(57)【要約】【課題】磁気トンネル接合を用いて複数の周波数信号をフィルタリングすること。【解決手段】本発明は磁気フィルタ(700)を含む。その磁気フィルタ(700)は、複数の情報搬送信号に応答して磁界(720)を生成するための磁気変換器(710)を含む。その磁気フィルタ(700)はさらに、磁気トンネル接合(730)も含む。磁気トンネル接合(730)は、磁界(720)の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされ得る。その磁気フィルタ(700)はさらに、磁気トンネル接合(730)の状態を検出するための磁気トンネル接合センサ(740)も含むことができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気フィルタ（７００）であって、
複数の情報搬送信号に応答して、磁界（７２０）を生成するための磁気変換器（７１０）と、
前記磁界（７１０）の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされる磁気トンネル接合（７３０）と、および
前記磁気トンネル接合（７３０）の状態を検出するための磁気トンネル接合センサ（７４０）とを含む、磁気フィルタ。
【請求項２】
前記複数の情報信号が、前記磁気変換器（７１０）を駆動する多周波周波数加算器（８１０）によって受信される、請求項１に記載の磁気フィルタ。
【請求項３】
前記複数の情報信号は、信号が伝送媒体を通過した後に、前記複数の情報信号を受信する受信機ユニット（９１０）によって受信される、請求項１に記載の磁気フィルタ。
【請求項４】
前記磁気トンネル接合（７３０）のチューニングが、調節され得る、請求項１に記載の磁気フィルタ。
【請求項５】
前記磁気トンネル接合（７３０）のチューニングが、前記磁気トンネル接合（７３０）の材料を適切に選択することにより調節され得る、請求項４に記載の磁気フィルタ。
【請求項６】
前記磁気トンネル接合（７３０）のチューニングが、前記磁気トンネル接合（７３０）の物理的寸法を適切に選択することにより調節され得る、請求項４に記載の磁気フィルタ。
【請求項７】
前記磁気トンネル接合（７３０）のチューニングが、前記磁気トンネル接合（７３０）に異なる磁界バイアスをかけることによりさらに調節され得る、請求項４に記載の磁気フィルタ。
【請求項８】
前記磁気トンネル接合センサ（７４０）は、前記磁気トンネル接合（７３０）が状態を変更する速度で前記磁気トンネル接合（７３０）の状態を検出するのに十分な応答性を有する、請求項１に記載の磁気フィルタ。
【請求項９】
前記磁気変換器（７１０）は、前記磁気トンネル接合（７３０）が状態を変更する速度で磁界を生成し、前記磁気トンネル接合（７３０）の状態を検出するのに十分な応答性を有する、請求項１に記載の磁気フィルタ。
【請求項１０】
前記磁気変換器が誘導性コイルを含む、請求項１に記載の磁気フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して電子信号をフィルタリングすることに関する。より詳細には、本発明は、種々の周波数からなる多数の信号をフィルタリングする装置、システムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信システムは一般的に、それぞれ異なる送信周波数で送信される多数の搬送波信号を伝送することを含む。個々の送信信号は一般に、情報信号によって変調される。各送信信号は個別に受信されることができ、情報信号は検出され得る。
【０００３】
図１は、多数の送信信号からなる周波数スペクトルを示す。送信信号はそれぞれ、搬送周波数ＦＣ１、ＦＣ２、ＦＣ３、ＦＣ４を含む。各搬送周波数に割り当てられる周波数スペクトルは一般に伝送チャネルと呼ばれる。各伝送チャネルに割り当てられる周波数スペクトルの量は一般に、その伝送チャネルを通して送信されることができる情報の量を決定する。割り当てられる周波数スペクトルをできる限り多く利用することが望ましい。
【０００４】
図１の周波数スペクトルは、搬送周波数ＦＣ１、ＦＣ２、ＦＣ３、ＦＣ４の送信信号１１０、１２０、１３０、１４０を示す。各送信信号１１０、１２０、１３０、１４０に隣接する周波数スペクトルは、一般に送信信号１１０、１２０、１３０、１４０上に変調される情報によって占有される。一般に、情報の変調速度が高くなると（概して、変調速度は情報の量に比例する）、各送信信号および関連する変調情報によって占有される周波数スペクトルの量が多くなる。各送信信号の変調速度は、１つの送信信号の変調情報が隣接する送信信号の変調情報と干渉するほど大きくしてはならない。
