(57)【要約】【課題】チャンバー内の処理液や析出物を除去できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｗに処理液を供給して処理する基板処理装置２１Ａにおいて，前記基板Ｗを収納するチャンバー３１内に，基板Ｗに供給された処理液を受けるカップ１２８を備え，前記カップ１２８の底部１３３に，前記カップ１２８によって受けた処理液を下方に排出する開口１３４を設け，前記開口１３４の下方を囲む筒状部材１４０，１４３を備え，前記筒状部材１４０，１４３及び前記チャンバー３１の底面６６を洗浄可能な構成とした。【選択図】  図１２
2004304138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給して処理する基板処理装置であって，
前記基板を収納するチャンバー内に，基板に供給された処理液を受けるカップを備え，
前記カップの底部に，前記カップによって受けた処理液を下方に排出する開口を設け，
前記開口の下方を囲む筒状部材を備え，
前記筒状部材の内側に，前記筒状部材の内側から処理液を排出する排出路を設け，
前記筒状部材及び前記チャンバーの底面を洗浄可能な構成としたことを特徴とする，基板処理装置。
【請求項２】
前記排出路に，洗浄用液体を供給する供給路を介設し，
前記供給路から前記排出路を介して前記チャンバー内に前記洗浄用流体を供給する構成としたことを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記筒状部材は，前記カップの底部下面に備えられ前記開口の下方を囲む第１の筒状部材と，前記チャンバーの底部上面に備えられ前記第１の筒状部材を囲む第２の筒状部材で構成され，
前記第２の筒状部材の外側に，前記チャンバー内から処理液を排出するチャンバー排出路を設け，
前記第１の筒状部材と第２の筒状部材の間に前記洗浄用流体を通過させ，前記第１の筒状部材と第２の筒状部材の間を通過した洗浄用流体を前記チャンバー排出路から排液する構成としたことを特徴とする，請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記カップを昇降させる昇降機構を備え，
前記昇降機構は，前記カップを支持するカップ支持部材を備え，
前記筒状部材の外側に，前記カップ支持部材を設け，
前記カップを上昇させ，前記処理液をカップによって受ける状態とし，前記基板を第１の処理液で処理し，前記カップを下降させ，前記基板を第２の処理液で処理することを特徴とする，請求項１，２又は３に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板に処理流体を供給して処理する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造工程においては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）を薬液，純水等の処理液によって洗浄する工程が行われる。従来，ウェハに処理液を供給して処理する基板処理装置として，ウェハの周囲を包囲するカップを備え，ウェハを囲む位置とウェハの下方とにカップを昇降させる構成を有するものが知られていた（例えば，特許文献１参照。）。かかる構成によれば，ウェハに薬液を供給するときはカップによって薬液を受け，ウェハに純水を供給するときはカップの外側に純水を排出するようにして，薬液のみ回収して再利用することができる。従って，薬液の消費量を節約して，低コストを図ることができる。カップを昇降させる構成としては，例えば，カップを支持するカップ支持シャフトをシリンダーによって昇降させることにより，カップを昇降させる構成が考えられる。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１６０５４６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の基板処理装置においては，数種類の薬液を用いる場合，異なる薬液が反応して析出物が発生し，装置内に残留する問題があった。また，カップ支持シャフトに薬液が付着したまま残留して，薬液の回収効率が低下する問題があった。
【０００５】
従って本発明の目的は，チャンバー内の処理液や析出物を除去できる基板処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明によれば，基板に処理液を供給して処理する基板処理装置であって，前記基板を収納するチャンバー内に，基板に供給された処理液を受けるカップを備え，前記カップの底部に，前記カップによって受けた処理液を下方に排出する開口を設け，前記開口の下方を囲む筒状部材を備え，前記筒状部材の内側に，前記筒状部材の内側から処理液を排出する排出路を設け，前記筒状部材及び前記チャンバーの底面を洗浄可能な構成としたことを特徴とする，基板処理装置が提供される。かかる基板処理装置にあっては，筒状部材及びチャンバーの底面から薬液や析出物を洗い流すことができる。薬液を洗い流すことにより，析出物が発生することを防止できる。
【０００７】
この基板処理装置にあっては，前記排出路に，洗浄用液体を供給する供給路を介設し，前記供給路から前記排出路を介して前記チャンバー内に前記洗浄用流体を供給する構成とすることが好ましい。これにより，筒状部材及びチャンバーの底面を確実に洗浄できる。
【０００８】
さらに，前記筒状部材は，前記カップの底部下面に備えられ前記開口の下方を囲む第１の筒状部材と，前記チャンバーの底部上面に備えられ前記第１の筒状部材を囲む第２の筒状部材で構成され，前記第２の筒状部材の外側に，前記チャンバー内から処理液を排出するチャンバー排出路を設け，前記第１の筒状部材と第２の筒状部材の間に前記洗浄用流体を通過させ，前記第１の筒状部材と第２の筒状部材の間を通過した洗浄用流体を前記チャンバー排出路から排液する構成としても良い。この場合，第１の筒状部材，第２の筒状部材を洗浄できる。洗浄用流体の流れを形成して，効果的に洗浄できる。
【０００９】
また，前記カップを昇降させる昇降機構を備え，前記昇降機構は，前記カップを支持するカップ支持部材を備え，前記筒状部材の外側に，前記カップ支持部材を設け，前記カップを上昇させ，前記処理液をカップによって受ける状態とし，前記基板を第１の処理液で処理し，前記カップを下降させ，前記基板を第２の処理液で処理することが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハに対して，ウェハの表面に塗布されたレジストを水溶化して除去する処理システムに組み込まれた，基板処理装置としての基板洗浄ユニットに基づいて説明する。図１に示すように，処理システム１は，ウェハＷに洗浄処理及びレジスト水溶化処理を施す処理部２と，処理部２に対してウェハＷを搬入出する搬入出部３から構成されている。
【００１１】
搬入出部３は，複数枚，例えば２５枚の略円盤形状のウェハＷを所定の間隔で略水平に収容可能な容器（キャリアＣ）を載置するための載置台４が設けられたイン・アウトポート５と，載置台４に載置されたキャリアＣと処理部２との間でウェハＷの受け渡しを行うウェハ搬送装置６が備えられたウェハ搬送部７と，から構成されている。
【００１２】
ウェハＷはキャリアＣの一側面を通して搬入出され，キャリアＣの側面には開閉可能な蓋体が設けられている。また，ウェハＷを所定間隔で保持するための棚板が内壁に設けられており，ウェハＷを収容する２５個のスロットが形成されている。ウェハＷは表面（半導体デバイスを形成する面）が上面（ウェハＷを水平に保持した場合に上側となっている面）となっている状態で各スロットに１枚ずつ収容される。
【００１３】
イン・アウトポート５の載置台４上には，例えば，３個のキャリアを水平面のＹ方向に並べて所定位置に載置することができるようになっている。キャリアＣは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート５とウェハ搬送部７との境界壁８側に向けて載置される。境界壁８においてキャリアＣの載置場所に対応する位置には窓部９が形成されており，窓部９のウェハ搬送部７側には，窓部９をシャッター等により開閉する窓部開閉機構１０が設けられている。
【００１４】
この窓部開閉機構１０は，キャリアＣに設けられた蓋体もまた開閉可能であり，窓部９の開閉と同時にキャリアＣの蓋体も開閉する。窓部９を開口してキャリアＣのウェハ搬入出口とウェハ搬送部７とを連通させると，ウェハ搬送部７に配設されたウェハ搬送装置６のキャリアＣへのアクセスが可能となり，ウェハＷの搬送を行うことが可能な状態となる。
【００１５】
ウェハ搬送部７に配設されたウェハ搬送装置６は，Ｙ方向とＺ方向（鉛直方向）に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，ウェハ搬送装置６は，ウェハＷを把持する取出収納アーム１１を有し，この取出収納アーム１１はＸ方向にスライド自在となっている。こうして，ウェハ搬送装置６は，載置台４に載置された全てのキャリアＣの任意の高さのスロットにアクセスし，また，処理部２に配設された上下２台のウェハ受け渡しユニット１６，１７にアクセスして，イン・アウトポート５側から処理部２側へ，逆に処理部２側からイン・アウトポート５側へウェハＷを搬送することができるように構成されている。
【００１６】
上記処理部２は，搬送手段である主ウェハ搬送装置１８と，ウェハ搬送部７との間でウェハＷの受け渡しを行うためにウェハＷを一時的に載置するウェハ受け渡しユニット１６，１７と，８台の基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈと，４台の本実施の形態にかかる基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄとを備えている。
【００１７】
各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈは，ウェハＷの表面に塗布されているレジストを水溶化する処理を行う。基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈは，上下方向に４段で各段に２台ずつ配設されている。図２において図示はしないが，左段には基板処理ユニット２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄが上からこの順で配設され，右段には基板処理ユニット２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈが上からこの順で配設されている。図１に示すように，基板処理ユニット２０Ａと基板処理ユニット２０Ｅ，基板処理ユニット２０Ｂと基板処理ユニット２０Ｆ，基板処理ユニット２０Ｃと基板処理ユニット２０Ｇ，基板処理ユニット２０Ｄと基板処理ユニット２０Ｈとは，その境界をなしている壁面２２に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈは概ね同様の構成を備えている。
【００１８】
各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄは，基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈにおいてレジスト水溶化処理が施されたウェハＷに対して，洗浄処理及び乾燥処理を施す。基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄは，図２に示すように，上下２段で各段に２台ずつ配設されている。左段には基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｂが上からこの順で配設され，右段には基板洗浄ユニット２１Ｃ，２１Ｄが上からこの順で配設されている。図１に示すように，基板洗浄ユニット２１Ａと基板洗浄ユニット２１Ｃは，左右に並べて配設されている。基板洗浄ユニット２１Ｂと基板洗浄ユニット２１Ｄは，左右に並べて配設されている。基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｂは，基板洗浄ユニット２１Ｃ，２１Ｄよりウェハ搬送部７側に設けられている。上下に重ねられた基板洗浄ユニット２１Ａと基板洗浄ユニット２１Ｂは，概ね同様の構成を備え，基板洗浄ユニット２１Ｃと基板洗浄ユニット２１Ｄは，概ね同様の構成を備えている。上段において左右に隣り合う基板洗浄ユニット２１Ａと基板洗浄ユニット２１Ｃは，その境界をなしている壁面２３を中心として概ね面対称な構造を有し，対称であることを除けば，基板洗浄ユニット２１Ａと基板洗浄ユニット２１Ｃは概ね同様の構成を備えている。下段において左右に隣り合う基板洗浄ユニット２１Ｂと基板洗浄ユニット２１Ｄは，その境界をなしている壁面２４を中心として概ね面対称な構造を有し，対称であることを除けば，基板洗浄ユニット２１Ｂと基板洗浄ユニット２１Ｄは概ね同様の構成を備えている。各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄの構造については，後に詳細に説明する。
