(57)【要約】【課題】配線の種々の欠陥を適正に検出する。【解決手段】配線２の断線欠陥４をキャパシタとみなし、配線２に交流電圧を印加することのできる検出回路（ＲＣ回路）を構成する。そして、配線２に交流電圧を印加し、試料１にレーザ光５を照射して配線２を部分的に加熱する。断線欠陥４が存在している欠陥部にレーザ光５が照射されると、断線欠陥４のキャパシタンスは変化し、検出回路のインピーダンスは変化する。このインピーダンス変化を、例えば、検出回路を流れる電流値の変化や、共振周波数で交流電圧を印加したときのレーザ光５照射時の共振周波数変化により求める。このような変化が現れた試料１上の位置とレーザ光５の照射位置との対応から、断線欠陥４をその位置を特定して検出することができる。また、ボイド欠陥もキャパシタとみなすことで同様に検出することができる。【選択図】        図１
2004191282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線の欠陥を検出する欠陥検査方法において、
前記配線に交流電圧を印加し、前記配線を加熱し、前記配線を含む回路のインピーダンス変化によって前記欠陥を検出することを特徴とする欠陥検査方法。
【請求項２】
前記配線を加熱する際には、前記配線に光を照射して前記配線を部分的に加熱することを特徴とする請求項１記載の欠陥検査方法。
【請求項３】
前記配線を含む前記回路のインピーダンス変化によって前記欠陥を検出する際には、前記回路のインピーダンス変化を、前記配線の加熱前の共振周波数と前記配線の加熱時の共振周波数との間の共振周波数変化として求め、前記欠陥を検出することを特徴とする請求項１記載の欠陥検査方法。
【請求項４】
前記配線を含む前記回路のインピーダンス変化によって前記欠陥を検出する際には、前記配線にインダクタを接続して前記回路を構成し、前記回路のインピーダンス変化を、前記配線の加熱前のインダクタンスと、前記配線の加熱によって生じるインピーダンス変化を打ち消すようにしたときのインダクタンスとの間のインダクタンス変化として求め、前記欠陥を検出することを特徴とする請求項１記載の欠陥検査方法。
【請求項５】
配線の欠陥を検出する欠陥検査装置において、
前記配線に交流電圧を印加し、前記配線を加熱し、前記配線を含む回路のインピーダンス変化によって前記欠陥を検出する機能を有することを特徴とする欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は欠陥検査方法および欠陥検査装置に関し、特に半導体集積回路などの電子デバイスに形成されている配線の欠陥を検出するための欠陥検査方法および欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路に用いられる銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの配線金属には、その形成過程で、ボイドや断線などの欠陥が発生する場合がある。従来、配線の欠陥の有無、あるいは欠陥の位置を特定して検出する方法としては、レーザ光、電子、イオンなどを配線に照射するなどの方法により配線を加熱し、これによって配線の抵抗を変化させ、その結果現れる電気信号の変化を測定する方法がある（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
このような方法の一例としては、まず、欠陥検査すべき配線に一定の電圧を印加してその配線に流れる電流をモニタしておき、この定電圧印加状態でその配線に部分的にレーザ光を照射する。このとき、レーザ光がその配線部分に吸収されると温度が上昇して配線の抵抗値が変化し、配線を流れる電流の値が変化する。
ボイドなどの欠陥が存在する配線部分にレーザ光が照射された場合、この配線部分の熱吸収や熱伝導異常により、その温度上昇が欠陥のない配線部分と異なる。
