(57)【要約】【課題】記録密度が高く、走行性、耐久性および電磁変換特性が良好であり、リニア方式での記録再生に適した磁気記録媒体を提供する。【解決手段】長尺状の非磁性支持体２上に磁性層３が真空薄膜形成技術によって形成され、リニア方式で信号の記録および再生が行われ、非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤの比ＥＭＤ／ＥＴＤが０．８以上であり、好適には長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤがそれぞれ３０００ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下であり、磁性層が斜方柱状構造の成長方向が異なる２層の強磁性金属薄膜３ａ、３ｂの積層膜である磁気記録媒体１。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の非磁性支持体上に磁性層が真空薄膜形成技術によって形成された磁気記録媒体であって、
リニア方式で信号の記録および再生が行われ、
非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤの比ＥＭＤ／ＥＴＤが０．８以上である
磁気記録媒体。
【請求項２】
前記長手方向のヤング率ＥＭＤと前記幅方向のヤング率ＥＴＤはそれぞれ３０００ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下である
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性層は斜方柱状構造を有する
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性層は複数の強磁性金属薄膜を含む
請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁性層は下層強磁性金属薄膜と、
前記下層強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が前記非磁性支持体の長手方向において前記下層強磁性金属薄膜と逆向きである上層強磁性金属薄膜とを有する
請求項４記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁性層上に形成された保護膜を有する
請求項１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はリニア方式の磁気記録システムに用いられる磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータストレージ用の記録媒体に対しては、さらなる高記録密度が期待されている。いくつかの記録媒体のうちテープ記録媒体は記録保存に要する費用、いわゆるビットコストに優れており、その重要性はますます高まっている。テープストレージには大きく分けて、ヘッドが回転するドラム上に配置されているヘリカルスキャン方式と、ヘッドが固定されていてテープが何度も往復するリニア方式の２方式が存在する。
【０００３】
ヘリカルスキャン方式はビデオカムコーダに利用されており、特に磁性層を真空蒸着法にて成膜した、いわゆる蒸着テープとの組み合わせで高い記録密度を実現している。一方、リニア方式はコンピュータのストレージの分野で広く採用されており、テープコストの安い、いわゆる塗布型テープとの組み合わせで大容量を実現してきた。
【０００４】
塗布型テープは、磁性粉末と結合剤を含む磁性塗料の塗布によって磁性層が形成されるテープ記録媒体である。データストレージに用いられるリニア方式のテープ記録媒体として、ＤＬＴ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｌｉｎｅａｒ  ｔａｐｅ）やＬＴＯ（ｌｉｎｅａｒ  ｔａｐｅ−ｏｐｅｎ）が市販されているが、これらは塗布型テープである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、データストレージ用途のテープ記録媒体において、さらなる大容量化に対し、リニア方式と塗布型テープの組み合わせでは十分に対応することができなくなりつつある。そこで、高記録密度化が可能な蒸着テープをリニア方式で利用する検討が始まっている。また、単位体積当たりの記録密度を向上させるため、磁性層が形成されている非磁性支持体をより薄層化し、より長い磁気テープをカセットに組むことが重要になってきている。
