(57)【要約】【課題】  発光装置から様々な色彩になった高輝度の光が得られようにすると共に、微細な部分においても様々な色彩の光が得られ、繊細なカラー表示が行なえるようにする。【解決手段】  波長変換型発光装置において、光照射体２の出射面側に光透過性基材１を設けると共に、この光透過性基材に上記の光照射体から出射された光の波長を変換する波長変換材料で構成された波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを設け、この波長変換部の平面形状がライン状となるように形成することを特徴とする。【選択図】  図１
2004297078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線を照射する発光ダイオードで構成された光照射体の出射面側に、この光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部が設けられてなることを特徴とする波長変換型発光装置。
【請求項２】
有機エレクトロルミネッセンス素子で構成された光照射体の出射面側に、この光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部が設けられてなることを特徴とする波長変換型発光装置。
【請求項３】
自己発光素子で構成された光照射体の出射面側に、この光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部が設けられてなることを特徴とする波長変換型発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は波長変換型発光装置に係り、様々な光照射体から出射された光の波長を変換させて、様々な色彩の光が得られるようにする波長変換型発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、フルカラーの表示を行なう等の目的で、様々な色彩の光を得る方法が種々検討されており、一般には、白色光をカラーフィルターに通して赤、緑、青の光を得ることが行なわれていた。
【０００３】
しかし、このように白色光をカラーフィルターに通して赤、緑、青の光を得るようにした場合、カラーフィルターにおける光の吸収により得られる光の輝度が低下するという問題があった。
【０００４】
このため、近年においては、発光ダイオード素子や、有機及び無機エレクトロルミネッセンス素子等の自己発光素子を用い、これらの自己発光素子から様々な色彩の光が得られるようにすることについて検討が行なわれるようになった。
【０００５】
しかし、上記のような自己発光素子において、様々な色彩について高輝度の発光を得ることは困難であり、例えば、発光ダイオード素子の場合には、青色や緑色等の高輝度な発光が得られなかったり、また有機エレクトロルミネッセンス素子の場合には、赤色の高輝度な発光が得られない等の問題があった。
【０００６】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の場合、微細化が困難であるために、発光部分の寸法が大きくなり、繊細なカラー表示が行なえない等の問題もあった。
【特許文献１】特開平８−６３１１９号公報
【特許文献２】特開平８−３２１３８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は、フルカラーの表示を行なう等の目的で、様々な色彩の光を得る場合における上記のような問題を解決することを課題とするものであり、様々な色彩について高輝度の光を得られるようにすると共に、微細な部分においても様々な色彩の光が得られ、繊細なカラー表示が行なえるようにすることを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係る発明は、波長変換型発光装置において、紫外線を照射する発光ダイオードで構成された光照射体の出射面側に、この光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部が設けられてなることを特徴とする。
請求項２に係る発明は、波長変換型発光装置において、有機エレクトロルミネッセンス素子で構成された光照射体の出射面側に、この光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部が設けられてなることを特徴とする。
【０００９】
請求項３に係る発明は、波長変換型発光装置において、自己発光素子で構成された光照射体の出射面側に、この光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部が設けられてなることを特徴とする。
【００１０】
そして、この発明における波長変換型発光装置においては、上記の光照射体から出射された光が波長変換部に導かれ、この波長変換部を構成する波長変換材料によって光照射体から出射された光の波長が変換されて、この波長変換部から特定の色彩の光が得られるようになる。
【００１１】
このように、光照射体から出射された光の波長を波長変換部を構成する波長変換材料により変換させて異なった色彩の光を得るようにすると、白色光をカラーフィルターに通して特定の色彩の光を得る場合に比べて、得られる光の輝度が低下するということが少なく、特定の色彩の高輝度な光が得られるようになる。
