(57)【要約】【課題】処理液の使用量を抑制でき、さらに処理速度の向上を図ることのできる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】ウエハＷを水平に対して所定角度で傾斜した状態に保持する傾斜保持チャック１と、傾斜保持チャック１に保持されたウエハＷを収容可能な処理液貯留槽２とが備えられている。処理液貯留槽２の内部には、Ｏリング２６が配置されていて、このＯリング２６が傾斜保持チャック１に保持されたウエハＷの下面周縁部に密着して、ウエハＷと処理液貯留槽２の内面との間がシールされることにより、ウエハＷの処理対象面上の空間２７のみに処理液を溜めることができる。ウエハＷの処理時には、ウエハＷの処理対象面上に処理液が溜まった状態で、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２が鉛直軸線まわりに回転される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理液を貯留する液貯留槽と、
この液貯留槽内に処理液を供給する液供給手段と、
上記液貯留槽内において基板を保持する基板保持手段と、
この基板保持手段を基板の表面に対して斜めに交差する方向に延びた軸線まわりに回転させる回転手段と
を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記回転手段は、上記基板保持手段とともに上記液貯留槽を上記軸線まわりに回転させるものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記回転手段は、上記基板保持手段に保持された基板の表面に対して斜めに交差する方向に延びるとともに、当該基板の中心から偏心した位置を通る軸線まわりに上記基板保持手段および液貯留槽を回転させるものであることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記基板保持手段は、上記液貯留槽内に設けられていて、基板の周縁部を支持するとともに、当該基板の周縁部と上記液貯留槽の内面との間をシールする環状のシール部材を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記シール部材は、基板を水平に対して傾斜した状態で支持するものであることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記液供給手段は、上記シール部材に支持された基板の表面に処理液を供給するものであることを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記基板保持手段は、基板を保持するための基板保持面を有するチャックを含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
上記基板保持面は、水平に対して傾斜していることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
上記チャックと上記液貯留槽とを相対的に移動させて、上記基板保持面を上記液貯留槽の内部と外部との間で移動させる移動手段をさらに含むことを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
上記回転手段を制御して、上記基板保持手段の回転速度を第１の速度とこの第１の速度よりも低速な第２の速度とに変化させる回転速度制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板を処理するための処理液を液貯留槽に貯留する処理液貯留工程と、
上記液貯留槽内において、基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、
この基板保持工程の後、上記基板保持手段を基板の表面に対して斜めに交差する方向に延びた軸線まわりに回転させる回転工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基板に処理液を用いた処理を施すための装置および方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、基板に処理液（薬液または純水）を供給して基板の表面処理を行うための基板処理装置が用いられる。基板を１枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置では、たとえば、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックが備えられていて、このスピンチャックによって基板が水平面内で回転される一方で、その基板の表面に処理液が供給されることにより、基板の表面に処理液による処理が施される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
