(57)【要約】【課題】放射線検出器に使用されている樹脂は放射線被爆により変質を起こす。変質は、樹脂の光反射率、光透過率の低下である。樹脂の変質は検出器出力電流低下の原因の一つであり、検出器の寿命を左右している。多量の放射線曝射を受けても、放射線検出器の出力電流低下が少ない長寿命の放射線検出器およびＣＴ装置を提供する。【解決手段】シンチレータを覆う光反射材に、ルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合、固化したものを用いる。また、シンチレータと半導体光検出素子の接合にポリエステル樹脂を用いる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シンチレータと半導体光検出素子を積層し、このシンチレータの周囲にその半導体光検出素子に対向している面以外に光反射材を有する放射線検出器であって、光反射材はポリエステル樹脂とルチル型酸化チタン粉末を混合したものであることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
光反射材は重量比でポリエステル樹脂１に対してルチル型酸化チタン粉末が０．２５から３含まれている事を特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
ルチル型酸化チタン粉末はその平均粒径が０．１５μｍから１μｍであることを特徴とする請求項１もしくは２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
ルチル型酸化チタン粉末の表面にＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の少なくとも１種が付けられており、その組成はＴｉＯ２を８５から９９ｗｔ％とＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の少なくとも１種または合計で１から１５ｗｔ％とを含んでいることを特徴とする請求項１から３いずれかに記載の放射線検出器。
【請求項５】
ポリエステル樹脂の５０００００レントゲンの放射線曝射前後における光透過率の変化は４２０から７００ｎｍの波長領域において１ポイント以内であることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項６】
光反射材の５０００００レントゲンの放射線曝射前後における光反射率の変化は４２０から７００ｎｍの波長領域において１ポイント以内であることを特徴とする請求項１から５いずれかに記載の放射線検出器。
【請求項７】
シンチレータと半導体光検出素子を、ポリエステル樹脂で接合したことを特徴とする請求項１から６いずれかに記載の放射線検出器。
【請求項８】
シンチレータブロックに複数本の溝を形成する工程、溝とシンチレータブロックの周囲にルチル型酸化チタンとポリエステル樹脂を混合した光反射材を充填、固化する工程、連結しているシンチレータブロック面を研削、研磨行いシンチレータを分離しシンチレータと光反射材を同一面にする工程、シンチレータと光反射材の同一面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項９】
シンチレータブロックに複数本の溝を形成する工程、溝の中央部に放射線遮蔽板を挿入、保持する工程、溝とシンチレータの周囲にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を充填、固化する工程、連結しているシンチレータブロック面を研削、研磨を行いシンチレータを分離し、シンチレータと光反射材、放射線遮蔽板を同一面にする工程、シンチレータと光反射材、放射線遮蔽板を同一面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項１０】
シンチレータウェファーの片面にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布する工程、反射材を塗布したシンチレータウエファーを複数枚積層、固化する工程、積層されたシンチレータウエファーを切断、研磨する工程、半導体光検出素子と対向する面以外にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布、固化する工程、シンチレータと光反射材の露出面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項１１】
