(57)【要約】【課題】  本発明は、配線と外部端子の接合強度や電気的接続性能の向上を目的とする。【解決手段】  半導体装置は、集積回路１２に電気的に接続したパッド１６を含む半導体チップ４０と、パッド１６と電気的に接続する配線層２０と、配線層２０の凹部２６に接合するように設けられてなる外部端子２８と、凹部２６とオーバーラップする貫通穴２４が形成されて配線層２０上に設けられてなる樹脂層２２と、を含む。【選択図】        図５
2004304151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路が形成されており、前記集積回路に電気的に接続したパッドを含む半導体チップと、
凹部を有し、前記パッドと電気的に接続する配線層と、
前記配線層の前記凹部に接合するように設けられてなる外部端子と、
貫通穴が形成されており、前記貫通穴と前記凹部がオーバーラップするように前記配線層上に設けられてなる樹脂層と、
を含む半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ位置での幅が大きくなるように形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ第１の位置での第１の幅が大きくなり、前記第１の幅よりもさらに深さ方向に進んだ第２の位置での第２の幅が小さくなるように形成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層の前記貫通穴の内面は、前記外部端子に接触してなる半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体チップ上に形成された応力緩和層をさらに有し、
前記配線層は、前記応力緩和層上に形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、ソルダレジストから形成されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置が実装された回路基板。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【請求項９】
複数の集積回路が形成されており、それぞれの前記集積回路に電気的に接続したパッドを含む半導体基板と、
凹部を有し、前記パッドと電気的に接続する配線層と、
前記配線層の前記凹部に接合するように設けられてなる外部端子と、
貫通穴が形成されており、前記貫通穴と前記凹部がオーバーラップするように前記配線層上に設けられてなる樹脂層と、
を含む半導体ウエハ。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体ウエハにおいて、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ位置での幅が大きくなるように形成されてなる半導体ウエハ。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体ウエハにおいて、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ第１の位置での第１の幅が大きくなり、前記第１の幅よりもさらに深さ方向に進んだ第２の位置での第２の幅が小さくなるように形成されてなる半導体ウエハ。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体ウエハにおいて、
前記樹脂層の前記貫通穴の内面は、前記外部端子に接触してなる半導体ウエハ。
【請求項１３】
請求項９から請求項１２のいずれかに記載の半導体ウエハにおいて、
前記半導体基板上に形成された応力緩和層をさらに有し、
前記配線層は、前記応力緩和層上に形成されてなる半導体ウエハ。
【請求項１４】
請求項９から請求項１３のいずれかに記載の半導体ウエハにおいて、
前記樹脂層は、ソルダレジストから形成されてなる半導体ウエハ。
【請求項１５】
集積回路が形成されており、前記集積回路に電気的に接続したパッドを含む半導体基板に、前記パッドと電気的に接続する配線層を形成すること、
前記配線層を覆うように樹脂層を形成すること、
前記樹脂層及び前記配線層に、それぞれ、貫通穴及び凹部をオーバーラップするように形成すること、及び、
前記配線層の前記凹部に接合するように外部端子を設けること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層に前記貫通穴を形成した後に、前記配線層に前記凹部を形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、実装作業性や高密度化などの要求を満たす表面実装型パッケージが知られている。例えば、ＣＳＰ（Chip Scale/Size Package）では、半導体チップ上に樹脂層を介して配線が形成され、その上に外部端子（例えばハンダボール）が設けられている。このように、配線上に外部端子を設ける場合、両者の接合強度や電気的接続性能の向上が求められる。
【０００３】
本発明は、配線と外部端子の接合強度や電気的接続性能の向上を目的とする。
【特許文献１】国際公開第ＷＯ９８／３２１７０号パンフレット
