(57)【要約】【課題】遮光部材による層とその層で囲まれる着色部材との平坦性を確保すること。【解決手段】隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３を有するように下地層１１２を形成したので、着色部材１１４による例えば遮光層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、また、凹部１２３で下地層１１２が完全には取り除かれていない場合にも、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。【選択図】　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のドットを有する基板と、
隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように前記基板に設けられ、且つ不規則に配列された山部又は谷部を有する下地層と、
前記下地層上に配置された反射部材と、
前記凹部又は前記開口部を埋めるように設けられた遮光部材と
を具備することを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記凹部又は前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
前記反射部材は、一部に開口部を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の電気光学装置用基板。
【請求項７】
前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様であることを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の電気光学装置用基板。
【請求項８】
複数のドットを有する電気光学装置において、
対向配置された第１及び第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記第１の基板に設けられた第１の表示用電極と、
前記第２の基板に設けられた第２の表示用電極と、
前記第１の表示用電極及び前記第２の表示用電極の重なる領域に対応して設けられた複数のドットと、
隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように一方の前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層と、
前記下地層上に配置された反射部材と、
前記凹部又は前記開口部を埋めるように設けられた遮光部材と、
を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記凹部または前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする請求項８又は請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記反射部材は、一部に開口部を有していることを特徴とする請求項８乃至請求項１１に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様であることを特徴とする請求項８乃至請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
請求項８から請求項１４のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
複数のドットを有する電気光学装置用基板の製造方法であって、
前記基板上に、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有し、且つ不規則に配置された山部又は谷部を有する下地層を形成する工程と、
前記下地層上に反射部材を形成する工程と、
前記凹部又は前記開口部を埋めるように遮光部材を形成する工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１７】
前記下地層を形成する工程は、前記凹部又は前記開口部の底部に前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１８】
前記下地層を形成する工程は、前記凹部の底部の下地層が、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成することを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項１９】
前記下地層を形成する工程は、
前記基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上で隣り合う前記ドット間の境界領域を除く領域に第２の絶縁層を形成する工程と
を具備することを特徴とする請求項１６又は請求項１８に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする請求項１９に記載の電気光学装置用基板。
【請求項２１】
前記下地層上に反射部材を形成する工程は、前記反射部材が、一部に開口部を有していることを特徴とする請求項１６乃至請求項２０に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２２】
前記凹部又は前記開口部を埋めるように遮光部材を形成する工程は、前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様になるように形成することを特徴とする請求項１６乃至請求項２１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２３】
複数のドットを有する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有し、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層を形成する工程と、
前記下地層上に反射部材を形成する工程と、
前記凹部又は前記開口部を埋めるように遮光部材を形成する工程と、
前記第１の基板に第１の表示用電極を形成する工程と、
前記第１の基板と対向配置する第２の基板に第２の表示用電極を形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板間に電気光学物質を挟持する工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２４】
前記下地層を形成する工程は、前記凹部又は前記開口部の底部に前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする請求項２３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２５】
前記下地層を形成する工程は、前記凹部の底部の下地層が、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成することを特徴とする請求項２３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２６】
前記下地層を形成する工程は、
前記基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上で隣り合う前記ドット間の境界領域を除く領域に第２の絶縁層を形成する工程と
を具備することを特徴とする請求項２３又は請求項２５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする請求項２６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２８】
前記下地層上に反射部材を形成する工程は、前記反射部材が、一部に開口部を有していることを特徴とする請求項２３乃至請求項２７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２９】
前記凹部又は前記開口部を埋めるように遮光部材を形成する工程は、前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様になるように形成することを特徴とする請求項２３乃至請求項２８に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型パーソナルコンピュータ等といった電子機器に電気光学装置が広く用いられるようになってきており、その電気光学の１つとして、部分的に反射型表示が可能な反射半透過型液晶装置が知られている。この液晶装置では、バックライト等による透過光の他、自然光や室内光等といった外部光が該液晶装置の内部へ取り込まれ、その光が該液晶装置の内部に設けた反射部材で反射して、再び外部へ射出されることにより表示が行われるが、この反射させる部分の構成は、全面で反射型表示させる反射型液晶装置も同様である。
【０００３】
一方、反射型表示が可能な液晶装置（以下「反射半透過型液晶装置及反射型液晶装置」をいう。）においては、反射部材の表面が鏡面状であると、観察者が視認する像に背景や室内照明が映ってしまい、表示された像が見難くなるという問題が生じる。
【０００４】
この問題を解消するため、従来、反射部材の下に多数の微細な凹凸構造を表面に形成した下地層を設けて、該反射部材の表面に複数の微細な山部を形成し粗面化して、反射光を適度に散乱させるという技術が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、下地層を有する液晶装置でその下地層上に反射部材を形成し、更にその上に着色部材を形成する構造を採る場合、隣り合うドットの境界領域に構成された光を遮光する層（以下「遮光層」と言う。）での十分な遮光性を生じさせるには、その部分の厚さが厚くなり、液晶に接する配向膜やオーバコート層によっても場所によって凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる他、ラビング処理が上手くいかなくなる等の問題が生じることとなる。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたもので、遮光部材による層とその層で囲まれた着色部材との平坦性を確保できる電気光学装置用基板、その電気光学装置用基板を用いた電気光学装置、その電気光学装置用基板の製造方法、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を使用した電子機器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置用基板は、複数のドットを有する基板と、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された山部又は谷部を有する下地層と、前記下地層上に配置された反射部材と、前記凹部又は前記開口部を埋めるように設けられた遮光部材とを具備することを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、隣り合うドット間の境界領域で凹部を有するように下地層を配置し、該凹部を埋めるように遮光部材を設けたので、例えば遮光部材の高さを低くでき、各ドットとドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮光部材の高さが高くなり、オーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層に設けられた凹部又は開口部に例えば遮光部材を形成するので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０００９】
本発明の一の形態によれば、前記凹部又は前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれている分、例えば遮光部材の高さを低くでき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って各ドットと隣り合うドット間の境界領域の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減し、ラビング処理も容易となる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても第２の絶縁層を形成する際に、凹部を形成できるので第１の絶縁層の形成における製造工程の簡略化を図れる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層に用いられた樹脂材料が光を散乱させるので、表示を明るくすることができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記反射部材は、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射型の電気光学装置用基板だけではなく、半透過型電気光学装置基板においても、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様であることを特徴とする。このような構成によれば、遮光部材と下地層の高さが基板に対して略同様であるので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００１５】
本発明の電気光学装置は、複数のドットを有する電気光学装置において、対向配置された第１及び第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持された電気光学物質と、前記第２の基板に設けられた第１の表示用電極と、前記第２の基板に設けられた第２の表示用電極と、前記第１の表示用電極及び前記第２の表示用電極の重なる領域に対応して設けられた複数のドットと、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有するように一方の前記基板上に設けられ、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層と、前記下地層上に配置された反射部材と、前記凹部又は前記開口部を埋めるように設けられた遮光部材とを具備することを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、隣り合うドット間の境界領域で凹部を有するように下地層を配置し、該凹部又は該開口部を埋めるように遮光部材を設けたので、例えば遮光部材の高さを低くでき、各ドットとドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮光部材の高さが高くなり、オーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層に設けられた凹部に例えば遮光部材を形成するので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを減少させることができる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記凹部又は前記開口部の底部は、前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮光部材の高さを低くでき、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できることとなる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、他の領域の下地層よりも薄くなるように形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、下地層を開口部で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット間の境界領域とドットとの表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、前記凹部の底部の下地層は、前記基板上に設けられた第１の絶縁層により形成されており、前記他の領域の前記下地層は前記第１の絶縁層と前記第１の絶縁層上の前記他の領域に重置された第２の絶縁層とにより形成されていることを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても第２の絶縁層の形成において凹部を形成できるので、第１の絶縁層の製造工程を簡略化できる。
