(57)【要約】【課題】ＭＩＭ素子を備えたＭＩＭ基板において、下部電極が何ら不具合が発生することなく形成されると共に、走査配線が低抵抗でかつ信頼性が高い状態で形成されるＭＩＭ基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板２０の上に導電性薄膜と下部電極用金属膜とを形成する工程と、導電性薄膜をエッチングストップ層として、下部電極用金属膜をドライエッチングして下部電極２８ｘを形成する工程と、導電性薄膜をパターニングする工程と、下部電極２８ｘの表面を酸化して非線形抵抗層２９を形成する工程と、非線形抵抗層２９の一所定部に走査配線３０ｙに繋がる第１上部電極３０ｘを形成すると共に、非線形抵抗層２９の他の所定部に第２上部電極３０ｚを形成する工程と、第２上部電極３０ｚに接続される画素電極３２を形成する工程とを含む。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上又は上方に導電性薄膜を形成する工程と、
前記導電性薄膜の上に下部電極用金属膜を形成する工程と、
前記導電性薄膜をエッチングストップ層として、前記下部電極用金属膜をドライエッチングすることにより下部電極を形成する工程と、
前記導電性薄膜をパターニングする工程と、
前記下部電極の少なくとも一部を絶縁性金属酸化膜化して非線形抵抗層とする工程と、
前記非線形抵抗層の一所定部に、走査配線に繋がる第１上部電極を形成すると共に、前記非線形抵抗層の他の所定部に第２上部電極を形成する工程と、
前記第２上部電極に接続される画素電極を形成する工程とを有することを特徴とするＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項２】
基板の上又は上方に導電性薄膜を形成する工程と、
前記導電性薄膜の上に下部電極用金属膜を形成する工程と、
前記導電性薄膜をエッチングストップ層として、前記下部電極用金属膜をドライエッチングすることにより下部電極を形成する工程と、
前記下部電極の少なくとも一部を絶縁性金属酸化膜化して非線形抵抗層とする工程と、
前記導電性薄膜をパターニングする工程と、
前記非線形抵抗層の一所定部に走査配線に繋がる第１上部電極を形成すると共に、前記非線形抵抗層の他の所定部に第２上部電極を形成する工程と、
前記第２上部電極に接続される画素電極を形成する工程とを有することを特徴とするＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項３】
前記下部電極用金属膜はタンタル膜であって、前記導電性薄膜は、アルミニウム膜、銅膜、ニッケル膜、及びＩＴＯ膜の群から選択される単層膜、積層膜又は合金膜であることを特徴する請求項１又は２に記載のＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項４】
前記下部電極を形成する工程において、フッ素原子を含むガスを用いたドライエッチングにより行なわれることを特徴とする請求項１又は２に記載のＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項５】
前記導電性薄膜をパターニングする工程は、前記下部電極の下面部に接続される延在部をもつ電圧供給配線を前記走査配線が形成される経路部に形成する工程であって、
前記非線形抵抗層を形成する工程は、前記電圧供給配線を利用した陽極酸化により前記下部電極の少なくとも一部を前記絶縁性金属酸化膜化する工程であり、前記第１及び第２上部電極を形成する工程において、前記走査配線は前記電圧供給配線の上に形成され、
前記第１及び第２上部電極を形成する工程の前もしくは後に、前記電圧供給配線の前記延在部を除去することにより、前記電圧供給配線と下部電極とを分離する工程をさらに有することを特徴とする請求項１、３又は４に記載のＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項６】
前記非線形抵抗層を形成する工程は、前記導電性薄膜を電圧供給配線に利用した陽極酸化により前記下部電極の少なくとも一部を前記絶縁性金属酸化膜化する工程であって、
前記導電性薄膜をパターニングする工程は、前記走査配線が形成される経路部に前記導電性薄膜のパターンを形成する工程であり、
前記第１及び第２上部電極を形成する工程において、前記走査配線は前記導電性薄膜のパターンの上に形成されることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載のＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項７】
前記下部電極を形成する工程において、同時に、前記走査配線の経路部に前記下部電極用金属膜のパターンを残すことを特徴とする請求項５又は６に記載のＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項８】
前記画素電極を形成する工程において、同時に、前記走査配線の上に前記画素電極と同一材料からなる導電膜パターンを残すことを特徴とする請求項５又は６に記載のＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項９】
前記基板の上又は上方に導電性薄膜を形成する工程は、前記基板の上に剥離層とバッファ層とを順次形成した後に、前記バッファ層上に前記導電性薄膜を形成する工程であって、前記バッファ層上に形成された構造体は転写層であり、
前記画素電極を形成する工程の後に、
前記転写層の上面にプラスチックフィルムを接着し、前記基板と前記剥離層との界面から剥離して、前記プラスチックフィルム上に前記転写層を転写・形成する工程と、
最上に露出する前記剥離層を除去する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のＭＩＭ基板の製造方法。
【請求項１０】
透明基板と、
前記透明基板の上又は上方にそれぞれ形成されたパターン状の導電性薄膜及び該導電性薄膜と同一材料で形成された第１配線と、
前記導電性薄膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極の少なくとも一部を酸化して形成された非線形抵抗層と、
前記非線形抵抗層の一所定部に接続された第１上部電極と、
前記第１配線に電気的に接続された状態で該第１配線上に形成され、かつ前記第１上部電極に繋がる走査配線と、
前記非線形抵抗層の他の所定部に接続された第２上部電極と、
