(57)【要約】【課題】一定の汚染除去効率を保持しながら空気中の汚染源を同時に制御する基板処理設備の空調システムを提供する。【解決手段】少なくとも１つのノズルを含む噴射装置１００、このノズルからの噴射物と接触させることで空気中の汚染物を除去する少なくとも１つの除去器１１０、及び噴射装置１００と連結され、ノズルから噴射される水を噴射装置１００に供給する循環部１６０を具備し、循環部１６０は噴射装置１００に供給する水のｐＨ指数を調節するｐＨ調節装置１４０と、噴射装置１００に供給される水内の有機物を除去する有機物除去装置１４５と、を含む。【選択図】図２
2004181455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのノズルを含む噴射装置と、
前記少なくとも１つのノズルに露出される気流通路を定義して、前記通路を通過する空気が前記少なくとも１つのノズルから流出される噴射物と接触されることで前記空気中の汚染物を除去するための少なくとも１つの除去器と、
前記噴射装置と連結され、前記少なくとも１つのノズルによって前記除去器に噴射される水を前記噴射装置に供給する循環部と、を具備し、
前記循環部は前記噴射装置に供給される水のｐＨ指数を調節するためのｐＨ調節装置と、
前記噴射装置に供給される水中の有機物を除去するための有機物除去装置と、を含むことを特徴とする汚染制御装置。
【請求項２】
前記ｐＨ調節装置はイオン交換機を含むことを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項３】
前記有機物除去装置は有機樹脂を含むことを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項４】
前記循環部は、
前記除去器が連結され、前記汚染物を含む水を前記除去器から受け入れるための貯蔵タンクと、
前記貯蔵タンク及び除去器間の連結とは分離されて前記貯蔵タンクに連結され、前記除去器内の水を除いた追加的な水が前記貯蔵タンクに導入される給水管をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項５】
前記循環部は前記噴射装置に供給される水を殺菌処理するための殺菌処理装置をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの除去器の気流通路はベント形態であることを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの除去器がお互いに直列に配列された少なくとも２つの除去器を含むことを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項８】
それぞれの除去器の間に少なくとも１つのノズルを含む噴射装置をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の汚染制御装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの除去器がお互いに並列に配列された少なくとも２つの除去器を含むことを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの除去器の内部に配置され、前記噴射装置によって提供される水と共に前記除去器の気流通路に水を噴射する少なくとも１つの水供給ノズルをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の汚染制御装置。
【請求項１１】
クリーンルームを有する基板処理設備内で、
前記クリーンルームから隔離された基板処理チャンバと、
前記基板処理チャンバと連結され、前記クリーンルーム内部に開放されて前記クリーンルームから前記基板処里チャンバに１次空気を流入する給気管と、
前記基板処理チャンバの前記給気管上流と連結され、前記クリーンルームから１次空気を受け入れるための汚染制御装置と、
前記除去器の前記気流通路を前記基板処理チャンバに連結させて前記汚染制御装置から前記基板処理チャンバに清浄化空気を導入するための清浄給気管を具備し、
前記汚染制御装置は、
水を噴射する少なくとも１つのノズルを含む噴射装置と、
前記少なくとも１つのノズル及び前記給気管に露出される気流通路を定義して、前記通路を通過する１次空気が前記少なくとも１つのノズルから流出される噴射物と接触されることで前記１次空気中の汚染物を除去するための少なくとも１つの除去器と、
前記噴射装置と連結され、前記少なくとも１つのノズルによって前記除去器で噴射される水を噴射装置に供給する循環部と、
を含むことを特徴とする基板処理設備の空調システム。
【請求項１２】
前記清浄給気管に連結され、前記基板処理チャンバに供給される清浄化空気の温度及び湿度のうち少なくとも片方を調節することができる清浄化空気調節単位をさらに含むことを特徴とする請求項１１記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項１３】
前記基板処理チャンバを前記除去器の気流通路の上流側部で前記汚染制御装置に連結し、前記基板処理チャンバ内の２次空気を前記汚染制御装置に供給する循環管をさらに具備することを特徴とする請求項１１記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項１４】
前記循環部は、
前記除去器と連結されて前記汚染物を含む水を前記除去器より受け入れるための貯蔵タンクと、
前記貯蔵タンク及び前記除去器の間の連結とは分離されて前記貯蔵タンクに連結され、前記除去器内の水を除いた追加的な水が前記貯蔵タンクに導入される給気管をさらに含むことを特徴とする請求項１１記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの除去器の気流通路はベント形態であることを特徴とする請求項１１記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの除去器がお互いに直列に配置された少なくとも２つの除去器を含むことを特徴とする請求項１１記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項１７】
それぞれの除去器の間に少なくとも１つのノズルを含む噴射装置をさらに具備することを特徴とする請求項１６記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの除去器がお互いに並列配列された少なくとも２つの除去器を含むことを特徴とする請求項１１記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項１９】
