(57)【要約】【課題】  確実に層間接続でき、且つ信頼性の高い多層配線板を提供する。【解決手段】  層間接続用の導体ポストの先端に形成されたニッケルからなる拡散防止層の表面に形成された錫を主成分とする半田層と、少なくとも銅層とニッケル層と金層からなる導体層の金層とを、接着剤層を介して熱圧着することにより半田接合させて得られる層間接合部であって、導体ポストと層間接続用ランドとの間に、少なくともニッケルと錫と金からなる合金層が形成され、さらに、層間接合部の導体ポストの根元には、接合部を補強するように、少なくとも金と錫を含む合金のフィレットが形成されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2004297053.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間接続用の導体ポストの先端に形成された第１の拡散防止層の表面に形成された半田層と、少なくとも銅層と第２の拡散防止層と金層とからなる導体層の金層とを、接着剤層を介して、半田接合させて得られることを特徴とする層間接合部。
【請求項２】
前記第１の拡散防止層は、ニッケルで構成されるものである請求項１に記載の層間接合部。
【請求項３】
前記第２の拡散防止層は、ニッケルで構成されるものである請求項１または２に記載の層間接合部。
【請求項４】
半田接合において、半田接合部に少なくともニッケルと錫と金との合金が形成されてなる請求項２または３に記載の層間接合部。
【請求項５】
半田接合により、導体ポストの半田接合部の周りに金属のフィレットが形成されている請求項１〜４のいずれかに記載の層間接合部。
【請求項６】
フィレットが、少なくとも金と錫との合金からなる請求項５に記載の層間接合部。
【請求項７】
フィレット部分の合金が、少なくとも金が２０ａｔｍｉｃ％以上含まれてなる請求項６記載の層間接合部。
【請求項８】
半田接合が、半田層と接着剤層とを接触させ、半田層の融点以上の温度で加熱して、半田層を溶融し、次いで、圧着して半田層と導体層とを接合して行われる請求項１〜７のいずれかに記載の層間接合部。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の層間接合部を有することを特徴とする多層配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間接合部およびそれを有する多層配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化、並びに、軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して、益々、小型化かつ多ピン化が進んできている。
【０００３】
従来の回路基板は、プリント配線板と呼ばれ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層板からなる、ガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔をパターニングした後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアホールを形成し、層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上記の配線基板では配線密度が不足して、部品の搭載に問題が生じるようになってきている。このような中、更なる小型、軽量化、多ピン化および高速信号伝送を実現させるために、配線の高密度化、ビアの小径化とともに、層間絶縁層の薄膜化が求められており、従来のビルドアップ法のような逐次積層法に代わる、新たな層間接続方式を用いた多層配線板が提案されている。
【０００４】
このような中で、層間接続用のランドを有する配線パターンと、配線パターンとの層間接続用のランドを有する被接続体の、いずれかのランド上に導体ポストが形成され、少なくとも、導体ポストの先端表面または相対するランドの表面に半田層が形成され、導体ポストと相対するランドとを、接着剤層を介して、密着・加圧・加熱の工程を経て、半田接合させた層間接合部を有する多層配線板（例えば、特許文献１参照。）が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１７６２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の技術によれば、半田接合によって得られる層間接合部に形成される合金層は、接着剤層の硬化工程などによる高温の熱履歴が与えられると、合金成長時における金属原子の拡散速度の差異によって、カーケンダールボイドが発生することがあり、特に、主に銅からなる被接続層に被覆されている金皮膜に半田接合した場合の被接続層と半田層の界面にのみ、カーケンダールボイドが成長することがあり、ボイド防止による接続の信頼性向上が求められている。また、フィレット部分には、半田が形成されているため、後工程におけるリフロープロセスの際に、再び溶融するため、半田と接着剤の界面の剥離が発生する場合がある。
