(57)【要約】【課題】高いＱ値を有し、共振周波数の１次温度係数τｆ  を０ｐｐｍ／℃付近で調整可能であり、しかも２次温度係数βの絶対値が小さい、高周波用誘電体磁器組成物を提供する。【解決手段】Ｂａ｛Ｚｒｘ  （Ｍｇａ  Ｃｏ１−ａ  ）ｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ｝ｖ  Ｏｗ  （ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表わされる組成を有する、高周波用誘電体磁器組成物。ｘ、ｙおよびｚは、図１の３成分組成図において、Ａ（０．２０，０．２７８，０．５２２）、Ｂ（０．２０，０．２５２，０．５４８）、Ｃ（０，０．３１５，０．６８５）、およびＤ（０，０．３４８，０．６５２）を頂点とする多角形ＡＢＣＤで囲まれた範囲内（ただし、線分ＣＤ上を除く。）にあり、さらに、０＜ａ＜１．０、０＜ｂ＜１．００（ただし、ｖ≧１．００のとき、ｂ＝０を含む。）、および０．９６＜ｖ＜１．０４を満足する。【選択図】        図１
2004359533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式：Ｂａ｛Ｚｒｘ  （Ｍｇａ  Ｃｏ１−ａ  ）ｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ｝ｖ  Ｏｗ  （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは任意の数）で表わされる組成を有し、
前記組成式におけるｘ、ｙおよびｚは、（ｘ，ｙ，ｚ）で表わしたとき、添付の図１に示した３成分組成図において、Ａ（０．２０，０．２７８，０．５２２）、Ｂ（０．２０，０．２５２，０．５４８）、Ｃ（０，０．３１５，０．６８５）、およびＤ（０，０．３４８，０．６５２）の各組成点を頂点とする多角形ＡＢＣＤで囲まれた範囲内（ただし、線分ＣＤ上を除く。）にあり、かつ、
前記組成式におけるａ、ｂおよびｖは、
０＜ａ＜１．０、
０＜ｂ＜１．００（ただし、ｖ≧１．００のとき、ｂ＝０を含む。）、および
０．９６＜ｖ＜１．０４
の範囲内にある、
高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記組成式におけるｂおよびｖは、
０＜ｂ＜１．００、および
１．００≦ｖ＜１．０４
の範囲内にある、請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項３】
誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器であって、前記誘電体磁器は、請求項１または２に記載の高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴とする、誘電体共振器。
【請求項４】
請求項３に記載の誘電体共振器と、前記誘電体共振器の入出力端子に接続される外部結合手段とを備える、誘電体フィルタ。
【請求項５】
少なくとも２つの誘電体フィルタと、前記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、前記誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える、誘電体デュプレクサであって、前記誘電体フィルタの少なくとも１つが請求項４に記載の誘電体フィルタであることを特徴とする、誘電体デュプレクサ。
【請求項６】
請求項５に記載の誘電体デュプレクサと、前記誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、前記送信用回路に接続される前記入出力接続手段とは異なる少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、前記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備える、通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において利用される高周波用誘電体磁器組成物、ならびに、それを用いて構成される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体共振器や回路基板等を構成する材料として、誘電体磁器が広く利用されている。
【０００３】
このような高周波用誘電体磁器が、特に誘電体共振器や誘電体フィルタ等の用途に向けられる場合、要求される誘電特性としては、（１）誘電損失が小さい、すなわちＱ値が高いこと、（２）共振周波数の温度安定性が優れている、すなわち共振周波数の温度係数τｆ  が０ｐｐｍ／℃付近で調整可能であること等が挙げられる。
