(57)【要約】【課題】光学部材を取り付けるための支持部材における膨張等の影響による計測誤差の極めて小さい干渉計を提供する。【解決手段】第１の測定対象物に取り付けられる第１鏡１８と、第２の測定対象物に取り付けられる第２鏡１９とを備え、第１鏡により反射された第１の測定ビームＲ１と、第２鏡により反射された第２の測定ビームＭ１との干渉により、第１の測定対象物と第２の測定対象物との間の相対的な距離を測定する干渉計１０において、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームに分離し、第１の測定ビームを第１鏡へ入射させる第１のビーム分離手段１４と、第１のビーム分離手段とは別体に設けられて、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームに分離し、第２の測定ビームを第２鏡へ入射させる第２のビーム分離手段１７とを備え、第１のビーム分離手段と第２のビーム分離手段との間において、第１の測定ビーム及び第２の測定ビームは、共通光路を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の測定対象物に取り付けられる第１鏡と、第２の測定対象物に取り付けられる第２鏡とを備え、前記第１鏡により反射された第１の測定ビームと、前記第２鏡により反射された第２の測定ビームとの干渉により、前記第１の測定対象物と前記第２の測定対象物との間の相対的な距離を測定する干渉計において、
入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームに分離し、前記第１の測定ビームを前記第１鏡へ入射させる第１のビーム分離手段と、
前記第１のビーム分離手段とは別体に設けられて、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームに分離し、前記第２の測定ビームを前記第２鏡へ入射させる第２のビーム分離手段とを備え、
前記第１のビーム分離手段と前記第２のビーム分離手段との間において、前記第１の測定ビーム及び前記第２の測定ビームは、共通光路を有することを特徴とする干渉計。
【請求項２】
前記第１のビーム分離手段及び前記第２のビーム分離手段のうちの少なくとも一方は、互いに直交する２面のビーム分離面を有することを特徴とする請求項１に記載の干渉計。
【請求項３】
前記第１の測定ビームは、前記第１のビーム分離手段と前記第１鏡との間で少なくとも１つの往復光路を形成し、
前記第２の測定ビームは、前記第２のビーム分離手段と前記第２鏡との間で少なくとも１つの往復光路を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の干渉計。
【請求項４】
前記第１のビーム分離手段は、前記分離された前記第２の測定ビームを、前記往復光路を経由した前記第１の測定ビームと同一光路となるように、前記第１のビーム分離手段から射出し、
前記第２のビーム分離手段は、前記分離された前記第１の測定ビームを、前記往復光路を経由した前記第２の測定ビームと同一光路となるように、前記第２のビーム分離手段から射出することを特徴とする請求項３に記載の干渉計。
【請求項５】
前記第１のビーム分離手段にて分離された前記第１の測定ビームは、実質的に偏向されずに前記第１鏡へ入射し、
前記第２のビーム分離手段にて分離された前記第２の測定ビームは、実質的に偏向されずに前記第２鏡へ入射することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の干渉計。
【請求項６】
マスクに形成された転写パターンを感光性基板上に転写する露光装置において、
前記マスクを載置するマスクステージと、
前記感光性基板を載置する基板ステージと、
前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方の位置を計測する請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の干渉計と
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
マスクに形成された転写パターンを感光性基板上に転写する露光方法において、
前記マスクを準備する工程と、
前記感光性基板を準備する工程と、
請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の干渉計を用いて、前記マスク及び前記感光性基板の少なくとも一方の位置を計測する工程と、
前記マスク上の前記転写パターンを前記感光性基板上に転写する工程と
を含むことを特徴とする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子や液晶表示素子等の製造に用いる露光装置に設けられ、マスクや感光性基板を搭載して移動するステージの位置や姿勢を高精度に計測するための干渉計、この干渉計を用いた露光装置、及びこの露光装置を用いた露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子や液晶表示素子等を製造する際に用いられる投影露光装置においては、２つの部材間の相対変位を高精度に制御するために、干渉計が使用されている。近年、液晶基板の大型化に対応するために大型基板を一括走査露光する投影露光装置が開発されている。この投影露光装置においては、複数の等倍正率の投影光学ユニットから構成された投影光学系に対してマスクとウエハとを一体的に相対移動させることによって、マスクパターンをウエハに対して一括的に転写する。マスクステージ及びウエハステージの走査方向の移動量を計測する干渉計としては、ステージの移動量が大きい状態においてステージがある程度回転しても移動鏡に対する入射ビームと射出ビームの角度ずれが発生しないとの理由から、移動鏡としてコーナーキューブを用いる干渉計が用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−２６５０８号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の干渉計に用いられる偏光ビームスプリッタ等の光学部材は、金物等の支持部材により設置場所に固定されている。図１０は、従来の干渉計を示す構成図であり、図１０（ａ）は上面図、図１０（ｂ）は側面図、及び図１０（ｃ）は正面図である。図１０に示すように、干渉計１０１に備えられている二周波レーザ光源１０２は、周波数が僅かに異なり、２つの直交する偏光面を持つ光束を射出する。二周波レーザ光源１０２より射出された光束は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１０３により２つのビームＲ１００、Ｍ１００に分離される。偏光ビームスプリッタ１０３のビーム分離面１０３ａで反射されたビームＭ１００は、移動鏡であるコーナーキューブ１０４に入射し、コーナーキューブ１０４の３つの反射面により順次反射され、再び偏光ビームスプリッタ１０３に入射し、偏光ビームスプリッタ１０３のビーム分離面１０３ａで反射され、偏光ビームスプリッタ１０３より射出され、光検出器１０８に入射する。
