(57)【要約】【課題】均一な線幅を実現できるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、幅が広く電気伝導に有利な導電膜配線を提供することにある。また、本発明の別の目的は、配線部の断線や短絡等の不具合が生じにくい電気光学装置、及びこれを用いた電子機器を提供することにある。【解決手段】液滴吐出手段１０から液体材料を液滴にして吐出し、基板１１上にパターンを形成する方法であって、パターンの線幅ＬＷは、当該パターンの線幅方向に吐出された複数の液滴からなる液滴列の長さによって規定され、液滴列の最外部の液滴に隣接する第１の液滴Ｌ２〜Ｌ６を吐出する工程と、液滴列の最外部に位置する第２の液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出する工程とを具備し、第２の液滴Ｌ１、Ｌ７の吐出量を調整することを特徴とする。【選択図】  図３
2004305990.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し、基板上にパターンを形成する方法であって、
前記パターンの線幅は、当該パターンの線幅方向に吐出された複数の前記液滴からなる液滴列の長さによって規定され、
前記液滴列の最外部の前記液滴の内側に隣接する第１の液滴を吐出する工程と、
前記液滴列の最外部に位置する第２の液滴を吐出する工程とを具備し、
前記第２の液滴の吐出量を調整することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記第１の液滴を吐出する工程は、前記第２の液滴を吐出する工程の前に施すことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第２の液滴の吐出量は、前記第１の液滴よりも多いことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１の液滴及び前記第２の液滴を吐出した後に、前記液滴列を補完する前記液滴を吐出することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し、基板上にパターンを形成する方法であって、
前記パターンは、前記基板上に形成される第１のパターン層と、当該第１のパターン層の上方に形成される第２のパターン層とからなり、
前記パターンの線幅は、当該パターンの線幅方向に吐出された複数の前記液滴からなる液滴列の長さによって規定され、
前記第１のパターン層を形成する工程は、前記液滴列の最外部の前記液滴の内側に隣接する第１の液滴を吐出する工程と、当該第１の液滴の吐出量を調整する工程とを具備し、
前記第２のパターン層を形成する工程は、前記液滴列の最外部に位置する第２の液滴を吐出する工程を具備することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
前記第２の液滴の吐出量は、前記第１の液滴よりも多いことを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記第１の液滴及び前記第２の液滴を含む前記液滴を前記基板上に吐出する前に、前記基板の表面を撥液処理することを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記液体材料は、導電性微粒子を含む液状体によってなることを特徴とする請求項１から請求項７のうちのいずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項９】
液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し、基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
請求項１から請求項８のうちのいずれかに記載のパターン形成方法によって前記基板上にパターンを形成することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のパターン形成装置によって形成されたことを特徴とする導電膜配線。
【請求項１１】
基板上に導電膜配線が形成されたデバイスを製造するデバイスの製造方法であって、請求項１から請求項８のうちいずれかに記載のパターン形成方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の導電膜配線を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン形成方法、パターン形成装置、導電膜配線、デバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板上の所望の位置に液体材料を配置する技術として、吐出手段に設けられたノズルを介して液体材料を液滴として吐出する方法が提案されている。この吐出法は、スピンコート法などの塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する液体材料の量や位置の制御を行いやすいという利点がある。また、スピンコート法では取り扱いが困難な大型基板への適用も容易である（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−１６４６３５号公報
【特許文献２】
特開２００２−２６１０４８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液体材料を液滴にして基板上に配置する技術では、パターンの線幅を均一にするのが難しいという問題がある。例えば、図１６（ａ）に示すように液滴吐出手段１０から液滴ＬＸ１、ＬＸ２を吐出して幅広化された線幅ＬＷのパターンを形成する場合、図１６（ｂ）に示すように基板１１に着弾した液滴ＬＸ２は液滴ＬＸ１に接触することによって液滴ＬＸ１側に引き寄せられ、図１６（ｃ）に示すように一体化する。従って、当該一体化に伴って引き寄せられることにより、液滴ＬＸ１と基板１１の境界部分ＬＹの位置がずれてしまい、パターンの線幅は目的とする線幅ＬＷよりも細い線幅ＬＷ’となる。更に、このように線幅ＬＷが細くなる現象は部分的に生じてしまうため、パターン全体として線幅がばらついてしまうという問題がある。更に、当該線幅のバラツキによってパターンの外観に斑が生じてしまうだけでなく、線幅の不均一部分が規則的に生じることで基板１１に縞模様が現れてしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、均一な線幅を実現できるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。また、本発明の他の目的は、幅が広く電気伝導に有利な導電膜配線を提供することにある。また、本発明の別の目的は、配線部の断線や短絡等の不具合が生じにくい電気光学装置、及びこれを用いた電子機器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
