(57)【要約】【課題】プラズマ生成場所まで再現性よく高速搬送が可能で、且つ有害デブリの発生や蒸気の凝結を極力抑制したＳｎを放射種とする１３．５ｎｍ放射源を実用に供するようにすること。【解決手段】Ｓｎイオンの発光を利用する極端紫外光放射源において、ＳｎＨ４（モノスタナン）を加熱・励起部へ断続的あるいは連続的に供給し、それを放電加熱し励起して、あるいはレーザ照射加熱し励起して、プラズマ化し、主波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射することを特徴とした極端紫外光放射源とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｎイオンの発光を利用する極端紫外光放射源において、
ＳｎＨ４（モノスタナン）を加熱・励起部へ断続的あるいは連続的に供給し、それを放電加熱し励起して、あるいはレーザ照射加熱し励起して、プラズマ化し、主波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射することを特徴とした極端紫外光放射源。
【請求項２】
液体状、気体状、あるいは固体状の単相、もしくはそれらの少なくとも２相が共存する多相の状態でＳｎＨ４を前記加熱・励起部へ供給することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光放射源。
【請求項３】
液体状のＳｎＨ４と液体状のＫｒ・Ｘｅ・Ｎ２の内、少なくとも一種とを予め混合し、それを前記加熱・励起部へ供給する請求項１に記載の極端紫外光放射源。
【請求項４】
液滴状のＳｎＨ４とＨ２・Ｎ２・Ｈｅ・Ａｒ・Ｋｒ・Ｘｅのうち少なくとも一種のガスとの混合物を前記加熱・励起部へ供給することを特徴とした請求項１に記載の極端紫外光放射源。
【請求項５】
固体状のＳｎＨ４と、液体状のＨｅ・Ｈ２・Ａｒ・Ｋｒの内、少なくともいずれかとを混合した状態で前記加熱・励起部に噴出させることを特徴とした請求項１に記載の極端紫外光放射源。
【請求項６】
気体状のＳｎＨ４と、Ｈ２・Ｎ２・Ｈｅ・Ａｒ・Ｋｒ・Ｘｅの内、少なくとも一種のガスとを混合し、前記加熱・励起部へ供給し、加熱・励起部で分解したＳｎ水素化物を再び元の水素化物に戻し易いようにすることを特徴とした請求項１に記載の極端紫外光放射源。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６でＨ２をＳｎＨ４に混合する物質として使う場合に、そのＳｎに対するＨ（水素）原子のモル比は２以上であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光放射源。
【請求項８】
前記加熱・励起部の極端紫外光放射側端から該放射側端の直近の光学系までの間で、室温程度以下の温度のＨ２ガス流を前記加熱励起部から排出された排気流と交錯するように作り，蒸気状Ｓｎを高蒸気圧の化合物にすることを特徴とした請求項１から請求項７のいずれかに記載の極端紫外光放射源。
【請求項９】
細孔あるいはポーラスな構造を有するＴａ・Ｎｂ・Ｍｏ・Ｗの何れかを主成分とする材料で前記加熱・励起部を構成し、その細孔あるいはポーラス部を通して、前記加熱・励起部の外部から流体状のＳｎＨ４を内部に供給することを特徴とする請求項１の極端紫外光放射源。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９の何れかの極端紫外光放射源と反射鏡を組合わせてなることを特徴とする半導体露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体露光用装置の光源に利用される極端紫外光放射源および該放射源を使用した半導体露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
将来の更なる高集積化された半導体の製造プロセスの一つであるリソグラフィ工程の露光光源として極端紫外（ＥＵＶ波長域の１３．５ｎｍの放射が注目されている。この放射を放出する放射種としては現在１０価のＸｅイオンと１０価前後のＳｎイオンが有望と考えられている。
【０００３】
