(57)【要約】【課題】乾燥時の液流れを防止しして塗布膜の均一性をより向上することのできる成膜装置を提供する。【解決手段】基板３４０表面の全面に対してＮ2ガスを直接的に供給するガス供給装置３０８を有して成膜装置３００を構成する。塗布膜（配向膜）形成後の乾燥に際し、Ｎ2ガスを基板表面の全面に対して直接的に供給することにより、基板を回転させながら乾燥を行った際にも、配向膜材料の液流れを防止することができる。すなわち、基板表面の全面に直接的に供給されるＮ2ガスによって、配向膜材料を、基板が回転する際の遠心力に抗して各部に保持することができる、均一な配向膜を得ることができる。【選択図】    図１
2004191753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に保持する保持台と、
上記基板を回転させる回転手段と、
塗布膜を塗布後の上記基板表面の全面に対してガスを直接的に供給するガス供給手段とを備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
上記ガスの上記基板表面に対する供給量は、上記基板の回転中心から離間するにつれて減少することを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
上記ガス供給手段は、上記基板表面に対向するノズルを有し、上記ノズルに配列された孔部によって上記基板表面上の各部に対するガスの供給量を規定することを特徴とする請求項１または請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
上記ガス供給手段は、上記ノズルに配列された上記孔部の密度によって上記基板表面上の各部に対するガスの供給量を規定することを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項５】
上記ガス供給手段は、上記ノズルに配列された上記孔部の大きさによって上記基板表面上の各部に対するガスの供給量を規定することを特徴とする請求項３記載の成膜装置。
【請求項６】
上記ノズルは、上記基板のサイズに対応した円盤状のノズルであることを特徴とする請求項３乃至請求項５の何れかに記載の成膜装置。
【請求項７】
上記ノズルは、上記基板のサイズに対応して当該基板の回転中心から外周側に延設されるノズルであることを特徴とする請求項３乃至請求項５の何れかに記載の成膜装置。
【請求項８】
上記ガスは、不活性ガスであることを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れかに記載の成膜装置。
【請求項９】
塗布膜を塗布後の基板を回転させながら、上記基板表面の全面に対してガスを直接的に供給し、上記塗布膜を乾燥させる工程を備えたことを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８の何れかに記載の成膜装置によって塗布膜が成膜されたことを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項９記載の成膜方法によって塗布膜が成膜されたことを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に塗布膜を成膜する成膜装置及び成膜方法の技術分野に属し、特にスピンコート法を用いた成膜装置及び成膜方法の技術分野に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、対向基板とＴＦＴアレイ基板との間に液晶相を挟持して構成される。対向基板及びＴＦＴアレイ基板には、それぞれ液晶相と接する面に、液晶相の初期配向状態を決定するポリイミド等の有機膜からなる配向膜（塗布膜）が形成されている。配向膜は、一般に、印刷法、もしくは、スピンコート法により形成される。
【０００３】
印刷法は、生産性の面で有利であるが、塗布膜の均一性の面でスピンコート法に劣る。従って、特に表示画像が拡大投影されるプロジェクタ用途向けの液晶装置等においては、膜の均一性が投影画像（表示画像）に大きな影響を及ぼすため、印刷法を採用することが困難となる場合がある。
【０００４】
一方、スピンコート法は、水平に保持された基板を回転させた状態で、基板上に配向膜材料を供給し、遠心力を利用して基板上に広げて塗布膜を形成するため、膜の均一性が良い。従って、スピンコート法は、プロジェクタ用途向けの液晶装置を製造する際の主流となっている。
