(57)【要約】【課題】耐久性が高く高画質で安価である放射線画像検出器を提供する。【解決手段】入射した放射線の強度に応じた信号を画素単位で出力する検出素子層と、検出素子層を保持する第４層を備える放射線画像検出器において、第４層は、酸素や水分に対する遮蔽率の高い部材を用いて形成して、第４層の酸素透過率を０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下とする。また、水分透過率を０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下とする。第４層における酸素や水分の透過が少なくなる。このため、有機物を用いて検出素子層等を形成しても、酸素や水分による劣化が少なくなり耐久性を高めることができる。【選択図】        図４
2004179266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、
前記第１層から出力された光を電気エネルギーに変換する有機化合物で形成した第２層と、
前記第２層で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を画素単位で行う第３層と、
前記第１層から第３層を保持する第４層を備える放射線画像検出器において、
前記第４層は、酸素や水分に対する遮蔽率の高い部材を用いて形成した
ことを特徴とする放射線画像検出器。
【請求項２】
前記第４層は、酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である樹脂基板を用いて形成する
ことを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項３】
前記第４層は、水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である樹脂基板を用いて形成する
ことを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項４】
前記第４層は、前記樹脂基板と遮蔽膜とを張り合わせた部材を用いるものとする
ことを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項５】
前記遮蔽膜の酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である
ことを特徴とする請求項４記載の放射線画像検出器。
【請求項６】
前記遮蔽膜の水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である
ことを特徴とする請求項４記載の放射線画像検出器。
【請求項７】
前記樹脂基板と遮蔽膜を張り合わせた部材の酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である
ことを特徴とする請求項４記載の放射線画像検出器。
【請求項８】
前記樹脂基板と遮蔽膜を張り合わせた部材の水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である
ことを特徴とする請求項４記載の放射線画像検出器。
【請求項９】
前記第４層は、樹脂基板と該樹脂基板よりも硬くて薄い非樹脂基板とを張り合わせた部材を用いるものとする
ことを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項１０】
前記非樹脂基板の酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である
ことを特徴とする請求項９記載の放射線画像検出器。
【請求項１１】
前記非樹脂基板の水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である
ことを特徴とする請求項９記載の放射線画像検出器。
【請求項１２】
前記樹脂基板と非樹脂基板を張り合わせた部材の酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である
ことを特徴とする請求項９記載の放射線画像検出器。
【請求項１３】
前記樹脂基板と非樹脂基板を張り合わせた部材の水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である
ことを特徴とする請求項９記載の放射線画像検出器。
【請求項１４】
前記第４層は、樹脂基板と遮蔽膜と該樹脂基板よりも硬くて薄い非樹脂基板とを張り合わせた部材を用いるものとする
ことを特徴とする請求項１記載の放射線画像検出器。
【請求項１５】
前記遮蔽膜の酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である
ことを特徴とする請求項１４記載の放射線画像検出器。
【請求項１６】
前記遮蔽膜の水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である
ことを特徴とする請求項１４記載の放射線画像検出器。
【請求項１７】
前記樹脂基板と遮蔽膜と非樹脂基板とを張り合わせた部材の酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である
ことを特徴とする請求項１４記載の放射線画像検出器。
【請求項１８】
前記樹脂基板と遮蔽膜と非樹脂基板とを張り合わせた部材の水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である
ことを特徴とする請求項１４記載の放射線画像検出器。
【請求項１９】
前記第１層は、ＣｓＩ：Ｔｌ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｇｄ，Ｍ１，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｍ２，Ｔｂ）２Ｏ３のいずれかを用いて形成する（なお、「Ｍ１」はＹ、Ｎｂ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素、「Ｍ２」はＹ、Ｎｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの少なくとも一つ以上の希土類元素）
ことを特徴とする請求項１から請求項１８のいずれかに記載の放射線画像検出器。
【請求項２０】
前記第３層は有機半導体で形成した
ことを特徴とする請求項１から請求項１９のいずれかに記載の放射線画像検出器。
【請求項２１】
前記第３層は分割されたシリコン積層構造素子を用いて形成した
ことを特徴とする請求項１から請求項１９のいずれかに記載の放射線画像検出器。
【請求項２２】
前記放射線画像検出器は、携行可能な筐体に収納されている
