(57)【要約】　　　（修正有）【課題】局所的分子汚染低減エリアを備えた、経済的なクリーンルームを提供する。【解決手段】本クリーンルームの機械室内には分子汚染除去空調装置６４が設けられ、ルーム本体内には空調装置から分子汚染レベルの低い空気が送風される局所的分子汚染低減エリア６６が設けられている。汚染低減エリアは０．１μｍクラス１の作業エリアとして自在な配置、形状でルーム本体内に延在していて、メンテナンスエリア７０から区画壁７１によって絶縁されている。ダクト８０を介して空調装置と接続するサプライチャンバ８２が低減エリアのシステム天井２２上に設けられ、ダクト９０を介して空調装置と接続するリターンチャンバ９２が汚染低減エリア下部に設けられている。汚染低減エリア内の空気圧を陽圧に維持しするため、ダンパー８８及びダンパー９４が設けられている。【選択図】　　　　図２
2004108630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケミカルフィルタにより空気中の分子汚染発生因子の濃度を低くする分子汚染除去空調装置を備えた空調機械室と、隔壁によって前記空調機械室から隔離されたクリーンルーム本体とを有するクリーンルームにおいて、
ダクトを介して前記分子汚染除去空調装置から分子汚染発生因子の濃度の低い空気が送風される局所的分子汚染低減エリアが、前記局所的分子汚染低減エリア以外の領域から隔離され、かつ前記局所的分子汚染低減エリアを必要とする製造装置のレイアウトに合わせて前記クリーンルーム本体内に設けられていることを特徴とするクリーンルーム。
【請求項２】
前記局所的分子汚染低減エリアの上部には、上部ダクトを介して前記分子汚染除去空調装置と接続するサプライチャンバが、独立のＦＦＵ及びＵＬＰＡを備えて前記局所的分子汚染低減エリア以外の領域から絶縁して設けられ、かつ前記局所的分子汚染低減エリアの下部には、下部ダクトを介して前記分子汚染除去空調装置と接続するリターンチャンバが前記局所的分子汚染低減エリア以外の領域から絶縁して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のクリーンルーム。
【請求項３】
前記局所的分子汚染低減エリア内の空気圧を調節して陽圧に維持して、前記局所的分子汚染低減エリア以外の領域から分子汚染発生因子の流入を防止するために、前記上部ダクトと前記サプライチャンバとの接続部、及び前記リターンチャンバと前記下部ダクトとの接続部には、それぞれ、ダンパーが設けられていることを特徴とする請求項２に記載のクリーンルーム。
【請求項４】
前記サプライチャンバ及び前記リターンチャンバを備えた局所的分子汚染低減エリアが前記製造装置のレイアウトに合わせて前記クリーンルーム本体内に連続的に延在していることを特徴とする請求項２又は３に記載のクリーンルーム。
【請求項５】
前記製造装置のレイアウトに合わせて分散して設けられた局所的分子汚染低減エリア毎に前記サプライチャンバ及び前記リターンチャンバが設けられていることを特徴とする請求項２又は３に記載のクリーンルーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、クリーンルームに関し、更に詳細には、分子汚染の発生を低減したクリーンルームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置を製造する製造ライン、或いは液晶表示装置を製造する製造ラインは、粒子状ダストによる歩留り低下を防止するために、厳密なダスト管理がなされ、サブミクロンの粒子状ダストを排除した清浄な空気が流通するクリーンルーム内に設置されている。
【０００３】
ところで、近年、デバイス加工の微細化が進むに伴い、粒子状のダストだけではなく、ガス状の気中汚染物質による汚染、いわゆる分子汚染による歩留り低下が注目されている。
分子汚染の原因物質（以下、分子汚染発生因子と言う）は、ホウ素（Ｂ）、リン（Ｐ）などのドーパント、金属の無機物、Ｆ−　、ＮＯＸ　、ＳＯＸ　、ＮＨ４　＋　などのイオン成分、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）などの有機物に分類される。
