(57)【要約】【課題】外部にデータベースを設けることなく半導体素子を検査する。【解決手段】半導体素子の製造工程ごとの製造データ、プローブ検査時の検査データおよび出荷検査時の検査データを書き込み読み出し可能に保持する不揮発性記憶素子１０２を半導体素子１０１に備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の製造工程ごとの製造データ、プローブ検査時の検査データおよび出荷検査時の検査データを書き込み読み出し可能に保持する不揮発性の記憶手段を備える半導体素子。
【請求項２】
前記記憶手段は、外部からの閲覧時に閲覧範囲を制限して前記データを保持する請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体素子の記憶手段に保持されたデータを検査時に外部から閲覧する半導体素子の検査方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の半導体素子の検査方法であって、
プローブ検査時の検査データを前記記憶手段に書き込む手順と、
出荷検査時に、前記プローブ検査時の検査データを前記記憶手段から読み出す手順と、
前記プローブ検査時の検査データと出荷検査時の検査データとを比較する手順と、
比較結果に基づいて前記半導体素子の出荷適正を判定する手順とを含む半導体素子の検査方法。
【請求項５】
前記プローブ検査時の検査データと前記出荷検査時の検査データとの比較結果に応じて決定した識別グループを番号を前記記憶手段に書き込む手順を含む請求項４記載の半導体素子の検査方法。
【請求項６】
請求項５記載の識別グループ番号により、半導体素子の製品保証レベルを決定する半導体素子の管理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子に関し、特に、その検査、管理技術に係る。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子の製品管理を容易にするために、半導体素子の組み立て後のパッケージに固有のＩＤを付与し、ＩＤ別に作成した管理データを必要に応じて検索するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図４は従来の管理手法を示しており、製造条件、設備条件、検査規格、製造仕様、各工程の測定データが蓄積されたデータベースを含むデータベース群４０３および設計情報、各製造ラインの記号と実際のライン名との対応を示すライン情報、各品種名と品種名を表す記号との対応を示す品種情報、各ロットを示す記号と実際のロット番号との対応を示すロット情報、各ウェハを示す記号と実際のウェハ番号との対応を示すウェハ情報が蓄積されたデータベースを含むデータベース群４０４に対してＩＤをキーにＩＤ管理システム４０１からの管理データの検索が可能となっている。
【０００４】
上記システムにおいて、顧客４０８からのクレームは営業４０２で処理され、ＩＤ管理システム４０１では必要とする製造情報を検索した上で、ＩＤ対応の半導体素子を検査することが可能である。
【０００５】
不良解析時には半導体素子が持っているＩＤをキーにし、ＩＤ管理システム４０１から組立製造ライン、組立条件、組立時期、ウェハプロセス製造ライン、製造時期、製造工程順、製造装置、製造ウェハ、製造ウェハの情報の順次検索が可能である。
【０００６】
【特許文献１】
特開平０７−３３５５１０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記システムによる従来の管理手法では、半導体素子が固有に持つＩＤごとの製造データを用意し、これらをＩＤ管理システムで管理されるデータベースに蓄積しておく必要がある。このため、半導体素子の数量が多くなるとＩＤも多くなり、相当量のデータベースが必要になる。また、ＩＤをキーとしてＩＤ管理システムのデータベースにアクセスするためのネットワークの整備、設置場所、権限などの制約が生じる。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、外部にデータベースを設けることなく半導体素子の検査、管理を行うことができる半導体素子およびその検査方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の半導体素子は、半導体素子の製造工程ごとの製造データ、プローブ検査時の検査データおよび出荷検査時の検査データを書き込み読み出し可能に保持する記憶手段を備える。
【００１０】
上記構成によれば、半導体素子に設けた記憶手段に製造データ、プローブ検査時の検査データおよび出荷検査時の検査データを書き込み読み出し可能に保持することで、半導体素子に直接アクセスして各種データを取得できるため、外部のデータベースが不要となる。
【００１１】
請求項２の半導体素子は、請求項１記載の半導体素子において、前記記憶手段は、外部からの閲覧時に閲覧範囲を制限して前記データを保持するものである。
【００１２】
上記構成によれば、外部アクセスによるデータの閲覧が制限されるため、データの秘匿性を高めることができる。
【００１３】
請求項４の半導体素子の検査方法は、請求項１または２記載の半導体素子の記憶手段に保持されたデータを検査時に外部から閲覧するものである。
【００１４】
上記構成によれば、半導体素子の検査時のデータ取得をネットワークを介さずに迅速かつ容易に行うことができる。
【００１５】
請求項５の半導体素子の検査方法は、請求項１または２記載の半導体素子の検査方法であって、プローブ検査時の検査データを前記記憶手段に書き込む手順と、出荷検査時に、前記プローブ検査時の検査データを前記記憶手段から読み出す手順と、前記プローブ検査時の検査データと出荷検査時の検査データとを比較する手順と、比較結果に基づいて前記半導体素子の出荷適正を判定する手順とを含む。
【００１６】
上記構成によれば、プローブ検査時の検査データと出荷検査時の検査データとの比較結果に基づいて半導体素子の出荷適正を判定することで、容易に特性不良品をスクリーニングすることができる。また、出荷検査後においても、半導体素子の記憶手段に保持されているプローブ検査時の検査データを読み取るだけで特性不良判定を行うことができる。
【００１７】
