(57)【要約】【課題】本願の課題は、液晶表示パネルを形成する透明基板の貼り合わせのずれを抑制することが可能な液晶表示パネルを提供することである。【解決手段】本発明による液晶表示パネルは、第１の透明基板３０２に形成された薄膜トランジスタ３０６と、前記第１の透明基板及び前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁膜３１６，３０４と、前記絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタにコンタクトホール３１８を介して電気的に接続される画素電極３２０と、前記画素電極に対向し、前記第２の透明電極上に形成された対向電極３２８と、前記第２の透明基板に形成された絶縁性の凸部３３２を有する。前記凸部は、前記絶縁膜に形成された凹部３２２に嵌合する。【選択図】  図３
2004301960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の透明基板の間に液晶が封入された液晶表示パネルであって、
前記第１の透明基板に形成された薄膜トランジスタと、
前記第１の透明基板及び前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタにコンタクトホールを介して電気的に接続される画素電極と、
前記画素電極に対向し、前記第２の透明電極上に形成された対向電極と、
前記第２の透明基板に形成された絶縁性の凸部
を有し、前記凸部が、前記絶縁膜に形成された凹部に嵌合する
ことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記第２の透明基板に、光を遮光することの可能な遮光膜が形成され、前記凸部が前記遮光膜上に形成されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
第１及び第２の透明基板の間に液晶が封入された液晶表示パネルであって、
前記第１の透明基板に形成された薄膜トランジスタと、
前記第１の透明基板に形成された絶縁性の凸部と、
前記第２の透明基板に形成され、所定の色に着色されたカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上に形成された絶縁膜
前記薄膜トランジスタに接続される電極に対向し、前記絶縁膜上に形成される対向電極
を有し、前記凸部が、前記絶縁膜に形成された凹部に嵌合する
ことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項４】
前記第２の透明基板に、光を遮光することの可能な遮光膜が形成され、前記凹部が前記遮光膜上に形成されることを特徴とする請求項３記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記凹部が、前記薄膜トランジスタに接続されるゲートバスライン及びドレインバスラインの交差する場所に形成されることを特徴とする請求項１又は３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に液晶表示装置の技術分野に関し、特に液晶表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の分野で使用される液晶表示パネルの多くは、２枚の対向する透明基板の間に液晶を封入する構造を有する。各透明基板に設けられた電極間の電圧を利用して、液晶分子の配向方向を制御することで、所望の画像が表示される。
【０００３】
図１は、従来の液晶表示パネルの概略的な平面図（上）及びＡＡ線に沿う断面図（下）を示す。図では、１つの画素の一部が示されている。この液晶表示パネルでは、例えばガラスより成る透明基板（図示せず）上に、ゲート絶縁膜１０２が形成され、このゲート絶縁膜１０２上の所定の部分に、ドレインバスライン１０４が設けられている。ドレインバスライン１０４及びゲート絶縁膜１０２上には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）より成る最終保護膜１０６が成膜されている。最終保護膜１０６上には画素電極１１０が形成され、これは、画素中の色毎に形成される薄膜トランジスタ１０８に接続される。
【０００４】
一方、薄膜トランジスタ１０８の形成される透明基板（ＴＦＴ基板）に対向する透明基板（対向基板）１１２の所定の部分には、不要な光を遮光するブラックマトリクス（ＢＭ）１１４が、設けられる。更に、ブラックマトリクス１１４及び対向基板１１２上には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）又は青色（Ｂ）のような所定の色に着色されたカラーフィルタ１１８が設けられている。更に、カラーフィルタ１１８上には、例えば、錫の添加された酸化インジウム（ＩＴＯ）より成る対向電極１２０が設けられ、この対向電極１２０は、基準電位に接続され、各画素電極１１０に対向する共通電極としての役割を果たす。画素電極１１０及び対向電極１２０の間は、液晶層１２２で満たされている。
