(57)【要約】【課題】従来の垂直ブリッジマン法で育成される四ほう酸リチウム単結晶中には、１０μｍ以下の光散乱体が少なからず含まれる。この四ほう酸リチウム単結晶中の光散乱体の発生を防止し、高品質な四ほう酸リチウム単結晶を育成する装置を提供する。【解決方法】垂直ブリッジマン法による四ほう酸リチウム単結晶の成長装置において、成長容器の底部に支持器具を配し、支持器具と連結した冷却管を設けて支持器具を強制的に冷却することで、四ほう酸リチウム単結晶内への光散乱体の発生を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のヒータにより上部を融点より高温に、下部を融点より低温に設定された炉心管内に成長容器を配置し、成長容器内に四ほう酸リチウム種結晶と原料を充填し、上部に成長容器を位置させて原料を融解後、成長容器を下方へ移動して結晶を成長させる垂直ブリッジマン法において、該成長容器底部に支持器具を配し、該支持器具と連結した冷却管を配することを特徴とする四ほう酸リチウム単結晶の育成装置。
【請求項２】
該支持器具の材質として四ほう酸リチウム単結晶と同等以上の熱伝導率を持ち、耐熱性のある材質を用いることを特徴とする四ほう酸リチウム単結晶の育成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、品質の優れた四ほう酸リチウム単結晶の育成に用いられる四ほう酸リチウム単結晶育成装置に関する。
【０００２】
【従来技術】弾性表面波素子等の素材として用いられる四ほう酸リチウム等の単結晶を育成する方法としては、チョクラルシキー法や垂直ブリッジマン法が知られており、その製法に沿った単結晶育成装置が発明されている。
【０００３】
図２に、従来の垂直ブリッジマン（ＶＢ）法を用いた単結晶の育成装置を示す。育成炉２１において、炉心管２２内には後述する成長容器２４が配置及び縦方向に移動できる空間が設けられている。又、炉心管２２内の雰囲気は窒素等の不活性ガスに置換されている。成長容器２４の外側底部には成長容器２４を支持する支持台２５が設けられており、成長容器２４及び支持台２５を炉心管２２内を上下に移動させる駆動装置２６が接続されている。
【０００４】
育成炉２１に配した複数のヒータ２３で加熱することで、炉心管２２上方が融点温度より高温に、下方は融点温度より低温になるような温度勾配に設定し、前記の炉心管２２内に種結晶２７とその上部に育成する単結晶原料２８を収容した成長容器２４を、種結晶と単結晶原料との境界が融点温度位置になるよう挿入し、その後、最適速度で成長容器２４を育成炉内を下方に移動させることで、種結晶上部の原料下部から上部まで徐々に結晶化する。
【０００５】
前記のような四ほう酸リチウム単結晶の育成装置については、以下のような文献が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平０９−２０５９６号公報
【０００７】
尚、出願人は前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を、本件出願時までに発見するに至らなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のＶＢ法で育成される四ほう酸リチウム単結晶中には、１０μｍ以下の光散乱体が少なからず含まれる。前記従来装置では育成時の成長容器内の温度勾配が小さく、且つ四ほう酸リチウムでは結晶中と融液中に含有される水分濃度が異なる為、固液界面近傍では結晶中から融液に水分が排出され、水分を不純物とした不純物濃度の高い状態となり、温度勾配が小さいと平衡液相温度曲線が実際の温度分布線より上になる組成的過冷却と呼ばれる不安定状態となり、温度ゆらぎ等で発生した突端が優先成長して不純物をとりこみ、これが光散乱体を生成していると考えられる。このとりこまれた光散乱体は四ほう酸リチウム単結晶品質の低下を招く恐れがある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記従来技術の課題を解決するため、本発明では、育成炉内に複数のヒータにより育成する単結晶の融点温度を基準とする温度勾配を設定した炉心管を使用し、この炉心管内に成長容器を配置し、成長容器内には種結晶を収容し、この種結晶の上部に育成する単結晶原料を充填して、成長容器を成長容器外底部に接続した駆動装置により炉心管内を移動させることにより結晶を成長させる垂直ブリッジマン法を用いた単結晶の育成装置において、成長容器底部に支持器具を配し、支持器具と連結した冷却管を配する。
【００１０】
このことにより成長容器内における育成固液界面での温度勾配を、従来方式より大きくすることができ、１０μｍ以下の光散乱体の発生を防止できる。
【００１１】
