(57)【要約】【課題】合金ナノパーティクルの粒径を制御可能な合金ナノパーティクルの製造方法を提供することである。【解決手段】合金ナノパーティクルの製造方法であって、不活性ガス雰囲気中で炭素数が２〜２０である炭化水素、アルコール、エーテル、エステルからなる群から選択された有機溶媒中に金属塩、還元剤、安定化配位子及び有機鉄錯体を加えて反応液を得るステップと、この反応液を所定温度に加熱しながら攪拌するステップとを含んでいる。安定化配位子の量によって合金ナノパーティクルの粒径を制御する。【選択図】        図１
2004169050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径の平均値が１ｎｍ〜３ｎｍの範囲内にあることを特徴とするＦｅＰｔ合金ナノパーティクル。
【請求項２】
合金ナノパーティクルの製造方法であって、
不活性ガス雰囲気中で炭素数が２〜２０である炭化水素、アルコール、エーテル、エステルからなる群から選択された有機溶媒中に金属塩、還元剤、安定化配位子、及び有機鉄錯体を加えて反応液を得るステップと、
該反応液を所定温度に加熱しながら攪拌するステップとを具備し、
前記安定化配位子の量によって合金ナノパーティクルの粒径を制御することを特徴とする合金ナノパーティクルの製造方法。
【請求項３】
前記安定化配位子は、カルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ホスホン酸、及びアミンからなる群から選択される請求項２記載の合金ナノパーティクルの製造方法。
【請求項４】
前記金属塩はビスアセチルアセトナト白金、ビスベンゾニトリル白金二塩化物、臭化白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＩ）及びヨウ化白金（ＩＩ）からなる群から選択される請求項２記載の合金ナノパーティクルの製造方法。
【請求項５】
磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に実質的に均一な間隔に配置され、１ｎｍ〜３ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層と、
前記ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層上に形成された保護膜と、
を具備したことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に実質的に均一な間隔に配置され、２ｎｍ〜６ｎｍの平均直径を有するＦｅ，Ｐｔ及びＮｉ．Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｐｂからなら群から選択される元素からなる合金ナノパーティクル層と、
前記合金ナノパーティクル層上に形成された保護膜と、
を具備したことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に実質的に均一な間隔で配置され、２ｎｍ〜１０ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たしたカーボン相とを含んだナノパーティクル磁性層と、
前記ナノパーティクル磁性層上に形成された保護膜とを具備し、
前記ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルを構成する金属原子数と前記カーボン相に含まれる炭素原子数の合計に対する炭素原子数の割合が、５０原子％以上８５原子％未満であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
磁気記録媒体の製造方法であって、
ヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選択された溶媒中にＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸とアミンとを含んだ有機混合物を分散させてコート液を得、
前記コート液を基板上に塗布し、
前記コート液を乾燥することにより、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たした前記有機混合物からなる磁性ナノパーティクル層を前記基板上に形成し、
前記カルボン酸と前記アミンとの間に塩を形成させ、
前記磁性ナノパーティクル層をアニールする、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
磁気記録媒体の製造方法であって、
ヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選択された溶媒中にＦｅｐｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸及びアミンを含んだ有機混合物を分散させてコート液を得、
前記コート液を基板上に塗布し、
前記コート液を乾燥して、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たした前記有機混合物からなる磁性ナノパーティクル層を前記基板上に形成し、
前記磁性ナノパーティクル層上にカーボンキャップを形成し、
前記磁性ナノパーティクル層をアニールする、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
磁気記録媒体であって、
基板と、
該基板上に形成されたカーボン層と、
該カーボン層上に形成された平均粒径が２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内で粒子間隔が０．２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内の磁性ナノパーティクル層と、
該磁性ナノパーティクル層上に形成されたカーボン保護膜とを具備し、
前記磁性ナノパーティクル層は粒径分散が１０％以下で互いに孤立した複数のナノパーティクルからなることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、合金ナノパーティクル及びその製造方法並び合金ナノパーティクルを用いた磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録媒体の記録密度の向上のためには、媒体の磁気的なクラスタを小さく且つ均一にし、隣り合う磁気クラスタの磁気的な結合を弱くすることが必要である。このためには、媒体の記録層を形成する磁性金属の結晶粒径を小さく且つ均一にし、隣り合う結晶粒の間を非磁性の金属で覆うことが必要である。
【０００３】
しかし、結晶粒径を小さくした場合、「熱揺らぎ」という自発磁化を失っていく問題も顕著になる。これらの問題には、従来から様々な発明がされ、改良されつつ現在に至っている。
【０００４】
磁性金属を、ナノメートルスケールで、且つ粒径が均一な結晶として得る方法の一つとして、化学合成法が提案されている（Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ２８７ｐｐ１９８９，及び特開２０００−４８３４０）。
【０００５】
この技術は、熱揺らぎに強い高い磁気異方性を有するＦｅＰｔ合金を化学的に合成するものである。この技術は、ＦｅＰｔの結晶粒が、隣り合う結晶粒と有機化合物を媒体として自然に整然と配列することから、自己組織化（セルフアセンブリング）と呼ばれており、約４ｎｍの結晶粒径を有し、且つ分散に優れることから超高密度記録用媒体の記録層として期待されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁気記録媒体としての性能を継続的に向上させていくためには、磁性金属の粒径を制御する技術が必要となるにもかかわらず、上述した化学合成法による磁性合金ナノパーティクルに関する限り、これまで粒径の制御を自由に行うことができなかった。
