(57)【要約】【課題】優れた誘電特性を有する多官能スチレン化合物を含有する低誘電正接樹脂組成物を用いた低誘電正接フィルムおよび配線フィルムを提供することにある。【解決手段】下式：【化１】2004083680.tif 000008（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と、高分子量体とを含有する硬化性の低誘電正接フィルムおよびそれを絶縁層とする配線フィルム。【選択図】　図１
2004083680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式：
【化１】
2004083680.tif 000005
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数を表す。）
で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と、重量平均分子量５０００以上の高分子量体とを含有する硬化性の低誘電正接フィルム。
【請求項２】
請求項１に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムの硬化後の１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１〜０．００５であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項３】
請求項１に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが他の有機フィルム，有機クロス，有機不織布との複合材料であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項４】
請求項３に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム，有機クロス，有機不織布の熱膨張率が２０ｐｐｍ／℃　以下であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項５】
請求項４に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム，有機クロス，有機不織布が、ポリイミド，アラミド，ポリベンズオキサゾール，ポリフェニレンスルフィドの何れかを構成成分とすることを特徴とする低誘電正接樹脂フィルム。
【請求項６】
請求項１に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記高分子量体が、ブタジエン，イソプレン，スチレン，メチルスチレン，エチルスチレン，ジビニルベンゼン，アクリル酸エステル，アクリロニトリル、Ｎ−フェニルマレイミド及びＮ−ビニルフェニルマレイミドの少なくとも一種からなる重合体、置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド，ポリキノリンならびに脂環式構造を有するポリオレフィンからなる群から選ばれる少なくとも一種の樹脂であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項７】
請求項１に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが、第二の架橋成分としてフェノール樹脂，エポキシ樹脂，シアネート樹脂，ビニルベンジルエーテル樹脂，熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂を含有していることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項８】
請求項１に記載の低誘電正接フィルムにおいて、その表面の少なくとも一方の面に導体層を設置したことを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項９】
下記一般式：
【化１】
2004083680.tif 000006
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数を表す。）
で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と、重量平均分子量５０００以上の高分子量体とを含有する樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項１０】
請求項９に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが他の有機フィルム，有機クロス，有機不織布との複合材料であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム，有機クロス，有機不織布の熱膨張率が２０ｐｐｍ／℃　以下であることを特徴とする低誘電正接フィルム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の低誘電正接フィルムにおいて、前記有機フィルム，有機クロス，有機不織布が、ポリイミド，アラミド，ポリベンズオキサゾール，ポリフェニレンスルフィドの何れかを構成成分とすることを特徴とする低誘電正接樹脂フィルム。
【請求項１３】
下記一般式：
【化１】
2004083680.tif 000007