【００２０】
本発明の一の形態によれば、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層に用いられた樹脂材料が光を散乱させるので、表示を明るくすることができる。
【００２１】
本発明の一の形態によれば、前記反射部材は、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射型の電気光学装置だけでなく、半透過型電気光学装置においても各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等と軽減できることとなる。
【００２２】
本発明の一の形態によれば、前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様であることを特徴とする。このような構成によれば、遮光部材と下地層の高さが基板に対して略同様であるので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００２３】
本発明の電子機器は、上述に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、上述の電気光学装置は、携帯電話機や携帯情報端末等のように屋外で使用することも多く、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性が確保できることによる表示画面のコントラストの明瞭化等により、より画面が見やすくなる。
【００２５】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、複数のドットを有する電気光学装置用基板の製造方法であって、前記基板上に、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有し、且つ不規則に配置された山部又は谷部を有する下地層を形成する工程と、前記下地層上に反射部材を形成する工程と、前記凹部又は前記開口部を埋めるように遮光部材を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、隣り合うドット間の境界領域で凹部を有するように下地層を配置し、該凹部を埋めるように遮光部材を形成する工程を具備するので、例えば遮光部材の高さを低くでき、各ドットとドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮光部材の高さが高くなり、オーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層に設けられた凹部又は開口部に例えば遮光部材を形成する工程を具備するので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減しコントラストの明瞭化を図ることができることとなる。
【００２７】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記凹部又は前記開口部の底部に前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれている分、例えば遮光部材の高さを低くでき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００２８】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記凹部又は開口部の底部の下地層が、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット間の境界領域とドットとの表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【００２９】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上で隣り合う前記ドット間の境界領域を除く領域に第２の絶縁層を形成する工程とを具備することを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても、第２の絶縁層の形成の際に凹部を形成できるので、第１の絶縁層を形成する工程での製造工程の簡略化を図れる。
【００３０】
本発明の一の形態によれば、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層に用いられた樹脂材料が光を散乱させるので、表示を明るくすることができる。
【００３１】
本発明の一の形態によれば、前記下地層上に反射部材を形成する工程は、前記反射部材が、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射型の電気光学装置だけでなく、半透過型電気光学装置においても各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できることとなる。
【００３２】
本発明の一の形態によれば、前記凹部又は前記開口部を埋めるように遮光部材を形成する工程は、前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様になるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、遮光部材と下地層の高さが基板に対して略同様であるので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数のドットを有する電気光学装置の製造方法であって、前記第１の基板上に、隣り合う前記ドット間の境界領域で凹部又は開口部を有し、且つ不規則に配列された複数の山部又は谷部を有する下地層を形成する工程と、前記下地層上に反射部材を形成する工程と、前記凹部又は前記開口部を埋めるように遮光部材を形成する工程と、前記第１の基板に第１の表示用電極を形成する工程と、前記第１の基板と対向配置する第２の基板に第２の表示用電極を形成する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板間に電気光学物質を挟持する工程とを具備することを特徴とする。
【００３４】
このような構成によれば、隣り合うドット間の境界領域で凹部を有するように下地層を配置し、該凹部を埋めるように遮光部材を形成する工程を具備するので、例えば遮光部材の高さを低くでき、各ドットとドット間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。すなわち、従来においては、基板上に均一に下地層を設けていたため、例えば遮光部材の高さが高くなり、オーバコート層等によっても表面に凹凸が生じ、セルギャップのバラツキが大きくなる等の問題が生じていた。これに対し、本発明においては、下地層に設けられた凹部に例えば遮光部材を形成する工程を具備するので、各ドットと該境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを軽減しコントラストの明瞭化を図ることができることとなる。
【００３５】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記凹部の底部に前記下地層が除かれた領域を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層が除かれているのでその分、例えば遮光部材の高さを低くでき各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００３６】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記凹部の底部の下地層が、他の領域の前記下地層よりも薄くなるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、下地層を凹部で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット間の境界領域とドットとの表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【００３７】
本発明の一の形態によれば、前記下地層を形成する工程は、前記基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層上で隣り合う前記ドット間の境界領域を除く領域に第２の絶縁層を形成する工程とを具備することを特徴とする。このような構成によれば、第１の絶縁層の形成において凹部を形成しなくても、第２の絶縁層の形成の際に凹部を形成できるので、第１の絶縁層を形成する工程での製造工程の簡略化を図れる。
【００３８】
本発明の一の形態によれば、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層は、樹脂材料を有することを特徴とする。このような構成によれば、下地層に用いられた樹脂材料が光を散乱させるので、表示を明るくすることができる。
【００３９】
本発明の一の形態によれば、前記下地層上に反射部材を形成する工程は、前記反射部材が、一部に開口部を有していることを特徴とする。このような構成によれば、反射型の電気光学装置だけでなく、半透過型電気光学装置においても各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できることとなる。
【００４０】
本発明の一の形態によれば、前記凹部を埋めるように遮光部材を形成する工程は、前記遮光部材の高さは、前記下地層の高さと略同様になるように形成することを特徴とする。このような構成によれば、遮光部材と下地層の高さが基板に対して略同様であるので、各ドットと隣り合うドット間の境界領域との表面の平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキ等を軽減できる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。尚、以下に実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置として、まず反射半透過型のパッシブマトリックス方式、同じく反射半透過型の能動素子としてＴＦＤ（二端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式及び能動素子としてＴＦＴ（三端子型スイッチング素子）を用いたアクティブマトリックス方式の液晶装置、また反射型のパッシブマトリックス方式の液晶装置及びそれらの液晶装置を用いた電子機器の例をあげて夫々説明する。
【００４２】
＜第１の実施形態＞
まず、本発明を反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第１実施形態について説明する。
【００４３】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２は図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図３は該液晶パネルの部分拡大図（図３におけるＡ−Ａ´線の断面図が図１に相当する。）、図４は完全に下地層が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図、図５は一部下地層が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図及び図６は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００４４】
液晶装置１０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル１０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００４５】
液晶パネル１０２は、図１に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板１０３を基体とするカラーフィルタ基板１０４と、これに対向する同様の第２基板１０５を基体とする対向基板１０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６との間に液晶が封入された液晶層１０７等により形成されている。
【００４６】
また、第１基板１０３の外面には位相差板１０８及び偏光板１０９が配置され、第２基板１０５の外面には位相差板１１０及び偏光板１１１が配置されている。
【００４７】
カラーフィルタ基板１０４は、図１、図２及び図３に示すように第１基板１０３の液晶層１０７側の表面には下地層１１２が形成され、その下地層１１２の表面に反射部材１１３、下地層１１２の表面に反射部材１１３が設けられた反射部１２５、反射部材１１３の開口部に設けられた透過部１２２、着色部材１１４（Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂ）及び隣り合う着色部材１１４の境界領域に設けられた遮光層１１５、更に該着色部材１１４及び遮光層１１５を保護するオーバコート層１１６が、またオーバコート層１１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極１１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜１１８が形成されている。
【００４８】
また、対向基板１０６には、図１及び図３に示すように第２基板１０５の液晶層１０７側の表面に、透明電極１１９が第１基板１０３側の透明電極１１７と直交する方向に（図３のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜１２０が形成されている。
【００４９】
透明電極１１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極１１９はこれと直交する方向に、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【００５０】
ここで、所定の第１基板１０３側の透明電極１１７と第２基板１０５側の透明電極１１９とで特定される領域がドット１２１となる。
【００５１】
カラーフィルタ基板１０４の下地層１１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成される。この下地層は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、さらにこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸状が形成される。また、この下地層１１２は、透過光を散乱させるものであり、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【００５２】
また、反射部材１１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層１１２上に形成されており、下地層１１２表面の凹凸により反射部材１１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射部材１１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【００５３】