それらの高次にイオン化したイオンは高温プラズマ中で生成されることが多い。現在、このようなプラズマの生成は放電エネルギーあるいはレーザエネルギーによる加熱で実現されている。
【０００４】
加熱・励起を行いプラズマ化する方法には大きく分けて２通りの方法がある。一つはレーザ光で気体状、液体状、あるいは固体状の「放射種そのものあるいは放射種を含む物質」を加熱し、ある温度域の高温プラズマにして、所定の放射を得る『レーザ加熱方式』ともう一つは「放射種そのものあるいは放射種を含む物質」に短時間だけ大電流を流し、高温プラズマを生成し、所定の放射を得る『放電方式』の２通りの方法がある。
【０００５】
また、放射種の粒子密度に関する要請としては次の２つがある。
露光に使用する放射の吸収を抑制するためには加熱・励起部（放射部）から露光面に至る空間では放射種を含む物質を構成する成分を含めて他の物質もすべてその粒子密度は低いほうがよい。
一方，放射部における放射種の粒子密度（１３．５ｎｍ放射を行っている時間内でのプラズマ中の空間的，時間的平均の中性原子と全ての段階のイオンの粒子密度の総和を「粒子密度」と表現する。）は高い放射輝度を実現するためには高いことが必要である。出来れば１×１０２４／ｍ３以上あるのが望ましい。
【０００６】
一般に、放射種はプラズマ生成装置の中の決められた位置で数千ヘルツの速い繰り返し周波数で加熱・励起され、その周波数で断続的な極端紫外（ＥＵＶ）放射を行う。ここで重要なことは加熱・励起に費やしたエネルギーに対する１３．５ｎｍ放射エネルギーの比が高いものほど、すなわち変換効率の高いものほど好都合であるということである。その理由はプラズマの生成に伴ってミラーなどの光学系の反射率を低減させてしまう固体，液体，あるいは有害な気体などが同時に発生するが、その量は入力エネルギーが増えれば増えるほど多くなるからである。
【０００７】
そのためプラズマ発生のエネルギーが１３．５ｎｍの放射に有効に変換されれば、入力エネルギーを低レベルに抑えることが出来る。また、同時に入力エネルギーが露光に不必要な放射や光学系に有害な物質の発生などに出来るだけ分配されない条件をも実現していることになり，除熱などの問題もより軽くなる。
【０００８】
一方では半導体ウエハ１枚当たりの露光処理時間の下限が制限されている。そのためにはレジスト面上の放射照度がある一定値以上に達していなければならない。そのためにはプラズマの高速繰り返し加熱・励起時に放射される１３．５ｎｍの光の一回毎の放射量と繰り返し周波数の積が一定値以上にならなければならない。同時に放射源プラズマからレジスト面までに存在する特に気体の１３．５ｎｍ放射の吸収を可能な限り抑制しなければならない。そのため、放射路（＝光路）は真空装置で排気されるが、装置内のガス種としては当該波長の放射吸収断面積の小さなものにすれば放射部から出た放射が少ない減衰率で、レジストまで到達できるので都合が良い。
【０００９】
プラズマ成分はもとより、光源部を構成する部材は極めて高い温度にさらされたり、高エネルギーの粒子に接触したりして、蒸発やアブレージョンなどを生じ飛散する。これらの飛散物質（＝デブリ）が例え発生したとしても光学系の性能、特に反射率を早期に劣化させず、また反射鏡材質を変質させたりしない物質であれば被害は小さくなる。
【００１０】
Ｘｅが放射種の場合、Ｘｅは１３．５ｎｍの放射後には気体状態で放射路に排出されるので、放射種そのものがデブリとなることがないが、放射路に排出されたＸｅは１３．５ｎｍの放射吸収断面積が大きい。Ｘｅはその１３．５ｎｍでの放射吸収断面積が大きいことを除けば極めてよい放射種である。しかし、Ｘｅはプラズマ加熱・励起エネルギーの１３．５ｎｍ放射エネルギーへの変換効率が低いのが、致命的な欠点となりつつある。これに対して、Ｓｎはプラズマ加熱・励起エネルギーの１３．５ｎｍ放射エネルギーへの変換効率がＸｅの数倍も大きく、この点が極めて優れている。
【００１１】
非特許文献１には、金属Ｓｎをターゲット材として、そのターゲットにＮｄ：ＹＡＧレーザの光を照射して、加熱し励起して主波長が１３．５ｎｍの極端紫外光を放射する技術が開示されている。しかし、Ｓｎは室温近くの温度で固体であるのでプラズマ生成場所まで再現性よく高速搬送するのはＸｅほど容易ではない。さらに厄介なのは室温で固体であるので、加熱・励起の場合に大量のデブリが発生する恐れがある。また，蒸気圧が比較的低いのでプラズマ状態から通常の気体状態に戻ったとき，装置内の低温部に堆積し，致命的な害を及ぼす。
