(57)【要約】　　　（修正有）【課題】安価で簡便に前記広視野角特性と高コントラスト比とを両立できる液晶素子の製造方法を提供すること。【解決手段】第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と０≦β１＜β２なる領域Ｄ２とが存在する液晶素子の製造方法として、領域Ｄ１における層形成方向をｎ、領域Ｄ２における層形成方向をｍとしたときに、領域Ｄ１においてｍなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度コレステリック相に昇温し、その後でｎなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ１を形成させる。【選択図】　　　図７
2004069987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）の相転移系列を示すカイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在する液晶素子の製造方法であって、
領域Ｄ１における層形成方向をｎ、領域Ｄ２における層形成方向をｍとしたときに、領域Ｄ１においてｍなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度コレステリック相に昇温し、その後でｎなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ１を形成させることを特徴とする液晶素子の製造方法。
【請求項２】
領域Ｄ２においてｎなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度コレステリック相に昇温し、その後でｍなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ２を形成させることを特徴とする請求項１記載の液晶素子の製造方法。
【請求項３】
高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相
（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）の相転移系列を示すカイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在する液晶素子であって、
当該液晶素子をコレステリック相に昇温した際、Ｄ１領域における平均的な液晶分子配向方向ｐ１と、等方性液体相に一旦昇温した後、再度コレステリック相に降温した際における平均的な液晶分子配向方向ｑ１と、が異なることを特徴とする液晶素子。
【請求項４】
前記Ｄ２領域における平均的な液晶分子配向方向ｐ２と、等方性液体相に一旦昇温した後、再度コレステリック相に降温した際における平均的な液晶分子配向方向ｑ２とが異なることを特徴とする請求項３記載の液晶素子。
【請求項５】
前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１ゲートライン毎に交互に存在している液晶素子であって、前記液晶素子に対して、１ゲートライン毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いるライン反転駆動によって駆動することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の液晶素子の駆動方法。
【請求項６】
前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が１画素毎に交互に（市松状に）存在しており、且つ、前記液晶素子に対して、１画素毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いるドット反転駆動によって駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
【請求項７】
前記一対の基板の少なくとも一方は、各画素に対応する電極に接続したアクティブ素子を有する基板であり、アクティブマトリクス駆動を行う駆動回路を備え、前記Ｄ１領域とＤ２領域が、複数の画素を一まとまりとしたブロック毎に交互に存在しており、且つ、前記液晶素子に対して、前記１ブロック毎に正負の極性を変化させて印加するような信号波形を用いて駆動することを特徴とする液晶素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶を利用して種々の表示を行うカイラルスメクチック液晶素子と
その製造方法及び駆動方法に関する。
【従来の技術】
従来、ネマチック液晶を利用したアクティブマトリクス型の液晶パネルが種々提案されている。以下、この液晶パネルについて説明する。
従来、１つ１つの画素にトランジスタのようなアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型液晶パネルとしてはネマチック液晶を用いたものがあり、様々なモードで使用されている。
例えば、広汎に用いられている代表的なモードとしてツイステッドネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ　　Ｎｅｍａｔｉｃ）モードがあり、該モードについては、「エム・シャット（Ｍ．Ｓｃｈａｄｔ）とダブリュー・ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉｃｈ）著、ＡＰＰｌｉｅｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｌｅｔｔｅｒｓ、第１８巻、第４号（１９７１年２月１５日発行）、第１２７頁〜１２８頁」に開示されている。
又、最近では、従来型液晶パネルの欠点である視野角特性を改善するものとして、横方向電界を利用したインプレインスイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｉｎ　　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが発表されている。
【０００２】
ところで、上述したネマチック液晶を用いた場合には（何れのモードでも）応答速度が遅いという問題があり、近年は、そのような問題点のないカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルが注目されている。例えば、「ショートピッチタイプの強誘電性液晶」、「高分子安定型強誘電性液晶」、「無閾反強誘電性液晶」などが提案されており、未だ実用化には至っていないものの、何れもサブミリ秒以下の高速応答性が実現できると報告されている。
【０００３】
次に、このようなカイラルスメクチック液晶を用いた液晶パネルの一例について説明する。
例えば、特開２０００−３３８４６４号にて開示されている液晶パネルは、カイラルスメクチック液晶として、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）、又は等方性液
体相（ＩＳＯ．）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）、の相転移系列を示す液晶を、仮想コーンのエッジより内側の位置で安定化するように調整して用いており、斯かる液晶を一対の基板間に注入した後の冷却過程において（正確には、Ｃｈ−ＳｍＣ＊　相転移の際、又はＩＳＯ−ＳｍＣ＊　相転移の際に）液晶２にＤＣ電圧を印加する等して層方向を一方向に均一化させている。
【０００４】
この液晶パネルは、応答速度が速いという効果を有する他、階調制御が可能であって、動画質に優れ、高輝度であって量産性に優れるという特徴を有している。又、この液晶パネルは、自発分極値を小さくでき、アクティブ素子とのマッチングが良いものとなっている。
更に、特開２０００−２７５６８４号では所定の領域ごとに前記層の方向を変化させることによって、優れた動画質という特徴を維持したまま、より一層の視野角の向上が図られている。
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した特開２０００−２７５６８４号で述べた液晶パネル（以下、先願１と記載）においては、領域ごとに層の方向を変化させることが特徴としているが、本発明者等の詳細な検討によると、用いる液晶材料によっては素子全面を同じ層方向に制御したサンプルＡと、先願１に記載に従って領域ごとに層の方向を変化させたサンプルＢとを比較したとき、サンプルＢのコントラスト比がサンプルＡに対して小さい値を取ってしまう場合があることが分かった。
【０００５】
即ち、先願１で述べた液晶パネルは、視野角特性については極めて良好な特性を示すものの、用いる液晶材料によってはコントラスト比が小さくなってしまうことから、視野角とコントラストとを両立させるためには用いる液晶材料の選択肢が可成り限られたものとなっていた。
そこで、本発明は先願１の液晶素子に対して、配向処理方法を工夫することにより安価で簡便に前記広視野角特性と高コントラスト比とを両立できる液晶素子とその製造方法及び駆動方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
