(57)【要約】【課題】フォトマスクと露光領域との位置合わせに露光装置のレーザー測長系を必要としない露光方法を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板１０１と貼り合わされてデバイスを構成するためのＣＦ基板１００が載置されたステージ３１とフォトマスク３３とを相対移動させて、ＣＦ基板１００の複数の露光領域１００ａのそれぞれにデバイスの一部として機能する複数層のパターンを順次露光する露光方法において、複数層のうち最初の層の露光前に、アライメントマーク５３…５３をＣＦ基板１００に形成する工程と、アライメントマーク５３…５３とフォトマスク３３に設けられたアライメントマーク５１…５１との相対位置に基づいて複数層のそれぞれの露光領域１００ａ…１００ａと、各層に対応するフォトマスク３３とを順次位置合せする工程とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向基板と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板が載置されたステージとフォトマスクとを相対移動させて、前記露光基板の複数の露光領域のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層のパターンを順次露光する露光方法において、
前記複数層のうち最初の層の露光前に、複数のアライメントマークを前記露光基板に形成する工程と、
前記複数のアライメントマークと前記フォトマスクに設けられたアライメントマークとの相対位置に基づいて前記複数層のそれぞれの露光領域と、各層に対応するフォトマスクとを順次位置合せする工程と、
を備えることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記対向基板は、前記複数の露光領域のそれぞれと相互に貼り合わされる複数の対向領域を有し、
前記形成する工程では、前記対向領域のパターンを形成する装置の誤差の影響を含んだ前記複数の対向領域の配置と、前記複数の露光領域の配置とを一致させるように、前記複数のアライメントマークを前記露光基板に形成することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記露光基板はガラス基板であり、
前記形成する工程では、前記露光基板にレーザー光を照射して前記ガラス基板内部の光学的性質を変化させることにより、前記複数のアライメントマークを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項４】
対向基板と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板が載置されたステージとフォトマスクとを相対移動させて、前記露光基板の複数の露光領域のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層のパターンを順次露光する露光装置を備えたパターン形成装置において、
前記露光装置とは別に設けられ、複数のアライメントマークを前記露光基板に形成するマーキング装置を備えることを特徴とするパターン形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カラーフィルターやＴＦＴ基板等の互いに貼り合わされてデバイスを構成する基板の露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上の複数の露光領域に対して順次マスクパターンを露光する露光装置として、レーザー測長系によりステージ位置を測定しながらステージを駆動することにより、フォトマスクと露光領域とを順次位置合わせするものが知られている。この露光装置を用いて複数層に対して露光を行なう場合、例えば、カラーフィルターに対して露光を行なう場合、ブラックマトリクス層やＲ、Ｇ、Ｂ層等の各層に対応してそれぞれ別の露光装置が用意される。そして、最初の層（ブラックマトリクス層）の露光装置はレーザー測長系を用いてフォトマスクの位置合わせを行なうとともに、露光と同時にアライメントマークを形成し、以降の層（Ｒ、Ｇ、Ｂ層）の露光装置はそのアライメントマークに基づいてフォトマスクの位置合わせを行なって露光する。
【０００３】
