(57)【要約】【課題】薄型化され、且つ製造が容易な弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】圧電基板１１Ａとシリコン基板１２Ａとを貼り合わせた後、ひびや割れが生じない程度であって可能な限り薄くされた厚さまで、それぞれの基板を切削・研磨する。これにより、シリコン基板１２Ａ（１２Ｂも同じ）が圧電基板１１Ａ（１１Ｂも同じ）の熱膨張及び定数の変化を抑制し、且つ両基板（１１Ａ及び１２Ａ／１１Ｂ及び１２Ｂ）で構成された接合基板の強度も高めるため、切削・研磨後の接合基板の厚さを圧電基板単体で構成した場合よりも薄くすることができる。例えば圧電基板１１Ａを切削・研磨して数十μｍから１００μｍ程度の圧電基板１１Ｂを作成し（図２（ｂ））、シリコン基板１２Ａを切削・研磨して同じく数十μｍから１００μｍ程度のシリコン基板１２Ｂを作成する（図２（ｃ））。【選択図】          図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波デバイスの製造方法であって、
圧電基板の第１の主面と反対側の第２の主面に支持基板を接合する基板接合工程と、
前記圧電基板における前記第１の主面を切削／研磨する第１の切削／研磨工程と、
前記支持基板における前記第２の主面と接合された面と反対側の第３の主面側を切削／研磨する第２の切削／研磨工程と、
前記第１の切削／研磨工程で切削／研磨された前記圧電基板における前記第１の主面に櫛形電極及び電極パッドを含む素子パターンを形成する素子パターン形成工程と
を有することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記素子パターン形成工程は、前記第１の主面上に２次元配列された複数の素子パターンを形成し、
前記２次元配列された複数の素子パターンが分離するように前記圧電基板及び前記支持基板を切断する基板切断工程を有することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記素子パターンが形成された前記弾性表面波素子を第１の基板に形成されたキャビティ内に収容する収容工程と、
前記弾性表面波素子が収容された前記第１の基板における前記キャビティを第２の基板で封止する封止工程と
を有することを特徴とする請求項１又は２記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記封止工程は、前記第１の基板と前記第２の基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該第２の基板とを接合することを特徴とする請求項３記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記素子パターンを第１の基板に形成されたキャビティ内に収容するように該第１の基板と前記圧電基板とを接合して前記素子パターンを封止する封止工程を有することを特徴とする請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２の切削／研磨工程は、前記封止工程の後に行われることを特徴とする請求項５記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記素子パターン形成工程は、前記第１の主面上に２次元配列された複数の素子パターンを形成し、
前記封止工程は、前記キャビティが前記素子パターンと対応して２次元配列された前記第１の基板で該素子パターンを個々に封止し、
前記２次元配列された複数の素子パターン及び該素子パターンと対応するように２次元配列された前記キャビティが分離するように前記圧電基板，前記支持基板及び前記第１の基板を切断する基板切断工程を有することを特徴とする請求項５又は６記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記基板切断工程の前に、該基板切断工程で切断する領域に対応する前記第１の基板をエッチングするエッチング工程を有することを特徴とする請求項７記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記封止工程は、前記第１の基板と前記圧電基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該圧電基板とを接合することを特徴とする請求項５から８の何れか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記基板接合工程は、前記圧電基板と前記支持基板との接合面に不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該圧電基板と該支持基板とを接合することを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記支持基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記支持基板は、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上のシリコン基板であることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記圧電基板は、リチウムタンタレート又はリチウムナイオベートを主成分とした基板であることを特徴とする請求項１から１２の何れか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１４】
櫛形電極と該櫛形電極に電気的に接続された電極パッドとを含む素子パターンが第１の主面に形成された圧電基板と、該第１の主面と反対側の第２の主面に接合された支持基板とを有する弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板における前記第１の主面と、前記支持基板における前記第２の主面と接合された面と反対側の第３の主面側との少なくとも一方が切削／研磨された面であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１５】
前記圧電基板における前記第１の主面と前記支持基板における前記第２の主面と向かい合う第４の主面との少なくとも一方に、不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理が施されていることを特徴とする請求項１４記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１６】
前記素子パターンが形成された前記圧電基板及び該圧電基板に接合された前記支持基板をキャビティ内に収容する第１の基板と、
前記圧電基板及び前記支持基板が収容された前記第１の基板における前記キャビティを封止する第２の基板と、
を有することを特徴とする請求項１４又は１５記載の弾性表面波デバイス。
【請求項１７】
前記素子パターンを収容するキャビティが形成された第１の基板を有し、
