(57)【要約】【課題】  コイル、トランス、コモンモードチョークコイル等の高性能、狭公差のインダクティブデバイスを高い歩留まりで量産性良く作製可能とする。【解決手段】  芯材を有する有機コア基板又は無機焼結体基板１の表裏面に複数の帯状導体パターン２を形成したものを、前記帯状導体パターン２を横断する向きで切断し、前記コア基板１の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設ける。ヘリカルコイルの内径を一定とし、コイルピッチ精度を良好に保つことができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記有機コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。
【請求項２】
芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記有機コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。
【請求項３】
コア基板の片面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、絶縁層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。
【請求項４】
コア基板の片面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、接着層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。
【請求項５】
前記コア基板に前記帯状導体パターンを形成した面が平滑である請求項１，２，３又は４記載のインダクティブデバイス。
【請求項６】
前記コア基板及び／又は絶縁層がビニルベンジル樹脂であるか、ビニルベンジル樹脂を含むものである請求項１，２，３，４又は５記載のインダクティブデバイス。
【請求項７】
芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成し、これを絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項８】
芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターン及び該複数の帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項９】
コア基板の片面に複数の帯状導体パターンを形成し、これを絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項１０】
コア基板の片面に複数の帯状導体パターン及び該帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層を研磨処理して厚さを調整することを特徴とする請求項８，９又は１０記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記コア基板の前記帯状導体パターンの無い面を研磨処理して厚さを調整することを特徴とする請求項９又は１０記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記スライス工程の後、スライス面を研磨処理して厚さを調整することを特徴とする請求項７，８，９，１０，１１又は１２記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記芯材を有する有機コア基板又は前記コア基板は、前記帯状導体パターンが転写されて設けられている請求項７，８，９，１０，１１，１２又は１３記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項１５】
無機焼結体コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記無機焼結体コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。  
【請求項１６】
無機焼結体コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記無機焼結体コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。
【請求項１７】
無機焼結体コア基板の片面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、絶縁層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。
【請求項１８】
無機焼結体コア基板の片面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、接着層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴とするインダクティブデバイス。
【請求項１９】
前記無機焼結体コア基板に前記帯状導体パターンを形成した面が平滑である請求項１５，１６，１７又は１８記載のインダクティブデバイス。
【請求項２０】
表裏面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板を、絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。  
【請求項２１】
表裏面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板の前記表裏面に前記複数の帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを、接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項２２】
片面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板を、絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。  
【請求項２３】
片面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板の前記片面に前記複数の帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを、接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項２４】
芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成したものと、無機焼結体コア基板とを接着性絶縁層を介して交互に複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴とするインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項２５】
前記絶縁層を研磨処理して厚さを調整することを特徴とする請求項２０，２１，２２，２３又は２４記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項２６】
前記無機焼結体コア基板の前記帯状導体パターンの無い面を研磨処理して厚さを調整することを特徴とする請求項２２又は２３記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項２７】
前記スライス工程の後、スライス面を研磨処理して厚さを調整することを特徴とする請求項２０，２１，２２，２３，２４，２５又は２６記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項２８】
前記無機焼結体は、多孔質セラミックである請求項２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６又は２７記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【請求項２９】
前記無機焼結体は、磁性体である請求項２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６又は２７記載のインダクティブデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル、トランス、コモンモードチョークコイル等の磁気誘導現象を利用したインダクティブデバイス及びその製造方法に係り、とくに高性能、狭公差の素子を量産性良く作成出来るインダクティブデバイスの構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のインダクティブデバイスの製法として、大別して下記の工法が挙げられる。
