(57)【要約】【課題】電気式爆薬点火装置において、製造工程を簡単として製造効率を高める一方、エネルギ効率の向上を図り、省電力化を実現する。【解決手段】活性層１０Ａと絶縁層１０Ｂと支持層１０Ｃとで構成する、ＳＯＩ基板よりなる支持基板１０と、その支持基板の活性層１０Ａに不純物を選択的にドーピングしてそのドーピング深さを、支持基板の活性層の厚さにほぼ等しくし、狭路１１ｂを設けて形成する低抵抗層１１と、その低抵抗層の表面に、狭路部分を避けて形成する電極１２と、その電極を介してまたは直接活性層の表面に形成するフライヤ層１３と、そのフライヤ層の表面に、狭路に対応する位置に貫通孔状のバレル１４を形成して配置するバレル部材１５と、そのバレル部材の表面に、バレルを塞いで設置する爆薬ペレット１６とを備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩ基板よりなる支持基板と、その支持基板の活性層に不純物を選択的にドーピングすることにより狭路を設けて形成する低抵抗層と、その低抵抗層の表面に、前記狭路部分を避けて形成する電極と、その電極を介してまたは直接前記活性層の表面に形成するフライヤ層と、そのフライヤ層の表面に、前記狭路に対応する位置に貫通孔状のバレルを形成して配置するバレル部材と、そのバレル部材の表面に、前記バレルを塞いで設置する爆薬とを備える電気式爆薬点火装置において、
前記ドーピング深さを、前記支持基板の活性層の厚さにほぼ等しくすることを特徴とする、電気式爆薬点火装置。
【請求項２】
前記低抵抗層の内側であって前記支持基板の内部に中空部を設けることを特徴とする、請求項１に記載の電気式爆薬点火装置。
【請求項３】
前記中空部を、前記低抵抗層の前記狭路の内側にのみ設けることを特徴とする、請求項２に記載の電気式爆薬点火装置。
【請求項４】
前記中空部内に樹脂を充填することを特徴とする、請求項２または３に記載の電気式爆薬点火装置。
【請求項５】
ＳＯＩ基板よりなる支持基板に、その活性層の厚さにほぼ等しい深さまで不純物を選択的にドーピングすることにより、狭路を有する低抵抗層を形成し、
次いで、その低抵抗層の表面に、狭路部分を避けて電極を形成し、
その電極を介してまたは直接前記活性層の表面にフライヤ層を形成し、
そのフライヤ層の表面に、貫通孔状のバレルを前記狭路に対応してバレル部材を配置し、
そのバレル部材の表面に、バレルを塞いで爆薬を設置する、
ことを特徴とする、電気式爆薬点火装置の製造方法。
【請求項６】
前記電極を形成してから、その電極を介してまたは直接前記活性層の表面にマスク層を形成してそのマスク層にエッチングホールをあけ、
そのエッチングホールを通して前記マスク層でマスクしてエッチングホールがつながるまでエッチングして前記支持基板に中空層を形成し、
そののち前記マスク層を取り除いてフライヤ層を形成し、
そのフライヤ層に前記電極に対する電気線接続用のコンタクトホールをあける、ことを特徴とする、請求項５に記載の電気式爆薬点火装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、支持基板上の低抵抗層に通電し、その低抵抗層の狭路を昇華して高圧ガスを発生させ、その高圧ガスで、低抵抗層上に設けるフライヤ層の一部をせん断して飛翔させ、爆薬に衝突してそれを点火する、電気式の爆薬点火装置に関する。例えば爆薬を点火することにより燃焼ガスを発生してエアバックを膨らませる自動車用安全装置や、起爆機構を作動する軍事兵器に適用し得る電気式爆薬点火装置に関する。および、その電気式爆薬点火装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、爆薬点火装置としては、一次爆薬（起爆薬）を利用する感度が高い電気雷管が主流であるが、他にも、一次爆薬は使用せずに二次爆薬（炸薬）のみを利用して感度を低くし、取り扱い上の安全性を高めたものがある。
【０００３】
前者は、熱やスパークにより一次爆薬を起爆するのに対し、後者は、低抵抗層に過電流を流すことによりそれを加熱し、融解し、蒸発して高圧ガスを発生させ、高圧ガスのエネルギにより低抵抗層上に設ける絶縁性のフライヤ層を加速して爆薬に衝突させ、その運動エネルギにより爆薬を点火していた。
