(57)【要約】【課題】断面形状が長方形や楕円形のような陽極酸化アルミナナノホールを作製し、ナノホールに充填された磁性体に形状異方性を付与することで、磁性体の磁化とそれを検出する磁気ヘッドの相対的な位置関係が常に一定となる磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】規則的に配列した複数の窪みを有する部材を用意する工程、前記窪みを起点として孔の形成が開始し、分岐しないで孔が形成される第１の部分と分岐した孔が形成される第２の部分を有する多孔質領域が形成されるように前記部材を陽極酸化処理する工程、形成された前記孔に磁性体を充填する工程、前記孔の分岐しない部分を除去する工程を含む磁気記録媒体の製造方法である。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
規則的に配列した複数の窪みを有する部材を用意する工程、前記窪みを起点として孔の形成が開始し、分岐しないで孔が形成される第１の部分と分岐した孔が形成される第２の部分を有する多孔質領域が形成されるように前記部材を陽極酸化処理する工程、及び前記第１の部分を除去する除去工程を有することを特徴とする構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、構造体の製造方法、磁気記録媒体、磁気記録再生装置、情報処理装置及びその製造方法に関し、具体的には陽極酸化アルミナを利用した磁気記録媒体の製造方法に関する。特に、記録層の磁性体部分が非磁性体の隔壁により複数に分離されていることを特徴とする、パターンドメディア或いはディスクリートメディアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピューターの外部記憶装置として使用されているハードディスクは、高度な微細加工技術や信号処理技術の進歩などに支えられ、その記録密度は年率１００％もの勢いで上昇し続けており、最近では約４０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２  といった極めて高密度な記録を可能とした製品も発表されている。
【０００３】
しかし、一方でハードディスクの大容量、不揮発性、高信頼性、高速アクセスといった利点を活かして、ハードディスクレコーダー、カーナビゲーションシステムなどデジタル家電製品への利用も本格的に始まっており、更に小型、且つ大容量である高密度な磁気記録媒体が必要とされている。
【０００４】
現在、ハードディスクで使用されている記録方式は、基板と水平方向に連続的に磁化を記録する長手記録方式、いわゆる面内記録方式である。面内記録方式では、隣り合う磁化記録部分間に設けられた磁化遷移領域からの漏れ磁界を利用して、磁気ヘッドにより再生を行っている。磁化記録部分は複数の磁性粒子から構成されており、これら複数の磁性粒子を用いて磁化記録部分に１ビットを記録している。
【０００５】
ところが前述のように、今後も更なる記録密度の増大が進行していくと、現在の方式では記録密度の物理的限界が近いと考えられている。何故なら高密度になるにつれ、１ビットの記録領域が小さくなるので、十分なＳ／Ｎを確保するには、記録領域を形成する磁性粒子を小さくして、ビット間の境界を明確にする必要があるためである。さらに、反磁界の影響により、漏れ磁界が減少するため、磁性層を薄くする必要もある。以上の理由から、高密度化に伴い磁性粒子の体積が極端に微細化されてしまい、２００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２  を超える領域では熱エネルギーの影響によって磁化方向を維持できない超常磁性状態に陥ってしまうと予想されている。
【０００６】
このような事態を回避し、より高密度な磁気記録を可能とする手段として、基板に対して垂直方向に磁気異方性を有する磁性体を記録層とし、基板に対して垂直方向に磁化を記録する垂直磁気記録方式が有力と考えられている。
【０００７】
垂直磁気記録方式では、面内記録方式とは対照的に記録密度が増大するに従い反磁界が減少する性質があり、磁性層の膜厚を厚く保てるので、面内記録方式よりも超常磁性に対して有利である。垂直磁気記録方式では記録層としてＣｏ−Ｃｒ合金が一般に用いられている。基板上にスパッタリング法によりＣｏ−Ｃｒ合金を成膜すると、ＣｏとＣｒが組成分離した状態で成長し、このうちＣｏ組成が多い部分は柱状であり、六方最密構造（ｈｃｐ構造）を有する強磁性部分となり、記録部分として機能する。柱状の記録部分を取り囲むように成長するＣｒ組成が多い部分は非磁性部分であり、隣接する記録部分間の磁気的な相互作用を弱める働きもする。
