態から高光透過率状態に変化する光強度であり、第２のしきい値２は、励起光強度の減少走査で高光透過率状態から低光透過率状態へ変化する光強度である。励起光強度を第１のしきい値１以上に増加走査（Ａ→Ｂ→Ｃ）して、または、第２のしきい値２以下に減少走査（Ｄ→Ｅ→Ｆ）して、高光透過率状態、または、低光透過率状態の二値を形成する。光ヒステリシス特性を用いて光光変換、光メモリを実現する。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光強度によって光透過率が変化し、かつ、励起光強度の走査履歴によって光透過率が二値をとる光ヒステリシス特性を有する物質を用い、この光透過率特性を利用して光透過率を変化させることを特徴とする、光透過率制御方法。
【請求項２】
励起光強度によって光透過率が変化し、かつ、励起光強度の走査履歴によって光透過率が二値をとる光ヒステリシス特性を有する物質を用い、この光透過率特性を利用して光透過率の二値を形成することを特徴とする、光透過率制御方法。
【請求項３】
励起光強度によって光透過率が変化し、かつ、励起光強度の走査履歴によって光透過率が二値をとる光ヒステリシス特性を有する物質を用い、この光透過率特性を利用して第１の光の透過光強度を第２の光の強度で制御することを特徴とする、光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項４】
前記物質は、前記励起光強度の第１のしきい値と第２のしきい値を有し、上記第１のしきい値未満の励起光強度の増加走査では低光透過率状態を形成し、上記第１のしきい値以上から上記第２のしきい値以下までの励起光強度の減少走査では高光透過率状態を形成する、または、上記第１のしきい値未満の励起光強度の増加走査では高光透過率状態を形成し、上記第１のしきい値以上から上記第２のしきい値以下までの励起光強度の減少走査では低光透過率状態を形成する、光ヒステリシス特性を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の光透過率制御方法、または、光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項５】
前記励起光の第１のしきい値は、前記励起光強度の増加走査で低光透過率状態から高光透過率状態へ、または、高光透過率状態から低光透過率状態へ変化する光強度であることを特徴とする、請求項４に記載の光透過率制御方法、または、光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項６】
前記励起光の第２のしきい値は、前記励起光強度の減少走査で高光透過率状態から低光透過率状態へ、または、低光透過率状態から高光透過率状態へ変化する光強度であることを特徴とする、請求項４に記載の光透過率制御方法、または、光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項７】
前記励起光の波長は、前記物質を、低光透過率状態から高光透過率状態に、または、高光透過率状態から低光透過率状態に選択的に遷移させるエネルギーに対応した波長の光であることを特徴とする、請求項４に記載の光透過率制御方法、または、光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項８】
前記物質と、この物質に斜めに照射する変調光の光源と、上記物質に垂直に照射する信号光の光源とから成り、光光変換機能を有することを特徴とする、請求項４〜７のいずれかに記載の光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項９】
前記変調光の強度を変調し、前記物質の光ヒステリシス曲線を動作曲線として上記物質の光透過率を変調し、この変調された光透過率により前記信号光の透過光強度を変調することを特徴とする、請求項８に記載の光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項１０】
