(57)【要約】【課題】コストアップせずに正確、確実にエージングを行うことのできるエージング装置を提供する。【解決手段】エージング装置のレーザダイオードアレイ５ａは、ソケット部６、マルチプレクサ７、および抵抗部８を含んでいる。ソケット部６のソケットは互いに並列に接続されており、各ソケットにレーザダイオードＬＤ１などが装着される。レーザダイオードＬＤ１に対して抵抗部８の抵抗Ｒ１を直列に接続する。抵抗Ｒ１などの抵抗値を、レーザダイオードＬＤ１などの内部抵抗よりも非常に大きな値とするので、コストアップせずに、各レーザダイオードに均一なストレス電流を与えることができる。また、マルチプレクサ７によってレーザダイオードごとの電位を選択して出力するので、エージングによる良否をレーザダイオードごとに判別できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を装着するためのソケットを複数備えている、半導体装置の検査用基板において、
上記ソケット毎に、上記ソケットに直列に接続される電流均一用抵抗をそれぞれ備え、
上記複数の、上記ソケットおよびこのソケットと直列に接続された上記電流均一用抵抗が、互いに並列に接続されていることを特徴とする、半導体装置の検査用基板。
【請求項２】
上記複数のソケットのうちから一つを選択する選択装置を備えており、
上記選択装置が、選択したソケットに装着された半導体装置を介した信号を選択して出力することを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の検査用基板。
【請求項３】
上記選択装置は、入力される選択信号を受信するための受信部を備え、
上記受信部にて受信した上記選択信号に応じて、上記複数のソケットのうちから選択する一つのソケットを切換えることを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置の検査用基板。
【請求項４】
半導体装置に電圧を印加して検査を行う、半導体装置の検査装置において、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体装置の検査用基板と、
上記検査用基板のソケットに装着された半導体装置に所定の電圧を印加する電源部とを備えていることを特徴とする、半導体装置の検査装置。
【請求項５】
半導体装置に電圧を印加して検査を行う、半導体装置の検査装置において、
請求項３に記載の半導体装置の検査用基板と、
上記検査用基板のソケットに装着された半導体装置に所定の電圧を印加する電源部と、
上記検査用基板の上記選択装置に上記選択信号を出力することによって、上記選択信号によって選択された半導体装置を介した信号を、上記選択装置を用いて検出する制御部とを備えていることを特徴とする、半導体装置の検査装置。
【請求項６】
互いに並列に接続された複数のソケットに対してそれぞれ装着された半導体装置を検査する、半導体装置の検査方法において、
上記ソケット毎に備えられる、上記半導体装置と直列に接続された電流均一用抵抗を介して、上記半導体装置と上記電流均一用抵抗とに所定の電圧を印加することによって、上記複数の上記半導体装置にそれぞれ所定の電流を供給し、
上記並列に接続された複数のソケットのうちの一つを選択し、
上記選択したソケットに装着された半導体装置のみの動作を検査することを特徴とする、半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の検査用基板、半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法に関するものであり、より詳細には、半導体装置としての例えばレーザダイオードにエージングを行うための、半導体装置の検査用基板、半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザダイオードのような半導体装置に対しては、例えばパッケージをした後に、初期不良を生じていないか、または初期不良を生じうるものであるかを判別するために、負荷試験を行う。このような負荷試験の一例として、レーザダイオードに対するエージングがある。
【０００３】
エージングにおいては、所定の時間にわたって電圧などを印加して、初期不良の有無を検査する。通常、レーザダイオードのエージングにおいては、定電流回路でのエージングがなされる。これは、レーザダイオードの最大負荷（レーザの最大出力時）となる特定電流値においてエージングして、欠陥品、劣化品を判別するためである。
【０００４】
より詳細には、例えば複数のレーザダイオードを一つのデバイス上に配置したレーザダイオードアレイにおいて、その一つ一つのレーザダイオードに対して、それぞれ電流源を装備する。
【０００５】
