(57)【要約】【課題】成形体内に金属粉末を分散させ、容易に所望の厚さの微細な回路を描くことが可能な樹脂組成物、及びそれを用いて得られる回路基板を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂組成物は、表面に絶縁膜を有する金属粉末とエポキシ樹脂及びその硬化触媒としてイミダゾール環を有する化合物からなる組成物であって、次の物性を有する回路基板用のエポキシ組成物である。（ａ）１８０℃におけるゲルタイムが、２０秒以上８０秒以下。（ｂ）フローテスタで測定した１８０℃における溶融最低粘度が１５Ｐａ・ｓ以上１８０Ｐａ・ｓ以下。回路基板は、前記エポキシ樹脂組成物を成形した樹脂基板に、レーザー光を回路パターンに沿って照射して彫り込み、金属粉末を露出させ、次いで樹脂基板を、該金属粉末の絶縁膜を除去する薬液で処理したあとめっき処理して得られる。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に絶縁膜を有する金属粉末とエポキシ樹脂及びその硬化触媒としてイミダゾール環を有する化合物から成るエポキシ樹脂組成物であって、以下の物性を有する回路基板用のエポキシ樹脂組成物。
（ａ）１８０℃におけるゲルタイムが２０秒以上８０秒以下、
（ｂ）フローテスタで測定した１８０℃における溶融最低粘度が１５Ｐａ・ｓ以上１８０Ｐａ・ｓ以下。
【請求項２】
表面に絶縁膜を有する金属粉末とエポキシ樹脂及びその硬化触媒としてイミダゾール環を有する化合物からなり、以下の物性を有するエポキシ樹脂組成物を成形した樹脂基板に、レーザー光を回路パターンに沿って照射して彫り込み、金属粉末を露出させ、次いで樹脂基板を、該金属粉末の絶縁膜を除去する薬液で処理したあとめっき処理して得られる回路基板。
（ａ）１８０℃におけるゲルタイムが２０秒以上８０秒以下、
（ｂ）フローテスタで測定した１８０℃における溶融最低粘度が１５Ｐａ・ｓ以上１８０Ｐａ・ｓ以下。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた回路基板に関し、さらに詳しくは、樹脂基板表面にレーザー光により回路を描いてめっき処理で得られる回路基板の製造に適したエポキシ樹脂組成物、及びそれを用いた回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、回路付き樹脂パッケージは、ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）の呼び名で広く普及している。このＭＩＤは、樹脂モールドした２次元または３次元部品の表面に、導体回路を形成するものであり、樹脂モールドに用いる樹脂として、一般的に、ポリスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、エンジニアリングプラスティックスなどの熱可塑性樹脂が用いられている。
【０００３】
ＩＣ、ＣＣＤ、ＬＤをはじめとする半導体素子パッケージへの価格低減要求は年々厳しさを増しており、３次元回路付き樹脂パッケージの表面実装化、微細回路による小型化、高温安定性、耐薬品性、接着性に優れるとともに、製造時の作業性、良好な環境などを実現するための新たなプロセス開発が望まれている。特に、半導体の集積度が著しく向上している等の理由から、半導体パッケージの回路幅、回路間幅についても５０μｍ以下の微細化が求められている。
【０００４】
特開平７−１１６８７０号公報には、銅粉末と樹脂の混合物を成形した基板に回路パターンに沿って紫外レーザを照射して前記基材表面の粗化を行う工程を含む基材表面の処理方法の発明が開示されており、この方法によれば、レーザー光の照射によって基材を粗化する際に紫外レーザによって除去されにくい銅粉が残留して金属層との密着性が向上することが示されている。しかしながら、この公報には、紫外レーザを基材表面に照射してこの表面を粗面化してＣＶＤなどによる金属膜の密着性を向上させることが記載されている。
【０００５】