前記キャビティが前記素子パターンを収容するように前記第１の基板と前記圧電基板とが接合されていることを特徴とする請求項１４又は１５記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイスに関し、特に弾性表面波素子が封止された構成を有する弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、これに搭載された電子部品にも小型化及び高性能化が要求されている。特に、電波を送信又は受信する電子機器におけるフィルタ，遅延線，発振器等の電子部品として使用される弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：以下、ＳＡＷと略す）デバイスは、不要な信号を抑圧する目的で広く携帯電話機等における高周波（ＲＦ）部に使用されているが、携帯電話機等の急速な小型化及び高性能化に伴い、パッケージを含めて全体的な小型化及び高性能化が要求されている。加えて、ＳＡＷデバイスの用途の拡大からその需要が急速に増加したことに伴い、製造コストの削減も重要な要素となってきた。
【０００３】
ここで、従来技術によるＳＡＷデバイスを用いて作製したフィルタ装置（ＳＡＷフィルタ１００）の構成を図１を用いて説明する（例えば特許文献１における特に図４参照）。尚、図１において、（ａ）はＳＡＷフィルタ１００に実装されるＳＡＷ素子１１０の構成を示す斜視図であり、（ｂ）はＳＡＷ素子１１０を実装したＳＡＷフィルタ１００の構成を示す図であり、ＳＡＷフィルタ１００の主面を対角線に沿って垂直に切断した際の断面図である。
【０００４】
図１（ａ）に示すように、ＳＡＷ素子１１０は、圧電性素子基板（以下、圧電基板と略す）１１１と、この圧電基板１１１上に形成された櫛形電極（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：以下、ＩＤＴと略す）１１３と、このＩＤＴに図示しない配線パターンで接続された電極パッド１１４とを有して構成されている。圧電基板１１１には、一般的に厚さが３５０μｍ程度であって、例えばＳＡＷの伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４２°ＹカットＸ伝搬リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３ＳＡＷの伝搬方向Ｘの線膨張係数が１６．１ｐｐｍ／℃）の圧電単結晶基板（以下、ＬＴ基板という）が用いられる。但し、このほかにも、例えば切り出し角が回転Ｙカット板であるリチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）の圧電単結晶基板（以下、ＬＮ基板という）等を適用することも可能である。
【０００５】
この圧電基板１１１の所定の主面（これを上面とする）上に、例えばスパッタリング法等を用いてＩＤＴ１１３，電極パッド１１４及び配線パターンを一体形成する。このようなＩＤＴ１１３，入出力電極パッド１１４及び配線パターンは、例えば金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む単層導電膜か、又は、金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ）の少なくとも１つを含む導電膜が少なくとも２層重ねられた積層導電膜として形成される。
【０００６】
図１（ｂ）に示すＳＡＷフィルタ１００は、上記のようなＳＡＷ素子１１０をフェイスダウン状態（電極パッドが形成された面を下に向けた状態）で、パッケージ１０２のキャビティ１０９底面であるダイアタッチ面にフリップチップ実装される。この際、ＳＡＷ素子１１０の電極パッド１１４とダイアタッチ面に形成された電極パッド１０５とがバンプによりボンディングされることで、これらが電気的に接続され、且つＳＡＷ素子１１０がパッケージ１０２に機械的に固定される。電極パッド１０５は、パッケージ１０２のキャビティ１０９底壁を貫通するビア配線１０６を介してパッケージ１０２裏面に形成されたフットパターン１０７と電気的に接続されている。このような構成により、ＳＡＷ素子１１０の入力端子及び出力端子が、パッケージ１０２裏面にまで引き出される。
【０００７】
また、ＳＡＷ素子１１０が実装されたキャビティ１０９はキャップ１０３により封止される。この際、従来では樹脂や金属等を接着材料としてパッケージ１０２とキャップ１０３とを接合していた。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−１１０９４６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、圧電基板１１１に用いられるＬＴ基板やＬＮ基板は、半導体技術で一般的に使用されるシリコンなどの基板と比較して非常に脆いという欠点がある。例えば研削・研磨を行うウェハ作成工程では、量産性を考慮して、略２５０μｍ程度が薄型化の限界であり、これ以上薄くすると、以降の工程においてひびや割れが発生し易く、ハンドリングが難しくなるという問題が発生する。
【００１０】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、薄型化され、且つ製造が容易な弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために、本発明は、請求項１記載のように、弾性表面波デバイスの製造方法であって、圧電基板の第１の主面と反対側の第２の主面に支持基板を接合する基板接合工程と、前記圧電基板における前記第１の主面を切削／研磨する第１の切削／研磨工程と、前記支持基板における前記第２の主面と接合された面と反対側の第３の主面側を切削／研磨する第２の切削／研磨工程と、前記第１の切削／研磨工程で切削／研磨された前記圧電基板における前記第１の主面に櫛形電極及び電極パッドを含む素子パターンを形成する素子パターン形成工程とを有するように構成される。圧電基板と支持基板とが接合された接合基板を用いて弾性表面波素子を作成することで、これを切削／研磨して薄型化することが可能となる。これにより、弾性表面波デバイスが薄型化される。また、このような構成を圧電基板に支持基板を接合するという簡単な構成で実現しているため、製造工程の煩雑化が防止できる。更に、圧電基板に支持基板が接合された構成とすることで、両基板のヤング率及び熱膨張係数の違いから、圧電基板の熱膨張が抑制されて圧電基板の定数が安定化するため、弾性表面波素子のフィルタ特性を安定化することが達成される。
【００１２】
また、請求項１記載の前記製造方法は、例えば請求項２記載のように、前記素子パターン形成工程が前記第１の主面上に２次元配列された複数の素子パターンを形成し、前記２次元配列された複数の素子パターンが分離するように前記圧電基板及び前記支持基板を切断する基板切断工程を有するように構成されても良い。このように、圧電基板と支持基板との接合基板を多面取り構造とすることで、一度に複数の弾性表面波デバイスを作製でき、製造効率が向上し、コストが削減できる。
【００１３】
また、請求項１又は２記載の前記製造方法は、例えば請求項３記載のように、前記素子パターンが形成された前記弾性表面波素子を第１の基板に形成されたキャビティ内に収容する収容工程と、前記弾性表面波素子が収容された前記第１の基板における前記キャビティを第２の基板で封止する封止工程とを有するように構成されても良い。弾性表面波素子が薄型化されたことから、これを収容する第１の基板及び第２の基板で構成されるパッケージの厚さも薄型化することが可能となり、結果として弾性表面波デバイスが薄型化される。
【００１４】
