(57)【要約】【課題】正確且つ高速な、光磁気記録媒体へのアニール処理をする。【解決手段】光源から出射された光ビームを０次の回折光束である第１の光ビームと、１次の回折光束である第２の光ビーム及び第３の光ビームとに分光する回折光学部３と、第１の光ビームを集光して、案内溝又は案内溝の両側をなすランド部の磁性層に出射し、第２の光ビーム及び第３の光ビームを集光して、案内溝と、ランド部との境界近傍の磁性層に出射する出射部５と、第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布に基づいて生成された第１のトラッキングエラー信号の線形特性に基づいて、第１の光ビームが案内溝又はランド部を追従するよう出射部５を制御する制御部６とを備えることで実現する。【選択図】  図１
2004348838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記録媒体の磁性層をアニールするアニール装置であって、
所定の波長の光ビームを出射する光源と、
上記光源から出射された光ビームを０次の回折光束である第１の光ビームと、１次の回折光束である第２の光ビーム及び第３の光ビームとに分光する回折光学手段と、
上記回折光学手段で分光された上記第１の光ビームを集光して、上記光磁気記録媒体に形成された案内溝又は上記案内溝の両側をなすランド部の磁性層に出射し、上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームを集光して、上記案内溝と、上記ランド部との境界近傍の磁性層に出射する出射手段と、
上記案内溝の磁性層に出射された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布を検出する第１の強度分布検出手段と、
上記第１の強度分布検出手段によって検出された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布に基づいて、第１のトラッキングエラー信号を生成する第１のトラッキングエラー信号生成手段と、
上記第１のトラッキングエラー信号生成手段によって生成された第１のトラッキングエラー信号の線形特性に基づいて、上記第１の光ビームが上記案内溝又は上記ランド部を追従するよう上記出射手段を制御する制御手段とを備え、
上記回折光学手段は、上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームのビーム出力を上記磁性層をアニールする際に必要となるビーム出力にした場合に、上記第１の光ビームのビーム出力が上記アニールする際に必要となるビーム出力以下となるように、上記第１の光ビームと、上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームの光量比を調整して分光すること
を特徴とするアニール装置。
【請求項２】
上記回折光学手段で分光される上記第１の光ビームのビーム径は、上記トラッキングエラー信号生成手段によって生成されるトラッキングエラー信号の線形性を保持するような大きさであること
を特徴とする請求項１記載のアニール装置。
【請求項３】
上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームの戻り光の光量の強度分布をそれぞれ検出する第２の強度分布検出手段と、
上記第２の強度分布検出手段によって検出された上記第２の光ビーム及び第３の光ビームの戻り光量の強度分布に基づいて、第２のトラッキングエラー信号及び第３のトラッキングエラー信号を生成する第２のトラッキングエラー信号生成手段と、
上記回折光学手段を、上記光源から当該回折光学手段に出射される上記光ビームの光軸を回転中心として回転させる回転手段と、
上記回転手段によって上記回折光学手段を回転させた角度によって変化する上記第２のトラッキングエラー信号及び上記第３のトラッキングエラー信号のそれぞれの最大値及び最小値を参照し、
上記第１のトラッキングエラー信号の線形特性に基づいた制御手段による制御によって、上記出射手段が上記案内溝又は上記ランド部を追従している際の上記第２の光ビーム及び第３の光ビームの上記光磁気記録媒体への照射位置を決定する照射位置決定手段とを備えること
を特徴とする請求項１記載のアニール装置。
【請求項４】
光磁気記録媒体の磁性層をアニールするアニール方法であって、
