(57)【要約】【課題】基板と密着性の高い薄膜を成膜可能な成膜装置を提供する。【解決手段】本発明の成膜装置１は、真空槽２と、蒸着源３と、基板ホルダ７と、加熱装置６と、イオン源５とを有しており、蒸着源３から放出される荷電粒子は、イオン源５から基板１１に処理ガスのイオンが照射された後、基板１１表面に到達するようになっている。従って、基板１１には処理ガスのイオンによって汚染物質や自然酸化膜が除去された後、膜が成長するので、膜と基板１１との密着性が高くなる。また、加熱装置５により基板１１を加熱しながら成膜を行えば、膜中に発生する内部応力が加熱によって緩和されるので、膜に皺が発生しにくい。このように、本願発明の成膜装置１を用いれば、基板１１から剥がれ難い膜を成膜することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、前記真空槽内に蒸着材料の荷電粒子を放出する蒸着源と、前記荷電粒子が到達する位置で基板を保持する基板ホルダとを有する成膜装置であって、
前記基板ホルダに保持された基板を加熱する加熱装置と、
前記基板に処理ガスのイオンを照射するイオン源とを有し、
前記蒸着源は前記基板に前記処理ガスのイオンを照射した後、前記基板に前記荷電粒子を到達させるように構成された成膜装置。
【請求項２】
前記加熱装置は赤外線を放射するランプを有し、
前記赤外線は前記基板の薄膜が成膜される面とは反対側の面に照射されるように構成された請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
第一、第二の磁石を有し、
前記第一の磁石が前記基板ホルダの近傍位置に配置され、前記第二の磁石が前記蒸着源の近傍に配置され、
前記第一、第二の磁石によって前記基板ホルダに保持された基板と、前記蒸着源の両方を通る磁力線が形成されるように構成された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第一の磁石は、前記蒸着源を取り囲むように構成された請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】
前記第二の磁石は、前記基板ホルダの前記蒸着源とは反対側の位置に配置された請求項３又は請求項４のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項６】
前記加熱装置は前記赤外線を反射する反射鏡を有し、
前記反射鏡は前記基板ホルダの前記蒸着源とは反対側の位置に配置され、
前記第二の磁石は前記反射鏡を取り囲むように構成された請求項３乃至請求項５のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項７】
真空槽内に、蒸着材料と、アノード電極と、基板とを配置し、
前記真空槽内に真空雰囲気を形成した後、前記蒸着材料と前記アノード電極との間にアーク放電を発生させてアーク電流を流し、
前記蒸着材料から蒸着材料の荷電粒子を放出させ、
前記アーク電流によって生じた磁界で、前記荷電粒子の飛行方向を、前記基板が配置された方向に曲げ、
前記荷電粒子を前記基板表面に到達させ、前記基板表面に薄膜を形成する成膜方法であって、
前記基板に処理ガスのイオンを照射した後、
前記基板を加熱しながら、前記荷電粒子を前記基板表面に到達させる成膜方法。
【請求項８】
前記蒸着材料としてグラファイトを主成分とする蒸着材料を用い、カーボンを主成分とする薄膜を形成する請求項７記載の成膜方法。
【請求項９】
前記基板を５００℃以上に加熱しながら、前記荷電粒子を前記基板表面に到達させる請求項７又は請求項８のいずれか１項記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は蒸着装置に関し、特に、ダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）や半導体の高誘電体薄膜、絶縁膜、銅薄膜、磁性薄膜、高融点金属薄膜に適した成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３の符号１０１は従来技術の成膜装置を示している。
