(57)【要約】【課題】マルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、分波回路を用いない回路構成として送信系の挿入損失を低減させる。【解決手段】通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、前記複数の送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替える高周波スイッチ回路４１，４２を有し、それぞれの高周波スイッチ回路４１，４２は、直接アンテナＡＮＴと接続されており、特定の送受信系に対応した高周波スイッチ回路は、受信系に接続する回路部分に当該特定の送受信系の以外の送受信系の通過帯域を阻止するフィルタ５１，５２を含んだ構成である。【選択図】        図１
2004304402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
前記複数の送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替える高周波スイッチ回路を有し、それぞれの高周波スイッチ回路は、アンテナと直接接続されており、特定の送受信系に対応した高周波スイッチ回路は、受信系に接続する回路部分に当該特定の送受信系の以外の送受信系の通過帯域を阻止するフィルタを含んだ構成であることを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
通過帯域の異なる２つの送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
前記通過帯域の異なる２つの送受信系にそれぞれ送信系と受信系を切り替える高周波スイッチ回路を有し、それぞれの高周波スイッチ回路は、アンテナと直接接続されており、通過帯域の低い周波数帯域の送受信系に対応した高周波スイッチ回路は、受信系に接続する回路部分に当該低い周波数帯域以外を阻止させるフィルタを含み、通過帯域の高い周波数帯域の送受信系に対応した高周波スイッチ回路は、受信系に接続する回路部分に当該高い周波数帯域以外を阻止させるフィルタを含んだ構成であることを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
前記高周波スイッチ回路と送信系間にローパスフィルタが挿入されてなる請求項１又は２記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
請求項１，２，３のいずれかのマルチバンド用高周波スイッチモジュールを用いたマルチバンド無線通信機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等において通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールに係り、とくに積層複合電子部品として構成されるマルチバンド用高周波スイッチモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のマルチバンド用高周波スイッチモジュールとしては、下記特許文献１の構成が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２２５０８８号公報
【０００４】
図５は特許文献１に示された従来例のブロック図を、図６にその場合の回路図の一例を示す。この構成は、図５のように、分波回路（ダイプレクサ）１と、複数の送受信系（ＧＳＭ系とＤＣＳ系）に対応した高周波スイッチ回路２１，２２と、各高周波スイッチ回路２１，２２と送信系（送信回路）ＧＳＭ−ＴＸ，ＤＣＳ−ＴＸとの間に挿入されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）３１，３２とをワンチップ内に構成した例であり、通信機器のアンテナと受信系（受信回路）、送信系（送信回路）を接続するデュアルバンドのアンテナスイッチモジュールとなっている。
【０００５】
