(57)【要約】【課題】外部応力の緩和が可能で、且つ位置決めが容易な積層パッケージを備えたセンサ装置を提供すること。【解決手段】基部５と当該基部５の周縁の枠部積層領域５ａに積層された枠部６からなる凹形状の積層パッケージ２と、枠部６形成面側の基部５のセンサチップ搭載領域５ｂ上に搭載されるセンサチップ３とを備えたセンサ装置１であって、基部５を構成するパッケージ形成用基板２ｂのセンサチップ搭載領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間を、連結部７によって連結することにより、連結部非形成領域９における基部５を薄肉部８とした。本センサ装置１は、積層パッケージ２に薄肉部８を備えるので、外部応力を当該薄肉部８にて吸収でき、センサチップ搭載領域５ｂが枠部積層領域５ａと連結部７により連結されているので、パッケージ形成用基板の位置決めが容易である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２層のパッケージ形成用基板を積層した基部及び当該基部の周縁部に、少なくとも１層の枠状に形成されたパッケージ形成用基板を積層した枠部とから構成される凹形状の積層パッケージと、
前記枠部の形成面側において、前記積層パッケージの基部上に搭載されるセンサチップとを備えるセンサ装置において、
前記基部を構成する少なくとも１層のパッケージ形成用基板が、前記センサチップが搭載された搭載領域と、前記枠部を積層した枠部積層領域との間において、少なくとも１本の連結部として構成されることにより、当該連結部の非形成領域における基部の厚さが、前記センサチップの搭載領域における基部の厚さよりも薄く形成されることを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
前記連結部は、前記センサチップの搭載領域に対して対称となる位置に複数本形成されることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記センサチップは、所定の方向に検出軸を有し、当該検出軸方向に前記連結部の非形成領域が位置するように、前記センサチップが前記基部に搭載されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記センサチップの搭載領域に対して対称位置に形成された連結部を結んだ連結部軸と、前記センサチップの検出軸との間でなす角度が最大となるように、前記連結部が形成されることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載のセンサ装置。
【請求項５】
少なくとも２層のパッケージ形成用基板を積層した基部及び当該基部の周縁部に、少なくとも１層の枠状に形成されたパッケージ形成用基板を積層した枠部とから構成される凹形状の積層パッケージと、
前記枠部の形成面側において、前記積層パッケージの基部上に搭載されるセンサチップとを備えるセンサ装置において、
前記センサチップが搭載されたパッケージ形成用基板の下層に、前記センサチップが搭載された搭載領域よりも面積が大きく、且つ当該搭載領域と中心点が略同一である中心孔が形成された少なくとも１層のパッケージ形成用基板を備えることを特徴とするセンサ装置。
【請求項６】
前記パッケージ形成用基板は、セラミックからなることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項に記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層パッケージにセンサチップを収納したセンサ装置に関し、特に積層パッケージの応力緩和構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、センサチップは、凹形状を有するパッケージの当該凹部内に収納され、センサ装置として実用に供されている。このパッケージに印加された外力を緩和する例として、特許文献１に記載された半導体圧力センサがある。
【０００３】