前記物質と、この物質に斜めに照射する書き込み光の光源と、上記物質に垂直に照射する読み出し光の光源とから成り、光メモリ機能を有することを特徴とする、請求項４〜７のいずれかに記載の光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項１１】
前記読み出し光の強度を前記第１のしきい値以下、前記第２のしきい値以上の強度に保ち、
前記書き込み光を上記第１のしきい値以上の強度まで増加走査し、かつ、上記書き込み光の照射を停止して、高光透過率状態、または、低光透過率状態を記憶し、上記読み出し光の照射を一瞬さえぎって、低光透過率状態または高光透過率状態を記憶し、
上記読み出し光の透過光強度を検出して、上記記憶された光透過率状態を判別することを特徴とする、請求項１０に記載の光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項１２】
前記物質は、シス・トランス変態、イオン価数の異なる状態、または、分極が右と左の状態をとりえる物質であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の光透過率制御方法、または、光透過率制御方法を用いた装置。
【請求項１３】
前記物質は、鉄（ＩＩ）錯体化合物、または、鉄（ＩＩＩ　）錯体化合物であることを特徴とする、請求項１２に記載の光透過率制御方法、または、光透過率制御方法を用いた装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光で光の透過率を制御する方法、及びその方法を用いた装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信需要の拡大は止まるところを知らず、それに伴い、大容量、超高速通信技術への要望は高まるばかりである。大容量、超高速通信を可能にする技術として、光ファイバ通信が実用化されているが、現状では、信号伝送媒体として光を利用する段階に止まっており、光信号の変調復調、情報の記憶等は、高度に発達した電子デバイスに依存している。しかしながら、近年、光自体及び光と物質との相互作用に関する理解が進み、光を電子と同様に制御できる可能性が明らかになりつつある。光通信は、信号伝送媒体としての光の利用のみではなく、光信号の変調復調、情報の記憶等の全ての情報通信処理を光のみで行うことが好ましい。これによって、さらに大容量な、またさらに高速な通信が可能になり、低コストで大量の情報通信が行えるようになる。
【０００３】
現状の光で光を変調する装置には、半導体量子井戸等の非線形光学効果を用いた光光変換器がある。この装置は、高強度の光パルスを半導体量子井戸に照射して、非線形効果を誘起して屈折率を変化させ、光を偏向させて変調信号に応じた光光変換を行うものである。しかしながら、この装置は、高強度のパルス光を必要とし、装置が複雑、高コストになるばかりか、現状の高度に発達した電子デバイスを介在させる変換方式に比べて、エネルギー効率の点からも有利であるとはいえない。
また、現状の情報を記憶する光メモリは、光磁気ディスクに代表されるように、磁気光学効果を利用するものが主流である。この装置は、光を利用して情報の書き込み・読み出しを行うが、書き込みに際し磁場を必要とするためコストが高くなる。また、レーザー光を照射して情報記憶媒体をキューリー点近傍まで加熱する必要があり、エネルギー効率の点からも理想的なメモリとはいえない。
【０００４】
このように、現状の光通信技術、光メモリ技術においては、情報の変調復調、記憶といった情報通信に必要な処理を光のみで処理できる、エネルギー効率が高く、低コストな方法、装置がない。
【０００５】
本発明者らは、励起光強度の走査履歴によって透過率が二値をとる現象、すなわち、光ヒステリシスを用いれば、光情報の変調復調、記憶等の処理を光のみで処理できる可能性に想到した。
従来、光ヒステリシスを有する物質は知られていない。本発明者らは、光ヒステリシスを有する物質を発見し、本発明に到ったものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記課題に鑑み本発明は、エネルギー効率が高く、かつ、低コストの、光で光の透過率を制御する方法を提供し、また、その方法を用いた装置、例えば、光光変換器、光メモリを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題に鑑み、本発明の光透過率制御方法は、励起光強度によって光透過率が変化し、かつ、励起光強度の走査履歴によって光透過率が二値をとる光ヒステリシス特性を有する物質を用い、この光透過率特性を利用して光透過率を変化させることを特徴とする。
