(57)【要約】【課題】光の波長に制限されない超高密度の光情報記録再生を行うために光の近接場効果を用いることにより、高効率で信号光を検出することが可能な光情報記録装置を提供する。【解決手段】本実施形態の光学情報記録装置は、入射波長よりも十分小さい大きさを持った微小開口アレイを備えた平面型プローブアレイから近接場光を記録媒体に照射する装置であり、半導体レーザにより構成されるレーザ光源１１と、レーザ光源１１から照射された光を平行光束に変換するコリメータレンズ１２と、平行光束を通過させ、反射光を偏向するビームスプリッタ１３と、レーザ光束を結像する対物レンズ１６と、回転する記録媒体２０上を掃引するスライダ部１７と、このスライダ部１７底面に形成された平面プローブ部１８と、ビームスプリッタ１３により偏向された光を結像する結像レンズ１４と、反射光の強弱を電気信号に変換する光検出器１５と、記録媒体２０とを備えて構成される。【選択図】      図１
2004213702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ光源と、該レーザ光源の光束を偏向する光偏向手段と、前記レーザ光源の光束を結像する光学結像系と、光情報記録媒体からの反射光強度を光電変換する光検出手段と、を備えた光情報記録装置であって、
前記光情報記録媒体上を掃引するスライダと、該スライダの底面に形成され前記レーザ光源の入射波長より充分小さい開口部を有する平面型プローブアレイと、を備え、前記レーザ光源の光束を前記光学結像系により前記平面型プローブアレイにスポットを結像することにより、該平面型プローブアレイ先端より近接場光を発生することを特徴とする光情報記録装置。
【請求項２】
近接場光を反射する反射層と、前記近接場光により記録マークを形成する記録層と、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を備えた媒体層と、前記スライダとの接触から前記各層を保護する保護層と、が平板状の基板上に順次積層され、前記平面型プローブアレイ先端より発生した近接場光により、前記記録層にマークを形成することを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項３】
前記基板上に形成された誘電率の実数部が負の負誘電体媒質の厚さが、再生、記録波長以下の厚さであることを特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｇを用いたことを特徴とする請求項２又は３に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｕを用いたことを特徴とする請求項２又は３に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
前記誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｌを用いたことを特徴とする請求項２又は３に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
前記基板がプラスチック又は高分子化合物からなることを特徴とする請求項２乃至６の何れか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅからなる記録層を用いたことを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
前記光情報記録媒体の基板表面が、光の波長よりも短い間隔の回折格子状の凹凸を有していることを特徴とする請求項２乃至８の何れか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
前記回折格子状の凸部における先端およびその近傍の屈折率がそれ以外の領域より高い屈折率を有することを特徴とする請求項２乃至９の何れか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項１１】
光情報記録媒体の最表面にダイヤモンドライクカーボンが形成されていることを特徴とする請求項２乃至１０の何れか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項１２】
光情報記録媒体の最表面にＳｉＮが形成されていることを特徴とする請求項２乃至１１の何れか一項に記載の光情報記録媒体。
【請求項１３】
ガラス基板の表面全面に高屈折率化できるイオンを注入し、その表面にレジストにより回折格子状の凹凸を形成する工程と、前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングしてガラス基板表面に所定の回折格子状の凹凸を形成する工程と、レジストを除去する工程と、さらに表面全体に遮光膜として機能する金属膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする平面型プローブアレイの製造方法。
【請求項１４】
半導体レーザ光源と、該レーザ光源の光束を偏向する光偏向手段と、前記レーザ光源の光束を結像する光学結像系と、光情報記録媒体からの反射光強度を光電変換する光検出手段と、を備えた光情報記録装置であって、
更に、前記光情報記録媒体から透過する近接場光成分を結像する第２の光学結像系と、前記光情報記録媒体から透過する近接場光強度を光電変換する第２の光検出手段と、前記光情報記録媒体上を掃引するスライダと、該スライダの底面に形成され前記レーザ光源の入射波長より充分小さい開口部を有する平面型プローブアレイと、を備えたことを特徴とする光情報記録装置。
【請求項１５】
前記半導体レーザ光源は、互いに異なる波長を出射する複数個の光源により構成されていることを特徴とする請求項１４に記載の光情報記録装置。
【請求項１６】
前記近接場光により記録マークを形成する記録層と、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を備えた媒体層と、が平板状の基板上に順次複数層形成され、前記各層の最上層に前記スライダとの接触から前記各層を保護する保護層を形成したことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１７】
