(57)【要約】【課題】簡単な製造工程で具現でき、光信号を２次元的に光結合させることのできる垂直構造の受光素子を提供する。【解決手段】半導体基板１１０と、該半導体基板の表面上部に形成された光吸収層１２０と、該光吸収層の上部に形成された半導体層１３０と、を少なくとも有し、その半導体基板は、光信号が屈折して入射するようにした入射面として端部に形成した第１斜面Ａと、該第１斜面により屈折して入射した光信号が光吸収層に吸収されるように全反射させる第２斜面Ｂと、備えることによって、光信号の光吸収層への垂直入射偏差を最小化することを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を受信して電気信号に変換する受光素子において、
半導体基板と、該半導体基板の表面上部に形成された光吸収層と、該光吸収層の上部に形成された半導体層と、を少なくとも有し、
前記半導体基板は、光信号が屈折して入射するようにした入射面として端部に形成した第１斜面と、該第１斜面により屈折して入射した光信号が前記光吸収層に吸収されるように全反射させる第２斜面と、備えることによって、光信号の前記光吸収層への垂直入射偏差を最小化することを特徴とする受光素子。
【請求項２】
半導体基板は、溶液によるウェットエッチングの時に特定結晶方向のエッチング速度が遅く、該エッチング後の食刻面が斜面となる半導体物質からなる請求項１に記載の受光素子。
【請求項３】
半導体基板は、ウェットエッチングで(１１１)結晶面を露出する半導体物質である請求項２に記載の受光素子。
【請求項４】
半導体基板は、IV族、II−VI族、III−V族半導体基板からなる請求項３に記載の受光素子。
【請求項５】
第１斜面及び第２斜面は、半導体基板背面の水平方向に対して５０°〜６０°の傾斜角で形成される請求項１に記載の受光素子。
【請求項６】
第１斜面及び第２斜面は、Ｕ字形またはＶ字形のグルーブにより形成される請求項１に記載の受光素子。
【請求項７】
第１斜面は、光信号が反射せずに屈折して半導体基板に入射するように無反射層を有する請求項１に記載の受光素子。
【請求項８】
無反射層は、化学気相蒸着または物理的気相蒸着によって形成された蒸着膜である請求項７に記載の受光素子。
【請求項９】
第２斜面は、全反射層を有する請求項１に記載の受光素子。
【請求項１０】
全反射層は、表皮深さ以上の厚さを有する金属層からなる請求項９に記載の受光素子。
【請求項１１】
半導体基板と全反射層をなす金属層との間に誘電膜をさらに有する請求項１０に記載の受光素子。
【請求項１２】
半導体基板のエネルギーバンドギャップは光信号のエネルギーバンドギャップより大きい請求項１に記載の受光素子。
【請求項１３】
半導体層上に形成された第１電極と、半導体基板の背面に形成された第２電極と、をさらに有する請求項１に記載の受光素子。
【請求項１４】
第１導電型の半導体基板表面に、該半導体基板と同一の導電型の第１半導体層、光吸収層、及び前記第１半導体層と同一の導電型の第２半導体層を順に積層する過程と、
不純物拡散によって選択的に前記第２半導体層を第１導電型から第２導電型に転換させる過程と、
前記半導体基板背面をウェットエッチングして、基板端部の第１斜面及び該第１斜面から基板内に入射した光信号を前記光吸収層の方へ反射させるための第２斜面を形成する過程と、を含むことを特徴とする受光素子製造方法。
【請求項１５】
半導体基板背面をウェットエッチングしてＶ字形のグルーブを形成することにより第１斜面及び第２斜面を形成する請求項１４に記載の受光素子製造方法。
【請求項１６】
半導体基板は、ウェットエッチングの時に特定結晶方向のエッチング速度が遅く、エッチング後の食刻面が斜面となるIV族、II−VI族、III−V族半導体基板である請求項１５に記載の受光素子製造方法。
【請求項１７】
半導体基板は、ＩｎＰ基板、シリコン基板、ＧａＡｓ基板のいずれかである請求項１６に記載の受光素子製造方法。
【請求項１８】
ウェットエッチングのためのエッチング溶液は、半導体基板の(１１１)結晶面を露出させることのできる溶液である請求項１７に記載の受光素子製造方法。
【請求項１９】
第１斜面に無反射層を形成する過程をさらに含む請求項１４に記載の受光素子製造方法。
【請求項２０】
無反射層は、化学気相蒸着法または物理的気相蒸着法によって形成する請求項１９記載の受光素子製造方法。
【請求項２１】
第２斜面に金属層からなる全反射層を形成する過程をさらに含む請求項１４〜請求項２０のいずれか１項に記載の受光素子製造方法。
