(57)【要約】【課題】高品質のナローバンドパスフィルタの製造が可能で、かつ多数の補正板を必要としない従来と同等大のイオンアシスト蒸着装置と方法を提供する。【解決手段】内部を実質的な真空状態に維持可能な真空チャンバＡと、該真空チャンバの内部で蒸発材料を蒸発する蒸発源と、該蒸発源から蒸発した前記蒸発材料が蒸着して薄膜が成膜される円板状の基材８を回転しながら保持する基材ホルダ１０ａとを有するイオンアシスト蒸着装置１００において、前記基材の半径方向における前記薄膜の膜厚分布を補正する補正板２３ａ及び２３ｂが変形可能に設けられている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を実質的な真空状態に維持可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発する蒸発源と、該蒸発源から蒸発した前記蒸発材料が蒸着して薄膜が成膜される円板状の基材を回転しながら保持する基材ホルダとを有するイオンアシスト蒸着装置において、
前記基材の半径方向における前記薄膜の膜厚分布を補正する補正板が変形可能に設けられている、イオンアシスト蒸着装置。
【請求項２】
前記補正板は、二以上の構成部材が連結されて構成され、連結長さが変化して変形可能である、請求項１記載のイオンアシスト蒸着装置。
【請求項３】
前記補正板は、二以上の構成部材が連結されて構成され、連結角度が変化して変形可能である、請求項１記載のイオンアシスト蒸着装置。
【請求項４】
前記補正板は、前記蒸発源と前記基材との間に進退可能である、請求項１記載のイオンアシスト蒸着装置。
【請求項５】
前記補正板は、前記基材の近傍に配置可能である、請求項１記載のイオンアシスト蒸着装置。
【請求項６】
前記蒸発源及び前記補正板を前記真空チャンバ内に各々二以上有し、前記蒸発材料を前記真空チャンバ内に所定の順番で拡散させて前記基材上に多層膜を成膜する、請求項１記載のイオンアシスト蒸着装置。
【請求項７】
内部を実質的な真空状態に維持可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発する蒸発源と、該蒸発源から蒸発した前記蒸発材料が蒸着して薄膜が成膜される円板状の基材を回転しながら保持する基材ホルダとを用いるイオンアシスト蒸着方法において、
前記基材の半径方向における前記薄膜の膜厚分布を変形可能な補正板を用いて補正する、イオンアシスト蒸着方法。
【請求項８】
前記補正板を、二以上の構成部材を連結して変形可能に構成して、連結長さを変化させる、請求項７記載のイオンアシスト蒸着方法。
【請求項９】
前記補正板を、二以上の構成部材を連結して変形可能に構成して、連結角度を変化させる、請求項７記載のイオンアシスト蒸着方法。
【請求項１０】
前記補正板を、前記蒸発源と前記基材との間に進退する、請求項７記載のイオンアシスト蒸着方法。
【請求項１１】
前記補正板を、前記基材の近傍に配置する、請求項７記載のイオンアシスト蒸着方法。
【請求項１２】
前記蒸発源及び前記補正板を前記真空チャンバ内で各々二以上用い、前記蒸発材料を前記真空チャンバ内に所定の順番で拡散させて前記基材上に多層膜を成膜する、請求項７記載のイオンアシスト蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空チャンバの内部で基材の表面に多層膜を成膜するイオンアシスト蒸着装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信ネットワークに要求される伝送容量は予想を遙かに上回るペースで増加している。そして、この要求に対応すべく、情報通信ネットワークの伝送容量を増加させる通信手段として、通信媒体として光を利用する光多重通信が好適に用いられている。この光多重通信では、多重化された光を一定の波長間隔で異なる波長帯域に分割するために、分光フィルタが用いられている。この分光フィルタは、光学ガラス等の基材の表面に所定の光学特性を有する多層膜が成膜され構成されている。前記多層膜を成膜する方法には様々な種類があるが、成膜速度が比較的早く、均質かつ膜応力が小さな多層膜が得られるイオンアシスト蒸着方法が好適に用いられている。ここで、イオンアシスト蒸着装置を用いた前記多層膜の成膜方法について以下に例示する。
