(57)【要約】【課題】システム内の一部でプロセスフローが滞っても上流側の処理部あるいは被処理基板の受ける影響を最小限に食い止めること。【解決手段】上流側のオーブンタワー（ＴＢ）４４では、搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０の上に加熱ユニット（ＤＨＰ）５１，５２およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５４が多段に積み重ねられ、タワー最上段にバッファユニット（ＢＵＦ）６６が配置される。下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８では、搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８の上に冷却ユニット（ＣＯＬ）５９，６０およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６２が多段に積み重ねられ、タワー最上段にバッファユニット（ＢＵＦ）６６が配置される。搬送機構４６は、昇降ないし旋回運動して両隣のオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセスして基板の搬入出を行う。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスフローにおいて上流側の第１の処理部から被処理基板を受け取るための第１の受け渡しユニットと、
プロセスフローにおいて下流側の第２の処理部へ前記基板を受け渡すための第２の受け渡しユニットと、
前記第１の受け渡しユニットおよび前記第２の受け渡しユニットのそれぞれの上または下に多段に積層配置される１つまたは複数の処理ユニットと、
前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１の受け渡しユニットおよび／または前記第２の受け渡しユニットと前記処理ユニットを含む多段ユニット部の最上段に配置されるバッファユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニット、前記処理ユニットならびに前記バッファユニットの間で前記基板を搬送する搬送手段と
を有する処理システム。
【請求項２】
前記多段ユニット部の最下段に、前記処理ユニットに対して所定の用力を供給するための用力供給ユニットを配置する請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記搬送手段が、垂直方向に昇降可能な昇降搬送体と、前記昇降搬送体上で垂直軸の回りに旋回可能な旋回搬送体と、前記旋回搬送体上で前記基板を支持しながら水平面内で前後方向に伸縮可能な搬送アームとを含む請求項１または２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記バッファユニットが、前記基板を複数枚多段に収納可能な基板収納空間を与える筐体と、前記基板を１枚ずつ載置するために前記筐体の基板収納空間を横断して設けられる複数の支持板と、前記基板をピン先端で支持するために各々の前記支持板上に離散的に設けられる複数の支持ピンとを有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項５】
前記第１の処理部が、前記基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送するための第１の搬送路と、前記第１の搬送路上を搬送される前記基板に一連の処理を施す第１の処理手段とを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項６】
前記第１の処理部が、前記基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送するための第２の搬送路と、前記第２の搬送路上を搬送される前記基板に一連の処理を施す第２の処理手段とを含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項７】
前記処理ユニットが、前記基板に対して前記第１または第２の処理部の処理に付随する熱的な処理を施すための熱処理ユニットである請求項１〜６のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項８】
各々の前記多段ユニット部において、全ての前記処理ユニットがユニット収納部に着脱可能に収納され、前記バッファユニットが前記ユニット収納部の上に分離可能に配置される請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項９】
前記基板の前記処理ユニットのいずれかまたは前記第２の処理部への搬入が不可のときに、前記搬送手段が前記第１の受け渡しユニットで受け取った前記基板を前記バッファユニットの１つに格納する請求項１〜８のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項１０】
搬入不可となった前記処理ユニットまたは前記第２の処理部で行われるべき処理の１つ前または複数前の工程の処理まで済ませてから前記基板を前記バッファユニットに格納する請求項９に記載の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に一連の処理を施す多数の処理部をプロセスフローの順に概ね水平方向に並べる処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に対応するために、搬送ローラ等の搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を水平に搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式の洗浄処理部や現像処理部を装備し、そのような平流し方式の処理部に合せてシステム全体をプロセスフローの順に概ね水平方向のライン上にシリアルに並べるシステム構成またはレイアウトが普及している（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
