(57)【要約】【課題】  所与の周波数および臨界寸法において高い反射率が得られるＳＡＷフィルタまたは共振器用の反射グレーティングを提供する。【解決手段】  反射グレーティング（３６）は、各Ｎ波長（λ）毎にＭ本の格子線（３８）の均一離間格子に対してグレーティングの格子線（３８）を選択的にディザ処理することによって形成され、λは対象の周波数帯域の中心における波長、ＭおよびＮは整数であて、Ｍ＞Ｎである。ＭおよびＮは、格子線（３８）の全てを均一に離間したときに、グレーティング（３６）が有効な反射を生じないように選択される。Ｎλの各サンプリング周期において格子線のディザ・パターンを制御することによって、いずれの所望の大きさおよび位相の分散反射率でも、このグレーティングから実現することができる。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響波を反射する反射器であって、
圧電基板と、
前記基板上に配置された反射グレーティング構造であって、間にギャップを規定する一連の格子線を含む、反射グレーティング構造と、
を備え、前記格子線を、ある格子線幅およびギャップ幅によって規定される均一または周期的間隔の配列に対して方向付けし、所定数の前記格子線を、均一間隔に対してディザ処理して、対象の周波通帯域に対して前記反射波の振幅および位相を設定する反射率関数を提供し、ある数の前記格子線が、所定の反復サンプリング周期を規定し、該サンプリング周期が、Ｎ波長毎にＭ本の格子線によって規定され（Ｎλ／Ｍ）、λは対象の周波数帯域の中心周波数の波長であり、ＭおよびＮは整数であって、Ｍ＞Ｎである、反射器。
【請求項２】
請求項１記載の反射器において前記格子線のディザ処理は、−１から１までの数値によって規定され、前記数値が格子線をディザ処理する方向および量を特定する、反射器。
【請求項３】
請求項１記載の反射器において、前記サンプリング周期の長さはλであり、前記格子線の幅はλ／８であり、Ｎ＝１およびＭ＝４である、反射器。
【請求項４】
請求項１記載の反射器において、前記格子線の全てを前記均一間隔に対してディザ処理する反射器。
【請求項５】
請求項１記載の反射器において、前記反射グレーティング構造は、前記格子線の端部に結合した、対向する端部バス・バーを含む反射器。
【請求項６】
請求項１記載の反射器において、前記格子の端部は開放回路となっている反射器。
【請求項７】
請求項１記載の反射器において、前記グレーティング構造は、テーパー状グレーティング構造であり、広いフラクショナル（分割）帯域幅周波数応答を形成する、反射器。
【請求項８】
請求項１記載の反射器において、前記格子線は、基板上にデポジションした金属、基板内にエッチングした溝、基板内へのイオン・インプランテーション、または前記基板上にパターニングして前記格子線パターンを形成するのに適した材料から成る群から選択する、反射器。
【請求項９】
請求項１記載の反射器において、当該反射器は表面弾性波反射フィルタの一部である反射器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には、ＳＡＷ反射器フィルタまたはＳＡＷ共振器において用いるための加重（重み付けされた）表面音響（弾性）波（ＳＡＷ）反射器に関し、更に特定すれば、ＳＡＷ反射器フィルタまたは共振器において用いるための加重ＳＡＷ反射器であって、各Ｎλ毎にＭ本の格子線を有する均一離間格子線に対して選択的ディザリング（ディザ処理）した反射器格子線を含み、λが対象（目的）周波数帯域の中心周波数の波長であり、ＭおよびＮが整数であってＭ＞Ｎである、反射器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤＭＡやＧＳＭのような移動電話通信システムでは、チャネル選択のために、中間周波数（ＩＦ）フィルタが用いられている。ＩＦフィルタは、小型で、遷移エッジ（縁）が急峻な狭い帯域幅が得られ、しかも帯域外阻止性能に優れていなければならない。これらの特性を備えたフィルタの一種が、当技術分野において、表面弾性波（ＳＡＷ）フィルタとして知られている。
【０００３】
従来のＳＡＷフィルタは、入力変換器（トランスデューサ）と出力トランスデューサを含み、これらは圧電基板上に形成されている。入力トランスデューサは、濾波（フィルタリング）する電気入力信号で、電気的に励起される。入力トランスデューサは、この電気入力信号をレイリー（Rayleigh）波、ラム波(lamb wave)等のような表面弾性波に変換し、この表面弾性波は基板に沿って出力トランスデューサまで伝搬する。出力トランスデューサは、弾性波をフィルタリングされた電気信号に変換する。
