(57)【要約】【課題】周波数精度および温度特性精度の高い弾性表面波素子、および、弾性表面波の発振周波数を調整する際に生じる温度特性の変動を抑制し得る弾性表面波素子の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の弾性表面波素子１０は、基板１と、基板１上に設けられた下地層２と、下地層２上に設けられた圧電体層３と、圧電体層３上に設けられた入力用および出力用のＩＤＴ４、５と、これらを覆うように設けられた温度補償膜６とを有している。温度補償膜６は、弾性表面波素子１０の温度特性を低減させる機能を有し、圧電体層３側の第１の温度補償膜６１と、第１の温度補償膜６１に接触して設けられ、第１の温度補償膜６１より、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の温度補償膜６２とを有している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性を有する基板と、
前記基板上に設けられ、前記基板に弾性表面波を励振させるためのくし歯電極とを備える弾性表面波素子であって、
前記くし歯電極を覆うように、前記弾性表面波素子の温度特性を改善させる機能を有する温度補償膜が設けられ、前記温度補償膜は、厚さの変化に対する温度特性の変動幅が異なる少なくとも２層で構成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
前記温度補償膜を構成する複数の層のうち、任意の２つの層において、前記基板側の層は、他方の層より、厚さの変化に対する温度特性の変動幅が大きいものである請求項１に記載の弾性表面波素子。
【請求項３】
前記温度補償膜を構成する複数の層のうち、前記基板に最も近い層は、厚さの変化に対する温度特性の変動幅が最も大きいものである請求項１または２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記温度補償膜を構成する複数の層のうち、前記基板から最も遠い層は、弾性表面波の発振周波数を調整する際に、その厚さ方向の一部が除去されてなるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
前記基板と前記温度補償膜とは、互いに異符号の温度特性を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
前記温度補償膜は、酸化シリコン、五酸化タンタル、窒化シリコン、窒化チタンのうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項５に記載の弾性表面波素子。
【請求項７】
前記温度補償膜を構成する複数の層は、同一組成の材料で構成されている請求項５または６に記載の弾性表面波素子。
【請求項８】
前記基板は、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成された圧電体層である請求項５ないし７のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項９】
前記圧電体層の前記温度補償膜と反対側に設けられ、前記圧電体層において励振される弾性表面波の特性を設定する機能を有する下地層を備える請求項８に記載の弾性表面波素子。
【請求項１０】
前記下地層は、ダイヤモンド、シリコン、サファイヤ、ガラス、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項９に記載の弾性表面波素子。
【請求項１１】
前記基板は、水晶、または、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成された圧電体基板である請求項５ないし７のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項１２】
圧電性を有する基板上に、前記基板に弾性表面波を励振させるためのくし歯電極を形成する第１の工程と、
前記くし歯電極を覆うように、前記基板側に第１の層と、前記第１の層の前記基板と反対側に、前記第１の層より厚さの変化に対する温度特性の変動幅が小さい層を少なくとも１層、積層して形成する第２の工程と、
複数の前記層のうち、前記第１の層より厚さの変化に対する温度特性の変動幅が小さい層の厚さ方向の少なくとも一部を除去する第３の工程とを有することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の工程において、各前記層は、プラズマＣＶＤにより形成される請求項１２に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１４】
各前記層は、同一組成の材料で構成され、前記プラズマＣＶＤにより異なる条件で形成される請求項１３に記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第３の工程において、前記第１の層より厚さの変化に対する温度特性の変動幅が小さい層の厚さ方向の少なくとも一部を除去することにより、発振周波数を調整する請求項１２ないし１４のいずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波素子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
伝搬媒体の表面付近に、エネルギーを集中させて伝搬する波は、弾性表面波（ｓｕｒｆａｃｅ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ：ＳＡＷ）として知られている。弾性表面波素子は、このような弾性表面波を利用する素子であり、携帯電話等の通信機器用のバンドパスフィルター、基準クロックとしての共振子、信号処理用遅延素子（特に、フーリエ変換機能素子）、圧力センサーや温度センサーのような各種センサー、光偏向器等へ応用されている。
【０００３】
