(57)【要約】【課題】積層されたセラミック粉末分散層の焼成時に、均一に収縮して、内部電極と絶縁層との間での剥離や、上下の絶縁層の間での剥離、あるいは、絶縁層の内部クラックなどを防止することができ、また、セラミック粉末分散層が均一に形成され、さらには、金属薄膜が精度のよいパターンとして形成されている、金属薄膜付セラミックグリーンシート、および、その金属薄膜付セラミックグリーンシートを用いるセラミックコンデンサの製造方法を提供すること。【解決手段】ベースフィルム２の上に樹脂層３を形成し、その樹脂層３の全面上に、第１金属薄膜４を真空成膜法によって形成した後、その第１金属薄膜４の上に、電解めっきにより第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成し、その後、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に、セラミック粉末分散層７を形成することにより、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を得る。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、
前記ベースフィルムの全面上に形成される第１金属薄膜と、
前記第１金属薄膜の上に所定のパターンとして形成される第２金属薄膜と、
前記第２金属薄膜を含む前記第１金属薄膜の上に形成され、セラミック粉末がバインダーに分散されているセラミック粉末分散層と
を備えていることを特徴とする、金属薄膜付セラミックグリーンシート。
【請求項２】
前記ベースフィルムと前記第１金属薄膜との間に、さらに、樹脂層を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の金属薄膜付セラミックグリーンシート。
【請求項３】
前記樹脂層が、前記セラミック粉末分散層のバインダーと、実質的に同一材料からなることを特徴とする、請求項２に記載の金属薄膜付セラミックグリーンシート。
【請求項４】
前記第１金属薄膜の厚みが、０．００１〜１．０μｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の金属薄膜付セラミックグリーンシート。
【請求項５】
前記第２金属薄膜の厚みが、前記第１金属薄膜の厚みの２倍以上であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の金属薄膜付セラミックグリーンシート。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の金属薄膜付セラミックグリーンシートを複数用意する工程、
前記金属薄膜付セラミックグリーンシートの前記ベースフィルムを剥離する剥離工程、
前記ベースフィルムが剥離された金属薄膜付セラミックグリーンシートの前記第１金属薄膜または前記樹脂層と、他の金属薄膜付セラミックグリーンシートの前記セラミック粉末分散層とを接触させて、積層する積層工程、
前記剥離工程および前記積層工程を所定回数繰り返して積層された複数の前記金属薄膜付セラミックグリーンシートを焼成する工程
を備えることを特徴とする、セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属薄膜付セラミックグリーンシートおよびセラミックコンデンサの製造方法に関し、詳しくは、セラミックコンデンサの製造に好適に用いられる金属薄膜付セラミックグリーンシート、および、その金属薄膜付セラミックグリーンシートを用いるセラミックコンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
セラミックコンデンサの製造方法として、例えば、特許第２９９０６２１号公報や特許第２９７０２３８号公報などには、ベースフィルムの上に、金属薄膜を所定のパターンで形成して、その金属薄膜を含むベースフィルムの上に、金属薄膜を覆うようにしてセラミックグリーンシートを形成することにより、ベースフィルムの上に支持された金属薄膜付セラミックグリーンシートを形成し、次いで、このようにして得られた複数の金属薄膜付セラミックグリーンシートを、各積層毎にベースフィルムを剥離しながら、順次積層し、その後、焼成することによって、所定のパターンの金属薄膜が内部電極となる積層セラミックコンデンサを製造する方法が記載されている。
【０００３】
より具体的には、特許第２９９０６２１号公報には、セラミックグリーンシートと、前記セラミックグリーンシートの表面に形成された電極とを含んでなる積層セラミック電子部品の製造方法であって、（ａ）蒸着によりフィルム上に第１の金属層を形成するステップと、（ｂ）湿式めっきにより前記第１の金属層の上に第２の金属層を形成するステップと、（ｃ）前記第１および第２の金属層をパターニングするステップと、（ｄ）前記金属層を覆うように、前記フィルム上にセラミックのスラリーをコーティングしてセラミックグリーンシートを形成するステップと、（ｅ）前記フィルムに支持された金属一体化グリーンシートをセラミックグリーンシートまたは他の金属一体化グリーンシート上に圧着し積層するステップと、（ｆ）前記フィルムを剥離するステップと、（ｇ）  前記積層したセラミックグリーンシートを焼成するステップとを備える、積層セラミック電子部品の製造方法が記載されている。
【０００４】
また、特許第２９７０２３８号公報には、ベースフィルム上に薄膜形成方法により所定のパターンを有する金属膜を形成する第１工程と、次に前記金属膜を覆うように前記ベースフィルム上にセラミック誘電体層を形成してベースフィルム付きグリーンシートを作製する第２工程と、次に誘電体シート上に前記ベースフィルム付きグリーンシートを前記誘電体シートと前記ベースフィルム付きグリーンシートのセラミック誘電体層とが接するように重ね合わせた後、前記ベースフィルムを剥離する第３工程と、次に前記第１工程および第２工程によって得られた別のベースフィルム付きグリーンシートのセラミック誘電体層と前記第３工程で得られたグリーンシートとが接するように重ね合わせた後、前記ベースフィルムを剥離して、さらに積層する第４工程と、次に前記第４工程と同様の方法で所定回数繰り返してグリーンシートを積層する第５工程と、次に前記グリーンシートを切断してチップを作成し、前記チップを焼成する第６工程と、前記チップに外部電極を形成する第７工程とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法が記載されている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第２９９０６２１号公報
【特許文献２】
特許第２９７０２３８号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記に記載される方法において、積層されたセラミックグリーンシートの焼成時には、セラミックグリーンシート中のバインダーが消失して、セラミックグリーンシートの全体に収縮を生じるが、この時に、内部電極となる金属薄膜が形成されている部分と形成されていない部分とでは、収縮率が異なり、それに起因して収縮が不均一となって、セラミックグリーンシートの全体にひずみを生じる。そのため、得られた積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極と絶縁層との間での剥離や、上下の絶縁層の間での剥離、あるいは、絶縁層の内部クラックなどを生じる場合がある。