シンチレータウェファーの両面にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布する工程、反射材を塗布したシンチレータウエファーと放射線遮蔽材を交互に複数枚積層、固化する工程、積層されたシンチレータウエファーを切断、研磨する工程、半導体光検出素子と対向する面以外にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布、固化する工程、シンチレータと光反射材、放射線遮蔽材の露出面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項１２】
シンチレータより発光した光を反射する反射材にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を用い、また、シンチレータと半導体光検出素子をポリエステル樹脂で接合した、請求項１から７に記載の放射線検出器を搭載していることを特徴とする放射線ＣＴ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明に属する技術分野】
本発明は放射線検出器に関し、特にＸ線、γ線などの放射線を使うコンピュータ断層撮影（ＣＴ）装置に使用される放射線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図８に放射線検出器を用いた放射線ＣＴ装置の概念図を示す。ＣＴ装置の中央には被撮影体５１が配されている。被撮影体５１の周囲を回る架５０の外周側に放射線源５２（例ばＸ線管）が配置され、被撮影体５１をはさんで放射線源５２と対向する位置に複数の放射線検出器１が配列されている。放射線源５２から扇状に出た放射線５３は被撮影体５１の各部分で吸収されながら透過し放射線検出器１に到達する。被撮影体５１の各部分により放射線５３の吸収係数が異なるので、放射線検出器８に到達する放射線５３の強度は被撮影体５１の各部分により違いが生じる。その強度の違いを放射線検出器１の出力として取り出すことにより被撮影体５１の明暗像を得ることができる。放射線源５２と放射線検出器１は被撮影体５１に対し回転しながら同様な測定を行い、その測定値を合成し画像に再構築することにより被撮影体５１の断面像であるＣＴ画像を得ることができる。
【０００３】
図９および１０に、放射線検出器の構造を示す。各図のａ）は放射線検出器の一部分解斜視図、ｂ）はＸ−Ｘ断面を示している。判り易くするため同一の部品には同じ符号を用いている。図９は一般にシングルアレーと呼称されるもので、光を電気に変換する半導体光検出素子２に、放射線を光に変換するシンチレータ３が配され、シンチレータの半導体光検出素子と接する面以外は光反射材４で覆われている。図１０は、一般にマルチアレーと呼称されるもので、シンチレータ３が碁盤目状に配されており、シンチレータ３間の光反射材４に放射線遮蔽材５を有する構造である。図１０では、放射線遮蔽材は行方向にしか入れていないが、列方向若しくは両方向に入れた構造でも良いのもである。また、シングルアレー、マルチアレー型とも、放射線遮蔽材を入れたものと、入れないものがある。
【０００４】
放射線を光に変換するシンチレータはＣｄＷＯ４、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ（Ｃｅ、Ｆ）などがあり、これらは放射線が入射すると可視光を発生する。この可視光をシンチレータに付けられた半導体光検出素子で受光し電気信号に変換する。シンチレータに入射した放射線がそのシンチレータを通過して隣のシンチレータに再度入射すると分解能が低下するため、シンチレータの間には放射線が通過しないようにＭｏ、Ｗ、Ｐｂなどの重金属で作られた放射線遮蔽板が設けられたものもある。
【０００５】
また、シンチレータで発生した可視光は全立体角の方向に放射されるので、効率良くシンチレータに付けられた半導体光検出素子に導く必要がある。そこでシンチレータは半導体光検出素子と対向している面を除いて光反射率の高い光反射材で周囲が覆われている構造をしている。シンチレータに光反射材として白色塗料を塗布したり、白色塗料をＭｏなどの放射線遮蔽板の上に付けたものをシンチレータ間に入れることも行われている。この白色塗料は酸化チタン（ＴｉＯ２）、亜鉛華（ＺｎＯ）、鉛白（ＰｂＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）等をエポキシ系の樹脂に混練したものが使用されることが多い。
【０００６】
