(57)【要約】【課題】磁気変位センサにおいて、遠距離領域における測定精度を高めることを目的とする。【解決手段】ＣＰＵ５０はアンプ４１，４２からの出力電圧をそれぞれディジタル値に変換し、このうちアンプ４１の出力電圧レベルと基準レベルＶＲｅｆとを比較する。アンプ４１の出力電圧レベルが基準レベルＶＲｅｆ１を下回っているときには、アンプ４１の出力電圧レベルに基づきデータテーブルＤ１を参照して距離を算出する。逆に、アンプ４１の出力電圧レベルが基準レベルＶＲｅｆ１を上回ったときには、アンプ４２の出力電圧レベルに基づきデータテーブルＤ２を参照して距離を算出する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出コイルを有する検出手段と、この検出コイルから被検出物体までの距離に応じて変化する前記検出手段からの検出信号を増幅する増幅手段と、前記被検出物体までの距離を前記増幅手段からの信号レベルに対応付けて記憶する記憶手段と、前記増幅手段からの前記信号レベルを受けて前記記憶手段に記憶されている前記距離と前記信号レベルとの対応付けされた情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定する測定動作を実行する距離検出手段とを備えた磁気変位センサにおいて、
前記増幅手段を複数の異なる増幅率で前記検出信号を増幅可能な構成とし、前記記憶手段は前記距離を各増幅率毎に前記各増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応付けて記憶すると共に、
前記増幅手段からの信号レベルのうち、最も高い増幅率における信号レベルに対応させて下限レベルを設定し、最も低い増幅率における信号レベルに対応させて上限レベルを設定し、それら以外の増幅率に対応させて上限及び下限レベルを設定し、各増幅率とそれに対応する上限又は下限レベルとを比較するレベル比較手段を設け、
前記距離検出手段の測定動作が行われるに際して、
前記最も低い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する上限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段はその増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記最も低い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する上限レベルを超えたと判断した場合には、前記距離検出手段は次に高い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、又は、
前記最も高い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段は次に低い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記最も高い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルを超えたと判断した場合には、前記距離検出手段はその増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、又は、
前記それら以外の増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段は次に低い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記それら以外の増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する上限レベルを超えたと判断した場合には、前記距離検出手段は次に高い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記それら以外の増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルを超え、かつ、上限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段はその増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定することを特徴とする磁気変位センサ。
【請求項２】
前記増幅手段は２つのオペアンプによって構成され、相対的に高い増幅率のオペアンプの基準電位は相対的に低い増幅率のオペアンプの基準電位よりも低い電位に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気変位センサ。
【請求項３】