上記のような処理システムにおいて、平流し方式の液処理に付随する熱的な処理を施すための熱的処理部は、熱板を備える枚葉式のオーブンユニットを多段に集約配置してなるオーブンタワーを各平流しラインの始端部または終端部に１セットで２基設置し、一方のオーブンタワーにはプロセスフローにおいて上流側の処理部から基板を平流しで搬入するための搬入用パスユニットを設け、他方のオーブンタワーには下流側の処理部へ基板を平流しで搬出するための搬出用パスユニットを設ける。そして、両オーブンタワーの間に配置された昇降・旋回型の搬送ロボットが、パスユニットとオーブンユニットとの間で基板を所定の巡回シーケンスで搬送するようにしている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００３−５９８２４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような処理システムでは、故障その他の障害の発生により、あるいはメンテナンス上の必要性から１箇所で処理が停止し、または滞っても、プロセスフローの上流側に位置する全ての処理部が影響を受け、それぞれの処理を停止するかスローダウンせざるを得なくなる。
【０００６】
この場合、平流し方式の処理部においては、水平搬送路に沿って配置した各種のツールが傍らを通過する基板に一連の処理を一定のタイミングで順次施すことを正常動作とするため、下流側の処理部で処理工程が滞ったことの影響で該水平搬送路上の基板を滞留させたならば、処理内容ないし処理結果が設定通りにはいかなくなり、歩留まりが低下するという不都合がある。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、システム内の一部でプロセスフローが滞っても上流側の処理部あるいは被処理基板の受ける影響を最小限に食い止めるようにしたセーフティ機能を有する処理システムを提供することを目的とする。
【０００８】
本発明の別の目的は、上記のようなセーフティ機能を効率的かつ取扱いに便利なレイアウトで実現する処理システムを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の処理システムは、プロセスフローにおいて上流側の第１の処理部から被処理基板を受け取るための第１の受け渡しユニットと、プロセスフローにおいて下流側の第２の処理部へ前記基板を受け渡すための第２の受け渡しユニットと、前記第１の受け渡しユニットおよび／または前記第２の受け渡しユニットのそれぞれの上または下に多段に積層配置される１つまたは複数の処理ユニットと、前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１の受け渡しユニットおよび／または前記第２の受け渡しユニットと前記処理ユニットとを含む多段ユニット部の最上段に配置されるバッファユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニット、前記処理ユニットならびに前記バッファユニットの間で前記基板を搬送する搬送手段とを有する。
【００１０】
本発明の処理システムにおいて、典型的な一形態は、基板の処理ユニットのいずれかまたは第２の処理部への搬入が不可のときに、搬送手段が第１の受け渡しユニットで受け取った基板をバッファユニットの１つに格納する形態である。この場合、搬入不可となった処理ユニットまたは第２の処理部で行われるべき処理の１つ前または複数前の工程の処理まで済ませてから基板をバッファユニットに格納することで、プロセスフローの停滞ないしスループットの低下を最小限に止めることができる。
【００１１】
本発明の処理システムでは、第１の処理部が基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送するための第１の搬送路と、この第１の搬送路上を搬送される基板に一連の処理を施す第１の処理手段とを含む構成（平流し方式）において、バッファユニットの有益性が特に高く、第１の処理部における平流し処理の不所望な中断を回避することができる。もちろん、第２の処理部が基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送するための第２の搬送路と、この第２の搬送路上を搬送される基板に一連の処理を施す第２の処理手段とを含む構成（平流し方式）でも可能である。
【００１２】
本発明のシステム構成においては、通常は非常時に使用されるバッファユニットが多段ユニット部の最上段に配置されるので、バッファユニットが不使用中、搬送手段はバッファユニットにアクセスする必要のないのはもちろんその傍を通る必要さえなく、処理ユニットが集約配置されているエリア内で搬送スケジュールを効率良くこなすことができる。また、特に用力を必要としないバッファユニットが多段ユニット部の最上段に配置されるので、処理ユニットに対する用力ライン（配管、電気ケーブル等）の引き回しを効率よく行うことができる。また、最上段に配置されるバッファユニットの高さサイズは処理ユニット側のレイアウトに影響を与えないので、バッファユニットの基板収納容量を任意に設定することができる。また、多段ユニット部の出荷時にはバッファユニットと処理ユニット側とをいったん切り離すことで、高さ制限等に有利に対応することができる。
【００１３】
本発明の処理システムにおいて、好ましくは、多段ユニット部の最下段に、処理ユニットに対して所定の用力を供給するための用力供給ユニットを配置してよい。また、バッファユニットの好ましい一態様は、基板を複数枚多段に収納可能な基板収納空間を与える筐体と、基板を１枚ずつ載置するために筐体の基板収納空間を横断して設けられる複数の支持板と、基板をピン先端で支持するために各々の支持板上に離散的に設けられる複数の支持ピンとを有する構成である。かかる構成によれば、筐体内で各基板が支持ピンを介して各支持板上に撓みの少ない水平姿勢で載置されるので、搬送手段の出入りないし基板ハンドリングを容易にし、ひいては基板収納空間のスペース効率を高めることができる。
