(57)【要約】【課題】誤った検出結果を排除することが可能な抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を提供する。【解決手段】表示装置１００に重ね合わせて配置されている抵抗膜接触型タッチパネル１を制御する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置において、Ｘ座標、Ｙ座標それぞれ複数のサンプリングデータから平均化して得られる抵抗膜接触型タッチパネル１の押圧位置検出により表示装置１００上のアイコン１０３が選択されたと判断することを前提とし、押圧位置検出で特定した位置情報がアイコン１０３の表示領域内部に存在しないときに、位置ずれの方向が電位下降方向であって、かつサンプリングデータのばらつきが大きい場合に、抵抗膜接触型タッチパネル１の故障と判断する制御手段５１を備えた。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置に重ね合わせて配置されている抵抗膜接触型タッチパネルを制御する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置において、
Ｘ座標、Ｙ座標それぞれ複数のサンプリングデータから平均化して得られる抵抗膜接触型タッチパネルの押圧位置を検出する押圧位置検出手段と、該押圧位置検出手段により前記表示装置上のアイコンが選択されるアイコン選択手段と、を備え、
前記押圧位置検出手段により特定した位置情報が前記アイコンの表示領域内部に存在しないときに、位置ずれの方向が電位下降方向であり、且つサンプリングデータのばらつきが大きい場合に、前記抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断することを特徴とする抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。
【請求項２】
表示装置に重ね合わせて配置されている抵抗膜接触型タッチパネルを制御する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置において、
Ｘ座標、Ｙ座標それぞれ複数のサンプリングデータから平均化して得られる抵抗膜接触型タッチパネルの押圧位置を検出する押圧位置検出手段と、該押圧位置検出手段により前記表示装置上のアイコンが選択されるアイコン選択手段と、を備え、
前記押圧位置検出手段により特定した位置情報がアイコンの表示領域内部に存在しないときに、位置ずれの方向が電位下降方向であって、さらにサンプリングデータの平均値との差が最も大きいデータをＸ座標、Ｙ座標それぞれ抽出した結果、いずれも電位下降方向の位置ずれであり、且つ平均値との差が大きい場合に、抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断することを特徴とする抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の判断基準による異常判定が所定回数以上発生した場合に、前記抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断することを特徴とする抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。
【請求項４】
請求項１または２記載の判断基準による異常判定が特定時間内に所定回数以上発生した場合に、前記抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断することを特徴とする抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の異常判定が為された場合、前記抵抗膜接触型タッチパネルの故障を外部に通知することを特徴とする抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。
【請求項６】
請求項１の判断基準による異常判定が成立しない場合、キャリブレーションを実行する旨を外部通知することを特徴とする抵抗膜接触型タッチパネル制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に重ね合わせて配置されている抵抗膜接触型タッチパネルを制御する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的にユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧する力が弱いと、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗の増加と、両面の抵抗膜フィルムや配線パターンに存在する容量成分との関係により各電極から読み取る電圧波形になまりを生じ、その結果、誤った座標データを検出してしまう可能性がある。
また、タッチパネルは通常ＬＣＤやＣＲＴ等の表示装置に備えられ、表示装置上に「ボタン」画像（アイコン）を表示させ、ユーザがその「アイコン」すなわち「アイコン」表示位置に該当するタッチパネル上の位置を押圧したことを検出して制御されるのが一般的である。この際、通常のプッシュ型スイッチに慣れている一般のユーザにとっては、表示装置上の「アイコン」すなわち表示位置に該当するタッチパネル上の特定位置を、機器提供者（メーカ）が想定する以上の力で押圧することがある。