また、半導体ウェハのスクライブラインにより複数に区分されたフィールドに対して露光する装置として、スクライブラインにアライメントマークを形成し、そのアライメントマークとフォトマスクのアライメントマークとを位置合わせするものが知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−１０９６０５号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述の技術では、レーザー測長系を露光装置に設けることから、種々の不都合が生じた。例えば、他の基板と貼り合わせたときに、互いの複数の露光領域がそれぞれ一致する必要があること等から、レーザー測長系には高い精度が要求される。しかし、レーザー測長系は、温度変化、気圧変化等で測定値に誤差が生じるため、露光装置の温度等を高精度に制御する必要があった。また、最初の層の露光装置と、以降の層の露光装置とでは、装置の構成が異なることになり、露光装置の互換性を確保することが困難であった。互換性を確保するために各層の露光装置全てにレーザー測長系を設けることも考えられるが、レーザー測長系は高価なものであり現実的ではなかった。
【０００６】
そこで、本発明は、フォトマスクと露光領域との位置合わせに露光装置のレーザー測長系を必要としない露光方法及びパターン形成装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【０００８】
本発明の露光方法は、対向基板（１０１）と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板（１００）が載置されたステージ（３１）とフォトマスク（３３）とを相対移動させて、前記露光基板の複数の露光領域（１００ａ…１００ａ）のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層のパターンを順次露光する露光方法において、前記複数層のうち最初の層の露光前に、複数のアライメントマーク（５３…５３）を前記露光基板に形成する工程と、前記複数のアライメントマークと前記フォトマスクに設けられたアライメントマーク（５１…５１）との相対位置に基づいて前記複数層のそれぞれの露光領域と、各層に対応するフォトマスクとを順次位置合せする工程と、を備えることにより、上述した課題を解決する。
【０００９】
本発明によれば、デバイスの一部として機能する全ての層において、露光領域とフォトマスクとの位置合わせがアライメントマークに基づいて行なわれるから、各層の露光装置にレーザー測長系を設ける必要が無い。従って、稼動時の温度条件の緩和、露光装置の互換性確保が実現される。また、対向基板と貼り合わされる露光基板への露光では、複数の露光領域と対向基板の複数の対向領域とを一致させる必要から、複数の露光領域間の相対位置を予め設定された相対位置にしなければならない。このため、従来のようなレーザー測長系を用いて最初の層を露光する方法では、複数の露光領域のうち一部の露光領域にのみ露光を行なったときに、他の露光装置に基板を移してしまうと、既に露光した露光領域の位置を特定することができず、残りの露光領域に対して露光を行なうことができなかった。従って、一つの層の全ての露光領域に対して一台の露光装置で露光を行なわなければならなかった。しかし、本発明では露光前にアライメントマークにより複数の露光領域の相対位置が特定されているから、複数の露光領域のうち一部の露光領域に露光した後、他の露光装置に移して残りの露光領域に対して露光を行なうこともできる。これにより、一枚の基板に複数種のパターンを形成することが可能となり、基板の面付けロスを防止したり、種々の事情に応じた混流生産を行なうことができる。
【００１０】
本発明の露光方法において、前記対向基板は、前記複数の露光領域のそれぞれと相互に貼り合わされる複数の対向領域（１０１ａ）を有し、前記形成する工程では、前記対向領域のパターンを形成する装置の誤差の影響を含んだ前記複数の対向領域の配置と、前記複数の露光領域の配置とを一致させるように、前記複数のアライメントマークを前記露光基板に形成してもよい。アライメントマークを予め設定された位置に形成したとしても、対向領域のパターンを形成する装置固有の癖に基づく対向領域の位置ずれにより、対向領域と露光領域とを精度よく一致させることができないおそれがある。しかし、上述の本発明の態様によれば、対向領域のパターンを形成する装置の誤差を見込んでアライメントマークを形成するから、露光領域と対向領域との位置合わせの精度が向上する。なお、誤差の影響を含んだ対向領域の配置は、パターンが形成された対向基板の対向領域の位置をマーキング装置で測定することにより取得してもよいし、パターンを形成する装置の動作特性の試験等のなんらかの方法により、装置の癖を把握することにより取得してもよい。
【００１１】
本発明の露光方法において、前記露光基板はガラス基板であり、前記形成する工程では、前記露光基板にレーザー光を照射して前記ガラス基板内部の光学的性質を変化させることにより、前記複数のアライメントマークを形成してもよい。この場合、ガラス内部にアライメントマークが形成されるから、その後の露光基板に対する処理によりアライメントマークが変形、削除されるおそれがない。このため、各層の露光領域に対するフォトマスクの位置合わせが正確に行なわれる。
【００１２】
