(57)【要約】【課題】Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールド１０ｂにそれぞれ誘起される渦電流を発生と同時に且つ均等にグランドへ逃がす。【解決手段】ＲＦシールド１０ｂは、９０゜ずつ角度が異なる４カ所で、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを介して、マグネットＭｂに接続されている。マグネットＭｂは、グランドポイントｇｐに接続されている。【効果】ＲＦシールド１０ｂに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。【選択図】  図１
2004248928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、コンデンサを介して接地されていることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項２】
ＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、２カ所以上が同容量のコンデンサを介してそれぞれ接地されていることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項３】
ＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、２カ所以上がそれぞれ個別に選ばれた容量のコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項４】
請求項３に記載のＲＦシールドにおいて、グランドポイントに最も近い接地路に介設するコンデンサの容量を最も小さくすることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項５】
垂直磁場型のＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、上側のＲＦシールドの等角度ずつ方向が異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されると共に、下側のＲＦシールドの等角度ずつ方向が異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項６】
垂直磁場型のＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、接地された上側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に上側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されると共に、接地された下側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に下側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項７】
垂直磁場型のＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、接地された支柱にコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載のＲＦシールドにおいて、コンデンサの容量が１０００［ｐＦ］以上であることを特徴とするＲＦシールド。
【請求項９】
ＲＦシールドがコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１０】
ＲＦシールドの２カ所以上が同容量のコンデンサを介してそれぞれ接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１１】
ＲＦシールドの２カ所以上がそれぞれ個別に選ばれた容量のコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＭＲＩ装置において、グランドポイントに最も近い接地路に介設するコンデンサの容量を最も小さくしたことを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１３】
垂直磁場型のＭＲＩ装置であって、上側のＲＦシールドが等角度ずつ方向の異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されると共に、下側のＲＦシールドが等角度ずつ方向の異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１４】
垂直磁場型のＭＲＩ装置であって、接地された上側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に上側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されると共に、接地された下側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に下側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１５】
垂直磁場型のＭＲＩ装置であって、接地された支柱にＲＦシールドがコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＭＲＩ装置。
【請求項１６】
請求項９から請求項１５のいずれかに記載のＭＲＩ装置において、コンデンサの容量が１０００［ｐＦ］以上であることを特徴とするＭＲＩ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＲＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ）装置のＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）シールドおよびＭＲＩ装置に関し、さらに詳しくは、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できるＲＦシールドおよび該ＲＦシールドを用いたＭＲＩ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＲＩ装置では、ＲＦコイルと勾配磁場コイルのカップリングを防止するために、両者の間に、ＲＦシールドを介設している。しかし、このＲＦシールドには、勾配磁場による渦電流が生じ、それがＭＲＩ画像の画質を低下させる。
そこで、従来、ＲＦシールドを分割することによって渦電流の影響を小さくすることが行われている（例えば、特許文献１参照。）。
また、ＲＦシールドの変形を防止することによって非対称な渦電流が発生しないようにすることが行われている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平８−２５２２３４号公報
【特許文献２】
