(57)【要約】【課題】例えば弾性表面波素子等の振動子の発振周波数の調整を、半導体素子に影響を与えることなく容易に行うことができる半導体振動子複合装置、かかる半導体振動子複合装置を実装してなる電子デバイス、および、かかる電子デバイスを備える電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の電子デバイス１００は、本発明の半導体振動子複合装置１０が、パッケージ（配線基板）１１に実装されてなるものである。半導体振動子複合装置１０は、基板１と、基板１の一方の面（上面）１ａに設けられた弾性表面波素子（電気エネルギーにより振動する振動子）１０ａと、基板１の他方の面１ｂに設けられた半導体素子１０ｂとを有している。また、弾性表面波素子１０ａ（圧電体層３）のＩＤＴ４と反対側には、圧電体層３において励振される弾性表面波の特性（条件）を設定する機能を有する下地層２が接触して設けられている。【選択図】図１
2004312309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に設けられ、電気エネルギーにより振動する振動子と、
前記基板の他方の面に設けられた半導体素子とを有することを特徴とする半導体振動子複合装置。
【請求項２】
前記基板の端面に、前記振動子の端子と、これに対応する前記半導体素子の端子とを電気的に接続する接続部が設けられている請求項１に記載の半導体振動子複合装置。
【請求項３】
前記基板に形成された貫通孔内に、前記振動子の端子と、これに対応する前記半導体素子の端子とを電気的に接続する接続部が設けられている請求項１または２に記載の半導体振動子複合装置。
【請求項４】
前記振動子は、弾性表面波素子である請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体振動子複合装置。
【請求項５】
前記弾性表面波素子は、前記基板側に設けられた圧電体層と、前記圧電体層の前記基板と反対側に設けられ、前記圧電体層に弾性表面波を励振させるための電圧を印加する電極とを備える請求項４に記載の半導体振動子複合装置。
【請求項６】
前記圧電体層は、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項５に記載の半導体振動子複合装置。
【請求項７】
前記圧電体層の前記電極と反対側に設けられ、前記圧電体層において励振される弾性表面波の特性を設定する機能を有する下地層を備える請求項５または６に記載の半導体振動子複合装置。
【請求項８】
前記下地層は、ダイヤモンド、酸化珪素、窒化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項７に記載の半導体振動子複合装置。
【請求項９】
前記下地層は、弾性表面波の２波長以上の厚さを有する請求項７または８に記載の半導体振動子複合装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体振動子複合装置を、その前記半導体素子側の面が、配線基板に対面した状態で、前記配線基板に実装してなることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
前記配線基板は、凹部を有し、前記凹部の底面に、前記半導体振動子複合装置が実装されている請求項１０に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記半導体振動子複合装置と前記配線基板との間に形成される間隙は、アンダーフィル材により封止されている請求項１０または１１に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記半導体振動子複合装置の前記振動子の端子と、これに対応する前記配線基板の端子とが、導電性ワイヤーにより電気的に接続されている請求項１０ないし１２のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項１４】
請求項１０ないし１３のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体振動子複合装置、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
伝搬媒体の表面付近に、エネルギーを集中させて伝搬する波は、弾性表面波（ｓｕｒｆａｃｅ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｗａｖｅ：ＳＡＷ）として知られている。
弾性表面波素子は、このような弾性表面波を利用する素子であり、携帯電話等の通信機器用のバンドパスフィルター、基準クロックとしての共振子、信号処理用遅延素子（特に、フーリエ変換機能素子）、圧力センサーや温度センサーのような各種センサー、光偏向器等へ応用されている。
【０００３】
例えば、フィルターとして使用する弾性表面波素子は、弾性表面波の伝搬媒体として圧電体と、この圧電体上に配置され、圧電体に弾性表面波を励振させる電圧を印加する入力用と、圧電体を伝搬する弾性表面波を検出し、電気信号に変換して出力する出力用との一対の櫛型電極（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：ＩＤＴ）とを備えている。
【０００４】
