(57)【要約】      （修正有）【課題】減衰帯域での減衰特性を改善した、また通過帯域での通過特性を改善したフィルタ回路、それを備えたデュプレクサおよび通信装置を提供する。【解決手段】バンドパスフィルタ特性を備えたＳＡＷフィルタ１１′（第１のフィルタ）と、トラップフィルタ１２（第２のフィルタ）との間に、ＳＡＷフィルタとのインピーダンス整合用コイルＬと、減衰帯域での両者の反射位相差を９０°〜２７０°の範囲内にするマイクロストリップラインによる位相回路１３を設ける。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯域通過特性を有する第１のフィルタと、帯域阻止特性を有する第２のフィルタとを接続してなるフィルタ回路において、
それぞれのフィルタの減衰を必要とする周波数における接続点での反射位相の差を９０°〜２７０°の範囲内にしたことを特徴とするフィルタ回路。
【請求項２】
第１・第２のフィルタをそれぞれ誘電体ブロックの内外に電極膜を形成してなる誘電体共振器で構成した請求項１に記載のフィルタ回路。
【請求項３】
第１のフィルタをＳＡＷフィルタとしたことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ回路。
【請求項４】
前記ＳＡＷフィルタの通過帯域でのインピーダンスが非５０Ωであり、該ＳＡＷフィルタに反射位相調整回路を付加した請求項３に記載のフィルタ回路。
【請求項５】
前記反射位相調整回路をストリップラインで構成した請求項４に記載のフィルタ回路。
【請求項６】
前記反射位相調整回路を集中定数素子を含む回路で構成した請求項４に記載のフィルタ回路。
【請求項７】
前記第２のフィルタのインピーダンスを、前記ＳＡＷフィルタのインピーダンスに整合する非５０Ωとした請求項３に記載のフィルタ回路。
【請求項８】
第１・第２のフィルタの一方を、デュプレクサを構成する送信フィルタまたは受信フィルタとした請求項１〜７のいずれかに記載のフィルタ回路。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のフィルタ回路を送信フィルタ部または受信フィルタ部に設けてなるデュプレクサ。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載のフィルタ回路または請求項９に記載のデュプレクサを備えた通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、帯域通過特性を有するフィルタと帯域阻止特性を有するフィルタとを接続して成るフィルタ回路、それを備えたデュプレクサおよび通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、帯域通過特性を有するフィルタと帯域阻止特性を有するフィルタとを組み合わせて成るフィルタ回路がアンテナ共用器などに用いられている（例えば特許文献１）。
【０００３】
ここで特許文献１に示されているアンテナ共用器の構成を図１８に示す。図１８において、Ｔｘは送信信号が入力端子、Ｒｘは受信信号出力端子、ＡＮＴは入出力共用のアンテナ端子である。また、２は入力端子Ｔｘから入力される送信信号の帯域を所定帯域に制限する送信用フィルタ、３はアンテナ１で受信された受信信号のうち受信周波数帯域を通過させ、不要な周波数帯域を除去するＳＡＷフィルタである。また、４は、送信フィルタ２から出力される送信信号の周波数帯域を除去するトラップ回路であり、送信信号のＳＡＷフィルタ３への回り込みを阻止する。また、ＬＣ回路５，６はＳＡＷフィルタ３の整合回路である。すなわち、整合回路５は受信周波数帯域においてＳＡＷフィルタ３とインピーダンスマッチングを行い、整合回路６は受信周波数帯域においてＳＡＷフィルタ３と図外の受信機とのインピーダンスマッチングを行う。
【０００４】