また、表示装置上の「アイコン」の表示位置は毎回特定の位置であるため、表示装置に配置された抵抗膜接触型タッチパネルも毎回特定の位置を押圧されることになる。このため、抵抗膜接触型タッチパネルのある一部が極端に疲労し、内部構造のマイクロスペーサや抵抗膜そのものを破壊することがある。
このとき、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗は異常に増加し、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているにも関わらず、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間で接触不良が発生してしまうこともある。
【０００３】
この課題に対して、特開２０００−５６９１４公報では、１点を押圧可能な抵抗膜接触型（感圧型）タッチパネルの押圧された点の座標を検出して出力する座標抽出装置において、前記座標の検出前の第１時点に、前記タッチパネルに加えられる第１圧力を測定する第１圧力測定手段と、前記タッチパネル内の押圧された点の座標を検出する座標検出手段と、前記座標の検出後の第２時点に、前記タッチパネルに加えられる第２圧力を測定する第２圧力測定手段と、前記第１および第２圧力に基づき、前記第１時点から前記第２時点までの検出期間内に前記タッチパネルに予め定める基準圧力以上の圧力が加えられているか否かを判断する押下状態判断手段と、前記検出期間内に前記基準圧力以上の圧力がタッチパネルに加えられていると判断された場合だけ、該検出期間内に検出された座標を出力する座標出力手段とを含むことを特徴とする座標抽出装置を開示している。
また、特開２００１−６７１８６公報では、アナログ抵抗膜接触型タッチパネルと、該アナログタッチパネルから出力される電圧をディジタル信号に変換するアナログ−ディジタル変換機（以下、ＡＤ変換器とする）を有する情報制御装置において、意図されない座標データが入力された場合に、入力が想定されている一番近い座標が入力されたものとして、キャリブレーションを行うための画面表示を行うこと無く、自動的にタッチパネルの入力位置を補正するためのキャリブレーションを行うことを特徴とするタッチパネル入力装置を開示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術のうち前者においては、抵抗膜接触型タッチパネルのある一部が極端に疲労し、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗が異常に増加して、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているにも関わらず、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間で接触不良が発生してしまった場合、あくまでもユーザは抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているため、第１時点と第２時点では正常に上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムが接触し、肝心の座標検出時に接触不良が発生しても、エラーと判断できない。
また上記従来技術のうち後者においては、抵抗膜接触型タッチパネルのある一部が極端に疲労し、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗が異常に増加して、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているにも関わらず、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間で接触不良が発生してしまった場合、それに起因する位置ずれは一定の規則性を持つわけではなく、突発的な誤検出情報に従って補正制御（キャリブレーション）を行えば、本来の位置相関を狂わせてしまう。
本発明は、上述の従来技術の課題に鑑みて、抵抗膜接触型タッチパネルのある一部が極端に疲労し、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗が異常に増加して、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているにも関わらず、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間で接触不良が発生してしまった場合とそうでない場合を切り分けて、誤った検出結果を排除することが可能な抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、表示装置に重ね合わせて配置されている抵抗膜接触型タッチパネルを制御する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置において、Ｘ座標、Ｙ座標それぞれ複数のサンプリングデータから平均化して得られる抵抗膜接触型タッチパネルの押圧位置を検出する押圧位置検出手段と、該押圧位置検出手段により前記表示装置上のアイコンが選択されるアイコン選択手段と、を備え、前記押圧位置検出手段により特定した位置情報が前記アイコンの表示領域内部に存在しないときに、位置ずれの方向が電位下降方向であり、且つサンプリングデータのばらつきが大きい場合に、前記抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断することを特徴とする。
