(57)【要約】【課題】コストを低減した半導体ウエハ及び太陽電池を提供する。【解決手段】シリコンブロックからスライス、スラリ洗浄、ウエハ洗浄を経て製造される半導体ウエハの歩留まり率の向上は、シリコンブロック表面にビッカース硬度（Ｈｖ）が３００以上を有する膜を形成させることによって解決される。当該膜の厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。また、太陽電池の製造工程は、このとき製造された半導体ウエハを使用することによって簡略化される。また、前記膜を太陽電池の裏面電極側のシリコン露出部に形成した太陽電池を使用することによって、太陽電池モジュールの製造時の歩留まりが向上する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビッカース硬度が３００以上である膜をシリコンブロックの表面に形成し、前記膜が形成された前記シリコンブロックからシリコンウエハを切り出すことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
【請求項２】
前記膜は、１０μｍ以上の厚さであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項３】
前記膜は、特に酸化膜及び／又は窒化膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項４】
前記酸化膜及び／又は窒化膜は、酸化チタン、アルミナ、チタンカーバイド、酸化珪素、窒化珪素、又はこれらの材料が２以上組み合わされた合金のいずれかであることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項５】
前記酸化膜及び／又は窒化膜は、プラズマ溶射法によって前記シリコンブロックの表面に形成することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の膜が前記半導体ウエハの側端面に形成されていることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項７】
前記膜は、特に酸化膜及び／又は窒化膜であることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウエハ。
【請求項８】
前記酸化膜及び／又は窒化膜は、酸化チタン、アルミナ、チタンカーバイド、酸化珪素、窒化珪素、又はこれらの材料が２以上組み合わされた合金のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の半導体ウエハ。
【請求項９】
ビッカース硬度が３００以上である膜をシリコンブロックの表面に形成する工程と、
このシリコンブロックからシリコンウエハを切り出す工程と、
切り出したシリコンウエハの受光面側に接合層を形成する工程と、
このシリコンウエハの表裏面に電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
ビッカース硬度が３００以上である膜を、電池形成後の太陽電池の裏面外周部から中心方向に一定幅で形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記一定幅が２ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ及び太陽電池に関し、特にそれらの製造効率の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン結晶系太陽電池には、ｐ型シリコン半導体ウエハの基板にｎ型不純物拡散層を設けてｐｎ接合を形成した半導体ウエハ等が用いられる。
【０００３】
従来、太陽電池の製造は、図７に示す工程で行われる（例えば、特許文献１第２図参照）。多結晶シリコン太陽電池の製造方法を、図７を参照して説明する。
【０００４】
まず、角型のｐ型シリコンインゴットを、バンドソーを用いて角柱状のシリコンブロックに切断する。その後、適宜、バンドソーを用いてシリコンブロックの不必要な部分を切断し、角柱の稜の部分に面取りを施す。そして、寸法合わせのためにブロックの表面を研削、研磨してシリコンブロック７０１とする（工程ａ）。
【０００５】
次に、このシリコンブロック７０１を、図示しないマルチワイヤーソーの保持板に接着し、マルチワイヤーソーで、例えば厚さ０．３ｍｍの薄板状のウエハにスライスし、そのまま荒洗浄であるスラリ洗浄を行う。この後、保持板からウエハを剥離し、表面の付着物を除去するために図示しない洗浄用のカセットに挿入してウエハ洗浄を行う。そして検査を経て使用可能な半導体ウエハであるウエハ７０２になる（工程ｂ）。
