(57)【要約】【課題】逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い炭化珪素ショットキー障壁ダイオードを得る。【解決手段】炭化珪素ショットキー障壁ダイオードを、ｎ型炭化珪素半導体基板１に順次形成された第１不純物濃度Ｎ１を有するｎ型第１炭化珪素半導体層２および第２不純物濃度Ｎ２を有するｎ型第２炭化珪素半導体層３と、ｎ型第２炭化珪素半導体層３上に形成されたショットキー電極４と、ショットキー電極４の下部のｎ型第２炭化珪素半導体層３内に設けられ第３不純物濃度Ｎ３を有するｎ型不純物イオン注入領域７と、を備え、各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２の関係を満たす構成とした。【選択図】        図１
2004266115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型炭化珪素半導体基板と、
前記ｎ型炭化珪素半導体基板上に形成され第１不純物濃度Ｎ１を有するｎ型第１炭化珪素半導体層と、
前記ｎ型第１炭化珪素半導体層上に形成され第２不純物濃度Ｎ２を有するｎ型第２炭化珪素半導体層と、
前記ｎ型第２炭化珪素半導体層上に形成されたショットキー電極と、
前記ショットキー電極の下部の前記ｎ型第２炭化珪素半導体層内に設けられ第３不純物濃度Ｎ３を有するｎ型不純物イオン注入領域と、を備え、
前記各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２の関係を満たすことを特徴とする炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項２】
前記第１不純物濃度Ｎ１と前記第２不純物濃度Ｎ２が、さらに０．１Ｎ１≦Ｎ２≦０．５Ｎ１の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項３】
前記第２不純物濃度Ｎ２と前記第３不純物濃度Ｎ３が、さらに１．５Ｎ２≦Ｎ３≦５．０Ｎ２の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項４】
前記ショットキー電極と前記ｎ型第２炭化珪素半導体層内のｎ型不純物イオン注入領域とが層厚方向に対して層厚ｄ１の間隙を有することを特徴とする請求項１記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項５】
前記間隙の層厚ｄ１が、０．１μｍ≦ｄ１≦１．０μｍの範囲であることを特徴とする請求項４記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項６】
前記ショットキー電極の前記ｎ型不純物イオン注入領域に対する投影面が、前記ｎ型不純物イオン注入領域をなす面の内側に位置することを特徴とする請求項４または５記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項７】
前記ショットキー電極の前記ｎ型不純物イオン注入領域に対する投影面と前記ｎ型不純物イオン注入領域をなす面との端部間の間隔ｓ１が、前記ｎ型第２炭化珪素半導体層の層厚をｄ２とするとき、０．１ｄ２≦ｓ１≦５．０ｄ２の範囲であることを特徴とする請求項６記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項８】
前記ｎ型第２炭化珪素半導体層内のｎ型不純物イオン注入領域と前記ショットキー電極とが接し、かつ前記ｎ型不純物イオン注入領域をなす面が前記ショットキー電極をなす面の内側に位置することを特徴とする請求項１記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【請求項９】
前記ショットキー電極と前記ｎ型不純物イオン注入領域との端部間の間隔ｓ２が、前記ｎ型第２炭化珪素半導体層の層厚をｄ２とするとき、０．１ｄ２≦ｓ２≦５．０ｄ２の範囲であることを特徴とする請求項８記載の炭化珪素ショットキー障壁ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は炭化珪素ショットキー障壁ダイオードに関し、特に、高い逆方向耐圧あるいは低い逆方向リーク電流等の良好な整流特性を有する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、ＤＲＡＭに代表される半導体装置の結晶材料として用いられる珪素（Ｓｉ）に比べて、結晶のバンドギャップエネルギーが大きい、あるいは高温でも安定している等の特有の性質を有している。かかる性質を活かすべく、高い逆方向耐圧を要求されるショットキーダイオードへの適用が検討されている一方、炭化珪素結晶特有の問題も生じている。
【０００３】
炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、一般的に用いられるシリコンショットキー障壁ダイオードと比較して、一層電界強度が高いことに起因する炭化珪素ショットキー障壁ダイオード特有の問題、すなわち、逆方向耐圧特性上の問題とともに、逆電圧印加時のトンネル効果による逆方向リーク電流の発生も問題となる。特に、ショットキー電極端部は電界集中により電界強度が大きくなる結果、逆方向リーク電流が顕著となる。
