(57)【要約】【課題】始動時のアイドル運転時に、迅速に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置を得る。【解決手段】排気管に設けられた三元コンバータ触媒と、触媒温度取得手段と、運転状態に応じてアイドル回転数を制御するアイドル制御手段と、触媒温度が触媒の活性温度に対応した所定温度よりも低い場合に、触媒の活性化を促進するために、目標アイドル回転数を通常制御時のアイドル回転数よりも上昇側に補正するアイドル回転数上昇手段Ｓ３３とを備えている。アイドル回転数上昇手段は、触媒温度が所定温度よりも低い場合に、触媒温度が活性温度に達するまでの所定期間にわたって、目標アイドル回転数を通常制御時のアイドル回転数よりも高い活性化上昇回転数に設定する。【選択図】図２２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関の排気管に設けられた三元コンバータからなる触媒と、
前記触媒の温度に対応した情報を触媒温度として取得するための触媒温度取得手段と、
前記内燃機関の運転状態を検出する各種センサと、
前記運転状態に応じて前記内燃機関のアイドル回転数を制御するアイドル制御手段と、
前記触媒温度が前記触媒の活性温度に対応した所定温度よりも低い場合に、前記触媒の活性化を促進するために、前記内燃機関の目標アイドル回転数を通常制御時のアイドル回転数よりも上昇側に補正するアイドル回転数上昇手段とを備え、
前記アイドル回転数上昇手段は、前記触媒温度が前記所定温度よりも低い場合に、前記触媒温度が前記活性温度に達するまでの所定期間にわたって、前記目標アイドル回転数を前記通常制御時のアイドル回転数よりも高い活性化上昇回転数に設定することを特徴とする内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項２】
前記アイドル回転数上昇手段は、
前記触媒温度を前記活性温度よりも低い第１の所定温度と比較する第１の比較手段と、
前記触媒温度を前記第１の所定温度よりも高く且つ前記活性温度に対応した第２の所定温度と比較する第２の比較手段とを含み、
前記触媒温度が前記第１の所定温度と前記第２の所定温度との間の範囲内にある場合には、前記目標アイドル回転数を前記活性化上昇回転数に設定することを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項３】
前記アイドル回転数上昇手段は、前記目標アイドル回転数の切換制御時に前記目標アイドル回転数を徐々に変更するためのテーリング手段を含み、
前記テーリング手段は、
前記触媒温度が前記第１の所定温度以上の場合には、前記目標アイドル回転数を、前記通常制御時のアイドル回転数から前記活性化上昇回転数まで一定値ずつ徐々に増加させ、
前記触媒温度が前記第２の所定温度よりも高い場合には、前記目標アイドル回転数を、前記活性化上昇回転数から前記通常制御時のアイドル回転数まで一定値ずつ徐々に減少させることを特徴とする請求項２に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項４】
前記触媒温度取得手段は、前記触媒に設けられて前記触媒温度を直接検出するための温度センサを含むことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項５】
前記触媒温度取得手段は、
前記内燃機関の排気管に設けられて排気温を検出する排気温センサと、
前記排気温に基づいて前記触媒温度を推定演算する触媒温度推定手段とを含むことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項６】
前記触媒温度取得手段は、少なくとも前記内燃機関の始動時水温および吸気量情報に基づいて前記触媒温度を推定演算する触媒温度推定手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項７】
前記アイドル回転数上昇手段は、前記排気管を含む排気系の熱容量に応じて、前記活性化上昇回転数を設定することを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項８】
前記アイドル回転数上昇手段は、前記活性化上昇回転数として、前記目標アイドル回転数を通常時のアイドル回転数よりも約１００ｒｐｍだけ上昇させた値を設定することを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項９】
前記運転状態に応じて前記内燃機関の空燃比を制御する空燃比制御手段と、
前記触媒温度が前記所定温度よりも低い場合に、前記内燃機関の目標空燃比を、通常制御時の空燃比よりも高く且つ理論空燃比よりも高い活性化リーン空燃比に設定する空燃比リーン化手段と
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項１０】
前記運転状態に応じて前記内燃機関の点火時期を制御する点火時期制御手段と、
前記触媒温度が前記所定温度よりも低い場合に、第２の所定期間にわたって前記内燃機関の目標点火時期を、通常制御時の点火時期よりも遅角側の活性化遅角点火時期に補正する点火時期遅角手段と
を備えたことを特徴とする請求項９に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項１１】
前記点火時期遅角手段は、
前記触媒温度を前記活性温度よりも低い第１の所定温度と比較する第１の比較手段と、
前記触媒温度を前記第１の所定温度よりも高く且つ前記活性温度に対応した第２の所定温度と比較する第２の比較手段と、
前記目標点火時期の切換制御時に前記目標点火時期を徐々に変更するためのテーリング手段とを含み、
前記テーリング手段は、
前記触媒温度が前記第１の所定温度以上の場合には、前記目標点火時期を、前記通常制御時の点火時期から前記活性化遅角点火時期まで一定値ずつ徐々に遅角させ、
前記触媒温度が前記第２の所定温度よりも高い場合には、前記目標点火時期を、前記活性化遅角点火時期から前記通常制御時の点火時期まで一定値ずつ徐々に進角させることを特徴とする請求項１０に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項１２】
前記点火時期遅角手段は、前記触媒温度に応じて、前記活性化遅角点火時期および前記第２の所定期間の少なくとも一方を可変設定することを特徴とする請求項１０に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項１３】
前記点火時期遅角手段は、前記第２の所定期間にわたって、前記目標点火時期を間欠的に遅角側に補正することを特徴とする請求項１０に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【請求項１４】
前記運転状態に応じて前記内燃機関の点火時期を制御する点火時期制御手段と、
前記触媒温度が前記所定温度よりも低い場合に、第２の所定期間にわたって前記内燃機関の目標点火時期を遅角側に補正する点火時期遅角手段と
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関の触媒昇温制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、火花点火式の内燃機関における排気ガス規制に対応した触媒昇温制御装置に関し、特に触媒温度を迅速に活性温度まで上昇させることのできる内燃機関の触媒昇温制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、内燃機関の排気管には、排気ガスを浄化するために触媒が設けられている。しかし、触媒は活性温度において機能するので、内燃機関が冷機状態の場合には、たとえば高温の排気ガスにより触媒温度を上昇させる必要がある。
【０００３】
したがって、従来の内燃機関の触媒昇温制御装置においては、始動時の触媒温度の上昇を促進するために、たとえば点火時期を遅角補正するなどの技術が提案されていた（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載された排気ガス浄化装置においては、加熱された二次エアを吸気系に導入するとともに、点火時期を遅角補正することにより、始動時の触媒温度を迅速に上昇させている。
【０００５】
図３８は従来の内燃機関の触媒昇温制御装置を示す構成図である。
また、図３９は触媒温度ＴＣに対する排気ガスの浄化率の変化を示す説明図であり、横軸は触媒温度ＴＣ、縦軸は浄化率[％]を示す。
【０００６】
図３９において、実線はＣＯ（一酸化炭素）およびＨＣ（炭化水素）に対する浄化率、破線はＮＯｘ（酸化窒素）に対する浄化率を示す。浄化率は、触媒温度ＴＣが上昇した場合、活性開始温度（＝１３０℃）に達すると、０％から上昇し始め、完全活性温度（＝１８０℃）に達するとほぼ最大値（＝９８％）になる。
【０００７】
図３８において、内燃機関の本体を構成するエンジン１には、エンジン１内に空気を導入するための吸気管２と、エンジン１内で燃焼した排気ガスを排出するための排気管３とが設けられている。
【０００８】
吸気管２の上流部分には、エアクリーナ４が設けられており、エアクリーナ４の下流側には、エンジン１の吸気量Ｑａを検出するエアフローセンサ５が設けられている。
【０００９】
また、エアフローセンサ５の下流側の吸気管２内には、吸気量Ｑａを調整するためのスロットル弁６が設けられている。
【００１０】
さらに、吸気管２には、スロットル弁６をバイパスするバイパス通路７と、バイパス通路７の開度を調整するためのアイドル回転数制御バルブ（以下、ＩＳＣバルブという）８とが設けられている。
【００１１】
ＩＳＣバルブ８は、スロットル弁６をバイパスして流れるバイパス吸気量を調整して、エンジン１のアイドル回転数を目標値に制御する。
排気管３には、排気ガス中の酸素濃度を空燃比Ａ／Ｆとして検出する空燃比センサ９が設けられている。
【００１２】
また、排気管３の下流側には、化学反応により排気ガスを浄化するための触媒１０および１１が設けられている。一方の触媒１０は排気管３の直下部分に設けられ、他方の触媒１１は排気管３の床下部分に設けられている。
一般に、触媒１０、１１は、三元触媒と称され、ＣＯおよびＨＣを酸化するとともに、ＮＯｘを還元して、排気ガス内の有害成分を除去する。
【００１３】
エンジン１の各気筒毎に対応した吸気部には、燃料ポンプ（図示せず）から送出される燃料を噴射するためのインジェクタ１２が設けられている。
また、エンジン１には、エンジン回転数Ｎｅに対応したクランク角信号ＣＡを出力するクランク角センサ１３が設けられている。
【００１４】
マイクロコンピュータを含む電子式制御ユニット（以下、ＥＣＵという）１４は、各センサから入力される運転状態情報（吸気量Ｑａ、空燃比Ａ／Ｆおよびクランク角信号ＣＡなど）に基づいてエンジン１の制御量を演算し、インジェクタ１２を駆動するための燃料噴射信号Ｊ、ＩＳＣバルブ８を駆動するためのＩＳＣ制御信号Ｃ、および点火装置（後述する）を駆動するための点火信号Ｐなどを出力する。
【００１５】
なお、ここでは、図示されていないが、一般に、エンジン１の運転状態を検出する各種センサとしては、エンジン１の冷却水温ＴＷを検出する水温センサ、吸入空気の温度を検出する吸気温センサなどが設けられる。
【００１６】
点火装置は、エンジン１の各気筒内に設けられた点火プラグ（図示せず）と、バッテリに接続されて点火プラグに高電圧を印加する点火コイル１５と、点火信号Ｐに応答して点火コイル１５を通電遮断するイグナイタ１６とにより構成されている。
【００１７】
次に、図３８に示した従来の内燃機関の触媒昇温制御装置の動作について説明する。
まず、インジェクタ１２は、燃料噴射信号Ｊの駆動パルス幅により所要量の燃料をエンジン１に噴射する。また、イグナイタ１６は、点火信号Ｐに応答して点火コイル１５を通電遮断し、点火プラグに高電圧を印加して気筒内の混合気を着火する。
【００１８】
このとき、インジェクタ１２から噴射される燃料量は、吸気量Ｑａおよびエンジン回転数Ｎｅに応じて算出されるとともに、空燃比Ａ／Ｆに基づいて補正される。
また、点火タイミングは、吸気量Ｑａおよびエンジン回転数Ｎｅに基づいて設定される。
【００１９】
