(57)【要約】　　　（修正有）【課題】鏡面加工中の研磨砥石の直進性を向上できるとともに，切断面に生ずる面焼けを防止することが可能な研磨砥石等を提供すること。【解決手段】少なくとも一側面の少なくとも外周部に設けられる砥石部５２と，砥石部の一部を削り取って形成される複数の溝５８と，を備えることを特徴とする，研磨砥石が提供される。かかる構成により，砥石部を研磨砥石の側面の外周部に設けるとともに，かかる砥石部に複数の溝を設けることで，加工時における研磨砥石と被加工物との接触面積を十分に小さくできる。従って，薄い研磨砥石であっても十分な加工直進性を得られるので，鏡面加工精度がより高まる。また，砥石部に形成された複数の溝を通って加工点に十分な量の切削水が供給されるので，加工点を十分に冷却することもできる。【選択図】　図３
2004042215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一側面の少なくとも外周部に設けられる砥石部と，前記砥石部の一部を削り取って形成される複数の溝と，を備えることを特徴とする，研磨砥石。
【請求項２】
前記研磨砥石は，金属製の基台部と，前記基台部の少なくとも一側面に取り付けられた前記砥石部と，を備えることを特徴とする，請求項２に記載の研磨砥石。
【請求項３】
基板を切断砥石で切断することによって形成された切断面の双方を，高速回転する研磨砥石で切削研磨して鏡面加工する切断面鏡面加工装置であって：
両側面の少なくとも外周部に設けられる砥石部と，前記砥石部の一部を削り取って形成される複数の溝とを有し，厚さが前記切断砥石より薄い前記研磨砥石と；
前記研磨砥石を移動させる移動機構と；
前記研磨砥石が，一側面を用いて前記切断面の一方を鏡面加工し，他側面を用いて前記切断面の他方を鏡面加工するよう，前記移動機構を制御する制御装置と；
を備えることを特徴とする切断面鏡面加工装置。
【請求項４】
前記研磨砥石は，金属製の基台部と，前記基台部の両側面に取り付けられた前記砥石部と，を備えることを特徴とする，請求項３に記載の切断面鏡面加工装置。
【請求項５】
基板を切断砥石で切断することによって形成された切断面の双方を，高速回転する研磨砥石で切削研磨して鏡面加工する切断面鏡面加工方法であって：
両側面の少なくとも外周部に設けられる砥石部と，前記砥石部の一部を削り取って形成される複数の溝とを有し，厚さが前記切断砥石より薄い前記研磨砥石の一側面を用いて，前記切断面の一方を鏡面加工する第１の工程と；
前記切断面の他方を切削研磨可能な位置まで，前記研磨砥石を移動させる第２の工程と；
前記研磨砥石の他側面を用いて，前記切断面の他方を鏡面加工する第３の工程と；
を含むことを特徴とする，切断面鏡面加工方法。
【請求項６】
前記第１の工程と前記第３の工程の少なくともいずれか一方の工程では，
前記研磨砥石は，前記基板の厚み方向に複数段階で，前記切断面を鏡面加工することを特徴とする，請求項５に記載の切断面鏡面加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，研磨砥石，切断面鏡面加工装置および切断面鏡面加工方法にかかり，特に，切断砥石によって切断された基板の切断面を切削研磨する研磨砥石等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年，表面に光導波路などの回路が形成された基板をダイシングして，複数のチップ（光学素子）を切り出す際には，光信号が通過，反射等する部分となる切断面を鏡面加工することが要求されるようになった。
【０００３】
かかる切断面の鏡面加工方法としては，特開平１１一１９５６２７号公報に記載のように，光学素子の切断面を回転ディスクによって研磨する方法が提案されている。しかし，かかる手法では，基板の切断加工と，切断面の研磨加工とが別工程で行われるため，生産効率が低下してしまう。
【０００４】
このため，切断加工された基板を移送することなく，そのままの位置で切断面を研磨加工して，切断加工と研磨加工とを同工程で行う手法が提案されている。かかる手法としては，特開平２−３０３０５０号公報に記載のように，切断砥石で基板を切断して切溝（カーフ）を形成した後，厚さが切断砥石より厚く（つまり，切溝の幅よりも厚く）かつ微粒砥石からなる研磨砥石で切溝を所定幅に拡幅し，切断面の両面を同時に切削研磨する手法が提案されている。しかし，このような手法では，微粒砥石で構成された研磨砥石は摩耗が著しく，切断面の研磨に必要な厚さを維持することが困難であるという問題があった。このように研磨砥石の寿命が短いため，頻繁に研磨砥石を交換する必要があるので，生産性を大きく低下させる原因となっていた。
【０００５】
これらの問題を解決するために，本願発明者らは，鋭意努力して，新規かつ改良された切断面鏡面加工方法を想到した。かかる手法とは，特願２００２−１０４８８８号に記載のように，切断砥石より薄い研磨砥石によって，切断面の一方の面を研磨砥石の一側面で切削研磨し，その後，研磨砥石の他側面が切断面の他方の面に接触するように研磨砥石を移動させ，この切断面の他方の面を研磨砥石の他側面で切削研磨するという方法である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の切断面鏡面加工方法では，薄い研磨砥石を使用しているため，研磨砥石に硬質の基台部を設けて剛性を高めるとともに，研磨砥石の両側面に側面逃げを形成して鏡面加工時の側面抵抗を低減させたとしても，加工中に研磨砥石が切断面によって押圧されて歪んでしまい，研磨砥石の直進性を十分に保つことができないという問題があった。このため，研磨した切断面に歪みが生じてしまい，加工精度が不十分なものとなる場合があった。
【０００７】
このような従来の切断面鏡面加工方法により生じた切断面の歪みを，模式図を用いてより詳細に説明する。図１０（ａ）に示すように，研磨後の切断面は，垂直方向（即ち，基板表面に対して垂直方向）には，切断面の下部にいくほど膨らむように湾曲してしまっていた。また，図１０（ｂ）に示すように，水平方向（即ち，基板表面に対して平行な切溝の長手方向）には，切断面の中央付近ほど膨らむように湾曲してしまっていた。実際には，このような切断面の歪みは，ミクロンレベルの歪みであり目視できるものではないが，精密装置であるチップの性能上では大きな支障を来す場合がある。
【０００８】
また，上記のような問題に加え，研磨時に切断面と研磨砥石との間で生じる摩擦熱によって面焼けと呼ばれる現象が起こり，鏡面加工後の切断面が黒ずんでしまうという問題も生じた。
【０００９】
