(57)【要約】【課題】面方向の収縮を抑制させることにより、変形や層間剥離の発生を抑え、寸法精度を高くすることができる多層回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１の無機組成物から成る複数の第１絶縁層１ａ〜１ｆと、前記第１絶縁層よりも厚みが厚く、熱の印加に伴い前記第１絶縁層よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物からなる複数の第２絶縁層１ｇ〜１ｋとを積層して形成した積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも低く、且つ第１絶縁層の収縮開始温度より高い第１の温度領域で加熱することにより、第１絶縁層１ａ〜１ｆをその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させ、しかる後、前記積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも高い第２の温度領域で加熱することにより、第２絶縁層１ｇ〜１ｋをその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させて、前記積層体を焼結させる。【選択図】図２
2004200679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の無機組成物から成る複数の第１絶縁層と、該第１絶縁層よりも厚みが厚く、熱の印加に伴い前記第１絶縁層よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物からなる複数の第２絶縁層とを積層して積層体を形成する工程Ａと、
前記積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも低く、且つ第１絶縁層の収縮開始温度より高い第１の温度領域で加熱することにより、前記第１絶縁層をその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させ、しかる後、前記積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも高い第２の温度領域で加熱することにより、前記第２絶縁層をその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させて、第１及び第２絶縁層を焼結させる工程Ｂとを含む多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ａにおける第１絶縁層の厚みが第２絶縁層の厚みの５０％以下に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁層が前記積層体の最上層及び最下層を構成していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記積層体の一主面に電子部品素子の搭載部が設けられることを特徴とする請求項３に記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記積層体の内部に、銀、銅、金（のいずれか一種を含む）（から選ばれた一種あるいは数種の）導電材料から成るビアホール導体及び配線導体が配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記工程Ｂにおいて第２絶縁層が収縮を開始するまでの間に、前記第１絶縁層は、その全収縮量に対し９０％に相当する体積収縮が完了していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２絶縁層はセラミックグリーンシートにより形成され、前記第１絶縁層は第２絶縁層の主面に対する無機組成物ペーストの塗布により形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記工程Ｂにおいて第１絶縁層が収縮する際、第１絶縁層の面方向への収縮が未焼結状態の第２絶縁層の剛性により抑制され、また、第２絶縁層が収縮する際、第２絶縁層の面方向への収縮が第１絶縁層の剛性により抑制されることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記工程Ａにおける積層体が矩形状を成しており、前記工程Ｂにおける熱の印加に伴い前記第１絶縁層及び第２絶縁層が、前記積層体の一辺及び該一辺と直交する他辺と平行な方向に比し前記積層体の積層方向に３倍以上大きく収縮することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置や複合電子部品等に用いられる多層配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置や複合電子部品等に多層回路基板が用いられている。
【０００３】
