(57)【要約】    【課題】  グラウンド電極及びチップ本体の外形形状に起因する所望でないスプリアスを抑圧し、良好な伝送特性を得ることを可能とするチップ型共振部品を提供する。    【解決手段】  上面、下面、一対の側面及び対向し合う第１，第２の端面を有するチップ本体２内に共振器電極３が配置されており、共振器電極３と結合もしくは接続されており、上下方向に延びる入力電極６及び出力電極７と、共振器電極を囲む筒状部分を構成するようにチップ本体２に設けられたグラウンド電極9とを備えており、入力電極６及び出力電極７が上記筒状部分の端部もしくは内側において、グラウンド電極には電気的に接続されないように配置されており、入力電極６及び／または出力電極７の両側に配置されており、グラウンド電極９に電気的に接続された一対の第２のグラウンド電極１１〜１４がさらに備えられている、チップ型共振部品としてのバンドパスフィルタ。【選択図】      図１
2004304761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、下面、一対の側面及び対向し合う第１，第２の端面を有するチップ本体と、
前記チップ本体内に形成された共振器電極と、
前記共振器電極と、結合もくしは接続されており、上下方向に延びる入力電極及び出力電極と、
前記チップ本体において、共振器電極を囲む筒状部分を構成するようにチップ本体に設けられたグラウンド電極とを備え、
前記入力電極及び出力電極が、前記グラウンド電極により構成されている筒状部分の端部もしくは内側において、前記グラウンド電極には電気的に接続されないように配置されており、
前記入力電極及び／または出力電極の両側に配置されており、前記グラウンド電極に電気的に接続された一対の第２のグラウンド電極をさらに備える、チップ型共振部品。
【請求項２】
前記チップ本体が、矩形板状の形状を有し、前記入力電極及び出力電極が対向し合う第１，第２の端面に形成されており、前記グラウンド電極が前記上面、下面及び一対の側面に平行である面を有する筒状体を構成している、請求項１に記載のチップ型共振部品。
【請求項３】
前記グラウンド電極の前記チップ本体の上面、下面及び一対の側面に平行な面の少なくとも１つの面が前記チップ本体内に埋設されている、請求項２に記載のチップ型共振部品。
【請求項４】
前記グラウンド電極が、前記チップ本体の上面、下面及び一対の側面に形成されている、請求項２に記載のチップ型共振部品。
【請求項５】
前記入力電極及び出力電極が、それぞれ、第１，第２の端面において上下方向に延びるように形成されている、請求項１〜４のいずれかに記載のチップ型共振部品。
【請求項６】
前記入力電極及び出力電極が、前記チップ本体の内部において上下方向に延び、かつ前記グラウンド電極に電気的に接続されないように前記チップ本体の上面または下面に引き出されているビアホール電極により構成されている、請求項２〜４のいずれかに記載のチップ型共振部品。
【請求項７】
前記第２のグラウンド電極が、前記チップ本体の端面において上下方向に延びるように形成されている、請求項２〜６のいずれかに記載のチップ型共振部品。
【請求項８】
前記第２のグラウンド電極が、前記チップ本体内において、上下方向に延びるように形成されており、かつチップ本体の上面及び／または下面においてグラウンド電極に電気的に接続されている、請求項２〜６のいずれかに記載のチップ型共振部品。
【請求項９】
前記共振器電極が、縮退していない複数の共振モードを生じるように形成されており、かつ該複数の共振モードが結合するように前記共振器電極に貫通孔が形成されており、それによってバンドパスフィルタが構成されている、請求項１〜８のいずれかに記載のチップ型共振部品。
【請求項１０】
前記共振器電極とは接触しないように前記貫通孔を貫いており、かつ前記グラウンド電極に電気的に接続されている、第３のグラウンド電極をさらに備える、請求項９に記載のチップ型共振部品。
【請求項１１】
前記共振器電極が、リング状共振器である、請求項１〜１０のいずれかに記載のチップ型共振部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、チップ型共振子やバンドパスフィルタとして用いられるチップ型の共振部品に関し、より詳細には、共振器電極がチップ本体内に内蔵されており、該共振器電極に接続または結合された入力電極及び出力電極を備えたチップ型共振部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波領域で用いられるバンドパスフィルタとして、デュアルモード・バンドパスフィルタや波長共振器を用いたバンドパスフィルタ等が種々提案されている。
