(57)【要約】【課題】平面視で長方形にした絶縁基板１の上面に、少なくとも三つの抵抗膜２を絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピッチＰで形成する一方、前記絶縁基板における長手側面に、前記各抵抗膜に対する端子電極３，４を形成するとともに、この端子電極間の部分に凹み部５，６を設けて成る固定ネットワーク抵抗器において、前記長手側面のうち前記凹み部間の端子電極形成部７，８に欠け又は割れ等の欠損が発生するのを防止するものでありながら、半田付けに際して、前記凹み部を挟む両側の端子電極の間に半田ブリッジが発生することを低減する。【解決手段】前記各抵抗膜２における間隔ピッチをＰとしたとき、前記端子電極形成部７，８における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部５，６における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定する。【選択図】                          図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜を絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピッチで形成する一方、前記絶縁基板における左右両長手側面に、前記各抵抗膜の両端に対する端子電極を形成するとともに、この端子電極間の部分に凹み部を設けて成るものにおいて、
前記各抵抗膜における間隔ピッチをＰとしたとき、前記絶縁基板の左右両長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定することを特徴とする固定ネットワーク抵抗器。
【請求項２】
平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜を絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピッチで形成する一方、前記絶縁基板における左右両長手側面のうち少なくとも一方における長手側面に、前記各抵抗膜の一端に対する端子電極を形成するとともに、この端子電極間の部分に凹み部を設けて成るものにおいて、
前記各抵抗膜における間隔ピッチをＰとしたとき、前記絶縁基板における一方の長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定することを特徴とする固定ネットワーク抵抗器。
【請求項３】
前記請求項１又は２の記載において、前記各抵抗膜における間隔ピッチが、略０．５ｍｍであることを特徴とする固定ネットワーク抵抗器。
【請求項４】
前記請求項３の記載において、前記絶縁基板における長さ寸法Ｌが略２．０ｍｍで、幅寸法Ｗが略１．０ｍｍであることを特徴とする固定ネットワーク抵抗器。
【請求項５】
前記請求項３の記載において、前記絶縁基板における長さ寸法Ｌが略３．８ｍｍで、幅寸法Ｗが略１．６ｍｍであることを特徴とする固定ネットワーク抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、長方形にした一つの絶縁基板の上面に、少なくとも三つ以上の抵抗膜を並べて形成する一方、前記絶縁基板の長手側面に、前記各抵抗膜の各々に対する半田接続用の端子電極を形成して成る表面実装用固定ネットワーク抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の四連式の固定ネットワーク抵抗器は、図１〜図３に示すように、平面視で長方形にした絶縁基板１′の上面に四つの抵抗膜２′を、当該絶縁基板１′の長手方向に適宜ピッチＰの間隔で並べて形成する一方、前記絶縁基板１′における左右両長手側面１ａ′，１ｂ′に、前記各抵抗膜２′の各々の一端に対する端子電極３′，４′を形成して、プリント基板等に対して、この端子電極３′，４′の半田付けにて表面実装するという構成にしている。
【０００３】
これに加えて、従来は、前記絶縁基板１′における左右両長手側面１ａ′，１ｂ′のうち前記各端子電極３′，４′間の部分に凹み部５′，６′を設けることにより、前記左右両長手側面１ａ′，１ｂ′に対して各端子電極３′，４′を形成するときにおいて、この各端子電極３′，４′の相互間を、前記各凹み部５′，６′にて確実に分断するように構成している（例えば、特許文献１及び２を参照）。
【０００４】
なお、前記絶縁基板１′の上面には、ガラス等によるカバーコート９′が、前記各抵抗膜２′を覆うように形成されている。
【０００５】
【特許文献１】
特公平６−１８１２３号公報
【特許文献２】
特開平９−３０６７０９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した構成による従来の固定ネットワーク抵抗器においては、前記各抵抗膜２′における間隔ピッチをＰとした場合、前記両長手側面１ａ′，１ｂ′のうち前記各凹み部５′，６′の間で前記各端子電極３′，４′を形成する部分７′，８′（以下、端子電極形成部と称する）における幅寸法Ａ′を、Ａ′＝０．６×Ｐにする一方、前記各凹み部５′，６′における絶縁基板１′の長手方向に沿った幅寸法Ｂ′を、Ｂ′＝０．４×Ｐにしているから、以下に述べるような問題があった。
【０００７】