この温度上昇の違いは、抵抗値の違い、すなわち測定電流値の違いとして検出される。レーザ光を照射した位置と抵抗値が異常を示す配線部分との対応をとることで、配線の欠陥がその位置を特定して検出される。
【０００４】
現在は、上記の例のように定電圧を印加して電流変化を検出する方法のほか、定電流を印加して抵抗変化を電圧変化として検出する方法も用いられている。
また、別の欠陥検査方法としては、配線の一端に直流電位を印加し、その他端部に検出電極を対向させ、検出電極と配線との間の距離に応じたキャパシタンスの変化を検出することで欠陥の有無を検査する方法も提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−１４５７９５号公報
【特許文献２】
特開２００１−２９６３２６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、配線の欠陥を検出しようとする場合、従来は、配線に定電圧あるいは定電流を印加して局所加熱による抵抗変化を電流あるいは電圧の変化として測定する。そのため、例えば配線を完全に断線させているような断線欠陥が存在している場合には、その欠陥位置まで検出することはできず、欠陥の形態によってはそれを適正に検出することができないという問題点があった。その結果、配線の欠陥検査から得られる情報、例えば配線のどの部分に欠陥が生じやすいのか、あるいはどの工程で発生しやすいのか、といった情報を、以後のデバイス製造に十分に反映させることができない場合があった。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、電子デバイスなどに形成された配線に存在する可能性のある種々の欠陥を適正に検出することのできる欠陥検査方法および欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図１に示す原理で実現される欠陥検査方法が提供される。本発明の欠陥検査方法は、配線の欠陥を検出する欠陥検査方法において、前記配線に交流電圧を印加し、前記配線を加熱し、前記配線を含む回路のインピーダンス変化によって前記欠陥を検出することを特徴とする。
【０００９】
このような欠陥検査方法によれば、図１に例示したように、配線２に断線欠陥４が存在する場合、この断線欠陥４をキャパシタとみなし、配線２に交流電圧を印加する。そして、この配線２が例えばレーザ光５による光照射などの方法により加熱されると、配線２が断線欠陥４の内側へと張り出すように熱膨張し、キャパシタとしての断線欠陥４のキャパシタンスが変化する。このキャパシタンスの変化を、配線２を含む回路のインピーダンス変化として検出することで、断線欠陥４が検出される。
【００１０】
また、ボイド欠陥の場合も同様に、レーザ光照射などの加熱による配線の温度上昇に起因してインピーダンスが変化するため、このインピーダンス変化を検出することによりボイド欠陥が検出される。このように、ボイド欠陥のほか、従来、定電圧あるいは定電流を用いた場合には検出することのできなかった断線欠陥であっても、それらを検出することができるようになる。
【００１１】
さらに、本発明では上記課題を解決するために、配線の欠陥を検出する欠陥検査装置において、前記配線に交流電圧を印加し、前記配線を加熱し、前記配線を含む回路のインピーダンス変化によって前記欠陥を検出する機能を有することを特徴とする欠陥検査装置が提供される。このような欠陥検査装置によれば、配線に交流電圧を印加し、配線を加熱したときのインピーダンス変化を検出することができるので、ボイド欠陥や断線欠陥の検出が可能になる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の欠陥検査方法の原理を説明する図である。ここでは、欠陥検査すべき試料１として、Ｃｕなどの配線２がＳｉＯ2などの絶縁体３の内部に形成されている構成の試料１を例示している。この試料１に、図１に示したような配線２を断線させている断線欠陥４が存在する場合、この断線欠陥４は、等価回路的には、あるキャパシタンスを有するキャパシタと考えることができる。
