(57)【要約】【課題】漏洩損失の少ない中空光導波路を提供する。【解決手段】内側を反射膜で囲まれた中空のコアを有する中空光導波路１０であって、表面に第１方向に沿って延びているトレンチ２を有する基板１と、前記トレンチの内側表面を覆う下側反射膜３１と、前記トレンチの開口部の一方の端部からもう一方の端部にわたって覆う上側反射膜３２とを備え、前記トレンチの中に前記下側反射膜と前記上側反射膜とに囲まれ、前記第１方向に延びる中空コア４が形成されている。【選択図】        図１
2004294660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側を反射膜で囲まれた中空のコアを有する中空光導波路であって、
表面に第１方向に沿って延びているトレンチを有する基板と、
前記トレンチの内側表面を覆う下側反射膜と、
前記トレンチの開口部の一方の端部からもう一方の端部にわたって覆う上側反射膜と
を備え、
前記トレンチの中に前記下側反射膜と前記上側反射膜とに囲まれ、前記第１方向に延びる中空コアが形成されていることを特徴とする中空光導波路。
【請求項２】
前記トレンチの前記第１方向に垂直な断面形状は、前記トレンチの底部に対して開口部が大きいことを特徴とする請求項１に記載の中空光導波路。
【請求項３】
前記トレンチの前記第１方向に垂直な断面形状は、前記トレンチの両端にわたる辺を上辺として、底辺が前記上辺より小さい逆台形形状、前記上辺を一辺とする逆三角形状、または逆半円形状のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の中空光導波路。
【請求項４】
前記上側反射膜は、前記トレンチの周囲の前記下側反射膜の上に支持されていることを特徴とする請求項１に記載の中空光導波路。
【請求項５】
前記上側反射膜は、前記トレンチの周囲の基板の上に支持されていることを特徴とする請求項１に記載の中空光導波路。
【請求項６】
前記上側反射膜を覆う保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の中空光導波路。
【請求項７】
基板を用意する工程と、
前記基板に第１方向に延びるトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内側に下側反射膜を形成する工程と、
前記下側反射膜の上に前記トレンチを埋める犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上に上側反射膜を形成する工程と、
前記トレンチの中の前記犠牲層を除去して、前記下側反射膜と前記上側反射膜とで囲まれた中空コアを形成する工程と
を含む中空光導波路の製造方法。
【請求項８】
基板を用意する工程と、
前記基板に第１方向に延びるトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内側に下側反射膜を形成する工程と、
前記下側反射膜の上に前記トレンチを埋める犠牲層を形成する工程と、
前記トレンチの周囲における前記犠牲層と前記下側反射膜とをエッチングによって除去し、前記トレンチの内側の前記下側反射膜と前記トレンチを埋める前記犠牲層とを残して平坦化する工程と、
前記犠牲層の上に上側反射膜を形成する工程と、
前記トレンチの中の前記犠牲層を除去して、前記下側反射膜と前記上側反射膜とで囲まれた中空コアを形成する工程と
を含む中空光導波路の製造方法。
【請求項９】
前記トレンチを形成する工程において、前記第１方向に垂直な前記トレンチの断面形状は、前記トレンチの両端にわたる辺を上辺として、底辺が前記上辺より小さい逆台形形状、前記上辺を一辺とする逆三角形状、または逆半円形状のいずれかであることを特徴とする請求項７又は８に記載の中空光導波路の製造方法。
【請求項１０】
前記上側反射膜を形成した後、前記上側反射膜を覆う保護膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項７又は８に記載の中空光導波路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信、レーザ加工機、レーザ照射治療等において光を導波させるために用いられる中空光導波路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に光伝送用には、互いに異なる屈折率を持つ材料からなるコアとクラッドとを組合せた光ファイバや光導波路が用いられている。コアを空芯とする中空光導波路は、エネルギーや情報の低損失な伝送が可能であるので、光通信、レーザ加工機、レーザ治療装置等の光導波路として有用である。中空光導波路としては、光ファイバ等の管型のものとプレーナ型のものがあり、小型光回路にはプレーナ型のものが適している。