この成膜装置１０１は真空槽１０２を有しており、真空槽１０２内には蒸着源１０３が配置されている。蒸着源１０３の内部には蒸着材料が配置されており、蒸着源１０３内でアーク放電を発生させると、蒸着材料の荷電粒子が蒸着源１０３の放出口から放出されるようになっている。
【０００３】
放出口の上方には基板ホルダ１０７が配置されており、蒸着材料の荷電粒子が放出口から放出されると、該荷電粒子は基板ホルダ１０７に保持された基板１１１の表面に到達し、基板１１１の表面に蒸着材料の薄膜が形成される。
荷電粒子は中性粒子や巨大荷電粒子に比べて微細であり、反応性が高いので、基板１１１表面には緻密な膜が形成される。
【０００４】
しかし、上述した装置を用いてカーボン膜のような内部応力が高い膜を厚く形成する場合には、形成された膜が基板から剥がれやすいという問題がある。
例えば、蒸着材料としてグラファイト（東海カーボン（株）社製の商品名「Ｇ５３０Ｓ」）を用い、基板と蒸着材料との距離が３００ｍｍの条件で、トリガ放電を２００回発生させ、シリコン基板の表面に膜厚約１００ｎｍのカーボン膜を成膜し、該カーボン膜を光学顕微鏡にて観察したところ、図４に示すようにカーボン膜の表面に皺が観察された。
【０００５】
また、該カーボン膜の皺部分を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、図５（ａ）、（ｂ）に示すようにカーボン膜自体は破断してはいないが、その皺部分がシリコン基板から剥がれ、浮き上がった状態になっており、このシリコン基板をアセトンで洗浄するとカーボン膜がシリコン基板から全て剥離してしまった。
【０００６】
【特許文献１】
特開平９−１６５６７３号公報
【特許文献２】
特開平２０００−８１５８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、基板との密着性の高く、基板から剥がれ難い薄膜を成膜する技術を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、真空槽と、前記真空槽内に蒸着材料の荷電粒子を放出する蒸着源と、前記荷電粒子が到達する位置で基板を保持する基板ホルダとを有する成膜装置であって、前記基板ホルダに保持された基板を加熱する加熱装置と、前記基板に処理ガスのイオンを照射するイオン源とを有し、前記蒸着源は前記基板に前記処理ガスのイオンを照射した後、前記基板に前記荷電粒子を到達させるように構成された成膜装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の成膜装置であって、前記加熱装置は赤外線を放射するランプを有し、前記赤外線は前記基板の薄膜が成膜される面とは反対側の面に照射されるように構成された成膜装置である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の成膜装置であって、第一、第二の磁石を有し、前記第一の磁石が前記基板ホルダの近傍位置に配置され、前記第二の磁石が前記蒸着源の近傍に配置され、前記第一、第二の磁石によって前記基板ホルダに保持された基板と、前記蒸着源の両方を通る磁力線が形成されるように構成された成膜装置である。
請求項４記載の発明は、請求項３記載の成膜装置であって、前記第一の磁石は、前記蒸着源を取り囲むように構成された成膜装置である。
請求項５記載の発明は、請求項３又は請求項４のいずれか１項記載の成膜装置であって、前記第二の磁石は、前記基板ホルダの前記蒸着源とは反対側の位置に配置された成膜装置である。
請求項６記載の発明は、請求項３乃至請求項５のいずれか１項記載の成膜装置であって、前記加熱装置は前記赤外線を反射する反射鏡を有し、前記反射鏡は前記基板ホルダの前記蒸着源とは反対側の位置に配置され、前記第二の磁石は前記反射鏡を取り囲むように構成された成膜装置である。
請求項７記載の発明は、真空槽内に、蒸着材料と、アノード電極と、基板とを配置し、前記真空槽内に真空雰囲気を形成した後、前記蒸着材料と前記アノード電極との間にアーク放電を発生させてアーク電流を流し、前記蒸着材料から蒸着材料の荷電粒子を放出させ、前記アーク電流によって生じた磁界で、前記荷電粒子の飛行方向を、前記基板が配置された方向に曲げ、前記荷電粒子を前記基板表面に到達させ、前記基板表面に薄膜を形成する成膜方法であって、前記基板に処理ガスのイオンを照射した後、前記基板を加熱しながら、前記荷電粒子を前記基板表面に到達させる成膜方法である。