前記少なくとも１つに除去器の内部に配置され、前記噴射装置によって提供される水と共に前記除去器の気流通路に水を噴射する少なくとも１つの水供給ノズルをさらに具備することを特徴とする請求項１１記載の基板処理設備の空調システム。
【請求項２０】
クリーンルームと、
前記クリーンルーム内部に配置され、基板が処理されるチャンバをそれぞれ具備する複数の基板処理装置と、
前記クリーンルーム外部に配置された汚染制御装置と、
前記基板処理装置のチャンバに連結され、前記除去器の下気流側で前記汚染制御装置から前記クリーンルームに導かれて、前記汚染制御装置によって清浄化された空気が前記基板処理装置に供給されるようにする清浄給気管と、
前記給気管内に配置され、前記汚染制御装置より流入する清浄化空気を前記基板処理装置に供給するフィルターと、を含み、
前記汚染制御装置は、
少なくとも一つのノズルを含む噴射装置と、
前記少なくとも１つのノズルに露出される気流通路を定義して、前記通路を通過する１次空気が前記少なくとも１つのノズルより流出される噴射物と接触されることで前記空気中の汚染物を除去するための少なくとも１つの除去器と、
前記噴射装置と連結され、前記少なくとも１つのノズルによって前記除去器に噴射される水を噴射装置に供給する循環部と、を含み、
前記循環部は前記噴射装置に供給される水のｐＨ指数を調節するためのｐＨ調節装置と、
前記噴射装置に供給される水中の有機物を除去するための有機物除去装置を含むことを特徴とする外気空調システム。
【請求項２１】
前記清浄給気管に連結され、前記基板処理装置に供給される清浄化空気の温度及び湿度のうち少なくとも片方を調節することができる清浄化空気調節単位をさらに含むことを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２２】
前記基板処理装置に連結され、前記クリーンルーム内部に開放されてクリーンルーム内の前記処理チャンバ内に空気を導入する複数の供給ダクトをさらに含むことを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２３】
前記循環部は
前記除去器と連結され、前記汚染物を含む水を前記除去器より受け入れるための貯蔵タンクと、
前記貯蔵タンク及び前記除去器間の連結とは分離されて前記貯蔵タンクに連結され、前記除去器内の水を除いた追加的な水が前記貯蔵タンクに導入される給気管をさらに含むことを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２４】
前記少なくとも１つの除去器の気流通路をベント形態で形成することを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの除去器がお互いに直列配列された２つの除去器を含むことを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２６】
それぞれの除去器の間に少なくとも１つのノズルを含む噴射装置をさらに具備することを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの除去器がお互いに並列配置された少なくとも２つの除去器を含むことを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの除去器の内部に配置され、前記噴射装置によって提供される水と共に前記除去器の気流通路に水を噴射する少なくとも１つの水供給ノズルを含むさらに具備することを特徴とする請求項２０記載の外気空調システム。
【請求項２９】
基板処理において、潜在的汚染物を含む１次空気を処理空間外部より通路に導き通路内に空気の気流を形成する段階と、
前記少なくとも１つのノズルに水を供給し、前記少なくとも１つのノズルより水と共に気流を分散して、前記水が前記空気内の汚染物を吸収するようにする段階と、
前記水を少なくとも１つのノズルに供給する前に水のｐＨを測定する段階と、
前記測定されたｐＨが設定範囲の以外であると、水のｐＨを調節する段階と、
前記水を少なくとも１つのノズルに供給する前に水を処理して、気流に噴射される前に水より有機物を除去する段階と、
前記少なくとも１つのノズルより水と共に噴射された空気をチャンバ外部の環境と遮断された基板処理チャンバに引導する段階と、
を含む指定空間内の基板処理に使用される空気制御方法。
【請求項３０】
貯蔵タンク内に前記気流に噴射された水を受け入れる段階をさらに含み、前記水を少なくとも１つのノズルに供給する段階は、前記水を貯蔵タンクより少なくとも１つのノズルに再び循環させる段階及び前記気流に噴射された後前記タンク内に受け入れたものとは別に前記貯蔵タンクに追加的な水を供給することを特徴とする請求項２９記載の空気制御方法。
【請求項３１】
前記貯蔵タンクに追加的な水を供給する段階は前記気流に噴射された後前記貯蔵タンク内に導入された量が１０％以下である量の水を導入することを特徴とする請求項３０記載の空気制御方法。
【請求項３２】
前記貯蔵タンクより少なくとも１つのノズルに供給された水を殺菌する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３０記載の空気制御方法。
【請求項３３】
通路内に気流を形成する段階が前記空気が前記少なくとも１つのノズルより水と共に噴射されながら通路内で渦巻くように空気内に渦を誘導する段階を含むことを特徴とする請求項２９記載の空気制御方法。
【請求項３４】
前記処理チャンバからの２次空気と共に、潜在汚染物を含む１次空気を前記通路に導く段階をさらに含み、前記１次及び２次空気が少なくとも１つのノズルより水と共に噴射されることを特徴とする請求項２９記載の空気制御方法。
【請求項３５】
前記基板が前記処理チャンバ内でレジストで塗布され、前記２次空気を導く段階は、前記通路に導かれる１次空気及び２次空気の総量の４０％以下となるように２次空気の量を制御する段階を含むことを特徴とする請求項３４記載の空気制御方法。
【請求項３６】
前記処理チャンバがクリーンルーム内に配置され、前記通路に導かれる前記１次空気は前記クリーンルームの外から導入され、前記通路に導かれる前記２次空気は前記クリーンルーム内部から導入され、前記通路に導かれる前記１次空気の量に対する前記通路に引導される前記２次空気の量の比が８：２ないし９：１であることを特徴とする請求項３４記載の空気制御方法。
【請求項３７】
水と共に噴射された空気の温度及び湿度含量のうち少なくとも１つを測定する段階及び前記空気の温度及び湿度含量のうち少なくとも１つが設定範囲の以外であると、前記空気の温度及び湿度含量のうち少なくとも一つを調節する段階を含むことを特徴とする請求項２９記載の空気制御方法。
