(57)【要約】【課題】半田付け用端子の全面に金めっきを施しながら、半田が半田付け部から非半田付け部へと這い上がることを防ぐことができる半田付け用端子の製造方法を提供する。【解決手段】半田付けする半田付け部２と半田付けしない非半田付け部３とを設けて形成され、下地めっき９であるニッケルめっき７の表面に金めっき８を施した半田付け用端子１に関する。半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射する。これにより、上記部分の半田濡れ性が低下することによって、半田が半田付け部２から非半田付け部３へと這い上がることを防ぐことができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田付けする半田付け部と半田付けしない非半田付け部とを設けて形成され、下地めっきであるニッケルめっきの表面に金めっきを施した半田付け用端子を製造するにあたって、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することを特徴とする半田付け用端子の製造方法。
【請求項２】
半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射し、この部分の金を蒸発により除去することによって、ニッケルめっきを露出させることを特徴とする請求項１に記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項３】
半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分の金をニッケルと合金化させることを特徴とする請求項１に記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項４】
半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分の金の一部を蒸発により除去すると共に上記部分の金の残部をニッケルと合金化させることを特徴とする請求項１に記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項５】
電磁波として、１パルス当りのエネルギーが３ｍＪ／ｐｕｌｓｅ以下、かつ、単位面積当りのエネルギーが１２００ｍＪ／ｍｍ２以下であるものを用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項６】
半田付け部と非半田付け部との間の部分を金の剥離液に接触させた後に、この部分に電磁波を照射することを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項７】
半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射した後に、この部分を金の剥離液に接触させることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項８】
レジストを含む溶液を半田付け用端子の表面に塗布し、これを感光させることによって、半田付け用端子の表面にレジスト膜を形成し、次に半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分のレジスト膜を剥離した後、この部分を金の剥離液に接触させることを特徴とする請求項１に記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項９】
半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分にニッケル酸化物層を形成し、次に半田付け用端子の全面に金めっきを施した後に、上記部分を金の剥離液に接触させることを特徴とする請求項１に記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項１０】
半田付け部と非半田付け部との間の部分の表面にマスクを形成した後、上記部分以外の部分の表面に金めっきを施し、次にマスクを剥離すると共に半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することを特徴とする請求項１に記載の半田付け用端子の製造方法。
【請求項１１】
半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射した後に、この部分を洗浄液に接触させることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の半田付け用端子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田付けに備えて表面処理がなされた半田付け用端子（例えば、コネクタ端子）を製造する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図１１はコネクタ（ソケット）Ａの一例を示すものであり、コネクタ基台１０に多数本のコネクタ端子１′を平行に２列取り付けることによって形成されている。コネクタ端子１′は一端部に端子部２′を、他端部に接点部３′を設けるように折り曲げ加工して形成されており、端子部２′がコネクタ基台１０の下面に配置されるように取り付けてある。またコネクタ端子１′の表面には一般に、ニッケルめっき７の下地めっき９を施した上に、金めっき８が施してある。
【０００３】
そしてこのようなコネクタ端子１′を組み込んで形成したコネクタＡは、図１２に示すようにプリント配線板１１に実装して使用されるものであり、プリント配線板１１の上にコネクタＡを配置して、コネクタ端子１′の端子部２′をプリント配線板１１に半田付けすることによって、コネクタＡの実装を行うようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
上記のようにプリント配線板１１の上にコネクタＡを配置して、コネクタ端子１′の端子部２′を半田付けするにあたって、コネクタ端子１′の表面の全面には金めっき８が施してあるので、金に対する半田の濡れ易さなどから、半田が端子部２′から接点部３′へとコネクタ端子１′の金めっき８を施した表面に沿って這い上がり、この結果、端子部２′に十分な量の半田が残らず、プリント配線板１１との半田接合強度が不足するおそれがあるという問題がある。また、半田が端子部２′から金めっき８の表面を這い上がって接点部３′に到達した場合、メス側となるコネクタＡに、オス側となるヘッダ（図示省略）を差し込んだとき、コネクタＡがヘッダを十分に保持することができなくなるという問題もある。
【０００５】
