(57)【要約】　　　（修正有）【課題】光発光消滅素子の行列ディスプレイパネルを駆動する回路及びそれを使用した行列ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】ＰＱＤを備えた行列ディスプレイパネルは、画素単位毎に活性化トランジスタ４１１及び駆動トランジスタ４２１を含み、前者は走査ラインの電位によりターンオンされてデータラインの電位を出力し、後者は基準電圧端子４３０と光発光消滅素子４００との間に連結されて、活性化トランジスタがターンオンされる場合にデータラインの電位に基づいて基準電圧端子の電位を光発光消滅素子のアノードに印加する構成である。放射モードでは放射する光発光消滅素子の駆動トランジスタがターンオンされて、光発光消滅素子のアノードとカソードとの間に順方向電圧が印加され、又、再放射モードでは光発光消滅素子の駆動トランジスタがターンオフされて光発光消滅素子のアノードとカソードとの間に電圧が印加されないように駆動する。【選択図】　　　　　　図６
2004094208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々の走査ラインとデータラインとにより設定された画素で光発光消滅素子が備えられた行列ディスプレイパネルを駆動する回路において、
前記走査ラインの電位によりターンオンされて、前記データラインの電位を出力する活性化トランジスタと、
基準電圧端子と光発光消滅素子との間に連結されて、前記活性化トランジスタがターンオンされる場合に前記データラインの電位により前記基準電圧端子に印加される電位を前記光発光消滅素子のアノードに印加する駆動トランジスタとを含み、
放射モードが適用される場合に放射する光発光消滅素子の駆動トランジスタがターンオンされて前記光発光消滅素子のアノードとカソードとの間に順方向電圧が印加され、
再放射モードが適用される場合に光発光する光発光消滅素子の駆動トランジスタがターンオフされて前記光発光消滅素子のアノードとカソードとの間には電圧が印加されないようにしたことを特徴とする駆動回路。
【請求項２】
前記放射モードが適用される場合に前記基準電圧端子に印加される電圧に対する負極性電圧が前記光発光消滅素子のカソードに印加されることを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
【請求項３】
前記再放射モードが適用される場合に前記基準電圧端子に印加される電圧に対する正極性電圧が前記光発光消滅素子のカソードに印加されることを特徴とする請求項２に記載の駆動回路。
【請求項４】
前記活性化トランジスタ及び駆動トランジスタが電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
【請求項５】
前記活性化トランジスタ及び駆動トランジスタがＰチャンネル電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項４に記載の駆動回路。
【請求項６】
前記基準電圧端子に前記駆動トランジスタのソースが連結され、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に貯蔵キャパシタが連結されることを特徴とする請求項５に記載の駆動回路。
【請求項７】
前記活性化トランジスタのゲートが前記走査ラインに連結されることを特徴とする請求項６に記載の駆動回路。
【請求項８】
前記活性化トランジスタのソースが前記データラインに連結されることを特徴とする請求項７に記載の駆動回路。
【請求項９】
前記駆動トランジスタのゲートが前記活性化トランジスタのドレーンに連結されることを特徴とする請求項８に記載の駆動回路。
【請求項１０】
前記駆動トランジスタのドレーンが前記光発光消滅素子のアノードに連結されることを特徴とする請求項９に記載の駆動回路。
【請求項１１】
前記放射モードが適用される場合に放射されていない光発光消滅素子の駆動トランジスタがターンオフされて前記光発光消滅素子のアノードとカソードとの間には電圧が印加されないようにしたことを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
【請求項１２】
前記再放射モードが適用される場合に放射されない光発光消滅素子の駆動トランジスタがターンオンされて前記光発光消滅素子のアノードとカソードとの間に逆方向電圧が印加されることを特徴とする請求項１に記載の駆動回路。
【請求項１３】
