(57)【要約】      （修正有）【課題】低い耐圧を有するスイチング素子を使ったエネルギー回収回路及びその駆動方法を提供する。【解決手段】エネルギー回収回路は、放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、パネルキャパシタの電圧を回収して充電されるとともに、充電された電圧をパネルキャパシタに再供給するためのソースキャパシタと、パネルキャパシターに放電維持電圧を供給するための基準電圧供給部と、ソースキャパシタとパネルキャパシタとの間に設置されるインダクターと、インダクターとソースキャパシタとの間に設置される第１スイッチと、インダクターと基準電圧供給部との間に設置される第２スイッチと、インダクターとソースキャパシタとの間に設置される第３スイッチと、インダクターと基底電位との間に連結される第４スイッチとを備え、基準電圧供給部は、所定の勾配をもって上昇される上昇パルス及び所定の電圧値を有する基準電圧のいずれかの一つを供給する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、
前記パネルキャパシタの電圧を回収して充電されるとともに充電された電圧を前記パネルキャパシタに再供給するためのソースキャパシタと、
前記パネルキャパシターに放電維持電圧を供給するための基準電圧供給部と、
前記ソースキャパシタと前記パネルキャパシタとの間に設置されるインダクターと、
前記パネルキャパシタの充電経路を形成するために、前記インダクターと前記ソースキャパシタとの間に設置される第１スイッチと、
前記パネルキャパシターの放電維持経路を形成するために、前記インダクターと前記基準電圧供給部との間に設置される第２スイッチと、
前記パネルキャパシタの放電経路を形成するために、前記インダクターと前記ソースキャパシタとの間に設置される第３スイッチと、
前記パネルキャパシターの基底電位維持経路を形成するために、前記インダクターと基底電位との間に連結される第４スイッチとを備えるエネルギー回収回路において、
前記基準電圧供給部は、前記インダクターに接続されるように設置され、所定の勾配をもって上昇される上昇パルス及び所定の電圧値を有する基準電圧のいずれかの一つを供給することを特徴とする、エネルギー回収回路。
【請求項２】
基準電圧供給部は、前記パネルキャパシタ及び前記ソースキャパシタともに電圧が充電されていない初期期間に前記上昇パルスを供給し、その他の期間には前記基準電圧を供給することを特徴とする、請求項１に記載のエネルギー回収回路。
【請求項３】
前記上昇パルスは、前記所定の勾配をもって前記基準電圧まで上昇されることを特徴とする、請求項１又は２に記載のエネルギー回収回路。
【請求項４】
前記上昇パルスが供給されるとき、前記ソースキャパシタには一定の勾配をもって徐々に増加される電圧が充電されることを特徴とする、請求項１乃至３の何れかに記載のエネルギー回収回路。
【請求項５】
前記ソースキャパシタに充電される電圧は、前記基準電圧の略半分に該当する電圧が充電されるまで増加されることを特徴とする、請求項４に記載のエネルギー回収回路。
【請求項６】
前記上昇パルスが供給されるとき、前記第１スイッチの両端には、前記上昇パルスの電圧値と前記ソースキャパシタに充電された電圧差に該当する電圧が印加され、この両端の電圧は前記基準電圧の略半分に該当する電圧より低く設定されることを特徴とする、請求項４又は５に記載のエネルギー回収回路。
【請求項７】
前記上昇パルスが前記基準電圧まで上昇される時間は、２０ms〜１sの間で設定されることを特徴とする、請求項１乃至６の何れかに記載のエネルギー回収回路。
【請求項８】
前記第１スイッチと前記インダクターとの共通端子と、前記基準電圧供給部との間に設置され、前記共通端子に印加されることができる電圧を前記基準電圧以下に制限するための第７ダイオードと、
前記共通端子及び基底電圧源の間に設置され、前記共通端子に印加されることができる電圧を前記基底電位以上に制限するための第８ダイオードと、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１乃至７の何れかに記載のエネルギー回収回路。
【請求項９】
エネルギー回収回路の初期動作時に所定の勾配をもって上昇される上昇パルスを供給する段階と、
