(57)【要約】【課題】基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、生成される電解液の純度を維持すると同時にインサイチュで電解することが可能な電解方法および電解装置を提供する。【解決手段】基板Ａを処理する導電性処理液を電解する電解装置１４において、基板Ａの処理すべき表面Ａ１において所定の磁界強さ、および所定の磁界の向きを有する磁界Ｂを該表面まわりに生じる磁石２８と、該表面Ａ１に向けて導電性処理液を供給して、導電性処理液を該表面Ａ１に沿って所定流速で前記磁界Ｂ中を横切るように流す導電性処理液供給手段３０とを有し、それにより、導電性処理液中に電界Ｅを発生させて、導電性処理液を電解する電解装置。【選択図】    図１
2004353003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する導電性処理液の電解方法において、
基板に向かう導電性処理液の流れを生じさせる段階と、
該導電性処理液の流れを横切るような向きの磁界を生じさせる段階と、を有し、
それにより、導電性処理液中に電界を生成して、導電性処理液を電解する方法。
【請求項２】
前記流れ生成段階は、基板の処理すべき表面に向けて導電性処理液を供給し、該表面に沿って導電性処理液を流す段階を有し、
前記磁界生成段階は、該表面において所定の磁界強さを有する磁界を該表面まわりに生じさせる段階を有する、請求項１に記載の電解方法。
【請求項３】
基板の処理すべき表面に供給された導電性処理液の液面と、基板の処理すべき表面とを外部引出し線を用いて電気的に接続させることにより、電気回路を形成する、請求項２に記載の電解方法。
【請求項４】
前記導電性処理液を流す段階は、基板を略水平面内で回転させる段階と、回転する基板の中心に向けて導電性処理液を供給する段階とを有する、請求項２に記載の電解方法。
【請求項５】
基板の処理すべき表面に、磁界が及ぶ環状領域と磁界が及ばない環状領域とを、基板の中心まわりに同心状に基板の半径方向外方に交互に設ける段階をさらに有する、請求項４に記載の電解方法。
【請求項６】
前記導電性処理液の電解中に、電解液のｐＨ値及び／又は酸化還元電位値に応じて、前記導電性処理液の流れ及び／又は前記磁界強さを調整する段階を有する、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の電解方法。
【請求項７】
基板を処理する導電性処理液を電解するための電解装置において、
基板の処理すべき表面において所定の磁界強さ、および所定の磁界の向きを有する磁界を該表面まわりに生じる磁石と、
該表面に向けて導電性処理液を供給して、導電性処理液を該表面に沿って所定流速で前記磁界中を横切るように流す導電性処理液供給手段とを有し、
それにより、導電性処理液中に電界を発生させて、導電性処理液を電解することを特徴とする電解装置。
【請求項８】
前記磁石は、コイル電磁石であり、該コイルに供給する電流を調整することにより、基板の処理すべき表面における磁界強さを調整する、請求項７に記載の電解装置。
【請求項９】
基板を略水平面内で回転させる基板回転手段を更に有し、前記導電性処理液供給手段は、回転する基板の中心に向けて導電性処理液を供給する、請求項７に記載の電解装置。
【請求項１０】
前記基板回転手段は、基板の回転数を調整可能であり、基板の回転数を調整することにより、基板の処理すべき表面に沿う導電性処理液の所定流速を調整する、請求項９に記載の電解装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の導電性処理液の電解方法および電解装置に関し、更に詳細には、電極レスなインサイチュ電解方法および電解装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体基板を導電性処理液を用いて洗浄処理、エッチング処理、或いはリンス処理するのに、導電性処理液をオゾン水等の機能水として用いるか、或いは導電性処理液を電気分解により電解水として用いることが行われている。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−２５６２５９号公報
【０００４】
