(57)【要約】【課題】遊技球が複数個連なり通過する場合でも、正確に通過した遊技球の数を検出することが出来、使えるリードスイッチの感動値特性の幅が増え、リードスイッチの製造において、安定した量産性を確保出来る小型リードスイッチを用いた入賞センサを提供する。【解決手段】絶縁容器２７内に、一対のリード片２９が封入されている。そして、リード片２９は、リード片２９のリード片接点２９ａ同士がお互いに接触する位置にオーバーラップＬして構成され、応差を小さくするために、接点リード断面積（Ｗ×ｔ）の縦横比を５倍以上とし接点オーバーラップを取りやすくし、且つ、接点のオーバーラップ面積（Ｓ＝Ｌ×Ｗ）をリード断面積の２倍以上とし、感動値と開放値の差を小さくした。更に、小型リードスイッチの最適磁気空隙１０〜１５μｍに対し、接点めっき厚を１５％以上と厚くすることで、応差を３アンペアターン以下となっている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球の検出孔を囲んで１個または複数の駆動用磁石と、リードスイッチと電子回路からなる、遊技球の通過を検出するリードスイッチ方式の入賞センサにおいて、前記リードスイッチは感動値と開放値の差が小さいことを特徴とする入賞センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の入賞センサにおいて、前記リードスイッチの接点のオーバーラップ面積を接点リード断面積の２倍以上としたことを特徴とする入賞センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の入賞センサにおいて、前記リードスイッチの接点のオーバーラップ面積を接点リード断面積の１／２倍以下としたことを特徴とする入賞センサ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の入賞センサにおいて、前記リードスイッチの接点リード断面積の縦横比を５倍以上とすることを特徴とする入賞センサ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の入賞センサにおいて、前記リードスイッチの最適磁気空隙１０〜１５μｍに対し、接点めっき厚を１５％以上と厚くしたことを特徴とする入賞センサ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の入賞センサにおいて、前記リードスイッチの感動値と開放値の差を３アンペアターン以下とすることを特徴とする入賞センサ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の入賞センサにおいて、前記リードスイッチの感動値幅を５アンペアターン以上とすることを特徴とする入賞センサ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の入賞センサにおいて、磁石の表面磁束密度と前記リードスイッチの感動値を組み合わせ、配置することを特徴とする入賞センサ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の入賞センサにおいて、前記磁石の表面磁束密度が大きいものと、前記リードスイッチの感動値が大きいものとの組み合わせで、配置することを特徴とする入賞センサ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の入賞センサにおいて、前記磁石の表面磁束密度が小さいものと、前記リードスイッチの感動値が小さいものとの組み合わせで、配置することを特徴とする入賞センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パチンコ台の遊技球入賞口に装備して、入賞した遊技球（パチンコ玉ともいう）を検出する入賞センサに関し、特に、歩留まりや量産性を高めた入賞センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のリードスイッチ方式の入賞センサは、小型リードスイッチと駆動用磁石と組み合わせ、搭載個所の状態に合わせて使用され、遊技球が単球の場合だけで無く、複数個連なり通過する場合にも正確に通過した遊技球の数を検出することが必要である。このため、駆動用磁石の磁力と組み合わせる小型リードスイッチ特性（感動値，開放値）を最適化する必要がある。
【０００３】
しかし、駆動用磁石の特定磁力との最適化リードスイッチの感動値幅は、１アンペアターン程度と狭く、リードスイッチの製造歩留まりや量産性が悪く、リードスイッチメーカーからの供給が困難となる。
【０００４】
特許文献１には、図４に示すように、ケース体１３の一端に遊技球の通過を検出するための検出孔１５を設け、この検出孔１５の壁部にリードスイッチ１７を配置し、リードスイッチ１７側から見て、検出孔１５を挟んで左右に各々が対向する検出孔壁内に、長手方向に同磁力に着磁したそれぞれ長さが異なる２本の磁石１９ａ，１９ｂをリードスイッチ１７に対して異磁極で同磁力の磁界が到達するように配置し、且つ、検出孔１５を挟んでリードスイッチ１７と対向する位置に有する前記２本の磁石の両端間に密着させたヨーク（金属板）２１を配置することに依り、リードスイッチ１７の接点片は吸引し合ってリード片接点２９ａを閉じ、リードスイッチの両端に接続された電子回路２３の出力側に有する負荷回路の出力レベルがＨレベルとなり、検出孔内を遊技球が通過すると、遊技球に依ってリードスイッチに到達している磁界が遮られ、リードスイッチ１７がリード片接点２９ａを開くことに依り、負荷回路の出力レベルがＬレベルとなって遊技球を検出する構造となっている遊技球検出器が開示されている（以下、図４に示す入賞センサを従来例１と呼ぶ）。