【００１４】
搬送手段の好ましい一形態は、垂直方向に昇降可能な昇降搬送体と、この昇降搬送体上で垂直軸の回りに旋回可能な旋回搬送体と、この旋回搬送体上で基板を支持しながら水平面内で前後方向に伸縮可能な搬送アームとを含む構成である。かかる構成において、搬送手段は、昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部の中の任意のユニットにアクセスして基板の搬入出を行うことができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１６】
図１に、本発明の適用可能な塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、システムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１７】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１８】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１９】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００２０】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２１】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇにブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２２】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の枚葉式オーブンユニットを基板受け渡し用のパスユニットと一緒に多段に積層配置してなる多段ユニット部またはオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８を設けている。
【００２３】
具体的には、図２に示すように、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）４４では、搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０の上に脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５１，５２およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５４が多段に積み重ねられる。ここで、搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から洗浄処理の済んだ基板Ｇを受け取るためのスペースを提供する。また、下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８では、搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８の上に冷却ユニット（ＣＯＬ）５９，６０およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６２が多段に積み重ねられる。ここで、搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８は、塗布プロセス部２８側へレジスト塗布処理を受けるべき基板Ｇを手渡す（または送り出す）ためのスペースを提供する。両オーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の最下段には、当該オーブンタワー（ＴＢ）４４，４８内の各部に所要の用力または制御信号を供給するための用力供給部または制御部を収容するユーティリティ・ユニット（ＵＴＬ）５６，６４が設けられている。
【００２４】
上流側の搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０の室内には、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の水平搬送路（図示せず）が引き込まれている。さらに、搬送路上の基板を水平姿勢で持ち上げるための昇降可能なリフトピン（図示せず）が設けられることもある。各熱処理系のユニット（ＤＨＰ）５１，５２、（ＡＤ）５４，６２、（ＣＯＬ）５９，６０の室内には、基板Ｇを水平に載置して加熱する熱板（図示せず）や該熱板上で基板Ｇの受け渡しを行うための昇降可能なリフトピン（図示せず）等が設けられている。下流側の搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８の室内には、隣の塗布プロセス部２８へ基板Ｇを搬出可能に構成された搬送路、あるいは塗布プロセス部２８側の搬送手段からアクセス可能に構成された基板支持部（図示せず）等が設けられている。
【００２５】
この実施形態では、上流側および／または下流側の両オーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の最上段に、非常時に基板Ｇを留め置いて保管するためのバッファユニット（ＢＵＦ）６６が設けられている。このバッファユニット（ＢＵＦ）６６の具体的な構成および作用は後に説明する。
【００２６】
図２において、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２７】