ことを特徴とする請求項１から請求項２１のいずれかに記載の放射線画像検出器。
【請求項２３】
前記放射線画像検出器を駆動させるために必要な電力を供給する電力供給手段を有する
ことを特徴とする請求項２２に記載の放射線画像検出器。
【請求項２４】
前記画像信号を記憶する記憶手段を設けた
ことを特徴とする請求項２２のいずれかに記載の放射線画像検出器。
【請求項２５】
前記記憶手段は脱着可能である
ことを特徴とする請求項２４に記載の放射線画像検出器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、医療における放射線画像診断の産業分野に関する。特に診断目的に用いる放射線画像を得るための高画質で耐久性の良い放射線画像検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ディジタル技術の進展に伴い、放射線画像検出器の分野においてもアナログ技術からディジタル技術への移行が急速に行われている。この放射線画像検出器では、例えばコンピュテッドラジオグラフィ（ＣＲ）がディジタルの放射線画像検出器として一般に用いられている。
【０００３】
このコンピュテッドラジオグラフィは、蛍光体が塗布されたイメージングプレートという媒体に、一旦放射線画像情報を記録し、その後イメージングプレートにレーザ光を当てて記録されている情報を読み取って放射線画像の画像信号を得るものである。このようなイメージングプレートでは、湿気が進入して蛍光体層に悪影響を与えることがないように耐湿用保護膜を形成することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１４８３４３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、コンピュテッドラジオグラフィは、蛍光増感紙と放射線写真フィルムとを組み合わせた所謂スクリーンフィルムシステム（ＳＦシステム）ほどの画質は得られていない。また、レーザ光を当てて記録されている情報を読み取る必要があるので速やかに放射線画像を見ることはできない。
【０００６】
また、コンピュテッドラジオグラフィのようにレーザ光を当てて記録されている情報を読み取らなくとも、高画質の放射線画像を得ることができるフラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）が実用化されている。このフラットパネルディテクタでは、入射された放射線の強度に応じて生じた発光を電気エネルギーに変換する光電変換層が有機物で構成される。また、光電変換層で生成された電気エネルギーを電気信号に変換して出力するためのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等も、無機物であるアモルファスシリコンに替えて有機物を用いることで、無機物を用いる場合に比べて低温でフラットパネルディテクタ形成できる。このため、基板を厚いガラス板から樹脂基板に変更することが可能となり、軽量で強度の強いフラットパネルディテクタを実現することができる。
【０００７】
しかしながら、樹脂基板は、酸素や水分の遮蔽能力が高くない。このため、樹脂基板を透過した酸素や水分によって、有機物で形成した光電変換層やＴＦＴ等の劣化を招き、十分な耐久性を得ることが難しくなってしまう。
そこで、この発明では、耐久性が良好であるとともに、高画質で安価な放射線画像検出器を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る放射線画像検出器は、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、前記第１層から出力された光を電気エネルギーに変換する有機化合物で形成した第２層と、前記第２層で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を画素単位で行う第３層と、前記第１層から第３層を保持する第４層を備える放射線画像検出器において、前記第４層は、酸素や水分に対する遮蔽率の高い部材を用いて形成したものである。
【０００９】
この発明においては、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、第１層から出力された光を電気エネルギーに変換する有機化合物で形成した第２層と、第２層で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を画素単位で行う第３層と、第１層から第３層を保持する保持する第４層を用いて放射線画像検出器を構成する際に、第４層は酸素や水分に対する遮蔽率の高い部材を用いて形成される。例えば酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下である樹脂基板や、水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である樹脂基板を用いて形成される。また、第４層が遮蔽膜と検出素子層が形成される樹脂基板とを張り合わせた部材が用いられて、酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下、水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下とされる。また、第４層が樹脂基板と樹脂基板よりも硬くて薄く検出素子層が形成される非樹脂基板とを張り合わせた部材や、第４層が樹脂基板と樹脂基板よりも硬くて薄く検出素子層が形成される非樹脂基板と遮蔽膜が用いられて、酸素透過率が０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下、水分透過率が０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下とされる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、この発明の実施の一形態について図を用いて詳細に説明する。図１は、放射線画像検出器を用いたシステムの一例を示している。図１において、放射線発生器１０から放射された放射線は、被写体（医療施設では例えば患者）１５を通して放射線画像検出器２０に照射される。放射線画像検出器２０では、照射された放射線の強度に基づいて画像信号ＤＦＥを生成する。この生成された画像信号ＤＦＥは、放射線画像検出器２０に接続されている画像処理部５１によって読み出される。あるいは放射線画像検出器２０に装着された例えば半導体メモリカード等の携帯可能な記録媒体に蓄積されたのち、この記録媒体が放射線画像検出器２０から取り外されて画像処理部５１に装着されることにより、画像処理部５１に供給される。
【００１１】
