(57)【要約】【課題】  光学システムによって光を集光できる領域に光を集中させることによって、該光学システムにおいて有効に捕捉される光の量を増加させる。【解決手段】  発光デバイスが、基板と複数の半導体層とを含むことができる。幾つかの実施形態において、反射材料が基板の一部の上にあり、この反射材料はデバイスを出る開口部を有する。幾つかの実施形態において、発光デバイスは、第２の面と出口面とを有する透明な部材を含む。少なくとも１つの発光ダイオードが第１の面上に配置される。透明な部材は、発光ダイオードから放出された光が出口面に向けられるように形成される。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と前記第１の面の反対側の第２の面とを有する基板と、
前記基板の前記第１の面の上にある第１の導電型の領域と、
前記第１の導電型の領域の上にある活性領域と、
前記活性領域の上にある第２の導電型の領域と、
前記基板の前記第２の面の一部の上にある反射材料と、
を備え、前記反射材料はアパーチャを囲んでおり、該アパーチャを通って光がデバイスから出るようになったことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記基板の前記第２の面に垂直な第１の側部と、
前記第１の側部の一部を覆う反射材料と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記基板の前記一部を覆う前記反射材料が、前記第１の側部の一部を覆う前記反射材料と同じであることを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記基板の前記一部を覆う前記反射材料が、前記第１の側部の一部を覆う反射材料と異なることを特徴とする請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記反射材料が金属であることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記金属が９０％より大きい反射率を有することを特徴とする請求項５に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記金属が、銀、金、アルミニウム、及びロジウムからなるグループから選択されることを特徴とする請求項５に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記反射材料が、非鏡面（白色）層であることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記非鏡面層が硫酸バリウムからなることを特徴とする請求項８に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記非鏡面層が絶縁性であることを特徴とする請求項８に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記基板の前記第２の面の近くに配置された光学システムをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記反射材料によって覆われた前記基板の前記一部が、前記光学システムのエタンデュ限界に対応する領域の外にあることを特徴とする請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記反射材料が透明な材料によって前記基板から分離されたことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記透明な材料が、ドームを含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記透明な材料が、フレネル・レンズを含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記基板が第１の屈折率を有し、
前記透明な材料が第２の屈折率を有し、
前記第２の屈折率が前記第１の屈折率より大きいか又はこれと等しい、
ことを特徴とする請求項１３に記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記反射材料により覆われていない前記基板の一部が、波長変換材料により覆われていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記波長変換材料が蛍光体であることを特徴とする請求項１７に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記アパーチャが、実質的に前記デバイスの中心に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記アパーチャが、円形及び矩形のうちの１つであることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項２１】