【０００６】
しかしながら、薄層化した非磁性支持体上に、磁性層を真空薄膜形成技術により形成すると、その応力により幅方向に湾曲が生じる（カッピング）。カッピングが適度に調整されていない場合、テープの走行性が悪化する。また、テープに変形や損傷が生じやすくなり、テープの耐久性が低くなる。リニア方式ではヘリカルスキャン方式よりもテープを高速で走行させるため、テープ記録媒体に高い走行耐久性が要求される。
【０００７】
また、カッピングによりテープは磁性層側に凸となり、テープとヘッドの接触状態（ヘッドタッチ）がテープ幅方向において一様とならない。カッピングが適度に調整されていない場合、テープのヘッドタッチが悪化して、テープ幅方向におけるエッジ部分で得られる出力が小さくなる。リニア方式ではテープ幅方向に複数のヘッドを並べて、テープ長手方向に平行に形成された複数のトラックに同時に記録・再生を行うため、カッピングが適度に調整されていない場合、良好な電磁変換特性が得られなくなる。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、記録密度が高く、走行性、耐久性および電磁変換特性が良好であり、リニア方式での記録再生に適した磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体上に磁性層が真空薄膜形成技術によって形成された磁気記録媒体であって、リニア方式で信号の記録および再生が行われ、非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤの比ＥＭＤ／ＥＴＤが０．８以上であることを特徴とする。好適には、前記長手方向のヤング率ＥＭＤと前記幅方向のヤング率ＥＴＤはそれぞれ３０００ＭＰａ以上１００００ＭＰａ以下である。また、好適には、前記磁性層は斜方柱状構造を有し、下層強磁性金属薄膜と、前記下層強磁性金属薄膜上に形成され、斜方柱状構造の成長方向が前記非磁性支持体の長手方向において前記下層強磁性金属薄膜と逆向きである上層強磁性金属薄膜とを有する。好適には、磁性層上に保護膜が形成されている。
【００１０】
これにより、非磁性支持体のカッピングが適切に調整され、記録・再生時の磁気記録媒体の走行性が良好となる。また、磁気記録媒体をヘッドに対して繰り返し走行させた場合も、磁気記録媒体に変形や損傷が生じにくくなり、テープの耐久性が高くなる。したがって、本発明の磁気記録媒体はテープを高速で走行させるリニア方式に好適である。また、ヘッドタッチが良好となり、電磁変換特性が向上する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の磁気記録媒体の実施の形態について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を示す断面図である。図１に示す磁気記録媒体１は、長尺状の非磁性支持体２の一方の面に磁性層３、保護膜４および潤滑剤層５が順に積層された構造を有する。磁性層３は真空薄膜形成技術によって形成され、下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂが積層された２層構造を有する。非磁性支持体２の他方の面には、バックコート層６が形成されている。
【００１２】
本実施形態の磁気記録媒体１において、非磁性支持体２の長手方向（ＭＤ；ｍａｃｈｉｎｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）のヤング率ＥＭＤと幅方向（ＴＤ；ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）のヤング率ＥＴＤの比ＥＭＤ／ＥＴＤは０．８以上とする。これにより、磁気記録媒体１のカッピングが低減され、テープ走行時のヘッドタッチが良好となる。カッピングが低減されることにより、テープのエッジ部分においても良好なヘッドタッチが確保される。これにより、安定した走行性が得られ、テープの耐久性および電磁変換特性が向上する。
【００１３】
次に、上記の磁気記録媒体１を構成する各層について詳細に説明する。非磁性支持体２としては例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック材料からなるフィルムが挙げられる。
【００１４】
非磁性支持体２の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤを調整するには、未延伸のプラスチックフィルムにおいて、当該フィルムを加熱された複数のロール群に導き、長さ方向の延伸を行う。冷却後引き続き、加熱された熱風雰囲気中で幅方向に延伸する。このときの延伸の程度によりヤング率を調整することができる。
