(57)【要約】【課題】小型で且つ気密性の高い弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】弾性表面波（ＳＡＷ）素子３０を封止するキャップを金属キャップ４０により構成する。金属キャップ４０は接着部にフランジ４１を有し、これと配線基板１０とがガラス又は金属製のロウ材又は接着剤により接着される。金属キャップ４０の内寸法は、Ａ−Ａ’断面においてＳＡＷ素子３０よりも１５０μｍ以内に大きくする。また、同断面における金属キャップ４０の内面の４隅に径７５μｍ以内の丸みを設ける。更に、同内面における上面と側面とで形成されるコーナ部に径５０μｍ以内の丸みを設ける。更にまた、同内面における上面と側面とのなす角を９０°より大きく１０２°以下とする。【選択図】          図２
2004312636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に形成された櫛形電極を有する弾性表面波素子と、該弾性表面波素子を搭載する絶縁性基板と、該弾性表面波素子を気密封止するための金属キャップとを有する弾性表面波デバイスにおいて、
前記弾性表面波素子における前記絶縁性基板と反対側の面を含む断面における前記金属キャップの内寸法が前記弾性表面波素子の寸法よりも１５０μｍ以内に大きいことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記断面における前記金属キャップの内面の４隅が径７５μｍ以内の丸みを有することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記金属キャップの内面における上面と側面とで形成されるコーナ部が径５０μｍ以内の丸みを有することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記金属キャップの内面における上面と側面とのなす角が９０°より大きく１０２°以下であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記金属キャップの前記絶縁性基板との接続部にフランジ部を有することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記フランジ部と前記絶縁性基板とがガラス又は金属製のロウ材又は接着剤により接着されていることを特徴とする請求項５記載の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
圧電基板上に形成された櫛形電極を有する弾性表面波素子と、該弾性表面波素子を搭載する絶縁性基板と、該弾性表面波素子を気密封止するための金属キャップとを有する弾性表面波デバイスを製造するための製造方法において、
前記絶縁性基板上に前記弾性表面波素子を実装する第１の工程と、
前記絶縁性基板上に実装した前記弾性表面波素子を、前記弾性表面波素子における前記絶縁性基板と反対側の面を含む断面における内寸法が前記弾性表面波素子の寸法よりも１５０μｍ以内に大きい前記金属キャップで封止する第２の工程と
を有することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程は、前記断面における内面の４隅が径７５μｍ以内の丸みを有する前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止することを特徴とする請求項７記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、内面における上面と側面とで形成されるコーナ部が径５０μｍ以内の丸みを有する前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止することを特徴とする請求項７記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程は、内面における上面と側面とのなす角が９０°より大きく１０２°以下である前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止することを特徴とする請求項７記