(57)【要約】【課題】集積回路にカップリング容量が存在していたとしても、ダイナミックレンジの低下を抑制する固体撮像装置及び撮像方法を提供する。【解決手段】複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置における撮像方法は、１つの画素セルを選択し（ａ）、選択された画素セルが基準化されたときにおける前記出力線の基準電位と（ｂ）、画素セルが受光量に応じて信号を出力したときにおける出力線の信号電位（ｄ）との電位差を測定し、画素セルの選択を解除し（ｆ）、前記測定後であって前記解除前に、出力線の電位を基準電位に近づける方向に変移させる（ｅ）。【選択図】    図４
2004304610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光量に応じた信号を出力する複数の画素セルが共通の出力線に接続された固体撮像装置における撮像方法であって、
１つの画素セルの選択を行う選択ステップと、
選択された画素セルが基準化されたときにおける前記出力線の基準電位と、当該画素セルが前記信号を出力したときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定ステップと、
前記電位差の測定後に、前記画素セルの選択を解除する解除ステップと、
前記電位差の測定後であって前記選択の解除前に、前記出力線の電位を前記基準電位に近づける方向に変移させる変移ステップと
を含むことを特徴とする撮像方法。
【請求項２】
前記変移ステップは、
前記出力線の電位を前記基準電位に変移させること
を特徴とする請求項１に記載の撮像方法。
【請求項３】
前記画素セルは、さらに、保持している電荷に基づいて前記出力線の電位を変移させる電荷保持部を備えており、
前記測定ステップは、
前記電荷保持部の電荷を掃き出すことにより前記出力線を基準電位に基準化し、受光量に応じた受光電荷を前記電荷保持部に与えることにより前記出力線の電位を信号電位とし、
前記変移ステップは、
前記電荷保持部から前記受光電荷を掃き出すこと
を特徴とする請求項２に記載の撮像方法。
【請求項４】
前記固体撮像装置は、さらに、周期的に高電位と低電位とを繰り返す電源部を備え、
前記電荷は負電荷であり、
前記変移ステップは、
前記電源部が高電位を維持している間に、前記電源部に前記電荷保持部を接続して電荷を掃き出した後、接続を切ること
を特徴とする請求項３に記載の撮像方法。
【請求項５】
前記固体撮像装置は、さらに、周期的に高電位と低電位とを繰り返す電源部を備え、
前記電荷は負電荷であり、
前記変移ステップは、
前記電源部が高電位から低電位に遷移する間にわたり、前記電源部に前記電荷保持部を接続した後、接続を切ること
を特徴とする請求項３に記載の撮像方法。
【請求項６】
受光量に応じて電荷を生成する複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置における撮像方法であって、
１つの画素セルを選択する選択ステップと、
選択された画素セルに保持されている電荷を基準量になるまで掃き出すことにより当該画素セルを選択状態とし、当該画素セルにおいて保持された電荷が基準量であるときにおける前記出力線の基準電位と、受光量に応じて電荷が生成されたときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定ステップと、
前記電位差の測定後、前記画素セルに保持されている電荷を所定量になるように初期化することにより当該画素セルを非選択状態とするとともに、当該画素セル以外の画素セルのうち少なくとも１つの画素セルにおいて、保持されている電荷を前記所定量になるように初期化する初期化ステップと
を含むことを特徴とする撮像方法。
【請求項７】
前記初期化ステップは、
前記選択された画素セル以外の画素セルのうち全ての画素セルにおいて、保持されている電荷を前記所定量になるように初期化すること
を特徴とする請求項６に記載の撮像方法。
【請求項８】
前記複数の画素セルは、受光量に応じた電荷を生成する光電変換部と保持されている電荷に応じて前記出力線の電位を変移させる電荷保持部との接続状態を制御する読み出しトランジスタ、及び、当該画素セルに供給電位を供給するする電源部と前記電荷保持部との接続状態を制御するスイッチトランジスタとを備えており、
前記電荷は負電荷であり、
前記初期化ステップは、
前記供給電位であって、前記スイッチトランジスタがＯＦＦ状態のときのポテンシャル電位よりも低く、かつ、前記読み出しトランジスタがＯＦＦ状態のときのポテンシャル電位よりも高い電位を与えることにより電荷を前記所定量とすること
を特徴とする請求項７に記載の撮像方法。
【請求項９】
複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置であって、
１つの画素セルを選択し、当該画素セルが基準化されたときにおける前記出力線の基準電位と当該画素セルが受光量に応じて信号を出力したときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定し、前記画素セルの選択を解除する撮像手段と、
前記電位差の測定後であって前記画素セルの解除前に、前記出力線の電位を前記基準電位に近づける方向に変移させる変移手段と
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
受光量に応じて電荷を発生する複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置であって、
１つの画素セルを選択する選択手段と、
それぞれの画素セルには予め初期量の電荷が保持されており、選択された画素セルに保持されている電荷を掃き出して基準値としたときにおける前記出力線の基準電位と、当該選択された画素セルに保持される電荷が受光量に応じて増加したときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定手段と、
前記電位差の測定後、選択された画素セル以外の画素セルのうちの全部又は一部の画素セルと、前記選択された画素セルとにそれぞれ保持されている電荷を前記初期量にする復帰手段と
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像装置及び撮像方法に関し、特に、固体撮像装置のダイナミックレンジの低下を抑制する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、固体撮像装置としてＭＯＳ型のものが汎用されている（例えば、特許文献１参照。）。