従来の基板の導電性処理液の電解方法および装置は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００５】
この電解方法および装置は、電解対象である導電性処理液を充填する電解槽と、この電解槽を２つのスペースに仕切る隔膜と、各スペース内でそれぞれが導電性処理液に浸された一対の電極とを有し、一対の電極間に所定印加電圧を負荷することにより、導電性処理液を電気分解し、正電極まわりには、アノード液、負電極まわりには、カソード液をそれぞれ生成するものである。
【０００６】
例えば、基板を洗浄処理する際には、洗浄対象である基板に付着した不純物に応じて、使用される電解液が異なる。
【０００７】
この点について説明すれば、一般にアノード水は酸化性を有するため高い酸化還元電位（ＯＲＰ）を示し、一方カソード水は還元性を有するため低い酸化還元電位を示すことから、不純物が金属不純物である場合には、アノード液、有機物である場合には、アノード液、パーティクルである場合には、カソード液が必要とされ、それぞれ所望のｐＨ値或いはＯＲＰ値の電解液が生成され、生成された電解液を用いて、基板の各処理が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の電解方法および装置には、以下のような技術的問題点が存する。
【０００９】
第１に、基板の処理現場で電解液を生成することができない点である。より詳細には、一旦電解槽内で電解液を生成しておき、電解槽と処理現場とを連絡する導電性処理液供給管を通じて電解液を液送して、基板の処理、例えば洗浄処理に使用する必要があった。このように電解液生成現場と処理現場とが離れているために、たとえば、時間経過とともに導電性処理液供給管の内壁から液送される電解液に不純物が混入する等の問題が生じる。昨今のパターンの超微細化に伴い、特に基板の洗浄処理において、洗浄に用いる導電性処理液自体の純度は相当高いものが要求される。この点から、インサイチュ電解方法の実現が強く望まれる。
【００１０】
第２に、一対の電極および隔膜を必要とするため、設備コストがかかるとともに、生成される電解液の純度が低下する点である。導電性処理液に浸された一対の電極は、時間経過とともに導電性処理液中に溶け出し、それにより電解液の純度が低下する。このような溶け出しを防止するとすれば、所定コーティングを施した高価な電極が必要となる。この点から、電極レスの電解装置の実現が強く望まれる。
【００１１】
第３に、このような電解方法および装置は、枚葉式のスピン処理方式に適合しない点である。より詳細には、基板の処理の方式としては、基板を導電性処理液中に浸漬する浸漬方式と、基板を高速回転させながら基板の表面、特に中心部に導電性処理液を供給するスピン処理方式とに大別される。この点、スピン処理方式の場合、従来の電解装置を適用するとすれば、生成する電解液は一旦電解槽内で電極まわりに集まってしまうため、再度処理すべき基板に向かって電解液を差し向ける必要があり、そのため、基板に供給する導電性処理液を事前に電解して、正負電極それぞれのまわりに生成されるアノード水、或いはカソード水のうち、処理に応じて必要な電解液を選択してスピン処理装置に供給せざるを得ない。このように、導電性処理液の電解処理と導電性処理液による基板の処理とを別々に切り離して行うことが不可欠であり、基板の処理システムとしての一体性に劣る。この点で、枚葉式のスピン処理方式に適合可能な電解方法の実現が望まれる。
【００１２】
第４に、基板を処理しようとするときに電解液を生成することが困難な点である。より詳細には、前述のように、電解槽で予め電解液を生成しておき、基板を電解液により処理する際に、電解槽から電解液を液送するのが通常であり、そのために電解液の酸化還元電位（ＯＲＰ）が経時変化してしまい、所望の電解液により処理することが困難となることが多い。この点から、電解液を作り貯めすることなしに、基板を処理しようとするまさにそのときに、電解液を生成することが可能な技術の実現が望まれる。
【００１３】
そこで、上記課題に鑑み、本発明の目的は、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、生成される電解液の純度を維持すると同時にインサイチュで電解することが可能な電解方法および電解装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の目的は、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、基板を処理するそのときに導電性処理液を電解することが可能な電解方法および電解装置を提供することにある。
