(57)【要約】【課題】送受信モジュールの小型化や低価格化が容易な低反射型リミタおよびこの低反射型リミタを用いた送受信モジュールを提供すること。【解決手段】送信信号を増幅する電力増幅器１３と、受信信号を増幅する低雑音増幅器１７とを具備した送受信モジュールにおいて、低雑音増幅器１７の入力側に低反射型リミタ１６を設けた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信信号を増幅する第１増幅器と、受信信号を増幅する第２増幅器とを具備した送受信モジュールにおいて、前記第２増幅器の入力側に低反射型リミタを設けたことを特徴とする送受信モジュール。
【請求項２】
放射器から空間に放射される送信信号を増幅する第１増幅器と、前記放射器で受信された受信信号を増幅する第２増幅器とを具備した送受信モジュールにおいて、前記第２増幅器の入力側に低反射型リミタを設けたことを特徴とする送受信モジュール。
【請求項３】
送信信号を増幅する第１増幅器と、第１〜第３の端子を有し、その第１端子に前記送信信号が入力し、その第２端子に放射器が接続されたサーキュレータと、このサーキュレータの第３端子に接続され、前記放射器で受信された受信信号を増幅する第２増幅器とを具備した送受信モジュールにおいて、前記サーキュレータと前記第２増幅器との間に低反射型リミタを設けたことを特徴とする送受信モジュール。
【請求項４】
低反射型リミタが、直列に接続されたリミタダイオードおよび抵抗を有する請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の送受信モジュール。
【請求項５】
低反射型リミタが、リミタダイオードおよび抵抗が直列に接続された複数の直列接続回路と、この複数の直列接続回路間に接続された１／４波長線路とを有する請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の送受信モジュール。
【請求項６】
低反射型リミタが、第１〜第４の端子を有し、その第１端子に受信信号が入力し、その第２端子に終端抵抗が接続され、その第３端子に第１リミタダイオードが接続され、その第４端子に第２リミタダイオードが接続された第１方向性結合器を有する請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の送受信モジュール。
【請求項７】
第１〜第４の端子を有し、その第１端子が第１リミタダイオードに接続し、その第２端子が第２リミタダイオードに接続し、その第３端子が第２増幅器に接続し、その第４端子に終端抵抗が接続された第２方向性結合器を設けた請求項６記載の送受信モジュール。
【請求項８】
送信信号を増幅する第１増幅器と、第１〜第３の端子を有し、その第１端子に前記送信信号が入力し、その第２端子に放射器が接続され、その第３端子に前記放射器で受信された受信信号が出力するサーキュレータと、第１〜第４の端子を有し、その第１端子に前記サーキュレータの第３端子が接続され、その第２端子に終端抵抗が接続され、その第３端子に第１リミタダイオードが接続され、その第４端子に第２リミタダイオードが接続された第１方向性結合器と、前記第１リミタダイオードに接続され前記受信信号を増幅する第２増幅器と、前記第２リミタダイオードに接続され前記受信信号を増幅する第３増幅器と、第１〜第４の端子を有し、その第１端子が前記第２増幅器に接続し、その第２端子が前記第３増幅器に接続し、その第３端子に前記第２増幅器および前記第３増幅器で増幅された信号が合成されて出力し、その第４端子に終端抵抗が接続された第２方向性結合器とを具備したことを特徴とする送受信モジュール。
【請求項９】
リミタダイオードと、このリミタダイオードに一端が接続され、他端が接地された抵抗とを具備したことを特徴とする低反射型リミタ。
【請求項１０】
リミタダイオードおよび一端が接地された抵抗が直列に接続された複数の直列接続回路と、この複数の直列接続回路間に接続された１／４波長線路とを具備したことを特徴とする低反射型リミタ。
【請求項１１】
