(57)【要約】      （修正有）【課題】光ピックアップ、光ディスクの相違により、反射光の強度にバラツキが生じオフセットの調整精度の悪化による、傷検出回路の精度低下を防止する。【解決手段】光ピックアップの出力信号が一方の入力端子に入力されるとともに、他方の入力端子に制御電圧が印加される複数のオフセット調整用差動オペアンプＯＰ１，ＯＰ２と、前記複数のオフセット調整用差動オペアンプの各出力信号を加算する加算回路と、を有する光ディスク用オフセット調整回路であって、前記加算回路の出力信号に基づきディジタル信号を出力するＡ／Ｄ変換部と、オフセットを除去すべく、前記オフセット調整用差動オペアンプに印加される前記制御電圧を前記ディジタル信号に基づき可変とする制御電圧調整部ＬＯと、を備える。【選択図】図２
2004348908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ピックアップの出力信号が一方の入力端子に入力されるとともに、他方の入力端子に制御電圧が印加される複数のオフセット調整用差動オペアンプと、
前記複数のオフセット調整用差動オペアンプの各出力信号を加算する加算回路と、
を有する光ディスク用オフセット調整回路であって、
前記加算回路の出力信号に基づきディジタル信号を出力するＡ／Ｄ変換部と、
オフセットを除去すべく、前記オフセット調整用差動オペアンプに印加される前記制御電圧を前記ディジタル信号に基づき可変とする制御電圧調整部と、
を備えることを特徴とする光ディスク用オフセット調整回路。
【請求項２】
前記加算回路の出力信号に基づき、前記光ピックアップによる信号の読み取り対象たる光ディスクの傷を検出する傷検出回路をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の光ディスク用オフセット調整回路。
【請求項３】
前記制御電圧調整部は、前記加算回路の前記出力信号が目標電圧と一致すべく、前記制御電圧を変更することを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク用オフセット調整回路。
【請求項４】
前記加算回路の前記出力信号が、当該出力信号に基づき信号処理を実行する回路のダイナミックレンジの範囲内に収まることを可能とする値に前記目標電圧が設定されてなることを特徴とする請求項３記載の光ディスク用オフセット調整回路。
【請求項５】
さらに、直流成分出力回路を備え、
当該直流成分出力回路は、前記加算回路の前記出力信号の直流成分を前記Ａ／Ｄ変換部に出力することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光ディスク用オフセット調整回路。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光ディスク用オフセット調整回路を少なくとも含むことを特徴とする集積回路。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の光ディスク用オフセット調整回路を備えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
光ディスク装置における光ピックアップの出力信号が一方の入力端子に入力されるとともに、他方の入力端子に制御電圧が印加される複数のオフセット調整用差動オペアンプの出力信号を加算し、
前記加算した結果をディジタル信号化し、
オフセットを除去すべく、前記オフセット調整用差動オペアンプに印加される前記制御電圧を前記ディジタル信号に基づき可変する、
ことを特徴とする光ディスク装置のオフセット調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク用オフセット調整回路、集積回路、及びオフセット調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、光ディスクの再生（及び記録）装置（以後、光ディスク装置と記する。）では、例えば光ピックアップからの四つの出力信号を増幅した後、加算回路で加算することにより合成されたＲＦ信号が得られる。（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
