(57)【要約】  【課題】  プリント回路基板用の相互接続アセンブリ及びそれらの形成方法の提供。  【解決手段】  本発明の一つの実施例では、相互接続アセンブリは基板と、弾性接触要素と、ストップ構造とからなる。弾性接触要素は基板上に配置され、その少なくとも一部分は、ストップ構造により規定される第１の位置へと移動可能であって、その位置において弾性接触要素は別の接触要素と機械的及び電気的に接触する。本発明の別の実施例では、ストップ構造は第１の接触要素と共に第１の基板上に配置され、このストップ構造が第２の基板上に配置された弾性接触要素の第１の位置を規定し、その位置において弾性接触要素は第１の接触要素と機械的及び電気的に接触する。本発明の他の側面は、ストップ構造の形成方法、及び集積回路、例えば集積回路の半導体ウエハーなどのテストを行うためにストップ構造を使用する方法を含んでいる。【選択図】  図５Ｂ
2004251910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
少なくともその一部が第１の位置へと移動可能であり、その第１の位置において別の接触要素と機械的及び電気的に接触し、前記基板上に配置されている弾性接触要素と、
前記基板上に配置され、前記第１の位置を規定するストップ構造とからなり、
前記別の接触要素が別の基板上に配置されており、前記ストップ構造が、前記弾性接触要素が前記別の接触要素と機械的及び電気的に接触した場合の前記基板と前記別の基板との間の間隔を規定し、
前記ストップ構造がシート材料から形成され、このシート材料に開口が存在し、前記弾性接触要素がこの開口に配置されている相互接続アセンブリ。
【請求項２】
前記基板上に複数の弾性接触要素が、前記基板上に配置された前記シート材料に設けられた対応する開口内において配置されている請求項１の相互接続アセンブリ。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板上に配置された第１の接触要素と、
前記第１の基板上に配置され、弾性接触要素の第１の位置を規定するストップ構造とからなり、前記第１の位置において前記弾性接触要素が前記第１の接触要素と機械的及び電気的に接触し、
前記弾性接触要素が第２の基板上に配置され、前記弾性接触要素の少なくとも一部が、前記弾性接触要素が圧縮された場合に前記第１の位置へと移動可能であり、
前記ストップ構造が接着剤層を含む相互接続アセンブリ。
【請求項４】
前記接着剤層が前記第２の基板に対する結合のためのものである請求項３の相互接続アセンブリ。
【請求項５】
第１の基板と、
前記第１の基板上に配置された第１の接触要素と、
前記第１の基板上に配置され、弾性接触要素の第１の位置を規定するストップ構造とからなり、前記第１の位置において前記弾性接触要素が前記第１の接触要素と機械的及び電気的に接触し、
前記弾性接触要素が第２の基板上に配置され、前記弾性接触要素の少なくとも一部が、前記弾性接触要素が圧縮された場合に前記第１の位置へと移動可能であり、
前記ストップ構造がシート材料から形成され、このシート材料に開口が存在し、前記弾性接触要素がこの開口に配置されているの相互接続アセンブリ。
【請求項６】
前記第１の基板上に複数の第１の弾性接触要素が、前記第１の基板上に配置された前記シート材料に設けられた対応する開口内において配置されている請求項５の相互接続アセンブリ。
【請求項７】
前記シート材料が接着剤層を含む請求項２又は６の相互接続アセンブリ。
【請求項８】
基板上にストップ構造を形成するための方法であって、
シートに複数の開口を形成し、
前記シートを基板に適用し、
前記複数の開口に対応する位置において前記基板上に複数の接触要素を形成し、前記シートが前記開口の少なくとも一つの周囲に配置された少なくとも一つの領域を含み、これが前記ストップ構造であることからなる方法。
【請求項９】
前記ストップ構造が別の基板上にある弾性接触部材の第１の位置を規定し、この第１の位置において前記弾性接触部材が前記少なくとも一つの開口にある前記接触要素の少なくとも一つと機械的及び電気的に接触する請求項８の方法。
【請求項１０】
前記接触要素の各々が、前記基板上に配置され第１の位置へと移動可能な弾性接触要素を含み、前記ストップ構造が前記第１の位置を規定し、この第１の位置において前記弾性接触要素が別の基板上にある別の接触要素と機械的及び電気的に接触する請求項８の方法。
【請求項１１】
前記基板が半導体集積回路のウエハーであり、前記シートが前記ウエハー上に装着される請求項８の方法。
【請求項１２】
前記シートがポリイミド材料からなる請求項８の方法。
【請求項１３】
前記シートに接着剤層を適用することをさらに含む請求項８の方法。
【請求項１４】
前記複数の開口が、前記シートを前記基板に適用する前に形成され、前記シートが前記基板に適用される前に前記複数の接触要素が形成される請求項８の方法。
【請求項１５】
前記複数の開口が、前記シートを前記基板に適用した後に形成される請求項８の方法。
【請求項１６】
基板上にストップ構造を形成するための方法であって、
前記基板にシートを適用し、
前記基板上に少なくとも一つの第１の接触要素を形成し、前記第１の接触要素が前記基板に対して第１の高さを有し、前記シートが前記基板に対して第２の高さを有し、前記シートが前記基板と別の基板の間に存在可能な最小間隔を規定し、前記別の基板が前記最小間隔が存在する場合に前記第１の接触要素と機械的及び電気的に接触する第２の接触要素を有することからなる方法。
【請求項１７】
前記シートが周縁ストップ構造である請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記第１の接触要素が弾性接触要素であり、前記第１の高さが前記第２の高さよりも大きい請求項１６の方法。
【請求項１９】
前記第２の接触要素が弾性接触要素であり、前記第１の高さが前記第２の高さよりも小さい請求項１６の方法。
【請求項２０】
前記シートが、前記シートを前記基板に固定する接着材料を含む請求項１６の方法。
【請求項２１】
前記シートが前記基板の一部のみを覆う請求項１６の方法。
【請求項２２】
前記基板と前記別の基板を、それらが前記最小間隔だけ隔てられるようにして一緒に押し合わせることをさらに含む請求項１６の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は相互接続アセンブリ及び相互接続を作成し使用する方法に関し、より詳しくは、半導体集積回路上の接触要素と一時的又は永続的な仕方で電気接触を行うための相互接続アセンブリに関する。さらに詳しくは本発明は、半導体デバイスに対して相互接続を行い、半導体デバイスにテスト及び／又はバーンイン処理を実行し、或いは半導体デバイスと永続的な相互接続を行うための技術及びアセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術には、数多くの相互接続アセンブリや、これらのアセンブリを作成及び使用するための方法がある。例えば、半導体ウエハー上にある複数のチップをテストして、それらをパッケージングする前に、また好ましくはウエハーから切り出す前に、どのチップが良品かを判定することが一般には望ましい。このためには、ウエハーテスター又はプローブ装置を用いて、複数の個別の圧力接続を、チップ上の同様の複数の個別の接触要素（例えばボンディングパッド）に対して行うことが有用である。こうして、チップをウエハーから切り出す前に、半導体チップをテストすることができる。テストは、チップが機能不全（「不良品」）かどうかを判定するように構成されている。