（１）巻線工法
磁性又は非磁性コアに線材を巻回するものであり、最も一般的な工法である。
（２）ビルドアップで形成する方法
下記特許文献１で示すように、ヘリカルの一部を成すコイル導体を形成した絶縁基板と絶縁層とを交互に積層してヘリカルコイルを形成するものである。
（３）本出願人提案の下記特許文献２（未公開であり、公知技術ではない）の方法
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１３４３２１号公報
【特許文献２】特願２００２−２６２３７２号
【０００４】
上記工法にはそれぞれ以下の問題点がある。
（１）巻線工法
ａ．  コイルとしての性能は良いが、公差が大きくなる不具合な傾向がある。
ｂ．  巻線作業が必要であり、量産性に乏しく、コスト高になる。
（２）ビルドアップで形成する方法
ａ．  巻数が増える場合、積層数が多くなることに起因して公差が大きくなる。
ｂ．  巻数が増える場合、積層数が多くなり、量産性が低下する。
（３）本出願人提案の特許文献２の方法
製造過程で集合基板を用いるが、この場合、下記の問題点がある。
ａ．  コア基板及び絶縁層の厚さがばらつき、集合基板における素子配列のＸ方向及びＹ方向ピッチが一定にならない。
ｂ．  これにより歩留まりの低下（コイル導体同士がうまく接続されないことに起因するオープン不良）及びコイル内径のばらつきに起因するインダクタンス値のばらつきが発生する。
ｃ．  コア基板及び／又は絶縁層が有機材料の場合は上記の問題が特に顕著であり、また新にそり及び割れの問題が発生する。
ｄ．  コア基板両面の帯状導体間の裏表のアライメントが困難であり、歩留まりの低下、またインダクタンス公差の増大を来す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記の点に鑑み、高性能、狭公差のインダクティブデバイスを提供することを第１の目的とするとともに、そのインダクティブデバイスを高い歩留まりで量産性良く作製出来るインダクティブデバイスの製造方法を提供することを第２の目的とするものである。
【０００６】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明に係るインダクティブデバイスは、芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記有機コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【０００８】
本願請求項２の発明に係るインダクティブデバイスは、芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記有機コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【０００９】
本願請求項３の発明に係るインダクティブデバイスは、コア基板の片面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、絶縁層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【００１０】
本願請求項４の発明に係るインダクティブデバイスは、コア基板の片面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、接着層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【００１１】
本願請求項５の発明に係るインダクティブデバイスは、請求項１，２，３又は４において、前記コア基板に前記帯状導体パターンを形成した面が平滑であることを特徴としている。
【００１２】
本願請求項６の発明に係るインダクティブデバイスは、請求項１，２，３，４又は５において、前記コア基板及び／又は絶縁層がビニルベンジル樹脂であるか、ビニルベンジル樹脂を主材質として含むものであることを特徴としている。
【００１３】
本願請求項７の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成し、これを絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００１４】
本願請求項８の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターン及び該複数の帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００１５】
本願請求項９の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、コア基板の片面に複数の帯状導体パターンを形成し、これを絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００１６】
本願請求項１０の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、コア基板の片面に複数の帯状導体パターン及び該帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００１７】
本願請求項１１の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項８，９又は１０において、前記絶縁層を研磨処理して厚さを調整することを特徴としている。
【００１８】
本願請求項１２の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項９又は１０において、前記コア基板の前記帯状導体パターンの無い面を研磨処理して厚さを調整することを特徴としている。
【００１９】
本願請求項１３の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項７，８，９，１０，１１又は１２において、前記スライス工程の後、スライス面を研磨処理して厚さを調整することを特徴としている。
【００２０】
本願請求項１４の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項７，８，９，１０，１１，１２又は１３において、前記芯材を有する有機コア基板又は前記コア基板は、前記帯状導体パターンが転写されて設けられていることを特徴としている。
【００２１】
本願請求項１５の発明に係るインダクティブデバイスは、無機焼結体コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記無機焼結体コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【００２２】
本願請求項１６の発明に係るインダクティブデバイスは、無機焼結体コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断し、前記無機焼結体コア基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【００２３】
本願請求項１７の発明に係るインダクティブデバイスは、無機焼結体コア基板の片面に複数の帯状導体パターンを形成したものを、絶縁層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【００２４】
本願請求項１８の発明に係るインダクティブデバイスは、無機焼結体コア基板の片面に複数の帯状導体パターンと該帯状導体パターンを覆う絶縁層とを形成したものを、接着層を介して複数枚重ね一体化して積層基板となし、前記帯状導体パターンを横断する向きで前記積層基板を切断し、前記積層基板の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を当該切断面に形成された架橋導体パターンによって接続してヘリカルコイルを少なくとも１個以上設けたことを特徴としている。
【００２５】
本願請求項１９の発明に係るインダクティブデバイスは、請求項１５，１６，１７又は１８において、前記無機焼結体コア基板に前記帯状導体パターンを形成した面が平滑であることを特徴としている。
【００２６】
本願請求項２０の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、表裏面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板を、絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００２７】
