(57)【要約】【課題】個別の回路基板に対して優れた接合信頼性が得られる半導体チップの実装方法、半導体チップ、信頼性の高い電子デバイス、および、かかる電子デバイスを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の半導体チップの実装方法は、回路基板４の半導体チップ１が実装される側の面４１を計測して、回路基板４が有する複数の端子４１１の厚さ方向のズレ量を求める第１の工程と、前記計測の結果に基づいて、半導体チップ１が有する複数の端子３のうちの所定の端子３に導電性ボール５を接合する第２の工程と、半導体チップ１の端子３と、これに対応する回路基板４の端子４１１とを、直接または前記導電体を介して接触するよう位置決めする第３の工程と、対応する前記端子同士を（半導体チップ１の端子３と対応する回路基板４の端子４１１とを）接合する第４の工程とを有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の半導体チップが実装される側の面を計測して、前記回路基板が有する端子の厚さ方向のズレ量を求める第１の工程と、
前記計測の結果に基づいて、前記半導体チップが有する端子のうちの所定の端子に導電性ボールを接合する第２の工程と、
前記半導体チップの端子と、これに対応する前記回路基板の端子とを、直接または前記導電性ボールを介して接触するよう位置決めする第３の工程と、
対応する前記端子同士を接合する第４の工程とを有することを特徴とする半導体チップの実装方法。
【請求項２】
前記計測は、レーザ変位計を用いて行われる請求項１に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項３】
前記半導体チップの端子は、ボールバンプで構成されている請求項１または２に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項４】
前記半導体チップの端子は、メッキバンプで構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項５】
前記半導体チップの端子は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ａｇまたはこれらを含む合金で構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項６】
前記第２の工程に先立って、前記半導体チップの所定の端子の前記導電性ボールが接合される部分に、平滑化処理を施す請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項７】
前記平滑化処理は、塑性加工により行われる請求項６に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、対応する前記回路基板の端子の厚さ方向のズレ量に応じて、前記導電性ボールの粒径および／または数を調整する請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項９】
前記導電性ボールは、ＡｕまたはＡｕ合金で構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１０】
前記導電性ボールは、ワイヤボンディング法を用いて形成される請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１１】
前記回路基板の端子は、前記回路基板に形成された凹部内に設けられている請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１２】
前記回路基板は、セラミックス基板、積層基板または印刷基板である請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体チップの実装方法。
【請求項１３】
少なくとも一部の端子に、対応する回路基板の端子との接触高さを調整するための導電性ボールを接合してなることを特徴とする半導体チップ。
【請求項１４】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体チップの実装方法により半導体チップを実装してなることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１３に記載の半導体チップを備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップの実装方法、半導体チップ、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップを回路基板に実装する際には、半導体チップの端子と、対応する回路基板の端子とを位置決めして、この状態で、加熱または加熱・加圧を行うことにより、対応する端子同士を接合することが行われている。
ところが、従来の半導体チップの実装方法では、例えば、回路基板の反り、回路基板が積層基板であったり（各端子の厚さ方向における位置の違い）、回路基板の各端子の高さの違い等の影響により、半導体チップの端子と、対応する回路基板の端子とを確実に接触させることができず、その結果、対応する端子同士の接合を十分に行えず、半導体チップと回路基板との接合信頼性が低下する場合がある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＩＣチップ（半導体チップ）２を、積層セラミックスで形成されたベース（回路基板）１に実装する際に、ベース１に反りが発生している場合、ベース１の周辺部の電極パターン３２を中心部の電極パターン３１に比較して厚く形成して、これらの高さを同一とした状態で、ＩＣチップ２をベース１に実装することが開示されている。なお、ここで使用した符号は、特許文献１に記載の符号である。