【０００３】
ウエハーテスター又はプローブ装置の在来の構成部品はプローブカードであり、これには複数のプローブ要素が接続されている。プローブ要素の先端又は接触要素は、半導体チップのボンディングパッドのそれぞれに対して圧力接続を行う。図１は相互接続アセンブリ500を示しており、これは従来技術のプローブカードの一例である。プローブピン又は接触要素524が、半導体ウエハー508上のボンディングパッド526に対して接続を行っている。このプローブカードアセンブリは一緒に組み立てられる幾つかの部品を含んでいるが、その中にはプローブカード502、中継部材（インタポーザ）504、及び空間変換部材506が含まれる。プローブカード502は典型的にはプリント回路基板であり、これはプローブ中の半導体チップの電気テストを行うために使用される各種の電子部品に対する、回路基板トレースを含む。プローブカード502上の接触要素510は、図１に示すように中継部材504や空間変換部材506を含む一連の介在層を介して、ボンディングパッド526と接触を行う。中継部材504は、バネに似た接触要素524のような、介在層で用いられている接触要素の長さに拘わらず、ボンディングパッドにおいて全ての接触要素が適切な接触を行うことができるように、垂直方向すなわちｚ軸方向に、弾性的なバネ様の位置決めをもたらす。空間変換部材506はピッチの縮小を行い、またこれは弾性接触要素が配置された基板でもある。図１に示されたプローブカードアセンブリ500に関するさらなる詳細は公知である（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
図２Ａは、基板302を有する中継部材アセンブリ300のさらなる詳細を示し、基板上には接触要素312, 314, 316及び318などの弾性接触要素が取着されている。接触要素312及び316は中継部材300の片側から他の側へと貫通コネクタ304Aによって電気的に結合されており、接触要素314及び318は貫通コネクタ306Aによって電気的に結合されている。これらの弾性接触要素の例には、多くの異なるバネ型式の要素の何れのものも含まれるが、その中には特許文献１に開示のものも含まれる。この中継部材が図１のアセンブリ500のようなアセンブリで用いられる場合、弾性接触要素は撓曲されて圧縮状態となり、垂直方向の高さが縮小される。この撓曲状態により、接触要素をそれらに対応する接続個所、例えばボンディングパッド526へと駆動する力が生ずる。図２Ｂ及び図２Ｃは、従来技術による代替的な中継部材の構造を示している。中継部材300Aは基板302Aを含む。二つの弾性接触要素312Aと314Aが基板302Aの一方の表面に取着されている。基板302Aの下側にある弾性接触要素は、この図では示されていない。基板302Aの上側表面上にある弾性接触要素は、弾性接触要素312A及び314Aを取り囲むチャネル構造302Bによって保護されている。このことは、図２Ｃに示された中継部材300の平面図から看取しうる。チャネル302Bはチャネル内の弾性接触要素を保護するが、別の基板に接触するようには設計されておらず、チャネル302Cは弾性接触要素314Bを保護するが、別の基板に接触するようには設計されていない。
【０００５】
図３Ａは、従来技術の中継部材の別の例を示している。基板334は相互接続要素332にかぶせて配置され、相互接続要素332が孔336を通って延びるようになっている。相互接続要素332は適切な材料338、例えば孔336を満たすと共に支持基板の上面から下面まで延びるエラストマーの如きにより、基板内に緩やかに保持されている。図３Ｂは従来技術の別の中継部材構造を例示しており、そこでは孔336内部の相互接続要素は、基板364にある孔366の中間部分に取着（例えば半田付けにより）されている。
【０００６】
図４は従来技術の別の相互接続アセンブリを例示している。この相互接続アセンブリは場合によっては、締め付けコネクタ400と呼ばれる。図４に示されているように、二つの接触要素406と407が基板401上に、別の基板402上に配置された二つの他の接触要素408及び409と接触を行うために配置されている。中間層403が孔404と405を含んでいる。孔404は接触要素406と408の間に配置され、孔405は接触要素407と409の間に配置されている。各々の孔は、図４に示すようにそれぞれの接触要素間で接触を行うのに用いられる弾性材料を含んでいる。基板401と402が押し合わせられると、接触要素又はパッド406及び408は相手の方に向けて移動し、これは接触要素407と409も同様である。この移動は各々の要素が中間層403と機械的に接触するに至った時点で停止され、二つの接触要素の間に配置された導電性バネのそれぞれによって、電気接触が確立される。
【特許文献１】国際公開第96/38858号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上の記述から看取されるように、ボンディングパッド又は他の接触要素に対して接触を行うために弾性接触要素を使用すると、垂直方向又はｚ軸方向における許容誤差が得られ、全部ではないとしても殆どの接触要素は、その長さが僅かに変わったとしても接触を行うことが可能である。しかしながらこの許容誤差は、弾性接触要素が垂直方向に過度に圧縮された場合に、その破壊につながることがある。図２Ｂ、図２Ｃ及び図３Ａに示されたアセンブリは、弾性接触要素を保護するのに資するが、全ての接触要素が垂直方向に接触を行うべき位置を規定するものではなく、またそのように意図されたものでもない。図４の締め付けコネクタは、基板401と402が相互に近付きすぎるのを防止することにより、弾性接触要素を保護するのに役立つ。しかしながらこのアセンブリは、別個の層に複数の孔を有し、その各々にバネを含んで支持するという必要性に起因して、比較的込み入っている。
【０００８】
従って、弾性接触要素の特徴による利点を享受しながらも、弾性接触要素の過剰撓曲や破壊を招く恐れのあるｚ軸方向の過度の許容誤差を有しない、改良された相互接続アセンブリを提供することが望ましい。これは特に、許容誤差の問題が相互接続要素の制御された撓曲を困難にする、大きな係合領域（半導体ウエハーにおけるような）相互間での相互接続について重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は複数の相互接続アセンブリと、それらのアセンブリを作成し使用するための方法を提供する。本発明の一つの実施例では、相互接続アセンブリは基板と弾性接触要素とを含み、弾性接触要素の少なくとも一部は第１の方向へと可動である。弾性接触要素は基板上に配置される。やはり基板上に配置されるストップ構造が第１の位置を規定し、そこにおいて弾性接触要素は別の接触要素と機械的及び電気的な接触を行う。
【００１０】
