(57)【要約】【課題】遍歴電子系だけではなく、局在電子系や両電子系に跨る中間的な電子系における磁気特性を予測する方法、さらに大きな分子、結晶性化合物、および高分子化合物などの物質の磁気特性を容易な計算で予測可能な方法を提供する。【解決手段】物質の分子軌道あるいは結晶軌道の線形結合を用いて、原子軌道上に局在化した参照軌道との間で評価される最大重なり条件から、物質の局在化磁性軌道あるいは局在化磁性結晶軌道を求め、この局在化磁性軌道あるいは局在化磁性結晶軌道を用いて、物質の磁気的相互作用を評価し、この磁気的相互作用の評価に基づき、物質の磁気特性を予測する。【選択図】      図２
2004239685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質の磁気特性を、経験的パラメータを用いずに、予測する方法であって、
前記物質の分子軌道φｉを、下記式（１）
【数１】
2004239685.tif 000038
に示すように、原子軌道χａの線形結合として表し、
下記式（２）で示される、前記物質の分子軌道φｉと原子軌道χａの重なり積分Ｓｉａ
【数２】
2004239685.tif 000039
から、下記式（３）
【数３】
2004239685.tif 000040
で示される軌道再配列行列Ｒａｂを求め、
この式（３）で示される軌道再配列行列Ｒａｂを対角化して固有ベクトルＵｂａを求め、
前記固有ベクトルＵｂａを用いて、前記式（１）にて表された原子軌道χａの線形結合から下記式（４）で示される局在化磁性軌道ηａを求め、
【数４】
2004239685.tif 000041
この式（４）により求められた局在化磁性軌道ηａを用いて、前記物質の磁気的相互作用を評価し、
前記物質の磁気的相互作用の評価結果に基づいて、前記物質の磁気特性を予測することを特徴とする物質の磁気特性を予測する方法。
【請求項２】
結晶軌道として把握される物質の磁気特性を、経験的パラメータを用いずに、予測する方法であって、
前記物質の結晶軌道φｉ（ｋ）を、下記式（５）
【数５】
2004239685.tif 000042
に示すように、原子軌道χａ（Ｒ）の線形結合として表し、
下記式（６）で表される、前記物質の結晶軌道φｉ（ｋ）と原子軌道χａ（Ｒ）の重なり積分Ｓｉａ（ｋ）
【数６】
2004239685.tif 000043
から、下記式（７）
【数７】
2004239685.tif 000044
で示される軌道再配列行列Ｒａｂ（ｋ）を求め、
この式（７）で示される軌道再配列行列Ｒａｂ（ｋ）を対角化して固有ベクトルＵｂａ（ｋ）を求め、
前記固有ベクトルＵｂａ（ｋ）を用いて、前記式（５）にて表された原子軌道χａ（Ｒ）の線形結合から下記式（８）示される局在化磁性結晶軌道ηａ  （ｋ）を求め、
【数８】
2004239685.tif 000045
この式（８）により求めた局在化磁性結晶軌道ηａ  （ｋ）を用いて、前記物質の磁気的相互作用を評価し、
前記物質の磁気的相互作用の評価結果に基づいて、前記物質の磁気特性を予測することを特徴とする物質の磁気特性を予測する方法。
【請求項３】
前記磁気的相互作用が、局在化磁性軌道または局在化磁性結晶軌道におけるポテンシャル交換積分Ｋａｂと被占軌道の電子数Ｌａｏｃｃ、Ｌｂｏｃｃとから得られる直接交換相互作用２ＫａｂＬａｏｃｃＬｂｏｃｃであることを特徴とする請求項１または２に記載の物質の磁気特性を予測する方法。
【請求項４】
前記磁気的相互作用が、局在化磁性軌道または局在化磁性結晶軌道における運動学的交換積分ＫａｂＳＥと被占軌道の電子数Ｌａｏｃｃおよび空軌道の正孔数Ｌｂｖａｃとから得られる超交換相互作用ＫａｂＳＥＬａｏｃｃＬｂｖａｃであることを特徴とする請求項１または２に記載の物質の磁気特性を予測する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、強磁性を示す分子、結晶性化合物、高分子化合物などの物質の磁気特性を予測する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁性物質は、近代産業において、モータ、スピーカーなどに利用される重要な材料である。かかる磁性物質は、特に、最近のエレクトロニクス社会にとって必須の機能性材料であり、その用途は多岐に亘っている。例えば、コンピュータのハードディスク駆動装置のボイスコイルモータ（ＶＣＭ）用の磁石、コンパクトディスクドライブ、デジタルビデオディスクドライブなどのピックアップ用の磁石、さらに携帯電話のマイクロスピーカや振動モータ用の磁石、エアコンや冷蔵庫のコンプレッサーモータ用の磁石、電気駆動車のモータや発電機用磁石などに用いられている。このような応用には、磁性材料の磁力を強くすることが常に求められている。それは、磁力を強くすることにより、前述の様々な磁石応用製品を軽量かつコンパクトにすることができ、装置駆動に必要な電力消費量も低減することができるからである。