【０００４】
この特許文献１に記載の方法は、経験的に、積層セラミックスで形成されるベース１に、電極パターン３１、３２側が凸となるような反りが生じるであろうという予測の元、ベース１の周辺部の電極パターン３２を中心部の電極パターン３１に比較して厚く形成しておくというものである。
ところが、特許文献１に記載の方法は、ベース１の状態が予測できない場合や、電極パターン３１、３２の高さのバラツキが大きい場合等に適用することができないもの、すなわち、個別の回路基板に対して対応することができないものである。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−１１２２６８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、個別の回路基板に対して優れた接合信頼性が得られる半導体チップの実装方法、半導体チップ、信頼性の高い電子デバイス、および、かかる電子デバイスを備える電子機器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体チップの実装方法は、回路基板の半導体チップが実装される側の面を計測して、前記回路基板が有する端子の厚さ方向のズレ量を求める第１の工程と、
前記計測の結果に基づいて、前記半導体チップが有する端子のうちの所定の端子に導電性ボールを接合する第２の工程と、
前記半導体チップの端子と、これに対応する前記回路基板の端子とを、直接または前記導電性ボールを介して接触するよう位置決めする第３の工程と、
対応する前記端子同士を接合する第４の工程とを有することを特徴とする。
これにより、個別の回路基板に対して半導体チップの優れた接合信頼性が得られる。
【０００８】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記計測は、レーザ変位計を用いて行われることが好ましい。
かかる方法によれば、大掛かりな装置を必要とせず、回路基板の各端子の厚さ方向へのズレ量をより正確に計測することができる。
【０００９】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記半導体チップの端子は、ボールバンプで構成されていることが好ましい。
半導体チップの端子をボールバンプで構成することにより、半導体チップの端子を容易に形成することができるという利点がある。
【００１０】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記半導体チップの端子は、メッキバンプで構成されていることが好ましい。
半導体チップの端子をメッキバンプで構成することにより、微細な形状の半導体チップの端子を高精度で形成することができるという利点がある。
【００１１】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記半導体チップの端子は、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ａｇまたはこれらを含む合金で構成されていることが好ましい。
これらのものは、導電性に優れ、また、半導体チップの配線パターンの構成材料との密着性も高い。
【００１２】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記第２の工程に先立って、前記半導体チップの所定の端子の前記導電性ボールが接合される部分に、平滑化処理を施すことが好ましい。
これにより、半導体チップの所定の端子と導電性ボールとの位置ズレを防止することができ、これらの接合をより確実に行うことができる。
【００１３】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記平滑化処理は、塑性加工により行われることが好ましい。
かかる平滑化処理によれば、半導体チップの所定の端子の導電性ボールが接合される部分を、容易かつ確実に平滑化することができ、また、処理条件の設定が容易であるという利点も有している。
【００１４】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記第２の工程において、対応する前記回路基板の端子の厚さ方向のズレ量に応じて、前記導電性ボールの粒径および／または数を調整することが好ましい。
これにより、比較的容易に、半導体チップと回路基板とのより確実な接合を得ることができる。
【００１５】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記導電性ボールは、ＡｕまたはＡｕ合金で構成されていることが好ましい。
ＡｕまたはＡｕ合金は、導電性に優れ、また、半導体チップの端子の構成材料との密着性も高い。
【００１６】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記導電性ボールは、ワイヤボンディング法を用いて形成されることが好ましい。
