(57)【要約】【課題】平面調心を行う回数を減らして、発光素子及び受光素子の最大光強度が得られる調心位置を短時間で確実に見つけて、調心時間を短縮し、ひいては製造コストを減少させる。【解決手段】初期座標原点（Ｄ０）とその周囲（Ｄ１〜Ｄ４）に位置決めされた発光素子（１）に対し受光素子（２）の平面調心を行って、発光素子（１）の位置に対する光強度分布を測定し、その光強度分布から光強度増大方向を決定する方向決定手段（ＰＧＭ１）と、発光素子（１）をその方向へ光強度が低下する位置まで単位長さずつ移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度が得られる位置に発光素子（１）を位置決めする発光素子位置決め手段（ＰＧＭ２）と、その発光素子（１）に対して受光素子（２）を平面調心により位置決めする受光素子位置決め手段（ＰＧＭ３）とを備えた。【選択図】図１
2004191498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子及び受光素子の夫々を直交２軸方向に相対移動させることにより最大光強度が得られる位置に光軸を調心する調心システムにおいて、
初期座標原点とその周囲に位置決めされた発光素子に対し受光素子の平面調心を行って、発光素子の位置に対する光強度分布を測定し、その光強度分布から光強度増大方向を決定する方向決定手段と、
発光素子を前記方向へ光強度が低下する位置まで単位長さずつ移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度が得られる位置に発光素子を位置決めする発光素子位置決め手段と、
その発光素子に対して受光素子を平面調心により位置決めする受光素子位置決め手段と、
を備えたことを特徴とする調心システム。
【請求項２】
前記方向決定手段が、発光素子が位置する直交２軸の初期座標原点と、予め設定された単位長さを半径とし前記原点を中心とする円周、または、予め設定された長短二種類の単位長さを短径及び長径とし前記原点を中心とする楕円周と前記直交２軸との４つの交点に発光素子を順次移動させたときの５点について受光素子の平面調心を行って光強度を測定する前記請求項１記載の調心システム。
【請求項３】
初期座標原点に対応する光強度が最大であった場合に、単位長さを短くして、前記方向決定手段からそれ以下の各手段の処理を順次実行する請求項２記載の調心システム。
【請求項４】
前記発光素子位置決め手段が、発光素子を前記方向へ光強度が低下する位置まで単位長さずつ移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度と、光強度が低下した最後の位置の発光素子に対し受光素子の平面調心を行って得られた最大光強度を比較する最大光強度比較処理と、最後の位置の発光素子に対する最大光強度の方が大きいときは、平面調心された位置に受光素子を位置させて、最大光強度比較処理を繰返す発光素子位置修正処理と、直前の最大光強度の方が大きいときに、直前位置に発光素子を戻す発光素子位置確定処理からなる請求項１記載の調心システム。
【請求項５】
発光素子が発光ダイオード又は半導体レーザであり、受光素子が光ファイバであり、固定されたレンズを挟んで発光素子と受光素子を相対移動させながら調心する請求項１記載の調心システム。
【請求項６】
発光素子がゴニオステージによりθｘθｙの直交２軸方向に傾斜可能に配されると共に、受光素子が発光素子に対して相対移動するように発光素子がＸＹステージにより直交２軸方向に移動可能に配され、前記各直交２軸を調整することにより発光素子と受光素子の調心を行う請求項１記載の調心システム。
【請求項７】
発光素子及び受光素子の夫々を直交２軸方向に相対移動させることにより最大光強度が得られる位置に光軸を調心する調心方法において、
初期座標原点とその周囲に位置決めされた発光素子に対し受光素子の平面調心を行って、発光素子の位置に対する光強度分布を測定し、その光強度分布から光強度増大方向を決定する方向決定工程と、
発光素子を前記方向へ光強度が低下する位置まで単位長さずつ移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度が得られる位置に発光素子を位置決めする発光素子位置決め工程と、
