(57)【要約】【課題】主表面が（１１０）面である半導体基板に圧力検出用のダイアフラムおよび歪みゲージ抵抗とを形成してなる半導体圧力センサにおいて、センターゲージとサイドゲージに加わる熱応力の差を極力小さくする。【解決手段】〈１１０〉結晶軸方向に沿った一対の第１の辺３１、３２と〈１００〉結晶軸方向に沿った一対の第２の辺３３、３４との四つの辺からなる正方形のダイアフラム３０において、第１の辺３１、３２を二等分し且つダイアフラムの中心点を通る軸を第１の軸Ｋ１とし、第１の軸Ｋ１と直交し且つダイアフラムの中心点を通る軸を第２の軸Ｋ２としたとき、個々のセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２の中心点からダイアフラム３０の周辺部に向かって延びるとともに第１の軸Ｋ１および第２の軸Ｋ２と４５°をなす仮想線Ｔ１〜Ｔ４上に、個々のサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２が位置している。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面が（１１０）面である半導体基板（１０）と、
前記半導体基板の前記主表面に形成された圧力検出用のダイアフラム（３０）と、
このダイアフラムに形成され、前記ダイアフラムの歪みに伴う検出信号を出力するためのブリッジ回路（１００）を構成する歪みゲージ抵抗（Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２）と、を備え、
前記ダイアフラムの平面形状は、〈１１０〉結晶軸方向に沿った一対の第１の辺（３１、３２）と〈１００〉結晶軸方向に沿った一対の第２の辺（３３、３４）との四つの辺からなる正方形であり、
前記歪みゲージ抵抗は、〈１１０〉結晶軸方向に沿って前記ダイアフラムの中心部に配置された一対のセンターゲージ（Ｒｃ１、Ｒｃ２）と、前記センターゲージよりも前記ダイアフラムの周辺部に配置された一対のサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）とから構成されている半導体圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムの前記第１の辺を二等分するとともに前記ダイアフラムの中心点を通る軸を第１の軸（Ｋ１）とし、前記第１の軸と直交し且つ前記ダイアフラムの中心点を通る軸を第２の軸（Ｋ２）としたとき、
個々の前記センターゲージの中心点から前記ダイアフラムの周辺部に向かって延びるとともに前記第１の軸および前記第２の軸と４５°をなす仮想線（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）上に、個々の前記サイドゲージが位置していることを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項２】
前記一対のサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）同士は、前記第１の軸（Ｋ１）に対して互いに対称な位置関係にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサ。
【請求項３】
前記一対のサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）同士は、前記第２の軸（Ｋ２）に対しても互いに対称な位置関係にあることを特徴とする請求項２に記載の半導体圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主表面が（１１０）面である半導体基板に圧力検出用のダイアフラムおよび歪みゲージ抵抗とを形成してなるダイアフラム式の半導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体圧力センサは、主表面が（１１０）面である半導体基板と、半導体基板の主表面に形成された圧力検出用のダイアフラムと、このダイアフラムに形成されダイアフラムの歪みに伴う検出信号を出力するためのブリッジ回路を構成する歪みゲージ抵抗とを備えたものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、（１１０）面に配置される歪みゲージ抵抗は、〈１１０〉結晶軸方向に沿ってダイアフラムの中心部に配置された一対のセンターゲージと、センターゲージよりもダイアフラムの周辺部に配置された一対のサイドゲージとから構成される（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
ここで、図４は、上記半導体基板を用いた半導体圧力センサにおける半導体基板１０の主表面に形成されたダイアフラム３０における歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２の配置状態を示す図である。半導体基板１０の主表面である（１１０）面には、その構造上、相直交する２つの結晶軸〈１１０〉と〈１００〉とが存在する。
【０００５】
ここで、〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力の感度は、〈１００〉結晶軸方向に発生する応力の感度と比べてピエゾ抵抗係数が非常に大きいため、（１１０）面における応力検出においては、〈１００〉結晶軸方向ではなく、〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力を用いることになる。
【０００６】