前記第２上部電極に接続された画素電極とを有することを特徴とするＭＩＭ基板。
【請求項１１】
バッファ層と、
前記バッファ層の上にそれぞれ形成されたパターン状の導電性薄膜及び該導電性薄膜と同一材料で形成された第１配線と、
前記導電性薄膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極の少なくとも一部を酸化して形成された非線形抵抗層と、
前記非線形抵抗層の一所定部に接続された第１上部電極と、
前記第１配線上に電気的に接続された状態で該第１配線上に形成され、かつ前記第１上部電極に繋がる走査配線と、
前記非線形抵抗層の他の所定部に接続された第２上部電極と、
前記第２上部電極に接続された画素電極と
を備えた構造体が、
上下反転した状態でプラスチックフィルムの上又は上方に接着層を介して形成されていることを特徴とするＭＩＭ基板。
【請求項１２】
前記第１配線は、前記走査配線より抵抗が低い金属からなることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＭＩＭ基板。
【請求項１３】
前記第１配線と前記走査配線との間には、前記下部電極と同一材料で形成された第２配線が形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＭＩＭ基板。
【請求項１４】
前記走査配線の上には前記画素電極と同一材料で形成された導電膜パターンが形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のＭＩＭ基板。
【請求項１５】
前記第１配線は、アルミニウム膜、銅膜、ニッケル膜、及びＩＴＯ膜の群から選択される単層膜、積層膜又は合金膜であって、前記走査配線はクロム、銅膜、チタン膜及び銀膜の群から選択されるものであることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載のＭＩＭ基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスイッチング素子としてＭＩＭ素子を備えたＭＩＭ基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶や有機ＥＬを用いたアクティブマトリクス方式の表示装置は、表示品質の点でもＣＲＴ(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れているため、携帯テレビやパーソナルコンピュータなどのディスプレイなどに使用されている。アクティブマトリクス方式の表示装置には、その各画素をスイッチングする素子としてＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有する非線形２端子素子（ＭＩＭ素子）が使用されたものがある。
【０００３】
従来技術に係るＭＩＭ基板の製造方法の一例としては、まず、ガラスなどの絶縁性基板上にＴａ膜よりなる走査配線とそれから分岐された下部電極が形成された後、該下部電極が陽極酸化されてその表面にＴａ酸化膜よりなる非線形抵抗層が形成される。次いで、非線形抵抗層を覆うようにしてＣｒ膜よりなる上部電極が形成された後、該上部電極と接するようにＩＴＯ膜よりなる画素電極が形成される。このようにして、下部電極（Ｔａ膜）、非線形抵抗層（Ｔａ酸化膜）及び上部電極（Ｃｒ膜）から構成されるＭＩＭ素子とそれに接続される画素電極とが形成される。
【０００４】
なお、特許文献１には、上記したようなＭＩＭ基板において、上部電極と画素電極とを兼ねるようにして形成することにより、マスク工程が削減されて製造されるＭＩＭ基板が記載されている。
【０００５】
また、ＭＩＭ基板において、軽量化や破損防止などを図るために、ガラス基板の代わりにプラスチックフィルム上にＭＩＭ素子が形成されたものがある。プラスチックフィルムは、剛性が弱く、また熱変形温度が低いため熱処理を伴う製造工程において反りや膨張収縮のような熱変形を生じ易い。このため、プラスチックフィルム上に直接ＭＩＭ素子を形成する方法では、熱処理を伴う製造工程などの条件が制限され、また高精度の位置合わせが困難になり、所望の特性を有するＭＩＭ基板を製造できない場合がある。
【０００６】
このような問題を回避するために、ガラス基板上に予め形成されたＭＩＭ素子などを含む転写層をプラスチックフィルム上に転写する方法がある。詳しく説明すると、まず、剛性が強く耐熱性が高いガラス基板などの上に、剥離層とバッファ層（シリコン酸化膜）とを介してＭＩＭ素子などを形成して転写層とする。このとき、ＭＩＭ素子はガラス基板上に形成されるため、その製造条件が制限されることなく高精度で位置合わせされて形成される。
【０００７】
次いで、この転写層をプラスチックフィルムに転写した後に、最上の剥離層を除去する。剥離層の下のバッファ層は、剥離層を除去する際にＭＩＭ素子にダメージが入らないように保護するために形成される。
【０００８】
このような転写技術を利用してアクティブマトリクス層をプラスチックフィルムなどの上に形成する技術は、例えば、特許文献２、３及び４に記載されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−１３８４９７号公報
【特許文献２】
特開２００１−３５６７１０号公報
【特許文献３】
特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献４】
特開平８−６２５９１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＭＩＭ基板の製造において、Ｔａ膜をエッチングして下部電極を形成する際、Ｔａ膜は一般的にフッ素系ガスを用いたドライエッチングによりエッチングされる。このとき、前述したガラス基板上に直接ＭＩＭ素子を形成する場合では、Ｔａ膜のドライエッチングにおける選択比（Ｔａ膜のエッチレート／ガラス基板のエッチレート）が低いため、オーバーエッチング時に、下地のガラス基板もエッチングされて不必要な段差が生じてしまうことになる。
【００１１】
また、前述した転写技術によりＭＩＭ基板を製造する場合では、まず、ガラス基板上に剥離層を介して形成されたバッファ層（シリコン酸化膜）上にＴａ膜がパターニングされる。このとき、Ｔａ膜のドライエッチングにおける選択比（Ｔａ膜のエッチレート／バッファ層（シリコン酸化膜））のエッチレート）が低いため、オーバーエッチング時に、下地のバッファ層もエッチングされて、場合によっては剥離層が露出してしまうことがある。