製造プロセスへの影響として、ドーパントによる汚染はトランジスタ等の半導体装置の閾値電圧の変動、シート抵抗異常などの電気特性に影響し、金属による汚染は半導体装置の絶縁破壊やリーク電流増加などの原因となっている。ＮＨ４　＋　による汚染は露光装置の光学系の曇りや化学増幅型レジストの解像不良の原因となり、有機物と無機物による複合汚染は酸化膜の特性変化やＣＶＤ膜の膜付き性の悪化などを招くことが知られている。
【０００４】
上述のように、分子汚染は、半導体装置または液晶表示装置の生産性の低下、製品歩留まりの低下、品質および信頼性の低下につながるために、クリーンルーム気中の分子汚染は、大きな問題として認識されている。
このため、半導体装置製造工場および液晶表示装置製造工場では、例えば、外気からの水溶性成分の進入を防ぐために外気処理用空調装置にエアワッシャを設置したり、建築材からの有機物発生を防ぐために低分子シロキサン等の有機物揮散が少ないシリコンシール材を建築材として使用したり、空調用高性能フィルター（ＵＬＰＡ）からのホウ素（Ｂ）発生を防ぐためにホウ素含有の少ない濾材を採用したフィルターを使用したりするなど、主に、建築物の部材、空調設備、電気設備などの設備を改良することにより、クリーンルーム気中の分子汚染の低減に取り組んできた。
【０００５】
ところで、半導体デバイスのデザインルールが一層微細化されるにつれて、分子汚染を一層確実に防止するために、一般のクリーンルームより分子汚染が低減されたエリア（ここでは局所的分子汚染低減エリアと呼ぶ）をクリーンルーム内に設置することが、要求されるようになっている。
【０００６】
ここで、図４及び図５を参照して、局所的分子汚染低減エリアを備えた従来のクリーンルームの構成を説明する。図４は局所的分子汚染低減エリアを有する従来のクリーンルームの概念的平面図、及び図５は局所的分子汚染低減エリアを有する従来のクリーンルームの図４の線Ｂ−Ｂ′での概念的断面図を示す。
局所的分子汚染低減エリアを備えた従来のクリーンルーム１０は、図４に示すように、空調機械室１２と、空調機械室１２から隔壁１４によって隔離されたクリーンルーム本体１６とに分割されている。
空調機械室１２内には分子汚染除去空調装置１８が設けられ、クリーンルーム本体１６内には分子汚染除去空調装置１８から分子汚染レベルの低い空気が送風される局所的分子汚染低減エリア２０が設けられている。
【０００７】
クリーンルーム本体１６は、基本的には、図５に示すように、システム天井２２と、梁２４で支持されたフリーアクセスフロア２６と、本体壁２８とで囲われた空間として構成され、システム天井２２にはＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ　）３０とＵＬＰＡ（空調用高性能フィルター）３２とが設けてある。
局所的分子汚染低減エリア２０は、クリーンルーム本体１６の一部であって、区画壁３４によって局所的分子汚染低減エリア２０以外の領域から絶縁されている。
【０００８】
局所的分子汚染低減エリア２０のシステム天井２２と建物の屋根との間の空間は、分子汚染除去空調装置１８からダクト３６を経て清浄な空気が送風される、プレナムエリア４０と呼ばれる空間である。プレナムエリア４０上では、建物の屋根がトラス構造体３８で支持されている。
また、局所的分子汚染低減エリア２０を通過した空気は、フリーアクセスフロア２６と建物の底壁との間の床下空間４２を経てダクト４４を経て分子汚染除去空調装置１８に循環する。
【０００９】
分子汚染除去空調装置１８は、図５に示すように、空気の流れに沿って冷却コイル４６、再加熱コイル４８、送風機５０、及びケミカルフィルタ５２を備えていて、冷却コイル４６及び再加熱コイル４８により空気温度を所定温度に調節し、酸、アルカリ等の分子汚染除発生因子を除去するケミカルフィルタ５２を介して清浄な空気を送風機５０で局所的分子汚染低減エリア２０に送風している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、分子汚染除去空調装置１８と局所的分子汚染低減エリア２０との間のダクト３８、４４を最短にするために、従来の局所的分子汚染除去エリア２０は、図４及び図５に示すように、空調機械室１２とクリーンルーム本体１６とを隔離する隔壁１４に隣接して設けてある。このために、半導体装置の製造ラインのレイアウトが制約されている。
【００１１】