すなわち、各抵抗膜２′の両端に対する端子電極３′，４′は、絶縁基板１′における両長手側面１ａ′，１ｂ′のうちこれに設けた各凹み部の間における端子電極形成部７′，８′の全体について形成されているから、この端子電極形成部７′，８′における幅寸法Ａ′と、前記各凹み部５′，６′における幅寸法Ｂ′とを、前記した比率に構成した場合に、前記各凹み部５′，６′における幅寸法Ｂ′は小さいから、このチップ抵抗器を、プリント基板等に対して半田付けにて表面実装するときにおいて、前記各端子電極３′，４′のうち凹み部５′，６′を挟んで隣接する端子電極３′，４′の間に、半田が糸状に延びた状態で繋がるというように半田ブリッジが発生するおそれが大きい。
【０００８】
特に、前記固定ネットワーク抵抗器が、日本電子機械工業会規格の「ＥＩＡＪＲＣ−２１２９」に制定されている「表面実装用固定ネットワーク抵抗器（独立端子）」のうち長さ寸法Ｌ′が２．０ｍｍで、幅寸法Ｗ′が１．０ｍｍの形式「１００５×４の凸型」に合致する固定ネットワーク抵抗器である場合には、各抵抗膜２′の間隔ピッチＰを０．５ｍｍにすることにより、前記各凹み部５′，６′における幅寸法Ｂ′は、Ｂ′＝０．４×Ｐ′＝０．４×０．５＝０．２ｍｍになるというように、可成り小さくなることから、前記半田ブリッジは頻繁に発生するのであった。
【０００９】
本発明は、この問題を解消することを技術的課題とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この技術的課題を達成するため本発明の請求項１は、
「平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜を絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピッチで形成する一方、前記絶縁基板における左右両長手側面に、前記各抵抗膜の両端に対する端子電極を形成するとともに、この端子電極間の部分に凹み部を設けて成るものにおいて、
前記各抵抗膜における間隔ピッチをＰとしたとき、前記絶縁基板の左右両長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定する。」
ことを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の請求項２は、
「平面視で長方形にした絶縁基板の上面に、少なくとも三つの抵抗膜を絶縁基板の長手方向に適宜間隔ピッチで形成する一方、前記絶縁基板における左右両長手側面のうち少なくとも一方における長手側面に、前記各抵抗膜の一端に対する端子電極を形成するとともに、この端子電極間の部分に凹み部を設けて成るものにおいて、
前記各抵抗膜における間隔ピッチをＰとしたとき、前記絶縁基板における一方の長手側面のうち前記各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定する。」
ことを特徴としている。
【００１２】
更にまた、本発明の請求項３は、
「前記請求項１又は２の記載において、前記各抵抗膜における間隔ピッチが、略０．５ｍｍである。」
ことを特徴としている。
【００１３】
【発明の作用・効果】
半田付けに際して、各端子電極のうち凹み部を挟んで相隣接する端子電極の相互間に半田ブリッジ発生することを無くするには、この各端子電極間の凹み部における幅寸法Ｂを、絶縁基板における端子電極形成部における幅寸法Ａよりも大きくすれば良い。
【００１４】
しかし、各抵抗膜における間隔ピッチを大きくしない状態のもとで、凹み部における幅寸法Ｂを、端子電極形成部における幅寸法Ａよりも大きくすれば、前記端子電極形成部における幅寸法Ａが狭くなり、この端子電極形成部の強度が低下し、この部分に、欠け又は割れ等の欠損が発生することになる。
【００１５】
そこで、本発明者は、前記各抵抗膜における間隔ピッチを一定に保った状態で、前記端子電極形成部における幅寸法Ａと、前記凹み部における幅寸法Ｂとの関係について実験したところ、前者の各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、後者の各凹み部における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定するのが好ましいことが判った。
【００１６】
すなわち、各凹み部間の端子電極形成部における幅寸法Ａと、各凹み部における幅寸法Ｂとを、前記したような寸法関係に構成することにより、前記各抵抗膜における間隔ピッチを大きく、ひいては、絶縁基板を大型にすることのない状態のもとで、前記端子電極形成部に欠け又は割れ等の欠損が発生するのを確実に防止することができるものでありながら、半田付けに際して、前記凹み溝を挟む両側の端子電極の間に、半田ブリッジが発生することを大幅に低減できるという効果を奏する。
【００１７】
この場合において、請求項１は、絶縁基板における左右の両長手側面の各々に、各抵抗膜の両端に対する端子電極と凹み部を設けて成る固定ネットワーク抵抗器の場合であり、また、請求項２は、絶縁基板における左右両長手側面のうち一方の長手側面に、各抵抗膜の一端に対する端子電極と凹み部を設けて成る固定ネットワーク抵抗器の場合である。
【００１８】
更にまた、請求項３は、日本電子機械工業会規格の「ＥＩＡＪ  ＲＣ−２１２９」に制定されている「表面実装用固定ネットワーク抵抗器（独立端子）」のうち長さ寸法Ｌが２．０ｍｍで、幅寸法Ｗが１．０ｍｍの形式「１００５×４の凸型」に合致する固定ネットワーク抵抗器のように、前記各抵抗膜における間隔ピッチＰを略０．５ｍｍ以下にした固定ネットワーク抵抗器に適用した場合である。
【００１９】
