(57)【要約】【課題】遠赤外光の波長スペクトルを容易に制御することが可能な遠赤外光発生装置を提供する。【解決手段】遠赤外光の発生に用いられるパルス励起光を供給するレーザ光源１と、非線形光学結晶４０を有する遠赤外光発生部４とによって遠赤外光発生装置を構成し、レーザ光源１からの励起光を結晶４０へと入射して、光整流効果により遠赤外光を発生させる。また、レーザ光源１から遠赤外光発生部４への導光部２において、１／２波長板などの偏光制御素子を有する偏光制御部３を設置する。そして、偏光制御部３で励起光の偏光状態を制御することによって、非線形光学結晶４０で発生する遠赤外光の波長スペクトルを制御する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠赤外光の発生に用いられる所定波長の励起光を供給する励起光供給手段と、
前記励起光供給手段から供給された前記励起光を入射して、その偏光が所定の偏光となるように制御する偏光制御手段と、
非線形光学結晶を有し、前記偏光制御手段で偏光が制御された前記励起光を前記非線形光学結晶に入射して遠赤外光を発生する遠赤外光発生手段と
を備え、前記偏光制御手段での前記励起光の偏光の制御によって、前記遠赤外光発生手段で発生する前記遠赤外光の波長スペクトルを制御することを特徴とする遠赤外光発生装置。
【請求項２】
前記偏光制御手段は、１／２波長板、ソレイユ−バビネ位相補償板、ポッケルスセルの少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１記載の遠赤外光発生装置。
【請求項３】
前記非線形光学結晶は、前記励起光の進行方向に対して垂直な面内において屈折率分布を有することを特徴とする請求項１または２記載の遠赤外光発生装置。
【請求項４】
前記励起光供給手段は、前記励起光としてフェムト秒パルスレーザ光を供給するパルスレーザ光源であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の遠赤外光発生装置。
【請求項５】
前記遠赤外光発生手段で発生された前記遠赤外光の一部を検出する遠赤外光検出手段を備え、前記遠赤外光検出手段による検出結果に基づいて、前記偏光制御手段による前記偏光の制御条件を設定または変更することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の遠赤外光発生装置。
【請求項６】
前記遠赤外光発生手段で発生された前記遠赤外光が照射される試料に対して設置された反応計測手段による前記試料での反応の計測結果に基づいて、前記偏光制御手段による前記偏光の制御条件を設定または変更することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の遠赤外光発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、遠赤外光を発生する遠赤外光発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
短パルス光を励起光とした遠赤外光の発生では、従来、非線形光学結晶での光整流効果を利用する方法が広く用いられている。レーザ光源からのパルス励起光を非線形光学結晶へと入射させると、結晶内において光整流効果が生じる。このとき、所定の波長スペクトルを有するパルス励起光の各波長成分により、差の周波数成分に対応する遠赤外光が発生する。
【０００３】
この光整流効果は、２次の受動非線形光学効果である差周波混合で、入射する光の周波数差を限りなく近づけた場合に相当する。このような効果を利用して、上記のように励起光を結晶に入射して遠赤外光を発生させることで、遠赤外光発生装置を実現することができる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
