(57)【要約】【課題】高いＣＮ比（Ｃ／Ｎ）を有し、帯電防止性に優れた磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、前記非磁性支持体と前記磁性層との間に導電性カーボン層が形成されてなり、前記磁性層は、ＣｕＡｕ型またはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金相を形成し得る合金粒子を含有する合金粒子含有液を調製し、該合金粒子含有液を前記導電性カーボン層上に塗布した後、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施すことによって形成され、かつ、前記合金粒子含有液を調製した後で前記アニール処理を施す前に、酸化処理が施されていることを特徴とする磁気記録媒体である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に導電性カーボン層が形成されてなり、
前記磁性層は、ＣｕＡｕ型またはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金相を形成し得る合金粒子を含有する合金粒子含有液を調製し、該合金粒子含有液を前記導電性カーボン層上に塗布した後、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施すことによって形成され、かつ、前記合金粒子含有液を調製した後で前記アニール処理を施す前に、酸化処理が施されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ディスク等の磁気記録媒体に関し、特に、再生時に磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッドを使用したシステムへ適用できる磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近の高密度磁気記録システムには、磁気抵抗効果を利用した高感度な再生ヘッド（ＭＲヘッド）が使用されるようになってきた。この場合、システムノイズは、磁気記録媒体に由来するノイズに支配される。磁気記録媒体に由来するノイズを低減するため強磁性粒子の微細化が進められているが、強磁性粒子を微細化するのに伴って熱揺らぎの影響を受け易くなり、磁化遷移領域の安定性が問題となることが推定されている。
磁化の安定性は、ＫｕＶ／ｋＴ（Ｋｕは磁気異方性定数、Ｖは粒子体積、ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度）で評価されており、ＫｕＶ／ｋＴは５０〜７０以上であることが好ましい。
【０００３】
熱揺らぎの課題を克服するため、大きな異方性定数をもつ磁性材料を使用することが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。候補の磁性材料としては、ＣｏＰｔ、Ｃｏ３Ｐｔ、ＣｏＣｒＸＹ（Ｘ＝Ｔａ、Ｐｔ、Ｙ＝Ｎｂ、Ｂ）、ＦｅＰｄ、ＦｅＰｔ、ＭｎＡｌ、ＳｍＣｏが例示されている。
【０００４】
磁気記録密度向上に有望な磁性粒子の素材としては、ＣｕＡｕ型またはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金がある。前記強磁性規則化合金は規則化時に発生する歪みのために結晶磁気異方性が大きく、磁性粒子のサイズを小さくしても硬磁性を示すことが知られている。強磁性を示す磁性粒子は液相法や気相法などにより作製されるが、特に、液相法で作製された直後の磁性粒子は、不規則相で面心立方晶の構造を有している。
【０００５】
ＣｕＡｕ型またはＣｕ３Ａｕ型の面心立方晶は通常、軟磁性または常磁性を示すので、記録媒体用には適していない。磁気記録媒体に必要な９５．５ｋＡ／ｍ（１２００Ｏｅ）以上の保磁力を有する強磁性規則合金を得るには、不規則相から規則相へ変態する変態温度以上でアニール処理を施す必要がある。
【０００６】
サン（Ｓ．Ｓｕｎ）らは、単分散ＦｅＰｔナノ粒子と強磁性ＦｅＰｔナノ結晶超格子に関する発表を行っている（例えば、非特許文献２参照）。サン（Ｓ．Ｓｕｎ）らは、安定化と酸化防止のためｆｃｃ構造のＦｅＰｔ粒子（非磁性）をオレイン酸とオレイルアミンで表面処理した後、これをＳｉＯ２／Ｓｉ基板に塗布し、窒素中５５０℃で３０分間熱処理し、オレイン酸とオレイルアミンを炭化し、ＦｅＰｔに固着させるとともにｆｃｔ構造のＦｅＰｔに相変化させて強磁性を発現させた炭素被覆超微粒子磁性体（炭素被覆超微粒子ナノサイズ磁性体）凝集体を得て、その記録再生特性を報告している。
【０００７】
高感度なＭＲヘッドは静電破壊することが知られており、媒体設計において帯電防止が必要であり、磁性層電気抵抗の設計が重要な課題である。またディスク基板にガラスを使用した場合は、ガラス基板表面へのアルカリ金属イオンのマイグレーションを防止し、アルカリ金属塩析出による媒体特性の劣化を防止する必要がある。そこで、ガラス表面にアルミニウム高濃度層を形成することが提案されているが（例えば、特許文献１参照）、上記帯電防止が図られているかどうかは不明である。
【０００８】
【非特許文献１】
ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍａｇ．ｖｏｌ３６（１），ｐ１０−１５（２０００）
【非特許文献２】
サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）  ２８７号，１９８９−１９９２頁（２０００）
【特許文献１】
特開２００３−２０２５６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
以上から、本発明は、高いＣＮ比（Ｃ／Ｎ）を有し、帯電防止性に優れた磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決すべく鋭意検討の結果、本発明者は、以下に示す本発明により上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、非磁性支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、
前記非磁性支持体と前記磁性層との間に導電性カーボン層が形成されてなり、
前記磁性層は、ＣｕＡｕ型またはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金相を形成し得る合金粒子を含有する合金粒子含有液を調製し、該合金粒子含有液を前記導電性カーボン層上に塗布した後、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施すことによって形成され、かつ、前記合金粒子含有液を調製した後で前記アニール処理を施す前に、酸化処理が施されていることを特徴とする磁気記録媒体である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体であって、非磁性支持体と磁性層との間に導電性カーボン層が形成されてなる。