更に反射部材１１３には、例えば図３に示すようにドット１２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部１２２となる。これによって、バックライト等のカラーフィルタ基板１０４から入射した光が液晶層１０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【００５４】
着色部材１１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板を通過したバックライト等による光を透過する透過部１２２と、この透過部１２２の周りの反射部材１１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）１１４Ｒ、Ｇ（緑）１１４Ｇ、Ｂ（青）１１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【００５５】
更に、着色部材４１４の配列パターンとして、図３では斜めモザイク配列（１１４Ｒ、１１４Ｇ及び１１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００５６】
遮光層１１５は、各ドット１２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極１１７の長手方向（図３のＹ方向）及びこれに直交する方向（図３のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【００５７】
また、遮光層１１５には例えば、例えば金属クロム、カーボンやチタンをフォトレジストに分散した樹脂ブラック、ニッケルなどの金属材料等のブラックマトリクスから形成されている。
【００５８】
更に、遮光層１１５は、図４に示すように隣り合うドット１２１間の境界領域の下地層１１２に設けられた凹部１２３で、第１の基板１０３の液晶層１０７側の面からの高さが、隣り合う着色部材１１４の表面と該遮光層１１５の略一致するように設けられている。
【００５９】
例えば、図４の隣り合う着色部材１１４の厚さをｈ１１、反射部材１１３の厚さをｈ１２、下地層１１２の厚さをｈ１３とすると、遮光層１１５の厚さをｈ１４と反射部材１１３の厚さをｈ１２との和をｈ１１、ｈ１２及びｈ１３の合計と略等しくなるように形成すれば、各ドット１２１と遮光層１１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【００６０】
更に、遮光層１１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図５に示すように凹部１２３の底部１２４で完全には下地層１１２が除かれていないような場合においても、凹部１２３の底部１２４の深さだけ遮光層１１５の高さが低くなる。
【００６１】
例えば、底部１２４における下地層１１２の厚さをｈ１５とすると、図５に示すように遮光層１１５の厚さｈ１４とｈ１２の和を着色部材１１４の厚さｈ１１、反射部材の厚さｈ１２、下地層１１２の厚さｈ１３の合計に略等しくなるように、遮光層１１５を形成することによって各ドット１２１と遮光層１１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【００６２】
なお、ドット１２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色部材１１４からなり、遮光層１１５により周囲を囲まれている領域であって反射部材１１３と透過部１２２を具備するものであり、１画素は着色部材１１４Ｒを有するドット１２１と着色部材１１４Ｇを有するドット１２１及び着色部材１１４Ｂを有するドット１２１で構成される。
【００６３】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板１０５に形成されている所定の透明電極１１９に信号を供給する一方、第１基板１０３側に形成されている所定の透明電極１１７に信号を供給すると、透明電極１１９と透明電極１１７とが交差する特定のドット１２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【００６４】
従って、例えば対向基板１０６側から液晶層１０７に入射した外光はドット１２１毎に光変調され、着色部材１１４を透過した後に反射部材１１３で反射し、再び対向基板１０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層１１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【００６５】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板１０３及び透過部１２２を通過して液晶層１０７に入射した後、該液晶層１０７によってドット１２１毎に光変調されて、透明電極１１９及び第２基板１０５を通過して射出されコントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【００６６】
更に射出光は、反射部材１１３及び透過部１２２を覆っている着色部材１１４（１１４Ｒ、１１４Ｇ、１１４Ｂ）により着色される。
【００６７】
本実施形態では、隣り合うドット１２１間の境界領域で凹部１２３を有するように下地層１１２を形成したので、着色部材１１４による例えば遮光層１１５の高さを低くでき、各ドット１２１と隣り合うドット１２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【００６８】
また、図５に示すように、凹部１２３が完全に取り除かれていない場合は、下地層１１２が第１の絶縁層１１２ａと該第１の絶縁層１１２ａ上に凹部１２３を有するように設けられた第２の絶縁層１１２ｂとからなる。このような場合においても、例えばオーバコート層１１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【００６９】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図６の製造工程図に基づいて説明する。
【００７０】
まず、図６に示すように第１基板１０３上に下地層１１２を形成する（ＳＴ１０１）。ここで遮光層１１５を形成するドット１２１間の境界領域では例えば、図１、図２及び図３のように下地層１１２に凹部１２３が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層１１２をエッチングし、形成する。
【００７１】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板１０３上に均一に樹脂材料をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。この後、エッチングして下地層１１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層１１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層１１２の下層が形成される。さらに、この下地層１１２の凹凸状が滑面になるように同じく樹脂材料を薄く塗布し、下地層１１２の上層が形成される。より塗布更にその下地層１１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層１１２に凹部１２３を形成し、遮光層１１５となる部分で下地層１１２が除かれた下地層１１２が第１基板１０３上に形成される（ＳＴ１０１）。
【００７２】
次に、下地層１１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図３のように各ドット１２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射部材１１３を形成する（ＳＴ１０２）。
【００７３】
また、凹部１２３が形成された下地層１１２上に反射部材１１３の上からカーボンブラック等を樹脂中に分散させた遮光材を塗布した後、写真蝕刻技術によってパターン化加工し下地層１１２の凹部１２３に遮光層１１５としてブラックマトリクスを形成する（ＳＴ１０３）。
【００７４】
更に形成された反射部材１１３及び開口部の上に各色の着色部材１１４をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色の着色部材１１４Ｂ、緑色の着色部材１１４Ｇ及び赤色の着色部材１１４Ｒを順次形成していく。
【００７５】
これによって、各ドット１２１には青色の着色部材１１４Ｂ、緑色の着色部材１１４Ｇ及び赤色の着色部材１１４Ｒが夫々単独で形成される（ＳＴ１０４）。
【００７６】
更に下地層１１２に凹部１２３が形成されている分、例えば遮光層１１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００７７】
次に、上述の着色部材１１４の上にオーバコート層１１６を形成し（ＳＴ１０５）、その上に透明電極１１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【００７８】
更にその上に配向膜１１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板１０４の製造が終了する（ＳＴ１０６）。これによって、配向膜１１８の液晶層１０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【００７９】
また、第２基板１０５上に透明電極１１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図３のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極１１９を形成する（ＳＴ１０７）。
【００８０】
更にその上に配向膜１２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板１０６の製造が終了する（ＳＴ１０８）。
【００８１】
次に、対向基板１０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板１０４と対向基板１０６とを貼り合わせる（ＳＴ１０９）。
【００８２】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ１１０）。更に、位相差板１０８，１１０及び偏光板１０９，１１１を第１基板１０３及び第２基板１０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ１１１）。
【００８３】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１に示すような液晶装置１０１が完成する。
【００８４】
本実施形態に係る液晶装置１０１の製造方法では、下地層１１２に凹部１２３が形成され、該凹部１２３を埋めるように遮光層１１５を設けるので、該遮光層１１５の高さを低くでき、オーバコート層１１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【００８５】
また、上述の液晶装置１０１の製造方法では凹部１２３で図４のように遮光層１１５となる領域で下地層１１２を全て取り除いたが、図５に示すように、例えばＳＴ１０１で下地層１１２を第１の絶縁層１１２ａ及び第２の絶縁層１１２ｂの２回に分けて形成し、凹部１２３を設けてもよい。１回目では遮光層１１５となるドット１２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層１１２ａを形成し上述の下地層１１２の下層と同様に凹凸を形成し、２回目の第２の絶縁層１１２ｂの形成では遮光層１１５となるドット１２１間の境界領域を除いて、各ドット１２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【００８６】
このような構成によれば、下地層１１２を凹部１２３で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット１２１間の境界領域とドット１２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層１１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【００８７】
更に、ハーフトーンを用いて凹部１２３を形成することも可能である。
【００８８】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として二端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ）を用いた液晶装置に適用した第２実施形態について説明する。
【００８９】
図７は本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図８は図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の概略断面図、図９は該液晶パネルの部分拡大図（図９におけるＢ−Ｂ´線及びＣ−Ｃ´の断面図が図７に相当する。）、図１０は完全に樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図、図１１は一部樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図及び図１２は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【００９０】
液晶装置２０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル２０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【００９１】
液晶パネル２０２は、図７に示すように第１基板２０３とこれに対向する第２基板２０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層２０７等により形成されている。
【００９２】
また、第１基板２０３の外面には位相差板２０８及び偏光板２０９が配置され、第２基板２０５の外面には位相差板２１０及び偏光板２１１が配置されている。
【００９３】
第１基板２０３の液晶層２０７側の表面には図７及び図８に示すように下地層２１２が形成され、その下地層２１２の表面に反射部材２１３が設けられた反射部２２５、下地層２１２の表面の反射部材２１３の開口部として透過部２２２、着色部材２１４（Ｒ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂ）及び境界領域に設けられた遮光層２１５、更に該着色部材２１４及び遮光層２１５を保護するオーバコート層２１６が、またオーバコート層２１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなるデータ線２２６が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜２１８が形成されている。
【００９４】
また、第２基板２０５の液晶層２０７側の表面にはマトリクス状に配列する複数の画素電極２２７と、各画素電極２２７の境界領域において上述したデータ線２２６と交差する方向（図９のＹ方向）に帯状に伸びる複数の走査線２２８と、該画素電極２２７及び走査線２２８に接続されたＴＦＤ２２９が配置され、その上には配向膜２２０が形成されている。
【００９５】
ここで、データ線２２６は所定の方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成され、複数のデータ線２２６が相互に並列してストライプ状に構成されており、該データ線２２６と画素電極２２７とによって特定される領域がドット２２１となる。
【００９６】
