(57)【要約】【課題】優れた耐食性、高い反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性の特性を有する銀合金、スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有するものである。前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。また、本発明に係るスパッタリングターゲットは前記銀合金からなる。前記スパッタリングターゲットは、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板又は反射配線電極を製造するものであることも可能である。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、金、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項２】
高反射率の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、金、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項３】
電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、金、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項４】
優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、金、亜鉛、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム及びスズからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか１項記載の銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする銀合金。
【請求項６】
優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
亜鉛、ニッケル、錫及びインジウムからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銅、金、アルミニウム、ガリウム、ケイ素、及びゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項７】
高反射率の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
亜鉛、ニッケル、錫及びインジウムからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銅、金、アルミニウム、ガリウム、ケイ素、及びゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項８】
電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
亜鉛、ニッケル、錫及びインジウムからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銅、金、アルミニウム、ガリウム、ケイ素、及びゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項９】
優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、
亜鉛、ニッケル、錫及びインジウムからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、
チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銅、金、アルミニウム、ガリウム、ケイ素、及びゲルマニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１０】
請求項６〜９のうちいずれか１項記載の銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする銀合金。
【請求項１１】
優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、銅を０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、更にパラジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１２】
高反射率の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、銅を０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、更にパラジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１３】
電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、銅を０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、更にパラジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１４】
優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、銅を０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、更にパラジウムを０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１５】
優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を３．０原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、銅を０．３原子パーセント以上１．７原子パーセント以下含有し、更にパラジウムを０．２原子パーセント以上３．０原子パーセント以下含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１６】
優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、銅を０．１原子パーセント以上含有し、更にパラジウムを０．２原子パーセント以上含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１７】
優れた耐熱性及び耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を３．０原子パーセント以上８．０原子パーセント以下含有し、銅を０．３原子パーセント以上１．７原子パーセント以下含有し、更にパラジウムを０．２原子パーセント以上含有することを特徴とする銀合金。
【請求項１８】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１９】
請求項１８に記載のスパッタリングターゲットは、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板又は反射配線電極を製造するものであることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２０】
反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板であって、請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とする反射型ＬＣＤ用反射板。
【請求項２１】
反射光を高反射率化し且つ反射光の黄色化を抑制した反射配線電極であって、請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とする反射配線電極。
【請求項２２】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とする薄膜。
【請求項２３】
請求項１８に記載のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を製造することを特徴とする薄膜の製造方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載の薄膜を有することを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２５】
半透明反射膜を有する情報層と反射膜を有する情報層が合わせて２層以上積層され、共通の方向からの光照射によって、情報の記録若しくは再生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体であって、前記半透明反射膜が請求項２２に記載の薄膜からなることを特徴とする光学記録媒体。
【請求項２６】
エラストマー材料からなる基板と、この基板上に形成された電磁波遮蔽膜と、を備えた電磁波遮蔽体であって、前記電磁波遮蔽膜が請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とする電磁波遮蔽体。
【請求項２７】
プラストマー材料からなる基板と、この基板上に形成された電磁波遮蔽膜と、を備えた電磁波遮蔽体であって、前記電磁波遮蔽膜が請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とする電磁波遮蔽体。
【請求項２８】
前記電磁波遮蔽膜が１の膜又は複数の膜からなることを特徴とする請求項２６又は２７に記載の電磁波遮蔽体。
【請求項２９】
前記電磁波遮蔽膜は、請求項１８に記載の銀合金からなるスパッタリングターゲット材料を用いたスパッタリング法により基板上に成膜して形成されたことを特徴とする請求項２６〜２８のうちいずれか１項記載の電磁波遮蔽体。
【請求項３０】
請求項２６〜２９のうちいずれか１項記載の電磁波遮蔽体は、電磁波遮蔽膜上に形成された耐食性、耐候性及び耐摩耗性に優れた保護膜をさらに含むことを特徴とする電磁波遮蔽体。
【請求項３１】
請求項２６〜３０のうちいずれか１項記載の電磁波遮蔽体は、基板と電磁波遮蔽膜との間に配置された密着性を助長する下地膜をさらに含むことを特徴とする電磁波遮蔽体。
【請求項３２】
前記下地膜が、インジウム・錫酸化物、酸化イリジウム、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化チタン、五酸化タンタル、酸化ジルコニウム、ケイ素、タンタル、チタン、モリブデン、クロム、アルミニウムからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることを特徴とする請求項３１に記載の電磁波遮蔽体。
【請求項３３】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とする電子部品用金属材料。
【請求項３４】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなることを特徴とする配線材料。
【請求項３５】
請求項３３に記載の電子部品用金属材料を電極材料として用いることを特徴とする電子部品用金属材料。
【請求項３６】
請求項３３に記載の電子部品用金属材料を接点材料として用いることを特徴とする電子部品用金属材料。
【請求項３７】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金により形成された配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも一つを有することを特徴とする電子部品。
【請求項３８】
前記配線パターン、電極及び接点それぞれは、溶液によるエッチングにより形成されものであることを特徴とする請求項３７に記載の電子部品。
【請求項３９】
前記配線パターン、電極及び接点それぞれは、ガス雰囲気中でのエッチングにより形成されたものであることを特徴とする請求項３４に記載の電子部品。
【請求項４０】
前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、３００℃以上７５０℃以下の温度範囲により加熱処理されて形成されたものであることを特徴とする請求項３７に記載の電子部品。
【請求項４１】
前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、タングステン、タンタル、モリブデン、酸化インジウム、酸化錫、窒化チタン、二酸化ケイ素、窒化シリコン、酸化チタン、酸化ニオブの何れか１種類もしくは複数で混合されて形成された下地の上に形成されたものであることを特徴とする請求項３７に記載の電子部品。
【請求項４２】
前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、ガラス又はプラストマー材料の基板上に直接形成されたものであることを特徴とする請求項３６に記載の電子部品。
【請求項４３】
請求項３７〜４２のうちいずれか１項記載の電子部品を用いて構成されることを特徴とする電子機器。
【請求項４４】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなる金属膜を用いて配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする金属膜の加工方法。
【請求項４５】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなる金属膜を３００℃以上７５０℃以下の温度範囲で加熱処理することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする金属膜の加工方法。
【請求項４６】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなる金属膜を、タングステン、タンタル、モリブデン、インジウム・錫酸化物、窒化チタン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素の何れかによる下地の上に形成することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする金属膜の加工方法。
【請求項４７】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金からなる金属膜をガラス又はプラストマー材料の基板上に直接形成することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする金属膜の加工方法。
【請求項４８】
請求項１〜１７のうちいずれか１項記載の銀合金により形成された反射膜、配線パターン及び電極のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする電子光学部品。
【請求項４９】
少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする積層体。
【請求項５０】
前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項４９に記載の積層体。
【請求項５１】
少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする積層体。
【請求項５２】
前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項５１に記載の積層体。
【請求項５３】
少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする積層体。
【請求項５４】
基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする積層体。
【請求項５５】
前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項５４に記載の積層体。
【請求項５６】
基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする積層体。
【請求項５７】
前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項５６に記載の積層体。
【請求項５８】
基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする積層体。
【請求項５９】
前記基板が樹脂基板又はガラス基板であることを特徴とする請求項５４〜５８のうちいずれか１項記載の積層体。
【請求項６０】
前記基板と前記高耐熱性反射膜との間に配置された、密着性を助長する下地膜をさらに含むことを特徴とする請求項５４〜５９のうちいずれか１項記載の積層体。
【請求項６１】
前記下地膜が、インジウム・錫酸化物、酸化イリジウム、酸化亜鉛、二酸化ケイ素、酸化チタン、五酸化タンタル、酸化ジルコニウム、ケイ素、タンタル、チタン、モリブデン、クロム、アルミニウムからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることを特徴とする請求項６０に記載の積層体。
【請求項６２】
基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする建材ガラス。
【請求項６３】
前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項６２に記載の建材ガラス。
【請求項６４】
基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする建材ガラス。
【請求項６５】
前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１原子パーセント以上８．０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項６４に記載の建材ガラス。
【請求項６６】
基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする建材ガラス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性の特性を有する銀合金、スパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の反射型液晶表示パネルにおいては、液晶セルの透過光を反射する高反射率層が必要とされ、このような高反射率層に、または配線パターン、電極とで高反射率層を兼用するようにしてこれらの部品に、純アルミニウム（以下、Ａｌ）、Ａｌを主成分とする合金、純銀（以下、Ａｇ）、Ａｇを主成分とする合金、金（以下、Ａｕ）等が用いられている。
【０００３】
また、光源からの光を反射させて、バックライトとして有効利用するための光学部材である反射型ＬＣＤ用反射板として、従来は純Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金が用いられている。
【０００４】
しかしながら、前記従来の反射型液晶表示パネルにおいて純Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金を用いると、反射型ＬＣＤ用反射板の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することがある。これにより、反射特性が劣化し、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化の問題が発生する。
【０００５】
次に、従来の光学記録媒体について説明する。
ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ　Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　ＶｅｒｓａｔｉｌｅＤｉｓｃ）等の光ディスク、または、ＭＤ（Ｍｉｎｉ　Ｄｉｓｃ）やＭＯ（ＭａｇｎｅｔｏＯｐｔｉｃａｌＤｉｓｃ）等の光磁気ディスク、あるいは相変化型光ディスク等の書換え可能な光学記録媒体、これら光学記録媒体に適用する反射膜の材料としては、ＡｌやＡｌ合金が一般的に知られている。
【０００６】
このＡｌやＡｌ合金は、前記の種々の光学記録媒体において、記録情報の再生を行う際に、特定光学波長領域中で、一定以上の反射率が得られ、かつ、熱伝導特性に優れている。
【０００７】
また、光学記録媒体に形成されている微細凹凸の溝に対して、安定した被覆性を得られ、さらに、光学記録媒体製品となった場合に、空気中に含有されている非金属元素に対する耐候性にも優れていて、長期間に渡って経時変化が極めて少ないという利点を有する。
【０００８】
しかしながら、ＡｌあるいはＡｌ合金により形成した薄膜の反射率は、例えば波長が８００ｎｍである光に対しては、８０％程度であり、光学記録媒体の用途によっては、いまだ充分な反射率が得られているとはいえない。
【０００９】
次に、他の従来の光学記録媒体について説明する。
ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ　Ｄｉｓｃ）などに見られる光ディスクは、厚さが０．６ｍｍの透明プラストマー基板２枚を、これら基板に形成された凹凸のピットからなる情報層がその接着面となるように貼り合わされることにより作製されている。いくつかの種類がある再生専用ＤＶＤの中には、前記２枚の基板にそれぞれ異なる情報があらかじめ記憶されている、いわゆる２層ディスクと呼ばれるタイプのディスクがある。
【００１０】
この２層ディスクの再生を行うときは、いずれか一方のディスク表面から再生光を入射させて行うので、２つの異なる情報層を短時間にアクセスできるという利点がある。再生光入射側の第１の情報層の反射膜は、入射光のうち、その一部を反射し、他の一部を透過させるように設計されている。そのため、光入射側から見て奥に位置する第２の情報層にも再生光が到達でき、そこでの反射光が再び第１の情報層の反射膜を透過できて、第２の情報層の再生を可能としている。
【００１１】
第１の情報層と第２の情報層とは、透明なスペーサーと呼ばれる接着材料により、お互いの再生信号が干渉しない距離だけ離れているため、対物レンズのフォーカス位置を各々の情報層に対応した位置に合わせることにより、それぞれの層の情報を高品質に再生することが可能である。このような再生方式を実現する上では第１の情報層の反射膜設計が極めて重要となる。この反射膜を、以降、一部の光を透過させるという意味から半透明反射膜と呼ぶことにする。
【００１２】
従来、半透明反射膜の材料としてＡｕあるいはケイ素（以下、Ｓｉ）が、所望の反射率、透過率などの光学特性を満足するうえ、スパッタリング法などにより容易に薄膜を形成できるということから一般に用いられていた。また、情報層に形成される微細な凹凸ピットに対し、安定した被覆性が得られ、さらに光学記録媒体としての耐候性にも優れているという長所をも有している。
【００１３】