【００１２】
また、この発明における波長変換型発光装置においては、波長変換部を構成する波長変換材料を適当に選択することにより、前記の自己発光素子においては得られなかった様々な色彩についても高輝度の光が得られるようになり、また波長変換材料を用いて波長変換部を形成する場合に、波長変換部を微細なパターンに加工することができ、自己発光素子を用いた場合に比べて繊細なカラー表示が行なえるようになる。
【００１３】
また、前記のように波長変換部を設けるにあたって、光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部を設け、例えば、赤色の光に変換する波長変換部と、緑色の光に変換する波長変換部と、青色の光に変換する波長変換部とを設けると、高輝度で繊細なフルカラーの表示が行えるようになる。
【００１４】
ここで、上記の光照射体としては、光源からの光を導光板を用いて導くようにしたものを用いることもできるが、上記の波長変換部において光の波長の変換が効率良く行なえるようにすると共に、その駆動の制御も容易に行なえるようにするため、一定範囲の波長の光を出射する発光ダイオード素子や有機及び無機エレクトロルミネッセンス素子等の自己発光素子を用いることが好ましく、特に、１種類の自己発光素子から発光された光を、上記の波長変換部において高輝度な様々な色彩の光に変換させるにあたっては、波長が４００ｎｍ以下の紫外線を照射する発光ダイオードを用いることが好ましい。
【００１５】
また、光照射体に上記のような自己発光素子を複数設けるようにすると、各自己発光素子の駆動を適切に走査させて、適当な位置における波長変換部を発光させることができ、これによって右目用と左目用の映像を表示させることができるようになり、カラー液晶パネル等と組み合わせることにより、フルカラーの立体映像システムの表示装置としても利用できるようになる。
【００１６】
一方、波長変換部において光照射体から出射された光の波長を変換させる波長変換材料としては、光照射体から出射された光を吸収して励起され、蛍光や遅延蛍光や燐光や高調波光等の光を発する材料を用いるようにし、光照射体から出射された光の波長や、波長変換部において波長変換させて出射する色彩の波長等に応じて適当な材料を選択して用いるようにする。
【００１７】
ここで、この波長変換部における波長変換材料に、光照射体から出射された光を吸収して遅延蛍光や燐光を発する材料を使用した場合、一般的特性として、蛍光に比べて発光寿命が長くなり、光照射体から出射された光が短時間のパルス光の場合においても、この波長変換部からはパルス幅の長い光が得られるようになる。
【発明の効果】
【００１８】
以上詳述したように、この発明における波長変換型発光装置においては、光照射体から出射された光を波長変換部に導き、この波長変換部を構成する波長変換材料により光照射体から出射された光の波長を変換させて、特定の色彩の光を得るようにしたため、白色光をカラーフィルターに通して特定の色彩の光を得る場合に比べて、得られる光の輝度が低下するという問題がなく、特定の色彩の高輝度な光が得られるようになった。
【００１９】
また、この発明における波長変換型発光装置において、波長変換部を構成する波長変換材料を適当に選択すると、従来の自己発光素子においては得られなかった様々な色彩についても高輝度の光が得られるようになり、また波長変換材料を用いて波長変換部を形成する場合に、波長変換部を微細なパターンに加工することができ、自己発光素子を用いた場合に比べて繊細なカラー表示が行なえるようになった。
【００２０】
また、この発明における波長変換型発光装置において、波長変換部を設けるにあたり、光照射体から出射された光をそれぞれ異なった波長の光に変換する複数のライン状に分割されて構成されている波長変換部を設け、例えば、赤色の光に変換する波長変換部と、緑色の光に変換する波長変換部と、青色の光に変換する波長変換部とを設けると、高輝度で繊細なフルカラーの表示が行えるようになった。
【００２１】
また、この発明における波長変換型発光装置において、上記の光照射体に、発光ダイオード素子や有機及び無機エレクトロルミネッセンス素子等の自己発光素子を用いると、上記の波長変換部において光の波長の変換が効率良く行なえるようになると共に、その駆動の制御も容易に行なえるようになり、特に、波長が４００ｎｍ以下の紫外光線を照射する発光ダイオードを用いた場合には、この紫外光線の波長を上記の波長変換部において変換させて、高輝度な様々な色彩の光が得られるようになった。
【００２２】
さらに、この発明における波長変換型発光装置において、光照射体として、複数の自己発光素子を用いると、各自己発光素子の駆動を適切に走査させて、適当な位置における波長変換部を発光させることにより、右目用と左目用の映像を表示させることができるようになり、カラー液晶パネル等と組み合わせて使用することにより、フルカラーの立体映像システムの表示装置として利用できるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明の実施例に係る波長変換型発光装置を添付図面に基づいて具体的に説明する。なお、この発明における波長変換型発光装置は、特に下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施できるものである。
