(57)【要約】【課題】電子機器を内蔵した筐体の構成を複雑にすることなく、電磁波ノイズのシールドと放熱効果を両立した電磁妨害波低減方法及び筐体構造を提供する。【解決手段】電磁シールド効果を有する材料で構成される筐体１で電子機器２を覆うことにより、電子機器によって生じる電磁妨害波を低減する方法であって、筐体１に空隙３を設ける場合に、空隙３の長手方向が、筐体に空隙が無い場合の表面電流分布に沿った方向になるように空隙３を設置する。具体的には、筐体１の内部に発生する磁界４の中心位置から放射状になるように空隙３を設けることにより、該空隙３は、磁界ベクトルの周回の中心部分から磁界ベクトルに直角となるように配置され、空隙３の長手方向が誘導電流の方向に沿って配置されるので、筐体１に複数の空隙３を設けても表面電流分布を乱すことなく配置でき、電磁波ノイズのシールド効果と放熱効果を得ることができる。【選択図】              図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波に対するシールド効果を有する材料で構成される筐体で電子機器を覆うことにより、該電子機器によって生じる電磁妨害波を低減する電磁妨害波低減方法であって、
前記筐体に放熱あるいは配線用の空隙を設ける場合に、該空隙の長手方向が、前記筐体に空隙が無い場合の表面電流分布に沿った方向になるように、前記空隙を設置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２】
請求項１記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体を、体積抵抗率が１０４Ω・ｃｍ以下の導体または半導体からなる材料で構成することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の電磁妨害波低減方法において、
前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項４】
請求項３記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が直方体形状である時、前記空隙の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項５】
請求項１または２記載の電磁妨害波低減方法において、
前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、前記筐体内部で所定の数式によって算出される磁界の中心位置から放射状に形成することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体の寸法は、電磁波ノイズ規制の上限周波数より高い周波数だけで筐体内電磁波の共振周波数が発生するように設定することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体に前記空隙以外の穴を設ける場合には、その穴の大きさを低減する電磁波波長の４分の１以下、より好ましくは１０分の１以下に設定することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記空隙を、前記筐体の上部または下部、あるいは前記筐体の上下部に設けることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記空隙の長手方向に沿うように設けることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記筐体に接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の電磁妨害波低減方法において、
前記接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が直方体形状である時、前記接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１３】
請求項１〜８の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が電気抵抗の良好な接合部と電気抵抗の良好でない接合部を有する場合には、前記筐体に前記電気抵抗の良好でない接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を設置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の電磁妨害波低減方法において、
前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１５】
請求項１３記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が直方体形状である時、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記空隙の配置を、除熱あるいは換気のための冷却媒体の流れを妨げない方向とすることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための管を設けた場合には、前記管の開口部の幅を、低減する周波数の波長の半分以下とすることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体に、筐体内部の電子機器と外部との情報や電力のやり取りを行うハーネスあるいは電線（コード）類を設ける場合には、前記ハーネスあるいは電線（コード）類を、前記筐体に前記ハーネスあるいは電線（コード）類がない場合の表面電流分布を乱さないように設置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項１９】
請求項１〜１７の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を光信号に変換する電気光変換素子と、前記電気光変換素子により変換された光信号を前記空隙部分から筐体外部に送り出す光ファイバと、前記光ファイバにより筐体外部に送り出された光信号を電気信号に変換する光電気変換素子とを新たに設け、前記筐体内の電子機器の電気信号を電気光変換素子により光信号に変換し、該変換した光信号を、前記光ファイバを介して前記空隙部分から筐体外部の光電気変換素子に送り出し電気信号に変換することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２０】
請求項１〜１７の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を赤外線に変換する電気赤外線変換素子と、前記電気赤外線変換素子により変換された赤外線を電気信号に変換する赤外線電気変換素子とを新たに設け、前記筐体内の電子機器の電気信号を電気赤外線変換素子により赤外線信号に変換し、該変換した赤外線を空隙部分から筐体外部に送り出し、該送り出した赤外線を赤外線電気変換素子により電気信号に変換することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２１】
請求項１〜１７の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体に設置される電子機器で発生した熱を筐体外部に放出するヒートパイプを設ける場合には、該ヒートパイプを筐体壁面に沿って新たに設けることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２２】
請求項１〜２１の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が金属材料で構成されていることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２３】
請求項１〜２１の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体として、導体からなる薄膜層を内面あるいは外面に施した筐体を用いることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体を体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の材料で形成し、該筐体の内面あるいは外面に体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下の材料の薄膜層を設けたことを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２５】
請求項２４記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体をプラスチック材料で形成し、該筐体の内面あるいは外面に金属薄膜層を設けたことを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２６】
請求項２３〜２５の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記薄膜層の厚さがＥＭＩ規制の下限周波数での表皮効果の表皮厚さ以上であることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２７】
請求項２３〜２６の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記薄膜層は粘着層を介して筐体に接着されており、前記薄膜層を貼り合わせる場合に、その合わせ目部を、該合わせ目部がない場合の筐体の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２８】
請求項２７記載の電磁妨害波低減方法において、
前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項２９】
請求項２８記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体が直方体である場合は、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項３０】
請求項２３〜２９の何れか１項に記載の電磁妨害波低減方法において、
前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための金属管を設けた場合には、前記薄膜層に接触するように金属管を設けることを特徴とする電磁妨害波低減方法。
【請求項３１】
電磁波に対するシールド効果を有する材料で構成される筐体であり、該筐体で内部に設置される電子機器を覆うことにより、該電子機器によって生じる電磁妨害波を低減する筐体構造において、
放熱あるいは配線用の空隙を有し、該空隙の長手方向が、空隙が無い場合の表面電流分布に沿った方向になるように、前記空隙を設置したことを特徴とする筐体構造。
【請求項３２】
請求項３１記載の筐体構造において、
体積抵抗率が１０４Ω・ｃｍ以下の導体または半導体からなる材料で構成することを特徴とする筐体構造。
【請求項３３】
請求項３１または３２記載の筐体構造において、
前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項３４】
請求項３３記載の筐体構造において、
前記筐体が直方体形状である時、前記空隙の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項３５】
請求項３１または３２記載の筐体構造において、
前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、前記筐体内部で所定の数式によって算出される磁界の中心位置から放射状に形成することを特徴とする筐体構造。
【請求項３６】
請求項３１〜３５の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体の寸法は、電磁波ノイズ規制の上限周波数より高い周波数だけで筐体内電磁波の共振周波数が発生するように設定することを特徴とする筐体構造。
【請求項３７】
請求項３１〜３６の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体に前記空隙以外の穴を設ける場合には、その穴の大きさを低減する電磁波波長の４分の１以下、より好ましくは１０分の１以下に設定することを特徴とする筐体構造。
