(57)【要約】      （修正有）【課題】マーク位置検出時間が増加することなく、マークの検出能力を向上させる位置計測方法および露光方法。【解決手段】物体上に形成されたマークＳＭを所定の撮像視野ＦＶ内で撮像し、該撮像結果に基づいてマークＳＭの位置情報を計測する。撮像視野ＦＶを複数の領域Ａ、Ｂ、Ｃに分割し、分割された領域毎にマークＳＭの像を順次探索。また露光方法は、マスク上のマスクマークと基板上の基板マークとを用いて位置合わせした後、マスクのパターンを基板に露光。【選択図】      図３
2004279332.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体上に形成されたマークを所定の撮像視野内で撮像し、該撮像結果に基づいて前記マークの位置情報を計測する位置計測方法であって、
前記撮像視野を複数の領域に分割し、
前記分割された領域毎に前記マークの像を順次探索することを特徴とする位置計測方法。
【請求項２】
請求項１記載の位置計測方法において、
前記複数の領域のうち、第１領域を探索した結果に基づいて、第２領域を探索するか否かを決定することを特徴とする位置計測方法。
【請求項３】
請求項２記載の位置計測方法において、
前記第１領域で計測された前記マークの信号が所定のコントラストを有する場合に前記計測を終了し、所定のコントラストを有していない場合に前記第２領域を探索することを特徴とする位置計測方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の位置計測方法において、前記マークの像を一次元画像処理により探索することを特徴とする位置計測方法。
【請求項５】
請求項４記載の位置計測方法において、
前記一次元画像処理の結果に基づいて、前記マークの像を二次元画像処理により探索することを特徴とする位置計測方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の位置計測方法において、前記マークを複数計測する際に、第１マークを検出した結果に基づいて、前記撮像視野内で第２マークを探索する前記領域を決定することを特徴とする位置計測方法。
【請求項７】
請求項６記載の位置計測方法において、
前記第２マークを探索するときに、前記複数の領域のうち、前記第１マークが検出された領域を先に探索することを特徴とする位置計測方法。
【請求項８】
請求項６または７記載の位置計測方法において、
前記物体を複数計測するときに、第１物体での前記マークの計測結果に基づいて、第２物体の前記マークを探索する前記領域を決定することを特徴とする位置計測方法。
【請求項９】
マスク上のマスクマークと基板上の基板マークと用いて前記マスクと前記基板とを位置合わせした後に、前記マスクのパターンを前記基板に露光する露光方法において、
前記マスクマークと前記基板マークとの少なくとも一方の位置を、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載された位置計測方法により計測することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
物体上に形成されたマークを所定の撮像視野内で撮像する撮像部と、該撮像部で撮像された結果に基づいて前記マークの位置情報を計測する計測部とを有する位置計測装置であって、
前記撮像視野を複数の領域に分割し、前記分割された領域毎に前記マークの像を順次探索するように前記計測部を制御する制御部を備えることを特徴とする位置計測装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の位置計測装置において、
前記制御部は、前記複数の領域のうち、第１領域を探索した結果に基づいて、第２領域を探索するか否かを決定することを特徴とする位置計測装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の位置計測装置において、
前記制御部は、前記第１領域で計測された前記マークの信号が所定のコントラストを有する場合に前記計測を終了させ、所定のコントラストを有していない場合に前記第２領域を探索させることを特徴とする位置計測装置。
【請求項１３】
請求項１０から１２のいずれかに記載の位置計測装置において、
前記制御部は、前記マークを複数計測する際に、第１マークを検出した結果に基づいて、前記撮像視野内で第２マークを探索する前記領域を決定することを特徴とする位置計測装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の位置計測装置において、
前記制御部は、前記物体を複数計測するときに、第１物体での前記マークの計測結果に基づいて、第２物体の前記マークを探索する前記領域を決定することを特徴とする位置計測装置。
【請求項１５】
マスク上のマスクマークと基板上の基板マークと用いて前記マスクと前記基板とを位置合わせし、前記マスクのパターンを前記基板に露光する露光装置において、
前記マスクマークと前記基板マークとの少なくとも一方の位置を計測する装置として、請求項１０から請求項１４のいずれか一項に記載された位置計測装置が用いられることを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感光基板（ウエハなど）上の各ショット領域に順次マスクのパターン像を転写するにあたって、各ショット領域の位置を計測する際に用いて好適な位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスまたは液晶表示デバイス等をフォトリソグラフィ工程で製造する際に、フォトマスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）のパターン像を投影光学系を介して感光基板上の各ショット領域に投影する投影露光装置が使用されている。近年、この種の投影露光装置としては、感光基板を２次元的に移動自在なステージ上に載置し、このステージにより感光基板をステップ移動させて、レチクルのパターン像を感光基板上の各ショット領域に順次露光する動作を繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露光装置、例えば縮小投影型の露光装置（ステッパー）が多用されている。
【０００３】