そこで、コネクタ端子１′のうち、表面を金めっき８で被覆することが必要な端子部２′と接点部３′のみに金めっき８を施し、端子部２′と接点部３′の間の部分には金めっき８が施されないように、部分金めっきを行うことが検討されている（例えば、特許文献２、３参照。）。このように端子部２′と接点部３′の間に金めっき８を施さず、ニッケルの下地めっき９を露出させたままにしておくことによって、ニッケルに対する半田の濡れ難さなどから、端子部２′から接点部３′へと半田が這い上がることを遮断して防ぐことができるのである。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−８７５３号公報（段落番号［００２８］）
【特許文献２】
特開平２−１５６６２号公報（特許請求の範囲、第３頁）
【特許文献３】
特開平６−２０４３７７号公報（特許請求の範囲、第３頁）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、コネクタ端子１′は図１０に示すように長尺の金属帯板１２（銅素材など）にその長手方向の側端縁に沿って多数本突設して形成されているものであり、これをフープ材１３の態様にして、フープ材１３を長手方向に送りながら金めっき浴に浸漬することによって、コネクタ端子１′に金めっき８を施すようにしてある。従ってコネクタ端子１′は全体が金めっき浴に浸漬されるので、コネクタ端子１′に部分的に金めっき８を施すようにすることは難しく、敢えてコネクタ端子１′に部分的に金めっき８を施すようにすればフープ材１３の送り速度を数分の一程度に減速せざるを得なくなり、生産性に問題が生じることになるものであった。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、コネクタ端子等の半田付け用端子の全面に金めっきを施しながら、半田が、半田付けする半田付け部（コネクタ端子においては端子部）から半田付けしない非半田付け部（コネクタ端子においては接点部）へと這い上がることを防ぐことができる半田付け用端子を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る半田付け用端子の製造方法は、半田付けする半田付け部２と半田付けしない非半田付け部３とを設けて形成され、下地めっきであるニッケルめっき７の表面に金めっき８を施した半田付け用端子を製造するにあたって、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射することを特徴とするものである。
【００１０】
また請求項２の発明は、請求項１において、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射し、この部分の金を蒸発により除去することによって、ニッケルめっき７を露出させることを特徴とするものである。
【００１１】
また請求項３の発明は、請求項１において、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射することによって、この部分の金をニッケルと合金化させることを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項４の発明は、請求項１において、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射することによって、この部分の金の一部を蒸発により除去すると共に上記部分の金の残部をニッケルと合金化させることを特徴とするものである。
【００１３】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、電磁波Ｌとして、１パルス当りのエネルギーが３ｍＪ／ｐｕｌｓｅ以下、かつ、単位面積当りのエネルギーが１２００ｍＪ／ｍｍ２以下であるものを用いることを特徴とするものである。
【００１４】
また請求項６の発明は、請求項２乃至４のいずれかにおいて、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分を金の剥離液４に接触させた後に、この部分に電磁波Ｌを照射することを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項７の発明は、請求項２乃至４のいずれかにおいて、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射した後に、この部分を金の剥離液４に接触させることを特徴とするものである。
【００１６】
また請求項８の発明は、請求項１において、レジストを含む溶液を半田付け用端子１の表面に塗布し、これを感光させることによって、コネクタ端子１′の表面にレジスト膜５を形成し、次に半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射することによって、この部分のレジスト膜５を剥離した後、この部分に金の剥離液４を接触させることを特徴とするものである。
【００１７】
また請求項９の発明は、請求項１において、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射することによって、この部分にニッケル酸化物層６を形成し、次に半田付け用端子１の全面に金めっき８を施した後に、上記部分を金の剥離液４に接触させることを特徴とするものである。
【００１８】
また請求項１０の発明は、請求項１において、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分の表面にマスク２２を形成した後、上記部分以外の部分の表面に金めっき８を施し、次にマスク２２を剥離すると共に半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射することを特徴とするものである。
【００１９】
また請求項１１の発明は、請求項２乃至４のいずれかにおいて、半田付け部２と非半田付け部３との間の部分に電磁波Ｌを照射した後に、この部分を洗浄液２３に接触させることを特徴とするものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００２１】
本発明は、半田付けする半田付け部２と半田付けしない非半田付け部３とを設けて形成され、下地めっき９であるニッケルめっき７の表面に金めっき８を施した半田付け用端子１を製造する方法に関するものであり、上記半田付け用端子１の中には、コネクタ端子１′のほか、表面実装型半導体装置のパッケージに設けられたリード等が含まれるものである。すなわち、表面実装型半導体装置のパッケージも、コネクタ端子１′と同様にプリント配線板に実装して使用されるものであり（例えば、特開平７−２６３６１０号公報参照。）、プリント配線板の上方に上記パッケージを配置して、このパッケージに設けられたリードの先端部をプリント配線板に半田付けすることによって、上記パッケージの実装を行うものである。そしてこの場合には、リードの先端部が半田付け部２に相当し、リードの基部（根もと）が非半田付け部３に相当する。
【００２２】
以下においては、半田付け用端子１の具体例であるコネクタ端子１′の製造方法について説明するが、その他の半田付け用端子１もコネクタ端子１′と同様に製造することができる。なお、コネクタ端子１′において、端子部２′が半田付け部２に相当し、接点部３′が非半田付け部３に相当する。
