(57)【要約】【課題】高速で大面積の基体を均一にプラズマ処理して、膜厚、膜質、表面性が均一で欠陥のない堆積膜を形成し得る電子写真感光体の製造装置を提供する。【解決手段】減圧可能な縦型の反応容器１０２内に設置された円筒状基体１０１の表面に、少なくともシリコンを含む非単結晶材料からなる堆積膜を形成する、電子写真感光体の製造装置において、反応容器１０２内には、高周波電力の印加が可能な高周波電極１０４と、反応容器１０２の底面１１７と円筒状基体１０１の下部との間に位置し、複数の開口部を有する誘電体材料からなる遮蔽板１１８が設けられている。この遮蔽板１１８は、底面１１７付近の塵や剥離した膜片が浮遊して円筒状基体１０１に付着することを防ぐ。高周波電極１０４には、異なる周波数の複数の高周波電力が同時に供給される。【選択図】      図１
2004191552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な縦型の反応容器内に設置された円筒状基体の表面に、少なくともシリコンを含む非単結晶材料からなる堆積膜を形成する、電子写真感光体の製造装置であって、
前記反応容器内には、高周波電力の印加が可能な高周波電極と、前記反応容器の底面と前記円筒状基体の下部との間に位置し、複数の開口部を有する誘電体材料からなる遮蔽板が設けられていることを特徴とする電子写真感光体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを用いた真空処理、特にプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による堆積膜形成に適した、電子写真感光体の製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイス、電子写真感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を形成するための真空処理方法として、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法など、高周波電力により生成されるプラズマを利用する真空処理方法が知られており、そのための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスのプラズマを生成し、その分解種を基板上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法がある。この方法を用いた場合、例えば、原料ガスにシランガスを用いることで、アモルファスシリコン薄膜を形成することが可能である。また、近年では、堆積膜形成速度が速く、高品質の堆積膜が得られる、ＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ法が注目されている（特許文献１参照）。プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン薄膜の形成方法の概要に関して、アモルファスシリコンを母材とした電子写真用感光体の製造工程を例にとって説明する。
【０００４】
図５は、プラズマＣＶＤ法を用いて、アモルファスシリコンを母材とした電子写真用感光体を形成する装置を示している。この装置は、円筒状基体５０１を内包できる減圧可能な反応容器５０２、反応容器５０２内に原料ガスを供給するためのガス導入管５０３、および原料ガスを分解するための電力を導入する高周波電極５０４を有する真空処理手段５００と、反応容器５０２内に原料ガスを供給する不図示のガス供給手段と、反応容器５０２内を排気する不図示の排気手段と、高周波電極５０４に電力を供給する電力供給手段５０５とを含むものである。
【０００５】
その構成についてもう少し詳細に説明すると、真空処理手段５００の反応容器５０２内には、円筒状基体５０１を支持するための基体支持体５０６と、基体支持体５０６に内蔵されたヒーター（不図示）と、ガス導入管５０３と、電力分岐部５１３により連結された複数の高周波電極５０４が配置されている。反応容器５０２は、上部のシールド５１４と底面５１７によって密閉可能になっている。反応容器５０２の内部は、底面５１７に接続された排気管５０７を通じて、外部の排気手段に接続されている。基体支持体５０６は、モーター５１１から減速ギア５１２を介して接続されている回転軸５１０に取り付けられている。複数の高周波電極５０４につながっている電力分岐部５１３には、高周波電源５０８が、マッチングボックス５０９を介して接続されている。電力分岐部５１３は、電磁波を実質的に閉じ込めるシールド５１４内に、シールド５１４とは電気的に絶縁された状態で設置されており、すなわち、絶縁体を介して反応容器５０２に固定された構成になっている。ガス導入管５０３には、図示しないガス供給手段が接続されている。
【０００６】
この装置を用いて電子写真感光体を製造する場合、まず、反応容器５０２内の基体支持体５０６に円筒状基体５０１を設置し、不図示の排気手段によって、底面５１７に設けられた排気管５０７から反応容器５０２内の空気を吸引し、所望の真空度まで排気する。その後、不図示のガス供給手段によって、不活性ガス、例えばＡｒガスを、ガス導入管５０３から所定の流量で反応容器５０２内に供給する。排気手段の排気速度を調整することによって、反応容器５０２内を所定の圧力に制御した後に、基体支持体５０６に内蔵されたヒーター（不図示）によって円筒状基体５０１を所定の温度まで加熱する。
【０００７】
円筒状基体５０１が所定の温度になったら、反応容器５０２内のＡｒガスを、不図示の排気手段によって吸引し、反応容器５０２内を、例えば０．１Ｐａの真空度まで排気する。続いて、不図示のガス供給手段によって、反応容器５０２内に、ＳｉＨ４、Ｈ２、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３、ＣＨ４、ＮＯ等の原料ガスを、所定の流量で供給する。排気手段の排気速度を調整することにより、反応容器５０２の内圧を所望の圧力に制御する。反応容器５０２の内圧が安定したところで、高周波電源５０８からマッチングボックス５０９および電力分岐部５１３を介して、各高周波電極５０４に電力を供給し、反応容器５０２内にグロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって、反応容器５０２内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体５０１上に堆積膜が形成される。堆積膜が所望の膜厚に到達したら、高周波電極５０４への電力供給を停止し、原料ガスの供給を停止して、堆積膜の形成を終える。なお、堆積膜形成中、円筒状基体５０１はヒーターによって、堆積膜形成に必要な所定の温度に保持され続ける。
【０００８】
