(57)【要約】【課題】密度がほぼ１００％であり、含有ガス量が少なく、組織制御が容易で、生産コストが安く、さらにターゲット材とパッキングプレートが金相学的に一体となったスパッタリングやイオンプレーティング用ターゲット材およびその製造方法を提供する。【解決手段】母材金属と分散金属を混合及び圧縮して圧粉体を作成する工程と、前記圧粉体上に前記母材金属を含むインゴットを設置する工程と、加熱して前記インゴットの前記母材金属を前記圧粉体の空孔に含浸させる工程と、によりターゲット材を製造する。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
母材金属と分散金属を混合及び圧縮して圧粉体を作成する工程と、
前記圧粉体上に前記母材金属を含むインゴットを設置する工程と、
加熱して前記インゴットの前記母材金属を前記圧粉体の空孔に含浸させる工程と、を有することを特徴とするターゲット材の製造方法。
【請求項２】
前記分散金属はＣｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔｅ，Ｓｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｒｈ，Ｃのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることを特徴とする請求項１記載のターゲット材の製造方法。
【請求項３】
前記母材金属は、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることを特徴とする請求項１記載のターゲット材の製造方法。
【請求項４】
母材金属と、分散金属とを有するターゲット部と、
前記母材金属を含み、該ターゲット部上に設けられ、前記ターゲット部と金相学的に一体化されているパッキングプレートと、を有することを特徴とするターゲット材。
【請求項５】
前記パッキングプレートは、前記ターゲット部における空孔に前記パッキングプレートの前記母材金属を含浸させることにより金相学的に一体化されていることを特徴とする請求項４記載のターゲット材。
【請求項６】
母材金属と、分散金属とを有するターゲット部と、
前記母材金属を含み該ターゲット部上に直接設けられるパッキングプレートと、を有することを特徴とするターゲット材。
【請求項７】
前記分散金属はＣｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔｅ，Ｓｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｒｈ，Ｃのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることを特徴とする請求項４記載のターゲット材。
【請求項８】
前記母材金属はＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることを特徴とする請求項４記載のターゲット材。
【請求項９】
母材金属と分散金属を混合及び圧縮して圧粉体を作成する工程と、
前記圧粉体上に溶融金属を含むインゴットを設置する工程と、
加熱して前記インゴットの前記溶融金属を前記圧粉体の空孔に含浸させる工程と、を有することを特徴とするターゲット材の製造方法。
【請求項１０】
母材金属と、分散金属とを有するターゲット部と、
溶融金属を含み該ターゲット部上に設けられ、前記ターゲット部と金相学的に一体化されているパッキングプレートと、を有することを特徴とするターゲット材。
【請求項１１】
ターゲット部とパッキングプレートが金相学的に一体化し、酸素含有量が３００ｐｐｍ以下、密度がほぼ１００％であることを特徴とするターゲット材。
【請求項１２】
母材金属と分散金属からなる多孔質成形体の上に前記母材金属を設置することで溶浸構造体を形成し、前記溶浸構造体を耐熱容器内に設置し、前記耐熱容器上に耐熱保温材を設置した後、前記母材金属を溶融し、前記多孔質成形体に含浸させることを特徴とする請求項１１に記載のスパッタリング、またはイオンプレーティング用ターゲット材の製造方法。
【請求項１３】
母材金属と分散金属からなる多孔質成形体を仮焼結することで多孔質焼結体を作製し、前記多孔質焼結体の上に溶融金属を設置することで溶浸構造体を形成し、前記溶浸構造体を耐熱容器内に設置し、前記耐熱容器上に耐熱保温材を設置した後、前記溶融金属を溶融し、前記多孔質成形体に含浸させることを特徴とする請求項１１に記載のスパッタリング、またはイオンプレーティング用ターゲット材の製造方法。
【請求項１４】
分散金属は、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔｅ，Ｓｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｒｈ，Ｃの１種、または２種以上の混合物、あるいはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金からなる請求項１１乃至請求項１３の何れか記載のスパッタリングまたはイオンプレーティング用ターゲット材。
