(57)【要約】      （修正有）【課題】ＣＶＤ法で形成される膜との密着性に優れた半導体用積層膜を得る。【解決手段】（Ａ）少なくともケイ素および窒素を含有する化合物を加熱硬化してなる膜、および（Ｂ）下記一般式（１）−（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物の加水分解縮合物を加熱硬化してなる膜が、積層されてなる積層膜。Ｒａ  Ｓｉ（ＯＲ１  ）４−ａ                ・・・・・（１）（式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基、Ｒ１  は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。）Ｓｉ（ＯＲ２  ）４                      ・・・・・（２）（式中、Ｒ２  は１価の有機基を示す。）Ｒ３ ｂ  （Ｒ４  Ｏ）３−ｂ  Ｓｉ−（Ｒ７  ）ｄ  −Ｓｉ（ＯＲ５  ）３−ｃ  Ｒ６ ｃ・・（３）〔式中、Ｒ３  〜Ｒ６  は同一または異なり、それぞれアルキル基またはアリール基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ７  は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２  ）ｎ  −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）少なくともケイ素および窒素を含有する化合物を加熱硬化してなる膜、および
（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を加熱硬化してなる膜が、積層されてなることを特徴とした積層膜。
Ｒａ  Ｓｉ（ＯＲ１  ）４−ａ                ・・・・・（１）
（式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基、Ｒ１  は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。）
Ｓｉ（ＯＲ２  ）４                      ・・・・・（２）
（式中、Ｒ２  は１価の有機基を示す。）
Ｒ３ ｂ  （Ｒ４  Ｏ）３−ｂ  Ｓｉ−（Ｒ７  ）ｄ  −Ｓｉ（ＯＲ５  ）３−ｃ  Ｒ６ ｃ・・（３）
〔式中、Ｒ３  〜Ｒ６  は同一または異なり、それぞれアルキル基またはアリール基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ７  は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２  ）ｎ  −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕
【請求項２】
（Ａ）少なくともケイ素および窒素を含有する化合物が、活性水素含有基との反応性を有する基を含むことを特徴とする、請求項１記載の積層膜。
【請求項３】
活性水素含有基との反応性を有する基が、イソシアネート基、アルコキシシリル基、シラノール基、シリルアミノ基、シリルアミド基の群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項２記載の積層膜。
【請求項４】
（Ｂ）加水分解縮合物が、アルカリ触媒の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含むことを特徴とする請求項１記載の積層膜。
【請求項５】
基板上に、（Ａ）少なくともケイ素および窒素を含有する化合物と有機溶媒からなる塗布液を塗布し、加熱硬化し、次いで（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物と有機溶媒よりなる塗布液を塗布し加熱硬化することを特徴とする積層膜の形成方法。
Ｒａ  Ｓｉ（ＯＲ１  ）４−ａ                ・・・・・（１）
（式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基、Ｒ１  は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。）
Ｓｉ（ＯＲ２  ）４                      ・・・・・（２）
（式中、Ｒ２  は１価の有機基を示す。）
Ｒ３ ｂ  （Ｒ４  Ｏ）３−ｂ  Ｓｉ−（Ｒ７  ）ｄ  −Ｓｉ（ＯＲ５  ）３−ｃ  Ｒ６ ｃ・・（３）
〔式中、Ｒ３  〜Ｒ６  は同一または異なり、それぞれアルキル基またはアリール基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ７  は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２  ）ｎ  −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕
【請求項６】
基板が、ケイ素を含有しかつ酸素、炭素、窒素、水素の群より選ばれる少なくとも１種の元素をさらに含有するＣＶＤ膜であることを特徴とする請求項５に記載の積層膜の形成方法。
【請求項７】
基板上に（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物、下記一般式（２）で表される化合物および下記一般式（３）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物と有機溶媒よりなる塗布液を塗布後加熱硬化し、次いで（Ａ）少なくともケイ素および窒素を含有する化合物と有機溶媒からなる塗布液を塗布しさらに加熱硬化し、さらにケイ素を含有しかつ酸素、炭素、窒素、水素の群より選ばれる少なくとも１種の元素をさらに含有するＣＶＤ膜を形成することを特徴とする積層膜の形成方法。
Ｒａ  Ｓｉ（ＯＲ１  ）４−ａ                ・・・・・（１）
（式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基、Ｒ１  は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。）
Ｓｉ（ＯＲ２  ）４                      ・・・・・（２）
（式中、Ｒ２  は１価の有機基を示す。）
Ｒ３ ｂ  （Ｒ４  Ｏ）３−ｂ  Ｓｉ−（Ｒ７  ）ｄ  −Ｓｉ（ＯＲ５  ）３−ｃ  Ｒ６ ｃ・・（３）
〔式中、Ｒ３  〜Ｒ６  は同一または異なり、それぞれアルキル基またはアリール基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ７  は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２  ）ｎ  −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕
【請求項８】
請求項１記載の積層膜よりなることを特徴とする絶縁膜。
【請求項９】
請求項８記載の絶縁膜を有することを特徴とする半導体用基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、  積層された膜に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおいてＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成される膜との密着性に優れた半導体用積層膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、ＣＶＤ法などの真空プロセスで形成されたシリカ（ＳｉＯ２）膜が多用されている。そして、近年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれるテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜も使用されるようになっている。また、半導体素子などの高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるポリオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間絶縁膜が開発されている。