【０００５】
ところで、スピンコート法において、配向膜が塗布された後の基板は、一般に、ホットプレート上に配置されて仮焼成による乾燥が行われ、その後、焼成による硬化が行われる。この配向膜の焼成の時点において、配向膜の乾燥が不十分であると、塗布膜の端部が盛り上がった状態となってしまう場合があった。これは、スピンコート法により塗布膜が面内均一に広がっていても、基板の回転が停止することにより、塗布膜の表面張力によって塗布膜の端部が盛り上がってしまうためである。従って、このような状態で仮焼成及び焼成が行われると、配向膜が基板端部まで十分に成膜されず、また、配向膜の膜厚が基板面内でも不均一となってしまう。
【０００６】
これに対処し、例えば、本出願人による特許文献１には、配向膜（塗布膜）の塗布後に、基板を回転させた状態で、基板の回転中心に対向されたノズルから配向膜にガスを供給して塗布膜を乾燥させる技術が開示されている。このような技術によれば、配向膜を塗布した基板を回転さることで表面張力等による配向膜の盛り上がりを防止しつつ、ガスのアシストによって乾燥を促進させることにより、膜の均一性を向上させることができる。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−２３１６５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の特許文献１に開示された技術を用いて配向膜の乾燥を行った場合においても、膜の均一性を十分に確保することが困難な場合がある。すなわち、塗布膜の乾燥工程において、基板は回転されているため、基板上に形成された段差部等で遠心力による液流れが生じ、この液流れが配向膜の局所的な塗布むらとなる虞がある。さらに、上述の技術は乾燥用のガスが基板の中心から外周側に流れる構成であるため、発生した液流れがガスによって促進されると、塗布むらがより顕著なものとなる虞がある。このような現象は、例えば、液晶装置においては、特に、ＴＦＴ素子等が作り込まれるＴＦＴアレイ基板において顕著となる。
【０００９】
そして、このような塗布むらは配向膜の膜厚むらであるため、例えば液晶装置においては、液晶装置のＴＶ特性のシフトや焼き付き現象の要因となる虞がある。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、乾燥時の液流れを防止しして塗布膜の均一性をより向上することのできる成膜装置及び成膜方法、これにより製造された液晶装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る成膜装置は、基板を水平に保持する保持台と、上記基板を回転させる回転手段と、塗布膜を塗布後の上記基板表面の全面に対してガスを直接的に供給するガス供給手段とを備えたことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、基板表面の全面に対して直接的に供給されるガスによって液流れを防止しつつ、保持台に保持した基板を回転させながら塗布膜の乾燥を行うことができ、塗布膜の均一性を向上させることができる。
【００１３】
上記ガスの上記基板表面に対する供給量は、上記基板の回転中心から離間するにつれて減少することを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、基板の回転を考慮して基板表面の各部に対するガスの供給量に勾配を設けることにより、塗布膜を基板上の位置に関係なく均一に乾燥させることができる。
【００１５】
上記ガス供給手段は、上記基板表面に対向するノズルを有し、上記ノズルに配列された孔部によって上記基板表面上の各部に対するガスの供給量を規定することを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、基板表面上の各部に対するガスの供給量を容易に規定することができる。
【００１７】
上記ガス供給手段は、上記ノズルに配列された上記孔部の密度によって上記基板表面上の各部に対するガスの供給量を規定することを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、基板表面上の各部に対するガスの供給量を容易に規定することができる。
【００１９】
