(57)【要約】【課題】表面にシリカ等の充填材が突出していないミニパッケージを生産性良く成形することができる封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂と充填材を含有する封止用エポキシ樹脂組成物に関する。充填材として、全充填材の５０質量％以上が破砕シリカであって、粒径３０μｍ以上のものが全充填材の０．２質量％以下で、平均粒径１０μｍ以下であるものを用いる。これにより、ゲートカット後においてパッケージの表面に充填材が突出することがなくなる。また、高化式フローテスターを用いて測定される１７５℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下である。これにより、ワイヤー流れや未充填の発生を抑えて生産性を高めることができる。【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂と充填材を含有する封止用エポキシ樹脂組成物において、充填材として、全充填材の５０質量％以上が破砕シリカであって、粒径３０μｍ以上のものが全充填材の０．２質量％以下で、平均粒径が１０μｍ以下であるものを用いると共に、高化式フローテスターを用いて測定される１７５℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
全充填材の７０質量％以上が破砕シリカであることを特徴とする請求項１に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
エポキシ樹脂として、下記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂のうちいずれか一方又は両方を用いて成ることを特徴とする請求項１又は２に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2004083763.tif 000006
【請求項４】
上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂の含有量がエポキシ樹脂全量に対して２０〜１００質量％であることを特徴とする請求項３に記載の封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止して成ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止すると共に、上記封止用エポキシ樹脂組成物によって成形されたパッケージの縦の長さ、横の長さ及び厚みの和が５ｍｍ以下であることを特徴とする表面実装用樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、素子を封止するために用いられる封止用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いて製造される樹脂封止型半導体装置及び表面実装用樹脂封止型半導体装置に関するものである。
【０００２】
より詳しくは、ミニパッケージで素子が保護された表面実装用樹脂封止型半導体装置の製造に好適に用いられる封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
電子機器を構成する樹脂封止型半導体装置は、機能別には、トランジスタ、ダイオードなどの個別半導体部品と、ＩＣ、ＬＳＩなどの集積回路部品などに分類されるが、いずれの樹脂封止型半導体装置も一般的には、リードフレームに素子をダイボンディングすると共にリードフレームのリード線（外部端子）と素子とをＡｕ線などのワイヤーで結線した後に、トランスファー成形法により、素子をエポキシ樹脂組成物などの熱硬化性樹脂組成物で封止することによって製造されている。このようにして得られる樹脂封止型半導体装置にあって、素子は、硬化した熱硬化性樹脂組成物によるパッケージで保護されている。
【０００４】
そして近年においては、電子機器の小型化、薄型化によって、樹脂封止型半導体装置の実装方式はピン挿入実装から表面実装に移行している。このような実装技術の移り変わりは、主として集積回路部品のパッケージにみられていたが、最近ではデジタル家電、通信機器部品、車載部品用途を中心に使用される個別半導体部品のパッケージにもみられている。しかも、パッケージの小型化、薄型化も急速に進み、いわゆるミニパッケージの成形が広く行われている。
【０００５】
しかし、ミニパッケージの成形時には未充填（ボイド）などが発生しやすく、生産性（歩留まり）の悪化が問題となっている。そのため、従来よりも金型のゲート寸法（ゲートサイズ）を広げることによって、溶融状態の熱硬化性樹脂組成物がキャビティへ流入しやすくなるようにして、未充填の発生を防止している。ところが、上記のようにゲート寸法を広げるとそれだけ成形品であるミニパッケージのゲート部にバリが発生しやすくなるので、ゲートカット（ゲート取り）をすることによってバリを取り除く必要が生じる。そしてゲートカットに際しては、レーザーカット方式などが採用されているが、通常、熱硬化性樹脂組成物に配合してあるシリカ等の充填材がゲートカット後において成形品の表面から突出するという新たな問題が発生している。
