(57)【要約】【課題】半導体発光素子を搭載面に対して精度良く実装可能な発光モジュールを提供する。【解決手段】発光モジュール１は、半導体発光素子１４はサブマウント１６を介してキャリア１２の搭載面１２ａに搭載される。サブマウント１６は、第１の面１６ａと、第１の面１６ａに対向する第２の面１６ｂを有する。第１の面１６ａは半導体発光素子１４を搭載するための第１の領域１６ｃと第１の領域１６ｃを囲む第２の領域１６ｄを有する。サブマウント１６は、第１の領域１６ｃから第２の面まで延びる第１の部分１６ｅと、第１の部分１６ｅを囲む第２の部分１６ｆを有する。かかる構成のサブマウント１６は、半導体発光素子１４を第１の面１６ａに圧力を加えて接合する際に、第２の面１６ｂにも圧力が均等に加わる。サブマウント１６が搭載面１２ａに傾き無く実装されるので、半導体発光素子１４は搭載面１２ａに対して精度良く実装される。【選択図】  図３
2004289011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射面と光反射面とを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子が搭載される第１の面と該第１の面に対向する第２の面とを有する第１の搭載部材と、
前記第１の搭載部材が搭載される搭載面を有する第２の搭載部材と、
前記搭載面と前記第１の搭載部材の第２の面とを接合する接合部材と、
設置面を有し、前記搭載面に搭載され、前記半導体発光素子の光出射面と光学的に結合されるレンズと
を備え、
前記第１の搭載部材の第１の面は、前記半導体発光素子が搭載される第１の領域と前記第１の領域を囲む第２の領域とを有し、
前記第１の搭載部材は、前記第１の領域から前記第２の面まで延びる第１の部分と、前記第２の領域を含み前記第１の部分を囲む第２の部分を有する
ことを特徴とする発光モジュール。
【請求項２】
前記半導体発光素子の光出射面及び光反射面は、所定軸に交差しており、
前記第１の面は、前記第２の領域のうち前記光出射面からの光の出射方向に位置し、且つ、前記所定軸に交差する方向に延びる部分を除いて、金属膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール
【請求項３】
前記第２の部分のうち前記光出射面からの光の出射方向に位置する部分が切り欠かれていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記半導体発光素子を駆動するための駆動素子を更に備え、前記搭載面は、前記所定軸に沿う方向に順に並ぶ第１、第２、及び第３の領域を有しており、
前記搭載面の第１の領域には、前記レンズが搭載され、
前記搭載面の第２の領域には、前記第１の搭載部材が搭載され、
前記搭載面の第３の領域には、前記駆動素子が搭載されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項５】
前記所定軸に沿って順に並ぶ第１及び第２の領域を前記第２の面に有し、該第１の領域に金属膜が設けられている前記第１の搭載部材が用いられることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の発光モジュールは、半導体発光素子と、半導体発光素子からの光を光ファイバに導く為のレンズと、半導体発光素子が搭載されるサブマウントと、サブマウントが搭載される搭載面を有するキャリア（Ｌキャリア）とを備えている。Ｌキャリアは、搭載面に交差する方向へ延びる垂直部を有しており、垂直部には貫通孔が設けられている。レンズは金属筒に保持され、金属筒は貫通孔に挿入される（例えば、特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平５−３２３１６５
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の発光モジュールはＬキャリアの垂直部や金属筒を有するために、搭載面に交差する方向（高さ方向）の小型化が困難である。発光モジュールの小型化を図るため、実質的に光が通過する部分を残してレンズを切削し、切削によって露出した面を設置面としてレンズを搭載面に搭載することによって、発光モジュールの高さ方向の小型化を実現できる。しかしながら、設置面を有するレンズが搭載面に搭載される構造の発光モジュールでは、レンズの高さ方向の位置調整が困難であるため、レンズと光学的に結合すべき半導体発光素子を搭載面に対して精度良く実装する必要性があることを見出した。