【０００３】
例えば、デュアルモード・バンドパスフィルタを例にとると下記の特許文献１には、貫通孔を有する共振器電極を用いたデュアルモード・バンドパスフィルタが開示されている。図１５（ａ）及び（ｂ）に正面断面図及び模式的平面図で示すように、デュアルモード・バンドパスフィルタ１０１は、誘電体基板１０２を有する。誘電体基板１０２の中間高さ位置には、共振器電極１０３が形成されている。共振器電極１０３は、貫通孔１０３ａを有する。共振器電極１０３は縮退していない複数の共振モードを生じる。貫通孔１０３ａは該複数の共振モードを結合させ、それによってデュアルモード・バンドパスフィルタを構成するために形成されている。
【０００４】
共振器電極１０３と対向するように、誘電体基板１０２の上面及び下面には、グラウンド電極１０４，１０５が形成されている。また、図１５（ｂ）に示すように、共振器電極１０３には、入出力結合電極１０６，１０７が結合されている。入出力結合電極１０６，１０７は、図１５（ａ）では図示されていないが、共振器電極１０３の近傍から外側に延ばされており、かつ図示されていない入出力電極に電気的に接続されている。
【特許文献１】特開２００１−２３７６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
デュアルモード・バンドパスフィルタ１０１のように、共振器電極の上下に誘電体基板層を介してグラウンド電極が形成されている構造を有するチップ型もしくは４側面をグラウンドで接続されたバンドパスフィルタでは、通常、誘電体基板の側面にもグラウンド電極が形成される。従って、グラウンド電極が導波管のように作用し、言い換えれば共振器電極１０３は導波管の中に位置されていることになる。このような構造では、導波管部分のみの形状で定まる共振が生じる。他方、上記グラウンド電極からなる導波管部分は、必然的に共振器電極１０３よりも大きい。
【０００６】
従って、共振器電極１０３の共振周波数よりも低周波数側に、上記グラウンド電極による基本モードの共振が生じ、その高次モードが共振器電極１０３の共振モードと重なる位置に次々と発生しがちであった。このようなグラウンド電極による共振が、デュアルモード・バンドパスフィルタ１０１において所望でないスプリアスとなり、良好な伝送特性を得ることができないという問題があった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、グラウンド電極による共振に基づく不要スプリアスを抑圧することができ、良好な伝送特性を有するバンドパスフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上面、下面、一対の側面及び対向し合う第１，第２の端面を有するチップ本体と、前記チップ本体内に形成された共振器電極と、前記共振器電極と、結合もしくは接続されており、上下方向に延びる入力電極及び出力電極と、前記チップ本体において、共振器電極を囲む筒状部分を構成するようにチップ本体に設けられたグラウンド電極とを備え、前記入力電極及び出力電極が、前記グラウンド電極により構成されている筒状部分の端部もしくは内側において、前記グラウンド電極には電気的に接続されないように配置されており、前記入力電極及び／または出力電極の両側に配置されており、前記グラウンド電極に電気的に接続された一対の第２のグラウンド電極をさらに備える、チップ型共振部品である。
【０００９】
本発明に係るチップ型共振部品のある特定の局面では、前記チップ本体が、矩形板状の形状を有し、前記入力電極及び出力電極が対向し合う第１，第２の端面に形成されており、前記グラウンド電極が前記上面、下面及び一対の側面に平行である面を有する筒状体を構成している。
【００１０】
本発明に係るチップ型共振部品の他の特定の局面では、前記グラウンド電極の前記チップ本体の上面、下面及び一対の側面に平行な面の少なくとも１つの面が前記チップ本体内に埋設されている。
【００１１】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに他の特定の局面では、前記グラウンド電極が、前記チップ本体の上面、下面及び一対の側面に形成されている。
