(57)【要約】【課題】フレームとの溶接時にクラック発生を抑制できる蒸着用マスク構造体とその製造方法及びこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。【解決手段】薄板よりなり、所定パターンの開口部が形成されたマスクと、前記マスクの一つの面にて前記マスクに引張り力が加えられた状態を支持するフレームと、前記マスクの他面にて前記フレームに対応するマスクの部分を支持するカバーマスクとを含んでなる。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板よりなり、所定パターンの開口部が形成されたマスクと、
前記マスクの一つの面にて前記マスクに引張り力が加えられた状態を支持するフレームと、
前記マスクの他面にて前記フレームに対応するマスクの部分を支持するカバーマスクとを含んでなることを特徴とする蒸着用マスク構造体。
【請求項２】
前記マスクはニッケルまたはニッケルとコバルトとの合金よりなることを特徴とする請求項１に記載の蒸着用マスク構造体。
【請求項３】
前記マスクは電鋳法により製造されたことを特徴とする請求項２に記載の蒸着用マスク構造体。
【請求項４】
前記マスク、フレーム及びカバーマスクは溶接により接合されていることを特徴とする請求項１ないし３のうちいずれの１項に記載の蒸着用マスク構造体。
【請求項５】
前記溶接は点溶接によりなるが、その溶接点間の間隔である溶接ピッチが３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の蒸着用マスク構造体。
【請求項６】
マスクパターンに対応するパターンを有する電着用プレートを利用して金属を所定厚さに電鋳法により電着する工程と、
前記電着用プレートからマスクを分離する工程と、
前記分離されたマスクに引張り力を加えた状態で一つの面にフレームを、前記フレームに対応する他面にカバーマスクを配して、前記カバーマスク、マスク及びフレームを溶接する工程とを含んでなることを特徴とする蒸着用マスク構造体の製造方法。
【請求項７】
前記マスクはニッケルまたはニッケルとコバルトとの合金により電着されることを特徴とする請求項６に記載の蒸着用マスク構造体の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のうちいずれの１項に記載の蒸着用マスク構造体を用いて有機発光膜を蒸着したことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は蒸着用マスク構造体とその製造方法及びこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法に係り、より一層詳細には有機ＥＬ素子をなす薄膜を蒸着するための薄膜蒸着用マスク構造体とその製造方法及びこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）は自発発光型表示素子として視野角が広くてコントラストにすぐれるだけではなく、応答速度が速いという長所を有しており、次世代表示素子として注目を集めている。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子は透明な絶縁基板上に所定パターンに形成された第１電極と、この第１電極が形成された絶縁基板上に真空蒸着法により形成された有機膜と、前記有機膜の上面に形成されて前記第１電極と交差する方向にカソード電極層である第２電極とを含む。
【０００４】
このように構成された有機ＥＬ素子を製作するにあたり、前記第１電極は一般的にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）よりなるが、このＩＴＯのパターニングはフォトリソグラフィ法を使用して塩化第２鉄を含むエッチング液のうち湿式エッチング法によりパターン化する。
【０００５】