請求項２記載の発明は、表示装置に重ね合わせて配置されている抵抗膜接触型タッチパネルを制御する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置において、Ｘ座標、Ｙ座標それぞれ複数のサンプリングデータから平均化して得られる抵抗膜接触型タッチパネルの押圧位置を検出する押圧位置検出手段と、該押圧位置検出手段により前記表示装置上のアイコンが選択されるアイコン選択手段と、を備え、前記押圧位置検出手段により特定した位置情報がアイコンの表示領域内部に存在しないときに、位置ずれの方向が電位下降方向であって、さらにサンプリングデータの平均値との差が最も大きいデータをＸ座標、Ｙ座標それぞれ抽出した結果、いずれも電位下降方向の位置ずれであり、且つ平均値との差が大きい場合に、抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の判断基準による異常判定が所定回数以上発生した場合に、抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を主要な特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１または２記載の判断基準による異常判定が特定時間内に所定回数以上発生した場合に、抵抗膜接触型タッチパネルの故障と判断する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を主要な特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項１〜４の異常判定が為された場合、抵抗膜接触型タッチパネルの故障を外部に通知する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を主要な特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項１の判断基準による異常判定が成立しない場合、キャリブレーションを実行する旨を外部通知する抵抗膜接触型タッチパネル制御装置を主要な特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る抵抗膜接触型タッチパネル制御装置について図面を参照して説明する。図１は本発明に係る抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の一実施例の構成を示すブロック図、図２〜５は図１の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の押圧位置を特定する動作を説明するフローチャートである。
図１において、抵抗膜接触型タッチパネル１は図示しない透明な絶縁物のマイクロスペーサを介して抵抗値の特性が線形（直線性）である２枚の抵抗膜である上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが重ね合わされて構成され、指やペン先等で押圧しない状態では両抵抗膜は接触せず、押圧された状態でその押圧された箇所の重ね合わされた抵抗膜が接触するように構成されている。上部透明抵抗膜２には左右両端にＸ座標軸方向の電極として電極４および電極５を有し、下部透明抵抗膜３には上下両端にＹ座標軸方向の電極として電極６および電極７を有している。電極４および電極５間には内部抵抗Ｒ２を有しており、電極６および電極７間には内部抵抗Ｒ３を有している。
電極４は、タッチパネル制御装置１０が有する電圧印加電源１１とアナログスイッチ１２を介して接続されると同時に、それと並列に検出抵抗１８、アナログスイッチ１６を介して接続されている。電極６は、電圧印加電源１１とアナログスイッチ１３を介して接続されており、電極５および電極７は、電圧印加電源１１の接地電源（ＧＮＤ）とアナログスイッチ１４、１５を介してそれぞれ接続されている。アナログスイッチ１２〜１６はイネーブル信号により接点が開閉し、記憶演算部３０のＩ／Ｏポート３１〜３５により制御される。
【０００７】
Ｉ／Ｏポート３１、３３をイネーブル（Ｌレベル）にするとアナログスイッチ１２、１４の接点が閉じ、上部透明抵抗膜２にはＸ座標軸方向に電圧が印加される。また、Ｉ／Ｏポート３２、３４をイネーブル（Ｌレベル）にするとアナログスイッチ１３、１５の接点が閉じ、下部透明抵抗膜３にはＹ座標軸方向に電圧が印加される。
また、Ｉ／Ｏポート３５をイネーブル（Ｌレベル）に、Ｉ／Ｏポート３１をディスエーブル（Ｈレベル）にするとアナログスイッチ１２の接点が開放され、アナログスイッチ１６の接点が閉じることで電圧印加電源１１の電圧が検出抵抗１８を介して上部透明抵抗膜２上の電極４に印加される。各電極４〜７は更に、タッチパネル制御装置１０が有するボルテージフォロワ回路２０〜２３に接続されている。ボルテージフォロワ回路２０〜２３は、各電極４〜７の電位を電位検出回路４０へほぼ無限大に近い高インピーダンスで出力する。
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電位検出回路４０は、４つのボルテージフォロワ回路２０〜２３の出力からいずれか１つを選択するマルチプレクサ４１とマルチプレクサ４１から出力されるアナログ値の電位をディジタル変換する８ビット分解能のアナログ／ディジタルコンバータ４２から構成されている。記憶演算部３０は、マルチプレクサ４１に接続された２ビットの切り替え信号をＩ／Ｏポート３６、３７から出力し、下表のように設定することにより４つのボルテージフォロワ回路２０〜２３の出力からいずれかを選択して、該当する電極の電位をアナログ／ディジタルコンバータ４２によりディジタル変換して８ビットの電位情報が得られる。