この半導体圧力センサのパッケージは、センサチップを支持する台座が接着される近傍に薄肉の外力遮断部を備えている。従って、この半導体圧力センサは、パッケージに外力が印加されても、当該外力遮断部にて外力を吸収することで、センサチップへの外力の伝達を緩和することができ、精度良く圧力測定を行うことができる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１４４８０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に示された外力遮断部は、パッケージが樹脂材料であれば、パッケージ形成型を加工することで容易に形成することができる。しかしながら、耐熱性等に優れるセラミックを材料とする場合、複数のセラミック基板を積層し、焼成することによりパッケージが形成されるので、焼成後のセラミックを削り取り、上述の外力遮断部を形成することは困難である。
【０００６】
また、センサチップを搭載するセラミック基板にセンサチップを搭載する搭載領域を囲むように貫通孔を形成した後、積層・焼成することによって薄肉の外力遮断部を有するパッケージを形成することができる。しかしながら、この場合、センサチップを搭載する搭載領域が貫通孔によりセラミック基板の周縁部と遮断されているので、搭載領域が孤立した状態となり、焼成前に搭載領域のみ別途位置決めを行わなければならないという問題がある。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑み、外部応力の緩和が可能で、且つ位置決めが容易な積層パッケージを備えたセンサ装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に請求項１に記載のセンサ装置は、少なくとも２層のパッケージ形成用基板を積層した基部及び当該基部の周縁部に、少なくとも１層の枠状に形成されたパッケージ形成用基板を積層した枠部とから構成される凹形状の積層パッケージと、枠部の形成面側において、積層パッケージの基部上に搭載されるセンサチップとを備える。そして、基部を構成する少なくとも１層のパッケージ形成用基板が、センサチップが搭載された搭載領域と、枠部を積層した枠部積層領域との間において、少なくとも１本の連結部として構成されることにより、当該連結部の非形成領域における基部の厚さが、センサチップの搭載領域における基部の厚さよりも薄く形成されることを特徴とする。
【０００９】
このように、パッケージの基部を構成する少なくとも１層のパッケージ形成用基板に、連結部が形成されると、当該連結部の非形成領域における基部の厚さが、センサチップの搭載領域における基部の厚さよりも薄くなる。従って、外部応力がパッケージに印加されても、他の基部よりも機械的強度が弱い薄肉の連結部非形成領域における基部にて応力を吸収することができるので、センサチップに伝達される応力が緩和される。すなわち、外部応力が印加されても、センサチップは精度良く被検出対象を検出することができる。
【００１０】
また、連結部によって、センサチップの搭載領域と枠部積層領域とが連結されており、パッケージ用形成基板の積層時に、センサチップ搭載領域を別途位置決めする必要が無いので、位置決めが容易である。
【００１１】
請求項２に記載のように、連結部は、センサチップの搭載領域に対して対称となる位置に複数本形成されると良い。このように連結部が対象位置に形成されると、対称位置の連結部がセンサチップを挟んでほぼ同一直線状となるため、センサチップを搭載した搭載領域が枠部積層領域に安定して連結される。
【００１２】
請求項３に記載のように、センサチップは、所定の方向に検出軸を有し、当該検出軸方向に連結部の非形成領域が位置するように、センサチップが基部に搭載されることが好ましい。このように、被検出対象を検出する検出軸方向に連結部の非形成領域が形成されていれば、検出軸方向に外部応力が印加されても、薄肉の連結部非形成領域における基部にて応力を吸収できる。従って、センサチップは精度良く被検出対象を検出することができる。
【００１３】
請求項４に記載のように、センサチップの搭載領域に対して対称位置に形成された連結部を結んだ連結部軸と、センサチップの検出軸との間でなす角度が最大となるように、連結部が形成されると良い。このように連結部が形成されると、センサチップの検出軸方向に外部応力が印加された場合、外部応力を受ける薄肉の連結部非形成領域における基部の箇所に対して、対称、且つ、もっとも遠い位置に連結部が位置することとなる。従って、薄肉の連結部非形成領域における基部にて最も効率良く応力を吸収することができる。
【００１４】
請求項５に記載のセンサ装置は、少なくとも２層のパッケージ形成用基板を積層した基部及び当該基部の周縁部に、少なくとも１層の枠状に形成されたパッケージ形成用基板を積層した枠部とから構成される凹形状の積層パッケージと、枠部の形成面側において、積層パッケージの基部上に搭載されるセンサチップとを備える。そして、センサチップが搭載されたパッケージ形成用基板の下層に、センサチップが搭載された搭載領域よりも面積が大きく、且つ当該搭載領域と中心点が略同一である中心孔が形成された少なくとも１層のパッケージ形成用基板を備えることを特徴とする。