前記上昇パルスによってソースキャパシタに前記上昇パルスの電圧値より低い電圧値が徐々に充電される段階とを含むことを特徴とする、エネルギー回収回路の駆動方法。
【請求項１０】
前記上昇パルスは基準電圧まで上昇され、前記上昇パルスが基準電圧まで上昇されたとき、前記ソースキャパシタには前記基準電圧の略半分に該当する電圧が充電されることを特徴とする、請求項９に記載のエネルギー回収回路の駆動方法。
【請求項１１】
前記上昇パルスの勾配は、前記上昇パルスの電圧値から前記ソースキャパシタに充電された電圧を減らした電圧値が前記基準電圧の半分に該当する電圧以下に維持されることができるように設定されることを特徴とする、請求項９又は１０に記載のエネルギー回収回路の駆動方法。
【請求項１２】
前記上昇パルスが前記基準電圧まで上昇される時間は、２０ms〜１sの間で設定されることを特徴とする、請求項１０又は１１に記載のエネルギー回収回路の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、より詳細にはプラズマディスプレイパネルの駆動装置に使用されるエネルギー回収回路及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル(Ｐlasma Ｄisplay Ｐanel :以下"ＰＤＰ"と称する)は、Ｈe+Ｘe、Ｎe+Ｘe、又はＨe+Ｎe+Ｘeなどの不活性混合ガスの放電時発生する１４７nmの紫外線によって蛍光体を発光させることによって、文字又はグラフィックを含む画像を表示するようになる。このようなＰＤＰは、薄膜化と大型化が容易だけでなく最近の技術開発によって大きく向上した画質を提供する。特に、３電極交流面放電型ＰＤＰは、放電時表面に壁電荷が蓄積され、放電によって発生されるスパッタリングから電極を保護するため低電圧駆動と長寿命の長所を有する。
【０００３】
図１は、従来のプラズマディスプレイパネルの放電セルの構造を示す斜視図である。図１を参照すれば、３電極交流面放電型ＰＤＰの放電セルは、上部基板１０上に形成された走査電極Ｙ及び維持電極Ｚと、下部基板１８上に形成されたアドレス電極Ｘとを備える。走査電極Ｙと維持電極Ｚの各々は、透明電極(１２Ｙ、１２Ｚ)と、透明電極(１２Ｙ、１２Ｚ)の線幅より小さな線幅を有して透明電極の一側端に形成される金属バス電極(１３Ｙ、１３Ｚ)とを含む。
【０００４】
透明電極(１２Ｙ、１２Ｚ)は、 通常、インジウム・ ティン・ オキサイド (Ｉndium-Ｔin-Ｏxide : ＩＴＯ)で上部基板１０上に形成される。金属バス電極(１３Ｙ、１３Ｚ)は、 通常、クローム(Ｃr)などの金属で透明電極(１２Ｙ、１２Ｚ)上に形成され抵抗が高い透明電極(１２Ｙ、１２Ｚ)による電圧降下を減らす役割をする。走査電極Ｙと維持電極Ｚとが並んで形成された上部基板１０には上部誘電体層１４と保護膜１６とが積層される。上部誘電体層１４にはプラズマ放電時発生された壁電荷が蓄積される。保護膜１６は、プラズマ放電時発生されたスパッタリングによる上部誘電体層１４の損傷を防止するとともに２次電子の放出效率を高めるようになる。保護膜１６としては、通常、酸化マグネシウム(ＭgＯ)が利用される。
【０００５】
アドレス電極Ｘが形成された下部基板１８上には、下部誘電体層２２と、隔壁２４とが形成され、下部誘電体層２２と隔壁２４の表面には蛍光体層２６が塗布される。アドレス電極Ｘは、走査電極Ｙ及び維持電極Ｚと交差する方向に形成される。隔壁２４は、ストライプ又は格子型に形成され、放電によって生成された紫外線及び可視光が隣接した放電セルに漏洩されることを防止する。蛍光体層２６は、プラズマ放電時発生された紫外線によって励起され、赤色、緑色又は青色のいずれかの一つの可視光線を発生するようになる。上/下部基板(１０、１８)と隔壁２４との間に設けられた放電空間には不活性混合ガスが注入される。
【０００６】
このような３電極交流面放電型ＰＤＰは多数本のサーブフィールドに分けて駆動され、各サーブフィールド期間にはビデオデータの加重値に比例する回数の発光が進行されることによって階調表示が行われるようになる。多数本のサーブフィールドは、再びリセット期間と、アドレス期間と、サステイン期間及び消去期間とに分割されて駆動される。
