(57)【要約】【課題】有機発光素子を構成する発光部の上部電極と下部電極の短絡を防止し、開口率向上する。【解決手段】電源線１１０上あるいは画素を駆動する第２の薄膜トランジスタ１０２に接続された容量１０４の電極（容量上部電極１０８）上に発光部１３５を形成することで、ガラス基板１１６上の凹凸による発光部１３５の上部電極１２５と下部電極１１５の短絡を防止する。【選択図】          図２
2004191627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光素子を有する複数の画素と、この画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型の有機発光表示装置であって、
前記有機発光素子は、有機発光層及び該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有し、前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出す如く構成され、前記各画素における前記上部電極と前記下部電極に挟まれた前記発光層の領域が、前記薄膜トランジスタの各画素内における電源線の上方に形成されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記画素を駆動用する薄膜トランジスタの各画素内における電源線が、前記発光光の反射層として機能することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
複数の画素とこの画素を駆動する薄膜トランジスタを有するアクティブ型有機発光表示装置であって、
前記複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有しており、
該有機発光素子は、有機発光層及び該有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、
前記上部電極側から前記有機発光層の発光光を取出すものであり、
各画素において実質的に前記上部電極と前記下部電極に挟まれた発光層の領域が、前記画素を駆動する薄膜トランジスタまたは前記画素を駆動する薄膜トランジスタを制御する薄膜トランジスタに接続される容量を形成する電極上に形成されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項４】
前記容量は前記有機発光素子を駆動するトランジスタのバイアス電圧を保持する容量であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記容量は、前記画素を駆動用する薄膜トランジスタまたは前記駆動用薄膜トランジスタを制御する薄膜トランジスタの信号電圧を保持する容量であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光表示装置に係り、特に画素を構成する有機発光素子の２つの電極が基板表面の凹凸に起因して短絡するのを防止し、開口率を向上した有機発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本格的なマルチメディア時代の到来に伴い、マン・マシンインターフェイスとして用いられる平面型の表示装置がクローズアップされている。平面型表示装置としては、従来、液晶ディスプレイが広く用いられている。しかしながら液晶表示装置は、例えば陰極線管ディスプレイに比べて狭視野角であり、応答特性が低い。
【０００３】
近年、次世代平面型の表示装置の一つとして、有機発光素子を用いた表示装置が注目されている。この有機発光素子を用いた表示装置（以下、有機発光表示装置と称する）は、自発光、広視野角、高速応答特性といった優れた特性を有する。従来の有機発光素子の構造は、ガラスを好適とする基板上にＩＴＯ等の第１電極と、この第１電極上に積層された正孔輸送層、発光層、電子輸送層等からなる有機発光層、および有機発光層の上に形成された低仕事関数の上部電極で構成される。そして、上記第１電極と第２電極の間に数Ｖ程度の電圧を印加することで、各電極にそれぞれ正孔、電子が注入され、それぞれ正孔輸送層、電子輸送層を経由し発光層で結合してエキシトンが生成され、このエキシトンが基底状態に戻る際に発光するというものである。この発光光は第１電極を透明電極とした、所謂ボトムエミッション型では当該第１電極を透過して基板側裏面から取り出される。
【０００４】
このような有機発光素子を画素に用いた表示装置には、単純マトリクス型の有機発光表示装置とアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置がある。単純マトリクス型の有機発光表示装置では、複数の陽極ライン（陽極配線とも称する）と陰極ライン（陽極配線とも称する）が交差した位置に正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の有機層を形成し、各画素を１フレーム期間中の選択時間のみ点灯する。上記選択時間は、１フレーム期間を陽極ライン数で除した時間幅となる。単純マトリクス有機発光表示装置は構造が単純であるという利点を有する。
【０００５】
しかし、画素数が多くなると選択時間が短くなる。そのため、駆動電圧を高くして選択時間中の瞬間輝度を高くし、１フレーム期間中の平均輝度を所定の値にする必要がある。この場合、有機発光素子の寿命が短くなるという問題が生じる。また、有機発光素子は電流駆動であるため、特に大画面とした有機発光表示装置では、陽極ラインや陰極ラインの配線長が長くなり、その配線抵抗による電圧降下が生じて各画素に均一に電圧の印加がなされなくなる。その結果、表示装置の面内での輝度ばらつきが発生する。このような理由で、単純マトリクス型の有機発光表示装置では高精細、大画面化に限界がある。
【０００６】
一方、アクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置では、各画素を構成する有機発光素子に２〜４個の薄膜トランジスタ等のスイッチング素子と容量とから構成される駆動素子回路（画素駆動部とも言う）が接続され、また有機発光素子に電流を供給する電源線が設けられており、１フレーム期間中に全ての画素の点灯が可能な構造となっている。そのため、輝度を高くする必要がなく、有機発光素子の寿命を長くすることができる。このような理由から、表示画面の高精細化および大画面化においては、アクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置が有利であると考えられている。なお、以下の説明では、スイッチング素子を薄膜トランジスタとして説明するが、他のアクティブ素子であってもよいことは言うまでもない。
【０００７】
