(57)【要約】【課題】半導体装置の良否を正確に判定できる良否判定方法を提供する。【解決手段】良否判定対象の半導体装置１の底面１ａには、リードフレーム３が露出している。良否判定には、半導体装置１を収容可能なソケット１２を有するＩＣテスタが用いられる。先ず、吸着コレット１６により、半導体装置１がソケット１２内に収容される。これにより、すべてのリードフレーム３の露出面３ａに、ソケット１２内に配された測定電極１３のコンタクト部１３ａが接触するようになっている。測定電極１３は、半導体装置１の電気的特性を測定する測定器１５に接続されている。コンタクト部１３ａは、露出面３ａの半導体装置１内方側の端部と外方側の端部との中央部よりも外方側の部分に接触する。次に、吸着コレット１６により、半導体装置１の上面１ｂ中央部が、ソケット１２に向けて押し付けられる。【選択図】　　　　図３
2004069566.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面周縁部に外部接続用の端子が露出した半導体装置の良否判定方法であって、
上記端子に接触して上記半導体装置の電気特性を測定するための測定電極を、上記端子の露出面のうち、上記半導体装置の内方側の縁部と外方側の縁部との中間位置よりも外方側に接触させる測定電極接触工程とを含むことを特徴とする半導体装置の良否判定方法。
【請求項２】
上記半導体装置を上記測定電極に向かって押し付ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の良否判定方法。
【請求項３】
半導体チップと外部接続用の端子とを接続する工程と、
上記端子が底面周縁部に露出するように上記半導体チップを封止する封止工程と、
この封止工程により得られた半導体装置を、請求項１または２記載の半導体装置の良否判定方法により検査する検査工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームなどの外部接続用の端子が、底面に露出した半導体装置の良否判定方法および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、半導体チップが外部接続用の端子に接続された後封止（パッケージング）され、外部接続用の端子を介して電気特性を測定することにより、半導体装置の良否が判定される。
図４は、半導体装置の従来の良否判定方法を説明するための図解的な断面図である。
【０００３】
良否判定の対象である半導体装置５１の形態は、いわゆるＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ　ｐａｃｋａｇｅ）であり、平面視においてほぼ正方形である低背の直方体形状を有している。半導体装置５１は、外部接続のためのリードフレーム５２を有している。リードフレーム５２の一面は、半導体装置５１の底面５１ａとほぼ面一になっており、半導体装置５１から露出した露出面５２ａとなっている。この半導体装置５１は、リードフレーム５２の露出面５２ａで、配線基板などに接続できる。リードフレーム５２は、半導体装置５１のパッケージの側方にわずかに突出するように延びている。
【０００４】
リードフレーム５２は、ボンディングワイヤを介して、半導体装置５１のほぼ中央部に配された半導体チップに接続されている（図示せず）。
この半導体装置５１の電気特性を測定するためのＩＣテスタは、半導体装置５１を収容可能なソケット５４を備えている。ソケット５４は、矩形の底板５４ａと、底板５４ａの周縁部から拡開するように立設された側板５４ｂと、ソケット５４に収容された半導体装置５１のリードフレーム５２に接触可能な測定電極５５とを備えている。
【０００５】
測定電極５５は線材で、その一方端側は、半円形に形成され弾性を有するコンタクト部５５ａとなっている。測定電極５５は、ソケット５４の底板５４ａを貫通するように配設されており、コンタクト部５５ａは、その先端側のおよそ半分が、底板５４ａからソケット５４内部側に突出している。測定電極５５の他方端側は、半導体装置５１の電気的な測定をする測定器（図示せず）に接続されている。コンタクト部５５ａは、半導体装置５１におけるリードフレーム５２の位置に対応するように配置されている。
【０００６】