導電性カーボン層を形成することで、磁気記録媒体への帯電を防ぐことができる。その結果、ＭＲヘッドの静電破壊の発生をも防ぐことができる。
【００１２】
導電性カーボン層としては、グラファイト膜がよく知られている。支持体上に導電性カーボン層を形成する方法は、スパッター法、ＣＶＤ法、有機物熱分解法があるが、これらの処理を非真空下で行うことが好ましい。非真空下で導電性、および結晶性が良好な導電性カーボン層を作製できれば、比較的安価に製造できることが期待できる。
なお、カーボン分散物を塗布することでもカーボン膜を形成することができるが、カーボンブラックは分散性が劣るので表面が平滑な支持体を作製することが困難であり、導電性も不十分である。有機導電性材料も各種検討されているが、有機溶剤に難溶であるため薄膜を形成することが困難である。
【００１３】
支持体上に低級アルキル、低級ハロアルキルベンゼンを熱分解させることで、支持体への密着が良好で支持体と同等の表面粗さを維持しつつ導電性が良好なアモルファス構造および／またはグラファイト構造を有する導電性カーボン層を形成することができる。なお、本明細書において「表面粗さ」というときは、中心面平均粗さ（Ｒａ）をいう。
【００１４】
熱分解反応は、不活性ガスの流通下、気相で行われ、反応系の圧力は、原料化合物が気相状態を保つことができる範囲であれば特に限定されない。熱分解反応の温度は、用いられる化合物と使用される支持体により異なるが、好ましくは２００〜１０００℃、より好ましくは２５０〜８００℃の範囲である。原料化合物の熱分解により生成する分解生成物は高活性の化合物であり、分解生成物を支持体上に析出させることにより、グラファイト構造の導電性カーボン層を形成することができる。
【００１５】
形成される導電性カーボン層の膜厚は、０．０５〜１．０μｍが好ましく、より好ましくは０．１〜０．８μｍである。０．０５〜１．０μｍとすることで、十分な導電性が得られ、支持体との密着を向上させることができる。
【００１６】
支持体としては、磁気記録媒体に使用される支持体であれば、無機物および有機物のいずれでもよいが、表面が平滑で耐熱性に優れるものが好ましい。
無機物の支持体としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｌ−Ｚｎ等のＭｇ合金、ガラス、石英、カーボン、シリコン、セラミックス等が用いられる。これらの支持体は耐衝撃性に優れ、また薄型化や高速回転に適した剛性を有する。また、有機物の支持体と比較して、熱に強い特徴を有している。
【００１７】
有機物の支持体としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル類；ポリオレフィン類；セルロ−ストリアセテート、ポリカ−ボネート、ポリアミド（脂肪族ポリアミドやアラミド等の芳香族ポリアミドを含む）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスルフォン、ポリベンゾオキサゾール；等を用いる事ができる。耐熱性にすぐれるポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスルフォン、ポリベンゾオキサゾールが好ましい。
【００１８】
また、支持体と導電性カーボン層との間に必要に応じて、平滑層を形成することが好ましい。
平滑層は、例えば、以下に説明するようにして形成することができる。まず、ケイ素系化合物を有機溶剤または水混合液に分散させた塗布液を調製する。このとき、ケイ素系化合物濃度は、１５〜４０質量％とすることが好ましい。
次に、スピンコート法やディップコート法等を適用して支持体上にシラノール化合物を含有する塗布膜を形成する。その後、電機炉中で４００〜６００℃で３０〜１２０分間熱処理を施す。この熱処理によりケイ素系化合物がシリカとなり、平滑層が形成される。この平滑層の形成により、支持体表面の凹凸が緩和され、初期の表面粗さ（支持体の表面粗さ）が大きなものであっても、これを平滑なものとすることができる。
【００１９】
ケイ素系化合物としては、シラノール化合物、ケイ素アルコキシド、脂肪酸ケイ素等を単独、もしくは２種以上組み合わせて使用することができる。また、ケイ素系化合物を分散させる有機溶剤としては、乾燥速度や分散性を考慮してエタノールなどのアルコール類、酢酸ブチルなどのエステル類、ケトンなどを用いることが好ましい。
【００２０】
平滑層上に、既述の導電性カーボン層形成することで、当該導電性カーボン層を平滑にできるので、得られた磁気記録媒体の表面平滑性を向上させることができる。形成される平滑層の厚さは、５０〜１０００ｎｍとすることが好ましく、７５〜５００ｎｍとすることがより好ましい。
【００２１】
磁性層は、▲１▼ＣｕＡｕ型またはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金相を形成し得る合金粒子を含有する合金粒子含有液を調製し（合金粒子作製工程）、▲２▼該合金粒子含有液を前記導電性カーボン層上に塗布して例えば、塗布膜を形成し（塗布工程）、▲３▼非酸化性雰囲気下でアニール処理（アニール処理工程）を施して形成される。また、合金粒子含有液を調製した後でアニール処理を施す前に酸化処理が施されている（酸化処理工程）。以下、上記各工程を説明する。
【００２２】
＜合金粒子作製工程＞
アニール処理により磁性粒子となる合金粒子は、気相法や液相法により製造することができる。量産性および単分散性に優れることを考慮すると、液相還元法が好ましい。液相還元法は、従来から知られている種々の方法を適用することができるが、還元法のなかでも粒径が制御しやすい単分散性に優れる逆ミセル法が特に好ましい。
【００２３】
（逆ミセル法）
上記逆ミセル法は、少なくとも、（１）２種の逆ミセル溶液を混合して還元反応を行う還元工程と、（２）還元反応後に所定温度で熟成する熟成工程と、を有することが好ましい。以下、各工程について説明する。
【００２４】
（１）還元工程：
まず、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と還元剤水溶液とを混合した逆ミセル溶液（Ｉ）を調製する。
【００２５】
