(57)【要約】【課題】組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表されるようなＮａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とし、機械的品質係数Ｑｍを向上させた圧電磁器組成物を提供する。【解決手段】圧電磁器組成物は、Ｎａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とする。その主成分の結晶系は、本来室温において安定な結晶系とは異なり、本来室温より高い温度域で安定な結晶系が室温において準安定状態となっているものである。【選択図】　　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とする圧電磁器組成物において、
前記主成分の結晶系は、本来室温において安定な結晶系とは異なり、本来室温より高い温度域で安定な結晶系が室温において準安定状態となっているものであることを特徴とする、圧電磁器組成物。
【請求項２】
前記本来室温において安定な結晶系は、菱面体晶であり、前記本来室温より高い温度域で安定な結晶系は単斜晶であることを特徴とする、請求項１に記載の圧電磁器組成物。
【請求項３】
前記主成分となる化合物が組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３（ただし、０．０２≦ｘ≦０．３０）で表される、請求項１または請求項２に記載の圧電磁器組成物。
【請求項４】
前記主成分となる化合物が組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３（ただし、０．０８≦ｘ≦０．１８）で表される、請求項３に記載の圧電磁器組成物。
【請求項５】
前記主成分となる化合物が組成式（１−ｎ）［（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）１−ｙＫｙ］（Ｎｂ１−ｚＴａｚ）Ｏ３−ｎＭ１Ｍ２Ｏ３（ただし、０．０２≦ｘ≦０．３０、０≦ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．２、０≦ｎ≦０．１、Ｍ１は２価の金属元素、Ｍ２は４価の金属元素）で表される、請求項１または請求項２に記載の圧電磁器組成物。
【請求項６】
前記Ｍ１は、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれた少なくとも１種であり、前記Ｍ２は、Ｔｉ、Ｚｒ、ＳｎおよびＨｆからなる群から選ばれた少なくとも１種である、請求項５に記載の圧電磁器組成物。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の圧電磁器組成物からなる圧電磁器、および
前記圧電磁器に形成される電極を含む、圧電セラミック素子。
【請求項８】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の圧電磁器組成物を製造する方法であって、
前記圧電磁器組成物に分極処理を施した後に、前記結晶系が安定状態である温度かそれ以上の温度でかつ前記主成分となる化合物が強誘電性を失う温度未満に前記圧電磁器組成物を加熱する、圧電磁器組成物の製造方法。
【請求項９】
前記圧電磁器組成物を加熱する温度が２５０℃から４００℃の範囲内である、請求項８に記載の圧電磁器組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は圧電磁器組成物、圧電セラミック素子および圧電磁器組成物の製造方法に関し、特にたとえば、圧電セラミックフィルタ、圧電セラミック発振子および圧電セラミック振動子などの圧電セラミック素子などの材料として有用な圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子などに関する。
【０００２】
【従来の技術】
圧電セラミックフィルタ、圧電セラミック発振子および圧電セラミック振動子などの圧電セラミック素子に用いられる圧電磁器組成物として、従来、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（ＴｉｘＺｒ１−ｘ）Ｏ３）またはチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）を主成分とする圧電磁器組成物が広く用いられている。しかしながら、チタン酸ジルコン酸鉛またはチタン酸鉛を主成分とする圧電磁器組成物では、その組成中に鉛を多量に含有するため、製造過程において鉛酸化物の蒸発のため製品の均一性が低下するという問題があった。製造過程における鉛酸化物の蒸発による製品の均一性の低下を防止するためには、組成中に鉛をまったく含まないまたは少量のみ含む圧電磁器組成物が好ましい。
これに対して、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表される一連の化合物を主成分とする圧電磁器組成物では、その組成中に鉛酸化物を含有しないため、上記のような問題は生じない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表される一連の化合物を主成分とする圧電磁器組成物では、機械的品質係数Ｑｍが比較的小さい。このため、このような圧電磁器組成物では、たとえば圧電セラミックフィルタなどのように高い機械的品質係数Ｑｍが要求される用途に対しては対応が困難であるという問題があった。
