(57)【要約】【課題】ガラス基板などの絶縁体基板Ｇが載置台やロボットアーム，ローラ等の支持手段１１から離脱する際に，今まで支持手段１１と接触していた側の絶縁体基板Ｇの表面に偏って発生する静電荷を効率良く除電する。【解決手段】任意の支持手段１１に支持されていた絶縁体基板Ｇを，支持手段１１から離脱させる際に，支持手段１１と接触していた側の絶縁体基板Ｇの表面から垂直方向に離れた位置より，支持手段１１と接触していた側の絶縁体基板Ｇの表面近傍に向けて，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意の支持手段に下面を支持されていた絶縁体基板を，支持手段から離脱させる際に，絶縁体基板の下方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射して，絶縁体基板の下面近傍の雰囲気をイオン化させることを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項２】
前記支持手段は，絶縁体基板を載せて支持する載置台もしくはロボットアームであり，絶縁体基板を載置台もしくはロボットアームから相対的に上方に持ち上げて離脱させる際に，絶縁体基板の下方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射することを特徴とする，請求項１に記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項３】
前記支持手段は，絶縁体基板を載せて回転することにより絶縁体基板を搬送する複数のローラであり，搬送に伴って各ローラから絶縁体基板が離脱する際に，絶縁体基板の下方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射することを特徴とすることを特徴とする，請求項１に記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項４】
任意の支持手段に上面を支持されていた絶縁体基板を，支持手段から離脱させる際に，絶縁体基板の上方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射して，絶縁体基板の上面近傍の雰囲気をイオン化させることを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持手段は，絶縁体基板の上面を吸着して支持する吸着ロボットアームであり，絶縁体基板を吸着ロボットアームから離脱させる際に，絶縁体基板の上方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射することを特徴とする，請求項４に記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項６】
軟Ｘ線源のターゲット電流Ｑ（μＡ），照射時間Ｔ（秒），絶縁体基板の電位Ｖ（ｋＶ），絶縁体基板の周辺接地導体部材間との平均静電容量をＣ（ｐＦ／ｍ２），絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さをＨ（ｃｍ）をパラメータとして軟Ｘ線の照射条件を定めることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５に記載の絶縁体基板の静電荷中和方法。
【請求項７】
絶縁体基板を載せて支持する任意の支持手段と，この支持手段に載せられていた絶縁体基板を，支持手段から上方に押し上げて離脱させる押上げピンを備え，
波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線源を，支持手段から上方に押し上げられた絶縁体基板よりも下方に配置し，
これら支持手段，押上げピン及び軟Ｘ線源を，軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなるケーシングの中に収納したことを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造装置。
【請求項８】
絶縁体基板を載せて回転することにより絶縁体基板を搬送する複数のローラを備え，
波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線源を，ローラに載せられて搬送される絶縁体基板よりも下方に配置し，
これら複数のローラ及び軟Ｘ線源を，軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなるケーシングの中に収納したことを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，除電された例えばガラス基板などの如き絶縁体基板を製造する方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年，ノートブック型のパソコンあるいは液晶テレビの普及とともに，ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いたアクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭ−ＬＣＤ）の量産技術の確立が要求されている。ＡＭ−ＬＣＤ製造工程は，ガラス基板上にアモルファスシリコン，絶縁体，導電体などの各種薄膜を堆積しパターン加工してＴＦＴや液晶駆動用の表示電極や配線を形成するＴＦＴ工程，ＴＦＴ基板とカラーフィルタ（ＣＦ）基板とを位置合わせして重ね隙間に液晶を注入するパネル工程，パネル周辺に駆動回路ＩＣを接続しバックライトなどを実装するモジュール工程などからなる。また，これらの各工程において，ガラス基板を載置，搬送させる真空チャック，搬送のためのローラ，ロボットアーム等が用いられる。このような工程は，液晶ディスプレイのみならず，有機ＥＬディスプレイやプラズマディスプレイなど，フラットパネルディスプレイの製造工程にて同様に用いられている。
【０００３】
ところで，ＬＣＤの量産を押し進めるためには，静電気対策が，類似の製造工程を有するＬＳＩ製造の場合よりも，遥かに重要で，歩留まり確保のための最大の問題点である。すなわち，ＬＣＤの基板材料は絶縁性のガラスであるため，ＬＳＩの基板材料であるシリコン単結晶（半導体）と比べて，静電気による帯電が遥かに生じやすく，パーティクルの吸着や，金属配線，導電膜などといった堆積膜の絶縁破壊を招きやすいからである。
【０００４】
