(57)【要約】【課題】従来の光記録媒体に比べて、短波長側に発振波長を有する半導体レーザーを用いる追記型ＤＶＤディスクシステムに適用可能な光記録媒体の提供。【解決手段】基板上に記録層を設けてなる光記録媒体において、該記録層中に、（ｉ）ホルマザン化合物と金属からなるホルマザン金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるホルマザン金属キレート化合物Ａ、（ｉｉ）スクアリリウム化合物と金属からなるスクアリリウム金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるスクアリリウム金属キレート化合物及び（ｉｉｉ）ホルマザン化合物と金属とからなるホルマザン金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０〜７５０ｎｍの範囲にあるホルマザンキレート化合物Ｂを含有していることを特徴とする光記録媒体。【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に記録層を設けてなる光記録媒体において、該記録層中に、（ｉ）ホルマザン化合物と金属からなるホルマザン金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるホルマザン金属キレート化合物Ａ、（ｉｉ）スクアリリウム化合物と金属からなるスクアリリウム金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるスクアリリウム金属キレート化合物Ｂ及び（ｉｉｉ）ホルマザン化合物と金属とからなるホルマザン金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０〜７５０ｎｍの範囲にあるホルマザンキレート化合物Ｃを含有していることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
該ホルマザン金属キレート化合物Ａと該スクアリリウム金属キレート化合物Ｂとの重量比が１０：９０〜５０：５０であり、さらに該ホルマザン金属キレート化合物Ｃの含有量が、該ホルマザン金属キレート化合物Ａと該スクアリリウム金属キレート化合物Ｂとの合計量に対し、０．５〜２０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
該ホルマザン金属キレート化合物Ａ及び／又はＣが、下記一般式（Ｉ）及び／又は下記一般式（ＩＩ）で表されるホルマザン化合物と金属からなることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の光記録媒体。
【化１】
2004042624.tif 000024
（式中、環Ａは窒素原子を含む置換もしくは無置換の５員環又は６員環を示し、Ｚは環Ａを与える原子群を示し、該含窒素複素環には他の環が縮合していてもよく、Ａは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールカルボニル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよい複素環基又は置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基を示し、Ｂは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す）
【化２】
2004042624.tif 000025
（式中、環Ｂ及び環Ｃは、同一または異なっていてもよくそれぞれ窒素原子を含む置換もしくは無置換の５員環又は６員環を示し、Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ環Ｂ及び環Ｃを与える原子群を示し、該含窒素複素環には他の環が縮合していてもよく、Ａ１、Ａ２はそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールカルボニル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよい複素環基又は置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基を示し、Ｂ１、Ｂ２はそれぞれ置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基又は置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、Ｗは−ＣＨ２−又は−ＳＯ２−を示し、ｎは０又は１の整数である）
【請求項４】
該ホルマザン金属キレート化合物Ａ及び／又はＣの金属成分が、バナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛及びパラジウムの中から選ばれる金属であるか又は該金属の酸化物もしくはハロゲン化物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
該スクアリリウム金属キレート化合物Ｂが下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体。
【化３】
2004042624.tif 000026
［式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｍは配位能を有している金属原子を示し、ｍは２又は３の整数を示し、Ｘは置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基又はＺ３＝ＣＨ−（式中、Ｚ３は置換基を有していてもよい複素環基を表す）を示す］
【請求項６】
該一般式（ＩＩＩ）中のＸが下記一般式（ＩＶ）で表される基であることを特徴とする請求項５に記載の光記録媒体。
【化４】
2004042624.tif 000027
（式中、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なっていてもよく、置換基を有していてもよい脂肪族基を示すか、あるいはＲ３とＲ４は相互に結合して炭素環又は複素環を形成してもよく、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｒ６〜Ｒ９は同一又は異なっていてもよく、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、ニトロ基、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルコキシ基を示し、互いに隣り合う２つの基が相互に結合して置換基を有していてもよい環を形成してもよい）
【請求項７】
該一般式（ＩＩＩ）中のＭがアルミニウムであることを特徴とする請求項５又は６に記載の光記録媒体。
【請求項８】
記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であり、消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．３であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】
反射層を有し、該反射層が金、銀、銅及びアルミニウムの中から選ばれる金属であるか又は該金属の合金であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１０】
該基板上のトラックピッチが０．７〜０．８μｍであり、溝幅が半値幅で、０．１８〜０．４０μｍであることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１１】
６００〜７２０ｎｍの記録波長で記録が可能であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の光記録媒体に、６００〜７２０ｎｍの記録波長で記録することを特徴とする光記録方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の光記録媒体を搭載した光記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体、これを用いる光記録方法及び光記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、次世代大容量光ディスクとして追記型ＤＶＤメディアの開発が進められている。記録容量向上の要素技術として、記録ピット微少化のための記録材料開発、ＭＰＥＧ２に代表される画像圧縮技術の採用、記録ピット読みとりのための半導体レーザの短波長化等の技術開発が必要である。