その発光素子に対して受光素子を平面調心により位置決めする受光素子位置決め工程と、
を備えたことを特徴とする調心方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子及び受光素子の夫々を直交２軸方向に相対移動させることにより夫々の光軸を理想的な調心光軸に一致させる調心システム及び調心方法に関し、特に、レンズを挟んで発光素子と受光素子を調心するいわゆる三体調心などのように、４軸を調整しなければ調心することができない場合に好適である。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子と受光素子間で光損失が少なく光の授受が行われるためには、互いの光軸が調心されていることが重要である。
この場合に、発光素子と受光素子が対応しているだけの単純な構成であれば、発光素子を点灯させて受光素子に入射される光強度を測定しながら、発光素子又は受光素子のいずれか一方を固定した状態で他方を直交２軸に移動させる平面調心を行えば簡単に調心することができる。
【０００３】しかしながら、発光素子と受光素子の間にレンズが配されている場合は、発光素子と受光素子の双方をレンズ光軸に一致させるいわゆる三体調心を行わなければならない（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−５５８５号公報
【０００５】この三体調心は、レンズを固定した状態で、発光素子と受光素子の双方を移動させながら行うが、レンズが存在することにより光が屈折してしまうため、調心は極めて困難である。
通常は、発光素子をＸＹ面上の各座標点に移動させてマトリックス的に位置決めしながら、受光素子をＸＹ方向に移動させて平面調心を行い、その調心位置における光強度と発光素子び受光素子の位置を記憶する。
そして、求められた光強度を比較して最大光強度が得られた調心位置に発光素子び受光素子を位置決めして、発光素子、受光素子及びレンズを一体に併せて調心作業を終了する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この場合に光強度を測定しようとするＸＹ面上の各座標点が１０×１０＝１００点あったとすると基本的には合計１００点について平面調心を行わなければならないため、調心作業が終了するまで極めて長い時間がかかり、その分、製造コストが嵩むという問題があった。
例えば、発光素子をＸＹ面の５００μｍ×５００μｍの範囲で５０μｍピッチで移動させた場合、１１×１１＝１２１点について平面調心を行わなければならず、１点あたりの平面調心時間が１０秒で終了したとしても合計で２０分以上の時間がかかる。
また、５００μｍ×５００μｍの範囲内に光強度のピークが存在していればよいが万一その範囲から外れていると、長時間かけて平面調心を行い最大光強度が得られる位置を見つけても、その位置はあくまでも設定範囲内の最大光強度であって真の最大光強度であるか否かの保証がない。
【０００７】そこで本発明は、平面調心を行う回数を減らして、発光素子及び受光素子の最大光強度が得られる調心位置を短時間で確実に見つけることができるようにして、調心時間を短縮し、ひいては製造コストを減少させることを技術的課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、本発明は、発光素子及び受光素子の夫々を直交２軸方向に相対移動させることにより最大光強度が得られる位置に光軸を調心する調心システムにおいて、初期座標原点とその周囲に位置決めされた発光素子に対し受光素子の平面調心を行って、発光素子の位置に対する光強度分布を測定し、その光強度分布から光強度増大方向を決定する方向決定手段と、発光素子を前記方向へ光強度が低下する位置まで単位長さずつ移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度が得られる位置に発光素子を位置決めする発光素子位置決め手段と、その発光素子に対して受光素子を平面調心により位置決めする受光素子位置決め手段とを備えたことを特徴とする。