そこで従来より，真空チャックやロボットアーム等にガラス基板を授受させる際や，ローラ搬送する際に，絶縁体基板に発生する静電荷の中和が行われている。中和手段としては，特許第３１８４６７６号の如き，高電圧が印加された放電電極でコロナ放電を発生させることで放電電極近傍の空気をイオン化し，生成された正負イオンおよび電子により帯電電荷を中和する，コロナ放電を利用したイオナイザが知られている。また最近では，帯電基板に軟Ｘ線を照射して帯電基板の周囲雰囲気を電離・イオン化し，帯電を中和する方法も知られている。例えば特開２００１−２１１０４４号には，設置台に置かれたウェハの上面に，軟Ｘ線を照射する手段が示されている。また，特許第２７４９２０２号には，軟Ｘ線照射によってイオン化させた空気を基板に供給する手段が示されている。更に，特開２００１−３１９９１６号には，基板の上下両面に，軟Ｘ線を照射してイオン化したガスをエアーナイフによって吹付ける手段が示されている。
【０００５】
【特許文献１】特許第３１８４６７６号公報
【特許文献２】特開２００１−２１１０４４号公報
【特許文献３】特許第２７４９２０２号
【特許文献４】特開２００１−３１９９１６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，先ずコロナ放電によるイオナイザでは，イオンの生成が放電電極の先端近傍でしか行われないから，帯電基板にイオンを運ぶ気流が必要となる。通常，ＬＣＤ製造は，塵埃の速やかな排除のためにダウンフロー下で行われるので，イオナイザは帯電基板の上方にしか設置できない。このため，基板表面（上面）しか電荷の中和ができない。
【０００７】
ここで，自らイオン風を吹き付けるイオナイザを用いることにより，基板の裏面に向けて斜め下方からイオン風を吹き付けることで，原理上は裏面の電荷中和も可能である。しかし，ＬＣＤ製造の清浄度を維持すべく形成されている清浄空気の下降気流と逆向きにイオナイザから気流を供給したのでは，基板周辺に滞留あるいは蓄積されている塵埃を舞い上げると共に，内部で発生した塵埃の装置外への速やかな排除ができなくなる。つまり，清浄度レベルを大幅に悪化させ静電気障害以上に大きな問題である粒子汚染を引き起こすことになることから，事実上このような使用はできない。また，イオナイザを用いた場合，イオナイザでせっかく発生させたイオンが基板に搬送される過程で激減してしまうため高い電荷中和性能は得られない。
【０００８】
また，軟Ｘ線照射で帯電を中和する従来の方法は，いずれの場合も，設置台に置かれた基板の上面のみ，もしくは，基板の上下両面に軟Ｘ線を照射するか，あるいは，軟Ｘ線照射によってイオン化した空気を供給する方法である。
【０００９】
しかし，設置台に基板を置た場合，基板を載置台上から持ち上げて離脱する際に発生する静電荷が最も問題となる。しかも，静電荷が発生するのは，載置台上面と接していた側の基板の表面，つまり基板の裏面側（下面側）である。ところが，ガラス基板などの絶縁体基板にあっては，このように基板の裏面側が帯電した状態でその上面に軟Ｘ線を照射した場合，基板の裏面側の帯電を除去することができないばかりか，基板の表面側（上面側）が裏面側と反対の極性に帯電してしまう。その結果，絶縁体基板の表裏面間に強い電界が生じ，基板面に形成された金属回路や導電膜などが絶縁破壊される危険性が生ずる。そのような問題は，基板の上下両面を同時に除電した場合についても，同様に懸念されることである。このように，ガラス基板などの絶縁体基板を除電する場合は，ウェハなどの導電性基板を除電する場合と異なる独特の問題がある。
【００１０】
加えて，軟Ｘ線照射によってイオン化させた空気をダウンフローやエアーナイフなどの気流によって基板に供給する方法では，軟Ｘ線照射によってせっかく発生させたイオンが基板に搬送される過程で激減してしまうという，イオナイザと同様の問題がある。
【００１１】
本発明の目的は，ガラス基板などの絶縁体基板が載置台やロボットアーム，ローラ等の支持手段から離脱する際に，絶縁体基板の下面などに偏って発生する静電荷を効率良く除電することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため，本発明によれば，任意の支持手段に下面を支持されていた絶縁体基板を，支持手段から離脱させる際に，絶縁体基板の下方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射して，絶縁体基板の下面近傍の雰囲気をイオン化させることを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造方法が提供される。前記支持手段は，例えば，絶縁体基板を載せて支持する載置台もしくはロボットアームであり，絶縁体基板を載置台もしくはロボットアームから相対的に上方に持ち上げて離脱させる際に，絶縁体基板の下方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する。また，前記支持手段は，例えば，絶縁体基板を載せて回転することにより絶縁体基板を搬送する複数のローラであり，搬送に伴って各ローラから絶縁体基板が離脱する際に，絶縁体基板の下方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する。
【００１３】
また，本発明によれば，任意の支持手段に上面を支持されていた絶縁体基板を，支持手段から離脱させる際に，絶縁体基板の上方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射して，絶縁体基板の上面近傍の雰囲気をイオン化させることを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造方法が提供される。前記支持手段は，例えば，絶縁体基板の上面を吸着して支持する吸着ロボットアームであり，絶縁体基板を吸着ロボットアームから離脱させる際に，絶縁体基板の上方からのみ波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する。
【００１４】
これら除電された絶縁体基板の製造方法において，軟Ｘ線源のターゲット電流Ｑ（μＡ），照射時間Ｔ（秒），絶縁体基板の電位Ｖ（ｋＶ），絶縁体基板の周辺接地導体部材間との平均静電容量をＣ（ｐＦ／ｍ２），絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さをＨ（ｃｍ）をパラメータとして軟Ｘ線の照射条件を定めるようにしても良い。
【００１５】
また，本発明によれば，絶縁体基板を載せて支持する任意の支持手段と，この支持手段に載せられていた絶縁体基板を，支持手段から上方に押し上げて離脱させる押上げピンを備え，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線源を，支持手段から上方に押し上げられた絶縁体基板よりも下方に配置し，これら支持手段，押上げピン及び軟Ｘ線源を，軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなるケーシングの中に収納したことを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造装置が提供される。