【０００７】
例えば、ＦｅＰｔナノパーティクルの場合、これまで直径３〜４ｎｍの粒子を得る条件しか知られていないために、異なった粒径のナノパーティクルを得るためには、一旦合成したナノパーティクルの分散液に、その原材料を追加して再度反応を行い、粒子を成長させるという手段を取る必要があった。
【０００８】
この方法では、当然のことながら、最初に合成される直径３〜４ｎｍの粒子よりも粒径の小さい粒子を入手するこは不可能である。
【０００９】
ＦｅＰｔは、ｆｃｃの結晶構造を規則化してｆｃｔ構造に変化させることにより、磁性を発現する。この規則化を行うためにはアニールが必要であり、ＦｅＰｔを塗布した基板をアニールすることによ、ＦｅＰｔが大きな保磁力を得ることができる。
【００１０】
一般にアニール温度と保磁力は相関があり、アニール温度を高くする保磁力が上昇する（Ｓｃｉｅｎｃｅ，ｖｏｌ２８７  ｐｐ１９８９）。しかし、高温アニールを行うと、隣り合うナノパーティクルが結合し、粒径の大きな結晶になることが報告されている（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ７９Ｎｏ．２６  ｐｐ４３９３）。
【００１１】
結晶粒同士の結合によって粒径が大きくなると、結晶粒の平均粒径も大きくなると共に、結晶粒径の分散も大きくなってしまい、ナノパーティクルの長所が失われることになる。
【００１２】
よって、本発明の目的は、合成する合金ナノパーティクルの粒径を任意に制御可能な合金ナノパーティクルの製造方法を提供することである。
【００１３】
本発明の他の目的は、合金ナノパーティクルを粒径及びその分散を増大させることなく記録層に適用した磁気記録媒体を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面によると、直径の平均値が１ｎｍ〜３ｎｍの範囲内にあることを特徴とするＦｅＰｔ合金ナノパーティクルが提供される。Ｆｅ，Ｐｔに加えて、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｐｂからなる群から選択される元素を含んでいてもよい。
【００１５】
本発明の他の側面によると、合金ナノパーティクルの製造方法であって、不活性ガス雰囲気中で炭素数が２〜２０である炭化水素、アルコール、エーテル、エステルからなる群から選択された有機溶媒中に金属塩、還元剤、安定化配位子、及び有機鉄錯体を加えて反応液を得るステップと、該反応液を所定温度に加熱しながら攪拌するステップとを具備し、前記安定化配位子の量によって合金ナノパーティクルの粒径を制御することを特徴とする合金ナノパーティクルの製造方法が提供される。
【００１６】
安定化配位子は、カルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ホスホン酸及びアミンからなる群から選択される。好ましくは、有機鉄錯体はＦｅ（ＣＯ）５、Ｆｅ２（ＣＯ）９及びＦｅ３（ＣＯ）１２からなる群から選択される。
【００１７】
好ましくは、金属塩はビスアセチルアセトナト白金、ビスベンゾニトリル白金二塩化物、臭化白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＩ）及びヨウ化白金（ＩＩ）からなる群から選択される。
【００１８】
本発明の更に他の側面によると、磁気記録媒体であって、基板と、前記基板上に実質的に均一な間隔に配置され、１ｎｍ〜３ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層と、前記ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層上に形成された保護膜と、を具備したことを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【００１９】
本発明の更に他の側面よると、磁気記録媒体であって、基板と、前記基板上に実質的に均一な間隔で配置され、２ｎｍ〜１０ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たしたカーボン相とを含んだナノパーティクル磁性層と、前記ナノパーティクル磁性層上に形成された保護膜とを具備し、前記ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルを構成する金属原子数と前記カーボン相に含まれる炭素原子数の合計に対する炭素原子数の割合が、５０原子％以上８５原子％未満であることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【００２０】
本発明の更に他の側面によると、磁気記録媒体の製造方法であって、ヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選択された溶媒中にＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸とアミンとを含んだ有機混合物を分散させてコート液を得、前記コート液を基板上に塗布し、前記コート液を乾燥することにより、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たした前記有機混合物からなる磁性ナノパーティクル層を前記基板上に形成し、前記カルボン酸と前記アミンとの間に塩を形成させ、前記磁性ナノパーティクル層をアニールする、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【００２１】
カルボン酸とアミンとの間に塩を形成させるステップは、磁性ナノパーティクル層をＮ２ガス中で５日間以上保持するステップから構成される。或いは、溶媒の沸点温度以上の温度で磁性ナノパーティクル層に５〜６０分間のベーク処理を施すステップから構成される。或いは、磁性ナノパーティクル層を真空中で１時間以上保持するステップから構成される。
【００２２】
本発明の更に他の側面によると、磁気記録媒体の製造方法であって、ヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選択された溶媒中にＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸及びアミンを含んだ有機混合物を分散させてコート液を得、前記コート液を基板上に塗布し、前記コート液を乾燥して、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たした前記有機混合物からなる磁性ナノパーティクル層を前記基板上に形成し、前記磁性ナノパーティクル層上にカーボンキャップを形成し、前記磁性ナノパーティクル層をアニールする、ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。磁性ナノパーティクル層上にカーボンキャップを形成するかわりに、基板上にカーボン下地層を形成するようにしてもよい。
【００２３】
本発明の更に他の側面によると、磁気記録媒体であって、基板と、該基板上に形成されたカーボン層と、該カーボン層上に形成された平均粒径が２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内で粒子間隔が０．２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内の磁性ナノパーティクル層と、該磁性ナノパーティクル層上に形成されたカーボン保護膜とを具備し、前記磁性ナノパーティクル層は粒径分散が１０％以下で互いに孤立した複数のナノパーティクルからなることを特徴とする磁気記録媒体が提供される。
【００２４】