【０００３】
イオンアシスト蒸着装置には、内部を実質的な真空状態に維持可能な真空チャンバが配設されている。この真空チャンバの内部には、五酸化タンタル及び二酸化珪素の二種類の蒸発材料を蒸発可能な蒸発源が配設されている。そして、多層膜を成膜する際には、真空チャンバ内を所定の減圧雰囲気とした後、前記蒸発源に電子ビームを照射して加熱することによって、各々の蒸発源から前記蒸発材料を蒸発させ、かつ真空チャンバの内部に交互に拡散させる。一方、真空チャンバの内部には、光学ガラス等の円板状の基材が装着された基材ホルダが配設されている。この基材ホルダは、前記円板状の基材の表面に成膜される多層膜の膜厚分布を周方向において均一化するために、所定の駆動装置によって回転駆動されている。その結果、基材の表面には、前記二種類の蒸発材料が交互に均一に蒸着する。そして、蒸着中において前記基材に向けてイオンビームを照射することによって、基材の表面には所定の光学特性を有する多層膜が成膜される。
【０００４】
尚、基材の表面に成膜される多層膜の膜厚分布を半径方向において均一化するための真空蒸着装置及び方法としては、蒸発源の種類に応じた所定の形状を有する補正板を複数枚準備し、その複数の補正板を所定の回転軸の周囲に並べて固着して補正板群を構成し、蒸着中において基材と蒸発源との間に蒸発源の種類に応じた補正板を、前記回転軸を回転させて配設して、前記多層膜を成膜する真空蒸着装置及び方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−１７２９９８号公報（第４−５頁、第７−８図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年では、光多重通信のナローバンド化が急速に進められている。このナローバンド化された光多重通信においては、分光フィルタとして、ナローバンドパスフィルタが用いられる。このナローバンドパスフィルタは、高度に多重化された光を所定の波長帯域に精密に分割することが可能な分光特性を備える分光フィルタの一種である。そして、このナローバンドパスフィルタを製造するためには、ナローバンドパスフィルタの多層膜を構成する各薄膜の膜厚を、少なくとも誤差千分の一ｍｍ以下の成膜精度で成膜する必要がある。又、このナローバンドパスフィルタには分光特性の異なる様々な種類が要求されているが、その種類に応じて様々な種類の蒸発源を使用する場合においても、前記成膜精度を確保する必要がある。
【０００７】
しかしながら、例えば、複数の補正板を用いて前記ナローバンドパスフィルタを製造しようとすると、ナローバンドパスフィルタの製造においては前述の如く様々な種類の蒸発源を使用するため、蒸発源の種類に応じて補正板を多数作成しなければならない。又、前記補正板群を格納するための補助槽を真空チャンバに設けるため、真空蒸着装置が大型化する。そして、前記課題の如く補正板を多数作成し前記補正板群が大型化した場合には、その大型化した補正板群を格納するための補助槽も大型化するため、真空蒸着装置はより一層大型化する。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、所定の分光特性を有する高品質のナローバンドパスフィルタの製造が可能で、かつ多数の補正板を必要としない従来と同等大のイオンアシスト蒸着装置と方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明に係るイオンアシスト蒸着装置は、内部を実質的な真空状態に維持可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発する蒸発源と、該蒸発源から蒸発した前記蒸発材料が蒸着して薄膜が成膜される円板状の基材を回転しながら保持する基材ホルダとを有するイオンアシスト蒸着装置において、前記基材の半径方向における前記薄膜の膜厚分布を補正する補正板が変形可能に設けられている。
【００１０】
又、本発明に係るイオンアシスト蒸着方法は、内部を実質的な真空状態に維持可能な真空チャンバと、該真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発する蒸発源と、該蒸発源から蒸発した前記蒸発材料が蒸着して薄膜が成膜される円板状の基材を回転しながら保持する基材ホルダとを用いるイオンアシスト蒸着方法において、前記基材の半径方向における前記薄膜の膜厚分布を変形可能な補正板を用いて補正する。