各々の走査ラインとデータラインにより設定された画素であって光発光消滅素子を備えた行列ディスプレイパネルと、
放射モードで前記光発光消滅素子各々の階調により前記光発光消滅素子各々のアノードとカソードとの間に順方向電圧を印加し、再放射モードで前記光発光消滅素子各々の階調により前記光発光消滅素子各々のアノードとカソードとの間に逆方向電圧を印加する駆動回路とを含んでいることを特徴とする行列ディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記放射モードで前記光発光消滅素子各々のアノードとカソードとの間に印加される前記順方向電圧の絶対値が前記光発光消滅素子各々の階調に比例していることを特徴とする請求項１３に記載の行列ディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記再放射モードで前記光発光消滅素子各々のアノードとカソードとの間に印加される前記逆方向電圧の絶対値が前記光発光消滅素子各々の階調に反比例していることを特徴とする請求項１３に記載の行列ディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記駆動回路が、
前記走査ラインの電位によりターンオンされて、前記データラインの電位を出力する活性化トランジスタと、
基準電圧端子と光発光消滅素子との間に連結されて、前記活性化トランジスタがターンオンされる場合に前記データラインの電位により前記基準電圧端子に印加される電位を前記光発光消滅素子のアノードに印加する駆動トランジスタとを含んでいることを特徴とする請求項１３に記載の行列ディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記放射モードで前記基準電圧端子に印加される電圧に対する負極性電圧が前記光発光消滅素子のカソードに印加されることを特徴とする請求項１６に記載の行列ディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記再放射モードで前記基準電圧端子に印加される電圧に対する正極性電圧が前記光発光消滅素子のカソードに印加されることを特徴とする請求項１７に記載の行列ディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記活性化トランジスタ及び駆動トランジスタが電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１６に記載の行列ディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記基準電圧端子に前記駆動トランジスタのソースが連結され、前記駆動トランジスタのゲートとソースとの間に貯蔵キャパシタが連結されることを特徴とする請求項１９に記載の行列ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光発光消滅素子の行列ディスプレイパネルを駆動する回路及びその回路を採用した行列ディスプレイ装置に係り、より詳しくは各々の走査ラインとデータラインとにより設定された画素で光発光消滅素子（ＰＱＤ）（Ｐｈｏｔｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ　Ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ　Ｄｅｖｉｃｅ）が備えられた行列ディスプレイパネルを駆動する回路及びその回路を採用した行列ディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＯＬＥＤから構成された平板ディスプレイ装置は高輝度と広視野角とを有する。自放射技術に起因して、ＯＬＥＤはバッグライトを不要にするために、低い周囲照度又は普通の周囲照度下で非常に有効である。しかし、日光が直接照射される場合のように高い周囲照度の条件下では、必要な輝度を得るために大電力がＯＬＥＤに印加されなければならない。さらに、発光構造の素子を活性化しようとすると相対的に大電流が要求される。
【０００３】
前記のような事項を勘案して見れば、液晶ディスプレイ装置等に適用される反射及び再放射技術が非常に有効である。しかし、かかるディスプレイ装置の場合、低い周囲照度下でバッグライトが必要なので、ディスプレイ装置のサイズが大きくなり、追加的な電力が必要であるという問題点がある。
【０００４】