【請求項３８】
前記少なくとも１つのノズルより水と共に気流を噴射する段階は六角水と共に気流を噴射する段階を含むことを特徴とする請求項２９記載の空気制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は汚染制御に関し、より詳細には化学フィルターを使用しないで多様の汚染源を同時に制御することができる汚染制御装置及びこれを利用した基板処理設備の空調システム、外気空調システム、ならびに空気制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体を含む各種部品、電子製品などの生産工程では各種の粒子汚染物質による問題が内在されている。半導体設備の場合数ｐｐｂ単位の汚染源によっても工程数率及び生産性が低下されるので、純度の高い気体の環境が要求される。特に、半導体素子パターンが微細化されるにつれて一般の粒子汚染と共に空気中の分子状汚染物質（Ａｉｒｂｏｒｎｅ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔｓ  ：ＡＭＣ）が工程不良の原因となっている。例えば、オゾン（Ｏ３）による自然酸化膜の形成、アンモニア（ＮＨ３）によるフォトレジストパターンのＴ−Ｔｏｐプロファイル及びこれによる臨界値数変動、光学装備のヘイズ（ｈａｚｅ）現象、有機物によるウェーハ表面の特性変化などがこのような汚染源によって発生する現象である。
【０００３】
このような半導体製造工程は清浄な雰囲気で実施されなければならないので、半導体製造設備はクリーンルーム内に設置されると同時に、その周囲や上部を適切な覆い（ｃａｓｉｎｇ）で覆って設備の上部にファンとフィルターを一体化したファン‐フィルターユニット（ｆａｎ  ｆｉｌｔｅｒ  ｕｎｉｔ：ＦＦＵ）のような清浄化空気供給装置を設置する。そして前記清浄化空気供給装置からの清浄化空気のダウンフロー（ｄｏｗｎ  ｆｌｏｗ）下に設備の各処理ユニットが配置される。また、半導体設備内に流入される空気中でＯ３、ＮＨ３、ＳＯｘ、ＮＯｘ及び有機物などを除去するために前記清浄化空気供給装置の上部に別の化学フィルターが設置されている。
【０００４】
しかし、化学フィルターは高価でありながら寿命が短いので周期的交替が必要とされて可動原価を上昇させて半導体生産原価を高くする原因となる。また、それぞれの汚染成分別に多様の化学フィルターを設置しなければならないので保持管理が難しく、管理の難しさによって化学フィルターの寿命が尽きているにも関わらず使用されるようなことがあり、それが原因で不良品が発生するなどの工程事故を誘発する場合もある。また、新しいＡＭＣ汚染源が現れる場合、これを制御するために新規化学フィルターが要求されるので、開発費用増加の問題がある。
【０００５】
一方、化学フィルターの替わりに湿式空調方式の水噴射システムを利用して気液接触によって空気中の汚染源を除去する方法が「特許文献１」「特許文献２」「特許文献３」に開示されている。
【０００６】
図１は従来の方法による水噴射システムを概略的に示した図面である。
【０００７】
図１に示すように、水噴射システムは、大別して、水、望ましくは純水を微細な液滴に噴射させるための複数のノズルを有する噴射装置１０、噴射された液滴がぶつかって下方に落ちるようにする除去器２０、及び落ちる水を収集し、収集された水が噴射装置１０に提供されるまで貯蔵するためのタンク２５で構成される。
【０００８】
噴射装置１０に流入された空気Ａｉは除去器２０を通過した後清浄化された空気Ａｏに排出される。ここで、波線矢印は空気の流れを示し、実線矢印は水の流れを示す。
【０００９】
ポンプ（図示せず）によってタンク２５から供給された水はフィルター３０を経て噴射装置１０に移動した後、前記噴射装置１０の複数のノズルを通じて早い速度で噴射される。
【００１０】
各ノズルで噴射された微細液滴は多孔性板形状を有する除去器２０を通過しながら噴射装置１０に流入された空気Ａｉ中の汚染物を捕集し、除去器２０の板にぶつかって下方に落ちる。このようにして落ちた水は再び噴射装置に供給されるまでに前記タンク２５内に貯蔵される。
【００１１】
前述した従来の水噴射システムによると、複数のノズルを通じて噴射された水が形成する液滴と浮遊煤塵（Ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ  ｄｕｓｔ）との衝突吸着（ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ）原理によって汚染物が除去される原理を利用する。
【００１２】
しかし、空気中の汚染物を捕集するほどタンク２５内に貯蔵される水も汚染されるので、水を続けて循環して使用すると水質が低下し、空気と水の汚染差が縮まり、汚染を除去する効率が低下してしまうことになる。
【００１３】
これを防止するためにはタンク内に９０％以上の新しい水を続けて供給して汚染を稀釈させて水のｐＨ指数を保持させなければならない。しかし、リフレッシュされる水の量が多くなるとポンプ３０の運転費用などが増加して効率性が落ちる短所がある。このようなタンク内に水を供給しないと水のｐＨ指数が落ちて汚染除去効率が急激に減少してしまうので、従来の水噴射システムは一定の汚染除去効率が要求される半導体設備の空調システムには適用が困難であった。
【特許文献１】韓国特許公開第２００２−００２２３３１号公報
【特許文献２】韓国特許公開第１９９８−０８７２９５号公報
【特許文献３】特開平１１−０６７６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って、本発明の第１の目的は一定の汚染除去効率を保持しながら空気中の汚染源を同時に制御することができる汚染制御装置を提供することにある。
【００１５】
本発明の第２目的は一定の汚染除去効率を保持しながら空気中の汚染源を同時に制御して基板処理装置の処理空間内に汚染物が除去された空気を供給することができる半導体装置製造などに用いられている基板処理設備の空調システム、外気空調システム、空気制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前述した本発明の第１目的を達成するためには、少なくとも１つのノズルを含む噴射装置と、前記少なくとも１つのノズルに露出される気流通路を定義して前記通路を通過する空気が前記少なくとも１つのノズルより流出される噴射物と接触されることで前記空気中の汚染物を除去するための少なくとも１つの除去器と、前記噴射装置と連結され、前記少なくとも１つのノズルによって前記除去器に噴射される水を前記噴射装置に供給する循環部と、を具備し、前記循環部は前記噴射装置に供給される水のｐＨ指数を調節するためのｐＨ調節装置と、前記噴射装置に供給される水内の有機物を除去するための有機物除去装置と、を含むことを特徴とする汚染制御装置を提供する。