【０００８】
しかしながら、上記の垂直磁気記録方式においても、Ｃｏ−Ｃｒの偏析構造を利用しているため、記録部分のサイズや形状に均一性がなく、記録部分を規則的に配置することも極めて困難である。このことから、超高密度領域においてはビット間の境界が不規則な形状となり、やはりＳ／Ｎの低下が懸念される。
【０００９】
そこで、例えば、パターンドメディアと呼ばれる次世代磁気記録媒体が注目されている（例えば、特許文献１参照。）。パターンドメディアとは、基板上にサイズや形状の揃った磁性体を規則的に配列することで、各々独立した磁性ドメインを形成してやり、各磁性ドメインに対して１ビットの記録を行うことを特徴とする磁気記録媒体である。この場合、１ビットを記録する各磁性ドメインは独立した形状であるので、磁性粒子が大きな場合においても、隣のビットとの境界が明確且つ均一な形状となるので、Ｓ／Ｎを低下させる要因とならない。つまり、同一の記録密度の連続媒体よりも超常磁性に対して有利となり、超高密度記録に適した構造と言える。
【００１０】
次に、本発明はＡｌの陽極酸化によって形成される陽極酸化アルミナナノホールを利用するので、以下に陽極酸化アルミナナノホールについて説明する。
Ａｌ基板を硫酸、シュウ酸、リン酸などの酸性電解液中で陽極酸化すると、ポーラス型陽極酸化皮膜である陽極酸化皮膜が形成される（例えば、非特許文献１参照。）。このポーラス皮膜の特徴は、直径が数ｎｍ〜数百ｎｍの極めて微細な円柱状細孔（ナノホール）が、数十ｎｍ〜数百ｎｍの間隔で平行に配列するという特異的な幾何学的構造を有することにある。この円柱状の細孔は、高いアスペクト比を有し、深さ及び断面の径の一様性にも優れている。
【００１１】
また、ポーラス皮膜の構造は陽極酸化の条件を変えることにより、ある程度の制御が可能である。例えば、陽極酸化電圧で細孔間隔を、陽極酸化時間で細孔の深さを、ポアワイド処理により細孔径をある程度制御可能であることが知られている。ここでポアワイド処理とはアルミナのエッチング処理であり、普通リン酸でのウェットエッチング処理を用いる。
【００１２】
さらに、ポーラス皮膜の細孔の形状、間隔及びパターンの制御性を改善するために、スタンパーを用いて細孔の形成開始点を形成する方法、すなわち、複数の突起を表面に備えた基板をＡｌ基板の表面に押し付けてできる窪みを細孔の形成開始点として形成した後に陽極酸化を行って、より良い形状、間隔及びパターンの制御性を示す細孔を有するポーラス皮膜を作成する方法も提案されている（例えば、特許文献２、非特許文献２参照。）。
【００１３】
上記の陽極酸化アルミナナノホールに磁性体を充填することにより、ナノホールをパターンドメディアのような磁気記録媒体に応用することは、既に公知の技術である（例えば、特許文献３参照。）。
【００１４】
ところが、通常ナノホールは前記のように円柱状であるので、充填した磁性体の磁化が基板面内方向を向く場合に不都合が生じる。すなわち、ナノホールの断面が円形であるため、充填された磁性体は、面内方向における形状異方性によるエネルギー的に安定な方向を得ることができず、磁化が面内で回転してしまう可能性や、磁化がトラック方向に一様に揃わないといった可能性がある。これらは、ナノホールに充填された磁性体の磁化方向と、それを検出する磁気ヘッドとの相対的な位置関係が、ナノホール毎に変化することになり、磁気記録媒体として記録・再生を正確に行えないということを意味する。
【００１５】
また、磁性ドメインの形状を長方形や楕円形とすることで、磁性粒子に形状異方性を付与して保磁力を高め、磁化方向をトラック方向に揃えることが提案されている（例えば、特許文献４参照。）。
【００１６】
しかしながら、特許文献４では、磁性ドメインを規則的に配列させるために電子線露光のような、微小ビームによる描画プロセスを必要とする。電子線露光の加工精度は極めて高いが、フォトリソグラフィーのような一括露光ではないため、スループットが悪く、大面積に加工を施すことは極めて困難である。すなわち現在の技術では、電子線露光により磁性ドメインを一つずつパターニングする手法は、生産性の面で現実的ではないと言える。
【００１７】
【特許文献１】
特開２０００−２７７３３０号公報（第５頁、図３）
【特許文献２】
特開平１０−１２１２９２号公報（第９頁、図８）
【特許文献３】
特開平１１−２２４４２２号公報（第７頁、図１）
【特許文献４】
特公平６−２８０９３号公報（第３頁、図１）
【非特許文献１】