半導体装置５１の良否判定をするときは、先ず、半導体装置５１が、吸着コレット５６に上面（底面５１ａの反対側の面）５１ｂを吸着されて、底面５１ａが底板５４ａに対向するようにソケット５４内に収容される。すべてのリードフレーム５２の半導体装置５１側方側の先端が、側板５４ｂの内壁面に接触した状態で、すべてのリードフレーム５２の露出面５２ａに、測定電極５５のコンタクト部５５ａが接触するようになっている。コンタクト部５５ａは、露出面５２ａにおいて、半導体装置５１の内方側の端部近傍（内方側の端部と外方側の端部との中間位置よりも内方側）に接触される。
【０００７】
次に、吸着コレット５６により、半導体装置５１の上面５１ｂのほぼ中央部が押圧されて、半導体装置５１が測定電極５５に押し付けられる。これにより、半導体装置５１は、図４に誇張して示すように、底面５１ａ中央部が底板５４ａ側に張り出すようにしなり（このときの半導体装置５１を図４に２点鎖線で示す。）、リードフレーム５２は、コンタクト部５５ａに押し付けられる。
この際、半導体装置５１がしなることにより、測定電極５５のコンタクト部５５ａは、リードフレーム５２の露出面５２ａに対する接触位置が、リードフレーム５２の外方側にずれるように移動する。すなわち、露出面５２ａにコンタクト部５５ａが擦りつけられる。これにより、露出面５２ａの表面に酸化膜が形成されていたり、露出面５２ａの表面が汚れている場合でも、コンタクト部５５ａは、リードフレーム５２の酸化膜や汚れのない部分に接触することができる。
【０００８】
この状態で、電気特性を測定することにより、半導体装置５１の良否を判定することができる。ボンディングワイヤは、リードフレーム５２において半導体装置５１の内方側の端部近傍に接続されているので、コンタクト部５５ａを、露出面５２ａにおいて半導体装置５１の内方側の端部近傍に接触させることにより、半導体チップとコンタクト部５５ａとの距離は短くなる。これにより、リードフレーム５２による抵抗を低くして、半導体装置５１の電気的特性を測定することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような良否判定方法において、リードフレーム５２はコンタクト部５５ａに十分擦りつけられずに、良好に接触できないことがあった。このため、半導体装置の電気的測定を正確に行えずに、半導体装置の良否を正確に判定できないことがあった。
このため、このような良否判定方法による検査工程を含む半導体装置の製造方法では、製品である半導体装置の電気的特性に関する不良を正確に発見できなかった。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、半導体装置の良否を正確に判定できる良否判定方法を提供することである。
この発明の他の目的は、電気的特性の不良を正確に発見できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、底面（１ａ）周縁部に外部接続用の端子（３）が露出した半導体装置（１）の良否判定方法であって、上記端子に接触して上記半導体装置の電気特性を測定するための測定電極（１３）を、上記端子の露出面（３ａ）のうち、上記半導体装置の内方側の縁部と外方側の縁部との中間位置よりも外方側に接触させる測定電極接触工程を含むことを特徴とする半導体装置の良否判定方法である。
【００１２】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
半導体装置が、たとえば、樹脂でパッケージングされたものである場合、端子の露出面において半導体装置の底面内方側の領域の近傍には、樹脂の成形時に生じたバリが形成されていることがある。この発明によれば、測定電極は、端子の露出面のうち、半導体装置の内方側の縁部と外方側の縁部との中間位置よりも外方側に接触されるので、このようなバリにより、測定電極と端子との接触が阻害されることを回避することができる。したがって、半導体装置の電気特性を正確に測定でき、半導体装置の良否を正確に判定できる。
【００１３】
端子は、たとえば、リードフレームとすることができる。
請求項２記載の発明は、上記半導体装置を上記測定電極に向かって押し付ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の良否判定方法である。
この発明によれば、測定電極接触工程において、測定電極は、端子の露出面のうち、半導体装置の内方側の縁部と外方側の縁部との中間位置よりも外方側に接触する。この状態で、たとえば、半導体装置において底面とは反対側の面のほぼ中央部（押圧部）を押圧すると、この押圧部と測定電極との間隔は、従来の良否判定方法のように端子の内方側の縁部（端部）近傍に測定電極が接触される場合と比べて、大きくなる。これにより、半導体装置にかかる力のモーメントは大きくなり、半導体装置は大きくしなる。
