(57)【要約】【課題】表示装置の基板の製造方法及び表示装置の基板に関し、レジスト塗布時に有機絶縁膜等によって発生する塗布ムラを改善することを目的とする。【解決手段】表示装置の基板の製造方法は、表示領域６４と周辺領域６６とを各々有する複数の表示装置の基板１２に相当する複数の部分６０ａを含む板部材６０を作成し、周辺領域６６内で板部材６０の中心Ｏと表示領域６４の中心Ｏ側の１辺の両端部とを結ぶ２つの線の間にパターン制限領域６８を規定し、板部材６０に有機材料の層を塗布し、パターン制限領域６８においては有機材料の層の孤立したパターン構造５０を制限するように有機材料の層をパターニングし、有機材料の層の上にさらなる層を形成し、板部材６０を複数の表示装置の基板に分割する構成とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と周辺領域とを各々有する複数の表示装置の基板に相当する複数の部分を含む板部材を作成し、
該周辺領域内で該板部材の中心と該表示領域の該中心側の１辺の両端部とを結ぶ２つの線の間にパターン制限領域を規定し、
該板部材に有機材料の層を塗布し、
該パターン制限領域においては有機材料の層の孤立したパターン構造を制限するように該有機材料の層をパターニングし、
該有機材料の層の上にさらなる層を形成し、
該板部材を複数の表示装置の基板に分割する
ことを特徴とする表示装置の基板の製造方法。
【請求項２】
該パターン制限領域の有機材料の層の孤立したパターン構造の面積は、該周辺領域内の該表示領域の他の１辺の側の領域の有機材料の層の孤立したパターン構造の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の基板の製造方法。
【請求項３】
該パターン制限領域の孤立したパターン構造の面積は３００００μｍ２  以上であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の基板の製造方法。
【請求項４】
該パターン制限領域の孤立したパターン構造は画素表示領域から１０００μｍ以上離れた位置に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の基板の製造方法。
【請求項５】
表示領域と周辺領域とを有する表示装置の基板であって、
該表示領域及び該周辺領域を覆う有機材料の層と、該有機材料の層の上に形成されたさらなる層とを有し、
該有機材料の層は該周辺領域内に孤立したパターン構造を有し、該周辺領域内の該表示領域の１辺の側の領域の孤立したパターン構造の面積が該周辺領域内の該表示領域の他の１辺の側の領域の孤立したパターン構造の面積よりも小さいことを特徴とする表示装置の基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表示装置の基板の製造方法及び表示装置の基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶表示装置やプラズマ表示装置等の表示装置は一対のガラス基板を含む。液晶表示装置のガラス基板はＴＦＴ基板及びカラーフィルタ基板と呼ばれる。ＴＦＴ基板は薄膜トランジスタを含み、カラーフィルタ基板はカラーフィルタを含む。薄膜トランジスタはガラス基板上にスパッタ法やＣＶＤ法によって金属層や絶縁層や半導体層を形成し、各層の上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法を用いて各層を所定のパターンに形成する。そして、このような工程を繰り返し行うことで薄膜トランジスタは形成される。
【０００３】
近年、高精細化が進むにつれて、１画素の面積は小さくなるが、十分な開口率を確保する必要がある。このため、バスラインの幅を小さくし、バスラインの高さを高くする傾向がある。バスラインの高さが高くなると、バスラインを覆う絶縁層の表面に段差ができ、好ましくない。そこで、絶縁層を厚くして、絶縁層の表面を平坦にするようにしている。
【０００４】
薄膜トランジスタを覆う絶縁層（保護膜）をＣＶＤ法により窒化珪素等の層で作ると、絶縁層を厚くするのは簡単ではない、そこで、絶縁層をスピンコートにより有機材料の層で作る（例えば、特許文献１参照）。有機材料の層をスピンコートによって塗布すると、比較的に簡単に厚い絶縁層を得ることができる。通常、絶縁層を形成した後、絶縁層の上に透明電極層を形成する。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−７２２２２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