また、７は送信用フィルタ２とトラップ回路４との整合回路であり、例えば１／４波長伝送線路から成る。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−１７５８７９号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、バンドパスフィルタとトラップ共振器を用いたフィルタ回路において、図１８に示したように帯域通過特性を有する第１のフィルタ（ＳＡＷフィルタ）と帯域阻止特性を有する第２のフィルタ（トラップフィルタ）とをインピーダンス整合回路５を介して接続するだけでは、通過帯域特性を有する第１のフィルタの減衰帯域における反射位相が変化して減衰帯域での減衰量が不足するという問題があった。
【０００７】
また、従来は整合回路を設けたため、その整合回路で信号の挿入損失が生じるという問題があった。仮に整合回路を設けなければ通過帯域の特性（挿入損失、リップルおよび反射損失）が悪化してしまう。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、減衰帯域での減衰特性を改善した、また通過帯域での通過特性を改善したフィルタ回路、それを備えたデュプレクサおよび通信装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明は、帯域通過特性を有する第１のフィルタと、帯域阻止特性を有する第２のフィルタとを接続してなるフィルタ回路において、それぞれのフィルタの減衰を必要とする周波数における接続点での反射位相の差を９０°〜２７０°の範囲内にしたことを特徴としている。
【００１０】
この構造により、第１のフィルタと第２のフィルタの減衰帯域での大きな減衰が得られる。
【００１１】
また、この発明は、第１・第２のフィルタをそれぞれ誘電体ブロックの内外に電極膜を形成して成る誘電体共振器で構成したことを特徴としている。
【００１２】
また、この発明は、第１のフィルタをＳＡＷフィルタとしたことを特徴としている。
【００１３】
また、この発明は、前記ＳＡＷフィルタの通過帯域でのインピーダンスが非５０Ωであり、該ＳＡＷフィルタに反射位相調整回路を付加したことを特徴としている。これにより一般的な非５０ΩのＳＡＷフィルタを用いながらも通過帯域での通過特性を改善することができる。
【００１４】
また、この発明は、前記反射位相調整回路をストリップラインで構成したことを特徴としている。これにより第１・第２のフィルタを実装する回路基板上に反射位相調整回路を容易に構成することができる。
【００１５】
また、この発明は、前記反射位相調整回路を集中定数素子を含む回路で構成したことを特徴としている。これにより回路基板上へ第１・第２のフィルタと共に集中定数素子を実装するだけで全体のフィルタ回路を容易に構成できる。
【００１６】
また、この発明は、第２のフィルタのインピーダンスをＳＡＷフィルタのインピーダンスに整合する非５０Ωとしたことを特徴としている。これにより反射位相調整のためおよびインピーダンス整合のための特別な回路が不要となって低損失化を図れる。
【００１７】
また、この発明は、上記フィルタ回路を送信フィルタ部または受信フィルタ部に設けてデュプレクサを構成したことを特徴としている。
【００１８】
また、この発明は、上記フィルタ回路またはデュプレクサを例えば送信信号または受信信号のフィルタ部に設けて通信装置を構成することを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
まず第１の実施形態に係るフィルタ回路の構成を図１〜図６を参照して説明する。
図１はフィルタ回路の回路図である。ここで１１で示す部分はバンドパスフィルタ（第１のフィルタ）、１２はトラップフィルタ（第２のフィルタ）である。バンドパスフィルタ１１は３つの共振器Ｒと、共振器間および外部との間で容量性結合させるためのコンデンサＣとから構成している。トラップフィルタ１２は共振器Ｒ、コンデンサＣおよびコイルＬの直列回路から構成している。そしてバンドパスフィルタ１１とトラップフィルタ１２との間を５０Ω線路から成る位相回路１３を介して接続している。
【００２０】
