(57)【要約】      （修正有）【課題】画素の発光不均等を改善し、同時に有機発光ダイオードエレメントの画素中における開口率を高めると共に、画素の発光コントラストを改善する。【解決手段】ディスプレイパネルの画素に３トランジスタ１キャパシタ回路構造を採用し、更に画素アレイ区域外に、発光画素に接続したデータキャパシタセットを付け加える。また、各画素中の有機発光ダイオードの全ての陰極は一つに接続され、ディスプレイパネルの外のトランジスタ（Ｍｏｃ）に接続する。そのように配置することで、ディスプレイパネルの画素の発光不均等及び発光開口率を改善し、ディスプレイパネルのコントラストを高める。【選択図】      図５
2004294850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次のもの：
ディスプレイパネルの第一辺に位置し、二つのターミナルを有し、その中の一つが前記ディスプレイパネル上の発光画素に接続する多くのデータキャパシタを有するデータジェネレータ区域と、
ディスプレイパネルの第二辺に位置し、且つ前記ディスプレイパネル上の各発光画素に接続するセレクタジェネレータと、
各発光画素に接続するＴＷラインと、
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極がセレクタジェネレータに接続し、前記ドレイン電極が前記データジェネレータ区域に接続する第一トランジスタと、第一と第二ターミナルを有し、前記第一ターミナルが第一トランジスタのソース電極に接続し、前記第二ターミナルが電源供給Ｖｄｄライン、あるいは共同電極に接続するストレージキャパシタと、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極が第一トランジスタのソース電極に接続し、前記ゲート電極がストレージキャパシタの第一ターミナルに接続し、前記ソース電極が電源供給Ｖｄｄラインに接続し、前記ソース電極が前記ストレージキャパシタの第二ターミナルに接続する第二トランジスタと、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極がＴＷラインに接続し、前記ドレイン電極が前記データジェネレータ区域中のデータキャパシタに接続し、前記ソース電極が第二トランジスタのドレイン電極に接続する第三トランジスタと、前記第三トランジスタのソース電極と前記第二トランジスタのドレイン電極とを接続する各画素中における発光エレメントと、ディスプレイパネルの第三辺に位置し、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、各画素中における発光エレメントが前記ソース電極に接続し、前記ゲート電極が制御装置ＯＣに接続する集合トランジスタとを有する、且つディスプレイパネルの中央に位置する多くの発光画素と、
からなるアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項２】
前記発光エレメントが有機発光ダイオードエレメントであることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項３】
前記第二トランジスタがＰＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項４】
前記データジェネレータ区域のデータキャパシタが画素アレーの発光画素と連結することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項５】
前記データキャパシタがデータジェネレータ区域に位置し、前記データジェネレータ区域が発光画素アレイ区域の外で、且つディスプレイパネルサイドに位置することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項６】
前記集合トランジスタが発光画素アレイの外で、且つディスプレイパネルサイドに位置することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項７】
次のもの：
ディスプレイパネルの第一辺に位置し、二つのターミナルを有し、その中の一つがディスプレイパネル上の発光画素に接続する多くのデータキャパシタを有するデータジェネレータ区域と、
ディスプレイパネルの第二辺に位置し、且つパネル上の各発光画素に接続するセレクタジェネレータと、
各発光画素に接続するＴＷラインと、
