(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネルなどの表示パネルを電流駆動する電流駆動装置について、表示パネルからの誘導に起因するバイアス電圧変動によるクロストーク表示を防止する。【解決手段】電流駆動装置（１０Ａ）は、表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する複数の駆動回路（１１−１〜１１−ｍ）と、バイアス電圧（Ｖｂ）を生成し、バイアス線路（１３）を通じて各駆動回路（１１−１〜１１−ｍ）に供給する低出力インピーダンスのバイアス回路（１２Ａ）とを備えている。ここで、バイアス回路（１２Ａ）の出力インピーダンスを、駆動回路（１１−１〜１１−ｍ）におけるスイッチ（１１２−１〜１１２−ｎ）のスイッチング動作に起因してバイアス線路（１３）に生じる電圧変動が表示データの書き込み期間内に収束可能な程度に低く設定する。【選択図】  図１
2004279633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置であって、
前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられ、かつ、
ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、を有する複数の駆動回路と、
前記スイッチのスイッチング動作に起因して前記バイアス線路に生じる電圧変動を、前記表示データの書き込み期間内に収束させることができる程度に低い出力インピーダンスを呈し、前記バイアス電圧を生成して前記バイアス線路に出力するバイアス回路とを備えた
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電流駆動装置において、
前記バイアス回路は、当該バイアス回路の出力インピーダンスを低減するとともに、与えられた基準電圧に基づいて前記バイアス電圧を出力するインピーダンス低減手段を有する
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電流駆動装置において、
前記バイアス回路は、
与えられた基準電流に対して所定のミラー比倍に相当するバイアス電流を生成するカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路によって生成されたバイアス電流を受け、前記基準電圧を生成する電圧生成回路とを有する
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電流駆動装置において、
前記表示パネルの静的特性に応じて、前記バイアス回路の出力インピーダンスを切り替える出力インピーダンス切り替え回路を備えた
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項５】
表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置であって、
前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられ、かつ、
ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、を有する複数の駆動回路と、
前記バイアス電圧を生成して前記バイアス線路に出力するバイアス回路と、
前記表示データの書き込みタイミングを示すパルス信号に応じて、このパルス信号を受けてから所定の期間、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くする出力インピーダンス切り替え回路とを備えた
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電流駆動装置において、
前記パルス信号は、前記所定の期間、所定の論理レベルを保持するパルスを含むものであり、
前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記パルス信号が前記所定の論理レベルとなっている間、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くする
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項７】
表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置であって、
前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられた複数の駆動回路を備え、
前記複数の駆動回路のそれぞれは、
ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、
前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、
前記スイッチが導通したときに前記駆動線路から流入する電流に起因して前記バイアス線路に生じる電圧変動が、前記表示データの書き込み期間内に収束可能な程度に、当該電流を制限する電流制限手段とを有する
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電流駆動装置において、
前記スイッチは、ゲートに与えられた制御電圧に基づいて、ソース−ドレイン間の導通・非導通を切り替えるトランジスタであり、かつ、実質的に、前記電流制限手段を兼用し、前記制御電圧に基づいて、導通状態のソース−ドレイン間に流れる電流量を制限する
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一つに記載の電流駆動装置において、
前記表示パネルは、有機ＥＬパネルである
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項１０】
表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置であって、
前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられ、かつ、
ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、を有する複数の駆動回路と、
前記バイアス電圧を生成して前記バイアス線路に出力するバイアス回路と、
前記表示パネルの静的特性に応じて、前記バイアス回路の出力インピーダンスを切り替える出力インピーダンス切り替え回路とを備えた
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項１１】
請求項４または１０に記載の電流駆動装置において、
前記表示パネルの静的特性は、前記駆動線路の寄生容量であり、
前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記寄生容量が相対的に大きいとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くし、前記寄生容量が相対的に小さいとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に高くすることを特徴とする電流駆動装置。