本発明のパターン形成方法は、液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し、基板上にパターンを形成する方法であって、パターンの線幅は当該パターンの線幅方向に吐出された複数の液滴からなる液滴列の長さによって規定され、液滴列の最外部の液滴の内側に隣接する第１の液滴を吐出する工程と液滴列の最外部に位置する第２の液滴を吐出する工程とを具備し、第２の液滴の吐出量を調整することを特徴とする。
即ち、本発明においては、吐出量が調整された第２の液滴を吐出することにより、当該第２の液滴と第１の液滴は一体化すると共に液滴列が所定の長さに形成される。即ち、当該所定の長さの液滴列を複数連接されたパターンにおいては、その線幅を均一にすることができる。更に、パターンの線幅の均一化に伴って、当該パターンの外観の斑や縞模様の発生を防止することが可能になる。
更に、パターンを幅広化する場合は、第１の液滴の内側に隣接する液滴の数を増やすことによって行われ、上記同様に液滴列が所定の長さに形成されるので、パターンの線幅の均一化が可能となり、当該線幅の不均一化を懸念することなく、幅広化を実現できる。
【０００７】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第１の液滴を吐出する工程は第２の液滴を吐出する工程の前に施すことを特徴とする。また、第２の液滴の吐出量は第１の液滴よりも多いことを特徴とする。
即ち、本発明においては、基板上に第１の液滴が形成された状態で第２の液滴が吐出されるので、当該第２の液滴は基板に着弾すると共に第１の液滴と一体となる。ここで、第２の液滴は、その吐出量が第１の液滴よりも多いので、第１の液滴との一体化に伴って第１の液滴側に引き寄せされたとしても、第２の液滴の側部が第１の液滴側に移動しない。従って、液滴列の長さを一定にすることが可能となり、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、好適なパターンを形成することが可能となる。
【０００８】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第１の液滴及び第２の液滴を吐出した後に、液滴列を補完する液滴を吐出することを特徴とする。
即ち、本発明においては、液滴列を補完する液滴が吐出されることにより、少なくとも第１の液滴及び第２の液滴を含む複数の液滴の相互間の空間が埋まり、液滴列が厚膜化される。即ち、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、パターンの厚膜化を実現できる。
【０００９】
更に、本発明のパターン形成方法は、液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し基板上にパターンを形成する方法であって、パターンは基板上に形成される第１のパターン層と当該第１のパターン層の上方に形成される第２のパターン層とからなり、パターンの線幅は当該パターンの線幅方向に吐出された複数の液滴からなる液滴列の長さによって規定され、第１のパターン層を形成する工程は液滴列の最外部の液滴の内側に隣接する第１の液滴を吐出する工程と当該第１の液滴の吐出量を調整する工程とを具備し、第２のパターン層を形成する工程は液滴列の最外部に位置する第２の液滴を吐出する工程を具備することを特徴とする。
即ち、本発明においては、第１のパターン層を形成することにより第１の液滴が吐出され、第２のパターン層を形成することにより吐出量が調整された第２の液滴が吐出され、第１の液滴と第２の液滴は一体化すると共に液滴列が所定の長さに形成される。従って、第２のパターン層を形成することにより、液滴列が所定の長さに形成されるので、当該所定の長さの液滴列を複数連接されたパターンにおいては、その線幅を均一にすることができる。更に、パターンの線幅の均一化に伴って、当該パターンの外観の斑や縞模様の発生を防止することが可能になる。
更に、パターンを幅広化する場合は、第１の液滴の内側に隣接する液滴の数を増やすことによって行われ、上記同様に液滴列が所定の長さに形成されるので、パターンの線幅の均一化が可能となり、当該線幅の不均一化を懸念することなく、幅広化を実現できる。
【００１０】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第２の液滴の吐出量は前記第１の液滴よりも多いことを特徴とする。
即ち、本発明においては、基板上に第１の液滴が形成された状態で第２の液滴が吐出されるので、当該第２の液滴は基板に着弾すると共に第１の液滴と一体となる。ここで、第２の液滴はその吐出量が第１の液滴よりも多いので、第１の液滴との一体化に伴って第１の液滴側に引き寄せされたとしても、第２の液滴の側部が第１の液滴側に移動しない。従って、液滴列の長さを一定にすることが可能となり、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、好適なパターンを形成することが可能となる。
【００１１】
また、本発明のパターン形成方法は、先に記載のパターン形成方法であって、第１の液滴及び前記第２の液滴を含む前記液滴を前記基板上に吐出する前に、前記基板の表面を撥液処理することを特徴とする。
ここで、撥液処理とは、液体材料に対して非親和性を示す特性を与える処理のことをいう。
従って、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、基板上に配置した液滴の広がりを抑制でき、パターンの厚膜化及び形状の安定化が図られる。また、前記液体材料は、導電性微粒子を含む液状体によってなるのが好ましい。
【００１２】
更に、本発明のパターン形成装置は、液滴吐出手段から液体材料を液滴にして吐出し、基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、先に記載のパターン形成方法によって基板上にパターンを形成することを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏する。