信号が入力する第１端子を含み第１〜第４の端子を有する方向性結合器と、この方向性結合器の第２端子に接続された終端抵抗と、その第３端子に接続された第１リミタダイオードと、その第４端子に接続された第２リミタダイオードとを具備したことを特徴とする低反射型リミタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアクティブフェーズドアレーアンテナなどに使用される低反射型リミタおよびこれを用いた送受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
送受信モジュールは送信信号および受信信号を増幅する増幅器などから構成され、たとえばアクティブフェーズドアレーアンテナに使用されている。アクティブフェーズドアレーアンテナは送信信号を空間に放射する多数の放射器を有し、たとえば各放射器ごとに送受信モジュールが設けられている。また、放射器と送受信モジュール間に、送信信号と受信信号を分離する送受分離回路が設けられている。このような送受信モジュールと送受分離回路とを接続する回路は特許文献１などに記載されている。
【０００３】
ここで、従来の送受信モジュールについて図５を参照して説明する。
【０００４】
入力端子ＩＮから送信信号が送受信モジュール５０に入力する。送信信号は移相器５１によって所望位相に設定される。その後、送信側ａに接続された送受切り換えスイッチ５２を経て電力増幅器５３に供給され電力増幅される。さらに、送受分離用の非可逆回路素子たとえばサーキュレータ５４を図示矢印Ｙ方向に低損失で通過し、出力端子ＯＵＴから放射器５５に送られ、放射器５５より空中へ放射される。空中へ放射された送信信号は目標で反射され、放射器５５で受信される。受信信号はサーキュレータ５４から低雑音増幅器５６に送られ低雑音増幅される。その後、受信側ｂに接続された送受切り換えスイッチ５２および移相器５１、入力端子ＩＮなどを経て信号処理回路（図示せず）に送られる。
【０００５】
アクティブフェーズドアレーアンテナでは、上記した送受信モジュール５０および放射器５５の組み合わせが多数設けられ、それぞれの放射器５５から放射された送信信号が空間で合成され、所望の放射パターンを形成する。
【０００６】
空中へ放射された送信信号は、たとえば近距離に障害物があると、その障害物で反射し放射器５５に大きな強度で受信される。また、放射した方向によっては、隣接する放射器との干渉で大きな強度の信号が受信される。このような障害物による反射あるいは隣接する放射器との干渉で、不要な送信信号成分（以後、不要反射成分という）が放射器に入力する場合がある。不要反射成分は電力振幅や位相がいろいろな状態を取り、その電力振幅は、通常の受信信号の１０５  倍（１０万倍）以上にも達する。
【０００７】
電力振幅が大きい不要反射成分がそのまま送受信モジュールに入力すると、受信信号用の低雑音増幅器を劣化させ、あるいは破壊する。また不要反射成分が、送信信号用の電力増幅器の出力側に何らかの理由で入力すると、見かけ上、電力増幅器に劣悪な反射特性の負荷を接続したことと等価となり、所望の性能を発揮できなくなる。
【０００８】
そのため、従来の送受信モジュールは、受信信号用の低雑音増幅器および送信信号用の電力増幅器を不要反射成分から保護するために、たとえば受信信号が伝送する受信系統に保護回路が装備される。
【０００９】
ここで、保護回路を装備した従来の送受信モジュールについて図６を参照して説明する。図６は、図５に対応する部分に同じ符号を付し重複する説明を一部省略する。
【００１０】
この従来例は、保護回路として受信系統にスイッチ６１が設けられ、スイッチ６１に終端抵抗６２が接続されている。スイッチ６１は、たとえば送受切り換えスイッチ５２と同期して切り換えられ、送信パルス信号の送信時は端子ａ側に切り換えられ、受信時は端子ｂ側に切り換えられる。
【００１１】
上記した構成によれば、送信用パルス信号の送信時、スイッチ６１によって受信系統の信号経路が遮断されている。したがって、近距離の目標あるいは隣接する放射器から入力する不要反射成分は低雑音増幅器５６に入力せず、低雑音増幅器５６が保護される。また、不要反射成分は終端抵抗６２で熱に変換される。そのため、電力増幅器５３の出力側への不要反射成分の入力が抑えられ、電力増幅器５３も保護される。
【００１２】