【００１５】
本発明の目的は、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、電極レスを実現した安価な電解装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の目的は、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、枚葉式のスピン処理に適合する電解方法および電解装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による導電性処理液を電解する方法は、
基板を処理する導電性処理液の電解方法において、
基板に向かう導電性処理液の流れを生じさせる段階と、
該導電性処理液の流れを横切るような向きの磁界を生じさせる段階と、を有し、
それにより、導電性処理液中に電界を生成して、導電性処理液を電解する構成としている。
【００１８】
また、前記流れ生成段階は、基板の処理すべき表面に向けて導電性処理液を供給し、該表面に沿って導電性処理液を流す段階を有し、
前記磁界生成段階は、該表面において所定の磁界強さを有する磁界を該表面まわりに生じさせる段階を有するのが好ましい。
【００１９】
さらに、基板の処理すべき表面に供給された導電性処理液の液面と、基板の処理すべき表面とを外部引出し線を用いて電気的に接続させることにより、電気回路を形成するのでもよい。
【００２０】
さらにまた、前記導電性処理液を流す段階は、基板を略水平面内で回転させる段階と、回転する基板の中心に向けて導電性処理液を供給する段階とを有するのがよい。
【００２１】
加えて、基板の処理すべき表面に、磁界が及ぶ環状領域と磁界が及ばない環状領域とを、基板の中心まわりに同心状に基板の半径方向外方に交互に設ける段階をさらに有するのがよい。
【００２２】
さらに加えて、前記導電性処理液の電解中に、電解液のｐＨ値及び／又は酸化還元電位値に応じて、前記導電性処理液の流れ及び／又は前記磁界強さを調整する段階を有するのでもよい。
【００２３】
上記目的を達成するために、本発明による導電性処理液の電解装置は、
基板を処理する導電性処理液を電解する電解装置において、
基板の処理すべき表面において所定の磁界強さ、および所定の磁界の向きを有する磁界を該表面まわりに生じる磁石と、
該表面に向けて導電性処理液を供給して、導電性処理液を該表面に沿って所定流速で前記磁界中を横切るように流す導電性処理液供給手段とを有し、
それにより、導電性処理液中に電界を発生させて、導電性処理液を電解する構成としている。
【００２４】
また、前記磁石は、コイル電磁石であり、該コイルに供給する電流を調整することにより、基板の処理すべき表面における磁界強さを調整するのがよい。
【００２５】
さらに、基板を略水平面内で回転させる基板回転手段を有し、前記導電性処理液供給手段は、回転する基板の中心に向けて導電性処理液を供給するのがよい。
【００２６】
さらにまた、前記基板回転手段は、基板の回転数を調整可能であり、基板の回転数を調整することにより、基板の処理すべき表面に沿う導電性処理液の所定流速を調整するのがよい。
【００２７】
【作用】
以上の構成を有する本発明によれば、基板の導電性処理液に基板に向かう流れを生じさせて、磁界中を横切らせることにより、導電性処理液の流れ方向と磁界の方向とから、フレミングの右手の法則により、導電性処理液中にその深さ方向に電界を発生させる。次いで、導電性処理液中の荷電粒子は、発生した電界により力を受けて処理液中を移動して、処理液中に渦電流を生じ、生じた渦電流が磁界を横切ることにより、フレミングの左手の法則に基づいて、ローレンツ力が発生する。荷電粒子は、ローレンツ力により螺旋運動を起こしながら、処理液中のまわりの荷電粒子との衝突を繰り返すことにより、処理液の電気分解を引き起こして、さらなるイオン化を促進しつつ、荷電粒子の電荷が正負のいずれかであるかに応じて、処理液の液面側或いは基板の処理すべき表面側に移動し、その結果処理液中でその深さ方向に正負イオン濃度の分布が生じる。