【０００７】
本発明は、半導体チップを搭載する多層配線板における、層間接続のこのような現状の問題点に鑑み、確実に層間接続でき、且つ高温の熱履歴に対しても信頼性の高い層間接合部およびそれを有する多層配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
即ち、本発明は、
（１）  層間接続用の導体ポストの先端に形成された第１の拡散防止層の表面に形成された半田層と、少なくとも銅層と第２の拡散防止層と金層とからなる導体層の金層とを、接着剤層を介して、半田接合させて得られることを特徴とする層間接合部、
（２）  前記第１の拡散防止層は、ニッケルで構成されるものである第１項に記載の層間接合部、
（３）  前記第２の拡散防止層は、ニッケルで構成されるものである第１項または第２項に記載の層間接合部、
（４）  半田接合において、半田接合部に少なくともニッケルと錫と金との合金が形成されてなる第２項または第３項に記載の層間接合部、
（５）  半田接合により、導体ポストの半田接合部の周りに金属のフィレットが形成されている第１項〜第４項のいずれかに記載の層間接合部、
（６）  フィレットが、少なくとも金と錫との合金からなる第５項に記載の層間接合部、
（７）  フィレット部分の合金が、少なくとも金が２０ａｔｍｉｃ％以上含まれてなる第６項に記載の層間接合部、
（８）  半田接合が、半田層と接着剤層とを接触させ、半田層の融点以上の温度で加熱して、半田層を溶融し、次いで、圧着して半田層と導体層とを接合して行われる第１項〜第７項のいずれかに記載の層間接合部、
（９）  第１項〜第８項のいずれかに記載の層間接合部を有することを特徴とする多層配線板、
である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、確実に層間接続でき、且つ高温の熱履歴に対しても信頼性の高い層間接合部およびそれを有する多層配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の層間接合部は、層間接続用の導体ポストの先端に形成された第１の拡散防止層の表面に形成された半田層と、少なくとも銅層と第２の拡散防止層と金層とからなる導体層の金層とを、接着剤層を介して接合させて得られるものである。本発明の層間接合部において、第１の拡散防止層と第２の拡散防止層としては、隣接する金属層同士の金属の移行を防止する層であればよく、例えば、ニッケル、チタンおよびタングステンなどの金属で構成されるものを挙げることができるが、電解めっきにより層を形成しやすいニッケルで構成されることが好ましい。また、導体ポストと層間接続用ランドとの間に、第１および第２の拡散防止層と半田層と金層とを構成する金属の合金層が形成されるが、該拡散防止層に好ましいニッケルを用いることで、少なくともニッケルと錫と金からなる合金層が形成されていることが好ましい。このような合金を形成することにより、カーケンダルボイドなどの発生が無い良好な半田接合部となる。さらに、層間接合部の導体ポストの根元には、半田接合部の周りを補強するように、金属のフィレットが形成されることが好ましく、前記フィレットは、少なくとも金と錫からなることが好ましい。前記フィレットにおける合金の組成としては、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｎ2等が挙げられる。前記合金のフィレットが形成されていることで、熱衝撃試験による半田接合部への応力集中を防ぐことができ、また、フィレットそのものによる半田接合部の補強効果により、接合強度自体が増すことで、高い接続信頼性が確保される。また、フィレット部分の合金の融点が各種実装工程でのリフロー温度よりも高いため、リフロー時に合金が溶融することない。さらにフィレット部の合金は、金が２０ａｔｍｉｃ％以上含まれていることが好ましい。金の含有量が２０ａｔｍｉｃ％を下回る場合、合金の融点がリフロー温度よりも低くなる場合がある。
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。図１は、本発明の多層配線板を製造するために用いられる多層配線板製造用配線基板の製造方法の第１の例を説明するための図で、図１（ｇ）は得られる多層配線板製造用配線基板の構造を示す断面図である。
【００１２】
本発明において、多層配線板製造用配線基板の製造方法の第１の例としては、まず、金属箔１０１と絶縁層１０２からなる２層構造体を用意し、絶縁層１０２にビア１０３を形成する（図１（ａ））。