一方、放射及び再放射動作が可能なＯＬＥＤの構造は特許文献１に提示されている。ここに提示された光発光消滅素子（ＰＱＤ）の画素は、その構造がＯＬＥＤと類似し、バッグライトがない放射モード及び再放射モードの実現が可能である。
【０００５】
一方、ＯＬＥＤの活性化のための駆動回路はＩＢＭ社の特許文献２、サンオフ（Ｓａｒｎｏｆｆ）社の特許文献３、そしてＣＤＴ社の特許文献４から知られている。しかし、かかる駆動回路によると、ＯＬＥＤの放射モードのみが可能であるという問題点がある。従って、周囲照度が高い場合に放射構造の素子を活性化するために単純に強電流が必要なことにより、駆動回路の製造コストが相対的に高まる。
【０００６】
【特許文献１】
ドイツ特許公開ＤＥ１００４２９７４　Ａ１号公報
【特許文献２】
米国特許ＵＳ００６１５７３５６号公報
【特許文献３】
米国特許ＵＳ００５９５２７８９号公報
【特許文献４】
国際特許公開ＷＯ９９／４３０２８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＰＱＤの放射モード及び再放射モードの動作を可能にして、明るい周囲照度で少ない電流量でも十分な輝度を得ることができるようにして、ディスプレイ装置の消費電力及び製造コストを減らすことができる行列ディスプレイパネルの駆動回路及びその回路を採用した行列ディスプレイ装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を成すための本発明の駆動回路は、各々の走査ラインとデータラインにより設定された画素でＰＱＤが備えられた行列ディスプレイパネルを駆動する回路であって、活性化トランジスタ及び駆動トランジスタを含む。前記活性化トランジスタは、前記走査ラインの電位によりターンオンされて、前記データラインの電位を出力する。前記駆動トランジスタは、基準電圧端子とＰＱＤとの間に連結されて、前記活性化トランジスタがターンオンされる場合に前記データラインの電位により前記基準電圧端子に印加される電位を前記ＰＱＤのアノードに印加する。ここで、放射モードが適用される場合に放射するＰＱＤの駆動トランジスタがターンオンされ、前記ＰＱＤのアノードとカソードとの間に順方向電圧が印加される。又、再放射モードが適用される場合にＰＱＤの駆動トランジスタがターンオフされて前記ＰＱＤのアノードとカソードとの間に電圧が印加されない。
【０００９】
前記本発明の駆動回路によると、前記活性化トランジスタ及び前記駆動トランジスタの動作により前記ＰＱＤの放射モード及び再放射モードが実行されうる。即ち、明るくない周囲照度で前記放射モードが実行され、明るい周囲照度で前記再放射モードが実行されうる。これにより、明るい周囲照度で少ない電流量でも十分な輝度を得ることができるため、ディスプレイ装置の消費電力及び製造コストを節減できる。
【００１０】
又、前記目的を成すための本発明の行列ディスプレイ装置は行列ディスプレイパネル及び駆動回路を含む。前記行列ディスプレイパネルは各々の走査ラインとデータラインとにより設定された画素でＰＱＤを備える。前記駆動回路は、放射モードで前記ＰＱＤ各々の階調により前記ＰＱＤ各々のアノードとカソードとの間に順方向電圧を印加し、再放射モードで前記ＰＱＤ各々の階調により前記ＰＱＤ各々のアノードとカソードとの間に逆方向電圧を印加する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施の形態を詳細に説明する。
【００１２】
図１を参照して、通常的なＰＱＤの構造を先ず説明すれば次の通りである。
【００１３】
光浸透性アノード２は透明基板６上に配列される。光浸透性アノード２上に正孔注入層３があり、この正孔注入層３上に放射物質層４が積み重なる。カソード１は放射物質層４上に位置する。正孔注入層３及び放射物質層４にポリマー物質が使用される場合、正孔注入層３は、スピンコーティング、噴霧、スクレイプ・デポジティング及びインクジェットプリンティングによりＰＥＤＯＴ（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ　ＤｉＯｘｉｄｅ　Ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリスチレンスルホン酸及びポリアニリンを分散させることにより形成されうる。又、スピンコーティング、噴霧、スクレイプ・デポジティング、スプレッディング及びインクジェットプリンティングによりポリフェニリンビニレン及びポリフルロリンが放射物質層４に形成されうる。低分子物質が正孔注入層３と放射物質層４として使用される場合、シャドウマスクによる真空分離及び組み合わせ技術によりこの活性層３、４が形成されうる。図１で参照符号５は入射光を、そして７は射出光を各々指す。
