(57)【要約】【課題】高温加熱を行うことが可能で真空容器の内部を高真空度にできるようにする。【解決手段】検出部２Ｘ、２Ｙは、複数の電極片を直列接続した複数の電子収集電極を有する。検出部２Ｘ、２Ｙの各電子収集電極は、配列方向が交差するように配置してある。光配分手段６は、２方向に傾斜可能となっていて、入射光を検出部２Ｘ、２Ｙの方向に反射する。各検出部２Ｘ、２Ｙは、入射した光を光電変換して増幅電子を電子収集電極に入射する。各検出部２Ｘ、２Ｙは、Ｘ座標信号とＹ座標信号とを出力する。信号処理ユニット４は、これらの座標信号から光配分手段６に入射した光の位置を求める。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の入射によって電子を放出する光電変換部、当該光電変換部に対面配置されて光電変換部が放出した電子を増幅する電子増幅部の複数がマトリックス状に設けられたマイクロチャンネルプレート、当該マイクロチャンネルプレートを構成している前記各電子増幅部の行または列に対応して設けられ、前記電子増幅部からの電子が入射する帯状の電子収集電極、または複数の電極片を直線的に直列接続した電子収集電極を有する電子検出体からなる受光器を備えた検出部を二つ設け、
前記二つの検出部に入射光を配分する光配分手段と、
前記二つの検出部からの出力信号をそれぞれ前処理する前処理回路と、
前記各前処理回路からの出力信号を収集し、それら出力信号に基づいて前記光配分手段に入射した前記光の位置を求める信号処理ユニットとを備え、
前記各検出部は、前記光配分手段を中心に異なった方向に配置されるとともに、前記各検出部の前記帯状の電子収集電極または前記電極片を直列接続した電子収集電極の配置方向を交差させてあることを特徴とする微弱光二次元位置検出システム。
【請求項２】
前記光配分手段は、傾斜方向を切替え可能な鏡またはビーム分割器で構成したことを特徴とする請求項１記載の微弱光二次元位置検出システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、二次元的に放射される微弱な電磁波や粒子を検出する微弱光二次元位置検出システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、検体中のＤＮＡがＤＮＡチップのどのセルとハイブリッドを形成したかを検知したり、あるいは、宇宙線などの観測を行う宇宙望遠鏡などに用いることができる微弱光二次元位置検出システムが提案されている。
【０００３】
図８は、従来の微弱光二次元位置検出システムの概略ブロック図である。この図８において、従来の微弱光二次元位置検出システム１００は、微弱な光を取り入れて電気信号を変換する検出ユニット１０２と、この検出ユニット１０２の出力信号に基づいて微弱な光の位置などを求める信号処理ユニット１０４とを備えている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
前記検出ユニット１０２は、微弱な光を検出および増幅する複数のマイクロキャピラリーを備えた検出部１０２ａと、この検出部１０２ａを作動させる動作制御部１０２ｂとからなっている。
【０００５】
また、信号処理ユニット１０４は、前記検出ユニット１０２の出力信号を読み込み前処理する前処理回路１０４ａと、前処理回路１０４ａの出力側に接続されデータを収集するデータ収集回路１０４ｂと、前記データ収集回路１０４ｂからのデータ及び前記動作制御部１０２ｂからの制御信号を取込み、これらの信号を基に微弱な光の位置などを解析するデータ解析回路１０４ｃとから構成されている。なお、データ解析回路１０４ｃの出力側には、表示装置やプリンタなどの出力装置１０６、及び、外部記憶装置１０８などが接続されている。
【０００６】
前記検出ユニット１０２の検出部１０２ａは、外来光を遮蔽する遮光容器が設けてあって、この遮光容器の前端面にレンズが取り付けてある。さらに、前記遮光容器内には、レンズの後方に光学フィルタ、二次元受光器の順に配置されている。この光学フィルタは、微弱光の不要な周波数帯域を遮断するとともに、蛍光に対応した周波数帯域の光を選択的に透過して二次元受光器に入射させるようになっている。
【０００７】