ここで、リセット期間は、放電セルに均一な壁電荷を形成する期間であり、アドレス期間は、ビデオデータの論理値によって選択的なアドレス放電が発生するような期間であり、サステイン期間は、前記アドレス放電が発生された放電セルで放電が維持されるような期間である。
【０００７】
このように駆動される交流面放電ＰＤＰのアドレス放電及びサステイン放電には、数百ボルト以上の高圧が必要になる。したがって、アドレス放電及びサステイン放電に必要な駆動電力を最小化するためにエネルギー回収回路が利用される。エネルギー回収回路は、走査電極Ｙ及び維持電極Ｚの間の電圧を回収して次の放電時の駆動電圧として利用する。
図２は、サステイン放電電圧を回収するために走査電極Ｙに形成されたエネルギー回収回路を示す図面である。実際には、エネルギー回収回路は、パネルキャパシタＣpを中心に維持電極Ｚにも対称に設置される。
【０００８】
図２を参照すれば、従来のエネルギー回収回路は、パネルキャパシタＣpとソースキャパシタＣsとの間に接続されたインダクターＬと、ソースキャパシタＣsとインダクターＬとの間に並列に接続された第１及び第３スイッチ(Ｓ１、Ｓ３)と、第１及び第３スイッチ(Ｓ１、Ｓ３)とインダクターＬとの間に設置されるダイオード(Ｄ５、Ｄ６)と、インダクターＬとパネルキャパシタＣpとの間に並列に接続された第２及び第４スイッチ(Ｓ２、Ｓ４)とを備える。
【０００９】
パネルキャパシタＣpは、走査電極Ｙと維持電極Ｚとの間に形成される靜電容量を等価的に示したものである。第２スイッチＳ２は基準電圧源Ｖsに接続され、第４スイッチＳ４は基底電圧源ＧＮＤに接続される。ソースキャパシタＣsは、サステイン放電時パネルキャパシタＣpに充電される電圧を回収して充電するとともに、充電された電圧をパネルキャパシタＣpに再供給する。
【００１０】
このため、ソースキャパシタＣsは、基準電圧源Ｖsの半分値に該当するＶs/２の電圧を充電することができる容量値を有する。インダクターＬはパネルキャパシタＣpとともに共振回路を形成する。第１〜第４スイッチ(Ｓ１〜Ｓ４)は電流の流れを制御する。第５及び第６ダイオード(Ｄ５、Ｄ６)は電流が逆方向に流れることを防止する。また、第１〜第４スイッチ(Ｓ１〜Ｓ４)に各々設置された内部ダイオード(Ｄ１〜Ｄ４)も逆電流が流れることを防止する。
【００１１】
図３は、図２に示されたスイッチのオン/オフのタイミングとパネルキャパシタの出力波形を示すタイミング図及び波形図である。
Ｔ１期間以前にパネルキャパシタＣpには０Ｖの電圧が充電されるとともに、ソースキャパシタＣsにはＶs/２の電圧が充電されていると仮定して動作過程を詳細に説明する。
Ｔ１期間には、第１スイッチＳ１がターン-オンされソースキャパシタＣsから第１スイッチＳ１、インダクターＬ及びパネルキャパシタＣpにつながる電流パスが形成される。電流パスが形成されると、ソースキャパシタＣsに充電されたＶs/２の電圧はパネルキャパシタＣpに供給される。このとき、インダクターＬとパネルキャパシタＣpが直列共振回路を形成するため、パネルキャパシタＣpにはソースキャパシタＣs電圧の２倍であるＶs電圧が充電される。
【００１２】
Ｔ２期間には、第２スイッチＳ２がターン-オンされる。第２スイッチＳ２がターン-オンされると、基準電圧源Ｖsの電圧がパネルキャパシタＣpに供給される。つまり、第２スイッチＳ２がターン-オンされると基準電圧源Ｖsの電圧値がパネルキャパシタＣpに供給され、パネルキャパシタＣpの電圧値が基準電圧源Ｖs以下に落ちることを防止して、これに従って安定的にサステイン放電が発生されるようになる。ここで、パネルキャパシタＣpの電圧はＴ１期間にＶsまで上昇したので、Ｔ２期間の間に外部から供給される電圧値が最小化されることができる(つまり、消費電力が節減されることができる)。
【００１３】
Ｔ３期間には、第１スイッチＳ１がターン-オフされる。このとき、パネルキャパシタＣpは基準電圧源Ｖsの電圧を維持する。Ｔ４期間には第２スイッチＳ２がターン-オフされるとともに第３スイッチＳ３がターン-オンされる。第３スイッチＳ３がターン-オンされると、パネルキャパシタＣpからインダクターＬ及び第３スイッチＳ３を通じてソースキャパシタＣsにつながる電流パスが形成され、パネルキャパシタＣpに充電された電圧がソースキャパシタＣsに回収される。このとき、ソースキャパシタＣsにはＶs/２の電圧が充電される。
