(57)【要約】【課題】従来のソレノイド駆動回路においては、過電流によって、取り外しの困難な回路基板の実装部品の損傷やパターンの剥離が発生することがあった。【解決手段】ソレノイド駆動回路３４は過電流保護機能付ＦＥＴ３５から構成されている。このＦＥＴ３５は、負荷であるソレノイド６２ａ〜６２ｃが短絡したときに、発生する過電流を検知し、ドレインＤ〜ソースＳ間を流れる電流を抑制してＦＥＴ３５及びその周辺の回路基板等の破損を防ぐ過電流保護回路３６を備えている。パチンコ遊技中にソレノイド６２ａ〜６２ｃが短絡すると、ドレインＤ〜ソースＳ間を流れる電流は過電流保護回路３６によって抑制される。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータを駆動するソレノイドと、このソレノイドへの通電を断続するソレノイド駆動回路とを有する遊技機において、前記ソレノイド駆動回路は、過電流を抑制する過電流保護手段を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記ソレノイド駆動回路は、過電流を検知すると通電電流を抑制する過電流保護機能付電解効果トランジスタからなることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記遊技機はパチンコ機であり、前記ソレノイド駆動回路は不正行為防止カバーに覆われた基板に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の遊技機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ソレノイドへの通電を断続するソレノイド駆動回路を有する遊技機に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のパチンコ機において、始動入賞口や大入賞口及び特定領域誘導装置などの各アクチュエータは、パワーＭＯＳＦＥＴ（電解効果トランジスタ）からなるソレノイド駆動回路によって駆動制御されている。
【０００３】
図１は、大入賞口を駆動するソレノイド駆動回路１の構成を示す回路図であり、ソレノイド駆動回路１は主基板２に形成されている。大当たり入賞が発生すると、ＣＰＵ（中央演算処理装置）３がソレノイド駆動回路１を駆動制御する。このとき、ＣＰＵ３によってパワーＭＯＳＦＥＴ４のゲート電圧が制御されて、パワーＭＯＳＦＥＴ４のドレインＤ〜ソースＳ間が導通する。この導通によって、中継基板５を介してソレノイド駆動回路１の負荷となるソレノイド６に通電され、大入賞口の扉が駆動されて開放する。
【０００４】
始動入賞口や特定領域誘導装置なども、上記と同様なソレノイド駆動回路１によって駆動されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のソレノイド駆動回路１においては、ソレノイド６のレアショートによる短絡等によって生じる過電流により、パワーＭＯＳＦＥＴ４などの実装部品の損傷や回路基板パターン（銅箔）の剥離が発生することがあった。また、主基板２には取り外しが容易に出来ないように不正行為防止用のカバーが設けられており、上記の過電流によって損傷した実装部品や剥離したパターンを修理または交換することは、迅速に行えなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、アクチュエータを駆動するソレノイドと、このソレノイドへの通電を断続するソレノイド駆動回路とを有する遊技機において、ソレノイド駆動回路は、過電流を抑制する過電流保護手段を備えていることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、ソレノイド駆動回路の負荷が短絡したりして過電流が生じたとき、過電流保護手段が、この過電流を検知し、ソレノイド駆動回路を流れる通電電流を抑制する。
【０００８】
また、本発明は、ソレノイド駆動回路が、過電流を検知すると通電電流を抑制する過電流保護機能付電解効果トランジスタからなることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、過電流保護機能付電解効果トランジスタは過電流を検知すると、ドレイン，ソース間の通電電流を抑制して、過電流保護機能付電解効果トランジスタ自身，回路基板パターン及びアクチュエータを保護する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明による遊技機をパチンコ機に適用した一実施形態について説明する。
【００１１】
図２は、本発明の一実施形態におけるパチンコ機１０の正面図である。パチンコ機１０の正面には遊技盤１１が設けられており、その下方には上皿１２が設けられている。上皿１２の下方右側には、レール１３を介して遊技盤１１へパチンコ球を打ち込む際に操作される発射ハンドル１４が設けられている。
【００１２】