図９は、上記従来の微弱光二次元位置検出システムにおける二次元受光器を一部断面で示す図である。この図９において、二次元受光器１１０は、真空容器１１２を有していて、真空容器１１２の前面に蒸着などによって形成した光電変換部１１４が設けてある。また二次元受光器１１０は、真空容器１１２の内部に、光電変換部１１４の次に、マイクロチャンネルプレート１１６と、検出モジュール１１８をこの順に配設したものである。また、二次元受光器１１０は、光電変換部１１４とマイクロチャンネルプレート１１６と検出モジュール１１８とが相互に近接配置してある。
【０００８】
光電変換部１１４は、光子の入射によって電子を放出する。マイクロチャンネルプレート１１６は、光電変換部１１４が放出した電子を増幅するもので、光電変換部１１４に対向してマトリックス状に配置された電子増幅部が複数設けられている。また、検出モジュール１１８は、マイクロチャンネルプレート１１６を構成している前記各電子増幅部に対応して設けられ検出電極１２２、１２２、…とスイッチング用集積回路１２０とからなっている。
【０００９】
このような微弱光二次元位置検出システム１００は、微弱な光が検出ユニット１０２の検出部１０２ａを構成している二次元受光器１１０に入射すると、光電変換部１１４によって微弱光が電子（光電子）に変換される。この電子は、マイクロチャンネルプレート１１６において増幅され、検出モジュール１１８の検出電極１２２に入射する。検出モジュール１１８は、検出電極１２２に入射した電子の量に応じた電流を出力する。この電流信号は、検出ユニット１０２の出力信号として信号処理ユニット１０４の前処理回路１０４ａに入力される。前処理回路１０４ａは、電流信号から電圧信号に変換し、さらに増幅する。前処理回路１０４ａの出力信号は、データ収集回路１０４ｂに供給されて、データ収集回路１０４ｂでデータを収集する。このデータ収集回路１０４ｂからのデータと、前記動作制御部１０２ｂからの制御信号とは、データ解析回路１０４ｃに入力される。データ解析回路１０４ｃは、その取り込んだ二つのデータを基に微弱な光の位置などを解析する。
【００１０】
このような微弱光二次元位置検出システムにおける二次元受光器１１０は、真空容器１１２の内部に、マイクロチャンネルプレート１１６と、検出モジュール１１８とを組み付け、当該真空容器１１２を真空雰囲気内に配置して内部を真空にし、真空中において封止することにより製造される。そして、上述した従来の二次元受光器１１０では、真空容器１１２の内部の真空度を上げるために、真空容器１１２の壁面や素子表面に付着している気体分子を剥ぎ取る必要があり、真空容器１１２を真空封止する段階で、真空容器１１２の全体を例えば数百〔℃〕で加熱することが通常行われている。
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−００４６３６号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の二次元受光器１１０では、検出モジュール１１８のスイッチング用集積回路１２０が真空容器１１２の内部に配置してある。このため、真空容器１１２を真空封止するために高温に加熱すると、熱によって集積回路１２０が故障してしまうことから、スイッチング用集積回路１２０を保護するため、加熱を充分に行うことができなかった。そのため、真空度が上がらず、光電面の劣化や電子倍増時の障害になるなどの問題があった。このため、高温加熱を行える製造法が要求されていた。
【００１３】
本発明は、前記従来の欠点を解消するためになされたもので、高温加熱を行うことが可能で、真空容器内を高真空度にできるようにすることを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムは、光の入射によって電子を放出する光電変換部、当該光電変換部に対面配置されて光電変換部が放出した電子を増幅する電子増幅部の複数がマトリックス状に設けられたマイクロチャンネルプレート、当該マイクロチャンネルプレートを構成している前記各電子増幅部の行または列に対応して設けられ、前記電子増幅部からの電子が入射する帯状の電子収集電極、または複数の電極片を直線的に直列接続した電子収集電極を有する電子検出体からなる受光器を備えた検出部を二つ設け、前記二つの検出部に入射光を配分する光配分手段と、前記二つの検出部からの出力信号をそれぞれ前処理する前処理回路と、前記各前処理回路からの出力信号を収集し、それら出力信号に基づいて前記光配分手段に入射した前記光の位置を求める信号処理ユニットとを備え、前記各検出部は、前記光配分手段を中心に異なった方向に配置されるとともに、前記各検出部の前記帯状の電子収集電極または前記電極片を直列接続した電子収集電極の配置方向を交差させてあることを特徴としている。