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程は、前記絶縁性基板との接続部にフランジ部を有する前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止することを特徴とする請求項７記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の工程は、前記フランジ部と前記絶縁性基板とをガラス又は金属製のロウ材又は接着剤により接着することを特徴とする請求項１１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁性基板は前記弾性表面波素子が実装される領域が２次元配列された多面取り構造を有し、
前記弾性表面波素子が実装された前記領域を個々に個片化する第３の工程を有することを特徴とする請求項７記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の工程は、前記弾性表面波素子を前記絶縁性基板上に前記櫛形電極が形成された面を向かい合わせた状態でフリップチップ実装することを特徴とする請求項７記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波デバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、これに搭載された電子部品にも小型化及び高性能化が要求されている。特に、電波を送信又は受信する電子機器における例えば送信用バンドパスフィルタ，受信用バンドパスフィルタ，アンテナ共用器，中間周波フィルタ又はＦＭ変調器等として使用される弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷと略す）デバイスは、不要な信号を抑圧する目的で広く携帯電話機等における高周波（ＲＦ）部に使用されているが、携帯電話機等の急速な小型化及び高性能化に伴い、パッケージを含めて低背であって全体的な小型化及び高性能化が要求されている。加えて、ＳＡＷデバイスの用途の拡大からその需要が急速に増加したことに伴い、製造コストの削減も重要な要素となってきた。
【０００３】
従来では、一般にＳＡＷデバイスにおいて気密構造の面実装構造を実現する場合には、以下に例示する特許文献１が開示するようなセラミックスを用いたパッケージ構造が使用される場合が多い。ここで、特許文献１に開示されたＳＡＷデバイスの構成を、図１を用いて説明する。
【０００４】
図１（ａ）に示すように、従来では、金属バンプ１１１を介してＳＡＷ素子（ＳＡＷデバイスチップともいう）１１０とパッケージ配線１０６とが電気的且つ機械的に接続されたフリップチップ実装構造を有するＳＡＷデバイス１００のパッケージ構造が開示されている。このような構成において、ＳＡＷデバイス１００ではセラミックス等を積層した枠体１０３付きのパッケージ内部にＳＡＷ素子１１０を金属バンプ１１１を介してフリップチップ接合し、金属キャップ１０５を被せ、金（Ａｕ）・錫（Ｓｎ）などのロウ材１０４を用いて気密封止する場合が多い。この場合、セラミックス等の枠体１０３は、その封止特性を維持するために、３５０μｍ程度の幅をもたせることが多い。一方、図１（ｂ）には、平板構造のセラミックスなどで構成された配線基板２０１に金属キャップ２０２を被せ、Ａｕ・Ｓｎなどのロウ材２０４若しくは接着剤で気密封止したパッケージ構造が提案されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平４−１７０８１１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したようにセラミックスを用いた場合、気密性を向上させるために、キャップやその他のパッケージを比較的厚く構成する必要がある。このため、ＳＡＷデバイスの小型化が制限されてしまうという問題が存在する。