【００１７】
本発明の望ましい一実施形態によると、気液接触時間を増加させて汚染除去効率を極大化するために少なくとも２つの除去器を直列または並列に連結するか、前記除去器の気流通路をベント形態に形成する。
【００１８】
本発明の他の実施形態によると、前記除去器内に微量の水を供給及び噴射して汚染除去効率を向上させるために前記除去器の内部に少なくとも１つの水供給ノズルを設置する。
【００１９】
本発明の望ましい他に実施形態によると、前記水は六角水で使用する。
【００２０】
本発明の第２目的を達成するために本発明は、クリーンルームを有する基板処理設備内で、前記クリーンルームから隔離された基板処理チャンバと、前記基板処理チャンバと連結され、クリーンルーム内部に開放されて前記クリーンルームより前記基板処理チャンバに１次空気を流入する給気管と、前記基板処理チャンバの前記給気管上流と連結され、前記クリーンルームより１次空気を受け入れるための汚染制御装置と、前記除去器の前記気流通路を前記基板処理チャンバに連結させて汚染制御装置より前記基板処理チャンバに清浄化空気を導入するための清浄給気管を具備し、前記汚染制御装置は水を噴射する少なくとも１つのノズルを含む噴射装置と、前記少なくとも１つのノズル及び前記給気管に露出される気流通路を定義して、前記通路を通過する１次空気が前記少なくとも１つのノズルより流出される噴射物と接触されることで前記１次空気中の汚染物を除去するための少なくとも１つの除去器と、前記噴射装置と連結され、前記少なくとも１つのノズルによって前記除去器に噴射される水を噴射装置に供給する循環部と、を含むことを特徴とする基板処理設備の空調システムを提供する。
【００２１】
また、本発明の第２目的は、クリーンルームと、前記クリーンルーム内部に配置され、基板が処理されるチャンバをそれぞれ具備する複数の基板処理装置と、前記クリーンルーム外部に配置された汚染制御装置と、前記基板処理装置のチャンバに連結され、前記除去器の下気流側で前記汚染制御装置より前記クリーンルームに引導されて前記汚染制御装置によって清浄化された空気が前記基板処理装置に供給されるようにする清浄給気管と、前記給気管内に配置され、前記汚染制御装置より流入する清浄化空気を前記基板処理装置に供給するフィルターと、を含み、前記汚染制御装置は少なくとも１つのノズル含む噴射装置と、前記少なくとも１つのノズルに露出される気流通路を定義して前記通路を通過する１次空気が少なくとも１つのノズルより流出される噴射物と接触されることで前記空気中の汚染物を除去するための少なくとも１つの除去器と、前記噴射装置と連結されて前記少なくとも１つのノズルによって前記除去器で噴射される水を噴射装置に供給する循環部と、を含み前記循環部は前記噴射装置に供給される水のｐＨ指数を調節するためのｐＨ調節装置と、前記噴射装置に供給される水内の有機物を除去するための有機物除去装置と、を含むことを特徴とする外気空調システムによって達成される。
【００２２】
さらに本発明は、基板処理において、潜在的汚染物を含む１次空気を処理空間外部より通路に導き通路内に空気の気流を形成する段階と、前記少なくとも１つのノズルに水を供給し、前記少なくとも１つのノズルより水と共に気流を分散して、前記水が前記空気内の汚染物を吸収するようにする段階と、前記水を少なくとも１つのノズルに供給する前に水のｐＨを測定する段階と、前記測定されたｐＨが設定範囲の以外であると、水のｐＨを調節する段階と、前記水を少なくとも１つのノズルに供給する前に水を処理して、気流に噴射される前に水より有機物を除去する段階と、前記少なくとも１つのノズルより水と共に噴射された空気をチャンバ外部の環境と遮断された基板処理チャンバに引導する段階と、を含む指定空間内の基板処理に使用される空気制御方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によると、気液接触によって空気中の多様の汚染源を同時に制御する汚染制御装置に供給される水のｐＨ指数を調節して一定の汚染制御効率を保持し、空気中の汚染物を捕集した水内の有機物を除去して水の汚染物捕集効率を向上させる。
【００２４】
本発明の望ましい実施形態によると、除去器形態を変更するか前記除去器の内部に水供給ノズルを設置することで、気液接触時間を増加させて汚染除去効率を向上させることができる。
【００２５】
また、貯蔵タンクにある水を続けて循環して使用しても循環水のｐＨ指数が一定に保持されるので、新しい水の供給量を１０％以下に制御することで新しい水の過剰供給を防止し、運転資金を節減することができる。
【００２６】
本発明によると、湿式空調方式の汚染制御装置を半導体設備のような基板処理設備の空調システムに適用することで、設備内部の処理空間に各種汚染源（Ｏ３、ＮＨ３、ＳＯｘ、ＮＯｘ、有機物など）が効果的に遮断された清浄化空気を供給することができる。従って、各種の汚染源による工程不良を予防して素子の収率及び信頼性を向上させ、周期的な交替が要求される高価の化学フィルターを使用しないことで工程安定化及び可動原価節減の効果を持ち得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施形態をより詳細に説明する。
（第１実施形態）
図２は本発明の第１実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【００２８】
図２によると、本発明の第１実施形態による汚染制御装置は大別して、水を微細の大きさの液滴で噴射するための少なくとも１つのノズルを含む噴射装置１００と、気液接触によって空気中の汚染物を捕集した水を捕らえて下方に落とさせるための除去器１１０と、前記噴射装置１００に水を連続的に供給するための循環部１６０とを含む。
【００２９】
前記水は水道水、工業用水または井戸水などの一般水を使用してもよいが、水質制御のためには純水を使用する方が望ましい。
【００３０】
図２を参照すると破線矢印は空気の流れを示し、汚染制御装置に流入された空気（Ａｉ）は除去器１１０を通過した後清浄化された空気（Ａｏ）で排出される。実線矢印は循環水の流れを示す。
【００３１】
前記循環部１６０は前記噴射装置１００によって噴射されて空気との気液接触によって汚染物を吸着した水を貯蔵する貯蔵タンク１２０及び前記貯蔵タンク１２０内の水をポンピングして前記噴射装置１００に再び供給するための循環ポンプ１２５である。
【００３２】