特に半導体素子などのさらなる高集積化や多層化に伴い、より低比誘電率、好ましくは比誘電率２．５以下で、かつ基板との密着性に優れた層間絶縁膜材料が求められるようになっている。
低比誘電率の材料としては、アンモニアの存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子とアルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物からなる組成物（特開平５−２６３０４５、同５−３１５３１９）や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物をアンモニアの存在下縮合することにより得られた塗布液（特開平１１−３４０２１９、同１１−３４０２２０）が提案されているが、これらの方法で得られる材料は、単体では基板との密着性が劣ったり、比誘電率が２．５を越えてしまうという問題があった。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−９００８５号公報
【特許文献２】
特開平１０−２０４１８１号公報
【特許文献３】
特開平１１−３４０２１９号公報
【特許文献４】
特開平１１−３４０２２０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するための積層膜に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、ＣＶＤ法で形成される塗膜との密着性に優れた半導体用絶縁膜を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（Ａ）少なくともケイ素および窒素を含有する化合物（以下、「化合物（Ａ）」ともいう）を加熱硬化してなる膜（以下、「膜（Ａ）」ともいう）、および
（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−１）」ともいう）、下記一般式（２）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−２）」ともいう）および下記一般式（３）で表される化合物（以下、「化合物（Ｂ−３）」ともいう）の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を加熱硬化してなる膜（以下「膜（Ｂ）」ともいう）が、積層されてなることを特徴とした積層膜に関する。
Ｒａ  Ｓｉ（ＯＲ１  ）４−ａ                ・・・・・（１）
（式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、アルキル基またはアリール基、Ｒ１  は１価の有機基、ａは１〜２の整数を示す。）
Ｓｉ（ＯＲ２  ）４                      ・・・・・（２）
（式中、Ｒ２  は１価の有機基を示す。）
Ｒ３ ｂ  （Ｒ４  Ｏ）３−ｂ  Ｓｉ−（Ｒ７  ）ｄ  −Ｓｉ（ＯＲ５  ）３−ｃ  Ｒ６ ｃ・・（３）
〔式中、Ｒ３  〜Ｒ６  は同一または異なり、それぞれアルキル基またはアリール基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ７  は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２  ）ｎ  −で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明において、膜（Ａ）を形成するために使用する化合物（Ａ）は、少なくともケイ素および窒素を含有し、好ましくは活性水素含有基との反応性を有する官能基を含む。かかる活性水素含有基との反応性を有する官能基としては、イソシアネート基、アルコキシシリル基、シラノール基、シリルアミノ基、シリルアミド基などが挙げられ、化合物（Ａ）は前記グリシジル基、イソシアネート基、アルコキシシリル基、シラノール基、シリルアミノ基、シリルアミド基の群から選ばれる少なくとも１種の官能基を含むことが特に好ましい。
かかる化合物（Ａ）としては、イソシアネートアルキル（アルコキシ）シラン、イソシアネートシラン、アルコキシシリルアルキルイソシアヌレート、アルキルアミノ（アルキル）シラン、アルキルアミノ（アリール）シラン、アルキルアミノ（アルコキシ）シラン、アルコキシシリルアミド、アルキルシクロシラザン、ポリシラザン等が挙げられる。
化合物（Ａ）の具体例としては、例えば、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、テトライソシアネートシラン、トリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノジメチルシリル）エタン、ビス（ジメチルアミノ）ジフェニルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルエチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）ビニルメチルシラン、ジメチルアミノメチルエトキシシラン、テトラキス（ジエチルアミノ）シラン、テトラキス（ジメチルアミノ）シラン、トリス（シクロヘキシルアミノ）メチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）エチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）メチルシラン、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、
ビス（Ｎ−メチルベンヅアミド）エトキシメチルシラン、
１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリシラザン、１，２，３，４，５，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラエチル−２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシラザン、１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシラザン、１，２，３−トリエチル−２，４，６−トリメチルシクロトリシラザン、１，３，５−トリビニル−１，３，５−トリメチルシクロトリシラザン、
等の他、下記一般式（４）および（５）で表されるポリシラザン等を挙げることができる。
【０００７】
一般式（４）
【化１】
2004181838.tif 000002
【０００８】
一般式（５）
【化２】
2004181838.tif 000003
（上記一般式（４）および（５）中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、これらの基以外でケイ素または窒素に直結する部分が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基またはアルコキシ基を表し、ｎおよびｍはそれぞれ独立に任意の整数である。）
これらの化合物は２種以上を同時に使用してもよく、また、１種または２種以上の部分重合物であるオリゴマーまたはポリマーとして用いても良い。
【０００９】
