(57)【要約】【課題】偏光ガラス等を製作するための光学基板用母板等の反りを可及的に防止することで、切断時の粘着剤の付着（即ち、糊汚れ）を防止し、これにより手間のかかる糊汚れの除去作業をなくすと共に、光学部材として要求される高い透過率を達成できる極めて実用性に秀れた光学基板を提供するものである。【解決手段】ガラス板部１と該ガラス板部１の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板２となる光学基板用母板であって、前記光学薄膜の膜内に残留する膜応力は、該光学基板用母板の反りを可及的に防止する膜応力に設定されているものである。【選択図】　　　　図２
2004101842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板部と該ガラス板部の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板となる光学基板用母板であって、前記光学薄膜の膜内に残留する膜応力は、該光学基板用母板の反りを可及的に防止する膜応力に設定されていることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項２】
ガラス板部と該ガラス板部の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板となる光学基板用母板であって、前記光学薄膜の膜内に残留する膜応力は、前記光学基板の反りを可及的に防止する膜応力に設定されていることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項３】
ガラス板部と該ガラス板部の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板となる光学基板用母板であって、前記光学薄膜の膜内に残留する膜応力は、該光学基板用母板の反り及び前記光学基板の反りを可及的に防止する膜応力に設定されていることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項に記載の光学基板用母板において、光学基板が偏光ガラスであり、光学薄膜が反射防止膜であることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項に記載の光学基板用母板において、光学薄膜は複数の薄膜を積層した構成であり、各薄膜の引張応力及び圧縮応力が他の薄膜の引張応力及び圧縮応力と相殺されることで光学薄膜の膜応力が前記反りを可及的に防止する膜応力となるように設定されていることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項に記載の光学基板用母板において、該光学基板用母板の平面度はλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定されていることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項７】
ガラス板部と該ガラス板部の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板となる光学基板用母板であって、該光学基板用母板は、平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定することで反りが可及的に防止される構成であることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項８】
ガラス板部と該ガラス板部の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板となる光学基板用母板であって、該光学基板用母板は、平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定することで前記光学基板の反りが可及的に防止される構成であることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項９】
ガラス板部と該ガラス板部の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板となる光学基板用母板であって、該光学基板用母板は、平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定することで該光学基板用母板の反り及び前記光学基板の反りが可及的に防止される構成であることを特徴とする光学基板用母板。
【請求項１０】