前記アパーチャから出る光が、前記デバイスの主な光出力を構成することを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項２２】
基板と前記基板の上にある複数の半導体層と前記複数の半導体層の第１の面上に配置されたコンタクトとを含む発光ダイオードを備え、
光が前記第１の面を通して抽出され、
光がデバイスを出るアパーチャを有し、前記第１の面の一部の上に反射材料が設けられたことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２３】
前記コンタクトが、少なくとも部分的に透明であることを特徴とする請求項２２に記載の発光デバイス。
【請求項２４】
第１の面と第２の面と出口面とを有する透明な部材と、
前記第１の面上に配置された少なくとも第１の発光ダイオードと、
前記第２の面上に配置された第２の発光ダイオード及び反射皮膜のうちの１つと、
を備え、
少なくとも１つの発光ダイオードから放出された光が前記出口面に向けられるように、前記透明な部材が形成されたことを特徴とする発光デバイス。
【請求項２５】
前記第１の発光ダイオードにより覆われていない前記第１の面の一部上に配置された反射皮膜をさらに備えることを特徴とする請求項２４に記載の発光デバイス。
【請求項２６】
前記第２の面が、反射皮膜で被覆されており、前記デバイスが、
第３の面と、
前記第１の発光ダイオードから放出された光を反射する材料で被覆された第４の面と、
前記第３の面上に配置された第２の発光ダイオードと、
を備え、
前記第１及び第３の面が、前記出口面の反対側に頂点を有するウェッジを形成し、前記第２及び第４の面が実質的に平行であることを特徴とする請求項２４に記載の発光デバイス。
【請求項２７】
前記第１の発光ダイオード及び前記第２の発光ダイオードの各々が、異なる波長の光を放出することを特徴とする請求項２６に記載の発光デバイス。
【請求項２８】
前記第２の発光ダイオードが赤色光を放出し、前記デバイスが、前記第２の発光ダイオードと前記第３の面との間に配置されたダイクロイック材料をさらに備えることを特徴とする請求項２６に記載の発光デバイス。
【請求項２９】
前記第１の面及び前記第３の面のうちの１つの上に配置された第３の発光ダイオードをさらに備え、前記第１及び前記第３の発光ダイオードのうちの一方が緑色光を放出し、該第１及び該第３の発光ダイオードのうちの他方が青色光を放出することを特徴とする請求項２８に記載の発光デバイス。
【請求項３０】
前記第１の発光ダイオード及び前記第２の発光ダイオードの各々が、実質的に同じ色の光を放出することを特徴とする請求項２６に記載の発光ダイオード。
【請求項３１】
前記第１の発光ダイオードが、
透明な基板と、
前記第１の発光ダイオードが放出する光を通す複数の半導体層と、
前記発光ダイオードが放出した光を反射するコンタクトと、
を備え、
前記複数の半導体層が、前記透明な基板と前記コンタクトとの間に配置されたことを特徴とする請求項２４に記載の発光デバイス。
【請求項３２】
前記コンタクトに取り付けられたサブマウントをさらに備え、前記透明な基板が前記第１の面に最も近くなるように、前記第１の発光ダイオードが該第１の面上にマウントされたことを特徴とする請求項３１に記載の発光デバイス。
【請求項３３】
前記第１の面及び前記出口面が平行ではないことを特徴とする請求項２４に記載の発光デバイス。
【請求項３４】
前記透明な部材が、サファイア、ガラス、アクリル、及びケイ素からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２４に記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、発光ダイオード光源における輝度の増強に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、発光ダイオードのような、光源１０が生成した光を透過するレンズ１２を示す。レンズ１２のような受動光学画像形成素子からなる光学システムと共に用いられることになる光源を設計する際の重要な問題が、図１に示される。レンズ１２の光学的不変量すなわちエタンデュ（etendue）と一致した光源領域から放出された光だけが、ターゲット領域２０（例えば、透明な超小型表示装置のような）上に有効に合焦させることができる。所定の光学システムのエタンデュは、