図１は、ＭＯＳ型の固体撮像装置の構成を示す図である。
固体撮像装置は、撮像部、行走査回路、信号処理部、負荷回路及び列走査回路からなり、各画素セルにおいて受光量に応じて出力される画素信号を読み出すものである。
【０００３】
各画素セルは、行走査回路からのリードパルス及びリセットパルスにより１行ごとに順次選択されて出力信号線を通じて画素信号を信号処理部に伝送する。信号処理部に伝送された１行分の画素信号は、列走査回路からの走査パルスにより１列ごとに出力される。
ここで画素信号とは、画素セル１０において説明すると、電源部（ＶＤＤＣＥＬＬ）のＨｉ電位を電荷保持部１５に与えたときに増幅トランジスタ１４を通じて出力部１６に出力される基準電位と、受光量に応じて電子を放出する光電変換素子１１の電子を電荷保持部１５に与えたときに増幅トランジスタ１４を通じて出力部１６に出力される信号電位との電位差に基づく信号である。信号処理部は、その２時点における出力信号線の電位差により画素信号を読み出している。
【０００４】
なお、前述の基準電位や信号電位の出力動作は、行走査回路からのリードパルス及びリセットパルスをリードトランジスタ１２及びリセットトランジスタ１３に与えることにより為されている。また、電荷保持部１５は、回路図上では単なる接続点であるが、集積回路内ではＰＮ接合部に相当し、一定の電荷を保持することができる。
【０００５】
図２は、従来の固体撮像装置の駆動パルスを示す図である。
以下、ｎ行目が選択されているときの画素セルの動作、特に、画素セル１０の動作について図１及び図２を参照して説明する。
（１）電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位になり、それに応じた電位が増幅トランジスタ１４の出力部１６から出力されて出力信号線の電位が上昇する。（図２、ａ点）。
【０００６】
（２）リセットパルスｎがＬｏ電位となりリセットトランジスタ１３がＯＦＦ状態となる。このとき、電荷保持部１５は、Ｈｉ電位を保つ（図２、ｂ点）。
（３）リードパルスｎがＨｉ電位となり、リードトランジスタ１２がＯＮ状態となる。これにより、光電変換素子１１に光情報に応じて蓄積されていた電荷が、電荷保持部１５に読み出され、その結果、電荷保持部１５の電位が降下する。電荷保持部１５の電位の降下に応じて、増幅トランジスタ１４の出力部１６の電位が降下し、出力信号線の電位が降下する（図２、ｃ点）。
【０００７】
（４）リードパルスｎがＬｏ電位となりリードトランジスタ１２がＯＦＦ状態となる（図２、ｄ点）。信号処理部は、ｂ点での出力信号線の電位とｄ点での出力信号線の電位とを検出し、その電位差を画素信号として測定する。その後、ＶＤＤＣＥＬＬがＬｏ電位となる（図２、ｄ‘点）。
（５）電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＬｏ電位になり、増幅トランジスタ１４がＯＦＦ状態となる。以上により画素セル１０の画素信号出力動作が終了する（図２、ｅ点）。その後、ｎ行は非選択行となり、ｎ＋１行が選択行となる（図２、ｆ‘点）。
【０００８】
このように、上記の固体撮像装置は、図２のａ点において選択行の画素セル１０にのみリセットパルスを与え、選択行の電荷保持部１５の電位をＨｉ電位にすることで、増幅トランジスタ１４をＯＮ状態にして画素信号を出力させ、逆に、非選択行の画素セル２０の電荷保持部２５の電位をＬｏ電位に保つことで、増幅トランジスタ２４をＯＦＦ状態にして画素信号を出力させないことを特徴としている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００３−４６８６４号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、非選択行の電荷保持部２５の電位をＬｏ電位に保つといえども、図１に示すように電荷保持部２５は、電位的にフローティング状態となっているため、出力信号線の電位が上昇すれば集積回路の構造上存在するカップリング容量２８を介してその分だけ電位が上昇する（図２、ｎ行選択時の電荷保持部ｎ＋１における点線部分、及びｎ＋１行選択時の電荷保持部ｎにおける点線部分）。それに応じて増幅トランジスタ２４がＯＮ状態となり、非選択行であるにも関わらず電流が流れ出してしまう。これにより出力信号線の電位が変調され、信号処理部において選択行の画素信号が正確に測定されなくなる。
【００１１】
特に、信号処理部は、一定電位（図２、ｂ点）からの電位の降下分を画素信号として読み出しており、画素信号が大きいほどｄ点（図２参照）での出力信号線の電位が低くなるため、このとき非選択行による出力信号線の変調の影響が無視できなくなる。これは、ダイナミックレンジの低下を意味している。
例えば、従来の駆動例ではＶＤＤＣＥＬＬがＬｏ電位となった時、ｎ行の電荷保持部１５がＬｏ電位ではないある一定電位となっているために、増幅トランジスタ１４を介して出力信号線の電位をＧＮＤレベルに近い状態まで低下させる。なおこの時出力信号線は、増幅トランジスタ１４のＯＮ抵抗と出力信号線の負荷容量との積で決まる時定数に従って、ｄ点のレベルから電位低下を起す（図２、ｄ‘点）。
【００１２】
次に、ＶＤＤＣＥＬＬがＨｉ電位となって、リセットパルスｎ＋１がＨｉ電位となり、ｎ＋１行の電荷保持部２５の電位がＨｉ電位となると、出力信号線の電位は電荷保持部２５を入力とする増幅トランジスタ２４の出力電位まで上昇する。
つまり、出力信号線はＧＮＤレベルに近い低電位から、増幅トランジスタの入力にＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位が印加された時の最も高い出力電位レベルまで大きく上昇することとなり、結果非選択行の増幅トランジスタ１４の入力部と出力部とのカップリング容量を通じて、非選択行の電荷保持部１５の電位が上昇することとなる（図２、ｆ‘点）。
【００１３】
そこで、本発明は、集積回路のカップリング容量によるダイナミックレンジの低下を抑制する固体撮像装置及び撮像方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像装置における撮像方法は、受光量に応じた信号を出力する複数の画素セルが共通の出力線に接続された固体撮像装置における撮像方法であって、１つの画素セルの選択を行う選択ステップと、選択された画素セルが基準化されたときにおける前記出力線の基準電位と、当該画素セルが前記信号を出力したときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定ステップと、前記電位差の測定後に、前記画素セルの選択を解除する解除ステップと、前記電位差の測定後であって前記選択の解除前に、前記出力線の電位を前記基準電位に近づける方向に変移させる変移ステップとを含むことを特徴とする。
