(57)【要約】【課題】転写技術を利用して表示装置用素子基板を製造する方法において、何ら不具合が発生することなく剥離層を除去することができる表示装置用素子基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板２０の上に剥離層２２を形成する工程と、剥離層２２の上に第１バッファ層２４を形成する工程と、第１バッファ層２４の上に第２バッファ層２６を形成する工程と、第２バッファ層２６の上に駆動又は能動素子層２８を形成する工程と、基板２０と剥離層２２との界面から剥離し、プラスチックフィルム１０上に、接着層３４を介して、駆動又は能動素子層２８、第２バッファ層２６、第１バッファ層２４及び剥離層２２を転写して形成する工程と、第１バッファ層２４をバリア膜として剥離層２２を除去する工程と、第１バッファ層２４を除去する工程とを含む。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層の上に第１バッファ層を形成する工程と、
前記第１バッファ層の上に第２バッファ層を形成する工程と、
前記第２バッファ層の上に少なくとも駆動又は能動素子層を形成する工程と、
前記基板と剥離層との界面から剥離し、プラスチックフィルム上に、接着層を介して、下から順に、前記駆動又は能動素子層、前記第２バッファ層、前記第１バッファ層及び前記剥離層を転写して形成する工程と、
前記第１バッファ層をバリア膜として前記剥離層を除去する工程と、
前記第１バッファ層を除去する工程とを有することを特徴とする表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項２】
前記駆動又は能動素子層は、ストライプ状の透明電極、又は、アクティブ素子及び該アクティブ素子に設けられた画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１バッファ層を除去する工程の後に、前記ストライプ状の透明電極上、又は前記アクティブ素子に設けられた画素電極上の第２バッファ層の所定部分に開口部を形成する工程と、
前記開口部に露出する前記ストライプ状の透明電極上、又は前記アクティブ素子に設けられた画素電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層に接続される上側電極を形成する工程とをさらに有し、
前記表示装置用素子基板は、有機ＥＬディスプレイ装置となることを特徴とする請求項２に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２バッファ層の所定部分に前記開口部を形成する工程において、前記開口部は、前記透明電極又は前記画素電極の面積より小さい面積で形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項５】
前記表示装置用素子基板は、液晶表示装置用の素子基板となることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項６】
前記駆動又は能動素子層を形成する工程の後であって、前記転写する工程の前に、
前記駆動又は能動素子層を被覆する保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上にカラーフィルタ層を形成する工程とを有し、
前記転写する工程において、プラスチックフィルム上に、接着層を介して、下から順に、前記カラーフィルタ層、前記保護膜、前記駆動又は能動素子層、前記第２バッファ層、前記第１バッファ層及び前記剥離層を転写することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１バッファ層は導電性薄膜であって、前記第２バッファ層は無機絶縁膜であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項８】
前記導電性薄膜は、銅膜、アルミニウム膜、クロム膜、ニッケル膜、ＩＴＯ膜の群から選択される単層膜、積層膜又は合金膜であって、
前記無機絶縁膜は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜のいずれかの単層膜又は積層膜であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項９】
前記剥離層を除去する工程において、前記剥離層は、酸素ガスとフッ素原子を含むガスとの混合ガスを用いたドライエッチング又はアルカリ溶液により除去され、かつ、
前記第１バッファ層を除去する工程において、前記第１バッファ層はウェットエッチングにより前記第２バッファ層に対して選択的に除去されることを特徴とする請求項７又は８に記載の表示装置用素子基板の製造方法。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の上に、少なくとも、剥離層、第１バッファ層、第２バッファ層、及び駆動又は能動素子層が順に形成されて構成された転写層とを有することを特徴とする表示装置用素子基板を製造するための転写体。