発光光を基板裏側から取出す形式のアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置はボトムエミッション型とも呼ばれる。この形式の有機発光表示装置では、基板と有機発光素子の間に上記の画素駆動部を設けると、有機発光素子の発光光を遮ることになり、所謂開口率が制限される。特に大画面とした場合には、電源線の電圧降下による画素間の輝度ばらつきを低減するため、電源線の幅を広げる必要があり、この開口率が極端に小さくなるという問題が生じる。また、有機発光素子を駆動するトランジスタのバイアス電圧や信号電圧を保持するための容量を大きく取ろうとすると、容量電極の面積が大きくなり、開口率が極端に小さくなるという問題がある。
【０００８】
以上のような問題を解決するために、上部電極を透明化し、発光光の取出しを上部電極側から行う試みがある。この上部光取り出し構造とした形式の有機発光装置をトップエミッション型とも称する。しかし、従来の上部光取出し構造では、薄膜トランジスタ上や、容量電極上、あるいは配線上に有機発光素子の発光部を形成するが、発光部を形成する有機発光層の厚さは数１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度と非常に薄いため、その下地の凹凸が大きいとこの凹凸を有機発光層が覆いきれず、下部電極と上部電極が短絡してしまうことを回避することが解決すべき課題の一つとなる。
【０００９】
これに関して、「特許文献１」では、ポリイミドを使った平坦化層を導入することで下地の凹凸を低減した有機発光素子が開示されている。図１１は従来の有機発光装置における画素領域の構造を説明する断面図であり、下地の上に平坦化層を形成した有機発光装置を示す。図１１において、参照符号１１６はガラス基板であり、このガラス基板１１６上に容量下部電極１０５を覆うゲート絶縁膜１１７および容量上部電極１０８が形成され、容量下部電極１０５とゲート絶縁膜１１７および容量上部電極１０８とで容量を構成している。
【００１０】
また、容量の構成層の上に第１層間絶縁層１２８が形成され、その上に容量上部電極１０８に接続した電源線１１０が形成されている。なお、このとき、信号正１０９も形成されている。電源線１１０と信号線１０９を覆って第２層間絶縁層１１が形成され、その上を平坦化層１３６で覆い、有機発光素子を構成する下部電極１１５の成膜面を平坦化している。参照符号１２０は第３層間絶縁層であり、発光部１３５の領域を規定し、また参照符号１２６は保護層である。
【００１１】
図１２は有機発光装置を構成する有機発光素子の回路例を説明する等価回路図であり、図１１と同一符号は同一機能部分に対応する。図１２において、一画素は有機発光素子１００、走査線１０６と信号線１０９に接続した第１の薄膜トランジスタ１０１、電源線１１０に接続した第２の薄膜トランジスタ１０２、容量１０４で構成される。走査線１０６で第１の薄膜トランジスタ１０１が選択され、信号線１０９からの信号（表示データ）を容量１０４に蓄積する。第２の薄膜トランジスタ１０２は容量１０４に蓄積された信号に応じて電源線１１０から有機発光素子１００に電流を供給して発光させる。
【００１２】
このように、従来の有機発光素子では、容量下部電極１０５や容量上部電極１０８による表面の凹凸や電源線１１０や信号線１０９により生じた段差を第２層間絶縁層１１９では緩和しきれないため、下部電極１１５、電子注入層１２４、電子輸送層１２３、発光層１２２、正孔輸送層１２１、上部電極１２５が積層された実質的な発光部１３５を平坦化するために、厚い平坦化層１３６を形成することが必要であった。しかし、上記のような厚い平坦化層１３６を導入する場合、スピンコートによる塗布工程、ベーク工程、ホトリソグラフィーによるパターニング等の工程数が増えるだけでなく、信頼性も低下する。
【００１３】
【特許文献１】
特開平１０−１８９２５２号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来の技術においては、開口率を確保するための上部光取出し構造とした有機発光素子（上部光取出し型の有機発光素子）を用いた有機発光装置では、その有機発光素子を構成する薄膜トランジスタや配線等、発光素子の下地の表面凹凸による下部電極１１５と上部電極１２５の短絡を防止するため、数μｍの厚さの平坦化層１３６が必要であった。
【００１５】
本発明の目的は、電源線の拡幅や、容量電極の拡大による開口率減少を防止し、平坦化層なしで下部電極と上部電極が短絡することのない上部光取出し構造の有機発光素子を用いた有機発光表示装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による有機発光表示装置は有機発光素子を有する複数の画素で構成され、前記有機発光素子は有機発光層及びこの有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して有機発光層から発光された光を上部電極側から取出すものであり、各画素において実質的に前記上部電極と前記下部電極に挟まれた発光層の領域を、前記駆動用薄膜トランジスタの各画素内における電源線上に形成したことを特徴とする。
【００１７】
この構成とした有機発光装置では、表示装置の大型化等による電源線の拡幅が必要になっても、発光部の減少は僅かであり、発光部下には凹凸がないため、従来技術のように平坦化層は必要ない。
【００１８】
更に、下部電極が透明または半透明の電極で構成される場合においては、電源線をを反射電極として用いることにより、平坦化層が不要なだけではなく、反射層を新たに導入しなくとも効率が向上する。
【００１９】
また、本発明による有機発光表示装置は有機発光素子を有する複数の画素で構成され、前記有機発光素子は有機発光層及びこの有機発光層を挟む上部電極及び下部電極を有して構成され、有機発光層から発光された光を上部電極側から取出すものであり、各画素において実質的に前記上部電極と前記下部電極に挟まれた発光層の領域は、前記駆動用薄膜トランジスタに接続される容量を形成する電極上に形成したことを特徴とする。
【００２０】
この構成とした有機発光装置では、容量を大きくするために容量電極を拡大しても発光部の減少は僅かであり、発光部下には凹凸がないため、従来技術のように平坦化層は必要とされない。
【００２１】
本発明の有機発光装置において、画素をアクティブ駆動するための画素駆動部は２〜４個の薄膜トランジスタと容量の回路で構成されるのが一般的である。しかし、薄膜トランジスタの数は限定されるわけではなく、４個以上で構成することもある。また、アクティブ駆動するための画素駆動部の回路を構成する薄膜トランジスタは、コプレーナ型、逆スタガ型、正スタガ型の何れの構造であってもかまわない。また、ここでの容量には駆動用の薄膜トランジスタのバイアス電圧を保持するための容量や、信号電圧を保持するための容量などがある。前記した容量を形成する電極は、容量を形成する容量下部電極、容量上部電極のどちらでもかまわないが、開口率を有効に広げるためには容量上部電極であることが望ましい。上記の画素駆動部を構成する薄膜トランジスタは、表示のための信号を制御する制御用の薄膜トランジスタと、信号にしたがって画素を駆動する画素駆動用の薄膜トランジスタを有する。
【００２２】
