(57)【要約】【課題】表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、従来品より表面抵抗率が低く、ディップ成形品として十分な膜厚を有し、膜厚の均一性に優れるディップ成形品、および該ディップ成形品を与え得るディップ成形用凝固剤組成物を提供すること。【解決手段】水性媒体、ディップ成形用凝固剤およびカチオン性界面活性剤からなり、それらの合計量に対して、ディップ成形用凝固剤を１〜５重量％およびカチオン性界面活性剤を０．１〜２重量％の範囲で含んでなるディップ成形用凝固剤組成物、及び該ディップ成形用凝固剤組成物を用いて、ディップ成形用ラテックス組成物をディップ成形してなるディップ成形品。【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性媒体、ディップ成形用凝固剤およびカチオン性界面活性剤からなり、それらの合計量に対して、ディップ成形用凝固剤を１〜５重量％およびカチオン性界面活性剤を０．１〜２重量％の範囲で含んでなるディップ成形用凝固剤組成物。
【請求項２】
カチオン性界面活性剤が第４級アンモニウム塩である請求項１記載のディップ成形用凝固剤組成物。
【請求項３】
第４級アンモニウム塩がセチルトリメチルアンモニウムクロライドである請求項２に記載のディップ成形用凝固剤組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のディップ成形用凝固剤組成物を用いて、ディップ成形用ラテックス組成物をディップ成形してなるディップ成形品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディップ成形用凝固剤組成物およびディップ成形品に関し、さらに詳しくは、その表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、従来のものより表面抵抗率が低く、ディップ成形品として十分な膜厚を有し、膜厚の均一性に優れるディップ成形品、および該ディップ成形品を与え得るディップ成形用凝固剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
天然ゴムラテックスやアクリロニトリル−ブタジエン共重合体ラテックスからなるディップ成形用ラテックス組成物を、ディップ成形して得られるゴム手袋は、柔軟で、かつ十分な機械的強度を有することから、様々な分野で用いられている。
上記のゴム手袋は、通常、ディップ成形時に、硝酸カルシウムや塩化カルシウムなどのディップ成形用凝固剤の２０〜３０重量％水溶液を用いて製造される。
【０００３】
上記のゴム手袋を、精密電子部品製造や半導体部品製造において使用する場合には、ゴム手袋表面に付着した微粒子や該ゴム手袋に含有する金属イオンが、半製品や製品に悪影響を与えるため、通常、予め純水や超純水で洗浄したゴム手袋が用いられる。
【０００４】
しかしながら、天然ゴムラテックスやアクリロニトリル−ブタジエン共重合体ラテックスを構成する重合体は、電気絶縁性が高く、これらのラテックスから製造されたゴム手袋の表面抵抗率は、１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅを超える。さらに、純水や超純水で洗浄することより、洗浄後のゴム手袋の表面抵抗率は、より高くなる傾向にある。
ゴム手袋の表面電気抵抗値が１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅを超えると、作業中に静電気が発生し、その静電気により、精密電子部品や半導体部品が破壊されてしまう問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記の事情に鑑み、その表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、従来のものより表面抵抗率が低く、ディップ成形品として十分な膜厚を有し、膜厚の均一性に優れるディップ成形品、および該ディップ成形品を与え得るディップ成形用凝固剤組成物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記課題は以下の手段により達成された。
（１）水性媒体、ディップ成形用凝固剤およびカチオン性界面活性剤からなり、それらの合計量に対して、ディップ成形用凝固剤を１〜５重量％およびカチオン性界面活性剤を０．１〜２重量％の範囲で含んでなるディップ成形用凝固剤組成物。