【請求項２２】
金属層は、表皮深さ以上の厚さを有するように形成される請求項２１記載の受光素子製造方法。
【請求項２３】
半導体基板と金属層との間に誘電膜を形成する過程をさらに含む請求項２１に記載の受光素子製造方法。
【請求項２４】
第２半導体層の第２導電型部分の上に第２導電型の電極を形成する過程と、
第１斜面及び第２斜面が形成されなかった半導体基板の背面に第１導電型の電極を形成する過程と、をさらに含む請求項１４に記載の受光素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源から発生した光信号を受信して電気信号に変換する受光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光結合の目的は、レーザダイオード、光ファイバ、ＰＬＣ(Planar Lightwave Circuit)素子のような光源から放出された光をその経路を把握して損失なしで光受信面に到達するようにすることによって光信号を電気信号に転換させることにある。
【０００３】
一般的に、多くの研究によって、垂直入射型フォトダイオード(Vertical Photo Diode)が水平入射型(Waveguide Photo diode)より優れた信頼性を有することが立証されている。しかしながら、垂直入射型フォトダイオードは、パッケージ(package)構成の時、光結合が大部分３次元(3 dimension)的な方法によって行われるので、組立ての時に光素子の垂直位置まで整列させなければならないという問題点がある。
【０００４】
一方、現在開発されている超低価格モジュールを製造するためには、完全自動化、つまり、チップマウンティング(chip mounting)方式によって光モジュールが製作されるべきである。従って、レーザダイオードとフォトダイオードとの間、光ファイバとフォトダイオードとの間、ＰＬＣとフォトダイオードとの間の光結合などの大部分の分野において２次元(2 Dimension)光結合が必須である。
【０００５】
図１は、従来の技術による２次元光結合のための光検出器(photo detector)の構造を示す断面図である。この光検出器は、いわゆる面屈折入射型(Edge-illuminated Refracting-Facet)構造の受光素子である。
【０００６】
面屈折入射型光検出器は、ＩｎＰ基板１、光入射面２、ｎ−型ＩｎＰ３、光吸収層(photo-absorption part)４、ｐ−型ＩｎＰ５、ｐ−型電極６及びｎ−型電極７を含む。光が入射される基板１の端面２は、ウェットエッチング(wet etching)を通じて任意の角(θ)で傾斜して形成される。その結果、光検出器は、光が光吸収層４に屈折して入射する構造を有する。このように光を光吸収層４に入射させる場合は、光が垂直に入射する場合に比べて、有効吸収長さ(effective absorption length)が増加するので、受信感度が向上する。
【０００７】
しかしながら、従来技術による光検出器は、入射面となる傾斜した平面(angled facet)を具現するために、化学的エッチング工程を遂行しなければならないので、素子の再現性及び均一性の面で不安定な工程になる可能性が高い。さらに、傾斜してメサエッチング(mesa etching)された面に光が入射する時の光の反射を減少させるために無反射(Anti-Reflective coating)層を蒸着する場合、前記のような従来の構造においては、必ずバー(Bar)を立てる工程が必要であるので、工程の難易度が増加し、これによって、生産収率が低下する問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明の目的は、光源から発生した光信号を２次元的に光結合させることのできる垂直構造の受光素子を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、簡単な製造工程を通じて具現できる受光素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するための本発明は、光信号を受信して電気信号に変換する受光素子において、半導体基板と、該半導体基板の表面上部に形成された光吸収層と、該光吸収層の上部に形成された半導体層と、を少なくとも有し、その半導体基板は、光信号が屈折して入射するようにした入射面として端部に形成した第１斜面と、該第１斜面により屈折して入射した光信号が光吸収層に吸収されるように全反射させる第２斜面と、備えることによって、光信号の光吸収層への垂直入射偏差を最小化することを特徴とする。