特開２０００−３３３９２９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＲＦシールドを接地することにより、ＲＦコイルの特性を安定させることが出来る。
しかし、ＲＦシールドに対するＸ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルの幾何学的配置に差があるため、これらＸ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流に差が生じ、ＲＦシールドを単に接地したのでは、これら渦電流を均等に逃がすことが出来ず、それがＭＲＩ画像の画質を低下させる問題点がある。
そこで、本発明の目的は、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できるＲＦシールドおよび該ＲＦシールドを用いたＭＲＩ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
第１の観点では、本発明は、ＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、コンデンサを介して接地されていることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記構成において、コンデンサは、高周波的には十分低いインピーダンスを有している必要がある。
上記第１の観点によるＲＦシールドでは、ＲＦシールドを直接接地するのではなく、コンデンサを介して接地するため、そのコンデンサのインピーダンスでＲＦシールド内における場所の差が吸収されてしまい、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を均等に逃がすことが出来る。この結果、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【０００６】
第２の観点では、本発明は、ＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、２カ所以上が同容量のコンデンサを介してそれぞれ接地されていることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記第２の観点によるＲＦシールドでは、ＲＦシールドを直接接地するのではなく、コンデンサを介して接地するため、そのコンデンサのインピーダンスでＲＦシールド内における場所の差が吸収されてしまう。また、ＲＦシールドの２カ所以上でコンデンサを介して接地するため、これによってもＲＦシールド内における場所の差がなくなる。従って、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を均等に逃がすことが出来る。この結果、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
また、同容量のコンデンサを用いるため、製作、保守が容易になる。
【０００７】
第３の観点では、本発明は、ＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、２カ所以上がそれぞれ個別に選ばれた容量のコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記第３の観点によるＲＦシールドでは、ＲＦシールドを直接接地するのではなく、コンデンサを介して接地するため、そのコンデンサのインピーダンスでＲＦシールド内における場所の差が吸収されてしまう。また、ＲＦシールドの２カ所以上でコンデンサを介して接地する。さらに、接地箇所に応じた容量のコンデンサを選んで接地する。これらによって、ＲＦシールド内における場所の差がなくなる。従って、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を均等に逃がすことが出来る。この結果、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【０００８】
第４の観点では、本発明は、上記構成のＲＦシールドにおいて、グランドポイントに最も近い接地路に介設するコンデンサの容量を最も小さくすることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記第３の観点によるＲＦシールドでは、グランドポイントに最も近い接地路に介設するコンデンサの容量を最も小さくするので、当該接地路のインピーダンスを最も高くする。これにより、グランドポイントから遠い接地路のインピーダンスの差が小さくなり、ＲＦシールド内における場所の差がなくなる。従って、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を均等に逃がすことが出来る。この結果、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【０００９】
第５の観点では、本発明は、垂直磁場型のＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、上側のＲＦシールドの等角度ずつ方向が異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されると共に、下側のＲＦシールドの等角度ずつ方向が異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記第５の観点によるＲＦシールドでは、上側および下側のＲＦシールドを直接接地するのではなく、それぞれコンデンサを介して接地するため、そのコンデンサのインピーダンスでＲＦシールド内における場所の差が吸収されてしまう。また、各ＲＦシールドの等角度ずつ方向が異なる４カ所以上でコンデンサを介して接地する。これらによって、各ＲＦシールド内における場所の差がなくなる。従って、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を均等に逃がすことが出来る。この結果、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００１０】
第６の観点では、本発明は、垂直磁場型のＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、接地された上側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に上側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されると共に、接地された下側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に下側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記第６の観点によるＲＦシールドでは、上側および下側のＲＦシールドを直接接地するのではなく、それぞれコンデンサを介して接地するため、そのコンデンサのインピーダンスでＲＦシールド内における場所の差が吸収されてしまう。これによって、各ＲＦシールド内における場所の差がなくなる。従って、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を均等に逃がすことが出来る。この結果、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。そして、各ＲＦシールドを最近傍のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体にそれぞれ接続するため、配線が短くて済む。