また、クリーンルーム本体１６に加えて局所的分子汚染低減エリア２０のプレナムエリア４０及び床下空間４２も、他のゾーンからの分子汚染を防ぐために、図５に示すように、区画壁３４を設置する必要がある。
しかし、プレナムエリア４０上のトラス構造体３８及び床下空間４２にある梁２４などが障害となって、気密シールの確実な区画壁３４を設置することが、実際には、極めて難しかった。この結果、局所的分子汚染低減エリア２０以外の領域から区画壁３４の隙間を介して分子汚染発生因子が流入するために、局所的分子汚染低減エリア２０の分子汚染レベルを低下させることが難しかった。
【００１２】
更には、プレナムエリア４０及び床下空間４２を通過する空気は、プレナムエリア４０及び床下空間４２に存在するトラス構造体３８、梁２４、配管、ダクト、電線ケーブル等のクリーンルーム建設部材に付着していたり、或いは含まれていたりする分子汚染発生因子によって分子汚染されてしまう。その結果、従来のクリーンルーム１０では、空気中に存在する分子汚染発生因子を９０％以上の除去率で除去することは極めて難しかった。
９０％程度の分子汚染除去率を更に高めるためには、前述の多岐にわたる建設部材の材料を厳選するなどの分子汚染対策を行う必要があるものの、これでは、クリーンルームの設備コストの増大を招いてしまう。
【００１３】
分子汚染除去率を高める別の方法として、クリーンルーム本体内の製造ラインの上部にケミカルフィルタを設置して、クリーンルーム本体に流入する空気を通過させ、クリーンルーム本体内の分子汚染の低減を図る方法がある。しかし、この場合でも、クリーンルーム本体に流入する空気は、ケミカルフィルタを１回の通過するだけなので分子汚染除去率は９０％前後であった。
また、クリーンルーム本体内の個々の製造ラインのそれぞれの製造装置にケミカルフィルタを設置する方法もあるものの、例えば半導体デバイス０．１８μｍ世代の１万ｍ２　のクリーンルーム本体内の製造装置のそれぞれにケミカルフィルタを設置しようとすると、数十箇所のケミカルフィルタが必要になる。これでは、設備コストが嵩むとともに、ケミカルフィルタの寿命経過による交換費用などのランニングコストが増大するので、経済的に引き合わない。
また、破過したまま放置して使用した場合には、製造の歩留を低下させることになるので、フィルタ破過の管理負担も著しく大きい。
【００１４】
更には、局所的分子汚染低減エリア２０が垂直層流を要求するクラス１などのエリアの場合には、垂直層流を設定するためにフリーアクセスフロア２６の開口率を変えて調整する必要があるものの、開口率が異なるようにフリーアクセスフロア２６を敷き変えたり、フリーアクセスフロア２６の開口シャッターの開口率を調整するなど、開口率の調節が非常に面倒でコストも嵩むという問題もあった。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、局所的分子汚染低減エリアを備えた、経済的なクリーンルームを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るクリーンルームは、ケミカルフィルタにより空気中の分子汚染発生因子の濃度を低くする分子汚染除去空調装置を備えた空調機械室と、隔壁によって空調機械室から隔離されたクリーンルーム本体とを有するクリーンルームにおいて、
ダクトを介して分子汚染除去空調装置から分子汚染発生因子の濃度の低い空気が送風される局所的分子汚染低減エリアが、局所的分子汚染低減エリア以外の領域から隔離し、かつ局所的分子汚染低減エリアを必要とする製造装置のレイアウトに合わせてクリーンルーム本体内に設けられていることを特徴としている。
【００１７】
本発明に係るクリーンルームでは、分子汚染除去空調装置により分子汚染発生因子を除去した空気をダクトで所定の局所的分子汚染低減エリアへ送風し、次いで局所的分子汚染低減エリアからダクトで分子汚染除去空調装置に戻すことにより、局所的分子汚染低減エリアがクリーンルームの他の領域から完全に絶縁されている。
これにより、局所的分子汚染低減エリアに送風する空気を分子汚染除去空調装置により繰り返して分子汚染除去処理することができるので、分子汚染除去率９９％以上の高清浄ミニエンバイラメント空間を局所的分子汚染低減エリアとして製造装置のフローショップ型やジョブショップ型などのレイアウトに合わせて容易に設定することができる。
【００１８】