ところで、前記のようなフォトリソグラフィ法は有機膜が形成される前段階では使用が可能であるが、有機膜が形成された後ではその使用に問題がある。すなわち、有機膜は水分に非常に弱く、その製造過程と製造後にも水分から徹底的に隔離せねばならないためである。従って、レジスト剥離過程とエッチング過程とで水分に露出される前記フォトリソグラフィ法は有機膜及び第２電極層のパターニングに適さない。
【０００６】
かかる問題点を解決するために、有機膜をなす有機発光材料と第２電極層をなす材料とは所定パターンを有するマスクを利用して真空中で蒸着する方法を多用している。特に、前記有機膜のうち低分子有機膜は真空蒸着法によりパターン化されて形成されることが最も適していると公知されている。
【０００７】
上記の通りにマスクを利用して有機膜または第２電極層をパターニングする方法において、発光層である有機膜をパターニングする技術はフルカラー有機ＥＬ素子を製造するにおいて非常に重要な技術である。
【０００８】
従来知られているフルカラー有機ＥＬ素子のカラー化方式には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各画素を基板上に独立蒸着する３色独立蒸着方式と、青色発光を発光源として色変換層を光取出し面に設ける色変換方式（ＣＣＭ法）、白色発光を発光源としてカラーフィルタを使用するカラーフィルタ法などがある。このうち、３色独立蒸着方式が単純な構造であって優秀な色純度及び効率を示す点において最も注目されている方式である。
【０００９】
３色独立蒸着方式はマスクを使用し、Ｒ，Ｇ，Ｂ各画素を基板上に独立蒸着するものであり、この時マスクの高精度が要求される。特に、蒸着される各画素間の位置精度、すなわちパターンの開口幅の高精度が要求され、マスクトータルピッチの高精度が要求される。
【００１０】
一般的に、有機ＥＬ素子の製造過程にて有機膜または電極の蒸着に用いられるマスクは図１に示された如く引張り力が加えられた状態でフレーム２０に支持されるものであり、一つの金属薄板１１に有機ＥＬ素子をなす単位基板を複数蒸着できるように単位マスキングパターン部１２が備わっている。
【００１１】
前記のようなマスク１０は板厚が薄く、パターンが微細なためにそのまま使用すればたわむ部分が生じて正確なパターニングが不可能である。従って、図１に示されたように、前記マスク１０には所定のトータルピッチＰｔの精度を満足するように最適の引張り力を加えた後でマスクフレーム２０に接合する。この接合時にはトータルピッチＰｔの精度を変化させないことが重要である。前記のようなマスク１０とマスクフレーム２０との接合は多様な方法によりなされうるが、接着剤による接合やレーザ溶接あるいは抵抗溶接などを使用することができる。
【００１２】
一方、前記マスク１０はエッチング法または電鋳法などにより製造されうる。
【００１３】
前記エッチングによるマスク１０の製造方法は、フォトレジストを利用してスリット１１のパターンを有するレジスト層を薄板に形成したり、スリット１１のパターンを有したフィルムを薄板に付着させた後で薄板をエッチングするものである。
【００１４】
しかし、エッチングによるマスクの製造方法は、スリット１１のパターン開口幅が板厚によって左右されないという利点がある反面、パターン寸法精度が高くなくパターンの微細化に伴い設計的な限界が見られる。
【００１５】
一方、前記電鋳法は、電気メッキのような操作で金属塩溶液の電気分解により母型上に金属を電解により必要な厚さに蒸着した後で母型から剥離させて、母型と凹凸が反対である電気鋳造品を作る原理を利用してマスクを製造する方法である。
【００１６】
前記電鋳法によるマスクの製造方法では、マスクの材料として主にニッケルとコバルトとの合金を使用する。この材料を利用することによって、表面粗度及びスリットパターンの寸法精度を高められる効果を有する。しかし、前記のようなニッケル−コバルト合金は溶接性がよくなく、フレームとの溶接時にマスクにクラックが生じる問題点がある。すなわち、前記コバルトは他金属との合金時に硬度と強度とを強めるので脆性が相対的に強まり、溶接時に容易にクラックを引き起こさせる。
【００１７】