【０００５】
図２は、隣接する伝送チャネルからの情報が重なり合う、複数の送信信号２１０、２２０、２３０、２４０からなる周波数スペクトルを示す。すなわち、ある伝送チャネルを介して送信しようとする情報が、意図せずに別の伝送チャネル内で送信される。たとえば、第１の送信信号２１０の変調情報が、２１５で示されるように、第２の送信信号２２０の変調情報と重なり合う。第２の送信信号２２０の変調情報が、２２５で示されるように、第３の送信信号２３０の変調情報と重なり合う。第３の送信信号２３０の変調情報が、２３５で示されるように、第４の送信信号２４０の変調情報と重なり合う。
【０００６】
その重なりは、理想的でない伝送システム内の成分による送信信号の歪みに起因する可能性がある。その歪みは、雑音、スプリアス信号、および隣接する送信信号と重なり合う送信信号の高調波を含む可能性がある。
【０００７】
一方の伝送チャネルから他方の伝送チャネルに情報信号チャネル周波数が重なることにより、伝送エラーが導入される。伝送エラーは通信システムの有効性を低下させる。さらに、伝送エラーは通信の伝送帯域幅を狭くする可能性もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
複数の周波数信号の選択的なフィルタリングを行う方法および装置を有することが望ましい。通信信号の高い周波数のフィルタリングを行い、通信信号の送信信号間で周波数スペクトルが重なり合う量を減らすことが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、複数の周波数信号の選択的なフィルタリングを行う装置および方法を含む。その装置および方法は、通信信号をフィルタリングして、通信信号の送信信号間で周波数スペクトルが重なり合う量を減らすことができる。
【００１０】
本発明の一実施形態は磁気フィルタを含む。その磁気フィルタは、複数の情報搬送信号に応答して磁界を生成するための磁気変換器を含む。その磁気フィルタはさらに、磁気トンネル接合も含む。磁気トンネル接合は、磁界の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされ得る。その磁気フィルタはさらに、磁気トンネル接合の状態を検出するための磁気トンネル接合センサも含むことができる。
【００１１】
本発明の他の態様および利点は、本発明の原理を一例として示す添付図面とともになされる以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、選択された周波数に応答して、状態を切り替えるようにチューニングされ得る磁気トンネル接合が実現できる。そして、このような磁気トンネル接合は、選択性スイッチまたはフィルタとして使用されることができ、複数の周波数信号の選択的なフィルタリングを可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
例示のための図面に示されるように、本発明は、通信信号の高い周波数のフィルタリングをして、通信信号の送信信号間の周波数スペクトルの重なりの量を減らす装置および方法において具現化される。
【００１４】
図３は、基準層３１０、センス層３２０、および絶縁層３３０を含む磁気トンネル接合センサ３００の一実施形態を示す。
【００１５】
その磁気トンネル接合センサ３００を用いて、磁界の存在を検出することができる。トンネル磁気抵抗デバイスに基づいた磁気トンネル接合センサは、スピン依存トンネル接合を含むことができる。基準層３１０は、対象の範囲内にかけられた磁界が存在する状態でも回転しないように固定された磁化の向きを有する。センス層３２０は、２つの方向のいずれか一方に向けられることができる磁化を有する。基準層３１０およびセンス層３２０の磁化が同じ方向を向く場合には、スピン依存トンネル接合の向きは平行であると言われる。基準層３１０およびセンス層３２０の磁化が逆の方向を向く場合には、スピン依存トンネル接合の向きは反平行であると言われる。２つの安定した向き、平行および反平行は「０」および「１」の論理値に対応することができる。
【００１６】
センス層３２０の磁気的な向きは、一般にセンス層３２０付近の最後の外部磁界の方向に対応する方向に揃えられる。磁界が検出されるためには、外部磁界はセンス層３２０の向きを変更するのに十分な磁気強度を持たなければならない。
【００１７】