【０００４】
入力および出力トランスデューサは、基板の上面に形成された櫛形（インターディジタル）電極を含むのが通例である。電極の形状および間隔が、入力トランスデューサによって生成される弾性波の中心周波数および帯域形状を決定する。一般に、電極の幅が狭い程、または波長当たりの電極数が少ない程、動作周波数は高くなる。特定の周波数における表面弾性波の振幅は、トランスデューサが発生する弾性波の加算的干渉（強め合う干渉）によって決定される。
【０００５】
これらのトランスデューサの長さを足し合わせたものが、フィルタの全長となる。理想的なフィルタ特性を有する従来のＳＡＷフィルタを設計するには、フィルタのインパルス応答を非常に長くする必要がある。インパルス応答の長さは、トランスデューサの長さに正比例するので、理想的な特性を有する従来のＳＡＷフィルタの全長は長すぎて、移動電話通信システムでは用いることができない。
【０００６】
この問題を解決するために、反射ＳＡＷフィルタが開発されている。反射ＳＡＷフィルタは、概略的に、少なくとも１つの入力トランスデューサと、１つの出力トランスデューサと、１つの反射器とを有し、これらは圧電基板上に形成されている。反射器は、通例では、格子線を含む反射グレーティングであり、これらは間にギャップ（間隙）を規定するように離間されている。入力トランスデューサからの弾性波は反射器によって受信され、グレーティング内部の格子線によって反射され、反射波は、互いに対して加算的および減算的（相殺的）に干渉し、波路は折り返されている。加算的に干渉した波は、反射して特定の位相を有する出力トランスデューサに戻ってくる。この折り返しのために、トランスデューサの長さは、もはやインパルス応答の期間には依存しない。したがって、反射ＳＡＷフィルタは、小型化され、高い周波数選択性を有するため、移動電話通信システムには望ましいものである。
【０００７】
反射ＳＡＷフィルタの周波数応答は、個々の反射器を重み付けして所望の有効反射率を得ることによって、一層改善される。既存の重み付け方法は、位置重み付け、省略（オミッション）重み付け(omission-weighting)、およびストリップ幅重み付け(strip-width weighting)を含む。その他の反射器に重み付けする方法には、開放−短絡（オープン・ショート）反射器構造において、開放回路とした反射ストリップの長さを変えることが含まれる。反射器を重み付けすることによって、フィルタの物理的なサイズが減少し、フィルタの周波数応答を改善させるのに役立つ。
【０００８】
反射器フィルタの理想的な周波数応答は、急峻な遷移エッジ（縁）を有する。反射器ＳＡＷフィルタにおける反射グレーティングは、適切な重み付け関数によって重み付けされ、所望のフィルタ応答を提供する。例えば、加重sin(x)/x関数を各反射グレーティングに与えることにより、非常に急峻な遷移縁を有するフィルタ応答を生成することができる。
【０００９】
既存の重み付け方法は、位置重み付け、オミッション重み付け、およびストリップ幅重み付けを含む。その他の反射器に重み付けする方法には、開放−短絡反射器構造において、開放回路とした反射ストリップの長さを変えることが含まれる。反射グレーティングの重み付けは、フィルタの物理的サイズが減少し、フィルタ周波数応答を向上させるのに役立つ。
【００１０】
加重反射グレーティングは、反射器ＳＡＷフィルタにおいて重要な要素として作用し、フィルタの物理的サイズを減少させ、電気的フィルタ応答を向上させる。インライン・フィルタ構造と比較して、Ｚ型経路反射フィルタを用いると、７０％の小型化、および約８ｄＢの挿入損失が達成されることが当技術分野では報告されている。公知の反射フィルタの１つに、ＣＤＭＡ移動電話用のＺ経路ＩＦ  ＳＡＷフィルタがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ＳＡＷフィルタにおいて反射グレーティングに重み付けする公知の方法は全て、反射器の構造の限界（臨界）寸法に依存する。臨界寸法は、反射グレーティングの格子幅またはギャップ幅の小さい方であり、フィルタの動作周波数に反比例する。動作周波数が高くなる程、臨界寸法は減少する。製作上の制約によって臨界寸法が制限されるので、フィルタの動作周波数も制限されることになる。動作周波数が高くなると、公知の反射グレーティングでは、選択性の高いフィルタに要求される広い範囲の反射率を実現する場合、ダイナミック・レンジが限界に達する。