【００１１】
このような半導体基板は、溶液によるウェットエッチングの時に特定結晶方向のエッチング速度が遅く、該エッチング後の食刻面が斜面となる半導体物質からなるものとするとよい。特に、ウェットエッチングで(１１１)結晶面を露出する半導体物質が好適である。このような半導体基板としてはIV族、II−VI族、III−V族半導体基板がある。
【００１２】
第１斜面及び第２斜面は、半導体基板背面の水平方向に対して５０°〜６０°の傾斜角で形成するのが好ましく、このために第１斜面及び第２斜面を、Ｕ字形またはＶ字形のグルーブを利用して形成するのが好適である。
【００１３】
また第１斜面は、光信号が反射せずに屈折して半導体基板に入射するように無反射層を有するものとすることもできる。その無反射層は、化学気相蒸着または物理的気相蒸着によって形成された蒸着膜とすることが可能である。さらに第２斜面は、全反射層を有するものとすることもできる。その全反射層は、表皮深さ以上の厚さを有する金属層からなるものとすることが可能である。この場合さらに、半導体基板と全反射層をなす金属層との間に誘電膜を備えることもできる。
【００１４】
半導体基板のエネルギーバンドギャップは光信号のエネルギーバンドギャップより大きいものとし、また、第１電極は半導体層上に形成し、第２電極は半導体基板の背面に形成することができる。
【００１５】
本発明によればさらに、第１導電型の半導体基板表面に、該半導体基板と同一の導電型の第１半導体層、光吸収層、及び第１半導体層と同一の導電型の第２半導体層を順に積層する過程と、不純物拡散によって選択的に第２半導体層を第１導電型から第２導電型に転換させる過程と、半導体基板背面をウェットエッチングして、基板端部の第１斜面及び該第１斜面から基板内に入射した光信号を光吸収層の方へ反射させるための第２斜面を形成する過程と、を含むことを特徴とする受光素子製造方法が提供される。
【００１６】
このような第１斜面及び第２斜面は、半導体基板背面をウェットエッチングしてＶ字形のグルーブ（溝）を形成することにより形成することができる。このようなグルーブを形成する半導体基板は、ウェットエッチングの時に特定結晶方向のエッチング速度が遅く、エッチング後の食刻面が斜面となるIV族、II−VI族、III−V族半導体基板とするのがよい。このような半導体基板は、ＩｎＰ基板、シリコン基板、ＧａＡｓ基板のいずれかが可能である。そのウェットエッチングのためのエッチング溶液は、半導体基板の(１１１)結晶面を露出させることのできる溶液とする。
【００１７】
本製法では、第１斜面に無反射層を形成する過程をさらに含むようにしてもよい。その無反射層は、化学気相蒸着法または物理的気相蒸着法によって形成することができる。また、第２斜面に金属層からなる全反射層を形成する過程をさらに含むこともできる。このような金属層は、表皮深さ以上の厚さを有するように形成し、また、半導体基板と金属層との間に誘電膜を形成する過程をさらに含むようにしてもよい。
【００１８】
さらに、第２半導体層の第２導電型部分の上に第２導電型の電極を形成する過程と、第１斜面及び第２斜面が形成されなかった半導体基板の背面に第１導電型の電極を形成する過程と、をさらに含むようにしてよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による受光素子は、基板内部において、Ｖ字形グルーブにより形成される斜面の傾斜角が背面の水平方向に対し５５°程度である場合、屈折及び反射を通じて光信号の光吸収層への垂直入射角度を９７°ないし９４°程度に改善することができる。従って、光損失を最小化することができ、基板の厚さに応じた光信号の外れの程度を示す垂直入射偏差が小さくなるので、工程マージンが大きく改善されるという効果がある。
【００２０】
さらに、本発明による受光素子は、従来の技術の２次元パッケージングが不可能である垂直構造の受光素子を使用しながらも、２次元パッケージングが可能である。従って、光結合の作業の時、自由度(degree of freedom)が３から２に減少されるので、作業エラーを低減することができる。
【００２１】
さらに、本発明の受光素子製造方法によると、比較的に簡単なＰＥＣＶＤ工程を利用して形成したグルーブによる斜面に無反射層を形成することができるので、工程収率が増加するという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的で、関連した公知機能又は構成に関する具体的な説明は省略する。
