(57)【要約】【課題】バッファアンプの同調回路を簡単な構成で二つの発振周波数帯に切り替えると共に、同調周波数の安定化を図り、増幅された発振信号のレベル低下を無くす。【解決手段】第一の発振トランジスタ１ａ及び第二の発振トランジスタ２ａには増幅トランジスタ４ａから給電し、エミッタが電源端子５に接続され、コレクタから第一の発振トランジスタ１ａのベースにバイアス電圧を印加する第一のスイッチトランジスタ６と、エミッタが電源端子５に接続され、コレクタから第二の発振トランジスタ２ａのベースにバイアス電圧を印加する第二のスイッチトランジスタ９とを設け、第一のスイッチトランジスタ６のコレクタと増幅トランジスタ４ａのコレクタとの間にコンデンサ４ｃを接続し、第一のスイッチトランジスタ６と第二のスイッチトランジスタ９とをオンとオフとが互いに逆となるように切り替えた。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の発振トランジスタを有して第一の周波数帯で発振する第一の発振回路と、第二の発振トランジスタを有して前記第一の周波数帯よりも高い第二の周波数帯で発振する第二の発振回路と、増幅トランジスタを有して前記第一の周波数帯の発振信号又は前記第二の周波数帯の発振信号のいずれか一方を増幅するバッファアンプと、前記増幅トランジスタのコレクタに接続され、前記第二の周波数帯に同調する並列同調手段とを備え、前記第一の発振トランジスタ及び前記第二の発振トランジスタには前記増幅トランジスタから給電し、エミッタが電源端子に接続され、コレクタから前記第一の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を印加する第一のスイッチトランジスタと、エミッタが電源端子に接続され、コレクタから前記第二の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を印加する第二のスイッチトランジスタとを設け、前記第一のスイッチトランジスタのコレクタと前記増幅トランジスタのコレクタとの間にコンデンサを接続し、前記第一のスイッチトランジスタと前記第二のスイッチトランジスタとをオンとオフとが互いに逆となるように切り替えたことを特徴とする２バンド発振器。
【請求項２】
前記第一のスイッチトランジスタのコレクタを前記第二のスイッチトランジスタのベースに接続したことを特徴とする請求項１に記載の２バンド発振器。
【請求項３】
前記第一のスイッチトランジスタのコレクタと前記第二のスイッチトランジスタのベースとの間に抵抗を介挿したことを特徴とする請求項２に記載の２バンド発振器。
【請求項４】
前記並列同調手段は前記電源端子と前記増幅トランジスタのコレクタとの間に接続されたストリップラインで構成したことを特徴とする請求項１乃至３に記載の２バンド発振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、二つの周波数帯で発振するように構成され、携帯電話機等に使用される２バンド発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２に従来の２バンド発振器を示す。第一の発振回路４１はコレクタが高周波的に接地された第一の発振トランジスタ４１ａと、第一の共振回路４１ｂとを有し、第一の共振回路４１ｂは一端がベースに結合され、他端が接地される。また、第一の発振トランジスタ４１ａのベースには端子４２からバイアス電圧が印加され、エミッタは直流的に接地される。また、ベース、エミッタ間、及びエミッタ、コレクタ（接地）間に帰還コンデンサが接続される。
【０００３】
一方、第二の発振回路４３もコレクタが高周波的に接地された第二の発振トランジスタ４３ａと、第二の共振回路４３ｂとを有し、第二の共振回路４３ｂは一端がベースに結合され、他端が接地される。第二の発振トランジスタ４３ａのベースにも端子４４からバイアス電圧が印加され、エミッタは直流的に接地される。さらに、ベース、エミッタ間、及びエミッタ、コレクタ（接地）間に帰還コンデンサが接続される。
【０００４】