【００１３】
ここで、断線欠陥４が存在する試料１の欠陥部に、例えばアルゴンイオンレーザなどのレーザ光５が照射されると、この欠陥部における配線２が加熱され、その結果、一般にはその欠陥部に存在している断線欠陥４のキャパシタンスが変化するようになる。これは、欠陥部の配線２が、レーザ光５の照射加熱によって断線欠陥４の内側へと張り出すように熱膨張し、配線２の断線されている間の距離が短くなるためである。すなわち、キャパシタとしての対向電極面積は変化しないが、それらの間の距離が短くなるため、そのキャパシタンスが大きくなる方向に変化するようになる。
【００１４】
そこで、配線２の一端に交流電源６を接続して配線２に交流電圧を印加できるようにし、他端側には交流電流計７を接続する。これにより、断線欠陥４の検出回路として、配線２を抵抗（Ｒ）、断線欠陥４をキャパシタ（Ｃ）とする直列のＲＣ回路が構成される。
【００１５】
このＲＣ回路について、配線２に交流電圧を印加しながら、レーザ光５を試料１の配線２上で走査させていく。このとき、レーザ光５が試料１の欠陥部に照射されると、断線欠陥４のキャパシタンスが変化し、ＲＣ回路のインピーダンスは、レーザ光５が欠陥部ではない部分に照射されたときとは異なる値を示すようになる。このインピーダンスの変化は、例えば交流電流計７で測定している電流値の変化によって検出することができる。これにより、試料１の断線欠陥４の有無を検出することができ、レーザ光５の照射位置（座標）とインピーダンスが変化する試料１上の位置との対応を把握することで、断線欠陥４をその位置を特定して検出することができるようになる。
【００１６】
ここで、配線２に印加する交流電圧の周波数は、試料１へのレーザ光５照射前のＲＣ回路の共振周波数あるいは共振周波数近傍の周波数とすることが好ましい。これは、このような周波数で配線２に交流電圧を印加した場合、欠陥部へのレーザ光５照射によってＲＣ回路のインピーダンスが変化して共振から外れるときのインピーダンスの変化量が大きくなるためである。インピーダンスの変化量が大きい場合、その結果測定される電流値の変化も大きくなり、ＲＣ回路のインピーダンス変化を感度良く検出することができるようになる。
【００１７】
欠陥部へのレーザ光５照射によるＲＣ回路のインピーダンス変化は、上記のようにＲＣ回路を流れる電流値変化により検出することができるほか、ＲＣ回路の共振周波数変化によっても検出することができる。
【００１８】
この場合、例えば、まず、周波数可変交流電源などを用い、周波数を変化させてレーザ光５照射前のＲＣ回路に流れる電流を測定し、最大電流が流れるとき、すなわちインピーダンスが最小となるときの周波数を共振周波数として決定する。この共振周波数で配線２に交流電圧を印加し、レーザ光５を試料１の配線２上で走査させる。そして、ある照射位置で、交流電圧の周波数をレーザ光５照射前の共振周波数を中心に変化させ、ＲＣ回路に最大電流が流れるときの周波数を測定してレーザ光５照射時の共振周波数を求める。このレーザ光５照射時の共振周波数が、先に決定したレーザ光５照射前の共振周波数から変化しているときには、レーザ光５の照射加熱によってキャパシタンスが変化しており、その照射位置に断線欠陥４が検出される。以降は、レーザ光５を、その照射位置を配線２上で少しずつ移動していき、各照射位置でこのような共振周波数変化を測定する。
【００１９】
このように、レーザ光５の照射加熱によって生じるＲＣ回路のインピーダンス変化は、レーザ光５の照射前と照射時の共振周波数変化として求めることができ、これにより、試料１，１ａのキャパシタンス変化を求めることが可能になる。
また、共振周波数変化によって断線欠陥４を検出しようとする場合は、レーザ光５の走査速度と共振周波数の測定とのタイミングを適当に設定すれば、断線欠陥４の検出を自動で連続的に行うことが可能である。
