(57)【要約】【解決手段】本発明の研磨方法は、（Ａ）無発泡のエポキシ樹脂および（Ｂ）有機充填剤および／または無機充填剤からなる充填剤を含有する組成物から形成される研磨パッドにおいて、研磨前のパッドの表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定される算術平均高さＲａで０．５〜２．０μｍ、または、最大高さＲｚで８．０〜２０μｍである研磨パッドを用いて被研磨物を研磨する方法である。【効果】本発明によれば、発泡ポリウレタンパッドと比較して、より安定かつ優れた研磨速度が得られる研磨パッド、ならびに該研磨パッドを用いることにより、研磨効率を高めることができる研磨方法を提供することができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨前の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定される算術平均高さＲａで０．５〜２．０μｍ、または、最大高さＲｚで８．０〜２０μｍであることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
（Ａ）無発泡のエポキシ樹脂および（Ｂ）有機充填剤および／または無機充填材からなる充填剤を含有する組成物から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
上記充填剤（Ｂ）が、上記組成物（１００重量％）中に１〜６０重量％の量で含有されていることを特徴とする請求項２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
請求項１〜３に記載の研磨パッドを用いることを特徴とする研磨方法。
【請求項５】
スラリー濃度が５〜２５重量％のシリカ系スラリー、またはスラリー濃度が１〜１０重量％のセリア系スラリーを研磨用スラリーとして用いることを特徴とする請求項４に記載の研磨方法。
【請求項６】
研磨時に被研磨物にかかる研磨圧力が３０〜１０００ｇ／ｃｍ２であることを特徴とする請求項５または６に記載の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨パッドおよび該研磨パッドを用いた研磨方法に関する。より詳細には、無発泡のエポキシ樹脂からなる研磨パッド、ならびに該研磨パッドおよび研磨用スラリーを用いた半導体集積回路を製造する際のシリコンウエハの研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近の半導体メモリに代表される大規模集積回路（ＬＳＩ）は、年々集積化や微細化が進んでおり、それに伴い、大規模集積回路の製造技術が高密度化し、製造工程も複雑化している。さらに、半導体デバイスの積層数も増加しており、それにより、従来は問題とならなかった半導体デバイス表面の凹凸が問題となっている。つまり、半導体デバイス表面に凹凸があることにより、断線や抵抗値のばらつきなどの発生につながっている。
【０００３】
また、大規模集積回路（ＬＳＩ）の集積化にも伴って、ウエハ表面にマスクのパターンを形成するパターン形成技術としてリソグラフィ（投影露光）が行われているが、近年の半導体集積回路の微細化によって、露光波長が短くなり、さらに露光装置の焦点深度が非常に浅くなってきている。そのため、ウエハ表面に凹凸が存在するとマスクのパターンが解像できなくなることから、ウエハ表面の平坦化が一層求められている。
【０００４】
従来からウエハ表面の平坦化技術としては、ガラスメルト法、スピンオンガラス法などが使用されているが、それらは主に断線を防止するためのものである。そこで、断線、抵抗値のばらつき、さらにパターンを解像できない等の問題を解消する方法として、近年、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（以下、ＣＭＰともいう。））技術によるウエハ表面を平坦化する方法が主流となっている。
【０００５】
ウエハ表面を平坦化するＣＭＰは図１に示される装置を用いて行われる。