画像処理部５１では、放射線画像検出器２０で生成された画像信号ＤＦＥに対してシェーディング補正やゲイン補正、階調補正、エッジ強調処理、ダイナミックレンジ圧縮処理などを施して、診断等に適した画像信号となるように処理を行う。また画像処理部５１には、陰極管や液晶表示素子あるいはプロジェクタ等を用いて構成された画像表示部５２が接続されており、この画像処理部５１では、画像処理中の画像信号や画像処理完了後の画像信号に基づく画像が表示される。
【００１２】
また、画像処理部５１では、画像の拡大や縮小を行うとともに画像信号の蓄積や転送を容易とするために画像信号の圧縮や伸長処理も行う。このため、画像表示部５２に表示されている画像を拡大したり縮小することで、撮影部位の確認や処理状態を容易に行うことができる。また、表示された画像や表示された画像の領域を指定させて、指定された画像や指定された領域に対して適切な画像処理を自動的に行うことも可能となる。
【００１３】
また、画像処理部５１には、キーボード、マウス、ポインターなどを用いて構成された情報入力部５３が接続されており、この情報入力部５３によって患者情報などを入力し、付加情報を画像信号に付け加えることができる。また画像処理の指定や画像信号の保存や読み出し、ネットワークを介した画像信号の送受信を行う際の指示等も情報入力部５３から行われる。
【００１４】
画像処理部５１には、さらに画像出力部５４や画像保存部５５及びコンピュータ支援画像自動診断部（ＣＡＤ）５６が接続されている。
【００１５】
画像出力部５４では、記録紙やフイルム等に放射線画像を表示させて出力する。例えば、銀塩写真フィルムを用いるものとして、画像信号に基づき露光を行う。この露光された銀塩写真フィルムの現像処理を行うことで放射線画像を銀画像として描き出して出力する。また、記録紙に放射線画像を印刷して出力する場合には、画像信号に基づいてインクに圧力をかけて細いノズルの先端からインクを記録紙にふきつけて印刷するインクジェットプリンタ、画像信号に基づいてインクを溶融あるいは昇華させて記録紙に画像を転写するサーマルプリンタ、画像信号に基づきレーザ光で感光体上を走査して、感光体上に付着したトナーを紙に転写してから熱と圧力で定着させることにより記録紙に画像を形成するレーザプリンタ等を用いて画像出力部５４を構成する。
【００１６】
画像保存部５５では、放射線画像の画像信号を必要に応じて適宜読み出すことができるように保存する。この画像保存部５５は、例えば磁気的、ホログラム素子、穿孔、色素分布変化等を利用して画像信号を保存する。
【００１７】
ＣＡＤ５６は、撮影された放射線画像のコンピュータ処理やコンピュータ解析を行い、診断に必要な情報を医師に提供することで病変の見落としがないように診断支援を行う。またコンピュータ処理やコンピュータ解析結果に基づいて、診断を自動的に行う。
【００１８】
放射線画像の画像信号は、上述の画像出力部５４や画像保存部５５及びＣＡＤ５６だけでなく、いわゆるＬＡＮやインターネット及びＰＡＣＳ（医療画像ネットワーク）等のネットワーク６０を介して、病院施設内のほかの部署あるいは遠隔地にも送付することができる。また、このネットワークを介して、ＣＴ６１やＭＲＩ６２から得られた画像信号あるいはＣＲや他のＦＰＤ６３から得られた画像信号、及びその他の検査情報等も送付可能とされており、放射線画像検出器２０で得られた放射線画像と比較検討するため、ネットワーク６０を介して送付されてきた画像信号や検査情報等を画像表示部５２で表示したり画像出力部５４から出力させることも行われる。また、送付されてきた画像信号や検査情報等を画像保存部５５に保存させることもできる。また、放射線画像検出器２０で得られた放射線画像の画像信号等を外部画像保存装置６４に保存させるものとしたり、外部画像表示装置６５の画面上に、放射線画像検出器２０で得られた放射線画像を表示することも行われる。
【００１９】
次に、放射線画像検出器２０の構造の一例を図２に示す。放射線画像検出器２０には、撮像パネル２１、放射線画像検出器２０の動作を制御する制御回路３０、書き換え可能な読み出し専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル２１から出力された画像信号を記憶するメモリ部３１、放射線画像検出器２０の動作を切り換えるための操作部３２、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部３１に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部３３、撮像パネル２１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電源部３４、放射線画像検出器２０と画像処理部５１間で通信を行うための通信用のコネクタ３５が設けられており、これらは携行可能な筐体４０内に収納されている。また、撮像パネル２１は、照射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出す走査駆動回路２５や、蓄積された電気エネルギーを画像信号として出力する信号選択回路２７を有している。なお、筐体４０の内部や走査駆動回路２５、信号選択回路２７、制御回路３０、メモリ部３１等は、図示しない放射線遮蔽部材で覆われており、筐体４０の内部で放射線の散乱を生じたり、各回路に放射線が照射されることが防止される。
【００２０】
また筐体４０としては、外部からの衝撃に耐えることができるとともに、容易に持ち運びができるよう重量ができるだけ軽い素材、すなわちアルミニウムあるいはその合金を素材で外形を構成することは好ましい態様である。筐体４０の放射線入射面側は、放射線を透過し易い非金属例えばカーボン繊維などを用いて構成する。また、放射線入射面とは逆である背面側においては、放射線が放射線画像検出器２０を透過してしまうことを防ぐ目的、あるいは放射線画像検出器２０を構成する素材が放射線を吸収することで生ずる２次放射線からの影響を防ぐために、放射線を効果的に吸収する材料、例えば鉛板などを用いることは好ましい実施態様である。
【００２１】
図３は撮像パネル２１の構成を示しており、撮像パネル２１には照射された放射線の強度に応じて蓄積された電気エネルギーを読み出すための収集電極２２０が２次元配置されており、この収集電極２２０がコンデンサ２２１の一方の電極とされて、電気エネルギーがコンデンサ２２１に蓄えられる。ここで、１つの収集電極２２０は放射線画像の１画素に対応するものである。
【００２２】