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、集積回路が形成されており、前記集積回路に電気的に接続したパッドを含む半導体チップと、
凹部を有し、前記パッドと電気的に接続する配線層と、
前記配線層の前記凹部に接合するように設けられてなる外部端子と、
貫通穴が形成されており、前記貫通穴と前記凹部がオーバーラップするように前記配線層上に設けられてなる樹脂層と、
を含む。本発明によれば、配線層に凹部が形成されているので、配線層と外部端子の接合強度が向上する。また、凹部を形成することで、配線層の外部端子との接触面積が大きくなるので、配線層と外部端子との電気的接続性能が向上する。
（２）この半導体装置において、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ位置での幅が大きくなるように形成されていてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ第１の位置での第１の幅が大きくなり、前記第１の幅よりもさらに深さ方向に進んだ第２の位置での第２の幅が小さくなるように形成されていてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記樹脂層の前記貫通穴の内面は、前記外部端子に接触していてもよい。
（５）この半導体装置は、
前記半導体チップ上に形成された応力緩和層をさらに有し、
前記配線層は、前記応力緩和層上に形成されていてもよい。
（６）この半導体装置において、
前記樹脂層は、ソルダレジストから形成されていてもよい。
（７）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されてなる。
（８）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
（９）本発明に係る半導体ウエハは、複数の集積回路が形成されており、それぞれの前記集積回路に電気的に接続したパッドを含む半導体基板と、
凹部を有し、前記パッドと電気的に接続する配線層と、
前記配線層の前記凹部に接合するように設けられてなる外部端子と、
貫通穴が形成されており、前記貫通穴と前記凹部がオーバーラップするように前記配線層上に設けられてなる樹脂層と、
を含む。本発明によれば、配線層に凹部が形成されているので、配線層と外部端子の接合強度が向上する。また、凹部を形成することで、配線層の外部端子との接触面積が大きくなるので、配線層と外部端子との電気的接続性能が向上する。
（１０）この半導体ウエハにおいて、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ位置での幅が大きくなるように形成されていてもよい。
（１１）この半導体ウエハにおいて、
前記凹部は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ第１の位置での第１の幅が大きくなり、前記第１の幅よりもさらに深さ方向に進んだ第２の位置での第２の幅が小さくなるように形成されていてもよい。
（１２）この半導体ウエハにおいて、
前記樹脂層の前記貫通穴の内面は、前記外部端子に接触していてもよい。
（１３）この半導体ウエハは、
前記半導体基板上に形成された応力緩和層をさらに有し、
前記配線層は、前記応力緩和層上に形成されていてもよい。
（１４）この半導体ウエハにおいて、
前記樹脂層は、ソルダレジストから形成されていてもよい。
（１５）本発明に係る半導体装置の製造方法は、集積回路が形成されており、前記集積回路に電気的に接続したパッドを含む半導体基板に、前記パッドと電気的に接続する配線層を形成すること、
前記配線層を覆うように樹脂層を形成すること、
前記樹脂層及び前記配線層に、それぞれ、貫通穴及び凹部をオーバーラップするように形成すること、及び、
前記配線層の前記凹部に接合するように外部端子を設けること、
を含む。本発明によれば、配線層に凹部を形成し、凹部に外部端子を設けるので、配線層と外部端子の接合強度が向上する。また、凹部を形成することで、配線層の外部端子との接触面積が大きくなるので、配線層と外部端子との電気的接続性能が向上する。
（１６）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層に前記貫通穴を形成した後に、前記配線層に前記凹部を形成してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１〜図４及び図１２〜図１５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、図１に示すように半導体基板１０を使用する。半導体基板１０には、集積回路１２が形成されている。半導体基板１０を複数の半導体チップに切り出す場合、半導体基板１０には、複数の集積回路１２が形成され、個々の半導体チップが個々の集積回路１２を有することになる。
【０００７】
半導体基板１０の表面には、パッシベーション膜１４が形成されていてもよい。例えば、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等の無機材料でパッシベーション膜１４を形成してもよい。パッシベーション膜１４を複数層で形成してもよい。その場合、少なくとも１層（例えば表面層）を有機材料で形成してもよい。半導体基板１０（その表面）には、パッド１６が形成されている。パッド１６は、集積回路（例えば半導体集積回路）１２に電気的に接続されている。パッシベーション膜１４は、パッド１６の少なくとも中央部を避けて形成されている。