例えば半導体デバイスは、感光基板として、感光材が塗布されたウエハ上に多数層の回路パターンを重ねて形成されるので、２層目以降の回路パターンをウエハ上に投影露光する際には、ウエハ上の既に回路パターンが形成された各ショット領域とこれから露光するレチクルのパターン像との位置合わせ、即ちウエハとレチクルとの位置合わせ（アライメント）を精確に行う必要がある。
【０００４】
例えば、回路パターン（ショット領域）がマトリックス状に配置された一枚のウエハに対して、重ね合わせ露光を行う際にウエハをアライメントする方式としては、例えば特許文献１に開示されている、いわゆるエンハンスド・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）が主流となっている。ＥＧＡ方式とは、ウエハ上に形成された複数のショット領域のうち、少なくとも三つの領域（以下ＥＧＡショットと称する）を指定し、各ショット領域に付随したアライメントマーク（ウエハマーク）の座標位置をオフアクシスアライメント系にて計測する。
【０００５】
その後、計測値と設計値とに基づいてウエハ上のショット領域の配列特性（位置情報）に関する誤差パラメータ（オフセット、スケール、回転、直交度）を最小二乗法等により統計演算して決定する。そして、この決定されたパラメータの値に基づいて、ウエハ上の全てのショット領域に対してその設計上の座標値を補正し、この補正された座標値に従ってウエハステージを、投影光学系とオフアクシスアライメント系との間の距離であるベースライン量を用いてステッピングさせてウエハを位置決めする方式である。この結果、レチクルパターンの投影像とウエハ上の複数のショット領域のそれぞれとが、ショット領域内に設定された加工点（座標値が計測、又は算出される基準点であり、例えばショット領域の中心）において正確に重ね合わされて露光されることになる。
【０００６】
ところで、ウエハステージにロードされるウエハは、プリアライメントされた状態で載置されるが、ファインアライメントとしてのＥＧＡ計測を実行できるレベルでの位置決めはされていない。そのため、通常、ＥＧＡ計測を実行する前にＥＧＡ計測に支障を来さない程度にウエハを粗調整する、いわゆるサーチアライメントが行われている。このサーチアライメントは、予め指定されたショット領域（例えば２箇所、以下サーチショットと称する）においてサーチアライメント用マーク（サーチマーク）を計測し、この計測結果に基づいてショット領域の座標値を補正するものである。
【０００７】
このようなサーチマークは、この種のアライメント系としては、ウエハ上に形成された格子状のアライメントマークに対してレーザ光束を照射し、その反射光強度の変化によりアライメントマーク位置を計測するＬＳＡ（レーザ・ステップ・アライメント）方式がある。また、格子状のアライメントマークの２つの対称な次数方向（例えば、＋１次回折光の方向と−１次回折光の方向）からコヒーレントな光束を入射し、格子マークから同一方向に発生する２つの回折光成分を干渉させて格子マークのピッチ方向の位置や位置ずれを計測するＬＩＡ（レーザ干渉アライメント）方式などがある。さらに、ウエハステージを静止させてウエハのアライメントマーク上にハロゲンランプからの白色光等の照明光を照射して、得られたアライメントマークの画像を撮像素子により所定の撮像視野内で撮像し、画像処理によってアライメントマーク位置を計測するＦＩＡ（フィールド・イメージ・アライメント）方式がある。
【０００８】
図９に、ＦＩＡ方式のアライメントセンサにより、カメラ視野（撮像視野）ＦＶ内に十字状のサーチマーク（マーク、基板マーク）ＳＭが撮像された一例を示す。なお、ウエハ上に形成されたアライメントマークとして、例えばファインアライメントには図１１（ａ）に示すようなマークが用いられ、サーチアライメントには図１１（ｂ）に示すようなマークが用いられるが、以下の説明では簡易的に十字状のマークを用いるものとする。
【０００９】
カメラ視野ＦＶ内に撮像されたサーチマークＳＭに対しては、二次元画像を画像処理すると処理時間が多くなりスループット的に不利になることに加えて、低コントラストでは計測精度が劣る等の理由から、二次元画像を非計測方向（計測方向と直交する方向）に圧縮して、一次元画像で画像処理したマーク位置計測を行っている。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭６１−４４４２９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように、ＦＩＡアライメント系を用いた従来の位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置には、以下のような問題が存在する。
【００１２】
カメラ視野に対してサーチマークを小型化した場合、二次元の視野全体を一次元に圧縮すると、図１０（ａ）に示すように、サーチマークの信号コントラストが低下し、マークをサーチ（探索）した際に検出能力が落ちるという問題が発生する。この問題の対策として、カメラ視野を狭くするとサーチマークの占有する割合が相対的に大きくなりコントラストが向上するが、確実にカメラ視野内でサーチマークを撮像するためにプリアライメント精度を上げる必要が生じてしまう。逆に、カメラ視野の大きさを維持してサーチマーク自体を大型化することも考えられるが、パターン領域の大きさに悪影響を及ぼすという不都合が生じてしまう。
【００１３】
そこで、サーチマークの像は、マーク中心の存在し得る範囲の中、カメラ視野内で中心近傍に位置する確率が高いことから、従来では図９に示すように、カメラ視野ＦＶの中、中心を通る帯状の領域Ｂのみを取り出し、この領域Ｂのみの画像を圧縮して処理していた。この方法によれば、カメラ視野に対するサーチマークＳＭの像が占有する割合が相対的に大きくなり、所定の信号コントラストを得やすいという長所がある。ところが、プリアライメントの精度によっては、図９に示したように、サーチマークＳＭがカメラ視野ＦＶ内で中心領域Ｂから外れた位置で撮像されることがある。
【００１４】
この場合、中心領域Ｂに対して一次元画像処理でサーチを行っても、図１０（ｂ）に示すように、十分な信号コントラストが得られず正確なマーク位置計測が実施できないという問題があった。また、最悪の場合、サーチマークＳＭが完全に中心領域Ｂから外れてしまい、マーク検出不能という自体に陥ってしまう。このように、領域ＢにおいてサーチマークＳＭが検出されないとエラーが発生し、マーク検出可能位置を別途指示する等、オペレータが介在せざるを得なくなるため、スループットが低下して生産効率が下がるという問題があった。
