(57)【要約】【課題】製造工程数を増やすことなく、均一で光散乱性の良好な反射特性を有する反射板を備えた反射型液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有し、表示面に入射した光の反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置が、該一対の基板のうちの一方の基板上に順次配設された半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極と；該基板、該半導体層、該ゲート絶縁膜、および該ゲート電極上に配設され、かつ凹凸パターン部およびコンタクトホールを有する第１の絶縁膜と；該第１の絶縁膜上に、該第１の絶縁膜の該コンタクトホールを通じて該半導体層と連通するように配設されたソース電極と；該第１の絶縁膜上に該ソース電極を覆って配設された、該第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜と；該第２の絶縁膜の上に配設された画素電極と；を含む。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有する液晶表示装置であって：
該一対の基板のうちの一方の基板上に順次配設された半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極と、
該基板、該半導体層、該ゲート絶縁膜、および該ゲート電極上に配設され、コンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、
該第１の絶縁膜上に、該第１の絶縁膜の該コンタクトホールを通じて該半導体層と接続するように配設されたソース電極と、
該第１の絶縁膜上に該ソース電極を覆って配設された第２の絶縁膜と、
該第２の絶縁膜上に配設された画素電極と、を含み、
該画素電極が、透明導電膜によって形成された透明電極と、
金属によって形成された反射電極と、を有した、液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射電極が凹凸形状を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜が凹凸パターン部を有し、前記反射電極の前記凹凸形状が該第１の絶縁膜の該凹凸パターン部の形状に対応する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有する液晶表示装置であって：
該一対の基板のうちの一方の基板上に順次配設された半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極と、該一方の基板上に設けられたゲートバスラインおよび付加容量共通配線と、
該基板、該半導体層、該ゲート絶縁膜、該ゲート電極、ゲートバスラインおよび付加容量共通配線上に配設され、コンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、
該第１の絶縁膜上に、該第１の絶縁膜の該コンタクトホールを通じて該半導体層と接続するように配設されたソース電極と、
該第１の絶縁膜上に該ソース電極を覆って配設された第２の絶縁膜と、
該第２の絶縁膜上に配設された画素電極と、を含み、
該画素電極が、透明導電膜によって形成された透明電極と、
金属によって形成された反射電極と、を有した、液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射電極は、長方形状である請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶パネルのパネル面に入射した光の反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ワードプロセッサ、ラップトップパソコン、ポケットテレビなどへの液晶表示装置の応用が急速に進展している。液晶表示装置の中でも特に反射型液晶表示装置は、外部から液晶パネルのパネル面に入射した光を反射させ、この反射光により表示を行うので、バックライトが不要である。よって反射型液晶表示装置は、消費電力が低く、薄型であり軽量化が可能であるため注目されている。
【０００３】
従来から、反射型液晶表示装置にはＴＮ（ツイステッドネマティック）方式、並びにＳＴＮ（スーパーツイステッドネマティック）方式が用いられている。これらの方式では、液晶表示装置に偏光板を備える必要がある。この偏光板によって必然的に自然光の光強度の１／２が表示に利用されないことになる。従ってこれらの方式では表示が暗くなるという問題がある。
【０００４】
この問題に対して、偏光板を用いずに自然光を有効に利用しようとする表示モードが提案されている。このような表示モードの例として、相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる。この方式では、電界によるコレステリック・ネマティック相転移現象が利用されている。この方式に、さらにマイクロカラーフィルタを組み合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案されている。このような偏光板を必要としない表示モードによって偏光板による光強度の低下を生じることなく明るい表示を得ることができる。
【０００５】
さらにまた、より明るい表示を得るためには、広い角度からの入射光に対し、表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そのためには最適な反射特性を有する反射板を備えることが有効である。従来の反射板の作製方法の一例として、基板上に膜を形成し、これをエッチング法を用いて基板面に所定の形状の複数の微細な凹凸を形成し、さらにこの凹凸を有する膜上に銀等の反射膜を形成して反射板とする方法が提案されている。
【０００６】
このような反射板を備えたアクティブマトリクス方式の反射型液晶表示装置についてより詳細に説明する。この反射型液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、透明電極を有する対向基板（図示せず）と、これらの基板の間に配設された液晶層（図示せず）とを備える。
【０００７】
以下に、この反射型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の構造を図面を参照してより詳細に説明する。図７はアクティブマトリクス基板６００の部分平面図であり、図８は図７中のＹ−Ｙ’線の部分断面図である。ここで、アクティブマトリクス方式のスイッチング素子として、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとする）を用いている。
【０００８】