さらに、燃料噴射タイミングおよび点火タイミングは、周知のように、クランク角信号ＣＡのパルスエッジ（基準クランク角位置）をタイマ制御基準として演算される。
【００２０】
なお、エンジン１で燃焼された混合気は、排気ガスとなって排気管３から排出されるが、触媒１０、１１を介して浄化されて有害成分が除去される。
また、触媒１０、１１の使用温度範囲は、通常１３０℃〜９００℃程度である。
【００２１】
ここで、触媒１０、１１の温度を迅速に上昇させる場合には、上記公知文献に参照されるように、通常演算に基づく点火信号Ｐを補正して、目標点火時期を遅角側に補正する。
【００２２】
このような点火時期の遅角補正により、燃焼直後（または、燃焼中）の高温の排気ガスが排気管３に排出されるので、触媒１０、１１の温度は、冷機温度から活性温度まで迅速に上昇する。
【００２３】
一方、アイドル運転状態の場合、スロットル弁６が全閉されて車両が停止するが、ＥＣＵ１４は、ＩＳＣバルブ８の開度を調整してアイドル回転数を制御する。
【００２４】
すなわち、アイドル時において、ＥＣＵ１４は、目標アイドル回転数を得るためのバイパス吸気量を演算してＩＳＣ制御信号Ｃを出力するとともに、実際のエンジン回転数Ｎｅと目標アイドル回転数との偏差に基づいてＩＳＣ制御信号Ｃを補正し、バイパス吸気量（ＩＳＣバルブ８の開度）をフィードバック制御する。
【００２５】
また、エンジン１の冷機状態においては、目標アイドル回転数を所定量（１００ｒｐｍ〜２００ｒｐｍ）だけ上昇させて、エンジン１を安定燃焼させることになる。
【００２６】
しかし、近年では、ＬＥＶ（Ｌｏｗ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）と称されるように、排気ガス規制が強化されつつあり、これに対応するためには、さらに迅速に触媒温度を活性温度に上昇させる必要がある。また、触媒の早期活性化を実現する際には、燃費や運転性（ドライバビリティ）の劣化などの弊害の発生を回避することも要求される。
【００２７】
【特許文献１】実開昭５１−７９２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
従来の内燃機関の触媒昇温制御装置は以上のように、たとえば点火時期を遅角補正しているものの、触媒温度を十分に早く上昇させることができず、したがって、始動時やアイドル運転時において排気ガス規制を十分に満たす程度に排気ガスを浄化することができないという問題点があった。
【００２９】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、空燃比をリーン化したり、アイドル回転数を通常の上昇補正時（通常制御時）よりもさらに上昇させて、始動時やアイドル運転時においても迅速に触媒温度を上昇させることにより、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
また、この発明に係る内燃機関の触媒昇温制御装置は、内燃機関の排気管に設けられた三元コンバータからなる触媒と、触媒の温度に対応した情報を触媒温度として取得するための触媒温度取得手段と、内燃機関の運転状態を検出する各種センサと、運転状態に応じて内燃機関のアイドル回転数を制御するアイドル制御手段と、触媒温度が触媒の活性温度に対応した所定温度よりも低い場合に、触媒の活性化を促進するために、内燃機関の目標アイドル回転数を通常制御時のアイドル回転数よりも上昇側に補正するアイドル回転数上昇手段とを備え、アイドル回転数上昇手段は、触媒温度が所定温度よりも低い場合に、触媒温度が活性温度に達するまでの所定期間にわたって、目標アイドル回転数を通常制御時のアイドル回転数よりも高い活性化上昇回転数に設定するものである。
【発明の効果】
【００３１】
この発明によれば、始動時のアイドル運転時に、迅速に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に関連した装置を図について説明する。
なお、この発明の実施の形態１に関係した装置の全体構成は前述（図３８参照）と同様であり、ＥＣＵ１４内の動作プログラムの一部が異なるのみである。
【００３３】
この場合、触媒１０、１１の温度に対応した情報を触媒温度ＴＣとして取得するための触媒温度取得手段が設けられており、触媒温度取得手段は、触媒１０、１１に設けられて触媒温度ＴＣを直接検出するための温度センサ（図示せず）により構成されている。
【００３４】
また、各種センサとしては、吸気量Ｑａを検出するエアフローセンサ５と、クランク角信号ＣＡ（エンジン回転数Ｎｅ）を生成するクランク角センサ１３とに加えて、エンジン１の冷却水温ＴＷを検出する水温センサが設けられている。
【００３５】
ＥＣＵ１４は、運転状態に応じてエンジン１の空燃比Ａ／Ｆを制御する空燃比制御手段と、触媒温度ＴＣが活性温度（活性開始温度：１３０℃）に対応した所定温度Ｔ２よりも低い場合に、エンジン１の目標空燃比Ａ／Ｆｏを、通常制御時の空燃比よりも高く且つ理論空燃比（＝１４．７）よりも高い活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬ（＝１６．０）に設定する空燃比リーン化手段とを備えている。
【００３６】
ＥＣＵ１４内の空燃比リーン化手段は、触媒温度ＴＣを、活性温度の近傍の第１の所定温度Ｔ１と比較する第１の比較手段と、触媒温度ＴＣを、第１の所定温度Ｔ１よりも高く且つ活性温度に対応した第２の所定温度Ｔ２と比較する第２の比較手段とを含み、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１と第２の所定温度Ｔ２との間の範囲内にある場合には、目標空燃比Ａ／Ｆｏを活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに設定する。
【００３７】
したがって、ＥＣＵ１４内の空燃比制御手段は、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１よりも低い場合、および、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２よりも高い場合に、目標空燃比Ａ／Ｆｏを通常時（リッチ側）の空燃比Ａ／Ｆｎ（１４．７以下）に設定する。
【００３８】
すなわち、ＥＣＵ１４は、触媒温度ＴＣが活性温度よりも低すぎる場合（ＴＣ＜Ｔ１）には、通常制御時（リッチ側）の空燃比Ａ／Ｆｎにより排気温ＴＨを上昇させて触媒の活性化を行い、触媒温度ＴＣが活性温度に達した後（ＴＣ＞Ｔ２）は、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎによるフィードバック制御を行う。
【００３９】
一方、触媒温度ＴＣが活性温度の近傍で低い値（Ｔ１≦ＴＣ≦Ｔ２）を示す場合には、目標空燃比Ａ／Ｆｏを活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに設定して排気中の酸素量を増加させることにより、酸化反応によって触媒反応温度を上昇させて触媒の活性化を促進する。
【００４０】
また、ＥＣＵ１４内の空燃比リーン化手段は、目標空燃比Ａ／Ｆｏの制御切換時に目標空燃比Ａ／Ｆｏを徐々に変更するためのテーリング手段を含む。
【００４１】
すなわち、空燃比リーン化手段内のテーリング手段は、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１以上に達した場合には、目標空燃比Ａ／Ｆｏを、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎから活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬまで、一定値ΔＦ１ずつ徐々に増加させる。
【００４２】
また、テーリング手段は、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２よりも高い温度に達した場合には、目標空燃比Ａ／Ｆｏを、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬから通常時の空燃比Ａ／Ｆｎまで、一定値ΔＦ２ずつ徐々に減少させる。
【００４３】
次に、図３８および図３９とともに、図１〜図１２を参照しながら、この発明の実施の形態１に関連した装置の動作について説明する。
図１はこの発明の実施の形態１に関連した装置による触媒温度に応じた空燃比制御動作を示すフローチャートである。
【００４４】
また、図２は図１内のステップＳ３（活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬを目標値とした第１のテーリング処理）を示すフローチャートであり、図３は図１内のステップＳ５（通常時の空燃比Ａ／Ｆｎを目標値とした第２のテーリング処理）を示すフローチャートである。
【００４５】
図４は冷却水温ＴＷ、通常（制御）時の空燃比Ａ／Ｆｎ、触媒温度ＴＣ、目標空燃比Ａ／Ｆｏのそれぞれの時間変化を示すタイミングチャートである。
図４において、触媒温度ＴＣは、冷却水温ＴＷおよび通常時の空燃比Ａ／Ｆｎの上昇にともなって上昇する。
【００４６】
触媒の活性化を促進するための活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬ（一点鎖線参照）は、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎ（理論空燃比：１４．７）よりも高い値に設定される。
ここでは、リーン空燃比Ａ／ＦＬが約「１６．０」に設定されているが、理論空燃比（１４．７）よりもリーン側の（高い）値であれば任意の値に設定され得る。
【００４７】
図４のように、目標空燃比Ａ／Ｆｏは、触媒温度ＴＣが、第１の所定温度Ｔ１（活性温度よりも低い７０℃程度）以上で第２の所定温度Ｔ２（活性温度に対応した１３０℃程度）以下の場合には、通常演算で得られた従来値（破線）よりも高い活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに設定される。また、このときの制御切換時において、目標空燃比Ａ／Ｆｏは、テーリング処理により徐々に増減される。
【００４８】
図５〜図８は始動時におけるエンジン状態の時間変化を示す説明図であり、図５はエンジン回転数Ｎｅの変化曲線、図６は空燃比Ａ／Ｆの変化曲線、図７は触媒１０の上流側温度ＴＣｆの変化曲線、図８は触媒１０の下流側温度ＴＣｒの変化曲線をそれぞれ示している。
【００４９】
図５〜図８において、横軸は時間ｔであり、実線は通常制御時のエンジン回転数における変化曲線、一点鎖線は通常制御時よりも２００ｒｐｍだけ上昇させたエンジン回転数における変化曲線をそれぞれ示している。また、各図において、破線は強制的にリーン化した場合の変化曲線である。
【００５０】
図９は空燃比Ａ／Ｆに対する排気温ＴＨの変化を示す特性図、図１０は触媒温度ＴＣの時間変化を示す特性図である。
図１０において、実線は空燃比Ａ／Ｆがリッチ状態（１３．０程度）での特性曲線、一点鎖線は空燃比Ａ／Ｆがリーン状態（１６．０程度）での特性曲線である。
【００５１】
図１１は冷却水温ＴＷ[℃]に対する空燃比Ａ／Ｆの変化を示す特性図であり、図１１において、実線は通常時の空燃比Ａ／Ｆｎの特性曲線、一点鎖線は活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬ（１６．０で一定）である。ただし、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬは、可変設定可能である。
【００５２】
図１２は通常制御時での始動直後の空燃比Ａ／Ｆｎの時間変化を示す説明図である。
図１２において、空燃比Ａ／Ｆは、始動開始時刻ｔ１（始動モータ駆動時刻）から実際のエンジン始動時刻ｔ２までの期間はリッチ側（＜１４．７）に設定され、エンジン始動時刻ｔ２からリーン側に移行される。
【００５３】
また、図１２内の始動後において、理論空燃比（＝１４．７）から減算される補正量α１は、エンジン１の始動直後の冷機状態を考慮したリッチ化補正量であり、補正量α２は、エンジン１を安定に暖機するためのリッチ化補正量である。各補正量α１およびα２は、時間ｔの経過とともに減少していく。