【００１１】
このような構成とすることにより、従来から使用している真空チャンバを、特にその構造及び構成を変更すること無く利用することができる。又、多数の補正板を必要とせず、従って、真空チャンバに補正板を格納するための補助槽を設ける必要は無い。その結果、イオンアシスト蒸着装置の大型化を回避することが可能になる。
【００１２】
又、基材の半径方向における薄膜の膜厚分布を、蒸発源の種類に応じて補正板を変形させることによって適正に補正することができる。その結果、品質の良い分光フィルタを製造することが可能になる。
【００１３】
前記補正板は、二以上の構成部材が連結されて構成され、連結長さが変化して変形可能であっても良い。
【００１４】
又、前記補正板を、二以上の構成部材を連結して変形可能に構成して、連結長さを変化させても良い。
【００１５】
前記補正板は、二以上の構成部材が連結されて構成され、連結角度が変化して変形可能であっても良い。
【００１６】
又、前記補正板を、二以上の構成部材を連結して変形可能に構成して、連結角度を変化させても良い。
【００１７】
このような構成とすることにより、蒸発源の種類に応じて、補正板の形状を任意に変形させることができる。その結果、蒸発源の種類毎に多数の補正板を準備する必要が無くなる。又、蒸発源の種類に応じた最適な形状を有する補正板の準備が容易に行われ得る。
【００１８】
又、蒸発源から蒸発した蒸発材料の拡散状態を直接的に制御可能となり、基材の表面に蒸着する蒸発材料の蒸着量を蒸発源の種類に応じて適正に補正することができる。その結果、基材の半径方向における薄膜の膜厚分布を効果的に補正することが可能になる。
【００１９】
前記補正板は、前記蒸発源と前記基材との間に進退可能であっても良い。
【００２０】
又、前記補正板を、前記蒸発源と前記基材との間に進退しても良い。
【００２１】
このような構成とすることにより、補正板を使用しない場合、その使用しない補正板への蒸発材料の蒸着を防止することができる。その結果、蒸発源の種類に応じて設定された補正板の形状を長期に渡って維持することが可能になる。
【００２２】
又、使用しない補正板を蒸発源と基材との間から退避させることによって、使用する補正板の補正効果が阻害されることを防止できる。その結果、基材の半径方向における薄膜の膜厚分布を補正板によって適正に補正することが可能になる。
【００２３】
前記補正板は、前記基材の近傍に配置可能であっても良い。
【００２４】
又、前記補正板を、前記基材の近傍に配置しても良い。
【００２５】
このような構成とすることにより、基材の表面に成膜される薄膜の膜厚分布の補正に対する補正板の形状の効果を、より一層効果的に作用させることができる。その結果、基材の表面に蒸着する蒸発材料の蒸着量及び分布をより一層効果的に補正することが可能になる。
【００２６】
前記蒸発源及び前記補正板を前記真空チャンバ内に各々二以上有し、前記蒸発材料を前記真空チャンバ内に所定の順番で拡散させて前記基材上に多層膜を成膜しても良い。
【００２７】
又、前記蒸発源及び前記補正板を前記真空チャンバ内で各々二以上用い、前記蒸発材料を前記真空チャンバ内に所定の順番で拡散させて前記基材上に多層膜を成膜しても良い。
【００２８】
このような構成とすることにより、各蒸発源から蒸発する各々の蒸発材料について、基材の表面に蒸着する蒸発材料の蒸着量及び分布を補正板によって各々補正することができる。その結果、所定の光学特性を備える高品質なナローバンドパスフィルタを歩留まり良く製造することが可能になる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３０】
先ず、本発明の実施の形態に係るイオンアシスト蒸着装置１００の構成について説明する。
【００３１】
図１及び図２は、本発明の実施の形態に係るイオンアシスト蒸着装置１００の構成を表す図である。尚、図１はイオンアシスト蒸着装置１００の正面視断面図である。又、図２はイオンアシスト蒸着装置１００の側面視断面図である。
【００３２】