かかる構成の搬送機構４６は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両隣のオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセスして基板Ｇの搬入出を行うことが可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２８】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置（図示せず）が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。なお、該搬送装置は、第１の熱的処理部２６の搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８にもアクセス可能になっている。
【００２９】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方のオーブンタワー（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方のオーブンタワー（ＴＢ）９２を設けている。
【００３０】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側のオーブンタワー（ＴＢ）８８には、塗布プロセス部２８から基板Ｇを受け取るための搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、この搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２には、現像プロセス部３２へ基板Ｇを渡すための搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、この搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）の上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。両オーブンタワー（ＴＢ）８８，９２の最下段にはそれぞれユーティリティ・ユニット（ＵＴＬ）が設けられてよい。この第２の熱的処理部３０においても、オーブンタワー（ＴＢ）８８，９２の双方または片方の最上段に、非常時に基板Ｇを留め置いて保管するためのバッファユニット（ＢＵＦ）が配置されてよい。
【００３１】
搬送機構９０は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両オーブンタワー（ＴＢ）８８，９２の中の任意のユニットにアクセスして基板Ｇの搬入出を行うことが可能であり、両側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３２】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３３】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３４】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対のオーブンタワー（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３５】
図示省略するが、たとえば、上流側のオーブンタワー（ＴＢ）９８には、脱色プロセス部３４から基板Ｇを受け取るための搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側のオーブンタワー（ＴＢ）１０２には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４へ基板Ｇを渡すための搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上に冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。両オーブンタワー（ＴＢ）９８，１０２の最下段にはそれぞれユーティリティ・ユニット（ＵＴＬ）が設けられてよい。
【００３６】
この第３の熱的処理部３６においても、両オーブンタワー（ＴＢ）９８，１０２の双方または片方の最上段に、非常時に基板Ｇを留め置いて保管するためのバッファユニット（ＢＵＦ）が配置されてよい。
【００３７】
搬送機構１００は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両オーブンタワー（ＴＢ）９８，１０２の中の任意のユニットにアクセス可能であり、両側のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３８】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦＳ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦＳ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦＳ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３９】
図３に、この塗布現像処理システムにおける正常時の処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ１）。