【００２３】
コネクタ端子１′は既述のように、一端部に端子部２′を、他端部に接点部３′を設けるように折り曲げ加工して形成されているものであり、長尺の金属帯板１２（銅素材など）をプレス加工することによって、既述の図１０のように金属帯板１２の長手方向の一側端縁に沿って多数本を平行に配列して、金属帯板１２と一体に形成してある。そして多数本のコネクタ端子１′を一体に設けた金属帯板１２をフープ材１３の態様にして長手方向に送ることによって、多数本の各コネクタ端子１′に生産性高く加工を行うことができるようにしてある。すなわち、フープ材１３を長手方向に送りながらニッケル浴に浸漬することによって、まずコネクタ端子１′の表面の全面にニッケルの下地めっき９を施し、さらにフープ材１３を長手方向に送りながら金めっき浴に浸漬することによって、下地めっき９の上から、コネクタ端子１′の表面の全面に金めっき８を施すことができるものである。
【００２４】
上記のようにしてコネクタ端子１′の表面に端子部２′と接点部３′を含む全面に金めっき８を施した後、請求項１の発明では、端子部２′と接点部３′の間の部分に電磁波Ｌ（レーザー）を照射することによって、この部分の半田濡れ性を他の部分の半田濡れ性よりも低下させるようにしてある。このような電磁波Ｌによる加工によれば、微小スポットに集光でき、かつエネルギー条件を選べば、パワー密度を自由に制御できるので、上記のように半田濡れ性の低い部分を精度良くしかも短時間で形成することができるものである。なお、電磁波Ｌを照射する箇所は端子部２′と接点部３′との間であればどの箇所であってもよく、端子部２′に近い箇所に電磁波Ｌを照射するようにするのが望ましい。
【００２５】
このように端子部２′と接点部３′の間の部分の半田濡れ性を低下させた後、コネクタ端子１′を金属帯板１２から切り離し、コネクタ端子１′をコネクタ基台１０の両側部にそれぞれ複数本ずつ平行に取り付けることによって、既述の図１１のようなコネクタＡを作製することができるものである。そして、このようにコネクタ端子１′を組み込んで形成したコネクタＡをプリント配線板１１に実装するにあたって、既述の図１２のようにプリント配線板１１の上にコネクタＡを配置し、コネクタ端子１′の端子部２′をプリント配線板１１に半田付けする際に、半田が端子部２′から金めっき８の表面を這い上がってきても、金めっき８より半田濡れ性を低下させた箇所で半田の這い上がりは停止し、それ以上半田は這い上がらなくなる。従って、半田が接点部３′にまで這い上がって端子部２′に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができ、プリント配線板１１への端子部２′の半田接合強度を高く保つことができるものである。
【００２６】
上記のようにコネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分の半田濡れ性を低下させるにあたって、請求項２の発明では、端子部２′と接点部３′との間の部分において、図１（ａ）に示すようにコネクタ端子１′の表面に電磁波Ｌを照射し、この部分の金を蒸発により除去することによって、図１（ｂ）に示すように下地めっき９であるニッケルめっき７を露出させるようにしてある。ニッケルめっき７は金めっき８に比べて半田濡れ性が非常に劣っているので、上記のように端子部２′と接点部３′の間の部分においてニッケルめっき７を露出させておくと、半田が端子部２′から金めっき８の表面を這い上がってきても、金めっき８の除去で露出したニッケルめっき７と金めっき８との境界の箇所で半田の這い上がりが停止し、それ以上半田は這い上がらなくなる。従って、半田が接点部３′にまで這い上がって端子部２′に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができ、プリント配線板１１への端子部２′の半田接合強度を高く保つことができるものである。また、半田が端子部２′から金めっき８の表面を這い上がって接点部３′に到達することを防ぐことができるので、メス側となるコネクタＡに、オス側となるヘッダ（図示省略）を差し込んだとき、コネクタＡがヘッダを十分に保持することができるものである。なお、電磁波Ｌの照射箇所は端子部２′と接点部３′との間であれば任意であるが、図２に示すように端子部２′に近い箇所が好ましい。
【００２７】
また請求項３の発明では、端子部２′と接点部３′との間の部分において、請求項２の発明における電磁波Ｌよりも小さなエネルギーを有する電磁波Ｌを図３（ａ）に示すように照射することによって、この部分の金をニッケルと合金化させるようにしてある。このように所定の電磁波Ｌを照射すると、金めっき８の下側の下地めっき９のニッケル金属が金めっき８の層に拡散し、図３（ｂ）に示すように金めっき８のこの部分の層にＡｕ−Ｎｉの合金層８ａが形成される。この合金層８ａもニッケルめっき７と同様に金めっき８に比べて半田濡れ性が劣っているので、この合金層８ａを端子部２′と接点部３′の間の部分に形成しておくと、半田が端子部２′から金めっき８の表面を這い上がってきても、合金層８ａと金めっき８との境界の箇所で半田の這い上がりが停止し、それ以上半田は這い上がらなくなる。従って、半田が接点部３′にまで這い上がって端子部２′に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができ、プリント配線板１１への端子部２′の半田接合強度を高く保つことができるものである。ここで、既述の請求項２の発明のようにニッケルめっき７を露出させておくと、このニッケルめっき７と金めっき８との境界の箇所において局部電池が形成されることによって、耐食性が低下するおそれがあるが、請求項３の発明では、金をニッケルと合金化させることによって、金めっき８を除去しないでニッケルめっき７を露出させないようにしているので、耐食性を向上させることができるものである。なお、金めっき８に電磁波Ｌを照射して合金層８ａを形成する箇所は端子部２′と接点部３′との間であればどの箇所であってもよいが、端子部２′に近い箇所であることが望ましい。
【００２８】
また請求項４の発明では、請求項２の発明における電磁波Ｌよりも小さく、かつ請求項３の発明における電磁波Ｌよりも大きなエネルギーを有する電磁波Ｌを端子部２′と接点部３′との間の部分に照射することによって、この部分の金の一部を蒸発により除去すると共に上記部分の金の残部をニッケルと合金化させるようにしてある。このように所定の電磁波Ｌを照射すると、図４に示すように、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の一部を除去することによってこの部分においてニッケルめっき７を部分的に露出させることができるものであり、また、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の残部をニッケルと合金化させることによってこの部分においてＡｕ−Ｎｉの合金層８ａを部分的に形成することもできるものである。請求項４の発明では、ニッケルめっき７が部分的に露出しているので、請求項３の発明に比べて耐食性が低下するおそれがあるものの、ニッケルめっき７は合金層８ａに比べて半田濡れ性が劣っているので、半田の這い上がりを防止する上では請求項４の発明の方が優れているといえる。また、部分的とはいえ合金層８ａを形成しているので、請求項２の発明に比べて耐食性の観点からは請求項４の発明の方が優れているといえる。つまり、請求項４の発明では、半田の這い上がりを防止する効果と耐食性を向上させる効果とをバランス良く両立させることができるものである。
