(57)【要約】【課題】第１板面と第２板面とで電極端子部に流れる電流値の大きさが異なる構成の検出素子を備える場合であっても、絶縁保護体の内部での検出素子の配置位置に偏りが生じ難いガスセンサを提供する。【解決手段】酸素センサ２ではセンサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２のそれぞれの波状部分１６が検出素子４の第１板面２１および第２板面２３を押圧する押圧力が略同等となるように、波状部分１６における幅寸法Ｗ１，Ｗ２およびピッチ間隔Ｌ１，Ｌ２とがそれぞれ異なる値に設定されている。このため、検出素子４はセラミックスリーブ６の挿通孔５４における中央位置に配置される。ヒータ用リードフレーム７２は、幅寸法Ｗ２が広く形成されており電極端子部３４，３６へ流れる電流の経路を形成でき、センサ用リードフレーム７０は、電極端子部３０，３２から出力される信号の経路を形成できる。【選択図】  図４
2004239725.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸線方向に延びる板状形状をなし、測定対象となるガスに向けられる先端側に検出部が形成され、後端側の外表面のうち表裏の位置関係となる第１板面および第２板面に電極端子部が形成される検出素子と、
前記検出素子の後端側の周囲を取り囲むように配置される絶縁保護体と、
前記検出素子と前記絶縁保護体との間に配置され、前記検出素子の前記電極端子部に電気的に接続されるリードフレームと、
を備えるガスセンサであって、
前記検出素子の前記電極端子部は、前記検出素子の前記第１板面と前記第２板面とでそれぞれ異なる大きさの電流が通電され、
前記リードフレームは、１つの前記電極端子部に対して１個備えられると共に、接続相手となる前記電極端子部に通電される電流の大きさに応じて、通電方向に垂直な断面積が少なくとも前記電流を通電可能な大きさ以上に形成されており、
前記リードフレームのうち前記検出素子に接触する接触部は、前記検出素子と前記絶縁保護体との間で挟持されて圧縮変形するように曲げ加工により形成されており、
前記検出素子の前記第１板面に配置される前記リードフレームの前記接触部が前記検出素子を押圧する押圧力の合計値と、前記検出素子の前記第２板面に配置される前記リードフレームの前記接触部が前記検出素子を押圧する押圧力の合計値とが略同等となるように、前記検出素子の前記第１板面に配置される前記リードフレームと、前記検出素子の前記第２板面に配置される前記リードフレームとは、前記接触部における幅寸法、厚み寸法、硬度、形状のうち少なくとも１つが異なるように形成されていること、
を特徴とするガスセンサ。
【請求項２】
前記検出素子は、前記第１板面と前記第２板面とで前記電極端子部の形成個数が異なること、
を特徴とする請求項１に記載のガスセンサ。
【請求項３】
前記リードフレームの接触部は、波状形状に形成されると共に、前記検出素子と前記絶縁保護体との間に挟持されて該波状形状の振幅方向に圧縮変形するよう形成されたこと、
を特徴とする請求項１または請求項２に記載のガスセンサ。
【請求項４】
前記検出素子は、通電により発熱するヒータを備えると共に、前記電極端子部として、外部から前記ヒータへ通電するヒータ用端子部を、前記第１板面または前記第２板面のいずれか一方に備えており、
前記ヒータ用端子部に接続される前記リードフレームは、前記ヒータ用端子部とは異なる前記電極端子部に接続される前記リードフレームに比べて、通電方向に垂直な断面積が大きいこと、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、軸線方向に延びる板状形状をなす検出素子と、検出素子の後端側の周囲を取り囲むように配置される絶縁保護体と、検出素子の電極端子部に電気的に接続されるリードフレームと、を備えるガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、軸線方向に延びる板状形状をなすと共に、測定対象となるガスに向けられる先端側に検出部が形成された検出素子（ガスセンサ素子等）が組み付けられたガスセンサが知られている。このようなガスセンサとしては、λセンサ、全領域空燃比センサ、酸素センサ、ＮＯｘセンサなどが挙げられる。
【０００３】
板型形状の検出素子は、一般に、軸線方向（長手方向）の先端側に検出部を備え、後端側に電極端子部を備えて構成されている。なお、電極端子部は、より大きな面積を確保するために、検出素子の外表面のうち最も幅広の板面に形成されることが多い。また、検出素子のうち表裏の位置関係にある第１板面および第２板面のそれぞれに電極端子部を形成することで、より多くの電極端子部を検出素子に形成することができ、検出素子にて入出力される信号の種類を増加させることができる。
【０００４】
このような板型検出素子を備えるガスセンサは、導電性材料からなるリードフレームを電極端子部に直接又は他部材を介して間接的に接触させて、リードフレームを介して信号をガスセンサの外部との間で入出力することができる。
そして、リードフレームに弾性変形（圧縮変形）可能な接触部を設けて、検出素子の電極端子部にリードフレームの接触部が積層された検出素子およびリードフレームを、絶縁保護体の内部で把持する構成のガスセンサが知られている（特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００５】
このような構成のガスセンサにおいては、リードフレームの接触部が絶縁保護体の内部で圧縮変形して検出素子を押圧する押圧力を発生することで、リードフレームと電極端子部との電気的接触を良好に維持することができる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−１６８８２２号公報（図１、図２，図３（ｂ））
【特許文献２】
特開２００２−１６８８２５号公報（図１、図２，図３（ｂ））
【特許文献３】
特開２００２−２８６６８１号公報（図１、図２，図３（ｄ））
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、圧縮変形した接触部が検出素子を押圧する押圧力の合計値が、検出素子の第１板面と第２板面とでそれぞれ異なる場合には、絶縁保護体の内部における検出素子の配置位置が中央位置（絶縁保護体の中心軸線）とは異なる位置に設定される虞がある。
【０００８】
