(57)【要約】【課題】対向配置された基板のうち、所望の基板のみを確実に分断することが可能な表示装置の製造方法、レーザー分断方法、およびこの製造方法によって製造した表示装置を提供する。【解決手段】背面基板２０を外部部品と接続するための電極３０ａにレーザー光線Ｌｔが入射する領域ＬＥにおいて、前面基板１０と背面基板２０との間に、背面基板２０へのレーザー光線Ｌｔの進入を抑制する反射膜６０を介在させ、前面基板１０側からレーザー光線Ｌｔを反射膜６０に入射させることによって、前面基板１０を分断し、電極３０ａを露出させる。【選択図】　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に対し、電極を備える第２の基板を、前記電極を備える面が前記第１の基板に対向するように配置して表示画素を形成し、レーザー光線により前記第１の基板を分断する表示装置の製造方法であって、
対向する前記第１および第２の基板間に、少なくとも前記電極への前記レーザー光線の進入を抑制する抑制膜を介在させ、
前記第１の基板側から前記レーザー光線を前記抑制膜に入射させることによって、前記第１の基板を分断する
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記抑制膜は、前記電極の前記第１の基板との対向面側に介在される
請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記抑制膜は、前記レーザー光線を反射する導電性の金属膜を含む
請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜は、絶縁膜を介して前記電極の前記対向面に介在される
請求項３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜の反射率は、少なくとも前記電極に、前記レーザー光線に起因する熱応力による損傷が生じない反射率である
請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
互いに対向して配置されており、画像表示のための表示画素を形成する第１および第２の基板と、
前記第２の基板の、前記第１の基板との対向面側に形成された電極と、
前記第１の基板をレーザー光線によって分断した場合に、前記電極への前記レーザー光線の進入を抑制する抑制膜と
を有する表示装置。
【請求項７】
前記抑制膜は、前記電極の前記第１の基板との対向面側に形成される
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記抑制膜は、前記レーザー光線を反射する導電性の金属膜を含む
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記金属膜は、絶縁膜を介して前記電極の前記対向面に形成される
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記金属膜の反射率は、少なくとも前記電極に、前記レーザー光線に起因する熱応力による損傷が生じない反射率である
請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
互いに対向して配置されている第１および第２の部材の少なくとも一方をレーザー光線によって加工するレーザー加工方法であって、
前記第１および第２の部材間に、当該第２の部材への前記レーザー光線の進入を抑制する抑制膜を介在させ、
前記第１の部材側から前記レーザー光線を前記抑制膜に入射させることによって、前記第１の部材を分断加工する
レーザー加工方法。
【請求項１２】
前記抑制膜は、前記レーザー光線を反射する金属膜を含む
請求項１１に記載のレーザー加工方法。
【請求項１３】
前記金属膜の反射率は、前記第２の部材に、前記レーザー光線に起因する熱応力による損傷が生じない反射率である
請求項１２に記載のレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示部を形成する基板をレーザー光線によって分断する表示装置の製造方法と、レーザー分断された表示部を用いた表示装置、ならびにレーザー加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば液晶表示装置等の平面型表示装置を製造する場合には、電極やスイッチング素子を設けた２枚の基板を互いに対向配置することにより、多数の画素が形成された１枚の大きなマザー基板を作成する。このマザー基板を複数に分割することにより、個々の表示パネルを作成する。
【０００３】
マザー基板を個々の表示パネルに分断する方法として、スクライブ・ブレーク法が知られている。これは、ダイヤモンドホイールや針等の切削手段によって基板に傷を付けた後に衝撃を加えることによって、傷の軌跡に沿って基板を分断する方法である。
しかしながら、スクライブ・ブレーク法は、直接的に力学的な力を加えることによって基板を分断する方法であるため、基板からの粉塵の発生やこの粉塵の基板内への侵入等の種々の不利益が存在した。
