(57)【要約】      （修正有）【課題】ＣＤの制御を改善するＢＡＲＣエッチングを提供すること。【解決手段】ＢＡＲＣエッチングは、ＣＤ制御のための高重合性ガスと一緒に選択性エッチング化学薬品を含む。ＢＡＲＣエッチングをビア先行デュアルダマシン法に用いることができる。ビア１１６のパターン形成及びエッチングの後、厚いＢＡＲＣ層１２０を堆積してビア１１６を充填し、ＩＭＤ１１０を被覆する。トレンチレジストパターン１２５をＢＡＲＣ層１２０の上に形成する。次いで、ＩＭＤ１１０上のＢＡＲＣ１２０の露出部分を、選択性エッチング化学薬品に加えた高重合性ガスを用いてエッチングする。より多くの重合性ガスはトレンチレジスト１２５の側壁を不動態化してトレンチのＣＤを維持し、又は改善する。主要なトレンチエッチングの間、ＢＡＲＣ１２０の一部がビア内に残って、ビア１１６の底部のエッチング停止材１０４を保護する。【選択図】図２Ｃ
2004289155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成可能な層を有する半導体本体を提供するステップと、
前記パターン形成可能な層の上にＢＡＲＣ層を堆積するステップと、
前記ＢＡＲＣ層の上にレジストマスクを形成するステップであって、前記レジストマスクが前記ＢＡＲＣ層の一部を露出させるステップと、
選択性エッチング化学薬品を前記レジストマスクの側壁を不動態化するための高重合性ガスと一緒に用いて、前記パターン形成可能な層の上に前記ＢＡＲＣ層の露出部分をエッチングするステップとを含む集積回路を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に集積回路形成の分野に関し、さらに詳細には、例えば相互接続構造を形成するためのデュアルダマシンプロセスフローに用いることのできる有機底面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）エッチングに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの密度が高くなるとともに、半導体デバイスを互いに接続する相互接続層の要求も高くなる。したがって、従来のアルミニウムの金属相互接続を銅の相互接続へ切り替え、かつ従来の二酸化ケイ素ベースの誘電体から有機ケイ酸ガラス（ＯＳＧ）などの低ｋ誘電体へ切り替える必要がある。銅の相互接続及び新しい低ｋ誘電体で動作する半導体製造プロセスが依然必要とされている。従来のアルミニウムのサブトラクティブプラズマドライエッチングに比べて、半導体製造環境に適した銅のエッチングは容易に得られない。銅エッチングに関わる問題を克服するために、ダマシンプロセスが開発された。
【０００３】
ダマシンプロセスでは、まずＩＭＤ（金属間誘電体）を形成する。次いでＩＭＤをパターン形成しエッチングして相互接続配線用のトレンチを形成する。接続ビアがまだ形成されていなかった場合、デュアルダマシンプロセスを用いることができる。デュアルダマシンプロセスでは、ＩＭＤ１４中にトレンチを形成し、（中間レベルの誘電体）ＩＬＤ１２中に下部の相互接続レベルへ接続するためのビアをエッチングする。次いで構造上にバリア層１６及び銅のシード層を堆積する。バリア層１６は一般に窒化タンタル又は他のある種の二元遷移金属窒化物である。次いでシード層を用いて表面全体の上に銅層を電気化学的に堆積させる。次いで銅を化学的機械研磨（ＣＭＰ）にかけてＩＭＤ１４の上の銅を除去して、図１に示すように銅相互接続配線１８とビア２０を残す。それによって金属エッチングが回避される。
【０００４】