【請求項１２】
請求項４または１０に記載の電流駆動装置において、
前記表示パネルの静的特性は、前記表示パネルの電源電圧であり、
前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記電源電圧が相対的に高いとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くし、前記電源電圧が相対的に低いとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に高くする
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項１３】
請求項４または１０に記載の電流駆動装置において、
前記表示パネルの静的特性に係る情報を保持する特性情報保持回路を備え、
前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記特性情報保持回路が保持する情報に基づいて、前記バイアス回路の出力インピーダンスを切り替える
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項１４】
請求項４または１０に記載の電流駆動装置において、
前記バイアス回路は、
与えられた基準電流に対して所定のミラー比倍に相当する大きさのバイアス電流を生成するカレントミラー回路と、
所定の抵抗値を呈し、前記カレントミラー回路によって生成されたバイアス電流を受け、前記所定の抵抗値に応じた大きさの前記バイアス電圧を生成する電圧生成回路とを有するものであり、
前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記表示パネルの特性に応じて、前記カレントミラー回路のミラー比および前記電圧生成回路の抵抗値を切り替えるものである
ことを特徴とする電流駆動装置。
【請求項１５】
請求項４または１０に記載の電流駆動装置において、
前記バイアス回路は、
与えられた基準電流に対して所定のミラー比倍に相当するバイアス電流を生成するカレントミラー回路と、
所定の抵抗値を呈し、前記カレントミラー回路によって生成されたバイアス電流を受け、前記所定の抵抗値に応じた大きさの前記バイアス電圧を生成する電圧生成回路とを有するものであり、
前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記表示パネルの特性に応じて、前記電圧生成回路の抵抗値を切り替えるものであり、
前記基準電流は、前記前記電圧生成回路の抵抗値の切り替えに応じて、その大きさが切り替えられるものである
ことを特徴とする電流駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流駆動装置に関するものであり、特に、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルなどの表示用ドライバとして好適な電流駆動装置の技術に属する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイについては、大型化、高精細化、薄型・軽量化および低コスト化が進んでいる。一般に、大型・高精細の表示パネルの駆動方式としてアクティブマトリクス方式が好んで用いられる。以下、従来のアクティブマトリクス型表示パネルの表示用ドライバについて説明する。
【０００３】
図１０は、表示パネルに接続された従来の表示用ドライバとしての電流駆動装置の回路構成を示す。電流駆動装置１００は、表示パネル２０における表示素子回路２１−１〜２１−ｍをそれぞれ電流駆動するｍ個の駆動回路１１−１〜１１−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１−ｉ（ｉは１からｍまでの整数）に供給するバイアス回路１２とを備えている。なお、表示パネル２０は、有機ＥＬパネルである。
【０００４】
バイアス回路１２は、入力側および出力側にそれぞれＰ型トランジスタ１２１および１２２を有するカレントミラー回路１２３と、Ｐ型トランジスタ１２１に接続され、カレントミラー回路１２３の入力側に基準電流Ｉｒｅｆを流す抵抗素子１２４と、Ｐ型トランジスタ１２２に接続され、カレントミラー回路１２３の出力側にミラーされたバイアス電流Ｉｂを受けて、バイアス電圧Ｖｂを生成するＮ型トランジスタ１２５とを備えている。
【０００５】
駆動回路１１−ｉは、ｎ個のＮ型トランジスタ１１１−１〜１１１−ｎおよびそれらに対応するスイッチ１１２−１〜１１２−ｎを備えている。たとえば、ｎが６３のとき、駆動回路１１−ｉは、６ビット階調、すなわち６４階調の表示を駆動することができる。
【０００６】
電流駆動装置１００における各Ｎ型トランジスタ１１１−ｊ（ｊは１からｎまでの整数）のゲートは、バイアス回路１２におけるＮ型トランジスタ１２５のゲートおよびドレインから延びるバイアス線路１３によって互いに結線され、バイアス電圧Ｖｂを共通して受ける。すなわち、各Ｎ型トランジスタ１１１−ｊは、Ｎ型トランジスタ１２５とともにカレントミラー回路を構成している。そして、各Ｎ型トランジスタ１１１−ｊは、ソース−ドレイン間に、バイアス電流Ｉｂをミラーした電流を引き込むようになっている。
【０００７】
各スイッチ１１２−ｊは、一端が駆動回路１１−ｉの出力端子１１３−ｉに接続され、他端が各Ｎ型トランジスタ１１１−ｊに接続されている。そして、各スイッチ１１２−ｊは、表示データ（図示せず）に基づいて、独立にスイッチング動作をする。
【０００８】
すなわち、駆動回路１１−ｉは、実質的には電流加算型のＤ／Ａコンバータとして動作し、デジタル信号として表示データを受け、アナログ信号として、その表示データに対応した大きさの電流を出力端子１１３−ｉから引き込むようになっている。
【０００９】
一方、表示素子回路２１−ｉは、表示パネル２０における１画素に相当する。表示素子回路２１−ｉは、有機ＥＬ素子２１１と、これに接続されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）２１２と、ＴＦＴ２１２とともにカレントミラー構造をなすＴＦＴ２１３とを備えている。
【００１０】
周知のように、有機ＥＬ素子は、ダイオードと同様に整流性を呈し、通電される電流量に応じてその輝度を変化させる。表示素子回路２１−ｉにおいて、有機ＥＬ素子２１１に通電される電流量は、ＴＦＴ２１３を流れる電流量に応じて変化する。そして、ＴＦＴ２１３は、駆動線路３０−ｉを介して駆動回路１１−ｉに接続されている。したがって、有機ＥＬ素子２１１は、駆動回路１１−ｉによって電流駆動され、その輝度を変化させる。
【００１１】
以上のように、電流駆動装置１００は、表示データに基づいて、表示パネル２０における複数の表示素子回路２１−ｉを電流駆動し、階調表示を実現するようになっている（たとえば、特許文献１、２参照）。
【００１２】
【特許文献１】
特開平１１−８８０７２号公報
【特許文献２】
特開平１１−３４０７６５号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の電流駆動装置１００では、ある特定の表示データを表示する場合、表示パネル２０からの電荷注入や瞬時的なバイアス電圧の変動による表示の乱れ、いわゆるクロストーク表示が発生することがある。以下、この点について説明する。