例えば、検出素子がリードフレーム（接触部）から受ける押圧力が、第１板面よりも第２板面の方が大きい場合には、検出素子の板面と絶縁保護体の内部壁面との距離が第１板面よりも第２板面の方が大きくなる状態となり、検出素子が絶縁保護体の内部のうち中央位置ではない偏った位置に配置される。
【０００９】
一般に、設計上の検出素子の配置位置は、絶縁保護体の中央位置（中心軸線上）に設定されることから、検出素子が上記のように偏った位置に配置されると、ガスセンサ組立作業時において他部材との干渉や衝突による検出素子の破損などが生じる虞がある。また、組立作業時には検出素子の破損に至らない場合であっても、完成後のガスセンサにおいて、検出素子の配置位置が設計上の配置位置とは異なることに起因して、検出素子に無理な応力が生じて破損することも考えられる。
【００１０】
検出素子は、検出部の早期活性を図るためにヒータを一体的に備える等の多機能化に伴い電極端子数が増加する傾向にあり、第１板面と第２板面とで電極端子部の個数が異なる構成の検出素子も知られている。そのような検出素子においては、第１板面と第２板面とに配置されるリードフレームの個数が第１板面と第２板面とで異なることから、全ての電極端子部に同一種類のリードフレームを接続した場合には、第１板面と第２板面とでリードフレームからの押圧力に偏りが生じやすいという問題がある。
【００１１】
また、リードフレームは、通電される電流の大きさに応じて適切な断面積のものを用いる必要があるため、第１板面と第２板面とで電極端子部に流れる電流値が異なる構成の検出素子においては、断面積の大きいリードフレームから受ける押圧力が大きくなり、検出素子の配置位置が偏り易くなる傾向がある。
【００１２】
本発明は、こうした問題に鑑みなされたものであり、検出素子の第１板面および第２板面のそれぞれにリードフレームを配置した状態で、リードフレームと検出素子とを絶縁保護体の内部に把持するガスセンサにおいて、第１板面と第２板面とで電極端子部に流れる電流値の大きさが異なる構成の検出素子を備える場合であっても、絶縁保護体の内部での検出素子の配置位置に偏りが生じ難いガスセンサを提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するためになされた請求項１に記載の発明は、軸線方向に延びる板状形状をなし、測定対象となるガスに向けられる先端側に検出部が形成され、後端側の外表面のうち表裏の位置関係となる第１板面および第２板面に電極端子部が形成される検出素子と、検出素子の後端側の周囲を取り囲むように配置される絶縁保護体と、検出素子と絶縁保護体との間に配置され、検出素子の電極端子部に電気的に接続されるリードフレームと、を備えるガスセンサであって、検出素子の電極端子部は、検出素子の第１板面と第２板面とでそれぞれ異なる大きさの電流が通電され、リードフレームは、１つの電極端子部に対して１個備えられると共に、接続相手となる電極端子部に通電される電流の大きさに応じて、通電方向に垂直な断面積が少なくとも電流を通電可能な大きさ以上に形成されており、リードフレームのうち検出素子に接触する接触部は、検出素子と絶縁保護体との間で挟持されて圧縮変形するように曲げ加工により形成されており、検出素子の第１板面に配置されるリードフレームの接触部が検出素子を押圧する押圧力の合計値と、検出素子の第２板面に配置されるリードフレームの接触部が検出素子を押圧する押圧力の合計値とが略同等となるように、検出素子の第１板面に配置されるリードフレームと、検出素子の第２板面に配置されるリードフレームとは、接触部における幅寸法、厚み寸法、硬度、形状のうち少なくとも１つが異なるように形成されていることを特徴とするガスセンサである。
【００１４】
このガスセンサにおいては、検出素子のうち第１板面に形成される電極端子部と第２板面に形成される電極端子部とが、それぞれ異なる大きさの電流を通電するために備えられるのに対して、各リードフレームは、接続先の電極端子部に通電される通電電流の大きさに応じて、断面積が少なくとも通電電流を通電可能な大きさに形成されている。このため、各リードフレームは、各電極端子部に流れる電流の大きさに応じた適切な電流経路を形成でき、検出素子とガスセンサの外部とを接続する電流経路を適切に形成することができる。
【００１５】
なお、リードフレームの接触部が圧縮変形により発生する押圧力は、接触部における幅寸法、厚み寸法、硬度、形状といった４つの因子により決定される。例えば、接触部の幅寸法または厚み寸法が大きくなるほど押圧力は大きくなり、また、接触部の硬度が高くなるほど押圧力は大きくなる。
【００１６】
このため、各リードフレームは、接続先の電極端子部に応じた通電電流を通電可能な断面積の大きさを維持しつつ、接触部における幅寸法、厚み寸法、硬度、形状の少なくとも１つを変更することにより、接触部が生じる押圧力をリードフレーム毎に変更することができる。つまり、各リードフレームについて、接続先の電極端子部に応じた通電電流を通電可能な断面積の大きさを維持しつつ、接触部における幅寸法、厚み寸法、硬度、形状の少なくとも１つを変更することで、各リードフレームの接触部による検出素子に対する押圧力の合計値を、検出素子の第１板面および第２板面で略同等となるように設定することができる。
【００１７】
このように、各リードフレームの接触部による検出素子に対する押圧力の合計値が検出素子の第１板面および第２板面のそれぞれにおいて略同等となるように、各リードフレームが構成されていることから、検出素子は、絶縁保護体の内部における中央部分に配置される。
【００１８】
よって、本発明のガスセンサによれば、第１板面と第２板面とで流れる電流値が異なる電極端子部を備える検出素子を用いる場合であっても、検出素子の配置位置を絶縁保護体の内部における中央位置に設定でき、検出素子の配置位置に誤差が生じるのを防止できる。これにより、ガスセンサの組立作業時やガスセンサ完成後において、検出素子の配置位置の誤差に起因して検出素子が破損するのを防ぐことができる。
【００１９】
そして、上記ガスセンサは、例えば、検出素子が第１板面と第２板面とで電極端子部の形成個数が異なるように構成されている場合に、その効果をより発揮することができる。
つまり、第１板面と第２板面とで電極端子部の形成個数が異なる構成の検出素子においては、第１板面および第２板面のそれぞれに、同一種類のリードフレームを電極端子部の形成個数に応じた数だけ配置する場合、接触部から検出素子に対する押圧力については、電極端子部の個数が多い板面の押圧力が、電極端子部の個数が少ない板面の押圧力よりも大きくなる。このように、検出素子のうち第１板面および第２板面における押圧力のバランスが取れていない場合には、検出素子の配置位置が絶縁保護体の内部における中央位置となることはない。