これは図２Ａ乃至図２Ｃにより説明することができる。すなわち、図２Ａに示されるように、マスク１０とフレーム２０とをレーザ溶接器２１を利用して溶接する時に接合点１３の周囲に熱屈曲による隙間１４が生じ、この隙間１４を図２Ｂのように溶接すれば、図２Ｃのようにクラック１５が生じる。このようにクラックが生じれば、マスクを支持している引張り力が部分的に解消されてマスクのトータルピッチ精度が変化し、これにより正確なパターニングができない。
【００１８】
このために、マスクとフレームとの接合方法として接着剤を用いる場合もあるが、マスクに引張り力が加わった状態での接着は非常に管理が難しい。例えば、接着剤硬化の際の昇降温により、フレームとマスクと接着剤との熱膨張差により、トータルピッチ精度が劣化する。この変化量は上記したクラック発生を伴うレーザ溶接による変化量よりも大きい。
【００１９】
特許文献１に、高精細パターニングに対応可能とした蒸着用スクリーンマスクが開示されている。
【００２０】
開示されたマスクは、基板上に蒸着によるパターニング膜を形成する時に使われる蒸着用マスクであり、多数の第１開口部を区画した隔壁を有するマスク部、前記それぞれの開口面積が前記各第１区部の開口面積より小さいさまざまな第２開口部を有し、前記さまざまな第２区部が前記マスク部の前記各第１開口部上に配された磁性資料を含むスクリーン部を具備する。ここで、第１開口としてニッケル合金を適用した実施例が示されている。
【００２１】
また、特許文献２には磁性体マスクの構造が開示されており、特許文献３には被蒸着物に密着されて蒸着部分をマスキングするものであり、蒸着領域に対応するマスクパターンが形成された蒸着マスクフレームはフレーム厚さに比べて所定の寸法を支持し難い微細な間隙と微細パターン部とを含むマスクパターンを備え、前記マスクパターンの微細パターン部が微細リブにより支持された構造を有する。
【００２２】
前述したマスクは、フレームに支持されたマスクが磁性体よりなって被蒸着物と密着されうるようになっているが、その場合にもその材質の限界による溶接不良とそれによるトータルピッチの精度変化などの根本的な問題点は相変らず抱いている。
【００２３】
さらに、特許文献４には、蒸着過程にてマスクが熱膨張して部分的に浮き上がり、これにより基板上にすでに形成されている膜に損失を与える問題を解決するために、マスクよりも大きく形成されて段差部を備え、マスクをこの段差部に安着させる支持部材を利用して成膜時にマスクが熱膨張しても支持部材によりマスクが波状に撓まないように、また成膜時に磁性部材がマスクの他面でマスクを基板に密着させてマスク支持部材の間に間隙が生じるべくし、この間隙を用いてマスクを冷却する効果を得るパターン形成装置が開示されている。
【００２４】
しかし、前記したマスクの場合、スリットが備えられたマスク部がフレームにより固定支持された構造ではないので、精密な位置制御には多少の無理があり、工程中で位置変形が生じる余地がある。
【００２５】
特許文献５には、成膜過程でマスクが熱により熱膨張することを抑制するために、マスクを支持しているフレーム内部に流路を形成し、この流路内部に冷却液を循環させるパターン形成装置が開示されているが、かかるマスクの構造においてもマスクとフレームとの溶接不良に起因するトータルピッチの精度変化などの問題は見過ごしている。
【００２６】
特許文献６、特許文献７、特許文献８、特許文献９には、マスクとフレーム間にマスク遮蔽部のそりを防止すべく補強線がさらに備えられたメタルマスクが開示されているが、これらマスクの場合にもやはりその材質の限界による溶接不良などの根本的な問題は依然として抱いている。
【００２７】
【特許文献１】
特開２００１−２４７９６１号公報
【特許文献２】
特開２００１−２７３９７６号公報
【特許文献３】
特開２００１−２５４１６９号公報
【特許文献４】
特開２００２−９０９８号公報
【特許文献５】
特開２００２−８８５９号公報
【特許文献６】
特開２０００−４８９５４号公報、
【特許文献７】
特開２０００−１７３７６９号公報、
【特許文献８】
特開２００１−２０３０７９号公報、
【特許文献９】
特開２００１−１１０５６７号公報
