(57)【要約】【課題】絶縁基板の歪みを減少させて破損を防止して収率を増加させ、ストレスによる薄膜トランジスタの特性低下を防止できる薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上にゲート電極を形成する段階と、ゲート電極を含んだ絶縁基板上部に、パワー、圧力、及び電極間隔の条件を含む第１蒸着条件下で第１絶縁膜を形成した後、第１蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第２蒸着条件下で第２絶縁膜を連続して形成する段階と、第２絶縁膜の上部に第１非晶質シリコン層と第２非晶質シリコン層とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成してアクティブ層を形成する段階と、アクティブ層の上部にオーミックコンタクト層とソース／ドレイン電極とを順次に形成する段階と、ソース／ドレイン電極を含んだ結果構造物の上部に保護膜を形成する段階とを含んで構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を含んだ絶縁基板上部に第１絶縁膜と第２絶縁膜とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成する段階、すなわち、パワー、圧力、及び電極間隔の条件を含む第１蒸着条件下で第１絶縁膜を形成した後、前記第１蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第２蒸着条件下で第２絶縁膜を連続して形成する段階と、
前記第２絶縁膜の上部に第１非晶質シリコン層と第２非晶質シリコン層とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成してアクティブ層を形成する段階と、
前記アクティブ層の上部にオーミックコンタクト層とソース／ドレイン電極とを順次に形成する段階と、
前記ソース／ドレイン電極を含んだ結果構造物の上部に保護膜を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２絶縁膜の蒸着時に適用する第２蒸着条件の内、パワー、電極間隔、及び圧力のうち少なくとも一つ以上の条件を前記第１蒸着条件であるパワー、電極間隔、及び圧力の条件より小さく使用することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極間隔は、モーターの回転速度を調節して連続的に変化させ、前記圧力はポンプのポンピング速度を調節して連続的に変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記電極間隔は１０００ｍｉｌから６００ｍｉｌに連続的に変化させ、前記圧力は１７００ｍＴｏｒｒから１２００ｍＴｏｒｒに連続的に変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１及び第２非晶質シリコン層は、時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成するものであり、パワー、圧力、及び電極間隔を含む第３蒸着条件下で第１非晶質シリコン層を形成した後、前記第３蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第４蒸着条件下で第２非晶質シリコン層を連続して形成することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記パワーは１００Ｗから６００Ｗに連続的に変化させることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を含んだ絶縁基板上部に第１絶縁膜と第２絶縁膜とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成する段階、すなわち、パワー、圧力、及び電極間隔の条件を含む第１蒸着条件下で第１絶縁膜を形成した後、前記第１蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第２蒸着条件下で第２絶縁膜を連続して形成する段階と、
前記第２絶縁膜の上部に第１非晶質シリコン層と第２非晶質シリコン層とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成する段階、すなわち、パワー、圧力、及び電極間隔の条件を含む第３蒸着条件下で第１非晶質シリコン層を形成した後、前記第３条件のうち少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第４蒸着条件下で第２非晶質シリコン層を連続して形成してアクティブ層を形成する段階と、
前記アクティブ層の上部にオーミックコンタクト層とソース／ドレイン電極とを順次に形成する段階と、