【００１２】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに別の特定の局面では、前記入力電極及び出力電極が、それぞれ、第１，第２の端面において上下方向に延びるように形成されている。
【００１３】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに他の特定の局面では、前記入力電極及び出力電極が、前記チップ本体の内部において上下方向に延び、かつ前記グラウンド電極に電気的に接続されないように前記チップ本体の上面または下面に引き出されているビアホール電極により構成されている。
【００１４】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに別の特定の局面では、前記第２のグラウンド電極が、前記チップ本体の端面において上下方向に延びるように形成されている。
【００１５】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに別の特定の局面では、前記第２のグラウンド電極が、前記チップ本体内において、上下方向に延びるように形成されており、かつチップ本体の上面及び／または下面においてグラウンド電極に電気的に接続されている。
【００１６】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに他の特定の局面では、前記共振器電極が、縮退していない複数の共振モードを生じるように形成されており、かつ該複数の共振モードが結合するように前記共振器電極に貫通孔が形成されており、それによってバンドパスフィルタが構成されている。
【００１７】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに別の特定の局面では、前記共振器電極とは接触しないように前記貫通孔を貫いており、かつ前記グラウンド電極に電気的に接続されている、第３のグラウンド電極をさらに備える。
【００１８】
本発明に係るチップ型共振部品のさらに他の特定の局面では、前記共振器電極が、リング状共振器である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係るチップ型共振部品では、グラウンド電極により構成されている筒状部分の端部もしくは内側において、グラウンド電極に電気的に接続されないように、かつ入力電極及び／または出力電極の両側に配置されている一対の第２のグラウンド電極が設けられているため、グラウンド電極の形状に起因する所望でないスプリアスを効果的に抑制することができ、良好な共振特性や伝送特性を得ることができる。
【００２０】
グラウンド電極のチップ本体の上面、下面及び一対の側面に平行な部分の少なくとも１つの面がチップ本体内に埋設されている場合には、チップ本体内にグラウンド電極部分が埋設されている側の外表面において他の電子部品との短絡等を防止することができる。
【００２１】
グラウンド電極がチップ本体の上面、下面及び一対の側面に形成されている場合には、チップ本体の外表面に導電膜を形成することにより、容易にグラウンド電極を形成することができる。
【００２２】
入力電極及び出力電極が、それぞれ、第１，第２の端面において上下方向に延びるように形成されている場合には、入力電極及び出力電極は端面に導電膜を付与することにより容易に形成することができる。
【００２３】
入力電極及び出力電極が、チップ本体の内部において上下方向に延び、グラウンド電極に電気的に接続されないようにチップ本体の上面または下面に引き出されているビアホール電極により構成されている場合には、入力電極及び出力電極の引き出されている領域を除いたチップ本体の全外表面をグラウンド電極で被覆することができ、電磁シールド性を高めることができる。また、入力電極及び出力電極がチップ本体内のビアホール電極により構成されることにより、チップ型共振部品の実装スペースを低減することも可能となる。
【００２４】
第２のグラウンド電極がチップ本体の端面において上下方向にも延びるように形成されている場合には、第２のグラウンド電極の端面上の部分をチップ本体端面に導電膜を付与することにより容易に形成することができる。
【００２５】
第２のグラウンド電極がチップ本体内において上下方向に延びるように形成されており、かつチップ本体の上面及び／または下面にグラウンド電極に電気的に接続されている場合には、ビアホール電極により第２のグラウンド電極を構成することができる。従って、第２のグラウンド電極の位置をより細かく調整することができ、それによって所望でないスプリアスをより効果的に抑圧することができる。