なお、本発明の露光方法において、前記露光基板は静電チャック（４２ａ）に保持された状態で前記対向基板に貼り合わされるものであり、前記形成する工程では、前記貼り合せの際に用いられる静電チャックと同一機種の静電チャック（２１ａ）により前記露光基板を保持した状態で、前記複数のアライメントマークを形成してもよい。アライメントマークを正確な位置に形成して露光を行なっても、貼り合せ時に静電チャックにより露光基板に変形が生じて露光領域の位置がずれ、露光領域と対向領域とが精度よく位置合わせされないおそれがある。しかし、上述の本発明の態様では、貼り合せ時の変形が再現された状態で露光基板にアライメントマークが形成されるから、アライメントマーク形成時の露光領域の位置と貼り合せ時の露光領域の位置とは一致し、露光領域と対向領域とが精度よく位置合わせされる。
【００１３】
本発明のパターン形成装置（１）は、対向基板（１０１）と貼り合わされてデバイスを構成するための露光基板（１００）が載置されたステージ（３１）とフォトマスク（３３）とを相対移動させて、前記露光基板の複数の露光領域（１００ａ）のそれぞれに前記デバイスの一部として機能する複数層のパターンを順次露光する露光装置（１２、１３、１４、１５）を備えたパターン形成装置において、前記露光装置とは別に設けられ、複数のアライメントマークを前記露光基板に形成するマーキング装置（１１）を備えることにより、上述した課題を解決する。
【００１４】
本発明のパターン形成装置によれば、露光装置により各層に対して露光を行なう前に、マーキング装置により基板にアライメントマークを形成することができるから、上述した露光方法を実現可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明のパターン形成装置１の構成を示す図である。パターン形成装置１は、ＣＦ基板１００（露光基板、図８参照）に対してフォトリソグラフィーによりパターンを形成する装置として形成されている。
【００１６】
ＣＦ基板１００は、例えばガラス基板で構成され、厚さ１ｍｍ、面積４ｍ２に形成されている。ＣＦ基板１００は、パターン形成装置１によるパターン形成後、貼り合わせ装置２によりＴＦＴ基板１０１（図７（ａ）参照）と貼り合わされる。１組のＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板１０１からは、６枚の液晶表示デバイスが製造される。このため、図８にも示すように、ＣＦ基板１００上の６つの露光領域１００ａ…１００ａに対してパターン形成装置１により露光が行われる。
【００１７】
図１のパターン形成装置１は、ＣＦ基板１００にアライメントマーク５３（図７（ｂ）参照）を形成するためのマーキング装置１１と、ＣＦ基板１００上の各層に対してそれぞれ露光を行なうための複数の露光装置１２〜１５とを備えている。露光装置１２〜１５は、例えば、ブラックマトリクス層、Ｒ層、Ｇ層、Ｂ層にそれぞれ対応して設けられている。なお、パターン形成装置１にはこの他、各露光装置１２〜１５による露光前にＣＦ基板１００の表面に顔料を分散した感光性樹脂やレジストを薄膜状に成膜するコーター、露光後のＣＦ基板１００に対して現像処理を行なう現像装置等の種々の装置が設けられるが、本発明の要旨ではないので説明は省略する。
【００１８】
図２（ａ）は、マーキング装置１１の構成を示す側面図である。マーキング装置１１は、ＣＦ基板１００を載置するためのステージ２１と、ステージ２１を水平方向において駆動するための駆動装置２２と、ステージ２１の位置を測定するためのレーザー測長系２３と、ＣＦ基板１００にマーキングするための光学系２４と、ステージ２１上を撮像するカメラ２５と、制御装置２６とを備えている。
【００１９】
ステージ２１の上面には、静電気力によりＣＦ基板１００を吸着保持する静電チャック２１ａが設けられている。静電チャック２１ａは、貼り合せ装置２の静電チャック４２ａ（図３（ｂ）参照）と同じものである。静電チャック２１ａには種々の公知技術を利用可能である。静電チャック２１ａは、例えば絶縁体（不図示）と、その絶縁体に埋設された電極（不図示）とを備えて構成されている。絶縁体に面型の電極が埋設されたものでもよいし、双極の電極が埋設されたものでもよいし、多数の電極が埋設されたものでもよい。
【００２０】
駆動装置２２は、例えば電動モータを含んで構成され、その動作は制御装置２６によって制御される。レーザー測長系２３は、例えばステージ２１に向けてレーザー光を照射するとともに、反射されたレーザー光を受光してステージまでの距離を測定するレーザー干渉計（不図示）を含んで構成されている。レーザー干渉計は測定した距離に応じた信号を制御装置２６に出力する。
【００２１】