そして、（１１０）面においては〈１１０〉は１方向しか存在しないため、より感度の高い結晶軸に対してより高い出力を得ようとすると、必然的に、図４に示す様な歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２の配置を採らざるを得ない。
【０００７】
つまり、〈１１０〉結晶軸方向に沿ってダイアフラム３０の中心寄りに配置されたセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２と、該センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２よりも該ダイアフラム３０の周辺部に配置されたサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とを設け、これら４個の歪みゲージ抵抗でブリッジ回路を構成して〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力を検出する。
【０００８】
具体的には、図５に示すように、センターゲージＲｃ１の抵抗値をＲＡ、センターゲージＲｃ２の抵抗値をＲＤ、サイドゲージＲｃ３の抵抗値をＲＢ、サイドゲージＲｃ４の抵抗値をＲＡとして、これら歪みゲージ抵抗は互いに直列接続されて４辺形の閉回路を形成し、ホイートストンブリッジを構成している。
【０００９】
そして、図５に示すブリッジ回路１００においては、入力端子ＩａからＩｂとへ直流定電流Ｉを与えた状態で、ダイアフラム３０の歪みが歪みゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＲＤの抵抗値変化として現れ、出力端子ＰａとＰｂとの間から被検出圧力に応じたレベルの電圧（検出信号）すなわち中点電位Ｖｏｕｔが出力されるようになっている。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−３５６０６１号公報（第３頁、第１図）
【００１１】
【特許文献２】
特開平１１−９４６６６号公報（第１１頁、第１５図）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通常、このような半導体圧力センサは、図示しないが、上記特許文献１に示されているように、例えば半導体基板１０にガラス台座が陽極接合等により貼り合わされた構造となっている。
【００１３】
半導体基板１０とガラス台座とは熱膨張係数が異なるため、温度が変化すると両者の間に熱応力が発生し、それはダイアフラム３０上の歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２へと伝達する。ここで、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２とサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２にかかる熱応力は、そのダイアフラム３０上の位置の違いから大きさが異なる。
【００１４】
その結果、サイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２にかかる熱応力の差分がノイズとして出力されてしまう。そして、この熱応力の差分は温度に依存して非線形に変化するため、出力のオフセットの温度特性は温度に対して曲がりを持ったものとなる。
【００１５】
よって、出力のオフセットの温度特性において、室温〜高温間のオフセットの温度に対する勾配と、低温〜室温間のオフセットの温度に対する勾配との間に差が生じる。この差はＴＮＯ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｎｏｎｌｉｎｅａｒｉｔｙ  Ｏｆｆｓｅｔ）と呼ばれ、このＴＮＯはセンサの精度を決める重要な特性である。
【００１６】
また、半導体圧力センサの小型化すなわち半導体基板１０の小型化を狙う場合、大きな面積を占めるダイアフラム３０を縮小することが考えられるが、そうすると、本発明者らの検討によると、サイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２の熱応力差が大きくなる。
【００１７】
そのため、ダイアフラム３０のサイズが小さくなればなるほど、上記ＴＮＯ特性は悪化してしまう。よって、ＴＮＯ特性を悪化させずに改善するセンサ構造が求められる。
【００１８】
本発明は上記問題に鑑み、主表面が（１１０）面である半導体基板に圧力検出用のダイアフラムおよび歪みゲージ抵抗とを形成してなる半導体圧力センサにおいて、センターゲージとサイドゲージに加わる熱応力の差を極力小さくすることを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、主表面が（１１０）面である半導体基板（１０）の主表面に、平面形状が〈１１０〉結晶軸方向に沿った一対の第１の辺（３１、３２）と〈１００〉結晶軸方向に沿った一対の第２の辺（３３、３４）との四つの辺からなる正方形をなすダイアフラム（３０）が形成された半導体圧力センサについて、検討した。
【００２０】
そして、このような半導体圧力センサについて有限要素法（ＦＥＭ）を用いた解析を行い、それにより、センターゲージとサイドゲージとの間で生じる熱応力の差がダイアフラムの各位置によってどのような分布を示すかを求めた（図３参照）。本発明は、このようにして求めた熱応力差の分布状態に基づいてなされたものである。
【００２１】