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極がセレクタジェネレータに接続し、前記ドレイン電極が前記データジェネレータ区域に接続する第一トランジスタと、第一と第二ターミナルを有し、第一トランジスタのソース電極が第一ターミナルに接続し、前記第二ターミナルが電源供給Ｖｄｄライン、あるいは共同電極に接続するストレージキャパシタと、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極が第一トランジスタのソース電極に接続し、前記ゲート電極がストレージキャパシタの第一ターミナルに接続する第二トランジスタと、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極がＴＷラインに接続し、前記ドレイン電極がデータジェネレータ区域中のデータキャパシタに接続し、前記ソース電極が第二トランジスタのドレイン電極に接続する第三トランジスタと、第一と第二ターミナルを有し、第二トランジスタのソース電極が前記第一ターミナルに接続し、前記第二ターミナルが共同電極に接続する各画素中における発光エレメントと、ディスプレイパネルの第三辺に位置し、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、各画素中における第二トランジスタのドレイン電極が前記ソース電極に接続し、前記ゲート電極が制御装置ＯＣに接続し、前記ドレイン電極が前記電源供給Ｖｄｄラインに接続する集合トランジスタとを有する、且つディスプレイパネルの中央に位置する多くの発光画素と、
からなるアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項８】
前記発光エレメントが有機発光ダイオードエレメントであることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項９】
前記第二トランジスタがＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項１０】
前記データジェネレータ区域の前記データキャパシタが、前記画素アレイの発光画素に接続することを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項１１】
前記データキャパシタが前記データジェネレータ区域に位置し、データジェネレータ区域が発光画素区域の外で、且つディスプレイパネルの一辺に位置することを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項１２】
前記集合トランジスタが前記発光画素アレイの外で、且つ前記ディスプレイパネルの一辺に位置することを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリックスディスプレイパネルに用いる有機発光画素。
【請求項１３】
次のもの：
分流トランジスタと並列する多数のデータキャパシタを有し、ディスプレイパネル上の第一辺に位置するデータジェネレータ区域と、その内前記データキャパシタが二つのターミナルを有し、その中の一つが前記ディスプレイパネル上の発光画素に接続する；
ディスプレイパネルの第二辺に位置し、且つディスプレイパネル上の各発光画素に接続するセレクタジェネレータと、
各発光画素に接続するＴＷラインと、
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極がセレクタジェネレータに接続し、前記ドレイン電極がデータジェネレータ区域に接続する第一トランジスタと、第一と第二ターミナルを有し、前記第一ターミナルが第一トランジスタのソース電極に接続し、前記第二ターミナルが電源供給Ｖｄｄライン、あるいは共同電極に接続するストレージキャパシタと、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極が第一トランジスタのソース電極と前記ストレージキャパシタの前記第一ターミナルに接続し、前記ソース電極が、前記電源供給Ｖｄｄラインと、前記ストレージキャパシタの前記第二ターミナルに接続する第二トランジスタと、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極が前記ＴＷラインに接続し、前記ドレイン電極が前記データジェネレータ区域中の前記データキャパシタに接続し、前記ソース電極が前記第二トランジスタの前記ドレイン電極に接続する第三トランジスタと、
前記第三トランジスタのソース電極と前記第二トランジスタの前記ドレイン電極とを接続する各画素中における発光エレメントと、前記ディスプレイパネルの第三辺に位置し、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極を有し、前記各画素中の前記発光エレメントが、前記ソース電極に接続し、前記ゲート電極が制御装置ＯＣに接続する集合トランジスタとを有する、且つディスプレイパネルの中央に位置する多くの発光画素と、
