(57)【要約】    【課題】  共振器電極を取り囲むグラウンド電極による共振に基づく所望でないスプリアスを抑制することができ、良好な伝送特性を得ることができるデュアルモード・バンドパスフィルタを提供する。    【解決手段】  誘電体基板２の厚み方向の中間の高さ位置に誘電体基板の主面方向に部分的に内部に開口部３ａを有する共振器電極３が形成されており、共振器電極３と誘電体層を介して対向するように、上方及び下方に第１，第２のグラウンド電極６，７が配置されており、共振器電極に入出力結合電極４，５が結合されており、該共振器電極３に電気的に接続されないように開口部３ａを誘電体基板の厚み方向に貫通しており、かつ第１及び第２のグラウンド電極６，７に電気的に接続されるようにビアホール電極９が設けられている、バンドパスフィルタ１。【選択図】        図１
2004297764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、
該誘電体基板の厚み方向の中間の高さ位置に前記誘電体基板の主面方向に部分的に形成されており、かつ内部に開口部を有する共振器電極と、
前記共振器電極と誘電体層を介して対向するように、かつ共振器電極を挟み込むように誘電体基板の厚み方向に関して共振器電極の上方及び下方に配置された第１，第２のグラウンド電極と、
前記共振器電極に結合された入出力結合電極と、
前記誘電体基板の外表面に形成されており、前記入出力結合電極に電気的に接続された入出力端子電極とを備えるバンドパスフィルタにおいて、
前記共振器電極に電気的に接続されないように前記開口部を誘電体基板の厚み方向に貫通しており、かつ前記第１及び第２のグラウンド電極に電気的に接続されたビアホール電極とを備えることを特徴とする、バンドパスフィルタ。
【請求項２】
誘電体基板の面方向において前記共振器電極の外側の領域に配置されており、かつ前記第１及び第２のグラウンド電極に電気的に接続された第２のビアホール電極をさらに備える、請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項３】
前記共振器電極が、縮退していない複数の共振モードを有し、かつ前記開口部が該複数の共振モードを結合させるように構成されており、それによってデュアルモード・バンドパスフィルタが構成されている、請求項１または２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項４】
前記共振器電極が、リング状共振器電極である、請求項１または２に記載のバンドパスフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばマイクロ波〜ミリ波帯の通信機において、帯域フィルタとして用いられるバンドパスフィルタに関し、より詳細には、グラウンド電極と共振器電極との位置関係によるスプリアスを抑圧する構造が備えられたバンドパスフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波領域で用いられるバンドパスフィルタとして、デュアルモード・バンドパスフィルタが種々提案されている。
【０００３】
例えば、下記の特許文献１には、開口部を有する共振器電極を用いたデュアルモード・バンドパスフィルタが開示されている。図１７（ａ）及び（ｂ）に正面断面図及び模式的平面図で示すように、デュアルモード・バンドパスフィルタ１０１は、誘電体基板１０２を有する。誘電体基板１０２の中間高さ位置には、共振器電極１０３が形成されている。共振器電極１０３は、開口部（電極内部に設けられた電極非形成部分）１０３ａを有する。共振器電極１０３は縮退していない複数の共振モードを有する。開口部１０３ａは該複数の共振モードを結合させ、それによってデュアルモード・バンドパスフィルタを構成するために形成されている。共振器電極１０３と対向するように、誘電体基板１０２の上面及び下面には、グラウンド電極１０４，１０５が形成されている。また、図１７（ｂ）に示すように、共振器電極１０３には、入出力結合電極１０６，１０７が結合されている。入出力結合電極１０６，１０７は、図１７（ａ）では図示されていないが、共振器電極１０３の近傍から外側に延ばされており、かつ図示されていない入出力端子電極に電気的に接続されている。
【特許文献１】特開２００１−２３７６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
デュアルモード・バンドパスフィルタ１０１のように、共振器電極の上下に誘電体基板層を介してグラウンド電極が形成されている構造を有するバンドパスフィルタでは、通常、誘電体基板１０２の側面にもグラウンド電極が形成される。従って、グラウンド電極が導波管のように作用し、言い換えれば共振器電極１０３は導波管の中に位置されていることになる。このような構造では、導波管部分のみの形状で定まる共振が生じる。他方、上記グラウンド電極からなる導波管に類似した構造は、必然的に共振器電極１０３よりも大きい。
【０００５】