具体的には、図６に示すように、光ディスク装置は、光ディスク１０５に１スポットの光ビームを照射する。光ピックアップ２００のフォトディテクタ群が、この光ディスク１０５からの反射光を受光する。受光した反射光に基づき、光ピックアップ２００は各種の出力信号をＲＦ信号処理回路１１０に供給する。これら出力信号に基づき、ＲＦ信号処理回路１１０は、ＲＦ信号や各種のエラー信号を生成する。このエラー信号に基づき、サーボ信号処理回路１４０は、サーボ制御を実行し、光ピックアップ２００の対物レンズのフォーカシングサーボやトラッキングサーボの精度劣化を解消する。なお、記録系Ｒｅｃについては、良く知られているように、例えば図５の符号１１２乃至１１８で示される構成要素で実現される。
【０００４】
この光ディスク装置の再生系ＰＢについて説明する。ＲＦ信号処理回路１１０は、合成信号たるＲＦ信号をデコーダ１２０に供給する。デコーダ１２０は、ＲＦ信号にデインターリーブ処理や誤り訂正のための復号化処理やＥＦＭ復調処理等の処理を行い、再生データをメモリ１２１に供給する。
【０００５】
メモリ１２１は、データの書き込み及び読み出しがシステムコントローラ（マイクロコンピュータ、以下、「マイコン」と称する。）１５０により制御され、デコーダ１２０から再生データが書き込まれる。また、このメモリ１２１は、再生データが一定のビットレートで連続的に読み出される。  メモリ１２１から連続的に読み出された再生データは、デコーダ１２２に供給される。このデコーダ１２２は、再生データが圧縮データであった場合例えば４倍にデータ伸長する。このデコーダ１２２からのディジタルデータは、Ｄ／Ａ変換器１２３に供給されてアナログ信号に変換されて、出力端子１２４から外部に導出される。
【０００６】
ここで、ＲＦ信号を出力するＲＦ信号処理回路１１０について説明する。図７に示すように、抵抗Ｒ１０ａには、光ピックアップ２００から得られる出力信号Ａが入力されるとともに、抵抗Ｒ１０Ｂには、光ピックアップから得られる出力信号Ｂが入力される。また、抵抗Ｒ１０ｃには、光ピックアップ２００から得られる出力信号Ｃが入力されるとともに、抵抗Ｒ１０ｄには、光ピックアップから得られる出力信号Ｄが入力される。なお、これら出力信号Ａ乃至Ｄについては、良く知られているように、光ピックアップ２００のディテクタから得られる出力信号の一部であり、例えば文献「図解コンパクトディスク読本」（株式会社オーム社，平成１４年６月２０日改訂３版第１刷発行）の第２１８頁に記載されている。
【０００７】
オフセット調整用差動オペアンプＯＰ１について、その反転入力端子には、抵抗Ｒ１０ａ及び抵抗Ｒ１０ｂを介して、出力信号Ａ及び出力信号Ｂの合成信号ＡＢが入力されるとともに、非反転入力端子には、固定の基準電圧Ｖｒｅｆ０が印加される。このオフセット調整用差動オペアンプＯＰ１は、Ｒ２０ａｂ＊（１／Ｒ１０ａ＋１／Ｒ１０ｂ＋１／Ｒ２０ａｂ）＊｛Ｖｒｅｆ−（出力信号Ａの電圧値／Ｒ１０ａ＋出力信号Ｂの電圧値／Ｒ１０ｂ）／（１／Ｒ１０ａ＋１／Ｒ１０ｂ＋１／Ｒ２０ａｂ）｝の演算式で得られた増幅信号Ａ’Ｂ’を加算回路ＳＵＭに出力する。
【０００８】
一方、オフセット調整用差動オペアンプＯＰ２について、その反転入力端子には、抵抗Ｒ１０ｃ及び抵抗Ｒ１０ｄを介して、出力信号Ｃ及び出力信号Ｄの合成信号ＣＤが入力されるとともに、非反転入力端子には、固定の基準電圧Ｖｒｅｆ０が印加される。このオフセット調整用差動オペアンプＯＰ２は、Ｒ２０ｃｄ＊（１／Ｒ１０ｃ＋１／Ｒ１０ｄ＋１／Ｒ２０ｃｄ）＊｛Ｖｒｅｆ−（出力信号Ｃの電圧値／Ｒ１０ｃ＋出力信号Ｄの電圧値／Ｒ１０ｄ）／（１／Ｒ１０ｃ＋１／Ｒ１０ｄ＋１／Ｒ２０ｃｄ）｝の演算式で得られた増幅信号Ｃ’Ｄ’を加算回路ＳＵＭに出力する。
【０００９】
加算回路ＳＵＭでは、入力された増幅信号Ａ’Ｂ’と増幅信号Ｃ’Ｄ’とを加算して合成信号ＡＢＣＤを出力する。この出力された合成信号ＡＢＣＤは、第１の端子Ｔ１を通じて外付けのコンデンサＣ０に入力され、直流成分が除去されて交流成分のみが第２の端子Ｔ２を介してＲＦ信号処理回路１１０内部に戻る。戻った交流成分は、抵抗Ｒ４０を通じて固定の基準電圧Ｖｒｅｆ０に重畳されてバッファアンプＢＡ０に入力される。このバッファアンプＢＡ０からＲＦ信号が出力される。このＲＦ信号は、もう一つのバッファアンプＢＡ１を介して図６のデコーダ１２０へ供給されて、再生処理されるとともに、傷検出回路ＤＥＴへ供給される。
【００１０】