本願請求項２１の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、表裏面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板の前記表裏面に前記複数の帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを、接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００２８】
本願請求項２２の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、片面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板を、絶縁層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００２９】
本願請求項２３の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、片面に複数の帯状導体パターンを形成した無機焼結体コア基板の前記片面に前記複数の帯状導体パターンを覆う絶縁層を形成し、これを、接着層を介して複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００３０】
本願請求項２４の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、芯材を有する有機コア基板の表裏面に複数の帯状導体パターンを形成したものと、無機焼結体コア基板とを接着性絶縁層を介して交互に複数枚重ねて一体化する積層工程と、
前記積層工程で得られた積層基板を、前記帯状導体パターンを横断する向きで切断するスライス工程と、
前記スライス工程で得られた積層スライス体の切断面に露出した前記帯状導体パターンの端部同士を接続する架橋導体パターンを当該切断面に形成する架橋導体形成工程と、
前記帯状導体パターン及び前記架橋導体パターンからなるヘリカルコイルを少なくとも１個以上有するように、前記積層スライス体を個品チップに分離する分離工程とを備えることを特徴としている。
【００３１】
本願請求項２５の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項２０，２１，２２，２３又は２４において、前記絶縁層を研磨処理して厚さを調整することを特徴としている。
【００３２】
本願請求項２６の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項２２又は２３において、前記無機焼結体コア基板の前記帯状導体パターンの無い面を研磨処理して厚さを調整することを特徴としている。
【００３３】
本願請求項２７の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項２０，２１，２２，２３，２４，２５又は２６において、前記スライス工程の後、スライス面を研磨処理して厚さを調整することを特徴としている。
【００３４】
本願請求項２８の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６又は２７において、前記無機焼結体は、多孔質セラミックであることを特徴としている。
【００３５】
本願請求項２９の発明に係るインダクティブデバイスの製造方法は、請求項２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６又は２７において、前記無機焼結体は、磁性体であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、高性能、狭公差のインダクティブデバイスを高い歩留まりで量産性良く作製可能である。
【００３７】
また、コア基板として無機焼結体コア基板を用いる場合、コア基板の温度による収縮、反り等による変形が小さく、寸法安定性に優れているので、特に積層時における位置ずれを抑えることができ、歩留まりが良好となり、コスト削減を実現できる。また、無機焼結体コア基板として多孔質セラミックを用いる場合、切削性が良く、有機基板のみと比べて基板の強度が高く、ハンドリングが良好となる。さらに、無機焼結体コア基板として磁性体を用いる場合、透磁率を高くすることができるので、トランスを構成する場合等においてヘリカルコイル相互の結合を強くすることができる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明を実施するための最良の形態として、インダクティブデバイス及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【００３９】
図１及び図２で本発明の第１の実施の形態を説明する。まず、図１（Ａ）のように、帯状導体作製工程では、芯材を有する有機コア基板１を用意し、その基板１に複数個所形成された表裏アライメント用スルーホール９を利用して、基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成する。
【００４０】
芯材を有する有機コア基板１は、ガラスクロス、ケプラー等の樹脂クロス、フッ素樹脂（商品名：テフロン）の多孔質シート等の芯材に樹脂を含浸させたものであり、樹脂板を芯材で補強したものである。また、樹脂に例えば線膨張係数の制御や電気的特性の向上を目的として、球状シリカフィラーを添加したもの、チタン酸バリウム等の強誘電体粉末を添加したもの、フェライト粉末を添加したもの（複合フェライト）等も好ましく用いられる。樹脂の種類は高周波コイル等の高周波部品にはビニルベンジル樹脂のような高Ｑ、低誘電率材が好ましい。
【００４１】
前記複数の平行帯状導体パターン２の形成は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、転写などのフルアディティブ法等による導体層のパターニング方法で行う。前記サブトラクティブ法は導体層上に帯状導体パターン２に対応したレジスト層を形成し、レジスト層で被覆されていない導体層をエッチングにより除去する方法であり、プリント配線基板の製法で最も一般的な方法である。また、前記セミアディティブ法は下地導体層上にレジスト層を形成して、帯状導体パターン２に対応した下地導体層部分を露出させ、電気めっきにより帯状導体パターン２となる導体層を所望の厚さに形成後、不要な下地導体層部分を除去する方法である。
【００４２】
次に、図１（Ｂ）のように、積層工程では、芯材を有する有機コア基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成したものを、層間絶縁層（プリプレグ、接着シート）３を介して複数枚積み重ね（但し、導体パターン２が露出しないように最下層と最上層にも絶縁層を設ける）、加熱、加圧して積層一体化し、積層基板１０を得る。層間絶縁層３及び最下層と最上層の絶縁層の材質はコア基板１と同様でもよく、層間絶縁層３には芯材はあっても無くともよい。
【００４３】
前記積層工程では、層間絶縁層３となるプリプレグ又は接着シートと基板１を交互に積み重ねて、熱プレスもしくは真空プレスで一括積層するが、基板１は上から見て正確に重なるようにアライメントを行う必要がある。アライメントの方法としては、ピンアライメント、画像によるアライメント、基板１の外形寸法を正確に出してこの内の少なくとも２辺を高精度に形成されたアライメントの型に押し当てる等によってなされる。プリプレグとしては、例えばガラスクロス入りビニルベンジル樹脂、接着シートとしては適度に流動性を有する（導体パターン２の凹凸を吸収できる）日立化成社製接着フィルムＧＦ３６００等が好適に使用できる。なお、層間絶縁層３となるプリプレグ又は接着シートの厚みは出来るだけ薄い方が、積層方向のピッチ精度の向上の為には好ましい。
【００４４】
前記積層工程の後、図１（Ｃ）のようにスライス工程において、前記積層工程で得た積層基板をマルチワイヤーソー、マルチブレードソー等の切断手段で帯状導体パターン２を横断する切断線Ｐで切断し、積層スライス体２０を作製する。
【００４５】
次に、図２（Ａ）のように、架橋導体形成工程にて積層スライス体２０の切断面に露出した帯状導体パターン２の端部同士（基板１の表側のパターンと裏側パターン）を接続する架橋導体パターン２１を表裏両面にそれぞれ形成する。ここで、架橋導体パターン２１は基板表裏１の帯状導体パターン２と共にヘリカルコイルを構成するものであり、架橋導体パターン２１の形成は、帯状導体パターン２の場合と同様の、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、あるいはフルアディティブ法等による導体層のパターニングで行うことができる。