前記界面活性剤としては、油溶性界面活性剤が用いられる。具体的には、スルホン酸塩型（例えば、エーロゾルＯＴ（和光純薬製））、４級アンモニウム塩型（例えば、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド）、エーテル型（例えば、ペンタエチレングリコールドデシルエーテル）などが挙げられる。非水溶性有機溶媒中の界面活性剤量は、２０〜２００ｇ／リットルであることが好ましい。
【００２６】
前記界面活性剤を溶解する非水溶性有機溶媒として好ましいものは、アルカン、エーテルおよびアルコール等が挙げられる。アルカンとしては、炭素数７〜１２のアルカン類であることが好ましい。具体的には、ヘプタン、オクタン、イソオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等が好ましい。エーテルとしては、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル等が好ましい。  アルコールとしては、エトキシエタノール、エトキシプロパノール等が好ましい。
【００２７】
還元剤水溶液中の還元剤としては、アルコール類；ポリアルコール類；Ｈ２；ＨＣＨＯ、Ｓ２Ｏ６２−、Ｈ２ＰＯ２−、ＢＨ４−、Ｎ２Ｈ５＋、Ｈ２ＰＯ３−などを含む化合物；を単独で使用、または２種以上を併用することが好ましい。水溶液中の還元剤量は、金属塩１モルに対して、３〜５０モルであることが好ましい。
【００２８】
ここで、逆ミセル溶液（Ｉ）溶液中の水と界面活性剤との質量比（水／界面活性剤）は、２０以下となるようにすることが好ましい。質量比が２０を超えると、沈殿が起きやすく、粒子も不揃いとなりやすいといった問題が生じることがある。質量比は、１５以下とすることが好ましく、０．５〜１０とすることがより好ましい。
【００２９】
上記とは別に、界面活性剤を含有する非水溶性有機溶媒と金属塩水溶液とを混合した逆ミセル溶液（ＩＩ）を調製する。界面活性剤および非水溶性有機溶媒の条件（使用する物質、濃度等）については、逆ミセル溶液（Ｉ）の場合と同様である。
なお、逆ミセル溶液（Ｉ）と同種のものまたは異種のものを使用することができる。また、逆ミセル溶液（ＩＩ）溶液中の水と界面活性剤との質量比も逆ミセル溶液（Ｉ）の場合と同様であり、逆ミセル溶液（Ｉ）の質量比と同一としてもよく、異なっていてもよい。
【００３０】
金属塩水溶液に含有される金属塩として、作製しようとする磁性粒子がＣｕＡｕ型あるいはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得るように、適宜選択することが好ましい。
ここで、当該ＣｕＡｕ型強磁性規則合金としては、ＦｅＮｉ、ＦｅＰｄ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＣｏＡｕなどが挙げられ、なかでもＦｅＰｄ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔであることが好ましい。
Ｃｕ３Ａｕ型強磁性規則合金としては、Ｎｉ３Ｆｅ、ＦｅＰｄ３、Ｆｅ３Ｐｔ、ＦｅＰｔ３、ＣｏＰｔ３、Ｎｉ３Ｐｔ、ＣｒＰｔ３、Ｎｉ３Ｍｎが挙げられ、なかでもＦｅＰｄ３、ＦｅＰｔ３、ＣｏＰｔ３、Ｆｅ３Ｐｄ、Ｆｅ３Ｐｔ、Ｃｏ３Ｐｔが好ましい。
【００３１】
使用する金属塩の具体例として、Ｈ２ＰｔＣｌ６、Ｋ２ＰｔＣｌ４、Ｐｔ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）２、Ｎａ２ＰｄＣｌ４、Ｐｄ（ＯＣＯＣＨ３）２、ＰｄＣｌ２、Ｐｄ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）２、ＨＡｕＣｌ４、Ｆｅ２（ＳＯ４）３、Ｆｅ（ＮＯ３）３、（ＮＨ４）３Ｆｅ（Ｃ２Ｏ４）３、Ｆｅ（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）３、ＮｉＳＯ４、ＣｏＣｌ２、Ｃｏ（ＯＣＯＣＨ３）２などが挙げられる。
【００３２】
金属塩水溶液中の濃度（金属塩濃度として）は、０．１〜１０００μｍｏｌ／ｍｌであることが好ましく、１〜１００μｍｏｌ／ｍｌであることがより好ましい。
【００３３】
前記金属塩を適宜選択することで、卑な金属と貴な金属とが合金を形成したＣｕＡｕ型もしくはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る合金粒子が作製される。
【００３４】
合金粒子は後述するアニール処理によって合金相を不規則相から規則相へ変態させる必要があるが、当該変態温度を下げるために、前記２元系合金に、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｉｎなどの第三元素を加えることが好ましい。これらの第三元素は、それぞれの第三元素の前駆体を、前記金属塩溶液に予め添加しておくことが好ましい。添加量としては、２元系合金に対し、１〜３０ａｔ％であることが好ましく、５〜２０ａｔ％であることがより好ましい。
【００３５】
以上のようにして調製した逆ミセル溶液（Ｉ）と（ＩＩ）とを混合する。混合方法としては、特に限定されるものではないが、還元の均一性を考慮して、逆ミセル溶液（ＩＩ）を撹拌しながら、逆ミセル溶液（Ｉ）を添加して混合することが好ましい。混合終了後、還元反応を進行させることになるが、その際の温度は、−５〜３０℃の範囲で、一定の温度とすることが好ましい。
還元温度が−５℃未満では、水相が凝結して還元反応が不均一になるといった問題が生じ、３０℃を超えると、凝集または沈殿が起こりやすく系が不安定となることがある。好ましい還元温度は０〜２５℃であり、より好ましくは５〜２５℃である。
ここで、前記「一定温度」とは、設定温度をＴ（℃）とした場合、当該ＴがＴ±３℃の範囲にあることをいう。なお、このようにした場合であっても、当該Ｔの上限および下限は、上記還元温度（−５〜３０℃）の範囲にあるものとする。
【００３６】
還元反応の時間は、逆ミセル溶液の量等により適宜設定する必要があるが、１〜３０分とすることが好ましく、５〜２０分とすることがより好ましい。
【００３７】
還元反応は、粒径分布の単分散性に大きな影響を与えるため、できるだけ高速攪拌しながら行うことが好ましい。好ましい攪拌装置は高剪断力を有する攪拌装置であり、詳しくは、攪拌羽根が基本的にタービン型あるいはパドル型の構造を有し、さらに、その羽根の端もしくは、羽根と接する位置に鋭い刃を付けた構造であり、羽根をモーターで回転させる攪拌装置である。具体的には、ディゾルバー（特殊機化工業製）、オムニミキサー（ヤマト科学製）、ホモジナイザー（ＳＭＴ製）などの装置が有用である。これらの装置を用いることにより、単分散な合金粒子を安定な分散液として合成することができる。
【００３８】
