(57)【要約】【課題】簡便、低コストで生産性が高い偏光回折素子の作成方法、偏光回折素子、光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】複屈折膜にエッチングを行い周期的な溝を作成するために、エッチングマスクとして光を透過しない金属板の代わりに、光を透過する透明材料を使用するようにした。フォトレジストを利用して透明材料に周期的パターンを形成させ（１−ｅ）、エッチング処理を行い（１−ｆ）、オーバーコート材をボッティングする（１−ｇ）ことで、金属板を使用するときと比べて、エッチングマスクを除去する必要性を無くし、工程が少なくなり簡便、低コストで偏光回折素子を作成できる。その偏光回折素子を使用した光ピックアップ装置も簡便、低コストで生産可能になる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の透明基板上に層同士を接着する接着層、前記接着層により前記第一の透明基板と接着している複屈折膜、前記複屈折膜を覆うオーバーコート層をこの順序で積層するとともに、前記複屈折膜に前記オーバーコート層側に周期的な溝を設けてなる偏光回折素子の作成方法において、
透明材料からなる周期的パターンをエッチングマスクとして前記複屈折膜のエッチングを行い周期的な溝を作成するエッチング工程を有することを特徴とする偏光回折素子の作成方法。
【請求項２】
前記第一の透明基板上に前記接着層を塗布する第一工程と、
前記接着層に前記複屈折膜を塗布する第二工程と、
前記複屈折膜に前記透明材料を塗布する第三工程と、
前記透明材料に周期的パターンを形成させるためのフォトレジストを塗布する第四工程と、
前記透明材料に周期的パターンを施す第五工程と、
前記第五工程の次に前記エッチング工程を行う第六工程と、
前記複屈折膜に前記オーバーコート層を塗布する第七工程と、
前記オーバーコート層に第２の透明基板を積層する第八工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の偏光回折素子の作成方法。
【請求項３】
前記第一の透明基板上に前記接着層を塗布する第一工程と、
前記接着層に前記複屈折膜を塗布する第二工程と、
前記複屈折膜に周期的パターンを形成させるためのフォトレジストを塗布する第三工程と、
前記第三工程にて、さらに前記透明材料を塗布し、前記透明材料に周期的パターンを施す第四工程と、
第四工程の次に前記エッチング工程を行う第五工程と、
前記複屈折膜に前記オーバーコート層を塗布する第六工程と、
前記オーバーコート層に第２の透明基板を積層する第七工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の偏光回折素子の作成方法。
【請求項４】
エッチングマスクとして使用する前記透明材料の屈折率が、前記オーバーコート層の屈折率と略同一であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の偏光回折素子の作成方法。
【請求項５】
エッチングマスクとして使用する前記透明材料が、ＳｉＯ２  、ＭｇＦ２  、ＴｉＯ２  の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の偏光回折素子の作成方法。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の偏光回折素子の作成方法により作成された偏光回折素子であって、
周期的凹凸格子が形成される前記複屈折膜は、高分子複屈折膜であることを特徴とする偏光回折素子。
【請求項７】
周期的凹凸格子が形成される前記複屈折膜は、分子鎖が配向した高分子複屈折膜であることを特徴とする請求項６に記載の偏光回折素子。
【請求項８】
前記高分子複屈折膜は、延伸により分子鎖を配向させた高分子膜であることを特徴とする請求項６または７に記載の偏光回折素子。
【請求項９】
請求項１から８の何れか１項に記載の偏光回折素子を使用した光ピックアップ装置であって、
レーザー光を出射するレーザー光源と、
前記レーザー光源から出射されたレーザー光を集束して光記録媒体に照射する対物レンズと、
前記レーザー光源と前記光記録媒体とのあいだの光路上で前記レーザー光源から射出されたレーザー光を透過し、前記光記録媒体からの反射光を回折する前記偏光回折素子と、
前記光記録媒体と前記偏光回折素子とのあいだの光路上でレーザー光の偏光方向を変えるλ／４板と、