アール  シー  フルノー、ダブル  アール  リグビー、エー  ピー  ダヴィットソン（Ｒ．Ｃ．Ｆｕｒｎｅａｕｘ，Ｗ．Ｒ．Ｒｉｇｂｙ＆  Ａ．Ｐ．Ｄａｖｉｄｏｓｏｎ）著「ネイチャー（ＮＡＴＵＲＥ）」第３３７巻、１９８９年、ｐ．１４７
【非特許文献２】
益田著「固体物理」３１巻、１９９６年、ｐ．４９３
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、これらの問題点を解決することにあり、断面形状が長方形や楕円形のような陽極酸化アルミナナノホールを作製し、ナノホールに充填された磁性体に形状異方性を付与することで、磁性体の磁化とそれを検出する磁気ヘッドの相対的な位置関係が常に一定となる構造体の製造方法を提供する。
【００１９】
また、本発明は、基板上に設けたナノホール形成開始点から形成されるナノホールを、その形成過程において自己組織的に分岐させることで、最終的には基板上に設けた形成開始点のドット密度よりも２倍、もしくはそれ以上の密度でナノホールを形成し、より簡易にドット密度すなわち記録密度を向上させることを可能とした構造体の製造方法を提供する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、本発明による以下の手段により解決される。
即ち、本発明は、規則的に配列した複数の窪みを有する部材を用意する工程、前記窪みを起点として孔の形成が開始し、分岐しないで孔が形成される第１の部分と分岐した孔が形成される第２の部分を有する多孔質領域が形成されるように前記部材を陽極酸化処理する工程、及び前記第１の部分を除去する除去工程を有することを特徴とする構造体の製造方法である。
【００２１】
以下に本発明の構造体の製造方法の好ましい実施態様を示す。
陽極酸化により孔を形成する工程において、少なくとも一部の孔の形成過程において自己組織的に二股に分岐させるのが好ましい。
前記基板上に長方状或いは斜方状に配列した窪みを形成することが好ましい。
前記基板上に長方状或いは斜方状に配列した窪みの間隔に長い間隔と短い間隔があり、該長い間隔が短い間隔の１．５〜２．０倍であるのが好ましい。
前記基板上に形成した窪みの長方状或いは斜方状の配列において、配列の短い間隔に対応した陽極酸化電圧を印加して陽極酸化を行うのが好ましい。
【００２２】
次に、本発明の構造体の製造方法を応用した関連発明について説明する。
この関連発明の目的は、これらの問題点を解決することにあり、断面形状が長方形や楕円形のような陽極酸化アルミナナノホールを作製し、ナノホールに充填された磁性体に形状異方性を付与することで、磁性体の磁化とそれを検出する磁気ヘッドの相対的な位置関係が常に一定となる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【００２３】
また、関連発明の目的は、基板上に設けたナノホール形成開始点から形成されるナノホールを、その形成過程において自己組織的に分岐させることで、最終的には基板上に設けた形成開始点のドット密度よりも２倍、もしくはそれ以上の密度でナノホールを形成し、より簡易にドット密度すなわち記録密度を向上させることを可能とした高密度磁気記録媒体の製造方法を提供する。
また、関連発明による磁気記録媒体の記録方式は面内磁気記録方式に限定されるものではなく、垂直磁気記録方式を用いることも可能である。
【００２４】
以下に本発明の関連発明の構成について説明する。
第一の関連発明は、規則的に配列した複数の窪みを有する部材を用意する工程、前記窪みを起点として孔の形成が開始し、分岐しないで孔が形成される第１の部分と分岐した孔が形成される第２の部分を有する多孔質領域が形成されるように前記部材を陽極酸化処理する工程、形成された前記孔に磁性体を充填する工程、前記孔の分岐しない部分を除去する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【００２５】
陽極酸化により孔を形成する工程において、少なくとも一部の孔の形成過程において自己組織的に二股に分岐させることが好ましい。
前記基板上に長方状或いは斜方状に配列した窪みを形成することが好ましい。
前記基板上に長方状或いは斜方状に配列した窪みの間隔に長い間隔と短い間隔があり、該長い間隔が短い間隔の１．５〜２．０倍であることが好ましい。
【００２６】
前記基板上に形成した窪みの長方状或いは斜方状の配列において、配列の短い間隔に対応した陽極酸化電圧を印加して陽極酸化を行うのが好ましい。
前記分岐した孔の形成後、該孔中にめっきにより磁性体を充填することが好ましい。
前記孔中に磁性体を充填した後に表面研磨することで、該孔における分岐しない部分を除去することが好ましい。