本発明は上記事情を考慮してなされたものであり、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）の相転移系列を示すカイラルスメクチック液晶と、該液晶に電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在することと、領域Ｄ１における層形成方向をｎ、領域Ｄ２における層形成方向をｍとしたときに、領域Ｄ１においてｍなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度コレステリック相に昇温し、その後でｎなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ１を形成させることを特徴とするカイラルスメクチック液晶素子の製造方法である。
【０００６】
更に、領域Ｄ２に関しても、領域Ｄ２においてｎなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度コレステリック相に昇温し、その後でｍなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ２を形成させることを特徴とする。
【０００７】
又は、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）の相転移系列を示すカイラルスメクチック液晶と、該液晶電圧を印加する一対の電極と、該液晶を挟持して対向すると共に該液晶を配向させるための一軸性配向処理が施された一対の基板と、少なくとも一方の基板側に偏光板とを備えた液晶素子であって、電圧無印加時では、該液晶の平均分子軸が単安定化された第１の状態を示し、第１の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は印加電圧の大きさに応じた角度で該単安定化された位置から一方の側にチルトし、該第１の極性とは逆極性の第２の極性の電圧印加時には、該液晶の平均分子軸は該単安定化された位置から第１の極性の電圧を印加したときとは逆側にチルトし、第１の極性の電圧印加時と第２の極性の電圧印加時の液晶の平均分子軸の該第１の状態における単安定化された位置を基準とした最大チルト状態のチルトの角度をそれぞれβ１、β２としたとき、
β１＞β２≧０なる領域Ｄ１と
０≦β１＜β２なる領域Ｄ２と
が存在する液晶素子であって、当該液晶素子をコレステリック相に昇温した際、Ｄ１領域における平均的な液晶分子配向方向ｐ１と、等方性液体相に一旦昇温した後、再度コレステリック相に降温した際における平均的な液晶分子配向方向ｑ１とが異なる液晶素子である。
このときＤ２領域に関しても、Ｄ２領域における平均的な液晶分子配向方向ｐ２と、等方性液体相に一旦昇温した後、再度コレステリック相に降温した際における平均的な液晶分子配向方向ｑ２とが異なる液晶素子である。
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図６を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【０００８】
先ず、本実施の形態にて製造され駆動される液晶素子の全体構成について図１を参照して説明する。
本実施の形態に係る液晶素子は、図１に符号Ｐで示すように、所定間隙を開けた状態に配置された一対の基板１ａ，１ｂと、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙に配置されたカイラルスメクチック液晶２と、複数の画素を構成すると共に該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むように配置された一対の電極３ａ，３ｂと、これらの一対の電極の何れか一方３ｂに接続された状態で各画素毎に配置された複数のアクティブ素子４と、を備えており、前記一対の電極３ａ，３ｂを介して前記カイラルスメクチック液晶２に電圧を印加することにより駆動されるように構成されている。
尚、カイラルスメクチック液晶２としては、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊）の相転移系列を示すものを挙げることができる。斯かる液晶２は、電圧を印加していない状態で液晶分子が仮想コーンのエッジ、或は仮想コーンの内側の位置で安定化する状態で用いると良い。
【０００９】
次に、本実施の形態に係る液晶素子の製造方法について説明する。
上述した液晶素子Ｐを製造するに際しては、一対の基板の両側に一軸配向処理を施す工程と、所定間隙を開けた状態に一対の基板１ａ，１ｂを配置する工程と、これら一対の基板１ａ，１ｂの間隙にカイラルスメクチック液晶２を配置する工程と、該カイラルスメクチック液晶２を挟み込むと共に複数の画素を構成するように一対の電極３ａ，３ｂを配置する工程と、アクティブ素子４を各画素毎に一方の電極３ｂに接続した状態に配置する工程と、を適切な順序で実施する。
【００１０】
次に、液晶素子Ｐの詳細構造について説明する。
【００１１】
先ず、カイラルスメクチック液晶２について説明する。
本実施の形態にて用いるカイラルスメクチック液晶２は、上述のような相転移系列のもの、即ち、高温側より、等方性液体相（ＩＳＯ．）−コレステリック相（Ｃｈ）−カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ＊　）の相転移系列を示すものが好ましいが、具体的には、次の（１）〜（４）に示す化合物を挙げることができる。
（１）
【００１２】
【化１】
2004069987.tif 000003
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ｎ：０又は１
（２）
【００１３】
【化２】
2004069987.tif 000004
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（３）
【００１４】
【化３】
2004069987.tif 000005
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
（４）
【００１５】
【化４】
2004069987.tif 000006
Ｒ１，Ｒ２：炭素原子数が１〜２０である置換基を有していても良い直鎖又は分岐状のアルキル基
Ｘ１，Ｘ２：単結合、Ｏ、ＣＯＯ、ＯＯＣ
Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４：Ｈ又はＦ
ところで、本実施の形態では、カイラルスメクチック液晶２については、その液晶材料の組成を調整し、更に液晶材料の処理や素子構成、例えば配向制御膜６ａ，６ｂの材料、処理条件等を適宜設定することにより、
▲１▼駆動電圧が印加されていない場合には、該液晶の平均分子軸（液晶分子）が単安定化されている配向状態を示し、
▲２▼第１の極性（例えば正極性）の駆動電圧が印加されて駆動される場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記単安定化された位置から一方の側にチルトし、
▲３▼他方の極性（前記第１の極性に対する逆極性をいう。例えば負極性。以下、同じ）の電圧が印加されている場合には、液晶分子の平均分子軸が駆動電圧の大きさに応じた角度で前記安定化された位置から他方の側（即ち、前記第１の極性の電圧を印加したときにチルトする側とは反対の側）にチルトする、ような特性を示すようにすることができる。
つまり、本実施の形態に用いる液晶２は、例えば図５に示す特性のものであって、カイラルスメクチック液晶本来のメモリ性（双安定性）が消失されたものであって、チルト角の大きさを印加電圧によって連続的に制御することができ、それに伴って液晶素子の光量も連続的に変化させることができ、階調表示を可能とするものである。この場合、前記第１の極性の駆動電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角は、前記他の極性の電圧を印加することによって最大チルト状態とした場合におけるチルト角と異ならせると良い。例えば、該他の極性の電圧を印加した場合、該電圧の大きさにかかわらず、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ１領域と呼ぶ。
一方、前記処理条件を変えることにより、図５に示す特性に対してｙ軸に対して線対称な特性、即ち図６に示すように前記逆（例えば負）の極性の電圧を印加したときには大きく透過率が上昇し、前記第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときには逆極性（負）の電圧を印加したときとは異なった小さなチルト角を取らせることができる。又、このとき第１の極性（例えば正極性）の電圧を印加したときに、液晶の平均分子軸が殆どチルトしないような特性にしても良い。以下、このような特性を有する領域をＤ２領域と呼ぶ。
【００１６】
次に、カイラルスメクチック液晶２以外の各構成部材等について説明する。
上述した基板１ａ，１ｂには、ガラスやプラスチック等の透明性の高い材料を用いれば良い。
又、電極３ａ，３ｂには、Ｉｎ２
Ｏ３　やＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサ
