(57)【要約】【課題】低抵抗で低抵抗温度係数特性を有する厚膜低抵抗抵抗器を提供する。【解決手段】絶縁基板１１の下面両端部に厚膜下面内部電極層１２を形成する。絶縁基板１１の上面に低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜抵抗体層１３を形成する。厚膜抵抗体層１３の両端部にそれぞれ積層して低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜上面内部電極層１４を形成する。厚膜上面内部電極層１４と前記厚膜下面内部電極層１２とに接続して絶縁基板１１の両端面に端面内部電極層１７を形成する。厚膜抵抗体層１３の表面には第１保護コート１５を形成し、第１保護コート１５の表面に必要に応じて樹脂保護コート１６を形成する。絶縁基板１１の両端面に端面内部電極層１７をそれぞれ形成する。厚膜下面内部電極層１２、厚膜上面内部電極層１４及び端面内部電極層１７の外表面に外部電極層１８を形成する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
この絶縁基板の上面に形成された低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜抵抗体層と、
この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ積層形成され低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜上面内部電極層と
を少なくとも備えたことを特徴とする厚膜低抵抗抵抗器。
【請求項２】
絶縁基板と、
この絶縁基板の下面両端部に形成された厚膜下面内部電極層と、
この絶縁基板の上面に形成された低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜抵抗体層と、
この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ積層形成され低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜上面内部電極層と、
この厚膜上面内部電極層と前記厚膜下面内部電極層とに接続して前記絶縁基板の両端面に形成された端面内部電極層と
を少なくとも備えたことを特徴とする厚膜低抵抗抵抗器。
【請求項３】
厚膜抵抗体層および厚膜上面内部電極層は銅ニッケル厚膜層であることを特徴とする請求項１または２記載の厚膜低抵抗抵抗器。
【請求項４】
厚膜抵抗体層は銅ニッケル厚膜層であり、厚膜上面内部電極層は銀パラジウム厚膜層であること特徴とする請求項１または２記載の厚膜低抵抗抵抗器。
【請求項５】
厚膜抵抗体層は、
銅が８０〜３０質量部とニッケルが２０〜７０質量部の各単体の混合物又は銅とニッケルとの合金粉体厚膜抵抗体要素と、
この厚膜抵抗体要素全体の１００質量部に対して１〜１０質量部の金属酸化物と、
前記厚膜抵抗体要素全体の１００質量部に対して１〜１０質量部のガラスとを少なくとも含むことを特徴とする請求項１ないし４いずれか記載の厚膜低抵抗抵抗器。
【請求項６】
絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、
この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程と
を少なくとも具備したことを特徴とする厚膜低抵抗抵抗器の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板の下面両端部に厚膜下面内部電極層を形成する工程と、
前記絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、
この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程と、
この厚膜上面内部電極層と前記厚膜下面内部電極層とに接続した端面内部電極層を前記絶縁基板の両端面に形成する工程と
を少なくとも具備したことを特徴とする厚膜低抵抗抵抗器の製造方法。
【請求項８】
絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、