ところで、近年の携帯電話等の各種モバイル機器の小型化にともない、弾性表面波素子を半導体素子と同一基板に設ける半導体振動子複合装置が開発されてきている。
従来の半導体振動子複合装置としては、弾性表面波素子と半導体素子とを同一基板の同一平面上に搭載したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ところで、弾性表面波素子は、半導体素子と複合化した後に、その一部をエッチングにより除去して発振周波数の調整が行なわれる。
しかし、従来の半導体振動子複合装置では、基板の同一面上に、弾性表面波素子と半導体素子とが併設されているため、弾性表面波素子の一部のみを選択的に除去することが困難であり、半導体素子を劣化させてしまうという問題や、搭載面積が広く小型化に適さないという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開平８−１３０４３４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、例えば弾性表面波素子等の振動子の発振周波数の調整を、半導体素子に影響を与えることなく容易に行うことができる半導体振動子複合装置、かかる半導体振動子複合装置を実装してなる電子デバイス、および、かかる電子デバイスを備える電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体振動子複合装置は、基板と、
前記基板の一方の面に設けられ、電気エネルギーにより振動する振動子と、
前記基板の他方の面に設けられた半導体素子とを有することを特徴とする。
これにより、発振周波数の調整を、半導体素子に影響を与えることなく容易に行うことができる。
【０００９】
本発明の半導体振動子複合装置では、前記基板の端面に、前記振動子の端子と、これに対応する前記半導体素子の端子とを電気的に接続する接続部が設けられていることが好ましい。
これにより、電子デバイスに適用した場合には、配線の引き回しを簡略化することができるとともに、製造工程数の削減を図ることもできる。
【００１０】
本発明の半導体振動子複合装置では、前記基板に形成された貫通孔内に、前記振動子の端子と、これに対応する前記半導体素子の端子とを電気的に接続する接続部が設けられていることが好ましい。
これにより、電子デバイスに適用した場合には、配線の引き回しを簡略化することができるとともに、製造工程数の削減を図ることもできる。
【００１１】
本発明の半導体振動子複合装置では、前記振動子は、弾性表面波素子であることが好ましい。
振動子としては、各種のものが適用可能であるが、特に、弾性表面波素子を適用するのが好ましい。
本発明の半導体振動子複合装置では、前記弾性表面波素子は、前記基板側に設けられた圧電体層と、前記圧電体層の前記基板と反対側に設けられ、前記圧電体層に弾性表面波を励振させるための電圧を印加する電極とを備えることが好ましい。
【００１２】
本発明の半導体振動子複合装置では、前記圧電体層は、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
例えば、電気機械結合係数の小さい酸化アルミニウム、酸化亜鉛等を用いることにより、信頼性の高い発振器を、また、帯域の広いニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウム等を用いることにより、様々な帯域を持ち、かつ、信頼性の高いフィルターを得ることができる。
【００１３】
本発明の半導体振動子複合装置では、前記圧電体層の前記電極と反対側に設けられ、前記圧電体層において励振される弾性表面波の特性を設定する機能を有する下地層を備えることが好ましい。
これにより、弾性表面波の特性を所望のものに設定することが可能となるとともに、基板の他方の面に設けられる半導体素子の弾性表面波素子への影響が防止され、弾性表面波素子の設計の自由度を向上させることができる。
【００１４】
本発明の半導体振動子複合装置では、前記下地層は、ダイヤモンド、酸化珪素、窒化珪素、ダイヤモンドライクカーボン、酸化アルミニウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
このような材料で下地層を構成することにより、音速の速い弾性表面波素子が構成でき、所望の周波数に対して要求される弾性表面波の高周波化に寄与することができる。
本発明の半導体振動子複合装置では、前記下地層は、弾性表面波の２波長以上の厚さを有することが好ましい。
これにより、半導体素子の弾性表面波素子への影響をより確実に防止することができる。
【００１５】
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体振動子複合装置を、その前記半導体素子側の面が、配線基板に対面した状態で、前記配線基板に実装してなることを特徴とする。
これにより、弾性表面波素子の発振周波数を調整する際に、半導体素子の劣化を防止することができ、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００１６】
本発明の電子デバイスでは、前記配線基板は、凹部を有し、前記凹部の底面に、前記半導体振動子複合装置が実装されていることが好ましい。
本発明の電子デバイスでは、前記半導体振動子複合装置と前記配線基板との間に形成される間隙は、アンダーフィル材により封止されていることが好ましい。
