(57)【要約】【課題】基板上の端子と実装基材の端子とを精度良く接続する。【解決手段】  端子９が形成された基板６ａと、出力用端子１１ｃを備える配線基板１１とをＡＣＦ２０を介して接合する。出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、当該接合時における基板６ａまたは配線基板１１の変形を考慮して、端子９のピッチＰ１とは異なっている。そして、上記接合の際に生じる基板６ａまたは配線基板１１の変形に伴って、端子９のピッチＰ１´と出力用端子１１ｃのピッチＰ２´とが略同一となった状態で、両端子を接続する。【選択図】図７  
2004348154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質を保持する基板を備えた電気光学パネルと、前記基板より線膨張係数が大きな実装基材とを接合する電気光学装置の製造方法であって、
複数の第１端子から構成される第１端子群、及び前記第１端子群の両端に前記第１端子群とは離れて配置される第１アライメントマークを前記基板に形成する工程と、
前記第１端子のピッチとは異なるピッチで配置される複数の第２端子から構成される第２端子群、及び前記第２端子群の両端に前記第２端子群とは離れて配置される第２アライメントマークを形成する工程と、
前記基板または前記実装基材のいずれか一方に、前記第１アライメントマーク、及び前記第２アライメントマークが形成された部分には異方性導電膜を貼り付けずに他方と接合されるべき部分に異方性導電膜を貼り付ける工程と、
前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークとが合致するように、前記基板と前記実装基材とを位置合わせする位置合わせ工程と、
前記基板と前記実装基材とを前記異方性導電膜によって接合することによって前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とを相互に接続する工程とを、有し、
前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とを前記基板と前記実装基材との前記異方性導電膜による接合に伴って相互に接続する接続工程と、を有し、
前記接続工程後は、前記接合の際に生じる前記基板及び前記実装基材の熱による変形に伴って前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークが合致していないことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記実装基材は、測定条件を１００℃ないし２００℃とした場合の線膨張係数が２.５×１０-5／Ｋ以上２.６×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成された厚さ５０μｍ以上１２５μｍ以下の部材であり、
前記第２端子のピッチは、前記第１端子のピッチの０．９９６倍以上０．９９７倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記実装基材は、測定条件を２０℃ないし１００℃とした場合の線膨張係数が０．８×１０-5／Ｋ以上１．０×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成された厚さ５μｍ以上７５μｍ以下の部材であり、
前記第２端子のピッチは、前記第１端子のピッチの実質的に０．９９８倍であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、ガラスおよびシリコンからなる群のうちから選択された材料を含み、前記実装基材は、ポリイミドおよびポリエステルからなる群のうちから選択された材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板はガラスを含み、前記実装基材はポリイミドを含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶装置やエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置などに代表される電気光学装置は、携帯電話機や携帯情報端末といった各種の電子機器の表示装置として広く普及している。この電気光学装置は、多くの場合、文字や数字、絵柄などの情報を表示するために用いられている。
【０００３】
この種の電気光学装置は、液晶やＥＬといった電気光学物質を保持するための基板と、当該基板上に形成され、電気光学物質に電圧を印加する電極とを備えるのが一般的である。例えば、電気光学物質として液晶を用いた液晶装置においては、液晶を挟持する一対の基板の各々のうち他方の基板と対向する面に、液晶に電圧を印加するための電極が形成されている。そして、液晶に印加される電圧を制御することによって液晶の配向方向が制御され、当該液晶を透過する光が変調される。
【０００４】
かかる電気光学装置においては、通常、上記電極に対して駆動信号を出力する駆動用ＩＣチップが用いられる。この駆動用ＩＣチップは、例えば上記基板と接合されるフレキシブル基板上に実装される。この場合、フレキシブル基板上に形成された配線パターンおよび電極端子と、電気光学装置の基板に形成された端子とは、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）などの導電性接着剤を介して接続されるのが一般的である。ＡＣＦは、接着用樹脂に導通粒子を分散させたものである。具体的には、電気光学パネルの基板とフレキシブル基板とがＡＣＦ中の接着用樹脂によって接着されるとともに、パネル基板上の端子とフレキシブル基板上の端子とが導通粒子を介して電気的に接続される。このようにＡＣＦを用いて電気光学パネルの基板とフレキシブル基板とを接合する工程においては、両者の間にＡＣＦを挟み込んだ状態で、フレキシブル基板を電気光学パネルの基板に対して熱圧着するのが一般的である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、フレキシブル基板は上記熱圧着の際に熱膨張するため、当該フレキシブル基板に形成された端子の位置が熱圧着前の位置とは異なってしまうという問題があった。そして、このような端子の位置ずれが生じると、当該端子が、本来接続されるべきパネル基板上の端子に接続されず、その隣りの端子に接続されてしまったり、パネル基板上の複数の端子にまたがって接続されてしまうといった具合に、端子間接続の信頼性が低下してしまうという問題があった。かかる問題は、電気光学パネルの基板に形成された端子のピッチが細かい場合に、特に深刻な問題となる。