画素間には走査線２２３−１〜２２３−ｍと信号線２２４−１〜２２４−ｎが例えば直交するように配設される。コンデンサ２２１−（１，１）には、シリコン積層構造あるいは有機半導体で構成されたトランジスタ２２２−（１，１）が接続されている。このトランジスタ２２２−（１，１）は、例えば電界効果トランジスタであり、ドレイン電極あるいはソース電極が収集電極２２０−（１，１）に接続されるとともに、ゲート電極は走査線２２３−１と接続される。ドレイン電極が収集電極２２０−（１，１）に接続されるときにはソース電極が信号線２２４−１と接続され、ソース電極が収集電極２２０−（１，１）に接続されるときにはドレイン電極が信号線２２４−１と接続される。また、他の画素の収集電極２２０やコンデンサ２２１及びトランジスタ２２２も同様に走査線２２３や信号線２２４が接続される。
【００２３】
図４は、撮像パネル２１の一部断面図を示しており、撮像パネル２１は、入射された放射線の強度に応じて発光を行う第１層２１１、第１層から出力された電磁波（光）を電気エネルギーに変換する第２層２１２、第２層２１２で得られた電気エネルギーの蓄積および蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を行う第３層２１３を積層して、入射した放射線の強度に応じた信号を画素単位で出力する検出素子層２１０を構成し、この検出素子層２１０は、第４層２１４上に形成する。
【００２４】
第１層２１１には、例えば波長が１Å（１×１０−１０ｍ）程度であって、人体や船舶そして航空機の部材等を透過する電磁波である所謂Ｘ線が照射される。このＸ線は、放射線発生器１０から出力されるものであり、放射線発生器１０は、一般に固定陽極あるいは回転陽極Ｘ線管が用いられる。
【００２５】
第１層２１１は、蛍光体を主たる成分とするものであり、入射した放射線に基づいて、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を出力する。なお、第１層２１１は、一般的にシンチレータ層と呼ばれている。
【００２６】
この第１層２１１で用いられる蛍光体は、ＣａＷＯ４、ＣａＷＯ４：Ｐｂ、ＭｇＷＯなどのタングステン酸塩系蛍光体、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｙ，Ｇｄ）２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ，Ｔｍなどのテルビウム賦活希土類酸硫化物系蛍光体、ＹＰＯ４：Ｔｂ、ＧｄＰＯ４：Ｔｂ、ＬａＰＯ４：Ｔｂなどのテルビウム賦活希土類燐酸塩系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ、ＬａＯＣｌ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ、ＧｄＯＢｒ：Ｔｂ，Ｔｍ、ＧｄＯＣｌ：Ｔｂ、ＧｄＯＣｌ：Ｔｂ，Ｔｍなどのテルビウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｔｍ、ＬａＯＣｌ：Ｔｍなどのツリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＬａＯＢｒ：Ｇｄ、ＬｕＯＣｌ：Ｇｄなどのガドリニウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＧｄＯＢｒ：Ｃｅ、ＧｄＯＣｌ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＢｒ：Ｃｅ、（Ｇｄ，Ｙ）ＯＣｌ：Ｃｅなどのセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、ＢａＳＯ４：Ｐｂ、ＢａＳＯ４：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｓｒ）ＳＯ４：Ｅｕ２＋などの硫酸バリウム系蛍光体、Ｂａ３（ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋、（Ｂａ２ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３（ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ２ＰＯ４）２：Ｅｕ２＋などの２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属燐酸塩系蛍光体、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋、ＢａＦＢｒ：Ｅｕ２＋、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋，Ｔｂ、ＢａＦＣｌ：Ｅｕ２＋，Ｔｂ、ＢａＦ２・ＢａＣｌ２・ＫＣｌ：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｍｇ）Ｆ２・ＢａＣｌ２・ＫＣｌ：Ｅｕ２＋などの２価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＮａＩ、ＫＩ：Ｔｌなどの沃化物系蛍光体、ＺｎＳ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｇなどの硫化物系蛍光体、ＨｆＰ２Ｏ７、ＨｆＰ２Ｏ７：Ｃｕ、Ｈｆ３（ＰＯ４）４などの燐酸ハフニウム系蛍光体、ＹＴａＯ４、ＹＴａＯ４：Ｔｍ、ＹＴａＯ４：Ｎｂ、（Ｙ，Ｓｒ）ＴａＯ４：Ｎｂ、ＬｕＴａＯ４、ＬｕＴａＯ４：Ｔｍ、ＬｕＴａＯ４：Ｎｂ、（Ｌｕ，Ｓｒ）ＴａＯ４：Ｎｂ、ＧｄＴａＯ４：Ｔｍ、Ｍｇ４Ｔａ２Ｏ９：Ｎｂ、Ｇｄ２Ｏ３・Ｔａ２Ｏ５・Ｂ２Ｏ３：Ｔｂなどのタンタル酸塩系蛍光体、他に、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、（Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕ）２Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕ、ＺｎＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ、などを用いることができる。
【００２７】
さらに、（Ｇｄ，Ｍ１，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｍ２，Ｔｂ）２Ｏ３を用いることができる。ここで「Ｍ１」は、イットリウムＹ、ニオブＮｂ、テルビウムＴｂ、ジスプロシウムＤｙ、ホルミウムＨｏ、エルビウムＥｒ、ツリウムＴｍ、イッテルビウムＹｂの少なくとも一つ以上の希土類元素である。また、「Ｍ２」は、イットリウムＹ、ニオブＮｂ、ジスプロシウムＤｙ、ホルミウムＨｏ、エルビウムＥｒ、ツリウムＴｍ、イッテルビウムＹｂの少なくとも一つ以上の希土類元素である。この場合、Ｇｄの含有量は７０〜９８％、蛍光体粒子の結晶子サイズは１０〜１００ｎｍ、蛍光体粒子の粒子サイズは０．１〜５μｍが好ましい。
【００２８】
