(57)【要約】【課題】集積回路構造体の配線をベンゾトリアゾールの蒸着を用いて保護する方法を提供する。【解決手段】配線を有する集積回路構造体を形成し、そして前記配線の上に気化したベンゾトリアゾールを堆積する【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を有する集積回路構造体を形成し、そして前記配線の上に気化したベンゾトリアゾールを堆積することを行う、配線保護方法。
【請求項２】
第一表面を有する第一配線、及び
前記第一配線の第一表面上に形成されたベンゾトリアゾールの第一層で、前記第一配線の第一表面上へのベンゾトリアゾールの蒸着を用いて形成されたベンゾトリアゾールの第一層、
を具えた集積回路構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的にウエーハ製造中に銅配線（interconnect）を保護することに関し、特に胴配線を保護するためにベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を蒸着することに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、屡々一つ以上の金属化層に形成された銅配線を有する。そのような集積回路を形成するためのウエーハ製造工程中、湿潤した化学的又は熱的に激しい環境、又は酸素を含有する環境中で露出銅配線が酸化され、腐食されることがある。銅配線の酸化又は腐食を防ぐため、湿式浸漬技術を用いて銅配線の露出表面にベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）のフイルム又は被覆が屡々適用されている。ＢＴＡのフイルム又は被覆は屡々不均一で不連続的になり、そのため銅配線の表面の一部分しか保護できないことがある。
【０００３】
本発明の一つの態様によれば、配線を保護する方法を与える。その方法は、配線を有する集積回路構造体を形成し、その配線の上に、気化したベンゾトリアゾールを堆積することを含む。
【０００４】
別の態様により、集積回路構造体を与える。その集積回路構造体は、第一表面を有する第一配線、及び前記第一配線の第一表面上に形成されたベンゾトリアゾールの第一層を有する。ベンゾトリアゾールの第一層は、第一配線の第一表面上にベンゾトリアゾールの蒸着を用いて形成する。
【０００５】
更に別の態様に従い、配線を保護するための装置を与える。その装置は、配線を有する集積回路構造体を受け、その配線上に気化ベンゾトリアゾールを堆積することができるように操作することができる蒸着室を有する。
【０００６】
本発明の種々の態様は多くの利点による恩恵を受けることができる。一つ以上の態様が、下で論ずる利点の全て又は幾つかから、又はその他から恩恵を受けることができることに注意すべきである。
【０００７】
一つの利点は、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）が分子のクラスター（cluster）状態（液体状態のように）になっているよりも、むしろ蒸気状態で単分子状態で存在しているので、ＢＴＡの薄い均一で連続的なフイルム又は被覆を銅配線の外側表面上に形成することができることである。そのようなＢＴＡの薄く均一で連続的なフイルム又は被覆は、下にある銅配線の表面保護を向上させ、そのことは高品質ウエーハを製造するのに重要である。
【０００８】
別の利点は、蒸気状態でＢＴＡを適用することにより、従来の湿式浸漬技術と比較して、用いられるＢＴＡが遥かに少なくてよいことである。従って、ＢＴＡを用いることに伴われる好ましくない環境への影響を少なくすることができる。
【０００９】