【００１１】
第７の観点では、本発明は、垂直磁場型のＭＲＩ装置のＲＦシールドであって、接地された支柱にコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記第７の観点によるＲＦシールドでは、ＲＦシールドを直接接地するのではなく、コンデンサを介して接地するため、そのコンデンサのインピーダンスでＲＦシールド内における場所の差が吸収されてしまう。これによって、各ＲＦシールド内における場所の差がなくなる。従って、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を均等に逃がすことが出来る。この結果、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。そして、ＲＦシールドを最近傍の柱に接続するため、配線が短くて済む。
【００１２】
第８の観点では、本発明は、上記構成のＲＦシールドにおいて、コンデンサの容量が１０００［ｐＦ］以上であることを特徴とするＲＦシールドを提供する。
上記第８の観点によるＲＦシールドでは、例えば１０［ｋＨｚ］の渦電流に対するインピーダンスを１６０［Ω］以下にすることが出来る。
【００１３】
第９の観点では、本発明は、ＲＦシールドがコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第９の観点によるＭＲＩ装置では、前記第１の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００１４】
第１０の観点では、本発明は、ＲＦシールドの２カ所以上が同容量のコンデンサを介してそれぞれ接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第１０の観点によるＭＲＩ装置では、前記第２の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００１５】
第１１の観点では、本発明は、ＲＦシールドの２カ所以上がそれぞれ個別に選ばれた容量のコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第１１の観点によるＭＲＩ装置では、前記第３の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００１６】
第１２の観点では、本発明は、上記構成のＭＲＩ装置において、グランドポイントに最も近い接地路に介設するコンデンサの容量を最も小さくしたことを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第１２の観点によるＭＲＩ装置では、前記第４の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００１７】
第１３の観点では、本発明は、垂直磁場型のＭＲＩ装置であって、上側のＲＦシールドが等角度ずつ方向の異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されると共に、下側のＲＦシールドが等角度ずつ方向の異なる４カ所以上でそれぞれコンデンサを介して接地されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第１３の観点によるＭＲＩ装置では、前記第５の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００１８】
第１４の観点では、本発明は、垂直磁場型のＭＲＩ装置であって、接地された上側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に上側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されると共に、接地された下側のマグネット又はポールピース又はそれらの筐体に下側のＲＦシールドがコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第１４の観点によるＭＲＩ装置では、前記第６の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００１９】
第１５の観点では、本発明は、垂直磁場型のＭＲＩ装置であって、接地された支柱にＲＦシールドがコンデンサを介して接続されていることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第１５の観点によるＭＲＩ装置では、前記第７の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００２０】
第１６の観点では、本発明は、上記構成のＭＲＩ装置において、コンデンサの容量が１０００［ｐＦ］以上であることを特徴とするＭＲＩ装置を提供する。
上記第１６の観点によるＭＲＩ装置では、前記第８の観点によるＲＦシールドを用いるため、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図に示す実施形態により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
【００２２】
−第１の実施形態−
図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置１００を示す側面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。
このＭＲＩ装置１００は、オープン型ＭＲＩ装置であり、垂直方向に対向して設置されているマグネットＭａ，Ｍｂと、ベースヨークＹＢａ，ＹＢｂと、支柱ヨークＹＰ，ＹＰと、ポールピースＰＰａ，ＰＰｂとにより構成される磁気回路により、ポールピースＰＰａ，ＰＰｂの間に、垂直方向の静磁場を発生させている。
【００２３】
上側のポールピースＰＰａの下面には、勾配磁場コイル（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸を含む）ＧＣと、銅箔製のＲＦシールド１０ａと、ＲＦコイルＲＣとが積層されている。
また、下側のポールピースＰＰｂの上面には、勾配磁場コイル（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸を含む）ＧＣと、銅箔製のＲＦシールド１０ｂと、ＲＦコイルＲＣとが積層されている。
【００２４】