従って、共振器電極１０３の共振周波数よりも低周波数側に、上記グラウンド電極による基本モードの共振が生じ、その高次モードが共振器電極１０３の共振モードと重なる位置に次々と発生しがちであった。このようなグラウンド電極による共振が、デュアルモード・バンドパスフィルタ１０１において所望でないスプリアスとなり、良好な伝送特性を得ることができないという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、グラウンド電極による共振に基づく不要スプリアスを抑圧することができ、良好な伝送特性を有するバンドパスフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、誘電体基板と、該誘電体基板の厚み方向の中間の高さ位置に前記誘電体基板の主面方向に部分的に形成されており、かつ内部に開口部を有する共振器電極と、前記共振器電極と誘電体層を介して対向するように、かつ共振器電極を挟み込むように誘電体基板の厚み方向に関して共振器電極の上方及び下方に配置された第１，第２のグラウンド電極と、前記共振器電極に結合された入出力結合電極と、前記誘電体基板の外表面に形成されており、前記入出力結合電極に電気的に接続された入出力端子電極とを備えるバンドパスフィルタにおいて、前記共振器電極に電気的に接続されないように前記開口部を誘電体基板の厚み方向に貫通しており、かつ前記第１及び第２のグラウンド電極に電気的に接続されたビアホール電極とを備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るバンドパスフィルタのある特定の局面では、誘電体基板の面方向において前記共振器電極の外側の領域に配置されており、かつ前記第１及び第２のグラウンド電極に電気的に接続された第２のビアホール電極がさらに備えられる。
【０００９】
本発明に係るバンドパスフィルタのさらに別の特定の局面では、上記共振器電極として、開口部を有し、複数の共振モードを生じる金属膜からなり、該開口部により複数の共振モードを結合するように構成されており、それによってデュアルモード・バンドパスフィルタが構成されている。
【００１０】
本発明に係るバンドパスフィルタのさらに他の特定の局面では、前記共振器電極が、リング状共振器電極であり、入出力結合電極の結合点を制御することにより、デュアルモード・バンドパスフィルタが構成されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るバンドパスフィルタでは、共振器電極を挟み込むように、共振器電極の上方及び下方に第１，第２のグラウンド電極が少なくとも配置されている構成において、共振器電極の開口部を貫通しており、第１及び第２のグラウンド電極に電気的に接続されたビアホール電極が設けられているため、該ビアホール電極によりグラウンド電極に基づく所望でないスプリアスの周波数位置をシフトさせ、それによって該スプリアスの影響を受け難い良好な伝送特性を得ることが可能となる。
【００１２】
共振器電極の外側の領域に、第２のビアホール電極が設けられている場合には、より一層グラウンド電極の共振による所望でないスプリアスをバンドパスフィルタの通過帯域から遠ざけることができ、より一層良好な伝送特性を得ることができる。また、第２のビアホール電極の形成により、バンドパスフィルタの製造ばらつきによる寸法変動が生じたとしても、スプリアスの周波数位置のばらつきが生じ難い。従って、製造誤差による特性ばらつきの少ないバンドパスフィルタを提供することができる。
【００１３】
共振器電極は、縮退していない複数の共振モードを有し、かつ開口部が複数の共振モードを結合させるように構成されており、それによってデュアルモード・バンドパスフィルタが構成されている場合には、共振器電極による結合点の制約がなく、また共振器電極の形状及び開口部の形状を選択することにより、様々な帯域特性を有するバンドパスフィルタを容易に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１５】
図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係るデュアルモード・バンドパスフィルタを示す斜視図、底面図及び側面断面図である。
【００１６】
デュアルモード・バンドパスフィルタ１は、矩形板状の誘電体基板２を有する。誘電体基板２は、適宜の誘電体材料で構成される。このような誘電体材料としては、例えばフッ素樹脂などの合成樹脂、あるいは誘電体セラミックスなどを挙げることができる。
【００１７】
誘電体基板２内には、中間高さ位置において共振器電極３と、入出力結合電極４，５とが形成されている。なお、本実施形態では、誘電体基板２は、複数の誘電体層を積層することにより形成されている。そして、共振器電極３は、少なくとも最上層以外の誘電体層上に形成されている。図２に、共振器電極３及び入出力結合電極４，５の平面形状を略図的平面図で示す。共振器電極３は、矩形の形状を有し、中央に開口部３ａを有する。共振器電極３は、金属により構成されており、共振器電極３を構成する金属は特に限定されず、Ａｌ、Ｃｕなどの適宜の金属もしくは合金により構成される。入出力結合電極４，５についても同様の金属材料により構成されている。
【００１８】
金属膜からなる共振器電極３は、誘電体基板２の中間高さ位置において部分的に形成されている。