【００１５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、マーク位置検出時間が増加することなく、マークの検出能力を向上させる位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、実施の形態を示す図１ないし図７に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の位置計測方法は、物体（Ｗ）上に形成されたマーク（ＳＭ）を所定の撮像視野（ＦＶ）内で撮像し、該撮像結果に基づいてマーク（ＳＭ）の位置情報を計測する位置計測方法であって、撮像視野（ＦＶ）を複数の領域（Ａ、Ｂ、Ｃ）に分割し、分割された領域毎にマーク（ＳＭ）の像を順次探索することを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の位置計測装置は、物体（Ｗ）上に形成されたマーク（ＳＭ）を所定の撮像視野（ＦＶ）内で撮像する撮像部と、撮像部で撮像された結果に基づいてマーク（ＳＭ）の位置情報を計測する計測部（１９）とを有する位置計測装置（１７）であって、撮像視野（ＦＶ）を複数の領域（Ａ、Ｂ、Ｃ）に分割し、分割された領域（Ａ、Ｂ、Ｃ）毎にマーク（ＳＭ）の像を順次探索するように計測部（１９）を制御する制御部（１５）を備えることを特徴とするものである。
【００１８】
従って、本発明の位置計測方法および位置計測装置では、まず複数の領域の一つ（Ｂ）でマーク（ＳＭ）を探索し、探索できない場合は他の領域（Ａ）を探索する。このように、マーク（ＳＭ）を検出できるまで、順次分割された領域（Ａ、Ｂ、Ｃ）を探索できるため、マーク（ＳＭ）の検出能力が向上する。そのため、人手を介在させることなく、短時間でマーク（ＳＭ）を検出することができる。また、探索する領域（Ａ、Ｂ、Ｃ）は、撮像視野（ＦＶ）を分割しているので、マーク（ＳＭ）の像の占有する割合が相対的に大きくなっており、所定のコントラストを容易に得ることができるため、マーク（ＳＭ）の検出が容易である。
【００１９】
そして、本発明の露光方法は、マスク（Ｒ）上のマスクマークと基板（Ｗ）上の基板マーク（ＳＭ）と用いてマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを位置合わせした後に、マスク（Ｒ）のパターンを基板（Ｗ）に露光する露光方法において、マスクマークと基板マーク（ＳＭ）との少なくとも一方の位置を、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載された位置計測方法により計測することを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の露光装置は、マスク（Ｒ）上のマスクマークと基板（Ｗ）上の基板マーク（ＳＭ）と用いてマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを位置合わせし、マスク（Ｒ）のパターンを基板（Ｗ）に露光する露光装置（１）において、マスクマークと基板マーク（ＳＭ）との少なくとも一方の位置を計測する装置として、請求項１０から請求項１４のいずれか一項に記載された位置計測装置（１７）が用いられることを特徴とするものである。
【００２１】
従って、本発明の露光方法および露光装置では、マスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを位置合わせする際にマスクマークまたは基板マーク（ＳＭ）に対する検出能力が向上し、スループットの向上に寄与できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置の第１の実施の形態を、図１ないし図４を参照して説明する。ここでは、例えば、ステップ・アンド・リピート型の露光装置を用い、半導体デバイス製造用のウエハ上にレチクル上の回路パターンを露光する場合の例を用いて説明する。また、本発明の位置計測装置を、レチクルとウエハとを位置合わせする際にウエハ上に形成されたアライメントマークの位置計測に用いるものとして説明する。これらの図において、従来例として示した図９および図１０と同一の構成要素には同一号を付し、その説明を省略する。
【００２３】
図１は、露光装置１の概略構成図である。超高圧水銀ランプやエキシマレーザ等の光源２から射出された照明光は、反射鏡３で反射されて露光に必要な波長の光のみを透過させる波長選択フィルタ４に入射する。波長選択フィルタ４を透過した照明光は、オプティカルインテグレータ（フライアイレンズ、又はロッド）５によって均一な強度分布の光束に調整されて、レチクルブラインド（視野絞り）６に到達する。レチクルブラインド６は、駆動系６ａによって開口Ｓを規定する複数のブレードがそれぞれ駆動し、開口Ｓの大きさを変化させて照明光によるレチクル（マスク）Ｒ上の照明領域を設定するものである。
【００２４】
レチクルブラインド６の開口Ｓを通過した照明光は、反射鏡７で反射されてレンズ系８に入射する。このレンズ系８によってレチクルブラインド６の開口Ｓの像がレチクルステージ２０上に保持されたレチクルＲ上に結像され、レチクルＲの所望領域が照明される。なお、図１では、これら波長選択フィルタ４、オプティカルインテグレータ５、レチクルブラインド６、レンズ系８により照明光学系が構成される。また、レチクルステージ２０は、投影光学系９の光軸と垂直な面内で２次元移動可能であるとともに、レチクルステージ２０（レチクルＲ）の位置及び回転量は不図示のレーザ干渉計によって検出され、このレーザ干渉計の計測値（位置情報）は、後述するステージ制御系１４、主制御系１５、及びアライメント制御系１９にそれぞれ出力される。
【００２５】
レチクルＲの照明領域に存在する回路パターン及び／又はアライメントマークの像は、レジストが塗布されたウエハ（物体、基板）Ｗ上に投影光学系９によって結像される。これにより、ウエハステージ１０上に載置されるウエハＷ上の特定領域（ショット領域）にレチクルＲのパターン像及び／又はアライメントマーク像が露光される。
【００２６】