好ましくは、カーボン層の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であり、カーボン保護膜の膜厚は１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内である。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明は、ナノパーティクルを化学的に合成する際の反応液における金属の飽和濃度を調節し、これによってナノパーティクルの大きさを制御できるという知見に基づくものである。
【００２６】
ナノパーティクル合成の際には、反応の進行によって、反応液中にナノパーティクルを構成する金属が増加していき、その濃度が飽和濃度を超えたところで、合金のナノパーティクルが形成され始める。
【００２７】
このとき、反応液における金属の飽和濃度が高ければ、ナノパーティクルの核となる金属原子の凝集物が出来難く、結果としてその数が少なくなるために、個々のナノパーティクルは大きく成長する。逆に、金属の飽和濃度が低い反応液中では、ナノパーティクルの粒径は小さくなる。
【００２８】
反応液における金属の飽和濃度は、合成反応に用いる安定化配位子（安定剤）の量を変化させることによって、変化させることができる。エーテル、アルコール、エステル、炭化水素といった有機溶媒中では、金属の飽和濃度は極めて低い。
【００２９】
そのため、反応液中の金属に飽和濃度は、反応液中の安定化配位子の濃度ではなくその絶対量に依存する。従って、本発明はナノパーティクルの粒径の制御を、使用する安定化配位子の絶対量によって行うことを特徴とする。
【００３０】
本発明の一実施形態によると、合金ナノパーティクルの製造方法が提供される。合金ナノパーティクルの製造方法は、不活性ガス雰囲気中で炭素数が２〜２０である炭化水素、アルコール、エーテル、エステルからなる群から選択された有機溶媒中に金属塩、還元剤、安定化配位子、及び有機鉄錯体を加えて反応液を得るステップと、この反応液を所定温度に加熱しながら攪拌するステップを含んでいる。そして、安定化配位子の量によって合金ナノパーティクルの粒径を制御することを特徴とする。
【００３１】
使用可能な安定化配位子としては、炭素数が６〜２２であるカルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ホスホン酸等の酸が挙げられる。或いは、同じく炭素数が６〜２２であるアミン等の塩基性有機化合物が挙げられる。
【００３２】
特に、金属微粒子を液中に分散させる能力の大きいカルボン酸の一種であるオレイン酸と、オレイン酸と同一の炭素鎖を有し、化学的性質が類似したオレイルアミンが好適である。これらの酸、アミンは単独で用いてもよいし、同時に組み合わせて用いてもよい。特に、オレイル酸とオレインアミンの組み合わせが適している。
【００３３】
反応液の加熱温度は２２０℃〜２６０℃の範囲内が好ましい。有機鉄錯体はＦｅ（ＣＯ）５，Ｆｅ２（ＣＯ）９或いはＦｅ３（ＣＯ）１２が適している。
【００３４】
また、金属塩としては、ビスアセチルアセトナ白金、ビスベンゾニトリル白金二塩化物、臭化白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＩ）、或いはヨウ化白金（ＩＩ）が使用可能である。
【００３５】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
【００３６】
実施例１
アルゴンガス雰囲気下で、ビスアセチルアセトナト白金１９７ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）と１，２ヘキサデカンジオール３９０ｍｇを入れたフラスコに、ジオクチルエーテル２０ｍＬを加えた。
【００３７】
更に、オレイン酸０．３２ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）及びオレイルアミン０．３４ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）を加えた後で、Ｆｅ（ＣＯ）５を０．１３ｍＬ（１．０ｍｍｏｌ）を加えて反応液を得た。
【００３８】
この反応液を攪拌しながら２３０℃で３０分反応させた後、室温まで放冷し、エタノール４０ｍＬを加えて遠心分離を行った。更に、沈殿をヘキサンに分散させることにより、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルの分散液を得た。この条件で得られたＦｅＰｔ合金ナノパーティクルの平均粒径は４．３ｎｍであった。
【００３９】
ＦｅＰｔナノパーティクルの粒径は、上述した合成反応に用いるオレイン酸とオレイルアミンの量を変化させることで制御できる。上述した反応条件のうち、オレイル酸とオレイルアミンの量のみを変化させて得られたＦｅＰｔ合金ナノパーティクルの粒径変化を、表１及び図１（Ａ）〜図３に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
図１（Ａ）〜図３は、オレイン酸とオレイルアミンの使用量が、生成するＦｅＰｔナノパーティクルの粒径に及ぼす影響を、ナノパーティクルの直径と発生頻度との関係で示したグラフである。
【００４２】
図１（Ａ）はオレイン酸０．６４ｍＬ、オレイルアミン０．６８ｍＬを使用した場合の粒径分布を示しており、平均粒径は５．５ｎｍである。図１（Ｂ）はオレイン酸０．３２ｍＬ、オレイルアミン０．３４ｍＬを使用した場合の粒径分布を示しており、平均粒径は４．３ｎｍである。
【００４３】
図１（Ｃ）はオレイン酸０．１６ｍＬ、オレイルアミン０．１７ｍＬを使用した場合の粒径分布を示しており、平均粒径は３．３ｎｍである。図２（Ａ）はオレイン酸０．０８ｍＬ、オレインアミン０．０８ｍＬを使用した場合の粒径分布を示しており、平均粒径は３．０ｎｍである。
【００４４】
図２（Ｂ）はオレイン酸０．０４ｍＬ、オレイルアミン０．０４ｍＬを使用した場合の粒径分布を示しており、平均粒径は２．６ｎｍである。図２（Ｃ）はオレイン酸０．０２ｍＬ、オレイルアミン０．０２ｍＬを使用した場合の粒径分布を示しており、平均粒径は２．１ｎｍである。
【００４５】
図３はオレイン酸０．０１ｍＬ、オレイルアミン０，０１ｍＬを使用した場合の粒径分布を示しており、平均粒径は１．６ｍＬである。
【００４６】
表１及び図１（Ａ）〜図３から明らかなように、ＦｅＰｔナノパーティクルの平均粒径は反応液中に添加する安定化配位子の使用量に応じて制御できことが分かる。即ち、安定化配位子の使用量とＦｅＰｔナノパーティクルの平均粒径は概略比例関係にある。
【００４７】
実施例２
実施例１と同様な反応液中に、更にビスアセチルアセトナト銅を２８．８ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）を加えた。他の条件は実施例１と同一として合成反応を行ったところ、用いた安定化配位子の量と粒径の関係について、実施例１と同様の結果が得られた。このとき合成されるナノパーティクルは、ＦｅＰｔＣｕ合金ナノパーティクルである。
【００４８】
実施例３
実施例１と同様な反応液中に、更に酢酸銀（Ｉ）を２３．４ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ加えた。他の条件は実施例１と同一として合成反応を行ったところ、用いた安定化配位子の量と粒径の関係について、実施例１と同様の結果が得られた。このとき合成されるナノパーティクルは、ＦｅＰｔＡｇ合金ナノパーティクルである。
【００４９】
図４を参照すると、本発明方法により製造されたＦｅＰｔ合金ナノパーティクルを記録層として採用した本発明第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体２Ａの断面構成図が示されている。
【００５０】
