(57)【要約】【課題】電気光学装置に保持容量を備えさせ高コントラスト等の高品質な画像を表示可能とし、かつ、製造容易性・構造簡易性等の特徴を併せ備えさせる。【解決手段】対向基板（３００）上には走査線（３１２）等が形成され、素子基板（２００）上にはデータ線（２１２）、ＴＦＤ（２２０）及び画素電極（２３４）等が形成されている。そして、画素電極（２３４）下には、絶縁層（９１０）及び容量線（９００）が形成されており、これらが積層構造をなすことによって、各画素に付き保持容量（２９０）が形成されている。容量線は、走査線とシール材（１１０）中に混入された導電性粒子（１１４）を介して電気的に接続されており、同一行に存在する容量線及び走査線についてみる限り、両者は常に同電位となる。【選択図】　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上で一定の方向に延在するように形成された第１導電部と、
前記第２基板上で、
前記第１導電部に交差する方向に延在するように形成された第２導電部と、
前記第１導電部及び前記第２導電部の交差領域に対応するように形成されたスイッチング素子及び画素電極と、
前記第１導電部と導通材を介して電気的に接続されているとともに、前記一定の方向に平行な方向に沿い且つ絶縁層を介して前記画素電極と重なり合うように形成された容量電極とを備えてなり、
前記画素電極、前記絶縁層及び前記容量電極は積層構造を構成していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、二端子型スイッチング素子からなり、
該二端子型スイッチング素子は、前記第２導電部及び前記画素電極間の導通を制御することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記二端子型スイッチング素子は、導電体、絶縁体及び導電体の積層構造を有することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素電極、前記絶縁層及び前記容量電極により形成される保持容量の容量値は、前記スイッチング素子における寄生容量の容量値の１〜２０倍であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極はマトリクス状に配列されてなり、
前記容量電極は、前記マトリクス状に配列された画素電極中のある一行又はある一列の長さを越える長さを有するとともに前記一定の方向に延在する容量線の一部として構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板及び前記第２基板上の画像表示領域の周囲に設けられこれら第１基板及び第２基板間を接着するシール材と、
該シール材中に混入されたギャップ材とを更に備えてなり、
前記導通材は、前記ギャップ材を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記容量電極は、透明導電性材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記容量電極は、光反射性材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記容量電極には、前記画素電極に対応するように開口部が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記容量電極は、前記開口部が形成された第１層と、前記開口部を覆うように形成された透明導電性材料からなる第２層とからなることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記画素電極からなる層及び前記絶縁層の少なくとも一部は、増反射膜の全部又は一部を構成することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記容量電極は、
前記絶縁層の形成に適した第１の材料層と、同第１の材料層よりも電気抵抗の小さい性質を有する第２の材料層とを、前記画素電極側から順に積層するようにして備えたことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記第２基板上に、前記第１導電部及び前記第２導電部のそれぞれを駆動する第１導電部駆動部及び第２導電部駆動部とを備えてなり、
前記導通材は、前記第１導電部駆動部から前記第１導電部に対する信号電圧の供給を担うことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記第１導電部駆動部及び前記第２導電部駆動部は、前記第２基板上のある一辺に沿うように形成されていることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板とを備えてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板上に、一定の方向に延在するよう第１導電部を形成する工程と、
前記第２基板上に、
前記一定の方向に沿うように容量電極を形成する工程と、
該容量電極上に絶縁層を形成する工程と、
該絶縁層上に画素電極を形成する工程と、
前記第１導電部に交差する方向に延在するように、且つ、前記画素電極に電気的に接続するようにスイッチング素子を介して第２導電部を形成する工程と、
前記第１導電部及び前記容量電極を電気的に接続する導通材を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１導電部を形成した第１基板又は前記容量電極を形成した第２基板の少なくとも一方の上に、前記第１導電部及び前記容量電極のいずれか一方に導電性のギャップ材が電気的に接触するように該ギャップ材が混入されたシール材を塗布する工程と、
前記ギャップ材が、前記第１導電部及び前記容量電極のいずれか他方に電気的に接触するように該第１基板及び該第２基板を貼り合わせる工程とを更に含み、前記導通材は前記ギャップ材を含むことを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器の技術分野に属し、特に、薄膜ダイオード（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ；以下、適宜「ＴＦＤ」という。）等が画素に対するスイッチング素子としての役割を担う液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶等の電気光学物質の電気光学的変化を利用して、画像を表示することの可能な電気光学装置が、各種の電子機器やテレビなどに広く用いられつつある。これによれば、従来の陰極線管（ＣＲＴ）を用いたテレビ等では達成し得なかった、薄型化、小型化、低消費電力化等といった数多くの特徴を享受することができる。
【０００３】
このような電気光学装置には、既に数多くのタイプが提案されているが、その多くは適当な基準により分類することができる。例えば、駆動方式等による分類が一般的になされ、具体的には、スイッチング素子を用いて画素を駆動するアクティブ・マトリクス型と、スイッチング素子を用いないで画素を駆動するパッシブ・マトリクス型とに大別することができる。このうち、前者のアクティブ・マトリクス型では、スイッチング素子の種類によって更に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、適宜「ＴＦＴ」という。）などの三端子型スイッチング素子を用いるタイプと、ＴＦＤなどの二端子型スイッチング素子を用いるタイプとに大別することができる。
【０００４】
このうち後者のＴＦＤ等の二端子型スイッチング素子を用いる電気光学装置は、一の方向に沿って延在するセグメント電極としての複数のデータ線、これに交差する他の方向に沿って延在するコモン電極としての走査線、並びに該データ線及び該走査線間に挟持された液晶等の電気光学物質（以下、「液晶」に代表させる。）を備えている。これにより、例えば、液晶を誘電体とし、データ線に接続された画素電極及び走査線の一部を一対の電極とするコンデンサ、いわゆる液晶容量が構成されることになる。そして、ＴＦＤは、前記のデータ線及び画素電極間に形成され、液晶に電界を印加するか否かのスイッチング素子としての役割を担うことになる。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２−３０４５３３号公報
【特許文献２】
特開平４−２２５３３１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＴＦＤをスイッチング素子として用いる電気光学装置においては、次のような問題点があった。すなわち、ＴＦＤに生じる寄生容量によって、表示コントラストを低下させるおそれがあったのである。これは、この寄生容量と前記の液晶容量との比が小さくなればなる程、すなわち寄生容量が大きくなればなる程、顕著に見られる。したがって、従来においては、ＴＦＤそれ自体の大きさを小さくすることで、寄生容量を小さくする試みがなされていた。しかしながら、液晶装置がＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）や携帯電話等のような携帯型電子機器に用いられる場合にあっては、これらの機器は持ち運び可能であることが必要であるから、その画面サイズはいきおい小さくなければならず、これに伴って液晶容量も小さくしなければならない。すると、このような機器において、表示コントラストを低下させないようにするためには、ＴＦＤそれ自体の大きさの更なる小型化が要求されることになる。しかし、このような更なる小型化には、製造上の限界があり実現が困難となってきている。
【０００７】
そこで、従来においても、このような問題点に対処するため、例えば、上記特許文献１や特許文献２等に開示されているように、ＴＦＤに接続された画素電極に保持容量を付設する手段が講じられることがあった。これによれば、液晶容量及び保持容量の和とＴＦＤの寄生容量との比を大きくとることが可能となるから、表示コントラストの低下を効果的に防止することができる。
【０００８】
しかしながら、上記した各公報に開示されている技術では次のような問題点があった。まず、特許文献１では、対向電極から画素電極へ向けて一体的に構成された「導電体」たる保持容量電極を形成し、該保持容量電極及び画素電極間に絶縁体を介することにより、保持容量の形成を行うものとなっている。しかし、これでは、各画素電極に対応して、導電体たる保持容量電極を複数形成しなければならず、製造歩留まりの低下が懸念されるし、該保持容量電極間で形状の差異が生じることにより保持容量のばらつきが生じて表示ムラを発生させる等という問題も生じうる。
【０００９】