ウエハステージ１０は、ウエハＷを真空吸着するウエハホルダ（不図示）を有するとともに、リニアモータ等の駆動装置１１によって、投影光学系９の光軸と垂直で互いに直交するＸ方向及びＹ方向に移動される。これにより、投影光学系９に対してその像面側でウエハＷが２次元移動され、例えばステップ・アンド・リピート方式（又はステップ・アンド・スキャン方式）で、ウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が転写されることになる。
【００２７】
また、ステージ移動座標系（直交座標系）ＸＹ上でのウエハステージ１０（ウエハＷ）のＸ、Ｙ方向の位置、及び回転量（ヨーイング量、ピッチング量、ローリング量）は、ウエハステージ１０の端部に設けられた移動鏡（反射鏡）１２にレーザ光を照射するレーザ干渉計１３によって検出される。レーザ干渉計１３の測定値（位置情報）は、ステージ制御系１４、主制御系１５、及びアライメント制御系１９にそれぞれ出力される。ステージ制御系１４は、主制御系１５及びレーザ干渉計１３などからの位置情報に基づいて、駆動装置１１などを介してレチクルステージ２０及びウエハステージ１０の移動をそれぞれ制御する。主制御系１５は、駆動系６ａを介してレチクルブラインド６の開口Ｓの大きさや形状を制御するとともに、アライメント制御系１９から出力されるウエハＷ上のアライメントマークの位置情報に基づいてＥＧＡ計算を行う他、装置全体を統括制御する。
【００２８】
この露光装置１には、レチクルＲとウエハＷとの位置合わせを行うために、例えばＴＴＲ（スルー・ザ・レチクル）方式のレチクル・アライメントセンサ１６およびオフアクシス方式のウエハ・アライメントセンサ（位置計測装置）１７が備えられている。
【００２９】
レチクル・アライメントセンサ１６は、例えば露光用照明光を用いてレチクルＲに形成された不図示のアライメントマーク（マスクマーク）と投影光学系９とを介して基準マーク部材１８上の基準マークを検出する。露光光アライメント方式では、撮像素子（ＣＣＤ）を用いてレチクルＲのアライメントマークと基準マークとをモニタに表示することで、その位置関係を直接的に観察できる。基準マーク部材１８は、ウエハステージ１０上に固定され、ウエハＷの表面と同じ高さに基準マークが形成されている。
【００３０】
レチクル・アライメントセンサ１６は、レチクルＲのアライメントマーク及び基準マークの撮像信号をアライメント制御系１９に出力する。アライメント制御系１９は、その撮像信号に基づいて両マークの位置ずれ量を検出するとともに、レチクルステージ２０及びウエハステージ１０の位置をそれぞれ検出するレーザ干渉計１３などの測定値も入力し、両マークの位置ずれ量が所定値、例えば零となるときのレチクルステージ２０及びウエハステージ１０の各位置を求める。これにより、ウエハステージ移動座標系ＸＹ上でのレチクルＲの位置が検出される、換言すればレチクルステージ移動座標系とウエハステージ移動座標系ＸＹとの対応付け（即ち、相対位置関係の検出）が行われ、アライメント制御系１９はその結果（位置情報）を主制御系１５に出力する。
【００３１】
なお、アライメントセンサ１６には、アライメント用照明光として単一波長のレーザビーム（Ｈｅ−Ｎｅレーザなど）、多波長光、広帯域光、及び露光光などのいずれを用いてもよいし（但し、露光光以外をアライメント照明光として用いる場合には、投影レンズで発生する色収差を補正する公知の補正光学素子を、レチクルＲと投影光学系９との間、または投影光学系９の瞳面近傍に配置する必要がある）、受光素子として撮像素子やＳＰＤなどを用いてもよい。
【００３２】
オフアクシス方式のウエハ・アライメントセンサ１７のアライメント方式としては、ＦＩＡ方式、ＬＳＡ方式、ＬＩＡ方式または露光光を使用する露光光アライメント方式を適用できる。ウエハ・アライメントセンサ１７には、ＬＳＡ方式、ＬＩＡ方式ではＳＰＤ等の光電変換素子を使用し、ＦＩＡ方式ではＣＣＤカメラ等の撮像素子を使用する。これらの方式のうち、本実施の形態ではＦＩＡ方式を採用している。
【００３３】
即ち、ウエハ・アライメントセンサ１７は投影光学系９とは別設される対物光学系を介して、ウエハＷ上のレジストを感光させない波長域の照明光、例えば波長が５５０〜７５０ｎｍ程度の広帯域光（ブロードバンド光）をウエハＷ上のアライメントマークに照射するとともに、その対物光学系を通してＣＣＤカメラ等、不図示の撮像素子（撮像部）の受光面上に指標マークの像（不図示）とともにそのアライメントマークの像を形成し、両マーク像の撮像信号（画像信号）をアライメント制御系１９に出力する。また、ウエハ・アライメントセンサ１７はＡＦ（オートフォーカス）機能、即ち前述の対物光学系の光軸に沿った方向に関するウエハＷの位置情報を検出する機能を備えており、その位置情報に基づいてウエハステージ１０を駆動することで、ウエハＷ上のアライメントマークを前述の対物光学系の焦点面に配置することが可能となっている。
【００３４】
アライメント制御系１９は、ウエハ・アライメントセンサ１７からの撮像信号に基づいて、計測部として両マークの位置ずれ量を計測するとともに、レーザ干渉計１３の測定値も入力してその位置ずれ量が所定値、例えば零となるときのウエハステージ１０の位置をウエハステージ移動座標系ＸＹ上でのアライメントマークの座標値として求め、その位置情報を主制御系１５に出力する。
【００３５】
主制御系１５は、制御部としてアライメント制御系１９に対してその信号処理条件などに関する指令を与えるとともに、アライメント制御系１９から出力されるアライメントマークの位置情報（座標値）に基づいてＥＧＡ計算を行う、即ちウエハＷ上の各ショット領域（基準点、例えばショットセンタ）の位置情報（座標値）を算出する。さらに主制御系１５は、ウエハ・アライメントセンサ１７のベースライン量に基づいてその算出した座標値を補正し、この補正した座標値をステージ制御系１４に出力する。ステージ制御系１４は、主制御系１５からの位置情報に基づいて、駆動装置１１を介してウエハステージ１０の移動を制御する。これにより、例えばステップ・アンド・リピート方式（又はステップ・アンド・スキャン方式）で、ウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターン像が転写されることになる。
【００３６】
続いて、上記の構成の露光装置１を用いて露光処理を行うにあたって、ウエハＷ上に形成されたサーチマークＳＭの位置をウエハ・アライメントセンサ１７により計測する、いわゆるサーチアライメントを実施する手順を図２に示すフローチャートを用いて説明する。なお、レチクルＲに対するアライメントは既に完了しているものとする。