【０００４】
従来、高周波用誘電体磁器としては、たとえば、Ｂａ（Ｍｇ，Ｃｏ，Ｔａ）Ｏ３  系（たとえば、特許文献１参照）、Ｂａ（Ｍｇ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔａ）Ｏ３  系（たとえば、特許文献２参照）、Ｂａ（Ｍｇ，Ｃｏ，Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３  系（たとえば、特許文献３参照）、Ｂａ（Ｚｒ，Ｍｇ，Ｃｏ，Ｔａ）Ｏ３  系（たとえば、特許文献４参照）などの組成を有するものが知られている。これらは、いずれも、高いＱ値と安定した温度特性とを有している。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６１−８８０４号公報
【特許文献２】
特開昭６３−１５２８１５号公報
【特許文献３】
特開昭６１−２２４２１１号公報
【特許文献４】
特開平５−２６６７１２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
近年の通信技術の進歩により、前述したように要求される誘電特性に関して、より優れたものが必要とされるようになっている。たとえば、共振周波数の温度安定性に関して、前述した温度係数（１次温度係数）τｆ  が０ｐｐｍ／℃付近であることだけでなく、２次温度係数βも重要なパラメータとして注目されるようになってきており、この２次温度係数βの絶対値が小さいことが要求されるようになってきている。
【０００７】
より詳細には、誘電体共振器を用いて発振器やフィルタなどのデバイスを設計する場合、通常、デバイスの温度係数を０にするために、デバイスの構成素子である、たとえば、ＦＥＴ、基板、金属筐体などの温度係数を、誘電体磁器自身の温度係数τｆ  によって補償することが行なわれている。ここで、温度係数τｆ  が０ｐｐｍ／℃ではなく、０ｐｐｍ／℃付近でなくてはならない理由は、この補償を行なわなければならないためである。
【０００８】
しかし、１次温度係数τｆ  の調整だけでは、デバイス全体の温度係数を０にすることは厳密には不可能である。なぜなら、１次温度係数τｆ  は、誘電体共振器の温度特性を直線近似したものにすぎず、正確な共振周波数の温度変化率を表わしていないからである。つまり、一般に、誘電体共振器の温度特性は、曲線でしか表わせないものであるため、１次温度係数τｆ  のみでは、この曲線の曲がり方の大きさによる温度変化率を考慮することができない。
【０００９】
従来のデバイスでは、温度変化率の曲線性について考慮しなくても、実質的な支障を来すことはなかった。しかしながら、最近では、共振周波数の温度変化率に対して、さらなる高安定化が求められるようになり、１次温度係数τｆ  が０ｐｐｍ／℃付近で小さい値をもつことだけでなく、２次温度係数βの絶対値についても、これが小さい値であることが要求されるようになってきている。このようなことから、共振周波数の温度特性曲線をより正確に把握するため、これを２次曲線で近似することによって求められた２次温度係数β（曲線の曲がり方の大きさを示すパラメータ）を用いた評価が重要となってきている。
【００１０】
なお、共振周波数の温度特性曲線については、その曲がり方が小さい、すなわち直線性が優れている方が好ましいので、２次温度係数βは、０ｐｐｍ／℃２  であることが理想的である。
【００１１】
しかしながら、前述した特許文献１〜４に記載された組成系を有する誘電体磁器にあっては、高いＱ値を保ちながら、０ｐｐｍ／℃付近で小さい１次温度係数τｆ  を示すものが存在するものの、２次温度係数βの絶対値が小さいという条件については、これを満足するものが存在しないというのが現状である。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る、すなわち、高いＱ値を有すること、および共振周波数の１次温度係数τｆ  が０ｐｐｍ／℃付近で小さいことに加えて、共振周波数の２次温度係数βの絶対値が小さいことの３つの要求を同時に満たし得る、高周波用誘電体磁器組成物を提供しようとすることである。
【００１３】