前記逆ミセル溶液（Ｉ）および（ＩＩ）の少なくともいずれかに、アミノ基またはカルボキシ基を１〜３個有する少なくとも１種の分散剤を、作製しようとする合金粒子１モル当たり、０．００１〜１０モル添加することが好ましい。
【００３９】
かかる分散剤を添加することで、より単分散で、凝集の無い合金粒子を得ることが可能となる。添加量が、０．００１モル未満では、合金粒子の単分散性をより向上させされない場合があり、１０モルを超えると凝集が起こる場合がある。
【００４０】
前記分散剤としては、合金粒子表面に吸着する基を有する有機化合物が好ましい。具体的には、アミノ基、カルボキシ基、スルホン酸基またはスルフィン酸基を１〜３個有するものであり、これらを単独または併用して用いることができる。
構造式としては、Ｒ−ＮＨ２、ＮＨ２−Ｒ−ＮＨ２、ＮＨ２−Ｒ（ＮＨ２）−ＮＨ２、Ｒ−ＣＯＯＨ、ＣＯＯＨ−Ｒ−ＣＯＯＨ、ＣＯＯＨ−Ｒ（ＣＯＯＨ）−ＣＯＯＨ、Ｒ−ＳＯ３Ｈ、ＳＯ３Ｈ−Ｒ−ＳＯ３Ｈ、ＳＯ３Ｈ−Ｒ（ＳＯ３Ｈ）−ＳＯ３Ｈ、Ｒ−ＳＯ２Ｈ、ＳＯ２Ｈ−Ｒ−ＳＯ２Ｈ、ＳＯ２Ｈ−Ｒ（ＳＯ２Ｈ）−ＳＯ２Ｈで表される化合物であり、式中のＲは直鎖、分岐または環状の飽和、不飽和の炭化水素である。
【００４１】
分散剤として特に好ましい化合物はオレイン酸である。オレイン酸はコロイドの安定化において周知の界面活性剤であり、粒子表面の塩基性点に吸着するので、鉄等の金属粒子を保護するのに用いられてきた。オレイン酸の比較的長い鎖（〜２ｎｍ）と構造内の二重結合は立体障害の原因となり、粒子間の強い磁気相互作用を打ち消す重要な働きはある。
エルカ酸やリノール酸など類似の長鎖カルボン酸もオレイン酸同様に（たとえば、８〜２２の間の炭素原子を有する長鎖有機酸を単独でまたは組み合わせて用いることができる）用いられる。オレイン酸は（オリーブ油など）容易に入手できる安価な天然資源であるので好ましい。また、オレイン酸から誘導されるオレイルアミンもオレイン酸同様有用な分散剤で、粒子表面の酸性点に吸着する。オレイン酸とオレイルアミンを併用することで、酸性点、塩基性点に吸着させ、粒子の分散安定性を高めることができる。
【００４２】
以上のような還元工程では、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金相中のＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等の酸化還元電位が卑な金属（−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）程度以下の金属）が還元され、極小サイズで単分散な状態で析出するものと考えられる。その後、昇温段階および後述する熟成工程において、析出した卑な金属を核とし、その表面で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ等の酸化還元電位が貴な金属（−０．２Ｖ（ｖｓ．Ｎ．Ｈ．Ｅ）程度以上の金属）が卑な金属で還元されて置換、析出する。イオン化した卑な金属は還元剤で再度還元されて析出すると考えられる。このような繰返しによって、ＣｕＡｕ型あるいはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る合金粒子が得られる。
【００４３】
（２）熟成工程：
還元反応終了後、反応後の溶液を熟成温度まで昇温する。前記熟成温度は、３０〜９０℃で一定の温度とすることが好ましく、その温度は、前記還元反応の温度より高くする。また、熟成時間は、５〜１８０分とすることが好ましい。熟成温度および時間が上記範囲より高温長時間側にずれると、凝集または沈殿が起きやすく、逆に低温短時間側にずれると、反応が完結しなくなり組成が変化することがある。好ましい熟成温度および時間は４０〜８０℃および１０〜１５０分であり、より好ましい熟成温度および時間は４０〜７０℃および２０〜１２０分である。
【００４４】
ここで、前記「一定温度」とは、還元反応の温度の場合と同義（但し、この場合、「還元温度」は「熟成温度」となる）であるが、特に、上記熟成温度の範囲（３０〜９０℃）内で、前記還元反応の温度より５℃以上高いことが好ましく、１０℃以上高いことがより好ましい。５℃未満では、処方通りの組成が得られないことがある。
【００４５】
以上のような熟成工程では、還元工程で還元析出した卑な金属上に貴な金属が析出する。すなわち、卑な金属上でのみ貴な金属の還元が起こり、卑な金属と貴な金属とが別々に析出することが無いため、効率良くＣｕＡｕ型あるいはＣｕ３Ａｕ型強磁性規則合金を形成し得る合金粒子を、高収率で処方組成比どおりに作製することが可能で、所望の組成に制御することができる。また、熟成させる温度での撹拌速度を適宜調整することで、得られる合金粒子の粒径を所望なものとすることができる。
【００４６】
前記熟成を行った後は、水と１級アルコールとの混合溶液で前記熟成後の溶液を洗浄し、その後、１級アルコールで沈殿化処理を施して沈殿物を生成させ、該沈殿物を有機溶媒で分散させる洗浄・分散工程を設けることが好ましい。かかる洗浄・分散工程を設けることで、不純物が除去され、磁気記録媒体の磁性層を塗布により形成する際の塗布性をより向上させることができる。また磁気記録媒体としたあとで経時による特性変化の防止、微小な塗膜欠陥生成を防止する効果がある。上記洗浄および分散は、少なくともそれぞれ１回、好ましくは、それぞれ２回以上行うことが好ましい。
【００４７】
洗浄で用いる前記１級アルコールとしては、特に限定されるものではないが、メタノール、エタノール等が好ましい。体積混合比（水／１級アルコール）は、１０／１〜２／１の範囲にあることが好ましく、５／１〜３／１の範囲にあることがより好ましい。水の比率が高いと、界面活性剤が除去されにくくなることがあり、逆に１級アルコールの比率が高いと、凝集を起こしてしまうことがある。
【００４８】
以上のようにして、溶液中に分散した合金粒子（合金粒子含有液）が得られる。当該合金粒子は、単分散であるため、支持体に塗布しても、これらが凝集することなく均一に分散した状態を保つことができる。従って、アニール処理を施しても、それぞれの合金粒子が凝集することがないため、効率良く硬磁性化することが可能で、塗布適性に優れる。また得られた媒体の磁気特性、特に抗磁力の分布が少なく高密度記録を可能にすることができる。
【００４９】
生成する合金粒子の粒径は、ノイズを下げる観点から小さいことが好ましいが、小さすぎるとアニール後に超常磁性となり、磁気記録に不適当となることがある。一般に、１〜５０ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍであることがより好ましく、３〜１０ｎｍであることがさらに好ましい。後述のアニール処理を行っても、粒子凝集がない場合は測定誤差内で粒子径が維持されている。
【００５０】
