(57)【要約】【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置に関し、製造工程を増加させずに良好な表示品質を得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に互いにほぼ平行に形成された複数のゲートバスライン１２と、ゲートバスライン１２に絶縁膜を介して交差して基板上に形成された複数のドレインバスライン１４と、基板上にマトリクス状に配置された画素領域と、画素領域に形成された複数の電極ユニット２６と、電極ユニット２６間に形成されたスリット３４と、複数の電極ユニット２６を互いに接続する接続電極３６とを備えた画素電極１６と、画素領域毎に形成された薄膜トランジスタ１０とを有するように構成する。【選択図】　　図３
2004004460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に互いにほぼ平行に形成された複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された画素領域と、
前記画素領域に形成された複数の電極ユニットと、前記電極ユニット間に形成されたスリットと、前記複数の電極ユニットを互いに接続する接続電極とを備えた画素電極と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極は、前記画素領域の外周部に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットは、複数の幹部と、前記幹部から分岐して延びる複数の枝部と、前記枝部間のスペースとを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置用基板において、
前記スリットは、前記スペースの幅より広い幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は互いに交差して形成され、
前記電極ユニットは、前記複数の幹部により画定され、前記液晶をそれぞれ異なる方向に配向させる複数の配向領域を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットは、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインにほぼ平行又は垂直な４辺からなる長方形状の外周を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は、前記電極ユニット内に配置された１つの起点から、前記外周上に配置された４つの終点までを直線状に結ぶ形状を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項８】
請求項７記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点のうち少なくとも１つは、前記長方形の頂点に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極に電圧を印加したときに、前記液晶が垂直配向する位置を特定する垂直配向制御部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板と対向配置される対向電極が形成された液晶表示装置用基板であって、
前記対向電極に電圧を印加したときに、前記液晶が垂直配向する位置を特定する垂直配向制御部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の液晶表示装置用基板において、
前記垂直配向部は、
配向ベクトルの特異点の位置を制御する特異点制御部であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の液晶表示装置用基板において、
前記特異点制御部は、
基板上に部分的に設けた凸部又は凹部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
互いに隣接する前記電極ユニットは、前記電極ユニットの外周の１辺の両端部のいずれか一方だけに前記接続電極が接続され、隣接する２辺が交わる角部では、いずれか一方の辺の端部のみに前記接続電極が接続されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１４】
請求項１３記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットの外周全辺に前記接続電極が接続されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１５】
請求項１３記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットは、外周の各々の辺の一部から延びるスペースを有し、
前記スペースは、隣接する一辺に向かって当該辺の直前まで延びて形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットの基板面からの高さは、周縁部より低いこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１７】
請求項１６記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニット下層の絶縁層は開口されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項１８】
基板上に電極材料を成膜してパターニングし、電極ユニット及び接続電極を含む画素電極を形成し、
全面に絶縁膜を形成してからゲートバスラインを形成し、
ゲート絶縁膜を形成し、
チャネル層を形成し、
前記電極ユニット表面が露出するコンタクトホールを開口し、
ドレインバスライン形成金属層を成膜してパターニングし、ドレインバスライン及びドレイン電極、及び前記コンタクトホールを介して前記電極ユニットと接続されるソース電極を形成してＴＦＴを形成し、
所定領域の前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜を除去して、前記接続電極上に絶縁層を形成することにより、
前記画素電極形成領域をそれ以外の領域より低く形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項１９】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板に対向配置された対向基板と、前記２枚の基板間に封止され、負の誘電率異方性を有し、前記基板に対してほぼ垂直に配向する液晶とを有する液晶表示装置において、
前記２枚の基板の一方に、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の液晶表示装置において、
前記２枚の基板の外側に、それぞれ１／４波長板と偏光板とがこの順に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、大型化、高階調表示化及び高コントラスト化が図られている。
【０００３】
図７０は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置のＴＦＴ基板の１画素の構成を示している。図７０に示すように、ＴＦＴ基板上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１１２が互いにほぼ平行に複数形成されている（図７０では２本示している）。不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１１２に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１１４が互いにほぼ平行に複数形成されている（図７０では２本示している）。複数のゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４とで囲まれた領域が画素領域になっている。画素領域には、画素電極１１６が形成されている。また、画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１１２にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン１１８が形成されている。
【０００４】
ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１１０が形成されている。ＴＦＴ１１０のドレイン電極１２２は、ドレインバスライン１１４から引き出され、ゲートバスライン１１２上に形成された動作半導体層及びその上に形成されたチャネル保護膜（ともに図示せず）の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ＴＦＴ１１０のソース電極１２４は、ドレイン電極１２２に所定の間隙を介して対向し、動作半導体層及びチャネル保護膜の他端辺側に位置するように形成されている。ゲートバスライン１１２のチャネル保護膜直下の領域は、ＴＦＴ１１０のゲート電極として機能するようになっている。また、ソース電極１２４は、コンタクトホール（図示せず）を介して画素電極１１６に電気的に接続されている。
【０００５】
図７１は、図７０に示すＴＦＴ基板を用いて作製されたＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）モードの液晶表示装置の液晶分子の配向状態を示している。図中の矢印は、液晶層に電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を表している。図７１では、遮光膜（ＢＭ；Ｂｌａｃｋ　Ｍａｔｒｉｘ）１４０で画定された３画素を示している。図７１に示すように、配向膜にラビング等の配向処理を施さないＶＡモードの液晶表示装置では、電圧が印加されると液晶分子は様々な方向に傾斜する。この結果、各画素でそれぞれ異なる面積の配向領域が形成される。また各画素では、配向領域の境界線（ディスクリネーション）が、画素毎に配置の異なる暗線１４２として視認される。このため、特に斜め方向から表示画面を見たときに表示画面上にむらやざらつき、残像等が視認され、表示品質が極めて低くなってしまう。
【０００６】
液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）のモニタあるいはテレビ受像機として使用されるまでになっている。このようなアプリケーションにおいては、液晶表示装置があらゆる方向から見える広視野角化が必要とされている。
【０００７】
広視野角を実現する技術として、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置（以下、ＭＶＡ−ＬＣＤと略称する）が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
図７２は、ＭＶＡ−ＬＣＤの概略の断面構成を示している。図７２（ａ）は液晶層に電圧が印加されていない状態を示し、図７２（ｂ）は液晶層に所定の電圧が印加された状態を示している。図７２（ａ）、（ｂ）に示すように、ＭＶＡ−ＬＣＤは、対向して配置された２枚の基板３０２、３０４を有している。両基板３０２、３０４上には、透明電極（図示せず）が形成されている。また、一方の基板３０２上には樹脂等からなる線状の突起（土手）３０６が互いに平行に複数形成され、他方の基板３０４上には線状の突起３０８が互いに平行に複数形成されている。突起３０６、３０８は、基板面に垂直方向に見て、交互に配列するようになっている。
【０００９】
両基板３０２、３０４間には、負の誘電率異方性を有する液晶層１６０が封止されている。図７２（ａ）に示すように、液晶分子３１２は、両基板３０２、３０４の対向面に形成された垂直配向膜（図示せず）の配向規制力により基板面にほぼ垂直に配向している。突起３０６、３０８近傍の液晶分子３１２は、突起３０６、３０８により形成された斜面にほぼ垂直に配向する。すなわち、突起３０６、３０８近傍の液晶分子３１２は、基板面に対して傾いて配向している。
【００１０】
図７２（ｂ）に示すように、両基板３０２、３０４の透明電極間に所定の電圧が印加されると、突起３０６、３０８近傍の液晶分子３１２は、突起３０６、３０８の延伸方向に垂直な方向に傾斜する。その傾斜は突起３０６、３０８の間の各液晶分子３１２に伝播し、突起３０６、３０８間の領域の液晶分子３１２は同一方向に傾斜する。
【００１１】
このように、突起３０６、３０８を配置することにより、液晶分子３１２の傾斜方向を領域毎に規制することができる。突起３０６、３０８を互いにほぼ垂直な２方向に形成すると、液晶分子３１２は１画素内で４方向に傾斜する。各領域の視角特性が混合される結果、ＭＶＡ−ＬＣＤでは白表示又は黒表示において広い視野角が得られる。ＭＶＡ−ＬＣＤでは、表示画面に垂直な方向から上下左右方向への角度８０°においても１０以上のコントラスト比が得られている。
【００１２】
【特許文献１】
特許２９４７３５０号公報
【特許文献２】
特開２０００−３０５１００号公報
【特許文献３】
特開２００１−２４９３４０号公報
【特許文献４】
特開２００１−２４９３５０号公報
【特許文献５】
特開２００２−４０４３２号公報
【特許文献６】
特開２００２−４０４５７号公報
【特許文献７】
特開２０００−４７２５１号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図７２に示すＭＶＡ−ＬＣＤでは、突起３０６、３０８を形成する工程が新たに必要になるため、製造歩留まりが低下し、また製造コストが高くなってしまうという問題が生じる。
【００１４】
また突起３０６、３０８に代えて、透明電極の抜き部（スリット）を形成する手法がある。しかし、ＣＦ基板上の共通電極にスリットを形成すると、露出されたＣＦ層が液晶層と接触する。例えば色成分として顔料を分散した樹脂をＣＦ層に用いる場合には、顔料の無機成分が液晶層及び半導体層を汚染してしまうおそれがあるという問題が生じる。
【００１５】
図７３は、ＭＶＡ−ＬＣＤのＴＦＴ基板の他の構成を示している。図７３に示すように、画素電極１１６は、両バスライン１１２、１１４にほぼ平行又は垂直に延びる幹部１２８と、幹部１２８から分岐して斜めに延びる枝部１３０と、隣接する枝部１３０間のスペース１３２とを有している。図７３に示すＴＦＴ基板を用いて作製されたＭＶＡ−ＬＣＤでは、幹部１２８及び枝部１３０によって液晶分子の配向方向が決定される。
【００１６】
しかしながら、図７３に示すＴＦＴ基板を用いて作製したＭＶＡ−ＬＣＤは、液晶分子の応答時間が長いため、枝部１３０上で、液晶分子の配向ベクトルの特異点がランダムに発生してしまう。このため、特異点が画素毎あるいはフレーム毎に移動する。したがって、特に斜め方向から表示画面を見たときに表示画面上にむらやざらつき等が視認され、表示品質が低下してしまうという問題が生じる。
【００１７】
本発明の目的は、製造工程を増加させずに良好な表示品質を得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に互いにほぼ平行に形成された複数のゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された画素領域と、前記画素領域に形成された複数の電極ユニットと、前記電極ユニット間に形成されたスリットと、前記複数の電極ユニットを互いに接続する接続電極とを備えた画素電極と、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタとを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について、実施例１−１乃至１−６を用いて具体的に説明する。
【００２０】
（実施例１−１）
まず、本実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図４を用いて説明する。図１は、本実施例による液晶表示装置の概略構成を示している。液晶表示装置は、ＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板（絶縁性基板）２とＣＦ等が形成されたＣＦ基板（絶縁性の対向基板）４とを対向させて貼り合わせ、両基板２、４間に液晶を封止した構造を有している。
【００２１】
図２は、ＴＦＴ基板２上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。ＴＦＴ基板２上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１２が互いに平行に複数形成されている。絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１４が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１２とドレインバスライン１４とで囲まれた各領域が画素領域となる。マトリクス状に配置された各画素領域には、ＴＦＴ１０と画素電極１６が形成されている。各ＴＦＴ１０のドレイン電極は隣接するドレインバスライン１４に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン１２に接続され、ソース電極は画素電極１６に接続されている。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン１２と平行に蓄積容量バスライン１８が形成されている。これらのＴＦＴ１０や画素電極１６、各バスライン１２、１４、１６は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２２】
図１に戻り、ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン１２を駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスライン１４を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８１とが設けられている。これらの駆動回路８０、８１は、制御回路８２から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１２あるいはドレインバスライン１４に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の基板面には偏光板８３が配置され、偏光板８３のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８５が取り付けられている。一方、ＣＦ基板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板８４が貼り付けられている。
【００２３】
図３は、ＴＦＴ基板２の１画素の構成を示している。図３に示すように、ＴＦＴ基板２上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１２が、互いにほぼ平行に例えば３００μｍ間隔で複数形成されている（図３では２本示している）。不図示の絶縁膜を介してゲートバスライン１２にほぼ垂直に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１４が、互いにほぼ平行に例えば１００μｍ間隔で複数形成されている（図３では２本示している）。複数のゲートバスライン１２とドレインバスライン１４とで囲まれた領域が画素領域になっている。画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１２にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、画素毎に蓄積容量電極２０が形成されている。
【００２４】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１０が形成されている。ＴＦＴ１０のドレイン電極２２は、ドレインバスライン１４から引き出され、ゲートバスライン１２上に形成された動作半導体層及びその上に形成されたチャネル保護膜（ともに図示せず）の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ＴＦＴ１０のソース電極２４は、ドレイン電極２２に所定の間隙を介して対向し、動作半導体層及びチャネル保護膜の他端辺側に位置するように形成されている。ゲートバスライン１２のチャネル保護膜直下の領域は、ＴＦＴ１０のゲート電極として機能するようになっている。
【００２５】
画素領域には、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜からなる画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、長方形状の外周を有し、画素領域より小さい複数の電極ユニット２６と、隣接する電極ユニット２６間に形成された電極の抜き部（スリット）３４と、スリット３４で分離された電極ユニット２６を互いに電気的に接続する接続電極３６とを有している。図３では、蓄積容量バスライン１８を挟んで、図中上下方向に３個ずつ（合計６個）の電極ユニット２６が配置されている。
【００２６】
電極ユニット２６は、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４にほぼ平行又は垂直に延びる十字状の電極（幹部）２８を有している。また電極ユニット２６は、幹部２８から分岐して幹部２８に対して斜めに櫛形状に延びる複数の電極（枝部）３０と、隣接する枝部３０間の電極の抜き部（スペース）３２とを有している。電極ユニット２６は、幹部２８により４つのほぼ同面積の配向領域に分割されている。電極ユニット２６中の４つの矢印は、液晶分子の傾斜方向（液晶分子のＣＦ基板４側が傾く方向）を表している。電圧印加時の液晶分子は、枝部３０にほぼ平行に、かつ幹部２８に向かって傾斜する。
【００２７】
電極ユニット２６のゲートバスライン１２に平行な方向の幅Ｗｇは、例えば７７μｍである。またドレインバスライン１４に平行な方向の幅Ｗｄは、例えば３５μｍである。幹部２８と枝部３０とのなす角は、例えば４５°である。スリット３４の幅ｄ１は例えば７μｍであり、スペース３２の幅ｄ２は幅ｄ１より狭い３μｍである（ｄ１＜ｄ２）。
【００２８】
画素電極１６には、スペース３２が形成されていないコンタクト領域３８が、ソース電極２４近傍に形成されている。また画素電極１６には、スペース３２が形成されていないコンタクト領域３９が、蓄積容量電極２０近傍に形成されている。画素電極１６は、コンタクト領域３８に形成されたコンタクトホール（図示せず）を介してソース電極２４に電気的に接続され、コンタクト領域３９に形成されたコンタクトホール（図示せず）を介して蓄積容量電極２０に電気的に接続されている。コンタクト領域３８、３９近傍では、電極で囲まれた閉じた空間が生じないように、一部の枝部３０が他の枝部３０より短い長さで形成されている。
【００２９】
図４は、本実施例による液晶表示装置の偏光板等の配置を示している。図４に示すように、液晶層４８を挟んで、互いにクロスニコルに偏光板８３、８４が配置されている。液晶層４８と偏光板８３との間には、１／４波長板４５が配置されている。また液晶層４８と偏光板８４との間には、１／４波長板４４が配置されている。液晶層４８と１／４波長板４５、４４との間には、視角特性を向上させるために、ＴＡＣフィルム４６のような負の位相差を有する層が配置されてもよい。なお、図中上方が観察者側になり、図中下方が光源側になっている。
【００３０】
１／４波長板４５の光学軸（遅相軸）９１と、偏光板８３の吸収軸９０とのなす角は、ほぼ４５°である。すなわち、光源から射出された光が偏光板８３と１／４波長板４５とをこの順に透過すると円偏光になる。また、１／４波長板４４の光学軸９４と、偏光板８４の吸収軸９５とのなす角は、ほぼ４５°である。両１／４波長板４４、４５の光学軸９４、９１は互いにほぼ直交している。視野角の対称性を実現し、さらに表示画面に対して上下左右方向での視角特性を最適化するために、偏光板８３、８４、１／４波長板４４、４５は以下のように配置されている。