【００５４】
図１において、ＥＣＵ１４は、まず、温度センサから検出された触媒温度ＴＣを第１の所定温度Ｔ１（たとえば、１００℃程度）と比較し、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１よりも低いか否かを判定する（ステップＳ１）。
【００５５】
もし、ＴＣ＜Ｔ１（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、触媒温度ＴＣが低すぎて触媒がほとんど機能していないので、目標空燃比Ａ／Ｆｏを通常時の空燃比Ａ／Ｆｎ（図１２参照）に設定し（ステップＳ２）、燃焼温度の上昇により触媒活性化を促進する。
【００５６】
また、ステップＳ１において、ＴＣ≧Ｔ１（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、活性温度に達していないものの触媒が機能する温度に近いので、触媒反応温度を上昇させるために、第１の空燃比Ａ／Ｆ１（活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに対応）を目標値Ａ／Ｆｏとした第１のテーリング処理を実行する（ステップＳ３）。
【００５７】
第１のテーリング処理（ステップＳ３）において、目標空燃比Ａ／Ｆｏは、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬ（１６．０程度）に向けて漸増される。
すなわち、第１の空燃比Ａ／Ｆ１は、直ちに活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに設定されるのではなく、図２（後述する）のように、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎから活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに向けて漸増され、走行フィーリングの悪化を防止する。
【００５８】
続いて、ＥＣＵ１４は、触媒温度ＴＣを活性温度（１８０℃程度）に対応した第２の所定温度Ｔ２（＞Ｔ１）と比較し、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２よりも高い（活性温度に達した）か否かを判定する（ステップＳ４）。
【００５９】
もし、ＴＣ＞Ｔ２（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、触媒が十分に活性化したものと見なして、第２の空燃比Ａ／Ｆ２（通常時の空燃比Ａ／Ｆｎに対応）を目標値Ａ／Ｆｏとした第２のテーリング処理を実行し（ステップＳ５）、図１の処理ルーチンをリターンする。
【００６０】
第２のテーリング処理（ステップＳ５）において、第２の空燃比Ａ／Ｆ２は、直ちに通常時の空燃比Ａ／Ｆｎ（１４．７以下のリッチ側）に設定されるのではなく、図３（後述する）のように、第２の空燃比Ａ／Ｆ２（活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬ）から通常時の空燃比Ａ／Ｆｎに向けて漸減され、走行フィーリングの悪化を防止する。
【００６１】
一方、ステップＳ４において、ＴＣ≦Ｔ２（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、ステップＳ５を実行せずに、図１の処理ルーチンをリターンする。
これにより、Ｔ１≦ＴＣ≦Ｔ２の範囲内において、目標空燃比Ａ／Ｆｏは、理論空燃比以上の活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬ（第１の空燃比Ａ／Ｆ１）に設定される。
【００６２】
なお、第１の所定温度Ｔ１を活性開始温度よりも低く設定したが、第１の所定温度Ｔ１を活性開始温度よりも高い温度（１４０℃程度）に設定してもよい。
【００６３】
図１内の第１のテーリング処理（ステップＳ３）は、具体的には図２のように実行される。
図２において、テーリング手段は、まず、ステップＳ３を実行すべき所定タイミングであるか否かを判定する（ステップＳ１１）。
【００６４】
なお、ステップＳ１１を実行する所定タイミングは、たとえば１００ｍｓｅｃ毎の一定周期に設定されるか、または、各点火時期毎に同期したタイミングに設定される。
【００６５】
もし、所定タイミングでない（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま、図２の処理ルーチンをリターンし、所定タイミングである（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、最小値選択処理（ステップＳ１２）により、第１の空燃比Ａ／Ｆ１を漸増設定して、図２の処理ルーチンをリターンする。
【００６６】
最小値選択処理（ステップＳ１２）においては、前回の第１の空燃比Ａ／Ｆ１（ｎ−１）に一定値ΔＦ１を加算した値（＝Ａ／Ｆ１（ｎ−１）＋ΔＦ１）と、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬ（たとえば、１６．０）とのうちのいずれか小さい方（リッチ側）の値（最小値ｍｉｎ）が、今回の第１の空燃比Ａ／Ｆ１として設定される。
【００６７】
すなわち、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１以上に達した直後においては、第１の空燃比Ａ／Ｆ１の初期値が通常時の空燃比Ａ／Ｆｎよりも低い（活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬよりも小さい）値に設定されているので、前回値Ａ／Ｆ１（ｎ−１）に一定値ΔＦ１を加算した値が最小値ｍｉｎとなり、今回の第１の空燃比Ａ／Ｆ１として選択設定される。
【００６８】
その後、第１の空燃比Ａ／Ｆ１は、ステップＳ１２の実行毎に、一定値ΔＦ１の加算によって徐々にリーン化（上昇）していき、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに達した時点で、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬにクリップされる。
【００６９】
なお、一定値ΔＦ１は、リーン化を迅速にするために、無限大に設定されてもよい。
また、第１の空燃比Ａ／Ｆ１の初期値は、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎよりも低く（リッチ側に）設定された場合を示したが、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎと同一値に設定されてもよい。
【００７０】
一方、図１内の第２のテーリング処理（ステップＳ５）は、具体的には図３のように実行される。
図３において、テーリング手段は、まず、前述のステップＳ１１と同様に、ステップＳ５を実行すべき所定タイミングであるか否かを判定する（ステップＳ１１Ａ）。
【００７１】
もし、所定タイミングでない（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま図３の処理ルーチンをリターンし、所定タイミングである（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、最大値選択処理（ステップＳ１２Ａ）により、第２の空燃比Ａ／Ｆ２を漸減設定して、図３の処理ルーチンをリターンする。
【００７２】
最大値選択処理（ステップＳ１２Ａ）においては、前回の第２の空燃比Ａ／Ｆ２（ｎ−１）から一定値ΔＦ２を減算した値（＝Ａ／Ｆ２（ｎ−１）−ΔＦ２）と、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎとのうちのいずれか大きい方（リーン側）の値（最大値ｍａｘ）が、第２の空燃比Ａ／Ｆ２として設定される。
【００７３】
すなわち、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２に達した直後においては、第２の空燃比の初期値が活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに一致している（通常時の空燃比Ａ／Ｆｎよりも大きい）ので、前回値から一定値ΔＦ２を減算した値が最大値ｍａｘとなり、今回の第２の空燃比Ａ／Ｆ２として設定される。
【００７４】
その後、第２の空燃比Ａ／Ｆ２は、ステップＳ１２Ａの実行毎に、一定値ΔＦ２の減算によって徐々にリッチ化（減少）していき、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎまで減少した時点で、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎにクリップされる。
【００７５】
なお、触媒の活性開始温度（１３０℃）に対応した第１の所定温度Ｔ１は、触媒および排気系の構造などに応じて可変設定される。
活性開始温度を超えて触媒でのリーン状態で酸化反応を確実に行う場合、第２の所定温度Ｔ２は、活性温度に所定の余裕温度（１０℃〜２０℃）を加算した値（１４０℃〜１５０℃程度）に設定され得る。
【００７６】
この場合、活性温度以上（または、活性温度近傍）での活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬによる制御期間が開始されるので、排気系の温度上昇が遅れたとしても、酸化反応の温度により触媒を十分に加熱することができる。
【００７７】
また、触媒温度ＴＣが確実に活性温度（酸化反応を起こして昇温促進が可能な温度）に達した後に、第２のテーリング処理（ステップＳ１２Ａ）により、通常時の空燃比Ａ／Ｆｎに復帰させることができる。
【００７８】
また、活性開始温度に達したときに酸化反応を起こす場合、第１の所定温度Ｔ１は、排気系の熱容量ＣＥが比較的小さい場合には、触媒の活性温度から所定の余裕温度（１０℃〜３０℃）を減算した値（１００℃〜１２０℃程度）に設定され得る。
【００７９】
この場合、触媒が活性化される直前の比較的早いタイミングで、リーン時の空燃比Ａ／Ｆｎに制御するので、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬによる制御を無駄に継続することなく、触媒が活性化する直前（または、ちょうど活性化した時点）で確実に酸化反応を起こして、有効に触媒を昇温させることができる。
【００８０】
なお、第２の空燃比Ａ／Ｆ２の初期値は、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに設定された場合を示したが、活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬよりも高い値（リーン側）に設定されてもよい。
【００８１】
また、始動時の空燃比Ａ／Ｆｎ（図１２参照）の制御により、実際の空燃比Ａ／Ｆは、図６内の破線のように、始動初期においては、通常制御時（実線）よりもリッチ側に補正され、その後、リーン側（１４．７以上）に補正される。
【００８２】
また、触媒１０の上流側温度ＴＣｆは、図７内の破線のように、リーン化により、通常制御時よりも低下する。
【００８３】
一方、触媒１０の下流側温度ＴＣｒは、図８のように、排気系の熱容量ＣＥに応じた期間（通常のエンジン回転数（実線）においては７秒から２５秒までの１８秒間、上昇補正時のエンジン回転数（一点鎖線）においては、７秒から１５秒までの８秒間）にわたって一定値を示した後、徐々に上昇する。
【００８４】
図９は空燃比Ａ／Ｆに対する排気温ＴＨの変化を示し、図９において、排気温ＴＨは、理論空燃比（１４．７）よりもリッチ側の値（１２．０程度）で最大値となる。したがって、空燃比Ａ／Ｆが１２．０から上昇（リーン化）するにつれて、排気温ＴＨは徐々に減少する。
【００８５】
なお、空燃比Ａ／Ｆがリーン化された場合、排気ガス中には多量の酸素が含まれるので、排気ガス中のＨＣおよびＣＯは、触媒中の酸化反応により大量に発熱する。
【００８６】
したがって、図１０のように、触媒温度ＴＣが活性温度（＝１３０℃）に達した後は、リッチ時（実線参照）の場合よりも、リーン時（一点鎖線参照）の場合の方が、触媒温度ＴＣが迅速に上昇することになる。
