(57)【要約】【課題】発振周波数の可動範囲が広範であり、回路規模が小さく且つ位相ノイズ特性が良好な電圧制御発振器を提供する。【解決手段】可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２の一端に印加される基準電圧と、可変容量素子Ｃｖ２１及びＣｖ２２の一端に印加される基準電圧とを異なる値にし、可変容量素子Ｃｖ１、Ｃｖ２、Ｃｖ２１、及びＣｖ２２の他端に制御電圧ＶＣＴＬが印加され、可変容量素子Ｃｖ１の一端と可変容量素子Ｃｖ２１の一端とが固定容量素子Ｃ２１を介して接続され、可変容量素子Ｃｖ２の一端と可変容量素子Ｃｖ２２の一端とが固定容量素子Ｃ２２を介して接続され、制御電圧ＶＣＴＬに応じて発振周波数を制御する電圧制御発振器。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振部と、該共振部の振動が減衰しないように前記共振部に電力を供給する能動部と、を備え、制御電圧に応じて発振周波数を制御する電圧制御発振器において、
前記共振部が、固定容量素子、第１の可変容量素子、及び第２の可変容量素子を有し、
前記第１の可変容量素子の一端に第１の基準電圧が印加され、前記第１の可変容量素子の他端に前記制御電圧が印加され、前記第２の可変容量素子の一端に第２の基準電圧が印加され、前記第２の可変容量素子の他端に前記制御電圧が印加され、
前記第１の基準電圧が印加される前記第１の可変容量素子の一端と、前記第２の基準電圧が印加される前記第２の可変容量素子の一端とが前記固定容量素子を介して接続されることを特徴とする電圧制御発振器。
【請求項２】
前記第１の可変容量素子、前記第２の可変容量素子、及び前記固定容量素子の合成容量値が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の可変容量素子の容量値、前記第２の可変容量素子の容量値、及び前記固定容量素子の容量値が設定される請求項１に記載の電圧制御発振器。
【請求項３】
前記第１の可変容量素子、前記第２の可変容量素子、及び前記固定容量素子の合成容量値が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の基準電圧及び前記第２の基準電圧が設定される請求項２に記載の電圧制御発振器。
【請求項４】
前記発振周波数が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の可変容量素子の容量値、前記第２の可変容量素子の容量値、及び前記固定容量素子の容量値が設定される請求項１に記載の電圧制御発振器。
【請求項５】
前記発振周波数が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の基準電圧及び前記第２の基準電圧が設定される請求項４に記載の電圧制御発振器。
【請求項６】
全ての回路を単一の半導体チップ上に形成する請求項１〜５のいずれかに記載の電圧制御発振器。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の電圧制御発振器を備えることを特徴とする高周波受信器。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の電圧制御発振器を備えることを特徴とする高周波送信器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、制御電圧に応じて発振周波数が可変する電圧制御発振器並びにそれを用いた高周波受信器及び高周波送信器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電圧制御発振器の一構成例を図６に示す。図６の電圧制御発振器は共振部部１と能動部２を有する。
【０００３】
共振部１は、インダクタＬ１及びＬ２の直列回路と可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２の直列回路とが並列接続された回路である。また、インダクタＬ１と可変容量素子Ｃｖ１との接続ノードに出力端子Ｔ１が接続され、インダクタＬ２と可変容量素子Ｃｖ２との接続ノードに出力端子Ｔ２が接続される。さらに、可変容量素子Ｃｖ１とＣｖ２との接続ノードに制御電圧端子Ｔ３が接続される。なお、可変容量素子とは、両端端子間の電位差に応じて両端端子間の容量が変化する素子である。