本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，切断面の鏡面加工時に，研磨砥石の直進性を維持して加工精度を向上できるとともに，切断面に生ずる面焼けを抑制することも可能な，新規かつ改良された切断面鏡面加工方法およびこれを実現する研磨砥石，切断面鏡面加工装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，少なくとも一側面の少なくとも外周部に設けられる砥石部と，砥石部の一部を削り取って形成される複数の溝と，を備えることを特徴とする，研磨砥石が提供される。
【００１１】
かかる構成により，微粒砥石からなり実際に切断面と干渉して切削研磨する機能を有する砥石部を，研磨砥石の側面の外周部に突出するような形状で設けることができる。換言すると，研磨砥石の側面に当該外周部を残して陥没するような側面逃げを形成できる。さらに，当該外周部は複数の溝によって削り取られて複数の領域に分断されているので，突出している砥石部の面積をさらに小さくすることができる。このような側面逃げと複数の溝を備えることにより，高速回転させた研磨砥石の側面を用いて被加工物を切削研磨して鏡面加工するときには，被加工物と研磨砥石の側面との接触面積を小さくすることができる。このため，加工中に被加工物から受ける側面抵抗（反発力）が低減されるため，薄い研磨砥石であっても，加工中の歪みやぶれが抑制され，直進性を向上させることができる。従って，鏡面加工後の平坦度が向上し，鏡面加工精度を高めることができる。また，加工時には砥石部に形成された複数の溝を通って加工点に十分な量の切削水が供給されるので，加工点を十分に冷却できる。
【００１２】
また，上記研磨砥石は，金属製の基台部と，基台部の少なくとも一側面に取り付けられた砥石部と，を備える，如く構成すれば，硬質な基台部を設けることで研磨砥石全体の剛性を高めることができる。このため，鏡面加工時における研磨砥石の直進性をさらに高めることができる。また，上記基台部は超硬合金からなるように構成して，研磨砥石の剛性をより高めてもよい。さらに，砥石部の一部を削り取って形成される溝の深さを，中心にある基台部にまで至らないような深さにする（即ち，基台部には当該溝が形成されないようにする）ことで，略円板状若しくは略リング状の基台部が比較的大きい径を確保することができる。従って，砥石部を削り取って複数の溝を形成することに伴う，研磨砥石の強度の低下を抑制できる。
【００１３】
さらに，上記溝は，それぞれ，砥石部の外周部に，研磨砥石側面の略直径方向に延びるように形成されてもよい。即ち，複数の上記溝が，研磨砥石側面の中央部を中心として略放射状に延びるような方向に形成されてもよい。
【００１４】
また，複数の上記溝が，研磨砥石側面の円周方向に沿って略等間隔で配置されるようにしてもよい。
【００１５】
また，上記課題を解決するため，本発明の別の観点によれば，基板を切断砥石で切断することによって形成された切断面の双方を，高速回転する研磨砥石で切削研磨して鏡面加工する切断面鏡面加工装置であって：両側面の少なくとも外周部に設けられる砥石部と，砥石部の一部を削り取って形成される複数の溝とを有し，厚さが切断砥石より薄い研磨砥石と；研磨砥石を移動させる移動機構と；研磨砥石が，一側面を用いて切断面の一方を鏡面加工し，他側面を用いて切断面の他方を鏡面加工するよう，移動機構を制御する制御装置と；を備えることを特徴とする切断面鏡面加工装置が提供される。
【００１６】
かかる構成により，上記のような特徴を有する研磨砥石を用いて，被加工物である切断面の双方を好適に鏡面加工することができる。即ち，研磨砥石の両側面には上記側面逃げと複数の溝が形成されているので，研磨砥石の一側面を用いて切断面の一方を鏡面加工し，他側面を用いて切断面の他方を鏡面加工する場合に，切断面と研磨砥石の側面との接触面積が小さくなり，研磨砥石の直進性を高めて鏡面加工精度を向上させることができる。また，側面逃げを備えることにより，研磨砥石が摩耗して砥石部の先端形状が崩れたとしても，崩れた砥石形状が切断面に転写することを防止できるとともに，深く切り込んだ研磨砥石を切溝から引き出す際に切断面を傷つけないようにできる。
【００１７】
また，上記研磨砥石は，金属製の基台部と，基台部の両側面に取り付けられた砥石部と，を備える，如く構成すれば，研磨砥石の剛性が高まり，加工時の研磨砥石の直進性がより向上する。
【００１８】
また，上記課題を解決するため，本発明の別の観点によれば，基板を切断砥石で切断することによって形成された切断面の双方を，高速回転する研磨砥石で切削研磨して鏡面加工する切断面鏡面加工方法であって：両側面の少なくとも外周部に設けられる砥石部と，砥石部の一部を削り取って形成される複数の溝とを有し，厚さが切断砥石より薄い研磨砥石の一側面を用いて，切断面の一方を鏡面加工する第１の工程と；切断面の他方を切削研磨可能な位置まで，研磨砥石を移動させる第２の工程と；研磨砥石の他側面を用いて，切断面の他方を鏡面加工する第３の工程と；を含むことを特徴とする，切断面鏡面加工方法が提供される。
【００１９】
かかる構成により，切断砥石によって形成された切溝の内部に研磨砥石を挿入することができる。この研磨砥石を高速回転させながら研磨砥石のいずれか一側面を切断面のいずれか一方の面に微小な切り込み幅で切り込ませた状態で，かかる研磨砥石を切溝が延長形成された方向に沿って移動させることにより，切断面を一端から多端にかけて連続的に削り取るようにして切削研磨できる。かかる加工方法で，研磨砥石の一側面で一方の切断面を鏡面加工し，研磨砥石の他側面で他方の切断面を鏡面加工できるので，切断面の鏡面加工を片方ずつ行うことができる。従って，摩耗しやすい研磨砥石の幅を維持する必要がなく，鏡面加工精度が向上する。
【００２０】
さらに，砥石部を研磨砥石の両側面の少なくとも外周部に設ける（即ち，研磨砥石の両側面の内周部には側面逃げを形成する）ことで，加工時における研磨砥石と切断面との接触面積を小さくできる。加えて，かかる砥石部に複数の溝を設けることで，切断面と接触する砥石部が複数の領域に分断される。このため，研磨砥石と切断面との接触面積をより小さくできるので，加工時に研磨砥石が切断面から受ける側面抵抗を小さくできる。従って，薄い研磨砥石であっても十分な加工直進性を得られるので，鏡面加工精度がより高まる。さらに，加工時には砥石部に形成された複数の溝を通って加工点に十分な量の切削水が供給される。このため，加工点を十分に冷却して，切断面と砥石部の間で生ずる摩擦熱による温度上昇を抑制できるので，切断面の面焼け現象を防止できる。
【００２１】
さらに，上記第１の工程と第３の工程の少なくともいずれか一方の工程では，上記研磨砥石は，基板の厚み方向に複数段階で，切断面を鏡面加工する，如く構成すれば，１段階で切削研磨する切断面の領域を小さくできるので，鏡面加工精度がより向上する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
