(57)【要約】【課題】画素の飽和による撮影画像の残像の残りを回避した良好な撮影画像を生成するＸ線撮像装置を実現できるようにする。【解決手段】Ｘ線検出器１１０から出力された撮影画像において、残像判定手段１３０で残像の残るものと判断された撮影画像よりも、時間的、順番的に後に撮影された撮影画像に対して、残像処理手段１４０でその残像を消去するようにして、残像領域を重ねあわせるようにしたときに、連続して撮影したＸ線画像の残像処理を画素の飽和による残像の残りを回避して漏れなく行なうことができるようにする。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射されたＸ線を検出するＸ線検出器と、
前記Ｘ線検出器からの撮影画像を保存する保存手段と、
前記撮影画像が時系列に取得された順番、または時間を記憶する撮影時間取得手段と、
前記撮影画像が残像の残るものかどうかを判断する残像判定手段と、
残像成分を前記撮影画像から消去する残像処理手段とを有し、
前記残像判定手段で判断された撮影画像よりも、時間的、順番的に後に撮影された撮影画像に対して、前記残像処理手段により残像を消去することを特徴とするＸ線撮影装置。
【請求項２】
前記残像処理手段は、前記残像判定手段により判断された撮影画像が複数ある場合に、前記残像判定手段の結果をもとに複数の該撮影画像に係数を掛けて加算して前記残像成分を生成することを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮影装置。
【請求項３】
前記残像処理手段は、画像表示により操作者の判断で追加できる残像領域境界の補間処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のＸ線撮影装置。
【請求項４】
前記残像判定手段は、前記Ｘ線検出器の全面の飽和画像を使用することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＸ線撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、連続でＸ線画像を複数枚撮影するＸ線撮影装置に係り、特に、Ｘ線照射強度の違いにより生じるＸ線検出器の残像を補正するＸ線撮影装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線撮影において、検診者のＸ線像を取得するＸ線センサとして従来から用いられていたのは、カセッテにフィルムと増感紙を挟んだＦｉｌｍ／Ｓｃｒｅｅｎ系（以下Ｆ／Ｓ）のものやコンピューティッドラジオグラフィーで使用されるカセッテに入ったＩｍａｇｉｎｇ　Ｐｌａｔｅ（以下ＩＰ）であった。
【０００３】
近年では、Ｘ線像をリアルタイムで直接的にデジタル出力に変換できるＸ線センサが提案されている。例えば、石英ガラスから成る基板上にアモルファス半導体を挟んで、透明導電膜と導電膜とから成る固体光検出素子をマトリクス状に配列した固体光検出器の製作が可能になり、この固体光検出器とＸ線を可視光に変換するシンチレータとを積層したＸ線検出器である。
【０００４】
このＸ線検出器を用いた場合のＸ線デジタル画像の取得過程は、Ｘ線検出器に対象物を透過したＸ線を照射することにより、Ｘ線がシンチレータで可視光に変換され、この可視光が固体光検出素子の光電変換部により電気信号として検出される。この検出された電気信号は、各固体光検出素子から所定の読み出し方法により読み出され、この信号をＡ／Ｄ変換し、Ｘ線画像信号を得るという過程である。この検出器の詳細は、特開平８−１１６０４４公報に記載されている。
【０００５】
また、シンチレータを用いずに直接Ｘ線を固体光検出器で取得する検出器も多数提案されている。以下では、このようなＸ線像をリアルタイムで直接的にデジタル出力に変換できるＸ線センサをＸ線検出器と呼ぶことにする。
【０００６】