この方法を電解あるいは無電解めっきによって回路を描く方法に適用すると、バリ処理などによって表面に剥き出しになった金属により不要な部分にめっき層が成長するとか、樹脂基板の電気的安定性が必ずしも充分ではなく、無電解めっき触媒の種類と配合量によっては基板の電気絶縁性が低下したり、また回路基板を高温・高湿下で使用した場合にはマイグレーションによって回路の短絡が発生しやすく一定品質の回路基板を得ることが困難であるという問題がある。
【０００６】
一方、特開平１０−３０８５６２号で、樹脂成形体表面の少なくとも一部に、レーザー光を掃引照射して、レーザー光の掃引方向にほぼ一定のピッチの複数の窪みからなる粗面部を形成し、該粗面部にめっき処理を行うことで金属膜を形成することを特徴とする方法が提案されているが、厚いめっき層を作ろうとすると処理時間が長くなるなど操作性に問題がある。
【０００７】
上記の問題を解決するため、本出願人による特願２００２−２４７４８３号においては、表面に薬液により除去可能な絶縁膜を有する金属粉末とレーザー光で加工可能な樹脂からなる樹脂組成物の成形体に、レーザー光を回路パターンに沿って照射して彫り込み、次いで該金属粉末の絶縁膜を除去する薬液で処理したあとめっき処理してなる回路基板、およびそのような回路基板の製造方法が開示されている。
【０００８】
この方法は、成形体の表面部分には、金属粉末を含まない樹脂だけの層が形成され、この表面部分をレーザー光で彫り込み、金属粉末を露出させ、彫り込み部分に選択的にめっき処理を行うことを利用しているが、さらにこの方法を発展させるためには、成形条件などによって成形体表面に金属粉末が露出することのない成形体形成用の樹脂組成物が望まれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記問題を解決して、成形体内に金属粉末を分散させ、成形体表面には金属粉末を露出させず、容易に所望の厚さの微細な回路を描くことが可能な樹脂組成物、及びそれを用いて得られる回路基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る回路基板用のエポキシ樹脂組成物は、表面に絶縁膜を有する金属粉末とエポキシ樹脂及びその硬化触媒としてイミダゾール環を有する化合物からなるエポキシ樹脂組成物であって、以下の物性を有する。
（ａ）１８０℃におけるゲルタイムが、２０秒以上８０秒以下、
（ｂ）フローテスタで測定した１８０℃における溶融最低粘度が１５Ｐａ・ｓ以上１８０Ｐａ・ｓ以下。
【００１１】
また、本発明に係る回路基板は、表面に絶縁膜を有する金属粉末とエポキシ樹脂及びその硬化触媒としてイミダゾール環を有する化合物からなり、前記（ａ）及び（ｂ）の物性を有するエポキシ樹脂組成物を成形した樹脂基板に、レーザー光を回路パターンに沿って照射して彫り込み、金属粉末を露出させ、次いで樹脂基板を、該金属粉末の絶縁膜を除去する薬液で処理したあとめっき処理して得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明において、エポキシ樹脂組成物中に含有される金属粉末は、めっきに際して種として働くものであればどのようなものでも良く、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、パラジウム、銅、銀、金が例示され、これらの金属の一種または二種以上の混合物を粒子化したものである。これらの中では、銅、ニッケル、クロムがコストの点で好ましいが、後述するように金属粉末表面の酸化膜を絶縁膜として利用する場合、その酸化速度、酸等の薬液での除去しやすさなどから、銅が最も好ましい。
【００１３】
本発明において絶縁膜を有する金属粉末は、回路基板において最も密に形成された金属配線の配線間幅よりも、最大粒子径が小さい粉末群を使用することが好ましい。すなわち、多数形成される金属配線のうち配線間幅が最も小さい部分の配線間幅（最小配線間幅）より絶縁膜を有する金属粒子の直径が小さいのが好ましい。特に好ましいのは最小配線間幅の１／２未満さらには１／３以下とすることが特に好ましい。
【００１４】