【００２８】
この点で、従来の電解技術のように、一対の電極及び隔膜を有する電極槽において、外部印加電圧により別途導電性処理液を電解してから、生成された電解液を基板に向けて供給する必要をなくすことにより、導電性処理液に不純物が混入する機会を減らすことが可能となるとともに、電解液を作り貯めする必要なしに、基板を処理しようとするそのときにインサイチュで導電性処理液を電解することが可能となる。
【００２９】
特に、基板を高速回転させて、遠心力の作用により基板に向けて供給される導電性処理液を基板の外周縁に向けて半径方向外方に流すとともに、処理すべき基板表面まわりに所定強さの磁界を設けることにより、生成した電解液のうちカソード水、あるいはアノード水のいずれか所望の電解液を処理すべき基板の方に差し向けることが可能となるとともに、導電性処理液の電解とスピン処理方式による電解導電性処理液を用いた基板の処理とを一体化、融合化することが可能となり、スピン処理方式に適合する電解方法を実現することが可能となる。
【００３０】
なお、本明細書では、基板の処理とは、基板の洗浄処理、リンス処理、及びエッチング処理を含む意味に用い、導電性処理液とは、電解質を溶存させた薬液或いは炭酸ガス等を溶存した純水、超純水等を包含する意味に用いる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、基板の表面に付着した不純物の洗浄処理を枚葉式スピン処理方式により行う場合を例として、図面を参照しながら、本発明の実施形態の導電性処理液の電解装置及び電界方法を詳細に説明する。
【００３２】
図１は、本発明の第１実施形態に係る処理ユニットを示す概略図である。図２は、本発明による第１実施形態の電解作用を示す概略模式図である。図３は、本発明による第１実施形態の磁界の向きの作用を示す概念図である。
【００３３】
図１に示すように、基板Ａの処理ユニット１０は、基板Ａの回転保持装置１２と、導電性処理液の電解装置１４とから概略構成されている。
【００３４】
図１に示すように、基板Ａの回転保持装置１２は、略鉛直な軸線Ｘを中心に回転可能なスピンチャック１６と、スピンチャック１６を回転駆動する駆動部１８とを有する。スピンチャック１６は、いわゆるチャック面を形成するほぼ水平な上面Ａ１２０を有し、上面Ａ１２０の大きさは、基板Ａの外径より大きく、基板Ａの外径は、例えば８インチ、或いは１２インチである。上面Ａ１には、チャック面の周方向に等角度間隔を隔てて、少なくとも３つの支持ピン２２が配置され、これらの支持ピン２２によって、基板Ａを保持するようにしている。
【００３５】
駆動部１８は、シャフト部を回転させる機構を有し、モーター、モーターに連結されたプーリ、シャフト部に連結されたプーリ、及び両プーリ間の回転を伝動する伝動ベルト（いずれも図示せず）とを有する。駆動部１８により、シャフト部、チャック面、かくして基板Ａを支持する支持ピン２２ごと回転軸線Ｘを中心に回転するようになっている。基板Ａの回転数は、基板Ａの工程に応じて定められ、一般的に処理工程の場合、２００ないし２０００ＲＰＭ、乾燥工程の場合には、それより高速の３０００ないし５０００ＲＰＭである。
【００３６】
導電性処理液は、酸、アルカリ又は有機溶媒その他の薬液、純水又は脱イオン水等であり、処理内容、たとえば除去洗浄する対象が、パーティクル、ポリマー、金属等のどの異物か、或いは酸化膜、窒素化膜、ＣＭＰによって発生した変質膜等のどの膜であるのかに応じて、適宜決定すればよい。
【００３７】
基板Ａのまわりには、基板Ａの外周縁を取り囲むように配置された環状流路２４が設けられ、基板Ａの上面Ａ１に供給された導電性処理液が、遠心力の作用によって基板Ａの外周縁に向かって外方に飛散されるときに、導電性処理液を環状流路２４内に受け入れて回収し、場合により再利用可能なようにしている。
【００３８】
次に、導電性処理液の電解装置１４は、基板Ａへの導電性処理液供給装置と、基板の処理すべき表面Ａ１の上方に配置された磁石２８とを有する。
【００３９】
基板Ａへの導電性処理液供給装置は、基板Ａの上面Ａ１の中心に向かって導電性処理液を供給するように構成され、導電性処理液供給源に調整弁、流量計、及びフィルター（いずれも図示せず）を介して基板Ａの上方に処理供給ノズル３０が設けられている。