【０００６】
また、ベースフィルムの上に、セラミックグリーンシートを形成する時には、まず、セラミックグリーンシートのスラリーをベースフィルムの上にコーティングするが、ベースフィルムの表面に対するスラリーの濡れ性が低く、そのため、ベースフィルムの表面でスラリーがはじかれて、均一にコーティングできない場合がある。
【０００７】
さらに、金属薄膜の形成時に、マスクフィルムをベースフィルムの上に形成する場合には、ベースフィルムとマスクフィルムとの密着性が十分でないと、金属薄膜が、所定の配線回路パターンからはみ出して形成される場合を生じる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、積層されたセラミック粉末分散層の焼成時に、均一に収縮して、内部電極と絶縁層との間での剥離や、上下の絶縁層の間での剥離、あるいは、絶縁層の内部クラックなどを防止することができ、また、セラミック粉末分散層が均一に形成され、さらには、金属薄膜が精度のよいパターンとして形成されている、金属薄膜付セラミックグリーンシート、および、その金属薄膜付セラミックグリーンシートを用いるセラミックコンデンサの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の金属薄膜付セラミックグリーンシートは、ベースフィルムと、前記ベースフィルムの全面上に形成される第１金属薄膜と、前記第１金属薄膜の上に所定のパターンとして形成される第２金属薄膜と、前記第２金属薄膜を含む前記第１金属薄膜の上に形成され、セラミック粉末がバインダーに分散されているセラミック粉末分散層とを備えていることを特徴としている。
【００１０】
このような金属薄膜付セラミックグリーンシートでは、セラミックコンデンサの製造において、これらを積層して焼成する時に、セラミック粉末分散層中のバインダーの消失によりセラミック粉末分散層の全体が収縮する時には、各セラミック粉末分散層の間において全面に介在されている第１金属薄膜によって、均一な収縮率を確保することができ、セラミック粉末分散層の全体を均一に収縮させることができる。そのため、不均一な収縮に起因する、内部電極と絶縁層との間での剥離や、上下の絶縁層の間での剥離、あるいは、絶縁層の内部クラックなどを有効に防止することができる。
【００１１】
また、セラミック粉末分散層は、ベースフィルムの上ではなく、第２金属薄膜を含む第１金属薄膜の上に形成されるので、例えば、金属薄膜付セラミックグリーンシートの製造において、セラミック粉末分散層をスラリーとして第２金属薄膜を含む第１金属薄膜の上にコーティングする場合には、そのスラリーと第２金属薄膜を含む第１金属薄膜との間の良好な濡れ性により、セラミック粉末分散層を均一に形成することができる。
【００１２】
また、第２金属薄膜は、ベースフィルムの上ではなく、第１金属薄膜の上に形成されるので、例えば、第２金属薄膜を、マスクフィルムを用いて所定のパターンとして形成する場合には、第１金属薄膜とマスクフィルムとを良好に密着させて、第２金属薄膜を精度のよいパターンとして形成することができる。
【００１３】
また、本発明においては、前記ベースフィルムと前記第１金属薄膜との間に、さらに、樹脂層を備えていることが好ましい。
【００１４】
ベースフィルムと第１金属薄膜との間に樹脂層を備えると、第２金属薄膜を含む第１金属薄膜を、ベースフィルムの上ではなく、樹脂層の上に形成させることができるので、セラミックコンデンサの製造において、ベースフィルムを剥離する時には、ベースフィルムを樹脂層との界面において剥離することができる。そのため、ベースフィルムの剥離時における第２金属薄膜を含む第１金属薄膜の破損を防止することができる。
【００１５】
また、本発明においては、前記樹脂層が、前記セラミック粉末分散層のバインダーと、実質的に同一材料からなることが好ましい。
【００１６】
樹脂層が、セラミック粉末分散層のバインダーと実質的に同一材料であると、セラミックコンデンサの製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシートを積層して焼成する時に、バインダーと同一条件で消失させることができる。
【００１７】
また、前記第１金属薄膜の厚みが、０．００１〜１．０μｍであることが好ましい。
【００１８】
第１金属薄膜の厚みが、０．００１〜１．０μｍであると、セラミックコンデンサの製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシートを積層して焼成する時に、第１金属薄膜における第２金属薄膜が形成されていない部分を、確実に球状化あるいは分断化させることができる。そのため、第１金属薄膜に起因する導通を確実に阻止して、所定のパターンとして形成される第２金属薄膜の確実な導通を確保することができ、この金属薄膜付セラミックグリーンシートが用いられるセラミックコンデンサの信頼性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明においては、前記第２金属薄膜の厚みが、前記第１金属薄膜の厚みの２倍以上であることが好ましい。
【００２０】
第２金属薄膜の厚みが第１金属薄膜の厚みの２倍未満であると、セラミックコンデンサの製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシートを積層して焼成する時に、第１金属薄膜の球状化あるいは分断化が支配的となって、第２金属薄膜に損傷を生じる場合がある。しかし、第２金属薄膜の厚みを、第１金属薄膜の厚みの２倍以上とすることで、このような損傷を防止して、確実な内部電極の形成を確保することができる。
【００２１】
また、本発明は、上記の金属薄膜付セラミックグリーンシートを複数用意する工程、前記金属薄膜付セラミックグリーンシートの前記ベースフィルムを剥離する剥離工程、前記ベースフィルムが剥離された金属薄膜付セラミックグリーンシートの前記第１金属薄膜または前記樹脂層と、他の金属薄膜付セラミックグリーンシートの前記セラミック粉末分散層とを接触させて、積層する積層工程、前記剥離工程および前記積層工程を所定回数繰り返して積層された複数の前記金属薄膜付セラミックグリーンシートを焼成する工程を備える、セラミックコンデンサの製造方法をも含んでいる。
【００２２】
このようなセラミックコンデンサの製造方法によれば、本発明の金属薄膜付セラミックグリーンシートが用いられるので、金属薄膜付セラミックグリーンシートを焼成する工程において、セラミック粉末分散層の全体を均一に収縮させることができる。そのため、不均一な収縮に起因する、内部電極と絶縁層との間での剥離や、上下の絶縁層の間での剥離、あるいは、絶縁層の内部クラックなどを有効に防止することができ、信頼性の高いセラミックコンデンサを製造することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の金属薄膜付セラミックグリーンシートの一実施形態を製造する方法の一実施形態を示す工程図である。以下、図１を参照して、本発明の金属薄膜付セラミックグリーンシートの一実施形態を製造する方法を説明する。