【００８７】
このように、触媒温度ＴＣに応じて目標空燃比Ａ／Ｆｏをリーン化補正し、最小限の出力トルクを維持できる範囲内で、運転状態に基づく通常時の空燃比Ａ／Ｆｎよりもリーン化し、且つ少なくとも理論空燃比よりもリーン化する。
【００８８】
この結果、触媒の活性温度の前後において、図１０のように、触媒中でのＨＣおよびＣＯの酸化反応促進により、昇温を促進することができる。したがって、触媒の早期活性化を促進することができる。
【００８９】
なお、上記第１の例では、触媒温度ＴＣを直接検出したが、他の各種センサ（運転状態）情報に基づいて触媒温度ＴＣを推定演算してもよい。
以下、排気温ＴＨから触媒温度ＴＣを推定演算した第２の例について説明する。
【００９０】
なお、第２の例の場合も、基本構成は前述と同様であり、ＥＣＵ１４内の動作プログラムの一部が上記第１の例と異なるのみである。
この場合、触媒温度取得手段は、排気管３に設けられて排気温ＴＨを検出する排気温センサ（図示せず）と、ＥＣＵ１４内に設けられて排気温ＴＨから触媒温度ＴＣを推定演算する触媒温度推定手段とにより構成される。
【００９１】
各種センサとしては、排気温センサに加えて、吸気温ＴＡを検出する吸気温センサおよび冷却水温ＴＷを検出する水温センサ（図示せず）などが設けられる。
また、ＥＣＵ１４は、触媒温度推定手段に加えて、少なくともエンジン１の始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓから触媒の初期温度（始動時触媒温度）ＴＣｓを推定演算する初期温度推定手段を含む。
【００９２】
なお、触媒温度ＴＣの上昇状態は、排気温ＴＨのみに依存するのでなく、たとえば、排気系の熱容量が大きい場合には排気系による熱エネルギーの吸収により抑制される。したがって、触媒温度ＴＣの推定演算においては、排気系温度ＴＥを考慮する必要がある。
【００９３】
ＥＣＵ１４内の初期温度推定手段は、始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓがほぼ等しい場合には、始動時水温ＴＷｓを触媒温度の初期値ＴＣｓおよび排気系温度の初期値（始動時排気系温度）ＴＥｓとして推定演算する。
【００９４】
また、初期温度推定手段は、始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓが異なる場合には、始動時水温ＴＷｓと始動時吸気温ＴＡｓとの偏差ΔＴｓに基づいて触媒温度の初期値ＴＣｓおよび排気系温度の初期値ＴＥｓを推定演算する。
【００９５】
次に、図３８および図３９とともに、図１３〜図１９を参照しながら、この発明の実施の形態１の関連した装置の第２の例による動作について説明する。
図１３は第２の例による触媒温度の推定演算処理動作を示すフローチャートである。
【００９６】
図１４は図１３内の初期触媒温度ＴＣｓの推定処理（ステップＳ２３〜Ｓ２５）を示す説明図である。
図１４において、横軸はエンジン１の始動時における冷却水温ＴＷｓと吸気温ＴＡｓとの温度偏差ΔＴｓ（＝ＴＷｓ−ＴＡｓ）である。
【００９７】
図１５は排気ガスの熱エネルギー（排気熱量）の消費状態を示す説明図であり、図１５において、排気ガスによる排気熱量ＱＨは、排気系への熱伝導量ＱＥと、触媒への熱伝導量ＱＣと、外気への放熱量ＱＸとに分割されて消費される。
【００９８】
排気系への熱伝導量ＱＥは、排気系の熱容量ＣＥおよび熱抵抗値ＲＥにより決定し、触媒への熱伝導量ＱＣは、触媒の熱容量ＣＣおよび熱抵抗値ＲＣにより決定し、外気への放熱量ＱＸは、外気の熱抵抗値ＲＸにより決定する。
【００９９】
図１６は排気系への熱伝導量ＱＥと排気系の温度上昇分ΔＴＥとの関係を示す特性図、図１７は排気系への熱伝導量ＱＥと排気系の熱時定数τＥとの関係を示す特性図である。
【０１００】
図１６において、排気系への総熱伝導量ΣＱＥは、排気系温度ＴＥと同等と見なすことができる。したがって、排気系温度ＴＥは、温度上昇分ΔＴＥを用いて、以下の（１）式のように与えられる。
【０１０１】
ＴＥ＝ＴＥ（ｎ−１）＋ΔＴＥ  ・・・（１）
【０１０２】
ただし、（１）式において、ＴＥ（ｎ−１）は排気系温度ＴＥの前回値である。
同様に、図１７において、排気系への総熱伝導量ΣＱＥに相当する排気系温度ＴＥは、フィルタ係数となる熱時定数τＥを用いて、以下（２）式のように与えられる。
【０１０３】
ＴＥ＝ＴＥ（ｎ−１）×（１−τＥ）＋ＱＥ×βＥ×τＥ  ・・（２）
【０１０４】
ただし、（２）式において、βＥは排気系の比熱である。
上記（１）式、（２）式のいずれにおいても、排気系温度ＴＥ（排気系への総熱伝導量ΣＱＥ）は、ほぼ一致した値として算出される。
【０１０５】
図１８は触媒への熱伝導量ＱＣと触媒の温度上昇分ΔＴＣとの関係を示す特性図、図１９は触媒への熱伝導量ＱＣと触媒の熱時定数τＣとの関係を示す特性図である。
【０１０６】
図１８において、触媒への総熱伝導量ΣＱＣに相当する触媒温度ＴＣは、温度上昇分ΔＴＣを用いて、以下の（３）式のように与えられる。
【０１０７】
ＴＣ＝ＴＣ（ｎ−１）＋ΔＴＣ  ・・・（３）
【０１０８】
ただし、（３）式において、ＴＣ（ｎ−１）は触媒温度ＴＣの前回値である。
同様に、図１９において、触媒への総熱伝導量ΣＱＣに相当する触媒温度ＴＣは、熱時定数τＣを用いて、以下（４）式のように与えられる。
【０１０９】
ＴＣ＝ＴＣ（ｎ−１）×（１−τＣ）＋ＱＣ×βＣ×τＣ・・・（４）
【０１１０】
ただし、（４）式において、βＣは触媒の比熱である。
上記（３）式、（４）式のいずれにおいても、触媒温度ＴＣ（触媒への総熱伝導量ΣＱＣ）は、ほぼ一致した値として算出されることが分かる。
【０１１１】
図１３において、ＥＣＵ１４は、まず、エンジン１の始動が完了し、且つ所定条件が成立したか否かを判定する（ステップＳ２１）。このとき、所定条件として、エンジン１の始動完了後に所定時間が経過して、所定演算を実施する時期になったか否かを判定する。
【０１１２】
ステップＳ２１において、エンジン始動後の所定条件が成立した（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、水温センサおよび吸気温センサから始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓを検出する（ステップＳ２２）。
【０１１３】
このとき、検出値のバラツキを除去するために、始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓをそれぞれ所定期間にわたって検出し、各検出値を平均化処理してもよい。
【０１１４】
続いて、始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓを比較して、両者がほぼ等しいか否かを判定する（ステップＳ２３）。
【０１１５】
もし、始動時水温ＴＷｓと始動時吸気温ＴＡｓとの差がほとんどなければ、車両が外気温と一致するまで放置されていたと見なされるので、このときの温度を初期の触媒温度ＴＣｓと仮定することができる。
【０１１６】
したがって、ステップＳ２３において、ＴＷｓ≒ＴＡｓ（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、エンジン１の温度上昇がない初期状態と見なして、始動時における触媒温度ＴＣｓおよび排気系温度ＴＥｓ（初期値）を、それぞれ始動時水温ＴＷｓと同一値に設定する（ステップＳ２４）。
【０１１７】
また、ステップＳ２３において、始動時水温ＴＷｓと始動時吸気温ＴＡｓとの偏差ΔＴｓが所定値以上であって、ＴＷｓ≠ＴＡｓ（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、エンジン１の温度上昇が大きい運転状態と見なして、触媒温度ＴＣおよび排気系温度ＴＥ（推定値）を、温度偏差ΔＴｓに応じて設定する（ステップＳ２５）。
【０１１８】
このとき、初期の触媒温度ＴＣｓは、図１４のように、温度偏差ΔＴｓに応じて推定演算される。
すなわち、触媒温度ＴＣｓは、温度偏差ΔＴｓが０以下の場合には始動時水温ＴＷｓに設定され、温度偏差ΔＴｓが０よりも大きくなるにしたがって、触媒が活性状態にあるものと見なして、触媒温度ＴＣｓを大きい値に設定する。
【０１１９】
続いて、排気温センサから排気温ＴＨを計測し（ステップＳ２６）、排気温ＴＨと、触媒温度ＴＣｓと、エアフローセンサ５から計測される吸気量Ｑａとを用いて、排気ガスによる総熱量ΣＱＨを以下の（５）式のように算出する（ステップＳ２７）。
【０１２０】
ΣＱＨ＝（ＴＨ−ＴＣｓ）×Ｑａ×βＨ  ・・・（５）
【０１２１】
ただし、（５）式において、βＨは排気ガスの比熱である。
なお、ステップＳ２１において、始動完了後の所定条件が不成立（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、もはやエンジン始動時とは見なされないので、ステップＳ２２〜Ｓ２５を実行せずに、直ちにステップＳ２６に進む。
【０１２２】
次に、（５）式から算出された総熱量ΣＱＨから、排気系への熱伝導量ＱＥおよび外気への放熱量ＱＸを減算して、以下の（６）式のように、触媒への熱伝導量ＱＣを算出する（ステップＳ２８）。
【０１２３】
ＱＣ＝ΣＱＨ−（ＱＥ＋ＱＸ）  ・・・（６）
【０１２４】
最後に、触媒への熱伝導量ＱＣおよび排気系への熱伝導量ＱＥを用いた推定演算により、以下の（７）式および（８）式のように、触媒温度ＴＣおよび排気系温度ＴＥを算出し、図１３の処理ルーチンをリターンする。
【０１２５】
ＴＣ＝ＴＣ（ｎ−１）＋ＱＣ  ・・・（７）
ＴＥ＝ＴＥ（ｎ−１）＋ＱＥ  ・・・（８）
【０１２６】
ただし、（７）式、（８）式において、ＴＣ（ｎ−１）、ＴＥ（ｎ−１）は、それぞれ、触媒温度ＴＣ、排気系温度ＴＥの前回値である。
このように、排気温センサで検出される排気温ＴＨから触媒温度ＴＣを推定演算することができるので、前述と同等の作用効果を奏する。
【０１２７】
このように、空燃比および吸気量Ｑａから、発生した総熱量ΣＱＨを算出するとともに、総熱量ΣＱＨから排気系の熱容量ＣＥを加味して触媒温度ＴＣを推定することができる。
【０１２８】
なお、上記第２の例では、排気温ＴＨを実際に検出して触媒温度ＴＣを推定演算したが、排気温センサを用いずに、他の各種センサ情報（運転状態）に基づいて排気温ＴＨおよび触媒温度ＴＣを推定演算してもよい。
【０１２９】
以下、排気温センサを不要とした第３の例について説明する。
この場合、ＥＣＵ１４は、触媒温度取得手段として触媒温度推定手段を含み、少なくとも吸気量Ｑａを含む他の各種センサ情報に基づいて触媒温度ＴＣを推定演算する。
【０１３０】
図２０はこの発明の実施の形態１に関連した装置の第３の例による排気温ＴＨの推定演算処理動作を示す説明図、図２１は第３の例による空燃比Ａ／Ｆの設定処理動作を示す説明図である。
【０１３１】
図２０において、排気温ＴＨは、エンジン回転数Ｎｅおよびエンジン負荷（吸気量Ｑａ）の二次元マップに基づいて推定演算される。
すなわち、各種センサ情報（運転状態）に含まれるエンジン回転数Ｎｅおよびエンジン負荷（吸気量Ｑａ）の少なくとも一方が上昇すると、排気温ＴＨは大きい値に設定される。
【０１３２】
図２１において、空燃比Ａ／Ｆは、排気温ＴＨと同様に、エンジン回転数Ｎｅおよびエンジン負荷（吸気量Ｑａ）の二次元マップに基づいて決定される。
ただし、空燃比Ａ／Ｆは、前述（図１１および図１２参照）のように、冷却水温ＴＷに依存した値となる。
【０１３３】
したがって、前述と同様に、触媒の活性温度に応答して、空燃比Ａ／Ｆをリーン化することができる。
基本的な排気温ＴＨは、図２０のように決定されるが、冷機状態における空燃比Ａ／Ｆは水温ＴＷに応じた値となるので、さらに正確な排気温ＴＨは、運転状態（吸気量Ｑａ、エンジン回転数Ｎｅ）および空燃比Ａ／Ｆに基づく推定演算により求められる。
【０１３４】
このように、図２０の二次元マップから求められた排気温ＴＨに基づいて、前述のように、触媒温度ＴＣを推定演算することができる。
【０１３５】
なお、ここでは、エンジン負荷（吸気量Ｑａ）のみを用いて、排気温ＴＨおよび触媒温度ＴＣを推定演算したが、前述のように、空燃比Ａ／Ｆなどの他の情報をも考慮すれば、触媒温度ＴＣをさらに正確に推定演算することができる。
