(57)【要約】【課題】アッシャレス工程を有する化合物半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】リフトオフ工程を備えた化合物半導体装置の製造方法において、リフトオフ工程が、化合物半導体の基板上に形成された化合物半導体の活性層上に、電極開口部を設けたレジストマスクを形成する工程と、レジストマスク上、および電極開口部内の活性層上に、金属層を形成する工程と、レジストマスクを溶解してレジストマスク上に形成された金属層を除去することにより、電極開口部内の活性層上に金属層を残して電極とする剥離工程とを含むアッシャレス工程からなり、剥離工程が、アミン系化合物および含窒素環状化合物からなる群から選択される１以上の化合物を主成分とする剥離液を用いて、レジストマスクの残渣をアッシングで除去する必要がない程度にまでレジストマスクを除去する工程からなる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リフトオフ工程を備えた化合物半導体装置の製造方法であって、該リフトオフ工程が、
化合物半導体の基板上に形成された化合物半導体の活性層上に、電極開口部を設けたレジストマスクを形成する工程と、
該レジストマスク上、および該電極開口部内の該活性層上に、金属層を形成する工程と、
該レジストマスクを溶解して該レジストマスク上に形成された該金属層を除去することにより、該電極開口部内の該活性層上に該金属層を残して電極とする剥離工程とを含むアッシャレス工程からなり、
該剥離工程が、アミン系化合物および含窒素環状化合物からなる群から選択される１以上の化合物を主成分とする剥離液を用いて、該レジストマスクの残渣をアッシングで除去する必要がない程度にまで該レジストマスクを除去する工程であることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記アミン系化合物及び上記含窒素環状化合物が、
モルホリン、ジメチルピペリドン（ＤＭＰＤ）、ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）、３−メチル−２−オキサゾリジノン（ＭＯＺ）、およびＮ−メチル−２−ピロリドンからなる群から選択される１の化合物であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
上記剥離液が、
３−メチル−２−オキサゾリジノンを略１０ｗｔ％以上、略５０ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンからなることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
上記剥離液が、
モルホリンを略１０ｗｔ％以上、略５０ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンからなることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
上記剥離液が、
ジメチルピペリドンを略１０ｗｔ％以上、略５０ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンからなることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
上記剥離液が、
３−メチル−２−オキサゾリジノンを略７０ｗｔ％以上、略９５ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がジエチルヒドロキシルアミンからなることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
上記剥離工程の後に、イソプロピルアルコールを用いた洗浄により、上記剥離液を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
上記化合物半導体が、砒化ガリウムであることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
上記リフトオフ工程に先立って、上記活性層にリセスを形成する工程を含み、