これまで赤色波長域の半導体レーザとしては、バーコードリーダ、計測器用に６７０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰレーザダイオードが商品化されているのみであったが、光ディスクの高密度化に伴い、赤色レーザが本格的に光ストレージ市場で使用されつつある。ＤＶＤドライブの場合、光源として６３０〜６９０ｎｍ帯のレーザダイオードの波長で規格化されている。一方、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭドライブは波長約６５０ｎｍで商品化されている。
このような状況下で最も好ましい追記型ＤＶＤメディアは、波長６３０〜６９０ｎｍで記録、再生が可能なメディアである。今日までに種々の色素系材料が記録層として提案されてきた。
しかしながら、これらの材料は、色素系メディアの特徴である高反射率を得るために、図１のように色素膜の吸収スペクトルの吸収帯の長波長端が、記録、再生波長になるように設計されているために、波長依存性が大きいという問題点があった。
一方、記録型ＤＶＤドライブ等に用いられる半導体レーザーは使用環境により発振波長が変動する事が知られている。特に高温度の環境に置かれた場合、発振波長が長波長にシフトしてしまうため、記録層に用いられている色素材料の吸収係数ｋが小さくなり記録感度が不足してしまう、と言う問題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来の光記録媒体に比べて、短波長側に発振波長を有する半導体レーザーを用いる追記型ＤＶＤディスクシステムに適用可能な光記録媒体、特に記録波長依存性を低減した光記録媒体、該光記録媒体を用いた光記録方法及び光記録装置を提供することをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、種々検討した結果、追記型ＤＶＤメディアの記録材料である、ホルマザン金属キレート化合物とスクアリリウム金属キレート化合物の混合化合物（最大吸収波長５００〜６５０ｎｍ）材料に、それより長波長側に最大吸収波長を有する別のホルマザン金属キレート化合物（最大吸収波長６５０〜７５０ｎｍ）を添加することにより、半導体レーザーの波長シフトに対する依存性の少ない光記録媒体が得られることを見いだし、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明によれば、以下に示す光記録媒体、光記録方法及び光記録装置が提供される。
（１）基板上に記録層を設けてなる光記録媒体において、該記録層中に（ｉ）ホルマザン化合物と金属からなるホルマザン金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるホルマザン金属キレート化合物Ａ、（ｉｉ）スクアリリウム化合物と金属からなるスクアリリウム金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるスクアリリウム金属キレート化合物Ｂ及び（ｉｉｉ）ホルマザン化合物と金属とからなるホルマザン金属キレート化合物であって、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０〜７５０ｎｍの範囲にあるホルマザンキレート化合物Ｃを含有していることを特徴とする光記録媒体。
（２）該ホルマザン金属キレート化合物Ａと該スクアリリウム金属キレート化合物Ｂとの重量比が１０：９０〜５０：５０であり、さらに該ホルマザン金属キレート化合物Ｃの含有量が、該ホルマザン金属キレート化合物Ａと該スクアリリウム金属キレート化合物Ｂとの合計量に対し、０．５〜２０重量％であることを特徴とする前記（１）に記載の光記録媒体。
（３）該ホルマザン金属キレート化合物Ａ及び／又はＣが、下記一般式（Ｉ）及び／又は下記一般式（ＩＩ）で表されるホルマザン化合物と金属からなることを特徴とする前記（１）〜（２）のいずれかに記載の光記録媒体。
【化５】
2004042624.tif 000002
（式中、環Ａは窒素原子を含む置換もしくは無置換の５員環又は６員環を示し、Ｚは環Ａを与える原子群を示し、該含窒素複素環には他の環が縮合していてもよく、Ａは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールカルボニル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよい複素環基又は置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基を示し、Ｂは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す）
【化６】
2004042624.tif 000003
（式中、環Ｂ及び環Ｃは、同一または異なっていてもよくそれぞれ窒素原子を含む置換もしくは無置換の５員環又は６員環を示し、Ｚ１、Ｚ２はそれぞれ環Ｂ及び環Ｃを与える原子群を示し、該含窒素複素環には他の環が縮合していてもよく、Ａ１、Ａ２はそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールカルボニル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよい複素環基又は置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基を示し、Ｂ１、Ｂ２はそれぞれ置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基又は置換基を有していてもよいアリーレン基を示し、Ｗは−ＣＨ２−又は−ＳＯ２−を示し、ｎは０又は１の整数である）
（４）該ホルマザン金属キレート化合物Ａ及び／又はＣの金属成分が、バナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛及びパラジウムの中から選ばれる金属であるか又は該金属の酸化物もしくはハロゲン化物であることを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれかに記載の光記録媒体。
（５）該スクアリリウム金属キレート化合物Ｂが下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれかに記載の光記録媒体。
【化７】
2004042624.tif 000004
［式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、Ｍは配位能を有している金属原子を示し、ｍは２又は３の整数を示し、Ｘは置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基又はＺ３＝ＣＨ−（式中、Ｚ３は置換基を有していてもよい複素環基を表す）を示す］
（６）該一般式（ＩＩＩ）中のＸが下記一般式（ＩＶ）で表される基であることを特徴とする前記（５）に記載の光記録媒体。
【化８】
2004042624.tif 000005
（式中、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なっていてもよく、置換基を有していてもよい脂肪族基を示すか、あるいはＲ３とＲ４は結合して炭素環又は複素環を形成してもよく、Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｒ６〜Ｒ９は同一又は異なっていてもよく、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、ニトロ基、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルコキシ基を示し、互いに隣り合う２つの基が結合して置換基を有していてもよい環を形成してもよい）
（７）該一般式（ＩＩＩ）中のＭがアルミニウムであることを特徴とする前記（５）又は（６）に記載の光記録媒体。