【００２０】
そこで、上記のように、圧縮変形した接触部が検出素子を押圧する押圧力の合計値が第１板面と第２板面とで略同等となるように、検出素子の第１板面に配置されるリードフレームと、検出素子の第２板面に配置されるリードフレームとを、接触部における幅寸法、厚み寸法、硬度、形状のうち少なくとも１つが異なるように構成するとよい。
【００２１】
これにより、検出素子の第１板面および第２板面のそれぞれに対して、電極端子部に流れる電流値や電極端子部の形成個数に応じたリードフレームを配置することができると共に、圧縮変形した接触部が検出素子を押圧する押圧力の合計値が第１板面と第２板面とで略同等に設定することができる。その結果、検出素子の配置位置を絶縁保護体の内部における中央位置に設定することができる。
【００２２】
よって、このガスセンサによれば、第１板面と第２板面とで電極端子部の形成個数が異なる検出素子を用いるガスセンサにおいても、検出素子の配置位置を適切な位置に設定することができ、検出素子の配置位置誤差に起因した検出素子の破損を防ぐことができる。
【００２３】
なお、検出素子のうち、電極端子部の形成個数が少ない板面は、電極端子部の形成個数が多い板面に比べて、配置されるリードフレームの個数が少なくなることから、１つのリードフレームの接触部が発生する押圧力を大きく設定する必要がある。その場合には、電極端子部の形成個数が少ない板面に配置されるリードフレームは、電極端子部の形成個数が多い板面に配置されるリードフレームに比べて、例えば、接触部の幅寸法を大きくするとよい。特に、同一の板面に配置される全てのリードフレームにおける接触部の幅寸法を合計した合計値が、第１板面及び第２板面共に同一値になるように（このとき、各リードフレームの厚み、硬度、形状は同等とする）、各リードフレームの接触部を構成することで、より確実に検出素子を絶縁保護体の内部における中央位置に配置することができる。
【００２４】
あるいは、電極端子部の形成個数が少ない板面に配置されるリードフレームは、電極端子部の形成個数が多い板面に配置されるリードフレームに比べて、接触部の厚み寸法を大きくしてもよく、これにより、第１板面と第２板面における押圧力を略同等に設定することが可能となる。
【００２５】
この他に、電極端子部の形成個数が少ない板面に配置されるリードフレームは、電極端子部の形成個数が多い板面に配置されるリードフレームに比べて、接触部の硬度を高くしてもよく、これにより、第１板面と第２板面における押圧力を略同等に設定することが可能となる。なお、硬度の変更は、リードフレームを構成する材料の変更や、リードフレームに対する熱処理（アニール処理など）の実施などにより、実現することができる。
【００２６】
ところで、リードフレームの接触部は、少なくとも検出素子と絶縁保護体との間で挟持されて圧縮変形する形状であることが必要であるが、そのような条件を満たす形状として様々な形状を挙げることができる。
そして、リードフレームの接触部は、例えば、波状形状に形成されると共に、検出素子と絶縁保護体との間に挟持されて波状形状の振幅方向に圧縮変形するよう形成することができる。
【００２７】
このような波状形状に形成された接触部は、検出素子と絶縁保護体との間に挟持されて圧縮変形することで、検出素子および絶縁保護体のそれぞれを押圧する押圧力を発生することができる。
そして、波状形状のうち隣接する頂点部分同士の間隔寸法（ピッチ間隔寸法）を変更することで、接触部の圧縮変形量が同一であっても、発生する押圧力の大きさを変化させることができる。つまり、ピッチ間隔寸法を変更して接触部、ひいてはリードフレームの形状を変更することで、リードフレーム毎に接触部が発生する押圧力を調整することができる。なお、波状形状に形成される接触部は、ピッチ間隔寸法を小さくすることで、押圧力を大きくすることができる。
【００２８】
あるいは、波状形状のうち曲線部分の曲率半径の大きさを変更することでも、発生する押圧力の大きさを変化させることができる。つまり、曲線部分の曲率半径を変更して接触部の形状を変更することで、リードフレーム毎に接触部が発生する押圧力を調整することができる。なお、波状形状に形成される接触部は、曲線部分の曲率半径を小さくすることで、押圧力を大きくすることができる。
【００２９】
また、ガスセンサの内部容積などの要因により、リードフレームの接触部の大きさが制限される場合には、幅寸法や厚み寸法の変更可能範囲が一定範囲内に制限されるが、そのような場合には、例えば、接触部の形状を変更することで、検出素子の第１板面および第２板面における押圧力の合計値を、それぞれ略同等にすることができる。
【００３０】
よって、このガスセンサによれば、接触部の幅方向および厚み方向の寸法変更が制限される場合であっても、接触部の形状を変更することでリードフレーム毎に接触部が発生する押圧力を変更でき、圧縮変形した接触部が検出素子を押圧する押圧力の合計値を、第１板面と第２板面とでそれぞれ略同等に設定できる。この結果、検出素子の配置位置を適切な位置に設定することができ、検出素子の配置位置の誤差に起因して検出素子が破損するのを防ぐことができる。
【００３１】
次に、上記ガスセンサにおいては、通電により発熱するヒータを備えると共に、電極端子部として、外部からヒータへ通電するヒータ用端子部を第１板面または第２板面のいずれか一方に備えている検出素子を用いて構成されている場合には、ヒータ用端子部に接続されるリードフレームが、ヒータ用端子部とは異なる電極端子部に接続されるリードフレームに比べて、通電方向に垂直な断面積が大きく形成されていると良い。
【００３２】
つまり、ヒータへの通電電流は、一般に、検出素子が測定対象ガスの検出結果に応じて出力する検出信号の電流値よりも大きいことから、ヒータ用端子部に接続されるリードフレームは、ヒータへの通電電流を通電可能となるように、その断面積を比較的大きくする必要がある。
【００３３】
なお、第１板面または第２板面のいずれか一方にヒータ用端子部を備えると共に、第１板面と第２板面とで電極端子部の形成個数が同数である検出素子においては、第１板面および第２板面のそれぞれに同一種類のリードフレームを配置することで、接触部から検出素子への押圧力を、第１板面および第２板面のそれぞれにおいて略同等に設定することは可能である。
【００３４】