【０００８】
記憶演算部３０は、主にＣＰＵ５１、ＲＡＭ５２、ＲＯＭ５３、データバス５４、ＮＶＲＡＭ５５、アドレスバス（図示しない）、Ｉ／Ｏポート３１〜３７で構成されており、電位検出回路４０から出力される８ビットのディジタル電位情報は、データバス５４を介してＲＡＭ５２に書き込まれる。ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５３に蓄積されているプログラムに基づいて後述する処理を行い、Ｘ座標軸およびＹ座標軸の各座標位置を特定して抵抗膜接触型タッチパネル１の押圧座標位置を算出する。
ＣＰＵ５１が行うＩ／Ｏポート３１〜３７に対する設定は、Ｉ／Ｏポート３１をＬＳＢとする８ビットの処理コマンドで行う。ただし、Ｉ／Ｏポート３７は７ビット目の相当するため、ＭＳＢは常に０とする。（例えば、Ｉ／Ｏポート３１、３３をイネーブル（Ｌレベル）、Ｉ／Ｏポート３２、３４、３５をディスエーブル（Ｈレベル）として、ボルテージフォロワ回路２０を選択するときのＩ／Ｏポート設定コマンドは、ＭＳＢから０００１１０１０となり、１Ａｈとなる。）
【０００９】
次に、抵抗膜接触型タッチパネル１の制御装置の押圧座標位置検出動作について図２〜３を用いて説明する。押圧座標位置検出動作は、
１．押圧検出動作
２．Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作
３．Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作
から構成される。
【００１０】
最初に押圧検出動作について図２を用いて説明する。
ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンドを０７ｈに設定する（Ｓｔｅｐ２１）。これにより、アナログスイッチ１５、１６の接点が閉じ、アナログスイッチ１２〜１４の接点が開放される。また、マルチプレクサ４１の入力としてボルテージフォロワ回路２０が選択され、電極６のアナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２によって８ビットのディジタル電位情報としてデータバス５４に出力される。
抵抗膜接触型タッチパネル１が押圧されない状態では、上部透明抵抗膜２上の電圧はその座標位置に関わらず電圧印加電源１１の電圧となっている。つまり、データバス５４に出力されるディジタル電位情報は、常に２５５である。ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１６の接点切り替えに必要な時間待った後で（Ｓｔｅｐ２２）、データバス５４に出力されるディジタル電位情報を所定のタイミングでポーリングする。抵抗膜接触型タッチパネル１上を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所において重ね合わせた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが接触する。
このとき、電極７は電圧印加電源１１の接地電源（ＧＮＤ）と接続されているため、電極４から押圧点の位置までの距離に対応する上部透明抵抗膜２の内部抵抗値Ｒ２に対する分圧抵抗値と、押圧点の位置から電極７までの距離に対応する下部透明抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ３に対する分圧抵抗値との合成インピーダンスを介して接地される。ここで、検出抵抗１８の値をＲ２、Ｒ３と比較して十分大きくすることでこの合成インピーダンスは無視でき、データバス５４に出力されるディジタル電位情報は、ほぼ０となる。
ＣＰＵ５１は、ポーリングしているデータバス５４に出力されるディジタル電位情報が２５５から０に変化したことを検出して、抵抗膜接触型タッチパネル１の押圧を判断できる。
【００１１】
次に、Ｘ座標軸押圧座標位置検出モードの動作について図３を用いて説明する。
ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンドを７Ａｈに設定する（Ｓｔｅｐ３１）。これにより、アナログスイッチ１２、１４の接点が閉じ、アナログスイッチ１３、１５、１６の接点が開放され、上部透明抵抗膜２にＸ座標軸方向の電圧が印加される。また、マルチプレクサ４１の入力としてボルテージフォロワ回路２３が選択され、電極７のアナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２によって８ビットのディジタル電位情報としてデータバス５４に出力される。
抵抗膜接触型タッチパネル１上を指やペン先等で押圧すると、押圧した箇所において重ね合わせた上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３とが接触する。このとき電圧印加電源１１から電圧が印加されている上部透明抵抗膜２と直交する下部透明抵抗膜３の電極６、７に漏れ電流による電位が検出される。