【００２０】
以上の説明では、本発明の原理を、断線欠陥４を検出する場合を例にして述べたが、本発明は、配線を断線させるに至っていないボイド欠陥の場合にも適用可能である。図２はボイド欠陥の検査方法を説明する図である。ただし、図２では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【００２１】
この図２に示す試料１ａは、配線２ａが絶縁体３ａ内部に形成された構成であり、配線２ａ内部にボイド欠陥４ａが存在している。そして、図１と同様、配線２ａの一端に交流電源６を接続し、他端に交流電流計７を接続し、配線２ａに交流電圧を印加できるようにしている。これにより、ボイド欠陥４ａの検出回路として、配線２ａを抵抗とし、更に、ボイド欠陥４ａとその周囲の部分の配線２ａを並列のキャパシタと抵抗としたＲＣ回路が構成される。
【００２２】
このような構成の検出回路について、配線２ａに交流電圧を印加しながら、レーザ光５を配線２ａ上で走査させていく。ここで、ボイド欠陥４ａが存在している試料１ａの欠陥部にレーザ光５が照射されると、その加熱による配線２ａの温度上昇の結果、ボイド欠陥４ａのキャパシタンスが変化する。それにより、検出回路のインピーダンスが、レーザ光５が欠陥部ではない部分に照射されたときのインピーダンスと異なる値になる。このインピーダンス変化を、上記の断線欠陥４の検出の場合と同様、検出回路の電流値変化あるいは共振周波数変化によって検出する。これにより、ボイド欠陥４ａが、レーザ光５の照射位置とインピーダンスが変化する試料１ａ上の位置との対応から、その位置を特定して検出される。
【００２３】
なお、勿論このボイド欠陥４ａについては従来同様、試料１ａに定電圧または定電流を印加し、レーザ光５の照射による抵抗変化を電流または電圧の変化として測定して検出するようにしてもよい。
【００２４】
以上説明したように、配線２，２ａの断線欠陥４，ボイド欠陥４ａを検出する場合には、まず、これらの欠陥をキャパシタとみなす。そして、配線２，２ａを、これに交流電圧を印加しながら試料１，１ａにレーザ光５を照射するなどして加熱する。そして、その加熱による欠陥のキャパシタンス変化から生じる検出回路のインピーダンス変化を、電流値変化あるいは共振周波数変化として求めることにより、それらの欠陥を検出する。
【００２５】
また、断線欠陥４，ボイド欠陥４ａを検出するための検出回路としては、上記のようなＲＣ回路のほか、更にコイルなどのインダクタ（Ｌ）を配線２，２ａに接続したＲＬＣ回路を構成するようにしてもよい。このようなＲＬＣ回路とした場合であっても、上記のＲＣ回路の場合と同様、配線２，２ａをレーザ光５などで加熱することによるＲＬＣ回路のインピーダンス変化を検出し、断線欠陥４，ボイド欠陥４ａを検出することができる。
【００２６】
ここで、検出回路をＲＬＣ回路とし、そのインダクタのインダクタンスを可変にした場合には、レーザ光５の照射加熱によって生じるインピーダンス変化をインダクタンス変化として求めることが可能になる。この場合、例えば、ＲＬＣ回路に交流電圧を印加しながら配線２，２ａ上でレーザ光５を走査し、配線２，２ａが加熱されたときに生じるインピーダンス変化を打ち消すようにインダクタンスを変化させる。これは、例えば、加熱前後のＲＬＣ回路内を流れる電流値を一定に保ったり、交流電圧を共振周波数で印加している場合はその共振周波数を加熱前後で一定に保ったりして行うことができる。これにより、レーザ光５の照射加熱によるインピーダンス変化をインダクタンス変化として求めることができ、試料１，１ａのキャパシタンス変化を求めることが可能になる。
【００２７】
以上のように、配線２，２ａの断線欠陥４およびボイド欠陥４ａは、その位置を特定して検出されるようになるので、例えば欠陥がどの部分に生じやすいのか、どの工程で発生しやすいのか、といった情報がこの欠陥検査により得られるようになる。それにより、欠陥検査結果を製品の歩留り向上に反映させ、また、信頼性の高い製品を安定供給することができるようになる。