【００４０】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ２）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００４１】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの表面にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ３）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００４２】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）４４内の搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００４３】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで熱処理系のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５１，５２の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ４）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５９，６０の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５４，６２の１つに移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ６）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）５９，６０の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ７）。最後に、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）４８の搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８に移される。
【００４４】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側のオーブンタワー（ＴＢ）４４と下流側のオーブンタワー（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４５】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、オーブンタワー（ＴＢ）４８内の搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４６】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ８）。
【００４７】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側オーブンユニット（ＴＢ）８８に属する搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４８】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで熱処理ユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ９）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ１０）。しかる後、基板Ｇは下流側オーブンタワー（ＴＢ）９２内の搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４９】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ１１）。
【００５０】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ１１）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１２）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００５１】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側のオーブンタワー（ＴＢ）９２内の搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００５２】
現像プロセス部３２では、該オーブンタワー（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ１３）。
【００５３】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ１４）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側オーブンタワー（ＴＢ）９８内の搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００５４】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ１５）。次に、基板Ｇは、下流側オーブンタワー（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１６）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５５】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ１）。
【００５６】
上記のように、この塗布現像処理システムでは、各部（特に処理系の各部）が正常に動作している限りは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４からプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１８側に渡された基板Ｇが、プロセスラインＡ，Ｂに沿ってシステム内の各部を移送または転送されながら所要の各処理（ステップＳ２〜Ｓ１６）を順次受けて、一定時間内にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４へ回送されるようになっている。
