(57)【要約】【課題】歩留りや信頼性が低下するのを抑制することが可能となるフォトマスクおよびその製造方法ならびに該フォトマスクを用いた電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】フォトマスクは、第１と第２透明基板１，２と、第１透明基板１の一方の表面に形成されたトレンチ８内に埋設される遮光パターン３と、第２透明基板２の一方の表面に形成されたトレンチパターンで構成される位相シフトパターン４とを備える。そして、第１透明基板１の一方の表面と、第２透明基板２の一方の表面とが対向するように第１透明基板１と第２透明基板２とを着脱可能に固定する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１と第２透明基板と、
前記第１透明基板の一方の表面に形成された凹部内に埋設される遮光パターンと、
前記第２透明基板の一方の表面に形成されたトレンチパターンで構成される位相シフトパターンとを備え、
前記第１透明基板の一方の表面と、前記第２透明基板の一方の表面とが対向するように前記第１透明基板と前記第２透明基板とを着脱可能に固定した、フォトマスク。
【請求項２】
前記第１透明基板の他方の表面上に、光を回折させる回折パターンを形成した、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記第２透明基板の他方の表面上に、光を回折させる回折パターンを形成した、請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
第１透明基板の一方の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に遮光パターンを形成する工程と、
第２透明基板の一方の表面にトレンチパターンを形成することにより位相シフトパターンを形成する工程と、
前記第１透明基板の一方の表面と、前記第２透明基板の一方の表面とが対向するように前記第１透明基板と前記第２透明基板とを着脱可能に固定する工程と、
を備えた、フォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記第１透明基板と前記第２透明基板とを、真空中で固定した、請求項４に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記遮光パターンの形成と、前記位相シフトパターンの形成とを、個別に並行処理にて行う、請求項４または請求項５に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記遮光パターンと前記位相シフトパターンの検査工程をさらに備え、
前記遮光パターンの検査と、前記位相シフトパターンの検査とを、個別に並行処理にて行う、請求項４から請求項６のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
基板上にレジスト膜を形成する工程と、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のフォトマスクを用いて、前記レジスト膜にパターンを転写することによりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記基板を処理する工程とを備えた、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスクおよびその製造方法ならびに電子デバイスの製造方法に関し、特に、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ：Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）や薄膜磁気ヘッドなどのマイクロデバイスを製造する際に行われるフォトリソグラフィ工程で使用可能なフォトマスクおよびその製造方法ならびに該フォトマスクを用いた電子デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、フォトマスクの一例として位相シフトマスクは知られている。該位相シフトマスクの一例が、たとえば特開平５−１３４３８７号公報に記載されている。
【０００３】
上記文献に記載された位相シフトマスクは、遮光体パターンを形成したマスクとシフターパターンを形成したマスクとを別々に作製した後、両者の相互位置関係をアライメントし、両者を治具または接着剤などを用いて一体化した構造を有する。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−１３４３８７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開平５−１３４３８７号公報に記載の位相シフトマスクでは、凸状の遮光体パターンとシフターパターンとが対向するように配置されているので、マスク間のアライメントのためにマスクを微小移動させた際などに、凸状の遮光体パターンとシフターパターンとが互いに接触する場合がある。そのため、遮光体パターンとシフターパターンとの間に機械的ストレスが生じ、これらのパターンが破壊され、フォトマスクの歩留りや信頼性が低下することが懸念される。