すなわち、電極４−５間の距離に対する押圧点の位置が、上部透明抵抗膜２の内部抵抗値Ｒ２に対する抵抗分圧値として検出できる。このとき、押圧点の位置から電極７までの距離に対応する下部透明抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ３に対する分圧抵抗値は、ボルテージフォロワ回路２３の入力インピ−ダンスが非常に高いことより無視することができる。
ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１６の接点切り替えに必要な時間待った後で（Ｓｔｅｐ３２）、データバス５４の電位情報を所定回数サンプリングし（Ｓｔｅｐ１１）、得られたデータを平均化することにより（Ｓｔｅｐ１２）、Ｘ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）としてＲＡＭ５２に格納する（Ｓｔｅｐ１３）。平均化の際には、特開平１０−３３３８３５号公報の発明を用いれば、更に精度がアップする。
【００１２】
最後に、Ｙ座標軸押圧座標位置検出モードの動作について図３を用いて説明する。
ＣＰＵ５１は、Ｉ／Ｏポート設定コマンドを５５ｈに設定する（Ｓｔｅｐ４１）。これにより、アナログスイッチ１３、１５の接点が閉じ、アナログスイッチ１２、１４、１６の接点が開放され、下部透明抵抗膜３にＹ座標軸方向の電圧が印加される。また、マルチプレクサ４１の入力としてボルテージフォロワ回路２１が選択され、電極５のアナログ値の電位が、アナログ／ディジタルコンバータ４２によって８ビットのディジタル電位情報としてデータバス５４に出力される。
上述したＸ座標軸押圧座標位置検出モードと同様に、今度は電圧印加電源１１から電圧が印加されている下部透明抵抗膜３と直交する上部透明抵抗膜２の電極４、５に、漏れ電流による電位が検出される。すなわち、電極６−７間の距離に対する押圧点の位置が、下部透明抵抗膜３の内部抵抗値Ｒ３に対する抵抗分圧値として検出できる。
ＣＰＵ５１は、アナログスイッチ１２〜１６の接点切り替えに必要な時間待った後で（Ｓｔｅｐ３２）、データバス５４の電位情報を所定回数サンプリングし（Ｓｔｅｐ１１）、得られたデータを平均化することにより（Ｓｔｅｐ１２）、Ｙ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｙ）としてＲＡＭ５２に格納する（Ｓｔｅｐ１３）。平均化の際には、特開平１０−３３３８３５の発明を用いれば、更に精度がアップする。
また、抵抗膜接触型タッチパネル１はＬＣＤ１００の表示エリア１０１上に重ね合わせて配置されている。ＬＣＤ１００は、ＬＣＤコントローラ１０２で生成した画像データを表示できるようになっている。ＣＰＵ５１は、ＬＣＤコントローラ１０２にアクセスして必要な画像データをＬＣＤ１００に表示する。
【００１３】
ここで、本発明の抵抗膜接触型タッチパネル制御装置が、ＯＡ機器等の操作部として用いられた例について図４を用いて説明する。図１および図４に示すように、左上コーナーが（Ｘ座標電圧，Ｙ座標電圧）＝（５Ｖ，５Ｖ）を示し、右上コーナーが（０Ｖ，５Ｖ）を、左下コーナーが（５Ｖ，０Ｖ）を、右下コーナーが（０Ｖ，０Ｖ）となるように抵抗膜接触型タッチパネル１はＬＣＤ１００の表示エリア１０１上に重ね合わせて配置されている。
すなわち、ＣＰＵ５１は（ＤＡＴＡ＿Ｘ，ＤＡＴＡ＿Ｙ）＝（２５５，２５５）のとき、ＬＣＤの表示エリア１０１の左上コーナーが押圧されたと判断する。同様に（０，２５５）のとき右上コーナー、（２５５，０）のとき左下コーナー、（０，０）のとき右下コーナーが押圧されたと判断する。
ここで、ＬＣＤの表示エリア１０１上にアイコン１０３が表示されている場合について説明する。アイコン１０３の各座標軸上の電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ，ＤＡＴＡ＿Ｙ）を、左上コーナーが（Ｘ２，Ｙ２）、右上コーナーが（Ｘ１，Ｙ２）、左下コーナーが（Ｘ２，Ｙ１）、右下コーナーが（Ｘ１，Ｙ１）とする。
ユーザが、アイコン１０３を押圧した場合、実際にはＬＣＤ表示エリア１０１上に重ね合わせて配置された抵抗膜接触型タッチパネル１のアイコン１０３に対応した位置が押圧されることとなる。抵抗膜接触型タッチパネル１の制御装置は、上述の押圧検出動作、Ｘ座標軸押圧座標位置検出動作、Ｙ座標軸押圧座標位置検出動作を経て２次元押圧座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ，ＤＡＴＡ＿Ｙ）を得る。そして、ＣＰＵ５１は、検出された２次元押圧座標位置と表示エリア１０１上に表示させた画像データ配置とを比較する。
その結果、Ｘ座標に関してＸ２≧ＤＡＴＡ＿Ｘ≧Ｘ１であること、そしてＹ座標に関してＹ２≧ＤＡＴＡ＿Ｙ≧Ｙ１であることを認識する。これにより、特定した２次元押圧座標位置がアイコン１０３を表示させた領域内に位置すること、すなわちユーザがアイコン１０３を押圧（選択）したことを認識して、所定の処理モードに移行する。
もし、取得した２次元押圧座標位置と表示エリア１０１上に表示させた画像データ配置とを比較した結果、その位置にいずれのアイコンも存在しなければ、その押圧を無視する。
【００１４】
このときのボルテージフォロワ回路２０〜２３の出力波形について、図５を用いて説明する。ＣＰＵ５１は、押圧検出動作においてボルテージフォロワ回路２０の出力をポーリングし、データバス５４に出力されるディジタル電位情報が所定のしきい値以下に変化したことを検出して、Ｘ座標軸押圧座標位置検出モードに切り換える。Ｘ座標軸押圧座標位置検出モードでは、ボルテージフォロワ回路２３の出力に相当する電位情報を所定回数サンプリングし、得られたデータを平均化することにより、Ｘ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）として電位Ｘ（Ｘ２≧Ｘ≧Ｘ１）を得る。