合金粒子の粒径評価には透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いることができる。合金粒子もしくは磁性粒子の結晶系を決めるにはＴＥＭによる電子回折でもよいが、Ｘ線回折法が解析の精度が高いため好ましい。合金粒子もしくは磁性粒子の内部の組成分析には、電子線を細く絞ることができ、粒子を自動追尾する装置を付加したＦＥ−ＴＥＭにＥＤＡＸを付け評価することが好ましい。また、合金粒子もしくは磁性粒子の磁気的性質の評価はＶＳＭを用いて行うことができる。
【００５１】
＜酸化処理工程＞
後述するアニール処理の温度が高いと、導電性カーボン層と支持体との密着が劣化し、磁気記録媒体の耐久性が劣化するので好ましくない。しかし、作製した合金粒子に酸化処理を施すことで、後の非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す際の温度を高くすることなく、硬磁性を有する磁性粒子を効率よく製造することができる。これは、以下に説明する現象によると考えられる。
すなわち、合金粒子を酸化することにより、その結晶格子に酸素が進入し結合する。酸素が進入した状態で非酸化性雰囲気にてアニール処理を行うと、熱により酸素が結晶格子上から脱離する。酸素が脱離することで欠陥が生じ、かかる欠陥を通じて合金を構成する金属原子の移動が容易になるため、比較的低温でも相変態が起こりやすくなると考えられる。
かかる現象は、例えば、酸化処理後の合金粒子とアニール処理を行った磁性粒子とをＥＸＡＦＳ（広範囲Ｘ線吸収微細構造）測定することやメスバゥアー効果測定で、推察される。
例えば、ＥＸＡＦＳ測定によると、Ｆｅ−Ｐｔ合金粒子で酸化処理を施さないアニール前の合金粒子では、Ｆｅ原子と、Ｐｔ原子やＦｅ原子との結合の存在が確認できた。
これに対し、酸化処理を施したアニール前の合金粒子では、Ｆｅ原子と酸素原子との結合の存在を確認できた。しかし、Ｐｔ原子やＦｅ原子との結合はほとんど見えなくなる。このことは、酸素原子によりＦｅ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｆｅの結合が切られていることを意味すると考えられる。
そして、当該合金粒子にアニール処理を施した後は、酸素の存在を確認することができず、Ｆｅ原子の周りにはＰｔ原子やＦｅ原子との結合の存在が確認できた。
【００５２】
上記現象を考慮すれば、酸化しないと相変態が進行しにくくなりアニール処理温度を高くする必要が生じることがわかる。しかし、過度に酸化するとＦｅ等の酸化されやすい金属と酸素との相互作用が強くなりすぎて金属酸化物が生成してしまうことも考えられる。
よって、合金粒子の酸化状態を制御することが重要となり、そのためには酸化処理条件を最適なものに設定する必要がある。
【００５３】
酸化処理は、例えば、既述の液相法などにより合金粒子を作製した場合は、作製した後の合金粒子含有液に少なくとも酸素を含有するガスを供給すればよい。このときの酸素分圧は、全圧の１０〜１００％とすることが好ましく、１５〜５０％とすることが好ましい。酸化処理温度は、０〜８０℃とすることが好ましく、１５〜７０℃とすることが好ましい。
また、後述する塗布工程を経て、合金粒子含有液を塗布（塗布膜を形成）した状態で、当該塗布膜を空気、酸素、または酸素と不活性ガスとの混合ガス中に晒して酸化処理を施してもよい。空気などに晒す際は常圧でも加圧下でもよく、その温度も室温から室温よりある程度高い温度（０〜１００℃）でよい。
【００５４】
合金粒子の酸化状態は、ＥＸＡＦＳ、メスバウアー効果等で評価することが好ましく、Ｆｅ等の卑な金属と酸素との結合数は、酸素によりＦｅ−Ｆｅ結合、Ｐｔ−Ｆｅ結合を切るという観点から、０．５〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。
【００５５】
＜塗布工程＞
粒子状態でアニール処理を施すと粒子の移動が起こりやすく融着が生じやすい。このため高い保磁力は得られるが粒子サイズが大きくなる欠点を有しやすい。従ってアニール処理は、合金粒子の凝集とそれにともなう融着を防ぐ観点から、支持体上などに塗布した状態で行うことが好ましい。このとき必要により耐熱性バインダーを添加すると粒子間の距離を制御することができるので凝集を防止できるので好ましい。さらに、支持体上で合金粒子をアニールして磁性粒子とすることで、かかる磁性粒子からなる層を磁性層とした磁気記録媒体を作製できる。
【００５６】
支持体上に合金粒子を塗布するには、前記酸化処理を施した後の合金粒子含有液に必要に応じて種々の添加剤、結合剤を添加して、支持体上に塗布すればよい。
このときの合金粒子の含有量は所望の濃度（０．０１〜０．１ｍｇ／ｍｌ）とすることが好ましい。
【００５７】
支持体に塗布する方法としては、エアードクターコート、ブレードコート、ロッドコート、押出しコート、エアナイフコート、スクイズコート、含浸コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビヤコート、キスコート、キャストコート、スプレイコート、スピンコート等が利用できる。
【００５８】
＜アニール処理工程＞
酸化処理を施した合金粒子は不規則相であり、既述のように不規則相では硬磁性は得られない。そこで、規則相とするためには、熱処理（アニール）を施す必要がある。前記熱処理は、示差熱分析（ＤＴＡ）、Ｘ線回折を用い、合金粒子を構成する合金が規則不規則変態する変態温度を求め、その温度以上で行う事が必要である。
上記変態温度は、通常５００℃程度であるが、第三元素の添加により下がることが知られている。従って、アニール処理温度は１５０℃以上とすることが好ましく、１５０〜５００℃とすることがより好ましい。耐熱性に劣る有機物支持体の場合はより低温で規則不規則変態することが好ましい。
【００５９】
アニール処理の雰囲気は、相変態を効率良く進行させ生成した合金の酸化を防ぐため、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ、ＣＯ等の非酸化性雰囲気下とするのが好ましい。
特に、酸化処理により格子上に進入した酸素を脱離させる観点から、メタン、エタン、Ｈ２等の還元性雰囲気とすることが好ましい。さらに、異方性を付与する観点から、還元性雰囲気下の磁場中でアニール処理を行うことが好ましい。なお、Ｈ２雰囲気とする場合は純水素雰囲気でもよいが、防爆の観点からは不活性ガスを混合させることが好ましい。
また、アニール時に粒子の融着を防止するために、変態温度以下、不活性ガス中で一旦アニール処理を行い、分散剤を炭化した後、還元性雰囲気にて変態温度以上でアニール処理を行うことが好ましい。このとき、必要に応じて変態温度以下の前記アニール処理後に、合金粒子からなる層上にＳｉ系の樹脂等を塗布し、変態温度以上でアニール処理を行うことが最も好ましい態様である。