【０００５】
概して、ＴＦＴ基板側から入射した光（バックライト）は、画素電極１１０及び対向電極１２０間の電圧制御により適切な方向に配向した液晶分子を含む液晶層１２２に入射し、カラーフィルタ１１８を通って対向基板１１２側に透過する。これにより、所望の画像を形成することが可能になる。この場合において、画素電極１１０周辺は液晶分子の配向方向が変化する場所になるので、その近辺における液晶分子の異常配向によって、対向基板側に向かう不要な光が生じてしまう。この不要な光が、視聴者側（対向電極１１２側）に漏洩することを防ぐために、ブラックマトリクス１１４が画素電極１１０と一部重なるように設けられている（「Ｍ」で示される部分）。この一部重なる領域は、遮光マージンと呼ばれるが、貼り合わせマージンとも呼ばれる。ＴＦＴ基板及び対向基板を貼り合わせる際にズレが生じた場合にも、そのような不要な光が生じ得る。更に、液晶表示パネルの製造工程にて貼り合わせのずれを小さく作成できたとしても、その後の使用時の指押し等の外力に起因して、透明基板どうしがずれてしまうこともある。このような場合にも、貼り合わせによるずれが生じた場合と同様に、余分な光が漏洩する問題が生じ得る。貼り合わせマージンＭは、このような不要な光を遮光するように設定される。
【０００６】
ところで、液晶表示パネルの高性能化及び画像の高品質化等に起因して、画素ピッチは小さくなりつつあるが、液晶表示パネルの製造工程で使用されるマザー基板（液晶表示パネルのサイズに合わせて裁断する前の透明基板）は大型化しているので、画素ピッチに合わせて貼り合わせマージンも小さくしてゆくことには、限界がある。むしろ、１画素当たりの貼り合わせマージンの面積は、大きくなる傾向にあり、このことは、液晶表示パネルの開口率を小さくする点で不利である。
【０００７】
図２は、他の従来例による構造を示す。この例では、貼り合わせマージンを小さくするために、ＴＦＴ基板側にブラックマトリクスを設けている。この液晶表示パネルでは、ゲート絶縁膜１０２上の所定の部分に、ドレインバスライン１０４が設けられている。ドレインバスライン１０４及びゲート絶縁膜１０２上には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）より成る保護膜１０６が成膜されている。保護膜１０６上には画素電極１１０が形成され、これは、画素中の色毎に形成される薄膜トランジスタ１０８に接続される。更に、この構造では、保護膜１０６及び画素電極１１０上に、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）より成るオーバーコート層２０２が設けられている。このオーバーコート層２０２上に、ブラックマトリクス２１４が設けられている。対向基板側には、カラーフィルタ及び対向電極が形成される。
【０００８】
このような構造にすると、ブラックマトリクス２１４と画素電極１１０との間の位置関係は、２枚の透明基板の貼り合わせの精度には影響されず、フォトリソグラフィの位置合わせ精度で高精度に両者を合わせることが可能になる。従って、この場合のマージンＭ’は、図１に示される構造のもの（Ｍ）よりも非常に小さくすることが可能になる点で有利である。しかしながら、図２に示されるような構造を採用すると、オーバーコート層を形成した上でブラックマトリクス２１４をフォトリソグラフィにて形成する必要があるため、製造工程数が多くなり、製造工程の簡略化やコスト等の観点からは不利な手法である。
【０００９】
また、特許文献１は、貼り合わせずれを小さくするために、一方の基板から他方の基板に向かって細くなるテーパ状の凸部を一方の基板に設け、他方の基板にはその凸部に嵌合する凹部を設け、それらの凹凸部を感光性樹脂（レジスト）により形成する技術を開示している。しかしながら、このような手法によれば、凹部及び凸部を形成する工程を別途行う必要があり、この手法も、製造工程の簡略化やコスト等の観点からは不利である。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−１６２９１３号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本願の課題は、液晶表示パネルを形成する透明基板の貼り合わせのずれを抑制することが可能な液晶表示パネルを提供することである。
【００１２】
本願の別の課題は、製造工程数の増加量を小さくしつつ、液晶表示パネルを形成する透明基板の貼り合わせのずれを抑制することが可能な液晶表示パネルを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第１及び第２の透明基板の間に液晶が封入された液晶表示パネルであって、前記第１の透明基板に形成された薄膜トランジスタと、前記第１の透明基板及び前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタにコンタクトホールを介して電気的に接続される画素電極と、前記画素電極に対向し、前記第２の透明電極上に形成された対向電極と、前記第２の透明基板に形成された絶縁性の凸部を有し、前記凸部が、前記絶縁膜に形成された凹部に嵌合することを特徴とする液晶表示パネルが、提供される。