第一の共振回路４１ｂ、第二の共振回路４３ｂはそれぞれ内部にバラクタダイオード（図示せず）を有し、これらバラクタダイオードには発振周波数を設定するための同調電圧が端子４５から印加される。そして、第一の発振回路４１は第一の周波数帯で発振し、第二の発振回路４３は第一の周波数帯よりも低い第二の周波数帯で発振する。
【０００５】
バッファアンプ４６は増幅トランジスタ４６ａを有し、増幅トランジスタ４６ａのコレクタには端子４７から直列接続の二つのインダクタンス素子４６ｂ、４６ｃを介して電源電圧が供給され、さらに、コンデンサ４６ｄによってグランドに接続される。これらのインダクタンス素子４６ｂ、４６ｃ及びコンデンサ４６ｄは第一の周波数帯又は第二の周波数帯に同調する並列同調回路を構成する。また、インダクタンス素子４６ｂ、４６ｃの接続点が高周波接地用のコンデンサ４６ｅとスイッチダイオード４６ｆの直列回路によってグランドに接続される。スイッチダイオード４６ｆのアノードは高周波的に絶縁するための抵抗４６ｇを介して端子４２に接続される。また、エミッタは高周波的に接地されると共に第一の発振トランジスタ４１ａのコレクタと第二の発振トランジスタ４３ａのコレクタとに直流的に接続される。此によって、二つの発振トランジスタ４１ａ、４３ａのコレクタには増幅トランジスタ４６ａのエミッタから給電される。また、増幅トランジスタ４６ａのベースは第一の発振トランジスタ４１ａのベース及び第二の発振トランジスタ４３ａのベースに結合される。
【０００６】
以上の構成において、端子４２と端子４４とにはいずれか一方にバイアス電圧が印加される。よって、端子４２に印加されたときは、第一の発振回路４１が発振動作をして第一の周波数帯の発振信号が第一の発振トランジスタ４１ａのベースから増幅トランジスタ４６ａのベースに入力される。このとき、スイッチダイオード４６ｆがオンとなり二つのインダクタンス素子４６ｂ、４６ｃの接続点が高周波的に接地され、インダクタンス素子４６ｃとコンデンサ４６ｄが第一の周波数帯に同調する。
【０００７】
また、端子４４に印加されたときは、第二の発振回路４３が発振動作をして第二の周波数帯の発振信号が第二の発振トランジスタ４３ａのベースから増幅トランジスタ４６ａのベースに入力される。このとき、スイッチダイオード４６ｆはオフとなるので、直列接続された二つのインダクタンス素子４６ｂ、４６ｃとコンデンサ４６ｄとが第二の周波数帯に同調する。増幅された発振信号は増幅トランジスタ４６ａのコレクタから出力される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平２００１−１０２８６３号公報（図１）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
以上の構成では、バッファアンプ４６の同調回路を二つの周波数帯に対応して同調するように切り替えるため、高周波接地用のコンデンサ４６ｅとスイッチダイオード４６ｆと絶縁用の抵抗４６ｇとを使用するので部品点数が増加する。また、第二の発振回路４３の動作中はスイッチダイオード４６ｆがオフとなるが、この時の発振信号がコンデンサ４６ｅを介してスイッチダイオード４６ｆに印加される。この場合、スイッチダイオード４６ｆは逆バイアスされていないので大きな発振出力によって容易に整流作用を起こす。このため、同調周波数が不安定となったり、発振出力レベルの低下を来す等の問題がある。
【００１０】
そこで、本発明はバッファアンプの同調回路を簡単な構成で二つの発振周波数帯に切り替えると共に、同調周波数の安定化を図り、増幅された発振信号のレベル低下を無くすことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この課題のため、本発明は、第一の発振トランジスタを有して第一の周波数帯で発振する第一の発振回路と、第二の発振トランジスタを有して前記第一の周波数帯よりも高い第二の周波数帯で発振する第二の発振回路と、増幅トランジスタを有して前記第一の周波数帯の発振信号又は前記第二の周波数帯の発振信号のいずれか一方を増幅するバッファアンプと、前記増幅トランジスタのコレクタに接続され、前記第二の周波数帯に同調する並列同調手段とを備え、前記第一の発振トランジスタ及び前記第二の発振トランジスタには前記増幅トランジスタから給電し、エミッタが電源端子に接続され、コレクタから前記第一の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を印加する第一のスイッチトランジスタと、エミッタが電源端子に接続され、コレクタから前記第二の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を印加する第二のスイッチトランジスタとを設け、前記第一のスイッチトランジスタのコレクタと前記増幅トランジスタのコレクタとの間にコンデンサを接続し、前記第一のスイッチトランジスタと前記第二のスイッチトランジスタとをオンとオフとが互いに逆となるように切り替えた。