一方、レーザダイオードのエージングにおいて、定電圧回路を用いる場合もある。この場合には、レーザダイオード一つ一つに対して電流源をそれぞれ装備する必要はない。
【０００６】
なお、半導体装置にエージングを行う半導体装置のバーンイン試験装置の一例が、日本国の公開特許公報「特開平９−３１８７０２号（公開日：１９９７年１２月１２日）」に記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−３１８７０２号
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の定電流回路による構成はコストアップを生じ、また従来の定電圧回路による構成は正確なエージングを行うことができないという問題を生ずる。
【０００９】
すなわち、定電流回路によるエージングでは、非常に多くの電流源が必要となるため、大幅なコストアップを生ずるという問題がある。
【００１０】
ここで、エージングの際には、レーザダイオードをバーンインボードと呼ぶプリント基板に装着してエージングを行う。この際、定電流回路の構成によれば、このバーンインボードとレーザダイオードとの電気的な接触のためのコネクタ、ピンなどが大量に必要となり、コストアップを生ずるという問題がある。または、妥当なピン数にするために、レーザダイオードアレイの有するレーザダイオードの数、またはバーンインボード１枚当たりのレーザダイオードの数を少なくすると、同じ数のレーザダイオードをエージングするためにはかえって多くのバーンインボードが必要となり、コストアップを生ずるという問題がある。
【００１１】
このように、定電流回路による構成では、小さなエリアに多数のレーザダイオードチップが搭載されているレーザダイオードアレイに対して、チップを一個ずつ評価するために、多数の回路が必要となり、コストが膨大なものとなるという問題を生ずる。
【００１２】
また、従来の定電圧回路でエージングを行う場合には、多くの電流源は不要である。しかしながら、レーザダイオードは内部抵抗にばらつきがあるため、印加電流のばらつきが発生し、正確なエージングが不可能であるという問題がある。また、アレイ状のレーザダイオードに対する合計の電流変化のみを測定可能であるため、レーザダイオードごとの個別の劣化判定が不可能であるという問題がある。
【００１３】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストアップを防止して、正確なエージングを行うことのできる、半導体装置の検査用基板、半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の検査用基板は、上記課題を解決するために、半導体装置を装着するためのソケットを複数備えている、半導体装置の検査用基板において、上記ソケット毎に、上記ソケットに直列に接続される電流均一用抵抗をそれぞれ備え、上記複数の、上記ソケットおよびこのソケットと直列に接続された上記電流均一用抵抗が、互いに並列に接続されていることを特徴としている。
【００１５】
この検査用基板には、例えば、電圧を印加する電源装置が接続されて、検査用基板のソケットに装着された半導体装置に所定の電圧が印加される。電源装置としては、例えば定電圧回路を用いる。また、半導体装置は、例えばレーザダイオードである。なお、このソケットは、装着された半導体装置の一端と他の一端とを、電流均一用抵抗に直列に接続するような構成であってもよいし、または、装着された半導体装置の一端を電流均一用抵抗に接続し、他の一端をグラウンドに接続するような構成であってもよい。
【００１６】
ここで、複数の半導体装置と、この半導体装置にそれぞれ直列に接続された電流均一用抵抗とは、互いに並列に接続されている。このため、並列接続された構成に所定の電圧が印加されると、各半導体装置および電流均一用抵抗には、それぞれ所定の均一な電流が供給される。
【００１７】
すなわち、電流均一用抵抗として、例えば、ソケットに装着する半導体装置の内部抵抗よりも、非常に大きな抵抗値をもつ抵抗を用いる。この構成であれば、半導体装置の内部抵抗のばらつきにもかかわらず、所定の電圧を印加することによって半導体装置に供給される電流値を、半導体装置ごとにほぼ等しく、ほぼ均一にできる。このため、各半導体装置を正確、確実にエージングできる。電流均一用抵抗の抵抗値としては、対象となる半導体装置の内部抵抗値よりも十分大きな値であり、電流均一用抵抗に対して過大な電圧が印加されることが無いように、例えば抵抗両端の電位差が１０Ｖを超えないような抵抗値とすることが望ましい。例えば３２個のソケットに対してそれぞれレーザダイオードチップのような半導体装置を装着し、一つの電源装置から電圧を印加する場合には、レーザダイオードチップの内部抵抗を３００Ω程度として、電流均一用抵抗の抵抗値を５００Ω程度とすれば、各レーザダイオードチップを流れる電流のばらつきを１％程度以下にできる。