図２の（Ａ）は上記バンドパスフィルタ１１の平面図、（Ｂ）はトラップフィルタ１２の平面図である。バンドパスフィルタ１１は基板１４の上に３つの誘電体共振器Ｒと結合基板１５を実装して構成している。これらの誘電体共振器Ｒは、四角柱形状の誘電体ブロック内に貫通孔を形成し、貫通孔の内面に内導体を設け、誘電体ブロックの外面に一方の端面を除いて外導体を設け、内導体に導通するピンを貫通孔内に挿入した１／４波長共振型誘電体同軸共振器である。結合基板１５には、その表裏面に電極パターンを形成して、図１に示した４つのコンデンサＣを構成している。そして基板１４に入力端子および出力端子をそれぞれ形成している。
【００２１】
トラップフィルタ１２は（Ｂ）に示すように誘電体共振器Ｒ、チップコンデンサＣおよびチップコイルＬをそれぞれ実装して構成している。誘電体共振器Ｒは（Ａ）に示したものと同様に１／４波長共振型の誘電体同軸共振器である。この図２に示したバンドパスフィルタ１１とトラップフィルタ１２を用いて図１に示したフィルタ回路を構成するために、実装基板上にマイクロストリップラインによる位相回路１３を形成しておき、その実装基板上にバンドパスフィルタ１１およびトラップフィルタ１２を実装（搭載）する。
【００２２】
図１に示した位相回路１３は特性インピーダンス５０Ωのマイクロストリップラインで構成している。その減衰特性は線路長により変化する。例えば比誘電率４．０、厚み０．３ｍｍの５０Ωマイクロストリップラインを用いた場合、減衰量が最も大きくなるのは、バンドパスフィルタ１１との接続点Ｐ１からバンドパスフィルタ１１を見た反射位相と、接続点Ｐ１から位相回路１３側を見た反射位相の位相差が１８０°の時である。図６はこの反射位相差とトラップフィルタ１２による減衰量との関係を示している。反射位相差が０°の時、減衰量は最も小さく、１８０°の時最も大きくなる。
【００２３】
図３の（Ａ）は上記バンドパスフィルタ１１の通過・反射特性を示す図、（Ｂ）は、図１のＰ１点からバンドパスフィルタ１１側を見た反射位相のスミスチャートである。ここでバンドパスフィルタの通過帯域を８１０〜８４３ＭＨｚ、減衰帯域を９４０〜９５８ＭＨｚに定めている。
【００２４】
また図４の（Ａ）は上記トラップフィルタ１２の通過・反射特性を示す図、（Ｂ）は図１のＰ２点からトラップフィルタを見た反射位相のスミスチャートである。
【００２５】
図３の（Ｂ）に示したように、減衰帯域でのバンドパスフィルタ１１の反射位相は約−９０°、トラップフィルタ１２の反射位相は図４の（Ｂ）に示したように約−１８０°である。従って位相回路１３が無い場合の反射位相差は、バンドパスフィルタ側の反射位相を基準として、−１８０°−（−９０°）＝−９０°である。この反射位相差−９０°を１８０°にするための移相量は、１８０°−（−９０°）＝２７０°であるので、位相回路１３を電気長２７０°相当の線路とすればよい。上記マイクロストリップラインの場合、線路長は約７２ｍｍとなる。
【００２６】
図５はこのフィルタ回路の通過・反射特性を示している。ここで実線は反射位相差が１８０°の時の特性、破線は反射位相差を故意に０°とした時の特性をそれぞれ示している。このようにバンドパスフィルタ１１とトラップフィルタ１２の接続点からそれぞれを見た反射位相の差が１８０°となるように位相回路を介して接続したことにより、減衰帯域９４０〜９５８ＭＨｚでの減衰量を大きく確保することができる。
【００２７】
なお、上記反射位相差が１８０°からずれる程、減衰帯域での減衰量は小さくなるが、反射位相差が９０°〜２７０°の範囲内であれば、減衰量の悪化を３ｄＢ以内に抑えることができる。したがって、例えばトラップフィルタの減衰量の実力（単体での特性）を６０〜６５ｄＢとすれば、減衰量の悪化は５％内に抑えることができる。
【００２８】
次に、第２の実施形態に係るフィルタ回路について図７〜図９を参照して説明する。
この第２の実施形態では、バンドパスフィルタとしてＳＡＷフィルタを用いている。図７の（Ａ）はそのフィルタ回路の回路図、（Ｂ）はそのフィルタ回路を構成した基板上の平面図である。ここで１１′はバンドパスフィルタ特性を有するＳＡＷフィルタ、１２はトラップフィルタである。このトラップフィルタ１２の構成は第１の実施形態で示したものと同様である。ＳＡＷフィルタ１１′はそれ単体では入出力インピーダンスが非５０Ωであり、このＳＡＷフィルタに５０Ω整合素子としてコイルＬを付加している。トラップフィルタ１２の入出力インピーダンスは５０Ωである。位相回路１３は第１の実施形態の場合と同様に実装基板上にマイクロストリップラインで構成している。図７の（Ｂ）に示すように、実装基板上にコイルＬ、ＳＡＷフィルタ１１′およびトラップフィルタ１２をそれぞれ実装（搭載）することによって実装基板上にフィルタ回路を構成する。