前記ソース／ドレイン電極を含んだ結果構造物の上部に保護膜を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記電極間隔はモーターの回転速度を調節して連続的に変化させ、前記圧力はポンプのポンピング速度を調節して連続的に変化させることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極間隔は１０００ｍｉｌから６００ｍｉｌに連続的に変化させ、前記圧力は１７００ｍＴｏｒｒから１２００ｍＴｏｒｒに連続的に変化させることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記パワーは１００Ｗから６００Ｗに連続的に変化させることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に関するものであり、より詳細にはプラズマ化学気相蒸着法で蒸着時に蒸着条件を連続的に変化させることによりストレスを緩和して基板の歪みを防止する薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にノートブック、携帯電話、ＰＤＡ等の移動通信機器で使用される薄膜トランジスタ液晶表示装置は徐々に軽量化、薄装化されている趨勢である。これのために基板として使用されているガラス基板も徐々にその厚さが薄くなり密度も低くなっている。
【０００３】
したがって、基板の厚さが薄くなりながら、薄膜トランジスタの製造工程のうち最も高い温度で厚く蒸着されるマルチ層（すなわち、ＳｉＮの絶縁層、非晶質シリコンのアクティブ層、及び不純物非晶質シリコンのオーミックコンタクト層）をプラズマ化学気相蒸着法（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）で蒸着する場合（例えば、特許文献１参照）にストレスによるガラス基板の歪み現象が目立って現れるようになる。
【０００４】
このような従来のマルチ層はＳｉＮ層、非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層を順次に蒸着して液晶表示素子での絶縁層（第１絶縁膜、第２絶縁膜にて形成）、アクティブ層（第１非晶質シリコン層、第２非晶質シリコン層にて形成）及びオーミックコンタクト層を構成する、このようなマルチ層はそれぞれ異なった蒸着条件（使用されるガス種類、ガス流量、電極間隔、パワー、圧力）で蒸着される。
【０００５】
また、プラズマ化学気相蒸着法は反応ガスをプラズマにより活性化させた後に化学反応とプラズマによるエネルギー伝達がなされるために、大部分の圧縮ストレスは絶縁層とアクティブ層で発生する。
【０００６】
すなわち、絶縁層の場合ＳｉＮまたはＳｉＯＮを主に使用するが、この絶縁層の第１絶縁膜はゲート電極とデータ電極とを絶縁させる目的で提供されるので充分の厚さを有しなければならないために一般的にストレスがほとんどない条件下で蒸着される。一方、アクティブ層と界面を形成する第２絶縁膜は薄膜トランジスタ特性を考慮して粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）がなく、優れた界面特性を有するような条件下で蒸着するが、このような第２絶縁膜の蒸着条件は第１絶縁膜の蒸着条件から唐突に（ａｂｒｕｐｔｌｙ）変更されたものである。
【０００７】
また、アクティブ層を構成している第１及び第２非晶質シリコン層の場合にも、数百Å以上の厚さでチャンネル層を形成している第１非晶質シリコン層はより欠陥密度（ｄｅｆｅｃｔ  ｄｅｎｓｉｔｙ）が少なく蒸着速度の遅い条件下で蒸着し、チャンネル層のエッチングにより除去されるために第２非晶質シリコン層は生産性向上のために蒸着速度が速い条件下で蒸着するが、このような第２非晶質シリコン層の蒸着条件は第１非晶質シリコン層の蒸着条件から唐突に（ａｂｒｕｐｔｌｙ）変更されたものである。
【０００８】
【特許文献１】特開平０７−１９９２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、このような唐突な蒸着条件の変化は、絶縁膜とアクティブ層下部層とのマッチングを難しくしてその部分にストレスを誘発し、プラズマによって相当なストレスを受けることによって薄膜トランジスタの特性低下及び絶縁基板の歪みの程度を増加させて以後の工程進行時に破損する可能性が高まり収率を低下させるという問題点がある。
【００１０】