前記分波回路１はアンテナＡＮＴに共通に接続されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）１１及びハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１２とを有する。前記ローパスフィルタ１１はＧＳＭ系の周波数帯域を通過させかつＤＣＳ系の周波数帯域を阻止するものであり、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１２はＤＣＳ系の周波数帯域を通過させかつＧＳＭ系の周波数帯域を阻止するものである。
【０００６】
前記高周波スイッチ回路２１は、制御信号ＶＣ１によりＧＳＭ系の送信系ＧＳＭ−ＴＸと受信系ＧＳＭ−ＲＸの切り替えを行い、前記高周波スイッチ回路２２は、制御信号ＶＣ２によりＤＣＳ系の送信系ＤＣＳ−ＴＸと受信系ＤＣＳ−ＲＸの切り替えを行う。
【０００７】
なお、上記構成を積層複合電子部品とする場合の層構成方法等についても、前記特許文献１に示されている。
【０００８】
図６は図５のブロック図の回路構成を詳細に示すものであり、分波回路（ダイプレクサ）１と、複数の送受信系（ＧＳＭ系とＤＣＳ系）に対応した高周波スイッチ回路２１，２２と、各高周波スイッチ回路２１，２２と送信系ＧＳＭ−ＴＸ，ＤＣＳ−ＴＸとの間に挿入されたローパスフィルタ３１，３２からなっており、高周波スイッチ回路２１，２２は分波回路１を介してアンテナＡＮＴに接続されるとともに、送信系ＴＸ及び受信系ＲＸに接続される。
【０００９】
前記高周波スイッチ回路２１はＧＳＭ系の送信系ＧＳＭ−ＴＸと受信系ＧＳＭ−ＲＸの切り替えを行うものであり、送信系ＧＳＭ−ＴＸは、主に送信系のパワーアンプの高調波を伝送しないために構成されているローパスフィルタ３１（コイルＬｇ１、コンデンサＣｇ１〜Ｃｇ３からなる）を通り、ダイオードＤ１のアノードに接続される。ダイオードＤ１のアノードは、チョークコイルＬｇ２及びコンデンサＣｇ４の直列回路を介し、グランドに接地される。また、チョークコイルＬｇ２とコンデンサＣｇ４との接続点には、制御端子ＶＣ１が接続される。制御端子ＶＣ１には、高周波スイッチ回路２１の切り替えを行うための制御回路が接続される。そして、ダイオードＤ１のカソードは分波回路１に接続される。
【００１０】
前記受信系ＧＳＭ−ＲＸはインダクタＬｇ３を介して分波回路１に接続される。また、受信系ＧＳＭ−ＲＸにはダイオードＤ２のアノードが接続され、ダイオードＤ２のカソードはコンデンサＣｇ６を介してグランドに接地される。同時に、ダイオードＤ２のカソードは抵抗Ｒ１を介してグランドに接地される。また、ダイオードＤ２のアノードとグランド間にコンデンサＣｇ７が接続される。
【００１１】
前記高周波スイッチ回路２２はＤＣＳ系の送信系ＤＣＳ−ＴＸと受信系ＤＣＳ−ＲＸの切り替えを行うものであり、送信系ＤＣＳ−ＴＸは、主に送信系のパワーアンプの高調波を伝送しないために構成されているローパスフィルタ３２（コイルＬｄ１、コンデンサＣｄ１〜Ｃｄ３からなる）を通り、ダイオードＤ３のアノードに接続される。ダイオードＤ３のアノードは、チョークコイルＬｄ２及びコンデンサＣｄ４の直列回路を介し、グランドに接地される。また、チョークコイルＬｄ２とコンデンサＣｄ４との接続点には、制御端子ＶＣ２が接続される。制御端子ＶＣ２には、高周波スイッチ回路２２の切り替えを行うための制御回路が接続される。更に、ダイオードＤ３については両端（アノード・カソード間）にインダクタＬｄ４及びコンデンサＣｄ８の直列回路が接続されている。そして、ダイオードＤ３のカソードは分波回路１に接続される。
【００１２】
前記受信系ＤＣＳ−ＲＸはインダクタＬｄ３を介して分波回路１に接続される。また、受信系ＤＣＳ−ＲＸにはダイオードＤ４のアノードが接続され、ダイオードＤ４のカソードはコンデンサＣｄ６を介してグランドに接地される。同時に、ダイオードＤ４のカソードは抵抗Ｒ２を介してグランドに接地される。また、ダイオードＤ４のアノードとグランド間にコンデンサＣｄ７が接続される。
【００１３】
