(57)【要約】      （修正有）【課題】送信回路とアンテナとの接続及び受信回路とアンテナとの接続を切換えることのできるマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供する。【解決手段】マルチバンド用高周波スイッチモジュールは、一端がアンテナに接続され、他端が第１送信回路端子Ｔｘ１に接続された第１送信用伝送線路１と、一端がアンテナに接続され、他端が第２送信回路端子Ｔｘ２に接続された第２送信用伝送線路２と、一端がアンテナに接続され、他端が送受信回路端子Ｔｘ３に接続された送受信用伝送線路３と、一端子を第１送信用伝送線路１に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路７と、一端子を第２送信用伝送線路２に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路８と、一端子を送受信用伝送線路３に接続し、他端子を接地した第３半導体スイッチング回路９とを有する。【選択図】    図１
2004297240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送信回路とアンテナとの接続及び複数の受信回路とアンテナとの接続を切換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が送受信回路端子に接続された送受信用伝送線路と、
一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と、
一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と、
一端子を送受信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第３半導体スイッチング回路と、
を有し、
第１、第２半導体スイッチング回路がそれぞれ送信信号を第１、第２送信回路端子から第１、第２送信用伝送線路を通ってアンテナへ択一的に伝送するように構成され、
また第３半導体スイッチング回路が送信信号又は受信信号を送受信用伝送線路を通って択一的に伝送するように構成されていることを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
各送信用伝送線路及び送受信用伝送線路がλ／４線路であることを特徴とする請求項１に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
各送信用伝送線路及び送受信用伝送線路が低域通過フィルタであることを特徴とする請求項１に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
各送信用伝送線路及び送受信用伝送線路とそれと関連した送信回路端子との間にそれぞれ低域通過フィルタが設けられることを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項５】
各半導体スイッチング回路がＧａＡｓスイッチ素子と他端子に接続したコンデンサとから成ることを特徴とする請求項１に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項６】
さらに、四つの受信回路端子を有し、アンテナ端子と四つの受信回路端子との間に別の半導体スイッチング回路が設けられることを特徴とする請求項１に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項７】
前記別の半導体スイッチング回路が単極四投型のＧａＡｓスイッチ素子から成り、アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子と、第３受信回路端子に接続された第４端子と、第４受信回路端子に接続された第５端子とを備え、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２、第３、第４受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成したことを特徴とする請求項６に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項８】
第１、第２送信回路端子の一方が異なる二つの周波数帯の送信信号に対応していることを特徴とする請求項６に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項９】
複数の送信回路とアンテナ端子との接続及び複数の受信回路とアンテナ端子との接続を切換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が送受信回路端子に接続された送受信用伝送線路と、
一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と、
一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と、
一端子を送受信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第３半導体スイッチング回路と、
を有し、
第１、第２、第３半導体スイッチング回路の各々がＧａＡｓスイッチ素子と前記他端子に接続したコンデンサとから成り、
第１、第２送信用伝送線路、送受信用伝送線路及び第１、第２、第３半導体スイッチング回路のコンデンサが多層基板内に形成され、