【００２３】
図２を参照すると、受光素子１００は、ｎ−型ＩｎＰ基板(第１半導体層)１１０、基板１１０上に形成されたＩｎＧａＡｓ光吸収層１２０、光吸収層１２０上に形成されたＩｎＰウィンドウ層(第２半導体層)１３０、ウィンドウ層１３０の所定領域に形成されたｐ−型ＩｎＰ活性領域(第２半導体層の導電型転換部分)１４０、ウィンドウ層１３０上に形成されたパッシベーション(passivation)層１５０、活性領域１４０上に形成されたｐ−型電極１６０、基板１１０の背面に形成されたＳｉＮｘ無反射層１７０、全反射層１８０及び基板１１０の背面に形成されたｎ−型電極１９０から構成される。
【００２４】
基板１１０は、特定結晶方向が遅くエッチングされる特性を利用する溶液を利用したウェットエッチングの時、(１１１)結晶面が遅くエッチングされて、エッチング後のプロファイル（食刻形状）が傾斜するようになる半導体物質からなる。このような基板１１０は、IV族、II−VI族、III−V族半導体基板を化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition)を利用して単結晶成長させて生成される。
【００２５】
光吸収層１２０は、吸収しようとする光信号の波長のバンドギャップ(bandgap)エネルギーより小さいバンドギャップエネルギーを有する物質から構成され、一般的に、ＩｎＧａＡｓ物質を使用する。
【００２６】
ウィンドウ層１３０は、光吸収層１２０とは反対に、吸収しようとする波長のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有する物質から構成され、ＩｎＰ物質を使用する。
【００２７】
活性領域１４０は、光吸収層１２０を通じて吸収された光信号を電気信号に変換し、ウィンドウ層１３０に基板１１０と反対の導電型を有する不純物を選択的に拡散させることによって形成される。
【００２８】
パッシベーション層１５０は、下部のウィンドウ層１３０の界面の酸化を防止し、シリコン窒化膜などの誘電物質を利用して形成される。
【００２９】
ｐ−型電極１６０及びｎ−型電極１９０は、活性領域１４０において光電変換された電気信号を外部回路によって検出し、金属物質から形成される。
【００３０】
無反射層(Anti-Reflective Coating)１７０は、レーザ、光ファイバ、ＰＬＣなどの光源から入力される光信号を反射なしで基板１１０内部に通過させる。無反射層１７０は、基板１１０の背面に対し傾斜エッチングを施して形成されたグルーブ(groove又はＶ字溝)による第１斜面Ａに無反射物質を蒸着することによって形成することができる。ただし、このような無反射層１７０は形成しないで良い場合もある。無反射層１７０が形成されない場合、波長によって、入射した光信号の約３０〜３５％が反射し、残りの光信号のみが通過する。従って、反射(つまり、光損失の程度)、工程の便宜性及び光素子の特性などを考慮して無反射層１７０の適用可否を決定する。例えば、光信号のモニタリング機能を遂行するＭＰＤ(Monitor Photo Diode)の場合、工程の便宜上、無反射層１７０を形成しないことが望ましい。
【００３１】
全反射層１８０は、無反射層１７０を通じて基板１１０の内部に入力した全ての光信号を反射させる。全反射層１８０は、基板１１０の背面に対し傾斜エッチングを施して形成されたグルーブによる第２斜面Ｂに他の物質層を形成せずに、空気層または真空層から形成することができる。さらに、第２斜面Ｂに化学気相蒸着法(Chemical Vapor Deposition)または物理的気相蒸着(Physical Vapor Deposition)などを通じて全反射物質を蒸着することによって形成することもできる。このような全反射層１８０と半導体基板１１０との間には誘電膜を形成してもよい（図示略）。
【００３２】
以上のような構造を有する受光素子の動作は、次のようである。
【００３３】