光源から出射された光ビームを０次の回折光束である第１の光ビームと、１次の回折光束である第２の光ビーム及び第３の光ビームとに分光して出射手段に入射し、
上記出射手段は、分光された上記第１の光ビームを集光して、上記光磁気記録媒体に形成された案内溝又は上記案内溝の両側をなすランド部の磁性層に出射し、
上記出射手段は、分光された上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームを集光して、上記案内溝と、上記ランド部との境界近傍の磁性層に出射し、
上記案内溝の磁性層に出射された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布を検出し、
上記検出された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布に基づいて、第１のトラッキングエラー信号を生成し、
上記生成された第１のトラッキングエラー信号の線形特性に基づいて、上記第１の光ビームが上記案内溝又は上記ランド部を追従するよう上記出射手段を制御すること
を特徴とするアニール方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気超解像（ＭＳＲ：Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ  ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）技術を適用した光磁気記録媒体に関するものであり、詳しくは、磁壁移動検出（ＤＷＤＤ：Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式を適用した光磁気記録媒体にアニール処理をするアニール装置及びアニール方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気ディスクは、線密度方向の記録密度を高める超磁気解像（ＭＳＲ：Ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ  ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）技術を用いることで、再生光学系の空間周波数に制限されずに情報記録容量を増やすことができる。特に、磁壁移動検出（ＤＷＤＤ：Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式は、最も効果的に、光磁気ディスクの記録密度を高めることができる方式であると考えられている。
【０００３】
ＤＷＤＤ方式の光磁気ディスクは、記録層と、スイッチング層と、再生層からなる磁性層を備えている。記録層には、再生光の光ビームスポット径よりも小さな記録マークが記録されており、室温状態では、記録層の記録マークが、中間のスイッチング層を介して再生層に交換結合力によって転写されている。
【０００４】
再生光の光ビームスポットを情報が記録されたトラックに照射すると、スイッチング層のキューリー温度以上の領域では、磁化が消滅し、各層間に働いていた交換結合力が解消される。交換結合力が解消されると、再生層の記録マークを形成する磁区の周りの磁壁が移動し、小さな記録マークが拡大されるため、再生光によって記録マークを再生することができる。
【０００５】
ＤＷＤＤ方式の光磁気ディスクは、情報を記録するトラック（ランド）の横の磁性体、つまり案内溝（グルーブ）をレーザアニール処理し、垂直磁気異方性を除去することで、上述した移動させる磁壁をランド部と垂直な方向のみにしている。このようにレーザアニール処理をすると、ランド部に沿った磁壁がないので、ランド部と垂直な方向の磁壁はエネルギーの変化なしにトラック方向を自由に移動することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
この光磁気ディスクにおける垂直磁気異方性を除去するためのレーザアニール処理は、光磁気ディスクの製造工程において成膜工程後に行われる非常に重要な工程である。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したようなレーザアニール処理は、光磁気ディスクの磁性層全てに対して行うのではなく、案内溝のみ１ディスク毎に施すため非常に時間を要してしまうといった問題がある。
【０００９】
また、従来では、光磁気ディスクのランドにのみ情報を記録していたが、さらに大容量とするために、案内溝にも情報を記録するランド／グルーブ記録が実施されるようになってきている。
