(57)【要約】【課題】半透過反射型液晶表示装置において、残像やしみ状のむら等の表示不良発生を抑え、さらには明るく広視野角の表示を可能とする液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、一対の基板１０，２５間に液晶層５０を挟持してなり、１つのドット領域内に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとが設けられた液晶表示装置であって、液晶層５０は初期配向状態が垂直配向を呈する誘電率異方性が負の液晶からなる一方、一対の基板１０，２５の液晶層５０側には該液晶を駆動するための画素電極９，共通電極３１がそれぞれ形成されてなる。そして、画素電極９には、液晶の配向を規制する配向規制手段として、該電極９の一部を開口して形成したスリット９４が透過表示領域Ｔに形成され、このスリット９４が反射膜２０ａと平面的に重畳配置されている。【選択図】        図４
2004279565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなり、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられた液晶表示装置であって、
前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電率異方性が負の液晶からなる一方、前記一対の基板の液晶層側には該液晶を駆動するための電極がそれぞれ形成され、その少なくとも一方の基板側の電極には、前記液晶の配向を規制する配向規制手段として、該電極の一部を開口して形成したスリット状の開口部、及び／又は該電極上に形成された誘電体からなる凸状部が形成されてなり、
前記開口部及び／又は凸状部のうち、前記透過表示領域の液晶を配向規制する透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部が、少なくとも反射膜と平面的に重畳配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記一対の基板として上基板と下基板とを含み、前記下基板の液晶層と反対側には透過表示用のバックライトが設けられ、前記下基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域に選択的に形成された反射表示用反射膜が配設されてなる一方、
前記透過表示領域には、該透過表示領域内に形成された前記透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部に対して平面的に重畳配置された透過防止用反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部のうち、少なくとも前記下基板側の電極に設けられた開口部及び／又は凸状部が、前記反射膜と平面的に重畳配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記電極に設けられた開口部及び／又は凸状部の全てが、前記反射膜と平面的に重畳配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記透過表示領域は、前記反射表示領域よりも液晶層の層厚が大きく構成される一方、前記透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部に対し平面的に重畳配置された反射膜の形成領域も、前記反射表示領域よりも液晶層の層厚が大きく構成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記透過表示領域の液晶層厚を、前記反射表示領域の液晶層厚よりも大きく構成するために、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板と前記液晶層との間に液晶層厚調整層が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記開口部及び／又は凸状部は、前記垂直配向した液晶分子の電界変化に基づいて倒れる方向を規制する構成を具備していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に反射モードと透過モードの双方で表示を行う半透過反射型の液晶表示装置において、高コントラスト、広視野角の表示が得られる技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置として、明るい場所では反射型液晶表示装置と同様に外光を利用し、暗い場所では透過型液晶表示装置と同様にバックライトにより表示を視認可能にした半透過反射型液晶表示装置が提案されている。このような半透過反射型液晶表示装置としては、上基板と下基板との間に液晶層が挟持されるとともに、例えばアルミニウム等の金属膜に光透過用の窓部を形成した反射膜を下基板の内面に備え、この反射膜を半透過反射板として機能させる液晶表示装置が知られている。この場合、反射モードでは上基板側から入射した外光が、液晶層を通過した後に下基板の内面の反射膜で反射され、再び液晶層を通過して上基板側から出射され、表示に寄与する。一方、透過モードでは下基板側から入射したバックライトからの光が、反射膜の窓部から液晶層を通過した後、上基板側から外部に出射され、表示に寄与する。したがって、反射膜の形成領域のうち、窓部が形成された領域が透過表示領域、その他の領域が反射表示領域となる。
【０００３】
ところが、従来の半透過反射型液晶表示装置には、透過表示での視角が狭いという課題があった。これは、視差が生じないよう液晶セルの内面に半透過反射板を設けている関係で、観察者側に備えた１枚の偏光板だけで反射表示を行わなければならないという制約があり、光学設計の自由度が小さいためである。そこで、この課題を解決するために、Ｊｉｓａｋｉらは、下記の非特許文献１において、垂直配向液晶を用いる新しい液晶表示装置を提案した。その特徴は、以下の３つである。
（１）誘電率異方性が負の液晶を基板に垂直に配向させ、電圧印加によってこれを倒す「ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード」を採用している点。
（２）透過表示領域と反射表示領域の液晶層厚（セルギャップ）が異なる「マルチギャップ構造」を採用している点（この点については、例えば特許文献１参照）。