【００１４】
図１１は、表示パネル２０から誘導を受けたときの電流駆動装置１００の状態を表す。図１０では、駆動回路１１−１におけるスイッチ１１２−１がすべて非導通状態であるのに対して、図１１では、すべて導通状態となっている。
【００１５】
図１２は、表示パネル２０の表示例を示す。同図中（ａ）に示した走査線に係る表示は、図１０の電流駆動装置１００の動作状態に対応し、（ｂ）に示した走査線に係る表示は、図１１の電流駆動装置１００の動作状態に対応する。
【００１６】
有機ＥＬパネルでは、液晶パネルなどのホールド型表示パネルと同様に、１水平期間に、走査線上の画素（表示素子回路）に対して表示データを書き込み、この書き込みが完了すると次の走査線を選択して別の表示データの書き込みを行うようになっている。実際には、表示素子回路にはデータ保持用の容量が設けられており（図示せず）、この容量によって表示データに対応する電圧が次のフレームまで保持される。これにより、表示素子回路２１−ｉは、駆動回路１１−ｉから電気的に切り離されても、一定の発光状態を持続するようになっている。
【００１７】
図１２（ａ）に示した走査線に係る表示では、走査線上左側は最低輝度（黒色表示）、右側は最大輝度（白色表示）となっている。このとき、電流駆動装置１００は、図１０に示すように、駆動回路１１−１におけるスイッチ１１２−１〜１１２−ｎは、すべて非導通状態であり、出力端子１１３−１から引き込む電流はほぼゼロとなっている。したがって、表示素子回路２１−１における有機ＥＬ素子２１１は、非発光状態にある。一方、駆動回路１１−ｍにおけるスイッチ１１２−１〜１１２−ｎは、すべて導通しており、出力端子１１３−ｍから引き込む電流は最大となっている。したがって、表示素子回路２１−ｍにおける有機ＥＬ素子２１１は、最大輝度での発光状態にある。
【００１８】
図１３は、駆動回路１１−ｉおよび表示用ＴＦＴのＩＶ特性グラフである。同図（ａ）に示すように、一定のＩＶ特性を呈するＴＦＴ２１２および２１３に対して、駆動回路１１−１および１１−ｍは、それぞれ黒色表示および白色表示の特性となる。同グラフからわかるように、黒色表示のＴＦＴの動作点電圧Ｖ１は比較的高く、電源電圧近傍にまで達することがある。一方、白色表示のＴＦＴの動作点電圧Ｖ２は、黒色表示のＴＦＴの動作点電圧Ｖ１よりも低くなっている。なお、これら動作点電圧Ｖ１およびＶ２は、ＴＦＴのオン抵抗と、駆動回路１１−ｉが引き込む電流の大きさによって変化する。
【００１９】
一方、図１２（ｂ）は、同図（ａ）に示した走査線と同様の表示が続いた後に、走査線上左側が初めて最大輝度となったときの表示例を示している。このとき、電流駆動装置１００は、図１１に示すように、駆動回路１１−１におけるスイッチ１１２−１〜１１２−ｎはすべて導通し、出力端子１１３−１から最大量の電流が引き込まれる。これにより、表示素子回路２１−１における有機ＥＬ素子２１１は、最大輝度での発光状態となる。
【００２０】
このとき、駆動回路１１−１には、駆動線路３０−１から寄生容量３１−１に蓄積された電荷が注入される。なお、寄生容量３０−１は、電流駆動装置１００、表示パネル２０および駆動線路３０−１のそれぞれに存在する寄生容量が複合したものであると考えられる。
【００２１】
注入される電荷の量が比較的少ない場合、電荷はＮ型トランジスタ１１１−１〜１１１−ｎを通りグランドに抜ける。しかし、表示素子回路２１−１は直前まで黒色表示であったため、寄生容量３１−１は電源電圧近傍で充電されている。したがって、駆動回路１１−１と駆動線路３０−１とが電気的に接続された瞬間、Ｎ型トランジスタ１１１−ｉのドレインに電源電圧近傍が印加され、ゲート−ドレイン間に存在する寄生容量Ｃｇｄを通じて、バイアス線路１３が誘導を受けてしまう。図１１に示した波形１４は、この誘導により、バイアス線路１３に生じた電圧変動を表している。
【００２２】
バイアス線路１３に、図１１に示した波形１４のような突き上げ電圧が生じると、その他の駆動回路、たとえば駆動回路１１−ｍは、表示データが変化していないにもかかわらず、駆動電流量が一時的に多くなる。この結果、図１３（ｂ）のグラフに示すように、駆動回路１１−ｍは過剰ドライブ状態となる。
【００２３】
バイアス線路１３の電圧変動が表示データの書き込み期間内に収束すれば、駆動回路１１−ｍは所定の駆動状態に戻り、正常な表示が行われる。しかし、電圧変動が表示データの書き込み期間内に収束しない場合、表示素子回路２１−ｍは、次のフレームまで過剰ドライブ状態を続けるため、輝線が視認されるクロストーク表示となる。
【００２４】
一方、駆動回路１１−ｉによる駆動が、白色表示から黒色表示に切り替わる場合は、上記とは逆に、バイアス線路１３に一時的な電圧の落ち込みが発生する。これにより、輝度の低下した暗線が視認されるクロストーク表示が生じてしまう。
【００２５】
ところで、寄生容量３１−ｉは、携帯用途の小型パネルの場合は数ｐＦ〜数１０ｐＦであるが、大型パネルになると１００ｐＦ以上になる場合もある。したがって、表示パネルが大型化するとクロストーク表示はより顕著なものとなる。特に、有機ＥＬパネル用の電流駆動装置は、数１０ｎＡ程度の極微小の電流で表示素子回路を駆動するため、クロストーク表示を起こし易い。近年、フラットパネルディスプレイの表示用ドライバとしての電流駆動装置には、出力端子間のばらつきを低減し、表示画質の均一性を高めるような性能が求められている。このような要求の中で、クロストーク表示は、表示画質の均一性を高めるためにも、解決されるべき問題である。
【００２６】
上記の問題に鑑み、本発明は、表示パネルを駆動する電流駆動装置について、クロストーク表示を防止し、均一な表示を実現することを課題とする。あわせて、電流駆動装置の消費電力を低減することを課題とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明が講じた手段は、表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置として、前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられ、かつ、ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、を有する複数の駆動回路と、前記スイッチのスイッチング動作に起因して前記バイアス線路に生じる電圧変動を、前記表示データの書き込み期間内に収束させることができる程度に低い出力インピーダンスを呈し、前記バイアス電圧を生成して前記バイアス線路に出力するバイアス回路とを備えたものとする。
【００２８】
これによると、バイアス回路の出力インピーダンスが十分に低く、駆動回路におけるスイッチのスイッチング動作に起因してバイアス線路に生じる電圧変動は、表示データの書き込み期間内に収束する。したがって、クロストーク表示を回避することができる。
【００２９】
前記バイアス回路は、当該バイアス回路の出力インピーダンスを低減するとともに、与えられた基準電圧に基づいて前記バイアス電圧を出力するインピーダンス低減手段を有することが好ましく。
【００３０】