前記複数の記録層が、吸光度の波長依存性が異なる光学特性を有するフォトクロミック材料によって構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光情報記録装置、光情報記録媒体及び平面型プローブアレイの製造方法に関し、さらに詳しくは、近接場光学効果を用いた超高密度でデータの記録再生を行う光情報記録方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、オーディオ、ビデオ動画像（motion picture）ファイル及びテキストファイルなど、多様なタイプの情報が組み合わされたマルチメディア時代への進展に伴い、大容量の情報を迅速に処理し格納する大容量の情報の記録及び格納媒体が求められている。また、更に普及されると予想される高鮮明（high-definition ）動画像とＶＯＤ（Video-On-Demand）のような双方向性画像通信が実現されると、更に情報記録媒体及び格納媒体の容量は増大されることになる。
このような要請に従い、現在広く使用される記録媒体に対する多様な記録及び再生方式が提案されているが、このような、データの記録再生方法の一つとして、光を用いて記録媒体に記録、再生する方法がある。光を用いた記録方法の代表的な例としては、特定の高分子材料に所定の光を照射してその分子構造を変化させることによる局所的な屈折率の変化を用いるものがある。これは、一般に希土類金属と遷移金属からなるアモルファス合金薄膜を所定の磁界中で光を照射し、局所的にキュリー点または補償点以上に加熱することにより局所的な磁化方向を変化させるものである。
しかしこれらの方法ではレーザ光をレンズ光学系で集光して記録媒体に照射し、このレーザ光のスポット径が記録マークの大きさを決定する重要なパラメータになっている。即ち、レーザ光のスポットの大きさを小さくすればするほど、光記録媒体に多くの情報を記録することができ、高記録密度を達成することができる。これを実現するためには、レーザ光の波長を短くし、光ピックアップの対物レンズの開口数（ＮＡ）を増加させれば良い。しかし、レーザ光の波長を短かくして、しかも対物レンズの開口数を増加させて実現できるレーザ光のスポットの大きさは、このレーザ光の波長程度が限界である。例えば、レーザ光の波長を短かくするため、現在ＤＶＤの光源として用いられる赤色半導体レーザ（〜６６０ｎｍ）に代わって、青色半導体レーザ（〜４００ｎｍ）を前記ＤＶＤの光源に用いると、ＤＶＤの単位面積当たり記録可能な情報量は、赤色半導体レーザを用いた場合の記録媒体の情報量に比べて、約２．５倍ほど向上させることができる。しかしこのような方法では、光のスポット径は光の回折限界により、記録媒体の記録密度を向上する上で限界がある。
【０００３】
以上のような問題点に鑑みて、テラバイト（TB, terabyte）級の情報量を処理する際、従来技術とは全く異なる原理に基づく技術として、近接場光学又はボリュームホログラム（Volume Hologram）、光化学ホールバーニング（photo-chemical hole burning）、３次元光記録などのような超高密度記録方式が提案されている。
一般に、光の回折理論に基づいて、光集束スポットの大きさ（長径）は、光源波長及び開口数により決定され、前記光集束スポットの大きさにより、記録媒体の記録密度の上限が決定される。また、光の回折現象は、レンズを用いて光のビームの大きさを小さくするほど、ビームが広くなる性質を有するもので、これを数式に示すと、
θ＝λ／ｄ・・・・・・・（１）
となる。ここで、θは回折角を表し、ｄはビームの直径を表し、λは光の波長を表す。即ち、回折理論に基づき、レンズを利用してビームの大きさを小さくするほど、回折角は大きくなり、ビームの大きさを所定値以下に低減することはできない。従って、光記録媒体の記録密度の限界は、
ｄ＝１．２２λ／ＮＡ・・・・・・（２）
と近似的に表される光の回折理論により決定される。ここでＮＡは対物レンズの開口数を表す。即ち、レーザ光の波長（λ）が短いほど、且つ、レンズの開口数（ＮＡ）が大きくなるほど、集光されるビームの大きさは小さくなり、記録媒体の記録面密度は、スポットの大きさの自乗に反比例して増大し、光の波動性による回折現象により、１ビット当たり記録及び再生可能な情報の最小の大きさはほぼ光の波長程度になる。従って、このような従来の技術においては、光の波長を短くし、開口数が大きいレンズを用いて集束光のスポットの大きさを小さくし、記録密度を増大させる方法が最善であり、この方法により得られる記録密度は、２０〜３０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２が限界になると予想される。即ち、従来のシステムでは、光を電磁気波として利用するため、記録密度を向上させるとき、回折限界に伴う制約が避けられないという問題点があった。
【０００４】
そこで、このような回折限界を克服するため、近接場領域（物質の表面から光波長以下の距離）の近接場に存在する光を記録媒体への光源として用いた。即ち、光の波長よりも小さい開口から光（開口付近からのエバネッセント光）は原則的に放射されず、開口付近に位置した材料と相互作用する近接場の概念を記録媒体への情報の記録及び再生に応用することにより回折限界を克服し、従来の光記録の記録密度を飛躍的に向上できる可能性が示されている。つまり、光ファイバーの先端を先鋭化した後、表面に金属薄膜をコーティングし、さらにその先端に波長以下のサイズの微小開口を設けたプローブを用い、その先端より近接場光を媒体に照射することにより光記録を行っている。この場合、光ファイバーのスキャンは、ピエゾ素子をアクチェータとして用い、ラスタスキャンすることによりおこなわれていた。しかし、実用的なピエゾ素子はスキャンできる範囲が最大１００μｍ程度で、さらにスキャン速度もたかだか数十ｋＨｚ程度であり、記録データの読み出し速度に限界がある。さらに、実際に出力される光の強度も小さく、記録、再生速度を高速にすることに限界があった。
【０００５】
これらの課題に対して、特許第３０２３０８５号、特開平１１−１９１２３８号公報に平面アレイ型プローブが提案されている。これはシリコン基板を異方性エッチングする事により同一基板上に微小開口をアレイ状に作製している。したがって、１つの素子にプローブが多数個あることになり、素子自体の掃引速度はそれほど高速である必要はない。碁盤目状に並んだプローブに対し記録媒体は回転するように配置され、２次元平面上に配置されたプローブはそれぞれ記録媒体上の異なった点を通過することになる。
さらに、近接場光を効率よく発生させるためにピラミッド状のシリコンが形成されたプローブが特開２００１−２０８６７２公報に開示されている。この発明では、ガラス基板上にピラミッド状のシリコン突起を有する近接場光プローブが提案されている。このピラミッド状のシリコン突起はＫＯＨ及びＩＰＡ（イソプロピルアルコール）からなるエッチング液によりウエットエッチングにより形成されている。