【００２６】
共振器電極が縮退していない複数の共振モードを生じ、かつ該複数の共振モードが結合するように共振器電極に貫通孔が形成されている場合には、本発明に従って伝送特性の良好なバンドパスフィルタを得ることができる。
【００２７】
共振器電極とは接触しないように、上記貫通孔を貫いており、かつグラウンド電極に電気的に接続されている、第３のグラウンド電極が設けられている場合には、第３のグラウンド電極によっても所望でないスプリアスを抑圧することができる。
【００２８】
上記共振器電極がリング状共振器である場合には、本発明に従って、リング状共振器を用いた所望でないスプリアスの少ないデュアルモード・バンドパスフィルタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るチップ型共振部品としてのバンドパスフィルタを示す斜視図及び平面図である。
【００３０】
バンドパスフィルタ１は、矩形板状のチップ本体２を有する。チップ本体２は、誘電体基板により構成されており、該誘電体基板を構成する材料としては、フッ素系樹脂、セラミックスなどの適宜の誘電体材料を用いることができる。
【００３１】
図２に正面断面図で示すように、チップ本体２内には、中間高さ位置に共振器電極３が形成されている。図３に模式的平面断面図で示すように、共振器電極３は、貫通孔３ａを有する金属膜により構成されている。共振器電極３は、縮退していない２つの共振モードを生じるように構成されている。該２つの共振モードが貫通孔３ａの形成により結合されて、バンドパスフィルタとしての特性を得ることができる。ここでは、貫通孔３ａの寸法の調整により、２つのモードの共振の結合度を自由にかつ大きく調整することができる。このようなバンドパスフィルタは、前述した特許文献１に開示されている。
【００３２】
図３に示すように、共振器電極３と積層容量をとるように入出力結合電極４，５が共振器電極３と異なる高さ位置に配置されている。入出力電極結合電極４，５は、チップ本体２の対向し合う一対の端面２ａ，２ｂにそれぞれ引き出されている。チップ本体２は、上記端面２ａ，２ｂと、上面２ｃと、下面２ｄと、側面２ｅ，２ｆとを有する。
【００３３】
なお、本実施形態では、チップ本体２は、複数の誘電体層を積層した構造を有する。共振器電極３、入出力結合電極４，５及びグラウンド電極１０などは、中間に位置する誘電体層の上面または下面に形成されている。
【００３４】
なお、入出力結合電極４，５は、共振器電極３と同じ高さ位置において共振器電極３と隔てられて形成されてもよい。
【００３５】
端面２ａ，２ｂには、入力電極６及び出力電極７が形成されている。入力電極６及び出力電極７は、それぞれ、入出力結合電極４，５にそれぞれ電気的に接続されている。
【００３６】
入力電極６及び出力電極７は、端面２ａ，２ｂにおいて上下方向に延びるように形成されている。
【００３７】
他方、チップ本体２の外表面には、グラウンド電極１０が形成されている。グラウンド電極１０は、チップ本体２の上面２ｃ、下面２ｄ及び側面２ｅ，２ｆを覆うように形成されている。もっとも、上面２ｃでは、切欠１０ａ，１０ｂが形成されている。切欠１０ａ，１０ｂは、入力電極６及び出力電極７との短絡を防止するために設けられている。チップ本体２の下面２ｄにおいても、グラウンド電極１０に同様の切欠が形成されている。
【００３８】
グラウンド電極１０は、上記切欠１０ａ，１０ｂ及び下面に形成された切欠が設けられていることを除いて、チップ本体２の上面２ｃ、下面２ｄ及び側面２ｅ，２ｆを覆うように形成されている。言い換えれば、グラウンド電極１０は、筒状の形状を有するように構成されている。
【００３９】
本実施形態のバンドパスフィルタ１の特徴は、入力電極６の両側に一対の第２のグラウンド電極１１，１２、及び出力電極７の両側に一対の第２のグラウンド電極１３，１４が形成されていることにある。第２のグラウンド電極１１〜１４は、本実施形態では、グラウンド電極１０のチップ本体２の上面２ｃ上に位置している部分と、下面２ｄ上に位置している部分とを接続するビアホール電極により構成されている。すなわち、第２のグラウンド電極１１〜１４により、チップ本体２の上下のグラウンド電極部分が、電気的に接続されている。
【００４０】