【０００７】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、小型で且つ気密性の高い弾性表面波デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項１記載のように、圧電基板上に形成された櫛形電極を有する弾性表面波素子と、該弾性表面波素子を搭載する絶縁性基板と、該弾性表面波素子を気密封止するための金属キャップとを有する弾性表面波デバイスにおいて、前記弾性表面波素子における前記絶縁性基板と反対側の面を含む断面における前記金属キャップの内寸法が前記弾性表面波素子の寸法よりも１５０μｍ以内に大きい構成を有する。金属製のキャップは、セラミックス製や樹脂製のキャップと比較して非常に薄く作成することが可能である。そこで、金属キャップの内側（キャビティともいう）の大きさを弾性表面波素子の大きさよりも最大でも１５０μｍ以内に大きい構成とすることで、薄いキャップを使用するというメリットを十分に活かし、弾性表面波デバイスをより小型化することが可能となる。また、金属は一般的に負荷や熱による変形に強く且つ高密度の固体構造でもあるため、これをキャップに適用することで、より気密性を高められる。更に、金属は加工が容易で且つセラミックスや樹脂等と比較してＳＡＷ素子との干渉を避けるための細かな形状を精度良く実現することができ、ＳＡＷ素子に対してキャップの搭載位置をセルフアライメントされる構成とすることができるため、弾性表面波デバイスの製造がし易く且つ封止時に弾性表面波素子を破損する恐れも軽減することができ、製造方法が容易化できる。
【０００９】
また、請求項１記載の前記弾性表面波デバイスは、好ましくは請求項２記載のように、前記断面における前記金属キャップの内面の４隅が径７５μｍ以内の丸みを有するように構成される。金属キャップ内面のコーナに丸みを小さくすることにより、金属キャップのキャビティにおけるデッドスペースを抑えることが可能となり、弾性表面波デバイスの大型化を防止することができる。
【００１０】
また、請求項１記載の前記弾性表面波デバイスは、好ましくは請求項３記載のように、前記金属キャップの内面における上面と側面とで形成されるコーナ部が径５０μｍ以内の丸みを有するように構成される。金属キャップ内面上部の４辺に丸みを小さくすることにより、弾性表面波素子に対して金属キャップを最大限に低背化させ、小型化させた場合でも、接着時に弾性表面波素子を破損することなく、接着位置がセルフアライメントされる構成とすることができる。更に、この丸みの径を５０μｍ以内とすることで、金属キャップのキャビティにおけるデッドスペースを抑えることが可能となり、弾性表面波デバイスの大型化を防止することができる。
【００１１】
また、請求項１記載の前記弾性表面波デバイスは、好ましくは請求項４記載のように、前記金属キャップの内面における上面と側面とのなす角が９０°より大きく１０２°以下であるように構成される。金属キャップの内面における上面と側面とのなす角を鈍角、即ちテーパ角を持たせることで、接着時に弾性表面波素子を破損することなく、接着位置がセルフアライメントされる構成とすることができる。
【００１２】
また、請求項１記載の前記弾性表面波デバイスは、好ましくは請求項５記載のように、前記金属キャップの前記絶縁性基板との接続部にフランジ部を有して構成される。フランジ部を有することで、絶縁性基板との接着面が大きくなるため、接着力が上昇し、気密性が向上する。
【００１３】
また、請求項５記載の前記弾性表面波デバイスは、例えば請求項６記載のように、前記フランジ部と前記絶縁性基板とがガラス又は金属製のロウ材又は接着剤により接着されてもよい。
【００１４】
また、本発明は、請求項７記載のように、圧電基板上に形成された櫛形電極を有する弾性表面波素子と、該弾性表面波素子を搭載する絶縁性基板と、該弾性表面波素子を気密封止するための金属キャップとを有する弾性表面波デバイスを製造するための製造方法において、前記絶縁性基板上に前記弾性表面波素子を実装する第１の工程と、前記絶縁性基板上に実装した前記弾性表面波素子を、前記弾性表面波素子における前記絶縁性基板と反対側の面を含む断面における内寸法が前記弾性表面波素子の寸法よりも１５０μｍ以内に大きい前記金属キャップで封止する第２の工程とを有して構成される。金属製のキャップは、セラミックス製や樹脂製のキャップと比較して非常に薄く作成することが可能である。