【０００９】本発明によれば、光強度分布を測定する際に、例えば、初期座標原点とこれを中心とする前後左右の４点の合計５点に発光素子を位置決めして、それぞれについて受光素子の平面調心を行えば、その光強度分布から光強度増大方向が決定される。
【００１０】次いで、その方向へ光強度が低下する位置まで発光素子を単位長さずつ移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度が得られる位置に発光素子を位置決めした後、その発光素子に対し受光素子の平面調心を行えば、発光素子及び受光素子を理想光軸に一致させることができる。
【００１１】このようにして、発光素子及び受光素子の最大光強度の位置を決定する際に何度か平面調心し直すことがあっても、確実に光強度が最大になる方向へ近づいていくので、無駄な平面調心を行うことがなく、したがって調心時間は極めて短時間で済む。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。
図１は本発明に係る調心システムの概略構成を示す説明図、図２は半導体レーザと光ファイバの相対位置関係を模式的に示す説明図、図３〜図５は処理手順を示すフローチャート、図６は他の実施形態を示す説明図、図７はその動作を示す説明図である。
【００１３】図１に示す調心システムＣ１は、例えば、半導体レーザ（発光素子）１とそのレーザ光を受光する光ファイバ（受光素子）２とレンズ３を互いに調心した状態で固定する半導体レーザユニット製造装置等に組み込まれて用られるものである。
調心装置Ｃは、Ｚ方向（鉛直方向）に夫々の光軸を向けて、下段に半導体レーザ１を支持するＸＹステージ５、上段に光ファイバ２を支持するＸＹステージ６、その中段にレンズ３を支持するＸＹステージ７が配されており、光ファイバ２には半導体レーザ１から照射されレンズ３を透過して入射されたレーザ光の光強度を測定する光強度測定器８が接続されている。
【００１４】この調心システムＣ１は、光強度測定器８の出力信号に基づいて、半導体レーザ１及び光ファイバ２を支持するＸＹステージ５及び６を駆動して、半導体レーザ１及び光ファイバ２の光軸を、レンズ３の光軸（理想光軸）に一致させる制御装置９を備えている。
【００１５】制御装置９により調心する場合、レンズ３を定位置に固定した状態で、半導体レーザ１と光ファイバ２をＸＹ方向に移動させて調心をおこなう。
ここで、半導体レーザ１、光ファイバ２、レンズ３の全てに偏心がない場合は全てのＸＹステージ５、６、７を初期座標原点に位置させるだけで調心される筈であるが、実際には、夫々に偏心があるため調心されていない状態になる。
そこで、以下の手順に従い、調心を行う。
【００１６】制御装置９の処理手順は、図１に示すように、まず、方向決定プログラムＰＧＭ１が実行され、半導体レーザ１を一定範囲内で移動させたときの光強度分布を測定し、光強度が増大する方向を決定する。すなわち、その方向に半導体レーザ１の光軸が存在するであろうと思われる方向である。
次いで、発光素子位置決めプログラムＰＧＭ２が実行され、最大光強度が得られる半導体レーザ１の位置を見つけ出す。ここでは、方向決定プログラムＰＧＭ１で決定された方向に光強度が低下する位置まで半導体レーザ１を単位長さずつ移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度が得られる位置に半導体レーザ１を位置させる。
そして最後に、受光素子位置決めプログラムＰＧＭ３で、半導体レーザ１に対して光ファイバ２をＸＹステージ５によりＸＹ方向に移動させて平面調心し、処理を終了する。
【００１７】方向決定プログラムＰＧＭ１では、図２に示すように、半導体レーザ１が位置するＸＹ軸の初期座標原点Ｄ０と、予め設定された単位長さｒを半径とし前記原点Ｄ０（０、０）を中心とする円周とＸＹ軸との四つの交点Ｄ１（ｒ、０）、Ｄ２（０、ｒ）、Ｄ３（−ｒ、０）、Ｄ４（０、−ｒ）に半導体レーザ１を順次移動させたときの５点について光強度を測定し、光強度分布を得る。
【００１８】具体的には、図３に示すように、ステップＳＴＰ１１でインデックスｎ＝０とし、ステップＳＴＰ１２でＸＹステージ５を半導体レーザ１を点Ｄｎに位置させ、ステップＳＴＰ１３でＸＹステージ６により光ファイバ２の平面調心を行って光強度Ｐｎを計測し、ステップＳＴＰ１４でｎ＝４であるか否か判断し、ｎ≠０の場合はステップＳＴＰ１５でｎ＝ｎ＋１と置き換えてステップＳＴＰ１２に戻り、ｎ＝４の場合はステップＳＴＰ１６に移行して半導体レーザ１を原点Ｄ０に戻す。