【請求項１１】
前記第１バッファ層は導電性薄膜であり、前記第２バッファ層は無機絶縁膜であって、かつ前記駆動又は能動素子層は、ストライプ状の透明電極、又は、アクティブ素子及び該アクティブ素子に設けられた画素電極であることを特徴とする請求項１０に記載の転写体。
【請求項１２】
前記転写層は、前記基板と前記剥離層の界面から剥離されてプラスチックフィルム上に接着層を介して転写・形成されるものであることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の転写体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置用素子基板の製造方法及び転写体に係り、更に詳しくは、液晶表示装置又はＥＬディスプレイ装置などに使用される各種素子を備えた表示装置用素子基板の製造方法及びその製造方法に係る転写体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置又はＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ装置などの表示装置は、情報機器などへ急速にその用途を拡大している。これらの表示装置では、単純マトリクス方式やアクティブマトリクス方式に対応する各種のドットマトリクス素子を備えた素子基板が使用される。ドットマトリクス素子としては、単純マトリクス方式ではストライプ状の透明電極が使用され、一方、アクティブマトリクス方式ではＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子やＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）素子などのアクティブ素子が使用される。
【０００３】
このような素子基板のベース基板として、軽量化や破損防止などのためにガラス基板の代わりにプラスチックフィルムを用いたものがある。プラスチックフィルムは、剛性が弱く、また熱変形温度が低いため、熱処理を伴う製造工程において反りや膨張収縮のような熱変形を生じ易い。
【０００４】
このため、プラスチックフィルム上に直接ドットマトリクス素子やカラーフィルタ層などを形成する製造方法では、熱処理を伴う製造工程などの条件が制限され、また高精度の位置合わせが困難になるので、所望の特性を有する素子基板を製造できなくなる場合がある。
【０００５】
このような問題を回避するために、剛性が強く耐熱性が高いガラス基板などの上に製造条件が制限されないでドットマトリクス素子やカラーフィルタ層などを高精度で位置合わせして形成して転写層とした後、この転写層をプラスチックフィルム上に転写して形成する方法がある。詳しく説明すると、まず、ガラス基板の上に剥離層とバッファ層（シリコン酸化膜など）とを介してドットマトリクス素子やカラーフィルタ層などを形成して転写層とする。このとき、ドットマトリクス素子やカラーフィルタ層などはガラス基板上に形成されるため、その形成条件が制限されることなく、かつ高精度で位置合わせされて形成される。
【０００６】
次いで、この転写層をプラスチックフィルムに転写した後に、最上の剥離層を除去する。剥離層の下のバッファ層は、剥離層を除去する際にドットマトリククス素子などがダメージを受けないように保護するために形成される。
【０００７】
このような転写技術を用いることにより、熱処理を伴う製造工程はガラス基板上で行われることからプラスチックフィルムに熱変形が生じなくなるので、プラスチックフィルム上にカラーフィルタ層やドットマトリクス素子などを所望の特性で、かつ高精度で位置合わせして形成することができるようになる。
【０００８】
上記したような転写技術に関連する技術を利用することにより、表示装置用の各種素子を備えた素子基板を製造する方法は、例えば、特許文献１〜５に記載されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１８９２１９号公報
【特許文献２】
特開２００２−１１６４５５号公報
【特許文献３】
特開２００１−３５６７１０号公報
【特許文献４】
特開平１１−２４０８１号公報
【特許文献５】
特開平１０−１２５９３１号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記したような転写技術において、プラスチックフィルム上に転写層を転写した後に剥離層を除去する方法としては、Ｏ２とＣＦ４との混合ガスを用いたプラズマエッチング、又は高温アルカリ液などのウェットエッチング、もしくはこれらを組み合わせた方法が採用される。
【００１１】
このとき、剥離層（ポリイミド樹脂膜）をプラズマエッチング又はウェットエッチングする際における下地のバッファ層（シリコン酸化膜）に対するエッチング選択比（剥離層のエッチレート／バッファ層のエッチレート）はかなり低い。このため、剥離層を除去する際にその下のバッファ層がエッチングされ、引いてはバッファ層の下のドッドマトリクス素子などにダメージを与えてしまうことがある。