このように前記いずれの方式においても、得られる信号強度は従来の伝播光を用いた方式に比べ小さく、実用に供するためにはさらに信号強度向上を図る必要がある。ここで、エバネッセント光の伝搬は、物質表面との相互作用によって影響されるため、その強度分布も、物質表面の形状におよび、微小開口と照射される媒体の間隔によって左右される。すなわち、図７に示すような記録装置では、先鋭部７１から記録媒体７３の表面に照射されるエバネッセント光７６は、先鋭部７１から離れるにしたがって拡散し、この拡散によって、先鋭部７１の先端の大きさ（曲率半径）に比較して大きな領域７７で記録媒質７８の状態が変化する。このため、高密度記録を行なうために記録媒質７８の状態が変化する領域７７を小さくしようとすると、先鋭部７１と記録媒体７５とをさらに接近させることが必要となる。尚、先鋭部７１の開口半径の大きさと、照射される媒体の構造の大きさが同じ時に、開口先端から媒体に結合する光強度は最大になることが知られている。
【０００６】
また、近年、誘電率が負の材料を誘電率が正の材料ではさんで用いた構造について検討されている。ここで正から負の誘電率媒体へと光が透過し伝播する場合、屈折率の符号の異なる媒体の界面では、波数ベクトルの接線方向成分は保存されるが、法線方向成分はその符号が反転する。このため正の屈折率媒体では界面から遠ざかるにつれて減衰するエバネッセント成分が、負の屈折率媒体では逆に増幅されることになる。（J.B. Pendry; Phys. Rev. Lett., 85, No.18 (2000) 3966-3969）また、金属は光波領域では導体というよりプラズマ媒質として振舞い、近似的に負の誘電率と虚数の屈折率を有する負誘電体媒質であることが知られている。この効果からスラブ状の負の屈折率媒体によるレンズ作用により、全ての物体面の情報が保存されたまま伝播され、完全な像面を形成することができる。通常の正の屈折率媒体ではエバネッセント成分が界面から遠ざかるにつれて減衰してしまうために、像面強度分布の波長以下の成分が欠落してしまうために回折限界以下の成分の結像は不可能であるが、負の屈折率媒体を用いることで回折限界以下の完全な像面を形成することが可能であることが知られている。
【特許文献１】特許第３０２３０８５号
【特許文献２】特開平１１−１９１２３８号公報
【特許文献３】特開２００１−２０８６７２公報
【非特許文献１】J.B. Pendry; Phys. Rev. Lett., 85, No.18(2000)3966-3969
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のレンズ光学系における方法は、光のスポット径は光の回折限界により、記録媒体の記録密度を向上する上で限界があった。
また、前記ボリュームホログラム及び光化学ホールバーニングにおいては、記録媒体の使用環境に大きな制約があり、現在試されている近接場方式に利用する光記録媒体の場合には実用化し難いという欠点があった。
また、従来のシステムでは、光を電磁気波として利用するため、記録密度を向上させるとき、回折限界に伴う制約が避けられないという問題点があった。
またピエゾ素子をアクチェータとして用いた場合、実用的なピエゾ素子はスキャンできる範囲が最大１００μｍ程度で、さらにスキャン速度もたかだか数十ｋＨｚ程度であり、記録データの読み出し速度に限界がある。さらに、実際に出力される光の強度も小さく、記録、再生速度を高速にすることに限界があった。
また、特許文献１、２の平面開口プローブは、Ｓｉ基板を異方性エッチングにより掘り込むことで微小開口を作製していた。この場合、レーザ光がプローブを通過する部分は空洞であり、より高効率な光出力（すなわちより高速な光書き込み、読み出しをするため）が必要となったときに、この空洞部分を光の閉込め効果の高い屈折率の高い物質で充填する必要があった。
また特許文献３は、プローブの形状はＳｉ基板の異方性エッチングを用いているため、プローブテーパー角を変化させることは困難であり、またプローブの外形に結晶方位に対応した面が残ってしまい円錐形状を形成するのが困難であるといった問題がある。
本発明は、かかる課題に鑑み、光の波長に制限されない超高密度の光情報記録再生を行うために光の近接場効果を用いることにより、高効率で信号光を検出することが可能な光情報記録装置を提供することを目的する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明はかかる課題を解決するために、請求項１は、半導体レーザ光源と、該レーザ光源の光束を偏向する光偏向手段と、前記レーザ光源の光束を結像する光学結像系と、光情報記録媒体からの反射光強度を光電変換する光検出手段と、を備えた光情報記録装置であって、前記光情報記録媒体上を掃引するスライダと、該スライダの底面に形成され前記レーザ光源の入射波長より充分小さい開口部を有する平面型プローブアレイと、を備え、前記レーザ光源の光束を前記光学結像系により前記平面型プローブアレイにスポットを結像することにより、該平面型プローブアレイ先端より近接場光を発生することを特徴とする。
本発明の光情報記録装置は、従来の偏向手段と光学結像系および光検出手段の他に、スライダの表面に形成された平面型プローブアレイを備え、そのプローブアレイにスポットを結像することにより、先端から近接場光を発生するところに特徴がある。つまり、近接場領域（物質の表面から光波長以下の距離）の近接場に存在する光を記録媒体への光源として用いることにより、光の波長よりも小さい開口から光（開口付近からのエバネッセント光）は原則的に放射されず、開口付近に位置した材料と相互作用する近接場の概念を記録媒体への情報の記録及び再生に応用することにより回折限界を克服し、従来の光記録の記録密度を飛躍的に向上できる可能性がある。
かかる発明によれば、レーザ光源の光束を前記光学結像系により平面型プローブアレイにスポットを結像し、この平面型プローブアレイ先端より近接場光を発生することにより、従来の光情報記録の記録密度を飛躍的に向上することができる。
請求項２は、前記近接場光を反射する反射層と、前記近接場光により記録マークを形成する記録層と、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を備えた媒体層と、前記スライダとの接触から前記各層を保護する保護層と、が平板状の基板上に順次積層され、前記平面型プローブアレイ先端より発生した近接場光により、前記記録層にマークを形成することを特徴とする。
また光記録媒体は、平板上のガラス基板の上に再生時にレーザ光を反射するための反射層と、その上に近接場光のスポットにより記録マークを形成する記録層と、更にその上に誘電率の実数部が負の負誘電体媒質と、最上層に表面をプローブアレイの接触から保護する保護層を積層して構成される。