次に、モードをＹ座標軸押圧座標位置検出モードに切り換え、ボルテージフォロワ回路２１の出力に相当する電位情報を所定回数サンプリングし、得られたデータを平均化することにより、Ｙ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｙ）として電位Ｙ（Ｙ２≧Ｙ≧Ｙ１）を得る。
ここで、再度押圧検出動作モードに切り換え、ボルテージフォロワ回路２０の出力に相当するディジタル電位情報が所定のしきい値以下の状態を継続していることを確認する。もし、このときのボルテージフォロワ回路２０の出力に相当するディジタル電位情報が２５５であった場合は、一連の座標軸押圧座標位置検出課程において、抵抗膜接触型タッチパネル１への押圧が途中で解除された、すなわちユーザがアイコン１０３の押圧をやめたと判断する。
【００１５】
さて、抵抗膜接触型タッチパネル１のある一部が極端に疲労し、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗が異常に増加した場合について図６を用いて説明する。
接触抵抗が増加した結果、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネル１を押圧しているにも関わらず、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間の接触不良が発生し、結果的に接点が開放してしまった場合、Ｘ座標軸押圧座標位置検出モードにおいて、本来の電位Ｘから開放時の電位であるＧＮＤ電位（０Ｖ）に推移する課程をＸ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）として取り込んでしまう。
同様に、Ｙ座標軸押圧座標位置検出モードにおいては、本来の電位Ｙから開放時の電位であるＧＮＤ電位（０Ｖ）に推移する課程をＹ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｙ）として取り込んでしまう。
すなわち、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間の接触不良によって、本来の座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ，ＤＡＴＡ＿Ｙ）＝（Ｘ，Ｙ）であるのに対して実際に取得した座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ，ＤＡＴＡ＿Ｙ）＝（Ｘ−α，Ｙ−β）となってしまう。
アイコン１０３の各座標電位情報は、Ｘ座標に関してＸ２≧ＤＡＴＡ＿Ｘ≧Ｘ１、Ｙ座標に関してＹ２≧ＤＡＴＡ＿Ｙ≧Ｙ１であり、Ｘ２≧Ｘ≧Ｘ１、かつＹ２≧Ｙ≧Ｙ１であるにも関わらず、Ｘ２≧Ｘ−α≧Ｘ１、かつＹ２≧Ｙ−β≧Ｙ１が成立しなければ、押圧座標位置制御は、その押圧を無視する。
ユーザにとっては、アイコン１０３を押圧しているにも関わらず押圧座標位置制御に押圧を無視されることにより入力が反応しないかのように映り、更に強い力であるいは何回もアイコン１０３を押圧するため、抵抗膜接触型タッチパネル１はますます局所的に疲労し、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗はますます増加するという悪循環に陥ってしまう。
【００１６】
ここで、請求項１に記載する発明について図２、図３および図７、図８を用いて説明する。ＣＰＵ５１は、押圧検出動作においてボルテージフォロワ回路２０の出力をポーリングし、データバス５４に出力されるディジタル電位情報が所定のしきい値以下に変化したことを検出して、Ｘ座標軸押圧座標位置検出モードに切り換える。Ｘ座標軸押圧座標位置検出モードでは、ボルテージフォロワ回路２３の出力に相当する電位情報を所定回数サンプリングし、得られたデータを平均化することにより、Ｘ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ）を得る。このとき、平均化に用いたＸ座標のサンプリングデータはＲＡＭ５２に記録しておく。
次に、モードをＹ座標軸押圧座標位置検出モードに切り換え、ボルテージフォロワ回路２１の出力に相当する電位情報を所定回数サンプリングし、得られたデータを平均化することにより、Ｙ座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｙ）を得る。このとき、平均化に用いたＹ座標のサンプリングデータもＲＡＭ５２に記録しておく。そして、再度押圧検出動作モードに切り換え、ボルテージフォロワ回路２０の出力に相当するディジタル電位情報が所定のしきい値以下の状態を継続していることを確認する。もし、このときのボルテージフォロワ回路２０の出力に相当するディジタル電位情報が２５５であった場合は、一連の座標軸押圧座標位置検出課程において、抵抗膜接触型タッチパネル１への押圧が途中で解除された、すなわちユーザがアイコン１０３の押圧をやめたと判断し、得られた２次元押圧座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ，ＤＡＴＡ＿Ｙ）とともにＲＡＭ５２に記録した各座標のサンプリングデータを破棄する（Ｓｔｅｐ５２）。