なお、点Ｄ０〜Ｄ２に半導体レーザ１を位置させたときに平面調心された光ファイバ２の座標位置Ｆ０〜Ｆ２を記憶しておき、点Ｄ３及びＤ４に位置された半導体レーザ１に対して光ファイバ２の平面調心を行う際に、座標位置Ｆ０を中心として点Ｆ１及びＦ２と点対称の位置にある座標位置Ｆ３及びＦ４に予め移動させておけば処理時間がより短縮される。
そして、原点Ｄ０の光強度Ｐ０が最大であれば、半導体レーザ１及び平面調心された光ファイバ２の光軸がレンズ３の光軸と一致していると判断できるので、調心処理を完了する。なお、より高精度に調心する必要があるときは，単位長さｒをより小さい値に設定し直して、再度、方向決定プログラムＰＧＭ１を実行させても良い。
一方、原点Ｄ０の光強度Ｐ０が最大でない場合は，ステップＳＴＰ１７に移行して、光強度増大方向角αを下記の式に基づいて算出し、発光素子位置決めプログラムＰＧＭ２に移行する。
α＝ｔａｎ−１｛（Ｐ４−Ｐ２）／（Ｐ３−Ｐ１）｝
【００１９】発光素子位置決めプログラムＰＧＭ２は、図４に示すように、ステップＳＴＰ２１でインデックスｍ＝１、光強度Ｑ０＝Ｐ０とおいて、ステップＳＴＰ２２でα方向に単位長さｒずつＸＹステージ５により半導体レーザ１を移動させ、ステップＳＴＰ２３で光強度Ｑｍを測定し、ステップＳＴＰ２４でＱｍ−１＞Ｑｍと判断されるまで、ステップＳＴＰ２５を経由してｍ＝ｍ＋１と置き換えてステップＳＴＰ２２に戻る。
また、ステップＳＴＰ２４でＱｍ−１＞Ｑｍと判断された場合はステップＳＴＰ２６に移行し、ＸＹステージ６により光ファイバ２の平面調心を行い光強度Ｑｍ＋を測定して、ステップＳＴＰ２７でＱｍ−１＜Ｑｍ＋を判断し、Ｙｅｓの場合は、ステップＳＴＰ２８でインデックスｍ＝１とし、光強度Ｑ０＝Ｑｍ＋とおいて、ステップＳＴＰ２２に戻る。
一方、ステップＳＴＰ２７でＮｏと判断された場合は、光強度Ｑｍ−１が最大光強度であり、光強度Ｑｍ−１の測定された位置に半導体レーザ１の光軸とレンズ３の光軸が一致したことになるので、ステップＳＴＰ２９により半導体レーザ１をその位置に位置決めする。
【００２０】この処理のうち、ステップＳＴＰ２１〜ステップＳＴＰ２５の処理が最大光強度比較手段、ステップＳＴＰ２６〜ステップＳＴＰ２８の処理が発光素子位置修正手段、ステップＳＴＰ２９の処理が発光素子位置確定手段である。
【００２１】そして最後に、受光素子位置決めプログラムＰＧＭ３を実行させて、図５に示すように、ステップＳＴＰ３１でＸＹステージ６により光ファイバ２をＸＹ方向に移動させ、半導体レーザ１に対して平面調心を行えば、光ファイバ２の光軸がレンズ３の光軸に一致する。
【００２２】次いで、この調心システムＣ１を用いた調心方法について説明すると、方向決定プログラムＰＧＭ１に従い処理が実行される方向決定工程、発光素子位置決めプログラムＰＧＭ２に従い処理が実行される発光素子位置決め工程、受光素子位置決めプログラムＰＧＭ３に従い処理が実行される受光素子位置決め工程の順に調心される。
【００２３】方向決定工程は、方向決定プログラムＰＧＭ１に従い処理が実行され、半導体レーザ１をＤ０〜Ｄ４の５点に位置させたときに、光ファイバ２が平面調心されて光強度Ｐ０〜Ｐ４が測定され、その光強度分布から光強度増大方向αが決定される。
【００２４】次いで、発光素子位置決め工程は、発光素子位置決めプログラムＰＧＭ２に従い処理が実行され、最大光強度が得られる半導体レーザ１の位置を見つけ出す。
ここでは、光強度増大方向αに光強度が低下する位置まで、半導体レーザ１を単位長さずつ移動させる。
このとき、光強度が低下しても光ファイバ２を平面調心し直したときに、光強度が増大することがあるので、平面調心し直したときの光強度と、光強度が低下する直前の最大光強度を比較する。
そして、平面調心し直しても直前の最大光強度の方が大きければ、その直前の最大光強度が得られた位置で、半導体レーザ１の光軸とレンズ３の光軸が一致したことになるので、半導体レーザ１をその位置に位置決めする。