【０００４】
スクライブ・ブレーク法の不利益を克服する非接触の分断方法として、レーザー分断方法が知られている。
レーザー分断方法は、たとえば炭酸ガスレーザー等のレーザー光線を基板に照射し、レーザー光線による熱応力に起因して発生したマイクロクラックを成長させることによって、所定の分断線に沿って基板を分断する方法である（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１７９４７３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、表示装置の製造においては、個々の表示パネルをたとえば駆動用ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の部品と接続するための接続電極を露出させる場合のように、一方の基板の不用部分のみを分断する必要性が生じる場合がある。
このとき、レーザー分断に用いるレーザー光線の出力が少しでも強過ぎると、分断すべきでない非分断基板にも熱応力による損傷が発生する可能性が生じる。逆に、レーザー光線の出力が弱いと、分断すべき被分断基板を分断することができない。
【０００７】
所望の基板のみが分断されるようにレーザー光線の出力を調節することは手間がかかる。
また、一度出力を調節しても、その出力の微少な変動によって、被分断基板が分断されないことや、非分断基板が損傷する等の不確実性の発生可能性がある。このように、レーザー分断法においては、対向する基板のうちの一方のみを分断することは困難であった。
【０００８】
したがって、本発明においては、対向配置された基板を用いる表示装置を製造する場合に、所望の基板のみを確実に分断することが可能な、表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明においては、対向配置された基板のうちの所望の基板のみを確実に分断することが可能な構造を有する基板を用いた表示装置を提供することをも目的とする。
また、本発明においては、所望の部材のみを確実に分断加工可能なレーザー加工方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る表示装置の製造方法は、第１の基板に対し、電極を備える第２の基板を、前記電極を備える面が前記第１の基板に対向するように配置して表示画素を形成し、レーザー光線により前記第１の基板を分断する表示装置の製造方法であって、対向する前記第１および第２の基板間に、少なくとも前記電極への前記レーザー光線の進入を抑制する抑制膜を介在させ、前記第１の基板側から前記レーザー光線を前記抑制膜に入射させることによって、前記第１の基板を分断する表示装置の製造方法である。
【００１０】
また、本発明に係る表示装置は、互いに対向して配置されており、画像表示のための表示画素を形成する第１および第２の基板と、当該第２の基板の、前記第１の基板との対向面側に形成された電極と、前記第１の基板をレーザー光線によって分断した場合に、前記電極への前記レーザー光線の進入を抑制する抑制膜とを有する表示装置である。
【００１１】
さらに、本発明に係るレーザー加工方法は、互いに対向して配置されている第１および第２の部材の少なくとも一方をレーザー光線によって加工するレーザー加工方法であって、前記第１および第２の部材間に、当該第２の部材への前記レーザー光線の進入を抑制する抑制膜を介在させ、前記第１の部材側から前記レーザー光線を前記抑制膜に入射させることによって、前記第１の部材を分断加工するレーザー加工方法である。
【００１２】
本発明においては、第１および第２の基板を対向配置することによって、表示画素を備える表示パネルが作成される。第１および第２の基板は、レーザー加工方法においては、第１および第２の部材に相当する。
第２の基板の第１の基板との対向面には、表示パネルを外部機器に接続するための電極が形成される。
第１および第２の基板を組立てて表示パネルを作成する場合に、第１および第２の基板間には、抑制膜が介在される。抑制膜は、電極よりも第１の基板側に位置し、少なくとも、分断用のレーザー光線の電極への侵入を抑制したい領域には配置される。
【００１３】
表示パネルの分断時に、分断用のレーザー光線は、第１の基板側から第２の基板側へ照射される。レーザー光線は、抑制膜が存在しない領域においては第１の基板と第２の基板の両方を分断する。
抑制膜が存在する領域においては、レーザー光線は、抑制膜により、電極ならびに第２の基板への進入を抑制される。
このように、第２の基板を分断したくない領域に抑制膜を配置しておくことにより、第１の基板の不用部のみが切断され、電極が露出する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について述べる。
なお、以下では本発明について、２枚のガラス基板の間に封入した液晶によって画像表示のための表示領域を規定する液晶表示装置を対象として述べる。
【００１５】