【００２９】
ここで、電磁波Ｌとしては、１パルス当りのエネルギーが３ｍＪ／ｐｕｌｓｅ以下（実質上の下限は１２００ｍＪ／ｐｕｌｓｅ）、かつ、単位面積当りのエネルギーが１２００ｍＪ／ｍｍ２以下（実質上の下限は５０ｍＪ／ｍｍ２）であるものを用いるのが好ましい。１パルス当りのエネルギーが３ｍＪ／ｐｕｌｓｅを超えるような電磁波Ｌや、単位面積当りのエネルギーが１２００ｍＪ／ｍｍ２を超えるような電磁波Ｌを用いると、金めっき８の下の下地めっき９であるニッケルめっき７も除去したり、コネクタ端子１′の金属（銅など）を溶融させたりするおそれがある。例えば、コネクタ端子１′の金属が銅である場合において、過剰なエネルギーを有する電磁波Ｌを照射するとニッケルめっき７の下の銅が露出されることとなるが、銅は半田濡れ性が良好であるため、半田の這い上がりを防止することができなくなるものであり、しかも耐食性も低下するものである。なお、請求項２の発明において電磁波Ｌとしては、１パルス当りのエネルギーが１〜５ｍＪ／ｐｕｌｓｅ、単位面積当りのエネルギーが４００〜２０００ｍＪ／ｍｍ２であるものを用いるのが好ましく、また、請求項３の発明において電磁波Ｌとしては、１パルス当りのエネルギーが１〜５ｍＪ／ｐｕｌｓｅ、単位面積当りのエネルギーが４００〜２０００ｍＪ／ｍｍ２であるものを用いるのが好ましく、さらに、請求項４の発明において電磁波Ｌとしては、１パルス当りのエネルギーが１〜５ｍＪ／ｐｕｌｓｅ、単位面積当りのエネルギーが４００〜２０００ｍＪ／ｍｍ２であるものを用いるのが好ましい。
【００３０】
また、コネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分の半田濡れ性を低下させるにあたって、請求項６の発明では、端子部２′と接点部３′との間の部分を金の剥離液４に接触させた後に、この部分に電磁波Ｌを照射するようにしてある。図５は、コネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分を金の剥離液４に接触させる例を示すものであり、同図において１４は、一側部に上方へ開口する剥離槽１５を設けた金めっき剥離治具であって、剥離槽１５には金の剥離液４が入れてある。この金めっき剥離治具１４の上面には位置決め突起１６が突設してあり、剥離槽１５と位置決め突起１６との間には上面に開口する空洞部２１を設けてある。また金めっき剥離治具１４の上方には位置決め突起１６に対応して位置決め凹部１８を凹設した押え板１７が配設してある。
【００３１】
そして、フープ材１３の態様でコネクタ端子１′に下地めっき９（ニッケルめっき７）及び金めっき８を施した後、コネクタ端子１′を金めっき剥離治具１４にセットする。ここで、コネクタ端子１′において端子部２′と接点部３′の間の部分はＵ字状に屈曲する屈曲部１９として形成されており、図５（ａ）のように屈曲部１９を下向きに突出させた状態で、コネクタ端子１′の端子部２′を金めっき剥離治具１４の上面に載置すると、屈曲部１９が剥離槽１５内に差し込まれて金の剥離液４に浸漬されるようになっている。このとき図５（ｂ）のように、帯板１２にその長手方向に一定間隔で多数設けられているガイド孔２０を位置決め突起１６に嵌めることによって、コネクタ端子１′を金めっき剥離治具１４に位置決めした状態でセットできるようにしてあり、また位置決め突起１６に位置決め凹部１８を嵌め合わせるようにした状態で、コネクタ端子１′の端子部２′の上面を押え板１７で押さえ付けることによって、コネクタ端子１′を金めっき剥離治具１４の上に固定できるようにしてある。
【００３２】
このようにコネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の屈曲部１９を金の剥離液４に浸漬させて接触させると、金めっき８の金が金の剥離液４と酸化反応して錯体化した状態で溶解する。従って、コネクタ端子１′において金の剥離液４に浸漬した部分の金めっき８を除去して、下地めっき９であるニッケルめっき７を露出させることができるものである。このとき、金の剥離液４が表面張力により剥離槽１５の内壁を伝って上昇しても、金めっき剥離治具１４に設けてある空洞部２１の開口によって、金の剥離液４が端子部２′の端部にまで到達するのを阻止することができ、端子部２′の金めっき８が溶解するのを防止することができるものである。一方、接点部３′は、図５（ｂ）に示すように金めっき剥離治具１４に接触していないので、接点部３′の金めっき８が溶解することはない。また金の剥離液４から金を錯体化した状態で回収することができる。ここで、コネクタ端子１′を金属帯板１２の側端縁に一体に設けたフープ材１３の態様のまま、上記の金の剥離液４による金めっき８の除去の処理を行うものであるが、場合によっては、コネクタ端子１′を金属帯板１２から切り離した後、金の剥離液４による金めっき８の除去の処理を行うことも可能である。
【００３３】
金めっき８を溶解して剥離除去する金の剥離液４としては、特に限定されるものではないが、シアン化カリウム、ニトロ化合物、酸化鉛等を主成分とするものを用いることができる。また金の剥離液４へのコネクタ端子１′の浸漬時間は、数秒から数分程度の範囲に設定することができる。金の剥離液４の市販されている具体例としては、メルテックス（Ｍｅｌｔｅｘ）社製「エンストリップＡｕ−７８Ｍ」を挙げることができ、これに１５秒程度浸漬することによって、金めっき８を剥離して下地めっき９（ニッケルめっき７）を露出させることができる。
【００３４】
また請求項６の発明では、上記部分の金の一部を金の剥離液４で除去した後に、上記部分に電磁波Ｌを照射することによって、上記部分の金の残部を除去したり、あるいはニッケルと合金化させたりすることができるものである。特に、上記部分の金の残部をニッケルと合金化させるようにすると、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の一部はあらかじめ金の剥離液４で除去されているので、この部分においてニッケルめっき７を部分的に露出させることができるものであり、また、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の残部は上記のように電磁波Ｌの照射でニッケルと合金化されているので、この部分においてＡｕ−Ｎｉの合金層８ａを部分的に形成することもできるものである。つまり、請求項６の発明でも、半田の這い上がりを防止する効果と耐食性を向上させる効果とをバランス良く両立させることができるものである。なお、電磁波Ｌの１パルス当りのエネルギーや単位面積当りのエネルギーは、下地めっき９の下のコネクタ端子１′の金属（銅など）を溶融させない範囲内で適宜に設定することができる。