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３２６８３９１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、特許文献１に示される従来例１では、長手方向に同磁力に着磁したそれぞれ長さが異なる２本の磁石をリードスイッチに対して異磁極で同磁力の２磁界を与えた場合、磁石とリードスイッチの適合する範囲が著しく狭く、更に、常温時では正常に動作しているリードスイッチが、＋５℃以下及び＋３０℃以上の環境下では、使用しているパーマロイやロジウムめっきなどのリードスイッチを構成する磁性材料の伸縮によって感動値が変化して動作不能となる。
【０００７】
また、表１に示すように、遊技球が複数個連なり通過する場合にも正確に通過した遊技球の数を検出するために、駆動用磁石の表面磁束密度と組み合わせるリードスイッチ特性（感動値，開放値）を絞り込み最適化しなければならず、組立・検査の製造コストや部品コストが高くなり、また、リードスイッチの感動値幅が１アンペアターン程度に限定されるため、リードスイッチメーカーにおいて、リードスイッチの歩留まりや量産性が悪く、安定供給が困難となるという問題点がある。
【０００８】
【表１】
2004305572.tif 000003
【０００９】
本発明の目的は、入賞センサ用リードスイッチとして、感動値と開放値の差（以下、応差という）を小さくし、磁石の表面磁束密度とリードスイッチの感動値を組み合わせ、配置するため、遊技球が単球の場合だけで無く、複数個連なり通過する場合にも正確に通過した遊技球の数を検出することが出来、使えるリードスイッチの感動値特性の幅が増え、リードスイッチの製造において、安定した量産性を確保出来る小型リードスイッチを用いた入賞センサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、遊技球の検出孔を囲んで１個または複数の駆動用磁石と、リードスイッチと電子回路からなる、遊技球の通過を検出するリードスイッチ方式の入賞センサにおいて、前記リードスイッチは感動値と開放値の差が小さいことを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１１】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、前記リードスイッチの感動値と開放値の差を小さくするため、前記リードスイッチの接点のオーバーラップ面積を接点リード断面積の２倍以上としたことを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１２】
また、本発明によれば、前記リードスイッチの感動値と開放値の差を小さくするため、前記リードスイッチの接点のオーバーラップ面積を接点リード断面積の１／２倍以下としたことを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１３】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、前記リードスイッチの接点リード断面積の縦横比を５倍以上とすることを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１４】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、前記リードスイッチの感動値と開放値の差を小さくするため、前記リードスイッチの最適磁気空隙１０〜１５μｍに対し、接点めっき厚を１５％以上と厚くしたことを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１５】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、前記リードスイッチの感動値と開放値の差を３アンペアターン以下とすることを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１６】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、前記リードスイッチの感動値幅を５アンペアターン以上とすることを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１７】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、磁石の表面磁束密度と前記リードスイッチの感動値を組み合わせ、配置することを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１８】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、前記磁石の表面磁束密度が大きいものと、前記リードスイッチの感動値が大きいものとの組み合わせで、配置することを特徴とする入賞センサが得られる。
【００１９】
また、本発明によれば、前記入賞センサにおいて、前記磁石の表面磁束密度が小さいものと、前記リードスイッチの感動値が小さいものとの組み合わせで、配置することを特徴とする入賞センサが得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態の説明図である。図１（ａ）、図１（ｂ）は断面図、図１（ｃ）は磁気空隙と磁気吸引力・開離力を示したグラフである。