デュアルダマシンプロセスにおいて、パターン形成及びエッチングは、トレンチとビアのいずれかを銅で充填する前に形成する必要があるため、問題が生じる。トレンチ先行のプロセスとビア先行のプロセスの両方が開発されつつある。ビア先行のプロセスでは、ビアをパターン形成しエッチングし、続いてトレンチをパターン形成する。ビアのエッチング停止層がエッチングされるのを防ぐために、トレンチのエッチングの間、ビアの底面を保護する必要がある。追加の処理上の問題を生じることなくトレンチのエッチングの間ビアを保護するデュアルダマシン法が望まれている。さらに、新しい技術では半導体デバイスにますます小さな臨界寸法（ＣＤ）が要求されるので、ＣＤ制御はより重要になる。小さなＣＤを再現可能とするために、半導体プロセスは制御可能でなければならない。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明はＢＡＲＣエッチングである。スピンオン（ｓｐｉｎ−ｏｎ）有機ＢＡＲＣは、しばしばレジストパターン形成中の基板の反射を低減するために使用される。ＢＡＲＣエッチングはＣＤ制御のための高重合性ガスとともに選択エッチング化学薬品を含む。一実施形態において、ＢＡＲＣエッチングはビア先行のデュアルダマシン法に用いられる。ビアのパターン形成及びエッチングの後、ビアは厚いＢＡＲＣで充填される。トレンチがパターン形成されエッチングされる。トレンチをエッチングする間、露出したＢＡＲＣ層は、選択エッチング化学薬品に加えた高重合性ガス（又は複数のガス）を用いてエッチングされる。高重合性ガス（又は複数のガス）はトレンチのレジスト側壁を不動態化する。このようにして、エッチングは臨界寸法（ＣＤ）を増大させることなく、かつ誘電体の損失も少なく、全てのＢＡＲＣが除去されるまで継続される。
【０００６】
本発明の利点はＣＤ制御を改善するＢＡＲＣエッチングを提供することである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
この利点及び他の利点は、図面とともに明細書を参照することによって、当分野の技術者には明らかであろう。
【０００８】
ビア先行デュアルダマシンプロセスでは、トレンチをエッチングする間、ビアエッチング停止層を保護することが望ましい。トレンチのパターン形成に必要なＢＡＲＣはビアの充填にも使用することができる。ビアのトポグラフィ（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）が厳しいため、均一なＢＡＲＣの充填は困難である。例えば、薄いＢＡＲＣ充填を用いると、密度の低い領域のビアは充填されるが、より密度の高い領域のビアは部分的にしか充填されない。不均一であると、トレンチのパターン形成が困難になり、ビアのトポグラフィが全体にわたって一貫しない。
【０００９】
トレンチのパターン形成を改善するために、高密度のビア領域でも完全なＢＡＲＣ充填が達成されるように、厚いＢＡＲＣの充填が用いられる。しかし、そうすると長いＢＡＲＣエッチングとビアのトポグラフィが全体にわたって均一性に欠けるためトレンチのエッチングがより難しくなる。使用する化学薬品によっては、この延長されたエッチングによってトレンチのＣＤが増大し、かつ／又は頂部表面のＢＡＲＣがより薄いために、より高密度の領域のＯＳＧが過大に除去される。例えば、ＣＦ４／Ｏ２／ＡｒＢＡＲＣのエッチングはＯＳＧに対して比較的選択性が低く（すなわち〜１：１．５）、高密度領域でＯＳＧの大部分が除去されることになる。他方、Ｎ２／Ｏ２のエッチングは選択性が高い（すなわち＞２０：１）が、ＢＡＲＣエッチングの延長によってトレンチのＣＤが増大する。
【００１０】