この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銀パラジウム粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程とを少なくとも具備したことを特徴とする厚膜低抵抗抵抗器の製造方法。
【請求項９】
絶縁基板の下面両端部に厚膜下面内部電極層を形成する工程と、
前記絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、
この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銀パラジウム粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程と、
この厚膜上面内部電極層と前記厚膜下面内部電極層とに接続した端面内部電極層を前記絶縁基板の両端面に形成する工程と
を少なくとも具備したことを特徴とする厚膜低抵抗抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、小形通信機、コンピュータ、情報機器などの電子機器における電子回路の面実装部品として使用される低抵抗で低抵抗温度係数特性を有する厚膜低抵抗チップ抵抗器などの厚膜低抵抗抵抗器およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の厚膜低抵抗チップ抵抗器は、図３に示すように、セラミック絶縁基板１の下面両端部にそれぞれ銅粉を含むペーストを印刷焼成して厚膜下面内部電極層２を形成し、この絶縁基板１の上面両端部に銅粉体を含むペーストを印刷焼成して厚膜上面内部電極層３を形成し、この厚膜上面内部電極層３に両端部を接続して前記絶縁基板１上に銅ニッケル粉体を含むペーストを印刷焼成して厚膜抵抗体層４を形成し、さらに、厚膜抵抗体層４の表面にガラスペーストを印刷焼成してガラスコート層５を形成し、さらに、このガラスコート層５の表面に樹脂ペーストを印刷硬化して保護コート層６を形成し、前記絶縁基板１の両端面には真空蒸着またはスパッタリングによりニッケルクロム合金による端面内部電極層７をそれぞれ形成し、この両端面内部電極層７と前記厚膜上面内部電極層３と前記厚膜下面内部電極層２とにニッケルめっき層及びはんだめっき層とを積層した厚膜端面電極層８をそれぞれ形成する構成が採られていた。
【０００３】
この図３に示す従来の銅ペーストにて厚膜上面内部電極層３を形成するとともに銅ニッケル粉体を含むペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層４を形成した厚膜低抵抗チップ抵抗器では、抵抗値が下がるほど抵抗温度係数が高くなる問題があった。
【０００４】
また、特開平１０−１４４５０１号公報に記載されている厚膜低抵抗チップ抵抗器では、絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含むペーストを印刷焼成して厚膜抵抗体層を形成し、この厚膜抵抗体層の両端部に銅または銀を含むペーストをそれぞれ印刷焼成して厚膜上面内部電極層をそれぞれ積層形成する構成が採られている。
【０００５】
この特開平１０−１４４５０１号公報に記載の厚膜低抵抗チップ抵抗器では、図３に示す厚膜低抵抗チップ抵抗器より改善されるものの、抵抗値が下がるほど抵抗温度係数が高くなり、充分な特性が得られない問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記図３に示す従来の厚膜低抵抗チップ抵抗器および特開平１０−１４４５０１号公報に記載の厚膜低抵抗チップ抵抗器では、抵抗値が下がるほど抵抗温度係数が高くなり、チップ抵抗器全体としての抵抗値が概ね２００ｍΩ以下の領域では無視できなくなる。これは抵抗器の電流経路に占める電極部分の抵抗温度係数に起因するものである。
【０００７】
