(57)【要約】      （修正有）【課題】アイソレーション特性に優れた小型のマルチバンド高周波送受信モジュールを提供する。【解決手段】少なくとも２つの通信システムの受信回路又は送信回路と、アンテナ側回路との間に配置された分波回路２０を備えたマルチバンド高周波送受信モジュール１であって、異なる通過周波数帯域を有する不平衡入力−平衡出力型の帯域通過フィルタを並列接続して所望受信帯域以外の周波数成分を減衰するとともに、受信信号を受信ＲＦ増幅器に第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路３０を介して出力する第１のフィルタ回路３と、前記第１のフィルタ回路３と前記分波回路２０との間に配置し、前記分波回路２０と前記第１のフィルタ回路３との間の接続と、送信回路と分波回路２０との間の接続を切り換える第２のスイッチ回路３０を有する。【選択図】      図１
2004320244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの通信システムの受信回路又は送信回路（第１の通信システムの受信周波数帯と第２の通信システムの送信周波数とは一部重複する）とアンテナ側回路との間に配置された分波回路を備えたマルチバンド高周波送受信モジュールであって、
前記マルチバンド高周波送受信モジュールは、異なる通過周波数帯域を有する不平衡入力−平衡出力型の帯域通過フィルタを並列接続して所望受信帯域以外の周波数成分を減衰するとともに、前記第１の通信システムと前記第２の通信システムの受信信号を受信ＲＦ増幅器に第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路を介して出力する第１のフィルタ回路と、
前記第１のフィルタ回路と前記分波回路との間に配置され、前記分波回路と前記第１のフィルタ回路との間の接続と、前記第１の通信システムと前記第２の通信システムの送信回路と分波回路との間の接続を切り換える第２のスイッチ回路を有し、
前記分波回路はインダクタンス素子とキャパシタンス素子を主構成とし、前記第１のスイッチ回路、第２のスイッチ回路、第３のスイッチ回路はスイッチング素子を主構成とし、前記第１のフィルタ回路はフィルタ素子を主構成とし、
前記インダクタンス素子、前記キャパシタンス素子、前記スイッチング素子、前記フィルタ素子が誘電体層と電極パターンとの積層基板に内蔵あるいは搭載されていることを特徴とするマルチバンド高周波送受信モジュール。
【請求項２】
前記第１のフィルタ回路のフィルタ素子に位相器を接続したことを特徴とする請求項１に記載のマルチバンド高周波送受信モジュール。
【請求項３】
前記位相器を伝送線路で構成し、前記積層基板に形成したことを特徴とする請求項２に記載のマルチバンド高周波送受信モジュール。
【請求項４】
前記第１及び第２のスイッチ回路のスイッチング素子としてＧａＡｓＦＥＴを用い、前記第３のスイッチ回路のスイッチング素子としてダイオードを用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマルチバンド高周波送受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異なるアクセス方式（通信システム）を利用できる携帯電話などのマルチバンド通信装置用マルチバンド高周波送受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
世界の携帯電話には種々のアクセス方式があり、またそれぞれの地域において複数のアクセス方式が混在している。たとえば、現在主流となっているアクセス方式の一つとしてＴＤＭＡ（Ｔｉｍｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ、時分割多元接続）方式がある。このＴＤＭＡ方式を採用している主なアクセス方式として、日本のＰＤＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ）、欧州を中心としたＥＧＳＭ（Ｅｘｔｅｎｄ  ＧｌｏｂａｌＳｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  ＧＳＭ９００とも呼ばれる）やＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  Ｓｙｓｔｅｍ  ＧＳＭ１８００とも呼ばれる）、米国を中心としたＧＳＭ８５０、ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｅｒｖｉｃｅ  ＧＳＭ１９００とも呼ばれる）などがある。