【００１２】
このため、転写層をプラスチックフィルム上に転写した後に、剥離層を酸素プラズマなどにより除去する際に、ＭＩＭ素子はバッファ層により保護されなくなるので、ＭＩＭ素子にダメージが生じてしまう恐れがある。
【００１３】
なお、前述した特許文献１〜４では、上記したようにＭＩＭ素子の下部電極をドライエッチングにより形成する際に、下地膜との選択比が低いことに起因して下地膜がエッチングされてしまう問題に関しては何ら考慮されていない。
【００１４】
また、ＭＩＭ素子に信号を供給する走査配線について言及すると、前述した特許文献１では、Ｔａ膜などをパターニングすることにより走査配線とそれに繋がる下部電極とを同時に形成するようにしているので、走査配線の抵抗を容易に低減化することは困難である。
【００１５】
また、プラスチックフィルム上にＭＩＭ素子などが形成される構成の場合、プラスチックフィルムは吸湿したり加熱されたりすることにより伸縮を起こすので、走査配線が断線するなどの信頼性上の問題が発生することがある。
【００１６】
本発明は上記した問題点を鑑みて創作されたものであり、ＭＩＭ素子を備えたＭＩＭ基板において、下部電極が何ら不具合が発生することなく形成されると共に、走査配線が低抵抗でかつ信頼性が高い状態で形成されるＭＩＭ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するため、本発明はＭＩＭ基板の製造方法に係り、基板の上又は上方に導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜の上に下部電極用金属膜を形成する工程と、前記導電性薄膜をエッチングストップ層として、前記下部電極用金属膜をドライエッチングすることにより下部電極を形成する工程と、前記導電性薄膜をパターニングする工程と、前記下部電極の少なくとも一部を絶縁性金属酸化膜化して非線形抵抗層とする工程と、前記非線形抵抗層の一所定部に、走査配線に繋がる第１上部電極を形成すると共に、前記非線形抵抗層の他の所定部に第２上部電極を形成する工程と、前記第２上部電極に接続される画素電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明は、ＭＩＭ素子などを備えたＭＩＭ基板の製造方法において、ＭＩＭ素子の下部電極（Ｔａ膜など）をドライエッチングにより形成する際に、下地膜（ガラス基板やシリコン酸化膜など）とのエッチング選択比が低いため、下地膜が多量にエッチングされて不具合が発生することを鑑みて工夫されたものである。
【００１９】
本発明では、下部電極用金属膜の下に導電性薄膜（アルミニウム膜又は銅膜など）を形成しておき、これが下部電極用金属膜（タンタル膜など）をエッチングする際のエッチングストップ層として機能するようにしている。これにより、下部電極を形成する際に下地膜が多量にエッチングされることに起因して不具合が発生することが防止される。
【００２０】
本発明の一つの好適な態様では、基板の上又は上方に導電性薄膜を形成する工程は、前記基板の上に剥離層とバッファ層とを順次形成した後に、前記バッファ層上に前記導電性薄膜を形成する工程であって、前記バッファ層上に形成された構造体は転写層であり、前記画素電極を形成する工程の後に、前記転写層の上面にプラスチックフィルムを接着し、前記基板と前記剥離層との界面から剥離して、前記プラスチックフィルム上に前記転写層を転写・形成する工程と、最上に露出する前記剥離層を除去する工程とをさらに有する。
【００２１】
前述したように、基板上に形成されたＭＩＭ素子などを含む転写層をプラスチック基板に転写・形成する方法の場合、下部電極を形成する際に下地のバッファ層が多量にエッチングされると剥離層を除去する際にＭＩＭ素子がダメージを受けてしまう恐れがある。
【００２２】
しかしながら、本発明では、下部電極用金属膜をエッチングして下部電極を形成する際に導電性薄膜でエッチングが止まるようにしたため、その下方のバッファ層は所要の膜厚が確保された状態となる。従って、剥離層を除去する際に、ＭＩＭ素子はバッファ層により完全に保護されるため、ＭＩＭ素子にダメージを与える恐れがなくなる。
【００２３】
また、本発明の一つの好適な態様では、前記導電性薄膜をパターニングする工程は、前記下部電極の下面部に接続される延在部をもつ電圧供給配線を前記走査配線が形成される経路部に形成する工程であって、前記非線形抵抗層を形成する工程は、例えば、前記電圧供給配線を利用した陽極酸化により前記下部電極の少なくとも一部を前記絶縁性金属酸化膜化する工程であり、前記第１及び第２上部電極を形成する工程において、前記走査配線は前記電圧供給配線の上に形成され、前記第１及び第２上部電極を形成する工程の前もしくは後に、前記電圧供給配線の前記延在部を除去することにより、前記電圧供給配線と下部電極とを分離する工程をさらに有する。
【００２４】
本発明では、導電性薄膜をエッチングストップ層として使用した後に、それをパターニングすることにより下部電極の表面を陽極酸化するための電圧供給配線に利用するようにしている。さらには、導電性薄膜を電圧供給配線として利用した後、その上に走査配線が形成されて電圧供給配線が走査配線の一部として機能するようにしている。電圧供給配線として好適には走査配線（例えばＣｒ膜）より抵抗の低い金属膜（Ａｌ膜やＣｕ膜など）を使用することにより、何ら工程を追加することなく走査配線の配線抵抗を容易に低減させることができる。これによりＭＩＭ素子のスイッチング特性を向上させることができる。
【００２５】
あるいは、下部電極を形成した後に、導電性薄膜をパターニングせずに下部電極を陽極酸化するため電圧供給配線に利用して下部電極の表面を陽極酸化し、その後に、導電性薄膜をパターニングして走査配線が形成される経路部に導電性薄膜のパターンを残すようにしてもよい。
【００２６】
また、下部電極を形成する工程及び画素電極を形成する工程において、同時に、それらと同じ材料の導電膜をパターン状に走査配線の経路部に形成するようにしてもよい。これにより、走査配線はパターン状の導電膜により挟まれる積層構造となるため、走査配線の物理的強度を向上させることができる。このようにすることにより、特に、プラスチックフィルム上にＭＩＭ素子などを転写・形成する場合、転写時のダメージやプラスチックフィルムの伸縮により走査配線が断線することが防止される。
【００２７】