図２を参照すると、レーザダイオード、光ファイバ、ＰＬＣなどの光源から入力される光信号は、第１斜面Ａに到達した後、第１斜面Ａに形成された無反射層１７０を通じてｎ−型ＩｎＰ基板１１０の内部に進行する。この時、図３に示すように、ｎ−型ＩｎＰ基板１１０は、現在一般的に使用中の光通信用光信号の波長帯である１．３μm(１ｅＶのエネルギーバンドギャップ)及び１．５５μm(０．８ｅＶのエネルギーバンドギャップ)を吸収せずに通過させる。その理由は、ＩｎＰのエネルギーバンドギャップは、常温で０．３ｅＶ程度で非常に大きいので、全然吸収が行われず、可視光線がガラスを通過するように前進するからである。従って、入射光は屈折されるが、光信号の損失なしで第１斜面Ａを通過して前進するようになる。このような入射光は、異なる媒質を通過する度に屈折するようになり、これは、光が異なる性質を有する媒質の境界面を通過する時、光の屈折程度を定義したスネルの法則(Snell's Law)によって把握することができる。
【００３４】
図４を参照すると、スネルの法則が“ｎ１ sinθ１= ｎ２ sinθ２”のように定義されている。ここで、ｎ１は、入射元の層の屈折率であり、θ１は、入射界面の垂直に対する入射前光の角度であり、ｎ２は、入射先の層の屈折率であり、θ２は、入射界面の垂直に対する入射後光の角度である。
【００３５】
従って、スネルの法則において、入射光は、空気(屈折率＝１)から無反射層１７０(ＳｉＮｘ 屈折率＝２．０)に入射される時に屈折し、無反射層１７０から基板(ＩｎＰ屈折率＝３．４７)に入射する時にまた屈折する。無反射層１７０が多層で形成されている場合、入射光は、多層膜の個数分だけ屈折する。
【００３６】
基板１１０の内部に前進した光(θ３＝２５．７°)は、全反射層１８０を有する第２斜面Ｂにおいて全反射され、光信号の損失なしで光吸収層１２０に入射される。第２斜面Ｂにおける全反射の原理は、次のようである。
【００３７】
図５を参照すると、光が第１媒質(ＩｎＰ基板屈折率＝３．４７)から第１媒質の屈折率より小さい屈折率を有する第２媒質(空気屈折率＝１)に入射する場合、スネルの法則によって光線１のように入射角より屈折角が大きい。入射角が継続して大きくなって光線２のように入射角が臨界角(θＣ)になる時、屈折角が９０°になる。さらに、光線３のように入射角が臨界角より大きくなると、全ての光線が屈折せずに反射する。
【００３８】
前述したスネルの法則を適用すると、以下のようになる。
【００３９】
ｎ１ sinθＣ = ｎ２ sin90°
【００４０】
sinθＣ = ｎ２／ｎ１
【００４１】
本実施形態において、sinθＣ = ｎ(air)／ｎ(InP)であるので、臨界角(θＣ)は１６．７°であり、θ４は２９°である。従って、入射する境界面の垂直に対して臨界角１６．７°より大きい６１°(９０°−２９°＝６１°)の角をなすので、入射光は第２斜面Ｂにおいて屈折せずに全反射する。
【００４２】
このように、第２斜面Ｂによって反射した光は、光吸収層１２０への垂直入射角度(θ５)が９７°ないし９４°程度で中心軸からほんの少し外れる程度である。
【００４３】
図６は、本発明による受光素子の他の例の構造を示す断面図である。本実施形態の構成は、全反射層を金属層２００として形成したことを除いては、図２の構成と同一であるので、重複記載を回避し、金属層２００のみに関して説明する。
【００４４】
第２斜面Ｂに金属層２００を形成すると、光信号は、金属面において全反射される。ただ、金属(metal)の種類及び波長によって３０Åないし６０Å程度の表皮深さ(skin depth)を有するので、その表皮深さ以上の厚さを有するように金属層２００を形成する。
【００４５】
図７Ａないし図７Ｅは、上記のような受光素子の製造過程の一例を示す断面図である。この工程例は、光信号が反射なしで基板内部に入射するように第１斜面Ａ上に無反射層を形成し、空気層からなる全反射層を第２斜面Ｂ上に形成する構造に関する。
【００４６】
図７Ａに示すように、化学気相蒸着方(ＭＯＣＶＤ)を利用したｎ−型ＩｎＰ基板１１０（第１半導体層）の単結晶成長を通じて、ＩｎＰバッファ層(図示せず)、光吸収層１２０及びウィンドウ層１３０（第２半導体層）を順次に形成する。光吸収層１２０は、吸収しようとする光信号の波長のエネルギーバンドギャップ(band-gap)より小さいエネルギーバンドギャップを有する物質で構成され、一般的に、ＩｎＧａＡｓ物質を使用する。ウィンドウ層１３０は、光吸収層１２０とは反対に、吸収しようとする波長のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーバンドギャップを有する物質で構成され、ＩｎＰ物質を使用することができる。
【００４７】
図７Ｂに示すように、ｐ−型ＩｎＰ活性領域１４０（第２半導体層の導電型転換部分）は、ウィンドウ層１３０の所定領域に選択的にｐ−型不純物を拡散させることによって形成され、パッシベーション層１５０は、ウィンドウ層１３０の界面の酸化を防止するために誘電物質を利用して形成される。最後に、ｐ−型電極１６０は、活性領域１４０上に形成される。
