(57)【要約】【課題】保持体内に埋設された抵抗発熱体に電力を供給するための電極端子及び引出線に漏電やスパークが発生することがなく、且つ保持体において±１．０％以内の均熱性が得られる半導体製造装置用保持体を提供する。【解決手段】被処理物１０を表面上に保持すると共に被処理物１０を加熱するための抵抗発熱体２を具備するセラミックス製保持体１と、セラミックス製保持体１をチャンバー８内に支持する支持部材６とを備えた半導体製造装置用保持体であり、抵抗発熱体２の電極端子３及び引出線４は筒状の絶縁管５の内部に収納されている。セラミックス製保持体１は、支持部材６のみで支持されるか、又は支持部材６と絶縁管５で支持されている。【選択図】　　　図１
2004056084.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスが供給されるチャンバー内に設けられる半導体製造装置用保持体であって、被処理物を表面上に保持すると共に被処理物を加熱するための抵抗発熱体を具備するセラミックス製保持体と、一端がセラミックス製保持体をその被処理物保持表面以外の部位で支持し、他端がチャンバーに固定される支持部材とを備え、該セラミックス製保持体の被処理物保持表面以外の部位に設けた抵抗発熱体の電極端子及び引出線が絶縁管内に収納されていることを特徴とする半導体製造装置用保持体。
【請求項２】
前記セラミックス製保持体の荷重が、前記支持部材のみで支持されているか、又は前記支持部材と前記絶縁管で支持されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項３】
前記絶縁管の一端が前記セラミックス製保持体との間で気密封止されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項４】
前記絶縁管の一端と前記セラミックス製保持体との間の気密封止が、ガラス、窒化アルミニウム接合材、又は金属ロウでなされていることを特徴とする、請求項３に記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項５】
前記絶縁管の他端と前記チャンバーとの間が気密封止されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項６】
前記絶縁管の他端において、該絶縁管の側面と前記チャンバーとの間でＯ−リング封止がなされていることを特徴とする、請求項５に記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項７】
前記Ｏ−リングを前記絶縁管の軸方向に押潰すことにより、該Ｏ−リングが絶縁管側面及びチャンバーに押し付けられていることを特徴とする、請求項６に記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項８】
前記絶縁管の他端自体が気密封止されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項９】
前記絶縁管の熱伝導率が前記セラミックス製保持体の熱伝導率より低いことを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１０】
前記引出線と前記チャンバーとの間が気密封止されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１１】
前記セラミックス製保持体と前記絶縁管の室温における熱膨張率の差が５．０×１０−６／℃以下であることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１２】
前記支持部材が筒状であって、その内部空間の雰囲気が前記チャンバー内の雰囲気と同じに維持されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１３】
前記支持部材が筒状であって、その内部空間の雰囲気を０．１ＭＰａ（１気圧）未満の減圧雰囲気若しくは真空雰囲気とすることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１４】
前記セラミックス製保持体が、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素から選ばれた少なくとも１種のセラミックスで構成されていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１５】
前記絶縁管が、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、ムライトから選ばれた少なくとも１種のセラミックスで構成されていることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１６】
前記支持部材が、熱伝導率３０Ｗ／ｍＫ以下の金属又はセラミックスで構成されていることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１７】
前記支持部材が、ステンレス、チタン、酸化アルミニウム、ムライト、スピネル、コージェライトから選ばれた少なくとも１種で構成されていることを特徴とする、請求項１６に記載の半導体製造装置用保持体。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体を用いた半導体製造装置。
【請求項１９】