【００１５】
非磁性支持体２の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤは、それぞれ３０００〜１００００ＭＰａであることが好ましい。これらのヤング率ＥＭＤ、ＥＴＤが３０００ＭＰａ未満の場合、実用上十分なテープ強度が得られなくなる。一方、これらのヤング率ＥＭＤ、ＥＴＤが１００００ＭＰａを超える場合、非磁性支持体２の表面性が悪化する。これにより、磁性層３の膜質が悪化して、良好な電磁変換特性が得られなくなる。
【００１６】
カッピングを上記の所定の範囲内にできれば、非磁性支持体２と磁性層３の界面に図示しない下地層を設けてもよい。下地層は磁気記録媒体１の走行性や耐久性を高めたり、磁気記録媒体１の製造過程での取り扱い性（ハンドリング）を向上させたりする目的で、必要に応じて設けられる。下地層は例えば結合剤、フィラー粒子、界面活性剤等を含有させた塗料を非磁性支持体２上に塗布して形成される。
【００１７】
磁性層３となる強磁性金属薄膜としては、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属薄膜の他、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金等あるいはこれらにＣｒ、Ａｌ等の金属が含有された強磁性金属材料からなる薄膜が挙げられる。
【００１８】
磁性層３を形成するための真空薄膜形成技術としては、例えば真空蒸着が挙げられる。磁性層３は、例えば図２に示すような真空蒸着装置を用いて形成される。図２の真空蒸着装置１０では、非磁性支持体２の表面に対して蒸発金属（強磁性金属材料気体）を斜めに蒸着させる（斜方蒸着）。一般に、斜方蒸着によれば、高い保磁力が得られる。
【００１９】
図２に示す真空蒸着装置１０の真空室１１には頭部と底部に排気口１２ａ、１２ｂが設けられ、排気口１２ａ、１２ｂを介して真空室１１内が排気される。真空室１１の内部は例えば１×１０−２〜１×１０−６Ｐａ程度の真空にされる。真空室１１内には供給ロール１３と巻き取りロール１４が設けられ、供給ロール１３と巻き取りロール１４はそれぞれ定速で回転する。
【００２０】
非磁性支持体２は供給ロール１３から図中矢印Ａで示す方向に送り出され、冷却キャン１５の周面に沿って走行した後、巻き取りロール１４に巻き取られる。冷却キャン１５は供給ロール１３や巻き取りロール１４よりも大径で、図中矢印Ｂで示す方向に定速で回転する。供給ロール１３、巻き取りロール１４および冷却キャン１５はそれぞれ非磁性支持体２の幅と同程度の長さの軸を有する円筒状である。冷却キャン１５の内部には図示しない冷却装置が設けられており、冷却キャンは例えば−２０℃程度に冷却される。これにより、非磁性支持体２の温度上昇による変形等が防止されている。
【００２１】
供給ロール１３と冷却キャン１５の間にはガイドロール１６が設けられ、冷却キャン１５と巻き取りロール１４の間にはガイドロール１７が設けられている。非磁性支持体２が供給ロール１３から巻き取りロール１４に円滑に走行するようにガイドロール１６、１７によって非磁性支持体２の張力が適切に調節されている。
【００２２】
真空室１１内には冷却キャン１５と対向するように蒸着源１８が配置されている。蒸着源１８は磁性層３を形成するための金属磁性材料であり、るつぼ１９内に充填されている。るつぼ１９は冷却キャン１５の軸の長さと同程度の幅で形成されている。これにより、非磁性支持体１上に均一に磁性層３を形成することが可能となっている。
【００２３】
真空室１１の側壁には、蒸着源１８を加熱し、蒸発させるための電子銃２０が取り付けられている。電子銃２０から放出された電子線２１が蒸着源１８に照射される。電子線２１の照射により蒸着源１８から蒸発した金属磁性材料が、冷却キャン１５上の非磁性支持体２に堆積することにより、磁性層が形成される。
【００２４】
冷却キャン１５と蒸着源１８との間の冷却キャン１５近傍には、シャッタ２２が設けられている。シャッタ２２は冷却キャン１５上を走行する非磁性支持体２の所定領域を覆う形状で形成されている。これにより、金属磁性材料の非磁性支持体２に対する入射角が所定の範囲に制限され、斜方柱状構造の磁性層が形成される。
【００２５】