また、第１、第２、第３半導体スイッチング回路のＧａＡｓスイッチ素子が多層基板の表面に塔載されることを特徴とするマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項１０】
四つの受信回路端子とを有し、アンテナ端子と四つの受信回路端子との間に別の半導体スイッチング回路が設けられ、前記別の半導体スイッチング回路が、アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子と、第３受信回路端子に接続された第４端子と、第４受信回路端子に接続された第５端子とを備え、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２、第３、第４受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成され、そして多層基板の表面に塔載されることを特徴とする請求項９に記載のマルチバンド用高周波スイッチモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波分野における携帯用移動無線機、自動車電話等の移動無線通信システムに使用され得るマルチバンド用高周波スイッチモジュールに関するものであり、一層特に、複数の異なる無線通信システムに対応した例えば、５つの送受信帯が異なる通信システムに対応した通信装置のフロントエンド部に利用可能なマルチバンド用高周波スイッチモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話などの通信装置が普及し、通信のための方式、及び規格が多数存在する。例えば、ＴＤＭＡ方式の規格としては、ヨーロッパではＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  ｓｙｓｔｅｍ）やＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）などの規格が存在する。このような通信装置において、最近では、複数の異なる規格に対応した通信装置である、いわゆるデュアルバンド機が提案されている。例えば、ＤＣＳとＧＳＭとのデュアルバンド機は、ＤＣＳの周波数帯とＧＳＭの周波数帯とに対応し、あるときはＤＣＳの周波数帯で通信をし、またある時はＧＳＭの周波数帯で通信をする。このように、複数の規格の周波数帯を扱うことにより、一方の規格の周波数帯で通信が不可能である場合には、他方の規格の周波数帯で通信をすることができる。
【０００３】
この種の高周波スイッチモジュールの従来例としてはＧａＡｓスイッチを用いたものがあり、図５にはデュアルバンド用フロントエンドモジュールの回路構成が示され、アンテナＡＮＴと、ＧＳＭとＤＣＳとの分岐又は結合を行う分波器ＤＩＰと、ＧＳＭ用伝送回路に組込まれ、ＧＳＭの送信信号と受信信号とを切換えるＧａＡｓスイッチＳＷ１と、ＤＣＳ用伝送回路に組込まれ、ＤＣＳの送信信号と受信信号とを切換えるＧａＡｓスイッチＳＷ２とを有している。分波器ＤＩＰは、基本的にはインダクタ素子とコンデンサとから成っている。そして例えばＧＳＭ用ＧａＡｓスイッチＳＷ１は送信時にはアンテナ側端子とＧＳＭ用の送信回路側Ｔｘとを接続し、受信時にはアンテナ側端子とＧＳＭ用の受信回路側Ｒｘとを接続する。（非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
雑誌ＩＥＥＥ  Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｖｏｌ．  ２００１  ＰＰ２１３〜２１６、Ｆｉｇ．１、Ｆｉｇ．６
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示すようなＧａＡｓスイッチを用いた従来の高周波スイッチモジュールにおいては、半導体スイッチ素子が伝送回路に組込まれているために、送信又は受信信号が半導体スイッチ素子を通過することになり、そのため、伝送損失すなわち挿入損失が大きくなったり、高調波ノイズ（ハーモニクス）が発生するという問題があつた。
【０００６】
また、図５に示すような従来の高周波スイッチモジュールでは、分波器が使用されており、分波器は少なくとも五つのコンデンサと二つのインダクタを備えている。そのため多層基板内に組込むべき構成部品が多くなり、高周波スイッチモジュールの小型化、薄型化の要求を十分に満足できていない。
【０００７】
また、ＰＩＮダイオードを用いた高周波スイッチモジュールも従来種々提案されているが、この場合も構成部品数多く、多層基板内に内層する部品が多くなるので、小型化が困難であるという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、従来技術に伴う上記の問題点を解決して、小型化、薄型化の要求を満たすことができ、送信信号の通る伝送回路に半導体スイッチ素子を組込むことなしに送信回路とアンテナとの接続及び受信回路とアンテナとの接続を切換えることのできるマルチバンド用高周波スイッチモジュールを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の発明による、送信回路とアンテナとの接続及び受信回路とアンテナとの接続を切換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、
送信回路とアンテナとの接続及び受信回路とアンテナとの接続を切換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が送受信回路端子に接続された送受信用伝送線路と、
