(57)【要約】【課題】鏡像体過剰率を更に向上させ得る光学活性なラクトン化合物の製造方法を提供する。また、かかるラクトン化合物の製造方法に好適な触媒を提供する。【解決手段】溶媒中で、下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体を触媒として使用し、環状ケトン化合物を過酸化水素及び尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）からなる群から選択される少なくとも１種の酸化剤でバイヤー−ビリガー反応することを特徴とする光学活性なラクトン化合物の製造方法である。【化１】
2004002349.tif 000081
【化２】
2004002349.tif 000082
（式（Ｉ）及び式（ＩＩ）において、Ａｒ１はそれぞれ独立して炭素数１０から１６のアリール基を、Ｙはそれぞれ独立してフェノキシ基又は炭素数１から１０のアルコキシ基を示す。）また、上記式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体である。【選択図】　　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒中で、下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体を触媒として使用し、環状ケトン化合物を過酸化水素及び尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）からなる群から選択される少なくとも１種の酸化剤でバイヤー−ビリガー反応することを特徴とする光学活性なラクトン化合物の製造方法。
【化１】
2004002349.tif 000061
【化２】
2004002349.tif 000062
（式（Ｉ）及び式（ＩＩ）において、Ａｒ１はそれぞれ独立して炭素数１０から１６のアリール基を、Ｙはそれぞれ独立してフェノキシ基又は炭素数１から１０のアルコキシ基を示す。）
【請求項２】
前記Ｚｒ（サレン）錯体が下記式（ＩＩＩ）又は下記式（ＩＶ）で表されることを特徴とする請求項１に記載のラクトン化合物の製造方法。
【化３】
2004002349.tif 000063
【化４】
2004002349.tif 000064
（式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）において、Ｐｈはフェニル基を示し、Ｙは上記と同義である。）
【請求項３】
前記Ｙがフェノキシ基であることを特徴とする請求項１又は２に記載のラクトン化合物の製造方法。
【請求項４】
前記環状ケトン化合物が、下記式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）又は（ＩＸ）で表されることを特徴とする請求項１に記載のラクトン化合物の製造方法。
【化５】
2004002349.tif 000065
（式中、Ｒ１は炭素数１から２０の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６から１５の置換若しくは非置換のアリール基を示す。）
【化６】
2004002349.tif 000066
（式中、Ｒ２は炭素数１から２０の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６から１５の置換若しくは非置換のアリール基を示す。）
【化７】
2004002349.tif 000067
【化８】
2004002349.tif 000068
【化９】
2004002349.tif 000069
（式（ＶＩＩＩ）及び式（ＩＸ）において、ｎは０、１又は２である。）
【請求項５】
前記環状ケトン化合物が３−フェニルシクロブタノン、３−（ｐ−クロロフェニル）シクロブタノン、３−（ｐ−メトキシフェニル）シクロブタノン又は３−オクチルシクロブタノンであることを特徴とする請求項４に記載のラクトン化合物の製造方法。
【請求項６】
前記ラクトン化合物が下記式（Ｘ）、（ＸＩ）、（ＸＩＩ）、（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）、（ＸＶ）又は（ＸＶＩ）で表されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【化１０】
2004002349.tif 000070
（式中、Ｒ１は上記と同義である。）
【化１１】
2004002349.tif 000071
（式中、Ｒ２は上記と同義である。）
【化１２】
2004002349.tif 000072
【化１３】
2004002349.tif 000073
【化１４】
2004002349.tif 000074
【化１５】
2004002349.tif 000075
【化１６】
2004002349.tif 000076
（式（ＸＩＩＩ）、式（ＸＩＶ）、式（ＸＶ）及び式（ＸＶＩ）において、ｎは上記と同義である。）
【請求項７】
前記ラクトン化合物がβ−フェニル−γ−ブチロラクトン、β−（ｐ−クロロフェニル）−γ−ブチロラクトン、β−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−ブチロラクトン又はβ−オクチル−γ−ブチロラクトンであることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記溶媒がハロゲン化炭化水素であることを特徴とする請求項１に記載のラクトン化合物の製造方法。
【請求項９】
前記ハロゲン化炭化水素がジクロロメタン又はクロロベンゼンであることを特徴とする請求項８に記載のラクトン化合物の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化剤が尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）であることを特徴とする請求項１に記載のラクトン化合物の製造方法。
【請求項１１】
前記ラクトン化合物の鏡像体過剰率が８０％ｅｅ以上であることを特徴とする請求項１に記載の光学活性なラクトン化合物の製造方法。
【請求項１２】
下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体。
【化１７】
2004002349.tif 000077
【化１８】
2004002349.tif 000078
（式（Ｉ）及び式（ＩＩ）において、Ａｒ１及びＹは上記と同義である。）
【請求項１３】
前記Ｚｒ（サレン）錯体が下記式（ＩＩＩ）又は下記式（ＩＶ）で表されることを特徴とする請求項１２に記載の錯体。
【化１９】
2004002349.tif 000079
【化２０】
2004002349.tif 000080
（式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）において、Ｐｈ及びＹは上記と同義である。）
【請求項１４】