【００１２】
【非特許文献１】
Ｊ．Ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．Ｂ／Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．９／Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  ２０００  第１６１６頁〜第１６２５頁
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本特許の発明は以上のことを勘案し、プラズマ生成場所まで再現性よく高速搬送が可能で、且つ有害デブリの発生や蒸気の凝結を極力抑制した、Ｓｎを放射種とする１３．５ｎｍ放射源を実用に供するようにすることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
そのために、放射種を含む物質の望ましい性質として次のことがある。
（１）加熱・励起時に例え飛散物が発生しても、それが光学系の性能劣化やＳｉ、Ｍｏ、レジスト、放射源・露光系の装置を構成する部材の性能劣化などを引き起こす原因とならないようなものであること。また、加熱・励起部を出た放射種を含む物質が分解して出来たものが室温近くの低温部において蒸気圧の高い分子に戻るとよい。
（２）放射種を含む物質を決められた時間に、決められた量だけ決められた場所に再現性よく、高速に供給できること。
（３）放射種を含む物質はプラズマ加熱・励起エネルギーから１３．５ｎｍ放射光への変換効率が高いものであること。以上の３点が望ましい。
【００１５】
そこで、本発明者は放射種Ｓｎを含む物質としてＳｎＨ４に着目した。ＳｎＨ４を使用することで、ＳｎＨ４は融点が−１４６℃、沸点−５１．８℃であることから、常温では常に気体であり、加熱・励起部に高速でＳｎを供給することができることが考えられ、そして、加熱・励起部を出たＳｎはＨ２と再結合をすることで蒸気圧の高い元のＳｎＨ４に戻るものが多く、デブリの発生が少ないからである。
【００１６】
請求項１に記載の発明は、Ｓｎイオンの発光を利用する極端紫外光放射源において、ＳｎＨ４（モノスタナン）を加熱・励起部へ断続的あるいは連続的に供給し、それを放電加熱し励起して、あるいはレーザ照射加熱し励起して、プラズマ化し、主波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射することを特徴とした極端紫外光放射源とするものである。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、液体状、気体状、あるいは固体状の単相、もしくはそれらの少なくとも２相が共存する多相の状態でＳｎＨ４を前記加熱・励起部へ供給することを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光放射源とするものである。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、液体状のＳｎＨ４と液体状のＫｒ・Ｘｅ・Ｎ２の内、少なくとも一種と予め混合し、それを前記加熱・励起部へ供給する請求項１に記載の極端紫外光放射源とするものである。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、液滴状のＳｎＨ４とＨ２・Ｎ２・Ｈｅ・Ａｒ・Ｋｒ・Ｘｅのうち少なくとも一種のガスとの混合物を前記加熱・励起部へ供給することを特徴とした請求項１に記載の極端紫外光放射源とするものである。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、固体状のＳｎＨ４と、液体状のＨｅ・Ｈ２・Ａｒ・Ｋｒの内、少なくともいずれかとを混合した状態で前記加熱・励起部に噴出させることを特徴とした請求項１に記載の極端紫外光放射源とするものである。
【００２１】