光学部材に用いられる光学基板の製造方法であって、ガラス板部の少なくとも一面に光学薄膜を該光学薄膜の膜内に残留する膜応力が該ガラス板部の反りを可及的に防止する膜応力となるように形成して光学基板用母板を得、この光学基板用母板を貼着層上に積層貼着し、該光学基板用母板を所定形状に切断して光学基板を製造することを特徴とする光学基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の光学基板の製造方法において、ガラス板部の表面に光学薄膜を形成する際、該ガラス板部の表面に複数の薄膜を形成して積層する方法を採用し、更に、各薄膜を形成する際、各薄膜の引張応力及び圧縮応力が他の薄膜の引張応力及び圧縮応力と相殺されて該光学薄膜の膜応力が該ガラス板部の反りを可及的に防止する膜応力となるように形成することを特徴とする光学基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０，１１いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、ガラス板部を切断する際、該ガラス板部を３ｍｍ角以下の大きさに切断することを特徴とする光学基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０〜１２いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、光学基板が偏光ガラスであり、光学薄膜が反射防止膜であることを特徴とする光学基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０〜１３いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、光学薄膜の平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定したことを特徴とする光学基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０〜１４いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、ガラス板部の表面に光学薄膜を形成する方法としてＲＦ−ＩＰ法やＲＦスパッタリング法等のＲＦ法を採用したことを特徴とする光学基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、偏光ガラス等の光学基板を製造する際に使用される光学基板用母板及び光学基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
偏光ガラスは、反射防止膜が設けられた偏光ガラス基板（母板）を、ＵＶ樹脂が粘着剤として使用された粘着テープに貼着し、ダイシング装置で３ｍｍ角以下、通常１ｍｍ角前後の小さなチップに切断し、続いて、ＵＶ光を照射して前記粘着テープの粘着剤の貼着力を低下せしめ、その後に剥ぎ取ることで製造している。
【０００３】
この粘着剤は前述のようにＵＶ樹脂が採用されているので、ＵＶ光を照射すると該粘着剤の貼着力は非常に弱まる。従って、この粘着剤によれば、切断時には高い貼着力によって偏光ガラス基板を固定でき、切断後にＵＶ光を照射して貼着力を弱めれば前記切断により形成されたチップ（偏光ガラス）を該粘着剤から容易に剥ぎ取ることができる。
【０００４】
この偏光ガラスは、１３００ｎｍ〜１６００ｎｍの赤外領域において、光通信用途として既に利用されている。また、偏光ガラスは、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視領域において、青色半導体レーザーの実用化に伴い、高密度光記録装置やＬＣＤプロジェクターに用いられる偏光素子として期待されている。
【０００５】
このように偏光ガラスの用途は光に関係するものであるため、透過率はできるだけ高くする必要がある。また、透過率を低下させないため、偏光ガラス表面の傷や汚れに対しては非常にきびしい要求がある。
【０００６】
透過率に関しては、偏光ガラスの片面若しくは両面に反射防止膜（ＡＲ膜）を成膜して該偏光ガラス表面での反射損失を低減し、これにより透過率を高くする方法が採用されている。
【０００７】
反射防止膜は反射防止を行う波長によって膜厚が異なるものであり、一般に波長が長くなるほど膜厚は厚くなる。例えば、典型的な三層反射防止膜では、基板側から屈折率がそれぞれ１．６１，　２．０２，　１．３８の三種類の膜を積層して最適化した場合、それらを合計した膜の厚みを光学膜厚ｎｄで表すと、波長１．３１μｍ用では７７０ｎｍ、波長１．５５μｍ用では１０１０ｎｍとなる。
【０００８】
偏光ガラス表面の傷に関しては、製造工程において、顕微鏡やモニター付きＣＣＤカメラなどを用いて検査を行い、規格外の傷を有するものは破棄される。
【０００９】
この検査工程において、傷は規格との比較で良不良の判断をするだけであるので、時間を要しないし、また自動検査も可能である。
【００１０】
一方、汚れに関しては、糸くずのように単に表面上に存在しているものはエアの吹き付け等により簡単に除去することができる。
【００１１】
しかし、切断時に用いた粘着テープの粘着剤（糊）が表面に強固に付着して残った汚れの除去は簡単ではない。
【００１２】
具体的には、前記粘着テープは、精度良く小さなチップに切断するための位置決め作用を発揮するもので、必須と言えるものであるが、粘着テープに偏光ガラス基板を貼着すると偏光ガラスに粘着剤が付着してしまう場合がある。
【００１３】