次に、保護回路を装備した従来の送受信モジュールのもう１つの例について図７を参照して説明する。図７は、図５に対応する部分に同じ符号を付し重複する説明を一部省略する。
【００１３】
この従来例は、送受分離用の非可逆回路素子として４ポートサーキュレータ７１が用いられている。４ポートサーキュレータ７１は、たとえば第１および第２の２つの３ポートサーキュレータ７１ａ、７１ｂから構成され、第１の３ポートサーキュレータ７１ａの１つの端子と、第２の３ポートサーキュレータ７１ｂの１つの端子が接続されている。また、第２の３ポートサーキュレータ７１ｂの１つの端子に終端抵抗７２が接続されている。そして、４ポートサーキュレータ７１と低雑音増幅器５６との間にリミタダイオ−ド７３が接続されている。
【００１４】
この場合、不要反射成分は４ポートサーキュレータ７１を通過した後、リミタダイオ−ド７３によって電力振幅が制限される。したがって、リミタダイオ−ド７３を漏れ出て低雑音増幅器５６に入力する不要反射成分の電力振幅が小さくなり、低雑音増幅器５６が保護される。また、リミタダイオ−ド７３から低雑音増幅器５６側に漏れ出ない残りの不要反射成分はそのほとんどがリミタダイオ−ド７３で反射される。反射された不要反射成分は、第２の３ポートサーキュレータ７１ｂに接続された終端抵抗７２に加えられ熱に変換される。したがって、電力増幅器５３の出力側への入力が抑えられ、電力増幅器５３が保護される。
【００１５】
次に、保護回路を装備した従来の送受信モジュールのもう１つの例について図８を参照して説明する。図８は、図５に対応する部分に同じ符号を付し重複する説明を一部省略する。
【００１６】
この従来例は、送信信号と受信信号を分離する部分に、非可逆回路素子に代えてスイッチ８１が設けられている。スイッチ８１は、たとえば送受切り換えスイッチ５２と同期して切り換えられ、送信パルス信号の送信時は端子ａ側に切り換えられ、受信時は端子ｂ側に切り換えられる。
【００１７】
この構成によれば、送信信号の送信時、スイッチ８１によって受信系統の信号経路が遮断され、不要反射成分の低雑音増幅器５６への入力が防止される。しかし、この方法は、不要反射成分が電力増幅器５３の出力側に入力し、電力増幅器５３が所望の性能を発揮できなくなる。
【００１８】
また従来の送受信モジュールのその他の例が特許文献１に記載されている。
【００１９】
【特許文献１】
特開平９−２７０６０１号公報
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
図６の方法では、スイッチ６１として、通常、ＰＩＮダイオードや電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという）が使用される。
【００２１】
ＰＩＮダイオードは、挿入損失が小さいため、雑音指数を低く抑え、良好な雑音特性をもつ送受信モジュールが得られる。しかし、ＰＩＮダイオードを高速にＯＮ／ＯＦＦさせる駆動回路が必要で、その分、コストが増大し大型化する。また、ＰＩＮダイオードを駆動するための消費電力も無視できなくなる。また、ＰＩＮダイオードを用いたスイッチはＭＭＩＣとしての使用例が少なく、ＭＭＩＣ化による小型化が困難である。
【００２２】
ＦＥＴは、ＰＩＮダイオードよりも消費電力が小さいという利点がある。また、ＦＥＴを高速にＯＮ／ＯＦＦする制御回路も、ＣＭＯＳ論理回路などで構成することができ、低価格化が容易である。しかし、ＯＮ／ＯＦＦするための制御回路が必要とされ大型化する。また、挿入損失が大きいため、不要反射成分の電力振幅が大きくなると、受信系統の雑音特性が劣化する。
【００２３】
図７の方法は、駆動回路や制御回路を必要とせず、雑音特性が良好で、消費電力も少ないという利点がある。しかし、２個のサーキュレータを使用するため、コストが増大し、大型化し、質量が増加する。したがって、高性能化できるものの、送受信モジュールの小型化や低価格化が困難である。
【００２４】