図７および図８に示すように、アクティブマトリクス基板６００において、ガラス等の基板本体６１上に、クロム、タンタル等からなる複数のゲート配線６６ａおよびソース配線７０ａが、それぞれほぼ平行に、かつ互いにほぼ直交するように配設されている。ゲート配線６６ａは走査線として機能し、ソース配線７０ａは信号線として機能している。ゲート配線６６ａからゲート電極６６ｂが、ソース配線７０ａからソース電極７０ｂが、それぞれ分岐して設けられている。図８に示すように、ゲート電極６６ｂを覆って基板本体６１の上の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなるゲート絶縁膜６７が配設されている。ゲート絶縁膜６７上で、かつゲート電極６６ｂの上方に対応する位置に、非晶質シリコンからなる半導体層６８が配設されている。半導体層６８の一方の端部上には、チタン、モリブデン、アルミニウム等からなるソース電極７０ｂが半導体層６８と部分的に接合して配設されている。また、半導体層６８の他方の端部には、ソース電極７０ｂと同様にチタン、モリブデン、アルミニウム等からなるドレイン電極７１が半導体層６８と部分的に接合して配設されている。ソース電極７０ｂとドレイン電極７１とは間隔をあけて配設され、互いに接合していない。この基板本体６１の上の、ドレイン電極７１上を除く部分には、凹凸部を有する第１膜６２が配設されている。さらに、アルミニウム、銀等の金属からなる画素電極６５が、第１膜６２上に配設されている。画素電極６５は、ドレイン電極７１の半導体層６８と接合している側と反対側の端部上に、半導体層６８と部分的に接合して配設されている。この画素電極６５は反射膜としても機能する。ゲート電極６６ｂ、ゲート絶縁膜６７、半導体層６８、ソース電極７０ｂ、およびドレイン電極７１はＴＦＴを構成し、このＴＦＴは、スイッチング素子の機能を有している。
【０００９】
以上のようなアクティブマトリクス基板を備えた反射型液晶表示装置では、対向基板側から入射した外部光をアクティブマトリクス基板の画素電極（反射膜）６５で反射し、液晶層を通過した反射光を対向基板側から見ることになる。
【００１０】
このような凹凸部を有し、反射膜として機能する画素電極６５を形成するプロセスについて以下に詳しく説明する。図９は、図８中のＡ部分の作製プロセスを説明する図である。まず、図９（ａ）に示すように、基板本体６１上のゲート絶縁膜６７の上に第１膜６２を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、その上にフォトレジスト６３を塗布し、所定の形状にパターニングする。図９（ｃ）に示すように、第１膜６２をエッチングすることによって多数の微細な凹凸部を形成する。その後、図９（ｄ）に示すように、フォトレジスト６３を剥離し、凹凸部を有する第１膜６２上に画素電極（反射膜）６５を形成する。このようにして凹凸部（凸部６５ａおよび凹部６５ｂ）を有する画素電極６５が形成される。
【００１１】
以上のようにＴＦＴを形成した基板６１上に第１膜６２を形成すれば、エッチング法を用いて第１膜６２に複数の微細な凹凸部を容易に形成することができる。この第１膜６２の凹凸部を有する基板６１上に金属等で画素電極６５を形成することによって、凹凸部を有し、反射膜として機能する画素電極６５を容易に得ることができる。
【００１２】
しかしながら上記のような方法で形成された反射膜６５において、図９（ｄ）に示すように、エッチングの際にフォトレジスト６３が堆積されていた部分に形成された凸部６５ａと、絶縁膜６２がエッチングにより除去されてゲート絶縁膜６７が露出した部分に形成された凹部６５ｂとの頂面はいずれも平面的であって鏡面状態に近い。よって、凸部６５ａおよび凹部６５ｂによって反射された反射光は正反射成分を多く含む。正反射成分が多いと反射光が互いに干渉し、良好な白色表示ができないという問題がある。
【００１３】
この問題を解決するために、エッチングを工夫して、凸部６５ａと凹部６５ｂとをつなぐ斜面の部分の面積を増加させることが可能である。しかしこのような方法では、凸部６５ａおよび凹部６５ｂの平面部分を完全になくすことはできない。あるいは、第１膜のエッチングを途中で止めて下地のゲート絶縁膜６７が露出しないようにすることも可能である。しかしこの場合も、エッチングを基板面内で均一に制御することができず、エッチング形状が面内で異なり、その結果反射特性が面内で異なるという問題が発生する。
【００１４】
この問題を解決するために、さらに反射板の形状を工夫した反射型液晶表示装置が知られている（特開平５−２３２４６５号公報）。この反射型液晶表示装置は、ＴＦＴおよび反射板が配設された基板と、対向電極が配設された対向基板と、これら基板間に配設されたゲスト・ホスト液晶層とを備える。
【００１５】
このような反射型液晶表示装置に用いられる反射板の製造プロセスを図１０を参照して以下に説明する。図１０は、図９（図８中のＡ部分の作製プロセスを説明する図）と対応する領域の作製プロセスを説明する図である。
【００１６】
図１０（ａ）に示すように、基板本体６１上に第１膜６２を形成する。次に図１０（ｂ）に示すように、フォトレジスト６３を塗布し、所定の形状にパターニングする。図１０（ｃ）に示すように、第１膜６２をエッチングすることによって複数の微細な凹凸部を形成する。その後、図１０（ｄ）に示すように、フォトレジスト６３を剥離し、凹凸部を有する第１膜６２上にアクリル系樹脂等の液状材料を塗布し、その後これを硬化させて第２膜６４を形成する。さらに、図１０（ｅ）に示すように、電極６５を第２膜６４の上に形成する。この電極６５は反射板として機能し、このようにして反射板６５が形成される。
【００１７】
アクリル系樹脂を塗布する際に、基板６１が現れない程度の厚みで塗布すると、第１膜６２の凹凸の平坦部をなくすことができ、反射板による入射光の正反射を低減することができる。また、基板６１あるいは第１膜６２の凹凸部に発生する表面あれ、およびエッチング残渣による反射むらをなくすことができる。第２膜６４の材料は、液状にして塗布することが可能であり、かつ塗布後に硬化可能な任意の適切な材料が使用され得る。例えば、上述のアクリル系樹脂の他にエポキシ系樹脂等が挙げられる。反射膜６５の材料には、反射効率の高いアルミニウム、銀、ニッケル等が用いられる。
【００１８】
このようにして作製された反射板６５は均一で光散乱性の良好な反射特性を有するという利点がある。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
図９および図１０を参照して説明した反射型液晶表示装置においては、逆スタガー型のＴＦＴを採用している。図９の反射型液晶表示装置では、ソースバスライン形成後の反射板６５の形成プロセスにおいて、凹凸部を形成するために第１膜６２を形成する必要がある。これに対して、反射特性を改良した図１０の反射型液晶表示装置では、凹凸部を形成するために第１膜６２および第２膜６４を形成する必要があり、図９の反射型液晶表示装置に比べて製造工程数が多い。
【００２０】
逆スタガー型ＴＦＴに対して、トップゲート型ＴＦＴは、活性層（例えば、高いプロセス温度を必要とする多結晶シリコン層）およびゲート絶縁膜を形成した後にゲートバスラインの形成を行うことができる。従って、特性向上のために高温で活性層のアニールを行った後、高いプロセス温度で使用できないＡｌなどの金属をゲートバスライン材料に利用して形成することができる。さらに、トップゲート型ＴＦＴにおいては、ゲートをマスクとしてソースドレインに不純物のドーピングを行うことができるのでレジストによるマスクを必要とせず、自己整合のソースドレインの形成が容易であるという利点がある。
【００２１】
図１０に示したような反射板の形成方法をそのままトップゲー卜型ＴＦＴに採用した場合、ソースバスライン形成後に凹凸部を形成しようとすると絶縁膜を全部で３層形成する必要がある。従って、製造工程数がさらに多くなる。このような製造工程数の増加は歩留低下の原因となる。