しかしながら、断面積の大きいリードフレームは体積が大きくなることから、全てのリードフレームをヒータ用の通電電流を通電可能なリードフレームで構成する場合には、ガスセンサの寸法が大型化することになる。また、リードフレームの体積増加に伴い、リードフレームを構成する材料の使用量が増加して、材料コストが増加するという問題も発生する。
【００３５】
これに対して、ヒータ用端子部が形成される板面とは反対側に位置する電極端子部に接続されるリードフレームは、ヒータへの通電電流よりも小さい電流を流すことができればよいことから、ヒータ用端子部に接続されるリードフレームに比べて、断面積を小さくした場合であっても、通電経路としての機能を果たすことができる。そして、断面積を縮小することにより、リードフレームの体積を縮小でき、ガスセンサの小型化を図ることができる。
【００３６】
なお、断面積が小さく設定されるリードフレームは、接触部における硬度あるいは形状を変更することにより、断面積を拡大することなく、接触部における押圧力を増大することができる。このため、圧縮変形した接触部が検出素子を押圧する押圧力の合計値は、第１板面と第２板面とでそれぞれ略同等に設定することができる。
【００３７】
よって、このガスセンサによれば、ヒータを有する検出素子を備える場合であっても、検出素子の配置位置を絶縁保護体の内部における中央位置に設定することで、検出素子の破損を抑えると共に、リードフレームの体積を縮小することで、ガスセンサの体積が増大するのを抑えることができる。
【００３８】
なお、ヒータ用端子部に接続されるリードフレームは、ヒータ用端子部とは異なる電極端子部に接続されるリードフレームと比較した場合、断面積が異なることから外観形状が異なることとなり、各リードフレームが単体で存在する場合においても、目視による識別が容易となる。これにより、ガスセンサの組立作業者が、ヒータ用端子部とは異なる電極端子部に接続するべきリードフレームを、誤ってヒータ用端子部に接続した状態で、ガスセンサを組立てしまうのを防止できるという効果を得ることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を適用したガスセンサの実施例を、図面と共に説明する。なお、本実施例では、ガスセンサの一種であって、測定対象となる排ガス中の酸素濃度を検出する検出素子（ガスセンサ素子）が組み付けられるとともに、内燃機関の排気管に装着される酸素センサについて説明する。
【００４０】
図１は、本実施例の酸素センサ２の全体構成を示す断面図である。
酸素センサ２は、排気管に固定するためのネジ部１０３が外表面に形成された筒状の主体金具１０２と、軸線方向（図中上下方向）に延びる板状形状をなす検出素子４と、検出素子４の後端側（図中上方）の周囲を取り囲むように配置される筒状のセラミックスリーブ６と、検出素子４とセラミックスリーブ６との間に配置される４個のリードフレーム１０と、を備えている。
【００４１】
検出素子４は、軸線方向に延びる板状形状をなし、測定対象となるガスに向けられる先端側（図中下方）に検出部８が形成され、後端側（図中上方）の外表面のうち表裏の位置関係となる第１板面２１および第２板面２３に電極端子部３０，３２，３４，３６が形成されている。リードフレーム１０は、検出素子４とセラミックスリーブ６との間に配置されることで、検出素子４の電極端子部３０，３２，３４，３６にそれぞれ電気的に接続される。
【００４２】
なお、主体金具１０２の筒内部には、検出素子４を保持するための筒状のセラミックホルダ１０６、タルク粉末１０８および上述のセラミックスリーブ６が、この順に先端側から後端側にかけて積層されている。また、セラミックスリーブ６と主体金具１０２の後端部との間には、加締リング１１２が配置されており、セラミックホルダ１０６と主体金具１０２の筒内部との間には、気密性を維持するためのパッキン１０９が配置されている。なお、主体金具１０２の後端部は、加締リング１１２を介してセラミックスリーブ６を先端側に押し付けるように、加締められている。
【００４３】
ここで、検出素子４の構成を表す分解斜視図を、図２に示す。
検出素子４は、それぞれ軸線方向（図２における左右方向）に延びる板状形状に形成された酸素濃淡電池素子２０と、酸素濃淡電池素子２０の検出部８を活性化温度まで加熱するためのヒータ２２とが積層されて、長方形状の軸断面を有する板状形状に形成されている。なお、酸素濃淡電池素子２０は、例えば、ジルコニア（ＺｒＯ２  ）等を主体とする酸素イオン伝導性固体電解質体により形成されている。また、ヒータ２２は、例えば、導電性セラミックからなる抵抗発熱体パターン２４をアルミナなどのセラミック基体中に埋設した公知のセラミックヒータから形成されている。
【００４４】
また、検出素子４は、軸線方向に延びる板面のうち、軸線方向の先端側（図２における左側）に検出部８が形成され、後端側（図２における右側）の外表面のうち第１板面２１に電極端子部３０，３２が形成され、第２板面２３に電極端子部３４，３６が形成されている。
【００４５】
つまり、酸素濃淡電池素子２０の軸線方向の先端側には、両面に多孔質電極２６，２８が形成され、これら多孔質電極２６，２８とそれらの間に挟まれる固体電解質部分とが、検出素子４の検出部８を構成する。
また、多孔質電極２６，２８からは、酸素濃淡電池素子２０の軸線方向に沿って後端側（図２における右方）に向けて延びる電極リード部２７，２９が一体形成されている。この内、ヒータ２２と対向しない側の多孔質電極２６から延設される電極リード部２７は、その末端が電極端子部３０として用いられる。一方、ヒータ２２に対向する側の電極２８から延設される電極リード部２９は、酸素濃淡電池素子２０を厚さ方向に横切るビア（図示省略）により、反対側の素子面に形成された電極端子部３２と接続され、各電極端子部３０，３２は、酸素濃淡電池素子２０の板面末端に間隔を空けて配置されている。
【００４６】
一方、ヒータ２２には、抵抗発熱体パターン２４に導通するための二本のリード部２５が形成され、リード部２５は、ヒータ２２の酸素濃淡電池素子２０と対向しない側の板面末端に形成された電極端子部３４，３６に、それぞれヒータを厚さ方向に横切るビア（図示省略）を介して接続されている。そして、酸素濃淡電池素子２０とヒータ２２とは、図示しないセラミック層（例えば、ジルコニア系セラミックやアルミナ系セラミック）を介して互いに接合される。
【００４７】
このように構成された検出素子４は、図１に示すように、先端側（図１における下方）の検出部８が、排気管に固定される主体金具１０２の先端より突出した状態で、この主体金具１０２の内部に固定される。
