(57)【要約】【課題】本発明は、多層膜からなる赤外線センサに関するものである。特に、スパッタリングによる酸素の添加率が異なる膜を積層化し、導電率およびサーミスタ定数（以下Ｂ定数）を容易に制御できる多層膜からなるボロメータ型赤外線センサ及びその製造方法に関する。【解決手段】導電率およびサーミスタ定数を制御した各薄膜層からなる多層膜ボロメータ型赤外線センサであって、基板と、スパッタリング方式で前記基板上に多層に成膜させた前記各薄膜層とからなる多層膜と、前記多層膜から得られる所望の導電率とＢ定数とを備えた多層膜からなる赤外線センサ。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電率およびサーミスタ定数を制御した各薄膜層からなる多層膜ボロメータ型赤外線センサであって、基板と、スパッタリング方式で前記基板上に多層に成膜させた前記各薄膜層とからなる多層膜と、前記多層膜から得られる所望の導電率とＢ定数とを備えた多層膜からなる赤外線センサ。
【請求項２】
前記各薄膜層とからなる多層膜のうち、サーミスタ定数の大きい薄膜層を前記基板の最上層に形成させてなる前記請求項１記載の多層膜からなる赤外線センサ。
【請求項３】
前記基板上に形成された電極面上にスパッタリングにより形成された金属酸化物薄膜層と、さらに多層化させて形成された前記薄膜層のうち最上層に上部電極面を形成させてなる前記請求項１又は２記載の多層膜からなる赤外線センサ。
【請求項４】
前記各薄膜層の数が２ないし４層からなる前記請求項１及び３のいずれか記載の多層膜からなる赤外線センサ。
【請求項５】
導電率およびサーミスタ定数を制御した各薄膜層からなる多層膜ボロメータ型赤外線センサの製造方法であって、前記基板上に下部電極面を形成させる工程と、前記電極面にスパッタリングにより金属酸化物薄膜層を形成させる工程と、さらに前記薄膜層上に順次多層となるように各薄膜層を形成させる工程と、前記薄膜層のうち最上層に上部電極面を形成させる工程と、これらから多層膜として前記薄膜層を順次重ねさせ所望の導電率とＢ定数とを制御させる工程とからなる多層膜からなる赤外線センサの製造方法。
【請求項６】
前記各薄膜層の数が２ないし４層からなる多層膜として形成させる前記請求項５記載の多層膜からなる赤外線センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層膜からなる赤外線センサに関するものである。特に、スパッタリングによる酸素の添加率が異なる膜を積層化し、導電率およびサーミスタ定数（以下Ｂ定数）を容易に制御できる多層膜からなるボロメータ型赤外線センサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ボロメータ型赤外線センサは抵抗体の抵抗値が温度により変化する性質を利用した赤外線センサで、白金やニッケル等の感温抵抗素材が使用されてきた。この素材についても多くの開発がなされ機器の小型化により今日ではその種類も多岐にわたるようになった。
【０００３】
このなかで、ボロメータ型赤外線センサは冷却の必要性、波長の依存性がないが、低い感度や熱応答性か遅いといった課題があった。しかしながら、微細加工技術を駆使することで小型で高い断熱構造を実現すれば感度と応答性に優れたボロメータ型赤外線センサが可能との見地から本件発明者等は種々の改良を試みてきた。この結果本発明はスパッタリング技術を利用した多層膜を形成させることでこれら課題を解決したボロメータ型赤外線センサに関するもので、また、その製造方法を提供するものである。
従来、ボロメータ型赤外線センサは産業機械、家電、福祉・医療、セキュリティ分野などの多様な産業分野において広く利用されている。赤外線センサの種類としては半導体型や焦電型も多用されている。しかしながら、これら従来の赤外線センサは冷却機構や波長依存性が課題とされており、さらに機械的チョッパー機構などが必要なため、性能とコストの両立など各々の課題を抱えているのが現状であった。
【０００４】
