(57)【要約】【課題】本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関し、製造工程を削減でき、良好な表示品質の得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ガラス基板１０上にＴＦＴ２０を形成し、ＴＦＴ２０上に保護膜３６を形成し、保護膜３６上にソース電極３０、ゲートバスライン端子４０及びドレインバスライン端子４４上が開口されたレジストパターンを形成し、当該レジストパターン表面に紫外光を照射した後に２００℃以上の焼成温度で焼成して、皺状の表面を有する皺状樹脂層５２を形成し、皺状樹脂層５２をエッチングマスクとして用いて保護膜３６及び絶縁膜２２をエッチングし、皺状樹脂層５２上に反射電極１６と保護導電膜４１、４５とを形成する。【選択図】　　図３
2004004164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状に配列された画素領域と、
前記基板上に互いに並列して形成された複数の第１のバスラインと、
前記第１のバスライン上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１のバスラインに前記第１の絶縁膜を介して交差し、互いに並列して形成された複数の第２のバスラインと、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に表面が皺状に形成され、絶縁性を有する皺状樹脂層と、前記皺状樹脂層上の前記画素領域毎に光反射性材料で形成され、前記皺状樹脂層表面に倣い表面が皺状に形成された反射電極と、
前記第１及び第２のバスラインにそれぞれ接続された複数のバスライン端子と、
前記反射電極と同一の形成材料で前記複数のバスライン端子上にそれぞれ形成され、前記複数のバスライン端子にそれぞれ接続された複数の保護導電膜と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数のバスライン端子は、前記皺状樹脂層が形成された外周部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記薄膜トランジスタのソース電極のうち、前記反射電極に接続された領域の表面はエッチング除去されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記バスライン端子のうち、前記保護導電膜に接続された領域の表面はエッチング除去されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項５】
対向配置された２枚の基板と、前記２枚の基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記２枚の基板の一方に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
基板上に第１のバスライン及び前記第１のバスラインに接続された第１のバスライン端子を形成し、
前記第１のバスライン及び前記第１のバスライン端子上に第１の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜上に第２のバスライン及び前記第２のバスラインに接続された第２のバスライン端子を形成するとともに、前記第１及び第２のバスラインの一方に接続されたゲート電極と、他方に接続されたドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記第２のバスライン及び前記第２のバスライン端子上に第２の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜上に樹脂を塗布してパターニングし、前記薄膜トランジスタのソース電極上並びに前記第１及び第２のバスライン端子上が開口された樹脂層を形成し、
前記樹脂層に所定の処理を施し、皺状の表面を有する皺状樹脂層を形成し、
前記皺状樹脂層をエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２の絶縁膜をエッチングし、
前記皺状樹脂層上に光反射性材料を成膜してパターニングし、前記ソース電極に接続され、前記皺状樹脂層表面に倣い皺状の表面を有する反射電極と、前記第１及び第２のバスライン端子上の保護導電膜とを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法を用いて成膜されたシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜により形成され、
前記第１及び第２の絶縁膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによりエッチングされること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項８】
基板上に第１のバスライン及び前記第１のバスラインに接続された第１のバスライン端子を形成し、
前記第１のバスライン及び前記第１のバスライン端子上に第１の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜上に第２のバスライン及び前記第２のバスラインに接続された第２のバスライン端子を形成するとともに、前記第１及び第２のバスラインの一方に接続されたゲート電極と、他方に接続されたドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記第２のバスライン及び前記第２のバスライン端子上に第２の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜上に樹脂を塗布してパターニングし、薄膜トランジスタのソース電極上及び前記第１及び第２のバスライン端子上が開口された第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層をエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２の絶縁膜をエッチングし、