【００１６】
また，本発明によれば，絶縁体基板を載せて回転することにより絶縁体基板を搬送する複数のローラを備え，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線源を，ローラに載せられて搬送される絶縁体基板よりも下方に配置し，これら複数のローラ及び軟Ｘ線源を，軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなるケーシングの中に収納したことを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造装置が提供される。
【００１７】
本発明にあっては，載置台やロボットアーム，ローラなどといった支持手段から絶縁体基板が離脱する際に，絶縁体基板の帯電面の側にのみ軟Ｘ線を照射し，帯電面と反対となる面に対しては，軟Ｘ線を照射しない。つまり，載置台やローラなどによって絶縁体基板の下面を支持している場合には，それらから離脱する際に絶縁体基板の下面側にのみ軟Ｘ線が照射されるようにする。また，吸着ロボットアームなどによって絶縁体基板の上面を支持している場合には，それらから離脱する際に絶縁体基板の上面側にのみ軟Ｘ線が照射されるようにする。なお，絶縁体基板の帯電面に対して軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線源は，軟Ｘ線を照射する時に絶縁体基板の下方もしくは絶縁体基板の上方にあれば良く，除電を行う際に，帯電面となる絶縁体基板の下面もしくは上面の一方にのみ軟Ｘ線を照射できればよい。こうして，帯電面の近傍雰囲気を選択的に電離，イオン化させ，絶縁体基板の離脱時や搬送時に摩擦によって生じた静電荷を絶縁体基板の表面から速やかに除去する。このため，絶縁体基板の上下面間で正負の電荷が対に残留することによる電界の発生を防止でき，金属回路や導電膜の静電破壊を回避できる。また，軟Ｘ線を絶縁体基板の下面もしくは上面の近傍に向けて照射することにより，帯電面近傍の空気を直接電離させることができ，イオンを気流に乗せて搬送するイオナイザのようにせっかく発生したイオンが搬送途中で結合・中和し減衰するといった心配も無い。軟Ｘ線による電荷中和の長所である「帯電物近傍雰囲気に直接照射することで，生成イオンの消滅を最小限に抑えることができ，電荷の中和速度を飛躍的に高めることができる」という能力を生かすことができ，短時間かつ低エネルギで除電できるようになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を図面を参考にして説明する。図１〜３に示すように，本発明の第１の実施の形態にかかる除電された絶縁体基板の製造装置１（以下「製造装置１」）は，ケーシング１０の内部に，ガラス基板などの絶縁体基板Ｇを載せて支持する支持手段としての載置台１１を備えている。載置台１１は導電性の材料で構成されており，アース１２されている。
【００１９】
この例では，絶縁体基板Ｇと載置台１１は，平面視でいずれも矩形状をなしており，平面視において絶縁体基板Ｇよりも載置台１１の方が面積が大きい。また，載置台１１の上面は水平であり，載置台１１の中央に絶縁体基板Ｇを載せて水平に支持するようになっている。
【００２０】
載置台１１の上面には，複数箇所に孔１３が開口している。各孔１３は，載置台１１の内部に設けられた流路１５に連通しており，図示しない吸引手段によって，流路１５を通じて各孔１３から吸引することにより，載置台１１の上に載せた絶縁体基板Ｇを吸着して保持するようになっている。
【００２１】
また，載置台１１を上下に貫通する貫通孔１６が少なくとも３ヶ所に設けられており，各貫通孔１６の内部には，昇降自在な押上げピン１７がそれぞれ挿入された状態になっている。各押上げピン１７は，図示しない昇降機構の稼動によって，一緒に昇降させられ，図２に示すように，各押上げピン１７の上端が載置台１１の上面よりも下方に引込んだ状態と，図３に示すように，各押上げピン１７の上端が載置台１１の上面よりも上方に突出し，絶縁体基板Ｇを載置台１１の上方に持ち上げた状態にされる。
【００２２】
載置台１１の側方には，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線源としての軟Ｘ線ランプ２０が設けてある。図示の例では，矩形状をなす載置台１１の対角線方向に向き合うように，一対の軟Ｘ線ランプ２０が設けてあり，平面視では，図１に示すように，これら一対の軟Ｘ線ランプ２０から載置台１１のほぼ中央に向って軟Ｘ線を照射するように設定されている。また，各軟Ｘ線ランプ２０は，押上げピン１７の上昇によって載置台１１の上方に持ち上げられた絶縁体基板Ｇの下面よりも低い位置に配置されており，側面視において，図３に示すように，押上げピン１７によって上方に持ち上げられた絶縁体基板Ｇの下面近傍に向って平行もしくは水平よりも上向きに軟Ｘ線を照射するように設定されている。
【００２３】
これら載置台１１，押上げピン１７及び軟Ｘ線ランプ２０は，ケーシング１０の中に収納されている。ケーシング１０は，軟Ｘ線ランプ２０から照射される波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなり，この実施の形態では，ケーシング１０の素材は，厚さ０．５ｍｍ以上の硬質塩ビ系素材，厚さ０．１ｍｍ以上の金属素材，厚さ０．２ｍｍ以上のガラス素材のいずれかで構成されている。
【００２４】
さて，以上のように構成された本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置１にあっては，載置台１１の上に置かれた絶縁体基板Ｇに対し，任意の処理工程などを終了後，製造装置１から絶縁体基板Ｇを搬出するために，押上げピン１７が上昇し，絶縁体基板Ｇを載置台１１の上方に持ち上げた状態にする。このように絶縁体基板Ｇが載置台１１上から持ち上げて離脱する際には，静電荷が発生する。
【００２５】
そこで，絶縁体基板Ｇを載置台１１上から離脱して持ち上げられた際に，今まで載置台１１と接触していた側の絶縁体基板Ｇの表面近傍，即ち，絶縁体基板Ｇの下面近傍に向け，軟Ｘ線ランプ２０から波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する。これにより，絶縁体基板Ｇの下面近傍の雰囲気をイオン化させ，絶縁体基板Ｇの離脱時に摩擦よって生じた静電荷を絶縁体基板Ｇの下面から速やかに除去することができる。この場合，軟Ｘ線の照射によって，絶縁体基板Ｇの下面近傍の空気を直接電離させることができ，従来のイオナイザのようなイオンの減衰といった心配も無い。軟Ｘ線による電荷中和法の長所である「帯電物近傍雰囲気に直接照射することで，生成イオンの消滅を最小限に抑えることができ，電荷の中和速度を飛躍的に高めることができる」という能力を生かすことができ，短時間かつ低エネルギで除電できるようになる。