【００３１】
偏光板８３の吸収軸９０は、表示画面の右方（３時の方位）を基準として、反時計回りに１５５°の方向に配置されている。１／４波長板４５の光学軸９１及び液晶層４８の光源側に配置されたＴＡＣフィルム４６の光学軸９２は、表示画面の右方を基準として、反時計回りに２０°の方向に配置されている。液晶層４８の観察者側に配置されたＴＡＣフィルム４６の光学軸９３及び１／４波長板４４の光学軸９４は、表示画面の右方を基準として、反時計回りに１１０°の方向に配置されている。偏光板８４の吸収軸９５は、表示画面の右方を基準として、反時計回りに６５°の方向に配置されている。
【００３２】
本実施の形態では、複数の電極ユニット２６を画素領域内に配置することにより、液晶層に印加される斜め電界の方向が異なる領域を比較的狭い間隔で複数形成している。こうすることにより、液晶分子に印加される斜め電界の傾斜角が大きくなり、液晶分子に対する配向規制力が強くなる。このため、ＣＦ基板４側に突起が形成されていなくても、液晶分子を所望の方向に傾斜させることができる。
【００３３】
また、本実施の形態では、両基板２、４の外側に、それぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とがこの順に配置されている。こうすることにより、クロスニコルに配置された偏光板８３、８４のみを用いた場合には白表示の際の光の透過率が約４％であるのに対し、約７％の光の透過率が得られる。これにより、図７０に示す液晶表示装置用基板に突起を形成した従来のＭＶＡ−ＬＣＤ（透過率約５％）と比較しても、光の透過率が約１．５倍となる。このため、輝度の高い明るい表示が得られる液晶表示装置を実現できる。
【００３４】
（実施例１−２）
次に、本実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板について、図５乃至図７を用いて説明する。図５は、本実施例による液晶表示装置用基板の１画素の構成を示している。図３に示すＴＦＴ基板２の構成では、ＴＦＴ１０のソース電極２４と画素電極１６との間には所定の間隙が形成されている。この間隙では液晶分子の配向が不良になり、暗線が発生してしまうことがある。本実施例によるＴＦＴ基板２の画素電極１６では、暗線の発生を抑制するために、枝部３０が幹部２８に対して斜め４５度に固執せずに形成されている。図５に示すように、ソース電極２４近傍の領域Ａでは、ドレインバスライン１４にほぼ垂直に枝部３０が形成されている。領域Ｂでは、ゲートバスライン１２にほぼ垂直に枝部３０が形成されている。また、蓄積容量電極２０近傍の領域Ｃでは、ドレインバスライン１４にほぼ垂直に枝部３０が形成されている。
【００３５】
図６は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示している。図６に示すように、蓄積容量電極２０近傍の領域Ｄでは、蓄積容量バスライン１８にほぼ垂直に、あるいは蓄積容量電極２０から突出して形成された接続電極の突出方向にほぼ平行に、枝部３０が形成されている。
【００３６】
図７は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の他の変形例を示している。図７に示すように、蓄積容量電極２０近傍の領域Ｅでは、幹部２８が、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４に対して斜めに形成され、接続電極３６の先端部上に配置されるようになっている。これにより、幹部２８の延伸方向が枝部３０に対してほぼ平行になり、液晶分子の配向不良が軽減される。
【００３７】
（実施例１−３）
次に、本実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板について図８を用いて説明する。図８は、本実施例による液晶表示装置用基板の１画素の構成を示している。図８に示すように、画素領域には、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びるスリット３４が形成されている。また、画素領域の図中上半分の領域では、領域Ｆにゲートバスライン１２にほぼ平行に延びるスリット３４が形成されている。これに対し、画素領域の図中下半分の領域の領域Ｇでは、ゲートバスライン１２にほぼ平行に延びるスリットが形成されていない。これにより、画素領域の上半分の領域は、画素領域の下半分の領域に比較して、多数の電極ユニット２６が形成されている。
【００３８】
こうすることにより、画素領域の下半分の領域では、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びる幹部２８上で液晶分子の動きが悪く、応答時間が長くなる。これに対し、画素領域の上半分の領域では、液晶分子の配向領域を細かく分割することができるため、液晶分子の応答時間が短縮され、良好な表示特性が得られる。
【００３９】
（実施例１−４）
次に、本実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板について図９を用いて説明する。図９は、本実施例による液晶表示装置用基板の１画素の構成を示している。図９に示すように、画素電極１６は、複数の電極ユニット２６と、電極ユニット２６間に形成されたスリット３４と、複数の電極ユニット２６を互いに接続する接続電極３６とを有している。電極ユニット２６は、実施例１−１乃至１−３と異なり、幹部２８、枝部３０及びスペース３２を有していない。
本実施例によれば、液晶分子の応答時間は長いものの、実施例１−２及び１−３と比較して約１割高い光透過率が得られる。
【００４０】
（実施例１−５）
次に、本実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、本実施例による液晶表示装置用基板の１画素の構成を示している。図１０に示すように、領域Ｈでは、枝部３０の延びる方向をゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４に対して斜め方向のみとしている。こうすることにより、液晶分子の配向方向が急激に変化する領域が形成されないため、液晶分子の良好な配向が得られる。
【００４１】
図１１は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示している。図１１に示すように、本変形例では、図１０に示す液晶表示装置用基板と異なり、画素領域の端部（領域Ｉ）に接続電極３６が形成されている。接続電極３６が電極ユニット２６の中央部間に形成されていると、複数の電極ユニット２６の幹部２８と接続電極３６とが繋がり、ドレインバスライン１４にほぼ平行な直線状の電極が形成されてしまう。これにより、幹部２８の長さが実質的に長くなってしまうために特異点の位置が固定されず、表示にざらつきが生じることがある。これに対し、本変形例によれば、特異点の位置が固定され、表示のざらつきを抑制できる。
【００４２】
（実施例１−６）
次に、本実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板について図１２乃至図１５を用いて説明する。図１２は、本実施例による液晶表示装置用基板の１画素の構成を示している。図１２に示すように、本実施例では、図９に示した実施例１−４と同様の電極ユニット２６に、電極ユニット２６の外周部からゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４にほぼ平行又は垂直に延びるスペース３３が複数形成されている。これにより、幹部２８、枝部３０及びスペース３２からなる電極ユニット２６のパターンが簡略化されたような構成になっている。本実施例によれば、画素領域の外周部では、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４にほぼ垂直に延びるスペース３３が形成されているため、液晶分子の安定した配向が得られる。
【００４３】
図１３は本実施例による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示している。図１３に示すように、本変形例では、電極ユニット２６の形成パターンが、さらに簡略化されている。図１４は図１３のＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置の断面構成を示している。図１４に示すように、ＴＦＴ基板２を構成するガラス基板５２上の全面には、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる絶縁膜５４が形成されている。絶縁膜５４上には、ドレインバスライン１４が形成されている。ドレインバスライン１４上の全面には、例えばＳｉＮ膜からなる保護膜５６が形成されている。保護膜５６上には、画素領域の外周部に配置された接続電極３６が形成されている。一方、ＴＦＴ基板２に対向して配置されたＣＦ基板４は、ガラス基板５３と、ガラス基板５３上に形成された共通電極５８とを有している。ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４との間のセルギャップは、ＴＦＴ基板２の接続電極３６上に樹脂等で形成された柱状スペーサ６０により保持されている。
【００４４】
本変形例では、接続電極３６からの電界が柱状スペーサ６０により遮蔽されるため、ディスクリネーションが確実に柱状スペーサ６０近傍で発生する。このため、液晶分子の安定した配向が得られ、良好な表示特性が得られる。また、本変形例による液晶表示装置の透過率は、従来のＭＶＡ−ＬＣＤの透過率に比較して、約４割程度向上する。また、電極ユニット２６の形成パターンが簡略化されているため、パターニングの際に電極ユニット２６の形状が画素毎に異なってしまうことがない。したがって、輝度むらのない良好な表示特性が得られる。
【００４５】
図１５は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成の他の変形例を示し、図１４に対応する断面を示している。図１５に示すように、本変形例では、接続電極３６上に、例えばＳｉＮ膜からなる誘電体６２が形成されている。本変形例によっても、接続電極３６からの電界が誘電体６２により遮蔽されるため、図１４に示す変形例と同様の効果が得られる。
【００４６】
本実施の形態による液晶表示装置用基板は、上記実施例１−１乃至１−５で説明した構成に限られない。図１６は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の一例を示している。図１６に示すように、画素領域の上半分にはドレインバスライン１４の延びる方向に長い電極ユニット２６が形成され、画素領域の下半分にはゲートバスライン１２の延びる方向に長い電極ユニット２６が形成されている。
【００４７】
図１７は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の他の例を示している。図１７に示すように、画素領域には、バスライン１２、１４に対して斜めに延びる電極ユニット２６が形成されている。従来のＭＶＡ−ＬＣＤと比較すると、スリット３４の配置間隔が狭くなっている。
【００４８】
図１８は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成のさらに他の例を示している。図１８に示すように、電極ユニット２６の形状は、図６に示す液晶表示装置用基板の構成と同様である。図６に示す液晶表示装置用基板では接続電極３６が画素領域の中央部に形成されているのに対し、本例では接続電極３６が画素領域の外周部に形成されている。
【００４９】
本実施の形態によれば、製造工程を増加させずに良好な表示品質を得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を実現できる。
【００５０】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について説明する。本実施の形態では、（１）樹脂等からなる突起を設けず、（２）配向膜に対してラビング等による配向規制力を与えず（すなわち液晶分子が基板面に対して垂直な方向へ配向するようにする）、さらに（３）ＴＦＴ基板２側の画素電極１６の形成パターンを変化させるだけで液晶分子の配向方向を規制するという３つの条件を満たしつつ、電圧印加時に液晶分子を複数の所望の方向へ傾斜させている。
【００５１】
本実施の形態による液晶表示装置用基板は、画素領域より小さい複数の電極ユニット２６を画素領域内に有している。電極ユニット２６は、十字状に延びる幹部２８と、幹部２８から分岐して電極ユニット２６の外側に向かって延びる枝部３０とを有している。
【００５２】
電極ユニット２６の大きさが大きいと、幹部２８の長さが長くなってしまう。このため、幹部２８上において液晶分子の配向方向を規制し難くなり、配向不良が生じ易くなってしまう。一方、電極ユニット２６の大きさが小さいと、枝部３０による液晶分子の配向規制力が弱くなってしまう。また画素領域内で、電極ユニット２６を複数配列するために設けられるスリット３４の占める面積が大きくなってしまうため、表示輝度が低下してしまう。したがって、電極ユニット２６は、適切な大きさに形成される必要がある。具体的には、枝部３０の最大の長さが２５μｍ以下になるようにする。
【００５３】
本実施の形態によれば、以下に挙げるような効果が得られる。
（１）ＣＦ基板４側には突起等の配向規制用構造物が不要であるため、製造プロセスが減少する。
（２）ＴＦＴ基板２側の画素電極１６の形成パターンのみにより、液晶分子の傾斜方向を規制する。これにより従来の画素電極１６形成プロセスと同一のプロセスで形成ことができるため、製造プロセスが増加することがない。
（３）両基板２、４に形成する配向膜は、垂直配向膜を塗布、成膜するだけであり、布ラビングや光配向など、配向規制力を付与するプロセスが不要となる。
上記のように、製造プロセスの増加による製造歩留まりの低下が生じないため、結果的に製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【００５４】
また本実施の形態によれば、比較的大きさの小さい複数の電極ユニット２６で画素電極１６を構成することにより、以下のような効果が得られる。
（４）１つの電極ユニット２６内で、４方向に延びる枝部３０により液晶分子の傾斜方向を規制しているため、従来の構成と比較して液晶分子の配向規制力が強くなり、配向の乱れが起こり難い。また、複数の電極ユニット２６が配置されることにより、配向不良が発生した際の影響を小さくすることができる。
（５）配向領域の境界線となる幹部２８の長さが短くなるため、幹部２８での配向規制力（方向づけ）は長さが長い場合よりも大きくなる。このため、幹部２８での特異点の発生を抑制できる。
（６）電極ユニット２６の大きさが小さいことにより、画素電極１６の電界による配向規制力を大きくすることができるため、応答時間をより短縮することができる。
【００５５】
さらに、本実施の形態を適用して作製された液晶表示パネルと偏光板８３、８４との間に、互いに直交する光学軸を有する一対の１／４波長板４４、４５を配置している。このため、偏光板８３、８４のみを配置した場合に配向領域の境界線上でも光を透過させることができ、暗線が生じないため、全体的な輝度を高くすることが可能となる。
【００５６】
また、隣接する電極ユニット２６間を電気的に接続する接続電極３６をドレインバスライン１４に隣接する画素領域端部に形成している。このため、隣接する電極ユニット２６の幹部２８が一直線上に繋がらないので、一旦できた配向不良を隣接する電極ユニット２６へ連結させないようにすることができる。このため、良好な表示特性が得られる。以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について、実施例２−１乃至２−３を用いて具体的に説明する。
【００５７】
（実施例２−１）
まず、本実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板について図１９乃至図２６を用いて説明する。図１９は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成を示している。図１９に示すように、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２は、例えば３００μｍ間隔で形成され、図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４は、例えば１００μｍ間隔で形成されている。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４は、例えば７μｍの幅を有している。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の端部と画素電極１６の端部との間隔は、例えば８μｍである。すなわち、ほぼ長方形状の外周を有する画素電極１６の短辺は約７７μｍになる。
【００５８】
画素電極１６は、一辺の長さが２０μｍ以上８０μｍ以下の長方形状の外周を有する電極ユニット２６を複数有している（図１９では、３５μｍ×３５μｍの正方形状の外周を有する電極ユニット２６が１２個形成されている）。電極ユニット２６は、ゲートバスライン１２の延びる方向に２個配置され、ドレインバスライン１４の延びる方向に６個（蓄積容量バスライン１８を挟んで３個ずつ）配置されている。各電極ユニット２６は、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４にほぼ平行又は垂直な４辺からなる正方形状の外周を有している。電極ユニット２６には、外周の正方形の頂点をたすき状に結んだ交点を起点とし、外周の正方形の４つの頂点をそれぞれ終点とする直線状に延びる幹部２８が十字状に形成されている。幹部２８はほぼ同一幅の長方形状（長手方向の２辺がほぼ平行）であり、電極ユニット２６外周の形状に合わせて先端部（終点近傍）のみ三角形状に幅が細くなっている。幹部２８は、３μｍ以上１０μｍ以下の幅を有している。電極ユニット２６は、幹部２８により画定され、液晶分子をそれぞれ異なる方向に配向させる４つの配向領域を有している。
【００５９】
また電極ユニット２６は、幹部２８から分岐して、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４にほぼ平行又は垂直（幹部２８に対して斜め）に延びる複数の枝部３０を有している。枝部３０は、２μｍ以上１０μｍ以下（例えば３μｍ）の幅を有し、２５μｍ以下の長さを有している。隣接する枝部３０間にはスペース３２が形成されている。スペース３２は、２μｍ以上１０μｍ以下（例えば３μｍ）の幅を有している。幹部２８と枝部３０とがなす角度は、例えば４５°である。また、電極ユニット２６外周の各辺と枝部３０とがなす角度は、例えば９０°である。
【００６０】
１２個の電極ユニット２６はほぼ同形状であるが、いくつかの電極ユニット２６は形状に変化が加えられている。画素電極１６は、ＴＦＴ１０のソース電極２４に電気的に接続する必要がある。このため、保護膜５６（図１９では図示せず）に形成されたコンタクトホール（図示せず）を介して画素電極１６とソース電極２４とが接続される。コンタクトホールを形成する際のパターニングずれのマージンを考慮し、画素電極１６とソース電極２４とを接続する領域は、ある程度大きな大きさの画素電極形成層が必要となる。このため、図１９の画素領域の左上の電極ユニット２６には、約１５μｍ×１５μｍの正方形状の領域に画素電極形成材料が全面に形成されたコンタクト領域（ベタ電極）３８が配置されている。
【００６１】
また、画素領域の図中下方には、下方に隣接する画素領域のＴＦＴ１０のドレイン電極２２がはみ出して形成されている。画素電極１６が、基板面に垂直方向に見てドレイン電極２２に重なって形成されると、この領域における液晶分子の配向に乱れが生じ、クロストークが発生してしまう可能性がある。このため、画素電極１６とドレイン電極２２は重ならないように形成する必要がある。このためには、この領域にあたる電極ユニット２６（図１９で左下）の形状をドレインバスライン１４に沿う方向（縦方向）に短くして形成する必要がある。具体的には、その他の電極ユニット２６の外周の形状が３５μｍ×３５μｍの正方形状であるのに対し、この領域の電極ユニット２６の外周の形状は、縦方向の長さを１０μｍ短くした２５μｍ×３５μｍの長方形状である。幹部２８の起点は電極ユニット２６のほぼ中央に配置され、終点は外周の長方形のうちゲートバスライン１２にほぼ平行な２辺に２個ずつ配置される。
【００６２】
電極ユニット２６を複数配列する場合、互いに隣接する電極ユニット２６間には、電極ユニット２６間を電気的に分離するスリット３４が形成される。スリット３４は、４μｍ以上１０μｍ以下（例えば７μｍ）の幅を有している。ただし、同一の画素領域内の各電極ユニット２６間は、電気的に接続されている必要がある。このため、各電極ユニット２６間には、各電極ユニット２６間を接続する接続電極３６が設けられている。接続電極３６は、ドレインバスライン１４近傍（画素領域外周部）に配置されている。具体的には、電極ユニット２６の４つの幹部２８のうち、ドレインバスライン１４に隣接する側の幹部２８間を接続するように接続電極３６が形成されている。接続電極３６の延びる方向は、幹部２８の延びる方向に対して約４５°傾斜している。ゲートバスライン１２方向に隣接する電極ユニット２６間は、蓄積容量バスライン１８（蓄積容量電極２０）上に形成された接続電極３６により接続されている。蓄積容量バスライン１８は、基板面に垂直方向に見て、スリット３４に重なるように形成されている。
【００６３】
図１９では図示していないが、ＴＦＴ基板２に対向配置されるＣＦ基板４側には、画素領域端部を遮光するＢＭ４０が形成されている。ＢＭ４０は例えば幅２３μｍで格子状に形成されている。ゲートバスライン１２の延びる方向の格子間隔は１００μｍであり、ドレインバスライン１４の延びる方向の格子間隔は３００μｍである。ＢＭ４０の開口部には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかのＣＦ樹脂層が形成されている。ＣＦ樹脂層上には、例えばＩＴＯからなる共通電極が全面に形成されている。
【００６４】
両基板２、４の対向面には配向膜が形成されている。配向膜は垂直配向性を有し、定常の状態では液晶分子を基板面（配向膜面）に対して垂直方向に配向させる。液晶表示装置は、両基板２、４が貼り合わされた液晶セルに、負の誘電率異方性を有する液晶が注入及び封止されて製造されている。
【００６５】
図２０は、本実施例による液晶表示装置の液晶分子の配向状態及び表示状態を示している。図中の矢印は、液晶層に電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を表している。図２０では、ＢＭ４０で画定された３画素を示している。図２０に示すように、本実施例による液晶表示装置では、各電極ユニット２６の外周の正方形の対角線を境界線とする４つの配向領域が形成される。各配向領域では、液晶分子が電極ユニット２６の中心部に向かう方向に傾斜している。また、１画素内では各配向領域の面積はほぼ同じである。
【００６６】
１つの電極ユニット２６は、画素領域に比較して小さい約３５μｍ×３５μｍの大きさで形成されている。このため、画素電極１６の幹部２８及び枝部３０の先端部での電界の効果が比較的大きく、液晶分子の配向規制力を強くすることができる。また、本実施例による液晶表示装置では、電極ユニット２６間を接続する接続電極３６がドレインバスライン１４近傍に配置されている。このため、スリット３４を介して隣接する２つの電極ユニット３６上の液晶分子の傾斜方向を連結してしまう配向不良が生じ難くなるため、表示品質の低下を防ぐことができる。
【００６７】
なお、配向領域の境界線は暗線４２として視認され、スリット３４が形成された領域は暗線４３として視認される。しかし、これらの暗線４２、４３は各画素で同じ位置に生じるため、表示品質が低下することはない。
【００６８】