【０００６】
本発明は、以上説明した事情に鑑みてなされたものであり、基板上の端子と実装基材の端子との接続信頼性を向上させることができる電気光学装置の製造方法、端子の接続方法、電気光学装置および電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、電気光学物質を保持する基板を備えた電気光学パネルと、前記基板より線膨張係数が大きな実装基材とを接合する電気光学装置の製造方法であって、複数の第１端子から構成される第１端子群、及び前記第１端子群の両端に前記第１端子群とは離れて配置される第１アライメントマークを前記基板に形成する工程と、前記第１端子のピッチとは異なるピッチで配置される複数の第２端子から構成される第２端子群、及び前記第２端子群の両端に前記第２端子群とは離れて配置される第２アライメントマークを前記実装基材に形成する工程と、前記基板または前記実装基材のいずれか一方に、前記第１アライメントマーク、及び前記第２アライメントマークが形成された部分には異方性導電膜を貼り付けずに他方と接合されるべき部分に異方性導電膜を貼り付ける工程と、前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークとが合致するように、前記基板と前記実装基材とを位置合わせする位置合わせ工程と、前記基板と前記実装基材とを前記異方性導電膜によって接合することによって前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とを相互に接続する工程とを、有し、前記複数の第１端子と前記複数の第２端子とを前記基板と前記実装基材との前記異方性導電膜による接合に伴って相互に接続する接続工程と、を有し、前記接続工程後は、前記接合の際に生じる前記基板及び前記実装基材の熱による変形に伴って前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークが合致していないことを特徴とする。
【０００８】
この製造方法によれば、基板および実装基材の変形（伸縮）を考慮して前記第１端子群のピッチと第２端子群のピッチとを異ならせてあるので、たとえ基板と実装基材との接合に伴って当該基板または実装基材が変形する場合であっても、前記第１端子群と第２端子群とを精度良く接続することができる。つまり、基板または実装基材の変形に伴って第１端子群と第２端子群のピッチが変化して、接続時における両端子群の相対的な位置がずれるといった事態を未然に防止することができるのである。一般的に、電気光学装置においては、基板および実装基材の端子が極めて狭いピッチで多数形成されているため、基板または実装基材の変形が、第１端子群と第２端子群との接続精度に与え得る影響は比較的大きい。したがって、本発明は、狭いピッチの端子同士の接続を要する電気光学装置について適用した場合に、特に顕著な効果を奏し得るということができる。
【０００９】
なお、上記製造方法においては、前記接続工程に先立って、前記基板の面上に相互に離間して形成された複数の第１アライメントマークと、前記実装基材の面上に前記第１アライメントマークの間隔と略同一の間隔で相互に離間して形成された複数の第２アライメントマークとが合致するように、前記基板と前記実装基材とを位置合わせする位置合わせ工程を行なうことが望ましい。すなわち、上記第１端子群および第２端子群については、基板と実装基材との接合前の状態において相互にピッチを異ならせる反面、接合前において基板と実装基材との位置合わせを行なう場合には、基板上の複数の第１アライメントマークの間隔と実装基材上の複数の第２アライメントマークの間隔とを略同一とすることが望ましい。
【００１０】
こうすれば、上記接続工程前における基板と実装基材との相対的な位置を、第１アライメントマークと第２アライメントマークとが合致するように調整することによって、両者の位置合わせを容易に行なうことができる。なお、この場合、接続工程の後においては、基板または実装基材の変形に伴って第１アライメントマークの間隔と第２アライメントマークの間隔とは異なることとなる。しかしながら、位置合わせを行なう時点において両間隔が一致している限り、接続工程の後において双方の間隔が一致しなくなっても問題は生じない。
【００１１】
なお、前記接続工程においては、前記基板と前記実装基材との間に接着層を介在させるとともに当該接着層を加熱した状態で、当該基板と当該実装基材とを圧着することが望ましい。こうすれば、基板と実装基材とを確実に接合することができるとともに、第１端子群と第２端子群とを一括して接続することが可能となり生産性を向上させることができる。一方、かかる接合を行なった場合には、当該接着層の加熱に伴って第１基材または第２基材が熱変形しやすいと考えられるが、本発明によれば、かかる熱変形を考慮して第１端子群および第２端子群のピッチが選定されているため、上記熱変形にもかかわらず第１端子群と第２端子群とを精度良く接続することができる。例えば、前記第２基材の線膨張係数が、前記第１の線膨張係数よりも高い場合には、当該接合前における前記第２端子群のピッチを、前記第１端子群のピッチよりも狭くすることが考えられる。
【００１２】
より具体的には、前記実装基材として、測定条件を１００℃ないし２００℃とした場合の線膨張係数が２.５×１０-5／Ｋ以上２.６×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成された厚さ５０μｍ以上１２５μｍ以下の部材を用いた場合には、前記第２端子群のピッチを、前記第１端子群のピッチの０．９９６倍以上０．９９７倍以下とすることが考えられる。また、前記実装基材として、測定条件を２０℃ないし１００℃とした場合の線膨張係数が０．８×１０-5／Ｋ以上１．０×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成された厚さ５μｍ以上７５μｍ以下の部材を用いた場合には、前記第２端子群のピッチを、前記第１端子群のピッチの実質的に０．９９８倍とすることが考えられる。