【００１５】
センサチップが搭載されたパッケージ形成用基板の下層に、このような中心孔が形成されれば、中心孔の形成領域における基部の厚さが中心孔の非形成領域における基部の厚さよりも薄くなる。このとき、センサチップの搭載領域の周囲を囲むように薄肉の中心孔形成領域における基部が存在する。従って、外部応力がパッケージに印加されても、センサチップの搭載領域の周囲を囲むように形成された薄肉の中心孔形成領域における基部において応力を吸収することができるので、センサチップに伝達される応力を緩和できる。
【００１６】
また、パッケージ形成用基板は、請求項６に記載のように、セラミックを材料として形成されても良い。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態におけるセンサ装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面における断面図を示す。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、本実施の形態におけるセンサ装置１は、凹形状を有する積層パッケージ２内に、例えば加速度の検出が可能なセンサチップ３、及び当該センサチップ３と電気的に接続された回路チップ４を収納した構造を有している。また、回路チップ４は、積層パッケージ２の層内に形成された図示されない配線及び層間接続ビアを介して積層パッケージ２の外部と電気的に接続される。ここで、図１において回路チップ４を配置する例を示したが、本実施の形態は回路チップ４の有無に左右されるものではない。回路チップ４はセンサチップ３とまとめて取り扱われるものとする。尚、センサ装置１の凹形状の上面には、図示されない蓋が接着されている。
【００１９】
積層パッケージ２は、グリーンシート状のセラミック材料からなるパッケージ形成用基板２ａ〜２ｅを積層し焼成することで一体化されたパッケージであり、セラミック材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）、窒化アルミニウム等が用いられる。また、各パッケージ形成用基板２ａ〜２ｅは、略同一の矩形状の外形を有し、積層パッケージ２は、パッケージ形成用基板２ａ，２ｂからなる基部５と、当該基部５の周縁部である枠部形成領域５ａに積層された四角枠形状を有するパッケージ形成用基板２ｃ〜２ｅからなる枠部６とにより構成されている。尚、本実施の形態において、枠部６を構成するパッケージ形成用基板２ｃ〜２ｅは、全て略同一の形状を有しているが、外形形状が略同一であれば、夫々の形状が異なっても良い。また、図１（ｂ），（ｃ）に示されるように、本実施の形態における積層パッケージ２は５層構造となっているが、基部５が２層以上から形成され、枠部６が１層以上から形成されていれば良い。
【００２０】
パッケージ形成用基板２ａ，２ｂにより構成される基部５は、図１（ｂ），（ｃ）に示されるように、センサチップ３の搭載されるパッケージ形成用基板２ｂが所定の形状に加工され、その下層であるパッケージ形成用基板２ａは形状が略矩形に形成されている。また、基部５は、基部５の周縁部において枠部６を搭載する枠部積層領域５ａと、センサチップ３（回路チップ４）を搭載するセンサチップ搭載領域５ｂとの間に、図１（ｃ）で示される連結部７と図１（ｂ）で示される薄肉部８とを備えている。尚、本実施の形態において、センサチップ搭載領域５ｂにおけるセンサチップ３（回路チップ４）の搭載面の面積が、センサチップ３（実際には回路チップ４）の搭載面積よりも少し大きく形成されていが、必ずしもこの形態に限定されるものではない。従って、センサチップ搭載領域５ｂのセンサチップ３（回路チップ４）との接触面の面積が、センサチップ３（回路チップ４）の表面の面積と略同等か、それより小さくても良い。
【００２１】
ここで、基部５におけるセンサチップ搭載領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間に形成された連結部７及び薄肉部８について図１（ｂ）、（ｃ）、及び図２を用いて説明する。尚、図２は、パッケージ形成用基板２ｂの平面図である。
【００２２】