【０００３】
このような磁性材料として、既存の物質から高い磁性を有する物質を選び出すためや、新たな組成の物質を合成するために、実際に様々な磁気特性を測定したり、磁気特性が得られる組成を適当に予想して実際に合成し、その後、物性の測定をして実用に供し得るか否かを判断する等の手数をかけずに、いわゆる第１原理計算から、すなわち、経験的パラメータを用いない計算から、対象とする既存物質、もしくは想定する新規組成物質の磁気特性が的確に予想できれば、有用この上ない。磁性があると推定される多くの磁石候補材料の中から、確率の高い材料のみを選択の上、測定し、容易に実用可能な物質を絞り込めるからであり、新規に強磁性物質を合成する場合には、ほぼ確実に強磁性を持つ組成を特定してから、すぐに必要な合成手段を検討することができるからである。
【０００４】
周知のように、物質の磁気モーメント、磁気異方性、磁気転移温度、帯磁率、さらには異種元素の添加や合金化等による磁性変化などの磁気特性を評価することを目標とした理論は、局在電子系を対象とするハイゼンベルグモデルと、遍歴電子系を対象とするストーナーモデルとから発展してきた。しかし、局在電子系を対象としたハイゼンベルグモデルは、近似が粗く、またその取扱いが困難であることから、物質の磁気特性評価理論はストーナーモデルに淘汰された。このストーナーモデルは、現象論的モデルであるハバードモデルやアンダーソンモデル等における物理的検討を経て、現在、局所スピン密度汎関数理論に基づくバンド計算法より処理するに至っている。この密度汎関数理論に基づく近年のバンド計算法では、ある程度満足の行く計算精度で有効交換相互作用エネルギーを求められることが報告されている（非特許文献１）。
【０００５】
しかし、前記バンド計算法は、ブロッホ関数をベースとする遍歴電子系を計算対象としているので、局在電子系や、ネオジム系希土類磁石材料などの「局在電子系と偏在電子系との中間的な電子系」を適切に取り扱うことができない。また、このバンド計算法では、鉄やニッケル結晶およびその酸化物等の極めて小さい結晶系に適用することは容易であるが、例えば、高性能磁石として広く利用されているネオジム系希土類磁石材料（Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶など）などの実際の巨大結晶系に適用することは、多大な計算量を必要とするため、困難である。
【０００６】
これに対して、分子軌道を変換することにより、有機高分子化合物の強磁性を簡易に予測する方法が提案されている（特許文献１）。この方法は、高い不対電子の存在確率を持った炭素原子（星組炭素）を結合に沿って一つおきに有する交互炭化水素の非星組炭素と、交互炭化水素または非交互炭化水素の星組炭素とを結合することによって、個々の分子が持っている「電子を１個含む非結合軌道（ＮＢＭＯ）」のエネルギー順位が保存されたまま、分子間の軌道係数の混じり合いが大きくなるような高分子になり、有機強磁性高分子の設計につながるとの知見に基づいてなされたものであると、されている。すなわち、この方法は、「ＮＢＭＯ中の炭素の係数は簡便に求める方法が知られているので、その方法を用いることにより縮重しているＮＢＭＯ間において、繋ぎ合わせた分子内の同じ炭素上の係数の積の絶対値をとって全ての炭素上で和をとったものを（分子間の軌道係数の）混じり合いの大きさＬと定義し、このＬの大きさによって（有機高分子化合物の）強磁性を予測する」方法である。したがって、この分子軌道変換による強磁性予測方法では、検知される磁気特性を計算することができず、また計算対象も「配位した金属を含まないで強磁性を示す有機高分子化合物」に限定される。このように、この方法は、広い範囲の磁性物質の強磁性を予測し、さらに、その予測値に基づいて強磁性材料の設計をすることを目的とした場合には、実用的ではない。
【０００７】
【非特許文献１】
佐久間昭正、日立金属技報、Ｖｏｌ．１６，ｐ−５５〜６０（２０００）
【特許文献１】