【００６０】
以上のようなアニール処理を施すことで、合金粒子が不規則相から規則相に相変態し、強磁性（硬磁性）を有する磁性粒子を含有する磁性層が形成される。
【００６１】
本発明の磁性層は、その抗磁力が１１９．４〜５５７ｋＡ／ｍ（１５００〜７０００Ｏｅ）であることが好ましく、磁気記録媒体に適用した場合、記録ヘッドが対応できることを考慮して１１９．４〜３９８ｋＡ／ｍ（１５００〜５０００Ｏｅ）であることがより好ましい。
【００６２】
本発明が適用可能な磁気記録媒体としては、ビデオテープ、コンピューターテープ等の磁気テープ；フレキシブルディスク、ハードディスク等の磁気ディスク；等が挙げられる。有機物の熱分解温度に対し、変形等のダメージが少ない無機物支持体を使用した磁気記録媒体が好ましい。
【００６３】
形成される磁性層の厚さは、適用される磁気記録媒体の種類にもよるが、４ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましく、４ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましい。
【００６４】
本発明の磁気記録媒体は、磁性層のほかに必要に応じて他の層を有していてもよい。例えば、ディスクの場合、磁性層の反対側の面にさらに磁性層や非磁性層を設けることが好ましい。
【００６５】
また、磁性層上に非常に薄い保護膜を形成することで、耐磨耗性を改善し、さらにその保護膜上に潤滑剤を塗布して滑り性を高めることによって、十分な信頼性を有する磁気記録媒体とすることができる。
【００６６】
保護膜の材質としては、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物；窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物；炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物；グラファイト、無定型カーボンなどの炭素（カーボン）；等があげられるが、特に好ましくは、一般に、ダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質の非晶質のカーボンである。
【００６７】
カーボンからなるカーボン保護膜は、非常に薄い膜厚で十分な耐磨耗性を有し、摺動部材に焼き付きを生じ難いため、保護膜の材料としては好適である。
カーボン保護膜の形成方法として、ハードディスクにおいては、スパッタリング法が一般的であるが、より成膜速度の高いプラズマＣＶＤを用いる方法が多数提案されている。従って、これらの方法を適用することが好ましい。中でもプラズマインジェクションＣＶＤ（ＰＩ−ＣＶＤ）法は成膜速度が非常に高く、得られるカーボン保護膜も硬質かつピンホールが少ない良質な保護膜が得られると報告されている（例えば、特開昭６１−１３０４８７号公報、特開昭６３−２７９４２６号公報、特開平３−１１３８２４号公報等）。
【００６８】
このカーボン保護膜は、ビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ２以上であることが好ましく、２０００ｋｇ／ｍｍ２以上であることがより好ましい。また、その結晶構造はアモルファス構造であり、かつ非導電性であることが好ましい。
そして、カーボン保護膜として、ダイヤモンド状炭素（ダイヤモンドライクカーボン）膜を使用した場合、この構造はラマン光分光分析によって確認することができる。すなわち、ダイヤモンド状炭素膜を測定した場合には、１５２０〜１５６０ｃｍ−１にピークが検出されることによって確認することができる。炭素膜の構造がダイヤモンド状構造からずれてくるとラマン光分光分析により検出されるピークが上記範囲からずれるとともに、保護膜としての硬度も低下する。
【００６９】
このカーボン保護膜を形成するための炭素原料としては、メタン、エタン、プロパン、ブタン等のアルカン；エチレン、プロピレン等のアルケン；アセチレン等のアルキン；をはじめとした炭素含有化合物を用いることが好ましい。また、必要に応じてアルゴンなどのキャリアガスや膜質改善のための水素や窒素などの添加ガスを加えることができる。
【００７０】
カーボン保護膜の膜厚が厚いと、電磁変換特性の悪化や磁性層に対する密着性の低下が生じ、膜厚が薄いと耐磨耗性が不足する。従って、膜厚は、２．５〜２０ｎｍとすることが好ましく、５〜１０ｎｍとすることがより好ましい。
また、この保護膜と支持体となる磁性層の密着性を改善するために、あらかじめ磁性層表面を不活性ガスでエッチングしたり、酸素等の反応性ガスプラズマに曝して表面改質する事が好ましい。
【００７１】
磁性層は電磁変換特性を改善するため重層構成としたり、磁性層の下に公知の非磁性下地層や中間層を有していてもよい。走行耐久性および耐食性を改善するため、既述のように、上記磁性層もしくは保護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。添加する潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。
【００７２】
炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類；ステアリン酸ブチル等のエステル類；オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類；リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類；ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類；ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類；ステアリルアミン等のアミン類；などが挙げられる。
【００７３】
フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。
パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎまたはこれらの共重合体等である。
【００７４】
また、炭化水素系潤滑剤のアルキル基の末端や分子内に水酸基、エステル基、カルボキシル基などの極性官能基を有する化合物が、摩擦力を低減する効果が高く好適である。
さらに、この分子量は、５００〜５０００、好ましくは１０００〜３０００である。５００未満では揮発性が高く、また潤滑性が低くなることがある。また、５０００を超えると、粘度が高くなるため、スライダーとディスクが吸着しやすく、走行停止やヘッドクラッシュなどを発生しやすくなることがある。
