(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶表示装置の外廓光漏れ現象を防げて高画質な液晶表示装置を製作する。【解決手段】アレイ基板１００の上部にカラーフィルター１４０を構成する構造において、薄膜トランジスタとゲート配線１０２及びデータ配線１１６の上部に不透明な有機樹脂でブラックマトリックス１２８を形成して、カラーフィルター１４０を中心に上部と下部に各々第１透明電極１４８及び第２透明電極１５０を形成する。また、アレイ部とパッド部の間の光漏れ領域に対応してブラックマトリックス１２８をさらに形成し、前記ブラックマトリックス１２８の上部に無機絶縁膜をさらに形成し、上部基板を合着するシールパターンの接触特性を改善する。【選択図】図３
2004191972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を含み基板上に一方向へ延長して構成されたたゲート配線と；
前記基板の上部に形成されて前記ゲート配線と交差して画素領域を定義し、一端にデータパッドを含むデータ配線と；
前記ゲート配線と離隔されて前記基板の上部に前記データ配線のような物質で形成されたゲートパッドと；
前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に位置して、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと；
前記ゲート配線とデータ配線及びドレイン電極の一部を除いた薄膜トランジスタと重なるように形成されたブラックマトリックスと；
前記ドレイン電極及び基板と接触しながら画素領域ごと独立的に構成された透明な第１画素電極と；
前記第１画素電極の上部に、画素領域に対応して構成されたカラーフィルターと；
前記カラーフィルターの上部に位置して、前記第１電極と接触する透明な第２画素電極と
を含む液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項２】
前記ゲート配線とゲート電極を覆うように基板上に形成された第１絶縁膜と；
前記薄膜トランジスタ、前記ゲートパッド、データ配線、データパッドを覆うように前記基板全面に形成された第２絶縁膜と；
前記ブラックマトリックスを覆うように前記基板全面に形成されて、前記第２絶縁膜と共にドレイン電極の一部を露出する第３絶縁膜と；
前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜に形成され、前記ゲートパッド及びデータパッドを各々露出する多数の第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールと；
前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜に形成され、前記画素領域で基板を露出する開口部と、ゲート配線の一端を露出する第３コンタクトホールと；
前記第３絶縁膜の上部で多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して透明導電性物質で構成された二重層のゲートパッド端子と；
前記第３絶縁膜の上部で第２コンタクトホールを通じて前記データパッドと接触して透明導電性物質で構成された二重層のデータパッド端子と；
透明導電性物質で構成された第１連結電極及び第２連結電極を含み、多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して、前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲート配線の一端と接触して、ゲートパッドとゲート配線を連結する二重層の連結電極と
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３】
前記カラーフィルターと同一物質で前記第３コンタクトホールと対応するように構成して、前記第１連結電極及び第２連結電極の間に介在され、前記ゲート配線の一端と対応して、前記二重層の連結電極がゲートパッドと接触する第１コンタクトホールと対応して、赤、緑、青色のカラー樹脂のうちの一つで構成されたカラーフィルターパターンをさらに含む
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項４】
前記ゲート配線の上部の第１絶縁膜上に、アイランド状のストレージ金属層をさらに含み、前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜は前記ストレージ金属層の一部を露出して、前記第１画素電極は露出されたストレージ金属層と接触し、前記接触するアイランド状の金属層と、その下部のゲート配線と、これらの間に介在された第１絶縁膜で構成されたストレージキャパシターをさらに含む
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項５】
前記ストレージ金属層と前記第１絶縁膜の間に純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層で構成された半導体パターンをさらに含む
ことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項６】
前記ゲートパッドと第１絶縁膜の間と、前記データ配線と第１絶縁膜の間と、前記データパッドと第１絶縁膜の間に各々の純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層で構成された半導体パターンをさらに含む
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項７】
前記第１画素電極は前記基板と直接接触する
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項８】
前記半導体層は、純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層が積層されてゲート電極の上部に構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項９】
基板上に一方向へ延長されたゲート配線と、これに連結されたゲート電極を形成する段階と；
前記ゲート電極が形成された基板の上部に純粋非晶質シリコンであるアクティブ層と不純物非晶質シリコンであるオーミックコンタクト層を形成する段階と；
前記ゲート配線と前記第１絶縁膜を間に交差して画素領域を定義し、一端にデータパッドを含むデータ配線と、前記ゲート配線の一端に近接したゲートパッドと、前記オーミックコンタクト層の上部にデータ配線から延長されたソース電極と、ソース電極と離隔されオーミックコンタクト層に形成されたドレイン電極を形成して薄膜トランジスタを完成する段階と；
前記ドレイン電極の一部を除いた薄膜トランジスタの上部と、ゲート配線及びデータ配線の上部にブラックマトリックスを形成する段階と；
前記ドレイン電極と接触する第１透明電極層を形成する段階と；
前記画素領域に対応する第１透明電極層上にカラーフィルターを形成すると同時に、前記ゲートパッドの一部とゲート配線の一端に対応するようにカラーフィルターと同一物質でカラーフィルターパターンを形成する段階と；
前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンが形成された基板全面に第２透明電極層を形成する段階と
を含む液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板全面に第１絶縁膜を形成する段階と；
前記薄膜トランジスタ、ゲートパッド、データパッドを覆うように基板全面に第２絶縁膜を形成する段階と；
前記ブラックマトリックスと第２絶縁膜の上部に第３絶縁膜を形成する段階と；
前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングして画素領域で基板を露出すると同時に、ゲートパッドを露出する多数の第１コンタクトホールと、データパッドを露出する第２コンタクトホールと、ゲート配線の一端を露出する第３コンタクトホールを形成して、ドレイン電極の一部を露出する段階と；
前記第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングして第１画素電極及び第２画素電極を形成すると同時に、前記ゲートパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して二重の透明導電性物質で構成され、多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触する二重層のゲートパッド端子と、前記データパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して二重の透明導電性物質で構成され、第２コンタクトホールを通じてデータパッドと接触する二重層のデータパッド端子と、透明導電性物質で構成された第１連結電極及び第２連結電極を含み、ゲートパッドとゲート配線を連結するために、前記多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して、前記第３コンタクトホールを通じてゲート配線と接触する二重層の連結電極を形成する段階とを
さらに含むことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記ゲート配線とゲート電極を形成する段階は第１マスクを利用し、前記アクティブ層とオーミックコンタクト層を形成する段階は第２マスクを利用し、前記ゲート配線、データパッド、ゲートパッド、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階は第３マスクを利用し、前記ブラックマトリックスを形成する段階は第４マスクを利用し、前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングする段階は第５マスクを利用し、前記第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングする段階は第６マスクを利用する
ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記データパッドと前記ゲートパッドを形成する段階はゲート配線の上部にストレージ金属層を形成する段階を含み、前記ストレージ金属層と前記ゲート配線の一部は、これらの間に介在されたゲート絶縁膜と共にストレージキャパシターを構成する
ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜をパターニングする段階はストレージ金属層の一部を露出して、前記第１画素電極は露出されたストレージ金属層と接触する
ことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記カラーフィルターパターンは前記第３コンタクトホールと対応して前記第１連結電極及び第２連結電極の間に介在され、前記ゲート配線の一端の上部に位置して、前記二重層の連結電極がゲートパッドと接触させる第１コンタクトホールと対応するように構成され、前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンは赤色、緑色、青色のカラー樹脂のうちの一つで構成する
ことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１画素電極は基板と直接接触して、前記第１画素電極及び第２画素電極は、これらの間にカラーフィルターを介在してサンドイッチ形画素電極を構成し、前記データ配線、データパッド、ゲートパッド、ソース電極、ドレイン電極は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうちから選択された一つで構成する
ことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記ブラックマトリックスは不透明な感光性有機物質で形成される
ことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１７】
基板上に第１金属層を形成してパターニングし、一方向へ延長されたゲート配線と、これに連結されたゲート電極を形成する段階と；
前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板上に第１絶縁膜を形成する段階と；
前記第１絶縁膜上に純粋非晶質シリコン層と、不純物非晶質シリコン層と、第２金属層を順に形成する段階と；
前記純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層、第２金属層を同時にパターニングして、ゲート配線と垂直に延長されて画素領域を定義し、一端にデータパッドを含むデータ配線、ゲートパッド、ソース電極、ドレイン電極、半導体パターンを形成する段階と；
前記ソース電極及びドレイン電極の間に位置する不純物非晶質シリコンパターンをエッチングして純粋非晶質シリコンであるアクティブ層と、不純物非晶質シリコンであるオーミックコンタクト層を形成して、ゲート配線とデータ配線の交差地点に薄膜トランジスタを完成する段階と；
前記ドレイン電極の一部を除いた薄膜トランジスタの上部と、ゲート配線及びデータ配線の上部にブラックマトリックスを形成する段階と；
前記ドレイン電極と接触する第１透明電極層を形成する段階と；
前記画素領域に対応する第１透明電極層上にカラーフィルターを形成すると同時に、前記ゲートパッドの一部とゲート配線の一端に対応して、カラーフィルターと同一物質でカラーフィルターパターンを形成する段階と；
前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンが形成された基板全面に第２透明電極層を形成する段階と
を含む液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層をパターニングする段階は、前記第２金属層上にフォト-レジスト層を形成する段階と、このフォト-レジストの上部に透過部、遮断部、半透過部を持つマスクを位置させる段階とを含む
ことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記薄膜トランジスタ、ゲートパッド、データパッドを覆うように基板全面に  第２絶縁膜を形成する段階と；
前記ブラックマトリックスと第２絶縁膜の上部に第３絶縁膜を形成する段階と；