図２１は、本実施例による液晶表示装置の両基板２、４の外側に、それぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とがこの順に配置された液晶表示装置の液晶分子の配向状態及び表示状態を示している。図２１に示すように、両基板２、４の外側に、それぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とがこの順に配置された液晶表示装置では、光の透過率が液晶分子の傾斜方向に依存しないため、電極ユニット３６の中心部に形成される特異点が暗点５０として視認される他には暗線４２が視認されない。このため、より輝度の高い表示が実現できる。
【００６９】
図２２乃至図２５は、電極ユニット２６の形成パターンを示している。図２２乃至図２５において、各配向領域に配置された矢印は、液晶分子の傾斜方向を示している。図２２（ａ）は、図１９に示す電極ユニット２６と同様の電極ユニット２６の形成パターンを示している。図２２（ａ）に示すように、幹部２８の終点Ｇ１〜Ｇ４は外周の長方形の各頂点に配置されている。また、幹部２８の起点Ｓは、終点Ｇ１〜Ｇ４のうち隣接しない２つの終点同士（Ｇ１とＧ３、Ｇ２とＧ４）をたすき状に結んだ対角線の交点に配置されている。外周が正方形状である場合、両対角線は直交する。起点Ｓから４つの終点Ｇ１〜Ｇ４までを結ぶ直線は、配向領域を画定する境界線になり、完成した液晶表示装置では暗線４２になる。枝部３０は、幹部２８から斜めに分岐している。枝部３０の延びる方向は、電極ユニット２６の外周の一辺に対して９０°の角度を有している。
【００７０】
起点Ｓの座標は、隣接する２つの終点（Ｇ１とＧ２、Ｇ２とＧ３、Ｇ３とＧ４、Ｇ４とＧ１）の間の座標になっている。また、起点Ｓから隣接する２つの終点を結ぶ２つの直線がなす角度は１８０°よりも小さくなっている。この角度は、９０°程度が望ましい。このように幹部２８の形状を設定することにより、各配向領域が、歪な形状でなく可能な限り等しい面積で４分割されるようになる。上記の条件を満たせば、電極ユニット２６の形状を変更できる。
【００７１】
図２２（ｂ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第１の変形例を示している。図２２（ｂ）に示すように、起点Ｓは電極ユニット２６内の任意の位置に配置されている。終点Ｇ１〜Ｇ４は、電極ユニット２６の外周の長方形の各辺に１つずつ配置されている。なお、本実施の形態では、「辺」には当該辺の両端の頂点が含まれるものとする。
【００７２】
図２２（ｃ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第２の変形例を示している。図２２（ｃ）に示すように、起点Ｓは電極ユニット２６内の任意の位置に配置されている。電極ユニット２６の外周の長方形のうち一辺に終点Ｇ１、Ｇ４が配置され、当該一辺に対峙する辺に終点Ｇ３が配置されている。また、その他の辺に終点Ｇ２が配置されている。
【００７３】
図２２（ｄ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第３の変形例を示している。図２２（ｄ）に示すように、起点Ｓは電極ユニット２６内の任意の位置に配置されている。電極ユニット２６の外周の長方形のうち一辺に終点Ｇ１、Ｇ４が配置され、当該一辺に対峙する辺以外の２辺に終点Ｇ２、Ｇ３がそれぞれ配置されている。
【００７４】
図２２（ｅ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第４の変形例を示している。図２２（ｅ）に示すように、起点Ｓは電極ユニット２６内の任意の位置に配置されている。電極ユニット２６の外周の長方形のうち一辺に終点Ｇ１、Ｇ４が配置され、当該一辺に対峙する辺に終点Ｇ２、Ｇ３が配置されている。
【００７５】
図２２（ｆ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第５の変形例を示している。図２２（ｆ）に示すように、起点Ｓは電極ユニット２６内の任意の位置に配置されている。終点Ｇ１〜Ｇ４は、電極ユニット２６の外周の長方形の頂点にそれぞれ配置されている。
【００７６】
図２２（ｇ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第６の変形例を示している。図２２（ｇ）に示すように、終点Ｇ１〜Ｇ４は、電極ユニット２６の外周の長方形の各辺にそれぞれ配置されている。起点Ｓは、終点Ｇ１〜Ｇ４のうち隣接しない２つの終点同士（Ｇ１とＧ３、Ｇ２とＧ４）をたすき状に結んだ直線の交点に配置されている。
【００７７】
図２２（ｈ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第７の変形例を示している。図２２（ｈ）に示すように、終点Ｇ１〜Ｇ４は、電極ユニット２６の外周の長方形の各辺を等分する位置にそれぞれ配置されている。起点Ｓは、終点Ｇ１〜Ｇ４のうち隣接しない２つの終点同士（Ｇ１とＧ３、Ｇ２とＧ４）をたすき状に結んだ直線の交点に配置されている。
【００７８】
図２３（ａ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第８の変形例を示している。図２３（ａ）に示すように、終点Ｇ１〜Ｇ４は、電極ユニット２６の外周の長方形の頂点にそれぞれ配置されている。起点Ｓは、終点Ｇ１〜Ｇ４のうち隣接しない２つの終点同士（Ｇ１とＧ３、Ｇ２とＧ４）をたすき状に結んだ直線の交点に配置されている。枝部３０の延びる方向は、電極ユニット２６の外周の一辺に対して４５°以上９０°以下の角度θ１を有している。各配向領域では、枝部３０の延びる方向が互いにほぼ平行になっている。本変形例では液晶分子の方位角方向が上記実施例及び変形例と異なってしまう。しかし、液晶表示装置の両基板２、４の外側に、それぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とをこの順に配置すれば、光の透過率が液晶分子の方位角方向に依存しないため、本変形例を適用できる。
【００７９】
図２３（ｂ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第９の変形例を示している。図２３（ｂ）に示すように、幹部２８の形状は第８の変形例と同様である。枝部３０の延びる方向は、電極ユニット２６の外周の一辺に対してほぼ４５°の角度θ２を有している。この場合、枝部３０は幹部２８の一方からのみ分岐する。各配向領域では、枝部３０の延びる方向が互いにほぼ平行になっている。
【００８０】
図２３（ｃ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第１０の変形例を示している。図２３（ｃ）に示すように、幹部２８の形状は第８及び第９の変形例と同様である。枝部３０の延びる方向は、各配向領域内で互いに非平行になっている。例えば、４つの枝部３０の延びる方向と電極ユニット２６の外周の一辺とがなす角度を順（起点Ｓを基準とした時計回り方向）に、θ３（θ３≦９０°）、θ４、θ５、θ６とすると、４５°≦θ３≦θ４≦θ５≦θ６≦１３５°になっている。すなわち、複数の枝部３０は、互いにほぼ扇状に広がるように延伸している。ここで、角度θ３と角度θ６との差が大きすぎると外周では枝部３０の間隔が広くなってしまい、幹部２８近傍では枝部の間隔が狭くなってしまう。このため、設定可能な角度θ３〜θ６の範囲は自ずと限られる。
【００８１】
図２４（ａ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第１１の変形例を示している。図２４（ａ）に示すように、幹部２８は、根本部（起点）から先端部（終点）までに徐々に細くなる幅を有している。
【００８２】
図２４（ｂ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第１２の変形例を示している。図２４（ｂ）に示すように、幹部２８は、ほぼ同一幅の長方形状に形成されている。幹部２８の先端部は外周の長方形内に収まっていてもよいし、外周の長方形からはみ出していてもよい。
【００８３】
図２４（ｃ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第１３の変形例を示している。図２４（ｃ）に示すように、幹部２８は、途中で「く」の字状に屈曲して形成されている。図２４（ａ）〜（ｃ）に示すように形状を変化させても、幹部２８は配向領域の境界として機能するため、液晶分子の配向状態に関しては大きな変化はない。
【００８４】
図２５（ａ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第１４の変形例を示している。図２５（ａ）に示すように、枝部３０は、幹部２８に接続された根本部から先端部までに徐々に細くなる幅を有している。図示を省略しているが、枝部３０は先端部のみ細い幅で形成されてもよいし、途中で屈曲して形成されてもよい。
【００８５】
図２５（ｂ）は、電極ユニット２６の形成パターンの第１５の変形例を示している。図２５（ｂ）に示すように、起点を中心として対峙する幹部２８が、互いにずれた状態で形成されている。具体的には、ずれ幅Ｗ２を幹部２８の幅Ｗ１以上にする（Ｗ２≧Ｗ１）。こうすることにより、特異点近傍での液晶分子の回転方向（境界ドメインの回転方向）を固定させることができる。このように形状を変化させても、幹部２８は配向分割の境界として機能するため、液晶分子の配向状態に関しては大きな変化はない。なお、ずれ幅Ｗ２は、幹部２８の幅Ｗ１より狭くても構わない（Ｗ２＜Ｗ１）。
【００８６】
図２６は、接続電極３６の形成パターンを示している。図２６において、スリット３４に配置された破線の矢印は、スリット３４上の液晶分子の傾斜方向を示している。図２６（ａ）は、図１９に示す接続電極３６と同様の接続電極３６の形成パターンを示している。図２６（ａ）に示すように、接続電極３６は、スリット３４を介して対向する幹部２８の先端部間に形成されている。
【００８７】
図２６（ｂ）は、接続電極３６の形成パターンの第１の変形例を示している。図２６（ｂ）に示すように、接続電極３６は、互いにほぼ平行に延びてスリット３４を介して対向する枝部３０の先端部間に形成されている。接続電極３６の延びる方向は、枝部３０の延びる方向にほぼ平行である。
【００８８】
図２６（ｃ）は、接続電極３６の形成パターンの第２の変形例を示している。図２６（ｃ）に示すように、接続電極３６は、スリット３４を介して対向する枝部３０以外の枝部３０の先端部間に形成されている。接続電極３６の延びる方向は、枝部３０の延びる方向に対して斜めである。
【００８９】
図２６（ｄ）は、接続電極３６の形成パターンの第３の変形例を示している。図示していないが、電極ユニット２６の図中右側には、図中上下方向に延びるドレインバスライン１４が隣接して形成されている。図２６（ｄ）に示すように、接続電極３６は、ドレインバスライン１４側に延びる枝部３０間に配置され、枝部３０の延びる方向にほぼ平行に延びる延伸部３６ａと、延伸部３６ａ間を接続し、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びる接続部３６ｂとを有している。
【００９０】
また、接続電極３６に代えて、幹部２８及び枝部３０と異なる形成材料で形成され、ソース電極２４と、電極ユニット２６とを接続する第２の接続電極が形成されていてもよい。第２の接続電極は、例えばソース電極２４と電極ユニット２６の起点近傍との間に形成される。
【００９１】
第１乃至第１５の変形例によっても上記実施例と同様の効果を得ることができる。なお、図２２乃至図２５では、ほぼ正方形状の外周を有する電極ユニット２６を示しているが、電極ユニット２６は他の長方形状の外周を有していてもよい。また、電極ユニット２６は長方形に準ずる形状の外周を有していてもよい。一例としては、長方形の各頂点近傍に所定半径の丸みが形成されているような形状が挙げられる。
【００９２】
（実施例２−２）
次に、本実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板について図２７乃至図２９を用いて説明する。図２７は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成を示している。本実施例では、電極ユニット２６が７７μｍ×３５μｍの長方形状の外周を有している。幹部２８の起点は電極ユニット２６の中心部に配置され、幹部２８の終点は電極ユニット２６の外周の長方形の各辺を等分する位置に配置されている。すなわち、電極ユニット２６は、図中左上、右上、左下及び右下の４つの配向領域に分割されることになる。液晶分子の配向方向を規制する枝部３０は、幹部２８から斜めに分岐して、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４に対して４５°の角度をなすように形成される。
【００９３】
電極ユニット２６は、ゲートバスライン１２の延びる方向に１個配置され、ドレインバスライン１４の延びる方向に６個（蓄積容量バスライン１８を挟んで３個ずつ）配置されている。隣接する電極ユニット２６を接続する接続電極３６は、スリット３４を介して対向する幹部２８間に形成されている。
【００９４】
図２８は、本実施例による液晶表示装置の液晶分子の配向状態及び表示状態を示している。図中の矢印は、液晶層に電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を表している。図２８では、ＢＭ４０で画定された３画素を示している。図２８に示すように、本実施例による液晶表示装置では、各電極ユニット２６の幹部２８上を境界線とする４つの配向領域が形成される。各配向領域では、液晶分子が電極ユニット２６の中心部に向かう方向に傾斜している。また、１画素内では各配向領域の面積はほぼ同じである。
【００９５】
１つの電極ユニット２６は、画素領域に比較して小さい約７７μｍ×３５μｍの大きさで形成されている。このため、画素電極１６の幹部２８及び枝部３０の先端部での電界の効果が比較的大きく、液晶分子の配向規制力を強くすることができる。なお、配向領域の境界線は暗線４２として視認され、スリット３４が形成された領域は暗線４３として視認される。しかし、これらの暗線４２、４３は各画素で同じ位置に生じるため、表示品質が低下することはない。
【００９６】
図２９は、本実施例による液晶表示装置の両基板２、４の外側に、それぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とがこの順に配置された液晶表示装置の液晶分子の配向状態及び表示状態を示している。図２９に示すように、両基板２、４の外側にそれぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とがこの順に配置された液晶表示装置では、光の透過率が液晶分子の傾斜方向に依存しないため、電極ユニット３６の中心部に形成される特異点が暗点５０として視認される他には暗線４２が視認されない。このため、より輝度の高い表示が実現できる。
【００９７】
（実施例２−３）
次に、本実施の形態の実施例２−３による液晶表示装置用基板について図３０乃至図３２を用いて説明する。図３０は、本実施例による液晶表示装置用基板の構成を示している。本実施例では、図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２は、例えば２２５μｍ間隔で形成され、図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４は、例えば７５μｍ間隔で形成されている。画素領域は、実施例２−１及び２−２に比較して小さくなっている。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４は、例えば６μｍの幅を有している。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の端部と画素電極１６の端部との間隔は、例えば７μｍである。すなわち、ほぼ長方形状の外周を有する画素電極１６の短辺は約５５μｍになる。
【００９８】
電極ユニット２６は、５５μｍ×５５μｍの正方形状の外周を有している。幹部２８の起点は電極ユニット２６の中心部に配置され、幹部２８の終点は電極ユニット２６の外周の長方形の頂点にそれぞれ配置されている。液晶分子の配向方向を規制する枝部３０は、幹部２８から斜めに分岐して、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４にほぼ平行又は垂直に形成される。枝部３０は、例えば３μｍの幅を有している。またスペース３２は、例えば３μｍの幅を有している。幹部２８と枝部３０とのなす角は、例えば４５°である。また枝部３０と電極ユニット２６の外周の各辺とがなす角度は、例えば９０°である。
【００９９】
電極ユニット２６は、ゲートバスライン１２の延びる方向に１個配置され、ドレインバスライン１４の延びる方向に３個配置されている。蓄積容量バスライン１８は、基板面に垂直方向に見て、スリット３４に重なるように配置されている。このため、蓄積容量バスライン１８は、画素領域の中央部ではなく、上方又は下方のいずれか一方に偏って配置される。具体的には、上方のゲートバスライン１２から約１５０μｍ、下方のゲートバスライン１２から約７５μｍだけ離れた位置を中心として、例えば幅２０μｍの蓄積容量バスライン１８（蓄積容量電極２０）が形成される。
【０１００】
電極ユニット２６は、蓄積容量バスライン１８を境界として、上方の開口領域に２個配置され、下方の開口領域に１個配置される。ただし実施例２−１と同様に、いくつかの電極ユニット２６の形状に変化が加えられている。画素領域の上方の電極ユニット２６には、約１５μｍ×１５μｍの正方形状の領域に画素電極形成材料が全面に形成されたコンタクト領域３８が配置されている。また、画素領域の下方の電極ユニット２６には、ドレイン電極２２端部と画素電極１６端部とが例えば７μｍ離れるように、切り欠きが設けられている。
【０１０１】
隣接する電極ユニット２６を接続する接続電極３６は、ドレインバスライン１４近傍（画素領域外周部）に配置されている。接続電極３６は、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びて形成され、スリット３４を介して対向する幹部２８間を接続している。スリット３４は、例えば７μｍの幅を有している。
【０１０２】
図３０では図示していないが、ＴＦＴ基板２に対向配置されるＣＦ基板４側には、画素領域端部を遮光するＢＭ４０が形成されている。ＢＭ４０は例えば幅２０μｍで格子状に形成されている。ゲートバスライン１２の延びる方向の格子間隔は７５μｍであり、ドレインバスライン１４の延びる方向の格子間隔は２２５μｍである。ＢＭ４０の開口部には、Ｒ、Ｇ、ＢのうちいずれかのＣＦ樹脂層が形成されている。ＣＦ樹脂層上には、例えばＩＴＯからなる共通電極が全面に形成されている。
【０１０３】
図３１は、本実施例による液晶表示装置の液晶分子の配向状態及び表示状態を示している。図中の矢印は、液晶層に電圧を印加したときの液晶分子の傾斜方向を表している。図３１では、ＢＭ４０で画定された３画素を示している。図３１に示すように、本実施例による液晶表示装置では、各電極ユニット２６の幹部２８上を境界線とする４つの配向領域が形成される。各配向領域では、液晶分子が電極ユニット２６の中心部に向かう方向に傾斜している。また、１画素内では各配向領域の面積はほぼ同じである。
【０１０４】
１つの電極ユニット２６は、画素領域に比較して小さい約５５μｍ×５５μｍの大きさで形成されている。このため、画素電極１６の幹部２８及び枝部３０の先端部での電界の効果が比較的大きく、液晶分子の配向規制力を強くすることができる。なお、配向領域の境界線は暗線４２として視認され、スリット３４が形成された領域は暗線４３として視認される。しかし、これらの暗線４２、４３は各画素で同じ位置に生じるため、表示品質が低下することはない。
【０１０５】
図３２は、本実施例による液晶表示装置の両基板２、４の外側に、それぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とがこの順に配置された液晶表示装置の液晶分子の配向状態及び表示状態を示している。図３２に示すように、両基板２、４の外側にそれぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とがこの順に配置された液晶表示装置では、光の透過率が液晶分子の傾斜方向に依存しないため、電極ユニット３６の中心部に形成される特異点が暗点５０として視認される他には暗線４２が視認されない。このため、より輝度の高い表示が実現できる。
【０１０６】
以上説明したように、本実施の形態では、画素電極１６の形成パターンを変化させるだけで、液晶分子の配向規制力を付与することができる。また、液晶分子の配向不良を低減できるため、高い製造歩留まり及び低い製造コストで、表示品質の良好な液晶表示装置を実現できる。また、本実施の形態による液晶表示装置の両基板２、４の外側に、それぞれ１／４波長板４４、４５と偏光板８３、８４とをこの順に配置すれば、さらに高輝度の液晶表示装置を容易に実現できる。
【０１０７】
なお、１画素内の電極ユニット２６は、上記実施例で説明した個数に限られない。例えばゲートバスライン１２に沿って１個の電極ユニット２６が配置されれば、ドレインバスライン１４に沿って２個以上６個以下の電極ユニット２６が配置される。ゲートバスライン１２に沿って２個の電極ユニット２６が配置されれば、ドレインバスライン１４に沿って４個以上１２個以下の電極ユニット２６が配置される。ゲートバスライン１２に沿って３個の電極ユニット２６が配置されれば、ドレインバスライン１４に沿って６個以上１８個以下の電極ユニット２６が配置される。
【０１０８】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について説明する。本実施の形態は、微細電極パターンを利用して配向制御を行う液晶表示装置の表示特性改善に関し、パネルを指で押す等、実用上起こり得る多少の衝撃があっても、配向状態が安定しており表示むら等の表示不良が生じない液晶表示装置について説明する。
【０１０９】
現在の量産型ＭＶＡ−ＬＣＤは、従来から広く用いられているＴＮ型液晶表示装置に比べ、コントラストが高く視野角が広いという長所を有している。その一方で、透過率ではＴＮ型ＬＣＤに劣る場合がある。その原因はＭＶＡ型の配向制御方式にある。ＭＶＡ−ＬＣＤは、画素内に線状の電極の抜きパターンあるいは構造物を有し、線状構造物による形状効果と電圧印加時に液晶層にかかる電界が歪む効果とにより、液晶配向を所望の方向に制御している。その際、線状構造物や電極抜き部付近の液晶分子に所定の電圧が印加され難くなるため、当該領域の液晶分子が十分に傾斜しなくなる。そのため、画素内の透過率が低くなってしまう。
【０１１０】
また、ＭＶＡ方式の配向制御では、線状の構造物や電極の抜き部から少し離れた位置の液晶分子は、電圧印加時に線状構造物の長手方向に直交して配向して大きなドメインを形成する。一方、線状の構造物上や電極抜き部上の液晶分子は、線状構造物に平行に配向して細長いドメインを形成する。液晶配向は連続的に変化するため、両ドメインの途中に、線状構造物に対して４５°方位、すなわち配向方位が偏光板の偏光軸と同じ方位を示す領域が存在することになる。これによっても透過率が低下する。
【０１１１】
この低透過率の問題を改善するため、以下の２つの方式を組み合わせた新しいＭＶＡ方式が検討されている。
【０１１２】
第１の方式は、円偏光板を用いることである。これにより、透過率は原理的にはリタデーションのみで決まり液晶分子の配向方位に依存しなくなるため、透過率が改善される。すなわち従来構成では、配向方位が偏光軸方向に揃っている領域は光を透過しなかったのに対し、円偏光方式によれば当該領域の透過率を、偏光軸に対して４５°の方位を向く領域の透過率にまで高めることができるようになる。
【０１１３】