【００１２】
例えば、アクティブマトリクスタイプの有機ＥＬディスプレイ装置用の素子基板を製造する場合、ＴＦＴ素子などに接続される画素電極上に有機ＥＬ層が形成される。このため、剥離層を除去する際に画素電極がダメージを受けてその表面に凹凸が発生すると、画素電極上に形成される有機ＥＬ層が厚みむらになって形成されてしまう。有機ＥＬ素子は自己発光ためその厚みがばらつくと発光不良などの不具合が発生しやすい。
【００１３】
また、液晶表示装置用の素子基板を製造する場合においても、バッファ層の下の各種素子にダメージが生じて製造歩留りが低下する恐れがある。
【００１４】
なお、Ｏ２のみを用いたプラズマエッチングを使用することにより、上記したエッチング選択比を高くすることは可能であるが、実用的な剥離層のエッチレートを得るためには基板温度を上げるなどの工夫が必要であり、耐熱性の低いプラスチックフィルムの処理に適用するのは困難を極める。
【００１５】
前述した特許文献１〜５では、転写技術を利用して表示装置用の素子基板を製造することが記載されているものの、剥離層を除去する際にその下のバッファ層がエッチングされ、引いてはその下の各種素子にダメージを与えてしまう問題に関しては何ら考慮されていない。
【００１６】
本発明は上記した問題点を鑑みて創作されたものであり、転写技術を利用して表示装置用素子基板を製造する方法において、何ら不具合が発生することなく剥離層を除去することができる表示装置用素子基板の製造方法及びこの製造方法で使用される転写体を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するため、本発明は表示装置用素子基板の製造方法に係り、基板の上に剥離層を形成する工程と、前記剥離層の上に第１バッファ層を形成する工程と、前記第１バッファ層の上に第２バッファ層を形成する工程と、前記第２バッファ層の上に駆動又は能動素子層を形成する工程と、前記基板と剥離層との界面から剥離し、プラスチックフィルム上に、接着層を介して、下から順に、前記駆動又は能動素子層、前記第２バッファ層、前記第１バッファ層及び前記剥離層を転写して形成する工程と、前記第１バッファ層をバリア膜として前記剥離層を除去する工程と、前記第１バッファ層を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の好適な態様では、まず、基板（ガラス基板など）上に、下から順に、剥離層、第１バッファ層、第２バッファ層、駆動又は能動素子層などが形成されて転写層となる。その後に、プラスチックフィルム上に接着層を介して転写層が上下反転した状態で転写・形成される。次いで、最上の剥離層が例えばＯ２／ＣＦ４ガスを用いたプラズマ又はアルカリ溶液などにより除去される。
【００１９】
このとき、剥離層の下にＯ２／ＣＦ４プラズマやアルカリ溶液などに耐性を有する第１バッファ層（導電性薄膜）を設けたので、その下方の第２バッファ層（無機絶縁膜）、駆動又は能動素子層などがダメージを受ける恐れがなくなる。続いて、第１バッファ層は剥離層を除去する際のバリア膜として利用された後に、下地の第２バッファ層に対して選択的に除去される。そして、第２バッファ層は透明バッファ層として素子基板に残される。
【００２０】
このようにすることにより、第２バッファ層や駆動又は能動素子層に何らダメージを与えることなく剥離層が除去されるので、表示装置用素子基板の製造歩留りを向上させることができる。本発明の表示装置用素子基板は、液晶表示装置又はＥＬディスプレイ装置などに適用される。
【００２１】
本発明の一つの好適な態様では、前記駆動又は能動素子層は、ストライプ状の透明電極、又は、アクティブ素子及び該アクティブ素子に設けられた画素電極あって、前記第１バッファ層を除去する工程の後に、前記ストライプ状の透明電極上、又は前記アクティブ素子に設けられた画素電極上の第２バッファ層の所定部分に開口部を形成する工程と、前記開口部に露出する前記ストライプ状の透明電極上、又は前記アクティブ素子に設けられた画素電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層に接続される上側電極を形成する工程とを有し、前記表示装置用素子基板はＥＬディスプレイ装置となる。
【００２２】
上記したように、本発明では、剥離層を除去する工程において、第１バッファ層がバリア膜として機能するようにしたので、その下方の第１バッファ層がエッチングされたり、駆動又は能動素子層がダメージを受けてその表面に凹凸が発生したりする不具合は発生しない。
【００２３】
従って、駆動又は能動素子層がＴＦＴ素子やＭＩＭ素子などのアクティブ素子とそれに接続された画素電極である場合、画素電極上に形成される有機ＥＬ層は厚みむらのない平坦な状態で形成されるようになるため、有機ＥＬ層の発光特性を向上させることができる。素子層が単純マトリクスタイプに対応するストライプ状の透明電極である場合も同様である。
【００２４】