この電極部分の材料、面積などで大きな割合を占めるところが上面内部電極であり、従来の技術で用いる銅または銀系の厚膜電極層の抵抗温度係数が２０００ｐｐｍ／℃〜４０００ｐｐｍ／℃の値を示すことに大きな原因がある。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、低抵抗で低抵抗温度係数特性を有する厚膜低抵抗抵抗器およびその製造方法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の厚膜低抵抗抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板の上面に形成された低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜抵抗体層と、この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ積層形成され低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜上面内部電極層とを少なくとも備えたものである。
【００１０】
そして、厚膜抵抗体層に積層形成した厚膜上面内部電極層の抵抗温度係数が低く、低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が得られる。
【００１１】
請求項２記載の厚膜低抵抗抵抗器は、絶縁基板と、この絶縁基板の下面両端部に形成された厚膜下面内部電極層と、この絶縁基板の上面に形成された低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜抵抗体層と、この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ積層形成され低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜上面内部電極層と、この厚膜上面内部電極層と前記厚膜下面内部電極層とに接続して前記絶縁基板の両端面に形成された端面内部電極層とを少なくとも備えたものである。
【００１２】
そして、厚膜抵抗体層に積層形成した厚膜上面内部電極層の抵抗温度係数が低く、抵抗器全体として低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が得られる。
【００１３】
請求項３記載の厚膜低抵抗抵抗器は、請求項１または２記載の厚膜低抵抗抵抗器において、厚膜抵抗体層および厚膜上面内部電極層は銅ニッケル厚膜層である。
【００１４】
請求項４記載の厚膜低抵抗抵抗器は、請求項１または２記載の厚膜低抵抗抵抗器において、厚膜抵抗体層は銅ニッケル厚膜層であり、厚膜上面内部電極層は銀パラジウム厚膜層である。
【００１５】
請求項５記載の厚膜低抵抗抵抗器は、請求項１ないし４いずれか記載の厚膜低抵抗抵抗器において、厚膜抵抗体層は、銅が８０〜３０質量部とニッケルが２０〜７０質量部の各単体の混合物又は銅とニッケルとの合金粉体の厚膜抵抗体要素と、この厚膜抵抗体要素全体の１００質量部に対して１〜１０質量部の金属酸化物と、前記厚膜抵抗体要素全体の１００質量部に対して１〜１０質量部のガラスとを少なくとも含むものである。
【００１６】
そして、基板と厚膜抵抗体層との間でこの厚膜抵抗体層に含まれる金属酸化物がスピネル構造を有する化合物が生成され、基板と厚膜抵抗体層との間に強力な密着性が生じ、基板から厚膜抵抗体層が剥離することがない。
【００１７】
請求項６記載の厚膜低抵抗抵抗器の製造方法は、絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程とを少なくとも具備したものである。
【００１８】
そして、厚膜抵抗体層に厚膜ペーストを印刷焼成して積層形成した内部電極層の抵抗温度係数が低く、低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が得られる。
【００１９】
請求項７記載の厚膜低抵抗抵抗器の製造方法は、絶縁基板の下面両端部に厚膜下面内部電極層を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程と、この厚膜上面内部電極層と前記厚膜下面内部電極層とに接続した端面内部電極層を前記絶縁基板の両端面に形成する工程とを少なくとも具備したものである。
【００２０】
そして、厚膜抵抗体層に厚膜ペーストを印刷焼成して積層形成した内部電極層の抵抗温度係数が低く、抵抗器全体として低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が得られる。
【００２１】