請求項１に記載の発明では、主表面が（１１０）面である半導体基板（１０）と、半導体基板の主表面に形成された圧力検出用のダイアフラム（３０）と、このダイアフラムに形成され、ダイアフラムの歪みに伴う検出信号を出力するためのブリッジ回路（１００）を構成する歪みゲージ抵抗（Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２）と、を備え、ダイアフラムの平面形状は、〈１１０〉結晶軸方向に沿った一対の第１の辺（３１、３２）と〈１００〉結晶軸方向に沿った一対の第２の辺（３３、３４）との四つの辺からなる正方形であり、歪みゲージ抵抗は、〈１１０〉結晶軸方向に沿ってダイアフラムの中心部に配置された一対のセンターゲージ（Ｒｃ１、Ｒｃ２）と、センターゲージよりもダイアフラムの周辺部に配置された一対のサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）とから構成されている半導体圧力センサにおいて、次に述べるような特徴を有する。
【００２２】
すなわち、ダイアフラム（３０）の第１の辺（３１、３２）を二等分するとともにダイアフラムの中心点を通る軸を第１の軸（Ｋ１）とし、第１の軸と直交し且つダイアフラムの中心点を通る軸を第２の軸（Ｋ２）としたとき、個々のセンターゲージ（Ｒｃ１、Ｒｃ２）の中心点からダイアフラムの周辺部に向かって延びるとともに第１の軸および第２の軸と４５°をなす仮想線（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）上に、個々のサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）が位置していることを特徴とする。
【００２３】
本発明のようなサイドゲージの位置を採用することにより、センターゲージ（Ｒｃ１、Ｒｃ２）とサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）に加わる熱応力の差を極力小さくすることができる。
【００２４】
ここで、請求項２に記載の発明のように、一対のサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）同士は、第１の軸（Ｋ１）に対して互いに対称な位置関係にあることが好ましい。さらには、請求項３に記載の発明のように、一対のサイドゲージ（Ｒｓ１、Ｒｓ２）同士は、第２の軸（Ｋ２）に対しても互いに対称な位置関係にあることが好ましい。
【００２５】
これら請求項２や請求項３に記載の発明のようにすれば、各歪みゲージ抵抗をダイアフラムの中心に対して、極力対称的に配置することができるため、歪みゲージ抵抗の製造が容易になるという利点がある。
【００２６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体圧力センサＳ１の概略断面図であり、図２は、図１中の上視平面図であって、このセンサＳ１における半導体基板１０に形成されたダイアフラム３０の平面形状を示す図である。
【００２８】
半導体基板１０は、主表面１１、１２の面方位が（１１０）面である単結晶シリコン基板である。つまり、図１において、半導体基板１０の一面（図１中の下面）１１および他面（図１中の上面）１２が（１１０）面となっている。
【００２９】
この半導体基板１０には、半導体基板１０の一面１１から凹んだ凹部２０が形成されている。この凹部２０の形成に伴い薄肉部となった凹部２０の底面側すなわち半導体基板１０の他面１２側には、圧力検出用のダイアフラム３０が形成されている。
【００３０】
本実施形態では、図２に示すように、ダイアフラム３０の平面形状は四角形となっている。詳しくは、ダイアフラム３０は、〈１１０〉結晶軸方向に沿った一対の第１の辺３１、３２と〈１００〉結晶軸方向に沿った一対の第２の辺３３、３４との四つの辺からなる正方形となっている。
【００３１】
また、図１、図２に示すように、半導体基板１０の他面１２には、ダイアフラム３０の歪みに伴う検出信号を出力するためのブリッジ回路を構成する歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２が形成されている。この歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は、注入や拡散等により形成された拡散ゲージ抵抗である。
【００３２】
ここにおいて、歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は、抵抗の長手方向が〈１１０〉結晶軸方向に沿って配置されたものであり、ダイアフラム３０の中心部に配置された一対のセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２と、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２よりもダイアフラム３０の周辺部に配置された一対のサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とから構成されている。
【００３３】
図２に示す例では、各歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は、折り返された配線形状を有しており、この折り返された抵抗配線の長手方向が抵抗の長手方向となっている。
【００３４】
ここで、図２に二点鎖線にて示すように、ダイアフラム３０の第１の辺３１、３２を二等分するとともにダイアフラム３０の中心点を通る仮想軸を第１の軸Ｋ１とし、第１の軸Ｋ１と直交し且つダイアフラム３０の中心点を通る仮想軸を第２の軸Ｋ２とする。
【００３５】