【０００８】
半導体基板１０には、応力緩和層１８を形成してもよい。応力緩和層１８は、半導体基板１０に樹脂前駆体（例えば熱硬化性樹脂前駆体）を塗布して形成してもよいし、半導体基板１０上で樹脂前駆体をスピンコートによって拡げて形成してもよい。応力緩和層１８は、複数層で形成してもよいし、１層で形成しもよい。応力緩和層１８は、電気的絶縁層である。応力緩和層１８は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等で形成してもよい。応力緩和層１８は、導電性粒子を含まない。応力緩和層１８は、遮光性を有する材料で形成してもよい。
【０００９】
応力緩和層１８は、放射線（光線（紫外線、可視光線）、Ｘ線、電子線）に感応する性質を有する放射線感応性樹脂前駆体で形成してもよい。放射線感応性樹脂前駆体（例えば感光性樹脂前駆体）として、放射線の照射された部分の溶解性が減少して不溶性となるネガ型と、放射線の照射された部分の溶解性が増加するポジ型がある。
【００１０】
応力緩和層１８は、パッド１６上を避けるように形成してもよい。応力緩和層１８は、半導体基板１０の切断用領域を避けるように形成してもよい。応力緩和層１８は、半導体基板１０上に連続的又は一体的に形成した後にパターニングしてもよい。半導体基板１０の複数領域（複数の集積回路１２が形成された領域）のそれぞれに、応力緩和層１８を形成してもよい。その場合、隣同士の応力緩和層１８の間にはスペースがある。
【００１１】
応力緩和層１８上に配線層２０を形成する。配線層２０は、１層で形成してもよいし、複数層で形成してもよい。例えば、スパッタリングでＴｉＷ層及びＣｕ層を積層し、その上にメッキによってＣｕ層を形成してもよい。その形成方法には、公知の技術を適用することができる。配線層２０は、パッド１６上を通るように（パッド１６と電気的に接続されるように）形成する。配線層２０は、パッド１６上から応力緩和層１８上に形成する。配線層２０は、ランド（ラインよりも幅の広い部分）を有するように形成してもよい。ランドは、その上に外部端子２８を設けるためのものである。
【００１２】
応力緩和層１８上に樹脂層２２を形成する。樹脂層２２はソルダレジストから形成してもよい。樹脂層２２は、配線層２０の全体あるいは一部（例えば外部端子２８を設ける領域を除く部分）を覆うように形成する。樹脂層２２は、応力緩和層１８を覆うように（例えば完全に覆うように）形成してもよい。樹脂層２２は、半導体基板１０の切断用領域が露出するように（切断用領域を避けるように）形成してもよい。樹脂層２２は、導電性粒子を含まない。樹脂層２２は、遮光性を有する材料で形成してもよい。
【００１３】
樹脂層２２は、半導体基板１０上に連続的又は一体的に形成した後にパターニングしてもよい。半導体基板１０の複数領域（複数の集積回路１２が形成された領域）のそれぞれに、樹脂層２２を形成してもよい。隣同士の樹脂層２２の間にはスペースがある。
【００１４】
図２に示すように、樹脂層２２に貫通穴２４を形成する。樹脂層２２に凹部２３を形成した後（図１３参照）、凹部２３から貫通穴２４を形成してもよい。凹部２３の形成方法として、樹脂層２２を、放射線（光線（紫外線、可視光線）、Ｘ線、電子線）に感応する性質を有する放射線感応性樹脂前駆体で形成し、これに放射線を照射してパターニング（例えば現像）してもよい。放射線感応性樹脂前駆体（例えば感光性樹脂前駆体）として、放射線の照射された部分の溶解性が減少して不溶性となるネガ型と、放射線の照射された部分の溶解性が増加するポジ型がある。
【００１５】
凹部２３の形成方法についてさらに詳しく説明する。図１２及び図１３に示す例では、露光工程において、放射線の照射量を少なくすること（例えば照射時間の短縮、光の強度の低下）により、凹部２３を形成する。図１２に示すように、樹脂層２２の上方にマスク５０を配置し、マスク５０を介して、樹脂層２２に放射線６０を照射する。本実施の形態では、一例として、ポジ型の放射線感応性樹脂前駆体を使用する。マスク５０は、放射線６０に対する遮蔽部分５２と、放射線６０に対する透過部分５４とを有する。マスク５０はガラス基材を含み、放射線６０を、ガラス基材を介して樹脂層２２に照射してもよい。
【００１６】
本工程では、放射線６０の照射量を、通常の場合（例えば樹脂層２２にストレートに延びる壁面を有する開口を形成する場合）に比べて少なくする。そのため、放射線６０は樹脂層２２の下部（配線２０に接する部分）には到達しないようになっている。放射線６０は樹脂層２２に対して垂直のみならず、斜めにも入射する。垂直に入射する放射線６０は、マスク５０のパターニング形状に対応して（透過部分５４のパターニング形状）に対応して樹脂層２２に照射される。斜めに入射する放射線６０は、マスク５０の遮蔽部分５２と透過部分５４との境界から回り込むように樹脂層２２に照射される。したがって、マスク５０の遮蔽部分５２と透過部分５４との直下付近では、透過部分５２の中央部から遮蔽部分５４の方向に進むにつれ、徐々に樹脂層２２に対する放射線６０の照射が少なくなり、放射線６０が照射される深さが徐々に浅くなる。こうして、樹脂層２２のうち、放射線６０の照射によって溶解性が増加した部分を、凹部形状にすることができる。その後、現像工程において、樹脂層２２の溶解性が増加した部分を溶解及び除去し、図１３に示すように凹部２３を形成することができる。