上述の蛍光体では、特に放射線吸収及び発光効率が高い（発光量が多い）セシウムアイオダイドＣｓＩ：Ｔｌ、ガドリニウムオキシサルファイドＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、あるいは（Ｇｄ，Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３、（Ｇｄ，Ｙ，Ｔｂ）２Ｏ３が好ましく、これらを用いることで、ノイズの低い高画質の画像を得ることができる。
【００２９】
また、セシウムアイオダイドＣｓＩ：Ｔｌについては、柱状結晶構造のシンチレータ層を形成することが可能である。この場合、柱状結晶では光ガイド効果、すなわち結晶内での発光が柱状結晶の側面より外に放射されてしまうことを少なくできる効果を得られるので、鮮鋭性の低下を抑制することが可能であり、蛍光体層膜厚を厚くすることにより放射線吸収が増加し粒状性を向上できる。
【００３０】
なお、本発明に用いられる蛍光体はこれらに限定されるものではなく、放射線の照射によって可視又は紫外または赤外領域などの、受光素子が感度を持つ領域の電磁波を出力する蛍光体であれば良い。また、本発明で用いられる蛍光体粒子の直径は７μｍ以下、好ましくは４μｍ以下である。蛍光体粒子の直径が小さいほどシンチレータ層内での光の散乱を防ぐことが可能となり、高い鮮鋭度を得られるからである。そして、この蛍光体粒子は以下のようなバインダーに分散される。例えば、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体、スチレン−ブタジエン共重合体、各種合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラニン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等があげられる。中でもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロースを使用することが好ましい。このような好ましいバインダーを用いることで、蛍光体の分散性を高め、蛍光体の充填率を高くすることが可能となり、粒状性の向上に寄与するからである。
【００３１】
上記バインダー中に分散される蛍光体の重量含有量は９０〜９９％である。また本発明で用いられる第１層の厚さは、放射線画像の粒状性と鮮鋭性とのバランスから決定されるものであり、第１層が厚いと粒状性は良くなるが鮮鋭性は悪くなり、第１層が薄いと鮮鋭性は良くなるが粒状性は悪くなることから、例えば２０μｍから１ｍｍとする。また、良好な粒状性と鮮鋭性を得るために好ましくは５０μｍから３００μｍとする。
【００３２】
第２層２１２は、第１層２１１の放射線照射面側とは逆の面側に形成される。この第２層２１２は、第１層２１１側から、隔膜２１２ａ、透明電極膜２１２ｂ、正孔伝導層２１２ｃ、電荷発生層２１２ｄ、電子伝導層２１２ｅ、導電層２１２ｆが設けられている。ここで、電荷発生層２１２ｄは、光電変換可能な即ち電磁波（光）によって電子や正孔を発生し得る有機化合物を含有するものであり、光電変換を円滑に行うために、いくつかの機能分離された層を有することが好ましく、例えば図４に示すように第２層が構成される。
【００３３】
隔膜２１２ａは、第１層２１１と他の層を分離するためのものであり、例えばＯｘｉ−ｎｉｔｒｉｄｅなどが用いられる。透明電極膜２１２ｂは、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯなどの導電性透明材料を用いて形成される。この透明電極膜２１２ｂの形成では、蒸着やスパッタリング等の方法を用いて薄膜を形成できる。また、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいは高いパターン精度を必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この透明電極は透過率を１０％より大きくすることが望ましく、またシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には透明電極がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には透明電極の形成に時間を要してしまうからである。
【００３４】
電荷発生層２１２ｄでは、第１層２１１から出力された電磁波（光）によって電子と正孔を発生される。ここで発生した正孔は透明電極膜２１２ｂ側に集められ、電子は導電層２１２ｆ側に集められる。なお、電荷発生層２１２ｄでの変換効率や電極へのキャリア受け渡し効率を向上させるため、図４に示すように電荷発生層２１２ｄの透明電極膜２１２ｂ側に正孔伝導層２１２ｃを形成するとともに、電荷発生層２１２ｄの導電層２１２ｆ側に電子伝導層２１２ｅを形成する。なお、本構造において、正孔伝導層２１２ｃと電子伝導層２１２ｅは必ずしも必須なものではない。
【００３５】
電荷発生層２１２ｄは、いわゆる有機ＥＬ素子の構成を適用することができ、前記有機ＥＬ素子はその構成材料が低分子系のものでも高分子系のもの（ライトエミッティングポリマーとも言う）でもよい。本発明の電荷発生層２１２ｄで用いる光電変換可能な材料としては、導電性高分子材料（π共役系高分子材料やシリコン系高分子材料など）や低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料等が挙げられる。例えば導電性高分子材料としては、ポリ（２−メトキシ、５−（２’エチルヘキシロキシ）−ｐ−フェニレンビニレン）そしてポリ（３−アルキルチオフェン）、などがある。また「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１９０頁〜第２０３頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第８１頁〜第９９頁に記載されている化合物などが挙げられる。前記低分子系有機ＥＬ素子に使用される発光材料としては、例えば、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第３６頁〜第５６頁に記載されている化合物や、「有機ＥＬ材料とディスプレイ（２００１年２月２８日株式会社シー・エム・シー発行）」の第１４８頁〜第１７２頁に記載されている化合物等が挙げられる。本発明において、光電変換可能な有機化合物として特に好ましいものは導電性高分子化合物であり、最も好ましいものはπ共役系高分子化合物である。
【００３６】