【００１８】
また、各半導体装置を並列接続して電圧を印加するので、例えばそのうちの一つの半導体装置に異常を生じても、他の半導体装置のエージングに影響を与えることがない。
【００１９】
また、検査用基板のソケットに装着した複数の半導体装置を、一つの電源によって検査できる。このため、設定回路、電源回路を削減できる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置の検査用基板は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記複数のソケットのうちから一つを選択する選択装置を備えており、上記選択装置が、選択したソケットに装着された半導体装置を介した信号を選択して出力することを特徴としている。
【００２１】
このように、選択装置を用いて、半導体装置のうち、選択したソケットに装着された半導体装置のみを介した信号（電位）を出力すれば、半導体装置ごとの個別の劣化判定、良否判定が可能となる。
【００２２】
また、例えば、電源装置の印加する所定の電圧を、選択装置を用いて検出した電圧に応じて制御してもよい。
【００２３】
なお、半導体装置を介した信号とは、例えば装着された半導体装置の一端と他の一端とを電流均一用抵抗に直列に接続しているソケットを用いている場合には、その半導体装置の一端と他の一端とを介した信号に相当する。
【００２４】
また、半導体装置を介した信号とは、例えば装着された半導体装置の一端を電流均一用抵抗に接続し、他の一端をグラウンドに接続するようなソケットを用いている場合には、その一端を介した信号に相当する。すなわち、このようなソケットに対して、例えば半導体装置としてダイオードを用いる場合には、一端（アノード）を電流均一用抵抗に接続し、他の一端（カソード）をグラウンドに接続するので、ダイオードの両端の電圧が、半導体装置を介した信号に相当する。
【００２５】
本発明に係る半導体装置の検査用基板は、上記課題を解決するために、上記構成において、上記選択装置は、入力される選択信号を受信するための受信部を備え、上記受信部にて受信した上記選択信号に応じて、上記複数のソケットのうちから選択する一つのソケットを切換えることを特徴としている。
【００２６】
この構成であれば、検査用基板の選択装置に選択信号を出力することによって、検査用基板のソケットに装着された半導体装置について、半導体装置ごとの個別の劣化判定が可能となる。例えば、所定の時間ごとに選択信号を出力し、順次選択するソケットを切換えるようにして、全てのソケットに装着された半導体装置について検査してもよい。
【００２７】
このように、検査用基板と電源部とを用いて半導体装置の検査を行う場合に、半導体装置ごとの個別の劣化判定を行うための選択装置を検査用基板に含めているので、電源部の構成を簡単なものにできる。よって電源部のコストを増加させない。
【００２８】
また、半導体装置ごとに判定するための構成は、検査用基板における各ソケットの配置に応じて設計する必要がある。ここで、例えば汎用の選択装置を検査用基板の外部に設ける場合には、半導体装置ごとに判定するための構成を設定するために、非常に手間がかかり、ユーザの使い勝手が悪くなる。また、かえってコストを増加させてしまう。また、装置全体のスペースも増加させてしまう。
【００２９】
そこで、上述のように選択装置を検査用基板に含めれば、ユーザによる設定を選択信号に関するもののみとして、選択装置に対する余分な設定が不要となり、コストを増加させない。また、省スペースを実現できる。
【００３０】
なお、上述の選択装置は、例えばマルチプレクサを用いて実現される。すなわち、例えば、マルチプレクサが、選択信号に応じて、選択したソケットに装着された半導体装置を介した信号（電位）を出力するようにしてもよい。
【００３１】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、上記課題を解決するために、半導体装置に電圧を印加して検査を行う、半導体装置の検査装置において、上述のいずれかの半導体装置の検査用基板と、上記検査用基板のソケットに装着された半導体装置に所定の電圧を印加する電源部とを備えていることを特徴としている。
【００３２】
したがって、検査用基板と電源部とを用いて、半導体装置の内部抵抗のばらつきにもかかわらず、半導体装置に供給される電流値を半導体装置ごとにほぼ等しくして、各半導体装置を正確にエージングできる。
【００３３】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、上記課題を解決するために、半導体装置に電圧を印加して検査を行う、半導体装置の検査装置において、上述の選択装置が選択信号を受信するための受信部を備えている上述の半導体装置の検査用基板と、上記検査用基板のソケットに装着された半導体装置に所定の電圧を印加する電源部と、上記検査用基板の上記選択装置に上記選択信号を出力することによって、上記選択信号によって選択された半導体装置を介した信号を、上記選択装置を用いて検出する制御部とを備えていることを特徴としている。