このように第１の軸Ｋ１および第２の軸Ｋ２を設定したとき、本実施形態では、個々のセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２の中心点からダイアフラム３０の周辺部に向かって延びるとともに第１の軸Ｋ１および第２の軸Ｋ２と４５°をなす仮想線Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４上に、個々のサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２を位置させるようにしている。なお、図２中、これら仮想線Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４は一点鎖線にて示してある。
【００３６】
図２に示す例では、一方のセンターゲージＲｃ１の仮想線Ｔ１上に、一方のサイドゲージＲｓ１が位置しており、他方のセンターゲージＲｃ２の仮想線Ｔ４上に、他方のサイドゲージＲｓ２が位置している。
【００３７】
なお、図２に示すように、個々のセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２について、仮想線は２本ある。つまり、これら４本の仮想線Ｔ１〜Ｔ４の任意の線にサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２を配置してよい。
【００３８】
例えば、図２に示す例以外にも、仮想線Ｔ２上に一方のセンターゲージＲｓ１を配置し且つ仮想線Ｔ４上に他方のセンターゲージＲｓ２を配置したり、仮想線Ｔ２上に一方のセンターゲージＲｓ１を配置し且つ仮想線Ｔ１上に他方のセンターゲージＲｓ２を配置したり、仮想線Ｔ２上に一方のセンターゲージＲｓ１を配置し且つ仮想線Ｔ３上に他方のセンターゲージＲｓ２を配置したりすることができる。
【００３９】
ただし、いずれの場合にも、圧力検出が可能なように、各歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２の抵抗の長手方向を〈１１０〉結晶軸方向に沿って配置させなければならない。
【００４０】
また、好ましくは、一対のサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２同士を比べた場合は、両者が第１の軸Ｋ１に対して互いに対称な位置関係にあることや、さらには、両者が第２の軸Ｋ２に対しても互いに対称な位置関係にあることが望ましい。
【００４１】
これは、このような対称な配置関係を採ることにより、各歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２をダイアフラム３０の中心に対して、極力対称的に配置することができるため、歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２の製造が容易になるという利点があるためである。
【００４２】
そして、これら４個の歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は、センターゲージＲｃ１の抵抗値をＲＡ、センターゲージＲｃ２の抵抗値をＲＤ、サイドゲージＲｓ１の抵抗値をＲＢ、サイドゲージＲｓ２の抵抗値をＲＡとして、上記図５に示したようなブリッジ回路１００を構成して〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力を検出するようになっている。
【００４３】
つまり、本実施形態の半導体圧力センサＳ１においても、これら歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は互いに直列接続されて４辺形の閉回路を形成し、ホイートストンブリッジを構成している。そして、各歪みゲージ抵抗の接続は、図示しない拡散層等からなる配線により行われている。
【００４４】
そして、図５に示したブリッジ回路１００において、入力端子ＩａからＩｂへ直流定電流Ｉを与えた状態で、ダイアフラム３０の歪みが歪みゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＲＤの抵抗値変化として現れ、出力端子ＰａとＰｂとの間から被検出圧力に応じたレベルの電圧（検出信号）すなわち中点電位Ｖｏｕｔが出力されるようになっている。
【００４５】
また、図１に示すように、この半導体圧力センサＳ１は、半導体基板１０の一面において、ガラス台座４０に陽極接合等により接合されている。本例では、ガラス台座４０によって凹部２０内は密閉されて、基準圧力室となっており、絶対圧型の圧力センサを構成する。
【００４６】
なお、図示しないが、ガラス台座４０には、外部と凹部２０とを連通する圧力導入通路を形成し、この圧力導入通路から、凹部２０内へ被測定圧力を導入してダイアフラム３０の裏面に受圧させるタイプとしてもよい。
【００４７】
このような半導体圧力センサＳ１は、次のようにして形成することができる。まず、主表面すなわち一面１１および他面１２の面方位が（１１０）面である半導体基板１０を用意する。そして、この半導体基板１０の他面に、イオン注入や拡散等の半導体製造技術を用いて歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２や各種配線等を形成する。
【００４８】
その後、半導体基板１０の一面１１に、所定形状の開口部を有するエッチングマスク（図示せず）を形成する。このエッチングマスクは、ＣＶＤ等により成膜されたシリコン窒化膜等からなるものにできる。
【００４９】
このようにして半導体基板１０の一面１１側にエッチングマスクを形成した後、半導体基板１０の一面１１からエッチングを行うことにより、半導体基板１０に凹部２０を形成するとともに、半導体基板１０のうち凹部２０の底面側にダイアフラム３０を形成する。