以下に，本発明の第１の実施形態にかかる切断面鏡面加工方法，切断面鏡面加工装置および研磨砥石について説明する。本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法は，特に，切断面を切削研磨する際に適用される研磨砥石の形状に特徴を有し，この特徴によって鏡面加工中の研磨砥石の直進性を向上させることができるものである。そこで，以下では，まず，被加工物である基板について説明した後，かかる基板の切断面を鏡面加工する切断面鏡面加工装置および研磨砥石の構成について詳細に説明する。次いで，この切断面鏡面加工装置および研磨砥石を用いた切断面鏡面加工方法について，詳細に説明することとする。
【００２４】
まず，本実施形態にかかる被加工物である基板について説明する。基板は，例えば，シリコンなどの半導体基板上に，例えば石英ガラス層が積層された半導体ウェハなどである。この基板は，例えば略円盤形状を有し，その大きさは，外径が例えば４インチであり，厚さが例えば約１ｍｍである。なお，以下では，基板の表面とは，ガラス層が積層された側の面をいい，基板の裏面とは，半導体基板側の面をいうものとする。
【００２５】
かかる基板の表面のガラス層には，例えば略同一のパターンおよび特性を有するの複数の素子（例えば光導波路などの回路）が形成されている。かかる基板を，素子間のストリートに沿ってダイシングして複数片に分割することで，例えば光学素子などのチップを得ることができる。このチップは，例えば光学素子として機能する場合，その側面（即ち，切断面）のうち例えば光信号が通過または反射する部分が，高精度で平坦化されていなければならない。しかし，ダイシングされた基板の切断面は平坦度が十分ではないので，ダイシング後にかかる切断面を研磨して鏡面加工する必要がある。そこで，本実施形態では，以下のような切断面鏡面加工装置を用いて，かかる切断面を鏡面加工する。
【００２６】
次に，本実施形態にかかる切断面鏡面加工装置について説明する。本実施形態にかかる切断面鏡面加工装置は，基板に形成された切断面の双方を高速回転する研磨砥石で切削研磨して鏡面加工する機能を有しており，例えばダイシング装置で構成できる。このダイシング装置（ダイシングソーまたはダイサーともいう。）は，高速回転するブレードを用いて半導体ウェハなどの被加工物を切削してダイシング加工する際に用いられる一般的な装置である。
【００２７】
ここで，図１に基づいて，本実施形態にかかるダイシング装置について説明する。図１は，本実施形態にかかるダイシング装置１０の全体斜視図である。
【００２８】
図１に示すように，ダイシング装置１０は，例えば，基板１２を切断加工する第１の切削ユニット２０−１と，基板１２の切断面を鏡面加工する第２の切削ユニット２０−２と，基板１２を載置するチャックテーブル１５と，例えばチャックテーブル１５を移動させる移動機構（図示せず。）と，移動機構の動作を制御する制御装置１６とを有する。このように，ダイシング装置１０は，例えば，２つの切削ユニット２０−１，２を具備する例えば対面型のデュアルダイサーである。
【００２９】
第１の切削ユニット２０−１は，端部に設けられた切断砥石を用いて，加工面上のストリートに沿って基板１２を切断して，極薄の切溝（カーフ）を形成する機能を有するが，詳細は後述する。また，第２の切削ユニット２０−２は，端部に設けられた研磨砥石を用いて，上記切溝の両側面である切断面を鏡面加工する機能を有するが，詳細は後述する。
【００３０】
チャックテーブル１５は，基板１２を載置・固定するテーブルであり，その上面に例えば真空チャック機構が設けられている。基板１２は，かかるチャックテーブル１５上に，例えば治具１４を介して載置される。この際，基板１２の裏面と治具１４とは，例えば，接着剤，両面テープまたはシールなどで貼り付け固定されている。
【００３１】
この治具１４は，例えば，プラスチック等の合成樹脂または金属などで形成された略平板状の部材であり，その上面に載置された基板１２を支持する機能を有する。
【００３２】
また，この治具１４の表面（基板１２と接する面）には，後述する切断砥石および研磨砥石が通過する位置に，複数の砥石通過用溝１３が形成されている。かかる砥石通過用溝１３は，幅が少なくとも切断砥石の幅より広く，深さが研磨砥石の外周部を十分に挿入可能な深さとなるよう調整されている。また，砥石通過用溝１３は，切断方向が２方向（例えば基板１２を格子状にダイシングする場合など）である場合には，図１に示すように，各々の切断方向に沿って例えば２方向に複数設けられるが，基板１２の切断方向が１方向である場合には，切断方向と略平行な例えば１方向にのみ複数設けてもよい。このような砥石通過用溝１３は，切断加工または鏡面加工時に，切断砥石または研磨砥石が基板１２にのみ作用し，基板１２を支持する治具１４とは干渉しないようにする機能を有する。
【００３３】
移動機構（図示せず。）は，上記のように基板１２を載置したチャックテーブル１５を，第１の切削ユニット２０−１および第２の切削ユニット２０−２（以下では，単に切削ユニット２０という場合もある。）に対し，相対的に移動させる機能を有する。より詳細には，移動機構は，高速回転する切断砥石または研磨砥石を基板１２の表面に所定量切り込ませた状態で，かかる基板１２ごとチャックテーブル１５を移動させることができる。これにより，切断砥石をストリートに沿って所定の送り速度で移動させて，基板１２の切断加工を進行させることができる。また，研磨砥石を切断面に沿って所定の送り速度で移動させて，切断面の鏡面加工を進行させることもできる。なお，移動機構は，かかる例に限定されず，固定的に配されたチャックテーブル１５に対し，切削ユニット２０を相対移動させるように構成してもよい。
【００３４】
制御装置１６は，例えばダイシング装置１０の内部に配され，例えばＣＰＵ等の演算処理装置，ＲＡＭ等の記憶装置などで構成される。この制御装置１６は，切断砥石による切断加工や，研磨砥石による鏡面加工が好適に行われるよう，上記移動機構の動作を制御する機能を有する。なお，かかる制御装置１６は，必ずしも，ダイシング装置１０に内蔵されなくともよく，例えば，ダイシング装置１０の外部に設置して，例えば有線または無線などでダイシング装置１０の移動機構に制御信号を送信するように構成してもよい。
【００３５】
次に，図２に基づいて，本実施形態における第１の切削ユニットに設けられた切断砥石について説明する。なお，図２（ａ）および図２（ｂ）は，本実施形態にかかる切断砥石４０を示す平面図および断面図である。
【００３６】