更に別の利点は、蒸気状態のＢＴＡを適用することにより、エッチング停止窒化物（ＮＩＴ）堆積装置を保守点検する頻度を少なくすることができることである。湿式浸漬により形成されるＢＴＡ層は、屡々不均一で、従って均一に完全に除去するのが困難である。その結果、ＢＴＡ層を除去した後にウエーハに隣接してエッチング停止窒化物層を堆積する時、窒化物堆積室内でＢＴＡ残留物の凝縮が起きることがあり、そのため窒化物堆積室のクリーニングが屡々必要になる。このことは装置の停止時間を与える結果になる。これに対し、蒸気状態のＢＴＡを適用することにより形成される薄くて均一な連続的ＢＴＡ層は、均一且つ完全に極めて容易に除去し易い。そのため窒化物堆積室内のＢＴＡ凝縮が少なくなる結果になり、そのことは窒化物堆積室をクリーニングするのに必要な頻度を減少し、それにより装置の停止時間が減少する。
【００１０】
別の利点は、次の図面、記述、及び特許請求の範囲から当業者には容易に明らかになるであろう。
【００１１】
本発明の一層完全な理解及び更に別の特徴及び利点のために、図面に関連して行う次の記述を参照する。
【００１２】
図面の詳細な説明
本発明の例としての態様及びそれらの利点は、図面の図１〜７を次に参照することにより最もよく理解されるであろう。図中同じ番号は同様な部材を指す。
【００１３】
図１は、本発明の一つの態様に従い、集積回路又は集積回路の部品を製造する間の、集積回路構造体又はウエーハ１２を研磨、クリーニング、及びその上に気化ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を堆積するための装置１０を例示している。装置１０は、種々の機能又は処理を行うための多数の段階領域（例えば、タンク又は室のようなもの）を有し、それらには湿式タンク１４、化学的機械的平面化（ＣＭＰ）室１６、後−ＣＭＰクリーニング室１８、及び一つ以上の蒸着室２０が含まれる。段階領域１４、１６、１８、及び２０は、図１中別々に示されているが、そのような段階領域の一つ以上を少なくとも部分的に結合するか、又は更に分割してもよいことは理解されるべきである。
【００１４】
ウエーハ１２は、一つ以上の金属化層を有し、夫々の層が一つ以上の低Ｋ誘電体材料及び一つ以上の銅配線２２を有する。ウエーハ１２は、外側表面２４を有し、その表面は、製造工程の種々の部分中、周囲の環境に曝されていてもよい。外側表面２４の一部分は、銅配線２２の一つ以上の外側又は露出表面２６を有する。ウエーハ１２の外側表面２４は、種々の製造工程が行われ、追加の金属化層がウエーハ１２に追加されて行くに従って、製造工程全体に亙って変化していくことがあることは理解されるべきである。
【００１５】
図２は、ウエーハ１２の一部分の断面の例を示している。ウエーハ１２は、第一誘電体材料２８によって覆われたトランジスタ構造体２７、及び第二誘電体材料３１中に形成された銅配線２２を有する第一金属化層２９を有する。上で述べたように、ウエーハ１２は外側表面２４を有し、その一部分は銅配線２２の外側表面２６を含んでいる。
【００１６】
図１に返って、ウエーハ１２を湿式タンク１４中へ入れてもよく、そのタンクには液体又は溶融状態のベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）溶液が入っている。一つの態様として、湿式タンク１４には、脱イオン水によって希釈されたＢＴＡが入っている。湿式タンク１４の中で、ウエーハ１２の外側表面２４にＢＴＡが適用されてもよい。
【００１７】
ウエーハ１２はＣＭＰ室１６へ送られ、そこで化学的機械的平面化（ＣＭＰ）工程が行われ、ウエーハ１２の外側表面２４を研磨する。ＣＭＰ工程の少なくとも一部分中、ＣＭＰ室１６内でＢＴＡ溶液がウエーハ１２に適用されてもよい。次にウエーハ１２を湿式タンク１４へ送り返し、そこで液体ＢＴＡ溶液の新しい層をウエーハ１２の外側表面２４に適用してもよい。