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記のような問題点を解決するためのものであり、フレームとの溶接時にクラック発生を抑制できる蒸着用マスク構造体とこの製造方法及びこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法を提供するところにその目的がある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
前記のような目的を達成するために、本発明は薄板よりなり、所定パターンの開口部が形成されたマスクと、前記マスクの一つの面にて前記マスクに引張り力が加えられた状態を支持するフレームと、前記マスクの他面にて前記フレームに対応するマスクの部分を支持するカバーマスクとを含んでなることを特徴とする蒸着用マスク構造体を提供する。
【００２９】
本発明の他の特徴によれば、前記マスクはニッケルまたはニッケルとコバルトとの合金よりなり、この時前記マスクは電鋳法により製造される。
【００３０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記マスク、フレーム及びカバーマスクは溶接により接合され、前記溶接は点溶接によりなるが、その溶接点間の間隔である溶接ピッチが３ｍｍ以下になる。
【００３１】
本発明はさらに前記のような目的を達成するために、マスクパターンに対応するパターンを有する電着用プレートを利用して金属を所定厚さに電鋳法により電着する工程と、前記電着用プレートからマスクを分離する工程と、前記分離されたマスクに引張り力を加えた状態で一つの面にフレームと前記フレームに対応する他面にカバーマスクとを配して前記カバーマスク、マスク及びフレームを溶接する工程とを含んでなることを特徴とする蒸着用マスク構造体の製造方法を提供する。
【００３２】
この時、前記マスクはニッケルまたはニッケルとコバルトとの合金により電着される。
【００３３】
本発明はまた、前述の如くのマスク構造体を用いて有機膜を蒸着することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、添付された図面を参照して本発明による一つの望ましい実施形態を詳細に説明すれば次の通りである。
【００３５】
図３に本発明による蒸着用マスク構造体の一実施形態を示した。
【００３６】
図面を参照すれば、本発明の一実施形態による蒸着用マスク構造体１００は、複数の単位マスク１１１を備えたマスク１１０と、このマスク１１０に引張り力が加えられた状態を保持するフレーム１２０とを含む。この時、前記フレーム１２０は中空状に前記マスク１１０の各単位マスク１１１が形成された部分を除外した縁部を支持できるように形成される。
【００３７】
各単位マスク１１１は図４に示されたようにパターン化された複数の開口部１１２を備え、この開口部１１２はストリップ上の遮蔽部１１３により形成される。図４に示された前記開口部１１２は互いに平行した直線上に延びた形状よりなりうるが、必ずかかるパターンに限定されるのではなく、その他多様なパターンでも実施可能である。
【００３８】
前記のような蒸着用マスク構造体において、図３に示される如く、マスク１１０の他面、すなわちフレーム１２０に支持される反対側面はカバーマスク１３０により支持される。前記カバーマスク１３０は前記マスク１１０の前記フレーム１２０により支持される部分をフレーム１２０に反対側面にて支持させるものであり、図面に示されたように、マスク１１０の４つの縁部を支持すべく構成され、これ以外フレーム１２０に対応するマスク１１０の部分を支持するいかなる構造でも可能である。
【００３９】
前記マスク１１０はニッケルまたはニッケルとコバルトとの合金よりなり、望ましくは微細パターンの形成が容易であり、表面粗度が非常に良いニッケル−コバルトの合金によって形成できる。また、このマスク１１０は所定パターンの開口部１１２を電鋳法により形成して微細なパターニングと優秀な表面平滑性とを得られる。
【００４０】