前記半導体製造装置用保持体を用いた半導体製造装置が、フォトリソグラフィー用コータディベロッパの樹脂膜の加熱硬化、又は低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いる加熱装置であることを特徴とする、請求項１８に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置用保持体に関するものである。中でも特にフォトリソグラフィー用コータディベロッパでの樹脂膜の加熱硬化や、Ｌｏｗ−ｋ膜のような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられる加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造において、シリコンウエハ上のＡｌ回路やＣｕ回路はＡｌスパッタやＣｕメッキ等によって形成するが、近年の半導体の高集積化や小型化に伴って配線幅及び配線間幅は年々細くなってきている。
【０００３】
Ａｌ回路やＣｕ回路の配線パターンはフォトリソグラフィー技術により形成される。例えばＡｌ膜上に樹脂を均一に塗布した後、ステッパと呼ばれる露光装置で樹脂膜にパターンが刷り込まれ、樹脂膜を加熱硬化させて不要部分を除去することにより、配線用のＡｌ膜上に抜きパターン樹脂膜を形成する。その後、エッチング装置で抜きパターン部分に沿ってＡｌ膜をエッチングし、樹脂膜を除去することでパターン化されたＡｌ配線が得られる。
【０００４】
また、配線同士が近づくと配線間の信号の相互作用が生じるため、配線間や積層した層間は低誘電率の絶縁材料で埋めることにより、配線間の相互作用を無くすことが必要である。従来このための絶縁材料として酸化ケイ素が用いられていたが、更に誘電率の低い絶縁膜としてＬｏｗ−ｋと呼ばれる材料が用いられるようになってきた。Ｌｏｗ−ｋの絶縁膜は、その材料を溶剤に溶いてスラリー状にし、これをスピンコートして均一膜を形成し、上記と同様にフォトリソグラフィー技術によりパターン形成した後、ヒータで加熱焼成して固化させる方法により形成されている。
【０００５】
上記のようなフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や、Ｌｏｗ−ｋ膜のような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成は、コータディベロッパと呼ばれる装置において行われるが、そのヒータとして例えば抵抗発熱体であるＳＵＳ箔を石英板でサンドイッチしたヒータを用いており、抵抗発熱体の電極端子をヒータの裏面に設け、引出線を接続して系外の電源装置から電力を供給していた。
【０００６】
一方、各種薄膜の形成に用いるＣＶＤ装置においては、高熱伝導率で高耐食性のＡｌＮやＳｉ３Ｎ４中にＭｏコイルを埋設したセラミックス製ヒータが使用されている。熱伝導率の高いセラミックス中に抵抗発熱体を埋設したヒータを用いると、抵抗発熱体で発生した熱がセラミックス内で拡散し、ウエハ保持面において均熱性が確保できる。また、耐熱性の高いセラミックスを用いることで、耐熱性に優れたヒータが得られる。
【０００７】
このセラミックス製ヒータは、そのウエハ保持面の反対側の面が筒状のＡｌＮ支持部材の一端に接合され、このＡｌＮ支持部材の他端がチャンバーにＯ−リング封止して固定されることにより、このＡｌＮ支持部材を介してチャンバー内に支持される。また、セラミックス製ヒータに設けた耐腐食性の低い電極端子や電力供給用の引出線は、チャンバー内で使用される腐食性ガスに曝されないように、筒状のＡｌＮ支持部材の内側に収納されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来の半導体製造装置用の保持体では、電極端子及び引出線は剥き出しのままで筒状の支持部材内を通して系外へ引き出されていた。そのため、引出線同士が支持部材内で接触して漏電することがあった。また、筒状の支持部材内が大気圧の時には電極端子及び引出線間でスパークすることは少ないが、減圧雰囲気あるいは真空状態にすると、電極端子及び引出線間でスパークがしばしば発生していた。
【０００９】
漏電やスパークが起こると製造工程が一時的に停止したり、処理中の製品が不良になってしまうだけでなく、セラミックス製ヒータに埋設された抵抗発熱体の劣化や、電極端子及び引出線接続部に亀裂が入りやすく、故障の原因ともなっていた。そのため、このような漏電及び電極端子や引出線間のスパークが発生しないような構造が望まれていた。
【００１０】
また、半導体製造におけるコスト低減のためＳｉウエハの大型化が進められており、近年ではウエハ径は８インチから１２インチへと移行しつつある。そのため、フォトリソグラフィーで用いる樹脂やＬｏｗ−ｋの焼成に用いるコータディベロッパの加熱装置では、ウエハを保持して加熱する保持体の均熱性に対する要求が高まっている。これらの用途に対する保持体の保持面における均熱性は±１．０％以内が必要とされ、更に望むらくは±０．５％以内が要求されている。
【００１１】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、ウエハの保持体内に埋設された抵抗発熱体に電力を供給するための電極端子及び引出線に漏電やスパークが発生することがなく、保持体のウエハ保持面において±１．０％以内の均熱性、更には±０．５％以内の均熱性が得られる半導体製造装置用保持体を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明が提供する半導体製造装置用保持体は、反応ガスが供給されるチャンバー内に設けられる半導体製造装置用保持体であって、被処理物を表面上に保持すると共に被処理物を加熱するための抵抗発熱体を具備するセラミックス製保持体と、一端がセラミックス製保持体をその被処理物保持表面以外の部位で支持し、他端がチャンバーに固定される支持部材とを備え、該セラミックス製保持体の被処理物保持表面以外の部位に設けた抵抗発熱体の電極端子及び引出線が絶縁管内に収納されていることを特徴とする。