【００１３】
なお、前記基板としては、ガラスおよびシリコンからなる群のうちから選択された材料を含むものを用いることができ、前記実装基材としては、ポリイミドおよびポリエステルからなる群のうちから選択された材料を含むものを用いることができる。基板および実装基材の材料として上記組合わせの材料を用いた場合、特にガラスを含む基板とポリイミドを含む実装基材とを用いた場合には、双方の熱変形の程度の差が大きい（つまり、線膨張係数の差が大きい）ため、本発明による上記効果は一層顕著に現れる。
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明に係る端子の接続方法は、第１基材の面上に形成された第１端子群と、第２基材の面上に形成された第２端子群とを相互に接続する方法において、前記第２端子群を前記第１端子群のピッチと異なるピッチで形成し、前記第１基材と前記第２基材との接合の際に生じる当該第１基材または第２基材の変形に伴って略同一のピッチとなった前記第１端子群と前記第２端子群とを接続することを特徴としている。
【００１５】
この方法によれば、第１基材および第２基材の変形（伸縮）を考慮して前記第２端子群のピッチおよび第１端子群のピッチを異ならせてあるので、第１基材と第２基材との接合に伴って第１基材および第２基材が変形する場合であっても、前記第１端子群と第２端子群とを精度良く接続することができる。すなわち、第１基材または第２基材の変形に伴って第１端子群と第２端子群のピッチが変化して両者の相対的な位置がずれるといった事態を未然に防止することができる。
【００１６】
なお、前記第１基材と第２基材との接合においては、両基材の間に接着層を介在させるとともに当該接着層を加熱した状態で、当該第１基材と当該第２基材とを圧着することが望ましい。こうすれば、両基材を確実に接合することができるとともに、第１端子群と第２端子群とを一括して接続することが可能となり生産性を向上させることができる。一方、かかる方法を採った場合には、上記接着層の加熱に伴って第１基材または第２基材が熱変形しやすいと考えられるが、本発明によれば、かかる熱変形を考慮して第１端子群または第２端子群のピッチが選定されているため、上記熱変形にもかかわらず第１端子群と第２端子群とを精度良く接続することができる。例えば、前記第２基材の線膨張係数が、前記第１の線膨張係数よりも高い場合には、当該接合前における前記第２端子群のピッチを、前記第１端子群のピッチよりも狭くすることが考えられる。
【００１７】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る実装基材の製造方法は、他の基材に形成された第１端子群と接続されるべき第２端子群を備え、前記基材に熱圧着される実装基材の製造方法であって、前記他の基材と当該実装基材との熱圧着後に、前記基板における前記第１端子群の配列方向の長さはａ倍に伸長し、前記実装基材における前記第２端子群の配列方向の長さはｂ倍に伸長する場合に、前記第２端子群のピッチが、前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍となるように、当該第２端子群を形成することを特徴としている。
【００１８】
この方法によれば、実装基材と、当該実装基材の接合対象たる他の基材とを接合する工程において両者が変形したとしても、両基材に形成された端子同士を精度良く接続することができる。すなわち、例えば、第１端子群のピッチＰ１は熱圧着後においてＰ１×ａなるピッチに変化する一方、第２端子群のピッチＰ２＝Ｐ１×（ａ／ｂ）は熱圧着後においてＰ２×ｂ、すなわちＰ１×ａなるピッチに変化し、第１端子群のピッチと第２端子群のピッチとは略同一となるから、基材の熱変形にもかかわらず両端子群を精度良く接続することができるのである。なお、前記第２端子群のピッチを規定する係数ａないしｂは、当該実装基材の線膨張係数および前記熱圧着の条件に応じた値である。ここで、前記第２端子群のピッチが、前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍とは、実質的に（（ａ／ｂ）−０．００１）以上（（ａ／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。
【００１９】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質を保持する基板を備えた電気光学パネルと、前記基板に接合された実装基材と、前記基板の面上に形成された第１端子群と、前記基板の面上に相互に離間して形成された複数の第１アライメントマークと、前記実装基材の面上に形成されるとともに、前記第１端子群と略同一のピッチで当該第１端子群と接続された第２端子群と、前記実装基材の面上に形成され、前記第１アライメントマークの間隔よりも広い間隔をあけて相互に離間する複数の第２アライメントマークとを具備することを特徴としている。
【００２０】
かかる電気光学装置によれば、基板と実装基材とを接合する場合の当該基材または実装基材の変形を考慮して上記第１端子群または第２端子群のピッチが選定される一方、当該接合前における第１アライメントマークの間隔と第２アライメントマークの間隔は位置合わせが容易になるように、すなわち基板または実装基材の変形を考慮することなく設定することができるから、位置合わせ作業を煩雑にすることなく、第１端子群と第２端子群との接続を高精度に行なうことができる。
【００２１】
なお、上記電気光学装置においては、前記複数の第１アライメントマークのうちの一部と他の一部とは、前記第１端子群を挟んで相互に対向する位置に形成され、前記複数の第２アライメントマークのうちの一部と他の一部とは、前記第２端子群を挟んで相互に対向する位置に形成されていることが望ましい。このように端子群を挟んで対向する位置にアライメントマークを形成すれば、基板と実装基材との位置合わせを高精度に行なうことができる。
【００２２】
また、上記電気光学装置においては、前記基板と前記実装基材とは、前記第１端子群と第２端子群とを導通させるための導通粒子が分散された接着層を介して接合されていることが望ましい。こうすれば、基板と実装基材とを接着層によって確実に接合した状態で、第１端子群と第２端子群とを確実に導通させることができる一方、基板と実装基材との接合時における当該接着層への加熱に伴って基板または実装基材が変形した場合であっても、第１端子群と第２端子群とを精度良く接続することができる。