本発明の膜（Ａ）は、上記化合物（Ａ）を基板等に塗布したのち加熱硬化させることにより得られる。化合物（Ａ）を塗布する際には、化合物（Ａ）をそのままで、もしくは必要に応じて有機溶媒に溶解したのち基板等に塗布することができる。有機溶媒としては活性水素含有基を有する有機溶媒でなく前記化合物（Ａ）を溶解しうるものであれば特に限定されない。かかる有機溶媒の具体例としては、例えば、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン、フェンチョン、ジエチルカーボネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、などが挙げられる。
これらの有機溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００１０】
化合物（Ａ）を塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。その後、５０〜５００℃程度の温度で、通常、１〜２４０分程度加熱して乾燥することにより、本発明の膜（Ａ）を形成することが出来る。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することが出来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行うことができる。
また、電子線や紫外線を照射することによっても塗膜を形成させることができる。
また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができる。
【００１１】
本発明において、膜（Ｂ）を形成するために使用する加水分解縮合物とは、上記化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の群から選ばれた少なくとも１種の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方である。
本発明において、加水分解物とは、反応性基を有するアルコキシシラン化合物および化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）に含まれるＲ１  Ｏ−基，Ｒ２  Ｏ−基，Ｒ４  Ｏ−基およびＲ５  Ｏ−基のすべてが加水分解されている必要はなく、例えば、１個だけが加水分解されているもの、２個以上が加水分解されているもの、あるいは、これらの混合物であってもよい。
また、本発明において縮合物とは、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の加水分解物のシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであるが、本発明では、シラノール基がすべて縮合している必要はなく、僅かな一部のシラノール基が縮合したもの、縮合の程度が異なっているものの混合物などをも包含した概念である。
化合物（Ｂ−１）；
上記一般式（１）において、ＲおよびＲ１  の１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、アリル基などを挙げることができる。また、一般式（１）において、Ｒは１価の有機基、特にアルキル基またはフェニル基であることが好ましい。
ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換されていてもよい。
一般式（１）において、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。
一般式（１）で表される化合物の具体例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−ｎ−プロポキシシラン、トリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、トリ−ｎ−ブトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、トリフェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−ｎ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フルオロトリ−ｎ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フルオロトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど；
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｉ−プロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチル−トリフェノキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど；
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシランなど；
を挙げることができる。
化合物（Ｂ−１）として好ましい化合物は、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどである。
これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００１２】
化合物（Ｂ−２）；
上記一般式（２）において、Ｒ２  で表される１価の有機基としては、先の一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。
一般式（２）で表される化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシランなどが挙げられる。
【００１３】
化合物（Ｂ−３）；
上記一般式（３）において、Ｒ３  〜Ｒ６  で表される１価の有機基としては、先の一般式（１）と同様な有機基を挙げることができる。
一般式（３）のうち、Ｒ７  が酸素原子の化合物としては、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン  、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン  、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン  、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを挙げることができる。
これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げることができる。
また、一般式（３）において、ｄが０の化合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを挙げることができる。
これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好ましい例として挙げることができる。
【００１４】
さらに、一般式（３）において、Ｒ７  が−（ＣＨ２  ）ｎ  −で表される基の化合物としては、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｉ−プロポキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）−２−（トリ−ｉ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｉ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｔ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｔ−  ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｉ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｔ−ブトキシシリル）ベンゼンなど挙げることができる。