【００１５】
微弱な光は、光配分手段で二つの検出部に供給される。検出部は、光配分手段を中心に異なった方向に配置されるとともに、前記電子検出体を構成している帯状の電子収集電極、または複数の電極片を直線的に直列接続した電子収集電極が交差、例えば直交して（Ｘ軸及びＹ軸に）配置されてなるので、Ｘ座標位置とＹ座標位置との検出信号となる。Ｘ軸側の受光部からの検出信号は、Ｘ軸データとしてＸ軸用前処理回路で前処理される。Ｙ軸側の受光部からの検出信号は、Ｙ軸データとしてＹ軸用前処理回路で前処理される。前記各前処理回路からの前処理されたＸ軸出力信号及びＹ軸出力信号は信号処理ユニットに供給される。信号処理ユニットでは、前記Ｘ軸出力信号及びＹ軸出力信号データを基に微弱な光の光配分手段に入射した位置などを解析する。
【００１６】
これにより、受光部にスイッチング用の集積回路などを設ける必要がない。したがって、受光部の真空容器を高温に加熱処理することが可能で、真空容器の内部を高真空度にすることができ、検出精度の向上を図ることができる。各受光部がＸ座標信号とＹ座標信号とを出力するため、複雑な切替え回路や読出し回路を必要とせず、制御も簡素にすることができる。なお、前記光配分手段は、傾斜方向を切替え可能な鏡またはビーム分割器で構成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
【００１８】
図１ないし図６は本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態を説明するための図である。
ここに、図１は、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態を示す概略構成図である。
【００１９】
この図１において、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムは、大別すると、検出部２Ｘ、２Ｙと、信号処理ユニット４と、光配分手段６と、前処理回路８Ｘ、８Ｙとからなる。
前記検出部２Ｘは、詳細は後述するが、微弱光を検出して電気信号に変換し、Ｘ座標の信号を出力する検出器である。前記検出部２Ｙは、詳細は後述するが、微弱光を検出して電気信号に変換し、Ｙ座標の信号を出力する検出器である。前記光配分手段６は、これら検出部２Ｘ、２Ｙに対して所定の位置関係を保ち、かつ、前記二つの検出部２Ｘ、２Ｙに入射した微弱な光（入射光）を配分する手段である。また、前記前処理回路８Ｘ、８Ｙは、前記二つの検出部２Ｘ、２Ｙからの出力信号をそれぞれ前処理する回路である。
【００２０】
前記信号処理ユニット４は、前記前処理回路８Ｘ、８Ｙからの出力信号を収集し、その収集した出力信号に基づいて、前記二つの検出部２Ｘ、２Ｙの光電変換部にそれぞれ入射した前記光（光子）の位置を求めるユニットである。
前記光配分手段６は、高速可動する鏡で構成し、微弱光を等分に二つの検出部２Ｘ、２Ｙに反射して入射させるものである。
【００２１】
また、前記信号処理ユニット４は、前記前処理回路８Ｘ、８Ｙからの検出信号を収集するデータ収集回路４ａと、前記データ収集回路４ａからの収集データ（Ｘ軸検出信号、Ｙ軸検出信号）に基づいて、前記二つの検出部２Ｘ、２Ｙの光電変換部にそれぞれ入射した前記光子の位置を演算するものである。
【００２２】
図２は、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部を示す概略構成図である。