これにより、間隙への水分（湿気）の侵入防止、半導体振動子複合装置と配線基板との密着性（接合強度）の向上、半導体素子の保護等の効果が発揮される。。
【００１７】
本発明の電子デバイスでは、前記半導体振動子複合装置の前記振動子の端子と、これに対応する前記配線基板の端子とが、導電性ワイヤーにより電気的に接続されていることが好ましい。
これにより、圧電体層において励振される弾性表面波の特性を若干調整することができる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体振動子複合装置、電子デバイスおよび電子機器の好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第１実施形態を示す断面図、図２は、図１に示す電子デバイスが備える半導体振動子複合装置の平面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００１９】
図１に示す電子デバイス１００は、本発明の半導体振動子複合装置１０が、パッケージ（配線基板）１１に実装されてなるものである。
半導体振動子複合装置１０は、基板１と、基板１の一方の面（上面）１ａに設けられた弾性表面波素子（電気エネルギーにより振動する振動子）１０ａと、基板１の他方の面１ｂに設けられた半導体素子１０ｂとを有している。
【００２０】
基板１は、例えば、Ｓｉ、ＧａＳｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＧａＮのような各種半導体材料、各種ガラス、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、サファイア、石英のような各種セラミックス材料、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリプロピレンのような各種樹脂材料等で構成されている。
基板１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．０５〜１ｍｍ程度であるのが好ましく、０．２〜０．８ｍｍ程度であるのがより好ましい。
また、基板１は、単層で構成されたもののみならず、複数の層の積層体で構成されたものでもよく、この場合、各層は、前述したような材料を任意に組み合わせて用いることができる。
【００２１】
弾性表面波素子１０ａは、圧電体層３と、圧電体層３上（基板１と反対側）に設けられたＩＤＴ４およびＩＤＴ４の両側部に配置された一対の反射器５と、ＩＤＴ４および各反射器５を覆うように設けられた温度補償膜６とを有している。
圧電体層３は、弾性表面波の伝搬媒体として機能するものである。
この圧電体層３の構成材料としては、例えば、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、その他、ＢＧＯ、ランガサイト系材料、ＬＢＯ等を用いることができる。
【００２２】
これらの中でも、圧電体層３の構成材料としては、特に、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムのうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。例えば、電気機械結合係数の小さい酸化アルミニウム、酸化亜鉛等を用いることにより、信頼性の高い発振器を、また、帯域の広いニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、タンタル酸リチウム等を用いることにより、様々な帯域を持ち、かつ、信頼性の高いフィルターを得ることができる。
また、圧電体層３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、例えば、０．１〜６μｍ程度であるのが好ましく、０．５〜２μｍ程度であるのがより好ましい。
【００２３】
ＩＤＴ４は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプであり、圧電体層３に電圧を印加して、圧電体層３に弾性表面波を励振させる機能を有する電極４ａ、４ｂを有している。また、本実施形態では、各電極４ａ、４ｂは、それぞれ、弾性表面波を電気信号に変換する機能も有する。
また、各反射器５は、圧電体層３に伝搬する弾性表面波を反射して、反射器５と反射器５との間に封じ込める機能を有する。
【００２４】
ＩＤＴ４（各電極４ａ、４ｂ）に駆動電圧が入力されると、圧電体層３において弾性表面波が励振され、共振による特定周波数の電気信号がＩＤＴ４（各電極４ａ、４ｂ）より出力される。
各電極４ａ、４ｂは、それぞれ、電極指を有する櫛歯形状をなしており、櫛歯電極の電極指の幅、間隔、厚さ等を調整することにより、弾性表面波の発振周波数の特性を所望のものに設定することができる。
【００２５】
また、各反射器５は、それぞれ、すだれ形状をなしており、弾性表面波を効率よく反射し得るように構成されている。
ＩＤＴ４および各反射器５の構成材料としては、それぞれ、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
温度補償膜６は、弾性表面波素子１０ａの温度特性を低減させる機能（発振周波数の温度依存性を緩和させる機能）を有するものである。ここで、温度特性（周波数温度特性）とは、温度変化に伴って、発振周波数が変動する特性（現象）のことを言う。