また、請求項３記載の前記封止工程は、好ましくは請求項４記載のように、前記第１の基板と前記第２の基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該第２の基板とを接合するように構成される。第１の基板と第２の基板との接合に表面活性化処理を用いた基板接合方法を用いることで、樹脂などの接着材料を必要としないため、より弾性表面波デバイスを薄型化できるだけでなく、樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能となるため、弾性表面波デバイスをより小型化することができる。
【００１５】
また、請求項１記載の前記製造方法は、好ましくは請求項５記載のように、前記素子パターンを第１の基板に形成されたキャビティ内に収容するように該第１の基板と前記圧電基板とを接合して前記素子パターンを封止する封止工程を有するように構成される。弾性表面波素子が薄型化されたことから、これを収容する第１の基板及び第２の基板で構成されるパッケージの厚さも薄型化することが可能となり、結果として弾性表面波デバイスが薄型化される。更に、圧電基板及び支持基板で構成された接合基板がキャップも兼ねた構成とすることで、キャップを設けた際に生じるデッドスペース（空間）を省略でき、弾性表面波デバイスをより薄型化できる。
【００１６】
また、請求項５記載の前記第２の切削／研磨工程は、例えば請求項６記載のように、前記封止工程の後に行われてもよい。支持基板の切削／研磨は、第１の木場による封止前であっても封止後であってもよい。
【００１７】
また、請求項５又は６記載の前記製造方法は、好ましくは請求項７記載のように、前記素子パターン形成工程が前記第１の主面上に２次元配列された複数の素子パターンを形成し、前記封止工程が前記キャビティが前記素子パターンと対応して２次元配列された前記第１の基板で該素子パターンを個々に封止し、前記２次元配列された複数の素子パターン及び該素子パターンと対応するように２次元配列された前記キャビティが分離するように前記圧電基板，前記支持基板及び前記第１の基板を切断する基板切断工程を有するように構成される。このように、圧電基板と支持基板との接合基板及びこれに接合されることで素子パターンを封止する第１の基板を多面取り構造とすることで、一度に複数の弾性表面波デバイスを作製でき、製造効率が向上し、コストが削減できる。
【００１８】
また、請求項７記載の前記製造方法は、好ましくは請求項８記載のように、前記基板切断工程の前に、該基板切断工程で切断する領域に対応する前記第１の基板をエッチングするエッチング工程を有するように構成される。接合基板の切断以前に第１の基板にエッチングにより溝を設けておくことで、第２の基板が破損することを防止できるため、歩留りや製造効率が向上するだけでなく、よりパッケージを小型化することも可能となる。
【００１９】
また、請求項５から８の何れか１項に記載の前記封止工程は、好ましくは請求項９記載のように、前記第１の基板と前記圧電基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該圧電基板とを接合するように構成される。第１の基板と圧電基板との接合に表面活性化処理を用いた基板接合方法を用いることで、樹脂などの接着材料を必要としないため、より弾性表面波デバイスを薄型化できるだけでなく、樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能となるため、弾性表面波デバイスをより小型化することができる。
【００２０】
また、請求項１から９の何れか１項に記載の前記基板接合工程は、好ましくは請求項１０記載のように、前記圧電基板と前記支持基板との接合面に不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該圧電基板と該支持基板とを接合するように構成される。基板接合に表面活性化処理を用いた方法を適用しているため、樹脂などの接着材料を必要とせず、より弾性表面波素子を薄型化することが可能となる。また、表面活性化処理を施した後に圧電基板と支持基板とを接合した構成とすることで、両基板をより強固に接合することが可能となり、両基板のヤング率及び熱膨張係数の違いから得られる圧電基板の熱膨張の抑制効果を増大することが可能となる。
【００２１】
また、請求項１から１０の何れか１項に記載の前記支持基板は、例えば請求項１１記載のように、シリコン基板で形成されてもよい。シリコン基板は一般的に圧電基板よりもヤング率が大きく、熱膨張係数が小さい。このため、これと圧電基板とを貼り合わせることで、圧電基板の厚さをより薄型化することが可能となり、結果として従来の圧電基板の厚さよりも圧電基板とシリコン基板とによる接合基板の厚さの方を薄くすることができる。更に、両基板のヤング率と熱膨張係数との違いから圧電基板の熱膨張を抑制することが可能となる。更にまた、これをシリコン基板という比較的加工や取り扱いが容易な基板を用いて構成しているため、製造が容易となり、歩留りが向上されるだけでなく、精密に作成できるため、より小型化することが可能となる。
【００２２】
また、請求項１から１０の何れか１項に記載の前記支持基板は、好ましくは請求項１２記載のように、抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上のシリコン基板で形成される。シリコン基板は一般的に圧電基板よりもヤング率が大きく、熱膨張係数が小さい。このため、これと圧電基板とを貼り合わせることで、圧電基板の厚さをより薄型化することが可能となり、結果として従来の圧電基板の厚さよりも圧電基板とシリコン基板とによる接合基板の厚さの方を薄くすることができる。更に、両基板のヤング率と熱膨張係数との違いから圧電基板の熱膨張を抑制することが可能となる。更にまた、これをシリコン基板という比較的加工や取り扱いが容易な基板を用いて構成しているため、製造が容易となり、歩留りが向上されるだけでなく、精密に作成できるため、より小型化することが可能となる。このほか、シリコン基板に１００Ω・ｃｍと金属等と比較して十分に高い抵抗率の材料を用いることで、シリコン基板の抵抗成分によりフィルタ定数が劣化することを防止できる。
【００２３】
また、請求項１から１２の何れか１項に記載の前記圧電基板は、例えば請求項１３記載のように、リチウムタンタレート又はリチウムナイオベートを主成分とした基板で形成することもできる。リチウムタンタレート又はリチウムナイオベートという取り扱いが容易で加工がし易い材料を用いることで、より安価に効率よく弾性表面波デバイスを製造することが可能となる。
【００２４】
また、本発明は、請求項１４記載のように、櫛形電極と該櫛形電極に電気的に接続された電極パッドとを含む素子パターンが第１の主面に形成された圧電基板と、該第１の主面と反対側の第２の主面に接合された支持基板とを有する弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板における前記第１の主面と、前記支持基板における前記第２の主面と接合された面と反対側の第３の主面側との少なくとも一方が切削／研磨された面であるように構成される。圧電基板と支持基板とが接合された接合基板を用いることで、これを切削／研磨して薄型化することが可能となる。これにより、弾性表面波デバイスが薄型化される。また、このような構成を圧電基板に支持基板を接合するという簡単な構成で実現しているため、製造工程の煩雑化が防止できる。更に、圧電基板に支持基板が接合された構成とすることで、両基板のヤング率及び熱膨張係数の違いから、圧電基板の熱膨張が抑制されて圧電基板の定数が安定化するため、弾性表面波素子のフィルタ特性を安定化することが達成される。