【００２４】
まず、この方法では、図１（ａ）に示すように、ベースフィルム２を用意する。
【００２５】
ベースフィルム２としては、特に制限されず、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ＴＰＸ（メチルペンテン樹脂）フィルム、アルキド系樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルムなどの公知のプラスチックフィルムが挙げられる。また、ベースフィルム２の厚みは、特に制限されないが、例えば、５〜５００μｍ、さらには、１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００２６】
なお、ベースフィルム２は、その表面に離型処理が施されたものが、好ましく用いられる。離型処理は、例えば、シリコーン系、フッ化シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキド系などの離型剤を、ベースフィルム２の表面に塗布するなど、公知の離型処理が用いられる。なお、ポリプロピレンフィルムやＴＰＸフィルムなどの離型性を有するプラスチックフィルムは、離型処理せずに、そのまま用いることもできる。
【００２７】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベースフィルム２の上に樹脂層３を形成する。
【００２８】
樹脂層３を形成する樹脂としては、後述する積層セラミックコンデンサ１１の製造時において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時に消失する樹脂であって、ベースフィルム２との剥離性が良好な樹脂であれば、特に制限されないが、例えば、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロース系樹脂、例えば、ブチルメタクリレート、メチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、酢酸ビニル樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。
【００２９】
これら樹脂は、単独使用または２種類以上併用することができる。
【００３０】
また、樹脂層３を形成する樹脂は、後述するセラミック粉末分散層７のバインダーと同一材料であることが好ましい。樹脂が、セラミック粉末分散層７のバインダーと同一材料であると、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時に、バインダーと同一条件で消失させることができる。
【００３１】
そして、ベースフィルム２の上に樹脂層３を形成するには、特に制限されないが、例えば、樹脂の溶液を調製して、その樹脂の溶液をベースフィルム２の上に塗布し、乾燥させる。
【００３２】
樹脂の溶液の調製は、特に制限されないが、上記した樹脂を、例えば、後述するバインダーの分散媒と同様の溶剤に、その樹脂濃度（固形分濃度）が、１〜５０重量％、好ましくは、３〜３０重量％となるように溶解する。
【００３３】
また、樹脂の溶液の塗布は、例えば、スピンコート法、ドクターブレード法、スプレー法などの公知の方法が用いられる。
【００３４】
また、塗布後の乾燥は、樹脂や溶剤の種類により適宜選択され、例えば、４０〜２００℃、好ましくは、６０〜１５０℃で乾燥させる。
【００３５】
このようにして形成された樹脂層３は、その厚みが、例えば、０．１〜１．０μｍ、さらには、０．１〜０．５μｍであることが好ましい。樹脂層３の厚みが、このような範囲であれば、ベースフィルム２の良好な剥離性を確保することができる。
【００３６】
次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、樹脂層３の上に第１金属薄膜４を、その樹脂層３の表面の全面に形成する。
【００３７】
第１金属薄膜４を形成する金属は、積層セラミックコンデンサ１１の内部電極として用いられるものであれば、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、クロム、パラジウム、または、これらの合金などが挙げられる。
【００３８】
そして、樹脂層３の上に第１金属薄膜４を形成するには、特に制限されないが、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの真空成膜法が用いられる。真空成膜法によって第１金属薄膜４を形成すれば、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時に、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されていない部分（第１金属薄膜４のみからなる部分）を、例えば、１ｎｍ〜１０μｍ程度の粒径に球状化あるいは分断化させることができる。
【００３９】
また、このようにして形成された第１金属薄膜４は、その厚みが、例えば、０．００１〜１．０μｍ、さらには、０．０５〜０．２μｍであることが好ましい。第１金属薄膜４の厚みが、このような範囲であれば、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時に、第１金属薄膜４を確実に球状化あるいは分断化させることができる。
【００４０】
次いで、この方法では、図１（ｄ）に示すように、第１金属薄膜４の上に第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成する。
【００４１】
第２金属薄膜５を形成する金属は、積層セラミックコンデンサ１１の内部電極として用いられるものであれば、特に制限されないが、例えば、第１金属薄膜４と同様に、銅、ニッケル、クロム、パラジウム、または、これらの合金などが挙げられる。なお、第２金属薄膜５を形成する金属は、第１金属薄膜４を形成する金属と、同一であっても、異なっていてもよい。
【００４２】
そして、第１金属薄膜４の上に第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成するには、特に制限されないが、例えば、まず、第１金属薄膜４の上に、めっきレジスト６を配線回路パターンと逆パターンで形成した後、次いで、配線回路パターンとして露出する第１金属薄膜４の表面に、めっきレジスト６をマスクとして、めっきにより第２金属薄膜５を形成し、その後、めっきレジスト６を除去する。
【００４３】
より具体的に説明すると、まず、図２（ａ）に示すように、第１金属薄膜４の上に、めっきレジスト６を配線回路パターンと逆パターン（反転パターン）で形成する。めっきレジスト６を形成するには、特に制限されないが、例えば、印刷法、ドライフィルム法などが用いられる。
【００４４】
また、めっきレジスト６の厚みは、特に制限されないが、例えば、１〜１００μｍ、さらには、５〜２５μｍであることが好ましい。
【００４５】