【００３５】
また、コネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分の半田濡れ性を低下させるにあたって、請求項７の発明では、端子部２′と接点部３′との間の部分に電磁波Ｌを照射した後に、この部分を金の剥離液４に接触させるようにしてある。すなわち、まず、端子部２′と接点部３′との間の部分において、コネクタ端子１′の表面に電磁波Ｌを照射することによって、この部分の金の一部を除去して下地めっき９であるニッケルめっき７を部分的に露出させたり、あるいは上記部分の金の一部をニッケルと合金化させたりする。このとき、電磁波Ｌの１パルス当りのエネルギーや単位面積当りのエネルギーは、下地めっき９の下のコネクタ端子１′の金属（銅など）を溶融させない範囲内で適宜に設定することができる。次に、コネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分を金の剥離液４に接触させるものであるが、これは図５に示す金めっき剥離治具１４を用いて行うことができる。上記のように、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の一部を電磁波Ｌの照射で除去したりニッケルと合金化させたりした後に、上記部分に金の剥離液４による処理を行うことによって、上記部分の金の残部をさらに除去することができるものであるが、ニッケルと合金化した金は金の剥離液４による処理で除去されにくい。このように、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の一部をニッケルと合金化させるようにすると、上記部分の金の残部はその後の金の剥離液４による処理で除去されるので、この部分においてニッケルめっき７を部分的に露出させることができるものであり、また、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の一部は上記のようにあらかじめ電磁波Ｌの照射でニッケルと合金化されているので、この部分においてＡｕ−Ｎｉの合金層８ａが部分的に形成されており、耐食性を確保することができるものである。つまり、請求項６、７の発明は、金の剥離液４による処理の工程と電磁波Ｌの照射の工程との順番が逆の関係となっているが、請求項７の発明でも、半田の這い上がりを防止する効果と耐食性を向上させる効果とをバランス良く両立させることができるものである。
【００３６】
上記の請求項６、７の発明では、金の剥離液４を用いて金めっき８の除去を行っているが、場合によっては、この金の剥離液４が、端子部２′と接点部３′の間の部分以外の部分の金めっき８に接触して、除去する必要のない金めっき８を除去してしまうおそれがある。そこで請求項８の発明では、以下のようにして、除去する必要のある金めっき８のみを除去するようにしている。すなわち、まず、レジストを含む溶液をコネクタ端子１′の表面に塗布し、これを感光させることによって、図６（ａ）に示すようにコネクタ端子１′の表面にレジスト膜５を形成する。レジストを含む溶液としては、特に限定されるものではないが、例えば、オルトジアゾナフトキノン系の薬品等を用いることができる。次に、端子部２′と接点部３′との間の部分に図６（ａ）に示すように電磁波Ｌを照射することによって、図６（ｂ）に示すように上記部分のレジスト膜５を剥離する。このとき、電磁波Ｌは、半田濡れ性を低下させる必要のある金めっき８の上に形成されたレジスト膜５の箇所のみに照射するものであり、それ以外の箇所には照射しないものである。また、電磁波Ｌの１パルス当りのエネルギーや単位面積当りのエネルギーは、レジスト膜５を確実に除去でき、かつ、下地めっき９の下のコネクタ端子１′の金属（銅など）を溶融させない範囲内で、適宜に設定することができる。従って、このとき、電磁波Ｌのエネルギーの大小を調整することによって、端子部２′と接点部３′との間の部分の金の一部を除去して下地めっき９（ニッケルめっき７）を部分的に露出させたり、上記部分の金の一部をニッケルと合金化させたりしてもよい。そして上記のようにして、端子部２′と接点部３′との間の部分のレジスト膜５を剥離した後、この部分に金の剥離液４を接触させることによって、図６（ｃ）に示すように上記部分の金めっき８を除去するものであるが、これは図５に示す金めっき剥離治具１４を用いて行うことができる。金の剥離液４による処理を行うにあたって、半田濡れ性を低下させる必要のない金めっき８の上にはレジスト膜５が存在し、このレジスト膜５によって金の剥離液４が上記金めっき８に接触するのを防止することができ、一方、半田濡れ性を低下させる必要のある金めっき８は露出しているので（図６（ｂ））、金の剥離液４はこの金めっき８のみに接触させることができるものである。つまり、請求項８の発明では、金の剥離液４が、除去する必要のある金めっき８のみを確実に除去することができるものである。なお、金の剥離液４による処理を終えた後は、適宜の溶剤（例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ））を用いて、レジスト膜５を剥離することができる。
【００３７】
請求項８の発明においても、既述のように電磁波Ｌの照射時に上記部分の金の一部をニッケルと合金化させておくと、この合金化した金はその後の金の剥離液４による処理で除去されにくく、合金化していない金が上記処理で除去されるので、この部分においてニッケルめっき７を部分的に露出させることができるものであり、また、端子部２′と接点部３′の間の部分の金の一部はあらかじめ電磁波Ｌの照射でニッケルと合金化されているので、この部分においてＡｕ−Ｎｉの合金層８ａが部分的に形成されており、耐食性を確保することもできるものである。つまり、請求項８の発明でも、請求項６、７の発明と同様に、半田の這い上がりを防止する効果と耐食性を向上させる効果とをバランス良く両立させることができるものである。
【００３８】
上記の請求項２〜８の発明では、金めっき８を施した後のコネクタ端子１′に、電磁波Ｌを照射したり、金の剥離液４を接触させたりしているが、請求項９の発明では、図７（ａ）に示すように金めっき８を施す前のコネクタ端子１′、つまり下地めっき９（ニッケルめっき７）が露出しているコネクタ端子１′に、電磁波Ｌを照射するようにしている。以下、請求項９の発明について説明する。
【００３９】