本発明の光透過率制御方法は、励起光強度によって光透過率が変化し、かつ、励起光強度の走査履歴によって光透過率が二値をとる光ヒステリシス特性を有する物質を用い、この光透過率特性を利用して光透過率の二値を形成することを特徴とする。
本発明の光透過率制御方法を用いた装置は、励起光強度によって光透過率が変化し、かつ、励起光強度の走査履歴によって光透過率が二値をとる光ヒステリシス特性を有する物質を用い、この光透過率特性を利用して第１の光の透過光強度を第２の光の強度で制御することを特徴とする。
また、上記物質は、励起光強度の第１のしきい値と第２のしきい値を有し、第１のしきい値未満の励起光強度の増加走査では低光透過率状態、または、高光透過率状態を形成し、第１のしきい値以上から上記第２のしきい値以下までの励起光強度の減少走査では高光透過率状態、または、低光透過率状態を形成する光ヒステリシス特性を有することを特徴とする。
また、第１のしきい値は、励起光強度の増加走査で低光透過率状態から高光透過率状態へ、または、高光透過率状態から低光透過率状態へ変化する光強度であることを特徴とする。
また、第２のしきい値は、励起光強度の減少走査で高光透過率状態から低透過率状態へ、または、低光透過率状態から高透過率状態へ変化する光強度であることを特徴とする。
また、励起光の波長は、上記物質を、低光透過率状態から高光透過率状態に、または、高光透過率状態から低光透過率状態に選択的に遷移させるエネルギーに対応した波長の光であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の方法によれば、励起光の強度を選択することにより、物質の透過率を連続的に変化させることができる。
また、励起光強度を第１のしきい値以上に増加走査することにより、または、第２のしきい値以下に減少走査することにより、高光透過率状態、または、低光透過率状態の光透過率の二値を形成できる。
また、本発明の装置によれば、第２の光である励起光強度を制御して物質の光透過率を制御し、第１の光である被制御光の透過光強度を連続的に制御することができる。また、第２の光の強度を第１のしきい値以上に増加走査することにより、または、第２のしきい値以下に減少走査することにより、高光透過率状態、または、低光透過率状態の光透過率の二値を形成し、第１の光の透過光強度を二値に制御できる。
【０００９】
本発明の光光変換機能を有する装置は、上記物質と、物質に斜めに照射する変調光の光源と、物質に垂直に照射する信号光の光源とから成り、光光変換機能を有することを特徴とする。
また、変調光の強度を変調し、物質の光ヒステリシス曲線を動作曲線として物質の光透過率を変調し、変調された光透過率により信号光の透過光強度を変調することを特徴とする。
この装置によれば、光強度で光強度を変換することができる。
【００１０】
本発明の光メモリ機能を有する装置は、上記物質と、物質に斜めに照射する書き込み光の光源と、物質に垂直に照射する読み出し光の光源とから成り、光メモリ機能を有することを特徴とする。
また、読み出し光の強度を第１のしきい値以下、第２のしきい値以上の強度に保ち、書き込み光を第１のしきい値以上の強度まで増加走査し、かつ、書き込み光の照射を停止して、高光透過率状態または低光透過率状態を記憶し、または、読み出し光の照射を一瞬さえぎって、低光透過率状態または高光透過率状態を記憶する。読み出し光の透過光強度を検出して記憶された光透過率状態を判別することを特徴とする。
この装置によれば、光で情報を書き込み、光で情報を読み出すことができる。
【００１１】
上記の物質は、シス・トランス変態、イオン価数の異なる状態、または、分極が右と左の状態をとりえる物質であればよい。例えば、鉄（ＩＩ）錯体化合物、または、鉄（ＩＩＩ　）錯体化合物であれば好ましい。
【００１２】