このパーフルオロポリエーテルは、具体例的には、アウジモンド社製のＦＯＭＢＬＩＮ、デュポン社製のＫＲＹＴＯＸなどの商品名で市販されている。
【００７５】
極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類；亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類；トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類；二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤；などが挙げられる。
【００７６】
前記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用される。これらの潤滑剤を磁性層もしくは保護膜上に付与する方法としては、潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワイヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップコート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させればよい。
【００７７】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体；ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体；等が挙げられる。
【００７８】
磁気記録媒体が磁気テープ等の場合は、非磁性支持体の磁性層が形成されていない面にバックコート層が設けられていてもよい。バックコート層は、非磁性支持体の磁性層が形成されていない面に、カーボンブラック、無機顔料、研磨材、帯電防止剤などの粒状成分と結合剤とを公知の有機溶剤に分散したバックコート層形成塗料を塗布して設けられる層である。
粒状成分として各種の無機顔料やカーボンブラックを使用することができ、また結合剤としてはニトロセルロース、フェノキシ樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン等の樹脂を単独またはこれらを混合して使用することができる。イソシアネート化合物を加え、架橋させ耐久性を向上させることが好ましい。また、合金粒子含有液の塗布面およびバックコート層が形成される面には、公知の接着剤層が設けられていてもよい。
【００７９】
以上のようにして製造される磁気記録媒体は、光干渉式表面粗さ計で測定した中心線平均粗さが、カットオフ値０．２５ｍｍにおいて、好ましくは０．１〜５ｎｍ、より好ましくは０．３〜４ｎｍの範囲とする。このように、極めて優れた平滑性を有する表面とすることが、高密度記録用の磁気記録媒体として好ましいからである。このような表面を得る方法として、磁性層を形成した後にカレンダー処理を施す方法が挙げられる。また、バーニッシュ処理を施してもよい。
【００８０】
得られた磁気記録媒体は、適宜、打ち抜き機で打ち抜いたり、裁断機などを使用して所望の大きさに裁断して使用することができる。
【００８１】
【実施例】
以下、実施例をもとに本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８２】
〔実施例１〜１０、比較例１〜４〕
（支持体の作製）
外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのアルミノシリケートガラス製の支持体（Ｒａ：０．６５ｎｍ、Ｒｍａｘ：６８ｎｍ）、ソーダライム系強化ガラス製の支持体（Ｒａ：０．５０ｎｍ、Ｒｍａｘ：５４ｎｍ）の表面に、以下に示す組成の金属アルコキシド溶液をデップコートし、平滑層を形成した。
Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４…２５ｇ、
Ｃ２Ｈ５ＯＨ…３７．６ｇ、
Ｈ２Ｏ…２３．５ｇ、
ＨＣｌ…０．３ｇ。
【００８３】
ディップコートした後のそれぞれの支持体Ａおよび支持体Ｂを、７５℃で１時間乾燥させたのち、４５０℃の電気炉で１時間熱処理を行って、平滑層を形成し、支持体Ａおよび支持体Ｂを作製した。得られた支持体Ａおよび支持体Ｂの表面粗さ（Ｒａ、Ｒｍａｘ）をＡＦＭで２μｍ×２μｍの面積で測定した。結果を下記表１以下に示す。
【００８４】
【表１】
2004348858.tif 000002
【００８５】
得られた支持体Ａおよび支持体Ｂを加熱装置内に載置し、加熱装置を５００℃とした。この装置内に１−メチル−４−クロロメチルベンゼンを含有する窒素ガスを１リットル／分で１５分間流した。支持体Ａおよび支持体Ｂを冷却ゾーンに取り出し、イソプロピルアルコールに浸漬・洗浄し、乾燥して、平滑層上に導電性カーボン層を形成した支持体Ｃおよび支持体Ｄを作製した。炭素膜厚（導電性カーボン層の厚さ）、表面粗さ、導電率を４端子法で測定した。結果を表２に示す。
【００８６】
【表２】
2004348858.tif 000003
【００８７】
支持体Ａおよび支持体Ｂを作製した際に使用した金属アルコキシド溶液に、アルミノシリケートガラス製の支持体（Ｒａ：０．６５ｎｍ、Ｒｍａｘ：６８ｎｍ）およびソーダライム系強化ガラス製の支持体（Ｒａ：０．５０ｎｍ、Ｒｍａｘ：５４ｎｍ）をデップコートし、７５℃で１時間乾燥させた支持体を加熱装置内におき、加熱装置を５００℃とした。その後、この装置内に１−メチル−４−クロロメチルベンゼンを含有する窒素ガスを１リットル／分で１５分間流した。支持体を冷却ゾーンに取り出し、イソプロピルアルコールに浸漬・洗浄し、乾燥して、それぞれの支持体上に平滑層、導電性カーボン層が形成された支持体Ｅおよび支持体Ｆを作製した。炭素膜厚（導電性カーボン層の厚さ）、表面粗さ、導電率を４端子法で測定した。結果を表３に示す。
【００８８】
【表３】
2004348858.tif 000004
【００８９】
（ＦｅＰｔ合金粒子の作製）
高純度Ｎ２ガス中で、次の操作を行った。ＮａＢＨ４（和光純薬製）０．８０ｇを水（脱酸素：０．１ｍｇ／リットル以下）１６ｍｌに溶解した還元剤水溶液に、エーロゾルＯＴ（和光純薬製）１０．８ｇとデカン（和光純薬製）８０ｍｌとオレイルアミン（東京化成製）２ｍｌとを混合したアルカン溶液を添加、混合して逆ミセル溶液（Ｉ）を調製した。
【００９０】
三シュウ酸三アンモニウム鉄（Ｆｅ（ＮＨ４）３（Ｃ２Ｏ４）３）（和光純薬製）０．４６ｇと塩化白金酸カリウム（Ｋ２ＰｔＣｌ４）（和光純薬製）０．３８ｇとを水（脱酸素）１２ｍｌに溶解した金属塩水溶液に、エーロゾルＯＴ５．４ｇとデカン４０ｍｌとを混合したアルカン溶液を添加、混合して逆ミセル溶液（ＩＩ）を調製した。