【００１０】
したがって、ランド／グルーブ記録をする光磁気ディスクでは、レーザアニール処理をして垂直磁気異方性を除去する必要がある箇所は、記録トラックであるランドと、グルーブとの境界近傍の僅かな領域のみとなってしまう。このような狭い領域を、正確にレーザアニール処理するには非常に困難であると共に、製造工程においては致命的ともいえる多大な時間を要してしまうといった問題がある。
【００１１】
そこで、本発明は上述したような問題を解決するために案出されたものであり、光磁気ディスクの製造工程において実施される、記録トラック間の垂直磁気異方性を除去するレーザアニール処理を正確且つ短時間で実行できるアニール装置及びアニール方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係るアニール装置は、光磁気記録媒体の磁性層をアニールするアニール装置であって、所定の波長の光ビームを出射する光源と、上記光源から出射された光ビームを０次の回折光束である第１の光ビームと、１次の回折光束である第２の光ビーム及び第３の光ビームとに分光する回折光学手段と、上記回折光学手段で分光された上記第１の光ビームを集光して、上記光磁気記録媒体に形成された案内溝又は上記案内溝の両側をなすランド部の磁性層に出射し、上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームを集光して、上記案内溝と、上記ランド部との境界近傍の磁性層に出射する出射手段と、上記案内溝の磁性層に出射された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布を検出する第１の強度分布検出手段と、上記第１の強度分布検出手段によって検出された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布に基づいて、第１のトラッキングエラー信号を生成する第１のトラッキングエラー信号生成手段と、上記第１のトラッキングエラー信号生成手段によって生成された第１のトラッキングエラー信号の線形特性に基づいて、上記第１の光ビームが上記案内溝又は上記ランド部を追従するよう上記出射手段を制御する制御手段とを備え、上記回折光学手段は、上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームのビーム出力を上記磁性層をアニールする際に必要となるビーム出力にした場合に、上記第１の光ビームのビーム出力が上記アニールする際に必要となるビーム出力以下となるように、上記第１の光ビームと、上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームの光量比を調整して分光することを特徴とする。
【００１３】
また、上述の目的を達成するために、本発明に係るアニール方法は、光磁気記録媒体の磁性層をアニールするアニール方法であって、光源から出射された光ビームを０次の回折光束である第１の光ビームと、１次の回折光束である第２の光ビーム及び第３の光ビームとに分光して出射手段に入射し、上記出射手段は、分光された上記第１の光ビームを集光して、上記光磁気記録媒体に形成された案内溝又は上記案内溝の両側をなすランド部の磁性層に出射し、上記出射手段は、分光された上記第２の光ビーム及び上記第３の光ビームを集光して、上記案内溝と、上記ランド部との境界近傍の磁性層に出射し、上記案内溝の磁性層に出射された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布を検出し、上記検出された上記第１の光ビームの戻り光の光量の強度分布に基づいて、第１のトラッキングエラー信号を生成し、上記生成された第１のトラッキングエラー信号の線形特性に基づいて、上記第１の光ビームが上記案内溝又は上記ランド部を追従するよう上記出射手段を制御することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るアニール装置及びアニール方法の実施の形態を図面を参照にして詳細に説明する。
【００１５】
図１を用いて、本発明の実施の形態として示すレーザアニール装置２０について説明をする。
【００１６】
レーザアニール装置２０は、スピンドルモータ２１と一体となって回転する図示しないターンテーブル上に載置された光磁気ディスク３０の所定の領域をレーザアニール処理する。
【００１７】