また、特許文献２では、キャパシタラインに接続された複数のキャパシタ用電極のそれぞれに対応して、絶縁膜及び画素電極を形成することにより、各画素電極に対応する保持容量を構成するものとなっている。なお、前記のキャパシタラインは、対向電極と電気的に接続されており、前者及び後者間の電位は同じになるようにされている。しかし、この発明では、共通配線たるキャパシタラインに対して、画素電極の数と同じ数のキャパシタ用電極を形成し、かつ、これらを該キャパシタラインに電気的に接続しなければならならず、上述の発明と同様に、製造歩留まり上の欠点がある。ちなみに、本公報では、キャパシタラインが、画素電極間に敷設されるような実施形態が開示されているが、これでは開口率の減少を招き、画像の明るさを損なうおそれがあると考えられる。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、保持容量を備えることで高いコントラストの維持等高品質な画像を表示可能であることに加え、製造容易性・構造簡易性等の特徴を併せ備え、且つ、画面サイズの狭小化等に対応可能な電気光学装置及びその製造方法並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板と、前記第１基板上で一定の方向に延在するように形成された第１導電部と、前記第２基板上で、前記第１導電部に交差する方向に延在するように形成された第２導電部と、前記第１導電部及び前記第２導電部の交差領域に対応するように形成されたスイッチング素子及び画素電極と、前記第１導電部と導通材を介して電気的に接続されているとともに、前記一定の方向に平行な方向に沿い且つ絶縁層を介して前記画素電極と重なり合うように形成された容量電極とを備えてなり、前記画素電極、前記絶縁層及び前記容量電極は積層構造を構成している。
【００１２】
本発明の電気光学装置によれば、例えば、第１導電部に所定の信号電圧を供給し、第２導電部に画像信号を含むデータ電圧を供給することで、スイッチング素子の導通如何により、第１導電部及び画素電極間に所定の電位差を生じさせることが可能となる。ここで、例えば、第２導電部及び画素電極間に形成される、スイッチング素子の一例としての二端子型スイッチング素子たる薄膜ダイオードが導通するか否かは、その一端にかかる電圧と他端にかかる電圧との差に応じ、かつ、これらの間には非線形性が示される。これにより、第１導電部及び画素電極間における電気光学物質の一例としての液晶に電界が印加されることになり、画素毎に液晶分子の配向状態を変更することが可能となる。したがって、この液晶に光を投射すれば、その透過率を変更することが可能となり、画像を表示することが可能となる。
【００１３】
そして、本発明では特に、第１導電部と導通材を介して電気的に接続されているとともに、前記一定の方向に平行な方向に沿い且つ絶縁層を介して前記画素電極と重なり合うように形成された容量電極が備えられている。したがってまず、この容量電極は、第１導電部と同電位とされることになるから、容量電極及び画素電極間には、画素電極及び第１導電部間にかけられる電位差と同じ電位差がかけられることになる。ここで、本発明では、画素電極、絶縁層及び容量電極は積層構造を構成しているから、いわゆる保持容量が形成されることになり、画素電極における電位保持特性は格段に向上し、画像上のコントラストの低下を招くようなことがない。また、このような保持容量が設けられることにより、本発明では、電気光学装置本体の狭小化、あるいは画像サイズないし液晶容量等の狭小化等に追随するように、スイッチング素子の更なる小型化ということを無理に実現する必要がない。逆にいえば、本発明に係る電気光学装置は、画質の劣化等の問題を抱えることなく、その小型化を容易に実現できることになる。
【００１４】
しかも、本発明では、前記の容量電極は、前記一定の方向、すなわち第１導電部の形成方向に平行な方向に沿うように形成されているから、発明が解決しようとする課題の項で述べたように、例えば画素電極がマトリクス状に複数形成されているとしても、これら画素電極の各々に対して、導電体たる保持容量電極、あるいはキャパシタ用電極等を形成する必要がない。本発明では、このような場合、当該マトリクス状に配列された画素電極中、ある行（又はある列）を構成する全部又は一部の画素電極についてまとめて、一つの容量電極を形成しさえすればよいのである。
【００１５】
また、この具体例を更に進めれば、本発明では、第２基板上、下から順に、一つの容量電極、絶縁層及び前記のある行（又はある列）を構成する全部又は一部の画素電極という積層構造を構築し、このうち該一つの容量電極と前記の第１導電部とを電気的に接続する導通材を一つだけ形成すれば、保持容量が形成されることになる。すなわち、導通材についてもまた、画素電極に数に応じて形成する必要などはないのである。
【００１６】
以上のように、本発明によれば、従来のように、保持容量を構成するために、複数の導電体、あるいはキャパシタ用電極等を形成する必要がないから、その構造が簡易となり、また、製造歩留まりを向上させることが可能となる。更には、各画素電極に対応する保持容量にばらつきが生じる可能性は低く、それを原因とする表示ムラ等を発生させるおそれが殆どない。
【００１７】
また、本発明によれば、容量電極及び画素電極が重なり合うように形成されている、換言すれば、両者が平面的に隣接しあうように形成されているのではないから、画素開口率を低下せしめるようなことがない。
【００１８】
なお、本発明にいう「容量電極」を構成する材料としては、後述する本発明の他の態様として説明するように、光反射性材料や透明導電性材料を使用する場合が好適な一態様であるが、導電性があれば、基本的にどのような材料を用いることも可能である。
【００１９】
また、本発明にいう「導通材」としては、後述する本発明の他の態様として説明するように、シール材中のギャップ材がその一部を構成する場合等が好適な一態様であるが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、導通材の形成位置としては、第１基板及び第２基板間を接着するシール材の外側あるいは内側のいずれを選択してもよいし、該導通材を構成する材料についても、基本的には、導電性を有する材料であれば何を選択してもよい。
【００２０】
また、導通材の、より具体的な形態としては、容量電極上に形成される絶縁層に、該容量電極へ通ずるコンタクトホールを形成するとともに、該コンタクトホールと前記ギャップ材との電気的接触が図られるような形をとれば、第１導電部及び容量電極間の電気的接続をより好適に実現することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記スイッチング素子は、二端子型スイッチング素子からなり、該二端子型スイッチング素子は、前記第２導電部及び前記画素電極間の導通を制御する。
【００２２】
この態様によれば、二端子型スイッチング素子の一例としての薄膜ダイオード等を利用することにより、いわゆるアクティブ・マトリクス駆動を行うことができる。また、二端子型スイッチング素子を用いると、三端子型スイッチング素子を用いた構成と比較して、配線間の短絡不良が原理的に発生しない点や、製造プロセスが簡略化される点などにおいて有利である。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記二端子型スイッチング素子は、導電体、絶縁体及び導電体の積層構造を有する。
この態様によれば、前述のうちのいずれかの導電体を、そのまま第２導電部として利用することが可能であり、また、絶縁体は該導電体の表面を酸化することにより形成可能である。
【００２４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極、前記絶縁層及び前記容量電極により形成される保持容量の容量値は、前記スイッチング素子における寄生容量の容量値の１〜２０倍である。
【００２５】
この態様によれば、保持容量の容量値が、スイッチング素子の一例たる薄膜ダイオードの寄生容量の容量値に対して、１〜２０倍（より好ましくは、５〜１０倍程度とするとよい）と十分に大きいから、画素電極の電位保持特性の向上をより効果的に実現することができる。
【００２６】
なお、本態様にいう１〜２０倍、あるいは前記の括弧内の５〜１０倍というのは、例えば、前述のように第１導電部及び画素電極間に液晶が挟持されてなり、これらによって液晶容量が形成される場合であれば、該液晶容量の容量値と保持容量のそれとの和が、スイッチング素子の寄生容量の容量値に比べて、１〜２０倍、あるいは５〜１０倍ということであると尚よい。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極はマトリクス状に配列されてなり、前記容量電極は、前記マトリクス状に配列された画素電極中のある一行又はある一列の長さを越える長さを有するとともに前記一定の方向に延在する容量線の一部として構成されている。
【００２８】
この態様によれば、容量電極は、マトリクス状に配列された画素電極中、各行（又は各列）に位置する全部の画素電極に対応するように形成した容量線の一部を構成するようにされているから、構造簡易性・製造容易性という作用効果をより効果的に享受することが可能となる。また、この容量線は、前記マトリクス状に配列された画素電極中のある一行又はある一列の長さを越える長さを有するとともに、該画素電極の形成方向と平行に形成されているから、当該容量線と第１導電部との電気的接続をそれぞれの一端の部分において行えば、当該行（又は当該列）に存在するすべての容量電極についての第１導電部との電気的接続を実現することができる。これによってもやはり、構造簡易性・製造容易性という作用効果を効果的に享受することが可能となる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板及び前記第２基板上の画像表示領域の周囲に設けられこれら第１基板及び第２基板間を接着するシール材と、該シール材中に混入されたギャップ材とを更に備えてなり、前記導通材は、前記ギャップ材を含む。
【００３０】
この態様によれば、第１基板及び第２基板はシール材により接着され、また、該シール在中にはギャップ材が含まれていることにより、第１基板及び第２基板間の、いわゆるセルギャップを正確に維持することが可能となる。
【００３１】
そして本態様では特に、前記導通材は前記ギャップ材を含む。すなわち、この場合、ギャップ材は導電性を有する材料からなる。このような形態によれば、第１導電部と容量電極とを電気的に接続するための部材を、第１基板あるいは第２基板上に特別に設ける必要がなく、構造簡易・製造容易という作用効果を、より高めることが可能となる。また、このような形態では、第１導電部と容量電極との電気的接続を信頼性高く実現することができる。なお、このようなギャップ材としては、例えば、銀粉を含むペースト状の導電材等からなるものを利用するのが好ましい。
【００３２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記容量電極は、透明導電性材料からなる。
この態様によれば、本発明に係る電気光学装置を、透過型として使用することが可能となる。すなわち、例えば、第２基板の電気光学物質に対向しない側（以下、「第２基板外側」という。）から光を入射し、この光を電気光学物質を透過させた上で、第１基板の電気光学物質に対向しない側（以下、「第１基板外側」という。）から出射させようとする場合において、容量電極が透明導電性材料からなれば、その光の進行が妨げられるようなことがなく、前記のような経路を辿る光は第１基板外側から問題なく出射することが可能となり、これを画像を構成する光として利用することができる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記容量電極は、光反射性材料からなる。
