(57)【要約】【課題】  接続電極を半田付けしたときの接続強度が高い磁電変換素子を提供する。【解決手段】  本発明の磁電変換素子は、接続電極を磁気抵抗効果膜を形成する基板の裏面に、電極ペ−ストを用いて厚膜形成技術により形成した。このように形成した接続電極は、その厚さが厚いので回路基板に半田付け接続するときに、接続電極が半田により浸食されにくく、接続強度が向上する。【選択図】  図１
2004312045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一，第二の面を有する基板の第二の面に金属ペーストを印刷し、焼き付けにより厚膜裏面電極を形成する工程と、
前記厚膜裏面電極が形成された基板の第一の面に、樹脂層を介して、端部電極が形成された磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜が形成された基板を１チップづつに分割し、前記端部電極を前記基板の端面に露出させる工程と、
前記１チップに分割された基板の端面に薄膜の端面電極を形成し、前記厚膜裏面電極と前記端部電極とを電気的に接続する工程を有する磁電変換素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造方法によって得られる磁電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
外部磁場に対して抵抗値が変化する性質を応用した磁電変換素子の製造方法に関し、より詳しくは厚膜裏面電極に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の磁電変換素子を図２に示す断面図を用いて説明する。
【０００３】
従来の磁電変換素子２０は、図示するように、磁場に対して電気抵抗値が変化するＩｎＳｂ等からなる磁気抵抗効果膜１を有し、磁気抵抗効果膜１の一方の面には、両端にそれぞれ端部電極３、３が形成され、中央部に電気伝導性の高い複数個の短絡膜２、２．．．２が断続的に形成されている。
磁気抵抗効果膜１の一方の面が、磁性体からなる基板４に、樹脂層５により接着され、磁気抵抗効果膜１の他方の面には、保護膜８が形成されている。
さらに基板４の端面および裏面には端部電極３、３と接続する端面電極６、６が形成されている。
【０００４】
なお磁気抵抗効果膜１は、ＩｎＳｂ等が薄膜形成技術によって形成されている。短絡膜２、２．．．２は、電気伝導性の高いＴｉとＡｌにより同じく薄膜形成技術により形成されている。端部電極３、３は短絡膜２、２．．．２と同一の材料により、短絡膜２、２．．．２と同様に形成されている。端面電極６、６はＡｇがスパッタリング法等の薄膜形成技術を用いて形成されている。保護膜８はポリイミドを塗布乾燥して形成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら従来の磁電変換素子２０は、端面電極６、６を端面から裏面にかけて、スパッタリングなどの薄膜形成技術により一つの工程で形成していたので、電極厚さが薄いため、半田付けなどにより他の部品と接続するときに半田に電極材料が拡散するという半田浸食により、接着強度が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、端面電極に接続する厚膜裏面電極を基板に厚膜形成技術により形成することにより、他の部品と厚膜裏面電極を介して信頼性の高い半田付け接続ができる磁電変換素子を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の磁電変換素子の製造方法は、第一，第二の面を有する基板の第二の面に金属ペーストを印刷し、焼き付けにより厚膜裏面電極を形成する工程と、前記厚膜裏面電極が形成された基板の第一の面に、樹脂層を介して、端部電極が形成された磁気抵抗効果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜が形成された基板を１チップづつに分割し、前記端部電極を前記基板の端面に露出させる工程と、前記１チップに分割された基板の端面に薄膜の端面電極を形成し、前記厚膜裏面電極と前記端部電極とを電気的に接続する工程を有することを特徴とする。また、本発明の磁電変換素子は、上述の製造方法によって得られることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の磁電変換素子は、外部と接続するための厚膜裏面電極を、基板の磁気抵抗効果膜が形成された面と反対側の面に、厚膜形成技術により形成している。
したがって磁電変換素子を半田付けにより他の部品と接続するときに接続電極が半田で浸食されないので、接着強度の高い信頼性の高い磁電変換素子を得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施の形態を図１を用いて、以下に説明する。図１は本実施例の磁電変換素子１０の断面図である。なお従来の磁電変換素子例と同一の部分については同一の符号を用いその説明を省略する。
【００１０】
磁電変換素子１０は、図１に示すように、例えばＩｎＳｂからなる磁気抵抗効果膜１を有しており、磁気抵抗効果膜１の一方の面には、両端にそれぞれ端部電極３、３が形成されるとともに、中央部に電気伝導性の高い例えばＴｉとＡｌの２種の材料からなる短絡膜２、２．．．２が断続的に多数個形成されている。端部電極３、３と、短絡膜２、２．．．２とは同一の材料により形成されている。磁気抵抗効果膜１の一方の面が、磁性体からなる基板４の第一の面に樹脂層５により接着されている。磁気抵抗効果膜１の他方の面には保護膜８が形成されている。基板４の第二の面には、Ａｇを主成分とする金属ペ−ストからなる厚膜裏面電極７、７が形成されている。基板４の端面には端部電極３、３と厚膜裏面電極７、７とを電気的に接続するための端面電極６、６が形成されている。
【００１１】
厚膜裏面電極７、７はＡｇを主成分とする金属ペ−ストが、あらかじめ基板４の主面の全面に印刷し焼き付けられた後、端面を基準にしてエッチングにより形成されている。この基板にやはり端面を基準にして磁気抵抗効果膜を形成するので、接続電極と磁気抵抗効果膜との相互の位置が精度よく定まる。この厚膜裏面電極７、７はその形状にスクリ−ン印刷され、焼き付けられてもよい。この基板４を、１チップづつに分割し端部電極３、３を端面に露出させた後、スパッタリング法により、端面にＮｉ／Ａｇ薄膜を形成し、端部電極３、３と厚膜裏面電極７、７とを電気的に接続する。
【００１２】
なお本発明の磁電変換素子の厚膜裏面電極を形成するために用いられる電極ペ−ストは、その主成分の導電性金属粉末としてＰｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉなどさまざまな金属材料を用いることができる。
【００１３】
さらに本発明の磁電変換素子に形成される厚膜裏面電極は、印刷乾燥するだけで電極として機能する材料により形成されてもよい。
【００１４】
さらにまた本発明の磁電変換素子に形成される連結電極は、スパッタリング法の他、蒸着法で形成しても良く、モネルおよびＡｇや、あるいはＮｉＣｒおよび半田などの他の電極材料により形成されてもよい。
【００１５】
さらにまた本実施例の磁電変換素子を構成する磁気抵抗効果膜の形成方法は、ＩｎＳｂを蒸着して基板に形成する薄膜形成技術を用いてもよいし、あるいはＩｎＳｂのバルクを基板に接着した後、研削およびフォトリソグラフィ−法により磁気抵抗効果膜に形成してもよい。
【００１６】
さらにまた本発明の磁電変換素子に形成される保護膜は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などのほかの樹脂で形成されてもよいし、シリカや窒化ケイ素などの無機材料をスパッタリング法により形成してもよい。
【００１７】
さらにまた保護膜の上に、いわゆるフェライトトップと呼ばれる磁性体基板が接着されてもよい。さらに基板４は、磁性体だけでなく、アルミナなどの非磁性体基板を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一つの実施の形態に係る磁電変換素子の構造を示す断面図である。
【図２】従来の磁電変換素子の断面図である。
【符号の説明】
【００１９】
１                                      磁気抵抗効果膜
２                                      短絡膜
３                                      端部電極
４                                      基板
５                                      樹脂層
６                                      端面電極
７                                      厚膜裏面電極
８                                      保護膜
１０、２０                              磁電変換素子
【図１】
2004312045.tif 000003
【図２】
2004312045.tif 000004