偏光ガラスは、前述のように高い透過率が要求されており、大きさが数十ミクロンの汚れでも透過率が低下する原因となることから、わずかな粘着剤の付着（糊汚れ）であっても粘着剤の除去が必要となる。
【００１４】
この粘着剤を除去する方法として、例えば、有機溶剤中で洗浄除去する方法や、有機溶剤を浸した綿棒等で拭き取り除去する方法が採用されている。
【００１５】
しかし、有機溶剤中で洗浄除去する方法は、洗浄中にチップに欠けを生じたり、洗浄後、有機溶剤から取り出すときに有機溶剤がシミとして残ったり、逆にチップを汚すことが多いという問題点がある。
【００１６】
また、有機溶剤を浸した綿棒等で拭き取り除去する方法は、チップが小さいために拭き取り際にチップの表裏が逆転したり、チップの大きさが綿棒の大きさより小さかったりするため、時間がかかり、また拭き方によっては傷を付ける可能性があるなどの問題点がある。
【００１７】
そこで、本発明者等は、より効率的な粘着剤の除去の研究途時に、付着した粘着剤の除去という発想ではなく、そもそも粘着剤の付着を可及的に抑える観点を見い出し、種々の実験を行ったところ、前記糊汚れが以下に示す原因により発生することを確認した。
【００１８】
前記反射防止膜の膜厚に関して、膜厚が厚くなると、偏光ガラス基板が極めて薄いため膜内に残留する膜応力（引張応力や圧縮応力）とガラスに残留する応力との相違によってわずかではあるが偏光ガラス基板に反りが生じてしまう。
【００１９】
この反りがあると、前述したチップに切断する際に位置決めの為に使用した粘着テープの粘着剤が該反りのある部分において引き伸ばされ、この引き伸ばされた粘着剤の一部が粘着シートから引き剥がされて偏光ガラス基板側に付着してしまう現象が生じ、この付着した粘着剤が糊汚れとなる。
【００２０】
また、ダイシング装置によって小さなチップに切断する際、偏光ガラス基板の切断部近傍に押圧力がかかると、前記チップは切断部近傍と反対側が持ち上がり易く、この持ち上がりによっても、前記同様、粘着剤が引き伸ばされてチップ（偏光ガラス）に付着する現象が僅かに発生してしまう。また、前記粘着剤が引き伸ばされることは前記反りによって助長されることから、より一層、粘着剤がチップに付着してしまう。
【００２１】
また、ダイシング装置によって小さなチップに切断する際の切断直後には、該切断によって膜応力が該小さなチップに作用することになり、チップが小さくて変形し易いから、膜応力に耐えられずに反ってしまい、該小さなチップの四辺が全て反り返り易く、このことも粘着剤がチップ（偏光ガラス）に付着する原因となる。
【００２２】
従って、仮に偏光ガラス基板やチップの反りを可及的に抑えることができれば、粘着剤の付着を減少させることができ、ひいては糊汚れを減少させることができる。
【００２３】
偏光ガラス基板の反りの原因となる膜応力は、偏光ガラスに光学的な支障が発生するような大きな変形が発生しないように、成膜時に一応考慮はされているが、前記糊汚れの問題を低減することまでも考慮した厳密な制御はこれまでなされていない。
【００２４】
以上、本発明者らは、鋭意研究の結果、付着した粘着剤の除去ではなく、粘着剤の付着を防止するという発想を基本とし、偏光ガラス等を製作するための光学基板用母板の反り及び光学基板（偏光ガラス）の反りを可及的に防止することで、糊汚れの発生を防止し、これにより手間のかかる糊汚れの除去作業をなくすことで量産性に秀れ、更に、光学部材として要求される高い透過率を有した光学基板を得ることができる本発明を完成した。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
【００２６】
ガラス板部１と該ガラス板部１の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板２となる光学基板用母板であって、前記光学薄膜の膜内に残留する膜応力は、該光学基板用母板の反りを可及的に防止する膜応力に設定されていることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００２７】
また、ガラス板部１と該ガラス板部１の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板２となる光学基板用母板であって、前記光学薄膜の膜内に残留する膜応力は、前記光学基板２の反りを可及的に防止する膜応力に設定されていることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００２８】
また、ガラス板部１と該ガラス板部１の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板２となる光学基板用母板であって、前記光学薄膜の膜内に残留する膜応力は、該光学基板用母板の反り及び前記光学基板２の反りを可及的に防止する膜応力に設定されていることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００２９】
また、請求項１〜３いずれか１項に記載の光学基板用母板において、光学基板２が偏光ガラスであり、光学薄膜が反射防止膜であることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００３０】