【００１３】
上記本発明による半導体製造装置用保持体においては、前記セラミックス製保持体の荷重が、前記支持部材のみで支持されているか、又は前記支持部材と前記絶縁管で支持されていることが好ましい。
【００１４】
上記本発明による半導体製造装置用保持体の態様としては、前記絶縁管の一端が前記セラミックス製保持体との間で気密封止されていること、若しくは前記絶縁管の他端と前記チャンバーとの間が気密封止されていること、又は前記絶縁管の他端自体が気密封止されていることが好ましく、あるいは、前記引出線と前記チャンバーとの間が気密封止されていることが好ましい。中でも前記絶縁管の他端と前記チャンバーとの間を気密封止する場合、該絶縁管の側面と前記チャンバーとの間でＯ−リング封止がなされていること、特にＯ−リングを前記絶縁管の軸方向に押潰すことにより、該Ｏ−リングが絶縁管側面及びチャンバーに押し付けられていることが好ましい。
【００１５】
また、上記本発明による半導体製造装置用保持体の一態様では、前記支持部材が筒状であって、その内部空間の雰囲気が前記チャンバー内の雰囲気と同じに維持されること、あるいは、その内部空間の雰囲気を０．１ＭＰａ（１気圧）未満の減圧雰囲気若しくは真空雰囲気とすることが好ましい。
【００１６】
更に、本発明は、上記したいずれかの半導体製造装置用保持体を用いた半導体製造装置、例えば、フォトリソグラフィー用コータディベロッパの樹脂膜の加熱硬化、又は低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いる加熱装置を提供するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明においては、ウエハ等の被処理物を表面上に保持して加熱する保持体として、板状で絶縁性のセラミックス内に抵抗発熱体を埋設したセラミックス製保持体を用いる。セラミックス製保持体の被処理物保持表面以外に設けた抵抗発熱体の電極端子及び引出線は、筒状の絶縁管の内部に収納して絶縁をとることによって、接触による漏電並びに電極端子や引出線の間のスパークを効果的に抑制できる。尚、引出線とその電極端子ごとに別々の絶縁管に収納しても良いし、複数の貫通穴を有する１つの絶縁管を用いて、貫通穴ごとに引出線とその電極端子を挿入できる構造にしても良い。
【００１８】
セラミックス製保持体はチャンバー内に支持する必要があるが、別途設けた支持部材のみで支持するか、あるいは支持部材と絶縁管との両方で支持する。絶縁管だけでセラミックス製保持体を支持する必要はなく、従って筒状の絶縁管に掛かる応力が少ないため、絶縁管は電極端子や引出線を保護できる必要最低限の内径と肉厚で作製すれば良い。
【００１９】
筒状の絶縁管はセラミックスの焼結によって作製するため、内径や肉厚が少し大きくなるだけで製造コストが大幅に増加するが、絶縁管を必要最小限の内径と肉厚にすることで製造コストを低減することができる。また、絶縁管の肉厚を薄くすることで絶縁管を通じた熱の逃げを抑えることができ、絶縁管と接するセラミックス製保持体の温度低下が抑制され、その均熱性を向上させることができる。
【００２０】
更に、セラミックス製保持体を別途設けた支持部材のみで支持し、絶縁管の一端とセラミックス製保持体の間を離すか、又は接触する程度にすることにより、抵抗発熱体で発生した熱がセラミックス製保持体から絶縁管を通して系外へ逃げるのを阻止することができる。このため、セラミックス製保持体の被処理物保持表面以外での温度低下が抑えられ、更に均熱性が向上する。
【００２１】
筒状の絶縁管は電極端子や引出線を保護するように被せるだけでなく、その一端とセラミックス製保持体との間を気密封止すれば、この隙間を通じてスパークが発生することも抑えられる。このように絶縁管の一端とセラミックス製保持体との間を封止する場合、特に完全に接合する場合には、熱応力の観点から両者の室温での熱膨張率の差が５×１０−６／℃以下であることが好ましく、２×１０−６／℃以下であることが更に好ましい。
【００２２】
尚、絶縁管とセラミックス製保持体の熱膨張率が大きく異なる場合、封止接合すると接合後の収縮量の違いにより熱応力が発生し、絶縁管が破損することがある。そのような場合には、径の異なる２本の絶縁管を摺動可能に嵌め合わせすることにより、収縮量を逃がして応力を緩和することが可能である。
【００２３】
また、絶縁管の熱伝導率が高いと、セラミックス製保持体で発生した熱が接合部から絶縁管に逃げて行き、局所的に温度が低下して、セラミックス製保持体全体としての均熱性が低下する。その場合には、絶縁管の熱伝導率をセラミックス製保持体の熱伝導率よりも低くすることにより、セラミックス製保持体の熱が絶縁管を通して逃げることを抑制でき、セラミックス製保持体の全体としての均熱性を向上させることができる。
【００２４】
気密封止のために絶縁管とセラミックス製保持体との間を接合する場合、ガラス、ＡｌＮ接合材、あるいは金属ロウ等が用いられる。ガラスとしては、例えばＢ−Ｓｉ系ガラスや、ＩＩａ族又はＩＩＩａ族元素あるいはＡｌの酸化物等が用いられる。ＡｌＮ接合材としては、ＡｌＮに対して、ＩＩａ族又はＩＩＩａ族元素の酸化物か、若しくはＡｌの酸化物等を添加して用いる。その際、ＡｌＮを主成分としても良いが、別の成分を主成分としても良い。また、金属ロウ付けでは、例えばＴｉ−Ｃｕ−Ａｇを用いる活性金属接合や、Ｗメタライズ後Ｎｉめっき処理し、Ａｇ−Ｃｕロウ付けすることも可能である。
【００２５】
更に、上記のごとく筒状の絶縁管の一端とセラミックス製保持体との間を気密封止する共に、絶縁管の他端とチャンバーの間又は引出線とチャンバーの間も気密封止すれば、スパークの発生を完全に抑えることが可能となり更に好ましい。絶縁管の他端の側面とチャンバーとの間、及び引出線とチャンバーの間は、Ｏ−リングを用いて封止することにより、安価に且つ信頼性高く気密封止することができる。
