(57)【要約】【課題】短時間で効率良く粗大粒子を除去することができるシリカスラリの製造方法を提供する。【解決手段】予めヒュームドシリカまたはコロイダルシリカを用いてシリカスラリを作製し、作製したシリカスラリを原料として容器に入れて静止放置する。このとき、シリカスラリの液面高さを０．１ｍ以上、０．５ｍ未満となるように選ぶ。静止放置することで、研磨時のスクラッチの原因となる粒径が１μｍ以上の粗大粒子（シリカの凝集物）を容器底部に沈降させる。２日間〜７日間静止放置させた後、上澄み層を回収して研磨用スラリとする。粗大粒子の除去率は、液面高さを０．１ｍに選ぶと、２日間の静止放置で９５％以上に達した。液面高さを０．２５ｍに選ぶと４日間で、液面高さを０．３５ｍに選ぶと６日間で、液面高さを０．４ｍに選ぶと７日間で、除去率が９５％以上に達した。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料となるシリカスラリの液面高さが０．１ｍ以上、０．５ｍ未満となるように選んで静止放置する工程と、
所定の時間静止放置した前記シリカスラリの上澄み層を回収する工程とを有することを特徴とする研磨用スラリの製造方法。
【請求項２】
静止放置する時間を２日間〜７日間とすることを特徴とする請求項１記載の研磨用スラリの製造方法。
【請求項３】
静止放置する容器の底部から０．０１ｍ以上の部分を、前記上澄み層として回収することを特徴とする請求項１または２記載の研磨用スラリの製造方法。
【請求項４】
前記シリカスラリのシリカ固形分濃度が、５重量％〜１５重量％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の研磨用スラリの製造方法。
【請求項５】
前記原料となるシリカスラリは、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカを用いて作製されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の研磨用スラリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程のうちの研磨工程に用いられる研磨用スラリの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造の分野では、半導体素子の微細化および多層化による高集積化に伴い、半導体層や金属層の平坦化技術が重要な要素技術となっている。ウエハに集積回路を形成する際、電極配線などによる凹凸を平坦化せずに層を重ねると、段差が大きくなり、平坦性が極端に悪くなる。また段差が大きくなった場合、フォトリソグラフィにおいて凹部と凸部の両方に焦点を合わせることが困難になり微細化を実現することができなくなる。したがって、積層中の然るべき段階でウエハ表面の凹凸を除去するための平坦化処理を行う必要がある。平坦化処理には、エッチングにより凹凸部を除去するエッチバック法、プラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより平坦な膜を形成する成膜法、熱処理によって平坦化する流動化法、選択ＣＶＤなどにより凹部の埋め込みを行う選択成長法などがある。
【０００３】
以上の方法は、絶縁膜、金属膜など膜の種類によって適否があることや平坦化できる領域がきわめて狭いという問題がある。このような問題を克服することができる平坦化処理技術としてＣＭＰによる平坦化がある。
【０００４】
ＣＭＰによる平坦化処理では、微細な粒子（砥粒）を懸濁したスラリを研磨パッド表面に供給しながら、圧接した研磨パッドとシリコンウエハとを相対移動させて表面を研磨することにより、広範囲にわたるウエハ表面を高精度に平坦化することができる。
【０００５】
ＣＭＰによる平坦化を行うＣＭＰ装置は、主に回転定盤部、キャリア部、スラリ供給部およびドレッシング部から構成される。回転定盤部は、その上面に粘着テープなどで研磨パッドが貼り付けられ、下面側は、回転駆動機構と、回転軸を介して接続される。キャリア部は、その下面にバッキング材およびリテーナリングによって被研磨物であるシリコンウエハを保持し、シリコンウエハの加工面を研磨パッドに圧接させる。上面側は、回転駆動機構と、回転軸を介して接続される。
【０００６】
