(57)【要約】【解決手段】本発明に係るエスクレチン誘導体は、下記式（Ｉ）で示される；【化１】2004238360.tif 000026式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表し、Ｘは、水素原子または【化２】2004238360.tif 000027を表す。【効果】本発明によれば、新規なエスクレチン誘導体およびその製造方法を提供することができ、さらに該エスクレチン誘導体を介してエスクレチンを精製し、高純度のエスクレチンを得ることができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で示されるエスクレチン誘導体；
【化１】
2004238360.tif 000016
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表し、
Ｘは、水素原子または
【化２】
2004238360.tif 000017
を表す。
【請求項２】
エスクレチンと下記式（ＩＩ）で示される化合物とを塩基触媒存在下で反応させることを特徴とする下記式（Ｉ）のエスクレチン誘導体の製造方法；
【化３】
2004238360.tif 000018
【化４】
2004238360.tif 000019
式中、Ｙは、塩基触媒存在下で脱離可能な基を表し、
Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表し、
Ｘは、水素原子または
【化５】
2004238360.tif 000020
を表す。
【請求項３】
前記塩基触媒存在下で脱離可能な基Ｙが、ハロゲン原子、Ｎ−オキシスクシンイミド基、または下記式（ＩＩＩ）で示される官能基であることを特徴とする請求項２に記載のエスクレチン誘導体の製造方法；
【化６】
2004238360.tif 000021
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表す。
【請求項４】
前記式（ＩＩ）で示される化合物が、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカルボネートであることを特徴とする請求項２に記載のエスクレチン誘導体の製造方法。
【請求項５】
エスクレチンと下記式（ＩＩ）で示される化合物とを塩基触媒存在下で反応させ、下記式（Ｉ）のエスクレチン誘導体を生成し、
その後、得られたエスクレチン誘導体と、酸またはアルカリとを反応させ、エスクレチンを生成することを特徴とするエスクレチンの精製方法；
【化７】
2004238360.tif 000022
【化８】
2004238360.tif 000023
式中、Ｙは、塩基触媒存在下で脱離可能な基を表し、
Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表し、
Ｘは、水素原子または
【化９】
2004238360.tif 000024
を表す。
【請求項６】
前記塩基触媒存在下で脱離可能な基Ｙが、ハロゲン原子、Ｎ−オキシスクシンイミド基、または下記式（ＩＩＩ）で示される官能基であることを特徴とする請求項５に記載のエスクレチンの精製方法；
【化１０】
2004238360.tif 000025
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表す。
【請求項７】
前記式（ＩＩ）で示される化合物が、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカルボネートであることを特徴とする請求項５に記載のエスクレチンの精製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、新規なエスクレチン誘導体、その製造方法、ならびに該エスクレチン誘導体を介するエスクレチンの精製方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】
エスクレチン（６，７−ジオキシクマリン）は、各種医薬品、化粧料、またはプラスチック繊維や成形体といった化学品などの広い用途における中間体あるいは出発原料として用いられている。
これらの用途のうち、特に各種医薬品や化粧料などの中間体あるいは出発原料として用いられる場合には、高い純度を有することが要求される。
【０００３】
エスクレチンは、トリアセトキシベンゼンに酸触媒存在下でリンゴ酸を反応させるなどの方法で化学合成できることが知られているが（非特許文献１参照）、このような化学合成による場合には、目的物であるエスクレチンと副生物との分離が困難であり、高純度のエスクレチンを得ることはできなかった。
一方、天然物、たとえば、セイヨウトチノキの樹皮などからエスクリン（エスクレチン−６−β−グルコシド）を抽出し、これを酸処理する方法によれば、高純度（純度９９％以上）のエスクレチンが得られることが知られている。
【０００４】
したがって、高純度のエスクレチンが必要とされる場合には、このような天然物からの抽出による方法が主流となっている。
しかしながら、天然物からの抽出による方法では、抽出できるエスクリンの量が極めて少ないため、得られるエスクレチンが高価になるという問題があった。