さらに好ましくは、前記バイアス回路は、与えられた基準電流に対して所定のミラー比倍に相当するバイアス電流を生成するカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路によって生成されたバイアス電流を受け、前記基準電圧を生成する電圧生成回路とを有するものとする。
【００３１】
また、本発明の電流駆動装置は、さらに、前記表示パネルの静的特性に応じて、前記バイアス回路の出力インピーダンスを切り替える出力インピーダンス切り替え回路を備えていることが好ましい。
【００３２】
これにより、クロストーク表示を回避しつつ、多様な表示パネルに対応して、バイアス回路の出力インピーダンスを適宜切り替えて、電流駆動装置の消費電力を低減することができる。
【００３３】
一方、上記の課題を解決するために、本発明が講じた手段は、表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置として、前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられ、かつ、ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、を有する複数の駆動回路と、前記バイアス電圧を生成して前記バイアス線路に出力するバイアス回路と、前記表示データの書き込みタイミングを示すパルス信号に応じて、このパルス信号を受けてから所定の期間、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くする出力インピーダンス切り替え回路とを備えたものとする。
【００３４】
これによると、バイアス回路の出力インピーダンスを動的に切り替えることができる。したがって、クロストーク表示を防止しつつ、電流駆動装置の消費電力を最適化することができる。
【００３５】
好ましくは、前記パルス信号は、前記所定の期間、所定の論理レベルを保持するパルスを含むものとする。また、前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記パルス信号が前記所定の論理レベルとなっている間、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くするものとする。
【００３６】
一方、上記の課題を解決するために、本発明が講じた手段は、表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置として、前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられた複数の駆動回路を備えたものとする。ここで、前記複数の駆動回路のそれぞれは、ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、前記スイッチが導通したときに前記駆動線路から流入する電流に起因して前記バイアス線路に生じる電圧変動が、前記表示データの書き込み期間内に収束可能な程度に、当該電流を制限する電流制限手段とを有するものとする。
【００３７】
これによると、バイアス線路について、駆動線路からの誘導を受けにくくすることができる。したがって、クロストーク表示を回避することができる。
【００３８】
前記スイッチは、ゲートに与えられた制御電圧に基づいて、ソース−ドレイン間の導通・非導通を切り替えるトランジスタであり、かつ、実質的に、前記電流制限手段を兼用し、前記制御電圧に基づいて、導通状態のソース−ドレイン間に流れる電流量を制限するものであることが好ましい。
【００３９】
一方、上記の課題を解決するために、本発明が講じた手段は、表示パネルにおける複数の表示素子回路を電流駆動する電流駆動装置として、前記複数の表示素子回路のそれぞれに対応して設けられ、かつ、ゲートがバイアス線路に接続され、このバイアス線路を通じて与えられるバイアス電圧に応じた大きさの電流をソース−ドレイン間に流す少なくとも一つのトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられ、表示データに基づいて、対応する前記表示素子回路を駆動するための駆動線路と前記トランジスタとの電気的な接続の有無を切り替える少なくとも一つのスイッチと、を有する複数の駆動回路と、前記バイアス電圧を生成して前記バイアス線路に出力するバイアス回路と、前記表示パネルの静的特性に応じて、前記バイアス回路の出力インピーダンスを切り替える出力インピーダンス切り替え回路とを備えたものとする。
【００４０】
これにより、多様な表示パネルに対応して、バイアス回路の出力インピーダンスを適宜切り替えて、電流駆動装置の消費電力を低減することができる。
【００４１】
具体的には、上記の表示パネルの静的特性は、前記駆動線路の寄生容量であり、前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記寄生容量が相対的に大きいとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くし、前記寄生容量が相対的に小さいとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に高くするものとする。
【００４２】
また、具体的には、上記の表示パネルの静的特性は、前記表示パネルの電源電圧であり、前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記電源電圧が相対的に高いとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に低くし、前記電源電圧が相対的に低いとき、前記バイアス回路の出力インピーダンスを相対的に高くするものとする。
【００４３】
また、上記の電流駆動装置は、さらに、前記表示パネルの静的特性に係る情報を保持する特性情報保持回路を備え、前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記特性情報保持回路が保持する情報に基づいて、前記バイアス回路の出力インピーダンスを切り替えるものであることが好ましい。
【００４４】
具体的には、前記バイアス回路は、与えられた基準電流に対して所定のミラー比倍に相当する大きさのバイアス電流を生成するカレントミラー回路と、所定の抵抗値を呈し、前記カレントミラー回路によって生成されたバイアス電流を受け、前記所定の抵抗値に応じた大きさの前記バイアス電圧を生成する電圧生成回路とを有するものであり、また、前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記表示パネルの特性に応じて、前記カレントミラー回路のミラー比および前記電圧生成回路の抵抗値を切り替えるものであるとする。
【００４５】
また、具体的には、前記バイアス回路は、与えられた基準電流に対して所定のミラー比倍に相当するバイアス電流を生成するカレントミラー回路と、所定の抵抗値を呈し、前記カレントミラー回路によって生成されたバイアス電流を受け、前記所定の抵抗値に応じた大きさの前記バイアス電圧を生成する電圧生成回路とを有するものであり、また、前記出力インピーダンス切り替え回路は、前記表示パネルの特性に応じて、前記電圧生成回路の抵抗値を切り替えるものであり、前記基準電流は、前記前記電圧生成回路の抵抗値の切り替えに応じて、その大きさが切り替えられるものであるとする。
