(57)【要約】【課題】本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、絶縁層１０１を形成し、該絶縁層に埋め込み配線（Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、クロム、パラジウム、ロジウム、錫、鉛またはこれらの合金など）１０４ａ、１０４ｂを形成し、さらに該絶縁層の表面を平坦化した後、露出する部分に金属保護膜（Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮなど）を形成し、この埋め込み配線を発光装置または液晶表示装置の各種配線（ゲート配線、ソース配線、電源供給線、コモン配線など）の一部に使用することによって配線の低抵抗化を図るものである。【選択図】　図１
2004004663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する第１の基板と透光性を有する第２の基板との間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、薄膜トランジスタを有する駆動回路とを有する発光装置であって、
前記画素部に配置されるゲート配線、ソース配線、または電源供給線は、埋め込み配線であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、前記埋め込み配線は、銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記埋め込み配線は、前記薄膜トランジスタの下層に設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、前記第２の基板に設けられたカラーフィルタと組み合わせたことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、前記第２の基板に設けられた色変換層または着色層と組み合わせたことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記発光装置は、ディスプレイ、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、またはパーソナルコンピュータであることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する第１の基板と透光性を有する第２の基板との間に、第１の電極と、第２の電極と、これらの電極に挟まれた液晶材料とを有する画素部と、薄膜トランジスタを有する駆動回路とを有する液晶表示装置であって、
前記画素部に配置されるゲート配線、またはソース配線は、埋め込み配線であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７において、前記埋め込み配線は、銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記埋め込み配線は、前記薄膜トランジスタの下層に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、前記液晶表示装置は、ディスプレイ、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、またはパーソナルコンピュータであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
絶縁表面上に導電性を有するエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、
前記エッチングストッパー層を覆う第１の絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁膜にエッチングを行い、前記エッチングストッパー層に達する開口を形成する第３の工程と、
シードを形成してメッキを行い、前記開口を覆う埋め込み配線を形成する第４の工程と、
平坦化処理を行う第５の工程と、
アルミニウムを含む第２の絶縁膜を形成する第６の工程と、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記第３の絶縁膜上に半導体層を形成する第８の工程と、
前記半導体層上に第４の絶縁膜を形成する第９の工程と、
前記第４の絶縁膜上にゲート電極を形成する第１０の工程と、
前記半導体層と接続する配線、および前記埋め込み配線と接続する配線を形成する第１１の工程と、
第１の電極を形成する第１２の工程と、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する第１３の工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記埋め込み配線は電源供給線であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、前記埋め込み配線は、銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面上に導電性を有するエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、
前記エッチングストッパー層を覆う第１の絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁膜にエッチングを行い、前記エッチングストッパー層に達する開口を形成する第３の工程と、
シードを形成してメッキを行い、前記開口を覆う埋め込み配線を形成する第４の工程と、
平坦化処理を行う第５の工程と、
アルミニウムを含む第２の絶縁膜を形成する第６の工程と、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記第３の絶縁膜上に半導体層を形成する第８の工程と、
前記半導体層上に第４の絶縁膜を形成する第９の工程と、
前記第４の絶縁膜上にゲート電極を形成する第１０の工程と、
前記半導体層と接続するソース配線、および前記埋め込み配線と前記ゲート電極とを接続する配線を形成する第１１の工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記埋め込み配線はゲート配線であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、前記埋め込み配線は、銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液晶表示装置に代表される電気光学装置やＯＬＥＤを有する発光装置を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子として開発が急がれている。
【０００４】