そこで、金属キャップの内側（キャビティともいう）の大きさを弾性表面波素子の大きさよりも最大でも１５０μｍ以内に大きい構成とすることで、薄いキャップを使用するというメリットを十分に活かし、小型化された弾性表面波デバイスを製造することが可能となる。また、金属は一般的に負荷や熱による変形に強く且つ高密度の固体構造でもあるため、これをキャップに適用することで、より気密性を高められる。更に、金属は加工が容易で且つセラミックスや樹脂等と比較してＳＡＷ素子との干渉を避けるための細かな形状を精度良く実現することができ、ＳＡＷ素子に対してキャップの搭載位置をセルフアライメントされる構成とすることができるため、弾性表面波デバイスの製造がし易く且つ封止時に弾性表面波素子を破損する恐れも軽減することができ、製造方法が容易化できる。
【００１５】
また、請求項７記載の前記第２の工程は、好ましくは請求項８記載のように、前記断面における内面の４隅が径７５μｍ以内の丸みを有する前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止するように構成される。金属キャップ内面のコーナに丸みを小さくすることにより、接着時に弾性表面波素子を破損することなく、接着位置がセルフアライメントされる構成とすることができるため、金属キャップのキャビティにおけるデッドスペースを抑えることが可能となり、大型化が防止された弾性表面波デバイスを製造することができる。
【００１６】
また、請求項７記載の前記第２の工程は、好ましくは請求項９記載のように、内面における上面と側面とで形成されるコーナ部が径５０μｍ以内の丸みを有する前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止するように構成される。金属キャップ内面上部の４辺に丸みを小さくすることにより、弾性表面波素子に対して金属キャップを最大限に低背化させ、小型化させた場合でも、接着時に弾性表面波素子を破損することなく、接着位置がセルフアライメントされる構成とすることができるため、製造方法が容易化される。更に、この丸みの径を５０μｍ以内とすることで、金属キャップのキャビティにおけるデッドスペースを抑えることが可能となり、大型化が防止された弾性表面波デバイスを製造することができる。
【００１７】
また、請求項７記載の前記第２の工程は、好ましくは請求項１０記載のように、内面における上面と側面とのなす角が９０°より大きく１０２°以下である前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止するように構成される。金属キャップ内面における上面と側面とのなす角を鈍角、即ちテーパ角を持たせることで、接着時に弾性表面波素子を破損することなく、接着位置がセルフアライメントされる構成とすることができるため、製造方法が容易化される。
【００１８】
また、請求項７記載の前記第２の工程は、好ましくは請求項１１記載のように、前記絶縁性基板との接続部にフランジ部を有する前記金属キャップで前記弾性表面波素子を封止するように構成される。フランジ部を有する金属キャップを用いることで、絶縁性基板との接着面が大きくなるため、接着力が上昇し、気密性が向上する。
【００１９】
また、請求項１１記載の前記第２の工程は、例えば請求項１２記載のように、前記フランジ部と前記絶縁性基板とをガラス又は金属製のロウ材又は接着剤により接着するように構成してもよい。
【００２０】
また、請求項７記載の前記製造方法は、好ましくは請求項１３記載のように、前記絶縁性基板が前記弾性表面波素子が実装される領域が２次元配列された多面取り構造を有し、前記弾性表面波素子が実装された前記領域を個々に個片化する第３の工程を有するように構成される。多面取り構造の基板を用いることで、一度に複数の弾性表面波デバイスを製造することができるため、１つの弾性表面波デバイスを製造するために要する手間やコストを削減することができ、安価な弾性表面波デバイスを実現することができる。
【００２１】