レーザアニール装置２０の詳細な構成を説明する前に、当該レーザアニール装置２０でレーザアニール処理される光磁気ディスク３０について説明をする。
【００１８】
光磁気ディスク３０は、図２に示すように案内溝（以下、グルーブと呼ぶ）が形成されたスタンパーを用いて射出成形されたポリカーボネート製の基板３０ａ上に、誘電体層３０ｂ、再生層３０ｃ、コントロール層３０ｄ、スイッチング層３０ｅ、記録層３０ｆ、誘電体層３０ｇが順にスパッタリングされ成膜されている。誘電体層３０ｇの上層には、さらに紫外線硬化樹脂３０ｈが塗布されている。
【００１９】
レーザアニール装置２０によるレーザアニール処理は、紫外線硬化樹脂３０ｈが塗布される前段に実行される。
【００２０】
光磁気ディスク３０は、記録容量を増加させるためにランドの他にグルーブにもデータを記録するランド／グルーブ記録が適用される。したがって、本発明の実施の形態として示すレーザアニール装置２０によって、垂直磁気異方性を除去するためにレーザアニール処理をする領域は、ランドとグルーブとの境界近傍にある僅かな領域である。以下の説明では、レーザアニール装置２０によってレーザアニール処理をする光磁気ディスク３０のランドと、グルーブとの境界近傍にある僅かな領域をスロープと呼ぶことにする。レーザアニール装置２０は、光磁気ディスク３０の、このスロープを正確にレーザアニール処理するために、ランド又はグルーブに沿ったトラッキング制御を実行することになる。
【００２１】
レーザアニール装置２０によるレーザアニール処理では、光磁気ディスク３０の基板３０ａとは逆の誘電体層３０ｇ側からレーザアニール用の光ビームを照射する。したがって、レーザアニール装置２０の図示しないターンテーブル上に光磁気ディスク３０を載置するには、基板３０ａを上面にして載置することになる。
【００２２】
再び図１に戻り、レーザアニール装置２０の構成について説明をする。レーザアニール装置２０は、上述した図示しないターンテーブルや、スピンドルモータ２１の他に、レーザ光源１から出射されるレーザビームから複数の光学部品を介してトラッキング制御用の光ビームと、レーザアニール用の光ビームを生成し、光磁気ディスク２０に照射する光ピックアップ１０を備えている。
【００２３】
また、レーザアニール装置２０は、光磁気ディスク３０に照射したトラキング制御用の光ビームの戻り光より検出されるトラッキングエラー信号に基づいて、光ピックアップ１０のトラッキング制御をするトラッキングサーボ系と、レーザ光源１から出射されるレーザビームをトラッキング制御用の光ビームと、レーザアニール用の光ビームに分光するグレーティング３の角度を調整するグレーティング調整系とを備えている。
【００２４】
まず、レーザアニール装置２０の光ピックアップ１０について説明をする。光ピックアップ１０は、レーザ光源１と、コリメータレンズ２と、グレーティング３と、ビームスプリッタ４と、対物レンズ５と、２軸アクチュエータ６と、集光レンズ７と、フォトディテクタ８とを備えている。
【００２５】
レーザ光源１は、所定の波長のレーザビームを発振し、後段のコリメータレンズ２に出射する。
【００２６】
光ピックアップ１０から光磁気ディスク３０へ照射するレーザアニール用の光ビームは、情報を記録するランドや、グルーブと比較して微小な領域への照射が要求されるため、光磁気ディスク３０に照射する光ビームのスポット径は、記録再生する際に光磁気ディスク３０に照射する光ビームのスポット径より小さくする必要がある。したがって、記録再生に使用するレーザビームの波長を６５０ｎｍとすると、レーザ光源１は、例えば、４０５ｎｍ程度の波長のレーザビームを発振するものとする。
【００２７】
コリメータレンズ２は、レーザ光源１の後段に配置され、レーザ光源１から出射されたレーザビームを所定のビーム径の平行光束にしてグレーティング３に出射する。
【００２８】
グレーティング３は、コリメータレンズ２から出射された光ビームを３本の光ビームに分光する回折格子である。グレーティング３は、図３に示すように、半径がａである円３ａから、同心円である半径ｂの円３ｂを除去してできる領域Ｓが格子構造となっている回折格子である。グレーティング３の円３ａの領域は、透明となっており、コリメータレンズ２から出射された光ビームの一部が透過するようになっている。
【００２９】