また、上記した課題を解決するため、本発明は、ＭＩＭ基板に係り、透明基板と、前記透明基板の上又は上方にそれぞれ形成されたパターン状の導電性薄膜及び該導電性薄膜と同一材料で形成された第１配線と、前記導電性薄膜上に形成された下部電極と、前記下部電極の少なくとも一部を酸化して形成された非線形抵抗層と、前記非線形抵抗層の一所定部に接続された第１上部電極と、前記第１配線に電気的に接続された状態で該第１配線上に形成され、かつ前記第１上部電極に繋がる走査配線と、前記非線形抵抗層の他の所定部に接続された第２上部電極と、前記第２上部電極に接続された画素電極とを有することを特徴とする。
【００２８】
本発明のＭＩＭ基板は、例えば、上記したようなＭＩＭ基板の製造方法により容易に製造される。
【００２９】
また、転写技術を利用して製造されたＭＩＭ基板は、上記したＭＩＭ基板うちの透明基板を除く構造体が上下反転した状態でプラスチックフィルム上に接着層を介して形成され、かつ最上にバッファ層が形成された構造を有するものとなる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００３１】
（第１の実施の形態）
図１〜図８は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を順に示す図である。なお、各図における（ａ）は平面図、（ｂ）又は（ｃ）は（ａ）のＩ−Ｉ又はＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、まず、耐熱性を有するソーダライムガラスなどのガラス基板２０を用意し、このガラス基板２０上に膜厚が４μｍ程度のポリイミド樹脂などからなる剥離層２２を形成する。この剥離層２２の形成方法の一例としては、ポリイミド前駆体溶液とエチレングリコールモノメチルエーテルとが１：１の割合で混合された塗布液をスピンナーで１０００ｒｐｍ、１２秒の条件下でガラス基板２０上に塗布した後に、２２０℃の温度で１時間熱処理して硬化させて剥離層２２を得る。
【００３２】
続いて、剥離層２２上に膜厚が例えば５〜３０ｎｍ、望ましくは１０〜２０ｎｍのバッファ層２４を形成する。このバッファ層２４としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯX膜）又はシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）などの無機絶縁膜が使用される。その形成方法としては、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング、又はＣＶＤなどが用いられる。
【００３３】
なお、バッファ層２４を上記したような膜厚に設定する理由としては、後にＭＩＭ基板が組み立てられて表示装置となる際に、ＭＩＭ基板と対向側基板とにそれぞれ形成されるバッファ層により発生する画素の電気容量の上昇を抑え、また、外部端子と走査配線の接続端子との接続を行なう際にバッファ層２４を突き破って接続できるようにするためである。
【００３４】
次いで、バッファ層２４上にスパッタ又は蒸着などにより、膜厚が例えば１０〜２００ｎｍ、望ましくは７０〜１５０ｎｍの導電性薄膜２６を形成する。この導電性薄膜２６は、後の工程のタンタル（Ｔａ）膜をエッチングする際のエッチングストップ層として機能するものである。導電性薄膜２６としては、フッ素系のガスを用いたドライエッチングにおいてＴａ膜よりエッチングレートが低い特性を有する薄膜が使用される。このような薄膜の一例としては、アルミニウム（Ａｌ）膜、銅（Ｃｕ）膜、ニッケル（Ｎｉ）膜、又はこれらの合金膜、もしくはＩＴＯ(Indium Tin Oxide)膜などがある。これらの薄膜を積層してもよいことはもちろんである。
【００３５】
なお、導電性薄膜２６を上記したような膜厚に設定する理由としては、導電性薄膜２６を容易に形成することができると共に、ＭＩＭ基板の製造工程やＭＩＭ基板が組み立てられて表示装置となる工程での取り扱い時に断線が発生しないようにするためである。
【００３６】
続いて、導電性薄膜２６上にＴａ膜２８ａ（下部電極用金属膜）を形成する。
Ｔａ膜２８ａの膜厚においては、後にＴａ膜２８ａの表面が酸化されて形成される非線形抵抗層の性能、及びＴａ膜２８ａのドライエッチング時における選択比（Ｔａ膜のエッチレート／導電性薄膜のエッチレート）を考慮して設定すると、１０〜２００ｎｍ、望ましくは５０〜１００ｎｍとすることが好ましい。
【００３７】
さらに、Ｔａ膜２８ａ上にフォトリソグラフィによりレジスト膜２５をパターニングする。レジスト膜２５としては膜厚が０．７μｍ程度のポジレジスト（ＰＭＥＲ−４０３０：東京応化工業（株）製）が使用される。
【００３８】
次いで、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、このレジスト膜２５をマスクにして、ＣＦ4、又はＣＦ4／Ｏ2などのフッ素原子を含むガスを用いたドライエッチングによりＴａ膜２８ａをエッチングする。ドライエッチング装置としては各種の等方性エッチング装置又は異方性エッチング装置を使用することができる。
【００３９】
このとき、Ｔａ膜２８ａをエッチングする際の下地膜との選択比（Ｔａ膜２８ａのエッチレート／導電性薄膜２６のエッチレート）が高いためため、Ｔａ膜２８ａのエッチングが終了すると下地の導電性薄膜２６でエッチングが止まる。従って、Ｔａ膜２８ａをエッチングする際のオーバーエッチング時にその下方のバッファ層２４がエッチングされることはない。その後に、レジスト膜２５が除去される。
【００４０】
これにより、Ｔａ膜２８ａからなる下部電極２８ｘが形成されると共に、後に走査配線が形成される走査配線経路部Ａ（図２（ａ））にもＴａ膜パターン２８ｙ（第２配線）が残される。走査配線経路部Ａに残されたＴａ膜パターン２８ｙは、後に走査配線の一部となる。なお、走査配線経路部ＡにＴａ膜パターン２６ｙを残さないようにしても差し支えない。
【００４１】
本願発明者は、ＣＦ4又はＣＦ4／Ｏ2ガスを用いてＴａ膜をドライエッチングする際の上記した導電性薄膜２６に対する選択比を調査した。
【００４２】
まず、エッチングサンプルとして、ガラス基板上にＳｉＯ2膜が形成されたもの（ＳｉＯ2膜サンプル）、ガラス基板上にＩＴＯ膜（導電性薄膜）が形成されたもの（ＩＴＯ膜サンプル）、ガラス基板上にＥＢ蒸着によりＴａ膜が形成されたもの（Ｔａ膜サンプル）を用意した。その後、各サンプルにそれぞれマスク材を形成した。
【００４３】
エッチング条件としては、ＣＦ4／Ｏ2系のガスを用いた等方性ドライエッチングを採用し、ＣＦ4とＯ2とのガス流量比を変化させた。高周波印加電力は１２００Ｗとした。
【００４４】