特開平１１−６８２５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、物質の強磁性を予測するために用いる従来のバンド計算法は、ブロッホ関数をベースとする遍歴電子系を対象としているので、局在電子系や、局在電子系と遍歴電子系とに跨る中間的な電子系を評価することが困難であり、また、多大な計算量を必要とすることから、実際的な巨大結晶系に適用することも困難であるという問題点があった。さらに、従来提供されている「配位した金属を含まないで強磁性を示す有機高分子化合物の磁性を予測する方法」では、検知される磁気特性を計算することができず、また計算対象も「配位した金属を含まないで強磁性を示す有機高分子化合物」に限定されるので、広い範囲の磁性物質の強磁性を予測し、さらに、その予測値に基づいて強磁性材料の設計をすることを目的とした場合には、実用的ではない。
【０００９】
この発明は、上記に鑑みてなされたものであり、遍歴電子系だけではなく、局在電子系や、局在電子系と遍歴電子系とに跨る中間的な電子系における磁気特性を予測する方法を、そして、大きな分子、結晶性化合物、および高分子化合物などの広範な物質の磁気特性を簡易な計算で予測可能な方法を得ることを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる物質の磁気特性を予測する方法は、物質の磁気特性を、経験的パラメータを用いずに、予測する方法であって、前記物質の分子軌道φｉを、下記式（１）
【数９】
2004239685.tif 000003
に示すように、原子軌道χａの線形結合として表し、下記式（２）で示される、前記物質の分子軌道φｉと原子軌道χａの重なり積分Ｓｉａ
【数１０】
2004239685.tif 000004
から、下記式（３）
【数１１】
2004239685.tif 000005
で示される軌道再配列行列Ｒａｂを求め、この式（３）で示される軌道再配列行列Ｒａｂを対角化して固有ベクトルＵｂａを求め、前記固有ベクトルＵｂａを用いて、前記式（１）にて表された原子軌道χａの線形結合から下記式（４）で示される局在化磁性軌道ηａを求め、
【数１２】
2004239685.tif 000006
この式（４）により求められた局在化磁性軌道ηａを用いて、前記物質の磁気的相互作用を評価し、前記物質の磁気的相互作用の評価結果に基づいて、前記物質の磁気特性を予測することを特徴とする。
【００１１】
この物質の磁気特性を予測する方法によれば、比較的大きな分子についても、その磁気特性を、経験的パラメータを用いなくても、簡易な計算により、実用に叶う精度で、求めることができる。その結果、この方法を用いれば、既存分子から効率的に強磁性を持ち得るものを容易に選別することが可能になり、また、強磁性を発揮し得る新たな分子を簡易かつ効率的に予測し、設計することができる。なお、上記物質の磁気特性を予測する方法は、分子形態の物質を想定した方法であるが、後に詳しく述べるように、分子軌道を結晶軌道に拡張することで、結晶性化合物や高分子化合物に容易に対応させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の予測方法を適用する物質としては、大きな分子、結晶性化合物、および高分子化合物を挙げることができる。磁気特性を考察する場合、分子形態の物質は、分子軌道として把握することができ、結晶性化合物や高分子化合物は、結晶軌道として把握することができる。この内、計算対象として最も単純な物質形態は分子であるので、再度、強磁性を予測する物質として、分子を対象とした場合について、説明する。
【００１３】
本発明において、分子の磁気特性を予測する場合、分子の分子軌道φｉを、下記式（１）
【数１３】
2004239685.tif 000007
に示すように原子軌道χａの線形結合として表し、下記式（２）で示される、前記分子の分子軌道φｉと原子軌道χａの重なり積分Ｓｉａ
【数１４】
2004239685.tif 000008
から、下記式（３）
【数１５】
2004239685.tif 000009
で示される軌道再配列行列Ｒａｂを求め、この式（３）で示される軌道再配列行列Ｒａｂを対角化して固有ベクトルＵｂａを求め、前記固有ベクトルＵｂａを用いて、前記式（２）にて表された原子軌道χａの線形結合から、下記式（４）
【数１６】
2004239685.tif 000010
で示される局在化磁性軌道ηａを求め、この式（４）により求められた局在化磁性軌道ηａを用いて、前記分子の磁気的相互作用を求め、この分子の磁気的相互作用の評価結果に基づいて、前記分子の磁気特性を予測する。
【００１４】
この分子の磁気特性を予測する方法によれば、比較的大きな分子についても、その磁気特性を、経験的パラメータを用いなくても、簡易な計算により、実用に叶う精度で、求めることができる。その結果、この方法を用いれば、既存分子から効率的に強磁性を持ち得るものを容易に選別することが可能になり、また、強磁性を発揮し得る新たな分子を簡易かつ効率的に予測し、設計することができる。