【００１５】
これらのうち、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例として挙げることができる。
本発明において、アルコキシシラン加水分解縮合物を構成する化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）としては、上記化合物（Ｂ−１）、（Ｂ−２）および（Ｂ−３）の１種もしくは２種以上を用いることができる。
【００１６】
本発明に使用する反応性基を有するアルコキシシラン化合物および化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）を加水分解、縮合させる際に、アルコキシシラン加水分解縮合物１モル当たり０．５〜１５０モルの水を用いることが好ましく、１〜１００モルの水を加えることが特に好ましい。添加する水の量が１モル以下であると  膜の耐クラック性が劣る場合があり、１５０モルを越えると加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化が生じる場合がある。
本発明に使用する反応性基を有するアルコキシシラン化合物および化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解縮合するに際しては、上記反応性基を有するアルコキシシラン化合物および化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物を加水分解、縮合させる際に、アルカリ触媒、酸触媒、金属キレート化合物を使用する。
アルカリ触媒としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ペンチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリメチルイミジン、１−アミノ−３−メチルブタン、ジメチルグリシン、３−アミノ−３−メチルアミンなどを挙げることができ、アミンあるいはアミン塩が好ましく、有機アミンあるいは有機アミン塩が特に好ましく、アルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドが最も好ましい。
これらのアルカリ触媒は１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
【００１７】
金属キレート化合物としては、例えば、トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタンなどのチタンキレート化合物；
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウムなどのジルコニウムキレート化合物；
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合物；
などを挙げることができ、好ましくはチタンまたはアルミニウムのキレート化合物、特に好ましくはチタンのキレート化合物を挙げることができる。
これらの金属キレート化合物は、１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
【００１８】
酸触媒としては、例えば、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸などの無機酸；
酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解物、無水マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物などの有機酸を挙げることができ、有機カルボン酸をより好ましい例として挙げることができる。
これらの酸触媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００１９】
上記触媒の使用量は、反応性基を有するアルコキシシラン化合物および化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）中のアルコキシル基またはＲ１  Ｏ−基，Ｒ２  Ｏ−基，Ｒ４  Ｏ−基およびＲ５  Ｏ−基で表される基の総量１モルに対して、通常、０．００００１〜１０モル、好ましくは０．００００５〜５モルである。触媒の使用量が上記範囲内であれば、反応中のポリマーの析出やゲル化の恐れが少ない。また、本発明において、反応性基を有するアルコキシシラン化合物および化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）を加水分解するときの温度は通常０〜１００℃、好ましくは１５〜８０℃である。
なお、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）を完全加水分解縮合物に換算したときに、化合物（Ｂ−２）は、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の総量中、５〜７５重量％、好ましくは１０〜７０重量％、さらに好ましくは１５〜７０重量％である。また、化合物（Ｂ−１）および／または（Ｂ−３）は、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の総量中、９５〜２５重量％、好ましくは９０〜３０重量％、さらに好ましくは８５〜３０重量％である。化合物（Ｂ−２）が、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の総量中、５〜７５重量％であることが、得られる  膜の弾性率が高く、かつ低誘電性に特に優れる。
ここで、本発明において、完全加水分解縮合物とは、反応性基を有するアルコキシシラン化合物および化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）中のアルコキシル基またはＲ１  Ｏ−基，Ｒ２  Ｏ−基，Ｒ４  Ｏ−基およびＲ５  Ｏ−基が１００％加水分解してＳｉＯＨ基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となったものをいう。
【００２０】
本発明の膜（Ｂ）を形成するために使用する加水分解縮合物は、通常、有機溶媒に溶解または分散してなる。
この有機溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも１種が挙げられる。
ここで、アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒；
エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価アルコール系溶媒；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多価アルコール部分エーテル系溶媒；
などを挙げることができる。
これらのアルコール系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００２１】
ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｉ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−ｉ−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。
これらのケトン系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