本発明者らは、このような実情に鑑みて鋭意研究した結果、エスクレチンのクマリン環の６位と７位の双方、あるいは７位のみに特定の炭酸エステル基を有する新規なエスクレチン誘導体を介してエスクレチンを精製すれば、化学合成した場合にも高純度（純度９０％以上）のエスクレチンを効率よく得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】
なお、エスクレチンのクマリン環の６位と７位の双方、あるいは７位のみに、炭素数２〜２５のアルキルエステル基を有するエスクレチン誘導体は知られていたが（特許文献１参照）、クマリン環の６位と７位の双方、あるいは７位のみに、特定の炭酸エステル基を有するエスクレチン誘導体は知られていない。
【０００６】
【非特許文献１】
Ｇ．  Ａｍｉａｒｄ  ａｎｄ  Ａ．  Ａｌｌａｉｓ，  Ｂｕｌｌ．  Ｓｏｃ．  Ｃｈｉｍ．  Ｆｒａｎｃｅ，  ５１２  （１９４７）
【特許文献１】
特開平６−３１２９２５号公報
【０００７】
【発明の目的】
本発明は、新規なエスクレチン誘導体、その製造方法、ならびに該エスクレチン誘導体を介するエスクレチンの精製方法を提供することを目的としている。
より詳しくは、本発明は、高純度のエスクレチンを安価に効率よく提供しうる方法を与えることを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】
本発明に係るエスクレチン誘導体は、下記式（Ｉ）で示されるエスクレチン誘導体である；
【０００９】
【化１１】
2004238360.tif 000002
【００１０】
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表し、
Ｘは、水素原子または
【００１１】
【化１２】
2004238360.tif 000003
【００１２】
を表す。
また、本発明に係るエスクレチン誘導体（式（Ｉ））の製造方法は、エスクレチンと下記式（ＩＩ）で示される化合物とを塩基触媒存在下で反応させることを特徴としている；
【００１３】
【化１３】
2004238360.tif 000004
【００１４】
式中、Ｙは、塩基触媒存在下で脱離可能な基を表し、
Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表す。
さらに、本発明に係るエスクレチン誘導体の製造方法では、前記塩基触媒存在下で脱離可能な基Ｙは、ハロゲン原子、Ｎ−オキシスクシンイミド基または下記式（ＩＩＩ）で示される官能基であることが好ましい；
【００１５】
【化１４】
2004238360.tif 000005
【００１６】
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表す。
さらに、本発明に係るエスクレチン誘導体の製造方法では、前記式（ＩＩ）で示される化合物は、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカルボネートであることが望ましい。
また、本発明に係るエスクレチンの精製方法は、
エスクレチンと下記式（ＩＩ）で示される化合物とを塩基触媒存在下で反応させ、下記式（Ｉ）のエスクレチン誘導体を生成し、
その後、得られたエスクレチン誘導体と、酸またはアルカリとを反応させ、エスクレチンを生成することを特徴としている；
【００１７】
【化１５】
2004238360.tif 000006
【００１８】
【化１６】
2004238360.tif 000007
【００１９】
式中、Ｙは、塩基触媒存在下で脱離可能な基を表し、
Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表し、
Ｘは、水素原子または
【００２０】
【化１７】
2004238360.tif 000008
【００２１】
を表す。
さらに、本発明に係るエスクレチンの精製方法では、前記塩基触媒存在下で脱離可能な基Ｙは、ハロゲン原子またはＮ−オキシスクシンイミド基または下記式（ＩＩＩ）で示される官能基であることが好ましい；
【００２２】
【化１８】
2004238360.tif 000009
【００２３】
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表す。
さらに、本発明に係るエスクレチンの精製方法では、前記式（ＩＩ）で示される化合物は、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカルボネートであることが望ましい。
【００２４】
【発明の具体的説明】
以下、本発明について具体的に説明する。
＜エスクレチン誘導体およびその製造方法＞
本発明に係るエスクレチン誘導体は、下記式（Ｉ）で示されるエスクレチン誘導体である。
【００２５】
【化１９】
2004238360.tif 000010
【００２６】
式中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表し、
Ｘは、水素原子または
【００２７】
【化２０】
2004238360.tif 000011
【００２８】
を表す。
すなわち、本願発明のエスクレチン誘導体は、クマリン環の６位と７位の双方、あるいは７位のみに、炭酸エステル結合を含む置換基を有することを特徴としている。なお、クマリン環の６位と７位の双方に該置換基を有する場合には、前記Ｒは同一でも異なってもよいが、好ましくは同一である。
【００２９】