【０００５】
一方、偏光ビームスプリッタ１０３のビーム分離面１０３ａを透過したビームＲ１００は、偏光ビームスプリッタ１０３を取り付けるための支持部材（ベースプレート）１０５に沿って進み、平面鏡１０６で反射され、移動鏡であるコーナーキューブ１０７に入射し、コーナーキューブ１０７の３つの反射面により順次反射され、再び平面鏡１０６で反射され、偏光ビームスプリッタ１０３のビーム分離面１０３ａを透過して、偏光ビームスプリッタ１０３より射出され、光検出器１０８に入射する。
【０００６】
しかしながら、温度変化等により偏光ビームスプリッタ１０３を取り付けるための支持部材１０５が膨張した場合等、偏光ビームスプリッタ１０３と平面鏡１０６の距離が変化した場合には、ビームＲ１００の光路長変化による測長誤差が生じ、正確な干渉計測ができない場合がある。
【０００７】
この発明の課題は、測定ビームを移動鏡に入射させるための偏光ビームスプリッタ等の光学部材の取り付け位置が変化した場合においても計測誤差の極めて小さい干渉計、該干渉計を用いた露光装置、及び該露光装置を用いた露光方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の干渉計は、第１の測定対象物に取り付けられる第１鏡と、第２の測定対象物に取り付けられる第２鏡とを備え、前記第１鏡により反射された第１の測定ビームと、前記第２鏡により反射された第２の測定ビームとの干渉により、前記第１の測定対象物と前記第２の測定対象物との間の相対的な距離を測定する干渉計において、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームに分離し、前記第１の測定ビームを前記第１鏡へ入射させる第１のビーム分離手段と、前記第１のビーム分離手段とは別体に設けられて、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームに分離し、前記第２の測定ビームを前記第２鏡へ入射させる第２のビーム分離手段とを備え、前記第１のビーム分離手段と前記第２のビーム分離手段との間において、前記第１の測定ビーム及び前記第２の測定ビームは、共通光路を有することを特徴とする。
【０００９】
この請求項１に記載の干渉計によれば、干渉計に取り付けられる光学部材等を固定させる支持部材（ベースプレート）が温度変化等により膨張した場合等においても、第１のビーム分離手段と第２のビーム分離手段との間において、第１の測定ビームの光路及び第２の測定ビームの光路が共通していることから、光路測長誤差が生じることなく正確な干渉計測を行なうことができる。
【００１０】
また、請求項２に記載の干渉計は、前記第１のビーム分離手段及び前記第２のビーム分離手段のうちの少なくとも一方が、互いに直交する２面のビーム分離面を有することを特徴とする。
【００１１】
この請求項２に記載の干渉計によれば、第１の測定ビーム及び第２の測定ビームの何れか一方のビームは、第１のビーム分離手段または第２のビーム分離手段に備えられている２つのビーム分離面で直角方向に反射され、第１のビーム分離手段または第２のビーム分離手段に入射した方向と逆方向に射出する。一方、他方のビームは、第１ビーム分離手段または第２のビーム分離手段に備えられている２つのビーム分離面のどちらか一方のビーム分離面を透過し、第１鏡または第２鏡で反射され、第１ビーム分離手段または第２のビーム分離手段に備えられている２つのビーム分離面の他方のビーム分離面を透過し、第１のビーム分離手段または第２のビーム分離手段に入射した方向と逆方向に射出する。従って、第１の測定ビーム及び第２の測定ビームは、第１ビーム分離手段または第２のビーム分離手段に入射した方向と逆方向、即ち、同一方向に第１ビーム分離手段または第２のビーム分離手段から射出する。従って、第１の測定ビーム及び第２の測定ビームの光路を同一にすることができ、光路測長誤差が生じることなく正確に干渉計測を行なうことができる。
【００１２】
また、請求項３に記載の干渉計は、前記第１の測定ビームが前記第１のビーム分離手段と前記第１鏡との間で少なくとも１つの往復光路を形成し、前記第２の測定ビームが前記第２のビーム分離手段と前記第２鏡との間で少なくとも１つの往復光路を形成することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４に記載の干渉計は、前記第１のビーム分離手段が、前記分離された前記第２の測定ビームを、前記往復光路を経由した前記第１の測定ビームと同一光路となるように、前記第１のビーム分離手段から射出し、前記第２のビーム分離手段が、前記分離された前記第１の測定ビームを、前記往復光路を経由した前記第２の測定ビームと同一光路となるように、前記第２のビーム分離手段から射出することを特徴とする。
【００１４】
この請求項４に記載の干渉計によれば、干渉計に取り付けられる光学部材等を固定させている支持部材（ベースプレート）が温度変化等により膨張した場合等においても、第１の測定ビーム及び第２の測定ビームが同一光路となるように、第１の測定ビーム及び第２の測定ビームを第１のビーム分離手段及び第２のビーム分離手段から射出するため、光路誤差を生じることがなく正確な干渉計測を行なうことができる。
【００１５】
また、請求項５に記載の干渉計は、前記第１のビーム分離手段にて分離された前記第１の測定ビームが実質的に偏向されずに前記第１鏡へ入射し、前記第２のビーム分離手段にて分離された前記第２の測定ビームが実質的に偏向されずに前記第２鏡へ入射することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６に記載の露光装置は、マスクに形成された転写パターンを感光性基板上に転写する露光装置において、前記マスクを載置するマスクステージと、前記感光性基板を載置する基板ステージと、前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方の位置を計測する請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の干渉計とを備えることを特徴とする。
【００１７】