Ｒ．Ａ．Ｋａｉｎｄｌ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ｆｅｍｔｏｓｅｃｏｎｄ  ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｐｕｌｓｅｓ  ｔｕｎａｂｌｅ  ｆｒｏｍ  ９  ｔｏ  １８  μｍ  ａｔ  ａｎ  ８８−ＭＨｚ  ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ  ｒａｔｅ”，  Ｏｐｔｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  Ｖｏｌ．２３，  ｐｐ．８６１−８６３  （１９９８）．
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
遠赤外の波長領域には、分子の振動、回転などの様々な準位が存在しているといわれており、遠赤外光を用いることにより、これらの準位に関する計測を行うことができる。このような計測に遠赤外光発生装置を適用する場合、計測対象に適した波長スペクトルで遠赤外光を発生させることが重要である。
【０００６】
非線形光学結晶を用いた従来の遠赤外光発生装置では、上記の非特許文献１に記載されているように、遠赤外光の波長スペクトルを制御する方法として、励起光の入射及び遠赤外光の出射の光軸に対する結晶の傾き角度を変化させる方法が用いられている。しかしながら、この方法では、結晶の傾き角度を変える際に、同時に結晶への励起光の入射位置や、結晶からの遠赤外光の出射位置などが変化する。このため、遠赤外光の波長スペクトルの制御に伴って光学系の調整が必要になるという問題がある。
【０００７】
また、非線形光学結晶を用いて遠赤外光を発生させる場合、得られる遠赤外光の偏光方向は結晶軸の特定の方向に一致する。これに対して、結晶の傾き角度を変える上記した制御方法では、その際に結晶軸の方向も変化する。このため、遠赤外光の波長スペクトルのみでなく、その偏光方向も変化してしまうという問題があった。
【０００８】
本発明は、以上の問題点を解決するためになされたものであり、発生する遠赤外光の波長スペクトルを容易に制御することが可能な遠赤外光発生装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明による遠赤外光発生装置は、（１）遠赤外光の発生に用いられる所定波長の励起光を供給する励起光供給手段と、（２）励起光供給手段から供給された励起光を入射して、その偏光が所定の偏光となるように制御する偏光制御手段と、（３）非線形光学結晶を有し、偏光制御手段で偏光が制御された励起光を非線形光学結晶に入射して遠赤外光を発生する遠赤外光発生手段とを備え、（４）偏光制御手段での励起光の偏光の制御によって、遠赤外光発生手段で発生する遠赤外光の波長スペクトルを制御することを特徴とする。
【００１０】
上記した遠赤外光発生装置においては、レーザ光源などの励起光供給手段からの励起光の偏光を制御し、その励起光を非線形光学結晶へと入射して光整流効果によって遠赤外光を発生させている。これにより、得られる遠赤外光の波長スペクトルを、励起光の偏光状態を介して容易に制御することが可能となる。特に、励起光の偏光を結晶の前段に設置された偏光制御手段で制御することにより、波長スペクトルの制御に伴う光学系の調整等が不要になる。
【００１１】
具体的には、偏光制御手段は、１／２波長板、ソレイユ−バビネ位相補償板、ポッケルスセルの少なくとも１つを有することが好ましい。このような偏光制御素子を用いることにより、励起光の偏光状態を好適に制御することができる。
【００１２】
また、非線形光学結晶は、励起光の進行方向に対して垂直な面内において屈折率分布を有することが好ましい。これにより、励起光の偏光制御による遠赤外光の波長スペクトルの制御を好適に実現することができる。
【００１３】
また、励起光供給手段は、励起光としてフェムト秒パルスレーザ光を供給するパルスレーザ光源であることを特徴とする。このように、励起光をパルス光、特にフェムト秒パルス光とすることによって、充分なピーク光強度を有するパルス状の遠赤外光を発生させることが可能となる。
【００１４】
また、遠赤外光発生手段で発生された遠赤外光の一部を検出する遠赤外光検出手段を備え、遠赤外光検出手段による検出結果に基づいて、偏光制御手段による偏光の制御条件を設定または変更することを特徴とする。このようなフィードバック制御を行う構成とすることにより、遠赤外光の波長スペクトルを必要に応じて確実に制御することができる。