ＣＴ画像を得る場合、放射線源５２と放射線検出器１が被撮影体５１を１回転する間に放射線検出器１が受ける曝射線量は、およそ１レントゲンである。また１人の被撮影体５１のＣＴ画像を得るためには４０回転必要であるので、仮に週５日稼動で１日に１０人の測定を行うとすると、５年間で放射線検出器１が受ける放射線曝射線量はほぼ５０００００レントゲンに達する。放射線検出器１は多量の放射線５３を受けても、出力低下等の性能劣化を起こさないことが必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、現在使用されている放射線検出器１は放射線曝射を受けることにより徐々に出力が低下してしまい、累計放射線曝射線量５０００００レントゲンでは、初期の出力に対し１０％程度出力電流が低下してしまう。出力電流が１０％以上低下してしまうと放射線ＣＴ装置の分解能が悪くなり鮮明なＣＴ画像を得ることができなくなるので放射線検出器１の交換が必要となり、多大の費用が発生する。
【０００８】
放射線検出器１の出力低下の要因として半導体光検出素子の劣化やシンチレータ自体の発光強度低下もあげられるが、最大の要因はシンチレータの表面に形成された光反射材の光反射率が放射線曝射によって著しく低下する事であることが判った。更に詳細に調査を進めると、光反射材の反射率の低下と、シンチレータと半導体光検出素子の接着剤の光透過率の低下である事が判った。光反射材やシンチレータと半導体光検出素子の接着には、エポキシ系樹脂が主に用いられており、放射線曝射によりエポキシ系樹脂の劣化が問題である。
【０００９】
本発明では、放射線曝射による放射線検出器の出力電流の低下が少ない、長寿命の放射線検出器を提供することを目的としている。
【００１０】
また、本発明では、放射線曝射による出力低下の少ない、長寿命の放射線検出器を備えた放射線ＣＴ装置を提供することも目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の放射線検出器は、シンチレータと半導体光検出素子を積層したものを複数個並べ、このシンチレータの周囲にその半導体光検出素子に対向している面以外に光反射材を有する構造であり、光反射材はポリエステル樹脂とルチル型酸化チタン粉末を混合したものであることを特徴とする。
【００１２】
ポリエステル樹脂は透明なためそのままでは光は透過してしまい、光反射材としての機能を果たす事は出来ない。そのため、白色のルチル型酸化チタン粉末を混合する必要がある。ポリエステル樹脂は飽和ポリエステル、不飽和ポリエステルを使用することができる。ポリエステル樹脂は液状であり、加熱残分が３０〜６０％程度の物を用いるのが、ルチル型酸化チタン粉末を混合するとき混ぜ易い。加熱残分が多い、つまり高粘度のポリエステル樹脂を使用すると、ルチル型酸化チタンの混合が不均一になるためである。ポリエステル樹脂を加熱、固化させたときに樹脂中に含まれる空気が外部に出易い、易脱泡型ポリエステル樹脂（例えば、日立化成製　易脱泡不飽和ポリエステル樹脂　ポリセットＮＲ２１７２ＡＰＴ等）を使用することが好ましい。ポリエステル樹脂を用いるのは、放射線曝射による変質が、樹脂の中で小さいためである。
【００１３】
本発明の光反射材は、重量比でポリエステル樹脂１に対してルチル型酸化チタン粉末が０．２５から３含まれている事が望ましい。
【００１４】
ポリエステル樹脂とルチル型酸化チタンの重量比は得る光反射率によって変える必要があるが、ポリエステル樹脂１に対してルチル型酸化チタン粉末を０．２５以上とすることにより、４２０から７００ｎｍの光波長領域において光波長に対する光反射率の変化を１ポイント以下とすることができる。また、５０００００レントゲンの放射線曝射後でも光反射率を４２０から７００ｎｍの光波長領域において、９３％以上とすることができる。重量比を増すことにより光を反射するルチル型酸化チタン粉末の量が増えるため、光反射率を上げることができるが、重量比が３を超えると光反射率は飽和するため、これ以上ルチル型酸化チタン粉末を入れても光反射率向上効果は得られない。また、重量比が５以上となるとポリエステル樹脂の接着力が低下し、シンチレータや放射線遮蔽板から剥がれてしまうため、混合比率を３以下とすることが好ましいものである。ポイントとは、百分率で表わされた数値の差で、例えば光反射率９８．５％のものが９６．０％に変化したとすると、２．５ポイントと表わされる。
【００１５】
本発明の光反射材に用いるルチル型酸化チタン粉末は、その平均粒径が０．１５μｍから１μｍであることが望ましい。
【００１６】
ルチル型酸化チタンの平均粒径は０．１５μｍ〜１μｍの範囲が好ましい。平均粒径が０．１５μｍよりも小さくなると、光反射材の光反射率が９２％程度まで低下するため使用する事ができない。また、平均粒径が１μｍ以上になると光反射材の光反射率が９２％程度まで低下することが確かめられている。平均粒径は０．１５μｍ〜１μｍの範囲のルチル型酸化チタンを用いると、光反射率は９３．５％以上得られるものである。５０００００レントゲンの放射線曝射前後での光反射率の変化は０．５ポイント位であり、曝射後においても光反射率９３％以上が確保できる。