前記Ｙがフェノキシ基であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の錯体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光学活性なラクトン化合物の製造方法及び該製造方法に好適なＺｒ（サレン）錯体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
バイヤー−ビリガー反応、即ちカルボニルのエステル（又はラクトン）への酸化転換は、合成的に価値が高く、様々な合成において広く用いられている。但し、多くの生体触媒による不斉バイヤー−ビリガー反応が知られているが、その化学版は依然として数が限られている。
【０００３】
１９９４年、Ｂｏｌｍらは、銅触媒による不斉バイヤー−ビリガー反応を報告した（Ｂｏｌｍ　Ｃ．，　Ｓｃｈｌｉｎｇｌｏｆｆ　Ｇ．及び　Ｗｅｉｃｋｈａｒｄｔ　Ｋ．，　Ａｎｇｅｗ．　Ｃｈｅｍ．　Ｉｎｔ．　Ｅｄ．　Ｅｎｇｌ．　１９９４，　３３，　１８４８−１８４９）。同年、Ｓｔｒｕｋｕｌらは、白金触媒による不斉バイヤー−ビリガー反応を報告した（Ｇｕｓｓｏ　Ａ．，　Ｂａｃｃｉｎ　Ｃ．，　Ｐｉｎｎａ　Ｆ．，及びＳｔｒｕｋｕｌ　Ｇ．，　Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，　１９９４，　１３，　３４４２−３４５１）。
【０００４】
それ以降、幾つかの触媒が不斉バイヤー−ビリガー反応に用いられ、幾つかの限られた基質のバイヤー−ビリガー反応においては、高いエナンチオ選択性が実現されている（Ｂｏｌｍ　Ｃ．，　Ｌｕｏｎｇ　Ｋ．　Ｋ．，及びＳｃｈｌｉｎｇｌｏｆｆ　Ｇ．，　Ｓｙｎｌｅｔｔ，　１９９７，　１１５１−１１５２）、（Ｂｏｌｍ　Ｃ．，　Ｂｅｃｋｍａｎｎ　Ｏ．，　Ｃｏｓｐ　Ａ．，及びＰａｌａｚｚｉ　Ｃ．，　Ｓｙｎｌｅｔｔ，　２００１，　１４６１−１４６３）、（Ｂｏｌｍ　Ｃ．，　Ｂｅｃｋｍａｎｎ　Ｏ．，及びＰａｌａｚｚｉ　Ｃ．，　Ｃａｎ．　Ｊ．　Ｃｈｅｍ，　２００１，　７９，　１５９３−１５９７）。しかし、依然として不斉バイヤー−ビリガー反応に対する新規な手法の導入が強く要請されている。
【０００５】
上記バイヤー−ビリガー反応は２段階反応であり、即ち、（ｉ）酸化剤の求核的付加がクリーギー（Ｃｒｉｅｇｅｅ）付加体を生成する段階と（ｉｉ）該付加体がエステル（又はラクトン）に転位する段階とからなる。出発物質であるカルボニル化合物がプロキラルな環状化合物の場合、バイヤー−ビリガー反応の生成物は一対の鏡像異性なラクトンの混合物となる。
【０００６】
バイヤー−ビリガー反応の立体化学は二つの因子、即ち（ｉ）酸化剤の付加における面選択性と（ｉｉ）転位におけるエナンチオ場選択性とに影響される。しかしながら、クリーギー付加体の形成は可逆反応であり、該付加体のラクトンへの転位が非可逆反応でかつ律速段階であるので、転位段階の場選択がバイヤー−ビリガー反応の立体化学に強く影響するものと考えられる。
【０００７】
下記に示すように転位するＣ−Ｃ結合のσ−軌道とＯ−Ｏ結合のσ＊−軌道との相互作用が、転位に大きく影響する。そのため、σ−結合とσ＊結合とが場選択的に相互作用する場合、高いエナンチオ選択性が達成されるものと考えられる。また、クリーギー付加体がキレート形成し、該キレートの形成が適切に調節された場合、場選択的相互作用が実現するものと考えられる。従って、シス−β構造の金属（サレン）錯体はキレートの形成に２つの隣接する配位サイト提供し、かつ該錯体の金属中心はキラルであるので、該錯体は場選択的相互作用を実現するのに好適な触媒であると考えられる。
【０００８】
【化２１】
2004002349.tif 000002
【０００９】
上記理論に基き、本発明者らは、平面状四角構造のＣｏ（サレン）錯体は３−置換シクロブタノンのバイヤー−ビリガー反応においてエナンチオ選択性を示さないが、シス−β構造を有するＣｏ（サレン）錯体は鏡像体過剰率７８％ｅｅまでの良好なエナンチオ選択性を示すことを報告した（非特許文献１参照）。
【００１０】
【非特許文献１】
内田，香月，テトラヘドロン・レター（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒ），２００１年，４２巻，ｐ．６９１１〜６９１４
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、生成物の鏡像体過剰率７８％ｅｅ以下である上記結果は、シス−β構造を有するＣｏ（サレン）錯体によるキレートの配座のコントロールが十分でないことを意味している。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、鏡像体過剰率を更に向上させ得る光学活性なラクトン化合物の製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、かかるラクトン化合物の製造方法に好適な触媒を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究を行った結果、特定のＺｒ（サレン）錯体を合成し、該錯体を触媒として環状ケトン化合物をバイヤー−ビリガー反応することにより、鏡像体過剰率の高いラクトン化合物を製造できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】
即ち、本発明は、
（１）　溶媒中で、下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体を触媒として使用し、環状ケトン化合物を過酸化水素及び尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）からなる群から選択される少なくとも１種の酸化剤でバイヤー−ビリガー反応することを特徴とする光学活性なラクトン化合物の製造方法である。
【化２２】
2004002349.tif 000003
【化２３】
2004002349.tif 000004
（式（Ｉ）及び式（ＩＩ）において、Ａｒ１はそれぞれ独立して炭素数１０から１６のアリール基を、Ｙはそれぞれ独立してフェノキシ基又は炭素数１から１０のアルコキシ基を示す。）
【００１５】
また、本発明の製造方法の好ましい態様には以下のものがある。
（２）　前記Ｚｒ（サレン）錯体が下記式（ＩＩＩ）又は下記式（ＩＶ）で表されることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
【化２４】
2004002349.tif 000005
【化２５】
2004002349.tif 000006
（式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）において、Ｐｈはフェニル基を示し、Ｙは上記と同義である。）
（３）　前記Ｙがフェノキシ基であることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
【００１６】
（４）　前記環状ケトン化合物が、下記式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）又は（ＩＸ）で表されることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
【化２６】
2004002349.tif 000007