磁気トンネル接合センサ３００の両端の抵抗の大きさは、基準層３１０の磁気的な向きに対するセンス層３２０の磁気的な向きに応じて変化する。一般に、センス層３２０が、基準層３１０と逆の方向を向く磁気的な向きを有する場合には、磁気トンネル接合センサ３００の両端の抵抗は大きい。センス層３２０が、基準層３１０と同じ方向を向く磁気的な向きを有する場合には、磁気トンネル接合センサ３００の両端の抵抗は小さい。それゆえ、磁気トンネル接合センサ３００の両端の抵抗を用いて、磁界の方向を検出することができる。なぜなら、磁界の方向が基準層３１０に対するセンス層３２０の磁気的な向きを、それゆえ磁気センサ３００の両端の抵抗を決定するからである。
【００１８】
基準層３１０およびセンス層３２０は、強磁性材料から形成され得る。基準層３１０は磁気的に軟らかい基準層か、または磁気的にピン止めされた層で実施され得る。
【００１９】
磁気トンネル接合センサ３００のセンス層３２０および基準層３１０の磁化が同じ方向を向く場合には、磁気トンネル接合センサ３００の向きは「平行」であると呼ぶことができる。磁気トンネル接合センサ３００のセンス層３２０および基準層３１０の磁化が逆の方向を向く場合には、磁気トンネル接合センサ３００の向きは「反平行」であると呼ぶことができる。２つの向き、平行および反平行は、低抵抗または高抵抗の磁気センサ状態に対応することができる。
【００２０】
絶縁性トンネル障壁３３０によって、基準層３１０とセンス層３２０との間に量子力学的トンネル現象が生じることが可能になる。トンネル現象は電子スピン依存であり、それにより磁気トンネル接合センサの抵抗が基準層３１０およびセンス層３２０の磁化の方向の相対的な向きの関数になる。磁界の存在は、基準層３１０およびセンス層３２０の磁化の向きを確定することにより検出され得る。
【００２１】
磁気トンネル接合センサ３００の抵抗は、磁気トンネル接合センサ３００の磁化の向きが平行である場合には第１の値（Ｒ）であり、磁化の向きが反平行である場合には第２の値（Ｒ＋Δ）である。しかしながら、本発明は２つの層の磁化の向き、すなわち２つの層だけには限定されない。
【００２２】
絶縁性トンネル障壁３３０は、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化タンタル、窒化シリコン、窒化アルミニウム、または酸化マグネシウムから形成され得る。しかしながら、絶縁性トンネル障壁３３０のために他の誘電体およびある特定の半導体材料を用いることもできる。絶縁性トンネル障壁３３０の厚みは、約０．５ナノメートル〜約３ナノメートルの範囲にすることができる。しかしながら、本発明はこの範囲には限定されない。
【００２３】
センス層３２０は強磁性材料から形成され得る。センス層３２０および基準層３１０はいずれも、人工反強磁性体とも呼ばれる合成フェリ磁性体（ＳＦ）として実施され得る。
【００２４】
トンネル接合センサ３００のセンス層３２０は一般に、外部からかけられる磁界の方向に対応する方向に揃う。
【００２５】
図４は、様々なパルス幅の磁気切替え信号が磁気トンネル接合センサに加えられるときの磁気トンネル接合センサの切替えを示す波形である。第１の波形４１０は、１２５ｐｓのパルス幅を有する磁界がかけられるときの磁気トンネル接合センサの状態を示す。第２の波形４２０は、２５０ｐｓのパルス幅を有する磁界がかけられるときの磁気トンネル接合センサの状態を示す。第３の波形４３０は、３５０ｐｓのパルス幅を有する磁界がかけられるときの磁気トンネル接合センサの状態を示す。かけられる磁界の振幅はそれぞれの波形について１．５８×１０４Ａ／ｍ（２００Ｏｅ）である。
【００２６】
その波形は、磁気トンネル接合センサが他の場合よりも特定のパルス幅の場合に状態を切り替える可能性が高いことを示す。たとえば、図４の波形は、２５０ｐｓのパルス幅の磁気トンネル接合センサの切替え状態を示す。
【００２７】
磁気トンネル接合の切替え特性（一般に歳差切替えと呼ばれる）に起因して、磁気トンネル接合は特定のパルス幅のパルスの場合に切り替わるが、他のパルス幅の場合には切り替わらない。一般に、磁気トンネル接合が切り替わるパルス幅には多数の選択的な範囲が存在する。パルス幅は正弦波形の周期に等しくすることができる。選択されたパルス幅に相当する「オン」期間を含む正弦波形によって、磁気トンネル接合は状態を変更することができる。磁気トンネル接合のこの時間／周波数選択特性によって、磁気トンネル接合は選択性スイッチまたはフィルタとして使用されることが可能になる。
【００２８】
磁気トンネル接合の選択的な時間／周波数切替え特性は、実験的にまたは計算によって求められ得る。それゆえ、磁気トンネル接合は、特定の周波数を含む信号を選択的に通過させるようにチューニングされ得る。
【００２９】