第１実施形態
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について述べる。図１（ａ）〜（ｃ）および図２（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【００１６】
液晶表示装置を製造する場合には、まず、図１（ａ）に示すように、背面基板２０上に、背面側電極３０と、図示しないスイッチング素子を形成する。
背面基板２０としては、たとえば、ホウ珪酸アルミナガラスや石英ガラス等のガラス基板を用いる。
スイッチング素子としては、たとえばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）を用いる。
【００１７】
背面側電極３０には、液晶を画素ごとに駆動するための画素電極や、ＴＦＴに連結され、画素を選択するための走査電極および信号電極が含まれる。また、これらの電極から延長して配線され、駆動用基板等の、背面基板２０の外部の部品に接続するための接続電極等の電極も含まれる。
たとえば、公知の手法によりＴＦＴを形成した後に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）電極をフォトリソグラフィの手法を用いてパターンニングすることにより、画素電極を形成する。
同様に、走査電極、信号電極、接続電極も、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ等の導電性材料を用いて、フォトリソグラフィによって所定のパターンに形成する。
背面側電極３０の層は、背面基板２０を含む表示パネルを個々の単個パネルに分断した場合に、単個パネルがそれぞれ表示部として機能するようにパターンニング形成する。
【００１８】
背面側電極３０の層の形成後、図１（ｂ）に示すように、絶縁膜５０を所定の領域に形成する。
絶縁膜５０としては、たとえばＳｉＯ２を用いる。
【００１９】
さらに、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜５０の表面側に抑制膜６０を形成する。抑制膜６０は、後述するようにレーザー光線によって前面基板１０を分断する場合に、背面側電極３０および背面基板２０へのレーザー光線の進入を抑制するためのものである。したがって、抑制膜６０は、少なくとも、レーザー光線によって背面基板２０を分断させたくない領域に形成する。
【００２０】
抑制膜６０の材料の種類は特に問わないが、たとえばＡｌ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｍｏ等の、レーザー光線を反射する金属材料を用いることができる。また、抑制膜６０の膜厚は、レーザー光線の反射率に応じて適宜変更される。膜厚を大きくすると反射率は高くなり、小さくすると反射率は低下する。
抑制膜６０を形成するためには、たとえば蒸着法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の方法を用いることができるが、パターン形成性の良さの点では、ＣＶＤ法を用いることが好ましい。
抑制膜６０を形成したのちに、所定の形状にパターンニングする場合には、フォトリソグラフィや研磨を行なえばよい。
以下では、抑制膜６０が金属膜である場合を例に挙げて記述を進める。
【００２１】
絶縁膜５０は、抑制膜６０が金属製であった場合に、抑制膜６０が背面側電極３０に接触して、背面側電極３０のショート等の不都合が生じないようにするためのものである。したがって、絶縁膜５０は、少なくとも、抑制膜６０が背面側電極３０に接触しないように形成される。
【００２２】
抑制膜６０は、背面側電極３０の表面側の最表面に位置する必要はないが、背面側電極３０よりは表側に位置していることは必要である。
背面基板２０には、図示はしないが、ポリイミド製の配向膜や、保護膜等の他の膜も形成される。これらの膜が絶縁性である場合には、これらを絶縁膜５０の代わりに用いることも可能である。
【００２３】
抑制膜６０までが形成された背面基板２０を、以後、背面パネル２００と呼ぶことにする。
背面パネル２００の完成後には、図２（ｄ）に示すように、複数の画素が形成されている表示領域６２の周辺部に、シール材７０を塗布する。
シール材７０としては、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂等の樹脂が用いられる。これらの樹脂を、たとえばスクリーン印刷方式やディスペンサー方式によって背面パネル２００に塗布する。
【００２４】
シール材７０が塗布された背面パネル２００に対して、図２（ｅ）に示すように、前面基板１０上に前面側電極（共通電極）４０を形成した前面パネル１００を対向配置し、前面パネル１００と背面パネル２００とを組立てる。
【００２５】
前面基板１０には、背面基板２０と同様に、たとえばホウ珪酸アルミナガラスや石英ガラス等のガラス基板が用いられる。