【００１９】
主ウェハ搬送装置１８の筒状の筐体１８ａは，Ｘ―Ｙ平面内で回転自在に構成されている。筐体１８ａに支持されたウェハＷを保持する搬送アーム１８ｂは，Ｚ方向に昇降するとともに，筐体１８ａに対してＸ―Ｙ平面内でスライド自在となっている。これにより，主ウェハ搬送装置１８は，各ウェハ受け渡しユニット１６，１７，各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈ，各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄに搬送アーム１８ｂを進入・退出させ，各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈ，各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄに対してウェハＷの搬入出を行うことができるようになっている。
【００２０】
図２に示すように，処理部２の天井部には，各ユニット及び主ウェハ搬送装置１８に，清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６が配設されている。また，ウェハ搬送部７の上部に，ウェハ搬送部７に清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２７が配設されている。
【００２１】
上記ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６からのダウンフローの一部は，ウェハ受け渡しユニット１６，１７と，その上部の空間を通ってウェハ搬送部７に向けて流出する構造となっている。これにより，ウェハ搬送部７から処理部２へのパーティクル等の侵入が防止され，処理部２の清浄度が保持される。
【００２２】
上記ウェハ受け渡しユニット１６，１７は，いずれもウェハ搬送部７との間でウェハＷを一時的に載置するものであり，これらウェハ受け渡しユニット１６，１７は上下２段に積み重ねられて配置されている。この場合，下段のウェハ受け渡しユニット１７は，イン・アウトポート５側から処理部２側へ搬送するようにウェハＷを載置するために用い，上段のウェハ受け渡しユニット１６は，処理部２側からイン・アウトポート５側へ搬送するウェハＷを載置するために用いることができる。
【００２３】
次に，基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄの構造について詳細に説明する。先ず，基板洗浄ユニット２１Ａの構成について説明する。図３に示すように，基板洗浄ユニット２１Ａのユニットチャンバー３０内には，ウェハＷを収納する密閉構造のアウターチャンバー３１が備えられている。ユニットチャンバー３０には，ウェハＷを搬入出させるための開口３２が形成されている。
【００２４】
アウターチャンバー３１の内側には，ウェハＷを略水平に支持して回転させるスピンチャック３５が配置されている。アウターチャンバー３１の外側には，アウターチャンバー３１の内側に移動してウェハＷに酸性の薬液，アルカリ性の薬液，純水（ＤＩＷ）等の処理液や，窒素（Ｎ２）ガスをウェハＷに処理流体として供給するノズルアーム３６が配置されている。
【００２５】
図４に示すように，アウターチャンバー３１の内面には，ウェハＷの周囲に飛散した処理液を受け止める傾斜部４０が形成されている。傾斜部４０は，スピンチャック３５によって保持されたウェハＷが位置する高さに，ウェハＷの周縁外側に沿って，環状に形成されている。また，傾斜部４０は，ウェハＷの位置する高さより上方から下方まで形成されており，下方に向かうほど外側に広がるように傾斜している。ウェハＷの周囲に飛散した処理液は，傾斜部４０に受け止められ，アウターチャンバー３１の下部に落下するようになっている。
【００２６】
傾斜部４０の上端部には，上端部から下方に垂れ下がるように形成された下垂部４１が設けられている。下垂部４１は，傾斜部４０の上端部に沿って環状に形成されている。このように下垂部４１を形成することにより，アウターチャンバー３１の内部にスピンチャック３５及びウェハＷの回転によって旋回気流が発生しても，旋回気流を下垂部４１より上方に流入させないようになっている。従って，ウェハＷより下方の雰囲気がウェハＷより上方に流入することを防止できる。下垂部４１は，スピンチャック３５によって保持されたウェハＷの周縁より外側に設けられている。即ち，下垂部４１から処理液の液滴が落下しても，ウェハＷの上面に付着しないようになっている。また，下垂部４１の内側（スピンチャック３５側）の下部には，下方に向かうほど外側に広がるように傾斜した傾斜面が形成されており，下垂部４１に付着した処理液を外側に誘導して，下垂部４１の下端からウェハＷの外側に落下させるようになっている。
【００２７】
傾斜部４０には，ウェハＷを搬入出させるための開口４５が形成されており，開口４５を開閉するシャッター４６が設けられている。シャッター４６の内面は，傾斜部４０の一部となっている。即ち，シャッター４６によって開口４５を閉じた状態では，シャッター４６の傾斜部４０とアウターチャンバー３１内面の傾斜部４０が環状に連続した面になるように形成されている。シャッター４６はアウターチャンバー３１の内側から開口４５を開閉するようになっている。即ち，アウターチャンバー３１内が陽圧になった場合でも，シャッター４６によって開口４５を確実に塞ぎ，アウターチャンバー３１内部の雰囲気を開口４５から外部に漏出させないようになっている。
【００２８】
開口４５とシャッター４６は，ユニットチャンバー３０の開口３２が位置する側に設けられている。また，開口３２，４５は，スピンチャック３５によってウェハＷが保持される高さに開口している。ウェハＷをスピンチャック３５に受け渡すときは，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ｂ及びウェハＷを水平面内で直線移動させ，開口３２，４５内に通過させて，アウターチャンバー３１内にウェハＷを搬入するようになっている。
【００２９】
傾斜部４０の上方には，アウターチャンバー３１の側壁５１が形成されている。側壁５１は，傾斜部４０の上縁とほぼ同じ径を有する円筒状に形成されている。側壁５１の下部には，処理液の液滴を集める溝５２が形成されている。溝５２は，側壁５１の内面から内部に向かうほど下向きに傾斜するように形成されている。また，側壁５１の内面に沿って円弧状に形成されている。さらに，溝５２の下部に開口し，アウターチャンバー３１の側壁を貫通して傾斜部４０の下端部に開口する図示しない連通孔が形成されている。側壁５１に付着した処理液の液滴は，側壁５１に沿って落下して溝５２に集められ，連通孔（図示せず）を通過して傾斜部４０の下端部に排出される。
【００３０】
図４に示すように，側壁５１には，ノズルアーム３６を通過させるノズル用開口５５が形成されている。なお，開口４５とノズル用開口５５は，ウェハＷを挟んで互いにほぼ対向する位置に設けられている。
【００３１】
図４に示すように，側壁５１の上端部は，アウターチャンバー３１の円盤形状の天井６１によって塞がれている。天井６１には，図５に示すように，窒素ガス若しくはクリーンエアー等のダウンフロー用の流体を吐出する吐出口６２が，天井６１の中央を囲むように４箇所に設けられている。
【００３２】
図４に示すように，傾斜部４０の下方には，アウターチャンバー３１の側壁６５が形成されている。側壁６５は，傾斜部４０の下縁とほぼ同じ径を有する円筒状に形成されている。側壁６５の下端部は，アウターチャンバー３１の底面６６に接続されている。
【００３３】
底面６６には，アウターチャンバー３１内から液滴を排液し，また，アウターチャンバー３１内を排気するアウターチャンバー排出路６７が備えられている。アウターチャンバー排出路６７は，スピンチャック３５を挟んで開口４５及びシャッター４６とほぼ対向する位置において底面６６に開口しており，底面６６から下方に向かって延設され，図３に示すように，壁面２３に向かって曲げられ，壁面２３に向かって延設されている。さらに，壁面２３の近傍において，開口４５及びシャッター４６から離隔する方向に向かって，上方から見て約９０°程度の角度で曲げられ，壁面２３に沿って配設されている。その下流側において，壁面２３から離隔する方向に向かって，上方から見て約４５°程度の角度で曲げられている。その下流側において，下方に曲げられ処理システム１の外部に延設されている。
【００３４】
図３に示すように，スピンチャック３５は，ウェハＷの周縁を保持する３つの保持部材７０を備えている。また，図４に示すように，スピンチャック３５は，保持部材７０と，保持部材７０を支持する支持部材としてのチャックプレート７１と，チャックプレート７１の底部に接続する回転筒体７２によって構成されている。回転筒体７２の下端は，中空モータ７３の中空回転軸７４の上端に接続されている。中空モータ７３を駆動させると，中空回転軸７４が回転して，回転筒体７２，チャックプレート７１，保持部材７０が一体的に回転するようになっている。中空モータ７３は，基板洗浄ユニット２１Ａを上方から見たとき中空回転軸７４及びスピンチャック３５を反時計方向ＣＣＷ（Ｃｏｕｎｔｅｒ  ｃｌｏｃｋ  ｗｉｓｅ）に回転させる。即ち，スピンチャック３５によって保持されたウェハＷは，図３に示すように，上方から見て反時計方向ＣＣＷに回転させられる。
【００３５】
図３に示すように，保持部材７０は，チャックプレート７１の周囲において３箇所に配置されている。図４に示すように，保持部材７０は，縦腕７５と横腕７６を備えた略Ｌ字型に形成されている。横腕７６は，チャックプレート７１の下面に支持され，縦腕７５は，チャックプレート７１の上方に突出するように配置される。図６に示すように，縦腕７５上部の内面には，スピンチャック３５の静止時にウェハＷの周縁部を保持する仮置き部７７と，スピンチャック３５の回転時にウェハＷの周縁に接触させてウェハＷの周縁を保持する当接部７８が形成されている。仮置き部７７は，ウェハＷの周縁部を載せる載置面８１と，載置面８１に載置されたウェハＷの周縁に近接した位置に配置されるずれ防止ピン８２を備えている。ずれ防止ピン８２は，載置面８１に載置されたウェハＷが外側に飛び出ることを防止する。当接部７８には，ウェハＷの周縁を挿入させる保持溝８３が形成されている。横腕７６の上面には，チャックプレート７１にそれぞれ支持される支持部としての凸部８６と凹部８７が形成されている。この凸部８６と凹部８７をそれぞれチャックプレート７１の下面に係合させることにより，保持部材７０がチャックプレート７１に支持されるようになっている。
【００３６】
保持部材７０は，導電性が異なる２種類の材質を貼り合わせて成形した構造になっている。ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）によって形成された不導体部分の間に，カーボンを加えたＰＥＥＫ（以下，「導電性ＰＥＥＫ」という。）によって形成された導体の層が挟み込まれている。当接部７８から凸部８６，凹部８７に連続した連続部分９０は，導電性ＰＥＥＫによって形成されている。連続部分９０以外の部分９１は，カーボンを加えないＰＥＥＫによって形成されている。連続部分９０（以下，「導体部分９０」）の表面は，縦腕７５の内面において縦方向に帯状に露出しており，横腕７６の上面において縦腕７５側から横腕７６先端に向かって帯状に露出している。
【００３７】