また、請求項１〜４いずれか１項に記載の光学基板用母板において、光学薄膜は複数の薄膜を積層した構成であり、各薄膜の引張応力及び圧縮応力が他の薄膜の引張応力及び圧縮応力と相殺されることで光学薄膜の膜応力が前記反りを可及的に防止する膜応力となるように設定されていることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００３１】
また、請求項１〜５いずれか１項に記載の光学基板用母板において、該光学基板用母板の平面度はλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定されていることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００３２】
また、ガラス板部１と該ガラス板部１の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板２となる光学基板用母板であって、該光学基板用母板は、平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定することで反りが可及的に防止される構成であることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００３３】
また、ガラス板部１と該ガラス板部１の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板２となる光学基板用母板であって、該光学基板用母板は、平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定することで前記光学基板２の反りが可及的に防止される構成であることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００３４】
また、ガラス板部１と該ガラス板部１の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とから成り、所定形状に切断されることで光学基板２となる光学基板用母板であって、該光学基板用母板は、平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定することで該光学基板用母板の反り及び前記光学基板２の反りが可及的に防止される構成であることを特徴とする光学基板用母板に係るものである。
【００３５】
また、光学部材に用いられる光学基板２の製造方法であって、ガラス板部１の少なくとも一面に光学薄膜を該光学薄膜の膜内に残留する膜応力が該ガラス板部１の反りを可及的に防止する膜応力となるように形成して光学基板用母板を得、この光学基板用母板を貼着層３上に積層貼着し、該光学基板用母板を所定形状に切断して光学基板２を製造することを特徴とする光学基板の製造方法に係るものである。
【００３６】
また、請求項１０記載の光学基板の製造方法において、ガラス板部１の表面に光学薄膜を形成する際、該ガラス板部１の表面に複数の薄膜を形成して積層する方法を採用し、更に、各薄膜を形成する際、各薄膜の引張応力及び圧縮応力が他の薄膜の引張応力及び圧縮応力と相殺されて該光学薄膜の膜応力が該ガラス板部１の反りを可及的に防止する膜応力となるように形成することを特徴とする光学基板の製造方法に係るものである。
【００３７】
また、請求項１０，１１いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、ガラス板部１を切断する際、該ガラス板部１を３ｍｍ角以下の大きさに切断することを特徴とする光学基板の製造方法に係るものである。
【００３８】
また、請求項１０〜１２いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、光学基板２が偏光ガラスであり、光学薄膜が反射防止膜であることを特徴とする光学基板の製造方法に係るものである。
【００３９】
また、請求項１０〜１３いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、光学薄膜の平面度をλ未満（但し、λ＝６３３ｎｍ）に設定したことを特徴とする光学基板の製造方法に係るものである。
【００４０】
また、請求項１０〜１４いずれか１項に記載の光学基板の製造方法において、ガラス板部１の表面に光学薄膜を形成する方法としてＲＦ−ＩＰ法やＲＦスパッタリング法等のＲＦ法を採用したことを特徴とする光学基板の製造方法に係るものである。
【００４１】
【発明の作用及び効果】
光学薄膜が成膜された光学基板用母板、例えば、偏光ガラス母板を、例えばＵＶ光を照射すると貼着力が非常に弱まるＵＶ樹脂が粘着剤として使用された粘着テープに積層貼着してダイシング装置で３ｍｍ角以下のチップに切断する場合、光学薄膜が偏光ガラス母板の反りを可及的に防止する膜応力に設定されているから、この偏光ガラス母板の反りは可及的に発生せず、よって、粘着剤が引き伸ばされて偏光ガラス側に付着したりすることは可及的に抑制され、よって、糊汚れの発生は防止される。