本発明の方法及び装置は、光ヒステリシスを用いるので、小型、低コストで、光透過率を制御でき、また、光光変換、光メモリ等が実現できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
光透過率が励起光強度の履歴によって変化する物質があり、この特性を光ヒステリシス特性、また、その物質を光ヒステリシス物質と呼ぶ。光ヒステリシス物質には、励起光強度の増加走査によって低光透過率状態から高光透過率状態に変化し、減少走査によって高光透過率状態から低光透過率状態に変化する正の光ヒステリシス特性を示す物質と、増加走査によって高光透過率状態から低光透過率状態に変化し、減少走査によって低光透過率状態から高光透過率状態に変化する負の光ヒステリシス特性を示す物質がある。以下の説明においては、正の光ヒステリシス特性を示す物質を例に説明する。なお、負の光ヒステリシス特性を示す物質についても同様であるので、説明を省略する。
【００１４】
図１は、光ヒステリシス物質の光ヒステリシス特性を示す図である。
図において横軸は励起光強度を表し、縦軸は光ヒステリシス物質の光透過率を表す。図の第１のしきい値１は、励起光強度の増加走査で低光透過率状態から高光透過率状態に変化する光強度であり、第２のしきい値２は、励起光強度の減少走査で高光透過率状態から低光透過率状態へ変化する光強度である。図のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ及びＦは光ヒステリシス特性の部分を表す。
本発明は上記の光ヒステリシス物質の光ヒステリシス特性を利用したものであり、以下、図１に基づいて本発明を説明する。
本発明の光透過率を変化させる方法は、励起光強度を変化させ、光ヒステリシス特性Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆに基づいて、光ヒステリシス物質の光透過率を連続的に変化させるものである。
また、本発明の光透過率の二値を形成する方法は、励起光強度を第１のしきい値１以上に増加走査（Ａ→Ｂ→Ｃ）して、または、第２のしきい値２以下に減少走査（Ｄ→Ｅ→Ｆ）して、高光透過率状態、または、低光透過率状態の二値を形成するものである。
【００１５】
また、本発明の装置は、上記に説明した光透過率制御方法を利用したものであり、その一例である光光変換機能を有する装置を説明する。
図２は、本発明の光透過率制御方法を用いた光光変換機能を有する装置の構成を示す図である。本発明の光光変換機能を有する装置２０は、光ヒステリシス物質２１と、光ヒステリシス物質２１に斜めに入射させる変調光２２用の光源２３と、光ヒステリシス物質２１に垂直に入射させる信号光２４用の光源２５とから構成されている。
【００１６】
図３は本発明の光光変換機能を有する装置で信号光をアナログ変調する場合の原理を示す図である。図に示すように、変調光２２の強度を変調して、光ヒステリシス物質２１の図１に示した光ヒステリシス特性ＥまたはＢを動作曲線として、光ヒステリシス物質２１の光透過率を変調し、この変調された光ヒステリシス物質２１の光透過率により信号光２４の透過光強度を変調する。この二つの変調は、変調光２２の強度を増加走査、または、減少走査することにより、任意に切り替えることができる。
【００１７】
次に、信号光をデジタル変調する場合を説明する。信号光２４の強度を、図１に示した第１のしきい値１以下、第２のしきい値２以上に保って照射する。信号光２４の透過光強度を大きい状態に変調する場合には、変調光２２の強度を第１のしきい値１以上に増加走査してから、変調光２２を消す（または第２のしきい値２以下の強度にする）。これにより、光ヒステリシス物質２１の光透過率は高光透過率状態に変化し、信号光２４の透過光強度が大きくなる。信号光２４の透過光強度を小さい状態に変調する場合には、信号光２４を一瞬遮る。これにより、光ヒステリシス物質２１の光透過率は低光透過率状態に変化し、信号光２４の透過光強度が小さくなる。このように、信号光２４の透過光強度が大きい状態と小さい状態の二値に変調できる。
【００１８】
次に、本発明の光透過率制御方法を用いた光メモリ機能を有する装置を説明する。