また、上記した課題を解決するため、本発明は転写体に係り、基板と、前記基板の上に、少なくとも、剥離層、第１バッファ層、第２バッファ層、及び駆動又は能動素子層が順に形成されて構成された転写層とを有することを特徴とする。
【００２５】
本発明の転写体では、その転写層が基板と剥離層との界面で剥離されて、プラスチックフィルム上に接着層を介して転写・形成されて表示装置用素子基板となるものである。本発明の転写体の転写層では、前述したように、プラスチックフィルム上に転写された後に剥離層が除去される際に、その下の第１バッファ層がバリア膜として機能するようにしている。このため、何ら不具合が発生することなくプラスチックフィルム上に所望の各種素子層などが歩留りよく形成されるようになる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
【００２７】
（第１の実施の形態）
図１〜図３は本発明の第１実施形態に係る表示装置用素子基板の製造方法を順に示す断面図である。第１実施形態では、表示装置用素子基板として有機ＥＬディスプレイ装置用の素子基板を製造する方法を例に挙げて説明する。本発明の第１実施形態に係る表示装置用素子基板の製造方法は、図１（ａ）に示すように、まず、耐熱性を有するソーダライムガラスなどのガラス基板２０（基板）を用意し、このガラス基板２０上に膜厚が４μｍ程度のポリイミド樹脂などからなる剥離層２２を形成する。この剥離層２２の形成方法の一例としては、ポリイミド前駆体溶液とエチレングリコールモノメチルエーテルとが１：１の割合で混合された塗布液をスピンナーで１０００ｒｐｍ、１２秒の条件下でガラス基板２０上に塗布した後に、２２０℃の温度で１時間熱処理して硬化させて剥離層２２を得る。
【００２８】
続いて、図１（ｂ）に示すように、スパッタ、蒸着又はイオンプレーティングなどにより、第１バッファ層２４を剥離層２２上に形成する。第１バッファ層２４は、後で説明するように、プラスチックフィルムに転写層を転写・形成した後に、剥離層２２を除去する際のバリア膜として機能する。
【００２９】
このため、第１バッファ層２４は、剥離層２２を除去する際に使用されるＯ２／ＣＦ４ガスのプラズマやアルカリ溶液に対して耐性を有すると共に、後述する第２バッファ層（無機絶縁膜）に対して選択的に除去できるものが使用される。第１バッファ層２４としては、例えば、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、ＩＴＯ膜、クロム（Ｃｒ）膜及びニッケル（Ｎｉ）膜などの導電性薄膜の群から選択される単層膜、積層膜又はその合金膜が使用される。
【００３０】
第１バッファ層２４の膜厚は、特に限定されないが、容易に除去することができ、かつ剥離層２２を除去する際に十分なバリア性を有すること、及び剥離層２２とのエッチング選択比を考慮すると、５〜３００ｎｍ、望ましくは５０〜１５０ｎｍの厚みとすることが好ましい。
【００３１】
次いで、第１バッファ層２４上に膜厚が５〜３０ｎｍの第２バッファ層２６を形成する。第２バッファ層２６としては、上記した第１バッファ層２４を除去する際に使用される燐酸や硝酸などの薬品に耐性を有する膜が好ましい。第２バッファ層２６としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯＸ膜）又はシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）などの無機絶縁膜が使用される。また、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを積層してもよい。その形成方法としては、スパッタ、蒸着又はＣＶＤなどが用いられる。
【００３２】
次いで、図１（ｃ）に示すように、第２バッファ層２６上にＴＦＴ素子やＭＩＭ素子などのアクティブ素子（不図示）とそれに接続されたＩＴＯ膜よりなる陽極２８（画素電極）とを形成する。アクティブ素子及びそれに接続された陽極２８（画素電極）が能動素子の一例である。特に図示しないが、ＴＦＴ素子を用いる場合は、まず、第２バッファ層２６上に島状にパターニングされたｎ型の多結晶シリコン層が形成される。その後、多結晶シリコン層上にゲート絶縁膜が形成され、続いてゲート絶縁膜上にＡｌ膜などからなるゲート電極が形成される。次いで、このゲート電極をマスクにしてｐ型の導電性不純物が導入されてソース部及びドレイン部が形成されてｐチャネルのＴＦＴ素子が得られる。そして、上記した陽極２８はＴＦＴ素子のソース部に電気的に接続される。
【００３３】
なお、単純マトリクスタイプの表示装置用素子基板を製造する場合は、ストライプ状のＩＴＯ膜よりなる透明電極（駆動素子層の一例）が形成される。
【００３４】
本実施形態では、最終的に陽極２８上に有機ＥＬ層が形成されるが、有機ＥＬ層は後のカラーフィルタ層を形成するためのフォトリソグラフィ工程や剥離層を除去する工程などに係る紫外光、水分、熱及び有機溶剤などに弱く、これらの影響により発光特性が劣化しやすい。このため、有機ＥＬ層は、プラスチックフィルムにＴＦＴ素子などを含む転写層が転写された後に形成されるようにすることが肝要である。
【００３５】