一方、前記カバーマスク１３０は鉄、ニッケルを主成分とするアンバ（Ｉｎｖａｒ）や４２アロイ（４２Ａｌｌｏｙ）などを使用でき、ステンレス鋼であるＳＵＳ３０４などを使用できる。また、前記フレーム１２０はステンレス鋼であるＳＵＳ４１０などを使用できる。もちろん、かかるカバーマスク１３０やフレーム１２０の材質はこれ以外にも多様に使用可能である。
【００４１】
図３に示される如く、前記マスク１１０とカバーマスク１３０及びフレーム１２０は中間にマスク１１０が介在された状態で接合され、この接合は接着剤を利用できるが、望ましくは溶接により接合される。この時、溶接もレーザや抵抗溶接など多様な方法があるが、接合後の精度変化を考慮すればレーザ溶接法が望ましい。図３に示された溶接点１４０はレーザによる点溶接時の溶接点を示す。この時、溶接ピッチＰｗは接合が終わった後のトータルピッチの精度変化により調節されるが、３ｍｍ以下とすることが望ましい。これについては後述する。
【００４２】
以上説明したような蒸着用マスク構造体１００はそのマスク１１０としてニッケルやニッケル−コバルト合金により電鋳法で製造したマスクを使用することによりパターンの精度が極めて高く、表面平滑度が優れた長所を有する同時に、ニッケル−コバルト合金の短所である溶接性の不良によるトータルピッチの変化もカバーマスクをマスク一つの面につけることにより溶接点での熱屈曲によるクラックを防止することにより抑制できる機能を有する。
【００４３】
図５は、図４のＡ−Ａ部分の断面を示すものであり、実際に開口部１１２を形成する遮蔽部１１３が蒸着される基板に着く面１１３ａの表面平滑性を０．１μｍ以下にでき、開口部１１２幅の公差である△Ｗｓ１を±５μｍ以下にでき、トータルピッチＰｔの精度も±１０μｍ以下にしうる。
【００４４】
前述の通り構成された本実施形態による蒸着用マスク構造体の製造方法を、図６Ａ乃至図６Ｃに示した。
【００４５】
まず、電鋳法を利用して本発明によるマスク１１０を製造する。すなわち、図面に示されていないが、マスクの外形と開口部を形成する前に遮蔽部に対応する部位が貫通されたフィルムが付着した電着用プレートとを準備し、電鋳法を利用して前記フィルムにより露出された電着用プレートに金属層を電着する。この時、前記金属はニッケルや、ニッケル及びコバルトの合金とすることが望ましい。前記金属層の電着はその厚さを３０ないし５０μｍほどにしうるが、マスクの使用条件により多様に変形できることはもちろんである。
【００４６】
上記の通りにマスク製作のための電着が完了すれば、電着用プレートからマスクを分離し、この分離されたマスクを図６Ａに示される如くフレーム１２０とカバーマスク１３０間に配する。この時、前記カバーマスク１３０の内周辺は蒸着がなされる基板（図示せず）の外周辺より大きくすることが望ましい。これはカバーマスク１３０の内周辺がさらに小さくてこのカバーマスク１３０が基板と着く場合には蒸着時にシャド効果が生じうるためである。
【００４７】
次に、図６Ｂに示される如く、前記マスク１１０をクランプなどにより固定させ、ｘ及びｙ方向に引張り力を加える。この時、引張り力を加える方法はｘ，ｙ方向に同じ引張り力を加える方法もあるが、各辺にて局部的に引張り力を調節して最適の引張り力（＋Ｐｘ１〜＋Ｐｘ５），（−Ｐｘ１〜−Ｐｘ５），（＋Ｐｙ１〜＋Ｐｙ６），（−Ｐｙ１〜−Ｐｙ６）を加えることがより望ましい。すなわち、図７Ａに示される如く、マスク１１０の最外側ライン１１４，１１５間のトータルピッチＰｔが均一に示されて偏差のない場合には問題がないが、図７Ｂ及び図７Ｃの如く、トータルピッチＰｔに偏差Ｐｔｍａｘ−Ｐｔｍｉｎが存在し、図７Ｂ乃至図７Ｄに示される如く、ライン偏差△Ｘが生じうるので、これを局部的に調節することによりトータルピッチの偏差だけではなくライン偏差の最小化が可能となる。
【００４８】