図１に示されるＣＭＰ装置１は回転する円盤１０と、ホルダープレート３１およびモーター３２を有するウエハ回転装置３０からなっており、円盤１０には研磨パッド２０が設置されており、研磨パッド２０上にスラリー状の研磨剤を滴下する滴下装置５０がついている。ウエハ４０はホルダープレート３１に保持され、その表面が研磨パッド２０に接触し、さらに、モーター３２によって回転する。研磨パッド２０は円盤１０と共に回転し、滴下装置５０から該パッド２０上に滴下された研磨剤によりウエハ４０の表面を研磨して、ウエハ４０表面を平坦化する。
【０００６】
また、ＣＭＰは単にウエハ表面を平坦化するだけでなく、埋め込み配線（ダマシン）を形成するためにも使用される。
上記ＣＭＰ装置を搭載した自動研磨装置は、半導体プロセス工程に導入されており、大きい物で６００ｍｍφの定盤上に研磨パッドを取付けて、２００ｍｍφ以上のウエハを研磨する装置もある。
【０００７】
ＣＭＰ研磨の対象となるものとして、配線（Ａｌ、Ｗなど）および絶縁層（ＳｉＯ２など）が挙げられる。これらを研磨する際に用いられる研磨剤はｐＨが大きく異なっており、配線を研磨する場合には、ｐＨが３程度の酸性の研磨剤を用い、絶縁層を研磨する場合には、ｐＨが１１程度のアルカリ性の研磨剤を用いる。したがって、ＣＭＰに用いられる研磨パッドには、耐アルカリ性および耐酸性の両方の性能が要求される。
【０００８】
ＣＭＰに用いられる研磨パッドとしては、現在、発泡ポリウレタンからなるパッド（特許文献１参照）が用いられている。一般的に、発泡ポリウレタン製パッドのように表面粗さの大きい研磨パッドは、研磨速度を高めることができることから、研磨に適しているとされている。しかしながら、発泡ポリウレタン製パッドには、発泡に起因する微細な孔が存在し、この微細な孔に研磨粉が入り込むことにより、パッドが目詰まりを起こし、研磨速度が低下するという問題がある。また、この微細な孔の大きさは一定ではないため、パッド表面をドレッシングしてもパッドの表面粗さに大きなバラツキが発生する。そのため、パッドの表面粗さが一定せず、安定した研磨速度が得られないという問題もある。
【０００９】
こうした中、近年、発泡ポリウレタン以外の組成物からなる研磨パッドが提案されており、たとえば、特許文献２（特開平１１−１３８４２０号公報）には、エポキシ樹脂を用いたＣＭＰ用研磨パッドが提案されている。しかしながら、これは耐薬品性に優れた研磨パッドを得ることを目的としており、好ましい研磨方法に関する記載は示されていない。
【００１０】
【特許文献１】
特許第２５５９７３０号公報
【特許文献２】
特開平１１−１３８４２０号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前述したような問題を解決するとともに、発泡ポリウレタンパッドと比較して、表面粗さが小さいにもかかわらず、安定かつ優れた研磨速度を得ることができる研磨パッドおよび該研磨パッドを用いた研磨方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る研磨パッドは、研磨前の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定される算術平均高さＲａで０．５〜２．０μｍ、または、最大高さＲｚで８．０〜２０μｍであることを特徴としている。
また、本発明に係る研磨パッドは、（Ａ）無発泡のエポキシ樹脂および（Ｂ）有機充填剤および／または無機充填材からなる充填剤を含有する組成物から形成されることが好ましい。
【００１３】
さらに、本発明に係る研磨パッドは、上記充填剤（Ｂ）が、上記組成物（１００重量％）中に１〜６０重量％の量で含有されていることが望ましい。
本発明に係る研磨方法は、上記研磨パッドを用いて研磨することを特徴としている。
また、本発明に係る研磨方法は、スラリー濃度が５〜２５重量％のシリカ系スラリー、またはスラリー濃度が１〜１０重量％のセリア系スラリーを研磨用スラリーとして用いることが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明の研磨方法は、研磨時に被研磨物にかかる研磨圧力が３０〜１０００ｇ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る研磨パッドおよび該研磨パッドを用いた研磨方法について具体的に説明する。
研磨パッド