【請求項３８】
請求項３１〜３７の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記空隙を、前記筐体の上部または下部、あるいは前記筐体の上下部に設けたことを特徴とする筐体構造。
【請求項３９】
請求項３１〜３８の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記空隙の長手方向に沿うように設けることを特徴とする筐体構造。
【請求項４０】
請求項３１〜３８の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記筐体に接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする筐体構造。
【請求項４１】
請求項４０記載の筐体構造において、
前記接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項４２】
請求項４０記載の筐体構造において、
前記筐体が直方体形状である時、前記接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項４３】
請求項３１〜３８の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体が電気抵抗の良好な接合部と電気抵抗の良好でない接合部を有する場合には、前記筐体に前記電気抵抗の良好でない接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を設置することを特徴とする筐体構造。
【請求項４４】
請求項４３記載の筐体構造において、
前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項４５】
請求項４３記載の筐体構造において、
前記筐体が直方体形状である時、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項４６】
請求項３１〜４５の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記空隙の配置を、除熱あるいは換気のための冷却媒体の流れを妨げない方向とすることを特徴とする筐体構造。
【請求項４７】
請求項３１〜４６の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための管を設けた場合には、前記管の開口部の幅を、低減する周波数の波長の半分以下とすることを特徴とする筐体構造。
【請求項４８】
請求項３１〜４７の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体に、筐体内部の電子機器と外部との情報や電力のやり取りを行うハーネスあるいは電線（コード）類を設ける場合には、前記ハーネスあるいは電線（コード）類を、前記筐体に前記ハーネスあるいは電線（コード）類がない場合の表面電流分布を乱さないように設置することを特徴とする筐体構造。
【請求項４９】
請求項３１〜４７の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を光信号に変換する電気光変換素子と、前記電気光変換素子により変換された光信号を前記空隙部分から筐体外部に送り出す光ファイバと、前記光ファイバにより筐体外部に送り出された光信号を電気信号に変換する光電気変換素子とを新たに設けたことを特徴とする筐体構造。
【請求項５０】
請求項３１〜４７の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を赤外線に変換する電気赤外線変換素子と、前記電気赤外線変換素子により変換された赤外線を電気信号に変換する赤外線電気変換素子とを新たに設けたことを特徴とする筐体構造。
【請求項５１】
請求項３１〜４７の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体に設置される電子機器で発生した熱を筐体外部に放出するヒートパイプを設ける場合には、該ヒートパイプを筐体壁面に沿って新たに設けることを特徴とする筐体構造。
【請求項５２】
請求項３１〜５１の何れか１項に記載の筐体構造において、
金属材料で構成されていることを特徴とする筐体構造。
【請求項５３】
請求項３１〜５１の何れか１項に記載の筐体構造において、
導体からなる薄膜層を内面あるいは外面に施したことを特徴とする筐体構造。
【請求項５４】
請求項５３記載の筐体構造において、
体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の材料で形成され、内面あるいは外面に体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下の材料の薄膜層を設けたことを特徴とする筐体構造。
【請求項５５】
請求項５４記載の筐体構造において、
プラスチック材料で形成され、内面あるいは外面に金属薄膜層を設けたことを特徴とする筐体構造。
【請求項５６】
請求項５３〜５５の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記薄膜層の厚さがＥＭＩ規制の下限周波数での表皮効果の表皮厚さ以上であることを特徴とする筐体構造。
【請求項５７】
請求項５３〜５６の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記薄膜層は粘着層を介して筐体に接着されており、前記薄膜層を貼り合わせる場合に、その合わせ目部を、該合わせ目部がない場合の筐体の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする筐体構造。
【請求項５８】
請求項５７記載の筐体構造において、
前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項５９】
請求項５８記載の筐体構造において、
前記筐体が直方体である場合は、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする筐体構造。
【請求項６０】
請求項５３〜５９の何れか１項に記載の筐体構造において、
前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための金属管を設けた場合には、前記薄膜層に接触するように金属管を設けることを特徴とする筐体構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器を具備する筐体に生じる電磁妨害波を低減させることができる電磁妨害波低減方法及び筐体構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器が搭載されている各種装置が普及しているが、近年の電子機器の高機能化、高クロック化に伴い電子機器から発生する電磁波による障害が問題となっている。特に、複写機などの画像形成装置の画像読取部においては、高画質化のためにクロック数が高くなっており、漏洩する電磁波ノイズの各部への影響がさらに問題となっている。
【０００３】
また、本発明と類似する筐体構造を有する従来の複写機として、画像読取部、画像書込部および画信号を補正処理する一次信号処理部等の電子部品からなる電子機器部分を、アースされた導電性の筐体内部に収納して電磁波シールドを図り、筐体外部へ漏洩する電磁波ノイズを低減する構成の複写機がある（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−１９９３４０号公報
【非特許文献１】
ＨＥＮＲＹ  Ｗ．ＯＴＴ著、「増補改訂版  実践ノイズ逓減技法」、ジャテック出版
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の複写機においては、導電性の筐体に収容した電子機器からの放熱のため、筐体において穴や開口、隙間等の空隙部を形成することは必要なこととなる。このため、空隙部から電磁波ノイズが漏洩して放熱効果と電磁波ノイズのシールドとの両立ができないという問題がある。
特に、従来の複写機においては、画像読取部のスキャナを構成する筐体には、高周波数の作動クロックの読取装置および信号処理部が設置されているため、導電性の筐体に収容しても小さな放熱用の空隙部から電磁波ノイズが漏れてしまう虞があった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、電子機器が搭載される筐体の寸法で決定する共振周波数の電磁界分布、および筐体表面を流れる電流分布と筐体の空隙部の位置関係に着目し、電子機器の構成を複雑にすることなく、電磁波ノイズのシールド効果と放熱効果を両立した電磁妨害波低減方法及び筐体構造を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は製造が容易な筐体を用いて電磁波ノイズのシールド効果と放熱効果を両立した電磁妨害波低減方法及び筐体構造を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための手段として、本発明は以下のような特徴を有する。
本発明の第１の手段は、電磁波に対するシールド効果を有する材料で構成される筐体で電子機器を覆うことにより、該電子機器によって生じる電磁妨害波を低減する電磁妨害波低減方法であって、前記筐体に放熱あるいは配線用の空隙を設ける場合に、該空隙の長手方向が、前記筐体に空隙が無い場合の表面電流分布に沿った方向になるように、前記空隙を設置することを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の手段は、第１の手段の電磁妨害波低減方法において、前記筐体を、体積抵抗率が１０４Ω・ｃｍ以下の導体または半導体からなる材料で構成することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の手段は、第１または第２の手段の電磁妨害波低減方法において、前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の手段は、第３の手段の電磁妨害波低減方法において、前記筐体が直方体形状である時、前記空隙の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の手段は、第１または第２の手段の電磁妨害波低減方法において、前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、前記筐体内部で所定の数式によって算出される磁界の中心位置から放射状に形成することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第６の手段は、第１〜５の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体の寸法は、電磁波ノイズ規制の上限周波数より高い周波数だけで筐体内電磁波の共振周波数が発生するように設定することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第７の手段は、第１〜６の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体に前記空隙以外の穴を設ける場合には、その穴の大きさを低減する電磁波波長の４分の１以下、より好ましくは１０分の１以下に設定することを特徴とする。
【００１５】
本発明の第８の手段は、第１〜７の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記空隙を、前記筐体の上部または下部、あるいは前記筐体の上下部に設けることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第９の手段は、第１〜８の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記空隙の長手方向に沿うように設けることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第１０の手段は、第１〜８の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記筐体に接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第１１の手段は、第１０の手段の電磁妨害波低減方法において、前記接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００１９】