【０００４】
従来の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、逆方向耐圧特性向上のために、ショットキー電極の端部における電界集中の緩和を目的とした素子構造として、イオン注入により形成したガードリング構造や、高抵抗領域の適用が試みられていた。例えば、非特許文献１に開示されるように、従来のショットキー障壁ダイオードではショットキー電極の端部にアルミニウム（Ａｌ）イオン注入領域で構成されたガードリングを備えた構造を有していた。かかるｐ型領域からなるガードリング構造では電界強度の最大点はガードリングとドリフト領域との境界に形成されるｐｎ接合となって、ショットキー電極端部での電界集中は緩和される結果、逆方向耐圧が向上した。
【０００５】
しかし、ｎ型炭化珪素半導体層へのｐ型不純物のイオン注入によりｐ型領域で構成されたガードリング構造を形成する場合、ｐ型不純物のイオン注入自体が炭化珪素結晶に結晶欠陥等の損傷を与えてしまう問題と、イオン注入後に不純物をアクセプタ化するために必要な不純物活性化熱処理時の高温処理によってショットキー障壁が形成される炭化珪素半導体層の表面に凹凸形状の損傷が生じて、ショットキー電極と炭化珪素半導体層との界面における逆方向リーク電流が著しく増大する問題が生じ、これらの要因により実用上充分な素子特性が得られなかった。
【０００６】
一方、ショットキー障壁における逆方向リーク電流自体の低減を目的として、例えば、特許文献１に開示されているように、耐圧層とショットキー電極の間に相対的に不純物濃度の低い中間層を設ける構造が提案されている。しかしながら、特許文献１による素子構造（特許文献１の図１）では、ショットキー電極端部での電界集中を緩和する構造はなんら開示されておらず、逆方向リーク電流は低減するものの、逆方向耐圧が依然低いという問題があった。
【０００７】
従来のｐ型領域からなるガードリング構造および特許文献１の素子構造でそれぞれ生じる諸問題を解決するために、例えば、特許文献２ではｎ型炭化珪素結晶成長層の表面層にアルミニウムイオンのような逆導電型であるｐ型不純物をショットキー電極の端部を含むリング状の領域にイオン注入した後、不純物活性化熱処理を行い、エピタキシャル結晶成長層に本来ドーピングされているｎ型不純物とイオン注入されたｐ型不純物を相殺させてｎ型不純物濃度を意図的に減少させることにより、ｎ型炭化珪素結晶成長層と同じ導電型であるｎ型の低不純物濃度領域を形成する端部構造が提案されている。ガードリング構造作製に必要なｐ型イオン注入量の低減と不純物活性化熱処理温度の低温化により、上述の炭化珪素半導体結晶内の損傷あるいは炭化珪素半導体層表面への損傷を減少させる効果があるからである。しかし、かかる素子構造でも電界集中が一番問題となるショットキー電極端部にイオン注入がなされているので、イオン注入時に発生する結晶欠陥により逆方向耐圧の劣化、逆方向リーク電流の増加等が充分解決されていなかった。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−１３３８１９号公報
【特許文献２】
特開２０００−１８８４０６号公報
【非特許文献１】
Ｒｏｌａｎｄ  Ｒｕｐｐ他６名，  ”Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ａｎｄ  Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ  Ｉｓｓｕｅｓ  ｏｆ  ＳｉＣ−Ｓｃｈｏｔｔｋｙ  Ｄｉｏｄｅｓ”，  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｆｏｒｕｍ、２０００年、３３８−３４２巻、１１６７−１１７０ページ
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述のガードリング領域をイオン注入および不純物活性化熱処理で形成する構造では、電界集中により電界強度が大きくなる部分がイオン注入の損傷を受けた領域と一致する問題があった。イオン注入による結晶欠陥等の損傷はある程度高温での不純物活性化熱処理で大部分は回復するものの、依然若干の損傷は残存し、逆方向耐圧の低下、及び、逆方向リーク電流の増加を招来する。特に、電界集中により電界強度が大きくなるガードリング領域では、かかるイオン注入に起因する損傷の影響が顕著となって、素子特性を著しく劣化させる。
【００１０】
特に、不純物活性化熱処理時の高温工程が炭化珪素半導体層の表面に与える損傷を避ける目的で、不純物活性化熱処理温度を低温化した場合、イオン注入領域における損傷の回復が不十分となる問題もあった。