【０００４】
インダクタＬ１とインダクタＬ２との接続ノードに定電圧ＶＣＣが印加され、制御電圧端子Ｔ３に制御電圧ＶＣＴＬが印加される。したがって、可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２の容量は制御電圧端子Ｔ３に印加される制御電圧ＶＣＴＬによって制御される。
【０００５】
能動部２は、ＮＰＮ型トランジスタＱ１及びＱ２と、バイアス抵抗Ｒ１及びＲ２と、信号レベル調整用の固定容量素子Ｃ１、Ｃ２、Ｃ１１、及びＣ１２と、直流電流源３とを備える。
【０００６】
トランジスタＱ１のコレクタが出力端子Ｔ１に接続され、トランジスタＱ２のコレクタが出力端子Ｔ２に接続される。
【０００７】
そして、トランジスタＱ１のベースとトランジスタＱ２のコレクタとが固定容量素子Ｃ１を介して接続され、トランジスタＱ２のベースとトランジスタＱ１のコレクタとが固定容量素子Ｃ２を介して接続される。
【０００８】
また、トランジスタＱ１のベースが、バイアス抵抗Ｒ１の一端及び固定容量素子Ｃ１１の一端に接続される。バイアス抵抗Ｒ１の他端にバイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加され、固定容量素子Ｃ１１の他端は接地される。また、トランジスタＱ２のベースが、バイアス抵抗Ｒ２の一端及び固定容量素子Ｃ１２の一端に接続される。バイアス抵抗Ｒ２の他端にバイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加され、固定容量素子Ｃ１２の他端は接地される。
【０００９】
さらに、トランジスタＱ１のエミッタとトランジスタＱ２のエミッタとが共通に接続され、直流電流源３を介して接地される。
【００１０】
このような構成である図６の電圧制御発振器の動作について説明する。共振部１が共振周波数の信号を出力端子に出力する。能動部２の負性抵抗及び出力端子Ｔ１、Ｔ２間に接続される負荷抵抗とが相殺することによって、出力端子Ｔ１、Ｔ２間に出力される出力電圧ＶＯが定常振動になる。そして、制御電圧ＶＣＴＬに応じた任意の発振周波数の出力電圧ＶＯを得ることが可能となる。
【００１１】
可変容量素子は両端端子間の電位差が大きすぎても小さすぎても容量値が飽和してしまうので、図６の電圧制御発振器において制御電圧ＶＣＴＬを変化させると、可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２の容量値はいずれも図７（ａ）に示すようにある特定の制御電圧範囲でのみ線形的に変化する。従って、図６の電圧制御発振器が出力する発振周波数は、制御電圧ＶＣＴＬの変化に応じて図７（ｂ）に示すようにある特定の制御電圧範囲でのみ線形的に変化する。
【００１２】
ところで、近年電圧制御発振器から出力される発振周波数の広範化の要求が高まっている。発振周波数の可動範囲が広範な電圧制御発振器を実現するには、容量変化の大きい可変容量素子を用いたり、複数の可変容量素子を並列接続して用いるようにすればよい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、可変容量素子の容量値が飽和しない制御電圧範囲は同一であるので、発振周波数の可動範囲を広範にすると、制御電圧ＶＣＴＬの変化に対する発振周波数の変化の割合であるＶＣＯ感度が高くなる。そして、ＶＣＯ感度が高いと制御電圧ラインに入り込む外乱により位相ノイズが増大するので、位相ノイズ特性が劣化するという問題があった。
【００１４】
特開平７−２２８４１号公報で開示されている電圧制御発振器は、制御電圧の分圧を可変容量ダイオードのアノードに印加することによって、可変容量ダイオードの両端電圧を制限する構成としているので、ＶＣＯ感度を下げることが可能である。ただし、この電圧制御発振器は、制御電圧ラインから分割抵抗に常に電流が流れる構成であるため、熱雑音により位相ノイズの劣化が起こり、ＶＣＯ感度を下げることによる位相ノイズの改善効果をうち消してしまっていた。
【００１５】
また、図８（ａ）に示すように制御電圧の全ての変化範囲において容量値が線形的に変化する理想的な可変容量素子を電圧制御発振器に用いれば、発振周波数は図８（ｂ）に示すように変化し、発振周波数の可動範囲を広範にしてもＶＣＯ感度を下げることが可能である。しかしながら、このような理想的な可変容量素子を実際に実現することはできない。