【００１３】
更に、本発明の導電膜配線は、先に記載のパターン形成装置によって形成されたことを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、導電膜配線の線幅の幅広化及び均一化が実現されるので、電気伝導に有利である。
【００１４】
更に、本発明のデバイスの製造方法は、基板上に導電膜配線が形成されたデバイスを製造するデバイスの製造方法であって、先に記載したパターン形成方法を用いることを特徴とする。
従って、本発明によれば、先に記載のパターン形成方法と同様の効果を奏するので、パターンの線幅の幅広化及び均一化が実現されると共に、電気伝導性に優れた良好なデバイスを製造することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、先に記載した導電膜配線を備えることを特徴とする。電気光学装置としては、例えば、プラズマ型表示装置、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などを例示できる。
また、本発明の電子機器は、上記記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
これらの発明によれば、電気伝導に有利な導電膜配線を備えるので、配線部の断線や短絡等の不良が生じにくい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
次に、本発明に係る実施形態の一例として、基板上に導電膜配線を形成する方法について説明する。本実施形態に係る配線形成方法は、導電膜配線用の液体材料を基板上に配置し、その基板上に配線用の導電膜パターンを形成するものであり、表面処理工程、材料配置工程、及び熱処理／光処理工程等を含む。なお、液体材料の配置には、液滴吐出装置を用い、吐出ヘッドのノズルを介して液体材料を液滴として吐出する液体吐出法、いわゆるインクジェット法を用いる。ここで、液滴吐出装置の吐出方式としては、圧電体素子の体積変化により液体材料（流動体）を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加により急激に蒸気が発生することにより液体材料を吐出させる方式等であってもよい。
【００１７】
導電膜配線用の基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００１８】
導電膜配線用の液体材料として、本例では、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液状体）を用いる。また、水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００１９】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。
また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。
一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱および／または光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００２０】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
【００２１】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
【００２２】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
【００２３】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。
上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２４】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２５】
（表面処理工程）
表面処理工程では、導電膜配線を形成する基板の表面を、液体材料に対して撥液性に加工（撥液処理）する。具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、５０［ｄｅｇ］以下となるように基板に対して表面処理を施す。
表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法等を採用できる。
【００２６】
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【００２７】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００２８】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００２９】
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【００３０】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００３１】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。
なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板表面の前処理を施すことが望ましい。
【００３２】
プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板に対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等が例示できる。
【００３３】
なお、基板の表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
また、基板表面が所望の撥液性よりも高い撥液性を有する場合、１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射したり、基板をオゾン雰囲気に曝したりすることにより、基板表面を親液化する処理を行って基板表面の濡れ性を制御するとよい。
【００３４】
（材料配置工程）
次に、図１から図３を参照し、材料配置工程（パターン形成方法）について説明する。