図２に示すように、真空室１１の側壁を貫通する酸素ガス導入口２３を、シャッタ２２と冷却キャン１５の間に設けることにより、蒸着雰囲気に酸素を導入できる。この場合、形成される磁性層に酸素が導入される。磁性層の酸化を適切に制御することにより、磁性層の磁気特性や耐久性等を向上させることができる。
【００２６】
なお、図２には蒸着位置の下流側（巻き取りロール１４側）に設けられたシャッタ２２を示しているが、複数のシャッタを設けてもよい。例えば、蒸着位置の上流側（供給ロール１３側）にシャッタを設けたり、上流側と下流側の両方にシャッタを設けたりしてもよい。また、蒸着源の加熱には上記のような電子線による加熱手段の他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を使用できる。
【００２７】
本実施形態の磁気記録媒体の磁性層３は、下層強磁性金属薄膜３ａの斜方柱状構造の傾きと上層強磁性金属薄膜３ｂの斜方柱状構造の傾きが逆となっている。このような２層構造は、リニア方式の磁気記録テープシステムに適している。このような２層構造の磁性層を形成するには、まず、ロール状の非磁性支持体２を一方向に進行させながら斜方蒸着を行い、図１に示す下層強磁性金属薄膜３ａを形成して、図２の巻き取りロール１４によりロール状に巻き取る。その後、巻き取られた巻き取りロールを供給ロール２４に替え、図２に示すようにして再び斜方蒸着を行う。これにより、下層強磁性金属薄膜３ａと斜方柱状構造の向きが異なる上層強磁性金属薄膜３ｂが形成される。
【００２８】
磁性層３の合計の厚さは１０〜１００ｎｍであることが好ましい。磁性層３の合計の厚さが１０ｎｍ未満の場合、十分な再生出力が得られなくなる。一方、磁性層３の合計の厚さが１００ｎｍを超える場合、再生ヘッドにおいて出力が飽和する。ここで、再生ヘッドは磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）または巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）とする。これらのヘッドは再生感度が高い。ＧＭＲヘッドを用いる場合、ＭＲヘッドを用いる場合よりも磁性層３の合計の厚さを薄くすることが好ましい。
【００２９】
下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂの厚さを適宜調整することにより、磁気記録媒体１をヘッドに対して一方向（矢印Ａの方向）に走行させたときと、逆方向（矢印Ｂの方向）に走行させたときの記録再生特性の差が低減される。
【００３０】
保護膜４としては例えばカーボン膜が用いられ、比較的硬度の高いダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜が特に好適に用いられる。保護膜４は例えば化学気相成長（ＣＶＤ）またはスパッタリングにより形成される。ＣＶＤにより保護膜４としてＤＬＣ膜を形成する場合、例えば図３に示すようなＣＶＤ装置を用いる。
【００３１】
図３に示すＣＶＤ装置３０の真空室３１は、真空室３１の頭部に設けられた真空排気系３２によって、内部が高真空状態にされる。真空室３１内には供給ロール３３と巻き取りロール３４が設けられ、供給ロール３３と巻き取りロール３４はそれぞれ定速で回転する。磁性層が形成された非磁性支持体２は、供給ロール３３から図中矢印Ａで示す方向に送り出され、巻き取りロール３４により巻き取られる。
【００３２】
供給ロール３３と巻き取りロール３４の間に、供給ロール３３および巻き取りロール３４よりも大径の対向電極用キャン３５が設けられている。対向電極用キャン３５は図中矢印Ｂで示す方向に定速で回転する。供給ロール３３、巻き取りロール３４および対向電極用キャン３５は、それぞれ非磁性支持体２の幅と同程度の長さの軸を有する円筒状である。
【００３３】
供給ロール３３から送り出された非磁性支持体２は、対向電極用キャン３５の周面に沿って走行し、巻き取りロール３４に巻き取られる。供給ロール３３と対向電極用キャン３５の間にはガイドロール３６が設けられ、対向電極用キャン３５と巻き取りロール３４の間にはガイドロール３７が設けられている。非磁性支持体２が供給ロール３３から巻き取りロール３４に円滑に走行するようにガイドロール３６、３７によって非磁性支持体２の張力が適切に調節されている。
【００３４】