（８）記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５≦ｎ≦３．０であり、消衰係数ｋが０．０２≦ｋ≦０．３であることを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれかに記載の光記録媒体。
（９）反射層を有し、該反射層が金、銀、銅及びアルミニウムの中から選ばれる金属であるか又は該金属の合金であることを特徴とする前記（１）〜（８）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１０）該基板上のトラックピッチが０．７〜０．８μｍであり、溝幅が半値幅で、０．１８〜０．４０μｍであることを特徴とする前記（１）〜（９）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１１）６００〜７２０ｎｍの記録波長で記録が可能であることを特徴とする前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の光記録媒体。
（１２）前記（１）〜（１１）のいずれかに記載の光記録媒体に、６００〜７２０ｎｍの記録波長で記録することを特徴とする光記録方法。
（１３）前記（１）〜（１１）のいずれかに記載の光記録媒体を搭載した光記録装置。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の光記録媒体は、その記録層中に、（ｉ）ホルマザン化合物と金属からなる第１のホルマザン金属キレート化合物Ａ、（ｉｉ）スクアリリウム化合物と金属とからなるスクアリリウム金属キレート化合物Ｂ及び（ｉｉｉ）ホルマザン化合物と金属からなる第２のホルマザン金属キレート化合物Ｃを含有する。この場合、ホルマザン化合物としては、従来公知の各種のものを用いることができるが、好ましくは下記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表されるものの中から選ばれる少なくとも１種が用いられる。
【化９】
2004042624.tif 000006
【化１０】
2004042624.tif 000007
【０００６】
前記式中、環Ａ、環Ｂ、環Ｃはそれぞれ置換もしくは無置換の含窒素５員環又は６員環を示し、Ｚ、Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ、環Ａ、環Ｂ及び環Ｃを与える原子群を示す。このような原子群には、炭素原子の他、ヘテロ原子が包含されていてもよい。また、ヘテロ原子には、窒素原子（−Ｎ−）、イオウ原子（−Ｓ−）、酸素原子（−Ｏ−）、セレン原子（−Ｓｅ−）等が包含される。
【０００７】
環Ａ、環Ｂ及び環Ｃには、それぞれ他の環Ｄが縮合していてもよい。この場合の環Ｄには炭素環の他、複素環が包含される。炭素環の場合、その環構成炭素数は、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１０である。その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、シクロヘキサン環等が挙げられる。一方、複素環の場合、その環構成原子数は好ましくは５〜２０、さらに好ましくは５〜１４、より好ましくは５〜６である。その具体例としては、ピロリジン環、チアゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、キノリン環、インドリン環、カルバゾール環等が挙げられる。
【０００８】
前記環Ａ、環Ｂ及び環Ｃの具体例を示すと、チアゾール環、イミダゾール環、チアジアゾール環、オキサゾール環、トリアゾール環、ピラゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環等が挙げられる。
【０００９】
環Ａ、環Ｂ及び環Ｃに結合する前記置換基の具体例としては、それぞれ独立にハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、カルバモイル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアルキルアミノ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアルキルカルボキサミド基、置換基を有していてもよいアリールカルボキサミド基、置換基を有していてもよいアルキルカルバモイル基、置換基を有していてもよいアリールカルバモイル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキルスルファモイル基等があげられる。
【００１０】
前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）において、Ａ、Ａ１、Ａ２は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよいアリールカルボニル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよい複素環基又は置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基を示す。この場合のアルキル基及びアルケニル基には、鎖状及び環状のものが包含される。アルキル基において、その炭素数は好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜８である。アルケニル基において、その炭素数は好ましくは２〜８、より好ましくは２〜６である。
【００１１】
前記一般式（Ｉ）において、Ｂは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。この場合のアルキル基及びアルケニル基には、鎖状及び環状のものが包含される。アルキル基の炭素数は好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜８であり、アルケニル基の炭素数は好ましくは２〜８、より好ましくは２〜６である。アリール基において、その炭素数は好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１４である。
【００１２】
前記一般式（ＩＩ）において、Ｂ１、Ｂ２は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレン基又は置換基を有していてもよいアリーレン基を示す。この場合のアルキレン基及びアルケニレン基には鎖状及び環状のものが包含される。アルキレン基において、その炭素数は好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜８である。アルケニレン基において、その炭素数は好ましくは２〜８、より好ましくは２〜６である。アリーレン基において、その炭素数は好ましくは６〜１８、より好ましくは６〜１４である。
【００１３】
前記各アルキル基の具体例としては好ましくは炭素数１〜１５のものが挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の直鎖状アルキル基、イソブチル基、イソアミル基、２−メチルブチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、１−エチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘキシル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルブチル基、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、１−エチル−２−メチルブチル基、１−プロピル−２−メチルプロピル基、１−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、１−イソプロピルペンチル基、１−イソプロピル−２−メチルブチル基、１−イソプロピル−３−メチルブチル基、１−メチルオクチル基、１−エチルヘプチル基、１−プロピルヘキシル基、１−イソブチル−３−メチルブチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｔｅｒｔ−オクチル基等の分岐状アルキル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−エチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、４−（２−エチルヘキシル）シクロヘキシル基、ボルニル基、イソボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基等が挙げられ、中でも、炭素数１〜８のものが好ましい。