この態様によれば、容量電極が、例えば、アルミニウム、銀等、光反射能の高い光反射性材料からなるから、該容量電極に反射板としての機能を担わせることが可能である。すなわち、本態様に係る電気光学装置では、第１基板外側から入射した光は、電気光学物質及び画素電極を透過し、その下に位置する容量電極で反射することが可能である。そして、この反射光は、画素電極及び電気光学物質を再度透過して第１基板外側から出射することになるから、本態様では、この出射光を画像を構成する光として利用することができる。つまり、本態様に係る電気光学装置は、反射型表示を行うことが可能である。
【００３４】
また、このような光反射性材料は、上述の例のように、アルミニウム、銀等の低抵抗な材料が含まれることから、容量電極の低抵抗化を図ることができる。
この態様では特に、前記容量電極には、前記画素電極に対応するように開口部が形成されているようにするとよい。
【００３５】
このような構成によれば、本発明に係る電気光学装置を、反射半透過型として使用することが可能となる。すなわち、例えば、第２基板外側から光を入射し、この光を電気光学物質を透過させた上で、第１基板外側から出射させようとする場合において、容量電極に開口部が形成されておれば、その光は該開口部を通過することが可能であり、該光の進行が妨げられることがない（透過型表示）。他方、第１基板外側から入射した光は、開口部以外の容量電極の部分で反射され得るから、該反射光は、電気光学物質を透過し再び第１基板外側に至るという経路を辿りうる。このように第１基板外側から出射した光もまた、画像を構成する光として利用することが可能となる（反射型表示）。
【００３６】
なお、本発明にいう「開口部」の形状は基本的に自由である。例えば、画素電極一つにつき、開口部を一つだけ設ける形態としてよいし、比較的小面積の開口部を複数設ける形態としてもよい。また、このような「開口部」の全体の面積は、対応する画素電極一つの面積に対して、概ね５〜２０％程度とするのが好ましい。ただし、本発明は、このような形態に限定されるものではなく、開口部の面積の調整を通して、反射型表示重視、あるいは透過型表示重視の電気光学装置を実現することができる。
【００３７】
この容量電極に開口部が形成される態様では更に、前記容量電極は、前記開口部が形成された第１層と、前記開口部を覆うように形成された透明導電性材料からなる第２層とからなるようにするとよい。
【００３８】
このような構成によれば、上述と略同様に、本発明に係る電気光学装置を、反射半透過型として使用することが可能となる。すなわち、例えば、第２基板外側から入射した光は、開口部及び透明導電性材料からなる第２層を透過し、あるいは、開口部以外の第１層の部分で反射することが可能であるから、上述と同様に、透過型表示又は反射型表示が可能となるのである。
【００３９】
そして、本態様では特に、透明導電性材料からなる第２層が、開口部を覆うように形成されているから、次のような作用効果を得ることが可能となる。すなわち、仮に容量電極が「開口部」のみしか有さない場合を仮定すると、その開口部の形成部分に応じて容量電極の面積が小さくなることから、保持容量の容量値は小さくなってしまう。しかしながら、本態様においては、このような開口部を覆うように、透明導電性材料からなる第２層が形成されているから、当該開口部の部分においては、画素電極、絶縁層及び第２層という保持容量が依然形成された形となっている。
【００４０】
したがって、本態様によれば、開口部が形成されて、反射半透過型表示可能な電気光学装置を構成することが可能であるにもかかわらず、保持容量の容量値を比較的大きく維持することが可能となる。
【００４１】
これらのように反射型表示又は反射半透過型表示が可能な電気光学装置では特に、前記画素電極からなる層及び前記絶縁層の少なくとも一部は、増反射膜の全部又は一部を構成するようにするとよい。
【００４２】
このような構成によれば、本発明に係る電気光学装置による反射型表示を、より好適に実現することが可能である。
ここで、本態様にいう「増反射膜」とは、例えば、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで、これらの膜の界面で生じる光の干渉を利用して、特定の波長の光の反射を強くする膜のことをいう。また、これとは別に、単層構造で、いま述べたような作用効果を発揮する膜もまたある。より具体的には、当該増反射膜の屈折率をｎ、その厚さをｄとし、強めたい波長をλとすると、ｎｄ＝（２ｍ＋１）λ／４（ｍは整数）を満たすような膜のことをいう。すなわち、当該増反射膜の光学的厚さｎｄが、ある光の波長λの奇数倍に比例すれば、この波長λを有する反射光は強められることになる。
【００４３】
そして、このような増反射膜が、上述のように、反射板としての機能を有する容量電極の上に形成されるのであれば、該容量電極を反射した光のうち特定の波長をもつものは強められることになる。すなわち、上述の態様によれば、容量電極の上には、絶縁層及び画素電極が形成されているから、これらのうちの少なくとも一部が、前述のような増反射膜の構造、すなわち低屈折率膜及び高屈折率膜の積層構造等を備えておればよい。
【００４４】
これにより、容量電極によって反射された光のうち、特定波長の光の強度を強めることが可能となるから、反射型表示される画像のコントラスト比の向上や、いわゆる映り込みの防止等を図ることができる等、当該反射型表示をより好適に実現することが可能となる。
【００４５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記容量電極は、前記絶縁層の形成に適した第１の材料層と、同第１の材料層よりも電気抵抗の小さい性質を有する第２の材料層とを、前記画素電極側から順に積層するようにして備えた。
【００４６】
この態様によれば、例えば、容量電極を絶縁層の形成に適した第１の材料層のみで形成しようとした場合に比較して、容量電極の低抵抗化を図ることができる。そして、容量電極の低抵抗化によって、クロストークの発生を抑制することができるようになる。
【００４７】
なお、容量電極を、第１の材料層のみで形成する場合でも、容量電極自体の厚みを増すことにより、低抵抗化を図ることができるが、容量電極の厚みを増大させると、応力の発生により、前記第１基板等が反ることがある。しかし、この態様の電気光学装置においては、容量電極の厚みを増大させることなく、低抵抗化を図ることが可能であるので、応力の発生による第１基板等の変形も効果的に防ぐことができる。
【００４８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２基板上に、前記第１導電部及び前記第２導電部のそれぞれを駆動する第１導電部駆動部及び第２導電部駆動部とを備えてなり、前記導通材は、前記第１導電部駆動部から前記第１導電部に対する信号電圧の供給を担う。
【００４９】
この態様によれば、第１導電部駆動部から第１導電部に対する信号電圧の供給が、第１導電部及び容量電極を電気的に接続する前記の導通材により実現される。つまり、導通材には、第１導電部及び容量電極間の電気的接続という役割の他に、第１導電部駆動部から第１導電部に対する信号電圧の供給という役割をもつことになる。
【００５０】
すなわち、本態様に係る電気光学装置は、第１基板上には主要な要素として第１導電部のみが形成される一方、第２基板上には、前記のスイッチング素子、画素電極及び第２導電部が形成されるほか、第１導電部駆動部及び第２導電部駆動部が形成される構造を備えることになる。このように、本態様では、第１導電部駆動部及び第２導電部駆動部を、一方の基板上にのみ形成すればよく、他方の基板上にそれらを形成する必要がないから、電気光学装置の構造簡略化・狭小化等を実現することができる。
【００５１】
また、第２基板上において、第１及び第２導電部駆動部を内蔵回路型として構成する場合には、スイッチング素子の一例たる薄膜ダイオード、あるいは薄膜トランジスタを形成するための半導体プロセスの全部又は一部を利用して、これら第１及び第２導電部駆動部を形成することが可能であるから、製造プロセスの簡略化等をも図ることができる。
【００５２】
なお、第１及び第２導電部駆動部の形成場所については、本態様に係る構成のほか、様々なバリエーションがあり得るが、本発明は、そのすべてを範囲内に収めることは言うまでもない。例えば、第１導電部駆動部を第１基板上に形成し、第２導電部駆動を第２基板上に形成するというように、第１導電部及び第２導電部用の駆動部を別々の基板上に形成する形態であっても、本発明の適用は何ら問題なく可能である。
【００５３】
また、この態様では特に、前記第１導電部駆動部及び前記第２導電部駆動部は、前記第２基板上のある一辺に沿うように形成されているようにするとよい。このような構成によれば、当該第２基板上の残る三辺を自由な状態に維持することが可能となり、電気光学装置の構造簡略化・狭小化・製造コストの低廉化等を実現する一つの好適な態様が提供される。
【００５４】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板とを備えてなる電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板上に、一定の方向に延在するよう第１導電部を形成する工程と、前記第２基板上に、前記一定の方向に沿うように容量電極を形成する工程と、該容量電極上に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上に画素電極を形成する工程と、前記第１導電部に交差する方向に延在するように、且つ、前記画素電極に電気的に接続するようにスイッチング素子を介して第２導電部を形成する工程と、前記第１導電部及び前記容量電極を電気的に接続する導通材を形成する工程とを含む。
【００５５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述の本発明の電気光学装置を好適に製造することができる。そして、本発明では特に、保持容量を形成するためには、実質的には、第２基板上に、第１導電部が沿うべき一定の方向に延在する容量電極を形成する工程と、該容量電極上に絶縁層を形成する工程とを実施するのみでよく、従来の技術の項で述べたように、画素電極の各々に対して、保持容量電極やキャパシタ用電極等を形成する必要がない。したがって、その製造は極めて簡易に行え、また、製造された電気光学装置の信頼性は非常に高い。
【００５６】
なお、本発明にいう「絶縁層」は、より具体的には例えば、プラズマＣＶＤ法等を実施することによって得ることができる他、場合により、その下に形成された容量電極の表面を陽極酸化処理することにより得ることも可能である。