また、本発明の有機発光表示装置を構成するにあたり、上部電極は透明導電酸化物、光透過性金属薄薄、有機導電膜の少なくとも一つを有することが好ましい。ここで述べる画素とは、有機発光装置の画面の縦横にマトリクス状に多数配置され、文字やグラフィックを表示する最小単位のことを指す。なお、カラー表示を行う場合の画素は、禄、赤、青の３色のサブ画素で単位画素が構成される構造が一般的である。
【００２３】
有機発光素子としては、大きく分けて以下の２通りの構造をとる。まず、下部電極が陽極、上部電極が陰極の構成である。この場合、第１注入層、第１輸送層はそれぞれ、正孔注入層、正孔輸送層となる。また、第２輸送層、第２注入層はそれぞれ、電子輸送層、電子注入層となる。次に、下部電極が陰極、上部電極が陽極の構成である。この場合、第１注入層、第１輸送層はそれぞれ、電子注入層、電子輸送層となる。また、第２輸送層、第２注入層は、それぞれ正孔輸送層、正孔注入層となる。上記構成において、第１注入層或いは第２注入層を有さない構造も考えられる。また、第１輸送層或いは第２輸送層が発光層が兼ねる構造としてもかまわない。
【００２４】
陽極は正孔の注入効率を高める仕事関数の大きな導電膜が望ましい。具体的には、金，白金、が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。また、陽極の材料としてはＩｎ２  Ｏ３  −ＳｎＯ２  系透明導電膜、Ｉｎ２  Ｏ３  −ＺｎＯ系透明導電膜が挙げることができる。透明導電膜の製造法はスパッタ法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等を挙げることができる。
【００２５】
Ｉｎ２  Ｏ３  −ＳｎＯ２  系透明導電膜、Ｉｎ２  Ｏ３  −ＺｎＯ系透明導電膜の仕事関数は、それぞれ４．  ６ｅＶであるが、ＵＶ照射、酸素プラズマ処理、等により、５．２ｅＶまで増大させることが可能である。Ｉｎ２  Ｏ３  −ＳｎＯ２  系透明導電膜では、スパッタ法において、基板温度を２００°Ｃ程度まで高めた条件で作製すると多結晶状態になる。多結晶状態では、結晶粒内と結晶粒界面におけるエッチング速度が異なるため、下部電極に用いる場合はアモルフアス状態が望ましい。
【００２６】
また、陽極は、正孔注入層を設けることにより仕事関数を大きい材料を用いる必要がなくなり、通常の導電膜でよくなる。具体的には、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ニッケル、クロム等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン、アモルフアスシリコン、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機材料が望ましい。また、その規制は、形成プロセスが簡便な塗布法を用いたポリアニリン、ポリチオフェン等の有機材料、導電性インクが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００２７】
正孔注入層としては、陽極と正孔輸送層の注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシャルを有する材料を用いるのが望ましい。また、下地層の表面凹凸を埋める役割を果たすことが望ましい。具体的には、鋼フタロシアニン、スターパーストアミン化合物、ポリアニリン、ポリチオフェン、酸化バナジウム、酸化モリプテン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００２８】
正孔輸送層は、正孔を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、正孔輸送層の材料は正孔移動度が高いものであることが望ましい。また、化学的に安定であることが望ましい。また、イオン化ポテンシャルが小さいことが望ましい。また、電子親和力が小さいことが望ましい。また、ガラス転移温度が高いことが望ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’，４”−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００２９】
発光層は、注入された正孔、電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層である。発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合とホストに微量添加したドーバント材料が発光する場合がある。異体的なホスト材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）、骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ）、トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２）、フェナンスレン基を有するべリノン誘導体（Ｐ１）、トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ）、べリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ）、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリバラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリバラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００３０】
次に、具体的なドーバント材料としては、キナクリドン、クマリン６、ナイルレッド、ルプレン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ジカルバゾール誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００３１】
電子輸送層は、電子を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、電子移動度が高いことが望ましい。具体的には、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、亜鉛ベンゾチアゾール錯体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００３２】
電子注入層は、陰極から電子輸送層への電子注入効率を向上させるために用いられる。具体的には、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化カルシウム、弗化ストロンチウム、弗化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００３３】
陰極の材料は、電子の注入効率を高める仕事関数の小さな導電膜が望ましい。具体的には、マグネシウム・銀合金、アルミニウム・リチウム合金、アルミニウム・カルシウム合金、アルミニウム・マグネシウム合金，金属カルシウム，セリウム化合物が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００３４】
