(57)【要約】【課題】レジスト材料の保管時のような比較的マイルドな条件下ではプロトンと反応して暗反応を効率的に防止でき、かつ露光時にはプロトンとベースポリマーとの反応を阻害しない、適度な反応性を有するプロトン中和剤ならびに該中和剤を含有するレジスト組成物を提供することを目的としている。【解決手段】本発明に係るプロトン中和剤は、分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上有する化合物からなる。該化合物は、分子中に２つ以上の窒素原子を有することが好ましい。本発明に係るレジスト組成物は、上記プロトン中和剤を含有する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上有する化合物からなるプロトン中和剤：
式中、ｔＢＯＣは、下記式で示されるｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ基である。
【化１】
2004002225.tif 000010
【請求項２】
分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上有する化合物が、分子中に２つ以上の窒素原子を有する請求項１に記載のプロトン中和剤。
【請求項３】
分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上有する化合物をプロトン中和剤として含有するレジスト組成物：
式中、ｔＢＯＣは、下記式で示されるｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ基である。
【化２】
2004002225.tif 000011
【請求項４】
分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上有する化合物が、分子中に２つ以上の窒素原子を有する請求項３に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
さらに、有機溶剤と、酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベースポリマーと、酸発生剤とを含有し、ポジ型であることを特徴とする請求項３または４に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
さらに、溶解阻止剤を含有することを特徴とする請求項５に記載のレジスト組成物。
【請求項７】
さらに、有機溶剤と、アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤による架橋によってアルカリ難溶性となるベースポリマーと、酸発生剤と、酸によって架橋する架橋剤とを含有し、ネガ型であることを特徴とする請求項３または４に記載のレジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、プロトン中和剤および該中和剤を含むレジスト組成物に関し、さらに詳しくは、化学増幅レジスト材料における暗反応を防止するために添加されるプロトン中和剤およびこれを含むレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている中、次世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視されている。遠紫外線リソグラフィーは、０．３μｍ以下の加工も可能であり、光吸収の低いレジスト材料を用いた場合、基板に対して垂直に近い側壁を有したパターン形成が可能となる。また、近年、遠紫外線の光源として高輝度なＫｒＦエキシマレーザーを利用する技術が注目されており、これを量産技術として用いるためには、光吸収が低く、高感度なレジスト材料が要望されている。このような観点から、近年開発された酸を触媒とした化学増幅レジスト材料（特公平２−２７６６０号公報、特開昭６３−２７８２９号公報等に記載）は、感度、解像度、ドライエッチング耐性が高く、優れた特徴を有するもので、遠紫外線リソグラフィーに特に有望なレジスト材料である。
【０００３】
化学増幅レジスト材料は、主に光酸発生剤と、酸に敏感に反応する構造のフォトレジスト用重合体（ベースポリマー）を配合して製造される。
しかしながら、化学増幅型レジストの欠点として、ポットライフが短いという点が指摘されている。すなわち、レジスト材料の調製から使用までの間に、暗所で保管していたとしても、酸の発生を完全に抑えることは困難であり、発生したプロトンとベースポリマーとが反応してしまい、レジスト材料が劣化することがあった。このような反応は、暗反応とも呼ばれている。
【０００４】
