(57)【要約】【課題】本願は、半導体チップの熱を効率良く放出し、装置を薄型化し、更にはリードフレームを折り曲げないですむようにする樹脂封止型半導体装置を供給する。【解決手段】凹部が設けられた厚型のリードフレームの凹部に半導体チップを搭載した。請求項３は段積みのスタックチップが凹部に落としこまれていることを特徴とする。請求項４はスタックチップは一方が制御用半導体チップであり、他方が出力用半導体チップであることを特徴とする。請求項５は前記凹部を持つリードフレーム厚さは樹脂封止型半導体装置厚さの２５％以上であることを特徴する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームに半導体チップを搭載し、樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記リードフレームには凹部が設けられ、前記半導体チップが前記凹部に落としまれていることを特徴とした樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップは複数個であり、少なくとも１つの半導体チップが前記凹部に落としこまれていることを特徴とした請求項１の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記複数の半導体チップは、少なくとも１つが半導体チップを縦方向に積んだ段積みのスタックチップであり、前記段積みのスタックチップが前記凹部に落としこまれていることを特徴とした請求項２の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップを縦方向に積んだ段積みのスタックチップは一方が制御用半導体チップであり、他方が出力用半導体チップであることを特徴とした請求項３の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
前記凹部を持つリードフレーム厚さは樹脂封止型半導体装置厚さの２５％以上であることを特徴とした請求項１〜請求項４の樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の放熱構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の樹脂封止型半導体装置はリードフレームに半導体チップを搭載し、所望箇所を電気的に接続後、樹脂封止する構造になっていた。この構造は、半導体チップからの放熱を良くするために、パッケージをとりつけた部分からの熱を効率良く逃がすため、できるだけ基板取り付け接触部分とリードフレーム間の樹脂厚をうすくして、放熱性を高めている。一方、端子は取り付け場所がヒートシンク等の導電性のものである場合も多々あるため、端子が取りつけ部に近いと沿面距離が小さくなり、沿面放電をおこす恐れがあった。そこで、通常リードフレームを折り曲げ、端子を取りつけ面から離れるような構造にしている。また厚いヒートシンク状のリードフレームに半導体チップを搭載する方法も考えられたが、装置全体の厚さが厚くなりすぎてしまい実用に適しなかった。特に、スタックチップのようにチップの上にチップを重ねるような構造は厚くなりやすいので、問題があった。よって通常は、図５のように半導体チップが複数の場合はチップを横に並べて、搭載していた。更に図６より明らかなようにリードフレームを折り曲げなければならないといった問題点もあった。
【０００３】
【特許文献１】
特開6-244336号  代表図  これは、一般的な樹脂封止型半導体装置である。樹脂は図示されていないが、リードフレームに半導体チップが搭載されている。リードフレームが折り曲げられているのは装置を取り付けたときに沿面距離がかせげるからである。しかしこれらの構造は放熱性が悪い、リードフレームを折り曲げる必要性があるといった問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本願は、半導体チップの熱を効率良く放出し、装置を薄型化し、更にはリードフレームを折り曲げないですむようにする樹脂封止型半導体装置を供給するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願は、凹部が設けられた厚型のリードフレームの凹部に半導体チップを搭載することによって、薄型化し、リードフレームの折り曲げを不要とした。
【０００６】
請求項２は半導体チップは複数個であり、少なくとも１つの半導体チップが前記凹部に落としこまれていることを特徴とする。請求項３は複数の半導体チップは、少なくとも１つが半導体チップを縦方向に積んだ段積みのスタックチップであり、段積みのスタックチップが凹部に落としこまれていることを特徴とする。請求項４は半導体チップを縦方向に積んだ段積みのスタックチップは一方が制御用半導体チップであり、他方が出力用半導体チップであることを特徴とする。請求項５は前記凹部を持つリードフレーム厚さは樹脂封止型半導体装置厚さの２５％以上であることを特徴とし、リードフレームにヒートシンクのように厚型のものを用いたことを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本願の発明の一実施例図である。図１は搭載する半導体チップは，出力用半導体チップであるＭＯＳチップ３と制御用半導体であるＩＣチップをスタックチップとして使用し、下側にＭＯＳチップ３、上側にＩＣチップを搭載した一例である。本願装置の製造方法を簡単に説明する。本願樹脂封止型半導体装置を製造するには、凹部２を持つリードフレーム１がいくつか連結されたものをダイボンダー装置により凹部2にはんだを自動供給し溶融させ、その上にＭＯＳチップ３をダイボンドし、更にその上に予めダイアタッチ用絶縁テープを具備したＩＣチップ４を搭載し熱圧着して固着させる。次にワイヤーボンダー装置を用いＩＣチップ４の任意電極とＭＯＳチップ３のゲート、ソース電極と端子6等をワイヤーにて電気的に接続する。その後トランスファーモールドを用いてリードフレームを樹脂で封止して、最後に不要箇所を切断して本発明装置を完成する。
【０００８】
本実施例は、ＭＯＳチップ３、ＩＣチップ４をスタックチップとして搭載した例を示したがさまざまなバリエーションが展開できる。例えば、凹部２に搭載するチップが、ＭＯＳチップ３、ＩＣチップ４のいずれか一方の場合や、更にダイオードチップをリードフレーム１上に搭載する場合である。また端子の本数は今回は７本の例を示したが、特に発明には関係なく、端子の数は何本でも使用可能である。また、凹部の形状も本実施例に限らず、もっと縦長や横長にすることも可能であるし、凹部の個数も一箇所に限らず、複数にすることもできる。
【０００９】
【発明の効果】
このように本発明は、半導体チップの熱を効率良く逃がすことを達成し、装置の信頼性を高くし、装置を薄型化し、更にはリードフレームを折り曲げないですみ、製造工程を簡略化した樹脂封止型半導体装置を供給するものである産業上利用可能性大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例平面図。
【図２】本発明の実施の形態に係る樹脂封止型半導体装置の一実施例側面図
【図３】本発明樹脂封止型半導体装置の樹脂をはがした斜視図
【図４】本発明樹脂封止型半導体装置の樹脂封止後斜視図
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の一実施例平面図
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の一実施例平面図
【符号の説明】
１…リードフレーム
２…凹部
３…ＭＯＳチップ
４…ＩＣチップ
５…樹脂
６…端子
７…はんだ
８…モールドパッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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