図２に示されるように、センサチップ３が搭載されるパッケージ形成用基板２ｂは、センサチップ３（回路チップ４）が搭載される略矩形状のセンサチップ搭載領域５ｂと、枠部６が搭載される枠部積層領域５ａと、センサチップ搭載領域５ｂの４隅の角部と、枠部形成領域５ａとを連結する４つの連結部８を有している。このとき、４つの連結部８は、センサチップ搭載領域５ｂに対して対称な位置に配置される２組の連結部８から構成されており、対称位置に配置される２つの連結部７を結んだ２組の連結部が略直交している。従って、連結部７はセンサチップ搭載領域５ｂに対して対称的な位置に配置されている。そして、センサチップ搭載領域５ｂと枠部形成領域５ａとの間には、連結部７間の基板２ｂが除去された４つの連結部非形成領域９が形成されている。尚、パッケージ形成用基板２ｂにおける連結部７と連結部非形成領域９は、基板の積層前に予め機械的加工により形成される。
【００２３】
このように形成されたパッケージ形成用基板２ｂを用いて形成された積層パッケージ２の基部５には、図１（ｂ）に示されるように、連結部非形成領域９における基部５の厚さが、センサチップ搭載領域５ｂにおける基部５の厚さよりも薄い薄肉部８が形成される。この薄肉部８は、他の基部５よりも機械的強度が弱いので、外部応力が印加されると、当該薄肉部８が変形し応力を吸収・緩和することができる。従って、本実施の形態におけるセンサ装置１の積層パッケージ２に外部応力が印加されても、基部５のセンサチップ搭載領域５ｂ上に搭載されたセンサチップ３（回路チップ４）に応力が伝達される前に、基部５の薄肉部８にて応力が吸収・緩和されるので、センサチップ３は精度良く被検出対象を検出することができる。
【００２４】
また、連結部７がセンサチップ搭載領域５ｂに対して対称位置に配置されているので、外部応力が印加されても、薄肉部９は安定して変形でき、応力を吸収・緩和することができる。
【００２５】
さらに、図１（ｃ），図２に示されるように、パッケージ形成用基板２ｂのセンサチップ搭載領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間は、４つの連結部によって連結されている。従って、センサチップ搭載領域５ｂを別途位置決めする必要が無いので、パッケージ形成用基板２ａ〜２ｅの位置決めが容易である。
【００２６】
また、上述の結果は、シミュレーションによっても確認がなされており、例えば−４０℃から８５℃の範囲における熱応力解析の結果、積層パッケージ２の基部５において、センサチップ搭載領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間に連結部７及び薄肉部８が無い場合に比べて、連結部７及び薄肉部８を設けた場合の方が、センサチップ３表面の反り（換言すると伝達された応力）が減少することが確認された。特に、パッケージ形成用基板２ｂの平面方向において、連結部７の面積が薄肉部８を形成する連結部非形成領域９面積の略２０％以下であると、センサチップ３表面の反りが減少した。従って、連結部７を連結部非形成領域９に対して、センサチップ３の搭載領域５ｂを安定に保持可能な範囲で、できる限り細く形成すると、薄肉部８が外部応力を受けて変形しやすく、又薄肉部８の形成領域も増加し吸収できる外部応力の印加方向の範囲が増加するので、好ましい。
【００２７】
次に、本実施の形態の特徴の１つであるセンサチップ３の検出軸と基部５の連結部７との配置について図１（ａ）を用いて説明する。
【００２８】
上述したように、基部５を構成するパッケージ形成用基板２ｂに形成された連結部７は、図１（ａ）に示されるように略矩形状のセンサチップ搭載領域５ｂの４隅の角部と枠部積層領域５ａの４隅の角部との間を連結している。ここで、センサチップ３は直交する２つの検出軸（矢印方向）を有し、その検出軸方向には基部５の薄肉部８が配置されている。従って、センサチップ３の検出軸方向に外部応力が印加されても、センサチップ３に伝達される前に、センサチップ搭載領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間に形成された薄肉部８にて応力を吸収・緩和することができるので、センサチップ３は被検出対象を精度良く検出することができる。
【００２９】
また、センサチップ搭載領域５ｂに対して対称位置に配置される２つの連結部７を結んで形成される２組の連結部軸と、センサチップ３の検出軸との間でなす角度が、最大となるようにセンサチップ３が積層パッケージ２の基部５におけるセンサチップ搭載領域５ｂに搭載されている。本実施の形態においては、２つの検出部軸が、センサチップ３の直交する２つの検出軸（図１（ａ）の矢印方向）の各々に対して略４５度の角度を持つように、センサチップ３がセンサチップ搭載領域５ｂ上に搭載されている。