本発明の第１２の手段は、第１０の手段の電磁妨害波低減方法において、前記筐体が直方体形状である時、前記接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００２０】
本発明の第１３の手段は、第１〜８の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体が電気抵抗の良好な接合部と電気抵抗の良好でない接合部を有する場合には、前記筐体に前記電気抵抗の良好でない接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を設置することを特徴とする。
【００２１】
本発明の第１４の手段は、第１３の手段の電磁妨害波低減方法において、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００２２】
本発明の第１５の手段は、第１３の手段の電磁妨害波低減方法において、前記筐体が直方体形状である時、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００２３】
本発明の第１６の手段は、第１〜１５の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記空隙の配置を、除熱あるいは換気のための冷却媒体の流れを妨げない方向とすることを特徴とする。
【００２４】
本発明の第１７の手段は、第１〜１６の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための管を設けた場合には、前記管の開口部の幅を、低減する周波数の波長の半分以下とすることを特徴とする。
【００２５】
本発明の第１８の手段は、第１〜１７の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体に、筐体内部の電子機器と外部との情報や電力のやり取りを行うハーネスあるいは電線（コード）類を設ける場合には、前記ハーネスあるいは電線（コード）類を、前記筐体に前記ハーネスあるいは電線（コード）類がない場合の表面電流分布を乱さないように設置することを特徴とする。
【００２６】
本発明の第１９の手段は、第１〜１７の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を光信号に変換する電気光変換素子と、前記電気光変換素子により変換された光信号を前記空隙部分から筐体外部に送り出す光ファイバと、前記光ファイバにより筐体外部に送り出された光信号を電気信号に変換する光電気変換素子とを新たに設け、前記筐体内の電子機器の電気信号を電気光変換素子により光信号に変換し、該変換した光信号を、前記光ファイバを介して前記空隙部分から筐体外部の光電気変換素子に送り出し電気信号に変換することを特徴とする。
【００２７】
本発明の第２０の手段は、第１〜１７の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を赤外線に変換する電気赤外線変換素子と、前記電気赤外線変換素子により変換された赤外線を電気信号に変換する赤外線電気変換素子とを新たに設け、前記筐体内の電子機器の電気信号を電気赤外線変換素子により赤外線信号に変換し、該変換した赤外線を空隙部分から筐体外部に送り出し、該送り出した赤外線を赤外線電気変換素子により電気信号に変換することを特徴とする。
【００２８】
本発明の第２１の手段は、第１〜１７の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体に設置される電子機器で発生した熱を筐体外部に放出するヒートパイプを設ける場合には、該ヒートパイプを筐体壁面に沿って新たに設けることを特徴とする。
【００２９】
本発明の第２２の手段は、第１〜２１の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体が金属材料で構成されていることを特徴とする。
【００３０】
本発明の第２３の手段は、第１〜２１の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体として、導体からなる薄膜層を内面あるいは外面に施した筐体を用いることを特徴とする。
【００３１】
本発明の第２４の手段は、第２３の手段の電磁妨害波低減方法において、前記筐体を体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の材料で形成し、該筐体の内面あるいは外面に体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下の材料の薄膜層を設けたことを特徴とする。
【００３２】
本発明の第２５の手段は、第２４の手段の電磁妨害波低減方法において、前記筐体をプラスチック材料で形成し、該筐体の内面あるいは外面に金属薄膜層を設けたことを特徴とする。
【００３３】
本発明の第２６の手段は、第２３〜２５の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記薄膜層の厚さがＥＭＩ規制の下限周波数での表皮効果の表皮厚さ以上であることを特徴とする。
【００３４】
本発明の第２７の手段は、第２３〜２６の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記薄膜層は粘着層を介して筐体に接着されており、前記薄膜層を貼り合わせる場合に、その合わせ目部を、該合わせ目部がない場合の筐体の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする。
【００３５】
本発明の第２８の手段は、第２７の手段の電磁妨害波低減方法において、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００３６】
本発明の第２９の手段は、第２８の手段の電磁妨害波低減方法において、前記筐体が直方体である場合は、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００３７】
本発明の第３０の手段は、第２３〜２９の手段の何れか１つの電磁妨害波低減方法において、前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための金属管を設けた場合には、前記薄膜層に接触するように金属管を設けることを特徴とする。
【００３８】
本発明の第３１の手段は、電磁波に対するシールド効果を有する材料で構成される筐体であり、該筐体で内部に設置される電子機器を覆うことにより、該電子機器によって生じる電磁妨害波を低減する筐体構造において、放熱あるいは配線用の空隙を有し、該空隙の長手方向が、空隙が無い場合の表面電流分布に沿った方向になるように、前記空隙を設置したことを特徴とする。
【００３９】
本発明の第３２の手段は、第３１の手段の筐体構造において、体積抵抗率が１０４Ω・ｃｍ以下の導体または半導体からなる材料で構成することを特徴とする。
【００４０】
本発明の第３３の手段は、第３１または第３２の手段の筐体構造において、前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００４１】
本発明の第３４の手段は、第３３の手段の筐体構造において、前記筐体が直方体形状である時、前記空隙の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００４２】
本発明の第３５の手段は、第３１または第３２の手段の筐体構造において、前記空隙はスリット状あるいは長方形状に形成され、該空隙の長手方向を、前記筐体内部で所定の数式によって算出される磁界の中心位置から放射状に形成することを特徴とする。
【００４３】
本発明の第３６の手段は、第３１〜３５の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体の寸法は、電磁波ノイズ規制の上限周波数より高い周波数だけで筐体内電磁波の共振周波数が発生するように設定することを特徴とする。
【００４４】
本発明の第３７の手段は、第３１〜３６の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体に前記空隙以外の穴を設ける場合には、その穴の大きさを低減する電磁波波長の４分の１以下、より好ましくは１０分の１以下に設定することを特徴とする。
【００４５】
本発明の第３８の手段は、第３１〜３７の手段の何れか１つの筐体構造において、前記空隙を、前記筐体の上部または下部、あるいは前記筐体の上下部に設けたことを特徴とする。
【００４６】
本発明の第３９の手段は、第３１〜３８の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記空隙の長手方向に沿うように設けることを特徴とする。
【００４７】
本発明の第４０の手段は、第３１〜３８の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記筐体に接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする。
【００４８】
本発明の第４１の手段は、第４０の手段の筐体構造において、前記接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００４９】
本発明の第４２の手段は、第４０の手段の筐体構造において、前記筐体が直方体形状である時、前記接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００５０】
本発明の第４３の手段は、第３１〜３８の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体が電気抵抗の良好な接合部と電気抵抗の良好でない接合部を有する場合には、前記筐体に前記電気抵抗の良好でない接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を設置することを特徴とする。
【００５１】
本発明の第４４の手段は、第４３の手段の筐体構造において、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００５２】
本発明の第４５の手段は、第４３の手段の筐体構造において、前記筐体が直方体形状である時、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００５３】
本発明の第４６の手段は、第３１〜４５の手段の何れか１つの筐体構造において、前記空隙の配置を、除熱あるいは換気のための冷却媒体の流れを妨げない方向とすることを特徴とする。
【００５４】
本発明の第４７の手段は、第３１〜４６の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための管を設けた場合には、前記管の開口部の幅を、低減する周波数の波長の半分以下とすることを特徴とする。
【００５５】
本発明の第４８の手段は、第３１〜４７の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体に、筐体内部の電子機器と外部との情報や電力のやり取りを行うハーネスあるいは電線（コード）類を設ける場合には、前記ハーネスあるいは電線（コード）類を、前記筐体に前記ハーネスあるいは電線（コード）類がない場合の表面電流分布を乱さないように設置することを特徴とする。
【００５６】
本発明の第４９の手段は、第３１〜４７の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を光信号に変換する電気光変換素子と、前記電気光変換素子により変換された光信号を前記空隙部分から筐体外部に送り出す光ファイバと、前記光ファイバにより筐体外部に送り出された光信号を電気信号に変換する光電気変換素子とを新たに設けたことを特徴とする。
【００５７】
本発明の第５０の手段は、第３１〜４７の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を赤外線に変換する電気赤外線変換素子と、前記電気赤外線変換素子により変換された赤外線を電気信号に変換する赤外線電気変換素子とを新たに設けたことを特徴とする。