請求項８記載の厚膜低抵抗抵抗器の製造方法は、絶縁基板の上面に銅ニッケルの粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銀パラジウム粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程とを少なくとも具備したものである。
【００２２】
そして、厚膜抵抗体層に厚膜ペーストを印刷焼成して積層形成した内部電極層の抵抗温度係数が低く、低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が得られる。
【００２３】
請求項９記載の厚膜低抵抗抵抗器の製造方法は、絶縁基板の下面両端部に厚膜下面内部電極層を形成する工程と、前記絶縁基板の上面に銅ニッケル粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成して銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層を形成する工程と、この厚膜抵抗体層の両端部にそれぞれ銀パラジウムの粉体を含む厚膜ペーストを印刷焼成してこの厚膜抵抗体層に銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層を積層形成する工程と、この厚膜上面内部電極層と前記厚膜下面内部電極層とに接続した端面内部電極層を前記絶縁基板の両端面に形成する工程とを少なくとも具備したものである。
【００２４】
そして、厚膜抵抗体層に厚膜ペーストを印刷焼成して積層形成した内部電極層の抵抗温度係数が低く、抵抗器全体として低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の厚膜低抵抗抵抗器における厚膜低抵抗チップ抵抗器の一実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２６】
図１において、絶縁基板１１は９６％アルミナのセラミックにて、例えば、縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍ程度の方形に成形されている。
【００２７】
また、この絶縁基板１１の下面両端部には銅粉体を含有する銅厚膜ペーストを印刷し、乾燥し、焼成して銅（Ｃｕ）の厚膜下面内部電極層１２が形成されている。
【００２８】
さらに、前記絶縁基板１１の上面には低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性が得られる金属の混合粉体または合金粉体、例えば、銅ニッケル粉体を含有する厚膜ペーストを印刷焼成して低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する銅ニッケル（ＣｕＮｉ）合金の厚膜抵抗体層１３を形成する。この低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜抵抗体層１３を形成する厚膜ペーストの厚膜抵抗体要素は、例えば、質量割合で銅が８０〜３０、好ましくは約６０質量部、ニッケルが２０〜８０質量部、好ましくは約４０質量部の各単体の混合物粉体又は合金粉体からなる銅ニッケル粉体のいずれでも用いることができ、混合粉体を用いる場合にはペーストの印刷後の焼成にて合金化する。
【００２９】
そして、前記厚膜ペーストの厚膜抵抗体要素には、この厚膜抵抗体要素全体の１〜１０質量部、好ましくは約５質量部の金属酸化物、例えば、酸化銅（ＣｕО又はＣｕ２О）粉体と、前記厚膜抵抗体要素全体の１〜１０質量部、好ましくは約５質量部のガラス、例えば、ガラスフリットとして硼珪酸鉛系（ＰｂＢＳｉＯＸ系）ガラスと、前記厚膜抵抗体要素全体の７〜１７質量部、好ましくは約１２質量部のビヒクル、例えば有機ビヒクルとが含まれている。
【００３０】
また、前記有機ビヒクルは、例えば、エチルセルロース、ブチルカルビトールなどが含まれている。
【００３１】
この厚膜抵抗体層１３の両端部にそれぞれ積層形成され低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜上面内部電極層１４を形成する。この厚膜上面内部電極層１４は、前記厚膜抵抗体層１３と同一材質で、低抵抗でかつ低抵抗温度係数特性を有する厚膜上面内部電極層１４を形成する厚膜ペーストは、銅ニッケル粉体、酸化銅（ＣｕО又はＣｕ２О）粉体、ガラスフリットとしてホウケイ酸鉛系（ＰｂＢＳｉＯＸ系）ガラスを含み、これに有機ビヒクルが混合されている。