【０００４】
【非特許文献１】Ｊｈｏｎ  Ｈ．  Ｈｅｎｄｅｒｓｏｎ  と  Ｔｈｏｍａｓ  Ａ．  ＢａｇｉｎｓｋｉらによるＡｕｂｕｒｎ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ発行の技術論文「Ｔｗｏ  Ｎｏｖｅｌ  Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｓｌａｐｐｅｒ  Ｄｅｔｏｎａｔｏｒｓ」
フライヤ層を加速して爆薬ペレットに衝突する手段には、非特許文献１に記載されるように、フライヤ層を二次爆薬の方向に単に膨らませるものと、バレルのエッジ部分でせん断して二次爆薬の方向に飛翔するものとがある。一般的に、前者のものより後者のものの方が、得られる運動エネルギは大きい。
【０００５】
ところが、従来の電気式爆薬点火装置では、支持基板として熱伝導率の良い単結晶シリコン基板を使用し、例えばシリコン基板に金属を堆積してフォトリソグラフィとエッチングによりパターニングしたり、シリコン基板に不純物を選択的にドーピングしたりして低抵抗層を形成していた。
【０００６】
このため、使用時に、支持基板上の低抵抗層に過電流を流して狭路を昇華して高圧ガスを発生するとき、支持基板側に熱が逃げて熱効率が悪い問題があった。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２８２９８号公報
このため、従来の電気式爆薬点火装置の中には、例えば特許文献１に記載されるように、支持基板の、少なくとも低抵抗層の狭路に対応する位置に熱絶縁層を設けることにより、低抵抗層の狭路で発生する熱の漏洩を防止するものがある。熱絶縁層は、電気化学的または光化学的な過程を経て支持基板の支持体を多孔質化したり、多孔質化した支持体をエッチングしてそれに中空空間を形成したりしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、支持基板の支持体を多孔質化する工程は、一般的な半導体デバイスの製造工程に比較して複雑であり、手間がかかる問題があった。
【０００９】
例えば、支持体として多く使用するシリコンを多孔質化する方法の１つとして、陽極化成法がある。しかし、この方法では、シリコン基板に均一に電流を流すためにアルミニウムなどの金属をシリコン基板の板面に付着しなければならない。また、陽極化成法で用いるふっ酸溶液中でアルミニウムなどの金属を腐食させないように、その表面にワックスなどの保護膜を塗布する必要がある。
【００１０】
陽極化成法以外にも、例えばＰｈｏｔｏ−Ｃｈｅｍｉｃａｌエッチング法がある。しかし、これも、ふっ化水素酸溶液と過酸化水素水の混合溶液中での可視レーザー照射が必要となり、こちらも複雑な工程となった。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、電気式爆薬点火装置において、製造工程を簡単として製造効率を高める一方、エネルギ効率の向上を図り、省電力化を実現することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成すべく、請求項１に記載の発明は、ＳＯＩ基板よりなる支持基板と、その支持基板の活性層に不純物を選択的にドーピングすることにより狭路を設けて形成する低抵抗層と、その低抵抗層の表面に、狭路部分を避けて形成する電極と、その電極を介してまたは直接活性層の表面に形成するフライヤ層と、そのフライヤ層の表面に、狭路に対応する位置に貫通孔状のバレルを形成して配置するバレル部材と、そのバレル部材の表面に、バレルを塞いで設置する爆薬とを備える電気式爆薬点火装置において、