本発明では、ダクトによる分子汚染除去空調装置と局所的分子汚染低減エリアとの接続方法には制約は無いが、本発明の好適な実施態様では、局所的分子汚染低減エリアの上部には、上部ダクトを介して分子汚染除去空調装置と接続するサプライチャンバが、独立のＦＦＵ及びＵＬＰＡを備えて局所的分子汚染低減エリア以外の領域から絶縁して設けられ、かつ局所的分子汚染低減エリアの下部には、下部ダクトを介して分子汚染除去空調装置と接続するリターンチャンバが局所的分子汚染低減エリア以外の領域から絶縁して設けられている。
これにより、分子汚染除去空調装置と局所的分子汚染低減エリアとのダクトによる接続が容易になる。
【００１９】
局所的分子汚染低減エリア内の空気圧を陽圧に調節、維持して、局所的分子汚染低減エリア以外の領域から分子汚染発生因子が流入するのを防止するために、上部ダクトとサプライチャンバとの接続部、及びリターンチャンバと下部ダクトとの接続部には、それぞれ、ダンパーが設けられている。
分子汚染発生因子は空気中に浮遊して、或いは空気中に浮遊する粒子に付着して存在する。そこで、サプライ側ダンパとリターン側ダンパの開度を調整して局所的分子汚染低減エリアの空気圧を陽圧に維持することにより、局所的分子汚染低減エリアに外部から分子汚染発生因子を含む空気の混入を防止することができる。
また、局所的分子汚染低減エリアがクラス１などの垂直層流を要求するエリアであっても、サプライ側ダンパとリターン側ダンパの開度を調整して、局所的分子汚染低減エリアの上部と下部の圧力差を調節し、及びエリア内の気流の流量を調整するこにより、垂直層流の空気流れを容易に確立することができる。
【００２０】
本発明に係るクリーンルームはクリーンルームの用途に関係なく適用でき、例えば半導体装置の製造用クリーンルーム、液晶表示装置の製造用クリーンルーム、バイオ医薬関連用クリーンルーム等に好適に適用できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、添付図面を参照し、実施形態例を挙げて本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
実施形態例１
本実施形態例は本発明に係るクリーンルームの実施形態の一例であって、図１は本実施形態例のクリーンルームの構成を示す概念的平面図、及び図２は図１の線Ａ−Ａ′でのクリーンルームの構成を示す概念的断面図である。図１及び図２、並びに実施形態例２の図３に示す部品、部位のうち、図４及び図５と同じものには、同じ符号を付している。
本実施形態例のクリーンルーム６０は、図１に示すように、空調機械室１２と、空調機械室１２から隔壁１４によって隔離され、ベイ型クリーンルームからなるクリーンルーム本体６２とを備えている。
空調機械室１２内には分子汚染除去空調装置６４が設けられ、クリーンルーム本体６２内には、分子汚染除去空調装置６４から分子汚染レベルの低い空気が送風される局所的分子汚染低減エリア６６が、局所的分子汚染低減エリアを作業エリアとして必要とする製造装置６８のレイアウトに合わせて設けられている。
【００２２】
クリーンルーム本体６２は、基本的には、従来のクリーンルーム本体１６と同じ構成であって、システム天井２２と、梁２４で支持されたフリーアクセスフロア２６と、本体壁２８とで囲われた空間として構成されている。システム天井２２には、ＦＦＵ（Ｆａｎ　Ｆｉｌｔｅｒ　Ｕｎｉｔ　）３０とＵＬＰＡ（空調用高性能フィルター）３２とが設けてあって、クリーンルーム本体６２に流入する空気中の微粒子を補集する。
局所的分子汚染低減エリア６６は、クリーンルーム本体６２内に連続して延在するように区画壁７１によって区画されている。本実施形態例では、局所的分子汚染低減エリア６６は、０．１μｍクラス１の作業エリアを構成するミニエンバイロメント（局所空間）として、製造装置６８のレイアウトに合わせて自在な形状でクリーンルーム本体６２内に区画壁６６で区画されて連続して延在している。
局所的分子汚染低減エリア６６以外のクリーンルーム本体６２の領域は、０．１μｍクラス１，０００又は成り行きのメンテナンスエリア７０であって、局所的分子汚染低減エリア６６はメンテナンスエリア７０から区画壁７１によって絶縁されている。
つまり、クリーンルーム本体６２の領域は、局所的分子汚染低減エリア６６とメンテナンスエリア７０とに分割されている。