【００１９】
なお、入出力結合電極４，５は、共振器電極３と結合され得る限り、適宜の位置に配置され得る。すなわち、入出力結合電極４，５は、金属膜３と異なる高さ位置に形成されていてもよい。
【００２０】
上記共振器電極３は、縮退していない複数の共振モードを生じる形状とされており、該開口部３ａが形成されているため、複数の共振モードが結合されて、バンドパスフィルタとしての特性が得られる。このようなバンドパスフィルタは、前述した特許文献１に開示されている。
【００２１】
他方、デュアルモード・バンドパスフィルタ１では、共振器電極３と誘電体層を介して対向するように、上方には第１のグラウンド電極６が形成されている。第１のグラウンド電極６は、誘電体基板２の内部に形成されているが、誘電体基板２の上面に形成されていてもよい。
【００２２】
また、共振器電極３と誘電体層を介して対向するように、誘電体基板２の下面には、第２のグラウンド電極７が形成されている。第２のグラウンド電極７は、誘電体基板２の下面に形成される必要は必ずしもなく、下面よりも上方の位置に埋設されていてもよい。
【００２３】
第１，第２のグラウンド電極６，７は共振器電極３を挟み込むように、共振器電極３よりも大きな面積を有する。
【００２４】
さらに、図１（ａ）に示すように、誘電体基板２の対向し合う一対の側面に、第３のグラウンド電極８，８が形成されている。グラウンド電極８，８は、第１，第２のグラウンド電極６，７に電気的に接続されている。
【００２５】
図１（ｃ）に示すように、共振器電極３の開口部３ａを貫通するように、第１のビアホール電極９が形成されている。第１のビアホール電極９は、第１，第２のグラウンド電極６，７に電気的に接続されている。
【００２６】
また、入出力結合電極４，５は、誘電体基板２の下面に設けられた入出力端子電極１０，１１に、本発明における第３のビアホール電極１２，１３により電気的に接続されている。
【００２７】
次に、本実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの動作及び作用効果につき説明する。
【００２８】
本実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１では、共振器電極３及び開口部３ａが上記のように構成されているため、入出力端子電極１０，１１の一方から入力信号を加えた場合、共振器電極３において縮退していない複数の共振モードが生じ、該複数の共振モードが開口部３ａが形成されていることより、結合し、バンドパスフィルタとしての特性が、入出力端子電極１０，１１の他方から取り出される。
【００２９】
ところで、前述したように、この種のデュアルモード・バンドパスフィルタ１では、共振器電極３は、第１，第２のグラウンド電極６，７及び第３のグラウンド電極８に取り囲まれている。すなわち、第１，第２のグラウンド電極６，７及び第３のグラウンド電極８が導波管のように作用し、該導波管による共振がスプリアスとなりがちであった。
【００３０】
これに対して、本実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１では、上記第１のビアホール電極９が形成されていることにより、グラウンド電極６，７，８による不要スプリアスを抑圧することができる。これを、具体的な実験例に基づき、図３〜図７を参照して説明する。
【００３１】
なお、以下の実験例において、使用した誘電体基板はＭｇ、Ｓｉを主成分とするセラミックスからなり、３．２×２．５×厚み１．０ｍｍの寸法を有する。また、共振器電極３の寸法は１．４×１．５ｍｍ、開口部の面積は０．５４ｍｍ2とした。
【００３２】
図３は、上記実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１から、共振器電極３及び第１のビアホール電極９を除いた構造のＳパラメータの周波数特性を示す図である。図３において、Ｓ１１特性において、矢印Ａで示す共振が２６．４６ＧＨｚに現れていることがわかる。この共振は、第１〜第３のグラウンド電極６〜８が設けられている構造による共振に相当する。すなわち、第１〜第３のグラウンド電極６〜８による共振の基本モードが２６．４６ＧＨｚで発生していることがわかる。
【００３３】
図４は、上記実施形態の構造から、共振器電極３のみを除いた場合のＳパラメータの周波数特性を示す。すなわち、図４に示す構成では、第１のビアホール電極９が設けられていることを除いては、図３に示した伝送特性を有する構造と異なる。
【００３４】
図４の矢印Ａａから明らかなように、ビアホール電極９を設けることにより、第１〜第３のグラウンド電極６〜８に基づく基本共振が３１．３２ＧＨｚで発生していることがわかる。
【００３５】
従って、図３及び図４を比較すれば明らかなように、第１のビアホール電極を設けることにより、グラウンド電極６〜８による基本共振の周波数が約５ＧＨｚ上昇していることがわかる。
【００３６】
従って、第１のビアホール電極９を設けることにより、グラウンド電極６〜８の共振による基本モードの共振周波数及び高次モードの共振周波数を高周波側にシフトさせ得ることがわかる。
【００３７】