前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングして、画素領域で基板とドレイン電極の一部を露出する開口部と、ゲートパッドを露出する多数の第１コンタクトホールと、データパッドを露出する第２コンタクトホールと、ゲート配線の一端を露出する第３コンタクトホールを形成する段階と；
前記第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングして第１画素電極及び第２画素電極を形成すると同時に、前記ゲートパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して二重の透明導電性物質で構成され、多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触する二重層のゲートパッド端子と、前記データパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して二重の透明導電性物質で構成され、第２コンタクトホールを通じてデータパッドと接触する二重層のデータパッド端子と、透明導電性物質で構成され、第１連結電極及び第２連結電極を含み、ゲートパッドとゲート配線を連結するために、前記多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して、前記第３コンタクトホールを通じてゲート配線と接触する二重層の連結電極を形成する段階とをさらに含む
ことを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記ゲート配線とゲート電極を形成する段階は第１マスクを利用し、前記純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層と第２金属層を同時にパターニングする段階は第２マスクを利用し、前記ブラックマトリックスを形成する段階は第３マスクを利用し、前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングする段階は第４マスクを利用し、前記第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングする段階は第５マスクを利用する
ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２１】
前記データパッドと前記ゲートパッドを形成する段階はゲート配線の上部にストレージ金属層を形成する段階を含み、前記ストレージ金属層と前記ゲート配線の一部は、これらの間に介在されたゲート絶縁膜と共にストレージキャパシターを構成する
ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜をパターニングする段階はストレージ金属層の一部を露出して、前記第１画素電極は露出されたストレージ金属層と接触する
ことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２３】
前記ゲートパッドとゲート配線の一端と近接してアイランド状を構成し、前記ソース電極は前記データ配線から分岐されて形成し、前記ドレイン電極は前記ソース電極と所定間隔離隔されて形成し、前記半導体パターンは前記パターニングされた第２金属層の下部に位置して純粋非晶質シリコンパターンと不純物非晶質シリコンパターンで構成される
ことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２４】
前記半導体パターンは、ゲートパッドと第１絶縁膜との間と、データ配線と第１絶縁膜との間と、データパッドと第１絶縁膜との間に位置する
ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２５】
前記カラーフィルターパターンは前記第３コンタクトホールと対応して前記第１連結電極及び第２連結電極の間に介在され、前記ゲート配線の一端の上部に位置して、前記二重層の連結電極がゲートパッドと接触させる第１コンタクトホールと対応するように構成され、前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンは赤色、緑色、青色のカラー樹脂のうちの一つで構成する
ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２６】
前記第１画素電極は基板と直接接触し、前記第１画素電極及び第２画素電極は、これらの間にカラーフィルターを介在してサンドイッチ形画素電極を構成し、前記データ配線、データパッド、ゲートパッド、ソース電極、ドレイン電極は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうちから選択された一つで構成し、前記ブラックマトリックスは不透明な感光性有機物質で形成される
ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２７】
表示領域、非表示領域、表示領域と非表示領域の間に位置する境界領域で区分された基板と；
表示領域の基板上に位置する多数のゲート配線と；
非表示領域の基板上に位置する多数のゲートパッドと；
基板上の非表示領域と境界領域に掛けて位置し、ゲート配線とゲートパッドを連結する多数のゲートリンク線と；
前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義する多数のデータ配線と；
前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に位置して、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、ドレイン電極を含む多数の薄膜トランジスタと；
前記薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線の上部に構成されたブラックマトリックスと；
前記画素領域に位置するカラーフィルターと；
前記非表示領域と境界領域に位置して、ゲートリンク線とゲートリンク線の間の離隔空間に対応するように構成された遮光パターンと；
画素領域に位置して薄膜トランジスタのドレイン電極と接触する多数の画素電極と
を含む液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項２８】
前記ブラックマトリックスと薄膜トランジスタとの間に窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つを選択して無機絶縁膜をさらに構成し、前記遮光パターンは光漏れ現象を防ぐために、前記ゲートリンク線の各離隔領域に対応するようにパターニングされ構成される
ことを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項２９】
前記遮光パターンの上部にシールパターンをさらに含み、前記シールパターンと前記遮光パターンの間に窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つで構成された無機絶縁層をさらに含む
ことを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３０】
前記シールパターンは前記ゲートリンク線と直接接触するように構成される
ことを特徴とする請求項２９に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３１】
前記画素電極は前記カラーフィルターを間に二重層の透明導電性物質で構成される
ことを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３２】
表示領域、非表示領域、表示領域と非表示領域の間に位置する境界領域で区分された基板と；
表示領域の基板上に位置する多数のゲート配線と；
非表示領域の基板上に位置する多数のゲートパッドと；
基板上の非表示領域と境界領域に掛けて位置して、ゲート配線とゲートパッドを連結する多数のゲートリンク線と；
前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義する多数のデータ配線と；
前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に位置して、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、ドレイン電極を含む多数の薄膜トランジスタと；
前記薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線の上部に構成されたブラックマトリックスと；
前記画素領域に位置するカラーフィルターと；
前記非表示領域と境界領域に位置して、ゲートリンク線とゲートリンク線の間の離隔空間に対応するように構成された遮光パターンと；
前記ブラックマトリックスと遮光パターンの上部に構成された第１無機絶縁膜と；
画素領域に位置して薄膜トランジスタのドレイン電極と接触する多数の画素電極と
を含む液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３３】
前記ブラックマトリックスと薄膜トランジスタとの間に窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つを選択して第２無機絶縁膜をさらに構成する
ことを特徴とする請求項３２に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３４】
前記遮光パターンは光漏れ現象を防ぐために、前記ゲートリンク線の各離隔領域に対応してパターニングされ構成する
ことを特徴とする請求項３２に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３５】
窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つで構成された第１無機絶縁膜の上部にシールパターンがさらに構成される
ことを特徴とする請求項３２に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３６】
前記シールパターンは前記ゲートリンク線と直接接触するように構成される
ことを特徴とする請求項３５に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３７】
前記画素電極は前記カラーフィルターを間に二重層の透明導電性物質で構成される
ことを特徴とする請求項３２に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、薄膜トランジスタアレイ部の上部にカラーフィルターを構成するＣＯＴ（color filter on TFT）構造の液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は液晶分子の光学的異方性と複屈折特性を利用して画像を表現するものであって、電界が印加されると液晶の配列が変わり、変わった液晶の配列方向によって光が透過する特性も変わる。
【０００３】
液晶表示装置は、電界生成電極が各々形成されている二枚の基板を電極が形成されている面が向かい合うように配置し、両基板間に液晶物質を注入した後に、両電極間に電圧を印加して生成される電界により液晶分子を動くようにして、これにより変わる光の透過率により画像を表現する装置である。
【０００４】
図１は、液晶表示装置を概略的に示した図面である。図示したように、カラー液晶表示装置１１の上部基板５は、サブカラーフィルター８と各サブカラーフィルター８の間に設けられたブラックマトリックス６を含んでおり、また、各サブカラーフィルター８とブラックマトリックスの上部に蒸着された共通電極１８を含む。カラー液晶表示装置１１の下部基板２２は、画素電極１７とスイッチング素子Ｔが画素領域Ｐに構成されて、画素領域Ｐの周辺にアレイ配線が形成されている。上部基板５と下部基板２２との基板間に液晶１４が充填されている。
【０００５】
前記下部基板２２はアレイ基板とも称するが、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴがマトリックス状に配置されており、このような多数の薄膜トランジスタＴに交差してゲート配線１３とデータ配線１５が形成される。ここで、前記画素領域Ｐは前記ゲート配線１３とデータ配線１５が交差して定義される領域で、前記画素領域Ｐ上には前述したように透明な画素電極１７が形成される。
【０００６】
前記画素電極１７は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）のように光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を用いる。前記画素電極１７と並列に接続したストレージキャパシターＣがゲート配線１３の上部に構成され、このストレージキャパシターＣの第１電極としてゲート配線１３の一部を用い、また、第２電極としてソース電極及びドレイン電極と同一層同一物質で形成されたアイランド状のストレージ金属層３０を用いる。この時、前記アイランド状のストレージ金属層３０は画素電極１７と接触して画素電極１７の信号を受けるように構成される。
【０００７】
ところで、前述したようなカラーフィルター基板としての上部基板５とアレイ基板としての下部基板２２を合着して液晶パネルを製作する場合に、上部基板５と下部基板２２の合着誤差による光漏れ不良などが発生する確率が非常に高い。
【０００８】
以下、図２を参照しながら光漏れ現象について説明する。図２は、図１のII−II線に沿って切断した断面図である。前述したように、アレイ基板である第１基板２２と、前記第１基板２２と離隔されたカラーフィルター基板である第２基板５と、前記第１基板２２及び第２基板５との間に位置する液晶層１４を含む。
【０００９】
アレイ基板２２の上部には、ゲート電極３２、アクティブ層３４、ソース電極３６、ドレイン電極３８を含む薄膜トランジスタＴと、前記薄膜トランジスタＴの上部にこれを保護する保護膜４０が構成される。ゲート電極３２とアクティブ層３４の間には、ゲート絶縁膜１６が介在されている。ゲート絶縁膜１６はゲート電極３２及びゲート配線１３を絶縁して保護する役割を行う。
【００１０】
画素領域Ｐには、前記薄膜トランジスタＴのドレイン電極３８と接触する透明画素電極１７が構成されて、画素電極１７と並列に連結したストレージキャパシターＣがゲート配線１３の上部に構成されている。
【００１１】
前記上部基板５には、前記ゲート配線１３、データ配線１５、薄膜トランジスタＴに対応してブラックマトリックス６が構成され、下部基板２２の画素領域Ｐに対応してカラーフィルター８ａ，８ｂ，８ｃが構成される。この時、一般的なアレイ基板は、垂直クロストーク（cross talk）を防止するために、データ配線１５と画素電極１７を一定間隔Ａ離隔して構成し、ゲート配線１３と画素電極も一定間隔Ｂ離隔して構成する。