図２（ａ）に示すように，切断砥石４０は，例えば略リング形状を有する極薄の切断ブレードであり，ダイヤモンド，ＣＢＮ等の砥粒を，電鋳タイプの金属（例えばニッケル）やレジンなどの結合剤（ボンド剤）で結合して形成される。この切断砥石４０は，後述する研磨砥石よりも粗い砥粒で構成することが好ましく，この粒度は例えば＃８００程度である。このため，切断砥石４０は比較的硬質であり，切削性能や耐摩耗性に優れるが，平坦加工精度が劣る。また，切断砥石４０の厚さは，図２（ｂ）に示すように，例えば約０．３２ｍｍである。なお，本実施形態にかかる切断砥石４０は略リング形状を有するが，かかる例に限定されず，略円盤形状を有したり，例えばハブ（Ｈｕｂ）と切刃部を一体形成したハブブレードなどであったりしてもよい。
【００３７】
かかる切断砥石４０は，フランジ（図示せず。）に挟持された状態でスピンドル（図示せず。）に軸着され，例えば３００００Ｒ．Ｐ．Ｍ．で高速回転可能である。高速回転する切断砥石４０が，その外周を基板１２の加工面に所定量切り込ませながら，ストリートに沿って加工面を切削することで，加工面に極薄の切溝を形成できる。この際，十分な切り込み深さを維持することにより，基板１２を完全に切断することができ，切溝の両側面が基板１２の裏面にまで達することで，対向する２つの切断面が形成される。なお，かかる切削加工中には切削水が供給され，切断砥石４０及び加工点が冷却される。
【００３８】
次に，図３に基づいて，本実施形態にかかる第２の切削ユニット２０−２に設けられた研磨砥石５０について詳細に説明する。なお，図３（ａ）は，本実施形態にかかる研磨砥石５０を示す平面図であり，図３（ｂ）は，図３（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
【００３９】
図３に示すように，研磨砥石５０は，全体としては例えば略リング形状を有する極薄の研磨用の砥石であり，切断面を切削研磨して鏡面加工する機能を有する。この研磨砥石５０の大きさは，外径が例えば５２ｍｍ，内径が例えば４０ｍｍであり，厚さが例えば約０．３０ｍｍで上記切断砥石４０よりも若干薄い。この研磨砥石５０は，中心に配された例えば金属製の基台部５４と，基台部５４の両側面に貼り付けられた砥石部５２とからなる。
【００４０】
基台部５４は，厚さが例えば０．１ｍｍ程度の例えば略リング状の部材であり，例えば，タングステン炭化物，チタン炭化物またはモリブデン炭化物などを含む焼結合金である超硬合金などからなる。かかる基台部５４は，非常に硬質であるため，鏡面加工時において研磨砥石５０全体の剛性を高める補強材として機能する。
【００４１】
砥石部５２は，基台部５４の両側に例えば接着剤等で貼り付けられた例えば微粒砥石であり，基台部５４の一側に貼り付けられた左砥石部５２ａと，他側に貼り付けられた右砥石部５２ｂとからなる。かかる左砥石部５２ａと右砥石部５２ｂは略対称な形状を有しており，双方の厚さは外周部で例えば約０．１ｍｍである。
【００４２】
この砥石部５２を構成する砥石は，緑色炭化ケイ素（ＧＣ）砥粒またはダイヤモンド（Ｄ，ＳＤ）砥粒，ＣＢＮ砥粒などを各種の結合剤で結合して形成されており，その粒度は細かい方が好ましく例えば＃１０００〜＃８０００などである。このため，砥石部５２は，例えば，切断砥石４０よりも軟質であり，耐摩耗性が劣るが，平坦加工精度に優れるので，被加工物を高精度で鏡面加工できる。
【００４３】
また，双方の砥石部５２の外側面（即ち，研磨砥石５０の両側面）には，外周部を残して陥没するよう形成された側面逃げ５６が形成されている。この側面逃げ５６の深さ（即ち，砥石部５２の外周部と側面逃げの底部のレベルの差）は，例えば約０．０２ｍｍなどである。かかる側面逃げ５６を形成することにより，図３（ｂ）に示すように，左砥石部５２ａおよび右砥石部５２ｂの外周部が，外側に突出した形状となる。このため，左砥石部５２ａおよび右砥石部５２ｂは，外周部では厚さが例えば０．１ｍｍと厚くなっているのに対し，側面逃げ５６が形成された外周部の内側から内周部にかけては，厚さが側面逃げ５６の深さの分だけ薄くなっている。研磨砥石５０がこのような側面逃げ５６を具備することにより，切断面の鏡面加工時に，実質的には砥石部５２の外周部（幅が例えば約０．７ｍｍ）のみが切断面に対して作用することとなる。
【００４４】
さらに，研磨砥石５０の例えば両側面には，本実施形態にかかる大きな特徴である溝５８が形成されている。以下に，図３および図４に基づいて，かかる溝５８について詳細に説明する。なお，図４（ａ）は，本実施形態にかかる溝５８周辺の研磨砥石５０を示す部分拡大平面図であり，図４（ｂ）は，本実施形態にかかる溝５８周辺の研磨砥石５０を示す部分拡大正面図であり，図４（ｃ）は，図４（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図であり，図４（ｄ）は，図４（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【００４５】
図３（ａ）に示すように，研磨砥石５０の側面には複数の溝（スリット）５８が形成されている。この溝５８は，例えば工作機械などを用いて，砥石部５２側面の一部を例えば直径方向に直線的に削り取って形成された切り欠き部である。かかる溝５８は，左砥石部５２ａと右砥石部５２ｂの外側面に，例えば略同一のパターンでそれぞれ例えば８つずつ形成されている。この例えば８つの溝５８は，砥石部５２外側面の円周方向に沿って略均等な間隔で配置されており，砥石部５２の外側面を例えば略同一の形状を有する例えば８つの領域に分割している。
【００４６】
また，各々の溝５８は，図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように，例えば厚さに比べて幅が広い形状を有しており，具体的には幅が例えば２ｍｍ，深さが例えば０．０５ｍｍなどである。このように，ある程度の溝５８幅を確保することによって，溝５８は，砥石部５２の外周部を十分な距離を隔てて分断することができる。砥石部５２の外周部のうち，このような比較的広い幅の溝５８が形成された部分は，加工時に切断面と接触しない。従って，加工時における切断面と砥石部５２の外周部との接触面積をさらに小さくできるので，研磨砥石５０に作用する側面抵抗をより低減できる。
【００４７】
また，溝５８の深さが，例えば，上記側面逃げ５６の深さより深くなるように設定されているので，溝５８は，砥石部５２の外周部のみならず側面逃げ５６が形成されている部分をも削り取って形成されることとなる。このため，研磨砥石５０において，溝５８が形成されている部分（図４（ｃ）参照）は，溝５８が形成されていない部分（図４（ｄ）参照）と比して，砥石部５２の厚さが薄くなっている。このように溝５８を形成することにより，加工時に純水等の切削水が，かかる溝５８内に侵入しやすくなる。このため，摩擦熱が生じている加工点を好適に冷却できる。
【００４８】
なお，溝５８の深さは，上記の例に限定されず，例えば，上記側面逃げ５６の深さより浅くなるように設定して，砥石部５２の外周部のみを削り取って溝５８を形成するようにしてもよい。このように溝５８の深さを浅くするほど，研磨砥石５０の強度を大きくできる。
