(57)【要約】【課題】本発明は、デバイスパターンをポジ型レジストを用いて製造するレチクルの製造方法において、基板の周辺部等に異物発生源となる遮光層が残存しないように製造するレチクルの製造方法を提供することを主目的とするものである。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、基板上に形成された遮光層の、デバイスパターン形成領域にポジ型レジストを塗布し、前記ポジ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりポジ型レジストをパターン状に形成するデバイスパターン形成工程と、前記遮光層のアライメントパターン形成領域に、ネガ型レジストを塗布し、前記ネガ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりネガ型レジストをパターン状に形成するアライメントパターン形成工程とを少なくとも有することを特徴とするレチクルの製造方法を提供する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された遮光層の、デバイスパターン形成領域にポジ型レジストを塗布し、前記ポジ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりポジ型レジストをパターン状に形成するデバイスパターン形成工程と、前記遮光層のアライメントパターン形成領域に、ネガ型レジストを塗布し、前記ネガ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりネガ型レジストをパターン状に形成するアライメントパターン形成工程とを少なくとも有することを特徴とするレチクルの製造方法。
【請求項２】
前記ポジ型レジストおよびネガ型レジストは、いずれか一方を先に塗布した後に、他方を塗布し、次いで、ポジ型レジストおよびネガ型レジストにエネルギー線を照射し、照射後の両レジストを同一の現像液で現像することにより、前記デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程を同時に行うことを特徴とする請求項１に記載にレチクルの製造方法。
【請求項３】
前記ポジ型レジストおよびネガ型レジストが化学増幅型電子線レジストであることを特徴とする請求項２に記載のレチクルの製造方法。
【請求項４】
前記デバイスパターン形成工程および前記アライメントパターン形成工程のいずれか一方を先に行い、遮光層上にデバイスまたはアライメントの一方のパターンを形成した後、もう一方の工程を行うことを特徴とする請求項１に記載のレチクルの製造方法。
【請求項５】
前記ポジ型およびネガ型のレジストは、ノズルスキャン塗布により塗布されることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のレチクルの製造方法。
【請求項６】
前記遮光層は、クロムを有することを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のレチクルの製造方法。
【請求項７】
前記ポジ型およびネガ型のレジストが各々成膜される際に、両者の境界で両者が混合することを防止する混合防止手段が、前記基板上に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のレチクルの製造方法。
【請求項８】
前記混合防止手段は、ポジ型レジストとネガ型レジストとの境界に、隙間を設ける手段であることを特徴とする請求項７に記載のレチクルの製造方法。
【請求項９】
前記混合防止手段は、ポジ型レジストとネガ型レジストとの境界に、隔壁を設ける手段であることを特徴とする請求項７に記載のレチクルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デバイスパターンがポジ型レジストを用いたリソグラフィー法により形成されるレチクルの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、レチクルを製造する方法としては、ネガ型またはポジ型のレジストを用いるフォトリソグラフィー法が一般的である。このようなフォトリソグラフィー法により製造されたレチクルは、パターンが微細であるためＬＳＩを製造する際には欠かせないものである。
【０００３】
ここで、一般的に行われているポジ型レジストを用いたレチクルの製造方法を、図３を用いて説明する。
【０００４】