上記剥離工程が、該リセス内の該活性層上に上記金属層を残しゲート電極とする工程であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体装置の製造方法に関し、特に、リフトオフ工程におけるレジスト残渣のアッシング除去工程を不要とした、アッシャレスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＧａＡｓ電界効果トランジスタは、ＧａＡｓの動作層にソース／ドレイン電極、リセスを形成した後、リセス中央部に開口部を有するフォトレジストをマスクに用いてゲート金属の蒸着、リフトオフを行いゲート電極を形成し、最後にパッシベーション膜を形成して作製していた。かかるリフトオフ法を用いた場合、レジストマスクを除去した後にレジスト残渣を完全に除去するために、酸素プラズマや光オゾンによるアッシングを行い、フォトレジストの残渣を完全に除去する必要があった。また、ＧａＡｓ電界効果トランジスタでは、ＧａＡｓ表面の表面準位に起因する電子の捕獲／放出が、トランジスタのゲートラグ現象（パルス遅延）の原因となると考えられていた（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
これに対して、発明者は鋭意研究の結果、上記ゲートラグは、従来考えられていたようなＧａＡｓ表面の表面準位トラップに起因するものではなく、主には、ＧａＡｓ表面に存在するＧａＡｓ酸化層に起因していること、また、かかる酸化層は、ゲート／ドレイン耐圧の変化や雑音特性の劣化等のデバイス諸特性の劣化に影響することを見出すとともに、ゲートラグの発生しない優れたＧａＡｓ半導体装置を開発し、アッシャレスＧａＡｓデバイス（Ａｓｈｅｒｌｅｓｓ　ＧａＡｓ　Ｄｅｖｉｃｅｓ：アシュルのいないＧａＡｓデバイス）と名付けた。
【０００４】
更に、かかる知見に基づき、リフトオフ工程で、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を剥離液として使用して、レジストや有機物の除去性能を高めることにより、アッシング工程を省略できる程度にまでレジスト残渣を除去できることを見出した。
【０００５】
【非特許文献１】
生駒英明：”化合物半導体のパッシヴェーション技術”，応用物理，６９，　２，　ｐｐ．１５９−１６５　（２０００）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＧａＡｓ電界効果トランジスタを集積した集積回路装置では、一部のトランジスタにレジスト残渣や有機ポリマーが残った場合には、集積回路全体が不良となり、製造歩留りの低下につながった。
【０００７】
そこで、本発明は、ＧａＡｓ電界効果トランジスタを集積した集積回路装置の製造に適用できる、アッシング工程を不要としたアッシャレス化合物半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は、リフトオフ工程を備えた化合物半導体装置の製造方法であって、該リフトオフ工程が、化合物半導体の基板上に形成された化合物半導体の活性層上に、電極開口部を設けたレジストマスクを形成する工程と、該レジストマスク上、および該電極開口部内の該活性層上に、金属層を形成する工程と、該レジストマスクを溶解して該レジストマスク上に形成された該金属層を除去することにより、該電極開口部内の該活性層上に該金属層を残して電極とする剥離工程とを含むアッシャレス工程からなり、該剥離工程が、アミン系化合物および含窒素環状化合物からなる群から選択される１以上の化合物を主成分とする剥離液を用いて、該レジストマスクの残渣をアッシングで除去する必要がない程度にまで該レジストマスクを除去する工程であることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法である。
かかる製造方法では、アミン系化合物および含窒素環状化合物からなる群から選択される１以上の化合物を主成分とする剥離液を用いることにより、レジスト残渣を残すことなくレジストマスクの剥離ができる。このため、従来、レジスト残渣の除去を目的として行われていた、酸素プラズマ等によるアッシング工程が不要となる（アッシャレス工程）。これにより、アッシング工程で形成される半導体材料表面の酸化層に起因するゲートラグ、ゲート／ドレイン耐圧の変化、雑音特性の劣化等のデバイス諸特性の劣化を防止できる。
また、強力な剥離液を用いた場合に発生していたリセス電流特性の劣化も防止できる。
【０００９】
上記アミン系化合物及び上記含窒素環状化合物は、モルホリン、ジメチルピペリドン（ＤＭＰＤ）、ジエチルヒドロキシルアミン（ＤＥＨＡ）、３−メチル−２−オキサゾリジノン（ＭＯＺ）、およびＮ−メチル−２−ピロリドンからなる群から選択される１の化合物であることが、産業上好適である。
【００１０】
上記剥離液は、３−メチル−２−オキサゾリジノンを略１０ｗｔ％以上、略５０ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンからなる剥離液であっても良い。
【００１１】
上記剥離液は、モルホリンを略１０ｗｔ％以上、略５０ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンからなる剥離液であっても良い。
【００１２】