また、請求項７記載の前記第１の工程は、好ましくは請求項１４記載のように、前記弾性表面波素子を前記絶縁性基板上に前記櫛形電極が形成された面を向かい合わせた状態でフリップチップ実装するように構成される。弾性表面波素子をいわゆるフェイスダウン状態で実装した構成とすることで、弾性表面波デバイスを更に小型化することが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好適に実施した形態について図を参照して説明する。図２は本実施形態による弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス１の構成を示す図である。尚、（ａ）はＳＡＷデバイス１の断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、ＳＡＷデバイス１は、圧電基板の一方の主面（これを第１の主面とする）に櫛形電極及びこれと電気的に接続された配線パターン及び電極パッドが形成されたＳＡＷ素子３０と、ＳＡＷ素子３０がバンプ２０によりフェイスダウン状態でボンディングされた配線基板１０と、ＳＡＷ素子３０を封止する金属キャップ４０とを有して構成されている。尚、金属キャップ４０は金・錫（以下、ＡｕＳｎという）やはんだ等のロウ材５０やフリットガラスや樹脂等の接着剤などで配線基板１０に接着される。これにより、従来用いられていたようなセラミック製のキャップと比較して非常に薄く加工することが可能となり、結果としてＳＡＷデバイス１を小型化することが可能となる。また、薄く加工した場合でも、ＳＡＷ素子３０の気密性が低下することもない。
【００２４】
配線基板１０は絶縁性基板、例えば単一のセラミック基板に配線パターンが形成された平板、又は所定の配線パターンが形成された複数のセラミック基板が積層された平板で構成されている。ＳＡＷ素子３０は、配線基板１０の電極パッドが形成されたダイアタッチ面に第１の主面が向き合う状態、いわゆるフェイスダウン状態でフリップチップ実装される。この際、ＳＡＷ素子３０における電極パッドとダイアタッチ面における電極パッドとは、金属製のバンプ２０により接続される。これにより、ＳＡＷ素子３０が配線基板１０に電気的に接続され、且つ機械的に固定される。
【００２５】
また、図２（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面を切り開いてＳＡＷデバイス１を見下ろした状態を図示したものである。図２（ｂ）においてキャップ３０は、断面と最外周部が見える状態として図示される。
【００２６】
Ａ−Ａ’断面において、ＳＡＷ素子３０の長辺の長さをＬｓ，金属キャップ４０の内側（キャビティともいう）の長辺の長さをＬｃとすると、本実施形態では、Ｌｃが以下の式１を満足する範囲に構成する。即ち、Ｌｃを１５０μｍ以内の範囲でＳＡＷ素子３０よりも大きくする。
Ｌｓ≦Ｌｃ≦Ｌｓ＋１５０μｍ      …（式１）
【００２７】
また同様に、Ａ−Ａ’断面におけるＳＡＷ素子３０の短辺の長さも金属キャップ４０の内側の短辺の長さよりも１５０μｍ以内の範囲で大きくする。このように本実施形態では、金属キャップ４０のマージン（クリアランスともいう）を１５０μｍ以内の範囲で大きくとる、即ち、ＳＡＷ素子３０における配線基板１０と反対側の面（第１の主面と反対側の主面：これを第２の主面とする）を含む断面（Ａ−Ａ’断面に相当）における金属キャップ４０の内寸法をＳＡＷ素子３０の寸法よりも１５０μｍ以内に大きくすることで、製造に要する精度が極端に上昇することを回避しつつ、ＳＡＷ素子３０を収容するためのキャビティにおける余分なスペースを最小限に抑えることが可能である。
【００２８】
次に、Ａ−Ａ’断面における金属キャップ４０の内側の４つのコーナに関して以下に説明する。図３（ａ）は、金属キャップ４０の内側のコーナの１つを拡大した図である。図３（ａ）に示すように、本実施形態では、金属キャップ４０の内側のコーナに径Ｒ１の丸みを小さくすることにより、金属キャップ４０をＳＡＷ素子３０に被せる際に、ＳＡＷ素子との干渉を避けることができＳＡＷ素子３０を傷つけることなく、位置をセルフアライメントさせることが可能となる。また、径Ｒ１を例えば金属キャップ４０のＳＡＷ素子３０に対するマージンとした１５０μｍの半分、即ち７５μｍ以下とすることで、金属キャップ４０の大型化を抑制しつつセルフアライメント可能な構成とすることが可能となる。
【００２９】