Ｘ線検出器は、Ｘ線強度を電荷量として検出するので、Ｘ線信号を正確に蓄積するために画素中の電荷の吐き出し、画素間の電位が安定するためのアイドリング、Ｘ線信号を蓄積するための電荷の蓄積、画素中の電荷の読み出しとＸ線像を取得するために、画素にかける印加電圧を変え、検出器の駆動を行っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、大強度のＸ線が照射されると、画素中のＸ線による信号電荷の蓄積が飽和する。画素が飽和した後、通常の電圧の上げ下げでは完全に電荷を吐き出すことができず、このため画素のＸ線強度に対する応答が変化してしまう。画素の応答を元の状態に戻すには、一旦検出器にかかる電圧をすべて降下して、大強度のＸ線が照射される前と同じ状態にすることが必要である。しかし、動画像取得や断層撮影、コーンビームＣＴ等に検出器を応用する場合、短い時間に連続して画像を取得しなくてはならず、上記のように撮影の途中で一部の画素が飽和してしまうと、その後の撮影で一度飽和した画素部分のみＸ線に対する応答が変わってしまい、その部分が残像として残るという問題がある。
【０００８】
本発明は前述の問題点にかんがみてなされたもので、画素の飽和による撮影画像の残像の残りを回避した良好な撮影画像を生成するＸ線撮像装置を実現することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するために本発明のＸ線撮影装置は、照射されたＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線検出器からの撮影画像を保存する保存手段と、前記撮影画像が時系列に取得された順番、または時間を記憶する撮影時間取得手段と、
前記撮影画像が残像の残るものかどうかを判断する残像判定手段と、残像成分を前記撮影画像から消去する残像処理手段とを有し、前記残像判定手段で判断された撮影画像よりも、時間的、順番的に後に撮影された撮影画像に対して、前記残像処理手段により残像を消去することを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に説明する実施形態は、Ｘ線検出器に大強度のＸ線が照射された場合の残像を除去して、最適なＸ線画像を撮影できるようにするＸ線撮影装置の１実施形態である。
【００１１】
図１に示す１１０から１６０の構成は、本実施形態のＸ線撮影装置の好適な一例を示す概略構成図である。
図示するように、１１０はＸ線検出器、１２０は撮影時間取得手段、１３０は残像判定手段、１４０は残像処理手段、１５０は画像処理手段、１６０は表示・保存手段である。
【００１２】
まず、撮影を開始するため、撮影者はＸ線検出器１１０を撮影できる状態にする。具体的には、Ｘ線検出器１１０に電源が投入された状態で、撮影のために必要なＸ線検出器１１０の駆動を開始することを指している。一般的に上述の処理は、撮影者がＸ線検出器１１０を操作するＯＰＵから撮影ボタンを押すことで達成される。駆動を開始したＸ線検出器１１０は、Ｘ線が照射されるまで所定の駆動を行なう。前述の駆動は、電圧をかけた後にＸ線検出器１１０を安定させるための駆動と、Ｘ線検出器１１０が照射されたＸ線信号を蓄積する状態の駆動とを含んでいる。
【００１３】
撮影者がＸ線発生装置の照射ボタンを押すとＸ線が照射され、被写体を透過してきたＸ線はＸ線検出器１１０に入射し、信号電荷が蓄積する。この信号電荷の蓄積が終了すると、Ｘ線検出器１１０から画像を読み出す。このとき、画像が読み出された時間が撮影時間取得手段１２０に送信され、読み出された画像は、残像判定手段１３０と残像処理手段１４０に送られる。
【００１４】
続いて、残像判定手段１３０により、現画像以降の撮影で残像が出ると判断された画素領域が記憶され、撮影時間取得手段１２０からの情報をもとに、残像が出ると判定された画像の後に撮影された画像について、残像処理手段１４０により残像除去処理が行われる。残像が出ると判定された画素領域については、一度Ｘ線検出器１１０にかけられていた電圧が降下して、各画素中の電荷の状態が同じようになると、残像判定手段１３０から削除される。
【００１５】
続いて、残像除去された画像は、画像処理手段１５０へ送られ、適切な強調処理、階調処理等が行われた後、表示・保存手段１６０に送られ画像表示されるか、保存される。Ｘ線動画像を取得する場合、Ｘ線検出器１１０の蓄積以降が繰り返され、残像が出ると判定された画素領域は、残像判定手段１３０から削除されない場合、次々と重ね合わされていく。このように残像となる画素領域を特定して、前記画素領域を撮影時間に応じて重ね合わせていくことで、Ｘ線検出器１１０を電圧降下せずに連続して撮影された各々の画像に対して、残像を補正できるという効果がある。