すなわち、この形式「１００５×４の凸型」の固定ネットワーク抵抗器のように、前記各抵抗膜における間隔ピッチＰを、略０．５ｍｍ以下にした場合、絶縁基板の長手側面に設けた凹み部における幅寸法Ｂは、０．２ｍｍ以下になるというように狭くなるから、半田ブリッジが頻繁に発生するのであった。
【００２０】
これに対して、前記したように構成した場合、前記凹み部における幅寸法Ｂは、従来の０．２ｍｍから最小で０．２２ｍｍに最大で０．２４ｍｍに増大するから、半田付けに際して、この凹み部を挟む両側の端子電極の間に半田ブリッジが発生することを、所定の規格寸法に保持した状態のもとで、且つ、前記凹み部間の端子電極形成部に欠け又は割れ等の欠損が発生するのを確実に防止することができる状態のもとで、確実に低減できるという効果を奏する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００２２】
図４〜図７は、第１の実施の形態を示し、この第１の実施の形態は、前記日本電子機械工業会規格の「ＥＩＡＪ  ＲＣ−２１２９」に制定されている「表面実装用固定ネットワーク抵抗器（独立端子）」のうち形式「１００５×４の凸型」に合致する四連式の固定ネットワーク抵抗器に適用した場合である。
【００２３】
この図において、符号１は、平面視で、長さ寸法Ｌを２．０ｍｍ、幅寸法Ｗを１．０ｍｍの長方形にしたセラミック製の絶縁基板を示し、この絶縁基板１の上面には、四つの抵抗膜２が、絶縁基板１の長手方向にＰ＝０．５ｍｍの間隔ピッチで形成されている。
【００２４】
前記絶縁基板１における左右両側の長手側面１ａ，１ｂのうち一方の長手側面１ａには、前記各抵抗膜２の一端に電気的に接続する端子電極３が前記各抵抗膜２箇所ごとに形成されている一方、前記両長手側面１ａ，１ｂのうち他方の長手側面１ｂには、前記各抵抗膜２の他端に電気的に接続する端子電極４が前記各抵抗膜２の箇所ごとに形成されている。
【００２５】
また、前記絶縁基板１における左右両長手側面１ａ，１ｂのうち前記各端子電極３，４間の部分には、凹み部５，６が設けられている。
【００２６】
なお、前記各端子電極３，４は、絶縁基板１における下面にも延びており、また、前記絶縁基板１の上面には、ガラス等によるカバーコート９が、前記各抵抗膜２を覆うように形成されている。
【００２７】
そして、前記絶縁基板１における左右両長手側面１ａ，１ｂのうち前記各凹み部５，６間において端子電極３，４を形成する部分７，８、つまり、各端子電極形成部７，８における幅寸法Ａを、Ａ＝０．５４×Ｐ＝０．２７ｍｍに構成する一方、前記各凹み部５，６における幅寸法Ｂを、Ｂ＝０．４６×Ｐ＝０．２３ｍｍに構成する。
【００２８】
本発明者の実験によると、前記した構成にすることにより、前記各端子電極形成部７，８に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを、従来の構成の場合によりも大幅に低減できる一方、プリント基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記各端子電極３，４のうち凹み部５，６を挟んで隣接する端子電極３，４の間に、半田ブリッジが発生することを、従来の構成の場合によりも大幅に低減できるのであった。
【００２９】
また、本発明者の実験によると、前記各端子電極形成部７，８における幅寸法Ａは、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部５，６における幅寸法Ｂは、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定することが好ましかった。
【００３０】
すなわち、前記各端子電極形成部７，８における幅寸法Ａが０．５６×Ｐ＝０．２８ｍｍを越え、前記凹み部５，６における幅寸法Ｂが０．４４×Ｐ＝０．２２ｍｍ未満である場合には、前記凹み部５，６を挟んで隣接する端子電極３，４の間に半田ブリッジが発生する頻度が高くなるのであり、また、前記各端子電極形成部７，８における幅寸法Ａが０．５２×Ｐ＝０．２６ｍｍ未満で、前記凹み部５，６における幅寸法Ｂが０．４８×Ｐ＝０．２４ｍｍを越える場合には、前記各端子電極形成部７，８に欠け又は割れ等の欠損が発生する頻度が高くなるのであった。
【００３１】
次に、図８及び図９は、第２の実施の形態を示す。
【００３２】
この第２の実施の形態は、平面視で長方形にした一つの絶縁基板１１に、三つの抵抗膜１２を適宜間隔ピッチＰで形成する一方、前記絶縁基板１１における左右両長手側面１１ａ，１１ｂに、前記各抵抗膜１２の両端に対する端子電極１３，１４を形成するとともに、この各端子電極１３，１４の間に凹み部１５，１６を設け、更に、前記絶縁基板１１の上面に、カバーコート１９を形成して成る三連式の固定ネットワーク抵抗器にした場合である。
【００３３】
この場合においても、前記各凹み部１５，１６間の端子電極形成部１７，１８における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部１５，１６における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定することにより、前記と同様に、前記各端子電極形成部１７，１８に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを確実に低減できる一方、プリント基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記凹み部１５，１６を挟んで隣接する端子電極１３，１４の間に、半田ブリッジが発生することを確実に低減できる。
【００３４】
そして、図１０は、第３の実施の形態を示す。