【００１８】
次にウエーハ１２を、後−ＣＭＰクリーニング室１８へ送り、そこでウエーハ１２をクリーニングして種類の残留物、例えば、スラー残留物及び金属汚染物のようなものを除去する。そのようなクリーニング工程は、例えば、クエン酸クリーニング（citric clean）（ＣＩＴ）法のような種々の後−ＣＭＰフード（hood）クリーニング法のいずれかからなっていてもよい。
【００１９】
次にウエーハ１２を一つ以上の蒸着室２０へ送る。或る態様では、図１に示した態様のように、唯一つの蒸着室２０を用いて気化イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）３０を適用するのみならず、ウエーハ１２の外側表面２４に気化ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）３２を適用する。一つの態様として、ＩＰＡ蒸気３０及びＢＴＡ蒸気３２を同時にウエーハ１２に適用してもよい。
【００２０】
幾つかの態様では、ＩＰＡ蒸気３０を用いた低圧乾式（ＬＰＤ）法を、ＩＰＡ蒸気３０にＢＴＡ蒸気３２を添加してウエーハ１２に対して行う。そのような一つの態様として、蒸着室２０は回転乾燥機を有する。
【００２１】
図１に示したような態様の例では、ＩＰＡ蒸気３０を、ＩＰＡ室３４から蒸着室２０へ入れ、ＢＴＡ蒸気３２をＢＴＡ室３６から蒸着室２０へ入れる。ＩＰＡ室３４には液体ＩＰＡが入っており、それを加熱してＩＰＡ蒸気を形成する。ＩＰＡ蒸気は、例えばアルゴン、窒素、及び／又はヘリウムのような一種類以上の不活性キャリヤーガスにより蒸着室２０中へ運び込むことができる。
【００２２】
同様に、ＢＴＡ室３６には液体ＢＴＡが入っており、それを加熱してＢＴＡ蒸気を形成する。ＢＴＡ蒸気は、例えばアルゴン、窒素、及び／又はヘリウムのような一種類以上の不活性キャリヤーガスにより蒸着室２０へ運び込むことができる。ＢＴＡ室３６及びＢＴＡ蒸気３２を生成するための種々の装置及び方法は、図３に関連して下で一層詳細に論ずる。
【００２３】
図３は、本発明の一つの態様に従い、図１で矢印Ａで示したように、ＢＴＡ蒸気３２を形成制御して蒸着室２０中へ送り込むための装置５０を例示している。装置５０は、ＢＴＡ室３６、ＢＴＡ貯槽５２、ガス導管５４、及び多数の圧力調節機５６、流量調節機５８、不可逆バルブ６０、圧力解放バルブ６２、スロットルバルブ６３、及び制御バルブ６４を有する。
【００２４】
ＢＴＡ室３６は、液体（溶融）ＢＴＡ６６を加熱し、それにより気化してＢＴＡ蒸気３２を形成するように操作することができる。ＢＴＡ室３６には、ＢＴＡ室３６内の液体ＢＴＡ６６の温度を測定及び／又は制御するように操作することができる温度回路７２を有し、ＢＴＡ室３６内のＢＴＡ蒸気３２の気化速度、濃度、及び／又はＢＴＡ室３６内の圧力を制御するようになっている。或る態様では、ＢＴＡ室３６を、５０〜３００℃の範囲内の特定の温度へ加熱することができる。一つの態様として、ＢＴＡ室３６の温度は、ＢＴＡ室３６内の他のガスに対し、ＢＴＡ蒸気３２の希望の濃度が得られるように調節することができる。
【００２５】
一種類以上のキャリヤーガス６８（例えば、アルゴン、窒素、及び／又はヘリウムのようなもの）を、経路７０を通ってＢＴＡ室３６中へ導入する。キャリヤーガス６８は、ＢＴＡ室３６内のＢＴＡ蒸気３２を取り込み、即ち蒸気として運び、経路７４を通って蒸着室２０の方へＢＴＡ蒸気３２を運ぶ。一つの態様として、キャリヤーガス６８は、ＢＴＡ室３６内の液体ＢＴＡ６６に気泡として通し、ＢＴＡ蒸気３２を取り込み、即ち蒸気として運ぶ。キャリヤーガス６８とＢＴＡ蒸気３２との組合せが、併合ガス（combined gas）７６として図３に示されている。付加的キャリヤーガス６８を、併合ガス７６内のＢＴＡ蒸気３２の濃度を希釈するか、さもなければ調節するために、経路７８を通って併合ガス７６内へ導入してもよい。併合ガス７６は、経路７８に沿って蒸着室２０（図１参照）の方へ、図３の矢印Ａで示したように流れるようにしてもよい。