図５は、図１の構造のＳパラメータの周波数特性を示す図である。図５において、２５．５ＧＨｚ付近に見られる共振は、共振器電極３の共振モードであり、開口部により結合し、バンドパスフィルタとしての特性が得られている。これに対して、グラウンド電極６〜８の共振は、矢印Ａｂで示すように３０．７３ＧＨｚに生じていることがわかる。従って、図５から明らかなように、バンドパスフィルタ特性を得るための共振器電極３による共振周波数は、グラウンド電極６〜８による共振周波数から隔てられていることがわかる。
【００３８】
比較のために、図６に示した従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ１２１を用意し、その伝送特性を測定した。なお、デュアルモード・バンドパスフィルタ１２１は、図１に示したデュアルモード・バンドパスフィルタと、第１のビアホール電極９を有しないことを除いては同様に構成されている。
【００３９】
図７から明らかなように、従来のデュアルモード・バンドパスフィルタ１２１では、２７．７ＧＨｚに、共振器電極３による共振が現れているが、矢印Ａｃ，Ａｄで示すようにグラウンド電極による共振が２５．５８ＧＨｚ及び３２．４９ＧＨｚに生じていることがわかる。すなわち、グラウンド電極による基本共振及び高次モードの共振が、デュアルモード・バンドパスフィルタ１２１の通過帯域の両側に次々と発生していることがわかる。
【００４０】
従って、図５と図７を比較すれば明らかなように、本実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１では、第１のビアホール電極９を設けることにより、グラウンド電極６〜８による共振に基づく不要スプリアスを影響を受け難い、良好な伝送特性の得られることがわかる。
【００４１】
第１のビアホール電極９の形成に際しては、上記のように、共振器電極を取り囲むように配置されているグラウンド電極による共振がデュアルモード・バンドパスフィルタの通過帯域外に位置するように第１のビアホール電極９を形成すればよい。それによって、本実施形態のように、グラウンド電極による所望でないスプリアスの影響を受け難い、良好な伝送特性を得ることができる。
【００４２】
また、本実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１では、グラウンド電極６〜８が共振器電極３を取り囲むように設けられているので、共振器電極３からの放射が抑制され、それによって放射損失によるフィルタの挿入損失の増大の抑制及びデュアルモード・バンドパスフィルタがノイズ源となることも防止される。また、他の電子部品や筐体などがデュアルモード・バンドパスフィルタ１近傍に接近された場合に生じるフィルタ特性の変動も抑制される。
【００４３】
上記ビアホール電極９によりグラウンド電極６〜８による共振に基づくスプリアスをシフトさせる理由は、以下のように考えられる。
【００４４】
図８は、デュアルモード・バンドパスフィルタ１におけるグラウンド電極６〜８の基本共振、すなわち、２６．４６ＧＨｚにおける電界分布を模式的に示す平面図及び正面断面図である。この電界分布において黒くなる程強い電界が生じていることを示す。図８から明らかなように、誘電体基板の主面中央部に強い電界が生じていることがわかる。
【００４５】
これに対して、図９は、第１のビアホール電極９が設けられている本実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタにおけるグラウンド電極６〜８の基本共振周波数、すなわち３１．３２ＧＨｚにおける電界分布を示す模式的平面図及び正面断面図である。図９から明らかなように、誘電体基板の主面中央に設けられた第１のビアホール電極９により、図８において現れていた強い電界部分が存在しないことがわかる。
【００４６】
すなわち、ビアホール電極９が設けられている部分とその周辺はグラウンド電極６，７にビアホール電極９が短絡されているため、電界は生じなくなる。従って、本実施形態では、上記ビアホール電極９の形成により、誘電体基板の中央において強い共振が生じ難くなったため、あるいはビアホール電極９の周辺がグラウンド電極６〜８による共振に寄与しなくなったため、導波管状の構造の寸法が小さくなり、グラウンド電極６〜８による基本共振の周波数が高くなったと考えられる。
【００４７】
図１０（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るデュアルモード・バンドパスフィルタの平面図及び（ａ）のＸ２−Ｘ２に沿う側面断面図である。
【００４８】
第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、以下の第２のビアホール電極２２〜２５が設けられていることを除いては、第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１と同様に構成されている。すなわち、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、共振器電極３を平面視した場合、共振器電極３が設けられている領域の外側に、複数の第２のビアホール電極２２〜２５が配置されている。ビアホール電極２２〜２５は、第１のビアホール電極９と同様に、第１，第２のグラウンド電極６，７に電気的に接続されている。