第２の方式は、微細電極パターンを備えた電極ユニット２６を用いて配向制御を行うことである。従来は、約１００μｍ×３００μｍの画素内に、幅が約１０μｍのライン状の電極の抜き部や線状構造物を斜めに数本配置していたが、これらによる透過率の損失は大きかった。一方、上記第１及び第２の実施の形態で説明したような、例えば幅が約３μｍのライン・アンド・スペースの繰り返しからなる微細電極パターンを備えた複数の電極ユニット２６を用いることによっても、液晶分子を一定方向に制御可能であることが見出された。この場合、液晶分子は、微細パターン長手方向と平行に配向し、透過率の低下もほとんど見られない。そのため、この電極ユニット２６群を利用することによっても、透過率を改善することができる。
【０１１４】
ところが、これらの方式を適用した液晶表示装置において、パネルを指で押す等、実用上起こり得る多少の衝撃が加わった際に、表示ムラが発生することが明らかとなった。この原因を明らかにするためパネルの配向状態を調査した。結果を図３３に示す。なお本結果は、配向状態を詳細に観察するため、円偏光板を取り外し、通常の直線偏光板を配置して観察している。
【０１１５】
特に何らの衝撃を与えずに通常表示させたパネルを図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に示す。図３３（ａ）は所定の表示領域の表示状態を示す顕微鏡写真であり、図３３（ｂ）は、電極ユニット２６の形状及び特異点の発生状況を示している。本例では、第２の実施の形態による図２６（ａ）に示す電極パターンとほぼ同様であるが、接続電極３６が両側に形成された画素電極１６を用いている。図３３（ｂ）及び図３３（ｄ）に示す電極パターン中に存在する小さな棒状の物体は液晶分子ｌｃｍの配向方位を示している。なお、以下の説明において、第１及び第２の実施の形態で用いた構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に示すように、電極ユニット２６に電圧が印加されると、電極ユニット２６の微細電極パターン群による配向制御に従ってドメインが形成される。ドメイン境界部には、配向ベクトルの特異点（垂直配向している点状の領域）が形成されている。図３３（ａ）及び図３３（ｂ）に示すように、強度ｓ＝＋１の特異点（図中、領域ａで示す）、強度ｓ＝−１の特異点（図中、領域ｂで示す）、及び、特異点が強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に並ぶ領域（図中、領域ｃで示す）の３つの状態が確認された。図３３（ｂ）及び図３３（ｄ）において、強度ｓ＝＋１の特異点は●印で示し、強度ｓ＝−１の特異点は○印で示している。
【０１１６】
次に、パネルの表示面を指で押して衝撃を与えたパネル表面を図３３（ｃ）及び図３３（ｄ）に示す。図３３（ｃ）は所定の表示領域の表示状態を示す顕微鏡写真であり、図３３（ｄ）は、電極ユニット２６の形状及び特異点の発生状況を示している。図３３（ｃ）及び図３３（ｄ）に示すように、パネルの表示面を指で押して衝撃を与えた部分及びその周辺部の配向状態が大きく変化し、この状態で配向方位が安定してしまう。図３３（ａ）及び図３３（ｂ）と比較すると明らかなように、本来ドメイン境界が存在した位置を跨いで表示ドメイン同士がつながってしまい、特異点が消失してしまっていることが分かる。
【０１１７】
円偏光板を用いた表示方式によれば、パネルを法線方向から見た場合は、原理的には配向状態（配向方位）の変化が輝度の違いとして視認されない。しかしながら、パネルを少しでも斜めから見た場合には、円偏光板を構成する直線偏光板の偏光軸と位相差板（λ／４板）の光学軸とのなす角度が法線方向から見た角度と比べて見かけ上変化し、位相差板の位相差自体も見かけ上変化する。こうして、円偏光板の特性が理想的な円偏光からずれてしまう。これにより、大きな配向変化が生じている場合には、たとえ円偏光板を用いていても実際のパネルからは輝度むらが見えてしまう。
【０１１８】
このように、表示むらの原因は、指押しによって画素内の液晶配向が大きく変化してしまうことにあると考えられる。本実施の形態では、パネルを指で押す等、実用上起こり得る多少の衝撃があっても、配向状態が安定であり、表示むら等の表示不良が起こらない液晶表示装置について説明する。
【０１１９】
本実施の形態による配向安定の第１の原理について説明する。特異点は、図３３に示されているように、結果的に液晶ドメインの境界部に形成される場合が多い。また、図３３に示した構成では特異点の形成位置は積極的に制御されていない。そのため、指押しなどの衝撃で特異点が容易に移動したり消滅したりしてしまうものと考えられる。さらに、特異点の移動や消滅に伴いドメイン境界を跨いでドメイン同士がつながるといった大きな配向変化が起こっている。
【０１２０】
すなわち、特異点が消滅したため、液晶ドメイン同士がつながったと考えられる。逆に、特異点が安定に形成されていれば、液晶ドメイン同士がつながることはなくなるものと考えられる。特に、図３３で確認された３つの特異点形成状態は、元々、図３３に示す電極構造で安定的に作られる状態である。従って、これらの特異点状態を容易に形成する手段を設けることが安定配向を実現するためには最も好ましいものと考えられる。
【０１２１】
この観点から、図３３に示した領域ａ、ｂ、ｃが安定して形成される状態として、図３４に示す構成が考えられる。すなわち、図３４（ａ）に示す構成は、電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に強度ｓ＝＋１の特異点が存在する領域ａが形成され、図上方のスリット３４には、特異点が強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に並ぶ領域ｃが形成され、図下方のスリット３４には強度ｓ＝−１の特異点が存在する領域ｂが形成されている。また、図３４（ｂ）に示す構成は、電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に強度ｓ＝＋１の特異点が存在する領域ａが形成され、図上下のスリット３４、３４には、共に強度ｓ＝−１の特異点が存在する領域ｂが形成されている。さらに、図３４（ｃ）に示す構成は、電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に強度ｓ＝＋１の特異点が存在する領域ａが形成され、図上下のスリット３４、３４には、共に強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に特異点が並ぶ領域ｃが形成されている。
【０１２２】
図３４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す各位置から特異点が動かないようにするには、特異点を固定するための特異点制御部を設ける必要がある。特異点制御部の構造や配置位置については後程具体的実施例を用いて説明する。特異点制御部を設けることにより、指押しなどの衝撃に対しても、特異点が大きく動くようなことを低減できる。さらに、ドメインの境界も安定に形成されるようになり、ドメイン境界を跨いでドメイン同士がつながらないようにすることができる。このようにして、液晶配向が大きく乱れることを低減させて表示むらを改善することができる。
【０１２３】
図３５は、本実施の形態による配向安定の第２の原理を示している。本原理は、図３５（ａ）に示すように、液晶ドメイン境界のうち、特定の場所に線状に液晶分子ｌｃｍが垂直配向するための線状の垂直配向制御部２００を設けている。また、図３５（ｂ）に示すように、液晶ドメイン境界のうち、特定の場所に線状に液晶分子ｌｃｍが垂直配向するための線状の垂直配向制御部２０２を設けている。垂直配向制御部２００、２０２も、上記第１の原理で述べた特異点制御部と同様の効果を有しており、ドメイン同士が境界線を跨いでつながることがなくなり、液晶配向が大きく乱れることを低減させて表示むらを改善することができる。なお、特異点では液晶分子は垂直配向しており、特異点制御部は、広義には垂直配向制御部に含まれるものとする。
【０１２４】
なお、より安定な配向を実現するためには、第２の原理に示す線状の垂直配向制御部２００、２０２による方が第１の原理による主として点で特異点を制御する方式より効果的である。点での制御より線での制御の方がより広い領域に渡って液晶ドメインがつながることを抑制できるからである。一方、ここで制御している垂直配向領域は黒表示となるため、垂直配向制御部２００、２０２の領域が多いと輝度が低下してしまう。従って、輝度重視の場合は、第１の原理に示すような、点での特異点制御が望ましい。
【０１２５】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について、実施例３−１乃至３−１１を用いて具体的に説明する。
（実施例３−１）
図３６を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図３６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、第１の原理で説明した特異点制御部４００ａ〜４００ｆ、４０２、４０４を画素電極１６の形成されたＴＦＴ基板２側に形成した。図３６（ａ）に示す配置例では、特異点制御部４００ａ〜４００ｆは、各電極ユニット２６の外周の各頂点位置及び接続電極３６上に、底面がほぼ正方形状の絶縁性突起状構造物として形成されている。特異点制御部４００ａ〜４００ｆをこのように配置することにより、強度ｓ＝＋１の特異点（領域ａ）を電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に配置できる。
【０１２６】
図３６（ｂ）に示す配置例では、特異点制御部４０２は、電極ユニット２６間のスリット３４上に、底面がスリット３４の長手方向に長手方向を揃えた長方形状の絶縁性突起状構造物として形成されている。特異点制御部（突起状構造物）４０２は、中央部が途切れた線状突起形状をしている。特異点制御部４０２の配置により、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のスリット３４のほぼ中央位置に配置できる。
【０１２７】
図３６（ｃ）に示す配置例では、特異点制御部４０４は、電極ユニット２６間のスリット３４上に、底面がスリット３４の長手方向に長手方向を揃えた長方形状の絶縁性突起状構造物として形成されている。特異点制御部（突起状構造物）４０４は、２つの接続電極３６、３６上で途切れた線状突起形状をしている。特異点制御部４０４の配置により、強度ｓ＝−１，＋１，−１に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
【０１２８】
次に、本実施例のＬＣＤの製造方法について簡単に説明する。
ＴＦＴ基板２としては、第１及び第２の実施の形態で説明したのと同様の図１及び図２に示す液晶表示装置用基板であって、基板厚が０．７ｍｍのＯＡ−２（日本電気硝子製）を用いている。図３６では図示を省略しているが、ＴＦＴ基板２には、画素電極１６の他に、ＴＦＴ１０及びバスライン１２、１４が形成されている。画素電極１６は、図２６（ａ）と同様の電極ユニット２６を複数組み合わせたて構成している。電極ユニット２６の枝部３０の線幅ｄｂ＝３μｍ、スペース３２の幅ｄｓ＝３μｍである。複数の電極ユニットからなる画素電極及び、ＴＦＴ、バスラインのレイアウトは、図３０に準じている。すなわち、図３６では、電極ユニットを２つ配置した例を示しているが、実際のＴＦＴ基板上においては、１画素中に電極ユニットを３つ配置した。
【０１２９】
このＴＦＴ基板２上に感光性樹脂を塗布してからフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングすることにより、図３６に示す各位置に特異点制御部４００ａ〜４００ｆ、４０２、４０４となる絶縁性凸部を形成した。感光性樹脂材料には、ＪＳＲ製のアクリル系材料を用いた。特異点制御部４００ａ〜４００ｆの底面形状は縦横１０μｍの正方形である。特異点制御部４０２の底面形状は縦１０μｍ横３０μｍの２つの長方形状である。特異点制御部４０４の底面形状は、両端が縦横１０μｍの正方形であり、中央部が縦１０μｍ横４０μｍの長方形である。凸部の高さは、いずれも約１．５μｍである。
【０１３０】
対向基板には、対向電極が形成されている。なお、いずれか一方の基板にはカラーフィルタを設けてもよい。次に、これらＴＦＴ基板及び対向基板上に垂直配向膜を塗布した。配向膜材料には、ＪＳＲ製のポリイミド材料を用いることができる。次に、両基板をスペーサを介して貼り合わせ、空セルを作製した。スペーサ材料には、住友ファインケミカル製の樹脂スペーサを用いた。スペーサ径は４μｍとした。なお、特異点制御部の形成部材を用いて高さがセルギャップ相当の突起部を形成してスペーサの役割を付与してもよい。こうすることにより、別個にビーズスペーサを散布したり、樹脂スペーサを別途形成したりする必要がなくなる。
【０１３１】
空セルには、真空注入法を用いて液晶を注入した。液晶材料には、メルク製の誘電異方性が負の材料を用いた。こうして得たパネルに電圧を印加して、配向状態を観察したところ、図の●（黒丸）印、○（白丸）印に示す位置にそれぞれ強度ｓ＝＋１、ｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成された。さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、特異点および周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと共に表示むらも観察されなくなった。
【０１３２】
（実施例３−２）
図３７を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図３７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板と対向配置される対向基板側に第１の原理で説明した特異点制御部４０６、４０８、４１０を形成した。図３７（ａ）に示す配置例では、特異点制御部４０６は、各電極ユニット２６の幹部２８の交差位置の対向基板側に、底面がほぼ正方形状の絶縁性突起状構造物として形成されている。特異点制御部４０６をこのように配置することにより、強度ｓ＝＋１の特異点（領域ａ）を電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に配置できる。
【０１３３】
図３７（ｂ）に示す配置例では、特異点制御部４０８は対向基板上であって、電極ユニット２６間のスリット３４の中央部に位置するように正方形状の絶縁性突起状構造物として形成されている。特異点制御部４０８の配置により、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のスリット３４のほぼ中央位置に配置できる。
【０１３４】
図３７（ｃ）に示す配置例では、特異点制御部４１０は対向基板上であって、電極ユニット２６間のスリット３４の両側の接続電極３６、３６上方に位置するように、底面が正方形状の絶縁性突起状構造物として形成されている。特異点制御部４１０の配置により、強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
なお、特異点制御部４０６、４０８、４１０の各サイズは、ほぼ１０μｍ角の正方形である。なお、絶縁性凸部を形成する代わりに、対向電極に凸パターンに相当する電極抜き部を設けても同様の効果が得られる。
【０１３５】
本実施例により作製した液晶パネルに電圧を印加して、配向状態を観察したところ、図の●印、○印に示す位置にそれぞれ強度ｓ＝＋１、ｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成された。さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、特異点および周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと共に表示むらも観察されなくなった。
【０１３６】
図３８は、実施例３−１における具体的構成例を示している。図３８は、図中左右方向に連接する３画素及びその近傍の平面構成を示している。各画素はほぼ長方形の外形を有している。各画素は、画素のほぼ中央を横切る蓄積容量バスライン１８を挟んで上下にそれぞれ３行２列の電極ユニット２６が形成された画素電極１６を有している。図３８の電極ユニット２６は、図１３と図１９に示す電極ユニット２６を組み合わせた構成となっている。接続電極３６はドレインバスライン１４側に形成されている。接続電極３６を有する基板側には絶縁性突起状構造物による特異点制御部４１０’が形成されている。図３６（ｂ）において、構造物４０２が片方無い構成に相等する。このような構成にしても、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のほぼ中央に配置できる。
【０１３７】
図３９は、本実施例の他の変形例を示している。図３９に示す画素は、ほぼ中央のスリット３４を挟んで線対称に構成される電極ユニット２６、２６’を有している。スリット３４の図左方には電極ユニット２６、２６’を接続する接続電極３６が形成されている。幹部２８及び接続電極３６に対応する対向基板側には絶縁性突起状構造物による特異点制御部４１０’’が形成されている。このような構成にしても、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６、２６’間のスリット３４の接続電極３６上に配置でき、強度ｓ＝＋１の特異点を、構造物が電極を横切っているところの中（本図では、斜めに横切っているところの中）に配置できる。
【０１３８】
（実施例３−３）
図４０を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図４０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板側に導電性突起状構造物で形成された特異点制御部４１２、４１４、４１６を形成した。図４０（ａ）に示す配置例では、各電極ユニット２６の幹部２８の交差位置の下層に、底面がほぼ正方形状の絶縁性突起状構造物が形成されている。絶縁性突起状構造物には、実施例３−１と同様の感光性材料が用いられている。また、ＴＦＴ形成の際にＴＦＴ基板上に積層する絶縁層や配線層を、凸部を形成する場所に選択的に残しておくことによっても絶縁性突起状構造物は形成可能である。こうすることにより、電極幹部２８交差部が凸状に膨らむ導電性突起状構造物の特異点制御部４１２が形成される。特異点制御部４１２をこのように配置することにより、強度ｓ＝＋１の特異点（領域ａ）を電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に配置できる。
【０１３９】
図４０（ｂ）に示す配置例では、特異点制御部４１４はＴＦＴ基板上であって、電極ユニット２６間のスリット３４の中央部の下層に、底面がほぼ正方形状の絶縁性突起状構造物を形成し、これにより、スリット３４近傍の電極枝部３０が突起状に形成された特異点制御部４１４を形成した。特異点制御部４１４の配置により、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のスリット３４のほぼ中央位置に配置できる。
【０１４０】
図４０（ｃ）に示す配置例では、特異点制御部４１６はＴＦＴ基板上であって、電極ユニット２６間のスリット３４の両側の接続電極３６、３６の下層に、底面がほぼ正方形状の絶縁性突起状構造物を形成し、これにより、接続電極３６が突起状に形成された特異点制御部４１６を形成した。特異点制御部４１６の配置により、強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
なお、特異点制御部４１２、４１４、４１６の各サイズは、ほぼ１０μｍ角の正方形で、高さは約１．５μｍである。
【０１４１】
本実施例により作製した液晶パネルに電圧を印加して、配向状態を観察したところ、図の●印、○印に示す位置にそれぞれ強度ｓ＝＋１、ｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成された。さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、特異点および周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと共に表示むらも観察されなくなった。
【０１４２】
（実施例３−４）
図４１を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図４１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、対向基板側に導電性突起状構造物で形成された特異点制御部４１８ａ〜４１８ｆ、４２０、４２２を形成した。図４１（ａ）に示す配置例では、特異点制御部４１８ａ〜４１８ｆは、各電極ユニット２６の外周の各頂点位置及び接続電極３６に対向する位置の対向電極の下層に、底面がほぼ正方形状（約１０μｍ角、高さ約１．５μｍ）の絶縁性突起状構造物が形成されている。絶縁性突起状構造物には、実施例３−１と同様の感光性材料が用いられている。こうすることにより、対向電極が凸状に形成された導電性突起状構造物が形成される。この導電性突起状構造物を特異点制御部４１８ａ〜４１８ｆとして配置することにより、強度ｓ＝＋１の特異点（領域ａ）を電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に配置できる。
【０１４３】
図４１（ｂ）に示す配置例では、特異点制御部４２０は、スリット３４の両側の２つの接続電極３６、３６に対向する位置に、底面が正方形状（約１０μｍ角、高さ約１．５μｍ）の導電性突起状構造物としてそれぞれ形成されている。特異点制御部４２０の配置により、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のスリット３４のほぼ中央位置に配置できる。
【０１４４】
図４１（ｃ）に示す配置例では、特異点制御部４２２は、電極ユニット２６間のスリット３４上方の対向基板上に、底面がスリット３４の長手方向に長手方向を揃えた長方形状（両側約１０μｍ角、中央部１０μｍ×４０μｍ、高さ約１．５μｍ）の導電性突起状構造物として形成されている。特異点制御部４２２は、２つの接続電極３６、３６に対向する位置で途切れた線状突起形状をしている。特異点制御部４２２の配置により、強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
【０１４５】
得られた液晶パネルに電圧を印加して、配向状態を観察したところ、図の●（黒丸）印、○（白丸）印に示す位置にそれぞれ強度ｓ＝＋１、ｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成された。さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、特異点および周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと共に表示むらも観察されなくなった。
【０１４６】
（実施例３−５）
図４２を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図４２（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板側に絶縁性凹状構造物で形成された特異点制御部４２４、４２６を形成した。図４２（ａ）に示す配置例では、特異点制御部４２４は、スリット３４のほぼ中央部に、底面が正方形状（約１０μｍ角、深さ約１μｍ）の凹状構造物としてそれぞれ形成されている。特異点制御部４２４の配置により、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のスリット３４のほぼ中央位置に配置できる。
【０１４７】
図４２（ｂ）に示す配置例では、特異点制御部４２６は、接続電極３６下方に、底面が正方形状（約１０μｍ角、深さ約１μｍ）の凹状構造物として形成されている。特異点制御部４２６の配置により、強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