【００１１】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたもので、逆方向耐圧の低下、及び、逆方向リーク電流の増加等の素子特性の劣化を引き起こさないような電界集中緩和構造を具備し、整流特性等の良好な素子特性を具備する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードを提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る炭化珪素ショットキー障壁ダイオードは、ｎ型炭化珪素半導体基板と、上記ｎ型炭化珪素半導体基板上に形成され第１不純物濃度Ｎ１を有するｎ型第１炭化珪素半導体層と、上記ｎ型第１炭化珪素半導体層上に形成され第２不純物濃度Ｎ２を有するｎ型第２炭化珪素半導体層と、上記ｎ型第２炭化珪素半導体層上に形成されたショットキー電極と、上記ショットキー電極の下部の上記ｎ型第２炭化珪素半導体層内に設けられ第３不純物濃度Ｎ３を有するｎ型不純物イオン注入領域と、を備え、上記各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２の関係を満たすこととした。
【００１３】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図を図１に示す。図中、１はｎ型炭化珪素半導体基板、２はエピタキシャル結晶成長で形成され上記ｎ型炭化珪素半導体基板１より不純物濃度が低いｎ型第１炭化珪素半導体層、３はエピタキシャル結晶成長で形成され上記ｎ型第１炭化珪素半導体層２よりさらに不純物濃度が低いｎ型第２炭化珪素半導体層、４は例えばチタンからなるショットキー電極、５はショットキー電極端部、６はニッケル（Ｎｉ）からなる裏面ｎ側電極、７は例えば窒素イオン等のｎ型不純物のイオン注入によりショットキー電極４直下のｎ型第２炭化珪素半導体層３中に形成されたｎ型不純物イオン注入領域、８はｎ型不純物イオン注入領域７の端部、９は炭化珪素ショットキー障壁ダイオードに逆方向電圧を印加した場合の空乏層の拡がりの先端部、１０はイオン注入マスク、をそれぞれ示す。
【００１４】
先ず、本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの製造方法を図２に基づき説明する。ｎ型炭化珪素半導体基板１上にシランおよびプロパンガス等を原料としたＣＶＤ結晶成長法によって、例えば１．２×１０１６ｃｍ−３の不純物濃度を有し層厚１０μｍ程度のｎ型第１炭化珪素半導体層２と、上記ｎ型第１炭化珪素半導体層２より不純物濃度が低い、例えば３×１０１５ｃｍ−３の不純物濃度で層厚１μｍ程度のｎ型第２炭化珪素半導体層３と、を順次エピタキシャル結晶成長する（図２（ａ））。
【００１５】
公知のフォトリソグラフィ技術によって、エピタキシャル結晶成長後のウエハ上にイオン注入マスク１０として機能するレジストパターンを形成して、炭化珪素半導体結晶中でｎ型の導電性を示す、例えば窒素のような不純物をｎ型第２炭化珪素半導体層３中にイオン注入して、ｎ型不純物イオン注入領域７を形成する（図２（ｂ））。なお、イオン注入マスク１０の開口部は、後工程でショットキー電極４を形成する領域にほぼ一致している。かかる開口部を通してｎ型第２炭化珪素半導体層３中に５×１０１５ｃｍ−３の濃度に相当する不純物のイオン注入を行い、元々含まれていた不純物と併せて８×１０１５ｃｍ−３の不純物濃度のｎ型不純物イオン注入領域７を形成する。イオン注入後、イオン注入マスク１０を除去して、不純物活性化熱処理を例えば１１００℃で１０分間行う。
【００１６】
上述の不純物活性化熱処理後、スパッタ成膜法によりｎ型炭化珪素半導体基板１の裏面側に膜厚０．５μｍ程度のニッケル膜を成膜して裏面ｎ側電極６を形成し、さらに、オーミック電極化のため例えば真空中で９５０℃、１分間の熱処理を実施する。
【００１７】
最後に、スパッタ成膜法によりウエハの上面側、すなわちエピタキシャル結晶成長層が形成されている側に、例えばチタンを膜厚０．５μｍ程度成膜した後、公知のフォトリソグラフィ技術とウエットあるいはドライエッチング技術によってショットキー電極４をパターン形成すると、図１に示した断面構造を呈する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードが完成する。
【００１８】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードで重要なｎ型第１炭化珪素半導体層２、ｎ型第２炭化珪素半導体層３およびｎ型不純物イオン注入領域７間の不純物濃度の関係について以下に説明する。なお、不純物濃度とはドナーとして寄与する不純物の濃度を意味する。ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度をｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度より高く、かつｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度より小さくなるように設定する。
【００１９】