この温度補償膜（温度特性低減層）６は、好ましくは圧電体層３と異符号の温度特性を有するもの、すなわち、例えば、圧電体層３が負の温度特性を有するものであれば、正の温度特性を有するものとされる。これにより、弾性表面波素子１０ａの温度特性の顕著な低減効果が得られる。
【００２７】
この温度補償膜６の構成材料としては、特に限定されないが、圧電体層３を前述したような材料で構成する場合には、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような酸化物、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化チタン（ＴｉＮ）のような窒化物等を用いることができる。
【００２８】
これらの中でも、温度補償膜６の構成材料としては、特に、酸化シリコン、五酸化タンタル、窒化シリコン、窒化チタンのうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で温度補償膜６を構成することにより、弾性表面波素子１０ａの温度特性をより確実に低減させることができる。また、圧電体層３との密着性の向上を図ることもできる。さらに、これらの材料は、絶縁性にも優れ、ＩＤＴ４におけるマイグレーションの発生等を好適に防止することができ、弾性表面波素子１０ａの経時的劣化を抑制する観点からも好ましい。
【００２９】
このような弾性表面波素子１０ａ（圧電体層３）のＩＤＴ４と反対側には、下地層２が接触して設けられている。この下地層２は、圧電体層３において励振される弾性表面波の特性（条件）を設定する機能を有するものである。
この特性としては、主に伝搬速度を決定するためのものであり、これにより発振周波数を制御できる。
【００３０】
下地層２を設け、その構成材料を適宜設定することにより、弾性表面波の特性を所望のものに設定することが可能となる。この下地層２の構成材料としては、ダイヤモンド、酸化珪素（ＳｉＯ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で下地層２を構成することにより、弾性表面波の高周波化に寄与することができる。
【００３１】
また、下地層２を設けることにより、基板１の他方の面１ｂに設けられる半導体素子１０ｂの弾性表面波素子１０ａへの影響が防止され、弾性表面波素子１０ａの設計の自由度を向上させることができる。
下地層２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、圧電体層３において励振される弾性表面波の波長の２波長以上であるのが好ましい。これにより、半導体素子１０ｂの弾性表面波素子１０ａへの影響をより確実に防止することができる。
基板１の他方の面１ｂに設けられる半導体素子１０ｂは、前記弾性表面波素子１０ａの動作を制御する機能や、各種処理のための機能を有する。
【００３２】
このような半導体振動子複合装置１０は、例えば、各種セラミックス材料等で構成されるパッケージ１１に実装されている。
パッケージ１１は、底部１２と壁部１３とで構成され、底部１２と壁部１３とで凹部１１ａが画成されている。
また、底部１２および壁部１３には、複数の配線１４が引き回されている。各配線１４は、それぞれ、前記ＩＤＴ４および反射器５で挙げた材料と同様のものを用いることができる。
【００３３】
そして、半導体振動子複合装置１０は、その半導体素子１０ｂ側の面１ｂがパッケージ１１に対面した状態で、半導体素子１０ｂの端子と配線１４とが導電性ボール１８を介して電気的に接続されている。
導電性ボール１８は、例えば、半田、鉛フリー半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろうのようなろう材を主材料として構成されている。
また、半導体振動子複合装置１０とパッケージ１１との間に形成される間隙１５には、例えば、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂またはその前駆体を主材料とするアンダーフィル材１６が充填され、封止されている。
【００３４】
このように、半導体振動子複合装置１０を、その半導体素子１０ｂ側の面１ｂがパッケージ１１に対面した状態で、パッケージ１１に実装することにより、弾性表面波素子１０ａの発振周波数を調整する際に、半導体素子１０ｂの劣化を防止することができる。また、間隙１５をアンダーフィル材１６により封止することができるので、間隙１５への水分（湿気）の侵入防止、半導体振動子複合装置１０とパッケージ１１との密着性（接合強度）の向上、半導体素子１０ｂの保護等の効果が発揮される。
【００３５】
また、弾性表面波素子１０ａが備えるＩＤＴ４の端子と、これに対応するパッケージ１１が備える配線１４の端子（端部）とが、導電性ワイヤー１９により電気的に接続されている。これらの接続に導電性ワイヤー１９を用いることにより、このワイヤー１９がコイル（Ｌ成分）として機能し、圧電体層３において励振される弾性表面波の特性を若干調整することができる。
【００３６】
この導電性ワイヤー１９の構成材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｌが通常用いられるが、これらを含む合金を用いることもできる。
このような状態でパッケージ１１には、凹部１１ａを気密的に封止する蓋体１７が固着（固定）されている。これにより、半導体振動子複合装置１０の信頼性の向上を図ることができる。
【００３７】
このような電子デバイス１００は、次のようにして製造することができる。