一方、図１に示すように、主体金具１０２の先端側（図１における下方）外周には、検出素子４の突出部分を覆うと共に、複数の孔部を有する金属製の二重のプロテクタ４２，４３が、溶接等によって取り付けられている。
【００４８】
また、主体金具１０２の後端側外周には、外筒４４が溶接等により固定されている。外筒４４の後端側（図１における上方）の内側には、検出素子４の各電極端子部３０，３２，３４，３６との電気的接続をリードフレーム１０を介して外部と行うための４本のリード線４６（１本は図示省略）が挿通されるリード線挿通孔が形成されたセラミックセパレータ４８とグロメット５０とが配置されている。セラミックセパレータ４８については、軸線方向略中央の外周面に全周にわたり外向きに突出するフランジ部６２が形成され、このフランジ部６２が外筒４４において内向きに突出する形態で形成された外筒側支持部６４により支持されている。グロメット５０は、ゴムなどの弾性材料で形成されており、外筒４４の後端側の開口部の内側に配置され、外筒４４に形成される加締め部６６により保持されている。
【００４９】
検出素子４は、主体金具１０２の筒内先端側より配置されるセラミックホルダ１０６、タルク粉末１０８、セラミックスリーブ６と、セラミックスリーブ６との間に配置されるリードフレーム１０とを介して主体金具１０２に保持され、しかも、検出素子４の電極端子部３０，３２，３４，３６が形成された後端側の周囲が、セラミックスリーブ６に覆われた状態で保持される。
【００５０】
図３に、検出素子４およびリードフレーム１０が内部に配置された状態のセラミックスリーブ６の断面を表す斜視図を示す。
セラミックスリーブ６は、図３に示すように、筒状の本体部５８と、本体部５８の後端側（図３における上方）から突出する突出部５２と、を備えて形成されると共に、検出素子４およびリードフレーム１０を挿通するための挿通孔５４が、中心軸部分の先端側から後端側にかけて貫通して形成されている。
【００５１】
図５に、セラミックスリーブ６の先端側（図３における下側）から見た外形図を示す。なお、図５では、検出素子４およびリードフレーム１０が挿通されていない状態のセラミックスリーブ６を表している。
セラミックスリーブ６は、挿通孔５４のうち、検出素子４の電極端子部３０，３２，３４，３６が形成された後端側の板面（表面）に対応する内壁に、それぞれ溝部５６が形成されている。つまり、挿通孔５４には、４つの溝部５６が形成され、これにより、挿通孔５４は、断面が略「エ」字状を呈している。なお、セラミックスリーブ６は、特許請求の範囲に記載の「絶縁保護体」に相当する。
【００５２】
次に、リードフレーム１０は、図１に示すように、全体の外観が略Ｌ字状を呈するように形成されている。即ち、リードフレーム１０は、フレーム本体１２と、フレーム本体１２の一端側が折り曲げられて形成された折曲部１４と、を備えて構成されている。また、フレーム本体１２のうち検出素子４とセラミックスリーブ６（詳細には、挿通孔５４の内壁面）との間に配置される部分には、検出素子４とセラミックスリーブ６との隙間間隔方向が振幅方向となる波形形状の波状部分１６が形成されている。なお、波状部分１６は、検出素子４に当接する２つの頂点と、セラミックスリーブ６（詳細には、挿通孔５４の内壁面）に当接する３つの頂点とを有する波状形状に形成されている。
【００５３】
本実施例の酸素センサ２では、リードフレーム１０として、幅寸法が異なる２種類のリードフレーム（センサ用リードフレーム７０、ヒータ用リードフレーム７２）を、各２個ずつ備えている。センサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２の外観を表す斜視図を、図４に示す。なお、図４では、センサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２のうち、折曲部１４および波状部分１６に相当する部分を表しており、フレーム本体１２の後端側部分は図示を省略している。
【００５４】
図４に示すように、センサ用リードフレーム７０よりもヒータ用リードフレーム７２の方が幅広に形成されており、具体的には、センサ用リードフレーム７０は幅寸法Ｗ１が０．８［ｍｍ］であり、ヒータ用リードフレーム７２は幅寸法Ｗ２が１．２［ｍｍ］である。また、後述するように、本実施例では、ヒータ用リードフレーム７２の厚み寸法ｔ２とセンサ用リードフレーム７０の厚み寸法ｔ１が同等に調整されている。このため、ヒータ用リードフレーム７２は、センサ用リードフレーム７０よりも、通電方向に垂直な断面積が大きくなり、より大きな電流を通電することができる。
【００５５】
２個のセンサ用リードフレーム７０は、検出素子４のうち比較的小さい電流が流れる電極端子部３０，３２にそれぞれ接続され、２個のヒータ用リードフレーム７２は、検出素子４のうち比較的大きい電流が流れる電極端子部３４，３６にそれぞれ接続される。つまり、ヒータ用リードフレーム７２は、検出素子４のヒータ２２（詳細には、抵抗発熱体パターン２４）に対して外部から供給される電流を通電可能となるように、断面積が大きく構成されている。
【００５６】
なお、センサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２は、材質がインコネルで、厚み寸法ｔ１、ｔ２が０．２［ｍｍ］で、硬度（ビッカーズ硬度）がＨＶ４００前後の板状部材を用いて形成されている点については、それぞれ共通している。
【００５７】
ところで、一般に、波状形状に形成された弾性部材は、幅寸法が大きいほど圧縮変形時に発生する復元力が大きくなり、また、波状形状のうち隣接する頂点部分同士の間隔（ピッチ間隔）寸法が狭いほど圧縮変形時に発生する復元力が大きくなる特性がある。
【００５８】
このため、幅寸法（Ｗ１、Ｗ２）のみに着目した場合には、圧縮変形した波状部分１６が発生する復元力は、センサ用リードフレーム７０よりもヒータ用リードフレーム７２の方が大きくなり、換言すれば、圧縮変形した波状部分１６が検出素子４の板面を押圧する押圧力は、センサ用リードフレーム７０よりもヒータ用リードフレーム７２の方が大きくなる。
【００５９】
なお、センサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２は、波状部分１６の波形形状が互いに異なるよう形成されており、具体的には、センサ用リードフレーム７０のピッチ間隔Ｌ１は、ヒータ用リードフレーム７２のピッチ間隔Ｌ２よりも短く形成されている。そして、ピッチ間隔Ｌ１およびピッチ間隔Ｌ２は、検出素子４とセラミックスリーブ６（詳細には、挿通孔５４）との間に配置されて圧縮変形した波状部分１６にて発生する復元力が、センサ用リードフレーム７０とヒータ用リードフレーム７２とで略同等となるように、それぞれ異なる値に設定される。