【００４９】
デュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、第２のビアホール電極２２〜２５が設けられているため、グラウンド電極６〜８による所望でないスプリアスをより一層高周波数側に移動させ、その影響を小さくすることができる。これを、図１１〜１３を参照して説明する。
【００５０】
図１１は、デュアルモード・バンドパスフィルタのＳパラメータの周波数特性を示す図である。第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１の伝送特性を示す図５では、グラウンド電極６〜８による基本共振は、３０．７３ＧＨｚであったのに対し、図１１では、３３．５６ＧＨｚに高められていることがわかる。なお、図１１において、共振器電極３による共振は２５．５ＧＨｚ付近に現れている。
【００５１】
すなわち、第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、第２のビアホール電極２２〜２５の追加により、グラウンド電極６〜８による所望でないスプリアスをより高周波数側に移動させ、該スプリアスによる影響をより一層小さくし得ることがわかる。これは、第２のビアホール電極２２〜２５が設けられたことにより、第２のビアホール電極２２〜２５周辺に、共振に寄与しない部分が設けられ、それによって第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタよりも導波管状の構造の寸法が減少し、グラウンド電極６〜８による共振の共振周波数が高められたためと考えられる。
【００５２】
また、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、さらに製造誤差による周波数ばらつきを低減することも可能となる。製造誤差により、デュアルモード・バンドパスフィルタの幅方向寸法Ｗは、図１２の右側に示すように、Ｗ１となるように狭くなったとする。
【００５３】
図１３は、デュアルモード・バンドパスフィルタ１において、幅方向寸法が上記のように小さくなった場合、但し、共振器電極３が設けられていない領域のＳパラメータの周波数特性を示す図である。また、図１４は、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１において、幅方向寸法が同様に小さくなった場合であって、但し共振器電極３が設けられていない構造のＳパラメータの周波数特性を示す図である。
【００５４】
図１３と、図４とを比較すれば明らかなように、デュアルモード・バンドパスフィルタ１では、製造誤差により幅方向寸法が小さくなると、グラウンド電極６〜８による共振のスプリアスの基本共振周波数は３１．３２ＧＨｚから、３２．８７ＧＨｚに変化していることがわかる。
【００５５】
他方、図１１と図１４とを比較すれば明らかなように、第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ２１において幅方向寸法が小さくなった場合には、グラウンド電極の共振による基本共振周波数は３３．５６ＧＨｚから３３．９８ＧＨｚに変化していることがわかる。
【００５６】
すなわち、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、デュアルモード・バンドパスフィルタ１に比べて、チップサイズが変動した場合のスプリアスの共振周波数の変動が小さくなることがわかる。言い換えれば、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、製造誤差によるチップ寸法のばらつきによるスプリアスの位置のばらつきを低減することができ、それによって伝送特性のばらつきを低減し得ることがわかる。
【００５７】
上記のように、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１において、チップサイズの変動によるスプリアスの周波数位置のばらつきを低減し得るのは、以下の理由によると考えられる。
【００５８】
すなわち、デュアルモード・バンドパスフィルタ１では、幅方向寸法は変化すると、中央の第１のビアホール電極９と、デュアルモード・バンドパスフィルタ
１の長辺側側面との間にある空間の広さが変化する。ＴＥモードの共振は、空間の広さに依存するため、空間の広さが変化する程周波数も変化する。
【００５９】
これに対して、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、共振器電極３の周囲に設けられた第２のビアホール電極２２〜２５と、中央に設けられた第１のビアホール電極９とにより空間が固定化されているため、チップの幅方向寸法が変化したとしても、空間的な変化は生じない。従って、デュアルモード・バンドパスフィルタ２１では、製造誤差によるスプリアスの変動を抑制し得ると考えられる。
【００６０】