【００５７】
しかしながら、システム内の何処かで、特に処理部で故障その他の障害が発生したときは、プロセスフローの上流側からその障害の発生した処理部へ基板Ｇを転送または搬入できなくなる。もっとも、下流側ではライン上の基板Ｇに対して残りの全処理を完遂することができる。
【００５８】
そのようにシステム内の何処かでプロセスフローが停止し、または滞った場合、この実施形態では障害発生箇所よりも上流側に配備されているバッファユニット（ＢＵＦ）が基板Ｇの一時的な留め置きないし保管に利用される。
【００５９】
たとえば、塗布プロセス部２８内で障害が発生して該プロセス部２８への基板搬入ができなくなった場合を例にとる。この場合、第１の熱的処理部２６に配備されているバッファユニット（ＢＵＦ）が基板Ｇの留め置きに用いられる。
【００６０】
より詳細には、塗布プロセス部２８内で障害が発生すると、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４から洗浄プロセス部２４に対して、特にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に対して基板Ｇの新規搬入が止められる。この時、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、水平搬送路上で複数枚たとえば５枚の基板Ｇを所定間隔で一列に搬送しながら平流し方式の基板洗浄処理を行っており、平流し搬送を止めたならばそれらの基板Ｇを洗浄不良品にしてしまう。
【００６１】
この実施形態では、そのような洗浄不良品を出さぬように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２においては平流し搬送中の基板Ｇに対する洗浄処理を完遂させる。したがって、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から第１の熱的処理部２６に対しては、正常時と同じサイクルないしタイミングで洗浄済みの基板Ｇが次々と搬入される。
【００６２】
第１の熱的処理部２６において、各基板Ｇは、可能な限り通常と同じシーケンスで熱的処理を受けてからバッファユニット（ＢＵＦ）６６に格納される。
【００６３】
より詳細には、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２より上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入された各基板Ｇは、最初に加熱ユニット（ＤＨＰ）５１，５２の１つで脱水処理を受けてから（ステップＳ４）、冷却ユニット（ＣＯＬ）５９，６０の１つで一定の基板温度まで冷却され（ステップＳ５）、しかる後にアドヒージョンユニット（ＡＤ）５４，６２の１つで疎水化処理を受ける（ステップＳ６）。ここまでの一連の熱的処理（ステップＳ４→Ｓ５→Ｓ６）は通常と変わらない。
【００６４】
しかし、疎水化処理の後、基板Ｇは、通常であれば冷却ユニット（ＣＯＬ）５４，６２の１つで基板温度一定化の熱処理（ステップＳ７）を受けて、次に搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８へ送られるべきところ、この非常事態の場面では冷却ユニット（ＣＯＬ）５９，６０や搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８への転送をキャンセルしてバッファユニット（ＢＵＦ）６６に転送される。
【００６５】
ここで、基板温度一定化の熱処理（ステップＳ７）を敢えて省くのは、この熱処理がその直後に塗布プロセス部２８においてレジスト塗布処理が実行されることを前提とした前処理であることと、搬送機構４６のスループットないし各部間のタクト調整上の理由からである。
【００６６】
この種の塗布現像処理システムでは、一般に、同一機能の熱処理ユニットを複数（Ｎ個）設けて、それらＮ個の熱処理ユニットで同一サイクルタイムの熱処理を一定の時間ずらして並行して行わせることにより、熱処理部全体のタクトを１／Ｎに短縮して、前工程および後工程の処理タクトに合せるようにしている。たとえば、この実施形態において、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における洗浄処理タクトが６０秒であるところ、第１の熱的処理部２６における各熱処理ユニット（ＡＤ），（ＤＨＰ），（ＣＯＬ）のサイクルタイムが１００秒前後である場合は、図２のように各熱処理ユニット（ＡＤ），（ＤＨＰ），（ＣＯＬ）をそれぞれ２台設けて５０秒前後の時間差で並列稼動させることにより、熱処理全体ないし各部のタクトを洗浄処理タクトに合せることができる。
【００６７】
このようなマルチユニット方式の熱的処理部２６において、搬送機構４６は殆ど間断なく各熱処理ユニットを一定のサイクルで巡回するように目一杯のスケジュールで忙しく動作しており、非常事態であるからといって通常の巡回動作の中に基板Ｇをバッファユニット（ＢＵＦ）６６へ転送する動作を割り込ませられるほどの余裕はないのが普通である。この実施形態では、上記のように最終段の熱処理工程である基板温度一定化の熱処理（ステップＳ７）をキャンセルすることで、搬送スループット上またはタクト上の支障を来すことなくバッファユニット（ＢＵＦ）６６への基板格納動作を実現している。
【００６８】
上記のようにして、障害発生時にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理を受けていた最中の基板Ｇの全部（たとえば５枚）が何ら滞ることなく正常に平流しの洗浄処理を施され、かつ次段の第１の熱的処理部２６においても実質的に通常と変わらない一連の熱処理を受けてからバッファユニット（ＢＵＦ）６６に格納される。
【００６９】