図１は、本発明のパターン形成方法により基板上に形成されるパターンの一例として導電膜パターンを示す図であって、図１（ａ）はパターンの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’における部分断面図である。図２は、材料配置工程を具体的に説明するための図であって、図１（ｂ）に対応している。図３は、図２の要部を示す拡大図。
【００３５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板１１上に形成された導電膜パターンＷは、複数の液滴が配置されることによって形成された液滴列ＬＵを有している。ここで、複数の液滴とは、液滴列ＬＵの両端に位置する液滴Ｌ１（第２の液滴）及びＬ７（第２の液滴）と、当該液滴Ｌ１、Ｌ２の内側に位置する液滴Ｌ２〜Ｌ６（第１の液滴）とを意味する。また、導電膜パターンＷの線幅ＬＷは、液滴Ｌ１、Ｌ７の外側と基板１１とが接触している境界部分Ｘ、Ｘ’の間の距離（液滴列の長さ）によって規定されている。このような液滴列ＬＵを導電膜パターンＷが延在する方向に複数配置することにより導電膜パターンＷが形成されている。
なお、本例においては、液滴列ＬＵは液滴を７滴配置することにより形成されているが、当該液滴数は導電膜パターンＷの線幅ＬＷや１滴当りの液滴の吐出量等の種種の条件によって所望に設定されるので、これに限定するものではない。
【００３６】
次に、液滴列ＬＵを形成する過程について説明する。
図２（ａ）に示すように、線幅ＬＷに対して所定の間隔の単位領域Ｂ１〜Ｂ７を基板１１上に設定する。本例においては単位領域Ｂ１〜Ｂ７の間隔を３５μｍに設定している。ここで、単位領域の設定は、パターン形成装置（後述）が具備する制御装置によって自動的に行われる。
【００３７】
次に、図２（ｂ）に示すように、単位領域Ｂ１〜Ｂ７のうち、単位領域Ｂ２〜Ｂ６のみに対して液滴Ｌ２〜Ｌ６を吐出する。
従って、液体吐出ヘッド１０のノズルから各単位領域の中心に向けて液滴を吐出し、単位領域Ｂ２〜Ｂ６内に液滴Ｌ２〜Ｌ６をそれぞれ着弾させる。ここで、液滴Ｌ２〜Ｌ６の各液滴の吐出量は、着弾径が約４０μｍとなるように所望に設定される。即ち、単位領域の間隔が３５μｍであるのに対して、液滴Ｌ２〜Ｌ６の着弾径が約４０μｍであるので、隣接する液滴どうしが単位領域の周縁部の一部で重合する。
【００３８】
次に、図２（ｃ）に示すように、単位領域Ｂ１〜Ｂ７のうち、単位領域Ｂ１、Ｂ７のみに対して液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出する。
従って、液体吐出ヘッド１０のノズルから各単位領域の中心に向けて液滴を吐出し、単位領域Ｂ１、Ｂ７内に液滴Ｌ１、Ｌ７をそれぞれ着弾させる。ここで、液滴Ｌ１、Ｌ７の吐出量は、液滴Ｌ２〜Ｌ６よりも多く、例えば、着弾径が約５０μｍとなるように設定される。
【００３９】
図３は、図２の要部を示す拡大図であって、液滴Ｌ１と液滴Ｌ２との間、及び液滴Ｌ７と液滴Ｌ６との間の挙動を説明するための図である。本図では代表として液滴Ｌ１と液滴Ｌ２との間の挙動について説明する。
図３（ａ）に示すように、液滴Ｌ２よりも吐出量が多い液滴Ｌ１を基板１１に吐出する。続いて、図３（ｂ）に示すように、基板１１に着弾した液滴Ｌ１は液滴Ｌ２に接触することによって液滴２側に引き寄せられ、図３（ｃ）に示すように液滴一体化する。ここで、液滴Ｌ１の吐出量が多いので、液滴Ｌ２側に引き寄せられたとしても、液滴Ｌ１の境界部分Ｘの位置がずれることがない。また、同様に液滴Ｌ７と液滴Ｌ６との間においても、液滴Ｌ７が液滴Ｌ６側に引き寄せされることがなく、液滴Ｌ７の境界部分Ｘ’の位置がずれることがない。
【００４０】
（乾燥工程）
次に、基板１１上に液滴列ＬＵを配置した後、分散媒の除去を行うために、必要に応じて乾燥処理を行う。乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、熱風発生機などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲でよい。
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。ただし、導電膜の変換は、すべての液体材料の配置が終了してから、熱処理／光処理工程においてまとめて行えばよいので、ここでは、分散媒をある程度除去できれば十分である。例えば、熱処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えばよい。
また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板１１を予め加熱しておいたり、液体吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板１１に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。
このような乾燥工程により、液滴列ＬＵと基板１１との密着性が向上する。
【００４１】
（熱処理／光処理工程）
熱処理／光処理工程では、基板１１上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板１１上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
【００４２】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
【００４３】
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【００４４】
上述したように、このようなパターン形成方法によれば、材料配置工程において、液滴Ｌ１の境界部分Ｘ及び、液滴Ｌ７の境界部分Ｘ’の位置がずれないことから、線幅ＬＷを一定に形成することが可能となり、即ち、導電膜パターンＷの線幅ＬＷを均一にすることができる。更に、導電膜パターンＷを複雑化させた場合に、線幅ＬＷの均一化が施されているので、外観の斑や縞模様の発生を防止することが可能になる。
更に、本例の導電膜パターンＷの幅広化をする場合においても、同様に線幅ＬＷの均一化を図ることが可能となる。
【００４５】
次に、本発明のパターン形成装置の一例として、上記配線形成方法を実施するための配線形成装置について説明する。