【００４９】
このような溝５８の設置数，幅，深さ，砥石部５２の側面全体に占める面積などは，例えば基板１２の材質，硬度や，求められる鏡面加工精度，加工速度などに応じて，好適に設定されるものであり，上記の例に限定されない。
【００５０】
以上のような構成の研磨砥石５０は，フランジ（図示せず。）に挟持された状態でスピンドル（図示せず。）に軸着され，例えば２００００Ｒ．Ｐ．Ｍ．で高速回転可能である。かかる研磨砥石５０は，高速回転しながらその一側面を所定の切り込み幅（例えば０．０１〜００１５ｍｍ）だけ一方の切断面に切り込ませた状態で，切溝の長手方向（即ち，切断方向）に切溝内を平行移動することにより，切断面の一方をその一側面で切削研磨して鏡面加工することができる。なお，かかる鏡面加工中には，例えばシャワーノズルや側面ノズル（図示せず。）などによって切削水が供給され，研磨砥石５０及び加工点が冷却される。
【００５１】
また，研磨砥石５０は，補強材として基台部５４が設けられているため，上記のような鏡面加工時において，切断面から受ける側面抵抗によるぶれや蛇行などが低減され，直進性を高めることができる。また，上記溝５８は，砥石部５２の例えば側面のみを削り取って形成されるものであり，基台部５４を切り取ったり，基台部５４に貫通孔を設けたりするものではない。このため，比較的面積が大きい基台部５４を設けることができるので，研磨砥石５０の強度をより高めることができる。
【００５２】
さらに，研磨砥石５０は，側面逃げ５６が形成されているので，鏡面加工時において，研磨砥石５０の外周部以外の側面は切断面と接触しない。このため，研磨砥石５０の側面と切断面との接触面積を小さくして，研磨砥石５０が切断面から受ける側面抵抗を低減できるので，研磨砥石５０の直進性の向上を図ることができる。さらに，研磨砥石５０が摩耗して砥石部５２の先端形状が崩れたとしても，側面逃げ５６の下端が基板１２裏面外に達するような深さまで研磨砥石５０を切り込ませることで，崩れた砥石形状が切断面に転写されないようにできる。
【００５３】
加えて，本実施形態の特徴である溝５８が，研磨砥石５０の両側面に複数形成されているので，側面逃げ５６と相まって，研磨砥石５０の側面と切断面との接触面積をさらに小さくできる。これにより，研磨砥石５０の直進性を十分に確保することができるので，図１０に示したような切断面の歪みが生ずることを抑制できる。よって，鏡面加工後の切断面を，基板１２表面に対して略垂直な平坦面とすることができる。
【００５４】
次に，図５〜図８に基づいて，上記ダイシング装置１０を用いた本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法について説明する。なお，図５は，本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法の動作フローを示すフローチャートである。また，図６は，本実施形態にかかる左切断面鏡面加工サブルーチンの動作フローを示すフローチャートである。また，図７および図８は，本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法の各工程における，基板１２等の態様を示す断面図である。
【００５５】
図５に示すように，まず，ステップＳ１０では，切断砥石４０によって基板１２が切断される（ステップＳ１０）。図７（ａ）に示すように，ガラス層１２ａと半導体基板１２ｂからなる基板１２が，第１の切削ユニット２０−１に設けられた切断砥石４０によって切断される。この際，切断ラインが治具１４の砥石通過用溝１３と重なるようにして，基板１２が切断される。
【００５６】
かかる切断加工により，基板１２には極薄の切溝が形成される。この切溝の幅は，切断砥石４０の幅と略同一若しくは若干大きく，例えば約０．３２ｍｍである。かかる切溝の両側面が切断面であり，以下では左切断面７０ａおよび右切断面７０ｂということとする。この左切断面７０ａおよび右切断面７０ｂ（以下では，単に切断面７０という場合もある。）は平坦度が粗いので，このままでは例えば光信号が通過等する光学面としては利用できない。
【００５７】
このような切断加工を各ストリートに沿って繰り返し一方向に複数の切溝を形成した後，チャックテーブル１５を例えば９０度回転させて，同様にして切断加工を行い，例えば直交する２方向に複数の切溝を形成する。これにより，基板１２が例えば格子状にダイシングされ，個々のチップに分割される。
【００５８】
次いで，ステップＳ２０では，研磨砥石５０を水平方向に移動させ，左切断面７０ａを鏡面加工可能な位置に配置させる（ステップＳ２０）。制御装置１６からの制御信号に基づいて移動機構（図示せず。）を動作させて，図７（ｂ）に示すように，第２の切削ユニット２０−２に設けられた研磨砥石５０を，上記左切断面７０ａを切削研磨可能な位置に移動させる。より具体的には，研磨砥石５０の左砥石部５２ａが左切断面７０ａに例えば約０．０１ｍｍの切り込み幅で切り込むことができるように，研磨砥石５０の水平方向の位置が調整される。このように，本ステップは研磨砥石５０によって左切断面７０ａを鏡面加工するための準備工程である。
【００５９】
さらに，ステップＳ３０では，図６に示す左切断面鏡面加工サブルーチンを行って，左切断面７０ａが鏡面加工される（ステップＳ３０）。
【００６０】
図６に示すように，まず，ステップＳ３２では，研磨砥石５０が基板１２に対して下降される（ステップＳ３２）。上記ステップＳ２０で左切断面７０ａに対する水平位置が合わせられた研磨砥石５０を，垂直方向に所定距離下降させる。本ステップは，研磨砥石５０が左切断面７０ａを切削研磨する際の，基板１２に対する研磨砥石５０の基板１２厚み方向への切り込み深さ（以下では，垂直切り込み深さという。）を決定する工程である。この垂直切り込み深さは，ガラス層１２ａを切削研磨する場合には例えば０．１〜０．０４ｍｍであり，半導体基板１２ｂを切削研磨する場合には例えば０．１〜０．２ｍｍである。
【００６１】
次いで，ステップＳ３４では，左切断面７０ａが切削研磨される（ステップＳ３４）。図７（ｃ）に示すように，高速回転する研磨砥石５０を，左砥石部５２ａを左切断面７０ａに水平方向に例えば約０．０１ｍｍの切り込み幅で切り込ませながら，切溝が延長形成された方向（図７（ｃ）の紙面垂直方向）に所定送り速度で移動させる。これにより，左砥石部５２ａの外周部が，左切断面７０ａの一側端から他側端にかけて徐々に干渉していき，粗い左切断面７０ａを薄く削り取るようにして切削研磨する。これにより，左切断面７０ａのうち上記垂直切り込み深さの分だけが，切溝が延長形成された方向に沿って連続して鏡面加工される。
【００６２】
なお，かかる切削研磨時には，上記説明したように側面逃げ５６，基台部５４および複数の溝５８が好適に機能するので，研磨砥石５０は，左切断面７０ａからの側面抵抗により，ぶれたり蛇行したりすることなく，好適に切溝内を直進できる。