上記剥離液は、ジメチルピペリドンを略１０ｗｔ％以上、略５０ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンからなる剥離液であっても良い。
【００１３】
上記剥離液は、３−メチル−２−オキサゾリジノンを略７０ｗｔ％以上、略９５ｗｔ％以下の範囲で含有し、残部がジエチルヒドロキシルアミンからなる剥離液であっても良い。
【００１４】
また、本発明は、上記剥離工程の後に、イソプロピルアルコールを用いた洗浄により、上記剥離液を除去する工程を含む製造方法でもある。
洗浄液にイソプロピルアルコールを用いることで、剥離液が溶解した洗浄液（リンス液）によるデバイス特性の劣化を防止できる。
【００１５】
上記化合物半導体は、好適には、砒化ガリウムである。
【００１６】
また、本発明は、上記リフトオフ工程に先立って、上記活性層にリセスを形成する工程を含み、上記剥離工程が、該リセス内の該活性層上に上記金属層を残しゲート電極とする工程であることを特徴とする製造方法でもある。
【００１７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、本実施の形態にかかるＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の製造工程の断面図である。かかる製造方法は、以下の工程１〜４を含む。
【００１８】
工程１：図１（ａ）に示すように、活性層２の上に、例えばＡｕ／Ｇｅ、Ｎｉ、Ａｕからなるソース／ドレイン電極３を形成する。
【００１９】
工程２：図１（ｂ）に示すように、例えばノボラック系樹脂からなるレジストマスク５を形成した後、活性層２をウエットエッチングして、リセス５を形成する。
【００２０】
工程３：図１（ｃ）に示すように、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｍｏを全面に蒸着する。これにより、リセス５内の活性層２の表面上、およびレジストマスク４上に金属層１６が形成される。
【００２１】
工程４：図１（ｄ）に示すように、レジストマスク４を剥離液で溶解して除去することにより、レジストマスク４の上の金属層１６をリフトオフする。そして、リセス５内の活性層２上に残った金属層がゲート電極６となる。かかる剥離工程は、レジストマスク４が形成された半絶縁性基板１を、例えば、略８５℃の剥離液に、略３０分間、浸漬することにより行われる。
【００２２】
剥離液には、いずれも含窒素環状化合物である、３−メチル−２−オキサゾリジノン（ＭＯＺ）と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）との混合液を用いる。混合比は、３−メチル−２−オキサゾリジノンが略１０〜略５０ｗｔ％、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンである。好適には、３−メチル−２−オキサゾリジノンが略１０ｗｔ％、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが略９０ｗｔ％である。
【００２３】
かかる剥離液に含まれるＮ−メチル−２−ピロリドンは、極性の大きな材料であり、有機物質を良好に溶解する。また、ＧａＡｓからなる半絶縁性基板１や活性層２、金属からなるソース／ドレイン電極３やゲート電極６の溶解や腐食は、産業上好適に発生しない。
また、剥離液に含まれる３−メチル−２−オキサゾリジノンは、有機物質を良好に溶解する。また、ＧａＡｓからなる半導体基板１や活性層２、金属からなるソース／ドレイン電極３やゲート電極６の溶液や腐食は、産業上好適に発生しない。
【００２４】
本実施の形態にかかる製造方法に用いる剥離液は、これらの材料を所定の比率で混合した混合液である。即ち、３−メチル−２−オキサゾリジノンと、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとは、物性が異なるために、レジストマスク等の有機材料に対する溶解特性、除去特性も異なっている。従って、これらの異なる材料を所定の混合比で混合することにより、ＧａＡｓや金属を腐食、溶解させることなく、レジストマスク４やレジスト残渣を効果的に除去できる。
この結果、レジストマスク４を除去した後に、活性層２の表面等に付着したレジスト残渣や有機物残渣を除去する、酸素プラズマ法や光オゾン法を用いたアッシング工程が不要となる（以下、このようなアッシング工程を含まない工程を、「アッシャレス工程」と呼ぶ。）。
【００２５】
３−メチル−２−オキサゾリジノンに代えて、ジメチルピペリドン、５−メチル−２−ピロリドン、５−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−メチル−ε−カプロラクタム、Ｎ−エチル−ε−カプロラクタム等の含窒素環状化合物を用いることも可能である。