以上説明したのと同様の作業を複数回繰り返して行うことによって、複数の堆積膜を円筒状基体５０１に形成して、多層構造を持つ電子写真感光体を形成することができる。
【０００９】
ＶＨＦ帯およびその近傍の周波数の高周波電力を用いてプラズマを生成し真空処理を施すことにより、真空処理速度の向上および真空処理特性の向上が達成可能である。しかしながら、このような周波数帯の高周波電力を用いた場合、反応容器５０２内での高周波電力の波長が、反応容器５０２、高周波電極５０４、円筒状基体５０１、基体支持体５０６等と同程度の長さになり、反応容器５０２中で高周波電力が定在波を形成してしまうことがある。この定在波によって、反応容器５０２内では、場所ごとに電力の強弱が生じ、プラズマ特性が異なってしまう。その結果、円筒状基体５０１の表面における堆積膜の膜厚はほぼ均一であっても、その膜質に不均一が生じ、特に電子写真感光体のように円筒状基体５０１の表面積が大きい場合には、特性ムラが生じ、真空処理特性を広い範囲で均一にすることは困難である。
【００１０】
このような問題を解決するために、周波数の異なる複数の高周波電力を反応容器５０２内に同時に供給することが考えられる。これによって、反応容器５０２内には各周波数に応じた波長の異なる複数の定在波が形成されるが、これらの定在波は同時に供給されているので、複数の定在波が合成され、結果として明確な定在波が存在しなくなる。このような考えに基づけば、複数の高周波電力の周波数は互いに異なりさえすれば、どのような値であっても定在波抑制効果が得られる。
【００１１】
例えば、１０ＭＨｚ以上の高周波電力と１ＭＨｚ以下の高周波電力とを、同一の電極に供給する構成が開示されている（特許文献２参照）。しかしながら、このように両電力の周波数が１桁以上も異なってしまうと、原料ガスの分解の仕方が変わり、生成される活性種の種類や比率が異なってしまう。このため、電界強度的には均一化がなされても、１０ＭＨｚ電力による電界定在波の腹部分では、その周波数に応じた種類と比率の活性種が生成され、１ＭＨｚ電力による電界定在波の腹部分では、１０ＭＨｚ電力による電界定在波の腹部分とは異なった種類と比率の活性種が生成されてしまう。その結果、活性種の種類と比率に空間的なばらつきが生じてしまい、真空処理特性を不均一にしてしまう場合がある。
【００１２】
真空処理中の異物の付着防止に関しては、蒸着装置に落し蓋やカバーや遮蔽板などを設けることによって蒸着物の飛散を防止する技術が開示されている（特許文献３および特許文献４参照）。またスパッタ装置において、ウエハーの位置よりも低い位置に、ウエハーの外径よりも小さい防着板を設けることによって、ウエハーに対する異物の付着を防止する技術が開示されている（特許文献５参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開平９−３１０１８１号公報
【特許文献２】
特開昭６０−１６０６２０号公報
【特許文献３】
特開平５−３３９７０９号公報
【特許文献４】
特開平５−３３９７１０号公報
【特許文献５】
特開平７−１２６８３２号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
前記した従来の装置および方法により、良好なプラズマ処理や堆積膜形成が行えるが、電子写真感光体などの製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、より高品質の製品が生産可能なプラズマ処理及び堆積膜形成方法が求められている。例えば、電子写真感光体の場合、電子写真装置のプロセススピード向上、小型化、低価格化等の要求が非常に高いため、これらを実現可能な感光体の特性、具体的には、帯電能および感度等の向上や、感光体製造時の良品率（歩留まり）の向上が不可欠となっている。また、近年目覚しい普及を見せているデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に行われるため、従来以上に、画像欠陥の低減や画像濃度ムラの低減が求められている。
【００１５】
しかしながら、本発明者らが、前記した公報に開示された技術を実施して真空処理特性の均一性に関する実験を行った結果、確かにある程度均一性が向上できるものの、近年要求されているレベルの均一性を得るには至らなかった。すなわち、電界強度的には均一化されているはずの電力供給方法を利用しても、実際の真空処理においては不均一性が残ってしまう場合がある。
【００１６】
また、電子写真感光体のさらなる高画質化への課題として、前記した真空処理特性の均一性の問題の他に、微小な画像欠陥の問題が挙げられる。微小な画像欠陥とは、一面の黒地（黒ベタ）を形成したときに、円形の白抜け（白ポチ）などの画像欠陥が発生する現象である。この画像欠陥の原因は、堆積膜形成前の円筒状基体５０１（図５参照）の表面上、または堆積膜形成途中の堆積膜上に、数μｍ〜数十μｍの大きさの塵や剥離した堆積膜の小片（膜片）が付着し、これらを核として、堆積膜表面に向かって柱状や逆円錐状の異常成長部（球状突起）が発生することである。
【００１７】
この球状突起の発生するメカニズムについて説明する。円筒状基体５０１の表面上に欠陥が存在すると、その部分でのプラズマ中の電位が変化するため、その近傍のプラズマ空間で生成または輸送される活性種が異なってくる。また、このような欠陥のために、活性種の円筒状基体５０１の表面での運動が阻害され、堆積膜形成時の表面反応も異なってくる。そのため、従来の電子写真感光体の製造工程において、堆積膜の、この欠陥部を核として成長した部分は、他の正常な部分とは性質が異なり、電子写真的に不十分な部分、特に暗抵抗の小さな部分となる。すなわち、電子写真用感光体を電子写真装置に用いる場合には、主帯電器により堆積膜表面に均一に帯電を行い、生じた表面電荷のクーロン力によりトナー像を形成するが、正現像の場合、球状突起の周辺に帯電された表面電荷は、前記した暗抵抗の小さな部分を通り抜けて速やかに円筒状基体５０１に到達してしまうため、その部分だけ、トナーを引き付けることができない。これが、黒ベタの画像中では、球状突起の位置に対応した白点（白ポチ）状の画像欠陥として現れ、画像品質を著しく低下させてしまう。また、球状突起が電子写真感光体表面に存在すると、繰り返しのコピーを行った場合に残留トナーを回収するクリーナーブレードを破損したり劣化を著しく早める要因となり、感光体表面のクリーニング不良を引き起こす場合がある。
【００１８】
このような不具合を引き起こす球状突起が発生する１つの要因である、前記した堆積膜形成前の円筒状基体５０１の表面に付着する塵に関しては、反応容器５０２内部や反応容器５０２周辺を清浄にする（クリーン度を向上させる）等の対策がなされている。
【００１９】