図３および図４は、それぞれ、図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための図（断面図）である。
［１］  半導体素子形成工程
まず、基板１の面１ｂに、例えば、酸化、不純物の拡散、酸化膜除去、エピタキシャル成長等の各種半導体製造技術を用いて、半導体素子１０ｂを形成する（図３中（Ａ）））。
【００３８】
［２］  誘電体層形成工程
まず、基板１上に下地層２を形成する（図３中（Ｂ））。
下地層２の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射、シート状部材の接合等を用いることができる。
［３］  圧電体層形成工程
次に、下地層２上に圧電体層３を形成する（図３中（Ｃ））。
圧電体層３は、前記工程［２］と同様にして行うことができる。
【００３９】
［４］  ＩＤＴ形成工程
次に、例えば、圧電体層３上に、導電性材料層を形成した後、この導電性材料層に、ＩＤＴ４および各反射器５に対応する形状のマスクを用いて、エッチングを施すことによりＩＤＴ４および各反射器５を得る（図３中（Ｄ））。
導電性材料層の形成には、例えば、ディッピング法、印刷法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、金属箔の接合等を用いることができる。
また、エッチングには、例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチングや、ウェットエッチング等を用いることができる。
［５］  成膜工程
次に、圧電体層３上に、ＩＤＴ４および各反射器５を覆うように、温度補償膜６となる膜６０を形成する（図３中（Ｅ））。
膜６０は、前記工程［２］と同様にして行うことができる。
【００４０】
［６］  実装工程
次に、半導体素子１０ｂの端子に導電性ボール１８を接合し、この半導体素子１０ｂ側の面１ｂをパッケージ１１に対面させた状態で、半導体振動子複合装置１０をパッケージ１１の凹部１１ａ内に挿入する。
そして、例えば、リフロー、ボンディングツールによる加熱・加圧等により導電性ボール１８を溶融した後、固化させて、半導体素子１０ｂの端子と、パッケージ１１に設けられた配線１４とを、導電性ボール１８を介して電気的に接続する（図３中（Ｆ））。
この状態で、半導体振動子複合装置１０とパッケージ１１との間には、間隙１５が形成される。
【００４１】
［７］  間隙封止工程
次に、間隙１５をアンダーフィル材１６により封止する（図４中（Ｇ））。
間隙１５の端部に、例えばノズルやピン等により、アンダーフィル材１６を供給すると、アンダーフィル材１６は、毛細管現象により間隙１５のほぼ全域に展開される。
そして、間隙１５に展開されたアンダーフィル材１６を、必要時に、硬化させることにより、間隙１５が封止される。このアンダーフィル材１６の硬化には、加熱の他、例えば、紫外線、赤外線、電子線の照射を用いることもできる。また、これらは、併用するようにしてもよい。
【００４２】
［８］  発振周波数調整工程
次に、温度補償膜６となる膜６０の厚さ方向の一部を除去する（図４中（Ｈ））。これにより、温度補償膜６が得られるとともに、発振周波数が所望のものに調整される。
この膜６０の除去には、例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング等を用いることができるが、これらの中でも、特に、リアクティブイオンエッチングを用いるのが好ましい。リアクティブイオンエッチングによれば、膜６０を寸法精度よく除去することができる。
このとき、半導体素子１０ｂは、下方を向いているため、膜６０の除去の際に、劣化することが好適に防止されるため、信頼性の高い電子デバイス１００が得られる。
【００４３】
［９］  導電性ワイヤー接続工程
次に、弾性表面波素子１０ａのＩＤＴ４の端子と、これに対応するパッケージ１１の端子とを、導電性ワイヤー１９により電気的に接続する（図４中（Ｉ））。この導電性ワイヤー１９の形成は、例えばワイヤーボンディング法、予め形成した導電性ワイヤーをろう材で接合する方法等を用いて行うことができる。
［１０］  蓋体接合工程
次に、凹部１１ａを覆うように、蓋体１７をパッケージ１１に被せ、これらを接合する（図４中（Ｊ））。この接合には、例えば、接着剤による接着、ろう接、溶接等を用いることができる。
【００４４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第２実施形態について説明する。
図５は、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第２実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００４５】
以下、第２実施形態の電子デバイス２００について説明するが、前記第１実施形態の電子デバイス１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
電子デバイス２００では、半導体振動子複合装置の構成が異なる点以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００４６】
本実施形態の半導体振動子複合装置２０は、基板１の端面に、弾性表面波素子１０ａが備えるＩＤＴ４の端子と、これに対応する半導体素子１０ｂの端子とを電気的に接続する接続部２２、２３が設けられている。