かかる従来の多層回路基板としては、例えば、無機組成物から成る複数の絶縁層を積層した積層体の内部に配線導体やビアホール導体を設けてこれらを相互に接続し、更に前記積層体の一主面に電子部品素子を接続するための搭載部を設けた構造のものが知られており、また、その寸法精度を高くするために、異なる無機組成物で形成した２種類の絶縁層を組み合わせることによって多層回路基板を構成することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
上述した多層回路基板を製造する場合は、まず図３に示すように複数の絶縁層３１ａ〜３１ｅを用意し、それぞれの絶縁層に配線導体３２やビアホール導体３３を設ける。しかる後、図４に示すように絶縁層３１ａ〜３１ｅを積層してこれを一体焼成することにより、多層回路基板３０が製作される。このとき、絶縁層３１ａ、３１ｃ、３１ｅを形成する無機組成物と、絶縁層３１ｂ、３１ｄを形成する無機組成物とでは、焼成に伴い収縮を開始する温度が相互に異なっている。
【０００５】
このような多層回路基板の製造方法によれば、収縮開始温度の低い絶縁層が収縮を開始した際は、未焼結状態にある収縮開始温度の高い絶縁層により面方向における収縮が抑制される。一方、収縮開始温度の高い絶縁層が収縮を開始した際は、収縮開始温度の低い絶縁層により面方向における収縮が抑制される。以上のようなメカニズムにより、積層体の面方向への収縮を抑制し、厚み方向に大きく収縮させることで、多層回路基板の寸法精度を高くなす試みがなされている。
【特許文献１】特開２００１−１５８７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した従来の製造方法においては、積層体の焼成時、収縮開始温度の低い絶縁層が収縮を開始した際に収縮による応力が大きすぎたり、収縮開始温度の高い絶縁層の剛性が不足したりすると、面方向への収縮を十分に抑制することが不可となる不都合があった。その場合、積層体の面方向への収縮が大きくなってしまうことから、多層回路基板の寸法精度が著しく低下し、多層回路基板の全体構造が変形する欠点を有していた。
【０００７】
更に、上述した従来の製造方法によれば、積層体の最上層及び最下層は、収縮の抑制が一方面に限られてしまうため、特にその端部において面方向への収縮の応力が集中し、変形や層間剥離が発生しやすくなる。このような変形が発生すると、特にビアホール導体の近傍、キャビティ端部、積層体の端部付近において電子部品素子の搭載性が劣化するという欠点があり、また層間剥離が発生すると、積層体の絶縁性や強度の劣化を招く欠点が誘発される。
【０００８】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、面方向の収縮を抑制させることにより、変形や層間剥離の発生を抑え、寸法精度を高くすることができる多層回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の多層配線基板の製造方法は、第１の無機組成物から成る複数の第１絶縁層と、該第１絶縁層よりも厚みが厚く、熱の印加に伴い前記第１絶縁層よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物からなる複数の第２絶縁層とを積層して積層体を形成する工程Ａと、前記積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも低く、且つ第１絶縁層の収縮開始温度より高い第１の温度領域で加熱することにより、前記第１絶縁層をその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させ、しかる後、前記積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも高い第２の温度領域で加熱することにより、前記第２絶縁層をその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させて、第１及び第２絶縁層を焼結させる工程Ｂとを含むものである。
【００１０】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、前記工程Ａにおける第１絶縁層の厚みが第２絶縁層の厚みの５０％以下に設定されていることを特徴とするものである。
【００１１】
更に、本発明の多層配線基板の製造方法は、前記第１絶縁層が前記積層体の最上層及び最下層を構成していることを特徴とするものである。
【００１２】
また更に、本発明の多層配線基板の製造方法は、前記積層体の一主面に電子部品素子の搭載部が設けられることを特徴とするものである。
【００１３】
更にまた、本発明の多層配線基板の製造方法は、前記積層体の内部に、銀、銅、金のいずれか一種を含む導電材料から成るビアホール導体及び配線導体が配置されることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の多層配線基板の製造方法は、前記工程Ｂにおいて第２絶縁層が収縮を開始するまでの間に、前記第１絶縁層は、その全収縮量に対し９０％に相当する体積収縮が完了していることを特徴とするものである。