【００３２】
そして、この厚膜抵抗体層１３と厚膜上面内部電極層１４との膜厚は、それぞれ約２０〜４０マイクロメータで、焼結粒子径は表面観察で大体数マイクロメータ程度である。
【００３３】
また、前記銅粉体の粒径は０．１μｍ〜５μｍで、また、ニッケル粉体の粒径は０．１μｍ〜５μｍで、好ましくは銅粉体とニッケル粉体とのいずれもその平均粒径は０．５μｍ〜１μｍの範囲である。
【００３４】
さらに、ガラスフリットとしては、軟化点５００℃〜８００℃の硼珪酸亜鉛、硼珪酸鉛ガラスなどが適している。
【００３５】
そして、前記厚膜抵抗体層１３の表面には第１保護コート１５が形成されている。この第１保護コート１５は樹脂（例えばエポキシ樹脂（１５０℃〜２５０℃、好ましくは２００℃で３０分間））であってもよく、ガラス（例えば５５０℃〜７５０℃、好ましくは６５０℃で１０分間）であってもよい。ただし、前記樹脂の場合は前記厚膜抵抗体層１３をトリミングした後に第１保護コート１５が形成されるが、前記ガラスの場合は少なくとも前記厚膜抵抗体層１３の上に第１保護コート１５を形成した後にトリミングされる。
【００３６】
さらに、必要に応じてこの第１保護コート１５の表面にエポキシ樹脂などの樹脂ペーストを印刷硬化することにより樹脂保護コート１６を１層または１層以上形成してもよい。
【００３７】
また、前記絶縁基板１１の両端面には、前記厚膜上面内部電極層１４と前記厚膜下面内部電極層１２とに接続して端面内部電極層１７がそれぞれ形成されている。この端面内部電極層１７はスパッタリングまたは真空蒸着などによるニッケルクロム合金の薄膜にて形成されている。
【００３８】
さらに、前記厚膜下面内部電極層１２、厚膜上面内部電極層１４及び端面内部電極層１７の外表面にニッケルめっき層、銅厚膜めっき層（２０μｍ程度）、ニッケルめっき層、錫めっき層（または半田めっき層）を積層した外部電極層１８が形成されている。
【００３９】
この実施の形態の作用を説明する。
【００４０】
絶縁基板１１の下面両端部に厚膜下面内部電極層１２を形成し、この絶縁基板１１の上面に銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層１３を形成するとともに、この厚膜抵抗体層１３の両端部に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層１４をそれぞれ積層形成し、この厚膜上面内部電極層１４と厚膜下面内部電極層１２とに接続して絶縁基板１１の両端面にニッケルクロム合金薄膜の端面内部電極層１７を形成した厚膜低抵抗抵抗器では、厚膜抵抗体層１３と厚膜上面内部電極層１４の抵抗温度係数は同一であり、厚膜上面内部電極層１４によって抵抗温度係数が高くなることがなく、低抵抗で１００ｐｐｍ／℃以下の低抵抗温度係数特性を有している。
【００４１】
すなわち、この構成では、銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層１４によって銅の厚膜上面内部電極層に比べて２０分の１ないし４０分の１以下の低抵抗温度係数特性が得られる。
【００４２】
また、厚膜抵抗体層には銅とニッケルを含む厚膜抵抗体要素にこの厚膜抵抗体要素全体の１〜１０質量部の金属酸化物、例えば、酸化銅を含んでいるので、絶縁基板１１、例えば、アルミナのセラミックの場合は、酸化銅と酸化アルミニウムとの間でスピネル構造の化合物が生成し、絶縁基板１１と厚膜抵抗体層１３との間に強力な密着性が生じ、基板から厚膜抵抗体層が剥離することがない。
【００４３】
なお、厚膜抵抗体要素に含まれる金属酸化物は酸化銅（ＣｕО又はＣｕ２О）に限られるものではなく、絶縁基板１１の成分物質との間でスピネル構造又はその他の比較的強い構造を生じさせることのできる各種金属酸化物を使用できる。例えば、この実施の形態におけるアルミナ基板とスピネル構造を形成するものとしては、酸化銅（ＣｕО又はＣｕ２О）以外に酸化ニッケル（ＮｉО）、酸化亜鉛（ＺｎО）酸化マグネシウム（ＭｇО）などの１価または２価の金属酸化物でも可能性がある。ただし、この実施の形態では厚膜抵抗体要素が銅とニッケルとの混合粉体または合金粉体などからなるペーストのため、酸化銅（ＣｕО又はＣｕ２О）以外としては、例えば酸化ニッケル（ＮｉО）が好ましい。
【００４４】
なお、この実施の形態において、厚膜上面内部電極層１４を二層以上の複数層に形成することにより、電極部の抵抗値が上昇することを抑えることができる。