スラリ供給部は、シリカ、セリアおよびアルミナなどの粒子を媒体に懸濁させたスラリを研磨パッドの表面に供給する。ドレッシング部は、産業用ダイヤモンド粒子を電着したプレートを備え、研磨屑などが付着した部分を削り取ることで、研磨特性が低下した研磨パッドの表面を再生する。
【０００７】
ＣＭＰ装置は、回転駆動機構によって回転定盤部およびキャリア部を回転させるとともに、研磨パッドの略中央部にスラリを供給し、シリコンウエハと研磨パッドとを相対移動させることでシリコンウエハ加工面の研磨を行う。
【０００８】
近年、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップのデザインルールが微細化するに伴い、スラリに起因してシリコンウエハの被研磨面に生じるマイクロスクラッチが問題となっている。マイクロスクラッチの因子としては、媒体に懸濁させた砥粒の凝集物または分散不良物として存在する粗大粒子が考えられる。特許文献１には、特に粒径が１μｍ以上の粗大粒子の数とマイクロスクラッチの数との関係に相関があることが記載されている。
【０００９】
したがって、粒径が１μｍ以上の粗大粒子を除去する技術が開発されており、一般には、簡便な精密フィルタによる分級処理が良く用いられる。これは、媒体に砥粒を懸濁させた後、精密フィルタを通すことで、粗大粒子を除去する技術である。しかし、精密フィルタを用いた分級処理においては、粗大粒子による経時的な目詰まりが発生し、フィルタ性能の劣化を生じ易く、処理条件の複雑化や頻繁なフィルタの定期交換などの問題がある。そこで、特許文献１記載の半導体集積回路装置の製造方法では、作製したフュームドシリカスラリを静止放置させ、比較的重量の大きな粒径１μｍ以上の粗大粒子を沈降分離させることによって除去している。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−３２６１９９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１記載の半導体集積回路装置の製造方法では、シリカスラリを静止放置するだけでよいので、精密フィルタのような部材の交換も必要なく、処理条件も単純化されている。しかし、この製造方法によって、十分に粗大粒子を除去するためには、静止放置時間は、３０日以上、好ましくは４０日以上、より好ましくは５０日以上と非常に長い時間が必要となるという問題がある。
【００１２】
本発明の目的は、短時間で効率良く粗大粒子を除去することができるシリカスラリの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、原料となるシリカスラリの液面高さが０．１ｍ以上、０．５ｍ未満となるように選んで静止放置する工程と、
所定の時間静止放置した前記シリカスラリの上澄み層を回収する工程とを有することを特徴とする研磨用スラリの製造方法である。
【００１４】
また本発明は、静止放置する時間を２日間〜７日間とすることを特徴とする。また本発明は、静止放置する容器の底部から０．０１ｍ以上の部分を、前記上澄み層として回収することを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、前記シリカスラリのシリカ固形分濃度が、５重量％〜１５重量％であることを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、前記原料となるシリカスラリは、ヒュームドシリカまたはコロイダルシリカを用いて作製されることを特徴とする。
【００１７】
本発明に従えば、予めヒュームドシリカまたはコロイダルシリカを用いて、シリカ固形分濃度が、５重量％〜１５重量％のシリカスラリを作製し、作製したシリカスラリを原料として容器に入れて静止放置する。このとき、シリカスラリの液面高さを０．１ｍ以上、０．５ｍ未満となるように選ぶ。静止放置することで、研磨時のスクラッチの原因となる粒径が１μｍ以上の粗大粒子（シリカの凝集物）を容器底部に沈降させる。
【００１８】
２日間〜７日間静止放置させた後、上澄み層を回収して、研磨用スラリとする。静止放置時間と液面高さには相関性があり、粗大粒子の除去率を９５％以上とするには、液面高さを０．１ｍに選ぶと、静止放置時間は２日間となり、液面高さを０．２５ｍに選ぶと、静止放置時間は４日間となり、液面高さを０．３５ｍに選ぶと、静止放置時間は６日間となり、液面高さを０．４ｍに選ぶと、静止放置時間は７日間となる。
【００１９】