【００１５】
あるいは、遠赤外光発生手段で発生された遠赤外光が照射される試料に対して設置された反応計測手段による試料での反応の計測結果に基づいて、偏光制御手段による偏光の制御条件を設定または変更する構成としても良い。このような構成によっても、遠赤外光の波長スペクトルを必要に応じて確実に制御することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面とともに本発明による遠赤外光発生装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１７】
図１は、本発明による遠赤外光発生装置の第１実施形態の構成を模式的に示すブロック図である。本遠赤外光発生装置は、レーザ光源１と、導光部２と、遠赤外光発生部４とを備えて構成されている。
【００１８】
レーザ光源１は、遠赤外光の発生に用いられる励起光を供給する励起光供給手段である。レーザ光源１としては、好ましくは、フェムト秒（ｆｓ）パルスレーザ光を出力するフェムト秒パルスレーザ光源が用いられる。また、このパルス励起光は、ある程度広がった波長スペクトルを有している。
【００１９】
このパルス励起光に対し、遠赤外光発生部４は、非線形光学結晶４０を有して構成されている。非線形光学結晶４０としては、例えば、２次の非線形感受率が高い非線形光学結晶が用いられる。レーザ光源１からのパルス励起光が非線形光学結晶４０に入射されると、結晶４０内で光整流効果によって遠赤外光が発生する。なお、結晶４０から出射される遠赤外光は、例えば、波長３０ｍｍ〜３μｍ（周波数０．０１ＴＨｚ〜１００ＴＨｚ）といった中〜遠赤外の波長領域内の波長を有する光である。
【００２０】
図１に示した遠赤外光発生装置においては、レーザ光源１から遠赤外光発生部４の非線形光学結晶４０へと励起光を導く導光部２に、偏光制御部３が設置されている。偏光制御部３は、レーザ光源１から供給された励起光を入射して、その偏光が所定の偏光となるように制御する。一方、非線形光学結晶４０で発生する遠赤外光の波長スペクトルは、入射される励起光の偏光状態に依存する。したがって、偏光制御部３での励起光の偏光状態の制御により、遠赤外光発生部４で発生する遠赤外光の波長スペクトルが所望のスペクトルに制御される。
【００２１】
本実施形態による遠赤外光発生装置の効果について説明する。
【００２２】
図１に示した遠赤外光発生装置では、偏光状態が制御された励起光を非線形光学結晶４０へと入射し、結晶４０内での光整流効果によって遠赤外光を発生させている。これにより、得られる遠赤外光の波長スペクトルを容易に制御することができる。ここで、図２は、遠赤外光の波長スペクトルの制御方法を示す図であり、図２（ａ）は図１に示した遠赤外光発生装置における波長スペクトルの制御方法、図２（ｂ）は従来の遠赤外光発生装置における波長スペクトルの制御方法を示している。
【００２３】
従来の遠赤外光発生装置では、図２（ｂ）に示すように、励起光の入射及び遠赤外光の出射の光軸に対して、非線形光学結晶９０の傾き角度φを変化させる方法が用いられている。このとき、結晶９０の結晶軸と励起光の偏光方向との関係が変化することにより、結晶９０で発生する遠赤外光の波長スペクトルが変化する。しかしながら、この方法では、結晶９０の位置変化や光の屈折などにより、結晶９０への励起光の入射位置や遠赤外光の出射位置などが変化してしまう。
【００２４】
これに対して、図１に示した遠赤外光発生装置においては、図２（ａ）に示すように、結晶４０の前段に設置された偏光制御部３で励起光の偏光状態を制御することによって、結晶４０の結晶軸と励起光の偏光方向との関係を変化させている。これにより、得られる遠赤外光の波長スペクトルを、励起光の偏光状態を介して容易に制御することが可能となる。
【００２５】
また、このような構成では、結晶４０への励起光の入射位置や遠赤外光の出射位置などが変化することがない。したがって、波長スペクトルの制御に伴う光学系の調整等が不要になる。また、波長スペクトルを変える際に結晶４０の結晶軸の方向が変化しない。このため、遠赤外光の偏光方向の変化が防止される。
【００２６】