有機材料の絶縁層は誘電率の問題などで数μｍ程度の厚さにする必要がある。有機材料の絶縁層に孤立した大きなパターン構造があると、その後でレジストをスピンコートで塗布する際に、孤立した大きなパターン構造がレジストの流れに対して大きな抵抗となり、そのパターンの延長線上でレジストの広がりが阻害される。そのため、そのパターンを起点にしてレジストの放射状の膜厚ムラなどが発生する。画素電極形成のフォトリソ工程において、レジストの膜厚変動があると、画素電極のパターンが微妙に影響され、使用時に表示ムラが発生する等の不具合が発生することもある。特に、高精細化が進んだことで、画素電極のパターンは複雑な構造になっており、コンマ数μｍの寸法変動ですぐに表示ムラにつながるという問題がある。
【０００７】
同様に、カラーフィルタ基板においても、カラーフィルタ樹脂やオーバーコート樹脂の上にレジストを塗布してフォトリソ法を用いてパターンを形成することがあるが、その際も、下地の段差を感じてしまい、膜厚ムラが発生し、表示不良につながる可能性がある。
【０００８】
本発明の目的は、レジスト塗布時に有機絶縁膜等によって発生する塗布ムラを改善するようにした表示装置の基板の製造方法及び表示装置の基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による表示装置の基板の製造方法は、表示領域と周辺領域とを各々有する複数の表示装置の基板に相当する複数の部分を含む板部材を作成し、該周辺領域内で該板部材の中心と該表示領域の該中心側の１辺の両端部とを結ぶ２つの線の間にパターン制限領域を規定し、該板部材に有機材料の層を塗布し、該パターン制限領域においては有機材料の層の孤立したパターン構造を制限するように該有機材料の層をパターニングし、該有機材料の層の上にさらなる層を形成し、該板部材を複数の表示装置の基板に分割することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明による表示装置の基板は、表示領域と周辺領域とを有する表示装置の基板であって、該表示領域及び該周辺領域を覆う有機材料の層と、該有機材料の層の上に形成されたさらなる層とを有し、該有機材料の層は該周辺領域内に孤立したパターン構造を有し、該周辺領域内の該表示領域の１辺の側の領域の孤立したパターン構造の面積が該表示領域の対向する１辺の側の領域の孤立したパターン構造の面積よりも小さいことを特徴とする。
【００１１】
上記構成においては、周辺領域内で板部材の中心と表示領域の前記中心側の１辺の両端部とを結ぶ２つの線の間にパターン制限領域を形成する。このパターン制限領域においては有機材料の層の孤立したパターン構造を制限するようにしている。従って、有機材料の層の上にフォトレジスト等のレジストを塗布する際に、有機材料の層に孤立した小さなパターン構造がある場合にも、そのような孤立した小さなパターン構造はレジストの流れに対して大きな抵抗とならず、レジストは円滑に広がる。そのため、有機材料の層の上にレジストを塗布する際の塗布ムラを改善することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００１３】
図５は表示装置の１例としての液晶表示装置を示す略断面図である。液晶表示装置１０は、一対のガラス基板１２，１４と、ガラス基板１２，１４の間に挿入された液晶１６とを含む。ガラス基板１２はＴＦＴ基板であり、図示しない薄膜トランジスタと、画素電極１８と、配向膜２０とを含む。ガラス基板１４はカラーフィルタ基板であり、画素開口部を有するブラックマトリクス２２と、カラーフィルタ２４と、共通電極２６と、配向膜２８とを含む。
【００１４】
図６はＴＦＴ基板１２の一例を示す断面図である。ＴＦＴ基板１２は薄膜トランジスタ３０を含む。薄膜トランジスタ３０はゲート電極３２と、ゲート絶縁層３４と、半導体層３６と、チャンネル保護膜３８と、ドレイン電極４０と、ソース電極４２とを含む。ゲートバスライン及びドレインバスラインがゲート電極３２及びドレイン電極４０と接続して設けられる。薄膜トランジスタ３０はシリコン窒化膜の絶縁層４４及び有機材料の絶縁層４６によって覆われる。
【００１５】
有機材料の絶縁層４６は実質的に平坦な表面を有しパターン構造４８，５０を有するようにパターニングされている。パターン構造４８，５０は有機材料の絶縁層４６の表面の孤立した突起や凹部などの非平坦な部分である。パターン構造４８はコンタクトホールであり、画素電極１８はコンタクトホール４８を通ってソース電極４２に接続される（シリコン窒化膜の絶縁層４４もコンタクトホールを有する）。パターン構造５０は後で説明される。図６では、図５の配向膜２０は省略されている。
【００１６】