【００１６】
また、発振周波数を広範にする一般的な方法として、電圧制御発振器自体のＶＣＯ感度は低いままで、発振周波数帯域の異なる電圧制御発振器を複数設ける構成や、共振部内の可変容量素子をスイッチにより切り替える構成が挙げられる。しかしながら、これらの構成の電圧制御発振器は、回路構成が複雑になり、そのうえ回路面積も増大するという問題があった。
【００１７】
本発明は、上記の問題点に鑑み、発振周波数の可動範囲が広範であり、回路規模が小さく且つ位相ノイズ特性が良好な電圧制御発振器並びにそれを用いた高周波受信器及び高周波送信器を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る電圧制御発振器においては、共振部と、該共振部の振動が減衰しないように前記共振部に電力を供給する能動部と、を備え、制御電圧に応じて発振周波数を制御する電圧制御発振器であって、前記共振部が、固定容量素子、第１の可変容量素子、及び第２の可変容量素子を有し、前記第１の可変容量素子の一端に第１の基準電圧が印加され、前記第１の可変容量素子の他端に前記制御電圧が印加され、前記第２の可変容量素子の一端に第２の基準電圧が印加され、前記第２の可変容量素子の他端に前記制御電圧が印加され、前記第１の基準電圧が印加される前記第１の可変容量素子の一端と、前記第２の基準電圧が印加される前記第２の可変容量素子の一端とが前記固定容量素子を介して接続される構成とする。
【００１９】
可変容量素子は両端端子間の電位差によって容量値が決まるため、電圧制御発振器を上記構成にすると、第１の可変容量素子と第２の可変容量素子において、制御電圧の変化に対して容量値が線形的に変化する制御電圧の範囲が互いに異なることになる。したがって、第１の可変容量素子、第２の可変容量素子、及び固定容量素子の合成容量が制御電圧の変化に対して線形的に変化する制御電圧の範囲を広範にすることができる。これにより、制御電圧に対する発振周波数の変化が緩やかになり電圧制御発振器のＶＣＯ感度を下げることができるため、発振周波数の可動範囲を広範にしても位相ノイズ特性を良好にすることができる。また、発振周波数帯域の異なる電圧制御発振器を複数設けたり、共振部内の可変容量素子を切り替えるスイッチを設けたりする必要がないので、回路規模を小さくすることができる。
【００２０】
また、前記第１の可変容量素子、前記第２の可変容量素子、及び前記固定容量素子の合成容量値が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の可変容量素子の容量値、前記第２の可変容量素子の容量値、及び前記固定容量素子の容量値が設定されるようにしてもよい。
【００２１】
これにより、制御電圧に対して共振部の容量値が略直線的に変化する領域が拡がり、制御電圧に対する発振周波数の変化が緩やかになり、電圧制御発振器のＶＣＯ感度を下げることができる。
【００２２】
そして、前記第１の可変容量素子、前記第２の可変容量素子、及び前記固定容量素子の合成容量値が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の基準電圧及び前記第２の基準電圧を設定するとよい。
【００２３】
第１の基準電圧と第２の基準電圧との差が、第１の可変容量素子の容量値が直線的に変化する制御電圧範囲と第２の可変容量素子の容量値が直線的に変化する制御電圧範囲との差であるので、第１の基準電圧と第２の基準電圧との差を最適値に設定することで、前記第１の可変容量素子、前記第２の可変容量素子、及び前記固定容量素子の合成容量値変化の直線性を増加させることができる。
【００２４】
また、前記発振周波数が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の可変容量素子の容量値、前記第２の可変容量素子の容量値、及び前記固定容量素子の容量値が設定されるようにしてもよい。
【００２５】