なお、偏光制御部３としては、具体的には、１／２波長板、ソレイユ−バビネ位相補償板、ポッケルスセルの少なくとも１つを有する構成とすることが好ましい。このような偏光制御素子を用いることにより、励起光の偏光状態を好適に制御することができる。また、これ以外の光学素子を用いても良く、あるいは、複数の光学素子を組み合わせて用いても良い。
【００２７】
また、遠赤外光の発生に用いられる非線形光学結晶４０については、励起光の進行方向の光軸に対して垂直な面内において、屈折率分布を有することが好ましい。これにより、励起光の偏光制御による遠赤外光の波長スペクトルの制御を好適に実現することができる。このような結晶としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）、ＬｉＴａＯ３（ＬＴ）、ＬｉＩＯ３（ＬＩＯ）、ＬｉＢ３Ｏ５（ＬＢＯ）、β−ＢａＢ２Ｏ４（ＢＢＯ）、ＫＴｉＯＰＯ４（ＫＴＰ）、ＫＤＰ、ＣＬＢＯ、ＡｇＧａＳｅ２、ＡｇＧａＳ２、ＺｎＧｅＰ２、ＣｄＳｅ、ＧａＳｅ、Ｔｅ、ＤＡＳＴ、ｍＮＡ、ＭＮＡ、ＭＡＰ、ＰＯＭ、ＤＡＮ、ＤＩＶＡ、ＮＰＰ、ＣＯＡＮＰ、ＭＮＢＡ、ＭＭＯＮＳ、ＭＢＡＮＰ、ＴＣ−２８、ＤＮＢＢ、ＤＭＮＰ、ＭＮＰ、ＭＭＮＡ、ＰＣＮＢ、ＥＣＮＢ、ＩＰＮＰＵ、ＥＣＰＭＤＡ、ｐ−ＮＭＤＡ、ＭＮＰＭＤＡ、４ＮｐＮａなどの単結晶、あるいはこれらの派生物などがある。
【００２８】
また、このような発生装置では、レーザ光源１として上記したようにパルスレーザ光源、好ましくはフェムト秒パルスレーザ光源、を適用することによって、充分なピーク光強度を有するパルス状の遠赤外光を発生させることができる。これにより、遠赤外光発生装置から出射される遠赤外光を生体測定などに応用した場合、良好なＳ／Ｎ比で測定を行うことが可能となる。
【００２９】
図１に示した遠赤外光発生装置の具体的な構成例について説明する。図３は、遠赤外光発生装置の一実施例の構成を示す図である。本構成例では、励起光を供給するレーザ光源１として、中心波長８０６ｎｍ、波長スペクトル幅３５ｎｍ、パルス幅５０ｆｓ、水平偏光のパルス光を出力するパルスレーザ光源を用いる。
【００３０】
このパルス励起光に対して、偏光制御部３は、１／２波長板３０ａを用いて構成されている。また、遠赤外光発生部４の非線形光学結晶４０としては、ＤＡＳＴ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ−Ｎ’−ｍｅｔｈｙｌｓｔｉｌｂａｚｏｌｉｕｍ  ｐ−ｔｏｌｕｅｎｅｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ）結晶４０ａを用いている。ＤＡＳＴ結晶４０ａの厚さは６２０μｍである。また、図中のｘ１、ｘ２、ｘ３軸は、ＤＡＳＴ結晶４０ａの結晶軸である。ここでは、ｘ３軸を励起光の入射及び遠赤外光の出射の光軸とし、ｘ１軸を垂直軸、ｘ２軸を水平軸としてＤＡＳＴ結晶４０ａを配置している。
【００３１】
このような構成において、レーザ光源１からのパルス励起光を１／２波長板３０ａに入射することにより、その偏光を回転させて制御する。この励起光の偏光状態の制御により、ＤＡＳＴ結晶４０ａで発生する遠赤外光の波長スペクトルが制御される。ここで、パルス励起光の水平偏光を１／２波長板３０ａで回転した偏光（図中の矢印Ａ）の偏光角度を、水平軸から反時計周りを正の方向とした角度θで表すこととする。このとき、ＤＡＳＴ結晶４０ａでは、ｘ２軸が偏光角度θ＝０度の方向、ｘ１軸がθ＝９０度の方向となっている。
【００３２】
この偏光制御は、１／２波長板３０ａを光軸に垂直な面内で回転させることによって行われる。したがって、パルス励起光の偏光角度θを変化させても、励起光の光路が変化することはない。また、上記のように配置されたＤＡＳＴ結晶４０ａでは、結晶４０ａのｘ１軸方向に平行な偏光を有する遠赤外光（図中の矢印Ｂ）が発生する。この遠赤外光の偏光方向は、ＤＡＳＴ結晶４０ａを傾ける等の操作を行っていないため、パルス励起光の偏光制御、及びそれによる遠赤外光の波長スペクトルの制御にかかわらず変化しない。
【００３３】