金属箔１０１は容易に入手可能な銅箔を用いるのが好ましい。２層構造体は、金属箔１０１上に樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布することにより得ることができる。さらには、市販の樹脂付銅箔（例えば、ポリイミド付銅箔）のような２層構造体を用意しても良い。また、２層構造体は、ガラスエポキシ両面銅張積層板の一方の銅箔を全面エッチングして得ることもできる。
【００１３】
ビア１０３の形成方法としては、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等が挙げられる。レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、紫外線レーザー、エキシマレーザー等を使用することができる。
絶縁層１０２がガラスエポキシのように補強繊維を含む場合には、樹脂とガラスクロスを貫通して、ビア１０３を形成することができる炭酸ガスレーザーを使用することが好ましい。絶縁層１０２がポリイミド等の補強繊維を含まない場合には、より微細なビア１０３を形成できる紫外線レーザーを使用することが好ましい。また、絶縁層１０２を感光性樹脂とした場合には、絶縁層１０２を選択的に感光し、現像することでビア１０３を形成することもできる。
【００１４】
次に、金属箔１０１を電解めっき用リード（給電用電極）として、銅ポスト１０４を、電解めっきにより形成し（図１（ｃ））、次に、銅ポスト１０４の表面に、第１の拡散防止層としてのニッケル層１０５を、電解めっきにより形成し（図１（ｄ））、続いて、ニッケル層１０５の表面に、半田被膜１０６を、電解めっきにより形成する（図１（ｅ））。これらの電解めっきにより、絶縁層１０２のビア１０３が形成されている部分に、導体ポスト１０７が形成される。
【００１５】
銅ポスト１０４を形成する方法としては、電解めっきにより形成する方法以外に、無電解めっきにより形成する方法、銅を含有するペーストを印刷する方法が挙げられる。電解めっきにより銅ポスト１０４を形成すれば、銅ポスト１０４の先端の形状を自由に制御することができるため、非常に好ましい。また、導体ポスト１０７のうち、銅ポストが占める体積比を極力高くすることで、低抵抗で安定した導体ポスト１０７を得ることができる。
【００１６】
半田被膜１０６の形成方法としては、電解めっきにより形成する方法以外に、無電解めっきにより形成する方法、半田を含有するペーストを印刷する方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクをニッケル層１０５に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、ニッケル層１０５の表面以外に半田被膜１０６が形成されることがないため、導体ポスト１０７の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な金属が多種多様であり、また、薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。
半田被膜１０６の材質としては、Ｓｎを主成分とするものであれば、特に限定されないが、Ｓｎと、Ｉｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、ＰｂおよびＡｕから選ばれる成分との少なくとも二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいＰｂフリー半田であり、例えば、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｚｎなどである。
【００１７】
第１の拡散防止層であるニッケル層１０５を形成する目的は、半田被膜１０６に含まれるＳｎと、銅ポスト１０４に含まれるＣｕが相互に拡散し合い、半田接合部に形成される合金組成変化を防止するためである。
【００１８】
次に、金属箔１０１上にパターニングされためっきレジスト（図示せず）を形成し、続いて、第２の拡散防止層となるニッケル層１０８を電解めっきにより形成する。さらにニッケル層１０８上に金被膜１０９を電解めっきにより形成した後、めっきレジストを除去する（図１（ｆ））。この電解めっきにより、金属箔１０１上のめっきレジストが形成されていない部分に、ニッケル層１０８、金皮膜１０９が形成される。また、めっきレジストは、例えば、金属箔１０１上に、紫外線感光性のドライフィルムレジストをラミネートし、ネガフィルム等を用いて、選択的に感光し、その後現像することにより形成できる。
【００１９】
最後に、形成した金皮膜１０９をエッチングレジストとして、金属箔１０１を、選択的にエッチングすることにより、銅回路１１０を形成して、導体回路１１１を得るとともに、多層配線板製造用配線基板１２０を得る（図１（ｇ））。
図１（ｇ）は、導体回路１１１が、金皮膜１０９とニッケル層１０８と銅回路１１０の３層からなる例を示している。