所与の周波数および臨界寸法において高い反射率が得られる反射グレーティングがあれば、有利であろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の教示によれば、ＳＡＷフィルタまたは反射器用に新たな形式の反射グレーティングを開示する。この格子は、各Ｎ波長（Ｎλ／Ｍ）毎にＭ本の格子線によって規定される所定の均一離間格子線または周期的離間格子線に対して、グレーティングの格子線を選択的にディザリング（ディザ処理）することによって形成され、λは対象（目的）の周波数帯域の中心周波数ｆ0における波長、ＭおよびＮは整数であって、Ｍ＞Ｎである。ＭおよびＮは、格子線の全てを均一に離間したとき、即ちディザ処理を行わないときに、格子が有効な反射を生じないように選択される。λは、Ｖ／ｆ0と定義され、Ｖは基板上における表面弾性波の伝搬速度である。Ｎλの各サンプリング周期において格子線に特定のディザ・パターンを与えることによって、大きさおよび位相双方においてあらゆる所望の分散反射率をこの格子から実現することができる。
【００１３】
本発明の更に別の利点および特徴は、以下の説明および特許請求の範囲を、添付図面と共に検討することによって明白になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施形態に関する以下の説明は、反射器がディザ反射格子線を含む、ＳＡＷフィルタ用の加重表面弾性波反射器を対象とするが、これは単なる一例に過ぎず、本発明あるいはその用途または利用法を限定することは全く意図していない。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態による、圧電基板１２上に製作した反射ＳＡＷフィルタ１０の平面図である。反射ＳＡＷフィルタ１０は、双方向入力トランスデューサ１４と、出力双方向トランスデューサ１６と、本発明による反射グレーティング１８とを含む。入力トランスデューサ１４および出力トランスデューサ１６は、バス・バー２２の対向する端部に結合された複数の均一間隔櫛形（すだれ状）電極フィンガ２０を含む。反射ＳＡＷフィルタ１０は、入力線２４上の入力トランスデューサ１４に印加され濾波（フィルタリング）される電気入力信号によって励起される。入力トランスデューサ１４は、この電気信号を表面弾性波２８に変換する。表面弾性波２８は、出力トランスデューサ１４から圧電基板１２の表面に沿って外に向かって伝搬する。
【００１６】
弾性波エネルギ２８の約半分が出力トランスデューサ１６によって受け取られ、再度電気エネルギに変換されて、出力線３０上に送られる。弾性波エネルギ２８の残りの半分は、反射グレーティング１８によって受け取られ、反射され入力トランスデューサ１４を通して出力トランスデューサ１６に達し、ここで再度電気エネルギに変換される。実用的な実施形態では、フィルタ１０は、２つの入力トランスデューサおよび２つの出力トランスデューサを含み、出力トランスデューサ１６における信号相殺を補正するようにしている。これは、当業者には周知のことである。以下に説明するが、反射グレーティング１８は、特定の周波数帯域に対して反射グレーティング１８の反射能力を最適化するディザ格子線を用いている。
【００１７】
尚、フィルタ１０が適正に動作するために、第２反射トラックを含ませるとよいことを注記しておく。この第２反射トラックも、入力トランスデューサ、出力トランスデューサ、および反射グレーティングを含む。こうする場合、２つの入力トランスデューサは同じ極性を有し、２つの出力トランスデューサは逆の極性を有する。したがって、対応する入力トランスデューサから出力トランスデューサによって直接受け取られ、反射グレーティングによって反射されない表面弾性波は、フィルタの出力トランスデューサにおいて互いに同相となり、このため相殺される。何故なら、２つの出力トランスデューサは逆の極性を有するからである。反射グレーティングによって反射された弾性波は、互いに１８０゜位相がずれて、対応する出力トランスデューサに到達し、２つの出力トランスデューサは逆の極性を有するので、出力において加算し合う。グレーティング反射間の１８０゜の位相差は、様々な技法で与えることができ、一方のトラックにおいて他方のトラックに対して遅延を与え、２系統のトラックにおいて、反射弾性波が伝搬する距離にλ／２の差を付けるようにすることが含まれる。この遅延は、２系統のトラックにおける反射グレーティング間にλ／４のオフセットを設けることによって得ることができる。
【００１８】