図１及び図２に示すように、イオンアシスト蒸着装置１００は、図示されない真空ポンプ等により内部の気体が排出され、その内部を所定の気圧にて維持することが可能な真空チャンバＡを備えている。
【００３３】
この真空チャンバＡは、その底部が真空チャンバ用架台Ｄに固定されている。又、真空チャンバＡの天井壁の中央部には開口部４０ａが設けられ、その開口部４０ａに内孔が連続するように筒状の連結部材１２が前記天井壁の上面に立設されている。連結部材１２の上端部には、円筒状のケーシング１３が上方に延びるように配設されている。このケーシング１３は、連結部材１２と同軸状に配置され、下端部に設けられたフランジによって、連結部材１２の上端面上に取り付けられている。又、このケーシング１３には、基材支持体１０が取り付けられている。即ち、基材支持体１０は、上下方向に延びる円筒状の中空回転軸１０ｂと該中空回転軸１０ｂの下端に取り付けられた基材ホルダ１０ａとを有して構成され、前記中空回転軸１０ｂがケーシング１３の内孔に嵌挿されかつ該ケーシング１３の内周面に配設された軸受け１５によって回動自在に支持されている。これにより、基材支持体１０がケーシング１３に取り付けられている。尚、基材ホルダ１０ａは、その下端に基材８が実質的に水平な状態で装着可能なように構成されている。基材８は、ここでは円形の板材、例えば円形の光学ガラス基板で構成されている。そして、この基材８は、被成膜面を下方に向けて、前記基材ホルダ１０ａに装着される。
【００３４】
一方、ケーシング１３の上端には、センサ支持体１１が取り付けられている。このセンサ支持体１１は、センサ取り付け部１１ａと基部１１ｂとを有して構成されている。そして、基部１１ｂの段差面がケーシング１３の上端面に当接するようにして、該基部１１ｂが前記ケーシング１３に取り付けられ、かつ基部１１ｂは中空回転軸１０ｂの内孔に挿通されている。この基部１１ｂの下端には、センサ取り付け部１１ａが取り付けられている。そして、そのセンサ取り付け部１１ａの下端中央部には、光モニタ受光部９が配設されている。この光モニタ受光部９には、後述する光モニタ投光部１より投光され、基材８を透過した光を受光することによる電気信号が発生する。そして、光モニタ受光部９に発生する前記電気信号は基材８の表面に成膜される多層膜の膜厚に関する情報を含んでいるため、その電気信号を解析するにより、基材８に成膜された多層膜の膜厚を間接的に測定することができる。そして、以上のようにして、基材回転装置２０が構成されている。尚、光モニタ受光部９に発生する電気信号は、基部１１ｂの内側の信号線１４を経由して真空チャンバＡの外部に導かれ、イオンアシスト蒸着装置の制御装置２００に入力され、そこで解析が行われる。
【００３５】
真空チャンバＡの下部には、光モニタ投光部用架台Ｃ上の、光モニタ受光部９の受光ヘッド９ａと対向する位置に、光モニタ投光部１が配設されている。尚、光モニタ投光部用架台Ｃと真空チャンバ用架台Ｄとは、設置用縦枠Ｂに相互に略平行に固定されている。
【００３６】
又、図１に示すように、光モニタ投光部１の右側及び左側の所定の位置には、真空チャンバＡの底面からの距離が双方共に略等しくかつ所定の距離を隔てて、二種類の蒸発源３ａ及び３ｂが各々配設されている。これらの蒸発源３ａ及び３ｂは、ルツボ５ａ及び５ｂと、図示されない電子銃と、図示されない蒸発物質とを備えて構成されている。尚、ルツボ５ａ及び５ｂの上部には前記蒸発物質が置かれており、前記電子銃から出射された電子ビームがその蒸発物質に照射されるよう構成されている。これによって、前記二種類の蒸発源からは蒸発材料が各々蒸発する。
【００３７】
又、蒸発源３ａ及び３ｂの各々の上方には、遮蔽板４ａ及び４ｂが設けられている。この遮蔽板４ａ及び４ｂは、蒸発源３ａ及び３ｂの上部から所定の距離を隔て支柱６ａ及び６ｂを回転中心として揺動可能に配設されている。
【００３８】
図２に示すように、ここでは図示されない蒸発源３ａ及び３ｂの双方から略等しい距離を隔てた位置に、イオンガン７が配設されている。このイオンガン７には、イオンビームを発射するための図示されないグリッド穴が設けられている。そして、このイオンガン７は、そのグリッド穴を基材８の方向に向けるようにして、真空チャンバＡの底面に対して一定の角度θで傾斜して固定されている。
【００３９】