すなわち、ｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度をＮ１、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度をＮ２、ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度をＮ３とした場合、前記各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２を満たす関係にある。さらに、各層および領域毎の不純物濃度について説明する。
【００２０】
（１）ｎ型第１炭化珪素半導体層２
ｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度Ｎ１として、目標逆方向耐圧に対応した不純物濃度、つまり、空乏層の伸びで決まる膜厚と最大電界強度の積の２分の１が逆方向耐圧に等しくなる不純物濃度が好適である。例えば、炭化珪素ショットキー障壁ダイオードに要求される目標逆方向耐圧が１．２ｋＶの場合は、最大電界強度として２ＭＶ／ｃｍ２が想定され、ｎ型第１炭化珪素半導体層２の膜厚を１５μｍとすると、不純物濃度Ｎ１は８．８４×１０１５ｃｍ−３が好適である。
【００２１】
（２）ｎ型第２炭化珪素半導体層３
ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２として、ｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度Ｎ１に対して１０％から５０％の濃度範囲が好適である。つまり、０．１Ｎ１≦Ｎ２≦０．５Ｎ１の範囲が望ましい。例えば、ｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度Ｎ１が８．８４×１０１５ｃｍ−３の場合に対しては、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２は８．８４×１０１４ｃｍ−３から４．４２×１０１５ｃｍ−３の範囲が好適である。不純物濃度Ｎ２が不純物濃度Ｎ１に対して５０％以下では空乏層が水平方向に充分広がって所望の効果が得られる一方、不純物濃度Ｎ１に対して１０％以上では不純物濃度の低下による順方向抵抗の増加が問題ない程度だからである。
【００２２】
（３）ｎ型不純物イオン注入領域７
ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度Ｎ３としては、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２の１．５倍以上で、ショットキー障壁での逆方向リーク電流を定格以下にする濃度、すなわち、不純物濃度Ｎ２の５倍以下の範囲が好適である。つまり、１．５Ｎ２≦Ｎ３≦５．０Ｎ２の範囲が望ましい。
【００２３】
例えば、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２が８．８４×１０１４ｃｍ−３の場合は、ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度Ｎ３として１．３３×１０１５ｃｍ−３以上１×１０１６ｃｍ−３以下の範囲が好適であり、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２が４．４２×１０１５ｃｍ−３の場合は、ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度Ｎ３として６．６３×１０１５ｃｍ−３以上５×１０１６ｃｍ−３以下の範囲が好適である。
【００２４】
次に、本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの動作を説明する。ショットキー電極４に負電圧を印加した場合、ショットキー電極４の下部に形成される電位障壁によって電子が遮断されることにより、主にｎ型第１炭化珪素半導体層２に形成される空乏層に負電圧が印加され、ダイオードとしての整流特性を示す。
【００２５】
上述したようにショットキー電極４下部のｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度Ｎ３に比べてｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２が低いため、空乏層への負電圧印加時にはウエハ主面に対して水平方向へ空乏層が広がる。よって、空乏層の拡がりの先端部９もウエハ主面に対して水平方向に拡張される結果、従来構造に比べてショットキー電極端部５と空乏層の拡がりの先端部９の間隔も一層広くなる。したがって、ショットキー電極端部５での電界集中がより緩和され逆方向耐圧が向上する効果をもたらす。また、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２が相対的に低いため、特に電界強度が大きく逆方向リーク電流が問題となるショットキー電極端部５の近傍でショットキー障壁の厚みが増加することにより、逆方向リーク電流が低減する効果も生じる。
【００２６】
さらに、空乏層の拡がりの先端部９がウエハ主面に対して水平方向に拡張するに伴い、位置に対する電界強度の傾きも一層ゆるやかとなり、ショットキー障壁の厚みが増加して逆方向リーク電流が低減するため、同程度の不純物濃度の耐圧層、つまりｎ型第１炭化窒素層２に対して、逆方向リーク電流を抑制できる。