この実施例で典型的には、上記別の接触要素は別の基板上に配置され、ストップ構造は、弾性接触要素が別の接触要素と機械的及び電気的な接触状態にある場合の、上記基板と別の基板との間の最小間隔を規定する。
【００１１】
本発明の別の実施例によれば、相互接続アセンブリは第１の基板と、この第１の基板上に配置された第１の接触要素を含む。ストップ構造が、第２の基板上に配置された第１の弾性接触要素の第１の位置を、この弾性接触要素が第１の接触要素と機械的及び電気的な接触状態にある場合について規定する。典型的には、弾性接触要素の少なくとも一部は、弾性接触要素が圧縮された場合に第１の方向へと可動である。
【００１２】
本発明はまた種々の方法をも含んでおり、これには相互接続アセンブリを形成する方法が含まれる。この方法では、弾性接触要素が基板上に形成される。この弾性接触要素は少なくともその一部が、第１の方向へと可動である。ストップ構造がやはり基板上に形成され、これは弾性接触要素が別の接触要素と機械的及び電気的な接触状態にある場合に、第１の位置を規定する。
【００１３】
本発明の方法の別の実施例によれば、第１の接触要素が第１の基板上に形成され、またストップ構造も第１の基板上に形成される。ストップ構造は、弾性接触要素が第１の接触要素と機械的及び電気的な接触状態にある場合に、弾性接触要素の第１の位置を規定する。
【００１４】
添付図面との関連において、種々の他のアセンブリ及び方法を以下に記述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は添付図面中の各図において、限定的ではなく例示として説明されるが、そこでは同様の参照番号は類似の構成要素を示す。
【００１６】
本発明は相互接続アセンブリ及び方法に関し、特に集積回路上の接触要素に対して機械的及び電気的な接続を行うための相互接続アセンブリに関する。以下の記載及び図面は本発明を例示するものであり、本発明を限定するものと解釈してはならない。本発明の完全な理解をもたらすために、数多くの具体的な詳細について記述する。しかしながら場合によっては、本発明の詳細を不必要に不明瞭にしないように、周知の又は在来の詳細部分については記載しない。
【００１７】
図５Ａは８つの弾性接触要素110の斜視図を示し、その各々は基板102A上に配置されている。図５Ａに示す相互接続アセンブリは、多数の方法の何れによっても形成しうる。例えば弾性接触要素はパッド103上に、ワイヤボンディング工程によって機械的に固定できる。代替的に、弾性接触要素はリソグラフィによって形成してもよい。基板102A上にはまた、複数のストップ構造が配置されている。ストップ構造105の左側の列は基板102Aの上側表面の上方へと所定量だけ突出するが、これは通常、右側の列のストップ構造104がこの上側表面から突出する量と同じである。これらのストップ構造は、弾性接触要素について生じうる最大の圧縮量又は撓曲量を規定／制限するように設計されている。各々の弾性接触要素は、弾性接触要素が基板102Aの上側表面に向けて垂直方向に圧縮された場合に、少なくともその一部が第１の位置へと移動することができる。各々のストップ構造は垂直方向に、弾性接触要素が他の接触要素と機械的及び電気的な接触状態にある場合に、それが第１の位置を規定するような寸法を有する。一つの実施例では、各々のストップ構造は、基板上方におけるその垂直方向の高さが、統計的に見て合理的に存在しうる最短の弾性接触要素の垂直方向の高さよりも低くなるように設計される（例えばストップ構造の高さは統計的に可能性のある弾性接触要素の高さの99.9％よりも低い）。
【００１８】
図５Ｂは本発明の別の実施例の斜視図を示しており、そこではボンディングパッド103の直線状の列がファンアウトトレース103Aによって、幾つかの弾性接触要素110Aに結合されている。ファンアウトトレース103Aは、長さの異なる弾性接触要素を使用することを必要とせずに（図５Ａの場合のように、空間的に分布している要素に対して接触を行うために弾性接触要素110が異なる長さを有するのではなしに）、直線状の列から弾性接触要素が空間的に分散するのを可能にする。ボンディングパッド103の各々は、対応するボンディングパッド103に電気的に結合される、対応のファンアウトトレース103Aへと電気的に結合され、各々の弾性接触要素110Aは対応のパッド103Bに対して電気的及び機械的に結合される。集積回路102Bの表面上には、幾つかのストップ構造105が配置されている。
【００１９】
図６Ａは、本発明の相互接続アセンブリ601の一例を示している。この相互接続アセンブリ601は基板602と基板603を含む。基板603は二つの接触要素604及び605を含み、これらは基板603に対して取着され、それによってこの基板603上に配置されている。基板602は二つのストップ構造606及び607を含み、これらは弾性接触要素608及び609の比較的近傍に配置される。これらの弾性接触要素は、ＰＣＴ国際公開第WO96/38858号に記載のバネ相互接続要素であってよい。各々の弾性接触要素は先端、即ち最も遠方にある範囲を含み、これは通例、図６Ａに示すようにそれぞのストップ構造の上面を越えて延びる。例えば弾性接触要素608の先端608Aはストップ構造606の上面を越えて延び、弾性接触要素608の垂直方向の全長がストップ構造606の垂直方向の全長を越えるようになっている。ストップ構造の高さは、弾性接触要素が別の接触要素と機械的及び電気的に接触する場合に第１の位置を規定するように、予め定められている。またストップ構造の高さは、弾性接触要素が接触要素604及び605のような別の接触要素と機械的及び電気的に接触を行う場合の、一方の基板602と他方の基板603の間の間隔を規定する。このことはさらに図６Ｂに示されており、そこでは基板602と603が相互に押し合わせられて、相互接続アセンブリ601Aを生成している。図６Ｂから看取しうるように、ストップ構造606及び607は基板603と機械的に接触している。即ち各々のストップ構造の上面は、基板603の上側表面と機械的に当接している。これは弾性接触要素608及び609のそれぞれの先端608A及び先端609Aが、接触要素604及び605のそれぞれと接触を行うに際しての、それらの第１の位置を規定する。
【００２０】
相互接続アセンブリ601は幾つもの異なる文脈で使用できることが理解されよう。例えば、基板602はウエハープローブ装置又はウエハーテスターに結合されたプローブカードアセンブリの一部であってもよく、また基板603は半導体集積回路又は半導体ウエハー上の複数の集積回路であってもよい。代替的に、基板602が半導体集積回路の一部又は半導体ウエハー上の複数の集積回路の一部であってもよい。この場合、弾性接触要素は通常、集積回路上のボンディングパッドその他の接触要素に結合され、ストップ構造は集積回路の上側表面に取着される。基板603は、集積回路又は半導体ウエハー上の複数の集積回路をテスト又はバーンインするために種々の弾性接触要素と電気接触を行うように設計される、プローブカード構造の一部であってもよい。代替的に、基板603は、図６Ａに示された要素608及び609のような弾性接触要素を通じて永続的な接触を行うために使用される、パッケージングアセンブリの一部であってもよい。