【００５７】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第１導電部を形成した第１基板又は前記容量電極を形成した第２基板の少なくとも一方の上に、前記第１導電部及び前記容量電極のいずれか一方に導電性のギャップ材が電気的に接触するように該ギャップ材が混入されたシール材を塗布する工程と、前記ギャップ材が、前記第１導電部及び前記容量電極のいずれか他方に電気的に接触するように該第１基板及び該第２基板を貼り合わせる工程とを更に含み、前記導通材は前記ギャップ材を含む。
【００５８】
この態様によれば、第１導電部及び容量電極間の電気的接続を好適に実現することができる。
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００５９】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるから、保持容量を備えていることにより高コントラストの高品質画像を表示することが可能であることに加え、該電気光学装置の構造が簡易で且つ製造が容易であるということから、その信頼性が高い、投射型表示装置或いはプロジェクタ、液晶テレビ、パソコンやモバイル或いは携帯端末のモニター部、ページャ、携帯電話の表示部、カメラのファインダ部などの各種電子機器を実現できる。
【００６０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００６１】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下では、本発明の第１の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の第１実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００６２】
＜電気光学装置の概要＞
最初に、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の概要について、図１乃至図５を参照しながら説明する。なお、以下では、電気光学装置の電気的構成及び機械的構成に分けて説明する。
【００６３】
＜電気的構成＞
まず、第１実施形態に係る電気光学装置の電気的構成について、図１を参照しながら説明する。ここに図１は、第１実施形態に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【００６４】
図１において、電気光学装置は、本発明にいう第２導電部の一例たる複数のデータ線（セグメント電極）２１２が列（Ｙ）方向に延在して形成される一方、本発明にいう第１導電部の一例たる複数の走査線（コモン電極）３１２が行（Ｘ）方向に延在して形成されている。これらデータ線２１２及び走査線３１２間には電気光学物質の一例たる液晶が挟持されており、データ線２１２に接続された画素電極２３４（後述）及び該画素電極２３４に対向する走査線３１２の一部を一対の電極、前記液晶を誘電体とする液晶容量１１８が構成されている。そして、データ線２１２と走査線３１２との各交差領域には、液晶に対する電荷の印加を制御する、スイッチング素子としてのＴＦＤ２２０が、該液晶容量１１８に直列に接続されている。なお、図１においては、画素電極２３４は、ＴＦＤ２２０、液晶容量１１８及び保持容量２９０（後述）それぞれから伸びる三つの線が交差するポイントに位置するものとして想定することができる。
【００６５】
一方、第１実施形態においては特に、各走査線３１２に平行するように、かつ、前記の画素電極２３４に対向するように、容量線９００が形成されている。この容量線９００の各々は、走査線３１２の各々と電気的に接続されており、両者は常に等しい電位となるようにされている。そして、画素電極２３４及び容量線９００間には適当な材料からなる絶縁体が設けられており、これら画素電極２３４、絶縁体及び容量線９００により、保持容量２９０が形成されている。この保持容量２９０は、図１に示すように、ＴＦＤ２２０に直列に、かつ、液晶容量１１８に並列に接続されている。
【００６６】
第１実施形態では、以上述べた画素電極２３４、走査線３１２の一部、液晶容量１１８及びＴＦＤ２２０並びに保持容量２９０によって、画素部１１６が構成されている。また、第１実施形態に係る電気光学装置においては、これら画素部１１６がマトリクス状に配列されてなる領域をもって、画像表示領域１０ａが規定されている。
【００６７】
前記走査線３１２には、本発明にいう第１導電部駆動部の一例たる走査線駆動回路３５０が接続されており、これにより走査線３１２の各々に対しては、走査信号が供給される。より具体的には、走査線駆動回路３５０は、複数の走査線３１２一本一本を逐次に又は同時に「選択」する作用を担い、選択された走査線３１２に対しては選択電圧が、そうでない走査線３１２に対しては非選択電圧が、それぞれ供給されるようになっている。また、前記データ線２１２には、本発明にいう第２導電部駆動部の一例たるデータ線駆動回路２５０が接続されており、これによりデータ線２１２の各々に対しては、データ信号が供給される。なお、第１実施形態においては、データ線２１２の数及び走査線３１２の数を、それぞれ一般に、ｍ本及びｎ本あるものとする。
【００６８】
一方、制御回路４００は、階調データや各種制御信号、クロック信号などを供給して、上述の走査線駆動回路３５０及びデータ線駆動回路２５０の両者を制御するものである。また、駆動電圧形成回路５００は、電圧＋Ｖｓ、−Ｖｓ、＋Ｖｄ／２及び−Ｖｄ／２を生成する。
【００６９】
第１実施形態においては、これらの駆動電圧＋Ｖｓ、−Ｖｓ、＋Ｖｄ／２及び−Ｖｄ／２により、例えば、走査線３１２及びデータ線２１２を次のように駆動する。すなわちまず、走査線３１２に対しては、１行目の走査線３１２からｎ行目のそれへと順次に、所定のタイミングでもって選択電圧＋Ｖｓ又は−Ｖｓを印加していく。この選択電圧が印加される期間を選択期間という。この際、他の走査線３１２に対しては非選択電圧＋Ｖｄ／２を印加する（＋Ｖｄ／２＜＋Ｖｓ）。他方、データ線２１２に対しては、そのすべて（１〜ｍ列目）に対して一斉に、各選択期間に同期して、階調データに基づくデータ電圧＋Ｖｄ／２又は−Ｖｄ／２からなる電圧波形を供給する。この場合の「階調データ」は、ある走査線３１２が選択されている期間中、当該走査線３１２とデータ線２１２との交差領域における各画素部１１６で表示すべき階調（例えば、２５６階調表示のうちの任意の一階調）に基づいて定められ、より具体的には例えば、ｎビットのバイナリーデータ（例えば、２５６階調なら２８ビットのデータ）等として表すことができる。データ線２１２には、このような階調データに基づくデータ電圧波形（すなわち、＋Ｖｄ／２及び−Ｖｄ／２それぞれが印加される時間割合が階調データで異なる電圧波形、パルス幅変調）が与えられる結果、画素電極２３４及び走査線３１２間、すなわち液晶容量１１８に所定の電位差がかけられるまで充電されることになる。これにより、液晶分子の配向状態を画素部１１６毎に変更させることが可能となる。なお、第１実施形態においては、このとき同時に、保持容量２９０に対しても、液晶容量１１８にかけられる電位差と同じ電位差がかけられるまで充電される（図１参照）。当該行の走査線３１２の選択期間が終了すると、当該行の走査線３１２には保持電圧として＋Ｖｄ／２又は−Ｖｄ／２を次の選択期間まで印加する。ここで、選択期間に印加した選択電圧が＋Ｖｓであったなら＋Ｖｄ／２を、−Ｖｓであったなら−Ｖｄ／２を保持電圧とするのが一般的である。したがって、第１実施形態では、画素電極２３４の電位保持特性を格段に向上させることが可能となり、画像のコントラスト比を非常に高めることが可能となる。
【００７０】
以上のようにして、１行目の走査線３１２からｎ行目の走査線３１２までのすべての選択がなされる（この期間を、「フィールド期間」と呼ぶ。）。そして、一つのフィールド期間が終了すると、次のフィールド期間が開始されるが、選択電圧と保持電圧の極性は、前のフィールド期間の極性と逆極性となる。
【００７１】
ちなみに、上述においては更に、走査線３１２やデータ線２１２に印加される電圧の極性が適当なタイミングで反転されるようにされている。この極性反転は、例えば、１〜ｎ行目までの走査線３１２の選択が完了した後再び１行目の走査線３１２を選択する際、すなわち１フィールドごとに行ったり、あるいは、１フィールド内における１本乃至何本かの走査線３１２の選択ごとに行ったりする場合等が考えられる。いずれにせよ、極性反転が行われた場合には、データ電圧の波形パターンもこれに応じて、プラス・マイナスが逆転する。なお、「極性反転」というのは、一般に、適当な電圧Ｖｍ（「Ｖｍ＝０」を勿論含む。）を基準に、Ｖｍよりも高い電圧（以下、「プラス極性」ともいう。）から、Ｖｍよりも低い電圧（以下、「マイナス極性」ともいう。）へ、又はその逆へ、という反転を意味する。
【００７２】
なお、一般に、電気光学装置を駆動する方法としては、上述の他、種々のものが知られているが、本発明は、基本的にどのような駆動方法でもその範囲内に収めるものである。上述した駆動方法の具体例は単なる一例に過ぎない。
【００７３】
例えば、データ線２１２に印加する電圧と走査線３１２の保持電圧が共に±Ｖｄ／２としてあるが、これは回路を簡素化するもので、走査線３１２の保持電圧として別に±Ｖｈ／２を用意しても良い。更に、データ線２１２には±Ｖｄ／２からなる２値の電圧波形を印加させパルス幅変調を行っているが、これも−Ｖｄ／２から＋Ｖｄ／２間のアナログ電圧を印加させて電圧変調を行っても構わない。
【００７４】
ここで、保持容量２９０の作用について説明する。まず、液晶容量１１８の容量値をＣＣＯ、保持容量２９０の容量値をＣＬＯ、ＴＦＤ２２０の寄生容量の容量値をＣＴＦとする。そして、ある走査線３１２を＋Ｖｓで選択した場合を考える。二端子型スイッチ素子たるＴＦＤ２２０は大雑把にいうと、ＴＦＤ２２０に印加する電圧の絶対値がある閾電圧（これをＶｔｈとする。）以上でオン、それ以下でオフするスイッチとして働く。まず、オン画素（ノーマリ・ホワイト表示で、黒表示）を考え、データ線２１２に電圧−Ｖｄ／２を選択期間中印加し続けると、走査線３１２及びデータ線２１２間の電圧は、＋Ｖｓ−（−Ｖｄ／２）で、これは閾電圧Ｖｔｈより高くなるように設定されている。従ってＴＦＤ２２０はオンとなり、液晶容量１１８を充電する。この充電で液晶容量１１８に印加する電圧が増加し、その分ＴＦＤ２２０に印加する電圧が低下する。ここで液晶容量１１８に印加する電圧をＶｏｎとすると、＋Ｖｓ−（−Ｖｄ／２）−Ｖｏｎ　＝Ｖｔｈとなると、ＴＦＤ２２０はオフし、充電が停止する。即ち、Ｖｏｎ＝＋Ｖｓ＋Ｖｄ／２−Ｖｔｈ　となる。次に、オフ画素（白表示）を考え、データ線２１２に例えば電圧＋Ｖｄ／２を印加し続ける場合を考える。この時の液晶容量１１８に印加する電圧をＶｏｆｆ　とすると、走査線３１２及びデータ線２１２間の電圧は、＋Ｖｓ−Ｖｄ／２であるから、Ｖｏｆｆ　＝＋Ｖｓ−Ｖｄ／２−Ｖｔｈとなる。即ち、ＶｏｎとＶｏｆｆ　の差はＶｄとなる。
【００７５】
ここで選択期間中、＋Ｖｄ／２と−Ｖｄ／２の印加する割合を変えることにより、液晶容量１１８に印加する電圧をＶｏｆｆ　からＶｏｎの間に設定することが出来る（パルス幅変調）。また、印加する電圧を＋Ｖｄ／２と−Ｖｄ／２との間の電圧にすることでも、同様にＶｏｆｆ　からＶｏｎの間に設定することが出来る（電圧変調）。