請求項６に記載の発明は、気体状のＳｎＨ４と、Ｈ２・Ｎ２・Ｈｅ・Ａｒ・Ｋｒ・Ｘｅの内、少なくとも一種のガスとを混合し、前記加熱・励起部へ供給し、加熱・励起部で分解したＳｎ水素化物を再び元の水素化物に戻し易いようにすることを特徴とした請求項１に記載の極端紫外光放射源とするものである。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、請求項４乃至請求項６でＨ２をＳｎＨ４に混合する物質として使う場合に、そのＳｎに対するＨ（水素）原子のモル比は２以上であることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光放射源とするものである。
【００２３】
請求項８に記載の発明は、前記加熱・励起部の極端紫外光放射側端から該放射側端の直近の光学系までの間で、室温程度以下の温度のＨ２ガス流を前記加熱励起部から排出された排気流と交錯するように作り，蒸気状Ｓｎを高蒸気圧の化合物にすることを特徴とした請求項１から請求項７のいずれかに記載の極端紫外光放射源とするものである。
【００２４】
請求項９に記載の発明は、細孔あるいはポーラスな構造を有するＴａ・Ｎｂ・Ｍｏ・Ｗの何れを主成分とする材料で前記加熱・励起部を構成し、その細孔あるいはポーラス部を通して、前記加熱・励起部の外部から流体状のＳｎＨ４を内部に供給することを特徴とする請求項１の極端紫外光放射源とするものである。
【００２５】
請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至請求項９の何れかの極端紫外光放射源と反射鏡を組合わせてなることを特徴とする半導体露光装置とするものである。
【００２６】
本発明でいう極端紫外光放射源とはＺピンチ型、プラズマフォーカス型、キャピラリー型の各放電加熱・励起型の極端紫外光放射源、およびＹＡＧレーザ等のレーザ照射により加熱・励起するレーザ照射型の極端紫外光放射源のことをいう。
【００２７】
これらの極端紫外光放射源は例えば、雑誌  光学；日本光学会  ２００２年３１巻７号第５４５頁〜第５５２頁に紹介されている。
【００２８】
そして、本発明でいう加熱・励起部とはこれら極端紫外光放射源において、放射源に供給された放射種を放電あるいはレーザ照射によって加熱し、励起状態にする部位のことをいう。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１に本発明の極端紫外光放射源であるＺピンチ型の極端紫外光放射源の主要部を示した。放射種Ｓｎを含む物質として、ＳｎＨ４（モノスタナン）を使用する。ＳｎＨ４を加熱・励起部Ａへ断続的あるいは連続的に供給し、それを放電加熱し励起して、プラズマ化し、主波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射するものである。
【００３０】
同図に示すように、Ｚピンチ型の極端紫外光放射源の主要部は円筒状や角筒状の放電容器５１の両端に一対の電極５２、５３を設けた構造となっており、放電容器５１は絶縁物で構成される。この絶縁物は場合によっては、放電容器を収める装置の器壁で兼用してもよい。１３．５ｎｍの光放射を取り出す端と反対側から、例えばガス状のＳｎＨ４を中空円筒の形状で、放電容器５１内へ一定量噴射する。
【００３１】
そして、噴射と同時に、高周波予備電離用電極５４に高周波電圧を印加して高周波放電により、噴入されたＳｎＨ４ガスを予備電離する。その直後に主放電を開始し急速に放電流を立ち上げる。そして、予備電離で作られた電子―イオン対の多い比較的放電容器壁に近い方に大きな電流が流れると同時に誘導磁場が発生する。この電流と磁場で発生するローレンツ力でプラズマは放電容器の軸方向に収縮（ピンチ）し、プラズマの密度、温度が上昇して、強い１３．５ｎｍ光の放射がでる。
【００３２】
図２には本発明の極端紫外光放射源であるレーザ照射型の極端紫外光放射源を示した。
放射種Ｓｎを含む物質として、ＳｎＨ４（モノスタナン）を使用する。ＳｎＨ４を耐熱性ノズル２１の先端から該先端近傍の加熱・励起部Ｂへ断続的あるいは連続的に供給し、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ光をレンズ８で集光し照射して、加熱・励起して、プラズマ化し、主波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射するものである。