ドーピング深さを、支持基板の活性層の厚さにほぼ等しくする、ことを特徴とする。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電気式爆薬点火装置において、低抵抗層の内側であって支持基板の内部に中空部を設ける、ことを特徴とする。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の電気式爆薬点火装置において、中空部を、低抵抗層の狭路の内側にのみ設ける、ことを特徴とする。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の電気式爆薬点火装置において、中空部内に樹脂を充填する、ことを特徴とする。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、電気式爆薬点火装置の製造方法において、
ＳＯＩ基板よりなる支持基板に、その活性層の厚さにほぼ等しい深さまで不純物を選択的にドーピングすることにより、狭路を有する低抵抗層を形成し、
次いで、その低抵抗層の表面に、狭路部分を避けて電極を形成し、
その電極を介してまたは直接活性層の表面にフライヤ層を形成し、
そのフライヤ層の表面に、貫通孔状のバレルを狭路に対応してバレル部材を配置し、
そのバレル部材の表面に、バレルを塞いで爆薬を設置する、
ことを特徴とする。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の電気式爆薬点火装置の製造方法において、
電極を形成してから、その電極を介してまたは直接活性層の表面にマスク層を形成してそのマスク層にエッチングホールをあけ、
そのエッチングホールを通してマスク層でマスクしてエッチングホールがつながるまでエッチングして支持基板に中空層を形成し、
そののちマスク層を取り除いてフライヤ層を形成し、
そのフライヤ層に電極に対する電気線接続用のコンタクトホールをあける、ことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、この発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）には、この発明による電気式爆薬点火装置の一例を示す。（ｂ）には、その低抵抗層の上に電極を設けた状態を上から見て示す。
【００１９】
図１に示す電気式爆薬点火装置は、支持基板１０と、その支持基板１０の活性層１０Ａに不純物を選択的にドーピングすることにより形成する低抵抗層１１と、その低抵抗層１１の表面に形成する電極１２と、その電極１２を介してまたは直接活性層１０Ａの表面に形成するフライヤ層１３と、そのフライヤ層１３の表面に、貫通孔状のバレル１４を形成して配置するバレル部材１５と、そのバレル部材１５の表面に、バレル１４を塞いで設置する爆薬ペレット１６とを備える。
【００２０】
支持基板１０としては、活性層１０Ａと絶縁層１０Ｂと支持層１０Ｃとで構成する、ＳＯＩ（Ｓｉｌｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を使用する。
【００２１】
低抵抗層１１は、例えば、リン、ホウ素などの各種の半導体ドーピング用不純物をイオン注入装置によってドーズ量２×１０１６［ｉｏｎｓ／ｃｍ２］、エネルギ１００［ｋｅＶ］の条件でドーピングし、拡散して注入することにより設ける。そして、そのドーピング深さを支持基板１０の活性層１０Ａの深さにほぼ等しい、例えば６μｍとする。また、その形状は、図１（ｂ）に示すように、中央両側に三角形状の切欠き１１ａを対称に設けて狭路１１ｂを形成した蝶ネクタイ形状とする。
【００２２】
低抵抗層１１に直接電気線を接続できないので、低抵抗層１１上に電極１２を形成する。電極１２は、アルミニウム、銅などの各種の金属を使用して設ける。例えば、膜厚３μｍのアルミニウムをスパッタリング法により堆積し、フォトリソグラフィとエッチングにより蝶ネクタイ形状にパターニングして、図１（ｂ）に示すように低抵抗層１１の狭路１１ｂを避けて設ける。
【００２３】
フライヤ層１３は、絶縁材料やそれに金属薄膜を組み合わせたものを用い、任意の厚さに形成する。例えば耐熱性高分子材料であるポリイミドを、感光性ポリイミド液（東レ社製の「フォトニース」）のスピンオンにより任意の厚さ、例えば膜厚２５μｍに形成する。そして、フライヤ層１３には、電気線を通して電極１２に接続し、電極１２を不図示の電源部と電気的に接続するスルーホール１７をあける。