【００１４】
Ｔ５期間には、第３スイッチＳ３がターン-オフされるとともに第４スイッチＳ４がターン-オンされる。第４スイッチＳ４がターン-オンされると、パネルキャパシタＣpと基底電圧源ＧＮＤの間の電流パスが形成されパネルキャパシタＣpの電圧が０Ｖに降りる。Ｔ６期間には、Ｔ５の状態を一定時間の間に維持する。実際に、走査電極Ｙ及び維持電極Ｚに供給される交流駆動パルスは、Ｔ１〜Ｔ６期間が周期的に繰り返されながら得られる。
【００１５】
しかし、このように駆動されるエネルギー回収回路では高い耐圧を有するスイチング素子Ｓ１〜Ｓ４が使われるため、製造費用が上昇する問題点がある。これを詳細に説明すれば、第１ノードn１には基準電圧源Ｖsからの電圧が印加されるため、第２スイッチＳ２及び第４スイッチＳ４は高い耐圧、すなわちＶs以上の耐圧を持たなければならない。
一方、エネルギー回収回路が正常に動作するとき、第２ノードn２にはＶsの電圧が供給される。そして、ソースキャパシタＣsにはＶs/２の電圧が充電される。従って、エネルギー回収回路が正常に動作するとき、第３スイッチＳ３は第２ノードn２に印加される電圧からソースキャパシタＣsに充電された電圧を減らした電圧値Ｖs/２に該当する耐圧のみを要する。しかし、エネルギー回収回路の初期動作時にソースキャパシタＣsに電圧が充電されていないため、つまり、ソースキャパシタＣsの電位がおおよそ０Ｖに設定されるため第３スイッチＳ３の耐圧はＶs以上に設定されなければならない。実際、ソースキャパシタＣsにＶs/２の電圧が充電されるためには図３に示されたＴ１〜Ｔ６の過程を多数繰り返さなければならないし、この過程の間第３スイッチＳ３の両端に印加される電圧値はＶsからＶs/２に徐々に低くなるため、第３スイッチＳ３の耐圧はおおよそＶsに設定される。
【００１６】
一方、第１スイッチＳ１はソースキャパシタＣsの電圧がインダクターＬに供給される時にだけ利用され、このとき、第１スイッチＳ１の両端の電圧差はＶs/２に設定される。従って、第１スイッチＳ１はエネルギー回収回路が正常に動作するときのＶs/２の耐圧のみを要する。しかし、第２ノードn２に基底電位が印加されるとき、第２ノードn２はインダクターＬ及び第４スイッチＳ４を経由して基底電圧源ＧＮＤに接続される。このとき、ピーキング現象によって第２ノードn２の電圧が基底電圧源ＧＮＤより低い電位に落ちるようになる。従って、従来には第１スイッチＳ１の耐圧をおおよそＶsに設定して第１スイッチＳ１が破損されることを防止した。つまり、従来のエネルギー回収回路に使われる第１〜第４スイッチ(Ｓ１〜Ｓ４)は全部Ｖs以上の耐圧を有するように設計され、これによって製造費用が増加される問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の目的は、低い耐圧を有するスイチング素子を使って製造費用を節減するようなエネルギー回収回路及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記目的を成すため、本発明によるエネルギー回収回路は、放電セルに等価的に形成されるパネルキャパシタと、前記パネルキャパシタの電圧を回収して充電されるとともに充電された電圧を前記パネルキャパシタに再供給するためのソースキャパシタと、前記パネルキャパシターに放電維持電圧を供給するための基準電圧供給部と、前記ソースキャパシタと前記パネルキャパシタとの間に設置されるインダクターと、前記パネルキャパシタの充電経路を形成するために、前記インダクターと前記ソースキャパシタとの間に設置される第１スイッチと、前記パネルキャパシターの放電維持経路を形成するために、前記インダクターと前記基準電圧供給部との間に設置される第２スイッチと、前記パネルキャパシタの放電経路を形成するために、前記インダクターと前記ソースキャパシタとの間に設置される第３スイッチと、前記パネルキャパシターの基底電位維持経路を形成するために、前記インダクターと基底電位との間に連結される第４スイッチとを備え、前記基準電圧供給部は、前記インダクターに接続されるように設置され所定の勾配をもって上昇される上昇パルス及び所定の電圧値を有する基準電圧のいずれかの一つを供給することを特徴とする。
【００１９】
基準電圧供給部は、パネルキャパシタ及びソースキャパシタともに電圧が充電されていない初期期間に上昇パルスを供給して、その他の期間には基準電圧を供給する。