【００２８】
次に、本発明の実施の形態を、ビアホールを介した多層配線構造の試料についての欠陥検査を例に、具体的に説明する。
図３は多層配線構造の試料についての欠陥検査方法の説明図、図４は欠陥を検出するための検出回路の等価回路図である。ここで用いる試料１０には、各層（図示せず）が所定の膜厚で形成されたＳｉＯ2からなる絶縁体１１内部に、抵抗１０Ωの２層のＣｕ配線（高さ１μｍ，幅１μｍ，長さ５００μｍ）１２ａ，１２ｂが形成されている。そして、この試料１０には、Ｃｕ配線１２ａ，１２ｂを電気的に接続すべきビアホール１３内に配線金属が充填されずに、欠陥１４が発生していると想定する。この欠陥１４の大きさは、断面積１μｍ2、高さ１μｍとし、そのキャパシタンスは、これを平行平板コンデンサとみなして、８．８５×１０-18Ｆとする。
【００２９】
このような構成の試料１０には、その一端に周波数可変交流電源１５が接続され、他端には交流電流計１６が接続されている。さらに、周波数可変交流電源１５と試料１０との間には、１ｍＨに設定した外付けの可変インダクタ１７が設けられている。これにより、欠陥１４の検出のための検出回路として、ＲＬＣ回路が構成され、そのインピーダンス（Ｚ）は、次式（１）で表される。
【００３０】
【数１】
Ｚ＝Ｒ＋ｉ（ωＬ−１／ωＣ）………（１）
この式（１）において、Ｒは検出回路における配線の総抵抗、ωは電源周波数、ｉは虚数単位、Ｃは欠陥１４のキャパシタンス、Ｌは可変インダクタ１７のインダクタンスである。この検出回路は、次式（２）で表される共振周波数ωで直列共振し、そのときインピーダンスＺは最小値をとる。
【００３１】
【数２】
ω＝（ＬＣ）-1/2………（２）
レーザ光１８の照射前、この共振周波数ωは１０．６ＧＨｚとなる。この値は、周波数可変交流電源１５の電源周波数を変化させ、交流電流計１６で検出される電流が最大になる周波数として決定する。
【００３２】
そして、レーザ光１８照射前の検出回路の共振周波数ωでＣｕ配線１２ａ，１２ｂに交流電圧を印加し、レーザ光１８をＣｕ配線１２ａ，１２ｂ上で走査していく。このレーザ光１８には、波長５１４ｎｍのアルゴンイオンレーザ（パワー１００ｍＷ）を用い、これを光学顕微鏡によって試料１０上でのビーム直径が１μｍとなるように絞り込み、Ｃｕ配線１２ａ，１２ｂ上を走査させる。
【００３３】
その際、まず、ある照射位置で、周波数可変交流電源１５の交流電圧の周波数を、レーザ光１８照射前に決定した共振周波数ωを中心として変化させ、レーザ光１８の照射によって共振周波数ωが変化していないかを測定する。ここで共振周波数ωに変化が認められない場合には欠陥なしと判定し、レーザ光１８の照射位置を少し動かし、次の照射位置でこのような共振周波数ωの変化を測定する。
【００３４】
この手順を繰り返し、欠陥１４の発生している試料１０の欠陥部にレーザ光１８が照射されると、欠陥部のＣｕ配線１２ｂは、この欠陥部でＣｕ配線１２ｂに対向しているもう一方のＣｕ配線１２ａの側へと熱膨張する。ここで、このレーザ光１８の照射によって例えば欠陥部のＣｕ配線１２ｂの温度が１００℃上昇した場合を考える。この場合、Ｃｕの熱容量として２４．５Ｊ／Ｋ・ｍｏｌを用いると、体積１μｍ3のＣｕの温度を１００ｍＷのレーザ光１８で１００℃上昇させるのに要する時間は、３×１０-11秒と非常に短い。熱がＣｕ配線１２ａ，１２ｂを伝導すること、およびレーザ光１８がＣｕ配線１２ｂ表面で最大７０％反射される（反射率は絶縁体１１のＳｉＯ2の厚さによる）ことを考慮しても、レーザパワーは十分に大きいといえる。
【００３５】