光学系２４は、例えばレーザー２７と、対物レンズ２８とを含んで構成されている。図２（ｂ）に示すように、レーザー２７から出力されたレーザー光Ｌは、対物レンズ２８により集光点Ｑに集光される。集光点Ｑではレーザー光ＬによりＣＦ基板１００の光学的性質が変化する。例えば、レーザー光Ｌによりガラス内部に泡が生じ、集光点Ｑにおいて光が散乱されやすくなる。従って、レーザー光ＬをＣＦ基板１００に対して走査することにより、ＣＦ基板１００にアライメントマーク５３が形成される。なお、レーザー光Ｌの走査は、ステージ２１を水平方向に駆動することによって行なってもよいし、光学系２４に含まれるレンズやミラー等を駆動することによって走査してもよい。レーザー２７には例えばパルスレーザーを用い、ドットを繋ぐことによりマーキングを行なってもよい。
【００２２】
カメラ２５は、例えばＣＣＤカメラとして構成され、撮像した画像に基づく映像信号を制御装置２６に出力する。カメラ２５は、光学系２４によりレーザー光Ｌが照射される範囲を撮像可能に設けられている。制御装置２６は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、外部記憶装置を含んだコンピュータとして構成され、外部記憶装置に記録されているプログラム等に従って、静電チャック２１ａ、駆動装置２２、レーザー２７等の種々の装置の動作を制御する。
【００２３】
図３（ａ）は、露光装置１２の構成を示す側面図である。なお、露光装置１３〜１５も同様の構成である。露光装置１２は、ＣＦ基板１００を載置するステージ３１と、ステージ３１を水平方向及び上下方向において駆動する駆動装置３２と、ステージ３１の上方に配置されたフォトマスク３３と、フォトマスク３３の上方からステージ２上を撮像するカメラ３４、３４と、制御装置３５とを備えている。なお、露光装置１２はこの他、フォトマスク３３に光束を照射するための照明装置等の種々の装置を備えるが、本発明の要旨ではないので説明は省略する。ただし、露光装置１２には、ステージ３１の水平方向の位置を測定するためのスケールはあるがレーザー測長系は設けられていない。
【００２４】
ステージ３１の上面には、真空チャック３１ａが設けられている。駆動装置３２は、例えば電動モータを含んで構成され、制御装置３５によって制御される。フォトマスク３３は、図８に示すように、一つの露光領域１００ａを覆う大きさを有している。また、フォトマスク３３は、露光領域１００ａに相当する領域の外側の位置にアライメントマーク５１、５１を備えている。カメラ３４、３４はアライメントマーク５１、５１を撮像可能な位置に設けられ、撮像した画像に基づく映像信号を制御装置３５に出力する。制御装置３５は、例えば制御装置２６と同様にコンピュータとして構成され、外部記憶装置に記録されているプログラム等に従って、駆動装置３２等の種々の装置の動作を制御する。なお、制御装置２６と制御装置３５とは一方が他方に兼用されていてもよい。
【００２５】
図３（ｂ）は、貼り合わせ装置２の構成を示す側面図である。貼り合わせ装置２は、ＣＦ基板１００とＴＦＴ基板１０１とを上下に対向させ、下側の基板に液晶を滴下してから、真空中でＣＦ基板１００とＴＦＴ基板１０１とを貼り合わせる装置として構成されている。
【００２６】
貼り合わせ装置２は、内部を減圧状態に維持可能なチャンバ４１と、チャンバ４１の内部に設けられ、上下に対向する定盤４２、４３とを備えている。なお、貼り合わせ装置２はこの他、定盤４２、４３を上下に駆動して相互に近接又は離間させる駆動装置等を備えるが、本発明の要旨ではないので説明は省略する。定盤４２、４３はそれぞれＣＦ基板１００、ＴＦＴ基板１０１を静電気力により保持するための静電チャック４２ａ、４３ａを備えており、ＣＦ基板１００及びＴＦＴ基板１０１はそれぞれ静電チャック４２ａ、４３ａに保持された状態で貼り合わされる。
【００２７】
上述の構成を有するパターン形成装置１の動作を説明する。
【００２８】
パターン形成装置１は、ＣＦ基板１００に対する処理の前にマーキング装置１１によりＴＦＴ基板１０１の露光領域１０１ａ・・・１０１ａの位置を学習する。図４は、その学習の際にマーキング装置１１の制御装置２６が実行する位置計測処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば、ユーザが制御装置２６に対して所定の入力操作を実行したときに実行される。この処理は、図７（ａ）に示すように、ステージ２１にＴＦＴ基板１０１が載置されることが前提となる。
【００２９】