【００３０】
センサチップ３の２つの検出軸方向に夫々外部応力が印加された場合、外部応力を受けた薄肉部８の部分に対して、当該薄肉部８を区分する２つの連結部７が対称構造を有し、且つ、最も遠い配置となる。従って、薄肉部９は検出軸方向に印加された外部応力を安定した状態で効率良く吸収することができる。このように、センサチップ搭載領域５ｂに対して対称位置に配置された２つの連結部を結んだ連結部軸とセンサチップ３の検出軸とがなす角が最大となるように、予めパッケージ形成用基板２ｂに連結部７が形成する。そして、積層パッケージ２が形成された後、連結部軸と検出軸とがなす角が最大となるように、センサチップ３を基部５のセンサチップ搭載領域５ｂ上に搭載すればよい。
【００３１】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態を図３に基づいて説明する。尚、図３は本実施の形態におけるセンサ装置１の平面図である。
【００３２】
第２の実施の形態におけるセンサ装置１は、第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００３３】
第２の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、センサチップ３が１軸検出であり、積層パッケージ２の基部５に２つの連結部７を設けた点である。
【００３４】
図３に示すように、積層パッケージ２の基部５を構成するパッケージ形成用基板２ｂに、センサチップ３の搭載領域５ｂに対して対称となるように２つの連結部７を形成し、連結部７以外のセンサチップ形成領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間の基板２ｂを除去し、連結部非形成領域９とした。
【００３５】
ここで、本実施の形態におけるセンサチップ３は、図３に示される矢印方向に検出軸１０を有しており、当該検出軸１０と上述の２つの連結部７同士を結んだ連結部軸１１とがなす角度が最大である略９０度の角度をもつように積層パッケージ２の基部５上に配置されている。このとき、センサチップ３の検出軸１０方向には、パッケージ形成基板２ｂの非形成領域８、すなわち、基部５の薄肉部８が配置されている。
【００３６】
従って、本実施の形態におけるセンサ装置１も、センサチップ３の検出軸１０方向に印加された外部応力を、積層パッケージ２の基部５に形成された薄肉部８にて吸収・緩和することができるので、センサチップ３が精度良く非検出対象を検出することができる。
【００３７】
また、センサチップ３の検出軸１０と２つの連結部７同士を結んだ連結部軸１１とがなす角度が最大である略９０度を有しているので、センサチップ３の検出軸１０の上下いずれの方向から外部応力が印加されても、２つの連結部７は、検出軸上にある薄肉部８に対して、対称、且つ、最も遠い位置に配置されることとなる。従って、安定したい状態で薄肉部８が最も効率良く外部応力を吸収・緩和することができる。
【００３８】
尚、第１，２実施形態において、連結部７と連結部非形成領域９とを、基部５のパッケージ形成基板２ｂに設ける例を示したが、その下層であるパッケージ形成領域２ａに設けても良い。
【００３９】
さらに、連結部７と連結部非形成領域９は、基部５を構成するパッケージ形成領域２ｂの１層にのみに形成される例を示したが、基部５が３層以上から構成される場合には、複数層に渡って形成されても良い。
【００４０】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態を図４に基づいて説明する。尚、図４は本実施の形態におけるセンサ装置１を示し、（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面に対応した断面図、（ｂ）はパッケージ２の最下層であるパッケージ形成用基板２ａの平面図である。
【００４１】
第３の実施の形態におけるセンサ装置１は、第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。
【００４２】
第３の実施の形態において、第１の実施の形態と異なる点は、積層パッケージ２の基部５の内、センサチップ３を搭載したパッケージ形成用基板２ｂの下層であるパッケージ形成用基板２ａに中心孔を設けた点である。
【００４３】