上記のように、チップ本体２内に設けられたビアホール電極により第２のグラウンド電極１１〜１４が形成されているため、第２のグラウンド電極１１〜１４は、上記グラウンド電極１０で構成される筒状体の端部よりも内側に、但し、もっとも入力電極６及び出力電極７に近接して配置されている。
【００４１】
前述したように、グラウンド電極が筒状体を構成し、いわゆる導波管のように動作する場合、グラウンド電極による共振、すなわち基本共振及びその高次モードが所望でないスプリアスとなりがちであった。これに対して、本実施形態のバンドパスフィルタ１では、第２のグラウンド電極１１〜１４の形成により、電界が制御され、それによって上記所望でないスプリアスを抑制することができる。これを、具体的な実験例に基づき説明する。
【００４２】
先ず、第１の実験例として、バンドパスフィルタ１において、共振器電極３及び入出力結合電極４，５が設けられていないことを除いては、同様にして構成されたチップ型部品を作製した。
【００４３】
上記チップ本体２として、Ｂａ，Ａｌ，Ｓｉの酸化物を主成分とするセラミック材からなり、３．２×４．５×厚み０．５ｍｍの矩形板状の誘電体基板を用いた。また、チップ本体２の端面２ａ，２ｂにおいては、幅０．４ｍｍの入力電極６及び出力電極７を端面２ａ，２ｂの中央において上下方向に延びるように形成した。なお、上記切欠１０ａ，１０ｂ及び下面に設けられた切欠は、チップ本体２の幅方向寸法が０．５ｍｍ、チップ本体２の長さ方向寸法が０．５ｍｍとなるように形成した。
【００４４】
第２のグラウンド電極１１〜１４は、チップ本体２の端面２ａ，２ｂから０．３５ｍｍ内側の位置に設けた。また、第２のグラウンド電極１１〜１４のチップ本体２の幅方向寸法に沿う位置については、チップ本体２の幅方向中心に対して、すなわち入力電極６または出力電極７の幅方向中心に対して、チップ本体２の幅方向にｘｍｍ隔てて配置した。この距離ｘｍｍについては、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ、０．５５ｍｍ及び０．６ｍｍと変化させ、４種類のチップ型部品を作製し、それぞれの周波数特性を求めた。結果を図４及び図５に示す。
【００４５】
また、比較のために、第２のグラウンド電極１１〜１４が設けられていないことを除いては、上記と同様のものを作製した。
【００４６】
図４は、上記各チップ型部品の周波数特性を示す図であり、図５は図４に示した特性の要部を拡大して示す図である。なお、上記周波数特性を求めるにあたっては、チップ本体２の比誘電率εｒは６．２７、ｔａｎδは０．００１とし、共振器電極３、入力電極６、出力電極７、グラウンド電極１０、及び第２のグラウンド電極１１〜１４は、全てＣｕからなるものとした。
【００４７】
図４及び図５における曲線Ｐａ−１は、比較のために用意したチップ型部品の周波数特性を示す。曲線Ｐａ−２〜Ｐａ−５は、距離ｘを０．４、０．５、０．５５及び０．６ｍｍとした場合の形状の共振の周波数特性である。
【００４８】
第２のグラウンド電極１１〜１４が設けられていない比較例のチップ型部品では、２０．４ＧＨｚ及び２４．４ＧＨｚにおいて、減衰量が５ｄＢ以下のスプリアスＳ１，Ｓ２が発生していることがわかる。また、２０〜３０ＧＨｚの範囲で、減衰レベルが１５ｄＢ以下となる周波数帯は存在しないとこがわかる。
【００４９】
これに対して、第２のグラウンド電極１１〜１４が設けられたチップ型部品１では、曲線Ｐａ−２〜Ｐａ−５から明らかなように、２０．４ＧＨｚ及び２４．４ＧＨｚにおいて生じているスプリアスを抑圧し得ることがわかる。２５ＧＨｚ付近にはスプリアスは生じているものの、２０〜３０ＧＨｚ帯のそれ以外の領域における減衰量は、２０ｄＢ以下とされ得ることもわかる。
【００５０】
また、曲線Ｐａ−２〜，Ｐａ−５から明らかなように、距離ｘが小さくなるほど、すなわち一対の第２のグラウンド電極１１，１２間または１３，１４間の間隔が狭くなるなど、スプリアスの周波数ｆｓを高くすることかできるとともに、スプリアスをより一層効果的に抑圧し得ることがわかる。
【００５１】
なお、同一平面上もしくは一直線上に入力電極６または出力電極７と、上記第２のグラウンド電極１１〜１４とを形成せずともよい。従って、図６（ａ），（ｂ）に模式的に示すように、表裏のグラウンド電極部分を接続している一対の第２のグラウンド電極１１，１２間及び１３，１４間に入出力結合電極４，５を通過させるように構成することにより、設計の自由度を高めることができる。
【００５２】