図４は、本実施形態に係る配線形成装置の概略斜視図である。図４に示すように、配線形成装置５０は、液体吐出ヘッド１０、液体吐出ヘッド１０をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸２、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３、基板１１を載置するための載置台４、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６、クリーニング機構部１４、ヒータ１５、及びこれらを統括的に制御する制御装置８等を備えている。Ｘ方向ガイド軸２及びＹ方向ガイド軸５はそれぞれ、基台７上に固定されている。なお、図４では、液体吐出ヘッド１０は、基板１１の進行方向に対し直角に配置されているが、液体吐出ヘッド１０の角度を調整し、基板１１の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液体吐出ヘッド１０の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板１１とノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００４６】
液体吐出ヘッド１０は、導電性微粒子を含有する分散液からなる液体材料をノズル（吐出口）から吐出するものであり、Ｘ方向ガイド軸２に固定されている。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させる。Ｘ方向ガイド軸２の回転により、液体吐出ヘッド１０が基台７に対してＸ軸方向に移動する。
【００４７】
液体吐出方式としては、圧電体素子であるピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式、液体材料を加熱し発生した泡（バブル）により液体材料を吐出させるバブル方式など、公知の様々な技術を適用できる。このうち、ピエゾ方式は、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。なお、本例では、液体材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。
【００４８】
載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させる。Ｙ方向ガイド軸５の回転により、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動する。
クリーニング機構部１４は、液体吐出ヘッド１０をクリーニングし、ノズルの目詰まりなどを防ぐものである。クリーニング機構部１４は、上記クリーニング時において、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動する。
ヒータ１５は、ランプアニール等の加熱手段を用いて基板１１を熱処理するものであり、基板１１上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行う。
【００４９】
本実施形態の配線形成装置５０では、液体吐出ヘッド１０から液体材料を吐出しながら、Ｘ方向駆動モータ３及び／又はＹ方向駆動モータ６を介して、基板１１と液体吐出ヘッド１０とを相対移動させることにより、基板１１上に液体材料を配置する。
液体吐出ヘッド１０の各ノズルからの液滴の吐出量は、制御装置８から上記ピエゾ素子に供給される電圧によって制御される。
また、基板１１上に配置される液滴のピッチは、上記相対移動の速度、及び液体吐出ヘッド１０からの吐出周波数（ピエゾ素子への駆動電圧の周波数）によって制御される。
また、基板１１上に液滴を開始する位置は、上記相対移動の方向、及び上記相対移動時における液体吐出ヘッド１０からの液滴の吐出開始のタイミング制御等によって制御される。
これにより、基板１１上に上述した導電膜パターンＷが形成される。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、本発明に係るパターン形成方法の第２実施形態について説明する。
本実施形態と第１実施形態とは、材料配置工程のみが異なっており、他の工程及び構成は同一である。従って、本実施形態では、異なる部分のみを説明し、同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
また、本実施形態のパターン形成方法は、複数のノズルを備えた液体吐出ヘッドを移動させつつ、各ノズルからの液滴の吐出動作を制御し、複数の導電膜パターンＷ’を形成するものである。
【００５１】
（材料配置工程）
図５から図６を参照して、本実施形態の材料配置工程（パターン形成方法）について説明する。
図５は、本実施形態のパターン形成方法により基板上に形成されるパターンの一例として導電膜パターンを示す図であって、図５（ａ）はパターンの平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ’における部分断面図である。図６は、本実施形態のパターン形成方法で用いる液体吐出ヘッドを示す図である。図７は、材料配置工程を具体的に説明するための図であって、図５（ｂ）に対応している。
【００５２】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、基板１１上に形成された導電膜パターンＷ’は複数の導電膜パターンＷ１〜Ｗ６を備えた構成となっている。各導電膜パターンは、複数の液滴が配置されることによって形成された液滴列ＬＵ１〜ＬＵ６を有しており、液滴列ＬＵ１〜ＬＵ６は両端に位置する液滴ＬＳ（第２の液滴）と、当該液滴ＬＳに隣接する液滴ＬＣ（第１の液滴）とを有している。なお、導電膜パターンＷ１〜Ｗ６の線幅ＬＷは、第１実施形態と同様に両端の液滴ＬＳと基板１１との境界部分によって規定されている。
更に、導電膜パターンＷ１〜Ｗ６のそれぞれは、所定の線幅ピッチＷＰで離間している。
【００５３】
図６に示すように、液体吐出ヘッド１０’は、複数のノズルＮ１〜Ｎ１３を備えている。ノズルＮ１〜Ｎ１３のそれぞれは、所定のノズルピッチＮＰで離間して配置され、各ノズルは配線形成装置５０の制御装置８によって独立的に駆動する。更に、基板１１に設定された単位領域の間隔でノズルＮ１〜Ｎ１３と基板１１とは相対移動する。本実施形態においては単位領域の間隔が３５μｍに設定されているので、当該間隔で相対移動が行われる。
【００５４】
次に、図７を参照し、導電膜パターンＷ’の形成方法について説明する。