まず、図３（ａ）に示すように、基板３１上にクロム等からなる遮光層３２をスパッタリング等の公知の成膜方法により成膜する。この際、遮光層３２はデバイスおよびアライメントのパターンが形成される領域の全面にわたって形成される。次に、前記遮光層３２上にポジ型レジストを全面塗布し、レジスト３３を成膜する（図３（ｂ）参照）。次いで、形成されるパターンに応じて、遮光層３２が除去される領域のレジスト３３に電子線３４を描画し（図３（ｃ）参照）、その後、現像することにより、図３（ｄ）に示すように、電子線３４が描画された領域のレジスト３３が除去され、レジスト３３がパターン状に形成される。次いで、露出している遮光層３２をエッチングにより除去し、図３（ｅ）に示すように、表面にレジスト３３を有し、パターン状に形成された遮光層３２を得る。最後に、遮光層３２上に成膜されているレジスト３３を剥離し、図３（ｆ）に示すように、遮光層３２がパターン状に形成されたレチクルを得る。
【０００５】
ここで、上記図３（ａ）に示す遮光層３２の成膜工程において、遮光層をデバイスおよびアライメントのパターンが形成される領域の全面、さらには、基板の周辺部等まで成膜する理由は、これにより、電子線を描画する際、基板上に電子が帯電することが抑制できるからであり、さらに、アースを基板周辺部に接続させることができるからである。
【０００６】
しかしながら、レチクルを実際に使用する段階においては、上述した基板の周辺部の遮光層は、付着力が劣るため剥がれ易く異物発生源となるおそれがある。そのため、ポジ型レジストを用いてレチクルを製造する際においては、基板の周辺部等に残存する遮光層の処理が大きな問題となっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、デバイスパターンをポジ型レジストを用いて製造するレチクルの製造方法において、基板の周辺部等に異物発生源となる遮光層が残存しないように製造するレチクルの製造方法を提供することを主目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、基板上に形成された遮光層の、デバイスパターン形成領域にポジ型レジストを塗布し、上記ポジ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりポジ型レジストをパターン状に形成するデバイスパターン形成工程と、上記遮光層のアライメントパターン形成領域に、ネガ型レジストを塗布し、上記ネガ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりネガ型レジストをパターン状に形成するアライメントパターン形成工程とを少なくとも有することを特徴とするレチクルの製造方法を提供する。
【０００９】
本発明は、ポジ型レジストを用いてデバイスパターンを形成する場合に、アライメントパターンが形成される領域は、ネガ型レジストを用いることを特徴とする。これにより、アライメントパターンが形成される領域では、アライメントマークのみが遮光層により形成され、それ以外の領域の遮光層は除去されることとなる。従って、レチクルを使用する際、基板の周辺部等に遮光層が残存しないため、異物発生源がなくなり、これによる影響を回避することができるのである。
【００１０】
上記請求項１に記載された発明においては、請求項２に記載するように、上記ポジ型レジストおよびネガ型レジストの塗布が、いずれか一方が先に塗布された後に、他方が塗布され、次いで、ポジ型レジストおよびネガ型レジストにエネルギー線を照射し、照射後の両レジストを同一の現像液で現像することにより、上記デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程を同時に進行させることが好ましい。デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程を同時に進行させることにより、エネルギー線を照射する工程および現像工程が一回で済み、製造効率を向上させることができるからである。
【００１１】
上記請求項２に記載された発明においては、請求項３に記載するように、上記ポジ型レジストおよびネガ型レジストが化学増幅型電子線レジストであることが好ましい。化学増幅型電子線レジストは、ポジ型およびネガ型のレジストであっても、同一の現像液で現像することが可能であり、かつ高感度であるからである。
【００１２】
上記請求項１に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記デバイスパターン形成工程および上記アライメントパターン形成工程のいずれか一方を先に行い、遮光層上にデバイスまたはアライメントの一方のパターンを形成した後、もう一方の工程を行うことが好ましい。
【００１３】
デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程を別個に行うことから、現像工程を別個に行うことができる。従って、現像工程においては、同一の現像液を用いて現像する必要がないため、ポジ型およびネガ型のレジストの材料の選択の幅を広げることができるからである。
【００１４】
上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項５に記載するように、上記ポジ型およびネガ型のレジストは、ノズルスキャン塗布により塗布されることが好ましい。ノズルスキャン塗布を用いて両レジストを塗布することにより、同一の基板上に容易に２種類のレジストを成膜することが可能となるからである。
【００１５】
上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項６に記載するように、上記遮光層は、クロムを有することが好ましい。
【００１６】
遮光性に優れたクロムを遮光層に用いることにより、パターン照射する際、エネルギーの透過および遮光の差が充分に生じ、パターニングの精度を向上させることが可能だからである。
【００１７】
上記請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項７に記載するように、上記ポジ型およびネガ型のレジストが各々成膜される際に、両者の境界で両者が混合することを防止する混合防止手段が、上記基板上に設けられていることが好ましい。混合防止手段を設けることにより、境界面で両レジストが接触することが防止され、両レジストが混合することにより生じる変性等の不都合を回避することができるからである。
【００１８】
上記請求項７に記載された発明においては、請求項８に記載するように、上記混合防止手段は、ポジ型レジストとネガ型レジストとの境界に、隙間を設ける手段であることが好ましい。隙間を形成することにより、ポジ型レジストおよびネガ型レジストが接触する可能性が低くなるからである。
【００１９】
上記請求項７に記載された発明においては、請求項９に記載するように、上記混合防止手段は、ポジ型レジストとネガ型レジストとの境界に、隔壁を設ける手段であることが好ましい。予め、基板上に隔壁を設けておくことにより、両レジストが接触することが回避され、かつ、両レジストの塗り分けが容易になるからである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のレチクルの製造方法について説明する。
【００２１】
本発明のレチクルの製造方法は、基板上に形成された遮光層の、デバイスパターン形成領域にポジ型レジストを塗布し、前記ポジ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりポジ型レジストをパターン状に形成するデバイスパターン形成工程と、前記遮光層のアライメントパターン形成領域に、ネガ型レジストを塗布し、前記ネガ型レジストにエネルギー線を照射した後、現像することによりネガ型レジストをパターン状に形成するアライメントパターン形成工程とを少なくとも有することを特徴とする。
【００２２】
ここで、本発明におけるデバイスパターン形成領域とは、ＬＳＩ等の電子回路のパターンが形成される領域を表している。また、アライメントパターン形成領域とは、位置合わせに用いるアライメントマークが形成される領域を表し、上記デバイスパターン形成領域の周囲を取り囲むように位置するものである。
【００２３】
本発明は、デバイスパターンが穴パターンである場合など、ポジ型レジストをマスクとして用いて形成することが好ましい場合に、デバイスパターンの形成には、ポジ型レジストを用い、アライメントパターンの形成には、ネガ型レジストを用いることを特徴とする。従って、デバイスパターンおよびアライメントパターンの形成で、レジストを使い分けるため、アライメントパターン形成領域には、アライメントマーク以外に遮光層が残存しない。よって、従来、ポジ型レジストのみを用いてパターニングを行っていた際には、基板の周辺部に残存し、異物発生源となっていた遮光層が、本発明では、残存しないため、異物による不都合を解消することができるのである。
【００２４】
このような効果を有する本発明のレチクルの製造方法においては、上記デバイスパターン形成工程および上記アライメントパターン形成工程を同時に進行させる場合と、別個に進行させる場合とで２つの実施態様に分けることができる。
【００２５】
以下、これらを第１実施態様および第２実施態様として、それぞれについて詳細に説明する。
【００２６】
１．第１実施態様