かかる方法によれば、導電性ボールの粒径の設定が容易であり、また、導電性ボールをより容易かつ確実に半導体チップの所定の端子に接合することができるという利点もある。
【００１７】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記回路基板の端子は、前記回路基板に形成された凹部内に設けられていることが好ましい。
本発明は、特に、回路基板の端子が、回路基板に形成された凹部内に設けられたものへの適用に適している。
【００１８】
本発明の半導体チップの実装方法では、前記回路基板は、セラミックス基板、積層基板または印刷基板であることが好ましい。
本発明は、各種の回路基板に適用することができる。
【００１９】
本発明の半導体チップは、少なくとも一部の端子に、対応する回路基板の端子との接触高さを調整するための導電性ボールを接合してなることを特徴とする。これにより、個別の回路基板に対して優れた接合信頼性で接合し得る半導体チップが得られる。
【００２０】
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体チップの実装方法により半導体チップを実装してなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２１】
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体チップを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２２】
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明における半導体チップには、ベアチップ（個別のチップおよびウェハの双方）および半導体パッケージのいずれのものをも含む。
以下、本発明の半導体チップの実装方法、半導体チップ、電子デバイスおよび電子機器の好適な実施形態について説明する。
【００２４】
図１は、本発明の半導体チップの実装方法の工程を示す図（側面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
図１に示すように、回路基板（配線基板）４に実装される半導体チップ（半導体素子）１は、基板２と、基板２の一方の面２１に設けられた複数の端子３とを有している。
【００２５】
基板２は、例えば、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、通常、２０〜８００μｍ程度とされる。
また、基板２は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよい。
この基板２の一方の面２１には、集積回路（図示せず）が形成され、この集積回路の配線パターン２１１の一部に接触するように端子３が配設されている。
【００２６】
配線パターン２１１は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉまたはこれらを含む合金等で構成されている。
また、この配線パターン２１１上には、例えば電解メッキ法等により、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ等が施されている。
なお、集積回路は、基板２の他方の面２２に形成されていてもよく、面２１および面２２の双方に形成されていてもよい。また、基板２が複数の層の積層体で構成される場合には、集積回路は、基板２の内部に形成されていてもよい。
【００２７】
端子３は、例えば、図１に示すようなボールバンプや、メッキバンプ（図示せず）等で構成することができる。端子３をボールバンプで構成する場合には、端子３を容易に形成することができるという利点があり、一方、端子３をメッキバンプで構成する場合には、微細な形状の端子３を高精度で形成することができるという利点がある。
ボールバンプの形成方法としては、例えば、ワイヤボンディング法を用いる方法、予め製造した金属ボールを接合する方法等を挙げることができる。
【００２８】
一方、メッキバンプの形成方法としては、例えば、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法等が挙げられる。
このような端子３の構成材料としては、各種の金属材料を用いることができるが、特に、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ａｇまたはこれらを含む合金であるのが好ましい。これらのものは、導電性に優れ、また、前述したような配線パターン２１１の構成材料との密着性も高い。
【００２９】
端子３は、それぞれ、ほぼ等しい厚さ（高さ）に設定されており、その厚さ（平均）は、特に限定されないが、例えば、１０〜１２０μｍ程度とされる。また、端子３の横断面での面積（最大）も、特に限定されず、例えば、４×１０−４〜５×１０−２ｍｍ２程度とされる。
以上のような半導体チップ１を、複数の端子４１１を有する回路基板４に実装する。回路基板４としては、例えば、セラミックス基板、積層基板、印刷基板等の各種のものを用いることができる。
【００３０】
