(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体プロセスチャンバをクリーニングするために酸化クリーニングガスを熱活性化する方法を提供する。【解決手段】酸化クリーニングガスを熱活性化する方法であって：（ａ）酸化クリーニングガス及び予熱した不活性ガスを反応させて、１種以上のラジカルを有する気体状混合物を形成する工程と；（ｂ）該気体状混合物を反応チャンバ２６に通す工程と；を含む方法において、前記１種以上のラジカルは、前記反応チャンバ２６内部に含まれる１種以上の堆積物と反応して、廃ガスを形成する、方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化クリーニングガスを熱活性化する方法であって：
（ａ）酸化クリーニングガス及び予熱した不活性ガスを反応させて、１種以上のラジカルを有する気体状混合物を形成する工程と；
（ｂ）該気体状混合物を反応チャンバに通す工程と；を含む方法において、前記１種以上のラジカルは、前記反応チャンバ内部に含まれる１種以上の堆積物と反応して、廃ガスを形成する、方法。
【請求項２】
前記酸化クリーニングガスは、フッ素、塩素、ＸｅＦ2、ＣｌＦx、ＢｒＦx、Ｏ2、Ｏ3、ＮＦ3、フルオロカーボンガス、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化クリーニングガスは、約１slpm〜約２０slpmの流量で混合チャンバに流れる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不活性ガスは、アルゴン、窒素、ヘリウム、及びこれらの任意の混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記不活性ガスは、約１slpm〜約２０slpmの流量で前記混合チャンバに流れる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記不活性ガスは約２５０℃〜約８００℃の温度に予熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記１種以上の堆積物は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、ケイ化タングステン、窒化チタン、ＴａＮ、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記廃ガスは、ＳｉＦ4、ＣＦ4、ＷＦ6、ＴａＦ5及びＴｉＦ4からなる群から選択されるものの少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
酸化クリーニングガスの熱活性化のための装置であって：
（ａ）酸化クリーニングガス及び予熱した不活性ガスを反応させて、１種以上のラジカルを有する気体状混合物を形成することができる混合チャンバと；
（ｂ）該混合チャンバと気体が連通し、半導体処理において使用するための反応チャンバと；を備える装置において、前記１種以上のラジカルは、前記反応チャンバ内部に含まれる１種以上の堆積物と反応して、廃ガスを形成する、装置。
【請求項１０】
前記酸化クリーニングガスは、フッ素、塩素、ＸｅＦ2、ＣｌＦx、ＢｒＦx、Ｏ2、Ｏ3、ＮＦ3、フルオロカーボンガス、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記酸化クリーニングガスは、直径約１/４インチ〜約１インチ（約６.４mm〜約２５mm）を有する供給管によって前記混合チャンバに供給される、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記不活性ガスは、アルゴン、窒素、ヘリウム、及びこれらの任意の混合物からなる群から選択される、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記予熱した不活性ガスは、直径約１/２インチ〜約２インチ（約１３mm〜約５１mm）