また、この表面に絶縁膜を有する金属粉末の最小粒子径には特に制限はないが、粒子径の小さいものを多量に含む粉末では、粒子が凝集して二次粒子を形成することがあり、また微細粒子が多くなると取り扱いが難しくなることから、粒子径が１μｍ未満の粒子の含有率が２５重量％以下であることが好ましく、さらに、１０重量％以下であることが特に好ましい。金属粉末の形状としては特に制限はないが製造の簡便さ、絶縁膜の信頼性などから球状であるのが好ましい。上記の好ましい粒径とは最も長い径を示す。
【００１５】
このような条件を満足する粒径としては、通常は２〜２０μｍ、好ましくは３〜１０μｍの範囲である。この様な金属粉末は、例えば標準篩、風力分級装置などを用いて、所定の粒径になるように分級して得ることができる。
【００１６】
この金属粉末は表面が絶縁膜で覆われていることが必要であり、この絶縁膜は薬液で除去できることが必要である。ここで薬液としては当然のことながら回路基板に悪い影響を与えないものである必要がある。絶縁膜としてはその製造の簡便さ、薬液での処理により簡便に除去できることなどから金属の酸化膜とするのが好ましく、金属粉を酸化させて酸化膜を形成する方法で製造すると簡便でしかも均一な層を形成することができる。また、基板を構成する樹脂を溶解しない溶媒に可溶な樹脂で金属粉末の周囲に絶縁層を形成することももちろん可能である。この場合、絶縁層は、薬液での処理での除去ではなくレーザー光の照射で除去しても何ら問題はない。薬液としては、具体的には酸が好ましい。絶縁膜の厚さは金属粒子間での絶縁性を保つ厚さであれば十分であり、めっきに際して簡単に除去できることも考慮すると１μｍ以下、さらに０．００１〜０．１μｍの範囲内にあることが好ましい。
【００１７】
エポキシ樹脂としては、オルソクレゾール型、ビフェノール型、ナフタレン型などのエポキシ樹脂が使用できる。
ここでエポキシ樹脂と金属粉末の割合としては、エポキシ樹脂組成物１００重量％中に金属粉末は、通常５〜２５重量％、好ましくは１０〜１５重量％である。
【００１８】
本発明において、上記の樹脂組成物中には、耐熱性の向上、吸水率の縮小などを目的として、無機フィラーを含有させることが好ましい。ここで使用される無機フィラーとして、具体的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、アルミナ粉末、シリカ粉末、ボロンナイトライド粉末、酸化チタン粉末、炭化ケイ素粉末、ガラス繊維、アルミナ繊維などが使用できる。
【００１９】
このような無機フィラーは、粉末を使用する場合には、粉末状の無機フィラーの平均粒子径（測定方法：レーザー法）は、通常は２〜５０μｍ、好ましくは５〜３０μｍの範囲内にある粒子を使用する。また、繊維状の無機フィラーを使用する場合には、繊維長が２５μｍ以下、好ましくは１〜１０μｍの範囲内の繊維を使用する。なお、ここで使用する無機フィラーは、無電解めっきの金属析出に対して不活性であり、かつ電気絶縁性の粒子である。
【００２０】
このような無機フィラーの使用量としては回路基板の特性を満足する限り特に制限はないが、樹脂組成物１００重量％中に、通常は９５重量％以下、好ましくは８５重量％以下、５０重量％以上の量で使用される。
【００２１】
本発明のエポキシ樹脂組成物には、硬化触媒としてイミダゾール環を有する化合物を用いていることが特徴である。イミダゾール環を有する化合物とは、例えば２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等が挙げられる。硬化触媒の添加量は、後述するゲルタイム、最低溶融粘度の範囲内になるように添加する。具体的には、例えば硬化触媒に２−メチルイミダゾールを選択した場合、樹脂１００重量部に対して好ましくは０．５重量部以上１．５重量部以下、より好ましくは０．６重量部以上１．２重量部以下であり、２−フェニルイミダゾールを選択した場合、好ましくは樹脂１００重量部に対して１．０重量部以上５．０重量部以下、より好ましくは１．５重量部以上４．０重量部以下である。
【００２２】