図２は、サンプリング周期がλ／４の反射グレーティング１８の反射率関数を示すグラフである。本発明によれば、サンプリング周期は、各Ｎ波長毎にＭ本の格子線（Ｎλ／Ｍ）によって定義され、λは、フィルタの帯域幅の中心周波数における波長であり、ＭおよびＮは整数であって、Ｍ＞Ｎである。サンプリング周期の例には、λ／４、λ／３、２λ／５、３λ／７、３λ／８、４λ／７、および５λ／８が含まれるが、これらに限定される訳ではない。各サンプリング周期の特徴は、反射グレーティング１８の格子線が均一に離間されている、または、周期的である場合、つまり、ディザ処理されていない場合、グレーティング１８はネット（有効）反射率を有さないということである。トランスデューサの臨界寸法ＣＤは、格子線周期ＮλＭに比例する。λ＝Ｖ／ｆ0であるので、ｆ0はＮ／（Ｍ*ＣＤ）に比例する。比率Ｎ／Ｍが大きい程、所与のＣＤに対する格子の中心周波数は高くなる。
【００１９】
先に説明したように、反射グレーティングの格子線がＮλ／Ｍ配列(orientation)を有する場合、格子線内部における表面弾性波の反射は適正な位相を有して減算的に干渉するため、有効反射率は得られない。所望の反射率を得るには、ディザ処理を行う。即ち、以下で説明する所定のディザ関数に応じて、格子線の位置を均一な間隔に対して変化させる。ディザ関数の選択は、反射される弾性波の振幅および位相を制御して、これらが互いに結合され、対象の周波数帯域の中心において所望の反射が発生するように行う。周波数応答の形状は、理想的な特性のフィルタが得られる、理想的な反射率関数となる。
【００２０】
図３は、図２に示す反射特性を有する反射グレーティング１８の周波数応答を示すグラフである。図３に示すグラフは、当技術分野では、「ブリックウォール(brick wall)」周波数応答として知られているものを示す。ブリックウォール周波数応答は、急峻な遷移縁および狭い帯域幅を有する理想的な応答である。図２の反射関数を有する反射グレーティングは、図３に示すような「ブリックウォール」周波数応答を生成する。
【００２１】
図４は、フィルタ１０において、反射グレーティング１８の代わりに用いることができる、本発明による反射グレーティング３６の平面図である。図５は、グレーティング３６について、ディザ処理した反射器の強度のグレーティング位置に対する関係を示すグラフである。グラフの線４８は、グレーティング３６内のそれぞれの位置における反射表面波の振幅および位相を特定する。以下で説明するが、反射グレーティング３６は、入射表面弾性波３２が逆方向に反射されて、対象の周波数帯域に対して所望の振幅および位相を有する反射表面弾性波３４となるような、反射率関数を備えている。
【００２２】
反射グレーティング３６は、一連の離間した格子線３８を含み、それらの間にはギャップ４０が規定されている。格子線３８およびギャップ４０の幅は、先に説明したように、各Ｎλ毎にＭ本の格子線３８を配した場合の均一な格子間隔に基づく。均一な即ち周期的な格子線配列を得るには、格子線３８およびギャップ４０は全て、表面弾性波３２の伝搬方向に同じ幅を有する。このため、格子線の間隔が均一であると、有効反射率は得られない。本発明の教示によれば、格子線３８の一部を均一な間隔に対してディザ処理して、特定の中心周波数に対して所望の有効反射率（位相および振幅）を得るようにする。格子３６内のディザ格子線４４は、陰影によって、ディザ処理していない、即ち、均一格子線４６とは区別されている。
【００２３】
この実施形態では、格子線３８の間隔はサンプリング周期４２によって特定され、各サンプリング周期４２は、中心周波数の１波長（λ）に等しい距離にわたって、間隔をおいて配置された４本の格子線３８を含む。更に、この実施形態では、各格子線３８および間隔が均一なギャップ４０は、フィルタリングする中心周波数に対して、λ／８の幅を有する。図４および図５における垂直グラフ線は、サンプリング周期４２の分離を識別する。一実施形態では、グレーティング３６は２７５のサンプリング周期を有する。即ち、その長さは２７５λである。
【００２４】
格子線３８のディザ処理は所定のシーケンスに従う。例えば、垂直グラフ線５０および５２の間では、各サンプリング周期４２における格子線３８のディザ処理は、１つのディザ配列を有し、垂直グラフ線５２および５４間では、各サンプリング周期４２における格子線３８のディザ処理は別の配列を有し、これらのシーケンスは、反射グレーティング３６全体にわたって交互に現れる。反射率関数の位相は、線５２の一方側から他方側までに１８０゜変化する。
【００２５】