【００２５】そして最後に、受光素子位置決め工程は受光素子位置決めプログラムＰＧＭ３に従い処理が実行され、既に最大光強度が得られる位置に位置決めされた半導体レーザ１に対して光ファイバ２をＸＹ方向に移動させて平面調心すれば、光ファイバ２の光軸とレンズ３の光軸が一致したことになり、これにより、最大光強度が得られる。
【００２６】このとき、平面調心を行うのは最初の５回と、半導体レーザ１の最大光強度の位置を決定する際の１回と、光ファイバ２の位置を決定する際の１回の合計７回で足り、半導体レーザ１の最大光強度の位置を決定する際に何度か平面調心し直すことがあっても、確実に光強度が最大になる方向へ近づいていくので、無駄な平面調心を行うことがなく調心時間は極めて短時間で済む。
なお、上述の方向決定手段では、単位長さとしてＸ軸及びＹ軸方向にいずれも等しい単位長さｒを設定した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、Ｘ軸及びＹ軸方向に異なる長短の単位長さｒ１、ｒ２を設定し、これらを長径及び短径とする楕円とＸＹ軸の交点をＤｎとしてもよい。この場合に、発光素子位置決め手段で移動させる単位長さは、初期座標原点からα方向に伸ばして楕円周に至るまでの半径とすればよい。
【００２７】図６は本発明に係る他の調心システムＣ２を示す説明図であり、本例では、発光素子及び受光素子として発光用光ファイバ１１及び受光用光ファイバ１２が用いられ、発光用光ファイバ１１がゴニオステージ１３によりθｘθｙの直交２軸方向に傾斜可能に配されると共に、受光用光ファイバ１２が発光用光ファイバ１１に対して相対移動するように発光用光ファイバ１１がＸＹステージ１４により直交２軸方向に移動可能に配され、発光用光ファイバ１１には光源１５が、受光用光ファイバ１２には発光用光ファイバ１１から照射された光の光強度を測定する光強度測定器１６が接続されている。
【００２８】この調心装置Ｃ２は、光強度測定器１６の出力信号に基づいて、各ステージ１３及び１４を駆動し、発光用光ファイバ１１の光軸の傾きと位置を調整することにより、その光軸を受光用光ファイバ１２の光軸（理想光軸）に一致させる制御装置１７を備えている。
【００２９】制御装置１７の処理手順は、図１に示す調心システム１のＸＹステージ５及び６を、それぞれゴニオステージ１３及びＸＹステージ１４に代えれば、全く同様である。
すなわち、図６に示すように、まず、方向決定プログラムＰＧＭ１１が実行され、ゴニオステージ１３により発光用光ファイバ１を所定角度ずつ傾斜させたときの光強度分布を測定し、光強度が増大する方向を決定する。
次いで、発光素子位置決めプログラムＰＧＭ１２が実行され、最大光強度が得られる発光用光ファイバ１１の傾きを見つけ出す。ここでは、方向決定プログラムＰＧＭ１１で決定された方向に光強度が低下する位置まで発光用光ファイバ１１を単位長さずつ傾斜移動させ、光強度が低下する直前の最大光強度が得られる位置に発光用光ファイバ１１を位置させる。
そして最後に、受光素子位置決めプログラムＰＧＭ１３で、ＸＹステージ１４により発光用光ファイバ１１を移動させることにより、受光用光ファイバ１２を相対移動させて平面調心し、処理を終了する。
【００３０】方向決定プログラムＰＧＭ１１では、図７に示すように、発光用光ファイバ１１が位置するθｘθｙ軸の曲面座標原点Ｅ０と、予め設定された単位長さｒを半径とし前記原点Ｅ０（０、０）を中心とする円周とθｘθｙ軸との四つの交点Ｅ１（ｒ、０）、Ｅ２（０、ｒ）、Ｅ３（−ｒ、０）、Ｅ４（０、−ｒ）に発光用光ファイバ１１を順次移動させたときの５点について光強度を測定し、光強度分布を得る。
【００３１】具体的な処理を、図３をそのまま用いて説明すると、ステップＳＴＰ１１でインデックスｎ＝０とし、ステップＳＴＰ１２でゴニオステージ１３を発光用光ファイバ１１を点Ｅｎに位置させ、ステップＳＴＰ１３で受光用光ファイバ１２の平面調心を行って光強度Ｐｎを計測し、ステップＳＴＰ１４でｎ＝４であるか否か判断し、ｎ≠０の場合はステップＳＴＰ１５でｎ＝ｎ＋１と置き換えてステップＳＴＰ１２に戻り、ｎ＝４の場合はステップＳＴＰ１６に移行して発光用光ファイバ１１を原点Ｅ０に戻す。
ここで、原点Ｅ０の光強度Ｐ０が最大であれば、発光用光ファイバ１１及び受光用光ファイバ１２の光軸が一致していると判断できるので、調心処理を完了する。なお、より高精度に調心する必要があるときは，単位長さｒをより小さい値に設定しなおして、再度、方向決定プログラムＰＧＭ１を実行させても良い。
