(57)【要約】【課題】光反射膜として形成した銀系の薄膜と下地との密着性を向上させた電気光学装置、それを用いた電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半透過反射型電気光学装置のＴＦＴアレイ基板１０を製造する際、シリコン酸化膜や感光性樹脂からなる上層側凹凸形成膜７ａの表面に、膜厚が５ｎｍ〜２００ｎｍのアルミニウムなどからなる下地形成膜１５、および膜厚が５０ｎｍ〜４００ｎｍの銀系の薄膜８を連続して形成した後、レジストマスク５５７を介して銀系の薄膜８、および下地形成膜１５にエッチングを行い、所定領域に下地膜１５ａおよび光反射膜８ａを残す。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を保持する基板に反射モードでの表示を可能とする光反射膜を備えた電気光学装置において、
前記光反射膜は、銀系の薄膜から成るとともに、
前記光反射膜の下層側には、当該光反射膜と同一形状にパターニングされた下地膜が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記光反射膜は、膜厚が５０ｎｍ〜４００ｎｍの銀系の薄膜から成ることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記下地膜は、金属あるいは金属化合物の薄膜から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３において、前記下地膜は、膜厚が５ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記下地膜は、アルミニウム、アルミニウム合金あるいはアルミニウム化合物の薄膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項３または４において、前記下地膜は、チタン、チタン合金あるいはチタン化合物の薄膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項３または４において、前記下地膜は、クロム、クロム合金あるいはクロム化合物の薄膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項３または４において、前記下地膜は、銅、銅合金あるいは銅化合物の薄膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項３または４において、前記下地膜は、ＩＴＯ膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、前記基板上には、マトリクス状に構成された複数の画素の各々に、複数の凹凸が表面に分散した状態に形成された感光性樹脂層からなる凹凸形成膜が形成され、当該凹凸形成膜の表面に前記下地膜および前記光反射膜がこの順に積層されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、前記基板を第１の基板とし、該第１の基板に対して第２の基板を対向配置させて当該基板間に前記電気光学物質としての液晶を保持してなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに規定する電気光学装置を表示部として備えてなることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
電気光学物質を保持する基板に反射モードでの表示を可能とする光反射膜を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記基板の表面側に下地形成膜を形成した後、該下地形成膜の上に銀系の薄膜を積層し、
しかる後に、前記下地形成膜および前記銀系の薄膜をパターニングして、前記銀系の薄膜によって前記光反射膜を形成するとともに、前記光反射膜の下層側に、前記下地形成膜によって前記光反射膜と同一のパターニング形状の下地膜を形成することを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学物質を保持する基板に反射モードでの表示を可能とする光反射膜を備えた反射型あるいは半透過反射型の電気光学装置、それを用いた電子機器、および当該電気光学装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置などの電気光学装置は、各種機器の直視型の表示装置として用いられている。このような電気光学装置のうち、外光による反射モードでの表示が可能な反射型あるいは半透過反射型の液晶装置では、液晶パネルの裏面側に反射板を配置するか、あるいは、液晶を保持する基板上に画素電極と重なる領域に光反射膜を形成する必要がある。
【０００３】
これらいずれの場合も、反射モードでの表示光量を確保するには、反射面での反射率が高いことが求められる。このため、従来は、下層側にアルミニウム層を形成し、このアルミニウム層の上層に膜厚が５ｎｍ〜５０ｎｍの銀系の薄膜を形成した反射板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶を保持する基板上に光反射膜を形成する場合には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの無機絶縁膜、あるいは感光性樹脂からなる光散乱用の凹凸形成膜の表面に光反射膜としての銀系の薄膜を形成している。
【０００５】
【特許文献１】
特開平７−６３９０８号公報（第３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板の全面に銀系の薄膜を形成すればよい反射板と違って、液晶を保持する基板上に銀系の薄膜からなる光反射膜を形成する場合には、銀系の薄膜と、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいは感光性樹脂との密着性が低いことが原因で、銀系の薄膜をパターニングして光反射膜を形成する際にサイドエッチングが進行し、パターニング形状がばらつくという問題点がある。また、光反射膜が剥離するという問題点もある。しかも、銀系の薄膜によって光反射膜を形成する場合に、膜厚を５０ｎｍ以上にしないと、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいは感光性樹脂地の影響を受けて反射率が低下する傾向にあるが、このような分厚い銀系の薄膜の場合には、サイドエッチングや剥離などの問題がより発生しやすくなる。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、光反射膜として形成した銀系の薄膜と下地との密着性を向上させた電気光学装置、それを用いた電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、電気光学物質を保持する基板に反射モードでの表示を可能とする光反射膜を備えた電気光学装置において、前記光反射膜は、銀系の薄膜から成るとともに、前記光反射膜の下層側には、当該光反射膜と同一形状にパターニングされた下地膜が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