続いて、図１（ｄ）に示すように、図１（ｃ）の構造体の上にアクリル系熱硬化樹脂などの樹脂用塗布液を塗布した後、加熱・硬化することにより２〜５μｍの透明保護膜３０を形成する。これにより、アクティブ素子及びそれに接続された陽極２８の段差は透明保護膜３０により埋め込まれて平坦化される。
【００３６】
本実施形態では、有機ＥＬ層として白色発光層を使用し、カラーフィルタ層を組み合わせてカラー表示を行うタイプのＥＬディスプレイ装置を例示するので、次の工程でカラーフィルタ層３２が形成される。すなわち、まず、透明保護膜３０上の陽極２８のパターン間上に遮光層３２ｄをパターニングする。続いて、赤色画素部を構成する部分に赤色カラーフィルタ層３２ａをパターニングする。次いで、緑色画素部を構成する部分に緑色カラーフィルタ層３２ｂをパターニングする。その後に、青色画素部を構成する部分に青色カラーフィルタ層３２ｃをパターニングする。
【００３７】
このようにして、赤色カラーフィルタ層３２ａ、緑色カラーフィルタ層３２ｂ、青色カラーフィルタ層３２ｃ及び遮光層３２ｄにより構成されるカラーフィルタ層３２が形成される。各色のカラ−フィルタ層３２ａ〜３２ｄは、例えば顔料分散タイプの感光性塗布膜がフォトリソグラフィによりパターニングされて形成される。
【００３８】
なお、有機ＥＬ層として赤色、緑色及び青色の３色の発光層を使用する場合は、カラーフィルタ層３２を形成する必要がないことはいうまでもない。
【００３９】
次いで、図２（ａ）に示すように、紫外線硬化型樹脂に粒径が２〜１５μｍのスペーサ粒子を少量混入分散させたものをスプレーすることにより、カラーフィルタ層３２上に膜厚が２〜１５μｍの接着層３４を形成する。このとき、カラーフィルタ層３２の段差は接着層３４により埋め込まれて平坦化される。
【００４０】
これにより、ガラス基板２０上に、下から順に、剥離層２２、第１バッファ層２４、第２バッファ層２６、アクティブ素子に接続された陽極２８（又はストライプ状の透明電極）、透明保護膜３０、カラーフィルタ層３２及び接着層３４により構成される転写層３５が形成される。このようにして、ガラス基板２０とその上に形成された転写層３５とにより構成される本実施形態の転写体３７が得られる。
【００４１】
なお、カラーフィルタ層３２を省略する場合は、透明保護膜３０を形成せずにアクティブ素子及び陽極２８（画素電極）が接着層３４により埋め込まれるようにしてもよい。
【００４２】
次に、ガラス基板２０上に形成された転写層３５をプラスチックフィルム上に転写する方法を説明する。同じく図２（ａ）に示すように、まず、ガラス基板２０の大きさに対応したプラスチックフィルム１０を用意する。プラスチックフィルム１０としては、膜厚が１００〜２００μｍのポリエーテルスルホンフィルムやポリカーボネートフィルムなどを使用することができる。
【００４３】
その後、転写体３７の接着層３４側の面にプラスチックフィルム１０を対向させ重ねて配置する。次いで、プラスチックフィルム１０側から高圧水銀灯によりＵＶ照射を行うことで紫外線硬化型樹脂である接着層３４を硬化させることにより、プラスチックフィルム１０と転写体３７とを貼り合わせる。
【００４４】
なお、高圧水銀灯の代わりにパルスキセノン光源を用いてもよい。パルスキセノン光源は発光強度が大きく、少ない照射時間で接着層３４を硬化させることができるので、照射に伴うプラスチックフィルム１０の温度上昇を抑えることができる。
【００４５】
続いて、同じく図２（ａ）に示すように、プラスチックフィルム１０の一端に直径２００ｍｍ程度のロール４０を固定し、このロール４０を回転させながらプラスチックフィルム１０を引き剥がす。このとき、ガラス基板２０と剥離層２２との界面（図２（ａ）のＡ部）に沿って剥離される。
【００４６】
これにより、図２（ｂ）に示すように、プラスチックフィルム１０上に、下から順に、接着層３４、カラーフィルタ層３２、透明保護膜３０、アクティブ素子に接続された陽極２８（又はストライプ状の透明電極）、第２バッファ層２６、第１バッファ層２４及び剥離層２２により構成される転写層３５が転写・形成される。
【００４７】
次いで、図２（ｃ）に示すように、プラスチックフィルム１０上の剥離層２２をＯ２／ＣＦ４ガスを用いたプラズマによりエッチングして除去する。このとき、剥離層２２の下にはＯ２／ＣＦ４ガスのプラズマでのエッチレートが低い第１バッファ層２４（導電性薄膜）が全面にわたって形成されているので、剥離層２２を除去する工程で第２バッファ層２６の表面が露出することはない。従って、剥離層２２を除去する工程で、第２バッファ層２６（無機絶縁膜）やアクティブ素子及びそれに接続された陽極２８がエッチングされる恐れもなくダメージを受けることもない。
【００４８】
しかも、たとえ第１バッファ層２４の表層部がＯ２／ＣＦ４プラズマでエッチングされてダメージを受けるとしても、第１バッファ層２４は次工程で下地の第２バッファ層２６に対して選択的に除去されるため何ら問題ない。
【００４９】