【００２１】
図６Ｃ及び図６Ｄは、直線状の（片持ち梁式の）弾性接触要素608B及び609Bを用いる、本発明の別の例を示している。これらの直線状の弾性接触要素は基板602に対して固定されており、基板602が基板603に向けて押し付けられた場合に撓曲して、図６Ｄに示す如き圧縮状態となる。ストップ構造606及び607はこれら二つの基板の間の間隔を規定し、弾性接触要素が対応するパッドと機械的及び電気的に接触する状態とされた場合の、各々の弾性接触要素の圧縮量を規定する。
【００２２】
図７は本発明による別の相互接続アセンブリの例を示す。図７の相互接続アセンブリ621は、基板622と基板623を含む。基板623の接触要素624及び625のそれぞれと接触を行うために、二つの弾性接触要素628及び629が基板622の表面に取着されている。二つのストップ構造626及び627が、やはり基板623に取着され、対応する接触要素624及び625の比較的近傍に隣接して配置されている。基板622と623が相互に押し合わせられると、弾性接触要素628及び629は、ストップ構造の高さによって定まる位置へと撓曲する。一つの具体的な実施例では、ストップ構造の高さは約５から40ミルであり、圧縮前の弾性接触要素の高さは約45ミルでありうる。圧縮前の弾性接触要素の高さに対するストップ構造の具体的な高さは、部分的には、圧縮前の種々の弾性接触要素の先端についての平面性を制御する能力に依存する。この平面性を精度よく制御可能であれば、ストップ構造の高さは、圧縮前の弾性接触要素の高さより僅かに低いだけでよい。他方、より小さなストップ構造は、弾性接触要素のアレイを特定の高さで形成することに関しての、より大きな許容誤差をもたらすことになる。ストップ構造の高さは通常150ミルよりも低く、好ましくは40ミルよりも低い。
【００２３】
本発明は多数又は少数の弾性接触要素について使用することができ、数多くのストップ構造を同じ基板又は異なる基板上に配置できることが理解されよう。この発明は、一つのストップ構造と一つの弾性接触要素を備えた単一の（切り出された）ＩＣについても使用でき、また各々のＩＣが少なくとも一つのストップ構造と弾性接触要素を含む、半導体ウエハー上にある複数のＩＣについても使用できる。各々の弾性接触要素がそれぞれ対応するストップ構造（例えば図５Ｂにおけるような柱状のストップ構造）を有することも、また一つのストップ構造を幾つかの弾性接触要素で共有することもできる（図９Ｄに示すように）。さらにまた、接触要素と弾性接触要素は種々の回路要素へと、それらの回路要素がテスト中の集積回路上に配置されていようと、プローブカード回路にあろうと、或いはパッケージングされた集積回路を含む最終的に組み立てられたシステムで使用される回路にあろうと、結合されることが理解されよう。
【００２４】
図８Ａは、本発明による相互接続アセンブリの別の例を示している。この相互接続アセンブリ801は、二つのストップ構造805及び806が取着された基板802を含む。この基板802にはまた、二つの弾性接触要素803及び804が取着されている。基板802は集積回路の一部でもよく、プローブカードアセンブリその他のテスト用又はバーンイン用装置の一部でもよいことが理解されよう。各々のストップ構造は図８Ａに示す如く、接着剤層と、この接着剤層上に配置された被覆を含む。ストップ構造806はこのストップ構造の上側表面上に配置された接着剤層807を含み、被覆809が接着剤層807上に配置されている。この被覆は箔又はプラスチックの層であり、剥離その他によって接着剤層から除去される。同様に、ストップ構造805は接着剤層808と被覆層810を含んでいる。この被覆は接着剤を露出させるために剥離でき、次いでこの接着剤を用いて、ストップ構造及びアセンブリ801の残余の部分を別の物体、例えば別の基板へと取着することができる。例えば基板802は、集積回路のボンディングパッドが弾性接触要素と係合して、これらの要素と機械的及び電気的な接触を行うように、集積回路（図示せず）に対して取着することができる。ストップ構造の上面から被覆を除去し、基板802を集積回路に対して押し付けて、ストップ構造上の接着剤が集積回路の上面と接触するようにさせることにより、基板802は集積回路の上側表面に対して接着する。かくしてストップ構造の上面にある接着剤層は、基板802を集積回路に対して結合し、弾性接触要素が集積回路上の対応するボンディングパッドその他の接触要素と、機械的及び電気的な接触を確実に行うようにする。このようにして、基板802とそれに対応する構造体、並びに集積回路の間において、集積回路用のパッケージが形成される。この例においては、基板802とこの基板に取着される集積回路によって形成されるパッケージングされたアセンブリの外側にある他の電気部品との相互接続を可能にするために、基板802は種々の弾性接触要素から他の接触個所に向かう相互接続を含むことが理解されよう。
【００２５】
図８Ａの相互接続アセンブリ801の別の用途には、基板802それ自体が集積回路であり、弾性接触要素803及び804、並びに接続を行うために必要な他の接触要素が集積回路上の種々のボンディングパッド又はその他の接触要素に取着される場合がある。ストップ構造は集積回路の上側表面に対し、図８Ａに示すように取着できる。接着剤層上の被覆を除去した後に、この集積回路を別の配線基板に対して押し付け、この別の基板を介して、この例では基板802にある集積回路中の回路と、外部の種々の電気部品との間で電気接触を行うことができる。この別の基板は、プローブカードアセンブリ又はバーンインアセンブリの一部でもよく、或いは「外部」環境に対する相互接続を含む最終的な集積回路パッケージの一部であってもよい。
【００２６】
図８Ｂは、ストップ構造821の代替的な実施例を示しており、そこでは接着剤層はストップ構造822の上層及び下層に適用されている。接着剤層824はストップ構造822の上側表面に形成され、取り外し可能な被覆826がこの接着剤上に配置されている。別の接着剤層823はストップ構造822の下側表面上に形成され、被覆825で覆われている。基板上に複数のストップ構造を形成するために、このストップ構造は、シート又はフィルムに形成して基板に適用することができる。これについては、図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃに関連してさらに説明する。
【００２７】
図９Ａに示す層903は、シート又はフィルムに二列の開口を有している。これらの開口は、図９Ｃに示すように、少なくとも一つの弾性接触要素を取り囲むように設計されている。図９Ａは、シート又はフィルムに形成された四つの開口905, 907, 909及び911を示している。層903は図９Ａに示す実施例では、集積回路の半導体ウエハー902上に装着されるよう設計されたシートの一部である。層903は、考えられる多数の材料の何れからも形成できる。これには例えば、ポリイミド材料が含まれる。開口は、層903中にエッチングを行い、パンチングをし、或いは切除を行うことによって形成できる。これらの開口は、半導体ウエハーの集積回路上にある接触要素（又は別の形式の基板上にある接触要素）のための開口を生成するために、この層に形成される。代替的な実施例では、層903は単一の集積回路のみに適用し、これを被覆するように設計でき、従ってウエハー上の多数のＩＣを被覆するようには適用されないことが理解されよう。図９Ａに示す9b-9b線は、層903の断面図を示すものであり、この断面図は図９Ｂに示されている。