すなわち、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記基板の表面側に下地形成膜を形成した後、該下地形成膜の上に銀系の薄膜を積層し、しかる後に、前記下地形成膜および前記銀系の薄膜をパターニングして、前記銀系の薄膜によって前記光反射膜を形成するとともに、前記光反射膜の下層側に、前記下地形成膜によって前記光反射膜と同一のパターニング形状の下地膜を形成することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、液晶を保持する基板上において、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいは感光性樹脂などの表面側に銀系の薄膜からなる光反射膜を形成する前に下地膜を形成しておく。このため、銀系の薄膜と、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいは感光性樹脂との密着性が低いことに起因する不具合、例えば、サイドエッチングの進行や剥離などの不具合が発生しない。また、下地膜の形成によって、銀系の薄膜とシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいは感光性樹脂との密着性の問題を解消したので、銀系の薄膜の膜厚を５０ｎｍ以上にしてもサイドエッチングや剥離などの問題が発生しない。それ故、銀系の薄膜からなる光反射膜は、下地の影響を受けることなく、高い反射率を有することになる。さらに、下地膜を追加するといっても、下地形成膜と銀系の薄膜とを同一形状にパターニングすればよいので、そのパターニングマスクを形成するためのマスクやフォトリソグラフィ工程を追加する必要がない。
【００１１】
本発明において、前記光反射膜の膜厚は、例えば、５０ｎｍ〜４００ｎｍである。銀系の薄膜からなる光反射膜の膜厚が５０ｎｍ以上であれば、下地の影響を受けることなく、高い反射率を得ることができる。また、銀系の薄膜からなる光反射膜の膜厚が４００ｎｍを超えると、高価な銀材料の使用量が増大するだけであり、反射率がこれ以上、高くなることがないので無駄である。
【００１２】
本発明において、前記下地膜は、例えば、金属あるいは金属化合物の薄膜から構成される。この場合、前記下地膜の膜厚は、例えば、５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００１３】
本発明において、前記下地膜としては、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム化合物、チタン、チタン合金、チタン化合物、クロム、クロム合金、クロム化合物、銅、銅合金、銅化合物、ＩＴＯ膜などの薄膜を用いることができる。
【００１４】
本発明は、前記基板上において、マトリクス状に構成された複数の画素の各々に、複数の凹凸が表面に分散した状態に形成された感光性樹脂層からなる凹凸形成膜が形成され、当該凹凸形成膜の表面に前記下地膜および前記光反射膜がこの順に積層されている場合に効果的である。すなわち、このような構成の電気光学装置の場合には、感光性樹脂層の表面側に銀系の薄膜からなる光反射膜を形成することになり、感光性樹脂層の表面に銀系の薄膜を直接、形成すると、銀系の薄膜の下地（感光性樹脂層）との密着性が著しく低いが、本発明では、感光性樹脂層の表面に下地層を形成してから銀系の薄膜を形成するので、このような密着性の低さによる不具合を回避することができる。
【００１５】
本発明においては、前記基板を第１の基板とし、該第１の基板に対して第２の基板を対向配置させて当該基板間に前記電気光学物質としての液晶を保持させて電気光学装置を構成する。
【００１６】
このような電気光学装置は、例えば、携帯電話機あるいはモバイルコンピュータなどといった電子機器の表示部として用いられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、全反射型の電気光学装置、および半透過反射型の電気光学装置のいずれにも、適用できるが、半透過反射型の電気光学装置に本発明を適用した例を説明する。
【００１８】
（半透過反射型電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明を適用した半透過反射型電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、半透過反射型電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１９】
図１および図２において、本形態の半透過反射型電気光学装置１００（液晶装置）は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学物質としての液晶５０が挟持されている。シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が形成されている。
【００２０】
なお、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド、ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。なお、半透過反射型電気光学装置１００では、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略してある。
【００２１】
また、半透過反射型電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の各画素電極（後述する）に対向する領域に、後述するＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ層をその保護膜とともに形成する。
【００２２】
このような構造を有する半透過反射型電気光学装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００２３】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として半透過反射型電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００２４】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い半透過反射型電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００２５】
（ＴＦＴアレイ基板１０の構成）
図４は、本形態の半透過反射型電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図、および光反射膜の光透過穴周辺を拡大して示す断面図である。