また、アルキレン基としては、前記アルキル基から水素原子を１つ除いたものが挙げられる。
【００１４】
前記各アルキル基は、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基等で置換されていてもよく、また、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子もしくはニトロ基により置換されていてもよい）アリール基や複素環基等で置換されていてもよい。さらに、酸素、硫黄、窒素等のヘテロ原子を介して前記アルキル基等の他の炭化水素基で置換されていてもよい。
【００１５】
酸素を介して他の炭化水素基で置換されているアルキル基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基等のアルコキシ基やアリールオキシ基等で置換されたアルキル基が挙げられる。これらのアルコキシ基やアリールオキシ基は置換基を有していてもよい。
【００１６】
硫黄を介して他の炭化水素基で置換されたアルキル基としては、メチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチオプロピル基、フェニルチオエチル基等のアルキルチオ基やアリールチオ基等で置換されたアルキル基が挙げられる。これらのアルキルチオ基やアリールチオ基は置換基を有していてもよい。
【００１７】
窒素を介して他の炭化水素基で置換されているアルキル基としては、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、フェニルアミノメチル基等のアルキルアミノ基やアリールアミノ基等で置換されたアルキル基が挙げられる。これらのアルキルアミノ基やアリールアミノ基は置換基を有していてもよい。
【００１８】
前記アルケニル基の具体例としては、好ましくは炭素数２〜８のもの、例えばビニル基、アリル基、１−プロペニル基、メタクリル基、クロチル基、１−ブテニル基、３−ブテニル基、２−ペンテニル基、４−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、２−ヘプテニル基、２−オクテニル基等があげられる。アルケニル基の置換基としては、前記アルキル基の場合と同様のものがあげられる。
アリール基の具体例としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フルオレニル基、フェナレニル基、フェナントラニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基等が挙げられる。
アルキレン基及びアルケニレン基としては、前記アルキル基及びアルケニル基から、水素原子を一つ除いたものが挙げられる。
また、アリーレン基としては前記アリール基から、水素原子を一つ除いたものが挙げられる。
【００１９】
前記アリール基及びアリーレン基は、アルキル基、アルケニル基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子もしくはニトロ基により置換されていてもよい）アリール基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子もしくはニトロ基により置換されてもよい）複素環基で置換されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等の原子を介して前記アルキル基等で置換されていてもよい。ここで、アルキル基、アルケニル基、アリール基としては、前記と同様のものが挙げられ、ハロゲン原子としては、後述するものと同様のものが挙げられる。
【００２０】
複素環基の具体例としては、フリル基、チエニル基、ピロリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリニル基、イソインドリニル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、キノキサリニル基等があげられる。
前記複素環基は、水酸基、アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子もしくはニトロ基により置換されていてもよい）アリール基、特定の置換基を有していてもよい（例えば、ハロゲン原子もしくはニトロ基により置換されてもよい）複素環基等で置換されていてもよく、また酸素、硫黄、窒素等のヘテロ原子を介して前記のアルキル基等の炭化水素基で置換されていてもよい。
ここで、アルキル基、アリール基および複素環基の具体例としては、前述の具体例を挙げることができ、ハロゲン原子としては、後述するものと同様のものが挙げられる。
【００２１】
前記ハロゲン原子の具体例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の各原子があげられる。
前記置換基を有していてもよいアルコキシ基は、酸素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては、前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールオキシ基は、酸素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。そのアリール基および置換基の具体例としては、前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルチオ基は、硫黄原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては、前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールチオ基は、硫黄原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。そのアリール基および置換基の具体例としては、前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルアミノ基は、窒素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては、前述の具体例をあげることができる。また、アルキル基同士が結合し、酸素原子、窒素原子等を含んでピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、インドリニル基、イソインドリニル基のように環を形成していてもよい。
前記置換基を有していてもよいアリールアミノ基は、窒素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。そのアリール基および置換基の具体例としては、前述の具体例をあげることができる。
【００２２】
前記置換基を有していてもよいアルキルカルボニル基は、カルボニル基の炭素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールカルボニル基は、カルボニル基の炭素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。そのアリール基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基は、酸素原子（−Ｏ−）に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基は、酸素原子（−Ｏ−）に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。そのアリール基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルカルボキサミド基は、カルボキサミドの炭素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアリールカルボキサミド基は、カルボキサミドの炭素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。そのアリール基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