【００２５】
また、請求項１４記載の前記弾性表面波デバイスは、好ましくは請求項１５記載のように、前記圧電基板における前記第１の主面と前記支持基板における前記第２の主面と向かい合う第４の主面との少なくとも一方に、不活性ガス，酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理が施されているように構成される。第１の基板と第２の基板との接合面に表面活性化処理に施すことで、樹脂などの接着材料を必要とせずに両基板を接合できるため、より弾性表面波デバイスを薄型化できるだけでなく、樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能となるため、弾性表面波デバイスをより小型化することができる。
【００２６】
また、請求項１４又は１５記載の前記弾性表面波デバイスは、例えば請求項１６記載のように、前記素子パターンが形成された前記圧電基板及び該圧電基板に接合された前記支持基板をキャビティ内に収容する第１の基板と、前記圧電基板及び前記支持基板が収容された前記第１の基板における前記キャビティを封止する第２の基板とを有するように構成されてもよい。弾性表面波素子が薄型化されたことから、これを収容する第１の基板及び第２の基板で構成されるパッケージの厚さも薄型化することが可能となり、結果として弾性表面波デバイスが薄型化される。
【００２７】
また、請求項１４又は１５記載の前記弾性表面波デバイスは、好ましくは請求項１７記載のように、前記素子パターンを収容するキャビティが形成された第１の基板を有し、前記キャビティが前記素子パターンを収容するように前記第１の基板と前記圧電基板とが接合された構成を有する。弾性表面波素子が薄型化されたことから、これを収容する第１の基板及び第２の基板で構成されるパッケージの厚さも薄型化することが可能となり、結果として弾性表面波デバイスが薄型化される。更に、圧電基板及び支持基板で構成された接合基板がキャップも兼ねた構成とすることで、キャップを設けた際に生じるデッドスペース（空間）を省略でき、弾性表面波デバイスをより薄型化できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を好適に実施した形態を説明するにあたり、本発明の原理について説明する。
【００２９】
図２は、本発明の原理を説明するための図である。図２に示すように、本実施形態では、比較的厚い（従来による基板と同程度の厚み）の圧電性素子基板（圧電基板という）１１Ａと、例えば同程度の厚さのシリコン基板１２Ａとを接合し（図２（ａ）参照）、これらを切削・研磨することで（（ｂ），（ｃ）における切削・研磨部分１１Ｃ，１２Ｃ参照）、所望する程度に薄型化された接合基板を作成する。このように、圧電基板よりも高い強度及び弾性を持つ支持基板（例えばシリコン基板１２Ｂ）を圧電基板１１Ｂに接合した構成とすることで、本発明では、圧電基板１１Ｂの強度が支持基板により保持されるため、従来よりも圧電基板（及び接合基板）を薄型化することが可能となる。更に、薄型化した場合でも、従来と同等のＳＡＷデバイスの作成工程に適用できる程度の耐性を持つＳＡＷ素子が実現できる。
【００３０】
切削・研磨する圧電基板１１Ａには、扱い易さの観点から、例えば厚さが３５０μｍ程度であって、ＳＡＷの伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４２°ＹカットＸ伝搬リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３ＳＡＷの伝搬方向Ｘの線膨張係数が１６．１ｐｐｍ／℃）の圧電単結晶基板（以下、ＬＴ基板という）を用いる。但し、このほかにも、例えば切り出し角が回転Ｙカット板であるリチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）の圧電単結晶基板（以下、ＬＮ基板という）や、水晶基板や他の圧電基板等を適用することも可能である。また同様に、シリコン基板１２Ａには、扱い易さを考えて、例えば２００μｍ程度の厚さの基板を用いる。
【００３１】
これら基板（１１Ａ，１２Ａ）の接合は、樹脂等の接着剤を用いることも可能であるが、両基板を常温で直接接合する方法を適用することがより好ましい。更に、この際、両基板の接合面に表面活性化処理を施すことで、接合強度をより向上させることができる。以下、表面活性化処理を用いた基板接合方法について図３を用いて詳細に説明する。
【００３２】
本基板接合方法では、まず、図３（ａ）に示すように、双方の基板（１１Ａ，１２Ａ）をＲＣＡ洗浄法等で洗浄し、表面、特に接合面に付着している酸化物や吸着物等の不純物Ｘ１及びＸ２を除去する（第１の工程：洗浄処理）。ＲＣＡ洗浄とは、アンモニアと過酸化水素と水とを容積配合比１：１〜２：５〜７で混合した洗浄液や塩素と過酸化水素と水とを容積配合比１：１〜２：５〜７で混合した洗浄液等を用いて行われる洗浄方法の一つである。
【００３３】
次に、洗浄した基板を乾燥（第２の工程）後、図３（ｂ）に示すように、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガス若しくは酸素のイオンビーム，中性子ビーム又はプラズマ等を両基板（１１Ａ，１２Ａ）の接合面に照射することで、残留した不純物Ｘ１１及びＸ２１を除去すると共に、表層を活性化させる（第３の工程：活性化処理）。尚、何れの粒子ビーム又はプラズマを使用するかは、接合する基板の材料に応じて適宜選択される。
【００３４】
その後、基板１１Ａ，１２Ａを位置合わせをしつつ貼り合わせる（第４の工程：貼合せ処理）。ほとんどの材料では、この貼合せ処理を真空中で行うが、窒素や不活性ガス等の高純度ガス雰囲気中又は大気で行える場合もある。また、両基板（１１Ａ，１２Ａ）を挟み込むように加圧する必要がある場合も存在する。尚、この工程は常温又は１００℃以下程度に加熱処理した条件下で行うことができる。このように１００℃程度以下に加熱しつつ接合を行うことで、両基板の接合強度を向上させることが可能となる。
【００３５】
このように、表面活性化処理を用いた基板接合方法では、両基板（１１Ａ，１２Ａ）を接合した後に、１０００℃以上での高温でアニール処理を施す必要がないため、基板の破損を招く恐れがなく、且つ様々な基板を接合することができる。更に、両基板を貼り合わせるための樹脂や金属などの接着材料を必要としないため、パッケージを薄くすることが可能となり、更にまた、接着材料を用いた場合と比較して小さい接合面積でも十分な接合強度を得ることができるため、パッケージを小型化することが可能となる。
【００３６】
このように圧電基板１１Ａとシリコン基板１２Ａとを貼り合わせた後、本発明では、ひびや割れが生じない程度であって可能な限り薄くされた厚さまで、それぞれの基板を切削・研磨する。この際、シリコン基板１２Ａ（１２Ｂも同じ）は、圧電基板１１Ａ（１１Ｂも同じ）の熱膨張及び定数の変化を抑制するだけでなく、両基板（１１Ａ及び１２Ａ／１１Ｂ及び１２Ｂ）で構成された接合基板の強度を高める機能も果たすため、以上のような構成を取ることで、切削・研磨後の接合基板の厚さを圧電基板単体で構成した場合よりも薄くすることができる。本実施形態では、例えば図２に示すように、圧電基板１１Ａを切削・研磨して数十μｍから１００μｍ程度の圧電基板１１Ｂを作成し（図２（ｂ））、シリコン基板１２Ａを切削・研磨して同じく数十μｍから１００μｍ程度のシリコン基板１２Ｂを作成する（図２（ｃ））。これにより、両基板（１１Ｂ，１２Ｂ）を合わせて１００μｍから百数十μｍ程度の接合基板が作成される。但し、以下で説明するような素子パターン１ａを圧電基板１１Ａ上に作成した後など、圧電基板にかける力学的及び熱的負荷が少なくて済む場合、シリコン基板１２Ａを全て切削・研磨しても良い。これにより、さらにＳＡＷ素子１０を薄型化できる。