ここで，カーボンを加えないＰＥＥＫによって形成された不導体部分９１は，耐薬液性と強度性が良好であるが，導体部分９０は，不導体部分９１と比較して耐薬液性が劣り，導電性ＰＥＥＫからカーボンが溶出する虞がある。そこで，保持部材７０においては，導体部分９０の表面積が導体部分９０以外の部分９１（以下，「不導体部分９１」）の表面積より小さくなるように形成されており，保持部材７０を総て導電性ＰＥＥＫによって形成した場合と比較して，保持部材７０全体の耐薬液性が良好になるようにしている。即ち，導電性ＰＥＥＫから溶出するカーボンの量を抑制できるようになっている。この場合，導電性ＰＥＥＫから溶出するカーボンによって発生するパーティクルを少なくすることができ，ウェハＷにパーティクルが付着することを防止できる。
【００３８】
中空モータ７３は，図７に示すように，中空モータの筐体９５を備えている。筐体９５の上面と下面には，前述の中空回転軸７４を内側に配置する穴９６，９７がそれぞれ設けられている。また，筐体９５の内面側において，穴９６，９７の周縁に沿って，ベアリング１００，１０１がそれぞれ備えられている。筐体９５の下面には，エンコーダ１０２が固定されている。中空回転軸７４は，ベアリング１００，１０１を介して筐体９５に回転可能に支持され，また，エンコーダ１０２の内側でも回転可能に支持されている。筐体９５の内部において，中空回転軸７４の外周面には，コイル１０５が巻回されている。筐体９５の内周面には，コイル１０５を囲むようにコイル１０６が筐体９５に対し固定されている。
【００３９】
筐体９５の側壁には，筐体９５の内部にエアーを供給する供給路１０７が備えられている。また，筐体９５の内部を排気する排気路１０８が備えられている。供給路１０７は，コイル１０５，１０６の下方に開口している。排気路１０８は，コイル１０５，１０６の上方に開口している。供給路１０７からエアーを供給すると，エアーは，コイル１０５，１０６の下方から，コイル１０５，１０６の間を通過して上方に流れ，排気路１０８によって排出される。中空モータ７３の回転等により筐体９５内に発生したパーティクル等は，エアーと共に，排気路１０８によって排出できる。なお，供給路１０７からの供給流量と排気路１０８からの排気流量を調整することにより，筐体９５の内部の圧力を外側とほぼ同じ圧力に維持することが好ましい。これにより，中空回転軸７４の外周面と穴９６，９７の内周面との間の隙間から筐体９５の外側にパーティクルが漏れ出ることと，筐体９５内に筐体９５の外側の雰囲気が侵入することを防止できる。
【００４０】
図４に示すように，中空モータ７３は，アウターチャンバー３１の底面６６に形成された開口１１１の内側に配置されており，開口１１１の下方に位置するユニットチャンバー３０底面に固定されている。中空モータ７３の周囲には，中空モータ７３の側方及び上方を囲むモータ囲繞部材１１２が備えられている。モータ囲繞部材１１２の天井部は，中空モータ７３とチャックプレート７１との間に配置されている。回転筒体７２は，モータ囲繞部材１１２の天井部に形成された穴１１３の内側に配置されている。モータ囲繞部材１１２の下端部は，アウターチャンバー３１の底面６６に，開口１１１の周縁に沿って固定されている。また，ユニットチャンバー３０の底面には，開口１１１の下方に位置する部分に，モータ囲繞部材１１２の内部をユニットチャンバー３０の外部に排気するための排気口１１４が形成されている。中空モータ７３を駆動させると，スピンチャック３５の回転によって旋回気流が発生するが，中空回転軸７４及び回転筒体７２の回転によってモータ囲繞部材１１２の内部に発生した旋回気流は，モータ囲繞部材１１２の内部に閉じ込められ，モータ囲繞部材１１２の外側に流れ出ないようになっている。また，モータ囲繞部材１１２の内部に薬液等の腐食性の雰囲気が流れ込むことを防止して，中空モータ７３が腐食することを防止するようになっている。
【００４１】
ここで，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，ユニットチャンバー３０の底面を支持する処理システム１のフレームは，それぞれウェハＷや保持部材７０の帯電を逃がすことができる導電性を有する材質によって形成されており，さらに，処理システム１のフレームは接地されている。即ち，導体部分９０は，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，処理システム１のフレームを介して，接地されている。従って，帯電しているウェハＷを当接部７８によって保持すると，導体部分９０，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，処理システム１のフレームを介して，ウェハＷに発生していた静電気を大地に逃がすことができる。即ち，ウェハＷの帯電を解消することができる。また，当接部７８によって保持されたウェハＷは，導体部分９０，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，処理システム１のフレームを介して接地されているので，基板洗浄ユニット２１Ａの処理によってウェハＷが帯電することを防止できる。
【００４２】
図８に示すように，モータ囲繞部材１１２の天井部には，回転筒体７２の外周面と穴１１３の内周面との間の隙間１１５に窒素ガスを吐出する供給路１１６が備えられている。供給路１１６は，隙間１１５のほぼ中間の高さに開口している。回転筒体７２の外周面には，隙間１１５の内側に位置する高さに，溝１１７が形成されている。溝１１７は，回転筒体７２の外周面に沿って環状に形成されている。また，供給路１１６の開口より下方に形成されている。
【００４３】
供給路１１６から窒素ガスを吐出すると，隙間１１５の上部及び下部から窒素ガスが吹き出るようになっている。これにより，モータ囲繞部材１１２の天井部上方からモータ囲繞部材１１２の内部に薬液等の腐食性の雰囲気が流れ込むことを防止でき，また，モータ囲繞部材１１２の内部からモータ囲繞部材１１２の天井部上方に雰囲気が流出することを防止できる。従って，ウェハＷが中空モータ７３の駆動等により発生したパーティクル等によって汚染される心配が無い。また，薬液等の腐食性の雰囲気が中空モータ７３に悪影響を与える心配が無い。隙間１１５の下部からモータ囲繞部材１１２の内部に供給された窒素ガスは，下方に向かって流れ，図４に示す中空モータ７３と開口１１１との間を通過して，排気口１１４によってユニットチャンバー３０の外部に排気される。このように，モータ囲繞部材１１２の内部に窒素ガスによるダウンフローが形成される。従って，モータ囲繞部材１１２の内部に，中空モータ７３から回転等により発生したパーティクル等が漏れ出ても，窒素ガスと共にユニットチャンバー３０の外部に排出することができ，モータ囲繞部材１１２の内部を清浄な状態に維持することができる。なお，窒素ガスが回転筒体７２の外周面に形成された溝１１７に流入する際，流速が低下して，窒素ガスが隙間１１５の下部からモータ囲繞部材１１２の内部に広範囲に拡散される効果がある。なお，供給路１１６からの供給流量と排気口１１４からの排気流量を調整することにより，モータ囲繞部材１１２の内部の圧力を外側とほぼ同じ圧力に維持することが好ましい。これにより，モータ囲繞部材１１２の内部に薬液等の腐食性の雰囲気が流れ込むことと，モータ囲繞部材１１２の天井部上方にパーティクル等が流出することを効果的に防止できる。
【００４４】
図９に示すように，モータ囲繞部材１１２の天井部の上方に突出して３つの保持部材７０を開閉させる開閉ピン１１８が備えられている。開閉ピン１１８は，各保持部材７０の横腕７６の下方にそれぞれ備えられている。開閉ピン１１８は，モータ囲繞部材１１２の天井部に形成された穴の内側で昇降し，上昇したとき各保持部材７０の横腕７６の下面に当接して横腕７６を押し上げるようになっている。これにより，縦腕７５を外側に傾斜させ，仮置き部７７の載置面８１を上昇させ，当接部７８を外側に移動させることができる。また，開閉ピン１１８を下降させて横腕７６から離隔させると，縦腕７５が内側に移動して，仮置き部７７の載置面８１を下降させ，当接部７８を内側に移動させることができる。仮置き部７７によってウェハＷを支持するときは，開閉ピン１１８を上昇させ，仮置き部７７の載置面８１をウェハＷの下面が位置する高さに上昇させ，当接部７８をウェハＷの周縁から離隔した外側の位置に移動させるようにする。当接部７８によってウェハＷを支持するときは，開閉ピン１１８を下降させ，当接部７８をウェハＷの周縁に当接させるように内側に移動させ保持溝８３にウェハＷの周縁を挿入させるようにし，仮置き部７７の載置面８１をウェハＷの下面が位置する高さから下降させ，ウェハＷの下面から離隔させるようにする。このように，開閉ピン１１８を昇降させることで，ウェハＷを仮置き部７７によって支持する状態と，当接部７８によって支持する状態を切り換えることができる。
【００４５】
図４に示すように，チャックプレート７１の上方には，スピンチャック３５に支持されたウェハＷの下面を覆う円盤状のアンダープレート１２０が，３つの保持部材７０より内側に備えられている。また，回転筒体７２と中空回転軸７４の内側には，アンダープレート１２０を支持するシャフト１２１が備えられている。シャフト１２１の上部は，チャックプレート７１の中心部に形成された穴の内側に配置され，チャックプレート７１の上方に突出しており，シャフト１２１の上端がアンダープレート１２０の下面中心部に固着されている。アンダープレート１２０は，上面がウェハＷの下面とほぼ平行になるように支持されている。シャフト１２１の下部は，ユニットチャンバー３０の底面に形成された穴の内側に配置され，ユニットチャンバー３０の底面下方に突出しており，シャフト１２１の下端は，ユニットチャンバー３０の底面下方に配置された水平板１２２の上面に固着されている。水平板１２２の下面には，シリンダー１２３のロッド１２４が固着されている。シリンダー１２３を駆動させると，水平板１２２を鉛直方向に昇降させ，アンダープレート１２０，シャフト１２１を水平板１２２と一体的に鉛直方向に昇降させることができる。これにより，アンダープレート１２０を，スピンチャック３５に支持されたウェハＷの下面に近接した位置とウェハＷの下面から離隔した位置とに上下に移動させることができる。
【００４６】
アンダープレート１２０には，ウェハＷの下面に酸性の薬液，アルカリ性の薬液，純水等の処理液，窒素ガス等を供給する下面供給路１２７が備えられている。下面供給路１２７は，シャフト１２１の内部を貫通するように設けられている。
【００４７】
図４に示すように，アウターチャンバー３１の内部には，ウェハＷに供給された処理液を受けるインナーカップ１２８が備えられている。また，インナーカップ１２８をスピンチャック３５に支持されたウェハＷを囲む上昇位置とウェハＷより下方の下降位置との間で昇降させる昇降機構１３０が備えられている。
【００４８】
インナーカップ１２８は，スピンチャック３５及びモータ囲繞部材１１２を囲むように形成されており，スピンチャック３５に支持されたウェハＷを囲む上昇位置とウェハＷより下方の下降位置との間で昇降可能である。インナーカップ１２８は，円筒状の側壁１３１と，側壁１３１の上方に形成された傾斜部１３２と，側壁１３１の下端部に沿って形成された底部１３３によって構成されている。
【００４９】
側壁１３１は，アウターチャンバー３１の側壁６５の径より小さく，モータ囲繞部材１１２の側壁より大きく形成されており，側壁６５とモータ囲繞部材１１２との間で昇降可能である。
【００５０】
傾斜部１３２は，上方に向かうほど内側に傾斜するように形成されており，傾斜部１３２の上端部に沿って，環状に形成されている。図９に示すように，傾斜部１３２は，インナーカップ１２８を上昇させたとき，アウターチャンバー３１の傾斜部４０と下垂部４１の間に進入させることができ，これにより，傾斜部１３２によってウェハＷを囲むようになっている。傾斜部１３２によってウェハＷの周囲を囲むようにすると，ウェハＷの周囲に飛散した処理液が傾斜部１３２に受け止められ，インナーカップ１２８内に落下するようになっている。
【００５１】