前記第１の可変容量素子、前記第２の可変容量素子、及び前記固定容量素子の合成容量値を前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化させる場合と同様に、制御電圧に対する発振周波数の変化が緩やかになり、電圧制御発振器のＶＣＯ感度を下げることができる。その上、前記第１の可変容量素子、前記第２の可変容量素子、及び前記固定容量素子の合成容量値を前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化させる場合に比べて発振周波数変化の直線性が向上する。ただし、共振部以外の回路部分の寄生容量等も考慮して容量値を決定する必要があるため容量値を決定するために行う計算が複雑になる。
【００２６】
そして、前記発振周波数が前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化するように、前記第１の基準電圧及び前記第２の基準電圧を設定するとよい。
【００２７】
第１の基準電圧と第２の基準電圧との差を最適値に設定することで、発振周波数が制御電圧の変化に対して略直線的に変化するようにできる。
【００２８】
また、全ての回路を単一の半導体チップ上に形成するようにしてもよい。
【００２９】
上述したように本発明に係る電圧制御発振器は回路規模を小さくできるので、全ての回路を単一の半導体チップ上に形成することが容易である。全ての回路を単一の半導体チップ上に形成することによって、外付け部品点数を低減することができ、コストの削減を図ることができる。
【００３０】
また、本発明に係る高周波送信器又は高周波受信器においては、上記いずれかの構成の電圧制御発振器を備えるようにする。
【００３１】
このような構成にすることで、局部発振信号の位相ノイズが低くなる。したがって、優れた送信特性を有する高周波送信器又は優れた受信特性を有する高周波受信器を実現することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。本発明に係る電圧制御発振器の構成を図１に示す。なお、図１において、図６と同一の部分には同一の符号を付し説明を省略する。
【００３３】
図１の電圧制御発振器は、共振部部１’と能動部２を有しており、図６の電圧制御発振器に新たに可変容量素子Ｃｖ２１及びＣｖ２２と、固定容量素子Ｃ２１及びＣ２２と、抵抗Ｒ１１及びＲ１２と、第２基準電圧端子Ｔ４とを加えた構成である。
【００３４】
可変容量素子Ｃｖ２１の一端及び可変容量素子Ｃｖ２２の一端がそれぞれ制御電圧端子Ｔ３に接続される。可変容量素子Ｃｖ２１の他端は固定容量素子Ｃ２１を介して出力端子Ｔ１に接続され、可変容量素子Ｃｖ２２の他端は固定容量素子Ｃ２２を介して出力端子Ｔ２に接続される。また、可変容量素子Ｃｖ２１と固定容量素子Ｃ２１との接続ノードに抵抗Ｒ１１の一端が接続され、可変容量素子Ｃｖ２２と固定容量素子Ｃ２２との接続ノードに抵抗Ｒ１２の一端が接続される。抵抗Ｒ１１の他端と抵抗Ｒ１２の他端とが共通接続され、第２基準電圧端子Ｔ４に接続される。
【００３５】
第２基準電圧端子Ｔ４に定電圧である第２基準電圧Ｖｒｅｆ２が印加される。したがって、可変容量素子Ｃｖ２１及びＣｖ２２の容量は制御電圧端子Ｔ３に印加される制御電圧ＶＣＴＬによって制御される。
【００３６】
可変容量素子は両端端子間の電位差によって容量値が決まるため、基準電圧が異なり制御電圧が共通である可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２１は、図２（ａ）に示すように制御電圧ＶＣＴＬの変化に対して容量値が線形的に変化する制御電圧範囲が互いに異なることになる。なお、図２（ａ）において４は可変容量素子Ｃｖ１の容量値であり、５は可変容量素子Ｃｖ２１の容量値を示している。
【００３７】
ここで、図１の電圧制御発振器から可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２１と、固定容量素子Ｃ２１とからなる回路を抜き出すと図３に示すようになる。そして、図３の回路の合成容量値が図２（ｂ）に示すように制御電圧ＶＣＴＬに対して略直線的に変化するように、可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２１の種類と、定電圧ＶＣＣの値と、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の値と、固定容量素子Ｃ２１の容量値とを決定する。具体的には、可変容量素子Ｃｖ１の制御電圧ＶＣＴＬに対する容量値の変化比と、可変容量素子Ｃｖ２１及び固定容量素子Ｃ２１の合成容量の制御電圧ＶＣＴＬに対する容量値の変化比とが略同一になるように、可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２１の種類と、定電圧ＶＣＣの値と、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の値と、固定容量素子Ｃ２１の容量値とを決定する。