本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化特性として、１８０℃におけるゲルタイムが、２０秒以上８０秒以下、好ましくは２５秒以上７０秒以下、より好ましくは３０秒以上７０秒以下であること、およびフローテスタで測定した樹脂組成物の１８０℃における溶融最低粘度が、１５Ｐａ・ｓ以上１８０Ｐａ・ｓ以下、好ましくは１５Ｐａ・ｓ以上１５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下であることが特徴である。ゲルタイムが上記範囲の場合、硬化時間が短すぎたり、長すぎたりして成形が困難となることはなく、成形体表面に銅粉露出が見られることがなくなる。また樹脂の最低溶融粘度が上記範囲の場合、バリが長すぎず、細部の成形が可能で、成形体表面に銅粉露出が見られることがなくなる。
【００２３】
なお、本発明におけるゲルタイムは、東洋精密機械（株）社製ラボプラストミル２０Ｒ２００を用いて１８０℃の樹脂組成物硬化時間を求めた。また樹脂組成物の最低溶融粘度は、島津サイエンス（株）社製島津フローテスタＣＦＴ−５００Ｄを用いて、１８０℃の時間対粘度のグラフを求め、樹脂が溶融してからの最低粘度を測定した。
【００２４】
なお、本発明を逸脱しない範囲において、他の硬化触媒、例えば尿素誘導体、アミン化合物等を組み合わせて使用することも可能である。
【００２５】
本発明で使用する樹脂組成物には、上記の成分に加えて、必要に応じて、硬化剤、酸化アンチモンなどの難燃剤、カップリング剤、離型剤、可塑剤、色素、イオンキャッチャーなどの添加剤を加えることが出来る。
【００２６】
これら各種の成分を配合した組成物は、ミキサーで混合した後、加熱ロールやニーダーを用いて混練し、冷却後粉砕して顆粒とするか、ペレットないしタブレットとすることができる。次いでトランスファー成形機、射出成形機または圧縮成形機を用いて、短い成形サイクルで各種の精密成形部材、特に回路形成用基板を製造することができる。トランスファー成形では、１ないし５０ＭＰａの加圧下に、温度１５０ないし２００℃で、１ないし５分間の成形条件で成形することができる。
回路形成用基板の形状について制限はなく、箱型形状、平板形状などどのようなものであっても良い。
【００２７】
上記のようにして製造された樹脂基板の表面は樹脂で覆われており、本発明においては、樹脂基板に直接レーザー光を照射して配線パターンを描画することができる。本発明の樹脂組成物を用いて成形した樹脂基板では、基板表面に金属粉末が露出することはないため、レーザー光照射前の、露出した金属粉末を除去するための酸洗浄工程を不要とすることが出来る。そのためコスト面で有利である。
【００２８】
樹脂基板表面にレーザー光を回路パターンに沿って照射することにより基板表面は彫り込まれ、表面に絶縁膜を有する金属粉末が露出する。このようにして形成される配線パターン溝の幅および深さは、レーザーの出力、スポット径、走査速度などに依存する。
【００２９】
露出した金属粉末の表面にはこの段階では依然として絶縁膜が存在しており、この絶縁膜が存在する限り、金属粉末は、無電解めっきを行う際に金属析出の起点とはならないので、次いで絶縁膜は除去される。
【００３０】
この場合、樹脂成形体を、絶縁膜の溶出が可能な薬液に接触することで除去するのが一般的である。用いる薬液としては絶縁膜を選択的に除去できるとともに樹脂成形体を侵食しないものであることが好ましく用いられる。絶縁膜として酸化膜を用いている場合には酸の水溶液、好ましくは無機酸の水溶液を使用することができる。
【００３１】
こうして配線パターンが描かれた部分のみ絶縁膜のない金属粉末が露出した状態になる。この金属は、無電解めっきによる金属の析出に対して活性であり、無電解めっきを行うことによりこの金属粉末を起点として金属が析出する。そして、このように無電解めっき浴から金属粉末を起点として析出した金属は、レーザー光によって描画された配線パターンに沿って成長して連続した金属配線を形成する。
【００３２】
金属粉末の活性を向上させ、さらに形成される金属配線と基板樹脂との密着性を向上させるために、配線パターンの表面に露出している絶縁膜のない金属粉末の表面を活性化処理することもできる。活性化処理方法としてはパラジウム化合物および／または白金化合物を含有する無電解めっき液を使用して金属粉末に対するパラジウムあるいは白金による表面処理を挙げることができる。
【００３３】
