(57)【要約】  【課題】  半導体レーザへの端面コートを確実に、しかも効率良く行うための方法を提供する。  【解決手段】  少なくとも１個以上の半導体素子を平坦な面を有する第１の板上に整列して固定し第１の被処理体３０１とする工程と、  該第１の被処理体を処理室内に配置して膜を堆積する工程と、  該第１の被処理体上に前記第１の板３０２と同等の機能を有する第２の板４０２を対向配置して一体化する工程と、  該一体化した第１の板３０２および第２の板４０２を上下反転する工程（ａ）と、  前記第１の板３０２を除去する工程（ｂ）と、  前記第２の板４０２上にある前記半導体素子を固定して第２の被処理体３０１とする工程（ｃ）と、  該第２の被処理体を処理室内に配置して膜を堆積する工程とを有することを特徴とする。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の棒状の半導体素子を平坦な面を有する第１の板上に整列して固定して被処理体とする工程と、
前記被処理体を処理室内に配置して前記被処理体の表面に膜を堆積する工程と、
前記被処理体上に前記第１の板と同等の機能を有する第２の板を対向配置して一体化する工程と、
前記一体化した第１の板および第２の板を上下反転する工程と、
前記第１の板を除去する工程と、
前記第２の板上にある前記半導体素子を固定する工程と、
前記被処理体を処理室内に配置して前記被処理体の裏面に膜を堆積する工程と
を有する、半導体素子の作製方法。
【請求項２】
前記膜が絶縁膜である、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
半導体素子が半導体レーザである、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に、端面コートの方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年光通信、レーザプリンタ、光ディスクなどの分野で半導体レーザの需要が高まり、ＧａＡｓ系、およびＩｎＰ系を中心として活発に研究開発が進められてきた。
【０００３】
半導体レーザの共振器端面には、その用途に応じて絶縁膜を堆積して所望の反射率を得るための端面コートが必要である。その際、半導体レーザチップの上下の電極面に端面コートのための絶縁膜が堆積することなく、共振器側面に堆積する方法が要求される。この方法は、特開平４−１８７７６７号公報や特開平５−９２８０７号公報に示されている。いずれの場合も平板上や搬送板上に半導体レーザのバーを整列する。
【０００４】
整列の方法を、特許文献１の場合を例のあげて図６を用いて説明する。
【０００５】
図６（ａ）は半導体レーザの光学薄膜被着治具である。平板状のベースプレート３１上に、ナイフエッジ状支持板３２および３３で囲まれた領域に、共振器端面であるへき開端面を上に向けてバー状態の半導体レーザを整列する。この状態は図６（ｂ）に示されている。
【０００６】
この方法では、平板上や搬送板上への半導体レーザのバーを整列を２度行う必要がある。即ち、片側の共振器端面が終了後、全ての半導体レーザやスペーサを分離除去し、反対側の共振器端面が上部となるように整列を繰り返す必要がある。
【０００７】
特許文献２の場合も同様であり、片側の共振器端面（被コート面）が終了後、再度、反対側の共振器端面（被コート面）が上部となるように整列を繰り返す。この方法によって半導体レーザの両方の共振器端面に所望の反射率を得るための端面コートを行おうとしている。
【特許文献１】特開平４−１８７７６７号公報
【特許文献２】特開平５−９２８０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記の方法では平板上や搬送板上に半導体レーザのバーを整列するために、被コート面側が局所的に加熱される場合、平板全体が凸状に変形し、レーザバーに隙間が生じて、半導体レーザチップの上下の電極面に絶縁膜が堆積したり、共振器端面（被コート面）を下方に向けて堆積する場合、即ちフェイスダウンの場合、バーが落下する恐れが生じる。
【０００９】
例えばプラズマを用いた誘電体材料の堆積の場合、プラズマによる輻射熱によって、被コート側が加熱され、平板治具全体が凸状に変形する。その状態を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）のように、治具が凸状に変形すると、レーザバーとレーザバーとの間に隙間２０１ができ、この隙間２０１に端面コートの絶縁膜が堆積されてしまう。
【００１０】
また、上記の方法では、レーザバーの両方の共振器端面に絶縁膜を形成するためには、平板上や搬送板上への半導体レーザのバーを整列を２度行う必要があり、効率的ではない。
【００１１】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、半導体レーザへの端面コートを確実に、しかも効率良く行うための方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために半導体素子の製造方法は、
少なくとも１個以上の半導体素子を平坦な面を有する第１の板上に整列して固定し第１の被処理体とする工程と、
該第１の被処理体を処理室内に配置して膜を堆積する工程と、
該第１の被処理体上に前記第１の板と同等の機能を有する第２の板を対向配置して一体化する工程と、
該一体化した第１の板および第２の板を上下反転する工程と、
前記第１の板を除去する工程と、
前記第２の板上にある前記半導体素子を固定して第２の被処理体とする工程と、
該第２の被処理体を処理室内に配置して膜を堆積する工程とを有している。