【００４２】
また、偏光ガラス母板を切断してチップ、即ち、偏光ガラスを形成する際にも、該偏光ガラスに反りは可及的に発生せず、偏光ガラス側への粘着剤の付着は可及的に抑制され、よって、この点においても糊汚れの発生は防止される。
【００４３】
本発明は上述のように構成したから、偏光ガラス等を製作するための光学基板用母板等の反りを可及的に防止することで、切断時の粘着剤の付着（即ち、糊汚れ）を防止し、これにより手間のかかる糊汚れの除去作業をなくすと共に、光学部材として要求される高い透過率を達成できる極めて実用性に秀れた光学基板の技術となる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
図面は本発明の一実施例を図示したものであり、以下に説明する。
【００４５】
本実施例は、光学部材に用いられる光学基板２、具体的には偏光ガラスの製造方法に関するものである。
【００４６】
この偏光ガラスの一般的な製造方法としては、「ＵＳＰ４，４７９，８１９」や「ＵＳＰ６，２２１，４８０」で詳しく開示されている。
【００４７】
この「ＵＳＰ４，４７９，８１９」や「ＵＳＰ６，２２１，４８０」で開示されている偏光ガラスの製造工程は、次の四つの工程である。
【００４８】
▲１▼　銀，銅，若しくは銅−カドミウムなどのハロゲン化金属原料をＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３等から成るガラス原料と共に溶解し、母材ガラスを作製する（ガラス溶解工程）。
【００４９】
▲２▼　母材ガラスを熱処理することによって、所定の大きさのハロゲン化金属粒子を析出させたガラスを作製する（熱処理工程）。
【００５０】
▲３▼　ハロゲン化金属粒子析出ガラスを加熱し応力を加えてハロゲン化金属粒子を延伸する（延伸工程）。
【００５１】
▲４▼　水素雰囲気で加熱還元処理することによって、延伸ハロゲン化金属粒子を使用波長に適したアスペクト比を持った延伸金属粒子にする（水素還元工程）。
【００５２】
この四工程によって、偏光特性を有するガラス板部１（ガラス基板）を得ることができる。
【００５３】
そして更に、得られる偏光ガラスの光学特性（特に透過率）をより良くしたり、偏光ガラスを光デバイスに組み込んだりするためには、上述の四工程に続き、成膜工程と切断工程が必要である。
【００５４】
ガラス板部１の屈折率は、使用波長によって異なるが約１．５である。そのため、ガラス板部１両表面での反射率は約８％になる。従って、ガラス板部１の透過率は９２％以下になる。
【００５５】
しかし、偏光ガラスには通常９８％以上の透過率が要求されているので、透過率を高くするためにガラス板部１表面に反射防止膜（ＡＲ膜）を成膜する必要がある。
【００５６】
そのため、前記水素還元工程等により偏光特性を示すようになったガラス板部１は、用途によって、その片面若しくは両面に反射防止膜を成膜する。
【００５７】
反射防止膜はガラス板部１表面に被覆することにより反射率を低減させることができる光学膜の一種であるが、このような光学膜を成膜する方法としては、真空蒸着、特に酸化物多層膜を成膜する場合一般に以下の方法が使用される。
【００５８】
真空蒸着のために蒸発材料を蒸発させる方法として電子線を用いるのがＥＢ法である。
【００５９】
真空蒸着法は基板を配置した真空槽内で蒸発材料を蒸発させ、基板表面にその材料を再凝縮させて膜とする方法であるが、一般に単に電子線で蒸発させただけでは膜の基板表面への密着性は劣る。
【００６０】
また、ＥＢ法では、再凝縮の際に空隙を形成して膜の密度が低下しやすく、これにより屈折率も低下し、更に大気中に取り出した際、前記空隙に水が吸着して逆に屈折率が増大し、この屈折率の変動現象が成膜時に較べ光学特性がずれる原因になってしまう。
【００６１】
そのため、蒸発粒子にエネルギーを与えて反応性を高め、密度の高い膜を形成する手法が種々考案されている。
【００６２】
例えば、ＲＦ−イオンプレーティング（ＲＦ−ＩＰ）法では、真空槽内にアンテナを導入し、そこに高周波電源を接続して高周波をかけ、プラズマにより基板の洗浄と蒸発材料の活性化とを同時に行う。
【００６３】
また、イオンビームアシスト蒸着（ＩＡＤ）法では、真空槽内にイオンソースを設け、膜成長中の基板表面にイオンビームを照射して活性化を行う。
【００６４】
また、アンテナへのＲＦバイアス印加によるプラズマ発生のような単純な手法でなくプラズマを安定的に発生させるために考案された特別なプラズマガンを用いる手法も使用されている。
【００６５】
最近ではスパッタリング法も使用されるようになってきている。
【００６６】
水素雰囲気で加熱還元処理を行ったガラス板部１は、上述のＥＢ法，ＲＦ−ＩＰ法，ＩＡＤ法等の方法を用いて成膜を行うことができる。
【００６７】
それぞれ長所短所があるが、成膜の安定性や成膜装置のメンテナンス性の点からＥＢ法とＲＦ−ＩＰ法が好ましい。
【００６８】
また、ＥＢ法に較べて蒸発材料を活性化することのできるＲＦ−ＩＰ法の方が一般に密度の高い膜を得ることができるので、膜強度の点からＲＦ−ＩＰ法で成膜した膜の方が硬い膜であり、引っ掻きなどの傷に強く好適となる。
