(57)【要約】【課題】基板を持たない自立多層膜素子は破損しやすく視認しにくい為に、取り扱いが困難であるという問題があった。【解決手段】多層膜を具えた自立多層膜素子１であって、前記多層膜２面上の一部に、前記自立多層膜素子１を安全に保持し、且つ容易に視認するための補強部材３を布設している。又、補強部材３を磁性体で構成し、磁石で吸着出来るように構成する。【選択図】図１
2004251982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層膜を具えた自立多層膜素子であって、前記多層膜面上の一部に、補強部材が布設されていることを特徴とする自立多層膜素子。
【請求項２】
前記補強部材が前記多層膜面上の一つの端部近傍に布設されていることを特徴とする請求項１記載の自立多層膜素子。
【請求項３】
多層膜を具えた自立多層膜素子であって、前記多層膜面上の一部に磁性体を具え、磁石に前記磁性体を吸着させることによって前記磁石で前記自立多層膜素子を保持出来るように構成されていることを特徴とする自立多層膜素子。
【請求項４】
前記補強部材が磁性体を具え、磁石に前記磁性体を吸着させることによって前記磁石で前記自立多層膜素子を保持出来るように構成されていることを特徴とする請求項１、２何れかに記載の自立多層膜素子。
【請求項５】
請求項３、４何れか１項に記載の自立多層膜素子を保管又は運搬する為の容器であって、収納部と、蓋と、板磁石とを具え、前記自立多層膜素子を保持可能とすることを特徴とする容器。
【請求項６】
前記補強部材は不透明な部材であることを特徴とする請求項１、２、４の何れか１項に記載の自立多層膜素子。
【請求項７】
前記補強部材は金属膜であることを特徴とする請求項６に記載の自立多層膜素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板を持たない光通信用等の自立多層膜素子及び自立多層膜素子を保管又は運搬する為の容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ガラスやポリイミド等の樹脂基板面上に、高屈折率膜と低屈折率膜とを複数層真空蒸着法により多層膜を成膜し、光通信用のフィルタ等の光学素子が作製されている。
【０００３】
この光通信用のフィルタは、光ファイバの中途に設けられたギャップにセットして用いられる。光ファイバ間に於ける光の結合損失の低減の為に、光通信用のフィルタは通常はコリメータレンズと一緒に用いられる。しかしながら最近は低コスト化の為に、コリメータレンズを用いず、光ファイバや導波路に２０〜４０μｍの狭いギャップを設け、そこに薄いチップ状にした光通信用のフィルタを埋め込む方式が実用化され始めている。光の結合損失を減らす為にはこのギャップを出来るだけ狭くする必要があり、狭いギャップにこの光通信用のフィルタをセットする為に、光通信用フィルタの基板を出来るだけ薄くすることが要請されている。
【０００４】
しかしながら、従来、基板を薄くすると、ガラス基板の場合には基板の破壊の問題が発生したり、又、基板を薄くする技術に限界がある為に、光通信用のフィルタを充分に薄くできないという問題があった。
【０００５】
そこで、平面ガラス基板面上にアルミニウム薄膜を周知の方法で成膜し、このアルミニウム薄膜面上に多層膜をイオン衝撃装置を用いて成膜し、その後、アルミニウム膜を溶解して除去し、多層膜をガラス基板から分離することにより、基板を持たず、多層膜のみから成る光学素子（本明細書中、このように、基板を持たない光学素子を自立多層膜素子と総称する）を作製することが提案されている。（例えば特許文献１）
又、溶媒に対して可溶性の平面基板面上に多層膜を成膜し、その後、基板を溶媒で溶解することにより、多層膜のみから成る自立多層膜素子を作製することが提案されている。（例えば特許文献２）
このような自立多層膜素子は厚みが数μｍ〜数十μｍと薄いので、光通信に於いて光ファイバの中途に設けられたギャップを狭くすることができ、その結果、光の結合損失を低減させることが出来る。
【０００６】
【特許文献１】
特開平３−１９６００１号公報