このように構成された高周波スイッチ回路２１，２２を用いて送信を行う場合、制御端子ＶＣ１又はＶＣ２にバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオードＤ１又はＤ３，Ｄ２又はＤ４に対しそれぞれ順方向のバイアス電圧として働くために、ダイオードＤ１又はＤ３，Ｄ２又はＤ４をそれぞれオン（ＯＮ）にする。従って、送信時はダイオードＤ２又はＤ４のインダクタンス成分とコンデンサＣｇ６又はＣｄ６とにより送信周波数で直列共振することで受信ポートがほぼ接地された状態となり、インダクタＬｇ３又はＬｄ３により受信系ＲＸ側のインピーダンスがほぼ無限大となるため、送信系ＴＸからの送信信号は、受信系ＲＸ側には殆ど伝送されることなくダイオードＤ１又はＤ３を経て分波回路１に伝送される。尚、チョークコイルＬｇ２又はＬｄ２によりインピーダンスを高くすることで、送信信号がグランド側へ漏れることを防止している。
【００１４】
一方、受信時には制御端子ＶＣ１又はＶＣ２を接地し、ダイオードＤ１又はＤ３、Ｄ２又はＤ４はそれぞれオフ（ＯＦＦ）状態になり、アンテナＡＮＴからの受信信号は、インダクタＬｇ３又はＬｄ３を経て受信系ＲＸに伝送され、送信回路ＴＸ側には殆ど伝送されない。
【００１５】
このように高周波スイッチ回路２１，２２は制御端子ＶＣ１，ＶＣ２に印加するバイアス電圧を制御することにより、信号の送受信の切り替えを行うことができる。尚、インダクタＬｄ４とコンデンサＣｄ８の直列回路は、コンデンサＣｄ８とオフ時のダイオードＤ３との合成静電容量と、インダクタＬｄ４の値とで共振する並列共振回路を形成し、かつその共振周波数を受信信号の周波数と一致させることにより、ダイオードＤ３とインダクタＬｄ４との接続点のインピーダンスを増加させ、受信信号が送信系ＤＣＳ−ＴＸ側へ漏れることを防止している。
【００１６】
次に、アンテナＡＮＴに接続される分波回路１は通過帯域の異なる第１の送受信系（ＧＳＭ）と第２の送受信系（ＤＣＳ）の二つの送受信系を分波する分波回路であり、２つのノッチ回路が主回路となっている。つまり、インダクタＬ１とコンデンサＣ２で一つのノッチ回路を形成し、インダクタＬ２とコンデンサＣ３でもう一つのノッチ回路を形成している。そして、一つのノッチ回路はコンデンサＣ１を介してダイオードＤ１のカソードに接続され、さらにもう一つのコンデンサＣｇ５を介してグランドに接地される。この二つのコンデンサＣ１，Ｃｇ５は分波特性のローパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。
【００１７】
また、もう一つのノッチ回路は、直列に接続されたインダクタＬ３でダイオードＤ３のカソードに接続され、さらにコンデンサＣｄ５を介してグランドに接地される。このインダクタＬ３とコンデンサＣｄ５は分波特性のハイパスフィルタ特性を向上させる目的で接続されている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
図５及び図６に示したように、従来の、分波回路１、パワーアンプからの高調波を抑制するためのローパスフィルタ３１，３２、送受信切り替え用の高周波スイッチ回路２１，２２を含んだアンテナスイッチモジュールでは、送信系は高調波を抑制するローパスフィルタと分波回路内のフィルタを経由して信号が伝送されるために、挿入損失が増え、それにより、機器全体の効率を下げてしまう問題があった。
【００１９】
本発明は、従来技術の欠点を解決するもので、分波回路を用いずに、特定の送受信系に対応した高周波スイッチ回路の受信系に接続する回路部分に対となる周波数帯（当該特定の送受信系以外の送受信系の周波数帯）を減衰させるフィルタを設けることで、送信系の挿入損失を低減させることが出来るマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供することを目的とする。
【００２０】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明は、通過帯域の異なる複数の送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