【００１５】
一方、磁気特性を考察する場合に結晶軌道として把握し得る物質である結晶性化合物や高分子化合物の磁気特性を予測する場合、化合物の結晶軌道φｉ（ｋ）を、下記式（５）
【数１７】
2004239685.tif 000011
に示すように原子軌道χａ（Ｒ）の線形結合として表し、下記式（６）で示される、化合物の結晶軌道φｉ（ｋ）と原子軌道χａ（Ｒ）の重なり積分Ｓｉａ（ｋ）
【数１８】
2004239685.tif 000012
から、下記式（７）
【数１９】
2004239685.tif 000013
で示される軌道再配列行列Ｒａｂ（ｋ）を求め、この式（７）で示される軌道再配列行列Ｒａｂ（ｋ）を対角化して固有ベクトルＵｂａ（ｋ）を求め、前記求めた固有ベクトルＵｂａ（ｋ）を用いて、前記式（５）にて表された原子軌道χａ（Ｒ）の線形結合から、下記式（８）
【数２０】
2004239685.tif 000014
で示される局在化磁性結晶軌道ηａ  （ｋ）を求め、前記求めた局在化磁性結晶軌道ηａ  （ｋ）を用いて、前記化合物の磁気的相互作用を求め、この化合物の磁気的相互作用の評価結果に基づいて、前記化合物の磁気的特性を予測する。
【００１６】
この化合物の磁気特性を予測する方法によれば、局在電子系や、ネオジム系希土類磁石材料などの「局在電子系と偏在電子系との中間的な電子系」を適切に取り扱うことができ、鉄やニッケル結晶およびその酸化物等の極めて小さい結晶系はもとより、高性能磁石として広く利用されているネオジム系希土類磁石材料（Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶など）などの実際の巨大結晶系にも適用することができ、かかる結晶系物質の磁気特性を、経験的パラメータを用いることなく、簡易かつ高い精度で予測することができる。
【００１７】
なお、上記の磁気的相互作用としては、局在化磁性軌道あるいは局在化磁性結晶軌道におけるポテンシャル交換積分Ｋａｂと被占軌道の電子数Ｌａｏｃｃ、Ｌｂｏｃｃとから得られる直接交換相互作用２ＫａｂＬａｏｃｃＬｂｏｃｃを用いてよい。
【００１８】
あるいは、上記の磁気的相互作用として、局在化磁性軌道あるいは局在化磁性結晶軌道における運動学的交換積分ＫａｂＳＥと被占軌道の電子数Ｌａｏｃｃおよび空軌道の正孔数Ｌｂｖａｃとから得られる超交換相互作用ＫａｂＳＥＬａｏｃｃＬｂｖａｃを用いてもよい。
【００１９】
以下、前記構成の本発明方法をさらに詳しく説明する。前記分子軌道φｉは、原子軌道χａの線形結合として、下記式（１）
【数２１】
2004239685.tif 000015
で書かれる。ここで、Ｃａｉは展開係数であり、下記式（９）で示される規格化条件を満たしている。
【数２２】
2004239685.tif 000016
上記式（９）において、Ｓａｂはχａとχｂ間の重なり積分である。
【００２０】
下記式（２）
【数２３】
2004239685.tif 000017
で示される前記分子軌道φｉと原子軌道χａの重なり積分Ｓｉａを求めて、得られたＳｉａから下記式（３）
【数２４】
2004239685.tif 000018
で示される軌道再配列行列Ｒａｂを評価する。但し、式（３）の分子軌道φｉに関する和は、求める局在化磁性軌道ηａが被占軌道の場合（ηａｏｃｃ）には、分子軌道φｉを被占軌道についてとり、ηａが空軌道の場合（ηａｖａｃ）には、分子軌道φｉを空軌道についてとる。
【００２１】
すなわち、ηａｏｃｃに対しては、
【数２５】
2004239685.tif 000019
とし、ηａｖａｃに対しては、
【数２６】
2004239685.tif 000020
とする。
【００２２】
前記軌道再配列行列ＲａｂｏｃｃとＲａｂｖａｃを対角化することによって、その固有ベクトルがＵｂｐｏｃｃとＵｂｐｖａｃと求められ、固有値がγｐｏｃｃとγｐｖａｃと求められる。
【数２７】
2004239685.tif 000021
【数２８】
2004239685.tif 000022
【００２３】
前記局在化磁性軌道ηａｏｃｃとηａｖａｃは、ＵｂａｏｃｃとＵｂａｖａｃを用いて、各々、
【数２９】
2004239685.tif 000023
【数３０】
2004239685.tif 000024
と求められる。ここで、ｄｉａｏｃｃとｄｉａｖａｃは、各々、
【数３１】
2004239685.tif 000025
【数３２】
2004239685.tif 000026
である。
【００２４】
前記局在化磁性軌道ηａｏｃｃとηａｖａｃが有する電子数Ｌａｏｃｃと正孔数（ホール数）Ｌａｖａｃは、各々、