【００２３】
ここで、前記基板としては、ガラスおよびシリコンからなる群のうちから選択された材料を含むものを用いることができ、前記実装基材としては、ポリイミドおよびポリエステルからなる群のうちから選択された材料を含むものを用いることができる。基板および実装基材の材料としてかかる組合わせを採用した場合、特にガラスを含む基板とポリイミドを含む実装基材とを用いた場合には、基板と実装基材との変形の程度の差が大きいため、本発明による上記効果は特に顕著に現れる。例えば、測定条件を１００℃ないし２００℃とした場合の線膨張係数が２.５×１０-5／Ｋ以上２.６×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成された厚さ５０μｍ以上１２５μｍ以下の部材を上記実装基材として用いた場合には、前記第２アライメントマーク同士の間隔が、前記第１アライメントマーク同士の間隔の１．００３倍以上１．００４倍以下となることが望ましい。また、測定条件を２０℃ないし１００℃とした場合の線膨張係数が０．８×１０-5／Ｋ以上１．０×１０-5／Ｋ以下の材料によって形成された厚さ５μｍ以上７５μｍ以下の部材を上記実装基材として用いた場合には、前記第２アライメントマーク同士の間隔が、前記第１アライメントマーク同士の間隔の実質的に１．００２倍となることが望ましい。
【００２４】
また、上記課題を解決するため、本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を備えることを特徴としている。上述したように、本発明に係る電気光学装置によれば、基板と実装基材との接合時におけるこれらの熱変形を補償して、第１端子群と第２端子群とを精度良く接続することができるから、この電気光学装置を備えた電子機器においては、接続不良といった不具合を回避して高い信頼性を担保することができる。
【００２５】
また、上記課題を解決するため、本発明においては、電気光学パネルの基板に熱圧着される実装基材において、前記基板に形成された第１端子群と接続されるべき第２端子群を備え、前記基板と当該実装基材との熱圧着の後、前記基板における前記第１端子群の配列方向の長さがａ倍に伸長する一方、当該実装基材における前記第２端子群の配列方向の長さがｂ倍に伸長する場合に、前記熱圧着前における前記第２端子群のピッチが、前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍に設定されていることを特徴としている。かかる実装基材によれば、当該実装基材と基板との接合に伴って当該実装基材が伸長した場合であっても、第２端子群と第１端子群とを精度良く接続することができる。ここで、前記第２端子群のピッチが、前記第１端子群のピッチの（ａ／ｂ）倍とは、実質的に（（ａ／ｂ）−０．００１）以上（（ａ／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。
【００２６】
すなわち、例えば、第１端子群のピッチＰ１は熱圧着後においてＰ１×ａなるピッチに変化する一方、第２端子群のピッチＰ２＝Ｐ１×（ａ／ｂ）は熱圧着後においてＰ２×ｂ、すなわちＰ１×ａなるピッチに変化し、第１端子群のピッチと第２端子群のピッチとは略同一となるから、基材の熱変形にもかかわらず両端子群を精度良く接続することができるのである。もっとも、電気光学装置の基板として熱変形がほとんど生じない材料からなるもの（例えばガラス基板など）を用いた場合には、上記係数ａを「１」としても、本発明の所期の効果を得ることができる。ここで、前記第２端子群のピッチが、前記第１端子群のピッチの（１／ｂ）倍とは、実質的に（（１／ｂ）−０．００１）以上（（１／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。
【００２８】
＜Ａ：電気光学装置の構成＞
まず、電気光学物質として液晶を用いた液晶装置に本発明を適用した形態を説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置を分解して示す斜視図、図２はこの液晶装置の部分断面図である。これらの図に示されるように、この液晶装置１は、液晶パネル２と、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）２０を介して当該液晶パネル２に接合された実装構造体３とを有する。ＡＣＦ２０は、一対の端子同士を異方性をもって電気的に一括接続するために用いられる高分子フィルムである。具体的には、ＡＣＦ２０は、図２に示されるように、例えば熱可塑性または熱硬化性を有する接着用樹脂２１に多数の導通粒子２２が分散されたものである。なお、液晶パネル２には、実装構造体３のほかにも、バックライト等の照明装置やその他の付帯機器が必要に応じて付設されるが、本発明とは直接の関係がないためその図示および説明を省略する。
【００２９】
液晶パネル２は、シール材４を介して貼り合わされた一対の基板６ａおよび６ｂと、両基板の間隙（いわゆるセルギャップ）に封止された液晶とを有する。基板６ａおよび６ｂは、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。具体的には、ソーダ石灰ガラス、無アルカリガラスやホウケイ酸ガラス、石英ガラス、シリコン基板などからなる板状部材を、基板６ａまたは６ｂとして用いることができる。一般に、液晶パネル用ガラスは、シリカ（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化バリューム（ＢａＯ）、酸化ホウソ（Ｂ２Ｏ3）、酸化ストロンチューム（ＳｒＯ）、酸化カルシューム（ＣａＯ）などを主成分とするガラスが用いられている。基板６ａおよび６ｂの外側（液晶とは反対側）の表面には、入射光を偏光させるための偏光板８ａおよび８ｂがそれぞれ貼り付けられる。
【００３０】
基板６ａの内側（液晶側）表面には電極７ａが形成されている。一方、基板６ｂの内側表面には電極７ｂが形成されている。電極７ａあるいは電極７ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）などの透明導電材料によって、ストライプ状または文字、数字、その他の適宜のパターン状に形成される。なお、電極７ａおよび７ｂならびに端子９は、実際には極めて狭いピッチで基板６ａおよび６ｂ上に多数形成されるが、図１および以下に示される各図においては、構造を分かり易く示すためにそれらの間隔を拡大して模式的に示し、さらにそれらのうちの数本を図示することにして他の部分を省略してある。