【００３７】
ウエハステージ１０上に露光処理対象となるウエハＷがロードされると、マーク位置計測を開始する（ステップＳ０）。まず、ステージ制御系１４、駆動装置１１を介してウエハステージ１０（ウエハＷ）を移動して、ウエハ・アライメントセンサ１７の計測領域にサーチマークＳＭを位置させる（ステップＳ１）。ウエハＷの移動が完了すると、ウエハ・アライメントセンサ１７は、ウエハＷのフォーカス調整を行った後に、ハロゲンランプ等からの照明ビームで照明されたサーチマークＳＭの像を、図３に示すように、撮像素子を用いて所定のカメラ視野ＦＶ内で撮像して（ステップＳ２）、画像信号をアライメント制御系１９に出力する。
【００３８】
アライメント制御系１９が入力した画像信号を用いてカメラ視野ＦＶ内でサーチマークＳＭの像をサーチするにあたって、主制御系１５からはカメラ視野ＦＶをＹ方向に沿った帯状の領域Ａ、Ｂ、Ｃに３分割し、領域Ｂ→Ａ→Ｃの順序でサーチマークＳＭの像をサーチするように指示が出される。そのため、アライメント制御系１９は、まずカメラ視野ＦＶ内の領域（第１領域）Ｂに対して一次元画像処理によりサーチマークＳＭの像をサーチし（ステップＳ３）、サーチマークＳＭが検出されたか否かを判断する（ステップＳ４）。
【００３９】
領域Ｂでは、図１０（ｂ）に示したように、計測されたマーク信号が所定のコントラストを有していないため、サーチマークＳＭを検出できない。そこで、アライメント制御系１９は、引き続いて領域（第２領域）Ａに対して一次元画像処理によりサーチマークＳＭの像をサーチし（ステップＳ５）、サーチマークＳＭが検出されたか否かを判断する（ステップＳ６）。なお、ステップＳ４でサーチマークＳＭを検出した場合は、後述のステップＳ７の処理を実行する。
【００４０】
領域Ａでは、図４（ａ）に示されるように、計測された信号が所定のコントラストを有しているため、サーチマークＳＭを検出できる。そこで、アライメント制御系１９は、以後のサーチ処理を終了させ、サーチマークＳＭと指標マークとの間の位置ずれ量を計測し、レーザ干渉計１３の測定値も入力してその位置ずれ量が所定値、例えば零となるときのウエハステージ１０の位置をウエハステージ移動座標系ＸＹ上でのサーチマークＳＭの座標値（位置情報）として求め、その位置情報を主制御系１５に出力する（ステップＳ７）。
【００４１】
一方、もしステップＳ６でサーチマークＳＭを検出できなかった場合は、ステップＳ８で領域ＣをサーチしてサーチマークＳＭが検出されたか否かを判断する（ステップＳ９）。ステップＳ９でサーチマークＳＭが検出されたときは、ステップＳ７の処理を実行するが、十分な信号コントラストが得られない場合や、領域ＣにサーチマークＳＭが存在せず、図４（ｂ）に示されるように、計測された信号がコントラストを全く有していない場合、アライメント制御系１９は、主制御系１５の指示に基づき一次元画像処理を中止し、二次元画像処理でカメラ視野ＦＶ全体をサーチして（ステップＳ１０）、サーチマークＳＭが検出されたか否かを判断する（ステップＳ１１）。
【００４２】
ここで、サーチマークＳＭを検出した場合は、上記ステップＳ７の処理を実行するが、二次元画像処理でもサーチマークＳＭを検出できなかった場合は、何らかの障害によりエラーが発生したものとして、オペレータ・コールを実行し（ステップＳ１２）、オペレータによる指示を仰ぐ。
【００４３】
サーチマークＳＭの位置計測が終了すると、主制御系はこのマーク位置を記憶するとともに、アライメント制御系１９により他のサーチマークに対しても、上記と同様の手順でマーク位置計測を実施し、その位置を記憶する。この後、主制御系１５は、計測されたサーチマークＳＭのウエハステージ移動座標系ＸＹ上での座標値、及び対応する設計上の座標値とに基づいて演算処理を行い（ステップＳ１３）、ＥＧＡショット毎にウエハステージ移動座標系ＸＹ上でのウエハマークの設計上の座標値を補正して、サーチアライメント時のマーク位置計測が終了する（ステップＳ１４）。
【００４４】
この後、ステージ制御系１４は、ファインアライメントを実行すべく、この補正された座標値を目標値とし、レーザ干渉計１３の測定値に基づいてウエハステージ１０を移動し、ＥＧＡショット毎にウエハマークをそれぞれウエハ・アライメントセンサ１７により順次計測する。そして、主制御系１５は、得られた計測値と設計値とに基づいて最小二乗法等の統計演算処理により、ウエハＷ上のショット領域の配列特性に関する位置情報として、シフト、スケール、回転、直交度等の誤差パラメータを算出し、これらの誤差パラメータに基づいて、ウエハＷ上の全てのショット領域に対して設計上の座標位置を補正する。
【００４５】
そして、投影光学系９の結像特性（投影倍率、歪曲収差等）を調整するとともに、その補正（算出）された座標位置と、ベースライン量とを用いてウエハステージ１０を順次ステップ移動させて、ステップ・アンド・リピート方式でレチクルＲ上のパターンをウエハＷ上の各ショット領域に順次露光する。
【００４６】
本実施の形態の位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置では、カメラ視野ＦＶを複数の領域Ａ、Ｂ、Ｃに分割し、分割した領域毎にサーチマークＳＭを一次元画像処理によりサーチしているので、各領域に対するサーチマークＳＭの占有する割合が増え、マークの信号コントラストが向上し、マークの検出能力および検出精度を向上させることができるとともに、領域の一つでマークが検出されなくても、他の領域を順次サーチすることで、露光装置を停止してオペレータを介在させる頻度を低減でき、生産効率の低下を防ぐことが可能になる。特に、本実施の形態では、一次元画像処理でマーク検出ができなかった場合に二次元画像処理でマークをサーチするようにしているため、検出不能によるエラーの発生頻度を大幅に低減でき、生産効率の低下を一層効果的に防止することができる。
【００４７】
また、本実施の形態の位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置では、分割された領域の一つでサーチマークＳＭを検出した場合には、他の領域をサーチしないので、余計な計測時間を省略することができ、スループットの向上にも寄与できる。従って、本実施の形態の露光方法および露光装置では、マーク位置計測の検出能力が高まることで、レチクルＲとウエハＷとの位置合わせに要する時間が短縮され、生産効率の向上に寄与できる。なお、上記実施の形態では、領域のサーチ順序をＢ→Ａ→Ｃとしたが、これに限定されるものではなく、いずれの領域からサーチを開始してもよい。