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４　は、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整数、ｎは２以上の整数を表す。）
で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と、重量平均分子量５０００以上の高分子量体とを含有する樹脂組成物の硬化物である低誘電正接フィルムで構成される絶縁層と配線層とを有することを特徴とする配線フィルム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の配線フィルムにおいて、前記低誘電正接フィルムが他の有機フィルム，有機クロス，有機不織布との複合材料であることを特徴とする配線フィルム。
【請求項１５】
請求項１３に記載の配線フィルムにおいて、前記絶縁層と配線層とを２層以上積層したことを特徴とする多層配線フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波信号に対応するための誘電損失の小さな配線フィルムおよびそれに用いる低誘電正接フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＰＨＳ，携帯電話等の情報通信機器の信号帯域，コンピューターのＣＰＵクロックタイムはＧＨｚ帯に達し、高周波数化が進行している。電気信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平方根，誘電正接及び使用される信号の周波数の積に比例する。そのため、使用される信号の周波数が高いほど誘電損失が大きくなる。誘電損失は電気信号を減衰させて信号の信頼性を損なうので、これを抑制するために絶縁体には誘電率及び誘電正接の小さな材料を選定する必要がある。絶縁体の低誘電率化及び低誘電正接化には分子構造中の極性基の除去が有効であり、フッ素樹脂，硬化性ポリオレフィン，シアネートエステル系樹脂，硬化性ポリフェニレンオキサイド，アリル変性ポリフェニレンエーテル，ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンで変性したポリエーテルイミド等が提案されている。例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素樹脂は、誘電率及び誘電正接がともに低く、高周波信号を扱う基板材料に使用されている。これに対して、有機溶剤に可溶で取り扱い易い、非フッ素系の低誘電率で低誘電正接の樹脂も種々検討されており、例えば、特開平８−２０８８５６号記載のポリブタジエン等のジエン系ポリマーをガラスクロスに含浸して過酸化物で硬化した例；特開平１０−１５８３３７号記載のノルボルネン系付加型重合体にエポキシ基を導入し、硬化性を付与した環状ポリオレフィンの例；特開平１１−１２４４９１号記載のシアネートエステル，ジエン系ポリマー及びエポキシ樹脂を加熱してＢステージ化した例；特開平９−１１８７５９号記載のポリフェニレンオキサイド，ジエン系ポリマー及びトリアリルイソシアネートからなる変性樹脂の例；特開平９−２４６４２９号記載のアリル化ポリフェニレンエーテル及びトリアリルイソシアネート等からなる樹脂組成物の例；特開平５−１５６１５９号記載のポリエーテルイミドと、スチレン，ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンとをアロイ化した例；特開平５−７８５５２号記載のジヒドロキシ化合物とクロロメチルスチレンからウイリアムソン反応で合成した、例えばヒドロキノンビス（ビニルベンジル）エーテルとノボラックフェノール樹脂からなる樹脂組成物の例など多数の例が挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような低誘電率，低誘電正接材においても、今後の高周波機器に対応するためには誘電特性が十分ではない。
【０００４】
本発明の目的は、従来材に比べて優れた誘電特性を有する多官能スチレン化合物を含有する低誘電正接樹脂組成物を用いた低誘電正接フィルムとそれを用いた配線フィルムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
多官能スチレン化合物の硬化物は極めて低い誘電率と誘電正接を有し、その値は測定周波数１０ＧＨｚにおいて誘電率が約２．５、誘電正接が０．００２未満である。
【０００６】
本多官能スチレン化合物にフィルム形成能を付与する検討を種々行った結果、高分子量体と多官能スチレン化合物を含有する低誘電正接フィルムの開発に至った。本低誘電正接フィルムは、他の有機フィルム，有機クロス，有機不織布と複合化して用いることによって、高強度化，低熱膨張化等の特性を付与することができる。本発明の低誘電正接フィルムは硬化性を有しているため、熱安定性，耐薬品性に優れた低誘電正接フィルムとなる。本低誘電正接フィルムはフレキシブル配線基板等の絶縁層として利用できる。本発明の低誘電正接フィルムで作製した配線フィルムは、誘電率，誘電正接が低いため高周波信号の伝送特性が優れ、また、軽量であるため、小型，軽量な電子機器の配線部材に好適である。
【０００７】
本発明の低誘電正接フィルム，配線フィルムについて説明する。
【０００８】
本発明の低誘電正接フィルムは、基本的には下記一般式：
【０００９】
【化１】
