(57)【要約】【課題】可飽和リアクタからの漏れ磁界を低減する。【解決手段】コンバーゼンス補正装置においてパラボラ電流を生成する可飽和リアクタを、ドラム部に１次側コイルＬ１と２次側コイルＬ３とが巻回された第１のドラムコア１１と、ドラム部に１次側コイルＬ２と２次側コイルＬ４とが巻回された第２のドラムコア１２と、ドラムコア１１のガイド部に固定されてバイアス磁界を発生する第１の永久磁石２１と、ドラムコア１２のガイド部に固定されてバイアス磁界を発生する第２の永久磁石２２とを備え、ドラムコア１１，１２が、上記ドラム部の円筒面を対向させて並置されており、永久磁石２１，２２が、ドラムコア１１，１２の同じ側に並置され、互いに逆方向のバイアス磁界を発生する構成とした。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドラム部に第１の１次側コイルと第１の２次側コイルとが巻回された第１のドラムコアと、
ドラム部に第２の１次側コイルと第２の２次側コイルとが巻回された第２のドラムコアと、
上記第１のドラムコアのガイド部に固定されてバイアス磁界を発生する第１の永久磁石と、
上記第２のドラムコアのガイド部に固定されてバイアス磁界を発生する第２の永久磁石と
を備え、
上記第１および第２のドラムコアが、上記ドラム部の円筒面を対向させて並置されており、
上記第１および第２の永久磁石が、上記第１および第２のドラムコアの同じ側に並置され、互いに逆方向のバイアス磁界を発生する
ことを特徴とする可飽和リアクタ。
【請求項２】
上記並置した第１および第２の永久磁石の上記ドラムコアが並置されていない側に、両永久磁石間の閉磁路を形成するためのフェライトを設けたことを特徴とする請求項１記載の可飽和リアクタ。
【請求項３】
上記第１および第２の１次側コイルを直列接続し、
上記１次側コイルの直列回路に電流を流したときに、同じ方向の磁界を発生するように、上記第１および第２の１次側コイルを巻回した
ことを特徴とする請求項１記載の可飽和リアクタ。
【請求項４】
上記第１および第２の２次側コイルを直列接続し、
上記１次側コイルの直列回路に電流を流したときに、誘起電流が同じ極性になるように、上記第１および第２の２次側コイルを巻回した
ことを特徴とする請求項３記載の可飽和リアクタ。
【請求項５】
上記１次側コイルの直列回路にノコギリ波電流を流したときに、上記２次側コイルの直列回路にパラボラ電流を生成することを特徴とする請求項４記載の可飽和リアクタ。
【請求項６】
上記第１の１次側コイルと上記第１の２次側コイル、および上記第２の１次側コイルと上記第２の２次側コイルが、それぞれ絶縁層を挟んで巻回されていることを特徴とする請求項１記載の可飽和リアクタ。
【請求項７】
コンバーゼンス補正用コイルに供給してミスコンバーゼンスを補正するコンバーゼンス補正装置において、
請求項１から６までのいずれかに記載の可飽和リアクタを備えたことを特徴とするコンバーゼンス補正装置。
【請求項８】
コンバーゼンス補正用コイルに供給してミスコンバーゼンスを補正するコンバーゼンス補正装置において、
水平偏向電流から水平偏向周期のパラボラ電流を生成する請求項１から６までのいずれかに記載の可飽和リアクタと、
上記水平偏向周期のパラボラ電流を垂直偏向電流で変調し、垂直偏向周期で変調された水平偏向周期のパラボラ電流を上記コンバーゼンス補正用コイルに供給する手段と
を備えた
ことを特徴とするコンバーゼンス補正装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載のコンバーゼンス補正装置を偏向ヨークに備えたことを特徴とするカラー陰極線管装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラーテレビジョン受像機やコンピュータ用ディスプレイ等の陰極線管装置に関し、特に上記陰極線管装置の偏向ヨークに設けられてミスコンバーゼンスを補正するコンバーゼンス補正装置およびこのコンバーゼンス補正装置を構成する可飽和リアクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のコンバーゼンス補正装置において、可飽和リアクタは、永久磁石のＳ極側およびＮ極側のそれぞれにドラムコアを固定した構成であった（例えば、特許文献１参照）
【０００３】
【特許文献１】