下側のマグネットＭｂは、１カ所でグランドポイントｇｐに接地されている。この結果、下側のマグネットＭｂと電気的に接続している下側のベースヨークＹＢａ，支柱ヨークＹＰ，上側のベースヨークＹＢａおよび上側のマグネットＭａも、接地されている。
なお、図に示すグランドポイントｇｐは、概念を表しているだけであり、実際の場所を表しているものではない。
【００２５】
上側のＲＦシールド１０ａは、９０゜ずつ角度が異なる４カ所で、コンデンサ１ａ，２ａ，３ａ，４ａを介して、上側のマグネットＭａに接続されている。
また、下側のＲＦシールド１０ｂは、９０゜ずつ角度が異なる４カ所で、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを介して、下側のマグネットＭｂに接続されている。
【００２６】
図３は、勾配磁場により下側のＲＦシールド１０ｂの場所Ｓｉに生じた渦電流を、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを介して、グランドポイントｇｐへ逃がしている状態を示す説明図である。
渦電流の周波数を例えば１０［ｋＨｚ］とし、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂの容量を例えば１０００［ｐＦ］とするとき、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂのインピーダンスは約１６０［Ω］となる。これは、場所Ｓｉから各コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂまでの電流路ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４のインピーダンスのいずれよりも十分大きい。このため、電流路ｐ１，ｐ２，ｐ３，ｐ４のインピーダンスの差は、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂのインピーダンスで吸収されてしまう。従って、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを流れる電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３，Ｉ４は等しくなる。つまり、ＲＦシールド１０ｂのどの場所で生じた渦電流でも、均等にグランドポイントｇｐへ逃がすことが出来る。
【００２７】
換言すれば、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールド１０ｂに不均等に生じた渦電流でも、均等に、グランドポイントｇｐへ逃がすことが出来る。また、同様に、上側のＲＦシールド１０ａに不均等に生じた渦電流でも、均等に、グランドポイントｇｐへ逃がすことが出来る。
【００２８】
上記ＭＲＩ装置１００によれば、ＲＦシールド１０ａ，１０ｂに生じた渦電流を均等にグランドポイントｇｐへ逃がすことが出来るため、渦電流の影響によるＭＲＩ画像の画質の低下を防止することが出来る。
【００２９】
−第２の実施形態−
図４は、第２の実施形態に係るＭＲＩ装置２００を示す側面図である。
このＭＲＩ装置２００では、上側のＲＦシールド１０ａは、９０゜ずつ角度が異なる４カ所で、コンデンサ１ａ，２ａ，３ａ，４ａを介して（２ａ，４ａは、図４に現れていない）、支柱ヨークＹＢに接続されている。また、下側のＲＦシールド１０ｂも、９０゜ずつ角度が異なる４カ所で、コンデンサ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを介して（２ｂ，４ｂは、図４に現れていない）、支柱ヨークＹＢに接続されている。
【００３０】
上記ＭＲＩ装置２００によれば、ＲＦシールド１０ａ，１０ｂに生じた渦電流を均等にグランドポイントｇｐへ逃がすことが出来るため、渦電流の影響によるＭＲＩ画像の画質の低下を防止することが出来る。
【００３１】
−第３の実施形態−
上側のＲＦシールド１０ａを、上側のマグネットＭａの筐体またはポールピースＰＰａ又はその筐体に、コンデンサを介して接続してもよい。同様に、下側のＲＦシールド１０ｂを、下側のマグネットＭｂの筐体またはポールピースＰＰｂ又はその筐体に、コンデンサを介して接続してもよい。
【００３２】
−第４の実施形態−
ＲＦシールドを接地するコンデンサの数は１個以上であればよい。例えば６０゜ずつ角度が異なる６カ所で６個のコンデンサを介して接地してもよい。
【００３３】
−第５の実施形態−
２個以上のコンデンサを使う場合、コンデンサの容量を全て等しくしてもよいし、異ならせてもよい。
コンデンサの容量を全て等しくする場合は、コンデンサ自身のインピーダンスで各コンデンサからグランドポイントｇｐまでの電流路のインピーダンスの差を吸収できるようなコンデンサの容量を選べばよい。通常、コンデンサの容量は１０００［ｐＦ］程度でよい。
コンデンサの容量を異ならせる場合、ＲＦシールドと各コンデンサの接続点からグランドポイントまでの各接地路のインピーダンスの差が小さくなるように各コンデンサの容量を選べばよい。通常、グランドポイントｇｐに最も近い接地路に介設するコンデンサの容量を最も小さくし、グランドポイントｇｐに最も遠い接地路に介設するコンデンサの容量を最も大きくする。通常、コンデンサの容量は１０００［ｐＦ］より大きくしてもよい。
【００３４】
−他の実施形態−
（１）本発明は、超電導型のＭＲＩ装置にも適用できる。
（２）本発明は、水平磁場型のＭＲＩ装置にも適用できる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明のＲＦシールドおよびＭＲＩ装置によれば、Ｘ軸勾配磁場コイルとＹ軸勾配磁場コイルとＺ軸勾配磁場コイルとでＲＦシールドにそれぞれ誘起される渦電流を発生と同時に且つ均等にグランドへ逃がすことが出来る。これにより、ＲＦシールドに生じた渦電流がＭＲＩ画像の画質を低下させることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るＭＲＩ装置を示す側面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】第１の実施形態に係るＲＦシールドの接地路を示す説明図である。
【図４】第２の実施形態に係るＭＲＩ装置を示す側面図である。
【符号の説明】
１ａ，２ａ，３ａ，４ａ      コンデンサ
１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂ      コンデンサ
１０ａ，１０ｂ              ＲＦシールド
ｇｐ                        グランドポイント
Ｍａ，Ｍｂ                  マグネット
１００，２００              ＭＲＩ装置
【図１】
2004248928.tif 000003
【図２】
2004248928.tif 000004
【図３】
2004248928.tif 000005
【図４】
2004248928.tif 000006