例えば、フィルターとして使用する弾性表面波素子は、弾性表面波の伝搬媒体として圧電体と、この圧電体上に配置され、圧電体に弾性表面波を励振させる電圧を印加する入力用と、圧電体を伝搬する弾性表面波を検出し、電気信号に変換して出力する出力用との一対の櫛型電極（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：ＩＤＴ）とを備えている。
【０００４】
また、弾性表面波素子は、圧電体の温度変化に伴って、弾性表面波の発振周波数が変動する特性を有する。このため、この周波数変動を低減すべく、圧電体上に温度補償膜を成膜することが行われる（例えば、特許文献１参照。）。
この温度補償膜を設けることにより、周波数変動の低減効果が発揮されるが、その膜厚（すなわち、質量）によっては、弾性表面波の発振周波数が低下してしまうことがある。
この場合、エッチング等により、成膜した温度補償膜の厚さ方向の一部を除去して、発振周波数を調整することが行われる。
ところが、温度補償膜の周波数変動の低減効果は、その膜厚（質量）にも依存するため、発振周波数の調整後において、周波数変動の低減効果が十分に発揮されない場合がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−２５６８６２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、周波数精度および温度特性精度の高い弾性表面波素子、および、弾性表面波の発振周波数を調整する際に生じる温度特性の変動を抑制し得る弾性表面波素子の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の弾性表面波素子は、圧電性を有する基板と、
前記基板上に設けられ、前記基板に弾性表面波を励振させるためのくし歯電極とを備える弾性表面波素子であって、
前記くし歯電極を覆うように、前記弾性表面波素子の温度特性を改善させる機能を有する温度補償膜が設けられ、前記温度補償膜は、厚さの変化に対する温度特性の変動幅が異なる少なくとも２層で構成されていることを特徴とする。
これにより、周波数精度および温度特性精度の高い弾性表面波素子が得られる。
【０００８】
本発明の弾性表面波素子では、前記温度補償膜を構成する複数の層のうち、任意の２つの層において、前記基板側の層は、他方の層より、厚さの変化に対する温度特性の変動幅が大きいものであることが好ましい。
これにより、温度特性の変動が好適に抑制され、かつ、発振周波数の調整が良好になされており、周波数精度および温度特性精度が高い弾性表面波素子が得られる。
【０００９】
本発明の弾性表面波素子では、前記温度補償膜を構成する複数の層のうち、前記基板に最も近い層は、厚さの変化に対する温度特性の変動幅が最も大きいものであることが好ましい。
これにより、温度特性の変動が好適に抑制され、かつ、発振周波数の調整が良好になされており、周波数精度および温度特性精度が高い弾性表面波素子が得られる。
【００１０】
本発明の弾性表面波素子では、前記温度補償膜を構成する複数の層のうち、前記基板から最も遠い層は、弾性表面波の発振周波数を調整する際に、その厚さ方向の一部が除去されてなるものであることが好ましい。
これにより、温度特性の変動が好適に抑制され、かつ、発振周波数の調整が良好になされており、周波数精度および温度特性精度が高い弾性表面波素子が得られる。
【００１１】
本発明の弾性表面波素子では、前記基板と前記温度補償膜とは、互いに異符号の温度特性を有することが好ましい。
これにより、弾性表面波素子の温度変化に対する周波数変動の顕著な低減効果が得られる。
本発明の弾性表面波素子では、前記温度補償膜は、酸化シリコン、五酸化タンタル、窒化シリコン、窒化チタンのうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
このような材料で温度補償膜を構成することにより、弾性表面波素子の温度特性をより確実に改善させることができる。
【００１２】
本発明の弾性表面波素子では、前記温度補償膜を構成する複数の層は、同一組成の材料で構成されていることが好ましい。
温度補償膜を構成する複数の層を、同一組成の材料で構成することにより、同一の製造装置内で連続的に形成することができ、製造工程数の削減を図ることができる。
【００１３】
本発明の弾性表面波素子では、前記基板は、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成された圧電体層であることが好ましい。
このような材料で圧電体層を構成することにより、高周波であり、なおかつ温度特性に優れた弾性表面波素子を作成できるという効果が得られる。
本発明の弾性表面波素子では、前記圧電体層の前記温度補償膜と反対側に設けられ、前記圧電体層において励振される弾性表面波の特性を設定する機能を有する下地層を備えることが好ましい。
これにより、弾性表面波の特性を所望のものに設定することが可能となる。
【００１４】
本発明の弾性表面波素子では、前記下地層は、ダイヤモンド、シリコン、サファイヤ、ガラス、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
このような材料で下地層を構成することにより、無線ＬＡＮや光通信などの高速通信分野への適用を目的として要求される弾性表面波の高周波化に寄与することができる。
【００１５】
本発明の弾性表面波素子では、前記基板は、水晶、または、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成された圧電体基板であることが好ましい。
このような材料で圧電体基板を構成することにより、高周波であり、なおかつ温度特性に優れた弾性表面波素子を作成できるという効果が得られる。
【００１６】
本発明の弾性表面波素子の製造方法は、圧電性を有する基板上に、前記基板に弾性表面波を励振させるためのくし歯電極を形成する第１の工程と、
前記くし歯電極を覆うように、前記基板側に第１の層と、前記第１の層の前記基板と反対側に、前記第１の層より厚さの変化に対する温度特性の変動幅が小さい層を少なくとも１層、積層して形成する第２の工程と、