図７（ａ）に示すように、ノズルＮ１、Ｎ６、Ｎ８、Ｎ１０から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ１の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ３の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ４の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ５の液滴ＬＳとして着弾する。
【００５５】
次に、図７（ｂ）に示すように、液体吐出ヘッド１０’を３５μｍ（単位領域の間隔）移動し、液滴Ｌを吐出する。ここで、ノズルＮ８においては、その吐出量が他のノズルよりも多く設定されている。従って、ノズルＮ１、Ｎ３、Ｎ８、Ｎ１０、Ｎ１２から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ１の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ２の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ４の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ５の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ６の液滴ＬＳとして着弾する。
このような液滴の吐出により、導電膜パターンＷ４においては予め吐出された液滴ＬＣよりも多い吐出量で液滴ＬＳが形成されるので、第１実施形態と同様に位置ズレが生じない。
【００５６】
次に、図７（ｃ）に示すように、液体吐出ヘッド１０’を上記同様に移動して液滴Ｌを吐出する。ここで、ノズルＮ１、Ｎ１０においては、その吐出量が他のノズルよりも多く設定されている。従って、ノズルＮ１、Ｎ３、Ｎ５、Ｎ１０、Ｎ１２から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ１の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ２の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ３の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ５の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ６の液滴ＬＣとして着弾する。
このような液滴の吐出により、導電膜パターンＷ１、Ｗ５においては予め吐出された液滴ＬＣよりも多い吐出量で液滴ＬＳが形成されるので、上記と同様に位置ズレが生じない。
【００５７】
次に、図７（ｄ）に示すように、液体吐出ヘッド１０’を上記同様に移動して液滴Ｌを吐出する。ここで、ノズルＮ３、Ｎ７、Ｎ１２においては、その吐出量が他のノズルよりも多く設定されている。従って、ノズルＮ３、Ｎ５、Ｎ７、Ｎ１２から液滴Ｌを吐出することで、これら液滴Ｌは導電膜パターンＷ２の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ３の液滴ＬＣ、導電膜パターンＷ４の液滴ＬＳ、導電膜パターンＷ６の液滴ＬＳとして着弾する。
このような液滴の吐出により、導電膜パターンＷ２、Ｗ４、Ｗ６においては予め吐出された液滴ＬＣよりも多い吐出量で液滴ＬＳが形成されるので、上記と同様に位置ズレが生じない。
【００５８】
従って、本実施形態においては、第１実施形態と同様の効果が得られると共に、複数の導電膜パターンＷ１〜Ｗ６を短時間に形成することができる。
【００５９】
（第３実施形態）
次に、本発明に係るパターン形成方法の第３実施形態について説明する。
本実施形態は、第１実施形態で形成された導電膜パターンＷを補完するものであり、第１実施形態に記載した乾燥工程に続いて説明する。本実施形態では、異なる部分のみを説明し、同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００６０】
図８に示すように、材料配置工程及び乾燥工程によって基板１１に密着された液滴列ＬＵの上層に液滴ＬＤを吐出した後に、当該液滴ＬＤを乾燥工程により乾燥する。
従って、液滴Ｌ１〜Ｌ７の相互間の空間が埋まり、液滴列ＬＵが厚膜化される。即ち、第１実施形態に記載したパターン形成方法と同様の効果を奏すると共に、導電膜パターンＷの厚膜化が可能となる。
【００６１】
（第４実施形態）
次に、本発明に係るパターン形成方法の第４実施形態について説明する。
本実施形態は、材料配置工程を２回施すことにより導電膜パターンＷを形成すると共に、液滴列ＬＵの両端の液滴を２回目の材料配置工程で吐出するものである。本実施形態では、異なる部分のみを説明し、同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００６２】
図９（ａ）に示すように、上述の材料配置工程によって液滴Ｌ２〜Ｌ６からなる第１のパターン層ＦＳＴを形成し、乾燥工程によって基板１１に密着させる。
次に、図９（ｂ）に示すように、上述の材料配置工程によって液滴Ｌ１、Ｌ７、液滴ＬＤからなる第２のパターン層ＳＮＤを形成し、乾燥工程によって第１のパターン層ＦＳＴに密着させる。
【００６３】
このようなパターン形成方法によれば、先に記載の実施形態と同様の効果が得られると共に、第２のパターン層ＳＮＤにより形成することで線幅ＬＷの均一化を図ることができる。
例えば、第１のパターン層ＦＳＴを所定の吐出精度で形成した後に、第２のパターン層ＳＮＤを形成することで線幅ＬＷの均一化を行うことができる。
なお、本実施形態においては、第２のパターン層ＳＮＤで液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出しているが、第３以降に積層するパターン層で液滴Ｌ１、Ｌ７を吐出してもよい。
【００６４】
次に、本発明の電気光学装置の一例として、プラズマ型表示装置について説明する。
図１０は本実施形態のプラズマ型表示装置５００の分解斜視図を示している。
プラズマ型表示装置５００は、互いに対向して配置された基板５０１、５０２、及びこれらの間に形成される放電表示部５１０を含んで構成される。
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されたものである。複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
【００６５】