前記偏光回折素子により回折された反射光を検出する光検出器とを有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、生産性が高い新規な偏光回折素子の作成方法、偏光回折素子、光ピックアップ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、偏光方向によって回折効率が異なる偏光素子として種々のものが提案されているが、中でも光ディスク用ピックアップの小型化を目的とした薄型のピックアップ用偏光回折素子として複屈折回折格子型偏光回折素子が数種提案されている。
【０００３】
従来例として、特許文献１においては複屈折光学結晶であるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３  ）を基板として使用した例がある。これでは複屈折光学結晶であるニオブ酸リチウムを基板として用い、これに周期パターンでプロトン交換を施し、さらにこのプロトン交換領域上に誘電体膜を装荷した構造を持ち、プロトン交換領域では、異常光線に対しては屈折率が増加し、常光線に対しては減少する。従って、プロトン交換領域での常光線の位相差を誘電体膜で相殺することにより、常光線は直進させ、異常光線だけを回折させる偏光子を実現できる。
【０００４】
この複屈折回折格子型偏光子は、小型化、量産化が可能で高い偏光分離度が得られる偏光子であるが、作製に時間がかかるという問題がある。すなわち、結晶に対して周期的プロトン交換を行なう必要があるので、プロトン交換だけでも数時間かかる。また、作製に時間がかかることや、基板に光学結晶を用いるので製造コストも高くなるなどの欠点も有している。
【０００５】
また、この点を考慮し、特許文献２、３の技術では、簡単な工程で安価に作製できる偏光分離素子として、透明基板上に周期的な溝を有する複屈折膜と、その上に光学的に等方性のオーバーコート層が被覆あるいは装荷されている構造の複屈折回折格子型偏光回折素子が提案されている。中でも高分子複屈折膜を複屈折材料に用いた構成のものは材料コストも比較的安価であるため、大量生産が容易になっている。また良好な光学特性、素子両面の平坦性を向上、素子の強度向上を目的とした構成として図８の断面図に示すようにガラスやプラスチック等の第一の透明基板上に周期的な溝が形成された複屈折膜が接着層により接着され、その複屈折膜が等方性のオーバーコート層で覆われ、このオーバーコート層が接着層も兼ねて第二の透明基板と接着した構成のものも提案されている。このような構成のものは素子として強度があり、かつ生産性の高い構成となっているものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開昭６３−３１４５０２号公報
【特許文献２】
特開平１０−３０２２９１号公報
【特許文献３】
特開２０００−７５１３０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記の特許文献３に開示されている作成方法では、複屈折膜に周期的パターンを形成する方法としてドライエッチングがあげられている。一般にドライエッチングは異方性エッチングが可能であることから、理想的な矩形に近い周期的凹凸パターンを作成することが可能になる。このドライエッチングの際のエッチングマスクの作成方法は二通り上げられていて、▲１▼フォトリソグラフィーの手法によりフォトレジストの周期的パターンを形成し、エッチングマスクとする方法、▲２▼フォトレジストでパターンを形成後、アルミニウムやクロムなどの金属を蒸着やスパッタリングなどでフォトレジスト上に成膜し、フォトレジストを溶剤で除去して複屈折膜上に金属のエッチングマスクを形成する方法（リフトオフ法）が上げられている。
【０００８】
前述▲１▼のフォトレジストをエッチングマスクとする方法ではフォトレジストもエッチングされるため、溝の形状が制御しにくく、また選択比（フォトレジストと複屈折膜のエッチング速度の比）が低いことから、作成する溝の深さを深くするにはフォトレジストを厚く塗布する必要があるなど、矩形に近い形状の作成は困難である。
【０００９】
その点では、▲２▼の金属マスクをエッチングマスクとして使用するリフトオフ法では、複屈折膜に対し高い選択比でエッチングすることができ（溝の深さを深くできる）、矩形に近い形状作成が容易である利点がある。
【００１０】
しかし、エッチング後に金属マスク除去の工程が必要となる。つまり、（フォトレジストパターン形成→金属成膜→リフトオフ（エッチングマスク形成）→エッチング→金属マスク除去）という工程を辿る。
【００１１】
本発明は上記の点を鑑みて、金属マスク除去の工程を省いて偏光回折素子の作成を簡略化し、生産性を高める偏光回折素子の作成方法、偏光回折素子を提供することを目的とする。