【００３７】
また、以上のように基板を接合し、且つ切削・研磨することで薄型化した後、本発明では、例えば図４に示すように、一枚の基板（圧電基板１１Ａ及びシリコン基板１２Ａが接合された接合基板並びにパッケージ２を作成するためのシリコン基板２Ａ等）に複数の素子パターン（１ａ，１ｂ）等を２次元配列して形成するとよい。このように、接合基板を多面取り構造とすることで、一度に複数のＳＡＷデバイスを作製でき、製造効率が向上し、コストが削減できる。
【００３８】
以下、以上のような原理に基づく本発明を好適に実施した形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】
〔第１の実施形態〕
まず、本発明の第１の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図５は、本実施形態によるＳＡＷデバイス１の構成を示す図である。尚、図５（ａ）はＳＡＷデバイス１の構成を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００４０】
図５（ａ）に示すように、本実施形態では、ＳＡＷ素子１０が、櫛形電極（ＩＤＴ）１３と電極パッド１４とを有する面をパッケージ２におけるキャビティ９の底面（ダイアタッチ面９ａ：図７（ｃ）参照）に向かい合わせた状態、即ちフェイスダウン状態でパッケージ２にフリップチップ実装されている。パッケージ２は、例えばシリコン基板や、このほか、セラミックス，アルミニウム・セラミックス，ビスマスイミド・トリアジンレジン，ポリフェニレンエーテル，ポリイミド樹脂，ガラスエポキシ，又はガラスクロス等のうち何れか１つ以上を主成分とした基板を用いて形成される。以下の説明では、加工が容易で且つウェハレベルで製造が可能なシリコン基板を用いた場合を例に挙げて説明する。尚、シリコン基板を用いた場合、シリコン基板が持つ抵抗成分によりフィルタ特性が劣化することを防止するために、１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率のシリコン材料を用いると良い。
【００４１】
キャビティ９は、シリコン基板や、このほか、鉄，銅，アルミニウム等の金属又はセラミックス，アルミニウム・セラミックス，ビスマスイミド・トリアジンレジン，ポリフェニレンエーテル，ポリイミド樹脂，ガラスエポキシ，又はガラスクロス等のうち、何れか１つ以上を主成分とした基板を用いて形成されたキャップ３により封止される。尚、シリコン基板を用いた場合、パッケージ２と同様に、フィルタ特性の劣化を防止するために１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率の材料を用いると良い。更に、パッケージ２とキャップ３との接合には、樹脂等の接着剤を用いることも可能であるが、好ましくは上述した表面活性化処理を用いた基板接合方法を適用するとよい。
【００４２】
また、図５（ｂ）に示すように、ＳＡＷ素子１０における入出力用の電極端子は、電極パッド１４がパッケージ２における所定の配線パターン（電極パッド５，ビア配線６）を介してパッケージ２裏面に形成されたフットパターン７と電気的に接続されることで、パッケージ２裏面にまで引き出されている。この際、ＳＡＷ素子１０における電極パッド１４とパッケージ２における電極パッド５とは、金やアルミニウムや銅等を主成分とした金属製のバンプ５により電気的及び機械的に接続される。これにより、ＳＡＷ素子１０がパッケージ２に機械的に固定され、且つＳＡＷ素子１０とパッケージ２との電極パターン等が電気的に接続される。
【００４３】
次に、以上のような構成を有するＳＡＷデバイス１の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００４４】
図６は、本実施形態によるＳＡＷデバイス１におけるＳＡＷ素子１０の製造方法を説明するための図である。図６（ａ）において、上述の図２で説明したように、所望する厚さよりも厚い圧電基板１１Ａ（例えば３５０μｍ）とシリコン基板１２Ａ（例えば２００μｍ）とを、表面活性化処理を施した後に接合する（基板接合工程）。次に、本実施形態では、まず、圧電基板１１Ａを所望する厚さ、例えば数十μｍから１００μｍ程度にまで切削・研磨する（圧電基板切削・研磨工程）。
【００４５】
所望する厚さの圧電基板１１Ｂを作成すると、本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、圧電基板１１Ｂ上に、フォトリソグラフィーやエッチング技術を用いてＩＤＴ１３，電極パッド１４及び配線パターン（これらを素子パターンともいう）を含む素子パターン１ａを形成し、更に電極パッド１４上にボンディング時に使用するためのバンプ８を形成する。
【００４６】
圧電基板１１Ｂ上に素子パターン１ａ及びバンプ８を形成すると、次に、図６（ｄ）に示すように、圧電基板１１Ｂ裏面に接合されているシリコン基板１２Ａを切削・研磨し、所望する厚さのシリコン基板１２Ｂを作成する。その後、図６（ｅ）に示すように、圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ｂを、素子パターン１ａが個別となるようにカットすることで、個片化したＳＡＷ素子１０が作成される（図６（ｆ）参照）。尚、この際のカットには、例えばダイシングブレードやレーザビーム等を使用することが可能である。
【００４７】
また、以上のように作成されたＳＡＷ素子１０は、例えば図７に示すような工程で作成されたパッケージ２内にフリップチップ実装される。以下に、図７を用いてパッケージ２の製造方法を説明する。
【００４８】
図７（ａ）において、パッケージ２は、上述した材料基板の中から、例えばシリコン基板２Ａを用いて作成する。シリコン基板２Ａは、図７（ｂ）に示すように、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：特にＤｅｅｐ−ＲＩＥ）等の技術を用いて、キャビティ９が形成される。次に、シリコン基板２Ａには、図７（ｃ）に示すように、キャビティ９の底面であるダイアタッチ面９ａにＳＡＷ素子１０における電極パッド１４をバンプ８によりボンディングするための電極パッド５と、電極パッド５をパッケージ２の裏面（キャビティ９が形成された面と反対側の面）に電気的に引き出すためのビア配線６と、ビア配線６と電気的な接点を持つフットパターン７とを含む素子パターン１ｂがそれぞれ形成される。尚、フットパターン７は、形成工程を簡略化するために、隣接するもの同士を一体形成するとよい。
【００４９】
その後、図７（ｄ）に示すように、シリコン基板２Ａを、素子パターン１ｂが個別となるようにカットすることで、個片化したパッケージ２が作成される（図７（ｅ）参照）。尚、この際のカットには、例えばダイシングブレードやレーザビーム等を使用することが可能である。
【００５０】