共通電極４０は、ＩＴＯ電極を用いて形成する。共通電極４０は、前面パネル１００と背面パネル２００を組立てたときに、表示領域６２に対向する部分においては全面に均一に存在するように形成する。
図２（ｅ）に示すように、表示領域６２ごとに共通電極４０を分けて形成する場合には、フォトリソグラフィによってパターンニングする。
前面基板１０には、共通電極４０の他に、図示はしないが、たとえばカラーフィルターや配向膜も設けられる。
【００２６】
シール材７０によって前面パネル１００と背面パネル２００を貼り合わせることによって形成される表示領域６２の空間に液晶４００を封入することによって、図２（ｆ）に示すように、マザー基板３００が形成される。
なお、前面基板１０および背面基板２０が、本発明における第１、第２の基板、または第１、第２の部材の一実施態様に相当する。
【００２７】
以上のようにして製造されたマザー基板３００の平面図を図３に示す。
図３は前面基板１０側から見た平面図を示しており、図３中の断面Ｉ−Ｉから見た断面図が、図２（ｆ）に相当する。
このようなマザー基板３００を、レーザー光線を照射することによって、複数の単個パネル５００に分断する。
【００２８】
レーザー光線としては、たとえば炭酸ガスレーザー（波長１０．６μｍ）を用いることができる。ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ−Ａｌｕｍｉｎｕｍ−Ｇａｒｎｅｔ）レーザー（波長１．０６μｍ）等の他のレーザーを用いることも可能である。
【００２９】
図３に示すように、マザー基板３００には、シール材７０によって囲まれた複数の表示領域６２が形成されている。
また、各表示領域６２からは背面側電極３０が延長しており、これらの背面側電極３０は、駆動用基板等の他の部品に接続するために、単個パネル５００の一部の領域において、前面基板１０に覆われずに露出している必要がある。
図３においては、上記のような、背面側電極３０のうちの露出させるべき領域を、前面基板１０を透過して示している。
【００３０】
図３に示すように、１組の表示領域６２と露出すべき背面側電極３０を有する単個パネル５００ごとにマザー基板３００を分断するようなパネル分断ラインＬＡに沿ってレーザー光線を照射することによって、１枚のマザー基板３００から複数の単個パネル５００が得られる。
マザー基板３００を単個パネル５００に分断する場合には、レーザー光線は、前面基板１０と背面基板２０のどちら側から照射してもよい。
【００３１】
抑制膜６０は、少なくとも、図３における分断ラインＬＥに沿って形成されている。
図３中の縦方向のパネル分断ラインＬＡに沿ってレーザー光線を照射する場合に、抑制膜６０上においてはレーザー光線が反射されるため、マザー基板３００を分断しづらくなる可能性がある。しかしながら、このような状態は、マザー基板３００を単個パネル５００に分断する場合には、抑制膜６０が存在しても容易にマザー基板３００を分断可能な出力のレーザー光線を用いることによって回避することができる。
もしくは、パネル分断ラインＬＡに沿う領域においては抑制膜６０を形成しないことによっても回避可能である。
【００３２】
なお、マザー基板３００の大きさは、大きいものでは一例として１ｍ×１ｍ程度である。そこから、数ｃｍ×数ｃｍ〜数十ｃｍ×数十ｃｍの大きさの単個パネル５００を入手することができる。
また、図３においては、１枚のマザー基板３００を９個の単個パネル５００に分断した場合が示されているが、分断により得る単個パネル５００の平面形状や個数などの事項は、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００３３】
図４（ａ）は、以上のようにマザー基板３００をレーザー分断することによって得られる１個の単個パネル５００を示す平面図である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）の断面ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。
単個パネル５００はマザー基板３００の一部であり、マザー基板３００の構造については既に述べている。したがって、同一構成要素については同一符号を付し、単個パネル５００の詳細な構造については省略する。
前述のように背面側電極３０の一部である接続電極３０ａは、外部部品との接続のために露出している必要がある。したがって、前面基板１０のうち、接続電極３０ａを覆う不用部１０ａは、分断除去する必要がある。
【００３４】
不用部１０ａを除去する場合には、前面基板１０側から背面基板２０側に向けて、不用部分断ラインＬＥに沿ってレーザー光線Ｌｔを照射する。
このとき背面パネル２００に対してレーザー光線Ｌｔが入射する領域には、抑制膜６０が形成されている。したがって、背面パネル２００に入射したレーザー光線Ｌｔは、抑制膜６０によって反射される。
【００３５】
抑制膜６０のレーザー光線反射率を、前面基板１０を分断する出力のレーザー光線Ｌｔに起因する熱応力によって背面パネル２００に損傷が発生しない反射率にしておけば、背面パネル２００を損傷させることなく、不用部１０ａのみを切断して除去することができる。