【請求項１５】
母材金属として、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｂからなる金属、またはこれらを主とした合金からなる請求項１１乃至請求項１３の何れか記載のスパッタリングまたはイオンプレーティング用ターゲット材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングまたはイオンプレーティング用のターゲット材及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、摺動を要する製品，装置，部品等の小型，高性能化，多機能化が進み、それらの信頼性の向上が望まれている。また、環境に関する関心が高まりとともに、環境に調和した製法による表面改質も要求されている。そうした中、スパッタリングやイオンプレーティングにニーズが高まり、現在、その適用は増加傾向を示している。スパッタリングは、高真空中にＡｒガスを導入し、陰極となるターゲットと陽極となるワーク間に高電圧を印加してグロー放電を発生させ、放電によりプラズマ化したＡｒイオンをターゲットに衝突させ、飛び出したターゲット材の粒子をワークに堆積させて成膜する方法である。一方、イオンプレーティングは、膜となるターゲット材の表面をアーク放電で局部的に加熱して、昇華，イオン化し、負に帯電させたワークに付着させて成膜する方法である。いずれも、低温で密着性のよい膜が得られ、非常に多種の基板性質や膜性質が選択でき、合金や化合物の成膜が可能で、環境にやさしいプロセスであるという特徴を有する。
【０００３】
現在、スパッタリングやイオンプレーティングのターゲット材の製造方法としては、焼結法，ＨＩＰ（熱間静水圧加圧処理：Ｈｅａｔ　Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ　Ｐｒｅｓｓｉｎｇ），ホットプレス，ＣＩＰ（冷間静水圧加圧処理：Ｃｏｌｄ　Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ　Ｐｒｅｓｓｉｎｇ），鋳造法等があり、これらは特開平８−１２０４４５号公報，特開平８−１３４６３５号公報，特開２０００−３２８２４２号公報等に記載されている。
【０００４】
またターゲット材の加熱防止，強度向上のため、ターゲット材の裏面にパッキングプレートが設けられている。なおこれはターゲット材の温度上昇が成膜速度等の成膜条件の変動やターゲット材の変形の要因となるためにターゲット材とろう付けされており、例えば特開２０００−１９９０５５号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
焼結法，ＨＩＰやＣＩＰ等の特殊焼結法，鋳造法が有する特徴をターゲット密度，含有ガス量，組成制御性，生産コストの点で比較してみる。ターゲット密度は、ターゲットの強度，耐久性に影響を及ぼし、高いほど良好である。含有ガス量は、スパッタリングやイオンプレーティング時における異常放電やドロップレット等の成膜不良の発生率に影響を及ぼし、少ないほど良好である。組成制御性は、組織制御の自由度であり、自由であるほど良好で汎用性が広がる。生産コストは、低いほど良好である。
【０００６】
焼結法の場合、組成制御性，生産コストの点で優れる。組織制御性が優れる要因は、粉末を成形後焼結するため、成形可能な範囲であれば、組織制御は自由であるためである。生産コストが優れる要因は、強度が高くないため加工が容易であること、また成形，焼結の２工程であるため、材料歩留まりが高いことである。しかしその反面、ターゲット密度，含有ガス量の点で劣る。ターゲット密度および含有ガス量が劣る要因は、焼結のみで金属の粒界や空孔が存在し、ガスが残存してしまうためである。以上のことから、焼結法を用いたスパッタリングやイオンプレーティング用ターゲット材の製造には課題がある。
【０００７】
特殊焼結法の場合、組織制御性の点で優れる。これは焼結法の場合と同様である。しかしその反面、ターゲット密度，含有ガス量，生産性の点で劣る。ターゲット密度が劣る要因は、焼結法と比較すると密度が向上するが、その値が約９０％〜９９％でほぼ１００％とならないためである。生産コストが劣る要因は、密度を１００％に近づけるために、高圧，高温プロセスを繰り返すことで生産コストがさらに増加してしまうためである。ガス含有量が劣る要因は、焼結，圧縮でも完全に金属の粒界や空孔が消えず、ガスが残存してしまうためである。以上のことから、特殊焼結法を用いたスパッタリングやイオンプレーティング用ターゲット材の製造は、高級品やオーダーメイド製品には可能であるが、大量生産が必要な汎用品には、不向きである。
【０００８】