【００２９】
図８の（Ａ）はＳＡＷフィルタ１１′の通過・反射特性を示す図、（Ｂ）は図７（Ａ）のＰ１点からＳＡＷフィルタ１１′を見た反射位相のスミスチャートである。ＳＡＷフィルタ１１′の減衰帯域での反射位相は約−１３５°である。また、図７（Ａ）のＰ２点からトラップフィルタ１２を見た反射位相は図４の（Ｂ）に示したように約−１８０°である。したがって、バンドパスフィルタ側の反射位相を基準として両者の反射位相差は、−１８０°−（−１３５°）＝−４５°である。この反射位相差−４５°を１８０°にするための移相量は、１８０°−（−４５°）＝２２５°であるので、位相回路１３を電気長２２５°相当の線路とすればよい。この位相回路１３を、上述の場合と同様に、比誘電率４．０、厚み０．３ｍｍの５０Ωマイクロストリップラインで構成する場合、その線路長は約６０ｍｍとなる。
【００３０】
図９はこの第２の実施形態に係るフィルタ回路の通過・反射特性を示している。このようにバンドパスフィルタ１１とトラップフィルタ１２の接続点からそれぞれを見た反射位相の差が１８０°となるように位相回路を介して接続したことにより、減衰帯域９４０〜９５８ＭＨｚでの減衰量を大きく確保することができる。
【００３１】
次に、第３の実施形態に係るフィルタ回路の構成を図１０〜図１３を参照して説明する。
図１０の（Ａ）はそのフィルタ回路の回路図、（Ｂ）はそのフィルタ回路を構成した基板上の平面図である。ここで１１′はバンドパスフィルタ特性を有するＳＡＷフィルタであり、このＳＡＷフィルタ１１′は第２の実施形態の場合と同様に通過帯域において非５０Ωである。１２はトラップフィルタであり、このトラップフィルタ１２の基本的な構成は第１の実施形態で示したものと同様である。但し、後述するようにこのトラップフィルタのインピーダンスは、ＳＡＷフィルタ１１′のインピーダンスに略等しい非５０Ω系のトラップフィルタである。
【００３２】
ＳＡＷフィルタ１１′は、それ単体では非５０Ωの一般的なＳＡＷフィルタであるので、通常なら、第２の実施形態で示したように整合用のコイルＬを付加して５０Ωに整合する。そこで、ここで仮に位相回路１３を設けることなく、整合用のコイルＬだけを付加すると、図８の（Ｂ）に示したように、減衰帯域でのＳＡＷフィルタの反射位相は約−１３５°である。また減衰帯域でのトラップフィルタ１２の反射位相は図４の（Ｂ）に示したように約−１８０°である。したがって、反射位相差は−１８０−（−１３５）＝−４５°である。理想的な反射位相差は１８０°であるから、理想的な反射位相差から１８０−（−４５）＝２２５°もずれることになる。その結果、減衰帯域での減衰量の不足が生じる。
【００３３】
また、整合コイルを無くすと、既に述べたように通過帯域の特性（挿入損失、リップルおよび反射損失）が悪化してしまう。そこで、第２の実施形態で示したように、位相回路１３を挿入して反射位相差を約１８０°となるようにするわけであるが、整合コイルや位相回路を設けた分、整合コイルや位相回路で挿入損失が生じるという問題が生じる。
【００３４】
この実施形態では、上記インピーダンス整合をとり、且つ反射位相差を理想的な１８０°から大きくずれないようにするものである。
【００３５】
図１１（Ａ）はＳＡＷフィルタ１１′の通過・反射特性を示す図、（Ｂ）は図１０（Ａ）のＰ点からＳＡＷフィルタ１１′を見た反射位相のスミスチャートである。また、図１２（Ａ）はトラップフィルタ１２の通過・反射特性を示す図、（Ｂ）は図１０（Ａ）のＰ点からトラップフィルタ１２を見た反射位相のスミスチャートである。図１１（Ｂ）に示すように、ＳＡＷフィルタ１１′の減衰帯域での反射位相は約−８０°である。また、トラップフィルタ１２の反射位相は図１２の（Ｂ）に示したように約−１８０°である。したがって、バンドパスフィルタ側の反射位相を基準として両者の反射位相差は、−１８０°−（−８０°）＝−１００°である。したがって、ＳＡＷフィルタ１１′とトラップフィルタ１２との間に整合用のコイルや位相回路などの付加回路を設けなければ、反射位相差を理想的な１８０°から大きくずれないようにできる。しかも、トラップフィルタ１２の通過帯域でのインピーダンスを、ＳＡＷフィルタ１１′の通過帯域でのインピーダンスに略等しくしているので、通過帯域の特性（挿入損失、リップル、反射損失）が悪化することもない。