（式中、Ｒ１は炭素数１から２０の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６から１５の置換若しくは非置換のアリール基を示す。）
【化２７】
2004002349.tif 000008
（式中、Ｒ２は炭素数１から２０の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６から１５の置換若しくは非置換のアリール基を示す。）
【化２８】
2004002349.tif 000009
【化２９】
2004002349.tif 000010
【化３０】
2004002349.tif 000011
（式（ＶＩＩＩ）及び式（ＩＸ）において、ｎは０、１又は２である。）
（５）　前記環状ケトン化合物が３−フェニルシクロブタノン、３−（ｐ−クロロフェニル）シクロブタノン、３−（ｐ−メトキシフェニル）シクロブタノン又は３−オクチルシクロブタノンであることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
【００１７】
（６）　前記ラクトン化合物が下記式（Ｘ）、（ＸＩ）、（ＸＩＩ）、（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）、（ＸＶ）又は（ＸＶＩ）で表されることを特徴とする製造方法である。
【化３１】
2004002349.tif 000012
（式中、Ｒ１は上記と同義である。）
【化３２】
2004002349.tif 000013
（式中、Ｒ２は上記と同義である。）
【化３３】
2004002349.tif 000014
【化３４】
2004002349.tif 000015
【化３５】
2004002349.tif 000016
【化３６】
2004002349.tif 000017
【化３７】
2004002349.tif 000018
（式（ＸＩＩＩ）、式（ＸＩＶ）、式（ＸＶ）及び式（ＸＶＩ）において、ｎは上記と同義である。）
（７）　前記ラクトン化合物がβ−フェニル−γ−ブチロラクトン、β−（ｐ−クロロフェニル）−γ−ブチロラクトン、β−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−ブチロラクトン又はβ−オクチル−γ−ブチロラクトンであることを特徴とする製造方法である。
【００１８】
（８）　前記溶媒がハロゲン化炭化水素であることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
（９）　前記ハロゲン化炭化水素がジクロロメタン又はクロロベンゼンであることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
（１０）　前記酸化剤が尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）であることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
（１１）　前記ラクトン化合物の鏡像体過剰率が８０％ｅｅ以上であることを特徴とするラクトン化合物の製造方法である。
【００１９】
なお、特に矛盾しない限り、上記（２）から（１１）の任意の組み合わせもまた本発明の好ましい態様である。
【００２０】
更に、本発明は、上記製造方法に用いる触媒であり、即ち、
（１２）　下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体である。
【化３８】
2004002349.tif 000019
【化３９】
2004002349.tif 000020
（式（Ｉ）及び式（ＩＩ）において、Ａｒ１及びＹは上記と同義である。）
【００２１】
また、本発明の錯体の好ましい態様には以下のものがある。
（１３）　前記Ｚｒ（サレン）錯体が下記式（ＩＩＩ）又は下記式（ＩＶ）で表されることを特徴とする錯体である。
【化４０】
2004002349.tif 000021
【化４１】
2004002349.tif 000022
（式（ＩＩＩ）及び式（ＩＶ）において、Ｐｈ及びＹは上記と同義である。）
（１４）　前記Ｙがフェノキシ基であることを特徴とする錯体である。
【００２２】
なお、上記（１３）及び（１４）の組み合わせもまた本発明の好ましい態様である。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以降に、本発明を詳細に説明する。本発明のＺｒ（サレン）錯体は下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表される。ここで、式（ＩＩ）の錯体は、式（Ｉ）の錯体の鏡像異性体である。
【化４２】
2004002349.tif 000023
【化４３】
2004002349.tif 000024
（式（Ｉ）及び式（ＩＩ）において、Ａｒ１はそれぞれ独立して炭素数１０から１６のアリール基を、Ｙはそれぞれ独立してフェノキシ基又は炭素数１から１０のアルコキシ基を示す。）
【００２４】
本発明の製造方法で使用する錯体は、中心金属がＺｒであることが重要である。本発明者らは、同じ４Ａ族のＴｉを中心金属とするＴｉ（サレン）錯体についても検討したが、ＴｉはＺｒよりも酸素親和性が強く、下記に示すようにＴｉ（サレン）錯体を過酸化水素又はＵＨＰで処理するとペルオキソＴｉ（サレン）錯体が生成し、該ペルオキソＴｉ（サレン）錯体は開環が遅いため、Ｔｉ（サレン）錯体は触媒活性を殆ど示さなかった。
【００２５】
【化４４】
2004002349.tif 000025
【００２６】
一方、ＺｒはＴｉより酸素親和性が弱く、更にＺｒ−Ｏ結合はＴｉ−Ｏ結合よりも長いため、ペルオキソＺｒ（サレン）錯体が容易に開環するか、或いは、Ｚｒイオンに配位したヒドロペルオキソ基がペルオキソＺｒ（サレン）錯体を生成しにくいものと考えられる。そのため、Ｚｒ（サレン）錯体は、バイヤー−ビリガー反応を促進するものと考えられる。
【００２７】
上記Ａｒ１における炭素数１０から１６のアリール基としては、１−ナフチル基、２−ビフェニル基、２−フェニル−１−ナフチル基、２−メチル−１−ナフチル基、２−［３，５−ジメチルフェニル］−１−ナフチル基、２−［４−メチルフェニル］−１−ナフチル基、２−｛４−［ｔ−ブチルジフェニルシリル］フェニル｝−１−ナフチル基、２−メトキシ−１−ナフチル基等が挙げられる。これらの中でも、不斉バイヤー−ビリガー反応における触媒活性及びエナンチオ選択性の観点から２−フェニル−１−ナフチル基が好ましく、この場合、前記Ｚｒ（サレン）錯体は下記式（ＩＩＩ）又は下記式（ＩＶ）で表される。
【００２８】
【化４５】
2004002349.tif 000026
【化４６】
2004002349.tif 000027
【００２９】
上記式（Ｉ）及び式（ＩＩ）のＺｒ（サレン）錯体は、アピカル位に２つのＹを有し、Ｙはそれぞれ独立してフェノキシ基又は炭素数１から１０のアルコキシ基である。該炭素数１から１０のアルコキシ基としては、メトキシ基（ＣＨ３Ｏ）、エトキシ基（Ｃ２Ｈ５Ｏ）、ｎ−プロポキシ基（ｎ−Ｃ３Ｈ７Ｏ）、イソプロポキシ基（（ＣＨ３）２ＣＨＯ）、シクロヘキシルオキシ基（ｃ−Ｃ６Ｈ１１Ｏ）、ｎ−オクチルオキシ基（ｎ−Ｃ８Ｈ１７Ｏ）等が挙げられる。Ｙとしては、不斉バイヤー−ビリガー反応における触媒活性及びエナンチオ選択性の観点からフェノキシ基が好ましい。
