(57)【要約】【課題】ＣＳＰなどの半導体装置において、接続用端子を形成するための半田ボール同士のくっつきに起因する短絡の発生を確実に防止する。【解決手段】まず、柱状電極１８およびレジストパターン２１などが形成されたシリコン基板１１を容器２４内に固定する。次に、容器２４内に半田ボール２３を含む導電性溶液２５を収容する。次に、容器２４の上面を蓋２６で密閉する。次に、容器２４全体を矢印で示すように上下、斜めに揺動させる。すると、導電性溶液２５中の半田ボール２３がレジストパターン２１の各開口部２２内に１個ずつ流れ込む。この場合、半田ボール２３は導電性溶液２５中に混入されているため、導電性溶液２５中で半田ボール２３が静電気を帯びることがなく、したがって導電性溶液２５中で半田ボール２３同士がくっつかないようにすることができる。なお、ノズルで導電性溶液２５をレジストパターン２１の表面に塗出するようにしてもよい。【選択図】　　　　図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の複数の接続用端子形成領域に突起状の接続用端子を形成する接続用端子の形成方法であって、前記基板上の前記接続用端子形成領域に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成し、接続用端子形成用の金属ボールが混入された導電性溶液を前記レジストパターンの表面に接触させて、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを含む前記基板を前記導電性溶液中に漬浸させて、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを含む前記基板を傾斜させ、前記レジストパターンの表面に前記導電性溶液をノズルにより塗出して、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを含む前記基板を水平にして回転させ、前記レジストパターンの表面に前記導電性溶液をノズルにより塗出して、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンの開口部内の前記接続用端子形成領域にバリア層を無電解めっき法により形成し、この後前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンの開口部内の前記接続用端子形成領域にバリア層を電解めっき法により形成し、この後前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込んだ後に、リフローにより前記金属ボールを前記接続用端子形成領域に固着し、この後前記レジストパターンを剥離することを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項８】
請求項１に記載の発明において、前記基板は複数の接続パッドを有する半導体基板であり、前記接続用端子形成領域はは前記各接続パッドに接続された再配線の一端部または柱状電極の上面であることを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記柱状電極は前記半導体基板上に形成された再配線上に形成されていることを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の発明において、前記基板は半導体基板であり、前記接続用端子形成領域は前記半導体基板上に形成された再配線の一部であることを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれかに記載の発明において、前記レジストパターンの各開口部内への前記金属ボールの流し込みは、前記半導体基板がウエハ状態であるときに行うことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項１２】
ウエハ状態の半導体基板上に、複数の接続パッドと、前記各接続パッドの少なくとも中央部を露出する開口を有する絶縁膜と、前記各接続パッドに接続された柱状電極と、該柱状電極間に形成された封止膜を形成し、該封止膜上に前記各柱状電極に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成し、金属ボールが混入された導電性溶液を前記レジストパターンの表面に接触させて、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とする接続用端子の形成方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込んだ後に、前記金属ボールを前記柱状電極に固着すると共に前記レジストパターンを剥離し、この後、前記ウエハ状態の半導体を切断して個々の半導体装置とすることを特徴とする接続用端子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は接続用端子の形成方法に関し、例えば、半導体装置の金属突起からなる接続用端子の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばＣＳＰ（ｃｈｉｐ　ｓｉｚｅ　ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体装置には、一例として、図２６に示すようなものがある。この半導体装置はシリコン基板１を備えている。シリコン基板１の上面周辺部にはアルミニウムからなる複数の接続パッド２が設けられている。接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコンからなる絶縁膜３およびポリイミドからなる保護膜４が設けられている。接続パッド２の中央部は、絶縁膜３および保護膜４に形成された開口部５を介して露出されている。