（３）透過表示領域を正八角形とし、この領域内で液晶が８方向に倒れるように対向基板上の透過表示領域の中央に突起を設けている点。すなわち、「配向分割構造」を採用している点。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−２４２２２６号公報
【非特許文献１】
”Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ  ＬＣＤ  ｆｏｒ  ｈｉｇｈ  ｃｏｎｔｒａｓｔ  ａｎｄ  ｗｉｄｅ  ｖｉｅｗｉｎｇ  ａｎｇｌｅ  ｂｙ  ｕｓｉｎｇ  ｈｏｍｅｏｔｒｏｐｉｃ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ”，  Ｍ．Ｊｉｓａｋｉ  ｅｔ  ａｌ．，  Ａｓｉａ  Ｄｉｓｐｌａｙ／ＩＤＷ’０１，  ｐ．１３３−１３６（２００１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献１に開示されたようなマルチギャップ構造は、透過表示領域と反射表示領域の電気光学特性（透過率−電圧特性、及び反射率−電圧特性）を揃える上で有効な手段である。何故ならば、透過表示領域では光が液晶層を１回のみ通過するのに対し、反射表示領域では光が液晶層を２回通過するからである。
【０００６】
ところでＪｉｓａｋｉらが採用した配向分割の方法は、突起とマルチギャップの段差を利用した大変巧妙な方法である。しかしながら、この方法には１つ問題がある。すなわち、上記非特許文献１に記載された透過の明表示時の顕微鏡写真にあるように、透過表示領域の中央に配向制御用の突起に基づく黒点が生成する。これは、突起形成領域の液晶が、突起の容量の影響で十分な電圧が印加されず、しかもディスクリネーションと呼ばれる液晶配向の不連続点が発生するために液晶が動作し難く、良好な明表示が得られないことに起因している。その一方で、このような突起を設けないと、電圧を印加したときに液晶分子が無秩序な方向に倒れ、異なる液晶配向領域の境界にディスクリネーションが現れ、残像等の原因となる。また、液晶の各々の配向領域は異なる視角特性を有するため、斜め方向から表示面を見たときに、ざらざらとしたしみ状のむらとして視認されてしまうという問題も生じる。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、半透過反射型液晶表示装置において、透過表示及び反射表示の双方について残像やしみ状のむら等の表示不良発生を抑え、さらには広視野角化を可能とするとともに、上述したような液晶の配向制御用の突起形成に基づき、明るさが低減するような不具合も生じ難い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなり、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と反射表示を行う反射表示領域とが設けられた液晶表示装置であって、前記液晶層は、初期配向状態が垂直配向を呈する誘電率異方性が負の液晶からなる一方、前記一対の基板の液晶層側には該液晶を駆動するための電極がそれぞれ形成され、その少なくとも一方の基板側の電極には、前記液晶の配向を規制する配向規制手段として、該電極の一部を開口して形成したスリット状の開口部、及び／又は該電極上に形成された誘電体からなる凸状部が形成されてなり、前記開口部及び／又は凸状部のうち、前記透過表示領域の液晶を配向規制する透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部が、少なくとも反射膜と平面的に重畳配置されていることを特徴とする。なお、この場合の「平面的に重畳配置する」とは、例えば基板法線方向から見た場合に各部材が重畳配置されていることを示している。
【０００９】
このような液晶表示装置によると、配向規制手段としての開口部及び／又は凸状部により液晶の倒れる方向が規制されるため、電極間に電圧を印加したときにディスクリネーションが生じ難く、残像等の表示不良発生が抑制されるとともに、斜め方向から表示面を見たときにざらざらとしたしみ状のむらが視認される等の不具合も発生し難くなる。
さらに、このような配向規制手段を設けたにも拘らず、本発明では該配向規制手段の形成領域においても比較的明るい表示を得ることができた。すなわち、本発明では配向規制手段としての開口部及び／又は凸状部のうち、透過表示領域の液晶を配向規制する透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部を、少なくとも反射膜と平面的に重畳配置して構成したため、該透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部の形成領域が反射表示に供されることとなり、したがって表示面側から入射した光が液晶層を２回通過するため、液晶が僅かに倒れるだけで明るい表示が得られるようになった。つまり、透過表示では背面側から入射した光が液晶層を１回しか通過しないのに対し、反射表示では表示面側から入射した光が液晶層を２回通過することを利用して、同じ電圧を付与した場合（液晶の倒れる度合いが同じ場合）にも相対的に明るい表示を実現したのである。
このように、従来、透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部の形成領域を単に透過表示領域として利用し、その形成領域における透過率低下を無視していたものを、本発明では、敢えて透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部の形成領域を反射表示領域として利用することで、その形成領域での明表示の明るさ向上に寄与することができたのである。
【００１０】
以上のように、本発明の液晶表示装置は半透過反射型の液晶表示装置において、配向規制手段を設けた為、透過表示及び反射表示共に残像やしみ状のむら等の表示不良発生が抑えられ、さらには広視野角化が可能となるとともに、その配向規制手段の形成に基づき、明るさが低減するような不具合も生じ難いものとなる。なお、配向規制手段として電極にスリット状の開口部を形成した場合には、該開口部形成領域において電圧印加が行われないため、液晶の配向不良が発生する一方、配向規制手段として電極上に凸状部を形成した場合には、該凸状部の容量の影響で十分な電圧が印加されず、液晶の配向不良が発生することとなる。