前記検出部２Ｘと検出部２Ｙとは、まったく同一の構造に形成してあるので、検出部２Ｘの構造を説明し、検出部２Ｙの構造の説明を省略する。検出部２Ｘは、大別して、受光器１０と、遮光容器２０と、レンズ２２と、光学フィルタ２４とからなる。遮光容器２０は、外来光を遮蔽する容器であって、この遮光容器２０の前端面にレンズ２２が取り付けてある。さらに、前記遮光容器２０の内部には、レンズ２２の後方に光学フィルタ２４と、受光器１０との順に配置されている。この光学フィルタ２４は、微弱光の不要な周波数帯域を遮断するとともに、蛍光に対応した周波数帯域の光を選択的に透過して受光器１０に入射させるようになっている。
【００２３】
図３は、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部の受光器を示す概略構成図である。図４は、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部の受光器の電子検出体を示す概略構成図である。
【００２４】
この図３において、受光器１０は、真空容器１２を有していて、真空容器１２の前面に光電変換部１４が設けてある。また受光器１０は、真空容器１２の内部に、光電変換部１４の次に、マイクロチャンネルプレート１６と、電子検出体１８とがこの順に配設してある。
【００２５】
さらに説明すると、前記光電変換部１４は、蒸着などによって薄膜として形成され、光子の入射によって電子を放出する。また、マイクロチャンネルプレート１６は、当該光電変換部１４に対面配置されていて、光電変換部１４が放出した電子を増幅する電子増幅部の複数をマトリックス状に配置して構成してある。各電子増幅部は、マイクロキャピラリーと称する光電子増倍管によって構成してある。
【００２６】
電子検出体１８は、図４に示すように、セラミック材板１８ａの表面に設けた複数の電子収集電極１８ｂ、１８ｂ、…を有する。これらの電子収集電極１８ｂ、１８ｂ、…は、金属薄膜によって形成した電極片１８ｄ、１８ｄ、…を直線的に電気的に直列接続して形成してある。電極片１８ｄ、１８ｄ、………は、実施形態の場合、マイクロチャンネルプレート１６を構成しているマイクロキャピラリー（電子増幅部）に対応してｎ個×ｎ個設けてある。そして、各電子収集電極１８ｂ、１８ｂ、…は、前記マイクロチャンネルプレート１６の各電子増幅部の行または列に対応して複数設けられており、図４に示すように接続端子１８ｃ、１８ｃ、…に接続されている。これらの接続端子１８ｃ、１８ｃ、…は、真空容器１２の外部に設けた対応する外部端子（図示せず）に電気的に接続してある。なお、電極片１８ｄは、マイクロキャピラリーと１対１に対応させる必要はなく、適宜の大きさに形成することができる。
【００２７】
図５は、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部を構成している受光器に設けた電子検出体の配置状態を示す概略説明図である。なお、この図５では、検出部２Ｘ、２Ｙの配置ではなく、受光器１０Ｘ、１０Ｙに内蔵した電子検出体１８Ｘ、１８Ｙの配置のみを表示している。
【００２８】
この図５において、前記各検出部２Ｘ、２Ｙの電子検出体１８Ｘ、１８Ｙは、図５に示すように、光配分手段６を中心に所定の角度を持って２つの方向に配置される。また、各電子検出体１８Ｘ、１８Ｙは、電極片１８ｄを直列に接続した電子収集電極１８ｂＸ、１８ｂＸ、…、電子収集電極１８ｂＹ、１８ｂＹ、…の直列接続方向（配置方向）が、それぞれ交差するように配置してある。実施形態の場合、各電子収集電極１８ｂＸ、１８ｂＹの配置方向を相互に直交させて（Ｘ軸とＹ軸とに）配置している。  微弱な入射光は、図５に示すように、図示しないレンズ系を介して、高速可動する鏡から構成された光配分手段６に入射する。
【００２９】
光配分手段６は、実施形態の場合、微小なミラー素子からなるマイクロミラーアレイによって構成してある。各ミラー素子は、マトリックス状に配置してあって、それぞれが同期して駆動される。そして、光配分手段６は、図示しない駆動制御部により、図５の実線と破線とによって示したように、図５の時計方向と反時計方向とに交互に所定の角度だけ傾斜させられ、入射光を所定の方向に反射する。光配分手段６により反射された反射光は、検出部２Ｘ、２Ｙの光電変換部１４Ｘ、１４Ｙに入射されるようになっている。光電変換部１４Ｘ、１４Ｙからの電子は、前記各検出部２Ｘ、２Ｙのマイクロチャンネルプレート１６Ｘ、１６Ｙで光増幅されて、電子収集電極１８ｂＸ、１８ｂＸ、…、電子収集電極１８ｂＹ、１８ｂＹ、…の電極片１８ｄに供給されるようになっている。なお、光配分手段６は、通常の鏡によって構成してもよい。