第１実施態様は、デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程を同時に進行させる態様である。具体的には、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれか一方を先に塗布した後に、他方を塗布し、次いで、ポジ型レジストおよびネガ型レジストにエネルギー線を照射し、照射後の両レジストを同一の現像液で現像することにより、前記デバイスパターン形成工程と、アライメントパターン形成工程とを同時に行うことを特徴とする。
【００２７】
このように、デバイスパターン形成工程とアライメントパターン形成工程を同時に進行させると、エネルギー線を照射する工程および現像工程を一度に処理することができる。従って、その分工程が省略されるため、製造効率上有利となる。
【００２８】
図１は、このような第１実施態様の一例を図示したものである。以下、図１について具体的に説明する。
【００２９】
まず、図１（ａ）に示すように、クロム等からなる遮光層２を基板１上に成膜する（遮光層形成工程）。この際、遮光層２は、デバイスパターン形成領域およびアライメントパターン形成領域の全面にわたって成膜するようにし、さらには、図に示すように基板１の側面も覆う場合がある。次いで、図１（ｂ）に示すように、遮光層２のデバイスパターン形成領域には、ポジ型レジスト３を塗布し、アライメントパターン形成領域には、ネガ型レジスト４を塗布する（レジスト塗布工程）。これにより、２種類のレジストが成膜された基板１を得る。次いで、ポジ型レジスト３およびネガ型レジスト４に電子線５を描画する（照射工程、図１（ｃ）参照）。この際、ポジ型レジスト３は、電子線５が描画された領域のレジストが除去されるため、パターンが形成される領域に電子線５を描画する。一方、ネガ型レジスト４は、電子線５が描画された領域がパターンとして残るため、アライメントマークのパターンに沿って、電子線５を描画する。ついで、描画後のポジ型レジスト３およびネガ型レジスト４を同一の現像液を用いて現像し、洗浄すると、図１（ｄ）に示すように、パターニングされた両レジスト３、４を得る（現像工程）。この場合、ポジ型レジスト３は、電子線５の描画領域が除去され、ネガ型レジスト４は未描画領域が除去される。さらに、ポジ型レジスト３およびネガ型レジスト４が除去されて、露出している部分の遮光層２をエッチングにより除去すると、図１（ｅ）に示すように、表面にポジ型レジスト３またはネガ型レジスト４を有し、パターン状に形成された遮光層２を得る（遮光層エッチング工程）。最後に、ポジ型レジスト３およびネガ型レジスト４を剥離液を用いて除去すると（レジスト剥離工程）、図１（ｆ）に示すように、パターン状に形成された遮光層２を有するレチクルを得る。
【００３０】
以下、上記図１の説明の中に記した各工程について、詳細に説明する。
【００３１】
Ａ．遮光層成膜工程
遮光層成膜工程は、基板上に、遮光層を成膜する工程である。
【００３２】
遮光層は、レチクルを実際に使用する際に、エネルギーの透過を妨げ、パターン照射を可能とする役割を担う層である。このような遮光層を形成する材料としては、一般的なレチクルの遮光層に用いられる材料であれば特に限定されるものではなく、遮光性に優れた材料が好適に用いられる。
【００３３】
本発明においては、中でも金属クロム材料を好適に用いることができる。さらに、その上に酸化クロム材料を成膜してもよい。
【００３４】
このような遮光層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等が挙げられる。特にこの中でも、スパッタ法により成膜することが好ましい。
【００３５】
上記成膜方法により成膜された遮光層、特に、導電性を有する遮光層は、デバイスパターン形成領域およびアライメントパターン形成領域の全面にわたって成膜されることが好ましく、さらには、基板の側面等に差し掛かるように成膜されていても良い。これは、エネルギー線として例えば電子線を用いた場合に、電子線から発せられる電子が基板上に帯電することを防止することができるからである。すなわち、基板上に電子が帯電すると、電子線が帯電の影響から屈曲する等の影響が生じ、電子線の描画精度が低下するからである。従って、電子線が描画される周辺の領域では、基板が露出しないように導電性を有する遮光層により被覆することにより帯電を抑制するのである。さらに、基板周辺部には、アースを接続するため、この点からも基板周辺部まで遮光層が成膜されていることが好ましい。
【００３６】
Ｂ．レジスト塗布工程
本実施態様におけるレジスト塗布工程は、デバイスパターン形成領域には、ポジ型レジストを塗布し、アライメントパターン形成領域には、ネガ型レジストを塗布する工程である。
【００３７】
両レジストの成膜順序としては、最終的に両者が基板表面に塗り分けられ成膜されていればよいので、いずれを先に成膜してもよい。