複数の前記層のうち、前記第１の層より厚さの変化に対する温度特性の変動幅が小さい層の厚さ方向の少なくとも一部を除去する第３の工程とを有することを特徴とする。
これにより、弾性表面波の発振周波数を調整する際に生じる温度特性の変動を抑制し得る。
【００１７】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記第２の工程において、各前記層は、プラズマＣＶＤにより形成されることが好ましい。
プラズマＣＶＤによれば、各膜を比較的容易に形成することができる。
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、各前記層は、同一組成の材料で構成され、前記プラズマＣＶＤにより異なる条件で形成されることが好ましい。
プラズマＣＶＤによれば、例えば高周波電力の電力値等の条件を変更するだけで、同一組成でありながら、厚さの変化に対する温度特性の変動幅が異なる層を、容易に形成することができる。
【００１８】
本発明の弾性表面波素子の製造方法では、前記第３の工程において、前記第１の層より厚さの変化に対する温度特性の変動幅が小さい層の厚さ方向の少なくとも一部を除去することにより、発振周波数を調整することが好ましい。
これにより、温度特性の変動を抑制しつつ、発振周波数を所望のものに調整することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の弾性表面波素子およびその製造方法の好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の弾性表面波素子の第１実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す弾性表面波素子の断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２０】
各図に示す弾性表面波素子１０は、トランスバーサル型構造の弾性表面波素子であり、基板１と、基板１上に設けられた下地層２と、下地層２上に設けられた圧電体層（圧電性を有する基板）３と、圧電体層３上に設けられた入力用のＩＤＴ４および出力用のＩＤＴ５と、各ＩＤＴ４、５を覆うように設けられた温度補償膜６とを有している。
【００２１】
基板１は、例えば、Ｓｉ、ＧａＳｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＳＴＣ、ＩｎＰのような各種半導体材料、各種ガラスのような各種セラミックス材料、ポリイミド、ポリカーボネートのような各種樹脂材料等で構成されている。
基板１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．０５〜１ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜０．８ｍｍ程度であるのがより好ましい。
また、基板１は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよく、この場合、各層は、前述したような材料を任意に組み合わせて用いることができる。
【００２２】
下地層２は、圧電体層３の温度補償膜６と反対側に接触して設けられている。この下地層２は、圧電体層３において励振される弾性表面波の特性（条件）を設定する機能を有するものである。
この特性としては、例えば、発振周波数、振幅、伝搬速度等が挙げられる。
下地層２を設け、その構成材料を適宜設定することにより、弾性表面波の特性を所望のものに設定することが可能となる。この下地層２の構成材料としては、ダイヤモンド、シリコン、サファイヤ、ガラス、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウムのうちの少なくとも１種を主とするものが好ましく、特に、ダイヤモンド、サファイヤ、タンタル酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主とするものが好適である。このような材料で下地層２を構成することにより、無線ＬＡＮや光通信などの高速通信分野への適用を目的として要求される弾性表面波の高周波化に寄与することができる。
【００２３】
下地層２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜２０μｍ程度であるのが好ましく、３〜１０μｍ程度であるのがより好ましく、３〜５μｍ程度であるのがさらに好ましい。
また、下地層２は、単層で構成されたもののみならず、目的とする弾性表面波の特性に応じて、複数の層の積層体で構成することもできる。なお、下地層２は、必要に応じて設けられるものであり、省略することもできる。
【００２４】
圧電体層（圧電性を有する基板）３は、弾性表面波の伝搬媒体として機能するものである。
この圧電体層３の構成材料としては、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で圧電体層３を構成することにより、高周波であり、なおかつ温度特性に優れた弾性表面波素子を作成できるという効果が得られる。
また、圧電体層３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、例えば、０．０１〜５μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
【００２５】
ＩＤＴ（入力側電極）４は、圧電体層３に電圧を印加して、圧電体層３に弾性表面波を励振させる機能を有するものであり、一方、ＩＤＴ（出力側電極）５は、圧電体層３を伝搬する弾性表面波を検出し、弾性表面波を電気信号に変換して外部に出力する機能を有するものである。
したがって、ＩＤＴ４に駆動電圧が入力されると、圧電体層３において弾性表面波が励振され、フィルタリング機能による特定の周波数帯域の電気信号が、ＩＤＴ５から出力される。
【００２６】
各ＩＤＴ４、５は、それぞれ、電極指を有する櫛歯形状をなす一対の櫛歯電極で構成されており、櫛歯電極の電極指の幅、間隔、厚さ等を調整することにより、弾性表面波の発振周波数の特性を所望のものに設定することができる。