なお、ガラス製の背面基板２０は、熱応力によるマイクロクラックが少しでも存在すると、わずかな外力によってもこのマイクロクラックに沿って分断される。また、レーザー光線Ｌｔに起因する熱によって、接続電極３０ａの各電極が焼き切れることや、溶融して一体化したことによるショートが発生する場合にも、単個パネル５００による画像表示は不可能になる。
したがって、背面パネル２００の損傷とは、背面基板２０にマイクロクラックが発生した場合か、接続電極３０ａに熱による不良が生じた場合を意味するものとする。
実質的には、背面基板２０にマイクロクラックが発生する条件においては接続電極３０ａに必ず不良が発生するため、レーザー光線Ｌｔによって接続電極３０ａに不良が発生した場合が、背面パネル２００の損傷になる。
【００３６】
前面基板１０の不用部１０ａが除去された単個パネル５００には、単個パネルを駆動し、画像を表示するための部品が接続され、表示装置となる。
図５（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の要部の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の断面ＩＩＩ−ＩＩＩから見た部分概略断面図である。
【００３７】
図５（ａ）に示す液晶表示装置５０５は、単個パネル５００の他に、ドライバＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）５５０と、プリント基板６００を含む。
ドライバＬＳＩ５５０は、図５（ｂ）に示すように、たとえば、ポリイミド膜５２０に銅箔５１０を貼り合わせてなる取出し電極５３０を介して、単個パネル５００の接続電極３０ａに接続される。
取出し電極５３０は、ドライバＬＳＩ５５０側においては、ドライバＬＳＩ５５０の突起状電極であるバンプ５５０ａに接続される。取出し電極５３０は、接続電極３０ａには異方性導電フィルム５４０を介して接続される。
【００３８】
また、ドライバＬＳＩ５５０は、接続電極３０ａの反対側においては、取出し電極５３０を介してプリント基板６００に接続される。プリント基板６００側の取出し電極５３０は、ドライバＬＳＩ５５０側においては上述のようにバンプ５５０ａに接続され、プリント基板６００側においては、はんだ５７０を介してプリント基板６００に接続される。
なお、ドライバＬＳＩ５５０と取出し電極５３０との接続部は、プラスチック等の樹脂製の保護膜５６０によって保護される。
【００３９】
ドライバＬＳＩ５５０は、プリント基板６００を介して画像データを受け取る。ドライバＬＳＩ５５０は、受け取った画像データに基づいて、その画像データに対応した画像を単個パネル５００に表示させるように、単個パネル５００の共通電極４０と、画素電極や走査電極、信号電極を含む背面側電極３０に電圧を印加して、ＴＦＴを駆動する。
【００４０】
以上のように、本第１実施形態においては、非分断基板としての背面基板２０へのレーザー光線の入射領域に抑制膜６０を形成している。したがって、背面基板２０を損傷させることなく、被分断基板としての前面基板１０のみを容易に確実に分断することができる。
またその際に、レーザー光線の出力を、前面基板１０を容易に分断可能な大きさにしておき、抑制膜６０のレーザー光線反射率を十分に高くしておけば、前面基板１０のみを分断するようにレーザー光線の出力を微調整することが不用になる。したがって、単個パネル５００ひいては液晶表示装置５０５の製造が容易になり、スループットも向上する。
また、単個パネル５００ならびに液晶表示装置５０５の歩留りも向上する。
【００４１】
第２実施形態
第１実施形態においては、抑制膜６０を背面基板２０側に形成した。
第２実施形態においては、抑制膜６０を前面基板１０側に形成する場合について述べる。
【００４２】
図６（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の要部の断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す液晶表示装置の不用部を分断する状態を示した断面図である。
図６（ａ）に示すように、本第２実施形態においては、前面基板１０の背面基板２０への対向面に抑制膜６０を形成している。抑制膜６０が形成される領域は、少なくとも、前面基板１０のみを分断する場合に、レーザー光線Ｌｔが照射される不用部分断ラインＬＥを含む領域である。
【００４３】
このような抑制膜６０は、背面基板２０に抑制膜６０を形成した場合と同様に、前面基板１０の製造工程の所定の工程において適宜形成することができる。
詳細には、たとえば、図２（ｅ）において前面パネル１００を製造する際に、前面基板１０に共通電極４０を形成後、ＣＶＤとフォトリソグラフィによって所定の領域にパターンニングして形成することができる。
抑制膜６０が形成された前面基板１０にも、第１実施形態の場合と同様に、カラーフィルターや配向膜等のその他の構成要素を設けることも可能である。