【００２７】
前記孔中に磁性体を充填した後にウェットエッチングする工程により、該孔における分岐しない部分を除去することが好ましい。
分岐した孔を形成した後、表面研磨して該孔における分岐しない部分を除去することが好ましい。
前記孔における分岐しない部分を除去した後、残った分岐した部分の該細孔中に磁性体を充填することが好ましい。
【００２８】
第二の関連発明は、上記の磁気記録媒体の製造方法により製造した磁気記録媒体である。
第三の関連発明は、上記の磁気記録媒体を用いた記録・再生装置である。
第四の関連発明は、上記の磁気記録媒体を用いた情報処理装置である。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
＜磁気記録媒体の製造方法について＞
本発明による磁気記録媒体の製造方法は、Ａｌを主成分とする基板を陽極酸化して得られる陽極酸化アルミナナノホールを利用したものである。
【００３０】
自己組織的に形成されるアルミナナノホールは、ナノホールの直径が数〜数百ｎｍまで制御でき、ナノホールの間隔もナノホールの直径よりも若干大きな値から約５００ｎｍまで制御可能である。Ａｌの陽極酸化には各種の酸が利用可能であるが、微細な間隔のナノホールを形成するには硫酸浴、比較的大きな間隔のナノホールを形成するにはリン酸浴、その間のナノホールを作製するにはシュウ酸浴が好ましい。また、ナノホールの直径は陽極酸化後にリン酸などの溶液中でエッチングする工程によって拡大することも可能である。
【００３１】
図１は孔の形成過程において二股に分岐したナノホールを示す模式図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＡＡ’線断面図を示す。図２はナノホール形成開始点の長方状配列及び斜方状配列を示す模式図である。
【００３２】
本発明における、図１に示すような二股に分岐したナノホール１１を形成するには、まず図２に示すようにＡｌを主成分とする被陽極酸化物となる基板２４上に、ナノホールの形成開始点となる窪み２３を長方状（図２（ａ））、或いは斜方状（図２（ｂ））に形成する必要がある。窪み２３の形成方法は、電子線露光によるパターニングや、ＦＩＢ（集束イオンビーム）によるパターニング、或いはパターニングされた突起を有するスタンパーを基板表面に押し付けるなどの手法が挙げられるが、基板上にナノホール形成開始点さえ形成できれば、これらの手法に特に限定されるものではない。
【００３３】
続いて、開始点を形成した基板を陽極酸化する際には、図２で示した基板上に形成した窪みの長方状或いは斜方状配列において、配列の短い間隔２２に対応した陽極酸化電圧を印加して陽極酸化を行うことが望ましい。陽極酸化電圧Ｖ［Ｖｏｌｔ］と、形成されるナノホールの間隔２Ｒ［ｎｍ］には２Ｒ＝２．５×Ｖなる関係が存在し、例えば窪みを長方状に１００ｎｍ×１５０ｎｍの周期で配列させた場合では、陽極酸化電圧は４０Ｖとすることが望ましい。また、このとき配列の長い間隔２１に対応した陽極酸化電圧を印加すると、短い間隔２２に対応した陽極酸化電圧を印加した場合よりも、形成されるナノホールが分岐しにくい傾向がある。以上のようにして形成されたナノホールの断面形状は、長い間隔２１の方向に伸びた楕円形或いは長方形のような形状となる。
【００３４】
ここに、配列の短い間隔２２とは、ある一つの窪みと、それに対して第一近接にある窪みとの間隔であり、配列の長い間隔２１とは、第二近接にある窪みとの間隔と定義する。また、長方状配列とは、前記の短い間隔２２の方向と長い間隔２１の方向が９０度の角度をなしている場合であり、９０度以外の角度をなしている場合を斜方状配列と定義する。
【００３５】
図２の１つの窪み２３の位置に、図１の１つの二股に分岐したナノホールが形成される。図２の窪み２３を一つの起点として、初期は分岐しないで細孔形成が進行し、途中で二股に分岐してナノホールが形成される。したがって、ある程度の間隔をもって窪み２３を形成するのが好ましい。
【００３６】
ナノホールが自己組織的に二股に分岐するか否かには、上記のような陽極酸化電圧以外に、基板上に形成する窪みの間隔にも依存する。窪みの長方状或いは斜方状配列において、短い間隔と長い間隔が大きく異なる場合には、ナノホールは二股に分岐するものの、図３に示すように長い間隔の間の領域など、意図しない部分にもナノホール３１が形成され、規則性に乱れを生ずるので望ましくない。
【００３７】