図４に示すように，底部１３３は，側壁１３１の下端部に沿って環状に形成されている。即ち，底部１３３には，円形の開口１３４が形成されており，開口１３４の内側に，モータ囲繞部材１１２が配置されている。また，インナーカップ１２８によって受けた処理液は，開口１３４に通過させて底部１３３の下方に排出するようになっている。即ち，底部１３３の内面とモータ囲繞部材１１２の外面との間には，リング状の隙間が形成されており，インナーカップ１２８によって受けた処理液は，この隙間を通過して底部１３３の下方に排出されるようになっている。
【００５２】
底部１３３の上面は，側壁１３１の下端部から開口１３４の周縁に向かって下降するように傾斜する傾斜面となっており，底部１３３上の処理液を開口１３４に向かって下降させやすいようになっている。
【００５３】
モータ囲繞部材１１２の上部には，インナーカップ１２８を下降させた際に傾斜部１３２の上端に接触するリング状部材１３８が設けられている。リング状部材１３８の内周部は，モータ囲繞部材１１２に支持されており，外側に向かうほど下方に傾斜するように形成されている。リング状部材１３８の外周部は，下方に折れ曲がるように形成されており，傾斜部１３２の上端をリング状部材１３８の外周部に円滑に接触させ易い構成となっている。こうすることで，傾斜部１３２の上端部の開口部が閉じられることが容易となる。
【００５４】
図９に示すように，インナーカップ１２８の底部１３３の下面には，開口１３４の下方を囲む第１の円筒状部材１４０が備えられている。第１の円筒状部材１４０は，開口１３４の周縁部から垂れ下がるように設けられている。また，モータ囲繞部材１１２の外周面との間に隙間を設けた状態で，モータ囲繞部材１１２の周囲を囲むように配置されている。さらに，底部１３３の下面には，第１の円筒状部材１４０の外側を囲む外側円筒状部材１４１が備えられている。
【００５５】
一方，アウターチャンバー３１の底面６６に，開口１３４の下方を囲む第２の円筒状部材１４３が立設されている。第２の円筒状部材１４３は，第１の円筒状部材１４０を囲むように配置され，外側円筒状部材１４１より内側に配置されている。即ち，第１の円筒状部材１４０と外側円筒状部材１４１の間に，第２の円筒状部材１４３を挟むように配置されている。第１の円筒状部材１４０は，第２の円筒状部材１４３の内周面に近接して配置されている。外側円筒状部材１４１は，第２の円筒状部材１４３の外周面に近接して配置されている。なお，前述のアウターチャンバー排出路６７は，第２の円筒状部材１４３の外側において，アウターチャンバー３１の底面６６に開口している。
【００５６】
インナーカップ１２８を昇降させる際，第１の円筒状部材１４０と外側円筒状部材１４１は，第２の円筒状部材１４３に沿って昇降する。インナーカップ１２８を上昇させ，傾斜部１３２をアウターチャンバー３１の傾斜部４０と下垂部４１の間に進入させたときは，第１の円筒状部材１４０と外側円筒状部材１４１の各下端部の間に，第２の円筒状部材１４３の上端部が挟まれた状態となる。インナーカップ１２８を下降させ，傾斜部１３２の上端をリング状部材１３８に接触させたときは，第１の円筒状部材１４０，外側円筒状部材１４１，第２の円筒状部材１４３の配置は，第１の円筒状部材１４０と外側円筒状部材１４１の間に第２の円筒状部材１４３全体を進入させた状態になる。即ち，第１の円筒状部材１４０と第２の円筒状部材１４３は，インナーカップ１２８を昇降させる間，常に重なるような高さに形成されている。この場合，インナーカップ１２８を昇降させるときも，開口１３４から排出される処理液が第１の円筒状部材１４０と第２の円筒状部材１４３の外側に飛散することを防止できる。
【００５７】
第２の円筒状部材１４３の内側には，第２の円筒状部材１４３の内側から処理液を排出するインナーカップ排出路１４５が設けられている。インナーカップ排出路１４５は，第２の円筒状部材１４３とモータ囲繞部材１１２との間において，アウターチャンバー３１の底面６６に開口している。
【００５８】
インナーカップ１２８を上昇させ，インナーカップ１２８の傾斜部１３２をアウターチャンバー３１の傾斜部４０と下垂部４１の間に進入させたときは，ウェハＷの周囲に飛散した処理液は，インナーカップ１２８によって受け止められ，側壁１３１とモータ囲繞部材１１２との間から，第１の円筒状部材１４０とモータ囲繞部材１１２との間に落下して，インナーカップ排出路１４５によって排出されるようになっている。インナーカップ１２８を下降させ，傾斜部１３２をリング状部材１３８の外周部に密着させたときは，ウェハＷの周囲に飛散した処理液は，傾斜部４０に受け止められ，傾斜部１３２とリング状部材１３８の上面を下降するようになっている。そして，側壁６５と側壁１３１との間から，側壁６５と外側円筒状部材１４０との間に落下して，図４に示すアウターチャンバー排出路６７によって排出される。
【００５９】
なお，インナーカップ排出路１４５は，開口４５及びシャッター４６の下方において，底面６６に開口している。即ち，アウターチャンバー排出路６７が底面６６に開口している位置とほぼ対向する位置において，底面６６に開口している。インナーカップ排出路１４５は，底面６６から下方に向かって延設され，図３に示すように，壁面２３から離隔する方向に向かって曲げられている。その下流側において，下方に曲げられ処理システム１の外部に延設されている。
【００６０】
図４に示すように，昇降機構１３０は，インナーカップ１２８を支持するインナーカップ支持部材としてのインナーカップ支持シャフト１４７と，インナーカップ支持シャフト１４７を支持する水平板１４８と，水平板１４８を昇降させるシリンダー１５０を備えている。
【００６１】
図９に示すように，インナーカップ支持シャフト１４７は，アウターチャンバー３１の底面６６に形成された通過口１５１の内側，及び，ユニットチャンバー３０の底面に形成された通過口１５２の内側に配置され，アウターチャンバー３１内に突出するように配置されている。アウターチャンバー３１内において，インナーカップ支持シャフト１４７は，外側円筒状部材１４１の外側に配置されている。即ち，第１の円筒状部材１４０，外側円筒状部材１４１，第２の円筒状部材１４３の外側に配置されている。インナーカップ支持シャフト１４７の上端部は，底部１３３の下面に，シャフト固定部材１５３を介して固定されている。
【００６２】
シャフト固定部材１５３と底面６６の間には，インナーカップ支持シャフト１４７の周囲を囲む伸縮可能なベローズ１５５が備えられている。ベローズ１５５の上端は，シャフト固定部材１５３の下面周縁部に固定され，ベローズ１５５の下端は，通過口１５１の周囲に固定されている。インナーカップ１２８を昇降させるときは，ベローズ１５５を伸縮させながらインナーカップ支持シャフト１４７を昇降させるようになっている。
【００６３】
このように，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の外側に配置した場合，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の内側に配置した場合と比較して，処理液をインナーカップ排出路１４５に効率的に排出することができる。即ち，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０と第２の円筒状部材１４３の内側に配置すると，第１の円筒状部材１４０と第２の円筒状部材１４３が開口１３４の周縁部から離隔した位置に配置されるため，底部１３３の下方の容積，即ち，第１の円筒状部材１４０とモータ囲繞部材１１２の間，及び，第２の円筒状部材１４３とモータ囲繞部材１１２の間の容積が大きくなる。そのため，底部１３３の下方に処理液や処理液雰囲気が溜まりやすくなる。さらに，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５に処理液が付着して残留する問題がある。また，インナーカップ１２８の上方からインナーカップ１２８内にダウンフローを形成しても，底部１３３の下方に溜まった処理液や処理液雰囲気を下降させ難い。このように，処理液をインナーカップ排出路１４５に効率的に排出できない問題が生じる。これに対し，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の外側に配置して，第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１を開口１３４の周縁部に配置すれば，開口１３４の外側に処理液や処理液雰囲気が溜まる空間が無いので，インナーカップ１２８内の処理液や処理液雰囲気を，インナーカップ排出路１４５に効率的に排出できる。
【００６４】
図４に示すように，水平板１４８は，ユニットチャンバー３０の底面下方に配置されている。インナーカップ支持シャフト１４７の下端は，水平板１４８の上面に固着されている。シリンダー１５０は，アウターチャンバー３１の外側において，ユニットチャンバー３０の底面に固定されており，ロッド１５６をシリンダー１５０の下方において伸縮させるように配置されている。ロッド１５６の先端は，水平板１４８の上面に固着されている。シリンダー１５０を駆動させると，水平板１４８を鉛直方向に昇降させ，インナーカップ１２８，インナーカップ支持シャフト１４７を水平板１４８と一体的に鉛直方向に昇降させることができる。
【００６５】
図９に示すように，アウターチャンバー３１の側壁６５には，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を取り付け，また，修理する際に開口させるメンテナンス用開口１５８が形成されている。メンテナンス用開口１５８は，インナーカップ１２８を下降させた状態のシャフト固定部材１５３及びベローズ１５５とほぼ同じ高さに開口している。メンテナンス用開口１５８は，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５の取り付けや修理を行う場合以外は，蓋１５９によって閉塞されており，アウターチャンバー３１の内側の雰囲気がメンテナンス用開口１５８からアウターチャンバー３１の外側に漏れず，また，アウターチャンバー３１の外側の雰囲気がメンテナンス用開口１５８からアウターチャンバー３１の内側に侵入しないようになっている。
【００６６】
図４に示すように，アウターチャンバー３１の上部には，吐出口６２から吐出された窒素ガスの流れを邪魔する邪魔板１６０が備えられている。邪魔板１６０は，アウターチャンバー３１の側壁５１より小さい径で形成された円盤形状をしており，中央部に円形の穴１６１が設けられている。各吐出口６２から吐出された窒素ガスは，邪魔板１６０と側壁５１との間，及び，穴１６１を通過し，邪魔板１６０を迂回して邪魔板１６０の下方に流れ，スピンチャック３５によって保持されたウェハＷの上方に流れるようになっている。そして，インナーカップ１２８を上昇させ傾斜部１３２によってウェハＷを囲む状態にしたときは，窒素ガスはウェハＷの上方からスピンチャック３５と傾斜部１３２との間に流入して，インナーカップ排出路１４５によって排気されるようになっている。インナーカップ１２８を下降させ傾斜部４０によってウェハＷを囲む状態にしたときは，窒素ガスはウェハＷの上方からスピンチャック３５と傾斜部４０との間に流入して，アウターチャンバー排出路６７によって排気されるようになっている。このように，吐出口６２から吐出された窒素ガスが邪魔板１６０を迂回して供給されるようにし，吐出口６２からウェハＷの上面に向かって窒素ガスが直に下降しないようにしたことにより，ウェハＷにパーティクルが吹き付けられて生じる局所的な帯電が発生することを防止できる。
【００６７】
図３に示すように，ノズルアーム３６の内部には，処理流体供給路１６２が備えられている。処理流体供給路１６２は，ノズルアーム３６の先端部に開口している。ノズルアーム３６の基端には，回転駆動機構１６３が備えられている。回転駆動機構１６３を駆動させると，ノズルアーム３６の基端を中心として，ノズルアーム３６を水平面内で回転させることができる。回転駆動機構１６３は，基板洗浄ユニット２１Ａを上方から見たときノズルアーム３６を反時計方向ＣＣＷ及び時計方向ＣＷ（Ｃｌｏｃｋ  ｗｉｓｅ）に回転させることができる。これにより，ノズルアーム３６の先端部を，アウターチャンバー３１の外側からノズル用開口５５に通過させてウェハＷの上方に移動させ，また，ウェハＷの上方からアウターチャンバー３１の外側に移動させることができる。ノズルアーム３６の先端部は，少なくともウェハＷの中心上方から周縁上方までの間を移動することができる。