【０１３６】
また、ＥＣＵ１４内の触媒温度推定手段は、前述のように、始動時水温ＴＷｓを初期の触媒温度ＴＣとして設定するとともに、吸気量Ｑａから算出される発生熱量ΣＱＨと排気系の熱容量ＣＥとに基づいて触媒温度ＴＣを推定演算してもよい。
【０１３７】
また、触媒温度推定手段は、前述と同様に、触媒の初期温度ＴＣｓを推定演算する初期温度推定手段を含み、少なくとも始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓに基づいて触媒の初期温度ＴＣｓを推定演算してもよい。
【０１３８】
すなわち、初期温度推定手段は、始動時水温ＴＷｓおよび始動時吸気温ＴＡｓがほぼ等しい場合には、始動時水温ＴＷｓを触媒の初期温度ＴＣｓとして推定演算する（図１３内のステップＳ２４参照）。
【０１３９】
また、始動時水温ＴＷｓと始動時吸気温ＴＡｓとが所定温度以上異なる場合には、始動時水温ＴＷｓと始動時吸気温ＴＡｓとの温度偏差ΔＴｓに基づいて触媒の初期温度ＴＣｓを推定演算する（図１３内のステップＳ２５参照）。
【０１４０】
このように、少なくとも始動時水温ＴＷｓ、吸気量Ｑａおよび空燃比Ａ／Ｆを用いて始動時水温ＴＷｓを初期の触媒温度ＴＣと仮定し、前述のように、空燃比Ａ／Ｆおよび触媒温度ＴＣ、吸気量Ｑａに基づいて発生熱量ΣＱＨを求めることにより、発生熱量ΣＱＨから排気系の熱容量ＣＥを加味して触媒温度ＴＣを推定演算することができる。
【０１４１】
この場合、検出対象が高温で且つ検出温度範囲が広くて高価な触媒温度センサまたは排気温センサなどが不要となるので、前述の効果に加えて、コストダウンを実現することができる。
【０１４２】
なお、上記第１の例では、触媒の活性化を促進するために目標空燃比Ａ／Ｆｏをリーン側に補正したが、アイドル運転時での目標アイドル回転数Ｎｉｏを上昇側に補正してもよい。
【０１４３】
以下、目標アイドル回転数Ｎｉｏを上昇補正したこの発明の実施の形態１を図について説明する。
この場合、前述の各種センサとして、触媒温度ＴＣを直接検出するための温度センサ（触媒温度取得手段）が設けられているものとする。
【０１４４】
ＥＣＵ１４は、運転状態に応じてＩＳＣバルブ８（図３８参照）の開度を調整してアイドル回転数Ｎｉを制御するアイドル制御手段と、触媒温度ＴＣの活性化促進条件を満たす場合に、目標アイドル回転数Ｎｉｏを通常時のアイドル回転数Ｎｉｎよりも上昇側に補正するアイドル回転数上昇手段とを備えている。
【０１４５】
ＥＣＵ１４内のアイドル回転数上昇手段は、触媒温度ＴＣを活性温度よりも低い第１の所定温度Ｔ１ａと比較する第１の比較手段と、触媒温度ＴＣを活性温度に対応した（第１の所定温度Ｔ１ａよりも高い）第２の所定温度Ｔ２ａと比較する第２の比較手段とを含む。
【０１４６】
アイドル回転数上昇手段は、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１ａと第２の所定温度Ｔ２ａとの間の範囲内（Ｔ１ａ≦ＴＣ≦Ｔ２ａ）にある場合には、触媒温度ＴＣが活性温度に達するまでの所定期間にわたって、目標アイドル回転数Ｎｉｏを通常制御時のアイドル回転数Ｎｉｎよりも高い活性化上昇回転数ＮｉＵに設定する。
【０１４７】
したがって、ＥＣＵ１４内のアイドル制御手段は、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１ａよりも低い場合、および、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２ａよりも高い場合に、目標アイドル回転数Ｎｉｏを通常値Ｎｉｎに設定する。
【０１４８】
一方、触媒温度ＴＣが活性温度以下の値（Ｔ１ａ≦ＴＣ≦Ｔ２ａ）を示す場合には、目標アイドル回転数Ｎｉｏを活性化上昇回転数ＮｉＵに設定して、排気温度を上昇させるとともに排気中の酸素量を増加させることにより、触媒の温度ＴＣを上昇させて活性化を促進する。
【０１４９】
また、アイドル回転数上昇手段は、目標アイドル回転数Ｎｉｏの切換制御時に目標アイドル回転数Ｎｉｏを徐々に変更するためのテーリング手段を含む。
【０１５０】
すなわち、アイドル回転数上昇手段内のテーリング手段は、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１ａ以上に達した場合には、目標アイドル回転数Ｎｉｏを、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎから活性化上昇回転数ＮｉＵ（＝Ｎｉｎ＋１００ｒｐｍ）まで一定値ΔＮ１ずつ徐々に増加させる。
【０１５１】
また、テーリング手段は、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２ａよりも高い温度に達した場合には、目標アイドル回転数Ｎｉｏを、活性化上昇回転数ＮｉＵから通常時のアイドル回転数Ｎｉｎまで一定値ΔＮ２ずつ徐々に減少させる。
【０１５２】
次に、図３８および図３９とともに、図２２〜図２８を参照しながら、この発明の実施の形態１の動作について説明する。
図２２はこの発明の実施の形態１による触媒温度に応じた触媒活性化促進用のアイドル回転数Ｎｉの補正処理を示すフローチャートである。
【０１５３】
また、図２３は図２２内のステップＳ３３（第１の回転数Ｎｉ１を目標値とした第１のテーリング処理）を示すフローチャートであり、図２４は図２２内のステップＳ３５（第２の回転数Ｎｉ２を目標値とした第２のテーリング処理）を示すフローチャートである。
【０１５４】
図２２〜図２４は前述の図１〜図３にそれぞれ対応しており、図２２内のステップＳ３１〜Ｓ３５はステップＳ１〜Ｓ５（図１参照）に対応し、図２３内のステップＳ４１、Ｓ４２はステップＳ１１、Ｓ１２（図２参照）に対応し、図２４内のステップＳ４１Ａ、Ｓ４２ＡはステップＳ１１Ａ、Ｓ１２Ａ（図３参照）に対応している。
【０１５５】
図２５は冷却水温ＴＷ、通常（制御）時のアイドル回転数Ｎｉｎ、触媒温度ＴＣ、目標アイドル回転数Ｎｉｏのそれぞれの時間変化を示すタイミングチャートであり、前述の図４に対応している。
図２５において、冷却水温ＴＷおよび触媒温度ＴＣの変化は、前述（図４参照）と同様である。
【０１５６】
触媒活性化促進用の活性化上昇回転数ＮｉＵ（一点鎖線参照）は、通常値Ｎｉｎよりも、たとえば約１００ｒｐｍだけ高い値に設定され、また、時間ｔの経過とともに減少するように設定される。
【０１５７】
なお、触媒温度ＴＣの比較基準となる第１、第２の所定温度Ｔ１ａ、Ｔ２ａは、それぞれ、前述の第１、第２の所定温度Ｔ１、Ｔ２と同一の値に設定されてもよい。
【０１５８】
図２６〜図２８はこの発明の実施の形態１によるアイドル回転数Ｎｉの設定動作を説明するための図である。
図２６は目標アイドル回転数Ｎｉｏと発生熱量ΣＱとの関係を示す特性図であり、図２６において、発生熱量ΣＱは、目標アイドル回転数Ｎｉが上昇するにしたがって上昇する。
【０１５９】
また、図２７は冷却水温ＴＷに応じて設定される目標アイドル回転数Ｎｉｏを示す特性図、図２８は通常制御時での始動直後の目標アイドル回転数Ｎｉｏの時間変化を示す説明図である。
【０１６０】
図２７において、破線は一般的な目標アイドル回転数（７００ｒｐｍ程度）、実線は通常時（通常の上昇補正時）のアイドル回転数Ｎｉｎの特性曲線、一点鎖線は本願発明における活性化上昇回転数ＮｉＵ（＝Ｎｉｎ＋ΔＮｉ（ＴＷ））の特性曲線である。
【０１６１】
通常時のアイドル回転数Ｎｉｎは、一般的なアイドル回転数（破線）に上昇補正量を加算した値であり、上昇補正量は冷却水温ＴＷの上昇にしたがって減少する。したがって、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎは、冷却水温ＴＷが８０℃程度に達した時点で、一般的なアイドル回転数（７００ｒｐｍ）に収束する。
【０１６２】
一方、活性化上昇回転数ＮｉＵは、冷却水温ＴＷの上昇にしたがって減少するものの、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎよりもさらに上昇補正量ΔＮｉ（ＴＷ）だけ高い値に設定されている。
活性化上昇回転数ＮｉＵの上昇補正量ΔＮｉ（ＴＷ）は、冷却水温ＴＷの関数であり、この場合、冷却水温ＴＷの上昇にしたがってわずかに減少する。
【０１６３】
図２８において、通常制御時での始動直後の目標アイドル回転数Ｎｉｏは、始動開始時刻ｔ１から実際のエンジン始動時刻ｔ２までの期間は７００ｒｐｍに設定され、エンジン始動時刻ｔ２において１５００ｒｐｍ程度に上昇される。
エンジン始動時刻ｔ２での目標アイドル回転数Ｎｉｏは、基本回転数Ｎｉｂに始動直後の上昇成分ΔＮｉｓを加算した値に設定される。
【０１６４】
図２２において、ＥＣＵ１４（図３８参照）は、まず、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１ａ（たとえば、７０℃程度）よりも低いか否かを判定し（ステップＳ３１）、ＴＣ＜Ｔ１ａ（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、目標アイドル回転数Ｎｉｏを通常時のアイドル回転数Ｎｉｎに設定する（ステップＳ３２）。
【０１６５】
また、ステップＳ３１において、ＴＣ≧Ｔ１ａ（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、第１の回転数Ｎｉ１（活性化上昇回転数ＮｉＵに対応）を目標値Ｎｉｏとした第１のテーリング処理を実行する（ステップＳ３３）。
【０１６６】
第１のテーリング処理（ステップＳ３３）において、目標アイドル回転数Ｎｉｏは、活性化上昇回転数ＮｉＵに向けて漸増される。
すなわち、第１の回転数Ｎｉ１は、直ちに活性化上昇回転数ＮｉＵに設定されるのではなく、図２３（後述する）のように、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎから活性化上昇回転数ＮｉＵに向けて漸増され、走行フィーリングの悪化を防止する。
【０１６７】
続いて、ＥＣＵ１４は、触媒温度ＴＣが活性温度（１３０℃程度）に対応した第２の所定温度Ｔ２ａ（＞Ｔ１ａ）よりも高い（活性温度に達した）か否かを判定する（ステップＳ３４）。
【０１６８】
もし、ＴＣ＞Ｔ２ａ（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、触媒が十分に活性化したものと見なして、第２の回転数Ｎｉ２（通常時のアイドル回転数Ｎｉｎに対応）を目標値Ｎｉｏとした第２のテーリング処理を実行し（ステップＳ３５）、図２２の処理ルーチンをリターンする。
【０１６９】
第２のテーリング処理（ステップＳ３５）において、第２の回転数Ｎｉ２は、直ちに通常時のアイドル回転数Ｎｉｎに設定されるのではなく、図２４（後述する）のように、第２の回転数Ｎｉ２（活性化上昇回転数ＮｉＵ）から通常時のアイドル回転数Ｎｉｎに向けて漸減され、走行フィーリングの悪化を防止する。
【０１７０】
一方、ステップＳ３４において、ＴＣ≦Ｔ２ａ（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、ステップＳ３５を実行せずに、図２２の処理ルーチンをリターンする。
これにより、Ｔ１ａ≦ＴＣ≦Ｔ２ａの範囲内において、目標アイドル回転数Ｎｉｏは、活性化上昇回転数ＮｉＵ（第１の回転数Ｎｉ１）に設定される。
【０１７１】
図２２内の第１のテーリング処理（ステップＳ３３）は、具体的には図２３のように実行される。
図２３において、テーリング手段は、まず、ステップＳ３３を実行すべき所定タイミングであるか否かを判定し（ステップＳ４１）、所定タイミングでない（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま、図２３の処理ルーチンをリターンする。
【０１７２】
また、ステップＳ４１において、所定タイミングである（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、最小値選択処理（ステップＳ４２）により、第１の回転数Ｎｉ１を漸増設定して、図２３の処理ルーチンをリターンする。
【０１７３】