【００２６】
剥離液に浸漬してレジストマスク４の剥離工程を行った後、ＧａＡｓの半絶縁性基板１を、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に浸漬して、洗浄（リンス）する。
本実施の形態のように、含窒素環状化合物を剥離液に用いる場合、剥離液が溶解した洗浄液により半導体基板や電極が溶解されたり腐食されたりすることのない洗浄液を選択することが必要となる。剥離液と洗浄液との反応によりこのような酸が発生した場合、例えば、ソース／ドレイン電極３の結晶粒界から電極の腐食が進行し、リセス電流値が低下するという問題がある。
このため、イソプロピルアルコールを洗浄液として使用することにより、リセス電流特性の劣化を防止できる。
なお、洗浄液として使用するアルコールとしては、Ｎ−プロピルアルコールやエチルアルコール、メチルアルコールがあるが、イソプロピルアルコールが産業上好適である。
以上の工程で、図１（ｄ）に示すようなＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００が完成する。
【００２７】
図２は、かかるアッシャレス工程で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の表面のＳＥＭ写真であり、ゲート電極およびその両側に形成されたソース／ドレイン電極を示す。ＳＥＭ写真では、左下方から右上方に向って、リセス内に形成されたゲート電極が延在している。また、ＳＥＭ写真の右上方、および左上方に、ゲート電極を挟むように配置されたソース／ドレイン電極が示されている。
【００２８】
一方、図３は、剥離液にＮ−メチル−２−ピロリドンを用いて作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の表面のＳＥＭ写真である。剥離液が異なる以外は、上述のＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の製造工程と同じ工程を用いて作製した。
図３から分かるように、ＳＥＭ写真中央のゲート電極の近傍のＧａＡｓ活性層上に、有機残渣が付着している（白い斑点状の部分）。
【００２９】
また、図４は、本実施の形態にかかるアッシャレス工程で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の、ＰＥ−ＣＶＤ法による窒化シリコン（パッシベーション）膜を堆積した後におけるゲート電極の特性分布である。図４において、横軸は理想因子（ｎ−ｖａｌｕｅ）、縦軸はショットキ障壁高（φｂ）である。
Ｎ−メチル−２−ピロリドンを剥離液に用いてゲートのリフトオフ工程を行った従来のＧａＡｓ電界効果トランジスタに比べて、本実施の形態にかかるＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００では、ショットキ障壁が高くなるとともに、理想因子も理想値（１．０）に近づいている。また、図４から明らかなように、素子間の特性のばらつきも改善されて小さくなっている。
このように、本実施の形態にかかる剥離液を用いて有機物の残渣を効率良く除去してリフトオフ工程を行うことにより、ＧａＡｓ活性層表面の酸化層（ｎａｔｉｖｅｏｘｉｄｅ）あるいは表面準位を制御することができ、ゲート電極の特性の改善が可能となる。また、雑音特性（ＮＦ）の向上も可能となる。
なお、本実施の形態にかかるＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００では、活性層上に形成されるＧａＡｓ酸化層の厚みは、約４〜６Åであり、好適には約５Åである。
【００３０】
次に、レジストの残渣が残らないような、強力な剥離液を用いた場合と、本実施の形態にかかる剥離液を用いた場合の、剥離工程の前後におけるリセス電流特性を比較する。なお、比較実験は、上述のＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の製造工程を用いて行った。
【００３１】
図５は、従来から用いられている、オルトジクロロベンゼンおよびフェノールを成分に含む剥離液を用いてリフトオフ工程を行った場合の、リセス電流特性の変化である。図５（ａ）はリフトオフ工程前、図５（ｂ）はリフトオフ工程後におけるリセス電流特性である。図５（ａ）（ｂ）において、横軸はソース、ドレイン間に印加される電圧（Ｖｄｓ）、縦軸はソース、ドレイン間に流れる電流（Ｉｄｓ）を表す。なお、図５（以下、図６、図８、図１０、および図１１においても同じ。）においては、剥離液によるリセス電流変化を示すために、ゲート金属（図１における符号１６の部材）が無い条件での電流特性を示す。