従来より、画像表示装置として液晶表示装置が知られている。パッシブ型の液晶表示装置に比べ高精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型の液晶表示装置が多く用いられるようになっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、マトリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に表示パターンが形成される。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加されることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、この光学変調が表示パターンとして観察者に認識される。
【０００５】
また、ＯＬＥＤを用いた発光装置にとって、ＴＦＴはアクティブマトリクス駆動方式を実現する上で、必須の素子となっている。従って、ＯＬＥＤを用いた発光装置は、少なくとも、スイッチング素子として機能するＴＦＴと、ＯＬＥＤに電流を供給するＴＦＴとが、各画素に設けられることになる。薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００６】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００７】
このような発光素子をマトリクス状に配置して形成された発光装置には、パッシブマトリクス駆動（単純マトリクス型）とアクティブマトリクス駆動（アクティブマトリクス型）といった駆動方法を用いることが可能である。しかし、画素密度が増えた場合には、画素（又は１ドット）毎にスイッチが設けられているアクティブマトリクス型の方が低電圧駆動できるので有利であると考えられている。
【０００８】
このようなアクティブマトリクス型の表示装置（代表的には液晶表示装置および発光表示装置）の用途は広がっており、画面サイズの大面積化とともに高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。また、同時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従来、上記ＴＦＴのゲート配線材料としてアルミニウムを用いてＴＦＴを作製した場合、熱処理によってヒロックやウィスカー等の突起物の形成や、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散により、ＴＦＴの動作不良やＴＦＴ特性の低下を引き起こしていた。そこで、熱処理に耐え得る金属材料、代表的には高い融点を有している金属元素を用いた場合、画面サイズが大面積化すると配線抵抗が高くなる等の問題が発生し、消費電力の増大等を引き起こしていた。
【００１０】
そこで、本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供することを課題としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため本発明は、絶縁層を形成し、該絶縁層に埋め込み配線（Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、クロム、パラジウム、ロジウム、錫、鉛またはこれらの合金など）を形成し、さらに該絶縁層の表面を平坦化した後、露出する部分に金属保護膜（Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮなど）を形成し、この埋め込み配線を発光装置または液晶表示装置の各種配線（ゲート配線、ソース配線、電源供給線、コモン配線など）の一部に使用することによって配線の低抵抗化を図るものである。本発明により、画面サイズが大面積化しても低消費電力を実現することができる。
【００１２】
本明細書で開示する発明の構成は、図１にその一例を示すように、
絶縁表面を有する第１の基板と透光性を有する第２の基板との間に、第１の電極と、該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に接する第２の電極とを有する発光素子を複数有する画素部と、薄膜トランジスタを有する駆動回路とを有する発光装置であって、
前記画素部に配置されるゲート配線、ソース配線、または電源供給線は、埋め込み配線であることを特徴とする発光装置である。
【００１３】
上記構成において、前記埋め込み配線は、メッキ処理可能な銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴としている。また、前記埋め込み配線は、前記薄膜トランジスタの下層に設けられる。
【００１４】
また、上記構成において、前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、前記第２の基板に設けられたカラーフィルタと組み合わせたことを特徴としている。或いは、前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、前記第２の基板に設けられた色変換層または着色層と組み合わせたことを特徴としている。
【００１５】
また、上記構造を実現するための発明の構成は、
絶縁表面上に導電性を有するエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、
前記エッチングストッパー層を覆う第１の絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁膜にエッチングを行い、前記エッチングストッパー層に達する開口を形成する第３の工程と、
シードを形成してメッキを行い、前記開口を覆う埋め込み配線を形成する第４の工程と、
平坦化処理を行う第５の工程と、
アルミニウムを含む第２の絶縁膜を形成する第６の工程と、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記第３の絶縁膜上に半導体層を形成する第８の工程と、
前記半導体層上に第４の絶縁膜を形成する第９の工程と、
前記第４の絶縁膜上にゲート電極を形成する第１０の工程と、
前記半導体層と接続する配線、および前記埋め込み配線と接続する配線を形成する第１１の工程と、
第１の電極を形成する第１２の工程と、
前記第１の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第２の電極を形成する第１３の工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
【００１６】
また、上記作製方法に関する構成において、前記埋め込み配線は電源供給線であることを特徴としている。
【００１７】
また、上記作製方法に関する構成において、前記埋め込み配線は、銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴としている。
【００１８】
また、上記各作製方法に関する構成において、エッチングストッパーそうをシードとしてメッキを行ってもよい。
【００１９】
また、他の発明の構成は、図１２に示すように、