【０１４８】
なお、凹部は、基板全面に上述の感光性材料を塗布し、その後凹部とする場所のみ感光性材料を除去することで得た。また、この基板上へのＴＦＴ形成の際に積層する絶縁層や配線層に穴を空けて凹部を形成してもよい。
【０１４９】
得られた液晶パネルに電圧を印加して、配向状態を観察したところ、図の●（黒丸）印、○（白丸）印に示す位置にそれぞれ強度ｓ＝＋１、ｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成された。さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、特異点および周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと共に表示むらも観察されなくなった。
【０１５０】
（実施例３−６）
図４３を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図４３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板側に導電性凹状構造物で形成された特異点制御部４２８ａ〜４２８ｆ、４３０、４３２を形成した。図４３（ａ）に示す配置例では、特異点制御部４２８ａ〜４２８ｆは、各電極ユニット２６の外周の各頂点位置及び接続電極３６の下層に、底面が正方形状（約１０μｍ角、深さ約１μｍ）の導電性凹状構造物としてそれぞれ形成されている。特異点制御部４２８ａ〜４２８ｆを配置することにより、強度ｓ＝＋１の特異点（領域ａ）を電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に配置できる。
【０１５１】
図４３（ｂ）に示す配置例では、特異点制御部４３０は、電極ユニット２６間のスリット３４上に、底面がスリット３４の長手方向に長手方向を揃えた長方形状（両側約１０μｍ角、中央部１０μｍ×４０μｍ、深さ約１μｍ）の導電性凹状構造物として形成されている。特異点制御部４３０は、中央部が途切れた線状形状をしている。特異点制御部４３０の配置により、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のスリット３４のほぼ中央位置に配置できる。
【０１５２】
図４３（ｃ）に示す配置例では、特異点制御部４３２は、電極ユニット２６間のスリット３４上に、底面がスリット３４の長手方向に長手方向を揃えた長方形状の導電性凹状構造物として形成されている。特異点制御部４３２は、２つの接続電極３６、３６上で途切れた線状形状をしている。特異点制御部４３２の配置により、強度ｓ＝−１，＋１，−１に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
【０１５３】
なお、凹部は、基板全面に上述の感光性材料を塗布し、その後凹部とする場所のみ感光性材料を除去することで得た。また、この基板上へのＴＦＴ形成の際に積層する絶縁層や配線層に穴を空けて凹部を形成してもよい。
【０１５４】
得られた液晶パネルに電圧を印加して、配向状態を観察したところ、図の●（黒丸）印、○（白丸）印に示す位置にそれぞれ強度ｓ＝＋１、ｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成された。さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、特異点および周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと共に表示むらも観察されなくなった。
【０１５５】
（実施例３−７）
図４４を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図４４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板と対向配置される対向基板側に第１の原理で説明した特異点制御部４３４、４３６、４３８を形成した。図４４（ａ）に示す配置例では、特異点制御部４３４は、各電極ユニット２６の幹部２８の交差位置の対向基板側に、底面がほぼ正方形状の導電性凹状構造物として形成されている。特異点制御部４３４をこのように配置することにより、強度ｓ＝＋１の特異点（領域ａ）を電極ユニット２６のたすき状の幹部２８の交点位置に配置できる。
【０１５６】
図４４（ｂ）に示す配置例では、特異点制御部４３６は対向基板上であって、電極ユニット２６間のスリット３４の中央部に位置するように正方形状の導電性凹状構造物として形成されている。特異点制御部４３６の配置により、強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を電極ユニット２６間のスリット３４のほぼ中央位置に配置できる。
【０１５７】
図４４（ｃ）に示す配置例では、特異点制御部４３８は対向基板上であって、電極ユニット２６間のスリット３４の両側の接続電極３６、３６上方に位置するように、底面が正方形状の導電性凹状構造物として形成されている。特異点制御部４３８の配置により、強度ｓ＝−１，＋１，−１の順に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
【０１５８】
なお、凹部は、基板全面に上述の感光性材料を塗布し、その後凹部とする場所のみ感光性材料を除去することによって得た。さらに、この凹部の上に対向電極を形成することで導電性凹部とした。凹部のサイズは、１０μｍ角の正方形とし、深さは１μｍとした。
【０１５９】
本実施例により作製した液晶パネルに電圧を印加して、配向状態を観察したところ、図の●印、○印に示す位置にそれぞれ強度ｓ＝＋１、ｓ＝−１の配向ベクトルの特異点が形成された。さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、特異点および周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと共に表示むらも観察されなくなった。
【０１６０】
（実施例３−８）
図４５及び図４６を用いて本実施例について説明する。本実施例による特異点制御部は、凹状又は凸状の構造物が、絶縁性を有する部分と導電性を有する部分の両方で構成されている点に特徴を有している。図４５はその特徴点の一例を示している。図４５は、ＬＣＤパネルを基板面に垂直に切断した断面の概略を示しており、図４５（ａ）は、ガラス基板５２上に保護膜５６が形成されたＴＦＴ基基板２と、ガラス基板５３上に共通電極５８が形成されたＣＦ基板４との間に液晶層４８が封止されている状態を示している。
【０１６１】
ＴＦＴ基板２側の保護膜５６には絶縁性凹状構造物の特異点制御部４４０が形成されている。両基板２、４の液晶層４８側には不図示の垂直配向膜が形成されている。このため、特異点制御部４４０の凹形状に倣い、特異点制御部４４０上の液晶分子ｌｃｍは電圧無印加時でもＣＦ基板４側に収束するように僅かに傾斜しており、電圧印加時には当該傾斜方向にさらに傾斜する。
【０１６２】
一方、図４５（ｂ）は、ＴＦＴ基板２側の保護膜５６上に画素電極１６の一部の導電膜１６’が成膜された導電性凹状構造物の特異点制御部４４２が形成されている。このため、電圧印加時には図示のような形状の電気力線Ｅが発生するため、特異点制御部４４２上の液晶分子ｌｃｍはＣＦ基板４側に発散するよう傾斜する。
【０１６３】
図４５（ｃ）は、絶縁性凹部と導電性凹部の組み合わせによる制御を示している。図４５（ａ）、（ｂ）に示したように、絶縁性凹部と導電性凹部のいずれも凹部上に特異点が形成され、特異点を中心に液晶分子ｌｃｍが配向するが、絶縁性凹部と導電性凹部とでは配向制御の向きが反対となる。ここで、図４５（ｃ）に示すように、凹部の半分だけに導電膜１６’を成膜した特異点制御部４４４を形成すると、凹部で液晶分子ｌｃｍを一方向に制御することが可能になる。
【０１６４】
図４６は、図４５（ｃ）に示した特異点制御部４４４を実際の電極ユニット２６に適用した状態を示している。図４６（ａ）及び、図４６（ａ）のＸ−Ｘ線での断面を示す図４６（ｂ）に示す例では、特異点制御部４４４は、凹部の右側ほぼ半分（凹部中央より画素外側）にある場合に接続電極３６が被さるように配置され、底面が正方形状（約１０μｍ角、深さ約１μｍ）の凹状構造物として形成されている。特異点制御部４４４をこのように配置することにより、接続電極３６上に強度ｓ＝−１の特異点が確実に形成される。従って、強度ｓ＝−１，＋１，−１に並ぶ特異点（領域ｃ）を電極ユニット２６間のスリット３４に配置できる。
【０１６５】
図４６（ｃ）及び、図４６（ｃ）のＹ−Ｙ線での断面を示す図４６（ｄ）に示す例では、特異点制御部４４６は、凹部の左側ほぼ半分（凹部中央より画素内側）に接続電極３６が被さるように配置され、底面が正方形状（約１０μｍ角、深さ約１μｍ）の凹状構造物として形成されている。特異点制御部４４６をこのように配置することにより、接続電極３６上に特異点を形成させずにスリット３４のほぼ中央に強度ｓ＝−１の特異点（領域ｂ）を固定することができる。
【０１６６】
（実施例３−９）
図４７を用いて本実施例について説明する。図４７（ａ）は基板面法線方向に見た状態を示し、図４７（ｂ）は図４７（ａ）のＡ−Ａ線での断面を示し、図４７（ｃ）は図４７（ａ）のＢ−Ｂ線での断面を示している。図４７（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施例の特異点制御部４４８は、一つの凹パターンが、絶縁性を有する部分と導電性を有する部分の両方を有している。上下左右の４方位に伸びる枝部（微細電極パターン群）３０が幹部（Ｘ字状電極）２８を介してつながっている部分において、Ｘ字の中心部に凹部を設けた。これにより、図４７（ｂ）、（ｃ）に示すように、凹部は絶縁性を有する部分と導電性を有する部分の両方を有することとなる。本来、図４５（ａ）、（ｂ）に示すように、導電性を有する凹部と、絶縁性を有する凹部とは、配向制御の方向が相反するものとなるが、本実施例では、この部分の配向は、絶縁性の凹部による配向制御に従い、強度ｓ＝＋１の特異点（領域ａ）の配向状態となった。この理由は、元来この部分が領域ａの配向状態で安定になること、及び導電性凹凸による制御は、同じ幅及び高さで比較して、絶縁性凹凸よる制御よりも弱い傾向があることによるものと考えられる。
【０１６７】
（実施例３−１０）
図４８を用いて本実施例について説明する。本実施例では、図３５を用いて説明した配向安定のための第２の原理を用いている。図４８に示すように、凸部や凹部は形成せず、電極ユニット２６間のスリット３４を幅広（抜き幅ａ）に形成した電極抜き部を有する垂直配向制御部２０２を形成した。これにより、スリット３４に線状に垂直配向する液晶分子ｌｃｍが安定に形成された。
【０１６８】
さらに、パネルを指で押して衝撃を与えた場合、指押し直後には、垂直配向制御部２０２及び周囲の液晶ドメインの状態に若干の変化があるものの、すぐに指押し前の配向状態へと戻った。これと対応して表示むらも観察されなくなった。垂直配向制御部２０２の幅ａは広い方が望ましいが、あまり広げると透過率が下がってしまう。少なくとも、セル厚よりは広く、望ましくはセル厚の２倍以上がよい。ここでは、セル厚４μｍに対して、垂直配向制御部２０２の抜き幅ａは１２μｍとした。なお、抜き幅ａが４〜６μｍでは指押し時にむらが発生し、配向状態も不安定であった。
【０１６９】
（実施例３−１１）
図４９を用いて本実施例について説明する。本実施例も第２の原理を用いている。凸部や凹部は形成せず、電極ユニット２６間のスリット３４の少なくとも一部に、画素電極１６から独立した垂直配向制御用電極を新たに設けて垂直配向制御部２０４を形成した。図４９（ａ）は、スリット３４の長手方向全域に垂直配向制御部２０４を形成した例を示している。図４９（ｂ）は、２つのスリット３４の接続電極３６を跨ぐ２領域に垂直配向制御部２０６を形成した例を示している。
【０１７０】
これら垂直配向制御部２０４、２０６の垂直配向制御用電極は、対向電極電位に等しい電位が印加されるようになっている。こうすることにより、垂直配向制御部２０４、２０６の垂直配向制御用電極と対向電極との間に電圧が印加されないため、垂直配向制御部２０４、２０６上の液晶分子ｌｃｍを安定して垂直配向させることができる。なお、両接続電極３６上には強度ｓ＝−１の特異点が形成されている。
【０１７１】
ＴＦＴ等のスイッチング素子で駆動する液晶パネルにおいては、蓄積容量バスラインを利用して垂直配向制御部２０４、２０６の垂直配向制御用電極を形成することが可能である。こうすると、蓄積容量バスラインの形成の際に同時に垂直配向制御部２０４、２０６を形成でき、垂直配向制御部２０４、２０６形成のための別プロセスを設ける必要がないため、歩留まり向上及び製造コスト抑制の利点が生まれる。
【０１７２】
図５０は、蓄積容量バスライン１８を利用して垂直配向制御部２０４、２０６の電極を形成した場合の概略構成（ＴＦＴの図示等は省略）を示している。図５０（ａ）は、接続電極３６がドレインバスライン１４近傍（画素領域外周部）に配置されており、図５０（ｂ）は、接続電極３６が電極ユニット２６の外周の辺のほぼ中央に配置されている。いずれの図においても、蓄積容量バスライン１８から分岐してドレインバスライン１４に沿って図上下に配線が延び、各スリット３４に形成された垂直配向制御部２０４、２０６の垂直配向制御用電極に接続されている。なお、図５０では配向規制を補強するために対向基板側に形成された点状突起２１０の配置位置も示している。
【０１７３】
図５１は、本実施例における具体的構成例を示している。図５１（ａ）乃至図５１（ｅ）は、１画素及びその近傍の平面構成を示している。各画素は一辺が約８６μｍ×２６０μｍのほぼ長方形の外形を有している。各画素は、画素のほぼ中央を横切る蓄積容量バスライン１８を挟んで上下にそれぞれ３行２列の電極ユニット２６が形成された画素電極１６を有している。図５１（ａ）と図５１（ｅ）の電極ユニット２６は、幹部２８がＸ字状に交差しており、図５１（ｂ）乃至図５１（ｄ）の電極ユニット２６は、幹部２８が十字状に交差している。また、図５１（ａ）、（ｃ）、（ｅ）の接続電極３６はドレインバスライン１４側に形成され、図５１（ｂ）、（ｄ）の接続電極３６は電極ユニット２６の外周の辺の中点近傍に形成されている。
【０１７４】
各図に示すように、蓄積容量バスライン１８から分岐してドレインバスライン１４に沿って図上下に配線が延びて各画素にＨ型蓄積容量配線が形成されている。Ｈ型蓄積容量配線からは各スリット３４に引き出された垂直配向制御部２０６の垂直配向制御用電極が形成されている。なお、図５１では配向規制を補強するために対向基板側に形成された点状突起２１０の配置位置も示している。点状突起２１０は各電極ユニット２６のほぼ中央に位置するように形成されている。図５１の各図に示す画素構成にすることにより、Ｈ型蓄積容量配線及び垂直配向制御部２０６の垂直配向制御用電極と対向電極との間に電圧が印加されないため、Ｈ型蓄積容量配線及び垂直配向制御部２０６上の液晶分子ｌｃｍを安定して垂直配向させることができる。また、両接続電極３６上には強度ｓ＝−１の特異点が形成される。
【０１７５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、パネルを指で押す等、実用上起こり得る多少の衝撃があっても、配向状態が安定であり、表示むら等の表示不良が起こらない液晶表示装置を実現できる。
【０１７６】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について説明する。本実施の形態は、対向基板側に配向規制用構造物を設けることなく、垂直配向型の液晶配向を確実に規制する方法に関する。
【０１７７】
ＭＶＡ方式のＬＣＤでは白黒表示において、上下左右方向の視野角が８０°で１０以上のコントラスト比が得られている。しかしながら、少なくとも一方の基板側に樹脂等で形成された配向制御用の線状突起を形成する必要がある。このため、線状突起の形成工程が余計に加わる分だけ製造歩留まりが低下してしまう可能性が生じている。
【０１７８】
図５２は、電極ユニット同士の接続例を示している。図５２（ａ）は、正方形状の電極ユニット５２６がスリット５３４を介して縦５個横３個のマトリクス状に配列されている構造を示している。隣り合う電極ユニット５２６同士は、ほぼ電極ユニット５２６の一辺の中点から延びる接続電極５３６で電気的に接続されている。図５２（ｂ）は、図５２（ａ）と同様の配列の複数の電極ユニット５２６が、隣接する外周の角部同士を接続電極５３６で接続した構造を示している。
【０１７９】
図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示す構造は、両図に直線の矢印で示すように、接続電極５３６を介して複数の電極ユニット５２６が一直線でつながっている。このため、一直線上に複数並んだ電極ユニット５２６のそれぞれに形成される強度ｓ＝＋１の特異点の形成位置が不安定になった場合には、接続電極５３６を通路として特異点が大きく動いてしまう可能性が高くなり、配向不良が画素全体に及んでしまう確率がかなり高くなってしまう。
【０１８０】
本実施の形態では、（１）樹脂材料等を用いた土手状構成物を形成しない、（２）配向膜にラビング処理等を施した配向規制力を与えない（すなわち、基板に対して液晶分子を単に垂直方向へ配向させるようにする）、（３）ＴＦＴ基板側の画素電極構成だけで配向方向を規制する、という条件で、且つ、電圧印加時に液晶分子を複数の所望の方向へ傾斜配向させることを目的とする。
【０１８１】
この目的を達成するために、本実施の形態では、ＴＦＴ基板側に設ける画素電極の形状を以下のようにする。まず、各画素の画素電極は、長方形又はそれに近い形状をした複数の電極ユニットを組み合わせる。そして、複数の電極ユニット同士をそれぞれ電気的に接続するための接続電極を以下に説明するように配置する。
【０１８２】
互いに隣接する複数の電極ユニットは、当該電極ユニットの外周の辺に沿って設けられたスリットにより分け隔てられている。電極ユニットの外周の１辺において、当該辺の両端部のいずれか一方だけに接続電極を形成する。電極ユニットの外周の辺のうち、複数の辺に接続電極を設ける場合、隣接する２辺が交わる角部では、どちらか一方の辺の端部のみに接続電極を設けるような画素パターンとする。このように複数の電極ユニットを配置した場合、たとえば図５３に示すような画素電極パターンとなる（第１の手段）。
【０１８３】
また、電極ユニットの形状を次のように構成してもよい。電極ユニットの外周の各々の辺の一部から１本の細長いスペースを隣接する一方の辺に向かって当該辺の直前まで形成する。各々の辺を起点として設けられる各々のスペースが隣接辺に向かう向きは、電極ユニットの中心を軸として同じ回転方向になるように設ける。回転方向は時計回りであっても反時計回りであっても構わない。このように設計した電極ユニットを、上記第１の手段と同様にスリットを隔てて隣接させる。隣接させた電極ユニット同士は、外周端部に接続電極を設けて電気的に接続させる（第２の手段）。
【０１８４】
また、複数の電極ユニットを区切るスリットは、６μｍ以上の幅で長さは１００μｍ以下とし、複数の電極ユニットと電気的接続をとる接続電極の幅は５μｍ以下とする。
【０１８５】
本実施形態を用いることによりＬＣＤ製造プロセスに対し以下に挙げるような効果が生じる。
（１）対向基板側に追加する構造物が一切不要なため、対向基板側への構造物形成プロセスを省くことができる。
（２）液晶分子を配向規制するのはＴＦＴ基板側の画素電極のパターンによる。これは通常の「べた」の画素電極パターン形成プロセスと同一のプロセスで行うことができるため、新たに増加するプロセスがない。
（３）両基板に形成する配向膜は、垂直配向膜を塗布・成膜するだけであり、ラビング処理や光配向処理など、配向規制力を与えるプロセスが不要となる。
これら（１）〜（３）の効果によりプロセスの増加による歩留り低下の要因がなくなるため、結果的に製造歩留りを向上させることが可能となる。
【０１８６】
また、各画素の画素電極の構成を上記第１又は第２の手段で構成することにより、以下のような効果が生じる。
（４）第１の手段では、１つの接続電極で一直線に接続される電極ユニットは２つだけになるので、強度ｓ＝＋１の特異点の位置が乱れた場合でも、配向が乱れてしまう領域を小さくすることができる。
（５）第２の手段では、１つの接続電極で一直線に接続される電極ユニットは２つだけになると共に、接続電極で一直線に接続される領域が短いため、強度ｓ＝＋１の特異点が乱れた場合でも、配向が乱れてしまう領域を小さくすることができる。
（６）電極ユニットの周囲にあるスリットの幅が６μｍ以上である場合、電極ユニット端部の斜め電界の効果が強くなり、電極ユニット内で所望の配向を実現できる。逆にスリットの幅がそれよりも狭い場合、斜め電界の効果が小さくなり、配向乱れを生じてしまう。
（７）電極ユニットの周囲にあるスリットの長さは短いほど、電極ユニットの大きさは小さくなり、電極ユニット端部の斜め電界効果を高めることができる。できるだけ電極ユニット自体の大きさは小さい方が望ましいが、電極ユニットの大きさが小さくなるということは、逆にスリット部分の面積が大きくなることを意味しており、輝度が低下してしまうことになる。電極ユニットは適度な大きさが必要となるが幅４０μｍ程度までが理想である。従って、スリット１本の長さは最長で１００μｍまでとなる。
（８）接続電極の幅が太すぎる場合、強度ｓ＝＋１の特異点が隣接する電極ユニットに移動して配向が不安定になる。幅を５μｍ以下にした場合、強度ｓ＝＋１の特異点が移動し難くなるため配向自体が安定する。
【０１８７】
また、本実施の形態による液晶表示装置用基板を適用して作製された液晶パネルの上下を一対の直交するλ／４板で挟んだ場合、直線偏光板だけを挟んだ場合に発生する配向分割部の境界に発生するディスクリネーションラインを消して当該ライン部を透過する光量を増加させることが可能となるため、全体的な輝度を高くすることが可能となる。
【０１８８】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について、実施例４−１乃至４−５を用いて具体的に説明する。
（実施例４−１）
図５３及び図５４を用いて本実施例について説明する。図５３は、５行４列にマトリクス状に配列された電極ユニット２６と、電極ユニット２６間を電気的に接続する接続電極３６の配置関係とを示している。図５３において、互いに隣接する複数の電極ユニット２６は、当該電極ユニット２６の外周の辺に沿って設けられたスリット３４により分け隔てられている。電極ユニット２６の外周の辺のそれぞれの一方の端部に接続電極３６が形成されている。電極ユニット２６の隣接する２辺が突き当たる角部では、どちらか一方の辺の端部のみに接続電極３６が設けられている。このような構成にすることにより、図５３に矢印で示すように、１つの接続電極３６で一直線に接続される電極ユニット２６は２つだけになるので、強度ｓ＝＋１の特異点の位置が乱れた場合でも、配向が乱れてしまう領域を小さくすることができる。
【０１８９】
図５４は、図５３に示す電極ユニット２６及び接続電極３６の配置関係を用いて形成された画素を示している。ドレインバスライン１４方向に伸びた画素ピッチ（画素の長手方向）の幅は３００μｍであり、ゲートバスライン１２方向に伸びた画素ピッチの幅は１００μｍである。ＴＦＴ基板２には幅７μｍのドレインバスライン１４とゲートバスライン１２が形成されており、それらから８μｍずつ離れた位置に画素電極１６がＩＴＯで形成されている。すなわち、画素電極１６が形成される領域の幅は７７μｍである。画素電極１６のパターン形状については後述する。各画素のドレインバスライン１４とゲートバスライン１２の交点近傍にＴＦＴ１０が形成されている。
【０１９０】