【００１５】
上記構成によれば、固体撮像装置は、複数の画素セルのうち１つを選択し、基準電位と信号電位との電位差を測定し、測定後であって選択を解除する前に出力線の電位を基準電位に近づける方向に変移させることができる。
出力線の電位を基準電位に近づけておくことにより、次に他の画素セルが選択されて出力線の電位を基準化するときにおける出力線の電位の変動分が少なくなる。
【００１６】
したがって、出力線の電位の変動分に起因して、画素セルが選択されていないにも関わらず動作することによるダイナミックレンジの低下を抑制することができる。また、上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像装置における撮像方法は、受光量に応じて電荷を生成する複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置における撮像方法であって、１つの画素セルを選択する選択ステップと、選択された画素セルに保持されている電荷を基準量になるまで掃き出すことにより当該画素セルを選択状態とし、当該画素セルにおいて保持された電荷が基準量であるときにおける前記出力線の基準電位と、受光量に応じて電荷が生成されたときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定ステップと、前記電位差の測定後、前記画素セルに保持されている電荷を所定量になるように初期化することにより当該画素セルを非選択状態とするとともに、当該画素セル以外の画素セルのうち少なくとも１つの画素セルにおいて、保持されている電荷を前記所定量になるように初期化する初期化ステップとを含むことを特徴とする。
【００１７】
上記構成によれば、固体撮像装置は、保持されている電荷の量によって画素セルの選択状態と非選択状態とを制御するものである。まず、複数の画素セルのうち１つの画素セルを選択し、電荷を基準量になるまで掃き出すことにより選択状態とし、そのときの出力線の基準電位と受光量に応じて電荷が生成されたときの出力線の信号電位との電位差を測定する。その後、選択された画素セルに保持されている電荷を所定量に初期化することにより、その画素セルの状態を非選択状態とし、さらに、選択されていなかった画素セルに保持されている電荷を所定量に初期化する。
【００１８】
これにより、本来なら非選択状態であるべき画素セルが何らかの理由で選択状態となってしまった場合であっても、その画素セルは、選択された画素セルが非選択状態になるとともに、非選択状態になる。
したがって、上記のような画素セルによるダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
（実施の形態１）
［概要］
本実施の形態は、特定行の選択時における出力信号線の電位変動を従来よりも少なくすることにより、非選択行における増幅トランジスタのゲート電位の上昇を抑制している。これにより、ダイナミックレンジの低下が抑制される。
【００２０】
［構成］
本実施の形態に係る固体撮像装置は、行走査回路を除き図１の構成と同様であるため、同様の部分については説明を省略し、行走査回路のみを説明する。
図３は、行走査回路の構成を示す図である。
図４は、行走査回路から出力される駆動パルス等を示す図である。
【００２１】
行走査回路は、所定のタイミングで撮像部に駆動パルスを出力するための回路であり、図３に示すように、パルス生成部、シフトレジスタ及びＡＮＤ回路からなる。
パルス生成部は、カウンタなどから構成されており、源クロックを元にあらかじめ設定されたタイミングにおいて、設定された幅のパルスを生成し出力するものである。ここでは、クロックＣｌｋ、リード信号Ｒｅａｄ、リセット信号Ｒｅｓｅｔを生成し、クロックＣｌｋをシフトレジスタの各セルに、リード信号Ｒｅａｄ及びリセット信号ＲｅｓｅｔをＡＮＤ回路の各セルに出力している。
【００２２】
シフトレジスタは、各セルに共通に入力されるクロックＣｌｋを元に、Ｏｕｔ１、Ｏｕｔ２と順に出力する。ＡＮＤ回路は、カウンタなどから所定のタイミングで発せられる信号、Ｒｅａｄ及びＲｅｓｅｔを各セルに共通に入力する。ＡＮＤ回路の各セルは、ＯｕｔとＲｅａｄとの論理積、ＯｕｔとＲｅｓｅｔとの論理積をそれぞれ撮像部に出力する。例えば、ＡＮＤ回路のセル１は、Ｏｕｔ１とＲｅａｄとの論理積であるＲｅａｄ１と、Ｏｕｔ１とＲｅｓｅｔとの論理積であるＲｅｓｅｔ１とを出力している。
【００２３】
このように出力されるＲｅａｄ１、Ｒｅｓｅｔ１が図４におけるリードパルスｎ、リセットパルスｎであり、Ｒｅａｄ２、Ｒｅｓｅｔ２が図４におけるリードパルスｎ＋１、リセットパルスｎ＋１に相当する。
本実施の形態における駆動パルスの特徴は、図４のｅ点においてリセットパルスを与えることである。
【００２４】
このように、ＶＤＤＣＥＬＬがＨｉ電位のときにリセットトランジスタ１３をＯＮ状態とすることで、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位になり、それに応じて増幅トランジスタ１４がＯＮ状態となり、出力部１６の電位が上昇することになる。このように出力信号線の電位を上昇させておくことは、信号処理部がｂ点において出力信号線の電位を検出し、ｄ点において再び出力信号線の電位を検出することにより、その電位差である画素信号を読み出した後であれば、出力信号線の電位が変動しようともその画素信号になんら影響を与えることはないので問題ない。
【００２５】
また、このように出力信号線の電位を一旦上昇させておくことで、ｆ点における出力信号線の電位が低電位になることを抑制することができるので、ａ点において選択行にリセットパルスのＨｉ電位を与えたときの出力信号線の電位上昇分が減少している。つまり、非選択行の増幅トランジスタ２４のゲート電位のカップリング容量２８を介して上昇する電位が小さくなる。これにより、非選択行であるにも関わらず電流が流れ出してしまう事態を抑制することができる。したがって、集積回路にカップリング容量が構造上存在していたとしても、ダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００２６】