【０００５】
そこで本発明は、半導体発光素子を搭載面に対して精度良く実装可能な発光モジュールを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の発光モジュールは、光出射面と光反射面とを有する半導体発光素子と、半導体発光素子が搭載される第１の面と第１の面に対向する第２の面とを有する第１の搭載部材と、第１の搭載部材が搭載される搭載面を有する第２の搭載部材と、搭載面と第１の搭載部材の第２の面とを接合する接合部材と、設置面を有し、搭載面に搭載され、半導体発光素子の光出射面と光学的に結合されるレンズとを備える。第１の搭載部材の第１の面は、半導体発光素子が搭載される第１の領域と第１の領域を囲む第２の領域とを有し、第１の搭載部材は、第１の領域から前記第２の面まで延びる第１の部分と、第２の領域を含み第１の部分を囲む第２の部分を有する。
【０００７】
半導体発光素子を第１の搭載部材へ接合する際、第１の搭載部材が加熱され、半導体発光素子と第１の面との間に接合部材が供給されると共に、半導体発光素子が第１の面に押し付けられる。この際、第１の搭載部材と搭載面とを接合している接合部材も加熱され、圧力を受ける。この発明によれば、第１の搭載部材は半導体発光素子が搭載される第１の部分を囲む第２の部分を有するので、半導体発光素子を第１の面に押し付ける圧力は、第２の面を介して接合部材に均等に与えられる。したがって、第１の搭載部材及びこれに搭載される半導体発光素子を搭載面に対して傾きなく搭載することができる。すなわち、半導体発光素子は搭載面に対して精度良く実装されるので、搭載面に搭載されているレンズと半導体発光素子との光軸調整が精度良く行われる。
【０００８】
また、本発明の発光モジュールにおいては、半導体発光素子の光出射面及び光反射面は、所定軸に交差しており、第１の面はその第２の領域のうち光出射面からの光の出射方向に位置し、且つ、所定軸に交差する方向に延びる部分を除いて、金属膜が設けられていることを特徴とする好ましい。
【０００９】
半導体発光素子に電流を供給するために、第１の搭載部材の第１の面には、ワイヤを結線するための金属膜を設ける必要がある。この発明によれば、第１の面には、第２の領域のうち光出射面からの光の出射方向に位置し、且つ、所定軸に交差する方向に延びる部分を除いて、金属膜が設けられる。よって、第１の面の第２の領域にワイヤを結線するための金属膜が形成された領域が確保されると共に、かかる金属膜の面積は小さくされているので、第１の搭載部材の寄生容量が削減される。
【００１０】
また、本発明の発光モジュールにおいては、第２の部分のうち光出射面からの光の出射方向に位置する部分が切り欠かれていることが好ましい。
【００１１】
かかる発明によれば、第１の搭載部材は、第２の部分のうち光出射面からの光の出射方向に位置する部分を切り欠いた構造を有するので、光出射面からの光の第２の部分による遮光を低減することがでる。
【００１２】
また、本発明の発光モジュールにおいては、半導体発光素子を駆動するための駆動素子を更に備え、搭載面は、所定軸に沿う方向に順に並ぶ第１、第２、及び第３の領域を有しており、搭載面の第１の領域には、レンズが搭載され、搭載面の第２の領域には、第１の搭載部材が搭載され、搭載面の第３の領域には、駆動素子が搭載されていることが好ましい。
【００１３】
本発明の発光モジュールでは、搭載面に第１の搭載部材が接合される際に、接合部材に対して均等に圧力が加えられるので、接合部材が第２の面の周縁から外側に漏れ出す領域はが第２の面の周縁に対して一部に偏ることなく、その領域を一様に小さくすることができる。したがって、駆動素子を第３の領域において半導体発光素子に近づけて配置することができるので、半導体発光素子と駆動素子を結ぶワイヤの長さを短くして、そのインダクタンスを小さくすることができる。よって、かかる発光モジュールでは、半導体発光素子を高速に動作させることが可能とされている。
