(57)【要約】【課題】部品点数の増加及びコスト高を伴わずにアンダーフィル材の拡がりを有効に阻止でき、しかも高密度実装化及び高信頼化が実現可能な配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１１は、第１主面１３及び第２主面１４を有する配線基板本体１２を有する。第１主面１３には、電子部品１６が搭載される電子部品搭載領域１５が設定される。電子部品搭載領域１５内には、電子部品１６が接続される複数のパッド２３が配置されている。ソルダーレジスト２１，２２は、第１主面１３及び第２主面１４を覆っている。ソルダーレジスト２１の表面上には、ダム部７１が形成されている。そのダム部７１は、電子部品１６とソルダーレジスト２１との間の隙間を埋めるアンダーフィル材７５をはじきやすい性質を有する。【選択図】  図３
2004179578.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有する配線基板本体と、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかには、電子部品が搭載される電子部品搭載領域が設定されていることと、
前記電子部品搭載領域内に配置され、前記電子部品が接続される複数のパッドと、
前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかを覆うとともに、前記パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジストと、
前記電子部品搭載領域を包囲するとともに、前記ソルダーレジストの表面上に形成されたダム部と、そのダム部は前記電子部品と前記ソルダーレジストとの間の隙間を埋めるアンダーフィル材をはじきやすい性質を有することと
を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ダム部は、前記ソルダーレジストを形成している樹脂材料に比較して、前記アンダーフィル材をはじきやすい材料からなるコート層であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ソルダーレジストは、その表面に、前記電子部品搭載領域に対応して形成された粗化部と、前記粗化部を包囲するように形成されかつ前記ダム部として機能する未粗化部とを有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ソルダーレジストは、その表面に、前記電子部品搭載領域に対応して形成された疎水部と、前記疎水部を包囲するように形成されかつ前記ダム部として機能する親水部とを有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジストを形成する工程と、
前記ソルダーレジストの表面上に、前記ソルダーレジストを形成している樹脂材料に比較して、前記アンダーフィル材をはじきやすい材料からなるコート層を塗布することにより、前記ダム部を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジストを形成する工程と、
前記電子部品搭載領域を露出させる開口部を有するマスクを前記ソルダーレジストの表面上に設け、この状態で粗化処理を行うことにより、前記粗化部及び未粗化部を形成する工程と、
前記マスクを除去して前記未粗化部を露出させる工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載の配線基板の製造方法であって、
レーザー光の照射により疎水性から親水性に変換可能な樹脂材料を用いて、前記ソルダーレジストを形成する工程と、
前記ソルダーレジストの表面上にレーザー光を照射することにより、前記ダム部として機能する前記親水部を形成する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその製造方法に係り、特には配線基板と電子部品との隙間を埋めるアンダーフィル材の拡がり阻止に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体パッケージの高密度実装化、低背化を実現するための実装方法として、半導体集積回路チップに形成した複数の電極を配線基板上の接続端子（ダイパッド）にはんだバンプを介して接続する、フリップチップボンディングと呼ばれる方法が注目されている。かかるフリップチップボンディングを行った場合には、半導体集積回路チップと配線基板との接続信頼性の向上を目的として、一般的に、両者の隙間にはアンダーフィル材が充填される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、半導体パッケージにおけるダイエリアの外周部に別の電子部品を接続するためのパッドを設けた場合、高密度実装化を実現する上では、前記パッドとチップとの距離が小さいほうが有利である。