【００４５】
また、厚膜抵抗体層１３と厚膜上面内部電極層１４とは同一材質の厚膜ペーストにて形成し、抵抗値を同一としたが、厚膜上面内部電極層１４は銅の配合比を多くして抵抗値を多少低くし、抵抗値と低抵抗温度係数のつりあいを調整することもできる。
【００４６】
また、前記実施の形態では、銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層１３の両端部に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層１４をそれぞれ積層形成した構成としたが、銅ニッケル粉体を含有する厚膜ペーストにより厚膜抵抗体層１３は銅ニッケル合金の厚膜層とし、厚膜上面内部電極層１４は銀パラジウム粉体を含有する厚膜ペーストにより銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金の厚膜層とすることもできる。なお、厚膜ペースト材料の銀パラジウム粉体は合金粉体または混合粉体のいずれでも用いることができ、混合粉体の場合は印刷後の焼成により合金化する。
【００４７】
この実施の形態による厚膜上面内部電極層１４を銀パラジウム（ＡｇＰｄ）合金の厚膜層にて形成した厚膜低抵抗チップ抵抗器では、厚膜抵抗体層１３と厚膜上面内部電極層１４の抵抗温度係数は略同一であり、厚膜上面内部電極層１４によって抵抗温度係数が高くなることを抑えられ、低抵抗で１００ｐｐｍ／℃以下の低抵抗温度係数特性を有している。
【００４８】
すなわち、この構成では、銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層１４によって銅の厚膜上面内部電極層に比べて低抵抗温度係数特性が得られる。
【００４９】
なお、この実施の形態においても、厚膜上面内部電極層１４を二層以上の複数層に形成することにより、電極部の抵抗値が上昇することを抑えることができる。
【００５０】
次に、厚膜低抵抗チップ抵抗器の製造方法の実施の形態を図１及び図２に基いて説明する。
【００５１】
第１の工程は、図示しないアルミナ９６％の分割用切溝を有するセラミック絶縁素板には、縦横方向に形成された分割用切溝によって囲まれている個々の領域の絶縁基板１１の該切溝に跨るように絶縁基板１１の下面両端部の位置にそれぞれ銅粉体を含む厚膜ペーストを印刷し、乾燥して窒素雰囲気中において８００℃〜１０００℃、好ましくは９００℃で１０分間焼成することにより、絶縁基板１１の下面両端部に厚膜下面内部電極層１２をそれぞれ形成する。なお、雰囲気は前記窒素のような不活性（または中性）雰囲気には限定されず、例えば、アルゴンのような不活性（または中性）雰囲気でもよい。
【００５２】
第２の工程は、図示しない前記絶縁素板の前記各絶縁基板１１の上面位置に銅ニッケル粉体を含有する厚膜ペーストを印刷し、乾燥して窒素雰囲気中において８００℃〜１０００℃好ましくは９００℃で１０分間焼成することにより銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層１３をそれぞれ形成する。
【００５３】
第３の工程は、前記厚膜抵抗体層１３の上面両端部にそれぞれ銅ニッケル粉体を含有する厚膜ペーストを印刷し、乾燥して窒素雰囲気中において８００℃〜１０００℃好ましくは９００℃で１０分間焼成することによりこの厚膜抵抗体層１３に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層１４を積層形成する。
【００５４】
第４の工程は、前記厚膜抵抗体層１３の表面には第１保護ペーストを印刷し、乾燥して窒素雰囲気中において加熱処理して第１保護コート１５を形成する。
【００５５】
第５の工程は、レーザーなどにより前記第１保護コート１５と厚膜抵抗体層１３とにトリミングを行ない、この厚膜抵抗体層１３の抵抗値を調整する。
【００５６】
第６の工程は、前記第１保護コート１５の表面にエポキシ樹脂などの樹脂ペーストを印刷して大気中において３０分間１５０℃〜２５０℃、好ましくは２００℃で加熱して硬化することにより樹脂保護コート１６を形成する。
【００５７】