逆に短い間隔と長い間隔がほぼ等しい場合では、ナノホールは二股に分岐することなく、断面形状も円形や正方形に近いものが得られるので望ましくない。本発明者等が鋭意検討した結果、長い間隔が短い間隔の１．５〜２．０倍、好ましくは１．７〜１．８倍の範囲内では、意図しない部分にナノホールが形成されることはなく、形成されるナノホールは二股に分岐し、断面形状も長い間隔の方向に伸びた楕円形或いは長方形のような形状が得られることを確認した。また、長い間隔に対応した陽極酸化電圧を印加した場合では、長い間隔が短い間隔の１．８〜２．０倍のとき、上記のようなナノホールが得られることも確認した。
【００３８】
続いて、以上のように形成したナノホールに対して、図４（ａ）に示すように磁性体４１を充填する。磁性体４１の充填方法は、アスペクト比の高いナノホールにも充填可能という観点から、めっきが好ましい。ここにアスペクト比とは、ナノホールの高さ（ｘ）と断面形状における最も長い径（ｙ）に対して、ｘ／ｙとして定義することにする。めっきの電極となる下地電極層４２は、めっきの制御性が良いＣｕ或いはＣｕを主成分とする合金や貴金属を被陽極酸化層の下に設けるとよい。
【００３９】
さらに、ナノホールが二股に分岐する以前の部分４３を表面研磨によって除去することで、図４（ｂ）に示すように二股に分岐した後のナノホールを基板表面に露出させる。これにより、基板表面でのナノホールの密度は、除去した部分のナノホールの密度、つまり基板上に形成したナノホール形成開始点の密度の２倍となっている。このように、自己組織化を利用することで結果的には、最初に施すパターニングよりも微細なパターンを形成することができる。
【００４０】
また、図４で示した工程において、表面研磨によりナノホールが二股に分岐する以前の部分を除去した後に、磁性体を充填しても良い。この場合、磁性体が充填されるナノホールのアスペクト比は小さくなるので、めっき以外にもスパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法など各種の手法により磁性体の充填が可能である。
【００４１】
さらに、ナノホールが二股に分岐する以前の部分が除去され、残った二股に分岐した部分に磁性体が充填された状態で、基板表面にＤＬＣや窒化物など非磁性材料による保護膜を形成しても良い。保護膜により、磁性層の酸化防止、及び磁気ヘッドに対しての耐磨耗性向上といった効果が期待される。
【００４２】
以上で示した本発明における被陽極酸化膜であるＡｌを主成分とする膜を作製するには、抵抗加熱による真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法など各種の成膜方法が利用可能である。但し、ある程度平坦な表面を有する膜を形成できる方法でなければ好ましくない。
【００４３】
また、基板としてはプラスチック、Ｓｉ、ガラス、カーボン、Ｎｉ−ＰめっきをしたＡｌ、ＳｉＣなどが利用可能である。
本発明の方法により製造された構造体は、構造体のナノホールに磁性体を充填して磁気記録媒体を得ることができる。
【００４４】
また、本発明は、構造体のナノホールをさまざまな形態で応用することを可能とするものであり、その応用範囲を著しく広げるものである。例えば、本発明における構造体のナノホールに機能材料を充填うることにより、機能素子としてとして応用することができる。また、構造体のナノホールに伝導性材料を充填することで、量子効果を利用した単電子メモリ、単電子トランジスタなどとして応用することができる。また構造体は、それ自体発光デバイス、光デバイス、マイクロデバイスなどの機能材料として使用可能であるが、さらなる新規な構造体の母材、鋳型などとして用いることもできる。
【００４５】
【実施例】
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
【００４６】
実施例１
本実施例は、二股に分岐したナノホールの形成に関するものである。特に、基板上に形成した窪みの短い間隔に対応した陽極酸化電圧を印加して、陽極酸化を行った場合について検討を行った。
【００４７】
Ｓｉ（１００）基板上にスパッタリング法でＡｌを２００ｎｍの厚さに成膜し、図５に示すようにＡｌ５１の表面に、突起５２を有するスタンパー５３によって長方状に配列したナノホールの形成開始点となる窪み５４を形成した。本実施例ではＳｉＣを電子線露光によりパターニングすることで突起を有するスタンパーを作製し、Ａｌ表面と突起部分を密着させた状態で、油圧プレス機によりＡｌ表面上に押し付けることで突起を転写した。このとき、長方状に配列したスタンパーの突起の間隔を変化させ、下記の表１に示すＡ〜Ｈの試料を作製した。
【００４８】