前記相対的に低い増幅率のオペアンプの基準電位は零とされており、前記相対的に高い増幅率のオペアンプの基準電位は負の電位とされていることを特徴とする請求項２に記載の磁気変位センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検出物体の距離を測定する磁気変位センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属等の被検出物体の距離を検出する磁気変位センサとしては、例えば渦電流式のものが挙げられる。これは、発振回路を構成する検出コイルに高周波電流を供給することで検出コイルから交流磁界を発生させており、被検出物体と検出コイルとの距離により渦電流損が増減することに伴って検出コイルのインピーダンスが変化する。そして、このインピーダンス変化に伴う発振回路の発振振幅の変化に基づいて被検出物体までの距離を測定するものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１６５６０３公報
【０００４】
具体的な距離測定の手法としては、例えば発振回路の発振振幅を検出信号として取り出して検波回路により直流電圧に変換し、この直流電圧を増幅器により増幅した後Ａ／Ｄ変換回路でディジタル値に変換する。そして、ディジタル値をＣＰＵに取りこみ、メモリに記憶されている距離とディジタル値とが対応付けられたデータテーブルを参照して被検出物体の距離を算出するのである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この種の磁気変位センサでは、被検出物体の距離と発振回路の発振振幅の関係は図５に示すような特性とされるのが一般的である。このことから、被検出物体が近距離領域（図中▲１▼の範囲）にある場合にはその距離に応じて発振振幅が比例的に変化している一方、遠距離領域（図中▲２▼の範囲）にある場合にはほとんど変化しないことがわかる。即ち、遠距離領域では分解能が低下して精度の高い距離測定が困難であることを意味している。従って、使用できる範囲としては、発振振幅の変化が比較的大きい近距離領域に限られてしまうという欠点があった。
【０００６】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、遠距離領域における測定精度を高めることができる磁気変位センサを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、検出コイルを有する検出手段と、この検出コイルから被検出物体までの距離に応じて変化する前記検出手段からの検出信号を増幅する増幅手段と、前記被検出物体までの距離を前記増幅手段からの信号レベルに対応付けて記憶する記憶手段と、前記増幅手段からの前記信号レベルを受けて前記記憶手段に記憶されている前記距離と前記信号レベルとの対応付けされた情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定する測定動作を実行する距離検出手段とを備えた磁気変位センサにおいて、前記増幅手段を複数の異なる増幅率で前記検出信号を増幅可能な構成とし、前記記憶手段は前記距離を各増幅率毎に前記各増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応付けて記憶すると共に、前記増幅手段からの信号レベルのうち、最も高い増幅率における信号レベルに対応させて下限レベルを設定し、最も低い増幅率における信号レベルに対応させて上限レベルを設定し、それら以外の増幅率に対応させて上限及び下限レベルを設定し、各増幅率とそれに対応する上限又は下限レベルとを比較するレベル比較手段を設け、前記距離検出手段の測定動作が行われるに際して、前記最も低い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する上限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段はその増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記最も低い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する上限レベルを超えたと判断した場合には、前記距離検出手段は次に高い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、又は前記最も高い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段は次に低い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記最も高い増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルを超えたと判断した場合には、前記距離検出手段はその増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、又は前記それら以外の増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段は次に低い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記それら以外の増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する上限レベルを超えたと判断した場合には、前記距離検出手段は次に高い増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定し、前記それら以外の増幅率で増幅された前記増幅手段からの信号レベルが前記レベル比較手段によってその増幅率に対応する下限レベルを超え、かつ、上限レベルに満たないと判断した場合には、前記距離検出手段はその増幅率で増幅された検出信号の信号レベルに対応する前記記憶手段に記憶された情報に基づき前記被検出物体までの距離を決定するところに特徴を有する。