最小値選択処理（ステップＳ４２）においては、前回の第１の回転数Ｎｉ１（ｎ−１）に一定値ΔＮ１を加算した値（＝Ｎｉ１（ｎ−１）＋ΔＮ１）と、活性化上昇回転数ＮｉＵとのうちのいずれか小さい方の値（最小値ｍｉｎ）が、今回の第１の回転数Ｎｉ１として設定される。
【０１７４】
すなわち、初期においては、第１の回転数Ｎｉ１が通常時のアイドル回転数Ｎｉｎよりも低い（活性化上昇回転数ＮｉＵよりも小さい）値に設定されているので、前回値に一定値ΔＮ１を加算した値が最小値ｍｉｎとなり、今回の第１の回転数Ｎｉ１として選択設定される。
【０１７５】
その後、第１の回転数Ｎｉ１は、ステップＳ４２の実行毎に、一定値ΔＮ１の加算によって徐々に上昇していき、活性化上昇回転数ＮｉＵに達した時点で、活性化上昇回転数ＮｉＵにクリップされる。
【０１７６】
なお、一定値ΔＮ１は、上昇を迅速にするために無限大に設定されてもよい。
また、第１の回転数Ｎｉ１の初期値は、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎと同一値に設定されてもよい。
【０１７７】
一方、図２２内の第２のテーリング処理（ステップＳ３５）は、具体的には図２４のように実行される。
図２４において、テーリング手段は、まず、ステップＳ３５を実行すべき所定タイミングであるか否かを判定し（ステップＳ４１Ａ）、所定タイミングでない（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま図２４の処理ルーチンをリターンする。
【０１７８】
また、ステップＳ４１Ａにおいて、所定タイミングである（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、最大値選択処理（ステップＳ４２Ａ）により、第２の回転数Ｎｉ２を漸減設定して、図２４の処理ルーチンをリターンする。
【０１７９】
最大値選択処理（ステップＳ４２Ａ）においては、前回の第２の回転数Ｎｉ２（ｎ−１）から一定値ΔＮ２を減算した値（＝Ｎｉ２（ｎ−１）−ΔＮ２）と、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎとのうちのいずれか大きい方の値（最大値ｍａｘ）が、第２の回転数Ｎｉ２として設定される。
【０１８０】
すなわち、初期においては、第２の回転数Ｎｉ２が活性化上昇回転数ＮｉＵに一致している（通常時のアイドル回転数Ｎｉｎよりも大きい）ので、前回値から一定値ΔＮ２を減算した値が最大値ｍａｘとなり、今回の第２の回転数Ｎｉ２として設定される。
【０１８１】
その後、第２の回転数Ｎｉ２は、ステップＳ４２Ａの実行毎に、一定値ΔＮ２の減算によって徐々に減少していき、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎまで減少した時点で、通常時のアイドル回転数Ｎｉｎにクリップされる。
【０１８２】
これにより、実際の目標アイドル回転数Ｎｉｏは、図２５のように、Ｔ１ａ≦ＴＣ≦Ｔ２ａの範囲内において、活性化上昇回転数ＮｉＵに設定される。
したがって、前述と同様に、触媒温度ＴＣを効果的に活性温度に上昇させることができる。
【０１８３】
実施の形態２．
なお、上記実施の形態１では、活性化上昇回転数ＮｉＵをＮｉｎ＋１００ｒｐｍに設定したが、燃費ドライバビリティで問題が発生しない範囲内であれば、排気系の熱容量ＣＥから決定される他の回転数に設定してもよい。
【０１８４】
すなわち、アイドル回転数の上昇量を大きく設定しすぎると、騒音を発生したり燃費を悪化させることになるので、アイドル回転数の上昇量は、最も効率よく且つ問題が発生しない範囲内に設定される。
【０１８５】
実施の形態３．
また、上記実施の形態１では、触媒温度取得手段として触媒温度ＴＣを直接検出する温度センサを用いたが、排気温ＴＨを検出する排気温センサを用いて、排気温ＴＨから触媒温度ＴＣを推定してもよく、また、他の運転状態でから触媒温度ＴＣを推定してもよい。
【０１８６】
実施の形態４．
また、上記実施の形態１では、触媒温度ＴＣの上昇を促進するために、目標アイドル回転数Ｎｉｏを活性化上昇回転数ＮｉＵに上昇させたが、前述の第１の例（目標空燃比Ａ／Ｆｏを活性化リーン空燃比Ａ／ＦＬに設定）の構成を組み合わせてもよい。
【０１８７】
図２９はアイドル回転数上昇補正と空燃比リーン化補正とを組み合わせたこの発明の実施の形態４の制御動作を示す説明図であり、横軸は触媒温度ＴＣに対応している。
【０１８８】
ここでは、アイドル回転数上昇補正用の所定温度Ｔ１ａおよびＴ２ａと、空燃比リーン化補正用の所定温度Ｔ１およびＴ２とが互いに異なる場合を示し、特に所定温度Ｔ２ａおよびＴ１が異なる場合の２つの制御例を示している。
【０１８９】
図２９において、各所定温度Ｔ２ａ、Ｔ１が、Ｔ２ａ＜Ｔ１の関係を満たすように設定された場合には、触媒温度ＴＣが比較的低い領域（Ｔ１ａ＜ＴＣ＜Ｔ２ａ）においてアイドル回転数上昇補正（Ｎｉｏ←ＮｉＵ）が実行され、触媒温度ＴＣが比較的高い領域（Ｔ１＜ＴＣ＜Ｔ２）において空燃比リーン化補正（Ａ／Ｆｏ←Ａ／ＦＬ）が実行される。
【０１９０】
この場合、アイドル回転数上昇補正により触媒温度ＴＣをある程度上昇させた後で、空燃比リーン化補正によりさらに触媒温度ＴＣを上昇させて、確実に触媒を活性温度まで上昇させることができる。
【０１９１】
一方、各所定温度Ｔ２ａ、Ｔ１が、Ｔ１＜Ｔ２ａの関係を満たすように設定された場合には、触媒温度ＴＣが中間温度を示す領域（Ｔ１＜ＴＣ＜Ｔ２ａ）において、アイドル回転数上昇補正（Ｎｉｏ←ＮｉＵ）および空燃比リーン化補正（Ａ／Ｆｏ←Ａ／ＦＬ）の両方が実行される。
【０１９２】
この場合、中間温度領域（Ｔ１＜ＴＣ＜Ｔ２ａ）において、空燃比リーン化による酸素増量とアイドル回転数上昇による供給空気量の増量との相乗効果により、触媒への供給熱量が顕著に増大するうえ、空気（酸素）過剰によって触媒の酸化反応が促進するので、触媒温度の上昇をさらに促進することができる。
【０１９３】
このように、アイドル回転数上昇補正と空燃比リーン化補正とを組み合わせることにより、両者の相乗効果で触媒温度の上昇をさらに促進することができ、触媒温度ＴＣを活性温度に迅速に到達させることができる。
【０１９４】
実施の形態５．
なお、上記実施の形態４では、触媒温度ＴＣの上昇を促進するために、アイドル回転数の上昇補正と空燃比のリーン化補正とを組み合わせたが、さらに、点火時期の遅角補正を組み合わせて排気温を上昇させもよい。
【０１９５】
以下、点火時期の遅角補正を追加したこの発明の実施の形態５の制御動作について説明する。
この場合、ＥＣＵ１４（図３８参照）は、運転状態に応じてエンジン１の点火時期を制御する点火時期制御手段と、触媒温度ＴＣが所定温度よりも低い場合に、第２の所定期間にわたって目標点火時期Ｐｏを、通常制御時の点火時期Ｐｎよりも遅角側の活性化遅角点火時期ＰＲに補正する点火時期遅角手段とを備えている。
【０１９６】
また、ＥＣＵ１４内の点火時期遅角手段は、触媒温度ＴＣを活性温度よりも低い第１の所定温度Ｔ１ｂと比較する第１の比較手段と、触媒温度ＴＣを第１の所定温度Ｔ１ｂよりも高く且つ活性温度に対応した第２の所定温度Ｔ２ｂと比較する第２の比較手段と、目標点火時期Ｐｏの切換制御時に目標点火時期Ｐｏを徐々に変更するためのテーリング手段とを含む。
【０１９７】
テーリング手段は、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１ｂ以上の場合には、目標点火時期Ｐｏを、通常制御時の点火時期Ｐｎから活性化遅角点火時期ＰＲまで一定値ΔＰ１ずつ徐々に遅角（制御量を減少）させ、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２ｂよりも高い場合には、目標点火時期Ｐｏを、活性化遅角点火時期ＰＲから通常制御時の点火時期Ｐｎまで一定値ΔＰ２ずつ徐々に進角（制御量を増大）させる。
【０１９８】
また、点火時期を遅角補正する第２の所定期間は、排気温ＴＨまたは触媒温度ＴＣに応じて、ドライバビリティ上の問題が発生しないように設定される。
さらに、ＥＣＵ１４内の点火時期遅角手段は、触媒温度ＴＣに応じて、活性化遅角点火時期ＰＲおよび第２の所定期間の少なくとも一方を可変設定する。
【０１９９】
図３０〜図３５はこの発明の実施の形態５による制御動作を説明するための図である。
図３０は触媒温度ＴＣに応じた触媒活性化促進用の点火時期補正処理を示すフローチャートであり、ここでは、簡略化のために、点火時期遅角補正処理のみに着目して示している。
【０２００】
また、図３１は図３０内のステップＳ５３（第１の点火時期Ｐ１を目標値とした第１のテーリング処理）を示すフローチャートであり、図３２は図３０内のステップＳ５５（第２の点火時期Ｐ２を目標値とした第２のテーリング処理）を示すフローチャートである。
【０２０１】
図３３は冷却水温ＴＷに対する目標点火時期Ｐｏの変化を示す特性図であり、縦軸（目標点火時期Ｐｏに対応）において進角側を正方向で示している。
図３３において、実線は通常制御時の点火時期Ｐｎの変化曲線、一点鎖線は活性化遅角点火時期ＰＲの変化曲線をそれぞれ示す。
【０２０２】
通常時の点火時期Ｐｎ（実線参照）は、冷却水温ＴＷの上昇にしたがって遅角側に移行し、冷却水温ＴＷが８０℃程度に達するとほぼ一定となる。
一方、活性化遅角点火時期ＰＲ（一点鎖線参照）は、通常時の点火時期Ｐｎよりも遅角補正されるものの、冷却水温ＴＷの上昇にしたがって遅角補正量が減少する。
【０２０３】
図３４は触媒温度ＴＣおよび目標点火時期Ｐｏの時間変化を示すタイミングチャートである。
図３４において、目標点火時期Ｐｏは、所定温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１ｂと第２の所定温度Ｔ２ｂとの間を示す期間において、活性化遅角点火時期ＰＲに設定される。
【０２０４】
図３５はアイドル回転数上昇補正（Ｎｉｏ←ＮｉＵ）と空燃比リーン化補正（Ａ／Ｆｏ←Ａ／ＦＬ）と点火時期遅角補正（Ｐｏ←ＰＲ）とを組み合わせた場合の制御動作を示す説明図であり、横軸は触媒温度ＴＣに対応している。
【０２０５】
図３５では、触媒温度ＴＣの比較基準となる各所定温度が異なる場合を示しているが、たとえば、第１、第２の所定温度は、互いに同一の値に設定されてもよい。
【０２０６】
図３０において、ＥＣＵ１４は、まず、触媒温度ＴＣが第１の所定温度Ｔ１ｂよりも低いか否かを判定し（ステップＳ５１）、ＴＣ＜Ｔ１ｂ（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、目標点火時期Ｐｏを通常時の点火時期Ｐｎに設定する（ステップＳ５２）。
【０２０７】
また、ステップＳ５１において、ＴＣ≧Ｔ１ｂ（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、第１の点火時期Ｐ１（活性化遅角点火時期ＰＲに対応）を目標値Ｐｏとした第１のテーリング処理を実行する（ステップＳ５３）。
【０２０８】
第１のテーリング処理（ステップＳ５３）において、目標点火時期Ｐｏは、活性化遅角点火時期ＰＲに向けて漸減（遅角化）される。
すなわち、第１の点火時期Ｐ１は、直ちに活性化遅角点火時期ＰＲに設定されるのではなく、図３１（後述する）のように、通常時の点火時期Ｐｎから活性化遅角点火時期ＰＲに向けて漸減（遅角側に移行）され、走行フィーリングの悪化を防止する。
【０２０９】
続いて、ＥＣＵ１４は、触媒温度ＴＣが第２の所定温度Ｔ２ｂ（＞Ｔ１ｂ）よりも高いか否かを判定し（ステップＳ５４）、ＴＣ＞Ｔ２ｂ（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、第２の点火時期Ｐ２（通常時の点火時期Ｐｎに対応）を目標値Ｐｏとした第２のテーリング処理を実行し（ステップＳ５５）、図３０の処理ルーチンをリターンする。
【０２１０】
第２のテーリング処理（ステップＳ５５）において、第２の点火時期Ｐ２は、直ちに通常時の点火時期Ｐｎに設定されるのではなく、図３２（後述する）のように、第２の点火時期Ｐ２（活性化遅角点火時期ＰＲ）から通常時の点火時期Ｐｎに向けて漸増（進角化）され、走行フィーリングの悪化を防止する。
【０２１１】
一方、ステップＳ５４において、ＴＣ≦Ｔ２ａ（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、ステップＳ５５を実行せずに、図３０の処理ルーチンをリターンする。