暗反応を抑えるためには、プロトン中和剤として塩基性化合物を添加することが有効と考えられている。しかし、暗反応を抑制するためのプロトン中和剤は、露光時において発生するプロトンに対しても反応し、結局レジスト材料の露光性を損なうおそれがある。したがって、レジスト材料の保管中における暗反応を防止でき、かつ露光時には反応を阻害しない、適度な反応性を有するプロトン中和剤が求められる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような状況に鑑み、レジスト材料の保管時のような比較的マイルドな条件下ではプロトンと反応して暗反応を効率的に防止でき、かつ露光時にはプロトンとベースポリマーとの反応を阻害しない、適度な反応性を有するプロトン中和剤ならびに該中和剤を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプロトン中和剤は、分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上有する化合物からなる。該化合物は、分子中に２つ以上の窒素原子を有することが好ましい。
式中、ｔＢＯＣは、下記式で示されるｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ基である。
【０００７】
【化３】
2004002225.tif 000002
【０００８】
本発明に係るレジスト組成物は、上記プロトン中和剤を含有する。
レジスト組成物がポジ型である場合には、上記プロトン中和剤に加え、さらに、有機溶剤と、酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベースポリマーと、酸発生剤とを含有する。この場合、溶解阻止剤を含有していてもよい。
【０００９】
また、レジスト組成物がネガ型である場合には、上記プロトン中和剤に加え、さらに、有機溶剤と、アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤による架橋によってアルカリ難溶性となるベースポリマーと、酸発生剤と、酸によって架橋する架橋剤とを含有する。
本発明に係るプロトン中和剤は、レジスト材料の保管時のような比較的マイルドな条件下ではプロトンと反応して暗反応を効率的に防止でき、かつ露光時にはプロトンとベースポリマーとの反応を阻害しない、適度な反応性を有するので、化学増幅レジスト材料に好ましく添加される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るプロトン中和剤および該中和剤を含有するレジスト組成物について、具体的に説明する。
本発明に係るプロトン中和剤は、分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上、好ましくは３個以上、さらに好ましくは４個以上含まれてなる。ここで、Ｎ−（ｔＢＯＣ）結合の数は、窒素原子に直接結合したｔＢＯＣ基の数に等しい。したがって、１つの窒素原子に二つのｔＢＯＣ基が結合している場合には、Ｎ−（ｔＢＯＣ）結合数は２となる。
【００１１】
１分子中におけるＮ−（ｔＢＯＣ）結合数の上限は特に限定はされない。
ここで、ｔＢＯＣは、下記式で示されるｔｅｒｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌ基である。
【００１２】
【化４】
2004002225.tif 000003
【００１３】
このような化合物としては、下記の化合物があげられる。
【００１４】
【化５】
2004002225.tif 000004
【００１５】
ここで、Ｒ１は、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基であり、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル、アミノ基などを含んでいてもよい。したがって、Ｒ１はｔＢＯＣ基であってもよい。
特に、本発明に係るプロトン中和剤は、分子中にＮ−（ｔＢＯＣ）結合を２つ以上有し、かつ２つ以上の窒素原子を有することが好ましい。この場合、２つのｔＢＯＣ基がそれぞれ別の窒素原子に結合していることが好ましい。このような化合物としては、下記のものを例示できる。
【００１６】
【化６】
2004002225.tif 000005
【００１７】
ここで、Ｒ２およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基であり、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カルボニル基、エステル、アミノ基などを含んでいてもよい。したがって、Ｒ２およびＲ３はｔＢＯＣ基であってもよい。また、Ｒ２およびＲ３は互いに結合して環を形成していてもよい。この場合、Ｒ２が結合する窒素と、Ｒ３が結合する窒素とが、炭素数２〜２０の炭化水素基により架橋した構造となる。
【００１８】
Ｒ４は、二価の炭化水素基であり、具体的には、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数６〜２０のアリレン基であり、炭素数６〜２０のアルキルアリレン基、炭素数６〜２０のアリールアルキレン基等があげられる。