この傷検出回路ＤＥＴは、加算回路ＳＵＭの出力されるＲＦ信号に基づき、光ピックアップ２００による信号の読み取り対象たる光ディスクの傷を検出する。すなわち、傷検出回路ＤＥＴは、非反転入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆ１が入力される比較器を有し、この比較器の反転入力端子に、バッファアンプＢＡ０からのＲＦ信号が入力される。このＲＦ信号の強度（電圧値）が基準電圧Ｖｒｅｆ１より下回ると、光ピックアップ２００がレーザ光を照射している部分は傷の部分であると判定して、”Ｈ”の信号を傷検出信号としてサーボ信号処理回路１４０に出力する。この傷検出信号を受信したサーボ信号処理回路１４０は、例えば、傷による影響を受けた誤動作を防止する処理を実行する。
【００１１】
【特許文献１】
特開平１０−１０５９９７号公報  （図１）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
前述した図７に示す従来技術にあっては、加算回路ＳＵＭから得られた合成信号ＡＢＣＤについて、外付けコンデンサＣ０で一旦直流成分を除去し、抵抗Ｒ４０を介し、あらためて強制的に固定の直流電圧Ｖｒｅｆ０に乗せている。このことにより、加算回路ＳＵＭの合成信号について、そのＤＣオフセットをできるだけ除去しようと試みている。
【００１３】
しかしながら、固定の直流電圧Ｖｒｅｆ０に乗せるだけでは、ＤＣオフセットを臨機応変に調整することはできない。つまり、ＤＣオフセットの調整機能がないため、種々の不具合が生じるのである。すなわち、光ピックアップの仕様等が異なったり、光ディスクの種類の相違により、反射光の強度にバラツキが生じると、光ピックアップからの出力信号そのものについてオフセットの調整が精度良くできなくなる。その結果、オフセットが精度良く調整されていない出力信号に基づき、ＲＦ信号を生成する結果となる。
【００１４】
よって、ＲＦ信号を生成するために、差動オペアンプでもって光ピックアップの各出力信号Ａ乃至Ｄの合成信号を生成する段階において、オフセットの不十分な調整に起因し、差動オペアンプを含む処理系のダイナミックレンジから各出力信号Ａ乃至Ｄが外れ、その波形が歪んでしまう可能性がある。特に、低電圧電源で動作する回路系では、そのダイナミック・レンジは比較的狭く余裕がないため、波形が歪む可能性が高まる。
【００１５】
このように、精密なＲＦ信号が生成できなくなる結果、再生処理系及び傷検出回路における処理の精度劣化を招いていた。特に、傷検出回路ＤＥＴでは、傷検出のレベル設定の精度を向上させることができず、傷検出の精度劣化を招いていた。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光ディスク用オフセット調整回路では、光ピックアップの出力信号が一方の入力端子に入力されるとともに、他方の入力端子に制御電圧が印加される複数のオフセット調整用差動オペアンプと、前記複数のオフセット調整用差動オペアンプの各出力信号を加算する加算回路と、を有する光ディスク用オフセット調整回路であって、前記加算回路の出力信号に基づきディジタル信号を出力するＡ／Ｄ変換部と、オフセットを除去すべく、前記オフセット調整用差動オペアンプに印加される前記制御電圧を前記ディジタル信号に基づき可変とする制御電圧調整部と、を備えることとする。
【００１７】
すなわち、光ピックアップの出力信号が入力されるオフセット調整用差動オペアンプの制御電圧を可変とすることにより、加算回路の出力信号のオフセットを調整する。したがって、まず、光ピックアップに起因するオフセットを調整できる。合わせて、オフセット調整用差動オペアンプ、及び加算回路を含む処理系統に起因するオフセットも一括して調整できる。よって、加算回路の出力信号は、光ピックアップを含む上流の処理系統に起因するオフセットが調整されたものとなる。その結果、このオフセットが調整された出力信号に基づき信号処理を行う下流の処理系統、例えば、光ディスクの傷を検出する傷検出回路や、加算回路からの出力信号たるＲＦ信号に基づく再生処理系統においても、そのダイナミックレンジの範囲内に、当該ＲＦ信号を収めることができる。
【００１８】
したがって、オフセットが調整されたＲＦ信号を処理する各回路について、そのダイナミックレンジの有効活用が図れる。特に、低電源電圧で動作する仕様の回路系統では、ダイナミックレンジの範囲が狭くなるが、本発明によるオフセット調整により、当該範囲内にＲＦ信号を収めることが可能となる。よって、傷検出回路や再生処理系統等の信号処理において波形が歪む等の精度劣化を防止でき、高精度な傷検出処理及び再生処理が可能となる。