【００２３】
前記置換基を有していてもよいアルキルカルバモイル基は、カルバモイル基の窒素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては、前述の具体例をあげることができる。また、アルキル基同士が結合し、また場合により酸素原子、窒素原子等を含んでピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、インドリニル基、イソインドリニル基のように環を形成していてもよい。
前記置換基を有していてもよいアリールカルバモイル基は、カルバモイル基の窒素原子に直接置換基を有していてもよいアリール基が結合されているものであればよい。そのアリール基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
前記置換基を有していてもよいアルキルスルファモイル基は、スルファモイル基の窒素原子に直接置換基を有していてもよいアルキル基が結合されているものであればよい。そのアルキル基および置換基の具体例としては前述の具体例をあげることができる。
【００２４】
ホルマザン金属キレート化合物Ａ又はＢにおける金属成分は、ホルマザンにキレートを形成し得る金属又は金属化合物であればよく、このようなものには、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム及びこれら金属の酸化物やハロゲン化物等が包含される。本発明では、このホルマザンとキレートを形成し得る金属成分としては、特に、バナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、パラジウムが好ましく、これらの金属を含むホルマザン金属キレート化合物を用いた本発明の光記録媒体は、光学特性が優れている。ハロゲン化物の中では、塩化物が好ましく使用される。
【００２５】
本発明において用いる第１のホルマザン金属キレート化合物Ａは、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるものである。本発明において用いる第２のホルマザン金属キレート化合物Ｂは、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長が６５０〜７５０ｎｍの範囲にあるものである。
ホルマザン金属キレート化合物において、その膜の吸収スペクトルの最大吸収波長の調節は、そのホルマザン化合物の種類と、金属の種類とによって行うことができる。
【００２６】
前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表される膜の最大吸収波長が５００〜６５０ｎｍの範囲にあるホルマザン金属キレート化合物Ａの具体例を表１〜４に示す。以下の表中、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００２７】
【表１】
2004042624.tif 000008
【００２８】
【表２】
2004042624.tif 000009
【００２９】
【表３】
2004042624.tif 000010
【００３０】
【表４】
2004042624.tif 000011
【００３１】
前記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表される膜の最大吸収波長が６５０〜７５０ｎｍの範囲にあるホルマザン金属キレート化合物Ｃの具体例を表５〜６に示す。
【００３２】
【表５】
2004042624.tif 000012
【００３３】
【表６】
2004042624.tif 000013
【００３４】
次に、スクアリリウム金属キレート化合物Ｂについて詳述する。
本発明で用いるスクアリリウム化合物Ｂとしては、従来公知の各種のものを用いることができる。
本発明の光記録媒体では、記録再生波長に６００〜７２０ｎｍのレーザー光を用いることが好ましいが、この波長での光学特性から、スクアリリウム金属キレート化合物の中でも下記一般式（ＩＩＩ）で表されるものが好ましい。
【化１１】
2004042624.tif 000014
【００３５】
前記式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい複素環基を示す。
Ｍは配位能を有している金属原子を示す。ｍは２あるいは３の整数を示す。Ｘは置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよい複素環基、又はＺ３＝ＣＨ−（Ｚ３は置換基を有していてもよい複素環基を表す）を示す。
【００３６】
前記一般式（ＩＩＩ）中のＸとしては、下記一般式（ＩＶ）で表される含窒素環基が好ましい。
【化１２】
2004042624.tif 000015
【００３７】
前記式中、Ｒ３及びＲ４は同一又は異なっていてもよく、置換基を有していてもよい脂肪族基を表すか、あるいはＲ３とＲ４は結合して、炭素環又は複素環を形成してもよい。Ｒ５は水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す。Ｒ６〜Ｒ９は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい脂肪族基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、ニトロ基、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルコキシ基を示す。
前記Ｒ６〜Ｒ９のうち、隣り合う２つの基は結合して、置換基を有していてもよい炭素環や複素環を形成していてもよい。
脂肪族基には、アルキル基及びアルケニル基が包含される。また、これらのアルキル基及びアルケニル基は鎖状又は環状のものであることができる。
この脂肪族基において、鎖状の場合、その炭素数１〜６であるものが好ましく、環状の場合、その炭素数３〜８であるものが好ましい。
【００３８】
前記脂肪族基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ビニル基、アリル基、１−プロペニル基、メタクリル基、クロチル基、１−ブテニル基、３−ブテニル基、２−ペンテニル基、４−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、２−ヘプテニル基、２−オクテニル基等が挙げられる。前記アルコキシ基におけるアルキル基部分は、鎖状又は環状のアルキル基であることができる。鎖状の場合、その炭素数１〜６のものが好ましく、環状の場合、３〜８のものが好ましい。そのアルキル基の具体例としては、前記と同様なものを挙げることができる。
アラルキル基としては、炭素数７〜１５のアラルキル基が挙げられ、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等が挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜１８のものが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基等が挙げられる。
【００３９】
ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、芳香族環又は複素環基の置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、置換基を有していてもよいアミノ基等が挙げられる。ハロゲン原子、アルキル基及びアルコキシ基としては、前記と同様なものが挙げられる。これらの置換基は、分子中に１つ又は複数個であることができる。
脂肪族基の置換基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子およびアルコキシ基としては、前記と同様なものが挙げられる。これらの置換基は、分子中に１つ又は複数個であることができる。