【００７６】
当該走査線３１２の選択期間が終了すると、当該走査線３１２には保持電圧＋Ｖｄ／２が選択電圧＋Ｖｓの代わって印加される。これと同時に次の走査線３１２が選択されるので、各データ線２１２上には、実際は＋Ｖｄ／２か−Ｖｄ／２、あるいはその間の電圧が印加されるが、説明を簡単にする為に、仮想的に電圧０が印加されるものとする。すると、当該走査線３１２及びデータ線２１２間に印加する電圧の選択期間中と終了後の変化量が、オフ画素とオン画素で異なる。
【００７７】
即ち、オン画素については、Ｖｓ＋Ｖｄ／２からＶｄ／２に変化するから変化量は−Ｖｓとなり、オン画素については、Ｖｓ−Ｖｄ／２からＶｄ／２に変化するから変化量は−（Ｖｓ−Ｖｄ）となる。そして、このような走査線３１２及びデータ線２１２間に印加する電圧の変化は、オフ画素とオン画素の各液晶容量１１８に印加する電圧を変化させる。
【００７８】
即ち、オン画素の選択期間終了直後の液晶容量１１８に印加する電圧は、
Ｖｏｎ　−　｛ＣＴＦ／（ＣＬＯ＋ＣＣＯ＋ＣＴＦ）｝Ｖｓ
となり、オフ画素の選択期間終了直後の電圧は、
Ｖｏｆｆ　　−　｛ＣＴＦ／（ＣＬＯ＋ＣＣＯ＋ＣＴＦ）｝（Ｖｓ−Ｖｄ）
となる。
【００７９】
従って、選択期間終了直後のオン画素とオフ画素の各液晶容量１１８に印加する電圧の差ΔＶは、Ｖｏｎ−Ｖｏｆｆ　＝Ｖｄを考慮して、
ΔＶ＝Ｖｄ｛１−ＣＴＦ／（ＣＬＯ＋ＣＣＯ＋ＣＴＦ）｝
となる。
【００８０】
更に、液晶容量１１８と保持容量２９０の合成容量値とＴＦＤ２２０の寄生容量との容量比をｋ＝（ＣＬＯ＋ＣＣＯ）／ＣＴＦとすると、
ΔＶ＝Ｖｄ｛１−１／（ｋ＋１）｝…（１）
となる。
【００８１】
（１）式より、保持容量２９０を設けて容量比ｋを大きくした分だけ、ΔＶが大きくなる。即ち、オン画素（黒）とオフ画素（白）のコントラストが向上する。
【００８２】
＜機械的構成＞
次に、第１実施形態に係る電気光学装置の機械的な構成について、図２乃至図４を参照しながら説明する。ここに図２は、電気光学装置の全体構成を示す斜視図であり、図３は、この電気光学装置をＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図であり、図４は、この電気光学装置における画素電極及び容量線の平面的な配置関係を特に示す平面図である。なお、以下で参照する図面においては、各部材等を認識可能な大きさで表示するため、各部材ごとに縮尺を変更している。また、図４においては、画素電極及び容量線の配置関係を特に示すため、両者以外の構成についてはその図示を省略している。
【００８３】
電気光学装置は、図２及び図３に示されるように、観察者側に位置する対向基板３００と、その背面側に位置する第２の基板としての素子基板２００とが、本発明にいう導通材の一例たるギャップ材としての導電性粒子１１４の混入されたシール材１１０によって、一定の間隔を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴＮ型の液晶１６０が封入された構成となっている。なお、導電性粒子１１４は、素子基板２００及び対向基板３００間のセルギャップを一定に保つスペーサとしての機能を兼ね備える。
【００８４】
また、このような導電性粒子１１４としては、例えば銀粉等を利用することが可能である。シール材１１０は、図２に示すように、対向基板３００の内周縁に沿って枠状に形成されるが、その一部には、液晶１６０を封入するための開口部１１２が形成されている。この開口部１１２は、液晶１６０の封入後には、封止材によって封止される。また、図２からわかるように、素子基板２００の外形形状は、対向基板３００のそれよりも若干大きめに形成されており、両者が貼り合わされた状態では、前者が後者より、いわば「張り出す」ような形となる。
【００８５】
対向基板３００の、液晶１６０に対向する側の面（以下、「対向面」という。）には、行方向に延在して形成される走査線３１２のほか、所定の方向にラビング処理が施された配向膜３０８が形成されている。ここで、対向基板３００に形成された走査線３１２は、図３に示すように、素子基板２００に形成された配線３４２の一端に、シール材１１０に分散された導電性粒子１１４を介して接続されている。すなわち、対向基板３００に形成された走査線３１２は、導電性粒子１１４及び配線３４２を介して、素子基板２００側に引き出された構成となっている。そして、このうちの配線３４２は走査線駆動回路３５０に接続されており、これにより、走査線３１２と走査線駆動回路３５０との電気的接続が図られている。一方、対向基板３００の外側（観察側）には、偏光子１３１が貼り付けられて、その吸収軸が、配向膜３０８へのラビング処理の方向に対応して設定されている。
【００８６】
また、素子基板２００の対向面には、Ｙ方向に延在して形成されるデータ線２１２に隣接して矩形状の画素電極２３４が形成されるほか、所定の方向にラビング処理が施された配向膜２０８が形成されている。一方、素子基板２００の外側（観察側の反対側）には偏光子１２１が貼り付けられて（図２では省略）、その吸収軸が、配向膜２０８へのラビング処理の方向に対応して設定されている。
【００８７】
そして、第１実施形態においては特に、図３及び図４に示すように、素子基板２００の対向面側に、図１を参照して述べた保持容量２９０が形成されている。より詳しくは、この保持容量２９０は、前記の画素電極２３４、各走査線３１２の形成方向に平行となるように、かつ、画素電極２３４と重なり合うように形成された容量線９００、並びにこれら容量線９００及び画素電極２３４間に挟持された絶縁層９１０から構成されている。
【００８８】
このうち容量線９００は、図３において画素電極２３４の図中下方に形成されることで、該画素電極２３４と重なり合うようにされている。また、この容量線９００は、その長さがマトリクス状に配列された画素電極２３４中の一行の長さを越えるように、より具体的には、走査線３１２の長さと略同一となるように形成されている（図４参照）。これにより、各画素部１１６につき構成される保持容量２９０は、各画素電極２３４それぞれに対向する容量線９００の各部分の一つ一つが容量電極を構成することで、形成されるようになっている。つまり、第１実施形態において、容量線９００は容量電極を含んでいる。さらに、容量線９００の一端は、図３に示すように、該容量線９００に通ずるように絶縁層９１０に形成されたコンタクトホール９００Ｃを介して、前記の配線３４２と接触している。これにより、容量線９００と走査線３１２とは、導電性粒子１１４、配線３４２及びコンタクトホール９００Ｃを介して電気的に接続された状態となっており、同一行に存在する容量線９００及び走査線３１２に関してみる限り、両者の電位は常に等しくなるようにされている。
【００８９】
また、第１実施形態における容量線９００は、光反射性材料としてのアルミニウムあるいはその合金からなり、対向基板３００の外側（図３中上方）から入射してきた光を反射する反射板の機能をも有する。すなわち、第１実施形態に係る電気光学装置では、対向基板３００の外側（図３中上方）から入射してきた光は、透明導電性材料からなる走査線３１２、液晶１６０及び透明導電性材料からなる画素電極２３４を透過し容量線９００に至ってそこで反射し、この反射光は、再び画素電極２３４、液晶１６０及び走査線３１２を透過して、対向基板３００の外側から出射する。
【００９０】
第１実施形態では、この出射光を画像を構成する光として利用することが可能であり、反射型表示を行うことが可能となっている。
なお、このように、容量線９００が反射板としての機能を有している第１実施形態においては、該容量線９００上に位置する絶縁層９１０及び画素電極２３４の少なくとも一部が、いわゆる増反射膜の全部又は一部を構成するような態様としておくのが好ましい。ここで「増反射膜」とは、例えば、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで、これらの膜の界面で生じる光の干渉を利用して、特定の波長の光の反射を強くする膜のことをいう。また、これとは別に、単層構造で、いま述べたような作用効果を発揮する膜もまたある。より具体的には、当該増反射膜の屈折率をｎ、その厚さをｄとし、強めたい波長をλとすると、ｎｄ＝（２ｍ＋１）λ／４（ｍは整数）を満たすような膜のことをいう。すなわち、当該増反射膜の光学的厚さｎｄが、ある光の波長λの奇数倍に比例すれば、この波長λを有する反射光は強められることになる。
【００９１】
そして、このような増反射膜が、反射板としての機能を有する容量線９００の上に形成されるのであれば、該容量電極を反射した光のうち特定の波長をもつものは強められることになる。これにより、特定波長の光の強度を強めることが可能となるから、反射型表示される画像のコントラスト比の向上や、いわゆる映り込みの防止等を図ることができる等、当該反射型表示をより好適に実現することが可能となる。
【００９２】
また、このような反射板としての機能をよりよく発揮するため、容量線９００の下層においては、例えば、感光性樹脂材料等からなるブロック様の塊、あるいは凸を複数形成しておくような形態とすると好ましい。このような塊を形成しておけば、該塊の上に直接、あるいは層間絶縁膜等を介して形成される容量線９００の表面に、塊の存在に起因する凸状部と、塊の不存在に起因する凹状部とを付与させることが可能となる。この場合要するに、容量線９００の表面は凹凸形状を有することになるが、これにより、反射光には散乱光が含まれることになり、画像の視野角依存性等を極力なくすこと等が可能となる。なお、該容量線９００を形成する下層の表面や、場合により容量線９００それ自体の表面を、例えばフッ酸等によって荒らす処理を施すことでも、上述の作用効果は略同様に享受することが可能である。また、このように容量線９００の表面に凹凸形状を付与する場合においては、その上に形成される配向膜２０８の表面にまで、その凹凸形状が伝達されないように、該配向膜２０８下に平坦化膜を別途設けておけば、液晶１６０の配向不良等を生じさせるおそれがなく好ましい。
【００９３】
絶縁層９１０は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ　）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。保持容量２９０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、絶縁層９１０は薄いほどよい。また、この絶縁層９１０を構成する好適な材料としては、具体的には例えば、ＴａＯｘ（酸化タンタル）、ＢＳＴ（チタン酸ストロンチウムバリウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸塩）、ＴｉＯ２（酸化チタン）、ＺｉＯ２（酸化ジルコニウム）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）及びＳｉＮ（窒化シリコン）のうち少なくとも一つを含んでなるものとするとよい。特に、ＴａＯｘ、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＴｉＯ２、ＺｉＯ２及びＨｆＯ２といった高誘電率材料を使用すれば、限られた基板上領域で容量値を増大できる。また、アクリル等の有機膜を用いることもむろん可能である。