【００２２】
さらにまた、従来の反射型液晶表示装置は入射した光の反射光を用いることによってのみ表示が可能である。しかし、入射光が暗く、十分な光強度が得られない場合であっても明るい表示ができる液晶表示装置が望まれている。
【００２３】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、製造工程数を増やすことなく、均一で光散乱性の良好な反射特性を有する反射板を備えたトップゲート型ＴＦＴを用いた反射型液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。また、トップゲート型ＴＦＴを用いた上記反射型液晶表示装置の利点を備え、かつ透過モードの表示も可能な透過反射両用型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明のある局面においては、本発明の反射型液晶表示装置は、一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有し、表示面に入射した光の反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置であって：該一対の基板のうちの一方の基板上に順次配設された半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極と、該基板、該半導体層、該ゲート絶縁膜、および該ゲート電極上に配設され、かつ凹凸パターン部およびコンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に、該第１の絶縁膜の該コンタクトホールを通じて該半導体層と連通するように配設されたソース電極と、該第１の絶縁膜上に該ソース電極を覆って配設された、該第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜の上に配設された画素電極とを含み、そのことにより上記課題が解決される。
【００２５】
上記第１の絶縁膜の厚さは、０．８μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
上記第１の絶縁膜は、有機材料からなることが好ましい。
【００２７】
上記第１の絶縁膜は、感光性材料からなることが好ましい。
【００２８】
上記第２の絶縁膜の厚さは、第１の絶縁膜よりも小さく、０．３μｍ以上、１μｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
上記第２の絶縁膜は、有機材料からなることが好ましい。
【００３０】
上記第２の絶縁膜は、感光性材料からなることが好ましい。
【００３１】
本発明のある局面においては、本発明の反射型液晶表示装置の製造方法は、一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有し、表示面に入射した光の反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置の製造方法であって：該一対の基板のうちの一方の基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極を順次形成する工程と、該基板、該半導体層、該ゲート絶縁膜、および該ゲート電極上に、該第１の絶縁膜に凹凸パターン部および該半導体層に連通するコンタクトホールを有する第１の絶縁膜を形成する工程と、該第１の絶縁膜上に該コンタクトホールを通じて該半導体層と連通するようにソース電極を形成する工程と、該第１の絶縁膜上に該ソース電極を覆って、該第１の絶縁膜よりも薄い第２の絶縁膜を形成する工程と、該第２の絶縁膜上に画素電極を形成する工程とを包含し、そのことにより上記課題が解決される。
【００３２】
上記第１の絶縁膜は、感光性有機材料からなることが好ましい。
【００３３】
本発明のある局面においては、本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有し：該一対の基板のうちの一方の基板上に順次配設された半導体層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極と、該基板、該半導体層、該ゲート絶縁膜、および該ゲート電極上に配設され、コンタクトホールを有する第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜上に、該第１の絶縁膜の該コンタクトホールを通じて該半導体層と連通するように配設されたソース電極と、該第１の絶縁膜上に該ソース電極を覆って配設された第２の絶縁膜と、該第２の絶縁膜上に配設された画素電極とを含み、該画素電極が透明電極と反射電極とを有し、そのことにより上記課題が解決される。
【００３４】
上記反射電極は、凹凸形状を有することが好ましい。
【００３５】
上記第１の絶縁膜は、凹凸パターン部を有し、上記反射電極の上記凹凸形状は、該第１の絶縁膜の該凹凸パターン部の形状に対応することが好ましい。
【００３６】
本発明の別の局面においては、本発明の反射型液晶表示装置は、一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有し、表示面に入射した光の反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置であって：該一対の基板の一方に配設された、コプレーナ型の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタが形成された基板の表示部に配設され、該薄膜トランジスタを形成する材料と同じ材料からなる複数の層が積層された構造を有する凹凸パターン部とを含み、そのことにより上記課題が解決される。
【００３７】
上記凹凸パターン部の厚さは、０．８μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
上記凹凸パターン部の上記複数の層は、上記薄膜トランジスタを構成するゲート電極と同じ材料からなるパターン層と、該ゲート電極の上に配設された第１の絶縁膜と同じ材料からなるパターン層とを含むことが好ましい。
【００３９】
上記反射型液晶表示装置は、上記第１の絶縁膜の上で、かつ上記凹凸パターン部を覆って配設された第２の絶縁膜をさらに備え、該第２の絶縁膜の厚さは、該凹凸パターン部の厚さよりも小さく、０．３μｍ以上、１μｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
上記第２の絶縁膜は、有機材料からなることが好ましい。
【００４１】
本発明の別の局面においては、本発明の反射型液晶表示装置は、一対の基板と、該一対の基板の間に配設された液晶層とを有し、表示面に入射した光の反射光を用いて表示を行う反射型液晶表示装置であって：該一対の基板の一方に配設された、スタガー型の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタが形成された基板の表示部に配設され、該薄膜トランジスタを形成する材料と同じ材料からなる複数の層が積層された構造を有する凹凸パターン部とを含み、そのことにより上記課題が解決される。
【００４２】
上記凹凸パターン部の厚さは、０．８μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