次いで、図２（ｂ）に示すように、めっきレジスト６から配線回路パターン（すなわち、めっきレジスト６と逆パターン）として露出する第１金属薄膜４の表面に、めっきにより、第２金属薄膜５を形成する。
【００４６】
めっきは、電解めっき、無電解めっきなど、特に制限されないが、好ましくは、第１金属薄膜４を電極として電解めっきする。めっきによって第２金属薄膜５を形成すれば、真空成膜法によって形成するよりも、第２金属薄膜５の球状化あるいは分断化の開始温度が高くなり、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時に、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されている部分の球状化あるいは分断化を防止することができる。
【００４７】
このようにして第２金属薄膜５を形成すれば、めっきレジスト６を、ベースフィルム２の上ではなく、第１金属薄膜４の上に形成して、めっきすることができるので、第１金属薄膜４とめっきレジスト６とを良好に密着させて、第２金属薄膜５を精度のよい配線回路パターンとして形成することができる。
【００４８】
そして、このようにして、所定の配線回路パターンとして形成された第２金属薄膜５は、その厚みが、例えば、０．００２〜２．０μｍ、さらには、０．１〜０．６μｍであることが好ましい。また、第２金属薄膜５の厚みは、第１金属薄膜４の厚みの２倍以上、好ましくは、３〜１０倍であることが好ましい。
【００４９】
第２金属薄膜５の厚みが第１金属薄膜４の厚みの２倍未満であると、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時に、第１金属薄膜４の球状化あるいは分断化が支配的となって、第２金属薄膜５に損傷を生じる場合がある。しかし、第２金属薄膜５の厚みを、第１金属薄膜４の厚みの２倍以上とすることで、このような損傷を防止して、確実な内部電極の形成を確保することができる。
【００５０】
また、第２金属薄膜５は、その目的および用途などによっては、２層以上の多層構造として形成することもできる。
【００５１】
その後、図２（ｃ）に示すように、めっきレジスト６を除去する。めっきレジスト６の除去は、特に限定されないが、例えば、めっきレジスト６を剥離するか、あるいは、めっきレジスト６をエッチングする。
【００５２】
そして、この方法では、図１（ｅ）に示すように、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に、セラミック粉末分散層７を形成し、これによって、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を得る。
【００５３】
セラミック粉末分散層７の形成は、特に制限されないが、例えば、少なくともセラミック粉末およびバインダーを含むスラリーを調製し、このスラリーを、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の表面の全面に塗布し、乾燥する。
【００５４】
スラリーの調製は、セラミックグリーンシートの製造に用いられるスラリーの調製方法であれば、特に制限されず、例えば、セラミック粉末およびバインダーを分散媒（溶媒）に配合して、混合する。
【００５５】
セラミック粉末は、特に制限されないが、例えば、チタン酸バリウム粉末、チタン酸ストロンチウム系粉末、チタン酸鉛系粉末などの誘電体セラミック粉末、例えば、フェライト系粉末などの磁性体セラミック粉末、圧電体セラミック粉末、例えば、アルミナ、シリカなどの絶縁体セラミック粉末などが挙げられる。セラミック粉末は、これらを単独使用または２種類以上併用することができ、具体的には、その目的および用途により適宜選択される。
【００５６】
また、バインダーとしては、特に制限されないが、上記した樹脂層３を形成する樹脂と同様のもの、すなわち、例えば、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロース系樹脂、例えば、ブチルメタクリレート、メチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、酢酸ビニル樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。バインダーは、これらを単独使用または２種類以上併用することができ、具体的には、その目的および用途により適宜選択される。
【００５７】
分散媒は、例えば、水、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブチルアルコールなどのアルコール系溶剤、例えば、エチレングリコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトールなどのグリコール系溶剤、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶剤、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサなどの芳香族系溶剤、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル、Ｎ−メチルピロリドンなどの極性溶剤などが挙げられる。分散媒は、これらを単独使用または２種類以上併用することができる。
【００５８】
なお、このようなスラリーの調製においては、その目的および用途により、可塑剤や分散剤などの公知の添加剤を適宜配合することができる。例えば、可塑剤としては、特に制限されないが、例えば、ポリエチレングリコールおよびその誘導体、脂肪酸エステル、フタル酸エステル、リン酸エステルなどが挙げられる。
【００５９】
そして、スラリーの調製は、上記した各成分を配合して、特に制限されないが、例えば、ビーズミル、ボールミル、サンドミルなどの公知の粉体混合装置を用いて、混合する。各成分を配合する割合は、特に制限されず、その目的および用途によって適宜選択することができる。
【００６０】
そして、この方法では、このようにして調製されたスラリーを、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の表面の全面に塗布して、その後、乾燥させることによって、セラミック粉末分散層７を形成する。
【００６１】
スラリーを、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の全面に塗布するには、特に制限されないが、例えば、ドクターブレード法、ロールコート法などの公知の塗布方法が用いられる。
【００６２】
これによって、セラミック粉末分散層７は、ベースフィルム２の上ではなく、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に形成されるので、スラリーを第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に塗布する時に、これらスラリーと第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４との間の良好な濡れ性を確保することができる。そのため、セラミック粉末分散層７を均一に形成することができる。