【００４６】
そして、架橋導体パターン２１の形成後の積層スライス体２０の表裏面を覆うように、図２（Ｂ）の保護層形成工程にて保護層２５を設ける。保護層２５はエポキシ、ビニルベンジル、ポリイミド等の樹脂やこれに石英等のフィラーを入れたものが好ましく、熱膨張等に配慮すると有機コア基板１と同様の材質がより好ましい。保護層２５には後工程で形成する端子電極とヘリカルコイル間の接続のために、ヘリカルコイル端部となる架橋導体パターン２１の端部を露出させるビアホール２６を形成する。ビアホール２６の形成方法はレーザー加工、サンドブラスト加工、あるいはダイサーで直線状の溝を形成する工法等が好ましく用いられる。また、保護層２５に感光性のエポキシ又はポリイミド樹脂を用いてフォトリソグラフィー法にてビアホール２６を形成するのも、位置精度または、量産性を考慮した場合好ましい。
【００４７】
その後、図２（Ｃ）の端子電極形成工程にて前記架橋導体パターン２１の端部に接続する端子電極３０を帯状導体パターン２や架橋導体パターン２１の形成に準ずる工法、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等で形成する。
【００４８】
そして、図２（Ｄ）のチップ分離工程において、ダイシングソー等の切断手段にて１個（又は複数個）のヘリカルコイルを有するインダクティブデバイスの個品チップ４０に切断線Ｑ１，Ｑ２で切断、分離する。
【００４９】
チップ４０に分離後、端子電極３０のバレル電気めっき処理により、例えば、ニッケル、錫の順に電気めっき層を形成する。
【００５０】
なお、電気めっき処理は、チップ分離前に、端子電極形成工程の端子電極３０の形成に引き続いて実施してもよい。
【００５１】
前記帯状導体パターン２及び架橋導体パターン２１の種類は、金、銀、銅、アルミ等が挙げられるが、電気抵抗及び量産時のコストを考慮すると銅が好ましい。
【００５２】
この第１の実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００５３】
（１）下記の理由でインダクティブデバイスのインダクタンス値が狭公差である。
ａ．  芯材を有する有機コア基板１であるため、基板の硬化収縮が小さく、寸法安定性に優れ、基板厚さバラツキが少なくなり、基板両面に帯状導体パターン２を形成したことと相俟ってヘリカルコイルの内径が一定となる。
ｂ．  芯材を有する有機コア基板１の平面方向（厚さと垂直の方向）の収縮が小さく、コイルピッチ精度が良好である。
【００５４】
（２）下記の理由で歩留まりが良い。
芯材を有する有機コア基板１は上述のように厚さバラツキが少なく、基板平面方向の収縮が小さいため、芯材を有する有機コア基板１に形成されたインダクティブデバイスとなる素子のＸ方向及びＹ方向の配列ピッチの精度が良い。
【００５５】
（３）下記の理由で量産性に優れる。
ａ．  歩留まりが良好である。
ｂ．  芯材を有する有機コア基板１を用いているため、基板強度が良好であり工程内の基板の割れを防止出来る。
【００５６】
図３及び図４で本発明の第２の実施の形態を説明する。まず、図３（Ａ）のように、帯状導体作製工程では、コア基板１Ａを用意し、その基板１Ａの片面に複数の平行帯状導体パターン２を形成する。
【００５７】
コア基板１Ａは樹脂板、あるいはガラスクロス、ケプラー等の樹脂クロス、フッ素樹脂（商品名：テフロン）の多孔質シート等の芯材に樹脂を含浸させてなる、樹脂板を芯材で補強したものを使用できる。また、主材質である樹脂に例えば線膨張係数の制御や電気的特性の向上を目的として、球状シリカフィラーを添加したもの、チタン酸バリウム等の強誘電体粉末を添加したもの、フェライト粉末を添加したもの（複合フェライト）等も好ましく用いられる。樹脂の種類は高周波コイル等の高周波部品にはビニルベンジル樹脂のような高Ｑ、低誘電率材が好ましい。また、コア基板１Ａとして、石英、ガラス、アルミナ、フェライト等の無機質の基板を用いても良い。さらに、高周波での用途でない場合はパーマロイ基板、及びパーマロイの薄いシートを薄い絶縁層を介して積層したもののような、金属製の基板を用いることもできる。但し、金属製基板の場合、帯状導体パターン２を設ける側に絶縁性の接着シートを設けておく。
【００５８】
前記複数の平行帯状導体パターン２の形成は、前述の第１の実施の形態と同様の工法で行うことができる。
【００５９】
次に、図３（Ｂ）のように、積層工程では、コア基板１Ａの片面に複数の平行帯状導体パターン２を形成したものを、層間絶縁層（プリプレグ、接着シート）３を介して複数枚積み重ね（但し、導体パターン２が露出しないように最上層にも絶縁層を設ける）、加熱、加圧して積層一体化し、積層基板１０Ａを得る。コア基板１Ａが有機材質であるとき、層間絶縁層３の材質はコア基板１Ａと同様でよい。層間絶縁層３が樹脂層の場合、芯材はあっても無くともよい。また、層間絶縁層３に無機材質を用いる場合は、両側に薄い絶縁性接着シートを挟んで積層する。ここで用いる接着シートとしては適度に流動性のある（導体パターン２の凹凸を吸収できる）日立化成社製接着フィルムＧＦ３６００等が好適に使用できる。積層工程のその他の条件は前述の第１の実施の形態と同様でよい。
【００６０】
前記積層工程の後、図３（Ｃ）のようにスライス工程において、前記積層工程で得た積層基板をマルチワイヤーソー、マルチブレードソー等の切断手段で帯状導体パターン２を横断する切断線Ｐで切断し、積層スライス体２０Ａを作製する。
【００６１】
次に、図４（Ａ）のように、架橋導体形成工程にて積層スライス体２０Ａの切断面に露出した帯状導体パターン２の端部同士（上下１組のコア基板１Ａのパターン同士）を接続する架橋導体パターン２１を形成する。ここで、架橋導体パターン２１は対をなす２枚のコア基板１Ａの帯状導体パターン２と共にヘリカルコイルを構成するものであり、架橋導体パターン２１の形成は、帯状導体パターン２の場合と同様の、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、あるいはフルアディティブ法等による導体層のパターニングで行うことができる。
【００６２】
以後、図４（Ｂ）の保護層形成工程、同図（Ｃ）の端子電極形成工程及び同図（Ｄ）のチップ分離工程は第１の実施の形態と同様に行うことができる。但し、チップ分離工程において、第１の実施の形態では層間絶縁層の部分を切断したが、この第２の実施の形態ではコア基板１Ａの厚みの中間位置を切断線Ｑ１で切断する。その他は、第１の実施の形態と同一又は相当部分に同一の符号を付して詳細は省略する。
【００６３】
この第２の実施の形態によれば、コア基板１Ａの片面のみに帯状導体パターン２を形成すればよく、工程の簡素化が図れる。また、基板両面に帯状導体パターン２を形成した場合に問題となる、表裏の導体パターンのアライメントのずれに起因する歩留まり低下を避けることができる。
【００６４】
なお、第２の実施の形態における積層工程での積層方法としては、コア基板の片面に平行帯状導体パターンを形成したものを、当該平行帯状導体パターンを形成している面を交互に反転して積層することも可能である。
【００６５】
図５及び図６で本発明の第３の実施の形態を説明する。まず、図５（Ａ）のように、帯状導体作製工程では、芯材を有する有機コア基板１を用意し、その有機コア基板１に複数個所形成された表裏アライメント用スルーホール９を利用して、有機コア基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成する。この工程は第１の実施の形態と同様である。
【００６６】
次に、図５（Ｂ）のように、第１積層工程では、前記帯状導体作製工程で平行帯状導体パターン２が表裏に形成された有機コア基板１に対して、その表裏に層間絶縁層（プリプレグ、あるいは接着シート）４を重ねて加圧、加熱等を施して積層一体化し、基板表裏が層間絶縁層４で覆われた積層体５を作製する。層間絶縁層４は、プリプレグとしては、例えばビニルベンジル樹脂を用いたもの、あるいは、接着シートとしては適度に流動性を有する（導体パターン２の凹凸を吸収できる）もの、例えば日立化成社製接着フィルムＧＦ３６００等が好適に使用できる。なお、積層体５上下面は互いに平行な平面に形成され、また積層体５の厚み精度を出すために、必要に応じて研磨処理を施すことも好ましい。
【００６７】
その後、図５（Ｃ）のように、第２積層工程において、積層体５と接着層となる接着シート６とを交互に積み重ねて、熱プレスもしくは真空プレスで一括積層し積層基板１０Ｂを作製する。その際、積層体５は上から見て正確に重なるようにアライメントを行う必要がある。アライメントの方法は第１の実施の形態と同様に行うことができる。
【００６８】