本発明に係る研磨パッドは、（Ａ）無発泡のエポキシ樹脂および（Ｂ）有機充填剤および／または無機充填剤からなる充填材を含有する組成物から形成され、研磨前のパッドの表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定される算術平均高さＲａで０．５〜２．０μｍ、または、最大高さＲｚで８．０〜２０μｍである。
【００１６】
まず、本発明で用いられる研磨パッド用組成物を構成する成分について以下に説明する。
「エポキシ樹脂（Ａ）」
本発明に用いられる無発泡のエポキシ樹脂（Ａ）としては、特に限定されるものではないが、分子内に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂が挙げられる。
【００１７】
このようなエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等を挙げることができ、好ましくは下記化学式に示されるノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、特に好ましくはノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂を用いることが望ましい。これらエポキシ樹脂は、１種単独で、または２種以上組み合わせて用いてもよい。また、上記のような無発泡のエポキシ樹脂を用いることにより、目詰まりの原因となる微細な孔がない研磨パッドを得ることができる。
【００１８】
【化１】
2004266219.tif 000002
【００１９】
本発明に用いられる無発泡のエポキシ樹脂（Ａ）は、研磨パッド用組成物（１００重量％）中に、１０〜７０重量％、好ましくは２０〜６０重量％の量で含有していることが望ましい。
「充填剤（Ｂ）」
本発明に用いられる充填剤（Ｂ）は、有機充填剤および／または無機充填剤からなる。
【００２０】
（有機充填剤）
上記有機充填剤としては、特に限定されるものではないが、好ましくはシリコーンを含むエラストマー、より好ましくはシリコーンゴム弾性体、特に好ましくはエポキシ基を含有したシリコーンゴム弾性体を挙げることができる。エポキシ基を含有したシリコーンゴム弾性体としては、具体的には、トレフィルＥ−６０１（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）などが挙げられる。
【００２１】
本発明に用いられる充填剤（Ｂ）が有機充填剤からなる場合、有機充填剤は、研磨パッド用組成物（１００重量％）中に、１〜６０重量％、より好ましくは５〜５０重量％、特に好ましくは１０〜４５重量％の量で含有されていることが望ましい。有機充填剤が上記範囲で含有されることにより、研磨パッドに可撓性が付与され、モールド後のパッドの変形および研磨装置に設置する時の破損を防ぐことができる。
【００２２】
（無機充填材）
上記無機充填材としては、二酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどの金属酸化物、複合酸化物超微粒子が挙げられ、好ましくは二酸化ケイ素を用いることが望ましい。
本発明に用いられる充填剤（Ｂ）が無機充填剤からなる場合、無機充填材は、研磨パッド用組成物（１００重量％）中に、１〜６０重量％、より好ましくは５〜４０重量％、特に好ましくは５〜２０重量％の量で含有されていることが望ましい。無機充填剤が前記範囲で含有されることにより、パッドの強度を高めるとともに、パッドの表面平面度が向上し、研磨の際に、ウエハに傷をつける確率を低減することが可能となる。
【００２３】
また、本発明に用いられる充填材（Ｂ）が、上記有機充填剤および上記無機充填剤からなる場合、充填剤（Ｂ）は、研磨パッド用組成物（１００重量％）中に、１〜６０重量％、より好ましくは１０〜６０重量％、特に好ましくは２０〜６０重量％であることが望ましい。このような充填剤（Ｂ）が前記範囲で含有されることにより、研磨パッドの表面硬度、機械強度、変形、平滑度の調整が可能であり、研磨対象、そのサイズによって適宜、その組成を使い分けることができる。
【００２４】
（その他）
本発明の研磨パッド用組成物は、研磨パッドの硬度、反応効率または耐薬品性などを高めるために硬化剤および硬化促進剤を含有するとともに、必要に応じて離型剤、シランカップリング剤、難燃剤、着色剤、低応力化剤などを添加してもよい。
【００２５】