無電解めっきは、溶液中の金属イオンを、還元剤によって還元析出させるめっき方法であり公知の方法が採用できる。
【００３４】
本発明の回路基板においては、上記のように無電解めっきにより金属配線を形成すればよいが、このように無電解めっきにより金属配線を形成した後、電解めっきにより無電解めっきで形成された金属配線をさらに強固なものにすることができる。この電解めっきは、通常の電解めっき液を用いて通常の電解めっきの条件にしたがって行うことができる。
【００３５】
以上のように本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて回路基板を製造すれば、任意のパターンが描画された回路基板を、より容易に製造することができる。また半導体装置のパッケージ用成形体に用いれば、得られた回路基板は、半導体装置の導体回路付きパッケージとして好適に使用することができる。
さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物は、回路基板に限られず、樹脂製構造物の表面に、密着性のよい金属膜を形成する場合にも有用である。
【００３６】
上記本発明の説明は平板状の樹脂基板を用いた例を中心にして説明してきたが、本発明の回路基板は、上記のような平板上の樹脂基板に限らず、三次元的な樹脂成形体であってもよく、また、多層積層基板において厚さ方向に導通をとるために形成されるスルーホールの内周面に形成される導電性薄膜を形成する際にも採用することができる。
【００３７】
またさらに、回路基板製造用ではなく、例えば樹脂組成物の熱伝導率を高める目的として金属粉末を分散させたい場合、樹脂組成物の比重を調整する目的で金属粉末を分散させたい場合等においても、本発明を用いることで、成形体表面に金属粉末を露出させることなく、樹脂成形体内部に金属粉末を分散させることが可能である。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１）
表１の実施例１に記載の量（数値の単位は質量部）で樹脂、充填材、金属粉、硬化触媒、添加剤等を配合した。硬化触媒には、四国化成（株）社製２ＭＺ（２−メチルイミダゾール）を用いた。これを９５℃の熱ロールで加熱混練した後、冷却、粉砕工程を経て、エポキシ樹脂組成物（ＥＸ−１）を得た。これの１８０℃におけるゲルタイム及び溶融最低粘度の測定結果を表１に示す。
得られた樹脂組成物を用いて、図１の成形体をトランスファー成形で作製した。成形条件は、１８０℃、２５ＭＰａであり、射出時間１分間、硬化時間３分間とした。なお、図１の成形体への樹脂注入ゲートは、４本のスルーゲートの上部からの４点ゲートとした。成形体表面への銅粉露出の有無を目視評価した結果を表１に示す。
【００４０】
なお、表１に記載した各原料は、以下の通りである。
エポキシ樹脂：日本化薬（株）社製ＥＯＣＮ−１０２Ｓ（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）
フェノール樹脂：明和化成（株）社製Ｈ−１（フェノールノボラック樹脂）
臭素化エポキシ樹脂：日本化薬（株）社製ＢＲＥＮ−Ｓ
難燃剤：日本精鉱（株）社製ＰＡＴＯＸ−Ｍ（三酸化アンチモン）
溶融シリカ：電気化学工業（株）社製ＦＢ−８２０（球状溶融シリカ、平均粒径２６μｍ）
銅粉：日本アトマイズ加工（株）社製ＳＦＲ−Ｃｕ（球状銅粉、平均粒径５μｍ）
硬化触媒（２ＭＺ）：四国化成（株）社製キュアゾール（登録商標）２ＭＺ（２−メチルイミダゾール）
硬化触媒（２ＰＺ）：四国化成（株）社製キュアゾール（登録商標）２ＰＺ（２−フェニルイミダゾール）
硬化触媒（２Ｐ４ＭＺ）：四国化成（株）社製キュアゾール（登録商標）２Ｐ４ＭＺ（２−フェニル−４−メチルイミダゾール）
硬化触媒（２Ｅ４ＭＺ−Ａ）：四国化成（株）社製キュアゾール（登録商標）２Ｅ４ＭＺ−Ａ（２−エチル−４−メチルイミダゾール−アジン）
硬化触媒（ＴＰＰ）：トリフェニルフォスフィン
硬化触媒（Ｕ−ＣＡＴ３５０２Ｔ）：サンアプロ（株）社製Ｕ−ＣＡＴ３５０２Ｔ（イソシアネートジメチルアミン付加物）
硬化触媒（Ｕ−ＣＡＴ  ＳＡ８４１）：サンアプロ（株）社製Ｕ−ＣＡＴ  ＳＡ８４１（ジアザビシクロウンデセン塩）