このような構成により、配線の引き回しを簡略化することができるとともに、製造工程数の削減を図ることもできる。
【００４７】
各接続部２２、２３は、それぞれ、例えば、金属コネクタを嵌合させる方法、導電性ペーストをインクジェット法により印刷する方法等により形成することができる。
なお、接続部２２、２３には、弾性表面波素子１０ａの端子と半導体素子１０ｂの端子とを接続するもの以外のものが含まれていてもよい。
このような第２実施形態によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００４８】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第３実施形態について説明する。
図６は、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第３実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００４９】
以下、第３実施形態の電子デバイス３００について説明するが、前記第１実施形態の電子デバイス１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
電子デバイス３００では、半導体振動子複合装置の構成が異なる点以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００５０】
本実施形態の半導体振動子複合装置３０は、基板１に形成されたスルーホール（貫通孔）３２、３３内に、弾性表面波素子１０ａが備えるＩＤＴ４の端子と、これに対応する半導体素子１０ｂの端子とを電気的に接続する接続部３４、３５が設けられている。
このような構成により、配線の引き回しを簡略化することができるとともに、製造工程数の削減を図ることもできる。
【００５１】
各接続部３４、３５は、それぞれ、基板１に弾性表面波素子１０ａおよび半導体素子１０ｂを形成した後、例えば、レーザー加工、超音波加工等を用いてスルーホール３２、３３を形成し、各スルーホール３２、３３内に導電性ペーストを供給する方法等により形成することができる。
なお、接続部３４、３５には、弾性表面波素子１０ａの端子と半導体素子１０ｂの端子とを接続するもの以外のものが含まれていてもよい。
このような第３実施形態によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
【００５２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第４実施形態について説明する。
図７は、本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第４実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」または「上方」、下側を「下」または「下方」と言う。
【００５３】
以下、第４実施形態の電子デバイス４００について説明するが、前記第１実施形態の電子デバイス１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
電子デバイス４００では、半導体振動子複合装置の構成が異なる点以外は、前記第１実施形態と同様である。
【００５４】
本実施形態の半導体振動子複合装置４０は、圧電体層３側の第１の温度補償膜６１と、この第１の温度補償膜６１に接触して設けられた第２の温度補償膜６２とで構成されている。
第２の温度補償膜６２は、第１の温度補償膜６１より、膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さいものであり、弾性表面波の発振周波数を調整する際に、その厚さ方向の一部が除去されて得られたものである。
【００５５】
すなわち、本実施形態の温度補償膜６は、前記工程［５］において、第１の温度補償膜６１となる第１の膜を形成し、この第１の膜上に、第２の温度補償膜６２となる第１の膜より膜厚の変化に対する温度特性の変動幅が小さい第２の膜を積層して形成しておき、前記工程［８］において、第２の膜の厚さ方向の一部を除去することにより、得られたものである。
このような構成により、温度特性の変動を好適に抑制しつつ、発振周波数の調整を良好に行うことができ、その結果、弾性表面波素子１０ａは、周波数精度および温度特性精度がより高いものとなる。
【００５６】
第１の膜（第１の温度補償膜６１）と第２の膜（第２の温度補償膜６２）とは、前記第１実施形態で挙げた材料から異なる組成のものを適宜組み合わせて用いるようにしてもよいが、同一組成の材料を用いるのが好ましい。これにより、各膜を、同一の製造装置内で連続的に形成することができ、製造工程数の削減を図ることができる。この場合、これらの膜は、前記工程［５］における成膜条件を変更することにより容易に形成することができる。
なお、第２の膜は、２つ以上の複数の膜で構成されていてもよい。この場合、第２の膜を構成する複数の層の厚さ方向の少なくとも一部が除去されることとなる。
【００５７】
このような第４実施形態によっても、前記第１実施形態と同様の作用・効果が得られる。
なお、このような温度補償膜６の構成は、前記第２および第３実施形態の半導体振動子複合装置に適用することもできる。