しかしながら、Ａｕは材料コストが高いという問題がある。一方、Ｓｉは相対的に安価な材料であるが、透明接着剤あるいはプラストマー材料基板との接着力が弱いため、曲げ、反り、あるいは吸湿などに対する信頼性が十分ではない。さらに、Ｓｉ膜は、金属に比較して、スパッタリング室内に付着した膜が剥がれ易いため、スパッタリングプロセス装置内で発生するパーティクルが多く、エラーレートの悪化を招くという問題もある。
【００１４】
これらの問題を解決するために、最近ではＡｕやＳｉの代替材料としてＡｇが検討されている。しかしながら、Ａｇは塩素、硫黄、及びそれらの化合物やイオンとの反応性に富むため、例えば海水や汗などが基板を通して侵入することによって容易に腐食されるという問題を有している。
【００１５】
これらに対し、特開昭５７−１８６２４４号公報、特開平７−３３６３号公報及び特開平９−１５６２２４号公報には、Ａｇに所定の不純物を添加することにより、耐候性を向上させる技術が開示されている。
【００１６】
すなわち、特開昭５７−１８６２４４号公報には銀−銅合金（以下、Ａｇ‐Ｃｕ合金）（Ａｇの含有量が４０原子パーセント以上）について、特開平７−３３６３号公報には銀−マグネシウム合金（以下、Ａｇ‐Ｍｇ合金）（Ｍｇの含有量が１〜１０原子％以上）について、特開平９−１５６２２４号公報にはＡｇに錫（以下、Ｓｎ）、パラジウム（以下、Ｐｄ）、白金（以下、Ｐｔ）を０．１〜１０原子パーセント（以下、ａｔ％）添加し、酸素（以下、Ｏ）を１０〜４０ａｔ％添加した合金についての技術が開示されている。
【００１７】
しかしながら、これらの合金材料においても、耐候性や、薄膜を形成した場合の反射率、透過率についての究明は必ずしも十分になされていない。特に、半透明反射膜として用いられる膜厚の薄い領域についての検討は未だなされていない。
【００１８】
次に、従来の電磁波遮蔽体について説明する。
近年の情報化社会において、衛星放送システムや携帯型情報端末機器等の移動通信の発達に見られるように、電磁波環境は多様化・複雑化の度合いを深めており、それらがもたらす利点と共に弊害も明らかになりつつある。例えば屋外（外部）からの外部電磁波が電子機器等に進入してノイズ弊害等につながった例や、また、ノートブック型パソコンや携帯電話機等で代表される携帯型情報端末機器等からの漏洩電磁波が人体に悪影響を及ぼす可能性の指摘例等から懸念されている。
【００１９】
ＥＭＣ（ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃＣｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ）、即ち電磁適合性（電磁両立性と称される場合もある）とは、電磁波に起因する工学的な諸問題を解決する要素である。
【００２０】
従来、外部電磁波やパソコン等からの漏洩電磁波を遮蔽する目的としたＥＭＣ材料としては、金属がほとんどを占めていた（以下、「前者」と称する）。
また、エラストマー材料においては、金属粉やカーボンブラックを配合して導電性を得る試みも従来から行われていた（以下、「後者」と称する）。
【００２１】
しかしながら、前者のＥＭＣ材料は、近年のＥＭＣ技術を必要とする製品・要素の多様化が急速に進み、金属だけでは求められない種々の機能に対して対応不可能になり始めている。例えば、複雑な形状への折り曲げ追随性や非定常空間の充填性、軽量化、錆等に対する耐腐食性の課題に対しては、その適用が困難となることが多い等の種々の問題が発生している。
【００２２】
一方、後者の金属粉を充填したエラストマー材料においては、金属酸化を主とする経時変化や、エラストマー材料自体の弾性、強度等の機械的特性が失われる等のデメリットが多く、ＥＭＣ素材として広く普及した材料とは言い難いものである。
【００２３】
また、カーボンブラックを充填したエラストマー材料においては、導電性ローラーやラバーコンタクト等に多様化されてはいるが、得られる導電性に制限があるため、やはりＥＭＣ素材として用いられることは殆どない。
【００２４】
また、プラストマー材料における電磁波遮蔽体は、ディスプレイ前面から発生する電磁波に対して、電磁波遮蔽性の他、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等が求められるが、従来の導電材料を積層するだけでは、前記特性を十分に満たしていない。
【００２５】
このように従来の電磁波遮蔽体で、エラストマー材料においては、複雑な形状への折り曲げ追随性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等にも問題があることから、ＥＭＣ素材として十分に満たされていない等の問題が生じていた。
【００２６】
又、従来の電磁波遮蔽体で、プラストマー材料においては、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等にも問題があることから、ＥＭＣ素材として十分に満たされていない等の問題が生じていた。
【００２７】
次に、従来の電子機器、電子部品などについて説明する。
電子機器、電子部品においては、配線材料、電極材料、接点材料に銅（以下、Ｃｕ）、Ａｌ、モリブデン（以下、Ｍｏ）、タンタル（以下、Ｔａ）、タングステン（以下、Ｗ）、クロム（以下、Ｃｒ）等の純金属による金属材料、アルミニウム‐銅合金（以下、Ａｌ‐Ｃｕ）、アルミニウム‐銅‐ケイ素合金（以下、Ａｌ‐Ｃｕ‐Ｓｉ）、アルミニウム‐パラジウム合金（以下、Ａｌ‐Ｐｄ）、ケイ化タンタル（以下、ＴａＳｉ２）、二ケイ化タングステン（以下、ＷＳｉ２）等の合金による金属材料を用いて配線パターンを形成するようになされている。
【００２８】
例えばフラットパネルディスプレイを構成する透過型液晶表示パネルにおいては、一般に、エッチング性に優れ、電気抵抗が低い純Ａｌが配線材料として使用される。しかしながら純Ａｌは、融点が６６０℃と低く、液晶表示パネルの配線材料として使用した場合には、配線膜形成後の化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）プロセス等における３００〜４００℃程度の熱処理工程においてヒロック、ウイスカー等の欠陥が発生する恐れがある。このため液晶表示パネルにおいては、高温で安定な高融点材料であるＴａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等を純Ａｌに代えて配線材料として使用することにより、このような欠陥の発生を防止するようになされたものもある。
【００２９】
また、反射型液晶表示パネルにおいては、液晶セルの透過光を反射する高反射率層が必要とされ、このような高反射率層に、または配線パターン、電極とで高反射率層を兼用するようにしてこれらの部材に、純Ａｌ、Ａｌを主成分とする合金、純Ａｇ、Ａｇを主成分とする合金、Ａｕ等が用いられるようになされている。また、シリコンチップ上に微小ミラーを並べて配置し、各ミラーによる光変調により画像表示するようになされた電子光学部品（以下、微小ミラーによる電子光学部品と呼ぶ）においては、そのミラーとなる部材に純Ａｌが用いられるようになされている。
【００３０】
ところで、従来の電子機器に使用される金属材料に比して、電気抵抗が低く、安定かつ加工性に優れた金属材料を得ることができれば、各種電子部品に適用して性能を向上し、さらには製造プロセスを簡略化できることが考えられる。
【００３１】
すなわち、透過型液晶表示パネルにおいて、欠陥の発生を防止する目的で純Ａｌに代えて使用されるＴａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等は、純Ａｌに比して抵抗率が大きい欠陥がある。これにより透過型液晶表示パネルにあっては、大型化、高精細化により配線パターンの配線長が増大し、また配線パターンが微細化すると、簡易かつ確実に駆動することが困難になる問題がある。これにより透過型液晶表示パネルにおいては、配線材料として好適な材料が存在しないのが実情であった。
【００３２】
また、反射型液晶表示パネル、微小ミラーによる電子光学部品のように配線、電極により高反射率層を兼用する場合には、透過型液晶表示パネルの配線材料に要求される特性に高反射率層としての要求が加重されることになる。
【００３３】
この場合、高反射率層として、入射光を効率良く反射する観点からは、可視光波長域において最も反射率の高い純Ａｇが高反射率層の材料に適しているものの、純Ａｇにあっては耐候性が劣ることにより配線、電極材料としては適切なものとは言えない。これらにより反射型液晶表示パネル、微小ミラーによる電子光学部品にあっても、必ずしも適切な配線材料が存在しないのが実情であった。
【００３４】
なお、反射型液晶表示パネルにおいては、これらのことから高反射膜及び配線電極層の上に、又は反射膜及び配線電極層の上下にバリア層を形成して耐候性を向上するようになされているものの、バリア層の作成工程の増大によりその分製造プロセスが複雑化し、またこのようにバリア層を作成しても高温での信頼性に未だ不十分な問題がある。
【００３５】
因みに、電気的に低抵抗値の配線材料について検討してみると、Ａｌより電気的に抵抗率が低い材料としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇがあるが、Ａｕは、容易に入手することが困難な材料である。またＣｕは、耐候性に劣り、エッチングによる加工性が悪く、さらには微細加工が困難な問題を有している。またＡｇは、塩化物、硫黄、硫化物などに対して敏感に反応し、微細加工性、耐候性に問題を有している。
【００３６】
なお、Ａｇが敏感に反応する例をあげると、塩素を含むエッチングガスによるドライエッチングプロセスにおいて、Ａｇは、エッチングの進行によりエッチングガス中の塩素と反応して配線パターンの境界面に塩化銀（以下、ＡｇＣｌ）が生成され、このＡｇＣｌにより導電性、熱伝導性が損なわれる。
【００３７】
また、Ａｇが耐候性に問題を有する例としては、反射型液晶表示パネルに適用した場合に、透明導電膜と直接接触することによる界面の酸素、又は微量な硫黄等と反応する可能性が大きく、これによりＡｌと同様にバリア層を下地層に形成し、又は上下をバリア層で挟んでサンドイッチ構造にしなければいけないという問題があげられる。
【００３８】
また、これら液晶表示パネルにおいては、駆動デバイスとしてアモルファスシリコン又は多結晶シリコンによるＴＦＴ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が多く使用されるが、この駆動デバイス側から見た電極材料としても適切なものが存在しないのが実情である。
すなわち、これらの駆動デバイスにおいては、電極の金属材料を酸化させて、この電極とシリコン能動素子との間にゲート絶縁膜を形成することにより、製造プロセスを簡略化するようになされたものがある（すなわち陽極酸化法である）。
【００３９】
【表１】
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【００４０】
従来の配線材料における電気的な抵抗率を表１に示す。
この表１に示されている配線材料のうち、このようなゲート絶縁膜を形成することが可能な配線材料としては、Ａｌ、Ｔａがあり、特にＴａの場合には、ピンホール等の欠陥が少なく、歩留りの高い酸化絶縁膜を形成することができる。しかしながらＴａにあっては、電気的に抵抗率が高いことにより、このような陽極酸化法による場合には、電気的に抵抗率の低いＡｌを用いた２層配線による電極構造とする必要があり、結局製造プロセスを増加させることとなっていた。なおこの２層配線による場合、結局、配線パターンの電気的な抵抗率は、Ａｌにより決まる抵抗率となる。
【００４１】
前述のディスプレイデバイスへの応用以外にも、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＡＳＩＣ等の半導体デバイスにおいては、高集積化のため配線の幅が狭くなり、またチップサイズの大型化、多層配線等の複雑化に伴い配線パターンの配線長が増大する傾向にあり、これによりこれらの半導体デバイスにあっても、電気的に低抵抗率で安定かつ加工性に優れた配線材料が望まれている。
【００４２】
すなわち、このような配線幅の減少、配線長の増大は、配線における抵抗の増大を招き、この抵抗の増大により配線における電圧降下が増大して素子の駆動電圧が低下するようになり、また消費電力が増大し、さらには配線による信号伝達に遅延が発生するようになる。
【００４３】
また、このような半導体デバイス以外の、例えばプリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等の電子部品にあっては、配線材料、電極材料、接点材料にＣｕ、Ａｇなどが用いられているが、これらの材料についても耐候性が実用上未だ不十分な問題があり、またリサイクルが困難な問題があった。
【００４４】
また、従来から、建材ガラス用熱線反射膜にはＡｌ又はＡｌ合金、或いはＡｇ及びＡｇ−Ｐｄに代表されるＡｇ合金等の様々な材料が使用されている。また、膜の積層によって高い反射率に加えて機能性を向上させる等の検討がなされている。それを実現した製品が既に大変多くの分野や多種多様な方面に用いられてきている。
【００４５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の金属材料では、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗、優れた耐熱性を有する材料に対する開発が必ずしも十分ではなかった。
【００４６】
また、従来の反射型液晶表示パネルでは、反射型ＬＣＤ用反射板の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することがあり、それにより、反射特性が劣化し、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化の問題があった。
【００４７】
また、ＡｌあるいはＡｌ合金により形成した薄膜では、光学記録媒体の用途によってはいまだ充分な反射率が得られているとはいえない。また、耐候性や、薄膜を形成した場合の反射率、透過率について十分な特性を有する合金材料の開発は未だなされていない。
【００４８】
また、前記従来のエラストマー材料を用いた電磁波遮蔽体では、複雑な形状への折り曲げ追随性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等にも問題があり、ＥＭＣ素材として全く採用（適用）されない等の問題があった。
【００４９】
また、前記従来のプラストマー材料基板を用いた電磁波遮蔽体では、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等が十分に満たされてなく、ＥＭＣ素材として全く採用（適用）されない等の問題があった。
【００５０】
また、従来の電子機器、電子部品では、電気的な低抵抗率が十分でなく、加工性に優れた配線材料、電極材料、接点材料が開発されていなかった。
【００５１】
また、建材ガラス用赤外線及び熱線を反射する反射膜としては、ＡｇやＡｌ若しくはこれらのうちいずれかの元素を主成分とする合金材料から形成された反射膜が幅広く知られている。しかし、これらの反射膜は耐熱性に対して決して優れているとは言えない。
【００５２】
例えばＡｇやＡｌは熱に対しての耐熱性が高くなく、特定温度では表面部が拡散し易いために、例えば液晶表示素子用の反射板を製作する場合には、製作プロセス中での温度雰囲気が制限される。更に、建材ガラス用の赤外線及び熱線反射膜に至っては、大気中で夏季に高温に曝されると、反射膜自体が化学的に変異（変色）してしまう等、熱に対しての品質の安定性に問題があった。
【００５３】
また、反射率が高い材料としては、ＡｇやＡｌ以外にＡｕが知られているが、Ａｕは価格的に大変高価であるため、建材窓ガラス用反射膜に用いるにはコスト的な面から実用性が乏しいと判断されている。
【００５４】
また、反射率が高く、コスト的な面からも大変安価で、実用性が高いとされるＡｌについては、ＰＭＭＡ、シリコーン樹脂等の樹脂基板等を用いた場合に、樹脂基板から析出されるガス成分に対して化学反応を起こす虞れがある。このことから、ガスの放出作用が低い材料からなる基板にのみ有効となって、基板材料が制限されてしまうばかりか、樹脂とのコンタクトを図る場合には材料の化学的な安定性が懸念されてしまう等の不安、課題が残る。
【００５５】
また、４００〜４０００ｎｍの可視及び赤外域と称される光学波長領域中で、Ａｇは数多くの金属元素中で最も光学反射率が高いために、高反射率を特徴とする膜としては優れた特性を保持しているものと検討されている。しかし、熱に対しての自己拡散エネルギーが活発であるために、熱が加えられた場合に経時変化が生じるという問題がある。そのため、一時的であっても１００℃前後の熱が加えられた場合には表面部に拡散現象が起こり、Ａｇ本来が保有する光沢を失って白濁化してしまう。換言すれば、反射率が高いというＡｇ本来の特性が大幅に低減してしまう。
【００５６】
また、ガラスや樹脂製の基板上に反射膜を形成した際には、Ａｇは大気中に放置されると、大気中の湿気（主として水分）を吸収して黄色化してしまうため、反射率が高いというＡｇ本来の特性が損なわれてしまう等の問題が生じる。従って、高反射率であるという本来の特性を保持することができず、耐候性に対しても決して優れているとは言えない。
【００５７】
本発明は前記諸問題を考慮してなされたものであり、その目的は、優れた耐食性を有する銀合金を提供することにある。また、本発明の他の目的は、高い反射率を有する銀合金を提供することにある。また、本発明の他の目的は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金を提供することにある。また、本発明の他の目的は、優れた耐熱性を有する銀合金を提供することにある。
【００５８】
また、本発明の他の目的は、反射光の黄色化を抑制したスパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法を提供することにある。
【００５９】
また、本発明の他の目的は、Ａｇと比較した場合に高反射率を維持し、耐候性を改善した光学記録媒体を提供することにある。
【００６０】
また、本発明の他の目的は、半透明反射膜の耐候性が改善され、より高い信頼性が得られる光学記録媒体を提供することにある。
【００６１】
また、本発明の他の目的は、柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、エラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することにある。
【００６２】
また、本発明の他の目的は、電磁波遮蔽性と赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、プラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することにある。
【００６３】
また、本発明の他の目的は、従来に比して電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた電子部品用金属材料、配線材料、銀合金を使用した電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品を提供することにある。
【００６４】
また、本発明の他の目的は、Ａｇ自体の保有する高い光学特性が保持され、更にはＡｇの材料的な安定性が格段に改善されるとともに、信頼性の高い高耐熱性反射膜を用いた積層体及び建材ガラスを提供することにある。
【００６５】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、チタン（以下、Ｔｉ）、ジルコニウム（以下、Ｚｒ）、ハフニウム（以下、Ｈｆ）、バナジウム（以下、Ｖ）、ニオブ（以下、Ｎｂ）、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、鉄（以下、Ｆｅ）、ルテニウム（以下、Ｒｕ）、コバルト（以下、Ｃｏ）、ロジウム（以下、Ｒｈ）、イリジウム（以下、Ｉｒ）、ニッケル（以下、Ｎｉ）、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、亜鉛（以下、Ｚｎ）、Ａｌ、ガリウム（以下、Ｇａ）、インジウム（以下、Ｉｎ）、Ｓｉ、ゲルマニウム（以下、Ｇｅ）及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６６】
本発明に係る銀合金は、高反射率の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６７】
本発明に係る銀合金は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６８】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００６９】
また、本発明に係る銀合金において、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【００７０】
本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７１】
本発明に係る銀合金は、高反射率の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７２】
本発明に係る銀合金は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７３】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有することを特徴とする。
【００７４】
また、本発明に係る銀合金において、前記１種類の元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【００７５】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７６】
本発明に係る銀合金は、高反射率の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７７】
本発明に係る銀合金は、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７８】
本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛又はインジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００７９】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有することを特徴とする。
【００８０】
上記銀合金によれば、亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有させることにより、優れた耐熱性を有する銀合金とすることができる。
【００８１】
また、耐熱性に特に優れた銀合金は、銀を主成分とし亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有するものである。
【００８２】
本発明に係る銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．１ａｔ％以上含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上含有することを特徴とする。