【０００６】
太陽電池の製造工程では、工程ｂでウエハ７０２の表面及び裏面に形成されたダメージ層７０３を除去するためにケミカルエッチングが行われる（工程ｃ）。
【０００７】
次に、ウエハ７０２の受光面（表面）側にリン含有薬液７０４を塗布し（工程ｄ）、リンを拡散させて、ｎ＋層７０５を形成する（工程ｅ）。一般的に、この拡散工程は９００℃の下３０分間保持して行われる。このとき、図７に示すようにｎ＋層７０５は、ウエハ７０２の表面のみならず、アウトディヒュージョンにより側端面及び裏面にも形成されている。従って、ウエハ表裏間を分割してこの間の導通を絶縁する接合分離を行う必要がある。
【０００８】
接合分離は、ｎ＋層７０５が形成されたウエハの表面にレジスト（保護膜）を塗布してレジスト層を形成し（工程ｇ）、ウエハ７０２に対してケミカルエッチングを行って、ウエハ７０２の側端面及び裏面部分にある不必要なｎ＋層を除去することによって行う（工程ｈ）。なお、このケミカルエッチングにはフッ酸、硝酸等を使用し、有機溶剤を用いてレジスト層を除去する。このとき、ウエハ７０２表面にのみｎ＋層７０５が形成されている。ここで、太陽電池７０６が形成される。
【０００９】
太陽電池モジュールは、以下の工程に従って製造される。
【００１０】
まず、太陽電池７０６の両面にそれぞれ電極を形成する。すなわち、表面側のｎ＋層７０５に銀ぺーストを印刷して表面電極７０７を形成し、裏面側にアルミニウムが数パ一セント混入された銀ぺースト（以下、アルミペーストという。）を印刷して裏面電極７０８を形成し、所定の温度で焼成する（工程ｉ）。
【００１１】
ディップはんだ付けによってはんだ７０９を表面電極７０７及び裏面電極７０８に被覆する。なおこのとき、太陽電池７０６の裏面電極７０８側の外周部から中心に向けて、アルミぺーストも印刷されておらず、はんだ付けもされていないシリコン露出部分７１０が残る。
【００１２】
次に、太陽電池７０６表面に形成された表面電極７０７と、同様にして形成された他の太陽電池の裏面に形成された裏面電極とを順次直列に接続し、所定枚数直列に接続したものを樹脂でサンドイッチにし、ラミネート状にして太陽電池モジュールとなる。
【００１３】
以上説明した従来の工程において、ウエハは、スラリ洗浄又はウエハ洗浄の際にウエハ外周部に微小なチップ、ニック、欠けが発生し損傷するために、使用可能なウエハの歩留りが低下するという問題が生じていた。
【００１４】
この問題は、洗浄治具内でのウエハ同士の衝突、保持板からのウエハ剥離時におけるウエハ保持治具への衝突、洗浄時の振動、あるいはウエハカセットへの挿入時や洗浄機内での超音波によるウエハの振動により、ウエハに何らの衝撃が加わることに起因していた。
【００１５】
また、上述のように接合分離を行う必要があることから、太陽電池の製造方法ではレジスト塗布工程（工程ｇ）、ケミカルエッチング工程（工程ｈ）、ケミカルエッチング後のレジスト除去工程等が必要となる。また、この製造方法はレジスト、フッ酸、硝酸、有機溶剤等の材料が多量に必要となる問題が生じていた。
【００１６】
また、太陽電池モジュールを製造する工程においてはラミネート状とする際に太陽電池の裏面電極のシリコン露出部７１０から、クラックが入り割れにつながる問題が生じていた。
【００１７】
すなわち、ウエハの損傷による歩留りの低下、太陽電池の製造における接合分離の工程、及び太陽電池モジュールの製造時のクラック発生による歩留まりの低下が要因となって、ウエハ、太陽電池及び太陽電池モジュールの製造コストが高くなるという問題点があった。
【００１８】
上記の問題点を解決する方法として、シリコンブロック表面に厚さ０．５μｍ乃至１．０μｍ程度の酸化珪素又は窒化珪素膜を形成させた後、ウエハをスライスする方法が提案されている（特許文献１第１図参照）。
【００１９】
【特許文献１】
特公平６−３６４２８号公報
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１に示される方法では太陽電池の製造工程において接合分離を行わなくてもよい効果はあるが、半導体ウエハ（ウエハ）の損傷による歩留まり低下、又は太陽電池モジュール製造の際のクラック発生による歩留まり低下の問題までは解決されていない。
【００２１】