本発明の選択的な信号周波数通過帯域を利用することができる多くの用途が存在する。本発明によって提供されるような周波数櫛形フィルタを利用することができる信号送信機および信号受信機に関して本明細書で提供される説明は、本発明の有用な用途の単なる例にすぎない。本発明は、高い周波数の選択的フィルタリングが有益である多くの異なる用途に利用され得る。
【００３０】
歳差切替え（Precessional Switching）
歳差切替えは、図４の切替え曲線の移行領域を説明するために使用され得る現象である。歳差切替えは、最初に単一の磁気双極子に、その後本発明の磁気トンネル接合に適用されるものとして説明される。
【００３１】
図５Ａは、単一の磁気双極子の磁気モーメントｍを示す。磁界Heffが磁気双極子にかけられる場合、その磁気双極子は、かけられた磁界Heffと整列しようとする際に、かけられた磁界Heffの軸を中心に歳差運動を受ける。歳差運動は、かけられた磁界Heffの軸を中心にした円をなす回転５１０によって示される。
【００３２】
図５Ａに示されるように、かけられた磁界Heffの軸は図示されたｚ軸に対して角度Ａをなし、双極子の磁気モーメントは図示されたｚ軸に対して角度Ｂをなす。
【００３３】
その歳差運動は、以下の式
（１／γ）（ｄｍ／ｄｔ）＝ｍ×Heff
（ただし、ｍは双極子の磁気モーメントであり、γはよく知られている磁気回転比である。γの標準的な値は１．７６×１０７Ｏｅ−１ｓ−１として与えることができる）によって与えられるような運動方程式によって計算され得る。
【００３４】
本発明の磁気トンネル接合の推定される歳差運動はさらに、減衰と、磁気トンネル接合のセンス層をモデル化するために用いられる多数の双極子間の交換相互作用とを含む。一旦、これらの要因が包含され、その計算が磁気トンネル接合の強磁性ビットの全ての双極子について合計されたなら、一般にランダウ−リフシッツ−ギルバート方程式と呼ばれる最終的な運動方程式を用いて、磁気トンネル接合の歳差運動を求めることができる。この運動方程式は、以下のように表される。すなわち、
（ｄＭ／ｄｔ）＝−γ（Ｍ×（δｗ／δＭ）−（α／Ｍ）（Ｍ×（ｄＭ／ｄｔ））
ただし、Ｍは磁化ベクトルであり、γは磁気回転比であり、αは減衰比であり、（δｗ／δＭ）はエネルギー密度の磁化Heffによる全微分である。
【００３５】
図５Ｂは、磁気トンネル接合のセンス層と、対応するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を示す。
【００３６】
図５Ｃは、上述のランダウ−リフシッツ−ギルバート方程式によって計算されるようなセンス層の磁化Ｍの（正味の磁気モーメントとも呼ばれる）歳差運動の一例を示す。
【００３７】
図５Ｃに示されるように、最初に、磁気トンネル接合の磁化ベクトルＭはｘ軸に沿って向けられる。一旦、磁界Heffがかけられたなら、磁化ベクトルＭは、磁界Heffと整列しようとする際に、回転し、線５２０に従って方向を変え始める。磁化ベクトルＭが方向を変更する速度は、運動の減衰要素と、磁気トンネル接合の幾何学的形状および材料とに依存する。その運動は、動的な領域（すなわち、１ｎｓ未満の時間スケール）のミクロ磁気的モデルを用いて、ランダウ−リフシッツ−ギルバート方程式によってシミュレートされ得る。
【００３８】
本発明の場合、その歳差運動は、磁気トンネル接合の磁化ベクトルが切り替わるために必要な磁気パルスの厳密な振幅および持続時間の予測を与えるようにモデル化される。かけられる磁気パルスの持続時間および振幅は、磁気トンネル接合が切り替わる固有の周波数を特定するように変更される。選択的に切り替わる周波数を用いて、本発明のフィルタ効果が提供される。
【００３９】
図６は、様々なパルス幅の磁気切替え信号が磁気トンネル接合センサに加えられる際、磁気トンネル接合が状態を変更する確率を示すグラフである。第１のピーク６１０は１５０ｐｓのパルス幅の場合に生じる。第２のピーク６２０は２９０ｐｓのパルス幅の場合に生じる。第３のピーク６３０は４３０ｐｓのパルス幅の場合に生じる。
【００４０】
全てのパルスは、１．５８×１０４Ａ／ｍ（２００Ｏｅ）の振幅を含む。パルス幅はパルス振幅が異なる場合に異なる場合もある。
【００４１】
そのグラフによれば、１５０ｐｓ、２９０ｐｓおよび４３０ｐｓのパルス幅によって、磁気トンネル接合が状態を変更する可能性が高い。このグラフを用いて、磁気トンネル接合によって形成される櫛形フィルタの通過帯域周波数を求めることができる。一般に、磁気トンネル接合が切り替わるパルスのパルス幅に相当する時間周期を含む周波数を有する信号が通過する。