本発明によれば、サンプリング周期４２における格子線３８のディザ処理は、−１および１の間の数値によって規定される。０は、格子線３８には均一間隔に対してディザ処理が行われていないことを意味し、正の数値は、格子線３８を右側に一定量だけディザ処理したことを意味し、負の数値は、格子線３８を左側に一定量だけディザ処理したことを意味する。この例では、−１および１のディザ処理は、格子線３８をディザ処理可能な最大距離を表す。この実施形態では、−１および１のディザ処理は、ギャップ４０の半分である。最大ディザ処理量は、格子の最小ギャップである臨界寸法がリソグラフィの実現可能な限界内である限り、ギャップの半分よりも多くすることも可能である。
【００２６】
垂直グラフ線５０および５２間のサンプリング周期４２におけるディザ処理の配列は、シーケンス（０、０、１、−１）によって特定される。ディザ・シーケンスにおける値は、サンプリング周期内における各格子線の相対的な変位を示す。この意味は、最初と２番目の格子線３８にはディザ処理が行われておらず、３番目の格子線は０と最大量との間で右側にディザ処理することができ、４番目の格子線３８は、０と最大量との間で左側にディザ処理できるということである。しかしながら、同じ周期内では、３番目および４番目の格子線双方に行われるディザ処理は、同じ量である。垂直グラフ線５２および５４間のサンプリング周期４２におけるディザ処理の配列は、ディザ・シーケンス（−１、１、０、０）を有する。この意味は、最初の格子線３８は０と最大距離との間で左側にディザ処理することができ、２番目の格子線は０と最大距離との間で右側にディザ処理することができ、３番目および４番目の格子線は均一な間隔に対してディザ処理されないということである。しかしながら、同じ周期内では、最初および２番目の格子線双方に行われるディザ処理は、同じ量である。グラフ線４８は、このディザ・シーケンスに対する反射の大きさおよび位相を示す。ＳＷＡ伝搬速度Ｖはディザ処理した規模の関数であるので、ＳＡＷが適正にグレーティングを伝搬するためには、ディザ・シーケンスに応じて各サンプリング周期のλを調節しなければならない。
【００２７】
図６は、フィルタ１０における反射グレーティング１８として用いることができる、本発明の別の実施形態による反射グレーティング７０の上面図である。図７は、グレーティング７０について、ディザ反射強度のグレーティング位置に対する関係を示すグラフである。これについては、以下で説明する。反射グレーティング７０は、先に説明した反射グレーティング３６と同様であり、同じ要素を識別する際には、同様の参照番号を用いることとする。反射グレーティング７０のサンプリング周期４２では、図５および図７におけるグラフ線４８で示したように、反射グレーティング３６と同じ反射率関数が得られる。
【００２８】
また、反射グレーティング７０も、１つのサンプリング周期４２に４本の格子線３８を含み、Ｎλ／Ｍ＝λ／４となる。グラフ線５０および５２間の格子線３８のディザ・シーケンスは、（１、−１、１、−１）であり、グラフ線５２および５４間の格子線３８のディザ・シーケンスは、（−１、１、−１、１）である。したがって、グレーティング７０における格子線３８の全てを、０と最大量との間で、右側または左側のいずれかにディザ処理することができる。しかしながら、同じ周期内では、４本の格子線に行われるディザ処理は全て同じ量である。こうして、異なるディザ・シーケンスによって、同じ反射率関数を設けることができる。
【００２９】
各反射のディザ処理方向を逆にすることによって、反射位相は１８０゜変化する。一般に、１つのサンプリング周期４２の反射中心を、別の周期のそれに対して空間的にλ／４だけオフセットすると、２つの周期の反射率は、１８０゜位相ずれとなる。図４〜図７から、各サンプリング周期４２内におけるディザ・シーケンスが減少するに従って、周期４２の反射率の大きさも減少することは明白である。
【００３０】
図８は、フィルタ１０における反射グレーティング１８として用いることができる、本発明の別の実施形態による反射グレーティング８０の上面図である。同じように、図９は、グレーティング８０について、ディザ反射強度のグレーティング位置に対する関係を示すグラフである。前述のように、同様の参照番号は、同様の要素を表す。反射グレーティング８０は、図４および図６に示したサンプリング周期４２とは異なるサンプリング周期８２を有し、図５、図７および図９に示すように、同じ反射率関数を設けるために用いることができる。この実施形態では、各サンプリング周期８２は、５本の格子線３８を含み、３λの幅を有する。更に、各格子線３８および各ギャップ４０の幅は、３λ／１０である。グラフ線５０および５２の間にある反射グレーティング８０の区間に対するディザ・シーケンスは、（−１、−０．３５、−０．３５、０．８、１）であり、格子線５２および５４の間にある反射グレーティング８０のディザ・シーケンスは、（０．３５、１、０、−０．８、０．３５）である。この場合も、ディザ・シーケンスにおける値は、１サンプリング周期内における各格子線の相対的な変位を示す。