また、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表される一連の化合物を主成分とする圧電磁器組成物では、比較的低温で、室温において安定な結晶系から室温より高温域において安定な結晶系に相転移してしまい、その結果、相転移温度において共振周波数が大きく変化するという問題点がある。
【０００４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表されるようなＮａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とし、機械的品質係数Ｑｍを向上させた圧電磁器組成物を提供することである。
この発明の他の目的は、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表されるようなＮａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とし、機械的品質係数Ｑｍを向上させた圧電磁器組成物を用いた圧電セラミック素子を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表されるようなＮａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とし、機械的品質係数Ｑｍを向上させた圧電磁器組成物の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる圧電磁器組成物は、Ｎａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とする圧電磁器組成物において、主成分の結晶系は、本来室温において安定な結晶系とは異なり、本来室温より高い温度域で安定な結晶系が室温において準安定状態となっているものであることを特徴とする、圧電磁器組成物である。
この発明にかかる圧電磁器組成物において、本来室温において安定な結晶系は、たとえば菱面体晶であり、本来室温より高い温度域で安定な結晶系はたとえば単斜晶である。
この発明にかかる圧電磁器組成物では、主成分となる化合物が、たとえば組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３（ただし、０．０２≦ｘ≦０．３０）で表される。
また、この発明にかかる圧電磁器組成物では、主成分となる化合物が、たとえば組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３（ただし、０．０８≦ｘ≦０．１８）で表される。
さらに、この発明にかかる圧電磁器組成物では、主成分となる化合物が、たとえば組成式（１−ｎ）［（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）１−ｙＫｙ］（Ｎｂ１−ｚＴａｚ）Ｏ３−ｎＭ１Ｍ２Ｏ３（ただし、０．０２≦ｘ≦０．３０、０≦ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．２、０≦ｎ≦０．１、Ｍ１は２価の金属元素、Ｍ２は４価の金属元素）で表される。この場合、Ｍ１は、たとえばＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれた少なくとも１種であり、Ｍ２は、たとえばＴｉ、Ｚｒ、ＳｎおよびＨｆからなる群から選ばれた少なくとも１種である。
また、この発明にかかる圧電セラミック素子は、この発明にかかる圧電磁器組成物からなる圧電磁器と、圧電磁器に形成される電極とを含む、圧電セラミック素子である。
この発明にかかる圧電磁器組成物の製造方法は、この発明にかかる圧電磁器組成物を製造する方法であって、圧電磁器組成物に分極処理を施した後に、結晶系が安定状態である温度かそれ以上の温度でかつ主成分となる化合物が強誘電性を失う温度未満に圧電磁器組成物を加熱することを特徴とする、圧電磁器組成物の製造方法である。
この発明にかかる圧電磁器組成物の製造方法では、圧電磁器組成物を加熱する温度が、たとえば２５０℃から４００℃の範囲内である。
【０００６】
この発明では、Ｎａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とする圧電磁器組成物において、主成分の結晶系は、本来室温において安定な結晶系とは異なり、本来室温より高い温度域で安定な結晶系が室温において準安定状態となっているものであるようにする。ここで準安定状態とは、ある物質において、その温度を変えていくとき、相転移点で本来安定であるはずの結晶相に移らず、もとの結晶相が非常に長い非平衡状態としてそのまま続くような状態を指す。たとえば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）は、通常、室温では正方晶が安定であるが、１４６０℃以上の高温から急冷することによって、室温で六方晶のものを得ることが可能であることが知られている。ここでいう準安定状態とは、室温での六方晶のチタン酸バリウムと同様な状態を言う。また、この準安定状態は、低温から高温への温度変化に伴って生じるものではなく、高温から低温への温度変化に伴って生じるものであること、すなわち、より高温で本来安定であるはずの結晶相を低温で示す場合を指す。