【０００３】
開口部５を介して露出された接続パッド２の上面から保護膜４の上面の所定の箇所にかけて下地金属層６が設けられている。下地金属層６の上面には銅からなる再配線７が設けられている。再配線７の先端のパッド部上面には銅からなる柱状電極８が設けられている。再配線７を含む保護膜４の上面にはエポキシ系樹脂からなる封止膜９がその上面が柱状電極８の上面と面一となるように設けられている。柱状電極８の上面には接続用端子としてのボール状の半田突起１０が設けられている。
【０００４】
ここで、上記構成の半導体装置の半田突起の形成方法について説明する。図示していないが、複数の柱状電極８の上面の配置に対応した複数の吸引孔を有する吸着治具を用いて、まず容器内にただ単に収容された半田ボールを各吸引孔に１個ずつ吸着させ、次いで各吸引孔に吸着された各半田ボールを各柱状電極８の上面に位置させて吸着を解除し、次いでリフローにより各半田ボールを各柱状電極８の上面に固着させ、これにより、図２６に示すように、各柱状電極８の上面にそれぞれ半田突起１０を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の半田突起（接続用端子）の形成方法では、容器内にただ単に収容された半田ボールが静電気を帯びた場合、半田ボール同士がくっつき、吸着治具の１つの吸引孔に互いにくっついた複数の半田ボールが吸着され、１つの柱状電極８の上面に対して複数の半田ボールが搭載され、リフローにより隣接する柱状電極８間で半田を介して短絡が発生してしまうことがあるという問題があった。
そこで、この発明は、半田ボールなどの金属ボール同士のくっつきに起因する短絡の発生を確実に防止することができる接続用端子の形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板上の複数の接続用端子形成領域に突起状の接続用端子を形成する接続用端子の形成方法であって、前記基板上の前記接続用端子形成領域に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成し、接続用端子形成用の金属ボールが混入された導電性溶液を前記レジストパターンの表面に接触させて、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを含む前記基板を前記導電性溶液中に漬浸させて、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを含む前記基板を傾斜させ、前記レジストパターンの表面に前記導電性溶液をノズルにより塗出して、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを含む前記基板を水平にして回転させ、前記レジストパターンの表面に前記導電性溶液をノズルにより塗出して、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンの開口部内の前記接続用端子形成領域にバリア層を無電解めっき法により形成し、この後前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンの開口部内の前記接続用端子形成領域にバリア層を電解めっき法により形成し、この後前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込んだ後に、リフローにより前記金属ボールを前記接続用端子形成領域に固着し、この後前記レジストパターンを剥離することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記基板は複数の接続パッドを有する半導体基板であり、前記接続用端子形成領域はは前記各接続パッドに接続された再配線の一端部または柱状電極の上面であることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の発明において、前記柱状電極は前記半導体基板上に形成された再配線上に形成されていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記基板は半導体基板であり、前記接続用端子形成領域は前記半導体基板上に形成された再配線の一部であることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項８〜１０のいずれかに記載の発明において、前記レジストパターンの各開口部内への前記金属ボールの流し込みは、前記半導体基板がウエハ状態であるときに行うことを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、ウエハ状態の半導体基板上に、複数の接続パッドと、前記各接続パッドの少なくとも中央部を露出する開口を有する絶縁膜と、前記各接続パッドに接続された柱状電極と、該柱状電極間に形成された封止膜を形成し、該封止膜上に前記各柱状電極に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成し、金属ボールが混入された導電性溶液を前記レジストパターンの表面に接触させて、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込むことを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の発明において、前記レジストパターンの各開口部内に前記金属ボールを流し込んだ後に、前記金属ボールを前記柱状電極に固着すると共に前記レジストパターンを剥離し、この後、前記ウエハ状態の半導体を切断して個々の半導体装置とすることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、基板上の複数の接続用端子形成領域に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成し、金属ボールが混入された導電性溶液をレジストパターンの表面に接触させて、レジストパターンの各開口部内に金属ボールを流し込んでいるので、導電性溶液中で金属ボールが静電気を帯びることがなく、したがって導電性溶液中で金属ボール同士がくっつかないようにすることができ、ひいてはレジストパターンの各開口部内に金属ボールを流し込むことができ、金属ボール同士のくっつきに起因する短絡の発生を確実に防止することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置はシリコン基板（半導体基板）１１を備えている。