この第２積層工程において使用する接着シート６の材質はプレス時に出来るだけ流動性のないものが好ましい。このために、例えば接着シートの樹脂の硬化度を上げる等の手法が適用出来る。この接着シート６には、流動性の少ない日立化成社製接着フィルムＧＦ３５００等が好適に使用できる。なお、接着シート６の厚みは出来るだけ薄い方が積層方向のピッチ精度の向上の為（架橋導体パターン２１の位置合わせの為）には好ましい。さらに、接着シート６として導電性を有するものを使用しても良い。例を挙げると真鍮またはアルミ基板の表裏面に薄く接着剤を塗布したもの等がある。これにより工程内の基板及び積層体の機械的強度をさらに向上させることが可能で、またピッチ精度も良くなる。
【００６９】
以後、図５（Ｄ）のスライス工程、図６（Ａ）の架橋導体形成工程、同図（Ｂ）の保護層形成工程、同図（Ｃ）の端子電極形成工程及び同図（Ｄ）のチップ分離工程は第１の実施の形態と同様に行うことができる。第１の実施の形態と同一又は相当部分に同一の符号を付して詳細は省略する。
【００７０】
この第３の実施の形態によれば、第１積層工程では層間絶縁層４をできるだけ薄くし、当該層間絶縁層形成後の積層体５の厚み精度を高くし（必要ならばグラインダー等による研削、研磨を行い）、かつ第２積層工程では接着シート６をできるだけ薄くかつプレス時の流動性が少ないものを用いることで、積層基板１０Ｂに含まれるインダクティブデバイスとなる素子の積層方向のピッチ精度が良好となり、図６（Ａ）の架橋導体形成工程における架橋導体パターン２１と帯状導体パターン２間の位置ずれが発生しにくくなり、いっそうの歩留まり向上を図り得る。なお、その他の作用効果は第１の実施の形態と同様である。
【００７１】
上記第３の実施の形態は、コア基板片面のみに帯状導体パターンを形成した場合にも適用可能である。この場合、第２の実施の形態と同様に、対をなす上下のコア基板の帯状導体パターン同士を架橋導体パターンで接続後、コア基板の厚み中間位置を切断すればよい。但し、接着層は絶縁性のものに限定される。
【００７２】
図７及び図８で本発明の第４の実施の形態を説明する。まず、図７（Ａ）の帯状導体作製工程では、コア基板７となるプリプレグを用意するとともに、導電性を有する転写用基板に平行帯状導体パターン２をパターンメッキ法で所定厚みで形成しておく。そして、前記転写用基板にプリプレグを重ねて加圧（真空プレス）、加熱し、プリプレグを硬化した後、前記転写用基板を剥離する。これにより、図７（Ａ）のようにコア基板７の片面に平行帯状導体パターン２が転写で形成される。なお、コア基板７は平行帯状導体パターン２を転写するために、転写時においては、半硬化状態となっている樹脂シートやプリプレグを硬化したものである。例えば、ガラスクロス、ケプラー等の樹脂クロス、フッ素樹脂（商品名：テフロン）の多孔質シート等の芯材に樹脂を含浸させたものであり、樹脂板を芯材で補強したものである。また、樹脂に例えば線膨張係数の制御や電気的特性の向上を目的として、球状シリカフィラーを添加したもの、チタン酸バリウム等の強誘電体粉末を添加したもの、フェライト粉末を添加したもの（複合フェライト）等も好ましく用いられる。樹脂の種類は高周波コイル等の高周波部品にはビニルベンジル樹脂のような高Ｑ、低誘電率材が好ましい。この帯状導体作製工程では転写によって平行帯状導体パターン２を転写時に半硬化状態のコア基板７の片面に設けることで、コア基板７の導体パターン２を転写した面を平滑にすることができる。ここで、「平滑」とはＲmaxが１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは２μｍ以下の表面状態を示す。
【００７３】
次に、図７（Ｂ）の基板厚さ調整工程では、研磨処理により、コア基板７の導体パターン２を転写した面の反対面を研削、研磨して基板厚みを予め定めた一定厚さに調整する。
【００７４】
次に、図７（Ｃ）のように、積層工程では、コア基板７の片面に複数の平行帯状導体パターン２を形成したものを、接着層となるできるだけ薄い絶縁性接着シート８を介して複数枚積み重ね（但し、導体パターン２が露出しないように最上層にも接着シート８を設ける）、加熱、加圧して積層一体化し、積層基板１０Ｃを得る。前記接着シート８の材質は流動性の少ない日立化成社製接着フィルムＧＦ３５００等が好適に使用できる。
【００７５】
以後、図７（Ｄ）のスライス工程、図８（Ａ）の架橋導体形成工程、同図（Ｂ）の保護層形成工程、同図（Ｃ）の端子電極形成工程及び同図（Ｄ）のチップ分離工程は第２の実施の形態と同様に行うことができ、第２の実施の形態と同一又は相当部分に同一の符号を付して詳細は省略する。
【００７６】
この第４の実施の形態の場合、コア基板７の片面に転写で帯状導体パターン２を設け、かつその帯状導体パターン２を配置した側の面を平滑にし、あわせて基板厚さ調整工程にてコア基板厚みを高精度で一定厚みに管理することができる。
【００７７】
また、コア基板７の両面が平滑となるため、接着シート８として薄く、しかも流動性の少ないものを使用でき、積層工程でのプレス圧も少なくできる。このため、積層方向のピッチ精度が極めて良好であり、第２の実施の形態の作用効果に加えて、積層基板１０Ｃに含まれるインダクティブデバイスとなる素子の積層方向のピッチ精度を極めて良好なものにでき、図８（Ａ）の架橋導体形成工程における架橋導体パターン２１と帯状導体パターン２間の位置ずれが発生しにくくなり、いっそうの歩留まり向上を図り得る。
【００７８】
上記第４の実施の形態における積層工程での積層方法としては、コア基板の片面に平行帯状導体パターンを形成したものを、当該平行帯状導体パターンを形成している面を交互に反転して積層することも可能である。
【００７９】
なお、前述の第１、第２又は第３の実施の形態においても、第４の実施の形態と同様に、転写により帯状導体パターンをコア基板面に形成し、当該コア基板の帯状導体パターン配置側の面を平滑にした構成が可能である。
【００８０】
図１及び図２で本発明の第５の実施の形態を説明する。この第５の実施の形態は芯材を有する有機コア基板の代わりに無機焼結体コア基板を用いるものである。まず、図１（Ａ）のように、帯状導体作製工程では、無機焼結体コア基板１を用意し、その基板１に複数個所形成された表裏アライメント用スルーホール９を利用して、基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成する。この場合、コア基板１の焼結後に導体パターン２を形成してもよいし、未焼成コア基板に導体ペーストを設けておき、コア基板１の焼成と同時に導体パターン２を形成してもよい。
【００８１】
無機焼結体コア基板１は、磁気特性に配慮してフェライト等の磁性体を用いたり、製造時の切削性が良好な多孔質セラミック等を用いることができる。
【００８２】
前記複数の平行帯状導体パターン２の形成は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等による導体層のパターニング方法で行う。
【００８３】
次に、図１（Ｂ）のように、積層工程では、無機焼結体コア基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成したものを、層間絶縁層（プリプレグ、接着シート）３を介して複数枚積み重ね（但し、導体パターン２が露出しないように最下層と最上層にも絶縁層を設ける）、加熱、加圧して積層一体化し、積層基板１０を得る。層間絶縁層３には芯材はあっても無くともよい。
【００８４】
前記積層工程では、層間絶縁層３となるプリプレグ又は接着シートと基板１を交互に積み重ねて、熱プレスもしくは真空プレスで一括積層するが、基板１は上から見て正確に重なるようにアライメントを行う必要がある。アライメントの方法としては、ピンアライメント、画像によるアライメント、基板１の外形寸法を正確に出してこの内の少なくとも２辺を高精度に形成されたアライメントの型に押し当てる等によってなされる。プリプレグとしては、例えばガラスクロス入りビニルベンジル樹脂、接着シートとしては適度に流動性を有する（導体パターン２の凹凸を吸収できる）日立化成社製接着フィルムＧＦ３６００等が好適に使用できる。なお、層間絶縁層３となるプリプレグ又は接着シートの厚みは出来るだけ薄い方が、積層方向のピッチ精度の向上の為には好ましい。
【００８５】
前記積層工程の後、図１（Ｃ）のようにスライス工程において、前記積層工程で得た積層基板をマルチワイヤーソー、マルチブレードソー等の切断手段で帯状導体パターン２を横断する切断線Ｐで切断し、積層スライス体２０を作製する。
【００８６】