第７の工程は、前記図示しない絶縁素板を図示しない切溝に沿って切断し、短冊状の絶縁素板（第一次基板分割）に形成する。この短冊状の絶縁素板の上面には長手方向に厚膜抵抗体層１３、厚膜上面内部電極層１４、第１保護コート１５及び樹脂保護コート１６が形成されるとともに下面両端に厚膜下面内部電極層１２を有する抵抗器素体が所定間隔ごとに形成されている。
【００５８】
第８の工程は、前記図示しない抵抗器素体の各厚膜上面内部電極層１４と前記厚膜下面内部電極層１２とを接続した端面内部電極層１７をその分割絶縁基板の両端面に位置する端面に形成する。この端面内部電極層１７は真空蒸着またはスパッタリングなどにより、例えば、ニッケルクロム合金薄膜を形成する。
【００５９】
第９の工程は、前記図示しない抵抗器素体を厚膜抵抗体層１３、厚膜上面内部電極層１４、第１保護コート１５、樹脂保護コート１６及び端面内部電極層１７が形成された短冊状の抵抗器素体の隣接する基板分割溝に沿ってこの短冊状の絶縁基板１１の間から抵抗器素体を切断してそれぞれ例えば、縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍ程度の方形の絶縁基板１１を得る。
【００６０】
第１０の工程は、前記厚膜上面内部電極層１４、端面内部電極層積層１７および下面内部電極層１５の外表面に、ニッケルめっき層、銅厚膜めっき層（２０μｍ程度）、ニッケルめっき層、錫めっき（または半田めっき層）を積層した外部電極層１８を形成する。
【００６１】
この第１ないし第１０の工程により、絶縁基板１１の下面両端部に厚膜下面内部電極層１２を形成し、この絶縁基板１１の上面に銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層１３を形成するとともに、この厚膜抵抗体層１３の両端部に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層１４をそれぞれ積層形成し、さらには、この厚膜抵抗体層１３に第１保護コート１５又は及び必要に応じて樹脂保護コート１６を積層形成し、この厚膜上面内部電極層１４と厚膜下面内部電極層１２とを接続して絶縁基板１１の両端面にニッケルクロム合金薄膜の端面内部電極層１７、外部電極層１８を形成した厚膜低抵抗抵抗器が効率よく形成される。
【００６２】
次に、厚膜低抵抗抵抗器の製造方法の他の実施の形態を説明する。
【００６３】
第１の工程及び第２の工程は前記図２に示す方法と同一である。
【００６４】
第３の工程は、前記厚膜抵抗体層１３の両端部にそれぞれ銀パラジウム粉体を含有する厚膜ペーストを印刷して窒素雰囲気中において７５０℃〜９５０℃、好ましくは８５０℃で１０分間焼成することにより、この厚膜抵抗体層１３に銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層１４を積層形成する。
【００６５】
第４の工程ないし第１０の工程は、前記図２に示す方法と同一である。
【００６６】
この実施の形態でも、第１ないし第１０の工程により、絶縁基板１１の下面両端部に厚膜下面内部電極層１２を形成し、この絶縁基板１１の上面に銅ニッケル合金の厚膜抵抗体層１３を形成するとともに、この厚膜抵抗体層１３の両端部に銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層１４をそれぞれ積層形成し、さらには、この厚膜抵抗体層１３に第１保護コート１５又は及び樹脂保護コート１６を積層形成し、この厚膜上面内部電極層１４と厚膜下面内部電極層１２とを接続して絶縁基板１１の両端面にニッケルクロム合金薄膜の端面内部電極層１７、ニッケルめっき層、銅厚膜めっき層（２０μｍ程度）、ニッケルめっき層、錫めっき層（又は半田めっき層）の四層を積層した外部電極層１８を形成した厚膜低抵抗抵抗器が効率よく形成される。
【００６７】
なお、この実施の形態においても、厚膜上面内部電極層１４を二層以上の複数層に形成することにより、電極部の抵抗値が上昇することを抑えることができる。
【００６８】
なお、銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層は（各々単体同士ではない。）銅の厚膜（上面内部）電極層に比べて２０分の１ないし４０分の１以下の低抵抗温度係数特性が得られる。
【００６９】