コリメータレンズ２から、このようなグレーティング３に出射された光ビームは、１本の０次回折光束と、２本の１次回折光束とに分光される。分光された０次回折光束は、光磁気ディスク３０のランド又はグルーブに照射され、トラッキング制御に用いられる光ビーム（以下、メイン光ビームと呼ぶ。）である。一方、分光された２本の１次回折光束は、光磁気ディスク３０のスロープに照射され、レーザアニール処理に用いられる光ビーム（以下、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームと呼ぶ。）である。
【００３０】
グレーティング３によって分光されたメイン光ビーム、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームは、光磁気ディスク３０に、後述する集光レンズ７を介して図４に示すように照射されることになる。
【００３１】
メイン光ビームと、第１及び第２のサブ光ビームの光量の関係を図５に示す。図５に示すＡは、メイン光ビームの光量の強度分布であり、Ｂは、第１及び第２のサブ光ビームの光量の強度分布である。メイン光ビームと、第１及び第２のサブ光ビームの光量比は、第１及び第２のサブ光ビームがレーザアニール処理をするのに十分な光量となるようレーザパワーを設定した際に、メイン光ビームの光量がそれを超えないような光量比となる。この、メイン光ビームと、第１及び第２のサブ光ビームの光量比は、グレーティング３の回折格子の格子溝の深さによって決定されるため、グレーティング３は、上述した光量比となるように格子溝の深さが設計される。
【００３２】
次に、メイン光ビーム、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームのビームスポット径について説明をする。図４に示すようにメイン光ビームのビームスポット径は、第１及び第２のサブ光ビームのビームスポット径と較べて大きなビームスポット径となっている。
【００３３】
上述したように、レーザアニール装置２０でレーザアニール処理する光磁気ディスク３０のスポットは、ランドやグルーブに較べて非常に狭い領域であるため、照射する光ビームのビームスポットを小さくするためにレーザ光源１から出射されるレーザビームの波長は、記録再生に使用するレーザビームの波長よりも短くなっている。また、後述するように対物レンズのＮＡも同じ理由から記録再生用の光ピックアップで用いる対物レンズよりも高いＮＡのレンズが使用されている。これにより、グレーティング３で分光された第１及び第２のサブ光ビームのビームスポット径は、光磁気ディスク３０のスロープの領域を超えてレーザアニール処理をすることがないような大きさとなる。
【００３４】
しかし、グレーティング３で分光された光ビームのうち、メイン光ビームを、第１及び第２のサブ光ビームのビームスポット径と同じ大きさのビームスポット径にすると、トラッキングエラー信号であるプッシュプル信号に高調波成分が生じてしまい、制御目標位置である記録トラックの中心（ランド／グルーブ記録であるのでランド及びグルーブの中心位置）においてトラッキングエラー信号の線形性が保てなくなってしまう。
【００３５】
図６の（ａ）に理想的なトラッキングエラー信号を示し、（ｂ）にメイン光ビームのビームスポット径を第１及び第２のサブ光ビームと同じビームスポット径とした場合に取得されるトラッキングエラー信号を示す。図６の（ｂ）に示すように、トラッキングエラー信号の制御目標位置である記録トラックの中心近傍では、鞍部Ｅが発生し線形性が消失している。したがって、このようなトラッキングエラー信号では、正確にトラッキングサーボをかけることができない。そこで、図６の（ａ）に示すように制御目標位置で線形性のあるトラッキングエラー信号を得るために、メイン光ビームのビームスポット径を、ランド又はグルーブの幅に準じて、第１及び第２のサブ光ビームのビームスポット径よりも大きくする。
【００３６】
メイン光ビームのビームスポット径は、図３に示すグレーティング３の円３ｂの半径ｂによって調節することができるため、グレーティング３の設計段階で調節がなされる。
【００３７】
グレーティング３で分光されたメイン光ビーム、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームは、ビームスプリッタ４に出射される。
【００３８】
再び、図１に戻り光ピックアップ１０の説明を続ける。ビームスプリッタ４は、グレーティング３の後段に配置され、グレーティング３から出射されるメイン光ビーム、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームを透過し、対物レンズ５に出射する。また、ビームスプリッタ４は、光磁気ディスク３０に対物レンズ５を介して出射されたメイン光ビーム、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームの戻り光をそれぞれ反射し、集光レンズ７に出射する。