Ａｌ強化ガラス又は結晶化ガラス等の基板４上にＦｅＳｉ、又はＦｅＴａＣ等の軟磁性層６が形成されている。軟磁性層６上にはカーボン又はＭｇＯ等からなる中間層８が形成されている。
【００５１】
中間層８上には１ｎｍ〜３ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層１０が化学合成法により形成されている。ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層１０は垂直方向に磁化されており、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル１０ａは実質的に均一な間隔に配置されている。
【００５２】
ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層１０上にはカーボン保護膜１２が形成されており、カーボン保護膜１２上には潤滑剤１４が塗布されている。
【００５３】
図５を参照すると、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルを記録層に採用した本発明第２実施形態に係る面内磁気記録媒体２Ｂの断面構成図が示されている。Ａｌ強化ガラス又は結晶化ガラス等の基板４上にはＮｉＰ等から形成された下地層１６が形成されている。下地層１６上にはＣｒＭｏ等から形成された中間層１８が形成されている。
【００５４】
中間層１８上には面内方向に磁化されたＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層２０が形成されている。ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル２０ａは１ｎｍ〜３ｎｍの平均直径を有し、実質的に均一な間隔で配置されている。
【００５５】
ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層２０上にはカーボン保護膜１２が形成されており、カーボン保護膜１２上には潤滑剤１４が塗布されている。
【００５６】
図４及び図５に示した第１及び第２実施形態において、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層１０，２０をＦｅ，Ｐｔ及びＮｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｐｂからなる群から選択される元素を含んだ合金ナノパーティクル層で形成するようにしてもよい。この場合には、合金ナノパーティクルは２ｎｍ〜６ｎｍ、好ましくは２ｎｍ〜３ｎｍの平均直径を有し、実質的に均一な間隔で配置されている。
【００５７】
アニール時にナノパーティクルの粒径の肥大化が起こるのは、高温下で合金ナノパーティクル同士が接触した場合に、粒子を融合させて粒子の比表面積を下げ、それによって表面エネルギーを低下させる方が、ナノパーティクルの独立を維持するよりもエネルギー的に遥かに有利なためである。
【００５８】
従って、ナノパーティクルの独立状態を維持するためには、ナノパーティクル同士の接触を妨げる手段が必要である。その手段の一例として、ナノパーティクルの分散液にアニール条件に耐え得る有機化合物を混合し、混合液を基板に塗布する方法を挙げることができる。
【００５９】
分散液に均一に溶解した有機化合物は、塗布後にナノパーティクル間の空隙を均等に満たすことができ、空隙中の有機化合物は適切なアニール条件によってアモルファスカーボンに変化させられるため、高い耐久性を付与することができる。
【００６０】
上記の目的に適う有機化合物として、カルボン酸と塩基性有機化合物としてのアミンの組み合わせを挙げることができる。カルボン酸とアミンは塩を形成することによって、お互いに強固に結びつくことができ、結果としてナノパーティクル同士の接触を妨げる効果を有している。
【００６１】
特に、カルボン酸としては、金属微粒子の分散剤として優れたオレイン酸が好適であり、これと組み合わせる塩基性有機化合物としては、オレイン酸と分子の主鎖の長さが等しく化学的性質が類似したオレイルアミンが好適である。
【００６２】
互いに親和性の高いオレイン酸とオレイルアミンとを組み合わせることにより、合金ナノパーティクルを安定に分散させつつ、ナノパーティクルの間隙における有機化合物の混合状態を均一にすることができる。
【００６３】
但し、ナノパーティクル媒体の場合、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルとカルボン酸及びアミンをヘキサン、ヘプタン、オクタン等の有機溶媒中に溶解して基板に塗布するのであるが、塗布直後に塩を形成しているカルボン酸及びアミンの割合は少ない。そのため、カルボン酸とアミンとの間に効果的に塩を形成するために、種々の方法を検討し、以下のものが有効であることが判明した。
【００６４】
（１）混合液を基板に塗布後、Ｎ２ガス中で５日間以上置いてからアニールを行う。アニール温度は約４００℃〜９００℃、好ましくは５００℃〜８００℃の間である。また、アニール時間は約３０分〜約２時間である。
【００６５】
（２）混合液を基板に塗布後、残留する溶媒を完全に揮発させるために、真空中で１時間以上保持してからアニールを行う。
【００６６】
（３）混合液を基板に塗布後、残留する溶媒を完全に揮発させるために、有機溶媒の沸点以上の温度において５〜６０分間ベーク処理を施した後、アニールを行う。
【００６７】
この他、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルの粒子の融合を抑制する対策として以下の方法を挙げることができる。
【００６８】
（１）ナノパーティクル、カルボン酸及びアミンとを含んだナノパーティクル層の厚さを８０ｎｍ以下とし、膜厚を均一にする。好ましくは、膜厚を５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内とする。混合液塗布方法としては、スピンコート法やディップ法を用いることができる。
【００６９】
（２）アニールを行う際、雰囲気を１０−３Ｐａ以下の真空とする。
【００７０】
また、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルの移動を物理的に抑制する方法も一定の効果が確認された。その例として以下の方法を挙げることができる。
【００７１】
（１）ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル、カルボン酸及びアミンとを含んだ混合液を基板に塗布してナノパーティクル層を形成後、このナノパーティクル層上にスパッタ法や蒸着法によりカーボン保護膜を成膜する。
【００７２】
（２）ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと基板との親和性を高めるために、基板上にカーボン下地層を形成し、このカーボン下地層上にＦｅＰｔ合金ナノパーティクル、カルボン酸及びアミンとを含んだ混合液を塗布する。
【００７３】
また、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸及びアミンを含んだ有機化合物との比率を種々変更して検討した結果、アニール後のＦｅＰｔ合金ナノパーティクルを含有するナノパーティクル層中において、ナノパーティクルを構成する金属原子数と、ナノパーティクル間の空隙を満たしている炭素原子数の合計に対する炭素原子数の割合が、５０原子％以上である場合に、ＦｅＰｔナノパーティクル同士の融合を抑制する効果が大きいことが判明した。
【００７４】
磁気特性上ナノパーティクル層中のＦｅＰｔナノパーティクルの密度は一定以上あることが必要なため、炭素原子数の割合は、５０原子％以上８５％未満の範囲にあることが好ましい。
【００７５】
実施例４