また、将来的にチップの電極数が増えていった場合、チップと配線基板との隙間を確実に埋めるためには、アンダーフィル材の流動性を高めに設定する必要が生じる。その一方で、前記パッドとチップとの距離を小さくしてアンダーフィル材の流動性を高めに設定すると、アンダーフィル材がダイエリアの周囲に拡がってパッドの表面に付着しやすくなる。その結果、パッドが絶縁され、歩留まりや接続信頼性が低下する。それゆえ従来では、アンダーフィル材の流動性を十分に考慮した条件設定が必要となり、アンダーフィル材の選択の自由度が小さいという問題があった。このため、配線基板の製造が面倒でしかも高い信頼性を実現しにくかった。
【０００４】
そこで、ソルダーレジスト上にてダイエリアを包囲するようにダム溝を形成して、アンダーフィル材の流れによる拡がりを阻止する技術が従来提案されている。かかるダム溝の底部には、導体パターン（例えばダミーのベタパターン）を配置する場合もある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１６４６１０号公報（図１等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ソルダーレジストの下層にベタパターンが設けられていると、内層における配線の引き回しが困難になり、高密度実装化を実現する上で障害となる。
【０００７】
そこで、このようなダム溝を形成する代わりに、ソルダーレジスト上にてダイエリアを包囲するダム枠を貼り付けるという技術も従来知られている。ところが、この技術の場合には、アンダーフィル材の拡がりを有効に阻止できたとしても、部品点数の増加及びコスト高が避けられない。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、部品点数の増加及びコスト高を伴わずにアンダーフィル材の拡がりを有効に阻止でき、しかも高密度実装化及び高信頼化が実現可能な配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そして上記課題を解決するための手段としては、第１主面及び第２主面を有する配線基板本体と、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかには、電子部品が搭載される電子部品搭載領域が設定されていることと、前記電子部品搭載領域内に配置され、前記電子部品が接続される複数のパッドと、前記第１主面及び前記第２主面のうちの少なくともいずれかを覆うとともに、前記パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジストと、前記電子部品搭載領域を包囲するとともに、前記ソルダーレジストの表面上に形成されたダム部と、そのダム部は前記電子部品と前記ソルダーレジストとの間の隙間を埋めるアンダーフィル材をはじきやすい性質を有することとを備えたことを特徴とする配線基板がある。
【００１０】
従って、この配線基板によると、電子部品搭載領域を包囲するダム部によってアンダーフィル材がはじかれることにより、アンダーフィル材の進行が妨げられる結果、アンダーフィル材の拡がりを有効に阻止することができる。よって、流動性の高いアンダーフィル材を選択することが可能となり、結果として高密度実装化及び高信頼化を実現することが可能となる。勿論、上記の構成によれば、内層における配線の引き回しが特に困難になることもなく、このことも高密度実装化の実現について寄与している。また、上記の構成であればダム枠が要らないので、部品点数の増加及びコスト高を伴うこともない。
【００１１】
以下、上記配線基板について詳細に説明する。
【００１２】
前記配線基板を構成する配線基板本体としては、コアまたはベースとなる基板に絶縁層や導体層等が形成されたものをいう。前記基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられ、コスト性、孔加工の容易性、導電性などを考慮して適宜選択される。樹脂基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）からなる板材などがある。前記セラミック基板の具体例としては、アルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、ガラスセラミック、結晶化ガラス等の低温焼成材料等からなる板材などがある。前記金属基板の具体例としては、銅板や銅合金板、銅以外の金属単体や、合金（例えばＦｅ−Ｎｉ系合金など）からなる板材などが挙げられる。
【００１３】