【００３４】
したがって、検査用基板と電源部とを用いて、半導体装置の内部抵抗のばらつきにもかかわらず、半導体装置に供給される電流値を半導体装置ごとにほぼ等しくして、各半導体装置を正確にエージングできる。
【００３５】
また、選択装置を用いて、半導体装置のうち、選択したソケットに装着された半導体装置のみを介した信号（電位）を検出するので、半導体装置ごとの個別の劣化判定が可能となる。
【００３６】
また、選択信号によって、選択するソケットを変更できるので、検査用基板のソケットに装着された各半導体装置を、順次簡単に変更して、検査を容易にできる。
【００３７】
なお、半導体装置を介した信号とは、例えば装着された半導体装置の一端と他の一端とを電流均一用抵抗に直列に接続しているソケットを用いている場合には、その半導体装置の一端と他の一端とを介した信号に相当する。
【００３８】
また、半導体装置を介した信号とは、例えば装着された半導体装置の一端を電流均一用抵抗に接続し、他の一端をグラウンドに接続するようなソケットを用いている場合には、その一端を介した信号に相当する。すなわち、このようなソケットに対して、例えば半導体装置としてダイオードを用いる場合には、一端（アノード）を電流均一用抵抗に接続し、他の一端（カソード）をグラウンドに接続するので、ダイオードの両端の電圧が、半導体装置を介した信号に相当する。
【００３９】
また、本発明に係る半導体装置の検査装置を、一つのパッケージ内に、複数のレーザダイオードチップがアレイ状に入っているデバイスのエージング装置において、電流均一用抵抗をそれぞれのレーザダイオードチップ毎に直列に搭載し、並列定電圧印加を行い、レーザダイオードチップごとの劣化を測定するために、Ｖｆ電圧を切換える回路をバーンインボード上に構成したエージング装置である、と表現することもできる。
【００４０】
本発明に係る半導体装置の検査方法は、上記課題を解決するために、互いに並列に接続された複数のソケットに対してそれぞれ装着された半導体装置を検査する、半導体装置の検査方法において、上記ソケット毎に備えられる、上記半導体装置と直列に接続された電流均一用抵抗を介して、上記半導体装置と上記電流均一用抵抗とに所定の電圧を印加することによって、上記複数の上記半導体装置にそれぞれ所定の電流を供給し、上記並列に接続された複数のソケットのうちの一つを選択し、上記選択したソケットに装着された半導体装置のみの動作を検査することを特徴としている。
【００４１】
このように、互いに並列に接続された、半導体装置と電流均一用抵抗との組に対して、所定の電圧を印加して、各半導体装置に所定のほぼ均一な電流を供給する。
【００４２】
すなわち、電流均一用抵抗として、例えば、ソケットに装着する半導体装置の内部抵抗よりも、非常に大きな抵抗値をもつ抵抗を用いる。この構成であれば、半導体装置の内部抵抗のばらつきにもかかわらず、所定の電圧を印加することによって半導体装置に供給される電流値を、半導体装置ごとにほぼ等しく、ほぼ均一にできる。このため、各半導体装置を正確にエージングできる。
【００４３】
また、並列に接続された複数のソケットのうちの一つを選択し、選択したソケットに装着された半導体装置のみの動作を検査するので、半導体装置ごとの個別の劣化判定が可能となる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について図１ないし図７に基づいて説明すると以下の通りである。
【００４５】
本実施形態のエージング装置（半導体装置の検査装置）は、複数の面発光レーザダイオード（半導体装置）に対して所定の電流を供給してエージングを行い、レーザダイオードチップの初期不良としての劣化の有無を判定するものである。
【００４６】
エージング装置１は、図２に示すように、概略的に、バーンインボード（半導体装置の検査用基板）２、ストレスモニタ回路（電源部）３、およびＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）回路（制御部）４を含んでいる。
【００４７】
バーンインボード２は、レーザダイオードを装着するためのソケットを複数備えている基板である。ストレスモニタ回路３は、バーンインボード２に装着されたレーザダイオードに所定の電圧を印加するためのものである。ＣＰＵ回路４は、バーンインボード２およびストレスモニタ回路３を制御する。
【００４８】