【００６８】
なお，アウターチャンバー３１の外側に位置しているときのノズルアーム３６は，基板洗浄ユニット２１Ａを上方から見てアウターチャンバー３１を挟んで開口４５及びシャッター４６とほぼ対向する位置に配設されている。ノズルアーム３６の先端側は，ノズル用開口５５側に配設され，回転駆動機構１６３は開口４５及びシャッター４６側に配設されている。回転駆動機構１６３によってノズルアーム３６を反時計方向ＣＣＷに回転させることにより，ノズルアーム３６の先端部をアウターチャンバー３１の外側からアウターチャンバー３１の内側に移動させ，回転駆動機構１６３によってノズルアーム３６を時計方向ＣＷに回転させることにより，ノズルアーム３６の先端部をウェハＷの中央部から周縁部に，また，アウターチャンバー３１の内側からアウターチャンバー３１の外側に移動させるようになっている。
【００６９】
図１０に示すように，処理流体供給路１６２と下面供給路１２７は，処理流体供給路１６５に接続されている。処理流体供給路１６２と下面供給路１２７には，開閉弁１６６，１６７がそれぞれ介設されている。処理流体供給路１６５には，処理液の供給を切り換える供給切換部１６８を介して，酸性薬液供給源１６９から酸性薬液を供給する酸性薬液供給路１７０と，アルカリ性薬液供給源１７２からアルカリ性薬液を供給するアルカリ性薬液供給路１７３と，純水供給源１７４から純水を供給する純水供給路１７５と，窒素ガス供給源１７６から窒素ガスを供給する窒素ガス供給路１７７と，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７内の処理液を吸引するアスピレータ１８０が接続されている。
【００７０】
インナーカップ排出路１４５の下流端は，ミストトラップ１９０に接続されている。このミストトラップ１９０により，インナーカップ排出路１４５によって排液された液滴中から気泡などを除去するようになっている。除去された気泡は，ミストトラップ１９０に設けられたミストトラップ排気管１９１により処理システム１の外部に排気される。気泡を除去された液滴は，ミストトラップ１９０に設けられた排液回収路１９２により回収される。排液回収路１９２は，切換弁１９４を介して排液管１９５又は排液回収路１９６に接続されている。排液回収路１９６はタンク１９８に接続されている。タンク１９８は排液管２０１と循環路２０２を有し，循環路２０２にはポンプ２０３とフィルター２０４が設けられている。循環路２０２は，切換弁２０５を介して酸性薬液供給路１７０に接続されている。即ち，インナーカップ排出路１４５によって排出された酸性薬液は，回収され再利用されるようになっている。一方，アウターチャンバー排出路６７によって排出された排液及び排気は再利用されず，処理システム１の外部に排出されるようになっている。
【００７１】
図１及び図２に示す基板洗浄ユニット２１Ａの真下に備えられた基板洗浄ユニット２１Ｂは，基板洗浄ユニット２１Ａと概ね同様の構成を備えている。基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｂの各ユニットチャンバー３０，各アウターチャンバー３１，各開口３２，各スピンチャック３５，各ノズルアーム３６，各開口４５，各シャッター４６，各ノズル用開口５５，各アウターチャンバー排出路６７，各インナーカップ排出路１４５等は，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｂを上方から見たとき互いにほぼ上下に重なる位置に設けられている。基板洗浄ユニット２１Ｂの中空モータ７３は，基板洗浄ユニット２１Ｂを上方から見たとき中空回転軸７４及びスピンチャック３５を反時計方向ＣＣＷ（Ｃｏｕｎｔｅｒ  ｃｌｏｃｋｗｉｓｅ）に回転させ，基板洗浄ユニット２１Ｂのスピンチャック３５によって保持されたウェハＷは，図３に示すように，上方から見て反時計方向ＣＣＷに回転させられる。
【００７２】
図３に示すように，基板洗浄ユニット２１Ａの隣に備えられた基板洗浄ユニット２１Ｃの中空モータ７３は，基板洗浄ユニット２１Ｃを上方から見たとき中空回転軸７４及びスピンチャック３５を時計方向ＣＷに回転させ，基板洗浄ユニット２１Ｃのスピンチャック３５によって保持されたウェハＷは，上方から見て時計方向ＣＷに回転させられる。即ち，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃの各中空モータ７３は，互いに逆方向に回転するようになっており，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃにおいて，ウェハＷは互いに逆方向に回転させられるようになっている。このように，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃの各中空モータ７３を互いに逆方向に回転させるようにすると，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃを壁面２３を中心とした面対称な構造（ミラー構造）にすることができる。即ち，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃの各ユニットチャンバー３０，各アウターチャンバー３１，各開口３２，各スピンチャック３５，各ノズルアーム３６，各開口４５，各シャッター４６，各ノズル用開口５５，各アウターチャンバー排出路６７，各インナーカップ排出路１４５等は，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃを上方から見たとき，壁面２３を中心として互いにほぼ線対称な形状及び配置となっている。この場合，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃの各部の形状や配置の設計が容易になる。
【００７３】
また，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃの各開口３２，４５は，主ウェハ搬送装置１８側に備えられており，主ウェハ搬送装置１８の筐体１８ａを回転させるだけで，各開口３２に対向する位置に，搬送アーム１８ｂを移動させることができるようになっている。従って，ウェハＷの搬入出を効率良く行うことができる。
【００７４】
なお，基板洗浄ユニット２１Ｃにおいては，回転駆動機構１６３によってノズルアーム３６を時計方向ＣＷに回転させることにより，ノズルアーム３６の先端部をアウターチャンバー３１の外側からアウターチャンバー３１の内側に移動させ，回転駆動機構１６３によってノズルアーム３６を反時計方向ＣＣＷに回転させることにより，ノズルアーム３６の先端部をアウターチャンバー３１の内側からアウターチャンバー３１の外側に移動させるようになっている。即ち，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃの各ノズルアーム３６は，互いに逆方向に回転しながらウェハＷに処理液を供給するようになっている。ここで，ノズルアーム３６先端部をウェハＷの中心部から周縁部に回動させ，ウェハＷを回転させながら処理液を供給する場合，ウェハＷ上面に処理液が供給される位置の軌跡（処理液供給位置の軌跡）は，ウェハＷの中心部から周縁部に向かう渦巻状の形になる。基板洗浄ユニット２１Ａにおける処理液供給位置の軌跡は，中心部から周縁部に向かう時計方向ＣＷの渦巻状の形になり，基板洗浄ユニット２１Ｃにおける処理液供給位置の軌跡は，中心部から周縁部に向かう反時計方向ＣＣＷの渦巻状の形になる。また，ノズルアーム３６先端部の移動速度及びスピンチャック３５の回転速度を同じ大きさにした場合，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃにおける処理液供給位置の軌跡は線対称な形になる。
【００７５】
このように，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃの各中空モータ７３を互いに逆方向に回転させる構成とし，基板洗浄ユニット２１Ａ，２１Ｃをミラー構造としたことにより，処理液供給位置の軌跡も線対称な形にすることができる。また，各アウターチャンバー排出路６７，各インナーカップ排出路１４５の形状がミラー構造であり，排液性能や排気性能が同じであるため，ダウンフローなどアウターチャンバー３１内の液滴や雰囲気の流れを面対称な状態にすることができる。即ち，処理液や雰囲気の流れを面対称な状態にすることで，各基板洗浄ユニット２１Ａ，２１ＣにおいてウェハＷに施される洗浄処理性能の均一性を向上させることができる。
【００７６】
図１及び図２に示す基板処理ユニット２１Ｄは，基板洗浄ユニット２１Ｃの真下に備えられ，また，基板洗浄ユニット２１Ｂの隣に備えられており，基板洗浄ユニット２１Ｃと概ね同様の構成を備え，また，基板洗浄ユニット２１Ｂと線対称な構成を有している。基板洗浄ユニット２１Ｂ，２１Ｄの各中空モータ７３は，互いに逆方向に回転するようになっており，基板洗浄ユニット２１Ｂ，２１Ｄにおいて，ウェハＷは互いに逆方向に回転させられるようになっている。基板洗浄ユニット２１Ｂ，２１Ｄの各ノズルアーム３６は，互いに逆方向に回転しながらウェハＷに処理液を供給するようになっている。このように，各中空モータ７３を互いに逆方向に回転させる構成とし，基板洗浄ユニット２１Ｂ，２１Ｄをミラー構造としたことにより，基板洗浄ユニット２１Ｂ，２１Ｄの各部の形状や配置の設計が容易になる。各基板洗浄ユニット２１Ｂ，２１ＤにおいてウェハＷに施される洗浄処理性能の均一性を向上させることができる。即ち，各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１ＤにおいてウェハＷに施される洗浄処理性能の均一性を向上させることができる。
【００７７】
次に，上記のように構成された処理システム１におけるウェハＷの処理工程を説明する。先ず，図示しない搬送ロボットにより，表面にレジストが塗布されているウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣがイン・アウトポート５の載置台４に載置される。載置台４において，キャリアＣは，各ウェハＷの表面，即ち，レジストが塗布された面を上面にした状態で載置される。このように載置台４に載置されたキャリアＣから取出収納アーム１１によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出収納アーム１１によって取り出したウェハＷをウェハ受け渡しユニット１７に搬送する。そして，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ｂがウェハ受け渡しユニット１７からウェハＷを受け取り，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ｂによって各基板処理ユニット２０Ａ〜２０ＨにウェハＷを適宜搬入する。各基板処理ユニット２０Ａ〜２０Ｈにおいては，ウェハＷにオゾンガスと水蒸気の混合流体を供給して，ウェハＷの表面に塗布されているレジストを水溶化する処理を行う。レジストを水溶化させた後，主ウェハ搬送装置１８の搬送アーム１８ｂによって各基板処理ユニット２０Ａ〜２０ＨからウェハＷを搬出し，各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１ＤにウェハＷを適宜搬入する。
【００７８】
基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄの動作態様はほぼ同様であるので，基板洗浄ユニット２１Ａを代表して説明することとする。ウェハＷを搬入する前の基板洗浄ユニット２１Ａにおいては，インナーカップ１２８を予め下降させ，スピンチャック３５の上部をインナーカップ１２８の上方に突出させた状態にしておく。アンダープレート１２０は予め下降させ，ウェハＷがスピンチャック３５に保持される高さより下方に離隔した位置に待機させておく。アンダープレート１２０上面と保持部材７０上部の仮置き部７７との間には，ウェハＷの授受に十分な空間が形成されている。ノズルアーム３６はノズル用開口５５の外側に待機させておく。また，各保持部材７０は，開閉ピン１１８を上昇させ横腕７６を押し上げることにより，仮置き部７７の載置面８１を上昇させ，当接部７８を外側に移動させた状態にしておく。