【０００６】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、フォトマスクの歩留りや信頼性が低下するのを抑制することが可能となるフォトマスクおよびその製造方法ならびに該フォトマスクを用いた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るフォトマスクは、第１と第２透明基板と、第１透明基板の一方の表面に形成された凹部内に埋設される遮光パターンと、第２透明基板の一方の表面に形成されたトレンチパターンで構成される位相シフトパターンとを備える。そして、第１透明基板の一方の表面と、第２透明基板の一方の表面とが対向するように第１透明基板と第２透明基板とを着脱可能に固定する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図１７を用いて、本発明の実施の形態について説明する。
【０００９】
本発明の実施の形態では、第１透明基板に遮光パターン、第２透明基板に位相シフトパターンを形成し、この２つの透明基板を固定することでフォトマスクを作製する。該フォトマスクは、典型的には投影露光装置に使用される。
【００１０】
このように第１透明基板に遮光パターン、第２透明基板に位相シフトパターンを形成することにより、遮光パターンと位相シフトパターンとを個別に同時進行で形成（並行処理）することができる。したがって、フォトマスクの作製に要する期間を短縮することができる。また、遮光パターンと位相シフトパターンとを個別に同時進行で検査することもできる。それにより、検査に要する時間をも短縮することができる。
【００１１】
さらに、遮光パターンや位相シフトパターンの形成中に、いずれかのパターンに欠陥が発見された場合には、欠陥が生じた側のパターンのみ再度形成または修正すればよい。このことも、フォトマスクの作製に要する期間の短縮に寄与し得る。
【００１２】
また、本発明の実施の形態におけるフォトマスクでは、第１透明基板に遮光パターンを埋設し、第２透明基板に形成したトレンチパターンで位相シフトパターンを構成している。そして、第１透明基板において遮光パターンが形成された側の表面と、第２透明基板において位相シフトパターンが形成された側の表面とが対向するように第１と第２透明基板を着脱可能に固定する。
【００１３】
第１と第２透明基板を固定する際には、遮光パターンと位相シフトパターンとが向かい合うように第１と第２透明基板を配置した状態でアライメントのために第１あるいは第２透明基板を移動させる場合がある。このとき、上記のように第１透明基板に遮光パターンを埋設し、トレンチパターンで位相シフトパターンを構成しているので、遮光パターンと位相シフトパターンとが接触して破壊するのを回避することができる。
【００１４】
なお、遮光パターンが第１透明基板の表面から突出しないように遮光パターンを埋設することが好ましい。つまり、遮光パターンの表面が、第１透明基板の表面とほぼ同じ高さの位置にある（遮光パターンの表面と第１透明基板の表面とがほぼ面一）か、あるいは第１透明基板の表面よりも低い位置（この場合には遮光パターンは凹状に形成される）となるように遮光パターンを第１透明基板に埋設することが好ましい。また、遮光パターンの表面上に保護膜を形成して遮光パターンを保護することも考えられる。
【００１５】
（実施の形態１）
図１に、本発明の実施の形態１におけるフォトマスクの概略構成を示す。なお説明の便宜上、図１では回路パターンである遮光パターン３および位相シフトパターン４を大きく描いているが、該回路パターンは、大規模集積回路の回路パターンであるので実際には１μｍ程度の幅の微細パターンであり、何億本もの回路パターンが形成されることとなる。
【００１６】
図１に示すように、本実施の形態１では、第１透明基板１の一方の表面に複数のトレンチ（凹部）８を形成し、該トレンチ８内に遮光パターン３を形成している。図１の例では、遮光パターン３の表面は第１透明基板１の表面とほぼ同一となっている。
【００１７】
上記のような遮光パターン３を形成するには、まずエッチングなどによって第１透明基板１の一方の表面に複数のトレンチ８を形成し、該トレンチ８および第１透明基板１の一方の表面を覆うように遮光膜を形成する。そして、該遮光膜を表面を研磨して第１透明基板１の一方の表面を露出させればよい。なお、第１透明基板１としては石英基板を使用することができ、遮光パターン３の材質としてはＣｒ（クロム）膜やＭｏＳｉ膜を使用することができる。
【００１８】
他方、第２透明基板２の一方の表面にはエッチングなどの手法でトレンチパターンを形成し、該トレンチパターンを位相シフトパターン４として機能させる。このようにトレンチパターンで位相シフトパターン４を形成することにより、位相シフトパターン４の厚みの変動を抑制することができ、高精度の位相制御を行える。該第２透明基板２としても石英基板を使用することができ、この第２透明基板２はフォトマスク全体を保持する基板としても機能する。
【００１９】
上記の第１と第２透明基板１，２を互いに着脱可能に固定することでフォトマスクを作製する。このとき、遮光パターン３と位相シフトパターン４とが対向するように第１と第２透明基板１，２を重ね合わせた状態で固定する。
【００２０】
ここで、図１に示すように、遮光パターン３が形成された側の第１透明基板１の表面が平坦化されているので、遮光パターン３と位相シフトパターン４とが対向するように第１と第２透明基板１，２を固定した場合でも、遮光パターン３と位相シフトパターン４とが接触するのを回避することができる。したがって、遮光パターン３の機械的耐久性を高めることができ、遮光パターン３が機械的に破壊されるのを抑制することができる。
【００２１】