該置換基は、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表すＲと、炭酸エステル結合とからなり、
炭素数１〜１２のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、イソプロピル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基などが挙げられる。さらに、これらのうちでは、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましく挙げられる。
【００３０】
また、アルキルビニル基としては、具体的には、イソプロペニル基、アリル基、３−ブテニル基などが挙げらる。
本発明に係るエスクレチン誘導体のうち、クマリン環の６位と７位の双方に置換基を有するエスクレチン誘導体としては、具体的には、６，７−ジ−メトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−エトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−プロポキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ｎ−ブトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−イソブトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ｓｅｃ−ブトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ペントキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ネオペントキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−アミロキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ヘキトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ヘプトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−オクトキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−（２−エチルヘキトキシ）カルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ノニノキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−デシロキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ウンデシロキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−ドデシロキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−イソプロペニルオキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−アリルオキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−（３−ブテニル）オキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジ−フェノキシカルボニルエスクレチン、６，７−ジーベンジルオキシカルボニルエスクレチンなどが挙げられる。
【００３１】
また、クマリン環の７位に置換基を有するエスクレチン誘導体としては、具体的には、７−メトキシカルボニルエスクレチン、７−エトキシカルボニルエスクレチン、７−プロポキシカルボニルエスクレチン、７−ｎ−ブトキシカルボニルエスクレチン、７−イソブトキシカルボニルエスクレチン、７−ｓｅｃ−ブトキシカルボニルエスクレチン、７−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエスクレチン、７−ペントキシカルボニルエスクレチン、７−ネオペントキシカルボニルエスクレチン、７−アミロキシカルボニルエスクレチン、７−ヘキトキシカルボニルエスクレチン、７−ヘプトキシカルボニルエスクレチン、７−オクトキシカルボニルエスクレチン、７−（２−エチルヘキトキシ）カルボニルエスクレチン、７−ノニノキシカルボニルエスクレチン、７−デシロキシカルボニルエスクレチン、７−ウンデシロキシカルボニルエスクレチン、７−ドデシロキシカルボニルエスクレチン、７−イソプロペニルオキシカルボニルエスクレチン、７−アリルオキシカルボニルエスクレチン、７−（３−ブテニル）オキシカルボニルエスクレチン、７−フェノキシカルボニルエスクレチン、７−ベンジルオキシカルボニルエスクレチンなどが挙げられる。
【００３２】
このようなエスクレチン誘導体（式（Ｉ））は、エスクレチンと下記式（ＩＩ）で示される化合物とを塩基触媒存在下で反応させることによって製造することができる。
【００３３】
【化２１】
2004238360.tif 000012
【００３４】
式中、Ｙは、塩基触媒存在下で脱離可能な基を表し、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表す。