プロトン中和剤の分子量は、好ましくは２００〜２０００、さらに好ましくは２００〜１０００程度である。したがって、プロトン中和剤は、高分子化合物であってもよく、たとえば、ポリマーの主鎖に、−Ｎ−（ｔＢＯＣ）２または−ＮＨ−（ｔＢＯＣ）が結合した高分子化合物であってもよい。
【００１９】
また、該化合物の分子量とＮ−（ｔＢＯＣ）結合数との比（分子量／Ｎ−（ｔＢＯＣ）結合数）は、好ましくは１０５〜１０００、さらに好ましくは１０５〜５００、特に好ましくは１０５〜３００である。
このように、本発明に係るプロトン中和剤では、Ｎ−（ｔＢＯＣ）結合の存在比率が高い化合物であることが特に好ましい。
【００２０】
Ｎ−ｔＢＯＣ結合は、比較的マイルドな条件下でプロトンと中和反応して分解し、イソブテン、炭酸ガスおよびアミン化合物を分解生成物として与える。この中和反応は、常温近傍、暗所においても進行するので、化学増幅レジスト材料のプロトン中和剤として用いることができる。化学増幅レジスト材料は酸発生剤を含み、暗所で保管していたとしても、暗反応が必然的に起こり、酸の発生を完全に抑えることは困難である。発生したプロトンはベースポリマーと反応し、レジスト材料の劣化を招くことがあるが、本発明のプロトン中和剤を添加しておくと、暗反応によってプロトンが生成したとしても、ジアミノ化合物の存在によりプロトンが中和されるので、ベースポリマーの劣化を招くこともない。
【００２１】
一方、上記中和反応（プロトンとＮ−ｔＢＯＣ結合との反応）の反応速度は、化学増幅レジスト材料の通常の露光条件下では、プロトンとベースポリマーとの反応速度に比して遅い。したがって、レジスト材料としての使用を妨げることはない。このようなプロトン中和剤の例としては、ジ−ｔ−ブチルイミノジカーボネート（Ｈ−Ｎ（ｔＢＯＣ）２）があげられる。この化合物の製造法の具体例はたとえばＳｙｎｔｈｅｓｉｓ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，　Ｍａｒｃｈ　１９８７，　ｐ．２７５−２７６に記載されている。しかしながら、該文献には、ジ−ｔ−ブチルイミノジカーボネートがプロトン中和剤として用いられうることは何らの記載も無く、特に化学増幅レジストの暗反応防止剤として用いられる点については示唆すらされていない。
【００２２】
また、本発明に係るプロトン中和剤の他の製法例としては、ジハロゲノ化合物と、Ａ−Ｎ−（ｔＢＯＣ）２（Ａは水素または金属原子）で示される第２級アミン化合物またはＡ−ＮＨ−（ｔＢＯＣ）（Ａは水素または金属原子）で示される第１級アミン化合物とを反応させ脱ハロゲン化する方法があげられる。
以下、本発明のプロトン中和剤の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表されるジアミノ化合物について説明し、また脱ハロゲン化反応による該ジアミノ化合物の製造について説明する。
【００２３】
本発明のプロトン中和剤として好ましく用いられるジアミノ化合物は、下記式（Ｉ）で表される。
【００２４】
【化７】
2004002225.tif 000006
【００２５】
ｎは、１〜３の整数であり、
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、及びスルホニル基から選ばれる原子又は基を示す。
上記式（Ｉ）で表されるジアミノ化合物の特徴は、ベンゼン環上に２つのＮ，Ｎ−ジ（ｔＢＯＣ）置換アミノアルキル基が置換している点にある。２つのＮ，Ｎ−ジ（ｔＢＯＣ）置換アミノアルキル基は、オルト位、メタ位、パラ位のいずれに置換していてもよいが、好ましくはパラ位に置換している。また、ｎは、好ましくは１である。
【００２６】
したがって、本発明の好ましいジアミノ化合物は、ベンゼン環上にパラ位にＮ，Ｎ−ジ（ｔＢＯＣ）置換アミノメチル基が置換してなる。
前記式（Ｉ）で示されるジアミノ化合物のベンゼン核上に置換されている置換基Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ニトロ基から選ばれる原子又は基を表す。前記ハロゲン原子は、具体的には、塩素、沃素、臭素、フッ素を挙げることができる。前記アルキル基は、炭素数１〜１０の一般式ＣｎＨ２ｎ＋１で表される基である。これらは直鎖状あるいは分枝状のものであり、アルキル基により置換されていても差し支えない。具体的には、メチル、エチル、ｎ−又はｉ−プロピル、ｎ−又はｉ−ブチル、ｎ−又はｉ−ペンチル基又はネオペンチル基等を挙げることができる。前記アリール基は、芳香族炭化水素基である。具体的には、フエニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフエニル基、ナフチル基等を挙げることができる。前記ヘテロ環基は、環を構成する異原子として窒素、硫黄、酸素などを含む環状化合物からなる基である。具体的には、ピロリル基、ピロリニル基、ピロリジニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラゾリル基、ピラゾリジニル基、ピラゾリニル基、イミダゾル基、キナゾリニル基、キノリル基、アクリジニル基、トリアジニル基、インドリル基、チエニル基、フリル基、ピラニル基等を挙げることができる。