アミド系溶媒としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−エチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ−ホルミルピペリジン、Ｎ−ホルミルピロリジン、Ｎ−アセチルモルホリン、Ｎ−アセチルピペリジン、Ｎ−アセチルピロリジンなどが挙げられる。
これらアミド系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００２２】
エステル系溶媒としては、ジエチルカーボネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｉ−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどが挙げられる。
これらエステル系溶媒は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。
【００２３】
非プロトン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ´，Ｎ´−テトラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、Ｎ−メチルモルホロン、Ｎ−メチルピロール、Ｎ−エチルピロール、Ｎ−メチル−Δ３  −ピロリン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−エチルピペリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、Ｎ−メチルイミダゾール、Ｎ−メチル−４−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピペリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチルテトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンなどを挙げることができる。
これらの有機溶剤の中で、特に下記一般式（４）で表される有機溶剤が特に好ましい。
Ｒ１５Ｏ（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｇＲ１６        ・・・・・（４）
（Ｒ１５およびＲ１６は、それぞれ独立して水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはＣＨ３ＣＯ−から選ばれる１価の有機基を示し、ｇは１〜２の整数を表す。）
以上の有機溶媒は、１種あるいは２種以上を混合して使用することができる。
【００２４】
本発明の膜（Ｂ）を形成するために使用する加水分解縮合物は、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）、水、触媒、有機溶媒を混合し、通常０〜１００℃、好ましくは１５〜８０℃の温度で、通常０．５〜２４時間、好ましくは１〜１２時間反応させることにより形成される。より具体的には、化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）を溶解させた有機溶媒と、水または有機溶媒で希釈した水を断続的あるいは連続的に混合する。この際、触媒は予め化合物（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）と混合しておいてもよいし、水あるいは有機溶媒で希釈した水に溶解あるいは分散させておいてもよい。
本発明の膜（Ｂ）を形成するために使用する加水分解縮合物には、さらにコロイド状シリカ、有機ポリマー、界面活性剤、シランカップリング剤、ラジカル発生剤などの成分を添加してもよい。
ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエーテルエステル型化合物などを挙げることができる。
【００２５】
ポリオキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙げられる。
−（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ−
−（Ｘ）ｊ−（Ｙ）ｋ−（Ｘ）ｌ−
（式中、Ｘは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−で表される基を、Ｙは−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−で表される基を示し、ｊは１〜９０、ｋは１０〜９９、ｌは０〜９０の数を示す）
これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。
これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
【００２６】
界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。
フッ素系界面活性剤としては、例えば１，１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロデカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンアミド）プロピル］−Ｎ，Ｎ‘−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。
また、市販品としてはメガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エフトップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成（株）製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（裕商（株）製）、ＮＢＸ−１５（（株）ネオス）などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。
シリコーン系界面活性剤としては、例えばＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ（いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡが特に好ましい。
界面活性剤の使用量は、アルコキシシラン加水分解縮合物（完全加水分解縮合物）に対して通常０．０００１〜１０重量部である。
これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
【００２７】
シランカップリング剤としては、例えば３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
ラジカル発生剤としては、例えばイソブチリルパーオキサイド、α、α’ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−ｎプロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｍ−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシ−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロデカン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、α、α’ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｐ−メンタンヒドロパーオキサイド、２，５−ジメ���ル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン等を挙げることができる。
ラジカル発生剤の配合量は、重合体１００重量部に対し、０．１〜１０重量部が好ましい。
これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
【００２８】
このようにして得られる本発明の膜（Ｂ）を形成するために使用する加水分解縮合物の全固形分濃度は、好ましくは、１〜３０重量％であり、使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が１〜３０重量％であると、  膜の膜厚が適当な範囲となり、保存安定性もより優れるものである。
なお、この全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および上記有機溶剤による希釈によって行われる。
本発明の膜（Ｂ）は前記加水分解縮合物を基板等に塗布し、次いで加熱硬化させることにより形成される。  前記加水分解縮合物を塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。その後、５０〜５００℃程度の温度で、通常、１〜２４０分程度加熱して乾燥することにより、本発明の膜（Ｂ）を形成することが出来る。
この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することが出来、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行うことができる。
また、電子線や紫外線を照射することによっても塗膜を形成させることができる。
また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができる。
【００２９】
本発明の積層膜は膜（Ａ）および膜（Ｂ）は互いに積層することにより形成される。具体的には、ＣＶＤ膜上に膜（Ａ）を形成しさらに膜（Ｂ）を形成する、あるいは予め形成した膜（Ｂ）上に膜（Ａ）を形成しさらにＣＶＤ膜を形成する、ことにより得られる。
本発明の膜（Ａ）がＣＶＤ膜と膜（Ｂ）との間に存在することにより、積層膜として十分な密着性が得られる。
なお、本発明の膜（Ａ）および膜（Ｂ）を形成する際には、加熱硬化処理をそれぞれの膜で別々行うことも、同時に行うこともできる。
【００３０】
本発明に使用するＣＶＤ膜としては、Ｓｉを含有し、かつＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈの群から選ばれる少なくとも１種の元素をさらに含有する堆積膜である。かかる堆積膜としては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、シラン、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、ジメチルシラン、メチルシラン、エチルシラン、フェニルシラン、ジフェニルシラン、ジシラノメタン、ビス（メチルシラノ）メタン、１，２−ジシラノエタン、１，２−ビス（メチルシラノ）エタン、２，２−ジシラノプロパン、１，３，５−トリシラノ−２，４，６−トリメチレン、１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、トリメチルシロキサン、１，３−ビス（シラノメチレン）ジシロキサン、ビス（１−メチルジシロキサニル）メタン、２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパン、２，４，６，８−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、２，４，６−トリシランテトラヒドロピラン、２，５−ジシランテトラヒドロフラン、およびこれら誘導体を使用し、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、窒素、アルゴン、アンモニア、Ｎ２Ｏなどの存在下でプラズマ重合した堆積膜を使用することができる。
【００３１】
本発明に記載の積層膜は、ＣＶＤ膜との密着性に優れることから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパー膜、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜、エレクトロルミネッセンス表示素子用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用である。
【００３２】
【実施例】
以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明する。ただし、以下の記載は、本発明の態様例を概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載により本発明は限定されるものではない。
なお、実施例および比較例中の部および％は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量％であることを示している。
また、各種の評価は、次のようにして行なった。
【００３３】
慣性半径
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（屈折率，粘度，光散乱測定）法により測定した。
試料溶液：アルコキシシラン加水分解縮合物を、固形分濃度が０．２５％となるように、１０ｍＭのＬｉＢｒを含むメタノールで希釈し、ＧＰＣ（屈折率，粘度，光散乱測定）用試料溶液とした。
2004181838.tif 000004
【００３４】
膜の比誘電率
８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて組成物試料を塗布し、ホットプレート上で８０℃で１分間、窒素雰囲気２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。得られた膜に対して、蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルを周波数１００ｋＨｚの周波数で、横河・ヒューレットパッカード（株）製、ＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＣＶ法により当該  膜の比誘電率を測定した。
【００３５】
積層膜の密着性
積層膜の密着性は基板の最上層にエポキシ樹脂を用いてスタッドピン１０本を固定し、１５０℃で１時間乾燥させた。このスタッドピンをセバスチャン法を用いて引き抜き試験行い、以下の基準で密着性を評価した。
○：スタッドピン１０本共ＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離無し
×：ＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離発生
【００３６】
合成例１
石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール５７０ｇ、イオン交換水１６０ｇと１０％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液３０ｇを入れ、均一に攪拌した。この溶液にメチルトリメトキシシラン１３６ｇとテトラエトキシシラン２０９ｇの混合物を添加した。溶液を６０℃に保ったまま、５時間反応を行った。この溶液にプロピレングリコールモノプロピルエーテル３００ｇを加え、その後、５０℃のエバポレーターを用いて溶液を１０％（完全加水分解縮合物換算）となるまで濃縮し、その後、酢酸の１０％プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液１０ｇを添加し、反応液▲１▼を得た。
このようにして得られた縮合物等の慣性半径は、１７．８ｎｍであり、比誘電率は２．２３であった。
【００３７】
合成例２