また、ＩＴ分野等でセンサの需要が高まる中で低コストで高性能な赤外線センサが望まれている。これに対して、赤外線の熱エネルギーを電気的変化としてとらえる抵抗ボロメータ型の赤外線センサは低コスト化の候補として注目されていた。ボロメータ型赤外線センサはアレイ化も可能であることから、汎用性の高い赤外線センサとして期待されている。ただし、ボロメータ型赤外線センサは感度などのセンサ特性が劣るために、この特性向上が大きな課題である。センサ部分を薄膜化することなどでセンサ性能の向上が試みられているが、著しい改善は図られていない。センサ特性に直接関わる薄膜の導電率、サーミスタ定数を同時に制御することがセンサ特性の向上につながるが、従来技術では改善方法は得られていなかった。
【０００５】
近年、センサ部分を薄膜化することなどでセンサ特性の向上が試みられているが、センサとしての特性に直接起因する薄膜の導電率とサーミスタ定数の両者を高感度、小型、低コスト化されたボロメータ型赤外線センサとして成立させることが困難で、これの解決が課題であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では前記課題を解決し、ボロメータ型赤外線センサの性能向上を達成するためのものであって、多層膜からなる赤外線センサに関するものである。特に、スパッタリングによる酸素の添加率が異なる膜を積層化し、導電率およびサーミスタ定数（以下Ｂ定数）を容易に制御できる多層膜からなるボロメータ型赤外線センサ及びその製造方法に関する。この多層膜は、所望の導電率と高いＢ定数を両立させることを可能としたものである。すなわち、導電率が大幅に変化する薄膜材料の性質に注目して、スパッタリングにおける酸素の添加率が異なる膜を積層化する成膜方法を試みた結果、センサ膜全体の導電率を所望の値に制御することができ、かつ赤外線に対する感度が高い条件の薄膜層を最表面に設置することを可能とした。また、スパッタリングにおいて同一バッチで酸素添加量を変化させるだけで極めて容易に多層膜が成膜できるので、高性能なセンサ用薄膜を容易に低コストで形成することができた。
この結果、ＩＴ分野を始め低コストで高性能なニーズを必要とする赤外線温度センサとして多方面への応用が可能となる多層膜からなる赤外線センサ及びその製造方法に関する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は導電率およびサーミスタ定数を制御した各薄膜層からなる多層膜ボロメータ型赤外線センサであって、基板と、スパッタリング方式で前記基板上に多層に成膜させた前記各薄膜層とからなる多層膜と、前記多層膜から得られる所望の導電率とＢ定数とを備えた多層膜からなる赤外線センサにより提供される。
【０００８】
また、前記各薄膜層とからなる多層膜のうち、サーミスタ定数の大きい薄膜層を前記基板の最上層に形成させてなる前記の多層膜からなる赤外線センサにより提供される。
【０００９】
さらに、前記基板上に形成された電極面上にスパッタリングにより形成された金属酸化物薄膜層と、さらに多層化させて形成された前記薄膜層のうち最上層に上部電極面を形成させてなる前記記載の多層膜からなる赤外線センサにより効果的に提供される。
さらにまた、前記各薄膜層の数が２ないし４層からなる前記請求項１及び３のいずれか記載の多層膜からなる赤外線センサにより効果的に提供される。
【００１０】
本発明の製造方法として、導電率およびサーミスタ定数を制御した各薄膜層からなる多層膜ボロメータ型赤外線センサの製造方法であって、前記基板上に下部電極面を形成させる工程と、前記電極面にスパッタリングにより金属酸化物薄膜層を形成させる工程と、さらに前記薄膜層上に順次多層となるように各薄膜層を形成させる工程と、前記薄膜層のうち最上層に上部電極面を形成させる工程と、これらから多層膜として前記薄膜層を順次重ねさせ所望の導電率とＢ定数とを制御させる工程とからなる多層膜からなる赤外線センサの製造方法により提供される。