請求項８記載の発明は、請求項７記載の成膜方法であって、前記蒸着材料としてグラファイトを主成分とする蒸着材料を用い、カーボンを主成分とする薄膜を形成する成膜方法である。
請求項９記載の発明は、請求項５又は請求項６のいずれか１項記載の成膜方法であって、前記基板を５００℃以上に加熱しながら、前記荷電粒子を前記基板表面に到達させる成膜方法である。
【０００９】
図２の符号３０は本発明の成膜装置１の蒸着源を構成する蒸着ユニットの一例を示している。蒸着ユニット３０はアノード電極３２と電極部材３８とを有している。アノード電極３２はステンレスのような金属材料が円筒状に成形されて構成されており、電極部材３８は該アノード電極３２内に配置されている。
【００１０】
電極部材３８は棒状電極３５と、トリガ電極３４と、蒸着材料３１とを有している。トリガ電極３４はリング状であって、棒状電極３５の側面を取り囲むように配置されている。棒状電極３５の先端はトリガ電極３４から突き出され、蒸着材料３１は棒状電極３５のトリガ電極３４から突き出された部分に接続されている。
【００１１】
蒸着材料３１は棒状電極３５に電気的に接続されている。他方、トリガ電極３４は棒状電極３５と蒸着材料３１から絶縁部材３６によって電気的に絶縁されている。
【００１２】
棒状電極３５とトリガ電極３４はそれぞれ電源４に接続されており、真空槽内に真空雰囲気を形成し、アノード電極３２と真空槽とを接地電位に置いた状態で、電源４を起動し、棒状電極３５と蒸着材料３１に負の電圧を印加し、トリガ電極３４に正電圧を印加すると、トリガ電極３４と蒸着材料３１との間にトリガ放電が起こる。
【００１３】
トリガ放電が起こると蒸着材料３１の側面から粒子が放出され、アノード電極３２と蒸着材料３１との間の圧力が高くなり、絶縁耐性が低下するので、アノード電極３２の内壁面と蒸着材料３１の側面との間にアーク放電が発生し、蒸着材料３１の側面から蒸着材料の粒子が大量に放出される。
【００１４】
アーク放電により蒸着材料から放出される粒子には中性粒子と荷電粒子がある。棒状電極３５はアノード電極３２の中心軸線上に配置されており、アーク放電を維持するアーク電流を棒状電極３５内に流すと、電荷質量比（電荷／質量）の大きい微小な荷電粒子はアーク電流によって誘起される磁界によって、アノード電極３２の開口方向に曲げられ、アノード電極３２の開口である放出口３９から真空槽内に放出される。
【００１５】
電荷質量比の小さい巨大荷電粒子と、中性粒子は磁界で曲げられる率が少ないので、それらの粒子は放出口３９から放出されず、アノード電極３２の内壁に衝突する。従って、蒸着ユニット３０からは微細な荷電粒子のみが放出されるので、該荷電粒子が基板表面に到達すると、基板表面に緻密な膜が形成される。
【００１６】
このような装置で成膜すると、膜の内部応力が高くなるが、加熱装置により基板を加熱しながら成膜を行えば、膜の内部応力が緩和されるので、形成される膜に皺が生じ難い。
【００１７】
また、基板に荷電粒子を到達させる前に、基板の表面には処理ガスのイオンが照射されるので、基板の表面は該処理ガスのイオンによって成膜前にクリーニングされている。従って、荷電粒子は基板表面に直接付着し、基板の構成材料と化学的に強く結合するので、成膜される膜と基板との密着性が高くなる。
【００１８】
本発明の成膜装置では、蒸着源を上述したような蒸着ユニット３０単独で構成してもよいし、２個以上の蒸着ユニット３０で構成してもよい。複数個の蒸着ユニット３０で蒸着源が構成され、かつ、各蒸着ユニット３０の放出口３９が同じ基板に向けられている場合には、荷電粒子が到達する範囲が広いので、基板の広い面積に薄膜を成膜することができる。
【００１９】
また、本願の成膜装置で基板表面のプラズマ処理を行った後、基板を加熱しながら成膜を行えば、膜の密着性が高くなり、かつ、成膜時に発生する内部応力も緩和されるので、成膜された薄膜が基板から剥がれ難い。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。図１の符号１は本発明の一実施形態の蒸着装置を示している。