【００１９】
また、光ピックアップに起因する出力信号のオフセットを調整できることにより、光ディスク用オフセット調整回路に対し、出力信号の強度等、種々の仕様の光ピックアップが接続されても、適切にオフセット調整できる。また、反射光の強度が異なる種々のタイプの光ディスクに対しても、光ピックアップに起因するオフセットを調整できることにより、適切にオフセット調整できる。
【００２０】
さらに、オフセットを調整する回路を実現するにあたり、オフセットが調整されたＲＦ信号に基づき信号処理を行う下流の処理系統、例えば傷検出回路や再生処理系統等について、その設計を変更する必要はなく既存のままで済む。
【００２１】
また、前記加算回路の出力信号に基づき、前記光ピックアップによる信号の読み取り対象たる光ディスクの傷を検出する傷検出回路をさらに備えることとできる。
すなわち、光ピックアップを含む上流の処理系統に起因するオフセット調整が可能となる結果、傷検出回路における信号処理において波形が歪む等の精度劣化を防止でき、高精度な傷検出処理が可能となる。また、傷検出回路における傷検出のレベル設定も容易となる。
【００２２】
さらに、前記制御電圧調整部は、前記加算回路の前記出力信号が目標電圧と一致すべく、前記制御電圧を変更することとできる。
【００２３】
さらにまた、前記加算回路の前記出力信号が、当該出力信号に基づき信号処理を実行する回路のダイナミックレンジの範囲内に収まることを可能とする値に前記目標電圧が設定されてなることとできる。
すなわち、加算回路の出力信号は、この出力信号に基づき信号処理を実行する回路、例えば、光ディスクの傷を検出する傷検出回路や再生処理系統においても、そのダイナミックレンジの範囲内に、当該出力信号を収めることができる。よって、高精度なオフセット調整が可能となる結果、傷検出回路や再生処理系統における信号処理において波形が歪む等の精度劣化を防止でき、高精度な傷検出処理や再生処理が可能となる。
【００２４】
加えて、ＡＤ変換部を構成するＡ／Ｄコンバータ等のダイナミックレンジの範囲内に、加算回路の出力信号を収めることができる。このことにより、ＡＤ変換部として、分解能の高いＡ／Ｄコンバータを必要とせず、低コスト及び低消費電力化が図れる。
【００２５】
さらに、直流成分出力回路を備え、当該直流成分出力回路は、前記加算回路の前記出力信号の直流成分を前記Ａ／Ｄ変換部に出力することとできる。
すなわち、オフセットを除去すべく、加算回路の出力信号の直流成分のデジタル信号に基づき、当該オフセット調整用差動オペアンプに印加される制御電圧を可変可能となる。すなわち、オフセットを調整するに際して出力信号の直流成分に基づくことにより、オフセットが調整された出力信号に基づき信号処理を行う回路、例えば、光ディスクの傷を検出する傷検出回路や、加算回路の出力信号たるＲＦ信号に基づく再生処理系統においても、そのダイナミックレンジの範囲内に、確実に当該ＲＦ信号を収めることができる。よって、高精度なオフセット調整が可能となる結果、以て、高精度なＲＦ信号が得られることにより、高精度な傷検出処理及び再生処理が可能となる。
【００２６】
本発明の集積回路では、前述した光ディスク用オフセット調整回路を少なくとも含むこととする。
【００２７】
本発明の光ディスク装置では、前述した光ディスク用オフセット調整回路を備えることとする。
【００２８】
本発明の光ディスク装置のオフセット調整方法では、光ディスク装置における光ピックアップの出力信号が一方の入力端子に入力されるとともに、他方の入力端子に制御電圧が印加される複数のオフセット調整用差動オペアンプの出力信号を加算し、前記加算した結果をディジタル信号化し、オフセットを除去すべく、前記オフセット調整用差動オペアンプに印加される前記制御電圧を前記ディジタル信号に基づき可変する、こととする。
【００２９】
【発明の実施の形態】
＝＝＝＝全体概略＝＝＝＝
例えば前述した図６に示すような光ディスク装置に適用される光ディスク用アナログ信号生成回路について説明する。図１に示すように、光ディスク用アナログ信号生成回路１００は、光ピックアップ２００からの出力信号Ａ乃至Ｄに基づき、ＤＣオフセット（信号の直流成分のオフセット）を除去または低減すべく調整したＲＦ信号を生成する。この光ディスク用アナログ信号生成回路１００は、１チップ型の集積回路で構成される。あるいは、この集積回路は、光ディスク再生信号処理用ＬＳＩの一部として、ＣＭＯＳプロセスでもって製造されることも可能である。また、光ディスク用アナログ信号生成回路１００は、トラッキングエラー信号ＴＥ及びフォーカスエラー信号ＦＥといったエラー信号を生成するエラー信号処理成回路１１５や、従来の技術の欄で説明したＲＦ信号を生成するＲＦ信号処理回路（光ディスク用オフセット調整回路）１１０を備える。エラー信号処理成回路１１５からのトラッキングエラー信号ＴＥ及びフォーカスエラー信号ＦＥはサーボ信号処理回路１４０に出力される。