また、前述の電子輸送層を設ければ、陰極の条件として、低仕事関数の材料を用いる必要がなくなり、一般的な金属材料を用いることが可能となる。具体的には、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ニッケル、クロム等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン、アモルファスシリコンが望ましい。
【００３５】
また、本発明において、陰極を上部電極として用いる場合、陰極下部に電子注入層を設けることが望ましい。電子注入層を設けることにより、仕事関数の透明導電膜を陰極に用いることが可能となる。具体的には、Ｉｎ２  Ｏ３  −ＳｎＯ２  系透明導電膜、Ｉｎ２  Ｏ３  −ＺｎＯ系透明導電膜が挙げられる。透明電極材料の製造法は、スパッタ法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
【００３６】
保護層は、上部電極上に形成され、大気内Ｈ２  Ｏ、Ｏ２  が上部電極、或いはその下の有機層に入りこむことを防くことを目的とする。具体的な材料としては、ＳｉＯ２  、ＳｉＮＸ  、ＳｉＯｘＮｙ、Ａｌ２  Ｏ３  等の無機材料やポリクロロビレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフツ化ビニリデン、シアノエチルプルラン、ポリメチルメタクリレート、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
【００３７】
なお、本発明は、上記の構成および後述する実施の形態で説明する構成に限るものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による有機発光表示装置の実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【００３９】
「第１実施例」
図１は本発明の第１実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。また、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近の断面図である。図１および図２に示した有機発光表示装置はマトリクス配置された複数の画素を有し、複数の画素にはそれぞれ有機発光素子を有している。この有機発光素子は、有機発光層１２２及びこの有機発光層１２２を挟む上部電極１２５及び下部電極１１５を有して構成され、上部電極１２５側から有機発光層１２２から発光された光を取出す上部光取出し型の有機発光素子である。また、参照符号１２１は正孔輸送層、１２３は電子輸送層、１２４は電子注入層、１２６は保護層である。
【００４０】
図１において、参照符号１０１は第１の薄膜トランジスタで、１１２は第１の薄膜トランジスタのソース電極、１１３は同ドレイン電極、１０３は同活性層であるａ−Ｓｉ膜、１０７は同ゲート電極である。また、参照符号  １０２は第２の薄膜トランジスタで１１２’は第２の薄膜トランジスタのソース電極、１１３’は同ドレイン電極、１０３’は同活性層であるａ−Ｓｉ膜、１０７’は同ゲート電極である。第１の薄膜トランジスタ１０１は、有機発光素子（画素）を駆動する第２の薄膜トランジスタ１０２（駆動用の薄膜トランジスタ）を制御する薄膜トランジスタ（制御用の薄膜トランジスタ）である。なお、以下の各実施例の説明でも同様である。
【００４１】
また、参照符号１０４は容量であり、１０５は容量下部電極、１０８は容量上部電極、１０６は走査線、１０９は信号線、１１０は電源線を示す。そして、本実施例の構成の特徴として、有機発光素子の実質的な発光部１３５が電源線１１０上に形成されていることである。
【００４２】
以下、本実施例の有機発光表示装置の製造方法について説明する。ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルフアスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。このａ−Ｓｉ膜全面をレーザアニールする。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化されて多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となる。次に、ｐ−Ｓｉ膜をドライエッチングでパターン化し、第１トランジスタ１０１の活性層１０３、第２トランジスタ１０２の活性層１０３’、及び容量下部電極１０５を形成する。次に、プラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）を用いゲート絶禄膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２  膜を形成する。
【００４３】
次に、２つの薄膜トランジスタの各ゲート電極１０７、１０７’として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により成膜し、バターニングする。併せて、走査線１０６及び容量上部電極１０８もバターニングする。その上にゲート絶縁膜１１７を成膜する。次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化されたｐ−Ｓｉ層にＰイオンを注入する。上部にゲート電極１０７、１０７’がある領域にはＰイオンが注入されず、活性領域１０３及び１０３’となる。
【００４４】
次に、ガラス基板１１６を不活性ガス（Ｎ２  ）雰囲気下で加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにする。その上に、第１層間絶縁層１１８として窒化シリコン（ＳｉＮＸ  ）膜を成膜する。その膜厚は２００ｎｍである。
【００４５】
次に、活性層１０３及び１０３’の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホールを形成する。さらに、第２の薄膜トランジスタ１０２のゲート電極１０７’上部の第１層間絶縁膜１１８にもコンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、図２で第１層間絶縁膜１１８が途切れている状態で示す。その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフティ工程により信号線１０９、電源線１１０を形成する。そして、第１の薄膜トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３、第２の薄膜トランジスタ１０２のソース電極１１２’及びドレイン電極１１３’を形成する。
【００４６】