上記ガス供給手段は、上記ノズルに配列された上記孔部の大きさによって上記基板表面上の各部に対するガスの供給量を規定することを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、基板表面上の各部に対するガスの供給量を容易に規定することができる。
【００２１】
上記ノズルは、上記基板のサイズに対応した円盤状のノズルであることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、基板表面の全面に対して直接的にガスを供給することができる。
【００２３】
上記ノズルは、上記基板のサイズに対応して当該基板の回転中心から外周側に延設されるノズルであることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、基板表面の全面に対して直接的にガスを供給することができる。
【００２５】
上記ガスは、不活性ガスであることを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、乾燥時における塗布膜の不要な化学反応等を防止することができる。
【００２７】
本発明に係る成膜方法は、塗布膜を塗布後の基板を回転させながら、上記基板表面の全面に対してガスを直接的に供給し、上記塗布膜を乾燥させる工程を備えたことを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、基板表面の全面に対して直接的に供給されるガスによって液流れを防止しつつ、保持台に保持した基板を回転させながら塗布膜の乾燥を行うことができ、塗布膜の均一性を向上させることができる。
【００２９】
本発明に係る液晶装置は、請求項１乃至請求項８の何れかに記載の成膜装置によって塗布膜が成膜されたことを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、均質な配向膜を有する液晶装置を得ることができ、表示品質を向上することができる。
【００３１】
本発明に係る液晶装置は、請求項９記載の成膜方法によって塗布膜が成膜されたことを特徴とする。
【００３２】
このような構成によれば、均質な配向膜を有する液晶装置を得ることができ、表示品質を向上することができる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図面は本発明の第１の実施の形態に係わり、図１は成膜装置の概略構成図、図２は液晶装置の概略構成を示す平面図、図３は図２のＨ−Ｈ’断面図、図４（ａ）はノズルの底面図であって図４（ｂ）は図４（ａ）のＩ−Ｉ断面図、図５は配向膜塗布処理時における成膜装置を示す概略構成図、図６は配向膜乾燥処理時における成膜装置を示す概略構成図、図７は基板中心からの距離とガスの流量との関係を示す図表である。
先ず、図２，３を参照して液晶装置の概略構成について説明する。
【００３４】
図３に示すように、液晶装置２００は、２枚の基板としてのアクティブマトリクス基板であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、液晶相５０を挟持して構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板６０上にＴＦＴ３０が形成されて構成され、対向基板２０は、例えばガラス基板７０上に対向電極２１が形成されて構成されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０それぞれの液晶相５０と接する面には、ポリイミド等からなる塗布膜としての配向膜１６，２２がそれぞれ形成されている。液晶相５０としては、例えばＴＮ（ツイステッドネマティック）液晶が用いられ、電圧無印加の状態で９０度捩られた状態に液晶分子は配列されている。
【００３５】
図２，３に示すように、液晶装置２００には、基板の外周部に沿って液晶注入口５２ａを除く矩形状に形成されたシール材５２が設けられており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２により接着固定されている。対向基板２０上には、シール材５２に沿って囲まれた領域内に、シール材５２に沿って、額縁状の額縁遮光層５３が設けられている。さらに、額縁遮光層５３に囲まれた領域には、格子状に額縁遮光層５３と同一工程で形成された格子状の遮光層（図示せず）が配置されている。液晶は、液晶注入口５２ａを介して注入され、その後、液晶注入口５２ａは封止材５４により封止される。これにより、液晶相５０は、ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０、シール材５２及び封止材５４に囲まれた領域内に保持される。