一方、真空チャンバＡには、前記基材回転装置２０に隣接して、二つの膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂが配設されている。これらの膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂは、連結部材１６ａ及び１６ｂを介して真空チャンバＡの天井壁上に固定されている。これらの膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂは、後述する補正板２３ａ及び２３ｂと、回転軸２２ａ及び２２ｂと、駆動機構２１ａ及び２１ｂとを備えて構成されている。即ち、膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂの各々の上部には駆動機構２１ａ及び２１ｂが設けられており、この駆動機構２１ａ及び２１ｂからは回転軸２２ａ及び２２ｂが下方に延出している。そして、この回転軸２２ａ及び２２ｂは開口部４０ｂ及び４０ｃを挿通し、その下端には、回転軸２２ａ及び２２ｂと直角にかつ基材８と略平行となるようにして、補正板２３ａ及び２３ｂが所定の固定手段によって固定されている。この補正板２３ａ及び２３ｂは、各々の補正部が基材８の中心に届くような長さを有している。尚、補正板２３ａ及び２３ｂの下側には、補正板２３ａ及び２３ｂに蒸発材料が蒸着することを防止するための、ここでは図示されない遮蔽カバーが設けられている。つまり、膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂの未使用時には、補正板２３ａ及び２３ｂは、その遮蔽カバーの上側に位置する。
【００４０】
ここで、膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂの構成要素である補正板２３ａ及び２３ｂの構造について説明する。
【００４１】
図３は、本発明の実施の形態に係る補正板２３ａ及び２３ｂの構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿った断面図である。尚、補正板２３ａ及び２３ｂは共に同様の構造を有しているため、図３では補正板２３ａのみを示している。又、図３に示す補正板２３ａは、ここでは直線状に固定された形態が示されている。
【００４２】
図３に示すように、補正板２３ａは、先端板６０と、第一の連結部材７０と、第二の連結部材８０とを有して構成されている。
【００４３】
先端板６０は、略矩形状に形成された固定部６０ｂと、その幅が基端から先端に向け徐々に広がり、中央部で最大となり、そこから徐々に狭まり、先端が尖るように形成されたローソクの炎状の形状を有する補正部６０ａとを有している。これらの固定部６０ｂと補正部６０ａとは共に略一定の厚みを有しており、一体形成されている。先端板６０の固定部６０ｂの略中央部には、第一の固定ボルトａの軸部が隙間を有して挿通可能な、固定部６０ｂの長軸方向に延びた長孔状の挿通孔６０１が形成されている。この挿通孔６０１の短軸方向における孔幅は、前記第一の固定ボルトａの頭部の実効径よりも小さく形成されている。
【００４４】
一方、第一の連結部材７０は、略一定の幅でかつ所定の長さで形成されており、平板状の薄板部７０ｂと、厚板部７０ａとを有して構成されている。この第一の連結部材７０の厚板部７０ａには、第一の所定位置に、前記第一の固定ボルトａの軸部が螺合可能である螺合孔７０４が形成されている。又、この厚板部７０ａの第二の所定位置には、第二の固定ボルトｂの軸部が螺合可能な螺合孔７０２が形成されている。又、この第一の連結部材７０の薄板部７０ｂには、第三の所定位置に、第三の固定ボルトｃの軸部が隙間を有して挿通可能な挿通孔７０３が形成されている。この挿通孔７０３は、全体として第一の連結部材７０の幅方向に延びるように形成され、かつその短軸方向における孔幅は、前記第三の固定ボルトｃの頭部の実効径よりも小さく形成されている。又、第一の連結部材７０の厚板部７０ａ上面には、その一方の側部の所定位置から、略一定の厚みで形成された位置決め部７０１が、略一定の高さとなるようにして上方に延出している。この位置決め部７０１には、前記先端板６０の固定部６０ｂの側部に設けられている切欠部６０２が嵌合する。