【００２６】
この絶縁管の他端側面とチャンバーとの間のＯ−リング封止は、チャンバーに開けた穴の内側にＯ−リングを入れ、そこに絶縁管を挿入して封止することが可能である。しかし、Ｏ−リングの弾性性能と寸法の関係で挿入できる絶縁管の寸法が制約されるため、Ｏ−リングのシール性が制約される。そこで、Ｏ−リングのシール性を単独で制御するため、専用のＯ−リング押潰し治具を用いてＯ−リングを絶縁管の軸方向に押潰すことにより、Ｏ−リングが絶縁管側面及びチャンバーに押し付けられ、シール性を向上させることが可能である。
【００２７】
更に、前記絶縁管の他端自体を、ポリイミド樹脂などの樹脂の封止材料によって気密封止すれば、簡便で安価であり、且つ信頼性の高い封止を行うことができる。
【００２８】
本発明では電極端子や引出線が筒状の絶縁管で保護されているので、支持部材は必ずしも筒状でなくても良い。筒状の支持部材を用いる場合には、筒状支持部材で実質的に囲まれた内側部分の雰囲気と、その外側部分の雰囲気（チャンバー内の雰囲気）を同じ雰囲気にすることが好ましい。これにより、セラミックス製保持体の被処理物保持表面以外における熱の逃げ状況が、筒状支持部材で実質的に囲まれた内側部分とその外側部分で同じになるため、この内周部と外周部での温度差が小さくなり均熱性が向上する。
【００２９】
また、従来のＣＶＤ用のＡｌＮ製の保持体では、その保持体にＡｌＮ製の筒状支持部材を接合して電極端子や引出線を保護し、且つその筒状支持部材内を０．１ＭＰａ（１気圧）に保って用いていた。しかし、この場合、保持体の熱が筒状支持部材を通して内側の０．１ＭＰａ（１気圧）のガス雰囲気に逃げていくため、保持体の均熱性が低下する。従って、本発明における支持部材が筒状の場合には、その筒状支持部材で実質的に囲まれた内側部分を０．１ＭＰａ（１気圧）未満の減圧雰囲気あるいは真空雰囲気にすることによって、ガスを通じた筒状支持部材内側への熱の逃げを減少させることができるため、セラミックス製保持体の均熱性が向上する。
【００３０】
セラミックス製保持体を構成する材料としては、高い耐食性、耐熱性、絶縁性等の観点から、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）から選ばれた少なくとも１種が好ましい。また、筒状の絶縁管を構成する材料も、高い耐食性、耐熱性、絶縁性等の観点から、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）から選ばれた少なくとも１種のセラミックスで構成されるのが好ましい。
【００３１】
セラミックス製保持体を支持する支持部材は、熱伝導率が低いほどセラミックス製保持体で発生した熱の逃げを抑制できるので好ましく、特に３０Ｗ／ｍＫ以下の熱伝導率であることが好ましい。支持部材を構成する材料としては、高い耐食性、耐熱性、絶縁性と、低い熱伝導率の観点から、ステンレス、チタン、酸化アルミニウム、ムライト、スピルネル、コージェライト等から選ばれた少なくとも１種が好ましい。
【００３２】
また、抵抗発熱体としては、セラミックス製保持体に埋設することができ、耐熱性と適度な抵抗値を有する材料であれば特に制限はなく、例えばＷ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、ステンレス等を使用できる。
【００３３】
このような本発明による半導体製造装置用保持体は、フォトリソグラフィー用コータディベロッパの樹脂膜の加熱硬化、又は低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられるの加熱装置として特に好適である。
【００３４】
【実施例】
実施例１
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤として０．５重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を加え、更に有機バインダーを添加して分散混合した後、スプレードライにより造粒した。この造粒粉末を、焼結後に直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの円板状となる寸法に、一軸プレスにより２枚成形した。また、同じＡｌＮ粉末に、焼結助剤組成が同じで、更に押出し用有機バインダー、分散剤、溶剤を加えて混練した後、焼結後に外径１０ｍｍ×内径８ｍｍ×長さ１００ｍｍの管状となる寸法に、押出成形により２本成形した。
【００３５】
これら２枚の円板状の成形体と２本の管状の成形体を、温度９００℃の窒素気流中で脱脂し、更に窒素気流中にて温度１９００℃で５時間焼結した。得られたＡｌＮ焼結体の熱伝導率はいずれも１８０Ｗ／ｍＫであった。これらの焼結体の全表面をダイヤモンド砥粒を用いて研磨した。
【００３６】
円板状のＡｌＮ焼結体の片方に、Ｗ粉末に焼結助剤とエチルセルロース系のバインダーを添加混練したスラリーを用いて抵抗発熱体回路を印刷し、９００℃の窒素気流中で脱脂した後、１８５０℃で１時間加熱して焼き付けた。残りの円板状の焼結体上には、接合用のガラスにエチルセルロース系のバインダーを添加混練したスラリーを塗布し、９００℃の窒素気流中で脱脂した。
【００３７】
この２枚の焼結体の接合用ガラス面と抵抗発熱体面とを重ね合わせ、ずれ防止のために５ｋＰａ（５０ｇ／ｃｍ２）の荷重を掛けた状態で、１８００℃で２時間加熱して接合することにより、図１に示すように、内部に抵抗発熱体２が埋設されたセラミックス製保持体１を作製した。
【００３８】