また、金属キャップ４０の内側上面における４辺、即ち金属キャップ４０の側壁（テーパ４２）と上壁４３とで形成されたコーナは、図３（ｂ）に示すように、径Ｒ２の丸みを有している。この丸みを小さくすることにより、弾性表面波素子に対して金属キャップを最大限に低背化させ、小型化させた場合でも、金属キャップ４０をＳＡＷ素子３０に被せる際に、ＳＡＷ素子３０を傷つけることなく、位置をセルフアライメントさせることが可能となる。また、径Ｒ２を例えば５０μｍ以下とすることで、金属キャップ４０の大型化を抑制しつつセルフアライメント可能な構成とすることが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態では図３（ｂ）に示すように、テーパ４２と配線基板１０（又は上壁４３）とが所定の角度θ１を有するように構成するとよい。これにより、金属キャップ４０をＳＡＷ素子３０に被せる際に、金属キャップ４０がセルフアライメントにより位置決めされるように構成することが可能となる。また、この角度θ１を例えば１２°以内とする、換言すれば、金属キャップ４０の内面における上面と側面とのなす角を９０°より大きく１０２°以下とすることで、金属キャップ４０の大型化を抑制しつつセルフアライメント可能な構成とすることが可能となる。
【００３１】
更に、金属キャップ４０には、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、フランジ４１が設けられており、ロウ材５０による配線基板１０との接着がより強固となるように構成されている。
【００３２】
以上のような構成を有することにより、本実施形態では、図４（ａ）から（ｃ）に示すように、金属キャップ４０を接着した際、これがＳＡＷ素子３０に対する所定の位置からずれ、例えばＳＡＷ素子３０と接触したとしても、ＳＡＷ素子３０を破損することなく、予め考慮しておいたマージンの範囲内における所定の位置にセルフアライメントされる。尚、図４は金属キャップ４０が最大にずれた場合のＳＡＷ素子３０と金属キャップ４０との相対的な位置関係を示し、（ａ）又は（ｂ）は金属キャップ４０又はＳＡＷ素子３０が図面中上下方向又は左右方向にずれて接着された場合の例を示し、図４（ｃ）は金属キャップ４０（又はＳＡＷ素子３０であってもよい）が所定の位置より回転して接着された場合を示している。
【００３３】
また、本実施形態によるＳＡＷデバイス１の具体的な寸法の例を以下に説明する。本具体例では、Ａ−Ａ’断面において、ＳＡＷ素子３０の寸法を長辺の長さ（Ｌｓ）１．３５ｍｍ，短辺の長さ０．８５ｍｍ，厚み０．２５ｍｍとし、金属キャップ４０の内側の寸法を長辺の長さ（Ｌｃ）１．５０ｍｍ，短辺の長さ１．００ｍｍとした。即ち、Ａ−Ａ’断面における金属キャップ４０のＳＡＷ素子３０に対するマージンを周囲全体において７５μｍずつとした。また、金属キャップ４０の内側の４隅のコーナの径Ｒ１を５０μｍとし、金属キャップ４０の４辺のコーナの径Ｒ２を５０μｍとした。更に、金属キャップ４０の底部（配線基板１０と接着される側）の外側の寸法を長辺の長さを１．８０ｍｍ，短辺の長さを１．３０ｍｍとし、金属キャップ４０の底部の内側の寸法を長辺の長さを１．６０ｍｍ，短辺の長さを１．１０ｍｍとし、内側の上壁４３の高さを０．３２ｍｍとした。即ち、テーパ４２と上壁４３とのなす角θ１を約１０．５°とした。更にまた、配線基板１０の寸法をＡ−Ａ’断面と平行な面において長辺の長さ２．００ｍｍ，短辺の長さ１．５０ｍｍとし、金属キャップ４０の厚さを０．０５ｍｍとした。
【００３４】
以上のように構成した場合において、金属キャップ４０のずれにより金属キャップ４０底部位置の最大エリアはＡ−Ａ’断面のＳＡＷ素子３０と金属キャップ４０との間に設けられたクリアランス±０．０７５ｍｍで決まる。すなわち金属キャップ４０底部位置の有効エリアは長辺方向において１．９５ｍｍ，短辺方向において１．５５ｍｍとなる。配線基板１０の大きさは長辺の長さが２．００ｍｍ，短辺の長さが１．５０ｍｍであるから、金属キャップ４０の最外周とのクリアランスは±０．０２５ｍｍ残されている。
【００３５】