このように作成したパッケージ２におけるキャビティ９にＳＡＷ素子１０をフェイスダウン状態でボンディングし（図７（ｆ）参照）、キャビティ９をキャップ３により封止することで（図７（ｇ）参照）、図７（ｈ）に示すように、本実施形態によるＳＡＷデバイス１が作成される。尚、パッケージ２とキャップ３との接合には、上述したように、樹脂等の接着剤を用いることも可能であるが、好ましくは上述した表面活性化処理を用いた基板接合方法を適用するとよい。また、パッケージ２をシリコン基板で作成し、これらを表面活性化処理を用いた基板接合方法で接合する場合、キャップ２の材料基板にシリコン基板を用いることで、これらの接合強度をより向上させることが可能である。更に、パッケージ２及びキャップ３の接合面に、例えば金等の金属膜を形成しておき、これを介して両者を接合することで、パッケージ２及びキャップ３の材料に依存することなく、両者を強固に接合することが可能となる。
【００５１】
以上で説明したように、ＳＡＷ素子１０を圧電基板１１Ｂとシリコン基板１２Ｂとが接合された接合基板を用いて作成することで、ＳＡＷ素子１０が薄型化される。これにより、ＳＡＷ素子１０を収容するパッケージ２の厚さも薄型化することが可能となり、結果としてＳＡＷデバイス１が薄型化される。また、このような構成を圧電基板１１Ａにシリコン基板１２Ａを接合するという簡単な構成で実現しているため、製造工程の煩雑化が防止できる。更に、基板接合に表面活性化処理を用いた方法を適用しているため、樹脂などの接着材料を必要とせず、よりＳＡＷ素子１０を薄型化することが可能となる。更に、圧電基板１１Ｂにシリコン基板１２Ｂが接合された構成とすることで、両基板のヤング率及び熱膨張係数の違いから、圧電基板１１Ｂの熱膨張が抑制されて圧電基板１１Ｂの定数が安定化するため、ＳＡＷ素子１０のフィルタ特性を安定化することが達成される。更にまた、パッケージ２とキャップ３との接合にも表面活性化処理を用いた基板接合方法を用いることで、樹脂などの接着材料を必要としないため、よりＳＡＷデバイス１を薄型化できるだけでなく、樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能となるため、ＳＡＷデバイス１をより小型化することができる。
【００５２】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。図８は、本実施形態によるＳＡＷデバイス２０の構成を示す図である。尚、図８（ａ）はＳＡＷデバイス２０の構成を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００５３】
図８（ａ）に示すように、本実施形態では、ＳＡＷ素子１０における圧電基板１１（シリコン基板１２も含む）がパッケージ２２におけるキャビティ２９を封止するキャップをとして機能するように構成されている。パッケージ２２は、第１の実施形態におけるパッケージ２と同様に、例えばシリコン基板や、このほか、セラミックス，アルミニウム・セラミックス，ビスマスイミド・トリアジンレジン，ポリフェニレンエーテル，ポリイミド樹脂，ガラスエポキシ，又はガラスクロス等のうち何れか１つ以上を主成分とした基板を用いて形成される。尚、シリコン基板を用いた場合、フィルタ特性の劣化を防止するために、１００Ω・ｃｍ以上の抵抗率の材料を用いると良い。また、パッケージ２２とＳＡＷ素子１０における圧電基板１１との接合には、樹脂等の接着剤を用いることも可能であるが、好ましくは上述した表面活性化処理を用いた基板接合方法を適用するとよい。
【００５４】
また、上記のようにパッケージ２２で圧電基板１１におけるＩＤＴ１３，電極パッド１４及び配線パターン等が形成された領域を封止した際、本実施形態では、図８（ｂ）に示すように、ＳＡＷ素子１０における入出力用の電極端子が、電極パッド１４がパッケージ２２における所定の配線パターン（電極パッド５，ビア配線６）を介してパッケージ２２裏面に形成されたフットパターン７と電気的に接続されることで、パッケージ２裏面にまで引き出される。この際、ＳＡＷ素子１０における電極パッド１４とパッケージ２２における電極パッド５とは、第１の実施形態と同様に、金やアルミニウムや銅等を主成分とした金属製のバンプ５により電気的及び機械的に接続される。これにより、ＳＡＷ素子１０とパッケージ２との電極パターン等が電気的に接続される。
【００５５】
次に、以上のような構成を有するＳＡＷデバイス２０の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００５６】
図９は、本実施形態におけるＳＡＷデバイス２０の製造方法を説明するための図である。図９（ａ）において、まず、パッケージ２２を作成するために、上述した材料基板の中から、例えばシリコン基板２２Ａを用い、これにＤｅｅｐ−ＲＩＥ等の技術を用いてキャビティ２９を形成する。このキャビティ２９は、第１の実施形態のように、ＳＡＷ素子１０を収容できる程度の深さでなく、ＳＡＷ素子１０上に形成されたＩＤＴ１３，電極パッド１４及び配線パターンに触れない程度であって、電極パッド１４をキャビティ２９底面に形成する電極パッド５にバンプ８で電気的に接続できる程度の深さとして形成される。次に、シリコン基板２２Ａには、図９（ｃ）に示すように、キャビティ２９の底面であるダイアタッチ面９ａ（図７（ｃ）と同様）に電極パッド５と、電極パッド５をパッケージ２２の裏面（キャビティ２９が形成された面と反対側の面）に電気的に引き出すためのビア配線６と、ビア配線６と電気的な接点を持つフットパターン７とを含む素子パターン１ｂがそれぞれ形成される。尚、フットパターン７は、形成工程を簡略化するために、隣接するもの同士を一体形成するとよい。
【００５７】
このようにシリコン基板２２Ａに素子パターン１ｂを形成すると、次に図９（ｄ）に示すように、シリコン基板２２Ａにおけるキャビティ２９が形成された面に、図６（ｄ）で示す接合基板（圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ｂが接合された基板）を、素子パターン１ａが形成された面を向かい合わせた状態で接合する。この接合には、樹脂等の接着剤を用いることも可能であるが、好ましくは上述した表面活性化処理を用いた基板接合方法を適用するとよい。また、図６（ｄ）に示す接合基板における素子パターン１ａは、本実施形態において、キャビティ２９に位置合わせして形成されており、両基板を接合することで、電極パッド１４上に形成されたバンプ８とダイアタッチ面９ａに形成された電極パッド５とが接続される。
【００５８】
その後、図９（ｅ）に示すように、シリコン基板２２Ａ，圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ｂが接合された接合基板を、個々のＳＡＷデバイス２０にカットすることで、個片化したＳＡＷデバイス２０が作成される（図９（ｆ）参照）。尚、この際のカットには、例えばダイシングブレードやレーザビーム等を使用することが可能である。
【００５９】