【０００３】
従来、管型の中空光導波路として、中空の芯の周囲を取り囲む反射膜が円筒状に形成された中空光ファイバが開発されている（例えば、非特許文献１参照。）。また、プレーナ型の中空光導波路として、トレンチの内側に反射膜が形成された基板と、表面に反射膜が形成されたカバー板とを、反射膜同士を向かい合わせて機械的に押し付けられた中空光導波路がある（例えば、非特許文献２参照。）。この中空光導波路では、反射膜で囲まれたトレンチを中空コアとして用いている
【０００４】
【非特許文献１】
Ｎａｔｕｒｅ，Ｖｏｌ．４２０，１２  Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  ２００２，ｐｐ６５０−６５３
【非特許文献２】
Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，  ｖｏｌ．  ４０  （２００１），  ｐｐ．Ｌ６８８−６９０
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように基板上の下側反射膜と、カバー板の上の反射膜とを重ね合わせて構成された中空光導波路にあっては、基板やカバー板の表面に存在する微視的な凹凸のために、機械的に押し付けられた上下の反射膜の表面にもそれぞれ凹凸を生じている。そのため上下の反射膜の接合面には間隙が生ずる。この間隙から中空コアを導波する光が洩れるため、漏洩損失が大きいという問題点があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、漏洩損失の少ない中空光導波路を提供することである。
【０００７】
【課題を解決する手段】
本発明に係る中空光導波路は、内側を反射膜で囲まれた中空のコアを有する中空光導波路であって、
表面に第１方向に沿って延びているトレンチを有する基板と、
前記トレンチの内側表面を覆う下側反射膜と、
前記トレンチの開口部の一方の端部からもう一方の端部にわたって覆う上側反射膜と
を備え、
前記トレンチの中に前記下側反射膜と前記上側反射膜とに囲まれ、前記第１方向に延びる中空コアが形成されていることを特徴とする。
【０００８】
上記中空光導波路によれば、上側反射膜は、下側反射膜の上に密着して支持されているか、又は、基板の上に直接支持されている。このようにカバー板を設けないで上側反射膜を構成しているので、下側反射膜と上側反射膜との間は密着し、又は、上側反射膜と基板との間は密着し、光の漏洩損失は大幅に低減する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係る中空光導波路について、添付図面を用いて説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００１０】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る中空光導波路について図１及び図２を用いて説明する。図１は、この中空光導波路１０の概略的な構成を示す斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。この中空光導波路１０は、基板１の上面に長手方向に沿って延びるトレンチ２が設けられている。トレンチ２の断面形状は、底辺が上辺より小さい逆台形形状である。トレンチ２の底面は水平面であり、側面は底面に対して約１２５°の角度をなしている。トレンチ２の内側には下側反射膜３１が形成され、トレンチ２の内側だけでなく周囲の平坦面にわたって覆っている。さらに、トレンチ２の開口部の一方の端部から他方の端部にわたって覆う上側反射膜３２が形成されている。上側反射膜３２は、トレンチ２以外の部分では、下側反射膜３１に密着して支持されている。また、トレンチ２の内側では下側反射膜３１と上側反射膜３２とで囲まれ、長手方向に延びる中空コア４が形成されている。この中空コア４の寸法は、使用する光の波長と導波路のモード（シングルモードかマルチモード）に応じて適宜選択できる。さらに、下側反射膜３１、上側反射膜３２として多層誘電体反射膜を用いた場合には、中空コア４を導波させる光の波長λ、屈折率ｎ、膜厚ｄについて、λ＝４ｎｄをほぼ満たす場合が好ましい。この場合に反射率が最大とすることができる。
【００１１】
上記の中空光導波路１０によれば、上側反射膜３２は、下側反射膜３１の上に直接支持されている。これにより、上側反射膜３２と下側反射膜３１とは密着し、隙間が生じないので、中空コア４を導波する光の漏洩損失が大幅に低減する。また、この中空光導波路１０によれば、トレンチ２の断面形状が底辺が上辺より小さい逆台形形状であるので、トレンチ２の内側の側壁に形成された下側反射膜３１の膜厚が均一になる。これによって中空コア４を導波する光の損失を抑制できる。
