(57)【要約】【課題】主表面が（１１０）面である単結晶シリコン基板を用いたダイアフラム式の半導体圧力センサの製造方法において、ダイアフラムを小型化するにあたって、八角形のダイアフラムを実現しやすくする。【解決手段】一面１１の面方位が（１１０）面である単結晶シリコン基板１０の一面１１側にエッチングマスク５０を配設した後、異方性エッチングを行うことにより、凹部２０を形成するとともに凹部２０の底面側にダイアフラム３０を形成するようにした半導体圧力センサの製造方法において、エッチングマスク５１として、〈１１０〉結晶軸方向に沿って延びる第１の領域と〈１００〉結晶軸方向とに沿って延びる第２の領域とが交差する十字形状の開口部５１を有し且つ開口部５１のうち第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部５１ａの面積がダイアフラム３０の面積よりも小さいものを用いる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）の面方位が（１１０）面である単結晶シリコン基板（１０）を用意し、
前記単結晶シリコン基板の一面側にエッチングマスク（５０）を配設する工程と、
しかる後、前記単結晶シリコン基板の一面から異方性エッチングを行うことにより、前記単結晶シリコン基板に凹部（２０）を形成するとともに、前記単結晶シリコン基板のうち前記凹部の底面側に受圧用のダイアフラム（３０）を形成する工程と、を備える半導体圧力センサの製造方法において、
前記エッチングマスクとして、〈１１０〉結晶軸方向に沿って延びる第１の領域と〈１００〉結晶軸方向とに沿って延びる第２の領域とが交差する十字形状の開口部（５１）を有するとともに、前記開口部のうち前記第１の領域と前記第２の領域とが重なり合う領域の開口部（５１ａ）の面積が前記ダイアフラムの面積よりも小さくなっているものを用いることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項２】
前記エッチングマスク（５０）の開口部（５１）のうち前記第１の領域と前記第２の領域とが重なり合う領域の開口部（５１ａ）は、八角形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一面の面方位が（１１０）面である単結晶シリコン基板に圧力検出用のダイアフラムを形成してなるダイアフラム式の半導体圧力センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体圧力センサは、一面が（１１０）面である半導体基板としての単結晶シリコン基板と、単結晶シリコン基板の一面に形成された圧力検出用のダイアフラムとを備えるものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような半導体圧力センサは、一面の面方位が（１１０）面である単結晶シリコン基板を用意し、単結晶シリコン基板の一面側にエッチングマスクを配設した後、単結晶シリコン基板の一面から異方性エッチングを行うことにより、単結晶シリコン基板に凹部を形成するとともに、単結晶シリコン基板のうち凹部の底面側に受圧用のダイアフラムを形成することにより、製造される。
【０００４】
ここで、ダイアフラムには、ダイアフラムの歪みに伴う検出信号を出力するためのブリッジ回路を構成する歪みゲージ抵抗が形成されている。この歪みゲージ抵抗は、上記異方性エッチングを行う前に、単結晶シリコン基板に対して、注入や拡散等により形成されるものである。
【０００５】
ここにおいて、（１１０）面に配置される歪みゲージ抵抗は、〈１１０〉結晶軸方向に沿ってダイアフラムの中心部に配置された一対のセンターゲージと、センターゲージよりもダイアフラムの周辺部に配置された一対のサイドゲージとから構成される（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
ここで、図４は、上記単結晶シリコン基板を用いた半導体圧力センサにおける単結晶シリコン基板１０の主表面に位置するダイアフラム３０上の歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２の配置状態を示す図である。単結晶シリコン基板１０の主表面である（１１０）面には、その構造上、相直交する２つの結晶軸〈１１０〉と〈１００〉とが存在する。
【０００７】
ここで、〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力の感度は、〈１００〉結晶軸方向に発生する応力の感度と比べてピエゾ抵抗係数が非常に大きいため、（１１０）面における応力検出においては、〈１００〉結晶軸方向ではなく、〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力を用いることになる。