【００１２】
さらにこの偏光回折素子を使用することでより低コストな光ピックアップ装置を提供することを目的とする。
【００１３】
そのために、透明材料である場合、エッチングマスクの除去を行わずに次工程を行って素子の作成をしても、透過率減少等の光学特性問題が起こらないことを利用して、エッチング後の金属マスクの除去工程を不要とする考えである。
【００１４】
そして透明材料としてＭｇＦ２  、ＳｉＯ２  、ＴｉＯ２  などの無機材料を利用すれば、エッチングガスの主成分に酸素ガスを使用する際ほとんどエッチングされず、複屈折膜に対し金属マスクと同等の高い選択比でエッチングすることができ、深い溝を作成することも考慮していく。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を解決するため、請求項１に記載の発明は、第一の透明基板上に層同士を接着する接着層、接着層により第一の透明基板と接着している複屈折膜、複屈折膜を覆うオーバーコート層をこの順序で積層するとともに、複屈折膜にオーバーコート層側に周期的な溝を設けてなる偏光回折素子の作成方法において、透明材料からなる周期的パターンをエッチングマスクとして複屈折膜のエッチングを行い周期的な溝を作成するエッチング工程を有することを特徴とする。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の偏光回折素子の作成方法において、第一の透明基板上に接着層を塗布する第一工程と、接着層に複屈折膜を塗布する第二工程と、複屈折膜に透明材料を塗布する第三工程と、透明材料に周期的パターンを形成させるためのフォトレジストを塗布する第四工程と、透明材料に周期的パターンを施す第五工程と、第五工程の次にエッチング工程を行う第六工程と、複屈折膜にオーバーコート層を塗布する第七工程と、オーバーコート層に第２の透明基板を積層する第八工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の偏光回折素子の作成方法において、第一の透明基板上に接着層を塗布する第一工程と、接着層に複屈折膜を塗布する第二工程と、複屈折膜に周期的パターンを形成させるためのフォトレジストを塗布する第三工程と、第三工程にて、さらに透明材料を塗布し、透明材料に周期的パターンを施す第四工程と、第四工程の次にエッチング工程を行う第五工程と、複屈折膜にオーバーコート層を塗布する第六工程と、オーバーコート層に第２の透明基板を積層する第七工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項１から３の何れか１項に記載の偏光回折素子の作成方法において、エッチングマスクとして使用する透明材料の屈折率が、オーバーコート層の屈折率と略同一であることを特徴とする。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項１から３の何れか１項に記載の偏光回折素子の作成方法において、エッチングマスクとして使用する透明材料が、ＳｉＯ２  、ＭｇＦ２  、ＴｉＯ２  の少なくとも一つを含むことを特徴とする。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、請求項１から５の何れか１項に記載の偏光回折素子の作成方法により作成された偏光回折素子であって、周期的凹凸格子が形成される複屈折膜は、高分子複屈折膜であることを特徴とする。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の偏光回折素子において、周期的凹凸格子が形成される複屈折膜は、分子鎖が配向した高分子複屈折膜であることを特徴とする。
【００２２】
請求項８に記載の発明は、請求項６または７に記載の偏光回折素子において、高分子複屈折膜は、延伸により分子鎖を配向させた高分子膜であることを特徴とする。
【００２３】
請求項９に記載の発明は、請求項１から８の何れか１項に記載の偏光回折素子を使用した光ピックアップ装置であって、レーザー光を出射するレーザー光源と、レーザー光源から出射されたレーザー光を集束して光記録媒体に照射する対物レンズと、レーザー光源と光記録媒体とのあいだの光路上でレーザー光源から射出されたレーザー光を透過し、光記録媒体からの反射光を回折する偏光回折素子と、光記録媒体と偏光回折素子とのあいだの光路上でレーザー光の偏光方向を変えるλ／４板と、偏光回折素子により回折された反射光を検出する光検出器とを有することを特徴とする。
【００２４】