この請求項６に記載の露光装置によれば、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の干渉計を備えているため、干渉計測を正確に行なうことができ、微細な転写パターンの露光を良好に行なうことができる露光装置を提供することができる。
【００１８】
また、請求項７に記載の露光方法は、マスクに形成された転写パターンを感光性基板上に転写する露光方法において、前記マスクを準備する工程と、前記感光性基板を準備する工程と、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の干渉計を用いて、前記マスク及び前記感光性基板の少なくとも一方の位置を計測する工程と、前記マスク上の前記転写パターンを前記感光性基板上に転写する工程とを含むことを特徴とする。
【００１９】
この請求項７に記載の露光方法によれば、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の干渉計を備えた露光装置を用いるため、干渉計測が良好に行なわれていることから、微細な転写パターンの露光を良好に行なうことができる。
【００２０】
また、この発明の干渉計は、第１の測定対象物に取り付けられて少なくとも２面の反射面を備える第１鏡と、第２の測定対象物に取り付けられて少なくとも２面の反射面を備える第２鏡とを備え、前記第１鏡により反射された第１の測定ビームと、前記第２鏡により反射された第２の測定ビームとの干渉により、前記第１の測定対象物と前記第２の測定対象物との間の相対的な距離を測定する干渉計において、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームとに分離し、前記第１の測定ビームを前記第１鏡へ入射させる第１のビーム分離手段と、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームとに分離し、前記第２の測定ビームを前記第２鏡へ入射させる第２のビーム分離手段とを備え、前記第１のビーム分離手段は、前記第１鏡の前記少なくとも２面の反射面を経由した後に前記第１のビーム分離手段を通過する前記第１の測定ビームと、前記第１のビーム分離手段で分離された前記第２の測定ビームとを同一光路となるように射出し、前記第２のビーム分離手段は、前記第２鏡の前記少なくとも２面の反射面を経由した後に前記第２のビーム分離手段を通過する前記第２の測定ビームと、前記第２のビーム分離手段で分離された前記第１の測定ビームとを同一光路となるように射出し、前記第１のビーム分離手段と前記第２のビーム分離手段との間において、前記第１の測定ビーム及び前記第２の測定ビームは、共通光路を有することを特徴とする。
【００２１】
また、この発明の干渉計は、第１の測定対象物に取り付けられる第１鏡と、第２の測定対象物に取り付けられる第２鏡とを備え、前記第１鏡により反射された第１の測定ビームと、前記第２鏡により反射された第２の測定ビームとの干渉により、前記第１の測定対象物と前記第２の測定対象物との間の相対的な距離を測定する干渉計において、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームとに分離し、前記第１の測定ビームを前記第１鏡へ入射させる第１のビーム分離手段と、入射ビームを第１の測定ビームと第２の測定ビームとに分離し、前記第２の測定ビームを前記第２鏡へ入射させる第２のビーム分離手段とを備え、前記第１のビーム分離手段は、前記第１鏡との間に前記第１の測定ビームの少なくとも２つの往復光路を形成し、かつ前記少なくとも２つの往復光路を経由した後に前記第１のビーム分離手段を通過する前記第１の測定ビームと、前記第１のビーム分離手段で分離された前記第２の測定ビームとを同一光路となるように射出し、前記第２のビーム分離手段は、前記第２鏡との間に前記第２の測定ビームの少なくとも２つの往復光路を形成し、かつ前記少なくとも２つの往復光路を経由した後に前記第２のビーム分離手段を通過する前記第２の測定ビームと、前記第２のビーム分離手段で分離された前記第１の測定ビームとを同一光路となるように射出し、前記第１のビーム分離手段と前記第２のビーム分離手段との間において、前記第１の測定ビーム及び前記第２の測定ビームは、共通光路を有することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、この第１の実施の形態にかかるシングルパス干渉計１０の構成を示す図であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は側面図、図１（ｃ）は正面図である。図１に示す二周波レーザ光源１１は、周波数が僅かに異なり且つ互いに直交する偏光面を持つＰ偏光及びＳ偏光を生成し、生成されたＰ偏光及びＳ偏光を含む光束を射出する。二周波レーザ光源１１より射出した光束（入射ビーム）は、平面鏡１２で反射され、更に平面鏡１３で反射される。平面鏡１３で反射された光束は、図１（ｂ）に示すように、２つの互いに直交するビーム分離面を備える偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１４に入射する。
【００２３】
偏光ビームスプリッタ１４へ入射した光束は、偏光ビームスプリッタ１４の一方のビーム分離面（図示せず）によりＳ偏光である第１の測定ビームＲ１及びＰ偏光である第２の測定ビームＭ１に分離される。そして、第１の測定ビームＲ１は、偏光ビームスプリッタ１４の２つのビーム分離面（図示せず）で順次反射されて、偏光ビームスプリッタ１４を射出する。
【００２４】
一方、Ｐ偏光である第２の測定ビームＭ１は、偏光ビームスプリッタ１４の一方のビーム分離面を透過し、偏光ビームスプリッタ１４より射出して、第２鏡であるコーナーキューブ１９に入射する。即ち、第２の測定ビームＭ１は、偏光ビームスプリッタ１４の一方のビーム分離面で実質的に偏向されずにコーナーキューブ１９に入射する。コーナーキューブ１９に入射した第２の測定ビームＭ１は、コーナーキューブ１９の３つの反射面で順次反射され、コーナーキューブ１９より射出する。コーナーキューブ１９より射出した第２の測定ビームＭ１は、再び偏光ビームスプリッタ１４に入射する。即ち、第２の測定ビームＭ１は、コーナーキューブ１９と偏光ビームスプリッタ１４との間で往復光路を形成する。次に、第２の測定ビームＭ１は、偏光ビームスプリッタ１４の他方のビーム分離面を透過して、偏光ビームスプリッタ１４を射出する。
【００２５】