【００１４】
また、本発明の発光モジュールにおいては、第２の面に所定軸に沿って順に並ぶ第１及び第２の領域を有し、第１の領域に金属膜が設けられている第１の搭載部材が用いられることが好ましい。
【００１５】
上記の金属膜は、第２の面に設けられた接合部材であっても良く、接合部材に対する濡れ性の良い金属膜であっても良い。第２の面の第２の領域のうち金属膜が設けられていない領域を搭載面の第３の領域に近づけて第１の搭載部材を搭載面に搭載することによって、第２の面の縁部から第３の領域に向けて接合部材が漏れ出す領域を小さくすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態にかかる発光モジュール１について添付の図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態に関する説明においては、説明の理解を容易にするため、各図面において同一又は相当の部分には同一の符号を附すこととする。
【００１７】
図１は、発光モジュール１を一部破断して示す斜視図である。図２は、発光モジュール１を分解して示す斜視図であり、ベース２と、本体部４と、フレーム６と、封止部８と、蓋部１０とを示している。発光モジュール１は、ベース２と、本体部４と、フレーム６と、封止部８と、蓋部１０と、キャリア１２と、半導体発光素子１４と、サブマウント１６と、レンズ１８と、駆動素子２０と、受光部２２と、光ファイバ２４と、フェルール２６と、フェルール保持部材２８とを備える。
【００１８】
ベース２は、本体部４を搭載する面を提供する。ベース２は、例えば、コバール、ＣｕＷといった金属材料、Ａｌ２Ｏ３といったセラミックによって構成することができる。
【００１９】
本体部４は、ベース２上に設けられる。本体部４は積層セラミック部を下層に有する金属配線面４ａを提供する。金属配線面４ａには、受光部２２が搭載されている。受光部２２は、チップキャリア２２ａとチップキャリア２２ａに固定されたフォトダイオード２２ｂを有している。フォトダイオード２２ｂは、半導体発光素子１４の光反射面からの光を受けて、光電流を出力する。光モジュール１では、フォトダイオード２２ｂによって出力される光電流に基づいて、半導体発光素子１４の発光を制御することができる。
【００２０】
金属配線面４ａには、電子部品３０といった種々の部品が設けられている。金属配線面４ａには、高周波入力ライン４ｂ及び４ｃが形成されている。高周波入力ライン４ｂ、４ｃは、駆動素子２０に半導体発光素子１４を駆動するための信号を供給するための配線である。
【００２１】
本体部４は、所定軸Ｘに沿う方向に延びる一対の側壁部４ｄ、所定軸Ｘに交差する前壁部４ｅ及び後壁部４ｆを提供する。一対の側壁部４ｄには、複数のリード端子４ｇが設けられており、後壁部４ｆには、複数のリード端子４ｈが設けられている。前壁部４ｅには、開口４ｉが形成されている。開口４ｉは、キャリア１２を収容するための空間を提供する。
【００２２】
フレーム６は、本体部４上に搭載される。フレーム６は、前壁部６ａを提供する。前壁部６ａは、本体部４の前壁部４ｅに当接する。前壁部６ａには所定軸Ｘに沿う方向に延びる孔６ｂが形成されている。孔６ｂには封止部８が挿入される。封止部８は、保持部材８ａと、保持部材８ａによって保持される光学窓として機能するハーメチックガラス８ｂとを有している。封止部８がＡｕＳｎといったロウ材を用いて前壁部６ａにロウ付けされることによって、孔６ａの気密が確保される。前壁部６ａと封止部８とは、本体部４の開口４ｉを前壁部４ｅにおいて封止する。
【００２３】
蓋部１０は、フレーム６上に搭載される。蓋部１０はフレーム６にＡｕＳｎといったロウ材を用いて接合されることによって、本体部４の開口４ｉが封止される。
【００２４】
封止部８には、フェルール保持部材２８の一端が接合される。フェルール保持部材２８の一端は、封止部８に、例えばＹＡＧレーザを用いて接合される。フェルール保持部材２８は、光ファイバ２４を覆うフェルール２６を保持している。
【００２５】
開口４ｉによって形成される空間には、キャリア１２が収容される。図３は、キャリア１２の斜視図であり、サブマウント１６に搭載された半導体発光素子１４、レンズ１８、及び駆動素子２０を共に示している。キャリア１２は、搭載面１２ａを提供する。キャリア１２は、熱伝導率が高く、導電性の部材からなる。キャリア１２を構成する材料としては、例えばＣｕＷを用いることができる。