次に、球状突起が発生する他の要因である、堆積膜形成途中に発生する、剥離した膜片に関して説明する。電子写真用感光体の堆積膜は、大面積の円筒状基体５０１の表面に数μｍ〜数十μｍの膜厚で複数の層を積層することによって形成されるが、このとき、反応容器５０２の内壁面にも堆積膜が形成され、形成途中でこの堆積膜に微小な剥離が発生する。こうして剥離した膜片は、反応容器５０２内を飛散して、堆積膜形成途中の円筒状基体５０１の表面に付着しやすい。従って、不具合を引き起こす球状突起の発生を抑制するためには、膜片の飛散を防止することが重要である。
【００２０】
以上説明したように、従来の装置においては、反応容器５０２内のプラズマ強度分布の不均一と、反応容器５０２内の原料ガスおよび活性種の分布の不均一が原因で、形成される堆積膜の膜厚および膜質が不均一になってしまうという問題と、堆積膜形成途中に反応容器５０２の内壁面から剥離した膜片が飛散して、堆積膜形成途中の円筒状基体５０１に付着し、堆積膜が異常成長して画像欠陥の原因になるという問題とがある。これらの問題は、円筒状基体５０１が長いほど顕著であり、また、同一の反応容器５０２内に、複数個の円筒状基体５０１を配置して堆積膜を形成する場合に顕著である。さらに、生産効率を上げるために堆積膜形成速度を速くした場合には、前記した通り堆積膜の膜厚および膜質が不均一になりやすい。
【００２１】
このようにプラズマＣＶＤ法の制御技術が開発されてきているものの、電子写真用感光体のような、大面積で比較的長尺の円筒状基体に堆積膜を形成する場合には、前記した堆積膜の膜厚および膜質の均一性の問題があるため、成膜条件が必然的に制限されてしまう。感光体特性の向上を目指し、電子写真感光体の形成条件や層構成の最適化もなされているが、特に、画像欠陥の低減や、膜厚および膜質の均一化という点で、電子写真感光体の製造装置および製造方法には未だ改善の余地が残されているのが現状である。
【００２２】
そこで本発明の目的は、前記した従来の問題点を克服し、従来のプラズマＣＶＤ工程では達成できなかった処理速度で、大面積の基体を均一にプラズマ処理することを可能にし、膜厚、膜質、表面性のいずれも極めて均一で、欠陥のない堆積膜を高速で形成し得る電子写真感光体の製造装置を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するために、本発明は、減圧可能な縦型の反応容器内に設置された円筒状基体の表面に、少なくともシリコンを含む非単結晶材料からなる堆積膜を形成する、電子写真感光体の製造装置において、反応容器内には、高周波電力の印加が可能な高周波電極と、反応容器の底面と前記円筒状基体の下部との間に位置し、複数の開口部を有する誘電体材料からなる遮蔽板が設けられていることを特徴とする。
【００２４】
ここで、このような構成の装置を発明するに至った経緯について説明する。
【００２５】
本発明者らは、前記した従来の問題点について鋭意検討した結果、ＶＨＦ帯ならびにその近傍の高周波電力においては、プラズマの分布状態が電極の大きさや放電条件に対して敏感に反応し、反応容器内の高周波電力の波長が反応容器や高周波電極や円筒状基体や基体支持体等と同程度の長さとなるため、定在波の影響が生じて、プラズマ特性の分布が不均一になりやすく、その結果として処理ムラが発生することがわかった。また、ＶＨＦ帯の高周波電力を使用したプラズマ処理では、表皮効果に起因した電極の表面インピーダンスの問題も顕在化する。すなわち、ＶＨＦ帯のように周波数が高くなると、高周波電流は導体表面付近のみを流れるようになり、電極表面におけるジュール損が大きくなって、電力効率が低下するとともに、伝搬経路の長さの相違によるプラズマ密度の不均一の問題も生じる。さらに、電極の表面インピーダンスは、電極表面の粗さや汚れ等に左右され、一様な表面インピーダンスを達成することは困難である。そして、前記したようなプラズマ密度の不均一は、表面処理の不均一をもたらすことになる。
【００２６】
このような処理ムラを低減して均一性を上げるべく、従来から電極の形状や高周波電力の導入形態などの様々な改良がなされてきたが、膜厚の均一性と膜質の均一性を両立すること、ならびに、これらの均一性を維持したまま良好な膜質の堆積膜を得るのは容易ではなかった。特に、電極形状など装置の改良で膜圧および膜質の均一性を得ようとした場合、複数の層が積層された構成の積層体では、特定の層では有効な方法であっても、その他の層では充分な効果が得られないことがある。したがって、各層の形成条件が異なる複数の層を有する積層体を形成する際に、膜圧および膜質の均一性を保つための、簡便で効果的な方法が求められていた。
【００２７】
そこで、これらの課題を解決し、プラズマの均一化と、それに基づくプラズマ処理の均一化を達成する方法を検討した結果、周波数の近接した複数の高周波を同一の電極に供給し、それらの高周波の電力比率を適切に設定することによって、基体表面内での膜厚および膜質の均一性が格段に向上することが、実験により明らかになった。以下、プラズマの均一化およびそれに基づくプラズマ処理の均一化を達成するために行った実験と、それによって得られた知見を述べる。
【００２８】
まず、図５に示されている装置を用いて、高周波電源５０８より出力された高周波電力をマッチングボックス（整合回路）５０９を通して高周波電極５０４に印加し、高周波電極５０４とそれに対向する円筒状基体５０１との間の高周波電界によりプラズマを生起させることによって、円筒状基体５０１にプラズマ処理（ａ−Ｓｉ膜の堆積）を行った。電子写真感光体に用いられる円筒状基体５０１は、通常３５０ｍｍ程度の長さであるため、必然的に、高周波電極５０４は３５０〜４００ｍｍ程度の長さである。
【００２９】
このプラズマ処理工程において、例えば、高周波電極５０４に供給される高周波電力の周波数を、１３．５６ＭＨｚから１００ＭＨｚに変更すると、その波長λは大気中では約２２ｍから３ｍに変化する。高周波電極５０４上の１点から導入された高周波電力は、高周波電極５０４の表面を伝播して反対側に到達するが、その伝播距離がλ／１０以上になると、定在波の影響により高周波電極５０４上で電界のばらつきが生じる。つまり、１００ＭＨｚの高周波電力を供給する場合には、この電界のばらつきの影響から、放電空間内の電界ムラが生じ、軸方向にプラズマ特性の不均一性がみられ、それに対応して堆積膜の特性も不均一になることが観測された。
【００３０】
さらに、装置構成や電子写真感光体の製造条件によっては、反応容器５０２内部の塵や膜片などの量の分布に関係なく、電界の弱い部分に画像欠陥の集中が観察された。これは、反応容器５０２内の塵や膜片などが電界ムラに伴って円筒状基体５０１の表面に引き寄せられる吸着作用によるものと考えられる。
【００３１】
