(57)【要約】【課題】素材とパラジウムとの電位差による腐食を防止することができ、パラジウムめっき被膜の耐食性を高めるものであり、さらに、ロジウムめっき被膜により発光効率が向上した半導体装置用ステムの提供。【解決手段】素材面に第一被膜が形成され、第一被膜上に第二被膜が形成され、第二被膜上に第三被膜が形成され、第三被膜上に第四被膜が形成され、第三被膜がパラジウム被膜またはパラジウム合金被膜、第四被膜がロジウム被膜を形成する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に貴金属被膜が形成されたことを特徴とする半導体装置用ステム。
【請求項２】
前記貴金属被膜がロジウム被膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用ステム。
【請求項３】
素材面に第一被膜が形成され、前記第一被膜上に第二被膜が形成され、前記第二被膜上に第三被膜が形成されたことを特徴とする半導体装置用ステム。
【請求項４】
前記第二被膜がパラジウムまたはパラジウム合金、前記第三被膜がロジウム被膜であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置用ステム。
【請求項５】
素材面に第一被膜が形成され、前記第一被膜上に第二被膜が形成され、前記第二被膜上に第三被膜が形成され、前記第三被膜上に第四被膜が形成されたことを特徴とする半導体装置用ステム。
【請求項６】
前記第三被膜がパラジウムまたはパラジウム合金被膜、前記第四被膜がロジウム被膜であることを特徴する請求項５記載の半導体装置用ステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置用ステムの特に表面反射率に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体装置用ステムとしては、図２に示した特開平１０−２８４６４０号公報が開示されている。図２（ａ）は従来の半導体装置用ステムの断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるリード部の断面図である。図２（ａ）、図２（ｂ）において、１０１はベース、１０２はリード、１０２ａはインナーリード、１０２ｂはアウターリード、１０３はヒートシンク、１０４はガラス、１０５は無電解銅めっき被膜、１０６は無電解ニッケル−リン合金めっき被膜、１０７は無電解パラジウムめっき被膜、１０８は無電解金めっき被膜である。
【０００３】
詳細の構成を下記に説明する、鉄または鉄系合金を素材金属とするベース１０１表面に無電解銅めっき被膜１０５を０．５μｍから５μｍ形成し、その上に無電解ニッケル−リン合金めっき被膜１０６を２μｍから６μｍ形成し、さらにその上に無電解パラジウムめっき被膜１０７を０．０５μｍｍから０．５μｍ形成し、その上に無電解金めっき被膜１０８を０．０１μｍから０．０５μｍ形成したものである。これは、無電解銅めっき被膜１０５は被覆性と均一密着性に優れており、その上に無電解ニッケル−リン合金めっき被膜１０６を形成することによりピンホールの発生を抑えることができ、鉄系素材とパラジウムとの電位差による腐食を防止することができる。また、無電解ニッケル−リン合金めっき被膜１０６は、電気ニッケルめっきに比べてピンホールの発生が少ない為、パラジウムめっき被膜の耐食性を高めるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の構成では、発光ダイオード（以下、ＬＥＤと呼ぶ）や半導体レーザー（以下、ＬＤと呼ぶ）に用いる場合、無電解金めっき被膜１０８の影響で、めっき表面の色調に濁りが生じ、表面の光沢が悪くなり、発光効率が低下するという問題があった。近年、ＬＥＤやＬＤは砲弾型や表面実装型など様々な形態にパッケージングされ、テレビやエアコンなどリモート・コントロール用の送信部や、ＬＣＤディスプレイやプロジェクションディスプレイなどの光源などあるいは、照明機器など広範囲な分野に利用されている。一方、必要な光量を得る手段として、予め出力が大きな素子を搭載し光量を得る方法が一般的であり、その結果、消費電力のロスが大きい。また、最近では青色、紫色や紫外などの高輝度、高周波数、高出力、の発光素子が用いられ、さらなる発光効率の向上や低消費電力が要求されている。