これらの困難を克服するために、本発明では高重合性ガス又は複数のガス（ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８など）を選択性の高いエッチング化学薬品に加えて、ＣＤ制御を向上させたＢＡＲＣエッチングを提供する。望ましい選択性の程度は用途による。上記のトレンチのパターン形成及びエッチングには、１０：１以上の選択性が望ましい。低重合性ガスの例にはＣＦ４、ＮＦ３、Ｃ２Ｆ６、ＣｘＦ３ｘ＋ｙ（Ｙ＞＝０）がある。高重合性ガスの例にはＣ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨｘＦ４−ｘ（ｘ＞０）がある。高重合性ガスは、Ｃ：Ｆの比が１：３以上（ＣｘＦｙのとき）、かつ（Ｃ＋Ｈ）：Ｆの比が１：１以上（ＣｘＨｙＦｚのとき）のものである。高重合性ガスは、エッチングされた形状のＣＤを維持し、さらに減少さえさせる不動態化機構を提供する。これはレジストマスクの側壁及びエッチングされた層に形成される不動態層によって達成される。デュアルダマシントレンチプロセスの場合、ＢＡＲＣエッチングの間、トレンチのレジスト側壁が保護され、したがって最終的なトレンチのＣＤが維持される。
【００１１】
一例では、好ましい実施形態では高重合性ガス（ＣＨ２Ｆ２）を化学薬品Ｎ２／Ｏ２に加える。化学薬品Ｎ２／Ｏ２はＢＡＲＣ層とＯＳＧの間の高い選択性を提供する。プロセスの一例は以下の通りである。
圧力：            １５ｍトル
電力：            ２００ワット
ＣＨ２Ｆ２流量：    ２０ｓｃｃｍ
Ｎ２流量：          ８０ｓｃｃｍ
Ｏ２流量：          ２０ｓｃｃｍ
チャック温度：    ２０℃
【００１２】
上記のプロセスでは、ＢＡＲＣのエッチング速度が〜２２００Å／分、ＯＳＧのエッチング速度が約１１Å／分になる。２４００ÅのＢＡＲＣにおいて、トレンチエッチングＣＤのシフトは、ＣＨ２Ｆ２を加えないＣＤシフトの約＋３０ｎｍに比べて約−１５ｎｍである。したがって、良好なＣＤ制御と非常に選択性のあるエッチング速度の両方が達成される。
【００１３】
本発明の好ましい実施形態を、誘電体として有機ケイ酸ガラス（ＯＳＧ）を用いるビア先行デュアルダマシンプロセスに関して説明する。当分野の技術者であれば、本発明が、ＦＳＧ（フッ素ドープケイ酸ガラス）のデュアルダマシントレンチエッチング、ビア又はコンタクトホールエッチング、同様に他のデュアルダマシンエッチングもしくは単一ダマシンエッチングなど、ＣＤを制御する他のＢＡＲＣエッチングプロセスに使用できることは明らかであろう。例えば、パターンがレジストの頂部層に存在する、二層もしくは三層レジストを用いるデュアルダマシンプロセスにおいて、本発明を用いて二層レジストの底部レジスト、又は三層レジストの中間及び底部層をエッチングして、ＣＤを維持することができる。
【００１４】
図２Ａを参照すると、半導体本体１００は第１相互接続レベル１０２を形成することによって加工される。第１相互接続レベル１０２は実際に金属１とすることができ、又最上部の相互接続レベル以外の任意の金属相互接続レベルとすることもできる。第１相互接続レベル１０２の上にエッチング停止層１０４を形成する。好ましい実施形態では、エッチング停止層１０４は窒化ケイ素を含む。ＳｉＣなど、エッチング停止層１０４の代替材料が従来技術で知られている。
【００１５】
エッチング停止層１０４の上にＩＬＤ層１０６を堆積させる。ＩＬＤ層１０６の上にＩＭＤ１１０を堆積させる。必要であれば、ＩＬＤ１０６とＩＭＤ１１０の間にエッチング停止層を形成することもできる。また、このエッチング停止層は窒化ケイ素を含むこともできる。好ましい実施形態において、ＩＬＤ１０６及びＩＭＤ１１０はＯＳＧを含む。ＦＳＧなど、代替の誘電体材料が従来技術で知られている。
【００１６】
やはり図２Ａを参照すると、ＩＭＤ１１０及びＩＬＤ１０６中にビア１１６をエッチングする。一般に、レジストマスク（図示せず）をビアのパターン形成及びエッチングに使用する。任意選択で硬質マスクをＩＭＤ層の上面に堆積することができる。適切なエッチング化学薬品は従来技術で知られている。例えば、ＯＳＧの場合、ＩＭＤ１１０及びＩＬＤ１０６のエッチングはＣ４Ｆ８／Ｎ２／Ａｒを含むことができる。無論、エッチング化学薬品は、使用する誘電体（１０６／１１０）、エッチング停止材、及び硬質マスク材料によって変わる。