からなる有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記発光エレメントが有機発光ダイオードエレメントであることを特徴とする請求項１３に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記第二トランジスタがＰＭＯＳトランジスタとすることを特徴とする請求項１３に有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記データジェネレータ区域の前記データキャパシタと分流トランジスタが、前記発光画素アレイに接続することを特徴とする請求項１３に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記データキャパシタと前記分流トランジスタが前記データジェネレータ区域に位置し、前記データジェネレータ区域が発光画素アレイ区域の外で、発光エレメントの対比を強化することを特徴とする請求項１３に有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記データキャパシタと分流トランジスタが前記データジェネレータ区域内に位置し、前記データジェネレータ区域が発光画素アレイの外で、発光エレメントの開口率を改善することを特徴とする請求項１３に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項１９】
次のもの：
一つ一つが並列する多くのデータキャパシタと分流トランジスを有し、前記データキャパシタは二つのターミナルを有し、その中の一つが前記ディスプレイパネル上の発光画素に接続し、前記ディスプレイパネル上の第一辺に位置するデータジェネレータ区域と、
前記ディスプレイパネルの第二辺に位置し、且つ前記パネル上の前記各発光画素に接続するセレクタジェネレータと、
前記発光画素それぞれに接続するＴＷラインと、
ディスプレイパネルの中央に位置する多くの発光画素、且つその発光画素は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極がセレクタジェネレータに接続し、前記ドレイン電極が前記データジェネレータ区域に接続する第一トランジスタと、
第一と第二ターミナルを有し、前記第一ターミナルが前記第一トランジスタの前記ソース電極に接続し、第二ターミナルが電源供給Ｖｄｄライン、あるいは共同電極に接続するストレージキャパシタと、
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極が、前記第一トランジスタの前記ソース電極と、前記ストレージキャパシタの前記第一ターミナルに接続する第二トランジスタと、
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を有し、前記ゲート電極が前記ＴＷラインに接続し、前記ドレイン電極が前記データジェネレータ区域中の前記データキャパシタに接続し、前記ソース電極が、前記第二トランジスタの前記ドレイン電極に接続する第三トランジスタと、
第一と第二のターミナルを有し、第一ターミナルが前記第二トランジスタの前記ソース電極に接続し、前記第二ターミナルが共通電極に接続する各画素中における発光エレメントと、
前記ディスプレイパネルの第三辺に位置し、ソース電極、ドリイン電極、ゲート電極を有し、前記ソース電極が各画素中の前記第二トランジスタの前記ドレイン電極に接続し、前記ゲート電極が制御装置ＯＣに接続し、前記ドレイン電極が前記電源供給Ｖｄｄラインに接続する集合トランジスタとを有する発光画素からなる有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記発光エレメントが有機発光ダイオードエレメントであることを特徴とする請求項１９に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記第二トランジスタがＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１９に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記データジェネレータ区域の前記データキャパシタと分流トランジスタが発光画素アレイに接続することを特徴とする請求項１９に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項２３】
前記データキャパシタと前記分流トランジスタがデータジェネレータ区域に位置し、データジェネレータ区域が発光画素アレイ区域の外で発光エレメントの対比を強化することを特徴とする請求項１９に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【請求項２４】