磁性金属には、ヘキサン中にＦｅＰｔ合金ナノパーティクル、カルボン酸及びアミンから成る有機混合物を分散させたコート液を用いた。有機溶媒としてヘキサンに変わりヘプタン又はオクタンを使用してもよい。ナノパーティクル層の基板上への成膜は図６に示すようなスピンコート装置を用いて行った。
【００７６】
図６はスピンコート装置の開放時の概略構成図を示しており、ディスク基板２４を保持して回転させるディスク基板回転機構２６が挿通された密閉用カップ２８と、コート液用シリンジ３０及びヘキサン用シリンジ３２を挿通した密閉用プレート３４によって基本構造が構成される。
【００７７】
密閉用カップ２８の低部には、密閉用カップ２８を上下動させて密閉用プレート３４に接触させて密閉空間を形成する、カップ上下動機構３６が設けられている。なお、密閉用カップ２８と密閉用プレート３４との接触部の一方には、Ｏリング等の気密封止手段が設けられている。
【００７８】
密閉用カップ２８には配管を介して密閉空間を真空に排気するオイルフリーポンプ３８が接続されている。密閉用カップ２８内には、密閉空間の真空度を測定するピラニゲージ４０と、導入した溶媒であるヘキサンの蒸気圧を測定するヘキサン蒸気圧センサ４２が配置されている。
【００７９】
コート液用シリンジ３０には、コート液の滴下量を制御するコントローラ３１が設けられている。更に、コート液用シリンジ３０には気密構造を保ったままで基板２４の半径方向にコート液用シリンジ３０を直線的に移動させる機構が設けられている。
【００８０】
ヘキサン用シリンジ３２には、ヘキサンの導入量を制御するマスフローコントローラ３３が設けられていると共に、ヘキサン用シリンジ３２の下方にはホットプレート４４が配置されている。滴下されたヘキサンはホットプレート４４によって加熱されることによって気化し、密閉空間をヘキサン雰囲気で満たすことになる。
【００８１】
また、密閉用プレート３４には複数のガス導入管４６と接続する複数のコンダクタンスバルブ４８が設けられており、各ガス導入管４６にはＮ２ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ４７が設けられている。
【００８２】
図７はスピンコート装置の密閉状態における概略構成図を示しており、カップ上下動機構３６によって密閉用カップ２８を上方に移動させて、密閉用カップ２８を密閉用プレート３４に当接させることにより、密閉成膜室５０を形成することができる。
【００８３】
以上説明したスピンコート装置に、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍのドーナツ状のシリコン基板からなるディスク基板２４を真空吸引によりディスク基板回転機構２６に固定した後、ディスク基板２４を３００ｒＰｍで回転させた。
【００８４】
次に、ディスク基板２４周辺を密閉構造とするために、カップ上下動機構２６を駆動して密閉用カップ２８を上方に移動させて、図７に示すように密閉用カップ２８を密閉用プレート３４に当接させて密閉成膜室５０を形成した。
【００８５】
密閉成膜室５０内にヘキサン用シリンジ３２からヘキサンを１００ｍＬ導入し、ホットプレート４４を約８０℃に加熱することによりヘキサンを気化させて、密閉成膜室５０内を予めヘキサン雰囲気とした。
【００８６】
次に、溶媒のヘキサンにＦｅＰｔナノパーティクルとカルボン酸及びアミンを含んだ有機混合物を分散させた２００μＬのコート液を、コート液用シリンジ３０から５秒間で滴下した。
【００８７】
コート液の滴下は、図８に示すようにディスク基板２４を６０ｒｐｍのゆっくりした回転数で回転させた状態で、コート液用シリンジ３０を図８において矢印で示すラジアル方向に０．５ｃｍ／秒の速度で移動させながら滴下した。これにより、コート液５２はディスク基板２４に対し渦巻状態で滴下されることになる。
【００８８】
次いで、ディスク基板２４を１０００ｒｐｍで１０秒間回転させることにより、コート液５２をディスク基板２４の表面全面に広げた。このスピンコート工程においては、密閉成膜室５０内はヘキサン蒸気で満たされているので、コート液５２中のヘキサンが揮発することはない。
【００８９】
次に、基板表面の残存ヘキサンを乾燥させるために、ディスク基板２４を３００ｒｐｍで回転させてた状態で、密閉成膜室５０内にガス導入管４６及びコンダクタンスバルブ４８を介してＮ２ガスを１０ｓｃｃｍの流量で１２０秒間導入して、コート液５２中のヘキサンを蒸発させた。
【００９０】
このとき、複数のガス導入管４６を概略均一に面内分布させているので、ディスク基板２４の表面全面にＮ２ガスが均一に当たり、基板全面においてゆっくりと均一にヘキサンの蒸発が生じるので、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルが整然と均一な厚さで整列したナノパーティクル膜を成膜することができる。本実施例では、約２０ｎｍの膜厚を有するナノパーティクル膜を成膜することができた。
【００９１】
次に、成膜した基板をＮ２ガスフローをしているデシケータに移し、室温で安置した。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）に経過時間に応じたアニール後の表面状態を示す。
【００９２】
図９（Ａ）はアニール前の表面状態を、図９（Ｂ）は成膜後１７日たってからアニールした状態を、図９（Ｃ）は成膜後５９日たってからアニールした状態をそれぞれ示している。
【００９３】
アニール条件は、５５０℃、１×１０４Ｐａで３０分間保持してアニールを行った。ナノパーティクルの組成はＦｅ５３Ｐｔ４７である。図９（Ｂ）に示す１７日後にアニールを行ったナノパーティクルは、粒子が肥大化して凝集しているのに対して、図９（Ｃ）に示す５９日後にアニールを行ったナノパーティクルは、粒子の肥大化及び凝集が起きていないことが分かる。
【００９４】
成膜した基板をＮ２ガス下で１７日安置した時点と、５９日安置した時点でそれぞれ反射ＦＴ−ＩＲスペクトルを観察したところ、図１０及び図１１に示すスペクトルが得られた。
【００９５】
図１０及び図１１を比較すると明らかなように、１７日目の時点では観測されなかった２１００ｃｍ−１付近と２８００ｃｍ−１付近の幅広の吸収が５９日目の時点では観測され、これに対応する形で２４００ｃｍ−１にも幅広の吸収が現れている。
【００９６】
これらはアミンから生じる陽イオンのＮ−Ｈ結合の変角運動に対応することから、膜中のカルボン酸とアミンとが塩を形成したことが確認された。また、５９日後にアニールした試料に対してラザフォード後方散乱による分析を行ったところ、膜中の金属原子数と炭素原子数の合計に対する、炭素原子数の割合は７１原子％であった。
【００９７】
ナノパーティクルに対するオレイン酸とオレイルアミンの合計の比率を種々変更して同種の実験を行ったところ、ナノパーティクルが良好な独立状態を保っている試料における膜中の炭素原子の割合は５６原子％以上であり、炭素原子の割合が５１原子％であった試料でも、４７原子％であった試料と比較すると遥かに粒子の融合が少なかった。
【００９８】
実施例５
ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層の成膜は実施例４と同様な条件で行った。次に、スパッタ法によりナノパーティクル層上に５ｎｍの膜厚のカーボン保護膜を成膜した。
【００９９】
即ち、試料をチャンバーにセットし、成膜室内を１０−５Ｐａまで排気した後、Ａｒを０．５Ｐａまで導入し、４００ＷでＤＣ放電し５ｎｍの膜厚にカーボン保護膜を成膜した。
【０１００】
カーボンを成膜した試料（カーボンキャップあり）とカーボンを成膜していない試料（カーボンキャップなし）を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で電子線を照射しながら観察した。電子線は約２ｎｍのビーム径に絞り込んである。
【０１０１】