また、前記塩基触媒存在下で脱離可能な基Ｙは、好ましくは、ハロゲン原子、Ｎ−オキシスクシンイミド基または下記式（ＩＩＩ）で示される官能基である。
【００３５】
【化２２】
2004238360.tif 000013
【００３６】
式（ＩＩＩ）中、Ｒは、炭素数１〜１２のアルキル基、アルキルビニル基、フェニル基、またはベンジル基を表す。
まず、クマリン環の６位と７位の双方に前記特定の置換基を有するエスクレチン誘導体の製造方法について説明する。
この場合、エスクレチンと、２倍モル量〜２倍モル量に加えて小過剰量の式（ＩＩ）の化合物を、塩基触媒存在下で、常圧、室温で２〜２４時間程度反応させることにより、クマリン環の６位と７位の双方に特定の置換基を有するエスクレチン誘導体を得ることができる。
【００３７】
このような反応は、下記反応式に従って進行すると考えられ、塩基性触媒存在下で式（ＩＩ）の化合物からＹが脱離することにより、エスクレチンのクマリン環の６位と７位の双方に置換基を有するエスクレチン誘導体が生成すると考えられる。
【００３８】
【化２３】
2004238360.tif 000014
【００３９】
なお、反応促進の観点から、反応温度を室温〜４０℃の範囲で適宜変更してもよい。
前記反応に使用される塩基触媒としては、ジメチルアミノピリジン（以下、ＤＭＡＰと略す。）、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクテン（以下、ＤＡＢＣＯと略す。）、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略す。）などが好ましく挙げられる。
【００４０】
該塩基触媒は、通常０．０５〜２．４当量、好ましくは２．０〜２．４当量の量で前記反応に用いられる。触媒の使用量が上記の範囲内であると、クマリン環の６位と７位の双方に所望の置換基を容易に導入することができるため好ましい。
さらに、前記反応に用いられる前記式（ＩＩ）の化合物の脱離基Ｙは、ハロゲン原子あるいは前記式（ＩＩＩ）の官能基であることがより好ましい。
【００４１】
前記脱離基Ｙがハロゲン原子である場合、ハロゲン原子としては、具体的には、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられるが、化合物の取り扱いおよび入手容易性の観点からは塩素原子であることが好ましい。
このように脱離基Ｙが塩素原子である場合、式（ＩＩ）の化合物としては、具体的には、メチルクロロカルボネート、エチルクロロカルボネート、イソプロピルクロロカルボネート、プロピルクロロカルボネート、ｎ−ブチルクロロカルボネート、イソブチルクロロカルボネート、ｓｅｃ−ブチルクロロカルボネート、ネオペンチルクロロカルボネート、ヘキシルクロロカルボネート、２−エチルヘキシルクロロカルボネート、デシルクロロカルボネート、ドデシルクロロカルボネート、アリルクロロカルボネート、フェニルクロロカルボネート、ベンジルクロロカルボネートなどのクロロ炭酸エステル類が好ましく挙げられる。
【００４２】
また、前記脱離基Ｙが式（ＩＩＩ）の官能基である場合には、式（ＩＩ）中のＲと式（ＩＩＩ）中のＲとは、同一でも異なってもよいが、同一であることが好ましい。
前記脱離基Ｙが式（ＩＩＩ）の官能基である場合、式（ＩＩ）の化合物としては、具体的には、たとえば、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカルボネート（以下、ＤＩＢＯＣと略す。）が好ましく挙げられる。なお、この化合物はアイバイツ（株）から入手可能である。
【００４３】
また、前記反応は、有機溶剤（非水系溶剤）中で行われることが好ましい。ここで、有機溶剤（非水系溶剤）とは、後述する水系溶剤以外の有機溶剤を意味し、そのような有機溶剤であればいずれでもよいが、具体的には、たとえば、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す。）、クロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、ジエチルエーテル、ニトロベンゼン、ニトロメタンなどを挙げることができる。
【００４４】
次に、クマリン環の７位のみに前記特定の置換基を有するエスクレチン誘導体の製造方法について説明する。
この場合、エスクレチンと、等モル量〜等モル量に加えて小過剰量の式（ＩＩ）の化合物を、塩基触媒存在下で、常圧、室温で２〜２４時間程度、反応させることにより、クマリン環の７位のみに特定の置換基を有するエスクレチン誘導体を得ることができる。
【００４５】
このような反応は、下記反応式に従って進行すると考えられ、塩基性触媒存在下で式（ＩＩ）の化合物からＹが脱離することにより、エスクレチンのクマリン環の７位に置換基を有するエスクレチン誘導体が生成すると考えられる。
【００４６】
【化２４】
2004238360.tif 000015
【００４７】
なお、反応促進の観点から、反応温度を室温〜４０℃の範囲で適宜変更してもよい。
前記反応に使用される塩基触媒としては、ＤＡＢＣＯ、トリエチルアミン（以下、ＴＥＡと略す。）、ＤＭＡＰなどが好ましく挙げられる。
該塩基触媒は、通常０．１〜２．４当量、好ましくは２．０〜２．４当量の量で前記反応に用いられる。触媒の使用量が上記の範囲内であると、クマリン環の７位に所望の置換基を容易に導入することができるため好ましい。