これにより、Ｔ１ｂ≦ＴＣ≦Ｔ２ｂの範囲内において、目標点火時期Ｐｏは、活性化遅角点火時期ＰＲ（第１の点火時期Ｐ１）に設定される。
【０２１２】
図３０内の第１のテーリング処理（ステップＳ５３）は、具体的には図３１のように実行される。
図３１において、ＥＣＵ１４内のテーリング手段は、まず、ステップＳ５３を実行すべき所定タイミングであるか否かを判定し（ステップＳ６１）、所定タイミングでない（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま、図３１の処理ルーチンをリターンする。
【０２１３】
また、ステップＳ６１において、所定タイミングである（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、最大値（最大進角値）選択処理（ステップＳ６２）により、第１の点火時期Ｐ１を漸減設定して、図３１の処理ルーチンをリターンする。
【０２１４】
最大値選択処理（ステップＳ６２）においては、前回の第１の点火時期Ｐ１（ｎ−１）から一定値ΔＰ１を減算した値（＝Ｐ１（ｎ−１）−ΔＰ１）と、活性化遅角点火時期ＰＲとのうちのいずれか大きい方（進角側）の値（最大値ｍａｘ）が、今回の第１の点火時期Ｐ１として設定される。
【０２１５】
すなわち、初期においては、第１の点火時期Ｐ１が通常時の点火時期Ｐｎ（活性化遅角点火時期ＰＲよりも進角側であって大きい値）に設定されているので、前回値から一定値ΔＰ１を減算した値が最大値ｍａｘとなり、今回の第１の点火時期Ｐ１として選択設定される。
【０２１６】
その後、第１の点火時期Ｐ１は、ステップＳ６２の実行毎に、一定値ΔＰ１の減算によって徐々に減少（遅角化）していき、活性化遅角点火時期ＰＲに達した時点で、活性化遅角点火時期ＰＲにクリップされる。
【０２１７】
一方、図３０内の第２のテーリング処理（ステップＳ５５）は、具体的には図３２のように実行される。
図３２において、テーリング手段は、まず、ステップＳ５５を実行すべき所定タイミングであるか否かを判定し（ステップＳ６１Ａ）、所定タイミングでない（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま図３２の処理ルーチンをリターンする。
【０２１８】
また、ステップＳ６１Ａにおいて、所定タイミングである（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、最小値選択処理（ステップＳ６２Ａ）により、第２の点火時期Ｐ２を漸増設定して、図３２の処理ルーチンをリターンする。
【０２１９】
最小値選択処理（ステップＳ６２Ａ）においては、前回の第２の点火時期Ｐ２（ｎ−１）に一定値ΔＰ２を加算した値（＝Ｐ２（ｎ−１）＋ΔＰ２）と、通常時の点火時期Ｐｎとのうちのいずれか小さい方（遅角側）の値（最小値ｍｉｍ）が、第２の点火時期Ｐ２として設定される。
【０２２０】
すなわち、初期においては、第２の点火時期Ｐ２が活性化遅角点火時期ＰＲに一致している（通常時の点火時期Ｐｎよりも小さい）ので、前回値に一定値ΔＰ２を加算した値が最小値ｍｉｍとなり、今回の第２の点火時期Ｐ２として設定される。
【０２２１】
その後、第２の点火時期Ｐ２は、ステップＳ６２Ａの実行毎に、一定値ΔＰ２の加算によって徐々に増加（進角化）していき、通常時の点火時期Ｐｎまで増加した時点で、通常時の点火時期Ｐｎにクリップされる。
【０２２２】
これにより、実際の目標点火時期Ｐｏは、図３４のように、Ｔ１ｂ≦ＴＣ≦Ｔ２ｂの範囲内において、活性化遅角点火時期ＰＲに設定される。
したがって、前述と同様に、触媒温度ＴＣを効果的に活性温度に上昇させることができる。
【０２２３】
また、活性化判定用の比較基準となる所定温度Ｔ１ｂおよびＴ２ｂは、たとえば図３５のように設定され得る。
図３５において、点火時期遅角補正用の所定温度Ｔ１ｂおよびＴ２ｂの範囲は、アイドル回転数上昇補正用の所定温度Ｔ１ａおよびＴ２ａの範囲内に設定されている。
【０２２４】
ここでは、空燃比リーン化補正用の所定温度Ｔ１を、Ｔ２ｂ＜Ｔ２ａ＜Ｔ１の関係を満たすように設定した場合と、Ｔ１＜Ｔ２ｂ＜Ｔ２ａの関係を満たすように設定した場合との２つの制御例を示している。
【０２２５】
たとえば、各所定温度を、Ｔ２ｂ＜Ｔ２ａ＜Ｔ１の関係に設定した場合には、触媒温度ＴＣが比較的低い領域（Ｔ１ａ＜ＴＣ＜Ｔ２ａ）において、アイドル回転数上昇補正（Ｎｉｏ←ＮｉＵ）および点火時期遅角補正（Ｐｏ←ＰＲ）が実行され、触媒温度ＴＣが比較的高い領域（Ｔ１＜ＴＣ＜Ｔ２）において空燃比リーン化補正（Ａ／Ｆｏ←Ａ／ＦＬ）が実行される。
【０２２６】
一方、各所定温度を、Ｔ１＜Ｔ２ｂ＜Ｔ２ａの関係に設定した場合には、触媒温度ＴＣが中間温度を示す領域（Ｔ１＜ＴＣ＜Ｔ２ｂ）において、アイドル回転数上昇補正（Ｎｉｏ←ＮｉＵ）、空燃比リーン化補正（Ａ／Ｆｏ←Ａ／ＦＬ）および点火時期遅角補正（Ｐｏ←ＰＲ）の全てが実行される。
【０２２７】
この場合、中間温度領域（Ｔ１＜ＴＣ＜Ｔ２ｂ）において、各補正制御による供給空気量の増量と排気温度の上昇との相乗効果により、触媒への供給熱量が顕著に増大するうえ、空気（酸素）過剰によって触媒の酸化反応が促進するので、触媒温度の上昇をさらに促進することができる。
【０２２８】
このように、アイドル回転数上昇補正および空燃比リーン化補正に加えて、点火時期遅角補正を組み合わせることにより、触媒温度の上昇をさらに促進することができ、触媒温度ＴＣを活性温度に迅速に到達させることができる。
【０２２９】
実施の形態６．
なお、上記実施の形態５では、第２の所定期間にわたって目標点火時期Ｐｏを遅角側に補正するのみであったが、第２の所定期間にわたって目標点火時期Ｐｏを間欠的に遅角側に補正してもよい。
【０２３０】
以下、目標点火時期Ｐｏを間欠的に遅角補正したこの発明の実施の形態６を図について説明する。
図３６および図３７はこの発明の実施の形態６による制御動作を示すフローチャートおよびタイミングチャートである。
【０２３１】
図３６において、ステップＳ７３およびステップＳ７６は、それぞれ、図３０内のステップＳ５３（図３１参照）およびステップＳ５５（図３２参照）に対応している。
【０２３２】
図３７において、目標点火時期Ｐｏは、点火時期復帰用のフラグＦのセット（オン）状態に応答して通常時の点火時期Ｐｎに復帰し、フラグＦのクリア（オフ）状態に応答して活性化遅角点火時期ＰＲに移行する。
【０２３３】
図３６において、まず、ＥＣＵ１４内の点火時期補正手段は、図３６の処理ルーチンを実行する所定タイミングか否かを判定し（ステップＳ７１）、所定タイミングでない（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま、図３６の処理ルーチンをリターンする。
【０２３４】
また、ステップＳ７１において、所定タイミングである（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、続いて、フラグＦがクリアされている（Ｆ＝０）か否かを判定する（ステップ７２）。
【０２３５】
もし、Ｆ＝０（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、目標点火時期Ｐｏを活性化遅角点火時期ＰＲにテーリング移行させるために、第１の点火時期Ｐ１を目標点火時期Ｐｏとして設定（図３１の処理を実行）する（ステップＳ７３）。
【０２３６】
ステップＳ７３の繰り返し実行により、前述のように、第１の点火時期Ｐ１は減少（遅角化）する。
続いて、第１の点火時期Ｐ１が活性化遅角点火時期ＰＲと一致したか否かを判定し（ステップＳ７４）、Ｐ１≠ＰＲ（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま、図３６の処理ルーチンをリターンする。
【０２３７】
また、ステップＳ７４において、Ｐ１＝ＰＲ（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、フラグＦを「１」にセットして（ステップＳ７５）、目標点火時期Ｐｏを通常時の点火時期Ｐｎにテーリング復帰させるために、第２の点火時期Ｐ２を目標点火時期Ｐｏとして設定（図３２の処理を実行）する（ステップＳ７６）。
【０２３８】
一方、ステップ７２において、Ｆ＝１（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、直ちにステップＳ７６に進む。
ステップＳ７６の繰り返し実行により、前述のように、第２の点火時期Ｐ１は増加（進角化）する。
【０２３９】
続いて、第２の点火時期Ｐ２が通常時の点火時期Ｐｎと一致したか否かを判定し（ステップＳ７７）、Ｐ１≠Ｐｎ（すなわち、ＮＯ）と判定されれば、そのまま、図３６の処理ルーチンをリターンする。
【０２４０】
また、ステップＳ７７において、Ｐ２＝Ｐｎ（すなわち、ＹＥＳ）と判定されれば、フラグＦを「０」にクリアして（ステップＳ７８）、図３６の処理ルーチンをリターンする）。
【０２４１】
これにより、目標点火時期Ｐｏは、図３７のように、フラグＦのオンオフに応答して、制御開始時刻ｔ０から、間欠的に活性化遅角点火時期ＰＲにテーリング移行（遅角側に補正）される。
【０２４２】
したがって、点火時期の遅角補正によるドライバビリティの劣化を最小限に抑制しつつ、触媒への供給熱量を増加させて触媒温度ＴＣの上昇促進を実現することができる。
【０２４３】
また、排気温ＴＨまたは触媒温度ＴＣに応じた第２の所定期間にわたった、点火時期を間欠的に遅角側に制御すれば、さらに効果的に触媒温度ＴＣの上昇促進を実現することができる。
【０２４４】
実施の形態７．
なお、上記実施の形態５では、アイドル回転数上昇補正と空燃比リーン化補正と点火時期遅角補正とを組み合わせたが、空燃比リーン化補正を除いて、アイドル回転数上昇補正および点火時期遅角補正のみを組み合わせてもよく、前述と同様の相乗作用により顕著な効果を奏することは言うまでもない。
【０２４５】
以上のように、この発明によれば、内燃機関の排気管に設けられた三元コンバータからなる触媒と、触媒の温度に対応した情報を触媒温度として取得するための触媒温度取得手段と、内燃機関の運転状態を検出する各種センサと、運転状態に応じて内燃機関のアイドル回転数を制御するアイドル制御手段と、触媒温度が触媒の活性温度に対応した所定温度よりも低い場合に、触媒の活性化を促進するために、内燃機関の目標アイドル回転数を通常制御時のアイドル回転数よりも上昇側に補正するアイドル回転数上昇手段とを備え、アイドル回転数上昇手段は、触媒温度が所定温度よりも低い場合に、触媒温度が活性温度に達するまでの所定期間にわたって、目標アイドル回転数を通常制御時のアイドル回転数よりも高い活性化上昇回転数に設定するようにしたので、始動時のアイドル運転時に、迅速に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２４６】
また、アイドル回転数上昇手段は、触媒温度を活性温度よりも低い第１の所定温度と比較する第１の比較手段と、触媒温度を第１の所定温度よりも高く且つ活性温度に対応した第２の所定温度と比較する第２の比較手段とを含み、触媒温度が第１の所定温度と第２の所定温度との間の範囲内にある場合には、目標アイドル回転数を活性化上昇回転数に設定するようにしたので、始動時のアイドル運転時に、迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２４７】
また、アイドル回転数上昇手段は、目標アイドル回転数の切換制御時に目標アイドル回転数を徐々に変更するためのテーリング手段を含み、テーリング手段は、触媒温度が第１の所定温度以上の場合には、目標アイドル回転数を、通常制御時のアイドル回転数から活性化上昇回転数まで一定値ずつ徐々に増加させ、触媒温度が第２の所定温度よりも高い場合には、目標アイドル回転数を、活性化上昇回転数から通常制御時のアイドル回転数まで一定値ずつ徐々に減少させるようにしたので、始動時のアイドル運転時に、ドライバビリティを損なうことなく迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２４８】