このセラミックス製保持体１の裏面に、抵抗発熱体２に接続されるＷの電極端子３を接合し、更に系外の電源に電気的に接続される電力供給用の引出線４を接続した。上記２本の管状のＡｌＮ焼結体を絶縁管５とし、その内部に電極端子３と引出線４を収納した後、その一端面に接合用のＢ−Ｓｉ系ガラスを塗布してセラミックス製保持体１の裏面にあてがい、ずれ防止のために５ｋＰａ（５０ｇ／ｃｍ２）の荷重を掛けた状態で、８００℃で１時間加熱して接合した。
【００３９】
更に、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１００ｍｍの熱伝導率１５Ｗ／ｍＫのＳＵＳ製パイプからなり、両端にフランジを設けた略円筒状の支持部材６を作製した。この略円筒状の支持部材６の他端側のフランジをチャンバー７にクランプ固定し、一端側のフランジ上にはセラミックス製保持体１を接合することなく載置した。
【００４０】
セラミックス製保持体１の裏面に接合した２本の絶縁管５は円筒状の支持部材６内に収納され、それぞれの絶縁管５の他端がチャンバー８の底面から０．５ｍｍ上方に位置するようにセットした。また、引出線４及び熱電対用の引出線７とチャンバー８の底面との間は、全てＯ−リング９で気密封止した。
【００４１】
この装置のチャンバー８内を１３．３Ｐａ（０．１ｔｏｒｒ）の減圧状態の窒素雰囲気に保ち、系外の電源から抵抗発熱体２に２００Ｖの電圧で電力を供給して、セラミックス製保持体１を５００℃に加熱した。その際、電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても、電極端子３や引出線４の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、１０個のセラミックス製保持体１について、昇温と降温を５００回繰り返しても、１０個全てに問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体１のウエハ１０を載置する被処理物保持表面について、その全面の均熱性を測定した結果、５００℃±０．４３％の均熱性が得られた。
【００４２】
実施例２
図２に示すように、ＡｌＮ製の絶縁管５の他端をチャンバー８の底面を貫通して延長し、絶縁管５の他端側面とチャンバー８の底面との間でＯ−リング９を用いて気密封止した以外は、実施例１と同様にして装置を構成した。このように構成した装置について、実施例１と同様の評価を実施した。
【００４３】
即ち、実施例１と同じ条件で、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４６％であった。
【００４４】
実施例３
図３に示すように、各絶縁管として径の異なる２本のＡｌＮ製の絶縁管５ａ、５ｂを嵌め合わせて用いた以外は、実施例２と同様にして装置を構成した。尚、絶縁管５ａは、外径１２ｍｍ、内径１０．５ｍｍ、長さ６０ｍｍである。また、絶縁管５ｂは、外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ６０ｍｍとした。
【００４５】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４６％であった。
【００４６】
実施例４
図４に示すように、ＡｌＮ製の絶縁管５の寸法を外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ９０ｍｍとし、その絶縁管５の他端開口は引出線４を挿通した状態でポリイミド樹脂の封止材料１１により気密封止した以外、実施例１と同様にして装置を構成した。
【００４７】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４５％であった。
【００４８】
実施例５
実施例２と同様にして、図２に示す装置を構成した。ただし、この装置においては、図６に示すように、チャンバー８に下方が大径で上方が小径の穴を開け、この穴の内側にＯ−リング９を入れ、更に絶縁管５を挿入すると共に、大径の穴の側面に設けたネジ部に螺合する筒状の押潰し治具１２を下方から挿入して螺合することにより、Ｏ−リング９を絶縁管５の軸方向に押潰し、絶縁管５の側面及びチャンバー８に押し付けて封止した。
【００４９】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４５％であった。
【００５０】
実施例６
実施例２と同様にして、図２に示す装置を構成した。ただし、この装置においては、図７に示すように、チャンバー８に上方が大径で下方が小径の穴を開け、この穴の内側にＯ−リング９を入れ、更に絶縁管５を挿入すると共に、大径の穴の側面に設けたネジ部に螺合する筒状の押潰し治具１２を上方から挿入して螺合することにより、Ｏ−リング９を絶縁管５の軸方向に押潰し、絶縁管５の側面及びチャンバー８に押し付けて封止した。
【００５１】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４５％であった。
【００５２】
実施例７
実施例１と同じ方法で、ＡｌＮからなるセラミックス製保持体を作製した。一方、絶縁管は、窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてイットリア（Ｙ２Ｏ３）を０．５重量％とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を５重量％添加して分散混合し、押出し用バインダー、分散剤、可塑剤、溶剤を添加して混錬した後、実施例１と同様に成形、脱脂、焼結して作製した。このＡｌＮ製の絶縁管の接合及び引出線の封止は、実施例１と同様とした。尚、セラミックス製保持体に用いるＡｌＮ焼結体の熱伝導率は１８０Ｗ／ｍＫ、絶縁管の熱伝導率は７０Ｗ／ｍＫであった。
【００５３】
この装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．３９％に向上した。