【００１６】
図２では、図１で説明したＸ線検出器１１０の構成とＸ線信号を蓄積し、読み出すために必要な駆動を説明する。
Ｘ線検出器１１０は、Ｘ線を直接検出するタイプのＸ線検出器とＸ線を蛍光体で一度可視光に変換して、可視光を検出するタイプがある。しかしどちらも信号を検出する画素をアレー状に組み合わせて構成されている。これを検出器アレーと呼び、図２に示す２００はこの検出器アレーである。
【００１７】
２０１は画素であり、１つのＸ線または光の信号を検出する信号検出部と、信号の蓄積と読み取りを切り替えるスイッチングＴＦＴから構成されている。ＰＤ（１、１）〜（４０９６）は、信号検出部に対応する光電変換素子である。ＳＷ（１、１）〜（４０９６）は、スイッチングＴＦＴに対応するスイッチである。以下、これらをｍ行ｎ列の画素に対して、光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）、スイッチＳＷ（ｍ、ｎ）と記す。Ｇ（電極）とＤ（電極）は、それぞれ光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）のゲート電極と共通電極であり、それぞれの電極に異なる電圧を印加することにより電荷の蓄積、吐き出しを行なう。
【００１８】
光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）の光電変換部は、絶縁物を挟みゲート電極Ｇに接続されている。また、光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）の光電変換部は、半導体を挟み共通電極Ｄに接続されている。Ｌｃｍはｍ列の列信号線であり、Ｌｒｎはｎ行の行選択線である。Ｌｂはバイアス配線であり、２０５はバイアス電源である。
【００１９】
ゲート電極Ｇは、対応するスイッチＳＷ（ｍ、ｎ）を介してその列に対する共通の列信号線Ｌｃｍに接続し、スイッチＳＷ（ｍ、ｎ）の制御端子は、共通の行選択線Ｌｒｎに接続する。すべての光電変換素子ＰＤ（１、１）〜（４０９６）の共通電極Ｄは、バイアス配線Ｌｂを介してバイアス電源２０５に接続する。
【００２０】
２３２はどの行の画素１０１の信号電荷を読み出すかを選択するラインセレクタであり、行選択線Ｌｒ１〜４０９６が接続されている。２３４は検出器制御手段１２０からの制御信号を解読し、どのラインの光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）の信号電荷を読み出すべきかを決定するアドレスデコーダである。２３６はアドレスデコーダ２３４の出力に従って開閉されるスイッチ素子である。ラインセレクタ２３２は、アドレスデコーダ２３４と、４０９６個のスイッチ素子２３６−１〜４０９６から構成されている。
【００２１】
２４０は画素２０１の信号電荷を読み出す信号読み出し回路である。２４１は光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）の蓄積電荷をリセットするリセット基準電位であり、その電圧はＶｂである。２４２はリセット用スイッチであり、２４６は列信号線Ｌｃｍからの信号電位を増幅するプリアンプである。２４８はプリアンプ２４６の出力をサンプルホールドするサンプルホールド回路である。２５０はサンプルホールド回路２４８の出力を時間軸で多重化するアナログ・マルチプレクサである。２５２はアナログ・マルチプレクサ２５０のアナログ出力をデジタル化するＡ／Ｄ変換器である。２６２は実際にＸ線検出器１１０の駆動をする駆動器である。
【００２２】
以下に光電変換素子のリフレッシュ（蓄積された電荷を吐き出すこと）、電荷の蓄積、電荷の読み出し、空読み出し等のＸ線検出器１１０における最も基本的な駆動を説明する。ここでリフレッシュには、光電変換素子の構造により必要である場合と必要でない場合がある。例えば、リフレッシュが必要な光電変換素子の構造の１つにＭＩＳ構造がある。