そこで、このような高周波電極５０４上の電界ムラによる不均一性を解消し、高周波の定在波をプラズマ特性のムラに反映させないようにするために、図６に示すように、周波数は異なるが比較的近接する複数の高周波電力を高周波電極に同時に供給可能な装置を用いた実験を行った。この装置は、図５に示す装置とは電力供給手段４０５のみが異なっており、それ以外の構成は全く同じであるので同一の符号を付与し説明を省略する。図６に示す装置の電力供給手段４０５では、それぞれ異なる発振周波数ｆ１，ｆ２の２つのＶＨＦ電源４０８，４１５が、マッチングボックス４０９，４１６を介して、電力分岐部５１３に接続されており、２つのＶＨＦ電源４０８，４１５からマッチングボックス４０９，４１６を介して供給した高周波電力を、電力分岐部５１３にて合成して、高周波電極５０４から反応容器５０２内に供給する構成になっている。
【００３２】
この装置を用いて実験を行った結果、それぞれの周波数において発生するはずの局所ムラが緩和されることが判明した。しかし、画像欠陥に関しては、定在波の局所ムラが緩和され電界ムラがなくなったことによって、塵や膜片などが円筒状基体５０１の特定の部位に吸着される現象はなくなったものの、装置構成や電子写真感光体の製造条件によっては、反応容器５０２内の塵や膜片の分布に対応して、これらが円筒状基体５０１の表面に付着して画像欠陥となる場合があった。この画像欠陥は、特に、円筒状基体５０１の鉛直方向下部に集中して発生する傾向があった。このように円筒状基体５０１の下部に集中する画像欠陥に関して検討を行った結果、以下のような現象により画像欠陥の集中が発生することが判明した。
【００３３】
円筒状基体５０１に堆積膜を形成する場合、縦型反応容器５０２内の、円筒状基体５０１以外のプラズマと接する部位でも堆積膜が形成されるが、それについては特に考慮されず、投入される高周波電力量や円筒状基体５０１の加熱条件など堆積膜の形成条件は、円筒状基体５０１に堆積する膜の膜質や応力のみを考慮して設定されている。そのため、円筒状基体５０１以外に堆積する膜の膜質や応力は円筒状基体５０１に堆積する膜とは異なる。その結果、堆積膜形成中の温度変化や積層条件や堆積膜の膜厚増加に伴い、膜の応力により、円筒状基体５０１以外に堆積する膜の微小な剥離が発生する。この微小な剥離により発生した膜片が、縦型反応容器５０２の下部に設けられた排気手段の排気方向に吸引されて、縦型反応容器５０２の底面５１７に降り積もる。さらに、この降り積もった膜片が、原料ガスの供給や排気に伴うガスの流れによって、滞留したり飛散して円筒状基体５０１の下部に付着する場合がある。さらに、縦型反応容器５０２の底面５１７に直接堆積した膜の剥離に加えて、底面５１７に降り積もった膜片の上にさらに堆積膜が形成され、その膜片上に堆積する膜はより剥離しやすい状態であるため、円筒状基体５０１の下部に付着する膜片が加速的に増加してしまう場合があることが確認された。
【００３４】
そこで、縦型反応容器５０２の底面５１７に膜片が降り積もった状態や、底面５１７に堆積した膜が底面５１７を構成する材料との応力差により剥離した状態で、膜片が円筒状基体５０１の周囲に飛散して表面に付着することを防止する手段を検討した結果、円筒状基体５０１を支持する基体支持体５０６の下端面と反応容器５０２の底面５１７との間に遮蔽板を設けるのが効果的であることが判明した。
【００３５】
前記した遮蔽板は、誘電体材料で構成され、複数の開口部が設けられており、各開口部の開口面積が０．８ｍｍ２以上８０ｍｍ２以下であり、反応容器の底面と接触しないように配設された場合に、本発明の効果が顕著であった。
【００３６】
遮蔽板が誘電体材料からなることにより、プラズマ空間を遮蔽せずに従来の最適なプラズマ空間を維持することが可能である。特に、誘電体材料としてアルミナセラミックを用いてその表面を適度に粗くすることより、堆積膜の密着性が向上して、遮蔽板に堆積した堆積膜の剥離を防止することが可能である。これに対し、遮蔽板を金属から構成した場合には、遮蔽板の位置でプラズマが遮断され、プラズマの均一性や安定性が損なわれたり、熱膨張によって遮蔽板からの堆積膜剥離が発生する場合がある。
【００３７】
遮蔽板の各開口部の開口面積が０．８ｍｍ２よりも小さいと、開口部に堆積した堆積膜によって開口部が塞がって反応容器を所定の圧力に維持することが困難になる場合や、反応容器上部で発生した膜片が遮蔽板の開口部を通過せずに遮蔽板自体に降り積もる場合がある。堆積膜の膜質向上および再現性向上や画像欠陥の防止という観点から、遮蔽板の各開口部の開口面積は０．８ｍｍ２以上であることが望ましい。また、各開口部の開口面積が８０ｍｍ２よりも大きい場合には、反応容器の底面から飛散する膜片を遮蔽する効果が損なわれ、膜片が遮蔽板を通過して円筒状基体に到達する場合がある。画像欠陥を防止する観点から、遮蔽板の各開口部の開口面積は８０ｍｍ２以下であることが望ましい。また、遮蔽板全体の面積に対する開口部全体の面積の比率、すなわち開口率が、３０％以上７０％以下の範囲であることが好ましい。開口率が３０％よりも小さいと、遮蔽板自体に膜片が降り積もり膜片の飛散を防止する効果が損なわれる場合があり、逆に開口率が７０％より大きいと、反応容器の底面から飛散する膜片を遮蔽する効果が損なわれる場合があるからである。
【００３８】
反応容器の底面と遮蔽板との間隔は、この間隔に膜片が存在してトラップされ得る範囲、すなわち１ｍｍ以上であることが望ましい。間隔が１ｍｍよりも狭いと、反応容器の底面と遮蔽板との間隔に膜片をトラップする効果が損なわれる場合がある。この間隔の上限に関しては、装置形態により異なるが電子写真感光体を均一に製造可能な範囲内であればよいが、間隔を広げ過ぎると装置の大型化や原料ガスの利用効率の低下につながるため、間隔は１ｍｍ以上の範囲でできるだけ狭い方がよい。
【００３９】
なお、本発明の装置における底面とは、縦型の反応容器において、プラズマ空間のプラズマと接する鉛直方向の最下面を指す。図示する例では、反応容器下部に設けられた排気手段と一体化された底面であるが、基体保持体に保持された円筒状基体の下方に、プラズマを遮断する目的で金属メッシュやパンチング板などのプラズマ遮断手段（不図示）が設けられている場合には、そのプラズマ遮断手段がプラズマと接する最下面となる。
【００４０】
本発明において、このような反応容器内への複数の高周波電力の供給は、同一の高周波電極から行う必要がある。異なる周波数の高周波電力を各々別の電極から供給した場合には、電極ごとに高周波電力の周波数に依存した定在波が生じてしまい、電極近傍のプラズマ特性は、この定在波に応じたばらつきが生じてしまい、生成活性種の種類および比率やイオンのエネルギーが位置によって異なってしまう。
【００４１】