（２）カチオン性界面活性剤が第４級アンモニウム塩である前記のディップ成形用凝固剤組成物。
（３）第４級アンモニウム塩がセチルトリメチルアンモニウムクロライドである前記のディップ成形用凝固剤組成物。
（４）前記（１）〜（３）のいずれかに記載のディップ成形用凝固剤組成物を用いて、ディップ成形用ラテックス組成物をディップ成形してなるディップ成形品。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のディップ成形用凝固剤組成物は、水性媒体、ディップ成形用凝固剤およびカチオン性界面活性剤からなり、それらの合計量に対して、ディップ成形用凝固剤を１〜５重量％およびカチオン性界面活性剤を０．１〜２重量％の範囲で含んでなるものである。
【０００８】
本発明に用いる水性媒体としては、例えば、水、水溶性有機溶媒およびこれらの混合物が挙げられる。水溶性有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどの低級アルコール；アセトンなどが挙げられる。
【０００９】
本発明に用いるディップ成形用凝固剤としては、ディップ成形において通常使用されるものであれば特に限定さないが、例えば、塩化バリウム、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化亜鉛、塩化アルミニウムなどのハロゲン化金属；硝酸バリウム、硝酸カルシウム、硝酸亜鉛などの硝酸塩；酢酸バリウム、酢酸カルシウム、酢酸亜鉛など酢酸塩；硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸アルミニウムなどの硫酸塩などが挙げられる。なかでも、塩化カルシウム、硝酸カルシウムが好ましく、硝酸カルシウムがより好ましく使用できる。
【００１０】
ディップ成形用凝固剤の使用量は、水性媒体、ディップ成形用凝固剤およびカチオン性界面活性剤の合計量に対して、１〜５重量％、好ましくは２〜５重量％の範囲である。この使用量が少ないと、十分な膜厚を有するディップ成形品を得ることができず、逆に多いと、均一な膜厚を有するディップ成形品を得ることができない。
【００１１】
本発明で用いるカチオン性界面活性剤としては、従来公知のものが使用でき、例えば、第１級アミンの塩、第２級アミンの塩、第３級アミンの塩、第４級アンモニウム塩などが挙げられる。なかでも、第４級アンモニウム塩が好ましく使用できる。
【００１２】
第１級アミンの塩としては、例えば、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基などの置換基を有する第１級アミンの塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩などが挙げられる。
【００１３】
第２級アミンの塩としては、例えば、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基などの置換基を有する第２級アミンの塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩などが挙げられる。
【００１４】
第３級アミンの塩としては、例えば、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基などの置換基を有する第３級アミンの塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酢酸塩などが挙げられる。
【００１５】
第４級アンモニウム塩としては、例えば、下記一般式（１）で表されるもの、ピリジニウム塩、イミダゾリウム塩などが挙げられる。
一般式（１）
【化１】
2004238450.tif 000002
式中、Ｒ１〜Ｒ４は、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは、ハロゲン原子を表す。
【００１６】
一般式（１）で表される化合物の具体例としては、例えば、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド、ラウリルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロマイド、ラウリルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、セチルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、ジデシルジメチルアンモニウムクロライド、ジステアリルジメチルアンモニウムクロライド挙げられる。