【００１４】
ＰＱＤの放射モードを示す図２Ａを参照すれば、ＰＱＤ内に注入される電荷搬送子は光７ａの放射を随伴する励起状態を通じて再結合５ａを遂行する。図２Ａで参照符号６ａは過度な励起状態を指す。正孔はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　ＴｉｎＯｘｉｄｅ）、またはＩＴＯとＰＥＤＯＴの混合物よりなるアノード２を通じて注入（３ａ）される。一方、カルシウム又はアルミニウムのような金属より成った負極性カソード１を通じて電子が注入（４ａ）される。カソード１は適切な電荷注入のために遮断機能を遂行する無機物質の絶縁層を含みうる。電流源はＰＱＤのアノード２とカソード１との間に連結される。電流の流れは電子発光物質の光放射を誘導する。この放射モードにおいてＰＱＤの電流源は順方向にスイッチングされる。
【００１５】
ＰＱＤの再放射モードを示す図２Ｂを参照すれば、放射物質層４に入射される外部光５ｂが再放射のための光発光光７ｂに変換される。即ち、光発光消滅モードの動作が遂行される。この光発光消滅モードにおいて、逆方向電界により有機物質からの光発光放射が抑制される。優先的に、放射物質層４は外部的な入射光５ｂにより光学的に励起される。この励起状態は数ナノ秒の短時間の間、光発光放射が遂行される間に解除される。この場合の放射光は放射物質による色を帯びる。
【００１６】
ここで、ＰＱＤのアノード２とカソード１との間に逆方向電圧が印加されれば、放射物質層４内には電界が発生する。この電界は、光発光放射が完成される前に電荷搬送子の励起条件を解除する（６ａ）。ここで、励起状態の総回数が少なくなるにつれて光発光光の強度も弱くなる。従って、印加電圧により光発光放射の強度が制御されうる。ここで、電圧が印加されていない場合に光発光放射の強度が最大値を有する。量子効率の側面で光発光消滅モードは明瞭な利点を有する。励起消滅の各段階において電荷搬送子対が各電極１，２に順次に吸収される（３ｂ，４ｂ）。これに比べて、標準単一体の放射物質の一励記状態は少なくとも４つの電荷搬送子対の投入を要求する。
【００１７】
図３は図１のＰＱＤを駆動する本発明の駆動回路を示す。本発明に係る駆動回路の主要回路である活性化回路２１５は走査ライン２６０、データライン２５０及び基準電圧端子（Ｕｂ）２３０に連結される。ＰＱＤ２００は活性化回路２１５とカソード電圧端子（Ｕｃ）２４０との間に連結される。
【００１８】
走査ライン２６０に走査電圧を印加すると同時にデータライン２５０にデータ電圧を印加するライン走査動作において、放射時間で活性化回路２１５によりＰＱＤ２００のアノードとカソードとの間に順方向電圧が印加され、光発光消滅時間で活性化回路２１５によりＰＱＤ２００のアノードとカソードとの間に逆方向電圧が印加される。このために、ライン走査動作でＵｂ２３０とＵｃ２４０に電圧を適切に印加することが必要である。参照符号２０１は、ＰＱＤのアノードとカソードとの間に印加される電圧を指し、より詳しくは放射時間での順方向電圧と再放射時間での逆方向電圧とを指す。
【００１９】
前記駆動回路をＮ本の走査ラインとＭ本のデータラインについて連結すれば、Ｎ×Ｍ行列ディスプレイパネルが構成されうる。図４は図３の駆動回路がＰＱＤの３×３行列ディスプレイパネルに適用された状態を示す。各々の走査ライン２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃは、各々の映像情報を、活性化回路２１５を通じて各々のＰＱＤ２００に再現するために、単位走査周期毎に順次に活性化される。ここで、映像情報による制御電圧がデータライン２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃに印加される。このような走査動作が一定に反復進行されることにより映像情報がディスプレイパネルに示されうる。
【００２０】
図５は図３の駆動回路を詳細に示す。活性化用第１回路３１０は走査ライン３６０とデータライン３５０とに各々連結される。駆動用第２回路３２０は第１回路３１０、ＰＱＤ３００及びＵｂ３３０に各々連結される。ＰＱＤ３００は駆動用第２回路３２０とＵｃ３４０との間に連結される。以下、Ｕｂ３３０についての各地点の電圧関係が説明される。