画素電極１６は、複数の電極ユニット２６を含んで構成されている。１つの電極ユニット２６は、外周形状が１９μｍ×１９μｍの正方形の「べた」電極である。隣接する電極ユニット２６間には幅６μｍのスリット３４が配置されている。互いに隣接する電極ユニット２６を接続するための接続電極３６は、正方形の電極ユニット２６の辺の一方の端部に形成されている。当該辺の他端部には接続電極３６は形成しない。また、接続電極３６が形成された角部の隣接辺の端部に接続電極３６は形成しない。すなわち、正方形のそれぞれの角に一つずつ接続電極３６が形成され、外周部全体として風車状に４つの接続電極３６が形成されている。なお、接続電極３６の幅は３．５μｍである。このように接続電極３６が形成された電極ユニット２６を互いの接続電極３６同士が接続されるように隣接させる。隣接する電極ユニット２６間は幅６μｍのスリット３４が形成されている。隣接するスリット３４の位置関係は、１つのスリット３４の長手方向の中心部の位置に接続電極３６を隔てて他の１つのスリット３４の先端部が位置するように配置されており、隣接するスリット３４同士の長手方向は互いに直交している。
【０１９１】
また、画素電極１６は、絶縁層に形成したコンタクトホール（共に不図示）を介してＴＦＴ１０のソース電極に接続される。従って、コンタクトホール形成のための余裕が必要なため、画素電極１６とソース電極との接続領域はある程度大きな透明電極が必要となる。このため、この領域に限って約１５μｍ角の正方形の「べた」電極を設けている。
【０１９２】
また、図中の画素下方には隣接画素用のＴＦＴ１０のドレイン電極が配置されている。このため、当該ドレイン電極による配向乱れやクロストークの発生を防止するため、画素電極１６と当該ドレイン電極が重ならないように、当該ドレイン電極から７μｍ離れて画素電極１６の端部を設けている。
【０１９３】
また、ＣＦ基板（対向基板）４側には、ドレインバスライン１４方向に幅２３μｍのブラックマトリクスが３００×１００μｍピッチで設けられている。開口部には、それぞれＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ（ＣＦ）層が形成されており、その上には、ＩＴＯからなるコモン電極が全面「べた」で形成されている。なお、対向基板４上には、土手状の配向規制用構成物は一切形成されていない。
【０１９４】
両基板には垂直配向膜が形成されており、電圧無印加状態で液晶分子が基板面（配向膜面）に対して垂直方向に配向している。ＴＦＴ基板２と対向基板４とが所定のセルギャップで貼り合わされて負の誘電異方性を持つ液晶が注入されて封止されている。
【０１９５】
このような構成の液晶パネルを通常駆動させると、画素電極１６のうち１つの電極ユニット２６中では、正方形の端部（即ち辺にあたる部分）からから中心部に向かう、大まかに４つの方向の配向分割を実現することができる。１電極ユニット２６の大きさが１９μｍ×１９μｍと比較的小さな形状であるため、画素端部による電界の効果が大きく、配向規制力を大きくすることができる。また、画素電極１６内のスリット３４の配置により、接続電極３６を介して一直線で結ばれる距離を短くできるため、隣接電極ユニット２６間の配向領域を連結してしまう配向不良は出現し難く、仮に出現したとしても表示品質の低下を防ぐことができる。
【０１９６】
（実施例４−２）
図５５を用いて本実施例について説明する。電極ユニット２６の形状は図５３に示したものと同じであるが、接続電極３６が電極ユニット２６の外周の３辺のみに設けられ、残りの１辺には接続電極３６を設けない構造としている。このような構成にすると、隣接する電極ユニット２６間との接続数を減らせるため、強度ｓ＝＋１の特異点の移動による配向不良が発生する確率をさらに減少させることができる。
【０１９７】
（実施例４−３）
図５６を用いて本実施例について説明する。電極ユニット２６の形状は図５３に示したものと同じであるが、接続電極３６が外周の全ての辺に設けられた電極ユニット２６と、接続電極３６が外周の対向する２辺のみに設けられ、残りの２辺には設けられていない電極ユニット２６との２種類が組み合わされている。このような構成にすると、隣接する電極ユニット２６間との接続数を減らせるため、強度ｓ＝＋１の特異点の移動による配向不良が発生する確率をさらに減少させることができる。
【０１９８】
（実施例４−４）
図５７及び図５８を用いて本実施例について説明する。図５７（ａ）は、本実施例による１個の電極ユニット２６の形状を示しており、図５７（ｂ）は３行２列にマトリクス状に配列された電極ユニット２６と、電極ユニット２６間を電気的に接続する接続電極３６の配置関係とを示している。
【０１９９】
電極ユニット２６の外周の形状は３５μｍ×３５μｍの正方形である。１つの電極ユニット２６に、各辺の一部を起点として、太さ６μｍの４本のスペース３３を設ける。スペース３３の起点であるが、各辺の中心部に近い位置が望ましい。具体的には、図５７（ａ）に示す正方形の４辺のうち下の辺においては、右端から約１４μｍの位置を起点とし、この辺に対し４５°の角度をなし、隣接する辺のうち、右側の辺に向かう方向へスペース３３を延ばす。スペース３３を隣接する右側の辺まで延ばしてしまうと、電極が切れてしまうため、スペース３３が延びた先の辺の部分には、必ず電極が残るようにしなければならない。このようなスペース３３を正方形の各々の辺に設けると、図５７（ａ）に示す電極ユニット２６の形状となる。
【０２００】
このような構造の電極ユニット２６をゲートバスライン１２に沿った方向に２個、ドレインバスライン１４に沿った方向に６個配列させると図５８に示す構造となる。互いに隣接する電極ユニット２６は、幅７μｍのスリット３４で隔てられている。各々の電極ユニット２６に電気的接続を取るための接続電極３６は画素電極１６端部に設ける。これは、画素電極１６上で直線状につながる長さを短くするためである。こうすることにより、スリット３４を隔てて隣接する電極ユニット２６間の配向部分を連結してしまう配向不良を生じ難くし、また、仮に配向不良が出現したとしても表示品質の低下を防ぐことができる。
【０２０１】
（実施例４−５）
図５９及び図６０を用いて本実施例について説明する。本実施例においては、ドレインバスライン１４方向に伸びた画素ピッチ（画素の長手方向）の幅を２２５μｍとする。一方、ゲートバスライン１２方向に伸びた画素ピッチの幅を７５μｍとする。実施例４−１乃至４−４と比較して、１画素の大きさ自体が小さい場合の例である。
【０２０２】
ＴＦＴ基板２には幅６μｍのドレインバスライン１４とゲートバスライン１２が形成されており、それらから７μｍづつ離れた位置に画素電極１６がＩＴＯで形成されている。すなわち、画素電極１６が形成される領域の幅は５５μｍである。画素電極１６のパターン形状については後述する。各画素のドレインバスライン１４とゲートバスライン１２の交点近傍にＴＦＴ１０が形成されている。
【０２０３】
画素電極１６は、複数の電極ユニット２６を含んで構成されている。１つの電極ユニット２６は、外周形状が２４．５μｍ×２４．５μｍの正方形電極である。隣接する電極ユニット２６間には幅６μｍのスリット３４が配置されている。互いに隣接する電極ユニット２６を接続するための接続電極３６は、正方形の電極ユニット２６の辺の一方の端部に形成されている。また、当該辺の他方端には接続電極３６は形成せず、接続電極３６が形成された角部の隣接辺の端部にも接続電極は形成しない。すなわち、正方形のそれぞれの角に一つずつ接続電極３６が風車状に形成されている。なお、接続電極３６の幅は３．５μｍである。このように接続電極３６が形成された電極ユニット２６を互いの接続電極３６同士が接続されるように隣接させる。隣接する電極ユニット２６間は幅６μｍのスリット３４が形成されている。隣接するスリット３４の位置関係は、１つのスリット３４の長手方向の中心部の位置に接続電極３６を隔てて他の１つのスリット３４の先端部が位置するように配置されており、隣接するスリット３４同士の長手方向は互いに直交している。
【０２０４】
このようにして作られた電極ユニット２６を横方向（ゲートバスライン１２が延びる方向）に２個、縦方向（ドレインバスライン１４が延びる方向）に６個配列する。蓄積容量バスライン１８は、電極ユニット２６を配列したときにできるスリット３４の位置に合うように配置するため、画素中心部ではなく上下いずれかに偏らせて配置する。具体的には、下側のゲートバスライン１２から約１５０μｍ、上側のゲートバスライン１２から約７５μｍ離れた位置を中心とし、幅２０μｍの蓄積容量電極２０を設けている。蓄積容量バスライン１８を境として、下部の開口領域に８（＝２×４）個、上部の開口領域に４（＝２×２）個ずつ電極ユニット２６を配置する。但し、実施例４−１と同様に隣接画素のＴＦＴ領域に重ならないように電極ユニット２６の一部は形状を変化させる必要がある。
【０２０５】
また、画素電極１６は、絶縁層に形成したコンタクトホール（共に不図示）を介してＴＦＴ１０のソース電極に接続される。従って、コンタクトホール形成のための余裕が必要なため、画素電極１６とソース電極との接続領域はある程度大きな透明電極が必要となる。このため、この領域に限って約１５μｍ角の正方形の「べた」電極を設けている。
【０２０６】
また、図中の画素下方には隣接画素用のＴＦＴ１０のドレイン電極が配置されている。このため、当該ドレイン電極による配向乱れやクロストークの発生を防止するため、画素電極１６と当該ドレイン電極が重ならないように、当該ドレイン電極から７μｍ離れて画素電極１６の端部を設けている。
【０２０７】
また、ＣＦ基板（対向基板）４側には、ドレインバスライン１４方向に幅２０μｍのブラックマトリクスが２２５×７５μｍピッチで設けられている。開口部には、それぞれＲ、Ｇ、ＢのＣＦ層が形成されており、その上には、ＩＴＯからなるコモン電極が全面「べた」で形成されている。なお、対向基板４上には、土手状の配向規制用構成物は一切形成されていない。
【０２０８】
両基板には垂直配向膜が形成されており、電圧無印加状態で液晶分子が基板面（配向膜面）に対して垂直方向に配向している。ＴＦＴ基板２と対向基板４とが所定のセルギャップで貼り合わされて負の誘電異方性を持つ液晶が注入されて封止されている。
【０２０９】
このような構成の液晶パネルを通常駆動させると、画素電極１６のうち１つの電極ユニット２６中では、正方形の端部（即ち辺にあたる部分）からから中心部に向かう、大まかに４つの方向の配向分割を実現することができる。１電極ユニット２６の大きさが２４．５μｍ×２４．５μｍと比較的小さな形状であるため、画素端部による電界の効果が大きく、配向規制力を大きくすることができる。また、画素電極１６内のスリット３４の配置により、接続電極３６を介して一直線で結ばれる距離を短くできるため、隣接電極ユニット２６間の配向領域を連結してしまう配向不良は出現し難く、仮に出現したとしても表示品質の低下を防ぐことができる。
【０２１０】
図６０は、図５９に示した画素構造のうち、電極ユニット２６を図５７に示す形状に変更した画素電極１６を示している。図６０に示す画素電極１６の構造は、図５７に示す電極ユニット２６を縦方向（ドレインバスライン１４が延びる方向）に３個配列している。蓄積容量バスライン１８は、電極ユニット２６を配列したときにできるスリット３４の位置に合うように配置するため、画素中心部ではなく上下いずれかに偏らせて配置する。蓄積容量バスライン１８を境として、下部の開口領域に２個、上部の開口領域に１個の電極ユニット２６を配置している。但し、実施例４−１と同様に隣接画素のＴＦＴ領域に重ならないように電極ユニット２６の一部は形状を変化させている。こうすることにより、スリット３４を隔てて隣接する電極ユニット２６間の配向部分を連結してしまう配向不良を生じ難くし、また、仮に配向不良が出現したとしても表示品質の低下を防ぐことができる。
【０２１１】
以上の通り本実施の形態によれば、画素電極をパターニングする工程だけで、配向規制力を与えることができ、且つ配向不良の発生を軽減させることができるため、高画質のＬＣＤを高い歩留まりで、低コストで作製することができる。また、互いに直交した光学軸を有する円偏光板を本実施形態のＬＣＤパネルの表裏側に配置すれば高輝度の表示を容易に実現することができる。
【０２１２】
〔第５の実施の形態〕
次に、本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について説明する。第４の実施の形態で説明したとおり、従来のＭＶＡ−ＬＣＤやＡＳＶ−ＬＣＤでは土手状の樹脂パターンを形成する工程を要するため、製造歩留まりが低下してしまう問題がある。また、画素電極上で低階調側から高階調側にスイッチングする瞬間に液晶の移動があると、互いに隣接する電極パターンを電気的に接続している接続電極を通して、強度ｓ＝＋１の特異点が移動し、そのまま固定されてしまう現象が生じることがある。この現象は残像として表示される。
【０２１３】
また、液晶パネル表面を指で押した場合、液晶分子は物理的に押され傾斜してしまう。この場合も強度ｓ＝＋１の特異点が移動してしまうが、接続電極はもちろんのこと、接続電極のない電極パターン間のスリットの部分を越えて、強度ｓ＝＋１の特異点が移動してしまう現象が生じる。
【０２１４】
電極パターン間のスリットを越えて、強度ｓ＝＋１の特異点が移動してしまう現象は次のような条件で発生する。
（１）隣接する電極パターンの間のスリットの間隔が狭い場合、
（２）電極パターン自体の形状が、微細スリットなど配向を規制させる部分が少なく、電極自体の面積が大きい場合、
（３）表示階調が相対的に高い場合（通常、低階調では特異点の移動は生じない）。
【０２１５】
また、別の問題として、画素電極をＴＦＴのソース電極にコンタクトさせた場合、ソース電極の電界の影響を受けて、本来画素電極の中心に形成されなければならない強度ｓ＝＋１の特異点がソース電極の方向に流れてしまい、これを起因とした残像が生じる場合がある。
【０２１６】
本実施の形態では、液晶表示装置の振動による残像や、表面を指押しした場合に生じるむらをなくし、且つ、製造プロセスを増加させないために、次のような構造を採用する。
【０２１７】
（１）１画素の画素電極において、各々の電極パターンのセル内における位置は、各々の電極パターンの周縁部の位置よりも低くする。こうすると、画素電極を構成する電極パターンの周囲に絶縁層による壁面が形成される構成となる。この場合、電極のない部分に絶縁層が形成されていることになるため、隣接する電極パターンの間に土手を形成するのと同じ効果を得ることができる。これにより、隣接する電極パターン間を越えた、強度ｓ＝＋１の特異点の移動と結合を防ぐことができる。
【０２１８】
（２）１画素の画素電極において、ＴＦＴと直接接続している電極パターンのコンタクトホールを当該電極パターンの中心部に設け、且つＴＦＴのソース電極を電極パターンのコンタクトホールまで延ばす。コンタクトホールを電極パターンの中心部に設けることは、電極パターンにより発生される強度ｓ＝＋１の特異点の発生位置と、コンタクトホールの部分に強度ｓ＝＋１の特異点が引き込まれる位置が一致するため、強度ｓ＝＋１の特異点が必ず同じ位置に発生することになる。これにより、画素毎に強度ｓ＝＋１の特異点の発生位置がずれることがなくなるので残像は発生しない。
【０２１９】
（３）ゲートバスラインに隣接する電極端部やＴＦＴのソース電極とコンタクトしている電極ユニットの大きさが他の部分の電極ユニットより小さくなるようにする。強度ｓ＝＋１の特異点が崩れやすい部分の電極ユニットを意図的に小さくすることにより、実際に特異点の異常が発生した場合の影響を小さくして、配向分割のドメインの割合のバランスを崩れ難くすることができる。このため、マクロ的に見て、ざらつきの配向不良や、残像が発生し難くなると考えられる。
【０２２０】
以下、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について、実施例５−１乃至５−４を用いて具体的に説明する。
（実施例５−１）
図６１及び図６２を用いて本実施例について説明する。図６１は、複数の電極ユニット２６が形成された画素を示している。図６２は、図６１のＤ−Ｄ線で切断した断面を示している。ドレインバスライン１４方向に伸びた画素ピッチ（画素の長手方向）の幅は３００μｍであり、ゲートバスライン１２方向に伸びた画素ピッチの幅は１００μｍである。
【０２２１】
ＴＦＴ基板２のガラス基板５２上には幅７μｍのドレインバスライン１４とゲートバスライン１２が形成されている。ドレインバスライン１４とゲートバスライン１２との間に主にＳｉＯ２等の第１の絶縁層５００が形成され、さらに第２の絶縁層５０２が形成されている（図６２参照）。第２の絶縁層５０２は所定位置が開口されている。開口位置について次に説明する。
【０２２２】
（１）ＴＦＴ１０のソース電極部分を開口する。これは画素電極１６と接続させる必要があるために必須である。約５μｍの正方形状の穴を、電極ユニット２６とコンタクトさせる部分のソース電極上に形成する。
（２）後に形成される電極ユニット２６の配置位置に電極ユニット２６が収まる大きさの開口を形成する。例えば、１つの電極ユニット２６の外周の形状が、３５μｍ×３５μｍの正方形状とし、１画素内に横方向に電極ユニット２６を２個、縦方向にこの電極ユニット２６を６個並べるものとする。このように配列させる電極ユニット２６の位置に合わせて、３７μｍ×３７μｍの大きさの穴を第２の絶縁層５０２に設ける。
【０２２３】
その後、全面に画素電極１６となるＩＴＯ層をスパッタリング法等により形成する。その後、ＩＴＯ層をウェットエッチング法にてパターニングし、複数の電極ユニット２６を形成する。ここで形成される電極ユニット２６は、前工程で形成された第２の絶縁層５０２を開口した３７μｍ×３７μｍの穴５０４中に形成されることとなる。なお、それぞれの電極ユニット２６を電気的に独立させることはできないため幅約４μｍの接続電極３６を所定位置に同時に形成しておく。
【０２２４】
また、図中の画素下方には隣接画素用のＴＦＴ１０のドレイン電極が配置されている。このため、当該ドレイン電極による配向乱れやクロストークの発生を防止するため、画素電極１６と当該ドレイン電極が重ならないように、当該ドレイン電極から７μｍ離れて画素電極１６の端部を設けている。
【０２２５】
また、ＣＦ基板（対向基板）４側には、ドレインバスライン１４方向に幅２３μｍのブラックマトリクスが３００×１００μｍピッチで設けられている。開口部には、それぞれＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ（ＣＦ）層が形成されており、その上には、ＩＴＯからなるコモン電極が全面「べた」で形成されている。なお、対向基板４上には、土手状の配向規制用構成物は一切形成されていない。
【０２２６】
両基板には垂直配向膜が形成されており、電圧無印加状態で液晶分子が基板面（配向膜面）に対して垂直方向に配向している。ＴＦＴ基板２と対向基板４とが所定のセルギャップで貼り合わされて負の誘電異方性を持つ液晶が注入されて封止されている。
【０２２７】
このような構成の液晶パネルを通常駆動させると、画素電極１６のうち１つの電極ユニット２６中では、正方形の端部（即ち辺にあたる部分）からから中心部に向かう、大まかに４つの方向の配向分割を実現することができる。
比較例として図６３に従来構造の画素断面を示す。図６３（ａ）はＴＦＴ基板２及びＣＦ基板４に封止された液晶の液晶分子ｌｃｍの配向状態を示している。ＴＦＴ基板２上にはスリット３４を介して隣り合う２つの電極ユニット２６が形成されている。電圧印加状態で図示のように液晶分子ｌｃｍは配向し、強度ｓ＝＋１の特異点がスリット３４上に配置されている。ところが、図６３（ｂ）に示すように、指押し等により力Ｆがパネルに作用すると、液晶分子はｌｃｍは図示のように一方向に配向し、強度ｓ＝＋１の特異点がスリット３４上から移動するか消滅してしまっている。これに対し、本実施例によれば、画素端部による電界の効果が大きく、配向規制力を大きくすることができる。また、図６２に示すように、画素電極１６内のスリット３４の第２の絶縁層５０２が土手状の配向規制用構造物として機能するため、隣接電極ユニット２６間の配向領域を連結してしまう配向不良は出現し難く、仮に出現したとしても表示品質の低下を防ぐことができる。
【０２２８】
（実施例５−２）
図６４乃至図６７を用いて本実施例について説明する。図６４は、図６１のＥ−Ｅ線と同じ位置で切断した断面を示している。図６５乃至図６７は、図６４に示す位置での製造工程断面を示している。電極ユニット２６の形状は実施例５−１と同じなので説明は省略する。本実施例の実施例５−１と異なる点は、画素電極１６となるＩＴＯ層を最初に形成することにある。まず、図６５（ａ）に示すように、ガラス基板５２上にＩＴＯ膜５１０を成膜する。次に、ＩＴＯ膜５１０をウェットエッチング法を用いてパターニングして図６５（ｂ）に示すように、電極ユニット２６及び接続電極３６を含む画素電極１６を形成する。次に、全面に絶縁膜５１４を形成する（図６５（ｃ）参照）。次に、図６５（ｄ）に示すように、ゲート電極材料５１６を全面に成膜する。
【０２２９】
次に、ゲート電極材料５１６をパターニングして図６６（ａ）に示すように、ゲートバスライン１２を形成する。次いで、図６６（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜５１８を形成し、不図示の半導体層を成膜した後パターニングしてゲートバスライン（ゲート電極）１２上層にチャネル層（不図示）を形成する。次に、図６６（ｃ）に示すように、電極ユニット２６表面が露出するコンタクトホール５２０を開口する。
【０２３０】
次に、図６７（ａ）に示すように、ドレインバスライン形成金属層５２２を成膜してパターニングし、ドレインバスライン１４及びドレイン電極２２、ソース電極２４を形成してＴＦＴ１０を作製する（図６７（ｂ）参照）。次に、図６７（ｃ）に示すように、所定領域のゲート絶縁膜５１８及び絶縁膜５１４をドライエッチング法によりエッチング除去して、接続電極３６上に絶縁層５２４が形成され、画素電極１６形成領域がそれ以外の領域より低く形成されたＴＦＴ基板２が完成する。
【０２３１】
本実施例の構造によれば、スリット３４上と共に、画素電極１６のうち電極ユニット２６同士を電気的に接続する接続電極３６上のみに絶縁層５２４が形成されるため、従来、接続電極３６の部分で発生していた強度ｓ＝＋１の特異点の移動を防止することができるので、指押しや振動に対して配向不良を生じない画素構造が得られる。さらに、従来と同様の製造プロセスで画素構造を形成することができる。
【０２３２】
（実施例５−３）
図６８を用いて本実施例について説明する。本実施例においては、ドレインバスライン１４方向に伸びた画素ピッチ（画素の長手方向）の幅を２２５μｍとする。一方、ゲートバスライン１２方向に伸びた画素ピッチの幅を７５μｍとする。実施例５−１と比較して、１画素の大きさ自体が小さい場合の例である。
【０２３３】
ＴＦＴ基板２には幅６μｍのドレインバスライン１４とゲートバスライン１２が形成されており、それらから７μｍづつ離れた位置に画素電極１６がＩＴＯで形成されている。すなわち、画素電極１６が形成される領域の幅は５５μｍである。画素電極１６のパターン形状については後述する。各画素のドレインバスライン１４とゲートバスライン１２の交点近傍にＴＦＴ１０が形成されている。
【０２３４】
画素電極１６は、電極ユニット２６を、横方向に１列、縦方向に３列の計３個を並べて構成されている。１つの電極ユニット２６は、外周形状が５５μｍ×５５μｍの正方形電極である。各々の電極ユニット２６は、互いに８μｍ幅のスリット３４を隔てて隣接され、幅４μｍの接続電極３６で電気的に接続されている。画素電極１６を構成する電極ユニット２６のうち、ＴＦＴ１０と直接接続する電極ユニット２６のほぼ中心部に約５μｍの大きさのコンタクトホール５３０が設けられている。当該電極ユニット２６のほぼ中心部は、コンタクトホール５３０に確実に電極が形成されるようにするため、コンタクトホール５３０の周囲５μｍの範囲で、電極が「べた」に形成されている領域を設けてある。また、ソース電極２４は、電極ユニット２６の下層で絶縁層を介して配設されるが、電極ユニット２６の幹部２８や枝部３０からできるだけはみ出さない形状とする必要がある。ソース電極２４が、電極ユニット２６のスペース３２下方に形成されてしまうと、ソース電極２４と電極ユニット２６とが同電位であるため、スペース３２として機能しなくなってしまうのを防止するためである。
【０２３５】
こうすることにより、画素電極１６をＴＦＴ１０のソース電極２４にコンタクトさせた場合に、ソース電極２４の電界の影響を受けて、本来電極ユニット２６の中心に形成されなければならない強度ｓ＝＋１の特異点がソース電極２４の方向に流れてしまう現象を回避することができるので、これを起因とした表示のざらつき感を低減させることができる。