【００３５】
この第３の実施の形態は、日本電子機械工業会規格における形式「１００５×４の凸型」に合致するように構成した固定ネットワーク抵抗器において、絶縁基板２１における左右両長手側面２１ａ，２１ｂのうち一方の長手側面２１ａに、絶縁基板２１の上面に適宜間隔ピッチＰで形成した四つの抵抗膜２２の一端の各々に対する個別の端子電極２３を形成するとともに、この各個別端子電極２３の間に凹み部２５を設ける一方、前記絶縁基板２１における左右両長手側面のうち他方の長手側面２１ｂに、前記四つの抵抗膜２２の他端に対して導体パターン３０を介して電気的に接続した少なくとも一つの共通端子電極２４を各々形成し、更に、前記絶縁基板２１の上面に、カバーコート２９を形成して成るものである。
【００３６】
この場合においても、前記第１の実施の形態と同様に、前記絶縁基板２１の一方の長手側面における各凹み部２５間の端子電極形成部２７における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部２５における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定することにより、前記と同様に、前記各端子電極形成部２７に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを確実に低減できる一方、プリント基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記凹み部２５を挟んで隣接する端子電極２３の間に、半田ブリッジが発生することを確実に低減できる。
【００３７】
なお、この第３の実施の形態において、絶縁基板２１における他方の長手側面２１ｂには、ダミーの端子電極２４′と、これに対する凹み部２６とが、一方の長手側面における個別の端子電極２３及び凹み部２６と同じ形態にして設けられている。
【００３８】
また、本発明は、前記各実施の形態のように、一つの絶縁基板に抵抗膜を三つ又は四つ設けた三連又は四連式の固定ネットワーク抵抗器に限らず、五つ以上の抵抗膜を設けた多連式の固定ネットワーク抵抗器にも適用できることはいうまでもない。
【００３９】
図１１は、本発明における第４の実施の形態を示す。
【００４０】
この第４の実施の形態は、長さ寸法Ｌを３．８ｍｍに幅寸法Ｗを１．６ｍｍにした絶縁基板３１の上面に、複数個の抵抗膜３２を、０．５ｍｍの間隔ピッチＰで設けて成る多連式の固定ネットワーク抵抗器の場合である。
【００４１】
この場合においても、前記と同様に、前記絶縁基板３１の長手側面に設けた各凹み部３５間の端子電極形成部３７における幅寸法Ａを、Ａ＝（０．５２〜０．５６）×Ｐに設定する一方、前記各凹み部３５における幅寸法Ｂを、Ｂ＝（０．４８〜０．４４）×Ｐに設定することにより、前記と同様に、前記各端子電極形成部３７に、欠け又は割れ等の欠損が発生することを確実に低減できる一方、プリント基板等に対して半田付けにて実装するときにおいて、前記凹み部３５を挟んで隣接する端子電極の間に、半田ブリッジが発生することを確実に低減できるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の固定ネットワーク抵抗器を示す斜視図である。
【図２】前記従来の固定ネットワーク抵抗器の平面図である。
【図３】前記従来の固定ネットワーク抵抗器における絶縁基板を示す斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の固定ネットワーク抵抗器を示す斜視図である。
【図５】前記第１の実施の形態による固定ネットワーク抵抗器の平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ視拡大断面図である。
【図７】前記第１の実施の形態の固定ネットワーク抵抗器における絶縁基板を示す斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の固定ネットワーク抵抗器を示す斜視図である。
【図９】前記前記第２の実施の形態の固定ネットワーク抵抗器における絶縁基板を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の固定ネットワーク抵抗器を示す斜視図である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態の固定ネットワーク抵抗器を示す斜視図である。
【符号の説明】
１，１１，２１，３１          絶縁基板
２，１２，２２，３２          抵抗膜
３，１３，２３                端子電極
４，１４，２４                端子電極
５，１５，２５，３５          凹み部
６，１６，２６                凹み部
７，１７，２７，３７          端子電極形成部
８，１８                      端子電極形成部
９，１９，２９                カバーコート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004153074.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004153074.tif 000011
【図１０】
2004153074.tif 000012
【図１１】
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