上記凹凸パターン部の上記複数の層は、上記薄膜トランジスタを構成するソース電極およびドレイン電極と同じ材料からなるパターン層と、該薄膜トランジスタを構成するゲート電極と同じ材料からなるパターン層とを含むことが好ましい。
【００４４】
上記反射型液晶表示装置は、上記凹凸パターン部を覆って配設された絶縁膜をさらに備え、該絶縁膜の厚さは、該凹凸パターン部の厚さよりも小さく、０．３μｍ以上、１μｍ以下であることが好ましい。
【００４５】
上記絶縁膜は、有機材料からなることが好ましい。
【００４６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について以下に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、各実施形態および比較例を通じて、同様の部材には同じ参照符号を付すものとする。
【００４７】
（実施形態１）
本実施形態の反射型液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、対向電極が配設された対向基板（図示せず）と、これら基板間に配設された液晶層（図示せず）とを備える。以下、本発明に特徴的なアクティブマトリクス基板を中心にして説明する。
【００４８】
図１は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の製造工程順の部分断面図を示す。従来の技術として図７〜８を参照して説明したアクティブマトリクス基板が逆スタガー型ＴＦＴであるのに対して、本実施形態ではコプレーナ型（トップゲート型）ＴＦＴを採用している。
【００４９】
以下、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１００の構造を図１（ｆ）を参照して説明する。絶縁基板１上に多結晶シリコン薄膜（半導体層）２、ゲート絶縁膜３、およびゲート電極６が順次配設されている。多結晶シリコン薄膜２は、ゲート絶縁膜３の下部にノンドープ領域であるチャンネル部２ａと、チャンネル部２ａの両側のドープ領域２ｂ、２ｃとを備える。絶縁基板１上に凹凸パターン部２０とコンタクトホール８、９を有する第１の層間絶縁膜５が配設されている。この第１の層間絶縁膜５の凹部は絶縁基板１の基板面に等しく、コンタクトホール８、９は、多結晶シリコン薄膜２のドープ領域２ｂ、２ｃにそれぞれ連通している。さらに、第１の層間絶縁膜５およびゲート絶縁膜３によってゲート電極６が包囲されている。ソースバスライン（ソース電極）１０とドレイン電極１１が第１の層間絶縁膜５上に互いに間隔をあけて配設され、それぞれコンタクトホール８および９を通ってドープ領域２ｂ、２ｃと接続されている。ゲート電極６、ゲート絶縁膜３、多結晶シリコン薄膜２、ソースバスライン１０、およびドレイン電極１１はトップゲート型ＴＦＴを構成している。このような構造の上に、コンタクトホール１３を有する第２の層間絶縁膜１４が配設され、コンタクトホール１３はドレイン電極１１と連通している。第２の層間絶縁膜１４の上には画素電極１５が配設され、画素電極１５はコンタクトホール１３を通ってドレイン電極１１と接続されている。この画素電極１５は反射板としても機能する。このようにして、１つの画素領域が構成されている。アクティブマトリクス基板１００は、複数のこのような画素領域がマトリクス状に配列された構造を有している。
【００５０】
次に図１（ａ）〜（ｆ）を参照して、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１００の製造方法を以下に説明する。
【００５１】
まず、図１（ａ）に示すように、絶縁基板１上に活性層となる多結晶シリコン薄膜２を約４０ｎｍ〜約８０ｎｍの厚さで形成した。
【００５２】
次に、スパッタリングまたはＣＶＤ法などを用いて、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどからなるゲート絶縁膜３を約８０ｎｍの厚さで形成した。ここで、付加容量電極のパターンは簡略化のために省略している。その後、ゲート電極６およびゲートバスラインをＡｌまたは多結晶シリコンなどを用いて形成した。このゲート電極６のパターニング時に、図１（ｂ）に示すようにゲート絶縁膜３もゲート電極６と同様の形状とした。
【００５３】
次に、この薄膜トランジスタの導電型を決定するために、多結晶シリコン薄膜２に対して絶縁基板１の側と反対側（図中上方）から、ゲート電極６をマスクとして、リンイオンを約１×１０１５（ｃｍ−２）で導入し、ゲート電極６の下部領域にノンドープのチャンネル部２ａを形成した。チャンネル部２ａの両側領域は高濃度の不純物ドープ領域２ｂ、２ｃとした。ここで、多結晶シリコン薄膜２において、チャンネル部２ａ近傍に低濃度不純物領域もしくはノンドープ領域を設けてＴＦＴのオフ時にリーク電流が少ない構造としてもよい。
【００５４】
次に、第１の層間絶縁膜５を感光性の有機材料を用いて以上のような基板の全面に、約０．８μｍ〜約５μｍの厚さで形成した後、コンタクトホール８、９を形成した。本実施形態においては、これらのコンタクトホールの形成と同時に凹凸パターン部２０の形成を行った（図１（ｃ））。第１の層間絶縁膜５には無機材料を用いても良いが、本実施形態のように、有機材料を用いることが好ましい。
【００５５】
次に、図１（ｄ）に示すように、ソースバスライン１０およびドレイン電極１１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形成した。次に、図１（ｅ）に示すように、感光性の有機材料からなる第２の層間絶縁膜１４をスピンコート法により形成した。第２の層間絶縁膜１４は、約０．３μｍ〜約１μｍの厚さとし、第１の層間絶縁膜５（すなわち凹凸パターン部２０）の厚さよりも薄くすることが好ましい。第２の層間絶縁膜１４には無機材料を用いても良いが、本実施形態のように、有機材料を用いることが好ましい。
【００５６】
次に、図１（ｆ）に示すように、第２の層間絶縁膜１４に、コンタクトホール１３をドレイン電極１１と連通するように形成し、コンタクトホール１３を通ってドレイン電極１１と接続するように画素電極１５をＡｌなどの高反射材料によって形成した。この画素電極１５は少なくとも液晶パネルの開口部に形成される。画素電極１５の周辺が、スイッチング素子、ゲートバスライン、および／またはソースバスラインと一部重なるように形成しても良い。以上のようにしてアクティブマトリクス基板１００を作製した。
【００５７】
最終的には、対向電極が形成された対向基板（図示せず）およびアクティブマトリクス基板のそれぞれに配向膜を形成した後、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合せ、これらの基板間に液晶を封入して液晶層を形成し、これにより、反射型液晶表示装置（図示せず）を作製した。対向基板および液晶層については、任意の適切な基板および液晶層を用い得る。
【００５８】
本実施形態によれば、第１の層間絶縁膜５が凹凸パターン部２０を有し、第１の層間絶縁膜５の上に第２の層間絶縁膜１４が設けられるので、製造プロセスを増加させることなく、第２の層間絶縁膜上に形成される画素電極１５の平坦部をなくすことができる。ここで、光散乱性が向上し、より優れた反射特性を有する画素電極１５を得るためには、第１の層間絶縁膜５の厚さが、０．８μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましく、さらに、第２の層間絶縁膜１４の厚さが、第１の層間絶縁膜５の厚さよりも小さく、０．３μｍ以上、１μｍ以下であることが好ましい。