遊技盤１１の盤面中央には、特別図柄表示装置であるＬＣＤ（液晶表示装置）１６が設けられている。このＬＣＤ１６には、左図柄、中図柄および右図柄からなる３列の複数の特別図柄が表示され、また、これら特別図柄の背後に演出画が表示される。ＬＣＤ１６の上方には普通図柄表示装置１７が設けられており、この普通図柄表示装置１７を挟んで４つのＬＥＤ（発光ダイオード）からなる普通始動入賞個数表示部１８が設けられている。また、ＬＣＤ１６の下側には４つのＬＥＤからなる特別始動入賞個数表示部１９が設けられており、また、ＬＣＤ１６の左右には通過孔２０が設けられている。また、ＬＣＤ１６の下方には始動入賞口２１が設けられており、その下方には大入賞口２２、その左右には一般入賞口２３が設けられている。
【００１３】
普通始動入賞個数表示部１８には通過孔２０へのパチンコ球の通過が保留玉として最大４個まで記憶され、特別始動入賞個数表示部１９には始動入賞口２１へのパチンコ球の入賞が保留玉として最大４個まで記憶される。
【００１４】
図３は、本実施形態におけるパチンコ機１０の遊技動作を処理制御する電子回路の主な構成を示すブロック図である。この電子回路は、遊技動作の処理を行う主基板３０、主基板３０からの指示に従って、パチンコ遊技の演出制御を行う演出制御基板４０、パチンコ球の払出制御と発射制御とを行う払出発射制御基板５０、及び後述するアクチュエータを主基板３０に接続するための中継基板６０等から構成されている。
【００１５】
主基板３０は不正行為防止カバーに覆われており、この主基板３０には、メインＣＰＵ３１や初期リセット回路３２の構成部品、シリアル通信用ＩＣ（高集積化回路）３３、及びソレノイド駆動回路３４の構成部品といった電子部品が実装されている。また、主基板３０には、メインＣＰＵ３１がパチンコ機１０の遊技動作を処理制御するためのプログラムが記憶格納された図示しないメインＲＯＭ（リードオンリーメモリ）、処理制御時にデータが一時的に記憶される図示しないメインＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）も実装されている。初期リセット回路３２は、主基板３０の起動時にメインＲＡＭに記憶されている遊技状態の内容を消去するリセット信号を発する。また、シリアル通信用ＩＣ３３は、メインＣＰＵ３１から送出される制御信号を各基板４０，５０，６０へシリアルに送信する。
【００１６】
また、主基板３０には、通過孔２０の内側に設けられ、パチンコ球が通過孔２０を通過するのを検知するゲートスイッチ２０ｓや、始動入賞口２１に入賞したパチンコ球を検知する始動入賞球センサ２１ｓが接続されている。また、大入賞口２２に入賞したパチンコ球を検知するカウントスイッチ２２ｓ、大入賞口２２内部の特定領域を通過したパチンコ球を検知するＶカウントスイッチ２２ｖ、一般入賞口２３へ入賞したパチンコ球を検知する一般入賞球センサ２３ｓも接続されている。また、主基板３０には、球受入口が拡張する始動入賞口２１、扉が開閉する大入賞口２２、及び大入賞口２２内部の特定領域にパチンコ球が入賞した後にパチンコ球を特定領域以外へ誘導する特定領域誘導装置６１等の各アクチュエータが、中継基板６０を介して接続されている。これら始動入賞口２１，大入賞口２２，特定領域誘導装置６１はそれぞれソレノイド６２ａ，６２ｂ，６２ｃによって駆動される。
【００１７】
また、払出発射制御基板５０には、入賞時及び球貸し時にパチンコ球を払い出す払出装置５１、及び発射ハンドル１４の操作に応じて遊技盤１１にパチンコ球を発射する発射装置５２が接続されている。
【００１８】
図４は、本実施形態におけるソレノイド駆動回路３４の始動入賞口２１についての制御回路構成部分を示す回路図である。大入賞口２２及び特定領域誘導装置６１についての制御回路構成部分もこれと同様な回路構成をしている。なお、同図において図３と同一部分には同一符号を付して説明する。
【００１９】
ソレノイド駆動回路３４は、主基板３０に形成された回路基板パターン３０ａ及び中継基板６０に形成された回路基板パターン６０ａを介し、ソレノイド６２ａへの通電を断続して始動入賞口２１を駆動制御する過電流保護機能付ＦＥＴ（電解効果トランジスタ）３５から構成されており、ソレノイド駆動制御信号を出力するメインＣＰＵ３１に接続されている。このＦＥＴ３５は、過電流を検知すると通電電流を抑制する過電流保護手段を構成しており、メインＣＰＵ３１からのソレノイド駆動制御信号によってドレインＤ〜ソースＳ間が導通される。
【００２０】
ＦＥＴ３５は松下電器産業株式会社製の品種名：ＭＩＰ５１４のＦＥＴであり、図５は、このＦＥＴ３５の内部構成を示すブロック図である。ＦＥＴ３５には、過電流保護回路３６がドレインＤ〜ソースＳ間に並列に設けられている。この過電流保護回路３６は、負荷であるソレノイド６２ａがレアショートによって短絡したとき等に発生する過電流を検知し、ドレインＤ〜ソースＳ間を流れる電流を抑制してＦＥＴ３５及びその周辺の回路基板等の破損を防ぐ。このため、ゲートＧには、過電流保護回路３６によってドレインＤ〜ソースＳ間を流れる電流を抑制する際に、ゲート電圧を制御してゲートを遮断するゲート遮断回路３７が設けられている。
【００２１】