鋳造法の場合、ターゲット密度，含有ガス量の点で優れる。ターゲット材を構成する金属をすべて溶解し、その後型に流し込み、ターゲット材を製造するため、密度はほぼ１００％となり、含有ガス量も少ない。しかしその反面、組織制御性，生産コストの点で劣る。金属が溶融している状態ですべて均一に混合する場合は、組織制御性に優れるが、例えば、Ｃｒ−Ｃｕの溶融金属においてＣｒ量が２０％以上では、均一に混合されない事例もある。全率固溶の状態図を示さない金属同士には、必ず溶融状態での均一混合に限界があり、自由な組成制御ができない。よって全ての金属の組み合わせで可能ではないため、組織制御性が劣る。生産コストが劣る要因は、凝固時に引け巣が発生しやすいため、歩留まりが悪いことにある。また切削性も悪く、加工費も高い。以上のことから、鋳造法を用いたスパッタリングやイオンプレーティング用ターゲット材の製造は、高級品やオーダーメイド製品には可能であるが、大量生産が必要な汎用品には不向きであり、製造可能なターゲット材も限定される。
【０００９】
さらに、従来のすべての製造方法において、ターゲット材の裏面にパッキングプレートをろう付けするが、その工程により生産コストが増加する。またろう付け時によるコンタミ等がスパッタリングやイオンプレーティングの膜の特性に悪影響を及ぼす可能性もある。
【００１０】
以上のことから、本発明の目的は、密度がほぼ１００％であり、含有ガス量が少なく、組織制御が容易で、生産コストが安く、さらにターゲット材とパッキングプレートが金相学的に一体となったスパッタリングやイオンプレーティング用ターゲット材およびその製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
まず、上記発明の目的を達成するスパッタリング又はイオンプレーティング用ターゲット材の製造方法を実現する第一の手段として、母材金属と分散金属を混合及び圧縮して圧粉体を作成する工程と、この圧粉体上に母材金属を含むインゴットを設置する工程と、加熱してこのインゴットの母材金属をこの圧粉体の空孔に含浸させる工程と、を有する製造方法とすることを特徴とする。
【００１２】
また、第二の手段として、第一の手段に加え、この分散金属はＣｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔｅ，Ｓｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｒｈ，Ｃのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることとする。
【００１３】
また、第三の手段として、第一の手段に加え、母材金属はＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることとする。
【００１４】
また、第四の手段として、スパッタリング又はイオンプレーティング用ターゲット材において、母材金属と分散金属とを有するターゲット部と、この母材金属を含み該ターゲット部上に設けられ、このターゲット部と金相学的に一体化されているパッキングプレートと、を有することを特徴とするであることとする。
【００１５】
また、第五の手段として、第四の手段に加え、このパッキングプレートは、このターゲット部における空孔にこのパッキングプレートの母材金属を含浸させることにより金相学的に一体化されていることを特徴とする。
【００１６】
また、第六の手段として、スパッタリング又はイオンプレーティング用ターゲット材において、母材金属と分散金属とを有するターゲット部と、この母材金属を含み該ターゲット部上に直接設けられるパッキングプレートと、を有することを特徴とする。
【００１７】
また、第七の手段として、第四の手段に加え、分散金属はＣｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔｅ，Ｓｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｒｈ，Ｃのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることを特徴とする。
【００１８】
また、第八の手段として、第四の手段に加え、母材金属はＣｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｂのうちの何れか１種、何れか２種以上の混合物、若しくはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金であることを特徴とする。
【００１９】
また、第九の手段として、ターゲット材の製造方法において、母材金属と分散金属を混合及び圧縮して圧粉体を作成する工程と、前記圧粉体上に溶融金属を含むインゴットを設置する工程と、加熱し、前記インゴットを前記圧粉体の空孔に含浸させる工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
また、第十の手段として、ターゲット材において、母材金属と、分散金属とを有するターゲット部と、溶融金属を含み該ターゲット部上に設けられ、このターゲット部と金相学的に一体化されているパッキングプレートと、を有することを特徴とする。
【００２１】
また、第十一の手段として、ターゲット材においてターゲット部とパッキングプレートが金相学的に一体化し、酸素含有量が３００ｐｐｍ以下、密度１００％であることを特徴とする。
【００２２】