【００２６】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、画素電極９ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１ａの延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極に、走査線３ｂと同層の容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００２７】
図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、画素１００ａのＡ−Ａ′線における断面は、ＴＦＴアレイ基板１０の基体たる透明な基板１０′の表面に、厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。
【００２８】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００２９】
第２層間絶縁膜５の上層には、感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａ、およびポリシラザンや感光性樹脂などからなる上層側凹凸形成膜７ａがこの順に形成されている。
【００３０】
上層側凹凸形成膜７ａの表面には、後述する下地膜１５ａが形成され、この下地膜１５ａの上層には、反射モードでの表示を行うための銀あるいは銀合金（銀系の薄膜）からなる光反射膜８ａが形成されている。また、光透過膜８ａには、透過モードでの表示を行うための光透過穴８ｄが形成されている。ここで、光反射膜８ａの膜厚は、５０ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００３１】
光反射膜８ａの上層には、ＩＴＯ膜からなる透明な画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。また、画素電極９ａは、上層側凹凸形成膜７ａおよび第２層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。ここで、光反射膜８ａおよび下地膜１５ａは、コンタクトホール５ｂ内には形成されていないが、画素電極９ａに電気的に接しており、実質、画素電極９ａおよびコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している状態にある。
【００３２】
画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００３３】
また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００３４】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００３５】
また、本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することが出来る。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００３６】
（凹凸パターン８ｇの構成）
図４および図５（Ａ）、（Ｂ）において、ＴＦＴアレイ基板１０では、各画素１００ａの反射領域には、光反射膜８ａの表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域から外れた領域（光反射膜形成領域）には、凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた光散乱用の凹凸パターン８ｇが形成されている。
【００３７】
このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａが第２層間絶縁膜５の表面に複数の柱状突起（凹凸）として所定の分布をもって形成され、この下層側凹凸形成膜１３ａの上層には、ポリシラザンや感光性樹脂などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる上層側凹凸形成膜７ａが積層されている。このため、反射膜８ａおよび下地膜１５ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸に対応する凹凸パターン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇでは、上層側凹凸形成膜７ａによって、下層側凹凸形成膜１３ａのエッジなどが出ないようになっている。
【００３８】
なお、上層側凹凸形成膜７ａを形成せずに、下層側凹凸形成膜１３ａを形成した後、ベーク工程を行うことにより、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸（孔１３ｂ）の縁を滑らかにすることもある。
【００３９】
ここで、下層側凹凸形成膜１３ａにおいて凹凸を形成する柱状突起は、円形、あるいは略多角形の平面形状を有している。
【００４０】
（対向基板２０の構成）
図５（Ａ）、（Ｂ）において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３、およびＲ、Ｂ、Ｇに対応するカラーフィルタ層２５が形成され、その上層側には、保護膜（図示せず）、およびＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００４１】
（下地膜１５ａの構成）
このように構成した半透過反射型電気光学装置１００において、本形態では、光反射膜８ａは、銀あるいは、銀−パラジウム−銅などの銀合金からなる薄膜（銀系の薄膜）から構成されている。また、光反射膜８ａの下層には、光反射膜８ａと同一のパターニング形状の下地膜１５ａが形成されており、この下地膜１５ａは、光反射膜８ａと完全に重なっている。
【００４２】
このような下地膜１５ａは、銀系の薄膜からなる光反射膜８ａと、ポリシラザンや感光性樹脂などといった流動性材料から形成された絶縁膜からなる上層側凹凸形成膜７ａとの密着性の低さを解消するためのものである。本形態では、画素電極９ａの電気的な抵抗を低減することなどを目的に、光反射膜８ａおよび下地膜１５ａと画素電極９ａとを電気的に接続させているので、下地膜１５ａは導電性材料から形成されている。
【００４３】
さらに具体的には、下地膜１５ａは、例えば、膜厚が５ｎｍ〜２００ｎｍのアルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム化合物、チタン、チタン合金、窒化チタンなどのチタン化合物、クロム、クロム合金、クロム化合物、銅、銅合金、銅化合物、あるいはＩＴＯ膜から構成されている。
【００４４】
なお、下地膜１５ａとして、導電性のものを用いた場合には、下層側にＩＴＯ膜からなる画素電極９ａを形成し、この画素電極９ａの上層に下地膜１５ａおよび光反射膜８ａをこの順に形成してもよい。
【００４５】
（動作）