この発明の他の目的は、上述したような高周波用誘電体磁器組成物を用いて構成される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を提供しようとすることである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物は、上述した技術的課題を解決するため、組成式：Ｂａ｛Ｚｒｘ  （Ｍｇａ  Ｃｏ１−ａ  ）ｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ｝ｖ  Ｏｗ  （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは任意の数）で表わされる組成を有し、上記組成式におけるｘ、ｙおよびｚは、（ｘ，ｙ，ｚ）で表わしたとき、図１に示した３成分組成図において、Ａ（０．２０，０．２７８，０．５２２）、Ｂ（０．２０，０．２５２，０．５４８）、Ｃ（０，０．３１５，０．６８５）、およびＤ（０，０．３４８，０．６５２）の各組成点を頂点とする多角形ＡＢＣＤで囲まれた範囲内（ただし、線分ＣＤ上を除く。）にあり、かつ、上記組成式におけるａ、ｂおよびｖは、０＜ａ＜１．０、０＜ｂ＜１．００（ただし、ｖ≧１．００のとき、ｂ＝０を含む。）、および０．９６＜ｖ＜１．０４の範囲内にあることを特徴としている。
【００１５】
この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物において、前記組成式におけるｂおよびｖは、０＜ｂ＜１．００、および１．００≦ｖ＜１．０４の範囲内にあることが好ましい。
【００１６】
この発明は、また、誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動する、誘電体共振器にも向けられる。この発明に係る誘電体共振器において、誘電体磁器が、上述したこの発明に係る高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴としている。
【００１７】
また、この発明は、上述した誘電体共振器と、この誘電体共振器の入出力端子に接続される外部接合手段とを備える、誘電体フィルタにも向けられる。
【００１８】
この発明は、また、少なくとも２つの誘電体フィルタと、誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、誘電体フィルタに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える、誘電体デュプレクサにも向けられる。この発明に係る誘電体デュプレクサにおいて、誘電体フィルタの少なくとも１つが上述したこの発明に係る誘電体フィルタであることを特徴としている。
【００１９】
この発明は、さらに、上述の誘電体デュプレクサと、この誘電体デュプレクサの少なくとも１つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、この送信用回路に接続される上述の入出力手段とは異なる少なくとも１つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備える、通信機装置にも向けられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
まず、この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物が適用される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置について説明する。
【００２１】
図２は、この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物を用いて構成される誘電体共振器１の基本的構造を図解的に示す断面図である。
【００２２】
図２を参照して、誘電体共振器１は、金属ケース２を備え、金属ケース２内の空間には、支持台３によって支持された柱状の誘電体磁器４が配置されている。そして、同軸ケーブル７の中心導体と外導体との間に結合ループ５を形成して入力端子とする。また、同軸ケーブル８の中心導体と外導体との間に結合ループ６を形成して出力端子とする。それぞれの端子は、外導体と金属ケース２とが電気的に接合した状態で、金属ケース２によって保持されている。
【００２３】
誘電体磁器４は、入力端子および出力端子に電磁界結合して作動するもので、入力端子から入力された所定の周波数の信号だけが出力端子から出力される。
【００２４】
このような誘電体共振器１に備える誘電体磁器４が、この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物から構成される。
【００２５】
なお、図２に示した誘電体共振器１は、基地等で用いられるＴＥ０１δモード共振器であるが、この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物は、他のＴＥモードを利用する誘電体共振器にも、さらには、ＴＭモード、ＴＥＭモードなどを利用する誘電体共振器にも同様に適用することができる。