なお、ｅ点は、信号処理部がｄ点において出力信号線の電位を検出した後、ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位がＬｏ電位に降下する前であればよい。
［動作］
図５は、固体撮像装置の各動作段階における各部のポテンシャルを模式的に示した図である。
【００２７】
以下、ｎ行目が選択されているときの画素セルの動作、特に、画素セル１０の動作について図４及び図５を参照して説明する。
（１）電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位になり、それに応じた電位が増幅トランジスタ１４の出力部１６から出力されて出力信号線の電位が上昇する（図４、ａ点）。
【００２８】
このときのポテンシャルは、図５（ａ）に示される。図５の柱状グラフは、光電変換素子１１、リードトランジスタ１２、電荷保持部１５、リセットトランジスタ１３及びＶＤＤＣＥＬＬのポテンシャルを示す。なお、これらは、電子のポテンシャルを表現しているので、柱の高さが増加するほど電位が低いことを意味する。図５（ａ）は、リセットトランジスタのゲートがＨｉ電位になり、電荷保持部１５とＶＤＤＣＥＬＬとのポテンシャルが同レベルになるところを示す。このとき、電子は電荷保持部１５からＶＤＤＣＥＬＬへと掃き出される。
【００２９】
（２）リセットパルスｎがＬｏ電位となりリセットトランジスタ１３がＯＦＦ状態となる。このとき、電荷保持部１５は、Ｈｉ電位を保つ（図４、ｂ点）。
このときのポテンシャルは、図５（ｂ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートがＬｏ電位になり、電荷保持部１５のポテンシャルがＶＤＤＣＥＬＬと同レベルに保持されていることが分かる。
【００３０】
（３）リードパルスｎがＨｉ電位となり、リードトランジスタ１２がＯＮ状態となる。これにより、光電変換素子１１に光情報に応じて蓄積されていた電荷が、電荷保持部１５に読み出され、その結果、電荷保持部１５の電位が降下する。電荷保持部１５の電位の降下に応じて、増幅トランジスタ１４の出力部１６の電位が降下し、出力信号線の電位が降下する（図４、ｃ点）。
【００３１】
このときのポテンシャルは、図５（ｃ）に示される。これによると、リードトランジスタのゲートがＨｉ電位になり、光電変換素子１１に蓄えられていた電子が電荷保持部１５に流入していくことが分かる。
（４）リードパルスｎがＬｏ電位となりリードトランジスタ１２がＯＦＦ状態となる（図４、ｄ点）。信号処理部は、ｂ点での出力信号線の電位とｄ点での出力信号線の電位とを検出し、その電位差を画素信号として測定する。
【００３２】
このときのポテンシャルは、図５（ｄ）に示される。これによると、リードトランジスタのゲートがＬｏ電位になり、光電変換素子１１からの電子の流入がせき止められ、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位よりもΔＶｓｉｇだけ下がった状態で保持されることがわかる。このΔＶｓｉｇの電位差に応じた増幅トランジスタ１４の出力の差分が画素信号となる。
【００３３】
（５）信号処理部がｄ点において出力信号線の電位を検出した後、ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位がＬｏ電位に降下する前に、再び、電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位になり、それに応じた電位が増幅トランジスタ１４の出力部１６から出力されて出力信号線の電位が上昇する。（図４、ｅ点）。
【００３４】
このときのポテンシャルは、図５（ｅ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートがＨｉ電位になり、電荷保持部１５に蓄えられたΔＶｓｉｇ分の電子がＶＤＤＣＥＬＬに掃き出されることが分かる。これにより、電荷保持部１５の電位とＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位とが同電位になる。
（６）ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位がＬｏ電位に降下した後に、電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＬｏ電位になり、増幅トランジスタ１４がＯＦＦ状態となる。以上により画素セル１０の画素信号出力動作が終了する（図４、ｆ点）。
【００３５】
このときのポテンシャルは、図５（ｆ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートがＨｉ電位になり、電荷保持部１５の電位がＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位になることが分かる。
（７）その後、ｎ行目は非選択行となり、ｎ＋１行目が選択行となる（図４、ｇ点）。
【００３６】
このとき非選択行となった画素セル１０の各部のポテンシャルは、図５（ｇ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートがＬｏ電位となり、電荷保持部１５の電位がＬｏ電位に保持されることが分かる。
図４に示すように、出力信号線の電位は、ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位がＬｏ電位に降下した時にその降下分に応じて降下している（図４、ｆ点の直前）。この降下分自体は、従来の固体撮像装置と同じであるが、本実施の形態においては、ｅ点で一旦出力信号線の電位を上昇させているので、同じ降下分だけ電位が降下したとしても、降下後の電位は従来の固体撮像装置に比べて高い。このように出力信号線の電位を上昇させて、かさ上げしておくことで、ａ点における出力信号線の電位の上昇を抑制することができ、非選択行の増幅トランジスタ２４のゲート電位がカップリング容量２８を介して上昇する電位が小さくなることを示す。これにより、非選択行の増幅トランジスタ２４から流れ出す電流を抑制することができ、集積回路にカップリング容量が構造上存在していたとしても、ダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００３７】
（実施の形態２）
［概要］