図７（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１は、ＣＦ基板１００の露光領域１００ａ…１００ａとそれぞれ貼り合わされるべき領域１０１ａ…１０１ａを有しており、各領域１０１ａ…１０１ａには、パターン形成装置１とは別の製造装置により既にパターニングが行われている。ＴＦＴ基板１０１は、領域１０１ａ…１０１ａの周囲にそれぞれアライメントマーク５２、５２の組を複数有している。アライメントマーク５２、５２は、領域１０１ａ…１０１ａの位置を示すものであり、例えば、領域１０１ａに対して露光を行う際に、アライメントマーク５２のパターンも同時に露光されて形成される。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０１は、ＣＦ基板１００と貼り合わされる面（膜面）を下に向けてステージ２１に載置される。なお、ＴＦＴ基板１０１のステージ２１への載置は、ユーザが手作業で行ってもよいし、ＣＦ基板１００をステージ２１へ載置するためのマーキング装置１１の搬送装置（不図示）が行ってもよい。
【００３１】
図４のステップＳ１では、制御装置２６は、カメラ２５の下方にアライメントマーク５２…５２のうちいずれか一つを位置させるように、駆動装置２２の動作を制御してステージ２１を移動させる。この制御は、例えば制御装置２６に予め記録されている制御量に基づいて行われる。
【００３２】
次に制御装置２６は、カメラ２５からの映像信号に基づいて、アライメントマーク５２と、集光点Ｑとのずれを特定するとともに（ステップＳ２）、駆動装置２２を制御してアライメントマーク５２と集光点Ｑとを位置合わせする（ステップＳ３）。そして、位置合わせしたときのステージ２１の位置をレーザー測長系２３により計測して記録する（ステップＳ４）。ステップＳ５では全てのアライメントマーク５２…５２に対して計測が終了したか否を判定し、終了していないと判定した場合はステップＳ１〜Ｓ４を繰り返し実行して、残りのアライメントマーク５２…５２と集光点Ｑとを一致させたときのステージ位置を順次計測する。終了したと判定した場合は処理を終了する。なお、集光点Ｑの位置は、例えば、予め試験用の基板に光学系２４によりマーキングを行うことにより、カメラ２５の撮像範囲における集光点Ｑの位置を特定しておけばよい。
【００３３】
ＴＦＴ基板１０１の露光領域１０１ａ・・・１０１ａの学習後、パターン形成装置１は、まだ表面に各層のレジストが成膜されていないＣＦ基板１００を受取ると、不図示の搬送装置により、マーキング装置１１、露光装置１２、１３、１４、１５の順にＣＦ基板１００を搬送し、各装置１１〜１５によりＣＦ基板１００に対して各種の処理を実行する。
【００３４】
図５は、マーキング装置１１の制御装置２６が実行するマーキング処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば、ＣＦ基板１００がステージ２１に載置されたときに開始される。この処理が実行されている間、ＣＦ基板１００は静電チャック２１ａにより吸着保持されている。なお、ステージ２１に載置されたＣＦ基板１００には、まだ各層に対応するレジスト等は成膜されていない。
【００３５】
ステップＳ１１では、制御装置２６は、位置計測処理（図４参照）のステップＳ４で測定したステージ位置のいずれかにレーザー測長系２３の測定するステージ位置を一致させるように、駆動装置２２の動作を制御してステージ２１を移動させる。次に、レーザー２７を駆動してＣＦ基板１００に対してアライメントマーク５３を形成する。ステップＳ１３では、ＴＦＴ基板１０１のアライメントマーク５２…５２の全てに対応してアライメントマーク５３…５３が形成されたか否かを判定し、形成されていないと判定した場合には、ステップＳ１１及びＳ１２を繰り返し実行する。これにより、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１のアライメントマーク５２…５２と同じ配置で、ＣＦ基板１００のアライメントマーク５３…５３が順次形成される。
【００３６】
図６は、露光装置１２の制御装置３５が実行する露光処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば図８に示すように、ＣＦ基板１００がステージ３１に載置されたときに開始される。この処理が実行されている間、ＣＦ基板１００は真空チャック３１ａにより吸着保持されている。なお、ステージ３１に載置されたＣＦ基板１００には、ブラックマトリクス層のレジストが成膜されている。
【００３７】
まず、制御装置３５は、フォトマスク３３の下方に露光領域１００ａ…１００ａのうちいずれか一つを位置させるように、駆動装置３２の動作を制御する（ステップＳ２１）。この制御は、例えば、制御装置３５に予め記録されている制御量に基づいて行われる。次に、カメラ７によりフォトマスク３３のアライメントマーク５１とＣＦ基板１００のアライメントマーク５３とを撮像し（ステップＳ２２）、アライメントマーク５１と、アライメントマーク５３との位置ずれを特定する（ステップＳ２３）。そして、図８に示すように、その位置ずれに基づいてフォトマスク３３と露光領域１００ａとの位置合わせを行う（ステップＳ２４）。その後、ステップＳ２５では不図示の照明装置を駆動して露光を行う。ステップＳ１５では、全ての露光領域１００ａ…１００ａに対して露光が終了したか否か判定し、終了していないと判定した場合は、ステップＳ２１からＳ２５までを繰り返し実行する。これにより、図８に示すように、露光領域１００ａ…１００ａに対して順次露光が行なわれる。