【００１２】
データ配線１５及びゲート配線１３と画素電極１７間の離隔した空間ＡＢは光漏れ現象が発生する領域であるために、上部カラーフィルター基板５に構成したブラックマトリックス６がこの部分を遮る役割をする。また、前記薄膜トランジスタＴの上部に構成されたブラックマトリックス６は外部から照射される光が保護膜４０を通ってアクティブ層３４に影響を与えないようにするために光を遮断する役割をする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところが、前記上部基板５と下部基板２２を合着する工程において合着誤差（misalign）が発生する場合があるので、これを勘案して前記ブラックマトリックス６を設計する時に一定の値のマージンをおいて設計するため、そのマージン分だけ開口率が低下する。また、マージンを越えた合着誤差が発生する場合、光漏れ領域Ａ、Ｂがブラックマトリックス６によりすべてを遮られない光漏れ不良が発生する場合がたびたびある。このような場合には、前記光漏れが外部に現れるので、液晶表示装置の画質を低下させる問題がある。
【００１４】
本発明は前述したような問題を解決するために提案されたものであって、本発明を要約すると、カラーフィルターを下部基板に構成して、カラーフィルターの間領域つまり、薄膜トランジスタとゲート配線及びデータ配線の上部にブラックマトリックスを構成する。前記画素領域には、第１画素電極、カラーフィルター、第２画素電極の順で構成するが、前記第１画素電極はドレイン電極と直接接触する構成で、前記第２画素電極は前記第１画素電極と接触するように構成する。この時、前記ゲート配線の一端に構成されるゲートパッドを形成する時、前記カラーフィルターをパターニングする薬液に強いデータ配線物質で形成をしてカラーフィルターをパターニングする工程の途中、前記ゲートパッドがダメージを受けて断線になる不良を防ぐ。また、本発明においては、前記基板の外廓領域で発生する光漏れを遮断するために、前記ゲートパッドとゲート配線を連結するゲートリンク線が構成された領域に遮光パターンを形成する。前記ゲートリンク線が通る領域は上部基板と下部基板を合着するシールパターンが印刷される領域のために、前記遮光パターンの上部に無機絶縁膜をさらに形成して、前記印刷されたシールパターンの接触特性を改善する。このような構成は、液晶表示装置の外廓光漏れ現象を防げて高画質な液晶表示装置を製作する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前述した目的を達成するための本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、ゲート電極を含み基板上に一方向へ延長されたゲート配線と；前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板上に形成された第１絶縁膜と；前記第１絶縁膜の上部に形成され、前記ゲート配線と交差して画素領域を定義し、一端にデータパッドを含むデータ配線と；前記ゲート配線と離隔されて前記第１絶縁膜の上部に前記データ配線のような物質で形成されたゲートパッドと；前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に位置して、前記ゲート電極、半導体層、ソース電極、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタ、前記ゲートパッド、データ配線、データパッドを覆うように前記基板全面に形成された第２絶縁膜と；前記第２絶縁膜の上部に形成されて、前記ゲート配線とデータ配線及びドレイン電極の一部を除いた薄膜トランジスタと重なるように形成されたブラックマトリックスと；前記ブラックマトリックスを覆うように前記基板全面に形成された第３絶縁膜と、前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜に形成されて前記ゲートパッド及びデータパッドを各々露出する多数の第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールと；前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜に形成され、前記画素領域で基板を露出する開口部と、ゲート配線の一端を露出する第３コンタクトホールと；前記露出されたドレイン電極及び基板と接触しながら画素領域ごと独立的に構成された透明な第１画素電極と；前記第１画素電極の上部に、画素領域に対応して構成されたカラーフィルターと；前記カラーフィルターの上部に位置して、前記第１電極と接触する透明な第２画素電極を含むことを特徴とする。
【００１６】
前記液晶表示装置用アレイ基板は、前記第３絶縁膜の上部で多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して透明導電性物質で構成された二重層のゲートパッド端子をさらに含む。前記液晶表示装置用アレイ基板は、前記第３絶縁膜の上部で第２コンタクトホールを通じて前記データパッドと接触して透明導電性物質で構成された二重層のデータパッド端子をさらに含む。前記液晶表示装置用アレイ基板は、透明導電性物質で構成された第１連結電極及び第２連結電極を含む二重層の連結電極をさらに含む。前記二重層の連結電極は、前記多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して、前記第３コンタクトホールを通じて前記ゲート配線の一端と接触して、ゲートパッドとゲート配線を連結する。前記液晶表示装置用アレイ基板は、カラーフィルターと同一物質で前記第３コンタクトホールと対応するように構成して、前記第１連結電極及び第２連結電極の間に介在されたカラーフィルターパターンをさらに含むように構成される。前記カラーフィルターパターンは、前記ゲート配線の一端の上部に対応して、前記二重層の連結電極がゲートパッドと接触する第１コンタクトホールと対応して、赤、緑、青色のカラー樹脂で構成される。前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜は前記ドレイン電極の一部を露出して、前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜は、窒化シリコンと酸化シリコンのうちの一つで構成される。前記半導体層は、純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層が積層されてゲート電極の上部に構成される。前記第１画素電極及び第２画素電極は、インジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）及びインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）のうちの一つで構成される。前記カラーフィルターは、前記画素領域に赤、緑、青色のカラーフィルターが各々対応するように構成される。前記ゲート配線の上部の第１絶縁膜上に、アイランド状のストレージ金属層をさらに含む。前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜は、前記ストレージ金属層の一部を露出して、前記第１画素電極は、露出されたストレージ金属層と接触する。前記液晶表示装置用アレイ基板には、前記ゲート配線の上部に前記第１画素電極と接触するアイランド状の金属層を第１画素電極として、その下部のゲート配線を第２電極として、これらの間に介在された第１絶縁膜を含むストレージキャパシターがさらに構成される。前記ストレージ金属層と前記第１絶縁膜の間に純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層で構成された半導体パターンをさらに含む。前記第１画素電極は前記基板と直接接触する。前記液晶表示装置用アレイ基板は、ゲートパッドと第１絶縁膜の間と、前記データ配線と第１絶縁膜の間と、前記データパッドと第１絶縁膜の間に各々の純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層で構成された半導体パターンをさらに含む。
【００１７】
本発明の他の特徴による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板上に一方向へ延長されたゲート配線と、これに連結されたゲート電極を形成する段階と；前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板全面に第１絶縁膜を形成する段階と；前記ゲート電極の上部のゲート絶縁膜上に純粋非晶質シリコンであるアクティブ層と不純物非晶質シリコンであるオーミックコンタクト層を形成する段階と；前記ゲート配線と前記第１絶縁膜を間に交差して画素領域を定義し、一端にデータパッドを含むデータ配線と、前記ゲート配線の一端に近接するゲートパッドと、前記オーミックコンタクト層の上部にデータ配線から延長されたソース電極と、ソース電極と離隔されオーミックコンタクト層に形成されたドレイン電極を形成して薄膜トランジスタを完成する段階と；前記薄膜トランジスタ、ゲートパッド、データパッドが形成された基板全面に第２絶縁膜を形成する段階と；前記ドレイン電極の一部を除いた薄膜トランジスタの上部と、ゲート配線及びデータ配線の上部にブラックマトリックスを形成する段階と；前記ブラックマトリックスと第２絶縁膜の上部に第３絶縁膜を形成する段階と；前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングして画素領域で基板を露出し、ゲートパッドを露出する多数の第１コンタクトホールと、データパッドを露出する第２コンタクトホールと、ゲート配線の一端を露出する第３コンタクトホールを形成し、ドレイン電極の一部を露出する段階と；前記パターニングされた第３絶縁膜が形成された基板全面に前記露出されたドレイン電極と接触する第１透明電極層を形成する段階と；前記画素領域に対応する第１透明電極層の上部にカラーフィルターを形成すると同時に、前記ゲートパッドの一部とゲート配線の一端に掛けて対応する第１透明電極層と同一物質でカラーフィルターパターンを形成する段階と；前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンが形成された基板全面に第２透明電極層を形成する段階と；第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングして第１画素電極及び第２画素電極を形成し、二重層のゲートパッド端子、二重層のデータパッド端子、二重層の連結電極を形成する段階を含む。
【００１８】
前記ゲート配線とゲート電極を形成する段階は第１マスクを利用して、前記アクティブ層とオーミックコンタクト層を形成する段階は第２マスクを利用して、前記ゲート配線、データパッド、ゲートパッド、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階は第３マスクを利用して、前記ブラックマトリックスを形成する段階は第４マスクを利用して、前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングする段階は第５マスクを利用して、前記第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングする段階は第６マスクを利用する。前記液晶表示装置用アレイ基板の製造方法では、前記データパッドと前記ゲートパッドを形成する段階はゲート配線の上部にストレージ金属層を形成する段階を含む。前記ストレージ金属層と前記ゲート配線の一部は、これらの間に介在されたゲート絶縁膜と共にストレージキャパシターを構成する。前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜をパターニングする段階はストレージ金属層の一部を露出して、前記第１画素電極は露出されたストレージ金属層と接触する。前記二重層のゲートパッド端子は前記ゲートパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して、二重の透明導電性物質で構成する。前記二重層のゲートパッド端子は多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触する。前記二重層のデータパッド端子は前記データパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して二重の透明導電性物質で構成する。前記二重層のデータパッド端子は第２コンタクトホールを通じてデータパッドと接触する。前記二重層の連結電極は透明導電性物質で構成された第１連結電極及び第２連結電極を含み、ゲートパッドとゲート配線を連結するために前記多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して、前記第３コンタクトホールを通じてゲート配線と接触する。前記カラーフィルターパターンは前記第３コンタクトホールと対応して前記第１連結電極及び第２連結電極の間に介在されている。前記カラーフィルターパターンは前記ゲート配線の一端の上部に位置して、前記二重層の連結電極がゲートパッドと接触される第１コンタクトホールと対応する。前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンは赤色、緑色、青色のカラー樹脂のうちの一つで構成される。前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜は窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つで構成される。前記第１透明電極層及び第２透明電極層はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）及びインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）のうちの一つで構成される。前記第１画素電極は基板と直接接触する。前記第１画素電極及び第２画素電極は、これらの間にカラーフィルターを介在してサンドイッチ形画素電極を構成する。前記データ配線、データパッド、ゲートパッド、ソース電極、ドレイン電極は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうちから選択された一つで構成する。前記ブラックマトリックスは不透明な感光性有機物質で形成される。
【００１９】