【特許文献２】
特公平８−２７４０８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、自立多層膜素子は、ガラス基板面上にＡｌ、Ｃｒ、又はＣｕ等の金属膜を成膜し、その上に多層膜を成膜し、その後、この金属膜を酸やアルカリで溶かすことによって多層膜をガラス基板から剥離して作製される。
【０００８】
このようにして作製された自立多層膜素子は、厚みが数μｍ〜数十μｍと薄く、又材料が金属の酸化物等のセラミックであるので脆い。従って、従来の自立多層膜素子は極めて破損し易かった。
【０００９】
自立多層膜素子は破損しやすい為に、細いピンセットでつまんで取り扱うときに、破損することが多かった。又、視認しにくい為に、取り扱いに時間がかかり、又は正確な取り扱いが困難だった。これらのことは製造歩留りを低減させ、又は製造時間を長くするので、製造コストを上昇させていた。
【００１０】
本発明は以上の問題を解決し、取り扱いがし易い自立多層膜素子を提供することにある。
【００１１】
又、自立多層膜素子を容易に収納、脱着し、安全に保管、又は運搬することが出来る容器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決する為の手段】
以上の課題を解決する為に、本発明の第一の態様は、多層膜を具えた自立多層膜素子であって、前記多層膜面上の一部に、補強部材が布設されているものである。
【００１３】
本発明の第二の態様は、第一の態様に於いて、前記補強部材が前記多層膜面上の一つの端部近傍に布設されているものである。
【００１４】
本発明の第三の態様は、多層膜を具えた自立多層膜素子であって、前記多層膜面上の一部に磁性体を具え、磁石に前記磁性体を吸着させることによって前記磁石で前記自立多層膜素子を保持出来るように構成されているものである。
【００１５】
本発明の第四の態様は、第一の態様に於いて、前記補強部材が磁性体を具え、磁石に前記磁性体を吸着させることによって前記磁石で前記自立多層膜素子を保持出来るように構成されているものである。
【００１６】
本発明の第五の態様は、第三、又は第四の態様の自立多層膜素子を保管又は運搬する為の容器に於いて、収納部と、蓋と、板磁石とを具え、前記自立多層膜素子が具える磁性体を前記板磁石に吸着させることによって前記自立多層膜素子を前記保管又は運搬容器に保持可能とするものである。
【００１７】
本発明の第六の態様は、第一、第二、又は第四の態様に於いて、前記補強部材は不透明な部材であるものである。
【００１８】
本発明の第七の態様は、第六の態様に於いて、前記補強部材は金属膜であるものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
［第一実施形態］
図１は本実施形態の自立多層膜素子１を示す。
【００２０】
本実施形態の自立多層膜素子１は多層膜２と多層膜２面上の一つの端部近傍に布設された補強膜３とから構成される。この多層膜２は所望の光学特性を有し、基板を持たない自立膜とされている。
【００２１】
本実施形態の自立多層膜素子１の多層膜２は、異なる２種類以上の屈折率の膜を複数層積層した多層膜であり、好ましくは高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に複数層積層して構成される。ここで言う高屈折率膜は低屈折率膜よりも屈折率が高い膜の意味であり、低屈折率膜は高屈折率膜よりも屈折率が低い屈折率の膜の意味である。高屈折率膜の物質としては、酸化ニオブ、酸化ネオジム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化チタニウム、酸化ハフニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛等から選ばれた一つ以上が使用でき、又低屈折率膜の物質としては、酸化ケイ素、フッ化マグネシウム、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム等から選ばれた一つ以上が使用でき、使用波長に対して透明な物質であれば特に物質に制限は無い。