【００４０】
導電性処理液供給ノズル３０は、供給源からの導電性処理液が内部を流れて基板の中心に向けて供給するように、出口開口３２が基板Ａの中心の真上に位置決めされている。略水平面内で高速回転（例えば２００ｒｐｍないし２０００ｒｐｍ）する基板Ａの中心部に供給された導電性処理液は、遠心力の作用により、図２に示すように、基板の処理すべき表面Ａ１に沿って基板の外周縁に向かって半径方向外方に飛散するようにしてある。処理液の流速は、ほぼ数ｍ／ｓないし数十ｍ／ｓである。
【００４１】
磁石２８は、基板Ａの上方に配置され、表面Ａ１において所定の磁界強さを有し、且つ表面Ａ１に沿う成分を有する磁界（図中、四角い升に２本の対角線を付記した表記は、図面上表から裏に抜ける向きを指示する）を生じさせるような磁石であれば、永久磁石或いは電磁石を問わない。これにより、導電性処理液は、磁界を横切るように基板の表面Ａ１に沿って流れることが可能になっている。磁石保護ディスク３４が、処理液供給ノズル３０の側周面に取り付けられ、基板Ａを覆うように磁石２８と基板Ａとの間に基板にほぼ平行に介在し、基板Ａの半径方向に広がり、基板Ａに向けて供給される処理液により、磁石に悪影響を及ぼさないようにしている。磁石保護ディスクの径は、少なくとも基板Ａの径以上であり、その材質は、非磁性体、たとえば合成樹脂が好ましい。
【００４２】
磁石としては、例えば米国マグネジェン社のマグネジェンパイププロテクター（商品名）を用いてもよい。この磁石は、磁束密度２ないし２．５テスラ、高性能ネオジウム磁石、寸法３３ｍｍ  ×  ３５ｍｍ×  ２７ｍｍ、重量３００ｇであり、８インチ、或いは１２インチの基板に収まるように配置することが可能である。
【００４３】
なお、処理ユニットのうち導電性処理液に接する部材の材質は、使用する導電性処理液に応じてテフロン（登録商標）、ポリプロピレン、ＰＶＤＦ或いは塩化ビニル等の合成樹脂、場合によってはステンレスから選択するのがよい。
【００４４】
以上の構成を有する電解装置の作用を、電解方法とともに以下に説明する。
【００４５】
まず、支持ピン２２により支持された基板Ａを回転保持装置１２により高速回転するとともに、導電性処理液源から導電性処理液供給ノズル３０を経て、略水平面内で高速回転する基板の処理すべき表面Ａ１に向けて供給する。表面Ａ１に至った導電性処理液は、図２に示すように、遠心力の作用により基板Ａの外周縁に向けて半径方向外方（矢印Ｍ）に、表面Ａ１に沿って飛散する。これにより、導電性処理液により基板Ａの表面Ａ１全体を処理することが可能となる。
【００４６】
その際、導電性処理液は、基板の表面Ａ１まわりに設けられた磁界Ｂを横切るように流れる。したがって、図２に示すように、導電性処理液の流れ方向と磁界の方向とによってフレミングの右手の法則により、導電性処理液内に処理液の深さ方向に電界Ｅが生じる。次いで、導電性処理液中の荷電粒子Ｐ（図中で、負の荷電粒子を示す）は、発生した電界Ｅにより力を受けて処理液中を移動して、処理液中に渦電流を生じ、生じた渦電流が磁界Ｂを横切ることにより、フレミングの左手の法則に基づいて、ローレンツ力が発生する。荷電粒子Ｐは、ローレンツ力により螺旋運動を起こしながら、処理液中のまわりの荷電粒子との衝突を繰り返すことにより、処理液の電気分解を引き起こして、さらなるイオン化を促進しつつ、荷電粒子の電荷が正負のいずれかであるかに応じて、処理液の液面ＬＳ側或いは基板Ａの表面Ａ１側に移動し、その結果処理液中でその深さ方向に正負イオン濃度の分布が生じる。
【００４７】
このとき、導電性処理液の流れは、処理液の流れの向きと磁界の向きとが平行とならない限り、磁界と直交する成分を有するため、所定磁界強さの磁界Ｂを横切りさえすれば、導電性処理液中に電界Ｅを生じ、導電性処理液の電解を行うことが可能である。なお、同じ磁界強さであれば、導電性処理液の流れの向きと磁界の向きとが直交することが望ましい。
【００４８】
処理液の流速及び磁界の強さを定めるに際し、流速が大きいほど処理液中の荷電粒子の運動エネルギーが大きくなる一方で、磁界の強さが大きいほどローレンツ力が荷電粒子の基板の半径方向外方への動きに対してブレーキとして作用することになる。よって、処理液が基板Ａの表面Ａ１に供給されてから基板の外周縁を通過して表面Ａ１から飛散するまでの滞留時間として、処理液中の荷電粒子の運動エネルギーが電離エネルギーとして利用されて、処理液の電気分解を促進して、処理液中のイオン濃度を高めるのに十分な時間を確保する観点から、処理液の流速と磁界の強さとのバランスを考慮する必要がある。