【００１２】
以下に、この中空光導波路１０の作製方法について、図３から図７の断面図を用いて説明する。
【００１３】
＜基板準備工程＞
（ａ）まず、熱酸化膜付き（１００）結晶面Ｓｉ基板１を用意する（図示せず）。なお、基板１は、Ｓｉに限られずＧａＡｓ、ＩｎＳｂ等の半導体、石英やパイレックス（登録商標）などのセラミック、Ａｌ、Ｃｕ等の金属を用いることができる。
【００１４】
＜トレンチ形成工程＞
（ｂ）次に、基板１の片面の熱酸化膜に幅２０μｍのライン状開口を有するマスクパターンを写真製版により形成する。
（ｃ）この基板１をＫＯＨ溶液に浸し、マスク開口部を深さ８μｍまで異方性エッチングしてトレンチ２を形成する（図３）。結晶面によるエッチング速度の相違のために、トレンチ２の底面は（１００）面、側面は（１１１）面となり、側面は底面と約１２５度の角度を成す傾斜面となる。
（ｄ）基板１をフッ酸溶液に浸し、熱酸化膜を除去する。
【００１５】
＜下側反射膜形成工程＞
（ｅ）基板１のトレンチ２を形成した面にスパッタ法により下側反射膜３１を形成する（図４）。なお、密着性を向上させるために基板と下側反射膜３１との間にＴｉやＣｒなどの下引き層を形成してもよい。下側反射膜３１には、例えばＡｕを用いることができる。なお、下側反射膜３１はＡｕに限られず、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔなど高反射率金属やそれらの合金を用いることができる。反射膜として金属膜を用いた場合には、その上にＳｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ５などの誘電体やこれらの混合物からなる誘電体膜を反射特性向上のためや保護膜として設けることができる。また、下側反射膜３１として、上述の誘電体やそれらの混合物による２種以上の誘電体膜を交互に積層し、ブラッグ反射を起こす誘電体多層膜を用いても良い。透明性の高い誘電体を用いることにより、導波する光の吸収損失を低減することができる。また、その膜厚は十分な反射率が得られる膜厚、例えば０．１５μｍとすればよい。
【００１６】
＜犠牲層形成工程＞
（ｆ）次に、下側反射膜３１上に犠牲層としてフォトレジスト６を１５μｍの厚みで塗布し乾燥する（図５）。フォトレジスト６の塗布中、トレンチ２の中にもフォトレジスト６が流れこみ、トレンチ２の部分とトレンチ２以外の部分との間で段差の無い平坦なフォトレジスト６表面が得られる。なお、犠牲層６としては、フォトレジストに限られず、ＳｉＯ２やＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ：リンガラス）を用いてもよい。
【００１７】
＜上側反射膜形成工程＞
（ｇ）フォトレジスト６の表面にスパッタ法により上側反射膜３２を形成する（図６）。上側反射膜３２には、例えばＡｕを用いることができる。なお、上側反射膜３２はＡｕに限られず、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔなど高反射率金属やそれらの合金を用いることができる。反射膜として金属膜を用いた場合には、その上にＳｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ５などの誘電体やこれらの混合物からなる誘電体膜を反射特性向上のためや保護膜として設けることができる。また、上側反射膜３２として、上述の誘電体やそれらの混合物による２種以上の誘電体膜を交互に積層し、ブラッグ反射を起こす誘電体多層膜を用いても良い。透明性の高い誘電体を用いることにより、導波する光の吸収損失を低減することができる。また、その膜厚は十分な反射率が得られる膜厚、例えば０．１５μｍとすればよい。
【００１８】
なお、上側反射膜３２を形成する前に、犠牲層６の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）により研磨して平坦化する工程を行ってもよい。この場合研磨する深さとして、犠牲層６の最表面にとどめるか、下側反射膜３１に到達するまで研磨するかのいずれを選択してもよい。
【００１９】
＜犠牲層除去工程＞