【００６０】
つまり、センサ用リードフレーム７０の波状部分１６が検出素子４の第１板面２１を押圧する押圧力と、ヒータ用リードフレーム７２の波状部分１６が検出素子４の第２板面２３を押圧する押圧力とが、略同等となるように、ピッチ間隔Ｌ１およびピッチ間隔Ｌ２は、それぞれ異なる値に設定されている。
【００６１】
すなわち、センサ用リードフレーム７０は、幅寸法Ｗ１が小さい状態を維持しつつ、波状部分１６のピッチ間隔Ｌ１をヒータ用リードフレーム７２の波状部分１６のピッチ間隔Ｌ２よりも短く形成することで、波状部分１６にて発生する押圧力が、通電電流に基づいて幅広に形成されたヒータ用リードフレーム７２と略同等に設定される。
【００６２】
なお、リードフレーム１０（センサ用リードフレーム７０とヒータ用リードフレーム７２）を検出素子４とセラミックスリーブ６との間に配置する際には、図１に示すように、波状部分１６は、検出素子４とセラミックスリーブ６（挿通孔５４の内壁面）との間に挟持されて、波状形状の振幅方向に圧縮変形（弾性変形）する。
【００６３】
これにより、リードフレーム１０をセラミックスリーブ６と検出素子４との間に装着した際には、この波状部分１６の圧縮変形により、リードフレーム１０（センサ用リードフレーム７０とヒータ用リードフレーム７２）と検出素子４とが、セラミックスリーブ６における挿通孔５４の対向する内壁面間にて固定される。また、波状部分１６の圧縮変形によって、フレーム本体１２の一部が検出素子４の電極端子部３０，３２，３４，３６に向けて付勢され、２個のセンサ用リードフレーム７０と電極端子部３０，３２とが電気的に接続されると共に、２個のヒータ用リードフレーム７２と電極端子部３４，３６とが電気的に接続される。
【００６４】
このとき、リードフレーム１０は、フレーム本体１２の一部，波状部分１６がセラミックスリーブ６の挿通孔５４の溝部５６に配置され、折曲部１４がセラミックスリーブ６の先端面に当接する状態で配置される。また、フレーム本体１２の端部のうち折曲部１４とは反対側の端部（図１における上方）は、セラミックスリーブ６から突出する状態で配置されると共に、溶接ないし加締めによりリード線４６に電気的に接続される。
【００６５】
このようにしてリードフレーム１０および検出素子４を挿通孔５４の内部にて把持したセラミックスリーブ６は、上述のように主体金具１０２の内部に保持さることにより、酸素センサ２の内部に配置される。
なお、酸素センサ２においては、セラミックスリーブ６が特許請求の範囲に記載の絶縁保護体に相当し、リードフレームの波状部分１６がリードフレームの接触部に相当し、検出素子４の電極端子部３２，３６がヒータ用端子部に相当している。
【００６６】
以上、説明したように、本実施例の酸素センサ２においては、センサ用リードフレーム７０の波状部分１６が検出素子４の第１板面２１を押圧する押圧力と、ヒータ用リードフレーム７２の波状部分１６が検出素子４の第２板面２３を押圧する押圧力とが略同等となるように、波状部分１６における幅寸法Ｗ１，Ｗ２およびピッチ間隔Ｌ１，Ｌ２とがそれぞれ異なる値に設定されている。
【００６７】
つまり、検出素子４の第１板面２１および第２板面２３について、センサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２のそれぞれの波状部分１６から受ける押圧力の合計値が略同等となるように、センサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２が構成されている。このため、検出素子４は、センサ用リードフレーム７０およびヒータ用リードフレーム７２と共にセラミックスリーブ６の挿通孔５４に挿入配置された際に、挿通孔５４の中央位置に配置される。
【００６８】
また、本実施例においては、センサ用リードフレーム７０の波状部分１６による押圧力を増大させるにあたり、幅寸法Ｗ１または厚み寸法ｔ１を大きくするのではなく、波状部分１６の形状（ピッチ間隔Ｌ１）を変更することで、押圧力の増大を図っている。つまり、センサ用リードフレーム７０の体積を拡大することなく、検出素子４の第１板面２１および第２板面２３における波状部分１６による押圧力の合計値を、それぞれ略同等に設定している。
【００６９】
よって、酸素センサ２によれば、第１板面２１と第２板面２３とで電流値が異なる電極端子部３０，３２，３４，３６を備える検出素子４を用いる場合であっても、検出素子４の配置位置をセラミックスリーブ６の挿通孔５４における中央位置に設定でき、検出素子４の配置位置に誤差が生じるのを防止できる。
【００７０】
これにより、酸素センサ２の組立作業時において、セラミックスリーブ６による検出素子４の配置位置の誤差に起因して検出素子４が他の部材と干渉するのを避けることができ、検出素子４が破損するのを防止できる。また、酸素センサ２の完成後において、セラミックスリーブ６による検出素子４の配置位置の中心軸と、セラミックホルダ１０６による検出素子４の配置位置の中心軸とが異なることに起因して検出素子４に大きな応力が生じるのを防止でき、検出素子４が破損するのを防ぐことができる。
【００７１】
また、酸素センサ２によれば、検出素子４の第１板面２１および第２板面２３への押圧力を略同等に設定するにあたり、センサ用リードフレーム７０の体積および質量の増大を防止できることから、酸素センサ２の小型化および軽量化を図ることができる。
【００７２】
なお、センサ用リードフレームとヒータ用リードフレームとは、波状部分の幅寸法が異なるため外観形状が異なり、各リードフレームは目視により容易に識別することができる。これにより、ガスセンサの組立作業者が、センサ用リードフレームとヒータ用リードフレームとを誤認識して、誤った配置位置に配置するのを防止でき、ガスセンサが誤った構成で組立てられるのを防止できる。
【００７３】
以上、第１板面および第２板面に同数の電極端子部が形成された検出素子を備えるガスセンサ（酸素センサ）について説明したが、本発明は上記実施例（以下、第１実施例ともいう）に限定されるものではなく、第１板面および第２板面にそれぞれ形成される電極端子部の個数が異なる検出素子を備えるガスセンサに対して適用することもできる。
【００７４】