【００１７】
ピリジニウム塩としては、例えば、下記一般式（２）で表されるものが挙げられる。
一般式（２）
【化２】
2004238450.tif 000003
式中、Ｒ５〜Ｒ９は、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基および水素原子から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ１０は、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル基、アリール基およびアラルキル基から選ばれる基である。Ｘは、ハロゲン原子を表す。
【００１８】
一般式（２）で表される化合物の具体例としては、例えば、ラウリルピリジニウムクロライド、ラウリルピリジニウムブロマイド、ヘキサデシルピリジニウムクロライド、ヘキサデシルピリジニウムブロマイドなどが挙げられる。
【００１９】
イミダゾリウム塩としては、例えば、下記一般式（３）で表されるものが挙げられる。
一般式（３）
【化３】
2004238450.tif 000004
式中、Ｒ１１およびＲ１２は、炭素数１〜１８のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基から選ばれる基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ１３は、炭素数１２〜２４のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基から選ばれる基である。Ｘは、ハロゲン原子である。
【００２０】
一般式（３）で表される化合物の具体例としては、例えば、２−ラウリル−Ｎ−メチル−Ｎ−ラウリルイミダゾリウムクロライド、２−ラウリル−Ｎ−エチル−Ｎ−ラウリルイミダゾリウムクロライドなどが挙げられる。
【００２１】
上記の第４級アンモニウム塩のなかでも、セチルトリメチルアンモニウムクロライドが好ましく使用できる。
【００２２】
カチオン性界面活性剤の使用量は、水性媒体、ディップ成形用凝固剤およびカチオン性界面活性剤の合計量に対して、０．１〜２重量％、好ましくは０．２〜１．５重量％である。この使用量が少ないと、ディップ成形品の表面抵抗率が高くなり、半導体製品用のゴム手袋としては不適であり、逆に多いと、均一な膜厚を有するディップ成形品を得ることができない。
【００２３】
本発明のディップ成形用凝固剤組成物は、本発明の効果を本質的に損なわない限り、例えば、炭酸カルシウム、シリカなどの充填剤；ポリエチレンワックス、ポリプロピレンワックスなどのワックス；湿潤剤、防腐剤、ｐＨ調整剤などを含んでいてもよい。
【００２４】
ディップ成形用凝固剤組成物の温度は、特に限定されないが、通常、０〜９０℃、好ましくは３０〜８０℃である。
【００２５】
本発明のディップ成形品は、上記のディップ成形用凝固剤組成物を用いて、ディップ成形用ラテックス組成物をディップ成形してなる。
【００２６】
ディップ成形用ラテックス組成物に用いるディップ成形用ラテックスとしては、例えば、天然ゴムラテックスや合成の共役ジエンゴムラテックスが挙げられる。なかでも、所望の特性を有するディップ成形品を容易に製造し易い点で、合成の共役ジエンゴムラテックスが好ましく使用できる。
【００２７】
合成の共役ジエンゴムラテックスは、共役ジエン単量体、または共役ジエン単量体および共役ジエン単量体と共重合可能な他の単量体を重合して得られるものである。
共役ジエン単量体としては、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、ハロゲン置換ブタジエンなどが挙げられる。これらは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。なかでも、１，３−ブタジエンが好ましく使用できる。共役ジエン単量体の使用量は、全単量体中、好ましくは３０〜８９．５重量％であり、より好ましくは４５〜７９重量％である。
【００２８】
共役ジエン単量体と共重合可能な他の単量体としては、例えば、エチレン性不飽和ニトリル単量体、芳香族ビニル単量体、エチレン性不飽和カルボン酸単量体、エチレン性不飽和カルボン酸エステル単量体、エチレン性不飽和カルボン酸アミドなどが挙げられる。なかでも、エチレン性不飽和ニトリル単量体、芳香族ビニル単量体、エチレン性不飽和カルボン酸単量体が好ましく、エチレン性不飽和ニトリル単量体、エチレン性不飽和カルボン酸単量体がより好ましく使用される。