【００２６】
排出管８０及び８２をＢＴＡ室３６に結合し、ＢＴＡ蒸気３２、キャリヤーガス６８、又は併合ガス７６をＢＴＡ室３６から排出し、ＢＴＡ室３６内の温度又は圧力を制御又は調節するようにしてもよい。例えば、排出管８０及び／又は８２は、ＢＴＡ室３６内の他のガス（例えば、キャリヤーガス６８のようなもの）に対しＢＴＡ蒸気３２の希望の濃度が得られるように用いることができる。図１に示したように、ポンプ８３を排出管８２に結合し、ＢＴＡ室３６から蒸気又はガスをポンプで排出する。
【００２７】
ＢＴＡ貯槽５２は、液体（溶融）ＢＴＡ６６及び／又はＢＴＡ蒸気３２を貯蔵するように操作することができる。一種類以上のキャリヤーガス６８を、経路８４を通ってＢＴＡ貯槽５２中へ導入してもよい。キャリヤーガス６８は、ＢＴＡ室３６に関連して上で述べたように、ＢＴＡ貯槽５２内のＢＴＡ蒸気３２を取り込み、即ち蒸気として運び、併合ガス７６を形成するようにしてもよい。例えば、一つの態様として、キャリヤーガス６８をＢＴＡ貯槽５２中で液体ＢＴＡ６６に気泡として通し、ＢＴＡ蒸気３２を取り込み、即ち蒸気として運ぶようにする。
【００２８】
ＢＴＡ貯槽５２をＢＴＡ室３６に結合し、経路８６を通って液体ＢＴＡ６６、ＢＴＡ蒸気３２、及び／又は併合ガス７６をＢＴＡ室３６へ送り、ＢＴＡ室３６に液体ＢＴＡ６６を補充するか、又は例えばＢＴＡ室３６内のＢＴＡ蒸気３２の濃度を制御又は調節するように操作することができる。一つの態様として、液体ＢＴＡ６６及び／又はＢＴＡ蒸気３２を、ＢＴＡ貯槽５２とＢＴＡ室３６との間に通し、ＢＴＡ室３６内に希望の濃度のＢＴＡ蒸気３２が得られるようにしてもよい。
【００２９】
ＢＴＡ室３６と同様に、ＢＴＡ貯槽５２を加熱してもよく、気化速度、ＢＴＡ貯槽５２内のＢＴＡ蒸気３２の濃度、及び／又はＢＴＡ貯槽５２内の圧力を制御するために温度を制御してもよい。或る態様として、ＢＴＡ貯槽５２は、５０〜３００℃の範囲内で特定の温度へ加熱することができる。
【００３０】
ＢＴＡ貯槽５２は、ＢＴＡ室３６内の液体ＢＴＡ６６及び／又はＢＴＡ蒸気３２が予め定められたレベルよりも低く落ちた場合にはＢＴＡ室３６を自動的に再充填するように、又はＢＴＡ室３６内の液体ＢＴＡ６６及び／又はＢＴＡ蒸気３２が予め定められたレベルより低く落ちないように操作することができる。
【００３１】
或る態様では、全てのガス導管５４及びキャリヤーガス６８を加熱して、ガス導管５４内のＢＴＡ蒸気３２が液相へ凝縮しないようにするため加熱する。
【００３２】
図１〜３に関連して上で述べたように、ウエーハ１２の外側表面２４にＢＴＡ蒸気３２を適用することにより、液体ＢＴＡを外側表面２４に適用する場合と比較して、幾つかの利点が得られる。第一に、ＢＴＡの蒸着は、液体ＢＴＡをウエーハ１２へ適用した場合と比較して、銅配線２２の露出表面２６上に一層連続的で、一層均一なＢＴＡフイルムを与える。
【００３３】
例えば、図４は、慣用的「湿式浸漬」技術を用いて、ウエーハ１２に液体ＢＴＡを適用する場合を例示している。液体状態では、ＢＴＡ分子９０は分子クラスター９２を形成しているのが自然である。分子クラスター９２は、銅配線２２の露出表面２６に、不均一で非連続的な仕方で付着する。更に、分子クラスター９２は、他の分子クラスター９２が露出表面２６へ付着するのを妨げるような仕方で露出表面２６に付着し、それにより露出表面２６の一部分を、ＢＴＡ分子により覆われていないままにする結果を与える。