【００４５】
一方、第二の連結部材８０は、平面視において矩形形状を有し、かつ略一定の厚みの平板で構成されている。この第二の連結部材８０には、前記第二の固定ボルトｂの軸部が隙間を有して挿通可能な挿通孔８０３と、前記第三の固定ボルトｃの軸部が螺合可能な螺合孔８０２とが、前記螺合孔７０２と前記挿通孔７０３とに対応する位置に各々形成されている。尚、第二の連結部材８０の端部には、補正板２３ａ及び２３ｂを膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂの回転軸２２ａ及び２２ｂに固定するための固定孔８０１が形成されている。前記補正板２３ａ及び２３ｂは、所定の固定手段によって回転軸２２ａ及び２２ｂの下端に繋止される。
【００４６】
このように構成された先端板６０、第一の連結部材７０及び第二の連結部材８０は、第一の固定ボルトａ、第二の固定ボルトｂ及び第三の固定ボルトｃが図３に示すように各々対応する螺合孔７０４、螺合孔７０２及び螺合孔８０２に螺合することによって各々相互に連結され、これによって補正板２３ａ及び２３ｂが構成されている。そして、このように構成された補正板２３ａ及び２３ｂでは、第一の固定ボルトａを緩めることによって、前記切欠部６０２が前記位置決め部７０１に当接した状態において、先端板６０が長手方向に移動可能、即ち、進退自在となる。又、第三の固定ボルトｃを緩めることによって、第一の連結部材７０は、第二の固定ボルトｂの中心軸を回動中心とする回動が自在になる。補正板２３ａ及び２３ｂが前記の如く変形可能に構成されているのため、補正板２３ａ及び２３ｂの形状を、前記蒸発源３ａ及び３ｂから蒸発しかつ真空チャンバの内部に拡散する各蒸発材料の種類に応じて、適切な形状に変形（ここでは、位置及び姿勢に変化）させることが可能になる。例えば、補正板２３ａの形状を、前記五酸化タンタルからなる薄膜の膜厚を基材８の半径方向において均一化し得る形状とし、又、補正板２３ｂの形状を、前記二酸化珪素からなる薄膜の膜厚を基材８の半径方向において均一化し得る形状とすることが可能になる。
【００４７】
尚、本発明の実施の形態に係るイオンアシスト蒸着装置１００には、真空チャンバＡ及び制御装置２００の他に、前述の如く図示されない真空ポンプが設けられている。この真空ポンプは図示されない配管を介して真空チャンバＡと接続されており、真空チャンバＡの内部の気体を排出することによって、その内部を所定の気圧に調整できるよう構成されている。
【００４８】
次に、本発明の実施の形態に係るイオンアシスト蒸着装置１００を用いた多層膜の成膜方法例について説明する。
【００４９】
イオンアシスト蒸着装置１００を立ち上げる際には、先ず、イオンガン７から発射するイオンビームの基材８に対する照射条件を設定する。そして、イオンビームの照射条件が設定された後、基材ホルダ１０ａに、多層膜を形成するための基材８を装着し、真空ポンプを作動させて真空チャンバＡの内部から気体を排出し、真空チャンバＡの内部が所定の圧力となるように調整する。真空チャンバＡの内部が所定の圧力に調整された後、基材ホルダ１０ａを回転し、基材８を一定の回転数で回転させる。この操作は、蒸発源３ａ及び３ｂから蒸発した蒸発材料が該蒸発源３ａ及び３ｂへの電子ビームの照射位置からの距離に依存する分布形態に応じて拡散されるため、基材８上への蒸発材料の蒸着量を基材８の周方向において均一化するための操作である。そして、二つの蒸発源３ａ及び３ｂに電子銃から発射される電子ビームを照射し加熱することによって、これらの蒸発源から蒸発材料を各々蒸発させる。このとき、五酸化タンタル及び二酸化珪素の二種類の蒸発材料を真空チャンバＡの内部に交互に拡散させるようにする。これは、例えば、基材８に蒸発源３ａから蒸発する蒸発材料を蒸着させない場合には、遮蔽板４ｂを蒸発源３ｂの上方より退避させかつ蒸発源３ａの上方に遮蔽板４ａを覆うように駆動し、逆に、蒸発源３ａから蒸発する蒸発材料を蒸着させる場合には、遮蔽板４ｂを蒸発源３ｂの上方を覆うように駆動させかつ蒸発源３ａの上方より遮蔽板４ａを退避させるように駆動することにより行う。尚、基材８の蒸着面上に所定の光学特性を有する多層膜を成膜するためには、前記の如く二種類の蒸発材料を真空チャンバの内部に交互に拡散させる際に、基材８に向けて前記イオンガン７から前記イオンビームを照射する。この操作によって、基材８の表面に蒸着する蒸発材料はイオンビームによって物理的に押し固められ、その結果、所定の光学特性を有する緻密な状態の多層膜が得られるようになる。尚、上記の成膜工程においては、多層膜の成膜状況が光モニタ受光部９により監視されることによって行われる。