【００７９】
このような状態の基板洗浄ユニット２１Ａにおいて，開口４５を開き，ウェハＷを保持した搬送アーム１８ｂを開口３２，４５からアウターチャンバー３１内に進入させる。そして，搬送アーム１８ｂを水平方向に直線移動させて，３つの保持部材７０に各々形成された載置面８１の上方にウェハＷの周縁部が位置するようにウェハＷを移動させ，搬送アーム１８ｂを下降させて，載置面８１にウェハＷの下面周縁部をそれぞれ当接させる。こうして，ウェハＷは下面に３つの載置面８１を当接させた状態で仮置き部７７によってスピンチャック３５に支持される。各保持部材７０の当接部７８は，ウェハＷの周縁が配置される位置より外側に離隔しているので，ウェハＷに当接部７８が接触することなく，余裕をもってウェハＷを載置面８１まで下降させることができる。ウェハＷは，水溶化されたレジストが付着している表面を上面にした状態で，搬送アーム１８ｂに保持され，スピンチャック３５に支持される。
【００８０】
ウェハＷをスピンチャック３５に受け渡した後，搬送アーム１８ｂをウェハＷとアンダープレート１２０の間に下降させ，水平方向に直線移動させて保持部材７０の間から後退させ，アウターチャンバー３１の内部から退出させ，退出後，シャッター４６によって開口４５を閉じる。アンダープレート１２０は，ウェハＷが支持される位置から離隔しているので，搬送アーム１８ｂは，アンダープレート１２０に接触することなく，余裕をもってウェハＷをスピンチャック３５に受け渡し，退出することができる。また，インナーカップ１２８はウェハＷが支持される位置から離隔しているので，搬送アーム１８ｂは，インナーカップ１２８に接触することなく，余裕をもってウェハＷをスピンチャック３５に受け渡し，退出することができる。
【００８１】
次に，開閉ピン１１８を下降させることにより，各保持部材７０の載置面８１を下降させると同時に，当接部７８を内側に移動させる。これにより，載置面８１をウェハＷの下面から離隔させ，保持溝８３にウェハＷの周縁を挿入させる。即ち，ウェハＷの周縁を載置面８１から相対的に持ち上げて，保持溝８３に挿入させる。こうして，ウェハＷは周縁を当接部７８によって保持された状態でスピンチャック３５に支持される。スピンチャック３５は，開閉ピン１１８と横腕７６が離隔したことにより，回転可能な状態になる。
【００８２】
ここで，ウェハＷが帯電している場合，ウェハＷに当接部７８を当接させることにより，ウェハＷの帯電を解消することができる。即ち，ウェハＷに発生していた静電気を，導体部分９０，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，処理システム１のフレームを介して，大地に逃がすことができる。また，当接部７８によって保持されたウェハＷは，導体部分９０，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，処理システム１のフレームを介して接地された状態となるので，基板洗浄ユニット２１Ａの処理によってウェハＷが帯電することを防止できる。
【００８３】
さらに，アンダープレート１２０をウェハＷに近接した位置に上昇させる。近接位置に移動したアンダープレート１２０とウェハＷの下面（裏面）の間には，例えば１ｍｍ程度の隙間が形成される。インナーカップ１２８を上昇させ，傾斜部１３２をアウターチャンバー３１の傾斜部４０と下垂部４１の間に移動させる。こうして，傾斜部１３２をウェハＷが位置する高さに上昇させ，傾斜部１３２によってウェハＷの周縁を囲む状態にする。
【００８４】
回転駆動機構１６３を駆動させてノズルアーム３６を回動させ，ノズルアーム３６の先端部をノズル用開口５５からアウターチャンバー３１内に移動させ，ウェハＷの中心部上方まで移動させる。中空モータ７３の駆動によりスピンチャック３５を低速回転させ，ウェハＷをスピンチャック３５と一体的に低速回転させる。そして，ノズルアーム３６の先端部から酸性薬液を吐出して，ウェハＷの上面中心部近傍に酸性薬液を供給する。ウェハＷの中心部近傍に供給された薬液は，ウェハＷの回転による遠心力でウェハＷの外周方向に流れ，ウェハＷの上面に酸性薬液の液膜が形成される。また，下面供給路１２７からウェハＷの下面に酸性薬液を供給する。ウェハＷの下面中心部近傍に供給された薬液は，ウェハＷの回転による遠心力でウェハＷの外周方向に流れ，ウェハＷの下面に酸性薬液の液膜が形成される。アンダープレート１２０とウェハＷ下面の間には狭い隙間が形成されているので，これらの間に酸性薬液のみを介在させることができる。こうしてウェハＷの両面に酸性薬液の液膜を形成したら，供給切換部１６８を閉じて，ノズルアーム３６と下面供給路１２７からの酸性薬液の供給を停止し，所定時間，ウェハＷを液膜が崩れない程度に低速に回転させる。こうして，ウェハＷの両面を酸性薬液によって処理し，ウェハＷの表面に付着している水溶化した変質レジストを除去し，さらに，ウェハＷの表面に付着しているメタルを除去し若しくはウェハＷの表面に形成されている酸化膜を除去する。このように液膜を形成して処理する場合，少量の酸性薬液で処理することができ，酸性薬液の供給量を節約することができる。
【００８５】
ノズルアーム３６と下面供給路１２７からの酸性薬液の供給を停止するときは，供給切換部１６８を切り換えて，処理流体供給路１６５と酸性薬液供給路１７０を接続する状態から，処理流体供給路１６５とアスピレータ１８０を接続する状態にする。アスピレータ１８０を作動させ，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から酸性薬液を吸引する。その後，開閉弁１６６，１６７を閉じる。
【００８６】
酸性薬液の供給時や，酸性薬液処理の間，ウェハＷの周囲に飛散した酸性薬液は，インナーカップ１２８によって受け止められ，側壁１３１とモータ囲繞部材１１２との間から，第１の円筒状部材１４０とモータ囲繞部材１１２との間に落下して，インナーカップ排出路１４５によって排液される。
【００８７】
酸性薬液の供給時や，酸性薬液処理の間は，吐出口６２から窒素ガスを供給し，アウターチャンバー３１内に窒素ガス又はクリーンエアーによるダウンフローを形成することが好ましい。吐出口６２から吐出された窒素ガス又はクリーンエアーは，邪魔板１６０と側壁５１との間，及び，穴１６１を通過して，邪魔板１６０の下方に流れ，スピンチャック３５によって保持されたウェハＷに向かって下降し，ウェハＷの上方からスピンチャック３５と傾斜部１３２との間に流入する。そして，側壁１３１とモータ囲繞部材１１２との間から，第１の円筒状部材１４０とモータ囲繞部材１１２との間に下降するように，インナーカップ１２８内を下降して，インナーカップ排出路１４５によって排気される。このようにダウンフローを形成することにより，スピンチャック３５及びウェハＷの回転によって発生した旋回気流が上昇することを防止できる。即ち，ウェハＷより下方の雰囲気がウェハＷに向かって上昇することを防止して，ウェハＷに不浄な排液やパーティクル等が付着することを防止できる。排液や排気は，ダウンフローによりインナーカップ１２８内をスムーズに下降して，インナーカップ排出路１４５によってスムーズに排気される。また，高温の酸性薬液が蒸発して酸性薬液雰囲気が発生しても，酸性薬液雰囲気をダウンフローによってインナーカップ１２８内に下降させ，インナーカップ排出路１４５によってスムーズに排気させることができ，ウェハＷの上方に酸性薬液雰囲気が上昇して滞留することを防止できる。また，吐出口６２から吐出された窒素ガス又はクリーンエアーが邪魔板１６０を迂回して供給されるようにしたことにより，ウェハＷが局所的な帯電することを防止できる。
【００８８】
なお，ウェハＷの上方に酸性薬液雰囲気が上昇し，酸性薬液雰囲気が側壁５１において結露して液滴となって付着した場合，液滴は側壁５１に沿って下降し，側壁５１に設けた溝５２によって受け止められる。従って，側壁５１に付着した酸性薬液が，ウェハＷに向かって落下することを防止できる。溝５２によって受け止められた液滴は，連通孔（図示せず）を通過して傾斜部４０の下端部に排出され，アウターチャンバー３１とインナーカップ１２８との間を下降して，アウターチャンバー排出路６７によってアウターチャンバー３１内から排出され，処理システム１外に排出される。また，下垂部４１は，ウェハＷの周縁より外側に設けられているので，下垂部４１の下端から酸性薬液の液滴が落下しても，ウェハＷの上面に付着しないようになっている。
【００８９】
ウェハＷの両面の薬液処理が終了したら，中空モータ７３の駆動によりスピンチャック３５を酸性薬液処理時より高速で回転させ，ウェハＷをスピンチャック３５と一体的に酸性薬液処理時より高速で回転させる。この回転により，ウェハＷの両面の液膜を振り切る。これにより，ウェハＷの表面に付着していた変質したレジストは，酸性薬液と共に，ウェハＷの表面から除去される。また，スピンチャック３５を回転させる際，スピンチャック３５，アンダープレート１２０に付着した酸性薬液が振り切られる。ウェハＷ，スピンチャック３５，アンダープレート１２０から振り切られた酸性薬液と変質レジストは，インナーカップ１２８によって受け止められ，側壁１３１とモータ囲繞部材１１２との間から，第１の円筒状部材１４０とモータ囲繞部材１１２との間に落下して，インナーカップ排出路１４５によって排出される。なお，酸性薬液を振り切る際に，ノズルアーム３６と下面供給路１２７から窒素ガスを供給して，窒素ガスによって酸性薬液を押し流すようにしても良い。
【００９０】
酸性薬液を振り切る間も，吐出口６２から窒素ガス又はクリーンエアーを供給し，アウターチャンバー３１内に窒素ガス又はクリーンエアーによるダウンフローを形成することが好ましい。吐出口６２から吐出された窒素ガス又はクリーンエアーは，邪魔板１６０と側壁５１との間，及び，穴１６１を通過して，邪魔板１６０の下方に流れ，ウェハＷの上方からスピンチャック３５と傾斜部１３２との間に流入し，インナーカップ１２８内を下降して，インナーカップ排出路１４５によって排気される。このようにダウンフローを形成することにより，スピンチャック３５及びウェハＷの回転によって発生した旋回気流が上昇することを効果的に防止できる。即ち，ウェハＷより下方の雰囲気がウェハＷに向かって上昇することを防止して，振り切られた酸性薬液の液滴がウェハＷに再付着すること，また，ウェハＷに不浄な排液やパーティクル等が付着することを防止できる。振り切られた液滴等の排液や排気は，ダウンフローによりインナーカップ１２８内をスムーズに下降して，インナーカップ排出路１４５によってスムーズに排出される。
【００９１】
インナーカップ排出路１４５によって排出された酸性薬液，変質レジスト，酸性薬液雰囲気，窒素ガス又はクリーンエアー等は，ミストトラップ１９０に導入されて，ミストトラップ１９０により，排液及び排気中の酸性薬液と気体が分離される。気体は，ミストトラップ排気管１９１により処理システム１の外部に排気される。酸性薬液は，ミストトラップ１９０に設けられた排液回収路１９２により送液され，排液管１９５によってタンク１９８に回収され，又は，排液回収路１９６によって処理システム１の外部に排液される。タンク１９８に貯留された酸性薬液は，循環路２０２を通過して，フィルター２０４によって変質レジストが除去され清浄化された後，再び薬液供給路１７０，処理流体供給路１６５に送液され，処理流体供給路１６２又は下面供給路１２７からウェハＷに供給される。このようにして，酸性薬液を再利用することができる。この場合，低コストを図ることができる。特に，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の外側に配置し，インナーカップ１２８内の処理液や処理液雰囲気を，インナーカップ排出路１４５に効率的に排出できる構成としたことにより，酸性薬液の回収効率を向上させることができる。
【００９２】
酸性薬液を振り切った後，インナーカップ１２８を下降させ，ウェハＷの周縁が傾斜部４０に囲まれる状態にする。インナーカップ１２８は，傾斜部１３２の先端がリング状部材１３８の外周部に密着する位置まで下降させる。
【００９３】