また、前記各薄膜層の数が２ないし４層からなる多層膜として形成させる前記の多層膜からなる赤外線センサの製造方法により効果的に提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、具体的に発明の実施の形態について説明する。図面を参照して説明すると、図１は本発明の赤外線センサの要部側面図であり、図の左が赤外線センサ全体の要部側面図、図の右が赤外線センサのうち、センサ膜１を薄膜層で多層化させた状態を示したものである。基板３に形成された下部電極２にセンサ膜１をニッケル（Ｎｉ）とクロム（Ｃｒ）原子を含む金属酸化物（ＮｉＯ−Ｃｒ２Ｏ３）ターゲットを用いて、スパッタリング法により、基板３上に金属酸化物薄膜を成膜させるものである。このスパッタはプラズマ内のイオンが金属酸化物ターゲット近傍の陰極降下により加速されターゲットに衝突してターゲット原子をたたき出し、前記原子が基板３上に付着して薄膜層が形成される。
【００１２】
また、センサ膜１には上部電極４を形成させている。図１の右ではセンサ膜１を多層化させた多層膜を拡大させた要部側面図で、基板３側から薄膜層５ないし７と表示されている多層膜からなるセンサ膜１は薄膜層１、薄膜層２及び薄膜層３の３薄膜層により形成されている。センサ膜１は薄膜層の数が複数であればよく後述するセンサの特性を厳密な制御をする上で、２ないし５薄膜層、望ましくは２ないし４薄膜層程度が製造面でも望ましい。本発明では３薄膜層で試作した。ここで、センサの特性を厳密な制御として必要なパラメータは温度測定においては使用温度領域での赤外線センサの抵抗値、Ｂ定数、感度、熱応答速度等である。
【００１３】
ここで、用いられる基板として必要な特性は、センサの特性面でのスパッタ薄膜との熱膨張率の差異がないこと、経時的な安定性があり、低コストであり、製造の容易さ等から、シリコンウェハ、アルミナ・ガラス基板等を使用することができる。本発明ではシリコンウェハを使用し、大きさは赤外線センサとしては、厚さ０．３ｍｍ、長さ３．０ｍｍ、幅３．０ｍｍに仕上げた。また、高速な熱応答性を持つ赤外線センサを得るためには、基板の形状に大きく依存することから、熱容量の小さなものの使用が望ましく、現在使用されている基板技術、ＬＳＩ製造技術のほか、今後の超ＬＳＩ技術での製造手段等の適用を否定するものではない。同様、センサ部分とともに小型化、量産性、用途による利用しやすい形状の選定も重要である。
【００１４】
また、スパッタ装置としては、基本構成としてバッチ式、連続処理の可能なイン・ライン式、カセット・ツー・カセット式、ロードロック式が使用でき、本発明ではバッチ式スパッタ装置によった。装置内部は基板３用ホルダー（センサ用としての基板は個々のセンサに切り出されるが、説明の都合上個々のセンサとして処理の状態で説明する。）に載置した基板３、その上の図示しないシャッター、ターゲット等を備えた真空容器でスパッタ作業が実施される。排気系として粗引き用のロータリーポンプ、主排気に油拡散ポンプ、さらに真空度を上げるクライオ・ポンプ等の併用により排気効率及び真空度を制御するとともにガイスラー管、ＢＡゲージにより真空度が測定される。
【００１５】
真空容器内のいわゆるスパッタ室はカソード電極、基板ホルダー、シャツターからなり、スパッタリングとしてのターゲットが基板ホルダーに対向した位置に側面から見て平行に配置されている。スパッタリングには高周波スパッタが実施される（１３．５６ＭＨｚ、４００Ｗ）。スパッタリングは基板のセッティング、排気加熱、スパッタリング、冷却等を一連で行うバッチ式で実施した。
【００１６】
以下本発明にしたがって赤外線センサの製造方法につき述べる。
本発明の基本的な考え方は次の通りである。
スパッタガスとしてアルゴンと酸素雰囲気中で成膜を行うと、スパッタリングで形成したセンサ膜は酸素の添加率によって薄膜の導電率が１．７×１０−９から５．２×１０（Ｓ／ｃｍ）の範囲で大幅に変化する。この関係を表１に示した。
【００１７】
【表１】
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【００１８】