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と定められ、ここで、θは表面素ｄＡの法線と立体角素ｄΩの重心との間の角度である。エタンデュは、ビームの発散及び断面積に関連した光学系の幾何学的特性である。エタンデュがある場合には、画像におけるエネルギー密度が光源のエネルギー密度を超え、熱力学の第二法則に反することがあるので、エタンデュを減少させることはできない。
【０００３】
光源１０は、例えば、上面及び側面の両方からすべての方向に光を放出する発光ダイオード（ＬＥＤ）とすることができる。図１に示されるように、光源１０の上面の中心から放出され、レンズが許容するコーン内にある光１６だけを、ターゲット２０上に合焦させることができる。光１４のうち、光源１０の両側部から放出されたもの、レンズ１２から遠ざかるように該光源１０の上部から放出されたもの、該レンズ１２の近くではあるがエタンデュ限界の範囲外の角度で放出されたものは、該レンズ１２によって利用されず、消失する。発光ダイオード光源１０の場合には、光源１０の領域が増加するにつれて、一般に、光源１０から放出される光全体も増加する。しかしながら、どんなに大きな光源１０が作られようと、レンズ１２のエタンデュには、該レンズ１２を用いる光学システムを利用できる光束の量に最大値がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光学システムにおいて、有効に捕捉された光の量を増加させる幾つかの方法がある。第１に、より大きな直径を有するレンズ２０を用いることができる。しかしながら、レンズの直径が大きくなるにつれて、レンズのコストが増加する。したがって、コストを制御するために、光学システムにおけるレンズの寸法を制限することが望ましい。
【０００５】
第２に、光源の単位面積当たりの光束を増加させることができる。発光ダイオード光源の場合には、一般に、単位面積当たりで生成された光の量は、デバイスの光生成層における電流密度に比例する。したがって、電流密度を増加させることによって、単位面積当たりの光を増加させることができる。しかしながら、発光ダイオードの効率は、通常は、例えば、加熱の影響、光を生成するために再結合する電荷担体の発光層における飽和、又は光を生成するために再結合する電荷担体の閉じ込めの損失のために、高い電流密度において低下する。高い電流密度における光生成効率の損失は、発光ダイオードにおいて生成することができる単位面積当たりで生成される光の量を制限することになる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態によると、光学システムによって光を集光することができる領域に光を集中させることによって、該光学システムにおいて有効に捕捉される光の量を増加させることができる。
【０００７】
幾つかの実施形態において、発光デバイスは、第１の面と該第１の面の反対側の第２の面とを有する透明な基板と、該基板の該第１の面の上にある第１の導電型の領域と、該第１の導電型の領域の上にある活性領域と、該活性領域の上にある第２の導電型の領域とを含む。反射材料が基板の第２の面の上にあり、この反射材料は光がデバイスを出る開口部を有する。反射材料は、例えば、反射金属、非鏡面塗装、又は透明な材料の層によって基板から分離させられた光学構造体の一部とすることができる。基板に透明な材料を屈折率整合させることができる。波長変換材料が、反射材料によって覆われていない基板の第２の面の一部を覆うことができる。
【０００８】
幾つかの実施形態においては、発光デバイスは、基板と、該基板の上にある複数の半導体層と、該複数の半導体層の第１の面上に配置されたコンタクトとを含む。第１の面を通してデバイスから光が抽出される。反射材料が第１の面の一部の上にあり、この反射材料は光がデバイスから出る開口部を有する。
【０００９】
幾つかの実施形態においては、発光デバイスは、第１の面及び出口面を有する透明の部材を含む。少なくとも１つの発光ダイオードが第１の面上に配置される。発光ダイオードから放出される光が出口面に向けられるように、透明な部材が形成される。幾つかの実施形態において、透明な部材は、ウェッジの頂点が出口面の反対側にあるウェッジを形成する２つの面と、２つの平行な面とを有する。ＬＥＤは、ウェッジを形成する２つの面上に配置され、２つの平行面は反射材料で被覆される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施形態によると、光を光源から光学システムのエタンデュ限界内に向け、該光学システムが光を捕捉できるようにすることによって、光学システムにおいて捕捉される光の量を増加させることができる。この光源は、発光ダイオードのような半導体発光デバイスとすることができる。本発明の実施形態は、例えば、ＩＩＩ族窒化物のようなＩＩＩ−Ｖ系、ＩＩＩ族燐化物、ＩＩＩ族砒化物、及びＩＩ−ＶＩ族系を含む、種々の材料系の半導体発光デバイスに適用することができる。さらに、本発明の実施形態は、フリップチップ・デバイス及びエピタキシ・アップ・デバイスのようなデバイスの同じ側に両方のコンタクトが形成されたデバイス、及びデバイスの両側にコンタクトが形成されたデバイスを含む、デバイスの層及び基板が適度に光を通す如何なる半導体発光デバイスにも適用することができる。