容量下部電極１０５と第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を接続する。また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続し、第１トランジスタのドレイン電極１１３を第２の薄膜トランジスタ１０２のゲート電極１０７’に接続し、第２の薄膜トランジスタ１０２のドレイン電極１１３’を電源線１１０に接続する。また、容量上部電極１０８を電源線１１０に接続する。
【００４７】
次に、電源線１１０を覆ってＳｉＮＸ  膜を成膜し、第２層間絶縁膜層１１９を形成する。その膜厚は５００ｎｍである。そして、第２の薄膜トランジスタ１０２のドレイン電極１１２’上部にコンタクトホールを設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。次に、第３層間絶縁膜１２０として、スピンコート法を用い、例えばＪＳＲ社製のポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成し、ベーク処理を行う。このポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）で形成された第３層問絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを若干（例えば、略３μｍ）覆うように形成する。
【００４８】
次に、画素となる有機発光素子の構造を図２に示した断面を用いて説明する。下部電極１１５まで形成したガラス基板１１６をアセトン、純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行う。これを洗浄後、スピン乾燥させる。そして、下部電極１１５上に電子注入層１２４としてＬｉＦ膜を真空蒸着法により０．５ｎｍ厚に形成する。この下部電極１１５のパターン形成にはシャドウマスクを用いた。その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ（トリス（８−キノリノール）アルミニウム）膜を形成した。このＡｌｑ膜は電子輸送層１２３として機能する。このＡｌｑ膜のパターン形成にもシャドウマスクを用いた。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドン（Ｑｃ）の共蒸着膜を形成する。このときの蒸着速度を、４０：１に制御して蒸着する。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。このパターン形成はシャドウマスクを用いた。
【００４９】
次に、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（以下、α−ＮＰＤ膜と略記）を形成する。このパターン形成もシャドウマスクを用いる。蒸着領域は下部電極１１５の各辺の１．２倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。
【００５０】
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と略記）を形成する。同膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。スパッタリングのターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３を用いる。その成膜条件は、Ａｒ：Ｏ２  混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタクリング出力を０．２Ｗ／ｃｍ２  とする。Ｉｎ−ＺｎＯ膜からなる上部電極１２５は陽極として機能し、その透過率は８０％であった。次に、スパッタング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＯｘ  Ｎｙ  膜を形成する。このＳｉＯｘ  Ｎｙ  膜は保護層１２６として機能する。
【００５１】
本実施例の有機発光表示装置では、図２に示したように、電源線１１０上の平坦な部分のみに下部電極１１５、有機発光層１２２、上部電極１２５で構成された発光部１３５が形成されることにより、発光層の形成面に平坦化層を設けなくとも当該形成面の凹凸による下部電極１１５と上部電極１２５の間の短絡は発生しない。
【００５２】
図３は本発明の第１実施例の変形例を説明する有機発光表示装置の図１のＡ−Ａ’線に沿った断面に相当する一画素付近の断面図である。この有機発光表示装置の構造は、容量上部電極１０８を電源線１１０と共用したものである。この構成とすることで容量を大きくできる。他の効果は前記図１および図２で説明した実施例と同様である。
【００５３】
図４は本発明の第１実施例の他の変形例を説明する有機発光表示装置の図１のＡ−Ａ’線に沿った断面に相当する一画素付近の断面図である。この有機発光表示装置の構造は、容量下部電極１０５および容量上部電極１０８を電源線下で広げたものである。この構成とすることで図３よりもさらに容量値を大きくできる。他の効果は前記図１および図２で説明した実施例と同様である。
【００５４】
「第２実施例」
次に、上部電極を陰極として用いた有機発光表示装置を説明する。図５は本発明の第２実施例を説明する有機発光表示装置の前記図１のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近に相当する断面図である。本実施例では、第１実施例と異なり、上部電極１２５を陰極、下部電極１１５を陽極として構成したものである。以下、本実施例の有機発光表示装置の製造方法について説明する。
【００５５】
ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルフアスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成し、その膜全面をレーザアニールする。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化されて多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となる。次に、ｐ−Ｓｉ膜をドライエッチングでパターン化し、第１の薄膜トランジスタ１０１の活性層１０３、第２の薄膜トランジスタ１０２の活性層１０３’、及び容量下部電極１０５を形成する。
【００５６】
次に、ゲート絶禄膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２  膜を形成する。ＳｉＯ２  膜はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料としてプラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成する。次に、各薄膜トランジスタのゲート電極１０７、１０７’として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作    製し、バターニングする。このとき、走査線１０６及び容量上部電極１０８も同時にバターニングする。
【００５７】