【００１４】
これにより、端子の露出面に測定電極が効果的に擦りつけられ、露出面の表面に酸化膜が形成されていたり、露出面の表面が汚れている場合でも、測定電極は、端子の酸化膜や汚れのない部分に接触することができ、正確に電気特性を測定できる。したがって、この半導体装置の良否判定方法によれば、半導体装置の良否を正確に判定できる。
良否判定対象の半導体装置が複数の端子を備えている場合、測定電極接触工程は、すべての端子を測定電極に同時に接触させてる工程を含むものとすることができる。この状態で、順次各測定電極を用いた電気特性の測定を行うことができる。
【００１５】
請求項３記載の発明は、半導体チップ（２）と外部接続用の端子（３）とを接続する工程と、上記端子が底面（１ａ）周縁部に露出するように上記半導体チップを封止する封止工程と、この封止工程により得られた半導体装置（１）を、請求項１または２記載の半導体装置の良否判定方法により検査する検査工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
この発明によれば、半導体チップと端子とが接続され、底面に露出した端子で外部接続可能な半導体装置を得ることができる。そして、検査工程により、得られた半導体装置を検査でき、請求項１または２記載の半導体装置の良否判定方法と同様の効果を奏することができる。すなわち、半導体装置の電気特性に関する不良（たとえば、半導体チップと端子とが良好に接続されていないことによる不良）を、正確に発見することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る良否判定方法により良否が判定される半導体装置の底面を臨む構成を一部破断して示す斜視図である。
この半導体装置１の形態は、いわゆるＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ　ｐａｃｋａｇｅ）であり、低背のほぼ直方体の形状を有している。半導体装置１は、半導体装置１の中央部に配された半導体チップ２と、この半導体チップ２の周辺に配され側方にのびる複数のリードフレーム３と、半導体チップ２とリードフレーム３とを接続するボンディングワイヤ４とを有している。半導体チップ２、ボンディングワイヤ４、および半導体チップ２とリードフレーム３との接合部は、モールド成形された封止樹脂５により封止されている。
【００１７】
リードフレーム３の一面は、半導体装置１の底面１ａとほぼ面一になっており、封止樹脂５から露出した露出面３ａとなっている。底面１ａは、ほぼ正方形の形状を有しており、リードフレーム３は、底面１ａの各辺にほぼ垂直に延びている。
リードフレーム３は、封止樹脂５の側方にわずかに突出している。この半導体装置１は、リードフレーム３の露出面３ａで、配線基板などに接続できる。
【００１８】
この半導体装置は、半導体チップ２とリードフレーム３とをボンディングワイヤ４により接続した後に、これらを封止樹脂５により封止（パッケージング）して得られる。
図２は、半導体装置１の良否判定に用いられるＩＣテスタが有するソケット１２の図解的な平面図である。
ソケット１２は、半導体装置１を収容可能であり、ほぼ正方形の底板１２ａおよび底板１２ａの周縁部から立設された側板１２ｂを備えている。底板１２ａには、ソケット１２に収容された半導体装置１のリードフレーム３に接触可能な測定電極１３が設けられている。
【００１９】
測定電極１３は、底板１２ａの周縁部近傍に配列されている。測定電極１３は、半導体装置１におけるリードフレーム３の位置に対応するように配置されている。
図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置１の良否判定方法を説明するための図解的な断面図である。
ＩＣテスタ１１は、ソケット１２および半導体装置１の電気特性の測定を行う測定器１５を備えている。ソケット１２の側板１２ｂは、底板１２ａから拡開するように立設されている。
【００２０】
測定電極１３は線材で、その一方端側は、半円形に形成され弾性を有するコンタクト部１３ａとなっている。測定電極１３は、底板１２ａを貫通するように配設されており、コンタクト部１３ａの先端側のおよそ半分は、底板１２ａのソケット１２内部側の面から突出している。測定電極１３の他方端側は、測定器１５に接続されている。