リフトオフ工程は、８０℃の剥離液に、ＧａＡｓの半絶縁性基板１を３０分間浸漬して行った。他の製造工程は、上述の工程１〜４と同じであり、アッシャレス工程を用いた。
図５（ａ）（ｂ）から分かるように、従来の剥離液を用いた場合、例えば、Ｖｄｓが１Ｖから６Ｖの領域で電流（Ｉｄｓ）が減少する。なお、かかる剥離液は、強力なレジストの除去能力を有し、レジストの残渣は残らない。
【００３２】
これに対して、図６に、本実施の形態にかかる剥離液によるリフトオフ工程後のリセス電流特性を示す。なお、ゲート電極無しの条件である。図６に示すリセス電流特性は、図５（ａ）に示すリフトオフ工程前のリセス電流特性と、略同一のＶｄｓ−Ｉｄｓ特性を示している。
このように、３−メチル−２−オキサゾリジノンと、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとからなる剥離液を用いてリフトオフ工程を行うことにより、リセス電流特性の劣化を防止できる。
【００３３】
なお、ＧａＡｓの半絶縁性基板１を剥離液に浸漬する時間を、例えば４時間程度にまで長くしても、リセス電流特性が劣化しないことを確認している。このため、半絶縁性基板１が大面積化し、長時間の剥離工程が必要となった場合でも、かかる剥離液を用いることにより、リセス電流特性を劣化させることなく、アッシャレスの剥離工程を行うことができる。
【００３４】
このように、本実施の形態にかかる剥離工程では、３−メチル−２−オキサゾリジノンと、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとからなる剥離液を用いることにより、レジストや有機物の残渣を残すことなくレジストマスクの除去ができる。
また、レジスト残渣の除去を目的として行われていた、酸素プラズマ等によるアッシング工程が不要となり（アッシャレス工程）、アッシング工程でＧａＡｓの酸化物が形成されることによる、ゲートラグ、ゲート／ドレイン耐圧の変化、雑音特性の劣化等のデバイスの諸特性の劣化を防止できる。
更に、強力な剥離液を用いることにより発生していたリセス電流特性の劣化も防止できる。
【００３５】
実施の形態２．
本実施の形態にかかるＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の製造方法は、上述の実施の形態１にかかる製造方法と、工程４において使用する剥離液を除き同じである。
【００３６】
本実施の形態にかかる製造方法では、上述の工程１〜３でレジストマスクを形成した後に、含窒素環状化合物であるモルホリンと、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとの混合液からなる剥離液を用いてレジストマスクの剥離を行う。
剥離液の混合比は、モルホリンが略１０ｗｔ％〜略５０ｗｔ％、残部がＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）である。好適には、モルホリンが略１０ｗｔ％、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが略９０ｗｔ％である。
【００３７】
かかる剥離工程は、レジストマスクが形成されたＧａＡｓの半絶縁性基板１を、略８５℃の剥離液に、略３０分間、浸漬することにより行われる。
【００３８】
本実施の形態にかかる製造方法に用いる剥離液は、ＧａＡｓや金属を腐食、溶解させることなく、レジストマスクやレジスト残渣を効果的に除去できる。
このため、レジストマスクを除去した後にレジスト残渣を除去する、アッシング工程が不要となる（アッシャレス工程）。
【００３９】
剥離液に浸漬してレジストマスクを剥離した後、半絶縁性基板１を、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に浸漬して、洗浄（リンス）する。イソプロピルアルコールを洗浄液として使用することにより、剥離液が溶解した洗浄液によるデバイス特性の劣化を防止することができる。
以上で、図１（ｄ）に示すようなＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００が完成する。
【００４０】
図７は、かかるアッシャレス工程で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の表面のＳＥＭ写真であり、図２と同様、ゲート電極およびその両側に形成されたソース／ドレイン電極を示す。
ＳＥＭ写真から明らかなように、レジストの残渣の無い良好な外観である。
【００４１】
図８は、本実施の形態にかかる剥離液によるリフトオフ工程後の、ＶｄｓとＩｄｓとの関係、即ち、リセス電流特性を示すグラフである。なお、ゲート電極無しの条件である。図８から明らかなように、図５（ａ）に示したリフトオフ工程前のリセス電流特性と、ほぼ同じ特性が得られている。