【００１１】
本発明の液晶表示装置においては、前記一対の基板として上基板と下基板とを含み、前記下基板の液晶層と反対側には透過表示用のバックライトが設けられ、前記下基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域に選択的に形成された反射表示用反射膜が配設されてなる一方、前記透過表示領域には、該透過表示領域内に形成された前記透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部に対して平面的に重畳配置された透過防止用反射膜が形成されているものとすることができる。このように反射表示用の反射膜とは別途、透過表示領域における配向規制手段としての透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部に重畳するように、下基板と液晶層との間に透過防止用の反射膜を配設することで、該透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部の形成領域においてバックライトからの光が表示に供されることがなくなり、上基板側から入射した自然光が液晶層を２回通過して反射表示に供されることとなるため、該配向規制手段の形成に基づく明るさの低下を抑制することが可能となる。
【００１２】
前記透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部のうち、少なくとも下基板側の電極に設けられた開口部及び／又は凸状部について反射膜と平面的に重畳配置することができる。この場合、配向規制手段たる開口部及び／又は凸状部と、それと重畳配置される反射膜とが同一基板（下基板）側に配設されることとなり、相互のアライメントが容易となり、該開口部及び／又は凸状部と殆ど同じ大きさの反射膜を形成することが可能となる。したがって、透過表示領域の大きさ（平面視面積）を最大限に確保することが可能となり、透過表示を重視した電子機器の表示部として当該液晶表示装置が好適となる。
【００１３】
なお、本発明では配向規制手段としての開口部及び／又は凸状部のうち、透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部の少なくとも１つが反射膜と重畳配置されていれば、上述のような明るさ向上効果が得られるが、電極に設けられた開口部及び／又は凸状部の全てを反射膜と平面的に重畳配置することで、一層好ましく明るさ向上を実現することが可能である。
【００１４】
次に、前記透過表示領域の液晶層厚を前記反射表示領域の液晶層厚よりも大きく構成する一方、前記透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部に対し平面的に重畳配置された反射膜の形成領域も前記反射表示領域よりも液晶層の層厚を大きく構成することができる。このように透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部に対し平面的に重畳配置した反射膜の形成領域についは、その液晶層厚を反射表示領域の液晶層厚よりも大きく確保することで、該透過部液晶制御用開口部及び／又は透過部液晶制御用凸状部形成領域の明るさを一層高めることが可能となる。
【００１５】
前記透過表示領域の液晶層厚を、前記反射表示領域の液晶層厚よりも大きく構成するために、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板と前記液晶層との間に液晶層厚調整層を設けることができる。この場合、液晶層厚調整層の存在によって反射表示領域の液晶層の厚みを透過表示領域の液晶層の厚みよりも小さくすることができ、反射表示領域におけるリタデーションと透過表示領域におけるリタデーションを充分に近づける、もしくは略等しくすることができ、これによりコントラストの向上を図ることが可能となる。
【００１６】
本発明において配向規制手段は、前記垂直配向した液晶分子の電界変化に基づいて倒れる方向を規制する構成を具備しているものとすることができ、この場合、垂直配向した液晶分子を所定方向に規則的に倒れるようにすることが可能となる。その結果、液晶分子の配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じ難く、光抜け等の表示不良を回避することが可能となり、表示特性の高い液晶表示装置を提供することが可能となる。なお、液晶分子の倒れる方向を規制する構成としては、具体的には、凸状部を形成する場合には、その表面を液晶分子の垂直配向方向に対して所定の角度だけ傾斜するように構成するものとすることができる。
【００１７】
次に、本発明の電子機器は、上記記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。このような電子機器によると、残像やしみ状のむら等の表示不良が抑えられ、さらには明るく視野角の広い表示特性に優れた表示部を備えた電子機器を提供することが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図面を参照して説明する。
本実施の形態の液晶表示装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，  以下、ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の例である。
【００１９】
図１は本実施の形態の液晶表示装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットの等価回路図、図２はＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数のドットの構造を示す平面図、図３は同、液晶表示装置の構造を示す概略平面図（上段）及び概略断面図（下段）である。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２０】
本実施の形態の液晶表示装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２１】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量線である。
