(57)【要約】      （修正有）【課題】化成処理後の基板に形成された、非常に脆い構造の多孔質シリコンが剥がれによるパーティクルの発生や、搬送時のストレスによるベベリング部分からのパーティクルの発生が原因のパーティクル汚染を防止すること。【解決手段】保持部１００ａが基板の外周部内側を保持し、搬送部１００ｃが前記基板を搬送する。この際、搬送部１００ｃは、前記基板の面が水平な第１状態から前記基板の面が鉛直方向に沿う第２状態へ、又は、その逆に前記基板の向きを変更する。【選択図】  図３Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を液体で処理する処理装置間で該基板を搬送する基板搬送装置であって、
前記基板の外周部内側を吸着保持する保持部と、
前記保持部を駆動して前記基板を搬送する搬送部と、
を備え、前記搬送部は、第１処理装置から第２処理装置へ前記基板を搬送する際に、前記基板の面が水平な第１状態から前記基板の面が鉛直方向に沿う第２状態へ、又は、その逆に前記基板の向きを変更する操作機構を有することを特徴とする基板搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は、基板を搬送する基板搬送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多孔質シリコンは、Ａ．Ｕｈｌｉｒ及びＤ．Ｒ．Ｔｕｒｎｅｒにより、弗化水素酸の水溶液中において単結晶シリコンを正電位にバイアスして、これを電解研磨する研究の過程で発見された。
【０００３】
その後、多孔質シリコンの反応性に富む性質を利用して、多孔質シリコンをシリコン集積回路の製造の際の素子分離工程に応用する検討がなされ、多孔質シリコン酸化膜による完全分離技術（ＦＩＰＯＳ：  Ｆｕｌｌ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｐｏｒｏｕｓ  Ｏｘｉｄｉｚｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）等が開発された（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
また最近では多孔質シリコン基板上にシリコンエピタキシャル層を成長させ、この基板を酸化膜を介して非晶質基板上や単結晶シリコン基板上にはり合せるウエハ直接貼り合わせ技術等への応用技術が開発された（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−２１３３８号公報
【非特許文献１】
イマイ・カズオ（Ｋ．  Ｉｍａｉ），「多孔質シリコンを用いた新しい絶縁層分離方法（Ａ  Ｎｅｗ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｕｓｉｎｇ  Ｐｏｒｏｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）」，  第２４巻，  ソリッド・ステイト・エレクトロニクス（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ），  １９８１年，  ｐ．１５９−１６４
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら、化成処理後の基板に形成された多孔質層は、非常に脆い構造になっており、その一部が剥がれて、パーティクルを発生させやすい。また、マイナス電極側の化成槽では、電解液に接している面の全てに化成処理がなされるため、化成処理後は、基板のベベリング部分にも多孔質層が形成される。従って、基板をその両面又は両側から挟んで搬送すると、基板にストレスがかかり、ベベリング部分からパーティクルが発生する原因となる。特に、ベベリング部分を直接両側から挟んで搬送すると、パーティクルの発生が顕著である。
【０００６】
また、高濃度フッ化水素酸で基板を処理する化成処理では、その処理後速やかにイソプルピルアルコール等で基板表面をリンス置換することが多孔質層の安定性等で重要だと考えられている。しかし、上記方法で搬送された基板では、リンス置換後にリンス槽から基板を引き上げると、リンス液が基板表面を流れて、べべリング部分で発生したパーティクルが、リンス液と一緒に基板表面に付着する、という問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、例えば、パーティクル汚染を防止することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面は、基板を液体で処理する処理装置間で該基板を搬送する基板搬送装置に係り、前記基板の外周部内側を吸着保持する保持部と、前記保持部を駆動して前記基板を搬送する搬送部と、を備え、前記搬送部は、第１処理装置から第２処理装置へ前記基板を搬送する際に、前記基板の面が水平な第１状態から前記基板の面が鉛直方向に沿う第２状態へ、又は、その逆に前記基板の向きを変更する操作機構を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記操作機構は、前記保持部を回動させる回動機構と、前記回動機構を昇降させることにより前記保持部を昇降させる昇降機構と、を備えることが好ましい。