【００３０】
ＲＦ信号処理回路１１０は、ＲＦ信号を生成するにあたり、そのＤＣオフセットを除去すべく動作する。このＤＣオフセットが調整されたＲＦ信号は、従来の技術の欄で説明した傷検出回路や再生処理系に供給される。
【００３１】
＝＝＝＝実施例＝＝＝＝
ＲＦ信号処理回路１１０においてＲＦ信号を生成する回路系統に関し、そのＤＣオフセットを除去若しくは低減する仕組みについて、図１乃至図５を参照して説明する。なお、図７を参照して従来の技術の欄で説明した内容と同じ部分は重複するため省略し、相違する部分を中心に説明する。
【００３２】
＜＜＜＜構  成＞＞＞＞
図２に示すように、ＲＦ信号処理回路１１０は、抵抗Ｒ１０ａ，Ｒ１０ｂ，Ｒ１０ｃ，Ｒ１０ｄ、複数のオフセット調整用差動オペアンプ（差動増幅回路）ＯＰ１，ＯＰ２、帰還抵抗Ｒ２０ａｂ，Ｒ２０ｃｄ、加算回路ＳＵＭ、バッファアンプＢＡ１、抵抗（直流成分出力回路の一部）Ｒ３０、Ａ／Ｄコンバータ（Ａ／Ｄ変換部）ＡＤ、マイクロコンピュータ等で構成されるロジック回路（制御電圧調整部）ＬＯ、Ｄ／ＡコンバータＤＡ、及びサンプルホールド回路ＳＨを備える。また、ＲＦ信号処理回路１１０には、外付けのコンデンサＣ１（直流成分出力回路の一部）が接続される。
【００３３】
各抵抗Ｒ１０ａ，Ｒ１０ｂの一端は、それぞれ、ＲＦ信号処理回路１１０の外部入力端子Ａ，Ｂに接続され、光ピックアップから得られる出力信号Ａ，Ｂが入力される。これら抵抗Ｒ１０ａ，Ｒ１０ｂの他端は、互いに接続されてオフセット調整用差動オペアンプＯＰ１の反転入力端子に接続される。このオフセット調整用差動オペアンプＯＰ１の出力端子には帰還抵抗Ｒ２０ａｂの一端が接続されている。この帰還抵抗Ｒａｂの他端は、オフセット調整用差動オペアンプＯＰ１の反転入力端子に接続されている。このオフセット調整用差動オペアンプＯＰ１の非反転入力端子には、サンプルホールド回路ＳＨの出力が接続されている。また、オフセット調整用差動オペアンプＯＰ１の出力端子は、よく知られた周知の加算回路ＳＵＭに接続されている。
【００３４】
一方、各抵抗Ｒ１０ｃ，Ｒ１０ｄの一端は、それぞれ、ＲＦ信号処理回路１１０の外部入力端子Ｃ，Ｄに接続され、光ピックアップから得られる出力信号Ｃ，Ｄが入力される。これら抵抗Ｒ１０ｃ，Ｒ１０ｄの他端は、互いに接続されてオフセット調整用差動オペアンプＯＰ２の反転入力端子に接続される。このオフセット調整用差動オペアンプＯＰ２の出力端子には帰還抵抗Ｒ２０ｃｄの一端が接続されている。この帰還抵抗Ｒ２０ｃｄの他端は、オフセット調整用差動オペアンプＯＰ２の反転入力端子に接続されている。このオフセット調整用差動オペアンプＯＰ２の非反転入力端子には、サンプルホールド回路ＳＨの出力が接続されている。また、オフセット調整用差動オペアンプＯＰ２の出力端子は、加算回路ＳＵＭに接続されている。
【００３５】
加算回路ＳＵＭの出力端子は、抵抗Ｒ３０の一端、バッファアンプＢＡ１の入力端子、及び傷検出回路ＤＥＴの比較器の反転入力端子に接続される。抵抗Ｒ３０の他端は、外部接続端子Ｔ１及びＡ／ＤコンバータＡＤの入力端子に接続されている。この外部接続端子Ｔ１は外付けコンデンサＣ１の一端に接続される。この外付けコンデンサＣ１の他端は接地される。この回路構成により、抵抗Ｒ３０とコンデンサＣ１との直列回路による平滑回路（直流成分出力回路）が構成される。Ａ／ＤコンバータＡＤの出力端子は、ロジック回路ＬＯの入力端子に接続される。このロジック回路ＬＯの一方の出力端子は、Ｄ／ＡコンバータＤＡの入力端子に接続される。このＤ／ＡコンバータＤＡの出力端子は、サンプルホールド回路ＳＨの入力端子に接続される。このサンプルホールド回路ＳＨの出力端子は、各オフセット調整用差動オペアンプＯＰ１，ＯＰ２の非反転入力端子に接続されている。なお、ロジック回路ＬＯの一方の出力端子は、外部接続端子Ｔ４に接続される。この外部接続端子Ｔ４は、図１のマイコン１５０と最終的に接続される。
【００３６】