表１に各アクセス方式に割り当てられた送信・受信周波数を纏めて示す。
【０００３】
【表１】
2004320244.tif 000003
【０００４】
従来の携帯電話では、一つのアクセス方式、例えばＧＳＭ用の携帯電話として設計され、使用されていた。しかし、近年の利用者数の増大、及び使用者の利便性から、複数のアクセス方式が利用可能なデュアルバンドやトリプルバンド携帯電話が提案され、さらにクアトロバンド携帯電話の要求もある。このようなマルチバンド携帯電話の高周波回路部においては、単純にはアクセス方式毎に高周波部品が必要となるが、異なるアクセス方式での高周波部品の共通化が進められ、マルチバンド携帯電話の小型化を実現している（例えば特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２２５０８９号
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図１０に示す回路ブロックは特許文献１に開示されたＥＧＳＭ（送信ＴＸ８８０〜９１５ＭＨｚ  受信ＲＸ９２５〜９６０ＭＨｚ）とＤＣＳ（送信ＴＸ１７１０〜１７８５ＭＨｚ  受信ＲＸ１８０５〜１８８０ＭＨｚ）のデュアルバンド携帯電話に用いる高周波回路部を示すものである。図１１はその等価回路の一例である。
この高周波回路ではアンテナＡＮＴと接続する分波回路により、ＥＧＳＭとＤＣＳの高周波信号を分波して通過帯域の異なる通信システムを扱う各回路間でのアイソレーションを確保するようにしている。しかしながら、ＧＳＭ８５０とＥＧＳＭ、ＤＣＳとＰＣＳといった異なるアクセス方式で極めて近い周波数帯を利用する場合においては以下の問題があった。
図１２にＧＳＭ８５０とＥＧＳＭの周波数配置図を示す。ここで、ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域とＥＧＳＭの送信周波数帯域の一部が重なり合うことがわかる。またＤＣＳの受信周波数帯域とＰＣＳの送信周波数帯域も一部重なり合う。例えば、ＥＧＳＭで通話しようとする場合、ＥＧＳＭの送信周波数帯域の一部の送信信号が分波回路を介してＧＳＭ８５０側のスイッチ回路側へ漏洩する。分波回路には高周波スイッチ回路が接続されるが、図１１に示した等価回路では伝送線路（例えばＬＧ２）を介して受信回路側ＲＸへ漏れ込れるといったアイソレーションに関する問題がある。受信回路側ＲＸへ漏れ込れた送信信号がＧＳＭ８５０の受信信号を扱う帯域通過フィルタ（図示せず）を介して、受信ＲＦ増幅器（図示せず）に入力し、携帯電話の通話品質を低下させる。
【０００７】
そこで本発明は、極めて近い周波数帯を利用するアクセス方式のマルチバンド携帯電話に使用される高周波回路部品であって、アイソレーション特性に優れ小型のマルチバンド高周波送受信モジュールを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくとも２つの通信システムの受信回路又は送信回路（第１の通信システムの受信周波数帯と第２の通信システムの送信周波数とは一部重複する）とアンテナ側回路との間に配置された分波回路を備えたマルチバンド高周波送受信モジュールであって、
前記マルチバンド高周波送受信モジュールは、異なる通過周波数帯域を有する不平衡入力−平衡出力型の帯域通過フィルタを並列接続して所望受信帯域以外の周波数成分を減衰するとともに、前記第１の通信システムと前記第２の通信システムの受信信号を受信ＲＦ増幅器に第１のスイッチ回路及び第２のスイッチ回路を介して出力する第１のフィルタ回路と、
前記第１のフィルタ回路と前記分波回路との間に配置され、前記分波回路と前記第１のフィルタ回路との間の接続と、前記第１の通信システムと前記第２の通信システムの送信回路と分波回路との間の接続を切り換える第２のスイッチ回路を有し、
前記分波回路はインダクタンス素子とキャパシタンス素子を主構成とし、前記第１のスイッチ回路、第２のスイッチ回路、第３のスイッチ回路はスイッチング素子を主構成とし、前記第１のフィルタ回路はフィルタ素子を主構成とし、
前記インダクタンス素子、前記キャパシタンス素子、前記スイッチング素子、前記フィルタ素子が誘電体層と電極パターンとの積層基板に内蔵あるいは搭載されているマルチバンド高周波送受信モジュールである。
【０００９】
本発明においては、前記第１のフィルタ回路のフィルタ素子と第３のスイッチ回路との間に位相器を接続するのが好ましく、前記位相器を伝送線路で構成し、前記積層体に形成するのがより好ましい。
【００１０】