前記複数の送受信系のそれぞれに送信系と受信系を切り替える高周波スイッチ回路を有し、それぞれの高周波スイッチ回路は、アンテナと直接接続されており、特定の送受信系に対応した高周波スイッチ回路は、受信系に接続する回路部分に当該特定の送受信系の以外の送受信系の通過帯域を阻止するフィルタを含んだ構成としている。
【００２２】
本願請求項２の発明は、通過帯域の異なる２つの送受信系を扱うマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
前記通過帯域の異なる２つの送受信系にそれぞれ送信系と受信系を切り替える高周波スイッチ回路を有し、それぞれの高周波スイッチ回路は、アンテナと直接接続されており、通過帯域の低い周波数帯域の送受信系に対応した高周波スイッチ回路は、受信系に接続する回路部分に当該低い周波数帯域以外を阻止させるフィルタを含み、通過帯域の高い周波数帯域の送受信系に対応した高周波スイッチ回路は、受信系に接続する回路部分に当該高い周波数帯域以外を阻止させるフィルタを含んだ構成としている。
【００２３】
本願請求項３の発明に係るマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、請求項１又は２において、前記高周波スイッチ回路と送信系間にローパスフィルタが挿入されてなることを特徴としている。
【００２４】
本願請求項４の発明に係るマルチバンド無線通信機器は、請求項１，２，３のいずれかのマルチバンド用高周波スイッチモジュールを用いたことを特徴としている。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るマルチバンド用高周波スイッチモジュールの実施の形態を図面に従って説明する。
【００２６】
図１は本発明に係るマルチバンド用高周波スイッチモジュールの実施の形態であって、デュアルバンドのアンテナスイッチモジュールを構成した場合のブロック図を、図２はその場合の回路図を示す。この構成は、図１のように、分波回路（ダイプレクサ）を有しておらず、アンテナＡＮＴに直接接続される複数の送受信系（ＧＳＭ系とＤＣＳ系）に対応した高周波スイッチ回路４１，４２と、各高周波スイッチ回路４１，４２と送信系ＧＳＭ−ＴＸ，ＤＣＳ−ＴＸとの間に挿入されたローパスフィルタ（ＬＰＦ）３１，３２とをワンチップ内に構成している。
【００２７】
各高周波スイッチ回路４１，４２は、受信系に接続する回路部分に特定の送受信系以外の送受信系の通過帯域を阻止するフィルタを含んでいる。すなわち、ＧＳＭ系の送受信の切り替えを行う高周波スイッチ回路４１はＧＳＭ系の周波数帯は通過させるが、ＤＣＳ系の周波数帯は阻止するローパスフィルタ（ＬＰＦ）もしくはノッチフィルタ５１が受信系ＧＳＭ−ＲＸに接続する回路部分に挿入されている。また、ＤＣＳ系の送受信の切り替えを行う高周波スイッチ回路４２はＤＣＳ系の周波数帯は通過させるが、ＧＳＭ系の周波数帯は阻止するハイパスフィルタ（ＨＰＦ）もしくはノッチフィルタ５２が受信系ＤＣＳ−ＲＸに接続する回路部分に挿入されている。
【００２８】
図２の回路図は図１のブロック図の構成を具体的に示すものであり、高周波スイッチ回路４１はＧＳＭ系の送信系ＧＳＭ−ＴＸと受信系ＧＳＭ−ＲＸの切り替えを行うものであり、送信系ＧＳＭ−ＴＸは、主に送信系のパワーアンプの高調波を伝送しないために構成されているローパスフィルタ３１を通り、ダイオードＤ１のアノードに接続される。ダイオードＤ１のアノードは、チョークコイルＬｇ２及びコンデンサＣｇ４の直列回路を介し、グランドに接地される。また、チョークコイルＬｇ２とコンデンサＣｇ４との接続点には、制御端子ＶＣ１が接続される。制御端子ＶＣ１には、高周波スイッチ回路４１の切り替えを行うための制御回路が接続される。そして、ダイオードＤ１のカソードはアンテナＡＮＴに接続される。受信系ＧＳＭ−ＲＸは、インダクタＬｇ４を介して、更にインダクタＬｇ３とコンデンサＣｇ６の共振回路を介してアンテナＡＮＴに接続される。また、インダクタＬｇ３とコンデンサＣｇ６を含んだ共振回路とインダクタＬｇ４との接続点にはダイオードＤ２のアノードが接続され、ダイオードＤ２のカソードはコンデンサＣｇ８を介してグランドに接地される。同時に、ダイオードＤ２のカソードは抵抗Ｒ１を介してグランドに接地される。また、ダイオードＤ２のアノードとグランド間にコンデンサＣｇ７が接続される。