【００２６】
また，このように波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を絶縁体基板Ｇの下面近傍に照射するに際しては，図３に示したように，軟Ｘ線ランプ２０が押上げピン１７で持ち上げられた絶縁体基板Ｇの下面よりも低く配置され，かつ，軟Ｘ線ランプ２０からは平行もしくは水平よりも上向きに軟Ｘ線が照射されることにより，絶縁体基板Ｇの下面近傍には，軟Ｘ線が水平よりも上向きに指向した状態で照射される。このため，軟Ｘ線ランプ２０から照射された軟Ｘ線は，そのほとんどが絶縁体基板Ｇの下面近傍に到達することとなる。また，仮に載置台１１と接触していなかった側の絶縁体基板Ｇの表面を越えた位置に，即ち，絶縁体基板Ｇの上面よりも更に上方の位置に，軟Ｘ線ランプ２０から照射された軟Ｘ線が漏れ出たとしても，絶縁体基板Ｇが邪魔となることにより，絶縁体基板Ｇの上面近傍には，軟Ｘ線がほとんど到達することが無い。
【００２７】
このように，この実施の形態の製造装置１によれば，絶縁体基板Ｇを載置台１１上から離脱させた際に，今まで載置台１１と接触していた側となる絶縁体基板Ｇの下面近傍にだけ軟Ｘ線を照射し，載置台１１と接触していなかった絶縁体基板Ｇの上面近傍に対しては，軟Ｘ線を照射しないことにより，絶縁体基板Ｇの下面近傍においてのみ雰囲気を選択的にイオン化させ，中和を施すことができる。このため，載置台１１と接触していなかった絶縁体基板Ｇの上面が絶縁体基板Ｇの下面と反対の極性に帯電するといった事態を回避でき，絶縁体基板Ｇの上下両面間で正負の電荷が対に残留することによる電界の発生を防止できるようになる。
【００２８】
また，この実施の形態の製造装置１は，載置台１１，押上げピン１７及び軟Ｘ線ランプ２０が，軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなるケーシング１０の中に収納されているので，軟Ｘ線がケーシング１０の外部に漏れ出ることが無く，製造装置１を扱う作業者の安全が確保される。
【００２９】
なお，図１で説明したように軟Ｘ線源としての軟Ｘ線ランプ２０を，矩形状をなす絶縁体基板Ｇの対角線方向に向き合うように，対をなして２台設置する場合，軟Ｘ線ランプ２０が対抗配置されている対角線と交差する対角線方向にある絶縁体基板Ｇの角部Ｇ’が軟Ｘ線ランプ２０から最も遠くなるので，各軟Ｘ線ランプ２０から絶縁体基板Ｇまで最遠照射距離は，これら角部Ｇ’にまで軟Ｘ線を照射できるように設定すれば良い。そのためには，例えば，軟Ｘ線ランプ２０のターゲット電流Ｑ（μＡ），軟Ｘ線の照射時間Ｔ（秒），絶縁体基板Ｇの電位Ｖ（ｋＶ），絶縁体基板Ｇの周辺接地導体部材間との平均静電容量（絶縁体基板Ｇと載置台１１の平均静電容量）をＣ（ｐＦ／ｍ２），絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さＨ（ｃｍ）とした時に，絶縁体基板Ｇまで最遠照射距離（各軟Ｘ線ランプ２０から角部Ｇ’までの照射距離）が次の関係を満足するように，軟Ｘ線の照射条件を定めると良い。
押上げピン１７で持ち上げられた際に絶縁体基板Ｇの下面近傍に形成される軟Ｘ線の照射空間の平均厚さＨが５ｃｍ以上の時；
軟Ｘ線ランプ２０から角部Ｇ’までの照射距離（ｍ）＜（Ｑ／０．２５）０．３３÷Ｖ０．３３×（Ｔ／５）０．３３／（Ｃ／２００）０．３３
押上げピン１７で持ち上げられた際に絶縁体基板Ｇの下面近傍に形成される軟Ｘ線の照射空間の平均厚さＨが５ｃｍ未満の時；
軟Ｘ線ランプ２０から角部Ｇ’までの照射距離（ｍ）＜（Ｑ／１．２５×Ｈ）０．３３÷Ｖ０．３３×（Ｔ／５）０．３３／（Ｃ／２００）０．３３
【００３０】
ここで，ターゲット電流Ｑとは，軟Ｘ線源である軟Ｘ線ランプ２０から軟Ｘ線を発生させる際に必要な励起電流をいう。また，絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さＨ（ｃｍ）とは，絶縁体基板Ｇの除電側，即ちこの例でいえば絶縁体基板Ｇの下面側近傍に軟Ｘ線が照射されて，その雰囲気中に生成されたイオンが絶縁体基板Ｇの帯電面である下面の除電に機能する空間の絶縁体基板Ｇの帯電面（下面）からの距離をいう。
【００３１】
次に，本発明の別の実施の形態を図面を参考にして説明する。図４，５に示すように，本発明の第２の実施の形態にかかる除電された絶縁基板の製造装置２（以下「製造装置２」）は，ケーシング本体３０の内部に，ガラス基板などの絶縁体基板Ｇを載せて回転することにより絶縁体基板Ｇを搬送する複数のローラ３１を備えている。
【００３２】
この製造装置２は，図４，５中において，左半分が絶縁体基板Ｇの搬入位置３２に構成され，右半分が絶縁体基板Ｇの搬出位置３３に構成されている。各ローラ３１は，これら搬入位置３２と搬出位置３３の間に渡って水平方向に並べて並列に配置されており，ローラ３１の上に載せた絶縁体基板Ｇを，水平の姿勢を保ちながら，図４，５中において右向きに，搬入位置３２から搬出位置３３に向って搬送するようになっている。
【００３３】
搬出位置３３には，ローラ３１の隙間を通って昇降する少なくとも３本の押上げピン３４が配置されている。各押上げピン３４は，図示しない昇降機構の稼動によって，一緒に昇降させられ，図５中の実線３４で示したように，各押上げピン３４の上端がローラ３１の上面よりも下方に引込んだ状態と，図５中の二点鎖線３４’で示したように，各押上げピン３４の上端がローラ３１の上面よりも上方に突出し，絶縁体基板Ｇをローラ３１の上方に持ち上げた状態にされるようになっている。
【００３４】
ケーシング本体３０の側面には，搬入位置３２に対応する窓３５と，搬出位置３３に対応する窓３６が設けてある。これら窓３５，３６は，いずれも波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線に対する透過能が１／１０以上の材質からなる。これら窓３５，３６の材質としては，例えば厚さ０．０１ｍｍ以上のポリイミド系素材，シクロオレフィン樹脂，アクリル系素材，ポリプロピレン，フッ素樹脂，ポリエチレン樹脂などが例示される。
【００３５】
各窓３５，３６の外側には，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線源としての軟Ｘ線ランプ３７，３８が設けてある。この静電荷中和装置２では，軟Ｘ線の照射範囲をより広くするために，軟Ｘ線ランプ３７，３８を，それぞれケーシング本体３０の外側に配置し，軟Ｘ線に透過な窓３５，３６を介してケーシング本体３０内部に軟Ｘ線を照射するように構成している。
【００３６】