絶縁表面を有する第１の基板と透光性を有する第２の基板との間に、第１の電極と、第２の電極と、これらの電極に挟まれた液晶材料とを有する画素部と、薄膜トランジスタを有する駆動回路とを有する液晶表示装置であって、
前記画素部に配置されるゲート配線、またはソース配線は、埋め込み配線であることを特徴とする液晶表示装置である。
【００２０】
また、上記構成において、前記埋め込み配線は、銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴としている。また、上記構成において、前記埋め込み配線は、前記薄膜トランジスタの下層に設けられる。
【００２１】
また、上記構造を実現するための発明の構成は、
絶縁表面上に導電性を有するエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、
前記エッチングストッパー層を覆う第１の絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁膜にエッチングを行い、前記エッチングストッパー層に達する開口を形成する第３の工程と、
シードを形成してメッキを行い、前記開口を覆う埋め込み配線を形成する第４の工程と、
平坦化処理を行う第５の工程と、
アルミニウムを含む第２の絶縁膜を形成する第６の工程と、
前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する第７の工程と、
前記第３の絶縁膜上に半導体層を形成する第８の工程と、
前記半導体層上に第４の絶縁膜を形成する第９の工程と、
前記第４の絶縁膜上にゲート電極を形成する第１０の工程と、
前記半導体層と接続するソース配線、および前記埋め込み配線と前記ゲート電極とを接続する配線を形成する第１１の工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
【００２２】
また、上記作製方法に関する構成において、前記埋め込み配線はゲート配線であることを特徴としている。また、上記作製方法に関する構成において、前記埋め込み配線は、銅、銀、金、またはこれらの合金であることを特徴としている。
【００２３】
なお、発光素子（ＥＬ素子）は、電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）が得られる有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と、陽極と、陰極とを有する。有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とがあるが、本発明により作製される発光装置は、どちらの発光を用いた場合にも適用可能である。
【００２４】
有機化合物を含む層は積層構造となっている。代表的には、陽極上に正孔輸送層／発光層／電子輸送層という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められている発光装置は殆どこの構造を採用している。また、他にも陽極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する構造も良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピングしても良い。また、これらの層は、全て低分子系の材料を用いて形成しても良いし、全て高分子系の材料を用いて形成しても良い。なお、本明細書において、陰極と陽極との間に設けられる全ての層を総称して有機化合物を含む層（ＥＬ層）という。したがって、上記正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層は、全てＥＬ層に含まれる。また、有機化合物を含む層（ＥＬ層）は、シリコンなどの無機材料をも含んでいてもよい。
【００２５】
また、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００２７】
ここでは、埋め込み配線とＴＦＴとを形成する例を図１に示す。
【００２８】
まず、絶縁表面を有する基板１００上にエッチングストッパー層１０２を形成する。エッチングストッパー層１０２としては、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＷＳｉＸ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、またはＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を用いればよい。このエッチングストッパー層１０２は、後に行う電解メッキ処理のシード層（メッキ法での陰極）にもすることができる。次いで、エッチングストッパー層１０２を覆う珪素を主成分とする絶縁膜１０１を形成する。（図１（Ａ））
【００２９】
次いで、パターニングを行い、絶縁膜１０１を選択的にエッチングして、エッチングストッパー層１０２に達する開口（溝）を形成する。次いで、第１のバリア層１０３を形成した後、電解メッキ処理を行って開口（溝）に十分な厚みの低抵抗金属膜を形成する。電解メッキ処理は、メッキ法により形成しようとする金属イオンを含む水溶液中に直流電流を流し、陰極面に金属膜を形成する方法である。メッキされる金属としては、電気抵抗が低い材料、例えば銅、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、白金、またはこれらの合金などを用いることができる。電解メッキ処理において形成される金属膜の膜厚は電流密度と時間とを制御することにより実施者が適宜設定することができる。銅の電気抵抗は非常に低いため、ここでは低抵抗金属膜として電解メッキが可能な銅（Ｃｕ）を用いる例を示す。なお、メッキを行う前にシードを形成することが望ましい。また、第１のバリア層１０３は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜中での拡散が速い銅の拡散防止層、即ちバリアメタルであり、比抵抗値が３００〜５００μΩｃｍ程度以下である金属材料（ＷＮＸ、ＴａＮＸ、ＴｉＳｉＸＮＹ、ＷＳｉＸＮＹ、ＴａＳｉＸＮＹなど）を用いることが好ましい。また、銅は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜との密着性が悪いため、密着性の良好な第１のバリア層１０３を形成することは有用である。
【００３０】
次いで、化学機械研磨法（以下、ＣＭＰ法と呼ぶ）などで代表される平坦化処理を行うことによって、開口（溝）だけに銅と第１のバリア層を残し、不要な部分を除去して埋め込み型の配線（以下、埋め込み配線と呼ぶ）１０４ａ、１０４ｂを形成する。（図１（Ｂ））
【００３１】
次いで、露出した銅の耐酸化性を高めるため、第２のバリア層１０６を形成する。また、第２のバリア層１０６は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜中での拡散が速い銅の拡散防止層としても有用であり、窒化珪素膜、または金属材料（ＴｉＮ、ＮｂＮ、ＷＮＸ、ＴａＮＸ、ＴｉＳｉＸＮＹ、ＷＳｉＸＮＹ、ＴａＳｉＸＮＹなど）を用いることが好ましい。また、銅は、酸化珪素を主成分とする絶縁膜との密着性が悪いため、密着性の良好な第２のバリア層１０６を形成することは有用である。