次に、図２（Ａ）のように、架橋導体形成工程にて積層スライス体２０の切断面に露出した帯状導体パターン２の端部同士（基板１の表側のパターンと裏側パターン）を接続する架橋導体パターン２１を表裏両面にそれぞれ形成する。ここで、架橋導体パターン２１は基板表裏１の帯状導体パターン２と共にヘリカルコイルを構成するものであり、架橋導体パターン２１の形成は、帯状導体パターン２の場合と同様の、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、あるいはフルアディティブ法等による導体層のパターニングで行うことができる。
【００８７】
そして、架橋導体パターン２１の形成後の積層スライス体２０の表裏面を覆うように、図２（Ｂ）の保護層形成工程にて保護層２５を設ける。保護層２５はエポキシ、ビニルベンジル、ポリイミド等の樹脂やこれに石英等のフィラーを入れたものが好ましい。保護層２５には後工程で形成する端子電極とヘリカルコイル間の接続のために、ヘリカルコイル端部となる架橋導体パターン２１の端部を露出させるビアホール２６を形成する。ビアホール２６の形成方法はレーザー加工、サンドブラスト加工、あるいはダイサーで直線状の溝を形成する工法等が好ましく用いられる。また、保護層２５に感光性のエポキシ又はポリイミド樹脂を用いてフォトリソグラフィー法にてビアホール２６を形成するのも、位置精度または、量産性を考慮した場合好ましい。
【００８８】
その後、図２（Ｃ）の端子電極形成工程にて前記架橋導体パターン２１の端部に接続する端子電極３０を帯状導体パターン２や架橋導体パターン２１の形成に準ずる工法、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法等で形成する。
【００８９】
そして、図２（Ｄ）のチップ分離工程において、ダイシングソー等の切断手段にて１個（又は複数個）のヘリカルコイルを有するインダクティブデバイスの個品チップ４０に切断線Ｑ１，Ｑ２で切断、分離する。
【００９０】
チップ４０に分離後、端子電極３０のバレル電気めっき処理により、例えば、ニッケル、錫の順に電気めっき層を形成する。
【００９１】
なお、電気めっき処理は、チップ分離前に、端子電極形成工程の端子電極３０の形成に引き続いて実施してもよい。
【００９２】
前記帯状導体パターン２及び架橋導体パターン２１の種類は、金、銀、銅、アルミ等が挙げられるが、電気抵抗及び量産時のコストを考慮すると銅が好ましい。
【００９３】
この第５の実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００９４】
（１）下記の理由でインダクティブデバイスのインダクタンス値が狭公差である。
ａ．  無機焼結体コア基板１であるため、基板の硬化収縮が小さく、寸法安定性に優れ、基板厚さバラツキが少なくなり、基板両面に帯状導体パターン２を形成したことと相俟ってヘリカルコイルの内径が一定となる。
ｂ．  無機焼結体コア基板１の平面方向（厚さと垂直の方向）の収縮が小さく、コイルピッチ精度が良好である。
【００９５】
（２）下記の理由で歩留まりが良い。
無機焼結体コア基板１は上述のように厚さバラツキが少なく、基板平面方向の収縮が小さいため、無機焼結体コア基板１に形成されたインダクティブデバイスとなる素子のＸ方向及びＹ方向の配列ピッチの精度が良い。
【００９６】
（３）下記の理由で量産性に優れる。
ａ．  歩留まりが良好である。
ｂ．  無機焼結体コア基板１を用いているため、基板強度が良好であり工程内の基板の割れを防止出来る。
【００９７】
図３及び図４で本発明の第６の実施の形態を説明する。まず、図３（Ａ）のように、帯状導体作製工程では、無機焼結体コア基板１Ａを用意し、その無機焼結体コア基板１Ａの片面に複数の平行帯状導体パターン２を形成する。
【００９８】
無機焼結体コア基板１Ａは、フェライトやセラミック等であり、高周波コイル等の高周波部品には高Ｑ、低誘電率材が好ましい。
【００９９】
前記複数の平行帯状導体パターン２の形成は、前述の第１の実施の形態と同様の工法で行うことができる。
【０１００】
次に、図３（Ｂ）のように、積層工程では、無機焼結体コア基板１Ａの片面に複数の平行帯状導体パターン２を形成したものを、層間絶縁層（プリプレグ、接着シート）３を介して複数枚積み重ね（但し、導体パターン２が露出しないように最上層にも絶縁層を設ける）、加熱、加圧して積層一体化し、積層基板１０Ａを得る。層間絶縁層３が樹脂層の場合、芯材はあっても無くともよい。また、層間絶縁層３に無機材質を用いる場合は、両側に薄い絶縁性接着シートを挟んで積層する。ここで用いる接着シートとしては適度に流動性のある（導体パターン２の凹凸を吸収できる）日立化成社製接着フィルムＧＦ３６００等が好適に使用できる。積層工程のその他の条件は前述の第１の実施の形態と同様でよい。
【０１０１】
前記積層工程の後、図３（Ｃ）のようにスライス工程において、前記積層工程で得た積層基板をマルチワイヤーソー、マルチブレードソー等の切断手段で帯状導体パターン２を横断する切断線Ｐで切断し、積層スライス体２０Ａを作製する。
【０１０２】
次に、図４（Ａ）のように、架橋導体形成工程にて積層スライス体２０Ａの切断面に露出した帯状導体パターン２の端部同士（上下１組のコア基板１Ａのパターン同士）を接続する架橋導体パターン２１を形成する。ここで、架橋導体パターン２１は対をなす２枚のコア基板１Ａの帯状導体パターン２と共にヘリカルコイルを構成するものであり、架橋導体パターン２１の形成は、帯状導体パターン２の場合と同様の、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、あるいはフルアディティブ法等による導体層のパターニングで行うことができる。
【０１０３】
以後、図４（Ｂ）の保護層形成工程、同図（Ｃ）の端子電極形成工程及び同図（Ｄ）のチップ分離工程は第１の実施の形態と同様に行うことができる。但し、チップ分離工程において、第１の実施の形態では層間絶縁層の部分を切断したが、この第６の実施の形態ではコア基板１Ａの厚みの中間位置を切断線Ｑ１で切断する。その他は、第１の実施の形態と同一又は相当部分に同一の符号を付して詳細は省略する。
【０１０４】
この第６の実施の形態によれば、無機焼結体コア基板１Ａの片面のみに帯状導体パターン２を形成すればよく、工程の簡素化が図れる。また、基板両面に帯状導体パターン２を形成した場合に問題となる、表裏の導体パターンのアライメントのずれに起因する歩留まり低下を避けることができる。
【０１０５】
なお、第６の実施の形態における積層工程での積層方法としては、コア基板の片面に平行帯状導体パターンを形成したものを、当該平行帯状導体パターンを形成している面を交互に反転して積層することも可能である。
【０１０６】
図５及び図６で本発明の第７の実施の形態を説明する。まず、図５（Ａ）のように、帯状導体作製工程では、無機焼結体コア基板１を用意し、その無機焼結体コア基板１に複数個所形成された表裏アライメント用スルーホール９を利用して、無機焼結体コア基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成する。この工程は第１の実施の形態と同様である。
【０１０７】
次に、図５（Ｂ）のように、第１積層工程では、前記帯状導体作製工程で平行帯状導体パターン２が表裏に形成された無機焼結体コア基板１に対して、その表裏に層間絶縁層（プリプレグ、あるいは接着シート）４を重ねて加圧、加熱等を施して積層一体化し、基板表裏が層間絶縁層４で覆われた積層体５を作製する。層間絶縁層４は、プリプレグとしては、例えばビニルベンジル樹脂を用いたもの、あるいは、接着シートとしては適度に流動性を有する（導体パターン２の凹凸を吸収できる）もの、例えば日立化成社製接着フィルムＧＦ３６００等が好適に使用できる。なお、積層体５上下面は互いに平行な平面に形成され、また積層体５の厚み精度を出すために、必要に応じて研磨処理を施すことも好ましい。
【０１０８】
その後、図５（Ｃ）のように、第２積層工程において、積層体５と接着層となる接着シート６とを交互に積み重ねて、熱プレスもしくは真空プレスで一括積層し積層基板１０Ｂを作製する。その際、積層体５は上から見て正確に重なるようにアライメントを行う必要がある。アライメントの方法は第１の実施の形態と同様に行うことができる。
【０１０９】
この第２積層工程において使用する接着シート６の材質はプレス時に出来るだけ流動性のないものが好ましい。このために、例えば接着シートの樹脂の硬化度を上げる等の手法が適用出来る。この接着シート６には、流動性の少ない日立化成社製接着フィルムＧＦ３５００等が好適に使用できる。なお、接着シート６の厚みは出来るだけ薄い方が積層方向のピッチ精度の向上の為（架橋導体パターン２１の位置合わせの為）には好ましい。さらに、接着シート６として導電性を有するものを使用しても良い。例を挙げると真鍮またはアルミ基板の表裏面に薄く接着剤を塗布したもの等がある。これにより工程内の基板及び積層体の機械的強度をさらに向上させることが可能で、またピッチ精度も良くなる。
【０１１０】