そして、第１の薄膜トランジスタをｎ型に、第２の薄膜トランジスタをｐ型とするため、各々の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜１１７および１１７’にそれぞれＰイオンおよびＢイオンの注入を行う。次に、ガラス基板１１６を不活性ガス（Ｎ２  ）雰囲気下で加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにする。その上に、第１層間絶縁層１１８として窒化シリコン（ＳｉＮＸ  ）膜を成膜する。その膜厚は２００ｎｍである。
【００５８】
次に、活性層１０３及び１０３’の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホールを形成する。さらに、第２の薄膜トランジスタ１０２のゲート電極１０７’上部の第１層間絶綾膜１１８にコンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、図５で第１層間絶縁膜１１８が途切れている状態で示す。その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフティ工程により信号線１０９、電源線１１０を形成する。また、第１の薄膜トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３、第２の薄膜トランジスタ１０２のソース電極１１２’及びドレイン電極１１３’を形成する。
【００５９】
そして、容量下部電極１０５と第１の薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を接続する。また、第１の薄膜トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続し、第１の薄膜トランジスタのドレイン電極１１３を第２の薄膜トランジスタのゲート電極１０７’に接続し、第２の薄膜トランジスタのドレイン電極１１３’を電源線１１０に接続する。また、容量上部電極１０８を電源線１１０に接続する。
【００６０】
次に、第２層間絶縁膜層１１９としてＳｉＮＸ  膜を成膜した。その膜厚は５００ｎｍである。第２の薄膜トランジスタのドレイン電極１１２’上部にコンタクトホールを設け、その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。
【００６１】
そして、第３層間絶縁膜１２０として、スピンコート法で、例えばＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成し、ベーク処理する。このポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）で形成された第３層問絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを若干（例えば、略３μｍ）覆うように形成する。
【００６２】
次に、画素となる有機発光素子の製作を説明する。下部電極１１５まで形成したガラス基板１１６をアセトン、純水の順に、それぞれ超音波洗浄を３分間行う。洗浄後、スピン乾燥させた後、１２０℃のオーブンで３０分間乾燥させる。そして、下部電極１１５上に、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル膜（α−ＮＰＤ膜）を形成する。このパターン形成にはシャドウマスクを用いる。蒸着領域は下部電極１１５の各辺の１．２倍とした。このα−ＮＰＤ膜は正孔輸送層１２１として機能する。その上に、二元同時真空蒸着法にて、膜厚２０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウムとキナクリドンの共蒸着膜（Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜）を形成する。この蒸着速度は、４０：１に制御して蒸着する。パターン形成はシャドウマスクを用いる。Ａｌｑ＋Ｑｃ共蒸着膜は、発光層１２２として機能する。その上に、真空蒸着法により膜厚２０ｎｍのＡｌｑ膜を形成する。Ａｌｑ膜は電子輸送層１２３として機能する。パターン形成にもシャドウマスクを用いる。
【００６３】
その上に、電子注入層１２４としてＭｇとＡｇの合金膜を形成する。二元同時真空蒸着法を用いて蒸着速度を、１４：１に設定し、膜厚１０ｎｍを蒸着する。パターン形成はシャドウマスクを用いる。そして、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（ＩＺＯ膜）を形成する。このＩＺＯ膜は上部電極１２５として機能し、非晶酸化物膜である。このスパッタリングには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３であるターゲットを用いる。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ２  混合ガスを雰囲気として真空度１Ｐａ、スパッタング出力を０．２Ｗ／ｃｍ２  とした。Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ−ＺｎＯ積層膜からなる上部電極１２５は陰極として機能し、その透過率は７０％である。次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＳｉＯｘ  Ｎｙ  膜を形成する。同膜は保護層１２６として機能する。
【００６４】
本実施例の有機発光表示装置は、その下部電極１１５が透明であるが、ガラス基板１１６側に出た光は電源線１１０により反射され、保護層１２６側に取出すことが可能となり、効率が向上する。
【００６５】
本実施例の有機発光表示装置でも、電源線１１０上の平坦な部分のみに下部電極１１５、有機発光層１２２、上部電極１２５で構成された発光部１３５が形成されることにより、発光層の形成面に平坦化層を設けなくとも当該形成面の凹凸による下部電極１１５と上部電極１２５の間の短絡は発生しない。
【００６６】
「第３実施例３」
図６は本発明の第３実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。本実施例は逆スタガ構造の薄膜トランジスタを用いた有機発光表示装置に本発明を適用したものである。本実施例では、前記第１乃至第２実施例と異なり第１の薄膜トランジスタ１０１、第２の薄膜トランジスタ１０２を逆スタガ構造で形成したものである。図６における参照符号は図１と同様である。以下、本実施例の製作について説明する。
【００６７】
まず、ガラス基板１１６上に第１の薄膜トランジスタ１０１、第２の薄膜トランジスタ１０２のゲート電極１０７、１０７’として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、バターニングする。このとき、走査線１０６、及び容量下部電極１０５も併せてバターニングする。次に、ゲート絶禄膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２  膜を形成する。ＳｉＯ２  膜はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料としてプラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成する。