図１は図５の基板１２，１４を作るためのマザーガラスを示す図である。マザーガラス（板部材）６０は複数の表示装置１０の基板１２，１４に相当する複数の部分を含む。本発明をＴＦＴ基板１２に適用した実施例においては、マザーガラス６０は２つのＴＦＴ基板１２に相当する２つの部分６０ａを含む。マザーガラス６０は最終的には線６２に沿って２つの部分６０ａに切断され、よって２つのＴＦＴ基板１２が製造される。
【００１７】
各ＴＦＴ基板１２は表示領域６４と周辺領域６６とを有する。表示領域６４は多数の画素電極１８及び多数の薄膜トランジスタ３０等を含む部分である。周辺領域６６は表示領域６４のまわりにあり、表示装置１０のバスラインに接続され且つ駆動回路に接続される端子や試験回路に接続される端子等が形成された部分である。
【００１８】
図１は図６のシリコン窒化膜の絶縁層４４の上に有機材料の絶縁層４６が形成された状態を示す。有機材料の絶縁層４６はパターン構造４８，５０を有する。パターン構造４８はコンタクトホールであり、パターン構造５０よりもかなり小さいので図１には示されていない。パターン構造５０は例えば周辺領域６６の端子の上に開口する有機材料の絶縁層４６の穴である。また、パターン構造５０は機械的な強度を付与するための突起とすることもできる。
【００１９】
図１において、マザーガラス６０の中心はＯで示される。パターン制限領域６８が周辺領域６６内でマザーガラス６０の中心Ｏと表示領域６４の中心Ｏ側の１辺６４ａの両端部とを結ぶ２つの線の間に規定される。パターン制限領域６８は図１にハッチングで示される。
【００２０】
有機材料の絶縁層４６をパターニングするのに際して、パターン制限領域６８においてはパターン構造５０（パターン制限領域６８内のパターン構造５０を５０ａで示す）を制限するようになっている。例えば、パターン制限領域６８内にはパターン構造５０ａを設けないようにしたり、あるいは、パターン制限領域６８のパターン構造５０ａの面積は、周辺領域６６内の表示領域６４の他の１辺の側の領域のパターン構造５０の面積よりも小さくしたりする。好ましくは、パターン制限領域６８の孤立したパターン構造５０の面積は３００００μｍ２  以上である。パターン構造５０，５０ａは１つの独立した突起や凹部となっている場合もあり、あるいは複数の近接した突起や凹部のグループとなっている場合もある。
【００２１】
図２は有機材料の絶縁層４６を形成した後にレジストを塗布する際の問題点を説明する図である。レジストはスピンコートにより塗布される。スピンコートにおいては、マザーガラス６０をその中心Ｏのまわりで矢印Ａの方向に回転させながらレジスト材料を供給する。有機材料の絶縁層４６に孤立した大きなパターン構造５０があると、孤立した大きなパターン構造５０がレジストの流れに対して大きな抵抗となり、そのパターンの延長線上でレジストの広がりが阻害される。そのため、そのパターン構造５０を起点にしてレジストの放射状の膜厚ムラ７０などが発生する。つまり、スピンコートにおいては、レジストは遠心力で半径方向外方に流れるので、レジストが流れる半径方向にパターン構造５０があると、レジストはパターン構造５０の先では順調に流れなくなる。そこで、レジストの膜厚変動があると、画素電極１８の形成において、画素電極１８のパターンが微妙に影響され、使用時に表示ムラが発生する等の不具合が発生することがある。
【００２２】
本発明では、パターン制限領域６８においてはパターン構造５０（５０ａ）を制限するようになっているので、レジストの流れは少なくともパターン制限領域６８においては阻害されない。パターン制限領域６８は供給されたレジストが表示領域６４に向かって流れるコース上にあり、レジストの流れがパターン制限領域６８においては阻害されないので、レジストは表示領域６４内に円滑に流れる。従って、表示領域６４内にある画素電極１８のパターンが影響されることがなく、使用時に表示ムラが発生することがない。
【００２３】
図３はマザーガラスの変形例を示す図である。図３の実施例においては、マザーガラス６０は６つのＴＦＴ基板１２に相当する６つの部分６０ａを含む。マザーガラス６０は最終的には線６２に沿って６つの部分６０ａに切断され、よって６つのＴＦＴ基板１２が製造される。
【００２４】
図４はマザーガラスの変形例を示す図である。図４の実施例においては、マザーガラス６０は１５のＴＦＴ基板１２に相当する１５の部分６０ａを含む。マザーガラス６０は最終的には線６２に沿って１５の部分６０ａに切断され、よって１５のＴＦＴ基板１２が製造される。
【００２５】
図３及び図４においても、各ＴＦＴ基板１２は表示領域６４と周辺領域６６とを有する。表示領域６４は多数の画素電極１８及び多数の薄膜トランジスタ３０等を含む部分である。有機材料の絶縁層４６はパターン構造４８，５０を有する。パターン構造４８はコンタクトホールであり、パターン構造５０よりもかなり小さいので図３及び図４には示されていない。パターン構造５０は例えば周辺領域６６の端子に相当する位置にある有機材料の絶縁層４６の開口部である。