【００２２】
次に、図２に基づいて、本実施の形態の液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面構造について説明する。
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、複数の矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）がマトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態において、各画素電極９および各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域の内側が一つのドット領域であり、マトリクス状に配置された各ドット領域毎に表示が可能な構造になっている。
【００２３】
データ線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、チャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００２４】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に延びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００２５】
より具体的には、第１遮光膜１１ａは、各々、半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に延びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（すなわち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施の形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３によって前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００２６】
また、図２に示すように、一つのドット領域の中央部には反射膜２０が形成されており、この反射膜２０が形成された領域が反射表示領域Ｒとなり、その反射膜２０が形成されていない領域、すなわち反射膜２０の開口部２１内が透過表示領域Ｔとなる。
【００２７】
次に、図３に基づいて本実施の形態の液晶表示装置の構造について説明する。図３（ａ）は本実施の形態の液晶表示装置について一画素の構成を示す平面模式図で、図３（ｂ）は図３（ａ）の平面図のうち赤色のドットに対応する部分の断面模式図である。
【００２８】
本実施の形態の液晶表示装置は、図２に示したようにデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等にて囲まれた領域の内側に画素電極９を備えてなるドット領域を有している。このドット領域内には、図３（ａ）に示すように一のドット領域に対応して３原色のうちの一の着色層が配設され、３つのドット領域（Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３）で各着色層２２Ｂ（青色），２２Ｇ（緑色），２２Ｒ（赤色）を含む画素を形成している。
【００２９】
一方、図３（ｂ）に示すように、本実施の形態の液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１０とこれに対向配置された対向基板２５との間に初期配向状態が垂直配向をとる液晶、すなわち誘電率異方性が負の液晶材料からなる液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａの表面にアルミニウム、銀等の反射率の高い金属膜からなる反射膜２０が絶縁膜２６を介して部分的に形成された構成をなしている。上述したように、反射膜２０の形成領域が反射表示領域Ｒとなり、反射膜２０の非形成領域、すなわち反射膜２０の開口部２１内が透過表示領域Ｔとなる。このように本実施の形態の液晶表示装置は、垂直配向型の液晶層を備える垂直配向型液晶表示装置であって、反射表示及び透過表示を可能にした半透過反射型の液晶表示装置である。なお、反射表示領域Ｒにおける絶縁層２６の表面は凹凸形状とされており、その凹凸形状に倣って反射膜２０の表面は凹凸部を有する。このような凹凸により反射光が散乱されるため、外部からの映り込みが防止され、広視野角の表示を得ることが可能とされている。
【００３０】
基板本体１０Ａ上に形成された絶縁膜２６は、反射表示領域Ｒにおける膜厚が透過表示領域Ｔにおける膜厚よりも相対的に大きく構成されている。したがって、液晶層５０の層厚が、透過表示領域Ｔよりも反射表示領域Ｒにおいて相対的に小さく構成されている。ここで絶縁膜２６は例えば膜厚が２〜３μｍ程度のアクリル樹脂等の有機膜からなり、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近において、自身の層厚が連続的に変化するべく傾斜面２６ａを備えた傾斜領域を有している。絶縁膜２６が薄膜に形成された透過表示領域Ｔの液晶層５０の厚みが４〜６μｍ程度で、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚みは透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚みの約半分となる。
【００３１】
このように絶縁膜２６は、自身の膜厚によって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層として機能するものである。本実施の形態の場合、絶縁膜２６の上部の平坦面の縁と反射膜２０（反射表示領域）の縁とが略一致しており、絶縁膜２６の傾斜領域は透過表示領域Ｔに含まれることになる。このように液晶層厚調整層たる絶縁膜２６の存在によって、反射表示領域Ｒの液晶層５０の厚みを透過表示領域Ｔの液晶層５０の厚みよりも小さくすることができ、反射表示領域Ｒにおけるリタデーションと透過表示領域Ｔにおけるリタデーションを充分に近づける、もしくは略等しくすることができ、これにより高コントラストの表示を得ることが可能とされている。
【００３２】