【０００８】
そして、（１１０）面においては〈１１０〉は１方向しか存在しないため、より感度の高い結晶軸に対してより高い出力を得ようとすると、必然的に、図４に示す様な歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２の配置を採らざるを得ない。
【０００９】
つまり、〈１１０〉結晶軸方向に沿ってダイアフラム３０の中心寄りに配置されたセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２と、該センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２よりも該ダイアフラム３０の周辺部に配置されたサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とを設け、これら４個の歪みゲージ抵抗でブリッジ回路を構成して〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力を検出する。
【００１０】
具体的には、図５に示すように、センターゲージＲｃ１の抵抗値をＲＡ、センターゲージＲｃ２の抵抗値をＲＤ、サイドゲージＲｓ１の抵抗値をＲＢ、サイドゲージＲｓ２の抵抗値をＲＡとして、これら歪みゲージ抵抗は互いに直列接続されて４辺形の閉回路を形成し、ホイートストンブリッジを構成している。
【００１１】
そして、図５に示すブリッジ回路１００においては、入力端子ＩａからＩｂに直流定電流Ｉを与えた状態で、ダイアフラム３０の歪みが歪みゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＲＤの抵抗値変化として現れ、出力端子ＰａとＰｂとの間から被検出圧力に応じたレベルの電圧（検出信号）すなわち中点電位Ｖｏｕｔが出力されるようになっている。
【００１２】
【特許文献１】
特開２００１−３５６０６１号公報（第３頁、第１図）
【００１３】
【特許文献２】
特開平１１−９４６６６号公報（第１１頁、第１５図）
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、通常、このような半導体圧力センサは、図示しないが、上記特許文献１に示されているように、例えば単結晶シリコン基板１０にガラス台座が陽極接合等により貼り合わされた構造となっている。
【００１５】
単結晶シリコン基板１０とガラス台座とは熱膨張係数が異なるため、温度が変化すると両者の間に熱応力が発生し、それはダイアフラム３０上の歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２へと伝達する。ここで、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２とサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２にかかる熱応力は、そのダイアフラム３０上の位置の違いから大きさが異なる。
【００１６】
その結果、サイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２にかかる熱応力の差分がノイズとして出力されてしまう。そして、この熱応力の差分は温度に依存して非線形に変化するため、出力のオフセットの温度特性は温度に対して曲がりを持ったものとなる。
【００１７】
よって、出力のオフセットの温度特性において、室温〜高温間のオフセットの温度に対する勾配と、低温〜室温間のオフセットの温度に対する勾配との間に差が生じる。この差はＴＮＯ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｎｏｎｌｉｎｅａｒｉｔｙ  Ｏｆｆｓｅｔ）と呼ばれ、このＴＮＯはセンサの精度を決める重要な特性である。
【００１８】
また、半導体圧力センサの小型化すなわち単結晶シリコン基板１０の小型化を狙う場合、大きな面積を占めるダイアフラム３０を縮小することが考えられる。しかしながら、この場合、次に述べるような問題が生じる。
【００１９】
ここで、図６は、従来の半導体圧力センサにおいて、単結晶シリコン基板１０の一面１１側から見たときのダイアフラム３０の形状を示す斜視図である。また、図７（ａ）は図６に示すダイアフラムの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００２０】
図６、図７に示すように、単結晶シリコン基板１０の一面１１に、開口部が八角形状の凹部２０が形成され、この凹部２０の底面に八角形状のダイアフラム３０が形成されている。
【００２１】