コネクタ端子１′は、一端部に端子部２′を、他端部に接点部３′を設けるように折り曲げ加工して形成されているものであり、長尺の金属帯板１２（銅素材など）をプレス加工することによって、既述の図１０のように金属帯板１２の長手方向の一側端縁に沿って多数本を平行に配列して、金属帯板１２と一体に形成してある。そして多数本のコネクタ端子１′を一体に設けた金属帯板１２をフープ材１３の態様にして長手方向に送ることによって、多数本の各コネクタ端子１′に生産性高く加工を行うことができるようにしてある。すなわち、フープ材１３を長手方向に送りながらニッケル浴に浸漬することによって、コネクタ端子１′の表面の全面にニッケルの下地めっき９を施すことができるものである。
【００４０】
上記のようにしてコネクタ端子１′の表面に端子部２′と接点部３′を含む全面にニッケルめっき７を施した後、端子部２′と接点部３′の間の部分において、図７（ａ）に示すように電磁波Ｌ（レーザー）を照射することによって、この部分に図７（ｂ）に示すようにニッケル酸化物層６を形成するようにしてある。このようにニッケル酸化物層６を形成するための電磁波Ｌとしては、１パルス当りのエネルギーが１〜５ｍＪ／ｐｕｌｓｅ、かつ、単位面積当りのエネルギーが４００〜２０００ｍＪ／ｍｍ２であるものを用いることができる。このような電磁波Ｌによる加工によれば、微小スポットに集光でき、かつエネルギー条件を選べば、パワー密度を自由に制御できるので、上記のようにニッケル酸化物層６を精度良くしかも短時間で形成することができるものである。このようにして形成されたニッケル酸化物層６は金めっき８に比べて半田濡れ性が劣っているものである。なお、電磁波Ｌを照射してニッケル酸化物層６を形成する箇所は端子部２′と接点部３′との間であればどの箇所であってもよく、端子部２′に近い箇所に電磁波Ｌを照射するようにするのが望ましい。
【００４１】
そして、上記のようにニッケル酸化物層６を形成した後に、フープ材１３を長手方向に送りながら金めっき浴に浸漬することによって、図７（ｃ）に示すように下地めっき９の上から、コネクタ端子１′の表面の全面に金めっき８を施すものである。次に、コネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分を金の剥離液４に接触させることによって、図７（ｄ）に示すように上記部分の金めっき８を除去するものであるが、これは図５に示す金めっき剥離治具１４を用いて行うことができる。ここで、ニッケル酸化物層６と金めっき８との密着性は、ニッケルめっき７と金めっき８との密着性に比べて弱いものであるため、金の剥離液４による処理で、ニッケル酸化物層６の上に施されている金めっき８を容易に除去することができるものである。ここで、特に、電磁波Ｌのエネルギーの大小を調整することによって、図８に示すようにニッケル酸化物層６をニッケルめっき７よりも厚く形成しておくと、ニッケル酸化物層６の上に施される金めっき８は、ニッケルめっき７の上に施される金めっき８に比べてほとんど成長しないため、薄く形成することができ、その後の金の剥離液４による処理でさらに容易に除去することができるものである。
【００４２】
次に、上記のように端子部２′と接点部３′の間の部分の半田濡れ性を低下させた後、コネクタ端子１′を金属帯板１２から切り離し、コネクタ端子１′をコネクタ基台１０の両側部にそれぞれ複数本ずつ平行に取り付けることによって、既述の図１１のようなコネクタＡを作製することができるものである。そして、このようにコネクタ端子１′を組み込んで形成したコネクタＡをプリント配線板１１に実装するにあたって、既述の図１２のようにプリント配線板１１の上にコネクタＡを配置し、コネクタ端子１′の端子部２′をプリント配線板１１に半田付けする際に、半田が端子部２′から金めっき８の表面を這い上がってきても、金めっき８より半田濡れ性を低下させた箇所で半田の這い上がりは停止し、それ以上半田は這い上がらなくなる。従って、半田が接点部３′にまで這い上がって端子部２′に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができ、プリント配線板１１への端子部２′の半田接合強度を高く保つことができるものである。
【００４３】
次に請求項１０の発明について説明する。コネクタ端子１′は、一端部に端子部２′を、他端部に接点部３′を設けるように折り曲げ加工して形成されているものであり、長尺の金属帯板１２（銅素材など）をプレス加工することによって、既述の図１０のように金属帯板１２の長手方向の一側端縁に沿って多数本を平行に配列して、金属帯板１２と一体に形成してある。そして多数本のコネクタ端子１′を一体に設けた金属帯板１２をフープ材１３の態様にして長手方向に送ることによって、多数本の各コネクタ端子１′に生産性高く加工を行うことができるようにしてある。すなわち、フープ材１３を長手方向に送りながらニッケル浴に浸漬することによって、コネクタ端子１′の表面の全面にニッケルの下地めっき９を施すことができるものである。
【００４４】
上記のようにしてコネクタ端子１′の表面に端子部２′と接点部３′を含む全面にニッケルめっき７を施した後、端子部２′と接点部３′の間の部分において、図９（ａ）に示すようにマスク２２を形成することによって、この部分をマスクで覆い隠すようにしてある。マスク２２としては、特に限定されるものではないが、プラスチック等で作ったマスクやシリコンゴム等で作ったガスケットを用いることができる。
【００４５】
そして、上記のようにマスク２２を形成した後に、フープ材１３を長手方向に送りながら金めっき浴に浸漬することによって、図９（ｂ）に示すように下地めっき９の上から、コネクタ端子１′の表面に金めっき８を施すものである。このとき、金めっき８は、コネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分以外の部分に施され、コネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分はマスク２２によって被覆されているので、金めっき８はこの部分の表面には施されにくくなっているが、金めっき液がニッケルめっき７とマスク２２との間に浸入してこの箇所に薄い金めっき８ｂが施されるおそれがある。次に、マスク２２を剥離し、図９（ｃ）に示すようにコネクタ端子１′の端子部２′と接点部３′の間の部分に電磁波Ｌを照射することによって、図９（ｄ）に示すようにニッケルめっき７とマスク２２との間に施されていた薄い金めっき８ｂを除去するようにしている。ここで、上記のように金めっき液がニッケルめっき７とマスク２２との間に浸入してこの箇所に金めっき８ｂが施されたとしても、この金めっき８ｂは薄いものであるため、電磁波Ｌの照射によって容易に除去することができるものである。なお、電磁波Ｌのエネルギーの大小を調整することによって、薄く施された金めっき８ｂの金をニッケルめっき７のニッケルと合金化させてもよい。
【００４６】