特開平９−２４５６７０号公報（図１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来のコンバーゼンス補正装置においては、可飽和リアクタの２つのドラムコアと永久磁石によってオープン磁路が形成され（２つのドラムコアと永久磁石の磁路が閉磁路にならず）、永久磁石の固定バイアス磁界が２つのドラムコアの両端から常に周辺に漏れる構造になっているため、この漏れ磁界が電子ビームのランディング特性に影響を及ぼしてミスランディングや画歪みを招くことがあるという課題があった。
【０００５】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、可飽和リアクタからの漏れ磁界を低減することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のコンバーゼンス補正装置は、
ドラム部に第１の１次側コイルと第１の２次側コイルとが巻回された第１のドラムコアと、
ドラム部に第２の１次側コイルと第２の２次側コイルとが巻回された第２のドラムコアと、
上記第１のドラムコアのガイド部に固定されてバイアス磁界を発生する第１の永久磁石と、
上記第２のドラムコアのガイド部に固定されてバイアス磁界を発生する第２の永久磁石と
を備え、
上記第１および第２のドラムコアが、上記ドラム部の円筒面を対向させて並置されており、
上記第１および第２の永久磁石が、上記第１および第２のドラムコアの同じ側に並置され、互いに逆方向のバイアス磁界を発生する
ことを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態のコンバーゼンス補正装置の回路図である。図１のコンバーゼンス補正装置１００は、水平偏向コイルＬＨ１および垂直偏向コイルＬＶ１とともにカラー陰極線管装置の偏向ヨークに設けられており、可飽和リアクタ１５と、ブリッジ回路７０と、バイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２とを備えている。
【０００８】
図２は可飽和リアクタ１５の構成図であり、図１と同様のものには同じ符号を付してある。
【０００９】
図１および図２に示すように、可飽和リアクタ１５は、第１のドラムコア１１と、第２のドラムコア１２と、層間絶縁紙１３，１４と、フェライト２０と、第１の永久磁石２１と、第２の永久磁石２２と、１次側コイルＬ１，Ｌ２と、２次側コイルＬ３，Ｌ４と、水平偏向電流Ｉｈの入力端子Ｈ１，Ｈ２と、水平偏向周期のパラボラ電流の出力端子Ｐ１，Ｐ２とを有する。
【００１０】
ドラムコア１１，１２のそれぞれは、コイルが巻回される略円筒型のドラム部の両側に、略円盤型のガイド部を備えた構造である。ドラムコア１１のドラム部には、１次側コイルＬ１と２次側コイルＬ３とが、層間絶縁紙１３を介して重ね巻きで巻回されている。また、ドラムコア１２のドラム部には、１次側コイルＬ２と２次側コイルＬ４とが、層間絶縁紙１４を介して重ね巻きで巻回されている。これらのドラムコア１１，１２は、上記ドラム部の円筒面を対向させて並置（近接して並列に配置）されている。
【００１１】
永久磁石２１は、ドラムコア１１のガイド部に固定されて固定バイアス磁界を発生する。また、永久磁石２２は、ドラムコア１２のガイド部に固定されて固定バイアス磁界を発生する。これらの永久磁石２１，２２は、並置されたドラムコア１１，１２の同じ側に並置され、互いに逆方向の固定バイアス磁界を発生する。図２では、永久磁石２１のＮ極側および永久磁石２２のＳ極側が、ドラムコア１１，１２の側に配置されている。
【００１２】
上記のように並置されたドラムコア１１，１２においては、同様に並置された永久磁石２１，２２によって、互いに逆向きの固定バイアス磁界が形成される。
【００１３】
フェライト２０は、上記のように並置された永久磁石２１，２２のドラムコア１１，１２が並置されていない側に、両永久磁石間の閉磁路を形成するために配置されている。
【００１４】
１次側コイルＬ１と２次側コイルＬ３は、互いに逆方向の磁界を発生するようにドラムコア１１に巻回されており、層間絶縁紙１３によって互いに絶縁されている。同様に、１次側コイルＬ２と２次側コイルＬ４は、互いに逆方向の磁界を発生するようにドラムコア１２に巻回されており、層間絶縁紙１４によって互いに絶縁されている。
【００１５】
１次側コイルＬ１とＬ２は直列接続されており、これら１次側コイルの直列回路は水平偏向電流Ｉｈの入力端子Ｈ１，Ｈ２に接続されている。また、２次側コイルＬ３とＬ４は直列接続されており、これら２次側コイルの直列回路は水平パラボラ電流の出力端子Ｐ１，Ｐ２に接続されている。
【００１６】