【００１７】
凹部２３の形成方法の変形例として、図１４及び図１５に示す例では、現像工程において、現像による溶解量を少なくすること（例えば現像時間の短縮、現像液の濃度の低下）により、凹部２３を形成する。まず、図１４に示すように露光工程を行う。本工程では、上述の形態（図１２参照）において説明した内容を適用することができるが、本変形例では、充分な量（例えば樹脂層２２にストレートに延びる壁面を有する開口を形成できる程度）の放射線６０を照射する。そのため、放射線６０は、樹脂層２２の下部（配線２０に接する部分）に到達するようになっている。放射線６０は、樹脂層２２の透過部分５２にオーバーラップする部分に照射される。図１４に示すように、放射線６０は、樹脂層２２に対する斜めの入射によって、透過部分５４の幅よりも大きい幅で照射されてもよい。その後、現像工程において、樹脂層２２の溶解性が増加した部分を溶解させるが、本変形例では現像による溶解量を少なくして行うので、図１５に示すように、樹脂層２２の溶解性が増加した部分の一部のみを除去することができる。現像液は、樹脂層２２の表面（配線２０とは反対の面）から浸入し、溶解性が増加した部分の中央部から端部の方向に進むにつれ、浸入深さが徐々に浅くなる。こうして、図１５に示すように凹部２３を形成することができる。
【００１８】
なお、通常の露光及び現像工程を行った場合でも、樹脂層２２の開口は、ストレート状の壁面は形成されず、開口の中央部から端部に進むにつれて厚くなるように樹脂の残さが生じることが多いが、この残さにより凹部２３を形成してもよい。
【００１９】
樹脂層２２を熱硬化性樹脂前駆体で形成した場合には、これを加熱して硬化させ、凹部２３の底部を除去することで貫通穴２４を形成する。貫通穴２４の形成方法は、例えばドライエッチングを適用してもよい。
【００２０】
また、配線層２０に凹部２６を形成する。貫通穴２４及び凹部２６は、オーバーラップするように形成する。凹部２６の形成には、エッチング（例えばドライエッチング）を適用してもよい。凹部２６の形成方法は、貫通穴２４の形成と同じであってもよい。樹脂層２２に貫通穴２４を形成するのと同時に（連続して）、凹部２６を形成してもよい。あるいは、樹脂層２２に貫通穴２４を形成した後に、配線層２０に凹部２６を形成してもよい。凹部２６は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ位置での幅が小さくなるように形成してもよい。凹部２６は、その内面が角を有しないように形成してもよい。凹部２６は、その内面が緩やかな曲面になるように形成してもよい。
【００２１】
図３に示すように、外部端子２８を形成する。外部端子２８は配線層２０上に形成する。詳しくは、外部端子２８は配線層２０の凹部２６に接合するように形成する。外部端子２８は、樹脂層２２の貫通穴２４の内面に接触してもよい。
【００２２】
外部端子２８は、軟ろう（soft solder）又は硬ろう（hard solder）のいずれで形成してもよい。軟ろうとして、鉛を含まないハンダ（以下、鉛フリーハンダという。）を使用してもよい。鉛フリーハンダとして、スズ−銀（Ｓｎ−Ａｇ）系、スズ−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）系、スズ−亜鉛（Ｓｎ−Ｚｎ）系、あるいはスズ−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系の合金を使用してもよいし、これらの合金に、さらに銀、ビスマス、亜鉛、銅のうち少なくとも１つを添加してもよい。外部端子２８の形成には、周知の方法を適用することができる。
【００２３】
図４に示すように、樹脂層２２上に第２の樹脂層３０を形成してもよい。第２の樹脂層３０には、応力緩和層１８の内容が該当してもよい。第２の樹脂層３０は、外部端子２８を囲むように設ける。第２の樹脂層３０は、外部端子２８の一部（例えば根本部）を覆っていてもよい。第２の樹脂層３０は、樹脂層２２を覆うように（例えば完全に覆うように）形成してもよい。第２の樹脂層３０は、半導体基板１０の全体を覆うように形成した後にパターニングしてもよい。第２の樹脂層３０を、外部端子２８が覆われるように設けた後、外部端子２８の上端部から第２の樹脂層３０を除去してもよい。パターニングには、応力緩和層１８のパターニングで説明した内容を適用することができる。あるいは、レーザの使用又はアッシングによって、第２の樹脂層３０の一部を除去してもよい。
【００２４】
本発明の実施の形態に係る半導体ウエハは、半導体基板１０を有する。半導体基板１０には、複数の集積回路１２（図１参照）が形成され、表面にパッド１６が形成されている。パッド１６は、それぞれの集積回路１２に電気的に接続する。パッド１６と電気的に接続するように配線層２０が形成されている。配線層２０上に、樹脂層２２が形成されている。配線層２０上に外部端子２８が形成されている。外部端子２８を囲むように第２の樹脂層３０が形成されていてもよい。