本発明のまた他の特徴による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板上に第１金属層を形成してパターニングし、一方向へ延長されたゲート配線と、これに連結されたゲート電極を形成する段階と；前記ゲート配線とゲート電極が形成された基板上に第１絶縁膜を形成する段階と；前記第１絶縁膜上に純粋非晶質シリコン層を形成する段階と；前記純粋非晶質シリコン層の上部に不純物非晶質シリコン層を形成する段階と；前記不純物非晶質シリコン層の上部に第２金属層を形成する段階と；前記純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層、第２金属層を同時にパターニングして、前記ゲート配線と垂直に延長されて画素領域を定義し、一端にデータパッドを含むデータ配線と、前記ゲート配線と近接してアイランド状を持つゲートパッドと、前記データ配線から延長されたソース電極と、前記ソース電極と所定間隔離隔されたドレイン電極と、前記パターニングされた第２金属層の下部に位置して純粋非晶質シリコンパターンと不純物非晶質シリコンパターンで構成された半導体パターンを形成する段階と；前記ソース電極及びドレイン電極の間に位置する不純物非晶質シリコンパターンをエッチングして純粋非晶質シリコンであるアクティブ層と、不純物非晶質シリコンであるオーミックコンタクト層を形成して、ゲート配線とデータ配線の交差地点に薄膜トランジスタを完成する段階と；前記薄膜トランジスタ、ゲートパッド、データパッドが形成された基板全面に第２絶縁膜を形成する段階と；前記ドレイン電極の一部を除いた薄膜トランジスタの上部と、ゲート配線及びデータ配線の上部にブラックマトリックスを形成する段階と；前記ブラックマトリックスと第２絶縁膜の上部に第３絶縁膜を形成する段階と；前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングして画素領域で基板を露出し、ゲートパッドを露出する多数の第１コンタクトホールと、データパッドを露出する第２コンタクトホールと、ゲート配線の一端を露出する第３コンタクトホールを形成し、ドレイン電極の一部を露出する段階と；前記パターニングされた第３絶縁膜が形成された基板全面に前記露出されたドレイン電極と接触する第１透明電極層を形成する段階と；前記画素領域に対応する第１透明電極層の上部にカラーフィルターを形成すると同時に、前記ゲートパッドの一部とゲート配線の一端に掛けて対応する第１透明電極層と同一物質でカラーフィルターパターンを形成する段階と；前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンが形成された基板全面に第２透明電極層を形成する段階と；前記第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングして第１画素電極及び第２画素電極を形成し、二重層のゲートパッド端子、二重層のデータパッド端子、二重層の連結電極を形成する段階を含む。
【００２０】
前記液晶表示装置用アレイ基板の製造方法では、前記純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層をパターニングする段階は、前記第２金属層上にフォト-レジスト層を形成する段階と、このフォト-レジストの上部にマスクを位置させる段階を含む。前記マスクは透過部、遮断部、半透過部を持つ。前記半導体パターンはゲートパッドと第１絶縁膜の間、データ配線と第１絶縁膜の間、データパッドと第１絶縁膜の間に位置する。前記ゲート配線とゲート電極を形成する段階は第１マスクを利用して、前記純粋非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層と第２金属層をパターニングする段階は第２マスクを利用して、前記ブラックマトリックスを形成する段階は第３マスクを利用して、前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜をパターニングする段階は第４マスクを利用して、前記第１透明電極層及び第２透明電極層をパターニングする段階は第５マスクを利用する。前記データパッドと前記ゲートパッドを形成する段階はゲート配線の上部にストレージ金属層を形成する段階を含む。前記ストレージ金属層と前記ゲート配線の一部は、これらの間に介在されたゲート絶縁膜と共にストレージキャパシターを構成する。前記第２絶縁膜及び第３絶縁膜をパターニングする段階はストレージ金属層の一部を露出して、前記第１画素電極は露出されたストレージ金属層と接触する。前記二重層のゲートパッド端子は前記ゲートパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して、二重の透明導電性物質で構成する。前記二重層のゲートパッド端子は多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触する。前記二重層のデータパッド端子は前記データパッドの上部の第３絶縁膜上に位置して二重の透明導電性物質で構成する。前記二重層のデータパッド端子は第２コンタクトホールを通じてデータパッドと接触する。前記二重層の連結電極は透明導電性物質で構成された第１連結電極及び第２連結電極を含み、ゲートパッドとゲート配線を連結するために前記多数の第１コンタクトホールのうちの一つを通じてゲートパッドと接触して、前記第３コンタクトホールを通じてゲート配線と接触する。前記カラーフィルターパターンは前記第３コンタクトホールと対応して前記第１連結電極及び第２連結電極の間に介在される。前記カラーフィルターパターンは前記ゲート配線の一端の上部に位置して、前記二重層の連結電極がゲートパッドと接触される第１コンタクトホールと対応する。前記カラーフィルターとカラーフィルターパターンは赤、緑、青色のカラー樹脂のうちの一つで構成される。前記第１絶縁膜ないし第３絶縁膜は窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つで構成される。前記第１透明電極層及び第２透明電極層はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）及びインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）のうちの一つで構成される。前記第１画素電極は基板と直接接触する。前記第１画素電極及び第２画素電極は、これらの間にカラーフィルターを介在してサンドイッチ形画素電極を構成する。前記データ配線、データパッド、ゲートパッド、ソース電極、ドレイン電極は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうちから選択された一つ���構成する。前記ブラックマトリックスは不透明な感光性有機物質で形成される。
【００２１】
本発明のまた他の特徴による液晶表示装置用アレイ基板は、表示領域、非表示領域、表示領域と非表示領域の間に位置する境界領域で区分された基板と；表示領域の基板上に位置する多数のゲート配線と；非表示領域の基板上に位置する多数のゲートパッドと；基板上の非表示領域と境界領域に掛けて位置して、ゲート配線とゲートパッドを連結する多数のゲートリンク線と；前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義する多数のデータ配線と；前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に位置して、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、ドレイン電極を含む多数の薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線の上部に構成されたブラックマトリックスと；前記画素領域に位置するカラーフィルターと；前記非表示領域と境界領域に位置して、ゲートリンク線とゲートリンク線の間の離隔空間に対応するように構成された遮光パターンと；画素領域に位置して薄膜トランジスタのドレイン電極と接触する多数の画素電極を含む。このような液晶表示装置は、前記ブラックマトリックスと薄膜トランジスタの間に窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つを選択して無機絶縁膜をさらに構成する。前記遮光パターンは光漏れ現象を防ぐために、前記ゲートリンク線の各離隔領域に対応してパターニングされ構成する。前記遮光パターンの上部にシールパターンがさらに構成される。前記液晶表示装置用アレイ基板は、シールパターンと前記遮光パターンの間に窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つで構成された無機絶縁層をさらに含む。前記シールパターンは前記ゲートリンク線と直接接触するように構成される。前記画素電極は前記カラーフィルターを間に二重層の透明導電性物質で構成される。
【００２２】
本発明のまた他の特徴による液晶表示装置用アレイ基板は、表示領域、非表示領域、表示領域と非表示領域の間に位置する境界領域で区分された基板と；表示領域の基板上に位置する多数のゲート配線と；非表示領域の基板上に位置する多数のゲートパッドと；基板上の非表示領域と境界領域に掛けて位置して、ゲート配線とゲートパッドを連結する多数のゲートリンク線と；前記ゲート配線と垂直に交差して画素領域を定義する多数のデータ配線と；前記ゲート配線とデータ配線の交差地点に位置して、ゲート電極、アクティブ層、ソース電極、ドレイン電極を含む多数の薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタ、ゲート配線、データ配線の上部に構成されたブラックマトリックスと；前記画素領域に位置するカラーフィルターと；前記非表示領域と境界領域に位置して、ゲートリンク線とゲートリンク線の間の離隔空間に対応するように構成された遮光パターンと；前記ブラックマトリックスと遮光パターンの上部に構成された第１無機絶縁膜と；画素領域に位置して薄膜トランジスタのドレイン電極と接触する多数の画素電極を含む。このような液晶表示装置用アレイ基板では、前記ブラックマトリックスと薄膜トランジスタの間に窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つを選択して第２無機絶縁膜をさらに構成する。前記遮光パターンは光漏れ現象を防ぐために、前記ゲートリンク線の各離隔領域に対応してパターニングされ構成する。前記液晶表示装置用アレイ基板は、前記第１無機絶縁膜の上部にシールパターンをさらに構成する。前記第１無機絶縁膜は窒化シリコン及び酸化シリコンのうちの一つで構成される。前記シールパターンは前記ゲートリンク線と直接接触するように構成される。前記画素電極は前記カラーフィルターを間に二重層の透明導電性物質で構成される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によるＣＯＴ構造の液晶表示装置は、アレイ基板にブラックマトリックスを設計する時、合着誤差による合着マージンをおく必要がないので、開口率が改善する効果がある。また、ゲートパッドがデータラインと同じ物質で、同じ工程により形成して、前記カラーフィルターをパターニングする薬液により腐食される不良を防げる効果もある。また、パッド部分で再作業（Ｒｅ−Ｗｏｒｋ）工程が手軽にできるため、費用の節減による収率が改善する効果がある。
【００２４】
また、本発明では、基板の外廓領域から発生する光漏れを遮るため、前記ゲートパッドとゲート配線を連結するゲートリンク線が構成された領域に遮光パターンを形成して液晶表示装置の外廓で光漏れ現象を防げる。従って、高画質の液晶表示装置が製作できる長所がある。また、前記リンク線が通る領域は、上部基板と下部基板を合着するシールパターンが印刷される領域のために、前記遮光パターンの上部に無機絶縁膜をさらに形成して、前記印刷されたシールパターンの接触特性を改善させる長所もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添附した図面を参照しながら、本発明による望ましい実施の形態を説明する。
−−第１の実施の形態−−
図３は、本発明による液晶表示装置用アレイ基板の構成を概略的に示した図面である。図示したように、基板１００上に一方向へ延長されて一端にゲートパッド１２２を含むゲート配線１０２を相互平行に構成して、前記ゲート配線１０２と垂直に交差して多数の画素領域Ｐを定義し、一端にデータパッド１１８を含むデータ配線１１６を形成する。この時、前記ゲートパッド１２２は、前記データ配線１１６及びデータパッド１１８と同一層同一物質で構成する。
【００２６】
前記ゲート配線１０２とデータ配線１１６の交差地点には、ゲート電極１０４、アクティブ層１０８、ソース電極１１２、ドレイン電極１１４を含む薄膜トランジスタＴを構成する。前記ゲート配線１０２及びデータ配線１１６が交差して定義される画素領域Ｐには、ドレイン電極１１４と接触する二重層の画素電極１４８、１５０とカラーフィルター１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃを構成する。
【００２７】
前記画素電極１４８、１５０は、透明導電性物質の二重層で構成され、このうちの第１画素電極１４８は、ドレイン電極１１４と接触しながらカラーフィルター１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃの下部に構成して、第２画素電極は、カラーフィルター１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃの上部に構成する。前記第２画素電極１５０は、前記第１画素電極１４８を通じてドレイン電極１１４と間接的に接触する。
【００２８】
第１透明画素電極１４８及び第２透明画素電極１５０は、ゲート配線１０２の上部に構成されたストレージキャパシターＣstと並列に連結される。ストレージキャパシターＣstは、ゲート配線１０２の上部に構成されて、前記第１画素電極１４８及び第２画素電極１５０と接触するアイランド状のストレージ金属層１２０を第１電極として、その下部のゲート配線１０２を第２電極とする。
【００２９】
ＣＯＴ構造は、図示したように、前記薄膜トランジスタＴアレイ部の上部にブラックマトリックス１２８と、赤色、緑色、青色のカラーフィルター１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃが構成される。
【００３０】
ブラックマトリックス１２８は、非表示領域を遮る役割をして、ゲート配線１０２及びデータ配線１１６と薄膜トランジスタＴの上部にこれらの構成要素に対応して構成する。
前記ブラックマトリックス１２８は、不透明な有機物質を塗布して形成され、光を遮断する役割と共に薄膜トランジスタＴを保護する保護膜の役割も行う。
【００３１】