Ａ〜Ｈの試料に対して０．３ｍｏｌ／Ｌシュウ酸溶液中、１６℃にて、４０Ｖの陽極酸化電圧を印加して陽極酸化を行った。ここで、４０Ｖという印加電圧は、２Ｒ＝２．５×Ｖの関係式より、１００ｎｍすなわち窪みの短い間隔に対応した陽極酸化電圧である。陽極酸化後、０．５ｗｔ％リン酸水溶液に４０分間浸すウェットエッチング（ポアワイド）処理を行った。その後、試料の表面、及び断面形状をＦＥ−ＳＥＭ（電界放出走査型電子顕微鏡）で観測した。結果を表１に示す。
【００４９】
【表１】
2004213764.tif 000002
【００５０】
表１に示すように、Ａ及びＢの試料では、形成されたナノホールの断面形状は長い間隔の方向に伸びた楕円形に近い形状であるが、ナノホールが二股に分岐することなく、柱状のナノホールが得られた。Ｃ〜Ｆの試料では、図１に示したように、ナノホールの形成過程で長い間隔の方向へ二股に分岐したナノホールが得られた。また、断面形状は長い間隔の方向に伸びた形状であり、Ｃでは楕円形に近い形状、Ｆでは長方形に近い形状であった。Ｄ及びＥの試料では、ほぼ楕円形と長方形の間の断面形状であった。Ｇ及びＨの試料では、ナノホールが二股に分岐しているものの、図３に示すように、窪みを作製していない部分を補間するように意図しないナノホールが形成されており、配列の規則性が大きく乱れていることが確認された。
【００５１】
以上の結果より、基板上に形成した長方状の窪みの配列に対して、短い間隔に対応する陽極酸化電圧を印加した場合、窪みの間隔の長い間隔が短い間隔の１．５〜２．０倍であるとき、二股に分岐したナノホールが規則的に形成されることを確認した。
【００５２】
一方、窪みの間隔の長い間隔が短い間隔の１．４倍よりも小さな場合においては、ナノホールは二股に分岐せず、２．１倍よりも大きな場合においては、ナノホールは二股に分岐するものの、基板上に設けたナノホールの形成開始点以外からもナノホールの形成が進むため、規則性に乱れを生ずることを確認した。
【００５３】
実施例２
本実施例は、実施例１において、基板上に形成した窪みの長い間隔に対応した陽極酸化電圧を印加して陽極酸化を行った場合に関する。
【００５４】
実施例１と同様に、基板上に窪みを形成した試料を作製し、陽極酸化及びポアワイドを行い、試料の表面、及び断面形状をＦＥ−ＳＥＭで観測した。陽極酸化電圧は２Ｒ＝２．５×Ｖの関係式を用いて、窪みの配列の長い間隔に対応した電圧とした。このとき陽極酸化電圧が高くなる試料に関しては、０．３ｍｏｌ／Ｌシュウ酸溶液の代わりに、０．３ｍｏｌ／Ｌリン酸溶液を用いた。また、ポアワイドの時間は陽極酸化電圧と同じ値の時間とした。結果を表２に示す。
【００５５】
【表２】
2004213764.tif 000003
【００５６】
表２に示すように、本実施例ではＩ〜Ｌの試料について、実施例１で得られたＡ及びＢの試料と同様のナノホールが形成された。つまり、ナノホールの断面形状は長い間隔の方向に伸びた楕円形に近い形状であるが、ナノホールが二股に分岐することなく、図６に示すような柱状のナノホール６１が得られた。Ｍ及びＮの試料については、実施例１で得られたＣ〜Ｆの試料と同様に、形成過程で長い間隔の方向へ二股に分岐したナノホールが得られた。Ｏ及びＰの試料では、実施例１のＧ及びＨの試料と同様に、ナノホールが二股に分岐しているものの、意図しないナノホールが形成されており、図３に示すように配列の規則性が大きく乱れていることが確認された。
【００５７】
以上の結果より、基板上に形成した長方形の窪みの配列に対して、長い間隔に対応する陽極酸化電圧を印加した場合でも、実施例１と同様に二股に分岐するナノホールの形成は可能であることを確認した。しかし、二股に分岐したナノホールが形成可能であるのは、基板上に１００ｎｍ×１８０ｎｍ及び１００ｎｍ×２００ｎｍの長方状に窪みを配列した場合のみであり、実施例１のように短い間隔に対応する陽極酸化電圧を印加する場合よりも、窪みの配列の範囲が狭く限定されてしまうことも確認された。
【００５８】
二股に分岐したナノホールを形成可能な窪みの配列の範囲が狭くなる以外は、実施例１の結果と同様の傾向であり、長い間隔と短い間隔の差が小さくなるに従って、柱状で断面形状も円形に近くなる。逆に長い間隔と短い間隔の差が大きくなるに従って、断面形状は長方形に近くなり、二股に分岐はしているが、基板上に設けたナノホールの形成開始点以外からもナノホールが形成され、規則性に乱れを生ずることを確認した。
【００５９】
実施例３
本実施例は、実施例１で形成した二股に分岐したナノホールに、磁性体をめっきにより充填することに関する。
【００６０】