そこで、本発明は上記従来の薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、絶縁層とアクティブ層の蒸着時に蒸着条件を時間に対して連続的に変化させてストレスを緩和することによって絶縁基板の歪みを減少させて破損を防止して収率を増加させ、ストレスによる薄膜トランジスタの特性低下を防止できる薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含んだ絶縁基板上部に第１絶縁膜と第２絶縁膜とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成する段階、すなわち、パワー、圧力、及び電極間隔の条件を含む第１蒸着条件下で第１絶縁膜を形成した後、前記第１蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第２蒸着条件下で第２絶縁膜を連続して形成する段階と、前記第２絶縁膜の上部に第１非晶質シリコン層と第２非晶質シリコン層とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成してアクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層の上部にオーミックコンタクト層とソース／ドレイン電極とを順次に形成する段階と、前記ソース／ドレイン電極を含んだ結果構造物の上部に保護膜を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする。
【００１２】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、絶縁基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含んだ絶縁基板上部に第１絶縁膜と第２絶縁膜とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成する段階、すなわち、パワー、圧力、及び電極間隔の条件を含む第１蒸着条件下で第１絶縁膜を形成した後、前記第１蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第２蒸着条件下で第２絶縁膜を連続して形成する段階と、前記第２絶縁膜の上部に第１非晶質シリコン層と第２非晶質シリコン層とを時間経過と共に連続的に変化する蒸着条件下で順次に形成する段階、すなわち、パワー、圧力、及び電極間隔の条件を含む第３蒸着条件下で第１非晶質シリコン層を形成した後、前記第３条件のうち少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第４蒸着条件下で第２非晶質シリコン層を連続して形成してアクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層の上部にオーミックコンタクト層とソース／ドレイン電極とを順次に形成する段階と、前記ソース／ドレイン電極を含んだ結果構造物の上部に保護膜を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、絶縁層とアクティブ層の蒸着時に蒸着条件を連続的に変化させてストレスを緩和することによって絶縁基板の歪みを減少させて破損を防止して収率を増加させることができるという効果がある。
【００１４】
また、ストレスによる薄膜トランジスタの特性低下を防止して平坦な液晶表示素子を製造できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明に係る薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【実施例】
【００１６】
図１は、本発明の実施例による薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を説明するための工程断面図であり、図２及び図３は、本発明の製造方法に従った場合のパワーと圧力に対する絶縁膜及び非晶質シリコン層のストレス変化を示したグラフである。
【００１７】
本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、図１に示すように、まず、透明な絶縁基板１００上にゲート電極１１０を形成する。
【００１８】
その次に、ゲート電極１１０を含んだ絶縁基板１００上にＰＥＣＶＤ方法で第１絶縁膜１２０ａと第２絶縁膜１２０ｂとを順次に蒸着して絶縁層１２０を形成する。この時、第１絶縁膜１２０ａはパワー、電極間隔、及び圧力を含む第１蒸着条件下で蒸着がなされ、第２絶縁膜１２０ｂは第１蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第２蒸着条件下で蒸着がなされるようにする。このような第２絶縁膜１２０ｂの蒸着条件の変化は唐突になされないために絶縁基板１００へのストレスを緩和して絶縁基板１００の歪みを防止することができる。
【００１９】