【実施例】
【００２４】
（実施例１）
この実施例における波長変換型発光装置においては、図１に示すように、サファイア即ちα−アルミナ結晶で構成され一辺が１６ｍｍの正方形状になった光透過性基材１の片面に、光照射体２として３７０ｎｍ付近に発光ピーク波長を有する紫外線を照射する発光ダイオード素子２を設けている。
【００２５】
一方、上記の光透過性基材１の反対側の面には、図１及び図２に示すように、上記の発光ダイオード素子２から出射された光の波長を変換させて、赤色の光を発するライン状の波長変換部３Ｒと、緑色の光を発するライン状の波長変換部３Ｇと、青色の光を発するライン状の波長変換部３Ｂとを順々に設けている。
【００２６】
また、上記の各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂはそれぞれ幅が０．８ｍｍ、長さが１２ｍｍの長方形状になっており、また各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの断面形状はそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になっている。
【００２７】
ここで、上記のように光透過性基材１の片面に設けられる発光ダイオード素子２は、上記の光透過性基材１の片面に層厚が約１１０ÅのＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＝０．５）からなるバッファ層２１と、層厚が約０．２μｍのｎ型ＧａＮからなる下地層２２と、層厚が約１．４μｍでＳｉがドープされたｎ型ＧａＮからなる発光層２３と、層厚が約０．１５μｍでＭｇがドープされたｐ型Ａｌz Ｇａ1-z Ｎ（ｚ＝０．２）からなるクラッド層２４と、層厚が約０．３μｍでＭｇがドープされたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２５とが積層されると共に、上記のｎ型ＧａＮからなる発光層２３にＡｌからなるｎ側電極２６が設けられる一方、上記のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２５にＡｕからなるｐ側電極２７と、このｐ側電極２７を保護するＡｌ膜２８とが積層された構造になっている。
【００２８】
そして、上記の発光ダイオード素子２を製造するにあたっては、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によって上記の光透過性基材１の片面に上記の各層を形成することができる。
【００２９】
まず、化学気相成長装置内に上記の光透過性基材１を設置し、この光透過性基材１を、非単結晶成長温度、例えば６００℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を用いて、光透過性基材１上に非単結晶のＡｌＧａＮからなるバッファ層２１を成長させる。
【００３０】
そして、このバッファ層２１上に、単結晶成長温度、好ましくは１１００〜１２００℃の範囲、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いて、単結晶のｎ型ＧａＮからなる下地層２２を成長させる。
【００３１】
次いで、この下地層２２上に、単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃の範囲、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を、ドーパントガスにＳｉＨ4 を用いて、単結晶でＳｉがドープされたｎ型ＧａＮからなる発光層２３を成長させる。
【００３２】
その後、この発光層２３上に、単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃の範囲、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム（ＴＭＧ）とトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を、ドーパントガスにＣｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、単結晶でＭｇがドープされたｐ型ＡｌＧａＮからなるクラッド層２４を成長させる。
【００３３】
さらに、このｐ型クラッド層２４上に、単結晶成長温度、好ましくは１０００〜１２００℃の範囲、例えば１１５０℃の成長温度に保持した状態で、キャリアガスに水素を、原料ガスにアンモニアとトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を、ドーパントガスにＣｐ2 Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いて、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２５を成長させる。
【００３４】
また、上記のようにして光透過性基材１に各層を成長させた後、この光透過性基材１を上記の化学気相成長装置から取り出し、反応性イオンビームエッチング法（ＲＩＥ法）によるエッチングによって上記のｎ型の発光層２３の一部を露出させる。