【００５８】
本発明の第５１の手段は、第３１〜４７の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体に設置される電子機器で発生した熱を筐体外部に放出するヒートパイプを設ける場合には、該ヒートパイプを筐体壁面に沿って新たに設けることを特徴とする。
【００５９】
本発明の第５２の手段は、第３１〜５１の手段の何れか１つの筐体構造において、金属材料で構成されていることを特徴とする。
【００６０】
本発明の第５３の手段は、第３１〜５１の手段の何れか１つの筐体構造において、導体からなる薄膜層を内面あるいは外面に施したことを特徴とする。
【００６１】
本発明の第５４の手段は、第５３の手段の筐体構造において、体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の材料で形成され、内面あるいは外面に体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下の材料の薄膜層を設けたことを特徴とする。
【００６２】
本発明の第５５の手段は、第５４の手段の筐体構造において、プラスチック材料で形成され、内面あるいは外面に金属薄膜層を設けたことを特徴とする。
【００６３】
本発明の第５６の手段は、第５３〜５５の手段の何れか１つの筐体構造において、前記薄膜層の厚さがＥＭＩ規制の下限周波数での表皮効果の表皮厚さ以上であることを特徴とする。
【００６４】
本発明の第５７の手段は、第５３〜５６の手段の何れか１つの筐体構造において、前記薄膜層は粘着層を介して筐体に接着されており、前記薄膜層を貼り合わせる場合に、その合わせ目部を、該合わせ目部がない場合の筐体の表面電流分布に沿った方向に設置することを特徴とする。
【００６５】
本発明の第５８の手段は、第５７の手段の筐体構造において、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００６６】
本発明の第５９の手段は、第５８の手段の筐体構造において、前記筐体が直方体である場合は、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することを特徴とする。
【００６７】
本発明の第６０の手段は、第５３〜５９の手段の何れか１つの筐体構造において、前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための金属管を設けた場合には、前記薄膜層に接触するように金属管を設けることを特徴とする。
【００６８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
まず、図１を参照しながら本発明に係る電磁妨害波低減方法および筐体構造について説明する。
図１（ａ）において、符号１は電磁波に対するシールド効果を有する材料で構成された箱状の構造体（筐体）であり、この筐体１の内部には電子機器、例えば電子回路（図示せず）と基板線路２ｂが形成されたプリント基板２が設置されている。また、筐体１の上面には、放熱用（あるいは配線用）の複数のスリット状の空隙３が設けられている。
このように、電磁波に対するシールド効果を有する材料で構成された筐体１で内部に設置されるプリント基板２を覆うことにより、該プリント基板２によって生じる電磁妨害波を低減することができる。
なお、筐体１における共振周波数ｆは、筐体１のＸ、Ｙ、Ｚ方向の長さをＸ＝ａ、Ｙ＝ｂ、Ｚ＝ｃとして電磁波の速さをｖとすれば、以下の数式［数１］で示される。
【００６９】
【数１】
2004297031.tif 000003
【００７０】
なお、上記数１において、ｍ、ｎ、ｑは、それぞれ、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の磁界パターンの数を示す。
【００７１】
次に、図１（ｂ）を参照しながら、ある磁界パターンにおける磁界の分布について説明する。
なお、図１（ｂ）は、図１（ａ）において、数１にｍ＝３、ｎ＝２、ｑ＝０を代入した共振周波数での磁界の分布をＺ軸から見たものであり、図１（ｂ）に示す符号１が筐体であり、４が筐体内での周回する磁界分布、Ｃ１，１〜Ｃ３，２が筐体内で周回する磁界の中心位置を示す。
また、図１（ｂ）に示すＣｍ１、ｎ１（ｍ１＝１〜ｍ（ｍは任意の整数）、ｎ１＝１〜ｎ（ｎは任意の整数））の位置は、以下の数式［数２］により求めることが可能となる。
【００７２】
【数２】
2004297031.tif 000004
【００７３】
ここで、筐体１において、ａ＝２００ｍｍ、ｂ＝２００ｍｍ、ｃ＝５０ｍｍとすれば、一番低い共振周波数ｆは、ｍ＝１、ｎ＝１、ｑ＝０として、ｆ＝１．０６１ＧＨｚとなる。
また、筐体１の境界条件から、筐体内の磁界分布は金属面の接線方向となり、１ＧＨｚより低い周波数でも１つの周回する磁界分布が筐体内では支配的となり、ｍ＝１、ｎ＝１、ｑ＝０に近い磁界分布となる。
【００７４】
なお、図２は、図１（ａ）をＺ軸から見たものであり、周波数は１ＧＨｚ以下として、１は筐体、２は筐体に内蔵された電子機器（プリント基板）、３は筐体にある複数スリット、４は筐体内の磁界分布であり、１つの周回する磁界分布となっている。
また、数２において、ｍ＝１、ｎ＝１、ｑ＝０、ｍ１＝１、ｎ１＝１を代入すると、Ｃ１，１＝（ａ／２，−ｂ／２）となり、筐体の上部フタの中央位置を中心として放射状に複数のスリット状の空隙３を配置する。なお、符号５は筐体上部のフタを流れる誘導電流（破線の矢印）であり、この誘導電流５は筐体内部の磁界分布を打ち消すように流れる。
【００７５】
本発明では、複数のスリット状の空隙３の長手方向が、筐体１に空隙が無い場合の誘導電流５の表面電流分布に沿った方向になるように、前記空隙３を設置する。より具体的には、複数のスリット状の空隙３の長手方向を、上記の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分（すなわち筐体内部で上記の数式によって算出される磁界の中心位置）から放射状となるように配置する。
【００７６】
周波数が１ＧＨｚまでは、筐体内の磁界分布は１つの周回する磁界分布が支配的であること、筐体１の上部フタの誘導電流は筐体内部の磁界分布を打ち消すように流れるため、筐体１のフタの中心からふちへの向きと、ふちから中心へ向かう向きである。
従って、筐体１に配置されたスリット状の空隙３は、磁界分布ベクトルの周回の中心部分から磁界分布ベクトルに直角となるように（すなわち、誘導電流５の方向に沿った方向に）設けるため、筐体１のふたに発生する誘導電流を妨げず、筐体１に複数のスリット状の空隙３がありながら電磁波ノイズのシールド効果を得ることが可能となり、また放熱効果も得ることが可能となる。
【００７７】
次に、上記構成からなる筐体により得られた効果を数値シミュレーションにより検証する。まず、図１に示すスリット状の空隙３のように、中心部から放射状になる形状（ＣＡＳＥ１）と、図３に示すように、筐体上部にまったくフタがない形状（ＣＡＳＥ２）と、図４に示すスリット状の空隙７のように、周回する磁界分布に直角となるように発生する誘導電流を妨げる形状（ＣＡＳＥ３）と、について放射電界強度を計算する。また、ここでの筐体１は金属材料から構成されるものとして、一般的な金属の体積抵抗率を用いるものとする。
なお、図１、図３、図４の寸法形状を図５、図６、図７に示す。ここで、ａ＝２００ｍｍ，ｂ＝２００ｍｍ，ｄ＝８５ｍｍ，ｅ＝３５ｍｍ，ｆ＝７０ｍｍ，ｇ＝５ｍｍである。ここでは有限差分時間領域法（ｆｄｔｄ法）といわれる計算解析手法によるシミュレーションによって評価を行う。この解析では、解析空間を格子状に分割して、Ｍａｘｗｅｌｌ方程式を差分して時間領域で解く。具体的には、入力点であるプリント基板２の入力端にガウシアンパルスを入力し、筐体直上の観測点で取り込んだ出力波形をフーリエ変換することにより周波数領域での情報を得ることが可能である。
【００７８】
まず、図１に示すＣＡＳＥ１と、図３に示すＣＡＳＥ２（比較例）との場合における放射電界強度を、筐体フタの直上の電界から計算する。図８にＣＡＳＥ１とＣＡＳＥ２とでの放射電界強度の周波数特性を示す。
なお、図８（ａ）が周波数＝３．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（３ＧＨｚ）までを示し、図８（ｂ）が周波数＝１．５０Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１．５ＧＨｚ）までを示す。また、本実施形態では、３．００×１０９を３．００Ｅ＋０９と表記しており、以下、同様の表記とする。
【００７９】
図８（ｂ）からわかるようにフタの開いているＣＡＳＥ２は周波数で２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で、８．００Ｅ−０６［Ｖ／ｍ］を越えているのに対し、ＣＡＳＥ１では２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で、３．００Ｅ−６［Ｖ／ｍ］以下である。これからＣＡＳＥ１の筐体１のフタの中心部から放射状になるスリット形状の空隙３とした方が、ＣＡＳＥ２の筐体にフタがない場合より、２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で、２倍以上のシールド効果があるのがわかる。
なお、上記において示した値は、ＣＡＳＥ１とＣＡＳＥ２とを比較し、シールド効果があることを立証するために用いたおおよその値である。
【００８０】
次に、図１に示すＣＡＳＥ１と、図４に示すＣＡＳＥ３（比較例）との場合における放射電界強度を、筐体フタの直上の電界から計算する。
図９にＣＡＳＥ１とＣＡＳＥ３とでの放射電界強度の周波数特性を示す。図９（ａ）が、周波数＝３．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（３ＧＨｚ）までを示し、図９（ｂ）が、周波数＝１．５０Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１．５ＧＨｚ）までを示す。
【００８１】
図９（ｂ）からわかるように、ＣＡＳＥ３は周波数で２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で、６．００Ｅ−０６［Ｖ／ｍ］を越えているのに対し、ＣＡＳＥ１では２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で、３．００Ｅ−０６［Ｖ／ｍ］以下である。ＣＡＳＥ１がＣＡＳＥ３より２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で、２倍以上のシールド効果があり、また、図９（ｂ）からわかるようにＣＡＳＥ１の漏洩電界は、１．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までは、ほぼ一定である。また、スリット状の空隙があることにより放熱効果もある。
【００８２】
なお、図９（ａ）に示すデータから明らかなように、一番低い共振周波数の１．０６１ＧＨｚより高い周波数でもＣＡＳＥ１はＣＡＳＥ３より漏洩電界が低くシールド性が高いことが確認できる。
【００８３】
次に実際に該当する筐体を試作して、電波暗室の計測でシールド性を確認した。試作する筐体としては、（１）図１に示したように、スリット状の複数の空隙３を、筐体表面の誘導電流分布に沿うようにして中心部から放射状になるように設けたもの（ＣＡＳＥ１）と、（２）図４に示すように、スリット状の複数の空隙７を、周回する磁界分布に沿うようにして発生する誘導電流を妨げるように設けたもの（ＣＡＳＥ３）、の２例とした。
これらの筐体はアルミニウムで構成されており、ノイズ源としてはプリント基板ではなく、基板線路の代用として図１０に示すようなモノポールアンテナ２ｂを使用した。
このモノポールアンテナ２ｂと筐体１との位置関係は、図１０に示すように、ｈが１００ｍｍ、ｉが２５ｍｍとなっており、また、モノポールアンテナ２ｂの長さは３３ｍｍと８３ｍｍとなっており、これはモノポールアンテナの電磁波放射効率が周波数で大きく変動するためである。
【００８４】