前記上昇パルスは所定の勾配をもって基準電圧まで上昇される。
前記上昇パルスが供給されるとき、ソースキャパシタには一定の勾配をもって徐々に増加される電圧が充電される。
【００２０】
前記ソースキャパシタに充電される電圧は、基準電圧の略半分に該当する電圧が充電されるまで増加される。
前記上昇パルスが供給される時第１スイッチの両端には、上昇パルスの電圧値とソースキャパシタに充電された電圧差に該当する電圧が印加され、この両端の電圧は基準電圧の略半分に該当する電圧より低く設定される。
【００２１】
前記上昇パルスが基準電圧まで上昇される時間は２０ms〜１sの間で設定される。
前記第１スイッチとインダクターとの共通端子と、基準電圧供給部の間に設置され、共通端子に印加されることができる電圧を基準電圧以下に制限するための第７ダイオードと、共通端子及び基底電圧源の間に設置され、共通端子に印加されることができる電圧を基底電位以上に制限するための第８ダイオードを追加に備える。
【００２２】
本発明のエネルギー回収回路の駆動方法は、エネルギー回収回路の初期動作時に所定の勾配をもって上昇される上昇パルスを供給する段階と、上昇パルスによってソースキャパシタに上昇パルスの電圧値より低い電圧値が徐々に充電される段階とを含む。
前記上昇パルスは基準電圧まで上昇され、上昇パルスが基準電圧まで上昇されたとき、ソースキャパシタには基準電圧の略半分に該当する電圧が充電される。
【００２３】
前記上昇パルスの勾配は、上昇パルスの電圧値からソースキャパシタに充電された電圧を減らした電圧値が基準電圧の半分に該当する電圧以下に維持されるように設定される。  前記上昇パルスが基準電圧まで上昇される時間は２０ms〜１sの間に設定される。
前記目的以外に本発明の他の目的及び特徴は、添付図面を参照した実施形態に対する説明を通じて明らかにする。
【発明の効果】
【００２４】
上述したように、本発明によるエネルギー回収回路及びその駆動方法によれば、エネルギー回収回路の初期動作時に基準電圧まで徐々に上昇する電圧を供給するため、スイッチの耐圧を低めることができ、これに従って製造費用を節減することができる。そして、本発明では、インダクターの一側端子の電圧範囲が基底電位と基準電圧の間で制限されるため、スイッチの耐圧を低めることができ、これによって製造費用を節減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図４から図７を参照して本発明の望ましい実施形態に対して説明する。
図４は、本発明の実施形態によるエネルギー回収回路を示す図面である。図４は、走査電極Ｙに形成されたエネルギー回収回路を示図面である。また、エネルギー回収回路は、パネルキャパシタＣpを中心に維持電極Ｚにも対称に配置される。
図４を参照すれば、本発明の実施形態によるエネルギー回収回路は、パネルキャパシタＣpとソースキャパシタＣsとの間に接続されたインダクターＬと、ソースキャパシタＣsとインダクターＬとの間に並列に接続された第１及び第３スイッチ(Ｓ１、Ｓ３)と、第１及び第３スイッチ(Ｓ１、Ｓ３)とインダクターＬとの間に設置されるダイオード(Ｄ５、Ｄ６)と、インダクターＬとパネルキャパシタＣpとの間に並列に接続された第２及び第４スイッチ(Ｓ２、Ｓ４)と、第２スイッチＳ２に接続される基準電圧供給部３０とを備える。
【００２６】
パネルキャパシタＣpは、走査電極Ｙと維持電極Ｚとの間に形成される静電容量を等価的に示したものである。第２スイッチＳ２は基準電圧供給部３０に接続され、第４スイッチＳ４は基底電圧源ＧＮＤ（基底電位）に接続される。ソースキャパシタＣsは、サステイン放電時パネルキャパシタＣpに充電される電圧を回収して充電するとともに充電された電圧をパネルキャパシタＣpに再供給する。
【００２７】
このような本発明の実施形態による第１〜第４スイッチ(Ｓ１〜Ｓ４)の動作タイミングは、図３に示された本発明の従来技術と同様であるため、詳細な説明は略する。
基準電圧供給部３０は、エネルギー回収回路が正常に動作されるとき、基準電圧Ｖsの電圧値を第２スイッチＳ２に供給する。そして、基準電圧供給部３０は、エネルギー回収回路の初期動作時に、図５のように、第２スイッチＳ２にＶs電圧まで所定の勾配をもって上昇される電圧を供給する。