【００９１】
逆ミセル溶液（ＩＩ）を２２℃でオムニミキサー（ヤマト科学製）で高速攪拌しながら、逆ミセル溶液（Ｉ）を瞬時に添加した。マグネチックスターラーで攪拌しながら８分後、５０℃に昇温して６０分間熟成した。
オレイン酸（和光純薬製）２ｍｌを添加して、室温まで冷却した。冷却後大気中に取出した。逆ミセルを破壊するために、水１００ｍｌとメタノール１００ｍｌとの混合溶液を添加して水相と油相とに分離した。油相側に合金粒子が分散した状態が得られた。油相側を水６００ｍｌとメタノール２００ｍｌとの混合溶液で５回洗浄した。
【００９２】
その後、メタノールを１０００ｍｌ添加して合金粒子にフロキュレーションを起こさせて沈降させた。上澄み液を除去して、ヘプタン（和光純薬製）２０ｍｌを添加して再分散した。
さらに、メタノール２００ｍｌ添加による沈降とヘプタン２０ｍｌ分散との沈降分散を２回繰り返して、最後にヘプタン５ｍｌを添加して、水と界面活性剤との質量比（水／界面活性剤）が２のＦｅＰｔ合金粒子を含有する合金粒子含有液を調製した。
【００９３】
得られた合金粒子について、収率、組成、体積平均粒径および分布（変動係数）の測定を行った。
なお、粒径測定用合金粒子は、合金粒子作製直後の粒子と実施例２で作製した磁気記録媒体の磁性層より回収した粒子とを使用した。組成および収率は、反応して得られた合金粒子含有液を塩酸で溶解し、ＩＣＰ（誘導結合高周波プラズマ発光分析法）で測定し算出した。
体積平均粒径および分布は、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡：日立製作所製  加速電圧３００ｋＶ）で撮影した粒子を約５００個計測し、統計処理を行い求めた。合金粒子作製直後、実施例２の磁性層の粒子ともに以下の結果であった。
【００９４】
組成：Ｐｔ４５．５ａｔ％のＦｅＰｔ合金、収率：８８％、
平均粒径：４．１ｎｍ、変動係数：５％。
【００９５】
（塗布液Ａの調製）
合金粒子が４質量％となるように真空脱気を行って、調製した合金粒子含有液を濃縮した。濃縮後、雰囲気を常圧にし合金粒子に酸化処理を施すため、酸素と窒素の１：１混合ガスを合金粒子含有液中に供給した。酸化処理時に揮発した溶媒は、ヘプタンを加えることで補った。酸化処理後の溶液に、合金粒子含有液１ｍｌ当たりオレイルアミン０．０４ｍｌを添加して塗布液Ａを調製した。
【００９６】
（塗布液Ｂの調製）
合金粒子が４質量％となるように真空脱気を行って、調製した合金粒子含有液を濃縮した。濃縮後、雰囲気を常圧にし、窒素ガスを合金粒子含有液中に供給した。窒素ガスの供給により揮発した溶媒は、ヘプタンを加えることで補った。この合金粒子含有液１ｍｌ当たりオレイルアミン０．０４ｍｌを添加して塗布液Ｂを調製した。
【００９７】
（塗布処理および磁性層などの形成）
スピンコータを使用し、それぞれの支持体に合金粒子が０．５ｇ／ｍ２となるよう塗布液Ａまたは塗布液Ｂを塗布・乾燥した。
なお、塗布液Ｂを使用する場合は、当該塗布液Ｂを塗布する前の支持体を空気中もしくは窒素中で１晩（約２５℃）放置したものを使用した。
【００９８】
塗布された支持体を空気雰囲気の電気炉中３００℃で３０分加熱後、下記表４に示す雰囲気および温度で２０分熱処理（アニール処理）した（所定の温度までの昇温速度は５０℃／ｍｉｎ）。熱処理後、５０℃／ｍｉｎで室温まで降温して、強磁性を有する磁性層（膜厚：５０ｎｍ）を形成した。
【００９９】
【表４】
2004348858.tif 000005
【０１００】
磁性層形成後の各支持体を、平滑層を形成する際に使用した金属アルコキシド溶液中にデップコートし、７５℃で１時間乾燥させたのち、窒素雰囲気４５０℃の電気炉で１時間熱処理を行い、１０℃／ｍｉｎで室温まで冷却した。
パーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント社製  ＦＯＭＢＬｌＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製  ＨＦＥ−７２００）に溶解した溶液を細孔径０．１μｍのフィルターで濾過した後、デップコート法で塗布して厚み１ｎｍの潤滑膜を設け、実施例１〜１０および比較例１〜４に係る磁気記録媒体を作製した。
【０１０１】
（磁気記録媒体の評価）
得られた磁気記録媒体を以下の方法で評価した。
１）磁気特性：
得られた磁気記録媒体の外周部を、その中心からの角度０°、９０°の２箇所につき、ダイヤモンドカッターを使用し６ｍｍ×８ｍｍに切り出し評価用試料を作製した。振動試料型磁力計を使用し、印加磁界８０ｋＡ／ｍにて各試料のＨｃ、ＳＱを測定し、配向度比（「ＯＲ」：ＳＱ９０°／ＳＱ０°）を求めた。
【０１０２】
２）表面粗さ：
光干渉式表面粗さは、ＷＹＫＯ社（ＵＳアリゾナ州）製の光干渉３次元粗さ計「ＴＯＰＯ−３Ｄ」を使用し２５０μｍ角の試料面積を測定した。測定値の算出にあたっては、傾斜補正、球面補正、円筒補正等の補正をＪＩＳ−Ｂ６０１に従って実施し、中心面平均粗さＲａを表面粗さの値とした。ＡＦＭを使用し２μｍ×２μｍの面積につきＲａ、Ｒｍａｘを測定した。
【０１０３】
３）Ｃ／Ｎ：
再生トラック幅１．０μｍ、再生ギャップ０．２６μｍのＭＲヘッドを用いて線記録密度２００ｋＦＣＩの記録再生を行い、再生信号／ノイズ（Ｃ／Ｎ）比を測定した。ノイズはＡＣ消磁ノイズを測定した。なおこのとき回転数は５４００ｒｐｍ、ヘッドは支持体中心から半径２５ｍｍの位置に設けて測定した。このときのヘッド加重は２９．４ｍＮ（３ｇｆ）とした。比較例１のＣ／Ｎを０ｄＢとして表示する。
【０１０４】
上記評価結果を下記表５に示す。なお、導電率の測定は、既述の支持体の導電率の測定と同じ方法で行った。
【０１０５】
【表５】
2004348858.tif 000006
【０１０６】
比較例３、４の磁気記録媒体は、磁気特性と表面性が劣ること、および導電性カーボン層がないためノイズが多発し、Ｃ／Ｎを測定することができなかった。
比較例１、２の磁気記録媒体は、酸化処理を施さなかったため、アニール処理の効果が十分に得られず、磁気記録媒体ほどの良好な導電率およびＣ／Ｎは得られなかった。実施例では良好な導電率が得られたことより、帯電防止性に優れることが確認できた。
また、酸化処理を施すことにより、同条件でアニール処理してもＨｃを高くすることができることが確認できた。さらに、還元性雰囲気とすることで、同等のＨｃを得るアニール処理温度を低くすることができた。
【０１０７】
【発明の効果】
以上から、本発明の磁気記録媒体によれば、高いＣＮ比が発揮され、かつ、優れた帯電防止性発揮することができる。その結果、ＭＲヘッドの静電破壊を発生をも防ぐことができる。