以後、図５（Ｄ）のスライス工程、図６（Ａ）の架橋導体形成工程、同図（Ｂ）の保護層形成工程、同図（Ｃ）の端子電極形成工程及び同図（Ｄ）のチップ分離工程は第１の実施の形態と同様に行うことができる。第５の実施の形態と同一又は相当部分に同一の符号を付して詳細は省略する。
【０１１１】
この第７の実施の形態によれば、第１積層工程では層間絶縁層４をできるだけ薄くし、当該層間絶縁層形成後の積層体５の厚み精度を高くし（必要ならばグラインダー等による研削、研磨を行い）、かつ第２積層工程では接着シート６をできるだけ薄くかつプレス時の流動性が少ないものを用いることで、積層基板１０Ｂに含まれるインダクティブデバイスとなる素子の積層方向のピッチ精度が良好となり、図６（Ａ）の架橋導体形成工程における架橋導体パターン２１と帯状導体パターン２間の位置ずれが発生しにくくなり、いっそうの歩留まり向上を図り得る。なお、その他の作用効果は第５の実施の形態と同様である。
【０１１２】
上記第７の実施の形態は、無機焼結体コア基板片面のみに帯状導体パターンを形成した場合にも適用可能である。この場合、第２の実施の形態と同様に、対をなす上下のコア基板の帯状導体パターン同士を架橋導体パターンで接続後、コア基板の厚み中間位置を切断すればよい。但し、接着層は絶縁性のものに限定される。
【０１１３】
図１０で本発明の第８の実施の形態を説明する。図１０（Ａ）の帯状導体作製工程のように、芯材を有する有機コア基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成する。前記コア基板１は、ガラスクロス、ケプラー等の樹脂クロス、フッ素樹脂（商品名：テフロン）の多孔質シート等の芯材に樹脂を含浸させてなる樹脂板を芯材で補強したものを使用できる。また、主材質である樹脂に例えば線膨張係数の制御や電気的特性の向上を目的として、球状シリカフィラーを添加したもの、チタン酸バリウム等の強誘電体粉末を添加したもの、フェライト粉末を添加したもの（複合フェライト）等も好ましく用いられる。樹脂の種類は高周波コイル等の高周波部品にはビニルベンジル樹脂のような高Ｑ、低誘電率材が好ましい。
【０１１４】
前記複数の平行帯状導体パターン２の形成は、前述の第１の実施の形態と同様の工法で行うことができる。
【０１１５】
次に、図１０（Ｂ）のように、積層工程では、芯材を有する有機コア基板１の表裏面に複数の平行帯状導体パターン２を形成したものと無機焼結体コア基板５０とを、接着性層間絶縁層（接着シート）５１を介して交互に複数枚積み重ね、加熱、加圧して積層一体化し、積層基板６０を得る。
【０１１６】
前記積層工程の後、図１０（Ｃ）のようにスライス工程において、前記積層工程で得た積層基板６０をマルチワイヤーソー、マルチブレードソー等の切断手段で帯状導体パターン２を横断する切断線Ｐで切断し、積層スライス体７０を作製する。
【０１１７】
次に、図１０（Ｄ）のように、架橋導体形成工程にて積層スライス体７０の切断面に露出した帯状導体パターン２の端部同士を接続する架橋導体パターン２１を形成する。ここで、架橋導体パターン２１は無機焼結体コア基板５０を挟んで対をなす２枚の有機コア基板１の帯状導体パターン２と共にヘリカルコイルを構成するものであり、架橋導体パターン２１の形成は、帯状導体パターン２の場合と同様の、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、あるいはフルアディティブ法等による導体層のパターニングで行うことができる。
【０１１８】
以後の工程は、第１の実施の形態における図２（Ｂ）,（Ｃ）,（Ｄ）と同様に行うことができる。但し、チップ分離工程において、第１の実施の形態では層間絶縁層の部分を切断したが、この第８の実施の形態では有機コア基板の厚みの中間位置（図１０（Ｄ）の仮想線Ｓ）を切断する。
【０１１９】
この第８の実施の形態の場合も、前述した第５の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１２０】
図９はコア基板の表裏に形成する帯状導体パターンの例であり、同図（Ａ）は各実施の形態で例示した平行帯状導体パターン２を示す。また、図９（Ｂ）は帯状導体パターン２の変形例であり、端子電極の強度アップの為に基板端部に帯状導体パターンの接続端部となる幅広導体２８を埋め込んだ例である。図９（Ｃ）はインダクティブデバイスが低インダクタンス品の場合で、帯状導体パターン２の中間のものを斜めに配置した別の変形例である。
【０１２１】
以下、本発明を実施例で詳述する。
【実施例１】
【０１２２】
図１及び図２参照：下記に各工程の詳細を示す。
【０１２３】
（１）帯状導体作製工程
芯材を有する有機コア基板としてガラスクロス入りビニルベンジル樹脂基板（７６mm角、厚さ３５０μｍ）を用意した。次に有機コア基板の表裏面にそれぞれ平行帯状導体パターンをセミアディティブ工法で銅めっきで作成した。パターンは、導体幅：３５μｍ（端部は１００μｍ）、導体間隔：２０μｍ、導体高さ：３５μｍとした。なお、表裏のアライメントは直径０.２mmの穴を前記基板の２カ所にドリルで開けてアライメントマークとして行った。
【０１２４】
（２）積層工程
上記で帯状導体パターンを作製した有機コア基板と層間絶縁層を交互に積み重ね真空プレスで加熱、加圧して一括積層し積層基板とした。コア基板の積層の枚数はプレス後の厚さが７６mmになるように設定した（１３８枚）。層間絶縁層は２００μｍ厚ガラスクロス入りビニルベンジル樹脂プリプレグを用いた。アライメントは各基板の四隅に直径５mmの穴を平行電極パターンに対して一定の位置に開けてピンアライメントにて行った。
【０１２５】
（３）スライス工程
マルチワイヤーソーで切断後の厚みが０.４５mmになるように前記積層基板を切断し、積層スライス体とした。その後、スライス面の両面を５０μｍずつ研磨処理し、積層スライス体の厚さを３５０μｍに調整した。
【０１２６】
（４）架橋導体形成工程
架橋導体パターンはセミアディティブ工法で銅めっきで作成した。パターンは、導体幅：３５μｍ（端部は１００μｍ）、導体間隔：２０μｍ、導体高さ：３５μｍとした。
【０１２７】
（５）保護層形成工程
５０μｍ厚ビニルベンジル樹脂で保護層を形成した。ビアホールはサンドブラスト法で保護層に形成した。
【０１２８】
（６）端子電極形成工程
セミアディティブ法によって銅の端子電極を形成した。チップ分離後端子電極上にバレルめっきでニッケル層１μｍ、その上に錫層２μｍ形成した。
【０１２９】
（７）チップ分離工程
ダイシングで切断した。
【０１３０】
（８）歩留まりについて
スライス基板を１０枚作製した場合の歩留まりは、工程内歩留まり１００％であり、基板１枚当たり約１万個、基板１０枚で計約１０万個作製したうち１００個をサンプルとして特性検査を行ったときの特性検査歩留まり６５％（主な不良原因はパターンずれによる断線）、一貫歩留まり６５％であった。
工程内歩留まり＝｛（基板投入枚数−ウエハアウト基板枚数）／（基板投入枚数）｝×１００（％）
（ウエハアウト基板枚数：割れ、外観不良等の理由で工程内で除去した基板枚数）
特性検査の判定基準はインダクタンス値：基準値±２％、１ＧＨｚでのＱ≧４５、直流抵抗Ｒdc：基準値±３０％とした。また良品のインダクタンス値（Ｌ値）バラツキは３σ／Ｘで３.２％であった（但し、σ：標準偏差、Ｘ：平均値）。
（一貫歩留まり）＝（工程内歩留まり）×（特性検査歩留まり）
【０１３１】
比較例１
実施例１でコア基板に芯材クロスを入れない場合、歩留まりは工程内歩留まり２０％（不良原因は工程内の割れ）、検査歩留まり２０％（主な不良原因はパターンずれによる断線）、一貫歩留まり４％である。また良品のインダクタンス値バラツキは３σ／Ｘで６.７％であった。
【実施例２】
【０１３２】
図３及び図４参照、下記以外は実施例１と同じ。
【０１３３】
（１）帯状導体作製工程
パターニングは片面のみに行った。
【０１３４】
（２）積層工程
層間絶縁層は５０μｍ厚クロスなしビニルベンジル樹脂プリプレグを用いた。
【０１３５】
（３）歩留まりについて
スライス基板を１０枚作製した場合の歩留まりは、工程内歩留まり１００％、検査歩留まり７２％（主な不良原因はパターンずれによる断線）、一貫歩留まり７２％である。また良品のインダクタンス値バラツキは３σ／Ｘで２.１％であった。実施例１に比べての歩留まりの改善は上下の対をなす帯状導体パターン同士のアライメント精度の向上に起因する。
【０１３６】
なお、実施例２における積層工程での積層方法としては、コア基板の片面に平行帯状導体パターンを形成したものを、当該平行帯状導体パターンを形成している面を交互に反転して積層することも可能である。
【実施例３】
【０１３７】
図５及び図６参照、下記以外は実施例１と同じ。
【０１３８】
（１）第１積層工程、