【００２７】
以上、本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの構成によると、逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性を有する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードが容易に得られる。
【００２８】
実施の形態２．
図３は本発明の実施の形態２の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図である。図中、図１と同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものである。
【００２９】
先ず、本実施の形態に示した炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの製造方法を以下に説明する。ｎ型炭化珪素半導体基板１上へのｎ型第１炭化珪素半導体層２およびｎ型第２炭化珪素半導体層３の形成は、実施の形態１と同様である。公知のフォトリソグラフィ技術によって、エピタキシャル結晶成長後のウエハ上にイオン注入マスク１０として機能するレジストパターンを形成して、炭化珪素半導体結晶中でｎ型の導電性を示すような例えば窒素のような不純物をｎ型第２炭化珪素半導体層３中にイオン注入して、ｎ型不純物イオン注入領域７を形成する。なお、イオン注入マスク１０の開口部は、後工程でショットキー電極を形成する領域にほぼ一致している。この時、例えば１００ｋｅＶ以下の低イオン注入エネルギーでのイオン注入を行わないことにより、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の表面から０．２μｍの距離までは不純物がイオン注入されないように、つまり、イオン注入されない領域の不純物濃度をｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度と同程度に維持する。イオン注入後、イオン注入マスク１０を除去して、不純物活性化熱処理を例えば１１００℃で１０分間行う。裏面ｎ側電極６を形成する工程、及び、ショットキー電極４を形成する工程は実施の形態１と同様である。
【００３０】
上述の説明ではｎ型第２炭化珪素半導体層３の表面側で不純物がイオン注入されない部分の層厚、言い換えれば、ショットキー電極４とｎ型不純物イオン注入領域７の間隙の層厚を０．２μｍにする例を示したが、イオン注入時の損傷が表面に及ばない範囲の間隙の層厚以上で、かつ順方向抵抗の増加を招来しない間隙の層厚以下の範囲であるならば良く、例えば、０．１μｍから１μｍの範囲が好適である。要するに、上述の間隙の層厚をｄ１とすると、０．１μｍ≦ｄ１≦１．０μｍを満たす範囲が好適である。
【００３１】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードにおけるｎ型第１炭化珪素半導体層２、ｎ型第２炭化珪素半導体層３およびｎ型不純物イオン注入領域７間の不純物濃度の関係は実施の形態１と同様である。つまり、ｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度をＮ１、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度をＮ２、ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度をＮ３とした場合、前記各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２を満たす関係にある。
【００３２】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、実施の形態１と同様、ショットキー電極４下部のｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度Ｎ３に比べてｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２が低いため、ウエハ主面に対して水平方向に空乏層が広がりやすくなる。よって、空乏層の拡がりの先端部９もウエハ主面に対して水平方向に拡張される結果、従来構造に比べてショットキー電極端部５と空乏層の拡がりの先端部９の間隔はより広くなって、逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性が得られる点は実施の形態１の素子構造と同様である。