【００８３】
上記銀合金によれば、銅を０．１ａｔ％以上含有させ、パラジウムを０．２ａｔ％以上含有させることにより、優れた耐食性を有する銀合金とすることができる。
【００８４】
本発明に係る銀合金は、優れた耐熱性及び耐食性を有する銀合金であって、
銀を主成分とし、亜鉛を３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、銅を０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にパラジウムを０．２ａｔ％以上含有することを特徴とする。
また、耐熱性に特に優れた銀合金にするためには、銅の含有量を０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下とすることが好ましい。
【００８５】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、前記銀合金からなることを特徴とする。
【００８６】
また、本発明に係るスパッタリングターゲットは、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板又は反射配線電極を製造するものであることも可能である。
【００８７】
本発明に係る反射型ＬＣＤ用反射板においては、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板であって、前記銀合金からなることを特徴とする。
【００８８】
前記反射型ＬＣＤ用反射板によれば、前述した銀合金からなるため、反射型ＬＣＤ用反射板の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することを抑制できる。従って、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化を抑制することができる。
【００８９】
本発明に係る反射配線電極は、反射光を高反射率化し且つ反射光の黄色化を抑制した反射配線電極であって、前記銀合金からなることを特徴とする。
【００９０】
本発明に係る薄膜は、銀合金からなることを特徴とする。
【００９１】
本発明に係る薄膜の製造方法は、前記スパッタリングターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を製造することを特徴とする。
【００９２】
また、本発明に係る光学記録媒体は、前記薄膜を有することを特徴とする。
前記光学記録媒体によれば、Ａｇの耐水素性、耐酸素性やＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉの脱酸素効果（酸化防止）、塩化、硫化防止の相互作用により、塩素、水素、酸素、硫黄という大気中あるいは特殊環境中で接触する非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上を図ることができる。
【００９３】
本発明に係る光学記録媒体は、半透明反射膜を有する情報層と反射膜を有する情報層が合わせて２層以上積層され、共通の方向からの光照射によって、情報の記録若しくは再生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体であって、前記半透明反射膜が前述した銀合金の薄膜からなることを特徴とする。
【００９４】
前記光学記録媒体によれば、半透明反射膜を前述した銀合金の薄膜からなるもので形成している。これにより、高温高湿の雰囲気においても透過率の増加といった光学特性が変化することを防止でき、さらに、塩水に浸漬された場合においても膜が白濁化することを防止できる。
【００９５】
本発明に係る電磁波遮蔽体は、エラストマー材料からなる基板と、この基板上に形成された電磁波遮蔽膜と、を備えた電磁波遮蔽体であって、前記電磁波遮蔽膜が前記銀合金からなることを特徴とする。
【００９６】
前記電磁波遮蔽体によれば、前記銀合金からなる電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、可撓性に優れた遮蔽体とすることができる。この電磁波遮蔽体は柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。
【００９７】
なお、電磁波遮蔽膜の厚さは、複雑な形状への折り曲げ追随性を考慮すると、例えば１０〜５００ｎｍ程度が好ましい。また、エラストマー材料としては、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭ（エチレン・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体）等を用いることも可能である。
【００９８】
本発明に係る電磁波遮蔽体は、プラストマー材料からなる基板と、この基板上に形成された電磁波遮蔽膜と、を備えた電磁波遮蔽体であって、前記電磁波遮蔽膜が前記銀合金からなることを特徴とする。
【００９９】
前記電磁波遮蔽体によれば、前記銀合金からなる電磁波遮蔽膜を、プラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備えた電磁波遮蔽体を形成し、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。
【０１００】
なお、電磁波遮蔽膜の厚さは、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を考慮すると、例えば５ｎｍ〜３０ｎｍ程度が好ましい。また、プラストマー材料としては、特に限定されるものではないが、例としてプラスチックフィルムやエンジニアリングプラスチック等が挙げられ、主な種類として、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等を用いることも可能である。
【０１０１】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記電磁波遮蔽膜が１の膜又は複数の膜からなることも可能である。これにより、温度や化学的に安定であり、様々な用途に適用できる。
【０１０２】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体において、前記電磁波遮蔽膜は、前記銀合金からなるスパッタリングターゲット材料を用いたスパッタリング法により基板上に成膜して形成されたものであることも可能である。
【０１０３】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐食性及び耐候性に優れた保護膜をさらに含むことも可能である。また、前記電磁波遮蔽膜上に形成された、耐摩耗性に優れた保護膜をさらに含むことも可能である。
【０１０４】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記基板と前記電磁波遮蔽膜との間に配置された、密着性を助長する下地膜をさらに含むことも可能である。これにより、エラストマー材料基板あるいはプラストマー材料基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０１０５】
また、本発明に係る電磁波遮蔽体においては、前記下地膜が、インジウム・錫酸化物（以下、ＩＴＯ）、酸化イリジウム（以下、ＩｒＯ２）、酸化亜鉛（以下、ＺｎＯ）、二酸化ケイ素（以下、ＳｉＯ２）、酸化チタン（以下、ＴｉＯ２）、五酸化タンタル（以下、Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（以下、ＺｒＯ２）、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることが好ましい。
【０１０６】
本発明に係る電子部品用金属材料は、前記銀合金からなることを特徴とする。この電子部品用金属材料は、従来に比して電気的に低抵抗率で、耐熱性、耐候性に優れ、安定かつ加工性に優れている。
【０１０７】
また、このような銀合金にあっては、純Ａｇの優れた熱伝導性を維持し、さらにスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法等の従来の成膜プロセスに適応でき、さらにはウエットエッチング手法及びドライエッチング手法で容易にパターンニング加工することができ、また高温にあっても安定な状態を維持することができる。従って、従来に比して電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた電子部品用金属材料を得ることができる。
【０１０８】
本発明に係る配線材料は、前記銀合金からなることを特徴とする。
また、前記電子部品用金属材料を電極材料として用いることも可能である。
また、前記電子部品用金属材料を接点材料として用いることも可能である。
【０１０９】
本発明に係る電子部品は、前記銀合金により形成された配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする。
【０１１０】
本発明に係る電子部品は、前記配線パターン、電極及び接点それぞれは、溶液によるエッチングにより形成されものであることも可能である。
【０１１１】
本発明に係る電子部品は、前記配線パターン、電極及び接点それぞれは、ガス雰囲気中でのエッチングにより形成されたものであることも可能である。
【０１１２】
また、本発明に係る電子部品は、前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、３００℃以上７５０℃以下の温度範囲により加熱処理されて形成されたものであることも可能である。
【０１１３】
また、本発明に係る電子部品においては、前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、酸化インジウム（以下、Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（以下、ＳｎＯ２）、窒化チタン（以下、ＴｉＮ）、ＳｉＯ２、窒化シリコン（以下、Ｓｉ３Ｎ４）、ＴｉＯ２、酸化ニオブ（以下、Ｎｂ２Ｏ５）の何れか１種類もしくは複数で混合されて形成された下地の上に形成されたものであることも可能である。
【０１１４】
また、本発明に係る電子部品においては、前記配線パターン、電極及び接点それぞれが、ガラス又はプラストマー材料基板上に直接形成されたものであることも可能である。
【０１１５】
本発明に係る電子機器は、前記電子部品を用いて構成されることを特徴とする。
【０１１６】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜を、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１１７】
前記金属膜の加工方法によれば、このような銀合金にあっては、例えば、燐酸系のエッチング液であるＨ３ＰＯ４＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨ等によってもエッチング加工することができ、これにより、従来のパターンニングの手法に加えて、この種の金属膜に適用して好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０１１８】
又、前記金属膜の加工方法によれば、このような銀合金にあっては、例えば、塩素を含むガス雰囲気中でのドライエッチングが可能で、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４等の塩素を含むガス雰囲気中でのＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）、プラズマエッチングなどによる処理が可能である。これにより、従来のパターンニングの手法に加えてこの種の金属膜に適用して好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０１１９】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜を３００℃以上７５０℃以下の温度範囲で加熱処理することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１２０】
前記金属膜の加工方法によれば、金属膜の加工方法に適用して、例えば蒸着、ＣＶＤ等によりこの合金の組成による堆積層等を形成した後において、これらを合金化することができ、また高温における安定性に優れることにより、各種成膜法により成膜した後の高温度のプロセスにおいても、安定な状態を維持でき、これらにより高温プロセスが必要な各種デバイスに適用して安定かつ加工性に優れた配線パターン等を得ることができる。
【０１２１】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜を、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｉｎ、ＳｎＯ２、ＩＴＯ、ＴｉＮ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４の何れかによる下地の上に形成することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１２２】
前記金属膜の加工方法によれば、金属膜の加工方法に適用して、この種の合金からなる配線パターン、電極又は接点を、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＮ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５の何れか１種類もしくは複数で混合されて形成された下地の上に形成して、従来の加工プロセスを適用して充分な密着性を確保し、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた配線パターン等を得ることができる。
【０１２３】
本発明に係る金属膜の加工方法は、前記銀合金からなる金属膜をガラス又はプラストマー材料基板上に直接形成することにより、配線パターン、電極及び接点のうちの少なくとも１つを形成することを特徴とする。
【０１２４】
前記金属膜の加工方法によれば、金属材料の加工方法に適用して、これらの合金からなる配線パターン、電極又は接点を、ガラス又はプラストマー材料基板上に直接形成すれば、この合金にあっては酸素の影響が少ないことにより、例えばＡｌのように電気的に抵抗率の増加が低減され、これにより簡易な製造プロセスにより低抵抗率の配線パターン等を簡易に作成することができる。
【０１２５】
本発明に係る電子光学部品は、前記銀合金により形成された反射膜、配線パターン及び電極のうちの少なくとも１つを有することを特徴とする。これにより、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた、かつ反射率に優れた金属材料を反射膜、配線パターン又は電極に適用した電子光学部品を得ることができる。
【０１２６】
本発明に係る積層体は、少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１２７】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１２８】
本発明に係る積層体は、少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１２９】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１３０】
本発明に係る積層体は、少なくとも一層以上の層からなる高耐熱性反射膜を用いた積層体であって、上記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３１】
本発明に係る積層体は、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３２】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１３３】
本発明に係る積層体は、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３４】
また、本発明に係る積層体において、前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１３５】
本発明に係る積層体は、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体であって、
上記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３６】
また、本発明に係る積層体において、前記基板が樹脂基板又はガラス基板であることが好ましい。
また、本発明に係る積層体においては、前記基板と前記高耐熱性反射膜との間に配置された、密着性を助長する下地膜をさらに含むことも可能である。
【０１３７】
また、本発明に係る積層体においては、前記下地膜が、ＩＴＯ、ＩｒＯ２、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることが好ましい。
【０１３８】
本発明に係る建材ガラスは、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項４に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１３９】
また、本発明に係る建材ガラスにおいて、前記銀合金は、少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１４０】
本発明に係る建材ガラスは、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項９に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１４１】
また、本発明に係る建材ガラスにおいて、前記銀合金は、前記１種類の元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１４２】
本発明に係る建材ガラスは、基板と、
この基板上に形成された高耐熱性反射膜と、
を備えた積層体からなる建材ガラスであって、
前記高耐熱性反射膜は、請求項１１、１５、１７のうちいずれか１項に記載の銀合金から形成したものであることを特徴とする。
【０１４３】
【発明の実施の形態】
本発明に係る第１の実施の形態による銀合金について説明する。
第１の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する合金である。
【０１４４】
なお、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４５】
第２の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する合金である。
【０１４６】
なお、前記１種類の元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下である。さらに好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４７】
第３の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４８】
第４の銀合金は、優れた耐食性、高反射率、電気的に低抵抗及び優れた耐熱性のうちの少なくとも１つの特性を有する銀合金であって、Ａｇ主成分とし、Ｉｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｉｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１４９】
第５の銀合金は、優れた耐熱性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１５０】
第６の銀合金は、優れた耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。
【０１５１】
第７の銀合金は、優れた耐熱性及び耐食性を有する銀合金であって、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１５２】
Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎを含有させるのは、塩化、硫化防止及び脱酸素効果（酸化防止）、マイグレーション防止（イオン化防止）のためであり、Ｐｄを含有させたのはＡｇに対して共晶合金を作る為に耐食性がさらに上がると考察される為である。また、前記少なくとも１種類の各元素で、例えばＣｕを含有させるのは、電気抵抗を下げること、Ａｇ合金の加工性を上げること、マイグレーション防止等を目的としている。
【０１５３】
前記第１の実施の形態による第１及び第２の銀合金によれば、後述する塩化試験において表６〜表１７に示すように塩化ナトリウム（以下、ＮａＣｌ）に対して良好な結果が得られているので、耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金によれば、後述する塩化試験において図１２に示すようにＮａＣｌに対して良好な結果が得られているので、耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５４】
また、第１及び第２の銀合金では、後述する反射率の測定において表２、表３に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金では、後述する反射率の測定において表４に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。また、第１及び第２の銀合金では、後述する抵抗値の測定において表２２、表２３に示すように電気的に低抵抗化が実現できることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金では、後述する抵抗値の測定において表２４に示すように電気的に低抵抗化が実現できることが確認されている。
【０１５５】
また、第１及び第２の銀合金では、後述する２５０℃、１時間の熱処理後の反射率測定において表２、表３に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。また、第３及び第４の銀合金では、後述する２５０℃、１時間の熱処理後の反射率測定において表５に示すように実用上高い反射率が得られることが確認されている。
【０１５６】
また、第５の銀合金では、後述する耐熱性試験において表２６、表２７に示すようにアニール後の反射率の減少が少ないという耐熱性に優れているといった結果が得られているので、耐熱性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５７】
また、第６の銀合金では、後述する耐食性試験（５％ＮａＣｌ浸水試験）において表１８〜表２１に示すようにＮａＣｌに対して良好な結果が得られているので、耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５８】