【００５０】
なお、ダイアフラム形成のためのエッチングとしては、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）等のアルカリエッチング液を用いる異方性エッチング等を採用できる。
【００５１】
このようにして、歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２およびダイアフラム３０を有する半導体圧力センサＳ１ができあがる。この後、半導体圧力センサＳ１は、上記エッチングマスクをエッチング等により除去し、その後、陽極接合等によってガラス台座４０と接合される。
【００５２】
ところで、本実施形態によれば、上述したように、平面正方形のダイアフラム３０において第１の軸Ｋ１および第２の軸Ｋ２を設定したとき、個々のセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２の中心点からダイアフラム３０の周辺部に向かって延びるとともに第１の軸Ｋ１および第２の軸Ｋ２と４５°をなす仮想線Ｔ１〜Ｔ４上に、個々のサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２を位置させたことを特徴としている。
【００５３】
これは、本発明者らが、本半導体圧力センサＳ１について有限要素法（ＦＥＭ）を用いた解析を行った結果に基づくものである。本発明者らは、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２に加わる熱応力に対して、ダイアフラム３０内の色々な位置においてどの程度の熱応力差が生じるかを、解析した。
【００５４】
図３は、この解析によって求めた熱応力差の分布状態を示す図である。ここでは、６００μｍ×６００μｍの正方形をなすダイアフラム３０における第１の軸Ｋ１の上半分の領域を示している。なお、これよりも下半分の領域については当該上半分の領域の分布と第１の軸Ｋ１に対して対称であるため省略している。
【００５５】
図３においては、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２の中心に生じる熱応力に対する各部の熱応力の差の大きさが、地図でいう等高線の如く分布線によって示されている。ここでは、分布線によって領域Ｍ１〜Ｍ７が区切られており、領域Ｍ１から領域Ｍ７に渡って、順に０．０１ＭＰａの大きさで段階的に熱応力差が大きくなっている。
【００５６】
具体的には、領域Ｍ１は、熱応力差が０〜０．０１ＭＰａの領域であり、領域Ｍ２は、熱応力差が０．０１〜０．０２ＭＰａの領域であり、領域Ｍ３は、熱応力差が０．０２〜０．０３ＭＰａの領域であり、領域Ｍ４は、熱応力差が０．０３〜０．０４ＭＰａの領域であり、領域Ｍ５は、熱応力差が０．０４〜０．０５ＭＰａの領域であり、領域Ｍ６は、熱応力差が０．０５〜０．０６ＭＰａの領域であり、そして、領域Ｍ７は、熱応力差が０．０６〜０．０７ＭＰａの領域である。
【００５７】
この図３からわかるように、領域Ｍ１にサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２を配置すれば、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２に加わる熱応力とサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２に加わる熱応力との差を最も０に近くすることができる。そして、この領域Ｍ１は、上記仮想線Ｔ１〜Ｔ４と略一致している。
【００５８】
したがって、仮想線Ｔ１〜Ｔ４上に、個々のサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２を位置させることにより、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２とサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２に加わる熱応力の差を極力小さくすることができる。そして、このようなゲージ配置を採用することで、ダイアフラム３０を小型化しても、ＴＮＯ特性の良好な半導体圧力センサＳ１を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体圧力センサの概略断面図である。
【図２】図１に示すセンサにおける半導体基板に形成されたダイアフラムの平面形状を示す図である。
【図３】本発明者らの行った有限要素法解析によるダイアフラム内の熱応力分布を示す図である。
【図４】従来の主表面が（１１０）面である半導体基板を用いた半導体圧力センサにおける半導体基板の主表面における歪みゲージ抵抗の配置状態を示す図である。
【図５】図４に示す歪みゲージ抵抗により構成されるブリッジ回路の結線図である。
【符号の説明】
１０…半導体基板、３０…ダイアフラム、
３１、３２…〈１１０〉結晶軸方向に沿ったダイアフラムの第１の辺、
３３、３４…〈１００〉結晶軸方向に沿ったダイアフラムの第２の辺、
１００…ブリッジ回路、Ｋ１…第１の軸、Ｋ２…第２の軸、
Ｒｃ１、Ｒｃ２…センターゲージ、Ｒｓ１、Ｒｓ２…サイドゲージ、
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４…仮想線。
【図１】
2004279089.tif 000003
【図２】
2004279089.tif 000004
【図３】
2004279089.tif 000005
【図４】
2004279089.tif 000006
【図５】
2004279089.tif 000007