バーンインボード２は、アレイ５ａのような、複数のソケットを含んでいるレーザダイオードアレイを備えている。なお、図２においては、簡単のために一つのアレイ５ａのみを示しているが、本発明に係るエージング装置はこれに限るものではなく、複数のアレイを備えていてもよい。本実施形態のバーンインボード２は、例えばアレイ５ａと同様のアレイをさらに二つ備えた、三つのアレイを含んでいるバーンインボードとする。なお、アレイの数は三つに限るものではない。本実施形態のエージング装置１は、デバイス形状のアレイ５ａなどに装着されたレーザダイオードに対して、エージング試験を行う。
【００４９】
バーンインボード２のアレイ５ａは、ソケット部６のソケット６−１〜６−３２、マルチプレクサ（選択装置、受信部）７、および図示しない抵抗部を含んでいる。
【００５０】
ソケット６−１〜６−３２には、図１に示すように、それぞれレーザダイオードＬＤ１などを装着する。これらのソケット６−１〜６−３２は、互いに並列に接続されている。このように、並列に接続したソケット６−１〜６−３２にレーザダイオードを装着して、定電圧を印加してエージングを行えば、定電流回路を用いる場合のような多くの電流源は不要となり、コストアップを防止できる。
【００５１】
なお、このソケット部６を、例えばバーンインボードＤＵＴ（Ｄｅｖｉｃｅ  Ｕｎｄｅｒ  Ｔｅｓｔ）ソケット部、またはレーザダイオードアレイにおけるＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：  面発光型半導体レーザ）と称することもある。
【００５２】
マルチプレクサ７は、アレイ５ａの各ソケット６−１〜６−３２のうちから一つのソケットを選択し、そのソケットに装着されたレーザダイオードを介した信号（電位）を出力する選択装置である。なお、マルチプレクサ７がレーザダイオードの両端の電圧であるＶｆ電圧を選択して出力するように構成してもよい。すなわち、例えばソケット６−１は、図１に示す抵抗Ｒ１およびレーザダイオードＬＤ１を、図７に示すように接続する構成であってもよい。この構成であれば、レーザダイオードＬＤ１を介した、レーザダイオードＬＤ１の両端の電圧Ｖｆが、マルチプレクサ７に入力される。
【００５３】
マルチプレクサ７は、図２に示すように、ＣＰＵ回路４からの選択信号に応じて切換えを行う。また、マルチプレクサ７は、選択した電位を図２に示す電圧モニタ回路１０へと出力する。マルチプレクサ７が選択するソケットの切換えを行うことによって、エージング装置１は、レーザダイオード一つ一つの良否判定を行うことができる。すなわち、レーザダイオードチップの劣化を個別に判定できる。
【００５４】
図１に戻ると、抵抗部８に含まれる抵抗（電流均一用抵抗）Ｒ１などは、ソケットに装着されたレーザダイオードに対してそれぞれ直列に接続する。この抵抗Ｒ１は、各レーザダイオードを流れる電流を均一にするためのものである。このために、抵抗Ｒ１は、レーザダイオードの内部抵抗より非常に大きな抵抗値のものを使用する。抵抗Ｒ１の抵抗値としては、レーザダイオードの内部抵抗値よりも十分大きな値であり、抵抗Ｒ１に対して過大な電圧が印加されることが無いように、例えば抵抗Ｒ１両端の電位差が１０Ｖを超えないような抵抗値とすることが望ましい。例えば３２個のソケットに対してそれぞれレーザダイオードチップを装着し、ストレスモニタ回路３の定電圧電源９から電圧を印加する場合には、レーザダイオードチップの内部抵抗を３００Ω程度として、抵抗Ｒ１の抵抗値を５００Ω程度とすれば、各レーザダイオードチップを流れる電流のばらつきを１％程度以下にできる。
【００５５】
このように、抵抗Ｒ１などを各ソケットに直列に接続し、定電圧を印加することによって、各レーザダイオードに対して均一なストレス電流を供給できる。すなわち、レーザダイオードの内部抵抗のバラツキより生ずる電流のバラツキの比率を小さくできる。これによって、各ソケットに装着されたレーザダイオードを正確、確実にエージングできる。
【００５６】
ここで、図３に示すように、電圧印加、電圧モニタ回路部分に相当する、アレイ５ａのソケット部６と抵抗部８とには、図示しないストレスモニタ回路３からの定電圧Ｓ＋、Ｓ−が印加される。なお、Ｍ＋、Ｍ−は、モニタ用の電圧である。
【００５７】
また、マルチプレクサ７には、図示しないＣＰＵ回路４からの選択信号ＡＡ０−ＡＡ３およびＣＳ１、ＣＳ２が入力される。特に、本実施形態においては、３２個のソケットに対応して、１６チャンネルのマルチプレクサ（１６Ｃｈ  ＭＰＸ）を二つ用いている。ＡＡ０−ＡＡ３は、選択を１６チャンネル中から行うための４ビットのアドレス信号である。ＣＳ１またはＣＳ２は、マルチプレクサを起動するための選択信号である。マルチプレクサ７からは、選択信号に応じて、電位ＯＵＴ１、ＯＵＴ２が図示しないストレスモニタ回路３へと出力される。
【００５８】
なお、抵抗部８の電流均一用の抵抗値を大きくしているため、レーザダイオードの劣化による電流変化は大きくない。このため、正確なエージング、各レーザダイオードの均一なエージングが可能となる。