本実施の形態は、特定行の選択時における出力信号線の電位変動を抑制することにより、非選択行における増幅トランジスタのゲート電位の上昇を抑制している。これにより、ダイナミックレンジの低下が抑制される。
【００３８】
［構成］
本実施の形態に係る固体撮像装置は、行走査回路から出力される駆動パルスが実施の形態１と異なる。したがって、実施の形態１と異なる部分のみを説明し、同様の部分については説明を省略する。
図６は、行走査回路から出力される駆動パルス等を示す図である。
【００３９】
本実施の形態における駆動パルスの特徴は、ＶＤＤＣＥＬＬの電位がＨｉ電位からＬｏ電位に降下する前後にわたりリセットパルスを与えることである。これにより、ｊ点では電荷保持部１５の電位がＶＤＤＣＥＬＬに合わせてＨｉ電位になり、それに応じて増幅トランジスタ１４がＯＮ状態となり、出力部１６の電位が上昇することになる。またｋ点では電荷保持部１５の電位がＶＤＤＣＥＬＬに合わせてＬｏ電位になり、それに応じて増幅トランジスタ１４がＯＦＦ状態となる。このとき、ＬｏａｄＣＥＬＬのトランジスタ５１もＯＦＦ状態なので出力信号線に電荷が残留して電位が降下せずに保持される。このときの電位は、電荷保持部１５がＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位のときの電位なので、ａ点において選択行にリセットパルスを与えたときの出力信号線の電位と同電位である。つまり、ａ点においてリセットパルスが与えられたとしても出力信号線の電位変動がない。したがって、非選択行の増幅トランジスタ２４のゲート電位は、カップリング容量２８が存在していたとしても上昇しない。つまり、非選択行であるにも関わらず電流が漏れ出してしまう事態を防止することができる。これにより、集積回路にカップリング容量が構造上存在していたとしても、ダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００４０】
［動作］
図７は、固体撮像装置の各動作段階における各部のポテンシャルを模式的に示した図である。
以下、ｎ行目が選択されているときの画素セルの動作、特に、画素セル１０の動作について図６及び図７を参照して説明する。
【００４１】
（１）電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位になり、それに応じた電位が増幅トランジスタ１４の出力部１６から出力される（図６、ａ点）。
このとき、出力信号線は、予め電荷保持部１５の電位がＨｉ電位であるときの電位に保持されているので、出力信号線の電位の変動はない。
【００４２】
（２）リセットパルスｎがＬｏ電位となりリセットトランジスタ１３がＯＦＦ状態となる。このとき、電荷保持部１５は、Ｈｉ電位であり、一定の電荷が蓄積されている（図６、ｂ点）。
（３）リードパルスｎがＨｉ電位となり、リードトランジスタ１２がＯＮ状態となる。これにより、光電変換素子１１に光情報に応じて蓄積されていた電荷が、電荷保持部１５に読み出され、その結果、電荷保持部１５の電位が降下する。電荷保持部１５の電位の降下に応じて、増幅トランジスタ１４の出力部１６の電位が降下し、出力信号線の電位が降下する（図６、ｃ点）。
【００４３】
（４）リードパルスｎがＬｏ電位となりリードトランジスタ１２がＯＦＦ状態となる（図６、ｄ点）。信号処理部は、ｂ点での出力信号線の電位とｄ点での出力信号線の電位とを検出し、その電位差を画素信号として測定する。
（５）信号処理部がｄ点において出力信号線の電位を検出した後、ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位がＬｏ電位に降下する前に、再び、電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位になり、それに応じた電位が増幅トランジスタ１４の出力部１６から出力されて出力信号線の電位が上昇する（図６、ｊ点）。
【００４４】
このときのポテンシャルは、図７（ｊ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートがＨｉ電位になり、電荷保持部１５に蓄えられたΔＶｓｉｇ分の電子がＶＤＤＣＥＬＬに流出して電荷保持部１５の電位とＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位とが同電位になり、さらに、それに応じて増幅トランジスタ１４のゲートがＨｉ電位になるので出力信号線の電位が（ＶＤＤＣＥＬＬ−Ｖｔ）×αに上昇することが分かる。ここでＶｔは、増幅トランジスタの閾値電圧であり、αは０．６〜０．９程度の増幅率を示す。
【００４５】
（６）リセットパルスｎは、ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位がＬｏ電位に降下する前後にわたりＨｉ電位となる。これにより、電荷保持部１５の電位はＶＤＤＣＥＬＬの電位降下に応じて降下し、それに応じて増幅トランジスタ１４がＯＦＦ状態となる。このとき、ＬｏａｄＣＥＬＬのトランジスタ５１もＯＦＦ状態なので出力信号線に電荷が残留して電位が降下せずに保持される。以上により画素セル１０の画素信号出力動作が終了する（図６、ｋ点）。
【００４６】
このときのポテンシャルは、図７（ｋ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートがＨｉ電位のままでＶＤＤＣＥＬＬがＬｏ電位になるため、電荷保持部１５の電位がＬｏ電位になり、それに応じて増幅トランジスタ１４のゲートがＬｏ電位になり、出力信号線の電位が以前のまま保持される様子が分かる。
【００４７】
（７）その後、ｎ行目は非選択行となり、ｎ＋１行目が選択行となる（図６、ｌ点）。
このとき非選択行となった画素セル１０の各部のポテンシャルは、図７（ｌ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートがＬｏ電位となり、電荷保持部１５の電位がＬｏ電位に保持されることが分かる。
【００４８】
このように、出力信号線は、ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位に電荷保持部１５が与えられているときの電位を保持しているので、ａ点においてリセットパルスが与えられたときに電位の変動がない。これは、非選択行の増幅トランジスタ２４のゲート電位は、カップリング容量２８が存在していたとしても上昇しないことを示す。これにより、非選択行の増幅トランジスタ２４から漏れ出す電流を抑制することができ、集積回路にカップリング容量が構造上存在していたとしても、ダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００４９】