ここで、凹部２０の八角形の開口部は、エッチングマスクの開口部形状を承継している。そして、凹部２０においては、この八角形の開口部から四つのテーパ面２１、２２、２３、２４とその間の垂直な面とが側面として形成されており、これら側面を介して凹部２０の底面が八角形のダイアフラム３０として構成されている。
【００２２】
ここで、〈１００〉結晶軸に沿って対向する一対のテーパ面２１、２２は（１１１）面であり、〈１１０〉結晶軸に沿って対向する一対のテーパ面２３、２４は（１１０）面である。
【００２３】
このような凹部２０は、凹部２０の八角形の開口部に対応した開口部を有するエッチングマスクを、単結晶シリコン基板１０の一面１１にＣＶＤ（化学気相成長法）等にて成膜されたシリコン窒化膜等により形成し、その後、ＫＯＨ（水酸化カリウム）からなるアルカリエッチング液等により異方性エッチングを行うことで形成できる。
【００２４】
この場合、凹部２０における深さ方向のエッチングレートとテーパ面のエッチングレートとの差を利用して異方性エッチングが進行する。それにより、上記図６、図７に示すような八角形のダイアフラム３０が形成される。
【００２５】
このような八角形のダイアフラム３０を有する半導体圧力センサにおいて、センサの小型化すなわち単結晶シリコン基板１０の小型化を狙う場合、大きな面積を占めるダイアフラム３０の面積を縮小することになる。そうすると、単純には、エッチングマスクにおける八角形の開口部のサイズを小さくしていくことが考えられる。
【００２６】
しかしながら、本発明者らの検討によれば、単純に、単結晶シリコン基板１０の厚さやダイアフラム３０の厚さを一定とした条件のもとでエッチングマスクの開口部を小さくした場合、ダイアフラム３０の形状が四角形となってしまうことがわかった。
【００２７】
例えば、単結晶シリコン基板１０の厚さを３００μｍ程度、ダイアフラム３０の厚さを１０〜２０μｍ程度とし、ダイアフラム３０の縦横寸法Ｌ（図７（ａ）参照）を６２０μｍ未満にまで小さくすると、従来のエッチング方法では、図８に示すように、ダイアフラム３０が平面四角形のものになってしまう。ここで、図８において（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００２８】
つまり、凹部２０のエッチングにおいて、深さ方向のエッチングレートとテーパ面２１〜２４のエッチングレートとは決まっている。そのため、ダイアフラム３０のサイズを小さくしていくと、図８に示すように、四つのテーパ面２１〜２４同士がつながってしまい、ダイアフラム３０は四角形状となってしまう。
【００２９】
このようにダイアフラム３０が八角形から四角形に変わってしまうと、八角形のときに比べてセンターゲージとサイドゲージの熱応力差が大きくなる。図９は、ダイアフラム３０が八角形の場合と四角形との場合とで、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２とサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２に加わる熱応力の大きさについて有限要素法（ＦＥＭ）を用いて解析を行った結果を示す図である。
【００３０】
この図９からもわかるように、四角形のダイアフラム３０では八角形のときに比べてセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２に加わる熱応力σｃとサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２に加わる熱応力σｓの差が大きくなる。そのため、上記したＴＮＯ特性が悪化してしまうという問題が生じる。
【００３１】
本発明は上記問題に鑑み、主表面が（１１０）面である単結晶シリコン基板に圧力検出用のダイアフラムを形成してなる半導体圧力センサの製造方法において、ダイアフラムを小型化するにあたって、八角形のダイアフラムを実現しやすくすることを目的とする。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１）の面方位が（１１０）面である単結晶シリコン基板（１０）を用意し、単結晶シリコン基板の一面側にエッチングマスク（５０）を配設する工程と、しかる後、単結晶シリコン基板の一面から異方性エッチングを行うことにより、単結晶シリコン基板に凹部（２０）を形成するとともに、単結晶シリコン基板のうち凹部の底面側に受圧用のダイアフラム（３０）を形成する工程と、を備える半導体圧力センサの製造方法において、エッチングマスクとして、〈１１０〉結晶軸方向に沿って延びる第１の領域と〈１００〉結晶軸方向とに沿って延びる第２の領域とが交差する十字形状の開口部（５１）を有するとともに、開口部のうち第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部（５１ａ）の面積がダイアフラムの面積よりも小さくなっているものを用いることを特徴とする。