【００５９】
また、マルチプレクサ７を用いて、バーンインボード２上の各レーザダイオードについて切換えするので、これによって、選択した一つのレーザダイオードを介した信号（電位）を得ることができる。すなわち、レーザダイオードごとに個別に欠陥の有無を判別できる。また、マルチプレクサ７への選択信号を出力することによって、バーンインボード２上の各レーザダイオードからの信号を順次検出できる。
【００６０】
また、ストレスモニタ回路３は、図２に示すように、定電圧電源９および電圧モニタ回路１０を備えている。
【００６１】
定電圧電源９は、ＣＰＵ回路４の制御により、バーンインボード２に定電圧を印加するものである。定電圧電源９は、図１に示す端子Ｓ＋、Ｓ−などと接続されている。定電圧電源９は、図４に示すように、電圧出力回路、電圧フィードバック回路、出力電流モニタ回路からなる。電圧出力回路は、基準端子（Ｒｅｆ）からの出力と電圧フィードバック回路からの出力とを増幅器Ａ１にて増幅して端子Ｓ＋へと出力する。電圧フィードバック回路は、端子Ｍ＋、Ｍ−から得られる電位の差を増幅器Ａ２にて増幅して出力する。出力電流モニタ回路は、端子Ｓ＋への出力による、所定の抵抗における電圧降下分を、増幅器Ａ３にて増幅してモニタ端子（Ｍｏｎ１）へと出力する。これにより、定電圧電源９は、バーンインボード２の、互いに並列に接続されたソケットに装着されたレーザダイオードに対して、定電圧を印加する。
【００６２】
このように、本実施形態においては、アレイ状になった１個もしくは複数のレーザダイオードに対して、ストレス回路として、１回路の定電圧電源９を用意する。このように、一つの定電圧電源９を用意するのみでよいので、余分なコストアップを生じさせない。
【００６３】
一方、電圧モニタ回路１０は、図２に示すように、マルチプレクサ７に接続されている。電圧モニタ回路１０は、ソケットごとに切換えられて選択されたレーザダイオードの電位を、ＣＰＵ回路４からの選択信号に応じて取り出して、ＣＰＵ回路４へと出力する。この電圧モニタ回路１０は、図５に示すように、マルチプレクサ７で選択された電圧を増幅器で受けて、Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ）コンバータでデジタル変換する回路からなる。
【００６４】
また、ＣＰＵ回路４は、バーンインボード２とストレスモニタ回路３とを制御するものである。すなわち、ＣＰＵ回路４は、バーンインボード２のマルチプレクサ７へ制御信号（選択信号）を出力し、また、ストレスモニタ回路３の定電圧電源９の調整を行う。
【００６５】
ＣＰＵ回路４は、図６に示すように、ＣＰＵ制御回路４ａ、通信インタフェース回路４ｂ、アナログインタフェース４ｃ、およびデジタルインタフェース４ｄを含んでいる。
【００６６】
ＣＰＵ制御回路４ａは、ＣＰＵ回路４の制御を行うものである。通信インタフェース回路４ｂは、外部の他のボードへの通信インタフェース、またはコンピュータとの通信インタフェースとして機能する。通信インタフェース回路４ｂとして、例えばＲＳ−４８５通信インタフェースによる通信インタフェース回路を用いることができる。アナログインタフェース４ｃは、アナログ信号を入出力するインタフェース回路である。デジタルインタフェース４ｄは、デジタル信号を入出力するインタフェース回路である。
【００６７】
アナログインタフェース４ｃは、定電圧電源９および電圧モニタ回路１０ａ〜１０ｆと接続されている。図６に示す定電圧電源９は、図４に示す定電圧電源９と同じものである。アナログインタフェース４ｃは、図示しない外部の電源からの基準電圧を基準端子（Ｒｅｆ）に供給する。ただし、図６に示す定電圧電源９においては、アレイ５ａ（Ｃｈ１）だけでなく、図示しない他のアレイ（Ｃｈ２、Ｃｈ３）に対しても電圧を印加するために、Ｃｈ１〜３と表示している。また、電圧モニタ回路１０ａ〜１０ｆは、それぞれ、上述した図５に示す電圧モニタ回路１０と同様のものである。アレイ５ａからの出力ＯＵＴ１、ＯＵＴ２、また他のアレイからの出力ＯＵＴ３、ＯＵＴ４、およびＯＵＴ５、ＯＵＴ６を、それぞれ電圧モニタ回路１０ａ〜１０ｆにてモニタする。また、デジタルインタフェース４ｄは、選択信号ＡＡ０−ＡＡ３およびＣＳ１、ＣＳ２を出力するためのインタフェースとして機能する。
【００６８】
ＣＰＵ回路４が、定電圧を出力するように定電圧電源９を調整する際には、エージング開始時にＣＰＵ制御にて、定電圧回路より規定のストレス電流となるように出力電流をモニタしながら、電圧出力を調整し、以後、エージング終了まで、調整された電圧を保持する。なお、エージング試験は、上述のように、決まった電流値を維持するように行う。一方、定電圧電源９側では、試験開始時に、出力電流をモニタしながら、出力電圧を調整出力して、目的の電流になった時点での印加電圧値として、定電圧を出力する。