【００６３】
また、塗布されたスラリーの乾燥は、特に制限されないが、例えば、５０〜２００℃、好ましくは、８０〜１５０℃で乾燥する。
【００６４】
そして、このようにして得られた金属薄膜付セラミックグリーンシート１は、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４が、ベースフィルム２の上ではなく、樹脂層３の上に形成されているため、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、ベースフィルム２を剥離する時には、ベースフィルム２を樹脂層３との界面において剥離することができる。そのため、ベースフィルム２の剥離時における第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の破損を防止することができる。
【００６５】
また、このようにして得られた金属薄膜付セラミックグリーンシート１では、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時に、セラミック粉末分散層７中のバインダーの消失によりセラミック粉末分散層７の全体が収縮する時には、各セラミック粉末分散層７の間において全面に介在されている第１金属薄膜４によって、均一な収縮率を確保することができ、セラミック粉末分散層７の全体を均一に収縮させることができる。そのため、得られる積層セラミックコンデンサ１１において、不均一な収縮に起因する、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離、あるいは、絶縁層１３の内部クラックなどを有効に防止することができる。
【００６６】
そのため、この金属薄膜付セラミックグリーンシート１は、積層毎にベースフィルム２を剥離しながら、順次積層し、その後、焼成することによって、積層セラミックコンデンサ１１を製造する、積層セラミックコンデンサ１１の製造方法に好適に用いることができる。
【００６７】
次に、そのような積層セラミックコンデンサ１１の製造方法について、図３を参照して説明する。なお、図３においては、複数の金属薄膜付セラミックグリーンシート１を互いに区別するために、便宜上、第１の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０１、第２の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０２・・・第ｎの金属薄膜付セラミックグリーンシート１０ｎとして説明する。
【００６８】
この方法では、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を複数用意して、図３（ａ）に示すように、まず、第１の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０１のベースフィルム２０１を剥離する。そうすると、ベースフィルム２０１は、樹脂層３０１の表面の界面から容易に剥がされる。そのため、ベースフィルム２の剥離時における第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の破損を有効に防止することができる。
【００６９】
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、第２の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０２を、第１の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０１に、第２の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０２のセラミック粉末分散層７０２の表面が、第１の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０１の樹脂層３０１の表面と接触するように、重ね合わせる。
【００７０】
そして、これらを加熱圧着させる。加熱圧着は、例えば、２〜７０ＭＰａで、５０〜１５０℃の条件下で実施することができる。
【００７１】
その後、この方法では、図３（ｃ）に示すように、第２の金属薄膜付セラミックグリーンシート１０２のベースフィルム２０２を、上記と同様の方法により、剥離する。
【００７２】
その後、この方法では、上記と同様にして、図３（ｄ）に示すように、目的とする枚数分（ｎ枚）積層した後、必要により、チップ形状に切断し、図３（ｅ）に示すように、樹脂層３およびセラミック粉末分散層７のバインダーの消失温度（焼失温度）以上（例えば、約４００℃〜１５００℃）で焼成して、樹脂層３およびセラミック粉末分散層７を消失（焼失）させるとともに、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されていない部分（第１金属薄膜４のみからなる部分）を球状化あるいは分断化することによって、図４に示すような積層セラミックコンデンサ１１を製造する。
【００７３】
この焼成において、各セラミック粉末分散層７の間には、各界面の全面において第１金属薄膜４が介在されているので、セラミック粉末分散層７中のバインダーの消失によって各セラミック粉末分散層７が収縮する時には、全体として均一な収縮が確保される。そのため、上記したように、得られる積層セラミックコンデンサ１１において、不均一な収縮に起因する、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離、あるいは、絶縁層１３の内部クラックなどを有効に防止することができる。
【００７４】
また、この焼成においては、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されている部分（第２金属薄膜５および第１金属薄膜４からなる部分）は、球状化が抑制され、第２金属薄膜５および第１金属薄膜４によって精度のよい配線回路パターンが形成される。その一方、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されていない部分（第１金属薄膜４のみからなる部分）は、球状化あるいは分断化され、その部分が絶縁部分となって、第１金属薄膜４のみに起因する導通を確実に阻止して、所定の配線回路パターンとして形成される第２金属薄膜５の確実な導通を確保することができる。そのため、この金属薄膜付セラミックグリーンシート１が用いられる積層セラミックコンデンサ１１の信頼性を向上させることができる。
【００７５】
なお、図４は、図３に対する直交方向の断面図として概略的に示されており、この積層セラミックコンデンサ１１では、第２金属薄膜５（第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されている部分を含む。）が内部電極１２となり、焼成において、樹脂層３およびセラミック粉末分散層７のバインダーが消失されて、絶縁層１３が形成されるため、内部電極１２と絶縁層１３とが、交互に積層された積層構造となる。また、この積層セラミックコンデンサ１１には、焼成後において、公知の方法により、その両端部に外部電極１４が形成される。