また、容器の底部には、沈降した粗大粒子の割合が非常に高い沈降層が形成される。この沈降層は容器の底部から０．０１ｍ未満に含まれるので、上澄み層の回収時には、容器の底部から０．０１ｍ以上の部分を、上澄み層として回収すれば、一旦沈降した粗大粒子を含まずに回収することができる。
【００２０】
このように、粗大粒子を静止放置によって沈降させて除去する場合に、液面高さを適切に選択することによって、短時間で効率良く粗大粒子を除去することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明では、原料として、所定の条件で作製したヒュームドシリカスラリ（以下では、単に「シリカスラリ」と呼ぶ。）を養生容器に充填し、シリカスラリ中に含まれる粒径が１μｍ以上の粒子（以下では、単に「粗大粒子」と呼ぶ。）を沈降させ、上澄み層と沈降層とを分離することで、シリカスラリ中に存在する粗大粒子を除去する。なお、ヒュームドシリカスラリに限らず、原料としてコロイダルシリカを用いたコロイダルシリカスラリでもよい。
【００２２】
特に、養生容器に充填する際の液面高さ所定の高さより低くすることで、粗大粒子が容器底部付近まで沈降する時間を劇的に短縮することができる。これにより、従来に比べて１／３〜１／１０の時間で粗大粒子を除去したシリカスラリを作製することができる。
【００２３】
図１は、シリカスラリの養生容器１の一例を示す外観図である。
養生容器１は、シリカスラリに接しても不純物が溶出しないように非金属材料、たとえばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリウレタンなどの材料からなる。容器高さをＨ０とし、別途作製したシリカスラリを、液面高さがＨ１となるように充填し、静止放置する。粗大粒子は他の粒子に比べて沈降速度が速いため、粗大粒子が容器底部に蓄積し、粗大粒子を含む割合が非常に高い沈降層１１（高さＨ２）が形成され、粗大粒子が沈降層１１に蓄積することで、粗大粒子を含む割合が非常に低い上澄み層１０が形成される。この上澄み層１０を、沈降層１１と分離して回収したものを製品としてＣＭＰ装置に供給する。
【００２４】
液面高さＨ１を低くすると、容器底部までの距離が近くなるので、粗大粒子が容器底部まで沈降する時間は短くなる。特許文献１の図４に示されるように、タンク高さ（液面高さ）が低くなると、静止放置日数も短くなってはいるが、約２０日間は、粗大粒子の沈降がほとんど見られない安定状態が存在する。したがって、使用可能なスラリを得るには、３０日以上という非常に長い時間が必要となっている。
【００２５】
これに対し、本件発明者は、液面高さＨ１を所定の高さより低くすることで、上記のような安定状態を無くし、非常に短い時間で粗大粒子が沈降することを見出した。
【００２６】
（実施例）
実際に、液面高さＨ１を変化させて養生容器１に充填し、静止放置してシリカスラリを作製した。
【００２７】
ヒュームドシリカを１０重量％含み、ｐＨ１０．５に調整したシリカスラリを、容器高さＨ０が０．１８〜０．５０ｍのポリプロピレン製の養生容器１に、液面高さＨ１を０．１〜０．４ｍまで変化させて充填し、７日間静止放置した。
【００２８】
静止放置中に、１日ごとに上澄み層１０の粗大粒子数をカウントし、粗大粒子除去率を求めた。図２は、粗大粒子除去率の経時変化を示すグラフである。縦軸は粗大粒子除去率を示し、横軸は静止放置時間を示している。ここで、粗大粒子除去率は、養生容器に充填した初期の粗大粒子数をＮ０とし、所定時間経過後に測定した粗大粒子数をＮ１として、Ｎ１／Ｎ０×１００（％）で算出される。なお、上澄み層１０の粗大粒子数は、ＰＳＳ（Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｉｚｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）社製のパーティクルカウンター  Ａｃｃｕｓｉｚｅｒ７８０Ａによって、１日ごとに測定した。
【００２９】