このように構成した半透過反射型の電気光学装置１００において、光反射膜８ａには光透過穴８ｄが形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０の背面側に配置されたバックライト装置（図示せず）から出射された光は、ＴＦＴアレイ基板１０の光透過穴８ｄを透過して液晶層に入射して対向基板２０の側から出射することにより透過モードでカラー画像を表示する。
【００４６】
また、対向基板２０側から入射した外光をＴＦＴアレイ基板１０側の光反射膜８ａで反射して対向基板２０側から出射することにより、反射モードでカラー画像を表示する。
【００４７】
（ＴＦＴアレイ基板１０の製造方法）
本形態に係るＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図６および図７を参照して説明する。
【００４８】
図６および図７はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１１の製造方法を示す工程断面図であり、いずれの図においても、ＴＦＴ形成領域、および光反射膜形成領域の断面を示してある。
【００４９】
なお、本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたって、ＴＦＴ３０などの製造工程は、いわゆる低温プロセスと称せられる方法が採用され、このような方法については、すでに周知であるため、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の特徴と関連する工程のみを説明する。
【００５０】
本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたっては、図６（Ａ）に示すように、ガラス製等の基板１０′の表面にＴＦＴ３０を形成した以降、第２層間絶縁膜５にコンタクトホール５ｂを形成する。
【００５１】
次に、第２層間絶縁膜５の表面に、有機系の感光性樹脂１３を厚めに塗布した後、感光性樹脂１３を露光マスク５１０を介して露光する。ここで、感光性樹脂１３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図６（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去したい部分に対して、露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。
【００５２】
次に、露光した感光性樹脂１３を現像して、図６（Ｂ）に示すように、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に、図５（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明した柱状突起、、およびコンタクトホール５ｂを備えた下層側凹凸形成膜１３ａを形成する。
【００５３】
次に、図６（Ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜５および下層側凹凸形成膜１３ａの表面側に、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物を塗布した後、焼成して、あるいは有機系樹脂からなる流動性材料７を塗布した後、図６（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してのパターニング、あるいは露光、現像により、コンタクトホール５ｂを備えた上層側凹凸形成膜７ａを形成する。
【００５４】
なお、ペルヒドロポリシラザンとは無機ポリシラザンの一種であり、大気中で焼成することによってシリコン酸化膜に転化する塗布型コーティング材料である。たとえば、東燃（株）製のポリシラザンは、−（ＳｉＨ２  ＮＨ）−を単位とする無機ポリマーであり、キシレンなどの有機溶剤に可溶である。従って、この無機ポリマーの有機溶媒溶液（たとえば、２０％キシレン溶液）を塗布液としてスピンコート法（たとえば、２０００ｒｐｍ、２０秒間）で塗布した後、４５０℃の温度で大気中で焼成すると、水分や酸素と反応し、ＣＶＤ法で成膜したシリコン酸化膜と同等以上の緻密な非晶質のシリコン酸化膜を得ることができる。
【００５５】
ここで、上層側凹凸形成膜７ａは、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成される。
【００５６】
なお、上層側凹凸形成膜７ａを形成せずに、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇを形成する場合には、図６（Ｂ）に示す状態でベーク工程を行って、下層側凹凸形成膜１３ａの縁を滑らかな形状にすればよい。
【００５７】
次に、図６（Ｅ）に示すように、スパッタ法などによって、下層側凹凸形成膜１３ａの表面に、アルミニウム、アルミニウム合金、アルミニウム化合物、チタン、チタン合金、窒化チタンなどのチタン化合物、クロム、クロム合金、クロム化合物、銅、銅合金、銅化合物、あるいはＩＴＯ膜からなる下地形成膜１５（下地膜１５ａを形成するための薄膜）を５ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で形成する。
【００５８】
続いて、同一のチャンバー内で、図６（Ｆ）に示すように、スパッタ法などによって、上層側凹凸形成膜７ａの表面に膜厚が５０ｎｍ〜４００ｎｍの銀系の薄膜８を形成する。
【００５９】
次に、図７（Ａ）に示すように、銀系の薄膜８の表面に対して、レジストマスク５５７を形成する。
【００６０】
次に、レジストマスク５５７を介して銀系の薄膜８、および下地形成膜１５にエッチングを行い、図７（Ｂ）に示すように、所定領域に光反射膜８ａおよび下地膜１５ａを残す。その結果、光反射膜８ａの下層には、下地形成膜１５によって光反射膜８ａと同一のパターニング形状の透光性の下地膜１５ａを形成することができる。
【００６１】
この際、銀系の薄膜８はウエットエッチングあるいはドライエッチングのいずれの方法でもエッチングできる。従って、下地形成膜１５、および銀系の薄膜８に対するエッチングでは、同一のエッチングガスを用いたドライエッチング、あるいは同一のエッチング液を用いたウエットエッチングにより、下地形成膜１５、および銀系の薄膜８を一括してパターニングしてもよい。また、下地形成膜１５に対するエッチングガスあるいはエッチング液と、銀系の薄膜８に対するエッチングガスあるいはエッチング液とを変えて、２回のエッチングにより、下地形成膜１５、および銀系の薄膜８を各々パターニングしてもよい。
【００６２】
このようにして形成した下地膜１５ａおよび光反射膜８ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの孔１３ｂからなる凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、上層側凹凸形成膜７ａによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。また、この工程では、光透過膜８ａおよび下地膜１５ａに対して、光透過穴８ｄを形成する。