【００６９】
膜材料は信頼性の点から、ＳｉＯ２，ＴｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物が選ばれる。
【００７０】
また、膜構成は反射率が低くなる三層構造にするのが一般的である。
【００７１】
成膜の前工程において、ガラス板部１を十分に洗浄する。
【００７２】
通常は、市水（水道水），純水，アルコール系溶剤の順で洗浄を行う。
【００７３】
また、ガラス板部１の汚れが気になる場合は、市水の前に界面活性剤の入った洗剤を用いて洗浄を行う方法や、塩基性の洗浄剤で汚れを加水分解して除去する手法を合わせて用いるとより効果的である。
【００７４】
反射防止膜を成膜するにあたって、使用波長，膜材料，膜層に応じて最適な膜厚を設計する。
【００７５】
通常は、半導体レーザーの発振波長である、１．３１μｍ，１．４８μｍ，１．５５μｍなど、特定の波長で反射が最低となるＶコートと呼ばれる帯域の狭い膜を採用する。
【００７６】
正確に設計・成膜した反射防止膜の反射率は、特定波長において０．２％以下である。
【００７７】
成膜した膜には、成膜条件によって膜応力（引張応力や圧縮応力）が加わっている。これら膜応力は、膜一層個々にそれぞれに存在する。
【００７８】
従って、例えば数十層の膜から構成する場合、膜応力のバランスが悪いと、この膜応力によってガラス板部１が反る現象が発生するため、注意が必要である。
【００７９】
また、二〜三層の膜構成であっても、ガラス板部１の大きさが数ミリと小さくなると、ガラス板部１が前記膜応力に耐えられずに反ることがある。
【００８０】
特にガラス板部１の厚さが０．５ｍｍ以下の場合はガラス板部１が破損することもある。
【００８１】
膜応力に対しては一般に、基板温度、成膜中の圧力、蒸発速度、プラズマ密度、プラズマのエネルギー、反応性ガス（一般に酸化物の場合には酸素、希に窒素を併用することもある）と不活性ガス（一般にアルゴン、希にヘリウムやキセノンを併用することもある）の分圧比、反応性ガスとして酸素以外に窒素を併用する場合には酸素／窒素比率、不活性ガスにアルゴン以外のガスを使用する場合にはそれらの分圧比等、蒸発ガス粒子の振る舞いに影響する全ての要因が影響する。
【００８２】
本実施例においては反射防止膜を三層構造とし、更に膜応力の発生が少なくなるように、一層ずつ精密に引張応力や圧縮応力を制御しながら成膜を行う。
【００８３】
両面に成膜する場合は、ガラス板部１を再加熱する必要があるため、その熱による膜応力への影響も考慮して成膜を行う。
【００８４】
上述の方法で少なくとも片面に光学薄膜を成膜した偏光ガラス母板は、切断装置を用いて所望の大きさに切断する。
【００８５】
切断方法には、ダイシング装置やワイヤー装置などを用いる方法、細径のダイヤモンドバイトを用いる方法、レーザーを用いる方法などがある。
【００８６】
レーザーを用いる方法以外は、偏光ガラス母板を何らかの方法で貼着固定する必要があるため、糊汚れの点からは好ましくない。
【００８７】
しかし、レーザーによる切断は切断面が鋭角でなく、また偏光ガラス母板上の反射防止膜も熱損傷を受けるためまだ技術的に確立されていない。
【００８８】
また、細径のダイヤモンドバイトを用いる方法は、切断端にチッピングや欠けを生じやすいし、切断時に用いる溶液や、ガラスの切断くずで偏光ガラス母板の表面を汚しやすい。
【００８９】
そのため、これらの問題点が少ない上に、切りシロの少なさや切断精度のよさから、ダイシング装置やワイヤー装置を使用すると良い。
【００９０】
特にダイシング装置は、ブレード（刃）の切れ味がよく切断スピードを速くできるため好ましい。
【００９１】
このダイシング装置は、半導体ＩＣチップの切断に用いられており、切断精度に秀れ、切断面にチッピングや欠けが少ない上に、切断チップ表面に汚れが残らず、偏光ガラス母板を切断するのに適した装置である。
【００９２】
まず、偏光ガラス母板をエアーブローで表面の汚れを除去した後、粘着テープに積層貼着する。
【００９３】
尚、この粘着テープは、ベースシート４上に貼着層３として粘着剤が積層されているものである。
【００９４】
この粘着剤には、ＵＶ光を照射すると貼着力が低下する粘着剤（糊）が採用されている。
【００９５】
積層貼着は、一定加重を加えられるローラーに挟んで行う。
【００９６】
従って、偏光ガラス母板に反りがなければ、粘着テープと均一に密着性良く貼着できる。
【００９７】
粘着テープには数十種類以上あり、その粘着力や厚さに関して、偏光ガラス母板と相性の良いものを選ぶ。
【００９８】
尚、ＵＶ光照射前の粘着力が１０００〜５０００ｍＮ／２５ｍｍ２、ＵＶ光照射後の粘着力が５０〜５００ｍＮ／２５ｍｍ２のものが好ましい。
【００９９】
粘着テープに貼着した偏光ガラス母板は、ダイシング装置にセットして所望の大きさに切断する。
【０１００】
切断には、ブレードの回転数や切断速度と粘着テープとのバランスが重要であり、切断チップ（偏光ガラス）が粘着テープから剥がれない切断条件で切断する。
【０１０１】
回転数は１万ｒｐｍ以上、切断速度は７０ｍｍ／秒以下が好ましい。
【０１０２】