また、近年、ウエハのコストダウンのためにウエハの薄型化を進めると、スライスされたウエハをスラリ洗浄するとき等における接触・振動等に一層敏感になり、ウエハ外周部に微小なチップ、ニック、欠けの発生が更に促されて歩留りがより低下する状況となっている。また、太陽電池又は太陽電池モジュールの製造ラインにおいても、割れによる歩留り低下を引き起こす結果となっている。
【００２２】
そこで本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、半導体ウエハ及び太陽電池モジュール製造時の歩留まりを向上させると共に太陽電池の製造工程を簡略化させ、製造コストを低減することのできる半導体ウエハ及び太陽電池を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、ビッカース硬度が３００以上である膜をシリコンブロックの表面に形成し、前記膜が形成された前記シリコンブロックからシリコンウエハを切り出すことを特徴とすることにより解決される。
【００２４】
前記の膜の形成により、シリコンブロックの表面及びウエハ外周部が補強され、ウエハ外周部の欠陥の発生が抑制されてウエハの損傷を低減することができる。
【００２５】
ここで、ウエハの歩留まりの向上が十分に達成するためには、前記膜の厚さは１０μｍ以上のであることが好ましい。
【００２６】
また、前記膜は、特に酸化膜及び／又は窒化膜であることを特徴とする。
【００２７】
前記酸化膜及び／又は窒化膜としては、酸化チタン、アルミナ、チタンカーバイド、酸化珪素、窒化珪素、又はこれらの材料が２以上組み合わされた合金が有効である。
【００２８】
コストの面で有利であるプラズマ溶射によって十分な性能を有する前記膜を形成することができる。
【００２９】
以上の半導体ウエハの製造方法によると、前記膜が半導体ウエハの側端面に形成されている半導体ウエハが提供される。また、前記膜は、特に酸化膜及び／又は窒化膜であることを特徴とする半導体ウエハが提供される。また、前記酸化膜及び／又は窒化膜は、酸化チタン、アルミナ、チタンカーバイド、酸化珪素、窒化珪素、又はこれらの材料が２以上組み合わされた合金のいずれかであることを特徴とする半導体ウエハが提供される。
【００３０】
これらの膜が半導体ウエハの側端面に形成されている半導体ウエハを用いて、太陽電池を製造することによって、前記膜がドーパントの拡散阻止膜としても作用するので、太陽電池を製造する工程において接合分離の工程を行う必要がなくなる効果も生じる。
【００３１】
すなわち、太陽電池の製造方法においては、ビッカース硬度が３００以上である膜をシリコンブロックの表面に形成する工程と、このシリコンブロックからシリコンウエハを切り出す工程と、切り出したシリコンウエハの受光面側に接合層を形成する工程と、このシリコンウエハの表裏面に電極を形成する工程とを含むことを特徴とすることによって、太陽電池の製造工程が簡略化されて製造コストが低減する。
【００３２】
また、太陽電池の製造方法において、ビッカース硬度が３００以上である膜を、電池形成後の太陽電池の裏面外周部から中心方向に一定幅で形成する工程とをさらに含むことを特徴とする。
【００３３】
この工程によって、太陽電池の裏面電極のシリコン露出部が前記膜によって補強されるので、太陽電池モジュールの製造時におけるその部分からのクラックの発生が抑制される。
【００３４】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の実施の形態におけるシリコン半導体ウエハ、太陽電池及び太陽電池モジュールの製造工程について、図面を参照して説明する。
【００３５】
図１は、本発明の実施に係る太陽電池ウエハ及び太陽電池の製造工程を示している。
【００３６】
ｐ型シリコンブロックの表面に絶縁性の膜を形成させたシリコンブロック１０１を使用して、半導体ウエハであるウエハ１０３を製造する（工程ａ）。なお、この膜１０２は、後の工程で拡散防止膜としても作用する。
【００３７】
ウエハ１０３は、シリコンブロック１０１のスライス、スラリ洗浄及びウエハ洗浄工程を経て製造される。膜１０２の効果により、これらの工程の際に発生するウエハ１０３の損傷を抑制して、ウエハ１０３の歩留まり率を向上させるためには、形成させる膜１０２の硬度が非常に重要であり、形成させた膜１０２のビッカース硬度（以下、Ｈｖとも記す。）が３００以上であることが好ましい。
【００３８】
また、より好ましくは３５０から１０００程度である。ビッカース硬度が３００未満であると、膜が柔らかくウエハの割れの低減が十分なされない。また、ビッカース硬度を１０００程度以上に高めてもその効果はそれ以上向上しない。
【００３９】