【００６９】
また、ＣＰＵ回路４は、マルチプレクサ７に、ソケットのうちの一つを選択する信号を出力することによって、レーザダイオード一つ一つを順次切換えして測定を行う。また、エージング終了は、例えば経過時間で設定される。すなわち、所定の経過時間（エージング時間）内に劣化（異常）となったデバイスを不良と判断する。このように、エージング中は、ＣＰＵ制御にてバーンインボード２上のマルチプレクサ７を切換えて、各レーザダイオードチップからの信号（電位）をモニタして、各チップの異常を監視する。
【００７０】
上記構成のエージング装置１の動作について、説明する。ここでは簡単のため、一つのアレイ５ａについての動作のみ説明する。
【００７１】
まず、エージングする際には、図３に示すソケット部６に、レーザダイオードをそれぞれ装着する。
【００７２】
ここで、図３に示すように、アレイ５ａのソケット部６と抵抗部８とには、定電圧電源９からの定電圧（Ｓ＋、Ｓ−）とが印加される。定電圧を維持するためのモニタ用電圧（Ｍ＋、Ｍ−）は定電圧電源９を介してＣＰＵ回路４へと送られる。また、アレイ５ａのマルチプレクサ７には、ＣＰＵ回路４からの選択信号ＡＡ０−ＡＡ３、ＣＳ１、ＣＳ２が印加される。
【００７３】
そして、ＣＰＵ回路４は、Ｍ＋、Ｍ−をモニタしながら、Ｓ＋、Ｓ−が定電圧となるよう定電圧電源９を調整する。これによって、ソケット部６に装着されたレーザダイオードには、抵抗部８の抵抗を通じて、均一な電流が供給される。
【００７４】
一方、各レーザダイオードの状況を個別にモニタするために、マルチプレクサ７へ選択信号を印加して、ソケットのうちの一つにおける、レーザダイオードを介した信号（電位）を得る。これによって、各レーザダイオードのうち、選択したソケットに装着されたレーザダイオードのみの状況をモニタできる。また、各ソケットを図７に示すソケット６−１のような構成として、レーザダイオードの両端の電圧を得るようにして、レーザダイオードの状況をモニタしてもよい。
【００７５】
また、ＣＰＵ回路４は、選択するソケットを順次切換えて、ソケット部６のソケット６−１〜６−３２を順次一つずつ選択する。このようにすれば、一つのストレスモニタ回路３、ＣＰＵ回路４にて、複数のレーザダイオードのエージングを行うことができる。
【００７６】
以上のように、本実施形態に係るエージング装置１は、レーザダイオードを装着するためのソケット６−１〜６−３２に対して、電流均一用抵抗Ｒ１をそれぞれ直列に接続し、さらに、複数の、ソケット６−１〜６−３２と電流均一用抵抗Ｒ１とが、互いに並列に接続されている構成である。これによって、各ソケットに装着されたレーザダイオードにほぼ均一なストレス電流を供給して、正確、確実なエージングが可能となる。
【００７７】
また、各ソケット６−１〜６−３２のうちから一つのソケットを選択し、そのソケットに装着されたレーザダイオードを介した信号を出力する選択装置として機能するマルチプレクサ７を備えているので、ソケットに装着されたレーザダイオードごとに個別に劣化判定できる。
【００７８】
また、バーンインボード２のマルチプレクサ７が、ＣＰＵ回路４からの選択信号に応じて切換えを行うので、バーンインボード２の外部に設ける、レーザダイオードごとの個別の判定を行うための構成を、簡単なものにできる。
【００７９】
以上のように、本発明は、レーザダイオードアレイの最終工程でのエージング用途に関するものである。
【００８０】
ここで、上述の定電流回路による構成はコストアップを生ずるという問題があった。また、試験スペースもチップ数に比例して必要となってしまう。
【００８１】
また、従来の定電圧回路によるエージングにおいては、各レーザダイオードの内部抵抗のバラツキから、印加電流のばらつきが発生する。また、アレイ全体の合計の電流しか計測できないので、個別のレーザダイオードの劣化を判定できない。このため、従来の定電圧回路によるエージングでは、レーザダイオードアレイのチップ毎の正確なエージングが不可能であった。
【００８２】
一方、本発明によれば、正確に、かつレーザダイオードごとに、レーザダイオードを、最大負荷（レーザの最大出力時、通常は特定電流値）によってエージングして、劣化品を選別できる。
【００８３】
本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【００８４】
上述の具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明はそのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、特許請求の範囲に示した範囲で種々の変更が可能であり、変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置の検査用基板は、以上のように、ソケット毎に、上記ソケットに直列に接続される電流均一用抵抗をそれぞれ備え、複数の、上記ソケットおよびこのソケットと直列に接続された上記電流均一用抵抗が、互いに並列に接続されている構成である。