イド）等の材料を用いれば良く、これらの電極３ａ，３ｂはそれぞれの基板１ａ，１ｂに形成すると良い。尚、アクティブ素子４を接続する方の電極３ｂは、ドット状にマトリクス状に配置し、他方の電極３ａは、基板のほぼ全面（或は特定の領域）に形成すると良い。更に、アクティブ素子４としては、ＴＦＴやＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）等を用いれば良い。
【００１７】
又更に、各電極３ａ，３ｂの表面には、これらの電極間のショートを防止するための絶緑膜を形成すると良く（図１には、一方の電極３ｂを覆う絶縁膜５ｂのみ図示）、斯かる絶緑膜は、ＳｉＯ２　、ＴｉＯ２　、Ｔａ２　Ｏ５　等にて形成すれば良い。
又、カイラルスメクチック液晶２に接する位置には、その配向状態を制御するために一軸配向処理を施した配向制御膜６ａ，６ｂを配置すると良い。斯かる配向制御膜６ａ，６ｂとしては、
＊ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリアミド、ポリビニルアルコール等の有機材料から成る溶液を塗布して膜を形成し、該膜の表面にラビング処理を施したものや
＊ＳｉＯ等の酸化物や窒化物から成る無機材料を基板１ａ，１ｂに斜め方向から所定の角度で蒸着させて形成した斜方蒸着膜、
＊紫外線照射等によって一軸配向規制力を発生しうる光配向膜を用いたもの、を挙げることができる。尚、この配向制御膜６ａ，６ｂの材質や一軸配向処理の条件等により、液晶分子のプレチルト角（即ち、配向制御膜６ａ，６ｂの界面近傍において液晶分子が配向制御膜６ａ，６ｂに対してなす角度）が調整される。
このような配向制御膜６ａ，６ｂは、カイラルスメクチック液晶２の両側に配置してそれらの両方の基板に対して一軸配向処理を施せば良く、その場合における一軸配向処理方向（特にラビング方向）の関係は、用いる液晶材料を考慮して、
＊アンチパラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ逆方向）、
＊　　パラレル（両一軸配向処理方向が平行且つ同方向）、
＊４５°以下の範囲でクロスする関係、
の何れかになるように設定すれば良い。尚、４５°以下の範囲でクロスする関係とは、２つのベクトル（一軸配向処理方向を示すベクトル）が４５°以下の範囲内でクロスする場合であって、それぞれのベクトル方向が同方向（正確には、４５°以下の角度ズレを有する）である場合や、それぞれのベクトル方向が逆方向である場合の両方を挙げることができる。
【００１８】
そして、互いのベクトルの交差角度（狭い方の交差角度）の値が４５°以下で且つ０°に近いような場合は、それぞれのベクトルの関係が実質的にアンチパラレル乃至パラレルの関係と見なしても良い。又、上述のアンチパラレル或はパラレルの関係もそれぞれベクトル同士が必ず平行である以外に、例えば数・程度ずれているような場合でも実質的にアンチパラレル乃至パラレルの関係とみなしても良い。
更に、基板１ａ，１ｂの間隙は、例えばシリカビーズ等からなるスペーサー（不図示）を配置する、若しくは隔壁（リブ）構造を形成することによって所定の間隙寸法を規定するようにしても良い。ここで言う隔壁（リブ）とは、例えばアクリル樹脂を、高さが略基板１ａ，１ｂの間隙寸法とし、幅１〜５００μｍ、長さは表示素子のパネルサイズを最大とした任意のサイズに適宜パターニングした構造体のことを指す。尚、間隙寸法は、液晶材料を考慮して最適範囲になるように調整すれば良いが、均一な一軸配向性を達成させ、且つ、電圧が印加されていない状態での液晶分子の平均分子軸を配向処理軸Ｒの平均方向の軸と実質的に一致させるために、０．３〜１０μｍの範囲に設定することが好ましい。
又更に、基板１ａ，１ｂの間隙にエポキシ樹脂等から成る接着粒子（不図示）
を分散配置して、両基板１ａ，１ｂの接着性や、液晶素子Ｐの耐衝撃性を向上させても良い。
更に、液晶素子Ｐは、透過型としても良く、反射型としても良い。尚、透過型の場合には両方の基板１ａ，１ｂを透明にする必要があり、反射型の場合には、基板１ａ，１ｂの一方に光を反射させる機能を付与する必要がある。ここで、光を反射させる機能を付与する方法としては、
＊反射板や反射膜を、基板とは別体に設ける方法や、
＊基板自体を反射部材で形成する方法や、
等を挙げることができる。ここで、透過型の液晶素子の場合には両方の基板に偏光板を（それらの偏光軸が互いに直交するように）配置すれば良く、反射型の液晶素子の場合には少なくとも一方の基板に偏光板を設ければ良い。
ところで、上述した液晶素子Ｐを用いてカラー表示を行うようにしても良い。
このようなカラー表示を行う方法としては、
＊各画素にカラーフィルターを配置する方法や、
＊そのようなカラーフィルターを用いず、液晶素子に対して異なる色の光を順次照射すると共に該光の照射に同期させて画像を変更する方法（所謂フィールドシーケンシャル方式）、
を挙げることができる。又、上述した電極の何れか一方３ｂには、駆動回路（図２の符号２１参照）を接続して階調信号を入力し、該信号によってチルト角度（即ち、液晶の平均分子軸の単安定位置からのチルト角度）の大きさを制御して光透過率を制御し、それによって階調表示を行うようにすると良い。
【００１９】
次に、本実施の形態に係る液晶素子Ｐの詳細構成の一例について、図１及び図２を参照して説明する。
図１に示す液晶素子Ｐは、所定間隙を開けた状態に配置した一対のガラス基板１ａ，１ｂを備えており、一方のガラス基板１ａの全面には、ほぼ均一な厚みの共通電極３ａが形成され、共通電極３ａの表面には配向制御膜６ａが形成されている。
又、他方のガラス基板１ｂの側には、図２に示すように、ゲート線Ｇ１，Ｇ２　，…が図示Ｘ方向に多数配置され、ゲート線Ｇ１　，Ｇ２　，…とは絶縁された状態のソース線Ｓ１　，Ｓ２　，…が図示Ｙ方向に多数配置されている。そして、これらのゲート線Ｇ１　，Ｇ２　，…及びソース線Ｓ１　，Ｓ２，…の各交点の画素には、アクティブ素子としての薄膜トランジスタ（アモルファスＳｉＴＦＴ）４や、ＩＴＯ膜等の透明導電膜から成る画素電極３ｂ及び保持容量電極７等が配置されている。
このうち、アモルファスＳｉＴＦＴ４は、図１に示すように、ゲート電極１０と、窒化シリコン（ＳｉＮｘ　）から成る絶縁膜（ゲート絶緑膜）５ｂと、半導体層であるａ−Ｓｉ層１１やｎ＋　ａ−Ｓｉ層１２，１３と、ソース電極１４と、ドレイン電極１５と、チャネルを保護するチャネル保護膜１６と、によって構成されている。即ち、ガラス基板１ｂには各画素毎にゲート電極１０が形成され、該ゲート電極１０の表面は絶縁膜５ｂにて覆われ、絶縁膜５ｂの表面であってゲート電極１０を形成した位置にはａ−Ｓｉ層１１が形成されている。
【００２０】
又、このａ−Ｓｉ層１１の表面には、互いに離間するようにｎ＋ａ−Ｓｉ層１２，１３が形成されており、各ｎ＋　ａ−Ｓｉ層１２，１３にはソース電極１４やドレイン電極１５が互いに離間した状態に形成されている。更に、これらのａ−Ｓｉ層１１や電極１４，１５を覆うようにチャネル保護膜１６が形成されている。
そして、ＴＦＴ４のゲート電極１０は上述したゲート線Ｇ１，Ｇ２　，…を介して走査信号ドライバ２０に接続され、ＴＦＴ４のソース電極１４はソース線Ｓ１，Ｓ２　，…を介して情報信号ドライバ２１に接続され、ＴＦＴ４のドレイン電極１５は画素電極３ｂに接続されている。
ところで、上述した保持容量電極７はガラス基板１ｂの表面に形成されており、上述した絶縁膜５ｂは、この保持容量電極７及びガラス基板１ｂを覆う位置まで形成され、上述したソース電極１４や画素電極３ｂはこの絶縁膜５ｂの表面に形成されている。これにより、保持容量電極７と画素電極３ｂとは、絶縁膜５ｂを挟んだ状態に配置されることとなり、これらによって、液晶２と並列の形で設けられた保持容量Ｃｓ　が構成されることとなる（図３参照）。
又、図１に示すように、上述したＴＦＴ４や画素電極３ｂの表面には配向制御膜６ｂが形成されており、その表面には一軸配向処理（ラビング処理）が施されている。
更に、これらのガラス基板１ａ，１ｂの間隙であって、画素電極３ｂと共通電極３ａとの間には、自発分極を有するカイラルスメクチック液晶２が配置されていて、液晶容量Ｃｌｃが構成されることとなる（図３参照）。
又、このような液晶素子Ｐの両側には、互いに偏光軸が直交した関係にある一対の偏光板（不図示）が配置されている。
尚、図１に示す液晶素子ＰではアモルファスＳｉＴＦＴを用いているが、勿論これに限る必要はなく、多結晶Ｓｉ（Ｐ−Ｓｉ）ＴＦＴや単結晶Ｓｉ（Ｃ−Ｓｉ）ＴＦＴを用いても良い。
又、上述のアクティブ素子を備えた素子において、例えば図７〜図９に示すように、１ライン毎、又は画素毎、又は複数の画素を１つの単位としたブロック毎に、上述した電気光学特性の異なるドメインＤ１、Ｄ２を形成している。即ち、隣り合ったライン或は画素又ブロックにおける層方向を互いに異なるようにする。
【００２１】
こうした層方向の異なるドメインＤ１、Ｄ２を形成する手段としては、　　　１．Ｃｈ−ＳｍＣ＊　相転移の際に、例えばＤ１に負、Ｄ２に正のＤＣ電圧とする等、ドメインによって相転移の際に印加する電圧印加条件を変化させる。
【００２２】
２．Ｄ１、Ｄ２ドメイン部分に異なる配向膜を用いる。
【００２３】
３．Ｄ１、Ｄ２ドメイン部分に対する配向膜の処理法（ラビング強度、ＵＶ照射等の条件）を変える。
等、様々な方法が考えられるが、本発明液晶素子の製造方法の場合に適用できる手段としては１を好適に用いることができる。
【００２４】