【００４６】
【発明の実施の形態】
本発明の電流駆動装置は、有機ＥＬパネルや液晶パネルなどの表示用ドライバとして用いることができる。また、１チップに集積化して表示ドライバ用ＬＳＩとして実現することができる。以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００４７】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電流駆動装置の回路構成を示す。本実施形態の電流駆動装置１０Ａは、表示パネルを駆動するｍ個の駆動回路１１−１〜１１−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１−ｉに供給するバイアス回路１２Ａとを備えている。このうち、駆動回路１１−ｉについては、従来と同様であるので説明を省略し、以下、バイアス回路１２Ａについて説明する。
【００４８】
バイアス回路１２Ａは、入力側にＰ型トランジスタ１２１を有するとともに、出力側に並列接続されたｗ個のＰ型トランジスタ１２２−１〜１２２−ｗを有するカレントミラー回路１２３Ａと、Ｐ型トランジスタ１２１に接続され、カレントミラー回路１２３の入力側に基準電流Ｉｒｅｆを流す抵抗素子１２４と、各Ｐ型トランジスタ１２２−ｋ（ｋは１からｗまでの整数）によって生成されるバイアス電流Ｉｂを受けて、バイアス電圧Ｖｂを生成する電圧生成回路としてのｗ個のＮ型トランジスタ１２５−１〜１２５−ｗとを備えている。なお、Ｐ型トランジスタ１２２−ｋおよびＮ型トランジスタ１２４−ｋは、それぞれ図１０のバイアス回路１２におけるＰ型トランジスタ１２２およびＮ型トランジスタ１２４と同等特性の素子である。すなわち、本実施形態に係るバイアス回路１２Ａは、バイアス電圧Ｖｂを生成する側のトランジスタサイズ（ゲート幅／ゲート長）を、従来のものよりも大きくした構成となっている。
【００４９】
このように、バイアス電圧Ｖｂを生成する側のトランジスタサイズを大きくすることによって、バイアス線路１３から見たバイアス回路１２Ａの出力インピーダンスを低減することができる。そして、バイアス回路１２Ａの出力インピーダンスを低くすれば、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動をより早く定常値に収束させることができる。したがって、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を、表示データの書き込み期間内に収束させる程度に、バイアス回路１２Ａの出力インピーダンスを低くすることによって、クロストーク表示を回避することができる。
【００５０】
以上、本実施形態によると、バイアス回路の出力側のトランジスタサイズを大きくするという変更のみで、比較的容易に、クロストーク表示を防止し、均一な表示を実現することが可能な電流駆動装置を実現することができる。
【００５１】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係る電流駆動装置の回路構成を示す。本実施形態の電流駆動装置１０Ｂは、表示パネルを駆動するｍ個の駆動回路１１−１〜１１−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１−ｉに供給するバイアス回路１２Ｂとを備えている。このうち、駆動回路１１−ｉについては、従来と同様であるので説明を省略し、以下、バイアス回路１２Ｂについて説明する。
【００５２】
バイアス回路１２Ｂは、入力側および出力側にそれぞれＰ型トランジスタ１２１および１２２を有するカレントミラー回路１２３と、Ｐ型トランジスタ１２１に接続され、カレントミラー回路１２３の入力側に基準電流Ｉｒｅｆを流す抵抗素子１２４Ａと、Ｐ型トランジスタ１２２に接続され、カレントミラー回路１２３の出力側に生成されるバイアス電流を受けて、バイアス電圧Ｖｂを生成する電圧生成回路としてのｗ個のＮ型トランジスタ１２５−１〜１２５−ｗとを備えている。なお、Ｎ型トランジスタ１２４−ｋは、図１０のバイアス回路１２におけるＮ型トランジスタ１２４と同等特性の素子である。
【００５３】
バイアス回路１２Ｂには、バイアス回路１２における基準電流Ｉｒｅｆの、Ｎ型トランジスタ１２５−ｉの個数倍の基準電流ｗ×Ｉｒｅｆが与えられる。したがって、カレントミラー回路１２３によって生成されるバイアス電流はｗ×Ｉｂとなる。このバイアス電流は、並列接続されたＮ型トランジスタ１２５−１〜１２５−ｗによって分配され、各Ｎ型トランジスタ１２５−ｋは、バイアス回路１２と同等のバイアス電圧Ｖｂを生成する。すなわち、本実施形態に係るバイアス回路１２Ｂは、基準電流を大きくするとともに、バイアス電圧Ｖｂを生成する側のトランジスタサイズを、従来のものよりも大きくした構成となっている。
【００５４】
このように、バイアス電圧Ｖｂを生成する側のトランジスタサイズを大きくすることによって、バイアス線路１３から見たバイアス回路１２Ｂの出力インピーダンスを低減することができる。そして、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を、表示データの書き込み期間内に収束させる程度に、バイアス回路１２Ｂの出力インピーダンスを低くすることによって、クロストーク表示を回避することができる。
【００５５】
以上、本実施形態によると、サイズを大きくすべきトランジスタの個数が、第１の実施形態よりも少なくて済み、より小さな回路面積で電流駆動装置を実現することができる。
【００５６】
（第３の実施形態）
図３は、本発明の第３の実施形態に係る電流駆動装置の回路構成を示す。本実施形態の電流駆動装置１０Ｃは、表示パネルを駆動するｍ個の駆動回路１１−１〜１１−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１−ｉに供給するバイアス回路１２Ｃとを備えている。このうち、駆動回路１１−ｉについては、従来と同様であるので説明を省略し、以下、バイアス回路１２Ｃについて説明する。
【００５７】
バイアス回路１２Ｃは、図１０に示したバイアス回路１２の後段に、インピーダンス低減手段としての電圧フォロワ回路１２６を備えた構成となっている。周知のように、電圧フォロワ回路１２６はインピーダンス変換作用を有しており、これにより、バイアス回路１２Ｃの出力インピーダンスをほぼゼロにすることができる。したがって、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を、急速に収束させることができ、クロストーク表示を回避することができる。
【００５８】
なお、電圧フォロワ回路１２６のオフセット電圧には、個体によるばらつきがあるため、応答ゼロ特性を持たせるあるいはオフセットキャンセルを行うことが好ましい。
【００５９】
以上、本実施形態によると、バイアス回路１２Ｃの出力側にインピーダンス低減手段を挿入することによって、クロストーク表示を防止し、均一な表示を実現することが可能な電流駆動装置を実現することができる。
【００６０】
なお、上記説明では、インピーダンス低減手段として、オペアンプによるヌルアンプを示しているが、ソースフォローアンプあるいはエミッターフォローアンプであってもよい。