そこで、次に、第２実施例として、第１板面に３個の電極端子部を有し、第２板面に２個の電極端子部を有する第２検出素子７７を備えるガスセンサ（空燃比センサ）について説明する。なお、空燃比センサは、上述した酸素センサ２のうち、検出素子、リードフレーム、セラミックスリーブを交換することで構成することができる。そのため、以下の説明は、空燃比センサのうち、上述した酸素センサ２とは異なる部分を中心に記載する。
【００７５】
第２検出素子７７の外観を表す斜視図を、図６に示す。
図６に示すように、第２検出素子７７は、軸線方向（図６における左右方向）に延びる板状形状をなし、測定対象となるガスに向けられる先端側（図６における左側）に検出部７８が形成され、後端側（図６における右側）の外表面のうち表裏の位置関係となる第１板面８１および第２板面８３に電極端子部２３０，２３２，２３４，２３６，２３８を備えて形成されている。なお、第１板面８１には３個の電極端子部２３０、２３２，２３４が形成され、第２板面８３には２個の電極端子部２３６、２３８が形成されており、電極端子部２３０、２３２，２３４は、電極端子部２３６、２３８に比べて、幅寸法が小さく形成されている。
【００７６】
空燃比センサは、リードフレームとして、電極端子部２３０、２３２，２３４にそれぞれ接続される３個の第２センサ用リードフレーム８０と、電極端子部２３６、２３８にそれぞれ接続される２個の第２ヒータ用リードフレーム８２とを備えている。図７に、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２の外観を表す斜視図を示す。
【００７７】
なお、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２は、第１実施例に記載のリードフレーム１０とほぼ同様に、全体の外観が略Ｌ字状を呈するように形成されており、波状部分１６を有するフレーム本体１２と、折曲部１４とを備えて構成されている。
【００７８】
図７に示すように、第２センサ用リードフレーム８０よりも第２ヒータ用リードフレーム８２の方が幅広に形成されており、第２センサ用リードフレーム８０は幅寸法Ｗ３が０．８［ｍｍ］であり、第２ヒータ用リードフレーム８２は幅寸法Ｗ４が１．２［ｍｍ］である。
【００７９】
なお、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２は、材質がインコネルで、厚み寸法ｔ３、ｔ４が０．２［ｍｍ］で、硬度（ビッカーズ硬度）がＨＶ４００前後の板状部材を用いて形成されている点については共通している。
【００８０】
また、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２は、第２検出素子７７に当接する２つの頂点と、空燃比センサに備えられる第２セラミックスリーブ（詳細には、挿通孔の内壁面）に当接する３つの頂点とを有する波状形状の波状部分１６を備えて形成されている。そして、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２は、それぞれの波状部分１６におけるピッチ間隔Ｌ３およびピッチ間隔Ｌ４が同一寸法に設定されている。
【００８１】
次に、空燃比センサに備えられる第２セラミックスリーブは、外観形状は第１実施例のセラミックスリーブ６と同様であるが、挿通孔の内壁面に形成される溝部の個数が、セラミックスリーブ６とは異なっている。つまり、第２セラミックスリーブは、挿通孔の内壁面のうち、第２検出素子７７の第１板面８１に対向する内壁面には、第２センサ用リードフレーム８０の寸法（幅寸法や厚み寸法など）に対応した３個の溝部が形成され、第２検出素子７７の第２板面８３に対向する内壁面には、第２ヒータ用リードフレーム８２の寸法（幅寸法や厚み寸法など）に対応した２個の溝部が形成されている。
【００８２】
このように構成された第２セラミックスリーブの挿通孔に対して、第２検出素子７７、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２が挿通されることで、第２検出素子７７、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２が、第２セラミックスリーブの挿通孔の内壁面により把持される。このとき、３個の第２センサ用リードフレーム８０が第２検出素子７７の第１板面８１に配置され、２個の第２ヒータ用リードフレーム８２が第２検出素子７７の第２板面８３に配置される状態となる。
【００８３】
このようにして第２検出素子７７、第２センサ用リードフレーム８０および第２ヒータ用リードフレーム８２を把持した第２セラミックスリーブは、上述の酸素センサ２と同様に、主体金具の内部に保持されることにより、空燃比センサの内部に配置される。
【００８４】
このように構成される空燃比センサにおいては、第２検出素子７７の第１板面８１に備えられる３個の第２センサ用リードフレーム８０の波状部分１６についての幅寸法Ｗ３（＝０．８［ｍｍ］）の合計幅寸法と、第２検出素子７７の第２板面８３に備えられる２個の第２ヒータ用リードフレーム８２の波状部分１６についての幅寸法Ｗ４（＝１．２［ｍｍ］）の合計幅寸法とが、同一値（２．４［ｍｍ］）となる。また、各リードフレームの波状部分１６は、厚み寸法ｔ３，ｔ４、硬度、ピッチ間隔寸法が同一である。
【００８５】
このため、第２検出素子７７の第１板面８１に配置される第２センサ用リードフレーム８０の波状部分１６が圧縮変形により第２検出素子７７を押圧する押圧力の合計値と、第２検出素子７７の第２板面８３に配置される第２ヒータ用リードフレーム８２の波状部分１６が圧縮変形により第２検出素子７７を押圧する押圧力の合計値とが略同等となる。
【００８６】
以上、説明したように、第２実施例の空燃比センサにおいては、全て（３個）の第２センサ用リードフレーム８０の波状部分１６が第２検出素子７７の第１板面８１を押圧する押圧力の合計値と、全て（２個）の第２ヒータ用リードフレーム８２の波状部分１６が第２検出素子７７の第２板面８３を押圧する押圧力の合計値とが略同等となるように、幅寸法Ｗ３および幅寸法Ｗ４がそれぞれ異なる値に設定されている。これにより、第２検出素子７７は、第２セラミックスリーブの挿通孔の中央部分に配置される。
【００８７】
よって、この空燃比センサによれば、第１板面と第２板面とで電極端子部の形成個数が異なる第２検出素子７７を用いる場合においても、第２検出素子７７の配置位置を第２検出素子７７の破損などが生じがたい適切な位置（第２セラミックスリーブの挿通孔の中央部分）に設定することができ、第２検出素子７７の配置位置誤差に起因した第２検出素子７７の破損を防ぐことができる。