前記導体層は主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的にいうと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。
【００１４】
前記導体層の一部であるパッドは、電子部品搭載領域内に複数配置されるとともに、その上には電子部品が電気的に接続されるようになっている。かかるパッドは、配線基板本体の第１主面のみまたは第２主面のみに形成されていてもよく、あるいは第１主面及び第２主面の両方に形成されていてもよい。
【００１５】
ここで前記電子部品としては、例えば、裏面に複数の電極を有する半導体集積回路チップなどを挙げることができる。そのほか前記電子部品は、裏面または側面に複数の接続端子を有する半導体パッケージや、裏面または側面に複数の端子を有するチップ部品（例えばチップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップキャパシタ、チップコイルなど）などであってもよい。この場合、搭載される電子部品は、能動部品であっても受動部品であってもよい。
【００１６】
前記電子部品が半導体集積回路チップでありかつ前記パッドがその接続のためのパッドである場合、前記パッドは、例えば、配線基板の略中央部にある電子部品搭載領域内（いわゆるダイエリア内）にて格子状または千鳥状に配置される。なお、配線基板がいわゆる多数個取り用の配線基板であるような場合には、かかる電子部品搭載領域は配線基板本体上の複数箇所に設定されていてもよい。
【００１７】
前記ソルダーレジストは、配線基板本体の第１主面及び第２主面のうちの少な３くともいずれかを覆うとともに、前記パッドを露出させる開口部を有している。かかるソルダーレジストとしては、例えば熱硬化性樹脂が好適である。前記ソルダーレジストは、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択されることができる。熱硬化性樹脂の好適例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂、けい素樹脂等がある。
【００１８】
前記アンダーフィル材は、電子部品とソルダーレジストとの間の隙間を埋めるようにして充填形成される。かかるアンダーフィル材としては、先に列挙したソルダーレジスト用樹脂と同様の熱硬化性樹脂などを選択することができる。前記アンダーフィル材には、用途に応じて、無機粒子や金属粒子などのフィラーが適宜含まれていてもよい。
【００１９】
上記のような配線基板本体に対しては所定のダム部が形成される。より具体的にいうと、前記ダム部は、電子部品搭載領域を包囲するようなかたちで、ソルダーレジストの表面上に形成される。例えば、配線基板本体と別個に形成されたダム枠等の貼り付けにより形成されるダム部などは、ここでは除外されることになる。配線基板本体のソルダーレジスト上に形成されたダム溝なども、同様に除外されることになる。
【００２０】
前記ダム部はアンダーフィル材をはじきやすい性質を有している必要がある。「アンダーフィル材をはじきやすい」とは、具体的には、ソルダーレジストを形成している樹脂材料に比較してアンダーフィル材をはじきやすい（言い換えると、アンダーフィル材によって濡れにくい）、の意である。
【００２１】
アンダーフィル材をはじきやすい性質を有するダム部は、１）ソルダーレジスト上への別材料の付着を伴って形成されるものでもよいほか、２）ソルダーレジスト上への別材料の付着を何ら伴わずに形成される（例えばソルダーレジスト表面自体の改質により形成される）ものでもよい。
【００２２】
具体例を挙げるとすると、ソルダーレジストを形成している樹脂材料に比較して、アンダーフィル材をはじきやすい材料からなるコート層を、上記１）のダム部としてもよい。かかるコート層としては、例えば、シリコーン樹脂などに代表されるけい素樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン：登録商標）などに代表されるフッ素樹脂などが好適である。
【００２３】
前記コート層をダム部とした配線基板の好適な製造方法としては、ソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジストの表面上に、前記ソルダーレジストを形成している樹脂材料に比較して、前記アンダーフィル材をはじきやすい材料からなるコート層を塗布することにより、前記ダム部を形成する工程とを含む製造方法がある。従って、この製造方法によると、前記コート層からなるダム部を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。なお、コート層の塗布形成方法としては、例えばスプレー法、印刷法、スタンプ法など各種の方法がある。
【００２４】
