(57)【要約】【課題】　高密度、超微細配線パターンの半導体デバイス及び配線基板等のテストを容易にするエレクトリカルテスト用配線基板を提供する。【解決手段】　絶縁基板と、絶縁基板中に埋め込まれている所定パターンの配線と、所定パターンの配線上に設けられた突起電極と、所定パターンの配線を被覆すると共に突起電極の部分を残して形成された表面絶縁層と、絶縁基板中に埋め込まれると共に表面絶縁層と非接触として配置された端子と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板中に埋め込まれている所定パターンの配線と、前記所定パターンの配線上に設けられた突起電極と、前記所定パターンの配線を被覆すると共に前記突起電極の部分を残して形成された表面絶縁層と、
前記絶縁基板中に埋め込まれると共に前記表面絶縁層と非接触として配置された端子と、を備えることを特徴とするエレクトリカルテスト用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体デバイス、配線基板等のテストをするためのエレクトリカルテスト用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体デバイスの高集積化や表面実装やマルチチップ実装の高密度化が進んでおり、これらのデバイスや実装基板のテストが極めて困難になっている。例えば半導体デバイスでは数ミリ角のシリコーンチップから、数十から数百の電極端子があり、更に１０００を越えるものも出現すると言われており、これらのデバイスのテストは極めて困難になっている。特にシリコーンチップをパッケージとして加工する前のいわゆるベアチップ（裸チップ）をテストすることが困難であり、可能であったとしてもテスト治具は複雑でありテスト費用も高価であり一般的に適用されていない。
【０００３】
　一方、実装に用いる配線基板においても、微細配線化が進んでおり、０．１ピッチ以下の配線で電極ピッチも半導体デバイスと同じ０．１ｍｍピッチ以下が必要になってきている。このような配線基板は、絶縁や接続のテストにしても電極部の一時的な接続と取り外しを可能にする一般的な方法、例えば異方導電性ゴムを圧着するような方法では、微細なピッチの連続が不可能である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　本発明は、この様な背景のもとで、半導体デバイス及び配線基板等（被テスト用デバイスという）のテストを容易にするエレクトリカルテスト用配線基板を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明のエレクトリカルテスト用配線基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板中に埋め込まれている所定パターンの配線（突起電極を外部の測定用機器に連結する引き出し線となる）と、前記所定パターンの配線上に設けられた突起電極（被テスト用デバイスの電極と接触する）と、前記所定パターンの配線を被覆すると共に、前記突起電極の部分を残して形成された表面絶縁層と、前記絶縁基板中に埋め込まれると共に、前記表面絶縁層と非接触として配置された端子と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
　本発明のエレクトリカルテスト用配線基板により、高密度、超微細配線パターンの被テスト用デバイスのエレクトリカルテストを容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
　本発明のエレクトリカルテスト用配線基板は、次のような配線転写法によって製造される。製造法の一例としては、長尺銅箔（１２０〜１００μｍ）にニッケル薄層（０．１〜１０μｍ）を形成した導電性の仮基板上に所定パターンの配線を形成する工程、該配線を樹脂層と積層する工程、配線を絶縁基板中に埋め込む工程、仮基板の一部すなわち被テスト用デバイスの電極と接触する突起電極となる箇所を残してそれ以外の部分の導電性仮基板を除去する工程、更に必要に応じて突起電極の部分を残してそれ以外の所定パターンの配線を絶縁層（表面絶縁層）で被覆する工程を含む方法により製造される。
【０００８】
　上記に於いて、仮基板の一部すなわち被テスト用デバイスの電極となる接触する突起電極となる箇所を残してそれ以外の部分の導電性仮基板を除去する工程は、次のようにする。仮基板の銅箔面に突起電極となる箇所にエッチングレジストを形成し銅箔をエッチングする。銅箔のエッチングはニッケル薄層で止まり、所定パターンの配線（銅）がエッチングされることはない。エッチングレジストを剥離し、露出しているニッケル薄層を別のエッチング液でエッチング除去する。
【０００９】