【００３０】
上記Ｚｒ（サレン）錯体を不斉バイヤー−ビリガー反応における触媒として使用した場合、使用量は基質の環状ケトンのモル量に対し１から１０ｍｏｌ％、好ましくは４から６ｍｏｌ％の範囲である。
【００３１】
本発明においては、上記Ｚｒ（サレン）錯体のアピカル配位子（Ｙ）は、基質のカルボニル基又は酸化剤中の酸素原子と容易に置換することができ、基質のカルボニル基の酸素原子と酸化剤の酸素原子とがジルコニウムに同時に配位し、この配位状態が反応終了時まで保たれる。そのため、酸化剤の酸素原子が基質のカルボニル基の炭素を求核攻撃してクリーギー（Ｃｒｉｅｇｅｅ）付加体を生成する際の面選択性と、該求核攻撃によって生じたクリーギー付加体からの転位の際のエナンチオ場選択性とが向上する。前述のように転位段階が非可逆反応でかつ律速段階であるので、特に転位段階のエナンチオ場選択性の高さが生成物の鏡像体過剰率の向上に大きく反映される。
【００３２】
本発明で使用する環状ケトン化合物は、プロキラルな環状ケトン化合物であり、バイヤー−ビリガー反応により不斉炭素を生じ、例えば下記式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、（ＶＩＩＩ）、（ＩＸ）等で表される化合物が挙げられる。
【００３３】
【化４７】
2004002349.tif 000028
（式中、Ｒ１は炭素数１から２０の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６から１５の置換若しくは非置換のアリール基を示す。）
【化４８】
2004002349.tif 000029
（式中、Ｒ２は炭素数１から２０の置換若しくは非置換のアルキル基、又は炭素数６から１５の置換若しくは非置換のアリール基を示す。）
【化４９】
2004002349.tif 000030
【００３４】
【化５０】
2004002349.tif 000031
【化５１】
2004002349.tif 000032
（式（ＶＩＩＩ）及び式（ＩＸ）において、ｎは０、１又は２である。）
【００３５】
式（Ｖ）中のＲ１におけるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、イソトリデシル、ミリスチル、パルミチル、ステアリル、イコシル、ドコシル等が例示できる。
【００３６】
式（Ｖ）中のＲ１におけるアリール基としては、フェニル、トルイル、キシリル、クメニル、メシチル、エチルフェニル、プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル等が例示できる。
【００３７】
上記アルキル基及びアリール基は、ハロゲン、炭素数１から４のアルコキシ基等で置換されていてもよい。
【００３８】
式（ＶＩ）中のＲ２におけるアルキル基及びアリール基としては、上記した式（Ｖ）中のＲ１におけるアルキル基及びアリール基として例示したものが同様に挙げられる。これらのアルキル基及びアリール基も、ハロゲン、炭素数１から４のアルコキシ基等で置換されていてもよい。
【００３９】
本発明で使用する酸化剤は、過酸化水素又は尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）である。ここで、過酸化水素は、水溶液として用いることができる。これらの酸化剤の酸素原子はＺｒ（サレン）錯体の中心金属に配位し、基質のカルボニル基の炭素を求核攻撃して、キレート化したクリーギー付加体を生成する。あるいは、中心金属に配位したカルボニル基を求核攻撃してクリーギー付加体生成した後、キレートを形成する。一方、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド（ＴＢＨＰ）又はビス（トリメチルシリル）ペルオキシドを酸化剤として用いた場合、バルキーなｔ−ブチル基やシリル基の存在がクリーギー付加体のキレート形成を抑制し、これにより、反応のエナンチオ選択性が著しく低下する。上記の酸化剤の中でも、生成物の鏡像体過剰率を向上させる観点からは、尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）が好ましい。前記酸化剤の使用量は、基質の環状ケトンに対し１から２当量（ｅｑ）、好ましくは１．２から１．３当量（ｅｑ）の範囲である。
【００４０】
本発明における生成物である、光学活性なラクトン化合物は、前記プロキラルな環状ケトン化合物の不斉バイヤー−ビリガー反応によって生成する。本発明の製造方法では、前述のように転位の際のエナンチオ場選択性が高いため、光学活性なラクトン化合物が得られる。本発明の製造方法で得られる光学活性なラクトン化合物は、前記した環状ケトンに対応するものであり、例えば、下記式（Ｘ）、（ＸＩ）、（ＸＩＩ）、（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）、（ＸＶ）、（ＸＶＩ）等で表される化合物が挙げられる。尚、式（Ｉ）のＺｒ（サレン）錯体と式（ＩＩ）のＺｒ（サレン）錯体との使い分けによって、光学活性なラクトンの両鏡像異性体が得られる。
【００４１】
【化５２】
2004002349.tif 000033
（式中、Ｒ１は上記と同義である。）
【化５３】
2004002349.tif 000034
（式中、Ｒ２は上記と同義である。）
【化５４】
2004002349.tif 000035
【００４２】
【化５５】
2004002349.tif 000036
【化５６】
2004002349.tif 000037
【化５７】
2004002349.tif 000038
【化５８】
2004002349.tif 000039
（式（ＸＩＩＩ）、式（ＸＩＶ）、式（ＸＶ）及び式（ＸＶＩ）において、ｎは上記と同義である。）
【００４３】
式（ＶＩＩＩ）の環状ケトンに対応するラクトンとしては、式（ＸＩＩＩ）のラクトンの他に式（ＸＶ）で表されるラクトンも考えられるが、触媒として式（Ｉ）のＺｒ（サレン）錯体を用いた場合、式（ＸＶ）のラクトンは殆ど生成しない。また、式（ＩＸ）の環状ケトンに対応するラクトンとしては、式（ＸＩＶ）のラクトンの他に式（ＸＶＩ）で表されるラクトンも考えられるが、触媒として式（Ｉ）のＺｒ（サレン）錯体を用いた場合、式（ＸＶＩ）のラクトンは式（ＸＩＶ）のラクトンよりも生成量が少なく、例えば、式（ＩＸ）中のｎが１の場合、式（ＸＶＩ）のラクトンの生成量は、式（ＸＩＶ）のラクトンの生成量の約１／６であり、ｎが０の場合、式（ＸＶＩ）のラクトンは殆ど生成しない。
【００４４】
一方、式（Ｉ）のＺｒ（サレン）錯体の鏡像異性体、即ち、式（ＩＩ）のＺｒ（サレン）錯体を触媒として用いた場合、式（ＩＸ）の環状ケトンからは、式（ＸＶＩ）のラクトンが選択的に得られ、式（ＸＩＶ）のラクトンは殆ど生成せず、また、式（ＶＩＩＩ）の環状ケトンからは、式（ＸＶ）のラクトンが主として得られ、例えば、式（ＶＩＩＩ）中のｎが１の場合、式（ＸＩＩＩ）のラクトンの生成量は、式（ＸＶ）のラクトンの生成量の約１／６であり、ｎが０の場合、式（ＸＩＩＩ）のラクトンは殆ど生成しない。