【００１４】
また、本発明によれば、第１及び第２の透明基板の間に液晶が封入された液晶表示パネルであって、前記第１の透明基板に形成された薄膜トランジスタと、前記第１の透明基板に形成された絶縁性の凸部と、前記第２の透明基板に形成され、所定の色に着色されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層上に形成された絶縁膜前記薄膜トランジスタに接続される電極に対向し、前記絶縁膜上に形成される対向電極を有し、前記凸部が、前記絶縁膜に形成された凹部に嵌合することを特徴とする液晶表示パネルが、提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図３は、本願実施例による液晶表示パネルの部分断面図を示す。例えばガラスより成る透明基板３０２には、例えば、０．３５μｍの膜厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）より成るゲート絶縁膜３０４が形成されている。図中左側のような所定の場所には、薄膜トランジスタ３０６が形成される。薄膜トランジスタ３０６は、絶縁膜３０４上に、例えばアモルファスシリコンより成る半導体層３０８を有する。半導体層３０８上には絶縁性のチャネル保護膜３１０が形成される。このチャネル保護膜３１０の両側に、アルミニウムのような導電性材料より成るドレイン電極３１２及びソース電極３１４が形成される。これらの構造及びゲート絶縁膜３０４上には、更に、例えば、０．３３μｍの膜厚を有する窒化シリコンＳｉＮより成る最終保護膜３１６が成膜される。この最終保護膜３１６の所定の箇所には、コンタクトホール３１８が形成される。最終保護膜３１６上には、コンタクトホール３１８を通じてソース電極３１４に接続される画素電極３２０が形成される。
【００１６】
一方、図中右側のような他の場所における最終保護膜３１６及びゲート絶縁膜３０４には、凹部３２２が形成される。この凹部３２２は、上述したコンタクト３１８を形成するのと同じ工程で作成することが可能である。即ち、最終保護膜３１６上に感光性のレジストを塗布し、マスクを通過した露光光線をレジストに照射することで、マスクに形成されているパターンがレジストに転写される。このマスクにコンタクトホール３１８だけでなく、凹部３２２に関するパターンを形成しておけば、コンタクトホール３１８及び凹部３２２となる部分のレジストが現像工程で除去され、その部分を露出させることが可能である。そして、エッチング工程にて、露出した部分をエッチングしてゆくのであるが、コンタクトホール３１８に関するエッチングは、ソース電極３１４に達した時点で、エッチングの選択比の相違に起因して、エッチング反応が事実上停止する。しかしながら、凹部３２２に関しては、そのようなメタル層は存在しないので（同質の絶縁膜しか存在しないので）、更にエッチングが深く進行し、例えば図示されているような透明基板３０２に到達させることが可能である。このようにして、凹部３２２は、薄膜トランジスタ３０６のコンタクトホール３１８と同一の工程で形成することができる。なお、当然ながら、コンタクトホール３１８と凹部３２２を別々に形成することも可能である。
【００１７】
他方、透明基板３０２に対向する対向基板３２４も用意される。対向基板３２４は、薄膜トランジスタ３０６の形成されるＴＦＴ基板に貼り合わせられるように、対向する位置関係に位置付けられる。対向基板３２４の所定の箇所にはカラーフィルタ３２６が設けられ、このカラーフィルは３２６は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）又は青色（Ｂ）のような所定の色に着色されている。カラーフィルタ３２６上には、例えばＩＴＯより成る画素電極３２０に対向する対向電極３２８が設けられている。
【００１８】
また、図中右側のような対向基板３２４の所定の部分には、不要な光を遮光するためのブラックマトリクス３３０が設けられている。更に、対向基板３２４における、凹部３２２に対応する場所には、透明基板を貼り合わせた際に、凹部３２２に嵌合するように形成された凸部３３２が設けられている。凸部３２２は、様々な絶縁性の材料で形成することが可能であるが、例えばレジスト材料（ＡＺ−ＡＦＰ７５０等）で、フォトリソグラフィにより作成することが可能である。凸部３３２の高さは、電極間の液晶層の厚み（セルギャップ）に合わせて設定することが可能であり、例えば、３．６μｍのセルギャップを維持するために、４．４μｍ程度の高さにすることが可能である。
【００１９】