【００３３】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、実施の形態１の素子構造に対して、ショットキー電極４下部のｎ型不純物イオン注入領域７はショットキー電極４と接していない構造を備えている。一般に、逆方向に高電圧を印加して空乏層が水平方向に広がった状態では、炭化珪素半導体基板１主面に対して垂直方向、つまり層厚方向におけるショットキー電極４とｎ型第２炭化珪素半導体層３との界面で電界強度が最大となって絶縁破壊が生じ得るが、本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、かかる最大電界強度の位置においてイオン注入による結晶欠陥等の損傷が少ない結果、絶縁破壊を一層生じにくくする作用が生じる。つまり、欠陥密度の高いｎ型不純物イオン注入領域７がショットキー電極４と接していないため、欠陥損傷の影響を受けにくいからである。よって、損傷の影響による歩留まりの低下もなく、逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性を有する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードが容易に得られる。
【００３４】
実施の形態３．
図４は本発明の実施の形態３の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図である。図中、図１と同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものである。
【００３５】
先ず、本実施の形態に示した炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの製造方法を以下に説明する。ｎ型炭化珪素半導体基板１上へのｎ型第１炭化珪素半導体層２およびｎ型第２炭化珪素半導体層３の形成は実施の形態１と同様である。公知のフォトリソグラフィ技術によって、エピタキシャル結晶成長後のウエハ上にイオン注入マスク１０として機能するレジストパターンを形成して、炭化珪素半導体結晶中でｎ型の導電性を示すような例えば窒素のような不純物をｎ型第２炭化珪素半導体層３中にイオン注入して、ｎ型不純物イオン注入領域７を形成する。この時、例えば１００ｋｅＶ以下の低イオン注入エネルギーでのイオン注入を行わないことにより、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の例えば表面から０．２μｍの距離には不純物がイオン注入されないように、つまり、イオン注入されない領域の不純物濃度をｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度と同程度に維持する。イオン注入後の不純物活性化熱処理、裏面ｎ側電極６を形成する工程も実施の形態１と同様である。
【００３６】
裏面ｎ側電極６の形成後、ウエハ主面上にショットキー電極４をパターン形成する。例えば、チタンをスパッタ成膜法により膜厚０．５μｍ程度形成した後、公知のパターニング法およびウエットあるいはドライエッチング法によりショットキー電極４を形成する。この工程において、ショットキー電極端部５がｎ型不純物イオン注入領域端部８に対して内側に位置するように、ショットキー電極４に対応したフォトリソグラフィ用マスクを予め設計しておく。この結果、図４に示す断面形状を呈するショットキー障壁ダイオード、つまりショットキー電極４のｎ型不純物イオン注入領域７に対する投影面がｎ型不純物イオン注入領域７をなす面に対して内側に位置する素子構造が完成する。
【００３７】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードにおけるｎ型第１炭化珪素半導体層２、ｎ型第２炭化珪素半導体層３およびｎ型不純物イオン注入領域７間の不純物濃度の関係は実施の形態１と同様である。つまり、ｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度をＮ１、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度をＮ２、ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度をＮ３とした場合、前記各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２を満たす関係にある。
【００３８】
上記ショットキー電極端部５とｎ型不純物イオン注入領域端部８の位置関係をさらに具体的に説明すると、ショットキー電極４のｎ型不純物イオン注入領域７に対する投影面とｎ型不純物イオン注入領域７をなす面との端部間の間隔をｓ１とし、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の層厚をｄ２とすると、０．１ｄ２≦ｓ１≦５．０ｄ２の範囲とすれば、炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの逆方向耐圧と逆方向リーク電流特性を良好に維持することが可能である。