【００４９】
磁界の向きを調整することにより、基板の処理すべき表面Ａ１に向けられるべきカソード水、或いはアノード水を選択することが可能となる。具体的には、図３に示すように、図３（Ａ）でアノード水を用いて基板を処理するとすれば、図３（Ｂ）に示すように、磁界の向きを逆にするだけで発生する電界Ｅの向きを逆にすることにより、カソード水を基板に差し向けることが可能となる。
【００５０】
また、生成する電界液のｐＨ値及び／又はＯＲＰ値をモニターしておくことにより、電解液の生成中に、磁界の強さ及び／又は導電性処理液の流量を調整して、所望のｐＨ値及び／又はＯＲＰ値を達成するようにしてもよい。この場合、磁石をコイル電磁石として、コイルに流れる電流値の調整を通じて磁界を調整することにより、或いは基板の回転数を調整して、基板の表面Ａ１に沿う導電性処理液の流れを調整することにより、電解の程度を調整してもよい。
【００５１】
このように、本実施形態の電解装置及び電解方法は、従来と全く異なる電解技術を採用するものであり、外部印加電圧の代わりに、導電性処理液に生じる流れを利用するため、基板のスピン処理方式に適合可能であり、回転する基板の表面Ａ１全体を処理する導電性処理液の流れにより、基板の表面Ａ１の処理とともに、導電性処理液の電解処理を一体的、融合的に行うことを可能にするものである。
【００５２】
また、本実施形態の電解装置及び電解方法は、電極及び隔膜を必要とすることなく、基板を処理しようとするそのときに、その場で（インサイチュ）導電性処理液を電解することが可能となるので、別途電解設備を必要とする場合に比べ、設備コスト及び必要スペースを削減することが可能である。
【００５３】
さらに、本実施形態の電解装置及び電解方法は、生成するカソード水或いはアノード水のうち必要な電解液を処理すべき基板の表面Ａ１に向かって差し向けることが可能となるので、結果として必要な導電性処理液の量の削減、或いは導電性処理液の高濃度化を回避することができる。
【００５４】
さらにまた、本実施形態の電解装置及び電解方法は、必要な電解液の生成中に、電解液の特性を調整することも可能である。
【００５５】
変形例として、本実施形態では、導電性処理液は高速回転する基板の中心に向かって供給され、遠心力の作用により基板の中心から半径方向外方に向かって飛散するものとして説明したが、それに限定されことなく、導電性処理液を磁界中を横切るように流す限り、回転してない基板に向かって導電性処理液を供給するのでもよい。この場合、基板の処理すべき表面に供給された導電性処理液の液面と、基板の処理すべき表面とを外部引出し線を用いて電気的に接続させることにより、電気回路を形成して、導電性処理液の電気分解をさらに促進してもよい。
【００５６】
別の変形例として、導電性処理液供給ノズル３０のまわり、特に出口流出開口３２のまわりに磁石を補助的に設けてもよい。これにより、導電性処理液供給源からの導電性処理液は、導電性処理液供給ノズル３０内で磁界を横切るように流れることが可能となり、基板の表面Ａ１を流れる導電性処理液と同様に、フレミングの右手の法則により、導電性処理液内に電界が発生し、それにより導電性処理液により基板の表面Ａ１を処理する前に、補助的に導電性処理液を電解することが可能となる。
【００５７】
基板の表面Ａ１を流れる導電性処理液に対して設ける磁界と役割分担してもよい。すなわち、導電性処理液供給ノズル３０のまわりに設ける磁界は、導電性処理液の電解機能をなし、一方基板の表面Ａ１を流れる導電性処理液に対して設ける磁界は、処理すべき表面Ａ１に差し向ける電解液として、カソード水、或いはアノード水のどちらにするかを選択する調整機能のみをなすようにしてもよい。これにより、基板の表面Ａ１を流れる導電性処理液に対して設ける磁界は、電解機能をも担う場合に比し、必要な磁界の強さを軽減することが可能となる。
【００５８】
以下に、第２実施形態を図面を参照しながら説明する。本実施形態において、第１実施形態の構成要素と同様な構成要素には、同じ参照番号を付することによりその説明は省略し、本実施形態の特徴について、以下に説明する。図４は、本発明による第２実施形態の、図２と同様な図である。