本実施例における凹部３２２及び凸部３３２は、一定の傾斜角θを有するように形成される。これは、露光及び現像を含むパターニング及びエッチング等におけるプロセス条件を調整することで実行可能である。凸部として現像後に残っているレジストをアニールし、そのレジストを固化させることで、凸部の外周部がある程度なだらかになり、それをテーパ状に形成することが可能である。この傾斜角θは、鋭角であることが望ましく、特に４５度乃至６０度の範疇にあることが望ましい。透明基板を貼り合わせる工程で、両基板を加圧したときに、凹部及び凸部がテーパ角に起因して、互いに合致しようとする力が働くようにするためである。また、所期の貼り合わせ位置のずれを考慮して、凸部３３２の先端部の大きさＬ１よりも、凹部３２２の大きさＬ２を大きくしておくことも有利である。
【００２０】
本実施例による凹凸構造は、ブラックマトリクス３２４の裏側のような所定の場所に意図的に多数作成することが可能である。そのような場所に形成することで、画像を形成する液晶分子に与える影響を小さくすることが可能になる。また、この凹凸構造を、柱状スペーサとして使用することが可能である。この場合には、別途柱状スペーサを作成する又はビーズスペーサを散布する必要がなくなる点で有利である。凹凸構造による位置ずれを補正する機能に加えて、柱状スペーサの機能を発揮し得るこのような構造を表示領域に多数設けることで、従来の柱状スペーサよりも強力にずれを抑制し、指押しのような外圧に対する対抗力が向上する点でもこの構造は有利である。柱状スペーサとして使用する凹凸構造は、画素毎に密に設けても良いし、（例えば３０画素に１つ、のように）一定間隔毎に疎らに設けることも可能である。更に、一部分に本実施例による凹凸構造を形成し、他の部分には従来の柱状スペーサを使用することも可能である。本実施例による凹凸構造は、フォトリソグラフィによる高精度な位置合わせ精度で作成することができるので、ブラックマトリクス３３０に関する遮光マージン又は貼り合わせマージンを小さくすることが可能になる。
【００２１】
更に、液晶が垂直配向型である場合には、画素電極３２０又は対向電極３２８に、液晶分子の配向方向を規制するための絶縁性の突起物が、画素電極及び／又は対向電極に形成される。この突起物は、感光性のレジストで形成することが可能である。従って、そのような突起物を形成する工程で、突起物と供に凸部３３２を形成することが可能である。そのようにすると、凸部についても製造工程数を増やすことなく、本実施例による凹凸構造を形成することが可能になる。
【００２２】
図４は、他の実施例による液晶表示パネルの部分断面図を示す。例えばガラスより成る透明基板（図示せず）には、例えば、０．３５μｍの膜厚の窒化シリコン（ＳｉＮ）より成るゲート絶縁膜３０４が形成されている。ゲート絶縁膜３０４上には、例えば、０．３３μｍの膜厚の絶縁性の保護膜３１６が形成されている。図４では、簡単のため、薄膜トランジスタに関する部分は図示されていない。更に、保護膜３１６上には、絶縁性のオーバーコート層４０２が成膜されている。このオーバーコート層４０２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）やアクリル等により形成され得る。オーバーコート層４０２は、例えば段差のある構造を平坦化させるために成膜される。オーバーコート層４０２には、凹部３２２が形成されている。凸部３３２を含む対向基板側の構造については、図３で説明したものと同様であるため、説明を省略する。
【００２３】
本実施例では、オーバーコート層４０２に凹部３２２が形成されている点で、図３に示される構造と相違する。オーバーコート層４０２は、例えば２〜３μｍのように厚い膜厚を有するように形成されるが、ゲート絶縁膜３０４や保護膜３１６は両者を併せても薄いのが一般的である（図示している例では、０．７μｍ程度に過ぎない）。従って、本実施例によれば、より深い凹部３２２及びそれに嵌合する凸部３３２を形成することが可能になり、位置ずれを補正するより大きな能力を得ることが可能になる。
【００２４】
図５は、他の実施例による液晶表示パネルの部分断面図を示す。図３，４に示される構造では、ＴＦＴ基板側に凹部が形成され、対向基板側に凸部が設けられていたが、本実施例では逆にＴＦＴ基板側に凸部が形成され、対向基板側に凹部が設けられる。例えばガラスより成る不図示の透明基板には、例えば０．２５μｍの膜厚のゲートバスライン５０２及び０．３５μｍの膜厚のゲート絶縁膜５０４が形成される。ゲートバスライン５０２は、不図示の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続される。更に、図５に示される場所では、ゲートバスライン５０２上に、例えば０．２５μｍの膜厚のドレインバスライン（データバスライン）５０６及び０．３３μｍの膜厚の最終保護膜５０８が形成されている。ドレインバスライン５０６も、不図示の薄膜トランジスタのドレイン電極に接続される。最終保護膜５０８には、不図示の薄膜トランジスタのソース電極に接続される画素電極５１０が形成されている。更に、ゲートバスライン５０２及びドレインバスライン５０６上には、例えば４．３μｍの膜厚の絶縁性の凸部５１２が形成されている。