【００７６】
そして、このような積層セラミックコンデンサ１１の製造方法では、上記した金属薄膜付セラミックグリーンシート１が用いられるので、不均一な収縮に起因する、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離、あるいは、絶縁層１３の内部クラックなどが有効に防止される、信頼性の高いセラミックコンデンサ１１を製造することができる。
【００７７】
なお、以上の説明では、金属薄膜付セラミックグリーンシート１において、ベースフィルム２と第１金属薄膜４との間に樹脂層３を設けたが、例えば、図５（ｄ）に示すように、ベースフィルム２と第１金属薄膜４との間には、樹脂層３を設けなくてもよい。このような金属薄膜付セラミックグリーンシート１は、例えば、図１（ｂ）に示すベースフィルム２の上に樹脂層３を形成する工程を省略して、まず、図５（ａ）に示すように、図１（ａ）と同様に、ベースフィルム２を用意して、図５（ｂ）に示すように、図１（ｃ）と同様に、ベースフィルム２の上に、第１金属薄膜４をそのベースフィルム２の表面の全面に形成し、次いで、図５（ｃ）に示すように、図１（ｄ）と同様に、第１金属薄膜４の上に、第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成した後、図５（ｄ）に示すように、図１（ｅ）と同様に、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上にセラミック粉末分散層７を形成すればよい。
【００７８】
このようにして得られる金属薄膜付セラミックグリーンシート１によっても、積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を積層して焼成する時には、各セラミック粉末分散層７の間において全面に介在されている第１金属薄膜４によって、均一な収縮率を確保することができ、セラミック粉末分散層７の全体を均一に収縮させることができる。そのため、得られる積層セラミックコンデンサ１１において、不均一な収縮に起因する、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離、あるいは、絶縁層１３の内部クラックなどを有効に防止することができる。
【００７９】
【実施例】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００８０】
実施例１
その表面がシリコーン離型処理されたポリエチレンフタレートフィルムからなるベースフィルム２を用意して（図５（ａ）参照）、その上に、真空蒸着装置を用いて、ニッケル薄膜からなる第１金属薄膜４を、ベースフィルム２の全面に、厚み０．０８μｍで形成した（図５（ｂ）参照）。
【００８１】
そして、ドライフィルムレジストからなるめっきレジスト６を、第１金属薄膜４の全面に加熱圧着した後、そのめっきレジスト６を露光および現像することによって、配線回路パターンと逆パターンに形成した（図２（ａ）参照、但し、樹脂層３が省略される態様となる）。
【００８２】
次いで、第１金属薄膜４を電極として、電解ニッケルめっきによって、第２金属薄膜５を、第１金属薄膜４の上に厚み０．２μｍで形成した（図２（ｂ）参照、但し、樹脂層３が省略される態様となる）。その後、めっきレジスト６を第１金属薄膜４から剥離し（図２（ｃ）参照、但し、樹脂層３が省略される態様となる）、これによって、第１金属薄膜４の上に、第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成した（図５（ｃ）参照）。なお、第１金属薄膜４とめっきレジスト６との密着性が良好であったので、第２金属薄膜５は、所定の配線回路パターンとして精度よく形成できた。
【００８３】
その後、セラミック粉末としてチタン酸バリウムが主成分として配合され、バインダーとしてエチルセルロースが配合されているスラリーを、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に塗布し、１００℃で乾燥させることにより、セラミック粉末分散層７を、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に、厚み１．０μｍで形成し（図５（ｄ）参照）、これによって、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を得た。なお、セラミック粉末分散層７は、スラリーが第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４ではじかれることなく均一に塗布できたので、均一層として形成することができた。
【００８４】
その後、このようにして得られた金属薄膜付セラミックグリーンシート１を、積層毎にベースフィルム２を剥離しながら、順次１０００枚積層し、その後、１３００℃で焼成することによって、積層セラミックコンデンサ１１を製造した（図３参照、但し、樹脂層３が省略される態様となる）。
【００８５】
焼成後に得られた積層セラミックコンデンサ１１の断面を電子顕微鏡によって観察したところ、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されている部分については、球状化が抑制されており、第２金属薄膜５および第１金属薄膜４によって精度のよい配線回路パターンが形成されている一方、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されていない部分については、球状化あるいは分断化され絶縁部分となっていることが確認された。また、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離、あるいは、絶縁層１３の内部クラックがないことが確認された。
【００８６】
比較例１
その表面がシリコーン離型処理されたポリエチレンフタレートフィルムからなるベースフィルム２を用意して（図６（ａ）参照）、その上に、真空蒸着装置を用いて、ニッケル薄膜からなる第１金属薄膜４を、ベースフィルム２の全面に、厚み０．０８μｍで形成した（図６（ｂ）参照）。
【００８７】
そして、ドライフィルムレジストからなるめっきレジスト６を、第１金属薄膜４の全面に加熱圧着した後、そのめっきレジスト６を露光および現像することによって、配線回路パターンと逆パターンに形成した（図２（ａ）参照、但し、樹脂層３が省略される態様となる）。
【００８８】
次いで、第１金属薄膜４を電極として、電解ニッケルめっきによって、第２金属薄膜５を、第１金属薄膜４の上に厚み０．２μｍで形成した（図２（ｂ）参照、但し、樹脂層３が省略される態様となる）。その後、めっきレジスト６を第１金属薄膜４から剥離し（図２（ｃ）参照、但し、樹脂層３が省略される態様となる）、これによって、第１金属薄膜４の上に、第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成した（図６（ｃ）参照）。なお、第１金属薄膜４とめっきレジスト６との密着性が良好であったので、第２金属薄膜５は、所定の配線回路パターンとして精度よく形成できた。