【００３０】
このような微弱光二次元位置検出システムの作用を説明する。
微弱な入射光は、図５に示すように、高速可動する鏡から構成された光配分手段６に入射する。光配分手段６は、図５の時計方向と反時計方向とにナノ秒程度の間隔で交互に傾斜して入射光を反射する。または、例えば、相互に隣り合ったミラー素子が交互に別方向（図５の時計方向と反時計方向）に、すなわちチェッカー模様状に交互に別方向に反射する。光配分手段６からの反射光は、検出部２Ｘ、２Ｙの光電変換部１４Ｘ、１４Ｙに入射される。光電変換部１４Ｘ、１４Ｙからの電子は、前記各検出部２Ｘ、２Ｙのマイクロチャンネルプレート１６Ｘ、１６Ｙで増幅されて、電子収集電極１８ｂＸ、１８ｂＸ、…、電子収集電極１８ｂＹ、１８ｂＹ、…を形成している電極片１８ｄに供給される。
【００３１】
検出部２Ｘの電子収集電極１８ｂＸ、１８ｂＸ、…は、電極片１８ｄに電子が入射するとＸ座標の位置を示す出力信号（電流信号）を前処理回路８Ｘに入力する。同様に、検出部２Ｙは、電子収集電極１８ｂＹ、１８ｂＹ、…からＹ座標の位置信号が前処理回路８Ｙに入力される。
【００３２】
ここで、前記電子検出体１８Ｘ、１８Ｙは、一列に直列に配置された電子収集電極１８ｂＸ、１８ｂＸ、…、電子収集電極１８ｂＹ、１８ｂＹ、…がそれぞれ直交して（Ｘ軸及びＹ軸に）配置されてなるので、Ｘ軸方向とＹ軸方向との検出信号となる。Ｘ軸側の受光器１０Ｘからの検出信号は、Ｘ軸データとしてＸ軸用前処理回路８Ｘで前処理される。Ｙ軸側の受光器１０Ｙからの検出信号は、Ｙ軸データとしてＹ軸用前処理回路８Ｙで前処理される。この前処理回路８Ｘ、８Ｙは、検出信号が電流であるので、電圧信号に変換し、かつ、一定のレベルまで増幅する。
【００３３】
前記各前処理回路８Ｘ、８Ｙからの前処理されたＸ軸出力信号及びＹ軸出力信号は信号処理ユニット４に供給される。信号処理ユニット４では、前記Ｘ軸出力信号及びＹ軸出力信号データをデータ収集回路４ａにより収集する。データ収集回路４ａからのＸ軸出力信号及びＹ軸出力信号は、データ解析回路４ｂに入力する。データ解析回路４ｂは、電子検出体８Ｘ、８Ｙの出力信号に基づいて、マイクロチャンネルプレート１６から電子が入射したそれぞれの電極片１８ｄの位置を求める。さらにデータ解析回路４ｂは、求めた各電極片１８ｄの位置から、入射光を反射したマイクロミラーアレイのミラー素子の位置を、予め与えられている式に基づいて演算して求める。これにより、光配分手段６に入射した微弱光の位置を求めることができる。
【００３４】
本発明に係る微弱光二次元位置検出システムにおける受光器１０によれば、真空容器１２内に集積回路が設けられていないので、製造工程において真空容器１２の全体を高温で加熱して真空引きをすることができ、真空容器１２の内部を高真空度に保つことができる。
【００３５】
図６は、本発明の第２の実施形態に係る検出部を構成する受光器の電子検出体の構造を示す平面図である。この図６において、本発明の第２実施形態における検出部の受光器１０’は、第１の実施の形態とは異なる構造の電子検出体１８’を備えている。ここで、電子検出体１８’は、図６に示すように、セラミック材板１８ａの表面に金属薄膜により直線の帯状に形成した電子収集電極１８ｂ’、１８ｂ’、…を有する。これらの電子収集電極１８ｂ’、１８ｂ’、…は、前記マイクロチャンネルプレート１６を構成している前記各電子増幅部の行または列に対応してｎ列設けられている。また、各電子収集電極１８ｂ’、１８ｂ’、…は、接続端子１８ｃ、１８ｃ、…に接続してある。このような構造の受光器１０’の電子検出体１８’によっても、光が入射するとＸ座標信号とＹ座標信号とが出力され、光配分手段６に入射板光の位置を検出することができる。そして、第２の実施の形態では、電子収集電極１８ｂ’、１８ｂ’、…が直線の帯状をしているので、製造が簡単になる。
【００３６】
図７は、本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第３の実施形態における光配分手段と検出部２Ｘ、２Ｙの関係を示す配置図である。