また、傷検出回路ＤＥＴの比較器の非反転入力端子には、光ディスクの傷を検出するレベルを設定する基準電圧Ｖｒｅｆ１が接続されている。この比較器の出力端子は外部接続端子Ｔ３に接続されている。なお、傷検出回路ＤＥＴは、例えば特開平８−９６３６１号公報に記載されたものなど、様々な公知の構成のものを用いることができる。
【００３７】
なお、従来の図７に示す回路の場合、外付けのコンデンサＣ０を接続するために外部接続端子を二つ（Ｔ１，Ｔ２）必要だったが、本実施の形態に係る図２に示す回路場合では、外付けのコンデンサＣ１を接続するための外部接続端子は一つ（Ｔ１）で済む。
【００３８】
＜＜＜＜オフセット調整動作＞＞＞＞
図３のフローチャートに示すように、マイコン１５０の指令に応じ、サーボ信号処理回路１４０は光ディスクを回転させる（Ｓ１００）。このとき、所謂スレッドキックやレンズ加振といった、光ディスクの径方向に光ピックアップを横切らせる動作を光ピックアップ２００に実行させる。このことにより、実際の再生処理に近い出力信号Ａ乃至Ｄを得ることができる。
【００３９】
すなわち、マイコン１５０の指令に応じ、ロジック回路ＬＯでは、ＤＣオフセット調整用制御プログラムが動作することにより、ＤＣオフセットの調整を実行する。まず、オフセット調整動作の処理を開始すると、従来技術の欄で説明したように、光ピックアップからの出力信号Ａ乃至Ｄの合成信号たるＲＦ信号が加算回路ＳＵＭから出力される。このＲＦ信号の直流成分が、抵抗Ｒ３０から得られてＡ／ＤコンバータＡＤに入力される。
【００４０】
次に、ロジック回路ＬＯは、ＲＦ信号（図中、Ａ地点）の直流成分ＲＦＤＣのデジタル信号をＡ／ＤコンバータＡＤから取得する（Ｓ２００）。そして、このデジタル信号に基づき、ロジック回路ＬＯは、ＤＣオフセットを除去すべく、オフセット調整用差動オペアンプＯＰ１，ＯＰ２に印加される制御電圧ＶＣを変更させる。すなわち、ロジック回路ＬＯは、Ａ／ＤコンバータＡＤからのデジタル信号に基づき、ＲＦ信号の直流成分ＲＦＤＣが目標電圧と一致しているか否かを判断する（Ｓ３００）。一致していない場合には（Ｓ３００：ＮＯ）、直流成分ＲＦＤＣが目標電圧と等しくなるよう可変すべく、制御電圧ＶＣの設定用ディジタルデータを変更する（Ｓ４００）。この制御電圧ＶＣ設定用ディジタルデータは、Ｄ／ＡコンバータＤＡでアナログ信号化され、サンプルホールド回路ＳＨで保持されて、制御電圧ＶＣとしてオフセット調整用差動オペアンプＯＰ１，ＯＰ２に供給される。
【００４１】
このような制御論理は、例えば予め作成しておいた制御テーブルとして表現され、ロジック回路ＬＯ内のメモリに参照可能に格納されている。また、目標電圧の値は、図２中のＡ地点のＲＦ信号に基づき信号処理を実行する回路に対して供給される電源電圧Ｖｄｄのほぼ１／２程度（望ましくは、電源電圧の正確な１／２）であり、予めロジック回路ＬＯ内のメモリに参照可能に格納されている。すなわち、ＲＦ信号の直流成分ＲＦＤＣは、このＲＦ信号に基づき信号処理を実行する回路に供給される電源電圧Ｖｄｄのほぼ１／２程度に調整される。その結果、オフセットが調整されたＲＦ信号に基づき信号処理を行う回路、例えば傷検出回路ＤＥＴや再生処理系統をはじめ、Ａ／ＤコンバータＡＤ及びロジック回路ＬＯ等のダイナミックレンジの範囲内に、ＲＦ信号を収めることができる。
【００４２】
ＲＦ信号の直流成分ＲＦＤＣが目標電圧と一致していない場合では、図４（ａ）のグラフに示すように、目標電圧（波線）に対し、直流成分ＲＦＤＣ（実線）が＋ΔＶ（極性が反対の−ΔＶでもよい）の電圧差が生じている。この場合、直流成分ＲＦＤＣを中心とするＲＦ信号のアナログ波形の信号が回路の各部で処理される。このため、そのアナログ波形が、電源電圧（Ｖｄｄ）と接地電圧との間（ダイナミックレンジの範囲）に収まり切らず、その上下端が切り取られてしまい、歪んでしまう場合を招く。
【００４３】
しかしながら、前述したオフセットの調整が完了すると、図４（ｂ）のグラフに示すように、制御電圧ＶＣを引き上げる（極性が反対の−ΔＶの場合、引き下げる）制御を行った結果、ＲＦ信号の直流成分ＲＦＤＣが目標電圧と一致する（ΔＶがゼロ）。このため、そのアナログ波形が、電源電圧（Ｖｄｄ）と接地電圧との間（ダイナミックレンジの範囲）に収まり、そのダイナミックレンジが有効に利用でき、波形が歪んでしまうことを防止できる。
【００４４】