【００２０】
銅回路１１０の表面に第２の拡散防止層としてのニッケル層１０８を形成する目的は、多層配線板製造用配線基板１２０を複数枚積層して多層配線板１４０を得る際に、導体ポスト１０７の半田被膜１０６に含まれるＳｎと、銅回路１１０に含まれるＣｕが、相互に拡散し合い、半田接合部に形成される合金組成が変化することを防止するためである。
一方、ニッケル層１０８の表面に金被膜１０９を形成する目的は、多層配線板製造用配線基板１２０を、複数枚積層して、多層配線板１４０を得る際に、導体ポスト１０７の半田被膜１０６とニッケル層１０８とが半田接合しやすいようにするためである。また、半田接合後のフィレット部分には、少なくとも錫と金との合金が形成される。
【００２１】
図２は、本発明の多層配線板を製造するための多層配線板製造用配線基板の製造方法の第２の例を説明するための図で、図２（ｇ）は、得られる多層配線板製造用配線基板の構造を示す断面図である。
【００２２】
本発明において、多層配線板製造用配線基板の製造方法の第２の例が、第１の例と異なるのは、金属箔１０１を、選択的にエッチングして、導体回路１１１を形成する代わりに、金属板２０１を、電解めっき用リード（給電用電極）として、電解めっきにより、導体回路２１１を形成する点であり、基本的な製造方法は、ほとんど同じである。以下、第２の例について、第１の例と異なる部分のみ詳細に説明する。
【００２３】
まず、金属板２０１上に、パターニングされためっきレジスト（図示せず）を形成し、続いて、金属板２０１を、電解めっき用リード（給電用電極）として、金皮膜２０８、第２の拡散防止層となるニッケル層２０９および銅回路２１０を、電解めっきにより形成した後、めっきレジストを除去する（図２（ａ））。この電解めっきにより、金属板２０１上のめっきレジストが形成されていない部分に、導体回路２１１（金皮膜２０８、ニッケル層２０９および銅回路２１０）が形成される。
金属板２０１の材質としては、特に、使用される薬液に対して、耐性を有するものであって、最終的にエッチングにより、除去可能であるものを用いることが好ましい。そのような金属板２０１の材質としては、例えば、銅、銅合金等が挙げられる。
一方、めっきレジストは、例えば、金属板２０１上に、紫外線感光性のドライフィルムレジストを、ラミネートし、ネガフィルム等を用いて、選択的に感光し、その後、現像することにより形成できる。
【００２４】
第２の拡散防止層としてのニッケル層２０９を形成する目的は、基本的には第１の製造例と同じであるが、金属板２０１が、銅または銅合金である場合に、金属板２０１を、エッチングにより除去する際に、銅回路２１０がエッチングされないように、保護する目的もある。
【００２５】
次に、導体回路２１１上に、絶縁層２０２を形成し（図２（ｂ））、続いて、絶縁層２０２に、ビア２０３を形成する（図２（ｃ））。また、絶縁層２０２の形成は、使用する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを、印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で、直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を、真空ラミネート、真空プレス等の方法で、積層する方法が挙げられる。特に、市販されている樹脂付銅箔は、入手が容易であり、真空ラミネートにより、導体回路２１１の凹凸を埋め込みながら成形し、最後に、銅箔をエッチングすれば、絶縁層２０２の表面が、導体回路２１１の凹凸に影響されることなく、非常に平坦になる。一方、ビア２０３の形成方法は、第１の例と同様である。
【００２６】
次に、銅ポスト２０４、第１の拡散防止層となるニッケル層２０５及び半田被膜２０６を形成する（図２（ｄ）〜（ｆ））。これらの形成方法は、第１の製造例と同様である。
【００２７】
最後に、金属板２０１をエッチングして、多層配線板製造用配線基板２１０を得る（図２（ｇ））。図２（ｇ）は、導体回路２１１が、銅回路２１０とニッケル層２０９と金皮膜２０８の３層からなる例を示している。ニッケル層２０９が、金被膜で覆われているため、金属板２０１をエッチングするために使用するエッチング液は、酸性・アルカリ性のどちらを使用しても問題ない。
【００２８】
続いて、前記多層配線板製造用配線基板を用いて得られる多層配線板について、詳細に説明する。図３は、本発明において、第１の例の多層配線板製造用配線基板を用いた場合の多層配線板の製造方法の例を説明するための図で、図３（ｂ）は得られる多層配線板の構造を示す断面図である。なお、図４に、本発明において、第２の例の多層配線板製造用配線基板を用いた場合の多層配線板の製造方法の例を示しているが、基本的には、図３と異なる点がないため、説明を省略する。
【００２９】