【００３９】
対物レンズ５は、ビームスプリッタ４で透過されたメイン光ビーム、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームをそれぞれ集光し、光磁気ディスク３０に照射をする。また、対物レンズ５は、２軸アクチュエータ６によってトラッキング方向、フォーカス方向に動作する。
【００４０】
集光レンズ７は、対物レンズ５を介し、ビームスプリッタ４で反射された、メイン光ビーム、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームの戻り光をそれぞれフォトディテクタ８に集光する。対物レンズ５のＮＡは、上述した理由より記録再生用の光ビームを出射する光ピックアップで用いられる集光レンズのＮＡよりも高くする。対物レンズ５のＮＡは、例えば、ＮＡ＝０．８５である。
【００４１】
フォトディテクタ８は、光電変換素子であり、集光レンズ７でそれぞれ集光されたメイン光ビームの戻り光、第１のサブ光ビームの戻り光、第２のサブ光ビームの戻り光を受光し、光量の強度分布を電流値として検出する。フォトディテクタ８は、例えば、メイン光ビームの戻り光、第１のサブ光ビームの戻り光、第２のサブ光ビームの戻り光の光量の強度分布をそれぞれ検出する３つの４分割ディテクタで構成されている。
【００４２】
フォトディテクタ８は、４分割ディテクタでそれぞれ検出されたメイン光ビームの戻り光の光量の強度分布からメインプッシュプル信号を算出し、第１のサブ光ビーム、第２のサブ光ビームの戻り光の光量の強度分布からそれぞれ第１のサブプッシュプル信号、第２のサブプッシュプル信号を算出する。
【００４３】
フォトディテクタ８で算出されたメインプッシュプル信号、第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュプル信号は、後述するトラッキングサーボ系に供給され、特に、メインプッシュプル信号は、トラッキング制御でのトラッキングエラー信号として用いられる。
【００４４】
続いて、上述した光ピックアップ１０のトラッキング制御をするトラッキングサーボ系について説明をする。
【００４５】
トラッキングサーボ系は、電流・電圧（Ｉ−Ｖ）変換部１１と、マトリックス１２と、位相補償回路１３と、２軸アクチュエータ駆動回路１４とを備えている。
【００４６】
電流・電圧（Ｉ−Ｖ）変換部１１は、フォトディテクタ８から供給されるメインプッシュプル信号、第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュプル信号を電圧値に変換し、マトリックス１２に供給する。
【００４７】
マトリックス１２は、電流・電圧（Ｉ−Ｖ）変換部１１から供給されたメインプッシュプル信号、第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュプル信号を、それぞれ位相補償回路１３と、後述するグレーティング調整系の最適角検出部１５に供給する。
【００４８】
位相補償回路１３は、トラッキングサーボ系における位相の遅れを改善するための回路であり、マトリックス１２から供給されたメインプッシュプル信号の電圧値の位相の遅れを進ませて、２軸アクチュエータ駆動回路１４に供給する。
【００４９】
２軸アクチュエータ駆動回路１４は、位相補償回路１３から供給される位相補償後のメインプッシュプル信号の電圧値を２軸アクチュエータ６に供給し、２軸アクチュエータ６を駆動する。
【００５０】
このような、レーザアニール装置２０は、光ピックアップ１０から光磁気ディスク３０のグルーブ又はランドに照射したメイン光ビームの戻り光から検出されたメインプッシュプル信号に基づいて、トラッキングサーボ系によって、光ピックアップ１０の対物レンズ５をトラック方向にトラッキング制御することで、グレーティング３で分光された第１のサブ光ビーム及び第２のサブ光ビームを光磁気ディスク３０のスロープにそれぞれ正確に照射することができる。
【００５１】