カラーフィルタ基板２０４の下地層２１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成される。この下地層は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、さらにこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸状が形成される。また、この下地層２１２は、透過光を散乱させるものであり、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【００９７】
反射部材２１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層２１２の上面に形成されており、下地層２１２表面の凹凸により反射部材２１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射部材２１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【００９８】
更に反射部材２１３には、例えば図９に示すようにドット２２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部２２２となる。これによって、バックライト等の第１基板２０３から入射した光が液晶層２０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【００９９】
着色部材２１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板２０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部２２２と、この透過部２２２の周りの反射部材２１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）２１４Ｒ、Ｇ（緑）２１４Ｇ、Ｂ（青）２１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１００】
遮光層２１５は、各ドット２２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第２基板の走査線２２８の長手方向（図９のＹ方向）及びこれに直交する方向（図９のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１０１】
また、遮光層２１５には図１０に示すように下地層２１２に凹部２２３が形成されており、凹部２２３の底部２２４は、第１基板２０３の上に反射部材２１３を介して形成されている。該遮光層２１５は、隣接する着色部材２１４と略同様の高さとなるように凹部２２３の反射部材２１３上に設けられている。
【０１０２】
例えば、図１０の隣り合う着色部材２１４の厚さをｈ２１、反射部材２１３の厚さをｈ２２、下地層２１２の厚さをｈ２３とすると、遮光層２１５の厚さをｈ２４と反射部材２１３の厚さをｈ２２との和をｈ２１、ｈ２２及びｈ２３の合計と略等しくなるように形成すれば、各ドット２２１と遮光層２１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０１０３】
更に、遮光層２１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１１に示すように凹部２２３の底部２２４で完全には下地層２１２が除かれていないような場合においても、凹部２２３の底部２２４の深さだけ遮光層２１５の高さが低くなる。
【０１０４】
例えば、底部２２４における下地層２１２の厚さをｈ２５とすると、図１１に示すように遮光層２１５の厚さｈ２４とｈ２２の和を着色部材２１４の厚さｈ２１、反射部材の厚さｈ２２、下地層２１２の厚さｈ２３の合計に略等しくなるように、遮光層２１５を形成することによって各ドット２２１と遮光層２１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０１０５】
なお、ドット２２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色部材２１４からなり、遮光層２１５により周囲を囲まれている領域であって反射部材２１３と透過部２２２を具備するものであり、１画素は着色部材２１４Ｒを有するドット２２１と着色部材２１４Ｇを有するドット２２１及び着色部材２１４Ｂを有するドット２２１で構成される。
【０１０６】
次に、画素電極２２７は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されており、当該画素電極２２７に隣り合う走査線２２８とは、ＴＦＤ２２９を介して接続されている。
【０１０７】
ＴＦＤ２２９は、例えば図７に示すように第２基板２０５の表面に成膜された下地層２３０の上に形成されている。
【０１０８】
また、ＴＦＤ２２９は第１金属層２３１と、該第１金属層２３１の表面に形成された絶縁膜２３２と、該絶縁膜２３２の上に形成された第２金属層２３３とによって構成されている。
【０１０９】
ここで、第１金属層２３１は例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成されており、走査線２２８に接続されている。
【０１１０】
また、絶縁膜２３２は例えば厚さが１０〜３５ｎｍ程度の酸化タンタル等によって形成されている。
【０１１１】
更に、第２金属層２３３は例えば、クロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されており、画素電極２２７に接続されている。
【０１１２】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板２０５に形成されている走査線２２８の夫々に走査信号を供給する一方、第１基板２０３側に形成されているデータ線２２６にデータ信号を供給すると、画素電極２２７とデータ線２２６とが対向する部分において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０１１３】
従って、例えば第２基板２０５及び画素電極２２７を通過して液晶層２０７に入射した外光は、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、反射部材２１３により反射され再び画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層２１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１１４】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板２０３及び透過部２２２を通過して液晶層２０７に入射した後、該液晶層２０７によってドット２２１毎に光変調され、画素電極２２７及び第２基板２０５を通過し射出されるが、この際例えばオーバコート層２１６が平坦なので、コントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【０１１５】
更に射出光は、反射部材２１３及び透過部２２２を覆っている着色部材２１４（２１４Ｒ、２１４Ｇ、２１４Ｂ）により着色される。
【０１１６】
本実施形態では、隣り合うドット２２１間の境界領域で凹部２２３を有するように下地層２１２を形成したので、遮光層２１５の高さを低くできる。これにより、着色部材２１４と遮光層２１５の高さを略同様にすることができる。
【０１１７】
また、図１１に示すように、凹部２２３が完全に取り除かれていない場合は、下地層２１２が第１の絶縁層２１２ａと該第１の絶縁層２１２ａ上に凹部２２３を有するように設けられた第２の絶縁層２１２ｂとからなる。このような場合においても、例えばオーバコート層２１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１１８】
更に、本実施形態ではＴＦＤ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、消費電力及び製造コストを低く抑えられる。
【０１１９】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１２の製造工程図に基づいて説明する。
【０１２０】
まず、図１２に示すように第１基板２０３上に下地層２１２を形成する（ＳＴ２０１）。ここで遮光層２１５を形成する各ドット２２１間の境界領域では例えば、図７及び図８のように下地層２１２に凹部２２３が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層２１２をエッチングする。
【０１２１】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板２０３上に均一に樹脂材料をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。この後、エッチングして下地層２１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層２１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層２１２の下層が形成される。さらに、この下地層２１２の凹凸状が滑面になるように同じく樹脂材料を薄く塗布し、下地層２１２の上層が形成される。更にその下地層２１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層２１２に凹部２２３を形成し、遮光層２１５となる部分で下地層２１２が除かれた下地層２１２が第１基板２０３上に形成される（ＳＴ２０１）。
【０１２２】
次に、下地層２１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図９のように各ドット２２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射部材２１３を形成する（ＳＴ２０２）。
【０１２３】
また、凹部２２３が形成された下地層２１２上に反射部材２１３の上からカーボンブラック等を樹脂中に分散させた遮光材を塗布した後、写真蝕刻技術によってパターン化加工し下地層２１２の凹部２２３に遮光層２１５としてブラックマトリクスを形成する（ＳＴ２０３）。
【０１２４】
更に形成された反射部材２１３及び開口部の上に各色の着色部材２１４をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色の着色部材２１４Ｂ、緑色の着色部材２１４Ｇ及び赤色の着色部材２１４Ｒを順次形成していく。
【０１２５】
これによって、各ドット２２１に着色部材２１４Ｂ、緑色の着色部材２１４Ｇ及び赤色の着色部材２１４Ｒが夫々単独で形成される（ＳＴ２０４）。
【０１２６】
更に下地層２１２に凹部２２３が形成されている分、例えば遮光層２１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１２７】
次に、上述の着色部材２１４の上にオーバコート層２１６を形成し（ＳＴ２０５）、その上にデータ線２２６の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図９のようにＸ方向に所定の幅をもってデータ線２２６をストライプ状に形成する。
【０１２８】
更にその上に配向膜２１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板２０３側の製造が終了する（ＳＴ２０６）。これによって、配向膜２１８の液晶層２０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０１２９】
また、第２基板２０５上にＴＦＤ、走査線及び画素電極を形成する（ＳＴ２０７）。
【０１３０】
ここで、ＴＦＤは第２基板２０５上にＴａ酸化物等を一様な厚さに成膜し下地層２３０を形成し、その上にＴａ等をスパッタリングによって一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法により走査線２２８と第１金属層２３１とを同時に形成する。このとき、走査線２２８と第１金属層２３１とはブリッジでつながっている。
【０１３１】
また、上述の第１金属層２３１に絶縁膜である酸化タンタル等を一様な厚さで成膜し絶縁膜２３２を形成して、更にその上にＣｒをスパッタリング等により一様な厚さで成膜し、フォトリソグラフィ法を利用して第２金属層２３３を形成する。
【０１３２】
次に、画素電極２２７の形成予定領域の下地層２３０を除去した後、ＩＴＯをスパッタリング等によって一様な厚さで成膜し、更にフォトリソグラフィ法等によって１ドットの大きさに相当する所定形状の画素電極２２７を一部が第２金属層２３３と重なるように形成する。これら一連の処理により、ＴＦＤ２２９及び画素電極２２７が形成される。
【０１３３】
更にその上に配向膜２２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板２０５側の製造が終了する（ＳＴ２０８）。
【０１３４】
次に、第２基板２０５側の配向膜２２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板２０３側と第２基板２０５側とを貼り合わせる（ＳＴ２０９）。
【０１３５】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ２１０）。更に、位相差板２０８，２１０及び偏光板２０９，２１１を第１基板２０３及び第２基板２０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ２１１）。
【０１３６】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図７に示すような液晶装置２０１が完成する。
【０１３７】
本実施形態に係る液晶装置２０１の製造方法では、着色部材２１４が重ねられる遮光層２１５で一番下層に青色の着色部材２１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮光層２１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１３８】
更に下地層２１２に凹部２２３が形成されている分、例えば遮光層２１５の高さを低くでき、オーバコート層２１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１３９】
また、上述の液晶装置２０１の製造方法では凹部２２３で図１０のように遮光層２１５となる領域で下地層２１２を全て取り除いたが、図１１に示すように、例えばＳＴ２０１で下地層２１２を第１の絶縁層２１２ａ及び第２の絶縁層２１２ｂの２回に分けて形成し、凹部２２３を設けてもよい。１回目では遮光層２１５となるドット２２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層２１２ａを形成し上述の下地層の２１２下層と同様に凹凸を形成し、２回目の第２の絶縁層２１２ｂの形成では遮光層２１５となるドット２２１間の境界領域を除いて、各ドット２２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【０１４０】
このような構成によれば、下地層２１２を凹部２２３で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット２２１間の境界領域とドット２２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層２１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【０１４１】
更に、ハーフトーンを用いて凹部２２３を形成することも可能である。
【０１４２】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明を反射半透過型のスイッチング素子として三端子型スイッチング素子であるＴＦＴ（Ｔｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた液晶装置に適用した第３実施形態について説明する。
【０１４３】