2004083680.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、同一又は異なっても良い、水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基を表し、Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８は同一又は異なっても良い、水素原子又は炭素数１から２０の炭化水素基を表し、ｎは２以上の整数を表す。）
で示される複数のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分と重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物をフィルム化することによって形成される。
【００１１】
本発明では架橋成分として極性基を含まない多官能スチレン化合物を用いることによって極めて低い誘電率と誘電正接を有する硬化性の低誘電正接フィルムを作製することができる。本架橋成分は、従来材において架橋成分として用いられてきたジビニルベンゼンのような揮発性を有していないため、低誘電正接フィルム作成時および保存時に架橋成分がフィルム外に揮発しないので樹脂組成比の変化が生じにくい。即ち、本架橋成分を用いると優れた誘電特性を有する低誘電正接フィルムを簡便に安定して作製することができる。本架橋成分の重量平均分子量（ＧＰＣ，スチレン換算置）は１０００以下であることが好ましい。これにより架橋成分の溶融温度の低温化，成型時の流動性の向上，硬化温度の低温化，種々のポリマー，モノマー，充填材との相溶性の向上等が改善され、加工性に富んだ低誘電正接フィルムを作製できる。架橋成分の好ましい例としては、１，２−ビス（ｐ−ビニルフェニル）エタン，１，２−ビス（ｍ−ビニルフェニル）エタン，１−（ｐ−ビニルフェニル）−２−（ｍ−ビニルフェニル）エタン，１，４−ビス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン，１，４−ビス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン，１，３−ビス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン，１，３−ビス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン，１−（ｐ−ビニルフェニルエチル）−３−（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン，ビスビニルフェニルメタン，１，６―（ビスビニルフェニル）ヘキサン及び側鎖にビニル基を有するジニルベンゼン重合体（オリゴマー）等が挙げられる。
【００１２】
本発明では低誘電正接な架橋成分に高分子量体を分散させることによって、フィルム形成能を付与すると共に、強度，伸び，導体配線への接着力の優れた絶縁フィルムを得ることができる。前記高分子量体は分子量が５０００以上であることが好ましく、より好ましくは１００００〜１０００００、更に好ましくは１５０００〜６００００であることが好ましい。分子量が小さい場合は、機械強度が不十分になる場合があり、分子量が大きすぎる場合は低誘電正接樹脂組成物をワニス化した際の粘度が高くなり、混合攪拌，成膜，含浸等の加工性が低下する場合がある。高分子量体の例としては、ブタジエン，イソプレン，スチレン，エチルスチレン，ジビニルベンゼン，Ｎ−ビニルフェニルマレイミド，アクリル酸エステル，アクリロニトリルから選ばれるモノマーの単独或いは共重合体，置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド，ポリキノリン，環状ポリオレフィン，ポリシロキサン，ポリエーテルイミド等が挙げられる。中でもポリフェニレンオキサイド，環状ポリオレフィンは強度や低誘電正接性の観点で好ましい。これらの高分子量体は複合して用いても良い。本低誘電正接フィルムは、架橋成分の含有量が５０ｗｔ％を超えるとセルフスタンディング性を失う場合が多いので、離型フィルムあるいは導体配線の形成に使用する導体箔を支持体として、該支持体上に低誘電正接樹脂組成物ワニスを塗布，乾燥してフィルム化し、用いることが加工性の確保の点で好ましい。
【００１３】
本発明の低誘電正接フィルムの硬化後の誘電正接は、配合する高分子量体の種類，配合量にもよるが、１０ＧＨｚにおける誘電正接を０．００１〜０．００５と非常に低くすることができる。例えば高分子量体としてポリフェニレンオキサイドを配合した低誘電正接フィルムの硬化物では、１０ＧＨｚにおける誘電正接を０．００２未満とすることができる。
【００１４】
本発明では、前記の架橋成分と高分子量体を他の有機フィルム，有機クロス，有機不織布と複合化することによって架橋成分と高分子量体の種類，組成比によらず未硬化の低誘電正接フィルムにセルフスタンディング性を付与することができる。セルフスタンディングなフィルムは取り扱い易く各種の加工が容易である。有機系のフィルム，クロス，不織布は、ガラス系のクロス，不織布に比べて誘電率が低く、軽量である。その点で小型，軽量な高周波用電子機器の配線部材としてより好ましい。複合化した低誘電正接フィルムは低誘電正接樹脂組成物のワニスを有機フィルム，有機クロス，有機不織布に塗布あるいは含浸し、乾燥することによって容易に作製できる。この際、有機フィルム，有機クロス，有機不織布に、あらかじめ低誘電正接樹脂組成物との接着性を改善する目的で表面粗化，カップリング処理等の処理を施してもよい。複合タイプの低誘電正接フィルムは硬化後のフィルム内に有機フィルム，有機クロス，有機不織布の何れかを内包する。そのため、低誘電正接フィルムの熱膨張率は、内包する有機フィルム，有機クロス，有機不織布の影響をうけ、例えば、有機フィルム，有機クロス，有機不織布として熱膨張率が２０ｐｐｍ／℃　以下の材料を選定することによって、低誘電正接フィルムの熱膨張率を低くすることができる。有機フィルム，有機クロス，有機不織布を形成する好ましいポリマーの例としては、ポリイミド，アラミド，ポリベンズオキサゾール，ポリフェニレンスルフィド等が上げられる。