【００１５】
更に、本発明の多層配線基板の製造方法は、前記第２絶縁層はセラミックグリーンシートにより形成され、前記第１絶縁層は第２絶縁層の主面に対する無機組成物ペーストの塗布により形成されることを特徴とするものである。
【００１６】
また更に、本発明の多層配線基板の製造方法は、前記工程Ｂにおいて第１絶縁層が収縮する際、第１絶縁層の面方向への収縮が未焼結状態の第２絶縁層の剛性により抑制され、また、第２絶縁層が収縮する際、第２絶縁層の面方向への収縮が第１絶縁層の剛性により抑制されることを特徴とするものである。
【００１７】
更にまた、本発明の多層回路基板の製造方法は、前記工程Ａにおける積層体が矩形状を成しており、前記工程Ｂにおける熱の印加に伴い前記第１絶縁層及び第２絶縁層が、前記積層体の一辺及び該一辺と直交する他辺と平行な方向に比し前記積層体の積層方向に３倍以上大きく収縮することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の多層回路基板の製造方法によれば、積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも低く、且つ第１絶縁層の収縮開始温度より高い第１の温度領域で加熱することにより、前記第１絶縁層をその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させ、しかる後、前記積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも高い第２の温度領域で加熱することにより、前記第２絶縁層をその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させて、第１及び第２絶縁層を焼結させている。即ち、第１絶縁層が収縮する際、第１絶縁層の面方向への収縮が未焼結状態の第２絶縁層の剛性により抑制され、また、第２絶縁層が収縮する際、第２絶縁層の面方向への収縮が第１絶縁層の剛性により抑制されることにより、結果として、面方向の収縮を抑制させることとなり、多層回路基板の反りの発生を抑え、寸法精度を高くすることができる。
【００１９】
また、本発明の多層回路基板の製造方法によれば、前記積層体を構成する第１絶縁層及び第２絶縁層は、高温で収縮を開始する第２絶縁層の厚みが低温で収縮を開始する第１絶縁層の厚みよりも厚くなるようにしている。これにより、収縮開始温度の低い第１絶縁層は、その収縮による応力が小さいので、収縮開始温度の高い第２絶縁層によって面方向への収縮がより効果的に抑制されることとなる。
【００２０】
更に、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、前記工程Ａにおける第１絶縁層の厚みを第２絶縁層の厚みの５０％以下に設定することにより、収縮開始温度の低い第１絶縁層の面方向への収縮をよりいっそう抑制することができる。
【００２１】
また更に、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、前記第１絶縁層で積層体の最上層及び最下層を構成している。従って、収縮開始温度の低い第１絶縁層の厚みが薄いことにより、収縮の抑制力が作用しにくい最表面についても、面方向への収縮を抑制することになるので、変形や層間剥離が発生しにくくなる。
【００２２】
更にまた、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、前記積層体の一主面に電子部品素子の搭載部が設けられた場合においても、ビアホール導体の近傍、キャビティ端部、積層体の端部等に変形が発生しにくいことにより、搭載可能な領域を広く確保することができる。
【００２３】
また更に、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、絶縁層の収縮開始温度に差があっても、焼結の完成する温度は第１絶縁層、第２絶縁層共に同一でも構わないので、低温での焼結が可能となり、前記積層体の内部に、融点の低い金属である、銀、銅、金のいずれか一種を含む導電材料から成るビアホール導体及び配線導体を配置させることが可能となり、回路の導体抵抗値の低い多層回路基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の製造方法によって製作した多層回路基板の断面図であり、図中の１ａ〜１ｆは第１絶縁層、１ｇ〜１ｋは第２絶縁層、２は配線導体、３はビアホール導体である。
【００２６】
同図に示す多層回路基板１０は、第１絶縁層１ａ〜１ｆ、第２絶縁層１ｇ〜１ｋを積層した構造を有している。多層回路基板１０の内部及び表層には、配線導体２が形成されており、表層の配線導体は、主に電子部品素子の搭載部となる接続パッドとして機能し、内部の配線導体及びビアホール導体は、主に各回路素子を電気的に接続する配線や、インダクタやキャパシタ等の回路素子として機能する。