【００３８】
両レジストの成膜方法としては、ポジ型およびネガ型レジストの塗り分けが可能である成膜方法であれば特に限定されない。例えば、ノズルスキャン塗布、または、マスキングをした後にスプレー法、ローラー法により塗布する等の成膜方法が挙げられる。その中でも、特にノズルスキャン塗布により成膜することが好ましい。ノズルスキャン塗布は一筆書きの要領で、薬液を２０〜１００μｍ径程度の微細ノズルから吐出しながら、基板上を高速で走査することで塗布する方法である。従来の回転塗布法では基板の中心部に薬液を吐出し、基板を高速回転させることで均一に外周へ押し広げることで塗布するために、部分的に塗布する事は不可能であった。ノズルスキャン塗布では任意の場所をノズル走査することが可能なため、必要部分のみの塗布が可能となる。
【００３９】
さらに、本実施態様では、デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程を同時に進行させるため、一度の現像工程でポジ型およびネガ型の両レジストを現像することとなる。従って、本実施態様に用いるポジ型レジストおよびネガ型レジストとしては、同一の現像液で現像することが可能なレジストであれば特に限定はされない。その中でも、電子線レジストであることが好ましい。電子線を描画することによって、所望のパターンを精度良く形成することが可能であるからである。さらにその中でも、化学増幅型電子線レジストであることが好ましい。本実施態様においては、エネルギー線として電子線を用いることが好ましいが、化学増幅型電子線レジストは、その構成に酸発生剤を含み、僅かな電子線により酸が発生し、この酸を触媒として、レジストの架橋、開裂または分解といった反応を促進させることができる高感度なレジストであるからである。
【００４０】
（混合防止手段）
本実施態様においては、前記ポジ型およびネガ型のレジストが各々成膜される際に、両者の境界で両者が混合することを防止する混合防止手段が、前記基板上に設けられていることが好ましい。
【００４１】
このような混合防止手段を基板上に予め施しておくことにより、より正確にかつ容易にレジストの塗り分けが可能となるからである。このような混合防止手段としては、ポジ型とネガ型のレジストの塗り分けを容易に可能とする手段であれば特に限定されない。具体的には、基板上に濡れ性の差を設ける方法や、僅かな隙間を設ける方法、隔壁を設ける等の方法が挙げられる。この中でも、隙間を設ける方法、隔壁を設ける方法が好ましい。
【００４２】
具体的に、隙間を設ける方法としては、デバイスパターン形成領域とアライメントパターン形成領域との境界に僅かな隙間を設けることができる方法であれば特に限定はされない。例えば、ノズルスキャン塗布を用いて、ポジ型レジストおよびネガ型レジストの隙間を０．１〜５ｍｍの範囲内、好ましくは、０．１〜１ｍｍの範囲内となるように塗布する方法、デバイスパターン形成領域およびアライメントパターン形成領域の境界線上に予め樹脂等で枠組みを形成し、両レジストを成膜後、その枠組みを取り外す等の方法が挙げられる。
【００４３】
次いで、隔壁を設ける方法としては、デバイスパターン形成領域とアライメントパターン形成領域との境界線上に形成され、各レジストの進行を妨げるような隔壁を形成する方法であれば特に限定はされない。具体的には、ポジ型およびネガ型のレジストの膜厚よりも高い隔壁を設ける方法や、撥液性を有する隔壁を設ける方法等を挙げることができ、これらの方法により良好にポジ型およびネガ型のレジストの塗り分けが可能となる。
【００４４】
Ｃ．照射工程
照射工程とは、成膜された、ポジ型レジストおよびネガ型レジストにパターンに応じてエネルギー線を照射する工程である。
【００４５】
本実施態様では、ポジ型レジストおよびネガ型レジストに同時にエネルギー線を照射する。この際、ポジ型レジストにおいては、エネルギー線の照射領域のレジストが除去されるため、パターンを形成する領域をエネルギー線により照射する。一方、ネガ型レジストにおいては、エネルギー線の照射領域がパターンとして残るため、アライメントマークのパターンに沿ってエネルギー線を照射する。
【００４６】
本工程において使用することが可能なエネルギー線としては、照射することによりポジ型レジストおよびネガ型レジストに物性の変化を生じさせることができ、形成するパターンに応じて描画することができるのであれば特に限定はされない。具体的には、電子線、紫外光等の光およびＸ線等の光以外の電磁波等を挙げることができる。その中でも、電子線であることが好ましい。本実施態様おいては、上述したようにレジストとして電子線レジストを用いることが好ましいが、電子線は、この電子線レジストの物性を変化させるのに適したエネルギーを有するからである。