【００４８】
さらに、前記反応に用いられる前記式（ＩＩ）の化合物の脱離基Ｙは、Ｎ−オキシスクシンイミド基あるいは前記式（ＩＩＩ）の官能基であることがより好ましい。
前記脱離基Ｙが、Ｎ−オキシスクシンイミド基である場合には、式（ＩＩ）の化合物は、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドと、上述したクロロ炭酸エステル類とを反応させて得ることができる。
【００４９】
具体的には、等モル量のＮ−ヒドロキシスクシンイミドと、上述したクロロ炭酸エステル類とを、塩基触媒の存在下、有機溶剤中で反応させることで式（ＩＩ）の化合物が得られる。
なお、脱離基ＹがＮ−オキシスクシンイミド基である式（ＩＩ）の化合物を用いる場合には、エスクレチンとの反応は、有機溶剤（非水系溶剤）中で行うことが好ましい。ここで、有機溶剤（非水系溶剤）とは、後述する水系溶剤以外の有機溶剤を意味し、そのような有機溶剤であればいずれでもよいが、具体的には、たとえば、テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す。）、クロロホルム、塩化メチレン、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、ジエチルエーテル、ニトロベンゼン、ニトロメタンなどを挙げることができる。
【００５０】
また、前記脱離基Ｙが式（ＩＩＩ）の官能基である場合の式（ＩＩ）の化合物としては、既述したものと同様のものが好ましく挙げられる。
前記脱離基Ｙが式（ＩＩＩ）の官能基である場合には、エスクレチンとの反応は、水系溶剤中で行われることが好ましい。ここで、水系溶剤とは、溶剤全量中に５０体積％以上の水を含有する溶剤を意味し、たとえば、水、水／ジオキサン、水／メタノールなどを挙げることができる。
【００５１】
このように、前記脱離基Ｙが式（ＩＩＩ）の官能基である場合に、式（ＩＩ）の化合物とエスクレチンとを、有機溶剤（非水系溶剤）中で反応させた場合には、選択的にクマリン環の６位と７位の双方に置換基を導入することができ、一方、水系溶剤中で反応させた場合には、選択的にクマリン環の７位のみに置換基を導入することができる。
【００５２】
なお、得られたエスクレチン誘導体は、必要に応じて公知の精製方法、たとえば、ろ過、抽出、クロマトグラフィー、再結晶などの方法で精製することができる。
該エスクレチン誘導体の構造は、核磁気共鳴スペクトル（以下、ＮＭＲと略す。）、赤外線吸収スペクトル、紫外線吸収スペクトル、元素分析、質量スペクトルなどにより確認することができる。
【００５３】
＜エスクレチンの精製方法＞
本発明に係るエスクレチンの精製方法は、
エスクレチンと前記式（ＩＩ）で示される化合物とを塩基触媒存在下で反応させ、前記式（Ｉ）のエスクレチン誘導体を生成し、
その後、得られたエスクレチン誘導体と、酸またはアルカリとを反応させ、エスクレチンを生成することを特徴としている。
【００５４】
この際、反応物として用いるエスクレチンは、市販のものを使用することも可能であるが、精製操作により高純度のエスクレチンを安価で効率よく得ようとする本発明の目的に鑑みれば、化学合成した粗エスクレチン（副生物を含む）を使用することが好ましい。
このような粗エスクレチンを用いて、前記式（Ｉ）のエスクレチン誘導体を得るまでの工程は、前述したエスクレチン誘導体の製造方法と同様である。
【００５５】
前記エスクレチン誘導体としては、クマリン環の６位と７位の双方に置換基を有するエスクレチン誘導体、クマリン環の７位のみに置換基を有するエスクレチン誘導体のいずれも用いることができるが、前者の２つの置換基を有するエスクレチン誘導体は、後者よりも親油性で抽出がより容易であり、副生物を含む粗エスクレチンを反応物とした場合でも高純度のエスクレチン誘導体が得られること、さらに、後述する脱保護工程でも加熱等の必要がないことなどから好ましく用いられる。
【００５６】
次に、前記エスクレチン誘導体を脱保護してエスクレチンを生成する工程について説明する。
すなわち、得られた前記式（Ｉ）のエスクレチン誘導体と、酸またはアルカリとを反応させ、エスクレチンを生成し、高純度のエスクレチンを得る工程である。
【００５７】
エスクレチンを構成するクマリン環はアルカリに弱く、脱保護の際に水酸化ナトリウムなどの強アルカリを使用すると、開環する可能性がある。したがって、前記アルカリとしては、弱アルカリ、具体的には、たとえば、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウムなどを用いることが好ましい。これらは単独でも組み合わせて用いてもよく、使用するアルカリの種類やその組合せにより、メタノールなどの有機溶剤や水などで適宜希釈して用いることができる。
【００５８】
前記アルカリは、通常、エスクレチン誘導体に対して、２〜２０モル倍量、好ましくは５〜２０モル倍量で用い、常圧で、室温〜３０℃の範囲で、２〜２４時間反応させることが望ましい。
また、アルカリの代わりに酸を用いることができれば、前記エスクレチン誘導体をより安定に脱保護することができるためより好ましい。
【００５９】
このように酸により脱保護できるエスクレチン誘導体としては、具体的には、６，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエスクレチンを好ましく挙げることができる。
