(57)【要約】【課題】ウエハ−研磨パッド間の接触角を小さくし、ＣＭＰ研磨レートの均一性を改善することにより、研磨スラリー供給不足を解消することができる半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】ウエハエッジ形状の仕様として、ウエハ平面端１０２からウエハ端１０３までの球面形状の長さを８００〜１０００μｍとしたウエハ１００を使用し、ＣＭＰ研磨時にウエハ１００−研磨パッド１０５間の接触角を小さくし、ＣＭＰ研磨レートのウエハ面内均一性を高める。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心部に位置する平面部と、この平面部の周辺からウエハの端部に位置する球面部とを有し、前記平面部の外周端部から前記ウエハの端部までの前記平面部と並行する方向の長さが８００〜１０００μｍである半導体ウエハを準備する工程と、
複数のウエハ研磨パッドを有するＣＭＰ装置を準備する工程と、
前記ＣＭＰ装置を用いて前記半導体ウエハにＣＭＰ研磨を施すことにより、前記ウエハ研磨パッド間の接触角を小さくし、ＣＭＰ研磨レートのウエハ面内均一性を高めることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記研磨パッドは硬質パッドである請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記研磨パッドは軟質パッドである請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法、詳しくはＣＭＰ処理を有するＬＳＩデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３は従来のＣＶＤ酸化膜を成膜したＲＯＳ（Ｒｏｌｌ  ｏｆｆ  ｓｔａｒｔｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ：ウエハ平面端からウエハ端の長さ）の短いウエハの部分断面図、図４はそのウエハにおけるＣＭＰを実施した際の研磨レートのウエハ面内分布を表す図である。
図３において、１はウエハ、２はそのウエハの平面領域、３はウエハ平面端、４はウエハ端、５はそのＲＯＳである。
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては次のようなものがある。
【特許文献１】特開平５−６２９５１号公報
【０００３】
図３、図４の例では、研磨レートの分布はウエハエッジ部にて高い特徴を持っていることが判る。結論として、従来技術では面内にて研磨レートが一律でないことを表している。理想としては研磨レートの面内均一性が良好であることが望ましく、均一性が悪い状況でデバイスのＣＭＰ処理を実際に行うと、研磨後の被研磨膜の残膜厚が不均一になるという問題があった。
【０００４】
加えて、図４は硬度の異なる研磨パッドを用いた場合の、研磨レートのウエハ面内分布を表している。現在、一般的に使用されている軟質な研磨パッド（図４実線）に比べ、硬質なパッド（図４破線）では研磨レートの面内均一性が悪いことが判る。デバイスチップ内部の平坦性を改善するのに硬質パッドは有効であることが明らかになっているが、研磨レートのウエハ面内均一性が悪化することが問題になっていため、従来の軟質パッドなみに均一性を改善する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した研磨レートのウエハ面内均一性を悪化させる原因の１つとして、ウエハ平面全体への研磨スラリーの供給不足が想定されている。
【０００６】
図３に示すように、従来のウエハ端の断面形状はウエハ表面における平面を極力確保する目的から、ウエハ端約０．７ｍｍ（７００μｍ）まで平面を有しており、そのウエハ平面端３からウエハ端４においては半球面を有している。
【０００７】
ウエハ平面端３からウエハ端４の長さ（ＲＯＳ）が小さいために、ウエハ−研磨パッド間の接触角は大きくなり、ウエハ中心に向けて流れようとする研磨スラリーを堰き止める現象が生じ、そのため研磨スラリー供給不足が生じるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記状況に鑑み、ウエハ−研磨パッド間の接触角を小さくし、ＣＭＰ研磨レートの均一性を改善することにより、研磨スラリー供給不足を解消することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決する半導体集積回路を提供する。本発明の代表的なものは、レジスタ間でデータの転送を行う半導体集積回路において、一方の端子が電源電位に接続され他方の端子が前記レジスタの電源ラインに接続され、前記データ転送時の初期にOFFするトランジスタと、一端が前記レジスタの電源ラインに接続され他端が前記電源電位よりも低い電位に接続されている抵抗手段とを有する半導体集積回路である。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明では、ウエハ−研磨パッド間の接触角が小さいため、ウエハ平面全体への研磨スラリーの供給不足が改善される。そのため、研磨レートのウエハ面内均一性の改善を図ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は本発明の実施例を示すＲＯＳの長いウエハの研磨態様を示す図、図２は本発明の実施例を示すＲＯＳの長いウエハのＣＭＰを実施した際の研磨レートのウエハ面内分布図である。
【００１３】
図１において、１００はウエハ、１０１はそのウエハの平面領域（有効チップ領域）、１０２はウエハ平面端、１０３はウエハ端、１０４はＲＯＳ（平面端からウエハ端の長さであり、ここでは、８００〜１０００μｍ）、１０５は研磨パッドである。
【００１４】
この実施例では、ウエハエッジ形状の仕様として、ＲＯＳ１０４は、例えば８００μｍと長くする。つまり、従来の７００μｍのＲＯＳより長く、つまり、８００〜１０００μｍとして、ウエハ−研磨パッド間の接触角が小さくなるように改善し、このウエハを用いて、ＣＭＰを実施する。
【００１５】
このように、実施例を構成したので、以下のような効果を奏することができる。
【００１６】
この実施例では、ウエハ−研磨パッド間の接触角が小さいため、ウエハ平面全体への研磨スラリーの供給不足が改善される。そのため、研磨レートのウエハ面内均一性の改善を図ることが可能になる。
【００１７】
図２に示した本発明の第１実施例のＲＯＳの長いウエハの研磨レート分布図と図４に示した従来のＲＯＳの短いウエハの研磨レート分布図を対比すると明らかなように、両者の硬質、軟質パッドにおける研磨レートの面内分布を調べた結果、本発明の実施例のＲＯＳの長い仕様のウエハの方が、従来のＲＯＳの短い仕様のウエハより均一性が良好であることが分かる。特に、硬質パッド（点線）ではウエハ面内均一性の改善効果がさらに大きくなっていることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００１８】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施例を示すＲＯＳの長いウエハの研磨態様を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例を示すＲＯＳの長いウエハのＣＭＰを実施した際の研磨レートのウエハ面内分布図である。
【図３】従来のＣＶＤ酸化膜を成膜したＲＯＳの短いウエハの部分断面図である。
【図４】従来のウエハにおけるＣＭＰを実施した際の研磨レートのウエハ面内分布を表す図である。
【符号の説明】
【００２０】
１００    ウエハ
１０１    平面領域（有効チップ領域）
１０２    ウエハ平面端
１０３    ウエハ端
１０４    ＲＯＳ（平面端からウエハ端の長さ）
１０５    研磨パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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