【００２４】
バレル部材１５は、金属でも樹脂でもよく、中央部に、任意の形状で任意の大きさの貫通孔１４を、狭路１１ｂに対応する位置に形成する。例えば、ＳＵＳ製で、直径０．６ｍｍの貫通孔をあける。
【００２５】
爆薬ペレット１６は、感度の高い火薬を用いると、摩擦熱、静電気などで簡単に起爆してしまうおそれがあり、非常に危険であることから、例えば火薬の規格ＭＩＬ−１３１６に合致した、非常に感度が鈍く、安全性の高い火薬を用いる。
【００２６】
このような電気式爆薬点火装置を実際に使用するときは、ケース内に密封する。そして、低抵抗層１１の両端に１Ｊの電気エネルギを加えて低抵抗層１１に通電し、過電流により低抵抗層１１の狭路１１ｂを昇華し、すなわち加熱し、融解し、蒸発して高圧ガスを発生する。すると、フライヤ層１３が高圧ガスを溜め込み、やがてその高圧ガスの圧力によりフライヤ層１３の一部をせん断してフライヤを創出して高圧ガスを放出する。そして、その放出ガスを受けてフライヤが飛翔して爆薬ペレット１６に衝突し、その運動エネルギにより爆薬ペレット１６を点火して爆ごうする。
【００２７】
図１に示す電気式爆薬点火装置において、圧力センサによりフライヤの衝突圧力を計測したところ、１２０ＭＰａであった。従来のように、支持基板１０として熱伝導率の良い単結晶シリコン基板を使用して同様な衝突圧力を得ようとすると、低抵抗層１１の両端に２Ｊ以上の電気エネルギを加える必要があった。
【００２８】
図１に示す電気式爆薬点火装置によれば、ドーピング深さを、支持基板１０の活性層１０Ａの厚さにほぼ等しくするので、低抵抗層１１を、支持基板１０であるＳＯＩ基板の絶縁層１０Ｂのほぼ直ぐ上とし、使用時に、支持基板１０上の低抵抗層１１に過電流を流して狭路１１ｂを昇華して高圧ガスを発生するとき、低抵抗層１１で発生する熱エネルギの周囲への漏洩を防止し、熱効率を良くしてエネルギ効率の向上を図り、省電力化を実現することができる。
【００２９】
なお、ドーピング深さを、ＳＯＩ基板よりなる支持基板１０の活性層１０Ａの厚さにほぼ等しくすることは、半導体製造メーカーにとって困難なことではなく、きわめて容易であり、簡単に実現して省電力化を図ることができる。
【００３０】
図２（ａ）には、この発明による電気式爆薬点火装置の他例を上から見て示す。（ｂ）には、そのＡ−Ａ′線に沿う縦断面示す。
【００３１】
この図２に示す例では、図１に示す電気式爆薬点火装置において、低抵抗層１１の内側であって支持基板１０の内部に、中空部２０を設けたものである。なお、この中空部２０は、ＳＯＩ基板よりなる支持基板１０の活性層１０Ａのエッチングや支持層１０Ｃのエッチングなど、一般的なシリコンプロセスを用いて形成することができる。
【００３２】
このようにすると、支持基板１０の、低抵抗層１１の内部に中空部２０を設けるので、中空部２０で一層、低抵抗層１１で発生する熱エネルギの周囲への漏洩を防止し、熱効率を良くしてエネルギ効率の向上を図り、省電力化を実現することができる。
【００３３】
図３には、この発明による電気式爆薬点火装置のさらに他例の縦断面を示す。
【００３４】
この図３に示す例では、図１に示す電気式爆薬点火装置において、同じく低抵抗層１１の内側であって支持基板１０の内部に、中空部２０を設けたものであり、特にその中空部２０を、低抵抗層１１の狭路１１ｂの内側にのみ設けたものである。
【００３５】
このようにすると、中空部２０を、低抵抗層１１の狭路１１ｂの内側にのみ設けるので、中空部２０の大きさを必要最小限とし、支持基板１０の強度低下を最低限に抑えることができる。
【００３６】
図４には、この発明による電気式爆薬点火装置のまたさらに他例の縦断面を示す。
【００３７】
この図４に示す例では、図１に示す電気式爆薬点火装置において、低抵抗層１１の内側であって支持基板１０の内部に、中空部２０を設け、その中空部２０内に樹脂２２を充填するものである。樹脂２２としては、各種樹脂材料を使用することができる。例えば、東京応化工業株式会社製のＢＣＲ樹脂（商品名）をスピンオンにより形成し、クリーンオーブンにより固めている。