【００５４】
実施例８
実施例１と同じ方法で、ＡｌＮからなるセラミックス製保持体を作製した。一方、絶縁管としては、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）に焼結助剤としてＡｌ２Ｏ３を２０重量％とＹ２Ｏ３を３重量％添加し、これら焼結助剤以外は実施例１と同じものを添加混練して押出成形した。これを温度７００℃の大気流中で脱脂し、更に窒素気流中にて温度１５００℃で３時間焼結した。得られたムライト焼結体の熱伝導率は４Ｗ／ｍＫであった。この焼結体の全表面をダイヤモンド砥粒を用いて研磨し、絶縁管とした。
【００５５】
この装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。セラミックス製保持体の均熱性を測定したところ、実施例１で見られたような保持体と絶縁管の接合部における温度低下が少なくなり、均熱性は５００℃±０．３５％に向上した。
【００５６】
実施例９
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末に、焼結助剤として２重量％の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）を加え、更にＰＶＢ（ポリビニルブチラール）バインダー、分散剤、可塑剤、溶剤を添加して混練した後、焼結後に外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ１００ｍｍの管状となるように、押出成形により２本成形した。この成形体をアルゴン中にて８００℃で脱脂し、更にアルゴン中にて２０００℃で６時間焼結した。得られたＳｉＣ製の絶縁管の熱伝導率は１５０Ｗ／ｍＫであった。
【００５７】
このＳｉＣ製の絶縁管の一端面にＢ−Ｓｉ系のガラスを塗布し、実施例１と同じ条件で作製したＡｌＮ製のセラミックス製保持体の裏面にあてがい、その内部に電極端子と引出線を収納した状態で、８００℃で１時間加熱して接合した。それ以外は実施例１と同様にして装置を構成した。尚、ＡｌＮ製のセラミックス製保持体とＳｉＣ製の絶縁管の熱膨張率差は１．５×１０−６／℃であった。
【００５８】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４２％であった。ただし、昇温降温を５００回繰り返したところ、１０個のセラミックス製保持体のうち１個で絶縁管との接合部にクラックが発生した。
【００５９】
実施例１０
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉末に、焼結助剤として２重量％のマグネシア（ＭｇＯ）を加え、更にＰＶＢ（ポリビニルブチラール）バインダー、分散剤、可塑剤、溶剤を添加して混練した後、焼結後に外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ１００ｍｍの管状となるように、押出成形により２本成形した。この成形体を大気中にて１５００℃で３時間焼結した。得られたＡｌ２Ｏ３製の絶縁管の熱伝導率は２０Ｗ／ｍＫであった。
【００６０】
このＡｌ２Ｏ３製の絶縁管の一端面にＢ−Ｓｉ系のガラスを塗布し、実施例１と同じ条件で作製したＡｌＮ製のセラミックス製保持体の裏面にあてがい、その内部に電極端子と引出線を収納した状態で、８００℃で１時間加熱して接合した。それ以外は実施例１と同様にして装置を構成した。
【００６１】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４０％であった。しかし、ＡｌＮ製のセラミックス製保持体とＡｌ２Ｏ３製の絶縁管の熱膨張率差が２．２×１０−６／℃であったため、昇温降温を５００回繰り返したところ、１０個のセラミックス製保持体のうち９個で絶縁管との接合部にクラックが発生した。
【００６２】
実施例１１
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末に、焼結助剤として２重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）と１重量％のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を加え、更にＰＶＢ（ポリビニルブチラール）バインダー、分散剤、可塑剤、溶剤を添加して混練した後、焼結後に外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ１００ｍｍの管状となるように、押出成形により２本成形した。この成形体を窒素中にて９００℃で脱脂した後、更に窒素中にて１６５０℃で５時間焼結した。得られたＳｉ３Ｎ４製の絶縁管の熱伝導率は３０Ｗ／ｍＫであった。
【００６３】
このＳｉ３Ｎ４製の絶縁管の一端面にＢ−Ｓｉ系のガラスを塗布し、実施例１と同じ条件で作製したＡｌＮ製のセラミックス製保持体の裏面にあてがい、その内部に電極端子と引出線を収納した状態で、８００℃で１時間加熱して接合した。それ以外は実施例１と同様にして装置を構成した。尚、ＡｌＮ製のセラミックス製保持体とＳｉ３Ｎ４製の絶縁管の熱膨張率差は１．３×１０−６／℃であった。
【００６４】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．３９％であった。
【００６５】
実施例１２
実施例１と同じ方法で、ＡｌＮからなるセラミックス製保持体と絶縁管、ＳＵＳ製の支持部材を作製したが、ＡｌＮ製の絶縁管は一端を実施例１と同様にセラミックス製保持体の裏面に接合し、他端をチャンバーと接触させてセラミックス製保持体の荷重を一部（５０％）保持するようにした。それ以外は実施例１と同様にして装置を構成した。