着色剤：三菱化学（株）社製カーボンブラック＃４５
カップリング剤：信越化学工業（株）社製ＫＢＭ−４０３
離型剤：カルナバワックス
【００４１】
（実施例２）
実施例１と同様に、表１に記載の量を用いてエポキシ樹脂組成物（ＥＸ−２）を得た。硬化触媒は２−フェニルイミダゾールを用いた。その後、実施例１と同様にして成形品を得た。測定及び評価結果を表１に示す。
【００４２】
（実施例３）
実施例１と同様に、表１に記載の量を用いてエポキシ樹脂組成物（ＥＸ−３）を得た。硬化触媒は２−フェニル−４−メチルイミダゾールを用いた。その後、実施例１と同様にして成形品を得た。測定及び評価結果を表１に示す。
【００４３】
（実施例４）
実施例１と同様に、表１に記載の量を用いてエポキシ樹脂組成物（ＥＸ−４）を得た。硬化触媒は２−エチル−４−メチルイミダゾール−アジンを用いた。その後、実施例１と同様にして成形品を得た。測定及び評価結果を表１に示す。
【００４４】
（比較例１）
実施例１と同様に、表１に記載の量を用いてエポキシ樹脂組成物（ＥＸ−５）を得た。硬化触媒は２−エチル−４−メチルイミダゾール−アジンを用いた。その後、実施例１と同様にして成形品を得た。測定及び評価結果を表１に示す。
【００４５】
（比較例２）
実施例１と同様に、表１に記載の量を用いてエポキシ樹脂組成物（ＥＸ−６）を得た。硬化触媒はトリフェニルフォスフィンを用いた。その後、実施例１と同様にして成形品を得た。測定及び評価結果を表１に示す。
【００４６】
（比較例３）
実施例１と同様に、表１に記載の量を用いてエポキシ樹脂組成物（ＥＸ−７）を得た。硬化触媒はイソシアネートジメチルアミン付加物を用いた。その後、実施例１と同様にして成形品を得た。測定及び評価結果を表１に示す。
【００４７】
（比較例４）
実施例１と同様に、表１に記載の量を用いてエポキシ樹脂組成物（ＥＸ−８）を得た。硬化触媒はジアザビシクロウンデセン塩を用いた。その後、実施例１と同様にして成形品を得た。測定及び評価結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
2004238471.tif 000002
【００４９】
実施例１〜４では、いずれもイミダゾール環を有する硬化触媒を用いて、エポキシ樹脂組成物を作成し、かつ１８０℃のゲルタイム、最低溶融粘度が共に本発明の範囲内にあるものを用いた。その結果、図１の成形品を作成した際、成形体表面の銅粉露出は観察されなかった。
【００５０】
比較例１では、実施例４と同様に２−エチル−４−メチルイミダゾール−アジンを硬化触媒に用いたが、添加量が少なく、１８０℃のゲルタイム、最低溶融粘度が本発明の範囲外のものを用いた。そのため成形体の表面には銅粉が露出した。なお、このように溶融最低粘度が本発明の範囲から逸脱すると、バリが長い、成形体内部ボイドが発生しやすい等の不都合も発生した。
【００５１】
比較例２〜４では、いずれも硬化触媒がイミダゾール環を有していないものであるため、ゲルタイムと最低溶融粘度が、本発明の範囲内外にかかわらず、成形体表面には銅粉が露出した。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、表面に絶縁膜を有する金属粉末とエポキシ樹脂からなるエポキシ樹脂組成物の成形体を製造するに当たり、成形体表面に金属粉末を露出させることなく、成形体内に金属粉末を分散させることが出来る。その結果、このエポキシ樹脂組成物は、それを用いて成形した樹脂基板に、レーザー光を回路パターンに沿って照射して彫り込み、金属粉末を露出させ、次いで樹脂基板を、該金属粉末の絶縁膜を除去する薬液で処理したあとめっき処理してなる回路基板の製造に好適に使用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例、比較例において銅粉露出の有無の評価に用いた成形体の平面図である。
【符号の説明】
（１）  スルーゲート（幅３ｍｍ、厚さ１ｍｍ）
（２）  平面が正方形の成形部（１辺の長さ９ｍｍ、厚さ３ｍｍ）
（３）  成形体の長さ（５３ｍｍ）
（４）  成形体の幅（２８ｍｍ）
【図１】
2004238471.tif 000003