【００６８】
次に、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルフアスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成し、その膜全面をレーザアニールする。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化されて多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となる。そして、ｐ−Ｓｉ膜をドライエッチングでパターン化し、第１の薄膜トランジスタ１０１の活性層１０３、第２の薄膜トランジスタ１０２の活性層１０３’、及び容量上部電極１０８を形成する。次に、ｐ−Ｓｉ膜上にＳｉＯ２  からなるストッパー膜（図示せず）を形成する。ＳｉＯ２  膜はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料としてプラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成後パターニングする。
【００６９】
次に、イオン注入法によりパターン化されたｐ−Ｓｉ層にＰイオンを注入する。上部にＳｉＯ２ストッパー膜がある領域にはＰイオンが注入されず、活性領域１０３及び１０３’となる。次に、ガラス基板１１６を不活性ガス（Ｎ２  ）雰囲気下で加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにする。その上に、第１層間絶縁層１１８として窒化シリコン（ＳｉＮＸ  ）膜を成膜する。その膜厚は２００ｎｍである。
【００７０】
次に、活性層１０３及び１０３’の両端上部の第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホールを形成する。さらに、第２の薄膜トランジスタのゲート電極１０７’上部のゲート絶禄膜１１７および第１層間絶綾膜１１８にコンタクトホールを形成した。その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。そして、ホトリソグラフティ工程により信号線１０９、電源線１１０を形成する。また、第１の薄膜トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３、第２の薄膜トランジスタ１０２のソース電極１１２’及びドレイン電極１１３’を形成する。
【００７１】
容量下部電極１０５と第１の薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を接続し、第１の薄膜トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９を接続し、第１の薄膜トランジスタのドレイン電極１１３を第２の薄膜トランジスタのゲート電極１０７’に接続する。また、第２の薄膜トランジスタのドレイン電極１１３’を電源線１１０に接続し、容量上部電極１０８を電源線１１０に接続する。
【００７２】
次に、第２層間絶縁膜層１１９としてＳｉＮＸ  膜を成膜する。膜厚は５００ｎｍである。第２の薄膜トランジスタのドレイン電極１１２’上部にコンタクトホールを設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。そして、第３層間絶縁膜１２０として、例えばＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）をスピンコート法で成膜し、ベーク処理する。ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）で形成された第３層問絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを若干（例えば、略３μｍ）覆うように形成する。有機発光素子の構造および保護層を形成方法は第１実施例１と同様である。
【００７３】
本実施例の有機発光表示装置でも、電源線１１０上の平坦な部分のみに下部電極１１５、有機発光層１２２、上部電極１２５で構成された発光部１３５が形成されることにより、発光層の形成面に平坦化層を設けなくとも当該形成面の凹凸による下部電極１１５と上部電極１２５の間の短絡は発生しない。
【００７４】
「第４実施例」
図７は本発明の第４実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。また、図８は本発明の第４実施例を説明する図１のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近に相当する断面図である。本実施例は、有機発光素子を駆動する薄膜トランジスタのバイアス電圧を保持する容量を形成する容量電極上に有機発光素子を形成したものである。本実施例における有機発光表示装置も、複数の画素にそれぞれ有機発光素子を有しており、この有機発光素子が有機発光層１２２及びこの有機発光層１２２を挟む上部電極１２５及び下部電極１１５を有して構成さる。そして、上部電極１２５側から有機発光層１２２から発光された光を取出す上部光取出し型の有機発光素子である。有機発光素子の実質的な発光部１３５は容量上部電極１０８上に形成されている。本実施例の有機発光表示装置に製造方法については第１実施例と同様である。
【００７５】
本実施例の有機発光表示装置では、図８に示したように、画素を駆動する薄膜トランジスタのバイアス電圧を保持する容量を形成する容量上部電極１０８上の平坦な部分のみに有機発光素子の下部電極１１５、発光層、上部電極１２５で構成された発光部が形成されることにより、平坦化層がなくても凹凸による下部電極１１５と上部電極１２５の短絡が発生しない。
【００７６】
「第５実施例」
図９は本発明の第５実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。また、図１０は図９のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近の断面図である。本実施例は、有機発光素子を駆動するトランジスタを制御するトランジスタの信号電圧を保持する容量を形成する電極上に形成したものである。本実施例では、第４実施例と異なり、有機発光素子を駆動するトランジスタを制御するトランジスタの信号電圧を保持する容量を形成する電極上に有機発光素子を形成したものである。
【００７７】
以下、本実施例の有機発光表示装置に製造方法について説明する。まず、ガラス基板１１６上に減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて膜厚５０ｎｍのアモルフアスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成し、膜全面をレーザアニールする。これにより、ａ−Ｓｉが結晶化されて多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となる。次に、ｐ−Ｓｉ膜をドライエッチングでパターン化し、第１の薄膜トランジスタ１０１の活性層１０３、第２の薄膜トランジスタ１０２の活性層１０３’、及び容量下部電極１０５を形成する。