本実施形態による汚染制御装置の循環部１６０は、前記貯蔵タンク１２０より噴射装置１００に供給される水（以下、循環水と称する）のｐＨ指数を測定するためのｐＨ測定器１３５と、前記循環水のｐＨ指数を設定範囲内に制御するためのｐＨ調節装置１４０と、前記循環水内の有機物を除去して水質を向上させるための有機物除去装置１４５と、で構成される。
【００３３】
前記ｐＨ調節装置１４０は望ましくは、イオン交換機を含む。前記イオン交換機は不足している極性イオン成分または過剰極性イオンを交替して循環水のｐＨ指数を設定範囲内に制御する役割をする。
【００３４】
前記有機物制御装置１４５は望ましくは有機樹脂を含む。
【００３５】
湿式空調方式の汚染制御装置において汚染除去効率を決定する有力な要因は水のｐＨ指数及び水質である。図１に示した従来の汚染制御装置によると、水を続けて循環して使用するほど水質が低下し、ｐＨ指数が落ちてしまい、空気と水の汚染差が縮まって汚染を除去する効率が低下してしまうのである。
【００３６】
これに対して、図２に示す本発明の汚染制御装置によると、循環部１６０を通じて続けて循環される水のｐＨ指数をｐＨ調節装置１４０によって一定に保持することで汚染除去効率が低下することを防止する。また、有機物制御装置１４５によって汚染物の捕集で増加された水内の有機物を除去して水質を向上させることで汚染物捕集除去効率を向上させることができる。
【００３７】
図４及び図５は循環水のｐＨ指数と汚染除去効率との関係を示したグラフで、循環水のｐＨ指数が落ちると、汚染除去効率も同時に低下し、循環水のｐＨ指数が一定に保持されると一定の汚染除去効率が持続することが理解できる。前記グラフで、水平軸は汚染制御動作の経過時間を示し、左側軸はＳＯ４２−汚染源に対する除去率（％）を示し、右側軸は循環水のｐＨ指数を示す。
【００３８】
また、本実施形態による汚染制御装置の循環部１６０は循環水を殺菌処理するための殺菌処理装置１３０及び循環水を濾過させるためのフィルター１５０を含む。望ましくは、殺菌処理装置１３０は紫外線照射装置である。
【００３９】
貯蔵タンク１２０内の水は滞留状態であるため貯蔵タンク１２０及びその周辺部に雑菌などの微生物が繁殖しやすい。従って、紫外線照射装置１３０より紫外線を照射して貯蔵タンク１２０及びその周辺部を殺菌処理することで循環部１６０での微生物繁殖を効果的に抑制することができる。
【００４０】
前述した構造を有する汚染制御装置の動作を見ると、処理される空気が汚染制御装置を通過しながら水（純水）と気液接触される。
【００４１】
即ち、前記汚染制御装置では噴射装置１００の少なくとも１つのノズルより水が微細な大きさの液滴で連続的に噴射され、汚染制御装置を通過する空気（Ａｉ）と気液接触する。噴射された液滴のサイズはノズルサイズ及び水圧によって決定され、これを適切に調節して水を所望のサイズで噴射させる。液滴のサイズが小さくなるとその分水の表面積が広くなって汚染物の吸着効果が増加するようになるので、約１００μｍ以下のサイズに液滴を噴射することが望ましい。
【００４２】
各ノズルで噴射された微細液滴は除去器１１０を通過しながら空気中の汚染物を捕集し、除去器１１０のプレートにぶつかって下方に落ちる。
【００４３】
除去器１１０はプラスチックやステンレス（ＳＵＳ：ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  ｓｔｅｅｌ）材質で製造され、望ましくは多孔性板形状を有する。即ち、多数の板を積層してなるが、隣接するプレートに形成された気孔同士がお互いに擦れ違うように設置して前方に設置されたプレートにぶつかっていない液滴、及び汚染物が捕集された液滴が後方に設置されたプレートによって収集されることができるように除去器１１０を形成する。
【００４４】
除去器１１０より下方に落ちた水は貯蔵タンク１２０内に集められ、再び循環部１６０を通じて噴射装置１００に供給され噴射される。循環される水の量はポンプ１２５によって調整される。
【００４５】
このとき、ｐＨ測定器１３５が循環水ｐＨ指数を測定し前記ｐＨ指数が設定範囲内にあると循環水を噴射装置１００に供給する。反面、測定された循環水のｐＨ指数が設定範囲外になるとバルブ１３８を調整して循環水をｐＨ調節装置１４０に送る。前記ｐＨ調節装置１４０によって不足イオン成分または過剰イオン成分を交替して循環水のｐＨ指数を設定範囲に制御した後、有機樹脂からなる有機物除去装置１４５を通じて循環水内の有機物を除去して循環水の水質を向上させる。
【００４６】
このようにｐＨ指数が制御されて水質が向上された循環水は噴射装置１００より噴射されて空気中の汚染物を捕集した後貯蔵タンク１２０で回収され、ポンプ１２５によって連続的に循環される。
【００４７】
前記除去器１１０より貯蔵タンク１２０に回収された水が貯蔵タンク１２０内に集められる間、水の加湿効果によって前記貯蔵タンク１２０内部の水が減少されるようになる。従って、このような蒸発量を補償するように給気管１２２を通じて貯蔵タンク１２０内に水を新しく供給する。また、前記貯蔵タンク１２０に貯蔵された水を一定水位に保持するために一定比率の水を排水管１２４を通じて排水する。
【００４８】
従来の汚染制御装置によると、循環水を続けて使用すると、ｐＨ指数が落ちて汚染除去効率が低下するので貯蔵タンク内に９０％以上の新しい水を続けて供給して汚染を稀釈して水のｐＨ指数を保持していた。このため、新しい水の供給量が多くなって運転費用が増加する問題がある。
【００４９】
一方、本発明では循環水のｐＨ指数を一定に保持するので給気管１２２を通じて貯蔵タンク１２０に供給される新しい水の量を１０％以下に制御して残りの水を続けて循環させて使用することで、新しい水の過剰供給を防止し運転資金を節減することができる。
【００５０】
前述した本発明の第１実施形態である汚染制御装置によると、ＮＨ３汚染源に対して約８１％の除去効率、ＮＯｘ汚染源に対して約６４％の除去効率、それからＳＯｘ汚染源に対して約８８％の除去効率を示す。また、有機物及びＯ３に対してもそれぞれ５０％及び２０％の除去効率を示す。また、本実施形態の汚染制御装置は時間による性能の変化が殆どないので半永久的に使用することができて保持管理が容易し、可動原価節減の効果を得ることができる。
【００５１】
（第２実施形態）
図５ないし図６は本発明の第２実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【００５２】
第２実施形態による汚染制御装置は水と空気が接触する停滞時間を延ばして汚染除去効率を増加させるように除去器の形態を変更したことを除いては前述した第１実施形態に示した汚染制御装置と同一である。
【００５３】