【００２２】
本実施形態の自立多層膜素子１の補強膜３は金属又は半導体の薄膜から構成され、自立多層膜素子１を部分的に厚くすることでその強度を増加させている。又、補強膜３は視認を容易にするために反射色が高彩度又は高明度であることが好ましい。補強膜３を高彩度又は高明度にする為にその材料を金属又は半導体から選ぶことが出来る。補強膜３の材料としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、又はこれらから選ばれた二つ以上を混合した材料群から選ばれた材料を用いることが好ましい。補強膜３は薄くしすぎると補強の目的を達成できず、厚くし過ぎると、膜応力の問題や製造コスト上昇の問題が生ずるので、好ましくなく、補強膜３の好ましい膜厚は０．１μｍ以上１００μｍ以下である。
【００２３】
本実施形態の自立多層膜素子１の補強膜３の位置は多層膜２面上の一つの端部の近傍に限らず、多層膜２面上の周囲の額縁状の位置の他どのような位置に形成しても良い。又、本実施形態の自立多層膜素子１は多層膜２の面上の一部に必ずしも層構造を有した補強膜３を布設する必要はなく、補強膜３の替わりに金属箔等の切片を多層膜２面上の一部に接着剤で貼り付けても良い。
【００２４】
本実施形態の自立多層膜素子１は、補強膜３の材料が金属又は半導体であるため、高明度又は高彩度であるので、視認が容易である。又、補強膜３によって多層膜２が補強されており、特に補強膜３を布設した部分の強度が大きくされているので、補強膜３を布設した部分をピンセット等で挟むことにより、自立多層膜素子１を確実に保持し、所望の場所に安全に運搬することができる。
【００２５】
図２〜図７は、本実施形態の自立多層膜素子１の作製法を示す図である。これらの図の例では３５個の自立多層膜素子１が作製される。尚、図２〜図７は第二実施形態の自立多層膜素子１０の作製法の説明にも共通に用いられる。
【００２６】
以下図２〜図７を参照して本実施形態の自立多層膜素子１の作製法を順に説明する。
（１）ガラス基板４面上にＡｌ膜５をスパッタ法により１００ｎｍ成膜し、その後、Ａｌ膜５面上に、１４００ｎｍ以下の波長をカットし、それ以上の波長を透過するエッジフィルターとして多層膜２を反応性スパッタ法により成膜する（図２）。表１に膜構成が示される。この多層膜２はＮｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２の交互層構成であり、光ファイバに設けられたギャップに接着剤で埋め込まれたときに所望の光学特性が得られるように設計されている。
【００２７】
【表１】
2004251982.tif 000003
【００２８】
本実施形態の自立多層膜素子１の多層膜２を成膜する反応性スパッタ装置は、図９に概要が示されるような１００ｍｍ×３６０ｍｍの大きさのターゲット３３を２枚使用するデュアルマグネトロンタイプであり、ターゲット３３とガラス基板４間距離は、約１２０ｍｍ、ガラス基板４の回転速度は１００ｒｐｍである。
【００２９】
図９の本実施形態の自立多層膜素子１の多層膜２を成膜する為の反応性スパッタ装置は、真空槽３０、真空排気系３１、交流デュアルカソードスパッタ源３２、左右の各々１００ｍｍ×３６０ｍｍの純度９９．９％の金属ニオブ（Ｎｂ）のターゲット３３、ターンテーブル３５、真空槽内の全圧を測定する真空計３６、アルゴンガス用流量制御バルブ３７、アルゴンガス供給源３８、酸素ガス用流量制御バルブ３９、酸素ガス供給源４０、圧力制御器４１から構成される。４はガラス基板である。尚、図９の反応性スパッタ装置は、不図示の位置に１００ｍｍ×３６０ｍｍの純度９９．９％の金属シリコン（Ｓｉ）のターゲットが２枚とこのターゲット用の交流デュアルカソードスパッタ源も具える。アルゴンガスは流量制御バルブ３７を介して真空槽３０に導入され、酸素ガスは流量制御バルブ３９を介して真空槽３０に導入される。圧力制御器４１は、真空計３６により検出された真空槽３０内の全圧力が所定圧力を保ち、且つ、アルゴンガスと酸素ガスの流量比が所定値を保つように、ガスの流量を調節する。
【００３０】