【００６３】
次いで，ステップＳ３６では，左切断面７０ａの全てが鏡面加工されたか否かが判定される（ステップＳ３６）。
【００６４】
研磨砥石５０の下端が未だ基板１２の裏面より下方に達しておらず，左切断面７０ａの全てが切削研磨されていない場合には，ステップＳ３２に戻り，再び研磨砥石５０を所定の垂直切り込み深さ分だけ下降させ，さらにステップＳ３４で再び左切断面７０ａが切削研磨される。かかる研磨砥石５０の下降と切削研磨は，左切断面７０ａの全てが鏡面加工されるまで繰り返される。
【００６５】
このように本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法では，垂直切り込み深さを基板１２厚み以上として一回の切削研磨（１ｐａｓｓ）で切断面７０の全てを切削研磨するのではなく，例えば，一段階（１ｓｔｅｐ）あたりの垂直切り込み深さを基板１２厚み以下として基板１２厚み方向に複数の段階（例えば１４ｓｔｅｐ）で切断面７０を順次切削研磨していく手法（以下では，多段鏡面加工という。）を採用している。
【００６６】
かかる多段鏡面加工は，例えばダイシング方法のステップカット（多段切り）のような手法であるといえ，切断面７０を基板１２厚み方向に多段階で切削研磨することにより，被加工領域を小さくして鏡面加工精度を高めることができる。この加工精度は，多段階であるほどより高くなる。
【００６７】
本実施形態では，一段階当たりの垂直切り込み深さを例えば０．０４ｍｍとし例えば２段階でガラス層１２ａを切削研磨し，一段階当たりの垂直切り込み深さを例えば０．１ｍｍとし例えば１２段階で半導体基板１２ｂを切削研磨するよう設定している。このように，半導体基板１２ｂよりガラス層１２ａを細かく切削研磨するのは，例えば光学素子が形成されているガラス層１２ａの鏡面加工精度を高めるためである。また，研磨砥石５０の送り速度は，半導体基板１２ｂを切削研磨する場合には例えば２．０ｍｍ／ｓであるのに対し，ガラス層１２ａを切削研磨する場合には例えば０．５ｍｍ／ｓと小さく設定されている。これは，ガラス層１２ａの加工時には加工精度を優先させる一方，半導体基板１２ｂの加工時には加工速度を優先させるためである。
【００６８】
このような多段鏡面加工によって，左切断面７０ａを基板１２厚み方向に徐々に鏡面加工していき，研磨砥石５０の下端が基板１２の裏面より下方に達している場合には，左切断面７０ａの全てが鏡面加工されたと判定され，左切断面鏡面加工サブルーチンを終了して，ステップＳ４０に進む。
【００６９】
このように左切断面鏡面加工サブルーチンを終了する場合には，図７（ｄ）に示すように，左砥石部５２ａの例えば外周部下端が治具の砥石通過用溝１３に十分挿入され，側面逃げ５６の少なくとも一部が基板１２の裏面より下方に現れるような状態となっていることが好ましい。このように研磨砥石５０を砥石通過用溝１３内に深く挿入した状態で切削研磨しておくことにより，左砥石部５２ａの外周部が摩耗により崩れていたとしても，上記側面逃げ５６が機能して，崩れた砥石形状が左切断面７０ａに転写されないようにできる。また，研磨砥石５０を引き出す際に，左砥石部５２ａが接触して左切断面７０ａを傷つけたり，左砥石部５２ａの端部が欠けたりしないようにできる。
【００７０】
その後，図５に示すステップＳ４０では，研磨砥石５０を移動して，右切断面７０ｂを鏡面加工可能な位置に配置する（ステップＳ４０）。まず，図７（ｄ）に示したような治具１４および切溝に挿入されている研磨砥石５０を，左切断面７０ａを傷つけないように切溝から引き出す。次いで，制御装置１６からの制御信号に基づいて移動機構（図示せず。）を動作させて，研磨砥石５０を水平方向に移動させ，図８（ａ）に示すように，右砥石部５２ｂが右切断面７０ｂに例えば約０．０１ｍｍだけ切り込むことができるような位置に配置する。このように，本ステップは右切断面７０ｂを鏡面加工するための準備工程である。
【００７１】
次いで，ステップＳ５０では，右切断面７０ｂが鏡面加工される（ステップＳ５０）。図８（ｂ）〜（ｃ）に示すように，上記左切断面７０ａの鏡面加工と同様にして，多段鏡面加工で右切断面７０ｂが鏡面加工される。かかる右切断面７０ｂの鏡面加工は，左切断面７０ａの鏡面加工の場合と比して，左砥石部５２ａの代わりに右砥石部５２ｂを用いる点で相違するのみであり，その他の機能構成は略同一であるので，詳細な説明は省略する。
【００７２】
上記までのステップにより，図８（ｄ）に示すように，左切断面７０ａおよび右切断面７０ｂの双方が鏡面加工される。これにより，切溝の幅は，鏡面加工前の例えば約０．３２ｍｍと比して若干広く，例えば０．３４ｍｍとなる。
【００７３】
このような切溝内の切断面鏡面加工を，他の切溝についても同様な手法で繰り返し行うことで，例えば全ての切断面７０を鏡面加工できる。この際，まず，１方向の切溝内の切断面７０を順次鏡面加工し，次いで，他方向（即ち，例えば直交する方向）の切溝内の切断面７０を順次鏡面加工することが好ましい。
【００７４】
以上のように，本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法は，ダイシングにより得られたチップをピックアップして搬送してから個々にその切断面を鏡面加工するのではなく，切断された基板１２を搬送せずにそのままの位置で切断面７０を鏡面加工できる。このため，基板１２若しくはチップのアライメントを２回行う必要がないだけでなく，基板１２搬送作業を省略でき，工程数も削減できるので，生産効率が向上する。
【００７５】
また，本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法は，従来のように切断面７０の双方を同時に鏡面加工するのではなく，研磨砥石５０の両側面を片方ずつ用いて，切断砥石４０によって形成された２つの切断面を別々に鏡面加工することができる。より具体的には，切溝内に挿入された研磨砥石５０は，左砥石部５２ａを用いて左切断面７０ａを鏡面加工する一方，右砥石部５２ｂを用いて右切断面７０ｂを鏡面加工することができる。これにより，鏡面加工時に，研磨砥石５０の厚さを維持する必要がなくなる。即ち，鏡面加工を繰り返して砥石部５２が摩耗し，研磨砥石５０の厚さが薄くなったとしても，制御装置１６と移動機構が研磨砥石５０を好適に位置調整することにより，研磨砥石５０は双方の切断面７０を好適に鏡面加工できる。従って，研磨砥石５０の交換回数を低減して，生産効率の向上が図れる。また，研磨砥石５０の寿命を長期化できるので，低コスト化が図れる。
【００７６】
また，鏡面加工に用いられる研磨砥石５０は，硬質な基台部５４を具備しているので比較的大きい強度を有する。また，両側面に側面逃げ５６が形成されているので，研磨砥石５０の側面と切断面７０との接触面積が小さくなる。