【００５０】
ここで、上記成膜中においては、基材８の蒸着面上に成膜される多層膜を構成する各薄膜の膜厚を基材８の半径方向において均一化するために、膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂが用いられる。以下、成膜中における膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂの動作について説明する。
【００５１】
図４は、本発明の実施の形態に係る補正板２３ａ及び２３ｂと基材８との配置関係を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【００５２】
図１〜図４に示すように、膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂを作動させ、真空チャンバＡの内部に拡散する蒸発材料の種類に応じて駆動機構２１ａ又は２１ｂにより回転軸２２ａ又は２２ｂを回転させることによって、補正板２３ａ又は２３ｂを基材８の下方に位置させる。具体的には、補正板２３ａによって五酸化タンタルからなる薄膜の膜厚を基材８の半径方向において均一化する場合、真空チャンバＡの内部に蒸発した五酸化タンタルを拡散させながら、駆動機構２１ａを駆動させて回転軸２２ａを回転させ、それによって補正板２３ａを基材８の下方に位置させる。又、補正板２３ｂによって二酸化珪素からなる薄膜の膜厚を基材８の半径方向において均一化する場合には、真空チャンバＡの内部に蒸発した二酸化珪素を拡散させながら、駆動機構２１ｂを駆動させて回転軸２２ｂを回転させ、それによって補正板２３ｂを基材８の下方に位置させる。つまり、成膜中において、各々適正な形状とされた補正板２３ａと補正板２３ｂとを真空チャンバＡの内部に拡散する蒸発材料の種類に応じて使い分けることによって、各々の蒸発材料からなる薄膜の膜厚分布を基材８の半径方向において補正する。尚、膜厚分布補正装置３０ａ及び３０ｂの制御は作業者が制御装置２００を操作することによって行っても良いが、例えば真空チャンバＡの内部に拡散させる蒸発材料を切り換える電気信号をトリガとして、制御装置２００によって自動制御するようにしても良い。前記電気信号としては、光モニタ受光部９の出力信号に基づく電気信号の適用が望ましい。又、補正板２３ａ又は２３ｂは、基材８の近傍に位置させることが望ましい。補正板２３ａ又は２３ｂをそのように位置させることによって、膜厚分布の均一化に対して補正板２３ａ又は２３ｂの形状の効果がより一層高められるからである。
【００５３】
以上に述べた成膜方法によって、蒸発源３ａ及び３ｂから蒸発した各々の蒸発材料は真空チャンバＡの内部に交互に拡散し、基材８の表面には、所定の光学特性を有する多層膜が基材８の全面（周方向及び半径方向）に渡って均一な膜厚で成膜されるようになる。尚、図５は、本発明の実施の形態に係る補正板２３ａ及び２３ｂの効果を概念的に示す模式図である。図５において、横軸は基材８の直径方向における膜厚測定位置を示し、縦軸はその膜厚測定位置における膜厚を示している。即ち、図５では、基材８の表面に成膜される薄膜の膜厚分布を表している。尚、曲線Ｉは、補正板２３ａ及び２３ｂを用いない場合の膜厚分布を示している。又、曲線ＩＩは、補正板２３ａ又は２３ｂを用いた場合の膜厚分布を示している。そして、図５の曲線Ｉに示すように、補正板２３ａ及び２３ｂを用いない場合には、基材８における薄膜の膜厚分布は、基材８の中心から外周にかけて、中心部で薄く、途中で厚く、外周で薄くなるように滑らかに変化するような膜厚分布となる。一方、図５の曲線ＩＩに示すように、補正板２３ａ及び２３ｂを用いる場合には、補正板２３ａ及び２３ｂの各補正部６０ａが前述の如くローソクの炎状の形状を有しているため、それによって基材８への蒸発材料の蒸着量が補正され、補正板２３ａ及び２３ｂを用いない場合の膜厚分布を平坦化するように補正が行われる。このように、多層膜の成膜中において補正板２３ａ及び２３ｂを用いることにより、基材８の蒸着面上にはその半径方向において均一な膜厚の所定の光学特性を有する多層膜が成膜されるようになる。