以上のように、金属キャップ４０のＡ−Ａ’断面の内側のコーナのＲ１の寸法を５０μｍとしたが、許容される金属キャップ４０のずれに対するクリアランスが±７５μｍ以内であれば、ＳＡＷ素子３０が一度に２箇所以上接することはないので、キャップ挿入時にチップを破損することもない。但し、上記した寸法は本実施形態によるＳＡＷデバイス１の具体的な一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変形することが可能である。
【００３６】
また、他の具体的な構成例としては、Ａ−Ａ’断面において、金属キャップ４０の内側の寸法を長辺の長さ（Ｌｃ）を１．４５ｍｍ，短辺の長さを０．９５ｍｍとすることもできる。即ち、Ａ−Ａ’断面における金属キャップ４０のＳＡＷ素子３０に対するマージンを１００μｍずつとした。また、金属キャップ４０の底部（配線基板１０と接着される側）の外側の寸法を長辺の長さを１．７５ｍｍ，短辺の長さを１．２５ｍｍとし、金属キャップ４０の底部の内側の寸法を長辺の長さを１．５５ｍｍ，短辺の長さを１．０５ｍｍとし、内側の上壁４３の高さを０．３２ｍｍとした。即ち、テーパ４２と上壁４３とのなす角θ１を１０．５°程度とした。尚、他の構成は上記した具体例と同様である。
【００３７】
このような具体的構成とすることで、Ａ−Ａ’断面のＳＡＷ素子３０と金属キャップ４０との間に設けられたクリアランスが±０．０５ｍｍとなるため、発生しうる金属キャップ４０の最大ずれ巾が±０．０５ｍｍとなる。この時、金属キャップ４０底部位置の有効エリアは長辺方向において１．８５ｍｍ，短辺方向において１．３５ｍｍとなる。このため、配線基板寸法を長辺の長さが１．９０ｍｍ，短辺の長さが１．４０ｍｍとなるまで縮小しても、金属キャップ４０の最外周とのクリアランスはまだ±０．０２５ｍｍ残されているため、パッケージの更なる小型化を図ることができる。
【００３８】
但し、金属キャップ４０の内部上部４辺のＲ２寸法はその値が大きければ、ＳＡＷ素子３０のＡ−Ａ’断面における端部にそのコーナが接する可能性がある。このため、そのＲ２の寸法の値及び金属キャップ４０の厚みの合計分だけＳＡＷ素子３０の上面（Ａ−Ａ’）部よりも金属キャップ４０の高さを高くする必要がある。しかしながら、近年のＳＡＷデバイスはパッケージの低背化も強く要求されている。そこで本実施形態では、金属キャップ４０の高さを極力押さえるために、内部上部４辺のＲ２寸法を金属キャップ４０の厚み程度である５０μｍ以内に押さえる。これにより、金属キャップ４０の高さをＳＡＷ素子３０の上面から１００μｍ以内に押さえることが可能になり、ＳＡＷデバイス１の大型化が抑制される。
【００３９】
また、金属キャップ４０は、しぼり加工により成型することが可能である。この際、金属キャップ４０の側内壁のコーナの径Ｒ１を除くテーパ４２の配線基板１０に対する角度（以下、テーパ角という）を、上述したように、１２°以内とすることにより、金属キャップ４０のＡ−Ａ’断面における内寸よりも底部をおおよそ１００μｍ程度以内に広げることができ、金属キャップ４０の装着時にＳＡＷ素子３０との干渉を避けることが容易になる。
【００４０】
更に、本実施形態において金属キャップ４０には、底部、即ち配線基板１０との接着部分にフランジ４１を有している。このフランジ４１の巾は、金属キャップ４０の側内壁のコーナの径Ｒ１を除くテーパ角を１２°設けた場合でも、おおよそ１００μｍ確保できるため、金錫（ＡｕＳｎ）やはんだやフリットガラス等のロウ材や接着剤等を用いた金属キャップ４０と配線基板１０との接着巾をおおよそ１００μｍ確保することができ、安定した気密封止を行うことが可能となる。
【００４１】
尚、以上におけるＳＡＷデバイス１の説明では、完成品１個のみの構造を例に挙げた。但し、ＳＡＷデバイス１の製造過程では、上記した構成に限定されず、例えば複数の回路基板１０が２次元配列された多面取り構成の基板（これを以下ベース基板という）を用いてもよい。これにより、一度に複数のＳＡＷデバイス１を作成することができ、製造コストを削減することが可能となる。以下、このような多面取り構成のベース基板を用いたＳＡＷデバイス１の製造方法を図５から図６を用いて詳細に説明する。
【００４２】