【００５９】
本実施形態によれば、第２の層間絶縁膜１４がソースバスライン１０の上部に形成されている。このような第２の層間絶縁膜１４がない場合には、画素電極１５をドレイン電極１３に接合し、かつ他の導電性部材（ソースバスライン１０など）に接触しないように配設する必要があり、画素電極の面積はこれらに制限される。これに対して、本実施形態によれば、第２の層間絶縁膜１４をソースバスライン１０の上部に形成するので、画素電極１５をＴＦＴおよびソースバスライン１０の上部に重ねて形成することができる。従って、表示に寄与する画素電極１５の大きさをより大きくすることができる。さらに、この第２の層間絶縁膜１４を設けることにより、この上に形成される画素電極（反射板）１５の平坦部をなくし、よって反射板１５の均一で光散乱性の良好な反射特性を得ることができる。
【００６０】
本実施形態に使用したトップゲート型ＴＦＴは、活性層２（例えば、高いプロセス温度を必要とする多結晶シリコン層）およびゲート絶縁膜３を形成した後にゲートバスラインの形成を行うことができる。従って、特性向上のために高温で活性層のアニールを行った後、高いプロセス温度で使用できないＡｌなどの金属をゲートバスライン材料に利用して形成することができる。また、ゲートをマスクとしてソースドレインに不純物のドーピングを行うことができるので、レジストによるマスクを必要とせずに、自己整合のソースドレインを容易に形成することができる。
【００６１】
本実施形態によれば、第１の層間絶縁膜５に有機材料を用いている。この有機材料からなる膜は、比誘電率が４以下と小さく、ゲートバスラインとソースバスラインとの容量を低減することができ、それぞれのバスラインにおける信号の伝搬遅延を防止することができる。さらに、ゲートバスラインの上部が平坦化されるので、ゲートバスラインの段差に起因するソースバスラインの断線を低減することができる。さらにまた、有機膜は、スピンコート法を用いて容易に厚膜の絶縁膜を形成することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態によれば、第２の層間絶縁膜１４に有機材料を用いている。この有機膜は、上記のように比誘電率が４以下と小さいことにより、画素電極の容量を低減させて、画素電極下部の電極による画素電極の電位変動を抑制することができる。さらに、ソースバスラインからの電界の影響を低減させて、液晶材料のリバースチルトを抑制することができる。さらに、第２の層間絶縁膜１４の厚さは、第１の層間絶縁膜５の厚さよりも薄いので、後述の比較例の２層の有機材料を形成した反射型液晶表示装置と同様に、反射板（画素電極）１５の光散乱性を向上させることができる。
【００６３】
さらに、第１の層間絶縁膜５および／または第２の層間絶縁膜１４に感光性材料を用いる場合、無機材料を用いた場合のように新たなエッチングを行う必要が無く、フォトプロセスのみで容易に凹凸パターンの形成を行うことができる。
【００６４】
なお、本実施形態においてはコプレーナ型のＴＦＴについて説明したが、他のトップゲート型のＴＦＴ、例えばスタガー型のＴＦＴについても本発明を適用することが可能である。
【００６５】
（比較例）
比較例として、図１０を参照して説明した従来技術による反射板を、実施形態１と同じく、コプレーナ型（トップゲート型）のＴＦＴに用いた反射型液晶表示装置について説明する。本比較例の反射型液晶表示装置は、本発明の実施形態１と同様に、アクティブマトリクス基板と、対向電極が配設された対向基板（図示せず）と、これら基板間に配設された液晶層（図示せず）とを備える。本比較例のアクティブマトリクス基板について、本発明に特徴的なアクティブマトリクス基板との差異を中心にして、以下に説明する。部分断面図を図２に示す。
【００６６】
図２は、本比較例におけるアクティブマトリクス基板の部分断面図である。アクティブマトリクス基板２００について、図２を参照して、図１（ｆ）に示す実施形態１のアクティブマトリクス基板１００と比較しながら説明する。アクティブマトリクス基板２００は、図１（ｆ）の実施形態１におけるアクティブマトリクス基板１００と、第１の層間絶縁膜５が凹凸パターン部２０を有さず、これにかわって第２の層間絶縁膜１４が凹凸パターン部２０を有し、第２の絶縁膜１４と画素電極１５との間に第３の層間絶縁膜１７を備える点でのみ異なる。
【００６７】
次に図２を参照して、本比較例におけるアクティブマトリクス基板２００の製造方法を以下に説明する。
【００６８】
まず、絶縁基板１上に活性層となる多結晶シリコン薄膜２を約４０ｎｍ〜約８０ｎｍの厚さで形成した。次に、スパッタリングまたはＣＶＤ法により、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜３を約８０ｎｍの厚さで形成した。
【００６９】
次に、Ａｌまたは多結晶シリコンからなるゲート電極６を形成した。次に、この薄膜トランジスタの導電型を決定するために、多結晶シリコン薄膜２に対して絶縁基板１の側と反対側（図中上方）から、ゲート電極６をマスクとして、リンイオンを約１×１０１５（ｃｍ−２）で導入し、ゲート電極６の下部領域にノンドープのチャンネル部２ａを形成し、チャンネル部２ａの両側領域は高濃度の不純物ドープ領域２ｂ、２ｃとした。
【００７０】
次に、ＳｉＯ２等からなる第１の層間絶縁膜５を全面に形成した後、コンタクトホール８、９を形成した。
【００７１】
次に、ソースバスライン１０およびドレイン電極１１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形成した。次に、感光性の有機材料からなる第２の層間絶縁膜１４をスピンコート法により形成した。そして第２の層間絶縁膜１４に、コンタクトホール１３をドレイン電極１１と連通するように形成し、反射板形成領域に凹凸パターン部２０を形成した。
【００７２】
次に、第２の層間絶縁膜１４の上部に第３の絶縁膜１７を感光性材料を用いて少なくとも画素電極形成領域に形成した。ここで、コンタクトホール１３に第３の絶縁膜１７は形成されず、ドレイン電極１１が露出している。
【００７３】
次に、コンタクトホール１３を通ってドレイン電極１１と接続するように画素電極１５をＡｌなどの高反射材料によって形成した。
【００７４】
本比較例においては、ソースバスラインを形成した後、平坦部のない反射板（画素電極）１５を形成するために第２の層間絶縁膜１４および第３の層間絶縁膜１７を形成しており、全部で３層の絶縁膜の形成が必要となる。このため、本発明の実施形態１に比べて製造工程数が多くなる。
【００７５】
（実施形態２）
本実施形態においては、透過モードの表示も可能な透過反射両用型液晶表示装置について説明する。この透過反射両用型液晶表示装置は、外光が明るいときには反射型モードを用いて入射光を反射させ、この反射光により表示を行い、外光が暗いときには透過型モードに切り換えてバックライトにより表示を行うことを可能とするものである。本実施形態の透過反射両用型液晶表示装置は、実施形態１と同様に、アクティブマトリクス基板と、対向電極が配設された対向基板（図示せず）と、これら基板間に配設された液晶層（図示せず）とを備える。