【００６３】
次に、図７（Ｃ）に示すように、下地膜１５ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５８を形成する。
【００６４】
次に、レジストマスク５５８を介してＩＴＯ膜９にエッチングを行って、図７（Ｄ）に示すように、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａを形成する。
【００６５】
しかる後には、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、画素電極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【００６６】
その結果、ＴＦＴアレイ基板１０が完成する。
【００６７】
（本形態の主な効果）
このように、本形態の半透過反射型の電気光学装置１００の製造方法では、ＴＦＴアレイ基板１０の表面側に下地形成膜１５、および銀系の薄膜８を連続して形成し、しかる後に、銀系の薄膜８、および下地形成膜１５をパターニングする。このため、銀系の薄膜８と、上層側凹凸形成膜７ａとの密着性が低いことに起因する不具合、例えば、サイドエッチングの進行や剥離などの不具合が発生しない。また、下地膜１５ａの形成によって、銀系の薄膜１５と上層側凹凸形成膜７ａとの密着性の問題を解消したので、銀系の薄膜１５の膜厚を５０ｎｍ以上にしてもサイドエッチングや剥離などの問題が発生しない。それ故、銀系の薄膜１５からなる光反射膜８ａは、下地の影響を受けることなく、高い反射率を有することになる。しかも、下地膜１５ａを追加するといっても、下地形成膜１５と銀系の薄膜８とを同一形状にパターニングすればよいので、そのパターニングマスクを形成するためのマスクやフォトリソグラフィ工程を追加する必要がない。
【００６８】
また、本形態において、光反射膜８ａの膜厚は、５０ｎｍ〜４００ｎｍである。銀系の薄膜１５からなる光反射膜８ａの膜厚が５０ｎｍ以上であれば、下地の影響を受けることなく、高い反射率を得ることができる。また、銀系の薄膜１５からなる光反射膜８ａの膜厚が４００ｎｍを超えると、反射率がこれ以上、高くなることがないので、高価な銀材料の無駄な使用を防止することができる。
【００６９】
［その他の実施の形態］
なお、半透過反射型の電気光学装置１００を例に説明したが、全反射型の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。このような全反射型の電気光学装置については、光反射膜８ａに光透過穴８ｄを形成しない点を除けば、半透過反射型の電気光学装置１００と構成が同一であるため、その説明を省略する。
【００７０】
また、上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置を例に説明したが、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶装置、あるいはパッシブマトリクス型の液晶装置、さらには液晶以外の電気光学物質を用いた半透過反射型電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００７１】
［半透過反射型電気光学装置の電子機器への適用］
このように構成した半透過半反射型、あるいは反射型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図８、図９（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。
【００７２】
図８は、本発明に係る半透過反射型電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【００７３】
図８において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した半透過反射型電気光学装置１００を用いることができる。
【００７４】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００７５】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００７６】
図９（Ａ）は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した半透過反射型電気光学装置１００を含んで構成される。
【００７７】
図９（Ｂ）は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した半透過反射型電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】半透過反射型電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図３】半透過反射型電気光学装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図４】本発明を適用した半透過反射型電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図、および光反射膜の光透過穴周辺を拡大して示す断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明を適用した半透過反射型電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した半透過反射型電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図６に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図８】本発明を適用した半透過反射型電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る半透過反射型電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ、および携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
１ａ  半導体膜、１ａ′  チャネル形成用領域、２  ゲート絶縁膜、３ａ  走査線、３ｂ  容量線、４  第１層間絶縁膜、５  第２層間絶縁膜、６ａ  データ線、６ｂ  ドレイン電極、７ａ  上層側凹凸形成膜、８  銀系の薄膜、８ａ  光反射膜、８ｄ  光透過穴、８ｇ  凹凸パターン、９ａ  画素電極、１０  ＴＦＴアレイ基板、１３ａ  下層側凹凸形成膜、１５  下地形成膜、１５ａ  下地膜、２０  対向基板、２１  対向電極、３０  画素スイッチング用のＴＦＴ、５０  液晶、６０  蓄積容量、１００  半透過反射型電気光学装置、１００ａ  画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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