１次側コイルＬ１およびＬ２は、これら１次側コイルの直列回路に水平偏向電流Ｉｈが流れたときに同じ方向の磁界を発生するように、それぞれドラムコア１１，１２に巻回されている。つまり、１次側コイルＬ１およびＬ２は、上記１次側コイルの直列回路に水平偏向電流Ｉｈが流れたときに、１次側コイルＬ１，Ｌ２の内、一方のコイルが一方の永久磁石の固定バイアス磁界と同じ方向の磁界を発生させ、他方のコイルが他方の永久磁石の固定バイアス磁界とは逆方向の磁界を発生させるように、それぞれドラムコア１１，１２に巻回されている。
【００１７】
この可飽和リアクタ１５は、水平偏向コイルＬＨ１を介して１次側コイルＬ１，Ｌ２に供給された水平偏向電流Ｉｈに応じて、１次側コイルＬ１，Ｌ２から絶縁された２次側コイルＬ３，Ｌ４に水平偏向周期のパラボラ電流を生成する。
【００１８】
バイアス用コイルＬＢ１とＬＢ２は直列接続されており、これらバイアス用コイルの直列回路は垂直偏向電流Ｉｖの入力端子Ｖ１，Ｖ２に接続されている。
【００１９】
ブリッジ回路７０は、ブリッジコイルＬ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８と、コンバーゼンス補正用コイルＬｃとによって構成されている。
【００２０】
ブリッジ回路７０においては、コイルＬ５の一端とコイルＬ８の一端との共通接続端子が可飽和リアクタ１５の出力端子Ｐ１に接続され、コイルＬ６の一端とコイルＬ６の一端との共通接続端子が可飽和リアクタ１５の出力端子Ｐ２に接続され、コイルＬ５の他端とコイルＬ７の他端との共通接続端子が端子Ｐ３（コンバーゼンス補正用コイルＬｃの第１の端子）に接続され、コイルＬ６の他端とコイルＬ８の他端との共通接続端子が端子Ｐ４（コンバーゼンス補正用コイルＬｃの第２の端子）に接続されて、ブリッジ回路が構成されている。
【００２１】
このように、ブリッジ回路７０は、コイルＬ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８をブリッジ接続し、このブリッジの中央にコンバーゼンス補正用コイルＬｃを接続したものである。
【００２２】
コイルＬ５は、バイアス用コイルＬＢ１と同じコアに巻回されており、コイルＬ６は、バイアス用コイルＬＢ２と同じコアに巻回されている。また、コイル７およびコイルＬ８は、それぞれインダクタンスの調整が可能なコイルである。
【００２３】
コイルＬ５とバイアス用コイルＬＢ１は、バイアス用コイルＬＢ１に垂直偏向電流Ｉｖが流れるとコイルＬ５のインダクタンスが減少するように巻回されている。同様に、コイルＬ６とバイアス用コイルＬＢ２は、バイアス用コイルＬＢ２に垂直偏向電流Ｉｖが流れるとコイルＬ６のインダクタンスが減少するように巻回されている。このため、コイルＬ５，Ｌ６に流れる電流は、バイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２に流れる垂直偏向電流Ｉｖによって変調される。なお、コイルＬ７，Ｌ８に流れる電流は、垂直偏向電流Ｉｖによっては変調されない。
【００２４】
このブリッジ回路７０では、可飽和リアクタ１５から供給された水平偏向周期のパラボラ電流が、バイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２に流れる垂直偏向電流Ｉｖに応じて変調され、上記水平偏向周期のパラボラ電流を垂直偏向周期で変調した電流がコンバーゼンス補正用コイルＬｃに供給される。そして、コンバーゼンス補正用コイルＬｃは、上記供給された電流に応じて、コンバーゼンス補正磁界を発生する。
【００２５】
コンバーゼンス補正装置１００のミスコンバーゼンス補正動作について以下に説明する。
【００２６】
図３は可飽和リアクタ１５の回路動作の原理を説明する図である。また、図４は可飽和リアクタ１５の入出力電流波形図であり、（Ａ）は入力電流である水平偏向電流Ｉｈの波形図、（Ｂ）は出力電流である水平偏向周期のパラボラ電流の波形図である。まず、図３および図４を用いて可飽和リアクタ１５の回路動作について説明する。
【００２７】
可飽和リアクタ１５の入力端子Ｈ１，Ｈ２には、水平偏向コイルＬＨ１を介して、図４（Ａ）に示す水平偏向電流（水平偏向周期のノコギリ波電流）Ｉｈが供給される。この水平偏向電流Ｉｈは、例えば、水平偏向周期の前半では入力端子Ｈ１に流れ込み、水平偏向周期の後半では入力端子Ｈ２に流れ込む。
【００２８】
図３（Ａ）に実線の矢印で示すように、水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ１に流れ込む場合には、コイルＬ１は永久磁石２１の固定バイアス磁界とは逆方向の磁界を発生し、コイルＬ２は永久磁石２２の固定バイアス磁界と同じ方向の磁界を発生する。
【００２９】