まず、Ｔａ膜サンプルとＳｉＯ2膜サンプルとを同一チャンバ内で同時にエッチングした。続いて、Ｔａ膜サンプルとＩＴＯ膜サンプルと同一チャンバ内で同時にエッチングした。エッチング時間はそれぞれ３分間とした。各条件でエッチングした後、マスク材を除去し、段差測定機によりエッチング段差を測定することにより３分間でのエッチング量を求めた。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
表１に示すように、Ｔａ膜とＳｉＯ2膜とを同時にエッチングしたときの選択比（Ｔａ膜のエッチレート／ＳｉＯ2膜のエッチレート）は、ＣＦ4／Ｏ2の流量比を大きく変化させても１．８〜２．２程度と低かった。
【００４７】
一方、Ｔａ膜サンプルとＩＴＯ膜サンプルとを同時にエッチングしたときの選択比（Ｔａ膜のエッチレート／ＩＴＯ膜のエッチレート）は、ＣＦ4／Ｏ2の流量比を１：１とした場合（条件２）、選択比が４６程度であり、またＣＦ4のみとした場合（条件１）やＣＦ4の含有率を小さくした場合（条件３）でも選択比が１１程度以上とれた。
【００４８】
このように、Ｔａ膜２８ａの下地膜がＳｉＯ2膜の場合、エッチング時の選択比が低いため、オーバーエッチング時にＳｉＯ2膜がエッチングされ、引いては消失してしまう恐れがある。しかしながら、Ｔａ膜２８ａの下地膜をＩＴＯ膜とすることによりエッチング時の選択比が１１程度以上とれるため、ＩＴＯ膜で確実にエッチングを止めることができる。導電性薄膜２６としてＩＴＯ膜についての調査を行ったが、前述した他の導電性薄膜（Ａｌ膜やＣｕ膜など）においても概ね同等なエッチング特性が得られる。
【００４９】
次いで、図２（ａ）の構造体上にレジスト膜（不図示）をパターニングし、このレジスト膜をマスクにして、導電性薄膜２６をエッチングする。これにより、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、導電性薄膜２６は、次の工程で下部電極２８ｘを陽極酸化するための電圧供給配線２７（第１配線）となるようにパターニングされる。この電圧供給配線２７は、走査配線経路部Ａに形成されると共に、その延在部２７ａを介して下部電極２８ｘの下面部に接続されている。
【００５０】
このように、下部電極２８ｘの下面部が電圧供給配線２７に電気的に接続されており、電圧供給配線２７を介して下部電極２８ｘにそれを陽極酸化するための電圧を供給できるようになっている。なお、後述するように、電圧供給配線２７の延在部２７ａは陽極酸化工程の後に切断されて、電圧供給配線２７は下部電極２８ｘから分離される。
【００５１】
この工程では、例えば、導電性薄膜２６としてＡｌ膜を使用する場合は燐酸によりＡｌ膜をエッチングし、またＣｕ膜を使用する場合は硝酸又は塩化第ニ鉄によりＣｕ膜をエッチングすればよい。このとき、下部電極（Ｔａ膜）２８ｘもこれらの薬品に曝されるが、Ｔａ膜はこれらの薬品に耐性をもっているため、この工程で下部電極２８ｘが腐食されることはない。
【００５２】
次いで、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、ガラス基板２０を０．１wt％のクエン酸水溶液中に浸漬させた状態で上記した電圧供給配線２７から下部電極（Ｔａ膜）２８ｘに所定電圧を供給することにより、下部電極（Ｔａ膜）２８ｘの表層部を絶縁性金属酸化膜化する。これにより、膜厚が例えば２０ｎｍ程度のＴａ酸化膜（Ｔａ2Ｏ5膜）が形成される。この下部電極（Ｔａ膜）２８ｘの表層部のＴａ酸化膜がＭＩＭ素子における非線形抵抗層２９となる。なお、Ｔａ膜パターン２８ｙを走査配線経路部Ａに残す場合は、Ｔａ膜パターン２８ｙの表層部にもＴａ酸化膜が形成される。
【００５３】
続いて、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、図４（ａ）の構造体の上にＣｒ膜をスパッタ法又は蒸着などにより形成した後に、Ｃｒ膜上にレジスト膜（不図示）をパターニングし、このレジスト膜をマスクにしてＣｒ膜をエッチングする。
【００５４】
これにより、下部電極２８ｘ上の非線形抵抗層２９上の一端側に第１上部電極３０ｘが形成されると共に、この第１上部電極３０ｘに繋がる走査配線３０ｙが走査配線経路部Ａに形成される（図５（ａ）の斜線部）。これと同時に、下部電極２８ｘ上の非線形抵抗層２９上の他端側に第２上部電極３０ｚが形成される。
【００５５】
なお、第１及び第２上部電極３０ｘ，３０ｚ及び走査配線３０ｙとしてＣｒ膜を使用する代わりに、Ｃｕ膜、チタン（Ｔｉ）膜又は銀（Ａｇ）膜などを使用してもよい。
【００５６】
次いで、前述した陽極酸化用の電圧供給配線２７の延在部２７ａ（図５（ａ））に開口部を有するレジスト膜（不図示）を形成し、このレジスト膜をマスクにしてその延在部２７ａをエッチングした後にレジストを除去する。これにより、図６に示すように、電圧供給配線２７のうちの延在部２７ａが除去されて電圧供給配線２７が下部電極２８ｘの下面部から分離されて電気的に絶縁される。
【００５７】
この工程においては、特別にレジスト膜を形成しないで、上記した第１上部電極３０ｘなどを形成する工程で使用したレジスト膜を再利用して、電圧供給配線２７の延在部２７ａをエッチングするようにしてもよい。この場合、第１上部電極３０ｘなどの側面が露出した状態で電圧供給配線２７の延在部２７ａをエッチングする必要があるため、電圧供給配線２７の延在部２７ａをエッチングする際に、第１上部電極３０ｘなどが腐食されないような金属材料及びエッチャントの組み合わせを選択する必要がある。
【００５８】
その一例としては、電圧供給配線２７（導電性薄膜）をＡｌ膜で形成し、第１上部電極３０ｘなどをＴｉ膜（燐酸に不溶）で形成することにより、電圧供給配線２７の延在部２７ａを燐酸でエッチングすればよい。さらにこの場合は、電圧供給配線２７全体を被覆するように走査配線３０ｙをパターニングしておくことが肝要である。
【００５９】
このようにすることにより、マスク工程を１回省略することができるので、ＭＩＭ基板の製造コストを低減することができる。
【００６０】
なお、走査配線３０ｙを形成した後に電圧供給配線２７の延在部２７ａを除去する形態を例示したが、下部電極２８ｘを陽極酸化する工程の後（走査配線３０ｙを形成する前）に除去するようにしてもよい。
【００６１】
このようにして、下部電極（Ｔａ膜）２８ｘ、非線形抵抗層（Ｔａ酸化膜）２９、及び第１上部電極（Ｃｒ膜）３０ｘ（又は第２上部電極（Ｃｒ膜）３０ｚ）からなる２つのダイオード３４ａ，３４ｂにより構成されるＭＩＭ素子３４が得られる。
【００６２】