シリコン基板１１の上面周辺部にはアルミニウムなどからなる複数の接続パッド１２が設けられている。接続パッド１２の中央部を除くシリコン基板１１の上面には酸化シリコンや窒化シリコンなどからなる絶縁膜１３およびポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ベンザオキシドール（ＰＢＯ）系などからなる保護膜１４が設けられている。接続パッド１２の中央部は、絶縁膜１３および保護膜１４に形成された開口部１５を介して露出されている。
【０００８】
開口部１５を介して露出された接続パッド１２の上面から保護膜１４の上面の所定の箇所にかけて下地金属層１６が設けられている。下地金属層１６の上面には銅、アルミニウム、金あるいはこれらの合金などからなる再配線１７が設けられている。再配線１７の先端のパッド部上面には銅、半田、金、ニッケルなどからなる柱状電極１８が設けられている。再配線１７を含む保護膜１４の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などからなる封止膜１９がその上面が柱状電極１８の上面と面一となるように設けられている。柱状電極１８の上面には接続用端子としての半田突起２０が設けられている。
【０００９】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１１の上面に接続パッド１２が形成され、その上面の接続パッド１２の中央部を除く部分に絶縁膜１３および保護膜１４が形成され、絶縁膜１３および保護膜１４に形成された開口部１５を介して露出された接続パッド１２の上面から保護膜１４の上面の所定の箇所にかけて下地金属層１６が形成され、下地金属層１６の上面に再配線１７が形成され、再配線１７の先端のパッド部上面に柱状電極１８が形成され、再配線１７を含む保護膜１４の上面に封止膜１９がその上面が柱状電極１８の上面と面一となるように形成されてなるものを用意する。
【００１０】
次に、図３に示すように、封止膜１９の上面に厚めのドライフィルムレジストからなるレジストパターン２１を形成する。この場合、レジストパターン２１の柱状電極１８の上面に対応する部分には、柱状電極１８の上面よりもある程度大きめの開口部２２が形成されている。次に、図４に示すように、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３を、後述するいずれかの方法により、１個ずつ配置する。
【００１１】
ここで、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３を１個ずつ配置する第１〜第３の方法について説明する。まず、第１の方法について図５を参照して説明する。図５に示すように、上面が開放する容器２４内の底面上の中央部に、図３に示す状態のものを固定する。次に、容器２４内に、エタノールなどを含有し、乾燥しやすい成分を含んだ導電性溶液２５中に半田ボール２３を所定の分量で混入してなるものを、満杯よりもある程度少なめに収容する。次に、容器２４の上面を蓋２６で密閉する。
【００１２】
次に、容器２４全体を図５において矢印で示すように上下、斜めに揺動させる。すると、導電性溶液２５中の半田ボール２３がレジストパターン２１の各開口部２２内に１個ずつ流れ込む。この場合、半田ボール２３は導電性溶液２５中に混入されているため、導電性溶液２５中で半田ボール２３が静電気を帯びることがなく、したがって導電性溶液２５中で半田ボール２３同士がくっつかないようにすることができ、ひいてはレジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３を１個ずつ流し込むことができ、半田ボール２３同士のくっつきに起因する短絡の発生を確実に防止することができる。
【００１３】
そして、容器２４全体を図５において矢印で示すように上下、斜めに一定時間揺動させ、レジストパターン２１のすべての開口部２２内への半田ボール２３の流し込みが完了したら、容器２４の底部に設けられた弁（図示せず）を開いて、容器２４内の残りの半田ボール２３を含む導電性溶液２５をすべて排出し、回収する。次に、蓋２６を開け、容器２４内からシリコン基板１１などを取り出す。この状態で、レジストパターン２１の表面などに導電性溶液２５が付着している場合には、これを自然乾燥により除去する。かくして、図４に示すように、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３が１個ずつ配置される。
【００１４】
次に、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３を１個ずつ配置する第２の方法について、図６を参照して説明する。図６に示すように、図３に示す状態のものを適宜に傾斜させて固定する。そして、ノズル２７を用いて、導電性溶液２５中に半田ボール２３を所定の分量で混入してなるものを、適宜に傾斜されたレジストパターン２１の上部の表面に塗出する。このとき、導電性溶液２５がレジストパターン２１の表面全体に満遍なく行き渡るように、例えば図７において矢印で示すように、ウエハ状態のシリコン基板１１に対して、ノズル２７を左右方向にスキャンさせる。なお、ノズル２７を固定し、ウエハ状態のシリコン基板１１を左右方向に移動させるようにしてもよい。