【００１０】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記吸着機構は、前記基板を真空吸着する真空チャックであることが好ましい。
【００１１】
本発明の好適な実施の形態によれば、前記基板の外周側に配置されて該基板を位置決めするガイドを更に備えることが好ましい。
【００１２】
本発明の第２の側面は、基板に化成処理を施す化成処理システムに係り、陽極及び陰極が内部に配置された、電解液を満たすための化成槽と、前記基板を洗浄するリンス槽と、上記の基板搬送装置と、を備え、前記基板搬送装置は、前記電解液中に前記基板を搬送し、前記化成槽で前記基板に化成処理が施された後に、前記リンス槽に前記基板を搬送することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３の側面は、半導体基板の製造方法に係り、上記の化成処理システムを利用して基板に多孔質層を形成する工程と、前記多孔質層の上に移設層を形成する工程と、前記基板を他の基板とを貼り合わせて、貼り合わせ基板を作製する工程と、前記貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置１００の動作及びそれによる処理手順を示す図である。図２Ａは、基板搬送装置１００を適用した基板製造装置を上から見た平面図である。また、図２Ｂは、基板搬送装置１００を適用した図２Ａの基板製造装置を点線ａ−ａ’で切断した断面図である。基板搬送装置１００は、液体で基板を処理する複数の処理装置間で基板を搬送する様々な処理に適用することができるが、本実施形態では、その一例として、基板製造装置に適用する場合について説明する。
【００１５】
本発明の好適な実施の形態に係る基板製造装置は、各装置を制御するための制御部１１４及び各種制御機構を有する電装ＢＯＸ１１２を備える。制御部１１４は、例えば、ＣＰＵを有し、その制御プログラム及びデータ等を格納する記憶媒体等を更に備える。ユーザは、電装ＢＯＸ１１２の操作パネル１１３から、基板製造装置の各種設定等を入力し、基板製造装置を操作することができる。また、制御部１１４は、その記憶媒体に格納された制御部１１４を制御するための制御プログラムのプログラムコードを読み出し、実行することによって、基板製造装置を自動的に操作することもできる。なお、制御部１１４は、これと通信可能に接続された記憶媒体に格納された制御プログラムのプログラムコードを読み出し、実行するように構成されてもよい。
【００１６】
このように設定することによって、基板製造装置は、例えば、以下に示す処理手順で動作することができる。
【００１７】
まず、図２Ａに示すように、基板製造装置に設けられたロボット１０１が、ローダー（オープナー）１０２から、処理対象としての基板を取り出す。ロボット１０１は、図２Ｂに示すように、例えば、支持台１１０上に配置され、基板の裏面を吸着保持するように構成されたロボットハンド１１１を備えることが望ましい。このようなロボットハンド１１１によって、基板表面（例えば、多孔質層等が形成される面）が汚染されたり、ダメージを受けたりすることを防止することができる。
【００１８】
次に、基板を取り出したロボット１０１は、ロボットハンド１１１で保持した基板を、アライナー１０３にセットする。アライナー１０３は、ロボット１０１から搬送された基板の位置合わせを行う。例えば、アライナー１０３は、基板に形成されたノッチに基づいて基板の面方位を揃えたり、基板の位置を位置決めしたりすることができる。これによって、ローダー（オープナー）１０２に置かれた基板の位置やＯＦ（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  ｆｌａｔ）等が基板毎に異なっていても、基板毎にこれらを修正することができ、後の工程を略同一条件下で行うことが可能となる。
【００１９】
次に、ロボット１０１が、位置合わせがなされた基板をアライナー１０３から取り出し、比抵抗測定ユニット１０４にセットする。比抵抗測定ユニット１０４では、基板の比抵抗を求めることができる。比抵抗測定ユニット１０４は、例えば、基板のシート抵抗を測定するシート抵抗測定器１０４ａと、基板の厚さを測定する厚さ測定器１０４ｂとで構成される。比抵抗は、シート抵抗測定器１０４ａで測定されたシート抵抗と、厚さ測定器１０４ｂで測定された基板の厚さとに基づいて求められうる。測定ユニット１０４で求められた基板の比抵抗は、例えば、後の陽極化成処理で基板に形成する多孔質層の構造（例えば、多孔度等）を制御する場合等に用いられうる。従って、比抵抗測定ユニット１０４で求められた比抵抗等の測定情報は、比抵抗測定ユニット１０４が内蔵する記憶媒体、比抵抗測定ユニット１０４に取り外し可能に接続されたコンピュータ可読記憶媒体、或いは、比抵抗測定ユニット１０４と通信可能に接続された記憶媒体（例えば、制御部１１４で用いられる記憶媒体）等に格納されるのが望ましい。