また、第７の銀合金では、後述する耐熱性試験において表２６、表２７に示すようにアニール後の反射率の減少が少ないという耐熱性に優れているといった結果が得られており、更に耐食性試験において表１８〜表２１に示すようにＮａＣｌに対して良好な結果が得られているので、耐熱性及び耐食性に優れた銀合金であることが確認されている。
【０１５９】
次に、本発明に係る第２の実施の形態について説明する。
第２の実施の形態によるスパッタリングターゲットは、反射光の黄色化を抑制した反射型ＬＣＤ用反射板を製造するためのものであり、また、反射光を高反射率化し（即ち反射光の反射率を向上し）且つ反射光の黄色化を抑制した反射配線電極を製造するためのものである。
【０１６０】
本実施の形態による第１のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金により構成されている。前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６１】
本実施の形態による第２のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金により構成されている。前記１種類の元素の含有量は、０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましく、より好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６２】
本実施の形態による第３のスパッタリングターゲットは、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６３】
本実施の形態による第４のスパッタリングターゲットは、Ａｇ主成分とし、Ｉｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金である。また、より好ましくは、Ｉｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１６４】
本実施の形態による第５のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金からなるスパッタリングターゲット中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１６５】
本実施の形態による第６のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。
【０１６６】
本実施の形態による第７のスパッタリングターゲットは、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金である。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金からなるスパッタリングターゲット中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１６７】
次に、前記第１〜第７のスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
第１のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金、即ちＡｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１６８】
第２のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金、即ちＡｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１６９】
第３のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７０】
第４のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７１】
第５のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７２】
第６のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７３】
第７のスパッタリングターゲットの場合、前述した銀合金からなるインゴットを鋳造法により製造する。そして、そのインゴットを加工することにより、スパッタリングターゲットを製作する。このスパッタリングターゲットは微視的に均一に見えた。
【０１７４】
また、スパッタリングターゲットの他の製造方法について説明する。
スパッタリングターゲット材の製造方法としては、大気雰囲気中の溶解法、あるいは真空中での溶融法が挙げられる。
前述した銀合金を溶融法で製造する場合には、先ず、基となる母合金を作製し、これにＡｇを追加で混入して、Ａｇが規定量になるように合金に含有される金属の含有量を整えるものとする。
【０１７５】
大気中で行う場合について説明する。
先ず、アルゴン（以下、Ａｒ）雰囲気（４００〜６００Ｔｏｒｒ）中で、前述した銀合金をアーク溶解にて溶融混合することにより、母合金を作製する。
【０１７６】
次に、高周波溶融炉において、Ａｇの溶解を行う。このときのＡｇの量は、全体溶解量から母合金中のＡｇの量を差し引いた量とする。この際の溶融温度は、例えば１０００〜１５００℃として、例えば、０．１〜０．２リットルの並型黒鉛坩堝を用いる。
【０１７７】
完全に溶融した後、酸化防止材を投入し、溶融中の酸素との固溶を抑制、防止する。酸化防止材としては、ホウ砂、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸リチウム、カーボン等を用いることができる。
【０１７８】
完全に溶融した状態で、約１時間放置し、前記の母合金を添加してさらに０．５〜１時間溶融させる。この際の溶融温度は、例えば１０５０〜２０００℃とする。
【０１７９】
次に、例えばアルミナ、あるいはタルクを内面に塗布してあるＦｅの鋳型に溶融物を注湯する。Ｆｅの鋳型は、引け巣を防止するため、予め電気炉等で３００〜５００℃程度に熱しておく。
【０１８０】
鋳型内の溶融物を冷却、凝固し、インゴットを鋳型から取り出して、常温まで冷却する。次に、インゴットの最上部の押湯部を切断除去し、インゴットを圧延機により圧延し、９０ｍｍ×９０ｍｍ×８．１ｍｍの板状の合金を作製する。
【０１８１】
その後、例えば４００〜５００℃の温度で電気炉内にＡｒガスを封入した状態で、１〜１．５時間程度、熱処理し、その後さらにプレス機によりそり修正を行う。
【０１８２】
その後、製品形状にワイヤーカットし、耐水研磨紙を用いて製品全面を研磨し、表面粗度を調整し、最終的にＡｇ合金のスパッタリングターゲット材を作製することができる。
【０１８３】
以上、大気中での溶解法について説明したが、その他の溶解法を用いることも可能であり、以下、Ａｒ雰囲気中で行う溶解の場合について説明する。
先ず、Ａｒ雰囲気（４００〜６００Ｔｏｒｒ）中で、前述した銀合金をアーク溶解にて溶融混合し、母合金を作製する。
【０１８４】
次に、高周波溶融炉において、前記の母合金とＡｇの溶解を行う。このときのＡｇの量は、全体溶解量から母合金中のＡｇの量を差し引いた量とする。
母合金とＡｇを入れた坩堝を高周波溶融炉に入れ、真空引きを行う。酸素を巻き込まない程度に真空に引いた後、溶融炉をＡｒ雰囲気（１００〜６００Ｔｏｒｒ）にしてから溶融を開始する。
この際の溶融温度は、例えば、１０５０〜１４００℃とし、坩堝は、例えば、０．１〜０．２リットルの並型黒鉛坩堝を用いる。
【０１８５】
次に、例えばアルミナ、あるいはタルクを内面に塗布してあるＦｅの鋳型に溶融物を注湯する。
Ｆｅの鋳型は、引け巣を防止するため、予め電気炉等で３００〜５００℃程度に熱しておく。
【０１８６】
鋳型内の溶融物を、冷却、凝固し、インゴットを鋳型から取り出して、常温まで冷却する。
次に、インゴットの最上部の押湯部を切断除去し、インゴットを圧延機により圧延し、９０ｍｍ×９０ｍｍ×８．１ｍｍの板状の合金を作製する。
【０１８７】
その後、例えば電気炉で４００〜５００℃によりＡｒガスを封入した状態で、１〜１．５時間程度、熱処理し、その後さらにプレス機によりそり修正を行う。
【０１８８】
その後、製品形状にワイヤーカットし、耐水研磨紙を用いて製品全面を研磨し、表面粗度を調整し、最終的に本発明の銀合金のスパッタリングターゲット材を作製することができる。
【０１８９】
前述のように、本発明の銀合金のスパッタリングターゲット材を作製する場合において、Ａｇに対してＺｎ及びその他の元素Ｘを添加して溶融する場合においても、従来行われている容易な方法を適用することができ、価格的にも製法的にもメリットが大きい。
【０１９０】
次に、本発明に係る第３の実施の形態による反射型ＬＣＤ用反射板及びその製造方法について説明する。
【０１９１】
反射型ＬＣＤ用反射板は第１〜第７の薄膜のいずれかからなるものである。第１の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有する銀合金により構成されている。例えば、前記群から選ばれた少なくとも１種類の元素がＺｎとＮｉの２種類であった場合は、Ｚｎが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有すると共にＮｉが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有する銀合金である。
【０１９２】
第２の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）以下含有する銀合金により構成されている。例えば、前記群から選ばれた１種類の元素がＺｎで、前記群から選ばれた少なくとも１種類の元素がＣｕとＡｕの２種類であった場合は、Ｚｎが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有し、Ｃｕが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有し、Ａｕが０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下（好ましくは０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下、さらに好ましくは０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下）含有する銀合金である。
【０１９３】
第３の薄膜は、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金により構成されている。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１９４】
第４の薄膜は、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する合金により構成されている。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０１９５】
第５の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金により構成されている。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１９６】
第６の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金により構成されている。
【０１９７】
第７の薄膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金により構成されている。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０１９８】
前記第１〜第７の薄膜は、前記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ装置において例えばＲＦ（交流）マグネトロンスパッタリング法により形成される。従って、第１〜第７の薄膜のいずれかからなる反射型ＬＣＤ用反射板は、微視的にみても均一な特性を安定に提供することができる。
【０１９９】
前記第３の実施の形態によれば、前述した銀合金からなる第１〜第７の薄膜などによって反射型ＬＣＤ用反射板を形成している。このため、この反射型ＬＣＤ用反射板の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することを抑制できる。従って、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化を抑制することができる。また、反射光を高反射率化（即ち反射光の反射率を向上）することができ、安定的に高い反射率を確保することができる。
【０２００】
次に、本発明に係る第４の実施の形態による反射配線電極及びその製造方法について説明する。
反射配線電極は前記第１〜第７の薄膜のいずれかからなるものである。
【０２０１】
前記第１〜第７の薄膜は、前記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ装置においてＲＦ（交流）マグネトロンスパッタリング法により成膜され、その後、エッチングにより所定形状に加工される。この薄膜からなる反射配線電極は、微視的にみても均一な特性を安定に提供することができる。また、前記第１〜第７の薄膜は、例えば、燐酸を含有するエッチング液でエッチング加工することが可能である。燐酸系のエッチング液としては、例えばＨ３ＰＯ４＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨを用いることが可能である。
【０２０２】
前記第４の実施の形態によれば、前述した銀合金からなる第１〜第７の薄膜などによって反射配線電極を形成している。このため、この反射配線電極の製造時又は使用時において、大気中の硫黄、酸素、水分等と反応することを抑制できる。従って、反射光の色度が変化し、黄色に変色してしまうという黄色化を抑制することができる。また、反射光を高反射率化（即ち反射光の反射率を向上）することができ、安定的に高い反射率を確保することができる。
【０２０３】
また、前記第３の実施の形態による反射型ＬＣＤ用反射板及び第４の実施の形態による反射配線電極それぞれは石英ガラス基板などの下地に対して十分な密着性を有するものである。
【０２０４】
尚、前記実施の形態では、薄膜をスパッタリング法により成膜しているが、薄膜を蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法などの他の成膜法により成膜することも可能である。
【０２０５】
次に、本発明に係る第５の実施の形態について説明する。
以下に示す例においては、前述したスパッタリングターゲットを用いて形成されて成る薄膜及びこの薄膜を有する光学記録媒体について、２層の情報記録層を有する構造のディスク状、いわゆる円板状の光ディスクに適用する場合について説明する。ただし、本発明は、このような光ディスクや、その形状に限定されるものではなく、光磁気ディスク、相変化ディスク、その他のカード状、シート状等の情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録媒体に適用することができる。
【０２０６】
以下の例において作製する光学記録媒体は、図１に示すように、第１の基板１と第２の基板２とが、例えば光透過性の光硬化性樹脂２０を介して積層された２層構造の光学記録媒体とする。
【０２０７】
第１の基板１は、例えばポリカーボネート等の光透過性樹脂の射出成形により、一主面にデータ記録ピット、またはプリグルーブ等の第１の微細凹凸２１を有し、これの上に半透明膜１５を有し、第１の情報記録層１１が形成されてなるものである。
【０２０８】
また、前述した第１の基板１と積層される第２の基板２は、第１の基板１と同様に、例えばポリカーボネート等の光透過性樹脂の射出成形によって、一主面にデータ記録ピット、またはプリグルーブ等の第２の微細凹凸２２を有し、これの上に、本発明に係る銀合金を用いて形成した反射膜１６を有し、第２の情報記録層１２が形成されてなるものである。
この銀合金による反射膜１６は、例えばＲＦ（交流）マグネトロンスパッタリング法により成膜することができ、膜厚は、例えば５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に形成する。
【０２０９】
さらに、第２の情報記録層１２上には、例えばアクリル系の紫外線硬化性樹脂よりなる保護膜３０が形成されている。
【０２１０】
図１に示す２層構造の光学記録媒体において、第２の情報記録層１２に記録された情報の再生を行うときには、波長８００ｎｍの光ビームを照射して第２の情報記録層１２に焦点が結ばれるようにし、情報の再生を行うようにする。
一方、第１の情報記録層１１に記録された情報の再生を行うときには、波長６５０ｎｍの光ビームを照射して第１の情報記録層１１に焦点が結ばれるようにし、情報の再生を行うようにする。
【０２１１】
以下、本実施の形態に係る銀合金及びこれを用いて作製した薄膜、すなわち図１に示した反射膜１６について説明する。
【０２１２】
本実施の形態は、高反射率の維持、耐候性の改善、合金作製にあたっての製造容易さ、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性、簡易性の種々の問題について解決を図るべく、前述した銀合金からなるスパッタリングターゲット材、及び、これを用いて形成された薄膜と、この薄膜を有する光学記録媒体を得るものである。
【０２１３】
Ａｇは、硫黄と結合しやすく、大気中に長時間放置すると、大気と接触する界面が硫黄と反応して、硫化銀（以下、Ａｇ２Ｓ）となり、黒色化して反射特性が劣化してしまう。また、塩素とも激しく反応してＡｇＣｌとなってしまい、白濁化して反射特性が劣化する。また、塩素との反応部が成長、拡大してしまい、白濁化した部分が広がり、さらに反射特性が劣化し、Ａｇの物理的特性を損なってしまう。
【０２１４】
しかし、一方においてＡｇは、酸素や水素に対しては比較的安定な物質であり、特に水素に対しては非常に安定であり、酸素雰囲気下での長時間放置後の酸素との結合状態や、水中に浸水させて放置した後に水素との結合状態を確認しても、これらとの反応性が安定であることがわかる。このため、対酸素や水素へのバリア性を目的とした感光材用の添加材料や、高融点ロウ材等に適用されている。
【０２１５】
本実施の形態に係る銀合金のスパッタリングターゲット材料として、Ｚｎなどを選択したのは、Ａｇは高温（１００℃以上）ではかなりの酸素を吸収してしまい、酸素と結びつき合金を作るような性質がある為、高温領域での使用する際には、それを抑制する元素が必要不可欠である。そこで、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉ等は、酸化傾向が強い為、合金中の酸素と結合し酸化物となり、合金自体の酸化を防止することと、塩化、硫化を防ぐ効果がある為に耐候性に有用である。
【０２１６】
前記スパッタリングターゲット材によれば、Ａｇの耐水素性、耐酸素性やＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉ等の脱酸素効果、硫化、塩化防止の相互作用により、塩素、水素、酸素、硫黄という大気中あるいは特殊環境中で検討される非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下でのＡｇと比較した場合の高い耐候性の向上の実現が可能になるのである。
【０２１７】
また、前記スパッタリングターゲット材を用いて光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られること、即ち光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有することが確認されている。
【０２１８】
また、光学記録媒体の反射膜を形成するための材料として、前記スパッタリングターゲット材を用いた場合に、光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、Ａｇを単独で用いた場合に比較してさらに向上することが確認されている。
【０２１９】
次に、Ａｇに所定量のＺｎを添加したＡｇ−Ｚｎ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
この場合、Ａｇに、Ｚｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果を表２に示す。比較例として純Ａｇの薄膜とＡｇを主成分とし、Ｐｄを０．９１ａｔ％とＣｕを１．６９ａｔ％含有したＡｇ−０．９１ａｔ％Ｐｄ‐１．６９ａｔ％Ｃｕ合金（以下、ＡＰＣ）の薄膜についての反射率を測定した。
【０２２０】
【表２】
2004002929.tif 000003
【０２２１】
表２に示した測定結果より、ＡｇにＺｎを含有しているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表２に示すように、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９．９１％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０２２２】
つまり、光学記録媒体の反射膜を形成するための材料として、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０２２３】
図３は、Ａｇ−Ｚｎ合金からなる薄膜について照射する光の波長とその光の反射率を示すグラフである。このグラフによれば、Ｚｎ含有量が１．７ａｔ％、５ａｔ％のとき、ＡＰＣよりも良好である。
【０２２４】
次に、Ａｇに所定量のＺｎとＣｕを添加したＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
この場合、Ａｇに、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ合金スパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果を表３に示す。比較例として純Ａｇの薄膜とＡＰＣの薄膜についての反射率を測定した。
【０２２５】
【表３】
2004002929.tif 000004
【０２２６】
表３に示した測定結果より、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表３に示すように、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０２２７】
つまり、光学記録媒体の反射膜の形成するための材料として、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０２２８】
なお、前記においては、Ａｇ−Ｚｎ合金、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、これら以外の元素をＡｇに含有した前記スパッタリングターゲットを用いた場合についても高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を得ることができる。