【００３６】
図１３はこの第３の実施形態に係るフィルタ回路の通過・反射特性を示す図である。このように通過帯域で挿入損失、リップル、反射損失の特性を良好にし、且つ減衰域での減衰量を大きく確保することができる。
【００３７】
次に、第４の実施形態に係るフィルタ回路の構成を図１４・図１５を基に説明する。
図１４はフィルタ回路の回路図、図１５はその実装基板上での平面図である。但し、実装基板上の回路パターンは省略している。ここで１１はバンドパスフィルタ、１２はトラップフィルタである。これらは第１の実施形態で示したものと同様である。１３′は集中定数回路で構成した位相回路である。ここではＬＣＬのπ型ハイパスフィルタ回路で構成している。このＬとＣの値は第１の実施形態で示したように、入出力間の位相差が２７０°となるように定める。第１の実施形態で示したようにマイクロストリップラインで位相回路を構成した場合には０．２５ｄＢ程度の挿入損失が生じるが、この第４の実施形態のように集中定数回路で構成した場合、例えば１００５サイズ（１０ｍｍ×５ｍｍ）のチップ部品を使用すると、０．１５ｄＢ程度の挿入損失に抑えられる。
【００３８】
次に、第５の実施形態に係るデュプレクサの例を図１６を基に説明する。図１６はデュプレクサの回路図であり、２２で示す部分は第２の実施形態で示したフィルタ回路から成る受信フィルタである。２１は送信帯域を通過させ、受信帯域を阻止する送信フィルタである。ここで送信帯域は受信帯域より高域側にあって、トラップフィルタ１２による減衰帯域は、受信帯域に隣接する送信帯域の低域寄りの周波数帯域に対応する。送信フィルタ２１は例えば誘電体同軸共振器を用いた帯域阻止特性を有するフィルタである。
【００３９】
次に、第６の実施形態に係る通信装置の例を図１７を基に説明する。図１７においてＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂはそれぞれ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオシレータ、ＳＹＮは周波数シンセサイザである。
【００４０】
ＭＩＸａは送信中間周波信号ＩＦと、ＳＹＮから出力された信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介しＡＮＴより送信する。ＡＭＰｂはＤＰＸから取り出した受信信号を増幅する。ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮから出力された周波数信号と受信信号とをミキシングして受信中間周波信号ＩＦを出力する。図１７に示したデュプレクサＤＰＸ部分には、図１６に示した構造のデュプレクサを用いる。
【００４１】
以上の各実施形態では、トラップフィルタ１２の反共振周波数の調整としてコイルを直列に接続したが、この反共振周波数を調整するためにコンデンサを用いてもよい。一般にはコイルを設けることによって通過帯域の高域側に減衰極を生じさせ、コンデンサを用いることによって通過帯域の低域側に減衰極を生じさせることができる。
【００４２】
また、帯域通過特性を有する第１のフィルタとして３段の誘電体共振器を用いた例を示したが、勿論３段に限らず、他の段数を備えた場合にも同様に適用できる。
【００４３】
また、帯域阻止特性を有する第２のフィルタとしてトラップフィルタを用いた例を示したが、複数段の共振器を用いて減衰帯域幅を広げた帯域阻止フィルタを用いてもよい。さらに、ＳＡＷフィルタや集中定数素子によるＬＣフィルタで構成してもよい。
【００４４】
【発明の効果】