なお、その膜の硬さを評価する上で、ビッカース硬度によることが非常に有効である。本発明では、ビッカース硬度の測定は、ＪＩＳ規格Ｚ７７２５のビッカース硬さ試験機を使用して、ＪＩＳ規格Ｚ２２４４のビッカース硬さ試験方法に従って行った。
【００４０】
また、膜の厚さは１０μｍ以上であることが好ましい。また、１５〜２００μｍ程度がより好ましい。膜の厚さが１０μｍ未満であると、効果が薄くウエハの割れの低減が十分なされない。また、膜の厚さは必要な程度に厚くすればよい。
【００４１】
絶縁性の膜１０２の材料としては、フェノール樹脂等の各種合成樹脂、アモルファス金属・合金、ガラス、酸化物、窒化物等を上げることができる。
【００４２】
また、ビッカース硬度の高い膜の形成が容易である点等を考慮すると酸化物及び窒化物がより好ましく、その中でも、酸化チタン、アルミナ、チタンカーバイド、酸化珪素、窒化珪素やそれらの材料を組み合わせた合金などの膜が好ましい。
【００４３】
この膜１０２を形成する方法としては、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）、溶射、浸漬法等があるが特に限定されない。固体表面への膜の形成には、ＣＶＤ法が一般によく利用される。しかし、ＣＶＤ法では膜質の制御が容易である等の利点があるが、コストが高くなる欠点があり、特に大きなブロックに対して実施する際には、時間がかかりコストがかさむことになる。
【００４４】
本発明においては、低コストで膜を形成する手段としてプラズマ溶射法を採用した。ここで、プラズマ溶射機は市販のものを用いることができる。プラズマ溶射法では、例えば、１５５ｍｍｘ１５５ｍｍｘ２００ｍｍのシリコンブロックの表面に酸化チタンの膜を２０μｍの厚さに形成する場合に１５分程度の時間で行うことができる。一方、ＣＶＤ法で同様の膜を形成させるには、８時間程度のかなりの長時間を必要とする。
【００４５】
次に、ウエハ１０３を使用して行う太陽電池の製造方法について引き続き図１を参照して説明する。
【００４６】
ウエハ１０３には、その側端面に拡散阻止膜として作用する膜１０２が残留しているので、接合分離を行わないで太陽電池を製造することができる。
【００４７】
まず、ダメージ層１０４をケミカルエッチングによって除去する（工程ｂ）。このケミカルエッチングは、例えば８５℃の下、２％のＮａＯＨ水溶液に３０分間浸漬することで行われるが、拡散阻止膜である膜１０２は、このケミカルエッチング工程で除去されない。
【００４８】
次に、ウエハ１０１の受光面（表面）側にリン含有薬剤１０５を塗布し拡散することによって、ｎ＋層１０６をウエハ１０２の表面に形成する（工程ｃ、ｄ）。ウエハ１０３側端面には拡散阻止膜である膜１０２が既に形成されているので側端面にはｎ＋層１０６は形成されず、表面及び裏面に形成されるｎ＋層１０６は初めから接合分離が行われている。つまり、拡散阻止膜である膜１０２がウエハ１０３側面に形成されているためにドーパントがウエハ１０３内部に拡散されることはない。薬液を除去して、太陽電池１０７が形成される（工程ｅ）。
【００４９】
太陽電池１０７の表面及び裏面に形成されたｎ＋層１０６に表面電極１０８及び裏面電極１０９をそれぞれ形成する（工程ｆ）。表面電極１０８には銀ぺーストを印刷し、裏面電極１０９にはアルミペーストを印刷して、６５０〜７００℃で焼成する。そして、表面電極１０８及び裏面電極１０９にディップはんだ付けによってはんだ１１０を被覆する（工程ｇ）。
【００５０】
このとき、太陽電池１０７の裏面電極１０９側には、外周部から中心にかけて１ｍｍから２ｍｍ程度の幅でアルミぺーストも印刷されておらずはんだ付けもされていないシリコン露出部分１１１が残る。
【００５１】
太陽電池モジュールの製造は、太陽電池を所定の枚数直列に接続したものを樹脂でサンドイッチにし、ラミネート状にして行う。このとき、前もって、太陽電池の裏面外周部から中心方向にシリコン露出部を覆うようにＨｖが３００以上の膜を形成する。
【００５２】
これによって、シリコン露出部が補強され、太陽電池モジュールの製造時におけるシリコン露出部でのクラック発生が抑制される。
【００５３】
更に、シリコン露出部が膜で覆われていないために、その部分にクラックの入った太陽電池に対してもＨｖが３００以上の膜を形成させることができる。このとき、クラックの入った太陽電池は、クラックのない太陽電池と同等の機械的強度を有する使用可能な太陽電池として再生される。
【００５４】
以下、本発明のより具体的な実施の形態は、実施例によって図面を参照して説明する。
【００５５】
【実施例１】