本発明においては、前記第１及び第２のスイッチ回路のスイッチング素子としてＧａＡｓＦＥＴを用い、前記第３のスイッチ回路のスイッチング素子としてダイオードを用いるのが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールの回路ブロックを図１に示す。このマルチバンド高周波送受信モジュールは、４つの通信システムについて、アンテナＡＮＴと各送受信回路との間での高周波信号の信号経路を切り換える、換言すれば信号経路を選択するマルチバンド高周波送受信モジュールである。
本実施例においては説明の簡略化のため、４つの通信システムのうち、第１の通信システムｆ１をＧＳＭ８５０、第２の通信システムｆ２をＥＧＳＭ、第３の通信システムｆ３をＤＣＳ、第４の通信システムｆ４をＰＣＳとするが、勿論本発明はこれに限定されない。
【００１２】
本発明のマルチバンド高周波送受信モジュールでは、ＧＳＭ８５０、ＥＧＳＭの送受信信号（８２４ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚの高周波信号）とＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号（１７１０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚの高周波信号）とを分波する分波回路２０をアンテナＡＮＴと接続する様に配置している。なお、前記アンテナＡＮＴと分波回路２０との間に、他の回路としてインピーダンス整合回路や、シャントインダクタ等のＥＳＤ（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）対策回路、他のアンテナとの接続を切り換えるダイバーシティスイッチ回路を配置してもよい。
前記分波回路は例えばＧＳＭ８５０、ＥＧＳＭの送受信信号を通過させるが、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を減衰させるフィルタ回路と、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を通過させるが、ＧＳＭ８５０、ＥＧＳＭの送受信信号を減衰させるフィルタ回路を組み合わせて構成される。
インダクタンス素子、キャパシタンス素子を組み合わせて構成した複数のフィルタ回路により構成した分波回路２０の一例を、図６に等価回路として示す。この分波回路２０はインダクタンス素子Ｌｆ３、キャパシタンス素子Ｃｆ２、Ｃｆ３、Ｃｆ４で構成されたハイパスフィルタ回路と、インダクタンス素子Ｌｆ１、Ｌｆ２とキャパシタンス素子Ｃｆ１とで構成されたローパスフィルタ回路の一端を接続して並列接続したものである。なお、前記機能を発揮するように他のフィルタ回路としてバンドパスフィルタ回路やノッチフィルタ回路を採用して適宜構成することも可能であり、等価回路も前記図６のものに限定されるものではない。
【００１３】
前記分波回路２０のローパスフィルタ回路の一端２０ｂ側に第３のスイッチ回路３０が接続される。このスイッチ回路はＧＳＭ８５０、ＥＧＳＭの送信回路ｆ１Ｔｘ、ｆ２Ｔｘ、ＧＳＭ８５０、ＥＧＳＭの受信回路ｆ１Ｒｘ、ｆ２Ｒｘとアンテナ側回路（図１では分波回路２０）との接続を切り換えるものである。この第３のスイッチ回路３０としては、例えば図７、図８に示すダイオードスイッチ回路や、図９に示すＧａＡｓスイッチ回路のＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ
Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ  単極双投）スイッチを使用することが出来る。
図７、図８のスイッチ回路はスイッチング素子としてダイオードＤｇ１，Ｄｇ２、Ｄｄ１，Ｄｄ２を用い、インダクタンス素子として伝送線路Ｌｇ１、ｌｄ１、高周波チョークコイルＬｇ１，Ｌｄ２を用い、コントロール回路（図示せず）により制御電圧端子Ｖｃ１、Ｖｃ２に与えられる電源電圧を前記スイッチング素子に印可して、ダイオードを適宜オン、オフさせることで、接続端３０ａ、３０ｂ、３０ｃ間の接続状態を制御している。前記高周波チョークコイルＬｇ１，Ｌｄ２としては、チップインダクタ等の他に伝送線路を用いて構成するハイインピーダンス線路としても良い。
図９のスイッチ回路はスイッチング素子としてＧａＡｓＦＥＴ  ＦＥＴ１、ＦＥＴ２、ＦＥＴ３，ＦＥＴ４を用いて、コントロール回路（図示せず）により制御電圧端子Ｖｃ３、Ｖｃ４に与えられる電源電圧を前記スイッチング素子に印可して、ＧａＡｓＦＥＴを適宜オン、オフさせることで、接続端間の接続状態を制御している。ここでは、複数のＧａＡｓＦＥＴを直列多段接続して歪み発生を抑止している。