【０００６】
上記の問題についてもう少し説明すると、従来、ミニパッケージを成形するための金型のゲートサイズは３００〜５００μｍ角が主流であった。このようなサイズであれば、熱硬化性樹脂組成物に配合する充填材としては、現行の市場に流通しているシリカで十分であった。しかし、最近ではパッケージの小型化、薄型化がさらに進み、ゲートサイズは１００〜２００μｍ角となっている。このようなサイズであると、もはや現行のシリカを用いたのではゲートが詰まり、未充填が発生して生産性が低下することとなる。そこで、逆に生産性向上に重点を置いて、ゲートサイズを５００〜８００μｍ角とすることも行われているが、既述のように、熱硬化性樹脂組成物に配合してあるシリカ等の充填材がゲートカット後において成形品の表面から突出するという新たな問題が発生するのである。
【０００７】
その結果、成形品をコンベアに載せて搬送する際、充填材による突出によって成形品が傾いて、コンベア上に成形品を整然と並べることができなくなったり、また、充填材による突出が邪魔をして成形品を高密度に実装することができなくなったりするものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の熱硬化性樹脂組成物は、ミニパッケージを生産性良く成形するということと、成形品であるミニパッケージの表面からシリカ等の充填材を突出させないということとを両立させることができないものであった。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、表面にシリカ等の充填材が突出していないミニパッケージを生産性良く成形することができる封止用エポキシ樹脂組成物、並びに上記封止用エポキシ樹脂組成物によるパッケージで素子が保護されている樹脂封止型半導体装置及び表面実装用樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と充填材を含有する封止用エポキシ樹脂組成物において、充填材として、全充填材の５０質量％以上が破砕シリカであって、粒径３０μｍ以上のものが全充填材の０．２質量％以下で、平均粒径が１０μｍ以下であるものを用いると共に、高化式フローテスターを用いて測定される１７５℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とするものである。
【００１１】
また請求項２の発明は、請求項１において、全充填材の７０質量％以上が破砕シリカであることを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、エポキシ樹脂として、下記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂のうちいずれか一方又は両方を用いて成ることを特徴とするものである。
【００１３】
【化２】
2004083763.tif 000002
【００１４】
また請求項４の発明は、請求項３において、上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂の含有量がエポキシ樹脂全量に対して２０〜１００質量％であることを特徴とするものである。
【００１５】
また請求項５に係る樹脂封止型半導体装置は、請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止して成ることを特徴とするものである。
【００１６】
また請求項６に係る表面実装用樹脂封止型半導体装置は、請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止すると共に、上記封止用エポキシ樹脂組成物によって成形されたパッケージの縦の長さ、横の長さ及び厚みの和が５ｍｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１８】
本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と充填材を含有するものである。
【００１９】
本発明においてエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、上記式（１）で示されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂と上記式（２）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂のうちいずれか一方又は両方を用いるのが好ましい。これらのエポキシ樹脂を用いると、素子に対する封止用エポキシ樹脂組成物の接着力が増大して密着性を高く得ることができると共に、封止用エポキシ樹脂組成物の吸湿率を低減させることができ、リフロー加熱の際のクラック発生を防止することができるものである。
【００２０】
特に最近、パッケージを表面実装する場合、環境に配慮した鉛フリー半田が使用されている。この鉛フリー半田は従来の半田よりも融点が高く、リフロー加熱時の温度も高くなっていることから、パッケージに対しては従来よりも優れた耐リフロー性（リフロー耐熱性）及び耐湿性が要求されているが、上記のようなエポキシ樹脂を用いればこの要求に十分応えることができるものである。