かかる発明によれば、光記録媒体を３層構造にすることにより、高効率且つ安定に情報を記録再生することができる。
【０００９】
請求項３は、前記基板上に形成された誘電率の実数部が負の負誘電体媒質の厚さが、再生、記録波長以下の厚さであることを特徴とする。
かかる発明によれば、平板状の基板と、この基板上に誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を形成し、この負誘電体媒質の下部に記録層を形成して情報を記録、再生する装置において、基板上に形成された誘電率の実数部が負の負誘電体媒質の厚さが、再生、記録波長以下の大きさであることにより、微細な記録マークを高密度、高効率かつ安定に情報を記録再生することができる。
請求項４は、前記誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｇを用いたことを特徴とする。
金属は光波領域では導体というよりプラズマ媒質として振舞い、近似的に負の誘電率と虚数の屈折率を有する負誘電体媒質であることが知られている。そこで本発明では負誘電体媒質としてＡｇを蒸着した。
かかる発明によれば、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｇを用いたことにより、微細な記録マークを高密度、高効率かつ安定に情報を記録再生することが可能になる。
請求項５は、前記誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｕを用いたことを特徴とする。
かかる発明によれば、請求項４と同様の作用効果を奏する。
請求項６は、前記誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｌを用いたことを特徴とする。
かかる発明によれば、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｌを用いたことにより、微細な記録マークを高密度、高効率かつ安定に情報を記録再生することができ、さらに大量生産可能であり、より安価に光情報記録装置を構成することが可能になる。
【００１０】
請求項７は、前記基板がプラスチック又は高分子化合物からなることを特徴とする。
かかる発明によれば、平板状の基板と、この基板上に誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を形成し、負誘電体媒質の下部に記録層を形成し、前記記録層に情報を記録、再生する装置において、前記基板がプラスチック又は高分子化合物からなるため大量生産可能であり、より安価に光情報記録装置を構成することができる。
請求項８は、前記記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅからなる記録層を用いたことを特徴とする。
記録層としては、公知の各種記録材料を用いて形成することができるが、とくに四元系相変化光記録材料（例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系）が好ましい。
かかる発明によれば、光情報記録の記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅからなる記録層を用いるため、良好な微小記録マークを安定に形成することが可能になる。
請求項９は、前記光情報記録媒体の基板表面が、光の波長よりも短い間隔の回折格子状の凹凸を有していることを特徴とする。
本発明は光情報記録基板に、たとえば回折格子状の凹凸を形成することにより、微小開口を有するプローブから、さらに高効率に近接場光を利用することが可能となる。
かかる発明によれば、光情報記録媒体の基板表面が、光の波長よりも短い間隔の回折格子状の凹凸を有しているため、より高効率にプローブ先端に設けられた微小開口からの光を記録媒体に結合することができ、良好な記録マークの形成、高ＳＮ比での信号の再生が可能となる。
請求項１０は、前記回折格子状の凸部における先端およびその近傍の屈折率がそれ以外の領域より高い屈折率を有することを特徴とする。
かかる発明によれば、回折格子状の凸部における先端およびその近傍がそれ以外の領域より高い屈折率をもつため、より高効率にプローブ先端に設けられた微小開口からの光を記録媒体に結合することができ、良好な記録マークの形成、高ＳＮ比での信号の再生が可能となる。
請求項１１は、光情報記録媒体の最表面にダイヤモンドライクカーボンが形成されていることを特徴とする。
かかる発明によれば、光情報記録媒体の最表面がダイヤモンドライクカーボンで形成されているため、表面の磨耗に強く高信頼性で情報の記録再生を行うことが可能となる。
【００１１】
請求項１２は、光情報記録媒体の最表面にＳｉＮが形成されていることを特徴とする。
かかる発明によれば、光情報記録媒体の最表面がＳｉＮで形成されているため、表面の磨耗に強く高信頼性で情報の記録再生を行うことができる。
請求項１３は、ガラス基板の表面全面に高屈折率化できるイオンを注入し、その表面にレジストにより回折格子状の凹凸を形成する工程と、前記レジストを後退させながら前記ガラス基板をエッチングしてガラス基板表面に所定の回折格子状の凹凸を形成する工程と、レジストを除去する工程と、さらに表面全体に遮光膜として機能する金属膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
かかる発明によれば、本発明の製造工程を経ることにより、安定かつ安価に光記録再生媒体を作製することが可能になる。
請求項１４は、半導体レーザ光源と、該レーザ光源の光束を偏向する光偏向手段と、前記レーザ光源の光束を結像する光学結像系と、光情報記録媒体からの反射光強度を光電変換する光検出手段と、を備えた光情報記録装置であって、更に、前記光情報記録媒体から透過する近接場光成分を結像する第２の光学結像系と、前記光情報記録媒体から透過する近接場光強度を光電変換する第２の光検出手段と、前記光情報記録媒体上を掃引するスライダと、該スライダの底面に形成され前記レーザ光源の入射波長より充分小さい開口部を有する平面型プローブアレイと、を備えたことを特徴とする。
本発明が請求項１と異なる点は、光情報記録媒体を透過する近接場光強度を検出して、光情報記録媒体の両面から同時に情報を再生できる点である。
かかる発明によれば、光情報記録媒体の両面から同時に情報を再生できるので、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
【００１２】
請求項１５は、前記半導体レーザ光源は、互いに異なる波長を出射する複数個の光源により構成されていることを特徴とする。
