(57)【要約】【課題】光伝送路を備えた光モジュール基板に設けられた基準位置と、光伝送路のビーム強度位置との相対位置を測定する測定装置及び測定方法を提供する。【解決手段】光伝送路を備えた光モジュール基板１０を測定する光モジュール基板測定装置１であって、測定光発射部２０と、測定光発射部２０から発射された測定光を光伝送路の一端に入射する測定光入射部２２と、入射された測定光が光伝送路を伝わり、光伝送路の他端より出射された測定光を受信し、電気信号に変換する光測定部３０と、光測定部３０に接続され、上記電気信号を受信する演算部２１と、演算部２１に接続され、光モジュール基板１０に設けられた基準位置の画像を撮像し、画像の信号を演算部２１に送信する画像撮像部３３と、を有する光モジュール基板測定装置である。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝送路を備えた光モジュール基板を測定する測定装置であって、測定光を発射する測定光発射部と、上記測定光発射部から発射された上記測定光を上記光伝送路の一端に入射する測定光入射部と、入射された上記測定光が上記光伝送路を伝わり、上記光伝送路の他端より出射された上記測定光を受信し、電気信号に変換する光測定部と、上記光測定部に接続され、上記電気信号を受信する演算部と、上記演算部に接続され、上記光モジュール基板に設けられた基準位置の画像を撮像し、上記画像の信号を上記演算部に送信する画像撮像部と、を有することを特徴とする光モジュール基板測定装置。
【請求項２】
前記演算部は、前記測定光のビーム強度のピーク点の位置座標及び前記基準位置の位置座標を算定すると共に、前記ピーク点の位置座標及び前記基準位置の位置座標から、前記ピーク点及び前記基準位置との相対位置を算定する算定手段を有することを特徴とする請求項１記載の光モジュール基板測定装置。
【請求項３】
光伝送路を備えた光モジュール基板の測定方法であって、測定光を発射するステップと、発射された上記測定光を上記光伝送路の一端に入射するステップと、入射された上記測定光が上記光伝送路を伝わり、上記光伝送路の他端より出射され、上記出射された測定光を受信し、電気信号に変換するステップと、上記電気信号から、上記測定光のビーム強度のピーク点の位置座標を算定するステップと、上記光モジュール基板に設けられた基準位置の画像を撮像するステップと、上記画像の信号より上記基準位置の位置座標を算定するステップと、上記ピーク点の位置座標及び上記基準位置の位置座標から、上記ピーク点及び上記基準位置との相対位置を算定するステップと、を有する光モジュール基板の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光伝送路を設けた光モジュール基板の測定装置及び測定方法に関し、特に光伝送路を伝わる信号光のビーム強度ピーク点と、光モジュール基板に設けられた基準位置との相対位置を測定しうる測定装置及び測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開昭６２−９１８３３号公報
【特許文献２】特開平０４−２２０５３６号公報
【０００３】
光信号を利用した高速通信技術の発達の要求に応えるべく、部品間光通信を行うための光伝送路を備えた光モジュール基板が多数提案されている。
【０００４】
図２に、この光モジュール基板１０の形態の一例を示す。なお、ここで、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ線で切断した断面図である。この光モジュール基板１０は、光ファイバ１１と、ガラスエポキシ樹脂基材からなる第１のプリント基板１２及び第２のプリント基板１３と、から構成されている。
【０００５】
光ファイバ１１の端部は、垂直断面に対し４５度傾斜して切断されて、ミラー部１４が形成されており、第１のプリント基板１２に形成された凹溝（図示せず）に埋設されている。そして、第１のプリント基板１２の上面に、熱硬化性樹脂含浸シート（図示せず）を介して第２のプリント基板１３を積層し、光モジュール基板１０を形成する。この第２のプリント基板１３には、ミラー部１４が上面に露出するようにくり貫き１６、１７が設けられている。
【０００６】
さらに、第２のプリント基板１３の上面においては、くり貫き１６、１７の周囲に電極パッド（図示せず）が設けられている。この電極パッドは、垂直方向に光信号を送信あるいは受信が可能である光部品（図示せず）を実装するために設けられている。
【０００７】