【００１１】
図２は、デバイスの側部を通して光が抽出され、多くの場合レンズのような光学系に隣接している発光デバイスの平面図を示す。図２に示されるデバイス面の一部は、反射層２２によって覆われている。光は領域２４から出て行くだけであり、これは、光学システムのレンズのエタンデュ限界と一致する最大光源面積に対応させることができる。
【００１２】
図３は、発光デバイスの断面図を示す。第１の導電型層２６が、基板２５上に形成される。図３に示されるデバイスがＩＩＩ族窒化物の発光ダイオードである場合には、第１の導電型層２６をｎ型ＩＩＩ族窒化物層とすることができ、基板２５をサファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、又は何らかの他の適切な基板とすることができる。活性領域とも呼ばれる発光領域２８は、第１の導電型層２６上に形成され、第２の導電型層３２が該活性領域２８上に形成される。第１のコンタクト３５は第１の導電型層に接続され、第２のコンタクト３４は第２の導電型層に接続される。コンタクト３４及び３５のうちの少なくとも１つを反射性があるものとすることができる。相互接続部３６は、発光ダイオードをサブマウントに接続する。この相互接続部３６は、例えば、はんだのバンプ、金のバンプとすることができる。
【００１３】
反射層２２は、光がデバイスから光学システム内のレンズのエタンデュ限界と合致する領域の外に出て行くのを阻止する。一般に、ＬＥＤの半導体層は、発光波長の光を非常によく通す。このように、通常、基板２５からレンズ１２のエタンデュ限界の外に出て行く光線３０は、反射層２２に反射し、吸収されずに層２６、２８、及び３２を通して透過し、反射コンタクト３４に反射し、該反射層２２によって覆われていない発光ダイオードの表面の領域である領域２４内の基板２５から出て行く。反射層２２及び反射コンタクト３４及び３５は光学キャビティを形成し、そこで、レンズ１２が光を利用できる領域２４に光が達するまで、レンズ１２のエタンデュ限界の外に活性領域２８から生成された光が行ったり来たりして反射する。
【００１４】
１つの実施形態において、反射層２２は、例えば、９０％より大きい反射率を有する金属とすることができる。光学モデリングは、９８％より大きい反射率を有する金属を用いることで、光学システムにより集光された光が５０％増加したことを示した。適切な金属の例は、銀、アルミニウム、ロジウム、及び金である。付着されることになる金属、又は反射することになる光の波長に基づいて、反射金属を選択することができる。例えば、金は、赤色又は赤外線の波長域において、高い光反射性をもつ。
【００１５】
別の実施形態において、例えば、反射層２２を非鏡面の（白色）高反射層とすることができる。適切な材料の一例は、ニューヨーク州、ニューウィンザーのマンセル表色サービスから入手可能な白色反射率皮膜のような、硫酸バリウムを含む白色の粉末又は塗装である。例えば、塗装又は電気泳動付着によって、非鏡面反射層を用いることができる。
【００１６】
図４は、反射層２２が発光ダイオードの両側部の上に延びる、本発明の別の実施形態を示す。通常、発光ダイオードの側部から放出される光線３８は、デバイスの側部上の反射層２２に反射し、発光ダイオードの上部上の反射層２２に反射し、反射コンタクト３４に反射し、領域２４の基板２５を通して出て行く。反射層２２が非鏡面塗装層である場合のように、反射層２２が絶縁性である実施形態において、該反射層２２を発光ダイオードの両側部上に直接付着させることができる。反射層２２が反射金属である場合のように、反射層２２が導電性である実施形態において、まず発光ダイオードの両側部の上に誘電体層を付着させ、該反射層２２が第１の導電型層と第２の導電型層との間に短絡を形成するのを防止することができる。代わりに、反射層２２が導電性である場合には、該反射層２２は、短絡を形成しないように、基板２５の両側部といった発光ダイオードの両側部の一部だけを覆うことができる。
【００１７】
発光ダイオードの異なる領域に反射層２２を形成するように、異なる材料を用いることができる。例えば、ダイオードの上部に反射金属を用い、該ダイオードの両側部に絶縁性の非鏡面材料を用いることができる。
【００１８】