以上で説明したように、ＳＡＷ素子１０を圧電基板１１Ｂとシリコン基板１２Ｂとが接合された接合基板を用いて作成することで、第１の実施形態と同様に、ＳＡＷ素子１０が薄型化される。これにより、ＳＡＷ素子１０を収容するパッケージ２２の厚さも薄型化することが可能となり、結果としてＳＡＷデバイス２０が薄型化される。また、このような構成を圧電基板１１Ｂにシリコン基板１２Ｂを接合するという簡単な構成で実現しているため、製造工程の煩雑化が防止できる。更に、基板接合に表面活性化処理を用いた方法を適用しているため、樹脂などの接着材料を必要とせず、よりＳＡＷ素子１０を薄型化することが可能となる。更に、圧電基板１１Ｂにシリコン基板１２Ｂが接合された構成とすることで、両基板のヤング率及び熱膨張係数の違いから、圧電基板１１Ｂの熱膨張が抑制されて圧電基板１１Ｂの定数が安定化するため、ＳＡＷ素子１０のフィルタ特性を安定化することが達成される。このほか、本実施形態では、圧電基板１１及びシリコン基板１２で構成された接合基板がキャップも兼ねた構成としているために、キャップを設けた際に生じるデッドスペース（空間）を省略でき、ＳＡＷデバイス２０をより薄型化できるだけでなく、パッケージ２２と接合基板との接合にも表面活性化処理を用いた基板接合方法を用いているため、樹脂などの接着材料を必要とせず、よりＳＡＷデバイス２０を薄型化でき、且つ樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能であるため、ＳＡＷデバイス２０をより小型化することができる。尚、他の構成は、上述した第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６０】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本実施形態によるＳＡＷデバイスは、第２の実施形態で図８を用いて説明したＳＡＷデバイス２０と同様の構成である。本実施形態では、このＳＡＷデバイス２０の他の製造方法について例を挙げる。
【００６１】
図１０は、本実施形態によるＳＡＷデバイス２０の製造方法を説明するための図である。本実施形態では、図１０（ｄ）に示すように、シリコン基板１２Ａを切削・研磨する前の接合基板（圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ａ）を図１０（ｃ）までの工程で作成したシリコン基板２２Ａに接合し、接合した後にシリコン基板１２Ａを切削・研磨する点で、第２の実施形態と異なる。他の構成は、第２の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６２】
以上のように構成することで、本実施形態では、第２の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００６３】
〔第４の実施形態〕
次に、本発明の第４の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本実施形態では、第２又は第３の実施形態におけるＳＡＷデバイス２０の製造方法の他の方法を例示する。
【００６４】
上記した第２の実施形態ではシリコン基板２２Ａに圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ｂが接合された接合基板を貼り合わせた状態（図９（ｅ）参照）、また、第３の実施形態ではシリコン基板２２Ａに圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ａが接合された接合基板を貼り合わせた後、シリコン基板１２Ａを切削・研磨した状態（図１０（ｆ）参照）で、各々の弾性表面波デバイス２０を個別にカットしていた。これに対し、本実施形態では、個別にカットする前工程として切断部分にエッチングを施す工程を設ける。これを図１１を用いて説明する。
【００６５】
図１１（ａ）は、図９（ｅ）又は図１０（ｆ）の工程以前で作成されたシリコン基板２２Ａ，圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ｂの接合基板を示している。これまでの工程は、第２及び第３の実施形態で述べたものと同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６６】
次に、本実施形態では、図１１（ｂ）に示すように、ダイシングブレード又はレーザビームで切断する部分をエッチングし、エッチング溝３１を形成しておく。その後、本実施形態では、エッチング溝３１に沿ってシリコン基板２２Ａ，圧電基板１１Ｂ及びシリコン基板１２Ｂの接合基板を切断し（図１１（ｃ）参照）、個片化されたＳＡＷデバイス２０を得る（図１１（ｄ）参照））。
【００６７】
以上のように、接合基板の切断以前にパッケージ２２にエッチングにより溝を設けておくことで、パッケージ２２が破損することを防止できるため、歩留りや製造効率が向上するだけでなく、よりパッケージ２２を小型化することも可能となる。即ち、ＳＡＷデバイス２０を小型化することが可能となる。尚、他の構成は、上述した第２又は第３の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６８】
〔他の実施形態〕
また、以上で説明した実施形態は本発明の好適な一実施形態にすぎず、本発明はその趣旨を逸脱しない限り種々変形して実施可能である。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、薄型化され、且つ製造が容易な弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイスを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術によるＳＡＷデバイス１００の構成を示す図であり、（ａ）はＳＡＷデバイス１００に実装されるＳＡＷ素子１１０の構成を示す斜視図であり、（ｂ）はＳＡＷデバイス１００の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図である。
【図３】本発明において例示する表面活性化処理を用いた基板接合方法を説明するための図である。
【図４】本発明において例示する多面取り構造の基板（圧電基板１１Ａ及びシリコン基板１２Ａが接合された接合基板並びにパッケージ２を作成するためのシリコン基板２Ａ）の構成を示す上面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷデバイス１の構成を示す図であり、（ａ）はＳＡＷデバイス１の斜視図であり。（ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態によるＳＡＷ素子１０の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態によるパッケージ２の製造方法及びＳＡＷデバイス１の組立方法を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施形態によるＳＡＷデバイス２０の構成を示す図であり、（ａ）はＳＡＷデバイス１の斜視図であり、（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態によるＳＡＷデバイス２０の製造方法を示す図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態によるＳＡＷデバイス２０の製造方法を示す図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態によるＳＡＷデバイス２０の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
１  ＳＡＷデバイス
１ａ、１ｂ  素子パターン
２、２２  パッケージ
２Ａ、１２、１２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ  シリコン基板
３  キャップ
５、１４  電極パッド
６  ビア配線
７  フットパターン
８  バンプ
９、２９  キャビティ