【００３４】
図５は、図１及び３に関連して上で述べたように、ＢＴＡの蒸着、換言すればＢＴＡ蒸気３２の適用を例示している。図５に示したように、ＢＴＡは、蒸気状態では個々の分子９０として存在する。従って、ＢＴＡ蒸気３２をウエーハ１２に適用すると、個々のＢＴＡ分子９０が銅配線２２の露出表面２６に付着し、それにより薄くて均一な連続的ＢＴＡフイルム又は被覆９４を与える結果になる。そのような薄い均一で連続的なＢＴＡ被覆９４は、銅配線２２の表面保護を増大し、そのことは欠陥が殆どなく、腐食も殆どない高品質のウエーハ１２を製造するのに重要である。
【００３５】
更に、蒸気状態でＢＴＡを適用することにより、従来の湿式浸漬技術と比較して、用いられるＢＴＡは遥かに少なくてよい。従って、ＢＴＡの使用に伴われる好ましくない環境への影響は減少することができる。
【００３６】
また、蒸気状態でＢＴＡを適用すると、エッチング停止層（例えば、窒化珪素（ＮＩＴ）、炭化珪素、又はその他のもののような層）の堆積工具を保守点検する頻度を少なくすることができる。エッチング停止層をウエーハ１２の外側表面２４の上に堆積する場合には、外側表面２４上に堆積されたＢＴＡ層又はフイルムは、例えば、スパッタリング法を用いるなどして最初に除去しなければならない。エッチング停止層を適用するためにはウエーハ１２を堆積室中へ入れる。もし液体ＢＴＡを用いてＢＴＡフイルムを適用するならば、ＢＴＡの凝縮又はスパッターされたＢＴＡ残留物が、そのエッチング停止層の堆積中、不均一ＢＴＡの除去により窒化物堆積室内で生ずることがある。そのような凝縮物又はスパッターされた残留物は、エッチング停止堆積室から屡々奇麗に除去されなければならず、それは装置の過度の停止時間をもたらすことになる。
【００３７】
しかし、蒸気状態のＢＴＡを適用することにより形成された外側表面２４上の薄くて均一な連続的ＢＴＡ被覆９４は、極めて一層容易に均一で完全に除去することができる。このことは、窒化物堆積室内のＢＴＡ残留物を少なくする結果になり、それによりエッチング停止堆積室をクリーニングするのに必要な頻度が減少し、それにより装置の停止時間が減少する。
【００３８】
図６は、本発明の別の態様に従い、ウエーハ１２を研磨し、クリーニングし、そしてその上に気化ベンゾトリアゾールを堆積するための装置１００を例示している。装置１００は、実質的に図１に示した装置１０と同様である。しかし、装置１００は、一対の蒸着室２０、即ち、ＩＰＡクリーニング工程を行うためのＩＰＡ蒸着室１０２及びウエーハ１２の外側表面２４の上にＢＴＡ蒸気３２を堆積するための別のＢＴＡ堆積室１０４を有する。或る態様では、ＩＰＡ蒸着室１０２は、低圧乾燥機又は回転乾燥機を有する。
【００３９】
ＩＰＡ蒸気３０は、ＩＰＡ室３４からＩＰＡ蒸着室１０２へ入れることができる。同様に、ＢＴＡ蒸気３２は、ＢＴＡ室３６からＢＴＡ蒸着室１０４中へ入れることができる。ＢＴＡ蒸気３２（又は併合ガス７６）を形成し、調節し、そして図３で矢印Ａにより示したように、ＢＴＡ蒸着室１０４へ送る。上で論じたように、ＩＰＡ蒸気３０及び／又はＢＴＡ蒸気３２は、例えばアルゴン、窒素、及び／又はヘリウムような一種類以上の不活性キャリヤーガスを用いて、夫々ＩＰＡ蒸着室１０２及びＢＴＡ蒸着室１０４中へ運び込むことができる。
【００４０】
図７は、本発明の更に別の態様に従い、ウエーハ１２を研磨し、クリーニングし、そしてその上にベンゾトリアゾール蒸気を堆積するための装置２００を例示している。装置２００は、図１及び６に示した装置１０及び１００と、夫々実質的に同じである。しかし、装置２００の蒸着室２０は、ＩＰＡ／ＢＴＡ蒸気形成室２０２からＩＰＡ蒸気３０とＢＴＡ蒸気３２の両方を受ける。上で論じたように、ＩＰＡ蒸気３０及び／又はＢＴＡ蒸気３２は、例えばアルゴン、窒素、及び／又はヘリウムのような一種類以上の不活性キャリヤーガスを用いて、蒸着室２０中へ運び込むことができる。