なお、目標電圧の値は、電源電圧Ｖｄｄのほぼ１／２程度に限らず、加算回路ＳＵＭの出力信号たるＲＦ信号が、このＲＦ信号に基づき信号処理を実行する回路のダイナミックレンジの範囲内に収まることを可能とする値に設定されていればよい。
【００４５】
このようなＳ４００の処理の後、前述したＳ３００の処理に戻り、デジタル信号ＲＦＤＣが目標電圧（に相当するデジタルデータ）に一致（相当）した場合には（Ｓ３００：ＹＥＳ）、ＤＣオフセット調整が完了したとして、この一致した場合の制御電圧ＶＣをサンプルホールド回路ＳＨで保持し（Ｓ５００）、実際の光ディスクの再生処理の設定値として利用する。
【００４６】
＜＜＜実際の再生動作時における傷検出動作＞＞＞
前述したＤＣオフセットが完了すると、直ちに、実際に光ディスクの再生動作を開始する。この再生時に利用される制御電圧ＶＣの値は、前述したように、ＤＣオフセット調整が完了した状態のサンプルホールド回路ＳＨで保持された設定値が用いられる。すなわち、図２のＡ点でＲＦ信号のＤＣオフセットを管理できる結果、ＤＣオフセットの調整された精密なＲＦ信号が傷検出回路ＤＥＴの比較器に入力される。その結果、光ディスクの傷検出精度を向上させることができる。すなわち、例えば、光ディスクにおいて傷が存在する区間と存在しない区間とを対比した図５のグラフに示すように、傷検出回路ＤＥＴの比較器に入力される基準電圧Ｖｒｅｆを目標電圧Ｖｄｄ／２（あるいは、目標電圧よりやや低め）に設定しておく。このことで、ＲＦ信号を傷検出回路ＤＥＴの比較器のダイナミックレンジの範囲に収めることができる。この場合、グラフ中、左右の領域の正常区間では、ＲＦ信号の直流成分ＲＦＤＣは基準電圧Ｖｒｅｆ１と一致しているため、ＲＦ信号の振幅中に基準電圧Ｖｒｅｆ１が含まれる格好となり、定常的に”Ｈ”とはならない（”Ｈ”と”Ｌ”とが交互に出力される。）。一方、グラフ中、中央の領域の傷区間では、ＲＦ信号の振幅全体はＶｒｅｆ１より低いため、比較器の出力は、定常的に”Ｈ”となる。サーボ信号処理回路１４０は、この定常的な”Ｈ”の出力でもって、傷の存在を判断する。このように、傷検出回路ＤＥＴに入力されるＲＦ信号のＤＣオフセットを管理できる結果、傷検出のレベル設定も容易となる。
【００４７】
以上、本発明の実施の形態について、その実施の形態に基づき具体的に説明したが、これに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、傷検出回路ＤＥＴの比較器の反転入力端子へ入力される信号として、加算回路ＳＵＭからのアナログ波形のＲＦ信号に代えて、その直流成分ＲＦＤＣとしてもよい。この直流成分ＲＦＤＣを基準電圧Ｖｒｅｆ１の比較対象とすることで、確実な比較結果を出力できる。
また、実際の再生動作をして傷検出動作を行いつつ、並行して、前述したオフセット調整をおこなってもよい。
【００４８】
本実施の形態にあっては、次の作用効果を奏する。
光ピックアップの出力信号が入力されるオフセット調整用差動オペアンプの制御電圧を可変とすることにより、加算回路の出力信号のオフセットを調整する。したがって、まず、光ピックアップに起因するオフセットを調整できる。合わせて、オフセット調整用差動オペアンプ、及び加算回路を含む処理系統に起因するオフセットも一括して調整できる。よって、加算回路の出力信号は、光ピックアップを含む上流の処理系統に起因するオフセットが調整されたものとなる。その結果、このオフセットが調整された出力信号に基づき信号処理を行う下流の処理系統、例えば、光ディスクの傷を検出する傷検出回路や、加算回路からの出力信号たるＲＦ信号に基づく再生処理系統においても、そのダイナミックレンジの範囲内に、当該ＲＦ信号を収めることができる。
【００４９】
したがって、オフセットが調整されたＲＦ信号を処理する各回路について、そのダイナミックレンジの有効活用が図れる。特に、低電源電圧で動作する仕様の回路系統では、ダイナミックレンジの範囲が狭くなるが、本発明によるオフセット調整により、当該範囲内にＲＦ信号を収めることが可能となる。よって、傷検出回路や再生処理系統等の信号処理において波形が歪む等の精度劣化を防止でき、高精度な傷検出処理及び再生処理が可能となる。
【００５０】
また、光ピックアップに起因する出力信号のオフセットを調整できることにより、光ディスク用オフセット調整回路に対し、出力信号の強度等、種々の仕様の光ピックアップが接続されても、適切にオフセット調整できる。また、反射光の強度が異なる種々のタイプの光ディスクに対しても、光ピックアップに起因するオフセットを調整できることにより、適切にオフセット調整できる。