【００２９】
エチレン性不飽和ニトリル単量体としては、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどが挙げられる。なかでも、アクリロニトリルが好ましく使用できる。
芳香族ビニル単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、モノクロルスチレン、ビニルトルエンなどが挙げられる。
【００３０】
エチレン性不飽和カルボン酸単量体としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸などのエチレン性不飽和モノカルボン酸；イタコン酸、フマル酸、マレイン酸、ブテントリカルボン酸などのエチレン性不飽和多価カルボン酸；イタコン酸モノエチルエステル、フマル酸モノブチルエステル、マレイン酸モノブチルエステルなどのエチレン性不飽和多価カルボン酸の部分エステル；などを挙げることができる。なかでも、エチレン性不飽和モノカルボン酸が好ましく、メタクリル酸がより好ましく使用できる。
【００３１】
エチレン性不飽和カルボン酸エステル単量体としては、例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸β−ヒドロキシエチル、アクリル酸β−ヒドロキシプロピル、メタクリル酸β−ヒドロキシエチル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレートアクリルアミドなどが挙げられる。
エチレン性不飽和カルボン酸アミド単量体としては、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミドなどが挙げられる。
上記の単量体以外にも、酢酸ビニル、ビニルピロリドン、ビニルピリジンなどを用いることができる。
これらの単量体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３２】
共役ジエンゴムラテックスとしては、本発明の効果が発現し易い上に、柔軟、かつ耐油性および機械的強度に優れるディップ成形品が得られる点で、共役ジエン単量体、エチレン性不飽和ニトリル単量体およびエチレン性不飽和カルボン酸単量体からなる単量体混合物を重合して得られるものが好ましく使用できる。この場合の組成比は、共役ジエン単量体３０〜８９．５重量％、好ましくは４５〜７９重量％、エチレン性不飽和ニトリル単量体１０〜５０重量％、好ましくは２０〜４０重量％、およびエチレン性不飽和カルボン酸単量体０．５〜２０重量％、好ましくは１〜１５重量％の範囲にあることが好ましい。
【００３３】
共役ジエンゴムラテックスは、通常、上記の単量体を、従来公知の乳化重合法を用いて製造することができる。
【００３４】
ディップ成形用ラテックス組成物は、上記のディップ成形用ラテックス以外に、加硫剤および加硫促進剤を配合することが好ましく、さらに所望により、酸化亜鉛を配合してもよい。
【００３５】
加硫剤としては、ディップ成形において通常用いられるものが使用でき、例えば、粉末硫黄、硫黄華、沈降硫黄、コロイド硫黄、表面処理硫黄、不溶性硫黄などの硫黄；ヘキサメチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンなどのポリアミン類；などが挙げられる。なかでも、硫黄が好ましい。加硫剤の使用量は、ラテックス固形分１００重量部に対して、好ましくは０．１〜１０重量部、より好ましくは０．２〜４重量部である。
【００３６】
加硫促進剤としては、ディップ成形において通常用いられるものが使用でき、例えば、ジエチルジチオカルバミン酸、ジブチルジチオカルバミン酸、ジ−２−エチルヘキシルジチオカルバミン酸、ジシクロヘキシルジチオカルバミン酸、ジフェニルジチオカルバミン酸、ジベンジルジチオカルバミン酸などのジチオカルバミン酸類およびそれらの亜鉛塩；２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール亜鉛、２−メルカプトチアゾリン、ジベンゾチアジル・ジスルフィド、２−（２，４−ジニトロフェニルチオ）ベンゾチアゾール、２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルチオ・カルバイルチオ）ベンゾチアゾール、２−（２，６−ジメチル−４−モルホリノチオ）ベンゾチアゾール、２−（４’−モルホリノ・ジチオ）ベンゾチアゾール、４−モルホニリルー２−ベンゾチアジル・ジスルフィド、１，３−ビス（２−ベンゾチアジル・メルカプトメチル）ユリアなどが挙げられる。なかでも、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール亜鉛が好ましい。これらの加硫促進剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