即ち、本発明の液晶素子の製造方法は領域Ｄ１における層形成方向をｎ、領域Ｄ２における層形成方向をｍとしたときに、領域Ｄ１においてｍなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度コレステリック相に昇温し、その後でｎなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ１を形成させることが特徴となっている。従って、異なる２つの層方向を自在に制御する必要がある。つまり、２，３のようなセル作製プロセスにて方向性が決まってしまうような処理方法よりも、セル化プロセスが完了し液晶注入後においても層の方向を制御することが可能な、外部印加電圧による層方向の制御を用いることが望ましい。
一方、こうして得られた液晶素子を線順次駆動する際には、例えば偶数フィールドではパネル全面に第１の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドではパネル全面に第２の極性の電界が印加されるようなフレーム反転駆動によって駆動することができる。但し、このとき偶数フィールド（第１の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は小さくチルトする。逆に奇数フィールド（第２の極性）では領域Ｄ１において液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２では液晶分子は大きくチルトする。つまり、偶数・奇数フィールド何れにおいてもパネル表示は、領域Ｄ１或は領域Ｄ２の何れかが大きくチルトするため明表示となってしまい、ＣＲＴと同様なインパルス表示することにはならない、所謂ホールド表示になってしまうため、良好な動画質を得ることができない。
そこで、本発明では、Ｄ１とＤ２に対してそれぞれ正の電界と負の電界とが交互に印加されるようにそれぞれの映像信号線に信号を供給しパネルに電界を与えることで、上記問題を解決することができる。つまり、例えば偶数フィールドでは領域Ｄ１に第１の極性の電界が印加され領域Ｄ２に第２の極性の電界が印加され、それに続く奇数フィールドでは領域Ｄ１に第２の極性の電界が印加され領域Ｄ２に第１の極性の電界が印加されるとする。このとき、偶数フィールドでは領域Ｄ１に対して第１の極性の電界が印加されているため液晶分子は大きくチルトし、領域Ｄ２に対して第２の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は大きくチルトする。逆に奇数フィールドでは領域Ｄ１に対して第２の極性の電界が印加されているため液晶分子は小さくチルトし、領域Ｄ２に対して第１の極性の電界が印加されているため、ここでも液晶分子は小さくチルトする。
【００２５】
つまり、偶数フィールドにおいて高輝度表示で、奇数フィールドにおいて低輝度表示されることから、当該駆動を用いることにより良好な視野角特性を実現しつつ良好な動画質を得ることが可能となる。尚、上述したように、ここで述べた低輝度表示の際には透過率がゼロの状態、即ち、奇数フィールドにおいて何も表示されないような特性にしても良い。
【００２６】
次に、上述した液晶素子Ｐの駆動方法（通常の画像表示を行う場合の駆動方法）の一例について、１つの画素に着目して詳細に説明する。尚、層方向が異なる隣接ライン（又は画素或はブロック）についてはソース電圧の極性が逆になっているだけで、他は同じと考えて良い。
上述した液晶素子Ｐにおいては、走査信号ドライバ２０から各ゲート線Ｇ１，Ｇ２　，…にはゲート電圧が線順次に印加され、ＴＦＴ４はゲート電圧が印加されることによってオン状態となる。
一方、ゲート電圧の印加に同期して、情報信号ドライバ２１からソース線Ｓ１　，Ｓ２　，…にはソース電圧（各画素に書き込む情報に応じた情報信号電圧）が印加される。従って、ＴＦＴ４がオン状態にある画素では、ソース電圧がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して液晶２に印加され、液晶２のスイッチングが画素単位で行われる。
そして、このような駆動を一定期間（フレーム期間）毎に繰り返し、画像の書き換えを行うようになっている。
【００２７】
尚、図４に示すように、１つのフレーム期間Ｆ０　を複数のフィールド期間Ｆ１　，Ｆ２　，…に分割し、各フィールド期間Ｆ１　，Ｆ２　，…でそれぞれ画像書き換えを行うようにしても良い。以下、その駆動方法について説明する。
ここで、図４は、各フレーム期間Ｆ０を２つのフィールド期間Ｆ１　，Ｆ２　に分割した例を示す図であり、同図（ａ）は、或る１本のゲート線Ｇｉにゲート電圧Ｖｇ　が印加される様子を示す図、同図（ｂ）は、或る１本のソース線Ｓｊ　にソース電圧Ｖｓが印加される様子を示す図、同図（ｃ）は、これらゲート線Ｇｉ及びソース線Ｓｊ　の交差部の画素（即ち、液晶２）に電圧Ｖｐｉｘ　が印加される様子を示す図、同図（ｄ）は、当該画素における透過光量の変化を示す図である。尚、液晶２には、図５に示すような、電圧−透過率特性のものを用いている。
今、或る１本のゲート線Ｇｉに一定期間（選択期間Ｔｏｎ）だけゲート電圧Ｖｇ　が印加され（同図（ａ）参照）、或る１本のソース線Ｓｊには、ゲート電圧Ｖｇ　の印加に同期した選択期間Ｔｏｎに、共通電極３ａの電位Ｖｃ　を基準電位としたソース電圧Ｖｓ（＝＋Ｖｘ　）が印加される（同図（ｂ）参照）。すると、当該画素のＴＦＴ４はゲート電圧Ｖｇ　の印加によってオンされ、ソース電圧Ｖｘ　がＴＦＴ４及び画素電極３ｂを介して印加されて液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　の充電がなされる。
【００２８】
ところで、選択期間Ｔｏｎ以外の非選択期間Ｔｏｆｆ　には、ゲート電圧Ｖｇ　は他のゲート線Ｇ１　，Ｇ２　，…に印加されていて同図（ａ）に示すゲート線Ｇｉには印加されず（ゲート電圧Ｖｇ　が印加されていないだけであって、オフ電圧は印加されている）、当該画素のＴＦＴ４はオフとなる。従って、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　は、この間、充電された電荷を保持することとなる（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ１　を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ　（＝＋Ｖｘ）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｘ　が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転が完了せず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ　に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ　は同図（ｃ）のように＋Ｖｘ　よりＶｄ　だけ小さい値を取る。
次のフィールド期間Ｆ２においては、上述したゲート線Ｇｉ　には再びゲート電圧Ｖｇ　が印加され（同図（ａ）参照）、これと同期してソース線Ｓｊ　には、先のものとは逆極性のソース電圧−Ｖｘ　が印加される（同図（ｂ）参照）。これによって、ソース電圧−Ｖｘ　が液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　に充電されると共に、非選択期間Ｔｏｆｆにおいてはその電荷が保持される（同図（ｃ）参照）。これにより、１フィールド期間Ｆ２　を通じて液晶２には電圧Ｖｐｉｘ　（＝−Ｖｘ　）が印加され続けることとなり、ほぼ同じ透過光量Ｔｙ　が維持されることとなる（同図（ｄ）参照）。
【００２９】
ここで、選択期間Ｔｏｎが比較的短い場合には、液晶分子反転は完了しておらず、液晶容量Ｃｌｃ及び保持容量Ｃｓ　への充電及び液晶２のスイッチングは非選択期間Ｔｏｆｆ　に行われる。斯かる場合は、自発分極の反転によって充電された電荷が相殺され、液晶２に印加される電圧Ｖｐｉｘ　は図４（ｃ）のように−Ｖｘ　よりＶｄ　だけ大きい値を取る。
ところで、図４に示す駆動方法によれば、各フィールド期間Ｆ１，Ｆ２　単位で印加電圧の大きさに応じて液晶２がスイッチングされ、各フィールド期間Ｆ１，Ｆ２　単位で異なる階調表示状態（透過光量Ｔｘ　，Ｔｙ　）が得られ、フレ−ム期間Ｆ０　の全体でそれらＴｘ　，Ｔｙ　を平均した透過光量が得られる。尚、液晶２には図５に示す特性のものを用いているため、２番目のフィールド期間Ｆ２　における透過光量Ｔｙ　は、Ｔｘ　より可成り小さい値若しくはほぼ０レベルであり、フレーム期間全体の透過光量は、上述のような透過光量の平均化によって最初のフィールド期間Ｆ１　の透過光量に比べて大きく低下することとなる。
従って、実際の駆動においては、フレーム期間全体で得たい透過光量（表示画像の階調）に基づいて、最初のフィールド期間Ｆ１　の透過光量Ｔｘ　を（表示諧調よりも高めに）決定し、該透過光量Ｔｘ　を得るような電圧Ｖｘ　を印加すれば良い。
又、上述のように駆動した場合、奇数フィールド期間（例えばＦ１）では正極性の電圧（＋Ｖｘ）が液晶２に印加され、偶数フィールド期間（例えばＦ２）では負極性の電圧（−Ｖｘ　）が液晶２に印加されることとなるため、液晶２に実際に印加される電圧が時間的に交流化され、液晶２の劣化が防止される。