本発明において、電極に供給する複数の高周波電力の関係、すなわち、複数の高周波電力の周波数や電力比率は、実際に真空処理特性の均一性を確認しながら決定すればよいが、それぞれの高周波電力の周波数の差があまりにも小さいと、実質的に同一周波数の高周波電力を印加した場合と同様の状態になってしまい、各々の定在波の節位置および腹位置が近いため十分な定在波抑制効果が得られなくなってしまう。また、周波数の差が大きすぎると、周波数が小さい方の高周波電力の高周波電界定在波の波長が、周波数が大きい方の高周波電力の高周波電界定在波の波長に対して大きすぎて、これもまた十分な定在波抑制効果が得られない。また、本発明においては、電極に供給する複数の高周波波電力は、周波数が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波電力を少なくとも２つ含むことが本発明の効果を得る上で必要である。周波数が１０ＭＨｚより低くなると、高速な処理速度を得ることが困難になる。より好ましくは３０ＭＨｚ以上とすることが堆積速度の点で好ましい。一方、周波数が２５０ＭＨｚよりも高くなると、高周波電力の進行方向への減衰が顕著となって、周波数の異なる高周波電力との減衰率のずれが顕著となってしまい、十分な均一化効果が得られなくなってしまう。２５０ＭＨｚ以下にすることで重畳効果が有効に得られる。
【００４２】
電極に供給する複数の高周波電力の電力比率に関しては、前記の通り１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下周波数の２つの高周波電力を供給する場合、第１の高周波電力をＰ１、これより周波数の低い第２の高周波電力をＰ２としたときに、電力の総和（Ｐ１＋Ｐ２）に対する第２の高周波電力Ｐ２の比率を０．１以上０．９以下の範囲とすることが、本発明の効果を得る上で好ましい。第２の高周波電力が電力の総和に対してこの範囲よりも小さいと、高周波電界は第１の高周波電力に起因する成分が支配的となってしまい定在波抑制効果がみられない。一方、第２の高周波電力を大きくするに従って、第２の高周波電力が反応容器中での原料ガス分解に及ぼす影響が高まり、第２の高周波電力を単独で用いた場合に近くなり、定在波抑制効果が小さくなる。したがって、少なくとも一方の高周波電力が、２つの合計電力に対して１０％以上にすることが定在波抑制効果を確実に得るうえで必要である。
【００４３】
以上のように２つの高周波電力を組み合わせた場合に本発明の効果は十分に得られるが、さらに第３の高周波電力を組み合わせることも可能である。第３の高周波電力の範囲としては、第１，第２の高周波電力が適切な範囲に設定されている限りにおいては特に制限はないが、以下のようにすることができる。
【００４４】
第３の高周波電力（周波数ｆ３、電力Ｐ３）が、ｆ１，ｆ２と同様に１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の範囲にある場合には、第１の高周波電力（Ｐ１，ｆ１）、第２の高周波電力（Ｐ２，ｆ２）を組み合わせた場合と同様のメカニズムが期待できる。このとき、Ｐ１〜Ｐ３の中で、電力値の上位２つをＰ１，Ｐ２と再定義すれば、Ｐ３は最も電力値が低いことになる。この場合には、Ｐ３によるマッチング不整合が起こりにくく、かつＰ３による定在波抑制効果が加わるため、Ｐ１，Ｐ２を組み合わせた場合よりもさらにムラが抑制される。
【００４５】
また、少なくとも一部が誘電体で形成された反応容器の外側に高周波電極を配置することにより、真空処理特性の均一性をさらに向上することができる。これは、高周波電極上に若干の電界分布が残っていても、高周波電極とプラズマの間に誘電体が位置することにより、この誘電体の緩衝作用により高周波電極上の若干の電位分布が軽減され、均一性が向上するものと考えられる。
【００４６】
また、本発明においては、被処理物が円筒状の場合により大きな効果を得ることができる。これは、被処理物が円筒状の場合、被処理物上の高周波電力の反射端は被処理物の両端に限定されることによるものと推測される。多くの反射端が存在し、それに応じた多くの定在波が生じる場合に比べ、定在波の腹位置での電界強度が高く、他の周波数の電力によって生じる定在波の節位置、即ち電界強度の低い部分を効果的に補うことが可能となるためと推測される。
【００４７】
また、本発明においては、生産性向上のために、反応容器内に複数の基体支持体を設置してもよい。ただし、複数の基体支持体を設置する場合においては、反応容器が円筒状であり、かつ、各高周波電極とガス供給管と各基体支持体が、反応容器と同一の中心軸をもつ円周上にそれぞれ等間隔に配置されることによりより顕著な効果を得ることができる。これは、基体支持体、反応容器、高周波電極の位置関係を極力対称に配置することにより、各基体に対する処理均一性が向上するためと推察される。
【００４８】
本発明の構成は、電子写真感光体ならびにその製造の場合により効果的である。電子写真感光体は、大面積の基体への堆積膜形成が必要であり、さらにその全領域にわたって構造欠陥が存在しない必要がある。そのため本発明によれば、基体上に膜厚、膜質共に均一で良好な特性の堆積膜を得ることができるため電子写真特性の向上ならびに生産性の向上に伴うコスト低減の上で極めて効果的である。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００５０】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態の電子写真感光体の製造装置であるアモルファスシリコン感光体製造装置が図１に示されている。なお、図１（ａ）はこの製造装置の概略断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００５１】
本実施形態の製造装置は、図６に示す従来の装置に遮蔽板１１８を付加した構成であり、それ以外の構成要素は実質的に同様である。また、この製造装置を用いた堆積膜形成方法は、電力供給手段による電力供給方法が規定されている以外は、図６に示す装置を用いた従来の方法と実質的に同様であり、前記した通り遮蔽板１１８が付加されていることによって、従来にない格別の効果が得られるものである。
【００５２】
本実施形態の製造装置は、円筒状基体１０１を内包できる減圧可能な反応容器１０２、反応容器１０２内に原料ガスを供給するためのガス導入管１０３、および原料ガスを分解するための電力を導入する高周波電極１０４を有する真空処理手段１００と、反応容器１０２内に原料ガスを供給する不図示のガス供給手段と、反応容器１０２内を排気する不図示の排気手段と、高周波電極１０４に電力を供給する電力供給手段１０５とを含むものである。
【００５３】