【００４４】
前述のように、共通電極４０は、表示領域６２に対向する領域に形成されていればよく、前面基板１０の対向面全面に形成される必要はない。図６には、表示領域６２に対向する領域のみに共通電極４０を形成している場合を示している。したがって、図６に示す第２実施形態においては、抑制膜６０と共通電極４０との干渉を防止するための絶縁膜は必要ない。
その他の構成および機能、ならびに製造方法は第１実施形態の場合と同じであるため、詳細な記述は省略する。
【００４５】
第２実施形態においても、前面基板１０の不用部１０ａのみを切断する場合には、図６（ａ）に示すように、前面基板１０側から背面基板２０側へ向けてレーザー光線Ｌｔを照射する。
不用部分断ラインＬＥに沿って抑制膜６０に入射したレーザー光線Ｌｔは、そこで反射される。したがってレーザー光線Ｌｔは接続電極３０ａならびに背面基板２０へは到達せず、図６（ｂ）に示すように、不用部１０ａのみが切断される。
【００４６】
第２実施形態においては、不用部１０ａを切断した場合に、抑制膜６０の一部が露出することがある。この不用抑制膜６０ａは、不用部１０ａを切断する場合に、抑制膜６０も分断可能な大きさの出力のレーザー光線Ｌｔを用いることによって、不用部１０ａと同時に除去することが可能である。
もしくは、不用部１０ａの切断後に、不用抑制膜６０ａが露出している前面基板１０の端面をたとえば研磨することにより、不用抑制膜６０ａを除去してもよい。
【００４７】
以上のように、本第２実施形態においては、共通電極４０と抑制膜６０との干渉を防止する絶縁膜５０を設ける必要が無いため、第１実施形態よりも簡便に液晶表示装置を製造することができる。
【００４８】
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照して述べる。
まず、前述のようにしてマザー基板３００から単個パネル５００を製造した。このとき、前面基板１０および背面基板２０としては、厚さ０．７ｍｍのホウ珪酸アルミナガラスを用いた。
抑制膜６０としては、モリブデン製の反射膜を形成した。反射膜６０は、第１実施形態のように、背面基板２０の対向面の、銅製の接続電極３０ａよりも表面側に形成した。
分断に用いるレーザー光線としては、炭酸ガスレーザーを用いた。
【００４９】
モリブデンの反射膜６０を形成した背面パネル２００に対し、前面パネル１００側から不用部分断ラインＬＥに沿って炭酸ガスレーザーを照射し、単個パネル５００から不用部１０ａを切断した。レーザー光線の走査速度は、１５０　ｍｍ／ｓとした。
【００５０】
このときの、レーザーエネルギーと、前面基板分断率と、背面基板損傷率と、反射膜の反射率との関係を表わすグラフを図７に示す。
図７において、横軸はレーザーエネルギー、即ちレーザー出力［Ｗ］である。
プロットＰ１は、レーザーエネルギーのそれぞれの値における前面基板分断率［％］であり、図７の左側の縦軸に対応したプロットである。
プロットＰ２〜Ｐ５はそれぞれ、反射膜６０の反射率を変化させた場合の、レーザーエネルギーのそれぞれの値における背面基板損傷率［％］であり、図７の右側の縦軸に対応したプロットである。
【００５１】
前面基板分断率とは、前面基板１０の分断を所定回数試みた場合の分断成功率である。
背面基板損傷率とは、前面基板１０のみを分断することを所定回数試みた場合に、背面基板２０に損傷が発生する割合のことである。なお、背面基板２０の損傷とは、前述のように、実質的には背面基板２０の対向面に形成されている接続電極３０ａに、レーザー光線の熱による不良が発生することを意味する。
【００５２】
以上の条件のもとでは、図７のプロットＰ１に示すように、レーザー出力が１５０Ｗ以上あれば、前面基板１０を確実に分断可能であることが分かった。
レーザー出力が１５０Ｗのときに、背面基板２０に反射膜６０を形成しなかった場合には、３７％の割合で背面基板２０に損傷が発生した（プロットＰ２参照）。
レーザー出力が１５０Ｗのときに、反射率２５％の反射膜６０を形成した場合には、背面基板損傷率は１６％であった（プロットＰ３参照）。
【００５３】
同様の実験を繰返すことにより、プロットＰ４，Ｐ５にも示されるように、レーザー出力が１５０Ｗのときには、反射膜６０のレーザー反射率を５０％以上にすれば、背面基板２０に損傷は発生しないことが分かった。
理解を容易にするため、レーザー出力が１５０Ｗのときのレーザー反射率と背面基板損傷率との関係をグラフにしたものが図８である。
なお、反射膜６０の反射率は、レーザー光線の出射時の出力と、反射膜６０によって反射したレーザー光線の出力とを測定し、両者の比を計算することによって規定することができる。
【００５４】
同じ反射率であっても、レーザー出力が変化すれば背面基板損傷率は変化し、レーザー出力が高くなると背面基板損傷率も高くなる傾向にある。
逆に、反射膜６０の反射率を高くすれば、より大きな出力のレーザー光線を用いた場合にも、背面基板２０の損傷を抑制することができる。本実施例によれば、モリブデンの反射膜６０の反射率を７５％にすれば、レーザー出力が１７５Ｗの場合にも、背面基板２０に損傷は発生しなかった。