一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と、
一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と、
一端子を送受信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第３半導体スイッチング回路と、
を有し、
第２半導体スイッチング回路がそれぞれ送信信号を第１、第２送信回路端子から第１、第２送信用伝送線路を通ってアンテナへ択一的に伝送するように構成され、また第３半導体スイッチング回路が送信信号又は受信信号を、送受信用伝送線路を通って択一的に伝送するように構成されていることを特徴としている。
【００１０】
各送信用伝送線路及び送受信用伝送線路は、伝送信号の波長をλとしたときλ／４の長さをもつ線路から成り得る。代りに各送信用伝送線路及び送受信用伝送線路は、低域通過フィルタで構成され得る。
【００１１】
本発明の第１の発明の実施の形態では、各送信用伝送線路及び送受信用伝送線路とそれと関連した送信回路端子との間にそれぞれ低域通過フィルタが設けられ得る。
【００１２】
第１、第２、第３半導体スイッチング回路は、各々、ＧａＡｓスイッチ素子と他端子に接続したコンデンサとから成り得る。
【００１３】
また、本発明の第１の発明の一つの実施の形態では、四つの受信回路端子を有し、アンテナ端子と四つの受信回路端子との間に別の半導体スイッチング回路が設けられ得る。
【００１４】
前記別の半導体スイッチング回路は、単極四投型のＧａＡｓスイッチ素子から成り、アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子と、第３受信回路端子に接続された第４端子と、第４受信回路端子に接続された第５端子とを備え、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２、第３、第４受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成され得る。
【００１５】
第１、第２送信回路端子の一方は、異なる二つの周波数帯の送信信号に対応するように構成され得る。
【００１６】
本発明の第２の発明による、複数の送信回路とアンテナ端子との接続及び複数の受信回路とアンテナ端子との接続を切換えるマルチバンド用高周波スイッチモジュールは、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が送受信回路端子に接続された送受信用伝送線路と、
一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と、
一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と、
一端子を送受信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第３半導体スイッチング回路と、
を有し、
第１、第２、第３半導体スイッチング回路の各々がＧａＡｓスイッチ素子と前記他端子に接続したコンデンサとから成り、
第１、第２送信用伝送線路、送受信用伝送線路及び第１、第２、第３半導体スイッチング回路のコンデンサが多層基板内に形成され、
また、第１、第２、第３半導体スイッチング回路のＧａＡｓスイッチ素子が多層基板の表面に塔載されることを特徴としている。
【００１７】
本発明の第２の発明の一つの実施の形態では、四つの受信回路端子とを有し、アンテナ端子と四つの受信回路端子との間に別の半導体スイッチング回路が設けられ、前記別の半導体スイッチング回路は、アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子と、第３受信回路端子に接続された第４端子と、第４受信回路端子に接続された第５端子とを備え、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２、第３、第４受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成され、そして多層基板の表面に塔載され得る。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１９】
図１には、本発明の実施の形態によるマルチバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成を示す。図１においてＡＮＴはアンテナ端子、Ｔｘ１はＧＳＭ８５０及びＧＳＭ９００兼用送信回路端子を成す第１送信回路端子、Ｔｘ２はＤＣＳ及びＰＣＳ兼用送信回路端子を成す第２送信回路端子、Ｔｘ３／Ｒｘ５はＷ−ＣＤＭＡ用送受信回路端子であり、Ｗ−ＣＤＭＡ用送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５は第３送信回路端子及び第５受信回路端子として用いられる。また、Ｒｘ１はＧＳＭ８５０用受信回路端子を成す第１受信回路端子、Ｒｘ２はＧＳＭ９００用受信回路端子を成す第２受信回路端子、Ｒｘ３はＤＣＳ用受信回路端子を成す第３受信回路端子、Ｒｘ４はＰＣＳ用受信回路端子を成す第４受信回路端子である。
【００２０】