まず、図１（ｇ）で示される多層配線板製造用配線基板１２０の絶縁層１０２表面に接着剤層１１２を形成し、続いて、接着剤層１１２が形成された多層配線板製造用配線基板１２０を複数枚と、コア基板１３０とを位置合わせする（図３（ａ））。
【００３０】
接着剤層１１２の形成は、使用する樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを、印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で、直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を、真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。
接着剤層１１２の機能としては、金属の表面清浄化機能と接着機能の２機能を有することが好ましい。前者は、信頼性の高い半田接合を実現するために必要な機能であり、後者は、多層配線板製造用配線基板１２０同士、又は、多層配線板製造用配線基板１２０とコア基板１３０とを接着するために必要な機能である。なお、図３（ａ）では、絶縁層１０２表面に、接着剤層１１２を形成する例を示したが、導体回路１１１側とコア基板１３０表面に、接着剤層１１２を形成しても構わない。
【００３１】
位置合わせは、多層配線板製造用配線基板１２０及びコア基板１３０に、予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わせ用のピン等で位置合わせする方法等を用いることができる。
【００３２】
最後に、複数の多層配線板製造用配線基板１２０とコア基板１３０とを、熱圧着する（図３（ｂ））。熱圧着工程では、例えば、真空プレスを用いて、半田被膜１０６の半田が溶融するまで、加熱するとともに、加圧して、半田被膜１０６と導体回路１１１ａとを、半田接合させ、更に、加熱して、接着剤層１１２を硬化させて、一体化させる。特に、半田層と接着剤層とを、接触させ、前記半田層の融点以上の温度で加熱して、半田を溶融させ、次いで、圧着することにより、樹脂残りの無い良好な半田接合部が得られる。以上の工程により、導体回路１１１ａと導体ポスト１０７とを、半田被膜１０６にて半田接合した層間接続部を有し、各層間を接着剤層１１２にて接着した多層配線板１４０を得ることができる。前記層間接続部においては、良好な合金からなら半田接合部と該半田接合部の周りには金属のフィレットが形成される。
【００３３】
本発明に用いる金属表面浄化機能と接着機能を有する接着剤において、第１の好ましい接着剤としては、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）と、その硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）とを必須成分とするものが挙げられ、フェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）の、フェノール性水酸基は、その表面清浄化機能により、半田および金属表面の酸化物等の汚れの除去あるいは、酸化物を還元し、半田接合のフラックスとして作用する。更に、その硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）により、良好な硬化物を得ることができるため、半田接合後の洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも、電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とする。
【００３４】
本発明において第１の好ましい接着剤に用いる、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）としては、クレゾールノボラック樹脂、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、レゾール樹脂、および、ポリビニルフェノール樹脂から選ばれるのが好ましく、これらの１種以上を用いることができる。
【００３５】
本発明において第１の好ましい接着剤フェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）の、硬化剤として作用する樹脂（Ｂ）としては、エポキシ樹脂やイソシアネート樹脂等が用いられる。具体的にはいずれも、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系やレソルシノール系等のフェノールベースのものや、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族等の骨格をベースとして変性されたエポキシ化合物やイソシアネート化合物が挙げられる。
【００３６】