図４は本発明の光透過率制御方法を用いた光メモリ機能を有する装置の構成を示す図である。本発明の光メモリ４０は、光ヒステリシス物質４１と、光ヒステリシス物質４１に斜めに入射させる書き込み光４２用の光源４３と、光ヒステリシス物質４１に垂直に入射させる読み出し光４４用の光源４５とから構成されている。
情報を記憶するには、読み出し光４４の強度を図１に示した第１のしきい値１以下、第２のしきい値２以上の強度に保ち、書き込み光４２の強度を第１のしきい値１以上まで増加走査し、かつ、書き込み光４２の照射を停止して、高光透過率状態を記憶し、または、読み出し光４４の照射を一瞬さえぎって、低光透過率状態を記憶する。情報を読み出すには、読み出し光４４の透過光強度を検出し、記憶された光透過率状態を判別する。この装置によれば、光で情報を書き込み、光で情報を読み出すことができる。
【００１９】
光ヒステリシス特性を用いた光透過率制御は、上記に説明したように連続光光源で、また、下記の実施例で示すように極めて微少な光強度で制御できるから、本発明の光透過率制御方法及びそれを用いた装置は、小型、低コストで実現することができる。例えば、一般的な照明用光源として市販されているＬＥＤまたはＬＤを光源とし、この光源の駆動電流を制御することによって容易に実現することができる。
【００２０】
次に、光ヒステリシス現象について説明する。
鉄（ＩＩ）錯体化合物を例にとって説明する。鉄（ＩＩ）錯体とは、二価の鉄イオンが配位子と呼ばれる分子に囲まれている物質であり、以下、ユニットと呼ぶ。鉄（ＩＩ）イオンは、高スピン状態と低スピン状態をとる。高スピン状態であるユニット（以下、高スピンユニットと呼ぶ）と低スピン状態であるユニット（以下、低スピンユニットと呼ぶ）では、ある波長での透過率が異なる。また、高スピンユニットは低スピンユニットより体積が大きい。ある波長の励起光を照射すると、低スピンユニットを高スピンユニットに変換できる。従って、励起光強度を増加走査すると、高スピンユニットの濃度が高くなる。ある程度濃度が高くなると、上記の体積効果のために、まわりの低スピンユニットがつられて、高スピン状態をとるようになる。これは図１において、第１のしきい値１を跨いだ増加走査Ａ→Ｂ→Ｃに対応する。
逆に、励起光強度を減少走査すると、少しづつ低スピンユニットの濃度が高くなる。ある程度濃度が高くなると、上記の体積効果のために、まわりの高スピンユニットがつられて、低スピン状態をとるようになる。これは図１において、第２のしきい値２を跨いだ減少走査Ｄ→Ｅ→Ｆに対応する。
このような現象が生ずる物質は、鉄（ＩＩ）錯体化合物に限らず、鉄（ＩＩＩ　）錯体化合物鉄でも生ずる。また、一般に、シス・トランス変態、イオン価数の異なる状態、または、分極が右と左の状態をとりえる物質であれば生ずる。
【００２１】
次に、実施例１を示す。
光ヒステリシス物質として、鉄（ＩＩ）錯体化合物である〔Ｆｅ（ｐｔｚ）６　〕（ＢＦ４　）２　結晶（ｐｔｚ＝１−ｐｒｏｐｙｌｔｅｔｒａｚｏｌｅ）を用いた。結晶の大きさは、４×４×０．０５ｍｍ３　である。
図５は、実施例で使用したポンプ・プローブ法による測定系を示す図である。図において、ポンプ光すなわち励起光、及び、透過率を測定するためのプローブ光には、Ａｒ＋　連続波レーザの５１４．５ｎｍ線（２．４１ｅＶ）を使用した。プローブ光はチョッパを介して試料上に集光した。プローブ光の透過光強度は、Ｓｉフォトダイオードで検出した。プローブ光のパワー密度は、０．５ｍＷ／ｃｍ２　以下に保った。励起光は、１ｍｍΦのプローブ光を完全にオーバーラップするように３ｍｍΦの径で試料上に集光した。回転式のＮＤフィルターを使用して、励起光のパワー密度を調節した。
【００２２】
図６は、〔Ｆｅ（ｐｔｚ）６　〕（ＢＦ４　）２　結晶の吸収スペクトルを示す図であり、縦軸は透過率、横軸は波長を示している。点線及び実線は、それぞれ２９５Ｋ、７７Ｋでの測定結果を示している。７７Ｋの測定において、約４３０ｎｍ付近に吸収ピークがある。
【００２３】