図５は、光学構造体４１が発光ダイオードに結合されたデバイスを示す。光学構造体４１の上部は、光を領域２４から抽出できるように、光学システムのエタンデュ限界の外に放出された光をデバイス内に戻して反射するように形成される。光学構造体４１は、透明な材料４４と、該透明な材料４４の一部の縁の上に形成された反射層４２とを有する。反射層４２は、例えば、図３に関連して本文において上述されたもののように、反射金属とすることができる。図５において、透明な材料４４を、隣接する材料すなわち基板２５に屈折率整合させることができる。エタンデュ限界領域（領域２４）の外への光線４６は、透明な材料４４を通して透過し、反射層４２に反射する。光線４６は再びデバイスに入り、そこでコンタクト３４に反射し、領域２４の基板２５を出て行く。図２から図４までに示されるように、光学構造体４１を反射層２２と共に用いることができる。例えば、光学構造体４１をデバイスの上面に用い、反射層２２を該デバイスの両側部に用いることができる。
【００１９】
図６は、図５に示されるデバイスの平面図を示す。３つの同心円４９は、図５に示される光学構造体４１の反射層４２の一部の端部に対応する。光脱出領域２４が、円形である必要がないことに注意されたい。光脱出領域２４を、正方形、矩形、楕円形、又は何らかの他の形状とすることができる。例えば、デバイスからの光が、長く薄い光ガイド内に結合されることになる場合には、光脱出領域２４を長く薄いものにすることができる。発光ダイオードの境界が、参照４５によって示される。
【００２０】
図８は、透明なドーム６０を含む、別の光学構造体を有するデバイスの断面図を示す。光が光脱出領域２４におけるドーム６０だけから放出されるように、該ドーム６０の一部が反射材料６１によって覆われる。図８に示されるデバイスは、ドーム６０が光脱出領域２４を覆っているが、図５の光学構造体４１は光脱出領域２４に対応する穴を有するという点で、図５に示されるデバイスと異なる。当業者には明らかであるように、図８に示されるドーム構造体、或いは図５に示されるフレネル状の構造体だけでなく、本発明の実施形態による如何なる適切な光学構造体を用いることができる。
【００２１】
図７は、波長変換材料が光脱出領域２４の上に付着された本発明の実施形態を示す。材料５０は、例えば、反射層２２によって露出されたままの基板２５の領域の上に付着された蛍光体のような蛍光材料とすることができる。図７は、図３に示されたデバイスの上に付着された材料５０を示すが、上述の他の実施形態のいずれかを波長変換材料５０と組み合わせることもできる。活性領域２８からの発光が青色となるように、該活性領域２８がＩＩＩ族窒化物である場合には、材料５０は、青色発光を吸収し、黄色光を放出する、ａＣｅドープされたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）蛍光体とすることができる。領域２４からの光が強い白色光源に見えるように、材料５０からの黄色光を活性領域２８からの青色光と混合することができる。
【００２２】
図１０は、発光ダイオードが、フリップチップ・デバイスの代わりにエピタキシ・アップ・デバイスである本発明の実施形態を示す。図１０に示されるデバイスは、反射コンタクトの代わりに透明なコンタクト８２を有する。光は、コンタクトを通して抽出される。図１０に示される実施形態において、反射材料２２は金属であり、これに、透明なコンタクト８２に電気接触するようにワイヤボンド８０が接続される。基板２５の底部を反射材料（図示せず）で被覆することができる。
【００２３】
図９は、パッケージされた発光デバイスの分解図である。放熱スラグ１００がインサート成形されたリードフレーム１０６の中に置かれる。インサート成形されたリードフレーム１０６は、例えば、電気的通路を与える金属フレームの周りに成形された充填剤入りプラスチック材料である。スラグ１００は、任意にリフレクタカップ１０２を含むことができる。上述のデバイスのいずれかとすることができる発光デバイスのダイ１０４が、スラグ１００に直接に又は又は熱伝導性のあるサブマウント１０３を介して間接的にマウントされる。光学レンズ１０８を付加することができる。
【００２４】
図１１Ａ及び図１１Ｂは、光源が発した光を光学システムのエタンデュ限界内に向けるための別のデバイスを示す。図１１Ａのデバイスは、透明なウェッジ９６の縁部に沿って配置された多数の光源９１及び９２を有する。ウェッジ９６は、例えば、サファイア、ガラス、アクリル、又は光源９１及び９２が放出した光及び熱に曝された際に透明性を保持することができるいずれかの他の材料とすることができる。光源は、サブマウント９４にマウントされ、例えば、接着、圧着、結合などによってウェッジに取り付けられたＬＥＤとすることができる。透明なウェッジ９６の出口面９５の寸法及び形状は、光学システム（図示せず）のエタンデュ限界に対応するように選択される。