【００３５】
その後、上記のｐ型コンタクト層２５上に蒸着法等によりＡｕからなるｐ側電極２７とこのｐ側電極２７を保護するＡｌ膜２８とを設ける一方、上記のように露出されたｎ型の発光層２３の部分に蒸着法等によりＡｌからなるｎ側電極２６を設けて発光ダイオード２を形成する。
【００３６】
一方、上記の発光ダイオード素子２が設けられた面と反対側における光透過性基材１の面に、上記の各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを設けるにあたっては、図３及び図４に示すように、真空チャンバー３１内の上部に、上記の赤色の光を発する波長変換部３Ｒを構成する波長変換材料を格納したクヌーセンセル型蒸着源３２Ｒと、緑色の光を発する波長変換部３Ｇを構成する波長変換材料を格納したクヌーセンセル型蒸着源３２Ｇと、青色の光を発する波長変換部３Ｂを構成する波長変換材料を格納したクヌーセンセル型蒸着源３２Ｂを設け、上記の光透過性基材１をこの真空チャンバー３１内にセットすると共に、この光透過性基材１と０．７ｍｍの間隔を介してその上方に厚さ約０．８ｍｍのステンレス鋼板で構成されて、幅０．６５ｍｍ、長さ１２ｍｍの長方形のスリット３３ａが中心の間隔３．３ｍｍ毎に複数設けられたメタルマスク３３を配し、この真空チャンバー３１内の圧力を１０-6Ｔｏｒｒ以下にする。
【００３７】
そして、上記の各クヌーセンセル型蒸着源３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂから各波長変換材料を、順々に上記のメタルマスク３３のスリット３３ａを通して上記の光透過性基材１上に蒸着させて、光透過性基材１上にライン状になった各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを設けるようにする。なお、このようにしてライン状になった各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを設けると、その断面形状がそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になる。
【００３８】
また、このようにして各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを設けるにあたっては、その中央部の厚みが５０ｎｍ以上で２００μｍ以下にすることが好ましく、特に１μｍないし１０μｍにすることが好ましい。
【００３９】
ここで、赤色の光を発する波長変換部３Ｒを構成する波長変換材料としては、下記の化１に示す亜鉛ポリフィリンＺｎＰｒや、下記の化２に示す亜鉛錯体ＺｎＡｃ2 を用いることができる。なお、亜鉛ポリフィリンＺｎＰｒから生じる蛍光のピーク波長は６４０ｎｍ付近にあり、また亜鉛錯体ＺｎＡｃ2 から生じる蛍光のピーク波長は６６０ｎｍ付近にある。
【００４０】
【化１】
2004297078.tif 000003
【００４１】
【化２】
2004297078.tif 000004
また、緑色の光を発する波長変換部３Ｇを構成する波長変換材料としては、下記の化３に示すベリリウム錯体ＢｅＢｑ2 や、下記の化４に示すアルミニウム錯体Ａｌｑ3 を用いることができる。なお、ベリリウム錯体ＢｅＢｑ2 から生じる蛍光のピーク波長は５１５ｎｍ付近にあり、またアルミニウム錯体Ａｌｑ3 から生じる蛍光のピーク波長は５２５ｎｍ付近にある。
【００４２】
【化３】
2004297078.tif 000005
【００４３】
【化４】
2004297078.tif 000006
また、青色の光を発する波長変換部３Ｂを構成する波長変換材料としては、下記の化５に示すオキサジアゾール誘導体ＯＸＤや、下記の化６に示す亜鉛アゾメチン錯体ＡＺＭや、下記の化７に示すピラゾリン誘導体ＰＹＲ−Ｄ１や、下記の化８に示すピラゾリン誘導体ＰＹＲ−Ｄ３を用いることができる。なお、オキサジアゾール誘導体ＯＸＤから生じる蛍光のピーク波長は４８２ｎｍ付近にあり、また亜鉛アゾメチン錯体から生じる蛍光のピーク波長は４５０ｎｍ付近にあり、またピラゾリン誘導体ＰＹＲ−Ｄ１から生じる蛍光スペクトルは図５に示す通りで蛍光のピーク波長は４９０ｎｍ付近にあり、またピラゾリン誘導体ＰＹＲ−Ｄ３から生じる蛍光スペクトルは図６に示す通りで蛍光のピーク波長は４６０ｎｍ付近にある。
【００４４】
【化５】
2004297078.tif 000007
【００４５】
【化６】
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【００４６】
【化７】
2004297078.tif 000009
【００４７】
【化８】
2004297078.tif 000010
そして、この実施例における波長変換型発光装置において、上記の発光ダイオード２に設けたｎ側電極２６とｐ側電極２７との間に約３．５Ｖ以上の直流電圧を印加すると、上記の発光層２３から３７０ｎｍ付近の波長においてピークを有する紫外線が出射され、このように出射された紫外線が光透過性基材１を通して上記の各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに導かれ、この紫外線が各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおける各波長変換材料に吸収されて各波長変換材料が励起され、波長変換部３Ｒからは赤色の蛍光Ｒが、波長変換部３Ｇからは緑色の蛍光Ｇが、波長変換部３Ｂからは青色の蛍光Ｂが出射されるようになる。