図１２（Ａ）はカーボンキャップありでアニール前のＴＥＭ写真であり、図１２（Ｂ）は電子線により１時間アニールした後のＴＥＭ写真である。一方、図１３（Ａ）はカーボンキャップなしの試料のアニール前のＴＥＭ写真であり、図１３（Ｂ）は電子線で１時間アニールした後のＴＥＭ写真である。
【０１０２】
図１３（Ｂ）に示すように、カーボンキャップなしの試料では電子線によりナノパーティクルがアニールされ、肥大化して凝集していることが分かる。一方、カーボンキャップありの試料では、図１２（Ｂ）に示すようにナノパーティクルの凝集が起こっていないことが分かる。
【０１０３】
本実施例では、ナノパーティクル層上にカーボンキャップを形成した実施例であるが、基板上にカーボン下地層を形成し、カーボン下地層上にナノパーティクル層を形成しても同様の効果が期待できる。
【０１０４】
実施例６
ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層の成膜は実施例４と同様な条件で行った。この試料を薄膜試料とする。次に５×１０ｍｍの熱酸化膜Ｓｉ基板にＦｅＰｔコート液を２０μＬ滴下し、ゆっくり乾燥させて膜厚１５０ｎｍの厚膜試料を作成した。
【０１０５】
薄膜厚膜二つの試料を同時に熱処理炉に入れ、真空中で７００℃まで加熱し、３０分間保持してアニールを行った。図１４（Ａ）に薄膜表面のＴＥＭ写真を、図１４（Ｂ）に厚膜表面のＴＥＭ写真を示す。
【０１０６】
図１４（Ｂ）に示す厚膜では、ナノパーティクルが凝集して肥大化してしまっているのに対し、図１４（Ａ）に示す薄膜では、ナノパーティクルの凝集が起きていないことが分かる。
【０１０７】
膜厚を変化させた種々の試料を作成し、同様の実験を行ったところ、膜厚が８０ｎｍ以下である場合に、ナノパーティクルの凝集が見られなくなることが判明した。好ましくは、ナノパーティクル層の膜厚は５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内である。
【０１０８】
実施例７
ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層の成膜は上述した実施例４と同様な条件で行った。本実施例においては、高保磁力を得ながらナノパーティクルの凝集が抑えられていることを説明する。
【０１０９】
薄膜試料を６００℃，６５０℃，７００℃，７５０℃，８００℃，８５０℃，９００℃で真空中で３０分間のアニールを行った。図１５にアニール温度と保磁力に関係を示す。薄膜試料は、保磁力が約８５０℃で飽和し、６ｋエルステッド（Ｏｅ）の保磁力を示している。
【０１１０】
８００℃でアニ−ルした薄膜の表面状態を図１６に示す。図１６から明らかなように、ナノパーティクルが凝集していないことが分かる。凝集のない試料の保磁力は、凝集してしまっている試料の保磁力と比べると半分以下であるが、これはナノパーティクルが小さいが故の熱揺らぎの現象の結果である。薄膜の場合は、粒径が小さいために熱揺らぎの影響を受け、保磁力の温度変化が急峻である。
【０１１１】
実施例８
ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層の成膜は上述した実施例４と同様な条件で行った。次に、オレイン酸とオレイルアミンを結合させて塩とすることを促進させるために、Ｎ２ガス中において２００℃で５〜６０分間のベーク処理を行った。図１７（Ａ）にベーク後の表面状態を示す。
【０１１２】
更に、８００℃で３０分間の真空中アニ−ルを行った。アニ−ル後の表面状態を図１７（Ｂ）に示す。上述したベーク処理で塩が形成されているため、８００℃のアニ−ルでもナノパーティクルが凝集せずに孤立していることが分かる。
【０１１３】
図１８を参照すると、上述したＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層を記録層に採用した本発明第３実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構成図が示されている。第１及び第２実施形態の記録媒体と実質的に同一構成部分については同一符号を付してある。
【０１１４】
基板４上には軟磁性層６の配向制御層５が形成されており、配向制御層５上に軟磁性層６が形成されている。軟磁性層６上には中間層８が形成されており、中間層８上にナノパーティクル磁性層５４が形成されている。
【０１１５】
ナノパーティクル磁性層５４は２ｎｍ〜１０ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクル５４ａと、ナノパーティクル５４ａ間の空隙を満たしたアモルファスカーボンとを含んでいる。ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル５４ａは実質的に均一な間隔で配置されている。ナノパーティクル磁性層５４は垂直方向に磁化されている。
【０１１６】
ナノパーティクル磁性層５４上にはカーボン保護膜１２が形成されており、カーボン保護膜１２上には潤滑剤１４が塗布されている。
【０１１７】
図１９はＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層を記録層として採用した本発明第４実施形態に係る面内磁気記録媒体の構成図を示している。上述した第１乃至第３実施形態と実質的に同一構成部分ついては同一符号を付してある。
【０１１８】
基板４上にはＮｉＰ等から形成された下地層１６が形成されており、下地層１６上には中間層１８が形成されている。中間層１８上にはナノパーティクル磁性層５６が形成されている。
【０１１９】
ナノパーティクル磁性層５６は、２ｎｍ〜１０ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクル５６ａと、ナノパーティクル５６ａ間の空隙を満たしたアモルファスカーボンとを含んでいる。ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル５６ａは実質的に均一な間隔で配置されている。ナノパーティクル磁性層５６は面内方向に磁化されている。
【０１２０】
ナノパーティクル磁性層５６上にはカーボン保護膜１２が形成されており、カーボン保護膜１２上には潤滑剤１４が塗布されている。
【０１２１】
図２０を参照すると、磁性ナノパーティクル層を記録層として採用した、本発明第５実施形態に係る垂直磁気記録媒体の構成図が示されている。上述した第１乃至第４実施形態と同一構成部分については同一符号が付されている。
【０１２２】
基板４上にはＦｅＴａＣ等から形成された軟磁性層６が形成されており、軟磁性層６上にはカーボン中間層８´が形成されている。軟磁性層６の膜厚は２００ｎｍ、カーボン中間層８´の膜厚は５ｎｍであり、共にスパッタ法で成膜した。カーボン中間層８´の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内が好ましい。
【０１２３】
カーボン中間層８´上には磁性ナノパーティクル層５８が形成されている。磁性ナノパーティクル層５８は上述した各実施形態と同様に化学合成法により形成した。磁性ナノパーティクル層５８は粒径分散が１０％以下で互いに孤立した複数のナノパーティクル５８ａを含んでいる。
【０１２４】
磁性ナノパーティクル層５８の各磁性ナノパーティクル５８ａは、２ｎｍ〜１０ｎｍの平均粒径を有し、粒子間隔は０．２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内である。磁性ナノパーティクル５８ａはＦｅ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｐｂからなる群から選択される二つ以上の元素を含んでいる。好ましくは、ＦｅＰｔナノパーティクルから構成される。
【０１２５】