【００６１】
また、電圧フォロワ回路１２６には、基準電圧として、必ずしも図１０に示したバイアス回路１２によって生成されるバイアス電圧Ｖｂを与える必要はない。たとえば、カレントミラー回路１２３およびＮ型トランジスタ１２５を省略し、外部電源で生成された基準電圧を、電圧フォロワ回路１２６に直接与えるようにしてもよい。
【００６２】
（第４の実施形態）
図４は、本発明の第４の実施形態に係る電流駆動装置の回路構成を示す。本実施形態の電流駆動装置１０Ｄは、表示パネルを駆動するｍ個の駆動回路１１−１〜１１−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１−ｉに供給するバイアス回路１２Ｄと、表示パネルの静的特性に関する情報を保持する特性情報保持回路１５と、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを切り替える出力インピーダンス切り替え回路１６とを備えている。このうち、駆動回路１１−ｉについては、従来と同様であるので説明を省略し、以下、バイアス回路１２Ｄ、特性情報保持回路１５および出力インピーダンス切り替え回路１６について説明する。
【００６３】
バイアス回路１２Ｄは、第１の実施形態に係るバイアス回路１２Ａに、カレントミラー回路１２３ＡにおけるＰ型トランジスタ１２２−２〜１２２−ｗとＮ型トランジスタ１２５−２〜１２５−ｗとのドレイン同士の接続・非接続を切り替えるｖ個のスイッチ１２７−１〜１２７−ｖを設けた構成をしている。すなわち、バイアス回路１２Ｄにおけるカレントミラー回路１２３Ａのミラー比、およびバイアス電圧Ｖｂを生成する電圧生成回路としてのＮ型トランジスタ１２５−１〜１２５−ｗが呈する抵抗値の合計は、スイッチ１２７−１〜１２７−ｖを適宜切り替えることによって、切り替え可能となっている。そして、数多くのスイッチを導通させることによって、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを低減することができる。
【００６４】
特性情報保持回路１５は、メモリやレジスタなどによって構成され、駆動対象の表示パネルの静的特性に係る情報を保持している。この静的特性としては、たとえば、図１０に示した寄生容量３１−ｉに関するものが挙げられる。また、有機ＥＬパネルなどでは、パネル側に電源が配置されている。したがって、この電源電圧も、表示パネルの静的特性の一つとして扱うことができる。
【００６５】
出力インピーダンス切り替え回路１６は、バイアス回路１２Ｄにおけるスイッチ１２７−１〜１２７−ｖのスイッチング動作を制御し、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを切り替える。出力インピーダンスの切り替えは、特性情報保持回路１５に保持された表示パネルの静的特性に係る情報に基づいて行う。
【００６６】
具体的には、特性情報保持回路１５が表示パネルの寄生容量についての情報を保持している場合、出力インピーダンス切り替え回路１６は、寄生容量が相対的に大きいとき、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを相対的に低くし、寄生容量が相対的に小さいとき、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを相対的に高くする。これは、寄生容量が大きいときは、表示パネルから大量の電荷が流入し、バイアス線路１３の電圧変動が相当大きくなるおそれがあるため、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを十分に低くしておく必要があるのに対して、寄生容量が小さいときは、誘導によるバイアス線路１３の電圧変動も小さいため、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスがある程度高くても構わないという理由に基づいている。
【００６７】
これにより、携帯電話機や携帯情報端末などに用いられる比較的小型、つまり寄生容量が小さい表示パネルについては、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを高くし、バイアス回路１２Ｄにおける貫通電流やアイドリング電流を抑え、電流駆動装置１０Ｄの消費電力を低減することができる。ただし、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスは、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を、表示データの書き込み期間内に収束させる程度でなければならないことは言うまでもない。
【００６８】
一方、テレビジョン受像機や電子機器のモニターなどに用いられる比較的大型、つまり寄生容量が大きい表示パネルについては、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を、表示データの書き込み期間内に収束させる程度に、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを低くすることによって、クロストーク表示を回避することができる。
【００６９】
また、具体的には、特性情報保持回路１５が表示パネルの電源電圧についての情報を保持している場合、出力インピーダンス切り替え回路１６は、電源電圧が相対的に高いとき、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを相対的に低くし、電源電圧が相対的に低いとき、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを相対的に高くする。これは、電源電圧が高いときは、表示パネルから大量の電荷が流入し、バイアス線路１３の電圧変動が相当大きくなるおそれがあるため、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを十分に低くしておく必要があるのに対して、電源電圧が低いときは、誘導によるバイアス線路１３の電圧変動も小さいため、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスがある程度高くても構わないという理由に基づいている。
【００７０】
表示パネルにおける複数の表示素子回路を構成するＴＦＴには個体によるばらつきがあり、このばらつきによる影響を回避するために、ある程度の動作マージンを確保する必要がある。これには、表示パネルにおける電源の高電圧化が必要となる。このように、表示パネルの電源電圧が比較的高い場合には、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を、表示データの書き込み期間内に収束させる程度に低くして、クロストーク表示を回避することができる。
【００７１】