第１の測定ビームＲ１及びコーナーキューブ１９と偏光ビームスプリッタ１４との間で往復光路を経由した第２の測定ビームＭ１は、偏光ビームスプリッタ１４から射出することにより光路を同一とし、図１（ｂ）に示すように、再び平面鏡１３に入射する。同一光路となった第１の測定ビームＲ１及び第２の測定ビームＭ１は、平面鏡１３で反射されて、図１（ｃ）に示すように、λ／２板１５を透過する。第１の測定ビームＲ１はλ／２板１５を透過することによりＰ偏光に変換され、第２の測定ビームＭ１はλ／２板１５を透過することによりＳ偏光に変換される。Ｐ偏光に変換された第１の測定ビームＲ１及びＳ偏光に変換された第２の測定ビームＭ１は、図１（ｂ）で示すように、平面鏡１６で反射されて、偏光ビームスプリッタ１４とは別体に設けられ２つの互いに直交するビーム分離面を備える偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）１７に入射する。
【００２６】
第１の測定ビームＲ１は、図１（ａ）に示すように、偏光ビームスプリッタ１７のビーム分離面１７ａを透過して、偏光ビームスプリッタ１７より射出する。即ち、第１の測定ビームＲ１は、偏光ビームスプリッタ１７のビーム分離面１７ａにより実質的に偏向されずに偏光ビームスプリッタ１７より射出する。偏光ビームスプリッタ１７より射出した第１の測定ビームＲ１は、第１鏡であるコーナーキューブ１８に入射して、コーナーキューブ１８における３つの反射面で順次反射され、コーナーキューブ１８より射出して、再び偏光ビームスプリッタ１７に入射する。即ち、第１の測定ビームＲ１は、コーナーキューブ１８と偏光ビームスプリッタ１７との間で往復光路を形成する。次に、第１の測定ビームＲ１は、偏光ビームスプリッタ１７のビーム分離面１７ｂを透過し、偏光ビームスプリッタ１７より射出する。一方、第２の測定ビームＭ１は、偏光ビームスプリッタ１７のビーム分離面１７ａ及び１７ｂで順次反射されて、偏光ビームスプリッタ１７より射出する。
【００２７】
第２の測定ビームＭ１及びコーナーキューブ１８と偏光ビームスプリッタ１７との間で往復光路を経由した第１の測定ビームＲ１は、偏光ビームスプリッタ１７から射出することにより光路を同一とし、ヘテロダイン干渉し、光検出器２０に入射する。光検出器２０は、第１の測定ビームＲ１と第２の測定ビームＭ１とがヘテロダイン干渉により形成した干渉縞（ビート信号）をカウントする。即ち、コーナーキューブ（第１鏡）１８及びコーナーキューブ（第２鏡）１９の位置に応じた位相と周波数を有する信号を出力する。光検出器２０から出力される信号に基づいて、コーナーキューブ１８とコーナーキューブ１９との相対的な距離、即ち、コーナーキューブ１８に取り付けられた第１の測定対象物（図示せず）とコーナーキューブ１９に取り付けられた第２の測定対象物（図示せず）との相対的な距離を計測することができる。
【００２８】
この実施の形態にかかるシングルパス干渉計１０によれば、２つの偏光ビームスプリッタ１４、１７等の光学部材を固定させている支持部材２１が温度変化等により膨張した場合等においても、偏光ビームスプリッタ１４と偏光ビームスプリッタ１７との間を通過する第１の測定ビームＲ１の光路と第２の測定ビームＭ１の光路が共通していることから、光路の測長誤差が生じることなく正確な干渉計測を行なうことができる。
【００２９】
なお、この実施の形態にかかる干渉計に用いられる光学部材は、１つの支持部材により固定されているが、２つ以上の支持部材により固定されてもよい。
【００３０】
図２は、この発明の第２の実施の形態にかかるシングルパス干渉計３０の構成を示す図であり、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は側面図、図２（ｃ）は正面図である。図２に示す二周波レーザ光源３１は、周波数が僅かに異なり且つ互いに直交する偏光面を持つＰ偏光及びＳ偏光を生成し、生成されたＰ偏光及びＳ偏光を含む光束を射出する。二周波レーザ光源３１より射出した光束（入射ビーム）は、平面鏡３２で反射されて、図２（ｂ）に示すように、更に平面鏡３３で反射されて、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３４に入射する。
【００３１】
偏光ビームスプリッタ３４へ入射した光束は、偏光ビームスプリッタ３４のビーム分離面３４ａによりＳ偏光である第１の測定ビームＲ２及びＰ偏光である第２の測定ビームＭ２に分離される。そして、第１の測定ビームＲ２は、偏光ビームスプリッタ３４のビーム分離面３４ａで反射されて、偏光ビームスプリッタ３４より射出し、コーナーキューブ３５に入射する。コーナーキューブ３５に入射した第１の測定ビームＲ２は、コーナーキューブ３５の３つの反射面で順次反射され、再び偏光ビームスプリッタ３４に入射し、偏光ビームスプリッタ３４のビーム分離面３４ａで反射されて、偏光ビームスプリッタ３４より射出する。
【００３２】
一方、Ｐ偏光である第２の測定ビームＭ２は、偏光ビームスプリッタ３４のビーム分離面３４ａを透過して、偏光ビームスプリッタ３４より射出して、第２鏡であるコーナーキューブ４０に入射する。即ち、第２の測定ビームＭ２は、偏光ビームスプリッタ３４のビーム分離面３４ａにより実質的に偏向されずにコーナーキューブ４０に入射する。コーナーキューブ４０に入射した第２の測定ビームＭ２は、コーナーキューブ４０の３つの反射面で順次反射され、コーナーキューブ４０より射出する。コーナーキューブ４０より射出した第２の測定ビームＭ２は、再び偏光ビームスプリッタ３４に入射する。即ち、第２の測定ビームＭ２は、コーナーキューブ４０と偏光ビームスプリッタ３４との間で往復光路を形成する。次に、第２の測定ビームＭ２は、偏光ビームスプリッタ３４のビーム分離面３４ａを透過して、偏光ビームスプリッタ３４を射出する。
【００３３】
第１の測定ビームＲ２及びコーナーキューブ４０と偏光ビームスプリッタ３４との間で往復光路を経由した第２の測定ビームＭ２は、偏光ビームスプリッタ３４から射出することにより光路を同一とし、再び平面鏡３３に入射する。同一光路となった第１の測定ビームＲ２及び第２の測定ビームＭ２は、平面鏡３３で反射されて、図２（ｃ）に示すように、λ／２板３６を透過する。第１の測定ビームＲ２はλ／２板３６を透過することによりＰ偏光に変換され、第２の測定ビームＭ２はλ／２板３６を透過することによりＳ偏光に変換される。Ｐ偏光に変換された第１の測定ビームＲ２及びＳ偏光に変換された第２の測定ビームＭ２は、図２（ｂ）に示すように、平面鏡３７で反射されて、偏光ビームスプリッタ３４とは別体に設けられている偏光ビームスプリッタ３８に入射する。
【００３４】