真空処理手段１００の反応容器１０２内には、反応容器１０２の中心部に位置し、円筒状基体１０１を支持するための１つの基体支持体１０６と、基体支持体１０６に内蔵されたヒーター（不図示）と、ガス導入管１０３と、電力分岐部１１３により連結された複数の高周波電極１０４が配置されている。反応容器１０２は、上部のシールド１１４と底面１１７によって密閉可能になっている。反応容器１０２の内部は、底面１１７に接続された排気管１０７を通じて、外部の排気手段に接続されている。基体支持体１０６は、モーター１１１から減速ギア１１２を介して接続されている回転軸１１０に取り付けられている。複数の高周波電極１０４につながっている電力分岐部１１３には、それぞれ異なる発振周波数ｆ１，ｆ２を有する２つのＶＨＦ電源（高周波電源）１０８，１１５が、マッチングボックス１０９，１１６を介して接続されている。電力分岐部１１３は、電磁波を実質的に閉じ込めるシールド１１４内に、シールド１１４とは電気的に絶縁された状態で設置されており、すなわち、絶縁体を介して反応容器１０２に固定された構成になっている。なお、放電初期の真空処理安定性を向上するために、電力分岐部１１３と高周波電極１０４とはコンデンサーを介して接続してもよい。ガス導入管１０３には、図示しないガス供給手段が接続されている。
【００５４】
基体支持体１０６の下端と底面１１７の間には、複数の開口部１１８ａを有する遮蔽板１１８が設けられている。遮蔽板１１８は、誘電体材料からなり、底面１１７と接しない位置に設けられている。遮蔽板１１８と底面１１７との間隔は、装置構成によって異なるが、円筒状基体１０１の下方に位置する基体支持体１０６の下端から底面１１７までの距離によって決まり、遮蔽板１１８の上面が基体保持体１０６の下端面と接する場合に間隔は最大になる。
【００５５】
図２（ａ）〜（ｃ）に、遮蔽板１１８に設けられている開口部１１８ａのパターンの例が模式的に示されているように、開口部１１８ａの形状は丸穴や角穴等のいかなる形状であってもよい。ただし、加工性の点から考えると丸穴が好ましい。また、これらの開口部１１８ａは一定のピッチで配置されていることが好ましい。そしてこの遮蔽板１１８を形成する誘電体材料は、堆積膜の密着性向上の観点から、セラミック材であることが好ましく、具体的には、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミック等が好ましい。これらのうち、真空処理時の不純物混入制御や耐熱性などの点から、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が特に好ましい。
【００５６】
図１に示す本実施形態の製造装置を用いて堆積膜を形成する方法について、以下に簡単に説明する。
【００５７】
まず、反応容器１０２内の基体支持体１０６に円筒状基体１０１を設置し、不図示の排気手段によって、底面１１７に設けられた排気管１０７および遮蔽板１１８に設けられた開口部１１８ａを介して反応容器１０２内の空気を吸引し、所望の真空度まで排気する。反応容器１０２内を所定の圧力に制御した後に、基体支持体１０６に内蔵されたヒーター（不図示）によって円筒状基体１０１を所定の温度（２００℃〜３００℃程度）まで加熱する。
【００５８】
円筒状基体１０１が所定の温度になったところで、不図示のガス供給手段によって、反応容器１０２内に原料ガスを供給する。原料ガスの流量が所定流量になり、反応容器１０２内の圧力が安定した後に、高周波電源１０８，１１５からマッチングボックス１０９，１１６および電力分岐部１１３を介して、各高周波電極１０４に、周波数の異なる２つの高周波電力を同時に供給する。このとき、２つの高周波電力の周波数をそれぞれｆ１，ｆ２とし、電力値をそれぞれＰ１，Ｐ２とすると、
１０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９
となるように設定する。
【００５９】
その結果、反応容器１０２内にグロー放電が発生し、その放電エネルギーによって反応容器１０２内の原料ガスが励起解離して、円筒状基体１０１上に堆積膜が形成される。所望の膜厚の堆積膜が形成されたら、高周波電極１０４への電力供給を停止し、続いて原料ガスの供給を停止して、堆積膜の形成を終える。以上の作業を複数回繰り返して複数の堆積膜を円筒状基体１０１に形成して、多層構造の光受容層を持つ電子写真感光体を形成する。なお、堆積膜形成中、円筒状基体１０１は、ヒーターによって堆積膜形成に必要な所定の温度に保持され続けるとともに、減速ギア１１２および回転軸１１０を介してモーター１１１によって所定の速度で回転させられることによりその表面全周に亘って堆積膜が形成される。
【００６０】
図３には、以上のようにして形成された電子写真感光体（光受容層）の層構成の例が模式的に示されている。図３（ａ）に示されている例では、円筒状基体１０１の上に、電荷注入阻止層６０２と、少なくとも水素を含むａ−Ｓｉからなる光導電層６０３と、電子写真装置における顕像保持能力をもつ表面層６０４が順に積層されている。図３（ｂ）に示されている例では、円筒状基体１０１の上に、電荷注入阻止層６０２と、電荷輸送層６０５と電荷発生層６０６からなる２層構造の機能分離型光導電層６０３と、表面層６０４が順に積層されている。この構成の場合、電子写真感光体に光を照射すると、主として電荷発生層６０６で生成されたキャリアーが電荷輸送層６０５を通過して導電性の円筒状基体１０１に至る。
【００６１】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態のアモルファスシリコン感光体製造装置について、図４を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同様の部分については、同一の符号を付与し説明を省略する。
【００６２】
本実施形態の真空処理手段２００では、反応容器１０２内に複数（例えば６個）の基体保持体２０６が配置されており、複数の高周波電極２０４および電力分岐部２１３が反応容器１０２の外部に配置されている。そして、これらが外部容器２１９内に収容されている。反応容器１０２内には、６個の基体保持体２０６が円周上に等間隔に配置されており、また、ガス導入管２０３が、６個の基体保持体２０６が構成する円の外側の円周上に等間隔に６個配置されている。これによって、反応容器１０２内には、６個の円筒形基体１０１を同一円周上に等間隔に配置することができる。それ以外の構成は図１に示す第１の実施形態の装置と実質的に同一であるので、同一の符号を付与して説明を省略する。
【００６３】
なお、高周波電極２０４から放出される高周波電力を反応容器１０２内に効率良く導入するために、円筒状の反応容器１０２の側壁は、誘電体であるセラミックスにより構成されている。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、真空処理時の不純物混入抑制や耐熱性等の点から、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が特に好ましい。
【００６４】
本実施形態でも、第１の実施形態と実質的に同じ方法によって、図３（ａ），（ｂ）に例示するような電子写真感光体を製造することができる。
【００６５】
【実施例】