前記第２の絶縁膜上に樹脂を塗布してパターニングし、薄膜トランジスタのソース電極上及び前記第１及び第２のバスライン端子上が開口された第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に所定の処理を施し、皺状の表面を有する皺状樹脂層を形成し、
前記皺状樹脂層をエッチングマスクとして用いて、前記皺状樹脂層を形成する際に前記ソース電極上及び前記第１及び第２のバスライン端子上に形成された昇華物及び／又は熱酸化膜をエッチング除去し、
前記皺状樹脂層上に光反射性材料を成膜してパターニングし、前記ソース電極に接続され、前記皺状樹脂層表面に倣い皺状の表面を有する反射電極と、前記第１及び第２のバスライン端子上の保護導電膜とを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法を用いて成膜されたシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜により形成され、
前記第１及び第２の絶縁膜、あるいは前記昇華物及び／又は前記熱酸化膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによりエッチング除去されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器等の表示部に用いられる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デスクトップ型ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）向けに、対角サイズ１５〜２３インチでＸＧＡ（ｅＸｔｅｎｄｅｄ　Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ａｒｒａｙ；解像度１０２４×７６８）〜ＵＸＧＡ（Ｕｌｔｒａ　ＸＧＡ；解像度１６００×１２００）クラスの液晶表示装置が普及しつつある。それに伴い、画素毎にスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置の需要は一層増加傾向にある。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、非選択時にオフ状態となって階調信号を遮断するスイッチング素子を画素毎に設けることによってクロストークの発生を防止しており、単純マトリクス型液晶表示装置に比べて優れた表示特性を有している。特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）がスイッチング素子として用いられた液晶表示装置は、その駆動能力の高さからＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ）にも匹敵する表示特性を有する。
【０００３】
一般的なＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶表示装置は、２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。一方の透明基板には、相互に対向する面（対向面）に、共通電極、カラーフィルタ（ＣＦ）及び配向膜等が形成されている。他方の透明基板には、対向面にＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成されている。各透明基板の対向面と反対側の面には、各々偏光板が貼り付けられている。この２枚の偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置されると、両基板間に電圧が印加されない状態では光を透過し、両基板間に電圧が印加された状態では遮光するモード、すなわちノーマリホワイトモードになる。逆に、この２枚の偏光板の偏光軸が互いに平行になるように配置されると、ノーマリブラックモードになる。
【０００４】
近年、液晶表示装置のより一層の高性能化が要求されている。携帯電話機や携帯型電子機器等の普及とともに、特に低消費電力化や屋外での使用容易性等が強く要求されている。これらの低消費電力化と屋外使用容易性を充分に満たすものとして、光反射性を有する画素電極を備え、外光を用いることにより光源装置が不要な反射型の液晶表示装置の開発が要望されている。
【０００５】
反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板は、反射率の高い金属薄膜により画素電極（反射電極）が形成されている。反射型液晶表示装置は、表示画面側から入射する自然光や電光をＴＦＴ基板上で反射させ、その反射光を液晶表示用の光源として利用している。反射電極は凹凸状の表面を有している。反射電極の凹凸状の表面は、表面に凹凸を有する感光性樹脂膜を予め下層に形成することにより得られる。表示画面側から入射する光を反射電極の凹凸状表面により乱反射させることにより、高輝度及び高視野角の得られる反射型液晶表示装置が実現されている。
【０００６】