アンテナ端子ＡＮＴと第１送信回路端子Ｔｘ１との間には第１送信用伝送線路１が設けられ、アンテナ端子ＡＮＴと第２送信回路端子Ｔｘ２との間には第２送信用伝送線路２が設けられ、またアンテナ端子ＡＮＴと送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５との間には第３送受信用伝送線路３が設けられている。第１送信用伝送線路１は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信信号とＷ−ＣＤＭＡの送信・受信信号、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ及びＰＣＳの受信信号の周波数帯（８６９〜２１７０ＭＨｚ）に対してインピーダンスが高くなるように設定されている。第２送信用伝送線路２は、ＧＳＭ８５０及びＧＳＭ９００の送信信号とＷ−ＣＤＭＡの送信・受信信号、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ及びＰＣＳの受信信号の周波数帯（８２４〜２１７０ＭＨｚ）に対してインピーダンスが高くなるように設定されている。送受信用伝送線路３はＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信・受信信号の周波数帯（８２４〜１９９０ＭＨｚ）に対してインピーダンスが高くなるように設定されている。つまり、第１送信用伝送線路１は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信信号とＷ−ＣＤＭＡの送信・受信信号、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ及びＰＣＳの受信信号の周波数帯（８６９〜２１７０ＭＨｚ）の中心周波数の波長をλとしたときλ／４の長さをもつように構成されている。第２送信用伝送線路２は、ＧＳＭ８５０及びＧＳＭ９００の送信信号とＷ−ＣＤＭＡの送信・受信信号、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ及びＰＣＳの受信信号の周波数帯（８２４〜２１７０ＭＨｚ）の中心周波数の波長をλとしたときλ／４の長さをもつように構成されている。送受信用伝送線路３はＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信・受信信号の周波数帯（８２４〜１９９０ＭＨｚ）中心周波数の波長をλとしたときλ／４の長さをもつように構成されている。
【００２１】
また、第１送信用伝送線路１と第１送信回路端子Ｔｘ１との間には第１低域通過フィルタ４が設けられ、第２送信用伝送線路２と第２送信回路端子Ｔｘ２との間には第２低域通過フィルタ５が設けられ、送受信用伝送線路３とＷ−ＣＤＭＡ用送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５との間には第３低域通過フィルタ６が設けられ、これらの第１、第２、第３低域通過フィルタ４、５、６は高調波をカットするように作用する。しかしこれらの低域通過フィルタは設けなくてもよい。
【００２２】
また、図１において、７、８、９は半導体スイッチング回路を構成している単極単投型（ＳＰＳＴ）のＧａＡｓスイッチ素子で、ＧａＡｓスイッチ素子７の一端子は第１低域通過フィルタ４を介して第１送信回路端子Ｔｘ１に接続され、他端子はコンデンサ１０を介して接地されている。同様に、ＧａＡｓスイッチ素子８の一端子は第２低域通過フィルタ５を介して第２送信回路端子Ｔｘ２に接続され、他端子はコンデンサ１１を介して接地され、また、ＧａＡｓスイッチ素子９の一端子は第３低域通過フィルタ６を介してＷ−ＣＤＭＡ用送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５に接続され、他端子はコンデンサ１２を介して接地されている。
【００２３】
さらに、図１の回路構成において、アンテナ端子ＡＮＴと第１、第２、第３、第４受信回路端子Ｒｘ１〜Ｒｘ４との間には、単極四投型（ＳＰ４Ｔ）のＧａＡｓスイッチ素子から成る半導体スイッチング回路１３が設けられている。この半導体スイッチング回路１３の第１端子１３ａはアンテナ端子ＡＮＴに接続され、第２端子１３ｂは第１受信回路端子Ｒｘ１に接続され、第３端子１３ｃは第２受信回路端子Ｒｘ２に接続され、第４端子１３ｄは第３受信回路端子Ｒｘ３に接続され、また第５端子１３ｅは第４受信回路端子Ｒｘ４に接続されている。半導体スイッチング回路１３は、アンテナ端子ＡＮＴからの受信信号を第１、第２、第３、第４受信回路端子Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４のいずれかに択一的に伝送するように構成されている。
【００２４】
このように構成した図１に示すマルチバンド用高周波スイッチモジュールの回路の動作モードを下表１に示す。
【００２５】
【表１】
2004297240.tif 000003
【００２６】
すなわち、ＧＳＭ８５０及びＧＳＭ９００の送信信号を、第１送信回路端子Ｔｘ１から第１送信用伝送線路１を介してアンテナ端子ＡＮＴへ伝送する場合には、ＧａＡｓスイッチ素子７はオフ状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子８はオン状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子９はオン状態にされ、そしてＧａＡｓスイッチ素子１３はオフ状態にされる。これにより、第１送信用伝送線路１のみが導通状態となり、第１送信回路端子Ｔｘ１からアンテナ端子ＡＮＴへＧＳＭ８５０及びＧＳＭ９００の送信信号を送信することができる。
【００２７】