なお、図１５に示す変形例のバンドパスフィルタ２６のように、誘電体基板２内部に第１，第２のグラウンド電極６，７が配置されていてもよい。
【００６１】
また、第１，第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタ１，２１は、特許文献１に記載のような開口部により縮退していない複数の共振モードを結合させてバンドパスフィルタとしての特性を得ていたが、本発明は、このようなバンドパスフィルタに限定されるものではない。例えば、図１６に示すようにリング状の共振器電極３１を有し、該リング状の共振器電極３１に対する結合点３２，３３を制御することにより、デュアルモード・バンドパスフィルタとしての特性を得ることができる従来より公知のデュアルモード・バンドパスフィルタにも適用することができる。なお、図１６のバンドパスフィルタでは、帰還回路３４を用いて、結合の調整が行われる。
【００６２】
上記のように、本発明は、共振器電極が開口を有する限り、様々な形状の共振器電極を用いた、様々なバンドパスフィルタに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】（ａ）は、第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの外観を示す斜視図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は（ｂ）のＸ１，Ｘ１に沿う側面断面図。
【図２】第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの共振器電極及び入出力結合電極を示す模式的平面図。
【図３】第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタから第１のビアホール電極及び共振器電極を除去した構造のＳパラメータの周波数特性を示す図。
【図４】第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタから共振器電極が除去された構造のＳパラメータの周波数特性を示す図。
【図５】第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタのＳパラメータの周波数特性を示す図。
【図６】比較のために用意した従来のデュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための模式的底面図。
【図７】図６に示した従来のデュアルモード・バンドパスフィルタのＳパラメータの周波数特性を示す図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、ビアホール電極が設けられていない従来例におけるデュアルモード・バンドパスフィルタの電界分布を説明するための模式的平面図及び模式的正面断面図。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの電界分布を説明するための模式的平面図及び模式的正面断面図。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は、第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの底面図及び（ａ）におけるＸ２−Ｘ２線に沿う側面断面図。
【図１１】第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタのＳパラメータの周波数特性を示す図。
【図１２】デュアルモード・バンドパスフィルタにおいて、幅方向寸法が小さくなった場合を説明するための略図的平面図。
【図１３】第１の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの幅方向寸法が変化した場合の、但し共振器電極が設けられていない構造のＳパラメータの周波数特性を示す図。
【図１４】第２の実施形態のデュアルモード・バンドパスフィルタの幅方向寸法が小さくなった場合であって、共振器電極が設けられていない構造のＳパラメータの周波数特性を示す図。
【図１５】本発明のデュアルモード・バンドパスフィルタの変形例を示す正面断面図。
【図１６】本発明に係るデュアルモード・バンドパスフィルタのさらに他の変形例を説明するための模式的平面図。
【図１７】（ａ）及び（ｂ）は、従来のデュアルモード・バンドパスフィルタを説明するための正面断面図及び模式的平面図。
【符号の説明】
【００６４】
１…デュアルモード・バンドパスフィルタ
２…誘電体基板
３…共振器電極
３ａ…開口部
４，５…入出力結合電極
６，７…第１，第２のグラウンド電極
８…第３のグラウンド電極
９…第１のビアホール電極
１０，１１…入出力端子電極
１２，１３…第３のビアホール電極
２１…デュアルモード・バンドパスフィルタ
２２〜２５…第２のビアホール電極
２６…デュアルモード・バンドパスフィルタ
３１…共振器電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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