【００４２】
たとえば、１５０ｐｓの持続時間の場合に１．５８×１０４Ａ／ｍ（２００Ｏｅ）より大きな振幅を含む信号によって、磁気トンネル接合が状態を切り替える場合には、磁気トンネル接合によってその信号はフィルタリングされないであろう（すなわち、その信号は磁気トンネル接合を通過するであろう）。
【００４３】
本発明の磁気櫛形フィルタの通過帯域はチューニングされ得る。すなわち、櫛形フィルタの通過帯域は調整され得る。そのチューニングは、ＭＴＪ内の材料を操作することにより、または磁気トンネル接合の物理的な特性を操作することにより達成され得る。実際のチューニング周波数はシミュレートされ、実験的に求められ得る。
【００４４】
さらに、本発明の櫛形フィルタの通過帯域は、作動中にチューニングされ得る。すなわち、基準層およびセンス層の磁化の方向に対して直交する（すなわち、異なる方向に）磁界をかけることができる。このように磁界をかけることにより、磁気トンネル接合が切り替わるために必要なパルス幅が変更される。それゆえ、櫛形フィルタの通過帯域の周波数が変更される。直交する方向にかけられる磁界の作用は、シミュレートされ、実験的に求められ得る。
【００４５】
磁気トンネル接合の通過帯域周波数は、実験により、シミュレーションにより、またはその両方の組み合わせにより求められ得る。
【００４６】
図７は、本発明の一実施形態による磁気櫛形フィルタ７００を示す。磁気櫛形フィルタ７００は、複数の情報搬送信号に応答して磁界７２０を生成するための磁気変換器７１０を含む。磁気櫛形フィルタ７００は磁気トンネル接合７３０を含む。磁気トンネル接合７３０は、磁界７２０の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされ得る。磁気櫛形フィルタ７００はさらに、磁気トンネル接合７３０の状態を検出するための磁気トンネル接合センサ７４０を含むことができる。
【００４７】
磁気変換器７１０は、情報搬送信号の周波数において磁界を生成するのに十分な応答性を持たなければならない。磁気変換器は、たとえば、誘導性コイルで実施されることができ、その誘導性コイルは、その誘導性コイルによって伝導される電流に比例する磁界を誘導する。
【００４８】
磁気トンネル接合７３０は、情報搬送信号の搬送周波数と一致する周波数通過帯域を含むようにチューニングされる。
【００４９】
磁気トンネル接合センサ７４０は、所望のフィルタ通過帯域周波数において磁気トンネル接合７３０の状態変化を検出するのに十分な応答性を持たなければならない。
【００５０】
図８は、本発明の一実施形態による送信機櫛形フィルタ８００を示す。送信機櫛形フィルタ８００は、複数の送信信号を生成するための複数の搬送波信号源Ｓ１、Ｓ２およびＳ３を加算するための加算器８１０を含む。各送信信号は固有の搬送周波数を有し、送信情報を含む。磁気変換器８２０が複数の送信信号に応答して磁界８２５を生成する。送信機櫛形フィルタ８００は磁気トンネル接合８３０を含む。磁気トンネル接合８３０は、磁界８２５の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされ得る。送信機櫛形フィルタ８００は、磁気トンネル接合８３０の状態を検出するための磁気トンネル接合センサ８４０を含む。
【００５１】
図９は、本発明の一実施形態による受信機櫛形フィルタ９００を示す。受信機櫛形フィルタ９００は、複数の送信信号を受信するための受信機ユニット９１０を含む。各送信信号は、固有の搬送周波数と、送信情報とを含む。受信機ユニットは、光学媒体を通過した光信号を変換する光変換器を含むことができる。受信機櫛形フィルタ９００は、複数の送信信号に応答して磁界９２５を生成するための磁気変換器９２０を含む。受信機櫛形フィルタ９００は磁気トンネル接合９３０を含む。磁気トンネル接合９３０は、磁界９２５の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされ得る。受信機櫛形フィルタ９００は、磁気トンネル接合の状態を検出するための磁気トンネル接合センサ９４０を含む。
【００５２】
図１０は、本発明の一実施形態による磁気櫛形フィルタの理想的な周波数応答を示す。その周波数応答によって、特定の周波数成分が櫛形フィルタを通過することが可能となり、一方、他の周波数成分をフィルタリングまたは減衰させることが可能となる。より正確には、その周波数応答は、通過帯域１０１０、１０２０、１０３０、１０４０を含む。本発明は、電磁信号の選択的なフィルタリングを提供する。前述のように、本発明によって提供されるフィルタリングの通過帯域はチューニングされ得る。さらに、通過帯域は、本発明の磁気トンネル接合に追加の磁界を加えることにより、リアルタイムに能動的にチューニングされ得る。一般に、追加の磁界は、フィルタリングされるべき与えられた信号によって生成される磁界に直交する方向に加えられる。