前述した構成において、前記ゲートパッド１２２を形成する時、ゲートパッド１２２は、前記カラーフィルター１４０ａ、１４０ｂ、１４０ｃをパターニングする薬液に強いデータ配線物質で形成してダメージを受けないようにする。このような構造では、前記ゲート配線１０２とゲートパッド１２２を連結する二重層の連結電極１６０、１６２の間に別途のカラーフィルターパターン１４２を構成して前記ゲート配線１０２及びゲートパッド１２２がカラーフィルターをパターニングする薬液にダメージを受けないようにする構造である。
【００３２】
以下、図４Ａないし図４Ｉ，図５Ａないし図５Ｉ，図６Ａないし図６Ｉを参照しながら、本発明の実施の形態による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を説明する。図４Ａないし図４Ｉ，図５Ａないし図５Ｉ，図６Ａないし図６Ｉは、各々図３のIV−IV、Ｖ−Ｖ及びVI−VI線に沿って切断して、本発明の第１の実施の形態による工程順序を順次図示した工程断面図である。図３の切断線IV−IVは、薄膜トランジスタＴと画素の切断線であって、Ｖ−Ｖはゲートパッド部の切断線であって、VI−VIはデータパッド部の切断線である。
【００３３】
図４Ａ，図５Ａ，図６Ａに示したように、基板１００上に導電性金属で第１金属層を蒸着して、第１マスク工程でパターニングし、ゲート配線１０２とゲート配線１０２から延長されたゲート電極１０４を形成する。
【００３４】
前記ゲート配線１０２とゲート電極１０４が形成された基板１００全面に、窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して、第１絶縁層であるゲート絶縁膜１０６を形成する。
【００３５】
前記ゲート絶縁膜１０６上に、純粋非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と不純物を含む非晶質シリコン（ＳｉＯ2）を蒸着して、第２マスク工程でパターニングし、ゲート電極１０４の上部のゲート絶縁膜１０６上にアクティブ層１０８とオーミックコンタクト層１１０を形成する。
【００３６】
図４Ｂ，図５Ｂ，図６Ｂに示したように、前記アクティブ層１０８とオーミックコンタクト層１１０が形成された基板１００全面に、クロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）で構成された第２金属層を蒸着して、第３マスク工程でパターニングし、前記オーミックコンタクト層１１０と接触するソース電極１１２とドレイン電極１１４を各々形成し、前記ソース電極１１２と連結され一端にデータパッド１１８を含むデータ配線１１６を形成し、前記ゲート配線１０２の上部にアイランド状のストレージ金属層１２０を形成する。前記ゲート配線１０２の一端に対応してアイランド状のゲートパッド１２２を形成する。第２金属層をパターニングした後、ソース電極１１２及びドレイン電極１１４を、マスクを利用して、これらの間に現れたオーミックコンタクト層１１０の一部をエッチングし、下部のアクティブ層１０８にチャンネル領域を形成する。
【００３７】
前記ソース電極１１２及びドレイン電極１１４とデータパッド１１８を含むデータ配線１１６とゲートパッド１２２が形成された基板１００全面に、窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して、第２絶縁膜１２４を形成する。ここで、第２絶縁膜１２４の機能は、以後形成される有機膜（図示せず）と前記アクティブ層１０８との間に発生できる接触不良を防ぐためである。第２絶縁膜１２４は、以後形成される有機膜と前記アクティブ層１０８との間に接触不良が発生しないならばあえて形成する必要はない。前述したような工程により、薄膜トランジスタアレイ部を形成する工程が完了する。
【００３８】
図４Ｃ、図５Ｃ、図６Ｃに示したように、前記第２絶縁膜１２４の上部に誘電率の低い不透明な有機物質を塗布してブラック有機層１２６を形成する。ブラック有機層１２６は、光を遮断する機能をして、以後パターニング工程によりブラックマトリックスになる。
【００３９】
図４Ｄ、図５Ｄ、図６Ｄに示したように、ブラック有機層１２６を第４マスク工程でパターニングし、ドレイン電極１１４を除いた薄膜トランジスタＴ、データ配線１１６、ゲート配線１０２の上部にブラックマトリックス１２８を形成する。ブラックマトリックス１２８は、ドレイン電極１１４の一端を除いた薄膜トランジスタＴの上部及びストレージキャパシターＣstの上部に形成をして薄膜トランジスタＴとストレージキャパシターＣstを保護する役割を行う。
【００４０】
図４Ｅ、図５Ｅ、図６Ｅに示したように、前記ブラックマトリックス１２８が形成された基板１００全面に、絶縁物質を蒸着して、第３絶縁膜１３０を形成する。前記第３絶縁膜１３０は、窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して形成する。
【００４１】
図４Ｆ、図５Ｆ、図６Ｆに示したように、前記第５マスク工程で前記第３絶縁膜１３０、第２絶縁膜１２４、ゲート絶縁膜１０６（第１絶縁膜）をエッチングして、前記ドレイン電極１１４の一側面と、画素領域Ｐ、前記アイランド状のストレージ金属層１２０の一側面を露出すると同時に、ゲートパッド１２２とデータパッド１１８を露出する第１コンタクトホール１３２及び第２コンタクトホール１３４を形成する。また、前記ゲートパッド１２２と近接しているゲート配線１０２の一端を露出する第３コンタクトホール１３６を形成する。
【００４２】
図４Ｇ、図５Ｇ、図６Ｇに示したように、前記パターニングされた第３絶縁膜１３０が形成された基板１００全面に、前述したようなインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属を蒸着して、第１透明電極層１３８を形成する。前記第１透明電極層１３８が形成された基板１００全面に、カラー樹脂を塗布して、多数の画素領域Ｐに赤色、緑色、青色のカラーフィルター１４０ａ，１４０ｂ，図３の１４０ｃを各々形成する。この時、前記ゲート配線１０２を露出する第３コンタクトホール１３６に対応する上部に別途のカラーフィルターパターン１４２を形成させる。
【００４３】
図４Ｈ、図５Ｈ、図６Ｈに示したように、前記画素領域Ｐに対応するカラーフィルター１４０ａ，１４０ｂ，図３の１４０ｃ及び前記ゲート配線１０２の一端に対応するカラーフィルターパターン１４２が形成された基板１００全面に、第２透明電極層１４６を形成する。
【００４４】
図４Ｉ、図５Ｉ、図６Ｉに示したように、前記第１透明電極層１３８と第２透明電極層１４６を第６マスク工程でパターニングする。このようなパターニングは、前記ドレイン電極１１４及びアイランド状のストレージ金属層１２０と接触して、画素領域Ｐに対応する第１画素電極１４８を形成し、前記第１画素電極１４８とカラーフィルター１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃを間に接触して構成された第２画素電極１５０を形成する。
【００４５】
前記ゲートパッド１２２と接触する第１ゲートパッド端子１５２及び第２ゲートパッド端子１５４と、前記ゲートパッド１２２とゲート配線１０２に同時に接触しながら、カラーフィルターパターン１４２が介在された第１連結電極１６０及び第２連結電極１６２と、前記データパッド１１８と接触する第１データパッド端子１５６及び第２データパッド端子１５８を形成する。
【００４６】
前記第１連結電極１６０及び第２連結電極１６２の間にカラーフィルターパターン１４２を形成しない場合は、カラーフィルターをパターニングする薬液により前記第１連結電極１６０及び第２連結電極１６２とゲート配線１０２の間にガルバニック現象が発生して、前記ゲート配線１０２が腐食される問題がある。
【００４７】
前述したような工程により本発明の第１の実施の形態によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板が製作でき、前記ゲートパッドをデータ配線物質と同一な物質、つまり、クロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）で形成することで、前記ゲートパッドは前記カラーフィルターをパターニングする薬液によりダメージを受けない長所がある。また、前述した工程は、カラーフィルターパターンを形成するマスク工程を除いて大略６マスク工程で製作される。
【００４８】
以下、第２の実施の形態は、前述した構成を、カラーフィルターパターンを形成するマスク工程を除いて第５マスク工程で製作できる方法を提案する。
−−  第２の実施の形態  −−
本発明の第２の実施の形態は、前述した薄膜トランジスタアレイ部の製造工程で、前記ソース電極及びドレイン電極と、アクティブ層を同時にパターニングして、ＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板を製作する方法を提案する。
【００４９】
図７は、本発明の第２の実施の形態によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の構成を概略的に示した平面図である。図示したように、基板２００上に一方向へ延長されるゲート配線２０２を相互平行に構成して、前記ゲート配線２０２と垂直に交差して多数の画素領域Ｐを定義して一端にデータパッド２３０を含むデータ配線２２４を構成する。ゲート配線２０２の一端の外側には、ゲートパッド２３２が形成されていて、前記ゲートパッド２３２は、前記データ配線２２４と同一工程で同一層同一物質に形成される。
【００５０】
前記ゲート配線２０２とデータ配線２２４の交差地点には、ゲート電極２０４、アクティブ層２３６ａ、ソース電極２４６、ドレイン電極２４８を含む薄膜トランジスタＴを構成する。この時、前記ソース電極２４６及びドレイン電極２４８とアクティブ層２３６ａは、同一工程で同時に形成され、この場合には、図示したように、必然的に前記データ配線２２４、ソース電極２４６及びドレイン電極２４８、ゲートパッド２３２の周辺に非晶質シリコン層２３４ａ，２３６ａ，２４０ａが露出される形状になる。
【００５１】
前記ゲート配線２０２とデータ配線２２４が交差して定義される画素領域Ｐには、ドレイン電極２４８と接触する二重層の透明画素電極２７２、２７４とカラーフィルター２６６ａ，２６６ｂ，２６６ｃを構成する。前記透明画素電極２７２、２７４は、透明導電性物質の二重層で構成され、このうちの第１画素電極２７２は、ドレイン電極２４８と接触しながらカラーフィルター２６６ａ，２６６ｂ，２６６ｃの下部に構成して、第２画素電極２７４は、カラーフィルター２６６ａ，２６６ｂ，２６６ｃの上部に構成する。前記第２画素電極２７４は、前記第１画素電極２７２を通じてドレイン電極２４８と間接的に接触する。
【００５２】
第１電極２７２及び第２電極２７４は、ゲート配線２０２の上部に構成されたストレージキャパシターＣstと並列に連結される。ストレージキャパシターＣstは、ゲート配線２０２の一部を第１電極として、前記第１透明電極２７２及び第２透明電極２７４と連結され、前記ソース電極２４６及びドレイン電極２４８と同一層同一物質で形成されたアイランド状のストレージ金属層２２８を第２電極とする。この時、前記アイランド状のストレージ金属層２２８も周辺に非晶質シリコン層２３８ａが露出される形状になる。
【００５３】
ＣＯＴ構造は、図示したように、前記薄膜トランジスタＴアレイ部の上部にブラックマトリックス２５４と、赤色、緑色、青色のカラーフィルター２６６ａ、２６６ｂ、２６６ｃが構成される。ブラックマトリックス２５４は、非表示領域を遮る役割をして、ゲート配線２０２及びデータ配線２２４と薄膜トランジスタＴの上部に対応して構成する。前記ブラックマトリックス２５４は、不透明な有機物質を塗布して形成され、光を遮断する役割と共に薄膜トランジスタＴを保護する保護膜の役割も行う。
【００５４】
以下、図８Ａないし図８Ｍ，図９Ａないし図９Ｍ，図１０Ａないし図１０Ｍを参照しながら、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用アレイ部とカラーフィルター部の製造工程を説明する。図８Ａないし図８Ｍ，図９Ａないし図９Ｍ，図１０Ａないし図１０Ｍは、各々図７のVIII−VIII、IX−IX及びＸ−Ｘ線に沿って切断して、本発明の第２の実施の形態による工程順序を順次図示した工程断面図である。各工程のパターニングなどは、フォトエッチング工程を必ず経て行なわれ、本発明では、第２マスク工程だけを具体的に記述する。
【００５５】
図８Ａ，図９Ａ，図１０Ａに示したように、基板２００上に薄膜トランジスタ領域Ｔ，画素領域Ｐ、データ領域Ｄ（データ配線とデータパッドを含む）、ストレージ領域Ｓ、ゲートパッド領域Ｇを定義する。前記多数の領域Ｄ，Ｐ，Ｔ，Ｇが定義された基板２００全面に導電性金属を蒸着して第１金属層を形成し、第１マスク工程でパターニングしてゲート配線２０２とゲート電極２０４を形成する。
【００５６】
図８Ｂ，図９Ｂ，図１０Ｂに示したように、前記ゲート配線２０２とゲート電極２０４が形成された基板２００全面に、窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して、第１絶縁層であるゲート絶縁膜２０８を形成する。
【００５７】
前記ゲート絶縁膜２０８上に、純粋非晶質シリコン層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、不純物を含む非晶質シリコン（ＳｉＯ2）、第２金属層を順序に形成する。前記第２金属層の上部にフォトレジストを塗布してＰＲ層２１６を形成する。この時、前記第２金属層は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）を含む導電性金属グループのうちから選択された一つで形成する。
【００５８】
前記基板２００と離隔された上部に透過部Ｍ１、遮断部Ｍ２、半透過部Ｍ３で構成されたマスクＭを位置させる。この時、前記遮断部Ｍ２は、データ領域Ｄ、ゲートパッド領域Ｇ、薄膜トランジスタ領域Ｔ，ストレージ領域Ｓに対応して、前記半透過部Ｍ３は、前記薄膜トランジスタ領域Ｔの一部のゲート電極２０４に対応して、前記透過部Ｍ１は、画素領域Ｐに対応するように構成する。
【００５９】
前記マスクＭの上部へ光を照射して下部のＰＲ層２１６を露光して現像すると、図８Ｃ，図９Ｃ，図１０Ｃに示したように、前記薄膜トランジスタ領域Ｔに対応する領域には、高さが低い第１ＰＲパターン２２０ａが残り、前記データ領域Ｄ、ストレージ領域Ｓ、ゲートパッド領域Ｇには元々塗布された高さそのままの第２ＰＲパターン２２０ｂが残る。
【００６０】
前記薄膜トランジスタ領域Ｔに対応して部分の第１ＰＲパターン２２０ａの高さが低い理由は、前記マスク（図６ＢのＭ）の半透過部Ｍ３に対応した部分が上部から一部だけ露光して現像されたからである。