本実施形態のＭＩＭ素子３４は、２つのダイオード３４ａ，３４ｂを、その電流の順方向を逆向きにして直列に接続した構成であって、back-to-backダイオードとも呼ばれる。このような構成のＭＩＭ素子３４は正負極性で対称な電流−電圧特性が得られる。また正負特性を揃えるために非線形抵抗層２９に接続される第１上部電極３０ｘと第２上部電極３０ｚとが同一材料（例えばＣｒ）から構成される。
【００６３】
ここで、図６（ｂ）の走査配線（Ｃｒ膜）３０ｙに注目すると、その下には前述した陽極酸化で使用した電圧供給配線（Ａｌ膜パターン）２７が接触して存在するため、走査配線３０ｙは実質的にＣｒ膜とそれより抵抗の低いＡｌ膜で構成されることになる。従って、走査配線３０ｙをＣｒ膜単層で構成する場合よりその配線抵抗を低減することができる。なお、電圧供給配線２７としてＣｕ膜を使用することにより走査配線３０ｙの配線抵抗をさらに低減させることは容易に理解される。このように、電圧供給配線２７としては、走査配線３０ｙより抵抗が低い金属材料を使用することが好ましい。
【００６４】
また、走査配線３０ｙの下には前述したＴａ膜パターン２８ｙ（第２配線）が残存するようにしているので、走査配線３０ｙが物理的に補強されてその強度を向上させることができる。後で説明するように、本実施形態では、伸縮が発生しやすいプラスチックフィルム上にＭＩＭ素子などが転写・形成するため、走査配線３０ｙの物理的強度を強くすることは重要である。このように、本実施形態に係る走査配線３０ｙは、その抵抗が低減され、かつ物理的強度が強くなるように工夫されている。
【００６５】
なお、上記した形態では、導電性薄膜２６をパターニングして下部電極２８ｘの表面を陽極酸化するための電圧供給配線２７としたが、その変形例としては、下部電極２８ｘを形成した後に導電性薄膜２６をパターニングせずに全面に形成された状態の導電性薄膜２６を電圧供給配線として利用してもよい。
【００６６】
この場合、下部電極２８ｘの表面を陽極酸化する工程の後（走査配線３０ｙを形成する工程の前）に導電性薄膜２６をパターニングすることにより、走査配線経路部Ａに導電性薄膜２６のパターンを残すようにすればよい。また、この場合、前述した電圧供給配線２７の延在部２７ａを除去する工程は省略される。
【００６７】
次いで、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、図６（ａ）の構造体の上にＩＴＯ膜を形成し、このＩＴＯ膜をパターニングすることにより画素電極３２を形成する。この画素電極３２は、第２上部電極３０ｚに接続された状態で所定の画素領域に形成される。このようにして、ＭＩＭ素子３４が第２上部電極３０ｚを介して画素電極３２に電気的に接続される。
【００６８】
このとき同時に、走査配線経路部ＡにもＩＴＯ膜パターン３２ａ（導電膜パターン）が形成されるようにする（図７（ａ）の斜線部）。これにより、走査配線３０ｙ上にＩＴＯ膜パターン３２ａが形成されるので、走査配線３０ｙの物理的強度をさらに向上させることができる。
【００６９】
このように、走査配線３０ｙは、その下面部が抵抗の低い電圧供給配線２７（Ａｌ膜やＣｕ膜など）に接続されることにより配線抵抗が低減される。これに加えて、走査配線３０ｙは、その上下にＩＴＯ膜パターン３２ａ及びＴａ膜パターン２８ｙがそれぞれ形成されて積層構造となるため、その配線強度が向上して断線の発生が防止される。しかも、特別な工程を追加することなく、このような構成の走査配線３０ｙを得ることができるので、製造コストが上昇する恐れもない。
【００７０】
以下、バッファ層２４上に形成されたＭＩＭ素子３４や画素電極３２などを含めてアクティブマトリクス層４０ともいう。以下の図面では、アクティブマトリクス層４０として画素電極３２を代表要素として描くこととする。
【００７１】
次いで、図８（ａ）に示すように、ガラス基板２０上に剥離層２２及びバッファ層２４を介して形成されたアクティブマトリクス層４０上に、アクリル系熱硬化樹脂などの樹脂用塗布液を塗布した後、加熱・硬化することにより２〜５μｍの保護膜３６を形成する。このとき、アクティブマトリクス層４０の凹凸は保護膜３６により埋め込まれて平坦化される。続いて、紫外線硬化型樹脂に粒径が２〜１５μｍのスペーサ粒子を少量分散させたものをスプレーにより２〜１５μｍ程度になるように保護膜３６上に塗布して接着層３８を形成する。
【００７２】
このようにして、ガラス基板２０上に、下から順に、剥離層２２、バッファ層２４、アクティブマトリクス層４０、保護膜３６及び接着層３８から構成される転写層５０が形成される。
【００７３】
なお、保護膜３６を省略して接着層３８によりアクティブマトリクス層４０の凹凸を埋め込んで平坦化するようにしてもよい。
【００７４】
次に、ガラス基板２０上に形成された転写層５０をプラスチックフィルム上に転写する方法を説明する。まず、図８（ｂ）に示すように、ガラス基板２０の大きさに対応したプラスチックフィルム１０を用意する。プラスチックフィルム１０としては、膜厚が１００〜２００μｍのポリエーテルスルホンフィルムやポリカーボネートフィルムなどを使用することができる。
【００７５】
その後、ガラス基板２０の接着層３８側の面にプラスチックフィルム１０を対向させ重ねて配置する。次いで、プラスチックフィルム１０側から高圧水銀灯によりＵＶ照射を行うことで紫外線硬化型樹脂である接着層３８を硬化させることにより、プラスチックフィルム１０と転写層５０が形成されたガラス基板２０とを貼り合わせる。
【００７６】
なお、高圧水銀灯の代わりにパルスキセノン光源を用いてもよい。このパルスキセノン光源は発光強度が大きく、少ない照射時間で接着層３８を硬化させることができるので、照射に伴うプラスチックフィルム１０の温度上昇を抑えることができる。
【００７７】
続いて、同じく図８（ｂ）に示すように、プラスチックフィルム１０の一端に直径２００ｍｍ程度のロール４２を固定し、このロール４２を回転させてプラスチックフィルム１０を引き剥がす。このとき、ガラス基板２０と剥離層２２との界面（図７（ｂ）のＢ部）に沿って剥離される。
【００７８】
これにより、図８（ｃ）に示すように、プラスチックフィルム１０上に、下から順に、接着層３８、保護膜３６、アクティブマトリクス層４０、バッファ層２４及び剥離層２２より構成される転写層５０が転写・形成される。
【００７９】
次いで、図９（ａ）に示すように、プラスチックフィルム１０上の剥離層２２を酸素プラズマによりエッチングして除去する。あるいは、ヒドラジンとエチレンジアミンとの混合液やアルカリ水溶液に浸漬させることにより剥離層２２を除去してもよい。