基板の表面に供給された処理液は、基板の表面上を周縁部に向けて流れ、周縁部から外方へ飛散または下方へ流下する。このため、基板の表面が十分に処理されるまで、基板の表面に処理液を供給し続けなければならず、１枚の基板の処理に多量の処理液が必要であった。
この課題に対して、たとえば、基板を停止させた状態でその基板の表面に処理液を供給して、基板上に処理液を溜め（液盛り）、その基板上の処理液で基板の表面を処理する構成が考えられる。しかし、この構成では、基板の表面に接している処理液が入れ替わらないので、処理の進行（処理速度）が遅いという新たな問題を生じる。
【０００４】
そこで、この発明の目的は、処理液の使用量を抑制でき、さらに処理速度の向上を図ることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を処理するための処理液を貯留する液貯留槽（２）と、この液貯留槽内に処理液を供給する液供給手段（３，４）と、上記液貯留槽内において基板を保持する基板保持手段（１，２６）と、この基板保持手段を基板の表面に対して斜めに交差する方向に延びた軸線まわりに回転させる回転手段（２５）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【０００６】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、基板を処理するための処理液を液貯留槽内に溜めることができ、基板は、その液貯留槽内に溜められた処理液による処理を受ける。ゆえに、水平面内で回転するウエハの表面に処理液を供給し、その処理液をウエハの周縁部から外方へ飛散または下方へ流下させる構成の従来装置に比べて、処理液の使用量を大幅に低減させることができる。
【０００７】
また、基板保持手段を基板の表面に対して斜めに交差する方向の軸線まわりに回転させることにより、基板がその軸線に対して傾斜した状態で回転されるので、液貯留槽内の処理液が基板によって攪拌される。この処理液の攪拌により、基板に接している処理液が常に入れ替わるので、液貯留槽内で基板を水平に保持して鉛直軸線まわりに回転させる場合に比べて、基板に対する処理を速く進行させることができる。
【０００８】
なお、請求項２に記載のように、上記回転手段は、上記基板保持手段とともに上記液貯留槽を上記軸線まわりに回転させるものであってもよい。この場合には、請求項３に記載にように、上記回転手段は、上記基板保持手段に保持された基板の表面に対して斜めに交差する方向に延びるとともに、当該基板の中心から偏心した位置を通る軸線まわりに上記基板保持手段および液貯留槽を回転させるものであってもよく、そのような軸線まわりに基板保持手段および液貯留槽を回転させることによっても、液貯留槽内の処理液を攪拌することができる。
【０００９】
請求項４記載の発明は、上記基板保持手段は、上記液貯留槽内に設けられていて、基板の周縁部を支持するとともに、当該基板の周縁部と上記液貯留槽の内面（２１，２２）との間をシールする環状のシール部材（２６；７）を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板の周縁部と液貯留槽の内面との間がシール部材でシールされる。
【００１０】
ゆえに、請求項５に記載のように、上記シール部材が基板を水平に対して傾斜した状態で支持するものであり、さらに請求項６記載のように、上記液供給手段が上記シール部材に支持された基板の表面に処理液を供給するものであれば、基板の表面上に処理液を溜めることができ、その表面上に溜まった処理液を基板の回転により攪拌することができる。ゆえに、基板の裏面側まで処理液を溜める場合よりもさらに処理に必要な処理液の量を減らすことができ、少ない処理液で基板の表面に良好な処理を施すことができる。
【００１１】
また、請求項７に記載のように、上記基板保持手段は、基板を保持するための基板保持面を有するチャックをさらに備えていてもよい。このチャックを備える場合、請求項８に記載のように、上記基板保持面を水平に対して傾斜させてもよく、こうした場合には、たとえば、チャックを鉛直軸線まわりに回転させることによって、基板をその表面に対して斜めに交差する方向の軸線まわりに回転させることができ、液貯留槽内に溜まった処理液を基板で攪拌することができる。
【００１２】
請求項９記載の発明は、上記チャックと上記液貯留槽とを相対的に移動させて、上記基板保持面（１２１）を上記液貯留槽の内部と外部との間で移動させる移動手段（２４）をさらに含むことを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置である。