更に、最初のフィールド期間Ｆ１においては高輝度表示を行い、次のフィールド期間Ｆ２　では低輝度表示を行うため、時間開口率が５０％以下程度となる。従って、斯かる液晶素子で動画像を表示した場合、その画質が良好なものとなる。ところで、コレステリック相からカイラルスメクチックＣ相へと相転移する相転移過程を詳細に偏光顕微鏡観測したとき、スメクチックＡ相と酷似した配向状態が観測される場合がある。しかしながら、本発明に使用される素子の本質はＳｍＣ＊相でスメクチック層の法線方向と一軸配向処理方向とが大きく異なっており電圧無印加時に安定な分子位置がラビング方向に近い位置にあることである。つまり、こうした関係の層形成方向が実現されている場合には上記スメクチックＡ相的な液晶相は配向には寄与しないこととなるため、本願においてはこうした材料についてもスメクチックＡ相を含まない材料と定義する。
次に、本実施の形態の効果について説明する。
本発明では領域Ｄ１における層形成方向をｎ、領域Ｄ２における層形成方向をｍとしたときに、領域Ｄ１においてｍなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度、コレステリック相に昇温し、その後でｎなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ１を形成させている。或はそれに加えて、領域Ｄ２においてｎなる方向に層形成を行う第１の層方向形成過程を経た後、再度コレステリック相に昇温し、その後でｍなる方向に層形成を行う第２の層方向形成過程によって領域Ｄ２を形成させることにより、安価で簡便に視野角特性とコントラスト比とを両立できる液晶素子が実現できる。
【００３０】
又、こうした製造方法で作製された液晶素子は、当該液晶素子をコレステリック相に昇温した際、Ｄ１領域における平均的な液晶分子配向方向ｐ１と、等方性液体相に一旦昇温した後、再度コレステリック相に降温した際における平均的な液晶分子配向方向ｑ１とが異なる方向を向いている。
【００３１】
又、Ｄ２領域についても同様な手法によって配向処理されている場合には、前記Ｄ２領域における平均的な液晶分子配向方向ｐ２と、等方性液体相に一旦昇温した後、再度コレステリック相に降温した際における平均的な液晶分子配向方向ｑ２とが異なった配向方向を向いている。これにより、安価で簡便に視野角特性とコントラスト比とを両立できる液晶素子が実現できる。
ここで、その効果について、先ず等方性液体相から冷却する過程のみで得られた場合について説明する。
簡単のため、平均的な一軸配向処理方向がソース線に平行となるよう上下の両基板にラビング処理を施し、上述したアンチパラレルラビング構成となるよう上下基板を配置した場合において、等方相−コレステリック（Ｃｈ）相−カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相という相系列を有する液晶材料を用いる場合を考える。このとき、等方相からコレステリック相に冷却した後では、液晶分子は基板界面、バルク共にラビング方向を向いて配向している。つまり、このとき液晶分子のダイレクタは平均的にはソース線に平行方向を向いていることになる。
次いで、この状態から冷却してＳｍＣ＊相へと転移させる過程について説明する。
【００３２】
通常、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後の層構造は分子配向方向が一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と平行な方向を向いたままで、層の形成方向はおよそカイラルスメクチックＣ　相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向に形成される。ここで層の形成方向は＋方向とー方向の２通りが存在する。
【００３３】
そこで、本素子を上述したような良好な動画質を示すデバイスとして用いるためには、層の方向を何れか一方に制御し、且つ、それに応じた信号波形を用いて駆動する必要がある。ここでは、この層方向の制御のために、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へ相転移する温度近傍において弱い直流（例えば−２Ｖ程度）の電圧を用いて制御させるものとする。このように負の電圧にて層方向制御した場合におけるカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相での電気光学特性は図５に示すようなものとなり、正の電圧印加時において大きく分子がチルトし、負の電圧では小さくチルト若しくは全くチルトしないという特性にすることができる。
このとき、カイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相における液晶分子の配向方向は、液晶材料によってはＳｍＣ＊相を呈する温度範囲内においてコレステリック（Ｃｈ）相における分子配向方向と略平行方向を維持するものもあるが、多くの液晶材料ではカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相において温度が変化するに連れてＣｈ相における分子配向方向から数度程度のずれを生じてしまう。このＣｈ相における分子配向方向からのずれは以下のような原因で発生する。
先ず、コレステリック（Ｃｈ）相からカイラルスメクチックＣ（ＳｍＣ＊）相へと相転移した直後では、上述したように分子配向方向は平均的な一軸配向処理方向或はコレステリック相における平均分子配向方向と略平行な方向を向いている。そして、およそカイラルスメクチックＣ　相におけるチルト角（Θ）分だけ傾いた方向にスメクチック層が形成される。
【００３４】
次いで、更に温度を下げていった時に、多くの液晶材料ではチルト角（Θ）に温度依存性が存在するために、層法線方向からの液晶分子の開き角が温度と共に変化する。即ち、温度を変化させることにより、電圧無印加時の液晶分子配向方向が変化する結果、Ｃｈ相における分子配向方向からのずれが生じてしまうことになる。このずれ角は、上記説明から分かるように、ＳｍＣ＊相内でのチルト角（Θ）の温度依存性が大きいほどずれ量が大きくなっている。
【００３５】
尚、このときの液晶分子の平均的な一軸配向処理方向からずれる方向は、例えばスメクチック層の層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から反時計回りの位置に存在する場合には、時計回りの方向にずれることになる。逆に層法線方向が平均的な一軸配向処理方向から時計回りの位置に存在する場合には、反時計回りの方向にずれることになる。
ところで、本発明の液晶素子は、上述したようにパネル内にＤ１とＤ２という２つの層方向を持つ領域を作り込んでいる。その作り込み方は、例えば所望の領域に対してＣｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において正の電圧を印加するか、負の電圧を印加するかを選択すること等により２つの領域を選択的に形成することが可能となる。この場合、例えば負の電圧を印加して得られる領域をＤ１、正の電圧を印加して得られる領域をＤ２とする。
ところが、特に例えばチルト角（Θ）に温度依存性がある液晶材料を用いる場合には、上述したように平均的な一軸配向処理方向からずれた位置に安定位置が存在することになる。このとき、平均的な一軸配向処理方向とＳｍＣ＊相における安定位置とのずれ角をρ［ｄｅｇ．］とすると、Ｄ１とＤ２では層の方向が異なっていることから、ＳｍＣ＊相における安定位置はＤ１とＤ２との間で２ρ［ｄｅｇ．］だけ異なることになる。
【００３６】
従って、例えば透過型の液晶素子においてクロスニコル下において電圧無印加時の安定状態を黒表示にしようとすると、Ｄ１とＤ２の少なくとも何れか一方はクロスニコルの偏光板の偏光軸から少なくともρ［ｄｅｇ．］以上ずれてしまう結果、黒表示時において光り抜けが生じコントラストの低下の原因となる。
そこで、本発明ではＤ１領域とＤ２領域の何れか一方のみ（例えばＤ１領域のみ）、若しくは両方の領域において、上記Ｃｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において電圧印加によって層方向を選択的に形成する際に、第１の配向処理過程において所望の領域ごとに所定の層方向に制御した後、コレステリック相まで昇温した上で、その後、第２の配向処理過程において第１の配向処理過程とは逆極性の電圧を印加する等によって第１の配向処理過程において得られた層方向とは異なる方向の層を形成するように制御している。
【００３７】
これによって、上記コントラストの低下を抑制することができる。ここでは、その方法についてＤ１、Ｄ２両方の領域について上記処理を施す場合について、次のような具体例を示して説明する。
先ず、上述のようなＤ１、Ｄ２領域を作り込んでおいた液晶素子を準備する。
このときの液晶素子は等方相から冷却し、コレステリック相、カイラルスメクチックＣ相へと冷却過程のみで得る。このとき、ソース線方向を０度とし時計回り方向を正としたとき、層の形成方向については、Ｄ１領域が上記Ｃｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において負の電圧印加によってソース線に対してーΘ［ｄｅｇ．］、Ｄ２領域が上記Ｃｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において正の電圧印加によってソース線に対して＋Θ［ｄｅｇ．］だけ傾いた方向に形成されるものとし、室温近傍における電圧無印加時の平均的な液晶分子配向方向については、Ｄ１領域では＋ρ［ｄｅｇ．］、Ｄ２領域ではーρ［ｄｅｇ．］であるとする。