【００２１】
また、上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂のほか、例えば、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂などの各種多官能エポキシ樹脂を用いることができる。上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂とその他のエポキシ樹脂とを併用する場合には、上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂の含有量はエポキシ樹脂全量に対して２０〜１００質量％であることが好ましい。上記含有量が２０質量％未満であると、耐リフロー性及び耐湿性を十分高く得ることができないおそれがある。
【００２２】
本発明において充填材としては、破砕シリカ、球状シリカ、フレーク状シリカ等を用いることができるが、以下の３つの条件をすべて満たす必要がある。
【００２３】
第１に、全充填材の５０質量％以上（実質上の上限は１００質量％）が破砕シリカであることが必要である。破砕シリカは、結晶シリカや溶融シリカ等を粉砕することによって得ることができる。全充填材の５０質量％未満が破砕シリカであると、ゲートカット後において、成形品のゲート部にシリカ等の充填材による突出が多くみられるものである。全充填材の７０質量％以上が破砕シリカであることが好ましく、全充填材の９０質量％以上が破砕シリカであることがより好ましい。このように全充填材に占める破砕シリカの割合が多くなるほど、上記充填材による突出の発生率を少なくすることができるものである。
【００２４】
第２に、粒径３０μｍ以上のものが全充填材の０．２質量％以下（実質上の下限は０質量％）であることが必要である。粒径３０μｍ以上のものが全充填材の０．２質量％を超えると、充填材による突出の発生率が増加するものである。
【００２５】
第３に、平均粒径が１０μｍ以下（実質上の下限は３μｍ）であることが必要である。平均粒径が１０μｍを超えると、成形時に未充填が発生して生産性が低下したり、成形後にゲートカットをしても充填材による突出が成形品に残ったりするものである。
【００２６】
なお、充填材の配合量は封止用エポキシ樹脂組成物全量に対して７０〜９３質量％に設定することができる。
【００２７】
本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂及び充填材を含有するものであるが、必要に応じて以下のような成分を配合することもできる。
【００２８】
すなわち硬化剤として、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂などの各種多価フェノール化合物を用いることができる。エポキシ樹脂と硬化剤の使用量については、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対し、硬化剤中のヒドロキシ基が０．５〜１．５当量であることが好ましく、０．８〜１．２当量であることがより好ましい。
【００２９】
また硬化助剤として、リン系のもの、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）等のイミダゾール系のもの、アミン系のもの等を用いることができる。２種以上の硬化助剤を併用することもできるが、硬化助剤はエポキシ樹脂１００質量部に対して０．０１〜５質量部配合するのが好ましい。
【００３０】
また離型材として、カルナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフィン等を用いることができる。
【００３１】
さらに上記成分のほか、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、ブロム化エポキシ樹脂や三酸化アンチモン等の難燃剤、カーボン等の着色剤、シリコーン可撓性付与剤などを加えることができる。
【００３２】
本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂及び充填材を配合し、さらに必要に応じてその他の成分を配合し、これをミキサーやブレンダー等で均一に混合した後に、ニーダーやロールで加熱混練することによって調製することができるものである。また、この混練物を必要に応じて冷却固化し、粉砕して粉状等にして使用するようにしてもよい。
【００３３】