また、Ｂ定数についても−４１０〜４１００Ｋの範囲で変化することが実験的に確かめられた。導電率が高くなるとＢ定数は低下する傾向になり、導電率が低くなると逆にＢ定数は上昇する傾向になることも確認された。この傾向を示したのが図２である。図２は左縦軸が導電率、右縦軸がＢ定数、横軸が酸素ガスとアルゴンガスのうち酸素ガス流量比（０２／（０２＋Ａｒ））（％）である。ガス流量の測定はマスフローコントローラにより、導電率の測定値は３０℃でのデータである。酸素ガス流量比が０％で導電率は最小、すなわち絶縁体に近く、２０％でピークとなりかなり抵抗値が小さな薄膜が得られ、その後低下し５０％を超えると導電率が上がる傾向が確認された。
【００１９】
一方このときのＢ定数は０％付近で最大の負の温度係数（４１００Ｋ）、すなわち抵抗温度変化率が最大付近となり、２０％前後から３０％台では正の温度係数となり、温度上昇に伴い抵抗値が増加する領域となっている。さらに、３５％以降は負の温度係数に戻り、Ｂ定数が１５００Ｋでピークとなり一般的なサーミスタ抵抗体と類似したレベルである。さらに１００％程度で１０００Ｋと下がる傾向が確認された。
【００２０】
この結果、薄膜層を酸素ガス流量比の酸素添加率を制御することで導電率、Ｂ定数が決定されることが理解されよう。しかしながら、大きなＢ定数で低い抵抗体を得るには前記説明からも容易に製造することが困難で、これの解決に課題が残った。このため、本発明者等は鋭意努力の結果、膜を多層化することで、所望の導電率、Ｂ定数を得ることが可能ではないか、赤外線検出表面部分にはＢ定数を大きく、すなわち感度を上げ、薄膜層を薄くすることで抵抗値を下げれば、導電率が低い（抵抗値が高くなる）領域でも製造可能ではないかとの解決手段を見出した。一方、赤外線検出表面部分より奥の層はＢ定数が小さく、すなわち感度が鈍く、薄膜層を厚くしても抵抗値は余り上がらない、いわば薄膜強度の向上及びセンサ抵抗値の調整に好適な領域といった発想を取り入れることにした。
このように、導電率、Ｂ定数の酸素添加率依存性に着目して、多層化の組み合わせは、センサ素子の設計に際して基本的な考え方と理解されよう。
【００２１】
したがって、この傾向を利用する方法として、赤外線センサにより必要な、導電率及びＢ定数の値を薄膜層の積層化で、薄膜層１から薄膜層ｎ（ｎは有限な数十を超えるものでも可能で制限はないが、実際上はせいぜい２〜６の範囲での製造がコスト的に適当である。）の間で各薄膜層に対するスパッタリングの程度を酸素添加率と薄膜層の厚さを設定することで解決した。なお、当然ながら、スパッタリングされる金属の種類を適宜選択することで本発明の変更が可能でありそれらを除外するものではない。
【００２２】
これらの薄膜層の形成は広い範囲でこの２つの導電率、Ｂ定数パラメータを任意に設定でき、また、製作された赤外線センサの経時変化を少ない良好な赤外線センサとすることもできた。
アルゴンガスを使用した理由はスパッタ率が高いこと、空気中に１％程度含まれ、安価に利用可能からもスパッタ装置に多く利用されている。これに酸素と併用し試作した。
例えば、酸素の流量比率が５％、（０２／（０２＋Ａｒ））＝０．５／９．５ｓｃｃｍ（（ＳＩ単位記載で８．３３５×１０−９／１．５８４×１０−７ｍ３／Ｓ（１気圧））の条件で形成した薄膜の上下に酸素流量比率が０％の薄膜を積層することで、所望の導電率で高いＢ定数（４１００Ｋ）を有する薄膜を形成することができる。
【００２３】
多層膜からなる赤外線センサ素子の抵抗値の算出例を図４に示した。ここでは多層膜が３層の例を示した。図４において、各薄膜層の膜厚をＬ１〜Ｌ３、各層の導電率をσ１〜σ３、センサ膜部の面積をＳとすると多層センサ膜の抵抗値は図４の式１で示される。この関係を踏まえて、後述する実施例で表２に各実施例の条件で多層膜を形成し、このセンサ素子の抵抗値として算出した。その結果、センサ素子形状直径１．５ｍｍの円盤形例では、抵抗値が４．２８×１０５〜０．７４７（Ω）まで大きく変化していることが分かる。なお、これらに条件の膜厚範囲としては１．６７５〜１．７３０μｍである。すなわち、センサ膜の膜厚を大きく変えることなく、センサ素子の抵抗値が制御できることが確認された。