【００２３】
まず、光電変換素子のリフレッシュについて説明する。
駆動器２６２は、バイアス電源２０５に電圧をかけることにより、バイアス配線に接続されたすべての共通電極Ｄの電位をリフレッシュ電位Ｖｒに設定する。また駆動器２６２は、すべてのリセット用スイッチ２４２をＯＮにして、すべての列信号線Ｌｃ１〜４０９６をリセット基準電位２４１Ｖｂｔに接続する。さらに駆動器２６２は、すべての行選択線Ｌｒ１〜４０９６に電位Ｖｇｈをかけることにより、すべてのスイッチＳＷ（１、１）〜（４０９６、４０９６）をＯＮすることで、すべてのゲート電極Ｇの電位をＶｂｔに設定する。すると、ゲート電極Ｇの電位Ｖｂｔと共通電極Ｄの電位Ｖｒの電位差Ｖｂｔ−Ｖｒにより、光電変換素子ＰＤ（１、１）〜（４０９６、４０９６）の余分な電荷が共通電極Ｄから吐き出され、リフレッシュされる。
【００２４】
しかし、画素が飽和状態になると前記リフレッシュでも電荷を吐き出して電荷の蓄積前の状態に戻せない状況が起きる。これを回避するには、一度Ｘ線検出器１１０への印加電圧を降下して、画素の電荷保留状態を元に戻すことが必要である。
【００２５】
次に電荷の蓄積について説明する。
駆動器２６２は、バイアス電源２０５の電圧を変更することにより、バイアス配線に接続されたすべての共通電極Ｄの電位を光電変換時のバイアス電位Ｖｓに設定する。また駆動器２６２は、すべてのリセット用スイッチ２４２をＯＦＦにして、すべての列信号線Ｌｃ１〜４０９６をリセット基準電位２４１Ｖｂｔから開放する。さらに駆動器２６２は、すべての行選択線Ｌｒ１〜４０９６に電位Ｖｇ１をかけることにより、すべてのスイッチＳＷ（１、１）〜（４０９６、４０９６）をＯＦＦにする。
【００２６】
ゲート電極Ｇと光電変換素子ＰＤ（１、１）〜（４０９６、４０９６）は絶縁され、共通電極Ｄと光電変換素子ＰＤ（１、１）〜（４０９６、４０９６）は半導通であるので、ゲート電極Ｇの電位と共通電極Ｄ　の電位Ｖｓの大小をリフレッシュ時の逆にすることにより、光電変換素子ＰＤ（１、１）〜（４０９６、４０９６）は光電変換による電荷を蓄積できる状態になる。
【００２７】
ここでＸ線がＸ線検出器１１０に照射されるとＸ線量に比例した電荷が、光電変換素子ＰＤ（１、１）〜（４０９６、４０９６）に蓄積される。光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）には、Ｘ線信号以外に温度によって励起され流れる暗電流があり、この暗電流による電荷もＸ線量に比例する電荷と共に蓄積する。
【００２８】
次に電荷の読み出しについて説明する。
すべての共通電極Ｄの電位を光電変換時のバイアス電位Ｖｓに設定した状態で、駆動器２６２は、すべてのリセット用スイッチ２４２をＯＮにして、すべての列信号線Ｌｃ１〜４０９６をリセット基準電位２４１Ｖｂｔにする。その状態のまま駆動器２６２は、すべてのリセット用スイッチ２４２をＯＦＦにする。さらに駆動器２６２は、行選択線Ｌｒ１に電位Ｖｇｈをかけることにより、スイッチＳＷ（１、１）〜（１、４０９６）をＯＮする。
【００２９】
これにより電位Ｖｂｔの列信号線Ｌｃ１〜４０９６とゲート電極Ｇが接続されるが、光電変換素子ＰＤ（ｍ、ｎ）に電荷が蓄積されているので、その電荷に誘導されて、列信号線Ｌｃ１〜４０９６の電位がＶｂｔよりもずれてＶｂｔ’となる。そのずれ量Ｖｂｔ−Ｖｂｔ’は、蓄積電荷量に比例しているので、そのずれ量Ｖｂｔ−Ｖｂｔ’をプリアンプ２４６で増幅する。
【００３０】
プリアンプ２４６からの出力をサンプルホールド回路２４８でサンプルホールドして、サンプルホールド回路２４８の出力をアナログ・マルチプレクサ２５０にて時間軸で多重化して、さらに、アナログ・マルチプレクサ２５０のアナログ出力をＡ／Ｄ変換器２５２でデジタル化して読み出す。この動作をすべての１〜４０９６行まで繰り返して行なうことにより、全画素の蓄積電荷を読み出す。このとき共通電極Ｄのバイアス電位Ｖｓとゲート電極の電位Ｖｂｔ、Ｖｂｔ’の大小関係は、電荷の蓄積時と同じである。
【００３１】
Ｘ線量に比例する蓄積電荷のみを読み出すためには、暗電流による電荷を同じ時間でもう一度蓄積して読み出し、差し引けば良い。
【００３２】
