(57)【要約】【課題】インピーダンスの整合回路を一様にすることが可能であり、かつ、誘電率が異なる基板が至近距離で配置された場合でも基板間の影響を受けず、しかも、物理的な接続を行なわなくても電磁気的に接続可能な高周波回路基板の接続構造を提供する。【解決手段】誘電体共振器６と８とを、隣り合って信号線路を接続すべき基板の中間の筐体内面上に配置する。誘電体円柱６ｂの下には接続すべき信号と対応するマイクロストリップライン１、マイクロストリップライン１’を配置し、誘電体共振器６または８を介して信号の入力側と出力側とを電磁気的に結合する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の高周波回路基板上に設けられ、互いに接続すべきマイクロストリップラインを接続する構造において、
前記マイクロストリップライン同士を誘電体共振器を介して電磁気的に接続してなることを特徴とする高周波回路基板の接続構造。
【請求項２】
前記誘電体共振器は、複数の前記高周波回路基板の中間に配置してなることを特徴とする請求項１記載の高周波回路基板の接続構造。
【請求項３】
前記誘電体共振器は、互いに接続される前記高周波回路基板のどちらか一方の基板上に配置してなることを特徴とする請求項１記載の高周波回路基板の接続構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波回路基板の接続構造に係わり、より詳細にはマイクロストリップライン同士の接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ギガヘルツ単位の周波数を取り扱う高周波回路基板においては、マイクロストリップラインを多用しており、また、調整や交換を目的として各機能ごとに回路をモジュール化する手法が用いられている。
さらに、モジュール化された高周波回路基板は、各機能ごとに最適な基板材料が選択されている。例えば、テフロン（登録商標）を材料とする基板は、損失が少なくてパターン調整を行なう場合に作業性が良いが、誘電率が低くて形状が大型になりやすい。また、セラミックを材料とする基板は、誘電率が高くて小型化しやすいが、熱容量が大きくてハンダ付けや調整などの作業性が悪い。
そこで、基板面積が大きくなりやすいフィルタ回路などを小型化し、Ｑが高くて選択特性をよくするためにセラミック基板が採用されている。また、アンプなど整合回路の調整が必要な回路にはテフロン基板が採用されている。
【０００３】
図３は前述の技術を用いて構成した高周波回路の例であり、（Ａ）は回路図、（Ｂ）はその回路を構成する基板の断面図、（Ｃ）はその基板の上面図である。
この高周波回路は、入力した信号を別の周波数に変換するミキサ回路を構成する回路Ａと、変換された周波数から特定の周波数を通過させるフィルタ回路を構成する回路Ｂと、フィルタ回路を通過した信号を増幅する回路Ｃとで構成されている。
それぞれの回路は独立した基板上に形成されており、回路Ａはテフロン基板、回路Ｂはセラミック基板、回路Ｃはテフロン基板で作成されている。また、各基板には図３（Ｂ）に示すようにマイクロストリップライン８１を構成する基板上面の銅箔と、グランド（以下ＧＮＤ）の電位に保持された基板下面の銅箔面８２とが備えられ、各基板は金属性の筐体の内面上に固定されている。
回路Ａは信号を増幅するアンプ８３と、アンプ８３で増幅された信号とオシレータ８４からの周波数とを混合するミキサ８５で構成され、混合された信号は誘導性（Ｌ成分）回路素子８６と容量性（Ｃ成分）回路素子８７と伝送線路（回路の特定インピーダンスに等しい配線パターン）とからなる整合回路を通して基板の外に出力される。
出力された信号は回路Ｂに接続されてフィルタ８８を通過し、回路Ｃへ出力される。回路Ｃでは入力した信号を誘導性回路素子８９と容量性回路素子９０と伝送線路とからなる整合回路を通してからアンプ９１で増幅し、次の回路（図示せず）へ出力する。
【０００４】
これらの各回路（基板）の信号を接続するための従来の接続構造では、マイクロストリップライン８１同士を金ワイヤ（図示せず）でハンダ付けしたり、図３（Ｂ）に示すように低誘電率シート９２に備えられた導体９３を各基板のマイクロストリップライン８１同士に接触させて電気的に接続している（例えば、特許文献１参照。）。
接続される基板が同じ材質であれば、このように単純に物理的な接続だけでもよいが、この例のように異なる材質の基板の場合、各基板の誘電率の違いにより同じ特性インピーダンス（例えば５０Ω）を得るためのマイクロストリップラインの線路巾が異なり、広帯域にインピーダンスマッチングをとることが困難であり、周波数特性が乱れてしまう問題があった。このため、回路Ａや回路Ｃの接続箇所ごとに異なった整合回路を設けて対処している（例えば、特許文献２参照。）。
【０００５】
しかしながら、各接続箇所ごとに整合回路を設けることは生産性に乏しく、また、整合回路を設けたとしても、誘電率が異なる基板が至近距離で配置された場合、基板が所定の位置からずれると、接続箇所のインピーダンスが変化してしまうという問題があった。
さらに、従来の接続構造では基板同士を物理的に接続してしまうため、調整や修理のたびに接続箇所を外し、再接続しなければならず信頼性や作業効率が低下するという問題があった。特にセラミック基板は熱伝導性が良いため、ハンダ付けの際に熱が逃げ、作業性が著しく低下していた。
【０００６】
【特許文献１】
特開平２０００−３０７３０１号公報  （第５頁、第１図）
【特許文献２】
特開平９−２６０９４４号公報  （第３頁、第１図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は以上述べた問題点を解決し、インピーダンスの整合回路を一様にすることが可能であり、かつ、誘電率が異なる基板が至近距離で配置された場合でも基板間の影響を受けず、しかも、物理的な接続を行なわなくても電磁気的に接続可能な高周波回路基板の接続構造を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点を解決するため、複数の高周波回路基板上に設けられ、互いに接続すべきマイクロストリップラインを接続する構造において、