一方、反射率のよい銀めっき被膜を形成することにより、発光効率を向上させることも考えられるが、銀めっきにはマイグレーションという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するものであり、めっき表面の色調の影響を受けにくいめっき被膜を半導体装置用ステムに施し、発光効率の向上した半導体装置用ステムの提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の半導体装置用ステムは、表面に貴金属被膜が形成され、貴金属被膜がロジウム被膜であり、素材面に第一被膜が形成され、第一被膜上に第二被膜が形成され、第二被膜上に第三被膜が形成され、第二被膜がパラジウム被膜またはパラジウム合金被膜、第三被膜がロジウム被膜である。次に、素材面に第一被膜が形成され、第一被膜上に第二被膜が形成され、第二被膜上に第三被膜が形成され、第三被膜上に第四被膜が形成され、第三被膜がパラジウム被膜またはパラジウム合金被膜、第四被膜がロジウム被膜である。これによれば、ロジウム被膜により発光効率が向上するものであり、さらに、素材とパラジウムとの電位差による腐食を防止することができ、パラジウムめっき被膜の耐食性を高めるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明に係る半導体装置用ステムを示した断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるリード部の断面図である。図１（ａ）、図１（ｂ）において、１はベース、２はリード、２ａはインナーリード、２ｂはアウターリード、３はヒートシンク、４はガラス、５は銅めっき被膜、６はニッケルめっき被膜、７はパラジウムめっき被膜、８はロジウムめっき被膜である。
【０００８】
詳細の構成を下記に説明する、鉄または鉄系合金を素材金属とするベース１表面に銅めっき被膜５を０．５μｍから５μｍ形成し、その上にニッケルめっき被膜６を２μｍから６μｍ形成し、さらにその上にパラジウムめっき被膜７を０．００５μｍから０．５μｍ形成し、その上にロジウムめっき被膜８を０．００３μｍから０．０５μｍ形成したものである。これは、銅めっき被膜５は被覆性および均一密着性に優れており、その上にニッケルめっき被膜６を形成することによりピンホールの発生を抑えることができ、鉄系素材とパラジウムとの電位差による腐食を防止するものである。また、ニッケルめっき被膜６を無電解ニッケル−リン合金めっき被膜または無電解ニッケル−ボロン合金めっき被膜とすることで、より一層ピンホールの発生を抑えることができる。ロジウムめっき被膜を形成することで、反射率に優れた表面状態となり、ＬＥＤ素子を搭載したときの発光効率に優れるものである。表１は従来の被膜構成と本願発明による被膜構成との反射率とを比較したものであり、４００ｎｍから７００ｎｍの波長での反射率が約２０％向上するものである。
【０００９】
【表１】
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【００１０】
以上、本発明による半導体装置用ステムについて説明したが、本発明に思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００１１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、表面にロジウムめっき被膜を形成することで、反射率に優れた半導体装置用ステムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態による半導体装置用ステムを示すもので、（ａ）は断面図
（ｂ）は図１（ａ）におけるリード部の断面図
【図２】従来例の半導体装置用ステムを示すもので、（ａ）は断面図
（ｂ）は図２（ａ）におけるリード部の断面図
【符号の説明】
１　ベース
２　リード
２ａ　インナーリード
２ｂ　アウターリード
３　ヒートシンク
４　ガラス
５　銅めっき被膜
６　ニッケルめっき被膜
７　パラジウムめっき被膜
８　ロジウムめっき被膜
１０１　ベース
１０２　リード
１０２ａ　インナーリード
１０２ｂ　アウターリード
１０３　ヒートシンク
１０４　ガラス
１０５　無電解銅めっき被膜
１０６　無電解ニッケル−リン合金めっき被膜
１０７　無電解パラジウムめっき被膜
１０８　無電解金めっき被膜
【図１】
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【図２】
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