【００２６】
搭載面１２ａは、所定軸Ｘに沿う方向に順に並ぶ第１の領域１２ｂ、第２の領域１２ｃ、及び第３の領域１２ｄを有する。第２の領域１２ｂには、サブマウント１６を介して半導体発光素子１４が搭載される。
【００２７】
半導体発光素子１４としては、端面発光型の半導体レーザを用いることができる。半導体発光素子１４は、光出射面１４ａと光反射面１４ｂとを有する。光出射面１４ａと光反射面１４ｂとは、所定軸Ｘに交差している。なお、半導体発光素子１４としては、分布帰還型の半導体レーザ（ＤＦＢ型半導体レーザ）と電界吸収型変調素子（ＥＡ変調素子）とをモノリシックに集積したＥＡ−ＤＦＢ型の半導体レーザを用いることもできる。
【００２８】
半導体発光素子１４は、サブマウント１６に搭載され、接合部材３２を介して搭載面１２ａに接合される。図４（ａ）は、サブマウント１６の斜視図である。サブマウント１６は、半導体発光素子１４を搭載する第１の面１６ａと、第１の面１６ａに対向する第２の面１６ｂとを有する。第１の面１６ａは、その中央に半導体発光素子を搭載する為の第１の領域１６ｃと第１の領域１６ｃを囲む第２の領域１６ｄとを有する。また、サブマウント１６は、第１の領域１６ｃから第２の面まで延びる第１の部分１６ｅ（図４（ａ）において点線で囲まれた部分）と、第２の領域１６ｄを含み第１の部分１６ｅを囲む第２の部分１６ｆを有する。第１実施形態では、第１の部分１６ｅ及び第２の部分１６ｆは、絶縁性の材料によって構成される。かかる材料としては、例えば、ＡｌＮやＳｉＣといった材料を用いることができる。
【００２９】
第１の面１６ａには、金属膜１６ｇが設けられており、第２の面には、金属膜１６ｈが設けられている。金属膜１６ｇは、例えばＡｕを蒸着することによって形成される。金属膜１６ｇがＡｕの場合には、半導体発光素子１４と金属膜１６ｇとの間にダイボンド材としてＡｕＳｎのペレットを供給することによって、半導体発光素子１４とサブマウント１６とを接合することができる。なお、金属膜１６ｇは、ＡｕＳｎであっても良い。金属膜１６ｇがＡｕＳｎの場合は、金属膜１６ｇを溶融させることによって、半導体発光素子１４とサブマウント１６を接合することができる。
【００３０】
金属膜１６ｈも、例えばＡｕを蒸着することによって形成される。金属膜１６ｈがＡｕの場合には、搭載面１２ａと金属膜１６ｇとの間に接合部材３２（図３の参照符号３２）としてＡｕＳｎのペレットを供給することによって、サブマウント１６を搭載面１２ａに接合することができる。なお、金属膜１６ｈは、ＡｕＳｎであっても良い。金属膜１６ｈがＡｕＳｎの場合は、金属膜１６ｈが接合部材３２として用いられ、金属膜１６ｈを溶融させることによって、サブマウント１６と搭載面１２ａとが接合される。
【００３１】
図５は、半導体発光素子１４をサブマウント１６に接合する工程を示す図である。キャリア１２を開口４ｉによって形成される空間に収容してなるモジュールを加熱用の治具４０に固定し、モジュール全体を加熱することによって、半導体発光素子１４と、サブマウント１６とは実装される。半導体発光素子１４はダイコレット４２に吸着され、キャリア１２に搭載されたサブマウント１６の第１の面１６ａに対してダイコレット４２によって押し付けられる。サブマウント１６は、半導体発光素子１４が搭載される第１の領域１６ｃから第２の面１６ｂまでの延びる第１の部分１６ｅを第２の部分１６ｆが囲んでいるので、ダイコレット４２によって半導体発光素子１４に与えられる圧力は、第２の面１６ｂに均等に加わる。したがって、第２の面１６ｂと搭載面１２ａとを接合する接合部材３２にも均等に荷重が加わるので、サブマウント１６及び半導体発光素子１４は、搭載面１２ａに対して傾きなく実装される。
【００３２】
なお、図４（ｂ）に示すように、サブマウント１６の第１の面１６ａに設ける金属膜１６ｇは、第２の領域１６ｄのうち、半導体発光素子１４の光出射面からの光の出射方向に位置し、且つ、所定軸Ｘに交差する部分を除いて設けてられていても良い。図４（ｂ）に示す金属膜１６ｇによれば、半導体発光素子１４に電流を供給するためのワイヤを結線するための領域が第１の面１６ａの第２の領域１６ｄに確保されるとともに、金属膜１６ｇの面積が図４（ａ）に示すものより小さくなっているので、サブマウント１６による寄生容量が削減される。