【００４２】
このように、本実施の形態にかかる製造方法では、モルホリンとＮ−メチル−２−ピロリドンとからなる剥離液を用いることにより、レジストの残渣を残すことなくレジストマスクを剥離でき、アッシャレス工程が実現できる。このため、アッシング工程で発生していた、ゲートラグ、ゲート／ドレイン耐圧の変化、雑音特性の劣化等のデバイスの諸特性の劣化を防止できる。また、強力な剥離液を用いることにより発生していたリセス電流特性の変動も防止できる。
【００４３】
実施の形態３．
本実施の形態にかかるＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の製造方法は、上述の実施の形態１にかかる製造方法と、工程４において使用する剥離液を除いて同じである。
【００４４】
本実施の形態にかかる製造方法では、上述の工程１〜３でレジストマスクを形成した後に、ジメチルピペリドン（ＤＭＰＤ）とＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）との混合液からなる剥離液を用いてレジストマスクの剥離を行う。
剥離液の混合比は、ジメチルピペリドンが略１０ｗｔ％〜略５０ｗｔ％、残部がＮ−メチル−２−ピロリドンである。好適には、ジメチルピペリドンが略１０ｗｔ％、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが略９０ｗｔ％である。
【００４５】
かかる剥離工程は、レジストマスクが形成されたＧａＡｓの半絶縁性基板１を、例えば、略８５℃の剥離液に、略３０分間、浸漬することにより行われる。
【００４６】
本実施の形態にかかる製造方法に用いる剥離液は、ＧａＡｓや金属を腐食、溶解させることなく、レジストマスクやレジスト残渣を効果的に除去できる。
このため、レジストマスクを除去した後にレジスト残渣を除去する、アッシング工程が不要となる（アッシャレス工程）。
【００４７】
剥離液に浸漬してレジストマスクを剥離した後、半絶縁性基板１を、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に浸漬して、洗浄（リンス）する。イソプロピルアルコールを洗浄液として使用することにより、剥離液が溶解した洗浄液によるデバイス特性の劣化を防止することができる。
以上で、図１（ｄ）に示すようなＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００が完成する。
【００４８】
図９は、かかるアッシャレス工程で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の表面のＳＥＭ写真であり、図２と同様、ゲート電極およびその両側に形成されたソース／ドレイン電極を示す。
ＳＥＭ写真から明らかなように、レジストの残渣の無い、良好な外観である。
【００４９】
図１０は、本実施の形態にかかる剥離液によるリフトオフ工程後の、ＶｄｓとＩｄｓとの関係、即ち、リセス電流特性を示すグラフである。なお、ゲート電極無しの条件である。図１０から明らかなように、図５（ａ）に示したリフトオフ工程前のリセス電流特性と、ほぼ同じ特性が得られている。
【００５０】
このように、本実施の形態にかかる製造方法では、ジメチルピペリドンとＮ−メチル−２−ピロリドンとからなる剥離液を用いることにより、レジストの残渣を残すことなくレジストマスクの剥離ができ、アッシャレス工程が実現できる。このため、アッシング工程で発生していた、ゲートラグ、ゲート／ドレイン耐圧の変化、雑音特性の劣化等のデバイスの諸特性の劣化を防止できる。また、強力な剥離液を用いることにより発生していたリセス電流特性の変動も防止できる。
【００５１】
実施の形態４．
本実施の形態にかかるＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００の製造方法は、上述の実施の形態１にかかる製造方法と、工程４において使用する剥離液を除いて同じである。
【００５２】
本実施の形態にかかる製造方法では、上述の工程１〜３でレジストマスクを形成した後に、３−メチル−２−オキサゾリジノン（ＭＯＺ）とジエチルヒドロキシルアミンとの混合液からなる剥離液を用いてレジストマスクの剥離を行う。
剥離液の混合比は、３−メチル−２−オキサゾリジノンが略７０ｗｔ％〜略９５ｗｔ％、残部がジエチルヒドロキシルアミンである。
【００５３】
かかる剥離工程は、レジストマスクが形成されたＧａＡｓの半絶縁性基板１を、例えば、略８５℃の剥離液に、略３０分間、浸漬することにより行われる。
【００５４】
本実施の形態にかかる製造方法に用いる剥離液は、ＧａＡｓや金属を腐食、溶解させることなく、レジストマスクやレジスト残渣を効果的に除去できる。