【００２８】
層903は、図９Ｃに示すようにして基板915に適用される。開口905及び907は、接触要素912及び911のような接触要素のためのものである。図９Ｃはハイブリッド構造を示しており、そこでは幾つかの接触要素、例えば接触要素912は弾性接触要素を含まず、他の接触要素、例えば接触要素911は弾性接触要素を含んでいる。こうしたハイブリッド構造は、本発明の範囲内にはあるが、通常は好ましくないことが理解されよう。基板915は、複数の集積回路を含む半導体ウエハー、又は単一の集積回路、或いはプローブカードアセンブリ又はバーンインテストアセンブリのコンタクト又は相互接続構造でありうる。層903は基板915に対し、層903と基板915の当接表面の間に接着剤を使用することによって適用できる。この場合、層903はシート状材料であり、形成の後に、二つの当接表面の間に接着剤を持たせて、基板915に対して適用される。代替的に、層903は基板915上に、フォトリソグラフィによって形成してもよい。この場合には層903はフォトレジストのネガから形成され、これはパターニングされ硬化されて、ストップ構造を形成する硬度となる。層903はまた、図８Ａ及び図８Ｂのストップ構造が接着剤を含むのと同様にして、その表面上に接着剤を含んでも良い。基板915上に形成された層903は、本発明によるストップ構造、例えば接触要素912を取り囲むストップ構造916の如きを形成することが理解されよう。
【００２９】
また、層903は、ＩＣが環境条件（即ち湿気）から保護されるように、層903によってカバーされるＩＣを気密にシールするためにも使用できることが理解されよう。例えば、層903の下側がＩＣに対して接着剤で固定され、あるいはＩＣ上にフォトリソグラフィによって形成されるなら、層903の上側を、ＩＣ用の気密シールを形成するカバーのような基板に対して接着剤で取り付ける（又は他の仕方で固定する）ことができる。
【００３０】
図９Ｄは、幾つかの弾性接触要素を取り囲むストップ構造の別の例を示す平面図である。特に図９Ｄは、幾つかの弾性接触要素923を取り囲む、周縁ストップ構造922を有するＩＣ921を図示している。この周縁ストップ構造922は、ＩＣ921の上側表面に固定されるシートから形成でき、又はＩＣ921上にその場で（例えばフォトリソグラフィにより）形成できる。ストップ構造922の上側表面には、ストップ構造922をカバーその他のパッケージに固定するのに使用する接着剤をコーティングすることができる。
【００３１】
図９Ｅは、幾つかの周縁ストップ構造932, 933, 934及び935を含むシート931の一例を示しており、
これらのストップ構造は、相互接続材料のウェブ936によって一緒に保持されている。このシートはポリイミド材料、エポキシ材料、又はその他の材料から形成できる。このシート931はＩＣのウエハー上に適用して、ウエハー上にある幾つかのＩＣの各々の上に、周縁ストップ構造を同時に配置することができる。シート931はウエハーに対して接着剤で固定できる。シート931はウエハー上にあるＩＣの各々のためのストップ構造を含みうることが理解されよう。シート931がウエハーに適用された後、ウェブ936は通例、ウエハーからＩＣの各々が切り出される普通のペレタイズ工程でもって切断される。切り出された後、各々のＩＣは図９Ｄに示すように周縁ストップ構造を含むことになる。
【００３２】
図９Ｆは、本発明の別の例を斜視図によって示す。この例では、シート953が基板952の上側表面に対して適用されるが、この基板はＩＣ（または空間変換部材その他の構造体）でありうる。シート953は、開口956及び963の如き開口を含むが、これらは切除その他によってシート953に形成される。これらの開口は、ファンアウトパッドと整列されている。例えばシート953にある開口956は、ファンアウトパッド956Aの少なくとも一部の上側に整列され、ファンアウトパッド956Aの少なくとも一部の上側に開口があるようにしている。同様に、開口963はファンアウトパッド963Aの少なくとも一部の上側に整列されていて、このファンアウトパッド上に開口をもたらしている。要素957又は964のような弾性接触要素が、対応するファンアウトパッドに機械的及び電気的に結合されており、このファンアウトパッドはトレース955又はトレース962のようなファンアウトトレースに電気的に結合されている。各々のファンアウトトレースは、パッド954又はパッド961のような対応するパッドを、対応するファンアウトパッドへと電気的に結合している。従って、弾性接触要素は、パッド954及び961のような直列のパッドに関して、分散した遠隔的な電気接触をもたらす。弾性接触要素の周囲の開口の各々は、その弾性接触要素を取り囲むストップ構造をもたらす。図９Ｆの代替的な実施例では、シート953を基板952の上側表面上にその場で形成される層（例えばフォトレジスト又は絶縁材料（二酸化ケイ素の如き）から形成されるパターニングされた層）で置き換えることができることが理解されよう。
【００３３】
図10Ａ、図10Ｂ及び図10Ｃは、弾性接触要素及び対応するストップ構造の両者をリソグラフィにより生成するための方法を例示している。図10Ａに示すプロセスは、基板1001が半導体ウエハーであってその上に配置された接触要素1002（例えばボンディングパッド）を含むことを前提としているが、このプロセスは接触要素を有する他の基板についても使用できる。図10Ａ及び図10Ｂは接触要素1002を介して取った断面図を示しており、この接触要素は基板1001に形成される集積回路において、図示しない他の回路要素と電気接触を行うことが理解されよう。メッキ層又はメッキ表面1000が、基板1001の上側表面上に適用される。このメッキ表面1000は、導電性金属を基板1001上にスパッタリングすることによって適用できる。このメッキ表面1000は、後続の電気メッキプロセスにおいて、電極として使用される。メッキ表面1000上にはレジスト層1003が、接触要素1002の上側に存在するレジスト層に開口があるようにして形成されパターニングされる。次いで第１の金属層1004が堆積され、レジスト1003の開口内において接触要素1002（及びメッキ表面1000）の上側に、またレジスト1003の一部の上側に、図10Ａに示すようにパターニングされる。次いで電気メッキ工程が用いられて、メッキ金属層1005を金属層1004の上側に形成する。レジスト1003及びメッキ表面1000はその後除去されて弾性接触要素が残され、またストップ構造1003Aが弾性接触要素の近くに形成される。レジスト1003にストップ構造のためのパターンを生成するためにマスクを使用でき、次いでレジスト1003がエッチングされて、図10Ｂに示すストップ構造1003Aが残される。図10Ｃは、図10Ｂの弾性接触要素及びこれに対応するストップ構造の平面図を示す。
【００３４】