【００９４】
画素電極２３４は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料からなり、素子基板２００上でマトリクス状に形成されている。また、この画素電極２３４は、保持容量２９０を構成する一対の電極の一方としての機能を有する他、データ線２１２とＴＦＤ２２０を介して電気的に接続されて所定のデータ電圧が印加されるようになっており、液晶１６０に対して所定の電界を印加するための電極としての機能をも有する。
【００９５】
さて、他方、表示領域外について説明すると、図２に示すように、対向基板３００から張り出した素子基板２００上の二辺には、データ線２１２を駆動するためのデータ線駆動回路２５０、及び、走査線３１２を駆動するための走査線駆動回路３５０が、それぞれＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ　）技術により実装されている。これにより、データ線駆動回路２５０は、データ線２１２にデータ信号を直接的に供給する一方、走査線駆動回路３５０は、配線３４２及び導電性粒子１１４を介して、走査線３１２に走査信号を間接的に供給する構成となっている。
【００９６】
また、データ線駆動回路２５０が実装される領域の外側近傍には、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板１５０が接合されて、制御回路などによる各種信号や電圧信号などが、走査線駆動回路３５０及びデータ線駆動回路２５０に供給される。
【００９７】
なお、図１におけるデータ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０は、図２とは異なり、それぞれ電気光学装置の左側及び上側にそれぞれ位置しているが、これは、電気的な構成を説明するための便宜上の措置に過ぎない。また、データ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０を、それぞれ素子基板２００上にＣＯＧ実装する代わりに、例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）技術を用いて、各駆動回路が実装されたＴＣＰを異方性導電膜により電気的に接続する構成としてもよい。
【００９８】
＜画素部の構成＞
以下では、上述のような外形を備える電気光学装置を構成する画素部１１６の詳細について、図５を参照しながら説明する。ここに図５は、画素部１１６の構成を示す破断斜視図である。なお、図５では、画素部１１６の主要な構成を示すに留まり、図３に示されていた配向膜２０８及び３０８、偏光子１２１及び１３１の図示は省略している。
【００９９】
図５において、素子基板２００の対向面には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極２３４がマトリクス状に配列されている。このうち同一列に配列されている画素電極２３４が、１本のデータ線２１２に、それぞれＴＦＤ２２０を介して共通接続されている。ここでＴＦＤ２２０は、基板側からみると、タンタル単体やタンタル合金などから形成され、かつ、データ線２１２からＴ字状に枝分かれした第１の導電体２２２と、この第１の導電体２２２を陽極酸化させた絶縁体２２４と、クロム等の第２の導電体２２６とから構成されて、導電体、絶縁体、導電体のサンドイッチ構造をとる。このため、ＴＦＤ２２０は、電流・電圧特性が正負双方向にわたって非線形となるダイオードスイッチング特性を有することになる。
【０１００】
そして、第１実施形態においては特に、前記の画素電極２３４の下に、既に述べたように、絶縁層９１０及び容量線９００が形成されている。このうち絶縁層９１０は、保持容量２９０の誘電体膜としての機能を有するが、図５においては特に、ＴＦＤ２２０を構成する第２の導電体２２６の堆積後における熱処理により、第１の導電体２２２を素子基板２００上から剥離させないようにする機能を担わせ得る。また、第１の導電体２２２に不純物を拡散させないようにする機能をも担わせ得る。
【０１０１】
一方、対向基板３００の対向面には、ＩＴＯ等からなる走査線３１２が、データ線２１２とは直交する行方向に延在し、かつ、画素電極２３４に対向する位置に配列されている。これにより、走査線３１２は、画素電極２３４の対向電極として機能することになる。したがって、図１における液晶容量１１８は、データ線２１２及び走査線３１２の交差領域において、当該走査線３１２及び画素電極２３４の両者の間に挟持された液晶１６０とによって構成されることになる。
【０１０２】
なお、上述のような構成となる電気光学装置において、ある任意の画素部１１６における保持容量２９０の容量値ＣＣＯと、当該画素部１１６におけるＴＦＤ２２０内の寄生容量の容量値ＣＴＦ、及び液晶容量１１８の容量値ＣＬＯとの間には次のような関係がある。
【０１０３】
ＣＣＯ＋ＣＬＯ≒８ＣＴＦ　…　（２）
すなわち、容量値ＣＣＯとＣＬＯとの和が、ＴＦＤ２２０の寄生容量の容量値ＣＴＦの８倍程度とされている。このようなことを実現するためには、画素電極２３４の面積、絶縁層９１０の厚さ及び材質等を適宜調整することにより、比較的容易に実現することができる。具体的には、実験的、経験的、理論的、あるいはシミュレーション等によって、適宜、好適な組み合わせを見つけ、最終的に、上記（２）式が満たされるような形にしておけばよい。
【０１０４】
これにより、高コントラスト等の特質を備えた、より高品質な画像を表示することが可能となる。これは、先の（１）式から導かれる帰結で、ｋを０から大きくしていくと、急速にオン画素とオフ画素の液晶容量の電圧差ΔＶ、言い換えればコントラストが増加するためである。そして概ね、ｋが５以上ではコントラストは徐々に増加するようになる。よって、（ＣＣＯ＋ＣＬＯ）を少しでも大きくすればコントラストが高くなる。
【０１０５】
ところで、本願発明者の実験・調査によると、ｋが５〜１０の範囲で実際に必要な選択電圧Ｖｓが低くなり、８で最も低くなった。また、ＣＣＯ＋ＣＬＯを大きくしすぎると、駆動面から見ると、これは容量負荷であるから、消費電力の増大、クロストークと呼ばれる表示むらの原因となり、好ましくない。よって、本発明においては、上記（２）式に代えて、（ＣＣＯ＋ＣＬＯ）が、ＣＴＦの１〜２０倍とされておれば、上述同様の相応の効果を得ることができる。更に上述の理由から、より好ましくは、５〜１０倍程度とされていればよい。基本的には、このような条件を満たすことで、高品質画像の表示は十分に可能となるが、しかしながら、ＴＦＤ２２０や液晶１６０の電気特性等の差異によって最適値が異なるので、個々の場合に応じて最適値を求めるのがより好ましい。
【０１０６】
以上のような構成となる電気光学装置においては次のような作用効果が奏されることとなる。
まず、第１実施形態における容量線９００は、図４等を参照して説明したように、マトリクス状に配列された画素電極２３４中、ある行を構成するものの全部についてまとめて、一本の容量線９００を形成するだけで、当該行に対応する複数の保持容量２９０を一度に構成することが可能となっている。したがって、第１実施形態によれば、構造簡易性・製造容易性等の効果が奏される他、各保持容量２９０にばらつきが生じる可能性は低く、表示ムラ等を発生させるおそれが殆どなくなる。この点、従来においては、保持容量を形成するため、導電体たる保持容量電極、あるいはキャパシタ用電極等を、各画素電極２３４についてそれぞれ複数形成する必要があったこと等とは大きく異なる。また、第１実施形態における画素電極２３４及び容量線９００の配置関係は、図３及び図４を参照して説明したように、相互に重なり合うような関係にあるから、画素開口率を低下せしめるようなことがない。
【０１０７】
さらに、第１実施形態においては特に、データ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０のいずれもが素子基板２００上に形成され、このうち走査線駆動回路３５０と走査線３１２とは、導電性粒子１１４を介して電気的に接続されるようになっている。つまり、第１実施形態に係る導電性粒子１１４は、走査線３１２と容量線９００とを電気的に接続する役割の他に、走査線駆動回路３５０から走査線３１２に対する選択電圧及び非選択電圧の供給という役割をも担っていることになる。このように、第１実施形態では、容量線９００と走査線３１２との電気的接続と、走査線３１２と走査線駆動回路３５０との電気的接続が、同じ導電性粒子１１４を介して行われているから、前者の電気的接続を図るための特別な部材を設置する必要がなく、電気光学装置の構造をより簡易なものとすることができる。
【０１０８】
なお、上記実施形態においては、容量線９００がマトリクス状に配列された画素電極２３４の一行の長さを越える長さを有するように形成されていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば図６に示すような構造を有するものとしてもよい。ここに図６は、図４と同趣旨の図であって、画素電極２３４及び各種形態となる容量線の平面的な配置関係を示す平面図である。
【０１０９】
まず、図６に示すように、画素電極２３４群の行の途中で分断点Ｂを有するような容量線９０２としてもよい。この場合でも、一つ一つの画素電極２３４につき、従来の技術の項で述べたような保持容量電極、あるいはキャパシタ用電極を形成する必要はないから、上述と略同様な作用効果は奏される。ただし、この場合においては、図示されている図中右端のコンタクトホール９００Ｃのほか、図示しない図中左端において、走査線３１２との電気的接続を実現するためのコンタクトホール等が別途必要となる。
【０１１０】
また、上記実施形態においては、上述の図３に示すように、容量線９００は、一層構造を有するようにしていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、図７に示すような形態とすることが可能である。図７において、容量線９０４は、図中上下の二層構造を有している。このうち、より画素電極２３４に近い側には、第１の材料層９０４ａが配置され、より画素電極２３４に遠い側には、第２の材料層９０４ｂが配置されている。
【０１１１】
そして、第１の材料層９０４ａは、例えば、絶縁層９１０を形成するための陽極酸化処理等に適した材料である第１の材料、すなわち、Ｔａ（タンタル）あるいはＴａを含む材料等からなる。また、第２の材料層９０４ｂは、第１の材料層９０４ａの第１の材料よりも電気抵抗の低い性質を有する第２の材料、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）等からなる。
【０１１２】
従って、例えば、容量線９０４を、絶縁層９１０の形成に適した材料、すなわち、ＴａあるいはＴａを含む材料のみで形成しようとすると、容量線９０４の電気抵抗が大きくなり、クロストークと呼ばれる表示むらが発生するおそれがある。しかし、この図７に示す電気光学装置では、容量線９０４が、絶縁層９１０の形成に適した材料と、電気抵抗の比較的低い材料とによって、２層構造を有するようになっており、容量線９０４をＴａあるいはＴａを含む材料のみで形成する場合に比較して、電気抵抗が小さくなっている。従って、この電気光学装置においては、容量線９０４の低抵抗化により、クロストークの発生を抑制することができるようになっている。