【００３３】
このようなエッチングマスク（５０）を用いれば、凹部（２０）を形成するための異方性エッチングを行っていくと、十字形状の開口部（５１）において第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部（５１ａ）から十字の各端部に向かって、凹部の側面としてのテーパ面（２１、２２、２３、２４）の一部が現れてくる。
【００３４】
一方、この異方性エッチング中において、エッチングマスク（５０）の開口部（５１）から現れるテーパ面（２１〜２４）の一部の間に位置する基板部分は、エッチングマスクの下に隠れているので、当該基板部分のエッチングレートを遅くすることができる。そのため、最終的に四つのテーパ面同士がつながってダイアフラム（３０）が四角形状となってしまうことを防止できる。
【００３５】
このように、本製造方法によれば、凹部（２０）およびダイアフラム（３０）を形成する異方性エッチングにおいて、四つのテーパ面（２１〜２４）の間に、凹部の側面として別の側面を残すことができる。よって、本発明によれば、ダイアフラムを小型化するにあたって、八角形のダイアフラムを実現しやすくできる。
【００３６】
ここで、請求項２に記載の発明では、エッチングマスク（５０）の開口部（５１）のうち第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部（５１ａ）は、八角形であることを特徴とする。
【００３７】
それによれば、異方性エッチングによってダイアフラム（３０）をより八角形にしやすくできるため、好ましい。
【００３８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体圧力センサＳ１の概略断面図であり、図２は、図１中の上視平面図であって、このセンサＳ１における単結晶シリコン基板１０に形成されたダイアフラム３０の平面形状を示す図である。
【００４０】
また、図３は、単結晶シリコン基板１０の一面１１から見たダイアフラム３０および凹部２０の平面図であり、エッチングマスク５０も並記してある。なお、図２中、ダイアフラム３０の外形は破線にて示し、また、図３では、便宜上、エッチングマスク５０に点ハッチングを施してある。
【００４１】
単結晶シリコン基板１０は、主表面の面方位が（１１０）面である。つまり、単結晶シリコン基板１０の一面（図１中の下面）１１および他面（図１中の上面）１２が（１１０）面となっている。
【００４２】
この単結晶シリコン基板１０には、単結晶シリコン基板１０の一面１１から凹んだ凹部２０が形成されている。この凹部２０の形成に伴い薄肉部となった凹部２０の底面側には、平面形状が八角形である受圧用のダイアフラム３０が形成されている。
【００４３】
ここで、単結晶シリコン基板１０の厚さを３００μｍ程度とした場合、凹部２０の深さは２８０〜２９５μｍ程度である。つまり、ダイアフラム３０の厚さは５〜２０μｍ程度である。また、ダイアフラム３０の縦横寸法Ｌ（図２参照）は６２０μｍ未満にまで小さくなっている。
【００４４】
また、上記図６、図７と同様に、単結晶シリコン基板に形成された凹部２０の開口部は八角形状である。そして、図３に示すように、凹部２０においては、この八角形の開口部から四つのテーパ面２１、２２、２３、２４とその間の垂直な面とが側面として形成されており、これら側面を介して凹部２０の底面が八角形のダイアフラム３０として構成されている。
【００４５】
ここで、凹部２０の側面について、〈１００〉結晶軸に沿って対向する一対のテーパ面２１、２２は（１１１）面であり、〈１１０〉結晶軸に沿って対向する一対のテーパ面２３、２４は（１１０）面である。
【００４６】
また、図１、図２に示すように、単結晶シリコン基板１０の他面１２には、ダイアフラム３０の歪みに伴う検出信号を出力するためのブリッジ回路を構成する歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２が形成されている。この歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は、注入や拡散等により形成された拡散ゲージ抵抗である。
【００４７】
ここにおいて、歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は、抵抗の長手方向が〈１１０〉結晶軸方向に沿って配置されたものであり、ダイアフラム３０の中心部に配置された一対のセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２と、センターゲージＲｃ１、Ｒｃ２よりもダイアフラム３０の周辺部に配置された一対のサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とから構成されている。