【００８６】
それゆえ、所定の電圧を印加することによって半導体装置に供給される電流値を、半導体装置ごとにほぼ等しく、ほぼ均一にして、各半導体装置を正確にエージングできるという効果を奏する。
【００８７】
また、本発明に係る半導体装置の検査用基板は、以上のように、上記構成において、上記複数のソケットのうちから一つを選択する選択装置を備えており、上記選択装置が、選択したソケットに装着された半導体装置を介した信号を選択して出力する構成である。
【００８８】
それゆえ、半導体装置ごとの個別の劣化判定が可能となるという効果を奏する。
【００８９】
また、本発明に係る半導体装置の検査用基板は、以上のように、上記構成において、上記選択装置は、入力される選択信号を受信するための受信部を備え、上記受信部にて受信した上記選択信号に応じて、上記複数のソケットのうちから選択する一つのソケットを切換える構成である。
【００９０】
それゆえ、選択信号を出力することによって、半導体装置ごとの個別の劣化判定が可能となるという効果を奏する。
【００９１】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、以上のように、上述のいずれかの半導体装置の検査用基板と、上記検査用基板のソケットに装着された半導体装置に所定の電圧を印加する電源部とを備えている構成である。
【００９２】
それゆえ、検査用基板と電源部とを用いて、半導体装置に供給される電流値を半導体装置ごとにほぼ等しくして、各半導体装置を正確にエージングできるという効果を奏する。
【００９３】
本発明に係る半導体装置の検査装置は、以上のように、上述の選択装置が選択信号を受信するための受信部を備えている上述の半導体装置の検査用基板と、上記検査用基板のソケットに装着された半導体装置に所定の電圧を印加する電源部と、上記検査用基板の上記選択装置に上記選択信号を出力することによって、上記選択信号によって選択された半導体装置を介した信号を、上記選択装置を用いて検出する制御部とを備えている構成である。
【００９４】
それゆえ、各半導体装置を正確にエージングでき、また、半導体装置ごとの個別の劣化判定が可能となり、選択信号によって各半導体装置を検査して検査を容易にできるという効果を奏する。
【００９５】
本発明に係る半導体装置の検査方法は、以上のように、ソケット毎に備えられる、半導体装置と直列に接続された電流均一用抵抗を介して、上記半導体装置と上記電流均一用抵抗とに所定の電圧を印加することによって、複数の上記半導体装置にそれぞれ所定の電流を供給し、並列に接続された複数のソケットのうちの一つを選択し、上記選択したソケットに装着された半導体装置のみの動作を検査する構成である。
【００９６】
それゆえ、各半導体装置を正確にエージングし、半導体装置ごとの個別の劣化判定が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るレーザダイオードのエージング装置のバーンインボードの概略構成を示す図である。
【図２】上記エージング装置の一例の概略を示すブロック図である。
【図３】上記バーンインボードの概略を示すブロック図である。
【図４】上記エージング装置の定電圧電源の一例を示す回路図である。
【図５】上記エージング装置の電圧モニタ回路の一例を示す回路図である。
【図６】上記エージング装置のＣＰＵ回路の概略構成を示すためのブロック図である。
【図７】上記バーンインボードの他の一例の一部を示す回路図である。
【符号の説明】
１                    エージング装置（半導体装置の検査装置）
２                    バーンインボード（半導体装置の検査用基板）
３                    ストレスモニタ回路（電源部）
４                    ＣＰＵ回路（制御部）
５ａ                  アレイ
６                    ソケット部
６−１〜６−３２      ソケット
７                    マルチプレクサ（選択装置）
８                    抵抗部
９                    定電圧電源（電源部）
１０、１０ａ〜１０ｆ  電圧モニタ回路
ＬＤ１                レーザダイオード
Ｒ１                  抵抗（電流均一用抵抗）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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