そして、絶縁膜２６の表面を含むＴＦＴアレイ基板１０の表面には、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ，  以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜からなる画素電極９、ポリイミド等からなる配向膜（図示略）が形成されている。なお、本実施の形態では、反射膜２０と画素電極９とを別個に設けて積層したが、反射表示領域Ｒにおいては金属膜からなる反射膜を画素電極として用いることも可能である。さらに、液晶層厚調整層としての絶縁膜２６に対して、反射表示領域Ｒに相当する位置において凹凸形状を付与し、反射膜２０に散乱機能を付与することとしているが、基板本体１０Ａ上に絶縁膜２６と異なる凹凸付与用絶縁膜を形成し、その上層に反射膜２０を形成することも可能である。この場合、反射膜２０の上層には更に液晶層厚調整層としての絶縁膜２６を形成することとなる。
【００３３】
一方、対向基板２５側は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａ上（基板本体２５Ａの液晶層側）に、カラーフィルタ２２（図３（ｂ）では赤色着色層２２Ｒ）が形成されている。着色層２２Ｒの周縁はブラックマトリクスＢＭにて囲まれ、ブラックマトリクスＢＭにより各ドット領域Ｄ１，Ｄ２、Ｄ３の境界が形成されている。そして、カラーフィルタ２２の液晶層側には樹脂製のオーバーコート層３３が形成され、オーバーコート層３３の更に液晶層側に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる共通電極３１、ポリイミド等からなる配向膜（図示略）が形成されている。
【００３４】
また、透過表示領域Ｔであって、対向基板２５の配向膜形成面（すなわち液晶層の接面）には樹脂製の突起３７が形成されている。突起３７は、図３（ａ）に示すようにドット領域のうちの透過表示領域略中心付近に配設されており、基板平面（液晶分子の垂直配向方向）に対して所定角度の傾斜面３７ａを備え、該傾斜面３７ａの方向に沿って、液晶分子の配向、特に垂直配向した液晶分子の倒れる方向が規制される構成となっている。ここで、この透過表示領域Ｔにおいて液晶分子の倒れる方向を規制するためには、突起３７の代わりに例えば共通電極３１にスリットを形成するものとしてもよい。
【００３５】
そして、本実施の形態の液晶表示装置では、この突起３７に対して平面的に重畳して反射膜２０ａが形成されている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ上に、透過表示領域Ｔの液晶分子の配向規制を行う突起３７と重畳して、少なくとも突起３７をＴＦＴアレイ基板１０側から覆うように反射膜２０ａが選択的に形成されている。したがって、この反射膜２０ａの形成領域（すなわち突起３７の形成領域）ではバックライト１５からの透過表示が許容されず、対向基板２５側から入射する自然光等に基づく反射表示が行われることとなる。
【００３６】
ここで、配向規制手段たる突起３７は例えば樹脂等の誘電体にて構成することができ、その突起３７の段差の大きさとしては例えば０．０５μｍ〜０．５μｍとすることができる。段差の大きさが０．０５μｍよりも小さいと液晶分子の倒れる方向を規制することができない場合があり、また段差の大きさが０．５μｍよりも大きいと段差の凸部分と凹部分で液晶層のリタデーション差が大きくなりすぎて表示不良を生じる場合がある。突起３７の段差の大きさは、好ましくは０．０７μｍ〜０．２μｍ程度とするのが良く、この場合、一層良好な表示を提供することが可能となる。
【００３７】
また、突起３７は所定の傾斜面を備えるが、その最大傾斜角は２°〜３０°とすることができる。この場合の傾斜角とは、基板１０Ａと突起３７の傾斜面とのなす角度で、突起３７が曲表面を有している場合には、その曲表面に接する面と基板とのなす角度を指すものとする。傾斜面の最大傾斜角が２°未満の場合、液晶分子の倒れる方向を規制するのが困難となる場合があり、また傾斜面の最大傾斜角が３０°を超えると、その部分において液晶分子の垂直配向が困難となる場合があり、その部分から光漏れ等が生じコントラスト低下等の不具合が生じる場合がある。
【００３８】
また、突起３７は、その縦断面が略左右対称の形をなしているものとすることができる。この場合、突起３７の左右に対して対称に液晶分子が倒れることとなり、視角特性が左右対称となる。なお、突起３７は、当該液晶表示装置の上下方向を定めた場合に、その上下軸に対して平面視略左右対称な形状にて構成することで、視角特性を一層左右対称にすることが可能となる。また、特にドット領域内において、上記上下軸に対して平面視略左右対称な形状にて構成することが更に好ましい。
【００３９】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２５の双方の電極９、３１には、ともに垂直配向処理が施されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の外面側には位相差板１８及び偏光板１９が、対向基板２５の外面側にも位相差板１６及び偏光板１７が形成されており、基板内面側に円偏光を入射可能に構成されている。偏光板１７（１９）と位相差板１６（１８）の構成としては、偏光板とλ／４位相差板を組み合わせた円偏光板、若しくは偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板を組み合わせた広帯域円偏光板、又は偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板と負のＣプレート（膜厚方向に光軸を有する位相差板）からなる視角補償板を採用することができる。なお、ＴＦＴアレイ基板１０に形成された偏光板１９の外側には透過表示用の光源たるバックライト１５が設けられている。
【００４０】
このような本実施の形態の液晶表示装置によれば、液晶層５０の挟持面に突起３７を形成したため、垂直配向した液晶分子の倒れる方向が該突起３７にて規制されることとなり、したがって電極９，３１間に電圧を印加したときにディスクリネーションが生じ難く、残像等の表示不良発生が抑制されるとともに、斜め方向から表示面を見たときにざらざらとしたしみ状のむらが視認される等の不具合も発生し難くなる。この突起３７は樹脂等の誘電体にて構成されるため、該突起３７の容量分だけ電極間に電圧が掛かり難く、明るさが低下することが懸念されるが、本実施の形態では、突起３７と平面的に重畳して反射膜２０ａを形成したため、該突起３７の形成領域が反射表示に供されることとなり、この場合、表示面側から入射した光が液晶層を２回通過するため、電極間電圧が相対的に低く液晶が僅かに倒れるだけでも比較的明るい表示が得られることとなる。