このようにマスク１１０に引張り力を加えた状態で、図６Ｃに示される如くカバーマスク１３０とマスク１１０及びフレーム１２０を接合する。接合の方法としては前述の如く、接着剤や溶接などいかなる方法でも可能であるが、本実施形態においては接合後の精度変化などを考慮してレーザ点溶接による接合が望ましい。この時、溶接点１４０間の溶接ピッチＰＷは接合後に引張り力を除去した後のトータルピッチの精度変化を考慮せねばならないが、この関係は図８により詳細に示されている。図８は溶接後に引張り力を除去した状態で溶接ピッチの変化によるトータルピッチの変化を示したものであり、図面に示される如く、溶接ピッチが小さくなるにつれてトータルピッチの変化が小さくなり、溶接ピッチが３ｍｍ以下になった場合にはトータルピッチの変化がなくなることが分かる。従って、前記溶接ピッチＰＷは３ｍｍ以下にすることが望ましい。この時、前記マスクとしてニッケル−コバルト合金を使用した場合にもこのマスクの上下面にてカバーマスクとフレームとが溶接点を支持するので、熱屈曲による変形が抑制されてクラック発生が防止されうる。
【００４９】
上記の通りに溶接がすべて終わった後ではフレーム１２０の大きさ及び形に対応すべく前記カバーマスク１３０の部分１４２と、マスク１１０の縁部とを切断する。
【００５０】
以上説明したような本実施形態による蒸着用マスク構造体を利用して有機ＥＬ素子を製造し、従来の蒸着用マスク構造体を利用した有機ＥＬ素子と比較したものを下記表１に表した。
【００５１】
表１にて、実施例１乃至３はニッケル−コバルト合金に電鋳法を利用し製造されたマスクに本発明のようにカバーマスクを付加えた蒸着用マスク構造体を使用して有機ＥＬ素子を製造したものであり、比較例１は従来の電鋳法によりニッケル−コバルト合金で製造されたマスクを利用した有機ＥＬ素子を、比較例２乃至４はエッチング法により製造されたマスクを利用した有機ＥＬ素子を示す。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
前記表１にて、△Ｐｔは溶接後の引張り力を除去した後のトータルピッチの偏差を示すものであり、△Ｘはライン偏差を、△Ｗｓ１は開口部幅の偏差をそれぞれ示す。また、前記輝度不良率は前記有機ＥＬ素子の画素部分にて有機発光膜が少なく蒸着されるところに起因し、前記混色発生率はある画素に有機発光膜が重なる部分が発生した場合、すなわち混色が発生した場合を示す。従って、前記輝度不良率と混色発生率とはマスクに形成された開口部が正確にパターニングされていないことを示す。一方、暗点発生率は相異なる基板の同一部分にて生じている暗点を評価画素数で割った数値を言い、画素ショート発生率は相異なる基板の同一部分にて生じている画素ショートを評価パネル数で割った数値を言う。
【００５４】
前記表１に示されたように、本発明による実施例１乃至３によれば、既存のエッチング法により製造された蒸着用マスク構造体を使用した場合、すなわち比較例２乃至４より輝度不良率及び混色発生率が顕著に低くて正確な有機発光膜のパターニングがなされることが分かる。また本発明によれば、マスク構造体による暗点発生や画素ショート発生も示されないことが分かる。
【００５５】
それだけではなく、本発明による実施例１乃至３によれば、既存の電鋳法により製造されたマスク構造体を使用した比較例１の場合より混色発生率及び輝度不良率にて一層優れていることがわかる。これは比較例１の場合には電鋳法でニッケル−コバルト合金を利用しマスクを製造してこれを利用し有機ＥＬ素子を製造したものであるが、ニッケル−コバルト合金の溶接性低下によりパターニング不良が発生するためである。
【００５６】
図９はマスクの開口部幅の偏差△Ｗｓ１がそれぞれ±５μｍである場合（Ｉ）と、±１０μｍである場合（ＩＩ）の開口率と画素ピッチ間の関係を示すものであり、前記表１に示される如く、本発明による実施例１乃至３と、比較例１とは（Ｉ）の場合を示し、比較例２乃至４は（ＩＩ）の場合を示す。ここで、陰極スペースは２５μｍとしている。すなわち、前記図９に示される如く本発明によれば、画素ピッチが１７０ｐｐｉと高精密化された場合にも開口率が５０％以上に保持されうることが分かる。従って、本発明による蒸着用マスク構造体を利用すればさらに高品質のフルカラー有機ＥＬ素子を得られる。
【００５７】
また、上記の通りに蒸着用マスクを電鋳法により製作する場合、開口部を形成する遮蔽部が球形をなすので、蒸着時に発生するシャドウ効果を減らせる。
【００５８】