前記データキャパシタと分流トランジスタがデータジェネレータ区域内に位置し、データジェネレータ区域は、発光画素アレイ区域の外で発光エレメントの開口率を改善することを特徴とする請求項１９に記載の有機発光画素を用いたアクティブマトリックスディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、一種の有機発光ダイオードエレメント、特に一種のアクティブ有機発光ダイオードドライブ回路の構造に関するものであり、アクディブ有機発光ダイオードエレメントの発光均等性と対比を改善するものである。
【０００２】
【従来の技術】
パッシブマトリックス有機発光ダイオードディスプレイパネルの画素とドライブ方式は、図１に示すとおりである。代表的なパッシブマトリックス有機発光ダイオードディスプレイ１００には、アレイ式で配列する多くのディスプレイ画素（ｐｉｘｅｌ）１６０が含まれる。前記ディスプレイにはカラムデータジェネレータ１１０（ｃｏｌｕｍｎ  ｄａｔａ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）とローセレクトジェネレータ１２０（ｒｏｗ  ｓｅｌｅｃｔ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）があり、実際の操作において、各ローライン（ｒｏｗ  ｌｉｎｅ）１３０ａ、１３０ｂは徐々にオープンできる。また同時に各ローライン上の異なるカラムライン（ｃｏｌｕｍｎ  ｌｉｎｅ）１４０ａ、１４０ｂの画素は、データインプット値の大小に拠り、その明るさを表示できる。パッシブマトリックスディスプレイにおいて、画素は一つのローラインがオープンし、それが終了した後に、続いて次のラインがオープンする。また、アクティブマトリックスディスプレイにおいて、各ローラインの画素は、まず異なるカラムラインのデータジェネレータから平行してデータをインプットし、その後これに続くフレームタイム（ｆｒａｍｅ  ｔｉｍｅ）は、異なるデータインプット値に拠って画面を表示する。言い換えれば、パッシブマトリックスディスプレイの各ローライン画素は、フレームタイム全体のある一定の時間だけ、輝度を表すものであり、アクティブマトリックスディスプレイは、フレームタイム全体のほとんどが画面を表示する状態にある。
【０００３】
代表的なアクティブマトリックス有機発光ダイオードディスプレイ方式は、既に発表されている（米国特許第６１５７３５６号）。図２で示すように、前記特許においては、画素表示構造は、スイッチ（ｓｗｉｔｃｈ）トランジスタ（Ｍ１）２３０、ドライブトランジスタ（Ｍ２）２４０、データライン（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）２１０、セレクトライン（ｓｅｌｅｃｔ  ｌｉｎｅ）２２０、ストレージキャパシタ（Ｃｓ）２５０、電源供給（ｐｏｗｅｒ  ｓｕｐｐｌｙ）（Ｖｄｄ）２７０、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）２６０を含む。ディスプレイパネルの各画素において、そのドライブトランジスタ（Ｍ２）のゲート電極とソース電極の間の閾値電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ｖｏｌｔａｇｅ）に差異がある場合、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を通過する電流の差異を発生させることになる。このような電流の差異は、パネル画素の表示輝度が不均等となる現象を引き起こす。また、ドライブトランジスタのゲート電極とソース電極の間の閾値電圧による不均等によるドライブ電流の違いという現象が引き起こされる原因は、大部分がトランジスタの製造品質におけるコントロールが不適切であることにより発生している。
【０００４】
トランジスタ閾値電圧の差異に因りディスプレイ画面が不均等となる現象の改善については、既に周知の特許、例えば米国特許第６２２９５０６号が提出されている。前記特許では、トランジスタ４個、キャパシタ２個の４Ｔ２Ｃ構造が、各画素中のドライブトランジスタ（ｄｒｉｖｅ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の閾値電圧を補い、画素発光輝度の均等性を改善することができる。図３に示すように、前記画素構造はデータライン（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）３１０、スキャンライン（ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）３２０、電源供給Ｖｄｄライン３０５、ＡＺライン３９０、及びＡＺｂコントロールライン３９５、４個のトランジスタ（トランジスタ（Ｍ１）３３０、トランジスタ（Ｍ２）３４０、トランジスタ（Ｍ３）３７０、トランジスタ（Ｍ４）３５０）、オートゼロ（ａｕｔｏ−ｚｅｒｏ）キャパシタ（Ｃ２）３５５及び（Ｃ１）３８０、そして１個の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）３６０を有する。