（ｈ）試料をアセトンなどの有機溶媒中に浸し、トレンチ２の中のフォトレジスト６を溶解除去する（図７）。このとき、トレンチ２以外の部分の下側反射膜３１と上側反射膜３２との間に挟まれたフォトレジスト６が存在する場合には、上下の反射膜３１、３２の間に挟まれたフォトレジスト６も溶解除去される。これによってトレンチ２の内側で下側反射膜３１と上側反射膜３２とに囲まれ、第１方向に延びる中空コア４が形成される。また、下側反射膜３１と上側反射膜３２は、少なくともトレンチ２の開口部の両端部も含め、トレンチ２以外の部分においてスティッキングによって密着する。なお、有機溶媒以外にも、アッシングなどドライプロセスによってフォトレジスト６を除去してもよい。また犠牲層６にＳｉＯ２を含む材質を用いる場合にはフッ酸を含有する溶液や蒸気を用いて犠牲層のＳｉＯ２を除去すればよい。さらに、犠牲層６を除去するにあたって、上側反射膜３２の一部に一つまたは複数のエッチングホールを貫通形成してもよい。エッチングホールを介して犠牲層６のフォトレジスト等を除去できるので、犠牲層６の除去が促進され時間を短縮することができる。
【００２０】
以上の工程によって中空光導波路１０を形成することにより、このことにより、上側反射膜３２はカバー板等の凹凸の影響を受けることなく、下側反射膜３１と密着して支持される。これにより、隙間が生じないので中空コア４を導波する光の漏洩損失が大幅に低減する。
【００２１】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る中空光導波路について、図８から図１１を用いて説明する。図８は、断面形状が逆台形形状のトレンチ２を有する中空光導波路１０ａの断面図である。図９は、断面形状が逆三角形形状のトレンチ２を有する中空光導波路１０ｂの断面図である。図１０は、断面形状が逆半円形状のトレンチ２を有する中空光導波路１０ｃの断面図である。図１１は、断面形状が長方形状のトレンチ２を有する中空光導波路５０の断面図である。ここでは、トレンチ２の断面形状を種々変化させている。トレンチ２の断面形状としては、トレンチ２の底部に対して開口部が拡がっていることが好ましい。例えば、底辺が上辺より小さい逆台形形状、逆三角形形状、逆半円形形状のトレンチが好ましい。この他、５角形形状等の多角形形状、曲線からなる形状であってもよい。また、トレンチ２の内側の面は鉛直面に対して角度をなしているのが好ましい。
【００２２】
この中空光導波路１０ａ、１０ｂ、１０ｃによれば、トレンチ２の断面形状は、トレンチ２の底部に対して開口部が拡がっているので、下側反射膜３１をスパッタ法等で形成する場合に膜厚が均一となる。反射に必要な膜厚を下側反射膜３１として金属膜を用いる場合は、反射に必要最小限の厚さにできるので、膜応力が低減され基板の反りが小さくなる。また、下側反射膜３１として誘電体／金属積層膜や、誘電体多層膜を用いる場合は、誘電体膜の膜厚が均一となり分光反射特性が著しく向上する。
【００２３】
一方、トレンチ２の表面に下側反射膜３１をスパッタ法などで成膜形成する際、トレンチ２の側面と底面では膜厚が大きく異なり、均一な膜厚の下側反射膜３１を形成することが困難であった。例えば、図１１に示すように側面が鉛直面の場合には膜厚が不均一になりやすい。反射膜として金属膜を用いる場合は、厚めに形成する必要があるが、膜厚が厚くなると膜応力が大きくなって基板が反り易くなる。この基板の反りは、光軸ずれによる光量損失など種々の問題の原因となり非常に好ましくない。また、反射膜として誘電体／金属積層膜を用いる場合や、誘電体多層膜を用いる場合には、誘電体膜の膜厚が不均一となり反射膜として機能する波長帯域の狭小化や反射率絶対値の低下など、分光反射特性が劣化する。そこで、本発明に係る中空光導波路１０ａ、１０ｂ、１０ｃでは、上記のようにトレンチ２の底部に対して開口部が拡がっている断面形状とすることにより、膜厚を均一にすることができ、しかも膜応力の発生を抑制できる。
【００２４】
また、反射膜に誘電体を用いる場合は、反射率は光の干渉効果により左右される。このため、反射膜の膜厚が不均一となると反射率低下だけでなく、反射膜として機能する波長帯域が狭小化する。すなわち、反射膜の膜厚の均一性がより以上に要求されている。そこで、本発明に係る中空光導波路１０ａ、１０ｂ、１０ｃでは、上記のようにトレンチ２の底部に対して開口部が拡がっている断面形状とすることにより膜厚を均一にすることができ、反射膜として機能する波長帯域を広くとれる。
【００２５】
次に、トレンチ２の断面形状と、中空光導波路の光量損失との関係を表１に示す。それぞれ、逆台形形状（図８）、逆三角形形状（図９）、逆半円形形状（図１０）、長方形形状（図１１）の断面形状のトレンチ２を有する中空光導波路１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、５０、及び非特許文献１に記載の基板とカバー板に形成された上下反射膜を貼り合わせた中空光導波路（図示せず）である。中空コアの断面積がそれぞれほぼ等しいように調整している。また、光量損失の測定は、中空光導波路に、それぞれ光を導波したときの光量の損失を測定したものである。測定条件としては、光の波長は１．５５μｍ、中空光導波路の長さは１０ｍｍである。