請求項６の半導体素子の検査方法は、請求項５記載の半導体素子の検査方法において、前記プローブ検査時の検査データと前記出荷検査時の検査データとの比較結果に応じて決定した識別グループ番号を前記記憶手段に書き込む手順を含むものである。
【００１８】
上記構成によれば、記憶手段に検査結果に応じた識別グループ番号を書き込みことで、製造された半導体素子を識別グループ番号に基づいてグループ管理することができる。
【００１９】
請求項７の半導体素子の管理方法は、請求項６記載の識別グループ番号により、半導体素子の製品保証レベルを決定するものである。
【００２０】
上記構成によれば、識別グループ番号に基づく製品保証レベルに応じて品質管理、在庫管理、出荷管理を効率良く行うことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明の半導体素子を示す構成図である。図１において、１０１は半導体素子、１０２は半導体素子１０１の製造段階での製造データや検査データを格納するための専用の不揮発性記憶素子である。１０３は不揮発性素子１０２にアクセスするためのアクセス装置であり、検査（評価）テスタまたはパーソナルコンピュータ（ＰＣ）で構成される。半導体素子１０１は、ウェハの製造工程、ウェハ処理工程、チップ組立工程、製品検査工程を経て出荷される。
【００２２】
アクセス装置１０３は、不揮発性記憶素子１０２に対して半導体素子の履歴情報である製造工程ごとの各種の製造データのほか、製造工程途中での半導体素子のプローブ検査による検査データ、出荷検査時の検査データの書き込みと読み出しを行う。
【００２３】
不揮発性記憶素子１０２に記録される製造データには、例えば拡散工程における製造時期、製造工程、製造装置、プロセス工程管理に関するデータが含まれる。また、検査データには、例えばプローブ検査の検査データや出荷検査時の特性検査、外観検査の検査データが含まれる。
【００２４】
図２は半導体素子の製造工程から出荷工程までの流れを示すフローチャートである。製造工程では、例えば拡散完了後の半導体素子について触針によるプローブ検査を行う（Ｓ２０１）。良品判定を行った場合には、検査終了後に半導体拡散工程における製造データ（製造時期、製造工程、製造装置、プロセス工程管理値など）とともに、検査データや機能特性を不揮発性記憶素子１０２に、検査テスタとして機能するアクセス装置１０３により書き込む（Ｓ２１１）。
【００２５】
製造工程に続く出荷検査では（Ｓ２０２）、例えば半導体素子の検査後にこの半導体素子の組み立てを行い、組み立て時の出荷検査において良品と判定されたものに対して、検査テスタとして機能するアクセス装置１０３によりその検査データを不揮発性記憶素子１０２に書き込む（Ｓ２１２）。そして、出荷時の検査データを、ＰＣであるアクセス装置１０３によって不揮発性記憶素子１０２から読み出し（Ｓ２１３）、プローブ検査時の検査データと比較する（Ｓ２０３）。両検査データの変動値（差）が、予め定められている検査規格を超えたか否かを調べ、超えている場合には、検査対象の半導体素子を特性不良の不良品と判定する。不良品は、主に特性評価の解析用として利用する（Ｓ２０４）。
【００２６】
両検査データの変動値（差）が検査規格内にある場合には、検査対象の半導体素子を特性良好の出荷可能な良品と判定し、アクセス装置１０３により、検査期間、検査場所、判定データなどとともに不揮発性記憶素子１０２に書き込む。特性良好と判定した半導体素子１０１について、検査データの変動値（差）が大きい識別グループ、小さい識別グループに分けて製品品質レベルを決定する（Ｓ２０５）。また、回路動作スピード評価結果について、速度の早い識別グループ、遅い識別グループに分けて、製品品質レベルを決定することもできる。レベル分けされた半導体素子の判定レベルは、ＰＣとして機能するアクセス装置によって不揮発性記憶素子１０２に書き込まれる（Ｓ３１４）。判定レベルに基づいてカスタマが要求する製品保証レベルごとの半導体素子を出荷する。
【００２７】
半導体素子１０１についてのプローブ検査および出荷検査が行われた後は、半導体素子１０１を組み込んだ半導体素子組み込み装置の出荷検査が行われる（Ｓ２０６）。出荷検査の検査データも、ＰＣとして機能するアクセス装置１０３によって不揮発性記憶素子１０２に書き込まれ（Ｓ２１５）、検査をパスした組み立て装置は出荷される（Ｓ２０７）。
【００２８】
図３は半導体素子組み込み装置を示す構成図である。アクセス装置１０３は半導体素子組み込み装置３０１の外部から、内部に組み込まれた半導体素子１０１の不揮発性記憶素子１０２に対して、製造データや出荷検査の検査データなどの書き込みおよび読み出しを行う。
【００２９】
半導体素子組み込み装置３０１内の半導体素子１０１の良品、不良品の解析時には、半導体素子１０１内部の不揮発性記憶素子１０２に格納されている製造データを、アクセス装置１０２によって、半導体素子組み込み装置３０１の外部から、パスワード認証により閲覧可能とすることができる。詳細評価についても、評価テスタとしてとして機能するアクセス装置１０３によって、不揮発性記憶素子１０２内部の製造データを閲覧することで、検査データの変動値などにより、解析の一手段として用いることが可能である。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、半導体素子に設けた記憶手段に製造データ、プローブ検査時の検査データおよび出荷検査時の検査データを書き込み読み出し可能に保持することで、半導体素子に直接アクセスして各種データを取得できるため外部のデータベースが不要となる。また、データ取得のためにネットワークを介する必要がないため、ネットワークの制限を受けずに、迅速なデータ取得が可能となり検査効率を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体素子を示す図。
【図２】本発明による半導体素子の出荷フローを示すフローチャート。
【図３】本発明の一実施の形態の半導体素子組み込み装置を示す図。
【図４】従来の管理システムを示す図。
【符号の説明】
１０１  半導体素子
１０２  不揮発性記憶素子
１０３  アクセス装置
３０１  半導体素子組み込み装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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