又、支持器具の部材として四ほう酸リチウム単結晶と同等以上の熱伝導率を持つ部材を用いることにより、冷却管による支持器具の冷却効果を高めることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態について図面に基づいて説明する。図１は、本発明における四ほう酸リチウム単結晶の育成に使用する育成炉装置の概略の一例を示した図である。尚、図１において、説明を明りょうにするため構造体の一部を図示せず、また図内の寸法も一部誇張して図示している。
【００１３】
即ち、育成炉１１を構成する炉心管１２は、筒状に形成され縦方向に配置されている。その炉心管１２の外側にはヒータ１３が配置され、ヒータ１３により、炉心管１２内の任意の位置における温度を段階的に設定できる。また、炉心管１２内の雰囲気は窒素，不活性ガス又は空気である。
【００１４】
次に、炉心管１２内に配置し、四ほう酸リチウム単結晶を育成する成長容器１４は耐熱性の高い金属や炭素素材で形成されている。成長容器１４底部には、支持器具１５が配置され、支持器具下には冷却管２０が連結されている。
【００１５】
容器１４には、容器１４底部から熱が伝わるよう密接した支持器具１５が配置されており、この支持器具１５の下には、容器１４から伝わった熱を強制的に冷却する冷却管２０が連結され、成長容器１４、支持器具１５及び冷却管２０を炉心管１２内で上下に移動させる駆動装置１６が配置されている。尚、支持器具１５は支持器具１５下の冷却管２０を介して炉外へ熱を排出する構造になっている。
【００１６】
次に単結晶育成法を開示すると、まず成長容器１４内に、板状の四ほう酸リチウム種結晶１７を配置し、その四ほう酸リチウム種結晶１７の上部には十分に乾燥させた高純度の四ほう酸リチウム原料１８が収納されている。これらの物質を成長容器１４内に収容した後、蓋１９をおく。尚、図１に示した四ほう酸リチウム原料１８はすでに溶解した状態で示している。
【００１７】
所望の温度勾配に設定した炉心管１２内に、駆動装置１６を使用して、成長容器１４、支持器具１５及び冷却管２０を単結晶成長に最適な速度で挿入上昇させ、成長容器１４内の四ほう酸リチウム原料１８を溶解させる。
【００１８】
次に、炉心管１２内に設定した融点温度９１７℃の位置に、成長容器１４内の四ほう酸リチウム種結晶１７が到達したら、駆動装置１６の上昇を止め、成長容器１４を一定時間その位置で固定する。その後駆動装置１６を四ほう酸リチウム単結晶の育成に最適な速度で下降させ、成長容器１４を融点温度９１７℃より低い温度の炉内に移動させることで、四ほう酸リチウム種結晶１８上に四ほう酸リチウム単結晶を育成させる。
【００１９】
その際、融点以下の温度範囲に入り種結晶上に単結晶化を開始した四ほう酸リチウムの潜熱を、支持器具１５により強制排熱し且つ支持器具１５を冷却管２０で更に強制冷却することで、結晶内温度勾配を大きくする。成長容器１４全体が融点以下の温度範囲に入り、結晶化終了後、さらに室温まで冷却し四ほう酸リチウム単結晶を取り出す。
【００２０】
支持器具１５により成長容器１４内で結晶化している四ほう酸リチウムの潜熱を強制的に排熱し、育成時の温度勾配を大きくすることで、結晶化過程における光散乱体の発生を防止できる。また、支持器具の材質及び形状を変更することで温度勾配を任意に調整することが可能となる。
【００２１】
尚、冷却管２０の冷却構造としては、炉外冷却部を設け管自体を冷却したり、冷却管中には水または低温ガスを流すことで冷却作用を及ぼす構造である。
【００２２】
また、上部を融点より高温に、下部を融点より低温に保ったまま、全体の温度を降下させて結晶成長させる垂直温度勾配凝固法においても前記冷却管を設けることで得られる効果同様である。
【００２３】
【発明の効果】本発明の四ほう酸リチウム単結晶の育成装置を使用することにより、四ほう酸リチウム単結晶育成時における結晶内潜熱を効率よく排出し、結晶容器内の温度勾配を大きくすることで、四ほう酸リチウム単結晶中の光散乱体の発生を防止し、非常に品質の優れた四ほう酸リチウム単結晶を提供できる効果を成す。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明における単結晶育成に使用する育成装置の概略を示した断面図である。
【図２】図２は、従来における単結晶育成に使用する育成装置の概略を示した断面図である。
【符号の説明】
１１，育成炉
１２，炉心管
１３，ヒータ
１４，成長容器
１５，支持器具
１６，駆動装置
１７，四ほう酸リチウム種結晶
１８，四ほう酸リチウム原料
２０，冷却管
【図１】
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【図２】
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