【００１７】
本発明の光反射材に用いるルチル型酸化チタン粉末は、ルチル型酸化チタン粉末の表面にＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の少なくとも１種が付けられてれているとともに、その組成はＴｉＯ２を８５から９９ｗｔ％とＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の少なくとも１種または合計で１から１５ｗｔ％とを含んでいることが望ましい。
【００１８】
ルチル型酸化チタン粉末の粒子表面は、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の少なくとも１種で表面処理が施されており、ＴｉＯ２を８５〜９９ｗｔ％と、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の少なくとも１種が合計で１〜１５ｗｔ％の範囲外では、光反射率が９０％以下となるものである。前記範囲内であれば、５０００００レントゲンの放射線曝射前後での光反射率の変化は１ポイント以下に抑えることができ、曝射後に於いても光反射率は９３％以上が得られる。
【００１９】
本発明の光反射材に用いるポリエステル樹脂は、５０００００レントゲンの放射線曝射前後における光透過率の変化は４２０から７００ｎｍの波長領域において１ポイント以内であることが望ましい。
【００２０】
ポリエステル樹脂でも分子量が異なるものや、飽和型、不飽和型等多数の種類がある。初期の光透過率が高いだけでなく、５０００００レントゲンの放射線を照射した後の光透過率が高い必要がある。そのため、初期の光透過率が高いポリエステル樹脂を固化させ、少なくとも５０００００レントゲンの放射線を照射し、放射線曝射前後における光透過率の変化が１ポイント以下であるポリエステル樹脂を選択することが必要である。
【００２１】
本発明の光反射材は、５０００００レントゲンの放射線曝射前後における光反射率の変化が４２０から７００ｎｍの波長領域において１ポイント以内であることが望ましい。
【００２２】
ポリエステル樹脂およびルチル型酸化チタンの平均粒径、混合重量比、表面処理を選定することで、５０００００レントゲン曝射前後で放射線検出器出力を、１０％以下の変化率に抑えることができるため、放射線検出器の寿命を延ばすことができ、放射線検出器の交換頻度を下げることが可能となるばかりでなく、費用の低減が図れるものである。
【００２３】
本発明の放射線検出器は、少なくともシンチレータと半導体光検出素子を、ポリエステル樹脂で接合することが望ましい。シンチレータ間の光反射材、放射線遮蔽材と半導体光検出素子間は、例え樹脂が変質しても、半導体光検出素子の出力には影響を与えないので、ポリエステル樹脂である必要はない。しかし、作業上同部位にもポリエステル樹脂を使用する事が容易であることは言うまでもない。
【００２４】
本発明の放射線検出器の製造方法は、シンチレータブロックに複数本の溝を形成する工程、溝とシンチレータブロックの周囲にルチル型酸化チタンとポリエステル樹脂を混合した光反射材を充填、固化する工程、連結しているシンチレータブロック面を研削、研磨行いシンチレータを分離しシンチレータと光反射材を同一面にする工程、シンチレータと光反射材の同一面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする。
【００２５】
加熱残分が少ないポリエステル樹脂を使用すると、シンチレータブロックに複数本の溝に完全に光反射材を充填できない場合がある。その時は、予めポリエステル樹脂に酸化チタン粉末等を混練りした、白色のシート状になったものを併用することもできる。例えばＴＯＲＡＹ社の商標名ルミナーの二軸延伸ポリエステルフィルムを使用することができる。前記、シンチレータブロックに形成された溝に、白色のポリエステルシートを挿入し、シンチレータと白色のポリエステルシート間にルチル型酸化チタンとポリエステル樹脂を混合した光反射材を充填、固化する。白色のポリエステルシートは、加熱による減量がないので光反射材の充填を確実に行うことができる。
【００２６】