【００１５】
すると、導電性溶液２５中の半田ボール２３がレジストパターン２１の各開口部２２内に１個ずつ流れ込む。この場合も、半田ボール２３は導電性溶液２５中に混入されているため、導電性溶液２５中で半田ボール２３が静電気を帯びることがなく、したがって導電性溶液２５中で半田ボール２３同士がくっつかないようにすることができ、ひいてはレジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３を１個ずつ流し込むことができ、半田ボール２３同士のくっつきに起因する短絡の発生を確実に防止することができる。
【００１６】
そして、レジストパターン２１のすべての開口部２２内への半田ボール２３の流し込みが完了したら、ノズル２７からの半田ボール２３を含む導電性溶液２５の塗出を停止する。この後、レジストパターン２１の表面などに付着している導電性溶液２５を自然乾燥により除去する。かくして、図４に示すように、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３が１個ずつ配置される。
【００１７】
なお、図８に示す第３の方法のように、レジストパターン２１を含むシリコン基板１１を水平にして矢印で示すように回転させ、ノズル２７により半田ボール２３を含む導電性溶液２５をレジストパターン２１の表面に塗出して、レジストパターン２１の開口部２２内に半田ボール２３を１個ずつ流し込むようにしてもよい。
【００１８】
そして、図４に示すように、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３を１個ずつ配置したら、次に、図９に示すように、リフローにより、柱状電極１８の上面に半田突起２０を固着させて形成する。次に、レジストパターン２１を剥離する。次に、図１０に示すように、ダイシングストリートに沿って、封止膜１９、保護膜１４、絶縁膜１３およびシリコン基板１１を切断すると、図１に示す半導体装置が得られる。
【００１９】
（第２実施形態）
図１１はこの発明の第２実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この図において、図１と同一名称部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この半導体装置において、図１に示す場合と異なる点は、柱状電極１８の上面にニッケルなどからなる拡散防止用のバリア層３１が設けられ、このバリア層３１の表面に接続用端子としての半田突起２０が設けられていることである。
【００２０】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すものを用意する。次に、図１２に示すように、封止膜１９の上面にドライフィルムレジストからなるレジストパターン２１を形成する。この場合、レジストパターン２１の厚さは、図３に示す場合よりもやや厚くなっている。また、レジストパターン２１の柱状電極１８の上面に対応する部分には、柱状電極１８の上面よりもある程度大きめの開口部２２が形成されている。次に、無電解めっき法により、柱状電極１８の上面にバリア層３１を形成する。
【００２１】
次に、図１３に示すように、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボール２３を、上述のいずれかの方法により、１個ずつ配置する。次に、図１４に示すように、リフローにより、バリア層３１の表面に半田突起２０を固着させて形成する。次に、レジストパターン２１を剥離する。次に、図１５に示すように、ダイシングストリートに沿って、封止膜１９、保護膜１４、絶縁膜１３およびシリコン基板１１を切断すると、図１１に示す半導体装置が得られる。
【００２２】
（第３実施形態）
図１６はこの発明の第３実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この図において、図１１と同一名称部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この半導体装置において、図１１に示す場合と異なる点は、柱状電極１８の上面に銅などからなるシード層３２、ニッケルなどからなる拡散防止用のバリア層３１および接続用端子としての半田突起２０がこの順で設けられていることである。
【００２３】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すものを用意する。次に、図１７に示すように、柱状電極１８の上面を含む封止膜１９の上面にシード層３２を成膜する。次に、シード層３２の上面にドライフィルムレジストからなるレジストパターン２１を形成する。この場合、レジストパターン２１の柱状電極１８の上面に対応する部分には、柱状電極１８の上面と同じ大きさの開口部２２が形成されている。次に、シード層３２をめっき電流路とした電解めっき法により、レジストパターン２１の開口部２２内におけるシード層３２の上面にバリア層３１を形成する。この場合、バリア層３１の厚さは、無電解めっき法の場合よりも厚くすることができる。
【００２４】
次に、レジストパターン２１の各開口部２２内に半田ボールを上述のいずれかの方法により１個ずつ配置し、次いでリフローにより、図１８に示すように、バリア層３１の上面に半田突起２０を固着させて形成する。この場合、電解めっき法によりバリア層３１を形成するために用いたレジストパターン２１をそのまま半田ボールを配置する（流し込む）ためのものとして用いているので、その分だけ、工程数を少なくすることができる。