ここで、回路基板４は、その種類等により、各端子４１１に厚さ方向へのズレが生じることがある。具体的には、回路基板４としてセラミックス基板を用いる場合には、例えば、その反り等により、積層基板を用いる場合には、例えば、各端子４１１の設置位置の違い（配線パターンを形成する層の違い）等により、また、印刷基板を用いる場合には、例えば、印刷パターン（配線パターン）の厚さの違い等により、各端子４１１に厚さ方向へのズレが生じることがある。
【００３１】
このような状態の回路基板４に半導体チップ１を実装すると（例えば、図１中、最上段の図参照）、各端子４１１の厚さ方向へのズレにより、半導体チップ１の端子３と、対応する回路基板４の端子４１１との接合を確実に行うことができない場合がある。この場合、半導体チップ１と回路基板４との接合信頼性が低下する。
【００３２】
そこで、本発明では、まず、回路基板４の半導体チップ１を実装する側の面４１を計測して、これにより、回路基板４の各端子４１１の厚さ方向のズレ量を求める（第１の工程）。
例えば、本実施形態では、回路基板４を、その面４１が鉛直上方に向くようにして、平坦な基台に載置した状態で、図１中最も上方に位置する端子４１１の基台と平行となる接線を基準線Ｘとして、各端子４１１と基準線Ｘとの距離（図中、長さＡ１〜Ａ４）を、各端子４１１のズレ量とする。
【００３３】
この計測方法としては、例えば、光切断法・三角測量法等を応用するレーザ変位計を用いる方法、触針変位系、光学式オートフォーカス法、顕微鏡による焦点変動量から高さを測定する方法等が挙げられるが、これらの中でも、特に、レーザ変位計を用いる方法が好ましい。かかる方法によれば、大掛かりな装置を必要とせず、回路基板４の各端子４１１の厚さ方向のズレ量をより正確に求めることができる。
以下では、図１に示すように、反りが生じた回路基板４に半導体チップ１を実装する場合を代表して説明する。
【００３４】
次に、前記計測の結果に基づいて、すなわち、各端子４１１の厚さ方向のズレ量に基づいて、所定の端子３に導電性ボール５を接合する（第２の工程）。
この導電性ボール５は、半導体チップ１の端子３と対応する回路基板４の端子４１１との接触高さを調整するために設けるものであり、対応する回路基板４の端子４１１の厚さ方向へのズレ量（長さＡ１〜Ａ４）に応じて、その粒径（サイズ）が調整される。これにより、少なくとも一部の端子３に、対応する回路基板４の端子４１１との接触高さを調整するための導電性ボール５を接合してなる半導体チップ、すなわち、本発明の半導体チップが得られる。
【００３５】
このようにして半導体チップ１と回路基板４とを接合することにより、比較的容易に、これらのより確実な接合を得ることができる。
導電性ボール５の粒径により、半導体チップ１の端子３と対応する回路基板４の端子４１１との接触高さを調整する場合には、導電性ボール５の粒径は、通常、８〜１００μｍ程度の範囲とすればよい。
【００３６】
この導電性ボール５の構成材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｐｂまたはこれらを含む合金等が挙げられるが、これらの中でも、特に、ＡｕまたはＡｕ合金であるのが好ましい。ＡｕまたはＡｕ合金は、導電性に優れ、また、前述したような端子３の構成材料との密着性も高い。
導電性ボール５の端子３への接合方法（導電性ボール５の形成方法）としては、例えば、ワイヤボンディング法を用いる方法、予め製造した複数の粒径の金属ボールを選択して、所定の端子３に接合する方法等が挙げられるが、これらの中でも、特に、ワイヤボンディング法を用いる方法が好ましい。かかる方法によれば、導電性ボール５の粒径の設定が容易であり、また、導電性ボール５をより容易かつ確実に半導体チップ１の所定の端子３に接合することができるという利点もある。
【００３７】
なお、半導体チップ１の端子３と対応する回路基板４の端子４１１との接触高さを調整する方法としては、導電性ボール５の粒径（サイズ）を調整する方法に限定されず、一定粒径の導電性ボール５を、回路基板４の端子４１１のズレ量に応じて、複数個（多段）積み重ねる方法であってもよく、これらを併用したものであってもよい。
【００３８】
また、導電性ボール５の半導体チップ１の所定の端子３への接合に先立って、所定の端子３の導電性ボール５が接合される部分には、平滑化処理を施しておくのが好ましい。これにより、所定の端子３と導電性ボール５との位置ズレを防止することができ、これらの接合をより確実に行うことができる。
この平滑化処理の方法としては、例えば、研磨処理、エッチング処理、アッシング処理、印圧加工（加圧処理）のような塑性加工等が挙げられるが、これらの中でも、特に、各端子３に対する塑性加工（印圧加工）が好ましい。かかる平滑化処理によれば、所定の端子３の導電性ボール５が接合される部分を、容易かつ確実に平滑化することができ、また、処理条件の設定が容易であるという利点も有している。
なお、この平滑化処理は、必要に応じて行うようにすればよく、省略することもできる。
【００３９】
次に、半導体チップ１の端子３と、これに対応する回路基板４の端子４１１とを、直接または導電性ボール５を介して接触するよう位置決めする（第３の工程）。
また、このとき、半導体チップ１と回路基板４との間に、例えばフラックスや熱硬化性接着剤のような粘着性または接着性を有する充填物を介在させるようにしてもよい。これにより、次工程において、半導体チップ１と回路基板４とが位置ズレするのを好適に防止することもできる。
【００４０】
次に、対応する端子同士を（半導体チップ１の端子３と対応する回路基板４の端子４１１とを）接合する（第４の工程）。