Ｓｉ（１００）基板上にＴｉを５ｎｍ、Ｔｉ上にＣｕを５０ｎｍ、Ｃｕ上にＡｌを２００ｎｍの厚さにそれぞれスパッタリング法により成膜し、実施例１と同様にＡｌ表面にスタンパーを押し付けることで、基板表面に１００ｎｍ×１８０ｎｍの長方状に配列した窪みを形成した。このとき、形成した窪みの密度は、約３６Ｇｄｏｔ／ｉｎ２  である。この基板を、０．３ｍｏｌ／Ｌシュウ酸溶液中、１６℃にて、４０Ｖの陽極酸化電圧を印加して陽極酸化し、その後０．５ｗｔ％のリン酸水溶液にて４０分間ポアワイドを行った。
【００６１】
上記の手順で作製した試料に、Ｎｉをめっきにより充填した。めっきに際しては、硫酸ニッケル（ＩＩ）７水和物０．２ｍｏｌ／Ｌとホウ酸０．３ｍｏｌ／Ｌから成る水溶液を１：１で混合したものを電解液として２４℃で使用した。参照電極はＡｇ／ＡｇＣｌを使用し、−１．０Ｖの電着電位でＮｉのめっきを行った。
【００６２】
引き続き、ダイヤモンドの粒子径が１／４μｍのダイヤモンドスラリーを研磨剤として表面研磨を行い、図７（ａ）に示す状態から、二股に分岐する以前のナノホール７１を除去し、二股に分岐した後のナノホール７２内に充填されたＮｉ７３と基板表面が平坦な平坦な表面を形成する図７（ｂ）の状態にした。
【００６３】
基板表面の一部分をＦＥ−ＳＥＭで観測したところ、全てのナノホールにＮｉの充填が確認された。また、このとき基板表面に露出したナノホールの形状は、図８に示すように短辺４０ｎｍ、長辺７０ｎｍ程度の四隅の角に丸みを帯びた長方形の形状をしており、ナノホールの密度は約７２Ｇｄｏｔ／ｉｎ２  であった。
【００６４】
さらに、Ｎｉの磁化状態を観測するためにＭＦＭ（磁気力顕微鏡）による基板表面の観測を行った。この結果、ナノホールに充填されたＮｉの磁化は、図９に示すように基板面内において長辺方向に揃っていることが確認された。すなわち、ナノホールの断面形状による形状異方性を反映して、長辺方向が容易軸となっていることが確認できた。
【００６５】
また、形成されたナノホールの断面形状の長辺方向に１ｋＯｅの外部磁場を印加した後に、前記と同様にＭＦＭの観測を行ったところ、隣接するナノホールの間での磁気的干渉も確認されず、全ての磁化が印加した磁場の方向に揃い、図１０で示す状態になることも確認した。
【００６６】
比較のため、１００ｎｍ×１００ｎｍの正方状に配列した窪みを形成して、同様に陽極酸化することで断面形状による形状異方性がない円柱状細孔を作製し、Ｎｉの充填及び表面研磨を行った。この場合のＭＦＭ像は、Ｎｉの磁化がランダムな方向を向いており、一方向に揃っていないことが確認された。外部磁場を１ｋＯｅ印加した後に、ＭＦＭ観測を行ったところ、殆どの磁化は印加磁場の方向にそろっていたが、所々に異なる方向を向いた磁化が存在していた。
【００６７】
以上の結果より、ナノホールを形成過程において二股に分岐させ、その後二股に分岐する以前の部分を除去することで、スパタンパーで基板上に形成したナノホール形成開始点の密度よりも２倍の密度のナノホールを作製することが可能となることを確認した。
【００６８】
また、磁性体を充填した場合、ナノホールの断面形状による形状異方性を反映して磁化方向が一方向に揃い、その状態を保持できること、及び隣接するナノホール間での磁気的干渉もないことが確認され、磁気記録媒体として使用可能であること確認した。
【００６９】
実施例４
本実施例は、実施例３で作製した試料に対して、磁気ヘッドによる記録を行ったことに関する。
【００７０】
実施例３で作製した試料表面からリング型ヘッドを用いて、図１１に示すパルス磁場を印加しながら、試料への記録を行った。本実施例では、図１２に示すような約３００ｎｍ×９０ｎｍの長方形の領域を１ビットの記録領域１２１として検討を行った。
【００７１】
記録を行った後、ＭＦＭによる表面観測を行ったところ、隣接するナノホール間での磁気的干渉もなく、磁気ヘッドによる印加磁場に対応した磁化の記録、及び保持が行われていることが確認された。
【００７２】
以上の結果より、磁気記録媒体として記録が可能であることを確認した。但し、１ビットの記録領域は、磁気ヘッドによる記録が可能な形状、及び大きさであれば、本実施例のものに限定されるものではない。例えばパターンドメディアとして１つのナノホールに充填した磁性体に対して１ビットを記録してもよく、本実施例のようにディスクリートメディアとして複数のナノホールに充填した磁性体に対して１ビットを記録してもよい。
【００７３】
実施例５
本実施例は、実施例４の磁気記録媒体を用いた記録・再生装置に関する。
実施例４で述べたように、本発明による磁気記録媒体は、磁場印加により磁化方向を揃えることが可能であり、磁場を印加しない状態で磁化を保持することも可能である。