【００３３】
図３に戻り、搭載面１２ａの第１の領域１２ｂには、レンズ１８が搭載される。レンズ１８は、半導体発光素子１４の光出射面１４ａと光学的に結合される。レンズ１８は、光出射面１４ａからの光を光ファイバ２４の一端面に導く。
【００３４】
図６（ａ）はレンズ１８の斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＶＩ−ＶＩ断面を示す図である。レンズ１８は、実質的に光が通過する部分を残して残余の部分が切削された形状を有している。レンズ１８を切削することによって露出された対向する二つの面は、設置面１８ａと対向面１８ｂとされている。レンズ１８は、搭載面１２ａと設置面１８ａとの間に接着材を介することによって、搭載面１２ａに固定されている。
【００３５】
レンズ１８は、設置面１８ａが搭載面１２ａに接着剤を介して固定されるので、搭載面１２ａに交差する方向（高さ方向）における実装位置の調整ができないが、半導体発光素子１４は上述したように、搭載面１２ａに対して傾きなく実装されるので、半導体発光素子１４とレンズ１８との光軸を合わせることできる。図３に戻り、搭載面１２ａの第３の領域１２ｄには、半導体発光素子１４を駆動する信号を供給する駆動素子２０が搭載されている。上述したように、半導体発光素子１４の実装の際に、第２の面１６ｂに均等に圧力が加わるので、第２の面１６ｂの周縁の外側に漏れ出す接合部材３２は、２の面１６ｂの周縁に対して一部に多く偏って漏れ出すことがなく、接合部材３２が漏れ出す領域を、第２の面１６ｂの周縁に対して一様かつ小さくすることができる。したがって、駆動素子２０を第３の領域１２ｄにおいて半導体発光素子１４に近づけて配置することができる。半導体発光素子１４を高速に駆動するためには、駆動素子２０から半導体発光素子１４に電流を供給する為のワイヤの長さを短くして、そのインダクタンスを小さくする必要がある。駆動素子２０は第３の領域１２ｄにおいて半導体発光素子１４に近づけて配置されているので、上記のワイヤ長を短くすることができる。
【００３６】
第２実施形態にかかる発光モジュールについて説明する。第２実施形態にかかる発光モジュールでは、サブマウント５０が第１実施形態の発光モジュール１に備えられるサブマウント１６と異なる。以下、サブマウント５０について説明する。
【００３７】
図７（ａ）は、サブマウント５０の斜視図である。サブマウント５０は、第１実施形態のサブマウント１６と同様に、半導体発光素子１４が搭載される第１の面５０ａと、第１の面５０ａに対向する第２の面５０ｂを有する。第１の面５０ａ、第２の面５０ｂには、金属膜５０ｇ、５０ｈがそれぞれ設けられている。第１の面５０ａは、半導体発光素子１４が搭載される第１の領域５０ｃと、第１の領域５０ｃを囲む第２の領域５０ｄを有している。また、サブマウント５０は、第１の領域５０ｃから第２の面５０ｂまで延びる第１の部分５０ｅと、第１の部分５０ｅを囲む第２の部分５０ｆを有している。
【００３８】
サブマウント５０は、第２の部分５０ｆのうち、半導体発光素子１４の光出射面１４ａからの光の出射方向に位置し、かつ、所定軸Ｘに交差する方向に延びる部分が、切り欠かれた形状を有する。かかる形状をサブマウント５０が有することによって、光出射面１４ａからの光の遮光が低減される。したがって、光出射面１４ａから出射される光の光ファイバ２４への結合効率が向上される。
【００３９】