この実施形態では、非常時、特に本例のようにプロセスフローの下流側への基板転送を止めるときは、上記のように最終段の熱処理工程である基板温度一定化の熱処理（ステップＳ７）と搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８への転送とをキャンセルするので、バッファユニット（ＢＵＦ）６６に基板Ｇを格納する搬送工程を増やしても、搬送機構４６の負担は重くはならない。むしろ搬送機構４６は、上記のように正常時の方が、目一杯のスケジュールで各熱処理ユニットを忙しく巡回して動作する。
【００７０】
この点、この実施形態では、バッファユニット（ＢＵＦ）６６がオーブンタワー（ＴＢ）４４，４８の最上段に配置されている。このため、バッファユニット（ＢＵＦ）６６にアクセスする必要のない正常時において、搬送機構４６は、バッファユニット（ＢＵＦ）６６の下に集約配置された熱処理系ユニット（ＡＤ）５４，６２、（ＤＨＰ）５１，５２、（ＣＯＬ）５９，６０および基板搬入出用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０，５８を必要最小限の移動範囲で巡回して所要の搬送スケジュールを効率良くこなすことができる。
【００７１】
なお、この実施形態では、上流側に接続するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０と下流側に接続するパスユニット（ＰＡＳＳ）５８とが搬送機構４６を挟んで互いに独立しており、上流側の搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０ないし搬送路と下流側の搬出用パスユニット（ＰＡＳＳ）５８ないし搬送路とを同じ高さに設定することも異なる高さに設定することも自由である。
【００７２】
ところで、第１の熱的処理部２６内でも何処かで故障その他の障害が発生する場合がある。たとえば、アドヒージョンユニット（ＡＤ）５４で熱板が故障して使用不可になった場合を例にとる。
【００７３】
この場合、他方のアドヒージョンユニット（ＡＤ）６２の単独または片肺運転に切り換えることで、タクトが長く（遅く）なるもののシステムの継続運転は可能である。しかし、第１の熱的処理部２６においてタクトを切り換えた直後も、上流側のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２からは障害発生時に平流し搬送中の基板Ｇの全部を一掃するまで通常のタクトで洗浄済みの基板Ｇが搬入されてくる。この場面でも、第１の熱的処理部２６では、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から受け取った基板Ｇを熱処理の前または合間にバッファユニット（ＢＵＦ）６６に一時的に留め置くことで、タクトの補償または調整を行うことができる。
【００７４】
第２および第３の熱的処理部３０，３６でも、第１の熱的処理部２６と同様な機能および作用が得られる。これらの熱的処理部２６，３０，３６間で上記のような基板の留め置きを連携させることも独立させることも可能である。バッファユニット（ＢＵＦ）は上記のようなシステム障害が発生した場合に限らず、必要に応じて種々の場面で活用されてよい。
【００７５】
以下に、この実施形態におけるオーブンタワー（ＴＢ）およびバッファユニット（ＢＵＦ）６６の具体的な構成と作用を説明する。
【００７６】
図４に、この実施形態におけるオーブンタワー（ＴＢ）たとえば４４の具体的な構成を示す。このオーブンタワー（ＴＢ）４４は、ハウジング型またはラック型のユニット収納筐体１１２の中に熱処理系ユニット（ＡＤ）５４，（ＤＨＰ）５１，５２、搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０およびユーティリティ・ユニット（ＵＴＬ）５６を着脱可能に多段に収納し、ユニット収納筐体１１２の上にバッファユニット（ＢＵＦ）６６を分離可能に配置する。ユニット収納筐体１１２の底部または脚部１１４は定置型に構成されてもよく、あるいはキャスタを有する可動型に構成されてもよい。ユニット収納筐体１１２内には、各ユニットを筐体正面（搬送機構４６と対向する面）以外の面（背面または側面）から水平に出し入れするためのスライド機構（図示せず）が設けられてよい。ユニット収納筐体１１２の正面には必要に応じて各ユニット毎に開閉扉またはシャッタ１１６が設けられてよい。
【００７７】
このように、この実施形態のオーブンタワー（ＴＢ）４４では、特に用力を必要としないバッファユニット（ＢＵＦ）６６がタワー最上段に配置（隔離）されるので、ユニット収納筐体１１２側では熱処理系ユニット（ＡＤ）５４，（ＤＨＰ）５１，５２や搬入用パスユニット（ＰＡＳＳ）５０に対する用力ライン（配管、電気ケーブル等）の引き回しを効率よく行うことができる。他のオーブンタワー（ＴＢ）４８，８８，９２，９８，１０２でも同様である。
【００７８】
図５に、この実施形態におけるバッファユニット（ＢＵＦ）６６内部の構成を示す。このバッファユニット（ＢＵＦ）６６は、基板Ｇを複数枚多段に収納可能な基板収納空間ＳＰを与えるバッファ筐体１２０と、このバッファ筐体１２０内で基板Ｇを１枚ずつ載置するためにバッファ筐体１０２の基板収納空間ＳＰを水平に横断して設けられる複数の水平支持板１２２と、基板Ｇをピン先端１２４ａで支持するために各々の水平支持板１２２上に離散的に設けられる複数の支持ピン１２４とを有している。
【００７９】
バッファ筐体１２０は、たとえばアルミニウムで形成され、筐体正面つまり搬送機構４６と対向する面は開口されてよく、この正面開口を通って搬送機構４６の搬送アーム７４がバッファ筐体１２０内に自由に出入りできるようになっている。バッファ筐体１２０から基板Ｇを搬出するときは、図示のように、搬送機構４６が搬送アーム７４を目的の基板Ｇと該当支持板１２２との間に水平に挿入し、次いで搬送アーム７４を所定の高さだけ水平に持ち上げて該当の支持ピン１２４から基板Ｇを搬送アーム７４に受け取り（移載し）、次いで搬送アーム７４を旋回搬送体７２（図２）側に引いて基板Ｇをバッファ筐体１２０から取り出す。バッファ筐体１２０に基板Ｇを搬入するときは、上記搬出動作を時間的に巻き戻すような逆のハンドリングが行われる。なお、搬送アーム７４の上面には、基板Ｇを真空吸着力で保持するためのバキュームパッド（図示せず）が設けられてよい。