【００８９】
その後、硝酸水溶液を用いて、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されていない部分（第２金属薄膜５から露出する部分）をエッチングすることにより、第１金属薄膜４を第２金属薄膜５と同様の形状の配線回路パターンに形成した（図６（ｄ）参照）。
【００９０】
次いで、セラミック粉末としてチタン酸バリウムが主成分として配合され、バインダーとしてエチルセルロースが配合されているスラリーを、第２金属薄膜５を含むベースフィルム２の上に塗布し、１００℃で乾燥させることにより、セラミック粉末分散層７を、第２金属薄膜５を含むベースフィルム２の上に、厚み１．０μｍで形成し（図６（ｅ）参照）、これによって、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を得た。
【００９１】
その後、このようにして得られた金属薄膜付セラミックグリーンシート１を、積層毎にベースフィルム２を剥離しながら、順次１０００枚積層し、その後、１３００℃で焼成することによって、積層セラミックコンデンサ１１を製造した（図３参照、但し、第１金属薄膜４が配線回路パターンに形成され、樹脂層３が省略される態様となる）。
【００９２】
焼成後に得られた積層セラミックコンデンサ１１の断面を電子顕微鏡によって観察したところ、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されている部分については、球状化が抑制されており、第２金属薄膜５および第１金属薄膜４によって精度のよい配線回路パターンが形成されていることが確認された。
【００９３】
しかし、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離が確認され、また、絶縁層１３の内部クラックも部分的に確認された。
【００９４】
実施例２
その表面がシリコーン離型処理されたポリエチレンフタレートフィルムからなるベースフィルム２を用意して（図１（ａ）参照）、その上に、樹脂層３として、セラミック粉末分散層７のバインダーと同一材料であるエチルセルロースを、溶媒としてトルエンとモノメチルグリコールの混合溶媒を用いて、スピンコート法により、厚み０．５μｍで塗布した（図１（ｂ）参照）。
【００９５】
次いで、真空蒸着装置を用いて、ニッケル薄膜からなる第１金属薄膜４を、樹脂層３の全面に、厚み０．０８μｍで形成した（図１（ｃ）参照）。
【００９６】
そして、ドライフィルムレジストからなるめっきレジスト６を、第１金属薄膜４の全面に加熱圧着した後、そのめっきレジスト６を露光および現像することによって、配線回路パターンと逆パターンに形成した（図２（ａ）参照）。
【００９７】
次いで、第１金属薄膜４を電極として、電解ニッケルめっきによって、第２金属薄膜５を、第１金属薄膜４の上に厚み０．２μｍで形成した（図２（ｂ）参照）。その後、めっきレジスト６を第１金属薄膜４から剥離し（図２（ｃ）参照）、これによって、第１金属薄膜４の上に、第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成した（図１（ｄ）参照）。なお、第１金属薄膜４とめっきレジスト６との密着性が良好であったので、第２金属薄膜５は、所定の配線回路パターンとして精度よく形成できた。
【００９８】
その後、セラミック粉末としてチタン酸バリウムが主成分として配合され、バインダーとしてエチルセルロースが配合されているスラリーを、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に塗布し、１００℃で乾燥させることにより、セラミック粉末分散層７を、第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４の上に、厚み１．０μｍで形成し（図１（ｅ）参照）、これによって、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を得た。なお、セラミック粉末分散層７は、スラリーが第２金属薄膜５を含む第１金属薄膜４ではじかれることなく均一に塗布できたので、均一層として形成することができた。
【００９９】
その後、このようにして得られた金属薄膜付セラミックグリーンシート１を、積層毎にベースフィルム２を剥離しながら、順次１０００枚積層し、その後、１３００℃で焼成することによって、積層セラミックコンデンサ１１を製造した（図３参照）。
【０１００】
この積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１の樹脂層３からベースフィルム２を剥離させた時には、第２金属薄膜５が１００％剥離することなく残存していることが確認された。
【０１０１】
また、焼成後に得られた積層セラミックコンデンサ１１の断面を電子顕微鏡によって観察したところ、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されている部分については、球状化が抑制されており、第２金属薄膜５および第１金属薄膜４によって精度のよい配線回路パターンが形成されている一方、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されていない部分については、球状化あるいは分断化され絶縁部分となっていることが確認された。また、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離、あるいは、絶縁層１３の内部クラックがないことが確認された。
【０１０２】
比較例２
その表面がシリコーン離型処理されたポリエチレンフタレートフィルムからなるベースフィルム２を用意して（図７（ａ）参照）、その上に、樹脂層３として、セラミック粉末分散層７のバインダーと同一材料であるエチルセルロースを、溶媒としてトルエンとモノメチルグリコールの混合溶媒を用いて、スピンコート法により、厚み０．５μｍで塗布した（図７（ｂ）参照）。
【０１０３】
次いで、真空蒸着装置を用いて、ニッケル薄膜からなる第１金属薄膜４を、樹脂層３の全面に、厚み０．０８μｍで形成した（図７（ｃ）参照）。
【０１０４】
そして、ドライフィルムレジストからなるめっきレジスト６を、第１金属薄膜４の全面に加熱圧着した後、そのめっきレジスト６を露光および現像することによって、配線回路パターンと逆パターンに形成した（図２（ａ）参照）。
【０１０５】
次いで、第１金属薄膜４を電極として、電解ニッケルめっきによって、第２金属薄膜５を、第１金属薄膜４の上に厚み０．２μｍで形成した（図２（ｂ）参照）。その後、めっきレジスト６を第１金属薄膜４から剥離し（図２（ｃ）参照）、これによって、第１金属薄膜４の上に、第２金属薄膜５を所定の配線回路パターンとして形成した（図７（ｄ）参照）。なお、第１金属薄膜４とめっきレジスト６との密着性が良好であったので、第２金属薄膜５は、所定の配線回路パターンとして精度よく形成できた。
【０１０６】
その後、硝酸水溶液を用いて、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されていない部分（第２金属薄膜５から露出する部分）をエッチングすることにより、第１金属薄膜４を第２金属薄膜５と同様の形状の配線回路パターンに形成した（図７（ｅ）参照）。