【００２６】
図３及び図４において、パターン制限領域６８が周辺領域６６内でマザーガラス６０の中心Ｏと表示領域６４の中心Ｏ側の１辺６４ａの両端部とを結ぶ２つの線の間に規定される。パターン制限領域６８はハッチングで示される。有機材料の絶縁層４６をパターニングするのに際して、パターン制限領域６８においてはパターン構造５０を制限するようになっている。例えば、パターン制限領域６８内にはパターン構造５０を設けないようにしたり、あるいは、パターン制限領域６８のパターン構造５０の面積は、周辺領域６６内の表示領域６４の他の１辺の側の領域のパターン構造５０の面積よりも小さくしたりする。従って、図３及び図４の実施例の作用は図１の実施例の作用と同様である。このように、従来のパターン形成位置とは異なり、パターンの形成位置を限定することで、有機材料の絶縁層４６を厚く形成し、その上に画素電極等を形成するような基板において、レジスト塗布ムラを改善することができる。
【００２７】
図１及び図６のＴＦＴ基板１２の製造方法の具体的な１例をさらに説明する。マザーガラス６０上にＡｌ／ＭｏＮ／Ｍｏからなる金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー工程によりゲート電極レジストパターンとＣｓ電極レジストパターンとを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクとしてエッチング、剥離処理を行うことにより、ゲート電極３２、ゲートバスライン、Ｃｓ電極を形成する。
【００２８】
次に、シリコン窒化膜、半導体膜、シリコン窒化膜を連続成膜し、フォトリソグラフィー工程によりチャンネル保護膜レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチング、剥離処理を行うことにより、ゲート絶縁膜３４、半導体層３６、チャンネル保護膜３８を形成する。
【００２９】
Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー工程によりソース、ドレイン電極レジストパターンと信号線レジストパターンとを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクとしてエッチング、剥離処理を行うことにより、ドレイン電極４０、ソース電極４２、ドレインバスラインを形成する。
【００３０】
シリコン窒化膜を成膜する。その上に、アクリルポジ型有機透明絶縁層を４μｍ塗布し、露光、現像処理することで、シリコン窒化膜の絶縁層４４及び有機材料の絶縁層４６を形成し、有機材料の絶縁層４６のパターン構造４８，５０を形成する。その際、マザーガラス６０の中心Ｏと表示領域６４全体とを直線状に結んだ領域であるパターン制限領域６８のパターン構造５０（５０ａ）を制限する。ここで、制限したパターン構造５０（５０ａ）は、表示領域６４内に形成されるパターン構造（コンタクトホール）４８などとは異なり、表示領域６４から１０００μｍ以上離れた位置に設けられ、３００００μｍ２  以上の面積をもち、パネルもしくは画素と電気的に接続されることがなく、独自に存在するパターンである。
【００３１】
具体的に制限した孤立パターン、もしくはパターン群としてのパターン構造５０（５０ａ）は、長方形５０００×２０００μｍ内に連続集中しているパターン、および長方形４１５×８０μｍのパターンが２５０μｍ離れて２つあるパターン群の、計２種類とした。これにより、表示領域６４内におけるレジストの広がりを阻害するものがなくなるので、レジストの膜厚変動を防止することができ、表示ムラの発生を防止できる。有機材料の絶縁膜４６を形成後に、有機材料の絶縁膜４６をマスクにしてシリコン窒化膜の絶縁層４４をエッチングし、コンタクトホールも完成する。ついで、ＩＴＯからなる透明電極膜を形成し、フォトリソグラフィー法によって画素電極１８を形成する。
【００３２】
図７はＴＦＴ基板の他の一例を示す断面図である。この実施例は、ＴＦＴ基板が薄膜トランジスタとカラーフィルタとを含む。図６の例と同様に、薄膜トランジスタ３０はゲート電極３２と、ゲート絶縁層３４と、半導体層３６と、チャンネル保護膜３８と、ドレイン電極４０と、ソース電極４２とを含む。
【００３３】
シリコン窒化膜の絶縁層４４が薄膜トランジスタ３０を覆って設けられる。シリコン窒化膜の絶縁層４４の上には、青色のカラーフィルタ７２Ｂ、赤色のカラーフィルタ７２Ｒ、および緑色のカラーフィルタ７２Ｇがそれぞれの薄膜トランジスタ３０と関連して設けられる。さらに、有機材料の絶縁層４６がこれらのカラーフィルタ７２Ｂ，７２Ｒ，７２Ｇを覆って設けられる。カラーフィルタ７２Ｂ，７２Ｒ，７２Ｇも有機材料の絶縁層として作用する。