【００２９】
高周波スイッチ回路４２はＤＣＳ系の送信系ＤＣＳ−ＴＸと受信系ＤＣＳ−ＲＸの切り替えを行うものであり、送信系ＤＣＳ−ＴＸは、主に送信系のパワーアンプの高調波を伝送しないために構成されているローパスフィルタ３２を通り、ダイオードＤ３のアノードに接続される。ダイオードＤ３のアノードは、チョークコイルＬｄ２及びコンデンサＣｄ４の直列回路を介し、グランドに接地される。また、チョークコイルＬｄ２とコンデンサＣｄ４との接続点には、制御端子ＶＣ２が接続される。制御端子ＶＣ２には、高周波スイッチ回路４２の切り替えを行うための制御回路が接続される。そして、ダイオードＤ３のカソードはコンデンサＣｄ９を介してアンテナＡＮＴに接続される。受信系ＤＣＳ−ＲＸはインダクタＬｄ４を介して、更にインダクタＬｄ３とコンデンサＣｄ６の共振回路及び前記コンデンサＣｄ９を介してアンテナＡＮＴに接続される。また、インダクタＬｄ３とコンデンサＣｄ６を含んだ共振回路とインダクタＬｄ４との接続点にはダイオードＤ４のアノードが接続され、ダイオードＤ４のカソードはコンデンサＣｄ８を介してグランドに接地される。同時に、ダイオードＤ４のカソードは抵抗Ｒ２を介してグランドに接地される。また、ダイオードＤ４のアノードとグランド間にコンデンサＣｄ７が接続される。
【００３０】
このように構成された高周波スイッチ回路４１，４２を用いて送信を行う場合、制御端子ＶＣ１又はＶＣ２にバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオードＤ１又はＤ３，Ｄ２又はＤ４に対しそれぞれ順方向のバイアス電圧として働くために、ダイオードＤ１又はＤ３，Ｄ２又はＤ４をオンにする。従って、送信時はダイオードＤ２又はＤ４のインダクタンス成分とコンデンサＣｇ８又はＣｄ８により送信周波数で直列共振することで、受信ポートがほぼ接地された状態となり、送信系ＴＸからの送信信号は、受信系ＲＸ側には殆ど伝送されることなくダイオードＤ１又はＤ３を経てアンテナＡＮＴに伝送される。尚、チョークコイルＬｇ２又はＬｄ２によりインピーダンスを高くすることで、送信信号がグランド側へ漏れることを防止している。
【００３１】
一方、受信時には制御端子ＶＣ１又はＶＣ２を接地し、ダイオードＤ１又はＤ３，Ｄ２又はＤ４はオフ状態になり、アンテナＡＮＴからの受信信号は、インダクタＬｇ３又はＬｄ３とコンデンサＣｇ６又はＣｄ６を含んだ共振回路とインダクタＬｇ４又はＬｄ４を経て受信系ＲＸに伝送され、送信系ＴＸ側には殆ど伝送されない。尚、インダクタＬｇ３とコンデンサＣｇ６の共振回路及びインダクタＬｄ３とコンデンサＣｄ６の共振回路は、高周波スイッチ回路４１，４２において対となる周波数帯（２つの送受信系のうちの不要な方）を減衰させ、必要となる周波数帯を通過させるフィルタである。従って、これらのフィルタが従来例に示している通過帯域の異なる第１の送受信系（ＧＳＭ）と第２の送受信系（ＤＣＳ）の二つの受信系を分波する分波回路の役割を持っている。このように高周波スイッチ回路４１，４２は制御端子ＶＣ１，ＶＣ２に印加するバイアス電圧を制御することにより、信号の送受信の切り替えを行うことができる。
【００３２】
このように、従来例に示す分波回路に使用されていた各ノッチフィルタを図２に示す受信系ＲＸとダイオードＤ１，Ｄ３のカソードの間に構成することで、分波回路を用いないマルチバンド用高周波スイッチモジュールが構成出来る。
【００３３】