【０２３６】
（実施例５−４）
図６９を用いて本実施例について説明する。本実施例では、画素ピッチは実施例５−３と同様である。
画素電極１６は、第１の電極ユニット２６と第２の電極ユニット２６’とを組み合わせて構成されている。第１の電極ユニット２６は５５μｍ×５５μｍの正方形状であり、第２の電極ユニット２６’は２４μｍ×２４μｍの正方形状である。画素電極１６は、画素の上下端に第２の電極ユニット２６’を横方向に２列、縦方向に１列配置している。上下端の第２の電極ユニット２６’に挟まれるように第１の電極ユニット２６を横１列、縦２列で配置している。
【０２３７】
このように本実施例では、ゲートバスライン１２に隣接する電極端部やＴＦＴ１０のソース電極２４とコンタクトしている第２の電極ユニット２６’の大きさが他の部分の電極ユニット２６より小さくなるようにしている。強度ｓ＝＋１の特異点が崩れやすい部分の電極ユニット２６’を意図的に小さくすることにより、実際に特異点の異常が発生した場合の影響を小さくして、配向分割のドメインの割合のバランスを崩れ難くすることができる。このため、マクロ的に見て、ざらつきの配向不良や残像の発生を抑制することができる。
【０２３８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、画素電極の電極パターンの周囲に絶縁層の土手を形成させた構造であって、製造プロセスを増加させずに、特異点の発生位置の変動を抑えることができるようになる。
【０２３９】
また、ＴＦＴとのコンタクトホールを電極パターンの中心部に取ることにより、特異点の発生位置を一致させ、残像の発生を抑制することができるようになる。
【０２４０】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、ほぼ同一形状の複数の電極ユニット２６が画素領域に配置されているが、本発明はこれに限らず、異なる形状の複数の電極ユニット２６を組み合わせて配置してもよい。一例として、蓄積容量バスライン１８に対して互いに線対称となる２種類の形状の複数の電極ユニット２６を蓄積容量バスライン１８の上方及び下方にそれぞれ配置する構成が挙げられる。
【０２４１】
また、上記実施の形態ではＭＶＡ−ＬＣＤを例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【０２４２】
さらに、上記実施の形態では透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、光反射性を有する導電膜により画素電極１６が形成された反射型や、半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【０２４３】
また、上記実施の形態では、ＴＦＴ基板２に対向配置されたＣＦ基板４上にＣＦが形成された液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ＴＦＴ基板２上にＣＦが形成された、いわゆるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置にも適用できる。
【０２４４】
以上説明した第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向基板とともに液晶を挟持する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に互いにほぼ平行に形成された複数のゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、
前記絶縁性基板上にマトリクス状に配置された画素領域と、
前記画素領域に形成された複数の電極ユニットと、前記電極ユニット間に形成されたスリットと、前記複数の電極ユニットを互いに接続する接続電極とを備えた画素電極と、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２４５】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極は、前記画素領域の外周部に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２４６】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットは、複数の幹部と、前記幹部から分岐して延びる複数の枝部と、前記枝部間のスペースとを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２４７】
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置用基板において、
前記スリットは、前記スペースの幅より広い幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２４８】
（付記５）
付記３又は４に記載の液晶表示装置用基板において、
前記幹部は、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインにほぼ平行又は垂直に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２４９】
（付記６）
付記３乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記枝部は、前記薄膜トランジスタのソース電極近傍で、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインにほぼ平行又は垂直に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５０】
以上説明した第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記７）
付記３乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は互いに交差して形成され、
前記電極ユニットは、前記複数の幹部により画定され、前記液晶をそれぞれ異なる方向に配向させる複数の配向領域を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５１】
（付記８）
付記３乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットは、前記ゲートバスライン及び前記ドレインバスラインにほぼ平行又は垂直な４辺からなる長方形状の外周を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５２】
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は、前記電極ユニット内に配置された１つの起点から、前記外周上に配置された４つの終点までを直線状に結ぶ形状を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５３】
（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点は、前記長方形の各辺にそれぞれ配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５４】
（付記１１）
付記１０記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点は、前記長方形の各辺を等分する位置にそれぞれ配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５５】
（付記１２）
付記９記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点は、前記長方形のうち一辺に２つ配置され、当該一辺に対峙する辺と他の辺とに１つずつ配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５６】
（付記１３）
付記９記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点は、前記長方形のうち一辺に２つ配置され、当該一辺に対峙する辺以外の２つの辺に１つずつ配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５７】
（付記１４）
付記９記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点は、前記長方形のうち一辺に２つ配置され、当該一辺に対峙する辺に２つ配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５８】
（付記１５）
付記９乃至１４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点のうち少なくとも１つは、前記長方形の頂点に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２５９】
（付記１６）
付記１５記載の液晶表示装置用基板において、
前記４つの終点は、前記長方形の頂点にそれぞれ配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６０】
（付記１７）
付記９乃至１６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記起点は、前記４つの終点のうち隣接しない２つの終点同士をたすき状に結ぶ２つの直線の交点に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６１】
（付記１８）
付記９乃至１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は、ほぼ同一幅の長方形状であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６２】
（付記１９）
付記１８記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は、前記終点近傍のみ細い幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６３】
（付記２０）
付記９乃至１７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は、前記起点から前記終点までに徐々に細くなる幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６４】
（付記２１）
付記９乃至２０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は、途中で屈曲していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６５】
（付記２２）
付記８乃至２１のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットは、正方形状の外周を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６６】
（付記２３）
付記７乃至２２のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の電極ユニットは、ほぼ同一形状であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６７】
（付記２４）
付記７乃至２２のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の電極ユニットは、異なる形状であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６８】
（付記２５）
付記２４記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の電極ユニットは、互いに線対称の２種類の形状を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２６９】
（付記２６）
付記７乃至２５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのソース電極に接続するために前記画素電極形成材料が全面に形成されたコンタクト領域を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７０】
（付記２７）
付記７乃至２６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極に隣接する前記電極ユニットは、他の前記電極ユニットに比較して、前記ドレインバスラインに沿う方向の辺の長さが短く形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７１】
（付記２８）
付記７乃至２７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部は、ほぼ同一幅の長方形状であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７２】
（付記２９）
付記７乃至２７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部は、前記幹部に接続された根本部から先端部までに徐々に細くなる幅を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７３】
（付記３０）
付記７乃至２９のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部は、途中で屈曲していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７４】
（付記３１）
付記７乃至３０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部は、前記配向領域内で互いにほぼ平行に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７５】
（付記３２）
付記８乃至３１のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部の延びる方向は、前記外周の一辺に対して４５°以上９０°以下の角度を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７６】
（付記３３）
付記３２記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部の延びる方向は、前記外周の一辺に対して９０°の角度を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７７】
（付記３４）
付記３２記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部の延びる方向は、前記外周の一辺に対して４５°の角度を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７８】
（付記３５）
付記７乃至３４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部の延びる方向は、隣接する前記配向領域間で９０°以上１３５°以下の角度を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２７９】
（付記３６）
付記７乃至３４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部の延びる方向は、隣接する前記配向領域間で４５°以上９０°以下の角度を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８０】
（付記３７）
付記７乃至３４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の枝部の延びる方向は、隣接する前記配向領域間で９０°の角度を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８１】
（付記３８）
付記７乃至３７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数の幹部は、所定のずれ幅で互いにずれた状態で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８２】
（付記３９）
付記３８記載の液晶表示装置用基板において、
前記ずれ幅は、前記幹部の幅以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８３】
（付記４０）
付記７乃至３９のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極は、前記幹部及び前記枝部と同一の形成材料で形成され、前記ドレインバスライン近傍に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８４】
（付記４１）
付記７乃至４０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極は、隣接する前記電極ユニットの前記枝部間に配置され、当該枝部のうち少なくとも一方の延びる方向にほぼ平行に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８５】
（付記４２）
付記４１記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極は、隣接する前記電極ユニットの前記枝部であって、互いにほぼ平行に延びて前記スリットを介して対向する前記枝部間に配置され、当該枝部の延びる方向にほぼ平行に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８６】
（付記４３）
付記７乃至４０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極は、隣接する前記電極ユニットの前記枝部であって、前記スリットを介して対向する前記枝部以外の前記枝部間に配置され、当該枝部の延びる方向に対して斜めに形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８７】
（付記４４）
付記７乃至４０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極は、前記ドレインバスラインに隣接する前記電極ユニットの前記ドレインバスライン側に延びる前記枝部間に配置され、当該枝部の延びる方向にほぼ平行に延びる延伸部と、前記延伸部間を接続し、前記ドレインバスラインにほぼ平行に延びる接続部とを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８８】
（付記４５）
付記７乃至４４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
蓄積容量バスラインをさらに有し、
前記接続電極は、前記ゲートバスラインの延びる方向に隣接する前記電極ユニット間を接続するために、前記蓄積容量バスライン上に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２８９】
（付記４６）
付記７乃至４４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
蓄積容量バスラインをさらに有し、
前記蓄積容量バスラインは、基板面に垂直方向に見て、前記スリットに重なるように配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９０】
（付記４７）
付記７乃至４６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記幹部及び前記枝部と異なる形成材料で形成され、前記薄膜トランジスタのソース電極と、前記電極ユニットとを接続する第２の接続電極をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９１】
（付記４８）
付記１乃至４７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、透明導電膜により形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９２】
以上説明した第３の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
【０２９３】
（付記４９）
付記１乃至４８のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極に電圧を印加したときに、前記液晶が垂直配向する位置を特定する垂直配向制御部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９４】
（付記５０）
付記１乃至４９のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板と対向配置される対向電極が形成された液晶表示装置用基板であって、
前記対向電極に電圧を印加したときに、前記液晶が垂直配向する位置を特定する垂直配向制御部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９５】
（付記５１）
付記４９又は５０に記載の液晶表示装置用基板において、
前記垂直配向部は、
配向ベクトルの特異点の位置を制御する特異点制御部であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９６】
（付記５２）
付記５１記載の液晶表示装置用基板において、
前記特異点制御部は、
基板上に部分的に設けた凸部又は凹部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９７】
（付記５３）
付記５２記載の液晶表示装置用基板において、
前記凸部又は凹部は、線状の形状を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９８】
（付記５４）
付記５２記載の液晶表示装置用基板において、
前記凸部又は凹部が、点状の形状を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０２９９】
（付記５５）
付記５２乃至５４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記凸部又は凹部は、導電性を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３００】
（付記５６）
付記５２乃至５４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記凸部又は凹部は、絶縁性を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０１】
（付記５７）
付記５２乃至５４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記凸部又は凹部は、絶縁性部分と導電性部分とを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０２】
（付記５８）
付記５７記載の液晶表示装置用基板において、
前記導電性部分は、前記接続電極が形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０３】
（付記５９）
付記５２乃至５８記載の液晶表示装置用基板において、
前記凸部の高さは、セル厚相当であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０４】