請求項１０の発明において電磁波Ｌとしては、１パルス当りのエネルギーが１〜５ｍＪ／ｐｕｌｓｅ、かつ、単位面積当りのエネルギーが４００〜２０００ｍＪ／ｍｍ２であるものを用いることができる。このような電磁波Ｌによる加工によれば、微小スポットに集光でき、かつエネルギー条件を選べば、パワー密度を自由に制御できるので、上記のように薄く施された金めっき８ｂを精度良くしかも短時間で除去することができるものである。なお、マスク２２を形成する箇所は端子部２′と接点部３′との間であればどの箇所であってもよく、端子部２′に近い箇所にマスク２２を形成するようにするのが望ましい。
【００４７】
次に、図９（ｄ）に示すように端子部２′と接点部３′の間の部分のニッケルめっき７を露出させることによって半田濡れ性を低下させた後、コネクタ端子１′を金属帯板１２から切り離し、コネクタ端子１′をコネクタ基台１０の両側部にそれぞれ複数本ずつ平行に取り付けることによって、既述の図１１のようなコネクタＡを作製することができるものである。そして、このようにコネクタ端子１′を組み込んで形成したコネクタＡをプリント配線板１１に実装するにあたって、既述の図１２のようにプリント配線板１１の上にコネクタＡを配置し、コネクタ端子１′の端子部２′をプリント配線板１１に半田付けする際に、半田が端子部２′から金めっき８の表面を這い上がってきても、金めっき８より半田濡れ性を低下させた箇所で半田の這い上がりは停止し、それ以上半田は這い上がらなくなる。従って、半田が接点部３′にまで這い上がって端子部２′に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができ、プリント配線板１１への端子部２′の半田接合強度を高く保つことができるものである。
【００４８】
上記の各発明では、電磁波Ｌを照射する工程を含んでいるが、この電磁波Ｌの照射後において、端子部２′と接点部３′との間の部分に炭化物等の汚れが付着している場合がある。このような汚れを残しておくと、その後の処理に支障を来したり、信頼性の高いコネクタ端子１′を得たりすることが困難となる。そこで、請求項１１の発明では、端子部２′と接点部３′との間の部分に電磁波Ｌを照射した後に、この部分を洗浄液２３に接触させるようにしている。洗浄液２３としては、上記の汚れを除去できるものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、アルコール系やシアン系の洗浄液２３を用いることができる。このような洗浄液２３による洗浄は、図５の場合と同様な治具を用いて行うことができる。なお、端子部２′と接点部３′との間の部分以外の部分に汚れが付着している場合には、この部分にも洗浄液２３を接触させて汚れを除去するものである。そして、電磁波Ｌの照射により生じた汚れを上記のようにして除去することによって、コネクタ端子１′のその後の処理に支障を来すようなことがなくなり、最終的に信頼性の高いコネクタ端子１′を得ることができるものである。
【００４９】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る半田付け用端子の製造方法は、半田付けする半田付け部と半田付けしない非半田付け部とを設けて形成され、下地めっきであるニッケルめっきの表面に金めっきを施した半田付け用端子を製造するにあたって、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射するので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、端子部と接点部との間の部分の半田濡れ性が他の部分の半田濡れ性よりも低下し、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきより半田濡れ性を低下させた箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。
【００５０】
また請求項２の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射し、この部分の金を蒸発により除去することによって、ニッケルめっきを露出させるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきを除去した箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。
【００５１】
また請求項３の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分の金をニッケルと合金化させるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、金めっきの層のうち下地めっきのニッケルが拡散した部分は半田の濡れ性が低くなり、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、下地めっきのニッケルが拡散した箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。また、金めっきを除去する必要はないので、耐食性に問題が生じることもないものである。
【００５２】
また請求項４の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分の金の一部を蒸発により除去すると共に上記部分の金の残部をニッケルと合金化させるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきを除去した箇所や下地めっきのニッケルが拡散した箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。また、金めっきを部分的に除去しているので、耐食性も確保することができるものである。
【００５３】
また請求項５の発明は、電磁波として、１パルス当りのエネルギーが３ｍＪ／ｐｕｌｓｅ以下、かつ、単位面積当りのエネルギーが１２００ｍＪ／ｍｍ２以下であるものを用いるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、金めっきの下の下地めっきであるニッケルめっきを除去することがなく、コネクタ端子の金属を露出させないことによって、半田の這い上がりを防止することができると共に耐食性を確保することができるものである。
【００５４】
また請求項６の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分を金の剥離液に接触させた後に、この部分に電磁波を照射するので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきを除去した箇所や下地めっきのニッケルが拡散した箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。また、金めっきを部分的に除去することもでき、この場合には除去されなかった金がニッケルと合金化すうることにより、耐食性も確保することができるものである。
【００５５】