続いて、グレーティング調整系について説明をする。グレーティング調整系は、最適角検出部１５と、グレーティング回転駆動部１６と、モータ１７とを備えており、マトリックス１２から供給される第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュプル信号に基づいて、グレーティング３を、当該グレーティング３にレーザ光源１から出射されるレーザビームの光軸を回転中心として所定の角度だけ回転させ、グレーティング３で分光された第１のサブ光ビーム及び第２のサブ光ビームの光磁気ディスク３０への照射位置の設定を変更する。
【００５２】
まず、グレーティング調整系によって、第１のサブ光ビーム及び第２のサブ光ビームの光磁気ディスク３０への照射位置の設定を変更する理由について説明をする。
【００５３】
光磁気ディスク３０に形成されるグルーブの幅は、グルーブを形成することでできるランドの幅と全く同じとは限らない。
【００５４】
例えば、図７に示すように、光磁気ディスク３０に形成するグルーブの幅と、ランドの幅とを、１：１（デューティ比５０％：５０％）になるようにすることもあれば、図８に示すように、グルーブの幅と、ランドの幅とが、３：２（デューティ比６０％：４０％）になるようにすることもある。このように、グルーブの幅と、ランドの幅とは、製造する光磁気ディスク３０によって異なっている。
【００５５】
図７に示すようにグルーブの幅と、ランドの幅とが、ほぼ１：１の関係であった場合に、レーザアニール装置２０は、グレーティング３によって分光された第１のサブ光ビーム及び第２のサブ光ビームによって、光磁気ディスク３０のグルーブと、ランドとの境界であるスロープを正確にレーザアニール処理できたとする。
【００５６】
このときレーザアニール装置２０の設定を変えずに、図８に示すようにグルーブの幅と、ランドの幅とが、ほぼ３：２の関係である光磁気ディスク３０をレーザアニール処理した場合、グレーティング３によって分光された第１のサブ光ビーム及び第２のサブ光ビームは、スロープに照射されず、グルーブ上をレーザアニール処理してしまうことになる。
【００５７】
このように、光磁気ディスク３０に形成されるグルーブの幅と、ランドの幅との比率が異なっている場合、グレーティング３を光軸を中心に回転させることで調整することができる。
【００５８】
例えば、上述したように光磁気ディスク３０のグルーブの幅と、ランドの幅とが１：１である場合に、第１のサブ光ビームと、第２のサブ光ビームのスロープに照射するようグレーティング３が設定されていたとする。このようにレーザアニール装置２０のグレーティング３が設定されている場合に、グルーブの幅と、ランドの幅とが３：２であるような光磁気ディスク３０のスロープに第１のサブ光ビームと、第２のサブ光ビームを照射させるには、グレーティング３を光軸を中心に所定の角度だけ回転させて再び設定し直すことで解決することができる。
【００５９】
具体的には、グレーティング調整系は、最適角検出部１５によって、マトリックス１２から供給される第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュプル信号を参照して、光軸を中心にグレーティング３をどれだけの角度回転させるかを決定し、グレーティング回転駆動部１６によって、最適角検出部１５で検出された最適角に応じてモータ１７を駆動制御して、グレーティング３の角度を最適にする。
【００６０】
図９（ａ），（ｂ），（ｃ）に、グルーブの幅と、ランドの幅との比率が同じである光磁気ディスク３０から取得されたメインプッシュプル信号、第１のサブプッシュプル信号、第２のサブプッシュプル信号をそれぞれ実線で示す。また、図９（ｂ），（ｃ）にグルーブの幅と、ランドの幅との比率が異なっている光磁気ディスク３０から取得された第１のサブプッシュプル信号、第２のサブプッシュプル信号をそれぞれ点線で示す。
【００６１】
図９（ｂ），（ｃ）に実線で示すように、第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュプル信号は、トラッキング制御における制御目標位置、つまりグルーブ及びランドの中心位置で最大値、最小値を示す。また、図９（ｂ），（ｃ）に点線で示すように、第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュブル信号は、レーザアニール装置２０のグレーティング３の角度を最適に調整していないため、その最大値と、最小値とが、グルーブ、ランドの中心位置からずれているのがわかる。
【００６２】