【００２２】
図１を参照して、本実施の形態の入賞センサ用リードスイッチ２５は、絶縁容器２７内に、一対のリード片２９が封入されている。そして、リード片２９は、リード片２９のリード片接点２９ａ同士がお互いに接触する位置にオーバーラップして構成されている。
【００２３】
従って、本実施の形態の入賞センサ用リードスイッチ２５は、応差を小さくするために、接点リード断面積（Ｗ×ｔ）の縦横比を５倍以上（本実施例の縦横比は、約６．４倍、接点幅：Ｗ＝０．７ｍｍ，接点厚さｔ＝０．１１）とし接点オーバーラップを取りやすくし、且つ、接点のオーバーラップ面積（Ｓ＝Ｌ×Ｗ）をリード断面積の２倍以上とし、感動値と開放値の差を小さくした。更に、小型リードスイッチの最適磁気空隙１０〜１５μｍに対し、接点めっき厚を１５％以上（本実施例の接点めっき厚は、２μｍ以上）と厚くすることで、応差を３アンペアターン以下の入賞センサに最適な小型リードスイッチを得ることが出来る。
【００２４】
また、汎用リードスイッチ設計において、磁気効率を最適化（磁気回路の断面積を一定）するため、接点のオーバーラップ面積Ｓと接点リード断面積が等しくなる様に設計を行うことが一般的であるが、本実施の形態の入賞センサにおいては、応差を小さくすることで、遊技球が複数個連なり通過する場合に、遊技球の通過と共に変化する磁束を敏感に捕らえ、リードスイッチがＯＮ，ＯＦＦすることが最適前提条件となるため、故意に接点のオーバーラップ面積をリードスイッチとしての最適設計から逸脱させた。このことは、接点のオーバーラップ面積をリード断面積の１／２倍以下（オーバーラップ部の磁気回路の断面積を狭くする）としても、前記の２倍以上（オーバーラップ部の磁気回路の断面積を広くする）とした場合と同様の効果が得られる。
【００２５】
図１（ｃ）に示すグラフでは、感動値３０アンペアターンのリードスイッチに於いて、従来の接点めっき厚１μｍの場合、開放値２０アンペアターンとなり応差１０アンペアターンであるが、本実施例の接点めっき厚２．５μｍの場合、開放値が２７アンペアターンとなり応差３アンペアターンとなる。
【００２６】
試作した入賞センサ用リードスイッチについて、感動値による応差の分布を従来のものと比較した結果を図２に示す。また、入賞センサ駆動範囲を図３、磁石とリードスイッチの適合する感動値範囲を表２にそれぞれ示す。
【００２７】
【表２】
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【００２８】
図２から明らかなように、従来のリードスイッチでは、感動値が大きくなるにつれて、応差（感動値と開放値の差）が大きくなるが、本実施の形態の実施例では、感動値が大きくなっても応差は３アンペアターン以下で一定となり、図３に示した入賞センサ駆動範囲において、表２の磁石とリードスイッチの適合する感動値範囲が著しく広範囲（５アンペアターン以上）となり、遊技球が複数個連なり通過する場合にも正確に通過した遊技球の数を検出することが出来た。
【００２９】
更に、磁石の表面磁束密度と前記リードスイッチの感動値を組み合わせとして、磁石表面磁束密度が大きいものとリードスイッチの感動値が大きいもの、または、磁石表面磁束密度が小さいものとリードスイッチの感動値が小さいものを組み合わせ配置することで、最適な入賞センサを得ることが出来る。
【００３０】
また、本発明の実施の形態の入賞センサについては、遊技球の計数センサ、駆動センサ、ゲートセンサ、始動口センサ、特定領域センサ、Ｖセンサの場合にも応用可能であることは勿論である。
【００３１】
また、本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施の形態に限られたものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、第１の実施の形態において、リードスイッチの電気接点めっき種類は、ロジウムめっきだけでなく、ルテニウムめっき、イリジウムめっきなどであっても良い。
【００３２】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明では、リードスイッチの感動値と開放値の差を小さくし、磁石の表面磁束密度とリードスイッチの感動値を組み合わせ配置するため、遊技球が単球の場合だけでなく、複数個連なり通過する場合にも正確に通過した遊技球の数を検出することが出来、使えるリードスイッチの感動値特性の幅が増えるばかりでなく、リードスイッチの製造において組立・検査製造歩留まりが良く、安定した量産性を確保出来る小型リードスイッチを用いた入賞センサを提供出来るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の説明図、図１（ａ）、図１（ｂ）は断面図、図１（ｃ）は磁気空隙と磁気吸引力・開離力を示したグラフ。
【図２】本発明の入賞センサ用リードスイッチについて、感動値による応差の分布を従来品のものと比較したグラフ。
【図３】本発明の入賞センサの駆動範囲を示す図。
【図４】従来の入賞センサの第１の例の構造を示す図。
【符号の説明】
１１    入賞センサ
１３    ケース体
１５    検出孔
１７，２５    リードスイッチ
１９ａ，１９ｂ    磁石
２１    ヨーク（金属板）
２３    電子回路
２７    ガラス管（絶縁容器）
２９    リード片
２９ａ    リード片接点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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