【００２４】
【実施例】
（１）多層薄膜の積層化方法
前記記載に従い以下多層薄膜の積層化方法を説明する。スパッタリングの成膜時に、アルゴンに対する酸素の添加率を可変することで行った。具体的には、スパッタリング装置付属のマスフローコントローラーで、指定された時間に酸素とアルゴンガスの流量を可変するのみで可能とした。それ以外の形成条件は一定のままで成膜を行った。すなわち、多層化は極めて簡単な成膜方法で達成されることになった。
【００２５】
（２）アルゴンガスに対する酸素の添加率の範囲
スパッタガスとしてアルゴンと酸素雰囲気下で行い、成膜の程度と導電率及びＢ定数のパラメーター範囲を定め具体的なガス添加率としては以下の実験でその程度につき確認を行った。
実験からアルゴンに対する酸素の添加率の範囲は、０〜１００（％）（全範囲）で、そのガス流量は酸素が０〜１０（ｓｃｃｍ）、アルゴンが１０〜０（ｓｃｃｍ）である。成膜は酸素の添加率が少ない条件（０，２，５（％）など）で重点的に行った。なお、表１には各膜の導電率、Ｂ定数、成膜速度、膜厚（１２０分成膜時）の条件も示してある。その他の形成条件としては、スパッタリング成膜において、スパッタガス圧力０．５Ｐａ、高周波出力（ＲＦ出力）４００Ｗ、基板加熱温度４００℃、ターゲット−基板間距離５５ｍｍで成膜実験を行った。図３は成膜速度に及ぼす酸素添加率の影響を示したものである。これによれば、例えば酸素添加率が２０％の膜では、成膜速度が０．０１３３（μｍ／ｍｉｎ）であり、２分で０．０２６６、１２０分では１．６μｍの厚さの膜が形成されることが示されている。実施例では、３つの層により多層膜を形成させた。以下各実施例１〜４の条件を表２に示した。
【００２６】
【表２】
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【００２７】
【実施例１】このときの酸素添加率を以下に示す。すなわち、薄膜層１（下層）は０％→薄膜層２（中層）は５％→薄膜層３（上層）は０％で可変とした。薄膜層の膜厚は、０．０７８μｍ、１．６μｍ、０．０５２μｍとなった。この結果、全膜厚は１．７３μｍとなる。このときのセンサ素子の抵抗値は０．４２８ＭΩであった。なお、それぞれの層の導電率（Ｓ／ｃｍ）は、１．７１×１０−９（Ｓ／ｃｍ）→１．９８×１０−３→１．７１×１０−９となった。一方、それぞれの層のＢ定数（Ｋ）は、４１１０→２３００→４１１０となった。
なお、Ｂ定数の計算は３０℃〜２２７℃間での計算値である。
【００２８】
【実施例２】実施例１の方法と同様で酸素添加率を薄膜層１（下層）のみ２％で実施した。全膜厚は１．６７１μｍとなり、センサ素子の抵抗値は８５．４そΩであった。
【実施例３】実施例２の方法と同様で酸素添加率を薄膜層３（上層）のみ２％で実施した。全膜厚は１．６７５μｍとなり、センサ素子の抵抗値は５．３２Ωであった。
【００２９】
【実施例４】実施例３の方法と同様で酸素添加率を薄膜層３（中層）のみ２０％で実施した。全膜厚は１．６７５μｍとなり、センサ素子の抵抗値は０．７４７Ωであった。
【００３０】
この結果、センサ形態に依存した素子の抵抗値が決定され、実施例１では４２８ｋΩのセンサ素子が得られた。一般的に赤外線温度センサ素子の回路設計値としては５００ｋΩ程度の値が望ましいとされている。したがつて、センサ特性の向上に多層膜方法を形成することで温度計測回路の設計上に十分対応可能な抵抗値領域の確保ができた。付言すると、このセンサ素子の設計においては、必要とするＢ定数及び２５℃での抵抗値によりある範囲内で赤外線センサが製造できることがわかった。また、これらを温度センサとしての極めて小型サイズながら、簡単な回路構成によって、高精度な赤外線温度センサを容易に取得できることがわかった。多層化数の程度はセンサ膜厚を大きく変化させることなく、素子の抵抗値を制御できることも判明した。
【００３１】
評価方法