この画素構造を米国特許第６１５７３５６号と比べると、トランジスタ２個とキャパシタ１個を付け加え、図４の波形とドライブの時間経過方式に組み合わせ、ドライブドランジスタ（Ｍ２）３４０の閾値電圧を補い、画素発光輝度の不均等という状況を改善することができる。しかし、付け加えたエレメントがスペースを占めることにより、画素の発光開口率（ａｐｅｒｔｕｒｅ  ｒａｔｉｏ）のロス（ｌｏｓｓ）が引き起こされる。甚だしい場合は、オートゼロ（ａｕｔｏ−ｚｅｒｏ）を実行する段階で、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に依然として電流が流れ発光することになる。このような発光は、決して発光させようとしているものではなく、画素の表示対比（ｄｉｓｐｌａｙ  ｃｏｎｔｒａｓｔ）を低下させることになる。
【０００５】
図４は、図３の回路構造を駆動する、ＡＺライン、ＡＺｂライン、スキャンラインとデータラインの制御に関する時間経過図である。時間経過はオートゼロ閾値電圧段階とデータインプット段階とに分けることができる。オートゼロ段階を実行する前に、トランジスタ（Ｍ１）３３０、トランジスタ（Ｍ３）３７０の部分を“クローズ”状態に、トランジスタ（Ｍ２）３４０とトランジスタ（Ｍ４）３５０のところを“オープン”状態にする。この時、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を通して流れる電流は、一つ前のフレームタイムの電流であり、一瞬の後、トランジスタ（Ｍ１）３３０は“オープン”となり、続いてトランジスタ（Ｍ３）３７０が“オープン”となる。このためトランジスタ（Ｍ２）３４０のドレイン電極とゲート電極とは接続し、一つのダイオードのような機能を有することになる。続いてトランジスタ（Ｍ４）３５０が“クローズ”することで、トランジスタ（Ｍ２）３４０のゲート電極電圧はＶｄｄ−Ｖｔｈ（トランジスタ（Ｍ２）の閾値電圧）まで上昇する。次にトランジスタ（Ｍ３）３７０は“クローズ”するため、トランジスタ（Ｍ２）３４０の閾値電圧データは、キャパシタ（Ｃ２）３５５に記録される。このように、トランジスタ（Ｍ２）の閾値電圧はオートゼロ動作を完成する。したがって、続いてデータをインプットし表示される画面は、トランジスタ（Ｍ２）の閾値電圧の違いにより、画面の不均等という現象が現れることはない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、画素の発光不均等を改善し、同時に有機発光ダイオードエレメントの画素中における開口率を高めることにある。
【０００７】
本発明のもう一つの目的は、新たな有機発光ダイオードエレメントディスプレイを提示して、これにより画素の発光対比という問題を改善することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
先に述べた問題は、下記の有機発光ダイオードエレメント画素構造により改良することができる。
【０００９】
本発明は、まず均等に表示することができる新たなアクティブ発光ダイオード駆動方式を提示する。各画素の設計は、３個のトランジスタと１個のキャパシタをもつ３Ｔ１Ｃ構造を採用する。更に、データキャパシタを付け加える。このデータキャパシタは発光画素に接続し、更に前記データキャパシタはディスプレイパネルの画素アレイ区域の外に置く。その他、各画素中の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）エレメントの陰極を全て一つに接続し、且つトランジスタ（Ｍｏｃ）のターミナルに接続する。トランジスタ（Ｍｏｃ）もディスプレイパネルの外に置く。この構造により、画素の発光不均等、及び発光開口率という問題を、改善することができる。
【００１０】
他の実施例では、ディスプレイパネルの外に、さらにデータキャパシタと並列する分流トランジスタ（Ｍｂｙ）を付け加えて配置している。二つともデータジェネレータ区域（ｄａｔａ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ｒｅｇｉｏｎ）に置く。付け加えるトランジスタ（Ｍｂｙ）の主な機能は、オートストア（ａｕｔｏ−ｓｔｏｒｅ）の閾値電圧段階における有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）エレメントの電流を低下させる。このようにしてディスプレイパネル画素の表示対比（ｄｉｓｐｌａｙ  ｃｏｎｔｒａｓｔ）を高める。
【００１１】