【００３２】
次いで、後に形成されるＴＦＴへの不純物拡散を防止する下地絶縁膜として、ＡｌＮＸＯＹで示される層１０７を形成する。ＡｌＮＸＯＹで示される層１０７は、ＡｌＮまたはＡｌからなるターゲットを用いたＲＦスパッタ法により、前記ガス導入系から酸素または窒素または希ガスを導入して成膜すればよい。ＡｌＮＸＯＹで示される層中に窒素を数ａｔｍ％以上、好ましくは２．５ａｔｍ％〜４７．５ａｔｍ％含む範囲であればよく、酸素を４７．５ａｔｍ％以下、好ましくは、０．０１〜２０ａｔｍ％未満であればよい。
【００３３】
次いで、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜の積層からなる下地絶縁膜１０８を形成する。ここでは下地絶縁膜１０８として２層構造を用いるが、前記絶縁膜の単層膜または２層以上積層させた構造を用いても良い。下地絶縁膜の一層目１０８ａとしては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ４、ＮＨ３、及びＮ２Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜を１０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）形成する。ここでは、膜厚５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝２７％、Ｎ＝２４％、Ｈ＝１７％）を形成する。次いで、下地絶縁膜のニ層目１０８ｂとしては、プラズマＣＶＤ法を用い、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜を５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さに積層形成する。ここでは、膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）を形成する。（図１（Ｃ））
【００３４】
次いで、下地膜上に半導体層を形成する。半導体層は、非晶質構造を有する半導体膜を公知の手段（スパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法等）により成膜した後、公知の結晶化処理（レーザー結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの触媒を用いた熱結晶化法等）を行って得られた結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして形成する。この半導体層の厚さは２５〜８０ｎｍ（好ましくは３０〜６０ｎｍ）の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム合金などで形成すると良い。
【００３５】
また、レーザー結晶化法で結晶質半導体膜を作製する場合には、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザーやＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザーを用いることができる。これらのレーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密度を１００〜４００ｍＪ／ｃｍ２（代表的には２００〜３００ｍＪ／ｃｍ２）とする。また、ＹＡＧレーザーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３００〜６００ｍＪ／ｃｍ２（代表的には３５０〜５００ｍＪ／ｃｍ２）とすると良い。そして幅１００〜１０００μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％として行えばよい。
【００３６】
次いで、半導体層の表面をフッ酸を含むエッチャントで洗浄し、半導体層を覆うゲート絶縁膜１０９を形成する。ゲート絶縁膜１０９はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚さを４０〜１５０ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、プラズマＣＶＤ法により１１５ｎｍの厚さで酸化窒化シリコン膜（組成比Ｓｉ＝３２％、Ｏ＝５９％、Ｎ＝７％、Ｈ＝２％）で形成する。勿論、ゲート絶縁膜は酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。
【００３７】
次いで、ゲート絶縁膜１０９の表面を洗浄した後、ゲート電極１１０または接続電極を形成する。また、ゲート電極１１０を形成する前に、埋め込み配線１０４ａ、１０４ｂに達するコンタクトホールを形成して埋め込み配線１０４ｂに接するゲート電極１１０、または埋め込み配線１０４ａに接する接続電極を形成して電気的な接続を行う。
【００３８】
次いで、半導体にｐ型を付与する不純物元素（Ｂなど）、ここではボロンを適宜添加して、ソース領域１１１及びドレイン領域１１２を形成する。添加した後、不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。また、活性化と同時にゲート絶縁膜へのプラズマダメージやゲート絶縁膜と半導体層との界面へのプラズマダメージを回復することができる。特に、室温〜３００℃の雰囲気中において、表面または裏面からＹＡＧレーザーの第２高調波を照射して不純物元素を活性化させることは非常に有効である。ＹＡＧレーザーはメンテナンスが少ないため好ましい活性化手段である。
【００３９】
以降の工程は、有機材料または無機材料からなる層間絶縁膜１１３を形成し、水素化を行った後、ソース領域、ドレイン領域、または接続電極に達するコンタクトホールを形成する。次いで、ソース電極（配線）１１５、ドレイン電極１１４を形成して埋め込み配線を有するＴＦＴ（ｐチャネル型ＴＦＴ）を完成させる。（図１（Ｅ））ここではゲート電極と同時に形成される接続電極を介して埋め込み配線とドレイン電極１１４との接続を行った例を示したが、接続電極を用いずに埋め込み配線に達するコンタクトホールを形成した後、ドレイン電極を形成してもよい。
【００４０】
以上の工程により得られる埋め込み配線１０４ａ、１０４ｂを有するＴＦＴは、様々な半導体装置、例えば、図２に示すような発光装置のＴＦＴ（電流制御用ＴＦＴ）や図１２に示すような液晶表示装置の画素ＴＦＴに用いることができる。
【００４１】
なお、ここでは、ゲート電極と接続している埋め込み配線１０４ｂと、ドレイン電極に接続している埋め込み配線１０４ａとを図示したが特に限定されず、様々な配線、例えばソース配線、引き出し配線、電源供給線、容量配線などに用いて配線の低抵抗化を図ることができる。
【００４２】