上記のように、第２のグラウンド電極１１〜１４が設けられているチップ型部品は、第２のグラウンド電極１１〜１４が設けられていない比較例のチップ型部品に比べて優れた伝送特性を有することがわかる。そこで、次に、上記第２のグラウンド電極１１〜１４が設けられたチップ型部品に対し、第１の実施形態に従って、半径１．１ｍｍの円形の金属膜に、０．９×０．８ｍｍの貫通孔３ａを形成してなる共振器電極３と、入力電極４，５とをさらに追加し、第１の実施形態に従ってバンドパスフィルタ１を作製した。
【００５３】
図７は、上記のようにして構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタ１の周波数特性の一例を示す図である。図７においてスプリアスが表れていないことから明らかなように、本実施形態に従って構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタでは、外形形状に起因する、すなわち導波管のような形状とされているグラウンド電極に起因するスプリアスを抑制しつつ、バンドパスフィルタとしての特性を得られることがわかる。
【００５４】
図８（ａ）〜（ｄ）は、上記実施形態のバンドパスフィルタ１の変形例を示す各模式的正面断面図である。図１に示したバンドパスフィルタ１では、チップ本体２の上面及び下面に至るようにグラウンド電極１０が形成されていた。すなわち、図８（ａ）に正面断面図で示すように、グラウンド電極１０は、チップ本体２の上面２ｃ，２ｄの外側に配置されていた。これに対して、図８（ｂ）〜（ｄ）に示すように、グラウンド電極１０は、上面または下面に平行なグラウンド電極部分がチップ本体２内に埋設されていてもよい。図８（ｂ）に示す構造では、グラウンド電極１０は、上面２ｃ及び下面２ｄに平行な上方部分及び下方部分がいずれもチップ本体２内に埋設されている。図８（ｃ）に示す構造では、グラウンド電極１０の下面２ｄに平行な部分がチップ本体２内に埋設されており、上面２ｃの外表面に平行なグラウンド電極部分は、上面２ｃ上に形成されている。図８（ｄ）に示す構造では、上面２ｃに平行な部分がチップ本体２内に埋設されており、下面２ｄに平行な下方のグラウンド電極部分は、下面２ｄの外側に配置されている。
【００５５】
同様に、グラウンド電極１０の側面２ｅ，２ｆ（図１）に平行なグラウンド電極部分についても、チップ本体２の内部に埋設されていてもよい。
【００５６】
すなわち、本発明に係るチップ型共振部品は、グラウンド電極により構成されている筒状部分の形状による共振に基づくスプリアスを抑圧するものであるため、グラウンド電極が筒状部分を構成している限り、グラウンド電極のチップ本体２の上面２ｃ、下面２ｄ及び側面２ｅ，２ｆに平行な部分は、チップ本体２内に形成されていてもよく、チップ本体２の外表面に形成されていてもよい。また、少なくとも、図８（ａ）〜（ｄ）に示すように、図示を省略した共振器電極の上下に誘電体基板層を介してグラウンド電極部分が配置されているトリプレート構造を有する限り、本発明に従って第２のグラウンド電極を構成することにより、本発明の効果を得ることができる。すなわち、チップ本体２の側面に設けられたグラウンド電極部分は必ずしも必要ではない。
【００５７】
図９は、本発明の第２の実施形態のチップ型共振部品としてのバンドパスフィルタにおける共振器電極の形状を説明するための模式的平面断面図であり、第１の実施形態について示した図３に相当する図である。図３と図９とを比較すれば明らかなように、第２の実施形態のバンドパスフィルタでは、共振器電極３の貫通孔３ａ内に、第３のグラウンド電極としてのビアホール電極３ｃが形成されている。ビアホール電極３ｃが設けられていることを除いては、第２の実施形態のバンドパスフィルタは、第１のバンドパスフィルタ１と同様に構成されている。従って、ビアホール電極３ｃ以外の部分については、第１の実施形態の説明を援用することとする。
【００５８】
ビアホール電極３ｃの上端及び下端は、図１に示したグラウンド電極１０のチップ本体２の上面に位置している部分及び下面に位置している部分に接続されている。すなわち、ビアホール電極３ｃは、第２のグラウンド電極１１〜１４と同様に、チップ本体２の上下のグラウンド電極部分を短絡している。
【００５９】
本実施形態では、上記ビアホール電極電極３ｃの形成により、グラウンド電極１０の形状に起因する所望でないスプリアスをより効果的に抑圧することができる。これを、図１０及び図１１を参照して説明する。
【００６０】