【００８０】
本実施形態では、ＭＩＭ素子３４の下部電極（Ｔａ膜）２８ｘを形成する際に、下地に導電性薄膜２６を設けてこの膜でエッチングが止まるようにしているので、バッファ層２４は成膜時の膜厚が確保された状態となっている。このように、剥離層２２の下にはバッファ層２４が全面にわたって所要の膜厚で形成されているため、ＭＩＭ素子３４などを含むアクティブマトリクス層４０が酸素プラズマやアルカリ液などによりダメージを受けることがなくなる。
【００８１】
しかも、走査配線３０ｙは前述したような積層構造となってその配線強度が強くなっているため、転写工程でダメージを受けたり、プラスチックフィルム１０に伸縮が発生したりしても、走査配線３０ｙが断線するなどの不具合が発生することはない。
【００８２】
次いで、図９（ｂ）に示すように、バッファ層２４上に膜厚が１００ｎｍ程度の液晶材料を配向させる配向膜４４を形成し、この配向膜４４の表面をラビング処理する。これにより、本実施形態のＭＩＭ基板１ａが得られる。なお、本実施形態のＭＩＭ基板１ａでは、アクティブマトリクス層４０が転写技術によりプラスチックフィルム１０上に形成されるので、前記した図７（ｃ）のアクティブマトリクス層４０を例示すると、それが上下反転した状態で保護膜３６に埋設されて形成される（図９（ｂ）下図）。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態のＭＩＭ基板１ａは、Ｔａ膜２８ａをドライエッチングしてＭＩＭ素子の下部電極２８ｘを形成する際、導電性薄膜２６でエッチングが止まるようにしたので、その下方のバッファ層２４がエッチングされる恐れがなくなる。このため、転写技術によりプラスチックフィルム１０上にＭＩＭ素子３４を形成する際の剥離層２２を除去するときに，所要膜厚のバッファ層によってＭＩＭ素子３４が保護されてダメージが入ることが防止される。
【００８４】
また、導電性薄膜２６をパターニングして下部電極２８ｘを陽極酸化する際の電圧供給配線２７として使用し、さらに電圧供給配線２７を走査配線３０ｙの一部として使用するようにしている。これにより、走査配線３０ｙの配線抵抗を容易に低減化することが可能になり、ＭＩＭ素子３４のスイッチング特性を向上させることができる。
【００８５】
しかも、下部電極２８ｘを形成する工程及び画素電極３２を形成する工程において、同時にそれらと同じ材料の金属膜をそれぞれ走査配線経路部Ａに残すことによって走査配線３０ｙを積層膜としたので、走査配線３０ｙの物理的強度を向上させることができる。これにより、プラスチックフィルム１０上にＭＩＭ素子３４などが形成された構造においても、走査配線３０ｙが断線するなどの不具合が発生しなくなる。
【００８６】
次に、本実施形態のＭＩＭ基板１ａを用いて液晶表示装置を製造する方法について説明する。図１０は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板を用いた液晶表示装置を示す部分断面図である。図１０に示すように、まず、上記したＭＩＭ基板１ａを用意して液晶表示装置の走査基板とする。なお、特に明記しないが、ＭＩＭ基板１ａでは、赤色（Ｒ）画素部、緑色（Ｇ）画素部及び青色（Ｂ）画素部の３つの画素部（サブピクセル）で表示単位であるピクセルを構成している。
【００８７】
次いで、ＭＩＭ基板１ａの対向側基板１ｂを作成する。詳しく説明すると、前述した転写技術と同様な方法を利用して、プラスチックフィルム１０ａ上に、下から順に、接着層３８ａ、カラーフィルタ層４６、保護膜３６ａ、信号電極４８、及びバッファ層２４ａを形成する。カラーフィルタ層４６は、ＭＩＭ基板１ａのＲ画素部、Ｇ画素部及びＢ画素部にそれぞれ対応する位置に赤色（Ｒ）フィルタ層、緑色（Ｇ）フィルタ層及び青色（Ｂ）フィルタ層が配置されて形成される。
【００８８】
また、信号電極４８は、短冊状の透明電極からなり、ＭＩＭ基板１ａの走査配線３０ｙに直交するようにして配置される。そして、ＭＩＭ基板１ａの画素電極３２と対向側基板１ｂの信号電極４８とに挟まれた領域が１画素分の有効表示領域となる。
【００８９】
続いて、バッファ層２４ａ上に配向膜４４ａを形成し、この配向膜４４ａの表面にラビング処理を施す。これにより、図１０に示すような対向側基板１ｂが得られ、これを信号基板とする。
【００９０】
その後、ＭＩＭ基板１ａの所定領域に液晶材料を封じ込めるためのシール材をディスペンサ装置やスクリーン印刷装置により塗布してシール層５２を形成する。続いて、ＭＩＭ基板１ａ上に、粒径が５μｍ程度の接着性スペーサを塗布する。
【００９１】
次いで、同じく図９に示すように、ＭＩＭ基板１ａのシール層５２が形成された面と対向側基板１ｂの配向膜４４ａが形成された面とを相互に位置合わせした状態で配置し、加熱する。このとき、２つの基板１ａ，１ｂは接着性スペーサにより一定の間隔が確保されて貼着される。なお、対向側基板１ｂの所定領域にシール層５２を形成し、接着性スペーサを塗布した後に、ＭＩＭ基板１ａと対向側基板１ｂとを同様に貼り合わせてもよい。
【００９２】
続いて、貼着されたＭＩＭ基板１ａと対向側基板１ａとの所定部を切断することにより、個々の液晶表示装置用部材を得る。次いで、ＭＩＭ基板１ａと対向側基板１ｂとの間に、シール層５２に予め開口しておいた液晶注入口から液晶材料を注入した後、封止材で液晶注入口を密閉して液晶層５４を形成する。
【００９３】
以上により、図１０に示すような本実施形態のＭＩＭ基板を用いた液晶表示装置３が完成する。
【００９４】
（第２の実施の形態）
図１１は本発明の第２実施形態のＭＩＭ基板を用いた液晶表示装置を示す断面図である。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、ガラス基板上に形成された転写層をプラスチック基板上に転写するのではなく、ガラス基板上にＭＩＭ素子を形成してＭＩＭ基板とすることである。第２実施形態では、第１実施形態と同様な工程及び同一要素についてはその詳しい説明を省略する。
【００９５】
図１１に示すように、まず、ガラス基板２０上にシリコン酸化膜などの第１バッファ層２１を介して第１実施形態と同様な方法によりＭＩＭ素子３４などを含むアクティブマトリクス層４０を形成する。
【００９６】
その後、アクティブマトリクス層４０を被覆する樹脂などからなる第２バッファ層２４を形成する。続いて、第２バッファ層２４畳に配向膜４４を形成した後に、その表面をラビング処理する。これにより、第２実施形態のＭＩＭ基板２ａが得られる。
【００９７】