アミノ基の置換基としては、同一または異なっていてもよい１〜２個のアルキル基が挙げられ、この場合のアルキル基としては前記と同様のものが挙げられる。
【００４０】
金属原子Ｍとしては、スクアリリウム化合物に対して配位能を有する各種の金属が用いられ、例えば、アルミニウム、亜鉛、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、マンガン、イリジウム、バナジウム、チタン等が挙げられ、特にアルミニウムのスクアリリウム金属キレート化合物を用いた本発明の光記録媒体は、光学特性が優れている。
【００４１】
Ｒ６〜Ｒ９のうちの、隣り合う２つの基は結合して形成される炭素環には、ベンゼン環等の炭素数６〜１４の芳香環の他、シクロヘキサン等の炭素数３〜１０の脂肪族環が包含される。
【００４２】
前記一般式（ＩＩＩ）において、複素環基における複素環やＲ３とＲ４とが結合することによって形成される複素環としては、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子の中から選ばれる少なくとも１個の原子を含む５員または６員の単環性芳香族あるいは脂肪族複素環、３〜８員の環が縮合した二環又は三環性で窒素原子、酸素原子及び硫黄原子の中から選ばれる少なくとも１個の原子を含む縮環性芳香族あるいは脂肪族複素環等が挙げられ、より具体的にはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、キナゾリン環、キノキサリン環、ナフチリジン環、シンノリン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、チオフェン環、フラン環、チアゾール環、オキサゾール環、インドール環、イソインドール環、インダゾール環、ベンズイミダゾール環、ベンズトリアゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、プリン環、カルバゾール環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、チオモルホリン環、ホモピペリジン環、ホモピペラジン環、テトラヒドロピリジン環、テトラヒドロキノリン環、テトラヒドロイソキノリン環、テトラヒドロフラン環、テトラヒドロピラン環、ジヒドロベンゾフラン環、テトラヒドロカルバゾール環等が挙げられる。
【００４３】
前記一般式（ＩＩＩ）中のＺ３の複素環基としては、インドリン−２−イリデン、ベンズ〔ｅ〕インドリン−２−イリデン、２−ベンゾチアゾリニリデン、ナフト〔２，１−ｄ〕チアゾール−２（３Ｈ）−イリデン、ナフト〔１，２−ｄ〕チアゾール−２（１Ｈ）−イリデン、１，４−ジヒドロキノリン−４−イリデン、１，２−ジヒドロキノリン−２−イリデン、２−ベンゾセレナゾリニリデン等が挙げられる。
【００４４】
Ｒ３とＲ４が結合することによって形成される炭素環としては、好ましくは炭素数３〜８のものが挙げられ、飽和または不飽和のものであってもよく、例えば、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロペンテン環、１，３−シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環等が挙げられる。
【００４５】
以下、前記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の一般的な製法についての反応式を以下に示す。ここで、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を化合物（ＩＩＩ）と表現することもある。ほかの式番号の化合物についても同様である。
（１）反応式（１−ａ）
【化１３】
2004042624.tif 000016
【００４６】
（２）反応式（１−ｂ）
【化１４】
2004042624.tif 000017
【００４７】
（３）反応式（１−ｃ）
【化１５】
2004042624.tif 000018
【００４８】
（４）反応式（１−ｄ）
【化１６】
2004042624.tif 000019
【００４９】
前記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ、Ｍ及びｍはそれぞれ前記と同義であり、Ｙは水素原子、カリウム、ナトリウム等を表す。Ｍｅはメチル基を示す。
【００５０】
前記反応式（１−ａ）による化合物の製造について以下に示す。
化合物（ＶＩＩ）は、化合物（Ｖ）と０．５〜２倍モルの化合物（ＶＩ）とを、要すれば塩基存在下、溶媒中、室温〜４０℃で３０分〜１５時間反応させることにより得られる。
塩基としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基またはトリエチルアミン、ナトリウムメトキシド等の有機塩基が用いられる。
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ジメチルホルムアミド等が用いられる。
【００５１】
前記反応式（１−ｂ）による化合物の製造について以下に示す。
化合物（ＶＩＩＩ）は、化合物（ＶＩＩ）をアルカリ性溶媒中、または酸性溶媒中、室温〜４０℃で３０分〜１５時間反応させることにより得られる。
アルカリ性溶媒としては、例えば、炭酸カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等が用いられる。
酸性溶媒としては、例えば、塩酸の５０％容量／容量のジメチルスルホキシド水溶液、塩酸の５０％容量／容量のジメチルホルムアミド水溶液等が用いられる。
【００５２】
前記反応式（１−ｃ）による化合物の製造について以下に示す。
化合物（ＩＸ）は、化合物（ＶＩＩＩ）と０．５〜２倍モルのＸ−Ｈとを、要すれば、０．５〜２倍モルの塩基存在下で、溶媒中、８０〜１２０℃で１〜１５時間反応させることにより得られる。
溶媒としては、例えば、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール等の炭素数２〜８のアルコール系溶媒のみ、または該アルコール系溶媒とベンゼン、トルエンもしくはキシレンとの混合溶媒（アルコール５０容量／容量％以上）が用いられる。
塩基としては、例えば、キノリン、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基または炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基等が用いられる。
【００５３】
前記反応式（１−ｄ）による化合物の製造について以下に示す。
化合物（ＩＩＩ）は、化合物（ＩＸ）と（０．５〜２）／ｍ倍モルのＭｍ＋（金属イオンを与える原料）とを、必要に応じて、０．５〜２倍モルの酢酸存在下で、溶媒中、室温〜１２０℃で１〜１５時間反応させることにより得られる。
金属イオンを与える原料としては、例えば、アルミニウムトリスアセチルアセトネート、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート、アルミニウムイソプロキシド、アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、アルミニウムエトキシド、塩化アルミニウム、塩化銅、酢酸銅、酢酸ニッケル等が用いられる。
溶媒としては、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン等のハロゲン系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸エチル等のエステル系溶媒等が用いられる。
【００５４】
前記一般式（ＩＩＩ）で表されるスクアリリウム化合物の具体例を表７〜９に示す。
【００５５】
以下の表中、ｎＰｒはｎ−プロピル基を表し、ｉＰｒはイソプロピル基を表し、ｎＢｕはｎ−ブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００５６】
【表７】
2004042624.tif 000020
【表８】
2004042624.tif 000021
【表９】
2004042624.tif 000022
【００５７】