【００２７】
第１絶縁層１ａ〜１ｆは第１の無機組成物から、また第２絶縁層１ｇ〜１ｋは第２の無機組成物から成り、これら無機組成物の材料としては、例えば８００℃〜１２００℃の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料が好適に用いられる。ガラス−セラミック材料にはガラス粉末及びセラミック粉末が含まれ、ガラス粉末は３０〜１００重量部含まれており、ガラス粉末を除く材料がセラミック粉末となる。
【００２８】
本実施形態においては、例えば、第１絶縁層をガラス粉末が８５重量部、第２絶縁層はガラス粉末を５５重量部の組成から成る材料により製作した。
【００２９】
ガラス粉末の具体的な組成としては、例えば、必須成分として、ＳｉＯ2を２０〜７０重量部、Ａｌ2Ｏ3を０．５〜３０重量部、ＭｇＯを３〜６０重量部、また任意成分として、ＣａＯを０〜３５重量部、ＢａＯを０〜３５重量部、ＳｒＯを０〜３５重量部、Ｂ2Ｏ3を０〜２０重量部、ＺｎＯを０〜３０重量部、ＴｉＯ2を０〜１０重量部、Ｎａ2Ｏを０〜３重量部、Ｌｉ2Ｏを０〜５重量部含むものが挙げられる。
【００３０】
セラミック粉末としては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、ＺｒＴｉＯ4、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＴｉＯ2から選ばれる１種以上が挙げられる。
【００３１】
上記組成のガラス粉末とセラミック粉末との組み合わせによれば、１０００℃以下での低温焼結が可能となるとともに、導体層として、銀（融点９６０℃）、銅（融点１０８３℃）、金（融点１０６３℃）などの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、低損失な回路を作成できる。また、誘電率の制御も可能であり、高誘電率化による回路の小型化、低損失化、あるいは、低誘電率化による高速伝送化に適している。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによって、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができる。
【００３２】
尚、配線導体２やビアホール導体３は銀、銅、金のいずれか一種を含む導電材料からから成り、その厚みは例えば５〜２５μｍに設定される。
【００３３】
また、ビアホール導体３の直径は任意に設定することができ、ビアホール導体３が埋設される絶縁層の厚みが１０〜３００μｍの場合、ビアホール導体３の直径は例えば５０〜３００μｍに設定される。
【００３４】
次に上述した多層配線基板の製造方法について、図を用いて説明する。
【００３５】
（工程Ａ）
図２に示す１ａ〜１ｆは、第１の無機組成物から成る第１絶縁層であり、１ｇ〜１ｋは、第２の無機組成物から成る第２絶縁層である。これらの絶縁層は、例えば上述したガラス粉末とセラミック粉末とを組み合わせた粉末に、有機バインダと有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合してスラリー化し、このスラリーを用いてドクターブレード法などによりテープ成形を行い、所定寸法に切断することによって得られるセラミックグリーンシートである。このとき、第１絶縁層１ａ〜１ｆは、第２絶縁層１ｇ〜１ｋに比して厚みが薄く形成されており、第１絶縁層１ａ〜１ｆの各々の厚みは、例えば２〜１５０μｍに設定され、第２絶縁層１ｇ〜１ｋの各々の厚みは、例えば１０〜３００μｍに設定される。
【００３６】
次に、第１絶縁層と第２絶縁層とを貼り合わせ、得られたシートにパンチングなどによって貫通孔を形成し、その貫通孔内に導体ペーストを充填してビアホール導体３を形成し、シートの主面には導体ペーストをスクリーン印刷法などによって被着させて配線導体２を形成する。
【００３７】
本実施形態においては、例えば、第１の無機組成物はガラス粉末が、ＳＯ２を４０重量部、Ａｌ２Ｏ３を２重量部、ＭｇＯを１５重量部、ＣａＯを１重量部、ＢａＯを１５重量部、Ｂ２Ｏ３を２０重量部、ＺｎＯを１重量部、ＴｉＯ２を０．５重量部、Ｎａ２Ｏを０．５重量部、Ｌｉ２Ｏを５重量部と、セラミック粉末が、ＭｇＴｉＯ３を１５重量部の組成から成り、また第２の無機組成物はガラス粉末が、ＳＯ２を４０重量部、Ａｌ２Ｏ３を２重量部、ＭｇＯを１５重量部、ＣａＯを１重量部、ＢａＯを１５重量部、ＢＯ３を２０重量部、ＺｎＯを１重量部、ＴｉＯ２を０．５重量部、Ｎａ２Ｏを０．５重量部、Ｌｉ２Ｏを５重量部、セラミック粉末が、Ａｌ２Ｏ３を４５重量部含む材料から成っている。これらの無機組成物に、有機バインダとしてアクリルバインダ、有機溶剤としてトルエンを添加してなるスラリーを調整し、それぞれ第１絶縁層、第２絶縁層となるセラミックグリーンシートを形成した。そして、配線導体とビアホール導体の材料は、例えば、銀粉末に、有機バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤として２−２−４−トリメチル−３−３−ペンタジオールモノイソブチレートを添加して成るペーストを用いた。