図１３は本発明の第３実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図１４は図１３の液晶パネルを構成する第１基板側の概略断面図、図１５は該液晶パネルの部分拡大図（図１５におけるＤ−Ｄ′線及びＥ−Ｅ′線の断面図が図１３に相当する。）、図１６は完全に樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図、図１７は一部樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図及び図１８は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【０１４４】
液晶装置３０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル３０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【０１４５】
液晶パネル３０２は、図１３に示すように第１基板３０３とこれに対向する第２基板３０５とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、その両基板間に液晶が封入された液晶層３０７等により形成されている。
【０１４６】
また、第１基板３０３の外面には位相差板３０８及び偏光板３０９が配置され、第２基板３０５の外面には位相差板３１０及び偏光板３１１が配置されている。
【０１４７】
第１基板３０３の液晶層３０７側の表面には図１３及び図１４に示すように下地層３１２が形成され、その下地層３１２の表面に、反射部材３１３、反射部材３１３の開口部である透過部３２２、下地層３１２の表面の反射部材２１３が設けられた反射部３２５、着色部材３１４（Ｒ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂ）及び境界領域に設けられた遮光層３１５、更に該着色部材３１４及び遮光層３１５を保護するオーバコート層３１６が、またオーバコート層３１６の上にはＩＴＯ等の透明伝導体からなる共通電極３３４が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜３１８が形成されている。
【０１４８】
次に、第２基板３０５の液晶層３０７側の表面には、マトリクス状に配列する複数の画素電極３２７と、各画素電極３２７の境界領域においてゲート配線３３５及びソース配線３３６とが直交するように配置され（ゲート配線３３５が図１５のＹ方向、ソース配線３３６がＸ方向）、その配線の交差部分付近にはＴＦＴ３３７が設けられ、更にその上には配向膜３２０が形成されている。
【０１４９】
ここで、共通電極３３４はオーバコート層３１６の表面全域に形成された面電極であり、ゲート配線３３５とソース配線３３６とによって囲まれる領域が、ドット３２１となる。
【０１５０】
カラーフィルタ基板３０４の下地層３１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成される。この下地層は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、さらにこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸状が形成される。また、この下地層３１２は、透過光を散乱させるものであり、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１５１】
反射部材３１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層３１２の上面に形成されており、下地層３１２表面の凹凸により反射部材３１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射部材３１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０１５２】
更に反射部材３１３には、例えば図１５に示すようにドット３２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部３２２となる。これによって、バックライト等の第１基板３０３から入射した光が液晶層３０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０１５３】
着色部材３１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板３０３を通過したバックライト等による光を透過する透過部３２２と、この透過部３２２の周りの反射部材３１３を覆うよう形成された原色系フィルタであってＲ（赤）３１４Ｒ、Ｇ（緑）３１４Ｇ、Ｂ（青）３１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０１５４】
遮光層３１５は、各ドット３２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に第２基板３０５のゲート配線３３５の長手方向（図１５のＹ方向）及びこれに直交する方向（図１５のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０１５５】
また、遮光層３１５には図１６に示すように下地層３１２に凹部３２３が形成されており、凹部３２３の底部３２４は、第１基板３０３の上に反射部材３１３を介して形成されている。該遮光層３１５は、隣接する着色部材３１４と略同様の高さとなるように凹部３２３の反射部材３１３上に設けられている。
【０１５６】
例えば、図１６の隣り合う着色部材３１４の厚さをｈ３１、反射部材３１３の厚さをｈ３２、下地層３１２の厚さをｈ３３とすると、遮光層３１５の厚さをｈ３４と反射部材３１３の厚さをｈ３２との和をｈ３１、ｈ３２及びｈ３３の合計と略等しくなるように形成すれば、各ドット３２１と遮光層３１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０１５７】
更に、遮光層３１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図１６に示すように凹部３２３の底部３２４で完全には下地層３１２が除かれていないような場合においても、凹部３２３の底部３２４の深さだけ遮光層３１５の高さが低くなる。
【０１５８】
例えば、底部３２４における下地層３１２の厚さをｈ３５とすると、図１７に示すように遮光層３１５の厚さｈ３４とｈ３２の和を着色部材３１４の厚さｈ３１、反射部材の厚さｈ３２、下地層３１２の厚さｈ３３の合計に略等しくなるように、遮光層３１５を形成することによって各ドット３２１と遮光層３１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０１５９】
なお、ドット３２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色部材３１４からなり、遮光層３１５により周囲を囲まれている領域であって反射部材３１３と透過部３２２を具備するものであり、１画素は着色部材３１４Ｒを有するドット３２１と着色部材３１４Ｇを有するドット３２１及び着色部材３１４Ｂを有するドット３２１で構成される。
【０１６０】
次に、ＴＦＴ３３７は、第２基板３０５上に形成されたゲート電極３３８と、このゲート電極３３８の上で第２基板３０５の全域に形成されたゲート絶縁膜３３９と、このゲート絶縁膜３３９を挟んでこのゲート電極３３８の上方位置に形成された半導体層３４０と、その半導体層３４０の一方側にコンタクト電極３４１を介して形成されたソース電極３４２と、更に半導体層３４０の他方の側にコンタクト電極３４１を介して形成されたドレイン電極３４３とを有する。
【０１６１】
ここで、ゲート電極３３８はゲート配線３３５に接続され、ソース電極３４２はソース配線３３６に接続されている。ゲート配線３３５は第２基板３０５の平面方向に伸びていて縦方向（図１５のＹ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１６２】
また、ソース配線３３６はゲート絶縁膜３３９を挟んでゲート配線３３５と交差するように第２基板３０５の平面方向に伸びていて横方向（図１５のＸ方向）へ等間隔で平行に複数本形成されている。
【０１６３】
画素電極３２７は、互いに交差するゲート配線３３５とソース配線３３６とによって区画される方形領域のうち、ＴＦＴ３３７に対応する部分を除いた領域を覆うように構成され、例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体により形成されている。
【０１６４】
更に、ゲート配線３３５とゲート電極３３８とは例えば、クロム、タンタル等によって形成され、ゲート絶縁膜３３９は例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）等によって形成される。又、ソース電極３４２及びそれと一体的なソース配線３３６並びにドレイン電極３４３は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって成形されている。
【０１６５】
以上のように構成された本実施形態において、第１基板３０３に形成されている共通電極３３４に信号を提供する一方、第２基板３０５に形成されているゲート配線３３５とソース配線３３６に信号を提供すると、ドット３２１毎に画素電極３２７が選択され、この選択された画素電極３２７と共通電極３３４との間に保持される液晶のみが、電圧が印加されることによって液晶の配向が制御され、反射光及び透過光が変調される。
【０１６６】
従って、例えば第２基板３０５及び画素電極３２７を通過して液晶層３０７に入射した外光は、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、反射部材３１３により反射され、再び画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０１６７】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板３０３及び透過部３２２を通過して液晶層３０７に入射した後、該液晶層３０７によってドット３２１毎に光変調され、画素電極３２７及び第２基板３０５を通過し射出されるが、その際例えばオーバコート層３１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることができる。
【０１６８】
更に射出光は、反射部材３１３及び透過部３２２を覆っている着色部材３１４（３１４Ｒ、３１４Ｇ、３１４Ｂ）により着色される。
【０１６９】
本実施形態では、隣り合うドット３２１間の境界領域で凹部３２３を有するように下地層３１２を形成したので、着色部材３１４による例えば遮光層３１５の高さを低くでき、各ドット３２１と隣り合うドット３２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０１７０】
本実施形態では、隣り合うドット３２１間の境界領域で凹部３２３を有するように下地層３１２を形成したので、遮光層３１５の高さを低くできる。これにより、着色部材３１４と遮光層３１５の高さを略同様にすることができる。
【０１７１】
また、図１７に示すように、凹部３２３が完全に取り除かれていない場合は、下地層３１２が第１の絶縁層３１２ａと該第１の絶縁層３１２ａ上に凹部３２３を有するように設けられた第２の絶縁層３１２ｂとからなる。このような場合においても、例えばオーバコート層３１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０１７２】
更に、本実施形態ではＴＦＴ型のアクティブマトリックス方式であるため画面が明るくて見やすく、コントラストを更に強くできる。
【０１７３】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図１８の製造工程図に基づいて説明する。
【０１７４】
まず、図１８に示すように第１基板３０３上に下地層３１２を形成する（ＳＴ３０１）。ここで遮光層３１５を形成する各ドット３２１間の境界領域では例えば、図１３及び図１４のように下地層３１２に凹部３２３が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層３１２をエッチングする。
【０１７５】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板３０３上に均一に樹脂材料をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。この後、エッチングして下地層３１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層３１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層３１２の下層が形成される。さらに、この下地層３１２の凹凸状が滑面になるように同じく樹脂材料を薄く塗布し、下地層３１２の上層が形成される。更にその下地層３１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層３１２に凹部３２３を形成し、遮光層３１５となる部分で下地層３１２が除かれた下地層３１２が第１基板３０３上に形成される（ＳＴ３０１）。
【０１７６】
次に、下地層３１２上にアルミニウム等を蒸着法やスパッタリング法等によって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図１５のように各ドット３２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射部材３１３を形成する（ＳＴ３０２）。
【０１７７】
また、凹部３２３が形成された下地層３１２上に反射部材３１３の上からカーボンブラック等を樹脂中に分散させた遮光材を塗布した後、写真蝕刻技術によってパターン化加工し下地層３１２の凹部３２３に遮光層３１５としてブラックマトリクスを形成する（ＳＴ３０３）。
【０１７８】
又、形成された反射部材３１３及び開口部の上に各色の着色部材をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色の着色部材３１４Ｂ、緑色の着色部材３１４Ｇ及び赤色の着色部材３１４Ｒを順次形成していく。
【０１７９】
これによって、各ドット３２１には青色の着色部材３１４Ｂ、緑色の着色部材３１４Ｇ及び赤色の着色部材３１４Ｒが夫々単独で形成される（ＳＴ３０４）。
【０１８０】
更に下地層３１２に凹部３２３が形成されている分、該凹部３２３に対して遮光層３１５を埋めるように設けるので、着色部材３１４と遮光層３１５が略同様の高さとなる。つまり、この後に形成されるオーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１８１】
次に、上述の着色部材３１４の上にオーバコート層３１６を形成し（ＳＴ３０５）、その上に共通電極３３４の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングしてオーバコート層３１６の上面に共通電極３３４を形成する。
【０１８２】
更にその上に配向膜３１８を形成し、ラビング処理を施して第１基板３０３側の製造が終了する（ＳＴ３０６）。これによって、配向膜３１８の液晶層３０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０１８３】
また、第２基板３０５上にＴＦＴ、ゲート配線、ソース配線及び画素電極等を形成する（ＳＴ３０７）。
【０１８４】
ここで、ＴＦＴは第２基板３０５上に例えば、スパッタリングによってクロム、タンタル等を一様な厚さで成膜して、フォトリソグラフィ法によりパターニングしてゲート配線３３５及びそれと一体的なゲート電極３３８を形成し、更に例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３３９を形成する。