図１０及び図１１に示す特性曲線を得るにあたっては、第１の実施形態の第１の実験例と同様に、共振器電極及び入出力結合電極が形成されていないチップ型部品を作製し、ビアホール電極３ｃの有無により周波数特性が異なるか否かを調べた。すなわち、図４に示した特性曲線Ｐａ−１及びＰａ−３の特性を示したチップ型部品を比較のために用意し、Ｐａ−３の特性のチップ型部品に、さらに上下のグラウンド電極部分を接続するビアホール電極３ｃを形成したチップ型部品を用意した。ビアホール電極３ｃは、横断面が０．２×０．２ｍｍの矩形形状を有するように構成した。
【００６１】
図１０においては、上記比較のために用意したチップ型部品の特性を示す曲線Ｐａ−１，Ｐａ−３と、上記のようにしてビアホール電極３ｃが形成されたチップ型部品の周波数特性を示す。
【００６２】
また、図１１は、図１０に示されている各特性曲線の要部を拡大して示す図である。
【００６３】
図１０及び図１１から明らかなように、ビアホール電極３ｃを設けたチップ型部品では、曲線Ｐａ−３で特性が示されているチップ型部品と同様に、グラウンド電極の形状に起因するスプリアスを効果的に抑圧し得ることがわかる。従って、曲線Ｐａ−６で示されている特性を有するチップ型部品に、さらに共振器電極３及び入出力結合電極を形成してバンドパスフィルタを構成すれば、第２の実施形態に従ってグラウンド電極の形状に起因するスプリアスが抑圧された良好な伝送特性を有するバンドパスフィルタを構成し得ることがわかる。
【００６４】
図１２は、本発明の第３の実施形態のチップ型共振部品としてのバンドパスフィルタの要部を示す部分切欠斜視図である。第１の実施形態では、第２のグラウンド電極１１〜１４は、ビアホール電極により構成されており、チップ本体２の内部に設けられていた。言い換えれば、第２のグラウンド電極１１〜１４は、グラウンド電極により構成されている筒状体の端部よりも内側に配置されていた。これに対して、第３の実施形態にバンドパスフィルタ３１では、出力電極７の両側に配置されている第２のグラウンド電極３２，３３は、端面２ｂにも形成されている。言い換えれば、第２のグラウンド電極３２，３３はグラウンド電極１０で構成される筒状体の端部にも位置されている。なお、図１２では、出力電極７の両側に設けられた第２のグラウンド電極３２，３３のみが示されているが、入力電極６側においても同様に第２のグラウンド電極が構成されている。
【００６５】
第３の実施形態の同様に第２のグラウンド電極が形成されているチップ型部品を用意し、周波数特性を求めた。チップ型部品としては、第１の実施形態の第１の実験例で用意したチップ型部品と同様のものを用意し、但し、第２のグラウンド電極１１〜１４を、図１２に示したようにチップ本体２の端面２ａ，２ｂに設けた。このようにして用意されたチップ型部品の特性を、図１３の曲線Ｐａ−９で示す。なお、図１３のＰａ−８は、図１０及び図１１に示した曲線Ｐａ−８と同一である。
【００６６】
図１３から明らかなように、第３の実施形態のように、第２のグラウンド電極を端面２ａ，２ｂにも設けた場合においても、本発明に従ってグラウンド電極の形状に起因するスプリアスを効果的に低減し得ることがわかる。
【００６７】
なお、本発明は、共振器電極が、チップ本体内に形成されたチップ型共振部品であって、チップ本体に共振器電極を囲む筒状部分を構成するようにグラウンド電極が設けられている構成を有するチップ型共振部品である限り、各共振器電極及びグラウンド電極の形状については特に限定されるものではない。従って、共振器電極は、上述したバンドパスフィルタのように縮退していない２つの共振モードを結合させてバンドパスフィルタの特性を得るものに限らず、図１４に示されているリング状共振器電極４１を有するものであってもよい。リング状共振器電極４１は、円管状の形状を有し、結合点４２，４３の位置を制御することにより、バンドパスフィルタとしての特性が得られるように構成されている。なお、結合点４２，４３には、帰還回路４４が接続されている。
【００６８】
また、本発明は、デュアルモード・バンドパスフィルタに限らず、様々な共振器電極を有するチップ型共振子にも適用することができる。
【００６９】