真空槽３０の全圧を所定値に制御した状態で、交流デュアルカソードスパッタ源３２の電源がＯＮして放電を開始し、金属ニオブターゲット３３から金属ニオブをスパッタさせる。本反応性スパッタ装置は、導入された酸素ガスがスパッタされた金属原子に化学的に作用し反応するので、金属をスパッタさせることにより、金属の酸化物薄膜をガラス基板面上に堆積させることができる。従って、金属ニオブターゲット３３をスパッタさせることにより、ガラス基板４面上に酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）層が堆積する。この交流デュアルカソードスパッタ源３２の電源は４０ｋＨｚの交流電源であり、２つのターゲット３３に対し２５μｓｅｃの周期で交互にスパッタリングを行なう。Ｎｂ２Ｏ５層が所定膜厚に達したら、成膜を終了させ、次には金属シリコン用の不図示の交流デュアルカソードスパッタ源をＯＮさせ、金属シリコン（Ｓｉ）をスパッタさせることにより、ガラス基板４面に２酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層が堆積する。ＳｉＯ２層が所定膜厚に達したら、成膜を終了させる。
【００３１】
以下に多層膜２の成膜手順を示す。
▲１▼ガラス基板４を反応性スパッタ装置にセットし、槽内を６×１０−４Ｐａ以下に排気し、且つガラス基板４を２００℃に加熱する。
▲２▼ＳｉＯ２層とＮｂ２Ｏ５層を、以下に示された成膜条件で、表１に示された厚みに成膜する。
【００３２】
ＳｉＯ２層：容積比でＡｒガスとＯ２ガスの２：１の混合ガスを槽内に導入し、圧力を０．２Ｐａに制御して、スパッタパワー約３ＫＷ、スパッタレート５オングストローム／秒で成膜する。
【００３３】
Ｎｂ２Ｏ５層：容積比でＡｒガスとＯ２ガスの２：１の混合ガスを槽内に導入し、圧力を０．２Ｐａに制御して、スパッタパワー約３ＫＷ、スパッタレート３．５オングストローム／秒で成膜する。
▲３▼所定の層数の成膜が終了したら、ガラス基板４を冷却し、その後、真空槽内を大気圧に戻し、ガラス基板４を取り出す。
（２）多層膜２面上にレジスト膜６をスピンコーターにて２０μｍ塗布し、マスクパターンをレジスト膜６上に投影し、レジスト膜６を露光後に現像することにより、多層膜２面上にストライプ状のレジスト膜パターン６を形成する（図３）。
（３）多層膜２を成膜するときに用いたものとは、ターゲット３３が純度９９．９％の金属ニオブ（Ｎｂ）ではなくて純度９９．９９９％の銅（Ｃｕ）である点でのみ異なる、図９で示されるようなデュアルマグネトロンタイプの反応性スパッタ装置を用い、ストライプ状のレジスト膜パターン６面上にＣｕ膜７を１０μｍ成膜する（図４）。
【００３４】
以下にＣｕ膜７の成膜手順を示す。
▲１▼ガラス基板４を反応性スパッタ装置にセットし、槽内を６×１０−４Ｐａ以下に排気する。ガラス基板４の温度は室温とする。
▲２▼Ａｒガスをスパッタ装置槽内に導入し、圧力を０．２Ｐａに制御して、スパッタパワー約３ＫＷ、スパッタレート約５オングストローム／秒でＣｕ膜を１００ｎｍ成膜する。
▲３▼成膜が終了したら、真空槽内を大気圧に戻し、ガラス基板４を取り出す。
（４）レジスト膜６をレジスト剥離剤で剥離し、多層膜２面上にストライプ状のＣｕ膜パターン７を形成する（図５）。
（５）ダイシングソーにより、多層膜２とＣｕ膜７とに切り込み８を入れる。切り込み８の深さは少なくともガラス基板４表面よりも深くされる。又、切り込み８の位置は、Ａｌ膜５面上に多層膜２とＣｕ膜７が形成された領域と、Ａｌ膜５面上に多層膜２が形成された領域との両方を含む領域を３５個区画するように決められる（図６）。
（６）ガラス基板４を１０重量％のＮａＯＨ水溶液に浸漬することにより、Ａｌ膜５を溶解して、ガラス基板４から多層膜２を剥離させる。このようにして多層膜２面上の一つの端部近傍にＣｕ膜７が布設された自立多層膜素子１が３５個作製される（図７）。
【００３５】