そして、前述したような電子デバイス１００、２００、３００、４００は、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
【００５８】
以下、本発明の電子機器について、図８〜図１０に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図８は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、アンテナ１１０１やキーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００には、共振器、フィルター等として機能する電子デバイス１００（または２００、３００、４００）が内蔵されている。
【００５９】
図９は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ１２０１、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、共振器、フィルター、ＶＣＯ等として機能する電子デバイス１００（または２００、３００、４００）が内蔵されている。
【００６０】
図１０は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００６１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００６２】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、時間標準や、マイコンのクロック源等として機能する電子デバイス１００（または２００、３００、４００）が内蔵されている。
【００６３】
なお、本発明の電子機器は、図８のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図９の携帯電話機、図１０のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００６４】
以上、本発明の半導体振動子複合装置、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明では、前記第１〜第４実施形態の構成のうちの任意の２以上を組み合わせることもできる。
【００６５】
また、弾性表面波素子および半導体素子を構成する各層の間や、基板と弾性表面波素子および半導体素子との間には、任意の目的の中間層が設けられていてもよい。
また、各前記実施形態では、振動子の代表として弾性表面波素子について説明したが、振動子としては、その他、例えば、薄膜圧電体を用いたＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）のような圧電薄膜振動子、静電駆動を利用したマイクロレゾネーター等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示す電子デバイスが備える半導体振動子複合装置の平面図である。
【図３】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための図（断面図）である。
【図４】図１に示す電子デバイスの製造方法を説明するための図（断面図）である。
【図５】本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第２実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第３実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体振動子複合装置を電子デバイスに適用した場合の第４実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図９】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（携帯電話機）である。
【図１０】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００‥‥電子デバイス  １０、２０、３０、４０‥‥半導体振動子複合装置  １０ａ‥‥弾性表面波素子  １０ｂ‥‥半導体素子１‥‥基板  １ａ、１ｂ‥‥面  ２‥‥下地層  ３‥‥圧電体層  ４‥‥ＩＤＴ  ４ａ、４ｂ‥‥電極  ５‥‥反射器  ６‥‥温度補償膜  ６０‥‥膜  ６１‥‥第１の温度補償膜  ６２‥‥第２の温度補償膜  １１‥‥パッケージ  １１ａ‥‥凹部  １２‥‥底部  １３‥‥壁部  １４‥‥配線  １５‥‥間隙  １６‥‥アンダーフィル材  １７‥‥蓋体  １８‥‥導電性ボール  １９‥‥導電性ワイヤー  ２２、２３‥‥接続部  ３２、３３‥‥スルーホール  ３４、３５‥‥接続部  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０１‥‥アンテナ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０１‥‥アンテナ  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥メモリ  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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