【００７６】
以下、本発明に特徴的なアクティブマトリクス基板を中心にして説明する。図３は、アクティブマトリクス基板３００の部分平面図である。図４は、図３中のＡ−Ａ’線の部分断面図である。
【００７７】
図３および図４に示すように、アクティブマトリクス基板３００は、図１（ｆ）の実施形態１におけるアクティブマトリクス基板１００と次の点で異なる構造を有する。アクティブマトリクス基板３００は、ドレイン電極１１を有さず、第２の層間絶縁膜１４上の画素電極１５が、コンタクトホール９、１３を通って多結晶シリコン薄膜２と接続した透明電極１５ａと、この透明電極１５ａ上に配設された反射電極１５ｂからなる。ここで、多結晶シリコン薄膜２は、第１の層間絶縁膜５の凹凸パターン部２０の下方にまで広がって配設され、この多結晶シリコン薄膜２の上にゲート絶縁膜３およびゲート電極６と間隔をあけて付加容量の絶縁膜３ａおよび付加容量上部電極６ａが同様に積層配設されている。さらに、複数の付加容量間をつなぐ付加容量共通配線も配設されている。この液晶表示装置においては、図３を参照して、１つの画素が、ＴＦＴ形成部や電極付加容量形成部等の上部に広がって配設された反射電極１５ｂによりバックライト光を透過しない非透光領域（図３中斜線部）と、反射電極１５ｂによって遮光されない透光領域とを有する。この非透光領域においてのみ、第１の層間絶縁膜５が凹部（図３中点線円で示す）を備える。その他の領域は第１の層間絶縁膜５は平坦な形状を有する。透明電極１５ａは非透光領域だけでなく、透光領域にも亘って配設されている。
【００７８】
次に図３および図４を参照して、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板３００の製造方法を以下に説明する。
【００７９】
まず、絶縁基板１の上に活性層となる多結晶シリコン薄膜２を約４０ｎｍ〜約８０ｎｍの厚さで形成した。この多結晶シリコン薄膜は同時に付加容量下部電極となる。
【００８０】
次に、スパッタリングまたはＣＶＤ法などを用いて、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどからなるゲート絶縁膜３を約８０ｎｍの厚さで形成した。その後、ゲート電極６、ゲートバスライン、付加容量上部電極６ａ、付加容量共通配線をＡｌまたは多結晶シリコンなどを用いて形成した。このゲート電極６、ゲートバスライン、付加容量上部電極６ａ、付加容量共通配線のパターニング時に、ゲート絶縁膜３および付加容量の絶縁膜３ａも、ゲート電極６および付加容量上部電極６ａとそれぞれ同様の形状とした。
【００８１】
次に、この薄膜トランジスタの導電型を決定するために、多結晶シリコン薄膜２に対して絶縁基板１の側と反対側（図中上方）から、ゲート電極６をマスクとして、リンイオンを約１×１０１５（ｃｍ−２）で導入し、ゲート電極６の下部領域にノンドープのチャンネル部２ａを形成した。チャンネル部２ａの両側領域は高濃度の不純物ドープ領域２ｂ、２ｃとした。ここで、多結晶シリコン薄膜２において、チャンネル部２ａ近傍に低濃度不純物領域もしくはノンドープ領域を設けてＴＦＴのオフ時にリーク電流が少ない構造としてもよい。
【００８２】
次に、第１の層間絶縁膜５を感光性の有機材料を用いて以上のような基板の全面に、ゲート電極６が露出しない程度の厚さで形成した後、コンタクトホール８、９を形成した。本実施形態においては、これらのコンタクトホールの形成と同時に凹凸パターン部２０の形成を行った。この凹凸パターン部２０は図３における斜線部、すなわち液晶表示装置における非透光領域に形成した。第１の層間絶縁膜５には無機材料を用いても良い。
【００８３】
次に、ソースバスライン１０をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形成した。次に、感光性の有機材料からなる第２の層間絶縁膜１４をスピンコート法により形成した。第２の層間絶縁膜１４には無機材料を用いても良い。
【００８４】
次に、第２の層間絶縁膜１４に、コンタクトホール１３をＴＦＴのドレイン領域上部のコンタクトホール９と対応する位置に多結晶シリコン薄膜２と連通するように形成し、コンタクトホール１３を通ってドレイン電極１１と接続するように画素電極となる透明電極１５ａを透明導電膜によって形成した。
【００８５】
次に、図３の斜線部分に画素電極となる反射電極１５ｂをＡｌ、Ａｇ等の高反射率の金属によって形成した。画素電極１５は透明電極１５ａと反射電極１５ｂとからなる。ここでは、画素電極１５は透明導電膜１５ａと高反射率の金属１５ｂとの積層構造となっているが、例えば１画素に対して複数のＴＦＴを設け、それぞれのＴＦＴに透明導電膜と高反射の金属とを接続した構造としてもよい。以上のようにしてアクティブマトリクス基板３００が作製される。
【００８６】
最終的には、対向電極が形成された対向基板およびアクティブマトリクス基板のそれぞれに配向膜を形成した後、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合せ、これらの基板間に液晶を封入して、液晶表示装置を作製した。この液晶表示装置はバックライトを備える。
【００８７】
本実施形態によれば、実施形態１と同様の構成については、上記と同様の作用効果が得られる。さらに加えて、本実施形態によれば、画素電極が透明電極と高反射率の電極とからなるので、トップゲート型ＴＦＴを利用して外光が明るいときには入射光を反射させ、この反射光により表示を行い、外光が暗いときには透過型モードに切り換えてバックライトにより表示を行うことが可能である。
【００８８】
本実施形態においては、ゲートバスラインの近傍に光を通さない付加容量共通配線および付加容量部の形成を行い、この部分上に光を透過しない反射電極１５ｂを作製しているので、バックライトを用いる場合に反射電極１５ｂの遮光による光強度の損失を低減することができる。さらに、付加容量共通配線および付加容量部の形状にあわせて、長方形状の反射電極１５ｂを作製しているので、この反射電極１５ｂが分離することはなく、かつ作製が容易である。さらに、画素電極１５の反射電極１５ｂと透明電極１５ａとがともに長方形の形状に形成されており画素電極１５を容易に作製できる。また、反射電極１５ｂはＴＦＴ上部に形成されており、ＴＦＴに照射される光を遮断することができるのでＴＦＴの特性劣化を防止できる。
【００８９】
（実施形態３）
本実施形態の反射型液晶表示装置は、実施形態１で説明した反射型液晶表示装置を改変したものである。本実施形態の反射型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板においては、実施形態１と同様に、コプレーナ型（トップゲート型）のＴＦＴを備える。本実施形態の反射型液晶表示装置においては、このＴＦＴ形成に用いる材料および層間絶縁膜などを利用して凹凸パターン部を形成した点で、実施形態１の反射型液晶表示装置と異なる。以下に、実施形態１と異なる点を中心にして、本実施形態の反射型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板について説明する。図５は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の製造工程順の部分断面図を示す。