【００６６】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体１に全て問題は発生しなかった。また、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．７０％であった。
【００６７】
実施例１３
ＡｌＮからなるセラミックス製保持体と絶縁管を接合する際に、ＡｌＮ粉末にＹ２Ｏ３を添加し、更にエチルセルロース系のバインダーを加えて混練したペーストを塗布し、窒素中にて１８００℃で接合した以外は、実施例１と同様にして装置を構成した。
【００６８】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．５０％であった。
【００６９】
実施例１４
ＡｌＮからなるセラミックス製保持体と絶縁管を接合する際に、活性銀ロウ（Ｔｉ−Ｃｕ−Ａｇ）の１００μｍ箔を用いて、高真空（１．３×１０−３Ｐａ（１０−５ｔｏｒｒ））にて８５０℃で接合した以外は、実施例１と同様にして装置を構成した。
【００７０】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４５％であった。
【００７１】
実施例１５
ＡｌＮからなるセラミックス製保持体と絶縁管を接合する際に、両者の接合端部にＷメタライズを形成し、更にＮｉめっきを２μｍ施した後、銀ロウ（Ｃｕ−Ａｇ）の１００μｍ箔を用いて、真空（１．３Ｐａ（１０−２ｔｏｒｒ））にて８５０℃で接合した以外は、実施例１と同様にして装置を構成した。
【００７２】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４６％であった。
【００７３】
実施例１６
筒状の支持部材を、チタン、酸化アルミニウム（アルミナ）、ムライト、スピネル、コージェライトを用いてそれぞれ作製した以外は、実施例１と同様にして装置を構成した。
【００７４】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。
【００７５】
更に、セラミックス製保持体の均熱性を測定した結果を、各支持部材の熱伝導率と共に、下記表１に示す。
【００７６】
【表１】
2004056084.tif 000003
【００７７】
実施例１７
実施例１と同じＡｌＮの造粒粉末を用いて、外径８０ｍｍ、内径７５ｍｍ、長さ１００ｍｍの筒状の支持部材を作製した。このＡｌＮ製の支持部材を、実施例１におけるＳＵＳ製の支持部材の代りに使用し、その一端をＡｌＮからなるセラミックス製保持体の裏面中央に、実施例１でのＡｌＮ製の絶縁管の場合と同様に接合した。この筒状の支持部材の内部に０．１ＭＰａ（１気圧）の窒素ガスを封入した以外は、実施例２と同様にして、図２に示す装置を構成した。
【００７８】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±１．５０％であった。
【００７９】
実施例１８
実施例１と同じ方法で、外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ９０ｍｍのＡｌＮ製の絶縁管を２本作製し、内部に電極端子及び引出線を収納してセットしたが、図５に示すように絶縁管５の両端を封止しなかった以外、実施例１と同様にして装置を構成した。
【００８０】
このように構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしたところ、１回だけ絶縁管とセラミックス製保持体の隙間を通じて微小な放電が発生したが、抵抗発熱体や電極端子の接続部等が焼け焦げる等のトラブルには至らなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４０％であった。
【００８１】
実施例１９
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末に、焼結助剤として２重量％の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）を加え、更に有機バインダーを添加して分散混合した後に、スプレードライにより造粒した。この造粒粉末を用いて、焼結後に直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの円板状となる寸法に、一軸プレスにより２枚成形した。
【００８２】
また、同じ炭化ケイ素粉末に、焼結助剤として２重量％の炭化ホウ素を加え、更に押出し用バインダー、分散剤、可塑剤、溶剤を添加して混練した後、焼結後に外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ１００ｍｍの管状となる寸法に、押出成形により２本形成した。
【００８３】
これらの成形体をアルゴン中にて８００℃で脱脂し、更にアルゴン中にて２０００℃で６時間焼結した。得られたＳｉＣ焼結体の熱伝導率は１５０Ｗ／ｍＫであった。得られた円板状の焼結体を用い、実施例１と同様に、Ｗ回路を形成した後２枚を接合して、ＳｉＣ製のセラミックス製保持体を作製した。また、管状の焼結体を絶縁管とし、その内部に電極端子と引出線を収納して引出線を系外に引き出した。
【００８４】
それ以外は実施例１と同様に構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．４４％であった。
【００８５】
実施例２０
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉末に、焼結助剤として２重量％のマグネシア（ＭｇＯ）を加え、更に有機バインダーを添加して分散混合した後、スプレードライにより造粒した。この造粒粉末を用いて、焼結後に直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの円板状となる寸法に、一軸プレスにより２枚成形した。