石英製セパラブルフラスコに、蒸留エタノール４７０．９ｇ、イオン交換水２２６．５ｇと１０％水酸化カリウム水溶液１０．２ｇを入れ、均一に攪拌した。この溶液にメチルトリメトキシシラン４４．９ｇとテトラエトキシシラン６８．６ｇの混合物を３０分間かけて添加した。溶液を５５℃に保ったまま、２時間反応を行った。この溶液に２０％マレイン酸水溶液８０ｇを添加し、十分攪拌した後、室温まで冷却した。この溶液にプロピレングリコールモノプロピルエーテル４００ｇを加え、その後、５０℃のエバポレーターを用いて溶液を１０％（完全加水分解縮合物換算）となるまで濃縮し、その後、マレイン酸の１０％プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液１０ｇを添加し、反応液▲２▼を得た。
このようにして得られた縮合物等の慣性半径は、２３．４ｎｍであり、比誘電率は２．１４であった。
【００３８】
合成例３
石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシラン３２４．４０ｇとトリエトキシシラン１２３．６４ｇを、プロピレングリコールモノエチルエーテル２９８ｇに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度５０℃に安定させた。次に、フタル酸０．２０ｇを溶解させたイオン交換水２５４ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、５０℃で３時間反応させたのち、プロピレングリコールモノエチルエーテル５０２ｇを加え反応液を室温まで冷却した。５０℃で反応液からメタノールとエタノールを含む溶液を５０２ｇエバポレーションで除去し、反応液▲３▼を得た。
このようにして得られた縮合物等の慣性半径は、０．２ｎｍであり、比誘電率は２．７５であった。
【００３９】
合成例４
石英製セパラブルフラスコ中で、蒸留トリメトキシシラン７７．０４ｇと蒸留テトラキス（アセチルアセトナート）チタン０．４８ｇを、蒸留プロピレングリコールモノプロピルエーテル２９０ｇに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を６０℃に安定させた。次に、イオン交換水８４ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、６０℃で２時間反応させたのち、蒸留アセチルアセトン２５ｇを添加し、さらに３０分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。５０℃で反応液からメタノールと水を含む溶液を１４９ｇエバポレーションで除去し、反応液▲４▼を得た。
このようにして得られた縮合物等の慣性半径は、０．３ｎｍであり、比誘電率は２．９９であった。
【００４０】
実施例１
８インチシリコンウエハ上にＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ製Ｐｒｏｄｕｃｅｒ  Ｓを用い、テトラエトキシシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この膜の元素組成は、Ｓｉ（３２ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（６４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（４ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、テトライソシアネートを濃度５％に溶解させた酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、この基板を８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲１▼を５０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と積層膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４１】
実施例２
８インチシリコンウエハ上にＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ製Ｐｒｏｄｕｃｅｒ  Ｓを用い、テトラメチルシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（２６ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（３ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（２６ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（４５ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、ジメチルアミノメチルエトキシシランを濃度５％に溶解させた酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテルを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲２▼を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と積層膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４２】
実施例３
８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ  Ｅｘｐｒｅｓｓを用い、トリメチルシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（２５ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（２１ａｔｏｍｉｃ％）、Ｎ（１４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（３６ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、テトラキス（ジメチルアミノ）シランを濃度２％に溶解させた酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲１▼を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と積層膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４３】
実施例４
８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ  Ｅｘｐｒｅｓｓを用い、シランとアンモニアのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（５０ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（３ａｔｏｍｉｃ％）、Ｎ（４０ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（４ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシランを濃度２％に溶解させた酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲２▼を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と積層膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４４】
実施例５