【数３３】
2004239685.tif 000027
【数３４】
2004239685.tif 000028
である。
【００２５】
また、軌道ηａｏｃｃとηａｖａｃの軌道エネルギーλａｏｃｃとλａｖａｃは、各々、
【数３５】
2004239685.tif 000029
【数３６】
2004239685.tif 000030
で与えられる。ここで、εｉは分子軌道φｉの軌道エネルギーを表わす。上式より、局在化磁性軌道におけるイオン化ポテンシャルＩＰａと電子親和力ＥＡａは、λａｏｃｃとλａｖａｃから、各々、
【数３７】
2004239685.tif 000031
【数３８】
2004239685.tif 000032
と表わされる。
【００２６】
上記の式は、結晶性化合物、高分子化合物の場合に相当する結晶軌道に容易に拡張できる。
【００２７】
次に、局在化磁性軌道に基づいた磁気的相互作用について述べる。磁気的相互作用を示す有効交換相互作用Ｊａｂｅｆｆを直接交換相互作用ＪａｂＥＸと超交換相互作用ＪａｂＳＥの和で近似する。
【数３９】
2004239685.tif 000033
【００２８】
局在化磁性軌道に基づく直接（ポテンシャル）交換相互作用ＪａｂＥＸを次式（２５）で表した。
【数４０】
2004239685.tif 000034
上記式（２５）において、Ｋａｂは交換積分であり、このＫａｂは、下記式（２６）
【数４１】
2004239685.tif 000035
で表される。式（２６）において、ＬａｏｃｃとＬｂｏｃｃは局在化磁性軌道における被占軌道ηａｏｃｃとηｂｏｃｃの電子数である。
【００２９】
また、局在化磁性軌道に基づく超交換相互作用ＪａｂＳＥを下記式（２７）に示すように表した。
【数４２】
2004239685.tif 000036
【００３０】
上記式（２７）における運動学的積分ＫａｂＳＥは、トランスファー積分ｔａｂと重なり積分Ｓａｂを用いて、
【数４３】
2004239685.tif 000037
で与えられる。
【００３１】
以下、本発明にかかる物質の磁気特性を予測する方法の具体的な実施の形態を説明する。なお、以下の実施の形態に示す各例は、本発明方法を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。
【００３２】
実施の形態１．
本発明にかかる物質の磁気特性を予測する方法（局在化磁性結晶軌道法）の信頼性と汎用性を検討するために、磁気特性として減磁率を対象とするとともに、ネオジム系希土類磁石を予測対象物質とし、その磁気特性を予測した。
【００３３】
ネオジム系希土類磁石は、遍歴電子と局在電子を有する中間的な電子系であり、その結晶における単位セルは６８個の原子からなり、通常のバンド計算法では計算が困難なる巨大結晶系でもある。
【００３４】
図１は、本発明方法による磁気特性予測計算の対象物質としたＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶の単位セル構造の模式図である。図に見るように、６８個の原子がセル単位を構成しており、通常のバンド計算法では計算が困難なる巨大結晶系であることが理解されるであろう。
【００３５】
本発明における磁気特性を予測する方法の信頼性を確認するために、このＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶の減磁曲線の計算を行った。計算は、外部磁界および温度効果を含んだ分子場近似に基づき、先ず、原子の磁気モーメントを任意に初期設定し、この初期設定された磁気モーメントと局在化磁性結晶軌道とから有効交換相互作用エネルギーを求め、この有効交換相互作用エネルギーから、この有効交換相互作用エネルギーを反映した新たな磁気モーメントを算出した。次に、この算出された磁気モーメントと有効交換相互作用エネルギーとから同様にして、また新たな磁気モーメントを算出したが、この新たな磁気モーメントを算出するステップを、ステップ前後の磁気モーメントが収束するまで繰り返し行った。このようにして得た収束した磁気モーメントと有効交換相互作用エネルギーとを用いて、減磁曲線を評価した。図２はＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶における減磁曲線の温度特性を示したものである。この図２において、実線と点線とは、各々、計算値とそれに対応する実験値とを示している。実験値は、参考文献［金子裕治ら、「まてりあ」，第３８巻第３号、２４８〜２５０頁（１９９９）］より引用した。図２に見るように、減磁曲線の計算結果と実験結果が良く一致していることがわかる。すなわち、本発明にかかる計算法によれば、磁気特性として重要な残留磁束密度や固有保磁力を定量的に評価することが可能である。