この発明によれば、チャックと液貯留槽とを相対的に移動させることにより、チャックに保持された基板を液貯留槽内に入れたり、液貯留槽から出したりすることができる。
【００１３】
請求項１０記載の発明は、上記回転手段を制御して、上記基板保持手段の回転速度を第１の速度とこの第１の速度よりも低速な第２の速度とに変化させる回転速度制御手段（５）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置である。
この発明によれば、基板保持手段の回転速度が第１の速度と第２の速度との間で加減速される。この加減速の際に基板と処理液との相対的な位置ずれが生じるので、基板に接している処理液の入れ替えをより良好に達成することができ、基板に対する処理をさらに速く進行させることができる。
【００１４】
請求項１１記載の発明は、基板を処理するための処理液を液貯留槽に貯留する処理液貯留工程と、上記液貯留槽内において、基板保持手段によって基板を保持する基板保持工程と、この基板保持工程の後、上記基板保持手段を基板の表面に対して斜めに交差する方向に延びた軸線まわりに回転させる回転工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法である。
この方法によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図である。この基板処理装置は、基板の一例である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗに対して処理液による表面処理を施すための装置であり、ウエハＷを水平に対して所定角度（たとえば、１〜３０度、好ましくは１〜５度）傾斜した状態で保持する傾斜保持チャック１と、傾斜保持チャック１に保持されたウエハＷを収容可能な処理液貯留槽２と、処理液貯留槽２に処理液としての薬液および純水をそれぞれ供給するための薬液ノズル３および純水ノズル４とを備えている。
【００１６】
ウエハＷに対する表面処理は、ウエハＷの表面を薬液および純水で洗浄する洗浄処理であってもよく、この場合、たとえば、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）やＳＣ２（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）等を薬液に用いることができる。また、ウエハＷに対する表面処理は、ウエハＷの表面に形成されている不要な薄膜を除去するためのエッチング処理であってもよく、この場合、たとえば、フッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、クエン酸、蓚酸、ＴＭＡＨ等を薬液に用いることができる。
【００１７】
傾斜保持チャック１は、ほぼ鉛直な軸線まわりに回転可能に設けられたチャック軸１１と、このチャック軸１１の上端に固定されたチャックベース１２とを備えている。チャック軸１１は、たとえば、筒状に形成されることによって吸気路１１１を内部に有している。一方、チャックベース１２は、上面が水平に対して上記所定角度で傾斜したウエハ保持面１２１となっており、内部には、ウエハ保持面１２１に形成された吸着口に連通した吸気路１２２が形成されている。そして、吸気路１２２は、チャック軸１１内の吸気路１１１と連通している。この構成により、ウエハ保持面１２１上にウエハＷを載置した状態で、吸気路１１１および吸気路１２２の内部を排気することにより、ウエハＷを、ウエハ保持面１２１に真空吸着させて、水平に対して上記所定角度で傾斜した状態に保持することができる。
【００１８】
処理液貯留槽２は、傾斜保持チャック１に傾斜した状態に保持されたウエハＷの外形（鉛直上方から見た形状）に対応した楕円筒面２１と、この楕円筒面２１の下方を閉塞する底面２２とを有している。底面２２には、ほぼ中心に軸挿通口２２１が形成されており、処理液貯留槽２は、その軸挿通口２２１および軸挿通口２２１の周囲から鉛直下方に延びた筒状の貯留槽軸２３を挿通するチャック軸１１に対して昇降可能に設けられている。貯留槽軸２３には、処理液貯留槽２をチャック軸１１（傾斜保持チャック１）に対して昇降させるための昇降駆動機構２４が結合されている。
【００１９】
また、貯留槽軸２３には、処理液貯留槽２を貯留槽軸２３の中心軸線（鉛直軸線）まわりに回転させるための回転駆動機構２５が結合されている。一方、貯留槽軸２３とチャック軸１１との間には、貯留槽軸２３とチャック軸１１との相対的な回転を禁止する機構（図示せず）が設けられている。これにより、回転駆動機構２５から貯留槽軸２３に回転力が入力されると、貯留槽軸２３とともにチャック軸１１が回転し、傾斜保持チャック１と処理液貯留槽２とが一体となって、共通の鉛直軸線まわりに回転する。