図１１は試作した筐体を計測アンテナと測定対象との距離が３ｍである電波暗室内で計測した結果であり、（ａ）がモノポールアンテナの長さが８３ｍｍで周波数の範囲は２００〜１１２０［ＭＨｚ］であり、（ｂ）がモノポールアンテナの長さが３３ｍｍで周波数の範囲は１２００〜２５２０［ＭＨｚ］である。
図１１（ａ），（ｂ）において、横軸は周波数で、縦軸が絶対利得であり、図１１（ａ）から分かるようにＣＡＳＥ３の方がＣＡＳＥ１より２０ｄＢ程利得が高く、ＣＡＳＥ３の方が電界換算で１００倍程度、電磁波が出やすいことが分かる。
また、ＣＡＳＥ３のピーク周波数の１０５８ＭＨｚでは、ＣＡＳＥ１より、３０ｄＢ程度高く、これはＣＡＳＥ３がＣＡＳＥ１より電界換算で１０００倍程度、電磁波が出やすい。
【００８５】
以上から分かるように、実際の試作筐体からもＣＡＳＥ１はＣＡＳＥ３より、漏洩電界が低くシールド性が高いことが確認できた。これにより、複数のスリット状の空隙３の長手方向が、筐体１に空隙が無い場合の誘導電流５の表面電流分布に沿った方向になるように空隙３を設置する、より具体的には、複数のスリット状の空隙３の長手方向を、前述の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分（すなわち筐体内部で上記の数式によって算出される磁界４の中心位置）から放射状となるように配置するという簡易な構造で、電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。また、図１に示すように筐体１が直方体の場合には、簡単な計算で空隙３の最適配置ができる。
以下に、本発明のより具体的な実施形態を説明する。
【００８６】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態では、図１に示した構成の筐体１を、体積抵抗率が１０４Ω・ｃｍ以下の導体または半導体からなる材料で構成するものである。より具体的には、筐体１を、例えばシリコンなどの半導体、あるいはアルミニウム、鉄などの金属材料で構成する。
これは筐体１の材料が半導体であっても、筐体内部の磁界分布により誘導作用で筐体に表面電流が発生し、電磁波のシールド効果が期待できるからである。
また、筐体１を体積抵抗率が１０４Ω・ｃｍ以下の導体または半導体からなる材料で構成する場合、筐体全体をこれらの材料で形成する方法の他、筐体の内面あるいは外面のみを上記材料で構成してもよい。すなわち筐体１をプラスチック等の絶縁体で形成した場合にも、後述するように、筐体１の内面あるいは外面に金属膜を形成したり、あるいは筐体１の内面あるいは外面に導電性塗料を塗布することにより、シールド効果を得ることができる。
【００８７】
なお、筐体１を上記の材料で構成する場合には、第１の実施の形態で述べたように筐体１に設ける空隙３は、筐体に空隙がない場合の表面電流分布を変更しないように設置する。すなわち複数のスリット状の空隙３の長手方向が、筐体１に空隙が無い場合の誘導電流５の表面電流分布に沿った方向になるように空隙３を設置することにより、十分なシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
また、筐体１の寸法は、電磁波ノイズ規制の上限周波数より高い周波数だけで筐体内電磁波の共振周波数が発生するように設定することにより、図９（ｂ）のＣＡＳＥ１に示されるように１ＧＨｚ以下の共振周波数が始まるまで高いシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、より高いシールド効果が得られる。
【００８８】
（第３の実施の形態）
次に本発明の第３の実施の形態では、図１に示した構成の筐体１において、筐体１に前記空隙３以外の穴を設ける場合には、その穴の大きさを低減する電磁波波長の４分の１以下、より好ましくは１０分の１以下に設定するものである。
例えば非特許文献１のＰ１９９には、筐体等での開口部の大きさとシールド効果について記載されてるが、理想的には開口部の大きさが波長の２０分の１ならば２０ｄＢのシールド効果があるが、波長の４分の１でも６ｄＢのシールド効果がある。また、波長の１０分の１以下に設定すれば十分なシールド効果が得られると考えられる。すなわち筐体１に設ける開口部（穴）の大きさを、低減する電磁波波長の４分の１以下、より好ましくは１０分の１以下に設定すれば、電磁波のシールド効果を高めながら放熱効果も期待できる。
ここで、筐体１に波長λの１０分の１の穴（λ／１０穴）を開けた場合のシールド効果について説明する。
非特許文献１によれば、筐体に開ける穴の最大寸法をＬ、波長をλとすると、そのシールド効果は下記の（１）  式となる。
Ｓ１＝２０Ｌｏｇ（λ／２Ｌ）                      ・・・（１）
ここで、例えばシールド効果が２０ｄＢあるというのは、筐体外部の電界強度が筐体内部の電界強度に比べて１０分の１になったということである。
これからλ／１０穴のシールド効果は、Ｌ＝λ／１０として（１）式から下記の（２）式となる。
Ｓ１＝２０Ｌｏｇ（１０λ／２λ）≒１４            ・・・（２）
ここで上記の  （１）式は筐体に１つの穴を開けた場合であり、Ｎ個の穴を開けた場合のシールド効果の削減量は下記の  （３）式となる。
Ｓ２＝−２０Ｌｏｇ√Ｎ                          ・・・（３）
例えばλ／１０穴が５個ある場合のシールド効果は下記の  （４）式となる。
Ｓ１＋Ｓ２＝１４−２０Ｌｏｇ√５＝１４−７＝７    ・・・（４）
以上の結果から、λ／１０穴が１個の場合のシールド効果は１４ｄＢ（筐体外部の電界強度が内部に比べて５分の１）であり、十分なシールド効果が得られ、λ／１０穴が５個の場合のシールド効果は７ｄＢ（筐体外部の電界強度が内部に比べて２．２分の１）であり、穴の数が多いとシールド効果が低くなる。
以上のことから明らかなように、筐体に開ける穴の数が１つ等の少ない場合は、穴の大きさは波長の４分の１以下でもシールド効果はあるが、十分なシルード効果を得るためには、穴の大きさは波長の１０分の１以下がより好ましく、筐体に複数の穴を開ける場合には、穴の大きさは波長の１０分の１以下にする必要がある。そして、このようにすることにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、構造体に穴をあけた場合のシールド効果を前もって見積もることができる。
【００８９】
（第４の実施の形態）
次に本発明の第４の実施の形態では、筐体にスリット状や長方形状の空隙を設ける場合に、空隙の長手方向を、筐体に空隙がない場合の表面電流分布を変更しないように設置する、すなわち図１に示したように、筐体１に複数のスリット状の空隙３を設ける場合には、複数のスリット状の空隙３の長手方向が、筐体１に空隙が無い場合の誘導電流５の表面電流分布に沿った方向になるように空隙３を設置するものである。
例えば非特許文献１のＰ１９８には筐体等での開口部のあけかたについて記述されており、長方形のスリットにより表面電流分布が乱されて、シールド効果が下がることが指摘されている。
本実施形態では、筐体にスリット状や長方形状の空隙を設ける場合には、前述したように空隙の長手方向を表面電流を乱さない方向に設置して、シールド効果を高めるので、これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、スリット状や長方形状の空隙の最適な配置ができる。
【００９０】
（第５の実施の形態）
次に本発明の第５の実施の形態では、筐体にスリット状や長方形状の空隙を設ける場合に、空隙の長手方向を筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置するものである。
図１に示したように、筐体１が直方体であれば、前述したように共振周波数、または筐体での表面電流の湧き出しまたは集中部分の位置（磁界の中心位置）を解析的に求めることができるので、空隙３の長手方向を筐体１の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することができる。
【００９１】
しかし図１２（ａ）に示すように、筐体１がＬ型形状である場合には解析的に求めることは不可能であるので、この場合には、前述のｆｄｔｄ法のような計算解析あるいは近傍磁界分布を計測解析して図１２（ｂ）の符号５で示すような表面電流分布を求め、この湧き出しまたは集中部分の位置から空隙３の長手方向を放射状になるように配置することで、シールド効果を高める。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体１が直方体でなくても数値解析等で表面電流分布を計算して、空隙の最適配置を行なうことができる。
【００９２】
（第６の実施の形態）
次に本発明の第６の実施の形態として、図１３を参照しながら、筐体上部あるいは筐体上下部に複数の空隙部分を設けた場合について説明する。
図１３において、符号３が筐体上部にある複数のスリット状の空隙、３ｂが筐体底面部にある複数のスリット状の空隙である。
このように、筐体１の上部および底面部にスリット状の空隙３を設けることで対流によりさらに効果的な放熱効果を得ることが可能となる。なお、筐体１の底面部のみにスリット状の空隙を設けることも可能である。
また、筐体１の上部、下部に複数の空隙３，３ｂを設ける場合にも、空隙３，３ｂの長手方向を筐体１の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
【００９３】
（第７の実施の形態）
次に本発明の第７の実施の形態は、筐体に接合部がある場合には、該接合部を、筐体に接合部がない場合での表面電流を変更しないように設置することである。
一般に接合部は、筐体より抵抗値が高く、そのため表面電流分布が乱れてしまう。そこで筐体に接合部がない場合での表面電流を変更しないように設置することで、十分なシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができまた、接合部があっても高いシールド性が得られる。
【００９４】
ここで、図１４を参照しながら、筐体１に形成される空隙部分３の長手方向に沿うように、筐体１を結合するための筐体接合部（接合面）を設けた場合について説明する。
図１４（ａ）において、１が筐体、２が筐体に内蔵された電子機器（プリント基板）、３が筐体にある複数のスリット状の空隙、８が筐体接合面、９が発生した誘導電流である。
図１を参照して説明した筐体形状、周波数であるならば９の誘導電流は筐体１の上部フタの中央からから流れる、あるいは、中央に向かう電流だけである。そして８の筐体接合面が筐体１の間隙部分の長手方向に沿うようにしているので、結果として電流の流れに沿って、簡便な導電処理で高く安定したシールド性が期待できる。
図１４（ａ）に対して図１４（ｂ）が比較例であり、符号９ｂが誘導電流で８ｂが筐体接合面である。８ｂの筐体接合面は９ｂの誘導電流に直角になるようし、９ｂの筐体接合面の導電処理が不完全だと誘導電流が十分に流れず、シールド性が期待できない。
従って、放射状に形成された空隙３部分の長手方向に沿うように筐体接合面を設けることで、筐体接合部分の導電性が悪くても安定した電磁波ノイズの低減効果を得ることが可能となる。
【００９５】
以上のように、筐体に接合部がある場合には、接合部の長手方向を、筐体に接合部がない場合の表面電流分布を変更しないように、接合部を設置することが重要である。
前述したように、長方形のスリットにより表面電流分布が乱されて、シールド効果が下がることが指摘されているが、これと同様に一般に接合部の長手方向により表面電流分布が乱されて、シールド効果が下がる。
そこで接合部に長手方向がある場合には、上記のように、接合部の長手方向が表面電流を乱さないように設置することにより、シールド効果を高めることができる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、接合部に長手方向があった場合も最適な配置ができる。
【００９６】
（第８の実施の形態）
次に本発明の第８の実施の形態は、筐体に接合部がある場合には、接合部の長手方向を筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置するものである。
筐体が直方体であれば、前述したように共振周波数あるいは筐体での表面電流の湧き出しまたは集中部分の位置を解析的に求めることができる。