【００３８】
このようにして得られた各シートを、所定の積層順序に応じて積層して積層体を形成する。
【００３９】
（工程Ｂ）
次に、得られた積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも低く、且つ第１絶縁層の収縮開始温度より高い第１の温度領域で加熱することにより、前記第１絶縁層１ａ〜１ｆをその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させている。しかる後、前記積層体を、第２絶縁層の収縮開始温度よりも高い第２の温度領域で加熱することにより、前記第２絶縁層１ｇ〜１ｋをその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させて、第１及び第２絶縁層を焼結させている。即ち、第１絶縁層１ａ〜１ｆが収縮する際、第１絶縁層１ａ〜１ｆの面方向への収縮が未焼結状態の第２絶縁層１ｇ〜１ｋの剛性により抑制され、また、第２絶縁層１ｇ〜１ｋが収縮する際、第２絶縁層１ｇ〜１ｋの面方向への収縮が第１絶縁層１ａ〜１ｆの剛性により抑制されることにより、結果として、面方向の収縮を抑制させることとなり、多層回路基板の反りの発生を抑え、寸法精度を高くすることができる。
【００４０】
本実施形態においては、第１絶縁層は収縮開始温度が６９０℃、第２絶縁層は収縮開始温度が７８３℃となる無機組成物により形成しており、この結果、前記積層体の焼成収縮が終了した時の面方向の線収縮率が３％と小さく、反りや変形の少ない多層回路基板を得ることができた。
【００４１】
焼成における体積収縮については、前記工程Ｂにおいて第２絶縁層１ｇ〜１ｋが収縮を開始するまでの間に、前記第１絶縁層１ａ〜１ｆは、その全収縮量に対し９０％に相当する体積収縮が完了していることが望ましく、更に望ましくは９５％以上完了していることである。
【００４２】
ここで収縮の開始とは、無機組成物の焼結に伴う収縮が開始されることを意味している。絶縁層に含まれる有機バインダーは加熱により分解、除去され、この際、０〜１％程度の収縮が発生することがあるが、これはバインダの除去に伴うものであり、無機組成物の焼結による実質的な収縮とは別のものである。脱バインダ温度は使用するバインダにより異なるが、アクリルあるいはメタクリルバインダでは５００℃、ブチラールバインダでは６００℃程度までに終了する。焼成における収縮開始温度については、その温度の差が１０℃以上であることが望ましく、更に望ましくは２０℃以上である。このような工程Ｂを経て積層体は焼成収縮が終了するが、本発明において、この焼成収縮の終了とは、全体積収縮が９９％以上進行した時点を意味する。
【００４３】
また、前記積層体において、熱の印加に伴い前記第１絶縁層よりも高温で収縮を開始する第２の無機組成物からなる第２絶縁層は、前記第１絶縁層よりも厚みを厚くしている。即ち、前記第１絶縁層１ａ〜１ｆの厚みは、前記第２絶縁層１ｇ〜１ｋの厚みよりも薄くしている。これにより、低い収縮開始温度の第１絶縁層は、その収縮による応力が小さいので、高い収縮開始温度の第２絶縁層によって面方向への収縮がより効果的に抑制されることとなる。
【００４４】
また、前記工程Ａにおける第１絶縁層１ａ〜１ｆの厚みが第２絶縁層の厚みの５０％以下に設定されていることにより、低い収縮開始温度の絶縁層が収縮するときの面方向への抑制がよりいっそう効果的に働くこととなる。
【００４５】
更に、前記第１絶縁層１ａ〜１ｆが積層体の最上層及び最下層を構成している。従って、収縮開始温度の低い第１絶縁層１ａ、１ｆの厚みが薄いことにより、収縮の抑制作用が働きにくい最表面についても、面方向への収縮を抑制することになるので、変形や層間剥離が発生しにくくなる。
【００４６】
また、前記積層体の一主面に電子部品素子の搭載部が設けられた場合においても、端部等に変形が発生しにくいことにより、搭載可能な領域を広く確保することができる。
【００４７】
そして、絶縁層の収縮開始温度に差があっても、焼結の完成する温度は第１絶縁層、第２絶縁層共に同一でも構わないので、低温での焼結が可能となり、前記積層体の内部に、融点の低い金属である、銀、銅、金のいずれか一種を含む導電材料から成るビアホール導体及び配線導体を配置させることが可能となり、回路の導体抵抗値の低い多層回路基板を得ることができる。
【００４８】
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良等が可能である。
【００４９】