本発明の放射線検出器の別の製造方法は、シンチレータブロックに複数本の溝を形成する工程、溝の中央部に放射線遮蔽板を挿入、保持する工程、溝とシンチレータの周囲にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を充填、固化する工程、連結しているシンチレータブロック面を研削、研磨を行いシンチレータを分離し、シンチレータと光反射材、放射線遮蔽板を同一面にする工程、シンチレータと光反射材、放射線遮蔽板を同一面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする。
【００２７】
本発明の放射線検出器の別の製造方法は、シンチレータウェファーの片面にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布する工程、反射材を塗布したシンチレータウェファーを複数枚積層、固化する工程、積層されたシンチレータウェファーを切断、研磨する工程、半導体光検出素子と対向する面以外にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布、固化する工程、シンチレータと光反射材の露出面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする。
【００２８】
本発明の放射線検出器の別の製造方法は、シンチレータウェファーの両面にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布する工程、反射材を塗布したシンチレータウェファーと放射線遮蔽材を交互に複数枚積層、固化する工程、積層されたシンチレータウェーを切断、研磨する工程、半導体光検出素子と対向する面以外にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合した光反射材を塗布、固化する工程、シンチレータと光反射材、放射線遮蔽材の露出面に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加する工程を有することを特徴とする。
【００２９】
本発明の放射線ＣＴ装置は、シンチレータより発光した光を反射する反射材にルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を用い、また、シンチレータと半導体光検出素子をポリエステル樹脂で接合した、放射線検出器を搭載していることを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】
本発明の放射線検出器の一部分解斜視図を、図１ａ）に、断面図を図１ｂ）に示す。図１ａ）の曲線部は光反射材を取り除いている。シンチレータに対応した複数の、光から電気に変換する半導体光検出素子２上に複数のシンチレータ３が一定間隔を保ち並べられている。図１では、図を判り易くするためシンチレータは４個としているが、実際は８〜２４個シンチレータが配されている。シンチレータ３の半導体光検出素子２に対向する面を除きシンチレータ３の外周はルチル型酸化チタンを含むポリエステル樹脂からなる光反射材６で覆われている。
【００３１】
本発明の放射線検出器の製造方法を図２を用いて説明する。加工治具１０に接着用ワックス（図示せず）を用いてシンチレータウェファー１１を貼り付ける（図２ａ）。外周スライサーを用いシンチレータウェファーに櫛歯状に溝を入れる（図２ｂ）。櫛歯状の溝深さは、シンチレータウェファー厚の９０％程度とし、１０％程度の厚みで連結させておく。完全に切り離しても良いが、本実施例に於いては連結した構造とした。櫛歯状に加工したシンチレータウェファーに、ルチル型酸化チタンを混合したポリエステル樹脂を櫛歯状シンチレータウェファーを覆うように充填した後、大気中で８０℃×３時間加熱、固化させ光反射材６を形成した（図２ｃ）。図示はしていないが、ルチル型酸化チタンを混合したポリエステル樹脂が流れ出さないようにシンチレータウェファーの周囲には堰を設けた。また、脱泡するため、ルチル型酸化チタンを混合したポリエステル樹脂を櫛歯状シンチレータウェファーに覆う様に付加したものを、塩化ビニル製ポット内に入れポット内を３×１０−３ＭＰａ以下の真空にしながら、ポットを自転約１０００ｒｐｍ、公転約２０００ｒｐｍで回転させた。加工治具から一体化されたシンチレータウェファーと光反射材を剥がす（図２ｄ）。櫛歯状のシンチレータウェファーの連結個所をＹ−Ｙ部まで研削および研磨加工行い、各チャンネルにシンチレータを切り離す（図２ｅ）。最後に、シンチレータに対向する位置に半導体光検出素子をポリエステル樹脂で付加し、放射線検出器１を得た（図２ｆ）。
【００３２】