【００９０】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板４００は、図５（ｅ）に示すように、絶縁基板１の上に積層構造を有する凹凸パターン部２０を備える。この凹凸パターン部２０は、多結晶シリコン薄膜（半導体層）２、ゲート絶縁膜３、ゲート電極６、および第１の層間絶縁膜５とそれぞれ同じ材料からなるパターン層２ｐ、３ｐ、６ｐ、および５ｐが、順次積層され、かつ同じ形状にパターニングされている。
【００９１】
次に、図５（ａ）〜（ｅ）を参照して、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板４００の製造方法を以下に説明する。
【００９２】
まず、図５（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に活性層となる多結晶シリコン薄膜２を約４０ｎｍ〜約８０ｎｍの厚さで形成した。このとき同時に、凹凸パターン部２０を後に構成する、パターン層２ｐを多結晶シリコン薄膜２と同じ材料を用いて形成した。
【００９３】
次に、スパッタリングまたはＣＶＤ法などを用いて、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどからなるゲート絶縁膜３を約８０ｎｍの厚さで形成した。ここで、付加容量電極のパターンは簡略化のために省略している。その後、ゲート電極６をＡｌまたは多結晶シリコンなどを用いて約５００ｎｍの厚さで形成した。このゲート電極６のパターニング時に、図５（ｂ）に示すようにゲート絶縁膜３もゲート電極６と同様の形状とした。ここで、ゲート絶縁膜３およびゲート電極６の形成と同時に、パターン層２ｐの上にゲート絶縁膜３およびゲート電極６とそれぞれ同じ材料からなるパターン層３ｐおよび６ｐを積層形成した。
【００９４】
次に、この薄膜トランジスタの導電型を決定するために、多結晶シリコン薄膜２に対して絶縁基板１の側と反対側（図中上方）から、ゲート電極６をマスクとして、リンイオンを約１×１０１５（ｃｍ−２）で導入し、ゲート電極６の下部領域にノンドープのチャンネル部２ａを形成した。チャンネル部２ａの両側領域は高濃度の不純物ドープ領域２ｂ、２ｃとした。ここで、多結晶シリコン薄膜２において、チャンネル部２ａ近傍に低濃度不純物領域もしくはノンドープ領域を設けてＴＦＴのオフ時にリーク電流が少ない構造としてもよい。
【００９５】
次に、第１の層間絶縁膜５をＳｉＯ２等を用いて、約５００ｎｍの厚みで上記の基板の全表面に形成し、第１の層間絶縁膜５にコンタクトホール８および９を形成した。本実施形態においては、図５（ｃ）に示すように、コンタクトホール８および９の形成と同時に、パターン層２ｐ、３ｐ、および６ｐの凹部に形成された第１の層間絶縁膜５を除去して、絶縁基板１を部分的に露出させた。これにより、パターン層６ｐの凸部の上に、第１の層間絶縁膜５と同じ材料からなるパターン層５ｐを積層して、パターン層２ｐ、３ｐ、６ｐ、および５ｐの積層構造を有する凹凸パターン部２０を形成した。この凹凸パターン部２０は、約０．８μｍ〜約５μｍの厚みとした。
【００９６】
次に、図５（ｄ）に示すように、ソースバスライン１０およびドレイン電極１１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて形成した。次に、感光性の有機材料からなる第２の層間絶縁膜１４をスピンコート法により形成し、第２の層間絶縁膜１４に、コンタクトホール１３をドレイン電極１１と連通するように形成した。第２の層間絶縁膜１４は、約０．３μｍ〜約１μｍの厚さとし、凹凸パターン部２０の厚さよりも薄くすることが好ましい。第２の層間絶縁膜１４には無機材料を用いても良いが、本実施形態のように、有機材料を用いることが好ましい。
【００９７】
次に、図５（ｅ）に示すように、コンタクトホール１３を通ってドレイン電極１１と接続するように画素電極１５をＡｌなどの高反射材料によって形成した。この画素電極１５は少なくとも液晶パネルの開口部に形成される。画素電極１５の周辺が、スイッチング素子、ゲートバスライン、および／またはソースバスラインと一部重なるように形成しても良い。以上のようにしてアクティブマトリクス基板４００を作製した。
【００９８】
最終的には、実施形態１の反射型液晶表示装置と同様に、対向電極が形成された対向基板（図示せず）およびアクティブマトリクス基板のそれぞれに配向膜を形成した後、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合せ、これらの基板間に液晶を封入して液晶層を形成し、これにより、反射型液晶表示装置（図示せず）を作製した。
【００９９】
本実施形態によれば、実施形態１と同様の構成については、上記と同様の作用効果が得られる。さらに加えて、本実施形態によれば、ＴＦＴの形成に用いた材料を利用して、これらをパターン形成して順次積層している。これにより、第１の実施形態とは異なって、第１の層間絶縁膜に無機絶縁膜を用いた場合でも、約０．８μｍ〜約５μｍの厚さを有する凹凸パターン部を形成することができる。本実施形態のようなコプレーナ型（トップゲート型）のＴＦＴにおいては、特に、厚膜のゲート電極と第１の層間絶縁膜を２層積層することにより、容易に約０．８μｍ以上の厚さを有する凹凸パターン部を形成することができる。この凹凸パターン部の上に第２の層間絶縁膜を形成することによって、プロセス数を増加させることなく、ＴＦＴ形成プロセス数と同数のプロセスで、反射特性の良好な反射板を形成することができる。
【０１００】
（実施形態４）
本実施形態の反射型液晶表示装置は、実施形態３で説明した反射型液晶表示装置を改変したものである。本実施形態の反射型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板においては、実施形態３とは異なって、スタガー型（トップゲート型）のＴＦＴを備える。本実施形態の反射型液晶表示装置においては、このＴＦＴ形成に用いるソース、ドレイン電極材料およびゲート電極材料を利用して凹凸パターン部を形成した点で、実施形態３の反射型液晶表示装置と異なる。以下に、実施形態３と異なる点を中心にして、本実施形態の反射型液晶表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板について説明する。図６は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板の製造工程順の部分断面図を示す。
【０１０１】
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板５００は、図６（ｄ）に示すように、絶縁基板１の上に積層構造を有する凹凸パターン部２０を備える。この凹凸パターン部２０は、ソース電極１０（およびドレイン電極１１）、多結晶シリコン薄膜（半導体層）２、ゲート絶縁膜３、およびゲート電極６とそれぞれ同じ材料からなるパターン層１０ｐ、２ｐ、３ｐ、および６ｐが、順次積層され、かつ同じ形状にパターニングされている。
【０１０２】
次に、図６（ａ）〜（ｄ）を参照して、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板５００の製造方法を以下に説明する。
【０１０３】