【００２６】
図３は、上述した誘電体共振器１を用いて構成される通信機装置の一例を示すブロック図である。
【００２７】
図３に示した通信機装置１０は、誘電体デュプレクサ１２、送信用回路１４、受信用回路１６およびアンテナ１８を含む。
【００２８】
送信用回路１４は、誘電体デュプレクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信用回路１６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段２２に接続される。また、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ１２のアンテナ接続手段２４に接続される。
【００２９】
誘電体デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２６および２８を含む。誘電体フィルタ２６および２８は、誘電体共振器に外部結合手段を接続して構成されるものである。図示の実施形態では、たとえば、図２に示した誘電体共振器１の入出力端子にそれぞれ外部結合手段３０を接続して、誘電体フィルタ２６および２８の各々が構成される。そして、一方の誘電体フィルタ２６は、入力接続手段２０と他方の誘電体フィルタ２８との間に接続され、他方の誘電体フィルタ２８は、一方の誘電体フィルタ２６と出力接続手段２２との間に接続される。
【００３０】
次に、図２に示した誘電体共振器１に備える誘電体磁器４のように、高周波領域において有利に用いられる、この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物について説明する。
【００３１】
この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物は、組成式：Ｂａ｛Ｚｒｘ  （Ｍｇａ  Ｃｏ１−ａ  ）ｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ｝ｖ  Ｏｗ  （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、ｗは任意の数）で表わされる組成を有している。
【００３２】
ここで、上記組成式におけるｘ、ｙおよびｚは、（ｘ，ｙ，ｚ）で表わしたとき、図１に示した３成分組成図において、Ａ（０．２０，０．２７８，０．５２２）、Ｂ（０．２０，０．２５２，０．５４８）、Ｃ（０，０．３１５，０．６８５）、およびＤ（０，０．３４８，０．６５２）の各組成点を頂点とする多角形ＡＢＣＤで囲まれた範囲内（ただし、線分ＣＤ上を除く。）にある。
【００３３】
また、上記組成式におけるａ、ｂおよびｖは、０＜ａ＜１．０、０＜ｂ＜１．００（ただし、ｖ≧１．００のとき、ｂ＝０を含む。）、および０．９６＜ｖ＜１．０４の範囲内にある。
【００３４】
この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物において、上記組成式におけるｂおよびｖは、０＜ｂ＜１．００、および１．００≦ｖ＜１．０４の範囲内にあることが好ましい。
【００３５】
この発明において、上述のような特定的な組成を選んだ根拠となる実験例について、以下に説明する。
【００３６】
Ｂａ｛Ｚｒｘ  （Ｍｇａ  Ｃｏ１−ａ  ）ｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ｝ｖ  Ｏｗ  の出発原料として、高純度の炭酸バリウム（ＢａＣＯ３  ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、炭酸コバルト（ＣｏＣＯ３  ）、酸化タンタル（Ｔａ２  Ｏ５  ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２  Ｏ５  ）および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２  ）の各粉末を準備し、表１および表２に示すようなｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂおよびｖとなるように、上述の各出発原料粉末を調合した。
【００３７】
次に、この調合粉末を、ボールミルを用いて１６時間湿式混合し、均一に分散された混合粉末を得た後、脱水および乾燥処理を施した。
【００３８】