記録層中における前記ホルマザン金属キレート化合物Ａとスクアリリウム金属キレート化合物Ｂとの配合割合は、重量比で１０：９０〜５０：５０であるのが好ましく、また、記録層中には、ホルマザン金属キレート化合物Ｃを０．５〜２０％（ホルマザン金属キレート化合物Ａとスクアリリウム金属キレート化合物Ｂの合計量に対する重量％）、さらには３〜１０％含むことが好ましい。スクアリリウム金属キレート化合物Ｂが上記範囲であるとホルマザン金属キレート化合物が効果的にはたらき高い耐光性が得られる。また、スクアリリウム金属キレート化合物Ｂが上記範囲であると、高い反射率が得られるので好ましい。５００〜６５０ｎｍにその膜の吸収スペクトルの最大吸収波長を有するホルマザン金属キレート化合物Ａと、同様に５００〜６５０ｎｍにその膜の吸収スペクトルの最大吸収波長を有するスクアリリウム金属キレート化合物Ｂの混合物に、さらに６５０〜７５０ｎｍ（記録再生波長付近）にその膜の吸収スペクトルの最大吸収波長を有するホルマザン金属キレート化合物Ｃを上記範囲で添加することにより、追記型ＤＶＤメディアの基本特性は維持しながら、記録レーザーの波長変動に対する記録感度の低下、いわゆる波長依存性が低減する。
【００５８】
次に本発明の光記録媒体の記録層を構成するのに必要な項目として、光学特性および耐光性が挙げられる。
光学特性として、記録再生波長である６００〜７２０ｎｍに対して短波長側に大きな吸収帯を有し、かつ記録再生波長が該吸収帯の長波長端近傍にあることが好ましい。これは、記録再生波長である６００〜７２０ｎｍで大きな屈折率と消衰係数を有することを意味する。
具体的には、記録再生波長±５ｎｍの波長領域の光に対する記録層単層の屈折率ｎが１．５以上３．０以下であり、消衰係数ｋが０．０２以上０．３以下の範囲にあることが好ましい。ｎが１．５以上の場合には、十分な光学的変化が得られるため、記録変調度が高くなるため好ましく、ｎが３．０以下の場合には、波長依存性が高くならず、記録再生波長領域であっても再生エラーが起きにくく好ましい。また、ｋが０．０２以上の場合には、記録感度がよくなるため好ましく、ｋが０．３以下の場合には、５０％以上の反射率を得やすく好ましい。また、吸光係数が大きいほど屈折率ｎも大きく取れるため、そのｌｏｇε（εはモル吸光係数）は５以上のものが好ましい。
さらに耐光性として、繰り返し１００万回以上の再生安定性と室内放置下で褪色しない堅牢性があることが好ましい。
基板は通常、深さ１０００〜２５００Åの案内溝を有している。トラックピッチは、通常、０．７〜１．０μｍであるが、高容量化の用途には０．７〜０．８μｍであるのが好ましい。溝幅は、半値幅で０．１８〜０．４０μｍであるのが好ましい。０．１８μｍ以上では十分なトラッキングエラー信号強度を得やすく好ましい。また、０．４０μｍ以下の場合には、記録したときに記録部が横に広がりにくく好ましい。
【００５９】
次に、本発明の光記録媒体の構成について述べる。
図２は、本発明の光記録媒体に適用し得る層構成例を示す図で、これは追記型光ディスクの例である。基板１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、記録層２を設け、更に必要に応じ保護層４が設けられている。また、必要に応じて基板１の下にハードコート層５を設けることができる。
【００６０】
図３は、本発明の光記録媒体に適用し得る別のタイプの層構成例を示す図で、これはＣＤ−Ｒメディアの例である。図１の構成の記録層２の上に反射層６が設けられている。
【００６１】
図４は、本発明の光記録媒体に適用し得る別のタイプ（ＤＶＤ−Ｒ用）の層構成例を示す図で、この場合、図３の構成の保護層４の上に接着層８と保護基板７が設けられている。
即ち、本発明の光記録媒体は、図２及び図３に示した構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、他の基板と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にすることもできるし、また保護層を介して接着した貼合せ構造にすることもできる。
【００６２】
本発明の光記録媒体を追記型ＤＶＤメディアとして適用する場合の記録媒体は、第１の基板と第２の基板（以降第１基板、第２基板と記すことがある）とを記録層を介して接着剤で張り合わせた構造を基本構造とする。記録層は有機色素単層でもよく、反射層を高めるため有機色素層と金属反射層との積層でもよい。記録層と基板間は下引き層あるいは保護層を介して層成してもよく、機能向上のためそれらを積層化した構成でもよい。最も通常に用いられるのは、第１基板／有機色素層／金属反射層／保護層／接着層／第２基板構造である。
【００６３】
＜基板＞
基板の必要特性としては基板側より記録再生を行う場合のみ使用するレーザー光に対して透明でなければならず、記録層側から記録、再生を行う場合基板は透明である必要はない。従って、本発明では、基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は、例えば一方の基板（第２の基板）のみが透明であれば、他方の基板（第１の基板）の透明、不透明は問わない。
基板材料としては例えば、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等のプラスチック、ガラス、セラミックあるいは金属等を用いることができる。
なお、基板を１層しか用いない場合はその基板表面に、また基板２枚をサンドイッチ状で用いる場合は第１の基板の表面に、トラッキング用の案内溝や案内ピット、さらにアドレス信号等のプレフォーマットが形成されていてもよい。
【００６４】
＜記録層＞
記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を生じ、その変化により情報を記録できるものであって、この記録層中には前記の本発明の特徴とする色素混合物［２種類のホルマザン金属キレート化合物Ａ及びＣとスクアリリウム金属キレート化合物Ｂとの混合物］が含有されていることが必要である。
記録層の形成にあたっては前記本発明の特徴とする色素混合物を１種ずつ、又は複数の組合せで用いてもよい。さらに、本発明の特徴とする前記色素混合物の他に、光学特性、記録感度、信号特性等の向上の目的で他の有機色素を混合又は積層化してもよい。
このような他の有機色素の例としては、ポリメチン色素、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系染料、及び金属キレート化合物等が挙げられ、これら色素は単独で用いてもよいし、２種以上の組合せにしてもよい。
前記色素混合物中に金属や金属化合物、例えば、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｅ、ＴｅＯ２、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄ等を分散混合あるいは積層の形態で用いることもできる。
【００６５】
さらに、前記色素混合物中に高分子材料、例えば、アイオノマー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の材料もしくはシランカップリング剤等を分散混合して用いてもよいし、あるいは特性改良の目的で安定剤（例えば遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を一緒に用いることもできる。
【００６６】
記録層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤまたは溶液塗布等の通常の手段によって行うことができる。塗布法を用いる場合には前記色素混合物等を有機溶剤等に溶解してスプレー、ローラーコーティング、ディッピングおよび、スピンコーティング等の慣用のコーティング法によって行われる。
用いられる有機溶剤としては一般にメタノール、エタノール、イソプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、四塩化炭素、トリクロロエタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族類、メトキシエタノール、エトキシエタノール等のセロソルブ類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の炭化水素類等が挙げられる。