切断チップの大きさは、光デバイスに組み込む時の大きさによって種々あるが、コストの点から３ｍｍ角以下、好ましくは１ｍｍ角前後（目的によっては０．３〜０．７ｍｍ角）である。
【０１０３】
また、切断チップ形状は正方形の場合もあるし、長方形の場合もある。
【０１０４】
いずれの場合も切断の寸法公差は±０．０５ｍｍ以下である。
【０１０５】
切断は上述の高速で回転するブレードで偏光ガラス母板を切ることによって行う。
【０１０６】
ブレードを偏光ガラス母板に入れるとき、偏光ガラス母板の表面には強い力が加わるため、粘着テープの貼着力が２５００ｍＮ／２５ｍｍ２前後であっても、切断条件によっては、偏光ガラス母板は粘着テープから剥がれてしまうことがある。特に３ｍｍ角以下の小さい切断チップは、接着面積が小さいために剥がれやすく、時には全て剥がれて切断チップが飛散することもある。
【０１０７】
切断中に一部若しくは全面が剥がれた切断チップ裏面には、粘着テープの粘着剤が付着している。粘着剤は切断チップの裏面全面に付着している場合もあるが、ほとんどは切断面近傍に線状に付着する。
【０１０８】
このことからも、偏光ガラス母板はブレードから受けた強い力によって剥がれていることが予想される。
【０１０９】
この際、反りが生じたものは特に切断時に剥がれやすく、剥がれた部分には粘着剤が付着してしまうが、本実施例のように膜応力（引張応力や圧縮応力）を考慮して精密に制御し、可及的に偏光ガラス母板の反りが発生しないように構成されている場合、切断時に剥がれないため粘着剤は付着しない。
【０１１０】
切断チップ裏面に付着した粘着剤は、ＵＶ光照射後は粘着性が無くなる（低下する）だけで、その存在自体は切断チップ裏面に汚れとして残ったままである。
【０１１１】
従って、粘着剤が付着した場合には、入念な汚れ除去が必要になるが、本実施例では、前記反りの発生が可及的に抑制されているから、該入念な汚れ除去は不要となる（エア吹き付け等の簡単な汚れ除去程度は行った方が良い。）。
【０１１２】
切断チップは、粘着テープにＵＶ光を照射して粘着剤の貼着力を低下させ、分離し易くした後、ピックアップ装置で一個ずつチップトレーに自動で採取する。
【０１１３】
この時、切断チップ裏面は粘着テープの粘着剤に非常に弱く貼着しているだけであるので、切断チップを粘着テープから取っても、粘着剤が切断チップ裏面に付着することは殆どないが、上述のように偏光ガラス母板に反りが生じているものの場合、剥がれてしまった部分の粘着剤は付着したままとなる。
【０１１４】
ピックアップ装置もダイシング装置同様、半導体ＩＣの製造に用いられており、小さな切断チップを採取するのに適した装置である。
【０１１５】
本実施例は、このように自動でチップを採取（分離）するから、人がピンセット等の道具で採取する際に誤って起こる切断チップと粘着剤とを一緒に採取してしまうようなことがなくなる。
【０１１６】
本実施例は上述のように構成したから、三層の反射防止膜が成膜された偏光ガラス母板を、ＵＶ光を照射すると貼着力が非常に弱まるＵＶ樹脂が粘着剤として使用された粘着テープに積層貼着してダイシング装置で３ｍｍ角以下のチップに切断する際、光学薄膜が偏光ガラス母板の反りを可及的に防止する膜応力に設定されているから、この偏光ガラス母板は反らず、粘着テープに均一に密着性良く貼着され、しかも、該反りによって偏光ガラス母板側に粘着剤が付着することも防止される。
【０１１７】
また、この偏光ガラス母板を切断する際、偏光ガラスの切断部近傍や反対側の持ち上がりが防止されるから、ＵＶ光照射前の粘着剤が該持ち上がりによって引き伸ばされることによるチップ（偏光ガラス）への粘着剤の付着が可及的に防止され、糊汚れの発生を防止することができる。
【０１１８】
よって、本実施例は、偏光ガラス等を製作するための光学基板用母板の反りを可及的に防止することで、切断時の糊汚れの発生を防止し、これにより手間のかかる糊汚れの除去作業をなくすと共に、光学部材として要求される高い透過率を達成できる極めて実用性に秀れた偏光ガラスが得られる。
【０１１９】
また、三層の反射防止膜の夫々の引張応力及び圧縮応力が他の反射防止膜の引張応力及び圧縮応力と相殺するように成膜することで偏光ガラス母板の反りを防止できるから、他の特別な方法や装置を用いることなく極めて低コスト且つ容易に本実施例を実現することができる。
【０１２０】
また、切断した偏光ガラスはピックアップ装置を用いて自動で採取することができるから、誤って偏光ガラスと粘着剤とを一緒に採取してしまうようなことなく確実に糊汚れのない偏光ガラスを採取することができる。
【０１２１】
この本実施例の作用効果を示す実験結果を以下に説明する。
【０１２２】
第一実験例は、反射防止膜の成膜にＲＦ−ＩＰ法を用いて偏光ガラスを製作したものである。
【０１２３】
水素還元処理後、偏光特性を有したガラス板部１を洗剤槽も含めて洗浄を行い、治具に入れた後、成膜装置にセットした。
【０１２４】
成膜した膜はＴａ２Ｏ５をＳｉＯ２で挟んだ三層膜であり、ガラス板部１の両面に成膜を行った。
【０１２５】
成膜方法はＲＦ−ＩＰ法であり、合計の膜厚は５３０ｎｍであった。
【０１２６】