サブマウント５０は、他の態様のサブマウントの斜視図である図７（ｂ）に示されるように、半導体発光素子１４を接合する際の圧力が第２の面５０ｂに均等に加わる形状であれば、種々の形状をとることができる。図７（ｂ）に示されるサブマウント５０は、第２の部分５０ｆのうち、光出射面１４ａからの光の出射方向に位置し、且つ、所定軸Ｘに交差する方向に延びる部分が、所定軸Ｘに素って延びる一対の縁部を残して、第１の面５０ａから第２の面５０ｂまで切り欠かれた形状を有する。かかる形状のサブマウント５０によっても、光出射面１４ａからの光の遮光が低減され、光出射面１４ａから出射される光の光ファイバ２４への結合効率が向上される。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、サブマウントの第２の面に設ける金属膜として、種々の変形態様を構成することができる。図８（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、変形態様にかかるサブマウントの斜視図である。図８（ａ）〜（ｃ）に示されるサブマウントはそれぞれ、第２の面において金属膜１６ｈが設けられている領域が異なる。図８（ａ）に示されるサブマウント１６は、第２の面１６ｂのうち所定軸Ｘに交差する一縁に沿う領域を除いて金属膜１６ｈが設けられている。図８（ｂ）に示すサブマウント１６は、第２の面１６ｂのうち所定軸Ｘに交差する一対の縁に沿う領域を除いて金属膜１６ｈが設けられている。また、図８（ｃ）に示すサブマウント１６は、第２の面１６ｂの周縁に沿う領域を除いて、金属膜１６ｈが設けられている。金属膜１６ｈが設けられていない領域を搭載面１２ａの第２の領域１６ｄに近づけることによって、第２の面１６ｂの縁部から第３の領域１６ｄに接合部材３２が漏れ出す領域を小さくすることができる。その結果、駆動素子２０を半導体発光素子１４により近づけて配置することができる。なお、第２実施形態のサブマウント５０も同様に、第２の面５０ｂにおいて金属膜５０ｈを設ける領域を変更することができる。
【００４１】
また、上述した実施形態の光モジュールでは、サブマウントが絶縁性の材料から構成されており、搭載面１２ａとサブマウントの第１の面とは異なる電位配分とされた設計が採用されているが、サブマウントに導電性の材料を用い、搭載面１２ａとサブマウントの第１の面とが同じ電位配分とされる設計が採用されても良い。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レンズと光学的に結合すべき半導体発光素子を搭載面に対して精度良く実装可能な発光モジュールが提供される。かかる発光モジュールでは、搭載面に対して半導体発光素子が精度良く実装されるので、設置面を有するレンズと半導体発光素子との光軸調整が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、第１実施形態にかかる発光モジュールを分解して示す斜視図である。
【図２】図２は、第１実施形態にかかる発光モジュールを分解して示す斜視図であり、ベースと、本体部と、フレームと、封止部と、蓋部とを示している。
【図３】図３は、キャリアの斜視図であり、サブマウントに搭載された半導体発光素子、レンズ、及び駆動素子を共に示す。
【図４】図４は、第１実施形態にかかるサブマウントの斜視図である。
【図５】図５は、半導体発光素子をサブマウントに接合する工程を示す図である。
【図６】図６（ａ）は、レンズの斜視図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＩＶ−ＩＶ断面を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、第２実施形態にかかるサブマウントの斜視図である。図７（ｂ）は、第２実施形態の他の態様にかかるサブマウントの斜視図である。
【図８】図８（ａ）は、サブマウントの第２の面に設けられる金属膜の一例を示す図である。
図８（ｂ）は、サブマウントの第２の面に設けられる金属膜の一例を示す図である。
図８（ｃ）は、サブマウントの第２の面に設けられる金属膜の一例を示す図である。
【符号の説明】
１…発光モジュール、２…ベース、４…本体部、６…フレーム、８…封止部、１０…蓋部、１２…キャリア、１２ａ…搭載面（キャリア）、１４…半導体発光素子、１６…サブマウント、１６ａ…第１の面、１６ｂ…第２の面、１６ｃ…第１の領域、１６ｄ…第２の領域、１６ｅ…第１の部分、１６ｆ…第２の部分、１８…レンズ、２０…駆動素子、２２…受光部、２４…光ファイバ、３２…接合部材、Ｘ…所定軸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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