上記硬化剤としては、特に限定されるものではないが、フェノールノボラック樹脂、アラルキルフェノール樹脂などが挙げられる。そのような、フェノールノボラック樹脂としては、具体的には、ＰＮ−８０，ＰＮ−１００（日本化薬（株）製）など、アラルキルフェノール樹脂としては、具体的には、ミレックスＸＬＣ−３Ｌ（三井化学（株）製）などが挙げられる。含有量としては、一般的な研磨パッドを形成する際の含有量、たとえば研磨パッド用組成物（１００重量％）中に１〜７０重量％の量で添加すればよい。
【００２６】
上記硬化促進剤としては、特に限定されるものではないが、
２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールアジン等のイミダゾール類；
トリフェニルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン等の有機ホスフィン類；
１，８−ジアザシクロ（５，４，０）ウンデセン−７フェノール塩、１，８−ジアザシクロ（５，４，０）ウンデセン−７フェノールノボラック塩、１，８−ジアザシクロ（５，４，０）ウンデセン−７フェノールノボラック炭酸塩などのＤＢＵ誘導体；
下記式［Ｉ］、［ＩＩ］で表される尿素誘導体などが挙げられる。含有量としては、一般的な研磨パッドを形成する際の含有量、たとえばエポキシ樹脂１００重量部に対して０．１以上２０重量部以下の量で添加すればよい。
【００２７】
【化２】
2004266219.tif 000003
【００２８】
（式［Ｉ］および［ＩＩ］中、Ｒ１およびＲ２はアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、特に好ましくは炭素数１〜５のアルキル基を表し、相互に同一であっても、異なっていてもよく、Ａｒは置換されたアリール基、または無置換のアリール基を表す。）
上記離型剤としては、モンタン酸、ステアリン酸、ベヘニン酸、オレイン酸などの高級脂肪酸；カルナバワックスなどの高級脂肪酸のエステルワックス；ベヘニン酸亜鉛、オレイン酸亜鉛、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸アルミニウムなどの高級脂肪酸の金属塩；ジンクステアレートなどの金属石鹸を挙げることができ、これらから選ばれる１種または２種以上を添加することができる。
【００２９】
また、上記シランカップリング剤としては、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなど、上記難燃剤としては、ブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、水酸化アルミニウムなど、上記着色剤としては、カーボンブラック、フタロシアニンなど、上記低応力化剤としては、ブタジエンゴムなどが挙げられる。
【００３０】
次に、本発明に係る研磨パッドの表面粗さについて以下に説明する。
（表面粗さ）
本発明で用いられる研磨パッドの表面粗さは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定される算術平均高さＲａで０．５〜２．０μｍ、好ましくは０．７〜１．５μｍ、または、最大高さＲｚで８．０〜２０μｍ、好ましくは９．０〜１５μｍであることが望ましい。
【００３１】
表面粗さの調整方法は、特に限定されるものではないが、サンドペーパー、ダイヤモンド砥石、金属ブラシなどを用いた方法を挙げることができ、好ましくは粗さが＃１００〜３００のダイヤモンド砥石を用いることが望ましい。
また、均一な表面粗さに調整する必要があるため、たとえばＣＭＰ装置上でパッドを回転しながら調整する方法が望ましい。このような調整方法としては、被研磨物（たとえば、シリコンウエハ）の研磨と表面粗さの調整を交互に実施する方法と、被研磨物の研磨と同時に表面粗さの調整をする方法があるが、後者の方法が好ましい。
【００３２】
表面粗さＲａまたはＲｚが上記範囲であると、パッド上でのスラリーの保持力が低下しないため、研磨速度が低下することがなく、また、研磨後の被研磨物の表面に傷（スクラッチ）が発生する恐れもない。
研磨方法
本発明に係る研磨方法は、上記研磨パッドを用いて被研磨物（たとえば、シリコンウエハ）をパッドに押付けて研磨する方法であり、研磨の際に研磨スラリーを用いることで研磨効率を高め、被研磨物の表面をより平坦化させることができる。