各ＩＤＴ４、５の構成材料としては、それぞれ、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｙ、Ｐｂ、Ｓｃまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
温度補償膜６は、弾性表面波素子１０の温度特性を低減（改善）させる機能を有するものである。ここで、温度特性（周波数温度特性）とは、温度変化に伴って、発振周波数が変動する特性（現象）のことを言う。
この温度補償膜６は、好ましくは圧電体層３と異符号の温度特性を有するもの、すなわち、例えば、圧電体層３が負の温度特性を有するものであれば、正の温度特性を有するものとされる。これにより、弾性表面波素子１０の温度特性の顕著な低減効果が得られる。
【００２８】
この温度補償膜６の構成材料としては、特に限定されないが、圧電体層３を前述したような材料で構成する場合には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）のような酸化物、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化チタン（ＴｉＮ）のような窒化物等を用いることができる。
これらの中でも、温度補償膜６の構成材料としては、特に、酸化シリコン、五酸化タンタル、窒化シリコン、窒化チタンのうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で温度補償膜６を構成することにより、弾性表面波素子１０の温度特性をより確実に低減させることができる。また、圧電体層３との密着性の向上を図ることもできる。さらに、これらの材料は、絶縁性にも優れ、ＩＤＴ４、５におけるマイグレーションの発生等を好適に防止することができ、弾性表面波素子１０の経時的劣化を抑制する観点からも好ましい。
【００２９】
ここで、図３に、下地層２をダイヤモンドで構成し、圧電体層３を酸化亜鉛で構成し、ＩＤＴ４、５をアルミニウムで構成し、温度補償膜６を酸化シリコンで構成した場合の弾性表面波素子１０の温度特性（図３中Ｘ）を模式的に示す。
また、図３には、温度補償膜６を設けない場合、すなわち、圧電体層３自体の温度特性（図３中Ｙ）および酸化シリコン、すなわち、温度補償層６自体の温度特性（図３中Ｚ）についても示した。
この図に示すように、負の温度特性を有する圧電体層３上に、これとは異符号である正の温度特性を有する温度補償膜６を設けることにより、互いの温度特性が相殺され、弾性表面波素子１０の温度特性が低減する（発振周波数の温度依存性が緩和される）。
【００３０】
本発明では、温度補償膜６は、膜厚の変化（質量の変化）に対する温度特性の変動幅が異なる少なくとも２つの膜で構成されている。
本実施形態では、図２に示すように、温度補償膜６は、圧電体層３側の第１の温度補償膜６１と、この第１の温度補償膜６１に接触して設けられ、第１の温度補償膜６１より、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の温度補償膜６２とで構成されている。
また、第２の温度補償膜６２は、弾性表面波の発振周波数を調整する際に、その厚さ方向の一部が除去されて得られたものである。
なお、このような構成により得られる効果については、後の弾性表面波素子１０の製造方法において説明する。
【００３１】
第１の温度補償膜６１と第２の温度補償膜６２とは、前述したような材料から異なる組成のものを適宜組み合わせて用いるようにしてもよいが、同一組成の材料を用いるのが好ましい。これにより、第１の温度補償膜６１と第２の温度補償膜６２とを、同一の製造装置内で連続的に形成することができ、製造工程数の削減を図ることができる。
【００３２】
また、この場合、第１の温度補償膜６１と第２の温度補償膜６２とは、後の弾性表面波素子１０の製造方法で説明するように、それらの成膜条件を変更することにより容易に形成することができる。
このような弾性表面波素子１０は、次のようにして製造することができる。
図４は、図１および図２に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図（断面図）である。
【００３３】
［１］  下地層形成工程
まず、基板１上に下地層２を形成する（図４中（Ａ））。
下地層２の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射、シート状部材の接合等を用いることができる。
［２］  圧電体層形成工程
次に、下地層２上に圧電体層３を形成する（図４中（Ｂ））。
圧電体層３は、前記工程［１］と同様にして行うことができる。
【００３４】
［３］  ＩＤＴ形成工程（第１の工程）
次に、例えば、圧電体層３上に、導電性材料層を形成した後、この導電性材料層に、ＩＤＴ４、５に対応する形状のマスクを用いて、エッチングを施すことによりＩＤＴ４、５を得る（図４中（Ｃ））。
導電性材料層の形成には、例えば、ディッピング法、印刷法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合等を用いることができる。
また、エッチングには、例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
【００３５】
［４］  積層体形成工程（第２の工程）
次に、圧電体層３上に、ＩＤＴ４、５を覆うように、第１の温度補償膜６１となる第１の膜（第１の層）６１０と、この第１の膜６１０上に、第２の温度補償膜６２となる第２の膜（第２の層）６２０とを、積層して形成する（図４中（Ｄ））。
第２の膜６２０は、第１の膜６１０より膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さいものとされる。
【００３６】
各膜６１０、６２０は、それぞれ、前記工程［１］と同様にして行うことができるが、その中でも、特に、プラズマＣＶＤを用いるのが好ましい。プラズマＣＶＤによれば、各膜６１０、６２０を比較的容易に形成することができる。また、各膜６１０、６２０を高速度で形成することができるという利点もある。