（実施の形態３）
［概要］
本実施の形態は、ＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位をリセットトランジスタのゲートの障壁電位よりも低くすることで、行走査期間ごとに毎回、非選択行であっても電荷保持部の電位をゲートの障壁電位まで下げることができる。これにより、何らかの理由で非選択行の電荷保持部の電位が上昇しても、電流の漏れ出しを阻止することができる。したがって、ダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００５０】
［構成］
本実施の形態に係る固体撮像装置は、行走査回路から出力される駆動パルスが実施の形態１と異なる。したがって、実施の形態１と異なる部分のみを説明し、同様の部分については説明を省略する。
図８は、行走査回路から出力される駆動パルス等を示す図である。
【００５１】
本実施の形態における駆動パルスの特徴は、ＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位を、リセットトランジスタのゲートがＬｏ電位のときの障壁電位よりも低く、かつ、リードトランジスタのゲート電位がＬｏ電位のときの障壁電位よりも高くすることにより、図８のｏ点においてリセットパルスをＨｉ電位にしなくても電荷保持部１５の電位をＬｏ電位にすることである。
【００５２】
このようにＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位をリセットトランジスタのゲートの障壁電位よりも低くすることは、選択行の電荷保持部１５のみならず非選択行の電荷保持部２５においても、ＶＤＤＣＥＬＬがＬｏ電位になるたびに強制的にリセットトランジスタのゲートの障壁電位まで下げられることを意味する。実施の形態１及び実施の形態２では、各画素セルは、選択行のときに電荷保持部をＬｏ電位にすれば、その後は再び選択行となるまで動作しない。つまり画素セルが非選択行であるとき、何らかの理由で電荷保持部の電荷が漏れ出して電荷保持部の電位が上昇し、増幅トランジスタから電流が漏れ出したとしても、それを阻止する手段がない。
【００５３】
そこで、本実施の形態のようにＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位をリセットトランジスタのゲートの障壁電位よりも低くすることで、行走査期間ごとに毎回、非選択行であっても電荷保持部の電位をゲートの障壁電位まで下げることができるので、上記のような電流の漏れ出しを阻止することができる。これにより、ダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００５４】
［動作］
図９は、固体撮像装置の各動作段階における各部のポテンシャルを模式的に示した図である。
以下、ｎ行目が選択されているときの画素セルの動作、特に、画素セル１０の動作について図８及び図９を参照して説明する。
【００５５】
（１）電荷保持部１５の電位をＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位にするべく、リセットパルスｎがＨｉ電位となり、リセットトランジスタ１３がＯＮ状態となる。これにより、電荷保持部１５の電位がＨｉ電位になり、それに応じた電位が増幅トランジスタ１４の出力部１６から出力されて出力信号線の電位が上昇する（図８、ａ点）。
【００５６】
（２）リセットパルスｎがＬｏ電位となりリセットトランジスタ１３がＯＦＦ状態となる。このとき、電荷保持部１５は、Ｈｉ電位であり、一定の電荷が蓄積されている（図８、ｂ点）。
（３）リードパルスｎがＨｉ電位となり、リードトランジスタ１２がＯＮ状態となる。これにより、光電変換素子１１に光情報に応じて蓄積されていた電荷が、電荷保持部１５に読み出され、その結果、電荷保持部１５の電位が降下する。電荷保持部１５の電位の降下に応じて、増幅トランジスタ１４の出力部１６の電位が降下し、出力信号線の電位が降下する（図８、ｃ点）。
【００５７】
（４）リードパルスｎがＬｏ電位となりリードトランジスタ１２がＯＦＦ状態となる（図８、ｄ点）。信号処理部は、ｂ点での出力信号線の電位とｄ点での出力信号線の電位とを検出し、その電位差を画素信号として測定する。
（５）信号処理部がｄ点において出力信号線の電位を検出した後、ＶＤＤＣＥＬＬのＨｉ電位がＬｏ電位に降下する。（図８、ｏ点）。
【００５８】
このときのポテンシャルは、図９（ｏ）に示される。これによると、リセットトランジスタのゲートはＬｏ電位であるが、その障壁電位よりもＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位の方が低いため、ＶＤＤＣＥＬＬから電子が障壁を越えて電荷保持部１５に流入して電荷保持部１５の電位がＶＤＤＣＥＬＬと同電位になることが分かる。
【００５９】
（６）その後、ｎ行目は非選択行となり、ｎ＋１行目が選択行となる（図８、ｐ点）。
このとき非選択行となった画素セル１０の各部のポテンシャルは、図９（ｐ）に示される。これによると、電荷保持部１５の電位がリセットトランジスタの障壁電位と同電位に保持されることが分かる。
【００６０】
上記のように、選択行、非選択行に関わらず電荷保持部は、行走査期間ごとに毎回、図９（ｏ）の状態になるので、そのたびに電荷保持部の電位をゲートの障壁電位まで下げることができる。したがって、非選択行の電荷保持部において何らかの理由で電位が上昇したとしても、増幅トランジスタからの電流の漏れ出しを阻止することができる。これにより、ダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００６１】
なお、上述したようにＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位は、リードトランジスタの障壁電位をも越えてしまうと、光電変換素子が光量に応じて蓄えている画素信号分の電子の量が本来の量と異なってしまい、正確な画素信号が得られなくなるので、それよりは高くなければならない。例えば、ＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位＝０．５Ｖ、リセットトランジスタの障壁電位＝０．８Ｖ、リードトランジスタの障壁電位＝０．２Ｖのような設定が考えられる。