なお、ＧＳＭ８５０やＥＧＳＭといった通信システムでは、送信電力が＋３５ｄＢｍ程度にもなる。従って、取り扱う高周波電力の観点から第３のスイッチ回路としては前記ダイオードスイッチ回路を採用するのが好ましい。
【００１４】
前記スイッチ回路３０の接続端３０ｂには第１のフィルタ回路３が接続される。前記第１のフィルタ回路３は、その通過周波数帯域がＧＳＭ８５０の受信周波数帯域（８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚ）を含み、ＥＧＳＭの受信信号を減衰する不平衡入力−平衡出力型の帯域通過フィルタ６０と、通過周波数帯域がＥＧＳＭの受信周波数帯域（９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）を含み、ＧＳＭ８５０の受信信号を減衰する不平衡入力−平衡出力型の帯域通過フィルタ６５とで構成され、前記帯域通過フィルタ６０、６５の不平衡出力端６０ａ、６５ａを接続して共通端として、前記第１のスイッチ回路３０の接続端３０ｂと接続する。
図４に第１のフィルタ回路３の回路ブロック構成を一例として示す。この第１のフィルタ回路３は、ＧＳＭ８５０の受信周波数帯域を含む周波数帯を通過帯域とする第１の帯域通過フィルタ６０と、前記第１の帯域通過フィルタ６０と異なる通過周波数帯域を有し、ＥＧＳＭの受信周波数帯域を含む周波数帯を通過帯域とする第２の帯域通過フィルタ６５と、前記第１の帯域通過フィルタ６０の入力端６０ａに接続する第１の位相器１００と、前記第２の帯域通過フィルタ６５の入力端６５ａに接続する第２の位相器１０５とを有し、第１の位相器１００の他端１００ａと第２の位相器１０５の他端１０５ａを並列接続して共通端６２ａとしている。
前記第１の位相器１００は第１の帯域通過フィルタ６０と接続して前記第２の帯域通過フィルタ６５の通過周波数帯域において共通端６２ａ側からみたインピーダンスを高インピーダンスとなるように構成され、第２の位相器１０５は第２の帯域通過フィルタ６５と接続して前記第１の帯域通過フィルタ６０の通過周波数帯域において共通端６２ａ側からみたインピーダンスを高インピーダンスとなるように構成されている。前記第１及び第２の位相器は、専ら伝送線路で形成されるが、帯域通過フィルタのインピーダンス特性は様々であるので、前記位相器はその目的に合わせて線路長等が適宜調整される。用いる帯域通過フィルタのインピーダンス特性によっては、第１、第２の位相器のどちらかのみ、あるいはどちらも用いない場合もある。
図５は第１のフィルタ回路を構成する他の回路例を示すものである。ここでも帯域通過フィルタに位相器１００，１０５を接続して構成しているが、図４のものと比較し、前記位相器１００，１０５をインダクタンス素子Ｌａ，Ｌｂ、キャパシタンス素子Ｃａ１，Ｃａ２，Ｃｂ１，Ｃｂ２を用いて構成したフィルタ回路とする点で異なるが、その機能は同じである。
【００１５】
前記第１のフィルタ回路３と受信ＲＦ増幅器ＬＮＡとの間に第１のスイッチ回路４０、第２のスイッチ回路４５が配置される。前記第１の帯域通過フィルタ６０の一方の平衡出力端６０ｂと前記第２の帯域通過フィルタ６５の一方の平衡出力端６５ｂに接続するＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ  単極双投）スイッチの第２のスイッチ回路４５と、前記第１の帯域通過フィルタ６０の平衡出力端６０ｃと前記第２の帯域通過フィルタ６５の他の平衡出力端６５ｃに接続するＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ  単極双投）スイッチの第１のスイッチ回路４０とを有し、通過すべき高周波信号に応じて前記スイッチ回路４０、４５を切り換え、前記入力端６２ａに入力する不平衡高周波信号を、前記スイッチ回路４０，４５の出力端４０ａ、４５ａから平衡高周波信号として出力するものである。ＧＳＭ８５０の平衡受信信号を得ようとすれば、第１の帯域通過フィルタ６０と接続する第１のスイッチ回路４０の入力端４０ｃと出力端４０ａを接続するようにし、第２のスイッチ回路４５の入力端４５ｃと出力端４５ａを接続するようにすれば良い。また、ＥＧＳＭの平衡受信信号を得ようとすれば、第１の帯域通過フィルタ６５と接続する第１のスイッチ回路４０の入力端４０ｂと出力端４０ａを接続するようにし、第２のスイッチ回路４５の入力端４５ｂと出力端４５ａを接続するようにすれば良い。