【００３１】
格子線３８は、適した技法であればそのいずれによっても、圧電基板上に形成することができる。例えば、図１０（ａ）は、ディザ格子線９２を有し、それらの間にギャップ９４を規定した反射グレーティング９０の平面図である。格子線９２は、それらの終端において、図示のように、対向する端部バス・バー９６、９８に結合され、格子短絡回路となっている。反射グレーティング３６、７０、８０は、端部バス・バーを有しておらず、したがって開放回路設計となっている。この実施形態では、格子線９２およびバス・バー９６、９８は、基板上にデポジション（堆積）された金属である。
【００３２】
図１０（ｂ）は、本発明による反射グレーティング１００の平面図であり、一連の離間されたディザ格子線１０２を含み、これらの間にギャップ１０４を規定している。格子線１０２は、金属のようないずれかの適した格子材料、基板上にデポジションされるいずれかの適した物質、基板（下方）にエッチングした溝、基板内へのイオン打ち込み（インプランテーション）、または所望のディザ・パターンが得られる、基板上のあらゆる種類の擾乱(disturbance)即ち変動によって形成することができる。
【００３３】
図１０（ｃ）は、テーパー状の格子線１１２を含むグレーティング１１０の平面図である。テーパー状の格子線１１２は、多数の通信チャネルの隣接する周波数帯域に適した反射率チャネルを設ける。格子線１１２は、Ｎ個の格子チャネルを上から下まで、チャネルの波長が小さい順または大きい順に接続することによって、構成することができる。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示した反射グレーティングの多様な実施形態は、テーパー状反射グレーティング１１２にも適用することができる。
【００３４】
これまでの説明は、本発明の実施形態例を開示し、説明したに過ぎない。このような説明ならびに添付図面および特許請求の範囲から、変更や改変も、特許請求の範囲に規定する本発明の精神および範囲から逸脱することなく、本発明において可能であることを、当業者であれば容易に理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態による反射グレーティングを含む反射ＳＡＷフィルタの平面図である。
【図２】図２は、正規化したλ／４サンプリング周期を有する、本発明による反射グレーティングの反射率関数を示すグラフである。
【図３】図３は、正規化したλ／４サンプリング周期を有する、本発明による反射グレーティングの周波数応答を示すグラフである。
【図４】図４は、図１に示すＳＡＷフィルタに使用可能な、本発明の一実施形態による加重反射グレーティングの平面図であり、サンプリング周期がλ、そして各周期におけるディザ格子線が（０、０、１、−１）で表されるグレーティングを示す。
【図５】図５は、図４に示す反射グレーティングについて、ディザ処理した反射器の強度のグレーティング位置に対する関係を示すグラフである。
【図６】図６は、図１に示すＳＡＷフィルタに使用可能な、本発明の別の実施形態による加重反射グレーティングの平面図であり、サンプリング周期がλ、そして各周期におけるディザ格子線が（１、−１、１、−１）で表されるグレーティングを示す。
【図７】図７は、図６に示す反射グレーティングについて、ディザ処理した反射器の強度のグレーティング位置に対する関係を示すグラフである。
【図８】図８は、図１に示すＳＡＷフィルタに使用可能な、本発明の別の実施形態による加重反射グレーティングの平面図であり、サンプリング周期が３λ／５、そして各周期におけるディザ格子線が（１、−０．３５、−０．３５、０．８、１）で表されるグレーティングを示す。
【図９】図９は、図８に示す反射グレーティングについて、ディザ処理した反射器の強度のグレーティング位置に対する関係を示すグラフである。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、多様な本発明のディザ・グレーティング構造を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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