また、本発明は図１（Ｅ）のＴＦＴ構造に限定されず、必要があればチャネル形成領域とドレイン領域（またはソース領域）との間にＬＤＤ領域を有する低濃度ドレイン（ＬＤＤ：Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造としてもよい。この構造はチャネル形成領域と、高濃度に不純物元素を添加して形成するソース領域またはドレイン領域との間に低濃度に不純物元素を添加した領域を設けたものであり、この領域をＬＤＤ領域と呼んでいる。さらにゲート絶縁膜を介してＬＤＤ領域をゲート電極と重ねて配置させた、いわゆるＧＯＬＤ（Ｇａｔｅ−ｄｒａｉｎ　Ｏｖｅｒｌａｐｐｅｄ　ＬＤＤ）構造としてもよい。
【００４３】
また、ここではｐチャネル型ＴＦＴを用いて説明したが、ｐ型不純物元素に代えてｎ型不純物元素（Ｐ、Ａｓ等）を用いることによってｐチャネル型ＴＦＴを形成することができることは言うまでもない。
【００４４】
また、ここではトップゲート型ＴＦＴを例として説明したが、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えばボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや順スタガ型ＴＦＴに適用することが可能である。
【００４５】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行うこととする。
【００４６】
（実施例）
［実施例１］
本実施例では、発光装置の電源供給線の主要部を埋め込み配線とする例を図３〜図６に示す。
【００４７】
まず、上記実施の形態に従って、絶縁表面を有する基板上にエッチングストッパー層、該エッチングストッパー層を覆う珪素を主成分とする絶縁膜を形成し、該絶縁膜を選択的にエッチングして、エッチングストッパー層に達する開口（溝）を形成し、第１のバリア層を形成した後、電解メッキ処理を行って開口（溝）に十分な厚みの低抵抗金属膜を形成する。次いで、化学機械研磨法（以下、ＣＭＰ法と呼ぶ）などで代表される平坦化処理を行い、開口（溝）だけに銅と第１のバリア層を残し、不要な部分を除去して埋め込み型の配線を形成する。この段階での上面図が図３に示した図であり、点線ｘ−ｘ’で切断した断面図が図１（Ｃ）に相当する。図３において、１２は画素部、１３はソース側駆動回路、１４、１５はゲート側駆動回路が配置される領域を示している。図３に示すように、電源供給線１６の端部には電解メッキ処理を行う際に外部電源から電流を流すための接続電極パッドが基板の角に設けられている。なお、本実施例では、単色の発光素子をマトリクス状に配置する例とするため、電源供給線１６は各画素に共通とし、全て導電位となるようにパターンが繋げられている。
【００４８】
なお、簡略化のために電源供給線１６は８本しか示していないが、実際は、ｍ×ｎ（ｍ行ｎ列）個の画素数を有している場合、電源供給線は、ｍ本、もしくは電解メッキの均一性を上げるための予備配線を１、２本追加した本数となる。
【００４９】
次いで、露出した銅の耐酸化性を高めるため、第２のバリア層を形成し、さらに下地絶縁膜として、ＡｌＮＸＯＹで示される層を形成した後、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜の積層からなる下地絶縁膜を形成する。次いで、結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして半導体層を形成し、該半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成する。
【００５０】
次いで、埋め込み配線に達するコンタクトホールを形成した後、ゲート絶縁膜上にゲート配線、端子電極、および引き回し電極を形成する。この引き回し電極は、ソース側駆動回路１３と画素部１２との間に設け、後に形成するソース配線が引き回し配線（発光素子の陰極または陽極と接続する配線）１７と重ならないように配置する電極である。また、端子電極は基板の端部に複数設け、そのうちのいくつかは埋め込み配線である電源供給線と接続させる。この段階での上面図が図４に示した図である。
【００５１】
次いで、半導体にｐ型を付与する不純物元素（Ｂなど）またはｎ型を付与する不純物元素（Ｐ、Ａｓ等）を適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成する。次いで、添加した不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。次いで、層間絶縁膜を形成し、水素化を行った後、ソース領域、ドレイン領域、引き回し電極、端子電極、または埋め込み配線に達するコンタクトホールを形成する。
【００５２】
次いで、ソース電極（配線）、ドレイン電極、または接続電極を形成して各種ＴＦＴを完成させる。以上の工程が終了した段階で、画素部１２においては、ソース領域と電源供給線とが電気的に接続され、ドレイン領域と接する接続電極（ここでは図示しない）が形成される。また、駆動回路においては、ソース領域に接するソース電極（配線）、ドレイン領域に接するドレイン電極が形成される。また、端子部においては、ある端子電極と接するソース配線、他の端子電極と接する引き回し配線（発光素子の陰極または陽極と接続する配線）１７が形成される。また、駆動回路と画素部の間には、引き回し配線（発光素子の陰極または陽極と接続する配線）１７が設けられる。この段階での上面図が図５に示した図である。
【００５３】
次いで、画素部において、ドレイン領域と接する接続電極に接する第１の電極１９をマトリクス状に配置する。この第１の電極１９は、発光素子の陽極、或いは陰極となる。次いで、第１の電極１９の端部を覆う絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。次いで、画素部に有機化合物を含む層１０を形成し、その上に第２の電極１１を形成して発光素子を完成させる。この第２の電極１１は、発光素子の陰極、或いは陽極となる。なお、画素部とソース側駆動回路の間の領域で第２の電極１１が、引き回し配線１７と接して電気的接続させる。
【００５４】
次いで、シール材３１で基板と封止材（ここでは透光性を有する基板）３０とを貼り合せる。この段階での上面図が図６に示した図である。さらに、外気を遮断するため、第２の電極１１上に窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、またはＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜からなる保護膜を形成してもよい。最後に、端子電極に外部回路と接続するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）を貼り付ける。
【００５５】
以上の工程でアクティブマトリクス型発光装置が完成する。
【００５６】
なお、ＴＦＴを有するアクティブマトリクス型発光装置は、光の放射方向で２通りの構造が考えられる。一つは、発光素子からの発光が第２の電極を透過して放射されて観測者の目に入る構造である。この場合、観測者は第２の電極側から画像を認識することができる。もう一つは、発光素子からの発光が第１の電極および基板を透過して放射されて観測者の目に入る構造である。