【００７７】
さらに，かかる研磨砥石５０の例えば両側面には，好適な本数，幅，深さ，側面全体に占める面積を有する溝５８が設けられているので，切断面７０に対する研磨性能を低下させることなく，研磨砥石５０と切断面７０との接触面積をさらに小さくすることができる。このため，鏡面加工時に切断面７０から受ける側面抵抗（反発力）を十分に低減することができる。従って，研磨砥石５０は，極薄であったとしても加工中にぶれたり歪んだりすることなく，十分な加工直進性を得ることができる。よって，鏡面加工後の切断面７０は，従来のように湾曲することなく，垂直方向の平坦度（直角度）および水平方向の平坦度（真直度）が向上する。このように本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法は，溝５８を具備しない研磨砥石を用いた従来の切断面鏡面加工方法と比べて，切断面７０を高精度で鏡面加工することができ，直角度および真直度の誤差である切断面の歪みを例えば半分以下に抑えることも可能である。
【００７８】
また，上記溝５８を設けることにより，加工点に供給される切削水の量を増加させることができる。このため，加工点を十分に冷却して，切断面７０と研磨砥石５０との間の摩擦熱による温度上昇を抑えることができるので，切断面７０が黒ずんでしまう面焼け現象を防止することもできる。
【００７９】
（実施例）
次に，上記のような第１の実施形態にかかる溝５８が形成された研磨砥石５０を用いて，基板１２の切断面７０を鏡面加工する実験を行った結果について説明する。また，対照実験として，溝５８が形成されていない従来の研磨砥石を用いて，基板１２の切断面７０を鏡面加工した実験結果についても，併せて説明する。
【００８０】
まず，以下の表１に，本実施例にかかる鏡面加工実験の実験条件を示す。
【００８１】
【表１】
2004042215.tif 000003
【００８２】
本実施例にかかる鏡面加工実験では，表１に示すような実験条件で基板１２の切断面７０を鏡面加工し，鏡面加工された切断面７０の平坦度を測定した。この平坦度を表すパラメータとしては，直角度誤差と，真直度誤差の２つを採用した。直角度誤差とは，湾曲した切断面７０の垂直方向の歪みを最上部と最下部との高低差で表したものであり，真直度誤差とは，湾曲した切断面７０の水平方向（切溝の長手方向）の歪みを最上部と最下部との高低差で表したものである。これらの値が大きいほど鏡面加工後の切断面７０が歪んでおり平坦でないことになる。
【００８３】
なお，溝５８が形成されていない従来の研磨砥石を用いた鏡面加工実験の場合には，溝５８に関する条件以外は，上記本実験と同じ条件で切断面７０を鏡面加工して，同様にして平坦度を測定した。
【００８４】
次に，図９に基づいて，本実施例にかかる切断面の鏡面加工実験の実験結果について説明する。なお，図９は，本実施例にかかる鏡面加工実験の実験結果を示すグラフである。
【００８５】
図９（ａ）に示すように，直角度誤差は，溝５８が形成されていない研磨砥石で鏡面加工した場合には，平均で１．０μｍ，最大値で２．０μｍと比較的大きい。これに対して，溝５８が形成された研磨砥石５０で鏡面加工した場合には，直角度誤差は，平均で０．３μｍ，最大値で１．０μｍであり，溝５８が形成されていない場合と比して，平均値で約３分の１，最大値で半分というように非常に小さくなっている。
【００８６】
また，図９（ｂ）に示すように，真直度誤差は，溝５８が形成されていない研磨砥石で鏡面加工した場合には，平均で１．８μｍ，最大値で２．２μｍと比較的大きい。これに対して，溝５８が形成された研磨砥石５０で鏡面加工した場合には，真直度誤差は，平均で０．６μｍ，最大値で１．１μｍであり，溝５８が形成されていない場合と比して，平均値で３分の１，最大値で半分というように非常に小さくなっている。
【００８７】
このように，本実施例にかかる鏡面加工実験では，研磨砥石５０の側面に溝５８を形成した場合には，溝５８を形成していない場合と比べて，直角度誤差および真直度誤差の双方が大幅に小さくなっている。かかる実験結果によれば，研磨砥石５０の側面に溝５８を形成することによって，鏡面加工した切断面７０の平坦度を大幅に向上できるといえる。従って，上記本実施形態にかかる切断面鏡面加工方法により，切断面７０の鏡面加工精度を大幅に向上できることが実証されたといえる。
【００８８】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００８９】
例えば，本実施形態にかかる被加工物である基板１２は，半導体基板１２ｂの上にガラス層１２ａが積層された半導体ウェハを用いたが，本発明は，かかる例に限定されず，例えば，ガラス層１２ａが積層されていなくともよい。また，基板１２としては，例えば，上記以外の各種半導体基板や，サファイヤ基板，水晶，ガラス，セラミック等の難加工材，複合材，各種金属材料，脆性材料からなる基板，ＶＴＲやＦＤＤ等の磁気ヘッドなどであってもよい。また，基板１２の表面には上記光学素子以外にも，ＬＳＩなどの半導体デバイスを構成する各種の配線，電極，絶縁膜，トランジスタ構造等が，多様な態様で形成されていてもよい。また，基板１２は，略円盤形状に限られず，例えば略方形，略扇形等の平板形状などであってもよい。
【００９０】
また，上記実施形態では，基板１２は，治具１４を介してチャックテーブル１５上に載置されたが，かかる例に限定されず，ウェハテープ，粘着テープ，フレーム，サブストレートなどを介して設置されてもよい。ただし，切断砥石４０や研磨砥石５０の切り込み深さを十分に確保できる素材および厚さであることが好ましい。
【００９１】
また，上記実施形態では，切断面鏡面加工装置として，ダイシング装置１０を用いた。この場合には，切断ブレードの代わりに研磨砥石５０を適用するだけでよく，その他の装置本体の設計変更などは不要であるで，高性能の切断面鏡面加工装置を容易に提供でき，かつ，切断加工と鏡面加工を同時に行えるというメリットがあった。しかし，本発明にかかる切断面鏡面加工装置は，かかる例に限定されない。例えば，基板１２を切断する切断砥石４０を具備する切断装置と，切断面鏡面加工装置とを別体に構成してもよい。この場合，切断面鏡面加工装置として，例えば各種のグラインダー等の研磨装置などを用いてもよい。
【００９２】
また，上記実施形態では，切断面鏡面加工装置であるダイシング装置１０として，２つの切削ユニット２０を備えた対面型デュアルダイサーを用いたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，ダイシング装置１０として，例えば２つの切削ユニット２０を並列的に配置したデュアルダイサーを用いてもよい。また，切削ユニット２０を１つだけ具備したシングルダイサーを用いてもよい。この場合には，切断砥石４０による切断加工後に，例えば，切断砥石４０を研磨砥石５０に交換して，鏡面加工を行うようにしてもよい。