また、ＡｇにＺｎが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）、Ｃｕが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においても、実用上望ましい高い反射率が得られることも確認されている。
【０２２９】
次に、Ａｇに所定量のＰｄ、Ｃｕ、Ｚｎを添加したＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｚｎ合金、又は、Ａｇに所定量のＰｄ、Ｃｕ、Ｉｎを添加したＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｉｎ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率、５５０ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。この場合の測定結果を表４に示す。比較例としてＡｇを主成分とし、Ｐｄを０．５ａｔ％とＣｕを１．０ａｔ％含有したＡｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ‐１．０ａｔ％合金の薄膜についての反射率を測定した。
【０２３０】
【表４】
2004002929.tif 000005
【０２３１】
表４に示した測定結果より、ＡｇにＰｄ、Ｃｕ、Ｚｎ又はＩｎを含有しているＡｇ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
【０２３２】
次に、表４に示した薄膜を２５０℃の温度で１時間熱処理を施した後の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率、５５０ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。この場合の測定結果を表５に示す。
【０２３３】
【表５】
2004002929.tif 000006
【０２３４】
表５に示した測定結果より、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
【０２３５】
次に、本発明に係る第６の実施の形態について説明する。
まず、第６の実施の形態による光学記録媒体の構成について説明する。
図２は、第６の実施の形態による光学記録媒体の一例を示した側面図である。この例による光学記録媒体６はＤＶＤと呼ばれている高密度の光学記録媒体である。
【０２３６】
光学記録媒体６は、図面上で上方に透明な基板１４を有し、また下方に透明ないし不透明な基板１３を有している。これら基板１４及び１３は、例えばポリカーボネート等のプラストマー材料により作られている。
【０２３７】
基板１４の片面には、第１の情報層９が設けられている。この第１の情報層９は、情報ピットと半透明反射膜３とにより構成されている。この情報ピットは、例えば情報に応じて凹凸パターンが形成されている。この半透明反射膜３は、前述した銀合金の薄膜からなるものである。
【０２３８】
また、基板１３の片面には、基板１４と同様に、第２の情報層１７が設けられている。この第２の情報層１７は、情報ピットと反射膜４とにより構成されている。
【０２３９】
基板１４の第１の情報層９が形成された面と、基板１３の第２の情報層１７が形成された面とは、所定の厚さの透明接着剤５により貼り合わされている。これによって、２つの情報層９及び１７を有する、一体の光学記録媒体が形成されることになる。この結果、再生光８が入射する側には第１の情報層９が配されることになり、さらに再生光８が入射する側とは反対側には第２の情報層１７が配されることになる。
【０２４０】
次に、図２に示す光学記録媒体６についての信号の再生方法について説明する。
図２の光学記録媒体６において、第１の情報層９の信号の再生は、基板１４側から入射する再生光８を第１の情報層９に集光させることにより行う。一方、第２の情報層１７の信号の再生は、対物レンズ７の焦点位置を第２の情報層１７に移動させ、第２の情報層１７に再生光８を集光することにより行う。
【０２４１】
ここで、第２の情報層１７の信号の再生にあたっては、再生光８が第１の情報層９を透過する必要がある。このため、第１の情報層９には、いわゆる半透明反射膜が用いられる。この半透明反射膜は、入射光のうち一部の光を反射させ、また他の一部の光を透過させる性質を持っている。
【０２４２】
第１の情報層９の半透明反射膜３は、作製の容易さ等からスパッタリング法、一般には、マグネトロンスパッタリング法により形成される。また、第２の情報層１７の反射膜４は、従来の反射膜と同様に高反射率を有するＡｌ、Ａｕ、Ａｇあるいはそれらの合金により、前述のスパッタリング法により形成される。
【０２４３】
次に、第１の情報層９の半透明反射膜３について詳細に説明する。
半透明反射膜３を形成する場合、一般にその膜厚の増加とともに反射率Ｒ１（％）は高くなり、逆に透過率Ｔ１（％）は減少する。また、反射する光、及び透過する光の他に、膜に吸収される光がある。この吸収される光の割合を吸収率Ａ１という。ここで、半透明反射膜３に入射する光量を１００（％）とすると、次の式が成立する。
Ｒ１＋Ｔ１＋Ａ１＝１００（％）　（１）
【０２４４】
前述のような２つの情報層９及び１７を有する光学記録媒体において、再生が良好であるための条件としては、第１の情報層９からの戻り光量Ｓ１（％）と、第２の情報層１７からの戻り光量Ｓ２（％）とが十分に大きいことが必要である。これらの値Ｓ１及びＳ２は、それぞれの情報層９及び１７での反射率Ｒ１及びＲ２に比例する。
【０２４５】
再生専用のいわゆるＲＯＭ（ｒｅａｄｏｎｌｙｍｅｍｏｒｙ）記録媒体の場合、反射率が約１０％以上であれば再生が可能である。これは反射率が約１０％以下になると、ディスク表面と空気との界面で生じる反射光と、情報層からの反射光とを識別することが困難となり、フォーカス制御ができなくなるからである。
【０２４６】
半透明反射膜３は、再生光８の入射側に配置されるため、戻り光量Ｓ１はそのまま半透明反射膜３の反射率Ｒ１に比例した量だけの信号となる。ここで、基板１４での光の吸収は極めて小さいので、戻り光量Ｓ１＝反射率Ｒ１としてよい。
【０２４７】
一方、戻り光量Ｓ２は、光路の途中に半透明反射膜３が存在するので、その影響のため多少複雑になる。そこで、戻り光量Ｓ２に対する、半透明反射膜３の影響を計算により求めてみる。
【０２４８】
まず、半透明反射膜３に入射する光量のうち、半透明反射膜３を透過して第２の情報層１７に到達する光量の割合は、半透明反射膜３の透過率Ｔ１（＝１００−Ｒ１−Ａ１）で表される。ついで、第２の情報層１７に到達した光量のうち、第２の情報層１７の反射膜４で反射される光量の割合は、反射膜４の反射率Ｒ２で表される。また、第２の情報層１７の反射膜４で反射される光量のうち、半透明反射膜３を透過する光量の割合は、半透明反射膜３の透過率Ｔ１で表される。この第１の情報層９の半透明反射膜３を透過したものが戻り光量となる。
【０２４９】
したがって、戻り光量は（Ｔ１×Ｒ２×Ｔ１）／１００００、あるいは（１００−Ｒ１−Ａ１）２×Ｒ２／１００００で表される。したがって、第２の情報層１７からの戻り光量Ｓ２は、次式で表すことができる。
Ｓ２＝（１００−Ｒ１−Ａ１）２×Ｒ２／１００００　（２）
【０２５０】
ここで、Ａｇからなる半透明反射膜３を例として、上式について検討してみる。測定波長を６５０ｎｍとし、半透明反射膜３の膜厚を１０ｎｍとすると、反射率Ｒ１＝２６％となり、吸収率Ａ１＝１３％となる。また、第２の情報層１０の反射膜４の反射率Ｒ２＝８０％とすると、戻り光量Ｓ２＝３０％となる。これらのことから、戻り光量Ｓ１＝２６％、戻り光量Ｓ２＝３０％となる。これにより戻り光量Ｓ１及びＳ２ともに１０％以上となるので、十分な信号を得ることが可能となる。
【０２５１】
次に、光学記録媒体の半透明反射膜３について行った、耐候性の検討結果を説明する。
半透明反射膜３の膜厚は、従来の反射膜の膜厚と比較すると、極めて薄い領域にある。したがって、半透明反射膜３は十分な耐候性を有することが必要である。
【０２５２】
本実施の形態においては、まず、Ｚｎ等を添加したＡｇ合金のスパッタリングターゲットを前述した方法により作製した。
次に、このスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、銀合金の薄膜からなる半透明反射膜を形成し、光学記録媒体を得た。
【０２５３】
ここで、銀合金からなるスパッタリングターゲット材料として、Ｚｎなどを特に選択した理由は、前述したものと同様である。
【０２５４】
また、Ａｇは、硫黄と結合しやすいので大気中に長時間放置されると、Ａｇ２Ｓとなり黒色化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。また、Ａｇは、塩素とも激しく反応してＡｇＣｌとなり白濁化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。しかし、Ａｇは、酸素、水素、あるいは水に対しては比較的安定な物質である。一方、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉは、脱酸素効果（酸化防止）、硫化、塩化防止等の作用があり、硫黄や塩素に対して化学的に安定な物質である。
【０２５５】
前記Ａｇ合金のスパッタリングターゲットによれば、塩素、水素、酸素、硫黄という、大気中、あるいは特殊環境中で検討される非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上の実現が可能になる。
【０２５６】
前記第６の実施の形態によれば、前述したＡｇをベース材料とした銀合金からなる薄膜を半透明反射膜３に用いることにより、耐候性を改善でき、かつ基板との接合性を強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０２５７】
次に、耐候性の試験法について説明する。ここでは塩素試験を行った。
塩素試験のサンプルは、ポリカーボネート基板上に後述のＡｇ合金を成膜したものを使用した。
塩素試験は、常温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを一定時間浸漬した後、目視により確認したものである。
【０２５８】
表６〜表１７は、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ‐Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金の薄膜について行った塩化試験結果を示したものである。ここで、Ｘは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を示す。比較例として純ＡｇとＡＰＣについても行った。
【０２５９】
【表６】
2004002929.tif 000007
【０２６０】
【表７】
2004002929.tif 000008
【０２６１】
【表８】
2004002929.tif 000009
【０２６２】
【表９】
2004002929.tif 000010
【０２６３】
【表１０】
2004002929.tif 000011
【０２６４】
【表１１】
2004002929.tif 000012
【０２６５】
【表１２】
2004002929.tif 000013
【０２６６】
【表１３】
2004002929.tif 000014
【０２６７】
【表１４】
2004002929.tif 000015
【０２６８】
【表１５】
2004002929.tif 000016
【０２６９】
【表１６】
2004002929.tif 000017
【０２７０】
【表１７】
2004002929.tif 000018
【０２７１】
次に、塩化試験から得られた知見について説明する。
純Ａｇの薄膜では、塩化によるものと思われる膜の白濁が認められた。
【０２７２】
これに対し、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金薄膜では、５％ＮａＣｌ水溶液にはＡＰＣと同様、変化が見られなかった。
このように、第二元素としてＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉ等を添加することにより、耐候性が改善され、より高い信頼性が得られた。
【０２７３】
次に、前述した第４〜第７の薄膜についての耐食性試験（５％ＮａＣｌ浸水試験）及びその結果について説明する。
５％ＮａＣｌ浸水試験のサンプルは、ポリカーボネート基板上に表中に示す組成（ａｔ％表示）のＡｇ合金を成膜したものを使用した。
５％ＮａＣｌ浸水試験は、常温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを浸漬した後、３分経過後、３時間経過後、２４時間経過後に目視により確認したものである。
【０２７４】
表１８〜表２１は、表中に記載している組成（ａｔ％表示）のＡｇ合金の薄膜について行った５％ＮａＣｌ浸水試験の結果を示したものである。
【０２７５】
【表１８】
2004002929.tif 000019
【０２７６】
【表１９】
2004002929.tif 000020
【０２７７】
【表２０】
2004002929.tif 000021
【０２７８】
【表２１】
2004002929.tif 000022
【０２７９】
表１８に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金で表面の変化が無かったのはＺｎが３．６ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％含有する合金のみであった。この事からＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金では耐食性の良好な組成の範囲が非常に狭いことが確認された。これに対して、表１９に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金では、Ｐｄを添加しているため耐食性の良好なＺｎ、Ｃｕの組成範囲を広くできることが確認された。したがって、スパッタ条件等のプロセス条件によりＡｇ合金の組成にばらつきが生じた場合、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金では耐食性が悪化することが予想されるが、Ｐｄを添加することによりＡｇ合金の組成がばらついたとしても耐食性が悪化することを防止できる。よって、信頼性を向上させることができる。
【０２８０】
表２０に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＰｄの含有量が０．１ａｔ％の場合、２４時間経過後に若干の白色が観察されたが、Ｐｄの含有量が０．２ａｔ％以上の場合は２４時間経過後も変化が無かった。したがって、耐食性を得るためにはＰｄの含有量を０．２ａｔ％以上とすれば良いことが確認された。
【０２８１】
表２１に示すように、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＣｕの含有量を０ａｔ％〜５．０ａｔ％まで変えたサンプルで耐食性試験を行った場合、いずれのサンプルも２４時間経過後の変化が観察されなかった。したがって、この合金ではＣｕの組成が耐食性に影響しないことが確認された。
【０２８２】
尚、前記第６の実施の形態では、優れた耐食性、耐候性を有するＡｇ合金材料であることを説明し、２つの情報層を有する構造のディスク状、いわゆる円盤状の光ディスクについて説明したが、本発明はこのような光ディスクや形状に限られるものではなく、種々の製品に適用することが可能であり、例えば、単層又は３層以上の情報層を有する光ディスク、光磁気ディスク、相変化型光ディスク、その他カード状またはシート状の記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録媒体、その他、耐食性、耐候性を必要とする各種の製品に適用することが可能である。
【０２８３】
また、例えば２枚の透明基板上にそれぞれ２層以上の情報層を形成し、これら透明基板をその情報層を有する面をつき合わせ接合して形成し、両透明基板側から光照射を行うようにした構成とすることもできるなど種々の構造とすることが可能である。
【０２８４】
次に、本発明に係る第７の実施の形態による電磁波遮蔽体について説明する。
本実施の形態では、Ａｇの保有する熱に対しての自己拡散エネルギーを緩和させて、任意で少なくとも１００℃前後に加熱した場合に生じ易い表面拡散による白濁化という現象を抑制することが重要である。
【０２８５】
即ち、Ａｇは最も電磁波の遮蔽能力については優れている材料であると知られているが、例えば熱に対しての自己拡散エネルギーが活発であるという問題が生じ易い。そのため、一時的であっても１００℃前後の熱が加えられる場合には、表面部に拡散現象が起こり、Ａｇ自体が保有する光沢を失って白濁化してしまい、換言すれば、電磁波の遮蔽能力に優れたＡｇ自体の特性が低減し易いからである。
そして、Ａｇは大変熱伝導率が良く、原子単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴がある。
【０２８６】
図４は、本発明に係る第７の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図である。
この電磁波遮蔽体は、少なくとも導電性を有するエラストマー材料若しくはプラストマー材料からなる基板１９を備えている。この基板１９上には密着性を助長する下地膜２３が配置されている。この密着助長下地膜２３上には電磁波遮蔽膜１８が形成されている。
【０２８７】
電磁波遮蔽膜１８は、前述した銀合金から形成されたものであり、スパッタリング法により成膜されることが好ましい。なお、電磁波遮蔽膜１８は複数の膜から構成されていても良い。
【０２８８】
基板１９がエラストマー材料の時、その材料としては、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭ（エチレン・プロピレンとジエンとのゴム状三元共重合体）等が挙げられる。
【０２８９】
また、基板１９がプラストマー材料の時、その材料としては、例としてプラスチックフィルムやエンジニアリングプラスチック等が挙げられ、主な種類として、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等が挙げられる。
【０２９０】
密着助長下地膜２３の材料としては、酸素や各種の材質からなる基板１９に対して材料的に安定であり、前記基板と少なくとも前記銀合金からなる電磁波遮蔽膜１８との密着性を考慮すると、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＩｒＯ２、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等からなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものであることが好ましい。
【０２９１】
また、前述した銀合金は、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭ等の各種のエラストマー材料に対して化学的安定性が高く、エラストマー材料からなる基板材質に対して制限されないことも確認されている。
【０２９２】
また、前述した銀合金は、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等の各種のプラストマー材料に対して化学的安定性が高く、プラストマー材料からなる基板材質に対して制限されないことも確認されている。
【０２９３】
また、各種のエラストマー材料からなる基板１９の密着助長下地膜２３としては、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２が望ましい。
その理由としては、シリコーンゴム、天然ゴム、クロロプレンゴム又はＥＰＤＭからなる基板１９は特定の純度や材質の場合にはガスの発生が大変多いこと、金属はその発生ガスと反応が強いこと、銀合金の薄膜と密着させる接合、界面に反応不動態被膜（例えば酸化膜等）を生じる可能性が高いこと等から適切であるとは言い難いからである。
【０２９４】
また、各種のプラストマー材料からなる基板１９の密着助長下地膜２３としては、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２が望ましい。
その理由としては、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、或いはポリブチレンテレフタレート、変性ポリフェニレンエーテル等からなるプラストマー材料基板１９は、特定の純度や材質の場合により、基板の表面が平坦であるために、銀合金の薄膜を密着させるとき、状況によっては密着性が悪くなる可能性がある。
【０２９５】
前記第７の実施の形態によれば、前述した銀合金からなる薄膜を電磁波遮蔽膜１８として用いる。これにより、耐熱性を大幅に向上させることができ、しかも、Ａｇ自体の保有する電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を低下させることなく保持できる。
【０２９６】
つまり、前記電磁波遮蔽膜１８は、従来多用されていたＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ及び純Ａｇ等の材料からなる電磁波遮蔽膜では得ることができなかった電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を得られることが確認されている。また、図４に示す密着助長下地膜２３を備えた電磁波遮蔽体においても、基板１９と電磁波遮蔽膜１８との間に密着助長下地膜２３を形成しない場合と同様に高い電磁波遮蔽効果を有することが確認されている。この場合、ＩＴＯ及びＺｎＯ等の導電性酸化物を密着助長下地膜２３として用いる方が、ＳｉＯ２を下地膜２３として用いる場合に比べて電磁波遮蔽効果が高いことも確認されている。
【０２９７】
ここで、電磁波遮蔽膜１８の膜厚としては特に限定されるものではないが、電磁波遮蔽能力等を考慮するとたとえば５〜５０００ｎｍ位が好ましい。そして、携帯電話や液晶ディスプレイの表示部等のように電磁波遮蔽能力に加えて更に透明性（透過性或いは透視性）等を考慮する場合は５〜３０ｎｍ位が好ましい。又、プリント基板やコンピューター内部に設置されている機器類等のように透明性を考慮しない場合には３０〜５０００ｎｍ位が好ましい。
【０２９８】
また、第７の実施の形態では、基板１と電磁波遮蔽膜１８との間に、両者間の密着性を助長する特定の密着助長下地膜２３を中間下地として形成している。このため、基板１９に対する電磁波遮蔽膜１８と各種の材質からなる基板との接合性をより一層効果的に強化できる。
【０２９９】