【００１５】
本発明の低誘電正接フィルムに含まれる低誘電正接樹脂組成物の架橋成分と高分子量体の添加量に関しては特に制限はないが、架橋成分が５〜９５重量部、高分子量体が９５〜５重量部の範囲で添加するのが好ましい。前記組成範囲内で、成膜性，強度，伸び，接着性の向上等の目的に応じて組成を調整することができる。また、低誘電正接樹脂組成物と有機フィルム，有機クロス，有機不織布を複合化する際の配合比率は、必要とする熱膨張率に応じて任意に選定することができる。
【００１６】
前記、低誘電正接樹脂組成物をワニス化するための有機溶剤は、架橋成分及び高分子量体を溶解するものであれば特に制限はなく、例えば、アセトン，メチルエチルケトン，メチルイソブチルケトン等のケトン類，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素類，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類，ジエチルエーテル，エチレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノメチルエーテル，テトラヒドロフラン，ジオキサン等のエーテル類，メタノール，エタノール，イソプロパノール等のアルコール類等が挙げられ、これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上混合して用いてもよい。
【００１７】
本発明の低誘電正接フィルムは硬化触媒を添加しなくとも加熱のみによって硬化することができるが、硬化効率の向上を目的として、スチレン基を重合しうる硬化触媒を添加することができる。その添加量には特に制限はないが、硬化触媒の残基が誘電特性に悪影響を与える恐れがあるので、前記架橋成分及び高分子量体の合計１００重量部に対して、０．０００５　〜１０重量部とすることが望ましい。硬化触媒を前記範囲で添加することにより、スチレン基の重合反応が促進され、低温で強固な硬化物を得ることができる。スチレン基の重合を開始しうるカチオン又はラジカル活性種を、熱又は光によって生成する硬化触媒の例を以下に示す。カチオン重合開始剤としては、ＢＦ４，ＰＦ６，ＡｓＦ６，ＳｂＦ６を対アニオンとするジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホニウム塩及び脂肪族スルホニウム塩が挙げられ、旭電化工業製ＳＰ−７０，１７２，ＣＰ−６６，日本曹達製ＣＩ−２８５５，２８２３，三新化学工業製ＳＩ−１００Ｌ及びＳＩ−１５０Ｌ等の市販品を使用することができる。ラジカル重合開始剤としては、ベンゾイン及びベンゾインメチルのようなベンゾイン系化合物，アセトフェノン及び２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンのようなアセトフェノン系化合物，チオキサントン及び２，４−ジエチルチオキサントンのようなチオキサンソン系化合物，４，４′−ジアジドカルコン，２，６−ビス（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン及び４，４′−ジアジドベンゾフェノンのようなビスアジド化合物，アゾビスイソブチルニトリル，２，２−アゾビスプロパン，ｍ，ｍ′−アゾキシスチレン及びヒドラゾンのようなアゾ化合物、ならびに２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン及び２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３，ジクミルパーオキシドのような有機過酸化物等が挙げられる。特に、官能基を持たない化合物の水素引き抜きを生じさせ、架橋成分と高分子量体間の架橋をもたらしうる有機過酸化物又はビスアジド化合物を添加することが望ましい。
【００１８】
本発明の低誘電正接フィルムには、未硬化時の保存安定性を増すために重合禁止剤を添加することもできる。その添加量は、誘電特性，硬化時の反応性を著しく阻害しないような範囲であることが好ましく、前記架橋成分及び高分子量体の合計１００重量部に対して、０．０００５　〜５重量部とすることが望ましい。重合禁止剤を前記範囲で添加すると、保存時の余計な架橋反応を抑制することができ、また、硬化時に著しい硬化障害をもたらすこともない。重合禁止剤の例としては、ハイドロキノン，ｐ−ベンゾキノン，クロラニル，トリメチルキノン，４−ｔ−ブチルピロカテコール等のキノン類及び芳香族ジオール類が挙げられる。
【００１９】