ビッカース硬度の異なる膜をそれぞれ表面に形成した、サイズが１５５ｍｍｘ１５５ｍｍｘ２００ｍｍである複数個の多結晶シリコンブロックを作製し、そのシリコンブロックからサイズが１５５ｍｍｘ１５５ｍｍｘ０．３ｍｍのウエハを製造した。
【００５６】
このシリコンブロック表面への膜の形成は、プラズマ溶射法によって行い、２０μｍの厚さの酸化チタン膜を形成した。このとき、１回の膜の形成プロセスに要した時間は１５分間であった。
【００５７】
次に、膜を形成させた各々のブロックを保持板に接着し、マルチワイヤーソーでスライスした。そして、スライスの後、スラリ洗浄及びウエハ洗浄を行った。
【００５８】
そして、各ビッカース硬度の異なる膜を表面に形成したブロックからウエハを製造した場合に割れが発生していないウエハの割合（ウエハの歩留まり）を調べた。また、膜が形成していないシリコンブロックからウエハを製造した場合のウエハの歩留まりに対する比率（ウエハの歩留まり率）を求めた。
【００５９】
図２は、シリコンブロック表面の膜のビッカース硬度に対するウエハの歩留まり率を示している。ここで、膜を形成させていないシリコンブロックを用いてウエハを製造したときの歩留りを１としている。
【００６０】
図２に示すように、膜のＨｖが２８０以下の場合、歩留り率が１．０１程度であり、Ｈｖが３００を超えると、歩留り率が１．０２〜１．０３に急上昇した。更にビッカース硬度を高めると歩留り率が１．０４となった。このように、シリコンブロックの表面にＨｖが３００以上の膜を形成させることにより、ウエハの割れが抑制され歩留り率がかなり向上した。
【００６１】
各々ビッカース硬度の異なるブロックから得られたウエハの外周部のエッジ部を、顕微鏡にて１００倍の倍率で観察し、そこに発生したチップ、ニック、欠けの数を数えた。図３は、シリコンブロック表面の膜のビッカース硬度に対するチップ、ニック、欠けの数を示している。ここで、膜を形成させないシリコンブロックを用いて製造したウエハに発生するチップ、ニック、欠けの数を１００％としている。
【００６２】
図３に示すように、Ｈｖが３００の膜を形成することにより、チップ、ニック、欠けの個数が半分程度に激減した。これら、チップ、ニック、欠けが、ウエハの割れの主な原因であると一般的に考えられているが、このようにチップ、ニック、欠けの個数の大幅に低減したことにより、ウエハの歩留まり率が大きく向上したと考えられる。
【００６３】
【実施例２】
成膜時間を変化させて種々の膜の厚さにした以外は、実施例１と同様にして酸化チタン膜をシリコンブロック表面に形成させた。
【００６４】
図４は、シリコンブロック表面の膜の厚さに対するウエハ製造時のウエハの歩留まり率を示す。ここで、膜を形成させないシリコンブロックを用いて、ウエハを製造したときのウエハの歩留まりを１としている。
【００６５】
図４から膜厚が１０μｍに満たない場合には、歩留り率が１．０１以下であるが、膜の厚さが１０μｍ以上になるとウエハ歩留り率が急上昇し、膜の厚さが２０μｍでは歩留り上昇率が１．０３程度となった。以上、厚さ１０μｍ以上の膜をつけることが、割れ歩留りを低減させることに非常に有効であった。
【００６６】
【実施例３】
実施例１及び２と同様な方法で、ビッカース硬度Ｈｖを３００、膜の厚さを２０μｍとし、膜の材料として、酸化チタン、アルミナ、チタンカーバイド、酸化珪素、窒化珪素及び酸化チタンとアルミナ合金の膜を形成させた。
【００６７】
それぞれの膜の場合における歩留り率は以下のようになった。酸化チタンの場合は１．０４０、アルミナの場合は１．０３０、チタンカーバイドの場合は、１．０３２、酸化珪素の場合は１．０３３、窒化珪素及び酸化チタンとアルミナ合金の場合は１．０３６であった。なお、膜を形成させないシリコンブロックを用いたときのウエハの歩留りを１としている。
【００６８】
いずれの膜においても、割れ歩留りを低減させることに非常に有効であった。
【００６９】
【実施例４】
太陽電池の裏面の外周部から内部にかけて、プラズマ溶射によって膜を形成し、その太陽電池を用いて太陽電池モジュールを製造して太陽電池モジュールの歩留まりを調べた。
【００７０】
図５は、太陽電池裏面５０１に膜を形成した様子を示す。太陽電池裏面５０１は、周辺から１ｍｍから２ｍｍ程度のシリコンウエハ露出部５０４と、アルミペースト部５０３と、配線に使用するはんだ部５０２とからなる。
【００７１】
太陽電池の外周部から中心に向けての裏面縁部（膜の部分５０５）にかけて、Ｈｖが３００で、厚さが３０μｍの酸化チタン膜を形成した。そして、膜の幅５０６の異なる太陽電池を製造し、各々の太陽電池を用いて太陽電池モジュールをそれぞれ製造し、膜の幅５０６が与える太陽電池モジュールの歩留まり率を調べた。