前記酸としては、具体的には、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、酢酸、トリフルオロ酢酸、ＢＦ３、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸などが挙げられる。これらは単独でも組み合わせて用いてもよく、使用する酸の種類やその組合せにより、酢酸エチルなどの有機溶剤や水などで適宜希釈して用いることができる。
【００６０】
前記酸は、通常、エスクレチン誘導体に対して、２〜２０モル倍量、好ましくは５〜２０モル倍量で用い、常圧で、室温〜３０℃の範囲で、２〜２４時間反応させることが望ましい。
このようにして、エスクレチン誘導体から得られたエスクレチンは、必要に応じて、公知の精製方法、たとえば、ろ過、抽出、クロマトグラフィー、再結晶などの方法で精製することができる。
【００６１】
該エスクレチンの構造は、ＮＭＲ、赤外線吸収スペクトル、紫外線吸収スペクトル、元素分析、質量スペクトルなどにより確認することができる。
また、本発明に係る精製方法を経て得られたエスクレチンの純度は、高速液体クロマトグラフィー（以下、ＨＰＬＣと略す。）のピーク面積を解析することによって確認することができる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明によれば、新規なエスクレチン誘導体およびその製造方法を提供することができ、さらに該エスクレチン誘導体を介して、エスクレチンを精製することができる。このような本発明に係るエスクレチンの精製方法によれば、従来、高純度のエスクレチンを得ることのできなかった化学合成的手法によっても、高純度（純度９０％以上）のエスクレチンを得ることができ、高純度のエスクレチンを安価で効率よく提供することができる。このような高純度のエスクレチンは、各種医薬品あるいは化粧料などの用途に好ましく用いることができる。
【００６３】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６４】
【合成例１】
＜エスクレチンの合成＞
温度計および撹拌機付きのフラスコに、無水酢酸２８０ｍｌ（２．９５ｍｏｌ）を入れ、冷却・撹拌しながら濃硫酸３２ｍｌを滴下した後、内温を４０℃に保ちつつ、１，４−ベンゾキノン１００ｇ（０．９２５ｍｏｌ）を加え撹拌した。
【００６５】
３０分後、粘性を帯びてきたところで、氷水で冷却して反応を停止させた。その後、水、水／メタノールで順次洗浄して、乾燥し、トリアセトキシベンゼン２１９．５ｇ（０．８７０ｍｏｌ、収率９４．１％）を得た。
次に、温度計および撹拌機付きのフラスコに、得られたトリアセトキシベンゼン５６．４ｇ（２２３．６ｍｍｏｌ）、ＤＬ−リンゴ酸６０．０ｇ（４４７．２ｍｍｏｌ）を入れ、これに濃硫酸２６ｍｌを滴下し、撹拌して１００℃で３時間反応させた。これを放冷後、氷水で冷却して反応を停止させ、水酸化ナトリウムを添加して中和し、酢酸エチルで抽出・洗浄した。抽出液を乾燥・濃縮した後、クロロホルム１４０ｍｌに再分散させ、乾燥し、粗エスクレチン１１．５ｇ（収率２８．９％）を得た。得られた粗エスクレチンの純度は、ＨＰＬＣ（東ソー社製；Ｓｔ−８０１０／ＣＣＰＤ／ＭＸ−８０１０／ＵＶ−８０１０／ＰＰ−８０１０、以下同じ。）によれば６０％であった。
【００６６】
【実施例１】
＜エスクレチン誘導体の合成＞
合成例１で得られた粗エスクレチン１１．４ｇをフラスコに入れ、ＴＨＦ１００ｍｌを加えて溶解し、ＤＭＡＰ  ０．４８６ｇ（３．２ｍｍｏｌ、０．０５当量）を添加した。次に、該フラスコ内にＤＩＢＯＣ  ３３．４ｇ（１５３．６ｍｍｏｌ、２．４当量）をゆっくり加え、室温で２時間撹拌した。その後、この反応液を濃縮し、１０重量％クエン酸溶液３０ｍｌを加え、酢酸エチルで抽出・洗浄した後、メタノールに溶解して再結晶を行い、エスクレチン誘導体１２．６ｇ（３３．３ｍｍｏｌ、収率５２％）を得た。
【００６７】
得られたエスクレチン誘導体は、１Ｈ−ＮＭＲ（ＪＥＯＬ社製；ＪＮＭ−ＧＳＸ２７０、以下同じ。）から６，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエスクレチンであることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ、２７０ＭＨｚ）δｐｐｍ；１．４９（ｓ，１８Ｈ，（ＣＨ３）３Ｃ−Ｏ−ＣＯ−）、６．５３（ｄ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ）、７．５５（ｓ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、７．７８（ｓ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、８．０３（ｄ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ）
＜エスクレチンの精製＞
上記のようにして得られた６，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエスクレチン５．０ｇ（１３．２ｍｍｏｌ）をフラスコに入れ、４Ｎ  ＨＣｌ／酢酸エチル（国産化学（株）社製）２０ｍｌを加え、室温で一晩撹拌した。