また、ソルダーレジストの表面が粗化される構成の場合、ソルダーレジスト表面の電子部品搭載領域に対応して粗化部を形成するとともに、前記粗化部を包囲するように未粗化部を形成して、その未粗化部を上記２）のダム部として機能させてもよい。
【００２５】
前記未粗化部をダム部とした配線基板の好適な製造方法としては、ソルダーレジストを形成する工程と、前記電子部品搭載領域を露出させる開口部を有するマスクを前記ソルダーレジストの表面上に設け、この状態で粗化処理を行うことにより、前記粗化部及び未粗化部を形成する工程と、前記マスクを除去して前記未粗化部を露出させる工程とを含む製造方法がある。従って、この製造方法によると、ソルダーレジスト上への別材料の付着を何ら伴わずに、未粗化部からなるダム部を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。
【００２６】
さらに、ソルダーレジストの表面が疎水性である構成の場合、ソルダーレジストの表面の電子部品搭載領域に対応して疎水部を形成するとともに、前記疎水部を包囲するように親水部を形成し、その親水部を上記２）のダム部として機能させてもよい。
【００２７】
前記親水部をダム部とした配線基板の好適な製造方法としては、レーザー光の照射により疎水性から親水性に変換可能な樹脂材料を用いて、前記ソルダーレジストを形成する工程と、前記ソルダーレジストの表面上にレーザー光を照射することにより、前記ダム部として機能する前記親水部を形成する工程とを含む製造方法がある。従って、この製造方法によると、レーザー光が照射された部位の表面が選択的に改質される。ゆえに、ソルダーレジスト上への別材料の付着を何ら伴わずに、親水部からなるダム部を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
【００２９】
以下、本発明を具体化した第１実施形態の配線基板１１及びその製造方法を図１〜図５に基づき詳細に説明する。
【００３０】
図１は、本実施形態の配線基板１１の概略平面図である。図２は、配線基板１１の概略側面図である。図３は、半導体集積回路チップ１６の実装及びアンダーフィル材７５による樹脂封止をした状態の配線基板１１の断面図である。図４，図５は、ダム部７１の形成方法を説明するための配線基板１１の要部拡大断面図である。
【００３１】
図２に示されるように、この配線基板１１を構成する配線基板本体１２は、平面視で略矩形状の板状部材であり、上面１３（第１主面）及び下面１４（第２主面）を有している。図３に示されるように、配線基板本体１２の上面１３（第１主面）の表面は、ソルダーレジスト２１によって全体的に覆われている。配線基板本体１２の下面１４（第１主面）の表面も、ソルダーレジスト２２によって全体的に覆われている。
【００３２】
図１に示されるように、配線基板本体１２の上面１３（第１主面）側においてその略中央部には、略矩形状のダイエリア１５（電子部品搭載領域）が設定されている。このダイエリア１５には、電子部品の一種である矩形状の半導体集積回路チップ１６（図２の二点鎖線を参照）が搭載可能となっている。ダイエリア１５内には、半導体集積回路チップ１６側との電気的な接続を図るためのダイパッド２３が多数形成されている。前記チップ接続用であるダイパッド２３は格子状にレイアウトされている。一方、配線基板本体１２の下面１４（第２主面）側には特に電子部品搭載領域は設定されておらず、その代わりに図示しないマザーボードが接続可能となっている。そのため、配線基板本体１２の下面１４のほぼ全域には、マザーボード側の端子と接続する接続端子として、パッド２４が多数形成されている。
【００３３】
図３に示されるように、ダイパッド２３はソルダーレジスト２１に形成された開口部２５から露出しており、その露出した部分の表面にはニッケル−金めっき層２６が形成されている。また、マザーボード接続用のパッド２４はソルダーレジスト２２に形成された開口部２７から露出しており、その露出した部分の表面にもニッケル−金めっき層２６が形成されている。ニッケル−金めっきが施されたダイパッド２３上には、さらにはんだバンプ２８が形成されている。各はんだバンプ２８の上面は、ソルダーレジスト２１の表面よりも突出している。
【００３４】
図４に示されるように、この配線基板本体１２は、エポキシ樹脂を含浸したガラスクロスからなるコア基板３１をその中心部に備えている。コア基板３１の上面３２及び下面３３には、厚さ数十μｍの銅からなる配線パターン３４，３５が形成されている。コア基板３１における複数箇所にはスルーホール導体３６が形成されている。かかるスルーホール導体３６は、コア基板３１の上面３２側の配線パターン３４と下面３３側の配線パターン３５とを接続導通している。なお、スルーホール導体３６の内部は、導電性を有する閉塞体３７で埋められている。
【００３５】