上記のようにして調製した封止用エポキシ樹脂組成物にあって、高化式フローテスターを用いて測定される１７５℃における溶融粘度は５０Ｐａ・ｓ以下（実質上の下限は１０Ｐａ・ｓ）である。ここに高化式フローテスターとは、加熱シリンダー内に入れた試験材料を一定荷重をかけたプランジャーでオリフィスから押し出し、このときのプランジャーの降下速度を拡大記録する定荷重式オリフィス押出し型フローテスターの一種であり、高分子学会の提案によるものをいう。そして、成形温度に略等しい温度（１７５℃）における溶融粘度が上記のように５０Ｐａ・ｓ以下であれば、成形時においてワイヤーに曲げや断線などの損傷を与えることなく、微小な気泡を追い出しつつ溶融状態の封止用エポキシ樹脂組成物をキャビティに流入させることができるものであり、その結果、ワイヤー流れと未充填の両者を低減した成形品を得ることができるものである。またこのように不良品の発生が抑えられるので、生産性を高く維持することができるものである。しかし、１７５℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓを超えると、ワイヤー流れや未充填のある不良品が多く得られることとなり、歩留まりを低下させるものである。なお、既述の充填材を使用することにより、溶融粘度が上昇することも考えられるが、使用するエポキシ樹脂を適宜に選定することによって、溶融粘度を５０Ｐａ・ｓ以下に低下させるのは容易である。
【００３４】
上記の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止することによって、以下のような樹脂封止型半導体装置を製造することができる。
【００３５】
すなわち、樹脂封止型半導体装置として個別半導体部品のパッケージを製造するにあたっては、次のようにして行うことができる。例えば、素子としてシリコンチップを用い、３本のリード線を有するリードフレームに上記シリコンチップをダイボンディングすると共に、リードフレームの各リード線とシリコンチップとをＡｕ線などのワイヤーで結線した後、これをトランスファー成形用金型にセットし、トランスファー成形を行うことによって、シリコンチップを封止用エポキシ樹脂組成物で封止したトランジスタを製造することができるものである。
【００３６】
一方、樹脂封止型半導体装置として集積回路部品のＱＦＰ（ｑｕａｄ　ｆｌａｔ　ｐａｃｋａｇｅ）を製造するにあたっては、次のようにして行うことができる。例えば、素子として集積回路（ＩＣ）チップを用い、四辺に複数のリード線が設けられたリードフレームに上記集積回路チップをダイボンディングすると共に、リードフレームの各リード線と集積回路チップとをＡｕ線などのワイヤーで結線した後、これをトランスファー成形用金型にセットし、トランスファー成形を行うことによって、集積回路チップを封止用エポキシ樹脂組成物で封止した集積回路部品のＱＦＰを製造することができるものである。
【００３７】
上記のようにして製造される樹脂封止型半導体装置にあって、個別半導体部品及び集積回路部品のいずれの場合であっても、これらのパッケージを成形している封止用エポキシ樹脂組成物には、充填材として既述の３つの条件をすべて満たすものが用いられているので、ゲートカット後においてパッケージの表面に充填材が突出することがなくなるものである。しかも高化式フローテスターを用いて測定される１７５℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下である封止用エポキシ樹脂組成物を用いて成形するので、ワイヤー流れや未充填の発生を抑えて生産性を高めることができるものである。
【００３８】
また、上記の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止することによって、表面実装用樹脂封止型半導体装置を製造することができる。この表面実装用樹脂封止型半導体装置においては、上記封止用エポキシ樹脂組成物によって成形されたパッケージの縦の長さ、横の長さ及び厚みの和は５ｍｍ以下（実質上の下限は２ｍｍ程度）である。このように外形寸法の小さいパッケージのことを本発明ではミニパッケージというが、このミニパッケージの成形時において、本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物は特に好適に用いられ、その真価が発揮されるものである。ここで、ミニパッケージの外形寸法はかなり小さいので、これによって保護される素子としては、単純な信号処理、例えば増幅、制御、変換などの能動的な機能を一つのみ持つものが適している。具体的には、トランジスタ、ダイオード、ＬＥＤ、半導体レーザ等の単機能の素子であり、このような素子がダイボンディングされるリードフレームはリード線を平均２〜４本、最大でも８本程度有するものである。つまり、本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、高密度に実装される個別半導体部品のミニパッケージを製造するのに適している。
【００３９】
表面実装用樹脂封止型半導体装置として個別半導体部品のミニパッケージを製造するにあたっては、次のようにして行うことができる。例えば、素子としてシリコンチップを用い、３本のリード線を有するリードフレームに上記シリコンチップをダイボンディングすると共に、リードフレームの各リード線とシリコンチップとをＡｕ線などのワイヤーで結線した後、これをトランスファー成形用金型にセットし、トランスファー成形を行うことによって、シリコンチップを封止用エポキシ樹脂組成物で封止したトランジスタを製造することができるものである。
【００４０】