以上、図２を用いて説明したように、Ｘ線検出器１１０がＸ線画像を取得するためには、Ｘ線信号の蓄積、読み出し等の駆動が必要であり、駆動制御は画素へかかる電圧の制御によりなされる。しかし、Ｘ線検出器１１０の蓄積状態時に、大強度のＸ線照射により画素中の電荷分布状態が変化し、この変化した電荷分布を通常の駆動制御で行なう電圧の制御では元には戻せない。
【００３３】
電荷分布状態が違うと、上記電荷の読み出し等の説明から分かるように、Ｘ線に対する応答も変化し、前記応答の違いが残像となってＸ線画像に現れてくる。これを回避するには、一度Ｘ線検出器１１０にかかる印加電圧を降下して、前記電荷分布を元の状態に戻す必要があるが、これは数秒〜数十秒の時間がかかるので、連続して画像を取得する撮影、例えば動画撮影、断層撮影、ステレオ撮影、コーンビームＣＴ等の撮影では適用できない。そこで、図１に説明したような残像補正が必要となる。
【００３４】
図３は、実際の残像補正処理のフローチャートである。
３１０は、撮影された一連の画像がどの順番もしくは時間で撮影されたかを記憶する撮影順序または撮影時間取得モジュールである。３１５は、撮影された画像に、それ以降の撮影で残像となる領域を判定する残像判定モジュールである。３２０は、残像判定モジュール３１５で判定された領域を、撮影された時間または順番で重ね合わせて、時系列に残像領域を記憶しておく残像領域記憶モジュールである。３２５は、撮影時間または順序をもとに、残像領域記憶３２０の残像領域情報を用いて、Ｘ線画像の残像を除去する残像処理モジュールである。３３０は画像表示モジュールであり、３３５は画像表示した画像から操作者が判断して追加の残像処理をする追加残像処理モジュールである。
【００３５】
以下Ｘ線画像の残像を除去する流れを説明する。
Ｘ線検出器１１０により、Ｘ線画像が取得されると、撮影順序または撮影時間取得モジュール３１０でＸ線画像のＩＤに撮影された時間または順番が割り当てられる。これは、図３の入力１に対応している。このＩＤは、例えばＸ線画像ファイルのファイル名である。このＩＤと撮影時間の組情報を、撮影順序または撮影時間取得モジュール３１０により撮影時間取得手段１２０に保存する。
【００３６】
続いて、入力２に対応するＸ線画像が残像判定モジュール３１５に入力され、入力されたＸ線画像に残像があるかどうかを判定する。判定方法について、まずＸ線検出器１１０の全面に大強度のＸ線を照射し、全画素を飽和させた画像をあらかじめ取得しておく。
【００３７】
続いて、残像判定モジュール３１５において、入力４に示すあらかじめ取得しておいた飽和画像と入力２に示すＸ線画像とを比較する。具体的例としては、飽和画像の累積ヒストグラムの分布とほぼ同様な画素値をもつ領域を、Ｘ線画像の累積ヒストグラム中の分布から広く抜き出し、抜き出した領域内に必ず飽和領域が含まれるようにする。この抜き出した領域の画素値を飽和画像の画素値と比較し、飽和領域と不飽和領域の境界を判別する。
【００３８】
ここで解析されたＸ線画像の飽和領域が決定し、前記Ｘ線画像以降に撮影された画像に対して、飽和領域は残像領域となる。残像領域記憶モジュール３２０は、残像判定モジュール３１５において決定された残像領域を記憶する。その記憶方法は、残像領域が判定されたＸ線画像のＩＤに対応している撮影順序または撮影時間と、残像領域を組にして記憶しておく。
【００３９】
ここで重要なのは、実際の残像補正の際に使用される残像領域は、残像補正されるＸ線画像（入力３に対応）よりも前に撮影されたＸ線画像より決定された残像領域をすべて重ねあわされて残像領域画像を作り上げることである。しかし、一旦Ｘ線検出器１１０への印加電圧が降下された場合は、これら記憶された残像領域は消去され、リセットされる。
【００４０】
残像処理モジュール３２５では、重ね合わされて作られた残像領域画像を元に残像補正が行われる。残像領域画像は、以前に残像判定がされなければ存在しない。また、残像判定が一回のみであれば１つの残像領域で残像領域画像が作成される。補正方法としては、画素のＸ線量に対する応答を均一にするやり方である。
【００４１】