したがって、最適角検出部１５は、マトリックス１２から供給される第１のサブプッシュプル信号及び第２のサブプッシュプル信号を参照し、グルーブ、ランドの中心位置で最大値、最小値となるようにグレーティング３を回転させ、最適角を決定する。
【００６３】
上述したように、レーザアニール装置２０では、グレーティング調整系によって、レーザアニール処理をする光ビームである第１のサブ光ビーム及び第２のサブ光ビームの照射位置を調整することができることから、光磁気ディスク３０のスロープ以外の部分へ第１のサブ光ビーム及び第２のサブ光ビームを照射させることができる。
【００６４】
例えば、光磁気ディスク３０のスロープだけではなくグルーブ及びランドも若干レーザアニール処理をしたほうが、光磁気ディスク３０の特性がよくなる可能性がある場合など、グレーティング調整系によって、第１のプッシュプル信号及び第２のプッシュプル信号の最大値、最小値を参照してグレーティング３を光軸中心に回転させて調整することで対応することができる。
【００６５】
このグレーティング調整系によるグレーティング３の調整は、レーザアニール装置２０においてレーザアニール処理する際に最初に行われる操作である。光磁気ディスク３０のグルーブの幅と、ランドの幅との比率は、スタンパーによって決定されるため、光磁気ディスク３０の製造プロセスにおいて、スタンパーに変更があった場合のみ、グレーティング調整系によるグレーティング３の角度調整が実行される。
【００６６】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明は、分光された０次回折光束をトラッキング制御用の光ビームとし、２本の１次回折光束をアニール処理用の光ビームとし、光磁気記録媒体に照射された０次回折光束の戻り光からトラッキングエラー信号を生成して、光磁気記録媒体の案内溝又はランド部を追従するようにトラッキング制御する。
【００６７】
案内溝又はランド部を追従するようにトラッキング制御することで、回折光学手段で分光された２本の１次回折光束は、光磁気記録媒体の案内溝と、ランド部との境界近傍の磁性層に照射され、アニール処理がなされる。
【００６８】
これにより、トラッキング制御しながら、同時に２本のレーザアニール用の光ビームで所望の領域をアニール処理することができるので、正確且つ高速なアニール処理をすることができる。したがって、光磁気磁気記録媒体の製造工程が短縮されるため、記録容量が非常に高い光磁気記録媒体をローコストで提供することを可能とする。
【００６９】
また、光源から回折光学手段に出射される光ビームの光軸を回転中心として、回折格子を回転させることで、光磁気記録媒体に照射する第２の光ビーム及び第３の光ビームの照射位置を変更できるため、案内溝と、ランド部との比率がどのような比率となっていても正確にアニール処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態として示すレーザアニール装置の構成について説明するための図である。
【図２】同レーザアニール装置でレーザアニール処理をする光磁気ディスクについて説明するための図である。
【図３】同レーザアニール装置が備えるグレーティングについて説明するための図である。
【図４】同レーザアニール装置から光磁気ディスクに照射する光ビームのビームスポットを示した図である。
【図５】同レーザアニール装置から光磁気ディスクに照射する光ビームの光量比について説明するための図である。
【図６】同レーザアニール装置から光磁気ディスクに照射する０次回折光束のビームスポット径について説明するための図である。
【図７】グルーブの幅と、ランドの幅とが同じ比率である光磁気ディスクにレーザアニール処理をする様子を示した図である。
【図８】グルーブの幅と、ランドの幅とが異なる比率である光磁気ディスクにレーザアニール処理をする様子を示した図である。
【図９】グレーティング調整について説明する際に用いる図である。
【符号の説明】
１  レーザ光源、２  コリメータレンズ、３  グレーティング、４  ビームスプリッタ、５  対物レンズ、６  ２軸アクチュエータ、７  集光レンズ、８  フォトディテクタ、１０  光ピックアップ、１１  電流・電圧（Ｉ−Ｖ）変換部、１２  マトリックス、１３  位相補償回路、１４  ２軸アクチュエータ駆動回路、２０  レーザアニール装置、３０  光磁気ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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