一方、原点Ｅ０の光強度Ｐ０が最大でない場合は，ステップＳＴＰ１７に移行して、光強度増大方向角αを下記の式に基づいて算出し、発光素子位置決めプログラムＰＧＭ１２に移行する。
α＝ｔａｎ−１｛（Ｐ４−Ｐ２）／（Ｐ３−Ｐ１）｝
【００３２】発光素子位置決めプログラムＰＧＭ１２を、図４をそのまま用いて説明すると、ステップＳＴＰ２１でインデックスｍ＝１、光強度Ｑ０＝Ｐ０とおいて、ステップＳＴＰ２２でα方向に周面上で単位長さｒずつ移動するようにゴニオステージ１３により発光用光ファイバ１１を傾け、ステップＳＴＰ２３で光強度Ｑｍを測定し、ステップＳＴＰ２４でＱｍ−１＞Ｑｍと判断されるまで、ステップＳＴＰ２５を経由してｍ＝ｍ＋１と置き換えてステップＳＴＰ２２に戻る。
また、ステップＳＴＰ２４でＱｍ−１＞Ｑｍと判断された場合はステップＳＴＰ２６に移行し、受光用光ファイバ１２の平面調心を行い光強度Ｑｍ＋を測定して、ステップＳＴＰ２７でＱｍ−１＜Ｑｍ＋を判断し、Ｙｅｓの場合は、ステップＳＴＰ２８でインデックスｍ＝１とし、光強度Ｑ０＝Ｑｍ＋とおいて、ステップＳＴＰ２２に戻る。
一方、ステップＳＴＰ２７でＮｏと判断された場合は、光強度Ｑｍ−１が最大光強度であり、光強度Ｑｍ−１の測定された角度で発光用光ファイバ１１及び受光用光ファイバの光軸の傾きが一致したことになるので、ステップＳＴＰ２９により発光用光ファイバ１１をその位置に位置決めする。
【００３３】この処理のうち、ステップＳＴＰ２１〜ステップＳＴＰ２５の処理が最大光強度比較手段、ステップＳＴＰ２６〜ステップＳＴＰ２８の処理が発光素子位置修正手段、ステップＳＴＰ２９の処理が発光素子位置確定手段である。
【００３４】そして最後に、受光素子位置決めプログラムＰＧＭ１３を実行させて、図５に示すように、ステップＳＴＰ３１でＸＹステージ１４により発光用光ファイバ１１を移動させることにより受光用光ファイバ１２を相対移動させて平面調心すれば、発光用光ファイバ１１及び受光用光ファイバ１２の光軸の傾き及び位置が一致したこととなる。
【００３５】そしてこの場合も、平面調心を行うのは最初の５回と、発光用光ファイバ１１の最大光強度の位置を決定する際の１回と、受光用光ファイバ１２の相対位置を決定する際の１回の合計７回で足り、発光用光ファイバ１１の最大光強度の位置を決定する際に繰返し平面調心し直すことがあっても、確実に光強度が最大になる方向へ近づいていくので、無駄な平面調心を行うことがなく調心時間は極めて短時間で済む。
【００３６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、４軸を調整しなければ調心することができない受光素子及び発光素子を調心する場合に、平面調心を行う回数を著しく減少させることができるので、最大光強度が得られるように極めて短時間で調心することができるという大変優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る調心システムの概略構成を示す説明図。
【図２】半導体レーザと光ファイバの位置関係を示す模式図。
【図３】処理手順を示すフローチャート。
【図４】処理手順を示すフローチャート。
【図５】処理手順を示すフローチャート。
【図６】他の実施形態の概略構成を示す説明図。
【図７】発光用及び受光用光ファイバの位置関係を示す模式図。
【符号の説明】
Ｃ１……調心システム
１………半導体レーザ（発光素子）
２………光ファイバ（受光素子）
３………レンズ
５………ＸＹステージ
６………ＸＹステージ
８………光強度測定器
９………制御装置
Ｃ２……調心システム
１１………発光用光ファイバ（発光素子）
１２………受光用光ファイバ（受光素子）
１３………ゴニオステージ
１４………ＸＹステージ
１７………制御装置
【図１】
2004191498.tif 000003
【図２】
2004191498.tif 000004
【図３】
2004191498.tif 000005
【図４】
2004191498.tif 000006
【図５】
2004191498.tif 000007
【図６】
2004191498.tif 000008
【図７】
2004191498.tif 000009