Ｘ線検出器１１０では個々の画素において、Ｘ線に対する応答（以下ゲイン）のばらつきがある。個々の画素のゲインが均一にするために、あらかじめ補正画像を取得しておく。補正画像の平均値を１に正規化し、Ｘ線画像を割ることにより個々の画素のゲインばらつきを補正することができる。これを以下ゲイン補正と呼ぶことにする。
【００４２】
一部の画素が飽和すると、補正画像取得時のゲインが変化してしまうので、飽和した画素領域部分は飽和してない画素に対してゲイン補正ができていない。そこで、補正画像を２画像用意する。１枚は１度Ｘ線検出器１１０の全面の画素を飽和させて、Ｘ線検出器１１０の印加電圧を降下せずに連続して取得した補正画像１であり、もう１枚は画素を飽和させる前に取得した補正画像２である。
【００４３】
残像領域記憶モジュール３２０より得た残像領域画像により、残像領域を補正画像１でゲイン補正して、他の残像領域でない領域を補正画像２で補正することにより、個々の画素のゲインばらつきと、画素の飽和から生じるゲインの違いの両方を補正することができる。以上のようにして残像処理モジュール３２５により、残像除去画像１が出力される。
【００４４】
ここまでが自動で行われる残像処理であるが、残像領域の抽出が完全に上手くいかない場合があるので、画像表示モジュール３３０で残像処理後のＸ線画像を操作者が見られるようにする。操作者は、残像処理後のＸ線画像に違和感を感じたら、追加残像処理モジュール３３５により追加の残像処理をする。具体的には、残像領域と残像のない領域の境界が画像上で確認できるようであれば、境界の補間処理等を行なう。残像領域画像作成では、残像領域を時系列に重ね合わせていたが、時間経過により残像の効果が減弱する場合がある。この場合は重ね合わせの場合に時間に依存する係数をかけて重ねあわせればよい。
【００４５】
以上のように残像領域を重ねあわせることで残像補正を行なうことにより、連続して撮影したＸ線画像の残像処理を漏れなく行なうことができ、良好なＸ線画像を提供することができる。さらに、画素の蓄積電荷が飽和する前の補正画像と飽和した後の補正画像の２つを保持しておくことにより、適切な残像処理ならびにゲイン補正を行なうことができる。また、画像表示して操作者が確認して追加残像処理を行なうことで、残像処理の違和感をＸ線画像からなくすことができる。
【００４６】
本発明のＸ線撮影装置によれば、このように残像となる画素領域を特定して、前記画素領域を撮影時間に応じて重ね合わせていくことで、Ｘ線検出器１１０を電圧降下せずに連続して撮影された各々の画像に対して、残像を補正できるという効果がある。
【００４７】
【発明の効果】
本発明のＸ線撮影装置によれば、残像判定手段で判断された撮影画像よりも、時間的、順番的に後に撮影された撮影画像に対して、残像を消去するようにしたので、残像領域を重ねあわせるようにすることで、連続して撮影したＸ線画像の残像処理を画素の飽和による残像の残りを回避して漏れなく行なうことができる。また、画像表示により操作者が確認をして追加残像処理を行なえるようにすることで、残像処理をより良好に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態におけるＸ線撮影装置の概略構成図である。
【図２】図１で説明したＸ線検出器の構成図である。
【図３】残像処理のフローチャートである。
【符号の説明】
１１０　Ｘ線検出器
１２０　撮影時間取得手段
１３０　残像判定手段
１４０　残像処理手段
１５０　画像処理手段
１６０　表示・保存手段
２００　検出器アレー
２０１　画素
２０５　バイアス電源
２３２　ラインセレクタ
２３４　アドレスデコーダ
２３６　スイッチ素子
２４０　信号読み出し回路
２４１　リセット基準電位
２４６　プリアンプ
２４８　サンプルホールド回路
２５２　Ａ／Ｄ変換器
２６２　駆動器
３１０　撮影順序または撮影時間取得モジュール
３１５　残像判定モジュール
３２０　残像領域記憶モジュール
３２５　残像処理モジュール
３３０　画像表示モジュール
３３５　追加残像処理モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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