こうすることによって、たとえば円板状の圧電セラミック振動子の厚み縦振動の機械的品質係数Ｑｍについて言うと、Ｎａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とする圧電磁器組成物において、たとえば、機械的品質係数Ｑｍが５００程度かそれ以下であったものが１０００以上に向上する。
さらに、この発明にかかる圧電磁器組成物は、本来室温より高い温度域で安定な結晶系が室温において準安定状態となっているので、本来の相転移温度になっても相転移が生じず、共振周波数が大きく変化することがない。
この発明にかかる圧電磁器組成物の主成分、すなわち、Ｎａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物としては、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３（ただし、０．０２≦ｘ≦０．３０）で表される化合物であることが、この発明の効果が顕著となり好ましい。また、このうち０．０８≦ｘ≦０．１８の場合には、この発明の効果が特に顕著となりさらに好ましい。また、この発明は、組成式（１−ｎ）［（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）１−ｙＫｙ］（Ｎｂ１−ｚＴａｚ）Ｏ３−ｎＭ１Ｍ２Ｏ３（ただし、０．０２≦ｘ≦０．３０、０≦ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．２、０≦ｎ≦０．１、Ｍ１は２価の金属元素、Ｍ２は４価の金属元素）で表される化合物が主成分となる圧電磁器組成物についても効果がある。この場合、Ｍ１は、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選ばれた少なくとも１種であり、Ｍ２は、Ｔｉ、Ｚｒ、ＳｎおよびＨｆからなる群から選ばれた少なくとも１種であることが好ましい。
また、この発明にかかる圧電磁器組成物では、たとえば、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３と記述した場合にはおよそ（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３の組成式で表されておればよく、Ｎａ、Ｌｉ、ＮｂまたはＯの比が化学量論組成から５％程度ずれていても特に差し支えない。また、この発明にかかる圧電磁器組成物には、Ａｌ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｐｂなどが数パーセント程度混入されていても問題ない。
また、この発明にかかる圧電磁器組成物を製造する一方法としては、圧電磁器組成物に分極処理を施した後に、結晶系が安定状態である温度かそれ以上の温度でかつ主成分となる化合物が強誘電性を失う温度未満に圧電磁器組成物を加熱する方法が有効である。このとき、圧電磁器組成物を加熱する温度は、２５０℃から４００℃の範囲内であることが好ましい。
【０００７】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【０００８】
【発明の実施の形態】
（実施例）
まず、出発原料として、Ｎａ２ＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＣａＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２を用意し、これらを組成式（１−ｎ）［（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）１−ｙＫｙ］（Ｎｂ１−ｚＴａｚ）Ｏ３−ｎＭ１Ｍ２Ｏ３（ただし、０．０１≦ｘ≦０．３５、０≦ｙ≦０．２５、０≦ｚ≦０．２５、０≦ｎ≦０．２、Ｍ１はＣａまたはＢａ、Ｍ２はＴｉまたはＺｒ）となるように秤取して、ボールミルを用いて約１６時間湿式混合して、混合物を得た。得られた混合物を乾燥した後、７００〜９００℃で仮焼して、仮焼物を得た。それから、この仮焼物を粗粉砕した後、有機バインダを適量加えてボールミルを用いて１６時間湿式粉砕し、４０メッシュのふるいを通して粒度調整を行った。次に、これを１５００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で直径１２ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの円板に成型し、これを大気中で１０００〜１３００℃で焼成することによって、円板状の磁器を得た。この磁器の表面（両主面）に、通常の方法により銀ペーストを塗布し焼付けて銀電極を形成した後、１００〜２５０℃の絶縁オイル中で３〜１０ｋＶ／ｍｍの直流電圧を３０〜６０分間印加して分極処理を施し、圧電磁器（試料）を得た。そして、これらの試料を１５０〜５００℃に加熱（熱処理）した。