【００５７】
図２（Ａ）に示すように発光素子からの発光が第２の電極を透過して放射されて観測者の目に入る構造とする場合、第２の電極１１（図２（Ａ）における電極１１９）は透光性を有する材料を用いることが望ましい。
【００５８】
例えば、第１の電極１９（図２（Ａ）における電極１１７）を陽極とする場合、第１の電極１９の材料として、仕事関数の大きい金属（Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ）を用い、端部を絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１１６で覆った後、正孔注入層として作用するポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を全面に塗布、焼成した後、発光層として作用する発光中心色素（１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン（ＴＰＢ）、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノ−スチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ１）、ナイルレッド、クマリン６など）ドープしたポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）溶液を全面に塗布、焼成した後、仕事関数の小さい金属（Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｓ）を含む薄膜と、その上に積層した透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層からなる第２の電極１１（図２（Ａ）における電極１１９）を陰極として形成すればよい。なお、図２（Ａ）においては、陰極の低抵抗化を図るため、絶縁物１１６上に補助電極１２０を設けている。こうして得られる発光素子は、白色発光を示す。なお、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳは溶媒に水を用いており、有機溶剤には溶けない。従って、ＰＶＫをその上から塗布する場合にも、再溶解する心配はない。また、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとＰＶＫは溶媒が異なるため、成膜室は同一のものを使用しないことが好ましい。なお、ここでは塗布により有機化合物を含む層１０（図２（Ａ）における１１８）を形成した例を示したが、特に限定されず、蒸着法により形成してもよい。
【００５９】
また、上記例では図７（Ｂ）に示すように有機化合物層を積層とした例を示したが図７（Ａ）に示すように有機化合物層を単層とすることもできる。例えば、ホール輸送性のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に電子輸送性の１，３，４−オキサジアゾール誘導体（ＰＢＤ）を分散させてもよい。また、３０ｗｔ％のＰＢＤを電子輸送剤として分散し、４種類の色素（ＴＰＢ、クマリン６、ＤＣＭ１、ナイルレッド）を適当量分散することで白色発光が得られる。また、図７（Ｃ）に示すように有機化合物層として高分子材料からなる層と、低分子材料からなる層とを積層してもよい。
【００６０】
なお、有機化合物膜は、陽極と陰極の間に形成されており、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子が有機化合物膜において再結合することにより、有機化合物膜において、白色発光が得られる。
【００６１】
また、赤色発光する有機化合物膜や緑色発光する有機化合物膜や青色発光する有機化合物膜を適宜選択し、重ねて混色させることによって全体として白色発光を得ることも可能である。
【００６２】
白色発光を示す発光素子を形成し、フルカラー表示とするには様々な方法がある。例えば、図８（Ａ）に示すように、得られた白色発光をカラーフィルターに通すことで赤、緑、青の発光を得るという方式（以下、カラーフィルター法とよぶ）がある。
【００６３】
上記有機化合物膜が白色発光する方向に赤色発光以外を吸収する着色層（Ｒ）、緑色発光以外を吸収する着色層（Ｇ）、青色発光以外を吸収する着色層（Ｂ）をそれぞれ設けたカラーフィルタを形成することにより、発光素子からの白色発光をそれぞれ分離して、赤色発光、緑色発光、青色発光として得ることができる。また、アクティブマトリクス型の場合には、基板とカラーフィルターの間にＴＦＴが形成される構造となる。また、カラーフィルターにおいて各着色層の間には遮光層が設けられており、大画面化する場合には、この遮光層に乾燥剤を含ませることが好ましい。
【００６４】
また、着色層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）には、最も単純なストライプパターンをはじめとして、斜めモザイク配列、三角モザイク配列、ＲＧＢＧ四画素配列、もしくはＲＧＢＷ四画素配列などを用いることができる。
【００６５】
白色光源（Ｄ６５）を用いて各着色層の透過率と波長との関係の一例を図９に示した。カラーフィルターを構成する着色層は、顔料を分散した有機感光材料からなるカラーレジストを用いて形成される。また、白色発光とカラーフィルタを組み合わせた場合の色再現範囲を色度座標として図１０に示す。なお、白色発光の色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．３４、０．３５）である。図１０よりフルカラーとしての色再現性は十分確保されていることが分かる。
【００６６】
なお、この場合には、得られる発光色が異なっていても、すべて白色発光を示す有機化合物膜で形成されていることから、発光色ごとに有機化合物膜を塗り分けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円偏光板も特に必要ないものとすることができる。
【００６７】
次に青色発光性の有機化合物膜を有する青色発光素子と蛍光性の色変換層を組み合わせることにより実現されるＣＣＭ法（ｃｏｌｏｒ　ｃｈａｎｇｉｎｇ　ｍｅｄｉｕｍｓ）について図８（Ｂ）により説明する。
【００６８】
ＣＣＭ法は、青色発光素子から出射された青色発光で蛍光性の色変換層を励起し、それぞれの色変換層で色変換を行う。具体的には色変換層で青色から赤色への変換（Ｂ→Ｒ）、色変換層で青色から緑色への変換（Ｂ→Ｇ）、色変換層で青色から青色への変換（Ｂ→Ｂ）（なお、青色から青色への変換は行わなくても良い。）を行い、赤色、緑色及び青色の発光を得るというものである。ＣＣＭ法の場合にも、アクティブマトリクス型の場合には、基板と色変換層の間にＴＦＴが形成される構造となる。
【００６９】
なお、この場合にも有機化合物膜を塗り分けて形成する必要がない。また、鏡面反射を防ぐ円偏光板も特に必要ないものとすることができる。