【００３６】
シール材５２の内側の領域において、ＴＦＴアレイ基板１０には、互いに交差してなる複数の走査線（図示せず）及び複数のデータ線（図示せず）が形成されており、これら配線の交差部毎にＴＦＴ３０及びＴＦＴ３０に接続された画素電極が形成されている。
【００３７】
また、シール材５２の外側の領域にはデータ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４がこの一辺に隣接する辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１は、引き出し配線を介して外部回路接続端子１０２と電気的に接続されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００３８】
次に、上述した基板としてのＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０（以下、これらを総称して基板３４０ともいう）にそれぞれ形成される配向膜１６，２２の製造時に用いられるスピンコート用の成膜装置３００の構成について説明する。
【００３９】
図１に示すように、成膜装置３００は、スピンカップ３０１と、スピンカップ３０１内に収容された基板３４０を吸着によって保持する保持台としてのスピンチャック３０４と、スピンチャック３０４に連設されて当該スピンチャック３０４を回転駆動する回転手段としての回転軸３０３と、基板３４０上に配向膜材料を供給する配向膜材料供給装置３０７と、基板３４０表面の全面に対してガスとしてのＮ2ガスを供給するガス供給手段としてのガス供給装置３０８とを有して構成されている。
【００４０】
スピンチャック３０４には、例えば３本の支持ピン３０２が貫通支持されている。これら支持ピン３０２は、スピンチャック３０４に対して一体的に昇降移動可能となっており、上昇位置で先端部がスピンカップ３０１外に露呈されるとともに、下降位置で先端部がスピンチャック３０４内に没入されるようになっている。そして、この支持ピン３０２によって、成膜装置３００（スピンチャック３０４）に対する基板３４０の受け渡しが行われる。すなわち、基板３４０の受け渡し時において、支持ピン３０２は、上昇されたることにより、先端部に基板３４０を載置可能とする。その後、支持ピン３０２は、基板３４０が載置されたままの状態で下降し、先端部がスピンチャック３０４内に没入することにより、基板３４０をスピンチャック３０４上に載置するようになっている。
【００４１】
配向膜材料供給装置３０７は、例えばポリイミド溶液からなる配向膜材料を基板３４０上に吐出するノズルとしての配向膜材料ノズル３２０を有して構成されている。配向膜材料ノズル３２０は、垂直に立設された支持軸３２２に、支持部材３２１を介して支持されている。支持部材３２１は、支持軸３２２を支点として水平方向に揺動可能となっており、これにより、配向膜材料ノズル３２０は、スピンチャック３０４に保持された基板３４０に対向する動作位置（図１，５参照）と、スピンカップ３０１からオフセットされた待機位置（図６参照）との間を移動可能となっている。また、配向膜材料ノズル３２０には、配向膜材料供給管３２３を介して収容器３２４が接続され、収容器３２４内に貯留された配向膜材料が供給されるようになっている。
【００４２】
ガス供給装置３０８は、不活性ガス、例えばＮ2ガスを基板３４０上に供給するノズルとしてのガスノズル３１０を有して構成されている。このガスノズル３１０は、スピンチャック３０４に保持された基板３４０の表面に対向されるもので、垂直に立設された支持軸３１２に、支持部材３１１を介して支持されている。支持部材３１１は、支持軸３１２に沿って昇降移動可能となっており、これにより、ガスノズル３１０は、スピンチャック３０４上の基板３４０に近接して対向する動作位置（図６参照）と、スピンチャック３０４上の基板３４０に離間して対向する待機位置（図１，５参照）との間を移動可能となっている。また、ガスノズル３１０には、ガス供給管３１３を介して収容器３１４が接続され、収容器３１４に収容されたＮ2ガスが供給されるようになっている。また、ガス供給管３１３の中途には、異物等を除去するフィルタ３１５と、Ｎ2ガスを加熱する加熱装置３１６とが介装されている。なお、ガスとしては、基板上に塗布された塗布膜に不要な化学反応などの影響を及ぼさないガスであればよく、Ｎ2ガスの他にも、例えばＡｒガス等の不活性ガスを用いることができる。