本発明の低誘電正接フィルムを作製する際の乾燥条件，硬化条件は、低誘電正接樹脂組成物の組成，ワニス化に用いた溶媒によるが、例えば溶媒としてトルエンを使用した場合の乾燥条件は、８０〜１２０℃で３０〜９０分程度乾燥するのが好ましく、その後、プレス加工によって導体箔と低誘電正接フィルムとを積層接着する場合には１５０℃〜１８０℃で１〜３時間，プレス圧力１〜５ＭＰａの範囲内で接着，硬化することが好ましい。ラミネート法によって低誘電正接フィルムと導体箔を接着する場合には、低誘電正接樹脂組成物の組成にもよるが１００℃前後の加熱によって銅箔と低誘電正接フィルムを融着し、その後、１５０℃〜１８０℃で後加熱することが好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、以下の説明中に部とあるのは、特に断りのない限り重量部を指す。
【００２１】
以下に実施例及び比較例に使用した試薬の名称，合成方法，ワニスの調製方法及び硬化物の評価方法を説明する。
【００２２】
（１）１，２−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥ）の合成
１，２−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥ）は、以下に示すような公知の方法で合成した。５００ｍｌの三つ口フラスコにグリニャール反応用粒状マグネシウム（関東化学製）５．３６ｇ（２２０ｍｍｏｌ）をとり、滴下ロート，窒素導入管及びセプタムキャップを取り付けた。窒素気流下，スターラーによってマグネシウム粒を攪拌しながら、系全体をドライヤーで加熱脱水した。乾燥テトラヒドロフラン３００ｍｌをシリンジにとり、セプタムキャップを通じて注入した。溶液を−５℃に冷却した後、滴下ロートを用いてビニルベンジルクロライド（ＶＢＣ，東京化成製）３０．５ｇ（２００ｍｍｏｌ）を約４時間かけて滴下した。滴下終了後、０℃／２０時間、攪拌を続けた。反応終了後、反応溶液をろ過して残存マグネシウムを除き、エバポレーターで濃縮した。濃縮溶液をヘキサンで希釈し、３．６％　塩酸水溶液で１回、純水で３回洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで脱水した。脱水溶液をシリカゲル（和光純薬製ワコーゲルＣ３００）／ヘキサンのショートカラムに通して精製し、真空乾燥してＢＶＰＥを得た。得られたＢＶＰＥはｍ−ｍ体（液状），ｍ−ｐ体（液状），ｐ−ｐ体（結晶）の混合物であり、収率は９０％であった。１Ｈ−ＮＭＲ　によって構造を調べたところその値は文献値と一致した（６Ｈ−ビニル：α−２Ｈ，６．７，β−４Ｈ，５．７，５．２；８Ｈ−アロマティック：７．１〜７．３５；４Ｈ−メチレン：２．９）。
【００２３】
このＢＶＰＥを架橋成分として用いた。
【００２４】
（２）その他の試薬
その他の構成部材として、以下に示すものを使用した。
高分子量体；
ＰＰＯ：アルドリッチ製，ポリ−２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキシド
ポリキノリン：日立化成製，ＰＱ１００
硬化触媒；
２５Ｂ：日本油脂製２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（パーヘキシン２５Ｂ）
複合材料；
デュポン製アラミド不織布，サーマウントＥ２１０（厚さ約５０μｍ，約１９ｐｐｍ／℃　）
東レ製ポリフェニレンサルファイドフィルム，トレリナ（厚さ約２５μｍ，熱膨張率約３０ｐｐｍ／℃　）
（３）ワニスの調製方法
所定量の高分子量体，架橋成分及び硬化触媒をクロロホルムに溶解することによって樹脂組成物のワニスを作製した。
【００２５】
（４）硬化絶縁フィルムの作製
前記ワニスを有機フィルム，不織布に塗布して、窒素気流下８０℃／６０分間乾燥した後に、低誘電正接フィルムと銅箔を重ね合わせ、ポリイミドフィルム及び鏡板を介して真空下で、加熱及び加圧して硬化物としての銅箔付き絶縁フィルムを作製した。加熱条件は、１２０℃／３０分，１５０℃／３０分，１８０℃／１００分で、プレス圧力１．５ＭＰａ　の多段階加熱とした。フィルムの大きさは約１５０×７０×０．０５ｍｍとした。
【００２６】
（５）誘電率及び誘電正接の測定
誘電率，誘電正接は空洞共振法（アジレントテクノロジー製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー，関東電子応用開発製空洞共振器）によって、１０ＧＨｚでの値を観測した。測定試料は、前記、銅箔付き低誘電正接フィルムの銅箔をエッチングによって除去し、８０×２ｍｍのサイズの切り出して作製した。
【００２７】
（６）熱膨張率の測定
熱膨張率は、真空理工製サーモメカニカルアナライザーＴＭ―７０００を用いてα１の値を求めた。測定試料は、前記銅箔付き低誘電正接フィルムの銅箔をエッチングによって除去し、３０×２ｍｍのサイズに切り出して作製した。測定条件は支点間距離を２０ｍｍ、昇温速度を２℃／分、引張加重を２ｇｆとした。
【００２８】
［比較例１］
比較例１は、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）をクロロホルムに溶解して銅箔上に塗布，乾燥して作製した銅箔付き低誘電正接フィルムの例である。比較例１の低誘電正接フィルムは誘電率が約２．４、誘電正接が約０．００２２と優れた電気特性を有するものの、トルエンに対して膨潤，溶解した。また、熱膨張率は６０ｐｐｍ／℃　と比較的高い値を示した。比較例１の低誘電正接フィルムを２枚重ね合わせて、１．５ＭＰａ　の圧力でプレス加工したところ、１８０℃の加熱では融着せず、多層化できなかった。多層化するためには、２８０℃以上でのプレス加工が必要であった。これはポリフェニレンオキサイドの溶融温度が高いためである。
【００２９】
［実施例１］