容器高さＨ０は、０．５０ｍ、０．４０ｍ、０．３０ｍ、０．１８ｍとし、液面高さＨ１は、０．４ｍ、０．３５ｍ、０．２５ｍ、０．１ｍとした。グラフの折れ線２１は、Ｈ１＝０．４ｍの場合を示し、折れ線２２は、Ｈ１＝０．３５ｍの場合を示し、折れ線２３は、Ｈ１＝０．２５ｍの場合を示し、折れ線２４は、Ｈ１＝０．１ｍの場合を示している。また、比較のために特許文献１の図４の縦軸を粗大粒子除去率に変換したものを合わせてプロットした。折れ線３１は、タンク高さ（Ｈ１に相当）が２ｍの場合を示し、折れ線３２は、タンク高さが１ｍの場合を示し、折れ線３３は、タンク高さが０．５ｍの場合を示している。なお、沈降層１１の高さは、Ｈ２＝０．０１ｍとして、上澄み層１０を回収した。沈降した粗大粒子は、養生容器１の底部から０．０１ｍ未満の部分にほとんどが含まれるので、養生容器１の底部から０．０１ｍ以上の部分を上澄み層として回収すれば、一旦沈降した粗大粒子を含まずに回収することができる。
【００３０】
グラフからわかるように、Ｈ１が０．５ｍより低くなると粗大粒子除去率の急激な立ち上がりが見られた。Ｈ１をさらに低くすると、その傾向はより顕著になり、Ｈ１が０．１ｍでは、２日間で粗大粒子除去率が９５％を越えることがわかった。また、Ｈ１が０．２５ｍでは４日間で、Ｈ１が０．３５ｍでは６日間で、Ｈ１が０．４ｍでは７日間で粗大粒子除去率が９５％を越えることがわかった。
このように、液面高さを適切に選択することで、２０日間以上という従来の日数に比べて１／３〜１／１０にまで静止放置時間を短縮することができた。なお、本発明の効果が最も得られるシリカ固形分濃度は、５重量％〜１５重量％であり、好ましくは１０重量％〜１３重量％である。
【００３１】
次にシリカ固形分濃度に対する粗大粒子の沈降の影響を調べた。図３は、シリカ固形分濃度の経時変化を示すグラフである。縦軸は上澄み層１０のシリカ固形分濃度を示し、横軸は静止放置時間を示している。シリカ固形分濃度は、上澄み層１０を１５０℃に設定したオーブンで９０分間加熱し、得られたシリカの重量から求めた。液面高さＨ１＝０．１ｍとして静止放置し、１日ごとにシリカ固形分濃度を測定した。
【００３２】
グラフからわかるように、シリカ固形分濃度は、静止放置時間にかかわらず一定を保っている。これは、粒径が１μｍ未満のシリカが沈降することなく、粗大粒子のみが沈降し、上澄み層１０に十分なシリカが含まれていることを示している。
【００３３】
作製したシリカスラリを実際にＣＭＰ装置に供給した場合の、研磨レート、ウエハ被研磨面の表面粗さおよびスクラッチ数を調べた。
【００３４】
図４は、ＣＭＰ装置１００の概略を示す外観図である。ＣＭＰ装置１００は、研磨パッド１０１と、回転定盤部１２１、キャリア部１２２、スラリ供給部１２３およびドレッシング部１２４から構成される。研磨パッド１は、ＣＭＰ装置１００のキャリア部１２２に保持されたシリコンウエハと圧接され、シリコンウエハとの相対移動によって、シリコンウエハ表面を研磨する。
【００３５】
回転定盤部１２１は、研磨パッド１０１を上面の略前面にわたって粘着テープなどで貼り付けて支持する定盤１０２と、その定盤１０２の下面側に設けられる回転軸を介して接続される回転駆動機構１０３とからなる支持手段である。回転駆動機構１０３による回転駆動力は回転軸を通じて定盤１０２に伝達され、定盤１０２は研磨パッド１０１とともに所定の回転数で鉛直方向軸線まわりに回転する。回転数は自由に設定することが可能で、研磨の対象となるウエハの種類や膜の種類、研磨パッド１の種類などによって適切な回転数が選択される。
【００３６】
キャリア部１２２は、図５の断面図に示すとおり、キャリア本体１０４と、バッキング材１０５と、リテーナリング１０６と、回転駆動機構１０７とからなり、被研磨物であるシリコンウエハ１０８を保持し、研磨パッド１０１とシリコンウエハ１０８と圧接させた状態で回転する保持手段である。シリコンウエハ１０８のキャリア本体１０４への固定は、バッキング材１０５を湿潤させ、水の表面張力によって吸着させて行う。さらに研磨処理中にシリコンウエハ１０８が外れないように、リテーナリング１０６によってシリコンウエハ１０８の外周部を保持している。回転駆動機構１０７は、回転軸を介してキャリア本体１０４の上面側に接続される。回転駆動機構１０７による回転駆動力は回転軸を通じてキャリア本体１０４に伝達され、キャリア本体１０４はシリコンウエハ１０８とともに所定の回転数で鉛直方向軸線まわりに回転する。回転数は自由に設定することが可能で、回転定盤部１２１と同様に、研磨の対象となるウエハの種類や膜の種類、研磨パッド１０１の種類などによって適切な回転数が選択される。またキャリア部１２２は、回転定盤部１２１に近接する方向、鉛直下向きに加圧され、研磨パッド１０１とシリコンウエハ１０８とが圧接される。キャリア部１２２の加圧は、回転駆動機構１０７が行ってもよいし、別途加圧機構を用いてもよい。
【００３７】