【００２３】
メンテナンスエリア７０上のシステム天井２２と建物の屋根との間の空間は、従来のクリーンルーム１０と同様に、分子汚染除去空調装置６４とは別に空気機械室１２に設けられた分子汚染除去空調装置（図示せず）から清浄な空気が送風される、プレナムエリア４０と呼ばれる空間である。プレナムエリア４０上では、建物の屋根がトラス構造体３８で支持されている。
清浄な空気は、プレナムエリア４０からシステム天井２２のＦＦＵ３０及びＵＬＰＡ３２を経てメンテナンスエリア７０に流入し、続いてフリーアクセスフロア２６と建物の底壁との間の床下空間４２を経て図示しない別の分子汚染除去空調装置に循環する。
【００２４】
分子汚染除去空調装置６４は、従来のクリーンルーム１０に設けた分子汚染除去空調装置１８と同じ構成であって、図２に示すように、空気の流れに沿って冷却コイル７２、再加熱コイル７４、送風機７６、及びケミカルフィルタ７８を備えている。
これにより、分子汚染除去空調装置６４は、冷却コイル７２及び再加熱コイル７４により空気温度を所定温度に調節し、ケミカルフィルタ７８を介して酸、アルカリ、及び有機物成分等を除去した清浄な空気を送風機７６で局所的分子汚染低減エリア６６に送風している。
【００２５】
局所的分子汚染低減エリア６６の上部には、ダクト８０を介して分子汚染除去空調装置６４と接続するサプライチャンバ８２が、プラナムエリア４０とは絶縁してシステム天井２２上に設けられ、かつメンテナンスエリア７０とは独立して設けられたＦＦＵ８４及びＵＬＰＡ８６を備えている。本実施形態例では、サプライチャンバ８２は２ヵ所に設けられているが、サプライチャンバ８２の箇所数には制約はない。
局所的分子汚染低減エリア６６の下部には、ダクト９０を介して分子汚染除去空調装置６４と接続するリターンチャンバ９２が、メンテナンスエリア７０とは絶縁してフリーアクセスフロア２６下に設けられている。
ダクト８０とサプライチャンバ８２との接続部、及びリターンチャンバ９２とダクト９０との接続部には、それぞれ、ダンパー８８及びダンパー９４が設けられていて、ダンパー８８及びダンパー９４の開度を調節して局所的分子汚染低減エリア６６内の空気圧を陽圧に維持することにより、局所的分子汚染低減エリア６６以外の領域から分子汚染発生因子を含む空気の流入を防止している。
【００２６】
本実施形態例では、分子汚染除去空調装置６４により分子汚染を引き起こさないように浄化された空気は、ダクト８０からダンパー８８より圧力調節された後、サプライチャンバ８２に流入する。
次いで、空気は、ＦＦＵ８４及びＵＬＰＡ８６を経て更に微粒子が除去された後、局所的分子汚染低減エリア６６に流入する。続いて、空気は、局所的分子汚染低減エリア６６を通過し、フリーアクセスフロア２６の開口部を経てリターンチャンバ９２に流入し、ダンパー９４より圧力調節されたダクト９０を経て分子汚染除去空調装置６４に戻る。
【００２７】
本実施形態例では、ダクト８０及びサプライチャンバ８２を介して、並びにリターンチャンバ９２及びダクト９０を介して、分子汚染除去空調装置６４と局所的分子汚染低減エリア６６とを接続することにより、製造装置６８のフローショップ等のレイアウトに合わせて自在に局所的分子汚染低減エリア６６をベイ型クリーンルーム本体６２内に延在させることができる。
よって、従来のクリーンルーム１０のように、製造ラインのレイアウトが制限されようなことが生じない。
【００２８】
また、本実施形態例では、分子汚染除去空調装置６４のケミカルフィルタ７８により分子汚染発生因子を除去した空気が、プレナムエリア４０とは独立して設けられているダクト８０及びサプライチャンバ８２を介して分子汚染除去空調装置６４から直接局所的分子汚染低減エリア６６に流入し、続いて床下空間４２とは独立して設けられているリターンチャンバ９２及びダクト９０を経て分子汚染除去空調装置６４に戻っている。
従って、本実施形態例では、分子汚染発生因子を除去した空気が流れる局所的分子汚染低減エリア６６をクリーンルーム本体６２の他の領域から完全に隔離した密閉空間として形成しているので、空気をケミカルフィルタ７８で循環処理して分子汚染除去率を高めることができる。因みに、ケミカルフィルタを１回の通過するだけでの従来のクリーンルーム１０では、分子汚染除去率は９０％前後であるが、本実施形態例では、９９％以上のケミカル除去率が達成できる。