【００１２】
また、前記第一のスイッチトランジスタのコレクタを前記第二のスイッチトランジスタのベースに接続した。
【００１３】
また、前記第一のスイッチトランジスタのコレクタと前記第二のスイッチトランジスタのベースとの間に抵抗を介挿した。
【００１４】
また、前記並列同調手段は前記電源端子と前記増幅トランジスタのコレクタとの間に接続されたストリップラインで構成した。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の２バンド発振器の構成を示す。第一の発振回路１は第一の発振トランジスタ１ａと第一の共振回路１ｂとを有して第一の周波数帯で発振する。第一の発振トランジスタ１ａのコレクタは高周波的に接地され、エミッタは抵抗を介して接地される。第一の共振回路１ｂは一端が第一の発振トランジスタ１ａのベースに結合され、他端は接地される。第一の共振回路１ｂ内にはバラクタダイオードＤ１が設けられ、同調電圧端子３からバラクタダイオードＤ１に印加される同調電圧によって発振周波数が設定される。よって、第一の発振回路１は電圧制御発振回路を構成する。
【００１６】
電源端子５と第一の発振トランジスタ１ａのベースとの間にはＰＮＰ型の第一のスイッチトランジスタ６と抵抗７との直列回路が接続される。第一のスイッチトランジスタ６は切替端子８に入力される切替信号によってオン／オフし、オンのときに第一の発振トランジスタ１ａのベースにバイアス電圧が印加される。
【００１７】
第二の発振回路２は第二の発振トランジスタ２ａと第一の共振回路２ｂとを有して第一の周波数帯よりも高い第二の周波数帯で発振する。第二の発振トランジスタ２ａのコレクタは高周波的に接地され、エミッタは抵抗を介して接地される。第二の共振回路２ｂは一端が第二の発振トランジスタ２ａのベースに結合され、他端は接地される。第二の共振回路２ｂ内にもバラクタダイオードＤ２が設けられ、同調電圧端子３からバラクタダイオードＤ２に印加される同調電圧によって発振周波数が設定される。よって、第二の発振回路２も電圧制御発振回路を構成する。
【００１８】
電源端子５と第二の発振トランジスタ２ａのベースとの間にはＰＮＰ型の第二のスイッチトランジスタ９と抵抗１０との直列回路が接続される。第二のスイッチトランジスタのベースは第一のスイッチトランジスタ６のコレクタと抵抗７との接続点に抵抗１１を介して接続される。よって、第二のスイッチトランジスタ９も切替端子８に入力される切替信号によってオン／オフし、オンのときに第二の発振トランジスタ２ａのベースにバイアス電圧が印加される。但し、第一のスイッチトランジスタ６と第二のスイッチトランジスタ９とは相互のオン／オフが逆転する。
【００１９】
バッファアンプ４の増幅トランジスタ４ａはエミッタが高周波的に接地されると共に第一の発振トランジスタ１ａのコレクタと第二の発振トランジスタのコレクタとに直流的に接続される。また、増幅トランジスタ４ａのベースは第一の発振トランジスタ１ａのベースと第二の発振トランジスタ２ｂのベースとに結合される。さらに、増幅トランジスタ４ａのコレクタは並列同調手段４ｂを介して電源端子５に接続される。よって、第一の発振トランジスタ１ａのコレクタと第二の発振トランジスタ２ａのコレクタとには増幅トランジスタ４ａのエミッタから給電される。並列同調手段４ｂはストリップラインからなり、その長さはおよそ第二の周波数帯の波長の１／４となっている。よって並列同調手段４ｂは第二の周波数帯に同調する。また、増幅トランジスタ４ａのコレクタはコンデンサ４ｃを介して第一のスイッチトランジスタ６のコレクタに接続される。
【００２０】