上記の構成において、遊技盤１１へ発射されたパチンコ球が、始動入賞球センサ２１ｓ，カウントスイッチ２２ｓ，またはＶカウントスイッチ２２ｖによって検知されると、その検知信号は主基板３０のメインＣＰＵ３１に入力され、メインＣＰＵ３１は、入力された検知信号に対応したソレノイド６２ａ，６２ｂ，または６２ｃを駆動制御するソレノイド駆動制御信号をソレノイド駆動回路３４に出力する。ソレノイド駆動回路３４は、入力したソレノイド駆動制御信号に基づいてソレノイド６２ａ，６２ｂ，または６２ｃを中継基板６０を介して駆動制御し、始動入賞口２１，大入賞口２２，または特定領域誘導装置６１を駆動する。
【００２２】
このようなパチンコ遊技中にソレノイド６２ａ〜６２ｃがレアショートによって短絡したりすると、中継基板６０の回路基板パターン６０ａ及び主基板３０の回路基板パターン３０ａを介してソレノイド駆動回路３４に過電流が生じる。この過電流はＦＥＴ３５の過電流保護回路３６によって速やかに検知され、ＦＥＴ３５のドレインＤ〜ソースＳ間を流れる通電電流は過電流保護回路３６によって速やかに抑制される。
【００２３】
このため、本実施形態によるパチンコ機１０によれば、過電流による、ＦＥＴ３５などの実装回路部品の損傷、及び主基板３０や中継基板６０などの回路基板パターン３０ａ，６０ａの剥離を防ぐことが出来る。また、過電流を生じるおそれがないので、主基板３０や中継基板６０などの回路基板パターン３０ａ，６０ａの幅を細くすることが出来る。さらに、ソレノイド駆動回路３４が形成される、不正行為防止カバーに覆われて容易に取り外せない主基板３０を破損して修理，交換することがなくなり、主基板３０自体の信頼性が高くなる。
【００２４】
また、本実施形態によるパチンコ機１０では、ＦＥＴ３５に内蔵された過電流保護回路３６が、過電流を検知するとドレインＤ〜ソースＳ間の通電電流を抑制し、ＦＥＴ３５自身や、主基板３０，中継基板６０などの回路基板パターン３０ａ，６０ａ及び各アクチュエータ２１，２２，６１を保護する。このため、別途で過電流保護回路等を主基板３０に設ける必要がないので、主基板３０の部品点数が増えることもない。
【００２５】
なお、本実施形態においては、松下電器産業株式会社製のＭＩＰ５１４という品種の過電流保護機能付ＦＥＴ３５をソレノイド駆動回路３４として用いた場合を説明したが、本発明においては、他のＦＥＴであっても、ソレノイド駆動回路３４として負荷短絡時の過電流を抑制するものであれば、上記と同様の作用効果が奏される。
【００２６】
また、本実施形態では、過電流を抑制するＦＥＴ３５をパチンコ機１０のソレノイド駆動回路３４として用いた場合を説明したが、本発明においては、他の弾球遊技機やスロットマシンにおけるソレノイド駆動回路に用いても、上記と同様の作用効果が奏される。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明による遊技機によれば、ソレノイド駆動回路の負荷が短絡したりして過電流が生じたとき、過電流保護手段が、この過電流を検知し、ソレノイド駆動回路を流れる通電電流を抑制する。このため、過電流による、実装回路部品の損傷、及び回路基板パターンの剥離を防ぐことが出来る。また、過電流が生じるおそれがないので回路基板パターンの幅を細くすることが出来る。さらに、ソレノイド駆動回路が形成される回路基板自体を破損して修理，交換することがなくなるので、回路基板自体の信頼性が高くなる。
【００２８】
また、ソレノイド駆動回路が、過電流を検知すると通電電流を抑制する過電流保護機能付電解効果トランジスタからなる構成の場合、過電流保護機能付電解効果トランジスタが過電流を検知すると、ドレイン，ソース間の通電電流を抑制して、過電流保護機能付電解効果トランジスタ自身，回路基板パターン及びアクチュエータを保護する。このため、別途で過電流保護回路等を回路基板に設ける必要がないので、回路基板上の部品点数が増えることもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のソレノイド駆動回路の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の一実施形態におけるパチンコ機の正面図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるパチンコ機の遊技動作を処理制御する電子回路の主な構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の一実施形態におけるソレノイド駆動回路の構成を示す回路図である。
【図５】本発明の一実施形態における過電流保護機能付ＦＥＴの内部構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０…パチンコ機
２０ｓ…ゲートスイッチ
２１…始動入賞口
２１ｓ…始動入賞球センサ
２２…大入賞口
２２ｓ…カウントスイッチ
２２ｖ…Ｖカウントスイッチ
２３ｓ…一般入賞球センサ
３０…主基板
３１…メインＣＰＵ
３４…ソレノイド駆動回路
３５…過電流保護機能付ＦＥＴ
３６…過電流保護回路
３７…ゲート遮断回路
６０…中継基板
６１…特定領域誘導装置
６２…ソレノイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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