なお、第１と第２透明基板１，２の固定方法としては、たとえば治具を用いた固定や接着などの手法を採用することができる。また、第１と第２透明基板１，２間に若干の隙間を確保しながら第１と第２透明基板１，２を互いに固定してもよい。
【００２２】
上記のフォトマスクは、たとえば投影露光装置のマスクステージ上に保持される。そして、該フォトマスクの上方から均一な紫外線を照射すると、遮光パターン３と位相シフトパターン４の存在によって、フォトマスクにおいて紫外線が遮られる部分と紫外線を透過する部分とが生ずる。これを投影レンズにより半導体基板へ投影することにより、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の回路パターンが半導体基板上に形成される。
【００２３】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について図２および図３を用いて説明する。本実施の形態２では、フォトマスクの修正方法について説明する。
【００２４】
フォトマスクに次のような不具合が発生した場合、フォトマスクを作製し直す必要がある。たとえばフォトマスク作製中に欠陥が発生し、修正し切れなかった場合、フォトマスクの作成後に改訂すべきパターンが発生した場合などである。
【００２５】
図２に示すように、フォトマスク作製中に位相シフトパターン４の中に不完全なパターンが形成された場合には、位相シフトパターン４が形成された側の透明基板である第２透明基板２を第１透明基板１から一旦取り外し、図３に示すように、第２透明基板２のみに再度同じデータに基づいて位相シフトパターン４を作製すればよい。その後、第１と第２透明基板１，２を固定する。
【００２６】
また、フォトマスクの作成後に改訂すべきパターンが発生した場合には、改訂すべきパターンを有する側の透明基板のみを取り出し、該透明基板におけるパターンを修正するか、新たな透明基板に改訂パターンのみを別途形成すればよい。
【００２７】
上記のように遮光パターン３と位相シフトパターン４とを別の基板に形成することにより、いずれか一方のパターンに不具合が発生した場合には、不具合が発生した側の基板のみを取り出してパターンを修正あるいは再度描画すればよい。したがって、フォトマスクの修正や改訂に要する費用を削減することができ、またフォトマスクの工期をも短縮することができる。
【００２８】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について図４を用いて説明する。本実施の形態３では、フォトマスクの修正方法の好ましい例について説明する。
【００２９】
本発明の実施の形態におけるフォトマスクを修正する際には、一方の透明基板から他方の透明基板を取り外したり、透明基板同士を固定する必要がある。このとき、気相や液相中で透明基板同士を固定しようとすると、基板間に残留する気体や液体が抜けていく時に、基板間に位置ずれが発生しやすくなる。また、フォトマスクの平坦性は極めて高く、一度２枚の基板を密着させると、気相や液相中では剥れなくなってしまう。
【００３０】
そこで、フォトマスクの修正や改訂を行う際に、真空中で一方の透明基板から他方の透明基板を取り外したり、透明基板同士を組付けるようにする。たとえば図４に示すように、１０−３Ｐａ程度の圧力下の真空チャンバ５内で第１と第２透明基板１，２の着脱を行うことができる。
【００３１】
真空中であれば、基板間に気体や液体がほとんど存在しないので、基板間のアライメントを容易かつ高精度に行える。したがって、高品質なフォトマスクが得られる。
【００３２】
（実施の形態４）
次に、図５（ａ），（ｂ）〜図１０を用いて、本発明の実施の形態４について説明する。本実施の形態４では、フォトマスクの製造方法について説明する。
【００３３】
フォトマスクを製造する際には、第１透明基板の一方の表面にトレンチ（凹部）を形成し、該トレンチ内に遮光パターンを形成する。他方、第２透明基板の一方の表面にトレンチパターンを形成して位相シフトパターンを形成しておく。そして、第１透明基板の一方の表面と、第２透明基板の一方の表面とが対向するように第１と第２透明基板とを重ね合わせて、第１と第２透明基板を固定する。
【００３４】
以下、図５（ａ），（ｂ）〜図１０を用いて本実施の形態４におけるフォトマスクの製造方法について、より具体的に説明する。
【００３５】
図５（ａ），（ｂ）に示すように、石英基板などで構成される第１と第２透明基板１，２を用意する。次に、図６（ａ），（ｂ）に示すように、第１と第２透明基板１，２の一方の表面上に、フォトレジスト（マスク膜）６ａ，７ａを塗布する。該フォトレジスト６ａ，７ａを選択的に露光した後、現像する。それにより、図７（ａ），（ｂ）に示すように、レジストパターン（マスクパターン）６，７が形成される。
【００３６】
上記のレジストパターン６，７をマスクとして第１と第２透明基板１，２をそれぞれエッチングする。たとえば所定のガスを用いた異方性エッチングを行う。それにより、第１透明基板１の一方の表面に複数のトレンチ８を形成する。他方、第２透明基板２の一方の表面にもトレンチパターン（位相シフトパターン４）を形成する。
【００３７】
次に、第１透明基板１上全面に、たとえばスパッタリング法などによって、Ｃｒ膜を成膜する。該Ｃｒ膜に研磨処理（たとえばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を採用可能）を施すことにより、図９に示すように第１透明基板１の一方の表面を露出させるとともに、トレンチ８内に遮光パターン３を埋込む。
【００３８】