一方、表示パネルの電源電圧が比較的低い場合には、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを高くし、バイアス回路１２Ｄにおける貫通電流やアイドリング電流を抑え、電流駆動装置１０Ｄの消費電力を低減することができる。ただし、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスは、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を、表示データの書き込み期間内に収束させる程度でなければならないことは言うまでもない。
【００７２】
以上、本実施形態によると、表示パネルの静的特性に応じて、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを適宜切り替えて、クロストーク表示を回避しつつ、電流駆動装置１０Ｄの消費電力を最適化することができる。
【００７３】
なお、特性情報保持回路１５は、省略することが可能である。その場合、出力インピーダンス切り替え回路１６は、電流駆動装置１０Ｄ外部から与えられる情報に基づいて動作することになる。
【００７４】
（第５の実施形態）
図５は、本発明の第５の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。本実施形態の電流駆動装置１０Ｅは、表示パネルを駆動するｍ個の駆動回路１１−１〜１１−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１−ｉに供給するバイアス回路１２Ｅと、表示パネルの静的特性に関する情報を保持する特性情報保持回路１５と、バイアス回路１２Ｅの出力インピーダンスを切り替える出力インピーダンス切り替え回路１６とを備えている。このうち、駆動回路１１−ｉ、特性情報保持回路１５および出力インピーダンス切り替え回路１６については、第４の実施形態と同様であるのでこれらの説明を省略し、以下、バイアス回路１２Ｅについて説明する。
【００７５】
バイアス回路１２Ｅは、第２の実施形態に係るバイアス回路１２Ｂに、Ｎ型トランジスタ１２５−ｋのドレイン同士の接続・非接続を切り替えるｖ個のスイッチ１２７−１〜１２７−ｖを設けた構成をしている。また、カレントミラー回路１２３の入力側に流れる基準電流Ｉｒｅｆは、可変抵抗素子１２４Ｂによって、その値を切り替え可能になっている。すなわち、バイアス電圧Ｖｂを生成する電圧生成回路としてのＮ型トランジスタ１２５−ｋが呈する抵抗値の合計は、スイッチ１２７−１〜１２７−ｖを適宜切り替えることによって、切り替え可能となっている。
【００７６】
また、このＮ型トランジスタ１２５−ｋが呈する抵抗値の合計に応じて、可変抵抗素子１２４Ｂを調整し、基準電流の大きさを切り替える。たとえば、Ｎ型トランジスタ１２５−ｋがα個接続される場合には、基準電流をα倍する。これにより、カレントミラー回路１２３によって生成されるバイアス電流もα倍となり、並列接続されたＮ型トランジスタ１２５−ｋによって、バイアス電圧Ｖｂが生成される。そして、並列接続する
Ｎ型トランジスタ１２５−ｋの個数を多くすることで、バイアス回路１２Ｅの出力インピーダンスを低減することができる。
【００７７】
以上、本実施形態によると、第４の実施形態に係るバイアス回路１２Ｄよりも、切り替え制御対象のトランジスタの個数を削減することができ、より低回路面積で電流駆動装置を実現することができる。
【００７８】
なお、特性情報保持回路１５は、省略することが可能である。その場合、出力インピーダンス切り替え回路１６は、電流駆動装置１０Ｅ外部から与えられる情報に基づいて動作することになる。
【００７９】
（第６の実施形態）
図６は、本発明の第６の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。本実施形態の電流駆動装置１０Ｆは、第４の実施形態に係る電流駆動装置１０Ｄから特性情報保持回路１５を省略し、出力インピーダンス切り替え回路１６に代えて、動的にバイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを切り替える出力インピーダンス切り替え回路１７を備えた構成をしている。以下、出力インピーダンス切り替え回路１７について説明する。
【００８０】
出力インピーダンス切り替え回路１７は、表示データの書き込みタイミングを示すパルス信号としてロードパルス信号ＬＰに応じてスイッチ１２７−１〜１２７−ｖを制御し、ロードパルス信号ＬＰを受けてから所定の期間、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを低くする。なお、この所定の期間は、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を１Ｈ期間内に収束させる程度に十分に長いことは言うまでもない。
【００８１】
以下、出力インピーダンス切り替え回路１７の制御動作について、図７のタイミングチャートを参照しながら説明する。
【００８２】
表示パネルに対する表示駆動は、表示データの書き込み期間としてロードパルス信号ＬＰによって示される１水平期間（１Ｈ期間）ごとに実行される。すなわち、ある１Ｈ期間において、表示パネルの第Ｎラインの表示データＤＡＴＡの書き込みが行われた後、次の１Ｈ期間において、第Ｎ＋１ラインの表示データＤＡＴＡの書き込みが行われる。実際の表示データの書き込みに費やされる時間は、表示パネルの特性によって異なる。たとえば、比較的小型の表示パネルの場合、１Ｈ期間に対して十分に短い書き込み時間で表示データの書き込みが完了する。
【００８３】
図１０の従来の電流駆動装置１００では、バイアス線路１３に生じた突き上げおよび落ち込みの電圧変動を１Ｈ期間内に収束させることができずに、クロストーク表示が発生することは既に説明したとおりである。これに対して、本実施形態に係る電流駆動装置１０Ｆでは、ロードパルス信号ＬＰに同期して生成されるブースト信号ＢＳが所定の論理レベル、たとえば、“Ｈ”となっている間は、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを低くする。そして、ブースト信号ＢＳが“Ｌ”となっている間は、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを元の値に戻す。これは、所定の期間、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを低くして、バイアス線路１３における電圧変動が収束した後は、消費電力を抑制すべく、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを、元の高い値に戻しても構わないという理由に基づいている。
【００８４】
以上、本実施形態によると、ロードパルス信号ＬＰに応じて、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスを動的に切り替えることによって、クロストーク表示を回避しつつ、電流駆動装置１０Ｄの消費電力を最適化することができる。
【００８５】
なお、ロードパルス信号ＬＰおよびブースト信号ＢＳは別個独立した信号であるとして説明したが、上記のブースト信号ＢＳをロードパルス信号ＬＰとして用いるようにしてもよい。この場合、バイアス回路１２Ｄの出力インピーダンスの切り替え制御に必要な信号の数を削減することができる。
【００８６】
（第７の実施形態）