基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、アドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。誘電体層５１９上には、アドレス電極５１１、５１１間に位置しかつ各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。隔壁５１５は、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁とを含む。また、隔壁５１５によって仕切られた長方形状の領域に対応して放電室５１６が形成されている。
また、隔壁５１５によって区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００６６】
一方、基板５０２には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されている。さらに、これらを覆うように誘電体層５１３、及びＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
基板５０１と基板５０２とは、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされている。
上記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続されている。各電極に通電することにより、放電表示部５１０において蛍光体５１７が励起発光し、カラー表示が可能となる。
【００６７】
本実施形態では、上記アドレス電極５１１、及び表示電極５１２がそれぞれ、先の図４に示した配線形成装置を用いて、先の図１に示した配線形成方法に基づいて形成されている。そのため、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化を実現しやすい。
【００６８】
（液晶表示装置）
次に、本発明の電気光学装置の一例として、液晶表示装置について説明する。なお、当該液晶表示装置の製造方法は、先に記載のパターン形成方法と同様であるため、説明を省略する。
【００６９】
図１１は、液晶表示装置を説明するための図であって、図１１（ａ）は液晶表示装置の画像表示領域を構成する、スイッチング素子等の各種素子及び配線等の等価回路であり、図１１（ｂ）は液晶表示装置の要部を示し、各画素が備えるスイッチング素子と画素電極との構造を説明するための断面拡大図である。
【００７０】
図１１（ａ）に示すように液晶表示装置１００は、マトリクス状に配置された走査線１０１及びデータ線１０２と、画素電極１３０と、当該画素電極１３０を制御するための画素スイッチング用ＴＦＴ（以下、ＴＦＴと称す。）１１０が複数形成されている。走査線１０１においては、パルス的に走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍが供給されるようになっており、データ線１０２においては、画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎが供給されるようになっている。更に、走査線１０１及びデータ線１０２は後述するようにＴＦＴ１１０と接続されており、走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍ及び画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎによって、ＴＦＴ１１０が駆動するようになっている。更に、所定レベルの画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎを一定期間保持する蓄積容量１２０が形成され、当該蓄積容量１２０には容量線１０３が接続されている。
【００７１】
次に、図１１（ｂ）を参照し、ＴＦＴ１１０の構造について説明する。
図１１（ｂ）に示すようにＴＦＴ１１０は、所謂ボトムゲート型（逆スタガ型）構造のＴＦＴである。具体的な構造としては、液晶表示装置１００の基材となる絶縁基板１００ａと、絶縁基板１００ａの表面に形成された下地保護膜１００Ｉと、ゲート電極１１０Ｇと、ゲート絶縁膜１１０Ｉと、チャネル領域１１０Ｃと、チャネル保護用の絶縁膜１１２Ｉとがこの順序で積層されている。絶縁膜１１２Ｉの両側には高濃度Ｎ型のアモルファスシリコン膜のソース領域１１０Ｓ及びドレイン領域１１０Ｄが形成され、これらのソース・ドレイン領域１１０Ｓ、１１０Ｄの表面にはソース電極１１１Ｓ及びドレイン電極１１１Ｄが形成されている。
【００７２】
更に、それらの表面側には層間絶縁膜１１２Ｉと、ＩＴＯ等の透明電極からなる画素電極１３０とが形成され、画素電極１３０は層間絶縁膜１３０のコンタクトホールを介してドレイン電極１１１Ｄに電気的に接続されている。
ここで、ゲート電極１１０Ｇは走査線１０１の一部分であり、また、ソース電極１１１Ｓはデータ線１０２の一部分である。更に、ゲート電極１１０Ｇ及び走査線１０１は、先に記載したパターン形成方法によって形成されている。
【００７３】
このような液晶表示装置においては、走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍに応じて走査線１０１からゲート電極１１０Ｇに電流が供給され、ゲート電極１１０Ｇの近傍に電界が生じ、当該電界の作用によりチャネル領域１１０Ｃが導通状態となる。更に、当該導通状態において、画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎに応じてデータ線１０２からソース電極１１１Ｓに電流が供給され、画素電極１３０に導通し、画素電極１３０と対向電極間に電圧が付与される。即ち、走査信号Ｑ１、Ｑ２、…、Ｑｍ及び画像信号Ｐ１、Ｐ２、…、Ｐｎを制御することにより、液晶表示装置を所望に駆動することができる。
【００７４】
このように構成された液晶表示装置においては、先に記載のパターン形成方法によってゲート電極１１０Ｇ及び走査線１０１が形成されているので、断線等の欠陥のない、良好かつ信頼性が高い配線パターンとなる。従って、信頼性が高い液晶表示装置となる。即ち、先に記載したように同様の効果を奏する。
なお、本実施形態のパターン形成方法は、ゲート電極１１０Ｇ及び走査線１０１に限定せずに、データ線１０２等、他の配線の形成方法においても適用可能である。
【００７５】
（電界放出ディスプレイ）
次に、本発明の電気光学装置の一例として、電界放出素子を備えた電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ、以下ＦＥＤと称す。）について説明する。なお、ＦＥＤの製造方法は、先に記載のパターン形成方法と同様であるため、説明を省略する。