図８の方法は、良好な雑音特性が得られる。しかし、送信信号を増幅する電力増幅器に不要反射電力が入力する。そのため、保護回路の基本的機能の１つ、たとえば送信側に位置する電力増幅器の性能を安定化させる機能が得られない。したがって、図８の方法は、不要反射成分が小さい場合、たとえばビーム走査角が狭い場合など用途が限定される。また、価格や消費電力、サイズなども、図６の構成と同程度で、より一層の小型化が望まれる。
【００２５】
本発明は、上記した欠点を解決し、送受信モジュールの小型化や低価格化が容易な低反射型リミタおよびこの低反射型リミタを用いた送受信モジュールを提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、送信信号を増幅する第１増幅器と、受信信号を増幅する第２増幅器とを具備した送受信モジュールにおいて、前記第２増幅器の入力側に低反射型リミタを設けたことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、アクティブフェーズドアレーアンテナに使用する場合を例にとり図１を参照して説明する。
【００２８】
入力端子ＩＮを通して送信信号が送受信モジュール１０に入力する。送信信号は移相器１１によって所望位相に設定され、送信側の端子ａに接続された送受切り換えスイッチ１２を経て電力増幅器１３に供給され電力増幅される。その後、送信信号と受信信号とを分離する送受分離回路たとえば非可逆回路素子のサーキュレータ１４に加えられる。
【００２９】
サーキュレータ１４はたとえば第１〜第３の３個の端子１４１〜１４３を有し、第１端子１４１が電力増幅器１３に接続し、第２端子１４２は出力端子ＯＵＴおよび放射器１５に接続されている。
【００３０】
サーキュレータ１４に加えられた送信信号は、矢印Ｙで示した順方向に低損失で通過し、第２端子１４２から出力端子ＯＵＴを経て放射器１５に送られ、放射器１５から空中に放射される。
【００３１】
空中へ放射された送信信号はたとえば目標で反射され、放射器１５によって受信される。受信信号は出力端子ＯＵＴを経てサーキュレータ１４に送られ、矢印Ｙで示した順方向に低損失で通過し、第３端子１４３から低反射型リミタ１６に送られる。低反射型リミタ１６は、たとえばリミタダイオードＤと、一端が接地された抵抗Ｒ´との直列接続回路で構成されている。
【００３２】
受信信号は低反射型リミタ１６から低雑音増幅器１７に送られ低雑音増幅される。その後、受信側の端子ｂに接続された送受切り換えスイッチ１２および移相器１１を経て信号処理回路（図示せず）に送られる。
【００３３】
アクティブフェーズドアレーアンテナでは、送受信モジュール１０および放射器１５の組み合わせが多数設けられ、それぞれの放射器１５から放射された送信信号は空間で合成され、所望の放射パターンを形成する。
【００３４】
上記した構成によれば、低雑音増幅器１７の入力側、たとえば受信信号が伝送する低雑音増幅器１７およびサーキュレータ１４間に、低反射型リミタ１６が接続されている。この場合、放射器１５に不要反射成分が受信されると、不要反射成分は低反射型リミタ１６で電力振幅が制限される。その結果、低反射型リミタ１６を漏れ出て受信信号用の低雑音増幅器１７に入力する電力振幅が小さくなり、低雑音増幅器１７が保護される。
【００３５】
また、低反射型リミタ１６は、たとえばリミタダイオードＤと抵抗Ｒ´との直列接続回路で構成されている。この場合、大電力の不要反射成分が入力し、リミタダイオードＤがＯＮ状態になると、受信信号が伝送する伝送路は抵抗Ｒ´を介して接地される。このとき、不要反射成分の一部は抵抗Ｒ´を通して流れる。したがって、低反射型リミタ１６は入力する信号をすべて反射する完全反射ではなく、その一部を反射する。つまり、リミタダイオードだけが単独に接続され抵抗が接続されていない場合に比べ、反射成分が小さい低反射になる。
【００３６】
この場合、低雑音増幅器１７側に漏れ出ないその残りの不要反射成分は、低反射型リミタ１６で反射される電力成分Ａと、抵抗Ｒ´によって熱に変換される電力成分Ｂとに分かれる。
【００３７】
電力成分Ａと電力成分Ｂの和はエネルギー保存則によって一定で、電力成分Ａがサーキュレータ１４を経て電力増幅器１３の出力側に入力する。しかし、電力増幅器１３の出力側に入力する電力成分Ａは、従来技術の図６や図７で示したようにゼロである必要はなく、電力成分Ａをたとえば送信電力の１／１０程度に抑えれば、所望の性能が得られ問題は生じない。