【０１０７】
次いで、セラミック粉末としてチタン酸バリウムが主成分として配合され、バインダーとしてエチルセルロースが配合されているスラリーを、第２金属薄膜５を含む樹脂層３の上に塗布し、１００℃で乾燥させることにより、セラミック粉末分散層７を、第２金属薄膜５を含む樹脂層３の上に、厚み１．０μｍで形成し（図７（ｆ）参照）、これによって、金属薄膜付セラミックグリーンシート１を得た。なお、セラミック粉末分散層７は、スラリーが第２金属薄膜５を含む樹脂層３ではじかれることなく均一に塗布できたので、均一層として形成することができた。
【０１０８】
その後、このようにして得られた金属薄膜付セラミックグリーンシート１を、積層毎にベースフィルム２を剥離しながら、順次１０００枚積層し、その後、１３００℃で焼成することによって、積層セラミックコンデンサ１１を製造した（図３参照、但し、第１金属薄膜４が配線回路パターンに形成されている態様となる）。
【０１０９】
この積層セラミックコンデンサ１１の製造において、金属薄膜付セラミックグリーンシート１の樹脂層３からベースフィルム２を剥離させた時には、第２金属薄膜５が１００％剥離することなく残存していることが確認された。
【０１１０】
また、焼成後に得られた積層セラミックコンデンサ１１の断面を電子顕微鏡によって観察したところ、第１金属薄膜４における第２金属薄膜５が形成されている部分については、球状化が抑制されており、第２金属薄膜５および第１金属薄膜４によって精度のよい配線回路パターンが形成されていることが確認された。
【０１１１】
しかし、内部電極１２と絶縁層１３との間での剥離や、上下の絶縁層１３の間での剥離が確認され、また、絶縁層１３の内部クラックも部分的に確認された。
【０１１２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の金属薄膜付セラミックグリーンシートによれば、セラミックコンデンサの製造において、これらを積層して焼成する時に、各セラミック粉末分散層の間において全面に介在されている第１金属薄膜によって、均一な収縮率を確保することができ、セラミック粉末分散層の全体を均一に収縮させることができる。
【０１１３】
そのため、本発明のセラミックコンデンサの製造方法によれば、金属薄膜付セラミックグリーンシートを焼成する工程において、セラミック粉末分散層の全体を均一に収縮させることができる。そのため、不均一な収縮に起因する、内部電極と絶縁層との間での剥離や、上下の絶縁層の間での剥離、あるいは、絶縁層の内部クラックなどを有効に防止することができ、信頼性の高いセラミックコンデンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の金属薄膜付セラミックグリーンシートの一実施形態を製造する方法の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、ベースフィルムを用意する工程、
（ｂ）は、ベースフィルムの上に樹脂層を形成する工程、
（ｃ）は、樹脂層の上に第１金属薄膜を、その樹脂層の表面の全面に形成する工程、
（ｄ）は、第１金属薄膜の上に第２金属薄膜を所定の配線回路パターンとして形成する工程、
（ｅ）は、第２金属薄膜を含む第１金属薄膜の上に、セラミック粉末分散層を形成する工程を示す。
【図２】図１に示す金属薄膜付セラミックグリーンシートの製造方法において、（ｄ）で示される第１金属薄膜の上に第２金属薄膜を所定の配線回路パターンとして形成する工程の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、第１金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンと逆パターンで形成する工程、
（ｂ）は、めっきレジストから配線回路パターンとして露出する第１金属薄膜の表面に、めっきにより、第２金属薄膜を形成する工程、
（ｃ）は、めっきレジストを除去する工程
を示す。
【図３】本発明のセラミックコンデンサの製造方法の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、第１の金属薄膜付セラミックグリーンシートのベースフィルムを剥離する工程、
（ｂ）は、第２の金属薄膜付セラミックグリーンシートを、第１の金属薄膜付セラミックグリーンシートに、第２の金属薄膜付セラミックグリーンシートのセラミック粉末分散層の表面が、第１の金属薄膜付セラミックグリーンシートの樹脂層の表面と接触するように、重ね合わせる工程、
（ｃ）は、第２の金属薄膜付セラミックグリーンシートのベースフィルムを剥離する工程、
（ｄ）は、目的とする枚数分積層する工程、
（ｅ）は、焼成する工程
を示す。
【図４】図３に示すセラミックコンデンサの製造方法により得られた積層セラミックコンデンサの一実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の金属薄膜付セラミックグリーンシートの他の実施形態を製造する方法の一実施形態を示す工程図であって、
（ａ）は、ベースフィルムを用意する工程、
（ｂ）は、ベースフィルムの上に第１金属薄膜を、そのベースフィルムの表面の全面に形成する工程、
（ｃ）は、第１金属薄膜の上に第２金属薄膜を所定の配線回路パターンとして形成する工程、
（ｄ）は、第２金属薄膜を含む第１金属薄膜の上に、セラミック粉末分散層を形成する工程を示す。
【図６】比較例１の金属薄膜付セラミックグリーンシートを製造する方法を示す工程図であって、
（ａ）は、ベースフィルムを用意する工程、
（ｂ）は、ベースフィルムの上に第１金属薄膜を、そのベースフィルムの表面の全面に形成する工程、
（ｃ）は、第１金属薄膜の上に第２金属薄膜を所定の配線回路パターンとして形成する工程、
（ｄ）は、第１金属薄膜を所定の配線回路パターンとして形成する工程、
（ｅ）は、第２金属薄膜を含むベースフィルムの上に、セラミック粉末分散層を形成する工程を示す。
【図７】比較例２の金属薄膜付セラミックグリーンシートを製造する方法を示す工程図であって、
（ａ）は、ベースフィルムを用意する工程、
（ｂ）は、ベースフィルムの上に樹脂層を形成する工程、
（ｃ）は、樹脂層の上に第１金属薄膜を、その樹脂層の表面の全面に形成する工程、
（ｄ）は、第１金属薄膜の上に第２金属薄膜を所定の配線回路パターンとして形成する工程、
（ｅ）は、第１金属薄膜を所定の配線回路パターンとして形成する工程、
（ｆ）は、第２金属薄膜を含む樹脂層の上に、セラミック粉末分散層を形成する工程を示す。
【符号の説明】
１    金属薄膜付セラミックグリーンシート
２    ベースフィルム
３    樹脂層
４    第１金属薄膜
５    第２金属薄膜
７    セラミック粉末分散層
１１  積層セラミックコンデンサ
【図１】
2004179388.tif 000003
【図２】
2004179388.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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