【００７４】
そこで、本発明による磁気記録媒体を図１３のような、磁気記録媒体駆動部１３１と、記録・再生用磁気ヘッド１３２、及び磁気ヘッド駆動部１３３、さらに信号処理部１３４からなる装置に組み立てることにより、磁気記録・再生装置を形成することが可能である。但し、本実施例により、磁気記録媒体の駆動は回転のみ、磁気ヘッドの駆動は円周上のスライドのみに限定されるものではない。
【００７５】
実施例６
本実施例は、実施例５の記録・再生装置を用いた情報処理装置に関する。
実施例５の記録・再生装置は情報の出し入れが可能であるため、図１４に示すように、記録・再生装置１４１とメモリ部分１４２、更に演算部１４３と入出力インターフェイス部１４４、及び電源１４５と、これらを接続する配線１４６を格納容器１４７に収めた情報処理装置を形成することが可能である。
【００７６】
【発明の効果】
本発明により、陽極酸化アルミナナノホールを利用した構造体において、楕円形、或いは長方形に近い形状のナノホールを作製することで、ナノホールに充填する機能材料に断面形状による形状異方性を付与し、機能素子として利用可能とすることができる。
【００７７】
また、本発明の関連発明によれば、陽極酸化アルミナナノホールを利用した磁気記録媒体において、楕円形、或いは長方形に近い形状のナノホールを作製することで、ナノホールに充填した磁性体に断面形状による形状異方性を付与し、安定した磁化の保持が可能となる。さらに、磁気ヘッドと磁化の相対的な位置関係が常に一定となる磁気記録媒体を提供することができる。
また本発明の関連発明によれば、電子線露光などのパターニング技術と、自己組織化を組み合わせることで、より高密度な磁気記録媒体を簡易に製造することを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における孔の形成過程において二股に分岐したナノホールを示す模式図である。
【図２】本発明におけるナノホール形成開始点の長方状配列及び斜方状配列を示す模式図である。
【図３】意図しない部分に形成されたナノホールを示す模式図である。
【図４】本発明における二股に分岐したナノホールの形成過程を示す模式図である。
【図５】スタンパーによる開始点の形成を示す模式図である。
【図６】柱状に形成されたナノホールを示す模式図である。
【図７】Ｎｉを充填したナノホールを示す模式図である。
【図８】Ｎｉ充填後、研磨により二股に分岐する以前のナノホールを除去した基板表面を示す模式図である。
【図９】めっき直後の基板表面のＭＦＭ像の模式図である
【図１０】磁場印加後のＭＦＭ像の模式図である。
【図１１】磁気ヘッドで印加したパス磁場のプロファイルである。
【図１２】１ビット記録領域を示す模式図である。
【図１３】本発明による磁気記録媒体を用いた記録・再生装置を示す概念図である。
【図１４】本発明による記録・再生装置を用いた情報処理装置を示す概念図である。
【符号の説明】
１１  二股に分岐したナノホール
１２  二股に分岐する以前のナノホール
１３  アルミナ
１４  分岐により残ったアルミナ部分
１５  下地基板
２１  長い間隔
２２  短い間隔
２３  窪み
２４  基板
３１  意図しない部分に形成されたナノホール
３２  二股に分岐したナノホール
３３  二股に分岐する以前のナノホール
３４  分岐により残ったアルミナ部分
４１  磁性体
４２  下地電極層
４３  ナノホールが二股に分岐する以前の部分
４４  アルミナ
５１  Ａｌ
５２  突起
５３  スタンパー
５４  窪み
６１  柱状のナノホール
６２  アルミナ
６３  下地基板
７１  ナノホールが二股に分岐する以前の部分
７２  ナノホールが二股に分岐した後の部分
７３  Ｎｉ
７４  Ｃｕ
７５  Ｓｉ基板
７６  アルミナ
８１  短辺
８２  長辺
８３  アルミナ
９１  Ｎｉの磁化方向
９２  Ｎｉが充填されたナノホール
１０１  Ｎｉの磁化方向
１０２  Ｎｉが充填されたナノホール
１２１  １ビットの記録領域
１３１  磁気記録媒体駆動部
１３２  記録・再生用磁気ヘッド
１３３  磁気ヘッド駆動部
１３４  信号処理部
１３５  磁気記録媒体
１４１  記録・再生装置
１４２  メモリ部分
１４３  演算部
１４４  入出力インターフェイス部
１４５  電源
１４６  配線
１４７  格納容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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