平面視では，図４に示すように，窓３５の外側に配置された軟Ｘ線ランプ３７は，窓３５を通じて，搬入位置３２にある絶縁体基板Ｇに向って側方から軟Ｘ線を照射するように配置されている。また，窓３６の外側に配置された軟Ｘ線ランプ３８は，窓３６を通じて，搬出位置３３にある絶縁体基板Ｇに向って軟Ｘ線を照射するように配置されている。一方，図５に示すように，窓３５の外側に配置された軟Ｘ線ランプ３７は，ローラ３１に載せられて搬送される絶縁体基板Ｇの下面よりも低い位置に配置されており，側面視において，ローラ３１に載せられて搬送される絶縁体基板Ｇの下面近傍に向って平行もしくは水平よりも上向きに，窓３５を通じて軟Ｘ線を照射するように設定されている。また，窓３６の外側に配置された軟Ｘ線ランプ３８は，搬出位置３３において押上げピン３４によってローラ３１の上方に持ち上げられた絶縁体基板Ｇの下面より低く配置されており，側面視において，押上げピン３４によって上方に持ち上げられた絶縁体基板Ｇの下面近傍に向って平行もしくは水平よりも上向きに，窓３６を通じて軟Ｘ線を照射するように設定されている。
【００３７】
ローラ３１及び押上げピン３４は，ケーシング本体３０の中に収納されている。また，搬入位置３２の絶縁体基板Ｇに向って軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線ランプ３７は，窓３５を除く面を，ランプケーシング４０によって覆われている。同様に，搬出位置３３の絶縁体基板Ｇに向って軟Ｘ線を照射する軟Ｘ線ランプ３８は，窓３６を除く面を，ランプケーシング４１によって覆われている。このように，ローラ３１及び押上げピン３４，軟Ｘ線ランプ３７，３８は，ケーシング本体３０及びランプケーシング４０で構成されるケーシングの中に収納されている。ケーシングを構成しているケーシング本体３０及びランプケーシング４０は，軟Ｘ線ランプ３７，３８から照射される波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなり，この実施の形態では，ケーシング本体３０及びランプケーシング４０の素材は，厚さ０．５ｍｍ以上の硬質塩ビ系素材，厚さ０．１ｍｍ以上の金属素材，厚さ０．２ｍｍ以上のガラス素材のいずれかで構成されている。
【００３８】
さて，以上のように構成された本発明の第２の実施の形態にかかる製造装置２にあっては，搬入位置３２においてローラ３１の上に載せた絶縁体基板Ｇは，水平な姿勢を保ちながら，ローラ３１の回転によって図４，５中において右向きに移動し，搬入位置３２から搬出位置３３に向って搬送される。そして，このように絶縁体基板Ｇが搬送される際には，絶縁体基板Ｇは複数のローラ３１の間を順次受け渡されて行くこととなり，それに伴って，各ローラ３１から絶縁体基板Ｇが離脱する毎に静電荷が発生する。
【００３９】
そこで，絶縁体基板Ｇを搬送している間，各ローラ３１から離脱を繰り返すこととなる絶縁体基板Ｇの表面近傍，即ち，絶縁体基板Ｇの下面近傍に向け，軟Ｘ線ランプ３７から波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する。これにより，絶縁体基板Ｇの下面近傍の雰囲気をイオン化させ，絶縁体基板Ｇが各ローラ３１から離脱する際に摩擦よって生じる静電荷を，絶縁体基板Ｇの下面から速やかに除去することができる。この場合も同様に，軟Ｘ線の照射によって絶縁体基板Ｇの下面近傍の空気を直接電離させることにより，イオナイザのようなイオンの減衰といった心配も無く，軟Ｘ線による電荷中和法の長所を享受できる。
【００４０】
また，このようにローラ３１に載せられて搬送される絶縁体基板Ｇの下面近傍に軟Ｘ線を照射するに際しては，図５に示したように，軟Ｘ線ランプ３７が絶縁体基板Ｇの下面よりも低い位置に配置されており，かつ，軟Ｘ線ランプ３７からは平行もしくは水平よりも上向きに軟Ｘ線が照射されることにより，絶縁体基板Ｇの下面近傍には，軟Ｘ線が水平よりも上向きに指向した状態で照射される。このため，軟Ｘ線ランプ３７から照射された軟Ｘ線は，そのほとんどが絶縁体基板Ｇの下面近傍に到達することとなる。また，ローラ３１と接触していなかった側の絶縁体基板Ｇの表面を越えた位置に，即ち，絶縁体基板Ｇの上面よりも更に上方の位置に，仮に軟Ｘ線ランプ３７から照射された軟Ｘ線が漏れ出たとしても，絶縁体基板Ｇが邪魔となるので，絶縁体基板Ｇの上面近傍には，軟Ｘ線がほとんど到達することが無い。このため，先に説明した本発明の第１の実施の形態と同様に，ローラ３１との離脱を繰り返すことによって静電荷が発生する絶縁体基板Ｇの下面近傍にだけ軟Ｘ線を照射し，ローラ３１と接触していなかった絶縁体基板Ｇの上面近傍に対しては，軟Ｘ線を照射せず，絶縁体基板Ｇの下面近傍においてのみ雰囲気を選択的にイオン化させ，中和を施すことができる。これにより，絶縁体基板Ｇの上下両面間で正負の電荷が対に残留することによる電界の発生を防止できるようになる。
【００４１】
そして，この製造装置２において，絶縁体基板Ｇが搬出位置３３まで搬送されると，ローラ３１の回転が停止し，絶縁体基板Ｇは搬出位置３３に一旦停止する。この場合，ローラ３１の回転停止と同時に軟Ｘ線ランプ３７からの軟Ｘ線照射を停止させても良い。
【００４２】
そして，搬出位置３３に停止した絶縁体基板Ｇを，静電荷中和装置２から搬出等するために，押上げピン３４が上昇し，搬出位置３３において，絶縁体基板Ｇをローラ３１の上方に持ち上げた状態にする。このように絶縁体基板Ｇがローラ３１上から持ち上げられて離脱する際にも，静電荷が発生する。
【００４３】
そこで，搬出位置３３において，絶縁体基板Ｇをローラ３１上から離脱させる際には，今までローラ３１と接触していた側の絶縁体基板Ｇの表面近傍，即ち，絶縁体基板Ｇの下面近傍に向け，軟Ｘ線ランプ３８から波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する。これにより，絶縁体基板Ｇの下面近傍の雰囲気をイオン化させ，絶縁体基板Ｇがローラ３１から離脱する際に摩擦よって生じる静電荷を，絶縁体基板Ｇの下面から速やかに除去することができる。この場合も同様に，軟Ｘ線の照射によって絶縁体基板Ｇの下面近傍の空気を直接電離させることにより，イオナイザのようなイオンの減衰といった心配も無く，軟Ｘ線による電荷中和法の長所を享受できる。
【００４４】