【００７０】
また、ＣＣＭ法を用いる場合には、色変換層が蛍光性であるため外光により励起され、コントラストを低下させる問題があるので、図８（Ｃ）に示したようにカラーフィルターを装着するなどしてコントラストを上げるようにすると良い。
【００７１】
ここで、アクティブマトリクス型発光装置全体の外観図について図１１に説明する。なお、図１１（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された９０１はソース信号線駆動回路、９０２は画素部、９０３はゲート信号線駆動回路である。また、９０４は封止基板、９０５はシール剤であり、シール剤９０５で囲まれた内側は、空間９０７になっている。
【００７２】
なお、９０８はソース信号線駆動回路９０１及びゲート信号線駆動回路９０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）９０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【００７３】
次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。基板９１０上には駆動回路及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路としてソース信号線駆動回路９０１と画素部９０２が示されている。
【００７４】
なお、ソース信号線駆動回路９０１はｎチャネル型ＴＦＴ９２３とｐチャネル型ＴＦＴ９２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【００７５】
また、画素部９０２はスイッチング用ＴＦＴ９１１と、電流制御用ＴＦＴ９１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極（陽極）９１３を含む複数の画素により形成される。電流制御用ＴＦＴ９１２のソースには、埋め込み配線９３０が電気的に接続されている。
【００７６】
また、第１の電極（陽極）９１３の両端には絶縁層９１４が形成され、第１の電極（陽極）９１３上には有機化合物を含む層９１５が形成される。さらに、有機化合物を含む層９１５上には第２の電極（陰極）９１６が形成される。これにより、第１の電極（陽極）９１２、有機化合物を含む層９１５、及び第２の電極（陰極）９１６からなる発光素子９１８が形成される。ここでは発光素子９１８は白色発光とする例であるので着色層９３１とＢＭ９３２からなるカラーフィルター（簡略化のため、ここではオーバーコート層は図示しない）が設けている。
【００７７】
第２の電極（陰極）９１６は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線９０８を経由してＦＰＣ９０９に電気的に接続されている。また、絶縁層９１４上には第３の電極（補助電極）が形成されており、第２の電極の低抵抗化を実現している。
【００７８】
また、基板９１０上に形成された発光素子９１８を封止するためにシール剤９０５により封止基板９０４を貼り合わせる。なお、封止基板９０４と発光素子９１８との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、シール剤９０５の内側の空間９０７には窒素等の不活性気体が充填されている。なお、シール剤９０５としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、シール剤９０５はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、空間９０７の内部に酸素や水を吸収する効果をもつ物質を含有させても良い。
【００７９】
また、本実施例では封止基板９０４を構成する材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ　Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、シール剤９０５を用いて封止基板９０４を接着した後、さらに側面（露呈面）を覆うようにシール剤で封止することも可能である。
【００８０】
以上のようにして発光素子を空間９０７に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素といった有機化合物層の劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置を得ることができる。
【００８１】
一方、図２（Ｂ）に示すように発光素子からの発光が第１の電極および基板を透過して放射されて観測者の目に入る構造とする場合、第１の電極１９（図２（Ａ）における電極１１７）は透光性を有する材料を用いることが望ましい。
【００８２】
例えば、第１の電極１９（図２（Ｂ）における電極１１７）を陽極とする場合、第１の電極１９の材料として、透明導電膜（ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）を用い、端部を絶縁物（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）１１６で覆った後、有機化合物を含む層１１８を形成し、その上に金属膜（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、ＣａＮなどの合金、または周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜）からなる第２の電極１１（図２（Ｂ）における電極１１９）を陰極として形成すればよい。陰極形成の際には蒸着による抵抗加熱法を用い、蒸着マスクを用いて選択的に形成すればよい。
【００８３】
また、本実施例は実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００８４】
［実施例２］
ここでは液晶表示装置のゲート配線の主要部を埋め込み配線とする例を図１２、図１３に示す。
【００８５】
まず、上記実施の形態に従って、絶縁表面を有する基板上にエッチングストッパー層、該エッチングストッパー層を覆う珪素を主成分とする絶縁膜を形成し、該絶縁膜を選択的にエッチングして、エッチングストッパー層に達する開口（溝）を形成し、第１のバリア層を形成した後、電解メッキ処理を行って開口（溝）に十分な厚みの低抵抗金属膜を形成する。次いで、化学機械研磨法（以下、ＣＭＰ法と呼ぶ）などで代表される平坦化処理を行い、開口（溝）だけに銅と第１のバリア層を残し、不要な部分を除去して埋め込み型の配線を形成する。
【００８６】
次いで、露出した銅の耐酸化性を高めるため、第２のバリア層を形成し、さらに下地絶縁膜として、ＡｌＮＸＯＹで示される層を形成した後、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶縁膜の積層からなる下地絶縁膜を形成する。次いで、結晶質半導体膜を所望の形状にパターニングして半導体層を形成し、該半導体層を覆うゲート絶縁膜を形成する。