実施例１は、高分子量体としてＰＱ１００を、架橋成分としてＢＶＰＥを用いた例である。実施例１の低誘電正接フィルムはセルフスタンディングフィルムであった。本フィルムを銅箔で挟み込み、１．５ＭＰａ　の圧力でプレス加工したところ、加熱温度１８０℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、１００分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解，膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が２．６５、誘電正接が０．００５と低い値を示した。熱膨張率は５５ｐｐｍ／℃　であった。
【００３０】
［実施例２］
実施例２は、高分子量体としてＰＰＯを、架橋成分としてＢＶＰＥを用いた例である。実施例２の低誘電正接フィルムはセルフスタンディングフィルムではない。本フィルムは銅箔上に塗布，乾燥して作製した。本銅箔付きフィルムを２枚重ね合わせて１．５ＭＰａの圧力でプレス加工したところ、加熱温度１８０℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、１００分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解，膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が２．４３、誘電正接が０．００１８と低い値を示した。熱膨張率は６０ｐｐｍ／℃　であった。
【００３１】
［実施例３］
実施例３は、高分子量体としてポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）を、架橋成分としてＢＶＰＥを、有機フィルムとしてトレリナを用いた例である。有機フィルムの表面はサンドペーパーによって粗化した。粗化後のフィルム表面の凹凸は約５μｍであった。その後、有機フィルムを低誘電正接樹脂組成物のワニスに浸し、乾燥して複合化した低誘電正接フィルムを得た。実施例２の低誘電正接フィルムは、有機フィルムの重量を１００として、ほぼ１００部の低誘電正接樹脂組成物が塗布されたセルフスタンディングフィルムであった。本フィルムを銅箔で挟み込み、１．５ＭＰａ　の圧力でプレス加工したところ、加熱温度１８０℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、１００分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解，膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が２．７０、誘電正接が０．００２５と低い値を示した。熱膨張率は４３ｐｐｍ／℃　と複合化によって低下した。
【００３２】
［実施例４］
実施例４は、高分子量体としてポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）を、架橋成分としてＢＶＰＥを、有機不織布としてＥ２１０を用いた例である。有機不織布に低誘電正接樹脂組成物を含浸して低誘電正接フィルムを得た。本フィルムの低誘電正接樹脂組成物の含浸量はフィルム重量を１００部として、ほぼ１００部であった。本低誘電正接フィルムを銅箔で挟み込み、１．５ＭＰａ　の圧力でプレス加工したところ、加熱温度１８０℃への昇温過程で銅箔と融着した。その後、１００分間加熱を続け硬化した。硬化した低誘電正接フィルムをエッチング処理によって取り出した。本低誘電正接フィルムは、トルエンに対して溶解，膨潤せず安定であった。また、本低誘電正接フィルムは誘電率が２．７５　、誘電正接が０．００２５　と低い値を示した。熱膨張率は３６ｐｐｍ／℃　と複合化によって低下した。
【００３３】
【表１】
2004083680.tif 000004
【００３４】
［実施例５］
配線フィルムおよび多層配線フィルムの作成例を図１にて説明する。工程Ａ；実施例４と同様にして銅箔（２）を有する低誘電正接フィルム（１）を作製した。工程Ｂ；エッチング法によって銅箔に配線（３）を形成した。以上のようにしてフレキシブル配線板を作成した。次いで多層化の一例を示す。工程Ｃ；２枚のフレキシブル配線板を実施例４の未硬化低誘電正接フィルムを介して積層し、加熱，加圧によって硬化して多層化した。工程Ｄ；所定の位置にドリル加工によってスルーホールを形成した。工程Ｅ；スルーホール直上に開口部を有するめっきレジスト（５）を形成し、スルーホール内に無電解めっき，電気めっきを併用してめっき銅（６）を形成した。工程Ｇ；一旦、めっきレジストを除去した後、通常のエッチング法によって外層配線を形成し、レキシブル多層配線板を作製した。本フレキシブル配線板は低誘電率，低誘電正接材料によって絶縁層を形成しているため伝送損失が低い。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電率，誘電正接が低い低誘電正接フィルムが得られる。本低誘電正接フィルムは、フレキシブルな配線フィルムの絶縁層として好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】配線フィルム，多層配線フィルムの作成例を示す模式図である。
【符号の説明】
１…低誘電正接フィルム、２…銅箔、３…配線、４…スルーホール、５…めっきレジスト、６…めっき銅。
【図１】
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