【００４１】
つまり、突起３７の形成領域を透過表示として用いた場合、バックライト１５側から入射した光が液晶層５０を１回しか通過しないのに対し、本実施の形態では突起３７の形成領域を反射表示として用いたため、対向基板２５側から入射した光（太陽光、外光等の自然光）が液晶層５０を２回通過して表示に供されることとなり、突起３７の形成領域を透過表示として用いた場合と同じ電圧を付与した場合にも相対的に明るい表示を実現することが可能となったのである。
【００４２】
なお、上記のように突起形成領域を反射表示に供させる場合、透過表示のコントラストが向上するが、その分、反射表示のコントラストが損なわれる。しかしながら、一般に透過表示には１：２００以上のコントラストが求められているが、反射表示では１：３０もあれば十分とされているため問題とならない。これは、反射表示では１：３０以上のコントラストを得ても、外光散乱の影響で、そのコントラスト向上効果が十分に感じ取れないためである。
【００４３】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図４は、第２の実施の形態の液晶表示装置について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、反射膜２０に凹凸を付与する手段と、透過表示領域ＴのＴＦＴアレイ基板１０側の画素電極９に配向規制手段としてスリット９４を形成した点が大きく異なっている。したがって、図４においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４４】
本実施の形態の液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａの表面に絶縁膜２４を介して反射膜２０が部分的に形成された構成をなしている。この反射膜２０の形成領域が反射表示領域Ｒとなり、反射膜２０の非形成領域、すなわち反射膜２０の開口部２１内が透過表示領域Ｔとなる。なお、反射表示領域Ｒにおける絶縁層２４の表面は凹凸形状とされており、その凹凸形状に倣って反射膜２０の表面は凹凸を有している。
【００４５】
また、基板本体１０Ａ上には透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒに跨って絶縁膜２６が形成され、特に反射表示領域Ｒにおいては絶縁膜２４及び反射膜２０を覆う形にて該絶縁膜２６が形成されている。この絶縁膜２６は、反射表示領域Ｒにおける膜厚が透過表示領域Ｔにおける膜厚よりも相対的に大きく構成されており、したがって、液晶層５０の層厚が、透過表示領域Ｔよりも反射表示領域Ｒにおいて相対的に小さく構成されている。なお、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近において、絶縁膜２６は、自身の層厚が連続的に変化するべく傾斜面２６ａを備えた傾斜領域を有している。このように本実施の形態においても絶縁膜２６は、自身の膜厚によって反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの液晶層５０の層厚を異ならせる液晶層厚調整層として機能するものである。
【００４６】
また、本実施の形態の液晶表示装置は、画素電極９の一部にスリット（開口部）９４を具備して構成されている。この場合、当該スリット９４の形成領域において電極９，３１間に斜め電界が生じることとなり、該斜め電界に沿って液晶分子の倒れる方向を規制することが可能となる。
【００４７】
そして、本実施の形態の液晶表示装置では、このスリット９４に対して平面的に重畳して反射膜２０ａが形成されている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ上に、透過表示領域Ｔの液晶分子の配向規制を行うスリット９４と重畳して、少なくとも透過表示領域Ｔに形成されたスリット９４をＴＦＴアレイ基板１０側から覆うように反射膜２０ａが選択的に形成されている。したがって、この反射膜２０ａの形成領域（すなわちスリット９４の形成領域）ではバックライト１５からの透過表示が許容されず、対向基板２５側から入射する自然光等に基づく反射表示が行われることとなる。
【００４８】
また、対向基板２５の配向膜形成面（すなわち液晶層の接面）には樹脂製の突起３７が形成されている。突起３７は、図４（ａ）に示すようにドット領域に跨って長手表示に配設されており、基板平面（液晶分子の垂直配向方向）に対して所定角度の傾斜面を備えている。なお、本実施の形態では、突起３７のうち反射表示領域Ｒに位置するものは反射膜２０に重畳するものの、透過表示領域Ｔに位置するものには反射膜が重畳して配置されていない。しかしながら、例えば図５に示すように、透過表示領域Ｔに位置する突起３７に重畳して反射膜２０ａを形成することも可能である。
【００４９】
このような本実施の形態の液晶表示装置によれば、液晶層５０の挟持面に突起３７及びスリット９４を形成したため、垂直配向した液晶分子の倒れる方向が該突起３７及びスリット９４にて規制されることととなる。したがって電極９，３１間に電圧を印加したときにディスクリネーションが生じ難く、残像等の表示不良発生が抑制されるとともに、斜め方向から表示面を見たときにざらざらとしたしみ状のむらが視認される等の不具合も発生し難くなる。ここで、このスリット９４の形成領域においては、電極間に電圧が掛かり難く、明るさが低下することが懸念されるが、本実施の形態では、スリット９４と平面的に重畳して反射膜２０ａを形成したため、該スリット９４の形成領域が反射表示に供されることとなり、この場合、表示面側から入射した光が液晶層を２回通過するため、電極間電圧が相対的に低く液晶が僅かに倒れるだけでも比較的明るい表示が得られることとなる。
【００５０】
また、図４に示す実施の形態のように、ＴＦＴアレイ基板１０側の画素電極９に設けられたスリット９４に対して、これを反射膜２０ａと平面的に重畳配置すれば、該スリット９４と、それと重畳配置される反射膜２０ａとが同一基板側に配設されることとなり、相互のアライメントが容易となり、該スリット９４と殆ど同じ大きさの反射膜２０ａを形成することが可能となる。したがって、透過表示領域Ｔの大きさ（平面視面積）を最大限に確保することが可能となり、透過表示を重視した電子機器の表示部として好適な液晶表示装置となり得る。