また，このように波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を絶縁体基板Ｇの下面近傍に照射するに際しては，図５に示したように，軟Ｘ線ランプ３８が押上げピン３４で持ち上げられた絶縁体基板Ｇの下面よりも配置され，かつ，軟Ｘ線ランプ３８からは平行もしくは水平よりも上向きに軟Ｘ線が照射されることにより，絶縁体基板Ｇの下面近傍には，軟Ｘ線が水平よりも上向きに指向した状態で照射される。このため，軟Ｘ線ランプ３８から照射された軟Ｘ線は，そのほとんどが絶縁体基板Ｇの下面近傍に到達することとなる。また，仮に軟Ｘ線ランプ３８から照射された軟Ｘ線が，絶縁体基板Ｇの上面よりも更に上方の位置に漏れ出たとしても，絶縁体基板Ｇが邪魔となるので，絶縁体基板Ｇの上面近傍には，軟Ｘ線がほとんど到達することが無い。このため，先に説明した本発明の第１の実施の形態と同様に，ローラ３１との離脱を行うことによって静電荷が発生する絶縁体基板Ｇの下面近傍にだけ軟Ｘ線を照射し，絶縁体基板Ｇの上面近傍に対しては，軟Ｘ線を照射せず，絶縁体基板Ｇの下面近傍においてのみ雰囲気を選択的にイオン化させ，中和を施すことができる。これにより，絶縁体基板Ｇの上下両面間で正負の電荷が対に残留することによる電界の発生を防止できるようになる。
【００４５】
また，この実施の形態の製造装置２にあっても，ローラ３１及び押上げピン３４，軟Ｘ線ランプ３７，３８は，いずれも軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材からなるケーシング本体３０及びランプケーシング４０で構成されるケーシングの中に収納されているので，軟Ｘ線がケーシング（ケーシング本体３０及びランプケーシング４０）の外部に漏れ出ることが無く，静電荷中和装置２を扱う作業者の安全が確保される。
【００４６】
なお，図４で説明したように，軟Ｘ線源としての軟Ｘ線ランプ３７，３８を，搬入位置３２と搬出位置３３にそれぞれ１台ずつ設置した場合は，各軟Ｘ線ランプ３７，３８が配置されている位置と反対側となる絶縁体基板Ｇの角部Ｇ”が軟Ｘ線ランプ３７，３８からそれぞれ最も遠くなるので，各軟Ｘ線ランプ３７，３８から絶縁体基板Ｇまで最遠照射距離は，これら角部Ｇ”にまで軟Ｘ線を照射できるように設定すれば良い。そのためには，例えば，各軟Ｘ線ランプ３７，３８のターゲット電流Ｑ（μＡ），軟Ｘ線の照射時間Ｔ（秒），絶縁体基板Ｇの電位Ｖ（ｋＶ），絶縁体基板Ｇの周辺接地導体部材間との平均静電容量（絶縁体基板Ｇと載置台１１の平均静電容量）をＣ（ｐＦ／ｍ２），絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さをＨ（ｃｍ）とした時に，絶縁体基板Ｇまで最遠照射距離（各軟Ｘ線ランプ３７，３８から角部Ｇ”までの照射距離）が次の関係を満足するように，軟Ｘ線の照射条件を定めると良い。
搬入位置３２においてローラ３１上に載せた絶縁体基板Ｇの下面近傍に形成される軟Ｘ線の照射空間の平均厚さＨが５ｃｍ以上の時，もしくは，搬出位置３３において押上げピン３４で持ち上げられた際に絶縁体基板Ｇの下面近傍に形成される軟Ｘ線の照射空間の平均厚さＨが５ｃｍ以上の時；
各軟Ｘ線ランプ３７，３８から角部Ｇ”までの照射距離（ｍ）＜（Ｑ／０．５）０．３３÷Ｖ０．３３×（Ｔ／５）０．３３／（Ｃ／２００）０．３３
搬入位置３２においてローラ３１上に載せた絶縁体基板Ｇの下面近傍に形成される軟Ｘ線の照射空間の平均厚さが５ｃｍ未満の時，もしくは，搬出位置３３において押上げピン３４で持ち上げられた際に絶縁体基板Ｇの下面近傍に形成される軟Ｘ線の照射空間の平均厚さが５ｃｍ未満の時；
各軟Ｘ線ランプ３７，３８から角部Ｇ”までの照射距離（ｍ）＜（Ｑ／２．５×Ｈ）０．３３÷Ｖ０．３３×（Ｔ／５）０．３３／（Ｃ／２００）０．３３
（なお，ターゲット電流Ｑ，絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さＨ（ｃｍ）等の定義は，先と同様である。）
【００４７】
以上，本発明の好ましい実施の形態を例示したが，本発明は以上に説明した形態に限定されない。例えば，図１〜３で説明した製造装置１のように絶縁体基板Ｇを吸着して保持する載置台１１は，絶縁体基板Ｇを静置させる場合に限られず，絶縁体基板Ｇを吸着したまま載置台１１ごと移動して，絶縁体基板Ｇを搬送するように構成しても良い。また，絶縁体基板Ｇを支持あるいは搬送する支持手段として，図６，７に示す如き，ロボットアーム４０についても，本発明は適用できる。このようなロボットアーム４０の上から絶縁体基板Ｇを持ち上げて離脱させる場合にも，絶縁体基板Ｇの下面近傍に向けて軟Ｘ線を照射することにより，絶縁体基板Ｇの上下両面間で正負の電荷を対に残留させることなく，絶縁体基板Ｇの下面の静電荷を中和することができる。
【００４８】
また，絶縁体基板Ｇを支持あるいは搬送する支持手段として，図８，９に示す如き，絶縁体基板Ｇの表面を吸着して支持する吸盤４５を備えた吸着ロボットアーム４５についても，本発明は適用できる。このような吸着ロボットアーム４５を用いた場合は，絶縁体基板Ｇを上に載せるだけではなく，図８，９に示すように，吸着ロボットアーム４５によって絶縁体基板Ｇの上面を吸着保持し，搬送することも可能である。そして，このように絶縁体基板Ｇの上面を吸着保持した場合は，絶縁体基板Ｇを吸着ロボットアーム４５から離脱させる場合に，吸着ロボットアーム４５で吸着されていた側の絶縁体基板Ｇの表面である絶縁体基板Ｇの上面よりも上方の位置から，絶縁体基板Ｇの上面近傍に向けて，軟Ｘ線を照射すれば良い。そうすれば，図１〜３で説明した製造装置１などと同様に，絶縁体基板Ｇの上下両面間で正負の電荷を対に残留させることなく，絶縁体基板Ｇの上面の静電荷を中和することができる。
【００４９】
その他，図示はしないが，絶縁体基板Ｇを適当な保持手段の上方に浮上させて非接触で支持もしくは搬送するような場合にも，本発明は適用できると考える。本発明における支持手段には，液晶ディスプレイ製造における成膜工程，ドライエッチング工程，フォトリソ工程，配向膜形成工程，スペーサ散布工程，貼り合わせ工程，カッティング工程，偏向板貼り付け工程，各種検査工程，保管用ストッカーでの搬出入工程，各工程間の搬送工程等で使用される，絶縁体基板Ｇを保持もしくは搬送させる各種保持手段が含まれる。
【００５０】
いずれの場合も，載置台１１，ローラ３１，ロボットアーム４０，吸着ロボットアーム４５などの保持手段から，絶縁体基板Ｇが離脱する際に静電荷が発生する。従って，絶縁体基板Ｇの帯電面近傍へに対する軟Ｘ線の照射時間は，絶縁体基板Ｇが保持手段から離脱した直後，もしくは離脱した後に行う。軟Ｘ線の照射有効時間は１μｓｅｃ以上であることが好ましい。
【００５１】
また，例えば図１〜３で説明した本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置１においてケーシング１０内を圧力１〜１０００Ｔｏｒｒの空気あるいは窒素ガスとし，あるいは，図４，５で説明した本発明の第２の実施の形態にかかる製造装置２において，ケーシング本体３０内を圧力１〜１０００Ｔｏｒｒの空気あるいは窒素ガスとすることにより，絶縁体基板Ｇの周辺雰囲気を圧力１〜１０００Ｔｏｒｒの不活性雰囲気に保つことが好ましい。
【００５２】