また、高温アルカリ液やアルカリ溶剤混合液などを用いたウェットエッチングにより剥離層２２を除去する場合においても、同様に、第１バッファ層２４がバリア膜となるため、その下の第２バッファ層２６がエッチングされる恐れがなくなる。
【００５０】
次いで、図３（ａ）に示すように、第１バッファ層２４を下地の第２バッファ層２６に対して選択的に除去する。例えば、第１バッファ層２４としてＡｌ膜を使用する場合は、燐酸を用いたウェットエッチングにより下地の第２バッファ層２６（シリコン酸化膜など）に何らダメージを与えずに第１バッファ層２５を選択的に除去することができる。また、第１バッファ層２４としてＣｕ膜を使用する場合は、塩化第ニ銅溶液を用いたウェットエッチングにより第１バッファ層２４を選択的に除去すればよい。
【００５１】
次いで、図３（ｂ）に示すように、アクティブ素子に接続された陽極２８に対応する第２バッファ層２６の部分に開口部２６ｘを形成することにより、陽極２８の上面２８ａを露出させる。このとき、開口部２６ｘが陽極２８（画素電極）の面積より小さい面積で形成されるようにすることが好ましい。また、単純マトリクスタイプのストライプ状の透明電極を用いる場合も、開口部２６ｘは透明電極の幅より小さい幅で形成される。
【００５２】
上記したように、剥離層２２を除去する工程において、陽極２８は第１、第２バッファ層２４，２６により完全に保護されるので、陽極２８の上面２８ａはその成膜時と同様な平坦性を有する。後の工程で陽極２８の上面２８ａに有機ＥＬ層が形成されるので、有機ＥＬ層の厚みむらを抑えるという観点から陽極２８の上面２８ａの表面粗さを小さくすることは重要である。
【００５３】
また、図３（ｂ）の陽極２８は、スパッタなどで形成された図１（ｃ）の陽極２８（ＩＴＯ膜）がプラスチックフィルム１０上に転写・形成されて上下反転したものである。従って、図３（ｂ）の陽極２８の上面２８ａは、図１（ｃ）の陽極２８の下面に相当することになる。
【００５４】
本願発明者がスパッタで形成された図１（ｃ）の陽極２８（ＩＴＯ膜）の上面の表面粗さＲａを測定した結果、Ｒａ＝１．８ｎｍ（最大段差Ｒｍａｘ＝１９．４ｎｍ）であった。また、プラスチックフィルム１０上に転写・形成された後の陽極２８（ＩＴＯ膜）の上面（図１（ｃ）の陽極２８の下面に相当）の表面粗さＲａを測定した結果、Ｒａ＝０．７ｎｍ（最大段差Ｒｍａｘ＝７．９ｎｍ）であった。このように、スパッタで形成されたＩＴＯ膜は、その上面（表面）より下面（背面）の方が表面粗さＲａが小さいことが分かった。
【００５５】
つまり、本実施形態では転写技術を用いるため、陽極２８の上面は成膜直後のＩＴＯ膜の下面を利用することになるので、転写技術を使用しない場合に比べて陽極２８の上面の表面粗さＲａを小さくすることができるという点においても都合がよい。
【００５６】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第２バッファ層２６の開口部２６ｘに露出する陽極２８の上面２８ａに正孔輸送層、白色発光層及び電子輸送層を印刷などにより順次形成して有機ＥＬ層３６とする。このとき、前述したような理由により、有機ＥＬ層３６は表面粗さの小さい陽極２８上に形成されるため、厚みむらが発生せずに平坦な状態で形成される。
【００５７】
次いで、有機ＥＬ層３６を被覆する陰極３８（上側電極）を全面に形成する。なお、単純マトリクスタイプの場合は、ストライプ状の透明電極（陽極）と直交するストライプ状の陰極（上側電極）が形成される。このようして、陽極２８と陰極３８との間に有機ＥＬ層３６が挟まれた構造を有する有機ＥＬ素子４２が形成される。
【００５８】
その後に、図３（ｄ）に示すように、陰極３８を被覆する保護膜３９を形成する。この保護膜３９は外部からの酸化雰囲気や湿気による有機ＥＬ素子４２の劣化を防止するために設けられる。
【００５９】
以上により、第１実施形態の製造方法で製造された表示装置用素子基板１（有機ＥＬディスプレイ装置）が完成する。
【００６０】
本実施形態に係る表示装置用素子基板１では、有機ＥＬ素子４２の陽極２８に正の電圧、陰極３８に負の電圧を印加することにより、陽極２８から正孔注入層を介して注入される正孔と、陰極３８から電子輸送層を介して注入される電子とが有機ＥＬ層３６の内部で再結合することにより白色光が放出される。そして、この白色光がカラーフィルタ層３２などを透過して外部に放出されて画像が得られる（図３（ｄ）の矢印の方向）。
【００６１】
本実施形態に係る有機ＥＬ層３６は上記したように厚みむらがない平坦な状態で形成されるので、発光不良の発生が防止されて有機ＥＬディスプレイ装置の表示特性を向上させることができる。
【００６２】
以上説明したように、本実施形態の表示装置用素子基板の製造方法では、まず、ガラス基板２０上に、下から順に、剥離層２２、第１バッファ層２４、第２バッファ層２６、アクティブ素子に接続された陽極２８（又はストライプ状の透明電極）、透明保護膜３０、カラーフィルタ層３２及び接着層３４により構成される転写層３５が形成される。
【００６３】