【００３８】
また、可変容量素子Ｃｖ２を可変容量素子Ｃｖ１と同一のものとし、可変容量素子Ｃｖ２２を可変容量素子Ｃｖ２１と同一のものにする。
【００３９】
これにより、共振部１’の容量値が制御電圧ＶＣＴＬに対して略直線的に変化するようになる。図２から明らかなように共振部１’の容量値は、可変容量素子単体の容量値に比べて略直線的に変化する領域が拡がるので、図１の電圧制御発振器では、制御電圧ＶＣＴＬに対する発振周波数の変化が緩やかになり、ＶＣＯ感度を下げることができる。したがって、図１の電圧制御発振器は、発振周波数の可動範囲を広範にしても位相ノイズ特性を良好にすることができる。
【００４０】
また、発振周波数帯域の異なる電圧制御発振器を複数設けたり、共振部内の可変容量素子を切り替えるスイッチを設けたりする必要がないので、回路規模を小さくすることができる。
【００４１】
なお、共振部１’の容量値が制御電圧ＶＣＴＬに対して略直線的に変化するように可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２１の種類と、定電圧ＶＣＣの値と、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の値と、固定容量素子Ｃ２１の容量値とを決定するのではなく、発振周波数が制御電圧ＶＣＴＬの変化に対して略直線的に変化するように可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２１の種類と、定電圧ＶＣＣの値と、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の値と、固定容量素子Ｃ２１の容量値とを決定するようにしてもよい。
【００４２】
この場合も制御電圧ＶＣＴＬに対する発振周波数の変化が緩やかになり、電圧制御発振器のＶＣＯ感度を下げることができる。その上、共振部１’の容量値を前記制御電圧の変化に対して略直線的に変化させる場合に比べて発振周波数変化の直線性が向上する。ただし、共振部１’以外の回路部分の寄生容量等も考慮して可変容量素子Ｃｖ１及びＣｖ２１の種類と、定電圧ＶＣＣの値と、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の値と、固定容量素子Ｃ２１の容量値を決定する必要があるためこれらを決定するために行う計算が複雑になる。
【００４３】
次に、本発明に係る電圧制御発振器の他の構成を図４に示す。なお、図４において図１と同一の部分には同一の符号を付し説明を省略する。
【００４４】
図４の電圧制御発振器は、共振部部１’’と能動部２を有しており、図１の電圧制御発振器に新たに可変容量素子Ｃｖ３１及びＣｖ３２と、固定容量素子Ｃ３１及びＣ３２と、抵抗Ｒ２１及びＲ２２と、第３基準電圧端子Ｔ５とを加えた構成である。
【００４５】
可変容量素子Ｃｖ３１の一端及び可変容量素子Ｃｖ３２の一端がそれぞれ制御電圧端子Ｔ３に接続される。可変容量素子Ｃｖ３１の他端は固定容量素子Ｃ３１を介して出力端子Ｔ１に接続され、可変容量素子Ｃｖ３２の他端は固定容量素子Ｃ３２を介して出力端子Ｔ２に接続される。また、可変容量素子Ｃｖ３１と固定容量素子Ｃ３１との接続ノードに抵抗Ｒ２１の一端が接続され、可変容量素子Ｃｖ３２と固定容量素子Ｃ３２との接続ノードに抵抗Ｒ２２の一端が接続される。抵抗Ｒ２１の他端と抵抗Ｒ２２の他端とが共通接続され、第３基準電圧端子Ｔ５に接続される。
【００４６】
第３基準電圧端子Ｔ５に定電圧である第３基準電圧Ｖｒｅｆ３が印加される。したがって、可変容量素子Ｃｖ３１及びＣｖ３２の容量は制御電圧端子Ｔ３に印加される制御電圧ＶＣＴＬによって制御される。
【００４７】
可変容量素子Ｃｖ３１及びＣｖ３２と、固定容量素子Ｃ３１及びＣ３２と、抵抗Ｒ２１及びＲ２２と、第３基準電圧端子Ｔ５とを追加することによって、制御電圧ＶＣＴＬに対して共振部の容量値が略直線的に変化する領域を図１の電圧制御発振器に比べてさらに拡げることができ、制御電圧ＶＣＴＬに対する発振周波数の変化が図１の電圧制御発振器に比べてさらに緩やかになり、ＶＣＯ感度を図１の電圧制御発振器に比べてさらに下げることができる。