本発明のその他の目的及び機能については、以下の図にしたがって更に詳細に説明するが、この発明は図面に限定されるものではない。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明のアクティブマトリックスＯＬＥＤ  ３Ｔ１Ｃ画素構造５００は図５で示している。その内、トランジスタは、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ、又はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜トランジスタを用いて実現することができる。一般的な画素構造は、薄膜トランジスタと有機発光ダイオードエレメントにより構成されているが、実際、本発明のトランジスタはその他のトランジスタ、例えばＭＯＳトランジスタを用いることもできる。
【００１３】
図５の中の３Ｔ１Ｃ画素構造５００は、３個のＰＭＯＳトランジスタ（トランジスタ（Ｍ１）５３０、トランジスタ（Ｍ２）５４０、トランジスタ（Ｍ３）５５０）、ストレージキャパシタ（Ｃｓ）５５５、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０、トランジスタ（Ｍｏｃ）５６５を含む。スキャンライン５２０はトランジスタ（Ｍ１）５３０のゲート電極に、ＴＷライン５９０はトランジスタ（Ｍ３）５５０のゲート電極に、データライン５１０はトランジスタ（Ｍ３）５５０とトランジスタ（Ｍ１）５３０のドレイン電極に、電源供給（ＶＤＤ）ライン５０５はトランジスタ（Ｍ２）５４０のソース電極とストレージキャパシタ（Ｃｓ）５５５のターミナルに、それぞれ接続する。またストレージキャパシタ（Ｃｓ）のもう一つのターミナルは、トランジスタ（Ｍ１）５３０のソース電極とトランジスタ（Ｍ２）５４０のゲート電極に接続する。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０のターミナルはトランジスタ（Ｍ２）５４０のドレイン電極とトランジスタ（Ｍ３）５５０のソース電極に接続し、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０のもう一つのターミナルは集合トランジスタ（Ｍｏｃ）５６５に接続する。
【００１４】
図６は、本発明の３Ｔ１Ｃ画素、及びディスプレイパネルの略図を表している。本実施例では、一つのデータライン上にあるすべての画素中のトランジスタ（Ｍ１）５３０及びトランジスタ（Ｍ３）５５０のドレイン電極は全て、本発明におけるデータジェネレータ６０８中のデータキャパシタ（Ｃｄ）６０２に接続する。更に前記データキャパシタ（Ｃｄ）６０２は、ディスプレイパネルの画素アレイ区域の外に置く。この他、各画素中の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０エレメントの陰極は、全て一つに接続し、更にトランジスタ（Ｍｏｃ）５６５のターミナルに接続する。またトランジスタ（Ｍｏｃ）５６５もディスプレイパネルの外に置き、画素アレイ区域の中には置かない。
【００１５】
総括すると、ディスプレイパネル構造は５つの部分を有する。画素アレイの外周に位置するデータジェネレータ６０８、画素アレイの外周に位置するセレクタジェネレータ６２０、画素アレイの外周に位置するＴＷコントロールライン５９０、画素アレイの外周に位置するトランジスタ（Ｍｏｃ）５６５、及びディスプレイパネル中央に位置する画素アレイである。
【００１６】
図７は、図６の構造を駆動するコントロール信号の時間経過図である。図の中の時間経過は、オートストア閾値電圧（ａｕｔｏ−ｓｔｏｒｅ  ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｐｅｒｉｏｄ）の段階、スキャン（データインプット）と表示の段階に分けることができる。オートストア閾値電圧の段階においては、ｓｃａｎ１からｓｃａｎ  Ｎまでの信号は“高”（Ｍ１はクローズ）から始まり、続いて“低”（Ｍ１はオープン）へと変化する。ｓｃａｎ１、ｓｃａｎ２、ｓｃａｎ３、・・・ｓｃａｎ  Ｎが“低”の段階においては、ＴＷライン７０５信号は、まず“高”から続いて“低”となり、再び“高”に変化する。また、ＯＣライン７０７の信号は、まず“低”となり続いて“高”となる。ＴＷライン７０５の信号が“低”で、且つＯＣライン７０７の信号が“低”となる時、電流は電源供給（ＶＤＤ）ライン５０５からトランジスタ（Ｍ２）５４０と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０を経てトランジスタ（Ｍｏｃ）５６５のドレイン電極へ到達する。この為、ストレージキャパシタ（Ｃｓ）５５５は、一つの電圧値を記録するが、前記電圧値はトランジスタ（Ｍ２）５４０と有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０エレメントの特性によって決まる。また一方、ＴＷライン７０５の信号が“低”になり、ＯＣの信号が“高”になる時を待って、トランジスタ（Ｍｏｃ）５６５は“クローズ”し電流は流れず、ストレージキャパシタ（Ｃｓ）５５５はトランジスタ（Ｍ２）５４０の閾値電圧をオートストアする。