　突起電極を高密度、高精度で形成するには、仮基板の銅箔を２０〜３０μｍ程度の薄いものを使うことにより可能となる。銅箔が厚くなると、突起電極をエッチングにより形成する際にサイドエッチングが大きくなり、高密度、高精度で突起電極が形成できなくなる。この場合は薄い銅箔面にめっきレジストを形成し、めっきにより突起電極となる箇所にめっきを行い厚みを増加させ、めっきレジスト剥離、めっきがされた突起電極の箇所にエッチングレジストを形成、エッチングにより薄い銅箔を除去、露出したニッケル薄層を別のエッチング液でエッチング除去することにより、突起電極を形成することができる。
【００１０】
　また製造法の他の一例としては、仮基板上に所定パターンの配線を形成する工程、該配線を樹脂層と積層する工程、配線を絶縁基板中に埋め込む工程、仮基板を形成した所定パターンの配線に損傷を与えることなく除去する工程、（仮基板の銅箔を銅エッチング液でエッチング除去した後、ニッケル薄層をニッケルエッチング液でエッチング除去する）フォトイメージング可能な絶縁材料を塗布又は積層し、露光・現像を行い被テスト用デバイスの電極と接触する突起電極が形成される箇所以外にめっきレジストとなる絶縁層（表面絶縁層）を形成する工程、突起電極をめっきにより形成する工程を含む方法により製造される。フォトイメージを絶縁層に形成する工程はエキシマレーザによるアブレーション現象を利用して行うことができる。また、突起電極はフォトイメージング材料の厚さを越えてめっきするようにして形成することが好ましい。
【００１１】
　フォトイメージング材料としては、無電解めっき用の感光性レジストである、ゴム−フェノール樹脂−エポキシ樹脂、エポキシ光開始剤（芳香族オニウム塩等）、芳香族ポリアジド化合物（２，６−ビス（４，４’−アジドベーザル）シクロヘキサノン等）の組成物が例えば、使用される。上記で仮基板の銅箔、ニッケル薄層をエッチング除去する場合を説明したが、銅箔をエッチング除去した後、フォトイメージング可能な絶縁材料を塗布又は積層し、露光・現像によりめっきレジストを形成し、突起電極をめっき（電気）により形成しても良い。この場合電気めっきの給電は、ニッケル薄層により行うことができる。突起電極形成後、ニッケル薄層をエッチング除去する。
【００１２】
　図１は、本発明のエレクトリカルテスト用配線基板の断面図を示すものであり、１は被テスト用デバイスの電極と接触する突起電極、２は突起電極の引き出し線となる所定パターンの配線、３は表面絶縁層、４は樹脂層、５は絶縁基板となる透明基板、６は引き出し線を外部の測定機器と接続する端子である。図２は、本発明のエレクトリカルテスト用配線基板の平面図を示すものである。図１は図２のＩ−Ｉ’線断面図。図１、図２は所定パターン配線、突起電極等は拡大されている。
【００１３】
　本発明は、テストされるデバイス等の電極配置に従って、形成された突起電極を形成し、リード線によって外部に取り出すように構成したテスト用の配線基板である。本発明のエレクトリカルテスト用配線基板によれば、デバイス等の電極ピッチが小さくなっても、十分に形成可能であり、また、テストすべき電極がデバイス等の四辺だけではなく内部にも配置されているようなものでも、微細な配線リードにより、外部に引き出すことができる。即ち、電極ピッチが０．１ｍｍ程度になるとその間を通る配線幅は０．０３ｍｍ以下が必要になるが本発明の配線転写法では外部への引き出し線（所定パターンの配線）を十分に形成可能である。
【００１４】
　突起電極は、配線転写法では配線面が平坦であるから、エッチング法で作る場合でもめっき法で作る場合でも容易である。即ち、エッチング法で作る場合は仮基板をエッチング加工可能なものとし、仮基板を必要な形状にエッチング加工すれば容易に作成できるし、めっき法で形成する場合は、フォトレジスト等で必要な形状に像形成した後、めっきすることにより、任意の形状を形成できる。
【００１５】
　配線転写法はまた、基板を自由に選ぶことができるので、例えば透明なガラスや樹脂基板を選べば、配線パターンを背面から視認できるものが得られる。この様な背面から視認できる基板を用いると、被テストデバイスとの位置合わせが極めて容易になる。
【００１６】
　本発明のエレクトリカルテスト用配線基板では、所定パターンの配線である電極端子の引き出し線の長さが等しくなるようにし、また、電極端子の引き出し線を伝送線路として設計するようにすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明のエレクトリカルテスト用配線基板の断面図である。
【図２】本発明のエレクトリカルテスト用配線基板の平面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１　突起電極
２　パターンの配線
３　表面絶縁層
４　樹脂層
５　透明基板
【図１】
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【図２】
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