しかし図１５（ａ）のように筐体がＬ型形状である場合には解析的に求めることは不可能である。そこで前述のｆｄｔｄ法のような計算解析あるいは近傍磁界分布を計測解析して図１５（ｂ）の符号５で示すような表面電流分布を求め、この表面電流の湧き出しまたは集中部分の位置から筐体接合部８の長手方向を放射状になるように配置することで、シールド効果を高めることができる。これにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体が直方体でなくても数値解析等で表面電流分布を計算して接合部８の最適な配置を行なうことができる。
【００９７】
尚、筐体が直方体である場合には、前述したように共振周波数あるいは筐体での表面電流の湧き出しまたは集中部分の位置を解析的に求めることができるので、図１４（ａ）と同様に、表面電流の湧き出しまたは集中の位置にから放射状となるように接合部８を配置することで、シールド効果を高めることができる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。また、筐体が直方体の場合には、簡単な計算で接合部の最適配置を行なうことができる。
【００９８】
（第９の実施の形態）
次に本発明の第９の実施の形態を図１６を参照して説明する。図１６において、符号１は筐体、３は筐体の上部に設けた複数のスリット状の空隙、５は筐体上部に発生する表面電流、８は電気抵抗の良好でない接合部（接触抵抗が大きく、かつ接合位置によって抵抗にむらがあり、導電性が悪い接合部）、８ａは電気抵抗の良好な接合部（接触抵抗が小さく、かつ接合位置による抵抗のむらが少なく、導電性が良い接合部）である。電子機器を内蔵した筐体１を製造する場合、一つの接合部（例えば８の接合部）だけでは実際の製造は困難であり、コストがかかってしまう。そこで製造時は筐体１の上部をフタ状にして、この上部フタを外せるようにし、８ａの個所に接合部を設ける。しかし、筐体本体と上部フタとを機械的に接合（例えばネジ止め等により接合）する場合、この接合部８ａにおける接触抵抗が大きくなり、また、接触位置によって抵抗にむらが生じるため、上部フタに発生した誘導電流を乱す原因となる。すなわち、第７の実施形形態でも説明したように、筐体本体と上部フタとの間の接合部８ａは、上部フタに発生する誘導電流に直交する方向に向いているため、この接合部で電流分布が大きく乱され、シールド効果が弱くなる。筐体本体と上部フタとの接合部は理想的には溶接や半田付けで封止した方が良好な導電性を得られ、シールド性が向上するが、筐体内に電子機器を内蔵した後で溶接や半田付けを行なうことは、電子機器に熱による悪影響があり好ましくない。このため、筐体本体と上部フタとを機械的に接合しなければならないが、この際、接合部８ａに例えば導電性ガスケットを介在させることにより接合部８ａでの接触抵抗をかなり減らすことができ、また、ネジ締めのトルクも管理することにより、接合位置による抵抗むらも減らすことができ、電気抵抗の良好な接合部とすることができる。なお、この導電性ガスケットを介在させた接合部８ａの開閉は製造時だけとすれば、電気抵抗の良好な状態を保持することができ、導電性を確保することができる。そしてメンテナンス時等に筐体を開閉する場合は、電気抵抗の良好でない接合部８で行う。これにより製造コストを下げながら、シールド効果を高めることができる。
【００９９】
ここで、図１６に示すように、筐体１が電気抵抗の良好な接合部８ａと電気抵抗の良好でない接合部８を有する場合には、筐体１に電気抵抗の良好でない接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に、電気抵抗の良好でない接合部８の長手方向を設置する。より具体的には、第７の実施形形態でも説明したように、電気抵抗の良好でない接合部８の長手方向を、筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置する。つまり、電気抵抗の良好でない接合部８は、スリット状の空隙３と同様な配置にする。
特に、筐体１が直方体形状である時、電気抵抗の良好でない接合部８の長手方向を、前述の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置する。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、表面電流を乱さないように接合部の配置を行いながら製造が容易な筐体を提供することができる。
【０１００】
（第１０の実施の形態）
ところで、以上に説明した実施の形態において、空隙３の配置は、表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置するとともに、除熱あるいは換気のための冷却媒体の流れを妨げない方向とする。すなわち、空隙３による放熱、内部空気の対流を計算解析、計測解析により求め、その結果に基づいて最適な配置を行うことが重要であり、これにより放熱効果を高めながら、シールド効果を高めることができる。そして、このようにして空隙３の最適な配置を行なうことにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、より放熱効果を上げることができる。
【０１０１】
（第１１の実施の形態）
次に、図１７を参照しながら、図１と同様の構成の筐体１において、筐体１の外と内とを連通する管を設け、その幅が低減する周波数の波長の半分以下とする場合について説明する。
図１７において、１０が管で、１０ｂが管の開口部、１０ｃが開口部の幅とする。ここで管の開口部１０ｂの高さより、１０ｃの幅の方が大きいとする。一般には金属矩形導波管では半波長以下の管幅で電磁波は伝達しない。そこでＥＭＩ規制の上限周波数を１ＧＨｚとすると、半波長は０．１６５ｍである。これで開口部１０ｂの幅１０ｃの寸法を０．１６５ｍとすると、１ＧＨｚ以下の電磁波は開口部１０ｂから漏洩しないので、ここから電子機器（プリント基板）２の信号線を引き出すことが可能となる。
従って、筐体１に信号線を通すための管（例えば金属管）１０を設け、該設けた管１０の開口部１０ｂの幅１０ｃを低減する周波数の波長の半分以下とすることにより、信号線を通す管１０からは低減する周波数より低い周波数の電磁波は漏洩できないこととなる。
【０１０２】
（第１２の実施の形態）
本発明の第１２の実施の形態を図１８を参照して説明する。図１８において符号１は筐体、２は電子機器の一例であるプリント基板、２１はプリント基板から伸びたハーネス（あるいは電線（コード）類）である。
筐体内部のプリント基板２と外部との情報や電力のやり取りを行うハーネス（あるいは電線（コード）類）２１を配置する場合、図１８（ａ）に示すようにハーネス（あるいは電線（コード）類）２１を配置すると、ハーネス（あるいは電線（コード）類）２１の境界条件により筐体内部の磁界分布が乱れ、表面電流も乱れてしまう。そこで本実施形態では、筐体１にハーネス（あるいは電線（コード）類）２１を設ける場合には、ハーネス（あるいは電線（コード）類）２１を、筐体１にハーネス（あるいは電線（コード）類）がない場合の表面電流分布を乱さないように設置する。具体的には、図１８（ｂ）に示すように、ハーネス（あるいは電線（コード）類）２１を筐体１の壁面に近づけて配置することで、筐体内部の磁界の乱れも少なくなり、表面電流の乱れも少なくなり、ハーネス（あるいは電線（コード）類）を筐体につけても良好なシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、ハーネス（あるいは電線（コード）類）を筐体につけても良好なシールド効果がある。
【０１０３】
（第１３の実施の形態）
次に、図１９を参照しながら、図１と同様の構成の筐体１に、電気信号を光信号に変換するための電気光変換素子と、光信号を電気信号に変換するための光電気変換素子と、光ファイバと、を付加した場合の実施形態について説明する。
図１９において、符号１１が電気光変換素子で、１２が光ファイバ、１３が光電気変換素子である。２の電子機器（プリント基板）からの電気信号を１１の電気光変換素子に送り、光信号に変換する。該変換された光信号は１２光ファイバにより３のスリット状の空隙から１の筐体外部に出て、１３の光電気変換素子で電気信号に変換される。この構成で筐体外部との信号のやり取りが出来、また信号伝送用開口部からの全周波数での電磁波漏洩がなくなる。
従って、筐体内部に設置される電子機器に対して、電気光変換素子を接続し、電気光変換素子に接続された光ファイバを、筐体に形成された空隙部分から筐体外部に出し、該光ファイバに光電気変換素子を接続することで、電子機器の信号を電気光変換素子により光信号に変換し、該変換した光信号を光ファイバを介して筐体外部に放出し、光電気変換素子により電気信号に変換することで、筐体外部との信号のやり取りが行え、信号伝送用開口部からの全周波数での電磁波漏洩がなくなることとなる。
【０１０４】
（第１４の実施の形態）
次に、図２０を参照しながら、図１と同様の構成の筐体１に、電気信号を赤外線に変換する電気赤外線変換素子と、赤外線を電気信号に変換する赤外線電気変換素子とを設けた場合の実施形態について説明する。
図２０において、符号１４が電気赤外線変換素子で、１５が放射された赤外線、１６が赤外線電気変換素子である。２の電子機器（プリント基板）からの信号を１４の電気赤外線変換素子に送り、１５の赤外線信号に変える。変換された赤外線信号は３のスリットの空隙から１の筐体外部に出て、１６の赤外線電気変換素子で電気信号に変換される。この構成で筐体外部との信号のやり取りができ、また信号伝送用開口部からの全周波数での電磁波漏洩がなくなる。そして比較的安価に実施が可能となる。
従って、筐体内部に設置される電子機器に対して、電気赤外線変換素子を接続し、電気赤外線変換素子から放射された赤外線が、筐体に形成された空隙部分を介して、筐体外部に設けられた赤外線電気変換素子に送られ、該赤外線電気変換素子により、電気信号に変換することで、筐体外部との信号のやり取りが行われ、また信号伝送用開口部からの全周波数での電磁波漏洩がなくなることとなる。
【０１０５】
（第１５の実施の形態）
次に、図２１を参照しながら、図１と同様の構成の筐体１に、ヒートパイプを設けた場合の実施形態について説明する。
図２１（ａ）において、符号１７がヒートパイプ、１８が発生する磁界である。２の電子機器（プリント基板）で発生した熱を１７のヒートパイプで１９の筐体壁面に熱を逃がす。この場合に１７のヒートパイプを出来るだけ筐体壁面に沿うように設置する。一般にヒートパイプの表面は金属でできており、磁界は金属表面を接線方向に分布する。しかし１７のヒートパイプが筐体壁面に沿うようになっているため１８の磁界分布はほとんど乱れない。このためヒートパイプによりさらに放熱効果が期待でき、また磁界分布が乱れないのでヒートパイプにいるシールド効果の低下はない。図２１（ｂ）が図２１（ａ）の比較例であるが１７ｂのヒートパイプが筐体壁面に沿っておらず、筐体の中央を横切っている。このため、１８ｂの磁界分布が大きく乱れる。
従って、筐体内部に設置される電子機器と接続させるヒートパイプを筐体壁面に沿って設けることで、放熱性があがり、ヒートパイプによる磁界分布の乱れ及び電磁波シールド性の低減を抑えることが可能となる。
【０１０６】
（第１６の実施の形態）
次に第１６の実施の形態は、第１〜１５の実施の形態において、筐体１を構成している材料を金属とするものである。このように、筐体１全体を金属で構成することにより、表面電流が良好に流れより高いシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、より高いシールド効果が得られる。
【０１０７】
（第１７の実施の形態）
次に第１７の実施の形態は、第１〜１５の実施の形態において、筐体は導体からなる薄膜層を内面あるいは外面に施した構造とするものである。すなわち筐体を構成する主材料が絶縁体でも、その内面あるいは外面に導体からなる薄膜層を施すことにより、電磁波ノイズに対するシールド性が得られる。より具体的には、筐体１は、体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の材料で形成し、その内面あるいは外面に体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下の材料の薄膜層を設けた構造とする。ここで、例えば体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の材料としてはプラスチック材料などがあり、体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下の材料として金属がある。