なお、特開２０００−２０８６７０号公報には、グラウンド電極において本発明と似かよった構造が示されているが、共振器やバンドパスフィルタ自体と直接関連する構造が開示されているものではなく、分布定数線路を有するパッケージ基板が開示されているに過ぎない。すなわち、特開２０００−２０８６７０号公報では、図１６に斜視図で示すように、パッケージ基板２０１において、第１の分布定数線路２０２及び第２の分布定数線路２０３が上面及び下面に形成されており、分布定数線路２０２及び２０３がビアホール電極２０４により電気的に接続されている。そして、パッケージ基板２０１の上面に形成された接地電極２０５と下面に形成された接地電極２０６とを接続するビアホール電極２０７，２０８がビアホール電極２０４の両側に配置されている。ここでは、上面及び下面の接地電極を接続する上記ビアホール電極２０７，２０８をビアホール電極２０４の両側に配置することにより、端面電極で発生する浮遊容量が打ち消され、信号線路における不整合が生じ難くされている。
【００７０】
ここでは、上下の分布定数線路を接続しているビアホール電極２０４がインダクタとして機能しないように、その両側に接地電極に接続されるビアホール電極２０７，２０８が設けられているに過ぎず、ビアホール電極２０４自身も所定の特性インピーダンスを有する分布定数線路として動作させるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係るデュアルモード・バンドパスフィルタの外観を示す斜視図及び模式的平面図。
【図２】第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの正面断面図。
【図３】第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの中間高さ位置に形成されている共振器電極を説明するための模式的平面断面図。
【図４】比較のために用意したチップ型部品及び第１の実施形態に準じた構造を有するチップ型部品の各周波数特性を示す図。
【図５】図４に示した周波数特性の要部を拡大して示す図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの作用効果を説明するための模式図であり、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は、模式的側面図。
【図７】第１の実施形態に従って構成されたデュアルモード・バンドパスフィルタの周波数特性を示す図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１の実施形態にデュアルモード・バンドパスフィルタにおけるグラウンド電極の配置構造及び変形例に係るバンドパスフィルタにおけるグラウンド電極の配置構造例を示す各模式的平面断面図。
【図９】第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタにおける共振器電極及び第３のグラウンド電極としてのビアホール電極を説明するための模式的平面断面図。
【図１０】比較のために用意したチップ型部品及び第１，第２の実施形態に準じた構造を有するチップ型部品の周波数特性を示す図。
【図１１】図１０に示した周波数特性の要部を拡大して示す図。
【図１２】第３の実施形態に係るデュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための部分切欠斜視図。
【図１３】第３の実施形態に準じた構造を有するチップ型部品及び比較例のチップ型部品の周波数特性を示す図。
【図１４】本発明が適用されるチップ型共振部品の他の例としてのリング状共振器電極を有するデュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための模式的平面図。
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は、従来のデュアルモード・バンドパスフィルタの一例を示す正面断面図及び模式的平面図。
【図１６】従来のパッケージ基板における電極構造を説明するための部分切欠斜視図。
【符号の説明】
【００７２】
１…デュアルモード・バンドパスフィルタ
２…チップ本体
３…共振器電極
３ａ…貫通孔
３ｃ…第３のグラウンド電極としてのビアホール電極
４，５…入出力結合電極
６…入力電極
７…出力電極
９…グラウンド電極
１１〜１４…第２のグラウンド電極
３１…デュアルモード・バンドパスフィルタ
３２，３３…第２のグラウンド電極
４１…リング状共振器電極
４２，４３…結合点
４４…帰還回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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