【００２０】
次に、ロボット１０１が、比抵抗の測定が終了した基板を比抵抗測定ユニット１０４から取り出し、基板搬送装置１００にセットする。基板搬送装置１００とロボット１０１との間には、図２Ａに示すように、シャッターＳが設けられていることが望ましい。このようにシャッターＳを構成することによって、例えば、陽極化成ユニット１０５からの蒸気がロボットに付着して、その表面が侵食されたり、ロボットに付着した薬液が基板に付着したりすること等を防止することができる。
【００２１】
以下、ロボット１０１が、基板を基板搬送装置１００にセットする処理手順を、図３Ａ〜Ｃを参照しながら説明する。
【００２２】
図３Ａに示す工程では、図２Ａ及び図２Ｂに示したロボット１０１が、ロボットハンド１１１を下降させて、ロボットハンド１１１で保持している基板を、基板搬送装置１００の保持部１００ａに渡す。このときの様子を図６を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
図６は、基板搬送装置１００の保持部１００ａ近傍を上から見たときの平面図である。図６に示すように、基板搬送装置１００は、基板を保持する保持部１００ａと、基板を搬送する搬送部１００ｃとを有する。
【００２４】
図２Ａ及び図２Ｂに示したロボット１０１は、２つの保持部１００ａの間の空間を通してロボットハンド１１１を下降させて、基板を保持部１００ａ上に載置する。保持部１００ａは、基板をその両面から挟む（以下、「把持する」という。）のではなく、基板の外周部内側を吸着して基板を保持することを特徴とする。具体的には、保持部１００ａは、真空チャック等の吸着機構Ｖを備えて、基板の裏面を吸着保持する。この吸着効果を更に高めるためには、例えば、保持部１００ａに複数の吸着機構Ｖを設けるのが望ましい。このような基板の外周部内側を吸着保持する構成によって、基板にストレスがかかることがなく、また、ベリリング部分を把持・挟持することもないため、ベリリング部分からパーティクルが発生することを防止することができる。
【００２５】
保持部１００ａは、搬送部１００ｃに接続されている。搬送部１００ｃは、上下方向に移動可能な昇降機構１２１と、昇降機構１２１を回動させる回動機構１２２と、で構成される。回動機構１２２は、昇降機構１２１の回動軸に接続された第１部材１２３と、第１部材１２３から略垂直方向に延びて保持部１００ａに接続された第２部材１２４と、で構成される。このような構成によって、搬送部１００ｃは、基板の面が水平な第１状態から基板の面が鉛直方向に沿う第２状態へ、又は、その逆に基板の向きを変更することができる。
【００２６】
なお、保持部１００ａは、基板の外周側から基板に接触して該基板を位置決めするガイド１２５を備えてもよい。このようにガイド１２５を構成することによって、吸着機構Ｖの吸着不備があった場合においても、基板が保持部１００ａから外れることを防止することができる。好適には、保持部１００ａは、図６に示すように、基板の外周４点をガイド１２５で位置決めするとともに、基板の裏面２箇所を吸着機構Ｖで吸着保持するのが望ましい。
【００２７】
なお、搬送部１００ｃは、ロボットハンド１１１から基板を渡された後に、一旦、昇降機構１２１を下降させて基板をリンス槽１０７に漬け、基板を洗浄した後に、基板を持ち上げてもよい。
【００２８】
図３Ｂに示す工程では、保持部１００ａで保持された基板を、陽極化成ユニット１０５に略垂直方向にセットする。まず、昇降機構１２１が上昇して、保持部１００ａで保持された基板を所定位置まで持ち上げる。次に、搬送部１００ｃは、第１部材１２３を陽極化成ユニット１０５に向かって略９０度回転させる。その結果、保持部１００ａで略水平方向に保持した基板は、保持部１００ａに略垂直方向に保持される。これによって、基板搬送装置１００は、基板を横方向で洗浄する横型のリンス槽１０７と、基板を縦方向で陽極化成する縦型の陽極化成ユニット１０５との間で、速やかに基板を搬送することができる。
【００２９】
図３Ｃに示す工程では、昇降機構１２１が下降して、陽極化成ユニット１０５の所定位置にセットする。陽極化成ユニット１０５は、電解液を満たすための化成槽１２６を有し、この電解液（化成液）中で基板に陽極化成処理を施す。基板として単結晶シリコンを用いた場合には、単結晶シリコン基板に多孔質Ｓｉ層が形成される。陽極化成は、例えば、フッ化水素酸を含む電解液中に陽極及び陰極を配置し、それらの電極の間に基板を配置し、それらの電極間に電流を流すことにより実施することができる。
【００３０】
次に、陽極化成後に、基板を陽極化成ユニット１０５から取り出し、ロボット１０１に搬送する処理手順を、図４Ａ〜Ｃ及び図５Ａ〜Ｃを参照しながら詳細に説明する。
【００３１】
図４Ａに示す工程では、基板を陽極化成した後に、裏面接触ユニット１０６が、陽極化成ユニット１０５の上部へ移動する。裏面接触ユニット１０６は、化成槽１２６のうち基板がセットされている槽と反対側の槽の上部に移動する。裏面接触ユニット１０６は、その先端部分１０６’が略水平方向に延びていることが望ましい。