かかる発明によれば、互いに異なる波長を出射する複数個の光源を有しているため、記録層間のクロストークを減少することが可能で、良好な微小記録マークを安定に形成することが可能であり、かつ安定に再生可能であり、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
請求項１６は、前記近接場光により記録マークを形成する記録層と、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を備えた媒体層と、が平板状の基板上に順次複数層形成され、前記各層の最上層に前記スライダとの接触から前記各層を保護する保護層を形成したことを特徴とする。
かかる発明によれば、平板状の基板と、この基板上に誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を形成し、この負誘電体媒質の下部に複数の記録層を形成し、記録層に情報を記録、再生する負の誘電体媒質層と記録層を複数層備えていることにより、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
請求項１７は、前記複数の記録層が、吸光度の波長依存性が異なる光学特性を有するフォトクロミック材料によって構成されていることを特徴とする。
かかる発明によれば、光情報の複数の記録層として、吸光度の波長依存性が異なる光学特性を有するフォトクロミック材料によって構成されているため、記録層間のクロストークが少なく、良好な微小記録マークを安定に形成することが可能であり、かつ安定に再生可能であり、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
図１は本発明の第１の実施形態に係る光学情報記録装置の構成図である。本実施形態の光学情報記録装置は、入射波長よりも十分小さい大きさを持った微小開口アレイを備えた平面型プローブアレイから近接場光を記録媒体に照射する装置であり、半導体レーザにより構成されるレーザ光源１１と、レーザ光源１１から照射された光を平行光束に変換するコリメータレンズ１２と、平行光束を通過させ、反射光を偏向するビームスプリッタ１３と、レーザ光束を結像する対物レンズ１６と、回転する記録媒体２０上を掃引するスライダ部１７と、このスライダ１７底面に形成された平面プローブ部１８と、ビームスプリッタ１３により偏向された光を結像する結像レンズ１４と、反射光の強弱を電気信号に変換する光検出器１５と、記録媒体２０とを備えて構成される。
本発明の特徴の平面プローブ部１８は、スライダ状に形成されスライダ部１７のホルダに支持され、回転する記録媒体２０上を掃引される。記録媒体２０は表面保護層１９、負の誘電率を持つ媒体層２１、記録層２２、反射層２３を備え、表面保護層１９によりスライダ部１７との磨耗に耐えるように構成されている。そして、半導体レーザ１１から照射された光はコリメータレンズ１２により平行光束に変換されビームスプリッタ１３に入射する。ビームスプリッタ１３を通過した光束は、対物レンズ１６によってスライダ部１７底面に形成された平面プローブ部１８にスポットを結像し、平面プローブ部１８の先端部より近接場光を発生させる。発生した近接場光は光記録媒体２０に結合し、記録層２２に記録マークを形成する。再生の場合は、記録媒体２０から反射する近接場光成分をスライダ部１７底面に形成された平面プローブ部１８で検出する。検出した近接場光はプローブ部分を通して対物レンズ１６により平行光束に変換され、ビームスプリッタ１３で偏向されて、結像レンズ１４で光検出器１５上にスポットを結ぶ。この光検出器１５上の光強度の明暗により、記録媒体２０上に記録された情報を再生することができる。
【００１４】
図２は本発明の平面型プローブアレイの作製方法を工程順に示した図である。
（ａ）の第１の工程は、透明な基板（石英基板）３２に高屈折率材料として窒化シリコン膜３６を形成する。この窒化シリコン膜はＳｉＨ４とＮＨ３を７００〜１１００度の高温下で熱反応させる高温熱ＣＶＤ法で成膜することができる。この窒化シリコン膜の膜厚は２μｍ以上であることが望ましい。ここでは高屈折率材料として窒化シリコン膜をあげたが、他の高屈折率材料でも構わない。例えば、石英ガラス上にＳｉＯ２をスパッタ（基板表面から１μｍ程度）したのち、Ｎ原子あるいはＣ原子の侵入層を作製する。Ｃ原子の場合、ＣＨ４をソースガスとするイオン注入法により石英ガラスへイオン注入、またＮ原子の場合、ＳｉＨ４とＮ２Ｏを原料とする熱分解ＣＶＤ法によってＳｉＯ２を成膜することにより高屈折率層を形成することができる。この高屈折率層は上記方法以外にもほかのＣＶＤ、真空蒸着、スパッタリング等や熱拡散法によっても形成できる。また、ＳＯＩ基板と呼ばれるシリコン単結晶基板に、酸化シリコンのバッファー層が形成されている基板を使用し、上記ＳＯＩ基板とガラス基板に電極を設け約３００度程度の温度雰囲気中で適当な電圧を印可することによりＳＯＩ基板とガラス基板を接合することにより、石製基板上に高屈折率材料を形成することができる。また別の方法としては、接合する石英基板表面を十分に洗浄し、ＳＯＩ基板の活性シリコン層を張り合わせ、窒素雰囲気中９００℃以上で熱処理することにより接合することが可能である。また接合する石英基板とＳＯＩの接合面を鏡面研磨しＲＣＡ洗浄し、１×１０−９Ｔｏｒｒ以下の真空度のチャンバー内でＡｒのＦＡＢ（Fast Atom Beam）を３００ｓｅｃ程度同時に照射し、１０ＭＰａの圧力で圧着することにより接合することができる。
（ｂ）の第２の工程は、この石英基板３２上に窒化シリコン膜３６を成膜した基板に、半導体プロセスのフォトリソグラフ技術を用いて円柱状のレジストパターン３３を形成する。この円柱状のレジストパターン３３は、シリコンの突起を形成する領域に作製される。
【００１５】
（ｃ）の第３の工程は、このレジストパターン３３をマスクとして窒化シリコン膜３６をドライエッチングにより除去する。このエッチング時に、石英基板３２をストッパー層とすることで、光学的に透明な石英基板上に高屈折率材料からなる突起からなる近接場光学プローブ３５を形成することができる。エッチング時間を調節することにより、石英基板３２上にレジストパターン３３が無い領域の窒化シリコン膜３６を基板上に残して、石英基板３２上に高屈折率材料からなる突起からなる近接場光学プローブ３５を形成することができる。ここでドライエッチングの条件を変化させることにより、形成された窒化シリコン突起の形状を変化させることができる。ドライエッチングは、平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置を用いた。ここでガス種、処理圧力、ＲＦパワーを最適条件に変化させることで各種形状の窒化シリコン突起が形成できる。このエッチング時に透明基板３２をストッピングレイヤーとすることで、透明基板上に円柱もしくは円錐形のシリコン突起から成る近接場光プローブを形成することができる。