真空室３１内には、対向電極用キャン３５の下方にパイレックス（登録商標）等の耐熱ガラスあるいはプラスチック等からなる反応管３８が設けられている。反応管３８は一方の端部３９が真空室３１の底部を貫通しており、この端部３９から成膜ガスが反応管３８内に導入される。保護膜４の成膜ガスとしては例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレン、アセチレン、プロペン、ブテン、ペンテン、ベンゼン等の炭化水素系ガスが挙げられる。上記の炭化水素系ガス、あるいは炭化水素系ガスと不活性ガスの混合ガスを導入し、真空室３１内を１０〜１００Ｐａ程度の圧力に保持する。
【００３５】
反応管３８内の中間部分に金属メッシュ等からなる電極４０が取り付けられている。電極４０は真空室３１の外部に設けられた直流電源４１と接続されており、例えば５００〜２０００Ｖの電圧が印加される。このＣＶＤ装置３０では、電極４０に電圧が印加されることで電極４０と対向電極用キャン３５との間にグロー放電が生じる。
【００３６】
反応管３８内に導入された成膜ガスは、電極４０と対向電極用キャン３５との間で生じたグロー放電によって分解し、非磁性支持体２上に保護膜４（図１参照）として堆積する。対向電極用キャン３５に例えば−３ｋＶ以上の負電圧を印加することにより、保護膜４の硬度を増大させたり、密着性を高めたりすることもできる。また、ＣＶＤやスパッタリング以外の方法によって保護膜４を形成することもできる。
【００３７】
潤滑剤層５は例えばパーフルオロカルボン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、パーフルオロポリエーテル等の潤滑剤を溶剤に溶解させ、保護膜４上に塗布することにより形成できる。潤滑剤層５を設けることにより、テープ記録媒体の走行性や耐久性が良好となる。
【００３８】
バックコート層６は、非磁性支持体２の磁性層３が形成される側と反対側の面に形成される。バックコート層６は、無機粉末成分と結合剤とを有機溶媒に混合分散させたバックコート用塗料を、非磁性支持体２に塗布することにより形成される。
【００３９】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明の磁気記録媒体をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
非磁性支持体として８μｍ厚、１５０ｍｍ幅、長手方向のヤング率ＥＭＤが５０００ＭＰａ、幅方向のヤング率ＥＴＤが６２００ＭＰａのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、図２に示す真空蒸着装置において２層構造の磁性層を形成した。蒸着条件は蒸着源（インゴット）をコバルト１００ｗｔ％、非磁性支持体に対する金属磁性材料の入射角を４５〜９０°、導入ガスを酸素ガスとした。
【００４０】
上記の蒸着条件で厚さ５０ｎｍ、コバルト−酸素（Ｃｏ−Ｏ）系の下層強磁性金属薄膜３ａを形成した後、非磁性支持体を巻き返さずに、巻き取りロールと供給ロールを入れ替えて、再度、同様の蒸着条件で斜方蒸着を行った。これにより、下層強磁性金属薄膜３ａ上に厚さ２５ｎｍ、Ｃｏ−Ｏ系の上層強磁性金属薄膜３ｂを形成した。下層強磁性金属薄膜３ａと上層強磁性金属薄膜３ｂの斜方柱状構造の成長方向は、非磁性支持体の長手方向（走行方向）において互いに逆向きとなった。
【００４１】
次に、図３に示すＣＶＤ装置において、保護膜としてＤＬＣ膜を形成した。ＤＬＣ膜の成膜条件は、反応ガスをエチレン、反応ガス圧を３０Ｐａ程度、導入電力をＤＣ１．５ｋＶとした。保護膜の厚さは１０ｎｍとした。保護膜上に潤滑剤層を形成した。また、非磁性支持体の磁性層と反対側の面に、カーボンブラックと結合剤を含有するバックコート用塗料を塗布し、厚さ０．５μｍのバックコート層を形成した。以上のようにして磁性層、保護膜、潤滑剤層およびバックコート層が形成された磁気テープ原反を１／２インチ幅に裁断し、サンプルテープを作製した。
【００４２】
得られたサンプルテープ（図１参照）について、以下の方法でカッピング、当たり波形のエンベロープ欠け量の測定を行った。カッピングは、１／２インチ幅のサンプルテープを１２ｃｍの長さで切り出し、磁性層側を上にして幅方向での両端に０．３ｇのおもりを付け、平坦な所に置いて測定した。幅方向において凹型のとき＋、凸型のとき−とし、幅方向での端部と中央部の高さの差をカッピングとして測定した。カッピングが大きくなると、テープの走行性が悪化し、磁気ヘッドに対するテープの当たり（ヘッドタッチ）も悪化する。カッピングが−１．５ｍｍ以内のとき、実用上良好な走行性が得られる。
【００４３】
当たり波形のエンベロープ欠け量［ｄＢ］は、得られた出力波形（エンベロープ）をオシロスコープで測定し、出力波形の最小値Ａと最大値Ｂから次式（１）に従って算出した。