【００８０】
水平支持板１２２は、たとえばアルミニウム板からなり、バッファ筐体１２０内でほぼ水平に棚状に架け渡され、左右両側壁に固定取付される。支持ピン１２４は、基板Ｇと直接接触するピン先端部１２４ａは樹脂が好ましく、ピン本体部はたとえばアルミニウムで形成されてよい。水平支持板１２２上における支持ピン１２４の配置パターンは、搬送アーム７４の出入りを妨げずに基板Ｇをほぼ水平に支持できればよく、たとえば格子状の配置パターンが好ましい。
【００８１】
このバッファユニット（ＢＵＦ）６６においては、上記の構成により、バッファ筐体１２０内で各基板Ｇが支持ピン１２４を介して各支持板１２２上に撓みの少ない水平姿勢で載置されるので、搬送手段の出入りないし基板ハンドリングを容易にし、ひいては基板収納空間のスペース効率を高めることができる。
【００８２】
このバッファユニット（ＢＵＦ）６６の基板収納容量は、図示の例では５（枚）であるが、任意の容量に選択または変更できる。基板収納容量を大きくするほど、バッファユニット（ＢＵＦ）６６の高さサイズは大きくなる。この実施形態では、バッファユニット（ＢＵＦ）６６がユニット収納筐体１１２の上に配置されるため、バッファユニット（ＢＵＦ）６６の基板収納容量または高さサイズによってユニット収納筐体１１２ないしその中のユニット（５０〜５６）のレイアウトが影響を受けることはない。しかも、オーブンタワー（ＴＢ）の出荷時には、バッファユニット（ＢＵＦ）６６をユニット収納筐体１１２からいったん切り離して移送できるので、バッファユニット（ＢＵＦ）６６とユニット収納筐体１１２がそれぞれ単独で建物内や道路上の高さ制限をクリアできればよく、高さ制限を優に越えるオーブンタワー（ＴＢ）も問題なく構築することができる。もちろん、バッファユニット（ＢＵＦ）６６をユニット収納筐体１１２から切り離すに際して、ユニット収納筐体１１２側の用力系統（特に配管や配線類）をいじる必要もない。なお、図５に示すように、バッファユニット（ＢＵＦ）６６の上面には、このユニットをクレーンで吊るためのリング型の金具１２６が取り付けられている。
【００８３】
上記したようなバッファユニット（ＢＵＦ）６６の構成は、他のオーブンタワー（ＴＢ）４８，８８，９２，９８，１０２に設けられるバッファユニット（ＢＵＦ）にも適用できる。
【００８４】
この実施形態において、バッファユニット（ＢＵＦ）は正面の開口した筐体で構成できるが、開閉扉またはシャッタを設けることも可能である。また、室内に不活性ガスたとえば窒素ガスの雰囲気を形成することも可能である。その場合、たとえばユニット筐体の後背部から窒素ガスを導入し、多孔板を介して窒素ガスの均一な流れと雰囲気を形成してよい。上記実施形態では１つのバッファユニット（ＢＵＦ）に基板Ｇを複数枚収納する構成としたが、１枚単位で収納するバッファユニットを多段に積層配置する構成も可能である。上記実施形態では処理ユニット（ＡＤ，ＤＨＰ，ＣＯＬ等）の全部をパスユニット（ＰＡＳＳ）の上に配置したが、一部をパスユニット（ＰＡＳＳ）の下に配置することも可能である。また、オーブンタワーに熱処理系以外の処理ユニットを含む構成や、熱処理系以外の処理ユニットだけでオーブンタワーと同様の多段ユニット部を構成することも可能である。
【００８５】
本発明の処理システムは上記したような塗布現像処理システムに適用して好適であるが、システム構成やシステム要素において種々の変形が可能であり、たとえば成膜装置やエッチング装置等を含むインライン型システムにも適用可能である。本発明における被処理基板は、被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、フォトマスク、プリント基板等の各種の被処理基板が含まれる。
【００８６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理システムによれば、システム内の一部でプロセスフローが滞っても上流側の処理部あるいは被処理基板の受ける影響を最小限に食い止めることが可能であり、処理効率および品質の向上をはかれるとともに、そのようなセーフティ機能を効率的かつ取扱いに便利なレイアウトで実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態による塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける正常時の処理の手順を示すフローチャートである。
【図４】実施形態におけるオーブンタワー（ＴＢ）の具体的な構成を示す略側面図である。
【図５】実施形態におけるバッファユニット（ＢＵＦ）内部の構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１０    塗布現像処理システム
１４（Ｃ／Ｓ）    カセットステーション
１６（Ｐ／Ｓ）  プロセスステーション
１８（Ｉ／Ｆ）  インタフェースステーション
２４    洗浄プロセス部
２６    第１の熱的処理部
２８    塗布プロセス部
３０    第２の熱的処理部
３２    現像プロセス部
３６    第３の熱的処理部
４２（ＳＣＲ）    スクラバ洗浄ユニット
４４，４８（ＴＢ）  オーブンタワー（多段ユニット部）
４６    搬送機構
５１，５２（ＤＨＰ）  加熱ユニット
５４，６２（ＡＤ）  アドヒージョンユニット
５９，６０    冷却ユニット
６６    バッファユニット
７４    搬送アーム
１２０    バッファ筐体
１２２    水平支持板
１２４    支持ピン
１２４ａ    ピン先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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