図５を参照すると、除去器で水と空気が充分に反応して汚染除去効率を増加させることができるように少なくとも２つの除去器（１１０、１１５）を直列に配置する。即ち、本実施形態の汚染制御装置は第１噴射装置１００、第１除去器１１０、第２噴射装置１０５、第２除去器１１５及び循環部１６０を含む。
【００５４】
前記循環部１６０を通じて循環される水は第１噴射装置１００及び第２噴射装置１０５に同時に供給され、汚染制御装置に流入された空気（Ａｉ）は第１及び第２除去器１１０、１１５を通過しながら気液接触によって汚染物が除去された後清浄化された空気（Ａｏ）に排出される。
【００５５】
図６を参照すると、少なくとも２つの除去器１１０、１１５を並列に配置して汚染制御装置に流入された空気Ａｉがそれぞれの除去器１１０、１１５の間で渦流が形成されるようにする。このような渦流が形成されると水が空気中の汚染物を捕集する反応時間が長くなるので汚染除去効率を増加させることができる。
【００５６】
図７を参照すると、汚染制御装置に流入された空気（Ａｉ）が除去器１１０を通じながら渦流を形成するように前記除去器１１０をベント形態（屈曲した形態）に形成する。従って、気液反応時間を増加させて汚染除去効率を向上させることができる。
【００５７】
（第３実施形態）
図８は本発明の第３実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【００５８】
図８を参照すると、第３実施形態の汚染制御装置は除去器１１０内に微量の水、望ましくは純水を供給及び噴射して汚染除去効率を向上させるように前記除去器１１０の内部に少なくとも１つの水供給ノズル１５５を設置したことを除いては前述した第１実施形態に図示した汚染制御装置と同一である。
【００５９】
このような除去器１１０の内部に微量の水を供給及び噴射すると、空気と水が接触する停滞時間が極大化されるので、汚染除去効率を大きく増加させることができる。
【００６０】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態による汚染制御装置は循環水で使用される純水を六角水に作って使用することを除いては前述した第１、第２、第３実施形態の汚染制御装置と同一である。
【００６１】
一般的に、ナノクラスター水（ｎａｎｏ  ｃｌｕｓｔｅｒｅｄ  ｗａｔｅｒ）は約５個から７個の間の水分子が化合された構造を有し、微細結合水、構造水（ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ  ｗａｔｅｒ）、結晶水またはマイクロ‐クラスター水などのいくつかの名前で呼ばれている。六角水は普通の水よりクラスターの大きさが１／３以下に細かく分けられているため、空気との接触面積の増加で空気内の可溶性汚染物に対する溶解度を増加させて汚染除去効率を増大させることができる。従って、汚染制御システムの循環水を六角水で作って少なくとも１つの噴射ノズルを通じて噴射すると、高い汚染除去効率を有する汚染制御装置を具現することができる。
【００６２】
純水を六角水で作る方法には電気分解、冷凍、ゲルマニウム導入方法及び電磁石を利用した磁化六角水製造方法。
【００６３】
（第５実施形態）
図９は本発明の第５実施形態による基板処理設備の空調システムを概略的に示した図面として、スキャナー及びステップを含むレジスト露光装置に対する空調システムを示す。
【００６４】
図９を参照すると、本第５実施形態によるレジスト露光装置の空調システムは処理空間２００内に各種汚染源（Ｏ３、ＮＨ３、ＳＯｘ、ＮＯｘ、有機物など）が除去された清浄化空気（Ａｏ）を供給するための汚染制御装置２２０を含む。
【００６５】
前記汚染制御装置２２０は前述した第１、第２、第３または第４実施形態に図示した汚染制御装置と同一な構造を有する。
【００６６】
前記汚染制御装置２２０は図示したように、水を噴射する少なくとも１つのノズルを含む噴射装置１００、気液接触によって空気中の汚染物を捕集した水を捕らえて落とすための除去器１１０、及び前記噴射装置１００に水を連続的に供給するための循環部１６０を含む。
【００６７】
前記循環部１６０は、前記噴射装置１００によって噴射されて空気との気液接触によって汚染物を吸着した水を受けて貯蔵する貯蔵タンク１２０より噴射装置１００に供給される水、即ち、循環水のｐＨ指数を設定範囲内に制御するためのｐＨ調節装置１４０及び前記循環水内の有機物を除去して水質を向上させるための有機物除去装置１４５を含む。
【００６８】
ｐＨ測定器１３５に測定された循環水のｐＨ指数が設定範囲内にあるとそのまま噴射装置１００に供給され、循環水のｐＨ指数が設定範囲を脱すると循環水をｐＨ調節装置１４０に送る。このような汚染除去に使用される循環水のｐＨ指数を調節し、循環水内の有機物を除去することで、空調システムの汚染除去効率を５０％以上に高めることができる。
【００６９】
望ましくは、貯蔵タンク１２０に供給される新しい水の量を１０％以下に制御し、残りの水を続けて循環させて使用することで、新しい水の過剰供給を防止し、運転資金を節約する。
【００７０】
また、前記循環部１６０は水が滞留している貯蔵タンク１２０及びその周辺部を殺菌処理するための紫外線照射装置１３０を含む。紫外線による殺菌処理は汚染制御装置２２０を可動させながら行われるので、基板処理装置を停止させる必要がない。
【００７１】
本実施形態による汚染制御装置２２０は汚染除去効率を向上させるために前述した第２実施形態または第３実施形態と同一な構造の除去器１１０を使用するか前述した第４実施形態と同じように六角水からなる循環水を使用することができる。
【００７２】
前述した構造を有するレジスト露光装置の空調システムにおいて、処理空間２００上部の空気はクリーンルームフィルター２０５を通じて濾過されたクリーンルーム空気（Ａｉｃ）である。このような上部空間の空気（Ａｉｃ）は給気管２１０を経由してファン２１５によって汚染制御装置２２０に流入される。
【００７３】
前記汚染制御装置２２０を通過しながら気液接触によって各種汚染源が除去された清浄化空気（Ａｏ）は送出部２３５に誘導され、温度調節ユニット及び乾燥機で構成された温度及び湿度調節装置２２５によって温度及び湿度が調節された後ファン２３０のよって送出管２３６より送出されて処理空間２００に供給される。このような各種の汚染源が除去され、温度及び湿度が適定範囲に制御された清浄化空気Ａｏは処理空間２００の天井に位置したファンフィルターユニットＦＦＵのような高性能フィルター（図示せず）を通じて処理空間２００内にダウンフローされる。
【００７４】
前記処理空間２００内部の空気ＡｓｐはアンモニアＮＨ３のようなアルカリ成分が全然含まれていないか含まれていても極めて少ない量であるため再利用が可能である。従って、本実施形態による空調システムは処理空間２００内部の空気Ａｓｐを汚染制御装置２２０に流入するための循環管２４５を含む。