この後、上記素子をコレステリック相まで昇温する。このとき、液晶材料と配向膜材料との相性、或は配向規制力の大きさなどに依存すると思われるが、コレステリック相まで昇温しても完全には一軸配向処理方向と一致しない方向に液晶分子が配向してしまう場合がある。これは界面のメモリー効果（ＳＭＥ：Ｓｕｒｆａｃｅ　　ｍｅｍｏｒｙ　ｅｆｆｅｃｔ）によって説明できる。つまり、カイラルスメクチックＣ相において界面近傍の液晶分子が一軸配向処理の方向とは異なった方向（電圧無印加時の平均分子配向方向と略平行な方向）に吸着されると、その吸着分子はコレステリック相に昇温した場合にも完全には一軸配向処理方向には戻らず、一軸配向処理方向からはずれた方向に配向したままになってしまう。
【００３８】
このとき、コレステリック相ではバルクの液晶分子も界面分子に従って配向してしまうため、平均的な液晶分子の配向方向は一軸配向処理方向と異なった方向に配向することになる。尚、このときのコレステリック相での液晶分子の平均的な配向方向ρ’がソース線に近い場合、即ち０度に近い場合には、前記ＳＭＥの効果が小さく、ρ（又は−ρ）に近い場合には前記ＳＭＥの効果が大きいということができる。ここで、前記ＳＭＥの効果を表すパラメータをｋ（＝ρ’／ρ）とする。ここで、ｋの取り得る範囲は、０≦ｋ≦１となる。このｋ値を極力１に近くする、即ちＳＭＥの効果を大きくするには、
・配向膜と液晶材料とのマッチングが良いものを選択する。
【００３９】
・カイラルスメクチックＣ相においてなるべく低温側まで降温する。
【００４０】
・カイラルスメクチックＣ相においてなるべく長時間放置する。
【００４１】
・カイラルスメクチックＣ相において電圧印加を行う。
等の様々な方法が考えられるが、その素子の構成に応じて適切な処理を施せば良い。
次いで、上記ＳＭＥによって一軸配向処理を施した方向からずれた方向に配向しているコレステリック相から再度カイラルスメクチックＣ相へと相転移する過程（第２の層形成過程）を説明する。前記液晶素子をコレステリック相まで昇温し、その後再度カイラルスメクチックＣ相へと相転移させる際には第１の層形成過程とは逆の極性の電圧を印加する。即ち、前記Ｄ１領域に対してはＣｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において正の電圧印加、前記Ｄ２領域が上記Ｃｈ−ＳｍＣ＊相転移過程において負の電圧を印加するような配向処理を施す。こうした場合においても、Ｃｈ相における分子配向方向を基準として層形成がなされ、ＳｍＣ＊相における電圧無印加時の平均分子配向方向が決まる。
【００４２】
例えば、Ｄ１領域では、第１の層形成過程でのＳＭＥによって決められたρ’［ｄｅｇ．］からＳｍＣ＊相において分子がずれることになるので、ソース線からは（ρ―ρ’）［ｄｅｇ．］だけずれた方向に配向することになる。ここで、ρ’＝ｋρなのでソース線からのずれ角はｋを用いて表すと、（１−ｋ）・ρ［ｄｅｇ．］となる。同様に、Ｄ２領域のソース線からのずれ角は（ｋ−１）・ρ［ｄｅｇ．］となる。従って、ＳＭＥの効果がない、即ちｋ＝０の素子ではこうした配向処理の効果はないものの、少しでもＳＭＥの効果がある、即ちｋがゼロでない値を有する場合には第１の層形成過程のみによって得られた液晶素子における液晶素子における液晶分子配向方向のソース線からのずれ角よりも小さい値にすることが可能となる。従って、これによりコントラスト比の向上に繋げることが可能となる。
尚、第１の配向処理過程と第２の配向処理過程との間に等方相まで昇温してしまうと、界面の吸着分子も脱離してしまい再度コレステリック相に冷却したときには一軸配向処理方向を向いてしまうため、本発明の液晶素子の製造方法においては等方相まで昇温しないことが肝要である。
以上述べたように、このような配向処理を施すことによって有効表示領域の全面において実使用温度範囲内における液晶分子配向方向を偏光板の偏光軸と一致若しくは近づけることが可能となり、同一パネル内に２つの層方向を作り込んだ液晶素子においても、パネル全面にて良好なコントラスト比を実現できる。
【実施例】
以下、実施例に沿って本発明を更に詳細に説明する。
（実施例１）
（液晶組成物の調製）
先ず、下記液晶性化合物を、それぞれの右側に併記した重量比率で混合し液晶組成物ＬＣ−１を調製した。
【００４３】
【化５】
2004069987.tif 000007
上記液晶組成物ＬＣの物性パラメータを以下に示す。
2004069987.tif 000008
自発分極（３０℃）：Ｐｓ＝２．９ｎＣ／ｃｍ２
コーン角（３０℃）：Θ＝２３．３°（１００Ｈｚ、±１２．５Ｖ、基板間隙は１．４μｍ）ＳｍＣ＊　相での螺旋ピッチ（３０℃）：２０μｍ以上
（液晶セルの作製）
本実施例においては、図１及び図２に示すアクティブマトリクス型液晶パネル（液晶素子）Ｐを作成した。
尚、基板１ａ，１ｂには厚さ１．１ｍｍのガラス基板を用い、それらには透明電極３ａ，３ｂを７００Å厚のＩＴＯにて形成した。又、一方のガラス基板１ａにはＲＧＢのカラーフィルター（不図示）を形成した。そして、画面サイズは１０．４インチとし、画素数（即ち、ＲＧＢの色画素（サブピクセル）によって構成される画素の数）は８００（横）×６００（縦）とした。尚、このときサブピクセル数は２４００（横）×６００（縦）となり、各サブピクセルの開口部のサイズは７５μｍ（横）×２３０μｍ（縦）であった（ゲートラインが横、ソースラインが縦）。
更に、アクティブ素子４にはａ−ＳｉＴＦＴを用い、該ＴＦＴ４のゲート絶縁膜５ｂには窒化シリコン膜３ｂを用いた。
又、配向制御膜６ａ，６ｂは、ポリイミド膜にて形成した。具体的には、市販のＴＦＴ用配向膜（日産化学社製のＳＥ７９９２）をスピンコート法により透明電極３ａ，３ｂを覆うように塗布し、その後、８０℃の温度で５分間の前乾燥を行い、更に２００℃の温度で１時間の加熱焼成を施すことによって形成し、その膜厚を１５０Åとした。
【００４４】
尚、これらの配向制御膜６ａ，６ｂには、ナイロン布コットン布によるラビング処理（一軸配向処理）を施した。このラビング処理には、外周面にコットン布を貼り合わせた径１０ｃｍのラビングロールを用い、押し込み量を０．７ｍｍ、送り速度を１０ｃｍ／ｓｅｃとし、回転数を１０００ｒｐｍ、送り回数を４回とした。このときのラビング方向は上下基板ともソース線に平行になるよう設定した。
続いて、一方の基板上には、平均粒径１．５μｍのシリカビーズ（スペーサー）を散布し、各基板のラビング処理方向が互いにアンチパラレルとなるように貼り合わせ、均一な基板間隙のセルを得た。
このようなプロセスで作製したセルに液晶組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶がカイラルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却し（但し、冷却速度は１℃／ｍｉｎとした）、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊相に相転移する際に（Ｔｃ−２℃〜Ｔｃ＋２℃の温度範囲内で）印加する電圧条件として、１ゲートライン毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊相に相転移する際に、奇数行に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧を、偶数行に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧を印加して液晶パネルＰ１を作製した。このときの層構造の様子を図８に模式的に示す。図７における斜線が層の方向を模式的に表している。
こうして得られた液晶パネルＰ１の配向状態を室温にて偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２０度反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２０度時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
更に、詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において反時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
次に、液晶パネルＰ１を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、このときの駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行に対しては正極性、偶数行に対しては負極性の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行に対しては負極性、偶数行に対しては正極性の電圧を印加する、
という所謂ライン反転駆動によって駆動した。このときの動画質評価として下記に示す評価法を用いた。