その後、図１０に示すように、遮光パターン３と位相シフトパターン４が内側に位置するように第２透明基板２上に第１透明基板１を配置した状態で、治具や接着剤などを用いて着脱可能に第１と第２透明基板１，２を互いに固定する。
【００３９】
上記のように第１と第２透明基板１，２が互いに固定されるまでは第１と第２透明基板１，２は分離しているので、第１と第２透明基板１，２の処理を同時に並行して行うことができる。それにより、フォトマスクの工期を短縮することができる。
【００４０】
特に、図７に示すパターンの描画工程には、フォトマスク全体を作製するのに要する時間とコストの半分近くがかかる。そこで、２台の描画装置を用いて、第１と第２透明基板１，２を同時に並行処理することにより、処理時間を大幅に削減することができる。
【００４１】
（実施の形態５）
次に、図１１〜図１４（ａ），（ｂ）を用いて、本発明の実施の形態５について説明する。本実施の形態５では、フォトマスクの検査方法について説明する。
【００４２】
遮光パターンと位相シフトパターンの作製後には、これらのパターンの検査が行われる。この検査では、遮光パターンと位相シフトパターンの一つ一つをチェックしていくので、非常に時間がかかる。検査の結果、パターンに欠陥が見つかればそのパターンを修正し、修正し切れなかった場合は再度描画される。そして遮光パターンと位相シフトパターンの全てが良品であることが確認された後に、フォトマスクが出荷される。
【００４３】
本実施の形態５では、遮光パターンの検査工程と位相シフトパターンの検査工程とを個別に並行処理にて行うことを重要な特徴とする。それにより、遮光パターンの検査工程と位相シフトパターンの検査工程とを同時に並行して進めることができる。つまり、別個の検査装置により、同時に遮光パターンの検査工程と位相シフトパターンの検査工程とを行うことができる。したがって、パターンの検査工程に要する時間を短縮することができる。
【００４４】
また、遮光パターンの検査工程と位相シフトパターンの検査工程とを個別に行うので、遮光パターンの欠陥か、位相シフトパターンの欠陥かを容易に識別することができる。よって、パターン欠陥に対する対処を確実かつ迅速に行なうこともできる。
【００４５】
以下、図１１〜図１４（ａ），（ｂ）を用いて本実施の形態５におけるフォトマスクの検査方法について、より具体的に説明する。
【００４６】
図１１に示すように、上述の実施の形態４と同様の工程を経て、第１と第２透明基板１，２に遮光パターン３と位相シフトパターンとを形成する。次に、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、第１と第２透明基板１，２を分離し、別個の検査装置を使用して、遮光パターン３の検査と位相シフトパターン４の検査とを同時に行う。
【００４７】
図１２（ａ），（ｂ）の例では、位相シフトパターン４の中に不完全なパターンが存在するので、図１３に示すように、第２透明基板２について位相シフトパターン４の修正あるいは位相シフトパターン４を再度形成する。それにより、図１４（ａ），（ｂ）に示すような良品パターンを有する第１と第２透明基板１，２が得られる。その後、第１と第２透明基板１，２を貼り合わせるなどして着脱可能に固定することにより、フォトマスクを作製することができる。
【００４８】
（実施の形態６）
次に、図１５を用いて、本発明の実施の形態６について説明する。本実施の形態６では、フォトマスクの構造の変形例について説明する。
【００４９】
本実施の形態６では、第２透明基板において位相シフトパターンが形成されていない側の表面上に、光を回折させる回折パターン（位相格子：回折光学素子）を形成している。該回折パターンによりフォトマスクを透過した光（露光光）を更に回折させることができ、フォトマスクに光を斜めから照射したのと同様の効果が得られる。つまり変形照明法と同様の効果が得られる。それにより、解像力を向上することができ、焦点深度を深くすることができる。
【００５０】
図１５に、回折パターンの具体的な形状例を示す。図１５に示すように、第２透明基板２において位相シフトパターン４が形成されていない側の表面上に、回折パターンとしての位相格子９を形成する。
【００５１】
該位相格子９の形状としては、縦縞、横縞、斜め縞、市松模様などの種々の形状を採用することができる。また、位相格子９の材料としては、たとえばＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を使用することができる。
【００５２】
上記のような位相格子９を形成することにより、図１５に示すように、フォトマスクを透過する光を回折させることができ、変形照明法と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
（実施の形態７）
次に、図１６を用いて、本発明の実施の形態７について説明する。本実施の形態７では、フォトマスクの構造の他の変形例について説明する。
【００５４】
本実施の形態７では、第１透明基板において遮光パターンが形成されていない側の表面上に、実施の形態６と同様の回折パターンを形成している。それにより、フォトマスクへの入射光を回折させることができ、実施の形態６の場合と同様の効果を期待できる。
【００５５】
図１６に、本実施の形態７における回折パターンの具体的な形状例を示す。図１６に示すように、第１透明基板１において遮光パターン３が形成されていない側の表面上に、回折パターンとしての位相格子１０を形成する。該位相格子１０の形状および材質としては、実施の形態６の場合と同様のものを使用することができる。このような位相格子１０を形成することにより、図１６に示すように、フォトマスクへ入射する光を回折させることができ、実施の形態６の場合と同様の効果を期待することができる。