上記トランスファー成形時において、金型のゲートサイズが１００〜２００μｍ角と狭い場合であっても、充填材として既述の３つの条件をすべて満たすものを用いていると、ゲートを詰まらせることなく、未充填の発生を抑えて生産性の低下を防止することができるものであり、また金型のゲートサイズが５００〜８００μｍ角と広い場合であっても、充填材として既述の３つの条件をすべて満たすものを用いていると、ゲートカット後において充填材が成形品の表面から突出しなくなるものである。つまり、金型のゲートサイズが１００〜８００μｍ角のいずれの場合であっても、本発明に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、ミニパッケージを生産性良く成形するということと、成形品であるミニパッケージの表面からシリカ等の充填材を突出させないということとを両立させることができるものである。なお、パッケージの縦の長さ、横の長さ及び厚みの和が５ｍｍを超える樹脂封止型半導体装置であっても、上記と同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００４１】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００４２】
（封止用エポキシ樹脂組成物の原材料）
エポキシ樹脂として、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂である住友化学工業（株）製「ＥＯＣＮ１９５ＸＬ−３」、上記式（１）で示されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂である大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ７２００」、上記式（２）で示されるビフェニル型エポキシ樹脂である油化シェルエポキシ（株）製「ＹＸ−４０００Ｈ」を用いた。
【００４３】
また硬化剤として、フェノールノボラック樹脂である群栄化学工業（株）製「ＰＳＭ６２００」を用いた。
【００４４】
また難燃剤として、ブロム化エポキシ樹脂である住友化学工業（株）製「ＥＳＢ４００Ｔ」及び三酸化アンチモンを用いた。
【００４５】
また離型材としてカルナバワックス、着色剤としてカーボン、硬化助剤として２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）を用いた。
【００４６】
そして充填材として、表１に示すようなシリカを用いた。すなわち、破砕シリカである（株）龍森製「ＭＣＦ−２００」（これを（Ｃ）とする）、電気化学工業（株）製「ＦＳ−２０」（これを（Ｂ）とする）及び電気化学工業（株）製「ＦＳ−５ＤＣ」（粒径２０μｍ以上のものを略除去したものであり、これを（Ａ）とする）、並びに球状シリカである電気化学工業（株）製「ＦＢ−６０」（これを（Ｄ）とする）、電気化学工業（株）製「ＦＢ−８Ｓ」（これを（Ｅ）とする）及び電気化学工業（株）製「ＦＢ−５ＳＤＣ」（これを（Ｆ）とする）を用いた。いずれのシリカもγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランで処理して用いた。
【００４７】
【表１】
2004083763.tif 000003
【００４８】
（封止用エポキシ樹脂組成物の調製）
上記各成分を表２及び表３に示す配合量で配合し、これをブレンダーで３分間混合して均一化した後、１００℃に加熱したロールで１０分間混練し、冷却後、粉砕機で所定粒度に粉砕することによって、封止用エポキシ樹脂組成物からなる粒状の成形材料を得た。
【００４９】
このようにして得た実施例１〜６及び比較例１〜８の成形材料について、１７５でのゲルタイム、スパイラルフロー及び溶融粘度を測定した。溶融粘度の測定には高化式フローテスターを用いた。結果を表２及び表３に示す。
【００５０】
（成形品の評価）
○未充填発生率
実施例１〜６及び比較例１〜８の成形材料を用いて、ゲートサイズが１００μｍ×８００μｍである、ミニパッケージを成形するための金型にトランスファー成形した。これを連続して行い、２２４００個のミニパッケージ（縦の長さ：１．６ｍｍ＋横の長さ：０．８５ｍｍ＋厚み：０．７ｍｍ＝３．１５ｍｍ）を得た。成形条件は、成形温度：１８５±５℃、注入スピード：８秒、注入圧力：１５ＭＰａ、キュアータイム：４０秒であり、成形後に１７５℃で６時間アフターキュアーした。
【００５１】
各ミニパッケージについて未充填の有無を目視にて検査し、２２４００個のミニパッケージのうち未充填が発生した個数をカウントした。結果を表２及び表３に示す。
【００５２】
○ゲート部突出発生率
上記のようにして得た２２４００個のミニパッケージの中から無作為に２２４個のミニパッケージを抽出し、そのゲート部をマイクロスコープで観察した。２０μｍ以上の突出がみられたミニパッケージをカウントし、次式によってゲート部突出発生率を求めた。
【００５３】
ゲート部突出発生率（％）＝（突出がみられたミニパッケージの個数／２２４個）×１００
結果を表２及び表３に示す。
【００５４】
○ワイヤー流れ、耐リフロー性、耐湿信頼性