【００４５】
また、下記Ｋａｇａｎの式を用いて式（ＶＩＩＩ）で表される環状ケトンと式（ＩＸ）で表される環状ケトンとの相対反応比を計算すると相対反応比は、式（ＶＩＩＩ）及び式（ＩＸ）中のｎが１の場合、約４で、ｎが０の場合、約２であり、式（ＶＩＩＩ）で表される環状ケトンの反応速度は、式（ＩＸ）で表される環状ケトンの反応速度よりも速い。従って、基質に式（ＶＩＩＩ）で表される環状ケトンと式（ＩＸ）で表される環状ケトンとのラセミ体を使用した場合、速度論的分割が可能となる。
【００４６】
【数１】
2004002349.tif 000040
式中、ｋＲは基質のＲ体（ＳＲ）が反応生成物（ＰＲ）に反応する場合の反応速度定数を示し、ｋＳは基質のＳ体（ＳＳ）が反応生成物（ＰＳ）に反応する場合の反応速度定数を示し、ｅｅＳは基質の鏡像体過剰率を示す。
【００４７】
本発明の製造方法は、溶媒中で行う。溶媒としては、ジクロロメタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテル等のエーテル化合物、エタノール等のアルコール化合物、酢酸エチル等のエステル化合物が挙げられる。この中でも、不斉バイヤー−ビリガー反応の反応速度とエナンチオ選択性を向上させる観点からは、ジクロロメタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が好ましい。溶媒の使用量は、基質の環状ケトン１ｍｍｏｌに対し、１から２０ｍｌ、好ましくは８から１０ｍｌの範囲である。
【００４８】
本発明で光学活性な異性体の純度の尺度として用いる鏡像体過剰率は、以下の式で表される。
【数２】
2004002349.tif 000041
式中、［α］Ｄは試料の比旋光度を、［α］Ｄｍａｘは光学的に純粋な物質の比旋光度を、Ｒは試料中に占めるＲ体の割合を、Ｓは試料中に占めるＳ体の割合を示す。Ｒ体とＳ体の割合が同じ場合、即ちラセミ体の場合は、鏡像体過剰率は０％ｅｅとなる。生成物の鏡像体過剰率は、光学活性カラムを用いた高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）、ガス液体クロマトグラフィー（ＧＬＣ）により測定することができる。
【００４９】
本発明の製造方法は、０から６０℃で行うのが好ましく、鏡像体過剰率の点からは０から４０℃がより好ましい。０℃未満では反応速度が低く、６０℃を超えると鏡像体過剰率が低下する。
【００５０】
本発明では、環状ケトン化合物、酸化剤、溶媒及び触媒の混合溶液を、撹拌することにより光学活性なラクトン化合物を製造することができる。撹拌方法は、混合溶液の均一性を確保できさえすれば特に限定されず、公知の方法が適用できる。また、反応時間も特に限定されず、上記反応温度に合わせて適宜選択される。反応温度が高い場合は反応時間を短く、反応温度が低い場合は反応時間を長くすることが好ましい。
【００５１】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例によりその範囲を限定されるものではない。
【００５２】
（錯体合成例１）
（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−シクロヘキサンジアミン［環境科学センター株式会社］（５７ｍｇ，　０．５ｍｍｏｌ）をエタノール（１０ｍｌ）に溶解させる。（Ｒ）−３−フォルミル−２−ヒドロキシ−２’−フェニル−１，１’−ビナフチル（３７４ｍｇ，　１．０ｍｍｏｌ）を加える。なお、（Ｒ）−３−フォルミル−２−ヒドロキシ−２’−フェニル−１，１’−ビナフチルは、Ｈ．　Ｓａｋａｋｉ，Ｒ．　Ｉｒｉｅ，　Ｔ．　Ｈａｍａｄａ，　Ｋ．　Ｓｕｚｕｋｉ，　ａｎｄ　Ｔ．Ｋａｔｓｕｋｉ，　Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，　５０（４１），　１１８２７−１１８３８（１９９４）等に記載の周知の方法で得た。この溶液を撹拌下、６時間加熱還流する。反応終了後室温に戻し、生じた沈澱物をろ取して減圧下１時間加熱乾燥させる。その後、ろ取物を窒素雰囲気下にて無水テトラヒドロフラン（１５ｍｌ）に溶解させた後、水素化ナトリウム（油性，約６０％）［キシダ化学株式会社］（４４．０ｍｇ，　１．１ｍｍｏｌ）を加えて１時間撹拌する。塩化ジルコニウム・テトラヒドロフラン　１：２コンプレックス［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（３１１ｍｇ，　０．８ｍｍｏｌ）を反応溶液に加え、更に１２時間撹拌した後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣にトルエンを加えて生じた沈澱物をセライト上でろ去し、ろ液を濃縮する。続いて減圧下１時間加熱乾燥を行う。乾燥した濃縮物を窒素雰囲気下にてテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）に溶解させる。この溶液にリチウムフェノキシド（１．０Ｍテトラヒドロフラン溶液）［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（１．０ｍｌ，　１．０ｍｍｏｌ）を加えて１６時間撹拌する。その後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣をトルエンに溶かして生じた沈澱物をセライト上でろ去する。ろ液を濃縮し、残渣を１時間加熱乾燥し、下記化学式（ＸＶＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体（４７０ｍｇ，収率８５％）を得た。
【００５３】
【化５９】
2004002349.tif 000042
【００５４】
上記の方法で得られた錯体の元素分析の結果は、Ｈ　５．２４％、Ｃ　７６．１４％、Ｎ　２．３７％であり、Ｃ７２Ｈ５４Ｎ２Ｏ４Ｚｒ・２Ｈ２Ｏの理論値（Ｈ　５．１４％、Ｃ　７５．９６％、Ｎ　２．４６％）と非常に良く一致していた。また、該錯体の１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）測定の結果、本錯体に特徴的なシグナルδ８．５５（ｓ，　２Ｈ），　３．７１（ｐ−ｄ，　Ｊ＝６．０Ｈｚ），　２．３６（ｐ−ｄ，　Ｊ＝９．８Ｈｚ　２Ｈ）が観測された。
【００５５】
（錯体合成例２）