加硫促進剤の使用量は、ディップ成形用ラテックスの固形分１００重量部に対して、好ましくは０．１〜１０重量部、より好ましくは０．２〜４重量部である。
【００３７】
酸化亜鉛の使用量は、ディップ成形用ラテックス固形分１００重量部に対して、好ましくは５重量部以下、より好ましくは２重量部以下である。
【００３８】
ディップ成形用ラテックス組成物には、さらに所望により、ディップ成形において通常使用される、ｐＨ調整剤、増粘剤、老化防止剤、分散剤、顔料、充填剤、軟化剤などを配合してもよい。
【００３９】
ディップ成形用ラテックス組成物の固形分濃度は、通常、２０〜４０重量％、好ましくは２５〜３５重量％である。ディップ成形用ラテックス組成物のｐＨは、通常、８以上、好ましくは９〜１１の範囲である。
【００４０】
ディップ成形法としては、ディップ成形用凝固剤を使用する従来公知のディップ成形法を用いることができ、例えば、アノード凝着浸漬法、ティーグ凝着浸漬法などが挙げられる。なかでも、均一な厚みを有するディップ成形品が得られやすい点で、アノード凝着浸漬法が好ましい。
【００４１】
アノード凝着浸漬法の場合、ディップ成形型を上記のディップ成形用凝固剤組成物に浸漬して、ディップ成形型上に該組成物を付着させた後、それをディップ成形用ラテックス組成物に浸漬して、該型上にディップ成形層を形成する。
【００４２】
ディップ成形型としては、例えば、磁器製、陶器製、金属製、ガラス製、およびプラスチック製のものなどが挙げられる。ディップ成形品が手袋である場合、成形型は人の手の輪郭に対応する形状を有するものであり、製造しようとする手袋の使用目的に応じて、手首から指先までの形状のもの、肘から指先までの形状のもの等、種々の形状のものを用いることができる。
【００４３】
ディップ成形型をディップ成形用凝固剤組成物に浸漬する条件としては、特に限定されないが、３０〜７０℃に加温したディップ成形型を、ディップ成形用凝固剤組成物に１秒間〜５分間、好ましくは１秒間〜３分間、浸漬することが好ましい。
【００４４】
ディップ成形型をディップ成形用凝固剤組成物に浸漬した後、３０〜８０℃の温度で、該型上に付着したディップ成形用凝固剤組成物中の溶媒を揮散させる。
【００４５】
次いで、そのディップ成形型を、ディップ成形用ラテックス組成物に浸漬して該型上にディップ成形層を形成する。ディップ成形型を、ディップ成形用ラテックス組成物に浸漬する時間は、ディップ成形品の膜厚に応じて適宜調節される。
【００４６】
ディップ成形型上にディップ成形層を形成した後、所望により、加温してディップ成形層中の揮発成分を揮散させる。その後、加熱処理を施して、ディップ成形層を加硫する。
ディップ成形層の加硫条件は、８０〜１５０℃の温度で、１０〜１２０分間の加硫時間である。加熱の方法としては、赤外線や熱空気による外部加熱または高周波による内部加熱による方法が採用できる。なかでも、熱空気による加熱が好ましい。
【００４７】
なお、ディップ成形層を加硫する前にリーチングを行ってもよい。リーチングは、通常、ディップ成形型上のディップ成形層を、２０〜６０℃の温水に、１〜３０分間程度、浸漬して行われる。リーチングを行なうことで、ディップ成形層中に含まれる水溶性不純物（例えば、余剰の乳化剤や凝固剤など）が除去され、より機械的強度に優れるディップ成形品が得られる。
このリーチングは、ディップ成形層を加硫した後に行ってもよいが、より効率的に水溶性不純物を除去できる点から、ディップ成形層を加硫する前に行なうのが好ましい。
【００４８】
ディップ成形層を加硫した後、該加硫物をディップ成形型から脱着することによって、ディップ成形品が得られる。脱着方法は、手で型から剥がしたり、水圧や圧縮空気の圧力により剥がしたりする方法が採用できる。脱着後、さらに６０〜１２０℃の温度で、１０〜１２０分の加熱処理を行ってもよい。
【００４９】