【００８８】
以上、本発明の実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々の態様を採ることができる。
例えば、第１実施例のリードフレームについては、断面積を変更することなく、検出素子への押圧力を変更するために、第１板面側と第２板面側とで、波状部分のピッチ間隔を異なる値に設定して形成しているが、ピッチ間隔は同等とし、硬度を変更することで、押圧力を変更することもできる。具体的には、リードフレームに対して熱処理を行うことで、硬度を変更することができ、これにより、押圧力を変更することが出来る。
【００８９】
よって、幅寸法の狭いセンサ用リードフレームについては、波状部分の幅寸法、厚み寸法および形状（ピッチ間隔）を変更することなく、熱処理などにより波状部分の硬度を変更することで、幅寸法の広いヒータ用リードフレームと同等の押圧力を発生させることが出来る。この結果、検出素子をセラミックスリーブの挿通孔における中央位置に配置でき、配置位置に誤差が生じるのを抑制できることから、検出素子の破損を防止することが出来る。
【００９０】
また、幅寸法の狭いセンサ用リードフレームについては、波状部分のうち、ピッチ間隔ではなく、曲線部分の曲率半径の大きさを変更することでも、幅寸法の広いヒータ用リードフレームと同等の押圧力を発生させることが出来る。この結果、検出素子をセラミックスリーブの挿通孔における中央位置に配置でき、配置位置に誤差が生じるのを抑制できることから、検出素子の破損を防止することが出来る。
【００９１】
次に、第２実施例においては、リードフレームの波状部分のうち幅寸法を、第２センサ用リードフレーム８０と第２ヒータ用リードフレーム８２とで異なる値に設定することで、第１板面と第２板面との押圧力を略同等に設定しているが、電極端子部が多く形成される側の板面においては、１つのリードフレームに割り当て可能な幅寸法が狭くなり、幅寸法による調整が難しい場合がある。そのような場合には、波状部分のうち、厚み寸法、硬度、形状を変更することで、検出素子の第１板面および第２板面に対する押圧力を変更することができる。
【００９２】
また、ガスセンサの体積を一定値以下に制限する必要がない場合には、リードフレームによる検出素子への押圧力を増大させるに際しては、波状部分のうち幅寸法、形状（ピッチ間隔）、硬度を変更するのではなく、厚み寸法を拡大する方向に変更してもよい。
【００９３】
さらに、リードフレームによる検出素子への押圧力を変更するに際して、波状部分の形状を変更する場合には、ピッチ間隔に加えて、検出素子と接触する頂点の個数およびセラミックスリーブと接触する頂点の個数を変更しても良い。つまり、リードフレームによる検出素子への押圧力を増大させるにあたっては、ピッチ間隔を狭く変更すると共に、検出素子およびセラミックスリーブと接触する頂点の個数を増加させて、リードフレームを構成しても良い。一例として、検出素子との接触頂点を５個備え、セラミックスリーブとの接触頂点を４個備える波状部分１６を有する第３リードフレーム８５の側面図を、図８に示す。
【００９４】
なお、上記実施例として説明した各部材の寸法は、一例であり、上記数値に限定されることはなく、ガスセンサの用途や使用環境、あるいは検出素子の種類などに応じて適切な値が設定される。
また、リードフレームを構成する材料は、インコネルに限られることはなく、高温に繰り返し晒されても弾性（バネ弾性）を保持可能な材料を用いることができ、例えば、耐熱性ステンレス鋼などを用いても良い。さらに、リードフレームを構成する材料は、耐力限界が比較的高く、酸化しがたい材質が望ましい。
【００９５】
さらに、リードフレームのうち、検出素子に接触する接触部は、波状形状に限られず、検出素子とセラミックスリーブとの間で圧縮変形可能な形状であれば、任意の形状を採ることができる。
また、検出素子に形成される電極端子部の個数は、上記の４個および５個に限られることはなく、６個以上の電極端子部を有する検出素子を用いてガスセンサを構成してもよい。例えば、第１板面に４個の電極端子部、第２板面に２個の電極端子部（合計で６個の電極端子部）を備える検出素子を用いて構成されるガスセンサ（ＮＯｘセンサなど）に対して、本発明を適用することもできる。この場合、リードフレームは、電極端子部の個数に応じた個数が備えられる。
【００９６】
なお、第１板面側と第２板面側とでリードフレームの接触部における幅寸法あるいは厚み寸法が互いに異なる場合とは、接触部の全ての部分で幅寸法および厚み寸法が異なる場合のほか、接触部のうち一部のみにおいて幅寸法または厚み寸法が異なる場合も含まれる。
【００９７】
また、絶縁保護体を構成するセラミックスリーブは、単一部材で形成されるものに限られず、例えば、径方向に２分割され、両者を組み合わせたときに、検出素子を挿通する挿通孔が形成される分割タイプで形成されていても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例の酸素センサの全体構成を示す断面図である。
【図２】検出素子の構成を表す分解斜視図である。
【図３】検出素子およびリードフレームが内部に配置された状態のセラミックスリーブの断面を表す斜視図である。
【図４】センサ用リードフレームおよびヒータ用リードフレームの外観を表す斜視図である。
【図５】セラミックスリーブの先端側から見た外形図である。
【図６】第２検出素子の外観を表す斜視図である。
【図７】第２センサ用リードフレームおよび第２ヒータ用リードフレームの外観を表す斜視図である。
【図８】第３リードフレームの側面図である。
【符号の説明】
２…酸素センサ、４…検出素子、６…セラミックスリーブ、８…検出部、１０…リードフレーム、１６…波状部分、２１…第１板面、２３…第２板面、３０，３２，３４，３６…電極端子部、７０…センサ用リードフレーム、７２…ヒータ用リードフレーム、７７…第２検出素子、７８…検出部、８０…第２センサ用リードフレーム、８１…第１板面、８２…第２ヒータ用リードフレーム、８３…第２板面、８５…第３リードフレーム、２３０，２３２，２３４，２３６，２３８…電極端子部、
【図１】
2004239725.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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