第１の測定ビームＲ２は、偏光ビームスプリッタ３８のビーム分離面３８ａを透過して、第１鏡であるコーナーキューブ３９に入射する。即ち、第１の測定ビームＲ２は、偏向ビームスプリッタ３８のビーム分離面３８ａで実質的に偏向されずにコーナーキューブ３９に入射する。コーナーキューブ３９に入射した第１の測定ビームＲ２は、図２（ａ）に示すように、コーナーキューブ３９の３つの反射面で順次反射されて、コーナーキューブ３９より射出して、再び偏光ビームスプリッタ３８に入射する。即ち、第１の測定ビームＲ２は、コーナーキューブ３９と偏光ビームスプリッタ３８との間で往復光路を形成する。次に、第１の測定ビームＲ２は、偏光ビームスプリッタ３８のビーム分離面３８ｂを透過し、偏光ビームスプリッタ３８より射出する。
【００３５】
一方、第２の測定ビームＭ２は、偏光ビームスプリッタ３８のビーム分離面３８ａで反射されて、コーナーキューブ４１に入射する。コーナーキューブ４１に入射した第２の測定ビームＭ２は、コーナーキューブ４１の３つの反射面で順次反射されて、コーナーキューブ４１より射出する。コーナーキューブ４１より射出した第２の測定ビームＭ２は、再び偏光ビームスプリッタ３８に入射し、偏光ビームスプリッタ３８のビーム分離面３８ａで反射され、偏光ビームスプリッタ３８より射出する。
【００３６】
第２の測定ビームＭ２及びコーナーキューブ３９と偏光ビームスプリッタ３８との間で往復光路を経由した第１の測定ビームＲ２は、偏光ビームスプリッタ３８から射出することにより光路を同一とし、ヘテロダイン干渉し、光検出器４２に入射する。光検出器４２は、第１の測定ビームＲ２と第２の測定ビームＭ２とがヘテロダイン干渉により形成した干渉縞（ビート信号）をカウントする。即ち、コーナーキューブ（第１鏡）３９及びコーナーキューブ（第２鏡）４０の位置に応じた位相と周波数を有する信号を出力する。光検出器４２により出力される信号に基づいて、コーナーキューブ３９とコーナーキューブ４０との相対的な距離、即ち、コーナーキューブ３９に取り付けられた第１の測定対象物（図示せず）とコーナーキューブ４０に取り付けられた第２の測定対象物（図示せず）との相対的な距離を計測することができる。
【００３７】
この実施の形態にかかるシングルパス干渉計３０によれば、２つの偏光ビームスプリッタ３４、３８等の光学部材を固定させている支持部材４３が温度変化等により膨張した場合等においても、偏光ビームスプリッタ３４と偏光ビームスプリッタ３８との間を通過する第１の測定ビームＲ２の光路と第２の測定ビームＭ２の光路が共通していることから、光路の測長誤差が生じることなく正確な干渉計測を行なうことができる。
【００３８】
なお、この実施の形態にかかる干渉計に用いられる光学部材は、１つの支持部材により固定されているが、２つ以上の支持部材により固定されてもよい。
【００３９】
図３は、この発明の第３の実施の形態にかかるダブルパス干渉計５０の構成を示す図であり、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は側面図、図３（ｃ）は正面図である。図３（ｃ）に示す二周波レーザ光源５１は、周波数が僅かに異なり且つ互いに直交する偏光面を持つＰ偏光及びＳ偏光を生成し、生成されたＰ偏光及びＳ偏光を含む光束を射出する。二周波レーザ光源５１より射出した光束（入射ビーム）は、２つの互いに直交するビーム分離面を備える偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）５２に入射する。
【００４０】
偏光ビームスプリッタ５２へ入射した光束は、偏光ビームスプリッタ５２の一方のビーム分離面（図示せず）によりＰ偏光である第１の測定ビームＲ３及びＳ偏光である第２の測定ビームＭ３に分離される。まず、第１の測定ビームＲ３は、図３（ｃ）に示すように、偏光ビームスプリッタ５２の２つのビーム分離面（図示せず）を順次透過して、偏光ビームスプリッタ５２より射出する。
【００４１】
一方、Ｓ偏光である第２の測定ビームＭ３は、偏光ビームスプリッタ５２の一方のビーム分離面で反射され、偏光ビームスプリッタ５２より射出する。偏光ビームスプリッタ５２より射出した第２の測定ビームＭ３は、λ／４板６０を透過して、第２鏡である平面鏡６１で反射され、再びλ／４板６０を透過してＰ偏光に変換され、再び偏光ビームスプリッタ５２に入射する。即ち、第２の測定ビームＭ３は、平面鏡６１と偏光ビームスプリッタ５２との間で往復光路を形成する。次に、Ｐ偏光に変換された第２の測定ビームＭ３は、偏光ビームスプリッタ５２の一方のビーム分離面を透過して、コーナーキューブ６２に入射し、コーナーキューブ６２の３つの反射面で順次反射されて、コーナーキューブ６２より射出する。
【００４２】
コーナーキューブ６２より射出した第２の測定ビームＭ３は、再び偏光ビームスプリッタ５２に入射して、偏光ビームスプリッタ５２の他方のビーム分離面を透過し、偏光ビームスプリッタ５２より射出して、再びλ／４板６０を透過する。λ／４板６０を透過した第２の測定ビームＭ３は、平面鏡６１で反射されて、再びλ／４板６０を透過してＳ偏光に変換され、再び偏光ビームスプリッタ５２に入射する。即ち、第２の測定ビームＭ３は、平面鏡６１と偏光ビームスプリッタ５２との間で往復光路を再び形成する。次に、Ｓ偏光に変換された第２の測定ビームＭ３は、偏光ビームスプリッタ５２の他方のビーム分離面で反射され、偏光ビームスプリッタ５２より射出する。
【００４３】
第１の測定ビームＲ３及び平面鏡６１と偏光ビームスプリッタ５２との間で２つの往復光路を経由した第２の測定ビームＭ３は、偏光ビームスプリッタ５２から射出することにより光路を同一とし、プリズム５３に入射する。同一光路となった第１の測定ビームＲ３及び第２の測定ビームＭ３は、プリズム５３で反射されて、λ／２板５４を透過する。第１の測定ビームＲ３はλ／２板５４を透過することによりＳ偏光に変換され、第２の測定ビームＭ３はλ／２板５４を透過することによりＰ偏光に変換される。Ｓ偏光に変換された第１の測定ビームＲ３及びＰ偏光に変換された第２の測定ビームＭ３は、図３（ａ）に示すように、プリズム５５で反射され、偏光ビームスプリッタ５２とは別体に設けられ２つの互いに直交するビーム分離面を備える偏光ビームスプリッタ５６に入射する。
【００４４】
第１の測定ビームＲ３は、偏光ビームスプリッタ５６のビーム分離面５６ａで反射されて、偏光ビームスプリッタ５６より射出し、λ／４板５７を透過し、第２鏡である平面鏡５８で反射される。平面鏡５８で反射された第１の測定ビームＲ３は、再びλ／４板５７を透過しＰ偏光に変換されて、再び偏光ビームスプリッタ５６に入射する。即ち、第１の測定ビームＲ３は、平面鏡５８と偏光ビームスプリッタ５６との間で往復光路を形成する。次に、Ｐ偏光に変換された第１の測定ビームＲ３は、偏光ビームスプリッタ５６のビーム分離面５６ａを透過して、偏光ビームスプリッタ５６より射出して、コーナーキューブ５９に入射する。コーナーキューブ５９に入射した第１の測定ビームＲ３は、コーナーキューブ５９の３つの反射面で順次反射されて、コーナーキューブ５９より射出して、再び偏光ビームスプリッタ５６に入射する。