尚、本発明では、２つ以上の増幅率を含む構成が対象とされており、例えば増幅率が２つの場合には、最も高い増幅率と最も低い増幅率が存在し、それぞれに下限レベル又は上限レベルが設定される。また、３つ以上の場合には、最も高い増幅率、最も低い増幅率及びそれら以外の増幅率が存在し、それぞれに下限レベル又は上限レベルが設定されることとなる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて前記増幅手段は２つのオペアンプによって構成され、相対的に高い増幅率のオペアンプの基準電位は相対的に低い増幅率のオペアンプの基準電位よりも低い電位に設定されているところに特徴を有する。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項２に記載のものにおいて、前記相対的に低い増幅率のオペアンプの基準電位は零とされており、前記相対的に高い増幅率のオペアンプの基準電位は負の電位とされているところに特徴を有する。
【００１０】
【発明の作用及び効果】
本発明では、距離検出手段は一の増幅率により増幅された検出信号の信号のレベルとその増幅率に対応する上限レベル又は下限レベルと比較し、その比較結果に基づいて増幅手段の増幅率を変えるとともに、その増幅率により増幅された検出信号の信号レベルに対応した情報に基づいて距離を決定する構成となっている。
例えば、被検出物体が近距離領域にある場合には、検出信号を増幅手段により低い増幅率で増幅し、この増幅手段から出力された信号レベルを受けて記憶手段に記憶されている情報に基づいて被検出物体までの距離を決定することができる。一方、被検出物体が遠距離領域にある場合には、検出信号を増幅手段により高い増幅率で増幅し、この増幅手段から出力された信号レベルを受けて記憶手段に記憶されている情報に基づいて被検出物体までの距離を決定することができる。
このような構成としたことで、被検出物体が近距離領域にある場合は従来通り精度の高い距離測定が行なうことができるとともに、被検出物体が遠距離領域にある場合でも高い増幅率でもって検出信号が増幅されるから、分解能が高められて近距離領域の場合と同様に精度の高い距離測定を行なうことができる（請求項１の発明）。
【００１１】
増幅手段の基準電圧を両増幅率で同一とすると、高い増幅率で検出信号を増幅した場合には増幅手段からの出力が飽和する場合があり、このような場合には増幅手段の電源電圧の範囲を広くとらなければならない。一方で、近距離領域では低い増幅率で増幅された検出信号のレベルを選択し、遠距離領域では高い増幅率で増幅された検出信号を選択している。即ち、高い増幅率で増幅された検出信号は遠距離領域の距離測定において取り出せればよい。
これに対して、高い増幅率の場合のオペアンプの基準電圧を低い増幅率の場合よりも低くしているから、電源電圧の範囲を無用に広くすることを防止しつつ、出力される検出信号の飽和を防止することができる（請求項２の発明）。
【００１２】
具体的には、基準電位を低い増幅率とされているときには零にするとともに、高い増幅率とされているときには負電位とすれば良く、遠距離領域において信号レベルが得られる程度の負電圧に設定すればよい。このようにすれば、高い増幅率においては与えられた電源電圧の範囲内で最大限の増幅率とすることができるから、遠距離領域における距離測定を一層精度の高いものとすることができる（請求項３の発明）。
【００１３】
【発明の実施の形態】
＜第１実施形態＞
本発明に係る一実施形態を図１及び図２を参照して説明する。本実施形態の磁気変位センサは渦電流式のもので、発振回路２０から検出コイル１０に高周波電流を供給することでこの検出コイル１０から交流磁界を発生させ、ワークＷと検出コイル１０との距離に応じて変化する発振回路２０の発振振幅に基づいてワークＷの距離を測定するものである。
【００１４】
検出コイル１０は、発振回路２０から供給される高周波電流により交流磁界を発生させる。また、発振回路２０は、検出コイル１０に高周波電流を供給している。尚、検出コイル１０にワークＷが近づくにつれて渦電流損が増大し、これにより検出コイル１０のインピーダンスが増大して発振回路２０の発振振幅が減少するようになっている。尚、厳密には検出コイル１０を含めて発振回路２０が形成されており、ワークＷと検出コイル１０との距離に応じて検出コイル１０のインピーダンスが変化するとともに、発振回路２０から得られる発振振幅が変化する。
【００１５】
整流回路３０は発振回路２０の発振振幅を取り出して直流電圧（検出信号）に変換する機能を有している。アンプ部４０（増幅手段に相当）は、例えば増幅率Ａ１のオペアンプ４１と増幅率Ａ２のオペアンプ４２とから構成されており、アンプ４２の増幅率Ａ２がアンプ４１の増幅率Ａ１よりも高くされている。両アンプ４１，４２の電源電圧は＋Ｖとされており、アンプ４１の基準電圧は零、アンプ４２の基準電圧は例えば−Ｖとされている（図２参照）。また、両アンプ４１，４２の増幅率Ａ１，Ａ２は出力電圧が飽和しない程度の増幅率とされている。尚、アンプ４２の基準電圧はワークＷが検出コイル１０から離れた遠距離領域にある場合において出力が現れる程度の負電圧とされている。