【００２０】
処理液貯留槽２の内部には、Ｏリング２６が配置されている。このＯリング２６は、楕円筒面２１と底面２２とに跨って、Ｏリング２６を含む平面が水平に対して上記所定角度で傾斜するように設けられており、処理液貯留槽２が最上方に位置したときに、傾斜保持チャック１に保持されたウエハＷの下面周縁部に密着して、ウエハＷと処理液貯留槽２の内面との間をシールする。これにより、処理液貯留槽２内は、ウエハＷの上方の空間２７と下方の空間２８とに隔絶され、薬液ノズル３または純水ノズル４から薬液または純水が供給されると、その供給された薬液または純水はウエハＷの上方の空間２７のみに溜まる。
【００２１】
ウエハＷの上方の空間２７に溜まった薬液または純水は、処理液貯留槽２を下降させることにより排出することができる。すなわち、ウエハＷの上方の空間２７に薬液または純水が溜まった状態から、処理液貯留槽２を下降させると、ウエハＷからＯリング２６が離間し、薬液または純水が、そのウエハＷとＯリング２６との間を通ってウエハＷの下方へと流れ込む。処理液貯留槽２の底面２２には、排液口２２２が形成されており、ウエハＷの下方へ流れ込んだ薬液または純水は、その排液口２２２から処理液貯留槽２外へ排出される。
【００２２】
薬液ノズル３には、薬液供給管３１が接続されており、この薬液供給管３１から薬液が供給されるようになっている。薬液供給管３１の途中部には、薬液ノズル３からの薬液の吐出を制御するための薬液バルブ３２が介装されている。また、純水ノズル４には、純水供給管４１が接続されており、この純水供給管４１から純水が供給されるようになっている。純水供給管４１の途中部には、純水ノズル４からの純水の吐出を制御するための純水バルブ４２が介装されている。
【００２３】
この基板処理装置はさらに、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置５を備えている。制御装置５は、ウエハＷの処理のために、予め定められたプログラムに従って、昇降駆動機構２４および回転駆動機構２５の動作を制御し、また、薬液バルブ３２および純水バルブ４２の開閉を制御する。
図２は、ウエハＷの処理時における各部の動作を説明するための図解図である。ウエハＷの処理に際して、ウエハＷは、図２（ａ）に示すように、ロボットアーム６によって搬入されてきて、傾斜保持チャック１に処理対象面を上に向けて受け渡される。このとき、ウエハＷの受渡しが良好に行われるように、処理液貯留槽２は下方に待避して、傾斜保持チャック１のチャックベース１２が処理液貯留槽２の外へ出ている。
【００２４】
なお、図２（ａ）では、ロボットアーム６は、ウエハＷを水平に対して上記所定角度で傾斜させた状態で保持しているが、ウエハＷをほぼ水平に保持する構成のものであってもよい。
傾斜保持チャック１にウエハＷが保持されると、図２（ｂ）に示すように、処理液貯留槽２が上昇されて、ウエハＷが処理液貯留槽２内に収容される。その後、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転が開始され、さらに、薬液ノズル３から処理液貯留槽２への薬液の供給が開始される。図２（ｃ）に示すように、処理液貯留槽２に供給された薬液は、ウエハＷの処理対象面上に溜まっていき、ウエハＷの処理対象面上に所定量の薬液が溜まると（予め定める供給時間だけ薬液の供給が続けられると）、薬液ノズル３からの薬液の供給が停止される。薬液の供給停止後も、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転は続けられる。
【００２５】
ウエハＷの処理対象面は、その処理対象面上に溜まった薬液による処理を受ける。ゆえに、水平面内で回転するウエハの表面に薬液を供給し、その薬液をウエハの周縁部から外方へ飛散または下方へ流下させる構成の従来装置に比べて、薬液の使用量を大幅に低減させることができる。
処理液貯留槽２への薬液の供給開始からウエハＷの処理対象面の薬液処理に十分な時間が経過すると、薬液による処理工程は終了となり、図２（ｄ）に示すように、処理液貯留槽２が下降されて、処理液貯留槽２内の薬液が排液口２２２から排出される。
【００２６】
その後、処理液貯留槽２が再び上昇されて、傾斜保持チャック１に保持されたウエハＷが処理液貯留槽２内に収容されると、純水ノズル４から処理液貯留槽２への純水の供給が開始される。純水処理時の動作は、上述の薬液処理時の動作と同様であり、ウエハＷの処理対象面上に所定量の純水が溜まると、純水ノズル４からの純水の供給が停止される。そして、処理液貯留槽２への純水の供給開始から純水処理に十分な時間が経過すると、処理液貯留槽２が下降されて、処理液貯留槽２内の純水が排出される。
【００２７】