【００１７】
図２Ｂを参照すると、ビア１１６を充填するためにＢＡＲＣ層１２０を堆積させる。好ましくは、単一のＢＡＲＣ層を堆積して層１２０を形成する。ＢＡＲＣ層の厚さは、ビアのＣＤ、ビアの深さ、及びビアの密度に大きく依存する。例えば、２４００Å程度のＢＡＲＣの厚さが、ビアのトポグラフィ全体を完全に充填するために必要となり得る。
【００１８】
図２Ｃを参照すると、ＢＡＲＣ層１２０の上にトレンチパターン１２５を形成する。デュアルダマシンプロセスにおいてトレンチ及びビアを形成するために、種々の方法が開発されている。例えば、トレンチパターン１２５はＢＡＲＣ充填の後に形成し、レジストマスクと硬質マスクの両方を備えることができる。
【００１９】
図２Ｄを参照すると、露出されたＢＡＲＣ層１２０はトレンチエッチング中のＢＡＲＣエッチングの間に除去される。ＩＭＤ１１０に対してＢＡＲＣに高い選択性のあるエッチング化学薬品を高重合性ガスと一緒に使用する。高重合性ガスは、例えば、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８を含む。高重合性ガスが存在することによってトレンチパターン１２５の側壁が不動態化される。不動態化層は長いＢＡＲＣエッチングの間トレンチパターン１２５のＣＤを維持する。ＯＳＧ（ＩＭＤ１１０及びＩＬＤ１０６用の）の場合、以下のＢＡＲＣエッチング化学薬品を使用することができる。
圧力：            １５ｍトル
電力：            ２００ワット
ＣＨ２Ｆ２流量：    ２０ｓｃｃｍ
Ｎ２流量：          ８０ｓｃｃｍ
Ｏ２流量：          ２０ｓｃｃｍ
チャック温度：    ２０℃
【００２０】
ＢＡＲＣのエッチングは、図２Ｄに示すように、ＢＡＲＣ層１２０がＩＭＤ１１０の露出部の上で除去されるまで継続される。ＢＡＲＣエッチングの後、ＢＡＲＣ層１２０の一部がビア中に残って、主要なトレンチエッチングの間エッチング停止層１０４を保護する。次いで主トレンチエッチングを実施して、ＩＭＤ１１０の露出部分を除去する。適切なエッチング化学薬品は従来技術で知られている。例えば、ＯＳＧの場合、エッチング化学薬品はＣ４Ｆ８／Ｎ２／Ａｒを含むことができる。主トレンチエッチングの後、図２Ｅに示すように、トレンチレジストパターン１２５及びＢＡＲＣ層１２０の残りを全て除去する。
【００２１】
次に、ビア１１６の底部のエッチング停止層１０４の残りの部分をエッチングすることによって、ビア１１６を開口する。次いで、図２Ｆに示すように、必要なバリア層と銅充填を形成し、ＣＭＰを行って第２相互接続層１２６を形成する。例えば、トレンチ１２４及びビア１１６内にＴａＮバリアを堆積させ、続いて銅のシード層を堆積させることができる。電気めっきプロセスを用いて銅の充填層が形成される。次いで銅を、ＩＭＤ１１０と比較的平坦になるまで化学的機械研磨を施す。次いで上記のプロセスを繰り返して追加の金属相互接続層を形成することができる。
【００２２】
本発明を例示的な実施形態に関して説明したが、この記述を制限の意味に解釈すべきではない。当業者であれば、本説明を参照することによって、例示の実施形態の様々な修正及び組合せ、並びに本発明の他の実施形態は明らかであろう。したがって、添付の特許請求の範囲は、それらの修正又は実施形態を全て包含するものである。
【００２３】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
（１）パターン形成可能な層を有する半導体本体を提供するステップと、
前記パターン形成可能な層の上にＢＡＲＣ層を堆積するステップと、
前記ＢＡＲＣ層の上にレジストマスクを形成するステップであって、前記レジストマスクが前記ＢＡＲＣ層の一部を露出させるステップと、