（ｄ）の第４の工程は、エッチング後、レジストパターン３３を酸素プラズマによるレジストアッシングを行いレジストを除去する。
（ｅ）の第５の工程は、この窒化シリコン突起が形成される面に、金属膜３４をスパッタにより成膜する。この金属膜を光の染み込み深さ以上に蒸着することで、シリコン突起から生じる近接場光以外を遮断することができる。
シリコンエッチング後、残ったレジストパターン３３を酸素プラズマによるレジストアッシングを行うことにより、レジストを除去することができる。またシリコン突起側面に付着した側壁保護膜等はＢＨＦ溶液によって除去することができる。
【００１６】
図３は本発明の記録媒体２０の詳細構造を示す図である。記録媒体２０は表面保護層１９、負の誘電率を持つ媒体層２１、記録層２２、反射層２３を備え、表面保護層１９によりスライダ部１７との磨耗に耐えるように構成されている。基板としては、ガラス、プラスチック又は高分子化合物などが使用可能である。たとえばポリカーボネートを射出成形してディスク基板を作製することが可能である。基板上に反射層として機能する金属膜２３を形成したのち、記録層２２を形成する。この記録層２２としては、公知の各種記録材料を用いて形成することができるが、とくに四元系相変化光記録材料（例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系）が好ましい。記録層の形成方法はそれぞれの材料に応じた公知の形成方法を採用することができる。また、記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅのように蒸発性をもつ場合には、その上にまたはその上下に保護層、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ２層２４を設けることが好ましい。この保護層は記録層の酸化防止、熱伝導性の向上、記録時における記録材料の蒸発防止などの役割を果たしている。この記録層上部に、ＺｎＳ・ＳｉＯ２層を数１０ｎｍ程度設けた上に、負の誘電率をもつ媒質層が形成されている。本実施形態ではＺｎＳ・ＳｉＯ２層を２０ｎｍ蒸着した。金属は光波領域では導体というよりプラズマ媒質として振舞い、近似的に負の誘電率と虚数の屈折率を有する負誘電体媒質であることが知られている。そこで今回、Ａｇを４０ｎｍ蒸着した。ここではＡｇを用いているが、もちろんＡｕ、Ａｌなども使用することが可能である。さらに、この光情報記録媒体の最表面には近接場平面プローブと波長以下の距離に近づいて高速に掃引するため、記録層の磨耗を防ぐための保護層１９が必要である。保護層１９としては、厚みが薄く、光の吸収がほとんどない材料が望ましい。本発明では上記条件を満足する材料としてダイアモンドライクカーボンを用い、２０ｎｍ程度成膜した。この保護膜の形成はスパッタリング、イオンビームスパッタリングやＣＶＤ法などの成膜装置で可能である。本実施形態では最表面保護膜としてダイヤモンドライクカーボンをＣＶＤ法により作製した。また保護層としてはＳｉＮを使用することも可能である。このＳｉＮ保護層もスパッタリング、イオンビームスパッタリングやＣＶＤ法などの成膜装置で形成することが可能である。本発明においては、上記記録媒体２０上に近接した微小開口を有するプローブから生じた光の波長より十分小さい広がりを持つ近接場光を、記録媒体２０上に形成した表面保護層１９、負の誘電率を持つ媒体層２１により高効率かつ、その近接場光のひろがりを大きくすること無く記録層に照射することが可能であり、従来よりも高密度での光記録が可能になる。また、従来の近接場光を用いた光情報記録装置では、記録層とプローブの間隔を数１０ｎｍに近接させる必要があり、この場合保護膜が薄くなり光記録再生ヘッドと記録層との間の磨耗を防ぐための保護層の厚みを薄くする必要があったが、本発明の記録媒体は従来よりも保護層を厚くすることが可能であり、磨耗に対して強い光情報記録再生装置を形成することが可能になる。
【００１７】
本発明においては、図４に示すように、光情報記録基板にたとえば回折格子状の凹凸を形成することにより、微小開口を有するプローブから、さらに高効率に近接場光を利用することが可能となる。従来、光近接場においては、微小開口を有するプローブの先鋭部に設けられた開口半径の大きさと、照射される媒体の構造の大きさがほぼ同じ時に、開口先端から媒体に結合する光強度は最大になることが知られている。したがって記録媒体側に設けた微細構造のサイズと検出側の微小開口のサイズが等しいとき、光近接場のプローブから媒体への結合効率が最大になる。プローブと記録媒体の間隔は入射光の波長より十分接近していることが必要である。今回作製した平面型近接場光ピックアップを浮上型ヘッドに形成することにより、光記録媒体と上記光ピックアップの微小開口部の間隔を一定且つ微小に保つことが可能になり、より微少な記録マークが形成できることにより超高密度記録が可能である。記録媒体側の微細構造は実際の基板形状の凹凸でも、屈折率がある間隔で変化しているもの、吸収率がある間隔で変化している構造などでもよい。微細構造の形状はディスク半径方向に同心円状のストライプ状、あるいは、渦巻き状でもよく、ドット形状でも適応可能である。
また光情報記録媒体側の微細構造は、たとえば以下に述べるような方法で作製可能である。たとえば、図４（ａ）のようにガラス基板６２の表面全面にイオンを注入し、高屈折率層６６を形成する。（ｂ）のようにその表面にレジスト６３により回折格子状の凹凸を形成した後、（ｃ）のようにレジスト６３を後退させながら高屈折率層６６をエッチングしてガラス基板表面に所定の回折格子状の凹凸６４を形成する。さらに（ｄ）のように表面全体に遮光膜として機能する金属膜６５を形成したのち、記録層６７、負の誘電率をもつ媒質層６８を形成することにより、微細構造を有した光記録媒体を構成することができる。ここで、金属膜がない場合でも、基板を透過した光により、再生信号を得ることはもちろん可能である。最表面には保護層６９が形成されている。
【００１８】