くり貫き１６側に光信号を送信する第１の光部品を、くり貫き１７側に光信号を受信する第２の光部品を、それぞれ実装する。すると、第１の光部品から発射された信号光は、くり貫き１６を通過した後、光ファイバ１１のミラー部１４により反射されて進行方向が水平方向となり、光ファイバ１１内を他端に向かって伝達する。そして、他端側のミラー部１４により反射されて、光信号の進行方向は垂直方向となり、くり貫き１７を通過して、その直上に実装された第２の光部品により受信される。このような構成をとることにより、光ファイバ１１を介して部品間の光通信が可能である。
【０００８】
上述の光モジュール基板１０を製造するにあたっては、信号光が光ファイバ１１を伝わる際の減衰や、ビーム強度ピーク点の位置等を測定し、これらが所定の規格を満たしていることを確認する必要があるが、そのための測定手段としては、特許文献１、あるいは特許文献２にあるような測定装置が用いられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の光モジュール基板に光部品を搭載する際、光モジュール基板に電極パッドを形成し、この電極パッドに半田を介して光部品を実装することがある。この際、電極パッドの位置と、ビーム強度ピーク点の位置との相対位置精度のばらつきが大きい場合、光部品を実装した際、光部品の光軸と、光伝送路のビーム強度ピーク点とのずれが大きくなり、光伝送効率の低下をまねくこととなる。
【００１０】
従って、上述の光モジュール基板の製造にあたっては、上述の電極パッドの形成位置と、光伝送路のビーム強度ピーク位置との相対位置を測定し、これが所定の規格に合致しているか、ということも確認する必要性が生じる。しかし、特許文献１や特許文献２にあるような測定装置には、上述の相対位置を測定する機能はない。
【００１１】
ゆえに、この発明が解決しようとする課題は、光モジュール基板に設けられた基準位置と、光伝送路のビーム強度位置との相対位置を測定しうる測定装置及び測定方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためになされた請求項１に記載の発明は、光伝送路を備えた光モジュール基板の測定装置であって、以下の（１）から（５）を有することを特徴としている。
（１）測定光を発射する測定光発射部。
（２）測定光発射部から発射された測定光を光伝送路の一端に入射する測定光入射部。
（３）入射された測定光が光伝送路を伝わり、光伝送路の他端より出射された測定光を受信し、電気信号に変換する光測定部。
（４）光測定部に接続され、上記の電気信号を受信する演算部。
（５）演算部に接続され、光モジュール基板に設けられた基準位置の画像を撮像し、画像の信号を演算部に送信する画像撮像部。
【００１３】
この光モジュール基板測定装置は、演算部、光測定部、及び画像撮像部が一体化しているため、装置を小型化することができ、さらには、光モジュール基板内を伝達する光信号と、光モジュール基板に設けられた基準位置の画像とを、同時に認識することができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記演算部は、前記測定光のビーム強度のピーク点の位置座標及び前記基準位置の位置座標を算定すると共に、前記ピーク点の位置座標及び前記基準位置の位置座標から、前記ピーク点及び前記基準位置との相対位置を算定する算定手段を有することを特徴とする請求項１記載の光モジュール基板測定装置である。
【００１５】
この光モジュール基板測定装置によれば、光伝送路のビーム強度のピーク点と、基準位置との相対位置を算定することができ、光モジュール基板において、これらが所望の値を満たしているかを確認することができる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、光伝送路を備えた光モジュール基板を測定する測定方法であって、以下の（１）から（７）のステップを有することを特徴としている。
（１）測定光を発射するステップ。
（２）発射された上記測定光を上記光伝送路の一端に入射するステップ。
（３）入射された測定光が光伝送路を伝わり、光伝送路の他端より出射され、出射された測定光を受信し、電気信号に変換するステップ。
（４）上記の電気信号から、測定光のビーム強度のピーク点の位置座標を算定するステップ。
（５）光モジュール基板に設けられた基準位置の画像を撮像するステップ。
（６）上記の画像の信号より基準位置の位置座標を算定するステップ。