【００３９】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは実施の形態１と同様、ショットキー電極４下部のｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度Ｎ３に比べｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度Ｎ２が低いため、ウエハ主面に対して水平方向に空乏層が広がりやすくなる。よって、空乏層の拡がりの先端部９もウエハ主面に対して水平方向に拡張される結果、従来構造に比べてショットキー電極端部５と空乏層の拡がりの先端部９の間隔はより広くなって、逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性が得られる点は実施の形態１の素子構造と同様である。
【００４０】
さらに、本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、実施の形態１の素子構造に加え、ショットキー電極４の下部のｎ型不純物イオン注入領域７はショットキー電極４と接していない構造を備えているため、イオン注入時の結晶欠陥等の損傷の影響による歩留まりの低下もなく、逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性が実現できる点は実施の形態２の素子構造と同様である。
【００４１】
実施の形態１及び２の素子構造では、逆方向に高電圧を印加し空乏層が広がった状態では、ショットキー電極４の下部近傍のｎ型不純物イオン注入領域７では外側のｎ型第２炭化珪素半導体層３に比べて空乏層の層厚方向への拡がりが小さいことにより、ショットキー電極４の端部５近傍の下部で空乏層の拡がりの先端部９が形成する面が下方向に凸の形状を呈して、局所的な電界集中を生み出す場合がある。
【００４２】
一方、本実施の形態の素子構造では、ｎ型不純物イオン注入領域端部８は上記ショットキー電極端部５に対して外側に位置するため、空乏層の層厚方向への拡がりは外側に向かうに従い徐々に小さくなっていくので、空乏層の拡がりの先端部９が形成する面が層厚方向に凸の形状をなすことがなく、ショットキー電極の端部５の下部で一層電界集中の生じにくい空乏層の拡がりが得られる。よって、同程度の不純物濃度の耐圧層、つまりｎ型第１炭化珪素半導体層２に対して、高絶縁破壊電圧が得られる効果がある。すなわち、一層逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性を有する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードが容易に得られる。
【００４３】
実施の形態４．
図５は本発明の実施の形態４の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図である。図中、図１と同一の符号を付したものは、同一またはこれに相当するものである。
【００４４】
先ず、本実施の形態に示した炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの製造方法を以下に説明する。ｎ型炭化珪素半導体基板１上へのｎ型第１炭化珪素半導体層２およびｎ型第２炭化珪素半導体層３の形成は、実施の形態１と同様である。公知のフォトリソグラフィ技術によって、エピタキシャル結晶成長後のウエハ上にイオン注入マスク１０として機能するレジストパターンを形成して、炭化珪素半導体結晶中でｎ型の導電性を示すような例えば窒素のような不純物をｎ型第２炭化珪素半導体層３中にイオン注入して、ｎ型不純物イオン注入領域７を形成する。例えば、かかる開口部を通してｎ型第２炭化珪素半導体層３中に５×１０１５ｃｍ−３の濃度に相当する不純物のイオン注入を行い、ｎ型不純物イオン注入領域７を形成する。イオン注入後の不純物活性化熱処理、裏面ｎ側電極６を形成する工程も実施の形態１と同様である。
【００４５】
裏面ｎ側電極６形成後、ウエハ主面上にショットキー電極４を形成する。例えば、チタンをスパッタ成膜法により膜厚０．５μｍ程度形成した後、公知のパターニング法およびウエットあるいはドライエッチング法によりショットキー電極４をパターン形成する。この工程において、ｎ型不純物イオン注入領域端部８がショットキー電極端部５より内側に位置するようにショットキー電極４に対応したフォトリソグラフィ用マスクを予め設計しておく。この結果、図５に示す断面形状を呈するショットキー障壁ダイオード、つまり、ｎ型不純物イオン注入領域端部８がショットキー電極４の内側に位置する素子構造が完成する。
【００４６】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードにおけるｎ型第１炭化珪素半導体層２、ｎ型第２炭化珪素半導体層３およびｎ型不純物イオン注入領域７間の不純物濃度の関係は実施の形態１と同様である。つまり、ｎ型第１炭化珪素半導体層２の不純物濃度をＮ１、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の不純物濃度をＮ２、ｎ型不純物イオン注入領域７の不純物濃度をＮ３とした場合、前記各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２を満たす関係にある。
【００４７】