【００４８】
図５ないし図７は、本発明の位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置の第２の実施の形態を示す図である。これらの図において、図１ないし図４に示す第１の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。第２の実施の形態と上記の第１の実施の形態とが異なる点は、先にマーク位置計測を実施した結果を後のマーク位置計測に反映させるようにしたことである。
【００４９】
まず、本実施の形態に用いられるウエハについて説明する。
図５に示すように、ウエハＷには、複数のショット領域がマトリックス状に配列されており、各ショット領域には前工程での露光及び現像等によりそれぞれチップパターンが形成される。また、各ショット領域には、図１１（ａ）および（ｂ）で示したウエハマークおよびサーチマークがそれぞれ形成されている。そして、ここでは、サーチアライメント時に、ウエハＷ上に形成された二つのサーチマークＳＭ１、ＳＭ２（適宜、ＳＭと総称する）の位置をウエハ・アライメントセンサ１７により計測する手順を図７に示すフローチャート図を用いて説明する。
【００５０】
なお、計測対象となる第２物体としてのウエハ（Ｎ（Ｎ≧２）枚目のウエハ）Ｗに形成された第２マークとしてのサーチマークＳＭ１、ＳＭ２の計測前に、第１物体としてのウエハ（１枚目〜Ｎ−１枚目までのウエハＷ）を計測したときに、第１マークとしてのサーチマークＳＭ１、ＳＭ２が検出された領域を主制御系１５がそれぞれ記憶している。サーチマークＳＭ１が検出された領域の度数を図６（ａ）に示し、サーチマークＳＭ２が検出された領域の度数を図６（ｂ）に示す。この図に示すように、サーチ時にサーチマークＳＭ１、ＳＭ２が検出される領域は、プリアライメント誤差や装置自体が有するオフセット値に依存してある傾向をもっているため、マーク毎にカメラ視野ＦＶ内の位置がある程度決まってくる。そこで、本実施の形態では、各サーチマークが検出された度数に応じて、主制御系１５がアライメント制御系１９に対してサーチする順序を決定・指示する。
【００５１】
以下、図７を参照して詳細に説明する。
ステップＳ２において、ウエハ・アライメントセンサ１７により、例えばサーチマークＳＭ１の像が撮像され、その画像信号がアライメント制御系１９に出力されると、主制御系１５の指示に基づき、アライメント制御系１９は以前の計測済みのウエハでサーチマークＳＭ１が最も多く検出された領域Ｂ（図６（ａ）参照）に対して一次元画像処理によりサーチマークＳＭ１の像をサーチする（ステップＳ１５）。
【００５２】
そして、ステップＳ４において、サーチマークＳＭ１を検出できなかったと判断されると、アライメント制御系１９は計測済みのウエハでサーチマークＳＭ１が二番目に多く検出された領域Ｃに対して一次元画像処理によりサーチマークＳＭ１の像をサーチする（ステップＳ１６）。同様に、ステップＳ６において、サーチマークＳＭ１を検出できなかったと判断されると、アライメント制御系１９は計測済みのウエハでサーチマークＳＭ１が三番目に多く検出された領域Ａに対して一次元画像処理によりサーチマークＳＭ１の像をサーチする（ステップＳ１７）。
【００５３】
この領域ＡにおいてもサーチマークＳＭ１を検出できなかった場合は、上記第１の実施の形態と同様に、二次元画像処理でカメラ視野ＦＶ全体をサーチするステップＳ１０以降のシーケンスを実行する。
【００５４】
一方、サーチマークＳＭ２を計測する場合は、図６（ｂ）を参照して、ステップＳ１５では領域Ｂをサーチし、ステップＳ１６では領域Ａをサーチし、ステップＳ１７では領域Ｃをサーチする。
【００５５】
本実施の形態の位置計測方法、位置計測装置および露光方法並びに露光装置では、上記第１の実施の形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、サーチマークの存在する確率が高い領域から先にサーチしているので、早い段階でのサーチマークの検出確度が高まり、サーチに要する時間を短縮することができスループットの低下を防止することができる。
【００５６】
なお、上記第２の実施の形態では、以前に計測したウエハにおいてサーチマークが検出された領域の頻度を反映させるものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、同じウエハ内で複数のマークを計測する際には、先の計測でマークが検出された領域の頻度に応じて、マークをサーチする領域を決定してもよい。この場合、同じウエハ内の計測結果を用いるため、マークを検出できる確度が一層高まり、サーチに要する時間をより短縮することができる。
【００５７】
また、上記実施の形態では、マーク計測をサーチアライメントに適用するものとして説明したが、これに限られず、ファインアライメントにも適用することができる。さらに、上記実施の形態では、カメラ視野ＦＶを３分割した領域毎にマークをサーチする構成としたが、分割数は２以上であれば幾つでもよい。
【００５８】
そして、上記実施の形態では、本発明の位置計測装置をウエハ・アライメントセンサ１７に適用する構成としたが、これに限定されず、レチクルＲに形成されたアライメントマーク（マスクマーク）の位置情報を計測するレチクル・アライメントセンサ１６にも適用可能である。
【００５９】
なお、本実施の形態の基板としては、半導体デバイス用の半導体ウエハＷのみならず、液晶ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウェハ）等が適用される。
【００６０】
露光装置１としては、レチクルＲとウエハＷとを静止した状態でレチクルＲのパターンを露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー）の他に、レチクルＲとウェハＷとを同期移動してレチクルＲのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；ＵＳＰ５，４７３，４１０）にも適用することができる。
【００６１】
露光装置１の種類としては、ウエハＷに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００６２】