【００５９】
本実施形態の特徴は、磁界の配置にある。より詳細には、第１実施形態においては、磁界が及ぶ領域を基板の中心から半径方向外方に連続的に切れ目なく生じさせているが、本実施形態では、基板の中心から半径方向外方に磁界が及ばない領域を設けている。すなわち、図４に示すように、基板の中心近傍から半径方向外方所定長さに亘って、環状の磁界Ｂ１を生じさせ、磁界Ｂ１と半径方向外方に所定間隔ｄを隔てて、磁界Ｂ１と同様に、環状の磁界Ｂ２を生じさせている。図中の間隔ｄは、磁界の作用を受けない領域を示し、例えば１つの磁石の配置により磁界Ｂ１を、別の磁石の配置により磁界Ｂ２を発生するようにしてもよい。この場合、磁石の基板Ａの表面Ａ１との間隔を調整することにより、磁界が及ばない領域を形成してもよい。
【００６０】
このように、基板の半径方向外方に基板の中心と同心上に、磁界が及ぶ環状領域と磁界が及ばない環状領域とを交互に設けることにより、図４に示すように、磁界が及ばない環状領域内の導電性処理液中には、磁界領域内の導電性処理液に生じる電界の向きと反対向きのキャリアの流れＤが生じ、その結果導電性処理液中で不安定な無数の回路を形成しては消滅することを繰り返し、それにより導電性処理液内に電流が流れ、第１実施形態に比べて、導電性処理液の電解をより促進することが可能となる。
【００６１】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、請求の範囲に記載された本発明の範囲内で当業者なら種々の変更、修正が可能である。
【００６２】
たとえば、基板の下面を処理するための導電性処理液を電解する場合に、本実施形態と同様に基板の上方、或いは逆に、磁石を基板の下方に配置してもよい。
【００６３】
さらに、基板の上下面を同時に処理するための導電性処理液を電解する場合に、基板の上方及び下方それぞれに磁石を配置して、基板の上面及び下面それぞれにおいて、インサイチュで処理しようとするそのときに導電性処理液を電解することも可能である。
【００６４】
【発明の効果】
本発明の基板を処理する導電性処理液の電解方法および電解装置によれば、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、生成される電解液の純度を維持すると同時にインサイチュで電解することが可能である。
【００６５】
本発明の基板を処理する導電性処理液の電解方法および電解装置によれば、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、基板を処理するそのときに導電性処理液を電解することが可能である。
【００６６】
本発明の基板を処理する導電性処理液の電解装置によれば、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、電極レスを実現した安価な装置とすることが可能である。
【００６７】
本発明の基板を処理する導電性処理液の電解装置によれば、基板の表面を処理する導電性処理液を電解するに際し、枚葉式のスピン処理に適合することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１実施形態の処理ユニットを示す概略図である。
【図２】本発明による第１実施形態の電解作用を示す概略模式図である。
【図３】本発明による第１実施形態の磁界の向きの作用を示す概念図である。
【図４】本発明による第２実施形態の、図２と同様な図である。
【符号の説明】
Ａ      基板
Ａ１      表面
Ｘ      軸線
Ｂ      磁界
Ｅ      電界
Ｌ      導電性処理液
ＬＳ      液面
１０      処理ユニット
１２      基板の回転保持装置
１４      電解装置
１６      スピンチャック
１８      駆動部
２０      上面
２２      支持ピン
２３      環状流路
２８      磁石
３０    導電性処理液供給ノズル
３２      流出開口
３４    磁石保護ディスク
【図１】
2004353003.tif 000003
【図２】
2004353003.tif 000004
【図３】
2004353003.tif 000005
【図４】
2004353003.tif 000006