【００４７】
Ｄ．現像工程
現像工程とは、現像液を照射後のレジストに接触させ、現像し、洗浄することにより各レジストの不要な部分を除去し、両レジストをパターン状に形成する工程である。
【００４８】
本実施態様においては、同一の現像液を用いてポジ型およびネガ型の両レジストを同時に現像する。従って、本実施態様に用いるポジ型レジストおよびネガ型レジストとしては、同一の現像液で現像することが可能なレジストが好適に用いられる。このような現像液としては、アルカリ現像液または有機溶媒現像液が挙げられるが、アルカリ現像液と化学増幅型電子線レジストとの組み合わせが好ましい。化学増幅型電子線レジストはその構成に酸発生剤を含み、エネルギー線として例えば電子線を用いた場合には、電子線の描画により酸が発生し、ＰＥＢによりこの酸を触媒として架橋反応、縮合反応、極性変化反応、解重合反応、脱保護反応などの反応が起こり、酸が多数回の化学反応を引き起こす連鎖反応を利用するため、高感度であるとの利点があるからである。
【００４９】
Ｅ．遮光層エッチング工程
エッチング工程では、上記現像工程により各レジストが除去され、露出している部分の遮光層を除去し、遮光層をパターン状に形成する。
【００５０】
この遮光層エッチング工程は、遮光層を溶解する溶媒を用いる湿式法、およびドライエッチングを用いる乾式法を用いることが可能である。以下、それぞれの方法について説明する。
【００５１】
（湿式法）
この場合の湿式法とは、レジストをマスクとして、遮光層をエッチングにより取り除く方法である。この際用いることができるエッチング液としては、遮光層がクロム系のときは硝酸第２セリウムアンモニウム系が一般的である。このようなエッチング液を浸漬法、スプレー法、パドル法等の方法により遮光層に接触させ、不要な部分の遮光層を除去する。
【００５２】
（乾式法）
一方、乾式法とは、ドライエッチングを用いて両レジストが除去された部分の遮光層を除去する方法である。
【００５３】
通常、レジストは、遮光層よりかなり厚く成膜されることから、全体的にドライエッチングを行うことにより、遮光層を除去することができるのである。
【００５４】
このように、ドライエッチングを用いれば、エッチングの端部をよりシャープとすることが可能となることから、パターンの端部に存在する膜厚不均一領域の幅をより狭くすることが可能となり、その結果、より高精細なパターニングが可能となるという効果を奏する。
【００５５】
Ｆ．レジスト剥離工程
剥離工程では、上記遮光層エッチング工程を行った後、現像された両レジストをレジスト剥離液を用いて剥離する。
【００５６】
本工程で用いることができるレジスト剥離液としては、上記遮光層を溶解するものではなく、両レジストを溶解することが必要であり、上述したようなレジストの溶媒をそのまま使用することができる。
【００５７】
さらに、強アルカリ水溶液、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶媒、およびそれらの混合物、市販のレジスト剥離液を用いてもよい。レジスト剥離後は、２−プロパノール等でリンスし、さらに水でリンスしてもよい。
【００５８】
２．第２実施態様
第２実施態様は、デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程を別個に進行させる態様である。具体的には、デバイスパターン形成工程およびアライメントパターン形成工程のいずれか一方を先に行い、遮光層上にデバイスまたはアライメントの一方のパターンを形成した後、もう一方の工程を行うことを特徴とする態様である。
【００５９】
本実施態様では、エネルギー線を照射する照射工程および両レジストをパターン状に形成する現像工程を、各々のレジストごとに行うことができる。よって、現像工程においては、両レジストを同時に現像するといった限定要因がなく、両レジストの選択の幅を広げることができる。
【００６０】
図２は、このような第２実施態様の一例を図示したものである。以下、図２について具体的に説明する。
【００６１】
まず、図２（ａ）に示すように、遮光層２２が成膜されている基板２１のデバイスパターン形成領域にポジ型レジスト２３を塗布する（ポジ型レジスト塗布工程）。次いで、図２（ｂ）に示すように、このポジ型レジスト２３のうち、パターンが形成される領域に電子線２４を描画する（ポジ型レジスト照射工程）。さらに、描画後のポジ型レジスト２３を現像液で現像した後、洗浄することにより、図２（ｃ）に示すように、パターン状のポジ型レジスト２３が形成される（ポジ型レジスト現像工程）。
【００６２】