また、光源２として、超高圧水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０４．ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）のみならず、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、ＹＡＧレーザや半導体レーザ等の高調波などを用いてもよい。
例えば、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザを、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、かつ非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を露光光として用いてもよい。なお、単一波長レーザの発振波長を１．５４４〜１．５５３μｍの範囲内とすると、１９３〜１９４ｎｍの範囲内の８倍高調波、即ちＡｒＦエキシマレーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を１．５７〜１．５８μｍの範囲内とすると、１５７〜１５８ｎｍの範囲内の１０倍高調波、即ちＦ２レーザとほぼ同一波長となる紫外光が得られる。
【００６３】
また、レーザプラズマ光源、又はＳＯＲから発生する波長５〜５０ｎｍ程度の軟Ｘ線領域、例えば波長１３．４ｎｍ、又は１１．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光を露光光として用いてもよく、ＥＵＶ露光装置では反射型レチクルが用いられ、かつ投影光学系が複数枚（例えば３〜６枚程度）の反射光学素子（ミラー）のみからなる縮小系となっている。さらに、硬Ｘ線（例えば波長が１ｎｍ程度以下）を露光光として用いてもよく、この露光装置ではプロキシミティ方式が採用される。
【００６４】
投影光学系９は、縮小系のみならず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系９は屈折系、反射系、及び反射屈折系のいずれであってもよい。なお、露光光の波長が２００ｎｍ程度以下であるときは、露光光が通過する光路を、露光光の吸収が少ない気体（窒素、ヘリウムなどの不活性ガス）でパージすることが望ましい。また電子線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系９を用いることなく、レチクルＲとウエハＷとを近接させてレチクルＲのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも適用可能である。
【００６５】
ウエハステージ１０やレチクルステージ２０にリニアモータ（ＵＳＰ５，６２３，８５３またはＵＳＰ５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ１０、２０は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。
【００６６】
各ステージ１０、２０の駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージ１０、２０を駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージ１０、２０に接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージ１０、２０の移動面側に設ければよい。
【００６７】
ウエハステージ１０の移動により発生する反力は、投影光学系９に伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（ＵＳＰ５，５２８，１１８）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
レチクルステージ２０の移動により発生する反力は、投影光学系９に伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（ＵＳＰ  ６，０２０，７１０）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。
【００６８】
以上のように、本願実施形態の露光装置１は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６９】
半導体デバイスは、図８に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、シリコン材料からウエハを製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置１によりレチクルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に係る位置計測方法は、撮像視野を分割した複数の領域毎にマークの像を順次探索する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、各領域に対するマークの占有する割合が増え、マークの検出能力を向上させることができるとともに、領域の一つでマークが検出されなくても、他の領域を順次サーチすることで、露光装置を停止してオペレータを介在させる頻度が低減でき、生産効率の低下を防ぐことができるという効果が得られる。
【００７１】
請求項２に係る位置計測方法は、第１領域を探索した結果に基づいて、第２領域を探索するか否かを決定する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、第１領域の探索でマークを検出した場合に、第２領域の探索を行う必要がなくなるので、余計な計測時間を省略することができ、スループットの向上に寄与できるという効果が得られる。
【００７２】
請求項３に係る位置計測方法は、第１領域で計測されたマークの信号が所定のコントラストを有する場合に計測を終了する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、所定のコントラストが得られた時点で計測を終了するので、余計な計測時間を省略することができ、スループットの向上に寄与できるという効果が得られる。
【００７３】