本発明において第１の好ましい接着剤に用いる、フェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）は、接着剤中に、２０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下で含まれることが好ましい。２０ｗｔ％未満であると、金属表面を清浄化する作用が低下し、半田接合できなくなる恐れがある。また、８０ｗｔ％より多いと、十分な硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下する恐れがある。
前記樹脂（Ｂ）の配合量は、例えば、エポキシ基当量またはイソシアネート基当量が、少なくとも樹脂（Ａ）のヒドロキシル基当量に対し、０．５倍以上、１．５倍以下が好ましいが、良好な金属接合性と硬化物物性が得られる場合は、この限りではない。また、接着剤層に用いる樹脂に、着色料や、無機充填材、各種のカップリング剤等を添加しても良い。
【００３７】
本発明に用いる第２の好ましい接着剤としては、エポキシ樹脂（Ｃ）と、イミダゾール環を有し且つエポキシ樹脂（Ｃ）の硬化剤として作用する化合物（Ｄ）とを、必須成分とするものが挙げられ、前記化合物（Ｄ）のイミダゾール環は、三級アミンの不対電子に起因する表面清浄化機能により、半田および金属表面の酸化物等の汚れの除去あるいは、酸化膜を還元し、半田接合のフラックスとして作用する。更に、イミダゾール環は、エポキシ樹脂（Ｃ）をアニオン重合する際の硬化剤としても作用するため、良好な硬化物を得ることができ、半田接合後の洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とする。
【００３８】
本発明において第２の好ましい接着剤で用いる化合物（Ｄ）と組合わせて用いるエポキシ樹脂（Ｃ）としては、ビスフェノール系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボラック系、ビフェノール系、ナフトール系やレソルシノール系等の、フェノールベースのエポキシ樹脂や、脂肪族、環状脂肪族や不飽和脂肪族等の骨格をベースとして、変性されたエポキシ化合物が挙げられる。
【００３９】
本発明において第２の好ましい接着剤で用いる化合物（Ｄ）としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、ビス（２−エチル−４−メチル−イミダゾール）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４、５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、あるいはトリアジン付加型イミダゾール等が挙げられる。また、これらをエポキシアダクト化したものや、マイクロカプセル化したものも使用できる。これらは単独で使用しても２種類以上を併用しても良い。
【００４０】
本発明において第２の好ましい接着剤で用いるエポキシ樹脂（Ｃ）の配合量は、接着剤の３０〜９９ｗｔ％が好ましい。３０ｗｔ％未満であると、十分な硬化物が得られなくなる恐れがある。接着剤層に用いる樹脂に、シアネート樹脂、アクリル酸樹脂、メタクリル酸樹脂、マレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を配合しても良い。また、接着剤層に用いる樹脂に、着色料や、無機充填材、各種のカップリング剤等を添加しても良い。
【００４１】
本発明において第２の好ましい接着剤に用いる前記化合物（Ｄ）の添加量は、１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であることが好ましい。前記化合物（Ｄ）の添加量が１ｗｔ％未満では表面清浄化機能が弱く、また、エポキシ樹脂（Ｃ）を充分に硬化させることができなくなる恐れがある。また、前記化合物（Ｄ）の添加量が１０ｗｔ％より多い場合は、硬化反応が急激に進行し、半田接合時における接着剤層の流動性が低下し、半田接合を阻害する恐れがある。さらに、得られる硬化物が脆く、十分な強度の半田接合部が得られなくなる恐れがある。より好ましくは、前記化合物（Ｄ）の添加量は１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下である。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００４３】
＜接着剤ワニスの調合例１＞
クレゾールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−ＨＦ−３）１０６ｇと、フェノールフタリン（東京化成（株）製）１０５ｇと、ジアリルビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＲＥ−８１０ＮＭ）４５０ｇとを、メチルエチルケトン１６５ｇに溶解し、接着剤ワニスを作製した。
【００４４】