本発明のディップ成形品は、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される表面抵抗率が好ましくは１０７〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ、より好ましくは１０８〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅのものである。表面抵抗率がさらに低いディップ成形品を製造するのは困難であり、逆に表面抵抗率が高いディップ成形品は、作業中に静電気が発生し、半導体部品の製造においては不適である。
ここで、本発明において、１０７とは１×１０７を意味する。１０１０等についても同様である。また、１０７〜１０１０とは１×１０７以上１×１０１０以下を意味する。１０８〜１０１０等についても同様である。
表面抵抗率及び体積抵抗率は、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７−９３に準じて測定する。詳細は実施例に記載したとおりである。
【００５０】
本発明のディップ成形品は、超純水に２時間浸漬した後、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される表面抵抗率が好ましくは１０７〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ、より好ましくは１０８〜１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅのものである。超純水に浸漬した後においても、表面抵抗率がこの範囲にあるディップ成形品は、精密電子部品や半導体部品の製造において、より好適に使用できる。
本発明において、超純水は、２５℃での比抵抗が１６ＭΩｃｍ以上の水を意味する。
【００５１】
本発明のディップ成形品は、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される体積抵抗率が好ましくは１０８〜１０１１Ωｃｍ、より好ましくは１０９〜１０１１Ωｃｍのものであることが好ましい。体積抵抗率がこの範囲にあるディップ成形品は、精密電子部品や半導体部品の製造において、より好適に使用できる。
【００５２】
本発明のディップ成形品は、超純水に２時間浸漬した後、２０℃、相対湿度６５％の雰囲気下で測定される体積抵抗率が好ましくは１０９〜１０１１Ωｃｍのものであることが好ましい。超純水に浸漬した後においても、体積抵抗率がこの範囲にあるディップ成形品は、精密電子部品や半導体部品の製造において、より好適に使用できる。
【００５３】
本発明のディップ成形品としては、厚みが約０．１〜３ミリのものが製造でき、特に厚みが０．１〜０．３ミリの薄手のものが好適に使用できる。その具体例としては、例えば、哺乳瓶用乳首、スポイト、導管、水枕などの医療用品；風船、人形、ボールなどの玩具や運動具；加圧成形用バッグ、ガス貯蔵用バッグなどの工業用品；手術用、家庭用、農業用、漁業用および工業用のアンサポート型手袋またはサポート型手袋；指サックなどが挙げられる。なかでも、表面抵抗率が低いので、精密電子部品製造用、半導体部品製造用の手袋として好適に使用できる。
【００５４】
【実施例】
以下に、実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の記載における「部」および「％」は特に断りのない限り重量基準である。
ゴム手袋の評価は以下のように行なった。
（１）膜厚の均一性
得られたゴム手袋の任意の２０箇所を選び、各箇所における膜厚を測定した。２０点の膜厚の最小値、最大値および単純平均値を求め、（最大値−最小値）／単純平均値×１００の値が、０以上、３０未満の場合を○、３０以上、６０未満の場合を△、６０以上の場合を×で示す。この値が小さいほど、均一な膜厚を有するゴム手袋であることを示しており、この値が６０以上のものはゴム手袋として使用するには不適である。
【００５５】
（２）（表面抵抗率および体積抵抗率）
得られたゴム手袋の手の平部分から、１０ｃｍ角の試験片を切り抜いた。
この試験片を２０℃、相対湿度が６５％の恒温恒湿室で１夜放置した後、同じ雰囲気下で、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７−９３に準じて、測定電圧２５０Ｖで、試験片の表面抵抗率および体積抵抗率を測定した。なお、この測定における上限界値は、それぞれ、３．８×１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ、３．８×１０１１Ωｃｍであった。
（超純水に浸漬した後の表面抵抗率および体積抵抗率）