【００２５】
対向基板５１４側には、ブラックマトリクス５１６が設けられ、ブラックマトリクス５１６上には、所定の色に着色されているカラーフィルタ５１８が設けられている。カラーフィルタ５１８上には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）より成るオーバーコート層５２０が形成されている。このオーバーコート層５２０には、凸部５１２に合わせて形成された凹部５２２が設けられている。オーバーコート層５２０上には、例えばＩＴＯより成る対向電極５２４が設けられている。
【００２６】
凸部５１２及び凹部５２２は、様々な場所に設けられ得るが、本実施例のように、ゲート及びドレインバスラインが交差する場所に凸部５１２を形成すると、最終保護膜５０８の段差ｄに起因して、凸部５１２の高さをその分だけ低くすることが可能になる。この段差ｄは、ゲート及びドレインバスラインの膜厚に起因して生じる（図示している例では、０．５μｍ程度）。凸部の高さが低くなった分だけ、凸部の高さばらつきの量を小さくすることが可能になるので、凹凸構造を高精度に形成する等の観点から、本実施例は有利である。
【００２７】
図６は、凹凸形状の変形例を示す断面図を示す。これは、図３のＢＢ線に沿う断面図に相当する。図示の都合上、凹部及び凸部が、誇張されて大きく隔たっているよう描かれている点に留意を要する。上述したように、凸部及び凹部には、一定の傾斜角θが設けられているので（テーパ形状になっているので）、透明基板同士が僅かにずれたとしても、凸部が凹部の傾斜面に沿って凹部に引き込まれるような補正力が得られる。すなわち、凹部及び凸部を互いに合致させるような方向に力が働く。図６では、凹凸形状の断面が円形になっている。図中の矢線で示されるように、この例では、任意の方向の位置ずれに対して、そのような補正力が得られる点で有利である。
【００２８】
図７は、凹凸形状の変形例を示す断面図を示す。この例では、凸部が四角錐の先端部を除去したような台形状の形状を有する。このような形状にすると、補正力を直交する特定の２方向に揃えることができる。また、断面に現われる四角形を正方形にすれば、各方向に対する補正力は等しくなるが、長方形にすれば、長辺に垂直方向の補正力を大きくすることが可能になる。更に、図８に示されるように、凹部及び凸部を形成する向きを変えることで、補正力の方向を変えることも可能である。このように、図７，８に示されるような断面形状を形成することは、特定の方向の補正力を大きくする観点から有利である。
【００２９】
図９は、凹凸形状の変形例を示す断面図を示す。この例では、凹部の内壁面及び凸部の外壁面の互いに対向する部分が、起伏を有する面になるように形成されている。各透明基板に形成される凹部及び凸部の互いに接する部分の形状を複雑にすることで、位置ずれを抑制する補正力を大きくすることが可能になる。図示されているような矩形のパターンに限らず、凹部及び凸部が接する部分の面積を大きくすることで、そのような補正力を大きくすることが可能になる。
【００３０】
以上本願実施例によれば、画素電極又は対向電極の下地層となる絶縁膜に凹部が形成され、この凹部に嵌合するように凸部が形成されるので、透明基板の貼り合わせずれを抑制し、遮光マージン又は貼り合わせマージンを小さくすることが可能になる。このため、表示領域の開口率をその分だけ大きくすることが可能になり、液晶表示パネルの高品質化を図ることが可能になる。本実施例による凹部は、薄膜トランジスタに対するコンタクトホールの形成と同時に行うことが可能である。また、凸部は、柱状スペーサの機能を発揮することも可能であり、従来の柱状スペーサに代えて、本実施例による凸部を形成することが可能になる。本願実施例による凹凸構造を柱状スペーサとして使用する場合は、従来のスペーサの機能に加えて、位置ずれを強力に抑制することが可能になり、例えば指押しのような外圧に対しても丈夫な構造になる。更に、垂直配向型の液晶を利用する場合には、本願実施例による凸部を、液晶分子の配向を制御するための突起物や土手と同時に形成することが可能である。従って、本願実施例によれば、製造工程数の増加を抑制しつつ、貼り合わせマージンを小さくすることが可能である。
【００３１】
以下、本発明が教示する手段を列挙する。
【００３２】
（付記１）  第１及び第２の透明基板の間に液晶が封入された液晶表示パネルであって、
前記第１の透明基板に形成された薄膜トランジスタと、
前記第１の透明基板及び前記薄膜トランジスタ上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記薄膜トランジスタにコンタクトホールを介して電気的に接続される画素電極と、
前記画素電極に対向し、前記第２の透明電極上に形成された対向電極と、