図４（ａ）に示すように、積層パッケージ２の基部５を構成するパッケージ形成基板２ａ，２ｂの内、センサチップ３（回路チップ４）が搭載されるパッケージ形成用基板２ｂの下層であるパッケージ形成用基板２ａに中心孔１２を形成した。
【００４４】
この中心孔１２は、図４（ｂ）に示されるように、基部５の平面方向おいて、センサチップ搭載領域５ｂの面積（図４（ｂ）の破線で囲まれた部分）よりも大きな面積を有している。また、中心孔１２の中心点が、センサチップ搭載領域５ｂの中心点と略同一の位置となるように、中心孔１２が形成されている。従って、積層パッケージ２の基部５において、センサチップ搭載領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間に、センサチップ搭載領域５ｂを囲むように中心孔１２の一部が配置されるので、図４（ａ）で示される薄肉部８が形成されることとなる。
【００４５】
このように、本実施の形態におけるセンサ装置１も、積層パッケージ２に外部応力が印加された際、当該パッケージ２の基部５に形成された薄肉部８にて応力を吸収することができるので、センサチップ３が被検出対象を精度良く検出することができる。
【００４６】
また、本実施の形態おけるセンサ装置１は、積層パッケージ２の基部５を構成するパッケージ形成用基板２ａに中心孔１２を設けることによって、薄肉部８を形成している。従って、センサチップ搭載領域５ｂを別途位置決めする必要が無いので、パッケージ形成用基板２ａ〜２ｅの位置決めが容易である。
【００４７】
また、本実施の形態におけるセンサ装置１は、基部５に連結部７が形成されておらず、センサチップ搭載領域５ｂの全周囲を囲むように薄肉部８が形成されているので、当該薄肉部８にて、あらゆる角度からの外部応力を吸収・緩和することができる。
【００４８】
尚、本実施の形態において、基部５はパッケージ形成用基板２ａ，２ｂの２層から構成され、中心孔１２はセンサチップ３の搭載されるパッケージ形成用基板２ｂの下層であるパッケージ形成用基板２ａに形成される例を示した。しかしながら、基部５が３層以上から構成される場合には、センサチップ３の搭載されるパッケージ形成用基板よりも下層の少なくとも１層のパッケージ形成用基板に中心孔１２が形成されれば良い。さらに、複数のパッケージ形成用基板に中心孔１２が形成されても良い。要は、センサチップ３が搭載されるパッケージ形成用基板よりも下層のパッケージ形成用基板に中心孔１２が形成され、それにより、基部５のセンサチップ搭載領域５ｂと枠部積層領域５ａとの間に薄肉部８が形成されれば良い。
【００４９】
以上本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態のみに限定されず、種々変更して実施する事ができる。
【００５０】
本実施の形態において、パッケージ形成用基板の材料としてセラミックを示したが、樹脂材料を用いても良い。
【００５１】
尚、本実施の形態において、センサチップの検出軸１本につき、連結部を２本形成する例を示したが、これに限定されるものではない。センサチップ搭載領域と枠部積層領域との間が、少なくとも１本の連結部により連結されれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるセンサ装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面における断面図である。
【図２】連結部の形成されたパッケージ形成用基板の平面図である。
【図３】第２の実施の形態におけるセンサ装置の平面図である。
【図４】第３の実施の形態におけるセンサ装置を示し、（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面に対応した断面図、（ｂ）は中心孔が形成されたパッケージ形成用基板の平面図である。
【符号の説明】
１・・・センサ装置、
２・・・積層パッケージ、
２ａ〜２ｅ・・・パッケージ形成用基板、
３・・・センサチップ、
５・・・基部、
５ａ・・・枠部積層領域、
５ｂ・・・センサチップ搭載領域、
６・・・枠部、
７・・・連結部、
８・・・薄肉部、
９・・・連結部非形成領域、
１０・・・検出軸、
１１・・・連結部軸、
１２・・・中心孔
【図１】
2004191321.tif 000003
【図２】
2004191321.tif 000004
【図３】
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【図４】
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