まず、図５（ａ）に示すように、配線基板１０が２次元配列された多面取り構造のベース基板１０Ａ上に、ＳＡＷ素子３０をバンプ２０によりフェイスダウン状態でフリップチップ実装する。この際、ベース基板１０Ａにおける個々の配線基板１０の領域には、ＳＡＷ素子３０と電気的及び機械的に接続するための電極パターン（配線パターンも含む）１１及び金属キャップ４０を接着するためのロウ材５０が形成されている。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、実装したＳＡＷ素子３０を金属キャップ４０により封止し、これらを加熱及び加圧することでロウ材５０を一時融解させ、両者を接着する（図５（ｃ）参照）。但し、図５（ｄ）及び（ｅ）に示すように、金属キャップ４０を接着した後、接着部分にＡｕ・Ｓｎ等の金属材料のシート５１を加熱・加圧することで付着させてもよい。これにより、ＳＡＷデバイス１の封止状態を向上させることが可能となる。
【００４４】
このように、個々のＳＡＷ素子３０を金属キャップ４０で封止すると、次に図６（ａ）に示すように、ベース基板１０ＡをＵＶ（紫外線）フィルム６０上に載置し、これをリング状のフレーム６１で保持した後、ベース基板１０Ａを例えば回転切削刃（ダイシングブレードともいう）６２でＳＡＷデバイス１に個片化する（図６（ｂ）参照）。但し、このほかにも例えばレーザビーム等を用いて、個々のＳＡＷデバイス１に個片化してもよい。
【００４５】
その後、ＵＶフィルム６０側からベース基板１０Ａに紫外線を照射し、ＵＶフィルム６０を軟化させることで基板の取り扱いを容易化した後に（図６（ｃ）参照）、ベース基板１０ＡをＵＶフィルム６０から取り出すことにより個々のＳＡＷデバイス１に個片化する（図６（ｄ）参照）。
【００４６】
以上説明したように構成することで、本実施形態では、容易に製造することができる小型化されたＳＡＷデバイスが実現できる。尚、このような構造のパッケージは、上述のＳＡＷデバイスに限定されることなく、フリップチップ接合により実装される電子部品であれば同様に適用することが可能である。また、上記した実施形態では１つのＳＡＷ素子３０で構成されたＳＡＷデバイス１を例に挙げて説明したが、本発明ではこれに限定されず、複数個のＳＡＷ素子が組み込まれた例えばデュプレクサ等の電子部品に対しても同様に適用することが可能である。この場合、複数チップの搭載されているエリアの最外周部を１つのチップに想定して置き換えることにより、容易に適用が可能である。
【００４７】
また、以上で説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、小型で且つ気密性の高い弾性表面波デバイス及びその製造方法が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＳＡＷデバイスの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるＳＡＷデバイス１の構成を示す図であり、（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’断面における金属キャップ４０内側のコーナを拡大した図であり、（ｂ）は金属キャップ４０の内側上面における４辺の側壁（テーパ４２）と上壁４３とで形成されたコーナを拡大した図である。
【図４】金属キャップ４０を接着した際の金属キャップ４０とＳＡＷ素子３０との位置関係を示すためのＡ−Ａ’断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるＳＡＷデバイス１の製造方法を説明するためのプロセス図である（１）。
【図６】本発明の一実施形態によるＳＡＷデバイス１の製造方法を説明するためのプロセス図である（２）。
【符号の説明】
１  ＳＡＷデバイス
１０  配線基板
１１  電極パターン
１０Ａ  ベース基板
２０  バンプ
３０  ＳＡＷ素子
４０  金属キャップ
４１  フランジ
４２  テーパ
５０  ロウ材
５１  シート
６０  ＵＶフィルム
６１  フレーム
６２  回転切削刃
【図１】
2004312636.tif 000003
【図２】
2004312636.tif 000004
【図３】
2004312636.tif 000005
【図４】
2004312636.tif 000006
【図５】
2004312636.tif 000007
【図６】
2004312636.tif 000008