【００３３】
まず、本発明の研磨方法に用いられる研磨スラリーについて以下に説明する。
（研磨用スラリー）
本発明に用いられる研磨用スラリーは、特に限定されるものではないが、シリカ系スラリー、セリア系スラリー、アルミナ系スラリー、金属酸化物スラリーなどを挙げることができ、好ましくはシリカ系スラリー、セリア系スラリーを用いることが望ましい。
【００３４】
また、これらのスラリー濃度は、シリカ系スラリーでＳｉＯ２として５〜２５重量％、好ましくは８〜１５重量％、セリア系スラリーでＣｅＯ２として１〜１０重量％、好ましくは２〜５重量％で用いることが望ましい。前記のようなスラリー濃度で用いることにより、良好に被研磨物（たとえば、シリコンウエハ）を研磨することができる。
【００３５】
シリカ系スラリーとしては、コロイダルシリカスラリーが挙げられ、セリア系スラリーとしては、酸化セリウムスラリーが挙げられる。特に、酸化セリウムスラリーを用いた場合、コロイダルシリカスラリーを用いた場合と比較して、より研磨速度の向上が大きい。
次に、研磨条件について以下に説明する。
【００３６】
（研磨条件）
研磨において、研磨速度に影響を与える要因の一つとして、研磨圧力が挙げられる。研磨圧力とは、図１における研磨装置の研磨パッド２０とホルダープレート３１の間にウエハ４０を挟み、ホルダープレート３１にかける圧力のことをいう。このように研磨圧力をかけた状態で、一定時間研磨することによりウエハの平坦化が完了する。したがって、他の研磨条件が一定であれば、研磨圧力が高くなるほど研磨速度も向上するが、研磨圧力が高くなりすぎるとウエハの表面に研磨による傷（スクラッチ）などが発生する。そのため、研磨圧力は３０〜１０００ｇ／ｃｍ２、好ましくは１００〜８００ｇ／ｃｍ２、より好ましくは３００〜７００ｇ／ｃｍ２であることが望ましい。
【００３７】
また、酸化セリウムスラリーはコロイダルシリカスラリーよりも研磨速度に優れるため、酸化セリウムスラリーを使用して低い研磨圧力で研磨する方法が好ましい。
【００３８】
【発明の効果】
本発明により、発泡ポリウレタンパッドと比較して、表面粗さが小さいにもかかわらず、より安定かつ優れた研磨速度が得られる研磨パッド、ならびに該研磨パッドを用いることにより、研磨速度などの研磨効率を高めることができる研磨方法を提供することができる。
【００３９】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、実施例、比較例において、研磨速度および表面粗さは、以下の方法に従い評価した。
研磨速度
図１のホルダープレート３１に、厚みが約１０００ｎｍの酸化膜が形成された縦１５ｍｍ×横１５ｍｍ×厚さ０．５ｍｍサイズのカットウエハ４１を、図２のように、ホルダープレート３１の中心から４０ｍｍの位置に３枚固定し、図１のＣＭＰ研磨装置１を用いて下記条件にて各パッドの研磨速度を測定した。なお、実験には簡易式研磨装置（装置名：ＬＭ−１５、ラップマスターＳＦＴ（株）製）を使用した。
１．パッド回転数；３０ｒｐｍ
２．ホルダープレート回転数；３５ｒｐｍ
３．スラリー；１２．５ｗｔ％コロイダルシリカスラリー（商品名：ＳＳ−２５、キャボット社製）
４．スラリー供給量；１０ｍｌ／ｍｉｎ
５．研磨圧力；１００〜７００ｇ／ｃｍ２
６．研磨時間：２ｍｉｎ
７．パッド；φ３４０ｍｍ
８．パッドの中心とホルダープレートの中心間の距離；１１０ｍｍ
研磨速度（ｎｍ／ｍｉｎ）の計算は、研磨前後の酸化膜の厚み（ｎｍ）を測定し、研磨量（ｎｍ）と研磨時間（ｍｉｎ）から下記式より求め評価した。酸化膜の厚みは、膜厚測定装置（装置名：ＦＴＰ−５００−１、ＳＥＮＴＥＣＨ社製）にて測定した。
【００４０】
【数１】
2004266219.tif 000004
【００４１】
表面粗さ
試作したパッドを図１に示したＣＭＰ装置１の円盤１０上に粘着テープで貼り付けて、ダイヤモンドドレッサー（＃１００）を使用して、円盤１０の回転数３０ｒｐｍにて６０分間パッドの表面のドレッシングを実施した。
ドレッシング後、円盤１０に貼り付けたままの状態で、触針式表面粗さ計（装置名；ＳＵＲＦＣＯＭ、東京精密（株）製）を用いてＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定される算術平均高さＲａおよび最大高さＲｚを測定した。