【０１８５】
次に、例えば半導体層３４０となるａ−Ｓｉ層とコンタクト電極３４１となるｎ＋型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成し、更に形成されたｎ＋型ａ−Ｓｉ層及びａ−Ｓｉ層のパターニングを行って半導体層３４０及びコンタクト電極３４１とを形成すると共に、ゲート絶縁膜３３９上の画素電極３２７となる部分にＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして画素電極３２７を形成する。
【０１８６】
また、第２基板３０５の表面の全域に例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等をスパッタリングによって形成し、パターニングを行ってソース電極３４２、ドレイン電極３４３及びソース配線３３６を形成する。
【０１８７】
これら一連の処理により、ＴＦＴ３３７及び画素電極３２７が形成される。
【０１８８】
更にその上に配向膜３２０を形成し、ラビング処理を施して第２基板３０５側の製造が終了する（ＳＴ３０８）。
【０１８９】
次に、第２基板３０５側の配向膜３２０上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述の第１基板３０３側と第２基板３０５側とを貼り合わせる（ＳＴ３０９）。
【０１９０】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ３１０）。更に、位相差板３０８、３１０及び偏光板３０９、３１１を第１基板３０３及び第２基板３０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ３１１）。
【０１９１】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１３に示すような液晶装置３０１が完成する。
【０１９２】
本実施形態に係る液晶装置３０１の製造方法では、着色部材３１４が重ねられる遮光層３１５において一番下層に青色の着色部材３１４Ｂを配置することとしたので、最も厚く形成され遮光性を上げながら、例えば遮光層３１５全体としての厚さを薄くできる。
【０１９３】
更に下地層３１２に凹部３２３が形成されている分、例えば遮光層３１５の高さを低くでき、オーバコート層３１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０１９４】
また、上述の液晶装置３０１の製造方法では凹部３２３で図１６のように遮光層３１５となる領域で下地層３１２を全て取り除いたが、図１７に示すように、例えばＳＴ３０１で下地層３１２を第１の絶縁層３１２ａ及び第２の絶縁層３１２ｂの２回に分けて形成し、凹部３２３を設けてもよい。１回目では遮光層３１５となるドット３２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層３１２ａを形成し上述の下地層３１２の下層と同様に凹凸を形成し、２回目の第２の絶縁層３１２ｂの形成では遮光層３１５となるドット３２１間の境界領域を除いて、各ドット３２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【０１９５】
このような構成によれば、下地層３１２を凹部３２３で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット３２１間の境界領域とドット３２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層３１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【０１９６】
更に、ハーフトーンを用いて凹部３２３を形成することも可能である。
【０１９７】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明を反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第４実施形態について説明する。
【０１９８】
図１９は本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２０は図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図２１は該液晶パネルの部分拡大図（図２１におけるＡ−Ａ´線の断面図が図１９に相当する。）、図２２は完全に樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図、図２３は一部樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図及び図２４は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【０１９９】
液晶装置４０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル４０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【０２００】
液晶パネル４０２は、図１９に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板４０３を基体とするカラーフィルタ基板４０４と、これに対向する同様の第２基板４０５を基体とする対向基板４０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６との間に液晶が封入された液晶層４０７等により形成されている。
【０２０１】
また、第１基板４０３の外面には位相差板４０８及び偏光板４０９が配置され、第２基板４０５の外面には位相差板４１０及び偏光板４１１が配置されている。
【０２０２】
カラーフィルタ基板４０４は、図１９、図２０及び図２１に示すように第１基板４０３の液晶層４０７側の表面には下地層４１２が形成され、その下地層４１２の表面に反射部材４１３、該下地層４１２の表面に反射部材４１３が設けられた反射部４２５、反射部材４１３の開口部に設けられた透過部４２２、着色部材４１４（Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂ）及び隣り合う着色部材１１４の境界領域に設けられた遮光層４１５、更に該着色部材４１４及び遮光層４１５を保護するオーバコート層４１６が、またオーバコート層４１６の上にはＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明伝導体からなる透明電極４１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜４１８が形成されている。
【０２０３】
また、対向基板４０６には、図１９及び図２１に示すように第２基板４０５の液晶層４０７側の表面に、透明電極４１９が第１基板側の透明電極４１７と直交する方向に（図２１のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜４２０が形成されている。
【０２０４】
透明電極４１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極４１９はこれと直交する方向に、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【０２０５】
ここで、所定の第１基板側の透明電極４１７と第２基板側の透明電極４１９とで特定される領域がドット４２１となる。
【０２０６】
カラーフィルタ基板４０４の下地層４１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成される。この下地層は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、さらにこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸状が形成される。また、この下地層４１２は、透過光を散乱させるものであり、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０２０７】
また、反射部材４１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層４１２上に形成されており、下地層４１２表面の凹凸により反射部材４１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射部材４１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０２０８】
更に反射部材４１３には、例えば図２１に示すようにドット４２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部４２２となる。これによって、バックライト等のカラーフィルタ基板４０４から入射した光が液晶層４０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０２０９】
着色部材４１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板を通過したバックライト等による光を透過する透過部４２２と、この透過部４２２の周りの反射部材４１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）４１４Ｒ、Ｇ（緑）４１４Ｇ、Ｂ（青）４１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０２１０】
また、着色部材４１４の配列パターンとして、図２１では斜めモザイク配列（４１４Ｒ、４１４Ｇ及び４１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０２１１】
遮光層４１５は、各ドット４２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極４１７の長手方向（図３のＹ方向）及びこれに直交する方向（図３のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０２１２】
また、遮光層４１５は例えば、金属クロム、カーボンやチタンをフォトレジストに分散した樹脂ブラック、ニッケル等の金属材料等のブラックマトリクスから形成されている。
【０２１３】
更に遮光層４１５は、図２２に示すように隣り合うドット４２１間の境界領域の下地層４１２に形成された凹部４２３で、第１基板４０３の液晶層４０７側の面からの高さが、隣り合う着色部材４１４の表面と該遮光層４１５の表面とで略一致するように反射部材２１３面上に形成されており、遮光層４１５の上部は隣り合う着色部材４１４の領域に張り出すように設けられている。
【０２１４】
例えば、隣り合う着色部材４１４の厚さをｈ４１、反射部材４１３の厚さをｈ４２、下地層４１２の厚さをｈ４３とすると、遮光層４１５の厚さｈ４４と反射部材４１３の厚さｈ４２との和をｈ４１、ｈ４２及びｈ４３の合計と略等しくなるように遮光層４１５を形成すれば、各ドット４２１と遮光層４１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０２１５】
また、凹部４２３に隣り合う着色部材４１４の領域に張り出すように遮光層４１５が形成されているので、着色部材４１４からの漏れ光をより遮光することができる。
【０２１６】
更に、遮光層１１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図２３に示すように凹部４２３の底に形成された底部４２４で完全には下地層４１２が除かれていないような場合においても、凹部４２３の底部４２４の深さだけ遮光層４１５の高さが低くなる。
【０２１７】
例えば、底部４２４における下地層４１２の厚さをｈ４５とすると、図２３に示すように遮光層４１５の厚さｈ４４とｈ４２の和を着色部材４１４の厚さｈ４１、反射部材４１３の厚さｈ４２、下地層４１２の厚さｈ４３の合計に略等しくなるように、遮光層４１５を形成することによって各ドット４２１と遮光層４１５との表面の平坦性が確保され、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０２１８】
なお、ドット４２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色部材４１４からなり、遮光層４１５により周囲を囲まれている領域であって反射部材４１３と透過部４２２を具備するものであり、１画素は着色部材４１４Ｒを有するドット４２１と着色部材４１４Ｇを有するドット４２１及び着色部材４１４Ｂを有するドット４２１で構成される。
【０２１９】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板４０５に形成されている所定の透明電極４１９に信号を供給する一方、第１基板４０３側に形成されている所定の透明電極４１７に信号を供給すると、透明電極４１９と透明電極４１７とが交差する特定のドット４２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０２２０】
従って、例えば対向基板４０６側から液晶層４０７に入射した外光はドット４２１毎に光変調され、着色部材４１４を透過した後に反射部材４１３で反射し、再び対向基板４０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層４１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０２２１】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板４０３及び透過部４２２を通過して液晶層４０７に入射した後、該液晶層４０７によってドット４２１毎に光変調されて、透明電極４１９及び第２基板４０５を通過して射出されコントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【０２２２】
更に射出光は、反射部材４１３及び透過部４２２を覆っている着色部材４１４（４１４Ｒ、４１４Ｇ、４１４Ｂ）により着色される。
【０２２３】
本実施形態では、隣り合うドット４２１間の境界領域で凹部４２３を有するように下地層４１２を形成し、その凹部４２３に遮光層４１５を設けたので、遮光層４１５の高さを低くでき、各ドット４２１と隣り合うドット４２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。これにより、例えば、オーバコート層４１６の平坦性が確保でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり表示画面のコントラストの明瞭化が図れる。
【０２２４】
更に遮光層４１５の上部を隣り合う着色部材４１４に張り出すように形成したので、着色部材からの漏れ光をより遮光できることとなる。
【０２２５】
また、図２３に示すように、凹部４２３が完全に取り除かれていない場合は、下地層４１２が第１の絶縁層４１２ａと該第１の絶縁層４１２ａ上に凹部４２３を有するように設けられた第２の絶縁層４１２ｂとからなる。このような場合においても、例えばオーバコート層４１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２２６】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図２４の製造工程図に基づいて説明する。
【０２２７】
まず、図２４に示すように第１基板４０３上に下地層４１２を形成する（ＳＴ４０１）。ここで遮光層４１５を形成するドット４２１間の境界領域では例えば、図１９、図２０及び図２１のように下地層４１２に凹部４２３が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層４１２をエッチングし、形成する。