欠陥部へのレーザ光１８の照射によるＣｕ配線１２ｂの熱膨張により、欠陥１４のキャパシタンスは変化する。例えば欠陥部のＣｕ配線１２ｂの温度が１００℃上昇した場合には、Ｃｕ線熱膨張率として１６．５×１０-6を用いれば、欠陥１４のキャパシタンスは加熱前よりも０．１７％大きくなる。このようなキャパシタンス変化によって検出回路のインピーダンスは変化し、このインピーダンス変化が、交流電流計１６で測定する電流値の変化、あるいは共振周波数の変化として検出される。
【００３６】
インピーダンス変化を共振周波数変化によって検出する場合には、例えばレーザ光１８の照射により欠陥１４のキャパシタンスが０．１７％大きくなると、検出回路の共振周波数は１０．６ＧＨｚから約１００ＭＨｚ低周波数側へシフトするようになる。また、このような共振周波数変化が生じた試料１０上の位置とレーザ光１８の照射位置との対応関係から、欠陥１４の位置が特定される。このように、レーザ光１８を走査しながらＣｕ配線１２ａ，１２ｂを部分的に加熱し、検出回路のインピーダンス変化を電流値変化あるいは共振周波数変化によって検出することにより、欠陥１４をその位置を特定して検出することができる。
【００３７】
次に、上記の欠陥検査方法を実現可能な欠陥検査装置について説明する。
図５は欠陥検査装置の構成例を示す図である。この図５に示す欠陥検査装置２０は、欠陥検査を行う配線が形成された試料３０が載置される試料台２１を有し、この試料台２１に対向して、試料３０の特定部分にレーザ光３１を照射するための顕微鏡部２２が配置されている。この顕微鏡部２２は、例えば光学顕微鏡であって、アルゴンイオンレーザなどのレーザ光３１を適当な絞りで試料３０に照射することができるようになっている。また、このようなレーザ光３１のほか、電子線、赤外線あるいは可視光線などを試料３０に照射するように構成することもできる。
【００３８】
さらに、この欠陥検査装置２０は、試料台２１に載置された試料３０の配線に対し必要に応じて交流電圧または直流電圧を印加することのできる電源部２３を有している。電源部２３は、試料３０の配線に交流電圧を印加するよう交流電源として機能するときには、その交流電圧の周波数を変化させることができるようになっている。また、欠陥検査装置２０は、試料３０を含む回路内を流れる交流電流または直流電流の値を検出する電流検出部２４を有している。
【００３９】
顕微鏡部２２で取得される画像、測定時の電流値や電圧値、その他欠陥検査に必要な情報は、表示部２５に表示されるようになっており、レーザ光３１が照射されている試料３０の領域、測定時の電流変化や電圧変化などを測定者が観測することができるようになっている。
【００４０】
顕微鏡部２２、電源部２３、電流検出部２４および表示部２５は、それぞれ制御部２６に接続されている。制御部２６は、例えば、レーザ出力やレーザ照射位置（座標）の移動、印加電圧の交流／直流の切換え、交流電圧の周波数変化、交流／直流電流の検出、共振周波数変化の測定など、欠陥検査に必要な処理を実行する。
【００４１】
このような構成の欠陥検査装置２０を用いて試料３０の欠陥検査を行う場合には、例えば、まず、試料３０を試料台２１に載置して、電源部２３からの接続配線と電流検出部２４からの接続配線とを試料３０の配線に接続し、試料３０の配線を含む検出回路を構成する。次いで、制御部２６が、この試料３０の配線に対して電源部２３から交流電圧を印加し、交流電圧の周波数を変化させて、最大電流が流れるときの周波数を検出回路の共振周波数として決定する。そして、制御部２６は、決定した共振周波数で交流電圧を印加した状態で、顕微鏡部２２から照射されるレーザ光３１を試料３０の配線上で走査させ、その照射位置の試料３０の配線を部分的に加熱する。その際、ある照射位置で、交流電圧の周波数を、先に決定した共振周波数を中心にして変化させ、レーザ光３１照射時の検出回路の共振周波数を測定する。
【００４２】
制御部２６は、レーザ光３１照射によって検出回路の共振周波数に変化が認められると判定した場合には、この照射位置に欠陥ありと判断し、共振周波数に変化が認められないと判定した場合には、欠陥なしと判断する。この判断結果は、共振周波数変化が生じた試料３０上での位置およびレーザ光３１の照射位置の座標と共に、表示部２５に表示され、試料３０の欠陥位置が特定される。以降、制御部２６は、レーザ光３１を試料３０の配線上を走査させ、各照射位置での共振周波数変化を求めて欠陥検出を行う。
