(57)【要約】【課題】緻密で平滑なめっき面を有するめっき皮膜を形成させ、かつ、安全性が高いすず−亜鉛合金めっき浴を提供する。【解決手段】すず−亜鉛合金めっき浴は、３成分（ａ）Ｓｎ２＋、（ｂ）Ｚｎ２＋、（ｃ）ポリオキシエチレンアルキルエーテルを含有する。緻密で平滑なめっき面を有するめっき皮膜を形成させ、かつ、安全性が高く、環境問題、公害問題を生じさせることのないすず−亜鉛合金めっき浴を構成する。（ｃ）ポリオキシエチレンアルキルエーテルは、非イオン性界面活性剤であり、密着性が良く、緻密で平滑なめっき面を形成させるのに資する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の３成分、（ａ）（ｂ）（ｃ）を含有するすず−亜鉛合金めっき浴。
（ａ）Ｓｎ２＋
（ｂ）Ｚｎ２＋
（ｃ）ポリオキシエチレンアルキルエーテル
【請求項２】
ポリオキシエチレンアルキルエーテルのアルキル基（Ｒ）［式（１）］がラウリル基［式（２）］である請求項１記載のすず−亜鉛合金めっき浴。
【化１】
2004315872.tif 000004
【請求項３】
ポリオキシエチレンアルキルエーテルのアルキル基［式（１）］がラウリル基［式（２）］であり、さらにｎ＝４〜１３である請求項２記載のすず−亜鉛合金めっき浴。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、すず−亜鉛合金めっき浴に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子部品、半導体部品等のめっきには析出皮膜の融点が低いすず−鉛合金めっき浴が広く使われている。
【０００３】
しかしながら、これらのすず−鉛合金めっき浴は、毒性の鉛を含有するため排水処理、環境保全、酸性雨による半導体廃棄物等からの鉛溶出による土壌・地下水汚染等の多くの問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、鉛を含むことなく、すず−鉛合金めっき浴の代替えとして電子部品や半導体等のめっきに使用できるめっき浴の出現が求められていた。これに対して出願人は、特許文献１、２等において、すずと比較的高コストの金属とを含むめっき浴を提案した。しかしながら、厳しい経済環境と諸外国との競争からさらなるコストダウンの要請は強く、さらにコスト面で競争力の高い処理を実現し得るめっき処理が求められている。
【特許文献１】特開２０００−３５５７９１号（段落番号０００６、０００７）
【特許文献２】特開２００２−６０９９０号（段落番号０００６）
【０００５】
本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたものであり、その一つの目的は、低コストを維持しつつ緻密で平滑なめっき面を有するめっき皮膜を形成させ、かつ、安全性が高く、環境問題、公害問題を生じさせることのないすずめっき浴を提供することである。また、本発明の他の目的は、低廉でありしかも緻密で平滑なめっき面を有するめっき皮膜を形成させ、かつ、安全性が高く、環境問題、公害問題を生じさせることのないすず−亜鉛合金めっき浴を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、すず−鉛合金めっきの代替えとして鉛を含まないすず−亜鉛合金めっき浴に着眼し、これに関して研究を行っていたところ、ある種の非イオン性界面活性剤を加えためっき浴により、優れた仕上げ面皮膜が得られ、かつ体コストを維持してすず−鉛合金めっき浴の代替えとなり得ることを見出し本発明を完成した。
【０００７】
すなわち、本発明は下記の３成分（ａ）（ｂ）（ｃ）を含有するすず−亜鉛合金めっき浴から構成される。
（ａ）Ｓｎ２＋
（ｂ）Ｚｎ２＋
（ｃ）ポリオキシエチレンアルキルエーテル
【０００８】
その際、ポリオキシエチレンアルキルエーテルのアルキル基（Ｒ）［式（１）］がラウリル基［式（２）］であるようにするとよい。
【化２】
2004315872.tif 000002
【０００９】
より好ましくは、ポリオキシエチレンアルキルエーテルのアルキル基［式（１）］がラウリル基［式（２）］であり、さらにｎ＝４〜１３であるのがよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明のすず−亜鉛合金めっき浴（ａ）成分であるＳｎ２＋は、硫酸第一すずをグルコン酸塩水溶液中（例えばグルコン酸ナトリウム）に溶解することにより得られる。