を有する不活性ガス供給管によって前記混合チャンバに供給される、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記不活性ガス供給管は、熱伝導性材料の充填層を備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記熱伝導性材料は、微細に分割した金属である、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記微細に分割した金属は、ニッケル、ハステロイ、ステンレス鋼、銅合金、アルミニウム合金、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記不活性ガス供給管は、加熱手段をさらに備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１８】
前記加熱手段は、不活性成分供給管を囲繞する、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記加熱手段は、電気抵抗ヒータ、放射ヒータ、ガス燃焼式ヒータ、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記反応チャンバは、不活性材料で製造される、請求項９に記載の装置。
【請求項２１】
前記不活性材料は、ニッケル、高密度酸化アルミニウム、サファイア、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記反応チャンバは、外管及び該外管内部に挿入されたライナを備える、請求項９に記載の装置。
【請求項２３】
前記反応チャンバは、ニッケル外管及びサファイアライナを備える、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記廃ガスは、ＳｉＦ4、ＣＦ4、ＷＦ6、ＴａＦ5及びＴｉＦ4からなる群から選択されるものの少なくとも１つである、請求項９に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、半導体プロセスチャンバにガスを供給するための装置に関する。より詳細には、本発明は、半導体プロセスチャンバをクリーニングするために熱活性化フッ素または酸化クリーニングガスを供給するための装置、及び、熱活性化フッ素または酸化クリーニングガスを用いてプロセスチャンバをクリーニングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造における基本的な工程は、蒸気前駆体の化学反応による、半導体基板表面での薄膜の形成である。典型的な堆積プロセスとしては、化学気相成長法（ＣＶＤ）が挙げられる。従来の熱ＣＶＤプロセスは、反応性ガスを基板表面に供給し、この表面で熱誘導化学反応が起きて、処理対象である基板の表面の上に薄膜層を形成する。
【０００３】
しかしながら、堆積は、単に基板表面のみにではなくチャンバ全体にわたって起きる。最も多量の堆積は、チャンバの最も高温の区域において、典型的には基板の区域において起きるが、若干の堆積が、他の区域において、かなり低温の区域または蒸気前駆体に直接さらされない区域、例えば、チャンバ壁、窓、ガスノズル、ツール等においてさえも起きる。
【０００４】
こうした堆積は、ガスノズル中の微細な穴を詰まらせる、ガスの一様な流れを乱し、プロセスの均一性に影響を及ぼす、及び、チャンバの窓を曇らせてチャンバの中を見る能力に影響を及ぼす等の多数の問題を引き起こし得る。加えて、これはパーティクルを形成することがあり、パーティクルは基板の上に落下し、堆積した層中または堆積装置の機械的動作との界面中に欠陥を引き起こし得る。
【０００５】
このような問題を避けるために、チャンバの内側表面を定期的にクリーニングして、処理チャンバのチャンバ壁及び同様の区域から好ましくない堆積材料を除去する。このようなクリーニング手順は一般に、堆積工程と堆積工程との間に、ウェーハ毎にまたはｎ枚のウェーハ毎に実行する。１つのタイプの手順は、チャンバを分解し、溶液または溶媒を使用して各部品をクリーニングし、次に乾燥し、装置を再度組立てることを含む。この手順は、労働集約的で多くの時間を必要とし、ウェーハ製造ラインの効率を低下させ、コストを増大させる。
【０００６】