この接合方法としては、ボンディングツールによる加熱・加圧による方法が好適に用いられる。このようなボンディングツールによる加熱・加圧による方法によれば、半導体チップ１と回路基板４との接続（接合）を一括で行うことができるという利点がある。
【００４１】
この場合、加熱の温度は、例えば、１２０〜６００℃程度、好ましくは２５０〜４８０℃程度とされ、加熱の時間は、例えば、０．１５〜３０秒程度、好ましくは０．３〜１５秒程度とされる。また、加圧の圧力は、できるだけ低圧力であるのが好ましく、例えば、１００ｇｆ／ｃｍ２〜５０Ｋｇｆ／ｃｍ２程度とされる。加熱・加圧条件（処理条件）を前記範囲とすることにより、半導体チップ１の端子３と、対応する回路基板４の端子４１１とをより強固に接合することができる。
【００４２】
接合方法として、ボンディングツールによる加熱・加圧による方法を用いる場合、その加熱方式としては、常時加熱方式またはパルスヒート方式を選択するのが好ましい。
また、この接合は、必要に応じて、例えば、高周波、超音波、レーザ光、赤外線、紫外線等を照射（付与）しつつ行うようにしてもよい。
【００４３】
以上のようにして、半導体チップ１の各端子３と、対応する回路基板４の端子４１１とが、溶融（合金化）して固化（硬化）等することにより接合部６が形成される。すなわち、対応する端子同士が接合される。これにより、半導体チップ１が回路基板４に実装される。
以上のようにして、半導体チップ１の各端子３と、対応する回路基板４の端子４１１とを接合することにより、半導体チップ１と回路基板４との優れた接合信頼性が得られる。
【００４４】
また、予め、回路基板４の半導体チップ１が実装される側の面４１を計測して、回路基板４の端子４１１の厚さ方向のズレ量を求めておき、かかるズレ量に応じて、半導体チップ１の所定の端子３に導電性ボール５を接合しておくようにするので、各種の回路基板４、特に、個別の回路基板４に対して対応することができるという利点がある。
【００４５】
次に、このような半導体チップの実装方法により、半導体チップを実装してなる本発明の電子デバイス、すなわち、本発明の半導体チップを備える電子デバイスについて説明する。
以下では、本発明の電子デバイスを水晶発振器に適用した場合を一例に説明する。
【００４６】
図２は、本発明の電子デバイスを水晶発振器に適用した場合の実施形態を示す上面図（リッドを取り外した状態を示す）、図３は、図２に示す水晶発振器の部分縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４７】
図２および図３に示す水晶発振器１０は、パッケージ１１と、この内部に収納された発振回路を有する半導体チップ１２（半導体チップ１）と、ＡＴカット水晶振動子１３と、リッド（蓋）１４とを有している。
パッケージ１１は、凹部１１１が形成されたセラミックス基板１１２（回路基板４）と、セラミックス基板１１２の上側縁部に沿って形成されたシールリング１１３とで構成されている。
【００４８】
具体的には、セラミックス基板１１２は、矩形状のセラミックス板１１２ａと、４つの枠状のセラミックス板１１２ｂ〜１１２ｅとが積層されて構成され、セラミックス板１１２ａと枠状のセラミックス板１１２ｂ〜１１２ｅとにより凹部１１１が画成されている。
シールリング１１３は、例えばＦｅ−Ｎｉ系合金等で構成され、パッケージ１１のアース側に接続されている。
【００４９】
セラミックス板１１２ａの上面には、例えばスクリーン印刷法等により、前述したような材料で構成された配線パターン１５が形成されている。
また、この配線パターン１５上には、例えば電解メッキ法等により、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ等が施されている。
このような配線パターン１５は、その端部付近がそれぞれ端子１５１（回路基板４の端子４１１）を構成する。したがって、本実施形態では、セラミックス基板１１２に形成された凹部１１１内に端子１５１が設けられることとなる。
【００５０】
そして、半導体チップ１２の端子１２１と、対応するセラミックス基板１１２の端子１５１とを接合するように、本発明の半導体チップの実装方法により、セラミックス基板１１２に半導体チップ１２が実装されている。
ここで、このようなセラミックス基板１１２において、例えば反りが生じている場合、従来の方法のように、セラミックス基板１１２の端子１５１の高さ（厚さ）を調整しようとすると、端子１５１がセラミックス基板１１２の奥深くに位置するため、その調整操作を正確に行うのは、極めて困難である。
【００５１】
これに対し、本発明の半導体チップの実装方法では、半導体チップ１２の端子１２１に導電性ボール５を接合することにより、端子１２１の対応するセラミックス基板１１２の端子１５１との接触高さを調整するため、その調整操作を、容易かつ確実に行うことができるという利点がある。換言すれば、本発明の半導体チップの実装方法は、特に、回路基板の端子が、回路基板に形成された凹部内に設けられたものへの適用に適している。
【００５２】
さて、セラミックス板１１２ｄに設けられたマウント部１６には、平板状のＡＴカット水晶振動子１３の一端部（支持部）が導電性接着剤１７により固定されている。これにより、ＡＴカット水晶振動子１３は、その他端部が変位し得るように、パッケージ１１に対して片持ち支持されている。