また、前記厚膜低抵抗抵抗器の製造方法の実施の形態において、第３の工程の、前記厚膜抵抗体層１３の両端部にそれぞれ銅ニッケル粉体を含有する厚膜ペーストを印刷して窒素雰囲気中において８００℃〜１０００℃、好ましくは９００℃で１０分間焼成することにより、この厚膜抵抗体層１３に銅ニッケル合金の厚膜上面内部電極層１４を積層形成する工程、または、厚膜抵抗体層１３の両端部にそれぞれ銀パラジウム粉体を含有する厚膜ペーストを印刷して窒素雰囲気中において７５０℃〜９５０℃、好ましくは８５０℃で１０分間焼成することにより、この厚膜抵抗体層１３に銀パラジウム合金の厚膜上面内部電極層１４を積層形成する工程は、複数回反復して、厚膜上面内部電極層１４を複数層に形成することにより、電極部の抵抗値が上昇することを抑えることができる。
【００７０】
【実施例】
比較例として図３に示す厚膜低抵抗チップ抵抗器と図１に示す本発明の実施例とを対比して測定した。
【００７１】
比較例１
縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍ程度の方形の絶縁基板１に、面積抵抗値が２ｍΩ／□で膜厚１５μｍであり、抵抗温度係数が＋３５００ｐｐｍ／℃の銅ペーストにて厚膜上面内部電極層３を形成し、面積抵抗値が３０ｍΩ／□で膜厚１５μｍ、抵抗温度係数が＋５０ｐｐｍ／℃の銅ニッケル粉体を含有するペーストにて厚膜抵抗体層４を形成した厚膜低抵抗チップ抵抗器では、抵抗値は４１．１ｍΩ、抵抗温度係数は＋２２９ｐｐｍ／℃（平均値）であった。
【００７２】
比較例２
縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍ程度の方形の絶縁基板１に、面積抵抗値２ｍΩ／□で膜厚１５μｍであり、抵抗温度係数＋３５００ｐｐｍ／℃の銅ペーストにて厚膜上面内部電極層３を形成し、面積抵抗値７０ｍΩ／□で膜厚が／１５μｍで、かつ、抵抗温度係数が＋２０ｐｐｍ／℃の銅ニッケル粉体を含有するペーストにて厚膜抵抗体層４を形成した構成では、抵抗値９３．１ｍΩ、抵抗温度係数＋１０９ｐｐｍ／℃（平均値）であった。
【００７３】
実施例１
縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍ程度の方形の絶縁基板１１に、面積抵抗値３０ｍΩ／□で膜厚１５μｍ、抵抗温度係数＋５０ｐｐｍ／℃の銅ニッケル合金ペーストにて厚膜抵抗体層１３及び厚膜上面内部電極１４を形成した厚膜低抵抗チップ抵抗器では、抵抗値５０．８ｍΩ、抵抗温度係数＋９３．５ｐｐｍ／℃（平均値）であった。
【００７４】
実施例２
縦３．２ｍｍ、横１．６ｍｍ程度の方形の絶縁基板１１に、面積抵抗値７０ｍΩ／□で膜厚１５μｍ、抵抗温度係数＋２０ｐｐｍ／℃の銅ニッケル合金ペーストにて厚膜抵抗体層１３を形成し、面積抵抗値３０ｍΩ／□で膜厚１５μｍ、抵抗温度係数＋５０ｐｐｍ／℃の銅ニッケル合金ペーストにて厚膜上面内部電極層１４を形成した厚膜低抵抗チップ抵抗器の構成では、抵抗値１１４ｍΩ、抵抗温度係数＋４９．６ｐｐｍ／℃（平均値）であった。
【００７５】
この実験の結果、従来の図３に示す厚膜低抵抗チップ抵抗器では、抵抗値は２０％程度高くなるが、抵抗温度係数特性は大幅（約５０％〜６０％程度）に低くなることが確認された。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば、厚膜抵抗体層に積層形成した厚膜上面内部電極層の抵抗温度係数が低く、低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が得られる。
【００７７】
また、厚膜抵抗体層に積層形成した厚膜上面内部電極層の抵抗温度係数が低く、低抵抗で低抵抗温度係数の厚膜低抵抗抵抗器が効率よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の厚膜低抵抗チップ抵抗器の一実施の形態を示す縦断面図である。
【図２】同上厚膜低抵抗チップ抵抗器の製造方法の一実施の形態を示すフローチャートである。
【図３】従来の厚膜低抵抗チップ抵抗器を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１１　　絶縁基板
１２　　厚膜下面内部電極層
１３　　厚膜抵抗体層
１４　　厚膜上面内部電極層
１７　　端面内部電極層
【図１】
2004056001.tif 000003
【図２】
2004056001.tif 000004
【図３】
2004056001.tif 000005