この図７において、各検出部２Ｘ、２Ｙは、光配分手段６’を中心に直角に配置してある。検出部２Ｘ、２Ｙの前記電子検出体は、図６に示したように、直線状に配置された電子収集電極をそれぞれ直交して（Ｘ軸とＹ軸とに）配置している。この光配分手段６’は、半透鏡（ハーフミラー）などのビーム分割器で構成されている。
【００３７】
ビーム分割器で構成された光配分手段６’は、図７に示すように、微弱な入射光の一部を反射し、他を透過する。光配分手段６’からの反射光は、検出部２Ｘの光電変換部に、透過光は検出部２Ｙの光電変換部に、それぞれ入射するようになっている。光電変換部からの電子は、前記各検出部２Ｘ、２Ｙのマイクロチャンネルプレートで光増幅されて、電子収集電極に供給されるようになっている。
【００３８】
この第３の実施の形態によれば、可動部がないため、安定して微弱光を等分に分割することができる利点がある。しかも、入射光のすべてを受光することができ、検出効率の向上、検出精度の向上を図ることができる。
【００３９】
なお、従来、二次元受光器の検出モジュールには、光源の位置を検出するためにｎ個×ｎ個の画素（電子収集電極）を必要とし、かつ、出力端子もｎ×ｎ個必要となるが、本発明によれば、出力端子は２ｎ個で構成すればよいので、後処理回路を大幅に簡略化することができ、入射光位置を迅速に求めることが可能となる。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、帯状などの電子収集電極を設けた電子検出体を含む検出部を二つ設け、それぞれの電子収集電極の配置方向を交差させるとともに、光配分手段で微弱光を二つの検出部に与えるように構成したので、真空容器を高温で加熱して真空引きが可能となって、真空容器の内部を高真空度に保つことができる。
【００４１】
また、本発明によれば、検出部を構成する電子検出体の出力を２ｎ個に減らすことができるため、後処理回路を大幅に簡略化することができ、入射光位置を迅速に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部を示す概略構成図である。
【図３】本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部の受光器を示す概略構成図である。
【図４】本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部の受光器の電子検出体を示す概略構成図である。
【図５】本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第１の実施形態における検出部の受光器の電子検出体の配置状態を説明するための概略説明図である。
【図６】本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第２の実施形態における検出部の受光器の電子検出体の構造を示す平面図である。
【図７】本発明に係る微弱光二次元位置検出システムの第３の実施形態における光配分手段と検出部２Ｘ、２Ｙの関係を示す配置図である。
【図８】従来の微弱光二次元位置検出システムの概略ブロック図である。
【図９】上記従来の微弱光二次元位置検出システムにおける二次元受光器を一部断面で示す図である。
【符号の説明】
２Ｘ、２Ｙ………検出部、４………信号処理ユニット、６、６’………光配分手段（鏡、ビーム分割器）、８Ｘ、８Ｙ………前処理回路、１０、１０’………受光器、１２………真空容器、１４………光電変換部、１６………マイクロチャンネルプレート、１８………電子検出体、１８ａ………セラミック材板、１８ｂ、１８ｂ’………電子収集電極、１８ｄ………電極片。
【図１】
2004279197.tif 000003
【図２】
2004279197.tif 000004
【図３】
2004279197.tif 000005
【図４】
2004279197.tif 000006
【図５】
2004279197.tif 000007
【図６】
2004279197.tif 000008
【図７】
2004279197.tif 000009
【図８】
2004279197.tif 000010
【図９】
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