【００７２】
図６は、膜の幅５０６に対する太陽電池モジュールの歩留まり率を示す。ここで、膜の幅５０６がゼロすなわち膜を全く形成しない太陽電池を用いたときの太陽電池モジュールの歩留まりを１としている。
【００７３】
図６より、膜の幅５０６が２ｍｍを超えた付近から、急激に歩留まり率が向上した。この歩留まりの向上の主たる要因は、配線装置の位置決め時及び搬送時にピンやカセットに当たる部分であるシリコン露出部５０４の衝撃強度が向上した効果と考えられる。
【００７４】
【実施例５】
クラックの入った太陽電池の裏面に実施例４と同様に膜を形成した。
【００７５】
その結果、太陽電池からクラック音（がりがり音）の発生がなくなり、太陽電池セルの強度を測定したところ、２００Ｎから３５０Ｎに向上した。
【００７６】
溶射を行わない太陽電池セルの強度が３５０Ｎ程度であることから、クラックの入った太陽電池に実施例４と同様の溶射を行うことにより、クラックの入った太陽電池をクラックのない太陽電池と同等品に再生することが可能となることが示された。
【００７７】
以上、本発明の実施の形態、実施例を説明したが、本発明はこれらの実施の形態、実施例に限定されることはなく、多結晶、単結晶いずれのウエハを用いた太陽電池の製造にも適用することが可能である。また、ここではいわゆるコンベンショナル型の太陽電池について説明したが、その他、ＢＳＦ型の太陽電池やシリコン表面がテクスチャ―処理されている太陽電池、反射防止膜（ＡＲＣ）が形成されている太陽電池等についても同様に適用できることはいうまでもない。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると表面に膜を形成したシリコンブロックを使用することにより、ウエハの製造工程におけるウエハの損傷等の問題が解決されウエハの歩留りを向上させることができる。この膜をプラズマ溶射法で形成することにより、低コストで半導体ウエハを製造することができる。
【００７９】
このように製造されたウエハは太陽電池の製造工程における接合分離を必要としない効果も有するので、太陽電池の製造工程が簡略化されコストが低減される。
【００８０】
太陽電池モジュール製造工程において、太陽電池の裏面電極のシリコン露出部を膜によって補強することによって太陽電池に発生する損傷の問題を解決し、太陽電池モジュールの製造コストを低減することができる。
【００８１】
裏面にクラックの入った太陽電池に対して、その裏面に膜を形成することにより、クラックの入った太陽電池を使用可能なものに再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る太陽電池ウエハ及び太陽電池の製造工程を示す図である。
【図２】シリコンインゴット表面の膜のビッカース硬度（Ｈｖ）に対するウエハの歩留まり率を示す図である。
【図３】シリコンインゴット表面の膜のビッカース硬度（Ｈｖ）に対するウエハ外周部のエッジ部に発生するチップ、ニック、欠け数の比率を示す図である。
【図４】シリコンインゴット表面の膜の厚さに対するウエハの歩留まり率を示す図である。
【図５】太陽電池の裏面に膜が形成した様子を示す図である。
【図６】図５に示す膜の幅に対する太陽電池モジュール歩留まり率を示す図である。
【図７】従来の太陽電池ウエハ及び太陽電池の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
１０１  シリコンブロック
１０２  膜（拡散防止膜）
１０３  ウエハ（半導体ウエハ）
１０４  ダメージ層
１０５  りん含有薬液
１０６  ｎ＋層
１０７  太陽電池
１０８  表面電極
１０９  裏面電極
１１０  はんだ
１１１  シリコン露出部
５０１  太陽電池裏面
５０２  はんだ部
５０３  アルミペースト部
５０４  シリコン露出部
５０５  膜の部分
５０６  膜の幅
７０１  シリコンブロック
７０２  ウエハ（半導体ウエハ）
７０３  ダメージ層
７０４  りん含有薬液
７０５  ｎ＋層
７０６  太陽電池
７０７  表面電極
７０８  裏面電極
７０９  はんだ
７１０  シリコン露出部
【図１】
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【図２】
2004304127.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004304127.tif 000007
【図６】
2004304127.tif 000008
【図７】
2004304127.tif 000009