【００３８】
電力成分Ｂはその値が小さいほど低反射型リミタの挿入損失が小さくなり、受信系統の雑音特性が良好となる。したがって、電力成分Ａと電力成分Ｂのバランスを最適化し、たとえば電力成分Ａを、電力増幅器１３が所望の性能を発揮できる範囲の最大値とし、電力成分Ｂをできるだけ小さくすれば、受信系統および送信系統の各増幅器１７、１３が保護され、同時に、受信系統における雑音特性の劣化が防止される。
【００３９】
上記した構成によれば、低反射型リミタ１６を動作させる駆動電力が不要であるため、消費電力はゼロとなる。また、保護回路用のスイッチおよびそれを駆動し、あるいは制御する回路を必要としないため小型化する。また、上記した構成の低反射型リミタ１６はＭＭＩＣに容易に組み込めるため、コストが軽減し、小型化し軽量化した送受信モジュールが実現される。
【００４０】
図１では、低反射型リミタは１組のリミタダイオードＤと抵抗Ｒ´とで構成されている。しかし、図２に示すように、たとえばリミタダイオードＤ１と抵抗Ｒ１´、および、リミタダイオードＤ２と抵抗Ｒ２´が、それぞれ直列に接続された第１および第２の直列接続回路２１、２２を設け、第１直列接続回路２１と第２直列接続回路２２との間におよそ１／４波長線路２３を接続する構成にすることもできる。
【００４１】
この場合、およそ１／４波長線路２３の入力端２３ａにおいて、入力端２３ａで反射された不要反射成分と、第２直列接続回路２２で反射された不要反射成分とが逆相で打ち消し合い、低反射型リミタ１６からサーキュレータ１４方向に向う不要反射成分を小さくできる。
【００４２】
また、リミタダイオードと抵抗が直列に接続された３組以上の直列接続回路を設け、各組の直列接続回路間におよそ１／４波長線路を接続する構成にすることもできる。
【００４３】
次に、本発明の他の実施形態について図３を参照して説明する。図３は、図１に対応する部分に同じ符号を付し重複する説明を一部省略する。
【００４４】
この実施形態は、低反射型リミタ１６が第１方向性結合器３１などから構成されている。第１方向性結合器３１は、たとえば第１〜第４の４個の端子３１１〜３２４を有し、第１端子３１１から入力した信号が第３端子３１３および第４端子３１４に等分され、９０°の位相差で出力する構成になっている。
【００４５】
第１方向性結合器３１は、その第１端子３１１がサーキュレータ１４の第３端子１４３に接続され、第２端子３１２に終端抵抗Ｒ３が接続され、第３端子３１３に第１リミタダイオードＤ３が接続され、第４端子３１４に第２リミタダイオードＤ４が接続されている。
【００４６】
第１リミタダイオードＤ１は第２方向性結合器３２の第１端子３２１に接続され、第２リミタダイオードＤ２は第２方向性結合器３２の第２端子３２２に接続されている。第２方向性結合器３２の第３端子３２３は低雑音増幅器１７に接続され、第４端子３２４は終端抵抗Ｒ４に接続されている。第２方向性結合器３２は、第１方向性結合器３１と同様、第１端子３２１から入力した信号が第３端子３２３および第４端子３２４に等分され、９０°の位相差で出力する構成になっている。
【００４７】
上記した構成の場合、受信信号は第１方向性結合器３１の第３端子３１３および第４端子３１４に２分して出力される。それぞれの出力は第１、第２のリミタダイオードＤ１、Ｄ２を経て、第２方向性結合器３２の第３端子３２３に合成されて出力し、受信信号用の低雑音増幅器１７で電力増幅される。
【００４８】
上記した構成において、第１方向性結合器３１の第１端子３１１に不要反射成分が入力すると、不要反射成分は、第３端子３１３および第４端子３１４に出力し、第１および第２のリミタダイオードＤ１、Ｄ２で電力振幅が制限される。したがって、低反射型リミタ１６を漏れ出て低雑音増幅器１７へ入力する電力振幅は小さくなり、低雑音増幅器１７が保護される。
【００４９】
この場合、低反射型リミタ１６から低雑音増幅器１７側へ漏れ出ない残りのほとんどの不要反射成分は、第１および第２のリミタダイオードＤ１、Ｄ２で反射される。しかし、この反射成分は第１方向性結合器３１に接続された終端抵抗Ｒ３で熱に変換される。その結果、低反射型リミタ１６からサーキュレータ１４方向に向う不要反射成分はほぼゼロの低反射となり、電力増幅器１３の出力側に入力する不要反射成分も抑制される。