【００５１】
なお、図５に示したように、対向基板２５側であって透過表示領域Ｔに位置する突起３７に対しても、これと重畳して反射膜２０ａを形成した場合には、該突起３７の形成領域が反射表示に供されることとなり、この場合も、表示面側から入射した光が液晶層を２回通過するため、電極間電圧が相対的に低く液晶が僅かに倒れるだけでも比較的明るい表示が得られることとなる。
【００５２】
また、図４及び図５に示す実施の形態では、スリット９４の下の反射膜２０ａが鏡面反射を呈することとなる。したがって、その反射光を拡散して明るい反射表示を得る目的で、対向基板２５の基板本体２５Ａの外面側（例えば基板本体２５Ａと位相差板１６との間）に前方散乱板を配設することが好ましい。このような前方散乱板としては、樹脂ボールを異なる屈折率の高分子中に分散したフィルムにて構成されたものを採用することができ、この場合、後方散乱が小さい為、コントラストを損なわないという特徴がある。
【００５３】
なお、図５の実施の形態では、対向基板２５側に形成された突起３７を重畳する反射膜２０ａがＴＦＴアレイ基板１０側にあるため、各基板２５，１０の組立て精度分だけマージンを取って、より大きな反射膜２０ａを設ける必要がある。したがって、透過表示領域Ｔの面積が小さくなってしまうという問題が生じ得る。しかしながら、図４の実施の形態とは異なり、対向基板２５側の突起形成領域が反射表示に寄与するようになるため、反射表示と透過表示をトータルで見れば明るくなるという効果がある。
【００５４】
［第３の実施の形態］
以下、本発明の第３の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図６は、第３の実施の形態の液晶表示装置について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、液晶分子を配向規制する突起及びスリットの構成が第１の実施の形態と大きく異なる。したがって、図６においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５５】
本実施の形態の液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａの表面に絶縁膜２４を介して反射膜２０が部分的に形成された構成をなしている。この反射膜２０の形成領域が反射表示領域Ｒとなり、反射膜２０の非形成領域、すなわち反射膜２０の開口部２１内が透過表示領域Ｔとなる。なお、反射表示領域Ｒにおける絶縁層２４の表面は凹凸形状とされており、その凹凸形状に倣って反射膜２０の表面は凹凸を有している。
【００５６】
また、反射表示領域Ｒには絶縁膜２４及び反射膜２０を覆う態様にて絶縁膜２６が形成されており、この絶縁膜２６の形成に伴って、液晶層５０の層厚が、透過表示領域Ｔよりも反射表示領域Ｒにおいて相対的に小さく構成されている。なお、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの境界付近において、絶縁膜２６は、自身の層厚が連続的に変化するべく傾斜面２６ａを備えた傾斜領域を有しており、該傾斜面２６ａは透過表示領域Ｔに位置するものとされている。なお、透過表示領域Ｔにおいては、基板本体１０Ａ上に絶縁膜を介さずに画素電極９が形成されている。
【００５７】
そして、本実施の形態の液晶表示装置は、透過表示領域Ｔの上記傾斜面２６ａ上において、画素電極９を部分的に開口して形成したスリット９４を具備して構成されている。この場合、当該スリット９４の形成領域において電極９，３１間に斜め電界が生じることとなり、該斜め電界に沿って液晶分子の倒れる方向を規制することが可能となる。
【００５８】
そして、本実施の形態の液晶表示装置では、この傾斜面２６ａに形成したスリット９４に対して平面的に重畳して反射膜２０ａが形成されている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ上に、透過表示領域Ｔの液晶分子の配向規制を行うスリット（開口部）９４と重畳して、少なくともスリット９４をＴＦＴアレイ基板１０側から覆うように反射膜２０ａが選択的に形成されている。反射膜２０ａは、反射膜２０とつなげて形成しても良い。したがって、この反射膜２０ａの形成領域（すなわちスリット９４の形成領域、言い換えると傾斜面２６ａの形成領域）ではバックライト１５からの透過表示が許容されず、対向基板２５側から入射する自然光等に基づく反射表示が行われることとなる。
【００５９】
このような本実施の形態の液晶表示装置によれば、少なくとも液晶層厚調整層たる絶縁膜２６の傾斜面２６ａに、画素電極９の一部を開口してスリット９４を形成したため、垂直配向した液晶分子の倒れる方向はスリット９４により規制されることとなる。したがって電極９，３１間に電圧を印加したときにディスクリネーションが生じ難く、残像等の表示不良発生が抑制されるとともに、斜め方向から表示面を見たときにざらざらとしたしみ状のむらが視認される等の不具合も発生し難くなる。
【００６０】
ここで、このスリット９４の形成領域においては、電極間に電圧が掛かり難く、明るさが低下することが懸念されるが、本実施の形態では、スリット９４と平面的に重畳して反射膜２０ａを形成したため、該スリット９４の形成領域が反射表示に供されることとなり、この場合、表示面側から入射した光が液晶層を２回通過するため、電極間電圧が相対的に低く液晶が僅かに倒れるだけでも比較的明るい表示が得られることとなる。
【００６１】
また、本実施の形態の場合、スリット９４が傾斜面２６ａに配設されているため、該スリット９４の形成領域が、その他の反射表示領域Ｒよりも液晶層５０の層厚が厚くなっている。したがって、該スリット９４の形成領域において液晶分子が動作し難くとも、相対的に液晶層厚が厚くなっている分、明るい表示を得ることが可能である。
【００６２】
［第４の実施の形態］
以下、本発明の第４の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。