また、第十二の手段として、第十一の手段に加え、母材金属と分散金属からなる多孔質成形体の上に前記母材金属を設置することで溶浸構造体を形成し、前記溶浸構造体を耐熱容器内に設置し、前記耐熱容器上に耐熱保温材を設置した後、前記母材金属を溶融し、前記多孔質成形体に含浸させることを特徴とする。
【００２３】
また、第十三の手段として、第十一の手段に加え、母材金属と分散金属からなる多孔質成形体を仮焼結することで多孔質焼結体を作製し、前記多孔質焼結体の上に前記母材金属を設置することで溶浸構造体を形成し、前記溶浸構造体を耐熱容器内に設置し、前記耐熱容器上に耐熱保温材を設置した後、前記母材金属を溶融し、前記多孔質成形体に含浸させることを特徴とする。
【００２４】
また、第十四の手段として、第十一乃至第十三の手段の何れかに加え、分散金属は、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔｅ，Ｓｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｒｈ，Ｃの１種、または２種以上の混合物、あるいはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金からなることを特徴とする。
【００２５】
そして、第十四の手段として、第十一乃至第十三の手段の何れかに加え、母材金属として、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｂからなる金属、またはこれらを主とした合金からなることを特徴とする。
【００２６】
本発明では、母材金属が溶融しながら、多孔質成形体または多孔質焼結体に含浸するため、密度が１００％となり、含有ガス量も低減される。また成形時に溶融後の金属組成を検討することで、自由な組成が可能となる。さらに分散金属を化合物や合金にすることで、２種以上の金属を有するターゲット材も製造可能となる。その上、鋳造法の場合に問題となった凝固時における引け巣等は、耐熱容器上に耐熱保温材を設置することで、下方から上方への一方向凝固となるため生じない。万が一、生じた場合も分散金属の上部に生じるため、ターゲット材には悪影響がない。
【００２７】
本発明では、多孔質成形体または多孔質焼結体上に母材金属が上部に残存する構造のため、その部分を加工することでパッキングプレートとすることが可能であり、ろう付け工程を省略化できる。ろう付け工程の省略化で、生産コストが低減し、さらにろう付け時のコンタミもなくなる。その上、ターゲット材とパッキングプレートが金相学的に一体となっているため、強度も高い。
【００２８】
本発明における溶融される媒体は、多孔質成形体でも多孔質焼結体でも可能である。多孔質成形体の場合は、任意な粒径の金属粒子を、所定の組成に混合し、その混合粉を所定の密度にすることで用いることができる。なお、この際の成形密度は、３０％〜７０％が望ましい。また成形体の組成は、含浸後の組成，成形密度から計算することで算出される。一方、多孔質焼結体の場合は、任意な粒径の金属粒子を、所定の組成に混合し、その混合粉を所定の密度にした後、焼結することで用いることができる。なお、この際の焼結密度は、４０％〜８０％が望ましい。また成形体の組成は、含浸後の組成，成形密度から計算することで算出され、焼結温度および時間は、成形密度からの向上率から算出される。
【００２９】
本発明における多孔質成形体や多孔質焼結体上に設置する母材金属は、ターゲット材が所定の組成になるために必要な質量と、パッキングプレートに必要な質量の合計質量以上であればよいが、重い方が重力の影響が大きいため効果的である。
【００３０】
本発明における多孔質成形体内の構成金属や溶融金属の粒径は、特に規定はしないが、微粉末である方が、焼結，含浸時における熱の影響が大きいため効果的である。
【００３１】
本発明における使用粉末に含まれる微量元素，ガス量も少ない方が、より効果的である。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面で説明する。
【００３３】
（実施例１）
図１は、本実施例により作製した鋳塊１の断面構造を示すものである。鋳塊１は、ターゲット部２，溶融金属の残部３を有して構成される。
【００３４】
次に鋳塊１の具体的な製造方法を図２で説明する。
【００３５】
まず鋳塊１の構成金属として分散金属であるＣｒ粉末５７重量％と、母材金属であるＣｕ粉末４３重量％とをＶミキサーで混合する。ここでは分散金属に高融点金属を使用し、母材金属には低融点金属を使用している。
【００３６】
次に混合粉を直径２００ｍｍの金型を用いて、１８０ＭＰａの圧力で成形し、直径２００ｍｍ，厚さ５ｍｍのターゲット用圧粉体４を作製する。黒鉛るつぼ５には離型剤を塗布し、乾燥させる。なお本実施例では黒鉛製のるつぼを用いているが、アルミナ製でも問題はない。
【００３７】
黒鉛るつぼ５内に、ターゲット用圧粉体４を設置し、その上に溶融金属である直径２００ｍｍ，厚さ１５ｍｍのＣｕインゴット６を設置し、黒鉛るつぼの上に黒鉛を表面に塗布したアルミナ製保温材７を設置し、溶浸構造体８を作製する。
【００３８】