【００３３】
放射種Ｓｎを含む物質としてのＳｎＨ４（モノスタナン）は例えば以下の方法で得られる。ステンレス製の反応室内において、−３０℃のエーテル中でＳｎＣｌ４（塩化スズ）にＡｌＬｉＨ４（水素化アルミニュウムリチュウム）を反応させ、塩素（Ｃｌ）と水素（Ｈ）を置換させることによってＳｎＨ４（モノスタナン）は得られる。
【００３４】
極端紫外光放射源の加熱・励起部へＳｎＨ４（モノスタナン）を導入する方法としては、
得られた気体状のＳｎＨ４を気体単相の材料として加熱・励起部へ直接導入してもよい。あるいは、気体状のＳｎＨ４水素化スズを−５２℃まで冷却して液体状の単相の材料として加熱・励起部へ導入してもよい。
【００３５】
また、前記反応によって発生した水素化スズＳｎＨ４（モノスタナン）を−１４６℃以下に冷却し、固体状とし、微細に粉砕して固体単相の材料として加熱・励起部へ導入してもよい。
【００３６】
また、液体状、気体状、あるいは固体状の単相の少なくとも２相が共存する多相の状態でＳｎＨ４を加熱・励起部へ供給することもできる。
【００３７】
また、ＳｎＣｌ４（塩化スズ）にＡｌＬｉＨ４（水素化アルミニュウムリチュウム）の反応で発生した水素化スズＳｎＨ４（モノスタナン）を液体Ｘｅや液体Ｋｒや液体Ｎ２中に導き、液化させるとともに両者の混合液体を作り、この混合液体を直接加熱・励起部へ圧力噴射することによって、加熱・励起部内のＳｎ原子の粒子密度を高く保つことが可能である。この場合、液体同士であるため均一に混合されるという利点も有る。
【００３８】
ＳｎＣｌ４（塩化スズ）にＡｌＬｉＨ４（水素化アルミニュウムリチュウム）の反応で発生した水素化スズＳｎＨ４（モノスタナン）を−５２℃以下に冷却し液化させた液滴状ＳｎＨ４と、Ｘｅガス・Ｋｒガス・Ｎ２ガス・Ｈ２ガス・Ａｒガスのうちの少なくとも１種のガスとを混合し霧状噴射する。このようにすることによって、加熱・励起部内のＳｎ原子の粒子密度を高く保つことが可能である。
【００３９】
図３は極端紫外光放射源としてキャピラリ型の極端紫外光放射源の主要部を示した図である。同図は極端紫外光放射源から放出される極端紫外光の光軸を通る平面で切った断面図を示している。同図に示すように、例えばタングステン製の接地側電極１２と高圧側電極１１の間に、キャピラリ構造体１３が設けられる。キャピラリ構造体１３は例えば窒化ケイ素等からなる円柱状の絶縁体であり、中心に直径３ｍｍのキャピラリ１３１を有する。
【００４０】
接地側電極１２と高圧側電極１１には電気導入線１６、１７を介して電源（不図示）が電気的に接続され、該電源から接地側電極１２と高圧側電極１１間にパルス的に高電圧が印加される。高圧側電極１２は、通常接地され、接地側電極１２にパルス的に例えば負の高電圧を印加する。上記高圧側電極１１、接地側電極１２は、それぞれ貫通孔１１１、１２１を備え、これらの貫通孔１１１、１２１と、前記キャピラリ構造体１３のキャピラリ１３１は同軸上に配置され、連通している。
【００４１】
上記貫通孔１１１、１２１、キャピラリ１３１に放射種のＳｎを含む物質として液体状のＳｎＨ４を液体ＳｎＨ４導入口１５からキャピラリ１３１に通ずる貫通孔１１１にノズル１８を通して導入し、該貫通孔１１１にＫｒガス導入口１４からＫｒガスを導入し吹き付ける。そして、接地側電極１２と高圧側電極１１の間にパルス的に高電圧を印加すると、加熱・励起部であるキャピラリ１３１内部でガス放電が生じ、高温プラズマが形成される。これにより１３．５ｎｍの極端紫外光が発生し、放射される。
【００４２】
−１４６℃以下の冷却下で固体状のＳｎＨ４を液体状のＨｅ・Ｈ２・Ａｒ・Ｋｒの内、少なくともいずれかと混合した状態で加熱・励起部に噴出させることもできる。
【００４３】
気体状のＳｎＨ４とＨ２・Ｎ２・Ｈｅ・Ａｒ・Ｋｒ・Ｘｅの内、少なくとも一種のガスと混合し、前記加熱・励起部へ供給することは混合しやすく、取り扱いを容易にする。
【００４４】