【００７６】
図１２は、ＦＥＤを説明するための図であって、図１２（ａ）はＦＥＤを構成するカソード基板とアノード基板の配置を示した概略構成図、図１２（ｂ）はＦＥＤのうちカソード基板が具備する駆動回路の模式図、図１２（ｃ）はカソード基板の要部を示した斜視図である。
【００７７】
図１２（ａ）に示すようにＦＥＤ２００は、カソード基板２００ａとアノード基板２００ｂとを対向配置された構成となっている。カソード基板２００ａは、図１２（ｂ）に示すようにゲート線２０１と、エミッタ線２０２と、当該ゲート線２０１とエミッタ線２０２とに接続された電界放出素子２０３とを具備しており、即ち、所謂単純マトリクス駆動回路となっている。ゲート線２０１においては、ゲート信号Ｖ１、Ｖ２、…、Ｖｍが供給されるようになっており、エミッタ線２０２においては、エミッタ信号Ｗ１、Ｗ２、…、Ｗｎが供給されるようになっている。また、アノード基板２００ｂは、ＲＧＢからなる蛍光体を備えており、当該蛍光体は電子が当ることにより発光する性質を有する。
【００７８】
図１２（ｃ）に示すように、電界放出素子２０３はエミッタ線２０２に接続されたエミッタ電極２０３ａと、ゲート線２０１に接続されたゲート電極２０３ｂとを備えた構成となっている。更に、エミッタ電極２０３ａは、エミッタ電極２０３ａ側からゲート電極２０３ｂに向かって小径化するエミッタティップ２０５と呼ばれる突起部を備えており、当該エミッタティップ２０５と対応した位置にゲート電極２０３ｂに孔部２０４が形成され、当該孔部２０４内にエミッタティップ２０５の先端が配置されている。
【００７９】
このようなＦＥＤ２００においては、ゲート線２０１のゲート信号Ｖ１、Ｖ２、…、Ｖｍ、及びエミッタ線２０２のエミッタ信号Ｗ１、Ｗ２、…、Ｗｎを制御することにより、エミッタ電極２０３ａとゲート電極２０３ｂとの間に電圧が供給され、電解の作用によってエミッタティップ２０５から孔部２０４に向かって電子２１０が移動し、エミッタティップ２０５の先端から電子２１０が放出される。ここで、当該電子２１０とアノード基板２００ｂの蛍光体とが当ることにより発光するので、所望にＦＥＤ２００を駆動することが可能になる。
【００８０】
このように構成されたＦＥＤにおいては、先に記載のパターン形成方法によってエミッタ電極２０３ａ及びエミッタ線２０２が形成されているので、断線等の欠陥のない、良好かつ信頼性が高い配線パターンとなる。従って、信頼性が高い液晶表示装置となる。即ち、先に記載したように同様の効果を奏する。
なお、本実施形態のパターン形成方法は、エミッタ電極２０３ａ及びエミッタ線２０２に限定せずに、ゲート電極２０３ｂ及びゲート線２０１等、他の配線の形成方法においても適用可能である。
【００８１】
なお、本発明の製造方法が適用されるデバイスとしては、配線パターンを備えた他のデバイスにおいても適用が可能である。例えば、有機エレクトロルミネッセンス装置に形成される配線パターンの製造や、電気泳動装置内に形成される配線パターンの製造等に対しても、もちろん適用可能である。
【００８２】
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図１３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１３において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は先の図６に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１４は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１４において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は先の図６に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１５は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１５において、８００は時計本体を示し、８０１は先の図６に示した液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図１３〜図１５に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能となる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のパターン形成方法で形成される導電膜パターンを示す図。
【図２】本発明の第１実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図３】図２の要部を示す拡大図。
【図４】本発明のパターン形成装置の実施形態例を示す概略斜視図。
【図５】本発明の第２実施形態の導電膜パターンを示す図。
【図６】本発明の第２実施形態で用いる液体吐出ヘッドを示す図。
【図７】本発明の第２実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図８】本発明の第３実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図９】本発明の第４実施形態のパターン形成方法を説明するための図。
【図１０】本発明の電気光学装置のプラズマ型表示装置を示す図。
【図１１】本発明の電気光学装置の液晶装置を示す図。
【図１２】本発明の電気光学装置の電界放出ディスプレイを示す図。
【図１３】本発明の電子機器の携帯電話を示す図。
【図１４】本発明の電子機器の携帯型上方処理装置を示す図。
【図１５】本発明の電子機器の腕時計型電子機器を示す図。
【図１６】従来技術の問題点を説明するための説明図。
【符号の説明】
１０  液体吐出ヘッド（液滴吐出手段）、１１  基板、３０…ノズル、５０  配線形成装置（パターン形成装置）、Ｗ、Ｗ’、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４、Ｗ５、Ｗ６  導電膜パターン（パターン）、Ｌ、ＬＤ  液滴、ＬＷ  線幅、ＬＵ  液滴列、Ｌ２〜Ｌ６、ＬＣ  第１の液滴、Ｌ１、Ｌ７、ＬＳ  第２の液滴、ＦＳＴ第１のパターン層、ＳＮＤ  第２のパターン層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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