ＴＦＴを用いたアクティブマトリックスパネルであるサンプルＰ１を用いて、動画質評価を行った。この動画質評価は１０名程度の非専門家による主観評価とし、下記５段階の尺度（カテゴリー）で評価した。評価に使用した画像は、ＢＴＡのハイビジョン標準画像（静止画）から３種類（肌色チャート、観光案内板、ヨットハーバー）を選び、その中の中心部分の４３２×１６８画素を切り出して使用した。
更に、これらの画像をテレビ番組の一般的な動き速度程度である６．８（ｄｅｇ／ｓｅｃ）の一定速度で移動させて動画像を作成し、画像のボケを評価した。
【００４５】
・尺度５…画面の周辺ボケが全く観察されずキレの良い良好な動画質。
【００４６】
・尺度４…画面の周辺ボケが殆ど気にならない。
【００４７】
・尺度３…画面の周辺ボケが観察され、細かい文字は判別し難い。
【００４８】
・尺度２…画面の周辺ボケが顕著となり、大きな文字も判別し難い。
【００４９】
・尺度１…画面全体にボケが顕著となり、原画像が殆ど判別不能。
【００５０】
このときの画像ソースのコンピューター側からの出力は、１秒間に６０画面分を順次走査（プログレッシブ）するようなピクチャーレートとした。
【００５１】
先ず、ＴＦＴパネル側（サンプル）の表示は、１秒間に６０フレームの表示を行い、上述したように１フレームを前半後半の２フィールドに分割して実質的に周波数１２０Ｈｚで動作させ、前半にて高輝度表示、後半にて低輝度表示するようなフレーム反転駆動を行った。
【００５２】
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【００５３】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【００５４】
尚、この評価を一般的なＣＲＴを用いて行うと５段階評価で全員が５、応答が数十ｍＳ掛かる市販のＴＦＴタイプの液晶ディスプレイを用いると５段階評価で２〜３程度の評価結果であった。
【００５５】
次いで、液晶パネルＰ１のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
（実施例２）
実施例１で述べたパネルＰ１とは液晶注入後の配向処理のみが異なる液晶パネルＰ２を得た。このときの配向処理を以下のように行った。実施例１と同様のようなプロセスで作製したセルに液晶組成物ＬＣ−１をＣｈ相の温度で注入し、液晶がカイラルスメクチック液晶相を示す温度まで冷却し（但し、冷却速度は１℃／ｍｉｎとした）、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に（Ｔｃ−２℃
〜Ｔｃ＋２℃の温度範囲内で）印加する電圧条件として、
１．ゲートライン毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊相に相転移する際に、偶数行に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧を、奇数行に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧を印加した（第１の配向処理過程）。
前記液晶パネルを室温にて２４時間放置した後、再度カイラルスメクチック液晶相を示すＴｃ＋５℃まで昇温し（但し、昇温速度は３℃／ｍｉｎとした）、３分間その温度で保持した後、再度冷却を開始した（但し、冷却速度は１℃／ｍｉｎとした）。液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に（Ｔｃ−２℃〜Ｔｃ＋２℃の温度範囲内で）印加する電圧条件として、１ゲートライン毎に正負の極性が互い違いになるように第１の配向処理過程とは逆極性でかつ絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊相に相転移する際に、奇数行に位置する画素に対しては負極性のオフセット電圧を、偶数行に位置する画素に対しては正極性のオフセット電圧を印加した（第２の配向処理過程）。
【００５６】
以上のようにすることで、基板面内に一軸配向規制方向が異なる２領域を作り込んだ。こうして得られた液晶パネルＰ２の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２１度反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２１度時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
更に詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において時計回りに１度ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において反時計回りに１度ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
次に、実施例１と同様に液晶パネルＰ２を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。
その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【００５７】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
次いで、液晶パネルＰ２のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは１００であった。
尚、第１の配向処理過程の後、９０℃（等方性液体相を示す温度）まで昇温したのち第２の配向処理を施したパネルＰ２’のコントラスト値は７０であり、実施例１のＰ１パネルと同じ値であった。このときのＰ２’パネルの液晶分子の配向方向はＰ２と異なり、Ｐ１パネルと同じ方向であった。
（実施例３）
実施例２で述べたパネルＰ２とは第１の配向処理過程、第２の配向処理過程ともに、相転移時に印加するオフセット電圧の極性を逆にすることで層方向を異ならせたパネルＰ３を得た。
こうして得られたパネルのコントラスト値を測定したところ５０であり、実用に適さないことが確認できた。
（実施例４）
実施例２で述べたパネルＰ２とは配向膜の種類を変えた液晶パネルＰ４を得た。このときの配向膜としてＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）とｎ−ブチルセロソルブ（ｎＢＣ）の４：１溶媒中に、下記繰り返し単位を有するポリイミド前駆体が０．５ｗｔ％となるよう溶解させた。この溶液を回転数１５００ｒｐｍ、３０秒の条件にて、スピンコート法により塗布した。その後、８０℃、５分間の前乾燥を行った後、２００℃で１時間加熱焼成を施し配向制御膜を形成した。尚、このときの膜厚は、５０Åであった。このように形成した配向制御膜に対して一軸配向処理としてナイロン布によるラビング処理を施した。
【００５８】
【化６】
2004069987.tif 000009
こうして得られた液晶パネルＰ４の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、偶数行においては全画素で奇数行とは異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。尚、このときの層の方向は奇数行ではゲート線から約２０度反時計回りに傾いた方向を向いており、偶数行ではゲート線から約２０度時計回りに傾いた方向に層が形成されていた。
更に詳細に室温にて偏光顕微鏡観測したところ、負極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した奇数行に位置する画素におけるＴＦＴアレイ側から見た液晶分子配向方向は、電圧無印加状態において時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向しており、正極性のオフセット電圧を印加しながら冷却した偶数行に位置する画素における液晶分子配向方向、電圧無印加状態において反時計回りに２度ソース線から傾いた方向に配向していることが確認できた。
次に、実施例１と同様に液晶パネルＰ２を実際にライン反転駆動して動画質の評価を行った。その結果、キレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で５であった。
【００５９】
更に、このパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
次いで、液晶パネルＰ４のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは７０であった。
尚、第１の配向処理過程の後、９０℃（等方性液体相を示す温度）まで昇温したのち第２の配向処理を施したパネルＰ４’のコントラスト値は７０であり、Ｐ４パネルと同じ値であった。このときの液晶分子の配向方向もＰ４パネルと同じ方向であった。
（実施例５）
実施例２で述べたパネルＰ２とは第１の配向処理過程を終えた後のパネルの放置条件を変えた液晶パネルＰ５を得た。このとき、第１の配向処理過程を終えた後のパネルの放置条件として、０℃にて２４時間放置した。
【００６０】
この液晶パネルＰ５のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは１２０であった。
（実施例６）