その後，ノズルアーム３６の先端部から純水を吐出しながら，ノズルアーム３６の先端部を回転中のウェハＷの少なくとも中心から周縁まで移動させ，ウェハＷの上面全体に純水を供給して，ウェハＷに付着した酸性薬液を純水によって洗い流す。また，下面供給路１２７からも純水を吐出し，ウェハＷの下面に純水を供給して，ウェハＷに付着した酸性薬液を純水によって洗い流す。こうして，ウェハＷを純水によってリンス処理する。リンス処理においては，スピンチャック３５とウェハＷを酸性薬液処理時よりも高速に回転させる。なお，純水を供給する前に，アスピレータ１８０の作動により，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から酸性薬液が吸引されているので，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から清浄な純水を供給することができる。また，アンダープレート１２０とウェハＷの間に狭い隙間を形成して，これらの間に純水を流すことにより，少量の純水でウェハＷの下面全体を処理することができる。
【００９４】
ウェハＷに供給された純水は，ウェハＷの外周方向に流れ，アウターチャンバー３１によって受け止められ，側壁６５と側壁１３１との間から，側壁６５と外側円筒状部材１４１との間に落下して，アウターチャンバー排出路６７によってアウターチャンバー３１内から排出され，処理システム１外に排出される。純水がウェハＷから外側に流れる際，保持部材７０，アンダープレート１２０も，純水によって洗浄され，保持部材７０，アンダープレート１２０に付着した酸性薬液が純水によって洗い流される。
【００９５】
リンス処理の間も，吐出口６２から窒素ガス又はクリーンエアーを供給し，アウターチャンバー３１内に窒素ガス又はクリーンエアーによるダウンフローを形成することが好ましい。吐出口６２から吐出された窒素ガス又はクリーンエアーは，邪魔板１６０と側壁５１との間，及び，穴１６１を通過して，邪魔板１６０の下方に流れ，スピンチャック３５によって保持されたウェハＷに向かって下降し，ウェハＷの上方からスピンチャック３５と傾斜部４０との間に流入する。そして，側壁６５と側壁１３１との間から，側壁６５と外側円筒状部材１４１との間を下降するように，アウターチャンバー３１内を下降して，アウターチャンバー排出路６７によって排気される。このようにダウンフローを形成することにより，スピンチャック３５及びウェハＷの回転によって発生した旋回気流が上昇することを防止できる。即ち，ウェハＷより下方の雰囲気がウェハＷに向かって上昇することを防止して，振り切られた純水がウェハＷに再付着すること，また，ウェハＷに不浄な排液やパーティクル等が付着することを防止できる。排液や排気は，ダウンフローによりアウターチャンバー３１内をスムーズに下降して，アウターチャンバー排出路６７によってスムーズに排気される。
【００９６】
ウェハＷを十分にリンス処理したら，ノズルアーム３６と下面供給路１２７からの純水の供給を停止する。純水の供給を停止するときは，供給切換部１６８を切り換えて，処理流体供給路１６５と純水供給路１７５を接続する状態から，処理流体供給路１６５とアスピレータ１８０を接続する状態にする。アスピレータ１８０を作動させ，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から純水を吸引する。その後，開閉弁１６６，１６７を閉じる。
【００９７】
次に，ノズルアーム３６の先端部からアルカリ性薬液を吐出しながら，ノズルアーム３６の先端部を回転中のウェハＷの少なくとも中心から周縁まで移動させ，ウェハＷの上面全体にアルカリ性薬液を供給する。また，下面供給路１２７からもアルカリ性薬液を吐出し，ウェハＷの下面にアルカリ性薬液を供給する。こうして，ウェハＷの両面をアルカリ性薬液によって処理する。アルカリ性薬液処理時においては，スピンチャック３５とウェハＷを酸性薬液処理時よりも高速に回転させる。なお，アルカリ性薬液を供給する前に，アスピレータ１８０の作動により，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から純水を吸引しておくことにより，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７にアルカリ性薬液を通過させる際，アルカリ性薬液の濃度が低下することを防止できる。また，アンダープレート１２０とウェハＷの間に狭い隙間を形成して，これらの間にアルカリ性薬液を流すことにより，少量のアルカリ性薬液でウェハＷの下面全体を処理することができる。
【００９８】
ウェハＷに供給されたアルカリ性薬液は，ウェハＷの外周方向に流れ，アウターチャンバー３１によって受け止められ，側壁６５と側壁１３１との間から，側壁６５と外側円筒状部材１４０との間に落下して，アウターチャンバー排出路６７によってアウターチャンバー３１内から排出され，処理システム１外に排出される。
【００９９】
アルカリ性薬液処理の間も，吐出口６２から窒素ガス又はクリーンエアーを供給し，アウターチャンバー３１内に窒素ガス又はクリーンエアーによるダウンフローを形成することが好ましい。吐出口６２から吐出された窒素ガス又はクリーンエアーは，邪魔板１６０と側壁５１との間，及び，穴１６１を通過して，邪魔板１６０の下方に流れ，スピンチャック３５によって保持されたウェハＷに向かって下降し，ウェハＷの上方からスピンチャック３５と傾斜部４０との間に流入する。そして，側壁６５と側壁１３１との間から，側壁６５と外側円筒状部材１４１との間を下降するように，アウターチャンバー３１内を下降して，アウターチャンバー排出路６７によって排気される。このようにダウンフローを形成することにより，スピンチャック３５及びウェハＷの回転によって発生した旋回気流が上昇することを防止できる。即ち，ウェハＷより下方の雰囲気がウェハＷに向かって上昇することを防止して，振り切られた純水がウェハＷに再付着すること，また，ウェハＷに不浄な排液やパーティクル等が付着することを防止できる。排液や排気は，ダウンフローによりアウターチャンバー３１内をスムーズに下降して，アウターチャンバー排出路６７によってスムーズに排気される。また，アルカリ性薬液雰囲気が発生しても，アルカリ性薬液雰囲気をダウンフローによってインナーカップ１２８内に下降させ，インナーカップ排出路１４５によってスムーズに排気させることができ，ウェハＷの上方にアルカリ性薬液雰囲気が上昇して滞留することを防止できる。
【０１００】
なお，ウェハＷの上方にアルカリ性薬液雰囲気が上昇し，アルカリ性薬液雰囲気が側壁５１において結露して液滴となって付着した場合，液滴は側壁５１に沿って下降し，側壁５１に設けた溝５２によって受け止められる。従って，側壁５１に付着したアルカリ性薬液が，ウェハＷに向かって落下することを防止できる。溝５２によって受け止められた液滴は，連通孔（図示せず）を通過して傾斜部４０の下端部に排出され，アウターチャンバー３１内を下降して，アウターチャンバー排出路６７によってアウターチャンバー３１内から排出され，処理システム１外に排出される。また，下垂部４１は，ウェハＷの周縁より外側に設けられているので，下垂部４１の下端からアルカリ性薬液の液滴が落下しても，ウェハＷの上面に付着しないようになっている。
【０１０１】
ウェハＷを十分にアルカリ性薬液によって処理したら，ノズルアーム３６と下面供給路１２７からのアルカリ性薬液の供給を停止する。アルカリ性薬液の供給を停止するときは，供給切換部１６８を切り換えて，処理流体供給路１６５とアルカリ性薬液供給路１７３を接続する状態から，処理流体供給路１６５とアスピレータ１８０を接続する状態にする。アスピレータ１８０を作動させ，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７からアルカリ性薬液を吸引する。その後，開閉弁１６６，１６７を閉じる。
【０１０２】
その後，ノズルアーム３６の先端部から純水を吐出しながら，ノズルアーム３６の先端部を回転中のウェハＷの少なくとも中心から周縁まで移動させ，ウェハＷの上面全体に純水を供給して，ウェハＷに付着したアルカリ性薬液を純水によって洗い流す。また，下面供給路１２７からも純水を吐出し，ウェハＷの下面に純水を供給して，ウェハＷに付着したアルカリ性薬液を純水によって洗い流す。こうして，ウェハＷを純水によってリンス処理する。リンス処理においては，スピンチャック３５とウェハＷを酸性薬液処理時よりも高速に回転させる。なお，純水を供給する前に，アスピレータ１８０の作動により，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７からアルカリ性薬液が吸引されているので，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から清浄な純水を供給することができる。また，アンダープレート１２０とウェハＷの間に狭い隙間を形成して，これらの間に純水を流すことにより，少量の純水でウェハＷの下面全体を処理することができる。
【０１０３】
ウェハＷに供給された純水は，ウェハＷの外周方向に流れ，アウターチャンバー３１によって受け止められ，アウターチャンバー排出路６７によってアウターチャンバー３１内から排出され，処理システム１外に排出される。純水がウェハＷから外側に流れる際，保持部材７０，アンダープレート１２０も，純水によって洗浄され，保持部材７０，アンダープレート１２０に付着したアルカリ性薬液が純水によって洗い流される。このリンス処理の間も，吐出口６２から窒素ガス又はクリーンエアーを供給し，アウターチャンバー３１内に窒素ガス又はクリーンエアーによるダウンフローを形成することが好ましい。
【０１０４】
ウェハＷを十分にリンス処理したら，ノズルアーム３６と下面供給路１２７からの純水の供給を停止する。純水の供給を停止するときは，供給切換部１６８を切り換えて，処理流体供給路１６５と純水供給路１７５を接続する状態から，処理流体供給路１６５とアスピレータ１８０を接続する状態にする。アスピレータ１８０を作動させ，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から純水を吸引する。その後，開閉弁１６６，１６７を閉じる。
【０１０５】
次に，ノズルアーム３６の先端部から窒素ガスを吐出しながら，ノズルアーム３６の先端部を回転中のウェハＷの少なくとも中心から周縁まで移動させ，ウェハＷの上面全体に窒素ガスを供給して，純水を除去する。また，下面供給路１２７からも窒素ガスを吐出し，ウェハＷの下面に窒素ガスを供給して，純水を除去する。こうして，ウェハＷに窒素ガスを供給してウェハＷを乾燥させる。乾燥処理においては，スピンチャック３５とウェハＷを酸性薬液処理時よりも高速に回転させる。なお，窒素ガスを供給する前に，アスピレータ１８０の作動により，処理流体供給路１６５，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から純水が吸引されているので，処理流体供給路１６２，下面供給路１２７から純水が押し出されることなく，乾燥した窒素ガスを供給することができる。また，アンダープレート１２０とウェハＷの間に狭い隙間を形成して，これらの間に窒素ガスを流すことにより，少量の窒素ガスでウェハＷの下面全体を乾燥させることができる。
【０１０６】
乾燥処理の間も，吐出口６２から窒素ガス又はクリーンエアーを供給し，アウターチャンバー３１内に窒素ガス又はクリーンエアーによるダウンフローを形成することが好ましい。ウェハＷに供給された乾燥用の窒素ガス，ダウンフロー用の窒素ガス又はクリーンエアーは，ウェハＷの外周方向に流れ，アウターチャンバー３１によって受け止められ，アウターチャンバー排出路６７によってアウターチャンバー３１内から排気され，処理システム１外に排気される。乾燥用の窒素ガスやダウンフロー用の窒素ガス又はクリーンエアーがウェハＷから外側に流れる際，保持部材７０，アンダープレート１２０に付着した純水も，乾燥用の窒素ガスやダウンフロー用の窒素ガス又はクリーンエアーによって除去され，保持部材７０，アンダープレート１２０を乾燥させることができる。
【０１０７】
ウェハＷを十分に乾燥処理したら，供給切換部１６８，開閉弁１６６，１６７を閉じて，ノズルアーム３６と下面供給路１２７からの窒素ガスの供給を停止する。ノズル用開口５５を開き，回転駆動機構１６３を駆動させてノズルアーム３６を回動させ，ノズルアーム３６をノズル用開口５５からアウターチャンバー３１の外側に移動させる。また，中空モータ７３の駆動を停止させ，スピンチャック３５とウェハＷの回転を停止させる。スピンチャック３５の回転を停止させるときは，各開閉ピン１１８が横腕７６を押し上げることができる位置になるように，各保持部材７０の位置を調整して停止させる。また，アンダープレート１２０を下降させ，ウェハＷの下面から離隔させる。