クリーニング作業はインシトゥ（in-situ）で行うことが望ましい。典型的なインシトゥクリーニング作業は、例えば、三フッ化窒素（ＮＦ3）、分子状フッ素（Ｆ2）及び三フッ化塩素（ＣｌＦ3）をエッチングガスとしてクリーニング作業中に使用する。こうした典型的なクリーニング作業においては、ガスはプロセスチャンバに流れる。ＮＦ3またはＦ2は典型的には、チャンバ中にまたはチャンバの前の離れたチャンバ中に高周波電界を供給することによってかまたはマグネトロン法によって低圧プラズマを形成することによって活性化される。ＣｌＦ3またはＦ2は、加熱したチャンバに直接に導入することができるが、ガスの反応性が理由となって、構成要素に対する損傷を避けるためにチャンバをその稼働条件から冷却しなければならない。
【０００７】
Vasudev, et al.に付与された米国特許第6,242,347号は、プロセスチャンバをクリーニングするための別のアプローチを開示している。開示された方法は、塩素をハロゲンクリーニングガスとして使用する短時間の熱クリーニング工程をウェーハとウェーハとの間に行うことを含む。塩素ガスを約５００〜７００°Fの高温でチャンバに導入する。塩素ガスを、約９９.９体積％までの不活性希釈ガスと混合してよい。
【０００８】
Ishibashiに付与された米国特許第6,375,756号は、膜形成チャンバ内部に堆積した膜の除去方法を開示している。発熱体をチャンバ中に配設し、チャンバ内を排気した後、２０００℃以上の温度に加熱する。その後、発熱体によって分解及び／または活性化して生成する活性種が堆積膜を気体状物質に変換させる酸化クリーニングガスをチャンバ中に導入する。酸化クリーニングガスは、フッ素、塩素、三フッ化窒素、四フッ化炭素、六フッ化エタン、八フッ化プロパン、四塩化炭素、五フッ化塩化エタン、三フッ化塩素、三フッ化塩化メタン、六フッ化硫黄またはこれらの混合物としてよい。
【０００９】
酸化クリーニングガスを加熱するために加熱エレメントを使用する装置に関連して幾つかの欠点が存在する。米国特許第6,242,347号においては、Ｆ2またはＣｌＦ3と同程度の反応性はなく、チタンを含む堆積物にのみ適したＣｌ2ガスを使用する。非生産的なクリーニング時間を低減するためには堆積物の迅速な除去が望ましいので、Ｆ2及びＣｌＦ3がより望ましいクリーニング剤であると思われるが、加熱したチャンバはこのプロセスにおいて使用する温度で激しく損傷すると思われる。従って、より反応性の低いＣｌ2が使用される。
【００１０】
米国特許第6,375,756号における別の欠点は、酸化クリーニングガスはエレメントと反応するという点である。反応を避けるために、前述の特許において述べるように温度を２０００℃を超えるように注意深く制御しなければならない。堆積プロセスを行うためにエレメントが冷却される時に、エレメントは非常に攻撃を受けやすい。この結果、エレメントは劣化し、要求された通りに機能しない。２０００℃の温度で、金属原子はフィラメントから蒸発し、チャンバ中に堆積し、従ってチャンバを汚染しよう。また、チャンバ内部に位置するエレメントによるプロセスチャンバの過度の加熱は、チャンバ内部の構成要素及び真空シールに対する損傷を引き起こし得る。これは、電気的コネクタを白金でコーティングして、これを攻撃から保護することを提案していることによって示される。これは高価でありかつ信頼できない。
【特許文献１】米国特許第6,242,347号明細書
【特許文献２】米国特許第6,375,756号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
酸化クリーニングガスを熱活性化する方法であって：（ａ）酸化クリーニングガス及び予熱した不活性ガスを反応させて、ラジカルを含む気体状混合物を形成する工程と；（ｂ）気体状混合物を反応チャンバに通す工程と；を含む方法において、ラジカルは、反応チャンバ内部に含まれる１種以上の堆積物と反応して、ＳｉＦ4、ＣＦ4またはＴｉＦ4のような廃ガスを形成する、方法。
【００１２】
酸化クリーニングガスは、好ましくは、フッ素、塩素、ＸｅＦ2、ＣｌＦx、ＢｒＦx、（式中、ｘ＝１、３、５）、Ｏ2、Ｏ3、ＮＦ3、任意のフルオロカーボンガス、他の高酸化性または反応性ガス、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される。酸化クリーニングガスは、約１〜２０slpmの流量で混合チャンバに流れる。
【００１３】