＜多層配線板製造用配線基板の製造：実施例＞
表面を粗化処理した厚み１５０μｍの圧延銅板（金属板２０１・古川電気工業（株）製、ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ）に、ドライフィルムレジスト（旭化成（株）製、ＡＱ−２０５８）をロールラミネートし、所定のネガフィルムを用いて、露光・現像し、導体回路２１１の形成に必要なめっきレジストを形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、金層とニッケル層を電解めっきにより形成し、さらに、電解銅めっきすることにより、銅回路（銅回路２１０）を形成して、導体回路（導体回路２１１）を得た。導体回路は、線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ／１０μｍとした。次に、樹脂付銅箔（住友ベークライト製）を、真空ラミネートにより、配線パターンの凹凸を埋め込みながら成形し、銅箔を全面エッチングして、２５μｍ厚の絶縁層（絶縁層２０２）を形成した。
【００４５】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、絶縁層にトップ径が４５μｍ、ボトム径が２５μｍのビア（ビア２０３）を形成した。ビア内部およびビア周辺部を、過マンガン酸樹脂エッチング液にて清浄化した後、裏面の圧延銅板を、電解めっき用リード（給電用電極）として、電解銅めっきを行って、ビアを銅で充填し、銅ポスト（銅ポスト２０４）を形成した。ここで、銅ポストの直径が４５μｍとなるよう、電解銅めっきの時間を調整した。次に、銅ポストの表面に、ニッケル層２０５を、電解めっきによって、１μｍの厚みで形成し、続いて、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜（半田被膜２０６）を、電解めっきによって、５μｍの厚みで形成して、導体ポスト（導体ポスト２０７）を得た。なお、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜の先端表面の絶縁層表面から突出している高さは、１１μｍであった。最後に、圧延銅板をエッチングして除去した。これにより、導体ポストが、銅ポスト、ニッケル層、半田被膜から構成され、導体回路が、銅回路、ニッケル層、金皮膜から構成される多層配線板製造用配線基板（Ｘ）を得た。
【００４６】
＜多層配線板製造用配線基板の製造：比較例＞
表面を粗化処理した厚み１５０μｍの圧延銅板（金属板２０１・古川電気工業（株）製、ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ）に、ドライフィルムレジスト（旭化成（株）製、ＡＱ−２０５８）を、ロールラミネートし、所定のネガフィルムを用いて、露光・現像し、導体回路２１１の形成に必要なめっきレジストを形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、金皮膜、ニッケル層を、電解めっきにより形成し、さらに、電解銅めっきすることにより、銅回路（銅回路２１０）を形成して、導体回路（導体回路２１１）を得た。導体回路は、線幅／線間／厚み＝２０μｍ／２０μｍ／１０μｍとした。次に、樹脂付銅箔（住友ベークライト（株）製）を、真空ラミネートにより、配線パターンの凹凸を埋め込みながら成形し、銅箔を全面エッチングして、２５μｍ厚の絶縁層（絶縁層２０２）を形成した。
【００４７】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、絶縁層に、トップ径が４５μｍ、ボトム径が２５μｍのビア（ビア２０３）を形成した。ビア内部およびビア周辺部を、過マンガン酸樹脂エッチング液にて清浄化した後、裏面の圧延銅板を、電解めっき用リード（給電用電極）として、電解銅めっきを行って、ビアを銅で充填し、銅ポスト（銅ポスト２０４）を形成した。ここで、銅ポストの直径が４５μｍとなるよう、電解銅めっきの時間を調整した。次に、銅ポストの表面に、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜（半田被膜２０６）を、電解めっきによって、５μｍの厚みで形成して、導体ポスト（導体ポスト２０７）を得た。なお、Ｓｎ−Ａｇ（２．５％）共晶半田被膜の先端表面の絶縁層表面から突出している高さは、１０μｍであった。最後に、圧延銅板をエッチングして除去した。これにより、導体ポストおよび導体回路がともに、ニッケル層を含まない多層配線板製造用配線基板（Ｙ）を得た。
【００４８】
＜多層配線板の製造＞
上述の方法によって得られた多層配線板製造用配線基板（Ｘ：ニッケル層を含む）および（Ｙ：ニッケル層を含まない）に対して、バーコートにより、上述の接着剤ワニス（調合例１）を、絶縁層の表面、すなわちＳｎ−Ｐｂ共晶半田層が形成された面に、塗布した後、８０℃で２０分乾燥し、２０μｍ厚の接着剤層（接着剤層２１１）を形成した。