【００４８】
そして、これら４個の歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は、センターゲージＲｃ１の抵抗値をＲＡ、センターゲージＲｃ２の抵抗値をＲＤ、サイドゲージＲｓ１の抵抗値をＲＢ、サイドゲージＲｓ２の抵抗値をＲＡとして、上記図５に示したようなブリッジ回路１００を構成して〈１１０〉結晶軸方向に発生する応力を検出するようになっている。
【００４９】
つまり、本実施形態の半導体圧力センサＳ１においても、これら歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２は互いに直列接続されて４辺形の閉回路を形成し、ホイートストンブリッジを構成している。
【００５０】
そして、図５に示したブリッジ回路１００において、入力端子ＩａからＩｂに直流定電流Ｉを与えた状態で、ダイアフラム３０の歪みが歪みゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ、ＲＤの抵抗値変化として現れ、出力端子ＰａとＰｂとの間から被検出圧力に応じたレベルの電圧（検出信号）すなわち中点電位Ｖｏｕｔが出力されるようになっている。
【００５１】
また、図１に示すように、この半導体圧力センサＳ１は、単結晶シリコン基板１０の一面において、ガラス台座４０に陽極接合等により接合されている。本例では、ガラス台座４０によって凹部２０内は密閉されて、基準圧力室となっており、絶対圧型の圧力センサを構成する。
【００５２】
なお、図示しないが、ガラス台座４０には、外部と凹部２０とを連通する圧力導入通路を形成し、この圧力導入通路から、凹部２０内へ被測定圧力を導入してダイアフラム３０の裏面に受圧させるタイプとしてもよい。
【００５３】
このような半導体圧力センサＳ１は、次のようにして形成することができる。まず、主表面すなわち一面１１および他面１２の面方位が（１１０）面である単結晶シリコン基板１０を用意する。そして、この単結晶シリコン基板１０の他面に、イオン注入や拡散等の半導体製造技術を用いて歪みゲージ抵抗Ｒｃ１、Ｒｃ２、Ｒｓ１、Ｒｓ２や各種配線等を形成する。
【００５４】
その後、単結晶シリコン基板１０の一面１１に、図３に示すような十字形状の開口部５１を有するエッチングマスク５０を形成する。このエッチングマスク５０は、ＣＶＤ等により成膜されたシリコン窒化膜等からなるものである。
【００５５】
このエッチングマスク５０の開口部５１は、十字形状であるが、詳しくは、〈１１０〉結晶軸方向に沿って延びる第１の領域と〈１００〉結晶軸方向とに沿って延びる第２の領域とが交差する十字形状となっている。
【００５６】
ここで、第１の領域、第２の領域は、図３に示すように、それぞれの結晶軸に沿って延びる細長矩形の開口部であり、これら二つの細長の開口部が交差した十字形としてエッチングマスク５０の開口部５１が形成されている。
【００５７】
また、図３からわかるように、エッチングマスク５０の開口部５１のうち第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部５１ａの平面形状は、本例では、八角形となっている。言い換えれば、エッチングマスク５０の開口部５１は、この八角形の開口部５１ａを中心として、〈１１０〉結晶軸方向に沿って延びる開口領域と〈１００〉結晶軸方向とに沿って延びる開口領域を有する十字形状のものであると言える。
【００５８】
そして、図３に示されているように、この第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部５１ａの面積は、形成されるべきダイアフラム３０の面積よりも小さくなっている。
【００５９】
なお、この第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部５１ａの平面形状は、〈１１０〉結晶軸方向および〈１００〉結晶軸方向に対して斜めとなった辺を持たない四角形であってもよい。
【００６０】
このようにして単結晶シリコン基板１０の一面１１側にエッチングマスク５０を形成した後、単結晶シリコン基板１０の一面１１から異方性エッチングを行うことにより、単結晶シリコン基板１０に凹部２０を形成するとともに、単結晶シリコン基板１０のうち凹部２０の底面側にダイアフラム３０を形成する。
【００６１】
異方性エッチングとしては、公知であるアルカリエッチング液を用いる方法等を採用できる。アルカリエッチング液としては、ＫＯＨ（水酸化カリウム）やＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライド）等を用いたエッチング液とすることができる。