【００７８】
次に、ゲート絶禄膜１１７として膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２  膜を形成する。ＳｉＯ２  膜はテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料としてプラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成する。次に、ゲート電極１０７、１０７’として膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製し、バターニングする。このとき、走査線１０６、及び容量上部電極１０８も併せてバターニングする。次に、イオン注入法によりゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化されたｐ−Ｓｉ層にＰイオンを注入する。上部にゲート電極がある領域にはＰイオンが注入されず、活性領域１０３及び１０３‘となる
【００７９】
次に、ガラス基板１１６を不活性ガス（Ｎ２  ）雰囲気下で加熱活性化処理を行い、ドーピングが有効に行われるようにする。その上に、第１層間絶縁層１１８として窒化シリコン（ＳｉＮＸ  ）膜を成膜する。その膜厚は２００ｎｍである。そして、活性層１０３及び１０３’の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホールを形成する。さらに、第２の薄膜トランジスタ１０２のゲート電極１０７’の上部の第１層間絶綾膜１１８にコンタクトホールを形成する。その上に、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフティ工程により信号線１０９、電源線１１０を形成する。また、第１の薄膜トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３、第２の薄膜トランジスタ１０２のソース電極１１２’及びドレイン電極１１３’を形成する。
【００８０】
次に、容量下部電極１０５と信号線１０９を接続する。また、第１の薄膜トランジスタ１０１のソース電極１１２と容量上部電極１０８を接続し、第１の薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極１１３を第２の薄膜トランジスタのゲート電極１０７’に接続し、第２の薄膜トランジスタのドレイン電極１１３’を電源線１１０に接続する。
【００８１】
そして、第２層間絶縁膜層１１９としてＳｉＮＸ  膜を成膜する。この膜厚は５００ｎｍである。次に、第２の薄膜トランジスタのドレイン電極１１２’上部にコンタクトホールを設ける。その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＡｌ膜を形成し、ホトリソグラフティ法を用いて下部電極１１５を形成する。次に、第３層間絶縁膜１２０として、スピンコート法で例えばＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）を形成し、ベーク処理する。ＪＳＲ社製ポジ型感光性保護膜（ＰＣ４５２）で形成された第３層問絶縁膜１２０の膜厚は１μｍで、下部電極１１５のエッジを若干（例えば、略３μｍ）覆うように形成する。有機発光素子の構造および保護層を形成方法は第１実施例１と同様である。
【００８２】
本実施例の有機発光表示装置では、容量上部電極１０８上の平坦な部分のみに下部電極１１５、有機発光層１２２、上部電極１２５で構成された発光部１３５が形成されることにより、発光層の形成面に平坦化層を設けなくとも当該形成面の凹凸による下部電極１１５と上部電極１２５の間の短絡は発生しない。
【００８３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、従来のように平坦化層がなくても凹凸による下部電極と上部電極の短絡が発生せず、また電源線の拡幅や、容量電極の拡大による開口率減少を防止した上部光取出し構造の有機発光素子を用いた有機発光表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近の断面図である。
【図３】本発明の第１実施例の変形例を説明する有機発光表示装置の図１のＡ−Ａ’線に沿った断面に相当する一画素付近の断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の他の変形例を説明する有機発光表示装置の図１のＡ−Ａ’線に沿った断面に相当する一画素付近の断面図である。
【図５】本発明の第２実施例を説明する有機発光表示装置の前記図１のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近に相当する断面図である。
【図６】本発明の第３実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。
【図７】本発明の第４実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。
【図８】本発明の第４実施例を説明する図１のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近に相当する断面図である。
【図９】本発明の第５実施例を説明する有機発光表示装置の要部平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ’線に沿った一画素付近の断面図である。
【図１１】従来の有機発光装置における画素領域の構造を説明する断面図である。
【図１２】有機発光装置における一画素の回路例を説明する等価回路図である。
【符号の説明】
１０１・・・・第１の薄膜トランジスタ、１０２・・・・第２の薄膜トランジスタ、１０３，１０３’・・・・活性層、１０４・・・・容量、１０５・・・・容量下部電極、１０６・・・・走査線、１０７，１０７’・・・・ゲート電極、１０８・・・・容量上部電極、１０９・・・・信号線、１１０・・・・電源線、１１２，１１２’・・・・ソース電極、１１３，１１３’・・・・ドレイン電極、１１５・・・・下部電極、１１６・・・・ガラス基板、１１７・・・・ゲート絶縁膜、１１８・・・・第１層間絶縁膜、１１９・・・・第２層間絶禄膜、１２０・・・・第３層間絶縁膜、１２１・・・正孔輸送層、１２２・・・・発光層、１２３・・・・電子輸送層、１２４・・・・電子注入層、１２５・・・・上部電極、１２６・・・保護層、１３５・・・・実質的な発光部、１３６・・・・平坦化層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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