【０１０８】
さらに，開閉ピン１１８を上昇させ横腕７６を押し上げることにより，仮置き部７７の載置面８１を上昇させ，当接部７８を外側に移動させる。これにより，載置面８１をウェハＷの下面に当接させ，保持溝８３をウェハＷの周縁から離隔させる。即ち，ウェハＷの周縁を保持溝８３から相対的に下降させて，ウェハＷの周縁部を載置面８１に載せる。こうして，ウェハＷは周縁部を仮置き部７７によって支持された状態で，スピンチャック３５に支持される。
【０１０９】
開口４５を開き，搬送アーム１８ｂを開口３２，４５からアウターチャンバー３１内に進入させる。そして，搬送アーム１８ｂを水平方向に直線移動させて，保持部材７０の間からウェハＷとアンダープレート１２０の間に進入させる。そして，搬送アーム１８ｂを上昇させることにより，載置面８１からウェハＷを上昇させて，スピンチャック３５から搬送アーム１８ｂにウェハＷが受け渡されるようにする。各保持部材７０の当接部７８は，ウェハＷの周縁が配置される位置より外側に離隔しているので，ウェハＷに当接部７８が接触することなく，余裕をもってウェハＷを搬送アーム１８ｂに受け渡すことができる。ウェハＷを搬送アーム１８ｂによって保持した後，搬送アーム１８ｂをスピンチャック３５の上方から水平方向に直線移動させて後退させ，アウターチャンバー３１の内部から退出させ，シャッター４６によって開口４５を閉じる。アンダープレート１２０は，ウェハＷが支持されている位置から離隔しているので，搬送アーム１８ｂは，アンダープレート１２０に接触することなく，余裕をもってウェハＷをスピンチャック３５から受け取り，退出することができる。また，インナーカップ１２８はウェハＷが支持されている位置から離隔しているので，搬送アーム１８ｂは，インナーカップ１２８に接触することなく，余裕をもってウェハＷをスピンチャック３５から受け取り，退出することができる。こうして，基板洗浄ユニット２１Ａにおいて洗浄されレジストが除去されたウェハＷが，基板洗浄ユニット２１Ａから搬出される。
【０１１０】
なお，各基板洗浄ユニット２１Ｂ〜２１Ｄは，基板洗浄ユニット２１Ａと概ね同様の洗浄処理を行う。各基板洗浄ユニット２１Ａ〜２１Ｄから搬出されたウェハＷは，再び搬送アーム１８ｂによって上側の受け渡しユニット１６に搬送される。そして，受け渡しユニット１６から取出収納アーム１１によってウェハＷが受け取られ，取出収納アーム１１によって，レジストが剥離されたウェハＷがキャリアＣ内に収納される。こうして，処理システム１におけるウェハＷのレジスト除去処理が終了する。
【０１１１】
かかる基板洗浄ユニット２１Ａによれば，ウェハＷや保持部材７０に発生する虞があった静電気を，導体部分９０，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，処理システム１のフレームを介して，大地に逃がすことができるので，ウェハＷの帯電を解消することができる。また，当接部７８によって保持されたウェハＷは，導体部分９０，チャックプレート７１，回転筒体７２，中空モータ７３，ユニットチャンバー３０，処理システム１のフレームを介して接地された状態となるので，基板洗浄ユニット２１Ａの処理によってウェハＷが帯電することを防止できる。また，保持部材７０の導体部分９０の表面積は不導体部分９１の表面積より小さく，導体部分９０から溶出するカーボンの量を，保持部材７０を総て導電性ＰＥＥＫによって形成した場合と比較して少なくすることができる。従って，導電性ＰＥＥＫから溶出するカーボンによって発生するパーティクルを少なくすることができ，ウェハＷにパーティクルが付着することを防止できる。
【０１１２】
また，かかる基板洗浄ユニット２１Ａによれば，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の外側に配置し，インナーカップ１２８内の処理液や処理液雰囲気を，インナーカップ排出路１４５に効率的に排出できる構成としたことにより，酸性薬液の回収効率を向上させることができる。
【０１１３】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【０１１４】
図１１に示すように，インナーカップ１２８の内面に，複数の羽根２０８を設けても良い。図１１において，複数の羽根２０８は，傾斜部１３２から側壁１３１にかけて，インナーカップ１２８の内側に突出するように設けられ，ウェハＷの回転方向に向かって下降するように傾斜しており，隣り合う羽根２０８同士が互いに略平行になるように形成されている。即ち，スピンチャック３５を回転させるときスピンチャック３５の周囲に発生する旋回気流を，羽根２０８に沿って下方に誘導させるようになっている。これにより，旋回気流が上昇することを防止できる。従って，ウェハＷより下方の雰囲気がウェハＷに向かって上昇することを防止して，ウェハＷに不浄な排液やパーティクル等が付着することを防止できる。また，傾斜部１３２や側壁１３１に付着した酸性薬液や変質レジストを羽根２０８に沿ってスムーズに下降させ，インナーカップ排出路１４５によってスムーズに排出させることができる。従って，酸性薬液の回収効率をさらに向上させることができる。
【０１１５】
図１２に示すように，インナーカップ排出路１４５の途中に，洗浄用液体として純水を供給する純水供給路２１０を介設しても良い。そうすれば，純水供給路２１０からインナーカップ排出路１４５を介してアウターチャンバー３１内に純水を供給することにより，第１の円筒状部材１４０と第２の円筒状部材１４３の内側を洗浄することができる。
【０１１６】
例えば，純水供給源２１１に接続された純水供給路１８４を，切換弁２１２を介して，インナーカップ排出路１４５の途中に接続する。切換弁２１２は，インナーカップ排出路１４５の切換弁２１２より上流側と下流側を接続して，インナーカップ排出路１４５から純水供給路１８４を遮断する状態と，インナーカップ排出路１４５の切換弁２１２より上流側と下流側を遮断し，インナーカップ排出路１４５の切換弁２１２より上流側と純水供給路２１０とを接続する状態とを切り換えることができる。即ち，インナーカップ排出路１４５によって排液及び排気を行う状態と，純水供給路２１０からインナーカップ排出路１４５を介してアウターチャンバー３１内に純水を供給する状態とに切り換えることができる。純水供給路２１０からインナーカップ排出路１４５を介して供給された純水は，第２の円筒状部材１４３とモータ囲繞部材１１２との間，及び第１の円筒状部材１４０とモータ囲繞部材１１２との間に溜められる。従って，第１の円筒状部材１４０の内側，第２の円筒状部材１４３の内側，モータ囲繞部材１１２の下部外側，第２の円筒状部材１４３とモータ囲繞部材１１２との間の底面６６を，純水によって洗浄することができる。即ち，第１の円筒状部材１４０の内側，第２の円筒状部材１４３の内側，モータ囲繞部材１１２の下部外側，第２の円筒状部材１４３とモータ囲繞部材１１２との間の底面６６に付着した酸性薬液や変質レジストを洗い流すことができる。また，アウターチャンバー３１の下部において，酸性薬液とアルカリ性薬液が反応して塩が生じやすい問題があるが，塩を純水によって除去することができる。酸性薬液を洗い流すことにより，塩が発生することを防止できる。
【０１１７】
さらに，第２の円筒状部材１４３よりも上方まで純水を溜め，純水を第１の円筒状部材１４０の内側と第２の円筒状部材１４３の間，第２の円筒状部材１４３と外側円筒状部材１４１との間に通過させて，第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の外側に純水をオーバーフローさせるようにしても良い。この場合，純水はアウターチャンバー３１の側壁６５の下部にも供給され，第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１，底面６６全体，側壁６５の下部を純水によって洗浄して，アルカリ性薬液，塩を洗い流すことができる。アルカリ性薬液を洗い流すことにより，塩が発生することを防止できる。さらに，第２の円筒状部材１４３と側壁６５の間及び外側円筒状部材１４１と側壁６５の間に純水を溜めるようにすれば，シャフト固定部材１５３やベローズ１５５も洗浄して，アルカリ性薬液，塩を洗い流すことができる。アルカリ性薬液を洗い流すことにより，塩が発生することを防止できる。
【０１１８】
また，純水をインナーカップ排出路１４５から連続的に供給し，オーバーフローさせた純水をアウターチャンバー排出路６７から排液するようにして，第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の内側から外側に向かう純水の流れを形成するようにすれば，より効果的に洗浄することができる。
【０１１９】
なお，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の外側に配置した場合，メンテナンス用開口１５８及び蓋１５９を側壁６５に設けることができ，メンテナンス用開口及び蓋をモータ囲繞部材１１２の下部にメンテナンス用開口及び蓋を設ける場合と比較して，メンテナンス用開口１５８と蓋１５９との間のシール構造を簡単なものにすることができる。即ち，インナーカップ支持シャフト１４７，シャフト固定部材１５３，ベローズ１５５を第１の円筒状部材１４０，第２の円筒状部材１４３，外側円筒状部材１４１の内側に配置すると，メンテナンス用開口及び蓋をモータ囲繞部材１１２の下部に設ける必要があり，この場合，モータ囲繞部材１１２の下部に溜めた純水による水圧が蓋に加えられるため，メンテナンス用開口と蓋との間のシールを確実に行い，メンテナンス用開口と蓋の間から純水が漏れないようにする必要がある。これに対し，メンテナンス用開口１５８及び蓋１５９を側壁６５に設ける場合，蓋１５９に加えられる純水の水圧は，モータ囲繞部材１１２の下部と比較して小さいので，メンテナンス用開口１５８と蓋１５９との間のシール構造をより簡単なものにすることができる。この場合，低コストを図ることができる。
【０１２０】
【発明の効果】
本発明によれば，カップの下方に付着した処理液や析出物を除去することができる。処理液がカップ支持部材に付着することを防止できる。カップによって受けた処理液をカップ内から効率的に回収できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】処理システムの概要を示す概略平面図である。
【図２】処理システムの概要を示す概略立面図である。
【図３】同じ段に設けられた２個の基板洗浄ユニットの構成を示す概略横断面図である。
【図４】基板洗浄ユニットの構成を示す概略縦断面図である。
【図５】アウターチャンバーの天井を示した平面図である。
【図６】保持部材の斜視図である。
【図７】モータの概略縦断面図である。
【図８】モータ囲繞部材と回転筒体を拡大して示した概略縦断面図である。
【図９】インナーカップ周辺を拡大して示した概略縦断面図である。
【図１０】基板洗浄ユニットの配管系統を示す説明図である。
【図１１】インナーカップに羽根を設けた状態を示す説明図である。
【図１２】インナーカップ排出路に純水供給路を設け，インナーカップを洗浄する状態を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｗ      ウェハ
１      処理システム
２１Ａ〜２１Ｄ    基板洗浄ユニット
３０    ユニットチャンバー
３１    アウターチャンバー
３５    スピンチャック
６７    アウターチャンバー排出路
１２８  インナーカップ
１３０  昇降機構
１４０  第１の円筒状部材
１４１  外側円筒状部材
１４３  第２の円筒状部材
１４５  インナーカップ排出路
１４７  インナーカップ支持シャフト
２１０  純水供給路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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