また、密着助長下地膜２３の材料としては、より低抵抗であることが望ましい。低抵抗であって、更に非磁性導電膜であることが望ましい。具体的には、ＺｎＯよりもＩＴＯの方が電磁波遮蔽効果が高いことが確認されている。このようになる理由としては、電磁波遮蔽を目的として、この銀合金の膜と基板との間に特定の中間下地膜を設けて、その多層膜自体に電界を加えた場合、この多層膜の内部に導電電流が流れ、この電気エネルギーが熱エネルギーに変換され、更に、この熱エネルギーへの変換を行う発熱機構が主とした原因となって、電磁波が吸収されて導電損失が起こるからである。また、この導電損失は導電電流が抵抗少なく流れた分に依存して効果は高いために、電磁波遮蔽膜の抵抗が低ければ低いほど優位差が顕著にでる。
【０３００】
しかし、ＡｇやＡｌ、Ｃｕについては材料の原子自体の移動、つまり、エレクトロマイグレーション現象による電気エネルギーから熱エネルギーへの変換である発熱機構が、時間の経過と共に減衰してしまうために、少なくとも特定の膜厚を設けることで減衰作用を低減してきたが、前述した銀合金においては膜自体の金属原子間移動が活発でないため、減衰作用が著しく低下するということが確認されている。
【０３０１】
また、ＩＴＯ、ＺｎＯに代表される導電性酸化物ではなく、例えば絶縁であることを特徴とするＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等の誘電体を銀合金材料と基板との間に密着助長下地膜として介在させた場合、銀合金材料の保有する高い導電損失の効果に加え、誘電損失と呼ばれる高周波での電磁波エネルギーの吸収効果も行われて両者の相乗効果による電磁波の高遮蔽効果が得られるため、少なくとも密着助長下地膜として介在する金属酸化物としては導電性を有する材料に限定する必要はない。
【０３０２】
つまり、前述した銀合金材料により形成された電磁波遮蔽膜１８においては、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜、若しくはＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等の金属酸化物及び金属複合酸化物を用いた密着助長下地膜２３を介在させた場合であっても、高い電磁波遮蔽効果があることが確認されている。
【０３０３】
また、密着助長下地膜２３として例えばＳｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜を用いた場合、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法のいずれでも成膜が可能である。従って、汎用的な有用性は高いといえる。
【０３０４】
また、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等の金属酸化物薄膜においても、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法のいずれでも容易に成膜が可能である。例えばブラウン管モニターや液晶表示素子等の表面側に形成するＡＲ（反射防止）コートについては、透明性が高い密着助長下地膜２３を各種のエラストマー材料からなる基板１９上に形成し、この密着助長下地膜上に厚さ５〜３０ｎｍの電磁波遮蔽膜を形成し、その上にＡＲコートを形成することで、表示デバイス自体からの電磁波に対しての顕著な遮蔽効果を奏するものである。
【０３０５】
また、第７の実施の形態では、Ａｇ自体の材料的な安定性を格段に改善でき、しかも、積層構造として用いる場合、基板の材質を問わずに積層可能で、且つ、基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０３０６】
また、電磁波遮蔽膜１８の単膜の場合と図４に示す電磁波遮蔽体の場合の両方について、優れた耐熱性及び耐候性を有することが確認されている。また、例えば近年のＥＭＣ対策材料用の電磁波遮蔽体として応用展開が広い等の有用性が高いことが確認されている。
【０３０７】
また、前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を各種のエラストマー材料からなる基板１９の表面に形成した電磁波遮蔽体は、従来のエラストマー材料に金属粉やカーボンブラックを配合したものと比べて、１００ＭＨｚの低周波域から１ＧＨｚ域における電界強度減衰率（ｄＢ）、電波吸収能力（ｄＢ）が優れ、しかも、可撓性（ｃｍ）においても優れていることが確認されている。
【０３０８】
また、前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を各種のプラストマー材料からなる基板１９の表面に形成した電磁波遮蔽体は、従来のプラストマー材料に金属膜を積層したものと比べて、１００ＭＨｚの低周波域から１ＧＨｚ域における電界強度減衰率（ｄＢ）、電波吸収能力（ｄＢ）が優れていることが確認されている。
【０３０９】
ノートブック型パソコンや携帯電話機等に代表される携帯型情報端末機器等に、前述した各種のエラストマー材料からなる基板１９の表面に前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を形成した電磁波遮蔽体を適用した場合、その電磁波遮蔽体を例えば外形に沿わせて折り曲げ付設することができる必要がある。これについて、電磁波遮蔽体は、それを９０°に折り曲げても、その表面に亀裂等が全く発生しないので、複雑な形状への折り曲げ追随性（形状自在性）においても優れていることが確認されている。
【０３１０】
ノートブック型パソコンや携帯電話機等に代表される携帯型情報端末機器等に、前述した各種のプラストマー材料からなる基板１９の表面に前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８を形成した電磁波遮蔽体を適用した場合、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備えた電磁波遮蔽体を形成し、その表面に亀裂等が全く発生しないので、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性があることが確認されている。
【０３１１】
また、銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８をエラストマー材料若しくはプラストマー材料からなる基板１９の表面に成膜する場合、例えばスパッタリング法では従来に比して膜を形成する速度基準であるスパッタリングレートが高く、更に、前記銀合金材料は、その融点が９６０℃前後であるが、金属元素の中でも高い部類には属さないので、蒸着温度条件の汎用性等について従来に比して劣ることがない。従って、成膜方法としては、基板の材質によって任意に選択することが可能であるので、従来に比して顕著に成膜方法での生産についての優位性があることが分かっている。なお、成膜方法としては、ＲＦ又はＤＣ電源を用いたスパッタリング法、真空蒸着法が望ましい。
【０３１２】
また、蒸着法はスパッタリング法よりも膜の緻密性が劣るため、一般に、蒸着法で薄膜を成膜する場合では、スパッタリング法で薄膜を成膜する場合と比較して厚い膜厚を要するとされる。しかし、前述した銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜１８においては電磁波遮蔽効果が低下することがないので、蒸着法でもスパッタリング法でも同じ膜厚で同様の電磁波遮蔽効果を得ることができる。
【０３１３】
図５は、本発明に係る第８の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図であり、図４と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０３１４】
携帯型情報端末機器等に電磁波遮蔽体を適用した場合、その携帯型情報端末機器に直接、人体の一部や何らかの物体が接触することが考えられる。この場合に、電磁波遮蔽体を形成する銀合金材料膜が露出する場合においては、少なくとも人体や物体の接触によって表面部が削られたり、或いは殺傷痕が残ることで導電損失効果が減少したり、特定の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低下する可能性が考えられる。このため、表面接触による表面部の削れや殺傷痕の発生を抑制する目的で、電磁波遮蔽膜１８の上に耐食性及び耐候性に優れ耐摩耗性に優れた保護膜２４を形成している。それにより、露出する電磁波遮蔽膜１８に何らかの接触によって発生する接触傷を防止することができる。
【０３１５】
また、保護膜２４を形成した場合でも電磁波遮蔽能力の低下の抑制、基板１９と電磁波遮蔽膜１８との間に密着助長下地膜２３を形成し、その上に保護膜２４を形成した積層構造の電磁波遮蔽体においても、電磁波遮蔽能力が低下することがないことが確認されている。
【０３１６】
前記第８の実施の形態においても第７の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０３１７】
Ａｇは大変熱伝導率が良く、原子単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴があることから、熱伝導率を鈍化させて且つ原子間での活発な移動を抑制するために、Ａｇに対してある一定の量が溶解するＺｎを１．７ａｔ％〜８ａｔ％の組成範囲で任意に振って添加して実験した。
【０３１８】
まず、スパッタリング装置にＡｇとＺｎのスパッタリングターゲットをそれぞれ装着して、特定のＲＦパワーでＡｇ、Ｚｎの放電量を制御してＡｒガスを０．１〜３．０Ｐａの間で任意に設定して、２つの材料を同時にスパッタする。つまり、同時スパッタリング法で数種類Ｚｎの添加量を振って銀合金材料膜を形成した。
【０３１９】
この時の試験試料片としては、石英基板を用いてスパッタプロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用いて、到達真空度としては５×１０−４Ｐａ真空雰囲気中で、膜厚を２０ｎｍで形成した。
【０３２０】
前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して抵抗値を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、抵抗値の測定にあっては、４探針法により室温で測定した。その試験結果を表２２に示す。
【０３２１】
【表２２】
2004002929.tif 000023
【０３２２】
抵抗については、アニール前でＺｎ含有量が１．７ａｔ％のものがＡＰＣと同程度である。但し、アニール後に抵抗が上昇する傾向にある。再結晶化温度が高温側にシフトしていると思われる。
【０３２３】
また、前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎとＣｕを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して反射率を測定した。その試験結果を表２３に示す。
この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、目視にて、白濁が無きもの（光沢が保たれているもの）に関して反射率を測定した。その試験結果を表２３に示す。
【０３２４】
【表２３】
2004002929.tif 000024
【０３２５】
反射率については、Ｃｕの添加によりアニール後に反射率が下がる効果が確認された。但し、ばらつきがある。
【０３２６】
次に、石英基板上にＡｇにＰｄ、Ｃｕ、Ｚｎを含有した銀合金の薄膜をスパッタリングにより膜厚２０ｎｍ形成し、４探針法により室温で抵抗値を測定した。次いで、この薄膜を大気中でオーブンに入れ約１時間放置して４探針法により室温で抵抗値を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。その試験結果を表２４に示す。
【０３２７】
【表２４】
2004002929.tif 000025
【０３２８】
以上説明したように第７及び第８の実施の形態によれば、下記の作用効果を奏する。
前記実施の形態による銀合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を基板上に成膜した電磁波遮蔽体は、従来の金属粉やカーボンブラックを配合してなるエラストマー材料と同等の柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備えた上で、当該エラストマー材料に比べて大変安定な電磁波遮蔽効果を保持し得る。従って、長期にわたり電磁波遮蔽効果を保持するために有用な導電損失による電磁波遮蔽能力の劣化を回避する高品質な電磁波遮蔽体を得ることができる。
【０３２９】
また、前記実施の形態による銀合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を基板上に成膜した電磁波遮蔽体は、従来のプラストマー材料に金属膜を積層したときと比較して、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備えた上で、当該プラストマー材料に比べて大変安定な電磁波遮蔽効果を保持し得る。従って、長期にわたり電磁波遮蔽効果を保持するために有用な導電損失による電磁波遮蔽能力の劣化を回避する高品質な電磁波遮蔽体を得ることができる。
【０３３０】
また、前記実施の形態による銀合金材料を用いて電磁波遮蔽膜を基板上に形成する場合では、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法のいずれの成膜方法を用いても、従来に比して安定した生産性、電磁波遮蔽効果を長期にわたり保持することができる。
【０３３１】
また、前記実施の形態による銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜を用いて電磁波遮蔽体を製作する場合に、密着助長下地膜を基板と電磁波遮蔽膜との間に配置することにより、電磁波遮蔽効果を保持しつつ、電磁波遮蔽膜の基板に対する密着性を改善でき、両者の結合の強化を図ることができる。
【０３３２】
また、前記実施の形態による電磁波遮蔽体では、電磁波遮蔽膜の表面に耐食性及び耐候性に優れた材料や耐摩耗性に優れた材料からなる保護膜を形成することにより、人体や物体の接触によって表面部が削られたり、殺傷痕が残ることで導電損失効果が減少したり、表面部の削れや殺傷痕に起因する特定の電磁波遮蔽効果に対する遮蔽能力が低下することを抑制することができる。
【０３３３】
したがって、前記実施の形態によれば、銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜を、エラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、可撓性に優れた遮蔽体とすることができる。この電磁波遮蔽体は、柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備えた上で、Ａｇ自体の保有する電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を保持でき、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。しかも、エラストマー材料基板との接合性においても密着助長下地膜を介在させることにより基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができ、ＥＭＣ対策材料として応用展開が広く期待できる。
【０３３４】
また、前記実施の形態によれば、銀合金材料からなる電磁波遮蔽膜を、プラストマー材料からなる基板の表面に形成することにより、Ａｇ自体の保有する電磁波遮蔽効果に対しての高い遮蔽能力を保持でき、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力を継続的に保持でき、耐候性の材料的な安定性を格段に改善できる。しかも、プラストマー材料基板との接合性においても密着助長下地膜を介在させることにより基板との接合性（密着性）をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができ、ＥＭＣ対策材料として応用展開が広く期待できる。
【０３３５】
次に、本発明に係る第９の実施の形態について説明する。
この実施の形態においては、各種電子部品の金属材料に、前述した銀合金を適用する。なおここで各種の電子部品は、透過型液晶表示パネル、反射型液晶表示パネル、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネル、プラズマディスプレイ、微小ミラーによる電子光学部品等のディスプレイ用デバイス、各種半導体デバイス、プリント配線基板、チップコンデンサ、リレー等であり、これらの配線パターンの配線材料、電極材料、高反射膜材料、接点材料等、さらにはこれらの配線等の作成に使用するスパッタリングのターゲット材にこれらの合金が適用される。
【０３３６】
前述したようにＡｇにＺｎを添加してＡｇの結晶内にＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉを均質に置換、或いはその他の状態であっても均質に溶融させることにより、Ａｇ全体の耐候性を向上することができる。さらにＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた１つ又は複数の元素を添加すれば、電気的に抵抗率が低下し、又は抵抗率の増加を抑制することが可能となる。
【０３３７】
このようにして耐候性が改善されてなる銀合金にあっては、金属元素の中で最も優れた導電性、熱伝導性、高反射率を有する純Ａｇの特性が維持され、これにより耐候性や耐熱性に優れ、電気的に低抵抗率で、高熱伝導性、かつ高反射率の金属材料を得ることができる。
【０３３８】
特に配線材料に適用する場合には、前述した範囲で添加する元素の選定により、３．５μΩｃｍ以下の値を確保することができる。なお、配線材料としては、従来一般に用いられているＡｌＳｉ合金の抵抗率以下であれば実用に供することができると考えられ、実験した結果によれば、１．６μΩｃｍ以上の抵抗率であって、このＡｌＳｉ合金の抵抗率である３．５μΩｃｍ以下の抵抗率を必要に応じて確保することができる。
【０３３９】
また、このような銀合金は、いずれも溶融法にて混ざりあう合金材で形成する。従って、微視的にみても均一な特性を安定に提供することができる。また、これらの合金は、Ａｇの展延性を維持しており、膜の応力による劣化等が小さいことにより、例えば１μｍを超える厚い膜、あるいは圧延などによる板状のものであっても応力の発生が低減される。従って、従来材料であるＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕと比較して、加工性に優れ、高温で安定で、かつ信頼性を向上することが可能となる。
【０３４０】
また、Ａｇの加工方法としては、ドライエッチングにおいては、塩素系の複合ガスを用いる方法が知られており、ウエットエッチングにおいては、硝酸系のエッチング液を用いる方法が知られている。この実験の形態に係るＡｇ合金においても、これらの方法にてエッチング加工することができ、従来のＡｇ合金で蓄積された各種加工方法を適用することができる。
【０３４１】
なお、塩素を含むガスとしては、例えば、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４等であり、これらの雰囲気中でＲＩＥ、プラズマエッチングなどによりこの実施の形態に係るＡｇ合金膜の加工が可能である。因みに、このような塩素を含むエッチングガスによるドライエッチングプロセスをＡｇによる配線パターンに適用すると、エッチングの進行によりガス中の塩素とＡｇとが反応して配線パターンの境界面にＡｇＣｌが生成され、このＡｇＣｌにより導電性、熱伝導性が損なわれるが、この実施の形態に係る銀合金膜にあっては、このような反応も何ら発生しないことを確認できた。
【０３４２】
これにより、この種の金属材料を使用した電子部品の作成工程においては、塩素系のガスの雰囲気によるエッチングにより、好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０３４３】
また、このような３元合金にあっては、フッ素を含み塩素を含まないガス雰囲気中でのドライエッチングが困難であり、これらのガスによっては損傷しない長所が見られる。例えば、ＣＦ４、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６等のガス雰囲気中でのＲＩＥ、プラズマエッチングなどにより、このような３元合金に何ら影響を与えることなく、例えば、Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ等の他の材料をエッチングすることができる。
【０３４４】
これらによりフッ素を含み塩素を含まないガス雰囲気中での処理により、このような３元合金以外の部位を選択的にエッチングして処理することができ、これによってもこの種の金属材料に適用して好適なパターンニングの手法を得ることができる。
【０３４５】
これに対して、現在、液晶ディスプレイ製造設備におけるウエットエッチングにおいては、燐酸を含有するエッチング液で純Ａｌ等をエッチングするようになされている。このような燐酸系のエッチング液としては、例えばＨ３ＰＯ４＋ＨＮＯ３＋ＣＨ３ＣＯＯＨがあり、従来の純Ａｇ、Ａｇを主成分とする２〜３元素にて構成される合金にあっては、このようなエッチング液によってはエッチングが困難であった。
【０３４６】
ところが、前述した銀合金にあっては、このような燐酸系の錯体を用いてエッチングできることが判った。これにより、Ａｌによる従来のエッチング設備を有効に利用してエッチング加工することができる。因みに、従来と同様に、燐酸、硝酸、酢酸の他、水、硝酸セルウム、硝酸銀等を添加することにより、エッチングレートを制御することも可能である。
【０３４７】
なお、エッチング後の洗浄等の後工程においても、純Ａｌ、Ａｌ合金等と同じ工程を使用でき、またＡｌ系をエッチング加工する場合に比して環境を汚染する可能性も低減することができる。
【０３４８】
これらによっても従来材料であるＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕに比して、加工性に優れた金属材料とすることができる。
【０３４９】
さらに、この銀合金では、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、メッキ法などの従来の成膜プロセスにより簡易かつ確実に成膜することができる。このスパッタリングにおいて、この銀合金は、Ａｌ系材料に比して約３倍の速度によりスパッタリングすることができ、スパッタリング法による薄膜形成速度が速い特徴がある。これにより成膜時間を短縮することができ、その分生産に要する時間を短縮することができる。また、主体材料であるＡｇにあっては、貴金属であり他の金属に比べて回収、リサイクルが容易である。
【０３５０】
なお、スパッタリング法、蒸着法等により成膜した場合には、加熱により合金化することが必要となり、この処理においては３００℃以上、７５０℃以下の温度範囲により加熱処理して、電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた金属膜を作成することができる。
【０３５１】