Ｈ２をＳｎＨ４に混合する物質として使う場合に、そのＳｎに対するＨ（水素）原子のモル比は２以上であることが望ましい。それは、放電後のＳｎがＳｎＨ４を形成する割合を増やすためである。その具体的方策としては、加熱・励起部の極端紫外光放射側端から該放射側端の直近の光学系までの間で、室温程度以下の温度のＨ２ガス流を加熱励起部から排出された蒸気状Ｓｎの排気流と交錯するように作り，蒸気状Ｓｎを高蒸気圧の化合物であるＳｎＨ４にすることが考えられる。
【００４５】
細孔あるいはポーラスな構造を有するＴａ・Ｎｂ・Ｍｏ・Ｗの何れかを主成分とする材料で加熱・励起部を構成し、その細孔あるいはポーラス部を通して、加熱・励起部の外部から流体状のＳｎＨ４を内部に供給するようにすることもできる。
【００４６】
図４に示すように、レーザ照射型極端紫外光放射源において、加熱・励起部を構成するターゲット７をポーラス（多孔質）な構造を有するＷ（タングステン）焼結体で形成し、レーザ照射面の反対側の面から液体状のＳｎＨ４を供給する。ＳｎＨ４がターゲット表面に滲み出たところにＮｄ：ＹＡＧレーザの光が照射され、加熱・励起されて、プラズマ化し、１３．５ｎｍの極端紫外光を放射する。さらに、この場合は、ターゲットをＳｎＨ４自身が冷却する効果もあるので、装置の冷却機構も簡略化できる効果がある。
【００４７】
ポーラスな構造で加熱・励起部を構成するというこの考えは、上記のレーザ照射型極端紫外光放射源以外にも前述のＺピンチ型の極端紫外光放射源における放電容器、プラズマフォーカス型の極端紫外光放射源における電極部にも適用されるものである。
【００４８】
図５に上記極端紫外光放射源を用いて半導体露光装置を構成した場合の構成例を示す。
上記極端紫外光放射源を用いた半導体露光装置は、同図に示すように、キャピラリ放電等を利用した極端紫外光放射源１、反射面に多層膜が設けられた集光鏡２、反射型マスク３、投影光学系４、ウエハ５等を真空容器中に収納したものである。極端紫外光放射源
１から放出される極端紫外光を集光鏡２で集光して、反射型マスク３に照射し、マスク３の反射光を投影光学系４を介して、ウエハ５の表面に縮小投影する。２の集光鏡は熱膨張係数の小さいガラス基板の上にＳｉとＭｏの多層膜を形成した反射鏡を組合わせたものである。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、放射種Ｓｎを含む物質にＳｎＨ４を使用することで、ＳｎＨ４は融点が−１４６℃、沸点−５１．８℃であることから、常温では常に気体であり、加熱・励起部に高速でＳｎを供給することができる。そして、加熱・励起部を出たＳｎはＨ２と再結合をすることで蒸気圧の高い元のＳｎＨ４に戻るものが多く、デブリの発生が少ない。
【００５０】
本発明の極端紫外光放射源を使用した半導体露光装置とすることで、微細半導体の半導体露光に実使用される可能性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の極端紫外光放射源としてＺピンチ型の極端紫外光放射源の主要部を示した図である。
【図２】本発明の極端紫外光放射源としてレーザ照射型の極端紫外光放射源の主要部を示した図である。
【図３】本発明の極端紫外光放射源としてキャピラリ型の極端紫外光放射源の主要部を示した図である。
【図４】本発明の極端紫外光放射源としてレーザ照射型の極端紫外光放射源の主要部を示した図である。
【図５】本発明の極端紫外光放射源を用いて半導体露光装置を構成した場合の構成例を示す図である。
【符号の説明】
１  極端紫外光放射源
２  集光鏡
３  反射型マスク
４  投影光学系
５  ウエハ
６  ターゲットチャンバー
７  ターゲット
８  レンズ
１１  高圧側電極
１２  接地側電極
１１１  貫通孔
１２１  貫通孔
１３  キャピラリ構造体
１３１  キャピラリ
１４  Ｋｒガス導入口
１５  液体ＳｎＨ４導入口
１６  電気導入線
１７  電気導入線
１８  ノズル
２１  耐熱性ノズル
５１  放電容器
５２  円筒状電極
５３  円筒状電極
５４  高周波予備電離用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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