【００２６】
【表１】
2004294660.tif 000003
【００２７】
この結果から、本発明に係る中空光導波路１０ａ、１０ｂ、１０ｃの場合には、非特許文献１に記載の中空光導波路と比較して大幅に光量損失が低減している。これは、上側反射膜３２が下側反射膜３１と密着して隙間が生じないので漏洩損失が減少したためと考えられる。また、断面形状が逆台形形状（図８）、逆三角形形状（図９）、逆半円形形状（図１０）のトレンチ２を有する中空光導波路１０ａ、１０ｂ、１０ｃの場合には、断面形状が長方形形状（図１１）の中空光導波路５０と比較して、−３ｄＢ／ｃｍ以下となり光量損失が大きく低減している。反射膜の膜厚分布を断面ＳＥＭ観察により調べたところ、断面形状が長方形形状のトレンチ２では、反射膜の膜厚が垂直の側壁部分で底部より薄くなり、最も薄い場所では０．０５μｍ以下であった。このため反射率が低下し導波光の損失が生じたと考えられる。以上のことから、トレンチ２の断面形状を逆台形形状、逆三角形形状、逆半円形形状のいずれかにすることにより、反射膜厚の均一性が向上し、導波光の光量損失が低減する。
【００２８】
次に、トレンチ２のそれぞれの断面形状を形成する方法について説明する。なお、トレンチ２を形成する工程以外は実施の形態１に記載の各工程を用いて作製できる。
（１）断面形状が逆台形形状のトレンチ２の場合（図８）
これについては実施の形態１と同様である。
（２）断面形状が逆三角形形状のトレンチ２の場合（図９）
基板１について、ＫＯＨ溶液による異方性エッチングを用い、実施の形態１の場合より長時間エッチングを行うことによって、断面形状が逆三角形形状、すなわち、開口部から底部にかけて徐々に幅が狭くなる略三角形状のトレンチ２を形成できる。
（３）断面形状が逆半円形形状のトレンチ２の場合（図１０）
基板１について、フッ化キセノンガスなどによる等方性ドライエッチングを行うことによって、断面形状が逆半円形状、すなわち、開口部から底部に向けて徐々に幅が狭くなる略半円形のトレンチ２を形成できる。
（４）断面形状が長方形形状のトレンチの場合（図１１）
基板１について、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｏｕｐｌｅ  Ｐｌａｓｍａ）エッチングすることによって、断面形状が長方形形状、すなわち、略四角形状のトレンチ２を形成できる。
【００２９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る中空光導波路について、図１２と図１３を用いて説明する。図１２は、この中空光導波路２０の概略的な構成を示す斜視図である。図１３は、図１２のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。この中空光導波路２０は、実施の形態１に係る中空光導波路と比較すると、下側反射膜３１がトレンチ２以外の部分で除去されており、上側反射膜３２がトレンチ２以外の部分で基板１の上に直接密着して支持されている点で相違する。このような構成によっても上側反射膜３２と基板１との間には隙間が生じないので中空コア４を導波する光の損失を抑制することができる。
【００３０】
次に、この中空光導波路２０の作成方法について説明する。この中空光導波路２０は、実施の形態１に係る作成方法のうち、犠牲層６を形成する工程までは同様に行う。この犠牲層形成工程と次の上側反射膜形成工程との間に、次の工程を行う。
（ｉ）犠牲層６の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）により研磨して平坦化する。この場合、基板１に達するまで研磨する。
犠牲層６を基板１に到達するまで研磨した後、上側反射膜形成工程、犠牲層除去工程を経て、図１２及び図１３に示す中空光導波路２０を作成することができる。
【００３１】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る中空光導波路について、図１４と図１５を用いて説明する。図１４及び図１５は、上側反射膜３２を設ける範囲をトレンチ２の周囲までに限定し、上側反射膜３２の上に保護膜５を設けた中空光導波路３０ａ、３０ｂの断面図である。図１４では、実施の形態１の中空光導波路の作製方法と同様に下側反射膜３１はトレンチ２の外にわたって存在する。図１５では、実施の形態３の中空光導波路の作製方法と同様にトレンチ２以外の下側反射膜３１が除去されている。なお、ここでは上側反射膜３２が覆う範囲をトレンチ２の周囲に限定しているが、これに限られず、実施の形態１、実施の形態３と同様に全面にわたって覆っていてもよい。この中空光導波路によれば、上側反射膜３２の上に保護膜５を設けているので、上側反射膜３２が基板１や下側反射膜３１から剥離することを防止できる。