【００４３】
図４に示すように、ガスノズル３１０は、スピンチャック３０４と一体に回転駆動する基板３４０のサイズに対応した円盤状のノズルで構成され、ガスノズル３１０の底面の各部には、ガス供給管３１３にそれぞれ連通する複数の孔部としてのノズル孔３５０が穿設されている。そして、ガスノズル３１０は、各ノズル孔３５０によって、基板３４０表面の全面に対してＮ2ガスを直接的に供給するようになっている。
【００４４】
本実施の形態において、各ノズル孔３５０は、互いに同径のノズル孔で構成され、例えば外周側になるにつれて間隔が粗となるよう設定された複数の同心円上に、それぞれ同数ずつ等間隔に配列されている。そして、これらノズル孔３５０によって、ガスノズル３１０から基板３４０上の各部に対して吐出するＮ2ガスの供給量が規定されている。この場合、配列されたノズル孔３５０の密度はガスノズル３１０の外周側になる程粗となるため、基板３４０上の各部に吐出するＮ2ガスの吐出量（流量）は、例えば図７に示すように、基板３４０の回転中心から離間するにつれて減少する。なお、Ｎ2ガスの供給量の規定は、ノズル孔３５０の配列密度によるものに代えて、ノズル孔３５０の大きさによって行ってもよい。
【００４５】
次に、上述の成膜装置３００を用いた配向膜の成膜方法について説明する。なお、ここでは、ＴＦＴアレイ基板１０を例にあげて説明するが、対向基板２０上に成膜される配向膜２２についても、同様にスピンコート法により製造することができる。
【００４６】
先ず、走査線、データ線、ＴＦＴ及び画素電極等が形成された多面取りの基板（ＴＦＴアレイ基板）３４０を準備し、この基板３４０を、支持ピン３０２を用いてスピンチャック３０４上に吸着保持する。なお、この際、配向膜材料ノズル３２０及びガスノズル３１０は、それぞれ待機位置で保持されている。
【００４７】
次に、図５に示すように、配向膜材料供給装置３０７の配向膜材料ノズル３２０を基板３４０に対向する動作位置まで移動し、回転軸３０３を回転させながら、配向膜材料ノズル３２０から配向膜材料を基板３４０上に塗布することで、例えば、膜厚５５ｎｍの塗布膜（配向膜）を形成する。配向膜材料の塗布は、配向膜材料ノズル３２０を基板３４０上で、回転中心から端部に向かって移動させながら、配向膜材料を基板３４０上に吐出することにより行う。この塗布膜の形成初期において、配向膜材料ノズル３２０は、基板３４０の略中央部に位置している。そして、配向膜材料の吐出が開始してから例えば５秒間は基板３４０の回転は停止している。その後、基板３４０は、配向膜材料が吐出されてから５秒後に回転が開始され、例えば６秒後に２０００ｒｐｍの回転数で回転される。さらに、基板３４０は、２０００ｒｐｍの回転数で例えば１０秒間保持される。また、配向膜材料の供給は、例えば、開始から１６秒後に停止される。
【００４８】
次に、図６に示すように、塗布膜の形成後、配向膜材料ノズル３２０は待機位置まで退避され、これに代わって、ガスノズル３１０が下降されて待機位置から動作位置まで進入される。そして、ガスノズル３１０の各ノズル孔３５０から基板３４０上の各部にＮ2ガスが供給されることにより、塗布膜の乾燥が行われる。乾燥は、塗布膜形成から例えば１秒後に開始され、約１３５秒間、塗布膜に対し、１５ｌ／ｍｉｎの流量のＮ2ガスを吹き付けることにより行われる。この際、基板３４０の回転は、塗布膜形成時よりも低い回転数で行われる。例えば、Ｎ2ガスの供給開始から１３３秒間は５００ｒｐｍの回転数で行われ、その後、２秒かけて停止される。この際、供給されるＮ2ガスは、加熱装置３１６により加熱されるとともに、フィルタ３１５により異物などが除去される。
【００４９】
塗布膜の乾燥後、基板３４０は、例えばプロキシミティ方式を採用したホットプレート上で焼成される。これにより、塗布膜は硬化し、膜厚５５ｎｍの配向膜１６が成膜される。同様に、対向基板２０にも配向膜２２が形成される。製造された対向基板２０及びＴＦＴアレイ基板１０は、シール材５２により貼り合わされ、間隙に液晶が注入され、封止されて、上述した液晶装置２００が製造される。