【００３１】
また、基板６ａは基板６ｂから張り出した領域（以下、「張り出し部」と表記する）を有し、その張り出し部には複数の端子９が形成されている。各端子９は、基板６ａ上に電極７ａを形成する工程において当該電極７ａと同時に形成される。したがって、端子９は、例えばＩＴＯなどの透明導電材料からなる。これらの端子９には、当該基板６ａ上の電極７ａから張り出し部に延在して形成されたものと、導電材（図示略）を介して基板６ｂ上の電極７ｂに接続されるものとがある。さらに、図１に示されるように、端子９の両側にはそれぞれアライメントマーク１０が設けられている。アライメントマーク１０は電極７ａおよび端子９と同一工程において同時に形成される。このアライメントマーク１０は、基板６ａと実装構造体３とを接合する際に、両者の位置合わせのために用いられる。
【００３２】
実装構造体３は、配線基板１１と、当該配線基板１１上に実装された液晶駆動用ＩＣ１２およびチップ部品１３とを有する。配線基板１１は、ベース基材１１ａの面上に銅（Ｃｕ）などからなる配線パターン１１ｂが形成されたものである。本実施形態におけるベース基材１１ａは、可撓性を有するフィルム状の部材であり、例えばポリイミドやポリエステルなどから構成される。かかるベース基材１１ａの線膨張係数は、当該ベース基材１１ａが接合される基板６ａの線膨張係数よりも高い。なお、配線パターン１１ｂは、接着剤によってベース基材１１ａの表面に固着されたものであってもよいし、スパッタリング法やロールコート法などの成膜法を用いてベース基材１１ａの表面に直接形成されたものであってもよい。また、配線基板１１は、エポキシ基板のように比較的硬質で厚みのあるベース基材の面上に銅などによって配線パターン１１ｂが形成されたものであってもよい。
【００３３】
図１および図２に示されるように、配線パターン１１ｂは、実装構造体３の一方の縁端部近傍に位置する出力用端子１１ｃから液晶駆動用ＩＣ１２に向かって延在するものと、実装構造体３の他方の縁端部近傍に位置する入力用端子１１ｄから液晶駆動用ＩＣ１２に向かって延在するものとがある。このうち出力用端子１１ｃは、当該実装構造体３がＡＣＦ２０を介して基板６ａ上に接合された状態において、当該ＡＣＦ２０中の導通粒子２２を介して基板６ａ上の端子９と電気的に接続される。
【００３４】
液晶駆動用ＩＣ１２は、図２に示されるように、上記ＡＣＦ２０と同様のＡＣＦ１２ｂによって配線基板１１上に実装される。そして、いずれの配線パターン１１ｂも、液晶駆動用ＩＣ１２の近傍に至った端部である接続端子１１ｅにおいて、液晶駆動用ＩＣ１２のバンプ（突起電極）１２ａに接続されるようになっている。すなわち、図２に示されるように、液晶駆動用ＩＣ１２がＡＣＦ１２ｂ中の接着用樹脂によって配線基板１１上に固着されるとともに、液晶駆動用ＩＣ１２のバンプ１２ａと、配線パターン１１ｂの接続端子１１ｅとが、当該ＡＣＦ１２ｂ中の導通粒子を介して電気的に接続されるのである。なお、上記配線基板１１のベース基材１１ａとして可撓性基板を用い、その面上に実装部品を実装すればＣＯＦ（Chip On Film）方式の実装構造体が構成され、他方、配線基板１１のベース基材１１ａとして硬質の基板を用いてその上に実装部品を実装すればＣＯＢ（Chip On Board）方式の実装構造体が構成される。
【００３５】
また、図１に示されるように、配線基板１１の面上にあって出力用端子１１ｃの両側には、それぞれアライメントマーク１５が設けられている。アライメントマーク１５は、配線パターン１１ｂと同一工程において同時に形成され、上述したアライメントマーク１０とともに、基板６ａと実装構造体３とを接合する際の位置合わせのために用いられる。
【００３６】
次に、基板６ａ上の端子９のピッチと、配線基板１１の出力用端子１１ｃのピッチとの関係、および基板６ａ上のアライメントマーク１０同士の距離と、配線基板１１上のアライメントマーク１５同士の距離との関係について説明する。ここで、本明細書における「端子（群）のピッチ」とは、ひとつの端子における特定の位置から、当該端子に隣接する他の端子における同位置までの距離である。
すなわち、図３に示すように、ある端子Ｔ１（端子９または出力用端子１１ｃ）に着目したとき、当該端子Ｔ１の幅ｗと、当該端子Ｔ１に一方の側において隣接する端子Ｔ２までの間隔ｄとを合わせた距離が「端子（群）のピッチＰ」に相当する。なお、本実施形態においては、各端子の幅ｗと当該端子に隣接する端子までの間隔ｄとが概ね等しい場合を想定する。
【００３７】
図４は、本実施形態における基板６ａと配線基板１１とを図１における下側からみた場合の平面図である。なお、図４においては基板６ａと配線基板１１とが接合される前の状態が示されている。基板６ａと配線基板１１との接合工程においては、両者の間に介挿されたＡＣＦ２０に熱を加えつつ、配線基板１１を基板６ａ側に押圧する。この熱圧着時には配線基板１１も加熱されるため、当該配線基板１１は熱膨張する。そして、本実施形態においては、上記熱圧着前の出力用端子１１ｃのピッチＰ２およびアライメントマーク１５同士の距離Ｗ２が、かかる熱膨張の前後にわたる当該配線基板１１の変形を考慮して選定されている。より具体的には、図４に示されるように、基板６ａと配線基板１１とが接合される前の状態において、配線基板１１上に形成された一対のアライメントマーク１５同士の間隔Ｗ２は、基板６ａ上に形成された一対のアライメントマーク１０同士の間隔Ｗ１と略同一となっている。
【００３８】
他方、この状態において、配線基板１１の出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、基板６ａ上の端子９のピッチＰ１とは異なっている。すなわち、本実施形態においては、配線基板１１の線膨張係数が基板６ａの線膨張係数よりも大きいため、熱圧着による膨張の程度は、基板６ａよりも配線基板１１の方が大きい。このため、配線基板１１が熱変形（膨張）した後の出力用端子１１ｃのピッチＰ２´が熱圧着後における基板６ａの端子９のピッチＰ１´と略同一となるように、熱圧着前の配線基板１１上の出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、基板６ａの端子９のピッチＰ１よりも狭いピッチに予め設定されているのである。詳細は後述するが、端子のピッチおよびアライメントマークの間隔を上記のように選定することにより、アライメント作業の容易性を確保しつつ、熱圧着後の端子の接続精度を高めることができる。