このような筐体構造とすることにより、製造が容易なプラスチックを用いて筐体を形成することができ、その内面あるいは外面に金属薄膜層を設けることにより、第１５の実施の形態で説明した金属筐体と同様の電磁波ノイズのシールド効果と放熱効果とを得ることが可能となる。
【０１０８】
以下、金属薄膜層を内側に施したプラスチック筐体を用いた場合における実際の効果を数値シミュレーションにより検証する。
なお、プラスチック筐体を用いた場合は、図２２に示すようにプラスチック筐体の内面側に金属薄膜層を施すこととなる。図２２はプラスチック筐体の断面図を示し、１ａがプラスチック筐体、１ｂがプラスチック筐体の内側に施された金属薄膜層、２がプラスチック筐体内部に内蔵されたプリント基板を示す。
なお、本実施形態における筐体の構成は、第１の実施の形態の筐体１と同様に構成されているものとする。
【０１０９】
まず、図１に示すように配置されたスリット状の空隙３のように、中心部から放射状になる形状（ＣＡＳＥ１）と、図３に示すように筐体上部にまったくフタがない形状（ＣＡＳＥ２）と、図４に示すように配置されたスリット状の空隙７のように、周回する磁界分布に沿うようにして発生する誘導電流を妨げる形状（ＣＡＳＥ３）と、について放射電界強度を計算する。図１、図３、図４の寸法形状を図５、６、７に示す。ここで、ａ＝２００ｍｍ，ｂ＝２００ｍｍ，ｄ＝８５ｍｍ，ｅ＝３５ｍｍ，ｆ＝７０ｍｍ，ｇ＝５ｍｍである。なお、プラスチックの比誘電率は３、プラスチックの厚さは５ｍｍとする。
ここでは、第１の実施の形態と同様に、有限差分時間領域法といわれる計算解析手法によるシミュレーションによって評価を行う。
【０１１０】
まず、図１に示すＣＡＳＥ１と図３に示すＣＡＳＥ２（比較例）との場合における放射電界強度を、筐体フタの直上の電界から計算する。図２３にＣＡＳＥ１とＣＡＳＥ２との放射電界強度の周波数特性を示す。図２３（ａ）が周波数＝３．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（３ＧＨｚ）までを示し、図２３（ｂ）が周波数＝１．４０Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１．４ＧＨｚ）までを示す。
【０１１１】
図２３（ｂ）のデータからわかるように、フタの開いているＣＡＳＥ２は周波数が２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で、１．００Ｅ−０５［Ｖ／ｍ］を越えているのに対し、ＣＡＳＥ１では２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で４．００Ｅ−６［Ｖ／ｍ］以下である。これからＣＡＳＥ１の筐体フタの中心部から放射状になるスリット形状の方が、ＣＡＳＥ２の筐体にフタがない場合より、２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で２倍以上のシールド効果があるのがわかる。
【０１１２】
次に、図１のＣＡＳＥ１と図４のＣＡＳＥ３（比較例）との場合における放射電界強度を筐体フタの直上の電界から計算する。図２４にＣＡＳＥ１とＣＡＳＥ３とでの放射電界強度の周波数特性を示す。図２４（ａ）が周波数＝３．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（３ＧＨｚ）までを示し、図２４（ｂ）が周波数＝１．４０Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１．４ＧＨｚ）までを示す。
【０１１３】
図２４（ｂ）のデータからわかるようにＣＡＳＥ３は周波数が５．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（５００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で８．００Ｅ−０６［Ｖ／ｍ］を越えているのに対し、ＣＡＳＥ１では２．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（２００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）の間で４．００Ｅ−０６［Ｖ／ｍ］以下である。ＣＡＳＥ１がＣＡＳＥ３より５．００Ｅ＋０８［Ｈｚ］（５００ＭＨｚ）から１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までの間で２倍以上のシールド効果があり、また、図２４（ｂ）のデータからわかるようにＣＡＳＥ１の漏洩電界は１．００Ｅ＋０９［Ｈｚ］（１ＧＨｚ）までほぼ一定である。またスリットがあることにより放熱効果もある。
なお、図２４（ａ）のデータにより一番低い共振周波数の１．０６１ＧＨｚより高い周波数でもＣＡＳＥ１はＣＡＳＥ３より漏洩電界が低くシールド性が高いのが確認できる。
【０１１４】
（第１８の実施の形態）
次に第１８の実施の形態は、第１７の実施の形態において、金属薄膜層の厚さをＥＭＩ規制の下限周波数での表皮効果の表皮厚さ以上にするものである。より具体的には、金属薄膜層の厚さを数十μｍ以上にすることにより、金属薄膜層を流れる表面電流が無理なく流れ、より高いシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、金属薄膜層の厚さを前もって見積もれ、効果的なシールド効果が得られる。
【０１１５】
（第１９の実施の形態）
次に第１９の実施の形態は、第１７，１８の実施の形態において、金属薄膜層を粘着層を介して筐体に接着し、金属薄膜層を貼り合わせる場合には、その合わせ目部を、該合わせ目部がない場合の筐体の表面電流分布に沿った方向に設置するものである。このようにすることにより、プラスチック筐体の内部に金属テープを張ることで容易に金属薄膜層を設けることができ、製造が簡易で、高いシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、金属薄膜層部分を安価な金属テープで代用することができる。
【０１１６】
（第２０の実施の形態）
次に第２０の実施の形態は、第１９の実施の形態において、前記金属薄膜層の合わせ目部の長手方向を、筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置するものである。このような配置とすることにより、プラスチック筐体の内部に金属テープを張ることで容易に金属薄膜層を設けることができ、製造が簡易で、高いシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、数値解析等で金属テープを貼る位置の最適配置ができる。
【０１１７】
（第２１の実施の形態）
次に第２１の実施の形態は、第２０の実施の形態において、筐体が直方体である場合は、金属薄膜層の合わせ目部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置するものである。このように、筐体が直方体形状である場合には、金属薄膜層の合わせ目部の長手方向を、第１の実施の形態で説明したように所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することにより、プラスチック筐体の内部に金属テープを張ることで容易に金属薄膜層を設けることができ、製造が簡易で、高いシールド効果が期待できる。これにより簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体が直方体の場合、簡易な計算で金属テープを貼る位置の最適配置ができる。
【０１１８】
（第２２の実施の形態）
次に第２２の実施の形態は、第１７〜２１の実施の形態において、筐体に、図１７に示したような筐体の内外を連通するための金属管を設けた場合には、金属薄膜層に接触するように金属管を設けるものである。また、この場合にも、その管の幅は低減する周波数の波長の半分以下とする。このようにすることにより、金属薄膜層を用いた筐体でも、第１１の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１１９】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更実施が可能である。
例えば、第１７〜２１の実施の形態においては、金属薄膜層を内側に施したプラスチック筐体の例を示したが、これに限定されるものではなく、セラミック、ガラス、木材等、金属薄膜層を内側に形成することが可能となる材料を用いた筐体であれば適用可能となる。
【０１２０】
【発明の効果】
以上の説明より明らかなように本発明は以下のような効果を奏する。
前述の本発明の第１または第３１の手段の効果としては、筐体に放熱あるいは配線用の空隙を設ける場合に、該空隙の長手方向が、前記筐体に空隙が無い場合の表面電流分布に沿った方向になるように、前記空隙を設置することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
また、第２、第３２の手段の効果としては、筐体を、体積抵抗率が１０４Ω・ｃｍ以下の導体または半導体からなる材料で構成することにより、金属でなくてもシールド効果を得ることができる。
【０１２１】
第３または第３３の手段の効果としては、空隙をスリット状あるいは長方形状に形成し、該空隙の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することにより、より簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
また、第４または第３４の手段の効果としては、空隙の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体が直方体でなくても数値解析等で表面電流分布を計算して空隙の最適配置ができる。
【０１２２】
第５または第３５の手段の効果としては、前記空隙をスリット状あるいは長方形状に形成し、該空隙の長手方向を、筐体内部で所定の数式によって算出される磁界の中心位置から放射状に形成することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体が直方体でなくても数値解析等で磁界の中心位置を計算して空隙の最適配置ができる。
【０１２３】
第６または第３６の手段の効果としては、筐体の寸法を、電磁波ノイズ規制の上限周波数より高い周波数だけで筐体内電磁波の共振周波数が発生するように設定することにより、漏洩する電磁界強度を一定にすることが可能となる。
また、第７または第３７の手段の効果として、筐体に空隙以外の穴を設ける場合には、その穴の大きさを低減する電磁波波長の４分の１以下、より好ましくは１０分の１以下に設定することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体に穴を開ける場合のシールド効果も前もって見積もることができる。
さらに、第８または第３８の手段の効果としては、空隙を、筐体の上部または下部、あるいは筐体の上下部に設けることにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体の放熱性をさらに高めることができる。
【０１２４】
第９または第３９の手段の効果としては、筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、空隙の長手方向に沿うように設けることにより、筐体に接合部がある場合にも安定した電磁波ノイズの低減効果があり、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
また、第１０または第４０の手段の効果としては、筐体が接合部を有する場合には、該接合部の長手方向を、前記筐体に接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に設置することにより、筐体に接合部がある場合にも安定した電磁波ノイズの低減効果があり、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
さらに、第１１または第４１の手段の効果としては、前記接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、接合部の長手方向を最適な方向に配置するので、筐体が直方体でなくても数値解析等で表面電流分布を計算して接合部の最適配置ができ、より高いシールド性が得られる。