【００８７】
次いで、埋め込み配線に達するコンタクトホールを形成した後、ゲート絶縁膜上にゲート電極、端子電極を形成する。なお、ゲート電極は、埋め込み配線と接続されてゲート配線の低抵抗化が実現する。また、端子電極は基板の端部に複数設ける。
【００８８】
次いで、半導体にｐ型を付与する不純物元素（Ｂなど）またはｎ型を付与する不純物元素（Ｐ、Ａｓ等）を適宜添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成する。次いで、添加した不純物元素を活性化するために加熱処理、強光の照射、またはレーザー光の照射を行う。次いで、層間絶縁膜を形成し、水素化を行った後、ソース領域、ドレイン領域、端子電極に達するコンタクトホールを形成する。
【００８９】
次いで、ソース電極（配線）５５、またはドレイン電極を形成して各種ＴＦＴを完成させる。以上の工程が終了した段階で、画素部５２においては、それぞれドレイン領域とドレイン電極とが電気的に接続され、ソース領域とソース電極（配線）とが電気的に接続される。また、駆動回路においては、ソース領域に接するソース電極（配線）、ドレイン領域に接するドレイン電極が形成される。また、端子部においては、ある端子電極と接するソース配線が形成される。次いで、画素部において、ドレイン領域と接する接続電極に接する画素電極５９をマトリクス状に配置する。この段階での上面図が図１３に示した図である。図１３において、５２は画素部、５３はソース側駆動回路、５４はゲート側駆動回路が配置される領域を示している。図１３に示すように、ゲート配線５６の端部には電解メッキ処理を行う際に外部電源から電流を流すための接続電極パッドが基板の端面近傍に設けられている。なお、本実施例では、ゲート配線５６と同じ本数に対応する接続電極パッドを設けている。また、ゲート配線を全て導電位となるようにパターンを繋げてメッキ処理を行った後、分断して個々のゲート配線を形成してもよい。
【００９０】
次いで、配向膜６２ａを形成した後、ラビング処理を行う。次いで、シール材（図示しない）で基板と対向基板６０とを貼り合せ、基板間に液晶材料６３を注入した後、封止する。対向基板６０には予め、透明導電膜からなる対向電極６１と、ラビング処理が行われた配向膜６２ｂとが設けられている。最後に、端子電極に外部回路と接続するためのＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）を貼り付け、さらに偏光板やカラーフィルターを設ける。
【００９１】
以上の工程でアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
【００９２】
なお、ＴＦＴを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、３通りの構造（透過型、反射型、半透過型）が考えられる。画素電極を透明導電膜とし、バックライトを設ける透過型と、画素電極を反射金属膜とし、外光を反射させる反射型と、画素電極の一部を透明導電膜とし、その他の部分を反射金属膜として適宜切り替えを行う半透過型とがあるが、本発明は、いずれの構造に適用することができる。
【００９３】
また、本実施例は実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【００９４】
［実施例３］
本発明を実施して形成された駆動回路や画素部は様々なモジュール（アクティブマトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＣモジュール）を完成させることができる。即ち、本発明により、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てを完成させることができる。
【００９５】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１４、図１５に示す。
【００９６】
図１４（Ａ）はパーソナルコンピュータであり、本体２００１、画像入力部２００２、表示部２００３、キーボード２００４等を含む。
【００９７】
図１４（Ｂ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示部２２０５等を含む。
【００９８】
図１４（Ｃ）はプログラムを記録した記録媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであり、本体２４０１、表示部２４０２、スピーカ部２４０３、記録媒体２４０４、操作スイッチ２４０５等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【００９９】
図１５（Ａ）は携帯書籍（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
【０１００】
図１５（Ｂ）はディスプレイであり、本体３１０１、支持台３１０２、表示部３１０３等を含む。本発明は対角が１０〜５０インチの表示部３１０３を完成させることができる。
【０１０１】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器を完成させることが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態、実施例１、実施例２のどのような組み合わせからなる構成を用いても実現することができる。
【０１０２】
【発明の効果】
本発明により、アクティブマトリクス型の発光表示装置や液晶表示装置に代表される半導体装置において、画素部の面積が大きくなり大画面化しても良好な表示を実現することができる。画素部の配線の抵抗を大幅に低下させることができるため、例えば、対角４０インチや対角５０インチの大画面にも本発明は対応しうる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の工程を示す断面図。（実施の形態）
【図２】本発明の発光素子の断面を示す図。（実施例１）
【図３】発光装置の作製過程における上面図を示す図。（実施例１）
【図４】発光装置の作製過程における上面図を示す図。（実施例１）
【図５】発光装置の作製過程における上面図を示す図。（実施例１）
【図６】発光装置の作製過程における上面図を示す図。（実施例１）
【図７】発光素子の積層構造を示す図。（実施例１）
【図８】白色発光を用いてフルカラー化する場合の模式図である。（実施例１）
【図９】着色層の透過率を示す図。（実施例１）
【図１０】色度座標を示す図。（実施例１）
【図１１】アクティブ型表示装置の断面図および上面図。（実施例１）
【図１２】液晶表示装置の断面図を示す図。（実施例２）
【図１３】液晶表示装置の作製過程における上面図を示す図。（実施例２）
【図１４】電子機器の一例を示す図。
【図１５】電子機器の一例を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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