図10Ｂの弾性接触要素は通例、メッキ表面1000の残存部分に取着された基部から離れた先端範囲において、圧縮可能であり弾性である。従って、弾性接触要素の撓曲（より低い高さへの）は、この要素が基部から垂直に立ち上がる部分においては生じないのが通常である。従って、こうした弾性接触要素のためのストップ構造は、考えられる全ての弾性接触要素よりも大きな高さを有さねばならない（これらの要素を形成するについての許容誤差に起因する、これらの要素の高さの範囲を考慮に入れて）。リソグラフィによって弾性接触要素を形成するための種々の方法が、本出願人の幾つかの出願に記載されている。これには1998年２月26日に出願された同時係続中の米国特許出願第09/032,473号、及び1997年11月20日に発行されたＰＣＴ国際公開第WO97/43654号が含まれる。これらの種々の方法は、リソグラフィにより形成された弾性接触要素をストップ構造と共に生成するために、本発明について使用することができる。
【００３５】
図10Ｄは、リソグラフィにより形成された弾性接触要素と、別の基板1021上の接触要素1023との間の相互接続の一例を示す。ストップ構造1003Aの寸法（弾性接触要素を上回る高さに関して）は、二つの基板が一緒に合わせられた場合の基板1001と基板1021の間の間隔を規定するように定められ、またこの間隔は、弾性接触要素の最も先の方の範囲についての点線での表示1025によって示されているように、弾性接触要素の撓曲量を規定する。弾性接触要素は、基板1001と1021が一緒に押し合わせられてストップ構造1003Aの高さによって規定される点に至った場合に、この弾性接触要素と機械的及び電気的に接触することになる接触要素1023によって、この個所まで撓曲される。
【００３６】
図10Ｅは、基板1031上で二つの形式のストップ構造が使用されている、本発明の一例を示している。柱状のストップ構造1034の列と、柱状のストップ構造1035の列と、一つの柱状のストップ構造とが、基板1031上に形成又は取着されている。幾つかの周縁状ストップ構造1037, 1038, 1039, 1040及び1041が、基板1031上に形成又は取着されている。典型的には、全てのストップ構造は、基板1031の表面上で同じ高さを有する。二列の弾性接触要素1032及び1033が、基板1031上に配置されている。
【００３７】
リソグラフィによって弾性接触要素を形成するための別の方法が、図10Ｆから図10Ｍに示されている。この方法によれば、弾性接触要素はファンアウトパッド又はファンアウトトレース上に形成され、従って図５Ｂに示したアセンブリと類似のアセンブリを生成しうる。この方法は、接触要素1046と、別の基板上にある別の接触要素と電気的に接触可能な弾性接触要素との間に、電気的な接続を作成する。接触要素1046は、図示しない他の回路要素と電気的な接触を行い、基板1045はＩＣの一部又はテスト若しくは相互接続アセンブリ（例えば中継部材、空間変換部材、又はプローブカード）の一部であってよいことが理解されよう。図10Ｇに示すように、メッキ層1047（例えばブランケットメタル）が基板1045の上側表面上に形成され（例えばブランケットメタルをスパッタリングすることによって）、それによってこの上側表面を覆い、接触要素1046と電気接触を行う。フォトレジスト層が堆積及びパターニングされて、メッキ層1047の一部の上側においてフォトレジスト層1048に開口が残され、そして別の金属層1049が、その金属をメッキ層1047上にメッキすることによって形成される。図10Ｈは、得られる構造物を示している。別のフォトレジスト層が堆積され、パターニングされて、現像されたフォトレジスト層1050が生成されるが、これは図10Ｉに示すように金属層1049上に開口を有する。次いでスパッタリングマスク1052が用いられて、現像されたフォトレジスト層1050の一部と、金属層1049の露出された部分とに、選択的に金属層1051をスパッタリングする。得られた構造物（及び対応するスパッタリングマスク）を図10Ｊに示す。別の金属層1053が金属層1051上にメッキされて、図10Ｋに示す構造物が得られる。次いでフォトレジスト層が剥ぎ取られ、層1049によって保護されていないメッキ層1047の部分が選択的にエッチングされ、メッキ層1047のそれらの部分が全て除去されて、図10Ｌに示す構造物が得られる。図10Ｍに示すように、次いでストップ構造1055と先端1054とを、基板1045と弾性接触要素のそれぞれに適用することができる。
【００３８】
図11は、本発明の相互接続アセンブリの使用についての一つの技法を示している。この相互接続1101は、半導体ウエハー1111上に配置されたチャック構造1117を含み、このウエハーはベロー構造1103によって支持されている。ベロー構造1103は、膨張可能なベロー1105と、取り入れポート1107Aと取り出しポート1107Bを含む。このベロー構造の一つの用法では、水1106のような液体が、ベロー構造1103に流入及び流出させられる。薄いスチール製の膜1109が、溶接その他によってベロー1105に取着されている。この薄い膜は、ウエハー1111の裏側に均一な圧力を作用させて、ウエハーの上側表面をストップ構造1121及び1123に圧接させるために用いられ、それによってウエハー上のバネ（又は他の弾性接触要素）と、基板1117上の接触要素の間における電気接続が改善される。この均一な圧力は典型的には、合わせられる表面、例えばウエハー1111の上側表面と、ストップ構造1121と接触要素1125及び1127を支持している表面の如きとの間における、平面性の変動を克服することになる。この薄いスチール膜1109はまた、膜1109の上に配置された半導体ウエハー1111に対する、又はこのウエハーからの、熱の伝達を可能にする。水1106の如き液体は、与圧下にベロー構造へと導入することができ、それによって膜1109をウエハー1111の裏側と直接に接触させる。
【００３９】
ウエハーの温度を制御し又はそれに影響を与えるために、この液体は加熱又は冷却することができる。例えばバーンインテストでは、液体を加熱してウエハーの温度を上昇させ、次いで冷却するといったサイクルを幾つか繰り返すことができる。チャック1117はストップ構造1121及び1123を含み、これらは接触要素1125及び1127のそれぞれの近傍に隣接している。液体とウエハー1111の間での熱伝達効率を改良するために、膜1109とウエハー1111の裏側の間に、熱伝達層を配置することが望ましい。接触要素1125と1127は、ウエハー1111上の弾性接触要素1115及び1113と接触するように設計されている。通常は、図11に示すものよりも、さらに多くの弾性接触要素と、さらに多くの接触要素とがあることが理解されよう。テスターと半導体ウエハーの間で電力、信号その他を伝達することを可能にすべく、接触要素1125及び1127を通して弾性接触要素1115及び1113をテスターに接続するため、チャック1117は配線その他の相互接続を含む。チャック1117は柱1118によってその場に保持されており、ベロー1105を膨張させることによって、ウエハー1111がチャック1117に対して押し付けられることを可能にしている。代替的にはチャック1117は、バックプレートでチャック1117の上側に接触して覆うと共に、ベロー1105の側部と下側をも取り囲むクラムシェル支持体によって、圧力を受け保持される。