成膜時には、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯ２に発生する引張応力及び圧縮応力を精密に制御した。
【０１２７】
成膜後の平面度はλ／２（λ＝６３３ｎｍ）以下であった。
【０１２８】
また、得られた偏光ガラス母板には反りがなかった。
【０１２９】
この偏光ガラス母板をＵＶ光照射前の貼着力が約４０００ｍＮ／２５ｍｍ２、ＵＶ光照射後の貼着力が約２５０ｍＮ／２５ｍｍ２の粘着テープに貼り付け、ダイヤモンド粒子をレジンで固定した厚さ１００μｍのブレードを用い１ｍｍ角に切断した。
【０１３０】
この時のブレードの回転数は５万ｒｐｍであり、切断速度は２ｍｍ／秒であった。
【０１３１】
切断中に粘着テープから切断チップが剥がれて飛散することはなかった。
【０１３２】
切断が終了し、粘着テープにＵＶ光を照射した後、ピックアップ装置を用いて切断チップをチップトレーに採取した。
【０１３３】
チップトレーに採取した切断チップを双眼４０倍の顕微鏡を用いて検査を行ったところ、その９７％以上は糊汚れが認められなかった。
【０１３４】
第二実験例は反射防止膜の成膜にＥＢ法を用いて偏光ガラスを製作したものである。
【０１３５】
水素還元処理後、偏光特性を有したガラス板部１を洗剤槽も含めて洗浄を行い、治具に入れた後、成膜装置にセットした。
【０１３６】
成膜した膜はＴｉＯ２をＳｉＯ２で挟んだ三層膜であり、ガラス板部１の両面に成膜を行った。
【０１３７】
成膜方法はＥＢ法であり、合計の膜厚は７７５ｍであった。
【０１３８】
成膜時には、ＴｉＯ２とＳｉＯ２に発生する引張応力及び圧縮応力を精密に制御した。
【０１３９】
成膜後の平面度はλ（λ＝６３３ｎｍ）以下であった。
【０１４０】
また、得られた偏光ガラス母板には反りがなかった。
【０１４１】
この偏光ガラス母板をＵＶ光照射前の貼着力が約４０００ｍＮ／２５ｍｍ２、ＵＶ光照射後の貼着力が約２５０ｍＮ／２５ｍｍ２の粘着テープに貼り付け、ダイヤモンド粒子をレジンで固定した厚さ１００μｍのブレードを用い１ｍｍ角に切断した。
【０１４２】
この時のブレードの回転数は５万ｒｐｍであり、切断速度は２ｍｍ／秒であった。
【０１４３】
切断中に粘着テープから切断チップが剥がれて飛散することはなかった。
【０１４４】
切断が終了し、粘着テープにＵＶ光を照射した後、ピックアップ装置を用いて切断チップをチップトレーに採取した。
【０１４５】
チップトレーに採取した切断チップを双眼４０倍の顕微鏡を用いて検査を行ったところ、その９０％以上は糊汚れが認められなかった。
【０１４６】
第三実験例は、ＥＢ法を用いて従来通りの制御で反射防止膜を成膜して偏光ガラスを製作したものである。
【０１４７】
水素還元処理後、偏光特性を有したガラス母板１を洗剤槽も含めて洗浄を行い、治具に入れた後、成膜装置にセットした。
【０１４８】
成膜した膜はＴｉＯ２をＳｉＯ２で挟んだ三層膜であり、ガラス板部１両面に成膜を行った。
【０１４９】
成膜方法はＥＢ法であり、合計の膜厚は１００８ｎｍであった。
【０１５０】
成膜時には、ＴｉＯ２とＳｉＯ２に発生する引張応力及び圧縮応力を通常制御した。
【０１５１】
成膜後の平面度はλ〜２λ（λ＝６３３ｎｍ）であった。
【０１５２】
また、得られた偏光ガラス母板には、若干の反りが見られた。
【０１５３】
この偏光ガラス母板をＵＶ光照射前の貼着力が約４０００ｍＮ／２５ｍｍ２、ＵＶ光照射後の貼着力が約２５０ｍＮ／２５ｍｍ２の粘着テープに貼り付けて、ダイヤモンド粒子をレジンで固定した厚さ１００μｍのブレードを用い１ｍｍ角に切断した。
【０１５４】
この時のブレードの回転数は５万ｒｐｍであり、切断速度は２ｍｍ／秒であった。
【０１５５】
切断中に粘着テープから切断チップが剥がれて飛散することはなかった。
【０１５６】
切断が終了し、粘着テープにＵＶ光を照射した後、ピックアップ装置を用いて切断チップをチップトレーに採取した。
【０１５７】
チップトレーに採取した切断チップを双眼４０倍の顕微鏡を用いて検査を行ったところ、全てに糊汚れが認められた。
【０１５８】
以上の結果から、膜応力（引張応力及び圧縮応力）を精密に制御して成膜した場合には、偏光ガラス母板が反らずに極めて良好な平面度（λ未満の平面度）を有するものとなり、ダイシング装置による切断の際に剥離が防止され、更に、殆どの偏光ガラスには糊汚れが発生しないことが確認された。
【０１５９】
尚、本実施例は、偏光ガラス単体の切断に関して述べたが、これに限らず、例えば、アイソレーターのコストダウンの為に、二枚の偏光ガラス間に磁性膜を挟んで接着したものを本実施例と同様の大きさに切断する場合にも、同様に糊汚れを防止することができる。また、偏光ガラス以外にも高い透過性を要求される光学基板において、本実施例と同様の製造方法を採用することにより、糊汚れのない光学的に秀れたものを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の説明側面図である。
【図２】本実施例の説明平面図である。
【符号の説明】
１　ガラス板部
２　光学基板
３　貼着層
【図１】
2004101842.tif 000003
【図２】
2004101842.tif 000004