【０２２８】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板４０３上に均一に樹脂材料をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。この後、エッチングして下地層４１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層４１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層４１２の下層が形成される。さらに、この下地層４１２の凹凸状が滑面になるように同じく樹脂材料を薄く塗布し、下地層４１２の上層が形成される。更にその下地層４１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層４１２に凹部４２３を形成し、遮光層４１５となる部分で下地層４１２が除かれた下地層４１２が第１基板４０３上に形成される（ＳＴ４０１）。
【０２２９】
次に、下地層４１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図２１のように各ドット４２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射部材４１３を形成する（ＳＴ４０２）。
【０２３０】
また、凹部４２３が形成された下地層４１２上に反射部材４１３の上からカーボンブラック等を樹脂中に分散させた遮光材を塗布した後、写真蝕刻技術によってパターン加工し下地層４１２の凹部４２３に遮光層４１５としてのブラックマトリクスを形成する（ＳＴ４０３）。
【０２３１】
更に形成された反射部材４１３及び開口部の上に各色の着色部材４１４をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色の着色部材４１４Ｂ、緑色の着色部材４１４Ｇ及び赤色の着色部材４１４Ｒを順次形成していく。
【０２３２】
これによって、各ドット４２１に青色の着色部材４１４Ｂ、緑色の着色部材４１４Ｇ及び赤色の着色部材４１４Ｒが夫々単独で形成される（ＳＴ４０４）。
【０２３３】
更に下地層４１２に凹部４２３が形成されている分、例えば遮光層４１５の高さを低くでき、この後に形成されるオーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２３４】
次に、上述の着色部材４１４の上にオーバコート層４１６を形成し（ＳＴ４０５）、その上に透明電極４１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【０２３５】
更にその上に配向膜４１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板４０４の製造が終了する（ＳＴ４０６）。これによって、配向膜４１８の液晶層４０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２３６】
また、第２基板４０５上に透明電極４１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２１のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極４１９を形成する（ＳＴ４０７）。
【０２３７】
更にその上に配向膜４２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板４０６の製造が終了する（ＳＴ４０８）。
【０２３８】
次に、対向基板４０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板４０４と対向基板４０６とを貼り合わせる（ＳＴ４０９）。
【０２３９】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ４１０）。更に、位相差板４０８，４１０及び偏光板４０９，４１１を第１基板４０３及び第２基板４０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ４１１）。
【０２４０】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図１９に示すような液晶装置４０１が完成する。
【０２４１】
本実施形態に係る液晶装置４０１の製造方法では、下地層４１２に凹部４２３が形成されている分、例えば遮光層４１５の高さを低くでき、オーバコート層４１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２４２】
また、上述の液晶装置４０１の製造方法では凹部４２３で図２２のように遮光層４１５となる領域で下地層４１２を全て取り除いたが、図２３に示すように、例えばＳＴ４０１で下地層４１２を第１の絶縁層４１２ａ及び第２の絶縁層４１２ｂの２回に分けて形成し、凹部４２３を設けてもよい。１回目では遮光層４１５となるドット４２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層４１２ａを形成し上述の下地層の４１２下層と同様に凹凸を形成し、２回目の第２の絶縁層４１２ｂの形成では遮光層４１５となるドット４２１間の境界領域を除いて、各ドット４２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【０２４３】
このような構成によれば、下地層４１２を凹部４２３で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット４２１間の境界領域とドット４２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層４１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【０２４４】
更に、ハーフトーンを用いて凹部４２３を形成することも可能である。
【０２４５】
＜第５の実施形態＞
まず、本発明を反射半透過型のパッシブマトリックス方式の液晶装置に適用した第５実施形態について説明する。
【０２４６】
図２５は本発明の第５の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図、図２６は図２５の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図、図２７は該液晶パネルの部分拡大図（図２７におけるＡ−Ａ´線の断面図が図２５に相当する。）、図２８は完全に樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図、図２９は一部樹脂散乱部材が取り除かれた遮光層の部分断面拡大図及び図３０は本実施形態に係る液晶装置の製造方法についての製造工程図である。
【０２４７】
液晶装置５０１は、いわゆる反射半透過型の構造を有する液晶パネル５０２と、必要に応じ（図示しない）バックライトやフロントライト等の照明装置及びケース体等により構成される。
【０２４８】
液晶パネル５０２は、図２５に示すようにガラス板又は合成樹脂板等から形成された透明な第１基板５０３を基体とするカラーフィルタ基板５０４と、これに対向する同様の第２基板５０５を基体とする対向基板５０６とがシール材（図示せず）を介して貼り合わせられ、そのカラーフィルタ基板５０４と対向基板５０６との間に液晶が封入された液晶層５０７等により形成されている。
【０２４９】
また、第１基板５０３の外面には位相差板５０８及び偏光板５０９が配置され、第２基板５０５の外面には位相差板５１０及び偏光板５１１が配置されている。
【０２５０】
カラーフィルタ基板５０４は、図２５、図２６及び図２７に示すように第１基板５０３の液晶層５０７側の表面には下地層５１２が形成され、その下地層５１２の表面に反射部材５１３、下地層５１２の表面に反射部材５１３が設けられた反射部５２５、反射部材５１３の開口部に設けられた透過部５２２、着色部材５１４（Ｒ（赤）５１４Ｒ、Ｇ（緑）５１４Ｇ、Ｂ（青）５１４Ｂ）及び境界領域に設けられた遮光層５１５、更に該着色部材１１４及び遮光層５１５を保護するオーバコート層５１６が、またオーバコート層５１６の上にはＩＴＯ等の透明伝導体からなる透明電極５１７が形成されており、更にその上にポリイミド樹脂等からなる配向膜５１８が形成されている。
【０２５１】
また、対向基板５０６には、図２５及び図２７に示すように第２基板５０５の液晶層５０７側の表面に、透明電極５１９が第１基板側の透明電極５１７と直交する方向に（図２７のＸ方向）伸びる帯状に形成され、更にその上には配向膜５２０が形成されている。
【０２５２】
透明電極５１７は、相互に並列してストライプ状に構成されており、透明電極５１９はこれと直交する方向に、相互に並列してストライプ状に構成されている。
【０２５３】
ここで、所定の第１基板側の透明電極５１７と第２基板側の透明電極５１９とで特定される領域がドット５２１となる。
【０２５４】
カラーフィルタ基板５０４の下地層５１２は樹脂材料からなり、図に示すように下層及び上層の２層で形成される。この下地層は、下層の表面が細かい凹凸状に加工され、さらにこの下層の表面全体に同材料の薄い上層で被覆されるので、滑らかな凹凸状が形成される。また、この下地層５１２は、透過光を散乱させるものであり、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０２５５】
また、反射部材５１３は、例えばアルミニウムや銀等の単体金属膜であって下地層５１２上に形成されており、下地層５１２表面の凹凸により反射部材５１３の表面にも細かい凹凸が形成されている。これによって、反射部材５１３によって反射された反射光も散乱させることができ、表示された画面の像が見難くなるという問題が解消できる。
【０２５６】
更に反射部材５１３には、例えば図２７に示すようにドット５２１のほぼ中央に略菱形の開口部が形成されており、この開口部が透過部５２２となる。これによって、バックライト等のカラーフィルタ基板５０４から入射した光が液晶層１０７へ透過できることとなる。なお、開口部はこの例の形に限られるものでなく円孔或は複数の開口部であっても良い。
【０２５７】
着色部材５１４は例えば、顔料又は染料等の着色剤を含む感光性樹脂からなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ法によって、第１基板を通過したバックライト等による光を透過する透過部５２２と、この透過部５２２の周りの反射部材５１３を覆うよう形成された原色系フィルタであって、Ｒ（赤）５１４Ｒ、Ｇ（緑）５１４Ｇ、Ｂ（青）５１４Ｂの３色のいずれかで構成されている。
【０２５８】
更に、着色部材４１４の配列パターンとして、図３では斜めモザイク配列（５１４Ｒ、５１４Ｇ及び５１４Ｂ）を採用しているが、この斜めモザイク配列の他に、ストライプ配列又はデジタル配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【０２５９】
遮光層５１５は、各ドット５２１間の境界領域の遮光を行うためのもので、その境界領域に、第１基板の透明電極５１７の長手方向（図２７のＹ方向）及びこれに直交する方向（図２７のＸ方向）に伸びる帯状に形成されている。
【０２６０】
また、遮光層５１５には例えば、例えば金属クロム、カーボンやチタンをフォトレジストに分散した樹脂ブラック、ニッケルなどの金属材料等のブラックマトリクスから形成されている。
【０２６１】
さらに、図２８に示すように下地層５１２に凹部５２３が形成されており、凹部５２３の底部５２４は、第１基板５０３の直ぐ上に反射部材５１３を介して設けられている。該遮光層５１５は、隣接する着色部材５１４よりも僅かに高くなるように凹部５２３の反射部材５１３上に設けられている。
【０２６２】
例えば、図２８の隣り合う着色部材５１４の厚さをｈ５１、反射部材５１３の厚さをｈ５２、下地層５１２の厚さをｈ５３とすると、遮光層５１５の厚さをｈ５４と反射部材５１３の厚さをｈ５２との和をｈ５１、ｈ５２及びｈ５３の合計より僅かに高くなるように形成する。このように下地層５１２及び該下地層５１２上に設けられた着色部材５１４の境界領域である凹部５２３に遮光層５１５を後から設けることにより、僅かに高くなり、確実に遮光することができる。また、遮光層５１５と着色部材５１４との表面は微差であるので平坦性が依然確保されたままであり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０２６３】
更に、遮光層５１５は、上述の構成に限られることはなく、例えば図２８に示すように凹部５２３の底部５２４で完全には下地層５１２が除かれていないような場合においても、凹部５２３の底部５２４の深さだけ遮光層５１５の高さが低くなる。
【０２６４】
例えば、底部５２４における下地層５１２の厚さをｈ５５とすると、図２９に示すように遮光層５１５の厚さｈ５４とｈ５２の和を着色部材５１４の厚さｈ５１、反射部材の厚さｈ５２、下地層５１２の厚さｈ５３より僅かに高くなるように遮光層５１５を形成する。これによって、凹部５２３に設けられた遮光層５１５が確実に遮光することができる。また、遮光層５１５と着色部材５１４との表面は微差であるので平坦性が依然確保されたままであり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理が容易となり、画面表示のコントラストが良くなる。
【０２６５】
なお、ドット５２１は例えば、原色系フィルタＲＧＢのいずれか１の着色部材５１４からなり、遮光層５１５により周囲を囲まれている領域であって反射部材５１３と透過部５２２を具備するものであり、１画素は着色部材５１４Ｒを有するドット５２１と着色部材５１４Ｇを有するドット５２１及び着色部材５１４Ｂを有するドット５２１で構成される。
【０２６６】
以上のように構成された本実施形態において、第２基板５０５に形成されている所定の透明電極５１９に信号を供給する一方、第１基板５０３側に形成されている所定の透明電極５１７に信号を供給すると、透明電極５１９と透明電極５１７とが交差する特定のドット５２１において保持されている液晶のみを駆動することができる。
【０２６７】
従って、例えば対向基板５０６側から液晶層５０７に入射した外光はドット５２１毎に光変調され、着色部材５１４を透過した後に反射部材５１３で反射し、再び対向基板５０６を透過して射出されるが、この際例えばオーバコート層５１６が平坦なのでコントラストの明瞭な画像を見ることができることとなる。
【０２６８】
また、バックライト装置等から射出された光も第１基板５０３及び透過部５２２を通過して液晶層５０７に入射した後、該液晶層５０７によってドット５２１毎に光変調されて、透明電極５１９及び第２基板５０５を通過して射出されコントラストの明瞭な画像を見ることができる。
【０２６９】
更に射出光は、反射部材５１３及び透過部５２２を覆っている着色部材５１４（５１４Ｒ、５１４Ｇ、５１４Ｂ）により着色される。
【０２７０】
本実施形態では、隣り合うドット５２１間の境界領域で凹部５２３を有するように下地層５１２を形成したので、着色部材５１４による例えば遮光層５１５の高さを低くでき、各ドット５２１と隣り合うドット５２１間の境界領域との表面の平坦性を確保できる。
【０２７１】
また、図２９に示すように、凹部５２３が完全に取り除かれていない場合は、下地層５１２が第１の絶縁層５１２ａと該第１の絶縁層５１２ａ上に凹部５２３を有するように設けられた第２の絶縁層５１２ｂとからなる。このような場合においても、例えばオーバコート層５１６の上面の凹凸を軽減でき、セルギャップのバラツキの改善やラビング処理が容易となり、表示画面のコントラストの改善が図れる。
【０２７２】
（液晶装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について図６の製造工程図に基づいて説明する。
【０２７３】
まず、図３０に示すように第１基板５０３上に下地層５１２を形成する（ＳＴ５０１）。ここで遮光層５１５を形成するドット５２１間の境界領域では例えば、図２５、図２６及び図２７のように下地層５１２に凹部５２３が形成されるように、フォトレジストを用いて下地層５１２をエッチングし、形成する。