【００４５】
偏光ビームスプリッタ５６に入射した第１の測定ビームＲ３は、偏光ビームスプリッタ５６のビーム分離面５６ｂを透過して、再びλ／４板５７を透過し、平面鏡５８で反射される。平面鏡５８で反射された第１の測定ビームＲ３は、再びλ／４板５７に入射しＳ偏光に変換されて、再び偏光ビームスプリッタ５６に入射する。即ち、第１の測定ビームＲ３は、平面鏡５８と偏光ビームスプリッタ５６との間で往復光路を再び形成する。次に、Ｓ偏光に変換された第１の測定ビームＲ３は、偏光ビームスプリッタ５６のビーム分離面５６ｂで反射されて、偏光ビームスプリッタ５６より射出する。一方、第２の測定ビームＭ３は、偏光ビームスプリッタ５６のビーム分離面５６ａ及び５６ｂを順次透過して、偏光ビームスプリッタ５６より射出する。
【００４６】
第２の測定ビームＭ３及び平面鏡５８と偏光ビームスプリッタ５６との間で２つの往復光路を経由した第１の測定ビームＲ３は、偏光ビームスプリッタ５６から射出することにより光路を同一とし、ヘテロダイン干渉し、光検出器６３に入射する。光検出器６３は、第１の測定ビームＲ３と第２の測定ビームＭ３とがヘテロダイン干渉により形成した干渉縞（ビート信号）をカウントする。即ち、平面鏡（第１鏡）５８及び平面鏡（第２鏡）６１の位置に応じた位相と周波数を有する信号を出力する。光検出器６３により出力される信号に基づいて、平面鏡５８と平面鏡６１との相対的な距離、即ち、平面鏡５８に取り付けられた第１の測定対象物（図示せず）と平面鏡６１に取り付けられた第２の測定対象物（図示せず）との相対的な距離を計測することができる。
【００４７】
この実施の形態にかかるダブルパス干渉計５０によれば、２つの偏光ビームスプリッタ５２、５６等の光学部材を固定させている支持部材６４が温度変化等により膨張した場合等においても、偏光ビームスプリッタ５２と偏光ビームスプリッタ５６との間を通過する第１の測定ビームＲ３の光路と第２の測定ビームＭ３の光路が共通していることから、光路の測長誤差が生じることなく正確な干渉計測を行なうことができる。
【００４８】
なお、この実施の形態にかかる干渉計に用いられる光学部材は、１つの支持部材により固定されているが、２つ以上の支持部材により固定されてもよい。
【００４９】
図４は、この発明の第４の実施の形態にかかるダブルパス干渉計７０の構成を示す図であり、図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は側面図、図４（ｃ）は正面図である。図４に示す二周波レーザ光源７１は、周波数が僅かに異なり且つ互いに直交する偏光面を持つＰ偏光及びＳ偏光を生成し、生成されたＰ偏光及びＳ偏光を含む光束を射出する。二周波レーザ光源７１より射出した光束（入射ビーム）は、平面鏡７２で反射されて、偏光ビームスプリッタ７３に入射する。偏光ビームスプリッタ７３へ入射した光束は、偏光ビームスプリッタ７３のビーム分離面７３ａによりＰ偏光である第１の測定ビームＲ４及びＳ偏光である第２の測定ビームＭ４に分離される。まず、第１の測定ビームＲ４は、偏光ビームスプリッタ７３のビーム分離面７３ａを透過して、偏光ビームスプリッタ７３より射出して、コーナーキューブ７４に入射し、コーナーキューブ７４の３つの反射面で順次反射されて、コーナーキューブ７４より射出する。コーナーキューブ７４より射出した第１の測定ビームＲ４は、再び偏光ビームスプリッタ７３に入射し、偏光ビームスプリッタ７３のビーム分離面７３ａを透過して、偏光ビームスプリッタ７３を射出する。
【００５０】
一方、Ｓ偏光である第２の測定ビームＭ４は、図４（ｂ）に示すように、偏光ビームスプリッタ７３のビーム分離面７３ａで反射されて、偏光ビームスプリッタ７３より射出して、λ／４板８０に入射する。λ／４板８０に入射した第２の測定ビームＭ４は、λ／４板８０を透過して、第２鏡である平面鏡８１で反射されて、再びλ／４板８０を透過してＰ偏光に変換されて、偏光ビームスプリッタ７３に再び入射する。即ち、第２の測定ビームＭ４は、平面鏡８１と偏光ビームスプリッタ７３との間で往復光路を形成する。次に、Ｐ偏光に変換された第２の測定ビームＭ４は、偏光ビームスプリッタ７３のビーム分離面７３ａを透過して、コーナーキューブ８２に入射し、コーナーキューブ８２の３つの反射面で順次反射され、コーナーキューブ８２より射出する。
【００５１】
コーナーキューブ８２より射出した第２の測定ビームＭ４は、再び偏光ビームスプリッタ７３に入射して、偏光ビームスプリッタ７３のビーム分離面７３ａを透過し、偏光ビームスプリッタ７３より射出して、再びλ／４板８０を透過する。λ／４板８０を透過した第２の測定ビームＭ４は、平面鏡８１で反射されて、再びλ／４板８０を透過してＳ偏光に変換され、再び偏光ビームスプリッタ７３に入射する。即ち、第２の測定ビームＭ４は、平面鏡８１と偏光ビームスプリッタ７３との間で往復光路を再び形成する。次に、Ｓ偏光に変換された第２の測定ビームＭ４は、偏光ビームスプリッタ７３のビーム分離面７３ａで反射され、偏光ビームスプリッタ７３を射出する。
【００５２】
第１の測定ビームＲ４及び平面鏡８１と偏光ビームスプリッタ７３との間で２つの往復光路を経由した第２の測定ビームＭ４は、偏光ビームスプリッタ７３から射出することにより光路を同一とし、図４（ｃ）に示すように、λ／２板７５を透過する。第１の測定ビームＲ４はλ／２板７５を透過することによってＳ偏光に変換され、第２の測定ビームＭ４はλ／２板７５を透過することによってＰ偏光に変換される。Ｓ偏光に変換された第１の測定ビームＲ４及びＰ偏光に変換された第２の測定ビームＭ４は、偏光ビームスプリッタ７３とは別体に設けられている偏光ビームスプリッタ７６に入射する。
【００５３】
第１の測定ビームＲ４は、偏光ビームスプリッタ７６のビーム分離面７６ａで反射され、偏光ビームスプリッタ７６より射出し、λ／４板７７を透過して、第１鏡である平面鏡７８で反射される。平面鏡７８で反射された第１の測定ビームＲ４は、再びλ／４板７７を透過しＰ偏光に変換されて、再び偏光ビームスプリッタ７６に入射する。即ち、第１の測定ビームＲ４は、平面鏡７８と偏光ビームスプリッタ７６との間で往復光路を形成する。次に、Ｐ偏光に変換された第１の測定ビームＲ４は、偏光ビームスプリッタ７６のビーム分離面７６ａを透過して、偏光ビームスプリッタ７６より射出し、コーナーキューブ７９に入射し、コーナーキューブ７９の３つの反射面で順次反射されて、コーナーキューブ７９より射出する。
【００５４】