純水による処理の終了後、予め定める乾燥時間が経過するまで、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転は続けられて、ウエハＷの表面に付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させる処理が行われる。この乾燥処理が終了すると、図２（ｅ）に示すように、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転が止められて、ロボットアーム６によって、傾斜保持チャック１上から処理後のウエハＷが搬出されていく。
【００２８】
図３は、ウエハＷに対する薬液および純水による処理をさらに詳細に説明するためのタイミングチャートである。傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転は、薬液による処理工程の開始に先立って開始され、乾燥工程が終了するまで続けられる。したがって、ウエハＷの処理対象面上に薬液が溜まっている間も、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２は回転している。ウエハＷが水平に対して傾斜した状態で傾斜保持チャック１に保持されているので、傾斜保持チャック１の鉛直軸線まわりの回転により、ウエハＷの処理対象面上の薬液がウエハＷによって攪拌される。この薬液の攪拌により、ウエハＷの処理対象面付近の薬液が常に入れ替わるので、処理液貯留槽２内でウエハＷを水平に保持した場合に比べて、ウエハＷの処理対象面に対する薬液処理を速く進行させることができる。
【００２９】
また、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転速度は、一定ではなく、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転が予め定める第１速度（高速）まで立ち上がると、その後は、上記第１速度とこの第１速度よりも低速な第２速度との間での加減速が繰り返される。これにより、加減速の際にウエハＷと薬液または純水との相対的な位置ずれが生じるので、ウエハＷの処理対象面上の薬液または純水の入れ替えをより良好に達成することができ、ウエハＷの処理対象面に対する薬液または純水による処理を速く進行させることができる。
【００３０】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、ウエハＷを水平に対して傾斜した状態で傾斜保持チャック１に保持させて、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２を鉛直軸線まわりに回転させることにより、ウエハＷの処理対象面上の薬液または純水が攪拌されるようにしているが、この効果は、図４に示すように、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２を鉛直に対して傾斜した軸線まわりに回転可能に設け、ウエハＷを水平に傾斜保持チャック１に保持させる構成によっても達成することができる。
【００３１】
さらに、ウエハＷの処理対象面上の薬液または純水の攪拌は、図５に示すように、処理液貯留槽２の底面２２の中心から外れた位置（偏心位置）を通る鉛直軸線上に処理液貯留槽２の貯留槽軸２９を配置し、その偏心位置を通る鉛直軸線まわりに処理液貯留槽２を回転させることによっても達成することができる。この場合、装置構成が複雑になるのを防止するために、傾斜保持チャック１を省略して、処理液貯留槽２内ではＯリング２６のみによってウエハＷを保持させるようにすることが好ましい。ただし、傾斜保持チャック１を省略した場合には、処理液貯留槽２に対してウエハＷを出し入れするための機構を新たに設ける必要がある。この機構としては、たとえば、ウエハＷを下方から支持して昇降する構成のプッシャピン機構を採用することができる。
【００３２】
また、処理液貯留槽２の内部に配置されたＯリング２６に代えて、図６に示すように、処理液貯留槽２の内周面に、ウエハＷの下面（処理対象面と反対側の面）の周縁部に密着する密着片部７１を有するリップパッキン７が設けられてもよい。
さらにまた、Ｏリング２６が省略されて、ウエハＷの下方の空間にも処理液が流れ込むようにしてもよい。この場合、処理液貯留槽２の底面に配置された排液口２２２に関連して、排液口２２２からの処理液の排出を制御するためのバルブを設ければ、処理液貯留槽２内に処理液を貯留することができる。
【００３３】
さらに、排液口２２２は、処理液貯留槽２の底面２２に配置されていなければならないわけではなく、図７に示すように、処理液貯留槽２の楕円筒面２１に配置されていてもよい。この場合、処理液貯留槽２内においてウエハＷの処理対象面上に処理液を貯留させるためには、その楕円筒面２１に配置された排液口２２２に関連して、排液口２２２からの処理液の排出を制御するためのバルブ２２３が設けられるとよい。