以下、本発明のより具体的な実施例とそれと対比させる比較例について詳細に説明する。
【００６６】
各実施例及び比較例では、画像欠陥抑制の効果を明確にするために、円筒状基体および遮蔽板以外の、プラズマに曝される部材に対する表面加工は一切行わなかった。すなわち、反応容器の内面、基体支持体、反応容器の蓋や底面等の部材の表面は、切削加工されたままの表面状態にし、ブラスト処理や溶射処理などの表面粗さ制御による堆積膜の剥離対策は行なっていない。
【００６７】
［実施例１］
実施例１では、図１に示す第１の実施形態の製造装置を用いて堆積膜の形成を行った。本実施例の遮蔽板１１８は、表面がブラスト加工された厚さ３ｍｍのアルミナセラミックス材に、図２（ａ）に示すような丸穴状の開口部１１８ａが設けられたものであり、底面１１７の上方に３０ｍｍの間隔で配置されている。そして、高周波電源１０８，１１５から、発振周波数がｆ１＝１０５ＭＨｚとｆ２＝６０ＭＨｚの２種類の周波数の高周波電力を高周波電極１０４に同時に供給し、表１に示す条件で、直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのアルミニウム製の円筒状基体の表面上に、図３に示すような堆積膜を形成した。このとき、遮蔽板１１８の開口部１１８ａの開口率は３０％であるが、開口面積のみ条件を変えながら７個の電子写真感光体を作成した。
【００６８】
【表１】
2004191552.tif 000003
【００６９】
このようにして製造した７個の電子写真感光体に関して、後述する方法で膜厚ムラを評価し、また、評価用に改造された電子写真装置（キヤノン製複写機ｉＲ−５０００）にこれらを搭載して、後述する方法で、帯電能ムラと、感度ムラと、画像欠陥の評価を行った。その結果を表２に示している。
【００７０】
【表２】
2004191552.tif 000004
【００７１】
各評価方法は次の通りである。
【００７２】
（膜厚ムラ評価方法）
電子写真感光体の長手方向中央部から両端部に至るまで１ｃｍ間隔で合計２７点の位置において、フィッシャー社製デジタル膜厚計であるフィッシャースコープＭＭＳ（商品名）などによって膜厚を測定する。得られた２７点の膜厚の最大値と最小値の差を求め、それを膜厚ムラとして評価する。膜厚ムラの評価は、後述する比較例１の膜厚ムラを１００とした時の相対値で示している。従って、数値が小さいほど膜厚ムラが小さく良好である。
【００７３】
（帯電能ムラ評価方法）
評価用に改造された電子写真装置に電子写真感光体をセットし、これをプロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、除電光として波長６５０ｎｍのＬＥＤを用いてその光量を４ｌｘ・ｓｅｃに調整し、主帯電器の帯電電流量を１０００μＡに調整して、電子写真感光体の長手方向の中央部に対応する現像器の位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社製Ｍｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより、非画像露光状態における感光体の表面電位（帯電能）を測定する。電子写真感光体の長手方向中央部から両端部に至るまで１ｃｍ間隔で合計２７点の位置において、前記の通り表面電位（帯電能）を測定し、得られた２７点の表面電位の最大値と最小値の差を求め、それを帯電能ムラとして評価する。帯電能ムラの評価は、後述する比較例１の帯電能ムラを１００とした時の相対値で示している。従って、数値が小さいほど帯電能ムラが小さく良好である。
【００７４】
（感度ムラ評価方法）
評価用に改造された電子写真装置に電子写真感光体をセットし、これをプロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、除電光として波長６５０ｎｍのＬＥＤを用いてその光量を４ｌｘ・ｓｅｃに調整し、電子写真感光体の長手方向中央部に対応する現像器の位置における暗部電位が４００Ｖになるように主帯電器の帯電電流量を調整する。そして、原稿台にベタ白原稿を置き、明部電位が５０Ｖになるように出力を調整したレーザー光により画像露光を行う。この時に必要な光量を、レーザー出力値から換算して求め、それを電子写真感光体の感度とみなす。電子写真感光体の長手方向中央部から両端部に至るまで１ｃｍ間隔で合計２７点の位置において、前記の通り感度を求め、得られた２７点の感度の最大値と最小値の差を求め、それを感度ムラとして評価する。感度ムラの評価は、後述する比較例１の感度ムラを１００とした時の相対値で示している。従って、数値が小さいほど感度ムラが小さく良好である。
【００７５】
（画像欠陥評価方法）
評価用に改造された電子写真装置に電子写真感光体をセットし、これをプロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、除電光として波長６５０ｎｍのＬＥＤを用いてその光量を４ｌｘ・ｓｅｃに調整し、電子写真感光体の長手方向中央部に対応する現像器の位置での暗部電位が４００Ｖになるように主帯電器の帯電電流量を調整する。そして、画像露光用のレーザ光を照射しない状態で現像バイアスを変化させることにより、透過濃度２．０の全面黒色の画像（ベタ黒画像）をＡ３サイズで連続１０枚印刷出力する。１０枚目のベタ黒画像に関して、電子写真感光体の一周分の領域に存在する白点状の画像欠陥を数える。ただし、０．１ｍｍ以上の大きさの画像欠陥のみ数え、１ｍｍ未満の大きさの画像欠陥は無視する。画像欠陥の評価は、後述する比較例１の画像欠陥の数を１００とした時の相対値で示している。従って、数値が小さいほど画像欠陥が少なく良好である。
【００７６】
［比較例１］
以上説明した各評価方法の基準となる比較例１について説明する。比較例１では、図５に示す製造装置を用いて堆積膜の形成を行った。高周波電極には周波数が１０５ＭＨｚの高周波電力を表３の条件で供給した。それ以外は前記した実施例１と同様の条件（表１および表３参照）で堆積膜の形成を行った。そして、前記した方法で、膜厚ムラと、帯電能ムラと、感度ムラと、画像欠陥を求めた。これらが、表２に示すように評価の基準値（１００）になる。
【００７７】
【表３】
2004191552.tif 000005
【００７８】
比較例１を基準として実施例１を評価したところ、同一の高周波電極１０４に対して複数の異なる周波数の高周波電力を同時に供給することによって、表２に示すように電子写真特性が全体的に向上し、特に、膜厚や帯電能や感度の均一性が向上する。なお、遮蔽板１１８の開口面積は、０．８ｍｍ２〜８０ｍｍ２の範囲であると、画像欠陥を防止する効果が顕著である。しかし、遮蔽板１１８の開口面積が０．８ｍｍ２を下回ると、成膜途中で遮蔽板１１８に堆積した膜による目詰まりが発生して、反応炉内の圧力が不安定になり、スパーク等の異常放電が発生し、堆積膜が堆積途中で剥れてしまう現象が発生する場合があり、必ずしも実用的とはいえなかった。また、開口面積が８０ｍｍ２を越えると、反応容器１０２の底面１１７から塵や膜片等が飛散する確率が高くなるため、画像欠陥防止に対しては必ずしも十分な効果があるとはいえない。