次いで、アライメントパターン形成工程を行う。遮光層２２のアライメントパターン形成領域にネガ型レジスト２５を塗布する（ネガ型レジスト塗布工程）。このネガ型レジスト２３にアライメントパターンに沿って電子線２４を描画（ネガ型レジスト照射工程、図２（ｄ）参照）する。さらに、描画後のネガ型レジスト２５を現像液により現像した後、洗浄することにより、図２（ｅ）に示すように、アライメントパターンにネガ型レジスト２５が形成される（ネガ型レジスト現像工程）。そして、ポジ型レジスト２３およびネガ型レジスト２５が除去されて、露出している遮光層２２をエッチングにより除去し（遮光層エッチング工程、図２（ｆ）参照）、さらに、遮光層２２上に成膜されている両レジスト２３、２５を剥離する（剥離工程）と、図２（ｇ）に示すように、パターン状に形成された遮光層２２を得る。
【００６３】
図２においては、まず、デバイスパターンを先に形成した後、アライメントパターンを形成する場合を図示したが、特にその形成に順番はなく、アライメントパターンから形成する場合であっても良い。
【００６４】
以下、本実施態様について各工程ごとに説明する。
【００６５】
Ａ．遮光層成膜工程
本工程は、第１実施態様の遮光層成膜工程と同様であるためここでの説明は省略する。
【００６６】
Ｂ．ポジ型レジスト塗布工程
本実施態様は、デバイスパターンとアライメントパターンとを別個に進行させて両パターンを形成する態様である。そこで、まず、両レジストのうちいずれかを先に遮光層上の所定の領域に成膜する。ここでは、ポジ型レジストの塗布工程を先に説明するが、成膜順序としては、特に限定されなく、ネガ型レジストを先に成膜し、アライメントパターンを先に形成してもよい。
【００６７】
本実施態様では、ポジ型レジストおよびネガ型レジストの現像工程が別個に行われるため、同一の現像液により現像が可能なレジストに限定されない。従って、本実施態様に用いるポジ型レジストとしては、リソグラフィー法において、一般的に用いているポジ型レジストが使用可能である。具体的には、ノボラック樹脂系、ゴム＋ビスアジド系等を挙げることができる。
【００６８】
その他、ポジ型レジストの塗布方法および混合防止手段等は、第１実施態様のレジスト塗布工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００６９】
Ｃ．ポジ型レジスト照射工程
ポジ型レジスト照射工程では、デバイスパターンのパターンに沿ってポジ型レジストのみにエネルギー線を照射する工程である。
【００７０】
ポジ型レジストにおいては、照射された領域が後の現像工程により除去されるため、本工程でのエネルギー線を照射する領域は、パターンが形成される領域となる。
【００７１】
Ｄ．ポジ型レジスト現像工程
ポジ型レジスト現像工程は、照射されたポジ型レジストを現像液に接触させ、洗浄することにより、照射された領域のポジ型レジストを除去し、パターン状にポジ型レジストを形成する工程である。
【００７２】
本実施態様に用いることができる現像液としては、上記遮光層を形成する材料を溶解するものでなければ特に限定されるものではない。具体的には、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できるが、そのほかに、無機アルカリ、またはレジストの現像が可能な水溶液を使用することができる。レジストの現像を行った後は水で洗浄することが望ましい。
【００７３】
Ｅ．ネガ型レジスト塗布工程
ネガ型レジスト塗布工程では、ネガ型レジストを遮光層のアライメント形成領域に塗布する工程である。
【００７４】
本実施態様に用いることが可能なネガ型レジストとしては、一般的に、リソグラフィー法において用いられているネガ型レジストを用いることが可能である。
【００７５】
その他、塗布方法等に関しては第１実施態様のレジスト塗布工程と同様であるのでここでの説明は省略する。
【００７６】
Ｆ．ネガ型レジスト照射工程
ネガ型レジスト照射工程では、上記工程により遮光層のアライメント形成領域に成膜されているネガ型レジストに対し、アライメントマークが形成される領域にエネルギー線を照射する工程である。
【００７７】
Ｇ．ネガ型レジスト現像工程
本工程では、上記工程により照射されたネガ型レジストを、現像液と接触させ現像した後、洗浄することにより、アライメントマークに沿ったパターンにネガ型レジストを形成する工程である。
【００７８】
本実施態様においては、ここで用いる現像液は、上記ポジ型レジストに用いたものと異なるものであってもよい。
【００７９】
ここで、用いることが可能なこれら現像液等に関しては、上記ポジ型レジスト現像工程に記載したことと同様である。従って、ここでの説明は省略する。
【００８０】
Ｈ．遮光層エッチング工程