【００２９】
また、本実施形態例のクリーンルーム６０では、従来のクリーンルーム１０のように、プレナムエリア４０及び床下空間４２に存在するトラス構造体３８、梁２４、配管、ダクト、電線ケーブル等のクリーンルーム建設部材で空気が分子汚染されるようなことは生じない。
【００３０】
局所的分子汚染低減エリア６６がクラス１などの垂直層流を要求される場合でも、本実施形態例では、局所的分子汚染低減エリア６６内の空気圧を調節するために、ダクト８０とサプライチャンバ８２との接続部、及びリターンチャンバ９２とダクト９０との接続部には、それぞれ、ダンパー８８及びダンパー９４が設けられているので、ダンパー８８及びダンパー９４の開度を調整して、局所的分子汚染低減エリア６６の上下の圧力差を調節することにより、垂直層流を容易に確立することができる。
【００３１】
実施形態例２
本実施形態例は本発明に係るクリーンルームの実施形態の別の例であって、図３は本実施形態例のクリーンルームの構成を示す概念的平面図である。また、前述の図２は図３の線Ａ−Ａ′でのクリーンルームの構成を示す概念的断面図でもある。
本実施形態例のクリーンルーム１００は、図３に示すように、空調機械室１２と、空調機械室１２から隔壁１４によって隔離され、ボールルーム（大部屋）型クリーンルームからなるクリーンルーム本体１０２とを備えている。本実施形態例のクリーンルーム１００は、図１の例のように、システム天井２２からフリーアクセスフロア２６の間に設置する区画壁７１が作業エリア（０．１μｍクラス〜１００）とメンテナンス・エリア（０．１μｍクラス１０００か、成り行き）とを区画する実施形態例１のベイ型クリーンルームの例とは異なり、区画壁が原則ない０．１μｍクラス１０００のオープンなボールルーム型クリーンルームへの設置例である。
空調機械室１２内には分子汚染除去空調装置６４が設けられ、クリーンルーム本体１０２内には分子汚染除去空調装置６４から分子汚染レベルの低い空気が送風される局所的分子汚染低減エリア１０４が局所的分子汚染低減エリアを必要とする製造装置６８のレイアウトに合わせて設けられている。
【００３２】
局所的分子汚染低減エリア１０４は、クリーンルーム本体６２の領域の一部であって、本実施形態例では、製造装置６８の作業エリアを構成する０．１μｍクラス１のミニエンバイロメント（局所空間）として、製造装置６８のレイアウトに合わせてクリーンルーム本体６２内に区画壁１０６で区画されて自在に分散配置されている。
局所的分子汚染低減エリア１０４以外のクリーンルーム本体６２の領域は０．１μｍクラス１，０００又は成り行きのメンテナンスエリア１０８であって、局所的分子汚染低減エリア１０４は、区画壁１０６によってメンテナンスエリア１０８から絶縁されている。
つまり、クリーンルーム本体６２の領域は、局所的分子汚染低減エリア１０４とメンテナンスエリア１０８とに分割されている。
【００３３】
本実施形態例では、局所的分子汚染低減エリア１０４はサプライチャンバ８２と同じ大きさであって、局所的分子汚染低減エリア１０４の下にはリターンチャンバ９２が設けられている。本実施形態例では、サプライチャンバ８２及びリターンチャンバ９２は３ヵ所に設けられているが、サプライチャンバ８２及びリターンチャンバ９２の個数には制約はなく、製造装置６８の要求に応じて設けることができる。
実施形態例１のクリーンルーム６０と同様に、本実施形態例でも、図２に示すように、サプライチャンバ８２及びリターンチャンバ９２は、それぞれ、ダクト８０及び９０を介して分子汚染除去空調装置６４と接続している。
【００３４】
サプライチャンバ８２はプラナムエリア４０とは絶縁してシステム天井２２上に設けられ、かつメンテナンスエリア７０とは別に設けられたＦＦＵ８４及びＵＬＰＡ８６を備えている。
リターンチャンバ９２はメンテナンスエリア７０とは絶縁して局所的分子汚染低減エリア６６のフリーアクセスフロア２６下に設けられている。
局所的分子汚染低減エリア１０４内の空気圧を調節するために、ダクト８０とサプライチャンバ８２との接続部、及びリターンチャンバ９２とダクト９０との接続部には、それぞれ、ダンパー８８及びダンパー９４が設けられている。
【００３５】
以上のように、本実施形態例のクリーンルーム１００は、局所的分子汚染低減エリア１０４を分散配置していることを除いて、実施形態例１のクリーンルーム６０と同じ構成を備えている。