コア基板３１の上面３２及び下面３３には、感光性エポキシ樹脂を用いて内層の樹脂絶縁層４１，４２が形成されている。樹脂絶縁層４１の表面（即ち第１主面）上には、ダイパッド２３のほかに配線パターン５１も形成されている。樹脂絶縁層４２の表面（即ち第２主面）上には、前記パッド２４のほかに配線パターン５２が形成されている。樹脂絶縁層４１，４２にはブラインドビアホール導体５３，５４が形成されている。上側のブラインドビアホール導体５３は、配線パターン３４と配線パターン５１とを接続導通している。下側のブラインドビアホール導体５４は、配線パターン３５と配線パターン５２とを接続導通している。
【００３６】
図１に示されるように、上側のソルダーレジスト２１の表面上においてダイエリア１５の外側となる領域には、電子部品の一種であるチップキャパシタ６１を搭載するためのパッド６２が複数対配置されている。
【００３７】
さらに、上側のソルダーレジスト２１の表面上にはダム部７１が配設されている。本実施形態のダム部７１は、平面視で矩形枠状であって、ダイエリア１５を完全に包囲するようなかたちで形成されている。かかるダム部７１は、ソルダーレジスト２１を形成している樹脂材料に比較して、アンダーフィル材７５をはじきやすい材料からなる。具体的にいうと、ここでは前記ダム部７１は、平均厚さ５μｍのシリコーンコート層７２からなる。シリコーンコート層７２の幅は１ｍｍに設定されている。
【００３８】
そして、図３に示されるように、配線基板１１と半導体集積回路チップ１６との隙間は、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル材７５によって封止されるようになっている。
【００３９】
次に、本実施形態の配線基板１１を製造する手順について説明する。
【００４０】
まず上記構成の配線基板本体１２を作製する。具体的には下記のようにする。即ち、コア基板３１の両面に銅箔を貼着した両面銅張積層板を出発材料とし、それにＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー加工を行い、両面銅張積層板を貫通する貫通孔を形成する。次に、前記貫通孔内面に対する無電銅めっきによりスルーホール導体３６を形成した後、銅箔のエッチングにより配線パターン３４，３５をパターニングする。ここでスルーホール導体３６を閉塞体３７で埋めた後、コア基板３１の上面３２及び下面３３に樹脂絶縁層４１，４２を形成する。次に、レーザー加工によって樹脂絶縁層４１，４２を孔開けし、ブラインドビアホール導体５３，５４を形成するための盲孔を形成する。さらに、マスクを形成しないで無電解銅めっきを施すことにより、前記盲孔の内部に銅めっきを析出させてブラインドビアホール導体５３，５４を形成する。このとき樹脂絶縁層４１，４２の外表面全体にも無電解銅めっきが析出する。この後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。これにより、上側の樹脂絶縁層４１の表面上に配線パターン５１、ダイパッド２３及びパッド６２を形成し、下側の樹脂絶縁層４２の表面上に配線パターン５２及びパッド２４を形成する。
【００４１】
そして、上記のように作製された配線基板本体１２の上面１３（第１主面）及び下面１４（第２主面）の表面上に、感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト２１，２２を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト２１，２２に開口部２５，２７をパターニングする。次に、過マンガン酸カリウムを含む粗化液を用いて表面粗化処理を行い、ソルダーレジスト２１，２２の表面を粗面に変える。このとき、ソルダーレジスト２１，２２の開口部２５，２７の内壁面も粗面化される。
【００４２】
次に、開口部２５から露出しているダイパッド２３及びパッド６２の表面、開口部２７から露出しているパッド２４の表面に対し、無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、ニッケル−金めっき層２６を形成する。
【００４３】
次に、以下の手順によりダム部形成工程を行う。まず、ニッケル−金めっきが施された上記配線基板１１のソルダーレジスト２１の表面にマスク形成用の感光性樹脂材料を塗布し、露光及び現像を行って所定位置に開口部８２を有するマスク８１を形成する。そして、このようなマスク８１を形成した状態でシリコーン樹脂８３をスプレーコートした後（図４参照）、乾燥を行う。さらに、エッチング等によって前記マスク８１を除去すれば、シリコーンコート層７２からなるダム部７１を得ることができる（図５参照）。なお、ソルダーレジスト２１の表面にメタルマスクのようなものを単に重ね合わせて前記スプレーコートを行うようにしてもよい。