【００５１】
さらに、オフセットを調整する回路を実現するにあたり、オフセットが調整されたＲＦ信号に基づき信号処理を行う下流の処理系統、例えば傷検出回路や再生処理系統等について、その設計を変更する必要はなく既存のままで済む。
【００５２】
光ピックアップを含む上流の処理系統に起因するオフセット調整が可能となる結果、傷検出回路における信号処理において波形が歪む等の精度劣化を防止でき、高精度な傷検出処理が可能となる。また、傷検出回路における傷検出のレベル設定も容易となる。
【００５３】
加算回路の出力信号は、この出力信号に基づき信号処理を実行する回路、例えば、光ディスクの傷を検出する傷検出回路や再生処理系統においても、そのダイナミックレンジの範囲内に、当該出力信号を収めることができる。よって、高精度なオフセット調整が可能となる結果、傷検出回路や再生処理系統における信号処理において波形が歪む等の精度劣化を防止でき、高精度な傷検出処理や再生処理が可能となる。
【００５４】
加えて、ＡＤ変換部を構成するＡ／Ｄコンバータ等のダイナミックレンジの範囲内に、加算回路の出力信号を収めることができる。このことにより、ＡＤ変換部として、分解能の高いＡ／Ｄコンバータを必要とせず、低コスト及び低消費電力化が図れる。
【００５５】
オフセットを除去すべく、加算回路の出力信号の直流成分のデジタル信号に基づき、当該オフセット調整用差動オペアンプに印加される制御電圧を可変可能となる。すなわち、オフセットを調整するに際して出力信号の直流成分に基づくことにより、オフセットが調整された出力信号に基づき信号処理を行う回路、例えば、光ディスクの傷を検出する傷検出回路や、加算回路の出力信号たるＲＦ信号に基づく再生処理系統においても、そのダイナミックレンジの範囲内に、確実に当該ＲＦ信号を収めることができる。よって、高精度なオフセット調整が可能となる結果、以て、高精度なＲＦ信号が得られることにより、高精度な傷検出処理及び再生処理が可能となる。
【００５６】
【発明の効果】
オフセットの調整機能を有する。よって、オフセットが調整された信号を処理する各回路について、そのダイナミックレンジの有効活用が図れる。特に、傷検出回路において、オフセットが調整された信号が用いられる場合には、傷検出回路における信号処理において波形が歪む等の精度劣化を防止でき、高精度な傷検出処理が可能となる。また、傷検出回路における傷検出のレベル設定も容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光ディスク用オフセット調整回路を含む光ディスク再生装置の要部を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る光ディスク用オフセット調整回路を示すブロック図である。
【図３】本発明に係るオフセット調整方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係るオフセット調整方法による制御の様子を示すグラフであり、（ａ）は、ＲＦ信号の直流成分ＲＦＤＣが目標電圧と一致しない場合を示し、（ｂ）は、ＲＦ信号の直流成分ＲＦＤＣが目標電圧と一致する場合を示す。
【図５】本発明に係るオフセット調整方法による制御の様子を示し、光ディスクの傷が存在する区間と存在しない区間とを対比したグラフである。
【図６】従来の光ディスク再生装置のブロック図である。
【図７】従来のＲＦ信号処理回路のブロック図である。
【符号の説明】
１００  光ディスク用アナログ信号生成回路
１１０  ＲＦ信号処理回路
１１５  エラー信号処理回路
１４０  サーボ信号処理回路
ＡＤ    Ａ／Ｄコンバータ（Ａ／Ｄ変換部）
ＢＡ１  バッファアンプ
Ｃ１    外付けのコンデンサ（直流成分出力回路の一部）
ＤＡ    Ｄ／Ａコンバータ
ＬＯ    ロジック回路（制御電圧調整部）
ＯＰ１，ＯＰ２  オフセット調整用差動オペアンプ（差動増幅回路）
Ｒ１０ａ，Ｒ１０ｂ，Ｒ１０ｃ，Ｒ１０ｄ  抵抗
Ｒ２０ａｂ，Ｒ２０ｃｄ                  帰還抵抗
Ｒ３０  抵抗（直流成分出力回路の一部）
ＳＨ    サンプルホールド回路
ＳＵＭ  加算回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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