選択性エッチング化学薬品を前記レジストマスクの側壁を不動態化するための高重合性ガスと一緒に用いて、前記パターン形成可能な層の上に前記ＢＡＲＣ層の露出部分をエッチングするステップとを含む集積回路を製造する方法。
（２）前記パターン形成可能な層が誘電体を含み、前記ＢＡＲＣ層の露出部分をエッチングする前記ステップの後に、前記レジストマスクを使用して前記誘電体中にトレンチをエッチングするステップをさらに含む第１項記載の方法。
（３）前記パターン形成可能な層が誘電体を含み、前記ＢＡＲＣ層の露出部分をエッチングする前記ステップの後に、前記レジストマスクを使用して前記誘電体中にビアホールをエッチングするステップをさらに含む第１項記載の方法。
（４）前記パターン形成可能な層が誘電体を含み、前記ＢＡＲＣ層の露出部分をエッチングする前記ステップの後に、前記レジストマスクを使用して前記誘電体中にコンタクトホールをエッチングするステップをさらに含む第１項記載の方法。
（５）前記高重合性ガスが、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８からなる群から選択される第１項記載の方法。
（６）誘電体層が半導体本体上に形成された半導体本体を提供するステップと、
前記誘電体層の上にＢＡＲＣ層を堆積するステップと、
前記ＢＡＲＣ層上のレジストマスクをパターン形成するステップであって、前記レジストマスクが前記ＢＡＲＣ層の一部を露出するステップと、
前記ＢＡＲＣ層の露出部分を、選択性エッチング化学薬品と高重合性ガスを用いて、レジストマスクのパターンのＣＤを増大させずにエッチングするステップと、
前記誘電体層中に空洞をエッチングするステップとを含む集積回路を製造する方法。
（７）前記誘電体がＯＳＧを含む第６項記載の方法。
（８）前記選択性エッチング化学薬品がＮ２とＯ２を含む第７項記載の方法。
（９）前記より多くの重合性ガスが、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８からなる群から選択される第６項記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来のデュアルダマシン相互接続構造の断面図である。
【図２Ａ】本発明によるビア先行のデュアルダマシン相互接続構造の様々な製造段階における断面図である。
【図２Ｂ】本発明によるビア先行のデュアルダマシン相互接続構造の様々な製造段階における断面図である。
【図２Ｃ】本発明によるビア先行のデュアルダマシン相互接続構造の様々な製造段階における断面図である。
【図２Ｄ】本発明によるビア先行のデュアルダマシン相互接続構造の様々な製造段階における断面図である。
【図２Ｅ】本発明によるビア先行のデュアルダマシン相互接続構造の様々な製造段階における断面図である。
【図２Ｆ】本発明によるビア先行のデュアルダマシン相互接続構造の様々な製造段階における断面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１４、１１０  ＩＭＤ
１２  ＩＬＤ
１６  バリア層
１８  相互接続配線
２０、１１６  ビア
１００  半導体本体
１０２  第１相互接続レベル
１０４  エッチング停止層
１０６  ＩＬＤ層
１２０  ＢＡＲＣ層
１２４  トレンチ
１２５  トレンチパターン
１２６  第２相互接続層
【図１】
2004289155.tif 000003
【図２Ａ】
2004289155.tif 000004
【図２Ｂ】
2004289155.tif 000005
【図２Ｃ】
2004289155.tif 000006
【図２Ｄ】
2004289155.tif 000007
【図２Ｅ】
2004289155.tif 000008
【図２Ｆ】
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