【００１７】
スキャン（データインプット）の段階に入ると、スキャンラインの第一ラインから第Ｎラインの信号は、順番にて“高”から“低”変化するステップとなり、データ信号の変化量はデータキャパシタ（Ｃｄ）６０２、トランジスタ（Ｍ１）５３０を経由してストレージキャパシタ（Ｃｓ）５５５に結合する。さらに、この結合電圧は従来のストレージキャパシタ（Ｃｓ）５５５上に保存されたトランジスタ（Ｍ２）５４０閾値電圧に加えて、真のデータ電圧信号となる。すべてのスキャンラインがスキャンを行った後、表示（ｄｉｓｐｌａｙ）の段階に入る。この時、ＯＣライン７０７の信号は、“高”から“低”へと変化し、したがってトランジスタ（Ｍｏｃ）５６５は導通する。この為、必要な電流はトランジスタ（Ｍ２）のソース電極とゲート電極の電圧差に基づき、電源供給（ＶＤＤ）ライン５０５がトランジスタ（Ｍ２）５４０を経て有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０に到達し、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０を比較的均等に発光させる。このように、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０を経た電流は、トランジスタ（Ｍ２）５４０の閾値電圧と関連することはなく、データインプットの信号と関連するだけである。
【００１８】
上に述べた構造のメリットは、データキャパシタ（Ｃｄ）６０２がデータジェネレータ６０８区域に置かれており、トランジスタ（Ｍｏｃ）５６５も画素アレイの外に置かれていることである。このような配置は、画素の開口率という問題を有効に改善する。さらに本発明の、画素アレイ全体の配置は、スキャンライン５２０、データライン５１０、電源供給Ｖｄｄライン５０５、ＴＷライン５９０を必要とするだけである。このような配置は、複雑なディスプレイパネルのコントロールを簡略化することができる。
【００１９】
図８、図９で示した他の優良な実施例における画素構造は、図５及び図６と類似している。唯一の違いは、ディスプレイパネルの外に更に付け加えして配置する分流トランジスタ（Ｍｂｙ）８０８である。これはデータキャパシタ（Ｃｄ）６０２と並列し、データジェネレータ６０８区域の中に置く。更に付け加えるトランジスタ（Ｍｂｙ）８０８の機能は、主にオートストア（ａｕｔｏ−ｓｔｏｒｅ）閾値電圧段階において、比較的低圧の信号をトランジスタ（Ｍｂｙ）８０８経由で有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０の陽極にインプットすることである。このようにオートストア（ａｕｔｏ−ｓｔｏｒｅ）閾値電圧段階における有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０エレメントを経て流れる電流を低減することができ、ディスプレイパネル画素の表示対比（ｄｉｓｐｌａｙ  ｃｏｎｔｒａｓｔ）を高めることができる。
【００２０】
図９は、図８を駆動する信号の時間経過図である。図中の時間経過はオートストア（ａｕｔｏ−ｓｔｏｒｅ）閾値電圧段階、スキャン（データインプット）と表示の段階に分けることができる。オートストア閾値電圧の段階においては、ｓｃａｎ１からｓｃａｎ  Ｎまでの信号は“高”（Ｍ１はクローズ）から始まり、続いて“低”（Ｍ１はオープン）へと変化する。ｓｃａｎ１、ｓｃａｎ２、ｓｃａｎ３・・・ｓｃａｎ  Ｎが“低”の段階においては、ＴＷライン９０５の信号は、まず“高”から続いて“低”となり、再び“高”に変化する。また、ＯＣライン９０７の信号は、まず“低”となり続いて“高”となる。ＢＹライン９０９の信号は“高”で、その後“低”となり続いて“高”となる。ＴＷライン９０５の信号が“低”、ＯＣライン９０７の信号が“高”、且つＢＹライン９０９が“低”となった時、低圧のデータ信号はトランジスタ（Ｍｂｙ）８０８を経由して有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０の陽極へインプットする。この為、わずかな電流が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）５６０を経由しトランジスタ（Ｍｏｃ）５６５のドレイン電極に達する。ＴＷライン９０５が“低”、ＯＣが“高”、同時にＢＹも“高”となるのを待って、トランジスタ（Ｍｏｃ）５６５とトランジスタ（Ｍｂｙ）８０８は“クローズ”する。この時ストレージキャパシタ（Ｃｓ）はトランジスタ（Ｍ２）の閾値電圧をオートストアする。