【００４２】
【実施例１】
シリコーンゴム弾性体（商品名；トレフィルＥ−６０１、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）および二酸化ケイ素（商品名；ナノテック、シーアイ化成（株）製）を５６重量％含有し、ドレッシングによりＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定される算術平均高さＲａが１．２１μｍ、最大高さＲｚが１１．３１μｍの無発泡エポキシ樹脂製パッドを、図１のＣＭＰ研磨装置１上円盤１０に粘着テープで固定し、研磨圧力を５００ｇ／ｃｍ２にして、上記方法で研磨速度の測定を行った。その結果、研磨速度は１４０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４３】
【実施例２】
実施例１の研磨圧力を７００ｇ／ｃｍ２にした以外は、実施例１と同様の研磨速度の測定を行った。その結果、研磨速度は１６５ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４４】
【実施例３】
シリコーンゴム弾性体および二酸化ケイ素を５３重量％含有し、ドレッシングにより算術平均高さＲａが１．１０μｍ、最大高さＲｚが９．７８μｍの無発泡エポキシ樹脂製パッドを、図１のＣＭＰ研磨装置１上円盤１０に粘着テープで固定し、研磨圧力を３００ｇ／ｃｍ２にして、上記方法で研磨速度の測定を行った。その結果、研磨速度は９０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４５】
【比較例１】
シリコーンゴム弾性体を５７重量％含有し、ドレッシングを行わず、算術平均高さＲａが０．１２μｍ、最大高さＲｚが０．６４μｍの無発泡エポキシ樹脂製パッドを、図１のＣＭＰ研磨装置１上円盤１０に粘着テープで固定し、研磨圧力を７００ｇ／ｃｍ２にして、上記方法で研磨速度の測定を行った。その結果、研磨速度は５４ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４６】
【比較例２】
実施例３の無発泡エポキシ樹脂製パッドを用いて実施例３の条件で１２分間研磨した後、ドレッシングを行わず（算術平均高さＲａ：０．４８μｍ、最大高さＲｚ：５．１２μｍ）、そのままさらに実施例３と同様に研磨を行い、研磨速度の測定を行った。その結果、研磨速度は６８ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４７】
【比較例３】
シリコーンゴム弾性体および二酸化ケイ素を６３重量％含有し、ドレッシングを行わず、算術平均高さＲａが０．１２μｍ、最大高さＲｚが０．５μｍの無発泡エポキシ樹脂製パッドを、図１のＣＭＰ研磨装置１上円盤１０に粘着テープで固定し、研磨圧力を５００ｇ／ｃｍ２にして、上記方法で研磨速度の測定を行った。その結果、研磨速度は３３ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４８】
【比較例４】
ドレッシングにより算術平均高さＲａが４．３μｍ、最大高さＲｚが３７μｍの発泡ポリウレタン製パッド（商品名；ＩＣ−１０００、ロデールニッタ（株）製）を、図１のＣＭＰ研磨装置１上円盤１０に粘着テープで固定し、研磨圧力を５００ｇ／ｃｍ２にして、上記方法で研磨速度の測定を行った。その結果、研磨速度は１０２ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００４９】
【表１】
2004266219.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、ＣＭＰ装置の概略図である。
【図２】図２は、酸化膜付きカットウエハの取付け図である。
【符号の説明】
１・・・ＣＭＰ研磨装置
１０・・・円盤
２０・・・研磨パッド
３０・・・ウエハ回転装置
３１・・・ホルダープレート
３２・・・モーター
４０・・・ウエハ
４１・・・酸化膜付きカットウエハ
５０・・・滴下装置
【図１】
2004266219.tif 000006
【図２】
2004266219.tif 000007