またガラス基板としては、例えば化学強化ガラス（アルミノシリケート系ガラスなど）、石英ガラスなどがあり、その厚みは通常０．５〜１．５ｍｍ、好ましくは０．６〜１．２ｍｍである。不純物としては、ナトリウム、カリウム、リチウム、マグネシウム、タリウムなどが挙げられるが、とくに分極率の大きいイオンもしくは分極能力の大きいイオンが良い。前者としては、Ｔｌ（タリウム）が良い。後者としては、Ｌｉ（リチウム）が良い。さらに、基板表面に、選択的にイオン注入するには、イオン半径が大きい前者のＴｌが良い。イオンの注入はたとえばイオン注入法、イオン交換法、エレクトロフロート法などがあるが、とくにイオン注入法が好ましい。この場合、注入するイオン濃度を大きくすることにより、屈折率も大きくなる。したがって、凸部の屈折率は、注入するイオンの種類やその注入ドープ量を変えることで、簡単に変えることができる。
また、上記した凸部の屈折率を高めるために導入する物質としては種々のものがあるが、例えばイオン交換法の場合では、イオン交換を効率よく行うために高温ガラス中での移動度が十分大きくなければならないこと、またガラス中に多量にドープしてもその性質を損なわないことなどの条件から１価イオンが選択される。さらに、光プローブ（例えば、光ファイバープローブや平面プローブ）の性能を高めるためには、なるべく屈折率を高める効果を持ったイオンが望まれる。このことを考慮するとタリウムイオン（Ｔｌ＋）やセシウムイオン（Ｃｓ＋）が適当である。タリウムイオン（Ｔｌ＋）は、外殻電子配列が非希ガラス型構造であり、高温ガラス中で拡散し易くしかもガラス編目修飾イオンとして多量にガラスに添加することができ、かつ大きな屈折率変化を得ることができる。
また遮光部材として好適な金属膜の形成は、金属蒸着、メッキ、電着など任意の方法を採用することができる。金属としては、アルミニウム、金、銀などがあるが、とくに酸化性の低いものが好ましい。
【００１９】
また記録層としては、公知の各種記録材料を用いて形成することができるが、とくに四元系相変化光記録材料（例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系）が好ましい。記録層の形成方法はそれぞれの材料に応じた公知の形成方法を採用することができる。また、記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅのように蒸発性をもつ場合には、その上にまたはその上下に保護層、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ２層を設けることが好ましい。保護層は記録層の酸化防止、熱伝導性の向上、記録時における記録材料の蒸発防止などの役割を果たしている。この記録層上部に、ＺｎＳ・ＳｉＯ２層を数１０ｎｍ程度設けた上に、負の誘電率をもつ媒質層６８が形成されている。今回はＺｎＳ・ＳｉＯ２層を２０ｎｍ蒸着した。金属は光波領域では導体というよりプラズマ媒質として振舞い、近似的に負の誘電率と虚数の屈折率を有する負誘電体媒質であるＡｇを４０ｎｍ蒸着した。ここではＡｇを用いているが、もちろんＡｕ、Ａｌなども使用することが可能である。また光情報記録媒体の最表面は近接場平面プローブと波長以下の距離に近づいて高速に掃引するため、記録層の磨耗を防ぐための保護層６９が必要である。保護層としては近接場光はプローブからの染み出しが波長以下であるため、記録層までの距離をできるだけ近づけるために、厚みが薄く、光の吸収がほとんどない材料が望ましい。本発明では上記条件を満足する材料としてダイアモンドライクカーボンを用いた。この保護膜の形成はスパッタリング、イオンビームスパッタリングやＣＶＤ法などの成膜装置で可能である。本実施例では最表面保護膜としてダイヤモンドライクカーボンをＣＶＤ法により作製した。また保護層としてはＳｉＮを使用することも可能である。このＳｉＮ保護層もスパッタリング、イオンビームスパッタリングやＣＶＤ法などの成膜装置で形成することが可能である。
図１に示した半導体レーザ光源は直線偏光であることが好ましく、直線偏光は偏光板を挿入してもよいが、レーザダイオード（ＬＤ：半導体レーザ）などはそれ自体直線偏光をもっているので、そのまままたは偏光板と組合せて発生させることができる。平面微小開口上部に１／４波長板と偏光ビームスプリッタを配置することにより、入射光と信号光の偏波面を９０度回転させることにより信号光をより高いＳＮ比で検出することが可能である。またこの場合、半導体レーザへの戻り光を抑制することが可能であり、レーザの発振状態を良好に保つことができ、良好な記録マークの形成と再生信号を安定に検出することができる。
【００２０】
図５は本発明の第２の実施形態に係る光学情報記録装置の構成図である。同じ構成要素には同じ参照番号が付されているので、重複する説明は省略する。図５が図１と異なる点は、対物レンズ４３、検出レンズ４４及び第２の光検出器４５を追加した点である。これにより記録媒体４０に形成された複数の記録層の両面から同時に光情報を再生することができる。
【００２１】
図６は本発明の記録媒体４０の詳細構造を示す図である。同じ構成要素には同じ参照番号が付されている。記録媒体４０は表面保護層１９、負の誘電率を持つ媒体層２１、記録層２２を備え、表面保護層１９によりスライダ部との磨耗に耐えるように構成されている。基板としては、ガラス、プラスチック又は高分子化合物などが使用可能である。たとえばポリカーボネートを射出成形してディスク基板を作製することが可能である。負の誘電率を持つ媒体層２１、記録層２２は図示すように複数層備えてあり、例えば負の誘電率を持つ媒体層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、記録層２２ａ、２２ｂ、２２ｃというように形成されている。それぞれの記録層は、吸光度の波長依存性が異なる光学特性を有するフォトクロミック材料によって構成されている。フォトクロミック材料としては公知である各種記録材料を用いることができる。例えば、１，２−ビス−（２，５−ジメチルチオフェン−３−イル）パーフルオロシクロペンテンや、１，２−ビス−（２−メチル−５−（４−ビフェニル）チオフェン−３−イル）パーフルオロシクロペンテンなどを用いることができる。今回はフォトクロミック材料を記録層としてそれぞれ３０ｎｍ形成した。フォトクロミック材料は、特定の波長の光の照射の前後において、その光学特性が変化するという性質を有している。ここで各記録層において、それぞれ異なる波長でその光学特性が変化するフォトクロミック材料をもちいることで、各層間のクロストークを軽減することができる。たとえば、記録層２１ａにフォトクロミック材料として特定波長λａの光を照射すると光学特性が変化する材料を配置し、さらに、今度は、波長λａとは別個の波長λｂの光を照射することにより、その光学特性が変化するフォトクロミック材料を記録層２２ｂとして配置する。ここでｂの光を入射すると、記録層２２ａはその光学特性が変化しないが、記録層２２ｂはその光学特性が変化し記録マークを形成することができる。また、表面に形成された微小な近接場光は、各記録層の上に形成された負の誘電体層によるレンズ作用により、全ての物体面の情報が保存されたまま伝播されるため、複数層の記録層で微小なスポットが広がることなく形成することができる。さらに、別個の波長λｃ、λｄの光を照射して、各記録層の吸光度の変化による反射率あるいは透過率を検知することにより、情報を読みとることが可能である。