また、触媒温度取得手段は、触媒に設けられて触媒温度を直接検出するための温度センサを含むので、始動時のアイドル時に迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２４９】
また、触媒温度取得手段は、内燃機関の排気管に設けられて排気温を検出する排気温センサと、排気温に基づいて触媒温度を推定演算する触媒温度推定手段とを含むので、比較的安価な排気温センサを用いて、コストアップを招くことなく、始動時のアイドル時に迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５０】
また、触媒温度取得手段は、少なくとも内燃機関の始動時水温および吸気量情報に基づいて触媒温度を推定演算する触媒温度推定手段を含むので、特別なセンサを不要として、コストアップを招くことなく、始動時のアイドル時に迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５１】
また、アイドル回転数上昇手段は、排気管を含む排気系の熱容量に応じて、活性化上昇回転数を設定するようにしたので、始動時のアイドル時に迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５２】
また、アイドル回転数上昇手段は、活性化上昇回転数として、目標アイドル回転数を通常時のアイドル回転数よりも約１００ｒｐｍだけ上昇させた値を設定するようにしたので、始動時のアイドル時に迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５３】
また、運転状態に応じて内燃機関の空燃比を制御する空燃比制御手段と、触媒温度が所定温度よりも低い場合に、内燃機関の目標空燃比を、通常制御時の空燃比よりも高く且つ理論空燃比よりも高い活性化リーン空燃比に設定する空燃比リーン化手段とを備えたので、アイドル回転数上昇補正と空燃比リーン化補正との相乗作用により、始動時のアイドル時にさらに迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５４】
また、運転状態に応じて内燃機関の点火時期を制御する点火時期制御手段と、触媒温度が所定温度よりも低い場合に、第２の所定期間にわたって内燃機関の目標点火時期を、通常制御時の点火時期よりも遅角側の活性化遅角点火時期に補正する点火時期遅角手段とを備えたので、アイドル回転数上昇補正と空燃比リーン化補正と点火時期遅角補正との相乗作用により、始動時のアイドル時にさらに迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５５】
また、点火時期遅角手段は、触媒温度を活性温度よりも低い第１の所定温度と比較する第１の比較手段と、触媒温度を第１の所定温度よりも高く且つ活性温度に対応した第２の所定温度と比較する第２の比較手段と、目標点火時期の切換制御時に目標点火時期を徐々に変更するためのテーリング手段とを含み、テーリング手段は、触媒温度が第１の所定温度以上の場合には、目標点火時期を、通常制御時の点火時期から活性化遅角点火時期まで一定値ずつ徐々に遅角させ、触媒温度が第２の所定温度よりも高い場合には、目標点火時期を、活性化遅角点火時期から通常制御時の点火時期まで一定値ずつ徐々に進角させるようにしたので、ドライバビリティを損なうことなく、始動時のアイドル時にさらに迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５６】
また、点火時期遅角手段は、触媒温度に応じて、活性化遅角点火時期および第２の所定期間の少なくとも一方を可変設定するようにしたので、始動時のアイドル時にさらに迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５７】
また、点火時期遅角手段は、第２の所定期間にわたって、目標点火時期を間欠的に遅角側に補正するようにしたので、点火時期制御そのものを損なうことなく、始動時のアイドル時にさらに迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【０２５８】
また、運転状態に応じて内燃機関の点火時期を制御する点火時期制御手段と、触媒温度が所定温度よりも低い場合に、第２の所定期間にわたって内燃機関の目標点火時期を遅角側に補正する点火時期遅角手段とを備えたので、アイドル回転数上昇補正と点火時期遅角補正との相乗作用により、始動時のアイドル時にさらに迅速に且つ有効に触媒温度を上昇させることができ、排気ガス規制を十分に満たすことのできる内燃機関の触媒昇温制御装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０２５９】
【図１】この発明の実施の形態１に関連した装置の第１の例による空燃比制御動作を示すフローチャートである。
【図２】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による空燃比リーン化補正用のテーリング処理動作（ステップＳ３）を具体的に示すフローチャートである。
【図３】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による空燃比通常化復帰用のテーリング処理動作（ステップＳ５）を具体的に示すフローチャートである。
【図４】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による空燃比リーン化補正動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による始動時におけるエンジン回転数の時間変化を示す説明図である。
【図６】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による始動時における空燃比の時間変化を示す説明図である。
【図７】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による始動時における上流側の触媒温度の時間変化を示す説明図である。
【図８】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による始動時における下流側の触媒温度の時間変化を示す説明図である。
【図９】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による空燃比に対する排気温の変化を示す特性図である。
【図１０】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による触媒温度の時間変化を示す特性図である。
【図１１】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による冷却水温に対する空燃比の変化を示す特性図である。
【図１２】この発明の実施の形態１に関連した第１の例による通常制御時での始動直後の空燃比の時間変化を示す説明図である。
【図１３】この発明の実施の形態１に関連した装置の第２の例による触媒温度の推定演算処理動作を示すフローチャートである。
【図１４】この発明の実施の形態１に関連した第２の例による初期触媒温度の推定値を示す説明図である。
【図１５】この発明の実施の形態１に関連した第２の例による排気ガスの熱エネルギー（排気熱量）の消費状態を示す説明図である。
【図１６】この発明の実施の形態１に関連した第２の例による排気系への熱伝導量と排気系の温度上昇分との関係を示す特性図である。
【図１７】この発明の実施の形態１に関連した第２の例による排気系への熱伝導量と排気系の熱時定数との関係を示す特性図である。
【図１８】この発明の実施の形態１に関連した第２の例による触媒への熱伝導量と触媒の温度上昇分との関係を示す特性図である。
【図１９】この発明の実施の形態１に関連した第２の例による触媒への熱伝導量と触媒の熱時定数との関係を示す特性図である。
【図２０】この発明の実施の形態１に関連した装置の第３の例による排気温の推定演算処理動作を示す説明図である。
【図２１】この発明の実施の形態１に関連した第３の例による空燃比の設定処理動作を示す説明図である。
【図２２】この発明の実施の形態１による触媒温度に応じた触媒活性化促進用のアイドル回転数の補正処理を示すフローチャートである。
【図２３】この発明の実施の形態１によるアイドル回転数上昇補正用のテーリング処理動作（ステップＳ３３）を具体的に示すフローチャートである。
【図２４】この発明の実施の形態１によるアイドル回転数通常化復帰用のテーリング処理動作（ステップＳ３５）を具体的に示すフローチャートである。
【図２５】この発明の実施の形態１による冷却水温、通常制御時のアイドル回転数、触媒温度、目標アイドル回転数の各時間変化を示すタイミングチャートである。
【図２６】この発明の実施の形態１に関連した目標アイドル回転数と発生熱量との関係を示す特性図である。
【図２７】この発明の実施の形態１による冷却水温に応じて設定される目標アイドル回転数を示す特性図である。
【図２８】この発明の実施の形態１に関連した通常制御時での始動直後の目標アイドル回転数の時間変化を示す説明図である。
【図２９】この発明の実施の形態４によるアイドル回転数上昇補正と空燃比リーン化補正とを組み合わせた制御動作を示す説明図である。
【図３０】この発明の実施の形態５による触媒温度に応じた触媒活性化促進用の点火時期補正処理を示すフローチャートである。
【図３１】この発明の実施の形態５による点火時期遅角補正用のテーリング処理動作（ステップＳ５３）を具体的に示すフローチャートである。
【図３２】この発明の実施の形態５による点火時期通常化復帰用のテーリング処理動作（ステップＳ５５）を具体的に示すフローチャートである。
【図３３】この発明の実施の形態５による冷却水温に対する目標点火時期の変化を示す特性図である。
【図３４】この発明の実施の形態５による触媒温度および目標点火時期の時間変化を示すタイミングチャートである。
【図３５】この発明の実施の形態５によるアイドル回転数上昇補正と空燃比リーン化補正と点火時期遅角補正とを組み合わせた制御動作を示す説明図である。
【図３６】この発明の実施の形態６による制御動作を示すフローチャートである。
【図３７】この発明の実施の形態６による制御動作を示すタイミングチャートである。
【図３８】従来の内燃機関の触媒昇温制御装置を示す回路構成図である。
【図３９】一般的な触媒温度に対する排気ガスの浄化率の変化を示す説明図である。
【符号の説明】
【０２６０】
１  エンジン、２  吸気管、３  排気管、５  エアフローセンサ、６  スロットル弁、７  バイパス通路、８  ＩＳＣバルブ、９  空燃比センサ、１０、１１  触媒、１２  インジェクタ、１３  クランク角センサ、１４  ＥＣＵ、Ａ／Ｆ  空燃比、Ａ／ＦＬ  活性化リーン空燃比、Ａ／Ｆｎ  通常制御時の空燃比、Ａ／Ｆｏ  目標空燃比、Ｃ  ＩＳＣ制御信号、ＣＡ  クランク角信号、Ｎｉｏ  目標アイドル回転数、Ｎｉｎ  通常制御時のアイドル回転数、ＮｉＵ  活性化上昇回転数、Ｐ  点火信号、Ｑａ  吸気量（負荷）、Ｐｏ  目標点火時期、Ｐｎ  通常制御時の点火時期、ＰＲ  活性化遅角点火時期、ＴＡｓ  始動時吸気温、ＴＣ  触媒温度、ＴＣｓ  始動時触媒温度、ＴＥ  排気系温度、ＴＥｓ  始動時排気系温度、ＴＨ  排気温度、ＴＷ  冷却水温、ＴＷｓ  始動時水温、Ｔ１、Ｔ１ａ、Ｔ１ｂ  第１の所定温度、Ｔ２、Ｔ２ａ、Ｔ２ｂ  第２の所定温度、ΣＱ、ΣＱＨ  発生熱量、ΔＦ１、ΔＦ２、ΔＮ１、ΔＮ２、ΔＰ１、ΔＰ２  一定値、Ｓ３  目標空燃比をリーン側に補正するステップ、Ｓ１１、Ｓ１２、Ｓ１１Ａ、Ｓ１２Ａ  テーリング処理ステップ、Ｓ３３  目標アイドル回転数を上昇補正するステップ、Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ４１Ａ、Ｓ４２Ａ  テーリング処理ステップ、Ｓ５３  目標点火時期を遅角補正するステップ、Ｓ６１、Ｓ６２、Ｓ６１Ａ、Ｓ６２Ａ  テーリング処理ステップ。
【図１】
2004169711.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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