【００７５】
このような処理空間２００より循環管２４５を経由してファン２１５によって汚染制御装置２２０に流入された空気Ａｓｐは汚染制御装置２２０内で上部空間の空気Ａｉｃと混合され、混合された空気は気液接触によって各種汚染物が除去された後送出管２３６を通じて再び処理空間２００に送られる。
【００７６】
望ましくは、前記汚染制御装置２２０に流入される全体空気のうち前記処理空間２００より回収されて循環管２４５を通じて供給される空気Ａｓｐを８０％位に調節し、前記上部空間の空気Ａｉｃを２０％位に調節する。
【００７７】
前述したように本発明の第５実施形態によると、上部空間の空気の空気Ａｉｃ及び処理空間２００より回収した空気Ａｓｐを純水による気液接触によって清浄化させ、清浄化空気Ａｏを再び処理空間２００に供給することで、所望の清浄度を得ることができ、各種汚染源による工程不良を予防して素子の収率及び信頼性を向上させ、工程安定化を保持することができる。また、２年毎に周期的な交替が要求される高価の化学フィルターを使用しないで、寿命が半永久的な汚染制御装置２２０を基板処理設備の空調システムで適用することで、可動原価節減の効果を得ることができる。
【００７８】
（第６実施形態）
図１０は本発明の第６実施形態による基板処理設備の空調システムを概略的に示した図面で、塗布部及び現象部を含むレジストスピナー装置に対する空調システムを示す。
【００７９】
図１０を参照すると、本実施形態によるレジストスピナー装置の空調システムは処理チャンバである処理空間３００内に各種汚染源（Ｏ３、ＮＨ３、ＳＯｘ、ＮＯｘ、有機物など）が除去された清浄化空気Ａｏを供給するための汚染制御装置３１０を含む。
【００８０】
前記汚染制御装置３１０は前述した第１、第２、第３、または第４実施形態に図示した汚染制御装置と同一な構造を有する。
【００８１】
即ち、前記汚染制御装置３１０は図示したように、水を噴射する少なくとも１つのノズルを含む噴射装置１００、気液接触によって空気中の汚染物を捕集した水を捕らえて下方に落とすための除去器１１０、及び前記噴射装置１００に水を連続的に供給するための循環部１６０を含む。
【００８２】
前記循環部１６０は前記噴射装置１００によって噴射されて空気との気液接触によって汚染物を吸着した水を受けて貯蔵する貯蔵タンク１２０より噴射装置１００に供給される水、即ち、循環水のｐＨ指数を設定範囲内に制御するためのｐＨ調節装置１４０、前記循環水内の有機物を除去して水質を向上させるための有機物除去装置１４５及び循環水を殺菌処理するための紫外線照射装置１３０を含む。循環水のｐＨ指数を一定に保持することができるので、貯蔵タンク１２０に供給される新しい水の量を１０％以下に制御して運転資金を節約する。
【００８３】
本実施形態の汚染制御装置３１０は汚染除去効率を向上させるために前述した第２実施形態または第３実施形態と同一な構造の除去器１１０を使用するか前述した第４実施形態と同じように六角水からなる循環水を使用することができる。
【００８４】
前述した構造を有するレジストスピナー装置の空調システムにおいて、処理空間３００上部の空気Ａｉｃが給気管３０５を通じて汚染制御装置３１０に流入される。この処理空間３００上部の空気Ａｉｃは、一般的には処理空間３００を含む処理チャンバが設置されているクリーンルーム内の空気であるが潜在的な汚染物質をわずかに含んでいる。
【００８５】
前記汚染制御装置３１０を通過しながら気液接触によって各種汚染源が除去さえた清浄化空気Ａｏは送出部３２５に誘導され、温度調節ユニットＴＣＵ及び乾燥機で構成された温度及び湿度調節装置３１５によって温度及び湿度が調整された後送出管３２６より送出されて処理空間３００に供給される。
【００８６】
このように各種汚染源が除去され、温度及び湿度が適定範囲に制御された清浄化空気Ａｏは処理空間３００の天井に位置したファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）のような高性能フィルターを通じて処理空間３００内にダウンフローされる。
【００８７】
本実施形態による空調システムは処理空間３００内部に空気Ａｓｐを汚染制御装置３１０に流入するための循環管３２０を含む。前記処理空間３００より循環管３２０を経由して汚染制御装置３１０に流入された空気Ａｓｐは汚染制御装置３１０内で上部空間の空気Ａｉｃと混合され、混合された空気は気液接触によって各種汚染物が除去された後、送出管３２６を通じて再び処理空間３００に送られる。
【００８８】
レジストスピナー装置は他の設備に比べてレジストのよる有機汚染が酷いので、前記汚染制御装置３１０に流入される空気の総量（すなわち、前記処理空間３００より回収された空気Ａｓｐと処理空間３００上部の空気Ａｉｃ）のうち、前記処理空間３００より回収された空気Ａｓｐの量が４０％以下となるように制御して汚染制御装置３１０内に入る汚染源を最少化するのが望ましい。
【００８９】
（第７実施形態）
図１１は本発明の第７実施形態による外気空調システムを概略的に示した図面で、外気空調システムを通過した外気を複数の基板処理装置が配置されている設備に直接供給する場合を示す。
【００９０】
図１１を参照すると、本実施形態のよる外気空調システム４８０は複数のフィルター４５２、汚染制御装置４００、及びファン４５４で構成される。
【００９１】
前記汚染制御装置４００は前述した第１、第２、第３または第４実施形態に図示した汚染制御装置と同一な構造を有し、循環部１６０を構成するポンプ１２５によって貯蔵タンク１２０内の水、望ましくは純水を連続的に噴射装置１００に供給して外気との気液接触によって外気中に含まれている汚染物を除去する役割をする。
【００９２】
前記循環部１６０は循環水ｐＨ指数を設定範囲内に制御するためのｐＨ調節装置１４０、循環水内の有機物を除去して水質を向上させるため有機物除去装置１４５及び循環水を殺菌処理するための紫外線照射装置１３０を含む。循環水のｐＨ指数を一定に保持することができるので、運転資金節約のため貯蔵タンク１２０に供給される新しい水の量を１０％以下に制御することが望ましい。
【００９３】
また、本実施形態による外気空調システム４８０の汚染制御装置４００は汚染除去効率を向上させるために前述した第２実施形態または第３実施形態と同一な構造の除去器１１０を使用するか前述した第４実施形態と同一に六角水からなる循環水を使用することができる。
【００９４】
前述した構造の汚染制御装置４００を有する外気空調システム４８０はクリーンルーム４６０の外部に設置される。本実施形態によると、前記クリーンルーム４６０内に配置された設備、例えば、複数のレジスト処理装置で構成された設備に連結された供給ダクト４０５を通じて前記外気空調システム４８０より排出された清浄化外気Ａｏが前記設備に直接供給される。