以上の構成において、切替端子８に入力された切替信号によって第一のスイッチトランジスタ６がオンになれば第一の発振トランジスタ１ａはベースにバイアス電圧が印加されて第一の発振回路１は発振動作をする。第二のスイッチトランジスタ９はオフとなり、第二の発振回路２は第二の発振トランジスタ２ａのベースにバイアス電圧が印加されないので発振動作は停止する。そして、第一のスイッチトランジスタ６がオンとなるとそのコレクタが高周波的に接地されるのでコンデンサ４ｃが並列同調手段４ｂに並列に接続され、その同調周波数が第一の周波数帯となる。
【００２１】
また、切替信号によって第一のスイッチトランジスタ６がオフになれば第二のスイッチトランジスタ９がオンとなり、第一の発振回路１は発振動作は停止し、第二の発振回路２が発振動作をする。この時は第一のスイッチトランジスタ６のコレクタはグランドから絶縁されるので、コンデンサ４ｃは並列同調手段４ｂに並列接続されない。よって並列同調手段４ｂのみで第二の周波数帯に同調する。この時第二のスイッチトランジスタ９はオンであるがコンデンサ４ｃは第二のスイッチトランジスタ９のベースとの間に抵抗１１が介挿されているので、第二のトランジスタ９の影響を受けず同調手段４ｂとの間で完全に絶縁される。
【００２２】
以上のように、いずれの発振信号も増幅トランジスタ４ａのベースに入力されて増幅されるが、第一の周波数帯の発振信号は並列同調手段４ｂとコンデンサ４ｃによって同調増幅され、第二の周波数帯の発振信号は並列同調手段４ｂによって同調増幅される。増幅されたそれぞれの発振信号は、コレクタから出力端子１２に出力される。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明はエミッタが電源端子に接続され、コレクタから第一の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を印加する第一のスイッチトランジスタと、エミッタが電源端子に接続され、コレクタから第二の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を印加する第二のスイッチトランジスタとを設け、第一のスイッチトランジスタのコレクタと増幅トランジスタのコレクタとの間にコンデンサを接続し、第一のスイッチトランジスタと第二のスイッチトランジスタとをオンとオフとが互いに逆となるように切り替えたので、増幅トランジスタのコレクタに設けられた並列同調手段に第一のスイッチトランジスタのみでコンデンサを接離できる。よって、簡単な構成で同調周波数を切り替えられる。また、切替用のスイッチダイオードを使用しないので同調周波数が安定化し、増幅された発振信号のレベル低下もない。
【００２４】
また、第一のスイッチトランジスタのコレクタを第二のスイッチトランジスタのベースに接続したので、二つのスイッチトランジスタのオン、オフ切替が簡単である。
【００２５】
また、第一のスイッチトランジスタのコレクタと第二のスイッチトランジスタのベースとの間に抵抗を介挿したので、第二のスイッチトランジスタがオンのときでもコンデンサを並列同調手段から完全に絶縁できる。
【００２６】
また、並列同調手段は電源端子と増幅トランジスタのコレクタとの間に接続されたストリップラインで構成したので、バッファアンプが最も簡単な構成となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の２バンド発振器の構成を示す回路図である。
【図２】従来の２バンド発振器の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１  第一の発振回路
１ａ  第一の発振トランジスタ
１ｂ  第一の共振回路
２  第二の発振回路
２ａ  第二の発振トランジスタ
２ｂ  第二の共振回路
３  同調電圧端子
４  バッファアンプ
４ａ  増幅トランジスタ
４ｂ  並列同調手段
４ｃ  コンデンサ
５  電源端子
６  第一のスイッチトランジスタ
７  抵抗
８  切替端子
９  第二のスイッチトランジスタ
１０  抵抗
１１  抵抗
１２  出力端子
Ｄ１、Ｄ２  バラクタダイオード
【図１】
2004159208.tif 000003
【図２】
2004159208.tif 000004