（７）ビーム強度のピーク点の位置座標及び基準位置の位置座標から、ピーク点及び上記基準位置との相対位置を算定するステップ。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明の光モジュール基板測定装置１により、光モジュール基板１０の光伝送特性を測定している状態を示す斜視図である。この光モジュール基板測定装置１は、測定光発射部２０、測定光分岐部２１、測定光入射部２２、光測定部３０、演算部３１、表示部３２、画像撮像部３３、及びＸＹステージ部３４からなる。
【００１８】
測定光発射部２０は、発光素子（図示せず）を有し、この発光素子から測定に用いるための測定光が発射される。この測定光は、使用する光デバイスの発振波長に合わせることができるように、波長選択が可能である。
【００１９】
発射された測定光は測定光分岐部２１により二つに分岐され、一つは測定光入射部２２に、一つは演算部３１に送られる。演算部３１に送られた信号光は、後述する光測定部３０が受信した、光ファイバ１１を通過した後の測定光と比較するために用いられる。
【００２０】
測定光入射部２２は、測定光を光ファイバ１１のミラー部１４に入射する機能を備えている。具体的には、伝送路ピッチに対応した光ファイバカプラを用い、測定光発射部２０より出力された測定光を光ファイバ１１の配線ピッチおよび配線径に対応させることができる機能、もしくは、測定領域にわたってコリメート化された測定光を発生させる機能を有している。
【００２１】
光測定部３０は、複数のリニアイメージセンサ（図示せず）、または、複数のフォトダイオードを有するフォトダイオードアレイ（図示せず）から構成される。光ファイバ１１を通過した測定光が、光測定部３０により受信された後、電気信号に変換され、演算部３１に送信される。演算部３１は、送られてきたこの電気信号から種々の演算処理を行い、所望する測定項目に関する情報、例えば、ビーム強度分布、ビーム強度ピーク点等を表示部３２に送り、表示する。
【００２２】
画像撮像部３３はＣＣＤカメラ（図示せず）を有する。このＣＣＤカメラは、画像を認識し、認識された画像は、電気信号に変換された後、演算部３１に送られる。演算部３１は種々の演算処理を行い、画像や任意の箇所の位置座標等が表示部３２に表示する。
【００２３】
この光モジュール測定装置１を用いて、光モジュール基板１０の光伝送特性を測定する方法を説明する。この測定方法は、次のステップからなる。
（Ａ）光モジュール基板１０をＸＹステージ部３４に載置し、くり貫き１６に測定光入射部２２をセットする。
（Ｂ）測定光発射部２０から、使用する光デバイスの発振波長を発射させる。例えば、波長が７８０ｎｍ、８５０ｎｍ、１３３０ｎｍ、１５５０ｎｍでピークを有する波長より、光デバイスで使用される信号光に合致するものを選択した測定光を発射する。
（Ｃ）くり貫き１７より発射された測定光を光測定部３０により受信した後、測定光のビーム強度ピーク点の位置座標を算定する。
（Ｄ）光モジュール基板１０に設けられた電極パッドの中心点を画像撮像部３３にて認識し、その位置座標を算定する。
（Ｅ）ビーム強度ピーク点の位置座標及び上記基準位置の位置座標の差を計算して、ビーム強度ピーク点及び電極パッドとの相対位置を算定する。
【００２４】
これら、一連のステップにおいて、（Ｃ）から（Ｅ）に記載の位置座標および相対位置の算定は、演算部３１に備えられた演算部（図示せず）により計算される。
【００２５】
【発明の効果】
以上の発明によれば、光モジュール基板におけるビーム強度ピーク点及び光モジュール基板に設けられた基準位置との相対位置を測定しうる光モジュール基板測定装置、及び、この測定装置を用いた測定方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光モジュール基板測定装置の斜視図。
【図２】光モジュール基板の形態の一例を示す図。
【符号の説明】
１０　　　　　　光モジュール基板
１１　　　　　　光ファイバ
１２　　　　　　プリント基板
１３　　　　　　プリント基板
１４　　　　　　ミラー部
１６　　　くり貫き
１７　　　くり貫き
２０　　　　　　測定光発射部
２１　　　　　　測定光分岐部
２２　　　　　　測定光入射部
３０　　　　　　光測定部
３１　　　　　　演算部
３２　　　　　　表示部
３３　　　　　　画像撮像部
３４　　　　　　ステージ部
【図１】
2004101435.tif 000003
【図２】
2004101435.tif 000004