この発明によれば、帯域通過特性を有する第１のフィルタと、帯域阻止特性を有する第２のフィルタとを接続してなるフィルタ回路において、それぞれのフィルタの減衰を必要とする周波数における接続点での反射位相の差を９０°〜２７０°の範囲内にしたことにより、第１のフィルタと第２のフィルタの減衰帯域での大きな減衰が得られる。
【００４５】
また、この発明によれば、第１・第２のフィルタをそれぞれ誘電体ブロックの内外に電極膜を形成して成る誘電体共振器で構成したことにより、耐電力性に優れた特性が得られる。
【００４６】
また、この発明によれば、第１のフィルタをＳＡＷフィルタとしたことにより、全体の小型化が図れる。
【００４７】
また、この発明によれば、ＳＡＷフィルタの通過帯域でのインピーダンスを非５０Ωとし、該ＳＡＷフィルタに反射位相調整回路を付加したことにより、一般的な非５０ΩのＳＡＷフィルタを用いながらも通過帯域での通過特性を改善することができる。
【００４８】
また、この発明によれば、反射位相調整回路をストリップラインで構成したことにより、第１・第２のフィルタを実装する回路基板上に反射位相調整回路を容易に構成することができる。
【００４９】
また、この発明によれば、反射位相調整回路を集中定数素子を含む回路で構成したことにより、回路基板上へ第１・第２のフィルタと共に集中定数素子を実装するだけで全体のフィルタ回路を容易に構成できる。
【００５０】
また、この発明によれば、第２のフィルタのインピーダンスをＳＡＷフィルタのインピーダンスに整合する非５０Ωとしたことにより、反射位相調整のためおよびインピーダンス整合のための特別な回路が不要となって低損失化を図れる。
【００５１】
また、この発明によれば、上記フィルタ回路を送信フィルタ部または受信フィルタ部に設けてデュプレクサを構成したことにより、相手側通過帯域で大きな減衰量が得られる。
【００５２】
また、この発明によれば、上記フィルタ回路またはデュプレクサを例えば送信信号または受信信号のフィルタ部に設けて通信装置を構成したことにより、周波数特性の優れた通信装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係るフィルタ回路の回路図
【図２】同フィルタ回路で用いるバンドパスフィルタおよびトラップフィルタの平面図
【図３】バンドパスフィルタの通過・反射特性および反射位相の特性を示す図
【図４】トラップフィルタの通過・反射特性および反射位相の特性を示す図
【図５】フィルタ回路の通過・反射特性を示す図
【図６】反射位相差と減衰量との関係を示す図
【図７】第２の実施形態に係るフィルタ回路の回路図および平面図
【図８】ＳＡＷフィルタの通過・反射特性および反射位相の特性を示す図
【図９】フィルタ回路の通過・反射特性を示す図
【図１０】第３の実施形態に係るフィルタ回路の回路図および平面図
【図１１】ＳＡＷフィルタの通過・反射特性および反射位相の特性を示す図
【図１２】トラップフィルタの通過・反射特性および反射位相の特性を示す図
【図１３】フィルタ回路の通過・反射特性を示す図
【図１４】第４の実施形態に係るフィルタ回路の回路図
【図１５】同フィルタ回路の平面図
【図１６】第５の実施形態に係るデュプレクサの回路図
【図１７】第６の実施形態に係る通信装置のブロック図
【図１８】従来のデュプレクサの回路図
【符号の説明】
１１−バンドパスフィルタ（第１のフィルタ）
１２−トラップフィルタ（第２のフィルタ）
１１′−ＳＡＷフィルタ（第１のフィルタ）
１３−位相回路
１４−基板
１５−結合基板
２１−送信フィルタ
２２−受信フィルタ
Ｌ−整合用コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2004297369.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2004297369.tif 000017
【図１６】
2004297369.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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