第２実施態様での遮光層エッチング工程は、第１実施態様の同工程と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００８１】
Ｉ．剥離工程
剥離工程においても、第１実施態様の剥離工程と同様であるためここでの説明は省略する。
【００８２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００８３】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【００８４】
［実施例］
１５２ｍｍ×１５２ｍｍ×６．３５ｍｍ厚の石英基板全面に、スパッタリング法を用いて、クロム、酸化クロムの順番に薄膜を形成した。この際、クロム膜は遮光層の働きをするので光学濃度は、３以上にし、２層膜の膜厚は５０〜１２０ｎｍ程度になるようにした。
【００８５】
次に基板の中央のデバイスが配置される領域、たとえば基板中央部１００ｍｍ×１３０ｍｍの領域をノズルスキャン方式で化学増幅型のポジ型電子線レジスト（たとえば東京応化工業社製ＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９）を塗布し、基板中央の１０２ｍｍ×１３２ｍｍを除いた外周領域には、ノズルスキャン方式で化学増幅型のネガ型電子線レジスト（たとえばシプレイ社製ＳＡＬ−６０１）を塗布した。次にレジスト中の溶剤を除くために１３０℃のホットプレートで２０分加熱した。この際のノズルスキャンの速度は加熱後のレジスト膜厚が４００〜５００ｎｍ程度の厚さになるように調節した。これにより、基板中央部にポジ型電子線レジスト、その外周にネガ型電子線レジストが塗布されたマスク基板が得られた。
【００８６】
次いでマスク用電子線描画装置を用いて、マスク基板上のポジ型レジストの部分はデバイスパターンに基づいて、ネガ型レジストの部分はアライメントパターンに基づいて、電子線を照射した。この際の電子線照射量はそれぞれの電子線レジストの感度に合せて設定した。
【００８７】
化学増幅型電子線レジストは、露光後に酸触媒反応を起こさせるために加熱することが必要であるため、１２０℃のホットプレートで１５分加熱した。
【００８８】
露光後ベークが終了後、アルカリ現像液（たとえばＴＭＨＤ２．３８％溶液）を用いて２分現像を行い、続いて純水リンスを行なうことにより、レジストパターンをクロム膜上に形成した。このレジストパターンをマスクとして次の工程でクロム膜のエッチングを行なったが、エッチング前にレジストとクロム膜の密着性を向上させるために１３０℃程度の加熱処理を行ってもよい。
【００８９】
エッチングには湿式法と乾式法があるが、本実施例では湿式法によりエッチングを行った。クロム膜のエッチングは、純水に硝酸第二セリウムアンモニウムと可塩素酸を加えた混酸を用い、この混酸に浸漬させるか、または混酸をスプレー状に吹きかけることでエッチングを行った。エッチング後は純水で表面の残留混酸を除いた。これにより基板最外周部にはレジストが残っていないので、その部分のクロム膜はエッチングにより完全に除去することができた。
【００９０】
次に有機レジスト剥離剤、あるいは酸素プラズマアッシングにより、クロム膜上のレジストを剥離した。これにより、中央部の電子線を照射した部分は、石英ガラスが露出したパターンが形成され、外周部の電子線を照射した部分は、クロム膜が残ったパターンが形成された。
【００９１】
【発明の効果】
本発明によれば、ポジ型レジストを用いてデバイスパターンを形成する場合に、アライメントパターンが形成される領域においては、ネガ型レジストを用いることにより、アライメントパターンが形成される領域では、アライメントマークのみが遮光層により形成され、それ以外の領域の遮光層は除去されることとなる。従って、レチクルを使用する際、基板の周辺部等に遮光層が残存しないため、異物発生源がなくなり、これによる影響を回避することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレチクルの製造方法の一例を図示した工程図である。
【図２】本発明のレチクルの製造方法の他の例を図示した工程図である。
【図３】従来のレチクルの製造方法の一例を図示した工程図である。
【符号の説明】
１　…　基板
２　…　遮光層
３　…　ポジ型レジスト
４　…　ネガ型レジスト
５　…　電子線
【図１】
2004004715.tif 000003
【図２】
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【図３】
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