前記第２のスイッチ回路の接続端３０ｃとＧＳＭ８５０、ＥＧＳＭの送信信号を出力する送信ＲＦ増幅器ＰＡとの間にフィルタ回路７５が配置される。このフィルタ回路７５は、前記送信信号に含まれる高調波を除去するものであるが、配置位置としては前記送信ＲＦ増幅器ＰＡと分波回路２０との間にあれば良い。前記フィルタ回路はインダクタンス素子、キャパシタンス素子とで適宜構成する。ＥＧＳＭでの送信時には、受信ＲＦ増幅器６０とＥＧＳＭの受信周波数帯域を含む周波数帯を通過帯域とする第２の帯域通過フィルタ６５とを接続するように前記スイッチ回路４０，４５を動作させる。このように構成することで、各帯域通過フィルタ６０，６５間のアイソレーションを取ることが出来るので、送信側回路から第２のスイッチ回路を介して漏洩する高周波信号を実質的に遮断することが可能となる。
【００１６】
前記第１のフィルタ回路３に用いる帯域通過フィルタは積層型の帯域通過フィルタや共振器を用いた帯域通過フィルタ、ＳＡＷフィルタ、ＦＢＡＲ（ＦｉｌｍＢｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）フィルタを用いることが出来、小型化を重視すればＳＡＷフィルタを用いるのが好ましく、低損失化を重視すればＦＢＡＲフィルタを用いるのが好ましい。また、前記位相器は専ら所定の線路長を有する伝送線路で構成されるが、低域通過フィルタや高域通過フィルタなどの位相調整可能なフィルタ回路とすることも出来る。
【００１７】
本実施例においては、分波回路２０の接続端２０ｃにスイッチ回路３５、５０を含む第３の通信システムｆ３をＤＣＳ、第４の通信システムｆ４としてＰＣＳを扱う高周波回路が接続される。なお、分波回路２０の接続端２０ｃに接続する高周波回路は図１に開示のものに限定される事はなく、例えばＳＰ３Ｔスイッチ回路が接続される場合や、複数のフィルタ回路で構成される他の分波回路が接続される場合もあり、マルチバンド高周波送受信モジュールが取り扱う通信システムにより適宜選定される。
【００１８】
図３は、図２に示す回路ブロックのマルチバンド高周波送受信モジュールを積層基板に構成した外観斜視図である。なお図３には図示していないが、前記積層基板の表面を覆う金属キャプ又はオーバーコート樹脂等の保護材が積層基板に配置される。
前記積層基板にはマルチバンド高周波送受信モジュールを構成するインダクタンス素子、キャパシタンス素子、スイッチング素子が内蔵あるいは搭載される。積層基板は誘電体層や磁性体層とＡｇ，Ｃｕ等の金属材料の電極パターンを多層化したものであり、誘電体は誘電体セラミック、樹脂、誘電体セラミックと樹脂との混合物等、磁性体はソフトフェライト等である。インダクタンス素子を専ら磁性体層に形成し、キャパシタンス素子を誘電体層に形成する場合や、誘電体層のみにインダクタンス素子、キャパシタンス素子に形成する場合がある。誘電率が異なる層を用いる場合や、透磁率が異なる層を用いて一つの積層基板に多層化する場合もある。積層基板はドクターブレード、リップコータ、カレンダーロール等の公知のシート化装置により得られたシートを所定形状に切断したものに、前記電極パターンを印刷形成し、これを多層に積層して圧着し、焼結するなどして得ることが出来る。
【００１９】
積層基板には分波回路（図５に開示のもの）を構成するインダクタンス素子Ｌｆ１、Ｌｆ２，Ｌｆ３とキャパシタンス素子Ｃｆ１、Ｃｆ２，Ｃｆ３、Ｃｆ４、第３のスイッチ回路３０と分波回路２０と接続する他のスイッチ回路３５のインダクタンス素子Ｌｇ１ａ、Ｌｇ１ｂ、キャパシタンス素子Ｃｇ１ａ、Ｃｇ１ｂ、第１のフィルタ回路３を構成するインダクタンス素子Ｌｓ１ａ、Ｌｓ１ｂ、他のフィルタ回路のインダクタンス素子Ｌｌ１ａ，Ｌｌ１ｂ、キャパシタンス素子Ｃｌ１ａ、Ｃｌ２ａ、Ｃｌ１ｂ，Ｃｌ２ｂが電極パターンにより形成されており、各回路間でのインピーダンス整合を取りながら各電極パターンが積層基板に形成されたビアホール電極などの接続手段により接続され、積層基板内での電極パターン間の干渉（磁気的な結合、浮遊容量）を考慮し、高周波信号の漏れ（アイソレーション）に配慮して各回路素子を内蔵する。積層基板の上面には、積層基板に設けられた前記接続手段により、積層基板内に形成された回路素子と接続するランド電極が形成されており、前記ランド電極には各スイッチ回路３０，３５のスイッチング素子としてのダイオードＤｇ１ａ、Ｄｇ１ｂ、Ｄｇ２ａ、Ｄｇ２ｂ、抵抗素子Ｒｇ１ａ、Ｒｇ１ｂ、インダクタンス素子としてチップインダクタＬｇ２ａ、Ｌｇ２ｂ、キャパシタンス素子としてチップコンデンサＣｃ１ｃ、第１のフィルタ回路の帯域通過フィルタとしてＳＡＷフィルタ６０、６５、第１のスイッチ回路４０及び第２のスイッチ回路４５としてＧａＡｓスイッチ５、他のスイッチ回路としてＧａＡｓスイッチ５０、ＤＣカットコンデンサ（結合コンデンサ）としてチップコンデンサＣｃ１ａ、Ｃｃ１ｂがはんだ付けにより実装されている。なお前記積層基板にキャビティー（凹部）を設けて、ＳＡＷやスイッチング素子を構成するトランジスタをベアチップの状態で実装することも可能である。なおこの場合には樹脂封止、管封止などの手段で前記ベアチップを気密封止する。このキャビティーは前記ランドが形成された積層基板の主面と対向する裏面にも当然形成することが出来、前記ベアチップの一部を裏面に形成されたキャビティーに実装配置することも、当然本発明の範囲内である。