【０１１３】
なお、容量線９０４を、ＴａあるいはＴａを含む材料のみで形成する場合に、容量線９０４自体の厚みを増すことにより、低抵抗化を図ることができるが、容量線９０４の厚みを増大させると、応力の発生により、素子基板２００が反ることがある。しかし、図７に示す電気光学装置のように、容量線９０４を２層構造にした場合には、容量線９０４の厚みを増大させることなく、低抵抗化を図ることが可能であるので、応力の発生による素子基板２００の変形も効果的に防がれる。
【０１１４】
＜第２実施形態＞
以下では、本発明の第２の実施の形態について、図８及び図９並びに図１０を参照しながら説明する。ここに図８は、図４と同趣旨の図であって、容量線に開口部が形成されている態様について示す平面図である。また、図９は、図３と同趣旨の図であって、容量線が積層構造を有し、かつ、そのうちの１層につき開口部が形成されている態様について示す部分断面図である。さらに、図１０は、開口部の各種変形形態を示す平面図である。なお、第２実施形態の電気光学装置の電気的構成及び機械的構成等については、上記の第１実施形態におけるのとほぼ同様である。したがって、以下では、重複する部分についての説明は適宜省略乃至簡略化することとし、第２実施形態において特徴的な部分について主に説明を加えることとする。
【０１１５】
まず、図８において、第２実施形態では、容量線９０６には、各画素電極２３４に対応するように開口部９Ｍが複数形成されている。また、容量線９０６それ自体は、上記第１実施形態と同様に、アルミニウム又はその合金からなっている。
【０１１６】
これにより、第２実施形態に係る電気光学装置は、反射半透過型として使用することが可能である。すなわち例えば、素子基板２００の外側から光を入射し、この光を液晶１６０を透過させた上で、対向基板３００から出射させるようとする場合において、第２実施形態では、容量線９０６に開口部９Ｍが形成されていることから、その光は該開口部９Ｍを通過することが可能であり、該光の進行が妨げられることがない。つまり、このように透過してきた光を、画像を構成する光として使用することが可能であるから、第２実施形態にかかる電気光学装置では、まず、透過型表示を行うことができる。なお、この場合においては、素子基板２００に対向するように、適当な光源となるバックライト等を設ける必要がある。
【０１１７】
他方、対向基板３００の外側から入射した光は、開口部９Ｍ以外の容量線９０６の部分で反射されうるから、該反射光は、上記第１実施形態と同様に、画素電極２３４、液晶１６０及び走査線３１２を透過して、対向基板３００の外側に再び至るという経路を辿りうる。このように、第２実施形態に係る電気光学装置では、反射型表示もまた行うことができる。
【０１１８】
以上のように、第２実施形態では、容量線９０６を利用することで、透過型表示及び反射型表示のいずれをも行うことの可能な、反射半透過型の電気光学装置を提供することができる。
【０１１９】
また、第２実施形態では、上述の図８のような態様の他、図９に示すような形態とすることが可能である。図９において、容量線９０７は、図中上下の二層構造を有している。このうち、より画素電極２３４に遠い側には、図８と同様に、アルミニウム又はその合金等からなり、開口部９Ｍが形成された第１層９０７ａが配置され、より画素電極２３４に近い側には、前記開口部９Ｍを覆うように形成された透明導電性材料からなる第２層９０７ｂが配置されている。なお、これを平面的にみれば、図８と同様な図となる。
【０１２０】
このような構成を有する電気光学装置にあっても、上述と同様に、反射半透過型表示を行うことができる。すなわち、反射型表示を行う場合においては、対向基板３００の外側から入射した光は、開口部９Ｍ以外の第１層９０７ａの部分で反射することが可能であり、また、素子基板２００の外側から入射した光は、第１層９０７ａの開口部９Ｍ及び第２層９０７ｂを透過することが可能である。
【０１２１】
そして、このような態様では特に、透明導電性材料からなる第２層９０７ｂが、開口部９Ｍを覆うように形成されているから、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、図８のように容量線９０６が「開口部９Ｍ」のみしか有さないと、その開口部９Ｍの形成部分に応じて容量電極の面積が小さくなることから、保持容量２９０の容量値は小さくなってしまう。しかしながら、本態様においては、このような開口部９Ｍを覆うように、透明導電性材料からなる第２層９０７ｂが形成されているから、当該開口部９Ｍの部分においては、画素電極２３４、絶縁層９１０及び第２層９０７ｂという保持容量が依然形成された形となっている。これにより、本態様に係る電気光学装置では、反射半透過型の画像表示を行うことが可能であるにもかかわらず、保持容量２９０の容量値を比較的大きく維持することが可能となる。
【０１２２】
なお、図９においては、図中下層に開口部９Ｍが形成された第１層９０７ａ、図中上層に透明導電性材料からなる第２層９０７ｂが配置される構成について示したが、これらの層を逆転した配置としてもよいことは勿論である。
【０１２３】
また、図８及び図９においては、開口部９Ｍは、四辺形状を有していたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、図１０に各種示すように、一つの画素電極２３４について、スリット状の開口部９Ｍ１を複数形成するような形態（図１０（ａ））や、円形状の開口部９Ｍ２を複数形成するような形態（図１０（ｂ））等としてもよい。また、「開口部」は閉じている必要はなく、容量線の幅を狭くしたり、容量線に切り欠きを施すことで「開口部」を形成してもよい。要は、画素電極２３４と反射する容量線とが重ならない領域があれば良い。
【０１２４】
さらに、上記の図８乃至図１０に示すように、容量線に開口部を設ける形態であっても、該開口部以外の部分により反射型表示が行われることは、上記第１実施形態と同様であるから、これら図８乃至図１０の容量線９０６等においても、その表面に上述したような凹凸形状を付与することは有効である。なお、常に透過型表示を行う用途については、容量線を透明な導電材料、例えばＩＴＯで形成すれば良いことは言うまでもない。
【０１２５】
＜製造方法＞
以下では、上記第１実施形態の電気光学装置の製造方法について、図１１及び図１２を参照しながら説明する。ここに、図１１及び図１２は、本実施形態に係る電気光学装置の製造工程を順を追って示す製造工程断面図である。なお、これら図１１及び図１２は、図３と略同視点の部分断面図として示してある。
【０１２６】
まず、図１１の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等の素子基板２００を用意する。次に、この素子基板２００の上に、容量電極を含む容量線９００を形成する。具体的には、素子基板２００上の全面に、アルミニウム、銀等の材料を用いたスパッタリング法等により、厚さ１０〜５００ｎｍ程度の膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって、ストライプ状を有するようにパターニングを実施することで（図４等参照）、容量線９００を形成することができる。
【０１２７】
次に、図１１の工程（２）に示すように、容量線９００の上に、プラズマＣＶＤ法等により、ＴａＯｘ膜等からなる絶縁層９１０を成膜する。この絶縁層９１０は、素子基板２００の全面を覆うように形成したままとしてよい。ただし、該絶縁層９１０の所定の位置には、エッチング等によって比較的浅いコンタクトホール９００Ｃを形成しておく。この所定の位置とは、より具体的には、図３に示したように、配線３４２の形成位置に概ね対応し（後の工程（６）参照）、該配線３４２と容量線９００との電気的接続が実現できるような位置のことをいう。また、該コンタクトホール９００Ｃには、適当な導電性材料を詰め込んでおく。
【０１２８】
なお、上述では、プラズマＣＶＤ法等により絶縁層９１０を形成する方法について述べたが、場合によっては、容量線９００を陽極酸化処理することにより、絶縁層９１０を形成してもよい。
【０１２９】
次に、図１１の工程（３）に示すように、絶縁層９１０の上に、データ線２１２を形成する。具体的には、絶縁層９１０の全面に、タンタル単体やタンタル合金などを用いたスパッタリング法等により、厚さ１０〜１００ｎｍ程度の膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって、前記の容量線９００とは交差する方向に延在するようなストライプ状を有するようにパターニングを実施する（図５等参照）。なお、このパターニングは、データ線２１２からＴ字状に枝分かれした部分を含むように実施することにより、後にＴＦＤ２２０の第１の導電体２２２となるべき部分を同時に形成しておく。ただし、本発明においては、このＴＦＤ２２０の第１の導電体２２２となるべき部分とデータ線２１２部分とで、材料を異ならしめるようにしてもよいことは勿論である。
【０１３０】
次に、図１１の工程（４）に示すように、データ線２１２に対して所定の電圧を印加することにより陽極酸化処理を実施し、該データ線２１２上に絶縁体２２４を形成する。この場合、前記の工程（３）において同時に形成されていた第１の導電体２２２上にも、絶縁体２２４が形成されることとなるのは言うまでもない。
【０１３１】
次に、図１２の工程（５）に示すように、データ線２１２を除く、前記の容量線９００上を覆うように、マトリクス状に画素電極２３４を形成する。具体的には、素子基板２００の前面を覆うように、ＩＴＯ等を用いたスパッタリング法等により、厚さ５０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ膜を成膜した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することによって、マトリクス状となるようなパターニングを実施する。なお、この画素電極２３４の形成段階においては、配線３４２もまた同時に形成してよい。この時点において、画素電極２３４、絶縁層９１０及び容量線９００からなる保持容量２９０が形成されることとなる。また、画素電極２３４と同時に形成される配線３４２は、工程（２）において形成済みのコンタクトホール９００Ｃと接触することとなり、これにより、配線３４２及び容量線９００が電気的に接続されることになる。
【０１３２】
次に、図１２の工程（６）に示すように、データ線２１２からＴ字状に飛び出した部分の上に、且つ、画素電極２３４と電気的に接続されるように、第２の導電体２２６を形成する。具体的には、クロム等の材料を用いてスパッタリング法等により、厚さ１０〜１００ｎｍ程度の膜を成膜した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することによって、当該Ｔ字状に飛び出した部分の上のみに、クロム等の膜が残存するようにパターニングを実施する。なお、第２の導電体２２６を構成する材料としては、上述のクロムの他、チタン、モリブデン、ニッケル、タンタル及びアルミニウム等を利用してもよい。これにより、第１の導電体２２２、絶縁体２２４及び第２の導電体２２６のサンドイッチ構造を有するＴＦＤ２２０が形成されることになる。