前記第２の透明基板に形成された絶縁性の凸部
を有し、前記凸部が、前記絶縁膜に形成された凹部に嵌合する
ことを特徴とする液晶表示パネル。
【００３３】
（付記２）  前記第２の透明基板に、光を遮光することの可能な遮光膜が形成され、前記凸部が前記遮光膜上に形成されることを特徴とする付記１記載の液晶表示パネル。
【００３４】
（付記３）  第１及び第２の透明基板の間に液晶が封入された液晶表示パネルであって、
前記第１の透明基板に形成された薄膜トランジスタと、
前記第１の透明基板に形成された絶縁性の凸部と、
前記第２の透明基板に形成され、所定の色に着色されたカラーフィルタ層と、
前記カラーフィルタ層上に形成された絶縁膜
前記薄膜トランジスタに接続される電極に対向し、前記絶縁膜上に形成される対向電極
を有し、前記凸部が、前記絶縁膜に形成された凹部に嵌合する
ことを特徴とする液晶表示パネル。
【００３５】
（付記４）  前記第２の透明基板に、光を遮光することの可能な遮光膜が形成され、前記凹部が前記遮光膜上に形成されることを特徴とする付記３記載の液晶表示パネル。
【００３６】
（付記５）  前記凹部が、前記薄膜トランジスタに接続されるゲートバスライン及びドレインバスラインの交差する場所に形成されることを特徴とする付記１又は３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【００３７】
（付記６）  前記凹部及び前記凸部が、前記第１及び第２の透明基板に平行な面内で円形の断面を有することを特徴とする付記１又は３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【００３８】
（付記７）  前記凹部及び前記凸部が、前記第１及び第２の透明基板に平行な面内で四角形の断面を有することを特徴とする付記１又は３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【００３９】
（付記８）  前記凹部の内壁面及び前記凸部の外壁面の互いに対向する部分が、起伏を有する面を形成することを特徴とする付記１又は３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【００４０】
（付記９）  前記凸部が、感光性のレジストより成ることを特徴とする付記１又は３の何れか１項に記載の液晶表示パネル。
【００４１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、液晶表示パネルを形成する透明基板の貼り合わせのずれを抑制することが可能になる。また、製造工程数の増加量を小さくしつつ、液晶表示パネルを形成する透明基板の貼り合わせのずれを抑制することが可能になる。
【００４２】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、液晶表示パネルの概略的な平面図及び断面図を示す。
【図２】図２は、従来の他の液晶表示パネルの部分断面図を示す。
【図３】図３は、本願実施例による液晶表示パネルの断面図を示す。
【図４】図４は、他の実施例による液晶表示パネルの断面図を示す。
【図５】図５は、他の実施例による液晶表示パネルの断面図を示す。
【図６】図６は、本願実施例による凹凸構造の基板に平行な面内での断面図を示す。
【図７】図７は、本願実施例による他の凹凸構造の基板に平行な面内での断面図を示す。
【図８】図８は、本願実施例による他の凹凸構造の基板に平行な面内での断面図を示す。
【図９】図９は、本願実施例による他の凹凸構造の基板に平行な面内での断面図を示す。
【符号の説明】
１０２  ゲート絶縁膜
１０４  ドレインバスライン
１０６  最終保護膜
１０８  薄膜トランジスタ
１１０  画素電極
１１２  対向基板
１１４  ブラックマトリクス
１１８  カラーフィルタ
１２０  対向電極
１２２  液晶
２０２  オーバーコート層
２１４  ブラックマトリクス
３０２  透明基板
３０４  ゲート絶縁膜
３０６  薄膜トランジスタ
３０８  半導体層
３１０  チャネル保護層
３１２  ドレイン電極
３１４  ソース電極
３１６  最終保護膜
３１８  コンタクトホール
３２０  画素電極
３２２  凹部
３２４  対向基板
３２６  カラーフィルタ
３２８  透明電極
３３０  ブラックマトリクス
３３２  凸部
４０２  オーバーコート層
５０２  ゲートバスライン
５０４  ゲート絶縁膜
５０６  ドレインバスライン
５０８  最終保護膜
５１０  画素電極
５１２  凸部
５１４  対向基板
５１６  ブラックマトリクス
５１８  カラーフィルタ
５２０  オーバーコート層
５２２  凹部
５２４  対向電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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