また、各膜６１０、６２０は、異なる組成の材料で構成することもできるが、前述したように、同一組成の材料で構成することにより、第１の膜６１０と第２の膜６２０とを、同一の製造装置内で連続的に形成することができ、製造工程数の削減を図ることができる。
【００３７】
この場合、プラズマＣＶＤによれば、成膜条件を変更するだけで、同一組成でありながら、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が異なる層を、容易に形成することができる。この成膜条件としては、高周波電力の供給量、装置内圧力、サンプル温度、ガス流量、ガス組成比等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせることができる。
【００３８】
［５］  発振周波数調整工程（第３の工程）
次に、第１の膜６１０より膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の膜６２０の厚さ方向の少なくとも一部を除去する（図４中（Ｅ））。これにより、第１の温度補償膜６１および第２の温度補償膜６２が得られるとともに、発振周波数が所望のものに調整される。
【００３９】
第２の膜６２０の除去には、例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができるが、これらの中でも、特に、リアクティブイオンエッチングを用いるのが好ましい。リアクティブイオンエッチングによれば、第２の膜６２０を寸法精度よく除去することができる。
なお、前記工程［４］および工程［５］は、各種弾性表面波素子の発振周波数調整に適用することができる。
【００４０】
ここで、第２の膜６２０および第１の膜６１０の除去量に対する、発振周波数の変動および温度特性の変動を、それぞれ、図５に示す。
図５は、第２の膜６２０および第１の膜６１０の除去量に対する、発振周波数の変動および温度特性の変動を示す模式図である。
この図に示すように、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の膜６２０を除去している間は、温度特性に急激な変動が生じず、良好に発振周波数を所望のものに調整することができる。
ところが、膜厚の変化に対する温度特性の変動が大きい第１の膜６１０の除去が開始されると、周波数精度は、確保されるものの、温度特性に急激な変動が生じ、温度特性精度を高精度に保持することが困難となる。
【００４１】
このように、温度補償膜６を形成する際（発振周波数を調整する際）に、圧電体層３側に第１の膜６１０を形成し、この第１の膜６１０上に、第１の膜６１０より膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の膜６２０を積層して形成し、第２の膜６２０の厚さ方向の一部を除去するようにしたことにより、温度特性の変動を抑制しつつ、弾性表面波の発振周波数のより正確な調整が可能となる。
【００４２】
なお、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の膜６２０のみを用いて温度補償膜６を形成しようとすると、温度特性を改善するために厚い膜が必要となり、その分周波数が低下するという問題が生じるおそれがある。
一方、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が大きい第１の層６１０のみを用いて温度補償膜６を形成しようとした場合、僅かな膜厚の変化により、圧電体層３の温度特性が大きく変動してしまうという問題がある。
【００４３】
以上のような工程を経て、本発明の弾性表面波素子１０が製造される。この弾性表面波素子１０の電気的特性および温度特性は、例えば、ネットワークアナライザ等を用いることにより確認することができる。
このような弾性表面波素子１０は、温度特性の変動が好適に抑制され、かつ、発振周波数の調整が良好になされており、周波数精度および温度特性精度が高いものとなる。
【００４４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の弾性表面波素子の第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の弾性表面波素子の第２実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態の弾性表面波素子２０について説明するが、前記第１実施形態の弾性表面波素子１０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００４５】
第２実施形態の弾性表面波素子２０は、圧電性を有する基板が、圧電体層３に代わり、圧電体基板３０で構成されている点、および、温度補償膜６が３層で構成されている点以外は、前記第１実施形態と同様である。
この圧電体基板３０は、前記圧電体層３で挙げた材料の他、水晶で構成することができる。これらの中でも、圧電体基板３０の構成材料としては、特に、水晶、または、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で圧電体基板３０を構成することにより、プロセス上作成しやすく（薄膜形成が不要な為）、コスト的にも優れるという効果が得られる。
また、圧電体基板３０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、例えば、０．５〜１ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜０．８ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００４６】
温度補償膜６は、最も圧電体層３側の第１の温度補償膜６１と、この第１の温度補償膜６１に接触して設けられ、第１の温度補償膜６１より、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の温度補償膜６２と、この第２の温度補償膜６２に接触して設けられ、第２の温度補償膜６２より、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第３の温度補償膜６３とで構成されている。