【００２１】
Ｕｂ３３０には０Ｖが印加される。Ｕｃ３４０は、ＰＱＤ３００の放射モードで負極性を取り、ＰＱＤ３００の再放射モードで正極性を取る。図５で参照符号３０１，３４１，３５１，３６１は放射及び再放射モードのために各地点に印加される電圧信号を指す。より詳しくは、参照符号３０１はＰＱＤ３００のアノードとカソードとの間に印加される電圧波形を、３４１はＵｃ３４０に印加される電圧波形を、３５１はデータライン３５０に印加される電圧波形を、そして３６１は走査ライン３６０に印加される電圧波形を各々指す。
【００２２】
ライン走査動作において、走査ライン３６０に負極性走査電圧が印加されれば、データライン３５０に印加される電圧が活性化された第１回路３１０を通じて駆動用第２回路３２０に印加される。それにより、駆動用第２回路３２０の動作によりＵｂ３３０に印加される電圧がＰＱＤ３００のアノードに印加される。ここで、ＰＱＤ３００のＵｃ３４０に負極性電圧が印加されるため、ＰＱＤ３００のアノードとカソードとの間に順方向電圧が印加される。これにより、ＰＱＤ３００は明るい画素になる。ここで、データライン３５０に印加される電圧が負極性電圧ではない０Ｖなら、ＰＱＤ３００に０Ｖが印加されて、ＰＱＤ３００は暗い画素になる。
【００２３】
ここで、走査ライン３６０に０Ｖが印加されて第１回路３１０が非活性化されても、ＰＱＤ３００に印加される電圧は、次の走査動作が成されるまでデータライン３５０の電圧と関係なく維持される。
【００２４】
再放射モードは光発光のために十分な周囲光が存在することを前提とする。ライン走査動作において、活性化用第１回路３１０に連結された走査ライン３６０に０Ｖが印加され、ＰＱＤ３００のＵｃ３４０に正極性電圧が印加された状態で、データライン３５０に０Ｖが印加されれば、駆動用第２回路３２０の動作により光発光消滅のための逆方向電圧がＰＱＤ３００のアノードとカソードとの間に印加される。これにより、ＰＱＤ３００は暗い画素になる。ここで、０Ｖの代わりに正極性電圧がデータライン３５０に印加されれば、ＰＱＤ３００のアノードとカソードとの間に電圧が印加されないため、光発光が遂行されることにより明るい画素になる。
【００２５】
次に、走査ライン３６０に正極性電圧が印加されて第１回路３１０がターンオフ状態になっても、ＰＱＤ３００に印加された電圧は、次の走査動作が成されるまでデータライン３５０の電圧と関係なく持続的にＰＱＤ３００に印加される。
【００２６】
図６はＰチャンネル薄膜ポリシリコンの電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）による図５の駆動回路を示す。ここで、簡略化のために１つの画素のＰチャンネル薄膜のポリシリコンのＦＥＴｓのみが説明される。もちろん、Ｎチャンネル薄膜のポリシリコンのＦＥＴｓまたはＮチャンネルとＰチャンネルの混合された薄膜ポリシリコンのＦＥＴｓも使用できる
図６を参照すれば、本発明に係るＰＱＤ４００の行列ディスプレイパネルの駆動回路は第１回路としての活性化トランジスタ４１１と、第２回路としての駆動トランジスタ４２１とを含む。
【００２７】
活性化トランジスタ４１１のゲートは走査ライン４６０に連結される。活性化トランジスタ４１１のソースはデータライン４５０に連結される。第２トランジスタ４２１は駆動トランジスタの機能を遂行する。このトランジスタ４２１は放射及び再放射モードに必要な電圧及び電流をＰＱＤ４００に提供する。駆動トランジスタ４２１のゲートは活性化トランジスタ４１１のドレーンに連結される。駆動トランジスタ４２１のソースは基準電圧端子４３０に連結され、ドレーンはＰＱＤ４００に連結される。貯蔵キャパシタ４２２は駆動トランジスタ４２１のゲートとソースとの間に連結される。基準電圧端子４３０に印加される電圧は、電圧レベルの基準電圧になるが、本実施の形態では０Ｖである。
【００２８】
放射モード（図９のＡ及びＢ領域）のライン走査動作において、走査ライン４６０に負極性電圧が印加されれば、活性化トランジスタ４１１はターンオン状態になり、データライン４５０に負極性電圧が駆動トランジスタ４２１のゲートに印加される。それにより、駆動トランジスタ４２１がターンオン状態になり、ＰＱＤ４００のカソード電圧端子４４０に負極性電圧が印加されるため、ＰＱＤ４００のアノードとカソードとの間に順方向電圧が印加される。これにより、ＰＱＤ４００は明るい画素になる。ここで、データライン４５０に０Ｖが印加されれば、駆動トランジスタ４２１がターンオフ状態になり、ＰＱＤ４００のアノードとカソードとの間に電圧が印加されない。それにより、ＰＱＤ４００は暗い画素になる。