上述のショットキー電極端部５とｎ型不純物イオン注入領域端部８の位置関係を具体的に説明する。ショットキー電極端部５とｎ型不純物イオン注入領域端部８との間隔をｓ２とし、ｎ型第２炭化珪素半導体層３の層厚をｄ２とすると、０．１ｄ２≦ｓ２≦５．０ｄ２の範囲とすれば、炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの逆方向耐圧と逆方向リーク電流特性を良好に維持することが可能である。
【００４８】
本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、実施の形態１の素子構造と同様な原理で、逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性を有する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードが容易に得られる。
【００４９】
加えて、本実施の形態の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、上述したようにｎ型不純物イオン注入領域端部８はショットキー電極端部５よりも内側にあって、結果的にショットキー電極端部５はイオン注入を行わない部分に位置して、ショットキー電極端部５で電界強度が最大になる領域はイオン注入による結晶欠陥等の損傷の影響を全く受けないため、絶縁破壊が発生しにくくなる。この結果、一層逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性を有する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードが容易に得られる。
【００５０】
なお、上述の各実施の形態では、各エピタキシャル結晶成長層及びｎ型イオン注入領域のｎ型不純物として窒素を例示したが、炭化珪素に対する他のｎ型不純物、例えば燐等でも同様な効果が得られる。
【００５１】
また、上述の各実施の形態では、ショットキー電極としてチタンを例示したが、順方向電圧と逆方向リーク電流の仕様に応じて仕事関数の異なる金、ニッケル、白金、銅等の金属材料でショットキー障壁を形成しても同様な効果が得られる。
【００５２】
上述の各実施の形態では、ショットキー障壁ダイオード単体から形成される炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの例を示したが、本発明は他のｐｎダイオードとショットキー障壁ダイオードを組み合わせた半導体装置や、スイッチ素子とショットキー障壁ダイオードを組み合わせた半導体装置にも同様に適用可能である。
【００５３】
上述の各実施の形態では、ショットキー電極の形成方法としてエッチングを例示したが、他のリフトオフ、メタルマスク等の電極パターニング方法でも同様に適用可能である。
【００５４】
【発明の効果】
本発明に係る炭化珪素ショットキー障壁ダイオードでは、ｎ型炭化珪素半導体基板と、上記ｎ型炭化珪素半導体基板上に形成され第１不純物濃度Ｎ１を有するｎ型第１炭化珪素半導体層と、上記ｎ型第１炭化珪素半導体層上に形成され第２不純物濃度Ｎ２を有するｎ型第２炭化珪素半導体層と、上記ｎ型第２炭化珪素半導体層上に形成されたショットキー電極と、上記ショットキー電極の下部の上記ｎ型第２炭化珪素半導体層内に設けられ第３不純物濃度Ｎ３を有するｎ型不純物イオン注入領域と、を備え、上記各不純物濃度がＮ１＞Ｎ３＞Ｎ２の関係を満たすこととしたので、逆方向耐圧が高くかつ逆方向リーク電流が低い良好な素子特性を有する炭化珪素ショットキー障壁ダイオードが容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図及び、逆方向電圧を印加した場合の空乏層の形状を示したものである。
【図２】実施の形態１の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの製造方法を示す図である。
【図３】実施の形態２の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図及び、逆方向電圧を印加した場合の空乏層の形状を示したものである。
【図４】実施の形態３の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図及び、逆方向電圧を印加した場合の空乏層の形状を示したものである。
【図５】実施の形態４の炭化珪素ショットキー障壁ダイオードの断面図及び、逆方向電圧を印加した場合の空乏層の形状を示したものである。
【符号の説明】
１  ｎ型炭化珪素半導体基板、  ２  ｎ型第１炭化珪素半導体層、  ３  ｎ型第２炭化珪素半導体層、  ４  ショットキー電極、  ５  ショットキー電極端部、  ６  ニッケルからなる裏面ｎ側電極、  ７  ｎ型不純物イオン注入領域、  ８  ｎ型不純物イオン注入領域端部、  ９  逆方向電圧を印加した場合の空乏層の拡がりの先端部、  １０  イオン注入マスク。
【図１】
2004266115.tif 000003
【図２】
2004266115.tif 000004
【図３】
2004266115.tif 000005
【図４】
2004266115.tif 000006
【図５】
2004266115.tif 000007