スラリ供給部１２３は、ノズル１０９、スラリ供給管１１０およびスラリタンク１１１からなる供給手段である。ここで、養生容器１の液面高さをＨ１＝０．１ｍとして、１日ごとに上澄み層１０を回収し、スラリタンク１１１に供給して研磨処理に用いた。
【００３８】
ポンプなどによりスラリタンク１１１に貯溜されているシリカスラリを、スラリ供給管１１０内に流し、回転定盤部１２１の上部かつ略中央部に設置したノズル１０９から研磨パッド１０１表面に対して所定の流量で供給する。
【００３９】
研磨の進行に伴い、研磨パッド１０１の研磨面近傍の微細孔には研磨屑や砥粒などが詰まり、研磨レートなどの研磨特性が低下する。ドレッシング部１２４は、コンディショナである産業用ダイヤモンド粒子を電着したプレート１１２と、回転軸を介してプレート１１２と接続される回転駆動機構１１３とから構成される再生手段である。ドレッシング時には、回転駆動機構１１３によりプレート１１２を回転させ、ダイヤモンド粒子と研磨パッド１０１の研磨面を接触させ、目詰まりした部分を削り取ることで、研磨パッド１０１の研磨特性を再生する。
【００４０】
研磨処理時の各部位の動作については、キャリア部１２２が鉛直下向きに加圧され、研磨パッド１０１とシリコンウエハ１０８とが圧接された状態で、スラリ供給部１２３がシリカスラリを供給する。供給されたシリカスラリが、研磨パッド１０１とシリコンウエハ１０８との間に浸透し、回転定盤部１２１とキャリア部１２２とを回転かつ相対移動させることで、媒体による化学的作用と砥粒による機械的作用によりシリコンウエハ１０８の表面を高精度で研磨する。
【００４１】
回転定盤部１２１とキャリア部１２２との相対移動については以下のような複数のパターンがある。
【００４２】
（１）図に示すように、キャリア部１２２の中心が、回転定盤部１２１の回転中心から半径方向に略１／２の位置となるようにキャリア部１２２を配置し、回転定盤部１２１とキャリア部１２２の自転のみで研磨処理を行う。
【００４３】
（２）研磨パッド１０１の半径とシリコンウエハ１０８の半径との差があまり大きくない場合は（１）でもよいが、研磨パッド１の半径がシリコンウエハ９の粒径より大きい場合は、研磨パッド１０１の表面のうちシリコンウエハ１０８と接触しない部分が存在するので、研磨パッド１１０１の全面を使用できるように、（１）の回転定盤部１２１とキャリア部１２２の自転に加えて、キャリア部１２２を回転定盤部１２１の半径方向に往復移動させる。
【００４４】
（３）（１）の回転定盤部１２１とキャリア部１２２の自転に加えて、キャリア部１２２を、回転定盤部１２１の中心回りに回転移動させる。
【００４５】
（４）（２）と同じく研磨パッド１０１の半径がシリコンウエハ１０８の半径より大きい場合は、半径方向の往復移動と回転定盤部１２１の中心回りの回転移動と組み合わせる。たとえば、キャリア部１２２が回転定盤部１２１の中心回りに螺旋軌道を描くように移動させればよい。
【００４６】
なお、回転定盤部１２１およびキャリア部１２２の自転回転方向は同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、回転定盤部１２１およびキャリア部１２２の自転回転速度も同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００４７】
ドレッシング部１２４によるドレッシング時期は、１または複数のシリコンウエハを研磨処理した後に行う場合と、研磨処理中に行う場合とがある。ドレッシング部１２４のダイヤモンドプレート１１２の半径は、研磨パッド１０１の半径よりも小さい場合が多いので、研磨処理後にドレッシングを行う場合は、上記の回転定盤部１２１とキャリア部１２２との相対移動のパターン（２）および（４）とほぼ同様にして行えばよい。研磨処理中に行う場合は、図に示すように、回転定盤部１２１の中心を挟んでキャリア部１２２と反対側に配置し、相対移動のパターン（２）とほぼ同様にして行えばよい。
【００４８】
以上のようなＣＭＰ装置１００を用いて研磨処理を行った。
まず、研磨レートに対する影響について説明する。被研磨物としてｐ−ＴＥＯＳウエハを用い、研磨パッド１０１として、ロデール・ニッタ製の研磨パッド（ＩＣ１４００）を用いた。回転定盤部１２１の回転速度は、１２０ｒｐｍとし、シリカスラリは１０ｍｌ／ｍｉｎの速度で供給した。
【００４９】