【００６８】
次に、水酸化ナトリウムを添加して中和し、酢酸エチルで抽出・洗浄し、クロロホルム５０ｍｌに再分散し、真空乾燥して、エスクレチン２．１９ｇ（１２．３ｍｍｏｌ、収率９３．１％）を得た。得られたエスクレチンの純度は、ＨＰＬＣによれば９９．７２５％であった。
【００６９】
【実施例２】
＜エスクレチン誘導体の合成＞
２００ｍｌ四つ口フラスコに、上記合成例１と同様にして合成した粗エスクレチン５．０ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）、ＤＡＢＣＯ  ７．５６ｇ（６７．４ｍｍｏｌ、２．４当量）を入れ、クロロホルム５０ｍｌを加え懸濁させた。氷浴で冷却し撹拌しながら、該フラスコ内に、クロロホルム２０ｍｌに溶解させたメチルクロロカルボネート６．３７ｇ（６７．４ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で一晩撹拌した。
【００７０】
次に、該反応液に５重量％クエン酸溶液１００ｍｌを加え、クロロホルムで抽出・洗浄し、乾燥・濃縮したところ、黒色液体１０．６ｇが得られた。この液体にメタノール５０ｍｌを加えて溶解し、−５℃に冷却して結晶化した。その後、ろ過して結晶を回収し、該結晶を酢酸エチルに溶解し、活性炭を加えて撹拌した。これをセライトろ過し、不純物を除去後、ろ液を濃縮し、エスクレチン誘導体３．２１ｇ（１０．６ｍｍｏｌ、収率３７．７％）を得た。
【００７１】
得られたエスクレチン誘導体は、１Ｈ−ＮＭＲから６，７−ジ−メトキシカルボニルエスクレチンであることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ、２７０ＭＨｚ）、δｐｐｍ；３．９５（ｓ，６Ｈ）、６．６３（ｄ，１Ｈ）、７．７３（ｓ，１Ｈ）、７．９７（ｓ，１Ｈ）、８．１４（ｄ，１Ｈ）
＜エスクレチンの精製＞
２０ｍｌナスフラスコに、上記のようにして得られた６，７−ジ−メトキシカルボニルエスクレチン０．２０６ｇ（０．７００ｍｍｏｌ）を入れ、メタノール５ｍｌを加えて溶解した。このフラスコ内に、４ｍｏｌ／ｌ酢酸ナトリウム溶液１ｍｌを加えて、室温で２時間撹拌した。その後、飽和食塩水３０ｍｌを加え、酢酸エチルで抽出・洗浄し、乾燥・濃縮した後、クロロホルム２０ｍｌを加えて再分散した。結晶をろ過して回収し、真空乾燥してエスクレチン０．０８７ｇ（０．４８８ｍｍｏｌ、収率６９．８％）を得た。得られたエスクレチンの純度は、ＨＰＬＣによれば９０．９０４％であった。
【００７２】
【実施例３】
＜エスクレチン誘導体の合成＞
２０ｍｌナスフラスコに、上記合成例１と同様にして合成した粗エスクレチン０．０５１ｇ（０．２８６ｍｍｏｌ）、ＤＡＢＣＯ  ０．０７７ｇ（０．６８６ｍｍｏｌ、２．４当量）を入れ、クロロホルム５ｍｌを加えて懸濁させた。氷浴で冷却し撹拌しながら該フラスコ内に、クロロホルム５ｍｌに溶解させたメチルクロロカルボネート０．２０７ｇ（２．１９ｍｍｏｌ、７．６６当量）を滴下し、室温で３日間撹拌した。
【００７３】
次に、該反応液に１０重量％クエン酸溶液３０ｍｌを加え、クロロホルムで抽出（２０ｍｌ×３回）し、飽和食塩水３０ｍｌで洗浄した。その後、乾燥、濃縮し、真空乾燥して白色粉体状のエスクレチン誘導体０．０８ｇ（０．２７２ｍｍｏｌ、収率９５．１％）を得た。
得られたエスクレチン誘導体は、１Ｈ−ＮＭＲから６，７−ジ−メトキシカルボニルエスクレチンであることが確認された。
【００７４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ、２７０ＭＨｚ）、δｐｐｍ；４．０（ｓ，６Ｈ）、６．６（ｄ，１Ｈ）、７．７（ｓ，１Ｈ）、７．９（ｓ，１Ｈ）、８．１（ｄ，１Ｈ）
【００７５】
【実施例４】
＜エスクレチン誘導体の合成＞
５０ｍｌナスフラスコに、上記合成例１と同様にして合成した粗エスクレチン０．１ｇ（０．５６１ｍｍｏｌ）、ＤＡＢＣＯ  ０．１５１ｇ（１．３５ｍｍｏｌ、２．４当量）を入れ、クロロホルム１０ｍｌを加えて懸濁させた。氷浴で冷却し撹拌しながら該フラスコ内に、クロロホルム１０ｍｌに溶解させたエチルクロロカルボネート０．１４７ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で一晩撹拌した。
【００７６】
次に、該反応液に１０重量％クエン酸溶液３０ｍｌを加え、クロロホルムで抽出（３０ｍｌ×３回）し、飽和食塩水３０ｍｌで洗浄した。その後、乾燥、濃縮し、真空乾燥してエスクレチン誘導体０．１４ｇ（０．４３４ｍｍｏｌ、収率７７．４％）を得た。
得られたエスクレチン誘導体は、１Ｈ−ＮＭＲから６，７−ジ−エトキシカルボニルエスクレチンであることが確認された。
【００７７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ、２７０ＭＨｚ）、δｐｐｍ；１．３（ｔ，６Ｈ）、４．４（ｄ，４Ｈ）、６．６（ｄ，１Ｈ）、７．７（ｓ，１Ｈ）、７．９（ｓ，１Ｈ）、８．１（ｄ，１Ｈ）
【００７８】
【実施例５】
＜エスクレチン誘導体の合成＞
５０ｍｌナスフラスコに、上記合成例１と同様にして合成した粗エスクレチン０．１ｇ（０．５６１ｍｍｏｌ）、ＤＡＢＣＯ  ０．１５１ｇ（１．３５ｍｍｏｌ、２．４当量）を入れ、クロロホルム１０ｍｌを加えて懸濁させた。氷浴で冷却し撹拌しながら該フラスコ内に、クロロホルム１０ｍｌに溶解させたフェニルクロロカルボネート０．２１１ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で一晩撹拌した。