コーナーキューブ７９より射出した第１の測定ビームＲ４は、再び偏光ビームスプリッタ７６に入射し、偏光ビームスプリッタ７６のビーム分離面７６ｂを透過して、λ／４板７７を透過し、平面鏡７８で反射され、再びλ／４板７７を透過しＳ偏光に変換されて、再び偏光ビームスプリッタ７６に入射する。即ち、第１の測定ビームＲ４は、平面鏡７８と偏光ビームスプリッタ７６との間で往復光路を再び形成する。次に、Ｓ偏光に変換された第１の測定ビームＲ４は、偏光ビームスプリッタ７６のビーム分離面７６ａで反射されて、偏光ビームスプリッタ７６より射出する。
【００５５】
一方、第２の測定ビームＭ４は、偏光ビームスプリッタ７６のビーム分離面７６ａを透過し、偏光ビームスプリッタ７６より射出されて、コーナーキューブ８３に入射して、コーナーキューブ８３の３つの反射面により順次反射されて、コーナーキューブ８３より射出する。コーナーキューブ８３より射出した第２の測定ビームＭ４は、再び偏光ビームスプリッタ７６に入射して、偏光ビームスプリッタ７６のビーム分離面７６ｂを透過して、偏光ビームスプリッタ７６より射出する。
【００５６】
第２の測定ビームＭ４及び平面鏡７８と偏光ビームスプリッタ７６との間で２つの往復光路を経由した第１の測定ビームＲ４は、偏光ビームスプリッタ７６から射出することにより光路を同一とし、ヘテロダイン干渉し、図４（ｃ）に示すように、光検出器８４に入射する。光検出器８４は、第１の測定ビームＲ４と第２の測定ビームＭ４とがヘテロダイン干渉干渉により形成した干渉縞（ビート信号）をカウントする。即ち、平面鏡（第１鏡）７８及び平面鏡（第２鏡）８１の位置に応じた位相と周波数を有する信号を出力する。光検出器８４により出力される信号に基づいて、平面鏡７８と平面鏡８１との相対的な距離、即ち、平面鏡７８に取り付けられた第１の測定対象物（図示せず）と平面鏡８１に取り付けられた第２の測定対象物（図示せず）との相対的な距離を計測することができる。
【００５７】
この実施の形態にかかるダブルパス干渉計７０によれば、２つの偏光ビームスプリッタ７３、７６等の光学部材を固定させている支持部材８５が温度変化等により膨張した場合等においても、偏光ビームスプリッタ７３と偏光ビームスプリッタ７６との間を通過する第１の測定ビームＲ４の光路と第２の測定ビームＭ４の光路が共通していることから、光路の測長誤差が生じることなく正確な干渉計測を行なうことができる。
【００５８】
なお、この実施の形態にかかる干渉計に用いられる光学部材は、１つの支持部材により固定されているが、２つ以上の支持部材により固定されてもよい。
【００５９】
次に、図５〜図７を参照して、第５の実施の形態にかかる投影露光装置を説明する。図５は、第１の実施の形態にかかる干渉計（図１）、第２の実施の形態にかかる干渉計（図２）、第３の実施の形態にかかる干渉計（図３）、または第４の実施の形態にかかる干渉計（図４）を有する投影露光装置の基本構造を示す図である。また、図５に示すＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がマスクステージＭＳ及びウエハステージ（基板ステージ）ＷＳに対して平行となるように設定され、Ｚ軸がマスクステージＭＳ及びウエハステージＷＳに対して直交する方向に設定されている。
【００６０】
マスクステージＭＳ上に載置されたマスクＭは、照明光学系ＩＳによって均一に照明されている。マスクＭ上のパターンを透過した光束は、投影光学系ＰＬによってウエハステージＷＳに載置されたウエハ（感光性基板）Ｗの感光面に結像し、マスクステージＭＳとウエハステージＷＳとがＸ方向に同期して走査されることにより、マスクＭのパターンがウエハＷに転写される。また、この投影露光装置は、図６に示すように、マスクステージ（第１の測定対象物）ＭＳに取り付けられた第１鏡及び投影光学系（第２の測定対象物）ＰＬに取り付けられた第２鏡との間の相対的な距離を測定するための干渉計９０、９１、９２を備えている。また、この投影露光装置は、図７に示すように、ウエハステージ（第１の測定対象物）ＷＳに取り付けられた第１鏡及び投影光学系（第２の測定対象物）ＰＬに取り付けられた第２鏡との間の相対的な距離を測定するための干渉計９４、９５、９６、９７を備えている。
【００６１】
図６は、この実施の形態にかかる投影露光装置のマスクステージＭＳの上面図である。走査方向であるＸ方向の位置計測用のマスクステージ干渉計９０、９１は、第１の実施の形態にかかるシングルパス干渉計（図１）または第２の実施の形態にかかるシングルパス干渉計（図２）と同様の構成を有するシングルパス干渉計によって構成されている。また、走査方向Ｘと直交する非走査方向であるＹ方向の位置計測用のマスクステージ干渉計９２は、第３の実施の形態にかかるダブルパス干渉計（図３）または第４の実施の形態にかかるダブルパス干渉計（図４）と同様の構成を有するダブルパス干渉計によって
構成されている。こうしてマスクステージＭＳと投影光学系ＰＬとの相対的な距離をヘテロダイン計測し、その測定結果に基づいて、マスクステージＭＳのＸ、Ｙ方向の位置や、Ｚ軸周りの回転角度を計測する。
【００６２】
図７は、この実施の形態にかかる投影露光装置のウエハステージＷＳの上面図である。ウエハステージ干渉計９４、９５は走査方向であるＸ方向の位置計測用であり、ウエハステージ干渉計９６、９７は走査方向Ｘと直交する非走査方向であるＹ方向の位置計測用である。また、ウエハステージ干渉計９４、９５、９６、９７は、第３の実施の形態にかかるダブルパス干渉計（図３）または第４の実施の形態にかかるダブルパス干渉計（図４）と同様の構成を有するダブルパス干渉計によって構成されている。こうしてウエハステージＷＳと投影光学系ＰＬとの相対的な距離をヘテロダイン計測し、その測定結果に基づいて、ウエハステージＷＳのＸ、Ｙ方向の位置や、Ｚ軸周りの回転角度を計測する。
【００６３】
この実施の形態にかかる露光装置によれば、マスクステージ干渉計及びウエハステージ干渉計に第１の実施の形態にかかる干渉計、第２の実施の形態にかかる干渉計、第３の実施の形態にかかる干渉計、または第４の実施の形態にかかる干渉計を用いる。従って、マスクステージ干渉計またはウエハステージ干渉計に用いられる光学部材が取り付けられる支持部材の膨張等による測長誤差を防止することができるため、干渉計測誤差を最小限に抑えることができ、マスクステージ及びウエハステージの位置の計測を極めて正確に行うことができる。従って、マスクに形成された転写パターンの像をウエハに極めて正確に重ね合わせ露光することができる。
【００６４】