第２実施形態のＭＩＭ基板２ａにおいても、ＭＩＭ素子３４の下部電極（Ｔａ膜）２８ｘを形成する際に、下地に導電性薄膜２６が存在するため、下方のバッファ層２１やガラス基板２０がエッチングされて不必要な段差が生じることが防止される。これに加えて、走査配線３０ｙの配線抵抗を容易に低減することができる共に、走査配線３０ｙの物理的強度を向上させることができる。
【００９８】
次に、図１１に示すような対向側基板２ｂを作成する。すなわち、ガラス基板２０ａ上に第１バッファ層２１ａを介してカラーフィルタ層４６を形成した後に、カラーフィルタ層４６を被覆する保護膜３６ａを形成する。さらに、保護膜３６ａ上に信号電極４８を形成した後に、信号電極４８を被覆する第２バッファ層２４ａを形成する。続いて、第２バッファ層２４ａ上に配向膜４４ａを形成し、その表面をラビン処理する。これにより、第２実施形態に係る対向側基板２ｂが得られる。
【００９９】
次いで、第１実施形態と同様な方法により、ＭＩＭ基板２ａと対向側基板２ｂとをシール層５２を介して貼り合わせ、切断した後に液晶層５４を注入する。
【０１００】
これにより、第２実施形態のＭＩＭ基板２ａを用いた液晶表示装置３ａが完成する。
【０１０１】
以上、第１及び第２実施形態により、本発明の詳細を説明したが、本発明の範囲は前述の実施形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明を逸脱しない要旨の範囲における前述の実施形態の変更は本発明の範囲に含まれる。
【０１０２】
例えば、本発明の特徴の一つは、ＭＩＭ素子の下部電極をドライエッチングにより形成する際に、下地に導電性薄膜を設けてこの膜でエッチングが止まるようにした点にある。
【０１０３】
従って、エッチング条件（ガスや装置）及び導電性薄膜などは前述した例に限定されるものではなく、選択比（下部電極用金属膜のエッチレート／導電性薄膜のエッチレート）が５程度以上とれる各種の金属膜の組み合わせは本発明の範囲に含まれる。
【０１０４】
選択比を５程度以上に設定する理由としては、第１に、たとえＴａ膜２８ａにピンホールなどが発生しているとしても、Ｔａ膜２８ａのエッチング時に導電性薄膜２６で確実にエッチングを止めることができるので、剥離層２２やバッファ層２４を保護することができることが挙げられる。また、Ｔａ膜２８ａのエッチング後に導電性薄膜２６を所望の膜厚で残すことができるため、走査配線３０ｙの配線抵抗を低減させることができ、これによってＭＩＭ素子３４の駆動性能を向上させることができる。さらに、残された導電性薄膜２６が走査配線の一部となってその物理的強度を向上させることができるので、ＭＩＭ基板の信頼性を向上させることができる。
【０１０５】
また、本発明のＭＩＭ基板を液晶表示装置用のアクティブマトリクス基板として使用する形態を例示したが、有機ＥＬディスプレイ用のアクティブマトリクス基板として使用してもよい。
【０１０６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、下部電極用金属膜の下に導電性薄膜を形成しておき、これが下部電極用金属膜をエッチングする際のエッチングストップ層として機能するようにしている。このため、下部電極を形成する際に下地膜が多量にエッチングされて不具合が発生することが防止される。
【０１０７】
また、導電性薄膜などを走査配線と積層させて形成するようにしたので、走査配線の配線抵抗が低減されると共に、走査配線の物理的強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その１）、図１（ｂ）は図１（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その２）、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その３）、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その４）、図４（ｂ）は図４（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図５】図５（ａ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その５）、図５（ｂ）は図５（ａ）のＩ−Ｉ及びＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図６】図６（ａ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その６）、図６（ｂ）は図６（ａ）のＩ−Ｉ及びＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図７】図７（ａ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その７）、図７（ｂ）は図７（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その８）である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板の製造方法を示す平面図（その９）である。
【図１０】図１０は本発明の第１実施形態のＭＩＭ基板を用いた液晶表示装置を示す断面図である。
【図１１】図１１は本発明の第２実施形態のＭＩＭ基板を用いた液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１ａ，２ａ…ＭＩＭ基板、１ｂ，２ｂ…対向側基板、３，３ａ…液晶表示装置、１０，１０ａ…プラスチックフィルム、２０，２０ａ…ガラス基板、２１ａ，２４，２４ａ…バッファ層、２２…剥離層、２５…レジスト膜、２６…導電性薄膜、２７…電圧供給配線、２７ａ…延在部、２８ａ…Ｔａ膜、２８ｘ…下部電極、２８ｙ…Ｔａ膜パターン、２９…非線形抵抗層（Ｔａ酸化膜）、３０ｘ…第１上部電極、３０ｙ…走査配線、３０ｚ…第２上部電極、３４ａ，３４ｂ…ダイオード、３２…画素電極、３２ａ…ＩＴＯ膜パターン、３４…ＭＩＭ素子、３６，３６ａ…保護膜、３８，３８ａ…接着層、４０…アクティブマトリクス層、４２…ロール、４４，４４ａ…配向膜、４６…カラーフィルタ層、４８…信号電極、５０…転写層、５２…シール層、５４…液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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