さらにまた、第１２または第４２の手段の効果としては、筐体が直方体形状である時、接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体が直方体であるので、簡単な計算で表面電流分布を計算して接合部の最適配置ができ、より高いシールド性が得られる。
【０１２５】
第１３または第４３の手段の効果としては、筐体が電気抵抗の良好な接合部と電気抵抗の良好でない接合部を有する場合には、筐体に電気抵抗の良好でない接合部がない場合の表面電流分布に沿った方向に、電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を設置することにより、筐体に導電性の悪い接合部がある場合にも安定した電磁波ノイズの低減効果があり、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、表面電流を乱さないように導電性の悪い接合部の配置を行いながら製造が容易な筐体を提供することができる。
また、第１４または第４４の手段の効果としては、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を最適な方向に配置するので、筐体が直方体でなくても数値解析等で表面電流分布を計算して電気抵抗の良好でない接合部の最適配置ができ、より高いシールド性が得られる。
さらに、第１５または第４５の手段の効果としては、前記筐体が直方体形状である時、前記電気抵抗の良好でない接合部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、筐体が直方体であるので、簡単な計算で表面電流分布を計算して電気抵抗の良好でない接合部の最適配置ができ、より高いシールド性が得られる。
【０１２６】
第１６または第４６の手段の効果としては、前記空隙の配置を、除熱あるいは換気のための冷却媒体の流れを妨げない方向とすることにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、より高い放熱効果を得ることができる。
また、第１７または第４７の手段の効果としては、前記筐体に、該筐体の内と外とを連通するための管を設けた場合には、前記管の開口部の幅を、低減する周波数の波長の半分以下とすることにより、筐体内外をつなぐ信号線を通す管からは低減する周波数より低い周波数の電磁波は漏洩できないこととなり、電磁波ノイズの高いシールド性を保つことができる。
【０１２７】
第１８または第４８の手段の効果としては、前記筐体に、筐体内部の電子機器と外部との情報や電力のやり取りを行うハーネスあるいは電線（コード）類を設ける場合には、前記ハーネスあるいは電線（コード）類を、前記筐体に前記ハーネスあるいは電線（コード）類がない場合の表面電流分布を乱さないように設置することにより、筐体にハーネスあるいは電線（コード）類を設けた場合にも良好なシールド効果があり、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
【０１２８】
第１９または第４９の手段の効果としては、筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を光信号に変換する電気光変換素子と、前記電気光変換素子により変換された光信号を前記空隙部分から筐体外部に送り出す光ファイバと、前記光ファイバにより筐体外部に送り出された光信号を電気信号に変換する光電気変換素子とを新たに設けることにより、筐体外部との信号のやり取りを光で行うことができるので、信号伝送用開口部からの全周波数での電磁波漏洩をなくすことができ、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
【０１２９】
第２０または第５０の手段の効果としては、筐体内部の電子機器と外部との情報のやり取りを行なう場合に、前記筐体内部に設置される電子機器の電気信号を赤外線に変換する電気赤外線変換素子と、前記電気赤外線変換素子により変換された赤外線を電気信号に変換する赤外線電気変換素子とを新たに設けることにより、筐体外部との信号のやり取りを赤外線で行うことができるので、信号伝送用開口部からの全周波数での電磁波漏洩をなくすことができ、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。また、安価にシステムを構築することが可能となる。
【０１３０】
第２１または第５１の手段の効果としては、筐体に設置される電子機器で発生した熱を筐体外部に放出するヒートパイプを設ける場合には、該ヒートパイプを筐体壁面に沿って設けることにより、放熱性があがり、ヒートパイプにより本来の表面電流分布や磁界分布が乱れ電磁波シールド性が低下するのを防ぐことが可能となる。従って、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の向上を図ることができる。
【０１３１】
第２２または第５２の手段の効果としては、筐体を金属材料で構成することにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の向上をさらに図ることができる。
【０１３２】
第２３または第５３の手段の効果としては、筐体に、導体からなる薄膜層を内面あるいは外面に施した筐体を用いることにより、製造が容易なプラスチック等を用いても金属筐体と同様な効果を得ることが可能となる。
また、第２４または第５４の手段の効果としては、筐体を体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の材料で形成し、筐体の内面あるいは外面に体積抵抗率が１０−４Ω・ｃｍ以下の材料の薄膜層を設けることにより、種々の材料を用いてシールド効果が得られる筐体を形成することが可能となる。
さらに、第２５または第５５の手段の効果としては、筐体をプラスチック材料で形成し、該筐体の内面あるいは外面に金属薄膜層を設けることにより、製造が容易なプラスチックを用い金属筐体と同様なシールド効果が得られる筐体を形成でき、電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
さらにまた、第２６または第５６の手段の効果としては、前記薄膜層の厚さがＥＭＩ規制の下限周波数での表皮効果の表皮厚さ以上であることにより、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができ、また、薄膜層の厚さを前もって見積もることができるので、効果的なシールド効果を得ることができる。
【０１３３】
第２７または第５７の手段の効果としては、前記薄膜層は粘着層を介して筐体に接着されており、前記薄膜層を貼り合わせる場合に、その合わせ目部を、該合わせ目部がない場合の筐体の表面電流分布に沿った方向に設置することにより、前記薄膜層に安価な金属テープ等を用いることが可能となり、より簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
また、第２８または第５８の手段の効果としては、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、前記筐体の表面電流の湧き出しまたは集中部分から放射状となるように配置することにより、薄膜層に安価な金属テープ等を用いる場合にも、数値解析等で金属テープを貼る位置の最適配置を行なうことができ、簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
さらに、第２９または第５９の手段の効果としては、前記筐体が直方体である場合に、前記薄膜層の合わせ目部の長手方向を、所定の数式によって算出される表面電流の湧き出しあるいは集中部分から放射状となるように配置することにより、薄膜層に安価な金属テープ等を用いる場合にも、直方体に対応した簡単な計算で金属テープを貼る位置の最適配置を行なうことができ、より簡易な構造で電磁波ノイズの高いシールド性と放熱効果の両立ができる。
さらにまた、第３０または第６０の手段の効果としては、前記薄膜層を有する筐体に、該筐体の内と外とを連通するための金属管を設ける場合には、薄膜層に接触するように金属管を設けることにより、金属薄膜層を用いた筐体に金属管を設ける場合にも、管からの電磁波の漏洩を防止でき、電磁波ノイズの高いシールド性を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる筐体の構造例を示す図であり、（ａ）は筐体を立体構造で示した図であり、（ｂ）は筐体に生じる磁界の分布をＺ軸上から見た図である。
【図２】筐体に生じる磁界および誘導電流の分布をＺ軸上から見た図である。
【図３】筐体上部に蓋がない形状例を示す図である。
【図４】周回する磁界分布に直角となるように発生する誘導電流を妨げる形状例を示す図である。
【図５】図１の筐体の寸法形状を説明するための図である。
【図６】図３の筐体の寸法形状を説明するための図である。
【図７】図４の筐体の寸法形状を説明するための図である。
【図８】図１の筐体と図３の筐体に金属筐体を用いた場合の放射電界強度の周波数特性を示す図であり、（ａ）は周波数が３ＧＨｚまでを示し、（ｂ）は周波数が１．４ＧＨｚまでを示す図である。
【図９】図１の筐体と図４の筐体に金属筐体を用いた場合の放射電界強度の周波数特性を示す図であり、（ａ）は周波数が３ＧＨｚまでを示し、（ｂ）は周波数が１．４ＧＨｚまでを示す図である。
【図１０】シールド性の計測用に試作した金属筐体と、その筐体内にノイズ源として設置されるモノポールアンテナとを示す図である。
【図１１】図１と図３の構造で、図１０のようにモノポールアンテナを設置して試作した２つの筐体を用いて電波暗室で計測した結果を示す図であり、（ａ）はモノポールアンテナの長さが８３ｍｍで周波数の範囲を２００〜１１２０ＭＨｚとした場合の利得を示す図であり、（ｂ）はモノポールアンテナの長さが３３ｍｍで周波数の範囲を１２００〜２５２０ＭＨｚとした場合の利得を示す図である。
【図１２】筐体がＬ型形状である場合の表面電流分布と空隙の配置例を示す図である。
【図１３】筐体上部あるいは筐体上下部に複数の空隙部分を設けた例を示す図である。
【図１４】筐体の空隙部分の長手方向に沿うように筐体接合面を設けた例を示す図であり、（ａ）は本発明にかかる実施例を示す図であり、（ｂ）は比較例を示す図である。
【図１５】筐体がＬ型形状である場合の表面電流分布と接合部の配置例を示す図である。
【図１６】筐体に電気抵抗の良好でない接合部と、電気抵抗の良好な接合部がある場合の接合部の配置例を示す図である。
【図１７】筐体に内外を連通する管を設けた例を示す図である。
【図１８】筐体にハーネスあるいは電線（コード）類を設ける場合の配置例を示す図である。
【図１９】筐体に、電気光変換素子と光電気変換素子と光ファイバとを設けた例を示す図である。
【図２０】筐体に、電気赤外線変換素子と赤外線電気変換素子とを設けた例を示す図である。
【図２１】筐体に、ヒートパイプを設けた例を示す図であり、（ａ）は本発明にかかる実施例を示す図であり、（ｂ）は比較例を示す図である。
【図２２】筐体に金属薄膜層を施した例を示す図である。
【図２３】図１の筐体と図３の筐体を、金属薄膜層を施したプラスチック筐体とした場合の、放射電界強度の周波数特性を示す図であり、（ａ）は周波数が３ＧＨｚまでを示し、（ｂ）は周波数が１．４ＧＨｚまでを示す図である。
【図２４】図１の筐体と図３の筐体を、金属薄膜層を施したプラスチック筐体とした場合の、放射電界強度の周波数特性を示す図であり、（ａ）は周波数が３ＧＨｚまでを示し、（ｂ）は周波数が１．４ＧＨｚまでを示す図である。
【符号の説明】
１：筐体
１ａ：プラスチック筐体
１ｂ：金属薄膜層
２：プリント基板（電子機器）
２ｂ：プリント基板線路（モノポールアンテナ）
３，３ｂ，７：空隙
４：磁界分布
５，９，９ｂ：誘導電流
８，８ｂ：筐体の接合部（接合面）
１０：金属管
１１：電気光変換素子
１２：光ファイバ
１３：光電気変換素子
１４：電気赤外線変換素子
１５：赤外線信号
１６：赤外線電気変換素子
１７，１７ｂ：ヒートパイプ
１８，１８ｂ：磁界
１９：壁面
２１：ハーネス（あるいは電線（コード）類）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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