【００４８】
ここで、各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは上記のように断面形状がそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になっているため、各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに導かれた上記の紫外線が各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの内部に閉じ込められ、各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおける各波長変換材料に紫外線が効率よく吸収されて変換され、各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからそれぞれ高輝度な蛍光Ｒ，Ｇ，Ｂが得られる。
【００４９】
また、各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは中央部の厚みは、発光ダイオード素子２の発光ピーク波長である３７０ｎｍ付近での光透過率が４０％以下になるように形成することが望ましい。さらに望ましくは、蛍光Ｒ，Ｇ，Ｂの発光ピーク波長における光透過率が５０％以上になるように、各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにおける光吸収スペクトルの形状を考慮して形成することが好ましい。
（実施例２）
この実施例における波長変換型発光装置においては、図７に示すように、サファイアで構成された光透過性基材１の片面に、光照射体２として、３７０ｎｍ付近に発光ピーク波長を有する紫外線を照射する発光ダイオード素子２のチップを複数設けている。
【００５０】
ここで、この実施例において使用する発光ダイオード素子２のチップは、図８に示すように、サファイアで構成された基板２０の上に、上記の実施例１の場合と同様にして、層厚が約１１０ÅのＡｌx Ｇａ1-x Ｎ（ｘ＝０．５）からなるバッファ層２１と、層厚が約０．２μｍのｎ型ＧａＮからなる下地層２２と、層厚が約１．４μｍでＳｉがドープされたｎ型ＧａＮからなる発光層２３と、層厚が約０．１５μｍでＭｇがドープされたｐ型Ａｌz Ｇａ1-z Ｎ（ｚ＝０．２）からなるクラッド層２４と、層厚が約０．３μｍでＭｇがドープされたｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２５が積層され、上記のｎ型ＧａＮからなる発光層２３に、Ａｌからなるｎ側電極２６が設けられる一方、上記のｐ型ＧａＮからなるコンタクト層２５に、Ａｕからなるｐ側電極２７が設けられた構造になっている。
【００５１】
そして、上記の発光ダイオード素子２からなるチップを、図９に示すように、所定パターンの電極４１，４２が設けられた基板４０上に順々に配列させ、各発光ダイオード素子２におけるｎ側電極２６を電極４１に、ｐ側電極２７を電極４２に接続させると共に、各発光ダイオード素子２の周囲に、それぞれの発光ダイオード素子２から出射された紫外線を反射させる反射体４３を設けている。
【００５２】
一方、サファイアで構成された上記の光透過性基材１の片面には、図７に示すように、上記の実施例１の場合と同様にして、発光ダイオード素子２から出射された光の波長を変換させて、赤色の光を発するライン状の波長変換部３Ｒと、緑色の光を発するライン状の波長変換部３Ｇと、青色の光を発するライン状の波長変換部３Ｂとを順々に設け、各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの断面形状が、それぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になるように形成している。
【００５３】
そして、このようにライン状になった各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが設けられた光透過性基材１を、図７に示すように、上記の発光ダイオード素子２のチップが配列された基板４０上にスペーサー４４を介して設け、光透過性基材１に設けられた各波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが上記の発光ダイオード素子２と反対側に位置するようにしている。
【００５４】
ここで、この実施例における波長変換型発光装置において、上記の電極４１，４２を介して発光ダイオード２に設けたｎ側電極２６とｐ側電極２７との間に約３．５Ｖ以上の直流電圧を印加すると、上記の実施例１の場合と同様に、電圧が印加された発光ダイオード２における発光層２３から３７０ｎｍ付近の波長においてピークを有する紫外線が出射され、このように出射された紫外線が光透過性基材１を通して上記の波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに導かれ、この紫外線が波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの波長変換材料に吸収されて波長変換材料が励起され、波長変換部３Ｒからは赤色の蛍光Ｒが、波長変換部３Ｇからは緑色の蛍光Ｇが、波長変換部３Ｂからは青色の蛍光Ｂが出射されるようになる。