不活性ガスは、好ましくは、アルゴン、窒素、ヘリウム、及びこれらの任意の混合物からなる群から選択される。不活性ガスは、約１〜約２０slpmの流量で混合チャンバに流れる。不活性ガスを好ましくは約４００℃〜約６５０℃の温度に予熱する。
【００１４】
反応チャンバ中に見られる堆積物は、典型的には酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、ケイ化タングステン、窒化チタン、ＴａＮ、またはこれらの組合せであり、その結果、廃ガスはＳｉＦ4、ＣＦ4、ＷＦ6、ＴａＦ5またはＴｉＦ4である。
【００１５】
本発明はまた、酸化クリーニングガスの熱活性化のための装置であって：酸化クリーニングガス及び予熱した不活性ガスを反応させて、ラジカルを有する気体状混合物を形成することができる混合チャンバと；混合チャンバと気体が連通し、半導体処理において使用するための反応チャンバと；を備える装置において、ラジカルは、反応チャンバ中に含まれる１種以上の堆積物と反応して、廃ガスを形成する、装置を含む。
【００１６】
好ましくは、酸化クリーニングガスを、直径約１/４インチ〜約３/４インチ（約６.４mm〜約１９mm）を有するフッ素供給管によって混合チャンバに供給する。
予熱した不活性ガスを典型的には、直径約１/２インチ〜約２インチ（約１３mm〜約５１mm）を有する不活性成分供給管によって混合チャンバに供給し、ここで不活性成分供給管は、熱伝導性材料、例えば微細に分割した金属の充填層を備える。微細に分割した金属は、好ましくは、ニッケル、ハステロイ、ステンレス鋼、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される。特定のプロセスに対する汚染の懸念がない場合には、銅及びアルミニウム合金もまた使用してよい。不活性ガス供給管は、加熱手段をさらに備え、ここで、加熱手段は不活性成分供給管を囲繞する。加熱手段は、電気抵抗ヒータ、放射ヒータ、ガス燃焼式ヒータ、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される。
【００１７】
反応チャンバは、サファイア、高密度酸化アルミニウム（dense aluminum oxide）、ニッケル、ハステロイ、及びこれらの任意の組合せからなる群から選択される不活性材料で製造される。反応チャンバは、外管及び外管内部に挿入されたライナを備える。好ましくは、反応チャンバはニッケル外管及びサファイア内管を備える。内管は、活性ガス混合物の出口とは反対側の端部の低温領域で、外管に当てて封止されると思われる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、クリーニングプロセスにおいて使用するための酸化クリーニングガスを、加熱エレメントを使用することなく熱活性化するための装置を提供する。酸化クリーニングガスを、加熱した不活性ガスと混合することで、酸化クリーニングガスを熱活性化する。本装置は、加熱エレメントが酸化クリーニングガスと接触する必要を無くすのみならず、不活性ガスと混合されてラジカル種を分離した状態に保つので容易には不活性化しないであろう熱活性化ガスを生じる。
【００１９】
図１を参照すると、プロセスチャンバに熱活性化酸化クリーニングガスを供給するための熱活性化装置全体が、参照符号１０によって表されている。熱活性化装置１０は、酸化クリーニングガス入口管１２、不活性ガス入口管１４、混合チャンバ２０、放電管２４及び反応チャンバ２６を有する。
【００２０】
酸化クリーニングガスを入口管１２中に導入する。本発明において使用するのに適した酸化クリーニングガスとしては、例えば、フッ素、塩素、ＸｅＦ2、ＣｌＦx、ＢｒＦx、（式中、ｘ＝１、３、５）、Ｏ2、Ｏ3、ＮＦ3、フルオロカーボンガス、他の高酸化性または反応性ガス、及びこれらの任意の組合せが挙げられる。好ましくは、酸化クリーニングガスはフッ素である。
【００２１】
入口管１２は、本発明の酸化クリーニングガスを受け入れることができる任意の適切な材料から製造される。適切な材料としては、例えば、サファイア、高密度酸化アルミニウム、ニッケル、ハステロイ、及びこれらの任意の組合せが挙げられる。
【００２２】
入口管１２は、直径約１/４インチ〜約３/４インチ（約６.４mm〜約１９mm）を有する。好ましくは、入口管は、直径約１/４インチ〜約１/２インチ（約６.４mm〜約１３mm）を有する。