以上のことから作成工程が簡便になり、低コストで、生産性良く偏光回折素子を提供でき、さらにこの偏光回折素子を使用することでより低コストな光ピックアップ装置を提供できることを見出し、本発明に至った。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２６】
本実施形態の偏光回折素子の作成方法は、第一の透明基板上に接着層、複屈折膜、オーバーコート層をこの順序で積層するとともに前記複屈折膜の前記オーバーコート層側に周期的な溝を設けてなる偏光回折素子の作成方法において、前記、複屈折膜上に透明材料からなる周期的パターンを形成し、エッチングマスクとすることを特徴とする。
【００２７】
本実施形態の透明材料を使用した偏光回折素子の作成方法の一例としては、図１に示すような工程となる。
【００２８】
（１−ａ）透明基板上に複屈折膜を装荷する工程。
（１−ｂ）複屈折膜上に透明材料を蒸着する工程。
（１−ｃ）透明材料上にフォトレジストを塗布し、レジストのパターンを作成するレジストパターン作成工程。
（１−ｄ）レジストパターンに基づき透明材料のパターンを作成する透明材料パターン作成工程。
（１−ｅ）溶剤を使用してフォトレジストを除去するフォトレジスト除去工程。
（１−ｆ）透明材料をエッチングマスクとして複屈折膜をエッチングするエッチング工程。
（１−ｇ）別の透明基板に塗布されたオーバーコート材を（１−ｆ）のエッチング工程を施した透明基板にボッティングするオーバーコート工程。
【００２９】
ちなみに、通常の金属マスクを使用した偏光回折素子の作成方法の一例としては、図２に示すような工程となる。
【００３０】
（２−ａ）透明基板上に複屈折膜を装荷する工程。
（２−ｂ）複屈折膜上に金属膜を蒸着する工程。
（２−ｃ）金属膜上にフォトレジストを塗布し、レジストのパターンを作成するレジストパターン作成工程。
（２−ｄ）レジストパターンに基づき金属膜のパターンを作成する金属パターン作成工程。
（２−ｅ）溶剤を使用してフォトレジストを除去するフォトレジスト除去工程。
（２−ｆ）金属膜をエッチングマスクとして複屈折膜をエッチングするエッチング工程。
（２−ｇ）金属エッチャントを使用して金属膜を除去する金属膜除去工程。
（２−ｈ）別の透明基板に塗布されたオーバーコート材を（２−ｇ）の金属膜除去工程を施した透明基板にボッティングするオーバーコート工程。
【００３１】
以上のように金属マスクを用いた場合、金属膜は光を透過しないため、除去する工程が必要である。しかし、透明材料の場合は光を透過するため、マスクとして使用した後も除去する必要がなく、工程が少なくなり簡便、低コストで作成できる。
また、リフトオフ法を用いた場合も同様に金属マスクを用いた場合は除去する工程が必要であるが、本実施形態では取り除く必要がない。
【００３２】
ここで、エッチングマスクとして使用する透明材料の屈折率（ｎ１）と、オーバーコート材料の屈折率（ｎ２）と略同一とすることで、透明材料とオーバーコート層の間の反射損を防止し、透過率を上げることができ光利用効率が向上した偏光回折素子を作成方法することができる。
【００３３】
透明材料として無機材料、中でもＳｉＯ２  、ＭｇＦ２  、ＴｉＯ２  の少なくとも一つを含むことで、エッチングガス、特に酸素ガスに対して選択比を大きくすることができ周期的な溝の形状をより矩形に作成することができる。
【００３４】
上記の複屈折膜は大面積で且つ大量に低コストで作成することを考慮すると、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリイミドなどの高分子複屈折膜であることが好ましい。
【００３５】
中でも分子鎖が配向した高分子膜であることが好ましく、生産性を考慮すると延伸された有機高分子膜であることが特に好ましい。
【００３６】
また、上記の偏光回折素子を用いて、レーザー光を出射するレーザー光源と、レーザー光源から出射されたレーザー光を集束して光記録媒体に照射する対物レンズと、レーザー光源と光記録媒体とのあいだの光路上で前記レーザー光源から射出されたレーザー光を透過し、前記光記録媒体からの反射光を回折する偏光回折素子と、光記録媒体と偏光回折素子とのあいだの光路上でレーザー光の偏光方向を換えるλ／４板と、偏光回折素子により回折された反射光を検出する光検出器とを備えた光ピックアップ装置を安価に生産することができる（図３参照）。
【００３７】
以下、偏光回折素子の作成において、エッチングマスクとして透明材料を使用した実施例１、２と、金属膜を使用した比較例１、２とを示し、実施例１、２の方がより簡便な作成方法であることを説明し、実施例３にて実施例１、２の偏光回折素子を使用した光ピックアップ装置の特性を説明することで、本実施形態の内容を具体的に説明するが、本実施形態は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３８】