図８は、本発明の第７の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。本実施形態の電流駆動装置１０Ｇは、表示パネルを駆動するｍ個の駆動回路１１Ａ−１〜１１Ａ−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１Ａ−ｉに供給するバイアス回路１２とを備えている。このうち、バイアス回路１２については、従来と同様であるので説明を省略し、以下、駆動回路１１Ａ−ｉについて説明する。
【００８７】
駆動回路１１Ａ−ｉは、図１０の従来の電流駆動装置１００における駆動回路１１−ｉに、さらに、スイッチ１１２−１〜１１２−ｎと出力端子１１３−ｉとの間に、スイッチ１１２−１〜１１２−ｎが一斉に非導通状態から導通状態に切り替わったときに表示パネル側から流入する電流を制限する電流制限手段として、Ｎ型トランジスタ１１４を備えている。
【００８８】
Ｎ型トランジスタ１１４のゲート電圧Ｖｃｌｐは、表示パネルの電源電圧よりも低い値に設定する。これにより、Ｎ型トランジスタ１１４は、クランプ回路として動作し、スイッチ１１２−ｊが一斉に導通したときに表示パネル側から瞬時的に高電圧が印加されても、Ｎ型トランジスタ１１１−ｊのドレインに印加される電圧をゲート電圧Ｖｃｌｐ以下にすることができる。したがって、バイアス線路１３を、表示パネルからの誘導を受けにくくすることができる。なお、Ｎ型トランジスタ１１４のゲート電圧Ｖｃｌｐは、Ｎ型トランジスタ１１１−ｊを活性化するのに十分な電圧がＮ型トランジスタ１１１−ｊのドレインに印加されるように設定しなければならないことは言うまでもない。
【００８９】
以上、本実施形態によると、電流制限手段を設けて表示パネルからの誘導を受けにくくすることによって、クロストーク表示を防止し、均一な表示を実現することが可能な電流駆動装置を実現することができる。
【００９０】
なお、電流制御手段として、Ｎ型トランジスタ１１４に代えて、ポリシリコン抵抗、拡散抵抗またはウエル抵抗などの抵抗素子を設けてもよい。半導体集積回路では、一般に、外部からの電荷の流入を防止するための電流制限用の抵抗を配置し、内部回路を静電破壊から保護している。ここでは、当該抵抗は、表示パネルからの電荷の流入に制限を加え、高周波成分を除去する役割を果たす。そして、高周波成分が除去されることによって、Ｎ型トランジスタ１１１−ｊのゲート−ドレイン間の寄生容量による結合が弱くなり、バイアス線路１３において誘導による電圧変動が生じにくくなる。
【００９１】
（第８の実施形態）
図９は、本発明の第８の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。本実施形態の電流駆動装置１０Ｈは、表示パネルを駆動するｍ個の駆動回路１１Ｂ−１〜１１Ｂ−ｍと、バイアス電圧Ｖｂを生成し、各駆動回路１１Ｂ−ｉに供給するバイアス回路１２とを備えている。このうち、バイアス回路１２については、従来と同様であるので説明を省略し、以下、駆動回路１１Ｂ−ｉについて説明する。
【００９２】
駆動回路１１Ｂ−ｉは、第７の実施形態に係る駆動回路１１Ａ−ｉにおいて、Ｎ型トランジスタ１１４を省略し、スイッチ１１２−１〜１１２−ｎを、電流制御手段としてのＮ型トランジスタ１１２Ａ−１〜１１２Ａ−ｎに置き換えた構成をしている。なお、Ｎ型トランジスタ１１２Ａ−ｊは、第７の実施形態で説明したゲート電圧Ｖｃｌｐによって、その導通・非導通を切り替えるようになっている。
【００９３】
以上、本実施形態によると、第７の実施形態と比較して、駆動回路１１Ｂ−ｉをより回路規模をより小さくすることができ、より低回路面積で電流駆動装置を実現することができる。
【００９４】
なお、上記の各実施形態の電流駆動装置１０Ａ〜１０Ｈは多階調表示の駆動を行うものとして説明したが、単一階調表示の駆動を行う電流駆動装置についても、本発明により、上記と同様の効果を得ることができる。
【００９５】
また、上記の説明では、高電位側の表示パネルから低電位側の電流駆動装置１０Ａ〜１０Ｈに電流を引き込んで電流駆動を行うものとしたが、これとは逆に、電流駆動装置を高電位にして、停電位側の表示パネルに電流を出力して電流駆動を行うようにしてもよい。この場合、トランジスタの極性を上記の説明と逆にすればよい。
【００９６】
さらに、上記の各実施形態の電流駆動装置１０Ａ〜１０Ｈにおける各構成要素を適宜組み合わせることにより、より安定した電流駆動回路を実現することができる。
【００９７】
【発明の効果】
以上の説明のとおり、本発明によると、表示パネルを駆動する電流駆動装置について、表示パネルにおけるクロストーク表示を防止することができる。これにより、表示パネルにおける均一な表示を実現することができる。また、多様な表示パネルに対応して、電流駆動装置の消費電力を最適化することができる。
【００９８】
今後、さらに有機ＥＬパネルなどの表示パネルが大型化・高精細化していく中で、本発明は、クロストーク表示の問題を解消し、画質を向上させることができる点で、特に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図５】本発明の第５の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図６】本発明の第６の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図７】図６の電流駆動装置における出力インピーダンス切り替え回路のタイミングチャートである。
【図８】本発明の第７の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図９】本発明の第８の実施形態に係る電流駆動装置の回路図である。
【図１０】表示パネルに接続された従来の電流駆動装置の回路図である。
【図１１】表示パネルから誘導を受けたときの従来の電流駆動装置の状態を表す図である。
【図１２】表示パネルの表示例である。
【図１３】従来の電流駆動装置における駆動回路および表示パネルにおけるＴＦＴのＩＶ特性グラフである。
【符号の説明】
１０Ａ〜１０Ｈ  電流駆動装置
１１−１〜１１−ｍ  駆動回路
１２，１２Ａ〜１２Ｄ  バイアス回路
１３  バイアス線路
１５  特性情報保持回路
１６，１７  出力インピーダンス切り替え回路
１１１−１〜１１１−ｎ  Ｎ型トランジスタ（バイアス電圧に応じた大きさの電流を流すトランジスタ）
１１２−１〜１１２−ｎ  スイッチ
１２３，１２３Ａ  カレントミラー回路
１２５，１２５−１〜１２５−ｗ  Ｎ型トランジスタ（電圧生成回路）
１２６  電圧フォロワ回路（インピーダンス低減手段）
Ｉｒｅｆ  基準電流
Ｖｂ  バイアス電圧
Ｉｂ  バイアス電流
ＬＰ  ロードパルス信号（表示データの書き込みタイミングを示すパルス信号）
１１４，１１２Ａ−１〜１１２Ａ−ｎ  Ｎ型トランジスタ（電流制限手段）
【図１】
2004279633.tif 000003
【図２】
2004279633.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2004279633.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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