このようにして作製された自立多層膜素子１は、表面に形成されたＣｕ膜７が、赤茶色の反射色によって視認を容易にし、又、多層膜２を補強している。このような自立多層膜素子１は、ＮａＯＨ水溶液中で容易に視認でき、Ｃｕ膜７の部分をピンセット等で挟むことにより破壊させないで安全に拾い上げることが出来る。空気中に於いてもＮａＯＨ水溶液中と同様に容易に且つ安全に取り扱うことができる。
【００３６】
本実施形態の多層膜、２、補強膜３の成膜方法は反応性スパッタ法に限られものではない。
［第二実施形態］
図８は本実施形態の自立多層膜素子１０を示す。
【００３７】
本実施形態の自立多層膜素子１０は多層膜２と多層膜２面上の一つの端部近傍に布設された磁性体膜９とから構成される。又、多層膜２は所望の光学特性を有し、基板を持たない自立膜とされている。
【００３８】
本実施形態の自立多層膜素子１０の多層膜２は、第一実施形態の自立多層膜素子１で用いられるものと全く同じであるので、再度の説明は省略する。
【００３９】
本実施形態の自立多層膜素子１０の磁性体膜９は周知の磁性体膜用のターゲットからスパッタ成膜することにより形成される。磁性体膜９用のターゲット材としてはパーマロイ（Ｎｉ：８０ｗｔ％、Ｆｅ：２０ｗｔ％）、ＦｅＣｏ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＰｔ合金から選ばれた材料を用いることが好ましい。
【００４０】
本実施形態の自立多層膜素子１０が具える磁性体膜９を磁石に吸着させることが出来る。磁性体膜９は自立多層膜素子１０の中に固定されているので、磁石に磁性体膜９を吸着させることにより自立多層膜素子１０を吸着させて、磁石で自立多層膜１０を保持し、安全に運搬することができる。
【００４１】
又、本実施形態の自立多層膜素子１０の磁性体膜９は多層膜２面上の一つの端部近傍に布設され、金属光沢又は吸収色を呈しているので、作業場所に於ける自立多層膜素子１０の背景とのコントラストが高く、自立多層膜素子１０を視認することが容易である。更に、本実施形態の自立多層膜素子１０は、磁性体膜９を適切な膜厚にすることにより多層膜２を補強する効果を有するので、第一実施形態の自立多層膜素子１と同様な効果を有する。即ち、本実施形態の自立多層膜素子１０は、視認が容易であり、磁性体膜９を布設した部分をピンセット等で挟むことにより、自立多層膜素子１０を確実に保持し、所望の場所に安全に運搬することができる。
【００４２】
本実施形態の自立多層膜素子１０の磁性体膜９の位置は多層膜２面上の一つの端部の近傍に限らず、多層膜２面上の周囲の額縁状の位置の他どのような位置に形成しても良い。又、本実施形態の自立多層膜素子の磁性体膜を多層膜面上の一部に、他の一部に第一実施形態の自立多層膜素子の補強膜を設けても良い。更に、本実施形態の自立多層膜素子の磁性体膜と第一実施形態の自立多層膜素子の補強膜を多層膜面上の一部に積層的に設けても良い。
【００４３】
本実施形態の自立多層膜素子１０は、必ずしも磁性体膜９を多層膜２面上の一部に薄膜状にして布設する必要はなく、バルクの磁性体からチップ状に切り出した微小磁性体を多層膜２面上に接着しても良い。この場合は多層膜２を補強する効果を兼ねることは出来ない。
【００４４】
図１２は本実施形態の自立多層膜素子１０を取り扱う様子を示す図である。
【００４５】
図１２にて、１２は棒磁石、１０は自立多層膜素子である。取り扱いに際しては、棒磁石１２を手で持ち、その先端１３を自立多層膜素子１０の一つに近付ける。棒磁石１２の先端と自立多層膜素子１０の磁性体９との距離が限界値以下になると、磁性体９は棒磁石１２の先端１３に吸着し、その結果、自立多層膜素子１０は棒磁石１２に保持される。自立多層膜素子１０を棒磁石１２の先端１３に保持した状態で棒磁石１２を移動すれば、自立多層膜素子１０を保管又は運搬容器や光学装置等の所望の場所に運搬することができる。
【００４６】
ここで、棒磁石１２と磁性体９との吸着力は、自立多層膜素子１０の質量との比較で小さすぎると保持が不安定となり、安全に自立多層膜素子１０を運搬することができず、逆に大きすぎると脱着が困難となる。吸着力は自立多層膜素子１０の質量との関係で適切な大きさに調節される必要がある。
【００４７】
図２〜図７は、本実施形態の自立多層膜素子１０の作製法の一例を示す図である。これらの図の例では３５個の自立多層膜素子１０が作製される。