この水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ１に流れ込む場合には、コイルＬ１が発生した磁界によってドラムコア１１においての磁界は減少するので、ドラムコア１１の磁界飽和の傾向は弱くなり、コイルＬ１のインダクタンスは増加する。また、コイルＬ２が発生した磁界によってドラムコア１２においての磁界は増加するので、ドラムコア１２の磁界飽和の傾向は強くなり、コイルＬ２のインダクタンスは減少する。これによって、インダクタンスが大きいほうの１次側コイルＬ１の２次側コイルＬ３に誘起される電流が増加する。
【００３０】
一方、図３（Ｂ）に破線の矢印で示すように、水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ２に流れ込む場合には、コイルＬ１は永久磁石２１の固定バイアス磁界と同じ方向の磁界を発生し、コイルＬ２は永久磁石２２の固定バイアス磁界とは逆方向の磁界を発生する。
【００３１】
この水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ２に流れ込む場合には、コイルＬ１が発生した磁界によってドラムコア１１においての磁界は増加するので、ドラムコア１１の磁界飽和の傾向は強くなり、コイルＬ１のインダクタンスは減少する。また、コイルＬ２が発生した磁界によってドラムコア１２においての磁界は減少するので、ドラムコア１２の磁界飽和の傾向は弱くなり、コイルＬ２のインダクタンスは増加する。これによって、インダクタンスの大きいほうの１次側コイルＬ２の２次側コイルＬ４に誘起される電流が増加する。
【００３２】
このように、水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ１に流れ込む期間では、２次側コイルＬ３の誘起電流が増加し、水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ２に流れ込む期間では、２次側コイルＬ４の誘起電流が増加する。
【００３３】
そして、水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ１に流れ込む期間では、図１に実線の矢印で示すように、２次側コイルＬ３の誘起電流が出力端子Ｐ１からブリッジ回路７０に流れ込み、水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ２に流れ込む期間では、図１に破線の矢印で示すように、２次側コイルＬ４の誘起電流が出力端子Ｐ１からブリッジ回路７０に流れ込む。
【００３４】
このように、水平偏向電流Ｉｈが入力端子Ｈ１に流れ込む期間と入力端子Ｈ２に流れ込む期間のいずれにおいても、上記２次側コイルの誘起電流は、可飽和リアクタ１５の出力端子Ｐ１からブリッジ回路７０に流れ込み、ブリッジ回路７０を流れた電流は、可飽和リアクタ１５の出力端子Ｐ２に流れ込む。
【００３５】
つまり、可飽和リアクタ１５は、１次側に流れる水平偏向電流Ｉｈの方向が反転しても、補正ブリッジ回路７０に同じ方向の電流を出力する。従って、可飽和リアクタ１５の出力電流は、図４（Ｂ）に示すように、パラボラ電流（パラボラ波の電流またはパラボラ波に近似した電流）となる。
【００３６】
バイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２（入力端子Ｖ１，Ｖ２）には、垂直偏向コイルＬＶ１を介して、垂直偏向電流（垂直偏向周期のノコギリ波電流）Ｉｖが供給される。この垂直偏向電流Ｉｖは、例えば、垂直偏向周期の前半では入力端子Ｖ１に流れ込み、垂直偏向周期の後半では入力端子Ｖ２に流れ込む。
【００３７】
バイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２に垂直偏向電流Ｉｖが流れると、これらのバイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２を巻回したコアのバイアス磁界が、垂直偏向電流Ｉｖに応じて変化する。このため、バイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２と同じコアにそれぞれ巻回されているブリッジコイルＬ５，Ｌ６のインダクタンスが、垂直偏向電流Ｉｖに応じて変化する。
【００３８】
垂直偏向電流Ｉｖの値が増加すると、ブリッジコイルＬ５，Ｌ６のインダクタンスが減少して、コイルＬ５に流れる電流ｉ２（図１参照）とコイルＬ８に流れる電流ｉ３（図１参照）とに差を生じる。そして、その差電流ｉ４（図１参照）がコンバーゼンス補正用コイルＬｃに流れる。