【００９３】
また，上記実施形態では，研磨砥石５０の基台部５４は，超硬合金からなるが，本発明はかかる例に限定されず，例えばステンレス鋼等の比較的硬質な各種金属や，硬質な切断ブレード（補強用砥石）などで構成してもよい。
【００９４】
また，研磨砥石５０は，基台部５４を必ずしも具備しなくともよい。研磨砥石５０は，切断砥石４０の幅（切溝の幅）より薄い砥石であれよく，全体が超微粒砥石からなるものや，各種の電鋳ブレード，メタルブレードまたはレジンブレード，回転ディスクなどであってもよい。
【００９５】
また，上記実施形態では，研磨砥石５０は，両側面に砥石部５２および溝５８を備えていたが，かかる例に限定されず，一側面にのみ砥石部５２および溝５８を具備するようにしてもよい。
【００９６】
また，研磨砥石５０の厚さ，砥石部５２の粒度若しくは厚さ，砥石部５２の外周部の幅，溝５８の設置数，幅若しくは深さ，側面逃げ５６の幅若しくは深さ，研磨砥石５０の回転速度若しくは送り速度などの各数値は，上記実施形態の例に限定されず，被加工物である基板１２の種類や，求められる鏡面加工精度等に応じて好適に変更することができる。
【００９７】
特に，本実施形態にかかる特徴である溝５８に関していえば，例えば，溝５８の設置数を多くする，或いは，溝５８の幅および研磨砥石５０の側面面全体に占める面積等を大きくするほど，研磨砥石５０と切断面７０の接触面積を低減できるが，研磨効率は低下してしまう。このため，上記のように被加工物の種類や所望の加工精度に応じて，かかる溝５８の形成条件を好適に設定することが好ましい。
【００９８】
例えば，溝５８の設置数は，複数であればよく，必ずしも８つに限定されない。また，溝５８の幅は，例えば溝５８の設置数等に応じて増減させてもよい。また，それぞれの溝５８は，上記実施形態のように略同一幅でなくともよく，例えば，砥石部５２の外周部に近いほど広い幅とするなどしてもよい。
【００９９】
また，上記実施形態では，略同一形状の溝５８が等間隔で設けられていたが，かかる例に限定されず，例えば，多様な形状を有する溝５８を任意の配置で設けてもよい。より具体的には，例えば，幅が太い溝５８と細い溝５８を交互に配置したり，深さが浅い溝５８と深い溝５８とをランダムに配置したりしてもよい。また，溝５８の断面形状は，上記実施形態のようにコの字形に限定されず，例えば略Ｕ字形，略Ｖ字形，略Ｗ字形などの任意の断面形状であってもよい。
【０１００】
また，溝５８の深さを深くするほど溝５８内に切削水が入り込みやすくなるので，加工点に多くの切削水を供給することができるが，研磨砥石５０が薄くなるので強度が低下してしまう。このため，上記のように被加工物の種類や所望の加工精度に応じて，かかる溝５８の深さも好適に設定することが好ましい
【０１０１】
また，上記実施形態では，溝５８を形成する方向は，研磨砥石５０側面の直径方向であったが，かかる例に限定されず，例えば，すべての溝５８を１つの所定方向に平行に並べて形成するなど，任意の方向で形成してもよい。
【０１０２】
また，上記実施形態にかかる切断面鏡面加工方法では，基板１２厚み方向に複数の段階で切削研磨して切断面を鏡面加工（多段鏡面加工）したが，本発明は，かかる例に限定されない。例えば，研磨砥石５０の垂直切り込み深さを大きくして，一方の切断面７０の全てを１ｐａｓｓで切削研磨してもよい。
【０１０３】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，研磨砥石の側面に複数の溝を設けることで，鏡面加工時において，研磨砥石の側面と切断面との接触面積を低減できるので，薄い研磨砥石であっても十分な直進性を得ることができる。従って，鏡面研磨後の切断面の歪みが低減され，鏡面加工精度が大幅に向上する。
【０１０４】
また，かかる溝を介して十分な量の切削水が加工点に供給されるので，加工点を好適に冷却して切断面に生ずる面焼けを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，第１の実施形態にかかるダイシング装置の全体斜視図である。
【図２】図２（ａ）は，第１の実施形態にかかる切断砥石を示す平面図である。
図２（ｂ）は，第１の実施形態にかかる切断砥石を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は，第１の実施形態にかかる研磨砥石を示す平面図である。
図３（ｂ）は，図３（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図４】図４（ａ）は，第１の実施形態にかかる溝周辺の研磨砥石を示す部分拡大平面図である。
図４（ｂ）は，第１の実施形態にかかる溝周辺の研磨砥石を示す部分拡大正面図である。
図４（ｃ）は，図４（ａ）のＢ−Ｂ’線での断面図である。
図４（ｄ）は，図４（ａ）のＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図５】図５は，第１の実施形態にかかる切断面鏡面加工方法の動作フローを示すフローチャートである。
【図６】図６は，第１の実施形態にかかる左切断面鏡面加工サブルーチンの動作フローを示すフローチャートである。
【図７】図７は，第１の実施形態にかかる切断面鏡面加工方法の各工程における，基板等の態様を示す断面図である。
【図８】図８は，第１の実施形態にかかる切断面鏡面加工方法の各工程における，基板等の態様を示す断面図である。
【図９】図９は，実施例にかかる切断面の鏡面加工実験の実験結果を示すグラフである。
【図１０】図１０（ａ）は，従来の切断面鏡面加工方法により生じた切断面の垂直方向の歪みを示す模式図である。
図１０（ｂ）は，従来の切断面鏡面加工方法により生じた切断面の水平方向の歪みを示す模式図である。
【符号の説明】
１０　：　ダイシング装置
１２　：　基板
１３　：　砥石通過用溝
１４　：　治具
１５　：　チャックテーブル
１６　：　制御装置
２０−１　：　第１の切削ユニット
２０−２　：　第２の切削ユニット
４０　：　切断砥石
５０　：　研磨砥石
５２　：　砥石部
５２ａ　：　左砥石部
５２ｂ　：　右砥石部
５４　：　基台部
５６　：　側面逃げ
５８　：　溝
７０　：　切断面
７０ａ　：　左切断面
７０ｂ　：　右切断面
【図１】
2004042215.tif 000004
【図２】
2004042215.tif 000005
【図３】
2004042215.tif 000006
【図４】
2004042215.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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