図６は、研磨レートの経時変化を示すグラフである。縦軸は研磨レートを示し、横軸は静止放置時間を示している。ここで、研磨レートは、単位時間（ｍｉｎ）当たりに研磨されたウエハの除去量（Å）である。
【００５０】
グラフからわかるように、研磨レートはほぼ一定を保っており、研磨処理に使用した場合に、シリカスラリが十分な性能を有していることがわかる。
【００５１】
次に研磨後のウエハの表面粗さに対する影響について説明する。研磨条件は、研磨レートの測定と同様であるので省略する。
【００５２】
図７は、表面粗さおよび粗大粒子数の経時変化を示すグラフである。縦軸左が表面粗さを示し、縦軸右が粗大粒子数を示し、横軸が静止放置時間を示している。表面粗さは、研磨後にＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて測定した。
【００５３】
折れ線２５は粗大粒子数を示し、折れ線２６は表面粗さを示している。グラフからわかるように、静止放置時間が経過するにつれて、シリカスラリ中の粗大粒子数が減少し、粗大粒子数の減少に伴って表面粗さも減少した。
【００５４】
最後に研磨後のスクラッチ数に対する影響に付いて説明する。研磨条件は、研磨レートの測定と同様であるので省略する。
【００５５】
図８は、スクラッチ数および粗大粒子数の経時変化を示すグラフである。縦軸左がスクラッチ数を示し、縦軸右が粗大粒子数を示し、横軸が静止放置時間を示している。スクラッチ数は、研磨後に欠陥検査機によって測定した。
【００５６】
折れ線２７は粗大粒子数を示し、折れ線２８はスクラッチ数を示している。グラフからわかるように、静止放置時間が経過するにつれて、シリカスラリ中の粗大粒子数が減少し、粗大粒子数の減少に伴ってスクラッチ数も大きく減少した。
【００５７】
以上のように、養生容器に充填するシリカスラリの液面高さを０．１ｍ以上、０．５ｍ未満とすることで、静止放置によって、非常に短時間で粗大粒子を沈降させて除去することができる。
【００５８】
上澄み層の回収方法については、たとえば、ポンプによる吸い上げなどで行い、特に限定されるものではない。また、容器高さＨ０は、回収方法などに影響されるので、回収方法に応じて最適な高さにすればよい。
【００５９】
なお、図１では養生容器１の形状を円柱形状としているが、これに限らず角柱形状などであってもよい。また、養生容器１の底部積については、液面高さと、シリカスラリの生産量とに基づいて最適な底面積にすればよい。また、養生容器の上面は、不純物が混入しないように、静止放置中は密封しておくか、開放する場合は、クリーンルーム内に放置する。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、粗大粒子を静止放置によって沈降させて除去する場合に、液面高さを適切に選択することによって、短時間で効率良く粗大粒子を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリカスラリの養生容器１の一例を示す外観図である。
【図２】粗大粒子除去率の経時変化を示すグラフである。
【図３】シリカ固形分濃度の経時変化を示すグラフである。
【図４】ＣＭＰ装置１００の概略を示す外観図である。
【図５】キャリア部２２の断面図である。
【図６】研磨レートの経時変化を示すグラフである。
【図７】表面粗さおよび粗大粒子数の経時変化を示すグラフである。
【図８】スクラッチ数および粗大粒子数の経時変化を示すグラフである。
【符号の説明】
１  養生容器
１０  上澄み層
１１  沈降層
１００  ＣＭＰ装置
１０１  研磨パッド
１０２  定盤
１０３，１０７，１１３  回転駆動機構
１０４  キャリア本体
１０５  バッキング材
１０６  リテーナリング
１０８  シリコンウエハ
１０９  ノズル
１１０  スラリ供給管
１１１  スラリタンク
１１２  プレート
１２１  回転定盤部
１２２  キャリア部
１２３  スラリ供給部
１２４  ドレッシング部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004238566.tif 000007
【図６】
2004238566.tif 000008
【図７】
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【図８】
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