【００３４】
また、薬液ノズル３と純水ノズル４とが別々に設けられているが、薬液供給のためのノズルと純水供給のためのノズルは共通であってもよく、この場合、そのノズルに薬液供給管および純水供給管が接続されて、各供給管に介装されたバルブを選択的に開閉することにより、薬液および純水が選択的にノズルに供給されるようにすればよい。
さらに、処理液貯留槽２への処理液の供給は、予め定める供給時間だけ続けられて、ウエハＷの処理対象面上に所定量の処理液が溜まった時点で停止されるとしたが、所定量の処理液が溜まった後も、処理液貯留槽２への処理液の供給が間欠的に行われてもよい。こうした場合でも、水平面内で回転する基板の表面に処理液を供給し、その処理液を基板の周縁部から外方へ飛散または下方へ流下させる構成の従来装置に比べて、１枚の基板の処理に使用する処理液の量を大幅に低減させることができる。さらには、処理液貯留槽２の処理液の供給が連続的に続けられてもよく、この場合であっても、従来装置よりも処理液の供給流量を抑えることにより、１枚の基板の処理に使用する処理液の量を低減させることができる。
【００３５】
また、上記の実施形態では、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の加減速が繰り返されるとしたが、加減速だけでなく、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の逆回転が行われてもよい。すなわち、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の回転を減速して停止させた後、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２をそれまでとは逆方向に回転させ、所定時間が経過すると、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２の逆方向への回転を減速して停止させた後、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２を元の順方向に回転させるといった回転制御が行われてもよい。
【００３６】
さらに、傾斜保持チャック１および処理液貯留槽２が一体的に回転されるとしたが、傾斜保持チャック１と処理液貯留槽２とが別々に回転するように構成されてもよい。この場合、傾斜保持チャック１と処理液貯留槽２との回転速度を異ならせたり、傾斜保持チャック１と処理液貯留槽２との回転方向を逆にしたりすることによっても、ウエハＷと処理液との相対的な位置ずれを生じさせることができ、ウエハＷの処理対象面に対する処理を速く進行させることができる。また、処理液貯留槽２は回転させず、傾斜保持チャック１のみを回転させるようにしてもよい。
【００３７】
さらにまた、上記の実施形態では、処理液貯留槽２を傾斜保持チャック１に対して昇降させる構成を例にとったが、傾斜保持チャック１を処理液貯留槽２に対して昇降させる構成が採用されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための簡略化された断面図である。
【図２】基板処理時における各部の動作を説明するための図解図である。
【図３】薬液および純水による処理をさらに詳細に説明するためのタイミングチャートである。
【図４】基板を水平保持する場合の構成を示す簡略化された断面図である。
【図５】処理液貯留槽を偏心回転させるための構成を示す簡略化された断面図である。
【図６】シール部材としてリップパッキンを採用した構成を説明するための断面図である。
【図７】処理液貯留槽から処理液を排出するための排液口を処理液貯留槽の楕円筒面に配置した構成を示す簡略化された断面図である。
【符号の説明】
１　　　傾斜保持チャック
２　　　処理液貯留槽
３　　　薬液ノズル
４　　　純水ノズル
５　　　制御装置
７　　　リップパッキン
２４　　昇降駆動機構
２５　　回転駆動機構
２６　　Ｏリング
１２１　ウエハ保持面
Ｗ　　　ウエハ
【図１】
2004056005.tif 000003
【図２】
2004056005.tif 000004
【図３】
2004056005.tif 000005
【図４】
2004056005.tif 000006
【図５】
2004056005.tif 000007
【図６】
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【図７】
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