この蒸着装置１は真空槽２と、真空槽２内部の底壁側に配置された蒸着源３と、真空槽２内部の蒸着源３の上方に配置された基板ホルダ７と、基板ホルダ７と蒸着源３との間の位置で真空槽２の側壁に取り付けられたイオン源５とを有している。
【００２１】
蒸着源３は、アノード電極と、トリガ電極と、蒸着材料とを有しており、上述したようにトリガ放電によってアーク放電を誘起させると、蒸着材料の荷電粒子が蒸着源３の放出口３９から放出されるようになっている。
【００２２】
基板ホルダ７は後述する基板が取り付けられる取り付け板７１を有している。取り付け板７１には基板よりもやや小径の孔７９が形成されており、基板を取り付け板７１に取り付けると、基板の表面が蒸着源３に向けられ、裏面が孔７９内に露出するようになっている。
【００２３】
この成膜装置１は基板ホルダ７の蒸着源３とは反対側の位置に配置された加熱装置６を有している。加熱装置６はランプ６１と反射鏡６２とを有している。ランプ６１は取り付け板７１の孔７９に向けて配置されており、基板ホルダ７に基板を保持させた状態で、ランプ６１に接続された加熱電源６５を起動し、ランプ６１に通電すると、ランプ６１から発生する赤外線が孔７９を通って基板の裏面に直接照射され、基板が加熱される。
【００２４】
反射鏡６２はランプ６１を取り囲むように円錐状に形成され、その円錐の底面で構成される開口が基板ホルダ７に向けられており、ランプ６１から放出される赤外線のうち、基板ホルダ７以外の方向に放射された赤外線は反射鏡６２で反射され、基板ホルダ７側へ放射されるので、基板が効率良く加熱される。
【００２５】
加熱装置６は基板の表面温度を測定する不図示の温度センサーを有しており、該温度センサーに検出される温度に基づいてランプ６１の通電量を制御し、基板を所定温度に維持可能になっている。
【００２６】
この成膜装置１は、真空槽２内に第一、第二の磁石５６、５７を有している。第一、第二の磁石５６、５７はリング状であって、第一の磁石５６は蒸着源３の周囲を取り囲むように配置され、第二の磁石５７は基板ホルダ７の蒸着源３とは反対側の位置で、反射鏡６２を取り囲むように配置されている。
【００２７】
ここでは、第一の磁石５６のＮ極が第二の磁石５７のＳ極に向けられており、互いに異なる磁極が向かい合っているので、第一、第二の磁石５６、５７の異なる磁極同士を結ぶ磁力線が形成される。
【００２８】
上述したように、第一の磁石５６は蒸着源３を取り囲むように配置され、第二の磁石５７は反射鏡６２を取り囲むように配置されており、基板ホルダ７は蒸着源３と反射鏡６２との間に位置するので、第一、第二の磁石５６、５７の異なる磁極同士を結ぶ磁力線は、蒸着源３と、基板ホルダ７の両方を通る。
【００２９】
尚、反射鏡６２は金のように反射率が高く、透磁率の低い材料で構成されており、また蒸着源３の構成部材と、ランプ６１と、取り付け板７１も透磁率の低い材料で構成されているので、蒸着源３と基板ホルダ７の両方を通る磁力線の進行方向が変えられたり、該磁力線の磁束密度が低下することはない。
【００３０】
蒸着源３から放出される荷電粒子は磁力線に巻き付いて移動するので、基板を基板ホルダ７に保持させた状態で、蒸着源３から荷電粒子を放出させると、荷電粒子が蒸着源３と基板ホルダ７の両方を通る磁力線に巻き付いて移動し、基板に到達する。
【００３１】
イオン源５は真空槽２外部に配置された処理ガス供給系５５に接続されており、処理ガス供給系５５の処理ガスをイオン源５に供給しながら、高電圧を印加すると処理ガスのプラズマを生成され、そのプラズマからイオンが引き出され、イオン源５の放出口から真空槽２内に放出されるようになっている。
【００３２】
イオン源５の放出口は基板ホルダ７に向けられており、基板ホルダ７に基板を保持させた状態で、放出口から処理ガスのイオンが放出されると、処理ガスのイオンが基板の表面に照射されるようになっている。
【００３３】
次に、この成膜装置１を用いて薄膜を形成する工程について説明する。先ず、真空槽２に接続された真空排気系８を起動し、真空槽２内に所定圧力の真空雰囲気を形成する。該真空雰囲気を維持したまま、成膜対象物である基板を搬入し、基板ホルダに保持させる。図１は基板１１が基板ホルダに保持された状態を示している。
【００３４】