ボルテージフォロワ回路２０の出力に相当するディジタル電位情報が所定のしきい値以下の状態を継続している場合には、検出された２次元押圧座標位置と表示エリア１０１上に表示させた画像データ（アイコン１０３）配置とを比較する。その結果、Ｘ座標に関してＸ２≧ＤＡＴＡ＿Ｘ≧Ｘ１であること、そしてＹ座標に関してＹ２≧ＤＡＴＡ＿Ｙ≧Ｙ１であることを認識した場合は（Ｓｔｅｐ５１−Ｙ）、特定した２次元押圧座標位置がアイコン１０３を表示させた領域内に位置すること、すなわちユーザがアイコン１０３を押圧（選択）したことを認識して、所定の処理モードに移行する。この際、得られた２次元押圧座標電位情報（ＤＡＴＡ＿Ｘ，ＤＡＴＡ＿Ｙ）とともにＲＡＭ５２に記録した各座標のサンプリングデータを破棄しても構わない（Ｓｔｅｐ５３）。
もし、取得した２次元押圧座標位置と表示エリア１０１上に表示させた画像データ（アイコン１０３）配置とを比較した結果、Ｘ座標に関してＤＡＴＡ＿Ｘ≧Ｘ２、またはＤＡＴＡ＿Ｘ≦Ｘ１である場合、あるいはＹ座標に関してＤＡＴＡ＿Ｙ≧Ｙ２、またはＤＡＴＡ＿Ｙ≦Ｙ１である場合のいずれかであるときに（Ｓｔｅｐ５１−Ｎ）、その押圧を無視する。
この場合、ＣＰＵ５１は以下の処理を実行する（Ｓｔｅｐ５４）。
まず、アイコン１０３の中心の電位情報を（Ｘ０、Ｙ０）としたときの、Ｘ０−ＤＡＴＡ＿Ｘ、Ｙ０−ＤＡＴＡ＿Ｙを算出する（Ｓｔｅｐ６１）。
【００１７】
ところで、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間の接触不良が発生し、結果的に接点が開放してしまった場合、本来の電位から開放時の電位であるＧＮＤ電位（０Ｖ）に推移する。つまり、電位の推移方向は、ＬＣＤの表示エリア１０１の左上コーナー（５Ｖ，５Ｖ）から右下コーナー（０，０）へ向かうことになる。つまり、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間の接触不良が発生している場合の位置ずれは、Ｘ０−ＤＡＴＡ＿Ｘ＜０、かつＹ０−ＤＡＴＡ＿Ｙ＜０の条件が成立する。
上記条件が成立した場合には（Ｓｔｅｐ６２−Ｙ）、ＲＡＭ５２に記録したＸ座標のサンプリングデータのばらつき（σ＿Ｘ）とＲＡＭ５２に記録したＹ座標のサンプリングデータのばらつき（σ＿Ｙ）を算出し（Ｓｔｅｐ６３）、このばらつきが所定のしきい値よりも大きい場合は（Ｓｔｅｐ６４−Ｙ）、抵抗膜接触型タッチパネル１の一部が極端に疲労し、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗が異常に増加している可能性があると判断する（Ｓｔｅｐ６５）。
【００１８】
次に、請求項２に記載する発明について図７、図９を用いて説明する。上記条件が成立した場合には（Ｓｔｅｐ６２−Ｙ）、ＲＡＭ５２に記録したＸ座標のサンプリングデータの中で、ＤＡＴＡ＿Ｘ、すなわちＸ座標のサンプリングデータの平均値との差が最も大きいデータＸｍａｘを算出する。同様にＲＡＭ５２に記録したＹ座標のサンプリングデータの中で、ＤＡＴＡ＿Ｙ、すなわちＹ座標のサンプリングデータの平均値との差が最も大きいデータＹｍａｘを算出する（Ｓｔｅｐ７１）。
得られたＸｍａｘ、ＹｍａｘがともにＸ０−Ｘｍａｘ＜０、かつＹ０−Ｙｍａｘ＜０の条件を満たしており（Ｓｔｅｐ７２−Ｙ）、Ｘｍａｘ、Ｙｍａｘが所定のしきい値よりも大きい場合は（Ｓｔｅｐ７３−Ｙ）、抵抗膜接触型タッチパネル１の一部が極端に疲労し、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗が異常に増加している可能性があると判断する（Ｓｔｅｐ６５）。
次に、請求項３に記載する発明について図７〜図１０を用いて説明する。上記判断基準（請求項１または請求項２）に基づく判定回数をＮＶＲＡＭ５５に記録し（Ｓｔｅｐ８１）、この判定回数が所定のしきい値以上に達した場合は（Ｓｔｅｐ８２−Ｙ）、抵抗膜接触型タッチパネル１の一部が極端に疲労し、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗が異常に増加している可能性があると判断する（Ｓｔｅｐ６５）。ここでＮＶＲＡＭ５５は不揮発メモリで、タッチパネル制御においてはキャリブレーションの補正データが記録されている。
【００１９】
次に、請求項４に記載する発明について図７〜図９および図１１を用いて説明する。上記判断基準（請求項１または請求項２）に基づく判定をＲＡＭ５２に記録する（Ｓｔｅｐ８１）と同時にタイマー（図示しない）を起動し（Ｓｔｅｐ９１）、一定時間内に上記判断基準が成立した回数をカウントする。このカウント値が所定のしきい値以上に達した場合は（Ｓｔｅｐ９２−Ｙ）、抵抗膜接触型タッチパネル１の一部が極端に疲労し、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗が異常に増加している可能性があると判断する（Ｓｔｅｐ６５）。タイマーの停止は、異常を判定した場合、アイコン１０３の押圧（選択）を認識した場合およびあらかじめ定義した所定時間が経過した場合とする（Ｓｔｅｐ９４）。
次に、請求項５に記載する発明について図１２を用いて説明する。請求項１〜４に記載する制御方法により、抵抗膜接触型タッチパネル１の一部が極端に疲労し、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗が異常に増加している可能性があると判断した場合に、ＣＰＵ５１はＬＣＤＣ１０２を介してＬＣＤの表示エリア１０１上に図１２の例に示すような通知を表示する。