【００２９】
次に、走査ライン４６０に０Ｖが印加されて活性化トランジスタ４１１がターンオフ状態になっても、ＰＱＤ４００に印加されていた電圧は、次の走査動作が成されるまでデータライン４５０の電圧と関係なく持続的にＰＱＤ４００に印加される。なぜならば、貯蔵キャパシタ４２２が駆動トランジスタ４２１のゲートとソースに印加される電圧を次の走査動作が成されるまで一定に維持するからである。前記のような放射モードにおいて、トランジスタ４１１，４２１が全てターンオン状態に成るためには、走査ライン４６０の電位がデータライン４５０の電位と活性化トランジスタ４１１のスレショルド電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ）の和より低くなければならなく、データライン４５０の電位が駆動トランジスタ４２１のスレショルド電圧より低くなければならない。
【００３０】
次の表１は前記放射モードでスレショルド電圧が−２．５ＶであるＰチャンネル薄膜ポリシリコンのＦＥＴｓについて印加される各電圧の機能を要約して示す。
【００３１】
【表１】
2004094208.tif 000003
【００３２】
再放射モード（図９のＣ及びＤ領域）は光発光のために十分な周囲光が存在することを前提とする。ライン走査動作において、ＰＱＤ４００のカソード電圧端子４４０に正極性電圧が印加された状態で、走査ライン４６０に０Ｖが印加されれば、活性化トランジスタ４１１がターンオン状態になる。ここで、データライン４５０に０Ｖが印加されれば、駆動トランジスタ４２１がターンオン状態になるため、光発光消滅のための逆方向電圧がＰＱＤ４００のアノードとカソードとの間に印加される。それにより、ＰＱＤ４００は暗い画素になる。ここで、０Ｖの代わりに正極性電圧がデータライン４５０に印加されれば、ＰＱＤ４００のアノードとカソードとの間に電圧が印加されないため、光発光が遂行されることにより明るい画素になる。
【００３３】
もし走査ライン４６０に正極性電圧が印加されて活性化トランジスタ４１１がターンオフ状態になっても、ＰＱＤ４００に印加されていた電圧は、次の走査動作が成されるまでデータライン４５０の電圧と関係なく持続的にＰＱＤ４００に印加される。なぜならば、キャパシタ４２２が駆動トランジスタ４２１のゲートとソースとに印加される電圧を次の走査動作が成されるまで一定に維持するからである。前記のような再放射モードにおいて、活性化トランジスタ４１１が遮断されるために、走査ライン４６０の電位がデータライン４５０の電位より高くなければならず、駆動トランジスタ４２１が遮断されるために、データライン４５０の電位がカソード電圧端子４４０の電位と駆動トランジスタ４２１のスレショルド電圧の差異より高くなければならない。
下の表２は前記再放射モードでスレショルド電圧が−２．５ＶであるＰチャンネル薄膜ポリシリコンの電界効果トランジスタＦＥＴｓについて印加される各電圧の機能を要約して示す。
【００３４】
【表２】
2004094208.tif 000004
【００３５】
図７及び図８は図５の駆動回路がＰＱＤの３×３行列ディスプレイパネルに適用された状態を示す。図７の場合、前記のような駆動信号を形成するための走査駆動部５２０とデータ駆動部５３０とがＰＱＤの行列５００と共にディスプレイパネル５１０内に内蔵される。図８の場合、ディスプレイパネル６１０内にＰＱＤの行列６００が存在し、ディスプレイパネル６１０外に走査駆動部６２０とデータ駆動部６３０とが存在する。
【００３６】
図９は図６の駆動回路での各信号の電圧波形を示す。図９で参照符号ＳＣはＰＱＤ４００のカソード電圧端子４４０に印加される電圧波形を、ＳＳは走査ライン４６０に印加される電圧波形を、ＳＤはデータライン４５０に印加される電圧波形を、そしてＳＰはＰＱＤ４００のアノードとカソードとの間に印加される電圧波形を各々指す。この波形において、全ての電圧レベルは基準電圧端子４３０に印加される電圧についてのものである。基準電圧端子４３０には０Ｖが印加される。時間領域Ａ及びＢでは放射モードが可能であり、Ｃ及びＤでは再放射モードが可能である。ＰＱＤ４００の輝度はＰＱＤ４００に印加される順方向電圧及び逆方向電圧により設定される。言い換えれば、放射モードでＰＱＤ４００各々の階調によりＰＱＤ４００各々のアノードとカソードとの間に順方向電圧が印加され、再放射モードでＰＱＤ各々の階調によりＰＱＤ４００各々のアノードとカソードとの間に逆方向電圧が印加される。放射モードでＰＱＤ４００各々のアノードとカソードとの間に印加される順方向電圧の絶対値はＰＱＤ各々の階調に比例する。再放射モードでＰＱＤ各々のアノードとカソードとの間に印加される逆方向電圧の絶対値はＰＱＤ４００各々の階調に反比例する。従って、制御電圧としてのデータ電圧によりディスプレイ素子の階調が制御されうる。即ち、ディスプレイパネルで階調ディスプレイが遂行されうる。より詳しい説明は、図６を参照して前述した通りである。参考に、図６でトランジスタのソースとドレーンとが相互交替できることは当然である。