次に、混合粉末を、１１００〜１３００℃の温度で３時間仮焼し、得られた仮焼粉末に、適量のバインダを加えて、再びボールミルを用いて１６時間湿式粉砕することにより、焼成用粉末を得た。
【００３９】
そして、この焼成用粉末を、０．９８×１０８  〜１．９６×１０８  Ｐａの圧力で円板状にプレス成形した後、１５５０〜１６５０℃の温度で４〜２４時間、大気中において焼成し、直径１０ｍｍおよび厚み５ｍｍの円板状の焼結体を得た。
【００４０】
得られた各試料に係る焼結体について、測定周波数ｆを６〜１０ＧＨｚとして、比誘電率εｒ  を測定するとともに、Ｑ値を両端短絡型誘電体共振器法にて測定し、Ｑ値については、Ｑ×ｆ値に換算した。また、ＴＥ０１δモードの共振周波数から、共振周波数の１次温度係数τｆ  （測定点：２５℃および５５℃）および２次温度係数β（測定範囲：−３０℃〜８０℃、測定間隔：１０℃）をそれぞれ測定した。
【００４１】
なお、上述のτｆ  ［ｐｐｍ／℃］は、２５℃における共振周波数ｆ２５の値と５５℃における共振周波数ｆ５５の値とを用いて、共振周波数温度曲線を直線近似したときの傾き（１次微係数）を表わすものであり、τｆ  ＝［（ｆ５５−ｆ２５）／｛ｆ２５・（５５−２５）｝］×１０６  の式によって求められる。
【００４２】
また、上述のβ［ｐｐｍ／℃２  ］は、共振周波数温度曲線を、Δｆ／ｆ２５＝α（Ｔ−２５）＋β（Ｔ−２５）２  で表わされる式に従って２次曲線近似したときの２次微係数である。なお、上記式において、Ｔは、前述したように、１０℃の測定間隔での各測定温度［℃］である。
【００４３】
以上のεｒ  、Ｑ×ｆ、τｆ  およびβが、表１および表２に示されている。
【００４４】
【表１】
2004359533.tif 000003
【００４５】
【表２】
2004359533.tif 000004
【００４６】
表１および表２において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の試料である。
【００４７】
表１および表２に示すように、この発明の範囲内にある誘電体磁器組成物によれば、τｆ  を±１５ｐｐｍ／℃以内、かつβを±０．０３０ｐｐｍ／℃２  以内に制御することができ、また、Ｑ×ｆについても５００００ＧＨｚ以上の高い値を与えることができる。
【００４８】
また、この発明の範囲内にある試料２１〜２６の間で比較すると、ａの値すなわちＭｇとＣｏとのモル置換比を変えることによって、高いＱ値を保ったまま、τｆ  およびβの各値を制御することができることがわかる。
【００４９】
以下に、この発明に係る組成範囲を限定した理由について説明する。
【００５０】
まず、ａは、上述のように、ＭｇとＣｏとのモル比である。このａに関して、ａ＝０すなわちＣｏのみにしてしまうと、試料２７のように、Ｑ×ｆが５００００ＧＨｚより低くなり好ましくない。他方、ａ＝１．０すなわちＭｇのみにしてしまうと、試料２０のように、τｆ  が＋１５ｐｐｍ／℃より大きくなり、βについても−０．０３０ｐｐｍ／℃２  より小さくなり（すなわち、絶対値が０．０３０ｐｐｍ／℃２  より大きくなり）好ましくない。よって、ａについては、０＜ａ＜１．０を満足するようにされる。
【００５１】
次に、ｖは、この発明に係る誘電体磁器組成物の組成をＡＢｖ  Ｏｗ  （ただし、Ａ＝Ｂａ、Ｂ＝Ｚｒｘ  （Ｍｇａ  Ｃｏ１−ａ  ）ｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ）と表わしたときのＡサイトとＢサイトとのモル比である。このｖに関して、ｖ＝０．９６すなわちＡサイトを過剰にすると、試料３２のように、Ｑ×ｆが５００００ＧＨｚより低くなり好ましくない。他方、ｖ＝１．０４すなわちＢサイトを過剰にすると、試料３９のように、Ｑ×ｆが５００００ＧＨｚより低くなり、また、τｆ  が＋１５ｐｐｍ／℃より大きくなり、βも−０．０３０ｐｐｍ／℃２  より小さくなり（すなわち、絶対値が０．０３０ｐｐｍ／℃２  より大きくなり）好ましくない。よって、ｖについては、０．９６＜ｖ＜１．０４を満足するようにされる。
【００５２】
また、ｖに関して、１．００≦ｖ＜１．０４を満足するようにすると、すなわち、Ａ／Ｂ比をストイキオメトリー組成またはＢサイト過剰組成にすると、試料９および３６〜３８のように、Ａサイト過剰組成である試料３３〜３５に比べて、より高いＱ×ｆをもつ誘電体磁器組成物を得ることができる。よって、より優れた誘電特性を得るためには、ｖについては、１．００≦ｖ＜１．０４を満足するようにされる。
【００５３】