また記録層２２としては、基板側最下層にはフォトクロミック材料に限らず、四元系相変化光記録材料（例えばＡｇＩｎＳｂＴｅ系）も使用することができる。記録層の形成方法はそれぞれの材料に応じた公知の形成方法を採用することができる。また、記録層がＡｇＩｎＳｂＴｅのように蒸発性をもつ場合には、その上にまたはその上下に保護層、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ２層４６を設けることが好ましい。この保護層は記録層の酸化防止、熱伝導性の向上、記録時における記録材料の蒸発防止などの役割を果たしている。この記録層上部に、ＺｎＳ・ＳｉＯ２層を数１０ｎｍ程度設けた上に、負の誘電率をもつ媒質層が形成されている。今回はＺｎＳ・ＳｉＯ２層を２０ｎｍ蒸着した。
【００２２】
【発明の効果】
以上記載のごとく請求項１の発明によれば、レーザ光源の光束を前記光学結像系により平面型プローブアレイにスポットを結像し、この平面型プローブアレイ先端より近接場光を発生することにより、従来の光情報記録の記録密度を飛躍的に向上することができる。
また請求項２では、光記録媒体を３層構造にすることにより、高効率且つ安定に情報を記録再生することができる。
また請求項３では、平板状の基板と、この基板上に誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を形成し、この負誘電体媒質の下部に記録層を形成して情報を記録、再生する装置において、基板上に形成された誘電率の実数部が負の負誘電体媒質の厚さが、再生、記録波長以下の大きさであることにより、微細な記録マークを高密度、高効率かつ安定に情報を記録再生することができる。
また請求項４では、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｇを用いたことにより、微細な記録マークを高密度、高効率かつ安定に情報を記録再生することが可能になる。
また請求項５では、請求項４と同様の作用効果を奏する。
また請求項６では、誘電率の実数部が負の負誘電体媒質としてＡｌを用いたことにより、微細な記録マークを高密度、高効率かつ安定に情報を記録再生することができ、さらに大量生産可能であり、より安価に光情報記録装置を構成することが可能になる。
また請求項７では、平板状の基板と、この基板上に誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を形成し、負誘電体媒質の下部に記録層を形成し、前記記録層に情報を記録、再生する装置において、前記基板がプラスチック又は高分子化合物からなるため大量生産可能であり、より安価に光情報記録装置を構成することができる。
また請求項８では、光情報記録の記録層にＡｇＩｎＳｂＴｅからなる記録層を用いるため、良好な微小記録マークを安定に形成することが可能になる。
また請求項９では、光情報記録媒体の基板表面が、光の波長よりも短い間隔の回折格子状の凹凸を有しているため、より高効率にプローブ先端に設けられた微小開口からの光を記録媒体に結合することができ、良好な記録マークの形成、高ＳＮ比での信号の再生が可能となる。
【００２３】
また請求項１０では、回折格子状の凸部における先端およびその近傍がそれ以外の領域より高い屈折率をもつため、より高効率にプローブ先端に設けられた微小開口からの光を記録媒体に結合することができ、良好な記録マークの形成、高ＳＮ比での信号の再生が可能となる。
また請求項１１では、光情報記録媒体の最表面がダイヤモンドライクカーボンで形成されているため、表面の磨耗に強く高信頼性で情報の記録再生を行うことが可能となる。
また請求項１２では、光情報記録媒体の最表面がＳｉＮで形成されているため、表面の磨耗に強く高信頼性で情報の記録再生を行うことができる。
また請求項１３では、本発明の製造工程を経ることにより、安定かつ安価に光記録再生媒体を作製することが可能になる。
また請求項１４では、光情報記録媒体の両面から同時に情報を再生できるので、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
また請求項１５では、互いに異なる波長を出射する複数個の光源を有しているため、記録層間のクロストークを減少することが可能で、良好な微小記録マークを安定に形成することが可能であり、かつ安定に再生可能であり、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
また請求項１６では、平板状の基板と、この基板上に誘電率の実数部が負の負誘電体媒質を形成し、この負誘電体媒質の下部に複数の記録層を形成し、記録層に情報を記録、再生する負の誘電体媒質層と記録層を複数層備えていることにより、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
また請求項１７では、光情報の複数の記録層として、吸光度の波長依存性が異なる光学特性を有するフォトクロミック材料によって構成されているため、記録層間のクロストークが少なく、良好な微小記録マークを安定に形成することが可能で、かつ安定に再生可能であり、大容量の情報を高効率かつ安定に記録再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光学情報記録装置の構成図である。
【図２】本発明の平面型プローブアレイの作製方法を工程順に示した図である。
【図３】本発明の記録媒体２０の詳細構造を示す図である。
【図４】本発明の光情報記録基板に回折格子状の凹凸を形成する工程図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る光学情報記録装置の構成図である。
【図６】本発明の記録媒体４０の詳細構造を示す図である。
【図７】従来の光学情報記録装置の部分構成図である。
【符号の説明】
１１  レーザ光源、１２  コリメータレンズ、１３  ビームスプリッタ、１４結像レンズ、１５  光検出器、１６  対物レンズ、１７  スライダ部、１８  平面プローブ部、２０  記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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