ＤＣＳ又はＰＣＳの送信信号を、第２送信回路端子Ｔｘ２から送信用伝送線路２を介してアンテナ端子ＡＮＴへ伝送する場合には、ＧａＡｓスイッチ素子７、９はオン状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子８はオフ状態にされ、そしてＧａＡｓスイッチ素子１３はオフ状態にされる。これにより、送信用伝送線路２のみが導通状態となり、第２送信回路端子Ｔｘ２からアンテナ端子ＡＮＴへＤＣＳ又はＰＣＳの送信信号を送信することができる。
【００２８】
ＧＳＭ８５０の受信信号を、アンテナ端子ＡＮＴから第１受信回路端子Ｒｘ１へ伝送する場合には、ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９はオン状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子１３の端子１３ｂはオン状態にされる。これにより、送信用伝送線路１、２、送受信用伝送線路３は遮断状態となり、アンテナ端子ＡＮＴからのＧＳＭ８５０の受信信号を第１受信回路端子Ｒｘ１で受信することができる。
【００２９】
ＧＳＭ９００の受信信号を、アンテナ端子ＡＮＴから第２受信回路端子Ｒｘ２へ伝送する場合には、ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９はオン状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子１３の端子１３ｃはオン状態にされる。これにより、送信用伝送線路１、２、送受信用伝送線路３は遮断状態となり、アンテナ端子ＡＮＴからのＧＳＭ９００の受信信号を第２受信回路端子Ｒｘ２で受信することができる。
【００３０】
ＤＣＳの受信信号を、アンテナ端子ＡＮＴから第３受信回路端子Ｒｘ３へ伝送する場合には、ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９はオン状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子１３の端子１３ｄはオン状態にされる。これにより、送信用伝送線路１、２、送受信用伝送線路３は遮断状態となり、アンテナ端子ＡＮＴからのＤＣＳの受信信号を第３受信回路端子Ｒｘ３で受信することができる。
【００３１】
ＰＣＳの受信信号を、アンテナ端子ＡＮＴから第４受信回路端子Ｒｘ４へ伝送する場合には、ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９はオン状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子１３の端子１３ｅはオン状態にされる。これにより、送信用伝送線路１、２、送受信用伝送線路３は遮断状態となり、アンテナ端子ＡＮＴからのＰＣＳの受信信号を第４受信回路端子Ｒｘ４で受信することができる。
【００３２】
Ｗ−ＣＤＭＡの送信信号を送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５からアンテナ端子ＡＮＴへ伝送する又はＷ−ＣＤＭＡの受信信号をアンテナ端子ＡＮＴから送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５へ伝送する場合には、ＧａＡｓスイッチ素子７、８はオン状態にされ、ＧａＡｓスイッチ素子９はオフ状態にされ、そしてＧａＡｓスイッチ素子１３はオフ状態にされる。これにより、送信用伝送線路１、２は遮断状態となり、アンテナ端子ＡＮＴと送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５との間でＷ−ＣＤＭＡの送信及び受信信号の伝送が行われる。
【００３３】
下表２には、図示実施の形態によるマルチバンド用高周波スイッチモジュールの挿入損失を従来の回路構成のものと比較して示す。
【００３４】
【表２】
2004297240.tif 000004
表２から挿入損失は従来の回路構成の場合に比べて向上していることがわかる。
【００３５】
図２には、図１の回路の第１送信用伝送線路、第２送信用伝送線路２及び第３送信用伝送線路３を低域通過フィルタ１４、１５、１６で構成した場合の回路構成を示す。第１、第２、第３の伝送線路１、２、３を低域通過フィルタ１４、１５、１６で構成した以外で、図１の回路素子と同じ構成のものには、同一の番号が付してある。
【００３６】
低域通過フィルタ１４、１５、１６はそれぞれ、π型の低域通過フィルタであり、１つのインダクタ素子１Ｌ、２Ｌ、３Ｌと、前記インダクタ素子１Ｌ、２Ｌ、３Ｌに並列に接続されたコンデンサ１Ｃ１、２Ｃ１、３Ｃ１と、前記インダクタ素子１Ｌ、２Ｌ、３Ｌに接続され片側が接地された２つのコンデンサ１Ｃ２、１Ｃ３；２Ｃ２、２Ｃ３及び３Ｃ２、３Ｃ３とで構成されている。
【００３７】
図３には、図２に示すような回路構成から成るマルチバンド用高周波スイッチモジュールの積層体に形成した構造を概略分解斜視図で示す。図示する高周波スイッチモジュールは６層の誘電体基板２１、２２、２３、２４、２５、２６で構成される多層基板２７に形成されている。
【００３８】
第１の誘電体基板２１の表面には接地電極Ｇ１が形成され、第２の誘電体基板２２の表面には、コンデンサ１０の一方の電極１０ａ、コンデンサ１１の一方の電極１１ａ及びコンデンサ１２の一方の電極１２ａが形成されている。また、低域通過フィルタ１４を構成するコンデンサ１Ｃ１、１Ｃ２の一方の電極１７ａ、低域通過フィルタ１５を構成するコンデンサ２Ｃ１、２Ｃ２の一方の電極１８ａ及び低域通過フィルタ１６を構成するコンデンサ３Ｃ１、３Ｃ２の一方の電極１９ａも形成されている。
【００３９】