【００５６】
次に、本発明の１つの実施の形態における電子デバイスの製造方法について、図１７（ａ），（ｂ）を用いて説明する。電子デバイスとしては、たとえば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子や薄膜磁気ヘッドなどのマイクロデバイスを挙げることができる。
【００５７】
まず、図１７（ａ）に示すように、半導体基板やガラス基板などの基板１１上にレジスト膜１２を形成する。次に、図１７（ｂ）に示すように、上述のいずれかの実施の形態において記載したフォトマスクを用いて、レジスト膜１２にパターンを転写することによりレジストパターン１３を形成する。たとえば露光および現像を行なうことでレジスト膜１２をパターニングし、レジストパターン１３を形成することができる。
【００５８】
その後、上記のレジストパターン１３を用いて基板１１を処理する。基板の処理としては、イオン注入、エッチングなどの様々な処理を挙げることができる。このような様々な基板の処理工程を経て、基板上に電子デバイスを製造することができる。
【００５９】
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、各実施の形態の特徴を適宜組合せることも当初から予定されている。
【００６０】
また、今回開示した実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、遮光パターンを第１透明基板に埋設し、位相シフトパターンを第２透明基板に形成したトレンチパターンで構成したので、遮光パターンと位相シフトパターンが向かい合うように第１と第２透明基板を配置した状態でアライメントのために第１あるいは第２透明基板を移動させた際に、遮光パターンと位相シフトパターンとが接触して破壊するのを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるフォトマスクの概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２におけるフォトマスクの修正方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２におけるフォトマスクの修正方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３におけるフォトマスクの修正方法の好ましい例を説明するための図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態４におけるフォトマスクの製造工程の第１工程を示す断面図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態４におけるフォトマスクの製造工程の第２工程を示す断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態４におけるフォトマスクの製造工程の第３工程を示す断面図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態４におけるフォトマスクの製造工程の第４工程を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４におけるフォトマスクの製造工程の第５工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４におけるフォトマスクの製造工程の第６工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態５におけるフォトマスクの検査工程の第１工程を示す断面図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態５におけるフォトマスクの検査工程の第２工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態５におけるフォトマスクの検査工程の第３工程を示す断面図である。
【図１４】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態５におけるフォトマスクの検査工程の第４工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態６におけるフォトマスクの断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態７におけるフォトマスクの断面図である。
【図１７】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態における電子デバイスの製造工程中の一部の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  第１透明基板、２  第２透明基板、３  遮光パターン、４  位相シフトパターン、５  真空チャンバ、６，７，１３  レジストパターン、６ａ，７ａ  フォトレジスト、８  トレンチ、９，１０  位相格子、１１  基板、１２  レジスト膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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