【００４０】
図12Ａは、本発明による相互接続アセンブリ1201の別の例を示している。この場合は、チャック1203が半導体デバイスのウエハー1204を支持している。ウエハーは複数の接触要素、例えば接触要素1210Aの如きを含み、これらは配線基板1206上の弾性接触要素に対して接触を行うよう設計され配置されている。弾性接触要素1207, 1209及び1210は、弾性接触要素の別の例である。この場合、これらはほぼ直線状の、片持ち梁構造を有している。ストップ構造1214, 1216及び1218が配線基板1206に取着されており、配線基板1206とウエハー1204との間のｚ方向間隔を規定するよう設計されている。配線基板1206にある真空ポート1212は、配線基板1206とチャック1203の間の空間に真空を形成することを可能にする。Ｏリングシール1205が、配線基板1206とチャック1203の間における真空の形成を確保している。真空が形成された場合、種々の弾性接触要素とそれらに対応するウエハー1204上の接触要素との間で接触が行われるように、配線基板1206はウエハー1204に向けて押し下げられる。
【００４１】
図12Ｂは、本発明による相互接続アセンブリ1251の別の例を示している。この場合、圧力ブラダー1255が配線基板1254を、ウエハー1253と接触するように押しやる。基板1254にブラダーを圧接させるように、クランプ1255Aが用いられる。ウエハー1253はチャック1252の上側に着座しており、図12Ｂに示す接触要素1257Aのような、複数の接触要素を含んでいる。ブラダー1255が配線基板1254をウエハー1253と接触するように押しやると、ストップ構造1258, 1259及び1260が、ウエハー1253の上側表面と接触させられる。この接触は、配線基板1254と半導体ウエハー1253との間の間隔を規定する。この接触が生じた場合、弾性接触要素1257はウエハー1253上にある対応する接触要素と、機械的及び電気的に接触させられる。
【００４２】
図13は相互接続アセンブリ1301の一例を示しており、これは回路要素、この場合には基板1302の集積回路にある回路と結合されるコンデンサを収容するストップ構造1310を含んでいる。このストップ構造1310は、弾性接触要素1304と1305が、基板1302にある対応する接触要素1306及び1307と機械的及び電気的な接触状態に至った場合に、基板1302と基板1303の間の最小限の垂直方向間隔を規定するように設計されている。接触要素1307と1306は絶縁材料1308の内部に収容されているが、これは集積回路の製造に用いられる在来の誘電性材料でよい。ストップ構造1310及び基板1302を通る断面図である図13には、基板1302にある集積回路内部の他の種々の回路要素に対する相互接続は示されていないことが理解されよう。ストップ構造1310は、幾つかの誘電性層と、金属層でありうる幾つかの導電性層を含む、多層構造である。図13に示す例では、金属（又は他の導電性）層1314及び1318は絶縁層1316で隔てられて、コンデンサを形成している。金属層1314及び1318、並びに絶縁層1316及び1322は、絶縁層1312内部に包含されている。ストップ構造1310それ自体は、柱状又は円筒状、或いは他の形状（例えば四角、任意のパターン、四角のつながったジクザグ形）に類するものでよく、取り囲む絶縁層1312によって完全に覆われている。この絶縁層は、ポリイミド材料又は二酸化ケイ素その他の絶縁材料からなることができる。金属層1318は、一つの実施例では半田ボール1321によって、基板1302にある柱状その他の接触要素1320に電気的に結合されている。金属層1314は、基板1302内へと延びる柱状構造1314Aによって結合されている。このようにして、ストップ構造1310にあるコンデンサは、基板1302にある回路要素へと電気的に結合される。コンデンサのような電気的要素を含むようにストップ構造1310を製造するのに採用できる、多数の周知技術があることが理解されよう。一例では、柱状構造1314Aと1320は、基板1302に形成することもできる。次いで絶縁層1322が形成され、パターニングされて、半田ボール1321のような半田ボールのための開口が作られる。代替的には、金属層1318を表面全体にスパッタリングして、絶縁層1322にある開口を充填することができる。次いで金属層1318を図13に示す形にパターニングし、別の絶縁層を金属層1318上に堆積させる。それからこの絶縁層をパターニングして絶縁層1316を生成し、次いで別の金属層を表面上に堆積し、パターニングして、金属層1314を生成する。最後に絶縁層又は他のパッシベーション層を適用し、パターニングして絶縁層1312を生成し、ストップ構造1310の形成を完了する。
【００４３】
図14は、相互接続アセンブリの別の例を示している。この相互接続アセンブリ1401は二つのストップ構造1404と1405を含み、これらは各々、基板1402にある電気回路要素に結合される回路要素を含んでいる。この基板1402はまた、柱状その他の接触要素1403Aを含んでおり、これが弾性接触要素1403に対して機械的及び電気的に結合される。
【００４４】
ストップ構造1404は接地シールド1411を含み、これは基板1402にある接地バスその他の回路に結合される。ここで用いられる用語では、回路要素というのは接地シールド又は接地平面を含むものである。従ってストップ構造は、図14に示すように本発明によれば、接地シールドを含んで良い。このストップ構造1404はまた、基板1402にある少なくとも一つの回路要素に電気的に結合された導電性プレート1413及び1415を有する、コンデンサをも含んでいる。
【００４５】
ストップ構造1405もまた、基板1402にある接地回路へと電気的に結合された、接地シールド1421を含んでいる。このストップ構造1405はまた、基板1402にある少なくとも一つの回路要素に電気的に結合された導電性プレート1427及び1429により形成される、コンデンサを含んでいる。加えて、このストップ構造1405は導電性要素1423と1425を含むが、これらはVss及びVddのような基準電圧をもたらす。これらの基準電圧はストップ構造を介して、そのストップ構造にある電気部品へと、或いはストップ構造外部の電気部品へとバス接続可能である。
【００４６】
図13及び図14のアセンブリに関するさらなる側面は、Igor Y. Khandros, David V. Pedersen, Benjamin N. Eldridge, Richard S. Roy及びGaetan Mathieuによる、本出願と同日に出願された同時係続中の米国特許出願第 号に見出すことができる。
【００４７】