【００２８】
これを詳細に説明すれば、エネルギー回収回路の初期動作時(ソースキャパシタＣsには０Ｖの電圧が充電)に基準電圧供給部３０は、所定の勾配をもってＶsの電圧まで徐々に上昇される電圧を第２スイッチＳ２に供給する。このとき、基準電圧供給部３０から供給される電圧は第２ノードn２に供給され、これによってソースキャパシタＣsにはＶs/２まで徐々に上昇される電圧が充電される。そして、本発明では、第２ノードn２に印加される電圧値とソースキャパシタＣsに充電される電圧値との電圧差ΔＶがＶs/２以下に設定されるように、基準電圧供給部３０から供給される電圧の勾配を設定する。従って、本発明の実施形態では、第３スイッチＳ３の耐圧をおおよそＶs/２に維持することができる。
【００２９】
実際、図６のようなシミュレーションの結果に示したように、基準電圧供給部３０から供給される電圧値をＶsまで徐々に上昇させる場合、第３スイッチＳ３の両端の電圧差をおおよそＶs/２以下に維持することができる(ここでエネルギー回収回路は正常に動作されている)。従って、本発明では、第３スイッチＳ３の耐圧を従来より低めることができるし、これによって製造費用を節減することができる。一方、本発明において基準電圧供給部３０から供給される電圧値がＶsまで上昇される時間は２０ms〜１sの間で設定されるようになる。
【００３０】
また、本発明では、図７のように、基準電圧供給部３０と第２ノードn２の間に接続される第７ダイオードＤ７及び基底電圧源ＧＮＤと第２ノードn２との間に接続される第８ダイオードＤ８を追加に備えても良い。
第７ダイオードＤ７は第２ノードn２の電圧が基準電圧Ｖsより高いときターン-オンされる。つまり、第７ダイオードＤ７は、第２ノードn２に基準電圧Ｖs以上の電圧が供給されるときターン-オンされ、第２ノードn２の電圧値が基準電圧Ｖs以上に上昇されることを防止する。
【００３１】
第８ダイオードＤ８は、第２ノードn２の電圧が基底電圧ＧＮＤより低いときターン-オンされる。つまり、第８ダイオードＤ８は第２ノードn２に基底電圧ＧＮＤより低い電圧が供給されるときターン-オンされ、第２ノードn２の電圧値が基底電圧ＧＮＤより低い電圧に下降されることを防止する。従って、第２ノードn２の電圧値は、常に、基準電圧Ｖsと基底電圧ＧＮＤとの間に含まれるようになる。
【００３２】
このように第２ノードn２の電圧値が基準電圧Ｖsと基底電圧ＧＮＤとの間に位置すると、おおよそＶs/２の耐圧を有するスイッチを第１スイッチＳ１で利用することができる。これを詳細に説明すれば、第１スイッチＳ１の両端の電圧値はソースキャパシタＣsと第２ノードn２によって決定される。ここで、第１スイッチＳ１はソースキャパシタＣsの電圧がインダクターＬに供給されるときにだけ利用され、このとき、第１スイッチＳ１の両端の電圧差はＶs/２に設定される。しかし、従来には、第２ノードn２の電圧値が基底電位ＧＮＤより低い電圧に下降されるため第１スイッチＳ１が高い耐圧を持たなければならなかった。しかし、本発明では、第２ノードn２の基底電位ＧＮＤより低い電圧に下降されないので、第１スイッチＳ１の耐圧を低めることができるし、これによって製造費用が節減されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来の３電極交流面放電型プラズマディスプレイパネルの放電セル構造を示す斜視図。
【図２】従来のエネルギー回収回路を示す図。
【図３】図２に示されたエネルギー回収回路の動作過程を示すタイミング図。
【図４】本発明の実施形態によるエネルギー回収回路を示す図。
【図５】図４に示された第３スイッチの両端に印加される電圧を示す波形図。
【図６】図４に示された第３スイッチの両端に印加される電圧を示す波形図。
【図７】本発明の他の実施形態によるエネルギー回収回路を示す図。
【符号の説明】
【００３４】
１０ 上部基板
１４ 上部誘電体層
１６ 保護膜
１８ 下部基板
２２ 下部誘電体層
２４ 隔壁
２６ 蛍光体層
３０ 基準電圧供給部
Ｘ アドレス電極
Ｙ 走査電極
Ｚ 維持電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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