【００５３】
前述のように、磁気トンネル接合の選択的時間／周波数切替え特性は、実験により、または計算により求められ得る。それゆえ、磁気トンネル接合は、特定の周波数を含む信号を選択的に通過させるようにチューニングされ得る。
【００５４】
本発明の選択的な信号周波数通過帯域を利用することができる多くの用途が存在する。本発明によって提供されるような周波数櫛形フィルタを利用することができる信号送信機および信号受信機に関して本明細書で提供される説明は、本発明の有用な用途の単なる例にすぎない。本発明は、高い周波数の選択的なフィルタリングが有益である多くの異なる用途に利用され得る。
【００５５】
図１１は、本発明の実施形態による動作を含む流れ図である。その動作は、複数の別個の周波数の送信信号をフィルタリングする方法を提供する。
【００５６】
第１の動作１１１０は、複数の情報搬送信号を加算することを含む。
【００５７】
第２の動作１１２０は、加算器によって受信された複数の情報搬送信号に応答して磁界を生成することを含む。
【００５８】
第３の動作１１３０は、磁気トンネル接合で複数の情報搬送信号をフィルタリングすることを含み、磁気トンネル接合は、磁界の選択された周波数に応答して状態を切り替えるようにチューニングされ得る。
【００５９】
第４の動作１１４０は、磁気トンネル接合の状態を検出することを含む。
【００６０】
本発明の具体的な実施形態が説明され、図示されてきたが、本発明は、そのように説明され、図示された特定の形態または部品の構成に限定されるべきではない。本発明は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】いくつかの変調された搬送波信号からなる周波数スペクトルを示す図である。
【図２】隣接するチャネル間の周波数スペクトルの重なりを含むいくつかの変調された搬送波信号からなる周波数スペクトルを示す図である。
【図３】磁気トンネル接合センサを示す図である。
【図４】様々なパルス幅の磁気切替え信号が磁気トンネル接合センサに加えられるときの磁気トンネル接合センサの切替えを示す波形の図である。
【図５Ａ】磁気双極子および加えられる磁界を示す図である。
【図５Ｂ】磁気トンネル接合のセンス層を示す図である。
【図５Ｃ】磁気トンネル接合の磁化ベクトルの歳差運動を示す図である。
【図６】様々なパルス幅の磁気切替え信号が磁気トンネル接合センサに加えられるときに磁気トンネル接合が状態を変更する確率を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施形態による磁気櫛形フィルタを示す図である。
【図８】本発明の一実施形態による送信機櫛形フィルタを示す図である。
【図９】本発明の一実施形態による受信機櫛形フィルタを示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態による磁気櫛形フィルタの周波数応答を示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態による動作を含む流れ図である。
【符号の説明】
【００６２】
300、740、840、940  磁気トンネル接合センサ
310  基準層
320  センス層
330  絶縁性トンネル障壁
700  磁気櫛形フィルタ
710、820、920  磁気変換器
720、825、925  磁界
730、830、930  磁気トンネル接合
800  送信機櫛形フィルタ
810  加算器
900  受信機櫛形フィルタ
【図１】
2004320036.tif 000003
【図２】
2004320036.tif 000004
【図３】
2004320036.tif 000005
【図４】
2004320036.tif 000006
【図５Ａ】
2004320036.tif 000007
【図５Ｂ】
2004320036.tif 000008
【図５Ｃ】
2004320036.tif 000009
【図６】
2004320036.tif 000010
【図７】
2004320036.tif 000011
【図８】
2004320036.tif 000012
【図９】
2004320036.tif 000013
【図１０】
2004320036.tif 000014
【図１１】
2004320036.tif 000015