前記マイクロストリップライン同士を誘電体共振器を介して電磁気的に接続する。
【０００９】
また、前記誘電体共振器は、複数の前記高周波回路基板の中間に配置してなる構造とする。
【００１０】
または、前記誘電体共振器は、互いに接続される前記高周波回路基板のどちらか一方の基板上に配置してなる構造とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明による高周波回路基板の接続構造を詳細に説明する。
図１は本発明による高周波回路の一実施例であり、（Ａ）は回路図、（Ｂ）はその回路を構成する基板の断面図である。
この高周波回路は、入力した信号を別の周波数に変換するミキサ回路を構成する回路Ａと、変換された周波数から特定の周波数を通過させるフィルタ回路を構成する回路Ｂと、フィルタ回路を通過した信号を増幅する回路Ｃとで構成されている。
それぞれの回路は独立した基板上に形成されており、回路Ａはテフロン基板、回路Ｂはセラミック基板、回路Ｃはテフロン基板で作成されている。また、各基板には図１（Ｂ）に示すようにマイクロストリップライン１を構成する基板上面の銅箔と、グランド（以下ＧＮＤ）の電位に保持された基板下面の銅箔面２とが備えられ、各基板は金属性の筐体の内面上に固定されている。
回路Ａは信号を増幅するアンプ３と、アンプ３で増幅された信号とオシレータ４からの周波数とを混合するミキサ５で構成され、混合された信号は誘電体共振器６を介して回路Ｂの基板に出力される。
出力された信号は回路Ｂに接続されてフィルタ７を通過し、誘電体共振器８を介して回路Ｃの基板に出力される。回路Ｃでは入力した信号をアンプ９で増幅し、次の回路（図示せず）へ出力する。
【００１２】
誘電体共振器６と８とは図１（Ｂ）に示すように、セラミックの台座６ａの上に低損失高誘電率の誘電体円柱６ｂを固定した構造であり、隣り合って信号線路を接続すべき基板の中間の筐体内面上に配置されている。誘電体円柱６ｂの下には接続すべき信号線路と対応するマイクロストリップライン１、マイクロストリップライン１’が配置されており、誘電体共振器６、または８を介して信号線路の入力側と出力側とが電磁気的に結合されている。
【００１３】
このように、テフロン基板とセラミック基板とのような誘電率が異なる基板が至近距離で配置されていても、誘電体共振器を介して非接触で信号線路を接続することができるため、それぞれの基板の影響を受けずにインピーダンスマッチングを行なうことが容易であり、かつ、各基板を単独で交換することも容易である。
【００１４】
図２は本発明による高周波回路の別の実施例であり、（Ａ）は回路図、（Ｂ）はその回路を構成する基板の断面図、（Ｃ）はその基板の上面図である。
各回路の機能と構成は図１と同じであり、また、誘電体共振器の取付位置のみが図１と異なるため、この誘電体共振器の取付位置について詳細に説明する。
誘電体共振器６及び８は回路Ａ及び回路Ｃのテフロン基板上に備えられており、各誘電体共振器は、隣り合う基板の接続すべき信号線路と一番近い距離となる位置、つまり、基板の端に位置している。例えば、回路Ａの基板上の端に誘電体共振器６を固定し、誘電体円柱６ｂの下には接続すべき信号線路と対応するマイクロストリップライン１０が配置されている。また、隣に配置された回路Ｂの入力側のマイクロストリップライン１０’も誘電体円柱６ｂの下に配置されており、それぞれのマイクロストリップライン１０、マイクロストリップライン１０’が誘電体共振器６を介して電磁気的に接続されている。
【００１５】
このように、誘電体共振器をテフロン基板上に配置することにより、誘電体共振器も含めて回路をモジュール化できるため、図１の例に比べて保守性が向上する。また、誘電体共振器はセラミック基板上に設けても同様な効果を有する。
さらに、誘電体共振器の台座をなくして誘電体円柱を直接基板に固定し、マイクロストリップラインを誘電体円柱の横に配設してもよい。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による高周波回路基板の接続構造によれば、請求項１に係わる発明は、誘電体共振器を介して複数の基板の信号を接続することにより、テフロン基板とセラミック基板とのような誘電率が異なる基板の信号線路を接続する場合でも、ハンダ付けのような物理的な接続が不要であり、また、インピーダンスマッチングを容易に行なうことができる。
また、請求項２に係わる発明は、誘電体共振器を高周波回路基板の中間に配置することにより、誘電体共振器を介して非接触で信号を伝えることができるため、各基板を単独で交換することが容易となる。
また、請求項３に係わる発明は、信号を接続すべき高周波回路基板のどちらか一方の基板上に誘電体共振器を配置することにより、誘電体共振器も含めて回路をモジュール化できるため保守性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による高周波回路の一実施例であり、（Ａ）は回路図、（Ｂ）はその回路を構成する基板の断面図、（Ｃ）はその基板の上面図である。
【図２】本発明による高周波回路の別の実施例であり、（Ａ）は回路図、（Ｂ）はその回路を構成する基板の断面図、（Ｃ）はその基板の上面図である。
【図３】従来の高周波回路の例であり、（Ａ）は回路図、（Ｂ）はその回路を構成する基板の断面図、（Ｃ）はその基板の上面図である。
【符号の説明】
１、１’  マイクロストリップライン
２  銅箔面
３  アンプ
４  オシレータ
５  ミキサ
６  誘電体共振器
６ａ  台座
６ｂ  誘電体円柱
７  フィルタ
８  誘電体共振器
９  アンプ
１０、１０’  マイクロストリップライン
【図１】
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【図２】
2004159247.tif 000004
【図３】
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