【００３６】
また、上記計算はエンジニアワークステーションによって行ったが、計算時間は５０分であった。密度汎関数理論に基づくバンド計算法は、少なくとも約数週間の計算時間が要すると見積もられるのに対し、本発明における計算法では磁気特性を簡易に計算することができる。
【００３７】
実施の形態２．
（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶を本発明による磁気特性予測計算対象物質として、実施の形態１．と同様に、その減磁曲線を計算した。得られた減磁曲線から結晶の残留磁束密度および固有保磁力のＣｏ添加量依存性と温度依存性とを評価した。計算では、（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶におけるＤｙ原子やＣｏ原子の添加物効果は一種の平均場近似である仮想結晶近似を用いて考慮した。
【００３８】
図３は、（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶における残留磁束密度のＣｏ添加量依存性と温度依存性を示した３次元グラフであり、図４は、同じく（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶における固有保磁残力のＣｏ添加量依存性と温度依存性を示した３次元グラフである。図３に見るように、残留磁束密度は、Ｃｏ添加量６％まで最大値を与えているが、６％を越えると減少する。また、図４に見るように、固有保磁残力は、Ｃｏ添加量５％で最大である値を与えているが、６％を越えると減少する。
【００３９】
（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶は、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶と異なり、その製造方法によって磁気特性が大きく変化することから、実験結果との対比は容易ではないが、実験的に最適なＣｏ添加量は原子百分率組成で約５％であると考えられる（特開昭６０−３４００５号公報）。本計算において、残留磁束密度と固有保磁残力から最適Ｃｏ添加量を見積もったところ、４％であり、実験値を反映した結果を与えている。
【００４０】
このように、本発明方法によれば、（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶のような添加物系の巨大結晶磁性物質の磁気特性も簡易に評価できることが確認された。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、物質の磁気的相互作用を、局在化磁性軌道や局在化磁性結晶軌道を用いて、適切に評価することができるので、遍歴電子系だけではなく、局在電子系や、遍歴電子系と局在電子系の両電子系に跨る中間的な電子系における磁気特性を予測でき、また、大きな分子、結晶性化合物、および高分子化合物の磁気特性を簡易に計算し、予測できるという優れた効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１において磁気特性予測対象物質としたＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶の単位セル構造を説明するための単位セルの模式斜視図である。
【図２】実施の形態１において磁気特性予測対象物質としたＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶における減磁曲線を説明するためのグラフを示す図である（図中、実線と点線は、各々、計算値と実験値を示す）。
【図３】実施の形態２において磁気特性予測対象物質とした（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶における残留磁束密度のＣｏ添加量依存性と温度依存性を説明するための３次元グラフを示す図である。
【図４】実施の形態２において磁気特性予測対象物質とした（Ｎｄ０．９４Ｄｙ０．０６）２（Ｆｅ１−ｘＣｏｘ）１４Ｂ結晶における固有保磁残力のＣｏ添加量依存性と温度依存性を説明するための３次元グラフを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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