【０１３３】
最後に、図１２の工程（７）に示すように、前述までに形成済みのＴＦＤ２２０及び画素電極２３４上に配向膜２０８を塗布・焼成し、かつ、所定の方向にラビング処理を実施することで、素子基板２００側の製造が完了する。
【０１３４】
他方、対向基板３００側においては、図示はしないが、図３をみるとわかるように、ガラス等の材料からなる対向基板３００上に、ストライプ状の走査線３１２を形成するとともに、該走査線３１２上に配向膜３０８を塗布・焼成し、かつ、所定の方向にラビング処理を実施する。そして、このように製造された素子基板２００及び対向基板３００の少なくとも一方の上に、走査線３１２及び容量線９００のいずれか一方に導電性粒子１１４が電気的に接触するように、該導電性粒子１１４が混入されたシール材１１０を塗布した後、素子基板２００及び対向基板３００を、走査線３１２及び画素電極２３４が互いに向かい合わせになるように貼り合わせる。この際、両基板２００及び３００の貼り合わせは、走査線３１２の延在方向と、容量線９００の延在方向とが一致するように行う。また、該貼り合わせは、前記の導電性粒子１１４が走査線３１２及び容量線９００のいずれか他方に電気的に接触するように行う。これにより結局、走査線３１２及び容量線９００間は、導電性粒子１１４、配線３４２及びコンタクトホール９００Ｃを介して、相互に電気的に接続される状態が現出されることになる。
【０１３５】
後は、素子基板２００及び対向基板３００間に液晶１６０を封入するとともに、シール材１１０の硬化処理を実施することで、電気光学装置の概略・外形は完成をみる。なお、上述のような工程の他、偏光子１２１及び１３１等の貼着、あるいは素子基板２００上の所定の位置に対する、外付けＩＣとしてパッケージ化されて用意されたデータ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０の貼り付け等を実施することにより、電気光学装置は完成する。なお、走査線駆動回路３５０の貼り付けにあたっては、その外面等に設けられた端子と、前記の配線３４２とが接触するように行う。これにより、走査線駆動回路３５０から供給される信号電圧（選択電圧又は非選択電圧）が、ある行に位置する走査線３１２及び容量線９００に着目する限り、全く同じに供給されることになる。
【０１３６】
以上のように、本実施形態における電気光学装置の製造方法においては、まず、保持容量２９０を形成するにあたり、ストライプ状の容量線９００を形成することと、素子基板２００全面に絶縁層９１０を形成することを除いて、その製造に関し、特段注意を払うべき点がない。すなわち、従来の保持容量電極やキャパシタ用電極のように、画素電極２３４毎にこれらの形状や性質等を一定に保たなければならない等といった製造上の注意を特に払う必要がないのである。
【０１３７】
また、走査線３１２と容量線９００との電気的接続は、導電性粒子１１４により図られているから、本実施形態においては、該電気的接続を実現するための特別な部材を必要とすることがなく、相応分の製造コストを低減することができるし、また、製造容易・構造簡易な電気光学装置を製造することができる。
【０１３８】
なお、上記第２実施形態に係る電気光学装置を製造するためには、上述の容量線９００の形成段階（工程（１））におけるパターニング処理において、開口部９Ｍが同時に形成されるようなパターニング処理を実施するようにすればよい。
【０１３９】
これにより、図８に示すような容量線９０６は簡単に形成することが可能である。また、積層構造を有する容量線９０７においても、そのような開口部９Ｍを有する第１層９０７ａを形成した後、該第１層９０７ａ上に透明導電性材料からなる第２層９０７ｂを形成する工程を加えるだけで、これを比較的簡単に形成することが可能である。いずれにせよ、製造容易性という本発明に特有な効果が損なわれるようなことはない。
【０１４０】
（電子機器）
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を電子機器に用いた例について説明する。
【０１４１】
＜モバイル型コンピュータ＞
まず、上述し電気光学装置を、パーソナルコンピュータの表示部に適用した例について説明する。図１３は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。この図において、コンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部として用いられる表示装置１００とを備えている。
【０１４２】
なお、表示装置１００として透過型液晶表示装置を用いる場合には、暗所での視認性を確保するため、背面にバックライト（図示略）が設けられる。
＜携帯電話＞
次に、上述した電気光学装置を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図１４は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置を表示装置１００として備えるものである。なお、表示装置１００として、液晶装置を用いる場合には、暗所での視認性を確保するため、透過型や半透過半反射型であればバックライトが、反射型であればフロントライト（いずれも図示省略）がそれぞれ設けられる。
【０１４３】
＜デジタルスチルカメラ＞
次に、上述した電気光学装置を、ファインダに用いたデジタルスチルカメラについて説明する。図１５は、このデジタルスチルカメラの背面を示す斜視図である。通常の銀塩カメラは、被写体の光像によってフィルムを感光させるのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤなどの撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここでデジタルスチルカメラにおけるケース１３０２の背面には、上述した電気光学装置が表示装置１００として設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行うようになっている。
【０１４４】
このため、表示装置１００は、被写体を表示するファインダとして機能することになる。また、ケース１３０２の前面側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んで受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１４５】
ここで撮影者が、表示装置１００に表示された被写像を確認して、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１４６】
また、デジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に外部表示を行うために、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入力端子１３１４とが設けられている。
【０１４７】
なお、電子機器としては、これらの他、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーションシステム、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【０１４８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。例えば、本発明は、２端子スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ　）以外に、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）といった３端子スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス型パネルに対しても適用可能である。さらに、液晶以外の電気光学材料、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、或いは、プラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図２】同電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図３】同電気光学装置をＸ方向に破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図４】同電気光学装置の画素電極及び容量線の平面的な配置関係を示す平面図である。
【図５】同電気光学装置の要部構成を示す部分破断斜視図である。
【図６】図４と同趣旨の図であって、図４とは容量線の一部が分断されている点でその態様が異なるものを示す平面図である。
【図７】図３と同趣旨の図であって、図３とは容量線が積層構造を有している点でその態様が異なるものを示す部分断面図である。
【図８】図４と同趣旨の図であって、容量線に開口部が形成されているものを示す平面図である。
【図９】図３と同趣旨の図であって、容量線が積層構造を有し、そのうちの１層につき開口部が形成されている態様について示す平面図である。
【図１０】図８及び図９に示す容量線に形成された開口部の各種変形形態を示す平面図であって、（ａ）はスリット状の、（ｂ）は円形状の開口部をそれぞれ示している。
【図１１】本発明の第１実施形態の電気光学装置の製造方法を順を追って示す製造工程断面図（その１）である。
【図１２】本発明の第１実施形態の電気光学装置の製造方法を順を追って示す製造工程断面図（その２）である。
【図１３】実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１４】同電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１５】同電気光学装置を適用した電子機器の一例たるデジタルスチルカメラの背面構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１１６…画素部
１１８…液晶容量
１６０…液晶
２００…素子基板
２１２…データ線
２２０…ＴＦＤ
２３４…画素電極
２５０…データ線駆動回路
２９０…保持容量
３００…対向基板
３１２…走査線
３５０…走査線駆動回路
９００、９０２、９０４、９０６、９０７…容量線
９０４ａ…第１の材料層
９０４ｂ…第２の材料層
９０７ａ…第１層
９０７ｂ…第２層
９Ｍ、９Ｍ１、９Ｍ２…開口部
９１０…絶縁層
９０２Ｃ…コンタクトホール
１１００…パーソナルコンピュータ
１２００…携帯電話
１３００…デジタルスチルカメラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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