第３の誘電体基板２３の表面には、接地電極Ｇ２とコンデンサ１Ｃ２、１Ｃ３の一方の電極１７ｂ、コンデンサ２Ｃ２、２Ｃ３の一方の電極１８ｂ及びコンデンサ３Ｃ２、３Ｃ３の一方の電極１９ｂが形成され、また、第３の誘電体基板２３の周囲側面に形成された凹部には、第１、第２送信回路端子Ｔｘ１、Ｔｘ２、第１、第２、第３、第４受信回路端子Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３、Ｒｘ４、送受信回路端子Ｔｘ３／Ｒｘ５が形成されている。
【００４０】
第４、第５の誘電体基板２４、２５の表面には、低域通過フィルタ１４を構成するインダクタ素子１Ｌ及び低域通過フィルタ１５を構成するインダクタ素子２Ｌが二層に分けて形成されている。また、第５の誘電体基板２５の表面には、低域通過フィルタ１６を構成するインダクタ素子３Ｌが形成されている。
【００４１】
第６の誘電体基板２６の表面の中央部には、第１、第２、第３、第４ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９、１３を塔載するためのパッドＰが形成され、そして第６の誘電体基板３６の表面の周囲部には、コンデンサ１０、１１、１２の一方の電極１０ａ、１１ａ、１２ａの接続端子１０ｔ、１１ｔ、１２ｔ、コンデンサ１０、１１、１２の他方の電極の接続端子１０ｇ、１１ｇ、１２ｇ、第１、第２、第３、第４ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９、１３の駆動電力供給端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、第１、第２、第３、第４ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９、１３の動作制御端子Ｔ５、Ｔ６、Ｔ７、Ｔ８、接地端子ＧＮＤを構成するパッドが形成されている。
【００４２】
さらに、各基板に形成された回路素子は図３に点線で略示するようにビアホール（図示していない）により所定の基板間で接続されている。そして第１、第２、第３、第４ＧａＡｓスイッチ素子７、８、９、１３と第６の誘電体基板２６の表面上のそれぞれのパッドとの接続はワイヤーボンディングによって行われる。各基板は図４に示すように積層され、マルチバンド用高周波スイッチモジュールの積層構造体となる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明してきたように本発明の第１の発明によるマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいては、送信信号が半導体スイッチング回路を通過しないように構成しているので、伝送損失を低く抑えることができ、また歪みを低く抑えることができ、すなわち高調波の発生を抑えることができる。また分波器を使用してないので構成部品数を大幅に低減でき、製造コストを低減できる。
【００４４】
各送信用伝送線路と関連した送信回路端子との間に低域通過フィルタを設けた場合には、高調波をカットできるので、高調波の発生を更に一層抑えることができる。
【００４５】
また、半導体スイッチング回路にＧａＡｓスイッチ素子を使用した場合には、従来のＰＩＮダーオードを使用したものでは消費電流が７〜８ｍＡであったものを０．１ｍＡ以下の消費電流に低減でき、長期間安定して作動させることができる。
【００４６】
本発明の第２の発明によるマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおいては、従来構造のものに比べて使用する回路素子数を少なくできるので、実装面積を小さくでき、その結果従来構成では５．４ｍｍ×４．０ｍｍ程度であったものを４．５ｍｍ×３．２ｍｍと小型化することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるマルチバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成を示す概略ブロック図。
【図２】本発明の別の実施の形態によるマルチバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成を示す概略ブロック図。
【図３】図２に示すマルチバンド用高周波スイッチモジュールにおける誘電体積層構造体の構成を示す概略分解斜視図。
【図４】図２の誘電体積層構造体の概略斜視図。
【図５】従来の高周波スイッチモジュールの回路構成の一例を示すブロック図。
【符号の説明】
ＡＮＴ  ：アンテナ端子
Ｔｘ１  ：第１送信回路端子
Ｔｘ２  ：第２送信回路端子
Ｒｘ１  ：第１受信回路端子
Ｒｘ２  ：第２受信回路端子
Ｒｘ３  ：第３受信回路端子
Ｒｘ４  ：第４受信回路端子
Ｔｘ３／Ｒｘ５：送受信回路端子
１      ：第１送信用伝送線路
２      ：第２送信用伝送線路
３      ：送受信用伝送線路
４      ：第１低域通過フィルタ
５      ：第２低域通過フィルタ
６      ：第３低域通過フィルタ
７      ：ＧａＡｓスイッチ素子
８      ：ＧａＡｓスイッチ素子
９      ：ＧａＡｓスイッチ素子
１０    ：コンデンサ
１１    ：コンデンサ
１２    ：コンデンサ
１３    ：ＧａＡｓスイッチ素子
１６    ：低域通過フィルタ
１７    ：低域通過フィルタ
１８    ：低域通過フィルタ
【図１】
2004297240.tif 000005
【図２】
2004297240.tif 000006
【図３】
2004297240.tif 000007
【図４】
2004297240.tif 000008
【図５】
2004297240.tif 000009