＜実施例１＞
図４に実施例１における偏光回折素子の作成手順を示す。まず厚さ５００μｍの透明基板に紫外線硬化型接着剤にて厚さ３０μｍの接着層を設け、厚さ１００μｍの高分子複屈折膜を貼り合わせ、減圧下にて一体化させた後、紫外線を照射、１００℃にて１０分間ベーキングを行ない完全に接着層を硬化させた（４−ａ）。
【００３９】
その後、高分子複屈折膜上にＳｉＯ２  を均一に２００Å蒸着した（４−ｂ）。
【００４０】
さらにＳｉＯ２  上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより、周期パターン（□３．０×３．０ｍｍ／３．０μｍピッチ）を形成した（４−ｃ）。
【００４１】
さらにフッ酸を用いたウエットエッチング（４−ｄ）、アセトンを用いたレジスト除去により、高分子複屈折膜上にＳｉＯ２  の周期パターンを作成した（４−ｅ）。
【００４２】
その後、ＳｉＯ２  の周期パターンをエッチングマスクとしてＥＣＲエッチング装置を用い、酸素ガスを主成分としてドライエッチングを行ない、高分子複屈折膜に深さ３μｍの周期的な溝を作成した（４−ｆ）。
【００４３】
さらに周期的な溝が形成されている高分子複屈折膜側にオーバーコート層となるエポキシ系紫外線硬化樹脂をボッティングし、厚さ５００μｍの透明基板をのせ適度に加圧し、凹凸格子内および接着強化部にオーバーコート剤を充填した（４−ｇ）。
【００４４】
紫外線を照射および１００℃で１０分間ベーキングを行ない、完全に硬化させた後、ダイシング装置にて、□５．０×５．０ｍｍに切り出し、図１に示すような構成の偏光回折素子を多数個作製した（４−ｈ）。
【００４５】
＜実施例２＞
図５に実施例２における偏光回折素子の作成手順を示す。厚さ５００μｍの透明基板に紫外線硬化型接着剤にて厚さ３０μｍの接着層を設け、厚さ１００μｍの高分子複屈折膜を貼り合わせ、減圧下にて一体化させた後、紫外線を照射、１００℃にて１０分間ベーキングを行ない完全に接着層を硬化させた（５−ａ）。
【００４６】
その後、複屈折膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより、周期パターン（□３．０×３．０ｍｍ／３．０μｍピッチ）を形成した（５−ｂ）。
【００４７】
さらにＭｇＦ２  を均一に２００Å蒸着し（５−ｃ）、アセトンを用いたレジスト除去（リフトオフ）により、高分子複屈折膜上にレジストパターンを反転させたＭｇＦ２  の周期パターンを作成した（５−ｄ）。
【００４８】
その後、ＭｇＦ２  の周期パターンをエッチングマスクとしてＥＣＲエッチング装置を用い、酸素ガスを主成分としたドライエッチングを行ない、高分子複屈折膜に深さ３μｍの周期的な溝を作成した（５−ｅ）。
【００４９】
さらに周期的な溝が形成されている高分子複屈折膜側にオーバーコート層となるエポキシ系紫外線硬化樹脂をボッティングし、厚さ５００μｍの透明基板をのせ適度に加圧し、凹凸格子内および接着強化部にオーバーコート剤を充填した（５−ｆ）。
【００５０】
紫外線を照射および１００℃で１０分間ベーキングを行ない、完全に硬化させた後、ダイシング装置にて□５．０×５．０ｍｍに切り出し、図１に示すような構成の偏光回折素子を多数個作製した（５−ｇ）。
【００５１】
＜実施例３＞
図３に本実施形態で採り上げた偏光回折素子を用いた光ピックアップ装置の構成例を示す。ＤＶＤ用光ピックアップではレーザーダイオードから射出された波長６８０ｎｍの光は実施例１の偏光回折素子とλ／４波長板、対物レンズを通り、ＤＶＤディスクを照射し、ＤＶＤディスクの記録ピットからの反射光はλ／４波長板で直線偏光になった後、偏光回折素子にて回折してフォトダイオードに導かれ、フォーカス検出、トラック検出、信号検出が行われる。
【００５２】
本実施例の光ピックアップを用い、ＤＶＤ−ＲＯＭから情報信号の再生を行ったところ、プリズムを用いたビームスプリッタとλ／４波長板を組み合わせた従来のＤＶＤ用光ピックアップと同等の再生特性を持つことを確認できた。
【００５３】
＜比較例１＞
図６に比較例１における偏光回折素子の作成手順を示す。厚さ５００μｍの透明基板に紫外線硬化型接着剤にて厚さ３０μｍの接着層を設け、厚さ１００μｍの高分子複屈折膜を貼り合わせ、減圧下にて一体化させた後、紫外線を照射、１００℃にて１０分間ベーキングを行ない完全に接着層を硬化させた（６−ａ）。
【００５４】
その後、高分子複屈折膜上にＣｒを均一に５００Å蒸着した（６−ｂ）。
【００５５】