真空槽２内の真空雰囲気を維持しながら、ランプに通電して基板１１を加熱し、基板１１を５００℃以上の所定温度に維持する。その状態で、処理ガス供給系５５からＡｒ（アルゴン）ガスからなる処理ガスを所定流量（例えば１０ｓｃｃｍ程度）イオン源５に供給し、処理ガスのプラズマを発生させると、アルゴンイオンとアルゴンの中性粒子が基板１１表面に到達し、基板１１の表面に付着する酸化物や油等の汚染物質が除去される。
【００３５】
例えば、基板１１がシリコン基板で構成されている場合には、基板１１の表面には自然酸化膜である二酸化ケイ素膜が形成されているが、基板１１の表面に処理ガスのイオンが照射されると、自然酸化膜が汚染物質と共に除去される。
【００３６】
基板１１の表面に処理ガスのイオンを所定時間照射し、基板１１表面に清浄なシリコン基板の表面が露出したところで、プラズマの発生を終了させ、処理ガスのイオンの照射を停止させる。
【００３７】
基板１１の温度を所定温度に維持しながら、蒸着源３から蒸着材料の荷電粒子を放出させると、荷電粒子は磁力線によって基板１１に運ばれ、基板１１表面に到達する。
【００３８】
上述したように、基板１１表面からは自然酸化膜が除去され、清浄なシリコン基板の表面が露出しており、基板１１の表面に到達した荷電粒子は基板１１の構成材料であるシリコンと基板１１表面で化学的に強く結合する。
【００３９】
基板１１の所定温度に維持しながら、更に蒸着源３から基板１１に荷電粒子を到達させると、基板１１表面に荷電粒子が堆積し、蒸着材料の薄膜が成長する。このとき、薄膜の成長によって、その膜厚が厚くなると高い内部応力が発生するが、基板１１は加熱によって所定温度に維持されているので、加熱によって膜内に発生する内部応力が緩和される。
【００４０】
従って、蒸着源３の蒸着材料をカーボンで構成し、基板１１表面にカーボン膜のように内部応力の高い膜を約１μｍ程度と厚く形成する場合であっても、基板１１が加熱されることで内部応力が緩和されるので、皺が形成されにくい。また、基板１１表面で基板１１の構成材料と荷電粒子と化学的に強く結合するため膜の密着性も非常に高いので、成膜された膜は基板１１から非常に剥がれ難い。
【００４１】
例えば、Ａｒイオンを照射して基板１１表面を深さ方向に１０ｎｍエッチングした後、基板１１を５００℃に維持してカーボン膜を成長させたところ、カーボンを７００ｎｍ成膜しても膜の剥がれは起こらなかった。このカーボン膜の表面を光学顕微鏡で観察したところ、図６に示すようにその膜表面は平坦であり、皺が見られなかった。
【００４２】
また、基板１１温度が３００℃の条件でカーボン膜を成長させたところ、膜厚４００ｎｍで膜剥がれが生じた。また、基板１１温度が７００℃の条件でカーボン膜を成長させたところ、膜剥がれは起きなかったが、カーボン膜をラマン分光法で調べたところ、膜がグラファイト化していた。
【００４３】
以上のことから、カーボンのＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）成膜では、成膜時の加熱温度は５００℃以上７００℃未満が適切であることがわかる。
【００４４】
蒸着源３は、例えば複数の蒸着ユニット３０で構成されている。各蒸着ユニット３０は、それぞれ放出口３９が基板ホルダ７に保持された基板１１に向けられた状態で真空槽２の底壁側に配置されている。この場合、第一の磁石５６はアノード電極３２の集まりの周囲に配置されている。即ち、各アノード電極３２は第一の磁石５６のリングの内側に配置されている。
【００４５】
各放出口３９から放出される荷電粒子は、第一、第二の磁石５６、５７によって形成される磁力線に巻き付いて移動するので、各放出口３９から放出される荷電粒子が全て基板１１に向かって運ばれる。蒸着源３が複数の蒸着ユニット３０で構成されている場合は、各蒸着ユニット３０から同時に荷電粒子を放出させてもよいし、別々に荷電粒子を放出させてもよい。
【００４６】
以上は、蒸着源３が複数の蒸着ユニット３０で構成される場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、蒸着源３が１個の蒸着ユニット３０のみで構成される場合も本発明には含まれる。
【００４７】