【００４１】
ＩＰＡ／ＢＴＡ蒸気形成室２０２は、蒸着室２０中へ送り込むＩＰＡ蒸気３０とＢＴＡ蒸気３２との両方を生成するように操作することができる。一つの態様として、ＩＰＡ／ＢＴＡ蒸気形成室２０２には、液体ＩＰＡ及び液体（溶融）ＢＴＡが入り、加熱してＩＰＡ蒸気３０及びＢＴＡ蒸気３２を形成する。別態様として、ＩＰＡ／ＢＴＡ蒸気形成室２０２は、加熱されたＩＰＡ蒸気３０及び／又は液体ＩＰＡが入っており、液体ＢＴＡを入れて、その溶液を加熱し、ＩＰＡ蒸気３０とＢＴＡ蒸気３２を形成する。更に別の態様として、ＩＰＡ／ＢＴＡ蒸気形成室２０２には、加熱されたＢＴＡ蒸気３２及び／又は液体ＢＴＡが入っており、液体ＩＰＡを入れて、その溶液を加熱し、ＩＰＡ蒸気３０及びＢＴＡ蒸気３２を形成する。
【００４２】
ウエーハ１２の外側表面２４上にＢＴＡ蒸気３２を適用するための上に記載した装置及び方法の幾つか又は全てを、ウエーハ１２の製造中、一つ以上の外側表面２４の上に１回以上適用することができることを理解すべきである。例えば、特定のウエーハは、配線２２が中に形成された金属化層を複数有し、そのようなウエーハの製造中、一つ以上のそのような金属化層の外側表面にＢＴＡ蒸気３２を適用することができる。このやり方で、製造工程中特定の時間露出される種々の金属化層内の銅配線２２の表面は、上で論じたように、ＢＴＡ蒸気３２を適用することにより形成されたＢＴＡ被覆９４により保護することができる。
【００４３】
本発明の態様及びそれらの利点を詳細に記述してきたが、特許請求の範囲により規定された本発明の本質及び範囲から離れることなく、当業者は種々の変更、追加、及び省略を行うことができるであろう。
【００４４】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する
【００４５】
（１）  配線を有する集積回路構造体を形成し、そして前記配線の上に、気化したベンゾトリアゾールを堆積することを行う、配線保護方法。
【００４６】
（２）  更に、気化したベンゾトリアゾールを不活性キャリヤーガスと一緒にし、然も、堆積工程が、前記一緒にした気化ベンゾトリアゾールと不活性キャリヤーガスを集積回路構造体上に適用することを含む、第１項記載の方法。
【００４７】
（３）  更に、液体ベンゾトリアゾールにキャリヤーガスを気泡として通し、気化ベンゾトリアゾールと前記キャリヤーガスとの組合せを形成し、然も、堆積工程が、前記一緒にした気化ベンゾトリアゾールとキャリヤーガスを集積回路構造体上に適用することを含む、第１項記載の方法。
【００４８】
（４）  更に、液体ベンゾトリアゾールを真空室中へ導入し、気化ベンゾトリアゾールを形成することを行う、第１項記載の方法。
【００４９】
（５）  更に、気化ベンゾトリアゾールを配線上に堆積する前に、
集積回路構造体に化学的機械的研磨（ＣＭＰ）クリーニング工程を行い、
前記集積回路構造体に液体ベンゾトリアゾールを適用し、そして
前記集積回路構造体上に後−ＣＭＰクリーニング工程を行う、
ことを含む、第１項記載の方法。
【００５０】
（６）  更に、気化イソプロピルアルコールを配線上に堆積することを行う、第１項記載の方法。
【００５１】
（７）  更に、液体ベンゾトリアゾールを、液体イソプロピルアルコールと一緒にし、
前記一緒にした液体ベンゾトリアゾールと液体イソプロピルアルコールとを加熱し、気化ベンゾトリアゾール及び気化ＩＰＡを形成し、そして
前記気化ベンゾトリアゾール及び気化イソプロピルアルコールを、配線上に堆積する、