このため、レジストマスクを除去した後にレジスト残渣を除去する、酸素プラズマ等によりアッシング工程が不要となる（アッシャレス工程）。
【００５５】
剥離液に浸漬してレジストマスクを剥離した後、ＧａＡｓの半絶縁性基板１を、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に浸漬して、洗浄（リンス）する。イソプロピルアルコールを洗浄液として使用することにより、剥離液が溶解した洗浄液によるデバイス特性の劣化を防止することができる。
以上で、図１（ｄ）に示すようなＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００が完成する。
【００５６】
図１１は、本実施の形態にかかる剥離液によるリフトオフ工程後の、ＶｄｓとＩｄｓとの関係、即ち、リセス電流特性を示すグラフである。なお、ゲート電極無しの条件である。図１１から明らかなように、図５（ａ）に示したリフトオフ工程前のリセス電流特性と、ほぼ同じ特性が得られている。
【００５７】
このように、本実施の形態にかかる製造方法では、３−メチル−２−オキサゾリジノンとジエチルヒドロキシルアミンとからなる剥離液を用いることにより、レジストの残渣を残すことなくレジストマスクの剥離ができ、アッシャレス工程が実現できる。このため、アッシング工程で発生していた、ゲートラグ、ゲート／ドレイン耐圧の変化、雑音特性の劣化等のデバイスの諸特性の劣化を防止できる。また、強力な剥離液を用いることにより発生していたリセス電流特性の劣化も防止できる。
【００５８】
実施の形態１〜４では、ＧａＡｓ電界効果トランジスタ１００について説明したが、かかる製造方法は、ＨＥＭＴを含めたＧａＡｓ電界効果トランジスタのオーミック電極や、ＨＢＴのベース電極やコレクタ電極等の形成工程に適用しても良い。また、トランジスタ装置以外のＬＥＤや太陽電池の作製に用いても構わない。
【００５９】
また、実施の形態１〜４で用いた剥離液は、活性層上のゲート電極の形成工程のような、非常に高度な技術が必要とされる工程に適用するものである。
また、かかる剥離液は、当然に、配線工程や基板裏面のメッキ工程のような、他の工程にも適用できる。この結果、製造工程全体で必要とされる剥離液の種類を削減でき、製造コストを下げることが可能となる。
【００６０】
更に、かかる製造方法は、ＧａＡｓ以外の化合物半導体からなるデバイスの作製に適用しても構わない。
【００６１】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる、アッシャレス工程を含む製造方法を用いることにより、半導体装置の特性を劣化させることなく、製造歩留りの向上が可能となる。
【００６２】
また、アッシャレスにより、製造工程の簡略化が可能となり、製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかるＧａＡｓ電界効果トランジスタの製造工程の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる製造方法で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタの表面のＳＥＭ写真である。
【図３】従来の製造方法で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタの表面のＳＥＭ写真である。
【図４】ＧａＡｓ電界効果トランジスタの理想因子とショットキ特性である。
【図５】従来の剥離液によるリフトオフ前後（（ａ）：リフトオフ前、（ｂ）：リフトオフ後）のリセス電流特性である（ゲート電極無し）。
【図６】本発明の実施の形態１にかかる製造方法のリセス電流特性である（ゲート電極無し）。
【図７】本発明の実施の形態２にかかる製造方法で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタの表面のＳＥＭ写真である。
【図８】本発明の実施の形態２にかかる製造方法のリセス電流特性である（ゲート電極無し）。
【図９】本発明の実施の形態３にかかる製造方法で作製したＧａＡｓ電界効果トランジスタの表面のＳＥＭ写真である。
【図１０】本発明の実施の形態３にかかる製造方法のリセス電流特性である（ゲート電極無し）。
【図１１】本発明の実施の形態４にかかる製造方法のリセス電流特性である（ゲート電極無し）。
【符号の説明】
１　半絶縁性基板、２　活性層、３　ソース／ドレイン電極、４　レジストマスク、５　リセス、６　ゲート電極、１６　金属層、１００　ＧａＡｓ電界効果トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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