図４は、ＤＡＳＴ結晶４０ａで発生する遠赤外光の波長スペクトルの変化について示すグラフである。このグラフは、時間波形を高速フーリエ変換（ＦＦＴ：Ｆａｓｔ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）することによって得られる遠赤外光のスペクトルを示すものであり、横軸は周波数（ＴＨｚ、下軸）及び波長（μｍ、上軸）を、縦軸はＦＦＴ強度（ａｒｂ．  ｕｎｉｔｓ）を示している。
【００３４】
このグラフにおいては、ＤＡＳＴ結晶４０ａへと入射するパルス励起光の偏光角度θを１０度間隔で−７０度〜１００度の範囲で変化させ、それぞれについて得られる遠赤外光の波長スペクトルを示している。ただし、スペクトルの違いを見やすくするため、それぞれの偏光角度に対応するグラフでＦＦＴ強度のゼロ点を順次ずらして表示している。これらのグラフに示すように、励起光の偏光角度θの変化に対応して、遠赤外光の波長スペクトル（周波数スペクトル）が変化する。これによって、遠赤外光の波長スペクトルを制御することができる。
【００３５】
図５（ａ）〜（ｃ）は、図４に示したグラフのうちで代表的なものを示したものであり、励起光の偏光角度θを（ａ）０度、（ｂ）４０度、及び（ｃ）９０度としたときの遠赤外光の波長スペクトルを示している。
【００３６】
図５（ａ）に示すθ＝０度のグラフでは、波長２１５μｍ、１３５μｍ、及び１００μｍ付近にピークを持つスペクトルが得られている。また、図５（ｂ）に示すθ＝４０度のグラフでは、波長２１５μｍ付近から１００μｍ付近にわたって幅広くなめらかなスペクトルが得られている。また、図５（ｃ）に示すθ＝９０度のグラフでは、波長７５０μｍ付近にピークを持つスペクトルが得られている。
【００３７】
例えば、波長２１５μｍ、１３５μｍ、１００μｍなどの比較的短波長の遠赤外光を利用して、このような波長域での試料の光透過特性を精度良く調べる場合などには、偏光角度θを０度に設定すると良い。あるいは、波長７５０μｍなどの長波長の遠赤外光を利用する場合には、偏光角度θを９０度とすると良い。あるいは、波長１００μｍ〜２００μｍの範囲の遠赤外光を利用する場合には、偏光角度θを４０度とすると良い。このように、上記構成の遠赤外光発生装置によれば、非線形光学結晶４０へと入射する励起光の偏光角度θを制御することによって、発生する遠赤外光の波長スペクトルを様々に制御することができ、目的に応じた波長スペクトルの遠赤外光を容易に得ることができる。
【００３８】
図６は、遠赤外光発生装置の第２実施形態の構成を示すブロック図である。本遠赤外光発生装置は、レーザ光源１と、導光部２と、導光部２に設置された偏光制御部３と、非線形光学結晶４０を有する遠赤外光発生部４と、遠赤外光検出部５とを備えて構成されている。これらのうち、レーザ光源１及び遠赤外光発生部４の構成については、図１に示した実施形態と同様である。
【００３９】
本実施形態においては、遠赤外光発生部４に対し、さらに遠赤外光検出部５が設置されている。遠赤外光検出部５は、遠赤外光発生部４の非線形光学結晶４０で発生された遠赤外光の一部を検出する。この遠赤外光の検出は、例えば、遠赤外光発生部４において結晶４０から出射される遠赤外光に対してビームスプリッタを設け、分岐された遠赤外光を遠赤外光検出部５で検出する構成によって行うことができる。
【００４０】
遠赤外光検出部５による遠赤外光の検出結果は、導光部２に設置された偏光制御部３へとフィードバックされる。これに対して、偏光制御部３は、１／２波長板などからなる偏光制御素子３０と、偏光制御素子３０を駆動制御する素子駆動部３１とを有して構成されている。素子駆動部３１は、入力された遠赤外光検出部５による検出結果に基づいて偏光制御素子３０を駆動制御し、これによって、偏光制御部３における励起光の偏光の制御条件が設定または変更される。
【００４１】
本実施形態の構成によれば、遠赤外光検出部５での検出結果に基づいて偏光制御部３をフィードバック制御することにより、非線形光学結晶４０で発生する遠赤外光の波長スペクトルを必要に応じて確実に制御することができる。このような遠赤外光検出部５としては、例えば、電気光学結晶（ＥＯ結晶：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌ）を用いることができる。
【００４２】