実施例１〜６及び比較例１〜８の成形材料を用いて、外形１５ｍｍ×１９ｍｍ×厚み２．４ｍｍの８０ピンＱＦＰ用の金型にトランスファー成形した。成形条件は、成形温度：１８５±５℃、注入スピード：８秒、注入圧力：１５ＭＰａ、キュアータイム：４０秒であり、成形後に１７５℃で６時間アフターキュアーすることによって、性能評価用パッケージを得た。
【００５５】
・ワイヤー流れ
１０個の性能評価用パッケージの内部を軟Ｘ線で観察した。ワイヤーの両端２点間の直線に対するスイープ率が１０％以上であるパッケージを１個以上含むものを「×」、ワイヤーの両端２点間の直線に対するスイープ率が１０％以上であるパッケージを全く含まないものを「○」と判定し、結果を表２及び表３に示す。
【００５６】
・耐リフロー性
性能評価用パッケージを温度８５℃、湿度８５％ＲＨの雰囲気に１６８時間放置して吸湿させた後、ＩＲリフロー（ＥＩＡＪ規格）を行い、パッケージクラックの有無を観察した。表２及び表３において分母に観察したパッケージの個数を、分子にクラックが発生したパッケージの個数を示す。
【００５７】
・耐湿信頼性
上記リフロー処理したパッケージを温度１３３℃、湿度１００％ＲＨの雰囲気に５００時間放置した後、オープン不良の発生を検査した。表２及び表３において分母に検査したパッケージの個数を、分子にオープン不良が発生したパッケージの個数を示す。
【００５８】
【表２】
2004083763.tif 000004
【００５９】
【表３】
2004083763.tif 000005
【００６０】
表２及び表３にみられるように、実施例１〜６のものはいずれも、突出発生率が低いことが確認される。しかも、パッケージを連続成形しても、未充填がない上にワイヤー流れも低いことから、生産性が良いことも確認される。
【００６１】
また、エポキシ樹脂として特に上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂を用いた実施例１〜３のものは、耐リフロー性及び耐湿信頼性にも優れていることが確認される。
【００６２】
これに対して、比較例１〜８のものはいずれも、パッケージを生産性良く成形するということと、パッケージの表面からシリカ等の充填材を突出させないということとを両立できないことが確認される。すなわち、比較例１〜４及び８のものは未充填発生率やワイヤー流れが高いために生産性が悪く、また比較例１〜７のものは突出発生率が高い。
【００６３】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂と充填材を含有する封止用エポキシ樹脂組成物において、充填材として、全充填材の５０質量％以上が破砕シリカであって、粒径３０μｍ以上のものが全充填材の０．２質量％以下で、平均粒径１０μｍ以下であるものを用いるので、ゲートカット後においてパッケージの表面に充填材が突出することがなくなるものであり、また、高化式フローテスターを用いて測定される１７５℃における溶融粘度が５０Ｐａ・ｓ以下であるので、ワイヤー流れや未充填の発生を抑えて生産性を高めることができるものである。
【００６４】
また請求項２の発明は、全充填材の７０質量％以上が破砕シリカであるので、全充填材に占める破砕シリカの割合が多くなることによって、充填材による突出の発生率を少なくすることができるものである。
【００６５】
また請求項３の発明は、エポキシ樹脂として、上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂のうちいずれか一方又は両方を用いるので、素子に対する封止用エポキシ樹脂組成物の接着力が増大して密着性を高く得ることができると共に、封止用エポキシ樹脂組成物の吸湿率を低減させることができ、リフロー加熱の際のクラック発生を防止することができるものである。
【００６６】
また請求項４の発明は、上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂の含有量がエポキシ樹脂全量に対して２０〜１００質量％であるので、エポキシ樹脂として、上記式（１）（２）で示されるエポキシ樹脂のみを用いる場合はもちろん、これらのエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を併用する場合であっても、耐リフロー性及び耐湿性を十分高く得ることができるものである。
【００６７】
また請求項５に係る樹脂封止型半導体装置は、請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止するので、素子を保護するパッケージの表面に充填材による突出がみられないものである。
【００６８】
また請求項６に係る表面実装用樹脂封止型半導体装置は、請求項１乃至４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂組成物を用いて素子を封止するので、素子を保護するパッケージの表面に充填材による突出がみられないものであり、また、上記封止用エポキシ樹脂組成物によって成形されたパッケージの縦の長さ、横の長さ及び厚みの和が５ｍｍ以下であるので、高密度の実装に適しているものである。