【００７９】
［実施例２］
実施例２では、図４に示す第２の実施形態の製造装置を用いて、実施例１と同様に堆積膜の形成を行った。ただし、本実施例の遮蔽板１１８は、表面がブラスト加工された厚さ３ｍｍのアルミナセラミックス材に、図２（ｂ）に示すような楕円穴状の開口部１１８ａが設けられたものであり、遮蔽板１１８の開口部１１８ａの開口率は５０％、開口面積は５０ｍｍ２である。そして、底面１１７との間隔を１ｍｍ〜１００ｍｍの範囲で変えながら、電子写真感光体製造を６回行った。その際の各条件を表４に示している。
【００８０】
【表４】
2004191552.tif 000006
【００８１】
このようにして製造した電子写真感光体に関して、前記の方法で、膜厚ムラと、帯電能ムラと、感度ムラと、画像欠陥の評価を行った。本実施例では、同一条件で１回の製造工程で６個の電子写真感光体が製造されるため、それらの平均を求め、後述する比較例２を基準とした相対値として表５に示している。
【００８２】
【表５】
2004191552.tif 000007
【００８３】
［比較例２］
実施例２の評価基準となる比較例２について説明する。比較例２では、図４に示す製造装置から遮蔽板１１８を取り除き、それ以外は前記した実施例２と同様の条件（表４参照）で堆積膜の形成を行った。そして、前記した方法で、膜厚ムラと、帯電能ムラと、感度ムラと、画像欠陥を求めた。これらが、表５に示すように評価の基準値（１００）になる。
【００８４】
比較例２を基準として実施例２を評価したところ、遮蔽板１１８が底面１１７に接しない状態、実質的には遮蔽板１１８と底面１１７との間に１ｍｍ以上の間隔があれば、膜厚や帯電能や感度の均一性を維持したまま画像欠陥を防止する効果が得られることが判明した。
【００８５】
［実施例３］
実施例３では、図４に示す製造装置を用いて、高周波電極２０４に供給する高周波電力の周波数をｆ１＝１００ＭＨｚ、ｆ２＝６０ＭＨｚに変更し、遮蔽板１１８の開口部１１８ａの開口率を７０％、開口面積を８０ｍｍ２にし、遮蔽板１１８と底面１１７との間隔を５０ｍｍに固定して、電子写真感光体製造を行った。その際の各条件を表６に示している。
【００８６】
【表６】
2004191552.tif 000008
【００８７】
このようにして同時に製造した６個の電子写真感光体Ａ〜Ｆに関して、前記した方法で、膜厚ムラと、帯電能ムラと、感度ムラと、画像欠陥を求め、後述する比較例３を基準とした相対値として表７に示している。
【００８８】
【表７】
2004191552.tif 000009
【００８９】
［比較例３］
実施例３の評価基準となる比較例３について説明する。比較例３では、図４に示す製造装置から遮蔽板１１８を取り除き、それ以外は前記した実施例３と同様の条件（表６参照）で堆積膜の形成を行った。そして、同時に製造された６個の電子写真感光体に関して、前記した方法で、膜厚ムラと、帯電能ムラと、感度ムラと、画像欠陥を求めた。そして、各特性毎に、６個の電子写真感光体のうちの最も良好な結果を、表７に示す評価の基準値（１００）として設定した。
【００９０】
比較例３を基準として実施例３を評価したところ、表７に示すように、遮蔽板１１８を設けることによって、１度に複数の電子写真感光体を製造可能な量産型の装置構成において、同等の良好な性能を有する製品を効率よく製造できることが判明した。
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、減圧可能な縦型の反応容器内に設置された円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造装置において、反応容器の底面と円筒状基体の下部との間に、複数の開口部を有する誘電体材料からなる遮蔽板を設けることによって、放電安定性や均一な真空処理特性を保ちながら、画像欠陥を低減することができる。したがって、電子写真特性の高い電子写真感光体を、再現性および生産性よく製造することができる。さらに、一度に多数の電子写真感光体を製造可能な製造装置においても、本発明を採用することにより、同時に製造される電子写真感光体の特性を均一に保つことができるので、高品質な電子写真感光体を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の電子写真感光体製造装置を示す概略断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体製造装置の遮蔽板を示す概略平面図である。
【図３】本発明の電子写真感光体製造装置により製造された電子写真感光体の層構成を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の電子写真感光体製造装置を示す概略断面図である。
【図５】従来の電子写真感光体製造装置の第１の例を示す概略断面図である。
【図６】従来の電子写真感光体製造装置の第２の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１００，２００，５００      真空処理手段
１０１，５０１              円筒状基体
１０２，５０２              反応容器
１０３，２０３，５０３      ガス導入管
１０４，２０４，５０４      高周波電極
１０５，４０５，５０５      高周波電力供給手段
１０６，２０６，５０６      基体支持体
１０７，５０７              排気管
１０８，４０８，５０８      高周波電源
１０９，４０９，５０９      マッチングボックス
１１０，５１０              回転軸
１１１，５１１              モーター
１１２，５１２              減速ギア
１１３，２１３，５１３      電力分岐部
１１４，５１４              シールド
１１５，４１５              高周波電源
１１６，４１６              マッチングボックス
１１７，５１７              底面
１１８      遮蔽板
１１８ａ    開口部
２１９      外部容器
６０２      電荷注入阻止層
６０３      光導電層
６０４      表面層
６０５      電荷輸送層
６０６      電荷発生層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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