【００２５】
樹脂層２２には貫通穴２４が形成されている。配線層２０には凹部２６が形成されている。貫通穴２４及び凹部２６は、オーバーラップするように形成されている。凹部２６の開口全体が貫通穴２４内に形成されていてもよい。外部端子２８は、樹脂層２２の貫通穴２４の内面に接触していてもよい。外部端子２８は、凹部２６に接合するように設けられている。したがって、凹部２６によって、配線層２０と外部端子２８の接合強度が高い。また、凹部２６を形成することで、配線層２０の外部端子２８との接触面積が大きくなるので、配線層２０と外部端子２８との電気的接続性能が向上する。その他の詳細については、上述した通りである。
【００２６】
図４に示すように、半導体基板１０を、例えばカッタ（又はブレード）３２等によって、切断（例えば、スクライビング又はダイシング）する。こうして、半導体装置を得ることができる。
【００２７】
図５及び図６は、本実施の形態に係る半導体装置を説明する図であり、図５は、図６のＶ−Ｖ線断面図である。半導体装置は、半導体チップ４０を有する。半導体チップ４０は、半導体基板１０から切り出されたものであってもよい。半導体装置のその他の詳細は、半導体ウエハについての内容が該当する。
【００２８】
（第２の実施の形態）
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。本実施の形態では、配線層２０に形成する凹部３６の形状が、第１の実施の形態の凹部２６と異なる。凹部３６は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ位置での幅が大きくなるように形成されてなる。凹部３６は、その開口幅よりも深さ方向に進んだ第１の位置での第１の幅が大きくなり、第１の幅よりもさらに深さ方向に進んだ第２の位置での第２の幅が小さくなるように形成されてなる。配線層２０を等方的にエッチングすると、この形状の凹部３６が得られる。例えば、樹脂層２２に貫通穴２４を形成した後に、ウエットエッチングによって凹部３６を形成してもよい。それ以外の内容は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００２９】
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。半導体装置は、図７に示す半導体ウエハから製造してもよい。本実施の形態では、配線層２０の凹部３６に接合するように外部端子３８が設けられている。したがって、凹部３６によって、配線層２０と外部端子３８の接合強度が高い。また、凹部３６を形成することで、配線層２０の外部端子３８との接触面積が大きくなるので、配線層２０と外部端子３８との電気的接続性能が向上する。その他の内容は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００３０】
図９には、上述した実施の形態で説明した半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。この半導体装置を有する電子機器として、図１０にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１１には携帯電話３０００が示されている。
【００３１】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、図６のＶ−Ｖ線断面の一部拡大図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を説明する図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１４】図１４は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図１５】図１５は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００３３】
１…半導体装置  １０…半導体基板  １２…集積回路  １４…パッシベーション膜  １６…パッド  １８…応力緩和層  ２０…配線層  ２２…樹脂層  ２４…貫通穴  ２６…凹部  ２８…外部端子  ３０…第２の樹脂層  ３６…凹部  ３８…外部端子  ４０…半導体チップ
【図１】
2004304151.tif 000003
【図２】
2004304151.tif 000004
【図３】
2004304151.tif 000005
【図４】
2004304151.tif 000006
【図５】
2004304151.tif 000007
【図６】
2004304151.tif 000008
【図７】
2004304151.tif 000009
【図８】
2004304151.tif 000010
【図９】
2004304151.tif 000011
【図１０】
2004304151.tif 000012
【図１１】
2004304151.tif 000013
【図１２】
2004304151.tif 000014
【図１３】
2004304151.tif 000015
【図１４】
2004304151.tif 000016
【図１５】
2004304151.tif 000017