なお，以上のように軟Ｘ線の照射によって静電除去を行う場合，絶縁体基板Ｇに金属配線や導電膜が形成されている場合とそうでない場合とで，静電荷の中和方法を異ならしめることも可能である。例えば，金属配線や導電膜が形成されている絶縁体基板Ｇについては，静電気障害をより完全に防止するために，本発明に従って静電荷の中和を行い，一方，金属配線や導電膜が形成されていない絶縁体基板Ｇについては，従来公知の方法によって静電荷の中和を行うようにしても良い。
【００５３】
例えば搬送用のロボットアームに絶縁体基板Ｇを載せて搬送し，絶縁体基板Ｇを所定の基板静置場所に複数枚積層して順次置いていく場合，各絶縁体基板Ｇを基板静置場所に置く段階で確実に電荷の中和を行うと良い。つまり，絶縁体基板Ｇは上から順番に基板静置場所に入れていき，その際に，軟Ｘ線を基板静置場所において下方より基板下面に向けて照射する。絶縁体基板Ｇの帯電はロボットアームからの離脱時に基板下面側に生じることから，下方から直接周辺空気に照射することで通常１秒以下で発生電荷の中和は完了する。次の絶縁体基板Ｇが運び込まれると，その絶縁体基板Ｇによって軟Ｘ線は遮蔽され，上の絶縁体基板Ｇには軟Ｘ線は照射されなくなり，電荷の中和は停止するが，それまでに中和は完了しているため何ら問題ない。全ての絶縁体基板Ｇが基板静置場所が運び込まれ，次の処理が始まる前には，全ての絶縁体基板Ｇの除電は完了しており，次の処理を行う際に除電する必要は全くなくなる。次に，所定の処理完了後，搬出される際に，新たな帯電が生じるが，これに関しても搬入時と同様の方法で短時間での除電ができる。つまり，最下部の絶縁体基板Ｇから順番に搬出し，搬出の際に軟Ｘ線を下方より基板下面に向けて照射することで，全ての絶縁体基板Ｇに対して直接帯電面近傍の空気に軟Ｘ線を照射できることから，帯電電荷は完全に中和できる。このように，本発明を実施することにより，絶縁体基板Ｇの帯電面側から短時間での電荷の中和が可能であり，かつ帯電面側からの中和であることから，絶縁体基板Ｇを挟んで表裏に正負の電荷が残留するという従来の課題も解決できる。
本発明によって静電荷を中和されて製造される除電された絶縁体基板Ｇは，液晶ディスプレイのみならず，有機ＥＬディスプレイやプラズマディスプレイなど，フラットパネルディスプレイの製造などに用いられる絶縁体基板を広く含む概念である。そのような製造工程において，除電されるべき絶縁体基板は，大型ガラス基板，大型樹脂基板等，透明で絶縁性のある基板である場合が多い。本発明は，ガラス基板，樹脂基板等，絶縁性のある基板に対して広く適用される。
本発明の「除電された絶縁体基板の製造方法」は，「絶縁体基板の静電荷中和方法」としても適用することができ，また，本発明の「除電された絶縁体基板の製造装置」は，「絶縁体基板の静電荷中和装置」としても適用することができる。その場合，実施の形態で説明した除電された絶縁体基板の製造装置１，２は，絶縁体基板の静電荷中和装置１，２と読みかえればよい。
【００５４】
【実施例】
（実施例１）
先ず，軟Ｘ線ランプ２０のターゲット電流Ｑを１５０μＡ，照射時間Ｔを０．２秒，絶縁体基板Ｇの初期電位Ｖを１０ｋＶ（このＶの値は，これまでの経験より予測した），絶縁体基板Ｇと周辺接地導体部材（即ち，載置台１１）との間の平均静電容量Ｃを２２５ｐＦ／ｍ２（このＣの値は，机上で計算した），絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さＨを４ｃｍとし，これらをパラメータとして，基板電位を初期電位の１／１０まで除電するために必要な絶縁体基板Ｇまで最遠照射距離を演算したところ，次のようになった。
軟Ｘ線源としての軟Ｘ線ランプを１台設置して除電を行う場合の最遠照射距離＝０．９ｍ
軟Ｘ線源としての軟Ｘ線ランプを２台設置して除電を行う場合の最遠照射距離＝１．５ｍ
【００５５】
そして，図１〜３で説明した本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置１を用いて１ｍ２の液晶用ガラス基板からなる絶縁体基板Ｇの除電を行った。この実施例１の製造装置１では，先に説明したように，絶縁体基板Ｇの対角線方向に向き合うように２台の軟Ｘ線ランプ２０を設置している。よって，各軟Ｘ線ランプ２０の最遠照射距離は，１．５ｍである。
【００５６】
なお，実施例１では，絶縁体基板Ｇを吸着（真空チャック）して保持した状態で水平方向に移動可能な載置台１１を用い，所定の位置において押上げピン１７が上昇し，絶縁体基板Ｇを載置台１１の所定の高さに上方に持ち上げたところで停止させた。この一連の操作において，絶縁体基板Ｇに静電気が発生するのは載置台１１から絶縁体基板Ｇを上方に離脱させる際に，絶縁体基板Ｇの下面においてである。
【００５７】
実施例１の製造装置１では，絶縁体基板Ｇが載置台１１ステージから持ち上げられ，絶縁体基板Ｇ下面が載置台１１上面から５ｃｍ上昇した時点で０．２秒間，絶縁体基板Ｇ下面と載置台１１上面との間の雰囲気に軟Ｘ線を照射した。絶縁体基板Ｇの各測定位置Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５においてそれぞれ電位を測定し，軟Ｘ線を照射しない場合と比べて，除電効果を評価した。その結果を表１に示す。なお，電位の各測定位置Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５を，図１中に記載した。即ち，測定位置Ｇ１は絶縁体基板Ｇの中央であり，測定位置Ｇ２，Ｇ３は，軟Ｘ線ランプ２０に最も近い絶縁体基板Ｇの各角部であり，測定位置Ｇ４，Ｇ５は，軟Ｘ線ランプ２０から最も遠くなる絶縁体基板Ｇの各角部（Ｇ’）である。これら各測定位置Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５でのそれぞれの測定電位の平均値で示した。最も除電条件として厳しい測定位置Ｇ４，Ｇ５において，非照射時に比べて１／１７，１／１８程度まで除電されており，机上での設計が確度の高いものであることを示している。
【００５８】
【表１】
2004299814.tif 000003
【００５９】
（実施例２）
図１〜３で説明した本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置１を用いて液晶用ガラス基板からなる絶縁体基板Ｇの除電を行った。なお，実施例２では，絶縁体基板Ｇを吸着（真空チャック）して保持した状態で水平方向に移動可能な載置台１１を用い，所定の位置において押上げピン１７が上昇し，絶縁体基板Ｇを載置台１１の所定の高さに上方に持ち上げたところで停止させた。この一連の操作において，絶縁体基板Ｇに静電気が発生するのは載置台１１から絶縁体基板Ｇを上方に離脱させる際に，絶縁体基板Ｇの下面においてである。
【００６０】