さらにＣｒ上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィーにより、周期パターン（□３．０×３．０ｍｍ／３．０μｍピッチ）を形成した（６−ｃ）。
【００５６】
さらにＣｒエッチャントを用いたウエットエッチング（６−ｄ）、アセトンを用いたレジスト除去により、高分子複屈折膜上にＣｒの周期パターンを作成した（６−ｅ）。
【００５７】
その後、Ｃｒの周期パターンをエッチングマスクとしてドライエッチングを行ない、高分子複屈折膜に周期的な溝を作成し（６−ｆ）、さらにＣｒエッチャント用いてＣｒマスクを除去した（６−ｇ）。
【００５８】
さらに周期的な溝が形成されている高分子複屈折膜側にオーバーコート層となるエポキシ系紫外線硬化樹脂をボッティングし、厚さ５００μｍの透明基板をのせ適度に加圧し、凹凸格子内および接着強化部にオーバーコート剤を充填した（６−ｈ）。
【００５９】
紫外線を照射および１００℃で１０分間ベーキングを行ない、完全に硬化させた後、ダイシング装置にて□５．０×５．０ｍｍに切り出し、図２に示すような構成の偏光回折素子を多数個作製した（６−ｉ）。
【００６０】
＜比較例２＞
図７に比較例２における偏光回折素子の作成手順を示す。厚さ５００μｍの透明基板に紫外線硬化型接着剤にて厚さ３０μｍの接着層を設け、厚さ１００μｍの高分子複屈折膜を貼り合わせ、減圧下にて一体化させた後、紫外線を照射、１００℃にて１０分間ベーキングを行ない完全に接着層を硬化させた（７−ａ）。
【００６１】
その後、複屈折膜上にフォトレジストを塗布しフォトリソグラフィーにより、周期パターン（□３．０×３．０ｍｍ／３．０μｍピッチ）を形成した（７−ｂ）。
【００６２】
さらにＡｌを均一に５００Å蒸着し（７−ｃ）、アセトンを用いたレジスト除去（リフトオフ）により、高分子複屈折膜上にレジストパターンを反転させたＡｌの周期パターンを作成した（７−ｄ）。
【００６３】
その後、Ａｌの周期パターンをエッチングマスクとしてドライエッチングを行ない、高分子複屈折膜に周期的な溝を作成し（７−ｅ）、さらにＡｌエッチャントを用いてＡｌマスクを除去した（７−ｆ）。
【００６４】
さらに周期的な溝が形成されている高分子複屈折膜側にオーバーコート層となるエポキシ系紫外線硬化樹脂をボッティングし、厚さ５００μｍの透明基板をのせ適度に加圧し、凹凸格子内および接着強化部にオーバーコート剤を充填した（７−ｇ）。
【００６５】
紫外線を照射および１００℃で１０分間ベーキングを行ない、完全に硬化させた後、ダイシング装置にて□５．０×５．０ｍｍに切り出し、図２に示すような構成の偏光回折素子を多数個作製した（７−ｈ）。
【００６６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の偏光回折素子は第一の透明基板上に接着層、高分子複屈折膜、オーバーコート層をこの順序で積層するとともに前記高分子複屈折膜の前記オーバーコート層側に周期的な溝を形成し、さらに第二の透明基板を設けてある偏光回折素子の作成方法において、前記、高分子複屈折膜上に透明材料からなる周期的パターンを形成し、エッチングマスクとすることを特徴とするものであり、透明材料をエッチングマスクとすることで、複屈折膜に対し金属マスクと同等の高い選択比でエッチングすることができ、深い溝を作成すること可能となり、さらに透明材料であるためマスクの除去を行わずに次工程のオーバーコート工程を行って素子の作成をしても、透過率減少等の光学な特性の問題が起こらないため、エッチング後のマスクの除去工程が不要となり、生産性良く光学素子を提供できる。
【００６７】
また、本発明で作製された偏光回折素子を使用することで、従来より低コストである光ピックアップ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】透明材料を使用した偏光回折素子の作成方法の一例である。
【図２】金属板を使用した偏光回折素子の作成方法の一例である。
【図３】本実施形態で採り上げた偏光回折素子を用いた光ピックアップ装置の構成例である。
【図４】実施例１における偏光回折素子の作成手順である。
【図５】実施例２における偏光回折素子の作成手順である。
【図６】比較例１における偏光回折素子の作成手順である。
【図７】比較例２における偏光回折素子の作成手順である。
【図８】複屈折回折格子型偏光回折素子の構成の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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