【００４４】
続く第１はんだバンプ形成工程では、上面１３側のダイパッド２３上のニッケル−金めっき層２６上に、はんだバンプ２８を形成する。具体的には、ソルダーレジスト２１上に、所定パターンのマスクを載置し、ダイパッド２３上にはんだペーストを印刷する。その後、このはんだペーストをリフローして、はんだバンプ２８を形成する。以上のようにして、本実施形態の配線基板１１が完成する。
【００４５】
さらに、この配線基板１１のダイエリア１５に半導体集積回路チップ１６を搭載する。このとき、配線基板１１側のはんだバンプ２８と、半導体集積回路チップ１６側のバンプ７６とを位置合わせしてリフローを行う。これにより、はんだバンプ２８及びバンプ７６同士を接合し、配線基板１１側と半導体集積回路チップ１６側とを電気的に接続する。さらに、配線基板１１と半導体集積回路チップ１６との隙間にアンダーフィル材７５を充填して硬化処理を行い、前記隙間を樹脂封止する。
【００４６】
そして、第２はんだバンプ形成工程では、上面１３側のパッド６２上のニッケル−金めっき層２６上にはんだバンプ２８を形成し、そのはんだバンプ２８上にチップキャパシタ６１を搭載してリフローを行う。これにより、チップキャパシタ６１の電極とはんだバンプ２８とを接合し、配線基板１１側とチップキャパシタ６１側とを電気的に接続する。以上の結果、所望の半導体パッケージ（いわゆるオーガニックパッケージ）が完成する。
【００４７】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４８】
（１）本実施形態の配線基板では、ダイエリア１５を包囲するように形成されたシリコーンコート層７２からなるダム部７１によって、アンダーフィル材７５がはじかれる。その結果、アンダーフィル材７５の外方への進行が妨げられる結果、アンダーフィル材７５の拡がりを有効に阻止することができる。よって、流動性の高いアンダーフィル材７５を選択することが可能となり、結果として高密度実装化及び高信頼化を実現することが可能となる。勿論、上記の構成によれば、内層における配線の引き回し（即ち配線パターン５１の引き回し）が特に困難になることもなく、このことも高密度実装化の実現について寄与している。また、上記の構成であればダム枠が要らないので、部品点数の増加及びコスト高を伴うこともない。
【００４９】
（２）本実施形態の製造方法では、ソルダーレジスト２１，２２の形成後に、アンダーフィル材７５をはじきやすい材料からなるシリコーンコート層７２をスプレーコートしてダム部７１を形成することを特徴とする。従って、この製造方法によれば、前記シリコーンコート層７２からなるダム部７１を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。また、この製造方法により得られるダム部７１は、例えばダム枠を用いた場合に比べて低背となる。ゆえに、はんだバンプ２８のフラッタニング処理を実施するような際でも、特に支障を来たさないという利点がある。
［第２の実施の形態］
【００５０】
次に、本発明を具体化した第２実施形態の配線基板１１及びその製造方法を図６〜図８に基づき詳細に説明する。ここでは、第１実施形態と相違する部分について述べるとともに、共通する部分については第１実施形態と同じ部材番号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５１】
本実施形態の配線基板１１は、図６に示されるように、第１実施形態とは異なる構成のダム部９１を有しており、具体的にはソルダーレジスト２１の表面上に存在する未粗化部９２をダム部９１として機能させている。
【００５２】
次に、本実施形態の配線基板１１を製造する手順について説明する。
【００５３】
まず配線基板本体１２を作製した後、その上面１３（第１主面）及び下面１４（第２主面）の表面上に、感光性エポキシ樹脂を用いてソルダーレジスト２１，２２を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト２１，２２に開口部２５，２７をパターニングする。
【００５４】
次に、以下のような手順でダム部形成工程を実施する。まず、ソルダーレジスト２１の表面にマスク形成用の樹脂材料を塗布した後、露光及び現像を行う。これにより、ダム部９１が形成されるべき位置に対応して矩形枠状のマスク９３を形成する（図７参照）。このマスク９３は、ダイエリア１５を露出させる略矩形状の開口部９５を有している。そして、過マンガン酸カリウムを含む粗化液を用いて表面粗化処理を行い、ソルダーレジスト２１，２２の表面における露出部分を粗化部９４に変える。このとき、ソルダーレジスト２１，２２の開口部２５，２７の内壁面も粗化部９４となる。ただし、マスク９３によって覆われている部分については露出しておらず粗化液に晒されないため、未粗化部９２のままとなる（図８参照）。かかる未粗化部９２は後にダム部７１として機能する。なお、粗化部９４の表面粗さＲａは０．５μｍであり、未粗化部９２の表面はほぼ平坦面である。その後、マスク９３を除去し、未粗化部９２を露出させる。