実施例２で述べたパネルＰ２とは第一の配向処理過程を終えた後のパネルの放置条件を変えた液晶パネルＰ６を得た。このとき第一の配向処理過程を終えた後のパネルの放置条件として、室温においてソース印加電圧±５Ｖの駆動を２４時間連続して行ったまま放置した。この液晶パネルＰ６のコントラスト比を測定した。その結果、コントラストは１２０であった。
（実施例７）〜（実施例１２）
実施例１〜実施例６とは領域の作り込み方の異なる液晶パネルＰ７〜Ｐ１２を得た。Ｐ７はＰ１と、Ｐ８はＰ２と、Ｐ９はＰ３と、Ｐ１０はＰ４と、Ｐ１１はＰ５と、Ｐ１２はＰ６と、プロセス条件が対応している。
このとき、領域を作り込む際に、液晶相転移時に印加する電圧条件として、１ゲートライン（行）毎且つ１ソースライン（列）毎に正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、第２の配向処理過程において液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊相に相転移する際に、
１．奇数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
２．奇数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
３．偶数行且つ奇数列に位置するサブピクセルに対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
４．偶数行且つ偶数列に位置するサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ７〜１２を作製した。尚、第１の配向処理過程において印加する電圧の極性はその逆である。このときの層構造の様子を図８に模式的に示す。図８における斜線が層の方向を模式的に表している。こうして得られた液晶パネルＰ７〜１２の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
【００６１】
これらのパネルを用いて、例１〜例６と同様の実験を行った。
このときのパネル駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の
２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
１．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては正極性（又は負極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）の電圧を印加して、
２．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列のサブピクセルに対しては負極性（又は正極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列のサブピクセルに対しては正極性（又はは負極性）の電圧を印加する、という所謂ドット反転駆動によって駆動した。尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜実施例６と同じものとした。
【００６２】
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、Ｐ７〜Ｐ１２それぞれのパネルのコントラスト値は、実施例１〜実施例６で示したそれぞれの類似のプロセスにて作製されたパネルＰ１〜Ｐ６と同じ値を示していた。つまり、Ｐ７はＰ１と、Ｐ８はＰ２と、Ｐ９はＰ３と、Ｐ１０はＰ４と、Ｐ１１はＰ５と、Ｐ１２はＰ６と、コントラストの値が同じ値となった。
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
（実施例１３）〜（実施例１８）
実施例１〜実施例６とは領域の作り込み方の異なる液晶パネルＰ１３〜Ｐ１８を得た。Ｐ１３はＰ１と、Ｐ１４はＰ２と、Ｐ１５はＰ３と、Ｐ１６はＰ４と、Ｐ１７はＰ５と、Ｐ１８はＰ６と、プロセス条件が対応している。
このとき領域を作り込む際に、液晶相転移時に印加する電圧条件として、ＲＧＢを一まとまりとして１画素として考えたとき、縦横に隣接する画素に対して印加する電圧の正負の極性が互い違いになるように絶対値として５Ｖのオフセット電圧（直流電圧）を印加した。即ち、第２の配向処理過程において液晶がＣｈ相からＳｍＣ＊　相に相転移する際に、
５．奇数行且つ奇数列に位置する画素に対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
６．奇数行且つ偶数列に位置する画素に対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
７．偶数行且つ奇数列に位置する画素に対しては正極性（又は負極性）のオフセット電圧、
８．偶数行且つ偶数列に位置する画素に対しては負極性（又は正極性）のオフセット電圧、
をそれぞれ印加して液晶パネルＰ１３〜１８を作製した。尚、第１の配向処理過程において印加する電圧の極性はその逆である。このときの層構造の様子を図９に模式的に示す。
【００６３】
図９における斜線が層の方向を模式的に表している。
こうして得られた液晶パネルＰ１３〜１８の配向状態を偏光顕微鏡観測したところ、奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列においては全画素で一方向に揃った層方向に揃っており、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列においても全画素で異なる方向に揃った層方向に揃った状態が得られていた。
次に、液晶パネルＰ１３〜１８を実際に駆動して動画質の評価を行った。尚、
このときの駆動法は本明細書中で述べたように１フレームを前半後半の２フィールドに分割し、液晶層に印加する電圧として、
３．前半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及びび偶数行／偶数列の画素に対しては正極性（又は負極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては負極性（又は正極性）の電圧を印加して、
４．後半フィールドではパネルの奇数行／奇数列及び偶数行／偶数列の画素に対しては負極性（又は正極性）、奇数行／偶数列及び偶数行／奇数列の画素に対しては正極性（又は負極性）の電圧を印加する、
という３サブピクセルを一まとまりとしたブロックごとに駆動するようなブロック毎に反転する駆動によって駆動した。尚、コンピュータ側出力のピクチャーレートやＴＦＴパネル側の駆動周波数は実施例１〜実施例１２と同じものとした。
その結果、全てのパネルにおいてキレの良い良好な動画質が得られていることが確認できた。このときの周辺ぼけ度合いを主観評価すると、上記５段階評価で全員が５と評価した。
【００６４】
次いで、コントラスト値を評価した。その結果、Ｐ１３〜Ｐ１８それぞれのパネルのコントラスト値は、実施例１〜実施例６及び例７〜例１２で示したそれぞれの類似のプロセスにて作製されたパネルＰ１〜Ｐ６およびＰ７〜Ｐ１２と同じ値を示していた。つまり、Ｐ１３はＰ１と、Ｐ１４はＰ２と、Ｐ１５はＰ３と、Ｐ１６はＰ４と、Ｐ１７はＰ５と、Ｐ１８はＰ６と、コントラストの値が同じ値となった。
【００６５】
更に、これらのパネルでは実用上十分な視野角特性を有していることを確認した。
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、１パネル内に複数の層方向を形成するカイラルスメクチック液晶を有するアクティブマトリクス型液晶パネルを作製するに当たり、界面のメモリー効果を発現する液晶材料と配向膜との組み合わせを選択することと、２段階の配向処理過程を取り各配向処理過程で印加する電圧の極性を入れ替えることにより、広視野角特性と高コントラスト比とを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す断面図である。
【図２】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す回路図である。
【図３】アクティブマトリクス型液晶パネルの構造を示す等価回路図である。
【図４】アクティブマトリクス型液晶パネルの駆動方法を示すタイミングチャート図である。
【図５】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その１）である。
【図６】カイラルスメクチック液晶の電圧−透過率特性の一例を示す図（その２）である。
【図７】実施例１〜６の層構造を示す図である。
【図８】実施例７〜１２の層構造を示す図である。
【図９】実施例１３〜１８の層構造を示す図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ　　　　　　　　ガラス基板（基板）
２　　　　　　　　　　　　　　　　カイラルスメクチック液晶
３ａ　　　　　　　　　　　　　　共通電極（電極）
３ｂ　　　　　　　　　　　　　　画素電極（電極）
４　　　　　　　　　　　　　　　　ＴＦＴ（アクティブ素子）
Ｐ　　　　　　　　　　　　　　　　液晶パネル（液晶素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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