【００２３】
酸化クリーニングガスは、約１slpm〜約２０slpmの流量で入口管１２を通って流れる。好ましくは、酸化クリーニングガスは、約２slpm〜約６slpmの流量で流れる。
不活性ガス入口管１４は、入口管１４を囲繞する微細に分割した金属の充填層１６及びヒータ１８を有する。ヒータ１８は微細に分割した金属を加熱し、その結果として、入口管１４を通って流れる不活性ガスを加熱する。充填層１６中で使用するのに適した微細に分割した金属としては、例えば、ニッケル、ハステロイ、ステンレス鋼、及びこれらの任意の組合せが挙げられる。特定のプロセスに対する汚染の懸念がない場合には、銅及びアルミニウム合金もまた使用してよい。好ましくは、微細に分割した金属はニッケルである。
【００２４】
本発明において使用するのに適した不活性ガスとしては、例えば、アルゴン、窒素、ヘリウム、またはこれらの任意の組合せが挙げられる。
入口管１４は、本発明の酸化クリーニングガスと混合するために不活性ガスを流すことができる任意の適切な材料から製造される。適切な材料としては、例えば、ニッケル、ハステロイ、ステンレス鋼、及びこれらの任意の組合せが挙げられる。
【００２５】
入口管１４は、直径約１/２インチ〜約２インチ（約１３mm〜約５１mm）を有する。好ましくは、入口管は、直径約１/２インチ〜約１インチ（約１３mm〜約２５mm）、より好ましくは約３/４インチ（約１９mm）を有する。
【００２６】
不活性ガスは、約１slpm〜約２０slpmの流量で入口管１４を通って流れる。好ましくは、不活性ガスは、約１slpm〜約１０slpmの流量で、より好ましくは約２slpm〜約６slpmの流量で流れる。
【００２７】
ヒータ１８は入口管１４を囲繞し、入口管を通して供給される不活性ガスを約４００℃〜約６５０℃の温度に加熱する。ヒータ１８は、入口管１４を通って流れる不活性ガスの加熱において使用するのに適した任意のヒータとすることができる。適切なヒータとしては、例えば、電気抵抗ヒータ、放射ヒータ、ガス燃焼式ヒータ、及びこれらの任意の組合せが挙げられる。
【００２８】
加熱した不活性ガスは入口管１４から混合チャンバ２０中に流れ、酸化クリーニングガス入口管１２の外面を取り巻く。混合チャンバ２０で、加熱した不活性ガスは酸化クリーニングガスと混合される。混合したガス流れは次に直ちに反応チャンバ２２を通って流れる。この反応チャンバは、サファイアまたは高密度酸化アルミニウムのような高度に不活性の材料で製造される。
【００２９】
反応チャンバ２２を製造するために、サファイアのような不活性材料を使用することは、本発明の必要要件となる態様である。不活性材料を使用しない場合、酸化クリーニングガスと他の材料との反応性が理由となって、反応チャンバは無効になり得るし、危険な作業を生じ得る。
【００３０】
反応チャンバ２２を製造するのに適した不活性材料としては、例えば、ニッケル、高密度酸化アルミニウム、サファイア、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、またはこれらの任意の組合せが挙げられる。好ましくは、反応チャンバ２２は、フッ化アルミニウムパッシベーション層を形成する結晶酸化アルミニウム材料であるサファイアで製造される。
【００３１】
好適な具体例においては、サファイア内管は、低温不活性ガスをパージした端部でニッケル外管に当てて封止される。これは、酸化クリーニングガスによる損傷の危険無しにビトン（Viton）またはカルレツ（Kalrez）シールのような通常のエラストマーシールを使用することを可能にする。
【００３２】
反応チャンバ２２を、酸化クリーニングガスと加熱した不活性ガスとの間の適切な接触を確実にする大きさにする。酸化クリーニングガスと加熱した不活性ガスとの間の適切な接触を実現するために、反応チャンバ２２は、直径約１/２インチ〜約１と１/２インチ（約１３mm〜約３８mm）を有する。好ましくは、反応チャンバ２２は、直径約１/２インチ〜約１インチ（約１３mm〜約２５mm）を有する。
【００３３】