磁性ナノパーティクル層５８は更に、磁性ナノパーティクル５８ａ間の空隙を満たすカルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ホスホン酸及びアミンからなる群から選択される安定化配位子（安定剤）を含んでいる。
【０１２６】
磁性ナノパーティクル層５８上にはカーボン保護膜１２がスパッタ法で成膜されている。カーボン保護膜１２は１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有しており、本実施形態では５ｎｍの膜厚とした。
【０１２７】
このように磁性ナノパーティクル層５８をカーボン中間層８´とカーボン保護膜１２で挟んだ試料をアニ−ルチャンバーに入れ、３×１０−５Ｐａに真空引きした後、８００℃まで１０分で上昇させて、８００℃で３０分間保持してから室温まで冷却して試料を取り出した。その後、カーボン保護膜１２上に潤滑剤１４を塗布した。
【０１２８】
図２１（Ａ）にアニ−ル前のナノパーティクル層のＴＥＭ像を示す。図２１（Ｂ）にアニ−ル後のナノパーティクルのＴＥＭ像を示す。また、比較のために図２２に中間層８´及びカーボン保護膜１２を有しない媒体のアニ−ル後のナノパーティクル層のＴＥＭ像を示す。
【０１２９】
図２１（Ｂ）から明らかなようにカーボン中間層８´とカーボン保護膜１２がある場合は、アニ−ルしてもナノパーティクルの融解は見られないが、図２２に示したカーボン中間層とカーボン保護膜がない場合には、ナノパーティクルが融解して巨大化している。
【０１３０】
表２にアニ−ル前後の平均粒径Ｄ、粒径の標準偏差σ及び粒径分散σ／Ｄを示す。
【０１３１】
【表２】
2004169050.tif 000004
【０１３２】
アニ−ル後に粒径分散が若干大きくなっているが、平均粒径Ｄはアニ−ル前後で変わらない。これは、カーボン中間層８´とカーボン保護膜１２によりナノパーティクルの移動が抑制されたため、ナノパーティクルの融解が防止されたと考えられる。
【０１３３】
次に、カーボン中間層８´だけの効果を調べるため、カーボン中間層８´とカーボン保護膜１２のない媒体と、５ｎｍの膜厚のカーボン中間層８´を有し、カーボン保護膜のない媒体を作成した。
【０１３４】
これらの媒体試料をアニ−ルチャンバーに入れ、３×１０−５Ｐａまで真空引きした後、８００℃まで１０分間で上昇させ、８００℃で３０分間保持してから室温まで冷却して媒体試料を取り出した。表３にカーボン中間層がある場合とない場合の平均粒径Ｄ、粒径の標準偏差σ及び粒径分散σ／Ｄを示す。
【０１３５】
【表３】
2004169050.tif 000005
【０１３６】
この実験では、効果を強調するため安定化配位子の量を通常の半分としたため、ナノパーティクルの巨大化が顕著になっている。
【０１３７】
カーボン中間層のある媒体の方が平均粒径が小さく、ナノパーティクルの融解が抑制されていることが分かる。これは、安定化配位子のハイドロカーボンとカーボン中間層の結合が大きいこと、及びアニ−ルによりハイドロカーボンが炭化しカーボン中間層８´と強く結びつくため、ナノパーティクルの移動が抑制され、その結果ナノパーティクルの融解が抑制されたと考えられる。
【０１３８】
本発明は以下の付記を含むものである。
【０１３９】
（付記１）  直径の平均値が１ｎｍ〜３ｎｍの範囲内にあることを特徴とするＦｅＰｔ合金ナノパーティクル。
【０１４０】
（付記２）  Ｆｅ，Ｐｔ及びＮｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｐｂからなる群から選択される元素を含み、
直径の平均値が２ｎｍ〜６ｎｍの範囲内にあることを特徴とする合金ナノパーティクル。
【０１４１】
（付記３）  合金ナノパーティクルの製造方法であって、
不活性ガス雰囲気中で炭素数が２〜２０である炭化水素、アルコール、エーテル、エステルからなる群から選択された有機溶媒中に金属塩、還元剤、安定化配位子、及び有機鉄錯体を加えて反応液を得るステップと、
該反応液を所定温度に加熱しながら攪拌するステップとを具備し、
前記安定化配位子の量によって合金ナノパーティクルの粒径を制御することを特徴とする合金ナノパーティクルの製造方法。
【０１４２】
（付記４）  前記安定化配位子は、カルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ホスホン酸、及びアミンからなる群から選択される付記３記載の合金ナノパーティクルの製造方法。
【０１４３】
（付記５）  前記所定温度は２２０℃〜２６０℃の範囲内である付記３記載の合金ナノパーティクルの製造方法。
【０１４４】
（付記６）  前記有機鉄錯体はＦｅ（ＣＯ）５，Ｆｅ２（ＣＯ）９及びＦｅ３（ＣＯ）１２からなる群から選択される付記３記載の合金ナノパーティクルの製造方法。
【０１４５】
（付記７）  前記金属塩はビスアセチルアセトナト白金、ビスベンゾニトリル白金二塩化物、臭化白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＩ）及びヨウ化白金（ＩＩ）からなる群から選択される付記３記載の合金ナノパーティクルの製造方法。
【０１４６】
（付記８）  磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に実質的に均一な間隔に配置され、１ｎｍ〜３ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層と、
前記ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル層上に形成された保護膜と、
を具備したことを特徴とする磁気記録媒体。
【０１４７】
（付記９）  磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に実質的に均一な間隔に配置され、２ｎｍ〜６ｎｍの平均直径を有するＦｅ，Ｐｔ及びＮｉ．Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｐｂからなら群から選択される元素からなる合金ナノパーティクル層と、
前記合金ナノパーティクル層上に形成された保護膜と、
を具備したことを特徴とする磁気記録媒体。
【０１４８】
（付記１０）  磁気記録媒体であって、
基板と、
前記基板上に実質的に均一な間隔で配置され、２ｎｍ〜１０ｎｍの平均直径を有するＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たしたカーボン相とを含んだナノパーティクル磁性層と、
前記ナノパーティクル磁性層上に形成された保護膜とを具備し、
前記ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルを構成する金属原子数と前記カーボン相に含まれる炭素原子数の合計に対する炭素原子数の割合が、５０原子％以上８５原子％未満であることを特徴とする磁気記録媒体。
【０１４９】
（付記１１）    磁気記録媒体の製造方法であって、
ヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選択された溶媒中にＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸とアミンとを含んだ有機混合物を分散させてコート液を得、
前記コート液を基板上に塗布し、
前記コート液を乾燥することにより、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たした前記有機混合物からなる磁性ナノパーティクル層を前記基板上に形成し、
前記カルボン酸と前記アミンとの間に塩を形成させ、
前記磁性ナノパーティクル層をアニールする、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【０１５０】