前記アルケニル基は、ＣｎＨ２ｎ−１で表される基である。直鎖状又は分岐鎖状であって差し支えない。二重結合の位置は、末端にあっても、またその中間にあっても差し支えない。炭素数は必要に応じて適宜設定して使用することができるが、通常１〜１０程度のものが使用される。前記アラルキル基は、芳香族炭化水素の水素原子が脂肪族炭化水素で置換されている基であり、具体的には、ベンジル基、フエネチル基等を挙げることができる。前記アルコキシ基は、アルキル基が酸素と結合した、ＣｎＨ２ｎ＋１Ｏで表される基であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、へキシルオキシ基等を挙げることができる。前記アリーロキシ基は、芳香族炭化水素にＯ原子が結合している基であり、具体的にはフエニルオキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基等を挙げることができる。
【００２７】
これらの中でも特にＸは、水素であることが好ましい。
次に上記ジアミノ化合物の製造方法について説明する。原料物質は下記式（ＩＩ）で示されるジハロゲノ化合物であり、公知化合物である。
【００２８】
【化８】
2004002225.tif 000007
【００２９】
（式中、Ｘ、ｎは前記と同様であり、Ｙはハロゲン原子を示す。）
上記ジハロゲノ化合物の製法は、ベンゼンジカルボン酸を、アルカリ溶液中で硫酸ジアルキル（たとえば硫酸ジメチル）により処理することによりエステル化し、ベンゼンジカルボン酸ジアルキルエステルとした後に、還元処理し、ビス（ヒドロキシアルキル）ベンゼンを製造し、これをハロゲン化処理することにより、得ることができる。原料物質であるジハロゲノ化合物のハロゲン原子Ｙには、塩素、臭素、沃素及びフッ素の中から適宜選択されて用いられる。通常、原料の得易さや取り扱いの便宜などを考慮して、臭素及び塩素が用いられる。
【００３０】
もう一方の原料物質は、Ａ−Ｎ−（ｔＢＯＣ）２（Ａは水素または金属原子）で示される第２級アミン化合物である。Ｎ−（ｔＢＯＣ）２基は、前記本発明の目的物質であるジアミノ化合物のＮ，Ｎ一ジ（ｔＢＯＣ）置換アミノアルキル基を構成するものである。“Ａ”は水素または金属原子であり、金属原子としてはリチウム、ナトリウム、カリウム等をあげることができる。
【００３１】
本発明のジアミノ化合物は、前記原料物質であるジハロゲノ化合物に、Ａ−Ｎ−（ｔＢＯＣ）２で示される第２級アミン化合物を反応させ、脱ハロゲン化することにより、製造することができる。反応式を示すと、次の通りである。
【００３２】
【化９】
2004002225.tif 000008
【００３３】
反応温度は、室温から加温した状態の温度が採用される。具体的には室温から１３０℃の範囲の温度が採用される。反応時間は、一般に５〜３０時間の範囲の時間が採用される。反応に際して、反応収率を向上させるためには、反応溶液を絶えず攪拌することが好ましい。
Ａが水素である場合には、脱ハロゲン化を促進するため、塩基を反応系に存在させることが有効である。この塩基としては、水素化ナトリウム、水素化カリウム等の金属水素化物、ナトリウムメトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド等の金属アルコキシド、ナトリウムアミド、カリウムアミド等の金属アミド等を挙げることができる。この反応は、有機溶媒中で行うことが好ましく、有機溶媒としては、アルコール類、エーテル類、芳香族系炭化水素溶媒、ハロゲン系炭化水素溶媒、非プロトン性極性溶媒、及びこれらの混合溶媒が用いられる。アルコール類としては、具体的には、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｔーブタノール、ｔ−ペンタノール等を挙げることができる。エーテル類としては、ジメトキシエタン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。芳香族系炭化水素溶媒としては、ベンゼン、トルエン等を挙げることができる。ハロゲン系炭化水素溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム等を挙げることができる。非プロトン性溶媒としては、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ＨＭＰＡ等を挙げることができる。
【００３４】
前記の方法により得られる反応生成物は、必要に応じ、通常の有機合成の手法に基づき抽出、濃縮、再結晶を行い精製してもよい。このような方法により精製された目的生成物は、無色の微針状の形状をしており、融点測定、赤外線吸収測定及びＮＭＲ測定により確認される。