【００４３】
ここでは共振周波数変化によって欠陥を検出する場合について述べたが、欠陥を電流検出部２４での電流値の変化によって検出することもできる。この場合には、例えば、検出される電流値が、所定の値よりも一定値以上変化する場合に検出ありと判断するなどの処理を行って、欠陥を検出するようにすればよい。
【００４４】
また、このように試料３０の配線に交流電圧を印加してインピーダンス変化を検査した後、この配線に電源部２３から直流電圧を印加し、レーザ光３１をその配線上で走査させ、電流検出部２４で検出される電流値の変化を測定するようにすることもできる。なお、これは単なる例であって、直流電圧を印加して検査した後に交流電圧を印加して検査してもよく、また、従来と同様に、直流電圧のみ印加して検査することも可能である。
【００４５】
なお、以上の説明において、配線に交流電圧を印加する際には、その周波数は、必ずしも共振周波数でなくてもよく、レーザ光照射によって生じるインピーダンス変化を検出することができればその値は限定されない。ただし、前述したように、共振周波数あるいは共振周波数近傍の周波数を用いた方が、検出感度が高くなり、わずかな共振からのずれも検出することが可能である。
【００４６】
また、以上の説明では、一の試料について、その欠陥部にレーザ光が照射された場合のインピーダンス変化を、欠陥部ではない部分にレーザ光が照射された場合のインピーダンス変化と比較するようにしている。これを、必要に応じて、他の試料であって欠陥が存在しないことが既知の試料についての電流値や抵抗値と比較するようにしてもよい。
【００４７】
また、以上の説明において、断線欠陥４，ボイド欠陥４ａを検出する際には、レーザ光５により配線２を部分的に加熱するほか、配線２全体を一様に加熱し、加熱前後のインピーダンス変化によって欠陥の有無のみ検査することも可能である。
【００４８】
また、以上の説明では、配線にＣｕを用いた場合について述べたが、本発明はこれに限定されるものではなく、Ａｌなどの種々の導電性物質についてその欠陥の検出に適用可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、配線に交流電圧を印加し、配線を加熱し、配線を含む回路のインピーダンス変化によって欠陥を検出するようにした。これにより、配線のボイド欠陥や断線欠陥を検出することができ、欠陥検査結果を製品の歩留り向上に反映させ、また、信頼性の高い製品を安定供給することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の欠陥検査方法の原理を説明する図である。
【図２】ボイド欠陥の検査方法を説明する図である。
【図３】多層配線構造の試料についての欠陥検査方法の説明図である。
【図４】欠陥を検出するための検出回路の等価回路図である。
【図５】欠陥検査装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
１，１ａ，１０，３０  試料
２，２ａ  配線
３，３ａ，１１  絶縁体
４  断線欠陥
４ａ  ボイド欠陥
５，１８，３１  レーザ光
６  交流電源
７，１６  交流電流計
１２ａ，１２ｂ  Ｃｕ配線
１３  ビアホール
１４  欠陥
１５  周波数可変交流電源
１７  可変インダクタ
２０  欠陥検査装置
２１  試料台
２２  顕微鏡部
２３  電源部
２４  電流検出部
２５  表示部
２６  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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