【００２０】
前記積層基板の前記裏面には、積層基板の側面に形成された側面電極、あるいは積層基板内に形成されたビアホール電極を介して前記回路素子と接続する端子電極が形成されている。端子電極はＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等で形成されるが、特に限定されるものではない。
本実施例によれば、外形寸法が５．４ｍｍ×４．０ｍｍ×１．８ｍｍ（金属キャップ含む）の小型のマルチバンド高周波送受信モジュールを得ることが出来た。
【００２１】
なお本発明で利用される通信システムは上記実施例の通信システムに限定されることは無い。前記スイッチ回路３５を含む高周波回路を適宜選定して構成すれば、他の通信システムを扱うことが可能であり、ＧＳＭ８５０／ＥＧＳＭ／ＤＣＳ、ＧＳＭ８５０／ＥＧＳＭ／ＰＣＳ、ＤＣＳ／ＰＣＳ／ＧＳＭ８５０、ＤＣＳ／ＰＣＳ／ＥＧＳＭ、ＧＳＭ８５０／ＥＧＳＭ／ＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ）、ＧＳＭ８５０／ＥＧＳＭ／Ｗ−ＬＡＮ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）、ＧＳＭ８５０／ＥＧＳＭ／ＧＰＳ（ＧＬＯＢＡＬＰＯＳＩＴＩＯＮＩＮＧ  ＳＹＳＴＥＭ）、等々の３つ以上の異なる通信システムに対応することも当然可能である。
【００２２】
【発明の効果】
本発明によれば、極めて近い周波数帯を利用するアクセス方式のマルチバンド携帯電話に用いられる高周波部品において、アイソレーション特性に優れ、且つ小型のマルチバンド高周波送受信モジュールを提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールの回路ブロック図である。
【図２】本発明の一実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールの等価回路である。
【図３】本発明の一実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールの外観斜視図である。
【図４】本発明の一実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールに用いる第１のフィルタ回路の等価回路である。
【図５】本発明の他の実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールに用いる第１のフィルタ回路の等価回路である。
【図６】本発明の一実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールに用いる分波回路の等価回路である。
【図７】本発明の一実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールに用いるスイッチ回路の等価回路図である。
【図８】本発明の他の実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールに用いるスイッチ回路の等価回路図である。
【図９】本発明の他の実施例に係るマルチバンド高周波送受信モジュールに用いるスイッチ回路の等価回路図である。
【図１０】従来のマルチバンド用高周波スイッチモジュールの回路ブロックである。
【図１１】従来のマルチバンド用高周波スイッチモジュールの等価回路である。
【図１２】ＧＳＭ８５０とＥＧＳＭの送信・受信周波数帯の周波数配置図である。
【符号の説明】
１  マルチバンド用高周波スイッチモジュール
３  第１のフィルタ回路
５  第１のスイッチ回路
２０  分波回路
３０  第２のスイッチ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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