ことを行う、第６項記載の方法。
【００５２】
（８）  気化ベンゾトリアゾールを、第一室中で配線上に堆積し、そして
気化イソプロピルアルコールを、第二室で前記配線上に堆積する、
第６項記載の方法。
【００５３】
（９）  第一表面を有する第一配線、及び
前記第一配線の第一表面上に形成されたベンゾトリアゾールの第一層で、前記第一配線の第一表面上へのベンゾトリアゾールの蒸着を用いて形成されたベンゾトリアゾールの第一層、
を具えた集積回路構造体。
【００５４】
（１０）  先ず、
第一金属化層で、その中に第一配線が形成されている第一金属化層、
第二金属化層、
前記第二金属化層内に形成された第二配線で、第一表面を有する第二配線、及び
前記第二配線の第一表面上に形成されたベンゾトリアゾールの第二層で、前記第二配線の前記第一表面上へのベンゾトリアゾールの蒸着を用いて形成されたベンゾトリアゾールの第二層、
を具えた、第９項記載の集積回路構造体。
【００５５】
（１１）  配線を保護する方法において、配線を有する集積回路構造体（１２）を形成し、そして気化ベンゾトリアゾール（３２）を前記配線上に堆積することを含む保護方法。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は、本発明の一つの態様による、ウエーハを研磨し、クリーニングし、その上にベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）の蒸気を堆積するための装置を例示する図である。
【図２】図２は、図１の装置により処理されるウエーハの部分的断面図を例示する図である。
【図３】図３は、図１に示した装置の蒸着室中へ送り込まれるＢＴＡ蒸気の形成及び制御のための装置の一例を例示する図である。
【図４】図４は、慣用的「湿式浸漬」技術を用いて、液体ＢＴＡをウエーハに適用する場合を例示する図である。
【図５】図５は、本発明の一態様に従い、ウエーハへのＢＴＡの蒸着を例示する図である。
【図６】図６は、本発明の別の態様に従い、ウエーハを研磨し、クリーニングし、その上にＢＴＡ蒸気を堆積するための装置を例示する図である。
【図７】図７は、本発明の更に別の態様に従い、ウエーハを研磨し、クリーニングし、その上にＢＴＡ蒸気を堆積するための装置を例示する図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  装置
１２  ウエーハ
１４  湿式タンク
１６  化学的機械的平面化（ＣＭＰ）
１８  後−ＣＭＰクリーニング室
２０  蒸着室
２２  銅配線
２４  外側表面
２６  露出表面
２８  第一誘電体材料
２９  第一金属化層
３０  ＩＰＡ蒸気
３１  第二誘電体材料
３２  ＢＴＡ蒸気
３４  ＩＰＡ室
３６  ＢＴＡ室
５０  装置
５２  ＢＴＡ貯槽
５６  圧力調節機
５８  流量調節機
６０  不可逆バルブ
６４  制御バルブ
６６  液体ＢＴＡ
６８  キャリヤーガス
７０  経路
７４  経路
７６  混合ガス
８０  排出管
８２  排出管
８３  ポンプ
９０  個々のＢＴＡ分子
９２  ＢＴＡ分子クラスター
１００  装置
１０２  ＩＰＡ蒸着室
１０４  ＢＴＡ蒸着室
２００  装置
２０２  ＩＰＡ／ＢＴＡ形成室
【図１】
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【図２】
2004312001.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2004312001.tif 000008
【図７】
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