【００３９】
＜Ｂ：液晶パネルと実装構造体との接合＞
次に、図２中のIII−III線の断面図に相当する図５および図６を参照して、液晶パネル２と実装構造体３とを接合する工程について説明する。ここで、液晶パネル２と実装構造体３とを接続する工程は、液晶パネル２と実装構造体３との位置合わせを行なった状態で両者を仮固定する位置合わせ工程と、基板６ａと配線基板１１とを熱圧着によって接合する接合工程とからなる。以下、これらの各工程の内容について説明する。なお、図５および図６は、説明の便宜上、端子９および出力用端子１１ｃの本数が実際よりも少なく表現されている。
【００４０】
＜Ｂ−１：位置合わせ工程＞
位置合わせ工程においては、まず、基板６ａまたは配線基板１１のいずれか一方のうち他方と接合されるべき部分に、粘着性を有するＡＣＦ２０を貼り付ける。次いで、基板６ａのアライメントマーク１０と配線基板１１のアライメントマーク１５とが合致するように、液晶パネル２と実装構造体３と位置合わせを行なう。具体的には、例えば、ＣＣＤカメラなどによって基板６ａ側からアライメントマーク１０およびアライメントマーク１５を撮像しつつ、当該アライメントマーク１０とアライメントマーク１５とが完全に合致するように、当該液晶パネル２と実装構造体３との相対的な位置を調整する。こうして位置合わせが完了した後、液晶パネル２と実装構造体３との位置関係を維持したまま基板６ａと配線基板１１とを仮固定する。すなわち、図５に示されるように、基板６ａと配線基板１１の双方をＡＣＦ２０に接触させることにより、当該ＡＣＦ２０の粘着性を利用して両者を予備的に固定するのである。なお、図５においては、アライメントマーク１０および１５の各々の中心位置が「Ｘ１」および「Ｘ２」によって示されており、一対のアライメントマークの間の中点が「Ｘ０」によって示されている。
【００４１】
ここで、図７（ａ）は、図５に示された状態を、同図中の上側からみた平面図である。上述したように、基板６ａと配線基板１１との熱圧着前においては、基板６ａ上の一対のアライメントマーク１０の間隔Ｗ１と、配線基板１１上の一対のアライメントマーク１５の間隔Ｗ２とは略同一である。したがって、図７（ａ）に示されるように、基板６ａ上のアライメントマーク１０と、配線基板１１上のアライメントマーク１５とが合致するように基板６ａと配線基板１１とを重ね合わせることにより、両者の相対的な位置を合わせる作業を容易に行なうことができる。一方、上述したように、熱圧着前においては、配線基板１１上の出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、基板上６ａ上の端子９のピッチＰ１よりも狭くなっている。したがって、上記位置合わせ工程の直後においては、図５および図７（ａ）に示されるように、端子９と出力用端子１１ｃとは互いにずれた位置にある。
【００４２】
＜Ｂ−２：接合工程＞
上記位置合わせ工程の後、液晶パネル２と配線基板１１とを接合する接合工程が実行される。すなわち、まず、図６（ａ）に示されるように、配線基板１１における液晶パネル２とは反対側の面に、その全面にわたって熱圧着ヘッド５０を接触させる。熱圧着ヘッド５０は、加工対象に熱を加えつつ押圧することができるものである。そして、かかる熱圧着ヘッド５０によって当該配線基板１１を液晶パネル２側に押圧する。このとき、熱圧着ヘッド５０に発生した熱は、配線基板１１を介してＡＣＦ２０に与えられる。この結果、図６（ａ）に示されるようにＡＣＦ２０の接着用樹脂２１は溶解し、基板６ａと配線基板１１とは徐々に接近する。なお、図６（ａ）および（ｂ）においては、基板６ａ上のアライメントマーク１０の位置が「Ｘ３」および「Ｘ５」によって示されるとともに、配線基板１１上のアライメントマーク１５の位置が「Ｘ４」および「Ｘ６」によって示されている。
【００４３】
こうして配線基板１１への押圧を続け、当該配線基板１１と基板６ａとが充分に近接したところで熱圧着ヘッド５０による加熱を停止する。この結果、ＡＣＦ２０の接着用樹脂２１は硬化し、図６（ｂ）に示されるように、端子９と出力用端子１１ｃとが導通粒子２２を介して電気的に接続された状態で、基板６ａと配線基板１１とが接着用樹脂２１によって接合される。
【００４４】
上記接合工程においては、熱圧着ヘッド５０によるＡＣＦ２０の加熱に伴って配線基板１１が熱膨張し、この結果、配線基板１１の出力用端子１１ｃのピッチが広がる。ここで、上述したように、本実施形態においては、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２が、当該配線基板１１の熱変形後において端子９のピッチＰ１´と略同一となるように、予め設定されている。したがって、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示されるように、上記接合工程において生じる配線基板１１の熱膨張に伴って、基板６ａ上の端子９と略同一のピッチＰ２´となった出力用端子１１ｃが、当該端子９と接続される。
【００４５】
例えば、基板６ａと配線基板１１との熱圧着の前後で、当該基板６ａにおける端子９の配列方向（図６および図７における左右方向）の長さがａ倍に伸長し、当該配線基板１１における出力用端子１１ｃの配列方向の長さがｂ倍に伸長する場合を想定する。この「ａ」および「ｂ」（以下、「伸長率」と表記する）の値は、基板６ａおよび配線基板１１の線膨張係数、ベース基材１１ａまたは出力用端子１１ｃの厚さ、もしくは熱圧着時の温度、圧力または時間などに応じた値である。そして、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２は、熱圧着前における端子９のピッチＰ１の（ａ／ｂ）倍となるように、予め設定されている。
【００４６】