以上の構成により、本実施形態例のクリーンルーム１００は、実施形態例１のクリーンルーム６０と同じ効果を奏することができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、ダクトを介して分子汚染除去空調装置から分子汚染発生因子の濃度の低い空気が送風される局所的分子汚染低減エリアが、局所的分子汚染低減エリア以外の領域から隔離し、かつ局所的分子汚染低減エリアを必要とする製造装置のレイアウトに合わせてクリーンルーム本体内に設けられていることにより、ベイ型クリーンルーム或いはボールルーム型クリーンルーム等のクリーンルームの形式に制約なく、しかも製造装置のレイアウトに影響を与えないで、局所的分子汚染低減エリアを設けることができる。
本発明に係るクリーンルームを適用することにより、作業効率の高い、ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ　Ａｒｏｕｎｄ　Ｔｉｍｅ）の短い製造ラインを設営することが可能になる。
【００３７】
また、上部ダクトとサプライチャンバとの接続部、及びリターンチャンバと下部ダクトとの接続部に、それぞれ、ダンパーを設けることにより、局所的分子汚染低減エリアがクラス１などの垂直層流の場合でも、垂直層流の空気流れを容易に確立することができる。
【００３８】
本発明によれば、ダクトにより局所的分子汚染低減エリアと分子汚染除去空調装置とを接続しているので、従来のように、トラス構造体、配管、ダクト、電線ケーブル、コンクリート製梁、塗装部材等の多岐にわたる材料からなる建設部材に接触することなく、分子汚染除去した空気が局所的分子汚染低減エリアに流入出する。これにより、９９％以上のケミカル除去率が達成できる。また、分子汚染除去空調装置に戻る空気の分子汚染濃度が低いので、分子汚染除去空調装置のケミカルフィルタの寿命を長く維持でき、ランニングコストを低減することができる。
更には、ケミカルフィルタを空調機械室内に設置しているので、クリーンルーム本体中に持ち込まずに、ケミカルフィルタのフィルタ交換が可能であり、ケミカルフィルタの成分である活性炭等のダスト汚染が生じない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１のクリーンルームの構成を示す概念的平面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａ′でのクリーンルームの構成を示す概念的断面図である。
【図３】実施形態例２のクリーンルームの構成を示す概念的平面図である。
【図４】局所的分子汚染低減エリアを有する従来のクリーンルームの概念的平面図である。
【図５】図４の線Ｂ−Ｂ′での概念的断面図である。
【符号の説明】
１０……局所的分子汚染低減エリアを備えた従来のクリーンルーム、１２……空調機械室、１４……隔壁、１６……クリーンルーム本体、１８……分子汚染除去空調装置、２０……局所的分子汚染低減エリア、２２……システム天井、２４……梁、２６……フリーアクセスフロア、２８……本体壁、３０……ＦＦＵ、３２……ＵＬＰＡ、３４……区画壁、３６……ダクト、３８……トラス構造体、４０……プレナムエリア、４２……床下空間、４４……ダクト、４６……冷却コイル、４８……再加熱コイル、５０……送風機、５２……ケミカルフィルタ、６０……実施形態例１のクリーンルーム、６２……ベイ型クリーンルームからなるクリーンルーム本体、６４……分子汚染除去空調装置、６６……局所的分子汚染低減エリア、６８……製造装置、７０……メンテナンスエリア、７１……区画壁、７２……冷却コイル、７４……再加熱コイル、７６……送風機、７８……ケミカルフィルタ、８０……ダクト、８２……サプライチャンバ、８４……ＦＦＵ、８６……ＵＬＰＡ、８８……ダンパー、９０……ダクト、９２……リターンチャンバ、９４……ダンパー、１００……実施形態例２のクリーンルーム、１０２……クリーンルーム本体、１０４……局所的分子汚染低減エリア、１０６……区画壁、１０８……メンテナンスエリア。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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