ガラスクロス入りビニルベンジル樹脂基板を１００μｍ厚ビニルベンジル樹脂プリプレグで挟み込んで積層した。両面を４０μｍずつ削り、基板を含む積層体の厚さを４７０μｍに調整した（積層体厚みの精度出しの為）。
【０１３９】
（２）第２積層工程
エポキシ接着シートは厚さ２０μｍでプレス時に殆ど流動しないタイプ（日立化成社製接着フィルムＧＦ３５００）を使用した。
【０１４０】
（３）歩留まりについて
スライス基板を１０枚作製した場合の歩留まりは、工程内歩留まり１００％、検査歩留まり８３％（主な不良原因はパターンずれによる断線）、一貫歩留まり８３％である。また良品のインダクタンス値バラツキは３σ／Ｘで１.５％であった。実施例１に比べての歩留まりの改善は、図５及び図６の断面図の縦方向のピッチの精度の向上に起因する。
【実施例４】
【０１４１】
下記以外は実施例３と同じ。
【０１４２】
（１）帯状導体作製工程
パターニングは片面のみに行った。
【０１４３】
（２）第１積層工程、
ガラスクロス入りビニルベンジル樹脂基板の帯状導体作製面に１００μｍ厚ビニルベンジル樹脂プリプレグを積層した。プリプレグ側の面を４０μｍ削り、積層体厚みの精度出しを行った。
【０１４４】
（３）歩留まりについて
スライス基板を１０枚作製した場合の歩留まりは、工程内歩留まり１００％、検査歩留まり８６％（主な不良原因はパターンずれによる断線）、一貫歩留まり８６％である。また良品のインダクタンス値バラツキは３σ／Ｘで１.４％であった。実施例１に比べての歩留まりの改善は、積層体縦方向のピッチの精度の向上に起因する。
【０１４５】
なお、実施例４における積層工程での積層方法としては、コア基板の片面に平行帯状導体パターンを形成したものを、当該平行帯状導体パターンを形成している面を交互に反転して積層することも可能である。
【実施例５】
【０１４６】
図７及び図８参照
【０１４７】
（１）帯状導体作製工程
転写用基板としての０.１mm厚（７６mm角）のステンレス薄板（ＳＵＳ３０４材）を用い、その上に平行帯状導体パターンをパターンメッキ法で形成した。パターンは導体幅：３５μｍ（端部は１００μｍ）、導体間隔：２０μｍ、高さ：３５μｍとした。コア基板は１５０μｍ厚ガラスクロス入りビニルベンジル樹脂基板を用いた。このコア基板は、半硬化状（Ｂステージ状）のガラスクロス入りビニルベンジル樹脂プリプレグを上記転写用基板上に重ね、真空プレスにて加圧、加熱し、プリプレグを硬化した後、転写用基板を剥離し、帯状導体パターンを転写して作製した。
【０１４８】
（２）基板厚さ調整工程
帯状導体パターンのない面を研磨処理し、コア基板の厚さを４００μｍに調整した。
【０１４９】
（３）積層工程
厚さ１０μｍのビニルベンジル樹脂製接着シートで真空プレスを行った。
【０１５０】
（４）歩留まりについて
スライス基板を１０枚作製した場合の歩留まりは、工程内歩留まり１００％、検査歩留まり９０％（主な不良原因はパターンずれによる断線）、一貫歩留まり９０％であった。また良品のインダクタンス値バラツキは３σ／Ｘで１.２％であった。実施例１に比べての歩留まりの改善は上下の対をなす帯状導体パターン同士のアライメント精度の向上及び図７及び図８における縦方向のピッチの精度の向上に起因する。
【０１５１】
なお、実施例５における積層工程での積層方法としては、コア基板の片面に平行帯状導体パターンを形成したものを、当該平行帯状導体パターンを形成している面を交互に反転して積層することも可能である。
【実施例６】
【０１５２】
図１０参照：下記に各工程の詳細を示す。
【０１５３】
（１）帯状導体作製工程
芯材を有する有機コア基板としてガラスクロス入りビニルベンジル樹脂基板（７０mm角、厚さ２００μｍ）を用意した。次に有機コア基板の表裏面にそれぞれ平行帯状導体パターンをセミアディティブ工法で銅めっきにて作製した。パターンは、導体幅：３５μｍ、導体間隔：２０μｍ、導体高さ：３０μｍとした。なお、表裏のアライメントは、直径０.２mmの穴を前記基板の２箇所にドリルで開けてアライメントマークとして行った。
【０１５４】
（２）積層工程
上記で帯状導体パターンを作製した有機コア基板と無機焼結体コア基板とを接着性層間絶縁層（接着シート）を介して交互に複数枚積み重ね、加熱、加圧して積層一体化し、積層基板とした。コア基板の積層の枚数はプレス後の厚さが４０mmになるように設定した（８０枚）。層間絶縁層は５０μｍのエポキシ系接着シートを用いた。無機焼結体コア基板は、フェライト（Ｎｉ−Ｃｏ系）を用いた。アライメントは、各基板の四隅に直径５mmの穴を平行電極パターンに対して一定の位置に開けてピンアライメントにて行った。
【０１５５】
（３）スライス工程
マルチワイヤーソーで切断後の厚みが０.４５mmになるように前記積層基板を切断し、積層スライス体とした。その後、スライス面の両面を５０μｍずつ研磨処理し、積層スライス体の厚さを３５０μｍに調整した。
【０１５６】
（４）架橋導体形成工程
架橋導体パターンは、セミアディティブ工法で銅めっきにて作製した。パターンは、導体幅：３５μｍ、導体間隔２０μｍ、導体高さ：３０μｍとした。
【０１５７】
（５）保護層形成工程
５０μｍ厚ビニルベンジル樹脂で保護層を形成した。ビアホールはサンドブラスト法で保護層に形成した。
【０１５８】
（６）端子電極形成工程
セミアディティブ工法によって銅の端子電極を形成した。チップ分離後端子電極上にバレルめっきでニッケル層１μｍ、その上に錫層２μｍ形成した。
【０１５９】
（７）チップ分離工程
ダイシングで切断した。
【０１６０】
（８）歩留まりについて
スライス基板を１０枚作製した場合の歩留まりは、工程内歩留まり１００％、検査歩留まり８８％（主な不良原因はパターンずれによる断線）、一貫歩留まり８８％である。また、良品のインダクタンス値バラツキは３σ／Ｘで１.３％であった。実施例１に比べて歩留まりの改善は、図１０断面図の、縦方向のピッチ精度の向上に起因する。
【０１６１】
（９）インダクタンス値について
５０ＭＨｚにおけるインダクタンス値は、実施例１のコイルと比較しておよそ１０倍となった。これは、無機焼結体コア基板（Ｎｉ−Ｃｏ系フェライト）を使用したことにより、透磁率が高くなったことに起因する。
【０１６２】
各実施例及び比較例の基板、電極（帯状導体パターン）、接着方法（積層方法）、歩留まりを以下の表１にまとめて示す。
【０１６３】
【表１】
2004304157.tif 000003
【０１６４】
また、実施例１と実施例６のインダクタンス値を対比したものを以下の表２に示す。
【０１６５】
【表２】
2004304157.tif 000004
【０１６６】
以上本発明の実施の形態及び実施例について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【０１６７】
【図１】本発明の第１及び第５の実施の形態における工程の前半部分を示す断面図及び平面図である。
【図２】第１及び第５の実施の形態における工程の後半部分を示す断面図及び平面図である。
【図３】第２及び第６の実施の形態における工程の前半部分を示す断面図及び平面図である。
【図４】第２及び第６の実施の形態における工程の後半部分を示す断面図及び平面図である。
【図５】第３及び第７の実施の形態における工程の前半部分を示す断面図及び平面図である。
【図６】第３及び第７の実施の形態における工程の後半部分を示す断面図及び平面図である。
【図７】第４の実施の形態における工程の前半部分を示す断面図及び平面図である。
【図８】第４の実施の形態における工程の後半部分を示す断面図及び平面図である。
【図９】各実施の形態における帯状導体パターンの変形例を示す平面図及び底面図である。
【図１０】第８の実施の形態における工程を示す断面図及び平面図である。
【符号の説明】
【０１６８】
１，１Ａ，７，５０  コア基板
２  平行帯状導体パターン
３  層間絶縁層
５  積層体
８  絶縁性接着シート
９  表裏アライメント用スルーホール
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，６０  積層基板
２０，２０Ａ，７０  積層スライス体
２１  架橋導体パターン
２５  保護層
２６  ビアホール
３０  端子電極
４０  チップ
【図１】
2004304157.tif 000005
【図２】
2004304157.tif 000006
【図３】
2004304157.tif 000007
【図４】
2004304157.tif 000008
【図５】
2004304157.tif 000009
【図６】
2004304157.tif 000010
【図７】
2004304157.tif 000011
【図８】
2004304157.tif 000012
【図９】
2004304157.tif 000013
【図１０】
2004304157.tif 000014