その後に、プラスチックフィルム１０上に接着層３４を介して転写層３５が転写・形成される。次いで、剥離層２２がＯ２／ＣＦ４プラズマ又は高温アルカリ液などにより除去される。このとき、剥離層２２の下にＯ２／ＣＦ４プラズマ又は高温アルカリ液などに耐性を有する第１バッファ層２４を設けたので、その下の第２バッファ層２６、アクティブ素子及びそれに接続された陽極２８などがダメージを受ける恐れがなくなる。
【００６４】
これによって、アクティブ素子の性能及び有機ＥＬ層３６の発光特性を向上させることができる。また、プラスチックフィルム１０上に転写・形成された各種素子は、剥離層２２を除去する際に何らダメージを受けなくなるので、プラスチックフィルム１０を用いた素子基板の製造歩留りを向上させることができる。さらには、大型基板を使用して素子基板を製造する場合であっても何ら不具合が発生せずに安定して製造することが可能になるため、製造コストを低減できるという利点もある。
【００６５】
ところで、ガラス基板２０上に剥離層２２を介してＴＦＴ素子などのアクティブ素子を形成する場合、真空蒸着や熱処理などの工程が必要である。このため、これらの製造工程で剥離層２２（ポリイミド樹脂膜）に含有された不純物（アルカリ金属など）がアクティブ素子の構成層に拡散することにより、アクティブ素子の性能に悪影響を及ぼし、引いては表示装置の表示欠陥の発生要因になることがある。
【００６６】
本実施形態の製造方法では、剥離層２２の上に第１バッファ層２４と第２バッファ層２６とを積層して形成した後にアクティブ素子を形成するようにしている。第１、第２バッファ層２４、２６はそれぞれ緻密な導電性薄膜及び緻密な無機絶縁膜からなるため、剥離層２２からの不純物の拡散を防御するバリア膜としても機能する。しかもバッファ層を単層で形成する場合よりバリア膜としての機能を向上させることができる。このように、本実施形態のようにバッファ層を材料が異なる２層構造とすることは、アクティブ素子の性能や信頼性を向上させることができるという観点からも都合がよい。
【００６７】
また、ガラス基板２０と剥離層２２との界面から剥離して転写層３５をプラスチックフィルム１０に転写する際に、プラスチックフィルム１０の垂直方向に引き剥がし力が働くのでバッファ層の剛性が弱い場合にはアクティブ素子などがプラスチックフィルム１０から剥がれるなどの不具合が発生することがある。しかしながら、本実施形態の製造方法では、バッファ層を材料が異なる２層構造としてその剛性を強くしているので、プラスチックフィルム１０に転写層３５が安定して転写されるようになり、表示装置用素子基板の製造歩留りを向上させることができる。
【００６８】
（第２の実施の形態）
図４は本発明の第２実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図、図５は本発明の第２実施形態の表示装置用素子基板を用いた液晶表示装置を示す断面図である。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、本発明を液晶表示装置用の素子基板に適用することである。第２実施形態において、第１実施形態と同様な工程においてはその詳しい説明を省略する。
【００６９】
第２実施形態の表示装置用素子基板の製造方法は、図４（ａ）に示すように、まず、第１実施形態と同様な方法により図３（ａ）と同様な構造体を作成する。本実施形態では液晶表示装置として単純マトリクスタイプのものを例示して説明するので、第１実施形態の図３（ａ）の有機ＥＬ素子４２の陽極２８が図４（ａ）ではストライプ状の透明電極２９となっている。アクティブマトリクスタイプの液晶表示装置を製造する場合は、第１実施形態で説明したような画素電極に接続されたＴＦＴ素子、又は画素電極に接続されたＭＩＭ素子などを形成すればよい。
【００７０】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、２層構造の第１、第２バッファ層２４，２６が設けられて素子基板が製造されるため、透明電極２９にダメージを与える恐れがなくなり、製造歩留りを向上させることができる。また、第１実施形態と同様な製造上の効果を奏する。
【００７１】
その後、図４（ｂ）に示すように、第２バッファ層２６上に膜厚が１００ｎｍ程度の液晶材料を配向させる配向膜４４を形成し、この配向膜４４の表面をラビング処理する。これにより、第２実施形態に係る液晶表示装置用の走査電極基板１ａ（表示装置用素子基板）が得られる。
【００７２】
次いで、走査電極基板１ａの対向基板となる信号電極基板を作成する。すなわち、図５に示すように、第１実施形態の転写技術と同様な方法を利用して、プラスチックフィルム１０ｂ上に、下から順に、接着層３４ａ、透明電極２９ａ及び第２バッファ層２６ａを形成する。続いて、第２バッファ層２６ａ上に配向膜４４ａを形成し、この配向膜４０ａの表面にラビング処理を施す。これにより、走査電極基板１ａの対向基材となる信号電極基板１ｂ（表示装置用素子基板）が得られる。信号電極基板１ｂを製造する場合においても、同様に、透明電極２９ａにダメージを与える恐れがなくなる。
【００７３】