【００４８】
なお、図１及び図４の電圧制御発振器は回路規模が小さいため、全ての回路を単一の半導体チップに形成し、電圧制御発振器の低コスト化を図ることができる。この場合、インダクタＬ１及びＬ２はスパイラルインダクタにするとよい。
【００４９】
次に、本発明に係る高周波送受信器について説明する。本発明に係る高周波送受信器の回路ブロック図を図５に示す。なお、電圧制御発振器２１は上述した図４の電圧制御発振器であり、アンテナ１０以外の回路は１チップの半導体集積回路装置に格納されている。
【００５０】
まず受信側について説明する。アンテナ１０によって受信されたＲＦ信号がスイッチ１１を介してローノイズアンプ１２に入力され、ローノイズアンプ１２で増幅されたのち、ミキサ１３で局部発振信号とミキシングされ、ＩＦ信号にダウンコンバートされる。このＩＦ信号は、バンドパスフィルタ１４によって不要な周波数成分が除去されたのち復調部１５に送られ、受信信号に復調される。
【００５１】
続いて送信側について説明する。送信信号が変調器１６によって変調され、バンドパスフィルタ１７によって不要な周波数成分が除去されたのち、ミキサ１８で局部発振信号とミキシングされ、ＲＦ信号にアップコンバートされる。このＲＦ信号は、パワーアンプ１９で電力増幅されたのち、スイッチ１１を介してアンテナ１０から出力される。
【００５２】
局部発振信号は位相同期発振器２０から出力される。位相同期発振器２０は、分周器（図示せず）、水晶発振器（図示せず）、位相比較器（図示せず）、及び電圧制御発振器２１を備えている。分周器は電圧制御発振器２１の出力を水晶発振器の周波数まで分周する。位相比較器は、この分周した信号と水晶発振器からの信号とを位相比較して得られた誤差信号を電圧制御発振器２１に負帰還して局部発振信号の周波数を安定させる。
【００５３】
電圧制御発振器２１を、位相ノイズ特性が良好である図４の電圧制御発振器にしているので、位相同期発振器２０から出力される局部発振信号の位相ノイズが低くなる。したがって、図５の高周波送受信器は従来の高周波送受信器と比較して送受信特性が向上する。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によると、発振周波数の可動範囲が広範であり、回路規模が小さく且つ位相ノイズ特性が良好な電圧制御発振器並びにそれを用いた高周波受信器及び高周波送信器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電圧制御発振器の構成を示す図である。
【図２】図１の電圧制御発振器に設けられる可変容量素子の容量値特性及び共振部の容量値特性を示す図である。
【図３】図１の電圧制御発振器に設けられる可変容量素子と固定容量素子とからなる回路の構成を示す図である。
【図４】本発明に係る電圧制御発振器の他の構成を示す図である。
【図５】本発明に係る高周波送受信器の構成を示す図である。
【図６】従来の電圧制御発振器の構成を示す図である。
【図７】実際の可変容量素子の容量値特性及び実際の可変容量素子を用いた場合の電圧制御発振器の発振周波数特性を示す図である。
【図８】理想的な可変容量素子の容量値特性及び理想的な可変容量素子を用いた場合の電圧制御発振器の発振周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
１’、１’’　　共振部
２　　能動部
Ｃ２１、Ｃ２２、Ｃ３１、Ｃ３２　　固定容量素子
Ｃｖ１、Ｃｖ２、Ｃｖ２１、Ｃｖ２２、Ｃｖ３１、Ｃｖ３２　　可変容量素子
ＶＣＣ　定電圧
ＶＣＴＬ　　制御電圧
Ｖｒｅｆ２　　第２基準電圧
Ｖｒｅｆ３　　第３基準電圧
２１　　電圧制御発振器
【図１】
2004056720.tif 000003
【図２】
2004056720.tif 000004
【図３】
2004056720.tif 000005
【図４】
2004056720.tif 000006
【図５】
2004056720.tif 000007
【図６】
2004056720.tif 000008
【図７】
2004056720.tif 000009
【図８】
2004056720.tif 000010