【０００９】
図１（ａ）には、試料Ｎｏ．７などのように組成式（Ｎａ０．８７Ｌｉ０．１３）ＮｂＯ３で表される円板状の試料を電極を形成する前（未分極）に粉砕して得た粉末試料の室温でのＸ線回折プロファイルを示す。また、図１（ｂ）には、同組成の円板状の試料に電極を形成し、分極を施した後、電極を除去し、粉砕して得た粉末試料の室温でのＸ線回折プロファイルを示す。図１（ａ）に示すプロファイルおよび図１（ｂ）に示すプロファイルは、ほぼ同様のプロファイルと考えられる。発明者らが分析を行った結果では、図１（ａ）に示すプロファイルおよび図１（ｂ）に示すプロファイルは、菱面体晶を示しているものと思われる。次に、同組成の円板状の試料に電極を形成し、分極を行った後に３５０℃に加熱した後、室温に戻して電極を取り除き、粉砕して得た粉末試料の室温でのＸ線回折プロファイルを図１（ｃ）に示す。図１（ｃ）に示すプロファイルは、図１（ａ）に示すプロファイルおよび図１（ｂ）に示すプロファイルとは明らかに異なる。特に、２θが３５〜４５°付近において、それらのプロファイルには大きな相違がみられる。発明者らが分析を行った結果では、図１（ｃ）に示すプロファイルは、単斜晶のプロファイルであるものと思われる。同組成の円板状の試料を電極を形成する前（未分極）に粉砕して得た粉末試料のＸ線回折を温度を変化させて行ったところ、図１（ｃ）に見られるプロファイルは、２００〜３５０℃付近の高温領域で安定な結晶相のプロファイルと一致することが明らかになった。分極処理の直後には、室温で菱面体晶と思われる結晶構造を示していた試料が、３５０℃の熱処理後には室温で単斜晶と思われる結晶構造を示した。分極後に熱処理を行うことによって本来高温で安定な結晶相が室温で準安定状態として実現されていることが明らかである。分極後に熱処理を施した試料を２ヶ月間放置し、再び同様のＸ線回折分析を行ったが同様の結果が得られた。
【００１０】
同様に、組成式（１−ｎ）［（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）１−ｙＫｙ］（Ｎｂ１−ｚＴａｚ）Ｏ３−ｎＭ１Ｍ２Ｏ３（ただし、Ｍ１は２価の金属元素、Ｍ２は４価の金属元素）で表される本発明の範囲内の他の試料について熱処理前後の結晶系の調査を行ったが、いずれの試料でも同様の関係が見られた。また、本発明におけるＱｍの向上効果は、準安定状態である結晶相が実現した場合にのみ現われることが明らかになった。
【００１１】
次に、これらの試料について、熱処理前後の円板状の圧電セラミック振動子の厚み縦振動基本波の電気機械結合係数ｋｔおよび機械的品質係数Ｑｍを測定した。それらの結果を表１および表２に示す。
【００１２】
【表１】
2004002051.tif 000002
【００１３】
【表２】
2004002051.tif 000003
【００１４】
表１および表２に示す値は、同じ組成の試料のうち、最も大きな機械的品質係数Ｑｍが得られた条件（仮焼温度、焼成温度、分極時の絶縁オイルの温度、直流電圧）の場合の値である。
なお、表１中の試料Ｎｏ．５は、熱処理温度が高すぎるため強誘電性および圧電性を失っており、本発明の範囲外である。また、表１中の試料Ｎｏ．１０は、熱処理温度が低すぎるために、すなわち高温結晶相が安定となる温度に達していないために、結晶形が変化しておらず、本発明の範囲外である。
それに対して、表１および表２に示すように、本発明の範囲内にある試料については、いずれも機械的品質係数Ｑｍが大幅に向上しており、特に、圧電セラミックフィルタ、圧電セラミック発振子、圧電セラミック振動子などの圧電セラミック素子などの材料として有用な圧電磁器組成物であることが明らかである。
【００１５】
また、試料Ｎｏ．１〜２８の各試料について、熱処理前および熱処理後において、−４０℃〜４００℃と条件を変動させたときの拡がり振動の共振周波数をインピーダンスアナライザを用いて測定し、共振周波数の大幅な変化（相転移の発生）がないかどうかを調べた。それらの結果を表３に示す。また、特に試料Ｎｏ．６を用いた圧電セラミック振動子について、熱処理前後において、温度と拡がり振動の共振周波数との関係をグラフにし、図２に示した。
【００１６】
【表３】
2004002051.tif 000004
【００１７】
表３および図２に示す結果から明らかなように、熱処理前においては、全ての試料について共振周波数の大幅な変化（相転移の発生）が確認され、熱処理後においては、試料Ｎｏ．５が脱分極により測定不可で、試料Ｎｏ．１０が共振周波数の大幅な変化（相転移の発生）が確認されている。
それに対して、本発明の範囲内にある試料については、いずれも共振周波数の大幅な変化（相転移の発生）が確認されていない。
【００１８】