【００３２】
次に、この中空光導波路３０ａ、３０ｂの作製方法について説明する。この中空光導波路３０ａについては、実施の形態１で犠牲層６を形成した後、中空光導波路３０ｂについては、犠牲層６を平坦化した後、それぞれ次の各工程を行う。
（ｊ）犠牲層６又は基板１の上に、穴あきのメタルマスクを通して上側反射膜３１をスパッタ法で形成する。これによって上側反射膜３２をトレンチ２の周囲に限定して成膜することができる。
（ｋ）犠牲層６を除去する。この犠牲層６の除去は実施の形態１と同様である。
（ｌ）保護膜５を少なくとも上側反射膜３２を覆うように形成する。保護膜５の膜厚はおよそ１０〜１００μｍの範囲が好ましい。この保護膜５としては、Ａｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｔなどの金属やその合金、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ５などの誘電体またはその混合物、ガラス質材料やセラミック材質、ポリメチルメタクリレートやポリイミド、エポキシ、ポリオレフィンなどの樹脂材料を用いることができる。また、成膜方法としては、スパッタ法に限られず、塗布法を用いてもよい。
【００３３】
以上の工程を行うことによって、上側反射膜３２の上を保護膜５で覆う中空光導波路３０ａ、３０ｂを得ることができる。なお、上記作製方法では犠牲層６を除去した後、保護膜５を形成しているが、上側反射膜３２を形成した後、引き続いて保護膜５を設けてもよい。この場合には、保護膜５を形成した後、犠牲層６を除去する。その際、保護膜５と上側反射膜３２とを貫くエッチングホールを形成し、該ホールを介して犠牲層６を除去するのが好ましい。
【００３４】
【発明の効果】
本発明に係る中空光導波路によれば、上側反射膜は、下側反射膜の上に密着して支持されているか、又は、基板の上に直接支持されている。このようにカバー板を設けないで上側反射膜を構成しているので、下側反射膜と上側反射膜との間は密着し、又は、上側反射膜と基板との間は密着し、光の漏洩損失は大幅に低減する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る中空光導波路の構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る中空光導波路の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る中空光導波路の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る中空光導波路の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る中空光導波路の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る中空光導波路の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る中空光導波路の第１例の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る中空光導波路の第２例の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る中空光導波路の第３例の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る中空光導波路の第３例の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態３に係る中空光導波路の構成を示す斜視図である。
【図１３】図１２のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る中空光導波路の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係る中空光導波路の別例の断面図である。
【符号の説明】
１  基板、２  トレンチ、３１  下側反射膜、３２  上側反射膜、４  中空コア、５  保護膜、６  フォトレジスト、１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、２０、３０ａ、３０ｂ、５０  中空光導波路
【図１】
2004294660.tif 000004
【図２】
2004294660.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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