【００６２】
このような異方性エッチングにおいては、凹部２０における深さ方向のエッチングレートとテーパ面のエッチングレートとの差を利用して異方性エッチングが進行する。
【００６３】
このとき、上記した十字形状のエッチングマスク５０を用いれば、異方性エッチングを行っていくと、十字形状の開口部５１において第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部５１ａから十字の各端部に向かって、凹部２０の側面としてのテーパ面２１〜２４の一部が現れてくる。
【００６４】
一方、この異方性エッチング中において、エッチングマスク５０の開口部５１から現れるテーパ面２１〜２４の一部の間に位置する基板部分は、エッチングマスク５０の下に隠れているので、当該基板部分のエッチングレートを遅くすることができる。
【００６５】
そのため、上記図８に示したように、最終的に四つのテーパ面２１〜２４同士がつながってダイアフラム３０が四角形状となってしまうことを防止することが可能となる。
【００６６】
このように、本実施形態の製造方法によれば、凹部２０およびダイアフラム３０を形成する異方性エッチングにおいて、四つのテーパ面２１〜２４の間に、凹部２０の側面として別の側面を残すことができ、ダイアフラム３０は八角形となる。こうして、八角形のダイアフラム３０を有する半導体圧力センサＳ１ができあがる。
【００６７】
この後、半導体圧力センサＳ１は、エッチングマスク５０をエッチング等により除去し、その後、陽極接合等によってガラス台座４０と接合される。
【００６８】
このように、本実施形態によれば、ダイアフラム３０を小型化するにあたって、八角形のダイアフラム３０を実現しやすくできる製造方法を提供できる。そして、小型化してもサイドゲージＲｓ１、Ｒｓ２とセンターゲージＲｃ１、Ｒｃ２にかかる熱応力の差が小さく、ＴＮＯ特性の良好な半導体圧力センサＳ１を提供できる。
【００６９】
また、本例では、エッチングマスク５０の開口部５１のうち第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部５１ａの平面形状は、〈１１０〉結晶軸方向および〈１００〉結晶軸方向に対して斜めとなった辺を持つ八角形である。八角形のダイアフラム３０を形成する凹部２０の側面のうちテーパ面２１〜２４を除く面は、いろいろな面方位が混在する面である。
【００７０】
その点、上記重なり領域の開口部５１ａをダイアフラム３０の相似形に近い八角形とすることで、異方性エッチングの際に、上記面方位の混在する面をきれいな形で形成しやすい。つまり、異方性エッチングによってダイアフラム３０をより八角形にしやすくできるため、好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体圧力センサの概略断面図である。
【図２】図１に示すセンサにおける単結晶シリコン基板に形成されたダイアフラムの平面形状を示す図である。
【図３】図１に示すセンサにおける単結晶シリコン基板の一面から見たダイアフラムおよび凹部の平面図である。
【図４】従来の主表面が（１１０）面である単結晶シリコン基板を用いた半導体圧力センサにおけるダイアフラム上の歪みゲージ抵抗の配置状態を示す図である。
【図５】図４に示す歪みゲージ抵抗により構成されるブリッジ回路の結線図である。
【図６】従来の半導体圧力センサにおいて、単結晶シリコン基板の一面側から見たときのダイアフラムの形状を示す斜視図である。
【図７】（ａ）は図６に示すダイアフラムの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図８】（ａ）は主表面が（１１０）面である単結晶シリコン基板を用いた半導体圧力センサにおいて、平面四角形のダイアフラムを示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】主表面が（１１０）面である単結晶シリコン基板を用いた半導体圧力センサにおいてダイアフラムが八角形の場合と四角形との場合とで、センターゲージとサイドゲージに加わる熱応力の大きさについて有限要素法（ＦＥＭ）を用いて解析を行った結果を示す図である。
【符号の説明】
１０…単結晶シリコン基板、１１…単結晶シリコン基板の一面、
２０…凹部、３０…ダイアフラム、５０…エッチングマスク、
５１…エッチングマスクの開口部、
５１ａ…エッチングマスクの開口部のうち第１の領域と第２の領域とが重なり合う領域の開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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