このＩＣテスタ１１を用いて半導体装置１の良否判定をするときは、先ず、吸着コレット１６により、半導体装置１が上面（底面１ａとは反対側の面）１ｂを吸着されて、底面１ａが底板１２ａに対向するようにソケット１２内に収容される。すべてのリードフレーム３の半導体装置１側方側の先端が、側板１２ｂの内壁面に接触した状態で、すべてのリードフレーム３の露出面３ａに、測定電極１３のコンタクト部１３ａが接触するようになっている。
【００２１】
この際、コンタクト部１３ａは、露出面３ａにおいてリードフレーム３の外方側に接触する。より具体的には、コンタクト部１３ａは、露出面３ａの半導体装置１内方側の端部（縁部）と外方側の端部（縁部）との中間位置よりも外方側の部分に接触する。
次に、吸着コレット１６により、半導体装置１の上面１ｂ中央部が、ソケット１２に向けて押し付けられる。これにより、半導体装置１は、図３に誇張して示すように、底面１ａの中央部が底板１２ａ側に張り出すようにしなる（このときの半導体装置１を図３に２点鎖線で示す。）。
【００２２】
コンタクト部１３ａは、露出面３ａにおいてリードフレーム３の外方側に接触されているので、上面１ｂが吸着コレット１６により押圧される押圧部とコンタクト部１３ａとの間隔Ｌは大きくなっている。このため、吸着コレット１６により半導体装置１に与えられる力のモーメントは大きくなり、半導体装置１は大きくしなる。
これにともなって、測定電極１３のコンタクト部１３ａは、リードフレーム３の露出面３ａに対する接触位置が、リードフレーム３の外方側にずれるように大きく移動する。すなわち、露出面３ａにコンタクト部１３ａが効果的に擦りつけられる。これにより、露出面３ａの表面に酸化膜が形成されていたり、露出面３ａの表面が汚れている場合でも、コンタクト部１３ａは、リードフレーム３の酸化膜や汚れのないフレッシュな部分に接触することができる。
【００２３】
すなわち、リードフレーム３は、コンタクト部１３ａと電気的に良好に接触する。この状態で、測定器１５により、順次各リードフレーム３を用いた半導体装置１の電気特性の測定を行うことにより、半導体装置１の良否を正確に判定することができる。
また、露出面３ａにおけるコンタクト部１３ａの接触位置を、半導体装置１内方側の端部と外方側の端部との中間位置よりも外方側の部分とすることにより、封止樹脂５をモールド成形する際にできるバリによるコンタクト部１３ａの接触不良を低減することもできる。
【００２４】
半導体装置１の製造工程において、封止樹脂５による封止（パッケージング）工程の後、このような良否判定方法による検査を行うことができる。これにより、半導体装置１の電気特性に関する不良（たとえば、半導体チップ２とリードフレーム３とが良好に接続されていないことによる不良）を、正確に発見することができる。
良否判定後の半導体装置１の露出面３ａは、半導体装置１内方側の端部（縁部）と外方側の端部（縁部）との中間位置よりも外方側の部分に、コンタクト部１３ａが擦りつけられたことによる傷（擦痕）を有している。
【００２５】
この発明の実施形態の説明は、以上の通りであるが、この発明は他の形態でも実施することもできる。たとえば、測定電極１３は、リードフレーム３の数より少なくされており、測定電極１３は、リードフレーム３のうち特定のものにのみ接触するようにされてもよい。特定のリードフレーム３を用いて電気特性の測定を行う場合には、このような方法を用いることができる。
ソケット１２の形状や、測定電極１３の配置は、測定対象の半導体装置の形状や、半導体装置におけるリードフレーム（端子）の配置に応じたものとすることができる。
【００２６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る良否判定方法により良否が判定される半導体装置の底面を臨む構成を一部破断して示す斜視図である。
【図２】半導体装置の良否判定に使用するＩＣテスタが有するソケットの図解的な平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の良否判定方法を説明するための図解的な断面図である。
【図４】半導体装置の従来の良否判定方法を説明するための図解的な断面図である。
【符号の説明】
１　　半導体装置
１ａ　　半導体装置の底面
２　　半導体チップ
３　　リードフレーム
３ａ　　露出面
４　　ボンディングワイヤ
５　　封止樹脂
１１　　ＩＣテスタ
１３　　測定電極
１５　　測定器
１６　　吸着コレット
【図１】
2004069566.tif 000003
【図２】
2004069566.tif 000004
【図３】
2004069566.tif 000005
【図４】
2004069566.tif 000006