【０２７４】
これについてもう少し詳しく説明すると、第１基板５０３上に均一に樹脂材料をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。この後、エッチングして下地層５１２に複数の穴を形成する。次に、この下地層５１２に対し熱を加えることにより、これらの穴を滑らかに変形させて凹凸状の下地層５１２の下層が形成される。さらに、この下地層５１２の凹凸状が滑面になるように同じく樹脂材料を薄く塗布し、下地層５１２の上層が形成される。更にその下地層５１２上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして下地層５１２に凹部５２３を形成し、遮光層５１５となる部分で下地層５１２が除かれた下地層５１２が第１基板５０３上に形成される（ＳＴ５０１）。
【０２７５】
次に、下地層５１２上に蒸着法やスパッタリング法等によってアルミニウム等を薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることによって、例えば図２７のように各ドット５２１の略中央に菱形の開口部を設けると共に、それ以外の領域に反射部材５１３を形成する（ＳＴ５０２）。
【０２７６】
又、形成された反射部材５１３及び開口部の上に各色の着色部材５１４をスピンコートにより塗布し、更にその上にレジストを塗布して、その後所定のパターンが形成されているフォトマスクの上から露光してレジストを現像処理する。その後、エッチングして青色の着色部材５１４Ｂ、緑色の着色部材５１４Ｇ及び赤色の着色部材５１４Ｒを順次形成していく。
【０２７７】
これによって、各ドット５２１には青色の着色部材５１４Ｂ、緑色の着色部材５１４Ｇ及び赤色の着色部材５１４Ｒが夫々単独で形成される（ＳＴ５０３）。
【０２７８】
また、凹部５２３が形成された下地層５１２上に反射部材５１３の上からカーボンブラック等を樹脂中に分散させた遮光材を塗布した後、写真蝕刻技術によってパターン化加工し下地層５１２の凹部５２３に遮光層５１５としてブラックマトリクスを該着色部材５５４より僅かに高くなるように形成する（ＳＴ５０４）。
【０２７９】
下地層５１２と該樹脂散乱層５１２上の着色部材５１４により凹部５２３が形成され、該凹部５２３を埋めるように遮光層５１５を設ける。これによって、遮光層５１５の厚みを確保して遮光性を高めながら、遮光層５１５と着色部材５１４の平坦性も確保することができる。
【０２８０】
次に、上述の着色部材５１４の上にオーバコート層５１６を形成し（ＳＴ５０５）、その上に透明電極５１７の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２７のようにＹ方向に所定の幅を持ってストライプ状に形成する。
【０２８１】
更にその上に配向膜５１８を形成し、ラビング処理を施してカラーフィルタ基板５０４の製造が終了する（ＳＴ５０６）。これによって、配向膜５１８の液晶層５０７側の面も平坦性が確保され、セルギャップのバラツキも解消でき、画面の高画質化が図られることとなる。
【０２８２】
また、第２基板５０５上に透明電極５１９の材料であるＩＴＯ等をスパッタリング法により被着し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして図２７のようにＸ方向にストライプ状に、透明電極５１９を形成する（ＳＴ５０７）。
【０２８３】
更にその上に配向膜５２０を形成し、ラビング処理を施して対向基板５０６の製造が終了する（ＳＴ５０８）。
【０２８４】
次に、対向基板５０６上にギャップ材（図示せず）をドライ散布等により散布し、シール材を介して上述のカラーフィルタ基板５０４と対向基板５０６とを貼り合わせる（ＳＴ５０９）。
【０２８５】
その後、シール材の開口部から液晶を注入し、シール材の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する（ＳＴ５１０）。更に、位相差板５０８，５１０及び偏光板５０９，５１１を第１基板５０３及び第２基板５０５の各外面上に貼着等の方法により取り付ける（ＳＴ５１１）。
【０２８６】
最後に必要な配線や照明装置及びケース体等を取り付けて、図２５に示すような液晶装置５０１が完成する。
【０２８７】
本実施形態に係る液晶装置５０１の製造方法では、下地層５１２に凹部５２３が形成され、該凹部５２３を埋めるように遮光層５１５を設けるので、該遮光層５１５の高さを低くでき、オーバコート層５１６表面の平坦性を確保できることとなり、セルギャップのバラツキの軽減やラビング処理によってコントラストの明瞭化を図ることができる。
【０２８８】
また、上述の液晶装置５０１の製造方法では凹部５２３で図２８のように遮光層５１５となる領域で下地層５１２を全て取り除いたが、図２９に示すように、例えばＳＴ５０１で下地層５１２を第１の絶縁層５１２ａ及び第２の絶縁層５１２ｂの２回に分けて形成し、凹部５２３を設けてもよい。１回目では遮光層５１５となるドット５２１間の境界領域を含めて全面に第１の絶縁層５１２ａを形成し上述の下地層の５１２下層と同様に凹凸を形成し、２回目の第２の絶縁層５１２ｂの形成では遮光層５１５となるドット５２１間の境界領域を除いて、各ドット５２１にフォトレジストを用いてエッチングして形成することもできる。
【０２８９】
このような構成によれば、下地層５１２を凹部５２３で完全に除いてしまうと却って、隣り合うドット５２１間の境界領域とドット５２１との表面の平坦性が損なわれるような場合にも、所望の厚さで下地層５１２を形成して平坦性を確保でき、セルギャップのバラツキを少なくできる他、ラビング処理も容易となる。
【０２９０】
更に、ハーフトーンを用いて凹部５２３を形成することも可能である。
【０２９１】
＜電子機器＞
次に、上述した液晶装置を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
【０２９２】
図３１は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機６００は、複数の操作ボタン６００ａの他、受話口６００ｂ、送話口６００ｃを有する外枠に、液晶装置１０１が組み込まれてなる。この液晶装置１０１は、例えば上述した実施形態に示した液晶装置を用いて構成できる。
【０２９３】
図３２は本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すコンピュータ７００は、キーボード７００ａを備えた本体部７００ｂと、液晶表示ユニット７００ｃとから構成されている。液晶表示ユニット７００ｃは外枠に液晶装置１が組み込まれてなり、この液晶装置１０１は、例えば上述した実施形態に示した液晶装置を用いて構成できる。
【０２９４】
図３３は、本発明に係る電子機器の更に他の実施形態であるデジタルスチルカメラを示している。通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ８００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）などといった撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。
【０２９５】
ここで、デジタルスチルカメラ８００のケース８００ａの背面には、液晶装置が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成となっている。このため、液晶装置１は、被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケース８００ａの前面側（図３３に示す構造の裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット８００ｂが設けられている。液晶装置１０１は、例えば上述した実施形態に示した液晶装置１０１を用いて構成できる。撮影者は、液晶装置１０１に表示された被写体を確認して、シャッタボタン８００ｃを押下して撮影を行う。
【０２９６】
図３４は、腕時計９００であり、本体の前面中央に液晶装置１０１を用いた表示部が設けられている。
【０２９７】
図３５は、液晶装置が搭載されたタッチパネルを備えた機器１０００である。タッチパネルを備えた機器１０００は液晶装置１０１を搭載しており、液晶装置１０１の一部を構成する液晶パネルにより表示が行われる液晶表示領域１０００ａと、図面上この液晶表示領域１０００ａの下部に位置する入力用シート１０００ｂが配置された第１入力領域１０００ｃとを有している。液晶装置１０１は矩形状の液晶パネルと矩形状の入力パネルとしてのタッチパネルとが平面的に重なり合う構造を有しており、タッチパネルが液晶パネルよりも大きく、タッチパネルは液晶パネルの一端部から突き出した形状となっている。
【０２９８】
液晶表示領域１０００ａ及び第１入力領域１０００ｃにはタッチパネルが配置されており、液晶表示領域１０００ａに対応する領域も、第１入力領域１０００ｃと同様に入力操作可能な第２入力領域１０００ｄとして機能する。タッチパネルは、液晶パネル側に位置する第２面とこれと対向する第１面とを有しており、第１面の第１入力領域１０００ｃに相当する位置には入力用シート１０００ｂが貼られている。入力用シート１０００ｂにはアイコン１０００ｅ及び手書き文字認識領域１０００ｆを識別するための枠が印刷されており、第１入力領域１０００ｃにおいては、アイコン１０００ｅの選択や文字認識領域１０００ｆでの文字入力を、入力用シート１０００ｂを介してタッチパネルの第１面を指やペンなどの入力手段で荷重をかけることにより行い、データ入力などを実施することができる。一方、第２入力領域１０００ｄにおいては、液晶パネルの像を観察することができるほか、後述する液晶パネルに例えばモードを表示させ、この表示されるモードの選択をタッチパネルの第１面を指やペンで荷重をかけることによってデータ入力などを実施することができる。
【０２９９】
さらに、液晶装置を、電子機器としてのプロジェクタのライトバルブに用いた例について説明する。図３６は、プロジェクタ１１００の構成例を示す平面図である。
【０３００】
図に示されるように、プロジェクタ１１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０１が設けられている。このランプユニット１１０１から射出された投射光は、ライトガイド１１０２内に配置された４枚のミラー１１０３及び２枚のダイクロイックミラー１１０４によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１Ｒ、１Ｂ及び１Ｇに入射される。
【０３０１】
液晶装置１Ｒ、１Ｂ及び１Ｇは、上述した液晶装置であり、液晶駆動用ＩＣを介して供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１０５に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１０５においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１０６を介して、スクリーンなどにカラー画像が投射されることとなる。
【０３０２】
なお、電子機器としては、他に液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２】図１の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図４】図１の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図５】図１の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図８】図７の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１０】図７の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図１１】図７の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図１４】図１３の液晶パネルを構成する液晶装置用基板である第１基板側の該略断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図１６】図１３の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図１７】図１３の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図１９】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２０】図１９の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図である。
【図２１】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図２２】図１９の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図２３】図１９の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図２４】本発明の第４の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの概略断面図である。
【図２６】図２５の液晶パネルを構成する液晶装置用基板であるカラーフィルタ基板の概略断面図である。
【図２７】本発明の第５の実施形態に係る液晶装置を構成する液晶パネルの部分拡大図である。
【図２８】図２５の液晶パネルで完全に下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図２９】図２５の液晶パネルで一部下地層が取り除かれた遮光層の部分拡大図である。
【図３０】本発明の第５の実施形態に係る液晶装置の製造方法の製造工程図である。
【図３１】本発明の液晶装置を携帯電話機に応用した構成を示す平面図である。
【図３２】本発明の液晶装置をモバイル型のパーソナルコンピュータに応用した構成を示す平面図である。
【図３３】本発明の液晶装置をデジタルスチルカメラに応用した構成を示す平面図である。
【図３４】本発明の液晶装置を腕時計に応用した構成を示す平面図である。
【図３５】本発明の液晶装置をタッチパネルを備えた機器に応用した構成を示す平面図である。
【図３６】本発明の液晶装置をプロジェクタに応用した構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１　液晶装置
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２　液晶パネル
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３　第１基板
１０４、４０４　カラーフィルタ基板
１０５、２０５、３０５、４０５、５０５　第２基板
１０６、４０６　対向基板
１０７、２０７、３０７、４０７、５０７　液晶層
１１２、２１２、３１２、４１２、５１２　下地層
１１３、２１３、３１３、４１３、５１３　反射部材
１１４、２１４、３１４、４１４、５１４　着色部材
１１５、２１５、３１５、４１５、５１５　遮光層
１１６、２１６、３１６、４１６、５１６　オーバコート層
１２１、２２１、３２１、４２１、５２１　ドット
１２２、２２２、３２２、４２２、５２２　透過部
１２３、２２３、３２３、４２３、５２３　凹部
１２４、２２４、３２４、４２４、５２４　底部
２２９　ＴＦＤ
３３７　ＴＦＴ
６００　携帯電話機
７００　コンピュータ
８００　デジタルスチルカメラ
９００　腕時計
１０００　タッチパネルを備えた機器
１１００　プロジェクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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