欠け量［ｄＢ］＝２０ｌｏｇ（Ａ／Ｂ）  ・・・（１）
欠け量が−２．０ｄＢ以内のとき、実用上良好な電磁変換特性が得られる。
【００４４】
（実施例２）〜（実施例６）および（比較例１）〜（比較例６）
非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤ、および磁性層の厚さを表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にしてサンプルテープを作製した。表１において、下層は下層強磁性金属薄膜を示し、上層は上層強磁性金属薄膜を示し、全厚はサンプルテープの全厚を示す。得られたサンプルテープについて、実施例１と同様の方法でカッピング、当たり波形のエンベロープ欠け量の測定を行った。これらのカッピング、当たり波形のエンベロープ欠け量測定の結果を表１に示す。
【００４５】
【表１】
2004348844.tif 000003
【００４６】
表１に示すように、実施例１〜実施例６については、カッピングを抑えることができ、エンベロープ欠け量も少なく、安定した走行性と電磁変換特性が得られた。実施例１〜実施例６では、非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤの比ＥＭＤ／ＥＴＤが０．８以上となった。
【００４７】
比較例１および比較例２については、カッピングが増加し、エンベロープ欠け量も多く、安定した走行性と電磁変換特性が得られなかった。比較例１および比較例２では、ヤング率の比ＥＭＤ／ＥＴＤが０．８未満となった。
【００４８】
比較例３については、ヤング率の比ＥＭＤ／ＥＴＤが０．８以上となり、カッピングを抑えることができ、エンベロープ欠け量も少なく、安定した走行性と電磁変換特性が得られたが、磁性層厚が８ｎｍであり、十分な出力が得られなかった。
【００４９】
比較例４については、ヤング率の比ＥＭＤ／ＥＴＤが０．８以上となり、カッピングを抑えることができ、エンベロープ欠け量も少なく、安定した走行性と電磁変化特性が得られたが、磁性層厚が１０３ｎｍであり、再生ヘッドにおいて出力が飽和した。
【００５０】
比較例５については、ヤング率の比ＥＭＤ／ＥＴＤは０．８以上であり、カッピングとエンベロープ欠け量も許容範囲内となったが、実用上十分なテープ強度が得られなかった。比較例５では、非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤが、ともに３０００ＭＰａ未満であった。
【００５１】
比較例６については、ヤング率の比ＥＭＤ／ＥＴＤは０．８以上であり、カッピングとエンベロープ欠け量も許容範囲内となったが、非磁性支持体の表面性が悪化して、良好な電磁変換特性が得られなかった。比較例６では、非磁性支持体の長手方向のヤング率ＥＭＤと幅方向のヤング率ＥＴＤが、ともに１００００ＭＰａを超えていた。
【００５２】
以上のように、本発明の実施形態の磁気記録媒体によれば、安定した走行性が得られ、テープ記録媒体の耐久性と電磁変換特性が向上する。本発明の磁気記録媒体の実施形態は、上記の説明に限定されない。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体によれば、記録密度が高く、リニア方式による記録再生が可能である磁気記録媒体の走行性、耐久性および電磁変換特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の磁気記録媒体の断面図である。
【図２】図２は本発明の磁気記録媒体の磁性層の形成に用いられる真空蒸着装置の概略図である。
【図３】図３は本発明の磁気記録媒体の保護膜の形成に用いられるＣＶＤ装置の概略図である。
【符号の説明】
１…磁気記録媒体、２…非磁性支持体、３…磁性層、３ａ…下層強磁性金属薄膜、３ｂ…上層強磁性金属薄膜、４…保護膜、５…潤滑剤層、６…バックコート層、１０…真空蒸着装置、１１…真空室、１２ａ、１２ｂ…排気口、１３…供給ロール、１４…巻き取りロール、１５…冷却キャン、１６…ガイドロール、１７…ガイドロール、１８…蒸着源、１９…るつぼ、２０…電子銃、２１…電子線、２２…シャッタ、２３…酸素ガス導入口、３０…ＣＶＤ装置、３１…真空室、３２…真空排気系、３３…供給ロール、３４…巻き取りロール、３５…対向電極用キャン、３６、３７…ガイドロール、３８…反応管、３９…端部、４０…電極、４１…直流電源。
【図１】
2004348844.tif 000004
【図２】
2004348844.tif 000005
【図３】
2004348844.tif 000006