本明細書では本発明を限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の思想的範囲内で多様な実施形態が可能である。そして説明されなかったが、均等な手段も本発明に含まれうる。よって、本発明の真の保護範囲は特許請求の範囲より決まるものである。
【００５９】
【発明の効果】
前記のような構成を有する本発明の蒸着用マスク構造体とその製造方法及びこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法によれば、次のような効果を得られる。
【００６０】
第１に、マスクとフレームとの溶接時に生じるクラックを最小化してマスクの変形を最小化できる。
【００６１】
第２に、ニッケル−コバルト製マスクを使用した場合にもその溶接不良を最小化でき、開口部幅の精度、トータルピッチの精度及び表面平滑性を同時に高めることができる。
【００６２】
第３に、素子の画素において、蒸着不良率を低下させて輝度不良及び混色発生を減らせる。
【００６３】
第４に、画素の高開口率化及び高精密化が可能になり、有機膜やその他の電極などを低ダメージで蒸着できるので、暗点及び画素ショート発生を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来蒸着用マスク構造体の分離斜視図である。
【図２Ａ】ニッケル−コバルト合金で作られたマスクとフレームとの溶接部位クラックの形成過程を示した断面図である。
【図２Ｂ】ニッケル−コバルト合金で作られたマスクとフレームとの溶接部位クラックの形成過程を示した断面図である。
【図２Ｃ】ニッケル−コバルト合金で作られたマスクとフレームとの溶接部位クラックの形成過程を示した断面図である。
【図３】本発明の望ましい一実施形態による蒸着用マスク構造体である。
【図４】図３のマスクの一部を抜粋して示した部分斜視図である。
【図５】図４のＡ−Ａ部分の断面図である。
【図６Ａ】本実施形態による蒸着用マスク構造体の製造方法を段階別に示した図面である。
【図６Ｂ】本実施形態による蒸着用マスク構造体の製造方法を段階別に示した図面である。
【図６Ｃ】本実施形態による蒸着用マスク構造体の製造方法を段階別に示した図面である。
【図７Ａ】蒸着用マスク構造体のトータルピッチの偏差及びライン偏差を示す図面である。
【図７Ｂ】蒸着用マスク構造体のトータルピッチの偏差及びライン偏差を示す図面である。
【図７Ｃ】蒸着用マスク構造体のトータルピッチの偏差及びライン偏差を示す図面である。
【図７Ｄ】蒸着用マスク構造体のトータルピッチの偏差及びライン偏差を示す図面である。
【図８】溶接後に引張り力を除去した後のトータルピッチの変化と溶接ピッチ間の関係を示すグラフである。
【図９】マスクの開口部幅の偏差による開口率と画素ピッチ間の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１００      蒸着用マスク構造体
１１０      マスク
１１１      単位マスク
１１２      開口部
１１３      遮蔽部
１２０      フレーム
１３０      カバーマスク
１４０      溶接点
【図１】
2004169169.tif 000004
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
2004169169.tif 000007
【図３】
2004169169.tif 000008
【図４】
2004169169.tif 000009
【図５】
2004169169.tif 000010
【図６Ａ】
2004169169.tif 000011
【図６Ｂ】
2004169169.tif 000012
【図６Ｃ】
2004169169.tif 000013
【図７Ａ】
2004169169.tif 000014
【図７Ｂ】
2004169169.tif 000015
【図７Ｃ】
2004169169.tif 000016
【図７Ｄ】
2004169169.tif 000017
【図８】
2004169169.tif 000018
【図９】
2004169169.tif 000019