【００４９】
一方、厚み１２μｍ銅箔が両面に形成されたＦＲ−５相当のガラスエポキシ両面銅張積層板（住友ベークライト（株）製、ＥＬＣ−４７８１）を用い、銅箔を、選択的にエッチングして、回路パターンを形成し、コア基板（コア基板２３０）を得た。
【００５０】
次に、上述の工程により得られた多層配線板製造用配線基板（Ｘ）または（Ｙ）と、コア基板に、予め、形成されている位置決めマークを、画像認識装置により、読み取り、両者を位置合わせし、２５０℃、０．５ＭＰａ、１分間の条件で熱圧着した。これにより、多層配線板（Ｘ’：多層配線板製造用配線基板（Ｘ）を使用）および（Ｙ’：多層配線板製造用配線基板（Ｙ）を使用）を得た。さらに、接着剤層を硬化させるために、窒素雰囲気下で、２５０℃／６０分間の熱処理を行った。
【００５１】
＜半田接合部の断面評価＞
得られた多層配線板（Ｘ’）および（Ｙ’）の半田接合部を、詳細に評価するため、断面研磨し、バフ研磨後、イオンミーリング法により、最終仕上げを行った。その後、多層配線板（Ｘ’）および（Ｙ’）の半田接合部を、電子顕微鏡で観察するとともに、Ｘ線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）による組成分析を行った。
【００５２】
多層配線板（Ｘ’）においては、銅ポスト側から順に、Ｃｕ（銅ポスト２０４）、Ｎｉ（ニッケル層２０５）、Ｎｉ−Ａｕ−Ｓｎ合金（Ｎｉ：Ａｕ：Ｓｎ＝１：２：１）、Ｎｉ（ニッケル層２０９）、Ｃｕ（銅回路２１０）の組成となっていた。また、接合部の根元を補強するような形で、フィレットが形成されており、そのフィレットは、ＡｕＳｎ、ＡｕＳｎ2、Ａｇ3Ｓｎの合金から形成されていた。いずれも融点は３００℃以上となっている。また、いずれの接合部にも、ボイドと認識できるような空孔は認められなかった。
一方、多層配線板（Ｙ’）においては、銅ポスト側から順に、Ｃｕ（銅ポスト２０４）、Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｕ合金、Ｃｕ（銅回路２１０）の組成となっていた。Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｕ合金には、Ｃｕ3Ｓｎ１（Ｃｕ−Ｓｎ合金）、Ｃｕ6Ｓｎ5（Ｃｕ−Ｓｎ合金）、Ｃｕ：Ｓｎ：Ａｕ＝６：２：１の組成比の合金、Ｃｕ：Ｓｎ：Ａｕ＝１：３：２の組成比の合金などが認められた。また、フィレット部分には、Ｃｕ：Ｓｎ：Ａｕ＝３：１：１の合金が認められた。また、銅回路並びに銅ポストと銅−錫の合金の界面には、カーケンダールボイドと思われるボイドが認められた。
【００５３】
上記の結果から、ニッケル層２０５、２０９を形成することにより、Ｃｕ−Ｓｎ合金の成長を抑制できることは明らかであり、また、カーケンダールボイドの抑制効果も明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態による多層配線板製造用配線基板の製造方法の第１の例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態による多層配線板製造用配線基板の製造方法の第２の例を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態による第１の多層配線板製造用配線基板を用いた場合の、多層配線板の製造方法の例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態による第２の多層配線板製造用配線基板を用いた場合の、多層配線板の製造方法の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０１                金属箔
２０１                金属板
１０２、２０２        絶縁層
１０３、２０３        ビア
１０４、２０４        銅ポスト
１０５、２０５        ニッケル層
１０６、２０６        半田被膜
１０７、２０７        導体ポスト
１０８、２０９        ニッケル層
１０９、２０８        金皮膜
１１０、２１０        銅回路
１１１、２１１        導体回路
１１１ａ、２１１ａ    導体回路
１１２、２１２        接着剤層
１２０、２２０        多層配線板製造用配線基板
１３０、２３０        コア基板
１４０、２４０        多層配線板
【図１】
2004297053.tif 000003
【図２】
2004297053.tif 000004
【図３】
2004297053.tif 000005
【図４】
2004297053.tif 000006