(57)【要約】【課題】除害効率を維持しつつ、除害ガスの処理量を増加させる。【解決手段】除害ガス導入管１の上流側には、除害ガスを燃焼処理するためにヒータ２を設けるとともに、除害ガス導入管１の下流側には、除害ガスをプラズマ分解するための電極３ａ、３ｂを設ける。【選択図】      図１
2004243237.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除害ガスを導入する除害ガス導入部と、
前記除害ガス導入部の導入された除害ガスを燃焼させる除害ガス燃焼手段と、
前記除害ガス燃焼手段の後段に設けられ、前記除害ガス燃焼手段から排出された未燃焼ガスをプラズマ化して分解するプラズマ処理手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項２】
除害ガスを導入する除害ガス導入部と、
前記除害ガス導入部の導入された除害ガスをプラズマ化しながら燃焼させる除害ガス処理手段とを備えることを特徴とする除害装置。
【請求項３】
除害ガスを燃焼させる工程と、
前記除害ガスの未燃焼部分をプラズマ化して分解する工程とを備えることを特徴とする除害方法。
【請求項４】
除害ガスをプラズマ化しながら燃焼させることを特徴とする除害方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は除害装置および除害方法に関し、特に、プラズマ式除害方法と燃焼式除害方法とを組み合わせて使用する場合に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程などから排出されるプロセスガスを除害するための代表的な方法として、プラズマ式除害方法と燃焼式除害方法とがあった。
ここで、プラズマ式除害方法では、プロセスガスをプラズマ中で分解させることにより、プロセスガスを除害し、燃焼式除害方法では、プロセスガスを高温で燃焼させることにより、プロセスガスを除害する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プラズマ式除害方法では、プロセスガスをプラズマ中で分解処理するため、ガス種に制約されることなく、ほぼ完全にプロセスガスを除害することができるが、処理可能な量に制限があり、ガスの流量や圧力に制限があった。
【０００４】
また、燃焼式除害方法では、プロセスガスを高温で燃焼させるため、プロセスガスを大量に処理することができるが、ガス種によっては、未燃焼のまま排出され、除害効率が劣化することがあった。
そこで、本発明の目的は、除害効率を維持しつつ、除害ガスの処理量を増加させることが可能な除害装置および除害方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の除害装置によれば、除害ガスを導入する除害ガス導入部と、前記除害ガス導入部の導入された除害ガスを燃焼させる除害ガス燃焼手段と、前記除害ガス燃焼手段の後段に設けられ、前記除害ガス燃焼手段から排出された未燃焼ガスをプラズマ化して分解するプラズマ処理手段とを備えることを特徴とする。
【０００６】
これにより、除害ガスを燃焼させて、除害ガスを大量に処理することが可能となるとともに、燃焼後に残存する未燃焼ガスのみをプラズマ化して、未燃焼ガスを分解することが可能となる。
このため、プラズマ分解時の負荷を軽減しつつ、除害ガスを無害化処理することが可能となり、大量の除害ガスを処理することを可能としつつ、除害ガスが未処理のままで排出されることを防止することができる。
【０００７】
また、請求項２記載の除害装置によれば、除害ガスを導入する除害ガス導入部と、前記除害ガス導入部の導入された除害ガスをプラズマ化しながら燃焼させる除害ガス処理手段とを備えることを特徴とする。
これにより、燃焼時に残存する未燃焼ガスをプラズマ化して分解しながら、除害ガスを燃焼させることが可能となり、除害効率を維持しつつ、除害ガスの処理量を増加させることが可能となる。
【０００８】
また、請求項３記載の除害方法によれば、除害ガスを燃焼させる工程と、前記除害ガスの未燃焼部分をプラズマ化して分解する工程と燃焼を備えることを特徴とする。
これにより、除害ガスの燃焼処理時に未燃焼ガスが残存した場合においても、未燃焼ガスをプラズマ化して、分解処理することが可能となり、大量の除害ガスを処理することを可能としつつ、除害ガスが未処理のままで排出されることを防止することができる。
【０００９】
また、請求項４記載の除害方法によれば、除害ガスをプラズマ化しながら燃焼させることを特徴とする。
これにより、除害ガスのプラズマ処理と燃焼処理を同時に行うことが可能となり、大量の除害ガスを処理する場合においても、除害効率を維持しつつ、処理時間を短縮することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る除害装置について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る除害装置の概略構成を示す断面図である。
【００１１】
図１において、除害装置には、半導体製造工程などから排出された除害ガスを導入する除害ガス導入管１が設けられ、除害ガス導入管１の上流側には、除害ガス導入管１内を加熱するヒータ２が設けられている。
また、除害ガス導入管１の下流側には、電極３ａ、３ｂが設けられ、電極３ｂは、カップリングコンデンサ４を介してＲＦ電源５に接続されている。
【００１２】
そして、半導体製造工程などから排出された除害ガスは、除害ガス導入管１に導入され、除害ガス導入管１の上流側で除害ガスが燃焼されることにより、除害ガスの大部分が無害化される。
そして、除害ガス導入管１の上流側を通過した除害ガスは、電極３ａ、３ｂの間を流れ、ＲＦ電源５をオンして、電極３ａ、３ｂ間にプラズマを発生させることにより、未燃焼の除害ガスを分解する。
【００１３】
そして、分解された除害ガスは真空ポンプにより排気され、スクラバに導入されて、後処理が行われる。
これにより、除害ガスを大量に流した場合においても、除害ガス導入管１の上流側で除害ガスを燃焼させることが可能となるとともに、除害ガスが未燃焼のまま残った場合においても、未燃焼ガスをプラズマ処理により分解することができる。
【００１４】
このため、大量の除害ガスを処理することを可能としつつ、除害ガスが未処理のままで排出されることを防止することができる。
図２は、本発明の第２実施形態に係る除害装置の概略構成を示す断面図である。
図２において、除害装置には、半導体製造工程などから排出された除害ガスを導入する除害ガス導入管１１が設けられ、除害ガス導入管１１には、除害ガス導入管１１内を加熱するヒータ１２が設けられている。
【００１５】
また、ヒータ１２の内側には、電極１３ａ、１３ｂが設けられ、電極１３ｂは、カップリングコンデンサ１４を介してＲＦ電源１５に接続されている。
そして、半導体製造工程などから排出された除害ガスは、除害ガス導入管１１に導入され、除害ガス導入管１１で除害ガスが燃焼されるとともに、電極１３ａ、１３ｂ間でプラズマ化され、除害ガスの燃焼処理と同時に未燃焼の除害ガスがプラズマ分解される。
【００１６】
そして、分解された除害ガスは真空ポンプにより排気され、スクラバに導入されて、後処理が行われる。
これにより、除害ガスのプラズマ処理と燃焼処理を同時に行うことが可能となり、大量の除害ガスを処理する場合においても、除害効率を維持しつつ、処理時間を短縮することが可能となる。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ式除害方法と燃焼式除害方法とを組み合わせて除害ガスの処理を行うことにより、大量の除害ガスを処理することを可能としつつ、プラズマ分解時の負荷を軽減することが可能となり、除害効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る除害装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る除害装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１、１１  除害ガス導入管、２、１２  ヒータ、３ａ、３ｂ、１３ａ、１３ｂ電極、４、１４  カプリングコンデンサ、５、１５  ＲＦ電源
【図１】
2004243237.tif 000003
【図２】
2004243237.tif 000004