【００３８】
なお、露光装置１３〜１５においても、各装置の備える制御装置により同様の処理が実行され、Ｒ層、Ｇ層、Ｂ層の各層の露光領域１００ａ…１００ａに対して順次露光が実行される。
【００３９】
本発明は以上の実施形態に限定されず、本発明の技術的思想と実質的に同一である限り、種々の形態で実施してよい。
【００４０】
ＴＦＴ基板１０１のアライメントマーク５２の計測時におけるＴＦＴ基板１０１の保持方法と、ＣＦ基板１００のアライメントマーク５３の形成時におけるＣＦ基板１００の保持方法とを、さらに貼り合せ装置２による保持方法に一致させてもよい。例えば、ＴＦＴ基板１０１のアライメントマーク５２の位置を計測する際に、静電チャック４３ａと同じ静電チャックにより、上方からＴＦＴ基板１０１を保持してもよい。
【００４１】
貼り合わせ装置２において、ＣＦ基板１００を下側とするものを例示したが、ＣＦ基板１００が上側であってもよい。この場合、マーキング装置１１において、ＣＦ基板１００を上方から静電チャックにより保持した状態でアライメントマーク５３を形成してもよい。
【００４２】
マーキング装置１１において、ＣＦ基板１００を静電チャックにより保持するものを例示したが、真空チャックによりＣＦ基板１００を保持してもよい。
【００４３】
ＴＦＴ基板１０１の露光領域１０１ａ…１０１ａの位置計測には種々の方法を用いてよい。マーキング装置１１とは別の装置により計測し、その計測結果のデータをマーキング装置１１に入力してもよい。アライメントマーク５２…５２の位置を計測するものに限られず、例えば、露光領域１０１ａのパターンに基づいて、露光領域１０１ａの位置を直接計測してもよい。
【００４４】
ＣＦ基板１００のアライメントマーク５３は、種々の方法により形成してよい。例えば、アライメントマークのパターンを有するフォトマスクを介してＣＦ基板１００にレーザー光を照射し、ＣＦ基板１００の光学的性質を変化させてもよい。クロム膜を蒸着する等して、他の材料を付着させてもよい。アライメントマーク５３は、ブラックマトリクス層のパターンが露光されるまでに形成されていればよいから、クロム膜や樹脂ＢＭ膜にレーザーでマーキングしてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、デバイスの一部として機能する全ての層において、露光領域とフォトマスクとの位置合わせがアライメントマークに基づいて行なわれるから、各層の露光装置にレーザー測長系を設ける必要が無い。従って、稼動時の温度条件の緩和、露光装置の互換性確保が実現される。また、複数の露光領域のうち一部の露光領域に露光した後、他の露光装置に移して残りの露光領域に対して露光を行なうこともできる。これにより、一枚の基板に複数種のパターンを形成することが可能となり、基板の面付けロスを防止したり、種々の事情に応じた混流生産を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したパターン形成装置の構成を示す図。
【図２】図１のパターン形成装置に含まれるマーキング装置の構成を示す図。
【図３】図１のパターン形成装置に含まれる露光装置及び貼り合せ装置の構成を示す図。
【図４】図２のマーキング装置の制御装置が実行する位置計測処理の手順を示すフローチャート。
【図５】図２のマーキング装置の制御装置が実行するマーキング処理の手順を示すフローチャート。
【図６】図３の露光装置の制御装置が実行する露光処理の手順を示すフローチャート。
【図７】図４の位置計測処理及び図５のマーキング処理が実行されているときの図２のマーキング装置の状態を示す図。
【図８】図６の露光処理が実行されているときの図３の露光装置の状態を示す図。
【符号の説明】
１  パターン形成装置
１１  マーキング装置
１２、１３、１４、１５  露光装置
２１ａ、４２ａ  静電チャック
３１  ステージ
３３  フォトマスク
５１、５３  アライメントマーク
１００  ＣＦ基板
１００ａ  露光領域
１０１  ＴＦＴ基板
１０１ａ  露光領域（対向領域）
【図１】
2004279873.tif 000003
【図２】
2004279873.tif 000004
【図３】
2004279873.tif 000005
【図４】
2004279873.tif 000006
【図５】
2004279873.tif 000007
【図６】
2004279873.tif 000008
【図７】
2004279873.tif 000009
【図８】
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