【００３２】
図４Ｂに示す工程では、裏面接触ユニット１０６の先端部分１０６’が、化成槽１２６に設けられた開口部１２７の略正面に位置するまで下降する。裏面接触ユニット１０６は、裏面接触ユニット１０６の先端部分１０６’が上記開口部１２７の略正面に到達すると、下降を停止し、開口部１２７方向に移動する。開口部１２７方向に移動した裏面接触ユニット１０６の先端部分１０６’は、基板の裏面を軽く押し付ける。
【００３３】
図４Ｃに示す工程では、裏面接触ユニット１０６の先端部分１０６’が基板の裏面を押し付け、基板の裏面が化成槽１２６から離れた状態で、昇降機構１２１が上昇し、陽極化成ユニット１０５の所定位置まで基板を持ち上げる。図５Ａは、このときの状態を、基板搬送装置１００及びリンス槽１０７も含めて示した図である。
【００３４】
なお、図４Ａ〜図４Ｃに示す工程では、裏面接触ユニット１０６の先端部分１０６’が基板の裏面を押し付けた状態で、昇降機構１２１を上昇させたが、裏面接触ユニット１０６を用いないで、昇降機構１２１をそのまま上昇させてもよい。
【００３５】
図５Ｂに示す工程では、保持部１００ａで略垂直方向に保持した基板を、リンス槽１０７に略水平方向にセットする。すなわち、搬送部１００ｃは、基板を所定位置まで持ち上げると、第１部材１２３をリンス槽１０７に向かって略９０度回転させる。その結果、保持部１００ａ上で略垂直方向に保持された基板は、リンス槽１０７上部に水平に配置される。これによって、基板搬送装置１００は、基板を縦方向で陽極化成する縦型の陽極化成ユニット１０５と、基板を横方向で洗浄する横型のリンス槽１０７との間で、基板を速やかに搬送することができる。
【００３６】
次いで、昇降機構１２１が下降し、保持部１００ａで保持した基板をリンス槽１０７中に漬け、基板に付着した薬液やパーティクル等をリンス置換する。リンス置換用の薬液としては、例えば、イソプルピルアルコール等を用いることができる。このように回転方向に基板を揺動させることによって、基板に対し、より効果的にリンス処理を施すことができる。
【００３７】
図５Ｃに示す工程では、昇降機構１２１が上昇して、リンス置換後の基板を略水平方向のままで引き上げて乾燥させる。これによって、例えば、リンス置換時の処理液としてイソプロピルアルコールを用いた場合には、イソプロピルアルコールが揮発性であるため、薬液が基板表面を流れることなく基板を乾燥させることができる。これによって、薬液が基板表面を流れることによって基板表面にパーティクルが付着することを防止することができる。
【００３８】
なお、基板搬送装置１００は、図２に示すように、薬液の蒸気が他の装置等に付着することを防止するために、周囲が壁で囲まれた室内に配置されるのが望ましい。また、図２Ｂに示すように、この空間の天井には、フィルターＦが設けられており、フィルターＦを通して空気が室内に送られるのが望ましい。これによって、空気中に含まれるパーティクル等を捕集することができる。
【００３９】
リンス置換された後の基板は、ロボット１０１によって、図２Ａに示す洗浄・乾燥ユニット１０８に運ばれる。洗浄・乾燥ユニット１０８では、例えば、基板を洗浄するための薬液（例えば、Ｈ２０（超純水等）、Ｈ２０２、Ｈ２ＳＯ４、ＨＦ、ＮＨ４ＯＨ、ＨＣｌ、Ｏ３、界面活性剤等、又はこれらの混合液）を用いて、基板を洗浄する。また、洗浄・乾燥ユニット１０８では、超音波による振動を加える機構や、基板を回転させながら洗浄する機構等を用いてもよい。洗浄・乾燥ユニット１０８は、洗浄後の基板をＮ２ブロー、スピン乾燥等を用いて乾燥させる。洗浄・乾燥ユニット１０８において洗浄・乾燥された基板は、ロボット１０１によって、アンローダー（オープナー）１０９に格納される。
【００４０】
なお、本実施形態では、縦型の陽極化成ユニットと横型のリンス槽との間で基板を搬送する基板搬送装置を一例として示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態に係る基板搬送装置１００は、基板を液体で処理する複数の処理装置の間で基板を搬送するあらゆる組合わせに適用することができる。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、基板を略垂直方向に保持する縦型の化成装置において、基板にストレスがかかることがなく、また、べべリング部分を把持することもなく、基板を搬送することができる。これによって、基板のべべリング部分からパーティクルが発生することを防止することができる。
【００４２】
また、基板に陽極化成処理を施した後に、基板を略水平方向に保持する横型のリンス槽に基板を速やかに搬送し、略水平方向に基板を保持したままでリンス置換及び引き上げて、乾燥させることができるため、リンス置換後に基板を引き上げるときに、液だれによって基板表面にパーティクルが付着することを防止することができる。
【００４３】
［基板搬送装置の適用例］
以下、上記の基板搬送装置を基板の製造方法に適用した例として、ＳＯＩ基板の製造方法を例示的に説明する。