【００３８】
このようにすると、中空部２０内に樹脂２２を充填するので、支持基板１０の強度低下を抑えることができる。上述した通り、中空部２０は、ＳＯＩ基板よりなる支持基板１０の活性層１０Ａのエッチングや支持層１０Ｃのエッチングなど、一般的なシリコンプロセスを用いて形成することができる。
【００３９】
図５には、この発明による電気式爆薬点火装置の製造方法の一例を示す。
【００４０】
図５に示す電気式爆薬点火装置の製造方法では、まず、（ａ）に示すように、活性層１０Ａと絶縁層１０Ｂと支持層１０Ｃとで構成するＳＯＩ基板よりなる支持基板１０を準備する。
【００４１】
そして、その支持基板１０に、図５（ｂ）に示すように、活性層１０Ａの厚さにほぼ等しい深さまで不純物を選択的にドーピングすることにより低抵抗層１１を形成する。例えば、リン、ホウ素などの各種の半導体ドーピング用不純物をイオン注入装置によってドーズ量２×１０１６［ｉｏｎｓ／ｃｍ２］、エネルギ１００［ｋｅＶ］の条件でドーピングし、拡散して注入することにより設ける。ここで、そのドーピング深さを支持基板１０の活性層１０Ａの深さにほぼ等しい、例えば６μｍとする。その形状は、図６（ａ）に示すように、中央両側に三角形状の切欠き１１ａを対称に設けて狭路１１ｂを形成した蝶ネクタイ形状とする。
【００４２】
次いで、その低抵抗層１１が形成された活性層１０Ａの表面に、アルミニウム、銅など電極材料を堆積し、フォトリソグラフィとエッチングにより図６（ｂ）に示すように蝶ネクタイ形状にパターニングして低抵抗層１１の狭路１１ｂを避け、図５（ｃ）に示すように活性層１０Ａの表面に電極１２を設ける。例えば、膜厚３μｍのアルミニウムをスパッタリング法により形成する。
【００４３】
電極１２を形成してから、図５（ｄ）に示すようにその電極１２を介してまたは直接活性層１０Ａの表面にマスク層２５を形成し、そのマスク層２５に、フォトリソグラフィとエッチングによりエッチングホール２６をあける。マスク層２５としては、シリコンのエッチングに使用する溶液に対する耐性を持つ材料を使用し、任意の膜厚で形成する。例えば、膜厚２μｍのＳｉＯ２をスパッタリング法により形成する。
【００４４】
次いで、図５（ｅ）に示すように、そのエッチングホール２６を通してマスク層２５でマスクし、エッチングホール２６を通して露出している支持基板１０の活性層１０Ａを、支持基板１０の絶縁層１０Ｂが露出するまでエッチングする。例えば、ふっ化水素酸と硝酸と硝酸ソーダの混合溶液を用いてエッチングする。
【００４５】
それから、図５（ｆ）に示すように、活性層１０Ａのエッチングにより露出した絶縁層１０Ｂをフォトリソグラフィとエッチングにより取り除く。例えば、ＨＦ溶液を用いて絶縁層１０Ｂを除去する。次いで、エッチングホール２６を通してマスク層２５でマスクし、図５（ｇ）に示すようにエッチングホール２６がつながるまで支持層１０Ｃをエッチングして支持基板１０に中空部２０を形成する。例えば、ヒドラジン溶液を用いて支持層１０Ｃを除去する。
【００４６】
そののち、マスク層を取り除いてから、図５（ｈ）に示すように、その電極１２を介してまたは直接活性層１０Ａの表面にフライヤ層１３を形成し、そのフライヤ層１３に電極１２に対する電気線接続用のコンタクトホール１７をあける。フライヤ層１３は、絶縁材料やそれに金属薄膜を組み合わせたものを用い、任意の厚さに形成する。例えば、耐熱性高分子材料であるポリイミドを、感光性ポリイミド液（東レ社製の「フォトニース」）のスピンオンにより任意の厚さ、例えば膜厚２５μｍに形成する。
【００４７】
そのフライヤ層１３の表面には、図５（ｉ）に示すように、バレル部材１５を配置する。バレル部材１５は、金属でも樹脂でもよく、中央部に、任意の形状で任意の大きさの貫通孔１４を、狭路１１ｂに対応する位置に形成する。例えば、ＳＵＳ製で、直径０．６ｍｍの貫通孔をあける。そして、そのバレル部材１５の表面には、バレル１４を塞いで爆薬ペレット１６を設置する。
【００４８】