導電層２１２ｆは、例えばクロムなどで生成されている。また、一般の金属電極若しくは前記透明電極の中から選択可能であるが、良好な特性を得るためには仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類全属などが挙げられる。この導電層２１２ｆは、これらの電極物質を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて生成できる。また、導電層２１２ｆのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲で選ばれる。膜厚が薄い場合には導電層がアイランド状になってしまうからであり、膜厚が厚い場合には導電層の形成に時間を要してしまうからである。
【００３７】
第３層は、第２層２１２の放射線照射面側とは逆の面側に形成されている。第３層２１３は、第２層２１２で生成された電気エネルギーを画素毎に蓄えるコンデンサ２２１と、蓄えられた電気エネルギーを信号として出力するためのスイッチング素子であるトランジスタ２２２を用いて構成されている。なお第３層は、スイッチング素子を用いるものに限られるものではなく、例えば蓄えられた電気エネルギーのエネルギーレベルに応じた信号を生成して出力する構成とすることもできる。
【００３８】
スイッチング素子であるトランジスタ２２２には、図３及び図４に示すように、第２層２１２で生成された電気エネルギーを蓄積するとともに、コンデンサ２２１の一方の電極となる収集電極２２０が接続されている。このコンデンサ２２１には第２層２１２で生成された電気エネルギーが蓄積されるとともに、この蓄積された電気エネルギーはトランジスタ２２２を駆動することで読み出される。すなわちスイッチング素子を駆動することで放射線画像を画素毎の信号を生成することができる。なお、図４において、トランジスタ２２２は、ゲート電極２２２ａ、ソース電極２２２ｂ、ドレイン電極２２２ｃ、有機半導体層２２２ｄ、絶縁層２２２ｅで構成されている。またコンデンサ２２１は、収集電極２２０と電極２２１ａの間に絶縁層２２２ｅを介在させることで構成される。さらに、トランジスタ２２２を保護するための絶縁層２２２ｆが設けられている。
【００３９】
有機半導体層２２２ｄを形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよいが、特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶や、前記π共役系高分子が挙げられる。また、ゲート電極２２２ａやソース電極２２２ｂおよびドレイン電極２２２ｃは、金属でも導電性無機化合物でも導電性有機化合物でも何れでもよいが、作製の容易さの観点から導電性有機化合物であることが好ましく、その代表例としては、前記π共役系高分子化合物にルイス酸（塩化鉄、塩化アルミニウム、臭化アンチモン等）やハロゲン（ヨウ素や臭素など）、スルホン酸塩（ポリスチレンスルホン酸のナトリウム塩（ＰＳＳ）、ｐ−トルエンスルホン酸カリウム等）などをドープしたものが挙げられ、具体的にはＰＥＤＯＴにＰＳＳを添加した導電性高分子が代表例として挙げられる。
【００４０】
検出素子層２１０を保持する第４層２１４は、酸素や水分に対する遮蔽率の高い部材を用いて形成して、酸素透過率を０．１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下、好ましくは０．０１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ、さらに好ましくは０．００１ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下、水分透過率を０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下、好ましくは０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下、さらに好ましくは０．００１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下とする。例えば、上述の酸素透過率や水分透過率を満たす樹脂基板や遮蔽膜あるいは非樹脂基板を用いて構成する。あるいは、樹脂基板と遮蔽膜や非樹脂基板を貼り合わせて、上述の酸素透過率や水分透過率を満たすものとする。
【００４１】
ここで、酸素や水分に対する遮蔽率の高い樹脂基板２１４ａを用いて第４層２１４を形成する場合、樹脂基板２１４ａとしては、特開２００２−５５２４６号公報「耐熱プラスチック光ファイバユニット」に示されているように、酸素遮断能力の優れたエチレン・ビニルアルコール共重合体を用いる。エチレン・ビニルアルコール共重合体としては、エチレンの共重合比率が２０〜４７モル％のものが好ましく、さらには、２５〜３２モル％のものが望ましい。当該共重合体においては、エチレン比率が低いほど酸素遮蔽能力が高いが、融点が高くなり、成形中に熱分解を生じるなどの加工性に問題を生じやすくなるため、上記範囲のものが好ましい。
【００４２】
また、第４層２１４は、図５Ａに示すように、樹脂基板２１４ｂに遮蔽膜２１４ｃを形成したものを用いることもできる。この場合、樹脂基板２１４ｂとしてはプラスチックフィルム、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【００４３】
さらに、これらのプラスチックフィルムには、トリオクチルホスフェートやジブチルフタレート等の可塑剤を添加してもよく、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系等の公知の紫外線吸収剤を添加してもよい。また、テトラエトキシシラン等の無機高分子の原料を添加し、化学触媒や熱、光等のエネルギーを付与することにより高分子量化する、いわゆる有機−無機ポリマーハイブリッド法を適用して作製した樹脂を原料として用いることもできる。なお、樹脂基板２１４ｂとして、上述の酸素や水分に対する遮蔽率の高い樹脂基板２１４ａを用いるものとしても良い。
【００４４】
遮蔽膜２１４ｃとしては、例えば特開昭６３−２５７６３０公報「ガスバリア性の優れた透明プラスチックフィルム」に示されているように、マグネシウム酸化物の薄膜層を用いる。このマグネシウム酸化物の薄膜層は、酸化マグネシウムを用いて、真空蒸着法やスパッタリング法あるいはイオンプレーティング法のいずれかの方法により形成できる。
【００４５】
また、特開平５−１０１８８６号公報「電界発光素子の保護」に示されているプラズマ重合膜やポリパラキシレン、特開平８−２２２３６８号公報「有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法並びにその製造装置」に示されているポリ尿素保護膜を遮蔽膜２１４ｃとして用いることもできる。
【００４６】
プラズマ重合膜は、従来知られている任意のモノマーガスを使用し得る。例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジエン、アセチレン、メチルアセチレン等の炭化水素モノマーの他、テトラメトキシシラン等のケイ素系モノマー、テトラフルオロエチレン等のフッ化水素系モノマー、メチルメタアクリレート等を挙げることができる。