ＬＥＤを有するウェッジの両側部を、ＬＥＤで完全に覆う必要はない。ＬＥＤで覆われていない両側部の一部を反射皮膜で被覆することができる。ＬＥＤを有していないウェッジの両側部も、反射皮膜９３で被覆することができる。被覆された側部９３並びにＬＥＤ９１及び９２は、１つだけの開口部すなわち出口面を有する先細のキャビティを形成する。図１１Ｂに示されるように、ＬＥＤ９１及び９２内の半導体層及び基板が放出された光を通すので、光は、側部９３並びにＬＥＤ９１及び９２の反射コンタクトに反射し、出口面を出る。ウェッジの形状は、全ての光を出口面に向けるものである。出口面９５を大きくすることも小さくすることもできるが、幾つかの実施形態において、該出口面９５は単一のＬＥＤと同じ大きさを有する。
【００２５】
完全な反射性がある８つのＬＥＤを有するウェッジ、及び単一のＬＥＤと同じ寸法を有する出口面は、単一のＬＥＤと同じ面積において、８倍多い光を生成する。一般に、実際のＬＥＤは、完全に反射性ではない。８５％反射する８つのＬＥＤを有するウェッジは、単一のＬＥＤと同じ面積において、４倍から５倍多い光を生成する。
【００２６】
図１１Ａ及び図１１Ｂに示されるウェッジ・デバイスは、例えば、プロジェクタ、車のヘッドライト、光ファイバ、及び劇場用照明を含む、高い輝度を必要とする多くの用途における光源として適切なものとなる。出口面の均質な照明が、ウェッジを投影用途に特に適切なものとする。ウェッジの出口面の寸法及び形状は、個々の用途に合わせて調整することができる。
【００２７】
幾つかの実施形態において、出口面から放出された光が異なる色の混合物となるように、異なる色のＬＥＤがウェッジ９６の縁部にマウントされる。例えば、出口面を出る混合された光が白色に見えるように、赤色、青色、及び緑色のＬＥＤを用いることができる。一般に、赤色ＬＥＤは、青色及び緑色光をあまり反射しない。したがって、図１２に示されるように、実施形態において、赤色ＬＥＤを含むダイクロイック材料を用いることができる。反射コンタクト１０１を有する赤色フリップチップＬＥＤ１０２が、該ＬＥＤとウェッジとの間にダイクロイック・フィルタ１０３を有した状態で、該ウェッジ９６上にマウントされる。ＬＥＤ１０２の活性領域から放出された赤色光１０４は、ダイクロイック・フィルタ１０３を通過する。ダイクロイック・フィルタ１０３を通過したウェッジの内の赤色光１０５は、コンタクト１０１に反射し、再び該ダイクロイック・フィルタ１０３を通過し、該ウェッジに再入する。青色又は緑色光１０６は、ダイクロイック・フィルタ１０３によって反射する。ダイクロイック材料は、青色及び緑色光を反射し、赤色光を透過するように選択される。
【００２８】
本発明を詳細に説明してきたが、当業者であれば、本発明の開示が与えられた場合には、ここに説明される本発明の概念の精神から離れることなく、本発明に修正を行うことができることを理解するであろう。したがって、本発明の範囲は図示され説明された特定の実施形態に制限されるものではないことが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】発光ダイオード、レンズ、及びターゲット画像領域を含む光学システムを示す。
【図２】本発明の実施形態による発光デバイスの平面図を示す。
【図３】本発明の実施形態による、反射層を含む発光デバイスの断面図を示す。
【図４】チップの両側部及び上部の一部を覆う反射層を含む、発光デバイスの別の実施形態の断面図を示す。
【図５】本発明の実施形態による、光学要素を含む発光デバイスの断面図を示す。
【図６】図５に示されるデバイスの平面図を示す。
【図７】本発明の実施形態による、蛍光材料を含む発光デバイスの断面図を示す。
【図８】本発明の実施形態による、ドームを含む発光デバイスの断面図を示す。
【図９】パッケージ化された発光デバイスの展開図を示す。
【図１０】発光デバイスの別の実施形態の断面図を示す。
【図１１Ａ】透明なウェッジの両側部に配置された、ＬＥＤを有するデバイスを示す。
【図１１Ｂ】透明なウェッジの両側部に配置された、ＬＥＤを有するデバイスを示す。
【図１２】ダイクロイック・フィルタを有する透明なウェッジの側部上に配置された赤色ＬＥＤを示す。
【符号の説明】
【００３０】
１２：レンズ
２２、４２：反射層
２５：基板
２６：第１の導電型層
２８：活性領域
３２：第２の導電型層
３４：第１のコンタクト
３５：第２のコンタクト
３６：相互接続部
４１：光学構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004153277.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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