ここで、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２が、熱圧着前における端子９のピッチＰ１の（ａ／ｂ）倍とは、実質的に（（ａ／ｂ）−０．００１）以上（（ａ／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。この場合、上記熱圧着前における端子９のピッチＰ１は、熱圧着後においてピッチＰ１´＝Ｐ１×ａに変化する一方、上記熱圧着前の出力用端子１１ｃのピッチＰ２＝Ｐ１×（ａ／ｂ）は、熱圧着後においてピッチＰ２´＝Ｐ１×ａとなる。すなわち、熱圧着後における端子９のピッチＰ１´と出力用端子１１ｃのピッチＰ２´とは同一となるのである。ただし、基板６ａとしてガラス基板などを用いた場合、当該基板６ａは熱圧着の前後においてほとんど伸長しないから、上記伸長率ａを「１」に設定してもよい。ここで、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２が、圧着前における端子９のピッチＰ１の（１／ｂ）倍とは、実質的に（（１／ｂ）−０．００１）以上（（１／ｂ）＋０．００１）以下倍を含む概念である。
【００４７】
一方、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示されるように、配線基板１１は熱圧着ヘッド５０によって加熱された部位全体にわたって伸長するため、熱圧着後において、配線基板１１上のアライメントマーク１５同士の間隔Ｗ２´（＝Ｗ２×ｂ）は、基板６ａ上のアライメントマーク１０同士の間隔Ｗ１´（＝Ｗ１×ａ）よりも広くなる。すなわち、図５を例にとって説明したように接合工程の直前においてはアライメントマーク１０とアライメントマーク１５とが合致するのに対し、熱圧着後においては、アライメントマーク１０の位置とアライメントマーク１５の位置とが互いにずれた位置となる。もっとも、基板６ａと配線基板１１との接合後においてアライメントマーク１０とアライメントマーク１５とが合致しない（ずれた）状態となっても、位置合わせ工程において合致していれば何ら問題は生じない。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、接合工程における配線基板１１の伸長を補償するように、予め出力用端子１１ｃのピッチを端子９のピッチよりも狭く設定しているため、熱圧着後における端子９のピッチと出力用端子１１ｃのピッチとを略同一とすることができる。したがって、端子９と出力用端子１１ｃとを精度良く接続できる。一方、熱圧着前においては、アライメントマーク１０の間隔とアライメントマーク１５の間隔とが略同一となっているため、これらが合致するように液晶パネル２と実装構造体３との位置を調整することによって、容易に両者の相対的な位置合わせを行なうことができる。
【００４９】
＜Ｃ：実施例＞
次に、本発明の実施例について説明する。
【００５０】
＜Ｃ−１：実施例１＞
本実施例においては、配線基板１１のベース基材１１ａとしてカプトン（商品名。デュポン、東レデュポン株式会社製）を用いた。この場合、ベース基材１１ａは、測定条件を１００℃ないし２００℃としたときの線膨張係数が２．５１０-5／Ｋないし２．６×１０-5／Ｋであり、厚さは５０μｍないし１２５μｍである。かかるベース基材１１ａに出力用端子１１ｃなどが形成された配線基板１１ａを実装構造体３として、圧着温度１７０℃、圧着圧力３ＭＰａ、圧着時間２０秒の条件の下、上記熱圧着工程を行なった。この場合、配線基板１１は、出力用端子１１ｃの配列方向（幅方向）に０．３ないし０．４％の割合で伸長するという結果を得た。この結果を踏まえて、上記配線基板１１の伸長を補償し得るように、熱圧着前の出力用端子１１ｃのピッチを端子９のピッチよりも狭く設定した。
具体的には、出力用端子１１ｃのピッチを、端子９のピッチの０．９９６倍ないし０．９９７倍のピッチに設定した。なお、アライメントマーク１５の間隔は、アライメントマーク１０の間隔と略同一とした。かかるピッチ補正を行なった配線基板１１を、上述した熱圧着条件の下で基板６ａに熱圧着したところ、端子９と出力用端子１１ｃとを精度良く接続することができた。さらに、当該熱圧着前においては、アライメントマーク１０とアライメントマーク１５とを重ね合わせることによって、液晶パネル２と実装構造体３との位置合わせ作業を極めて容易に行なうことができた。
【００５１】
＜Ｃ−２：実施例２＞
本実施例においては、配線基板１１のベース基材１１ａとしてユーピレックス（商品名。宇部興産株式会社製）を用いた。この場合、ベース基材１１ａは、測定条件を２０℃ないし１００℃としたときの線膨張係数が０．８×１０-5／Ｋないし１．０×１０-5／Ｋであり、厚さは５μｍ以上７５μｍである。かかるベース基材１１ａを用いた配線基板１１を、圧着温度１７０℃、圧着圧力３ＭＰａ、圧着時間２０秒という条件の下で基板６ａに圧着したところ、配線基板１１は、出力用端子１１ｃの配列方向に０．２％の割合で伸長するという結果を得た。この結果を踏まえて、上記配線基板１１の伸長を補償し得るように、熱圧着前の出力用端子１１ｃのピッチを、端子９のピッチの実質的に０．９９８倍に設定した。この場合にも、アライメントマーク１５の間隔は、アライメントマーク１０の間隔と略同一とした。かかるピッチ補正を行なった配線基板１１を、上述した熱圧着条件の下で基板６ａに熱圧着したところ、端子９と出力用端子１１ｃとを精度良く接続でき、かつ液晶パネル２と実装構造体３との位置合わせ作業を容易に行なうことができた。
＜Ｄ：変形例＞
以上この発明の一実施形態について説明したが、上記実施形態はあくまでも例示であり、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００５２】
＜Ｄ−１：変形例１＞
上記実施形態においては、液晶駆動用ＩＣが実装された配線基板１１を、液晶パネル２の基板６ａに接合する場合を想定したが、液晶駆動用ＩＣをＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて基板６ａ上に実装するようにしてもよい。この場合、配線基板１１は、ベース基材１１ａ上に、当該液晶駆動用ＩＣの入力端子と外部回路基板とを接続するための配線パターンが形成されたものとなる。このように、本発明は、何らかの端子が形成された電気光学パネルの基材と、当該端子に接続されるべき端子が形成された実装基材（配線基板１１に相当する）とが接合される構成を採る電気光学装置であれば、他の構成要素の態様の如何を問わず本発明を適用可能である。例えば、上記実施形態においては、液晶パネル２に１個の実装構造体３を接続する構成の液晶装置を例示したが、液晶パネル２に複数個の実装構造体３を接合する構成の液晶装置に対しても本発明を適用可能である。