例えば、第１絶縁膜１２０ａを１３００Ｗのパワー、１０００ｍｉｌ（２．５４ｃｍ）の電極間隔、及び１７００ｍＴｏｒｒの圧力のような第１蒸着条件下で形成する時、第２絶縁膜１２０ｂを１３００Ｗのパワー、６００ｍｉｌの電極間隔、及び１２００ｍＴｏｒｒの圧力のような第２蒸着条件下で形成する場合、時間経過と共に連続的に１０００ｍｉｌから６００ｍｉｌに電極間隔を変化させながら蒸着工程を進行させ、また時間経過と共に連続的に１７００ｍＴｏｒｒから１２００ｍＴｏｒｒに圧力を変化させながら蒸着工程を実行する。
【００２０】
言い換えれば、一般的なＰＥＣＶＤ装置の電極間隔は、モーターの回転により調節するのでモーターの回転速度を連続的に増加または減少するように調節することにより電極間隔を時間経過と共に連続的に変化させることができ、また、圧力もポンプのポンピングスピードにより調節するために、ポンピングスピードを連続的に調節することにより圧力を時間経過と共に連続的に変化させることができる。
【００２１】
例えば、第１絶縁膜の厚さを２０００〜５０００Å程度、望ましくは３０００〜４０００Å程度で蒸着する場合に、第２絶縁膜の厚さは３５０〜６５０Å程度、望ましくは４５０〜５５０Å程度で蒸着するようになる。
【００２２】
続いて、第２絶縁膜１２０ｂの上部に第１非晶質シリコン層１３０ａと第２非晶質シリコン層１３０ｂを順次に蒸着してアクティブ層１３０を形成する。この時、第１及び第２非晶質シリコン層の蒸着は先に説明した絶縁層の蒸着方法と同じ方法で実行する。すなわち、パワー、電極間隔、及び圧力の条件を含む第３蒸着条件下で第１非晶質シリコン層１３０ａを蒸着し、次に第２非晶質シリコン層１３０ｂは第３蒸着条件の内、少なくとも一つ以上の条件を時間経過と共に連続的に変化させる第４蒸着条件下で蒸着がなされるようにする。このような第２非晶質シリコン層１３０ｂの蒸着条件は唐突に変化しないために絶縁基板１００へのストレスを緩和して絶縁基板１００の歪みを防止することができる。
【００２３】
例えば、第１非晶質シリコン層の蒸着時は、電極間隔は５００〜５５０ｍｉｌ程度であり、圧力は２５００ｍＴｏｒｒ〜３５００ｍＴｏｒｒ程度であり、パワーは１００〜２００Ｗ程度である第３蒸着条件で蒸着工程を実行するが、第２非晶質シリコン層の蒸着時の第４蒸着条件は、電極間隔と圧力は第１非晶質シリコン層の蒸着時の条件と同一に維持するが、パワーは１００〜２００Ｗ程度から３００〜６００Ｗ程度に時間経過と共に連続的に変化させながら蒸着する。この時、第１非晶質シリコン層の厚さは約２００〜５００Å程度であり、第２非晶質シリコン層の厚さは１３００〜１６００Å程度となる。しかしながら、上述の例に加えて、パワーに電極間隔及び／又は圧力も加えて時間経過と共に連続的に変化させながら蒸着することもできる。よって、本発明は上述した場合以外にも多様な変更を通じて実施が可能である。
【００２４】
図２は、本発明の製造方法に従った場合のパワーに対する絶縁膜のストレス変化を示したグラフである。パワーの変化に対する絶縁膜のストレスの緩和がわかる。
【００２５】
図３は、本発明の製造方法に従った場合の圧力に対する非晶質シリコン層のストレス変化を示したグラフである。圧力の変化に対する非晶質シリコン層のストレスの緩和がわかる。
【００２６】
その次に、第２非晶質シリコン層１３０ｂの上部にオーミックコンタクト層１４０とソース／ドレイン電極１５０とを順次に形成する。
【００２７】
続いて、ソース／ドレイン電極１５０を含んだ結果構造物の上部に保護膜１６０を形成する。この時、保護膜１６０の蒸着は先に説明した絶縁層の蒸着方法と同様の方法で実行する。すなわち、パワー、電極間隔、及び圧力を時間経過と共に連続的に変化させることによって、ストレスを緩和して絶縁基板１００の歪みを防止する。
【００２８】
以後の後続工程は従来方法と同一なので説明の便宜上省略することとする。
【００２９】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例による薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２】本発明の製造方法に従った場合のパワーに対する絶縁膜のストレス変化を示したグラフである。
【図３】本発明の製造方法に従った場合の圧力に対する非晶質シリコン層のストレス変化を示したグラフである。
【符号の説明】
【００３１】
１００        絶縁基板
１１０        ゲート電極
１２０        絶縁層
１２０ａ      第１絶縁膜
１２０ｂ      第２絶縁膜
１３０        アクティブ層
１３０ａ      第１非晶質シリコン層
１３０ｂ      第２非晶質シリコン層
１４０        オーミックコンタクト層
１５０        ソース／ドレイン電極
１６０        保護膜
【図１】
2004304156.tif 000003
【図２】
2004304156.tif 000004
【図３】
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