図３に、従来例の回路図（図６）と本発明の実施の形態の回路図（図２）におけるＤＣＳ−モードの挿入損失（Ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ  Ｌｏｓｓ）を比較したシミュレーション結果を示す。このとき、各ポートにおける通過帯域でのＶ．Ｓ．Ｗ．Ｒ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｓｔａｎｄｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｒａｔｉｏ）は１．５以下、また、アイソレーションは１８［ｄＢ］以上確保している。以上の条件で挿入損失のもっとも少ない値で比較すると、０．１［ｄＢ］以上の改善結果が得られた。
【００３４】
従って、本発明の実施の形態に示したマルチバンド用高周波スイッチモジュールと複数の送受信系とを組み合わせることで、挿入損失の少ないマルチバンド無線通信機器が実現できる。
【００３５】
図４に本実施の形態の回路構成をベース基板とマウント部品からなる積層複合電子部品で構成する場合の層構成図を示す。図４に示すように、マルチバンド用高周波スイッチモジュールは、コンデンサ、インダクタ等のパッシブ素子を内蔵したベース基板６０と抵抗、半導体等（ダイオード等）のマウント部品６１から構成されており、前記ベース基板６０は、樹脂、又は樹脂とセラミックをコンポジットしたハイブリッド材料である。また、ベース基板６０は一般に使われているＬＴＣＣ材でも良い。ベース基板の各層はガラスクロスに樹脂、又は、樹脂とセラミックをコンポジットした材料を含浸してなっており、それらを熱プレスすることによってベース基板を構成している。この方法は一般的なプリント基板の工法であるが、これ以外にもガラスクロスを用いないビルドアップ工法や、厚膜形成（印刷）工法でもよい。
【００３６】
また、前記ベース基板に適用出来る樹脂材料としては、エポキシ、ビニルベンジル、フェノール、ＢＴレジン、ＰＰＥ等があげられ、コンポジットする粉末は、ＢａＴｉＯ３−ＢａＺｒＯ３系，ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３系，ＢａＯ−４ＴｉＯ２系セラミック誘電体、誘電体単結晶粉等があげられる。
【００３７】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るマルチバンド用高周波スイッチモジュールによれば、特定の送受信系における送信系と受信系を切り替える高周波スイッチ回路が、前記受信系に接続する回路部分に前記特定の送受信系の以外の送受信系の周波数帯を阻止するフィルタを含んだ構成であり、分波回路を使用しない構成とすることができる。すなわち、従来、送信系は、パワーアンプの高調波を抑制するローパスフィルタと分波回路を経て信号をアンテナに伝送していたが、分波回路を使用しない回路構成とすることで、分波回路の損失成分がなくなるために、低挿入損失な高周波スイッチモジュールが実現できる。これにより、マルチバンド無線通信機器としての効率も上がる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマルチバンド用高周波スイッチモジュールの実施の形態を示すブロック図である。
【図２】本実施の形態の回路図である。
【図３】本実施の形態の場合におけるＤＣＳモードの挿入損失の周波数特性を、従来例の場合と対比して示す周波数特性図である。
【図４】本実施の形態の回路構成をベース基板とマウント部品からなる積層複合電子部品で構成する場合の層構成図である。
【図５】従来例のマルチバンド用高周波スイッチモジュールのブロック図である。
【図６】従来例のマルチバンド用高周波スイッチモジュールの回路図である。
【符号の説明】
１  分波回路
１１，３１，３２，５１  ローパスフィルタ
１２，５２  ハイパスフィルタ
２１，２２，４１，４２  高周波スイッチ回路
６０  ベース基板
６１  マウント部品
【図１】
2004304402.tif 000003
【図２】
2004304402.tif 000004
【図３】
2004304402.tif 000005
【図４】
2004304402.tif 000006
【図５】
2004304402.tif 000007
【図６】
2004304402.tif 000008