また請求項７の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射した後に、この部分を金の剥離液に接触させるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきを除去した箇所や下地めっきのニッケルが拡散した箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。また、金の剥離液による処理を行う前に、金の剥離液では除去されないＡｕ−Ｎｉの合金層を部分的に形成してあるので、耐食性も確保することができるものである。
【００５６】
また請求項８の発明は、レジストを含む溶液をコネクタ端子の表面に塗布し、これを感光させることによって、コネクタ端子の表面にレジスト膜を形成し、次に半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分のレジスト膜を剥離した後、この部分に金の剥離液を接触させるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、金の剥離液による処理を行うにあたって、半田濡れ性を低下させる必要のない金めっきの上にはレジスト膜が存在し、このレジスト膜によって金の剥離液が上記金めっきに接触するのを防止することができ、一方、半田濡れ性を低下させる必要のある金めっきは露出していることによって、金の剥離液をこの金めっきのみに接触させることができるものである。そして、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきを除去した箇所や下地めっきのニッケルが拡散した箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。また、金の剥離液による処理を行う前に、Ａｕ−Ｎｉの合金層を部分的に形成しておくと、耐食性も確保することができるものである。
【００５７】
また請求項９の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射することによって、この部分にニッケル酸化物層を形成し、次にコネクタ端子の全面に金めっきを施した後に、上記部分を金の剥離液に接触させるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、金の剥離液による処理で、ニッケル酸化物層の上に施されている金めっきを容易に除去することができ、これにより、半田濡れ性が劣るニッケル酸化物層を露出させることができるものであり、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきより半田濡れ性を低下させた箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。
【００５８】
また請求項１０の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分の表面にマスクを形成した後、上記部分以外の部分の表面に金めっきを施し、次にマスクを剥離すると共に半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射するので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、金めっき液がニッケルめっきとマスクとの間に浸入してこの箇所に金めっきが施されたとしても、この金めっきは薄いものであり、電磁波の照射によって容易に除去することができ、これにより、半田濡れ性が劣るニッケルめっきを露出させることができるものであり、コネクタ端子の端子部をプリント配線板などに半田付けする際に、半田が端子部から金めっきの表面を這い上がってきても、金めっきより半田濡れ性を低下させた箇所で半田の這い上がりが停止し、半田が接点部にまで這い上がって端子部に十分な量の半田が残らなくなることを防ぐことができるものであり、プリント配線板への端子部の半田接合強度を高く保つことができるものである。
【００５９】
また請求項１１の発明は、半田付け部と非半田付け部との間の部分に電磁波を照射した後に、この部分を洗浄液に接触させるので、例えば、半田付け用端子としてコネクタ端子を製造する場合において、電磁波の照射により生じた汚れを洗浄液による洗浄で除去することによって、コネクタ端子のその後の処理に支障を来すようなことがなくなり、最終的に信頼性の高いコネクタ端子を得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれコネクタ端子の一部を拡大した断面図である。
【図２】同上の実施の形態を示すものであり、コネクタ端子の正面図である。
【図３】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれコネクタ端子の一部を拡大した断面図である。
【図４】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、コネクタ端子の一部を拡大した断面図である。
【図５】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ），（ｂ）はそれぞれ断面図である。
【図６】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ）乃至（ｃ）はそれぞれコネクタ端子の一部を拡大した断面図である。
【図７】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれコネクタ端子の一部を拡大した断面図である。
【図８】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、コネクタ端子の一部を拡大した断面図である。
【図９】本発明の実施の形態の他例を示すものであり、（ａ）乃至（ｄ）はそれぞれコネクタ端子の一部を拡大した断面図である。
【図１０】金属帯板にコネクタ端子を一体に設けて形成されるフープ材を示すものであり、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図である。
【図１１】コネクタのソケットを示すものであり、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は側面図である。
【図１２】コネクタのソケットをプリント配線板に実装する状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半田付け用端子
１′  コネクタ端子
２  半田付け部
２′  端子部
３  非半田付け部
３′  接点部
４  金の剥離液
５  レジスト膜
６  ニッケル酸化物層
８  金めっき
９  下地めっき
２２  マスク
２３  洗浄液
Ｌ  電磁波
【図１】
2004315941.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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