【００５３】
さらに、本発明に係る製造方法を適用できるのは、電気光学パネルの基板と実装基材とを接合する場合に限定されるものではない。すなわち、複数の第１端子（第１端子群）が形成された第１基材と、前記第１端子と接続されるべき複数の第２端子（第２端子群）が形成された第２基材とを接合するすべての場合に、本発明を適用することができる。
【００５４】
＜Ｄ−２：変形例２＞
上記実施形態においては、電気光学物質として液晶を用いた液晶装置に本発明を適用した場合を例示したが、本発明を適用できる電気光学装置はこれに限られるものではない。すなわち、電気光学物質としてＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を用いたＥＬ表示装置や、電気光学物質としてガスを用いたプラズマディスプレイパネルなど、電気光学物質の電気光学効果によって表示を行なう各種の装置にも、本発明を適用可能である。このように、端子が形成された基板と、当該端子に接続されるべき端子を備えた実装基材とが接合される構成を採るものであれば、他の構成要素の態様の如何を問わず本発明を適用可能である。
【００５５】
＜Ｄ−３：変形例３＞
上記実施形態においては、液晶パネル２の基板６ａとしてガラスを用いたが、この基板６ａの材料としてプラスチックを用いることもできる。さらに、このプラスチックとしては、ポリカボネート、アクリル（アクリル酸エステル樹脂、メタクリル酸エステル樹脂など）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＡｒ（ポリアリレート）、ＰｈＥ（フェノキシエーテル）などを用いることができる。
【００５６】
なお、基板６ａとして線膨張係数が比較的小さい（つまり、膨張しにくい）ガラスなどを含むものを用いる場合、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２を、熱圧着前における端子９のピッチＰ１の（１／ｂ）倍のピッチとなるように近似的に設定してもよいことは上述した通りである。しかしながら、基板６ａとして線膨張係数が比較的大きい（つまり、膨張しやすい）プラスチックを含むものを用いる場合には、上記伸長率ａおよびｂの双方を考慮することが望ましい。すなわち、伸長率ａを「１」に近似することなく、熱圧着前における出力用端子１１ｃのピッチＰ２を、熱圧着前における端子９のピッチＰ１の（ａ／ｂ）倍のピッチに設定することが望ましい。
【００５７】
＜Ｅ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器について説明する。図８は、かかる電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示されるように、携帯電話機３０は、アンテナ３１、スピーカ３２、電気光学装置１、キースイッチ３３およびマイクロホン３４といった各種の構成要素と、当該各構成要素を収容する外装ケース３６とを有する。さらに、外装ケース３６の内部には、上記の各構成要素の動作を制御するための制御回路を搭載した制御回路基板３７が設けられる。電気光学装置１は、上記実施形態に係る液晶装置などによって構成される。
【００５８】
この構成の下、キースイッチ３３およびマイクロホン３４から入力された信号や、アンテナ３１によって受信された受信データなどが制御回路基板３７の制御回路に与えられる。そして、この制御回路は、与えられた各種データに基づいて、電気光学装置の表示面内に数字や文字、絵柄などの画像を表示する。さらに制御回路は、アンテナ３１を介してデータを送信する。
【００５９】
なお、本発明に係る電気光学装置を適用可能な電子機器としては、図８に例示された携帯電話機のほかにも、液晶テレビや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、あるいは本発明に係る電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタなどが挙げられる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
以上説明したように、本発明によれば、基板と実装基材との接合の際に当該基板または実装基材に変形が生じた場合であっても、当該基板上の端子と実装基材の端子とを精度良く接続することができる。更には、第１アライメントマークが第１端子群の両端に第１端子群とは離れて、第２アライメントマークが第２端子群の両端に第２端子群とは離れて、形成されるため、製造工程を簡略化できるとともに、第１端子、第２端子が狭ピッチの場合にあってもそれらを精度よく接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置を分解して示す斜視図である。
【図２】同液晶装置における液晶パネルと実装構造体との接合部近傍の構成を示す断面図である。
【図３】端子（群）のピッチについて説明するための図である。
【図４】同液晶装置における端子およびアライメントマークの位置関係を説明するための図である。
【図５】同液晶装置の製造工程のうち位置合わせ工程における構成を示す断面図である。
【図６】（ａ）は、同液晶装置の製造工程のうち接合工程の途中の構成を示す断面図であり、（ｂ）は当該接合工程の後の構成を示す断面図である。
【図７】（ａ）は、上記位置合わせ工程の直後における液晶装置の構成を示す平面図であり、（ｂ）は上記接合工程の直後における液晶装置の構成を示す平面図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
１      液晶装置（電気光学装置）
６ａ    基板（第１基材）
９      端子（第１端子群）
１０    アライメントマーク
１１ａ  ベース基材（実装基材）
１１ｃ  出力用端子（第２端子群）
１５    アライメントマーク
【図１】
2004348154.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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