【００２０】
最後に、請求項６に記載する発明について図７、図８および図１３を用いて説明する。請求項１に記載する発明において、取得した２次元押圧座標位置と表示エリア１０１上に表示させた画像データ（アイコン１０３）配置とを比較した結果、Ｘ座標に関してＤＡＴＡ＿Ｘ≧Ｘ２、またはＤＡＴＡ＿Ｘ≦Ｘ１である場合、あるいはＹ座標に関してＤＡＴＡ＿Ｙ≧Ｙ２、またはＤＡＴＡ＿Ｙ≦Ｙ１である場合のいずれかでありながらも（Ｓｔｅｐ５１−Ｎ）、Ｘ０−ＤＡＴＡ＿Ｘ＜０、かつＹ０−ＤＡＴＡ＿Ｙ＜０の条件が成立しない場合（Ｓｔｅｐ６２−Ｎ）、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗による接触不良が起きているわけではない。
また、Ｘ０−ＤＡＴＡ＿Ｘ＜０、かつＹ０−ＤＡＴＡ＿Ｙ＜０の条件が成立したとしても（Ｓｔｅｐ６２−Ｎ）、ＲＡＭ５２に記録したＸ座標のサンプリングデータのばらつき（σ＿Ｘ）とＲＡＭ５２に記録したＹ座標のサンプリングデータのばらつき（σ＿Ｙ）を算出し（Ｓｔｅｐ６３）、このばらつきが所定のしきい値よりも小さい場合は（Ｓｔｅｐ６４−Ｎ）、上部透明抵抗膜２と下部透明抵抗膜３との間に生じる接触抵抗による接触不良が起きているわけではない。
この場合は、キャリブレーションを実行することで、位置ずれを補正できる可能性が高い。したがって、ＣＰＵ５１はＬＣＤＣ１０２を介してＬＣＤの表示エリア１０１上に図１３の例に示すような通知を表示する。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１によれば、抵抗膜接触型タッチパネルのある一部が極端に疲労し、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗が異常に増加して、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているにも関わらず、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間で接触不良が発生してしまった場合とそうでない場合を簡単な制御で切り分けることができる。
請求項２によれば、さらに接触不良の特徴である突発性に着眼し、切り分けの精度を向上することができる。
請求項３によれば、接触不良の特徴である突発性と静電気のようなノイズによる突発性を分離し、切り分けの精度を向上することができる。
請求項４によれば、接触不良発生時のユーザの動向（ユーザにとっては、アイコンを押圧しているにも関わらず押圧座標位置制御に押圧を無視されることにより入力が反応しないかのように映り、何回もアイコンを押圧する）に着眼し、切り分けの精度を向上することができる。
請求項５によれば、上記請求項１〜４の制御により得られた結果から、抵抗膜接触型タッチパネルのある一部が極端に疲労し、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗が異常に増加して、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているにも関わらず、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間で接触不良が発生してしまったと判断した場合には、その旨を通知することで、ユーザの使用環境を常に良好な状態に維持できる。
請求項６によれば、上記請求項１〜４の制御により得られた結果から、抵抗膜接触型タッチパネルのある一部が極端に疲労し、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間に生じる接触抵抗が異常に増加して、ユーザが抵抗膜接触型タッチパネルを押圧しているにも関わらず、上側抵抗膜フィルムと下側抵抗膜フィルムとの間で接触不良が発生してしまった場合ではないと判断した場合には、キャリブレーションを実行することで位置ずれ補正をユーザに促し、ユーザの使用環境を常に良好な状態に維持できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る抵抗膜接触型タッチパネル制御装置の一実施例の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図３】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図４】ＬＣＤの表示エリアとアイコンを示す図である。
【図５】各回路の波形図である。
【図６】各回路の波形図である。
【図７】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図８】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図９】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図１２】ＬＣＤの表示エリアの表示例を示す図である。
【図１３】ＬＣＤの表示エリアの表示例を示す図である。
【符号の説明】
１　抵抗膜接触型タッチパネル
１０　タッチパネル制御装置
５１　ＣＰＵ（制御手段）
１００　ＬＣＤ（表示装置）
１０３　アイコン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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