【００６２】
なお、本実施の形態では、図８のｏ点において、選択行の画素セルのリセットトランジスタをＯＦＦ状態のままにしていたが、このとき、リセットトランジスタをＯＮ状態にしてもよい。これにより、電荷保持部がＶＤＤＣＥＬＬのＬｏ電位になる時間を短縮することができる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明に係る固体撮像装置における撮像方法は、受光量に応じた信号を出力する複数の画素セルが共通の出力線に接続された固体撮像装置における撮像方法であって、１つの画素セルの選択を行う選択ステップと、選択された画素セルが基準化されたときにおける前記出力線の基準電位と、当該画素セルが前記信号を出力したときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定ステップと、前記電位差の測定後に、前記画素セルの選択を解除する解除ステップと、前記電位差の測定後であって前記選択の解除前に、前記出力線の電位を前記基準電位に近づける方向に変移させる変移ステップとを含むことを特徴とする。
【００６４】
上記構成によれば、固体撮像装置は、複数の画素セルのうち１つを選択し、基準電位と信号電位との電位差を測定し、測定後であって選択を解除する前に出力線の電位を基準電位に近づける方向に変移させることができる。
出力線の電位を基準電位に近づけておくことにより、次に他の画素セルが選択されて出力線の電位を基準化するときにおける出力線の電位の変動分が少なくなる。
【００６５】
したがって、出力線の電位の変動分に起因して、画素セルが選択されていないにも関わらず動作することによるダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
また、前記変移ステップは、前記出力線の電位を前記基準電位に変移させることとしてもよい。
【００６６】
上記構成によれば、固体撮像装置は、複数の画素セルのうち１つを選択し、その画素セルを基準化して、基準電位と信号電位との電位差を測定し、測定後であって選択を解除する前に、再び基準化と同じ動作を行うことになる。基準化と同じ動作を行うことは、固体撮像装置に特別な機構を設けずにすむことを意味する。
【００６７】
したがって、ダイナミックレンジの低下を抑制しつつコストを抑えた設計が可能となる。
また、前記画素セルは、さらに、保持している電荷に基づいて前記出力線の電位を変移させる電荷保持部を備えており、前記測定ステップは、前記電荷保持部の電荷を掃き出すことにより前記出力線を基準電位に基準化し、受光量に応じた受光電荷を前記電荷保持部に与えることにより前記出力線の電位を信号電位とし、前記変移ステップは、前記電荷保持部から前記受光電荷を掃き出すこととしてもよい。
【００６８】
上記構成によれば、固体撮像装置は、電荷保持部に保持している電荷に基づいて出力線の電位を変移させるものである。これによると基準化は、電荷保持部の電荷を掃き出すことであり、信号電位は、基準化された後に受光量に応じた受光電荷を電荷保持部に保持させることにより現れるものである。
また、前記固体撮像装置は、さらに、周期的に高電位と低電位とを繰り返す電源部を備え、前記電荷は負電荷であり、前記変移ステップは、前記電源部が高電位を維持している間に、前記電源部に前記電荷保持部を接続して電荷を掃き出した後、接続を切ることとしてもよい。
【００６９】
固体撮像装置が電位差を測定した後において、電荷保持部は、基準化により電荷が掃き出されたところに受光電荷が加えられた状態となっている。
上記構成によれば、固体撮像装置は、電源部が高電位を維持している間に、電源部と電荷保持部とを接続して負電荷を掃き出し、その後接続が切られる。したがって、電荷保持部は、高電位を保ち、出力信号線が基準電位となる。その後、電源部が低電位に遷移すれば、それに伴って出力信号線の電位も低くなるが、一旦基準電位まで電位を上げているので、出力信号線の電位が低下しても従来の固体撮像装置までは低下しない。したがって、次に他の画素セルが選択されて出力線の電位を基準化するときにおける出力線の電位の変動分が少なくなる。
【００７０】
また、前記固体撮像装置は、さらに、周期的に高電位と低電位とを繰り返す電源部を備え、前記電荷は負電荷であり、前記変移ステップは、前記電源部が高電位から低電位に遷移する間にわたり、前記電源部に前記電荷保持部を接続した後、接続を切ることとしてもよい。
固体撮像装置が電位差を測定した後において、電荷保持部は、基準化により電荷が掃き出されたところに受光電荷が加えられた状態となっている。
【００７１】
上記構成によれば、固体撮像装置は、電源部が高電位から低電位に遷移する間にわたり、電源部と電荷保持部とを接続して負電荷を掃き出し、その後接続が切られる。したがって、電荷保持部は、電源部が低電位になったときに同時に電位が降下してＯＦＦ状態となり、出力信号線の電位は基準電位を保つことができる。
【００７２】
これは、次に他の画素セルが選択されて出力線の電位を基準化するときにおける出力線の電位の変動分が無いことを意味する。
本発明に係る固体撮像装置における撮像方法は、受光量に応じて電荷を生成する複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置における撮像方法であって、１つの画素セルを選択する選択ステップと、選択された画素セルに保持されている電荷を基準量になるまで掃き出すことにより当該画素セルを選択状態とし、当該画素セルにおいて保持された電荷が基準量であるときにおける前記出力線の基準電位と、受光量に応じて電荷が生成されたときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定ステップと、前記電位差の測定後、前記画素セルに保持されている電荷を所定量になるように初期化することにより当該画素セルを非選択状態とするとともに、当該画素セル以外の画素セルのうち少なくとも１つの画素セルにおいて、保持されている電荷を前記所定量になるように初期化する初期化ステップとを含むことを特徴とする。
【００７３】
上記構成によれば、固体撮像装置は、保持されている電荷の量によって画素セルの選択状態と非選択状態とを制御するものである。まず、複数の画素セルのうち１つの画素セルを選択し、電荷を基準量になるまで掃き出すことにより選択状態とし、そのときの出力線の基準電位と受光量に応じて電荷が生成されたときの出力線の信号電位との電位差を測定する。その後、選択された画素セルに保持されている電荷を所定量に初期化することにより、その画素セルの状態を非選択状態とし、さらに、選択されていなかった画素セルに保持されている電荷を所定量に初期化する。