【００５５】
なお、この実施例における波長変換型発光装置においては、上記の各発光ダイオード２の駆動を適切に走査し、適当な位置における波長変換部３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを発光させて右目用と左目用の映像を表示させ、これをカラー液晶パネル等を通して右目と左目とにそれぞれの映像を与えることができ、立体映像の表示装置として利用できるようになる。
（実施例３）
この実施例における波長変換型発光装置においては、図１０に示すように、ガラスで構成された光透過性基材１の片面に、光照射体２として有機エレクトロルミネッセンス素子２を設ける一方、この光透過性基材１の反対側の面に、上記の有機エレクトロルミネッセンス素子２から出射された光の波長を変換させて、赤色の光を発するライン状の波長変換部３Ｒを複数列設け、各波長変換部３Ｒの断面形状がそれぞれ中央部より周辺部に向かって厚みが薄くなったドーム状になるようにしている。なお、赤色の光を発する波長変換部３Ｒを構成する波長変換材料には前記の化１に示した亜鉛ポリフィリンＺｎＰｒや、化２に示した亜鉛錯体ＺｎＡｃ2 を用いるようにする。
【００５６】
ここで、上記のように光透過性基材１の片面に設ける上記の有機エレクトロルミネッセンス素子２は、図９に示すように、ガラスで構成された上記の光透過性基材１に、インジウム・錫酸化物で構成された透明なホール注入電極２０１と、下記の化９に示すトリフェニルアミン誘導体ＭＴＤＡＴＡで構成されたホール輸送層２０２と、下記の化１０に示すＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンＴＰＤからなるホスト材料に下記の化１１に示すルブレンが５重量％ドープされて構成された発光層２０３と、前記の化３に示したＢｅＢｑ2 で構成された電子輸送層２０４と、マグネシウム・インジウム合金で構成された電子注入電極２０５が積層された構造になっている。
【００５７】
【化９】
2004297078.tif 000011
【００５８】
【化１０】
2004297078.tif 000012
【００５９】
【化１１】
2004297078.tif 000013
そして、この実施例における波長変換型発光装置において、上記のホール注入電極２０１と、電子注入電極２０５との間に電圧を印加すると、上記の発光層２０３におけるルブレンが発光し、上記の有機エレクトロルミネッセンス素子２から図１１に示すような発光スペクトルを有し、５６２ｎｍ付近の波長にピークを有する黄色の光が出射され、この黄色の光が光透過性基材１を通して上記の各波長変換部３Ｒに導かれ、各波長変換部３Ｒにおける波長変換材料に吸収されてこの波長変換材料が励起され、各波長変換部３Ｒから高輝度な赤色の蛍光Ｒが出射されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明の実施例１における波長変換型発光装置の概略側面図である。
【図２】上記の実施例１における波長変換型発光装置の概略平面図である。
【図３】上記の実施例１における波長変換型発光装置において、発光ダイオード素子が設けられた面と反対側の光透過性基材の面に、各波長変換部を設ける状態を示した拡大説明図である。
【図４】上記の実施例１における波長変換型発光装置において、発光ダイオード素子が設けられた光透過性基材を真空チャンバー内にセットして各波長変換部を設ける状態を示した概略説明図である。
【図５】上記の実施例１における波長変換型発光装置において、青色の光を発する波長変換部に用いるピラゾリン誘導体ＰＹＲ−Ｄ１の蛍光スペクトルを示した図である。
【図６】上記の実施例１における波長変換型発光装置において、青色の光を発する波長変換部に用いるピラゾリン誘導体ＰＹＲ−Ｄ３の蛍光スペクトルを示した図である。
【図７】この発明の実施例２における波長変換型発光装置の概略側面図である。
【図８】上記の実施例２における波長変換型発光装置において、光照射体として使用する発光ダイオード素子のチップの構成を示した概略説明図である。
【図９】上記の実施例２における波長変換型発光装置において、発光ダイオード素子のチップを所定パターンの電極が設けられた基板上に取り付ける状態を示した部分説明図である。
【図１０】この発明の実施例３における波長変換型発光装置の概略側面図である。
【図１１】上記の実施例３における波長変換型発光装置において、発光層に用いたルブレンからの発光スペクトルを示した図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  光透過性基材
２  光照射体，発光ダイオード素子，有機エレクトロルミネッセンス素子
３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ  波長変換部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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