前記膜は絶縁膜であることが好ましく、半導体素子は半導体レーザであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の半導体素子の製造方法によれば、半導体素子のバーを整列を２度行う必要がなく、効率化を図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１に半導体レーザの端面コート材料である絶縁膜の堆積方法を示す。レーザバー１０１は治具１０２上に設置されている。ここでは、レーザバー１０１は、紙面に垂直方向にバー状になっており、治具１０２側と治具１０２に対向する面がへき開面となり、レーザ素子の共振器端面となる。バーの側面には、電極が形成された電極形成面となっている。
【００１６】
絶縁膜の堆積には、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤを用いる。堆積はバー状に加工された半導体レーザを下方に向けた状態で行っている。即ちフェイスダウンで行っており、このことによって、パーティクルの試料面への付着や堆積を防止している。ＥＣＲプラズマＣＶＤの処理室内へは、反応ガスであるSiH4とプラズマガスである窒素が導入され、圧力は１ｍＴｏｒｒになっている。この装置を用いて、端面コート材料であるSiNxを堆積する。
【００１７】
半導体レーザのバー101は整列治具102に整列されている。裏面からはランプヒータ103などの熱源によって約２００℃に加熱されている。この温度はＥＣＲプラズマ104の輻射熱によって試料面が上昇する温度と、同程度か若しくはそれ以上の温度に設定される。温度範囲は、約５０℃から約４００℃程度である。この温度があまりに高いと、半導体レーザの電極に用いている金属の異常拡散が生じ、信頼性の低下等の不具合を招いてしまう。よって、温度は４００℃以下が好ましい。
【００１８】
本発明で用いているレーザバー（被処理体）は、図３に示すような構成から成る。即ち、レーザのバー３０１を、平坦な面を有する整列治具302の上に整列し、隙間が開かない状態でバネ押さえ303と固定ビス304で固定されている。図３ではバーのみが整列される形で書かれているが、レーザバーとレーザバーとの間にスペーサを挿入してもよい。この方が電極形成面を保護できるので、好ましい。
【００１９】
本実施例のように、裏面からの加熱が有る場合は図２（ａ）に示すように半導体レーザのバー101とバーとの間に隙間が生じることがない。しかし、裏面からの加熱が無い場合は図２（ｂ）に示すようにバーの間に隙間201が生じる。隙間201が生じると、端面コート材料である絶縁膜が半導体レーザの電極面に堆積してしまい、導通不良や組立時に金ワイヤーの密着不良等の不具合を生じる。
【００２０】
裏面加熱は、ランプヒータ等の輻射による加熱が望ましい。熱源との接触による加熱では、接触不良等によって治具内での温度分布が生じやすく、場合によっては治具が変形してバーとバーの間に隙間が生じたり、バーが落下したりする。例えばランプヒータは均一に加熱されるために有効である。
【００２１】
裏面からの加熱は、半導体レーザへの端面コート材料の堆積時に特に効果を発揮するものであり、このことによって、フェイスダウンでの堆積を容易にしている。
【００２２】
もちろん特開平４−１８７７６７号公報に示されているような片刃状ナイフエッジ支持体を有するような整列治具ではバーが落下することはない。しかし、隙間を完全に防止することに関しては十分とはいえない。さらに、以下に示すような整列工程の簡略化には適していない。
【００２３】
以下、本発明のレーザバーの反転方法を説明する。図４および図５はその手順を示している。
【００２４】
図４（ａ）は半導体レーザの片側のへき開面への絶縁膜の堆積が終了した後の状態である。その後、固定ビス304と押さえ303を除去後（図４（ｂ））、もうひとつの整列治具402を重ね合わせ（図４（ｃ））、ビス穴501を利用してビス等で一体化して全体を矢印の方向に上下反転させる（図５（ａ））。
【００２５】
その後、１回目の処理に用いた治具302を除去し（図５（ｂ））、バーとバーの間に隙間が開かない状態で押さえ303と固定ビス304でバー全体を固定する（図５（ｃ））。
【００２６】
この方法によって、バー１本１本の整列に約２０分要していたものが、約５分に短縮でき、生産の効率化が図れる。特開平５−９２８０７号公報に示されているような装置による整列も考えられるが、実際は本発明のような手段の方が効率よくバーの整列が行えることがわかった。細かいバーを整列した治具を反転させることは、バーがばらばらになる恐れがあるため通常は行わないのであるが、実際に図３に示すような治具で実施してみて効果があることが初めてわかった。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明の半導体素子の製造方法によれば、半導体発光素子のバーを整列を２度行う必要がなく、効率化を図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態に於ける絶縁膜の堆積方法を示す図
【図２】本発明の効果を説明するための図
【図３】本発明の実施の形態に於ける端面コート用治具示す図
【図４】本発明の実施の形態に於ける半導体レーザのバーの整列方法示す図
【図５】本発明の実施の形態に於ける半導体レーザのバーの整列方法示す図
【図６】従来の半導体レーザのバーの整列方法示す図
【符号の説明】
【００２９】
１０１  バー
１０２  整列治具
１０３  ランプヒータ
１０４  プラズマ
２０１  隙間
３０１  レーザのバー
３０２  整列治具
３０３  押さえ
３０４  固定ビス
４０１  ビス穴
４０２  第二の整列治具
５０１  ビス穴
６３０  光学薄膜被着治具
６３１  ベースプレート
６３２  ナイフエッジ状支持板
６３３  ナイフエッジ状支持板
６３４  バー状試料群
６３５  案内溝
６３６  スペーサ
６３７  スペーサ
６３８  加圧用ブロック
６３９  スプリング
６４０  ビス
６４１  調整ビス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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