図３に示す、試験片１２を作製し５０００００レントゲンの放射線を爆射して、ポリエステル樹脂とルチル型酸化チタン粉末の混合比率、ルチル型酸化チタン粉末の平均粒径、ルチル型酸化チタン粉末の表面にＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２処理の最適値を求め、光反射材を作製したので、各検討内容に付いて図表を用いて説明する。
【００３３】
ポリエステル樹脂とルチル型酸化チタン粉末の混合比率に付いて説明する。試験片１２には、ルチル型酸化チタン（平均粒径約０．３μｍ）粉体の表面にＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の微粉末を各々１ｗｔ％ずつ塗布処理したルチル型酸化チタン粉末とポリエステル樹脂を混合し、その重量比を０から６まで変えた。２０ｍｍ×３０ｍｍ×１ｍｍ厚のモリブデン板１３上に塗布し、大気中、８０℃×３時間にて固化して光反射材１４を形成した。光反射材１４の厚みは０．０５ｍｍとした。試料片１２の光反射材１４に、５０００００レントゲンに相当する放射線曝射前後の光反射率（波長５１２ｎｍ）を分光光度計を使用して測定した。表１に、ポリエステル樹脂の重量を１としてルチル型酸化チタンの重量比と、５０００００レントゲンに相当する放射線曝射前後での光反射率および変化、モリブデン（Ｍｏ）板１３と光反射材１４との接着状態を示す。ポリエステル樹脂に対しルチル型酸化チタンの重量比を上げて行くに従い、放射線曝射前および後での光反射率は高くなる。ルチル型酸化チタンの重量比が０．２５以上に於いては、５０００００レントゲンに相当する放射線曝射後においても、光反射率が９３％以上であり、また、光反射率の変化が０．６ポイント以下である。しかし、ポリエステル樹脂に対しルチル型酸化チタンの重量比が４を超えると、接着力が低下し、モリブデン板と光反射材が剥がれてしまうため、最適重量比は０．２５〜３である。
【００３４】
表１
2004003970.tif 000003
【００３５】
次に、ルチル型酸化チタン粉末の平均粒径に付いて説明する。ルチル型酸化チタン粉末の平均粒径を、０．１μｍから２μｍまで変えた。ルチル型酸化チタン粉体の表面は、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の微粉末をそれぞれ１ｗｔ％ずつ塗布処理されたものを使用し、ポリエステル樹脂とルチル型酸化チタン粉末の重量比は１とした。２０ｍｍ×３０ｍｍｘ１ｍｍ厚のモリブデン板１３上に塗布し、大気中、８０℃×３時間にて固化して光反射材１４を形成した。光反射材１４の厚みは０．０５ｍｍとした。試料片１２の光反射材に、５０００００レントゲンに相当する放射線線曝射前後の光反射率（波長５１２ｎｍ）を分光光度計を使用して測定した。表２に、ルチル型酸化チタンの平均粒径と、５０００００レントゲンに相当する放射線線曝射前後での光反射率および変化を示す。全ての試料（試料番号１１〜１８）で、放射線線曝射前後における光反射率の変化は０．５ポイント以下であった。また、ルチル型酸化チタンの平均粒径が０．１５〜１μｍの範囲では、放射線曝射後に於いても光反射率が９３％以上を示している。これらのことから、最適なルチル型酸化チタンの平均粒径は、０．１５〜１μｍと言える。
【００３６】
表２
2004003970.tif 000004
【００３７】
次に、ルチル型酸化チタン粉体の表面処理に付いて説明する。ルチル型酸化チタン粉末の表面にＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２を、０〜２０ｗｔ％塗布処理したものを組合わせ、表３に示す試料番号１９から４０の試験片１２を製作した。ポリエステル樹脂とルチル型酸化チタン粉末の重量比は１とした。２０ｍｍ×３０ｍｍｘ１ｍｍ厚のモリブデン板１３上に塗布し、大気中、８０℃×３時間にて固化して光反射材を形成した。光反射材の厚みは０．０５ｍｍとした。試料片１２の光反射材に、５０００００レントゲンに相当する放射線曝射前後の光反射率（波長５１２ｎｍ）を分光光度計を使用して測定した。表３に示す試料番号２０から３４は、放射線曝射後の光反射率が９３％以上であり、放射線曝射前後での光反射率の変化が０．５ポイント以下である。この結果より、Ａｌ２Ｏ３もしくはＳｉＯ２を１ｗｔ％以上含み、総量で１５ｗｔ％以下が最適であると言える。
【００３８】
表３
2004003970.tif 000005
【００３９】
平均粒径０．１５〜１μｍ、Ａｌ２Ｏ３もしくはＳｉＯ２を１ｗｔ％以上含み総量で１５ｗｔ％以下で表面が処理されたルチル型酸化チタン粉末の重量が０．２５〜３と、ポリエステル樹脂の重量１で構成された光反射材を用いた、図１に示す本発明の放射線検出器は、５０００００レントゲンに相当する放射線曝射後においても、放射線検出器出力の変化率は１０％以下にすることができ、放射線検出器の長寿命化が図れた。