このように、本実施例によれば、被分断基板である前面基板１０を分断する出力のレーザー光線を、その出力に応じて、反射膜６０によって５０％以上反射すれば、背面基板２０に損傷を発生させることなく、前面基板１０のみを分断可能であることが分かった。
【００５５】
なお、本発明は、上記の実施形態ならびに実施例に限定されず、製造方法や材質、形状等の諸事項は、特許請求の範囲内において適宜変更可能である。
たとえば、液晶４００としては、ネマティック液晶やスメクティック液晶等の公知の液晶を適宜用いることができる。これらの液晶の動作モードについても、ツイステッドネマティックモードやスーパーツイステッドネマティックモード等、多種のモードを採用可能である。ＴＦＴの基板としてはアモルファスシリコンやポリシリコン等のシリコン基板を用いることができる。スイッチング素子は、ＴＦＴに限らず、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｍｅｔａｌ）素子等の他のスイッチング素子を用いることもできる。
また、液晶表示装置に限らず、プラズマディスプレイパネルやフィールドエミッションディスプレイ等の他の表示装置にも本発明は適用可能である。
さらに、表示装置の製造時だけでなく、プラスチックや金属等の他の部材を分断加工する場合にも本発明を用いることができる。レーザーによって分断する第１および第２の部材は、平坦な基板状である必要は無く、また、一体化していてもよい。さらにまた、部材を分断するだけでなく、穴あけ加工等の他の加工方法についても本発明が適用可能であることは言うまでもない。
【００５６】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、対向配置された基板を用いる表示装置を製造する場合に、所望の基板のみを確実に分断することが可能な、表示装置の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、対向配置された基板のうちの所望の基板のみを確実に分断することが可能な構造を有する基板を用いた表示装置を提供することもできる。
さらに、本発明によれば、所望の部材のみを確実に分断加工可能なレーザー加工方法を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２】図２（ｄ）〜（ｆ）は、図１にひき続き、本発明に係る表示装置の製造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明に係る表示装置の製造方法によって得られたマザー基板の平面図である。
【図４】図４（ａ）は、図３に示すマザー基板をレーザー分断することによって得られる単個パネルの平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の断面ＩＩ−ＩＩからみた断面図である。
【図５】図５（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る表示装置の要部の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の断面ＩＩＩ−ＩＩＩから見た部分概略断面図である。
【図６】図６（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る表示装置の要部の断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す表示装置の不用部を切断する状態を示した断面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施例におけるレーザーエネルギーと、前面基板分断率と、背面基板損傷率と、反射膜の反射率との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、本発明の一実施例における、あるレーザーエネルギー値の場合の背面基板損傷率と反射膜の反射率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０…前面基板、１０ａ…不用部、２０…背面基板、３０…背面側電極、３０ａ…接続電極、４０…前面側電極（共通電極）、５０…絶縁膜、６０…抑制膜、６０ａ…不用抑制膜、６２…表示領域、７０…シール材、１００…前面パネル、２００…背面パネル、３００…マザー基板、４００…液晶、５００…単個パネル、５０５…液晶表示装置、５１０…銅箔電極、５２０…ポリイミド膜、５３０…取出し電極、５４０…異方性導電フィルム、５５０…ドライバＬＳＩ、５５０ａ…バンプ、５６０…保護膜、５７０…はんだ、６００…プリント基板、ＬＡ…パネル分断ライン、ＬＥ…不用部分断ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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