以上の記載は本発明の例示的な実施例を提供するが、本発明の相互接続アセンブリを生成するのに使用可能な種々の材料又は方法について余すところのないリストを提示することを意図していないことが理解されよう。例えば本発明のストップ構造を形成するについてはポリイミド材料を使用可能であるが、高いアスペクト比を生成することができ、硬化されて機械的な要素として残存することのできる、例えばフォトレジストSU8のようなフォトレジストを含めて、他の材料を使用可能であることが理解されよう。代替的に、ストップ構造を生成する材料としてはまた、完全に硬化されたエポキシシート又はポリマー材料、或いはある種の金属も使用可能である。実際、ストップ構造は、テスト及び／又はバーンイン環境、並びに予想使用環境を含めて、ストップ構造が曝される所望の温度において安定な、どのような材料からも形成できる。本発明によるストップ構造は、最小限の高さとして約80マイクロメートルを有すると予想されるが、より低い高さのストップ構造も本発明の範囲内に含まれる。
【００４８】
以上の明細書の記載では、本発明はその特定の例示的な実施例に関して記述した。しかしながら、請求の範囲に記載した本発明のより広い範囲及び思想から逸脱することなしに、これに対して種々の改変及び変更を行いうることは明らかである。従って本明細書及び図面は、限定的な意味にではなく、例示的な意味で考慮されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来技術におけるプローブカードアセンブリの一例を示す。
【図２Ａ】従来技術のプローブカードアセンブリの要素である、中継部材の一例を示す。
【図２Ｂ】従来技術のプローブカードアセンブリで使用できる中継部材の別の例の断面図を示す。
【図２Ｃ】図２Ｂに示す中継部材の平面図を示す。
【図３Ａ】従来技術の中継部材の別の例の断面図を示す。
【図３Ｂ】従来技術の別の中継部材の構造の断面図を示す。
【図４】従来技術の相互接続アセンブリの一例を示す。
【図５Ａ】弾性接触要素が基板上に、その基板上のストップ構造と共に配置されている、本発明による斜視図を示す。
【図５Ｂ】弾性接触要素がストップ構造を備えた基板上に、ファンアウトでもって配置されている、本発明による実施例の斜視図を示す。
【図６Ａ】本発明による実施例の一例を示す（機械的及び電気的な接触が行われる前）。
【図６Ｂ】機械的及び電気的な接触が行われた際の、図６Ａの相互接続アセンブリを示す。
【図６Ｃ】本発明による別の実施例の一例を示す（機械的及び電気的な接触が行われる前）。
【図６Ｄ】機械的及び電気的な接触が行われた際の、図６Ｃの相互接続アセンブリを示す。
【図７】本発明による相互接続アセンブリの別の例を示す。
【図８Ａ】本発明による相互接続アセンブリの別の実施例の一例を示す。
【図８Ｂ】本発明によるストップ構造の別の例を示す。
【図９Ａ】チップ（集積回路）用の層を例示しており、この層は本発明によるストップ構造を作成するのに使用できる。
【図９Ｂ】図９Ａの層を９ｂ−９ｂ線で取った断面図を例示する。
【図９Ｃ】本発明の一つの実施例による、基板上への図９Ａ及び図９Ｂの層の使用を示す。
【図９Ｄ】本発明による集積回路のためのストップ構造の別の例を示す。
【図９Ｅ】それぞれが図９Ｄのストップ構造に類似した、幾つかのストップ構造を同時に形成するためのシート状材料の一例を例示する。
【図９Ｆ】ボンディングパッドからファンアウトした接触要素のための開口を備えたストップ構造の斜視図である。
【図１０Ａ】本発明の一つの例により、接触要素及び対応するストップ構造をリソグラフィにより形成するための一つの方法を例示する。
【図１０Ｂ】本発明の一つの例により、接触要素及び対応するストップ構造をリソグラフィにより形成するための一つの方法を例示する。
【図１０Ｃ】本発明の一つの例により、接触要素及び対応するストップ構造をリソグラフィにより形成するための一つの方法を例示する。
【図１０Ｄ】本発明の一つの例による、リソグラフィにより形成された接触要素と、別の接触要素と、ストップ構造との間での相互作用を例示する断面図である。
【図１０Ｅ】各種のストップ構造と、二列の弾性接触要素とを有するチップの上部平面図である。
【図１０Ｆ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１０Ｇ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１０Ｈ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１０Ｉ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１０Ｊ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１０Ｋ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１０Ｌ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１０Ｍ】集積回路のような基板上に弾性接触要素とストップ構造とをリソグラフィで形成するための方法を示す断面図である。
【図１１】ベローチャックとの関連での、本発明の相互接続アセンブリの使用方法を示す。
【図１２Ａ】真空チャックとの関連での、本発明の相互接続アセンブリの使用の一例を示す。
【図１２Ｂ】ブラダーチャックシステムとの関連での、本発明による相互接続アセンブリの使用の一例を示す。
【図１３】本発明の一つの実施例による、回路要素を有するストップ構造の一例を示す。
【図１４】本発明の一つの例による、それぞれに少なくとも一つの回路要素を含む二つのストップ構造を例示する。
【符号の説明】
【００５０】
９０２      半導体ウエハー
９０３      シート
９０５      開口
９０７      開口
９０９      開口
９１１      開口
９１２      接触要素
９１５      基板
９２１      ＩＣ
９２２      周縁ストップ構造
９２３      弾性接触要素
９５２      基板
９５３      シート
９５６      開口
９６３      開口
９５４      パッド
９５５      トレース
９５６Ａ      ファンアウトパッド
９５７      弾性接触要素
９６１      パッド
９６２      トレース
９６４      弾性接触要素
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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【図１０Ｈ】
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【図１０Ｉ】
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【図１０Ｊ】
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【図１０Ｋ】
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【図１０Ｌ】
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【図１０Ｍ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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