【００５４】
本発明の実施の形態では、イオンアシスト蒸着装置１００の真空チャンバＡの内部に、蒸発材料の種類に応じて形状の変更が可能な補正板２３ａ及び２３ｂが配設されているので、蒸発材料の種類毎に多数の補正板を準備する必要が無い。又、それらの複数の補正板を格納するための補助槽を前記真空チャンバＡに設ける必要も無い。そのため、従来の技術として記載した前記補正板群を構成する必要は無く、又、イオンアシスト蒸着装置１００が大型化することを防止することが可能になる。又、本発明の実施の形態で示したイオンアシスト蒸着装置１００を用いることによって、蒸発源の種類に関係無く、基材の多くの領域において、ナローバンドパスフィルタを製造するために必要な成膜精度を確保することが可能になる。又、製造バッチ間に渡っても前記成膜精度を確保することが可能になる。
【００５５】
尚、以上の説明では、イオンアシスト蒸着装置１００についての一例を取り上げて説明したが、イオンプレーティング等により成膜する装置であっても、更に他の方法が採用される装置であっても、本発明を実施又は応用することが可能である。又、補正板２３ａ及び２３ｂの形状は、適宜、変更可能である。
【００５６】
【発明の効果】
本発明は以上に述べたような形態で実施され、所定の分光特性を有する高品質のナローバンドパスフィルタの製造が可能で、かつ多数の補正板を必要としない従来と同等大のイオンアシスト蒸着装置と方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るイオンアシスト蒸着装置の正面視断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るイオンアシスト蒸着装置の側面視断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る補正板の構造を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線に沿った断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る補正板と基材との配置関係を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る補正板の効果を概念的に示す模式図である。
【符号の説明】
１  光モニタ投光部
２  投光ヘッド
３ａ  蒸発源
３ｂ  蒸発源
４ａ  遮蔽板
４ｂ  遮蔽板
５ａ  ルツボ
５ｂ  ルツボ
６ａ  支柱
６ｂ  支柱
７  イオンガン
８  基材
９  光モニタ受光部
９ａ  受光ヘッド
１０  基材支持体
１０ａ  基材ホルダ
１０ｂ  中空回転軸
１１  センサ支持体
１１ａ    センサ取り付け部
１１ｂ  基部
１２  連結部材
１３  ケーシング
１４  信号線
１５  軸受け
１６ａ  連結部材
１６ｂ  連結部材
２０  基材回転装置
２１ａ  駆動機構
２１ｂ  駆動機構
２２ａ  回転軸
２２ｂ  回転軸
２３ａ  補正板
２３ｂ  補正板
３０ａ  膜厚分布補正装置
３０ｂ  膜厚分布補正装置
４０ａ  開口部Ａ
４０ｂ  開口部Ｂ
４０ｃ  開口部Ｃ
６０  先端板
６０ａ  補正部
６０ｂ  固定部
６０１  挿通孔
６０２  切欠部
７０  第一の連結部材
７０ａ  厚板部
７０ｂ  薄板部
７０１  位置決め部
７０２  螺合孔
７０３  挿通孔
７０４  螺合孔
８０  第二の連結部材
８０１  固定孔
８０２  螺合孔
８０３  挿通孔
１００  イオンアシスト蒸着装置
２００  制御装置
Ａ  真空チャンバ
Ｂ  設置用縦枠
Ｃ  光モニタ投光部用架台
Ｄ  真空チャンバ用架台
ａ  第一の固定ボルト
ｂ  第二の固定ボルト
ｃ  第三の固定ボルト
ｄ  中心軸
θ  角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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