【００５５】
この後、ニッケル−金めっき工程、第１はんだバンプ形成工程、ダイ付け工程、樹脂封止工程、第２はんだバンプ形成工程を順次行えば、所望の半導体パッケージ（いわゆるオーガニックパッケージ）を完成させることができる。
【００５６】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５７】
（１）本実施形態の配線基板１１では、ダイエリア１５を包囲するように形成された未粗化部９２からなるダム部９１によって、アンダーフィル材７５がはじかれる。その結果、アンダーフィル材７５の外方への進行が妨げられる結果、アンダーフィル材７５の拡がりを有効に阻止することができる。よって、流動性の高いアンダーフィル材７５を選択することが可能となり、結果として高密度実装化及び高信頼化を実現することが可能となる。勿論、上記の構成によれば、内層における配線の引き回し（即ち配線パターン５１の引き回し）が特に困難になることもなく、このことも高密度実装化の実現について寄与している。また、上記の構成であればダム枠が要らないので、部品点数の増加及びコスト高を伴うこともない。
【００５８】
（２）また、本実施形態の製造方法では、マスク９３配設状態でソルダーレジスト２１の表面粗化処理を行って粗化部９４及び未粗化部９２を形成した後、当該マスク９３を除去して未粗化部９２を露出させることを特徴とする。そして、この製造方法によると、ソルダーレジスト２１上への別材料の付着を何ら伴わずに、未粗化部９２からなるダム部９１を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。このため、生産性の向上及び低コスト化を達成しやすくなる。
［第３の実施の形態］
【００５９】
次に、本発明を具体化した第３実施形態の配線基板１１及びその製造方法を図９〜図１１に基づき詳細に説明する。ここでは、第１実施形態と相違する部分について述べるとともに、共通する部分については第１実施形態と同じ部材番号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６０】
本実施形態の配線基板１１は、図９に示されるように、第１実施形態とは異なる構成のダム部１０１を有しており、具体的にはソルダーレジスト２１の表面上に存在する親水部１０２をダム部１０１として機能させている。
【００６１】
次に、本実施形態の配線基板１１を製造する手順について説明する。
【００６２】
まず配線基板本体１２を作製した後、その上面１３（第１主面）及び下面１４（第２主面）の表面上に樹脂によってソルダーレジスト２１，２２を形成する。ただし、ここではレーザー光の照射により疎水性から親水性に変換可能な樹脂材料を用いる必要があり、本実施形態ではその条件を満たすものとして感光性エポキシ樹脂を使用している。
【００６３】
次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト２１，２２に開口部２５，２７をパターニングする。そして、表面粗化処理及びニッケル−金めっきを行う。
【００６４】
続くダム部形成工程では、ソルダーレジスト２１の表面上にレーザー光１０５を選択的に照射することにより、ダム部１０１として機能する親水部１０２を形成する（図１０，図１１参照）。かかる親水部１０２は、ダイエリア１５に対応して形成された疎水部１０３を包囲する。親水部１０２の外側の領域も疎水部１０３となっている。そして、親水部１０２は前記アンダーフィル材７５に対する濡れ性が相対的に低く、アンダーフィル材７５をはじきやすい性質がある。一方、疎水部１０３（親油部）は前記アンダーフィル材７５に対する濡れ性が相対的に高く、アンダーフィル材７５をはじきにくい性質がある。
【００６５】
この後、第１はんだバンプ形成工程、ダイ付け工程、樹脂封止工程、第２はんだバンプ形成工程を順次行えば、所望の半導体パッケージ（いわゆるオーガニックパッケージ）を完成させることができる。
【００６６】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６７】
（１）本実施形態の配線基板１１では、ダイエリア１５を包囲するように形成された親水部１０２からなるダム部１０１によって、アンダーフィル材７５がはじかれる。その結果、アンダーフィル材７５の外方への進行が妨げられる結果、アンダーフィル材７５の拡がりを有効に阻止することができる。よって、流動性の高いアンダーフィル材７５を選択することが可能となり、結果として高密度実装化及び高信頼化を実現することが可能となる。勿論、上記の構成によれば、内層における配線の引き回し（即ち配線パターン５１の引き回し）が特に困難になることもなく、このことも高密度実装化の実現について寄与している。また、上記の構成であればダム枠が要らないので、部品点数の増加及びコスト高を伴うこともない。