【００１１】
また、本発明の（ｂ）成分であるＺｎ２＋は、硫酸亜鉛をグルコン酸塩（例えばグルコン酸ナトリウム）水溶液に溶解することにより得られる。
【００１２】
また、さらに本発明の（ｃ）成分であるポリオキシエチレンアルキルエーテルは非イオン性界面活性剤であり、密着性がよく緻密で平滑なめっき面を得ることができる。本発明において、この（ｃ）成分を欠くと満足のいくすず−亜鉛合金めっき皮膜が得られない。
【００１３】
この（ｃ）成分の好ましい具体例としては、下記一般式（２）で表される化合物を主成分とするものが挙げられる。
【化３】
2004315872.tif 000003
【００１４】
［式中、ｎは４〜１３の整数とする。］
【００１５】
本発明のすず−亜鉛合金めっき浴は、常法にしたがい、グルコン酸塩（例えばグルコン酸ナトリウム）水溶液中に前記（ａ）（ｂ）（ｃ）成分を添加することにより調整される。具体的には、グルコン酸塩（例えばグルコン酸ナトリウム）水溶液中に、硫酸第一すずと硫酸亜鉛を加え十分に融解させた後（ｃ）成分であるポリオキシエチレンアルキルエーテルを添加することにより調整される。
【００１６】
また、本発明のすず−亜鉛合金めっき浴において用いられるグルコン酸塩（例えばグルコン酸ナトリウム）は、その浴中濃度として１０〜１００ｇ／Ｌが適当である。
【００１７】
本発明のすず−亜鉛合金めっき浴中のＳｎ２＋濃度は２０〜２５ｇ／Ｌ程度とすることが適当である。また、合金浴中における（ａ）成分と（ｂ）成分の量は、目的とする合金組成に合わせて調整する必要があるが、すず−鉛合金めっきの代替えとする場合は、融点と皮膜特性（強度）から考えて亜鉛含有量５〜１０（ｗｔ％）が最適と考えられる。このとき、（ｂ）成分の濃度は２ｇ／Ｌが適当である。また、さらに、本発明のすず−亜鉛合金めっき浴中の（ｃ）成分の量は、密着性がよく、緻密で平滑なめっき面を得るのに十分な量の１〜５ｇ／Ｌであるとよい。
【００１８】
本発明のすず−亜鉛合金めっき浴には、上記した成分のほか、本発明の効果を損なわない範囲で光沢剤、酸化防止剤、湿潤剤等を必要に応じて添加することができる。
【００１９】
また、Ｓｎ２＋の酸化防止剤として例えばカテコール、レゾルシン、ヒドロキノン等を利用することができる。
【００２０】
かくして得られる本発明のすず−亜鉛合金めっき浴を用いてめっきを行なう場合、例えばめっき浴の浴温は約１５〜２５（℃）程度が好ましく、また陰極電流密度は約１〜５Ａ／ｄｍ２  程度が好ましい。またさらに、陽極としてはすず、すず−亜鉛合金あるいは不溶解性電極等を利用することができる。
【００２１】
以上のすず−亜鉛合金めっき浴から得られるすず−亜鉛合金めっき皮膜は、緻密で平滑な外観を有しており、すず−鉛合金めっきの代替えとして電子部品や半導体部品のめっき浴に利用することができる。
【００２２】
【実施例】
以下、実施例、試験例を挙げ、本発明を説明するが、本発明はこれら実施例−試験例に限定されるものではない。
【００２３】
実施例１
下記組成により、常法に従ってすず−亜鉛合金めっき浴を調整した。
（組成）
グルコン酸ナトリウム                  ：５０ｇ／Ｌ
硫酸第一すず                          ：３６ｇ／Ｌ
硫酸亜鉛−７水和物                    ：  ８ｇ／Ｌ
ポリオキシエチレンラウリルエーテル    ：  ２ｇ／Ｌ
【００２４】
試験例１
実施例１で得られためっき浴を利用し、下記の条件で２０×５０（ｍｍ）の銅板にめっきを行った。
【００２５】
（めっき条件）
陰極電流密度                          ：  ２Ａ／ｄｍ２
浴温                                  ：  ２０℃
攪拌                                  ：  スターラー攪拌
膜厚                                  ：  ５ミクロン／１０分
【００２６】
実施例１のめっき浴を用いて加工しためっき済み銅板は、どれも均一で微細な結晶を持つめっき皮膜を有するものであった。
【００２７】
【発明の効果】
本発明のすず−亜鉛合金めっき浴により得られるすず−亜鉛合金めっき皮膜は、緻密で平滑なめっき面を有し、すず−鉛合金めっき浴の代替えとして、電子部品や半導体部品等のめっき浴として利用できる。また、低コストであり、さらに、有害な鉛化合物を含まないので、安全性、環境問題、公害防止等の面から有利である。