図７は、第３の実施の形態の液晶表示装置について、平面図及び断面図を示すもので第１の実施の形態の図３に相当する模式図である。本実施の形態の液晶表示装置の基本構成は第１の実施の形態と同様であり、液晶分子を配向規制する突起及びスリットの構成、ならびに反射膜２０を設けていない点が第１の実施の形態と大きく異なる。したがって、図７においては図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６３】
本実施の形態の液晶表示装置において、ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａ上に絶縁膜２９を具備してなり、その絶縁膜２９上に部分的にスリット９４を有する画素電極９が形成されている。この場合、当該スリット９４の形成領域において電極９，３１間に斜め電界が生じることとなり、該斜め電界に沿って液晶分子の倒れる方向を規制することが可能となる。
【００６４】
一方、対向基板２５の共通電極３１上（詳しくは該共通電極３１に形成した配向膜上）には突起３７が形成されている。この突起３７の表面には傾斜面が形成されており、その傾斜面に沿って液晶分子の倒れる方向を規制することが可能である。
【００６５】
そして、本実施の形態の液晶表示装置では、突起３７及びスリット９４に対して平面的に重畳して反射膜２０ａが形成されている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ上に、液晶分子の配向規制を行う突起３７及びスリット（開口部）９４と重畳して、少なくとも突起３７及びスリット９４をＴＦＴアレイ基板１０側から覆うように反射膜２０ａが選択的に形成されている。したがって、この反射膜２０ａの形成領域（すなわち突起３７及びスリット９４の形成領域）ではバックライト１５からの透過表示が許容されず、対向基板２５側から入射する自然光等に基づく反射表示が行われることとなる。
【００６６】
このような本実施の形態の液晶表示装置は、バックライト１５の光源光による透過表示が主体となり、特に画素電極９の一部を開口してスリット９４を形成し、また液晶層５０の挟持面に突起３７を形成したため、垂直配向した液晶分子の倒れる方向はこれらスリット９４及び突起３７により規制されることとなる。したがって電極９，３１間に電圧を印加したときにディスクリネーションが生じ難く、残像等の表示不良発生が抑制されるとともに、斜め方向から表示面を見たときにざらざらとしたしみ状のむらが視認される等の不具合も発生し難くなる。
【００６７】
ここで、このスリット９４及び突起３７の形成領域においては、電極間に電圧が掛かり難く、明るさが低下することが懸念されるが、本実施の形態では、スリット９４及び突起３７と平面的に重畳して反射膜２０ａを形成したため、該スリット９４及び突起３７の形成領域が反射表示に供されることとなる。したがって、該スリット９４及び突起３７を形成したことにより透過表示の明るさを低減することなく、最大限の透過表示領域を確保することが可能となる。また、該スリット９４及び突起３７の形成領域を少なくとも反射表示領域として利用したため、表示面側から入射した光が液晶層を２回通過することとなり、電極間電圧が相対的に低く液晶が僅かに倒れるだけでも比較的明るい表示が得られ、好適な半透過反射型の液晶表示装置を実現することができた。
【００６８】
なお、図７に示す実施の形態では、スリット９４及び突起３７の下の反射膜２０ａが鏡面反射を呈することとなる。したがって、その反射光を拡散して明るい反射表示を得る目的で、対向基板２５の基板本体２５Ａの外面側（例えば基板本体２５Ａと位相差板１６との間）に前方散乱板を配設することが好ましい。このような前方散乱板としては、樹脂ボールを異なる屈折率の高分子中に分散したフィルムにて構成されたものを採用することができ、この場合、後方散乱が小さい為、コントラストを損なわないという特徴がある。
【００６９】
［電子機器］
次に、本発明の上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた場合、使用環境によらずに明るく、コントラストが高く、広視野角の液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態ではＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装置に本発明を適用した例を示したが、薄膜ダイオード（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ，ＴＦＤ）スイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装置、パッシブマトリクス型液晶表示装置などに本発明を適用することも可能である。その他、各種構成要素の材料、寸法、形状等に関する具体的な記載は、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の等価回路図。
【図２】同、液晶表示装置のドットの構造を示す平面図。
【図３】同、液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。
【図４】第２の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。
【図５】第２の実施の形態の液晶表示装置の一変形例を示す平面模式図及び断面模式図。
【図６】第３の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。
【図７】第４の実施の形態の液晶表示装置の要部を示す平面模式図及び断面模式図。
【図８】本発明の電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…反射膜（反射表示用反射膜）、２０ａ…反射膜（透過防止用反射膜）、２２…カラーフィルタ層、２５…対向基板、２６…絶縁膜（液晶層厚調整層）、３１…共通電極、３７…突起（凸状部、配向規制手段）、５０…液晶層、９４…スリット（スリット状開口部、配向規制手段）、Ｒ…反射表示領域、Ｔ…透過表示領域
【図１】
2004279565.tif 000003
【図２】
2004279565.tif 000004
【図３】
2004279565.tif 000005
【図４】
2004279565.tif 000006
【図５】
2004279565.tif 000007
【図６】
2004279565.tif 000008
【図７】
2004279565.tif 000009
【図８】
2004279565.tif 000010