【００３９】
この電流ｉ４は、垂直偏向電流Ｉｖによって変調されることとなるので、コンバーゼンス補正用コイルＬｃには、垂直偏向周期で変調された水平偏向周期のパラボラ電流が流れる。
【００４０】
このように、可飽和リアクタ１５の１次側コイルＬ１，Ｌ２に水平偏向電流Ｉｈを流すと、可飽和リアクタ１５の２次側コイルＬ３，Ｌ４に水平偏向周期のパラボラ電流が生成され、この水平偏向周期のパラボラ電流は、ブリッジ回路７０にブリッジコイルＬ５〜Ｌ８に供給されて、バイアス用コイルＬＢ１，ＬＢ２に流れる垂直偏向電流Ｉｖによって変調され、この垂直偏向周期で変調された水平偏向周期のパラボラ電流がコンバーゼンス補正用コイルＬｃに供給され、コンバーゼンス補正用コイルＬｃはこの供給された電流に応じたコンバーゼンス補正磁界を発生する。
【００４１】
可飽和リアクタ１５では、ドラム部の円筒面を対向させて並置されたドラムコア１１，１２の一方の端（同じ側）に、互いに逆方向の固定バイアス磁界を発生する永久磁石２１，２２を並置しているので、ドラムコア１１，１２と永久磁石２１，２２の間に閉磁路を形成できる。これによって、永久磁石の固定バイアス磁界による漏れ磁界を従来よりも低減できるので、この漏れ磁界が電子ビームのランディング特性に影響を及ぼすことに起因して発生するミスランディングや画歪みを防止できる。
【００４２】
また、永久磁石２１，２２の固定バイアス磁界がドラムコア１１，１２に無駄なく作用するので、従来よりも磁力の弱い永久磁石を使用したとしても、従来と同等レベルの固定バイアス磁界をドラムコア１１，１２に形成することができる。
【００４３】
また、可飽和リアクタ１５では、並置された永久磁石２１，２２のドラムコア１１，１２が並置されていない側にフェライト２０を設けている。これによって、永久磁石２１，２２とフェライト２０の間にも閉磁路を形成でき、ドラムコア１１，１２、永久磁石２１，２２、およびフェライト２０間を閉磁路とすることができるので、上記漏れ磁界をさらに低減することができる。
【００４４】
また、可飽和リアクタ１５では、１次側コイルＬ１と２次側コイルＬ３のコイル間は層間絶縁紙１３で絶縁されており、１次側コイルＬ２と２次側コイルＬ４のコイル間は層間絶縁紙１４で絶縁されている。これによって、可飽和リアクタ１５の出力端子Ｐ１，Ｐ２に接続されるブリッジ回路７０を、水平偏向回路の高電位から絶縁することができる。
【００４５】
以上のように本発明の実施の形態によれば、可飽和リアクタ１５のドラムコア１１，１２と永久磁石２１，２２の間に閉磁路を形成できるので、可飽和リアクタ１５からの漏れ磁界を低減でき、この漏れ磁界が電子ビームのランディング特性に影響を及ぼすことに起因して発生するミスランディングや画歪みを防止できる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、第１および第２のドラムコアと第１および第２の永久磁石の間に閉磁路を形成できるので、漏れ磁界を低減でき、この漏れ磁界が電子ビームのランディング特性に影響を及ぼすことに起因して発生するミスランディングや画歪みを防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のコンバーゼンス補正装置の回路図である。
【図２】図１のコンバーゼンス補正装置においての可飽和リアクタの構成図である。
【図３】図１のコンバーゼンス補正装置においての可飽和リアクタの回路動作の原理を説明する図である。
【図４】図１のコンバーゼンス補正装置においての可飽和リアクタの入出電流波形図である。
【符号の説明】
１１  第１のドラムコア、  １２  第２のドラムコア、  １３，１４  層間絶縁紙、  １５  可飽和リアクタ、  ２０  フェライト、  ２１  第１の永久磁石、  ２２  第２の永久磁石、  ７０  ブリッジ回路、  １００  コンバーゼンス補正装置、  Ｌ１，Ｌ２  １次側コイル、  Ｌ３，Ｌ４  ２次側コイル、  Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８  ブリッジコイル、  ＬＢ１，ＬＢ２  バイアス用コイル、Ｌｃ  コンバーゼンス補正用コイル、  ＬＨ１  水平偏向コイル、  ＬＶ１  垂直偏向コイル。
【図１】
2004266400.tif 000003
【図２】
2004266400.tif 000004
【図３】
2004266400.tif 000005
【図４】
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