【００１６】
ＣＰＵ５０はアンプ部４０からの出力電圧をディジタル値に変換するＡ／Ｄ変換機能を有している（以下、ディジタル値を出力電圧レベルという）。また、ＣＰＵ５０に備えられているメモリ６０（記憶手段に相当）には、アンプ４１，４２からの出力電圧レベルに対応する検出コイル１０から被検出物体までの距離がデータテーブルＤ１，Ｄ２として記憶されている。このうち、データテーブルＤ１はアンプ４１からの出力電圧レベルに対応しており、データテーブルＤ２はアンプ４２からの出力電圧レベルに対応している（図２参照）。
【００１７】
本実施形態の構成は以上であり、続いてその作用をＣＰＵ５０の動作を中心に説明する。磁気変位センサを作動させると、上述したように検出コイル１０から交流磁界が発生し、ワークＷと検出コイル１１との距離に応じて発振回路２０の発振振幅が変化する。発振振幅は整流回路３０により直流電圧に変換され、アンプ部４０を構成するアンプ４１，４２にてそれぞれ異なる増幅率Ａ１，Ａ２で増幅されてＣＰＵ５０に入力される。
【００１８】
ＣＰＵ５０はアンプ４１，４２からの出力電圧をそれぞれディジタル値に変換し、このうちアンプ４１の出力電圧レベルと基準レベルＶＲｅｆ１（上限レベル）とを比較する。アンプ４１の出力電圧レベルが基準レベルＶＲｅｆを下回っているときには、アンプ４１の出力電圧レベルに基づきデータテーブルＤ１を参照して距離を決定する測定動作を実行する。逆に、アンプ４１の出力電圧レベルが基準レベルＶＲｅｆ１を上回ったときには、アンプ４２の出力電圧レベルに基づきデータテーブルＤ２を参照して距離を決定する測定動作を実行する。
【００１９】
例えば、ワークＷが図１中の▲１▼の近距離領域に配されている場合には、アンプ４１からの出力電圧レベルＶ１は基準レベルＶＲｅｆ１よりも低い。従って、ＣＰＵ５０はアンプ４１の出力電圧レベルＶ１に基づきメモリ６０に記憶されているデータテーブルＤ１を参照してワークＷまでの距離ｄ１を決定する。
【００２０】
一方、ワークＷが図１中の▲２▼の遠距離領域に配されている場合には、アンプ４１からの出力電圧レベルは基準レベルＶＲｅｆ１を上回ることとなる。これにより、ＣＰＵ５０はアンプ４２の出力電圧レベルＶ２に基づきメモリ６０に記憶されているデータテーブルＤ２を参照してワークＷまでの距離ｄ２を決定する。
尚、上記記載により、ＣＰＵ５０は本発明の「距離検出手段」及び「比較手段」として機能することは明らかである。
【００２１】
本実施形態では、ワークＷが近距離領域にある場合には、アンプ４１の出力電圧レベル及びデータテーブルＤ１に基づいて距離を測定し、ワークＷが遠距離領域にある場合には、アンプ４２からの出力電圧レベル及びデータテーブルＤ２に基づいて距離を測定している。このようにすることで、近距離領域においては従来通り出力電圧レベルの変化が比較的大きく取れる領域で精度良く距離を測定することができるとともに、遠距離領域においては、増幅率の高いアンプを用いて出力電圧レベルの変化を大きくすることにより分解能を向上させて、近距離領域の場合と同様に精度の高い距離測定を行なうことができる。
【００２２】
また、、アンプ４２の基準電圧はワークＷが遠距離領域にある場合において出力が現れる程度の負電圧に設定しているから、与えられた電源電圧の範囲内でアンプ４２の増幅率を最大とすることができ、これにより分解能を最大とすることができるから最も精度良く距離測定を行なうことができる。
【００２３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態を図３を参照して説明する。尚、第１実施形態と同一の部分には同一の符号を付して重複する説明を省略するとともに、同一の作用・効果の説明についての説明も省略する。
第１実施形態との構成上の相違はアンプ部４０にあり、本実施形態では例えば２つの異なる増幅率に切り替えることができるオペアンプ４３を使用している。
このアンプ４３はＣＰＵからの制御信号Ｓ１を受けることで増幅率をＡ１からＡ２に切り替えられるようになっており、これに伴って基準電圧が零から−Ｖに切り替えられる構成となっている。
【００２４】
基準電圧の切換には、例えばアンプ４３の非反転入力端子にｃ接点タイプのスイッチを設けた構成が挙げられる。このスイッチのうちａ接点を非反転入力端子に接続し、ｂ接点をグランドラインに接続し、ｃ接点を負電源を介してグランドラインに接続する。そして、常にはａ接点とｂ接点とを接触状態としておき、制御信号Ｓ１を入力したことを条件にａ接点とｃ接点とを接触状態とする構成とする。
また、ＣＰＵ５０は増幅率Ａ１におけるアンプ４３からの出力電圧レベルと基準レベルＶＲｅｆ１とを比較し、出力電圧レベルが基準レベルＶＲｅｆ１を上回っているときには制御信号Ｓ１をアンプ４３に送信するようになっている。
【００２５】
本実施形態では、アンプ１個でアンプ部４０を構成することができるから装置の構成を簡略化することができる。