【００４０】
図４から図６に本発明の他の実施例を示す。図６の放射線遮蔽板１５を有するマルチアレーの製造に付いて、以下詳細に説明する。図２と図６で示した製造方法を応用することで、図４および図５の製造方法は容易に理解できるので、本明細書では、図４および図５の製造工程に付いては省略した。
【００４１】
図６の放射線遮蔽板１５を有するマルチアレー型放射線検出器１の製造工程を図７を用いて説明する。加工治具１０に接着用ワックス（図示せず）を用いてシンチレータウェファー１１を貼り付ける（図７ａ）。外周スライサーを用いシンチレータウェファーに碁盤目状に第１の溝１６を入れる（図７ｂ）。碁盤目状の溝深さは、シンチレータウェファー厚の９０％程度とし、１０％程度の厚みで連結させておく。完全に切り離しても良いが、本実施例においては連結した構造とした。シンチレータウェハー１１の端部は切り欠いた状態にすることで、端部の放射線遮蔽材１５が外側に現れる構造となる。碁盤目状に加工したシンチレータウェファーの一方向に、放射線遮蔽材１５を挿入する第２の溝１７を追加する。第２の溝１７の深さは第１の溝１６より深くし、溝幅は放射線遮蔽材厚みより僅か大きくすることで、放射線遮蔽材１５が倒れずに第２の溝１７に装着できる（図７ｃ）。第２の溝１７に放射線遮蔽材１５を挿入する（図７ｄ）。この時、第２の溝１７から放射線遮蔽材１５が容易に抜ける様な場合には、第２の溝１７に瞬間接着剤で放射線遮蔽材１５を固定することとしても良い。ただし、瞬間接着剤の塗布は、第１の溝１６の底面に出ない様にすることが好ましい。ルチル型酸化チタンを混合したポリエステル樹脂を櫛歯状シンチレータウェファーと放射線遮蔽材を覆うように充填した後、大気中で８０℃×３時間加熱固化させ光反射材６を形成した（図７ｅ）。図示していないが、ルチル型酸化チタンを混合したポリエステル樹脂が流れ出さないようにシンチレータウェファーの周囲には堰を設けた。また、脱泡するため、ルチル型酸化チタンを混合したポリエステル樹脂を櫛歯状シンチレータウェファーに覆う様に付加したものを、塩化ビニル製ポット内に入れポット内を３×１０−３ＭＰａ以下の真空にしながら、ポットを自転約１０００ｒｐｍ、公転約２０００ｒｐｍで回転させた。加工治具１０から一体化されたシンチレータウェファーと光反射材を剥がす（図７ｆ）。櫛歯状のシンチレータウェファーの連結個所をＹ−Ｙ部まで研削および研磨加工行い、各チャンネルにシンチレータを切り離す（図７ｇ）。最後に、シンチレータに対向する位置に半導体光検出素子２をポリエチレン樹脂で付加し、放射線検出器１を得た（図７ｈ）。
【００４２】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように本発明の放射線検出器は、ポリエステル樹脂とルチル型酸化チタン粉末を混合した光反射材を使用しているので、多量の線量の放射線曝射を受けても光反射材の光反射率低下が小さく、また、シンチレータと半導体光検出素子をポリエステル樹脂で接合しているので、多量の放射線曝射を受けても樹脂の光透過率の低下が小さいので、放射線検出器の出力低下を低くすることができ、放射線検出器の長寿命化が図れた。その結果、ＣＴ装置の長寿命化が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の放射線検出器の分解斜視図と断面図である。
【図２】本発明の放射線検出器の製造工程を説明する図である。
【図３】試験片の斜視図である。
【図４】本発明の他の放射線検出器の分解斜視図と断面図である。
【図５】本発明の他の放射線検出器の分解斜視図と断面図である。
【図６】本発明の他の放射線検出器の分解斜視図と断面図である。
【図７】本発明の他の放射線検出器の製造工程を説明する図である。
【図８】ＣＴ装置の概念図である。
【図９】従来の放射線検出器の分解斜視図と断面図である。
【図１０】従来の放射線検出器の分解斜視図と断面図である。
【符号の説明】
１　放射線検出器、２　半導体光検出素子、３　シンチレータ、
４　光反射材、５　放射線遮蔽材、６　光反射材、１０　加工治具、
１１　シンチレータウェファー、１２　試験片、１３　モリブデン板、
１４　光反射材、１５　放射線遮蔽材、１６　第１の溝、１７　第２の溝、
５０　架、５１　被撮影体、５２　放射線源、５３　放射線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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