一例として、図２に示すグラフより、熱処理前の試料Ｎｏ．６の共振周波数の温度変化が非直線的であるのに対して、熱処理後の試料Ｎｏ．６の共振周波数の温度変化は直線的であることが分かる。圧電セラミックフィルタ、圧電セラミック発振子および圧電セラミック振動子などにおいては、しばしば共振周波数の温度変化率が小さいことが要求される。このような場合に共振周波数の温度変化が直線的な挙動であれば、補正によって変化率を小さく抑えることが比較的容易に行える。それに対して、共振周波数の温度変化が非直線的の場合には、補正によって変化率を抑えることが困難である。さらに、熱処理前の試料Ｎｏ．６では、共振周波数の温度変化が、昇温時、降温時の別で、または、昇降温の速度によって変化する。すなわち、共振周波数の温度変化が履歴を持つ。一方、熱処理後の試料Ｎｏ．６においては、通常の使用温度である−４０〜１２５℃の温度範囲でほとんど履歴が見られない。
【００１９】
なお、この発明にかかる圧電磁器組成物は上記の実施例の組成に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内であれば有効である。
【００２０】
また、上述の実施例では機械的品質係数Ｑｍは円板状の圧電セラミック振動子の厚み縦振動についての例を示したが、本発明の効果は、円板状の圧電セラミック振動子の厚み縦振動に限定されず、拡がり振動、厚みすべり振動や厚み縦振動の高調波など、他の圧電セラミック素子として特にたとえば圧電セラミック発振子などに利用される他の振動モードにおいても、厚み縦振動の場合と同様に有効である。
【００２１】
さらに、上述の実施例では周波数の温度変化は円板状の圧電セラミック振動子の拡がり振動についての例を示したが、本発明の効果は、円板状の圧電セラミック振動子の拡がり振動に限定されず、厚み縦振動や厚みすべり振動など、他の圧電セラミック素子としても同様に有効である。
【００２２】
図３はこの発明にかかる圧電セラミック振動子の一例を示す斜視図であり、図４はその断面図解図である。図３および図４に示す圧電セラミック振動子１０は、たとえば直方体状の圧電磁器１２を含む。圧電磁器１２は、２枚の圧電磁器層１２ａおよび１２ｂを含む。これらの圧電磁器層１２ａおよび１２ｂは、上述のこの発明にかかる圧電磁器組成物からなり、積層されかつ一体的に形成される。また、これらの圧電磁器層１２ａおよび１２ｂは、図４の矢印で示すように、同じ厚み方向に分極されている。
【００２３】
圧電磁器層１２ａおよび１２ｂの間には、その中央にたとえば円形の振動電極１４ａが形成され、その振動電極１４ａから圧電磁器１２の一端面にわたってたとえばＴ字形の引出電極１６ａが形成される。また、圧電磁器層１２ａの表面には、その中央にたとえば円形の振動電極１４ｂが形成され、その振動電極１４ｂから圧電磁器１２の他端面にわたってたとえばＴ字形の引出電極１６ｂが形成される。さらに、圧電磁器層１２ｂの表面には、その中央にたとえば円形の振動電極１４ｃが形成され、その振動電極１４ｃから圧電磁器１２の他端面にわたってたとえばＴ字形の引出電極１６ｃが形成される。
【００２４】
そして、引出電極１６ａにはリード線１８ａを介して一方の外部端子２０ａが接続され、引出電極１６ｂおよび１６ｃには別のリード線１８ｂを介して他方の外部端子２０ｂが接続される。
【００２５】
なお、この発明は、上述の圧電セラミック振動子１０以外の圧電セラミック振動子、圧電セラミックフィルタおよび圧電セラミック発振子などの他の圧電セラミック素子にも適用される。
【００２６】
【発明の効果】
この発明によれば、組成式（Ｎａ１−ｘＬｉｘ）ＮｂＯ３で表されるようなＮａ、Ｌｉ、ＮｂおよびＯの元素で主に構成され、ぺロブスカイト構造を有する化合物を主成分とし、機械的品質係数Ｑｍを向上させ、鉛または鉛化合物をまったく含まないまたは少量のみ含む、圧電セラミックフィルタ、圧電セラミック発振子および圧電セラミック振動子などの圧電セラミック素子などの材料として有用な圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子が得られる。
また、この発明にかかる圧電磁器組成物は、本来室温より高い温度域で安定な結晶系が室温において準安定状態となっているので、本来の相転移温度になっても相転移が生じず、共振周波数が大きく変化することがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】組成式（Ｎａ０．８７Ｌｉ０．１３）ＮｂＯ３で表される試料のＸ線回折プロファイルである。
【図２】組成式（Ｎａ０．８７Ｌｉ０．１３）ＮｂＯ３で表される試料Ｎｏ．６を用いた熱処理前後の圧電セラミック振動子の拡がり振動の共振周波数の温度変化を示すグラフである。
【図３】この発明にかかる圧電セラミック振動子の一例を示す斜視図である。
【図４】図３に示す圧電セラミック振動子の断面図解図である。
【符号の説明】
１０　圧電セラミック振動子
１２　圧電磁器
１２ａ、１２ｂ　圧電磁器層
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ　振動電極
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ　引出電極
１８ａ、１８ｂ　リード線
２０ａ、２０ｂ　外部端子
【図１】
2004002051.tif 000005
【図２】
2004002051.tif 000006
【図３】
2004002051.tif 000007
【図４】
2004002051.tif 000008