その後、同じく図５に示すように、上記した走査電極基板１ａを用意し、その所定領域に液晶材料を封じ込めるためのシール材をディスペンサ装置やスクリーン印刷装置により塗布してシール層４６を形成する。続いて、走査電極基材１ａ上に粒径が５μｍ程度の接着性スペーサを塗布する。
【００７４】
次いで、走査電極基板１ａのシール層４６が形成された面と信号電極基板１ｂの配向膜４４ａが形成された面とを、２つの電極基板１ａ，１ｂのそれぞれの透明電極２９，２９ａがお互いに略直交するようにして位置合わせして配置し、加熱する。このとき、２つの電極基板１ａ，１ｂ間には接着性スペーサがあるので、一定の間隔が保たれる。
【００７５】
続いて、貼着された走査電極基板１ａと信号電極基板１ｂとの所定部を切断することにより、個々の液晶表示装置用部材を得る。次いで、走査電極基板１ａと信号電極基板１ｂとの間に、シール層４６に予め開口しておいた液晶注入口から液晶材料を注入した後、封止剤で液晶注入口を密閉して液晶層４８を形成する。
【００７６】
以上により、図５に示すように、第２実施形態の表示装置用素子基板（走査電極基板１ａ及び信号電極基板１ｂ）を用いた液晶表示装置２が完成する。
【００７７】
なお、走査電極基板１ａにカラーフィルタ層３２を設ける代わりに、信号電極基板１ｂの例えば透明電極２９ａと接着層３４ａとの間にカラーフィルタ層３２を設けた形態としてもよい。
【００７８】
以上、第１及び第２実施形態により、本発明の詳細を説明したが、本発明の範囲は前述の実施形態に具体的に示した例に限られるものではなく、この発明を逸脱しない要旨の範囲における前述の実施形態の変更は本発明の範囲に含まれる。
【００７９】
例えば、第１バッファ層２４は剥離層を除去する際のプラズマ処理やアルカリ溶液に耐性を有し、かつその下地の第２バッファ層（無機絶縁膜）に対して選択的に除去される膜であればよい。
【００８０】
従って、第１バッファ層２４は前述した導電性薄膜に限定されるものではなく、同様な特性を有する各種の膜を使用することができる。また、第１バッファ層２４は最終的に除去されるので、膜厚や材質などは特に限定されず、さまざまな条件で形成することができる。
【００８１】
また、表示装置用素子基板として、有機ＥＬディスプレイ装置及び液晶表示装置に適用する形態を例示したが、その他の各種表示装置に適用することができる。また、駆動又は能動素子層としては、単純マトリクスタイプに対応するストライプ状の透明電極、又はアクティブマトリクスタイプに対応するＴＦＴ素子などの各種の３端子型素子、ＭＩＭ素子などの各種の２端子型素子を使用することができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、プラスチックフィルム上に接着層を介して素子層、第２バッファ層（無機絶縁膜）、第１バッファ層（導電性薄膜）及び剥離層などを転写して形成するようにしている。
【００８３】
第１バッファ層（導電性薄膜）は剥離層をプラズマやアルカリ溶液で除去する際に耐性を有するものであるため、その下方の第２バッファ層や素子層がダメージを受ける恐れがなくなる。このため、表示装置用素子基板の製造歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１実施形態に係る表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２は本発明の第１実施形態に係る表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３は本発明の第１実施形態に係る表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４は本発明の第２実施形態の表示装置用素子基板の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５は本発明の第２実施形態の表示装置用素子基板を用いた液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１…表示装置用素子基板（有機ＥＬディスプレイ装置）、１ａ…走査電極基板（表示装置用素子基板）、１ｂ…信号電極基板（表示装置用素子基板）、２…液晶表示装置、１０…プラスチックフィルム、２０…ガラス基板、２２…剥離層、２４…第１バッファ層、２６，２６ａ…第２バッファ層、２６ｘ…開口部、２８…アクティブ素子に接続された陽極又はストライプ状の透明電極（駆動又は能動素子層）、２８ａ…上面、２９，２９ａ…透明電極（駆動又は能動素子層）、３０…透明保護膜、３２…カラーフィルタ層、３２ａ…赤色カラーフィルタ層、３２ｂ…緑色カラーフィルタ層、３２ｃ…青色カラーフィルタ層、３２ｄ…遮光層、３４，３４ａ…接着層、３５…転写層、３７…転写体、３８…陰極、３９…保護膜、４０…ロール、４２…有機ＥＬ素子、４４，４４ａ…配向膜、４６…シール層、４８…液晶層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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