【００４７】
ポリパラキシリレン、特にｐ−キシリレン重合膜又は塩素化ｐ−キシリレン重合膜はガス及び水蒸気透過性が極めて低く、不純物の混入が抑制でき、ピンホールの少ない、均一な膜を成膜できるので好ましい。しかしこのものはそのままでは接着性が極めて低いのでプラズマ処理、及び（又は）プラズマ重合膜と併用するとよい。このようなキシレン樹脂は米国ユニオン・カーバイド社よりパリレンＮ（ポリｐ−キシリレン）、パリレンＣ（ポリモノクロクロロｐ−キシリレン）、パリレンＤ（ポリジクロロｐ−キシリレン）等があるがガス透過性が低いので特にパリレンＣが好ましい。ポリｐ−キシリレン等の膜は２量体のガスを減圧下に熱分解することにより得られる。
【００４８】
ポリ尿素保護膜は、真空中でポリ尿素膜の原料モノマーＹ、Ｚ（原料Ｙはジアミンモノマー、原料モノマーＺはジイソシアナートモノマー）を赤外線ヒーターで所定温度に加熱して蒸発させることにより樹脂基板上にポリ尿素膜を形成する。このポリ尿素膜は低分子量のオリゴマー膜であるため、紫外線を照射して架橋し、高分子化させてポリ尿素保護膜とする。
【００４９】
また、特開平８−２８１８６１号公報「ガスバリヤー性フィルム」に示されているガスバリヤー性フィルムを遮蔽膜２１４ｃとすることもできる。このガスバリヤー性フィルムは、少なくとも有機珪素化合物と酸素とを原料としたプラズマ化学蒸着法で形成した珪素酸化物層と、少なくともポリシラザンを含む液体を塗布後加熱処理して得られる珪素酸化物層とを積層してなるものである。
【００５０】
また、特開２００１−３４３６３３号公報「液晶セル基板とその製造方法および液晶表示装置」に示されている有機ガスバリア層を遮蔽膜２１４ｃとして用いることができる。この有機ガスバリア層は、ポリビニルアルコール及びその部分ケン化物、エチレン・ビニルアルコール共重合体等のビニルアルコール系ポリマーや、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン等の酸素透過が小さい材料を用いて形成されるが、高ガスバリア性の点よりビニルアルコール系ポリマーが特に好ましい。有機ガスバリア層の形成は、キャスティング方式やスピンコート方式等の適宜な塗工方法により前記有機ガスバリア層に用いるポリマー溶液を樹脂基板上に展開し、熱硬化することにより行うことができる。
【００５１】
さらに、特開２００２−１１７９７３号公報「有機電界発光素子及びその製造装置」に示されているように、ヘテロ環式化合物の重合体を含む有機保護膜、あるいは有機保護膜と無機保護膜が積層された保護膜を遮蔽膜２１４ｃとして用いることができる。
【００５２】
有機保護膜は、フラン、ピロール、チオフェンなどの五員環化合物の１種類を材料として形成した重合膜、あるいは複数種類を材料として形成した共重合膜であり、プラズマ重合、電解重合及び熱重合などによって形成できる。
【００５３】
有機保護膜と無機保護膜を積層する場合、無機保護膜としては、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒酸化シリコン膜、ＤＬＣ膜（ダイアモンド状カーボン膜）、アモルファスカーボン膜、酸化アルミニウム膜、アモルファスシリコン膜等を用いる。この無機保護膜は、プラズマＣＶＤ装置の他にＣＶＤ装置、真空蒸着装置、スパッタ装置、ＡＬＥ装置等を用いることで形成できる。
【００５４】
また、特開２００２−１９０３８４号公報「電界発光素子」に示されているように、樹脂基板２１４ｂに樹脂材料を塗布したり、金属酸化物を蒸着、スパッタ等によって積層させたり、熱分解し易い有機金属材料を塗布した後加熱することによって金属酸化物を積層させることにより遮蔽膜２１４ｃを設けるものとしても良い。ここで酸素透過率を低下させる目的で用いられる樹脂材料としては、ポリビニルアルコール、サランなどが挙げられる。同様の目的で用いられる金属酸化物としては、二酸化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素意、酸化アルミニウムなどが挙げられる。同様の目的で用いられる有機金属材料としては、金属アルコラートが挙げられる。＿  さらに、樹脂基板２１４ｂと遮蔽膜２１４ｃを交互に積層して第４層２１４を構成することもできる。例えば、特公昭５９−４７９９６号公報「多層積層フィルム」に示されているように、エチレン−酢酸ビニル共重合体ケン化合物からなる層とポリアミドからなる層を交互に積層して多層化することにより支持体を形成することもできる。
【００５５】
なお、上述の遮蔽膜２１４ｃに用いた材料で基板を構成して、この基板を樹脂基板２１４ａとして用いるものとしても良いことは勿論である。
【００５６】
このように構成された第４層２１４では、上述の酸素透過率や水分透過率を満たすように、樹脂基板２１４ａの基板厚さや遮蔽膜２１４ｃの膜厚を調整する。
【００５７】
ところで、図５Ａでは、遮蔽膜２１４ｃを樹脂基板２１４ｂの検出素子層２１０側とは逆側の面に設けることで、樹脂基板２１４ａを介して水分等が検出素子層２１０側に入り込んでしまうことを防止するものであるが、遮蔽膜２１４ｃを検出素子層２１０と樹脂基板２１４ｂとの間に介在されるように設けるものとしても良い。この場合、樹脂基板２１４ｂに含まれていた水分等が検出素子層２１０側に入り込んでしまうことを防止できる。
【００５８】
第４層２１４は、図５Ｂに示すように、遮蔽膜２１４ｃに変えて樹脂基板よりも硬くて薄い非樹脂基板２１４ｄを用いるものとしても良い。この非樹脂基板２１４ｄは、酸素透過率や水分透過率が低いガラス板やアルミニウム等の金属あるいはその酸化物で構成された基板や膜、セラミック等を用いるものとする。このように、非樹脂基板２１４ｄを用いて、第４層２１４での酸素透過率や水分透過率を低いものとする。なお、非樹脂基板２１４ｄとして樹脂基板２１４ｂよりも検出素子層２１０の形成が容易な素材を用いるものとすれば、放射線画像検出器を容易に作製できる。
【００５９】
さらに、第４層２１４は、図５Ｃに示すように樹脂基板２１４ｂを遮蔽膜２１４ｃと非樹脂基板２１４ｄとで挟むように形成するものとしても良い。このように構成すれば、樹脂基板２１４ａを介して水分等が検出素子層２１０側に入り込んでしまうことを防止できるとともに、予め樹脂基板２１４ｂに水分等が含まれていても、この水分等が検出素子層２１０側に入り込んでしまうことを防止できる。なお、図５Ｃに示すように、非樹脂基板２１４ｄ側に検出素子層２１０を形成すれば、上述したように非樹脂基板２１４ｄとして樹脂基板２１４ｂよりも検出素子層２１０の形成が容易な素材を用いることで、放射線画像検出器を容易に作製できる。なお、図示せずも樹脂基板２１４ｂの両面側に遮蔽膜２１４ｃを設けるものとしたり、樹脂基板２１４ｂの両面側に非樹脂基板２１４ｄを設けて、第４層２１４の酸素透過率や水分透過率を低いものとしても良い。