【００７４】
これにより、本来なら非選択状態であるべき画素セルが何らかの理由で選択状態となってしまった場合であっても、その画素セルは、選択された画素セルが非選択状態になるとともに、非選択状態になる。
したがって、上記のような画素セルによるダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００７５】
また、前記初期化ステップは、前記選択された画素セル以外の画素セルのうち全ての画素セルにおいて、保持されている電荷を前記所定量になるように初期化することとしてもよい。
上記構成によれば、選択状態ではない画素セルの全ての画素セルが初期化される。１つの画素セルが選択されて解除されるたびに全ての画素セルが初期化されるので、ダイナミックレンジの低下の抑制が、より効果的になされる。
【００７６】
また、前記複数の画素セルは、受光量に応じた電荷を生成する光電変換部と保持されている電荷に応じて前記出力線の電位を変移させる電荷保持部との接続状態を制御する読み出しトランジスタ、及び、当該画素セルに供給電位を供給するする電源部と前記電荷保持部との接続状態を制御するスイッチトランジスタとを備えており、前記電荷は負電荷であり、前記初期化ステップは、前記供給電位であって、前記スイッチトランジスタがＯＦＦ状態のときのポテンシャル電位よりも低く、かつ、前記読み出しトランジスタがＯＦＦ状態のときのポテンシャル電位よりも高い電位を与えることにより電荷を前記所定量とすることとしてもよい。
【００７７】
上記構成によれば、供給電位は、スイッチトランジスタがＯＦＦ状態のときのポテンシャル電位よりも低く、読み出しトランジスタがＯＦＦ状態のときのポテンシャル電位よりも高い。これにより、供給電位が与えられるとスイッチトランジスタのＯＮ、ＯＦＦに関わらず、電荷保持部が初期化される。したがって、全ての画素セルが初期化される。
【００７８】
本発明に係る固体撮像装置は、複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置であって、１つの画素セルを選択し、当該画素セルが基準化されたときにおける前記出力線の基準電位と当該画素セルが受光量に応じて信号を出力したときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定し、前記画素セルの選択を解除する撮像手段と、前記電位差の測定後であって前記画素セルの解除前に、前記出力線の電位を前記基準電位に近づける方向に変移させる変移手段とを備えることを特徴とする。
【００７９】
上記構成によれば、固体撮像装置は、複数の画素セルのうち１つを選択し、基準電位と信号電位との電位差を測定し、測定後であって選択を解除する前に出力線の電位を基準電位に近づける方向に変移させることができる。
出力線の電位を基準電位に近づけておくことにより、次に他の画素セルが選択されて出力線の電位を基準化するときにおける出力線の電位の変動分が少なくなる。
【００８０】
したがって、出力線の電位の変動分に起因して、画素セルが選択されていないにも関わらず動作することによるダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
本発明に係る固体撮像装置は、受光量に応じて電荷を発生する複数の画素セルが共通の出力線に接続されている固体撮像装置であって、１つの画素セルを選択する選択手段と、それぞれの画素セルには予め初期量の電荷が保持されており、選択された画素セルに保持されている電荷を掃き出して基準値としたときにおける前記出力線の基準電位と、当該選択された画素セルに保持される電荷が受光量に応じて増加したときにおける前記出力線の信号電位との電位差を測定する測定手段と、前記電位差の測定後、選択された画素セル以外の画素セルのうちの全部又は一部の画素セルと、前記選択された画素セルとにそれぞれ保持されている電荷を前記初期量にする復帰手段とを備えることを特徴とする。
【００８１】
上記構成によれば、固体撮像装置は、保持されている電荷の量によって画素セルの選択状態と非選択状態とを制御するものである。まず、複数の画素セルのうち１つの画素セルを選択し、電荷を基準量になるまで掃き出すことにより選択状態とし、そのときの出力線の基準電位と受光量に応じて電荷が生成されたときの出力線の信号電位との電位差を測定する。その後、選択された画素セルに保持されている電荷を所定量に初期化することにより、その画素セルの状態を非選択状態とし、さらに、選択されていなかった画素セルに保持されている電荷を所定量に初期化する。
【００８２】
これにより、本来なら非選択状態であるべき画素セルが何らかの理由で選択状態となってしまった場合であっても、その画素セルは、選択された画素セルが非選択状態になるとともに、非選択状態になる。
したがって、上記のような画素セルによるダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】固体撮像装置の構成を示す図である。
【図２】従来の固体撮像装置の駆動パルスを示す図である。
【図３】行走査回路の構成を示す図である。
【図４】固体撮像装置の駆動パルスを示す図である。
【図５】固体撮像装置の各動作段階における各部のポテンシャルを模式的に示した図である。
【図６】固体撮像装置の駆動パルスを示す図である。
【図７】固体撮像装置の各動作段階における各部のポテンシャルを模式的に示した図である。
【図８】固体撮像装置の駆動パルスを示す図である。
【図９】固体撮像装置の各動作段階における各部のポテンシャルを模式的に示した図である。
【符号の説明】
１０    画素セル
１１    光電変換素子
１２    リードトランジスタ
１３    リセットトランジスタ
１４    増幅トランジスタ
１５    電荷保持部
１６    出力部
２８    カップリング容量
【図１】
2004304610.tif 000003
【図２】
2004304610.tif 000004
【図３】
2004304610.tif 000005
【図４】
2004304610.tif 000006
【図５】
2004304610.tif 000007
【図６】
2004304610.tif 000008
【図７】
2004304610.tif 000009
【図８】
2004304610.tif 000010
【図９】
2004304610.tif 000011