【００６１】
前記パターニングされた第１ＰＲ層２２０ａ及び第２ＰＲ層２２０ｂの間に露出された下部の第２金属層２１４、不純物非晶質シリコン層２１２、純粋非晶質シリコン層２１０を除去する工程を行う。このような工程の結果として、図８Ｄ，図９Ｄ，図１０Ｄに示したように、前記パターニングされた第１ＰＲ層２２０ａ及び第２ＰＲ層２２０ｂの下部に構成されて、前記データ領域Ｄに対応して一端にデータパッド２３０を含むデータ配線２２４と、前記データ配線２２４から延長されて前記薄膜トランジスタ領域Ｔに構成されたソース-ドレイン電極層２２６と、前記ストレージ領域Ｓに形成されたアイランド状のストレージ金属層２２８と、前記ゲートパッド領域Ｇにアイランド状のゲートパッド２３２が形成される。
【００６２】
前記データ配線２２４とデータパッド２３０の下部には第１半導体パターン２３４が構成され、第１半導体パターン２３４で前記ソース／ドレイン電極層２２６の下部まで延長された第２半導体パターン２３６が構成され、前記アイランド状のストレージ金属層２２８の下部には第３半導体パターン２３８が構成され、前記ゲートパッド２３２の下部に第４半導体パターン２４０が構成される。
【００６３】
各々はパターニングされた純粋非晶質シリコン層２３４ａ，２３６ａ，２３８ａ、２４０ａと不純物非晶質シリコン層２３４ｂ，２３６ｂ，２３８ｂ、２４０ｂが積層された形状である。
【００６４】
図８Ｅ，図９Ｅ，図１０Ｅに示した図面は、薄膜トランジスタにアクティブチャンネル層を露出するための前段階のＰＲパターンをエッチングする除灰工程を現した図面である。前記マスクの半透過部（図８ＢのＭ３）に対応して一部だけ露光された部分は、以後形成されるアクティブチャンネルに対応する部分Ｅであって、これを除去するための除灰工程を行う。前記除灰工程は一種の乾式エッチング工程と同じで、前記アクティブチャンネル層に対応する部分ＥのＰＲパターンの高さほどＰＲパターンが全体的に除去され低くなる。
【００６５】
前記除灰工程を通じて全体的に低くなったＰＲパターン２４２の周辺Ｆに前記データパッド２３０を含むデータ配線２２４、ソース／ドレイン電極層２２６、アイランド状のストレージ金属層２２８、ゲートパッド２３２の一部が露出される現像が必然的に発生する。
【００６６】
前記ＰＲパターンの除灰工程が終了すると、前記アクティブチャンネル層Ｅに対応して露出されたソース／ドレイン電極層２２６と、その下部の非晶質シリコン層２３６ｂを除去する工程を進めて、前記残ったＰＲパターニングを除去する。この時、前記除灰工程後、残ったＰＲパターン２４２の周辺Ｆに露出された金属層とその下部の不純物非晶質シリコン層２３４ｂ、２３６ｂ，２３８ｂ、２４０ｂも除去される。
【００６７】
このような工程が完了すると、結果的に、図８Ｆ、図９Ｆ、図１０Ｆに示したように、前記薄膜トランジスタ領域Ｔに対応して相互に所定間隔離隔されてアクティブチャンネル層を露出するソース電極２４６、ドレイン電極２４８、ソース電極から延長されて一端にデータパッド２３０を含むデータ配線２２４、前記ゲート配線２０２の一端に近接して構成されたゲートパッド２３２、前記ゲート配線２０２の一部上部にはアイランド状のストレージ金属層２２８を形成する。
【００６８】
前記各金属層の構成要素の周辺には、必然的に純粋非晶質シリコン層２３４ａ，２３６ａ，２３８ａ、２４０ａが露出された形状になる。この時、前記薄膜トランジスタ領域Ｔに対応して構成された純粋非晶質シリコン層２３６ａをアクティブ層、その上部の不純物非晶質シリコン層２３６ｂをオーミックコンタクト層と称する。
【００６９】
以上のように、図８Ａないし図８Ｆ、図９Ａないし図９Ｆ、図１０Ａないし図１０Ｆを通じた第１マスク工程及び第２マスク工程により薄膜トランジスタアレイ部を形成する工程が完了した。
【００７０】
次に、図８Ｇ、図９Ｇ、図１０Ｇに示したように、前記ソース電極２４６及びドレイン電極２４８、データ配線２２４、データパッド２３０及びゲートパッド２３２が形成された基板２００全面に窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して、第２絶縁膜２５０を形成する。この時、第２絶縁膜２５０の機能は、以後形成される有機膜（ブラックマトリックス）と前記アクティブ層２３６ａの間に発生する接触不良を防止するための機能をする。
【００７１】
前記第２絶縁膜２５０の上部に誘電率が低い不透明な有機物質を塗布してブラック有機層２５２を形成し、第３マスク工程でパターニングする。このようなパターニングの結果として、図８Ｈ、図９Ｈ、図１０Ｈに示したように、前記薄膜トランジスタ領域Ｔ、データ配線２２４、ゲート配線２０２及びアイランド状のストレージ金属層２２８の一部だけを遮るようにパターニングされたブラックマトリックス２５４を形成する。前記ブラックマトリックス２５４は、ドレイン電極２４８の一端を遮らないように構成される。
【００７２】
図８Ｉ、図９Ｉ、図１０Ｉに示したように、前記ブラックマトリックス２５４が形成された基板２００全面に、絶縁物質を蒸着して第３絶縁膜２５６を形成する。前記第３絶縁膜２５６は、窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つを蒸着して形成する。
【００７３】
図８Ｊ、図９Ｊ、図１０Ｊに示したように、第４マスク工程で前記第３絶縁膜２５６、第２絶縁膜２５０、ゲート絶縁膜２０８をエッチングして、前記ドレイン電極２４８の一側と、画素領域Ｐ、前記アイランド状のストレージ金属層２２８の一側と、ゲートパッド２３２の一部を露出する。また、多数の第１コンタクトホール２５８と、前記データパッドの一部を露出する第２コンタクトホール２６０と、前記ゲート配線２０２の一端を露出する第３コンタクトホール２６２を形成する工程を行う。
【００７４】
図８Ｋ、図９Ｋ、図１０Ｋに示したように、前記パターニングされた第３絶縁膜２５６が形成された基板２００全面に、前述したようなインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属を蒸着して第１透明電極層２６４を形成する。
【００７５】
前記第１透明電極層２６４が形成された基板２００全面に、カラー樹脂を塗布して、多数の画素領域Ｐに赤色、緑色、青色のカラーフィルター２６６ａ、２６６ｂ、２６６ｃを各々形成する。この時、前記ゲートパッド２３２に対応する第１コンタクトホール（図９Ｊの２５８）とゲート配線の一端に形成された第３コンタクトホール２６２の上部に別途のカラーフィルターパターン２６８を形成する。
【００７６】
図８Ｉ、図９Ｉ、図１０Ｉに示したように、前記多数のカラーフィルター２６６ａ、２６６ｂ、２６６ｃが形成された基板２００全面に、前述した第１透明電極層２６４のような物質を蒸着して第２透明電極層２７０を形成する。
【００７７】
図８Ｍ、図９Ｍ、図１０Ｍに示したように、前記第２透明電極層２７０とその下部の第１透明電極層２６４を同時に第５マスク工程でパターニングし、前記画素領域Ｐに対応して二重層の画素電極２７２、２７４を形成し、前記ゲートパッド２３２に対応して二重層のゲートパッド端子２７６、２７８を形成し、前記データパッド２３０に対応して二重層のデータパッド端子２８０、２８２を形成し、前記ゲートパッド２３２とゲート配線２０２を連結して内部にカラーフィルターパターン２６８が介在された連結電極２８４、２８６を形成する。
【００７８】
前述したような工程により、本発明の第２の実施の形態によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板が製作でき、前記ゲートパッドをデータ配線物質と同一物質であるクロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）で形成することで、前記ゲートパッドは、前記カラーフィルターをパターニングする薬液によりダメージを受けない長所がある。
【００７９】
前述した工程は、前記カラーフィルターパターンを形成するマスク工程を除いて大略５マスク工程で製作される。また、前述した第１の実施の形態及び第２の実施の形態によりＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板を製作すると、前記ゲートパッドにカラーフィルターパターンが直接残存しないため、この部分では駆動素子を付着したり外すような再作業（Ｒｅ−Ｗｏｒｋ）工程が手軽にできる。従って、修理がし易いので、費用を節減して収率が改善する効果がある。
【００８０】
本発明では、カラーフィルターとブラックマトリックスを下部基板に構成するＣＯＴ構造が提案された。このような下部基板の外郭部について以下説明する。
【００８１】
図１１は、ＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の外郭部の構造を概略的に示した平面図である。図示したように、基板３５０上に一方向へ延長されて一端にゲートリンク線３５４と、これに連結されたゲートパッド３５６を含むゲート配線３５２を相互平行に構成して、前記ゲート配線３５２と垂直に交差して多数の画素領域Ｐを定義して一端にはデータリンク線（図示せず）と、これに連結されたデータパッド（図示せず）を含むデータ配線３５８を形成する。以下、ゲートパッド部について説明し、便宜上、データパッド部の説明は省略する。ここで、前記ゲートパッド３５６には、アイランド状のゲートパッド端子３５３が別途に構成される。このゲートパッド端子３５３は、外部の駆動回路で連結されて駆動回路の信号が印加される。
【００８２】
前記ゲート配線３５２とデータ配線３５８の交差地点には、ゲート電極３６０、アクティブ層３６２、ソース電極３６４及びドレイン電極３６６を含む薄膜トランジスタＴを構成する。便宜上、符号が表記される薄膜トランジスタに対応するブラックマトリックスは表記しない。前記ゲート配線３５２とデータ配線３６４が交差して定義される画素領域Ｐには透明な画素電極３６８を構成する。
【００８３】
前述した構成において、前記薄膜トランジスタ、ゲート配線３５２、データ配線３６４に対応する上部にはブラックマトリックス３７０を形成し、前記画素電極３６８の上部には各画素領域Ｐごとに赤色、緑色、青色のカラーフィルター３７２ａ、３７２ｂ、３７２ｃを構成する。前述したような構成は、一般的なＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の平面構成である。
【００８４】
前述したような構成において、薄膜トランジスタＴと画素電極３６８が形成された領域を表示領域Ａ１と称し、前記ゲートリンク線３５４とゲートパッド３５６が形成された領域を非表示領域Ａ２と称し、表示領域Ａ１と非表示領域Ａ２の境界部分を境界領域Ａ３と称する。一般的に境界領域Ａ３では光漏れが観察される。
【００８５】
以下、図１２を参照しながら、前述したように構成されたアレイ基板の外郭領域に当たる液晶表示装置の形状を説明する。図１２は、図１１のXII−XII線に沿って切断して、ＣＯＴ構造の液晶表示装置の外郭部を拡大図示した断面図である。図示したように、ＣＯＴ構造の液晶表示装置９０は、第１基板３５０と第２基板３９２がシールパターン（sealant）３９４により付着して構成され、前記シールパターン３９４の外部へゲートパッド３５６と、これに接触するゲートパッド端子３５３が露出される。
【００８６】
前記第１基板３５０及び第２基板３９２の外部へ各々偏光軸が相互垂直に交差する第１偏光板３９６ａ及び第２偏光板３９６ｂが構成され、外廓から第１基板３５０及び第２基板３９２の周辺を覆うトップカバー（top cover）３９８が位置する。この時、前記第１基板３５０には、図示してはないが、薄膜トランジスタアレイ部（図示せず）と、この上部にカラーフィルター３７２ａ、３７２ｂ、３７２ｃとブラックマトリックス３７０が構成され、前記第２基板３９２には透明共通電極３９９が構成される。
【００８７】
前述した構成において、前記液晶パネル３９０の表示領域Ａ１、非表示領域Ａ２、境界領域Ａ３でほんの少しの光漏れが発生して、画質を落とす問題がある。このような問題点を解決するため、本発明では図１３以下で説明するようなＣＯＴ構造のアレイ基板を提案する。
【００８８】
図１３は、本発明によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の外廓部の構成を概略的に示した平面図であって、基板外廓の光漏れ領域に遮光パターンを構成することを特徴とする。図示したように、基板４００上に一方向へ延長されて一端にゲートリンク線４０４と、これに連結されたゲートパッド４０６を含むゲート配線４０２を相互平行に構成し、前記ゲート配線４０２と垂直に交差して一端にデータリンク線（図示せず）と、これに連結されたデータパッド（図示せず）を含むデータ配線４１０を構成する。
【００８９】
前記ゲート配線４０２とデータ配線４１０の交差地点には、ゲート電極４１２、アクティブ層４１４、ソース電極４１６及びドレイン電極４１８を含む薄膜トランジスタＴを構成する。説明の便宜上、符号が表記される薄膜トランジスタに対応する部分のブラックマトリックスは表記しない。前記ゲート配線４０２及びデータ配線４１０が交差して定義される領域Ｐには、透明な画素電極４２４を構成する。
【００９０】
前述した構成において、前記薄膜トランジスタＴ、ゲート配線４０２、データ配線４１０の上部にブラックマトリックス４２２を形成して、前記画素電極４２４の下部には各画素領域Ｐごとに赤色、緑色、青色のカラーフィルター４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃを構成する。前記画素電極４２４は、前述したように、二重層で構成されて、この時、前記カラーフィルター４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃは、二重層の画素電極の間に介在された形状である。
【００９１】
前記ゲート配線４０２とゲートパッド４０６を連結するゲートリンク線４０４が通る領域Ｆに対応して全面的に遮光パターン４２６を形成する。前記遮光パターン４２６は、前記表示領域Ａ１に構成されたブラックマトリックス４２２を形成する工程と同一工程で構成したり、カラーフィルター４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃを形成する工程で構成する。
【００９２】
前記カラーフィルターを利用する場合には、二つの色以上のカラーフィルターを積層して構成したり、各カラーフィルターを形成するカラー樹脂を混合して使用する。ここで、前記遮光パターンは以下、図１４Ａと１４Ｂに図示したような形状で構成される。
【００９３】