【００６０】
このように構成した撮像パネル２１を用いる際に、第４層２１４の検出素子層側の面とは反対面側に、電源部３４例えばマンガン電池、ニッケル・カドミウム電池、水銀電池、鉛電池などの一次電池、充電可能な二次電池を設けるものとしても良い。この電池の形態としては、放射線画像検出器を薄型化できるように平板状の形態が好ましい。
【００６１】
撮像パネル２１では、信号線２２４−１〜２２４−ｎに、例えばドレイン電極が接続された初期化用のトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎが設けられている。このトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎのソース電極は接地されている。また、ゲート電極はリセット線２３１と接続される。
【００６２】
撮像パネル２１の走査線２２３−１〜２２３−ｍとリセット線２３１は、図３に示すように走査駆動回路２５と接続されている。走査駆動回路２５から走査線２２３−１〜２２３−ｍのうちの１つ走査線２２３−ｐ（ｐは１〜ｍのいずれかの値）に読出信号ＲＳが供給されると、この走査線２２３−ｐに接続されたトランジスタ２２２−（ｐ，１）〜２２２−（ｐ，ｎ）がオン状態とされて、コンデンサ２２１−（ｐ，１）〜２２１−（ｐ，ｎ）に蓄積された電気エネルギーが信号線２２４−１〜２２４−ｎにそれぞれ読み出される。信号線２２４−１〜２２４−ｎは、信号選択回路２７の信号変換器２７１−１〜２７１−ｎに接続されており、信号変換器２７１−１〜２７１−ｎでは信号線２２４−１〜２２４−ｎ上に読み出された電気エネルギー量に比例する電圧信号ＳＶ−１〜ＳＶ−ｎを生成する。この信号変換器２７１−１〜２７１−ｎから出力された電圧信号ＳＶ−１〜ＳＶ−ｎはレジスタ２７２に供給される。
【００６３】
レジスタ２７２では、供給された電圧信号が順次選択されて、Ａ／Ｄ変換器２７３で（例えば、１２ビットないし１４ビットの）１つの走査線に対するディジタルの画像信号とされ、制御回路３０は、走査線２２３−１〜２２３−ｍ各々に、走査駆動回路２５を介して読出信号ＲＳを供給して画像走査を行い、走査線毎のディジタル画像信号を取り込んで、放射線画像の画像信号の生成を行う。この画像信号は制御回路３０に供給される。なお、走査駆動回路２５からリセット信号ＲＴをリセット線２３１に供給してトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎをオン状態とするとともに、走査線２２３−１〜２２３−ｍに読出信号ＲＳを供給してトランジスタ２２２−（１，１）〜２２２−（ｍ，ｎ）をオン状態とすると、コンデンサ２２１−（１，１）〜２２１−（ｍ，ｎ）に蓄えられた電気エネルギーがトランジスタ２３２−１〜２３２−ｎを介して放出して、撮像パネル２１の初期化を行うことができる。
【００６４】
制御回路３０にはメモリ部３１や操作部３２が接続されており、操作部３２からの操作信号ＰＳに基づいて放射線画像検出器２０の動作が制御される。操作部３２は複数のスイッチが設けられており、操作部３２からのスイッチ操作に応じた操作信号ＰＳに基づき、撮像パネル２１の初期化や放射線画像の画像信号の生成が行われる。また放射線画像の画像信号の生成は、放射線発生器１０から放射線照射終了信号がコネクタ３５を介して供給されたときに行うものとすることもできる。さらに、生成した画像信号をメモリ部３１に記憶させる処理等も行う。
【００６５】
画像信号が書き込まれるメモリ部３１は、放射線画像検出器２０に対して着脱可能な構成とすれば、放射線画像の撮影後に放射線画像検出器２０を持ち運ばなくとも、容易に放射線画像を得ることができる。すなわち、放射線画像の撮影後にメモリ部３１を放射線画像検出器２０から取り外して画像処理部５１に装着すれば、簡単に放射線画像の画像信号を画像処理部５１に供給することができるので、放射線画像検出器２０を持ち運ばなくとも画像表示部５２で放射線画像を表示させたり、画像出力部５４から放射線画像を出力させることができる。
【００６６】
このように、上述の実施の形態では、酸素や水分に対する遮蔽率の高い部材を用いて第４層を形成したことにより、樹脂基板を用いてフラットパネルディテクタを形成したときに酸素や水分を十分に遮蔽することができる。このため、樹脂基板を透過した酸素や水分によって、有機物で形成した光電変換層やＴＦＴ等の劣化を招くことがなく、十分な耐久性を得ることができる。
【００６７】
【発明の効果】
この発明においては、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、第１層から出力された光を電気エネルギーに変換する有機化合物で形成した第２層と、第２層で得られた電気エネルギーの蓄積及び該蓄積された電気エネルギーに基づく信号の出力を画素単位で行う第３層と、第１層から第３層を保持する第４層を備える放射線画像検出器において、第４層は、酸素や水分に対する遮蔽率の高い部材を用いて形成される。このため、第４層を透過する酸素や水分を減少させることができるので、酸素や水分による劣化を防止して、耐久性が良好であるとともに高画質で安価な放射線画像検出器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】放射線画像検出器を用いたシステムの一例を示す図である。
【図２】放射線画像検出器の構造の一例を示す図である。
【図３】放射線画像検出器の回路構成を示す図である。
【図４】撮像パネルの一部断面図である。
【図５】第４層の他の構成を示す図である。
【符号の説明】
１０  放射線発生器
２０  放射線画像検出器
２１  撮像パネル
２５  走査駆動回路
２７  信号選択回路
３０  制御回路
３１  メモリ部
３２  操作部
３３  表示部
３４  電源部
３５  コネクタ
４０  筐体
５１  画像処理部
５２  画像表示部
５３  情報入力部
５４  画像出力部
５５  画像保存部
２１０  検出素子層
２１１  第１層
２１２  第２層
２１２ｂ  透明電極膜
２１２ｄ  電荷発生層
２１２ｆ  導電層
２１３  第３層
２１４  第４層
２１４ａ  樹脂基板
２１４ｂ  樹脂基板
２１４ｃ  遮蔽膜
２１４ｄ  非樹脂基板
２２０  収集電極
２２１  コンデンサ
２２２，２３２  トランジスタ
２２３  走査線
２２４  信号線
２３１  リセット線
２７１  信号変換器
２７２  レジスタ
２７３  Ａ／Ｄ変換器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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