次に、図８及び図９に示すフローチャートを参照して、第５の実施の形態にかかる露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法について説明する。この実施の形態にかかる露光装置では、照明装置によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンをウエハ（感光性基板）に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、この実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を説明する。
【００６５】
まず、図８のステップＳ４０において、１ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ４２において、その１ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ４４において、この実施の形態にかかる露光装置に備えられているマスクステージ干渉計によりマスクステージの位置及びウエハステージ干渉計によりウエハステージの位置を計測して、マスク及びウエハの位置合わせを行った後に、マスク上のパターンの像が投影光学系を介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ４６において、その１ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ４８において、その１ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。
【００６６】
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ４０〜ステップ４８では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
【００６７】
また、この実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図９のフローチャートを参照して、液晶表示素子の製造方法を説明する。図９において、パターン形成工程Ｓ５０においては、この実施の形態にかかる露光装置に備えられているマスクステージ干渉計によりマスクの位置及びウエハステージ干渉計により感光性基板の位置を計測して、マスク及び感光性基板の位置合わせを行い、マスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ５２へ移行する。
【００６８】
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ５２では、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列したカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ５２の後に、セル組み立て工程Ｓ５４が実行される。セル組み立て工程Ｓ５４では、パターン形成工程Ｓ５０にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程Ｓ５２にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ５４では、例えば、パターン形成工程Ｓ５０にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ５２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００６９】
その後、モジュール組み立て工程Ｓ５６にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
【００７０】
【発明の効果】
この発明の干渉計によれば、干渉計に取り付けられる光学部材等を固定させる支持部材（ベースプレート）が温度変化等により膨張した場合等においても、第１のビーム分離手段と第２のビーム分離手段との間において、第１の測定ビームの光路及び第２の測定ビーム光路が共通していることから、光路測長誤差が生じることなく正確に干渉計測を行なうことができる。
【００７１】
また、この発明の露光装置によれば、この発明の干渉計を備えているため、干渉計測を正確に行なうことができ、微細な転写パターンの露光を良好に行なうことができる露光装置を提供することができる。
【００７２】
また、この発明の露光方法によれば、この発明の干渉計を備えている露光装置を用いるため、干渉計測が良好に行なわれていることから、微細な露光パターンの露光を良好に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態にかかるシングルパス干渉計を示す構成図である。
【図２】この発明の第２の実施の形態にかかるシングルパス干渉計を示す構成図である。
【図３】この発明の第３の実施の形態にかかるダブルパス干渉計を示す構成図である。
【図４】この発明の第４の実施の形態にかかるダブルパス干渉計を示す構成図である。
【図５】この発明の第５の実施の形態にかかる投影露光装置を示す構成図である。
【図６】この発明の第５の実施の形態にかかる投影露光装置のマスクステージを示す平面図である。
【図７】この発明の第５の実施の形態にかかる投影露光装置のウエハステージを示す平面図である。
【図８】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】従来の干渉計を示す構成図である。
【符号の説明】
１０，３０…シングルパス干渉計、５０，７０…ダブルパス干渉計、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…第１の測定ビーム、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４…第２の測定ビーム、１１，３１，５１，７１…二周波レーザ光源、１４，１７，３４，３８，５２，５６，７３，７６…偏光ビームスプリッタ、５７，６０，７７，８０…λ／４板、１５，３６，５４，７５…λ／２板、１８，３９，５８，７８…第１鏡、１９，４０，６１，８１…第２鏡、２０，４２，６３，８４…光検出器、ＩＳ…照明光学系、Ｍ…マスク、ＭＳ…マスクステージ、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、ＷＳ…ウエハステージ、９０，９１，９２…マスクステージ干渉計、９４，９５，９６，９７…ウエハステージ干渉計。
【図１】
2004251748.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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