次に、ｂは、ＮｂとＴａとのモル比である。このｂに関して、ｖ＜１．００といったＡサイト過剰組成の場合には、ｂ＝０すなわちＴａのみにしてしまうと、試料１のように、焼結しなくなり好ましくない。ただし、ｖ＝１．００といったストイキオメトリー組成またはｖ＞１．００といったＢサイト過剰組成の場合には、ｂ＝０すなわちＴａのみであっても、試料３および４のように、良好な特性を示す。また、ｂ＝１．００すなわちＮｂのみの組成になると、試料３１のように、Ｑ×ｆが５００００ＧＨｚより低くなり好ましくない。よって、ｂについては、０＜ｂ＜１．００（ただし、ｖ≧１．００のとき、ｂ＝０を含む。）を満足するようにされる。
【００５４】
次に、ｘ、ｙおよびｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）の各範囲の限定理由について、表１および表２とともに、図１に示した３成分組成図を参照して説明する。図１には、表１および表２との対比を容易にするため、表１および表２に示した試料番号が四角形で囲んだ数字によって示されている。また、図１において、（ｘ，ｙ，ｚ）が、（０．２０，０，２７８，０５２２）であるＡと、（０．２０，０．２５２，０．５４８）であるＢと、（０，０．３１５，０．６８５）であるＣと、（０，０．３４８，０．６５２）であるＤとの各組成点が示されるとともに、これら組成点を頂点とする多角形ＡＢＣＤが太線で示されている。
【００５５】
まず、試料５および６のように、３成分組成図において、頂点ＣおよびＤを結ぶ線分ＣＤ上の組成物では、表１に示すように、τｆ  が−１５ｐｐｍ／℃より小さくなってしまう（すなわち、絶対値が１５ｐｐｍ／℃より大きくなってしまう）。
【００５６】
また、試料１２および１７のように、３成分組成図において、頂点ＡおよびＤを結ぶ線分ＡＤの外側の組成物では、表１に示すように、Ｑ×ｆが５００００ＧＨｚより低くなってしまう。
【００５７】
また、試料１３および１８のように、３成分組成図において、頂点ＢおよびＣを結ぶ線分ＢＣの外側の組成物では、表１に示すように、Ｑ×ｆが５００００ＧＨｚより低くなってしまう。
【００５８】
また、試料１９のように、３成分組成図において、頂点ＡおよびＢを結ぶ線分ＡＢの外側の組成物では、表１に示すように、Ｑ×ｆが５００００ＧＨｚより低くなってしまう。
【００５９】
よって、ｘ、ｙおよびｚについては、３成分組成図における多角形ＡＢＣＤで囲まれる範囲内（ただし、線分ＣＤ上を除く。）にあるという条件を満足するようにされる。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物によれば、共振周波数の１次温度係数τｆ  を±１５ｐｐｍ／℃以内とし、同じく２次温度係数βを±０．３０ｐｐｍ／℃２  以内とするように制御することができ、また、Ｑ×ｆを５００００ＧＨｚ以上とすることができる。
【００６１】
特に、この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物の組成を示す組成式において、０＜ｂ＜１．００であるとき、１．００≦ｖ＜１．０４とされると、Ｑ×ｆをより高くすることができる。
【００６２】
したがって、たとえば、携帯電話、パーソナル無線機、衛星放送受信機等に搭載される誘電体共振器を、小型化し、誘電損失を小さいものとし、また、共振周波数の温度安定性を優れたものとすることができる。その結果、このような誘電体共振器を用いれば、小型化されかつ優れた特性を有する、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサおよび通信機装置を有利に構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物の組成を示す組成式：Ｂａ｛Ｚｒｘ  （Ｍｇａ  Ｃｏ１−ａ  ）ｙ  （Ｎｂｂ  Ｔａ１−ｂ  ）ｚ  ｝ｖ  Ｏｗ  におけるｘ、ｙおよびｚの各範囲を示す３成分組成図である。
【図２】この発明に係る高周波用誘電体磁器組成物を用いて構成される誘電体共振器１の基本的構造を図解的に示す断面図である。
【図３】図２に示した誘電体共振器１を用いて構成される通信機装置の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
１  誘電体共振器
４  誘電体磁器
５，６  結合ループ
１０  通信機装置
１２  誘電体デュプレクサ
１４  送信用回路
１６  受信用回路
１８  アンテナ
２０  入力接続手段
２２  出力接続手段
２４  アンテナ接続手段
２６，２８  誘電体フィルタ
３０  外部結合手段
【図１】
2004359533.tif 000005
【図２】
2004359533.tif 000006
【図３】
2004359533.tif 000007