請求項４に係る位置計測方法は、マークの像を一次元画像処理により探索する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、低コントラストマークの検出精度を向上させることができるという効果が得られる。
【００７４】
請求項５に係る位置計測方法は、一次元画像処理の結果に基づいて、マークの像を二次元画像処理により探索する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、検出不能によるエラーの発生頻度を大幅に低減でき、生産効率の低下を一層効果的に防止できるという効果が得られる。
【００７５】
請求項６に係る位置計測方法は、マークを複数計測する際に、第１マークを検出した結果に基づいて、撮像視野内で第２マークを探索する領域を決定する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、早い段階でのマークの検出確度が高まり、探索に要する時間を短縮することができるので、スループットの低下を防止できるという効果が得られる。
【００７６】
請求項７に係る位置計測方法は、第２マークを探索するときに、第１マークが検出された領域を先に探索する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、早い段階での第２マークの検出確度が高まるという効果が得られる。
【００７７】
請求項８に係る位置計測方法は、物体を複数計測するときに、第１物体でのマークの計測結果に基づいて、第２物体のマークを探索する領域を決定する手順となっている。
これにより、この位置計測方法では、第２物体で早い段階でのマークの検出確度が高まり、探索に要する時間を短縮することができるので、スループットの低下を防止できるという効果が得られる。
【００７８】
請求項９に係る露光方法は、マスクマークと基板マークとの少なくとも一方の位置を請求項１から請求項８のいずれか一項に記載された位置計測方法で計測する手順となっている。
これにより、この露光方法では、マスクと基板との位置合わせに要する時間が短縮され、生産効率の向上に寄与できるという効果が得られる。
【００７９】
請求項１０に係る位置計測装置は、撮像視野を分割した複数の領域毎にマークの像を順次探索するように、制御部が計測部を制御する構成となっている。
これにより、この位置計測装置では、各領域に対するマークの占有する割合が増え、マークの検出能力を向上させることができるとともに、領域の一つでマークが検出されなくても、他の領域を順次サーチすることで、露光装置を停止してオペレータを介在させる頻度が低減でき、生産効率の低下を防ぐことができるという効果が得られる。
【００８０】
請求項１１に係る位置計測装置は、第１領域を探索した結果に基づいて、第２領域を探索するか否かを制御部が決定する構成となっている。
これにより、この位置計測装置では、第１領域の探索でマークを検出した場合に、第２領域の探索を行う必要がなくなるので、余計な計測時間を省略することができ、スループットの向上に寄与できるという効果が得られる。
【００８１】
請求項１２係る位置計測装置は、第１領域で計測されたマークの信号が所定のコントラストを有する場合に制御部が計測を終了させる構成となっている。
これにより、この位置計測装置では、所定のコントラストが得られた時点で計測を終了するので、余計な計測時間を省略することができ、スループットの向上に寄与できるという効果が得られる。
【００８２】
請求項１３に係る位置計測装置は、マークを複数計測する際に、第１マークを検出した結果に基づいて、撮像視野内で第２マークを探索する領域を制御部が決定する構成となっている。
これにより、この位置計測装置では、マークの検出確度が高まり、探索に要する時間を短縮することができるので、スループットの低下を防止できるという効果が得られる。
【００８３】
請求項１４に係る位置計測装置は、物体を複数計測するときに、第１物体でのマークの計測結果に基づいて、第２物体のマークを探索する領域を制御部が決定する構成となっている。
これにより、この位置計測装置では第２物体で早い段階でのマークの検出確度が高まり、探索に要する時間を短縮することができるので、スループットの低下を防止できるという効果が得られる。
【００８４】
請求項１５に係る露光装置は、マスクマークと基板マークとの少なくとも一方の位置を計測する装置として、請求項１０から請求項１４のいずれか一項に記載された位置計測装置が用いられる構成となっている。
これにより、この露光装置では、マスクと基板との位置合わせに要する時間が短縮され、生産効率の向上に寄与できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態を示す露光装置の概略構成図である。
【図２】本発明の位置計測方法の第１の実施の形態を示すフローチャート図である。
【図３】３つの領域に分割されたカメラ視野の平面図である。
【図４】（ａ）は領域Ａをサーチしたときの信号波形であり、（ｂ）は領域Ｃをサーチしたときの信号波形である。
【図５】サーチマークが形成されたウエハの平面図である。
【図６】前のウエハを計測したときの領域とマークが検出された度数との関係図である。
【図７】本発明の位置計測方法の第２の実施の形態を示すフローチャート図である。
【図８】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図９】従来技術によるカメラ視野の一例を示す平面図である。
【図１０】従来技術により、（ａ）はカメラ視野全体の信号波形であり、（ｂ）は領域Ｂをサーチしたときの信号波形である。
【図１１】（ａ）はウエハマーク、（ｂ）はサーチマークのそれぞれ平面図である。
【符号の説明】
Ａ  領域（第２領域）
Ｂ  領域（第１領域）
ＦＶ  カメラ視野（撮像視野）
Ｒ  レチクル（マスク）
ＳＭ、ＳＭ１、ＳＭ２  サーチマーク（マーク、基板マーク）
Ｗ  ウエハ（物体、第２物体、基板）
１  露光装置
１５  主制御系（制御部）
１９  アライメント制御系（計測部）
【図１】
2004279332.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2004279332.tif 000011
【図１０】
2004279332.tif 000012
【図１１】
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