さらに、加工プロセスとして重要な下地材料に対する密着性についても、下地にＷ、Ｔａ、Ｍｏ、ＩｎＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＮ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５の何れか１種類もしくは複数で混合されて形成される材料の何れかを適用することにより、良好な密着性が確保され、これにより各種半導体デバイス等において、従来のＡｌ系の配線パターンと簡易に置き換えることができ、また良好な特性を確保することができる。
【０３５２】
Ａｌ系の場合には、例えば薄膜によりプラストマー材料、ガラス上に直接成膜すると、Ａｌが酸素と反応すること等から、抵抗値がかなり大きくなり、バルク材料における抵抗値の２〜３倍の値となる。これに対してこの銀合金の場合、酸素の影響が少なく、プラストマー材料、ガラス上に直接薄膜を形成したことによる電気的な抵抗率の増加が低減される。これにより、プラストマー材料、ガラス上に直接成膜して配線パターン等を作成して、良好な特性による配線パターン等を作成することができ、簡易な製造プロセスにより電気的に低抵抗率の配線パターン等を作成することができる。
【０３５３】
これらにより、透過型液晶表示パネルにあっては、配線パターンに適用して、大画面化、高精彩化により配線長が増大し、また配線が微細化した場合も、簡易かつ確実に駆動することができ、また信頼性を向上し、さらには消費電力を軽減することができる。
【０３５４】
また、反射型液晶表示パネルにあっては、配線パターンに適用して、透過型液晶表示パネルの場合と同様の効果を得ることができ、また高反射膜に適用して安定に高い反射率を確保することができ、明るい表示画面を形成することができる。
【０３５５】
同様に、微小ミラーによる電子光学部品等の光変調デバイスの反射膜、電極又は配線パターンに適用して、反射効率が高く、電気的に低抵抗であるため、輝度が高く、かつ、高速動作が可能なデバイスを形成することができる。
【０３５６】
また、これら液晶表示パネル、各種半導体デバイスにおいて、Ｔａを用いた陽極酸化法に適用して、例えばこの銀合金とＴａによる２層構造として、充分に小さな抵抗値とすることができる。
【０３５７】
さらに、各種半導体デバイスにおいても、配線パターンに適用して、配線長の増大、配線の微細化による電気的な抵抗値の増大を防止でき、その分消費電力を軽減することができる。また、配線による電圧降下を防止でき、さらには信号の遅延を防止でき、これらにより各種特性を向上すると共に、信頼性を向上することができる。
【０３５８】
また、プリント配線基板の配線パターン、チップ部品の電極、リレーの接点等に適用して、好適な特性を確保して高い信頼性を確保することができる。
【０３５９】
また、前述したように前記銀合金からなる薄膜の抵抗値は低いものである。なお、スパッタリング法以外の成膜方法により成膜した場合の電気的な抵抗率を検討するために、蒸着法、メッキ法、ＣＶＤ法によりそれぞれ銀合金の薄膜を作製し、前述した測定法により電気的な抵抗率を測定した。この測定結果によれば、蒸着法、メッキ法、ＣＶＤ法のいずれの方法においても、成膜法を問わずほぼ同等の膜を作成できることが判った。
【０３６０】
また、成膜直後のアニール処理を施さない状態での電気的な抵抗率についても前述したように低いものである。
【０３６１】
また、前述したように本発明の銀合金は従来材料に比べて耐ＮａＣｌに対して良好な結果が得られた。
また、前述したように本発明の銀合金は従来材料に比べて熱処理に対する安定性、長期信頼性が確認されている。
【０３６２】
また同材料は、高温多湿下においても安定であることが確認され、これにより配線材料等に適用して充分な信頼性を確保できることが判った。
【０３６３】
次に、本発明に係る第１０の実施の形態について説明する。
第１０の実施の形態による建材ガラスは、耐熱性のあるＡｇ合金材料を用いたものの一例である。
【０３６４】
第１０の実施の形態では、まずＡｇの保有する熱に対しての自己拡散エネルギーを緩和させて、任意で少なくとも１００℃以上に加熱した場合に生じ易かった表面拡散による白濁化という現象を抑制するものである。
【０３６５】
第１０の実施の形態による積層体は、基板を有し、この基板上にスパッタリング法により高耐熱性反射膜を成膜したものである。この高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有するＡｇ合金材料からなるものである。
【０３６６】
なお、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３６７】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた１種類の元素を含有し、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有するＡｇ合金材料からなるものであっても良い。
【０３６８】
なお、前記１種類の元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量は０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下であることが好ましい。より好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．３ａｔ％以上６．０ａｔ％以下である。さらに好ましくは、前記１種類の元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下であり、前記少なくとも１種類の各元素の含有量が０．５ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３６９】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇ主成分とし、Ｚｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する銀合金からなる膜であっても良い。また、より好ましくは、Ｚｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３７０】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇ主成分とし、Ｉｎを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．１ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有する銀合金からなる膜であっても良い。また、より好ましくは、Ｉｎの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｃｕの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下、Ｐｄの含有量が０．１ａｔ％以上５．０ａｔ％以下である。
【０３７１】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上３．０ａｔ％以下含有する合金からなる膜であっても良い。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０３７２】
また、前記高耐熱性反射膜は、Ａｇを主成分とし、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％以下含有し、Ｃｕを０．３ａｔ％以上１．７ａｔ％以下含有し、更にＰｄを０．２ａｔ％以上含有する合金からなる膜であっても良い。また、特に好ましい耐熱性を有する銀合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上０．５ａｔ％以下である。
【０３７３】
高耐熱性反射膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置には、Ａｇと前記少なくとも１種類の各元素のスパッタリングターゲットをそれぞれ装着し、特定の高周波電力でＡｇ等の放電量（電力量）を制御し、Ａｒガスを０．１〜３．０Ｐａの間で任意に設定した上で２つ以上の材料を同時にスパッタする。この時、前記基板としては例えば石英基板を用いる。スパッタ・プロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用い、成膜室内をＡｒ雰囲気にする前に十分に真空引きを行い、到達真空度としては３×１０−６Ｐａ程度の高真空とする。高真空まで真空引きを行う理由としては、不純物ガス等が合金膜の粒界に依存してしまうのを抑制して、緻密な膜を形成するためである。
【０３７４】
前記第１０の実施の形態によれば、Ａｇ自体の保有する高い光学反射率に対しての高い能力を保持でき、更にはＡｇの材料的な安定性を格段に改善でき、しかも、積層されて用いられた場合には下地層やガラス基板又は樹脂基板との接合性をより一層効果的に強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０３７５】
また、上述したＡｇ合金材料からなる高耐熱性反射膜では、耐熱性の改善、白濁化現象や高い反射率の低下が起こらないことが確認されている。
【０３７６】
また、窓ガラスを始めとする建材ガラスでは、太陽光から発せられる可視光、赤外線、紫外線の内で、明かりに直接関係の高い可視光を透過して、且つ熱の元になって夏季に室内に外部から進入する赤外線を反射する目的で、ＡｇやＡｌ、若しくはそれらの内、いずれかを主成分としたＡｇ合金又はＡｌ合金からスパッタリング法にて膜を形成して、赤外反射効果を実現してきた。しかし、いずれも大気中に直接暴露された場合には熱に対して経時変化が大きいために、そのまま大気中に放置することが困難とされており、一般的にはＺｎＯやＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３複合酸化物等の耐熱保護層を形成することで反射膜の材料的な安定性を確保してきた。
【０３７７】
従来、温暖地に使用される日射遮蔽型の熱線遮蔽ガラスとしては、透明基板／誘電体／Ａｇ／誘電体の順に積層された膜構成となっており、必ずしも耐食性及び及び耐熱性に優れているとはいえない。
【０３７８】
そこで、本実施の形態による建材ガラスと従来のそれを比較するための実験を行ったので、この実験及び実験結果について説明する。
【０３７９】
まず、下記の膜構成からなる試料▲１▼〜▲４▼を作成した。
試料▲１▼は、ＴｉＯ２／Ａｇ／Ｔｉ／ＴｉＯ２の順に積層された膜構成を有するものである。
試料▲２▼は、ＴｉＯ２／Ａｇ−３．７ａｔ％Ｚｎ−０．５ａｔ％Ｃｕ／Ｔｉ／ＴｉＯ２の順に積層された膜構成を有するものである。
試料▲３▼は、Ｔｉ／ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯの順に積層された膜構成を有するものである。
試料▲４▼は、Ｔｉ／ＺｎＯ／Ａｇ−３．７ａｔ％Ｚｎ−０．５ａｔ％Ｃｕ／ＺｎＯの順に積層された膜構成を有するものである。
【０３８０】
その後、試料▲１▼〜▲４▼について高温多湿試験、２５０℃アニール試験を行った。
高温多湿試験は、湿度８０％、温度７０℃以上の環境下に試料▲１▼〜▲４▼を５時間保存処理する試験である。
２５０℃アニール試験は、２５０℃の温度に５時間の大気アニール処理を行う試験である。
【０３８１】
【表２５】
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【０３８２】
表２５及び図６〜図９は試験結果が示されている。
図６（ａ）は、試料▲１▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図６（ｂ）は、試料▲２▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図７（ａ）は、試料▲３▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図７（ｂ）は、試料▲４▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図６及び図７によれば、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金を用いた試料▲２▼、▲４▼ではＡｇを用いた試料▲１▼、▲３▼に比べて耐食性に優れているという結果が得られた。
【０３８３】
図８（ａ）は、試料▲１▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図８（ｂ）は、試料▲２▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図９（ａ）は、試料▲３▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、図９（ｂ）は、試料▲４▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図８及び図９によれば、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金を用いた試料▲２▼、▲４▼ではＡｇを用いた試料▲１▼、▲３▼に比べて耐熱性に優れていることという結果が得られた。
【０３８４】
図１０は、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎを１．８〜７．３ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図１１は、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＩｎを０．９〜１．９ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図１０によれば、Ａｇ−Ｐｄ−ＣｕにＺｎを添加することにより耐熱性が向上することを確認した。また、前述した表４、表５により耐熱性が向上するものは反射率の低下が少なかった。また、また、前述した表２４により耐熱性が向上するものは抵抗値が減少することを確認した。
【０３８５】
図１２は、Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎ又はＩｎを０．９〜７．３ａｔ％まで添加し、５重量パーセント（以下、ｗｔ％）のＮａＣｌ水に浸水させた後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
図１２によれば、Ａｇ−Ｐｄ−ＣｕにＺｎ又はＩｎを添加することによりさらに耐食性が向上することを確認した。
【０３８６】
図６〜図１１に示す顕微鏡写真において、斑点（ヒロック）の発生は加熱による熱膨張や応力によって起こりうる現象である。Ｚｎ元素の添加によって銀合金の粒界での空孔を減少させることにより、粒界拡散を抑制することができ、それにより、斑点（ヒロック）の発生を抑えることができると考察される。
【０３８７】
これまで耐食性及び耐熱性に富んでいるＡｇ合金としては、従来、Ａｇに１〜３ｗｔ％のＰｄを添加してなるＡｇ−Ｐｄ合金、若しくはＡｇに１〜１０ｗｔ％のＡｕを添加してなるＡｇ−Ａｕ合金が知られている。しかし、このＡｇ−Ｐｄ合金とＡｇ−Ａｕ合金のいずれの合金を用いた合金膜でも、高温高湿（多湿）環境下で耐候性試験を行った際には黒色の斑点が観察された。
【０３８８】
この黒色斑点物を光学顕微鏡で観察したところ、この黒色斑点物がＰｄのＨ２融解作用の固溶限界になり、黒色化して励起反応を起こして隆起物となっていることが確認できた。そのため、少なくとも建材ガラスとして用いる場合では、例えば雨季や冬季に室内外の温度差によって生じる水滴、或いは湿度の高い地域での長期信頼性に対しては安定性が欠けることが分かった。
【０３８９】
また、ＡｇとＡｕは完全固溶する安定な合金であることはよく知られているが、このＡｇ−Ａｕ合金は塩素をはじめとする耐ハロゲン系元素性に決して富んではいないために、耐候性試験中に空気が混入しており、空気内に含有する塩素やヨウ素と原子的に結合したことでこの様な黒色斑点が得られたことが分かった。
【０３９０】
また、Ａｇ−Ａｕの２元合金は耐熱性が高くないために、外気の温度が高かったり、太陽光から集中する熱線に対して安定性に問題があることが確認されている。
【０３９１】
そこで、本実施の形態では耐熱性が高いことが確認されている前述した高耐熱性反射膜が高温高湿（多湿）の環境下での耐候性について、安定性が少なくともＡｇ−Ａｕ合金と比較してどのような結果が得られるかを実験して見た。
【０３９２】
すると、前述したＡｇ合金材料によって形成された反射膜単層の場合でも、Ａｇ合金の下地にＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２を形成して積層体になった場合でも、Ａｇ合金単層と比較して耐候性が高いことが確認できた。
【０３９３】
この結果として、前述した高耐熱性反射膜では、それを上層として基板との間に任意で酸化物を形成した場合でも下地に依存することなく、耐熱性が高く更には反射率や耐候性を保持できることが確認された。例えば窓ガラスをはじめとする建材ガラス用の赤外線反射膜、熱線反射膜としては従来のＡｇ合金に比べて有用性が高いことが確認された。
【０３９４】
対照的に、従来から反射膜として広く用いられてきた従来のＡｌやＡｌを主成分とするＡｌ合金、更にはＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金については、いずれも樹脂基板に対して化学的に不安定であるために、樹脂基板上で高温高湿環境下に放置すると、反射膜と樹脂基板との接着界面で化学反応を起こしてしまう。
【０３９５】
そこで、前述したＡｇ合金材料の化学安定性を確認するために、ＰＭＭＡ、ＰＥＴ、ＰＣ、シリコーンなどの樹脂で構成される基板上に、三元同時スパッタリング法にて１５ｎｍの厚みの膜厚を形成して、高温多湿の環境下で２４時間放置してその外観や反射特性の経時変化を観察した。
【０３９６】
様々な樹脂基板上に形成したＡｇ合金材料からなる膜の反射率を、分光光度計を用いて観察してみたが、建材ガラス等で必要とされる４００ｎｍ〜４μｍの光学波長領域中で反射率が低下しないことが確認された。
このように、本発明によって得られたＡｇ合金材料は、樹脂に対して化学的安定性が高く、従来と比して基板材質を制限しないことが分かった。
【０３９７】
従来、建材ガラス用の赤外線反射膜、及び熱線反射膜においては、Ａｇ若しくはＡｌ、更にはＡｇを主成分とするＡｇ合金材料や、Ａｌを主成分とするＡｌ合金材料は、その材料を用いて薄膜を形成する際に、基板の材質によっては密着性が大変悪いため、薄膜を形成した直後、或いは薄膜を形成して長期間放置した時に、剥離等の問題が発生することが確認されている。
そのため、密着性を向上させるために様々な密着助長膜を反射膜と基板との中間に挟むことで、従来は密着性が弱いという問題に対する解決がなされてきた。
【０３９８】
そこで、本発明のＡｇ合金材料の膜でも同様の問題が生じるかどうかを、ＰＭＭＡなどの基板上にＡｇ合金反射膜を形成した後に、反射膜にＪＩＳ規格のセロハンテープを貼り付け、特定の引っ張り力でセロハンテープを剥離して膜の剥離の有無を観察するというテープ試験を行うことで、基板とＡｇ合金反射膜との中間に密着助長層の必要性の有無を確認して見た。
【０３９９】
すると、低アルカリガラス、無アルカリガラス、硼珪酸ガラスの基板と上述したＡｇ合金反射膜とは、程度の差異こそ発見されるものの、密着性が決して良いとは言えず、部分的あるいは広域にわたって剥離現象が確認されて、ガラス基板との密着性が決して良好ではないことが確認された。
【０４００】
そこで、低アルカリガラス、無アルカリガラス、硼珪酸ガラスなどのガラス基板との密着性を助長するために、ガラス基板と上述したＡｇ合金反射膜との間に中間層（密着助長下地膜）を配置することが望ましい。ガラス基板の密着助長下地層としては、ＩＴＯ、ＩｒＯ２、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌからなる群から選ばれた１又は複数の材料、若しくは、該１又は複数の材料を少なくとも主成分として含む材料を用いて形成したものが好ましい。また、樹脂基板との密着助長下地膜としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタンから選ばれた１種類以上あるいは少なくとも１種類以上を組み合わせて形成される材料を用いて形成される薄膜が望ましい。
その理由としては、樹脂基板は特定の純度や材質の場合には、ガスの発生が大変多いこと、また、金属はその発生ガスと反応し易いこと、また、Ａｇ合金と密着させる接合界面に反応不動態被膜（例えば酸化膜等）を生じる可能性が高いこと等から適切であるとは言い難いからである。
【０４０１】
そのために、樹脂基板上に下地層を形成する場合では、特に化学的な安定性が要求されるために、少なくとも金属に比して金属酸化物の方が還元反応を抑制し易い為に、本発明のＡｇ合金との接合界面での化学的もしくは品質的な安定性は高い為に、樹脂基板を用いて、Ａｇを主成分として三元素からなる前述したＡｇ合金膜と基板との間で中間層として下地膜を形成する場合には、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタンから選ばれた１種類以上あるいは少なくとも１種類以上を組み合わせて形成される材料を用いることが適切である。
【０４０２】
中間層として検討する金属酸化物においては、例えば反射電極層等の電気的な特性の向上を兼ね備える場合には、ＩＴＯ、ＺｒＯ２等の導電性金属酸化物、若しくは複合酸化物を１〜１００ｎｍ程度形成することが望ましい。
選択の理由としては、密着性の向上以外の効果として、例えば絶縁性の高い中間層を挟んだ場合には、本発明のＡｇ合金と中間下地層の積層体自体の体積抵抗率が大幅に向上して、中間層によってＡｇ合金の特性が損なわれる可能性が高いためである。
【０４０３】
また、中間下地層として金属酸化物を検討する場合においては、反射率や屈折率等の光学特性の低下抑制を検討する場合においては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等が望ましいと考えられる。
この理由としては、ＳｉＯ２は吸収が４００〜４０００ｎｍの光学波長領域中では大変少ない為に、吸収率の増加による反射率の低下が抑制でき、更にＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５についてはいずれも屈折率が高く吸収率が小さいために、屈折率の依存による光学特性の変異が抑制できることが確認できたためである。
【０４０４】
上記で述べた密着助長下地膜を樹脂基板に形成する場合は、スパッタ装置を用いると、前記樹脂基板を成膜室内に入れてから真空引きを行う際に、基板よりガスが発生するために、真空度が上がらず、更には樹脂基板と密着助長層との界面も不安定になり易いために、少なくとも本発明のＡｇ合金を樹脂基板上に形成する場合においては、蒸着法による膜厚形成が望ましいと考えられる。
【０４０５】
但し、建材ガラス用のガラス基板に密着助長下地膜を形成する場合は、ガラスが大型であるということと、形成する膜の緻密さや膜の厚みの面内分布が大変重要であるために、成膜室内を高真空に真空引きした後にＡｒ雰囲気で成膜を行えるスパッタリング法を用いて形成するほうが望ましいということが分かった。