（付記６０）
付記４９又は５０に記載の液晶表示装置用基板において、
前記垂直配向制御部は、線状であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０５】
（付記６１）
付記６０記載の液晶表示装置用基板において、
前記垂直配向制御部は、前記スリットの幅を拡幅した電極抜き部であり、
前記電極抜き部の抜き幅は、セル厚の２倍以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０６】
（付記６２）
付記６０記載の液晶表示装置用基板において、
前記垂直配向制御部は、前記スリットの少なくとも一部に、前記画素電極から独立した電位を印加できる垂直配向制御用電極を有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０７】
（付記６３）
付記６２記載の液晶表示装置用基板において、
前記垂直配向制御用電極は、前記接続電極及びその近傍に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０８】
（付記６４）
付記６２又は６３に記載の液晶表示装置用基板において、
前記垂直配向制御用電極の電位は、前記対向電極電位に等しいこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３０９】
（付記６５）
付記６２乃至６４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
蓄積容量バスラインをさらに有し、
前記垂直配向制御用電極は、前記蓄積容量バスラインに接続されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１０】
以上説明した第４の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記６６）
付記１乃至６５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
互いに隣接する前記電極ユニットは、前記電極ユニットの外周の１辺の両端部のいずれか一方だけに前記接続電極が接続され、隣接する２辺が交わる角部では、いずれか一方の辺の端部のみに前記接続電極が接続されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１１】
（付記６７）
付記６６記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットの外周全辺に前記接続電極が接続されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１２】
（付記６８）
付記６６記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットは、外周の各々の辺の一部から延びるスペースを有し、
前記スペースは、隣接する一辺に向かって当該辺の直前まで延びて形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１３】
（付記６９）
付記６８記載の液晶表示装置用基板において、
前記スペースは、前記電極ユニットの中心部を軸として、全て同じ回転方向になるような向きで各辺に設けられていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１４】
（付記７０）
付記６６乃至６９のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記スリットの幅は、５μｍ以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１５】
（付記７１）
付記６６乃至６９のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記スリットの長さは、１００μｍ以下であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１６】
（付記７２）
付記６６乃至７０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記接続電極の幅は、５μｍ以下であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１７】
以上説明した第５の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記７３）
付記１乃至７２のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットの基板面からの高さは、周縁部より低いこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１８】
（付記７４）
付記７３記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニット下層の絶縁層は開口されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３１９】
（付記７５）
付記７３記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニット下層の絶縁層の前記電極パターンの外周縁部にストライプ状の開口が設けられていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２０】
（付記７６）
付記７３乃至７５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記電極ユニットのほぼ中央部に設けられ、前記薄膜トランジスタと前記電極ユニットとを接続するためのコンタクトホールを有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２１】
（付記７７）
付記７６記載の液晶表示装置用基板において、
前記薄膜トランジスタの前記ソース電極は、前記電極ユニットの電極材形成位置下方から前記コンタクトホールに接続していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２２】
（付記７８）
付記７３乃至７７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
大きさの異なる複数の前記電極ユニットを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２３】
（付記７９）
付記７７記載の液晶表示装置用基板において、
前記ソース電極に隣接する前記電極ユニットの大きさは、他の前記電極ユニットより小さいこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２４】
（付記８０）
付記７７記載の液晶表示装置用基板において、
前記バスラインに隣接する前記電極ユニットの大きさは、他の前記電極ユニットより小さいこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２５】
（付記８１）
付記８０記載の液晶表示装置用基板において、
前記バスラインは、前記ゲートバスラインであること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２６】
（付記８２）
基板上に電極材料を成膜してパターニングし、電極ユニット及び接続電極を含む画素電極を形成し、
全面に絶縁膜を形成してからゲートバスラインを形成し、
ゲート絶縁膜を形成し、
チャネル層を形成し、
前記電極ユニット表面が露出するコンタクトホールを開口し、
ドレインバスライン形成金属層を成膜してパターニングし、ドレインバスライン及びドレイン電極、及び前記コンタクトホールを介して前記電極ユニットと接続されるソース電極を形成してＴＦＴを形成し、
所定領域の前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜を除去して、前記接続電極上に絶縁層を形成することにより、
前記画素電極形成領域をそれ以外の領域より低く形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【０３２７】
（付記８３）
絶縁性基板と、前記絶縁性基板に対向配置された対向基板と、前記２枚の基板間に封止され、負の誘電率異方性を有し、前記基板に対してほぼ垂直に配向する液晶とを有する液晶表示装置において、
前記２枚の基板の一方に、付記１乃至８１のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【０３２８】
（付記８４）
付記８３記載の液晶表示装置において、
前記対向基板の画素開口部内には、配向規制用構造物が全く形成されていないこと
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【０３２９】
（付記８５）
付記８３又は８４に記載の液晶表示装置において、
前記２枚の基板の外側に、それぞれ１／４波長板と偏光板とがこの順に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【０３３０】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、製造工程を増加させずに良好な表示品質を得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の等価回路を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−１による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の実施例１−２による液晶表示装置用基板の構成の他の変形例を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の実施例１−３による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態の実施例１−４による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態の実施例１−５による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の実施例１−６による液晶表示装置用基板の構成の他の変形例を示す断面図である。
【図１６】本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の例を示す図である。
【図１７】本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の例を示す図である。
【図１８】本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の例を示す図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の液晶分子の配向状態及び表示状態を示す図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の液晶分子の配向状態及び表示状態を示す図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態の実施例２−１による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の液晶分子の配向状態及び表示状態を示す図である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の液晶分子の配向状態及び表示状態を示す図である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の液晶分子の配向状態及び表示状態を示す図である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態の実施例２−２による液晶表示装置用基板の液晶分子の配向状態及び表示状態を示す図である。
【図３３】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の前提となる液晶分子の配向状態及び液晶表示装置の表示状態を示す図である。
【図３４】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３５】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３６】本発明の第３の実施の形態の実施例３−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３７】本発明の第３の実施の形態の実施例３−２による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３８】本発明の第３の実施の形態の実施例３−２による液晶表示装置用基板の具体的構成例を示す図である。
【図３９】本発明の第３の実施の形態の実施例３−２による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図４０】本発明の第３の実施の形態の実施例３−３による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４１】本発明の第３の実施の形態の実施例３−４による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４２】本発明の第３の実施の形態の実施例３−５による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４３】本発明の第３の実施の形態の実施例３−６による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４４】本発明の第３の実施の形態の実施例３−７による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４５】本発明の第３の実施の形態の実施例３−８による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図４６】本発明の第３の実施の形態の実施例３−８による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４７】本発明の第３の実施の形態の実施例３−９による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４８】本発明の第３の実施の形態の実施例３−１０による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４９】本発明の第３の実施の形態の実施例３−１１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５０】本発明の第３の実施の形態の実施例３−１１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５１】本発明の第３の実施の形態の実施例３−１１による液晶表示装置用基板の具体的構成例を示す図である。
【図５２】本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板について説明する図である。
【図５３】本発明の第４の実施の形態の実施例４−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５４】本発明の第４の実施の形態の実施例４−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５５】本発明の第４の実施の形態の実施例４−２による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５６】本発明の第４の実施の形態の実施例４−３による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５７】本発明の第４の実施の形態の実施例４−４による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５８】本発明の第４の実施の形態の実施例４−４による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５９】本発明の第４の実施の形態の実施例４−５による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６０】本発明の第４の実施の形態の実施例４−５による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６１】本発明の第５の実施の形態の実施例５−１による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６２】本発明の第５の実施の形態の実施例５−１による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図６３】本発明の第５の実施の形態の実施例５−１による液晶表示装置用基板の構成の比較例を示す断面図である。
【図６４】本発明の第５の実施の形態の実施例５−２による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図６５】本発明の第５の実施の形態の実施例５−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６６】本発明の第５の実施の形態の実施例５−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６７】本発明の第５の実施の形態の実施例５−２による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６８】本発明の第５の実施の形態の実施例５−３による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６９】本発明の第５の実施の形態の実施例５−４による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図７０】従来の液晶表示装置用基板の１画素の構成を示す図である。
【図７１】従来の液晶表示装置の液晶分子の配向状態及び表示状態を示す図である。
【図７２】ＭＶＡ−ＬＣＤの概略の構成を示す断面図である。
【図７３】
ＭＶＡ−ＬＣＤのＴＦＴ基板の概略の構成を示す図である。
【符号の説明】
２　ＴＦＴ基板
４　ＣＦ基板
１０　ＴＦＴ
１２　ゲートバスライン
１４　ドレインバスライン
１６　画素電極
１８　蓄積容量バスライン
２０　蓄積容量電極
２２　ドレイン電極
２４　ソース電極
２６　電極ユニット
２８　幹部
３０　枝部
３２、３３　スペース
３４、３５　スリット
３６　接続電極
３８、３９　コンタクト領域
４０　ＢＭ
４２、４３　暗線
４４、４５　１／４波長板
４６　ＴＡＣフィルム
４８　液晶層
５０　暗点
５２、５３　ガラス基板
５４　絶縁膜
５６　保護膜
５８　共通電極
６０　柱状スペーサ
６２　誘電体
８０　ゲートバスライン駆動回路
８１　ドレインバスライン駆動回路
８２　制御回路
８３、８４　偏光板
８５　バックライトユニット
９０、９５　吸収軸
９１、９２、９３、９４　光学軸
【図１】
2004004460.tif 000003
【図２】
2004004460.tif 000004
【図３】
2004004460.tif 000005
【図４】
2004004460.tif 000006
【図５】
2004004460.tif 000007
【図６】
2004004460.tif 000008
【図７】
2004004460.tif 000009
【図８】
2004004460.tif 000010
【図９】
2004004460.tif 000011
【図１０】
2004004460.tif 000012
【図１１】
2004004460.tif 000013
【図１２】
2004004460.tif 000014
【図１３】
2004004460.tif 000015
【図１４】
2004004460.tif 000016
【図１５】
2004004460.tif 000017
【図１６】
2004004460.tif 000018
【図１７】
2004004460.tif 000019
【図１８】
2004004460.tif 000020
【図１９】
2004004460.tif 000021
【図２０】
2004004460.tif 000022
【図２１】
2004004460.tif 000023
【図２２】
2004004460.tif 000024
【図２３】
2004004460.tif 000025
【図２４】
2004004460.tif 000026
【図２５】
2004004460.tif 000027
【図２６】
2004004460.tif 000028
【図２７】
2004004460.tif 000029
【図２８】
2004004460.tif 000030
【図２９】
2004004460.tif 000031
【図３０】
2004004460.tif 000032
【図３１】
2004004460.tif 000033
【図３２】
2004004460.tif 000034
【図３３】
2004004460.tif 000035
【図３４】
2004004460.tif 000036
【図３５】
2004004460.tif 000037
【図３６】
2004004460.tif 000038
【図３７】
2004004460.tif 000039
【図３８】
2004004460.tif 000040
【図３９】
2004004460.tif 000041
【図４０】
2004004460.tif 000042
【図４１】
2004004460.tif 000043
【図４２】
2004004460.tif 000044
【図４３】
2004004460.tif 000045
【図４４】
2004004460.tif 000046
【図４５】
2004004460.tif 000047
【図４６】
2004004460.tif 000048
【図４７】
2004004460.tif 000049
【図４８】
2004004460.tif 000050
【図４９】
2004004460.tif 000051
【図５０】
2004004460.tif 000052
【図５１】
2004004460.tif 000053
【図５２】
2004004460.tif 000054
【図５３】
2004004460.tif 000055
【図５４】
2004004460.tif 000056
【図５５】
2004004460.tif 000057
【図５６】
2004004460.tif 000058
【図５７】
2004004460.tif 000059
【図５８】
2004004460.tif 000060
【図５９】
2004004460.tif 000061
【図６０】
2004004460.tif 000062
【図６１】
2004004460.tif 000063
【図６２】
2004004460.tif 000064
【図６３】
2004004460.tif 000065
【図６４】
2004004460.tif 000066
【図６５】
2004004460.tif 000067
【図６６】
2004004460.tif 000068
【図６７】
2004004460.tif 000069
【図６８】
2004004460.tif 000070
【図６９】
2004004460.tif 000071
【図７０】
2004004460.tif 000072
【図７１】
2004004460.tif 000073
【図７２】
2004004460.tif 000074
【図７３】
2004004460.tif 000075