【００４８】
図７Ｃに示すように、ＩｎＰ基板１１０を一定厚さに薄く(Thinning Process)した後、ＩｎＰ基板１１０の背面に選択的にエッチングマスク２１０を形成する。この時、第１グルーブ領域２２０及び第２グルーブ領域２３０は、エッチングマスク２１０のパターンによって決定され、エッチングマスク２１０は、第１グルーブ領域２２０がＩｎＰ基板１１０の端部にかかるように形成される。エッチングマスク２１０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘのような誘電膜またはフォトレジスト(Photo Resist: ＰＲ)から形成することができる。
【００４９】
次に、ＩｎＰ基板１１０は、ウェットエッチング法を利用してエッチングされる。エッチング溶液は、基板１１０の種類によって適宜選択可能である。ウェットエッチングは、結晶構造上(１１１)面が最も遅くエッチングされる特性を有するようにする。従って、ウェットエッチングは、(１１１)面が現れるまで遂行される。例えば、実施形態のように、ＩｎＰ基板１１０の場合、ＨＣｌ系、ＨＢｒ系またはＢｒ−Ｍｅ(ＯＨ)系エッチング溶液を使用して(１１１)面を得ることができる。Ｓｉ基板の場合は、ＫＯＨ系溶液を使用して、ＧａＡｓ基板の場合は、Ｈ２ＳＯ４系を使用して(１１１)面を得ることができる。このように形成された(１１１)面の傾斜角は、基板物質の種類及びエッチング溶液によって左右されるが、ほぼ基板背面の水平方向に対して５５±５°の角を有する。ウェットエッチング工程を通じて、図７Ｄに示すように、第１グルーブによる斜面Ａ及び第２グルーブによる斜面Ｂを形成した後、エッチングマスク２１０が除去される。
【００５０】
最後に、図７Ｅに示すように、第１斜面ＡにＰＥＣＶＤ(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)またはスパッタ(Sputter)を利用して無反射層１７０を形成した後、ｎ−型電極１９０を形成する。この時、無反射層１７０は、入射光が反射されて信号が損失されないように、無反射条件を満足する厚さ及び組成を選択して蒸着する。
【００５１】
以上、本発明を具体的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明の範囲は前述の実施形態によって限られるべきではなく、本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということは、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明らかである。例えば、基板に形成した第１斜面及び第２斜面を利用して光信号を屈折及び反射させることによって光信の経路を転換する技術思想は、IV族、II−VI族、III−V族基板を使用して製作された受信素子に多様に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来技術による面屈折入射型の光検出器の構造を示す断面図。
【図２】本発明による受光素子の第１実施例の構造を示す断面図。
【図３】多様な半導体物質の波長による吸収係数を示す図。
【図４】スネルの法則を説明するための図。
【図５】全反射の原理を説明するための図。
【図６】本発明による受光素子の第２実施例の構造を示す断面図。
【図７Ａ】本発明による受光素子の製造過程の一例を示す断面図。
【図７Ｂ】本発明による受光素子の製造過程の一例を示す断面図。
【図７Ｃ】本発明による受光素子の製造過程の一例を示す断面図。
【図７Ｄ】本発明による受光素子の製造過程の一例を示す断面図。
【図７Ｅ】本発明による受光素子の製造過程の一例を示す断面図。
【符号の説明】
【００５３】
１１０  半導体基板（第１半導体層）
１２０  光吸収層
１３０  ウインドウ層（第２半導体層）
１４０  活性領域（第２半導体層の導電型転換部分）
１５０  パッシベーション層
１６０  第１電極
１７０  無反射層
１８０  全反射層
１９０  第２電極
Ａ  第１斜面
Ｂ  第２斜面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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