【０４０６】
密着性を助長させることを目的とする中間下地膜を検討する上で重要な課題としては、容易に膜の形成が可能であるかどうかという点であるが、例えばＳｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜は、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法のいずれでも膜の製作が可能であるために、少なくともＡｇ合金を製作する方法と連動することが可能であるために、汎用的な有用性は高いと検討することができる。
【０４０７】
また、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２等の酸化物においても、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法で容易に形成することが可能であり、例えば窓ガラス等に赤外線を反射する赤外反射膜を形成する場合に、いずれの方法でも同じ反射特性を有する反射膜を形成することができた。
【０４０８】
次に、前述した第５〜第７の薄膜についての耐熱性試験及びその結果を説明する。
石英基板上にスパッタリング法により第５〜第７の薄膜を成膜したものを試験試料片として用いる。スパッタプロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用いて、到達真空度としては５×１０−４Ｐａ真空雰囲気中で、膜厚を２０ｎｍで形成した。
【０４０９】
５５０ｎｍの波長の光に対する反射率を前記試験試料片の薄膜（成膜直後のもの）で測定した。次に、この試験試料片を大気中でオーブンに入れ約１時間放置して５５０ｎｍの波長の光に対する反射率を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。そして、成膜直後の薄膜の反射率に対して１時間加熱した後の反射率の変化率を計算した。これらの試験結果を表２６及び表２７に示す。
【０４１０】
【表２６】
2004002929.tif 000027
【０４１１】
【表２７】
2004002929.tif 000028
【０４１２】
表２６に示すように、Ｚｎを３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％未満含有させたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金では、１時間加熱後に反射率の減少がほとんど無かったので耐熱性に優れていることが確認できた。したがって、耐熱性に優れたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＺｎ含有量は３．０ａｔ％以上８．０ａｔ％未満であるといえる。
【０４１３】
表２７に示すように、Ｃｕを０．３ａｔ％以上含有させたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金では、１時間加熱後に反射率の減少がほとんど無かったので耐熱性に優れていることが確認できた。したがって、耐熱性に優れたＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｐｄ合金中のＣｕの含有量は０．３ａｔ％以上であるといえる。
【０４１４】
尚、本発明は前述した実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、本発明は、スパッタリング等による薄膜生成による場合に限らず、他の薄膜生成による場合、さらには厚膜生成による場合にも広く適用することができる。
【０４１５】
（実施例１）
次に、本発明の実施例１による光学記録媒体（反射）について説明する。
Ａｇに所定量のＺｎを添加したＡｇ−Ｚｎ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
【０４１６】
この場合、Ａｇに、Ｚｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果は前述した表２に示されている。比較例として純Ａｇの薄膜とＡＰＣの薄膜についての反射率を測定した。
【０４１７】
前述した表２に示した測定結果より、ＡｇにＺｎを含有しているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表２に示すように、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％〜８ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９．９１％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０４１８】
つまり、光学記録媒体の反射膜を形成するための材料として、ＡｇにＺｎが１．７ａｔ％、５ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０４１９】
（実施例２）
次に、本発明の実施例２による光学記録媒体（反射）について図３を用いて説明する。図３は、前述したようにＡｇ−Ｚｎ合金からなる薄膜について照射する光の波長とその光の反射率を示すグラフである。このグラフによれば、Ｚｎ含有量が１．７ａｔ％、５ａｔ％のとき、ＡＰＣよりも良好である。
【０４２０】
（実施例３）
次に、本発明の実施例３による光学記録媒体（反射）について説明する。
Ａｇに所定量のＺｎとＣｕを添加したＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金により、光学記録媒体用の薄膜、すなわち、反射膜を形成して光学記録媒体を作製した場合の４００ｎｍの波長レーザー光に対する反射率を測定した。
【０４２１】
この場合、Ａｇに、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ合金スパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜、すなわち反射膜を形成し、光学記録媒体を作製し、波長４００ｎｍのレーザー光を照射したときの、それぞれの反射率を測定するものとし、この測定結果は前述した表３に示されている。比較例として純Ａｇの薄膜とＡＰＣの薄膜についての反射率を測定した。
【０４２２】
表３に示した測定結果より、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においては、実用上望ましい高い反射率が得られることがわかる。
すなわち、表３に示すように、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜５．０ａｔ％それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合において、特に、Ｚｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％それぞれの量含有した場合においては、８９％（４００ｎｍ）以上の高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を有するものであることがわかる。
【０４２３】
つまり、光学記録媒体の反射膜の形成するための材料として、ＡｇにＺｎが０．５ａｔ％〜４．０ａｔ％、Ｃｕが０．５ａｔ％〜１．７ａｔ％含有されているＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いた場合には、反射率が同波長領域中の測定で、ＡＰＣを用いた場合に比較して良好である。さらに光学記録媒体の反射膜として重要な耐候性に関しては、ＡＰＣと同程度が期待できる。
【０４２４】
なお、前記においては、Ａｇ−Ｚｎ合金、Ａｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金について説明したが、本発明はこの例に限定されるものではなく、これら以外の元素をＡｇに含有した前記スパッタリングターゲットを用いた場合についても高い反射率が得られ、光学記録媒体の反射膜として優れた特性を得ることができる。
また、ＡｇにＺｎが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）、Ｃｕが０．１ａｔ％〜８．０ａｔ％（好ましくは０．３ａｔ％〜６．０ａｔ％）それぞれの量含有されてなるＡｇ−Ｚｎ−Ｃｕ合金のスパッタリングターゲット材を用いて、光学記録媒体の薄膜を形成した場合においても、実用上望ましい高い反射率が得られることも確認されている。
【０４２５】
（実施例４）
次に、本発明の実施例４による光学記録媒体（半透明反射）について説明する。
光学記録媒体の半透明反射膜３について行った、耐候性の検討結果を説明する。
半透明反射膜３の膜厚は、従来の反射膜の膜厚と比較すると、極めて薄い領域にある。したがって、半透明反射膜３は十分な耐候性を有することが必要である。
【０４２６】
本実施例においては、まず、Ｚｎ等を添加したＡｇ合金のスパッタリングターゲットを前述した方法により作製した。
次に、このスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により、銀合金の薄膜からなる半透明反射膜を形成し、光学記録媒体を得た。
【０４２７】
ここで、銀合金からなるスパッタリングターゲット材料として、Ｚｎなどを特に選択した理由は、前述したものと同様である。
【０４２８】
また、Ａｇは、硫黄と結合しやすいので大気中に長時間放置されると、Ａｇ２Ｓとなり黒色化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。また、Ａｇは、塩素とも激しく反応してＡｇＣｌとなり白濁化する。この結果、Ａｇ薄膜の光学特性が劣化する。しかし、Ａｇは、酸素、水素、あるいは水に対しては比較的安定な物質である。一方、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉは、脱酸素効果（酸化防止）、硫化、塩化防止等の作用があり、硫黄や塩素に対して化学的に安定な物質である。
【０４２９】
前記Ａｇ合金のスパッタリングターゲットによれば、塩素、水素、酸素、硫黄という、大気中、あるいは特殊環境中で検討される非金属元素による汚染や光学記録媒体に採用される際に要求される環境や雰囲気下での高い耐候性の向上の実現が可能になる。
【０４３０】
前記実施例４によれば、前述したＡｇをベース材料とした銀合金からなる薄膜を半透明反射膜３に用いることにより、耐候性を改善でき、かつ基板との接合性を強化でき、より高い信頼性を得ることができる。
【０４３１】
次に、耐候性の試験法について説明する。ここでは塩素試験を行った。
塩素試験のサンプルは、ポリカーボネート基板上に後述のＡｇ合金を成膜したものを使用した。
塩素試験は、常温で、５％濃度の塩水にこのサンプルを一定時間浸漬した後、目視により確認したものである。
【０４３２】
前述したように表６〜表１７は、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ‐Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金の薄膜について行った塩化試験結果を示したものである。ここで、Ｘは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ及びＧｅからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を示す。比較例として純ＡｇとＡＰＣについても行った。
【０４３３】
次に、塩化試験から得られた知見について説明する。
純Ａｇの薄膜では、塩化によるものと思われる膜の白濁が認められた。
【０４３４】
これに対し、Ａｇ−Ｚｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｉｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｓｎ‐Ｘ合金、Ａｇ−Ｎｉ‐Ｘ合金薄膜では、５％ＮａＣｌ水溶液にはＡＰＣと同様、変化が見られなかった。
このように、第二元素としてＺｎ、Ｓｎ、Ｉｎ及びＮｉ等を添加することにより、耐候性が改善され、より高い信頼性が得られた。
【０４３５】
尚、前記実施例４では、優れた耐食性、耐候性を有するＡｇ合金材料であることを説明し、２つの情報層を有する構造のディスク状、いわゆる円盤状の光ディスクについて説明したが、本発明はこのような光ディスクや形状に限られるものではなく、種々の製品に適用することが可能であり、例えば、単層又は３層以上の情報層を有する光ディスク、光磁気ディスク、相変化型光ディスク、その他カード状またはシート状の記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学記録媒体、その他、耐食性、耐候性を必要とする各種の製品に適用することが可能である。
【０４３６】
また、例えば２枚の透明基板上にそれぞれ２層以上の情報層を形成し、これら透明基板をその情報層を有する面をつき合わせ接合して形成し、両透明基板側から光照射を行うようにした構成とすることもできるなど種々の構造とすることが可能である。
【０４３７】
（実施例５）
次に、本発明の実施例５による銀合金材料（抵抗）について説明する。
Ａｇは大変熱伝導率が良く、原子単位で熱を吸収・飽和させ易い特徴があることから、熱伝導率を鈍化させて且つ原子間での活発な移動を抑制するために、Ａｇに対してある一定の量が溶解するＺｎを１．７ａｔ％〜８ａｔ％の組成範囲で任意に振って添加して実験した。
【０４３８】
まず、スパッタリング装置にＡｇとＺｎのスパッタリングターゲットをそれぞれ装着して、特定のＲＦパワーでＡｇ、Ｚｎの放電量を制御してＡｒガスを０．１〜３．０Ｐａの間で任意に設定して、２つの材料を同時にスパッタする。つまり、同時スパッタリング法で数種類Ｚｎの添加量を振って銀合金材料膜を形成した。
【０４３９】
この時の試験試料片としては、石英基板を用いてスパッタプロセス中の基板温度は常温（２５℃前後）で、スパッタガスとしてはＡｒガスのみを用いて、到達真空度としては５×１０−４Ｐａ真空雰囲気中で、膜厚を２０ｎｍで形成した。
【０４４０】
前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して抵抗値を測定した。この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、抵抗値の測定にあっては、４探針法により室温で測定した。その試験結果は前述した表２２に示されている。
【０４４１】
抵抗については、アニール前でＺｎ含有量が１．７ａｔ％のものがＡＰＣと同程度である。但し、アニール後に抵抗が上昇する傾向にある。
【０４４２】
（実施例６）
次に、本発明の実施例６による銀合金材料（反射率）について説明する。
前記方法にて形成したＡｇを主成分として、それに数種類の材料組成でＺｎとＣｕを添加した銀合金材料薄膜を、大気中でオーブンに入れ約１時間放置して反射率を測定した。その試験結果は前述した表２３に示されている。
この時のオーブンの加熱方法としては、抵抗加熱式を採用し、加熱温度を２５０℃、加熱速度を２０℃／ｍｉｎに設定した。また、目視にて、白濁が無きもの（光沢が保たれているもの）に関して反射率を測定した。その試験結果は前述した表２３に示されている。
【０４４３】
電気抵抗については、Ｃｕの添加によりアニール後に反射率が下がる効果が確認された。但し、ばらつきがある。
【０４４４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明による銀合金によれば、Ａｇを主成分とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を含有する。従って、優れた耐食性を有する銀合金を提供することができ、また、熱処理前後において高い反射率を有する銀合金を提供することができ、また、電気的に低抵抗の特性を有する銀合金を提供することができる。また、優れた耐熱性を有する銀合金を提供することができる。
【０４４５】
また、本発明によれば、前記銀合金を用いるため、反射光の黄色化を抑制したスパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法を提供することができる。
【０４４６】
また、本発明によれば、Ａｇの耐水素性、耐酸素性やＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＮｉの脱酸素効果（酸化防止）、塩化、硫化防止の相互作用により、Ａｇと比較した場合に高反射率を維持し、耐候性を改善した光学記録媒体を提供することができる。
【０４４７】
また、本発明によれば、半透明反射膜の耐候性が改善され、より高い信頼性が得られる光学記録媒体を提供することができる。
【０４４８】
また、本発明によれば、柔軟性、形状自在性（複雑な形状への折り曲げ追随性）を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、エラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することができる。
【０４４９】
また、本発明によれば、電磁波遮蔽性、赤外線遮蔽性、透明性、非視認性、耐腐食性、耐候性や耐摩耗性等を備え、主にＥＭＣ対策材料として応用展開が広く、また、高温高湿の環境下においても高い電磁波遮蔽能力が継続的に保持されるといった耐候性の材料的な安定性が格段に改善され、しかも、プラストマー材料基板との接合性（密着性）がより一層効果的に強化され、より高い信頼性が得られる電磁波遮蔽体を提供することができる。
【０４５０】
また、本発明によれば、従来に比して電気的に低抵抗率であって、安定かつ加工性に優れた電子部品用金属材料、配線材料、銀合金を使用した電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品を提供することができる。
【０４５１】
また、本発明の高耐熱性反射膜を用いて形成した積層体、例えば建材ガラス用熱線・赤外線反射膜においては、耐熱性が高く反射率も高く、更にアルカリ系の有機材料に対して安定で、更には樹脂基板を用いる場合、その基板からの脱ガスに対しても化学的に安定であるために、高品質な製品を形成することができる。
【０４５２】
また、本発明のＡｇ合金膜を用いて高耐熱性反射膜を形成する場合に、例えば基板と反射膜との間に、密着性及び光学特性の向上を目的として下地層を形成して積層体となった場合でも、熱に対しての安定性が劣化することが無く、更には光学特性の著しい低下がないことから、積層構造とされた場合でも品質が劣化することがない。
【０４５３】
また、本発明のＡｇ合金膜を形成する場合には、スパッタリング法及び蒸着法のいずれも場合であっても目的や用途、もしくは基板の種類に応じて安定して同じ特性を得ることがわかり、例えば膜の形成方法による品質の差異が生じない。
【０４５４】
従って、本発明によれば、Ａｇ自体の保有する高い光学特性が保持され、更にはＡｇの材料的な安定性が格段に改善されるとともに、反射膜とガラス基板又は樹脂基板の間に下地層を形成すると、高耐熱性反射膜とガラス基板又は樹脂基板との接合性がより一層効果的に強化されるので、信頼性の高い建材ガラス用反射膜等の積層体等を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第５の実施の形態によるスパッタリングターゲット材を用いて形成した薄膜を有する光学記録媒体の一例であって２層構造の光学記録媒体を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る第６の実施の形態による光学記録媒体の一例を示した側面図である。
【図３】Ａｇ−Ｚｎ合金からなる薄膜について照射する光の波長とその光の反射率を示すグラフである。
【図４】本発明に係る第７の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図である。
【図５】本発明に係る第８の実施の形態による電磁波遮蔽体を示す断面図である。
【図６】（ａ）は、試料▲１▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲２▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図７】（ａ）は、試料▲３▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲４▼に高温多湿試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図８】（ａ）は、試料▲１▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲２▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図９】（ａ）は、試料▲３▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真であり、（ｂ）は、試料▲４▼に２５０℃アニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図１０】Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎを１．８〜７．３ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図１１】Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＩｎを０．９〜１．９ａｔ％まで添加し、２５０℃で１時間のアニール試験を行った後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【図１２】Ａｇ−０．５ａｔ％Ｐｄ−１．０ａｔ％ＣｕにＺｎ又はＩｎを０・９〜７．３ａｔ％まで添加し、５ｗｔ％のＮａＣｌ水に浸水させた後の試料表面を顕微鏡観察した結果を示す写真である。
【符号の説明】
１…第１の基板
２…第２の基板
３…半透明反射膜
４…反射膜
５…透明接着剤
６…光学記録媒体
７…対物レンズ
８…再生光
９…第１の情報層
１０…光学記録媒体
１１…第１の情報記録層
１２…第２の情報記録層
１３，１４…基板
１５…半透明膜
１６…銀合金反射膜
１７…第２の情報層
１８…電磁波遮蔽膜
１９…基板
２０…光硬化性樹脂
２１…第１の微細凹凸
２２…第２の微細凹凸
２３…密着助長下地膜
２４，３０…保護膜
【図１】
2004002929.tif 000029
【図２】
2004002929.tif 000030
【図３】
2004002929.tif 000031
【図４】
2004002929.tif 000032
【図５】
2004002929.tif 000033
【図６】
2004002929.tif 000034
【図７】
2004002929.tif 000035
【図８】
2004002929.tif 000036
【図９】
2004002929.tif 000037
【図１０】
2004002929.tif 000038
【図１１】
2004002929.tif 000039
【図１２】
2004002929.tif 000040