【００４８】
以下図２〜図７を参照して本実施形態の自立多層膜素子１０の作製法を順に説明する。第一実施形態と同様な部分については再度の説明を省略する。
（１）第一実施形態と同じ（図２）。
（２）第一実施形態と同じ（図３）。
（３）多層膜２を成膜するときに用いたものとは、ターゲット３３が純度９９．９％の金属ニオブ（Ｎｂ）ではなくてＦｅＣｏ合金（Ｆｅ：８０ｗｔ％、Ｃｏ：２０ｗｔ％）である点でのみ異なる、図９で示されるようなデュアルマグネトロンタイプの反応性スパッタ装置を用い、ストライプ状のレジスト膜パターン６面上に磁性体膜９としてＦｅＣｏ合金膜１１を１０μｍ成膜する（図４）。
【００４９】
以下にＦｅＣｏ合金膜１１の成膜手順を示す。
▲１▼ガラス基板４を反応性スパッタ装置にセットし、槽内を６×１０−４Ｐａ以下に排気する。ガラス基板４の温度は室温とする。
▲２▼Ａｒガスを反応性スパッタ装置槽内に導入し、圧力を０．２Ｐａに制御して、スパッタパワー約３ＫＷ、スパッタレート約３オングストローム／秒でＦｅＣｏ合金膜１１を１０μｍ成膜する。
▲３▼成膜が終了したら、真空槽内を大気圧に戻し、ガラス基板４を取り出す。
（４）レジスト膜６をレジスト剥離剤で剥離し、多層膜２面上にストライプ状のＦｅＣｏ合金膜パターン１１を形成する（図５）。
（５）ダイシングソーにより、多層膜２とＦｅＣｏ合金膜１１とに切り込み８を入れる。切り込み８の深さは少なくともガラス基板４表面よりも深くされる。又、切り込み８の位置は、Ａｌ膜５面上に多層膜２とＦｅＣｏ合金膜１１が形成された領域と、Ａｌ膜５面上に多層膜２が形成された領域とを含む領域を３５個区画するように決められる（図６）。
（６）ガラス基板４を１０重量％のＮａＯＨ水溶液に浸漬することにより、Ａｌ膜５を溶解して、ガラス基板４から多層膜２を剥離させる。このようにして多層膜２面上の一つの端部近傍にＦｅＣｏ合金膜１１が形成された自立多層膜素子１０が３５個作製される（図７）。
【００５０】
このようにして作製された自立多層膜素子１０は、表面に形成されたＦｅＣｏ合金膜１１が、その磁性により磁石で吸着される。ＦｅＣｏ合金膜１１は自立多層膜素子１０の中に固定されているので、磁石にＦｅＣｏ合金膜１１を吸着させることにより自立多層膜素子１０を吸着させて、磁石で自立多層膜１０を保持し安全に運搬することが出来る。
【００５１】
又、本実施形態の自立多層膜素子１０のＦｅＣｏ合金膜１１は多層膜２面上の一部に布設され、金属光沢を呈しているので、作業場所に於ける自立多層膜素子１０の背景とのコントラストが高く、自立多層膜素子１０を視認することが容易である。更に、本実施形態の自立多層膜素子１０は、ＦｅＣｏ合金膜１１により補強されている。このような自立多層膜素子１０は、ＮａＯＨ水溶液中で容易に視認でき、ＦｅＣｏ合金膜１１の部分を磁石で吸着させることによるばかりでなくピンセット等で挟むことにより自立多層膜素子１０破壊させないで安全に拾い上げることが出来る。空気中に於いてもＮａＯＨ水溶液中と同様に容易に且つ安全に取り扱うことができる。
【００５２】
本実施形態の多層膜２、磁性体膜９の成膜方法は反応性スパッタ法に限られるものではない。
［第三実施形態］
本実施形態は第一実施形態の自立多層膜素子を保管又は運搬する為の保管又は運搬容器１４であり、図１０、図１１に示される。図１０は本実施形態の保管又は運搬容器１４の組み立て図を示し、図１１は本発明の保管又は運搬容器１４内に自立多層膜素子１０を収納した状態を示す。
【００５３】
図１０にて、本実施形態の保管又は運搬容器１４は収納部１５と蓋１６と板磁石１７と蝶番１８とから構成される。板磁石１７は厚み方向に磁化されているので、表面と裏面とは極性が異なり、表面の全面又は裏面の全面に渡って同一極性である。この板磁石１７は容器１５の内部に取り付けられる。板磁石１７は容器１５の内部へビス止め等により固定しても良いが、容器１５の底面の少なくとも一部を軟鉄等の磁性体で構成すれば、板磁石１７の吸着力で容器１５に固定することができる。板磁石１７が内部に固定された容器１５は牒番１８の開閉により蓋１６を閉めた密閉状態にも、蓋１６を開けた開放状態にもすることができる。