【００２６】
＜第３実施形態＞
アンプ部４０は、本実施形態では例えば３つの異なる増幅率Ａ１，Ａ２，Ａ３に切り替えることができるオペアンプ４３を使用しており、その増幅率の大小関係はＡ１＜Ａ２＜Ａ３とされている。また、それぞれの増幅率Ａ１，Ａ２，Ａ３における基準電位Ｖ１（Ａ１），Ｖ２（Ａ２），Ｖ３（Ａ３）の高低の関係はＶ３＜Ｖ２＜Ｖ１とされている。尚、アンプ４３の増幅率は常にはＡ２に設定されており、ＣＰＵ５０からの制御信号Ｓ１に応じてその増幅率をＡ１又はＡ３に切り替えられるようになっている。
メモリ６０には、各増幅率Ａ１，Ａ２，Ａ３で増幅された出力電圧レベルに対応する検出コイル１０から被検出物体までの距離がデータテーブルＤ１，Ｄ２、Ｄ３として記憶されている。このうち、データテーブルＤ１は増幅率Ａ１による出力電圧レベルに対応しており、データテーブルＤ２は増幅率Ａ２による出力電圧レベルに対応しており、データテーブルＤ３は増幅率Ａ３による出力電圧レベルに対応している（図４参照）。また、図中の基準レベルＶＲｅｆ２１（下限レベル）及び基準レベルＶＲｅｆ２３（上限レベル）は、アンプ４３からの増幅率Ａ２における出力電圧レベルと比較されるようになっている。このうち、基準レベルＶＲｅｆ２１はアンプの増幅率をＡ２からＡ１へ切り替えるとともに、参照するデータテーブルをＤ２からＤ１へ切り替えるための判断基準として設定され、基準レベルＶＲｅｆ２３はアンプ４３の増幅率をＡ２からＡ３へ切り替えるとともに参照するデータテーブルをＤ２からＤ３へ切り替えるための判断基準として設定されている。
【００２７】
以下、ＣＰＵ５０の動作について示す。
ＣＰＵ５０は、増幅率Ａ２で増幅された出力電圧レベルがその増幅率Ａ２と増幅率Ａ１との間に設定された基準レベルＶＲｅｆ２１に満たないと判断した場合には、アンプ４３に制御信号Ｓ１を送信し、増幅率をＡ１とする。そして、増幅率Ａ１で増幅された出力電圧レベルに基づいて、この増幅率Ａ１に対応するデータテーブルＤ１を参照してワークＷまでの距離を決定する。
また、出力電圧レベルが増幅率Ａ２と増幅率Ａ３との間に設定された基準レベルＶＲｅｆ２３を越えていると判断した場合には、制御信号Ｓ１をアンプ４３に送信して増幅率をＡ３とする。そして、増幅率Ａ３で増幅された出力電圧レベルに基づいて、この増幅率Ａ３に対応するデータテーブルＤ３を参照してワークＷまでの距離を決定する。
また、出力電圧レベルが基準レベルＶＲｅｆ２１を越え、かつ、基準レベルＶＲｅｆ２３に満たないと判断した場合には、制御信号Ｓ１を送信せず、増幅率Ａ２で増幅された出力電圧レベルに基づいて、この増幅率Ａ２に対応するデータテーブルＤ２を参照してワークＷまでの距離を決定する。
【００２８】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
（１）上記第１実施形態では、増幅率Ａ１における出力電圧レベルと基準レベルＶＲｅｆとを比較していずれの増幅率で増幅された出力電圧レベルを用いるかを判断するようにしていたが、例えば増幅率Ａ２における出力電圧レベルと基準レベルＶＲｅｆ２（下限レベルに相当、図２参照。）とを比較して、どちらの増幅率で増幅された出力電圧を用いるかを判断するような構成であっても良い。この場合、具体的には、増幅率Ａ２における出力電圧レベルが基準レベルＶＲｅｆ２を下回った場合には増幅率Ａ１で増幅された出力電圧レベル及びデータテーブルＤ１に基づいて距離測定を行なうように構成することができる。
【００２９】
（２）上記第１及び第２実施形態では、増幅率Ａ１の場合の基準電圧が零、増幅率Ａ２の場合の基準電圧が−Ｖとしていたが、これに限られず、両者とも出力電圧が飽和しないように基準電圧を設定するようにすればよい。
【００３０】
（３）上記第３実施形態では、増幅率Ａ２における出力電圧レベルに基づいて、使用する増幅率及びデータテーブルを選択する構成としていたが、例えば、増幅率Ａ１における出力電圧レベルに基づいて、増幅率及びデータテーブルを選択するようにしてもよく、また、増幅率Ａ３における出力電圧レベルに基づいて増幅率及びデータテーブルを選択するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の磁気変位センサの構成を示すブロック図
【図２】ワークＷの距離と検出信号のレベルとの関係を示したグラフ
【図３】第２実施形態の磁気変位センサの構成を示すブロック図
【図４】ワークＷの距離と検出信号のレベルとの関係を示したグラフ
【図５】従来の磁気変位センサにおけるワークＷと検出信号のレベルの関係を示したグラフ
【符号の説明】
１０…検出コイル
４０…アンプ部
４１，４２…アンプ
５０…ＣＰＵ
６０…メモリ
ＶＲｅｆ１，ＶＲｅｆ２…基準レベル
Ｄ１，Ｄ２…データテーブル
Ｗ…ワーク
【図１】
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【図２】
2004301774.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004301774.tif 000006
【図５】
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