例えば上述の実施形態では、第１絶縁層１ａ〜１ｆの形成にセラミックグリーンシートを用い、これを第２絶縁層の形成に用いられるセラミックグリーンシートと貼り合わせて使用するようにしたが、これに代えて、第１絶縁層１ａ〜１ｆの形成にペースト状になした第１の無機組成物を用い、これを第２絶縁層の形成に用いられるセラミックグリーンシートの主面に、印刷等で塗布して直接形成するようにしても良い。この場合、厚みの薄い第１絶縁層がペーストの塗布等によって比較的簡単に形成されるようになり、厚みの薄い第１絶縁層をセラミックグリーンシート等で構成する場合に比し第１絶縁層を形成する際の作業性が良好となり、多層回路基板の生産性を向上させることができる利点もある。
【００５０】
また、上述の実施形態において、積層体を第１の温度領域及び第２の温度領域で加熱する際、積層体上にその上面全体を覆うことができる大きさの重石を載せておくようにすれば、重石の加重によって多層回路基板の変形や層間剥離をより有効に防止することができる。
【００５１】
更に、上述の実施形態においては、第１絶縁層と第２絶縁層とを交互に積層して積層体を形成するようにしたが、これに代えて、複数の第１絶縁層や複数の第２絶縁層を厚み方向に連続して積層することにより積層体を形成するようにしても構わない。
【００５２】
また更に、上述の実施形態においては、第１絶縁層と第２絶縁層とを交互に積層することで第１、第２絶縁層を積層体の厚み方向にほぼ均一に分布させるようにしたが、例えば、配線導体等の分布にかかるバランスを良好に保つために、第１、第２絶縁層を積層体の厚み方向にある程度、不均一に分布させるようにしても構わない。例えば、第１、第２絶縁層が積層体の厚み方向に偏って分布している場合、第２絶縁層が積層体の厚み方向下部領域に数多く分布するように積層体を上下方向に位置設定して焼成すれば、焼成工程中、積層体の中心部付近が上方へ突出する形に変形したとしても、該突出部は積層体全体より受ける自重によって焼成が完了するまでの間に徐々に下降し、最終的には外形がほぼ平坦な多層回路基板が得られる。
【００５３】
更にまた、本実施形態においては、配線導体等の形成に用いる導体ペーストとして、無機成分が全て銀粉末からなるものを使用するようにしたが、これにガラスフリット等の添加材を所定量添加して用いても良いことは言うまでもない。例えば、銀粉末の含有率が９９．９％以上の場合、第１絶縁層が収縮開始する温度よりも低い温度（６５０℃以下）から収縮を開始するため、先に収縮開始した配線導体は第１絶縁層及び第２絶縁層の収縮による圧縮効果により緻密性が高められ、回路の導体抵抗値を低くすることができる。このような導体ペーストは固形分率は、例えば、９０％〜９９．９％の範囲に設定しておくのが好ましく、これによって配線導体の緻密性を向上させることができる。
【００５４】
更にまた、本発明における積層体の最上層及び最下層とは、上述の実施形態では示していないが、積層体の主面側に露出する層のことを意味するものであり、例えば、一方主面に形成したキャビティの底面部に露出する層をも含むものである。
【００５５】
また更に、焼成収縮が終了した後、配線導体の表面にメッキ処理等の表面処理を行っても良く、本発明においては、低温の焼成でも緻密に焼結した多層回路基板が得られるので、メッキ液等が積層体に浸食することが少なく、表面処理の工程を効率化することができる。
【００５６】
更にまた、本発明の製造方法は、複数個の多層回路基板を切り出すことができる複数個取り用の母基板を製作する場合にも適用可能である。このような複数個取り用母基板は、多層回路基板と１対１に対応する複数個の基板領域を有し、隣合う基板領域間の境界に沿って切断し、複数個の多層回路基板に分割することによって複数個の多層回路基板を同時に得る複数個取りの手法に用いられるものであり、このような複数個取り用の母基板に本発明を適用した場合、ダイシングラインが積層体の焼成に伴う変形等によって設計上の位置よりずれたり、歪んでしまうといった不都合は殆どないことから、母基板を正確に切断することができ、寸法精度の高い多層回路基板を得ることができる利点もある。
【００５７】
また更に、上述した実施形態の多層回路基板上にチップ状のコンデンサやＩＣ等の電子部品素子を実装したり、更に多層回路基板上の電子部品素子を樹脂材等で被覆するようにしても良いことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施形態に係る多層回路基板の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る多層回路基板の製造工程を説明する図である。
【図３】従来の多層回路基板の製造工程を説明する図である。
【図４】従来の多層回路基板の断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・多層回路基板
１ａ〜１ｆ・・・第１絶縁層
１ｇ〜１ｋ・・・第２絶縁層
２・・・配線導体
３・・・ビアホール導体
【図１】
2004200679.tif 000003
【図２】
2004200679.tif 000004
【図３】
2004200679.tif 000005
【図４】
2004200679.tif 000006