【００５４】
本実施形態の保管又は運搬容器１４は以下のようにして使用される。
【００５５】
保管又は運搬容器１４への収納に際しては、先ず、既に図１２を参照して取り扱い方法を説明した方法で、棒磁石１２の先端１３に自立多層膜素子１０を保持した状態で棒磁石１２を移動し、保持した自立多層膜素子１０の磁性体９の下端を、蓋１６を開けた状態の保管又は運搬容器１４の板磁石１７の上面に近付ける。磁性体９と板磁石１７との吸引力が磁性体９と棒磁石１２との吸着力よりも大きくなる距離で、自立多層膜素子は棒磁石１２の先端を離れ、板磁石１７の表面に吸着され自立多層膜素子を保持可能とする。以上のようにして所望の個数の自立多層膜素子１０を板磁石１７に吸着、収納し、その後、蓋１６をして、保管、又は所望の場所に運搬する。
【００５６】
保管又は運搬容器１４からの脱着に際しては、蓋１６を開けた状態で脱着用棒磁石（不図指）を板磁石１７に吸着された自立多層膜素子１０に近付ける。磁性体９と脱着用棒磁石との吸引力が磁性体９と板磁石１７との吸着力よりも大きくなる距離で、自立多層膜素子１０は板磁石１７を離れ、脱着用棒磁石の先端に吸着される。ここで、脱着用棒磁石は棒磁石１２と同様の形状とされるが、脱着用棒磁石の吸引力は棒磁石１２の吸引力よりも強くされる。このようにして脱着用棒磁石の先端に自立多層膜素子１０を吸着させ保持した状態で、脱着用棒磁石を次の取り扱い位置へ移動する。
【００５７】
保管又は運搬容器１４から自立多層膜素子１０の脱着に際しては、勿論、上記の脱着用棒磁石を用いないで、ピンセット等で自立多層膜素子１０の補強された部分を挟むことによって保持して、次の取り扱い位置に移動しても良いことは言うまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、破壊しにくい為に、取り扱いがし易い自立多層膜素子を提供することができる。
【００５９】
又、本発明によれば、磁石で吸着させて保持できるので、取り扱いがし易い自立多層膜素子を提供することができる。
【００６０】
又、本発明によれば、自立多層膜素子を容易に収納、又は脱着し、安全に保管又は運搬できる容器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一実施形態の自立多層膜素子を示す。
【図２】第一、第二実施形態の自立多層膜素子１、１０の製造手順を示す。
【図３】第一、第二実施形態の自立多層膜素子１、１０の製造手順を示す。
【図４】第一、第二実施形態の自立多層膜素子１、１０の製造手順を示す。
【図５】第一、第二実施形態の自立多層膜素子１、１０の製造手順を示す。
【図６】第一、第二実施形態の自立多層膜素子１、１０の製造手順を示す。
【図７】第一、第二実施形態の自立多層膜素子１、１０の製造手順を示す。
【図８】第二実施形態の自立多層膜素子を示す。
【図９】第一、第二実施形態の自立多層膜素子１、１０を構成する多層膜、補強膜、磁性体膜を成膜する反応性スパッタ装置を示す。
【図１０】第三実施形態の保管兼運搬箱１４の部品構成を示す。
【図１１】第三実施形態の保管兼運搬箱１４に自立多層膜素子１０をセットした状態を示す。
【図１２】第二実施形態の自立多層膜素子１０の取り扱いの様子を示す。
【符号の説明】
１    第一実施形態の自立多層膜素子
２    多層膜（フィルタ）
３    補強部材（補強膜）
４    基板（ガラス基板）
５    Ａｌ膜
６    レジスト膜
７    Ｃｕ膜、又はＣｕ膜パターン
８    切り込み
９    磁性体（磁性体膜）
１０  第二実施形態の自立多層膜素子
１１  ＦｅＣｏ合金膜、又はＦｅＣｏ合金膜パターン
１２  棒磁石
１３  棒磁石の先端
１４  第三実施形態の保管又は運搬容器
１５  収納部
１６  蓋
１７  板磁石
１８  蝶番
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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