【００４７】
すなわち、温度補償膜６は、これを構成する複数の膜のうち、第１の温度補償膜６１（圧電体基板３０に最も近い膜）が、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が最も大きいものとされ、また、任意の２つの膜において、圧電体基板３０側の膜は、他方の膜より、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が大きいものとされている。
【００４８】
なお、温度補償膜６を構成する複数の膜は、本実施形態のように圧電体基板３０から遠ざかるにしたがって、膜厚変化に対する温度特性の変動幅が順に小さくなるような構成でなくてもよい。
また、前記第１実施形態で説明したのと同様の理由から、温度補償膜６を構成する各膜は、異なる組成のものを適宜組み合わせて用いるようにしてもよいが、同一組成の材料を用いるのが好ましい。
【００４９】
このような弾性表面波素子２０も、前記第１実施形態と同様にして製造することができる。
第２実施形態の弾性表面波素子２０においても、前記第１実施形態の弾性表面波素子１０と同様の作用・効果が得られる。
また、本実施形態のように温度補償膜６を３層以上の層で構成することにより、温度特性の変動を抑制しつつ、発振周波数の調整をより細かくかつ多様に行うことができる。
そして、前述したような弾性表面波素子１０、２０は、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
【００５０】
以下、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器について、図７〜図９に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図７は、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、アンテナ１１０１やキーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００には、フィルター、基準クロック等として機能する弾性表面波素子１０（または２０）が内蔵されている。
【００５１】
図８は、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ１２０１、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、フィルター等として機能する弾性表面波素子１０（または２０）が内蔵されている。
【００５２】
図９は、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００５３】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００５４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター等として機能する弾性表面波素子１０（または２０）が内蔵されている。
【００５５】
なお、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００５６】
以上、本発明の弾性表面波素子およびその製造方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明では、前記第１および第２実施形態の構成のうちの任意の２以上を組み合わせることもできる。
また、本発明の弾性表面波素子では、温度補償膜は、４層以上で構成されていてもよい。
【００５７】
また、本発明の弾性表面波素子を構成する各層の間には、任意の目的の中間層が設けられていてもよい。
また、本発明の弾性表面波素子には、各種機能を有する半導体素子が複合化されていてもよい。
また、本発明の弾性表面波素子は、反射器を設け、共振子として機能するものに適用することができる。この場合、共振周波数を調節することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の弾性表面波素子の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示す弾性表面波素子の断面図である。
【図３】温度変化に伴う発振周波数の変動を示す模式図である。
【図４】図１および図２に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図（断面図）である。
【図５】第２の膜および第１の膜の除去量に対する、発振周波数の変動および温度特性の変動を示す模式図である。
【図６】本発明の弾性表面波素子の第２実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図８】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（携帯電話機）である。
【図９】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
１０、２０‥‥弾性表面波素子  １‥‥基板  ２‥‥下地層  ３‥‥圧電体層３０‥‥圧電体基板  ４、５‥‥ＩＤＴ  ６‥‥温度補償膜  ６１‥‥第１の温度補償膜  ６１０‥‥第１の膜  ６２‥‥第２の温度補償膜  ６２０‥‥第２の膜  ６３‥‥第３の温度補償膜  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０１‥‥アンテナ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０１‥‥アンテナ  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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