【００３４】
有機材料の絶縁層４６は図１から図４を参照して説明したパターン制限領域６８のパターン構造５０（５０ａ）を含む。従って、この例の作用は前に説明した例の作用と同様である。
【００３５】
図１及び図７のＴＦＴ基板１２の製造方法の具体的な１例を説明する。マザーガラス６０上にＡｌ／ＭｏＮ／Ｍｏからなる金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー工程によりゲート電極レジストパターンとＣｓ電極レジストパターンとを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクとしてエッチング、剥離処理を行うことにより、ゲート電極３２、ゲートバスライン、Ｃｓ電極を形成する。
【００３６】
次に、シリコン窒化膜、半導体膜、シリコン窒化膜を連続成膜し、フォトリソグラフィー工程によりチャンネル保護膜レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてエッチング、剥離処理を行うことにより、ゲート絶縁膜３４、半導体層３６、チャンネル保護膜３８を形成する。
【００３７】
Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー工程によりソース、ドレイン電極レジストパターンと信号線レジストパターンとを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクとしてエッチング、剥離処理を行うことにより、ドレイン電極４０、ソース電極４２、ドレインバスラインを形成する。
【００３８】
シリコン窒化膜を成膜する。次にカラーフィルタ７２Ｂ，７２Ｒ，７２Ｇを順次形成する。この際、カラーフィルタ７２Ｂ，７２Ｒ，７２Ｇのパターンでコンタクトホールも形成する。
【００３９】
その上に、アクリルポジ型有機透明絶縁膜を４μｍ塗布し、露光、現像処理することで、有機材料の絶縁層４６を形成し、有機材料の絶縁層４６のパターン構造４８，５０を形成する。その際、コンタクトホールも形成する。そして、マザーガラス６０の中心Ｏと表示領域６４全体とを直線状に結んだ領域であるパターン制限領域６８のパターン構造５０（５０ａ）を制限する。ここで、制限したパターン構造５０（５０ａ）は、表示領域６４内に形成されるパターン構造（コンタクトホール）４８などとは異なり、表示領域６４から１０００μｍ以上離れた位置に設けられ、パネルもしくは画素と電気的に接続されることがなく、独自に存在するパターンである。
【００４０】
具体的に制限した孤立パターン、もしくはパターン群としてのパターン構造５０（５０ａ）は、長方形５０００×２０００μｍ内に連続集中しているパターン、および長方形４１５×８０μｍのパターンが２５０μｍ離れて２つあるパターン群の、計２種類とした。これにより、表示領域６４内におけるレジストの広がりを阻害するものがなくなるので、レジストの膜厚変動を防止することができ、表示ムラの発生を防止できる。有機材料の絶縁膜４６を形成後に、有機材料の絶縁膜４６をマスクにしてシリコン窒化膜の絶縁層４４をエッチングし、コンタクトホールも形成する。ついで、ＩＴＯからなる透明電極膜を形成し、フォトリソグラフィー法によって画素電極１８を形成する。
【００４１】
次に、本発明を適用してカラーフィルタ基板１４の製造方法の具体的な１例を説明する。マザーガラス６０上にＣｒからなる金属膜を成膜し、フォトリソグラフィー工程によりブラックマトリクスレジストパターンを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクとしてエッチング、剥離処理を行うことにより、ブラックマトリクス２２（図５参照）を形成する。
【００４２】
次に、カラーフィルタ２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを順次形成する。カラーフィルタ２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは有機材料の層である。その際、マザーガラス６０の中心Ｏと表示領域６４全体とを直線状に結んだ領域であるパターン制限領域６８のパターン構造を制限する。ここで、制限したパターン構造５０（５０ａ）は、表示領域６４内に形成されるパターン構造（コンタクトホール）などとは異なり、表示領域６４から１０００μｍ以上離れた位置に設けられ、パネルもしくは画素と電気的に接続されることがなく、独自に存在するパターンである。孤立したパターン構造を制限することにより、表示領域内におけるレジストの広がりを阻害するものがなくなるので、レジスト膜厚変動を防止することができ、表示ムラの発生を防止できる。その後、共通電極２６を形成し、レジストを塗布して、パターン形成を行った。