パッケージ１１には、シールリング１１３を介して、金属製のリッド１４が接合されており、凹部１１１が気密的に封止されている。このリッド１４は、例えばシーム溶接等により、シールリング１１３に接合されている。
【００５３】
このような水晶発振器１０では、半導体チップ１２とセラミックス基板１１２との優れた接合信頼性が得られており、信頼性の高いものとなる（本実施形態では、安定した周波数特性が得られる）。
なお、本発明の電子デバイスは、図示の水晶発振器１０への適用に限定されず、例えば、半導体メモリモジュール、電源用半導体モジュール、プリンタ駆動用半導体モジュール、表示体駆動用半導体モジュール等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器としては、各種の電子機器に適用することができる。
【００５４】
以下、本発明の電子機器について、図４〜図６に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示装置１００を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００は、その内部に、本発明の電子デバイスとして、例えば、水晶発振器、半導体メモリモジュール、電源用半導体モジュール、プリンタ駆動用半導体モジュール、表示体駆動用半導体モジュール等が内蔵されている。
【００５５】
図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示装置１００を備えている。
この携帯電話機１２００は、その内部に、本発明の電子デバイスとして、例えば、水晶発振器、半導体メモリモジュール、電源用半導体モジュール等が内蔵されている。
【００５６】
図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００５７】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示装置（電気光学装置）１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示装置１００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケース１３０２の内部には、本発明の電子デバイスとして、例えば、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリ１３０８、水晶発振器、電源用半導体モジュール、表示体駆動用半導体モジュール等が内蔵されている。
【００５８】
また、ケース１３０２の正面側（図６においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示装置１００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００５９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図６に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００６０】
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００６１】
以上、本発明の半導体チップの実装方法、半導体チップ、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の半導体チップの実装方法では、必要に応じて、任意の目的の工程を追加することもできる。
また、本発明の半導体チップの実装方法は、複数の半導体チップを積層するのに用いてもよい。
また、本発明において実装される半導体チップは、予め複数の半導体チップを積層した積層体であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体チップの実装方法の工程を示す図（側面図）である。
【図２】本発明の電子デバイスを水晶発振器に適用した場合の実施形態を示す上面図（リッドを取り外した状態を示す）である。
【図３】図２に示す水晶発振器の部分縦断面図である。
【図４】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図５】本発明の電子デバイスを備える電子機器（携帯電話）である。
【図６】本発明の電子デバイスを備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
１‥‥半導体チップ  ２‥‥基板  ２１、２２‥‥面  ２１１‥‥配線パターン  ３‥‥端子  ４‥‥回路基板  ４１‥‥面  ４１１‥‥端子  ５‥‥導電性ボール  ６‥‥接合部  １０‥‥水晶発振器  １１‥‥パッケージ  １１１‥‥凹部  １１２‥‥セラミックス基板  １１２ａ〜１１２ｅ‥‥セラミックス板  １１３‥‥シールリング  １２‥‥半導体チップ  １２１‥‥端子  １３‥‥ＡＴカット水晶振動子  １４‥‥リッド  １５‥‥配線パターン  １５１‥‥端子１６‥‥マウント部  １７‥‥導電性接着剤  １００‥‥表示装置  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン１２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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