以上は、第一の磁石５６のＮ極が第二の磁石のＳ極に向けられた場合について説明したが、異なる磁極同士が対向し、第一、第二の磁石５６、５７の異なる磁極同士を結ぶ磁力線が発生するのであれば良く、例えば第一の磁石５６のＳ極を第二の磁石５７のＮ極に対向させてもよい。
【００４８】
第一、第二の磁石５６、５７の形状はリング状に限定されるものではなく、例えば第一、第二の磁石５６、５７をそれぞれ複数の磁石で構成し、複数の磁石で反射鏡６２や蒸着源３を取り囲むこともできる。
【００４９】
また、第一、第二の磁石５６、５７は永久磁石に限定されず、第一、第二の磁石５６、５７の異なる磁極同士を結ぶ磁力線を発生するものであれば、例えば電磁石を用いることもできる。
【００５０】
以上は、ランプ６１から赤外線を照射し、基板１１を加熱する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、加熱手段である電熱線を基板ホルダ７の近傍に配置し、電熱線に通電し、発熱させることで、基板ホルダ７に保持された基板１１を加熱することもできる。ランプや電熱線のような加熱手段を単独で用いて基板１１を加熱してもよいし、複数の加熱手段を同時に用いて基板１１を加熱してもよい。
【００５１】
蒸着材料３１を構成する物質はカーボンに限定されず、Ｆｅ、Ｔａ、ＮｉＦｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、ＦｅＭｎ等を蒸着材料として用いて、これらの高性能磁気薄膜を製造する場合にも適用可能である。
アノード電極３２の形状も円筒状に限定されず、例えば角筒状でもよいし、あるいは板状に形成されていてもよい。
【００５２】
また、真空槽２にガス供給系を接続しておき、蒸着材料の荷電粒子と反応する反応ガスを真空槽２内に供給しながら成膜を行えば、反応ガスと微小荷電粒子が基板１１表面で反応し、反応ガスと蒸着材料との反応物の薄膜を形成することができる。
処理ガスの種類はアルゴンガスに限定されず、基板１１の構成材料と反応しないガスであれば、例えばキセノンガスやネオンガスを用いることができる。
【００５３】
以上は、イオン源５でのプラズマの発生を終了させてから、荷電粒子を蒸着源３から放出させる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば真空槽２内にシャッターを設け、基板１１に所定時間処理ガスのイオンを照射した後で、イオン源５と基板１１との間にシャッターを移動させ、処理ガスのイオンを遮断すれば、プラズマの発生を終了させなくても、成膜中に処理ガスのイオンが混入することなく成膜を行うことができる。
【００５４】
また、基板１１と蒸着源３との間にシャッターを配置し、荷電粒子を基板１１から遮断した状態でイオン源５から処理ガスのイオンを放射させれば、基板１１表面に膜を形成せずに、表面処理を行うことができる。
【００５５】
【発明の効果】
基板に膜が形成される前に、基板表面から汚染物質や自然酸化膜が除去されるので、膜と基板との密着性が高い。また、基板に膜が成長する工程では、基板が加熱されるので、膜に発生する内部応力が緩和され、成膜された膜に皺が発生し難い。従って、本発明により成膜された膜は基板から剥がれ難い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置の一例を説明する断面図
【図２】蒸着ユニットの一例を説明する断面図
【図３】従来の成膜装置を説明する断面図
【図４】従来の成膜装置で成膜されたカーボン膜を撮影した光学顕微鏡写真
【図５】（ａ）：従来の成膜装置で成膜されたカーボン膜の皺部分を撮影した電子顕微鏡写真、（ｂ）：カーボン膜の皺部分を撮影した拡大電子顕微鏡写真
【図６】本発明の成膜装置で成膜されたＤＬＣ膜を撮影した光学顕微鏡写真
【符号の説明】
１……成膜装置    ２……真空槽    ３……蒸着源      ５……イオン源    ６……加熱装置    ７……基板ホルダ    １１……基板    ５６、５７……第一、第二の磁石    ６１……ランプ    ６２……反射鏡
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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