図７は、〔Ｆｅ（ｐｔｚ）６　〕（ＢＦ４　）２　結晶の透過率の変化率と励起光強度との関係を示す図である。測定温度は７７Ｋである。図の下側の曲線は、励起光パワー密度Ｐを増加走査して測定したデータであり、上側の曲線は、励起光パワー密度Ｐを減少走査して測定したデータである。励起光パワー密度Ｐの増加及び減少走査は、２５５秒毎に行い、横軸はこの累積時間を示している。２５５秒は、励起光パワー密度Ｐを変化させたときに透過率が安定化するまでの時間（増加時約１０秒、減少時５０〜１５０秒）より十分長い時間である。図からわかるように、この物質は正の光ヒステリシス特性を示す。また、励起光パワー密度Ｐの増加走査において励起光パワー密度Ｐ＝６０ｍＷ／ｃｍ２　以下では、透過率の変化率はほとんど変化しない。さらに、励起光パワー密度Ｐを増加させていって、Ｐ＝１２０ｍＷ／ｃｍ２　に至ると、透過率の変化率が不連続的に増加し、ほぼ飽和する。反対に、減少走査においては、Ｐ＝８０ｍＷ／ｃｍ２　に至るまではほぼ一定であり、８０ｍＷ／ｃｍ２　以下においては徐々に減少し、Ｐ＝６ｍＷ／ｃｍ２　以下では、ほぼ０となる。このように、励起光パワー密度Ｐの増加走査及び減少走査によって透過率の変化率はヒステリシス特性を示す。
【００２４】
図８は、図７の測定結果を励起光のパワー密度を横軸に表示した図である。●（黒丸）及び○（白丸）はそれぞれ、励起光パワー密度Ｐの増加走査、減少走査に対応する。第１のしきい値に対応する励起光パワー密度は、１秒当たり０．０２個のフォトン流速に対応する。このように、光ヒステリシス現象を引き起こすために必要な光強度は極めて小さいことがわかる。
【００２５】
次に、実施例２を示す。
光ヒステリシス物質として、鉄（ＩＩＩ　）錯体化合物である〔Ｆｅ（ａｃｐａ）２　〕ＰＦ６　／ＫＢｒ結晶を用いた。この結晶は、〔Ｆｅ（ａｃｐａ）２　〕ＰＦ６　結晶をＫＢｒに混合し、油圧プレスでペレット状に押し固めて形成した。
測定系は、図５と同様であるが、ポンプ光、すなわち励起光が７４０ｎｍであることが異なる。
図９は、〔Ｆｅ（ａｃｐａ）２　〕ＰＦ６　／ＫＢｒ結晶の光透過率スペクトルを示す図である。測定温度は１８０Ｋである。
図１０は、〔Ｆｅ（ａｃｐａ）２　〕ＰＦ６　／ＫＢｒ結晶の透過率の変化率と励起光強度との関係を示す図である。
このように、鉄（ＩＩＩ　）錯体化合物は、負の光ヒステリシスを示す。
【００２６】
【発明の効果】
上記説明から理解されるように、本発明の光透過率制御方法によれば、光で光透過率を制御することができる。また、本発明の方法は、エネルギー効率が高く、かつ、低コストである。また、本発明の光透過率制御方法を用いた装置、例えば、光光変換器、光メモリは、エネルギー効率が高く、かつ、低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光ヒステリシス物質の光ヒステリシス特性を示す図である。
【図２】本発明の光透過率制御方法を用いた光光変換機能を有する装置の構成を示す図である。
【図３】本発明の光光変換機能を有する装置で信号光をアナログ変調する場合の原理を示す図である。
【図４】本発明の光透過率制御方法を用いた光メモリ機能を有する装置の構成を示す図である。
【図５】実施例で使用したポンプ・プローブ法による測定系を示す図である。
【図６】〔Ｆｅ（ｐｔｚ）６　〕（ＢＦ４　）２　結晶の吸収スペクトルを示す図である。
【図７】〔Ｆｅ（ｐｔｚ）６　〕（ＢＦ４　）２　結晶の透過率の変化率と励起光強度との関係を示す図である。
【図８】図７の測定結果を励起光のパワー密度を横軸に表示した図である。
【図９】〔Ｆｅ（ａｃｐａ）２　〕ＰＦ６　／ＫＢｒ結晶の光透過率スペクトルを示す図である。
【図１０】〔Ｆｅ（ａｃｐａ）２　〕ＰＦ６　／ＫＢｒ結晶の透過率の変化率と励起光強度との関係を示す図である。
【符号の説明】
１　　　第１のしきい値
２　　　第２のしきい値
２０　　光光変換機能を有する装置
２１　　光ヒステリシス物質
２２　　変調光
２３　　変調光用光源
２４　　信号光
２５　　信号光用光源
４０　　光メモリ機能を有する装置
４１　　光ヒステリシス物質
４２　　書き込み光
４３　　書き込み光用光源
４４　　読み出し光
４５　　読み出し光用光源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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