【００５０】
このような実施の形態によれば、塗布膜（配向膜）の乾燥時において、Ｎ2ガスを基板表面の全面に対して直接的に供給する構成としたので、基板を回転させながら乾燥を行った際にも、配向膜材料の液流れを防止することができ、均一な配向膜を得ることができる。すなわち、基板表面の全面に直接的に供給されるＮ2ガスによって、配向膜材料を、基板が回転する際の遠心力に抗して各部に保持することができる。
【００５１】
また、Ｎ2ガスを基板表面に供給するに際し、その供給量を基板の回転中心から離間するにつれて減少するよう設定することにより、各部の塗布膜を同時に乾燥させることができる。すなわち、基板を回転させながら乾燥を行う場合において、塗布膜は、一般に、移動速度が速い基板外周部よりのものが回転中心寄りのものに比べて早期に乾燥されるが、この移動速度の違いによる乾燥時間の長短を考慮して、乾燥をアシストするＮ2ガスの流量に勾配を設けることにより、その塗布位置に関係なく、各部の塗布膜を同時に乾燥させることができ、より均質な配向膜を得ることができる。
【００５２】
そして、このように均質に成膜された配向膜を有する基板を用いて液晶装置を構成することにより、表示画像の品質を向上することができる。
【００５３】
次に、図８は本発明の第２の実施の形態に係わり、図８（ａ）はノズルの底面図であって（ｂ）は図４（ａ）のII−II断面図である。なお、本実施の形態においては、ガスノズルの形状が上述の第１の実施の形態と異なる。その他、同様の構成については同符号を付して説明を省略する。
【００５４】
図８に示すように、ガスノズル３６０は、スピンチャック３０４と一体に回転駆動する基板３４０に対応して当該基板３４０の回転中心から外周側に延設される棒状のノズルで構成され、ガスノズル３６０の底面の各部には、ガス供給管３１３にそれぞれ連通する複数の孔部としてのノズル孔３６１が穿設されている。そして、ガスノズル３６０は、各ノズル孔３６１によって、基板３４０表面の全面に対してＮ2ガスを直接的に供給するようになっている。
【００５５】
本実施の形態において、各ノズル孔３６１は、互いに同径のノズル孔で構成され、例えば、ガスノズル３６０上に配列されたノズル孔３６１の密度は、回転中心に対応する位置から外側になるにつれて粗となるよう設定されている。従って、基板３４０上の各部に吐出するＮ2ガスの吐出量（流量）は、基板３４０の回転中心から離間するにつれて減少する。なお、Ｎ2ガスの供給量の規定は、ノズル孔３６１の密度によるものに代えて、ノズル孔３６１の大きさによって行ってもよい。
【００５６】
このような実施の形態によれば、上述の第１の実施の形態による作用・効果に加え、ガスノズルの形状を簡素化できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わり、成膜装置の概略構成図
【図２】同上、液晶装置の概略構成を示す平面図
【図３】同上、図２のＨ−Ｈ’断面図
【図４】同上、（ａ）はノズルの底面図であって（ｂ）は図４（ａ）のＩ−Ｉ断面図
【図５】同上、配向膜塗布処理時における成膜装置を示す概略構成図
【図６】同上、配向膜乾燥処理時における成膜装置を示す概略構成図
【図７】同上、基板中心からの距離とガスの流量との関係を示す図表
【図８】本発明の第２の実施の形態に係わり、（ａ）はノズルの底面図であって（ｂ）は図４（ａ）のII−II断面図
【符号の説明】
１０…ＴＦＴアレイ基板（基板）、１６…配向膜（塗布膜）、２０…対向基板（基板）、２２…配向膜（塗布膜）、２００…液晶装置、３００…成膜装置、３０３…回転軸（回転手段）、３０４…スピンチャック（保持台）、３０８…ガス供給装置（ガス供給手段）、３１０…ガスノズル（ノズル）、３４０…基板、３５０…ノズル孔（孔部）、３６０…ガスノズル（ノズル）、３６１…ノズル孔（孔部）
【図１】
2004191753.tif 000003
【図２】
2004191753.tif 000004
【図３】
2004191753.tif 000005
【図４】
2004191753.tif 000006
【図５】
2004191753.tif 000007
【図６】
2004191753.tif 000008
【図７】
2004191753.tif 000009
【図８】
2004191753.tif 000010