【００７９】
次に、該反応液に１０重量％クエン酸溶液３０ｍｌを加え、クロロホルムで抽出（３０ｍｌ×３回）し、飽和食塩水３０ｍｌで洗浄した。その後、乾燥、濃縮し、真空乾燥してエスクレチン誘導体０．１１ｇ（０．２６３ｍｍｏｌ、収率４６．９％）を得た。
得られたエスクレチン誘導体は、１Ｈ−ＮＭＲから６，７−ジ−フェノキシカルボニルエスクレチンであることが確認された。
【００８０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ、２７０ＭＨｚ）、δｐｐｍ；６．６（ｄ，１Ｈ）、７．１〜８．０（ｍ，７Ｈ）、８．１（ｄ，１Ｈ）
【００８１】
【実施例６】
＜スクシンイミド誘導体の合成＞
２００ｍｌ四つ口フラスコに、メチルクロロカルボネート２．０ｇ（１９．１ｍｍｏｌ）Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２．４２ｇ（２１．０ｍｍｏｌ、１．１当量）をクロロホルム３０ｍｌに溶解させた。これを氷浴で冷却し撹拌しながら、該フラスコ内に、クロロホルム２０ｍｌに溶解させたＴＥＡ  ２．１２ｇ（２１．０ｍｍｏｌ、１．１当量）を滴下し、室温で一晩撹拌した。
【００８２】
次に、該反応液に１０重量％クエン酸溶液３０ｍｌを加え、クロロホルムで抽出し、有機層を５重量％炭酸水素ナトリウム溶液５０ｍｌで、ついで飽和食塩水５０ｍｌで洗浄した。これを乾燥・濃縮し、３．４１ｇの粗生成物を得た。この粗生成物を、酢酸エチル３０ｍｌおよびヘキサン２０ｍｌを用いて結晶化し、白色粉体２．８２ｇ（１６．３ｍｍｏｌ，収率８５．３％）を得た。
【００８３】
得られた白色粉体は、１Ｈ−ＮＭＲからＮ−メトキシカルボニルスクシンイミドであることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、２７０ＭＨｚ）、δｐｐｍ；２．８５（ｓ，４Ｈ）、４．００（ｓ，３Ｈ）
＜エスクレチン誘導体の合成＞
２０ｍｌナスフラスコに、上記実施例１で精製したエスクレチン０．０４３０ｇ（０．２４１ｍｍｏｌ、純度９９．７２５％）、ＤＡＢＣＯ  ０．０６４９ｇ（０．５７８ｍｍｏｌ、２．４当量）を入れ、ＴＨＦ２ｍｌを加えて懸濁させた。該フラスコ内にＴＨＦ３ｍｌに溶解させた前記Ｎ−メトキシカルボニルスクシンイミド０．０８６ｇ（０．４９７ｍｍｏｌ）を滴下した。これを湯浴で４０℃に加温し、２．５時間撹拌した。
【００８４】
次に、該反応液を濃縮し、１０重量％クエン酸溶液３０ｍｌを加え、酢酸エチルで抽出（１０ｍｌ×３回）し、飽和食塩水１０ｍｌで洗浄した。その後、乾燥、ろ過、濃縮し、粗生成物０．１１ｇを得た。該粗生成物をカラムで分離精製し、エスクレチン誘導体０．０５ｇ（０．２１２ｍｍｏｌ、収率８７．８％）を得た。
得られたエスクレチン誘導体は、１Ｈ−ＮＭＲから７−メトキシカルボニルエスクレチンであることが確認された。
【００８５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ、２７０ＭＨｚ）、δｐｐｍ；３．９１（ｓ，３Ｈ、−ＣＨ３）、６．３７（ｄ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ）、６．９５（ｓ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、７．６１（ｓ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、７．９９（ｄ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ）、１１．３（ｂｒ，１Ｈ，−ＯＨ）
【００８６】
【実施例７】
＜エスクレチン誘導体の合成＞
２０ｍｌフラスコに、上記実施例１で精製したエスクレチン０．０３５６ｇ（０．２０ｍｍｏｌ、純度９９．７２５％）を水５ｍｌ／ジオキサン５ｍｌに溶解して入れ、ＴＥＡ  ０．０４４６ｇ（０．４４ｍｍｏｌ、２．２当量）を添加した。該フラスコ内にＤＩＢＯＣ  ０．０９６０ｇ（０．４４ｍｍｏｌ、２．２当量）をゆっくり加え、室温で一晩撹拌した。
【００８７】
次に該反応液を濃縮し、カラムで精製し、エスクレチン誘導体０．０４ｇ（０．１４４ｍｍｏｌ、収率７１．９％）を得た。
得られたエスクレチン誘導体は、１Ｈ−ＮＭＲから７−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルエスクレチンであることが確認された。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ、２７０ＭＨｚ）、δｐｐｍ；１．４７（ｓ，９Ｈ、（ＣＨ３）３Ｃ−Ｏ−ＣＯ−）、６．２５（ｄ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ）、６．８５（ｓ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、７．４９（ｓ，１Ｈ，Ａｒ−Ｈ）、７．８９（ｄ，１Ｈ，−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ）、１１．１（ｂｒ，１Ｈ，−ＯＨ）