（付記１２）  前記カルボン酸と前記アミンとの間に塩を形成させるステップは、前記磁性ナノパーティクル層をＮ２ガス中で５日間以上保持するステップからなることを特徴とする付記１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【０１５１】
（付記１３）  前記カルボン酸と前記アミンとの間に塩を形成させるステップは、前記溶媒の沸点温度以上の温度で前記磁性ナノパーティクル層に５〜６０分間のベーク処理を施すステップから構成されることを特徴とする付記１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【０１５２】
（付記１４）  前記カルボン酸と前記アミンとの間に塩を形成させるステップは、前記磁性ナノパーティクル層を真空中で１時間以上保持するステップから構成されることを特徴とする付記１１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【０１５３】
（付記１５）  磁気記録媒体の製造方法であって、
ヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選択された溶媒中にＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸及びアミンを含んだ有機混合物を分散させてコート液を得、
前記コート液を基板上に塗布し、
前記コート液を乾燥して、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たす前記有機混合物からなる磁性ナノパーティクル層を前記基板上に形成し、
前記磁性ナノパーティクル層上にカーボンキャップを形成し、
前記磁性ナノパーティクル層をアニールする、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【０１５４】
（付記１６）  磁気記録媒体の製造方法であって、
ヘキサン、ヘプタン及びオクタンからなる群から選択された溶媒中にＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと、カルボン酸及びアミンを含んだ有機混合物を分散させてコート液を得、
基板上にカーボン下地層を形成し、
該カーボン下地層上に前記コート液を塗布し、
該コート液を乾燥して、ＦｅＰｔ合金ナノパーティクルと該ＦｅＰｔ合金ナノパーティクル間の空隙を満たす有機混合物からなる磁性ナノパーティクル層を前記カーボン下地層上に形成し、
前記磁性ナノパーティクル層をアニールする、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【０１５５】
（付記１７）  磁気記録媒体であって、
基板と、
該基板上に形成されたカーボン層と、
該カーボン層上に形成された平均粒径が２ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内で粒子間隔が０．２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内の磁性ナノパーティクル層と、
該磁性ナノパーティクル層上に形成されたカーボン保護膜とを具備し、
前記磁性ナノパーティクル層は粒径分散が１０％以下で互いに孤立した複数のナノパーティクルからなることを特徴とする磁気記録媒体。
【０１５６】
（付記１８）  前記磁性ナノパーティクルはＦｅ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｐｂからなる群から選択される二つ以上の元素を含んでいる付記１７記載の磁気記録媒体。
【０１５７】
（付記１９）  前記磁性ナノパーティクル層は磁性ナノパーティクルと、磁性ナノパーティクル間の空隙を満たすカルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ホスホン酸及びアミンからなる群から選択される安定化配位子とを含んでいる付記１８記載の磁気記録媒体。
【０１５８】
（付記２０）  前記カーボン層の膜厚は１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であり、前記カーボン保護膜の膜厚は１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内である付記１７記載の磁気記録媒体。
【０１５９】
【発明の効果】
本発明によれば、ナノパーティクルの粒径制御が可能となり、磁気記録媒体の低ノイズ化を実現できる。
【０１６０】
また、ナノパーティクルの凝集及び肥大化を防止しながら高保磁力を得ることができる。その結果、超高密度磁気記録媒体の作成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は安定化配位子の使用量と粒径との関係を示すグラフである。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は安定化配位子の使用量と粒径との関係を示すグラフである。
【図３】安定化配位子の使用量と粒径との関係を示すグラフである。
【図４】本発明第１実施形態に係る垂直磁気記録媒体の断面構成図である。
【図５】本発明第２実施形態に係る面内磁気記録媒体の断面構成図である。
【図６】スピンコート装置の概略構成図である。
【図７】密閉状態のスピンコート装置の概略構成図である。
【図８】スピンコート法の説明図である。
【図９】図９（Ａ）はアニール前のナノパーティクル層の表面状態を、図９（Ｂ）は成膜後１７日目にアニ−ルしたナノパーティクル層の表面状態を、図９（Ｃ）は成膜後５９日目にアニ−ルしたナノパーティクル層の表面状態をそれぞれ示している。
【図１０】成膜後１７日目の反射ＦＴ−ＩＲスペクトルを示す図である。
【図１１】成膜後５９日目の反射ＦＴ−ＩＲスペクトルを示す図である。
【図１２】図１２（Ａ）はカーボンキャップ有りの媒体のアニ−ル前のナノパーティクル層の表面状態を、図１２（Ｂ）は電子線で１時間アニ−ルした後のナノパーティクル層の表面状態をそれぞれ示している。
【図１３】図１３（Ａ）はカーボンキャップなしの媒体のアニ−ル前のナノパーティクル層の表面状態を、図１３（Ｂ）は電子線で１時間アニ−ルした後のナノパーティクル層の表面状態をそれぞれ示している・
【図１４】図１４（Ａ）はアニ−ル後の薄膜の表面状態を、図１４（Ｂ）はアニ−ル後の厚膜の表面状態をそれぞれ示している。
【図１５】保磁力Ｈｃのアニ−ル温度依存性を示す図である。
【図１６】８００℃でアニ−ルした薄膜の表面状態を示している。
【図１７】図１７（Ａ）はベーク後のナノパーティクル層の表面状態を、図１７（Ｂ）はアニ−ル後のナノパーティクル層の表面状態をそれぞれ示している。
【図１８】本発明第３実施形態に係る垂直磁気記録媒体の断面構成図である。
【図１９】本発明第４実施形態に係る面内磁気記録媒体の断面構成図である。
【図２０】本発明第５実施形態に係る垂直磁気記録媒体の断面構成図である。
【図２１】図２１（Ａ）はアニ−ル前のナノパーティクル層のＴＥＭ像であり、図２１（Ｂ）はアニ−ル後のナノパーティクル層のＴＥＭ層である。
【図２２】カーボン中間層とカーボン保護膜を有さない媒体のＴＥＭ像である。
【符号の説明】
４  基板
６  軟磁性層
８  中間層
１０  ナノパーティクル層
１２  カーボン保護膜
１４  潤滑剤
１６  下地層
１８  中間層
２０  ナノパーティクル層
２４  ディスク基板
２６  ディスク基板回転機構
２８  密閉用カップ
３０  コート液用シリンジ
３２  ヘキサン用シリンジ
３４  密閉用プレート
３６  カップ上下動機構
３８  オイルフリーポンプ
４６  ガス導入管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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