８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ  Ｅｘｐｒｅｓｓを用い、トリメチルシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（２５ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（２１ａｔｏｍｉｃ％）、Ｎ（１４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（３６ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、トリス（ジメチルアミノ）シランを濃度５％に溶解させた酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲１▼２０ｇと反応液▲３▼２０ｇの混合液を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と積層膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４５】
実施例６
８インチシリコンウエハ上にＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ製Ｐｒｏｄｕｃｅｒ  Ｓを用い、テトラメチルシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（２６ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（３ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（２６ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（４５ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、１，２，３，４，５，６−ヘキサメチルシクロトリシラザンを濃度５％に溶解させたジブチルエーテルを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲２▼２０ｇと反応液▲４▼２０ｇの混合液を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４６】
実施例７
８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ  Ｅｘｐｒｅｓｓを用い、トリメチルシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（２５ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（２１ａｔｏｍｉｃ％）、Ｎ（１４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（３６ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、ポリ（ペルヒドロシラザン）を濃度５％に溶解させたキシレンを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲１▼を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４７】
実施例８
８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ  Ｅｘｐｒｅｓｓを用い、シランとアンモニアのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（５０ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（３ａｔｏｍｉｃ％）、Ｎ（４０ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（４ａｔｏｍｉｃ％）であった。この  膜上に、ポリ（１，２−ジメチルシラザン）を濃度５％に溶解させたメシチレンを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲１▼を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４８】
実施例９
８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ  Ｅｘｐｒｅｓｓを用い、トリメチルシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（２５ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｃ（２１ａｔｏｍｉｃ％）、Ｎ（１４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（３６ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この膜上に、ビス（Ｎ−メチルベンヅアミド）エトキシメチルシランを濃度２％に溶解させた酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルを回転数１５００ｒｐｍで２０秒間塗布し、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらに、この基板の上に反応液▲２▼を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、ＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離は認められなかった。
【００４９】
比較例１
８インチシリコンウエハ上にＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ製Ｐｒｏｄｕｃｅｒ  Ｓを用い、テトラエトキシシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（３２ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（６４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（４ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、反応液▲１▼を５０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、スタッドピンの７本でＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離が認められた。
【００５０】
比較例２
８インチシリコンウエハ上にＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ製Ｐｒｏｄｕｃｅｒ  Ｓを用い、テトラエトキシシランのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この  膜の元素組成は、Ｓｉ（３２ａｔｏｍｉｃ％）、Ｏ（６４ａｔｏｍｉｃ％）、Ｈ（４ａｔｏｍｉｃ％）であった。
この  膜上に、反応液▲３▼を４０００Å塗布した後、８０℃で１分間、２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４０５℃の窒素雰囲気のホットプレートで３０分間基板を焼成した。
この積層膜の密着性を評価したところ、スタッドピンの４本でＣＶＤ膜と  膜の界面での剥離が認められた。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、少なくともケイ素および窒素を含有する化合物を加熱硬化してなる膜と、アルコキシシラン化合物の加水分解縮合物を加熱硬化してなる膜を積層することで、ＣＶＤ膜との密着性に優れた層間絶縁膜（半導体用基板）を提供することが可能である。