図１４Ａ、図１４Ｂは、図１３のXIV−XIV線に沿って切断した断面図である。図１４Ａに示したように、ゲートパッド（図１３の４０６）とゲート配線（図１３の４０２）を連結するゲートリンク線４０４が所定間隔離隔されて構成され、前記リンク線４０４が構成された基板４００全面に絶縁膜４２８が構成される。この時、前記絶縁膜４２８は、一層以上で構成されたり、二層で構成される。二層で構成される場合には、その物質が相互に違うこともある。
【００９４】
前記絶縁膜４２８の上部には、前記ゲートリンク線４０４と離隔領域Ｆに対応して全面的に遮光パターン４２６が構成される。この時、前記遮光パターン４２６は、光を遮断する目的で構成されたため、図１４Ｂに示したように、前記ゲートリンク線４０４の間領域Ｆに対応する部分にだけ前記遮光パターン４２６が構成される場合もある。
【００９５】
前述したように、前記液晶パネルの外廓の光漏れ領域に対応する各配線とパッドを連結する間領域に対応して遮光パターン４２６を構成すると光漏れ現象を防げて高画質の液晶表示装置が製作される長所がある。ところが、前述した構成において、前記遮光パターン４２６が形成される部分は、第１基板及び第２基板を合着するための接着手段であるシールパターンが印刷される領域である。
【００９６】
前記シールパターンは、有機膜または樹脂膜と界面特性が良くないため、浮き上がる不良が発生し易いので、前記遮光パターン４２６はブラックマトリックスまたはカラーフィルターと同一に有機物質または樹脂で形成されるために、シールパターンが浮き上がる不良が発生し易い。このため、前述したような構造より新たに改善された例を以下、図面により説明する。
【００９７】
図１５は、本発明のまた他の実施の形態によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の構成と本発明による遮光パターンを概略的に示した平面図である。図１５に示した構成においては、基板外廓の光漏れ領域に遮光パターンを構成して、遮光パターンの上部に無機絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００９８】
図示したように、基板５００上に一方向へ延長されて一端にゲートリンク線５０４と、これに連結されたゲートパッド５０６を含むゲート配線５０２を相互平行に構成し、前記ゲート配線５０２と垂直に交差して一端にデータリンク線（図示せず）と、これに連結されたデータパッド（図示せず）を含むデータ配線５１０を構成する。
【００９９】
前記ゲート配線５０２とデータ配線５１０の交差地点にはゲート電極５１２、アクティブ層５１４、ソース電極５１６及びドレイン電極５１８を含む薄膜トランジスタＴを構成する。前記ゲート配線５０２及びデータ配線５１０が交差して定義される領域Ｐには、透明な画素電極５２４を構成する。
【０１００】
前述した構成において、前記薄膜トランジスタＴ、ゲート配線５０２、データ配線５１０の上部にブラックマトリックス５２２を形成して、前記画素電極５２４の下部には各画素領域Ｐごとに赤色、緑色、青色のカラーフィルター５２０ａ、５２０ｂ、５２０ｃを構成する。前記ゲート配線５０２とゲートパッド５０６を連結するゲートリンク線５０４が通る領域に対応して全面的に遮光パターン５２６を形成する。前記遮光パターン５２６は、前記表示領域Ａ１に構成されたブラックマトリックス５２２を形成する工程と同一な工程で構成したり、前述したように、カラーフィルター５２０ａ、５２０ｂ、５２０ｃを形成する工程で形成する。
【０１０１】
前記遮光パターン５２６の上部には無機絶縁膜５２８が形成されて、前記無機絶縁膜５２８の上部にはシールパターン５３０を形成する。この時、前記無機絶縁膜５２８は前記遮光パターン５２６と同一面積で構成する。
【０１０２】
前述したような構成において、前記シールパターン５３０が位置する部分Ｈは、多様に構成されて、以下、図１６Ａ，図１６Ｂ及び図１７の図面を参照しながら説明する。図１６Ａ，図１６Ｂは、図１５のXVI−XVI線に沿って切断した断面図であって、図１７は、ＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板に本発明による遮光パターンの変形例を現した断面図である。
【０１０３】
図１６Ａに示したように、基板５００上にゲート配線（図１５の５０２）とゲートパッド（図１５の５０６）を連結するゲートリンク線５０４を相互離隔して多数構成し、前記ゲートリンク線５０４が構成された基板５００全面に絶縁膜５３２を形成させる。前記絶縁膜５３２は、前述したように、一層または二層以上で構成されて、二層以上で構成される場合には、相互に違う絶縁物質を使用する。
【０１０４】
前記ゲートリンク線５０４に対応する絶縁膜５３２の上部には、遮光パターン５２６を形成し、前記遮光パターン５２６は前記ゲートリンク線５０４と、その離隔領域Ｆの全面に対応して形成する。前記遮光パターン５２６は、表示領域（図１５のＡ１）に形成されるブラックマトリックスとカラーフィルターを形成する工程で構成されて、前記カラーフィルターを利用する場合には、赤色、緑色、青色のカラー樹脂を積層して形成する。
【０１０５】
前記遮光パターン５２６の上部には無機絶縁膜５２８を形成するが、これは一般的に窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を使用して形成する。前記遮光パターン５２６を前記ゲートリンク線５０４の上部と、その離隔領域Ｆに対応して全面に形成できて、図示したように、前記ゲートリンク線５０４の間領域Ｆにだけ対応して形成することもできる。
【０１０６】
以下、図１６Ｂは、図１６Ａの構成を変形させた例であって、前記シールパターン５３０の接触領域を広げるための断面構成を提案する。図１６Ｂに示したように、基板５００上にゲート配線（図１５の５０２）とゲートパッド（図１５の５０６）を連結するゲートリンク線５０４を相互に離隔して多数を構成し、前記ゲートリンク線５０４が構成された基板５００全面に絶縁膜５３２を形成させる。前記絶縁膜５３２は、前述したように、一層または、二層以上で構成されて、二層以上で構成される場合には、相互に違う絶縁物質を使用する。
【０１０７】
絶縁膜５３２をパターニングして、前記ゲートリンク線５０４に対応する部分をエッチングして、下部のゲートリンク線５０４を一部露出する工程を行う。前記ゲートリンク線５０４の離隔領域Ｆに対応する絶縁膜５３２の上部に、遮光パターン５２６を形成する。この時、遮光パターン５２６は、表示領域（図１５のＡ１）に形成されるブラックマトリックス（図１５の５２２）とカラーフィルター（図１５の５２０ａ、５２０ｂ，５２０ｃ）を形成する工程で構成され、前記カラーフィルターを利用する場合には、赤色、緑色、青色のカラーフィルターを積層したり、カラー樹脂を混合して形成する。前記遮光パターン５２６と露出されたゲートリンク線５０４の上部に窒化シリコン（ＳｉＮx）と酸化シリコン（ＳｉＯ2）を蒸着して無機絶縁膜５２８を形成する。また、前記無機絶縁膜５２８の上部に印刷方法によりシールパターンが形成される。
【０１０８】
前述したような構成は、前記ゲートリンク線５０４に対応する絶縁膜５３２をエッチングして前記シールパターン５３０の接触領域を広がせる構成であって、これはシールパターンの接触特性をさらに改善する長所がある。
【０１０９】
図１７はまた他の例であって、基板５００上にゲート配線（図１５の５０２）とゲートパッド（図１５の５０６）を連結するゲートリンク線５０４を相互に離隔して多数を構成し、前記ゲートリンク線５０４が構成された基板５００全面に絶縁膜５３２を形成させる。前記絶縁膜５３２は、前述したように、一層または二層以上で構成されて、二層以上で構成される場合には、相互に違う絶縁物質を使用する。
【０１１０】
絶縁膜５３２をパターニングして、前記ゲートリンク線５０４に対応する部分をエッチングして、下部のゲートリンク線５０４を一部露出する工程を行う。前記ゲートリンク線５０４の離隔領域Ｆに対応する絶縁膜５３２の上部に、遮光パターン５２６を形成する。この時、遮光パターン５２６は、表示領域に形成されるブラックマトリックスとカラーフィルターを形成する工程で構成されて、前記カラーフィルターを利用する場合には、赤色、緑色、青色のカラー樹脂を積層して形成する。前記遮光パターン５２６の上部に印刷方法によりシールパターンが形成される。
【０１１１】
前述したような構成は、前記ゲートリンク線５０４に対応する絶縁膜５３２をエッチングして前記シールパターン５３０の接触領域を広がせる構成であって、図１６Ｂの構成と違って無機絶縁膜を省略したが、これはまた、シールパターンの接触特性をさらに改善する長所がある。前述したような構成で、本発明によるＣＯＴ構造の外廓構造が形成される。
【０１１２】
前述したようなアレイ基板の外廓部の構成は、以下、図１８Ａないし図１８Ｃに示したような薄膜トランジスタアレイ部の構成を適用する。図１８Ａないし図１８Ｃは、図１５のXVIII−XVIII線に沿って切断した薄膜トランジスタと画素電極を概略的に示した断面図である。
【０１１３】
図１８Ａに示したように、基板５００上にゲート電極５１２が形成され、ゲート電極５１２の上部にはゲート絶縁膜５３２を形成する。ゲート電極５１２に対応するゲート絶縁膜５３２の上部には、アクティブ層５１４とオーミックコンタクト層５１５を積層して、前記オーミックコンタクト層５１５の上部には、前記オーミックコンタクト層５１５と接触しながら所定間隔離隔されたソース電極５１６及びドレイン電極５１８を形成する。
【０１１４】
前記ソース電極５１６及びドレイン電極５１８が形成された基板５００全面には、前記アクティブ層５１４を保護するために無機絶縁物質で保護膜５３３を形成する。前記画素領域Ｐの保護膜５３３の上部には、カラーフィルター５２０ａ，５２０ｂを画素領域Ｐに対応するように形成する。
【０１１５】
前記薄膜トランジスタＴの上部にブラックマトリックス５２２を形成する。前記カラーフィルター５２０ａ，５２０ｂとブラックマトリックス５２２を形成する工程の途中、前述したように、外廓領域のゲートリンク線（図１５の５０４）に対応する光漏れ領域に遮光パターン（図１５の５２６）を同時に形成する。つまり、カラーフィルターを利用して遮光パターンを形成する場合は、一つ以上のカラーフィルターパターンを積層して構成させる。
【０１１６】
前述した構成において、前記ドレイン電極５１８と画素電極５２４を接触するために、前記ドレイン電極５１８に対応する保護膜５３３とその上部のカラーフィルター５２０ｂをエッチングして、ドレインコンタクトホールを構成し、このような工程の途中、図１６Ｂ及び図１７に示したように、基板外廓のゲートリンク線５０４の離隔空間に対応する絶縁膜（図１６Ｂ及び図１７の５３２）をエッチングさせる。この時、前記絶縁膜５３２はゲート絶縁膜と保護膜の二重層構成になる場合もある。
【０１１７】
図１８Ｂは、画素部に適用可能なＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板のまた他の構造を図示した拡大断面図である。図１８Ｂに示したように、基板５００上にゲート電極５１２が形成して、ゲート電極５１２の上部にはゲート絶縁膜５３２を形成する。ゲート電極５１２に対応するゲート絶縁膜５３２の上部にはアクティブ層５１４とオーミックコンタクト層５１５を積層して、前記オーミックコンタクト層５１５の上部には前記オーミックコンタクト層５１５と接触しながら所定間隔離隔されたソース電極５１６及びドレイン電極５１８を形成する。
【０１１８】
前記ソース電極５１６及びドレイン電極５１８が形成された基板５００全面には前記アクティブ層５１４を保護するために無機絶縁物質で第１保護膜５３３を形成する。前記画素領域にはカラーフィルター５２０ａ，５２０ｂを画素領域Ｐに対応して第１保護膜５３３の上部に形成する。前記薄膜トランジスタＴの上部にブラックマトリックス５２２を形成する。前記カラーフィルター５２０ａ，５２０ｂとブラックマトリックス５２２が形成された基板５００全面に無機絶縁膜で第２保護膜５２８をさらに構成する。前記第２保護膜５２８の上部にドレイン電極５１８と接触しながら前記画素領域Ｐに対応して位置する画素電極５２４を形成する。
【０１１９】
前記ブラックマトリックス５２２とカラーフィルター５２０ａ，５２０ｂを形成する工程の途中、図１３及び図１５に示した外廓領域に、ゲートリンク線に対応する遮光パターン５２６を同時に形成させる。また、前記ブラックマトリックス５２２とカラーフィルター５２０ａ，５２０ｂの上部に構成された無機絶縁膜５２８を形成しながら、前記基板５００外廓の遮光パターンの上部に前記無機絶縁膜（図１６Ａと図１６Ｂの５２８）を同時に形成させる。この時、前記カラーフィルターを利用して遮光パターンを形成する場合は、一つ以上のカラーフィルターパターンを積層して構成させる。また、前記ドレイン電極５１８と画素電極５２４を接触するために、第２保護膜５２８、その下部にカラーフィルター５２０ｂ、第１保護膜５３３をエッチングする工程を行うが、この時、図１６Ｂ及び図１７の断面構成のように、前記ゲートリンク線５０４の間の離隔空間に当たる絶縁膜５３２をエッチングする。
【０１２０】
図１８Ｃは、図１８Ａ、図１８Ｂの構成とは差別的なＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一画素に係る構造を図示した拡大断面図である。図１８Ｃに示したように、基板５００上にゲート電極５１２が形成されて、ゲート電極５１２の上部にはゲート絶縁膜５３２を形成する。ゲート電極５１２に対応するゲート絶縁膜５３２の上部にはアクティブ層５１４とオーミックコンタクト層５１５を積層して、前記オーミックコンタクト層５１５の上部には前記オーミックコンタクト層５１５と接触しながら所定間隔離隔されたソース電極５１６及びドレイン電極５１８を形成する。
【０１２１】
前記ソース電極５１６及びドレイン電極５１８が形成された基板５００全面には前記アクティブ層５１４を保護するために無機絶縁物質で第１保護膜５３３を形成する。前記画素領域Ｐには、前記ドレイン電極５１８と直接接触する第１画素電極５２４ａと、第１画素電極５２４ａの上部には、カラーフィルター５２０ａ，５２０ｂが構成されて、カラーフィルター５２０ａ，５２０ｂの上部には、前記第１画素電極５２４ａと接触する第２画素電極５２４ｂを構成する。
【０１２２】
前述した構成においては、前記第１画素電極５２４ａ及び第２画素電極５２４ｂとカラーフィルター５２０ａ，５２０ｂを形成する前に、前記ソース電極５１６及びドレイン電極５１８の上部に対応してブラックマトリックス５２２を形成し、ブラックマトリックス５２２の上部には無機絶縁物質で第２保護膜５２８を形成する。
【０１２３】