記録層の膜厚は好ましくは１００Å〜１０μｍ、より好ましくは２００Å〜２０００Åが適当である。
【００６７】
＜下引き層＞
下引き層は（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガス等のバリアー、（ｃ）記録層の保存安定性の向上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板や記録層の保護、（ｆ）案内溝・案内ピット・プレフォーマット等の形成等を目的として使用される。
（ａ）の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド樹脂、ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴム等の種々の高分子物質、およびシランカップリング剤等を用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に対しては、前記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＮ、ＳｉＮ等、さらに金属、又は半金属、例えばＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ等を用いることができる。また（ｄ）の目的に対しては金属、例えばＡｌ、Ａｇ等や、金属光沢を有する有機薄膜、例えばメチン染料、キサンテン系染料等を用いることができ、（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。
下引き層の膜厚は好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
【００６８】
＜反射層＞
反射層の材料としては、単体で高反射率の得られる腐食されにくい金属、半金属等が挙げられ、これの具体例としてはＡｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｃｕ等が挙げられるが、反射率、生産性の点からＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕが最も好ましく、これらの金属、半金属は単独で使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。
反射層の膜形成法としては蒸着、スパッタリング等が挙げられ、膜厚は、好ましくは５０〜５０００Å、より好ましくは１００〜３０００Åである。
【００６９】
＜保護層、基板表面ハードコート層＞
保護層、又は基板表面ハードコート層は（ａ）記録層（反射吸収層）の傷、ホコリ、汚れ等からの保護、（ｂ）記録層（反射吸収層）の保存安定性の向上、（ｃ）反射率の向上等を目的として使用される。これらの目的に対しては、前記下引き層に示した材料を用いることができる。また、無機材料としてＳｉＯ、ＳｉＯ２等も用いることができ、有機材料としてポリメチルアクリレート、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジン等の熱軟化性、熱溶融性樹脂、紫外線硬化樹脂等も用いることができる。前記材料のうち保護層、又は基板表面ハードコート層に最も好ましい例としては生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。
保護層又は基板表面ハードコート層の膜厚は好ましくは０．０１〜３０μｍ、より好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。
【００７０】
本発明においては、前記下引き層、保護層、及び基板表面ハードコート層には記録層の場合と同様に、安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤等を含有させることができる。
【００７１】
＜保護基板＞
保護基板はこの保護基板側からレーザー光を照射する場合、使用レーザー光に対し透明でなくてはならず、単なる保護板として用いる場合、透明性は問わない。使用可能な材料は前記の基板材料と全く同様であり、ポリエステル、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等のプラスチック又は、ガラス、セラミックあるいは、金属等を用いることができる。
【００７２】
＜接着剤、接着層＞
２枚の記録媒体を接着できる材料なら何でもよく、生産性を考えると、紫外線硬化型もしくはホットメルト型接着剤が好ましい。
【００７３】
【実施例】
次に本発明を実施例により詳述する。
【００７４】
実施例１
溝深さ１７５０Å、半値幅０．２５μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板上に、化合物例Ａ−９、Ｂ−４とＣ−３の混合物（混合比は表１参照）を２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに溶解させ、その溶液をスピンナー塗布して厚さ１０００Åの有機色素層を形成し、次いでスパッタ法により金１３００Åの反射層を設け、その上にアクリル系フォトポリマーにて５μｍの保護層を設けた。さらに厚さ０．６ｍｍの射出成形ポリカーボネート基板をアクリルフォトポリマーにて接着し記録媒体とした。
【００７５】
実施例２〜１０
表１０に示すような組み合わせの色素を用いて、実施例１と全く同様に記録媒体を形成した。
【００７６】
比較例１
表１０に示すような組み合わせの色素を用いて、実施例１と全く同様に記録媒体を形成した。
ただし、比較例１は長波長側にその膜の吸収スペクトルの最大吸収波長を有するホルマザン金属キレート化合物Ｃを含まないものである。
【００７７】
＜記録条件＞
前記記録媒体に発振波長６５８ｎｍ、ビーム径１．０μｍの半導体レーザ光を用い、トラッキングしながら（線速３．５ｍ／秒）記録し、発振波長６５８ｎｍの半導体レーザの連続光（再生パワー０．７ｍＷ）で再生し、再生波形を観察した。さらに、発振波長６７０ｎｍの半導体レーザでも同様な記録・再生を行った。その評価結果を表１０に示す。
【００７８】
【表１０】
2004042624.tif 000023
＊　（　　）内は、色素の重量比
＊　ホルマザン金属キレート化合物▲１▼は短波長側にその膜の吸収スペクトルの最
大吸収波長を有する化合物Ａ
＊　ホルマザン金属キレート化合物▲２▼は長波長側にその膜の吸収スペクトルの最
大吸収波長を有する化合物Ｃ
【００７９】
【発明の効果】
前記の通り、本発明によれば、６００〜７２０ｎｍの波長域のレーザー光で記録、再生が可能で、耐光性、保存安定性に優れた光記録媒体が提供できた。特に、５００〜６５０ｎｍにその膜の吸収スペクトルの最大吸収波長を有するホルマザン金属キレート化合物Ａとスクアリリウム金属キレート化合物Ｂのみの混合物を用いたときに比べ、半導体ＬＤの波長シフトに対する依存性の少ない光記録媒体の提供が可能となった。また、本発明によれば、安定した高反射率かつ高変調度で記録再生できる光記録媒体が提供できた。さらに、本発明によれば、安定した記録及び再生のできる光記録媒体が提供できた。さらにまた、本発明の光記録媒体を用いることにより、記録波長の限定をすることで新規な光記録法、記録装置の提供が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】記録層に用いる色素混合物の吸収スペクトルと、記録再生波長の関係を表す図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、通常の追記型光記録媒体を表す図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、ＣＤ−Ｒ用光記録媒体の構成を表す図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、ＤＶＤ−Ｒ用光記録媒体の構成を表す図である。
【符号の説明】
１　基板
２　記録層
３　下引き層
４　保護層
５　ハードコート層
６　金属反射層
７　保護基板
８　接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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