このような製造方法を用いると、低抵抗層１１を、支持基板１０であるＳＯＩ基板の絶縁層１０Ｂのほぼ直ぐ上とし、使用時に、支持基板１０上の低抵抗層１１に過電流を流して狭路１１ｂを昇華して高圧ガスを発生するとき、低抵抗層１１で発生する熱エネルギの周囲への漏洩を防止することができる電気式爆薬点火装置を簡単に得ることができる。
【００４９】
また、特殊な技術や特殊な装置を用いず、フォトリソグラフィとエッチングなど、一般的な半導体プロセス技術を用いて製造工程を簡単とし、支持基板１０としてＳＯＩ基板を用いた電気式爆薬点火装置を製造することができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし４に記載の発明による電気式爆薬点火装置によれば、ドーピング深さを、支持基板の活性層の厚さにほぼ等しくするので、低抵抗層を、支持基板であるＳＯＩ基板の絶縁層のほぼ直ぐ上とし、低抵抗層で発生する熱エネルギの周囲への漏洩を防止し、熱効率を良くしてエネルギ効率の向上を図り、省電力化を実現することができる。また、特殊な技術や特殊な装置を用いず、フォトリソグラフィとエッチングなど、一般的な半導体プロセス技術を用いて製造工程を簡単とし、支持基板としてＳＯＩ基板を用いた電気式爆薬点火装置を製造することができる。
【００５１】
請求項２に記載の発明によれば、支持基板の、低抵抗層の内部に中空部を設けるので、中空部で一層、低抵抗層で発生する熱エネルギの周囲への漏洩を防止し、熱効率を良くしてエネルギ効率の向上を図り、省電力化を実現することができる。
【００５２】
請求項３に記載の発明によれば、中空部を、低抵抗層の狭路の内側にのみ設けるので、中空部の大きさを必要最小限とし、支持基板の強度低下を最低限に抑えることができる。
【００５３】
請求項４に記載の発明によれば、中空部内に樹脂を充填するので、支持基板の強度低下を抑えることができる。
【００５４】
請求項５および請求項６に記載の発明による製造方法によれば、低抵抗層を、支持基板であるＳＯＩ基板の絶縁層のほぼ直ぐ上とし、低抵抗層で発生する熱エネルギの周囲への漏洩を防止することができる電気式爆薬点火装置を簡単に得ることができる。
【００５５】
また、特殊な技術や特殊な装置を用いず、フォトリソグラフィとエッチングなど、一般的な半導体プロセス技術を用いて製造工程を簡単とし、支持基板としてＳＯＩ基板を用いた電気式爆薬点火装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、この発明による電気式爆薬点火装置の一例の縦断面図である。（ｂ）は、その低抵抗層の上に電極を設けた状態の平面図である。
【図２】（ａ）は、この発明による電気式爆薬点火装置の他例の平面図である。（ｂ）は、そのＡ−Ａ′線に沿う縦断面図である。
【図３】この発明による電気式爆薬点火装置のさらに他例の縦断面図である。
【図４】この発明による電気式爆薬点火装置のまたさらに他例の縦断面図である。
【図５】この発明による電気式爆薬点火装置の製造方法の一例における工程図である。
【図６】（ａ）は、その製造方法において形成した低抵抗層の平面図である。（ｂ）は、その低抵抗層の上に電極を設けた状態の平面図である。
【符号の説明】
１０    支持基板
１０Ａ  支持基板の活性層
１０Ｂ  支持基板の絶縁層
１０Ｃ  支持基板の支持層
１１    低抵抗層
１１ａ  低抵抗層の切欠き
１１ｂ  低抵抗層の狭路
１２    電極
１３    フライヤ層
１４    バレル
１５    バレル部材
１６    爆薬ペレット
１７    スルホール
２０    中空部
２２    樹脂
２５    マスク層
２６    エッチングホール
【図１】
2004239572.tif 000003
【図２】
2004239572.tif 000004
【図３】
2004239572.tif 000005
【図４】
2004239572.tif 000006
【図５】
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【図６】
2004239572.tif 000008