図１８Ａないし図１８Ｃに示したような画素の構成は、前述した図１３ないし図１７の外廓部構成を持つＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板に適用できる構成である。前述したような構成では、本発明によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の構成と、その概略的な製造方法を説明した。前述した構成は、ゲートリンク部に係り説明したが、これはデータリンク部にも適用されるのは言うまでもない。以上のような方法で、本発明によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板が製作できる。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】一般的な液晶表示装置の構成を概略的に示した図面である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断して示した液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を概略的に示した平面図である。
【図４Ａ】図３のIV−IV線に沿って切断して、本発明の第１の実施の形態による工程順序により示した工程断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｅに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｆに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｈ】図４Ｇに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｉ】図４Ｈに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ａ】図３のＶ−Ｖ線に沿って切断して、本発明の第１の実施の形態による工程順序により示した工程断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｃに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ｅ】図５Ｄに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ｆ】図５Ｅに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ｇ】図５Ｆに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ｈ】図５Ｇに続く製造工程を示す断面図である。
【図５Ｉ】図５Ｈに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ａ】図３のVI−VI線に沿って切断して、本発明の第１の実施の形態による工程順序により示した工程断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｃに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｄに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｅに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｆに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ｈ】図６Ｇに続く製造工程を示す断面図である。
【図６Ｉ】図６Ｈに続く製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の一部を概略的に示した平面図である。
【図８Ａ】図７のVIII−VIII線に沿って切断して、本発明の第２の実施の形態による工程順序により示した工程断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｃに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｅ】図８Ｄに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｆ】図８Ｅに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｇ】図８Ｆに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｈ】図８Ｇに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｉ】図８Ｈに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｊ】図８Ｉに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｋ】図８Ｊに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｌ】図８Ｋに続く製造工程を示す断面図である。
【図８Ｍ】図８Ｌに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ａ】図７のIX−IX線に沿って切断して、本発明の第２の実施の形態による工程順序により示した工程断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｃに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｄに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｅに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｇ】図９Ｆに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｈ】図９Ｇに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｉ】図９Ｈに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｊ】図９Ｉに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｋ】図９Ｊに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｌ】図９Ｋに続く製造工程を示す断面図である。
【図９Ｍ】図９Ｌに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ａ】図７のＸ−Ｘ線に沿って切断して、本発明の第２の実施の形態による工程順序により示した工程断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｃに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｄに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｅに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｇ】図１０Ｆに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｈ】図１０Ｇに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｉ】図１０Ｈに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｊ】図１０Ｉに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｋ】図１０Ｊに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｌ】図１０Ｋに続く製造工程を示す断面図である。
【図１０Ｍ】図１０Ｌに続く製造工程を示す断面図である。
【図１１】ＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の外廓部の構造を概略的に示した平面図である。
【図１２】図１１のXII−XII線に沿って切断して、ＣＯＴ構造の液晶表示装置の構造を示した断面図である。
【図１３】本発明によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の外廓部の構造を概略的に示した平面図である。
【図１４Ａ】図１３のXIV-XIV線に沿って切断した断面図である。
【図１４Ｂ】図１３のXIV-XIV線に沿って切断した断面図である。
【図１５】本発明のまた他の実施の形態によるＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板の構成と本発明による遮光パターンを概略的に示した平面図である。
【図１６Ａ】図１５のXVI-XVI線に沿って切断した断面図である。
【図１６Ｂ】図１５のXVI-XVI線に沿って切断した断面図である。
【図１７】ＣＯＴ構造の液晶表示装置用アレイ基板に本発明による遮光パターンの変形例を示した断面図である。
【図１８Ａ】図１５のXVIII-XVIII線に沿って切断して、薄膜トランジスタと画素電極を示した断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図１８Ｃ】図１８Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２５】
１００：基板、１０２：ゲート配線、１０４：ゲート電極、１０８：アクティブ層、１１２：ソース電極、１１４：ドレイン電極、１１６：データ配線、１１８：データパッド、１２０：アイランド状のストレージ金属層、１２２：ゲートパッド、１２８：ブラックマトリックス、１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃ：カラーフィルター、１４２：カラーフィルターパターン、１４８：第１画素電極、１５０：第２画素電極、１５２：第１ゲートパッド端子、１５４：第２ゲートパッド端子、１５６：第１データパッド端子、１５８：第２データパッド端子、１６０：第１連結電極、１６２：第２連結電極。
【図１】
2004191972.tif 000003
【図２】
2004191972.tif 000004
【図３】
2004191972.tif 000005
【図４Ａ】
2004191972.tif 000006
【図４Ｂ】
2004191972.tif 000007
【図４Ｃ】
2004191972.tif 000008
【図４Ｄ】
2004191972.tif 000009
【図４Ｅ】
2004191972.tif 000010
【図４Ｆ】
2004191972.tif 000011
【図４Ｇ】
2004191972.tif 000012
【図４Ｈ】
2004191972.tif 000013
【図４Ｉ】
2004191972.tif 000014
【図５Ａ】
2004191972.tif 000015
【図５Ｂ】
2004191972.tif 000016
【図５Ｃ】
2004191972.tif 000017
【図５Ｄ】
2004191972.tif 000018
【図５Ｅ】
2004191972.tif 000019
【図５Ｆ】
2004191972.tif 000020
【図５Ｇ】
2004191972.tif 000021
【図５Ｈ】
2004191972.tif 000022
【図５Ｉ】
2004191972.tif 000023
【図６Ａ】
2004191972.tif 000024
【図６Ｂ】
2004191972.tif 000025
【図６Ｃ】
2004191972.tif 000026
【図６Ｄ】
2004191972.tif 000027
【図６Ｅ】
2004191972.tif 000028
【図６Ｆ】
2004191972.tif 000029
【図６Ｇ】
2004191972.tif 000030
【図６Ｈ】
2004191972.tif 000031
【図６Ｉ】
2004191972.tif 000032
【図７】
2004191972.tif 000033
【図８Ａ】
2004191972.tif 000034
【図８Ｂ】
2004191972.tif 000035
【図８Ｃ】
2004191972.tif 000036
【図８Ｄ】
2004191972.tif 000037
【図８Ｅ】
2004191972.tif 000038
【図８Ｆ】
2004191972.tif 000039
【図８Ｇ】
2004191972.tif 000040
【図８Ｈ】
2004191972.tif 000041
【図８Ｉ】
2004191972.tif 000042
【図８Ｊ】
2004191972.tif 000043
【図８Ｋ】
2004191972.tif 000044
【図８Ｌ】
2004191972.tif 000045
【図８Ｍ】
2004191972.tif 000046
【図９Ａ】
2004191972.tif 000047
【図９Ｂ】
2004191972.tif 000048
【図９Ｃ】
2004191972.tif 000049
【図９Ｄ】
2004191972.tif 000050
【図９Ｅ】
2004191972.tif 000051
【図９Ｆ】
2004191972.tif 000052
【図９Ｇ】
2004191972.tif 000053
【図９Ｈ】
2004191972.tif 000054
【図９Ｉ】
2004191972.tif 000055
【図９Ｊ】
2004191972.tif 000056
【図９Ｋ】
2004191972.tif 000057
【図９Ｌ】
2004191972.tif 000058
【図９Ｍ】
2004191972.tif 000059
【図１０Ａ】
2004191972.tif 000060
【図１０Ｂ】
2004191972.tif 000061
【図１０Ｃ】
2004191972.tif 000062
【図１０Ｄ】
2004191972.tif 000063
【図１０Ｅ】
2004191972.tif 000064
【図１０Ｆ】
2004191972.tif 000065
【図１０Ｇ】
2004191972.tif 000066
【図１０Ｈ】
2004191972.tif 000067
【図１０Ｉ】
2004191972.tif 000068
【図１０Ｊ】
2004191972.tif 000069
【図１０Ｋ】
2004191972.tif 000070
【図１０Ｌ】
2004191972.tif 000071
【図１０Ｍ】
2004191972.tif 000072
【図１１】
2004191972.tif 000073
【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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