溶浸構造体８を加熱用の真空電気炉内に投入し、６．７×１０−３Ｐａ以下の真空中で、１２００℃×１８０分間加熱した。加熱は真空中でも水素中でも可能である。図２に示すＣｕインゴット６は溶融し、ターゲット用圧粉体４の空孔に含浸する。これにより、得られる鋳塊１における主成分は、直径２００ｍｍ，厚さ１０ｍｍとなり、組成はＣｒが４０重量％、Ｃｕが６０重量％となる。なお、ターゲット用圧粉体の空孔に含浸することができる限りにおいてインゴットは成形体でも焼結体でも構わない。また、本実施例においてインゴットは母材と同じＣｕを用いているが、空孔へ含浸させることができる限りにおいて、母材金属と異なる金属を用いることも可能ではある。これらを凝固後、黒鉛るつぼ５から取ると図１に示す鋳塊１を得る。鋳塊１の溶融金属の残部３を機械加工することで、図３に示すパッキングプレート９を有するターゲット材１０を作製することができる。
【００３９】
ターゲット材１０をＲＦマグネトロンスパッタリング装置にセットし、Ａｒガス圧：５×１０−３Ｔｏｒｒ，出力：５００Ｗ，基板間距離：５０ｍｍ，基板温度：常温，基板：２０ｍｍ×２０ｍｍ×５ｍｍの銅板の条件で、Ｃｒ−Ｃｕ膜を４．５μｍ成膜した。成膜した試料を走査型電子顕微鏡で観察した結果、その表面は平滑で、ドロップレットの少ない面であった。またガス分析を行った結果、含有酸素量は、１８０ｐｐｍとなった、また膜の元素分析を行った結果、膜表面の組成は、Ｃｒ３９重量％，Ｃｕ６１重量％であり、ターゲット材の組成と同値となった。成膜後のターゲットを取り外し、目視で観察した結果、大きな破壊痕やクラックは見られず、良好であった。
【００４０】
（実施例２）
ターゲット材１０の他の具体的な製造方法を示す。
【００４１】
構成金属としてＣｒ粉末５７重量％，Ｃｕ粉末４３重量％をＶミキサーで混合した。混合粉を直径２００ｍｍの金型を用いて、１８０ＭＰａの圧力で成形し、直径２００ｍｍ，厚さ５ｍｍのターゲット用圧粉体４を作製した。黒鉛るつぼ５に離型剤を塗布，乾燥させた。なお、本実施例では、黒鉛製のるつぼを用いているがアルミナ製でも問題はない。ターゲット用圧粉体４を加熱用の真空電気炉内に投入し、６．７×１０−３Ｐａ以下の真空中で、１２００℃×１８０分間加熱し、ターゲット用焼結体１１を作製した。
【００４２】
黒鉛るつぼ５内に、ターゲット用焼結体１１を設置し、その上に溶融金属である直径２００ｍｍ，厚さ１５ｍｍのＣｕインゴット６を設置し、黒鉛るつぼ上に黒鉛を表面に塗布したアルミナ製保温材７を設置し、溶浸構造体８を作製する。溶浸構造体８を加熱用の真空電気炉内に投入し、６．７×１０−３Ｐａ以下の真空中で、１２００℃×１８０分間加熱した。なお加熱は真空中でも水素中でも可能である。図２に示すＣｕインゴット６は溶融し、ターゲット用圧粉体４の空孔に含浸する。これにより、得られる鋳塊１における主成分は、直径２００ｍｍ，厚さ１０ｍｍとなり、組成はＣｒが４０重量％、Ｃｕが６０重量％となる。これらを凝固後、黒鉛るつぼ５から取ると図１に示す鋳塊１を得る。鋳塊１の溶融金属の残部３を機械加工することで、図３に示すパッキングプレート９を有するターゲット材１０を作製した。
【００４３】
（実施例３）
他の分散金属（Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｂｅ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔｅ，Ｓｉ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｒｈ，Ｃの１種、または２種以上の混合物、あるいはこれらの化合物、またはこれらを主とした合金）、他の母材金属（Ａｇ，Ａｌ，Ｂｉ，Ｐｂ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｂからなる金属、またはこれらを主とした合金）の組み合わせでターゲットを同様の製法で作製したが、同様の結果となった。
【００４４】
【発明の効果】
以上、本発明により、密度がほぼ１００％であり、含有ガス量も少なく、組成制御可能で低コストなターゲット材を製造することが可能である。またそのターゲットは、２種以上の金属を有するターゲット材を製造可能である。また金相学的にターゲット部とパッキングプレートが一体となっているため、ろう付け工程が省略化でき、ろう付け時のコンタミ等の影響をなくすことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】鋳塊の断面図。
【図２】製造方法を表す図。
【図３】製造方法を表す図。
【図４】ターゲットの構造を表す図。
【符号の説明】
１…鋳塊、２…ターゲット部材、３…溶融金属の残部、４…ターゲット用圧粉体、５…黒鉛るつぼ、６…Ｃｕインゴット、７…黒鉛を塗布したアルミナ製保温材、８…溶浸構造体、９…パッキングプレート、１０…ターゲット材、１１…ターゲット用焼結体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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