まず、図６（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に、ソース電極（ソースバスラインを含む）１０およびドレイン電極１１をＡｌなどの低抵抗の金属を用いて、約５００ｎｍの厚さで形成した。このとき同時に、凹凸パターン部２０を後に構成する、パターン層１０ｐをソース電極１０およびドレイン電極１１と同じ材料を用いて形成した。
【０１０４】
次に、絶縁基板１の上に活性層となる多結晶シリコン薄膜２を、その両端がそれぞれソース電極１０とドレイン電極１１との上に配設されるように、約４０ｎｍ〜約８０ｎｍの厚さで形成した。このとき、活性層２とソース電極１０およびドレイン電極１１とのオーミック性を良好とするために、活性層２とこれらの電極１０、１１との間に、不純物がドープされたシリコン薄膜（図示せず）を介在させた。
【０１０５】
次に、スパッタリングまたはＣＶＤ法などを用いて、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどからなるゲート絶縁膜３を約８０ｎｍの厚さで形成し、図６（ｂ）に示すように、多結晶シリコン薄膜２およびゲート絶縁膜３をエッチングして、パ夕ーニングした。ここで、付加容量電極のパターンは簡略化のために省略している。ここで、多結晶シリコン薄膜２およびゲート絶縁膜３の形成と同時に、パターン層１０ｐの上に多結晶シリコン薄膜２およびゲート絶縁膜３とそれぞれ同じ材料からなるパターン層２ｐおよび３ｐを積層形成した。
【０１０６】
次に、ゲート電極６をＡｌまたは多結晶シリコンなどを用いて約５００ｎｍの厚さで形成した。ここで、ゲート電極６の形成と同時に、パターン層３ｐの上にゲート電極６と同じ材料からなるパターン層６ｐを積層して、パターン層１０ｐ、２ｐ、３ｐ、および６ｐの積層構造を有する凹凸パターン部２０を形成した。この凹凸パターン部２０は、約０．８μｍ〜約５μｍの厚みとした。
【０１０７】
次に、図６（ｃ）に示すように、感光性の有機材料からなる層間絶縁膜１４をスピンコート法により形成した。層間絶縁膜１４は、約０．５μｍ〜約１μｍの厚さとし、凹凸パターン部２０の厚さよりも薄くすることが好ましい。層間絶縁膜１４には無機材料を用いても良いが、本実施形態のように、有機材料を用いることが好ましい。
【０１０８】
次に、図６（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１４に、コンタクトホール１３をドレイン電極１１と連通するように形成し、コンタクトホール１３を通ってドレイン電極１１と接続するように画素電極１５をＡｌなどの高反射材料によって形成した。この画素電極１５は少なくとも液晶パネルの開口部に形成される。画素電極１５の周辺が、スイッチング素子、ゲートバスライン、および／またはソースバスラインと一部重なるように形成しても良い。以上のようにしてアクティブマトリクス基板５００を作製した。
【０１０９】
最終的には、実施形態３の反射型液晶表示装置と同様に、対向電極が形成された対向基板（図示せず）およびアクティブマトリクス基板のそれぞれに配向膜を形成した後、アクティブマトリクス基板と対向基板とを貼り合せ、これらの基板間に液晶を封入して液晶層を形成し、これにより、反射型液晶表示装置（図示せず）を作製した。
【０１１０】
本実施形態によれば、実施形態３と同様の構成については、上記と同様の作用効果が得られる。さらに加えて、本実施形態によれば、ＴＦＴの形成に用いた材料を利用して、これらをパターン形成して順次積層している。これにより、第１の実施形態とは異なって、第１の層間絶縁膜に無機絶縁膜を用いた場合でも、約０．８μｍ〜約５μｍの厚さを有する凹凸パターン部を形成することができる。本実施形態のようなスタガー型（トップゲート型）のＴＦＴにおいては、特に、ソース電極およびドレイン電極と、ゲート電極とを厚膜のＡｌまたは多結晶シリコンからなる膜で形成し得るので、それら２層を積層することにより、容易に約０．８μｍ以上の厚さを有する凹凸パターン部を形成することができる。この凹凸パターン部の上に層間絶縁膜を形成することによって、プロセス数を増加させることなく、ＴＦＴ形成プロセス数と同数のプロセスで、反射特性の良好な反射板を形成することができる。本実施形態は、スタガー型のＴＦＴの代わりに、逆スタガー型のＴＦＴを用いた場合にも同様に適用され得る。
【０１１１】
本実施形態のように、スタガー型のＴＦＴを用いる場合には、コプレーナ型のＴＦＴを用いる実施形態３のように、第１の層間絶縁膜を凹凸パターン部に利用する必要が無い。すなわち、実施形態３では、第１および第２の層間絶縁膜を用いているが、本実施形態によれば、１層の層間絶縁膜しか必要としないので、製造プロセスがより少なくなる。
【０１１２】
【発明の効果】
本発明によれば、製造工程数を増やすことなく、均一で光散乱性の良好な反射特性を有する反射板を備えた反射型液晶表示装置およびその製造方法を提供することができる。また、トップゲート型ＴＦＴを用いた上記反射型液晶表示装置の利点を備え、かつ透過モードの表示も可能な透過反射両用型液晶表示装置を提供することができる。さらに本発明は、反射板の散乱を利用した様々な表示モードの反射型液晶表示装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１による反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の部分断面図である。
【図２】比較例による反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の部分断面図である。
【図３】実施形態２による透過反射両用型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の部分平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ’線による断面図である。
【図５】実施形態３による反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の部分断面図である。
【図６】実施形態４による反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の部分断面図である。
【図７】従来の反射型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の部分平面図である。
【図８】図７のＹ−Ｙ’線による断面図である。
【図９】従来の反射型液晶表示装置における反射板の製造プロセスを説明するための図である。
【図１０】従来の別の反射型液晶表示装置における反射板の製造プロセスを説明するための図である。
【符号の説明】
１　絶縁基板
２、２ａ、２ｂ、２ｃ　多結晶シリコン層（半導体層）
３　ゲート絶縁膜
５　第１の層間絶縁膜
６　ゲート電極
８　コンタクトホール
９　コンタクトホール
１０　ソースバスライン（ソース電極）
１１　ドレイン電極
１３　コンタクトホール
１４　第２の層間絶縁膜
１５　画素電極
１００　アクティブマトリクス基板
【図１】
2004004912.tif 000003
【図２】
2004004912.tif 000004
【図３】
2004004912.tif 000005
【図４】
2004004912.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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