（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−シクロヘキサンジアミン［環境科学センター株式会社］（５．７ｍｇ，　０．０５ｍｍｏｌ）をエタノール（１．０ｍｌ）に溶かす。３，５−ジ−ｔ−ブチルサリチルアルデヒド［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（２３．４ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）を加える。この溶液を撹拌下、６時間加熱還流する。反応終了後室温に戻し、生じた沈澱物をろ取して減圧下にて１時間加熱乾燥させる。その後、沈澱物を窒素雰囲気下にて無水テトラヒドロフラン（１．５ｍｌ）に溶解させた後、水素化ナトリウム（油性，約６０％）［キシダ化学株式会社］（４．４ｍｇ，　０．１１ｍｍｏｌ）を加えて１時間撹拌する。塩化ジルコニウム・テトラヒドロフラン　１：２コンプレックス［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（３１．１ｍｇ，　０．０８ｍｍｏｌ）を反応溶液に加えて、更に１２時間撹拌した後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣にトルエンを加えて生じた沈澱物をセライト上でろ去し、ろ液を濃縮する。続いて減圧下にて１時間加熱乾燥を行う。乾燥した濃縮物を窒素雰囲気下にてテトラヒドロフラン（１．０ｍｌ）に溶解させる。この溶液にリチウムフェノキシド（１．０Ｍテトラヒドロフラン溶液）［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（０．１ｍｌ，　０．１ｍｍｏｌ）を加えて１６時間撹拌する。その後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣をトルエンに溶かして生じた沈澱物をセライト上でろ去する。ろ液を濃縮し、残渣を減圧下にて１時間加熱乾燥した。残渣のマススペクトルを測定したところ、下記化学式（ＸＶＩＩＩ）で表されるＺｒ（サレン）錯体の生成が確認された。なお、ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚＣ４８Ｈ６２Ｎ２Ｏ４Ｚｒ［Ｍ２＋−（ＯＰｈ−）２＋（ＯＭｅ−）］の理論値は６６５．３であり、上記方法で得られた錯体の実測値は６６５．１である。ここで、マススペクトル測定は式（ＸＶＩＩＩ）で表される錯体をメタノール中に溶解させて測定を行ったためフェノキシイオンが解離し溶媒のメタノールと交換してモノメトキシド体が観測される。
【００５６】
【化６０】
2004002349.tif 000043
【００５７】
（錯体合成例３）
（１Ｓ，２Ｓ）−１，２−シクロヘキサンジアミン［環境科学センター株式会社］（５．７ｍｇ，　０．０５ｍｍｏｌ）をエタノール（１０ｍｌ）に溶かす。（Ｒ）−３−フォルミル−２−ヒドロキシ−２’−フェニル−１，１’−ビナフチル（３７．４ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）を加える。なお、（Ｒ）−３−フォルミル−２−ヒドロキシ−２’−フェニル−１，１’−ビナフチルは、Ｈ．　Ｓａｋａｋｉ，Ｒ．　Ｉｒｉｅ，　Ｔ．　Ｈａｍａｄａ，　Ｋ．　Ｓｕｚｕｋｉ，　ａｎｄ　Ｔ．Ｋａｔｓｕｋｉ，　Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，　５０（４１），　１１８２７−１１８３８（１９９４）等に記載の周知の方法で得た。この溶液を撹拌下、６時間加熱還流する。反応終了後室温に戻し、生じた沈澱物をろ取し１時間加熱乾燥させる。その後、沈澱物を窒素雰囲気下無水テトラヒドロフラン（１．５ｍｌ）に溶解させた後、水素化ナトリウム（油性，約６０％）［キシダ化学株式会社］（４．４ｍｇ，　０．１１ｍｍｏｌ）を加えて１時間撹拌する。塩化ジルコニウム・テトラヒドロフラン　１：２コンプレックス［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（３１．１ｍｇ，　０．０８ｍｍｏｌ）を反応溶液に加えて、更に１２時間撹拌した後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣にトルエンを加え生じた沈澱物をセライト上でろ去し、ろ液を濃縮する。続いて減圧下で１時間加熱乾燥を行う。乾燥した濃縮物を窒素雰囲気下にてテトラヒドロフラン（１．０ｍｌ）に溶解させる。この溶液にリチウムフェノキシド（１．０Ｍテトラヒドロフラン溶液）［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（０．１ｍｌ，　０．１ｍｍｏｌ）を加えて１６時間撹拌する。その後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣をトルエンに溶かし生じた沈澱物をセライト上でろ去する。ろ液を濃縮して、残渣を減圧下で１時間加熱乾燥した。残渣の１Ｈ−ＮＭＲ及びマススペクトルを測定したところ、下記化学式（ＸＩＸ）で表されるＺｒ（サレン）錯体の生成を確認した。なお、上記方法で得られた錯体の１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）測定の結果、本錯体に特徴的なシグナルδ８．０６（ｓ，　２Ｈ），　３．１５（ｐ−ｄ，　Ｊ＝６．０Ｈｚ，　２Ｈ），　１．５４（ｐ−ｄ，　Ｊ＝１０．９Ｈｚ，　２Ｈ）が観測された。また、ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚＣ７２Ｈ５４Ｎ２Ｏ４Ｚｒ［Ｍ２＋−（ＯＰｈ−）２＋（ＯＭｅ−）］の理論値は９４５．３であり、上記方法で得られた錯体の実測値は９４５．２である。ここで、マススペクトル測定は式（ＸＩＸ）で表される錯体をメタノール中に溶解させて測定を行ったためフェノキシイオンが解離し溶媒のメタノールと交換したモノメトキシド体が観測される。
【００５８】
【化６１】
2004002349.tif 000044
【００５９】
（錯体合成例４）
（Ｒ）−（＋）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジアミン［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（１４．２ｍｇ，０．０５ｍｍｏｌ）をエタノール（１．０ｍｌ）に溶解させる。サリチルアルデヒド［ナカライテスク株式会社］（１２．２ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）を加える。この溶液を撹拌下、６時間加熱還流する。反応終了後室温に戻し、生じた沈澱物をろ取し、減圧下で１時間加熱乾燥させる。その後、ろ取物を窒素雰囲気下にて無水テトラヒドロフラン（１．５ｍｌ）に溶解させた後、水素化ナトリウム（油性，約６０％）［キシダ化学株式会社］（４．４ｍｇ，　０．１１ｍｍｏｌ）を加えて１時間撹拌する。塩化ジルコニウム・テトラヒドロフラン　１：２コンプレックス［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（３１．１ｍｇ，　０．０８ｍｍｏｌ）を反応溶液に加えて、更に１２時間撹拌した後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣にトルエンを加えて生じた沈澱物をセライト上でろ去する。ろ液を濃縮、続いて１時間加熱乾燥を行う。乾燥した濃縮物を窒素雰囲気下においてテトラヒドロフラン（１．０ｍｌ）に溶解させる。この溶液にリチウムフェノキシド（１．０Ｍテトラヒドロフラン溶液）［Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏ．］（０．１ｍｌ，　０．１ｍｍｏｌ）を加えて１６時間撹拌する。その後、ロータリーエバポレーターで濃縮してテトラヒドロフランを除く。残渣をトルエンに溶かして生じた沈澱物をセライト上でろ去する。ろ液を濃縮し、残渣を減圧下にて１時間加熱乾燥した。残渣のマススペクトルを測定したところ、下記化学式（ＸＸ）で表されるＺｒ（サレン）錯体の生成が確認された。なお、ＥＩ−ＭＳ　ｍ／ｚＣ４５Ｈ３２Ｎ２Ｏ４Ｚｒ［Ｍ２＋−（ＯＰｈ−）２＋（ＯＨ−）］の理論値は５９７．１であり、上記方法で得られた錯体の実測値は５９７．１である。ここで、マススペクトル測定は式（ＸＸ）で表される錯体をメタノール中に溶解させて測定を行うためフェノキシイオンが解離し溶媒中のＨ２Ｏと交換したモノヒドロキシ体が観測された。