高温の不活性ガスと混合された酸化クリーニングガスは、短い出口管２４を通過し、クリーニング対象であるプロセスチャンバ内を通る。再度、熱活性化酸化クリーニングガスとの反応を避けるために、出口管２４が不活性材料で製造されることが必要要件である。適切な不活性材料としては、反応チャンバ２２を製造するために使用するものと同じ材料が挙げられる。好ましくは、出口管２４は、ニッケル管の内部にサファイアで製造される。
【００３４】
酸化クリーニングガスはプロセスチャンバ２６を通過し、プロセスチャンバ中の１種以上の堆積物と反応する。反応は廃ガスの形成をもたらし、これは排気管路２８によってプロセスチャンバ２６から排気される。典型的にプロセスチャンバ２６中に見られる堆積物としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、ケイ化タングステン、窒化チタン、ＴａＮ、またはこれらの組合せが挙げられる。フッ素を酸化クリーニングガスとして用いる場合、廃ガスは、典型的にはＳｉＦ4、ＣＦ4、ＷＦ6、ＴａＦ5またはＴｉＦ4である。
【００３５】
このプロセスにおいて、幾つかの化学反応が起こり得る。ヘリウムまたは窒素のような不活性ガスを使用し、酸化クリーニングガスがフッ素である場合、反応はフッ素ラジカルを形成する傾向がある。フッ素は分裂して、フッ素元素がラジカルを形成する高度に反応性で非常に酸化性の状態になろう。不活性ガスによって提供される希釈が理由となって、こうしたラジカルは今や、十分な混合が起きるまでは互いに再結合することができない。これは、この混合物がプロセスチャンバを通過し、所望の堆積物と反応するある時間、この混合物の反応性を維持しよう。
【００３６】
アルゴンを不活性ガスとして使用し、フッ素を酸化クリーニングガスとして使用する場合、中間化合物［ＡｒＦx］が形成されることがある。これは準安定化合物であり、クリーニング対象であるプロセスチャンバ内を通る時に容易にフッ素ラジカルを放出しよう。フッ化アルゴンは、より長い時間活性フッ素を安定化するかもしれず、従って、このプロセスにおいてフッ素を活性状態に維持するために有用であるかもしれない。フッ化アルゴンを最大にするかどうかは、相対的アルゴン流量及び混合チャンバの適切な温度によって決定されよう。
【００３７】
全ての場合に、フッ素に関して、フッ素をボンベ中に貯蔵するのは実際的でないので、フッ素は、電解フッ素発生器中で生成することができる。不活性ガスは、高圧ガス容器またはバルク貯蔵装置から供給される。
【００３８】
結局、本発明の装置を使用することによって、熱クリーニングプロセスは、より高いパーセントの分子状フッ素をフッ素ラジカルに変換する可能性を有する。これは、熱エネルギーは、“コロナ様”放電に集中するのではなく、反応チャンバ全体の中に存在しているという事実が理由となっており、フッ素の流れ全体がこの高温の不活性ガスと接触した状態になっていると思われる。一旦フッ素が分裂してラジカルになると、不活性ガス自体は、分子状フッ素を形成する再結合を起こすこと無く種を分離した状態に保って、クリーニングを必要とするチャンバ内をラジカルが通ることを可能にする。
【００３９】
本発明の別の利点は、元素状フッ素は、ＮＦ3のような従来使用されている他の酸化クリーニングガス程には高価ではないという点である。本発明の熱活性化装置は、より低コストのフッ素生成に対処して、機器使用者がかなりより低い維持費（cost-of-ownership）でチャンバをクリーニングするために必要な反応物を提供する。
【００４０】
上述の説明は、本発明の例示に過ぎないことは理解できるはずである。様々な変形及び修正を、当業者であれば、本発明から逸脱することなく考案できよう。従って、本発明は、全てのこのような変形、修正及び変更を包含することを意図したものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明による熱活性化装置を示す。
【符号の説明】
【００４２】
１０    熱活性化装置
１２    酸化クリーニングガス入口管
１４    不活性ガス入口管
１６    充填層
１８    ヒータ
２０    混合チャンバ
２２    反応チャンバ
２４    放電管
２４    出口管
２６    反応チャンバ
２６    プロセスチャンバ
２８    排気管路
【図１】
2004153265.tif 000003
【外国語明細書】
2004153265000001.pdf