【００２５】
次に、レジストパターン２１を剥離する。次に、半田突起２０をマスクとしてシード層３２の不要な部分をエッチングして除去すると、図１９に示すように、半田突起２０下にのみシード層３２が残存される。次に、図２０に示すように、ダイシングストリートに沿って、封止膜１９、保護膜１４、絶縁膜１３およびシリコン基板１１を切断すると、図１６に示す半導体装置が得られる。
【００２６】
（第４実施形態）
図２１はこの発明の第４実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図を示したものである。この図において、図１と同一名称部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この半導体装置において、図１に示す場合と異なる点は、柱状電極１８および封止膜１９を有せず、再配線１７を含む保護膜１４の上面に保護膜１４と同一の材料からなる別の保護膜４１が設けられ、この別の保護膜４１に形成された開口部４２を介して露出された再配線１７の先端のパッド部上面に接続用端子としての半田突起２０が設けられていることである。
【００２７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板１１の上面に接続パッド１２が形成され、その上面の接続パッド１２の中央部を除く部分に絶縁膜１３および保護膜１４が形成され、絶縁膜１３および保護膜１４に形成された開口部１５を介して露出された接続パッド１２の上面から保護膜１４の上面の所定の箇所にかけて下地金属層１６が形成され、下地金属層１６の上面に再配線１７が形成されてなるものを用意する。
【００２８】
次に、図２３に示すように、再配線１７を含む保護膜１４の上面に別の保護膜４１を形成する。この場合、別の保護膜４１の再配線１７の先端のパッド部上面に対応する部分には開口部４２が形成されている。次に、別の保護膜４１の上面にドライフィルムレジストからなるレジストパターン４３を形成する。この場合、レジストパターン４３の別の保護膜４１の開口部４２に対応する部分には、開口部４２よりもある程度大きめの開口部４４が形成されている。
【００２９】
次に、レジストパターン４３の各開口部４４内に半田ボールを上述のいずれかの方法により１個ずつ配置し、次いでリフローにより、図２４に示すように、別の保護膜４１の開口部４２を介して露出された再配線１７の先端のパッド部上面に半田突起２０を固着させて形成する。次に、レジストパターン４３を剥離する。次に、図２５に示すように、ダイシングストリートに沿って、別の保護膜４１、保護膜１４、絶縁膜１３およびシリコン基板１１を切断すると、図２１に示す半導体装置が得られる。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、基板上の接続用端子形成領域に対応する部分に開口部を有するレジストパターンを形成し、金属ボールが混入された導電性溶液をレジストパターンの表面に接触させて、レジストパターンの各開口部内に金属ボールを流し込んでいるので、導電性溶液中で金属ボールが静電気を帯びることがなく、したがって導電性溶液中で金属ボール同士がくっつかないようにすることができ、ひいてはレジストパターンの各開口部内に金属ボールを流し込むことができ、金属ボール同士のくっつきに起因する短絡の発生を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に示す工程において半田ボールを流し込むための第１の方法を説明するために示す断面図。
【図６】図４に示す工程において半田ボールを流し込むための第２の方法を説明するために示す断面図。
【図７】図６に示す工程においてノズルのスキャン方法の一例を説明するために示す図。
【図８】図４に示す工程において半田ボールを流し込むための第３の方法を説明するために示す断面図。
【図９】図４に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】この発明の第２実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図。
【図１２】図１１に示す半導体装置の製造に際し、所定の工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】この発明の第３実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図。
【図１７】図１６に示す半導体装置の製造に際し、所定の工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】図１８に続く工程の断面図。
【図２０】図１９に続く工程の断面図。
【図２１】この発明の第４実施形態としての製造方法により製造された半導体装置の断面図。
【図２２】図２１に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの断面図。
【図２３】図２２に続く工程の断面図。
【図２４】図２３に続く工程の断面図。
【図２５】図２４に続く工程の断面図。
【図２６】従来の半導体装置の一例の断面図。
【符号の説明】
１１　シリコン基板
１２　接続パッド
１３　絶縁膜
１４　保護膜
１６　下地金属層
１７　再配線
１８　柱状電極
１９　封止膜
２０　半田突起
２１　レジストパターン
２２　開口部
２３　半田ボール
２４　容器
２５　導電性溶液
２６　蓋
２７　ノズル
３１　バリア層
３２　シード層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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