実施例２の製造装置１では，絶縁体基板Ｇが載置台１１ステージから持ち上げられ，絶縁体基板Ｇ下面と載置台１１上面との間の雰囲気に軟Ｘ線を照射できる時点になってから照射を１秒間行い，十分に電位を下げるようにした。なお，本発明の実施例では，軟Ｘ線照射時において，絶縁体基板Ｇが軟Ｘ線を遮蔽するため，非帯電面である絶縁体基板Ｇの上面近傍の雰囲気には軟Ｘ線は照射されず，絶縁体基板Ｇの表裏間で正負電荷が対で残留することはない。
【００６１】
一方，比較のため，従来法として絶縁体基板Ｇの中心真上から絶縁体基板Ｇの上面全体に照射できる位置に軟Ｘ線ランプを設置し，軟Ｘ線を照射した。
【００６２】
絶縁体基板Ｇとして，金属配線が基板上面側に形成されているものを使用し，軟Ｘ線を照射しない場合と，絶縁体基板Ｇを載置台１１上面から離脱させた後，軟Ｘ線を基板上面側から１秒照射した場合，及び，本発明の実施例である絶縁体基板Ｇを載置台１１上面から離脱させた後，下面側に１秒間軟Ｘ線を照射した場合について，絶縁体基板Ｇ全体の電位（基板電位）と，絶縁体基板Ｇの両面の表面電荷密度を基板中付近においてそれぞれ測定した。評価結果を表２に示す。
【００６３】
【表２】
2004299814.tif 000004
【００６４】
軟Ｘ線を照射しない場合は，基板電位は１１ｋＶにも達した。一方，軟Ｘ線を照射した場合は，上方及び下方のいずれの場合も基板電位は０．０１ｋＶ以下と十分に下がっている。しかし，絶縁体基板Ｇの両面の表面電荷密度を見ると，基板上方より照射した場合は，載置台１１ステージからの離脱時に基板下面に発生した電荷（＋０．１０ｎＣ／ｃｍ２）はそのまま残留し，上面側に逆極性の電荷（−０．１０ｎＣ／ｃｍ２）が軟Ｘ線照射により供給されたことが分かる。基板電位を見る限りにおいては，上面からの照射により基板自身の電位は十分下がっていることから，静電気障害のリスクは完全に排除されたかに誤解されるが，これは，非帯電面側に帯電電荷とは逆極性の電荷が同量供給されたことにより下がっただけであり，非中和時と同量の電荷が残存していることには変わりなく，基板内には強い電界が生じるばかりか，金属配線側に導体が接触した場合，金属配線などに蓄積されている電荷が一気に移動することで，微細な金属配線は破壊に至る危険性を有している。これに対して，本発明による実施例２のように基板下面側から軟Ｘ線を照射した場合は，基板電位はもちろん，電荷も残留していないことから，載置台１１からの離脱時に発生した静電気による障害発生の危険性は完全に排除された。
【００６５】
（実施例３）
図４，５で説明した本発明の第２の実施の形態にかかる製造装置２を用いて液晶用ガラス基板からなる絶縁体基板Ｇの除電を行った。各軟Ｘ線ランプ３７，３８から絶縁体基板Ｇまで最遠照射距離（軟Ｘ線ランプ３７から搬入位置３２にある絶縁体基板Ｇの角部Ｇ”までの距離，及び，軟Ｘ線ランプ３８から搬出位置３３にある絶縁体基板Ｇの角部Ｇ”までの距離）は，１．２ｍに設定した。この値は，先に説明した，各軟Ｘ線ランプ３７，３８のターゲット電流Ｑ（μＡ），軟Ｘ線の照射時間Ｔ（秒），絶縁体基板Ｇの電位Ｖ（ｋＶ），絶縁体基板Ｇの周辺接地導体部材間との平均静電容量（絶縁体基板Ｇと載置台１１の平均静電容量）をＣ（ｐＦ／ｍ２），絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さＨ（ｃｍ）をパラメータとして定められる，絶縁体基板Ｇまで最遠照射距離（各軟Ｘ線ランプ３７，３８から角部Ｇ”までの照射距離）の関係を満足している。
【００６６】
絶縁体基板Ｇの電位は，ローラ３１による搬送時に連続的に帯電を生じる搬入位置３２と，絶縁体基板Ｇを上昇させて所定の高さに停止させる搬出位置３３の２ヶ所で測定した。搬入位置３２では，搬送中の絶縁体基板Ｇの電位を３秒間測定した。搬出位置３３では，絶縁体基板Ｇをローラ３１上から離脱させるまでの２．５秒間と，絶縁体基板Ｇをローラ３１の上方に上昇させきるまでの１秒間，搬送中の絶縁体基板Ｇの電位を測定した。なお，この実施例３では，基板表裏間の電荷の残留に関しては実施例２と同じ効果が得られるものと判断し，評価を省略した。
【００６７】
軟Ｘ線非照射時と比較したところ，図１０に示すように，非照射時の電位は，搬送時には最大１．７ｋＶ程度まで上昇しており，停止後引き上げ開始と共に電位は急激に上昇している。搬送時の緩やかな上昇は繰り返し帯電によるもので，一方，引き上げ時の電位上昇は新たな帯電によるものではなく，単に絶縁体基板Ｇの静電容量が減少したことによる。次に，軟Ｘ線照射時の帯電電位の変化を見ると，ローラ搬送時の電位は非常に低く０．１ｋＶ以下，基板停止後はゼロとなっている。
【００６８】
【発明の効果】
本発明によれば，ガラス基板などの絶縁体基板が支持手段から離脱する際に，絶縁体基板の下面もしくは上面に偏って発生する静電荷を効率良く除電できる。本発明によれば，帯電面側から中和することで，基板の電位の削減だけでなく，基板内の正負電荷の残留そのものを削減できるから，静電気による絶縁体基板上の金属配線や導電膜への障害を確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置の側面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態にかかる製造装置の側面図であり，絶縁体基板を載置台の上方に持ち上げた状態を示している。
【図４】発明の第２の実施の形態にかかる製造装置の平面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態にかかる製造装置の側面図である。
【図６】絶縁体基板を載せて支持するロボットアームの平面図である。
【図７】絶縁体基板を載せて支持するロボットアームの側面図である。
【図８】絶縁体基板を吸着して支持する吸着ロボットアームの平面図である。
【図９】絶縁体基板を吸着して支持する吸着ロボットアームの側面図である。
【図１０】実施例２における絶縁体基板の電位の変化を，軟Ｘ線非照射時と比較して示したグラフである。
【符合の説明】
Ｇ    絶縁体基板
１，２  製造装置
１０  ケーシング
１１  載置台
１７，３４  押上げピン
２０，３７，３８  軟Ｘ線ランプ
３０  ケーシング本体
３１  ローラ
３２  搬入位置
３３  搬出位置
３５，３６  窓
４０，４１  ランプケーシング
【図１】
2004299814.tif 000005
【図２】
2004299814.tif 000006
【図３】
2004299814.tif 000007
【図４】
2004299814.tif 000008
【図５】
2004299814.tif 000009
【図６】
2004299814.tif 000010
【図７】
2004299814.tif 000011
【図８】
2004299814.tif 000012
【図９】
2004299814.tif 000013
【図１０】
2004299814.tif 000014