【００６０】
【化６２】
2004002349.tif 000045
【００６１】
（実施例１）
室温（２５℃）にて、３−フェニルシクロブタノン（１４．６ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）（１．０ｍｌ）に溶解させる。この溶液に前記化学式（ＸＶＩＩ）で表される錯体（５．５ｍｇ，　５．０μｍｏｌ）と、尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）（１２ｍｇ，過酸化水素含有量０．１２ｍｍｏｌ）とを順に加え、得られた混合物を室温にて２４時間撹拌する。
【００６２】
該混合物をロータリーエバポレーターで濃縮し、ヘキサン／酢酸エチル（＝６．５／１）混合液を溶出液として用いシリカゲルでクロマトグラフ分離し、β−フェニル−γ−ブチロラクトン（１０．９ｍｇ，収率６８％）を得た。結果を表１に示す。
【００６３】
この生成物の鏡像体過剰率をダイセル・キラルパックＡＤ−Ｈ（ＤＡＩＣＥＬ　ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ　ＡＤ−Ｈ）及びヘキサン／イソプロパノール（＝４９／１）溶離液を用い高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析したところ、Ｒ体が主でその鏡像体過剰率は８７％ｅｅであった。結果を表１に示す。
【００６４】
（参照例１）
化学式（ＸＶＩＩ）で表される錯体（５．５ｍｇ，　５．０μｍｏｌ）の代わりに前記化学式（ＸＶＩＩＩ）で表される錯体（４．１ｍｇ，　５．０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。
【００６５】
（参照例２）
化学式（ＸＶＩＩ）で表される錯体（５．５ｍｇ，　５．０μｍｏｌ）の代わりに前記化学式（ＸＩＸ）で表される錯体（５．５ｍｇ，　５．０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。
【００６６】
（参照例３）
化学式（ＸＶＩＩ）で表される錯体（５．５ｍｇ，　５．０μｍｏｌ）の代わりに前記化学式（ＸＸ）で表される錯体（３．８ｍｇ，　５．０μｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
2004002349.tif 000046
【００６８】
表１の実施例１及び参照例１〜３に対応する反応式を下記に示す。
【化６３】
2004002349.tif 000047
【００６９】
表１から、Ｚｒ（サレン）錯体の中でも、触媒活性及びエナンチオ選択性の点から式（ＸＶＩＩ）で表される錯体が触媒として著しく優れていることが分かる。また、式（ＸＶＩＩ）で表される錯体のジアステレオマーである式（ＸＩＸ）で表される錯体は触媒活性及びエナンチオ選択性が低いことから、キラルなビナフチル基がキレートの配座の調節に影響することが分かる。
【００７０】
（実施例２）
尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）（１２ｍｇ，　０．１２ｍｍｏｌ）の代わりに３０％の過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）水溶液（１５μｌ，過酸化水素含有量０．１２ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【００７１】
（参照例４）
尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）（１２ｍｇ，　０．１２ｍｍｏｌ）の代わりにｔ−ブチルヒドロペルオキシド（ＴＢＨＰ）のトルエン溶液（３．３４Ｎ）（３０μｌ，ＴＢＨＰ含有量０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【００７２】
（参照例５）
尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）（１２ｍｇ，　０．１２ｍｍｏｌ）の代わりにビス（トリメチルシリル）ペルオキシド（ＴＭＳ−Ｏ−Ｏ−ＴＭＳ）（２１ｍｇ，　０．１２ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【００７３】
【表２】
2004002349.tif 000048
【００７４】
表２の実施例２及び参照例４〜５に対応する反応式を下記に示す。
【化６４】
2004002349.tif 000049
【００７５】
表２から、酸化力及びエナンチオ選択性の点から酸化剤としてＵＨＰ及びＨ２Ｏ２が優れており、その中でもＵＨＰが特に優れていることが分かる。
【００７６】
（実施例３）
ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）（１．０ｍｌ）の代わりにクロロベンゼン（ＰｈＣｌ）（１．０ｍｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表３に示す。
【００７７】
（実施例４）
ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）（１．０ｍｌ）の代わりにジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）（１．０ｍｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表３に示す。
【００７８】
（実施例５）
ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）（１．０ｍｌ）の代わりにエタノール（ＥｔＯＨ）（１．０ｍｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。結果を表３に示す。
【００７９】
【表３】
2004002349.tif 000050
【００８０】
表３の実施例３〜５に対応する反応式を下記に示す。
【化６５】
2004002349.tif 000051
【００８１】
表３から、収率及びエナンチオ選択性の点から溶媒としてＣＨ２Ｃｌ２やＰｈＣｌ等のハロゲン化炭化水素が優れていることが分かる。
【００８２】
（実施例６）
室温（２５℃）に代えて０℃で反応させる以外は実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