実施例１ないし４について、多層膜からなる赤外線センサの各特性は次により測定した。まず、導電特性は、処理後２時間以上経過した試料を、センサの抵抗測定用としてＫＥＩＴＨＬＥＹ社製ピコアンメータ（型式４８７）を用いて測定した。
また、センサ膜構造の評価はＸ線回折法により結晶構造を求めた。走査型電子顕微鏡（日本電子（株）製、型式ＪＳＭ−６４００、倍率１０，０００倍、加速電圧１５ｋＶで試料サイズ３．０ｍｍ角で全領域観察測定）によるセンサ膜断面観察を実施した。その結果膜欠陥は見られず良好であった。スパッタリングの基板面と薄膜層間の付着状態はテープテストでも剥離がなく、現象としてはセンサ薄膜と基板との間にいわゆる中間層が形成されたことにより安定度の高い赤外線センサが得られた。
つぎに、Ｂ定数の測定は次によった。赤外線センサを恒温槽（（株）カトー製ＳＳＥ−７５ＰＲＯ−Ｗ）に入れ、前記ピコアンメ一夕を用いて１０℃から８０℃まで温度を変化させた時の抵抗値を測定した。温度測定はセンサ付近に熱電対を配置し、データーロガー（（株）アドバンテスト製Ｒ７３２６Ｂ）で行った。印加電圧は自己加熱による抵抗の減少が起きないように消費電力が０．１ｍＷ以下となる電圧とした。横軸に絶対温度の逆数をとり、縦軸に抵抗値の自然対数をとったグラフに測定データをプロットした。プロットした点を用いて最小二乗法によって直線を引き、その傾きからＢ定数を求めた。
【００３２】
【発明の効果】
以上本発明により成膜途中に酸素添加率を可変し、この成膜時間を制御して特性が異なる多層膜とするセンサ技術を開発した。これにより、センサ膜全体の導電率を所望の値に設定し、かつＢ定数を向上させることができ、ボロメータ型赤外線センサの性能向上が図られた。
【００３３】
本発明に係る多層膜の成膜方法は、スパッタリングにおける酸素の添加率が異なる膜を積層化した多層膜とすることにより、膜全体の導電率を所望の値に制御することができ、かつＢ定数の高い薄膜層を最表面に設置することができるので、熱型センサの感度や応答性の特性向上を図ることができる。また、スパッタリングにおいて同一バッチで酸素添加量を変化させるだけで極めて容易に多層膜が成膜可能であるので、高性能なセンサ用薄膜を容易に形成することができる。
【００３４】
赤外線の熱エネルギーを電気的変化としてとらえるボロメータ型赤外線センサに用いるセンサ膜に対して、膜厚の範囲の選択性に余裕を持たせる方法として酸素添加率でコントロールして多層に積層する手法を取り入れた。したがって、スパッタリングで形成したセンサ膜を酸素添加率で簡易に操作することができ、任意の導電率、Ｂ定数を大幅に制御可能とした。具体的には、酸素添加率を可変可能とし、この成膜時間を制御して所期の特性を得るために異なる層を重ねる技術からなる。これにより、高導電率層と高いＢ定数層を併せ持つ多層膜を得ることができた。すなわち、センサ膜全体の導電率を所望の値に設定し、かつＢ定数を向上させることができ、ボロメータ型赤外線センサの性能向上が図られた。従来のボロメータ型赤外線センサの欠点であった感度、熱応答性をこの発明により解決でき、波長依存性がなく冷却不要な優れた特長とを併せて達成できたため、汎用性の高い赤外線センサとして利用されることが大いに期待でき、応用範囲を広げられた。
【００３５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の赤外線センサの要部側面図。図の左が赤外線センサ全体の要部側面図、図の右が赤外線センサのうち、センサ膜１が薄膜層で多層化された状態を示した要部側面図。
【図２】導電率、Ｂ定数に及ぼす酸素添加率を変化させた状態図。
【図３】成膜速度に及ぼす酸素添加率を変化させた状態図。
【図４】多層膜からなる赤外線センサ素子の抵抗値の算出例を示した図。
【符号の説明】
１　　赤外線センサ膜
２　　下部電極
３　　基板
４　　上部電極
５　　薄膜層１
６　　薄膜層２
７　　薄膜層３
８　　赤外線の入射方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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