【００６８】
（２）本実施形態の製造方法では、レーザー光１０５の照射により疎水性から親水性に変換可能な樹脂材料を用いてソルダーレジスト２１を形成している。そして、前記ソルダーレジスト２１の表面上にレーザー光１０５を照射することにより、ダム部７１として機能する親水部１０２を形成している。従って、レーザー光１０５が照射された部位の表面を選択的に改質することができる。ゆえに、ソルダーレジスト２１上への別材料の付着を何ら伴わずに、親水部１０２からなるダム部１０１を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。このため、生産性の向上及び低コスト化を達成しやすくなる。
【００６９】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００７０】
・第１実施形態ではシリコーンコート層７２の塗布形成を、ニッケル−金めっき工程後かつ第１はんだバンプ形成工程前にて実施していたが、これを第１はんだバンプ形成工程後に実施してもよく、あるいはニッケル−金めっき工程前に実施してもよい。同じく、第３実施形態では表面改質による親水部１０２の形成を、ニッケル−金めっき工程後かつ第１はんだバンプ形成工程前にて実施していたが、これを第１はんだバンプ形成工程後に実施してもよく、あるいはニッケル−金めっき工程前に実施してもよい。
【００７１】
・第２実施形態では、マスク９３をソルダーレジスト２１の表面上に設けて粗化処理を行っていたが、このようなマスク９３を設けることなしに粗化部９４及び未粗化部９２の形成を行っても構わない。
【００７２】
・第３実施形態では、ソルダーレジスト２１の表面上にレーザー光１０５を照射することにより疎水部１０３を親水部１０２に改質しているが、この方法とは別の方法を採用してもよい。例えば、薬剤処理によりソルダーレジスト２１の表面の改質を行ってもよい。
【００７３】
・ダム部７１，９１，１０１は必ずしも図１のように幅狭に形成する必要はなく、例えば図１２のように幅広に形成してもよい。つまり、ダム部７１，９１，１０１を、ダイエリア１５（電子部品搭載領域）を除き、それよりも外周側となる領域のほぼ全域にわたって形成してもよい。
【００７４】
・例えば、第２実施形態のごとく未粗化部９２及び粗化部９４を形成するとともに、さらにその未粗化部９２にレーザー光１０５を照射して、当該未粗化部９２を第３実施形態のごとく親水部１０２とすることも可能である。このような構成によれば、未粗化部９２の配設及び親水部１０２の配設による相乗効果が期待でき、アンダーフィル材の拡がりをいっそう有効に阻止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の配線基板の概略平面図。
【図２】配線基板の概略側面図。
【図３】半導体集積回路チップの実装及びアンダーフィル材による樹脂封止をした状態の配線基板の断面図。
【図４】ダム部の形成方法を説明するための配線基板の要部拡大断面図。
【図５】ダム部の形成方法を説明するための配線基板の要部拡大断面図。
【図６】第２実施形態において半導体集積回路チップの実装及びアンダーフィル材による樹脂封止をした状態の配線基板の断面図。
【図７】ダム部の形成方法を説明するための配線基板の要部拡大断面図。
【図８】ダム部の形成方法を説明するための配線基板の要部拡大断面図。
【図９】第３実施形態において半導体集積回路チップの実装及びアンダーフィル材による樹脂封止をした状態の配線基板の断面図。
【図１０】ダム部の形成方法を説明するための配線基板の要部拡大断面図。
【図１１】ダム部の形成方法を説明するための配線基板の要部拡大断面図。
【図１２】別例の配線基板の概略平面図。
【符号の説明】
１１…配線基板
１２…配線基板本体
１３…第１主面としての上面
１４…第２主面としての下面
１５…電子部品搭載領域としてのダイエリア
１６…電子部品としての半導体集積回路チップ
２１，２２…ソルダーレジスト
２３…パッドとしてのダイパッド
７１，９１，１０１…ダム部
７２…（シリコーン）コート層
７５…アンダーフィル材
９２…未粗化部
９３…マスク
９４…粗化部
９５…開口部
１０３…疎水部
１０２…親水部
１０５…レーザー光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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