なお、上記反応において、Ａ−Ｎ−（ｔＢＯＣ）２で示される第２級アミン化合物に代えて、Ａ−ＮＨ−（ｔＢＯＣ）で示される第１級アミン化合物を用いてもよい。この場合、得られるジアミノ化合物中におけるｔＢＯＣ基の数は２つになる。また、第１級アミン化合物と第２級アミン化合物とを併用してもよい。
【００３５】
上記したようなプロトン中和剤は、レジスト組成物、特に化学増幅レジストにおける暗反応防止のための添加剤として好ましく用いられる。
次に本発明に係るレジスト組成物について、ポジ型、ネガ型に分けて説明する。なお、以下の説明においては、上記プロトン中和剤を成分（Ａ）と記載することがある。
【００３６】
本発明のポジ型レジスト組成物は、本発明のプロトン中和剤（Ａ）と、（Ｂ）有機溶剤と、（Ｃ１）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベースポリマーと、（Ｄ）酸発生剤とを含有することができ、さらに、（Ｅ）溶解阻止剤を含有することができる。
【００３７】
また、本発明のネガ型レジスト組成物は、本発明のプロトン中和剤（Ａ）と、（Ｂ）有機溶剤と、（Ｃ２）アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤による架橋によってアルカリ難溶性となるベースポリマーと、（Ｄ）酸発生剤と、（Ｆ）酸によって架橋する架橋剤とを含有することができる。
ここで、プロトン中和剤（Ａ）は、一種単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。添加量は任意であるが、一般的にはレジスト組成物中のベースポリマー（Ｃ１）または（Ｃ２）１００重量部に対して０．０１〜３重量部、好ましくは０．０５〜２重量部が適当である。
【００３８】
上記成分（Ｂ）有機溶剤、（Ｃ１）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベースポリマー、（Ｃ２）アルカリ可溶性樹脂であって、架橋剤による架橋によってアルカリ難溶性となるベースポリマー、（Ｄ）酸発生剤、（Ｅ）溶解阻止剤および（Ｆ）酸によって架橋する架橋剤としては、特開２００１−１６６４７６号公報に記載の各成分が好ましく用いられる。これら成分の配合割合も同公報の記載に準じて適宜に設定できる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明に係るプロトン中和剤は、レジスト材料の保管時のような比較的マイルドな条件下ではプロトンと反応して暗反応を効率的に防止でき、かつ露光時にはプロトンとフォトレジスト用重合体との反応を阻害しない、適度な反応性を有するので、レジスト材料のポットライフを維持するための添加剤として有効である。
【００４０】
【実施例】
以下に本発明の内容を示す実施例を示す。本発明はこれにより限定されるものではない。
【００４１】
【製造例１】
α，α’−ジブロモ−ｐ−キシレン（前記式（ＩＩ）で表される化合物において、ｎが１、ＹがＢｒであり、ブロモメチル基がパラ位に結合した化合物である。）２．６ｇを、第２級アミン（ＨＮ（ＣＯＯｔ−Ｂｕ）２）４．４ｇと６０％水素化ナトリウム０．８ｇとともに、ジメチルホルムアミド６０ｍｌ中に添加し、５０℃で、２４時間、次いで、室温で攪拌しつつ、８時間反応を継続させた。反応は薄層クロマトグラフィーで追跡し、反応の終了を紫外可視吸光分析（ＵＶ）およびニンヒドリン呈色により確認した。反応終了後、反応液を水３００ｍｌ中に注加した。次いで酢酸エチルエステル（１５０ｍｌ、１００ｍｌ、５０ｍｌ）で抽出した。得られた有機溶媒層を１０％クエン酸１００ｍｌで一回、飽和食塩水１００ｍｌで二回洗浄後、減圧濃縮し、粗体４．５ｇを得た。この粗体に対し、メタノール４０ｍｌを添加し、加温溶解し、一晩放置すると結晶が析出した。濾取、乾燥し、２．２ｇの目的物を得た。
【００４２】
得られた物質の性状は以下に記載する通りであった。この結果、目的生成物は１，４−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルアミノメチル）ベンゼン（前記一般式（Ｉ）でｎが１、Ｘが水素であり、Ｎ，Ｎ−ジ（ｔＢＯＣ）置換アミノメチル基がパラ位に結合した化合物）であることを確認した。以下、この化合物を「化合物Ｉ」と記載することがある。
融点：１１９．５〜１２１℃
ＩＲ（ＫＢｒ）：１７８０、１７６２ｃｍ−１
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ＝１．４３ｓ（３６Ｈ、ＣＨ３）
４．７４ｓ（４Ｈ、ＡｒＣＨ２Ｎ）
７．２２ｓ（４Ｈ、ＡｒＨ）
【００４３】
【実施例１〜４】
上記製造例１で調製した化合物Ｉおよび、下記化合物ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶを、それぞれ０．５重量部と、ネガ型レジスト溶液１００重量部とを混合し、本発明のレジスト組成物を調製した。
製造直後、製造後１ヶ月および製造後３ヶ月暗所で保存したものを用い、それぞれレジスト形成能を評価したが、差異は認められなかった。
【００４４】
【化１０】
2004002225.tif 000009