【００８３】
（実施例７）
室温（２５℃）に代えて４０℃で反応させる以外は実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
【００８４】
【表４】
2004002349.tif 000052
【００８５】
表４の実施例６〜７に対応する反応式を下記に示す。
【化６６】
2004002349.tif 000053
【００８６】
表４から、０から４０℃の範囲では、反応速度は温度上昇と共に上昇するが、エナンチオ選択性は高温でも低温でも低下し、室温が好適であることが分かる。
【００８７】
（実施例８）
３−フェニルシクロブタノン（１４．６ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）の代わりに３−（ｐ−クロロフェニル）シクロブタノン（１８．０ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。その結果、β−フェニル−γ−ブチロラクトンの代わりにβ−（ｐ−クロロフェニル）−γ−ブチロラクトンを生成物として得た。結果を表５に示す。また、反応式を下記に示す。
【化６７】
2004002349.tif 000054
【００８８】
（実施例９）
３−フェニルシクロブタノン（１４．６ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）の代わりに３−（ｐ−メトキシフェニル）シクロブタノン（１７．６ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。その結果、β−フェニル−γ−ブチロラクトンの代わりにβ−（ｐ−メトキシフェニル）−γ−ブチロラクトンを生成物として得た。結果を表５に示す。また、反応式を下記に示す。
【化６８】
2004002349.tif 000055
【００８９】
（実施例１０）
３−フェニルシクロブタノン（１４．６ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）の代わりに３−オクチルシクロブタノン（１８．２ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。その結果、β−フェニル−γ−ブチロラクトンの代わりにβ−オクチル−γ−ブチロラクトンを生成物として得た。結果を表５に示す。また、反応式を下記に示す。
【化６９】
2004002349.tif 000056
【００９０】
（実施例１１）
３−フェニルシクロブタノン（１４．６ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）の代わりに前記式（ＶＩＩ）で表される化合物（１０．６ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。その結果、β−フェニル−γ−ブチロラクトンの代わりに前記式（ＸＩＩ）で表される化合物を生成物として得た。結果を表５に示す。また、反応式を下記に示す。
【化７０】
2004002349.tif 000057
【００９１】
【表５】
2004002349.tif 000058
【００９２】
表５から、種々の環状ケトンに対し本発明の製造方法が適用でき、８０％ｅｅ以上の高い鏡像体過剰率が得られることが分かる。
【００９３】
（実施例１２）
室温（２５℃）にて、ビシクロ［４．２．０］オクタン−７−オンのラセミ体（１２．４ｍｇ，　０．１ｍｍｏｌ）をクロロベンゼン（ＰｈＣｌ）（１．０ｍｌ）に溶解させる。この溶液に前記化学式（ＸＶＩＩ）で表される錯体（８．８ｍｇ，　８．０μｍｏｌ）と、尿素−過酸化水素付加物（ＵＨＰ）（１２ｍｇ，過酸化水素含有量０．１２ｍｍｏｌ）と、ビシクロヘキシル（転化率の計算のための内部標準）とを順に加え、得られた混合物を室温にて２時間撹拌する。
【００９４】
得られた生成物を光学活性カラム（ＳＵＰＥＬＣ　ＢＥＴＡ−ＤＥＸ−２５５）をカラムとしてガス液体クロマトグラフィー（ＧＬＣ）で分析し、ビシクロ［４．２．０］オクタン−７−オンの転化率と、式（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶＩ）の収率と、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の収率を測定した。その結果、転化率は６６％、式（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶＩ）の収率は４８％、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の収率は１８％であった。結果を表６に示す。
【００９５】
また、生成物を光学活性カラム（ＳＵＰＥＬＣ　ＢＥＴＡ−ＤＥＸ−２５５）を用いガス液体クロマトグラフィーで分析し、式（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶＩ）の鏡像体過剰率と、式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の鏡像体過剰率を測定した。その結果、式（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶＩ）の鏡像体過剰率は８５％ｅｅで式（ＸＩＩＩ）が主であり、式（ＸＶ）は痕跡量であったため式（ＸＩＶ）及び（ＸＶ）の鏡像体過剰率は９９％ｅｅ以上であった。結果を表６に示す。
【００９６】
更に、前記Ｋａｇａｎ方程式を用いて、式（ＶＩＩＩ）で表される環状ケトンと式（ＩＸ）で表される環状ケトンの相対反応比ｋｒｅｌを求めたところ３．５であった。
【００９７】
（実施例１３）
撹拌時間を２．５時間に変更する以外は実施例１２と同様に行った。結果を表６に示す。
【００９８】
（実施例１４）
撹拌時間を３時間に変更する以外は実施例１２と同様に行った。結果を表６に示す。
【００９９】
【表６】
2004002349.tif 000059
【０１００】
表６の実施例１２〜１４に対応する反応式を下記に示す。
【化７１】
2004002349.tif 000060
【０１０１】
実施例１２から１４の何れにおいても式（ＶＩＩＩ）で表される環状ケトンと式（ＩＸ）で表される環状ケトンの相対反応比ｋｒｅｌは約４であり、式（ＶＩＩＩ）で表される環状ケトンの方が反応速度が速いことが分かった。反応速度に大きな違いがあるため、本発明の方法を用いれば、ラセミ体の速度論的分割が可能である。また、実施例１２から１４の何れにおいても式（ＸＶ）で表される化合物は痕跡量しか得られず、式（ＶＩＩＩ）で表される環状ケトンからは専ら式（ＸＩＩＩ）で表される化合物が得られた。また、式（ＩＸ）で表される環状ケトンからは式（ＸＶＩ）で表される化合物と式（ＸＩＶ）で表される化合物が約１：６の比で生成した。
【０１０２】
【発明の効果】
本発明によれば、高いエナンチオ選択性で環状ケトンから光学活性なラクトンの両鏡像異性体を製造することができる。また、環状ケトンから光学活性なラクトンを製造するための優れた触媒が提供できる。本発明の錯体及び製造方法は、特に医農薬品の合成において非常に有用である。