【００５０】
したがって、図１の構成と同様の効果、たとえば受信信号用の低雑音増幅器１７および送信信号用の電力増幅器１３を保護するなどの効果が得られる。
【００５１】
この場合、図１の構成に比べると、方向性結合器が接続された分だけ損失が増加し、受信系統の雑音特性が劣化する。しかし、その雑音特性は従来技術よりは劣化しない。
【００５２】
次に、本発明の他の実施形態について図４を参照して説明する。図４は、図３に対応する部分に同じ符号を付し重複する説明を一部省略する。
【００５３】
この実施形態は、第１および第２のリミタダイオードＤ３およびＤ４に、それぞれ受信信号用の低雑音増幅器４１、４２が接続され、一方の低雑音増幅器４１は第２方向性結合器３２の第１端子３２１に接続され、他方の低雑音増幅器４２は第２方向性結合器３２の第２端子３２２に接続されている。そして、第２方向性結合器３２の第３端子が送受切り換えスイッチ１２に接続され、第４端子に終端抵抗Ｒ４が接続されている。
【００５４】
この構成の場合、低雑音増幅器４１、４２で増幅された受信信号は、第２方向性結合器３２の第３端子に合成されて出力される。
【００５５】
また、不要反射成分は第１および第２のリミタダイオードＤ１、Ｄ２で電力振幅が制限される。したがって、第１および第２のリミタダイオードＤ１、Ｄ２を漏れ出て低雑音増幅器４１、４２へ入力する電力振幅が抑えられ、低雑音増幅器４１、４２が保護される。
【００５６】
また、低雑音増幅器４１、４２へ漏れ出ない残りのほとんどの不要反射成分は、第１および第２のリミタダイオードＤ１、Ｄ２によって反射され、第１方向性結合器３１に接続された終端抵抗Ｒ３で熱に変換される。したがって、低反射型リミタ１６からサーキュレータ１４方向に向う不要反射成分はほぼゼロの低反射となり、電力増幅器１３の出力側に入力する不要反射成分も抑制される。
【００５７】
したがって、図３の構成と同様の効果、たとえば受信信号用の２つの低雑音増幅器４１、４２、および、送信信号用の電力増幅器１３を保護するなどの効果が得られる。
【００５８】
上記した構成によれば、低反射型リミタのリミタ機能によって漏れ電力が抑圧され、受信系統の低雑音増幅器が保護される。また、低反射型リミタの低反射機能によって、送信系統に位置する電力増幅器の出力側への入力が軽減し、あるいは抑圧され、送信系統の電力増幅器は所望の性能を安定に発揮できる。
【００５９】
また、低反射型リミタにスイッチが用いられないため、回路構成が簡略化し、小型化や低価格化が容易になる。また、低反射型リミタは挿入損失が小さく、受信系統の雑音特性が向上する。また、低反射型リミタは消費電力がなく、ＭＭＩＣ化が容易であるため、安価で小型、軽量なマイクロ波送受信モジュールが容易に得られる。
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、小型化や軽量化が容易な送受信モジュールを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を説明する回路構成図である。
【図２】本発明に使用される低反射型リミタの他の例を説明する回路構成図である。
【図３】本発明の他の実施形態を説明する回路構成図である。
【図４】本発明の他の実施形態を説明する回路構成図である。
【図５】従来例を説明する回路構成図である。
【図６】他の従来例を説明する回路構成図である。
【図７】他の従来例を説明する回路構成図である。
【図８】他の従来例を説明する回路構成図である。
【符号の説明】
１０…送受信モジュール
１１…移相器
１２…送受切り換えスイッチ
１３…送信側の電力増幅器
１４…サーキュレータ
１５…放射器
１６…低反射型リミタ
１７…受信側の低雑音増幅器
ＩＮ…入力端子
ＯＵＴ…出力端子
Ｄ…リミタダイオード
Ｒ…終端抵抗
Ｒ´…抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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