【００８６】
また、同じ酸化アルミニウム粉末に、焼結助剤として２重量％のマグネシアを加え、更にＰＶＢ（ポリビニルブチラール）バインダー、分散剤、可塑剤、溶剤を添加して混練した後、焼結後に外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ１００ｍｍの管状となる寸法に、押出成形により２本成形した。
【００８７】
これらの成形体を、大気中にて１５００℃にて３時間焼結した。得られたＡｌ２Ｏ３焼結体の熱伝導率は２０Ｗ／ｍＫであった。得られた円板状の焼結体を用い、実施例１と同様に、Ｗ回路を形成した後２枚を接合して、Ａｌ２Ｏ３製のセラミックス製保持体を作製した。また、管状の焼結体を絶縁管とし、その内部に電極端子と引出線を収納して引出線を系外に引き出した。
【００８８】
それ以外は実施例１と同様に構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．６０％であった。
【００８９】
実施例２１
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末に、焼結助剤として２重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）と１重量％のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を加え、更に有機バインダーを添加して分散混合した後に、スプレードライにより造粒した。この造粒粉末を用いて、焼結後に直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの円板状となる寸法に、一軸プレスで２枚成形した。
【００９０】
また、同じ窒化ケイ素粉末に、焼結助剤として２重量％のイットリアと１重量％のアルミナを加え、更にＰＶＢ（ポリビニルブチラール）バインダー、分散剤、可塑剤、溶剤を添加して混練した後、焼結後に外径１０ｍｍ、内径８ｍｍ、長さ１００ｍｍの管状となる寸法に、押出成形により２本成形した。
【００９１】
これらの成形体を、窒素中にて１６５０℃にて５時間焼結した。得られたＳｉ３Ｎ４焼結体の熱伝導率は３０Ｗ／ｍＫであった。得られた円板状の焼結体を用い、実施例１と同様に、Ｗ回路を形成した後２枚を接合して、Ｓｉ３Ｎ４製のセラミックス製保持体を作製した。また、管状の焼結体を絶縁管とし、その内部に電極端子と引出線を収納して引出線を系外に引き出した。
【００９２】
それ以外は実施例１と同様に構成した装置について、実施例１と同じ条件で評価した。即ち、セラミックス製保持体を５００℃に加熱し、その際に電源を５００回ＯＮ−ＯＦＦしても電極端子や引出線の間でスパーク等のトラブルは起こらなかった。また、昇温降温を５００回繰り返しても、１０個のセラミックス製保持体に全て問題は発生しなかった。更に、セラミックス製保持体の均熱性は５００℃±０．８０％であった。
【００９３】
比較例
実施例１と同じ方法でＡｌＮからなるセラミックス製保持体を作製し、引出線を絶縁管で保護しない以外は、実施例１と同様にして装置を構成した。
【００９４】
実施例１と同じ条件で、セラミックス製保持体を５００℃に加熱した。その際に電源を５回ＯＮ−ＯＦＦすると、電極端子間で大電流のスパークが発生し、埋設した抵抗発熱体が焼け焦げてしまった。
【００９５】
【発明の効果】
本発明によれば、セラミックス製保持体内に埋設された抵抗発熱体に電力を供給するための電極端子及び引出線の間で漏電やスパークが発生することがなく、且つセラミックス製保持体の被処理物保持表面における均熱性が±１．０％以内、更には±０．５％以内の半導体製造装置用保持体を提供することができる。この半導体製造装置用保持体は、特にフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化、又は低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられるコータディベロッパの加熱装置として極めて優れている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体製造装置用保持体の一具体例を示す概略の断面図である。
【図２】本発明の半導体製造装置用保持体における他の具体例を示す概略の断面図である。
【図３】本発明の半導体製造装置用保持体における別の具体例を示す概略の断面図である。
【図４】本発明の半導体製造装置用保持体における更に別の具体例を示す概略の断面図である。
【図５】本発明の半導体製造装置用保持体における更に別の具体例を示す概略の断面図である。
【図６】本発明の半導体製造装置用保持体において、絶縁管とチャンバーの間でのＯ−リング封止の一具体例を示す概略の断面図である。
【図７】本発明の半導体製造装置用保持体において、絶縁管とチャンバーの間でのＯ−リング封止の別の具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
１　　　セラミックス製保持体
２　　　抵抗発熱体
３　　　電極端子
４、７　　　引出線
５　　　絶縁管
６　　　支持部材
８　　　チャンバー
９　　　Ｏ−リング
１０　　　被処理物
１１　　　封止材料
１２　　　押潰し治具
【図１】
2004056084.tif 000004
【図２】
2004056084.tif 000005
【図３】
2004056084.tif 000006
【図４】
2004056084.tif 000007
【図５】
2004056084.tif 000008
【図６】
2004056084.tif 000009
【図７】
2004056084.tif 000010