９ａ  ダイアタッチ面
１０  ＳＡＷ素子
１３  ＩＤＴ
１１、１１Ａ、１１Ｂ  圧電基板
１１Ｃ、１２Ｃ  切削・研磨部分
３１  エッチング溝
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ１１、Ｘ２１  不純物
【図１】
2004297693.tif 000003
【図２】
2004297693.tif 000004
【図３】
2004297693.tif 000005
【図４】
2004297693.tif 000006
【図５】
2004297693.tif 000007
【図６】
2004297693.tif 000008
【図７】
2004297693.tif 000009
【図８】
2004297693.tif 000010
【図９】
2004297693.tif 000011
【図１０】
2004297693.tif 000012
【図１１】
2004297693.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月22日(2004.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記切断により形成された弾性表面波素子を第１の基板に形成されたキャビティ内に収容する収容工程と、
前記弾性表面波素子が収容された前記キャビティを第２の基板で封止する封止工程と
を有することを特徴とする請求項２記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記封止工程は、前記第１の基板と前記第２の基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該第２の基板とを接合することを特徴とする請求項３記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記封止工程は、前記第１の基板と前記圧電基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該圧電基板とを接合することを特徴とする請求項５から８の何れか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記基板接合工程は、前記圧電基板と前記支持基板との接合面に不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該圧電基板と該支持基板とを接合することを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記圧電基板の前記第２の主面と、該第２の主面と向かい合う前記支持基板の第４の主面との少なくとも一方に、不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理が施されていることを特徴とする請求項１４記載の弾性表面波デバイス。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項２記載の前記製造方法は、例えば請求項３記載のように、前記切断により形成された弾性表面波素子を第１の基板に形成されたキャビティ内に収容する収容工程と、前記弾性表面波素子が収容された前記キャビティを第２の基板で封止する封止工程とを有するように構成されても良い。弾性表面波素子が薄型化されたことから、これを収容する第１の基板及び第２の基板で構成されるパッケージの厚さも薄型化することが可能となり、結果として弾性表面波デバイスが薄型化される。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項３記載の前記封止工程は、好ましくは請求項４記載のように、前記第１の基板と前記第２の基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該第２の基板とを接合するように構成される。第１の基板と第２の基板との接合に表面活性化処理を用いた基板接合方法を用いることで、樹脂などの接着材料を必要としないため、より弾性表面波デバイスを薄型化できるだけでなく、樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能となるため、弾性表面波デバイスをより小型化することができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項５から８の何れか１項に記載の前記封止工程は、好ましくは請求項９記載のように、前記第１の基板と前記圧電基板とにおける接合面の少なくとも１つに、不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該第１の基板と該圧電基板とを接合するように構成される。第１の基板と圧電基板との接合に表面活性化処理を用いた基板接合方法を用いることで、樹脂などの接着材料を必要としないため、より弾性表面波デバイスを薄型化できるだけでなく、樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能となるため、弾性表面波デバイスをより小型化することができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、請求項１から９の何れか１項に記載の前記基板接合工程は、好ましくは請求項１０記載のように、前記圧電基板と前記支持基板との接合面に不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理を施した後に、該圧電基板と該支持基板とを接合するように構成される。基板接合に表面活性化処理を用いた方法を適用しているため、樹脂などの接着材料を必要とせず、より弾性表面波素子を薄型化することが可能となる。また、表面活性化処理を施した後に圧電基板と支持基板とを接合した構成とすることで、両基板をより強固に接合することが可能となり、両基板のヤング率及び熱膨張係数の違いから得られる圧電基板の熱膨張の抑制効果を増大することが可能となる。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、請求項１４記載の前記弾性表面波デバイスは、好ましくは請求項１５記載のように、前記圧電基板における前記第２の主面と前記支持基板における前記第２の主面と向かい合う第４の主面との少なくとも一方に、不活性ガス又は酸素の粒子ビーム又はプラズマを用いて表面活性化処理が施されているように構成される。第１の基板と第２の基板との接合面に表面活性化処理を施すことで、樹脂などの接着材料を必要とせずに両基板を接合できるため、より弾性表面波デバイスを薄型化できるだけでなく、樹脂等を用いた場合よりも狭い接合面積で十分な接合強度を得ることが可能となるため、弾性表面波デバイスをより小型化することができる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、洗浄した基板を乾燥（第２の工程）後、図３（ｂ）に示すように、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガス若しくは酸素のイオンビーム，中性化ビーム又はプラズマ等を両基板（１１Ａ，１２Ａ）の接合面に照射することで、残留した不純物Ｘ１１及びＸ２１を除去すると共に、表層を活性化させる（第３の工程：活性化処理）。尚、何れの粒子ビーム又はプラズマを使用するかは、接合する基板の材料に応じて適宜選択される。