【００３７】
本発明は、前記実施の形態に限定されずに、特許請求の範囲で定義された発明の思想及び範囲内で当業者により変形及び改良されうる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る駆動回路によれば、前記活性化トランジスタ及び前記駆動トランジスタの動作により前記ＰＱＤの放射モード及び再放射モードが実行されうる。即ち、明るくない周囲照度で前記放射モードが実行され、明るい周囲照度で前記再放射モードが実行されうる。それにより、明るい周囲照度で少ない電流量でも十分な輝度を得ることができるため、ディスプレイ装置の消費電力及び製造コストを節減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】通常的なＰＱＤの構造を示す断面図である。
【図２】Ａは、図１のＰＱＤの放射モードを示す図面であり、Ｂは、図１のＰＱＤの再放射モードを示す図面である。
【図３】図１のＰＱＤを駆動する本発明の駆動回路を示すブロック図である。
【図４】図３の駆動回路がＰＱＤの３×３行列ディスプレイパネルに適用された状態を示すブロック図である。
【図５】図３の駆動回路を詳細に示すブロック図である。
【図６】Ｐチャンネル薄膜ポリシリコンのＦＥＴｓによる図５の駆動回路を示す図面である。
【図７】図５の駆動回路がＰＱＤの３×３行列ディスプレイパネルに適用された状態を示すブロック図である。
【図８】図５の駆動回路がＰＱＤの３×３行列ディスプレイパネルに適用された状態を示すブロック図である。
【図９】図６の駆動回路での各信号の電圧波形を示すタイミング図である。
【符号の説明】
１　　　　注入調節のための絶縁層を含んだカソード
２　　　　アノード
３　　　　正孔注入層
３ａ　　　正孔の注入
３ｂ　　　正孔の抽出
４　　　　放射物質層
４ａ　　　電子の注入
４ｂ　　　電子の抽出
５　　　　入射光
５ａ　　　励起条件での再結合
５ｂ　　　入射光による励起条件の形成
６　　　　透明基板
６ａ　　　過度な励起状態
７　　　　射出光
７ａ　　　電界発光射出光
７ｂ　　　光発光射出光
２００，３００，４００　　　ＰＱＤ
２０１　　　ＰＱＤのアノードとカソードとの間に印加される電圧波形
２１５　　　駆動回路としての活性化回路
２３０，３３０，４３０　　　基準電圧端子
２４０，３４０，４４０　　　カソード電圧端子
２５０，２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，３５０，４５０　　　データライン
２６０，２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，３６０，４６０　　　走査ライン
３０１　　　ＰＱＤのアノードとカソードとの間に印加される電圧波形
３１０　　　活性化用第１回路
３２０　　　駆動用第２回路
３４１　　　ＰＱＤのカソード電圧端子に印加される電圧波形
３５１　　　データラインに印加される電圧波形
３６１　　　走査ラインに印加される電圧波形
４１１　　　活性化トランジスタ
４２１　　　駆動トランジスタ
４２２　　　貯蔵キャパシタ
５００，６００　　　ＰＱＤの行列
５１０，６１０　　　ディスプレイパネル
５２０，６２０　　　走査駆動部
５３０，６３０　　　内部データ駆動部
【図１】
2004094208.tif 000005
【図２】
2004094208.tif 000006
【図３】
2004094208.tif 000007
【図４】
2004094208.tif 000008
【図５】
2004094208.tif 000009
【図６】
2004094208.tif 000010
【図７】
2004094208.tif 000011
【図８】
2004094208.tif 000012
【図９】
2004094208.tif 000013