【００２１】
本発明の先に述べた図は、ＰＭＯＳトランジスタを採用していることを示しているが、実際はＮＭＯＳトランジスタを使用することもできる。関連する電圧が相反するだけである。図１０の３Ｔ１Ｃ画素構造１０００には、３個のＮＭＯＳトランジスタ（トランジスタ（Ｍ１）１０３０、トランジスタ（Ｍ２）１０４０、トランジスタ（Ｍ３）１０５０）、ストレージキャパシタ（Ｃｓ）１０５５、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）１０６０とトランジスタ（Ｍｏｃ）１０６５を含む。図１０と図５の最大の違いは、ＰＭＯＳトランジスタ（Ｍ２）５４０の代わりにＮＭＯＳトランジスタ（Ｍ２）１０４０を用いる点とトランジスタ（Ｍｏｃ）の位置を変更した点である。その他、この構造はトランジスタ（Ｍ２）５４０、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）１０６０の閾値電圧値を補うことができる。
【００２２】
以上は、本発明の比較的良好な実施例を説明する為にのみ用いたものであり、本発明に対する如何なる形式上の制限を加えることを意図してはいない。本発明の保護の範囲は特許保護の範囲で示したとおりであり、本発明の実施例に制限されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はパッシブマトリックス有機発光ダイオードディスプレイを示す図面である。
【図２】図２は２Ｔ１Ｃ画素回路構造図である。
【図３】図３は４Ｔ２Ｃ画素回路構造図である。
【図４】図４は４Ｔ２Ｃ１ドライブ信号時間経過図である。
【図５】図５は本発明中の３Ｔ１Ｃ画素回路構造図である。
【図６】図６は本発明中の３Ｔ１Ｃ画素及びディスプレイパネル略図である。
【図７】図７は本発明中の３Ｔ１Ｃドライブ信号時間経過図である。
【図８】図８は本発明のデータジェネレータ区域に、定格外のトランジスタとデータキャパシタを並列して付け加えたドライブ回路の略図である。
【図９】図９は本発明のデータジェネレータ区域に、定格外のトランジスタを付け加えた後、ドライブ回路のドライブ信号時間経過図である。
【図１０】図１０は本発明中の３Ｔ１Ｃ画素が使用するＮＭＯＳトランジスタの回路構造図である。
【符号の説明】
１００  パッシブマトリックス有機発光ダイオードディスプレイ
１１０  カラムデータジェネレータ
１２０  ローセレクトジェネレータ
１３０ａ、１３０ｂ  ローライン
１４０ａ、１４０ｂ  カラムライン
１６０  ディスプレイ画素
２１０  データライン
２２０  セレクトライン
２３０  スイッチトランジスタ
２４０  ドライブトランジスタ
２５０  ストレージキャパシタ
２６０  有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）
２７０  電源供給
３０５  電源Ｖｄｄライン
３１０  データライン
３２０  スキャンライン
３３０  トランジスタ
３４０  トランジスタ
３５０  トランジスタ
３５５  オートゼロキャパシタ
３６０  有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）
３７０  トランジスタ
３８０  オートゼロキャパシタ
４００  ４Ｔ２Ｃ画素構造ドライブ信号時間経過
５００  ３Ｔ１Ｃ画素構造
５０５  電源供給
５１０  データライン
５２０  スキャンライン
５３０  トランジスタ
５４０  トランジスタ
５５０  トランジスタ
５５５  ストレージキャパシタ
５６０  有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）
５６５  トランジスタＭｏｃ
５９０  ＴＷライン
６００  ３Ｔ１Ｃ画素のディスプレイパネル構造
６０２  データキャパシタ
６０８  データジェネレータ
６２０  セレクタジェネレータ
７０３  データライン
７０５  ＴＷライン
７０７  ＯＣライン
８００  ３Ｔ１Ｃ画素のディスプレイパネル構造
８０８  トランジスタＭｂｙ
９０３  データライン
９０５  ＴＷライン
９０７  ＯＣライン
９０９  ＢＹライン
１０００  ３Ｔ１Ｃ画素構造
１０３０  ＮＭＯＳトランジスタ
１０４０  ＮＭＯＳトランジスタ
１０５０  ＮＭＯＳトランジスタ
１０５５  ストレージキャパシタ
１０６０  有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）
１０６５  トランジスタＭｏｃ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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