得られたゴム手袋の手の平部分から、１０ｃｍ角の試験片を切り抜き、それを比抵抗が１８．３ＭΩｃｍの超純水５００ｍｌに、３０℃で２時間浸漬し、浸漬した後の試験片を７０℃で乾燥した。乾燥後の試験片を２０℃、相対湿度が６５％の恒温恒湿室で１夜放置した後、同じ雰囲気下で、ＡＳＴＭ  Ｄ２５７−９３に準じて、測定電圧２５０Ｖで、試験片の表面抵抗率および体積抵抗率を測定した。なお、この測定における上限界値は、それぞれ、３．８×１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅ、３．８×１０１１Ωｃｍであった。
【００５６】
（実施例１）
セチルトリメチルアンモニウムクロライドおよび硝酸カルシウムの濃度が、それぞれ、１．２％および４％である水溶液（ディップ成形用凝固剤組成物）を調製した。
【００５７】
硫黄１部、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛０．５部、酸化亜鉛０．５部および酸化チタン１．５部を、水３．５部に分散して、加硫剤分散液を調製した。
アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体ラテックス（１，３−ブタジエン単位６７．５％、アクリロニトリル単位２７％およびメタクリル酸単位５．５％、固形分濃度４０％、ラテックスｐＨ８．５）２５０部に、上記の加硫剤分散液７部を添加した後、水酸化カリウム水溶液および水を添加して、ｐＨ９．５、固形分濃度３０％のディップ成形用ラテックス組成物を調製した。
【００５８】
６０℃に加熱した手型を、４０℃に調整した上記のディップ成形用凝固剤組成物に、１分間浸漬した後、６０℃で、１０分間乾燥した。この凝固剤組成物が付着した手型を、前記のディップ成形用ラテックス組成物に１０秒間浸漬し、手型上にディップ成形層を形成した。次いで、４０℃の脱イオン水で５分間リーチングし、６０℃で１０分間乾燥した後、１２０℃で２０分間ディップ成形層を加硫した。得られた加硫物を、手型から反転させながら脱着して、厚さが０．１５ｍｍのゴム手袋を得た。
このゴム手袋の評価を行い、その結果を表１に示す。
【００５９】
（実施例２）
セチルトリメチルアンモニウムクロライドの濃度を１．２％から０．９％に変更する以外は、実施例１と同様にして、ゴム手袋を得た。このゴム手袋の評価を行い、その結果を表１に示す。
【００６０】
（比較例１）
ディップ成形用凝固剤組成物を、硝酸カルシウムの２５％水溶液に代える以外は実施例１と同様にして、ゴム手袋を得た。このゴム手袋の評価を行い、その結果を表１に示す。
【００６１】
（比較例２）
ディップ成形用凝固剤組成物を、セチルトリメチルアンモニウムクロライド１．２％水溶液に変更する以外は、実施例１と同様にディップ成形を行なった。しかしながら、手型上に形成されたディップ成形層の厚みが極めて薄く、かつ、ディップ成形層のゲル強度が弱いために、ディップ成形層が流れ落ちてしまうため、以降の操作は中止した。
【００６２】
（比較例３）
セチルトリメチルアンモニウムクロライドの濃度を４％に変更する以外は、実施例１と同様にして、ゴム手袋を得た。このゴム手袋の膜厚の均一性を評価したところ、×であり、ゴム手袋としては適さないものであったので、表面抵抗率および体積抵抗率の評価は行なわなかった。
【００６３】
【表１】
2004238450.tif 000005
【００６４】
表１から次のようなことがわかる。
従来の方法で得られるゴム手袋は、表面抵抗率が１０１０Ω／ｓｑｕａｒｅを超えるので、精密電子部品製造や半導体製品製造において用いるには不適である（比較例１）。
ディップ成形用凝固剤濃度やカチオン性界面活性剤濃度が、本発明で規定する範囲外のディップ成形用凝固剤組成物を用いると、満足なディップ成形品が得られない（比較例２および３）。
上記の比較例に対して、本発明で規定する範囲のディップ成形用凝固剤組成物を用いると、表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、その表面抵抗率が低いゴム手袋が容易に得られている（実施例１および２）。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、その表面抵抗率が低く、さらに超純水で洗浄した後においても、従来のものより表面抵抗率が低く、ディップ成形品として十分な膜厚を有し、膜厚の均一性に優れるディップ成形品、および該ディップ成形品を与え得るディップ成形用凝固剤組成物が提供される。