ここで、非線形光学結晶９０の傾き角度φを変化させる図２（ｂ）に示した従来の波長スペクトルの制御方法では、上記したように遠赤外光の出射位置や、得られる遠赤外光の偏光方向などが波長スペクトルとともに変化してしまう。このため、波長スペクトルのフィードバック制御を行おうとすると、光学系の調整等の複雑な制御が必要となり、そのような制御は難しい。これに対して、偏光制御部３によって遠赤外光の波長スペクトルを制御する上記構成によれば、光学系の調整等が不要であり、フィードバック制御を容易に実現することができる。
【００４３】
図７は、遠赤外光発生装置の第３実施形態の構成を示すブロック図である。本遠赤外光発生装置は、レーザ光源１と、導光部２と、導光部２に設置された偏光制御部３と、非線形光学結晶４０を有する遠赤外光発生部４とを備えて構成されている。これらのうち、レーザ光源１及び遠赤外光発生部４の構成については、図１に示した実施形態と同様である。
【００４４】
本実施形態においては、遠赤外光発生部４で発生されて本発生装置から出射された遠赤外光が照射される試料Ｓに対して、反応計測部６が設置されている。反応計測部６は、遠赤外光発生装置から出射された遠赤外光を照射することによって生じる試料Ｓでの反応を計測する計測手段である。反応計測部６による試料Ｓでの反応の計測方法としては、例えば、試料Ｓの温度、試料Ｓにおける遠赤外光の透過率、反射率、試料Ｓでの生成物の量などを計測する方法がある。
【００４５】
反応計測部６による反応の計測結果は、導光部２に設置された偏光制御部３へとフィードバックされる。これに対して、偏光制御部３は、１／２波長板などからなる偏光制御素子３０と、偏光制御素子３０を駆動制御する素子駆動部３１とを有して構成されている。素子駆動部３１は、入力された反応計測部６による計測結果に基づいて偏光制御素子３０を駆動制御し、これによって、偏光制御部３における励起光の偏光の制御条件が設定または変更される。
【００４６】
本実施形態の構成によれば、反応計測部６での計測結果に基づいて偏光制御部３をフィードバック制御することにより、非線形光学結晶４０で発生する遠赤外光の波長スペクトルを必要に応じて確実に制御することができる。なお、偏光制御部３のフィードバック制御については、遠赤外光検出部５での検出結果、及び反応計測部６での計測結果を併用する構成としても良い。また、このような偏光制御部３と合わせてレーザ光源１をフィードバック制御しても良い。
【００４７】
【発明の効果】
本発明による遠赤外光発生装置は、以上詳細に説明したように、次のような効果を得る。すなわち、レーザ光源などの励起光供給手段から供給される励起光の偏光を偏光制御手段で制御し、その励起光を非線形光学結晶へと入射して光整流効果によって遠赤外光を発生させる構成によれば、得られる遠赤外光の波長スペクトルを、励起光の偏光状態を介して容易に制御することが可能となる。特に、励起光の偏光を結晶の前段に設置された偏光制御手段で制御することにより、波長スペクトルの制御に伴う光学系の調整等が不要になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】遠赤外光発生装置の第１実施形態の構成を示すブロック図である。
【図２】遠赤外光の波長スペクトルの制御方法を示す図である。
【図３】遠赤外光発生装置の一実施例の構成を示す図である。
【図４】ＤＡＳＴ結晶で発生する遠赤外光の波長スペクトルの変化について示すグラフである。
【図５】励起光の偏光角度を（ａ）０度、（ｂ）４０度、及び（ｃ）９０度としたときの遠赤外光の波長スペクトルを示すグラフである。
【図６】遠赤外光発生装置の第２実施形態の構成を示すブロック図である。
【図７】遠赤外光発生装置の第３実施形態の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１…レーザ光源、２…導光部、３…偏光制御部、３０…偏光制御素子、３０ａ…１／２波長板、３１…素子駆動部、４…遠赤外光発生部、４０…非線形光学結晶、４０ａ…ＤＡＳＴ結晶、５…遠赤外光検出部、６…反応計測部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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