【００４３】
以上説明した実施例は、下記の特徴を含む。
【００４４】
（付記１）表示領域と周辺領域とを各々有する複数の表示装置の基板に相当する複数の部分を含む板部材を作成し、
該周辺領域内で該板部材の中心と該表示領域の該中心側の１辺の両端部とを結ぶ２つの線の間にパターン制限領域を形成し、
該板部材に有機材料の層を塗布し、
該パターン制限領域においては有機材料の層の孤立したパターン構造を制限するように該有機材料の層をパターニングし、
該有機材料の層の上にさらなる層を形成し、
該板部材を複数の表示装置の基板に分割する
ことを特徴とする表示装置の基板の製造方法。（１）
（付記２）該パターン制限領域には有機材料の層の孤立したパターン構造がないことを特徴とする付記１に記載の表示装置の基板の製造方法。
【００４５】
（付記３）該パターン制限領域の有機材料の層の孤立したパターン構造の面積は、該周辺領域内の該表示領域の他の１辺の側の領域の孤立したパターン構造の面積よりも小さいことを特徴とする付記１に記載の表示装置の基板の製造方法。（２）
（付記４）該パターン制限領域の孤立したパターン構造の面積は３００００μｍ２  以上であることを特徴とする付記３に記載の表示装置の基板の製造方法。（３）
（付記５）該パターン制限領域の孤立したパターン構造は画素表示領域から１０００μｍ以上離れた位置に設けられていることを特徴とする付記３に記載の表示装置の基板の製造方法。（４）
（付記６）該さらなる層は透明電極層であることを特徴とする付記１に記載の表示装置の基板の製造方法。
【００４６】
（付記７）表示領域と周辺領域とを有する表示装置の基板であって、
該表示領域及び該周辺領域を覆う有機材料の層と、該有機材料の層の上に形成されたさらなる層とを有し、
該有機材料の層は該周辺領域内に孤立したパターン構造を有し、該周辺領域内の該表示領域の１辺の側の領域の孤立したパターン構造の面積が該周辺領域内の該表示領域の他の１辺の側の領域の孤立したパターン構造の面積よりも小さいことを特徴とする表示装置の基板。（５）
（付記８）該さらなる層は透明電極層であることを特徴とする付記７に記載の表示装置の基板。
【００４７】
（付記９）該基板は薄膜トランジスタを含む基板であることを特徴とする付記７に記載の表示装置の基板。
【００４８】
（付記１０）該基板はカラーフィルタを含む基板であることを特徴とする付記７に記載の表示装置の基板。
【００４９】
（付記１１）該基板は薄膜トランジスタ及びカラーフィルタを含む基板であることを特徴とする付記７に記載の表示装置の基板。
【００５０】
（付記１２）該パターン制限領域の有機材料の層の孤立したパターン構造の面積は、画素電極を薄膜トランジスタに電極に接続するために該有機材料の層に設けられたコンタクトホールの面積と等しいが小さいことを特徴とする付記１１に記載の表示装置の基板の製造方法。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、有機材料の層を厚く形成するような基板であっても、有機材料の層のパターンの形成位置を限定することにより、有機材料の層の形成時以降の工程にて、レジストのスピンコートに起因するレジストのムラを改善することが可能となり、表示ムラの改善に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は図５の基板１２を作るためのマザーガラスを示す図である。
【図２】図２は有機材料の絶縁層を形成した後にレジストを塗布する際の問題点を説明する図である。
【図３】図３はマザーガラスの変形例を示す図である。
【図４】図４はマザーガラスの変形例を示す図である。
【図５】図５は液晶表示装置を示す略断面図である。
【図６】図６はＴＦＴ基板の一例を示す断面図である。
【図７】図７はＴＦＴ基板の他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０…液晶表示装置
１２，１４…ガラス基板
１６…液晶
１８…画素電極
２４…カラーフィルタ
２６…共通電極
３０…薄膜トランジスタ
４６…有機材料の絶縁層
４８，５０…パターン構造
６０…マザーガラス
６４…表示領域
６６…周辺領域
６８…パターン制限領域
【図１】
2004279455.tif 000003
【図２】
2004279455.tif 000004
【図３】
2004279455.tif 000005
【図４】
2004279455.tif 000006
【図５】
2004279455.tif 000007
【図６】
2004279455.tif 000008
【図７】
2004279455.tif 000009