【００９５】
具体的には、外気空調システム４８０に流入された外気Ａｉｏは各種フィルター４５２を通じて埃が除去され、汚染制御装置４００によってＯ３、ＮＨ３、ＳＯｘ、ＮＯｘ、有機物などの各種汚染源が除去された後、ファン４５４を通じて供給ダクト４０５に排出される。
【００９６】
前記清浄化外気Ａｏは供給ダクト４０５を経由して、図１２に示したように、複数の導入口４６２を通じてそれぞれの基板処理装置に連結されている導入口４６２に導入される。前記導入口４６２より導入された清浄化外気Ａｏは乾燥機４１０、ＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ  ａｉｒ）フィルターまたはＵＬＰＡ（ｕｌｔｒａ  ｌｏｗ  ｐｈｎｅｕｍａｔｉｃ  ａｉｒ）フィルターのような高性能フィルター４１５、及び温度調節ユニット４２５を順次に経由して温度及び湿度が制御された後、導入管４６４を通じてそれぞれの基板処理装置内の処理空間４５０に供給される。
【００９７】
これと同時に、クリーンルームフィルター４３５を通じて濾過されてクリーンルーム４６０の内部で循環されているクリーンルーム空気Ａｉｃは、給気管４３０を経由してファン４２０によって各処理空間４５０に流入される。このとき、図示したように、前記給気管４３０を供給ダクト４０５と連結してクリーンルーム空気Ａｉｃの温度または湿度のうち少なくとも片方を調節した後、各処理空間４５０に流入することができる。
【００９８】
一般的に、クリーンルームフィルター４３５によって濾過されたクリーンルーム空気ＡｉｃはＮＨ３、ＳＯｘ、ＮＯｘなどの汚染源は除去されるがオゾンＯ３や有機物を微量含めている。従って、設備に流入される全体空気のうちクリーンルーム空気Ａｉｃを１０〜２０％に制御し、清浄化外気Ａｏを８０〜９０％に制御して処理空間４５０に入る汚染源を最少化することが望ましい。すなわち、清浄化外気Ａｏ：クリーンルーム空気Ａｉｃの量の比を８：２ないし９：１に制御することが望ましい。
【００９９】
前述したように本発明の第７実施形態によると、気液接触によって汚染源を除去する汚染制御装置を有する外気空調システムを通じて清浄化された外気をクリーンルーム内の設備に直接供給することで前述した第５実施形態または第６実施形態に比べて工程原価をさらに節減することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明によると、気液接触によって空気中の汚染源らを同時に制御する汚染制御装置に供給される水のｐＨ指数を調節して一定な汚染除去効率を保持し、空気中の汚染物を捕集した水内の有機物を除去して水の汚染物捕集捕集効率を向上させる。
【０１０１】
本発明の望ましい実施形態によると、除去器形態を変形するか前記除去器の内部に水供給ノズルを設置して汚染除去効率を向上させることができる。
【０１０２】
本発明によると、湿式空調方式の汚染制御装置を半導体設備のような基板処理設備の空調システムに適用することで、設備内部の処理空間に各種汚染源（Ｏ３、ＮＨ３、ＳＯｘ、ＮＯｘ、有機物など）が効果的に遮断された清浄化空気を供給することができる。従って、各種汚染源による工程不良を予防して素子の数率及び信頼性を向上させ、周期的な交替が要求される高価の化学フィルターを使用しないことで工程安定化及び可動原価節減の効果を得ることができる。
【０１０３】
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を多様に修正及び変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】従来の水噴射システムの概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【図３】汚染制御装置に供給される水のｐＨ指数と汚染除去効率との関係を示したグラフである。
【図４】汚染制御装置に供給される水のｐＨ指数と汚染除去効率との関係を示したグラフである。
【図５】本発明の第２実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【図６】本発明の第２実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【図７】本発明の第２実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【図８】本発明の第３実施形態による汚染制御装置の概略図である。
【図９】本発明の第５実施形態による基板処理設備の空調システムを概略的に示した図面である。
【図１０】本発明の第６実施形態による基板処理設備の空調システムを概略的に示した図面である。
【図１１】本発明の第７実施形態による基板処理設備の空調システムを概略的に示した図面である。
【図１２】図１１のＢ部分を拡大した図面である。
【符号の説明】
【０１０５】
１００、１０５  噴射装置
１１０、１１５  除去器
１２０  貯蔵タンク
１２２  給気管
１２４  排水管
１２５  ポンプ
１３０  殺菌処理装置
１３５  ｐＨ測定器
１４０  ｐＨ調節装置
１４５  有機物除去装置
１５０、４１５、４５２  フィルター
１５５  供給ノズル
１６０  循環部
２００、３００、４５０  給気管
２０５、４３５  クリーンルームフィルター
２１０、３０５、４３０  給気管
２１５、４２０、４５４  ファン
２２０、３１０、４００  汚染制御装置
２２５、３１５  温度及び湿度調節装置
２３５、３２５  送出部
２３６、３２６  送出管
２４５、３２０  循環管
４０５  供給ダクト
４１０  乾燥機
４２５  温度調節ユニット景気
４６０  クリーンルーム
４６２  導入口
４６４  導入管
４８０  外気空調システム
【図１】
2004181455.tif 000003
【図２】
2004181455.tif 000004
【図３】
2004181455.tif 000005
【図４】
2004181455.tif 000006
【図５】
2004181455.tif 000007
【図６】
2004181455.tif 000008
【図７】
2004181455.tif 000009
【図８】
2004181455.tif 000010
【図９】
2004181455.tif 000011
【図１０】
2004181455.tif 000012
【図１１】
2004181455.tif 000013
【図１２】
2004181455.tif 000014