【００４４】
図１（ａ）〜図１（ｅ）は、本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板の製造方法を概略的に説明するための模式図である。
【００４５】
まず、図１（ａ）に示す工程では、単結晶Ｓｉ基板１１を準備して、その表面に陽極化成処理等により多孔質Ｓｉ層１２を形成する。ここで、本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置を基板の製造方法に適用することによって、単結晶Ｓｉ基板１１に多孔質Ｓｉ層１２を形成する場合に、単結晶Ｓｉ基板１１がパーティクルにより汚染されることを防止することができる。
【００４６】
次いで、図１（ｂ）に示す工程では、多孔質Ｓｉ層１２の上に非多孔質の単結晶Ｓｉ層１３をエピタキシャル成長法により形成する。その後、その表面を酸化することにより絶縁層（ＳｉＯ２層）１４を形成する。これにより、第１の基板１０が形成される。ここで、多孔質Ｓｉ層１２は、例えば、単結晶Ｓｉ基板１１に水素、ヘリウム又は不活性ガス等のイオンを注入する方法（イオン注入法）により形成してもよい。この方法により形成される多孔質Ｓｉ層は、多数の微小空洞を有し、微小空洞（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）層とも呼ばれる。
【００４７】
次いで、図１（ｃ）に示す工程では、単結晶Ｓｉからなる第２の基板２０を準備し、第１の基板１０と第２の基板２０とを、第２の基板２０と絶縁層１４とが面するように室温で密着させて貼り合わせ基板５０を形成する。
なお、絶縁層１４は、上記のように第１の基板の単結晶Ｓｉ層１３側に形成しても良いし、第２の基板２０上に形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１（ｃ）に示す状態になれば良い。しかしながら、上記のように、絶縁層１４を活性層となる単結晶Ｓｉ層１３側に形成することにより、第１の基板１０と第２の基板２０との貼り合わせ界面を活性層から遠ざけることができるため、より高品位のＳＯＩ基板を得ることができる。
【００４８】
次いで、図１（ｄ）に示す工程では、多孔質Ｓｉ層１２を分離処理すること貼り合わせ基板５０を新たな第１の基板１０’と新たな第２の基板３０に分離する。このときの分離方法としては多孔質Ｓｉ層１２付近にクサビを挿入する方法、高圧流体を多孔質Ｓｉ層１２付近に吹き付ける方法などがある。
【００４９】
その後、図１（ｅ）に示す工程では、孔質層１２’’と単結晶Ｓｉ層１３で選択比の高いエッチングを行うことによりによりほぼ単結晶Ｓｉ層１３の膜減りを起こさずに後多孔質層１２’を除去しＳＯＩ基板４０が形成される。以上の方法により移設層としての単結晶Ｓｉ層１３及び絶縁層１４を、第２の基板３０に移設することができる。更に水素雰囲気中でアニールすることで極めて表面が平坦なＳＯＩ基板とすることが可能である。
【００５０】
以上のように、本実施形態に係る基板搬送装置を基板の製造方法に適用すれば、基板がパーティクルにより汚染されることを防止することができるため、基板製造工程における歩留まりの低下を抑えることができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、例えば、パーティクル汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造方法を説明する図である。
【図２Ａ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置を適用した基板製造装置を上から見た平面図である。
【図２Ｂ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置を適用した図２Ａの基板製造装置を点線ａ−ａ’で切断した断面図である。
【図３Ａ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図３Ｃ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図４Ａ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図４Ｃ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図５Ａ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図５Ｂ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図５Ｃ】本発明の好適な実施の形態に係る基板搬送装置の処理手順を示す図である。
【図６】基板搬送装置の保持部近傍を上から見た平面図である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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