特開２００１−１９４６７７号公報（以下「文献１」という）には、アルミニウム（Ａｌ）からなる反射電極表面に凹凸を形成するために、反射電極の下層に凹凸状のレジスト層が形成された液晶表示装置が開示されている。この凹凸状のレジスト層は、ＴＦＴ上に直接形成されている。このため、レジストや、レジスト塗布前の基板の疎水化処理に用いられるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）によりＴＦＴが有機汚染されてしまうおそれがあるという問題が生じる。さらに、レジスト層を形成する工程はウェット系であるため、水分や薬液がＴＦＴに染み込んでしまうおそれがあるという問題が生じる。したがって、文献１には記載がないが、ＴＦＴの特性の劣化を防止するためにはＴＦＴ上に汚染防止用の保護膜を形成する必要がある。
【０００７】
また、文献１に記載された液晶表示装置では、凹凸状のレジスト層が端子部上に形成されていない。このため、端子部がＡｌ系の積層金属膜により形成されていると、レジスト層の現像時に侵食されてしまうおそれがあるという問題が生じる。以下、文献１の記載に基づきつつ、上記の問題点を解決した従来の液晶表示装置用基板及びその製造方法について図２５乃至図４０を用いて説明する。
【０００８】
図２５は従来の反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示している。図２６（ａ）は図２５のＸ−Ｘ線で切断したＴＦＴ基板の断面を示し、図２６（ｂ）は図２５のＹ−Ｙ線で切断したＴＦＴ基板の断面を示している。図２６（ｃ）は図２５のＺ−Ｚ線で切断したＴＦＴ基板の断面を示している。図２５及び図２６（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板は、ガラス基板１１０上に、互いに並列して図２５中左右方向に延びて形成された複数のゲートバスライン１１２を有している。また、ゲートバスライン１１２上に形成された絶縁膜（ゲート絶縁膜）１２２を介してゲートバスライン１１２に交差して、互いに並列して図２５中上下方向に延びる複数のドレインバスライン１１４が形成されている。
【０００９】
ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１２０が形成されている。ＴＦＴ１２０のゲート電極（ゲートバスライン）１１２上には、絶縁膜１２２を介して、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる動作半導体層１２４と、チャネル保護膜１２５と、ｎ＋ａ−Ｓｉからなるｎ型不純物半導体層１２６とがこの順に形成されている。ｎ型不純物半導体層１２６上には、ドレインバスライン１１４から引き出されたドレイン電極１２８と、ソース電極１３０とが形成されている。ドレイン電極１２８及びその下層のｎ型不純物半導体層１２６と、ソース電極１３０及びその下層のｎ型不純物半導体層１２６とは、互いに電気的に分離されている。ドレイン電極１２８及びソース電極１３０上には、保護膜１３６が形成されている。保護膜１３６上には、凹凸状の表面を有するレジスト層１５２が形成されている。
【００１０】
ＴＦＴ基板上にマトリクス状に配置された画素領域には、Ａｌ等の光反射性材料からなる反射電極１１６が形成されている。反射電極１１６は、レジスト層１５２の表面形状に倣い凹凸状に形成されている。反射電極１１６は、コンタクトホール１３８を介してソース電極１３０に電気的に接続されている。各画素領域をゲートバスライン１１２にほぼ平行に横切って、蓄積容量バスライン１１８が形成されている。蓄積容量バスライン１１８上には、絶縁膜１２２を介して蓄積容量電極（中間電極）１３２が画素領域毎に形成されている。反射電極１１６は、コンタクトホール１３９を介して蓄積容量電極１３２に電気的に接続されている。
【００１１】
ゲートバスライン１１２の一端部（図２５では左方）には、ゲートバスライン端子１４０が形成されている。ゲートバスライン端子１４０上には、反射電極１１６と同一の形成材料からなる保護導電膜１４１が形成されている。保護導電膜１４１は、コンタクトホール１４２を介してゲートバスライン端子１４０に電気的に接続されている。またドレインバスライン１１４の一端部（図２５では上方）には、ドレインバスライン端子１４４が形成されている。ドレインバスライン端子１４４上には、反射電極１１６と同一の形成材料からなる保護導電膜１４５が形成されている。保護導電膜１４５は、コンタクトホール１４６を介してドレインバスライン端子１４４に電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１１８の一端部（図２５では左方）には、蓄積容量バスライン端子１４８が形成されている。蓄積容量バスライン端子１４８上には、反射電極１１６と同一の形成材料からなる保護導電膜１４９が形成されている。保護導電膜１４９は、コンタクトホール１５０を介して蓄積容量バスライン端子１４８に電気的に接続されている。
【００１２】
次に、従来の反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法について図２７乃至図４０を用いて説明する。図２７、図２８、図３０、図３１、図３３、図３４、図３６、図３７（ａ）、図３９及び図４０は、従来のＴＦＴ基板の製造工程を示す工程断面図であり、図２６（ａ）に対応する断面を示している。図３７（ｂ）は従来のＴＦＴ基板の製造工程を示す工程断面図であり、図２６（ｂ）に対応する断面を示している。図３７（ｃ）は従来のＴＦＴ基板の製造工程を示す工程断面図であり、図２６（ｃ）に対応する断面を示している。図２９、図３２、図３５及び図３８は、従来のＴＦＴ基板の製造工程を示しており、ＴＦＴ基板を基板面に垂直方向に見た図である。
【００１３】
図２７に示すように、ガラス基板１１０上の全面に、金属膜１６０を成膜する。次に、金属膜１６０上の基板全面にレジストを塗布し、第１のフォトマスクを用いてパターニングして、レジストパターン１６１を形成する。次に、図２８及び図２９に示すように、レジストパターン１６１をエッチングマスクとして用いてエッチングし、ゲートバスライン１１２、蓄積容量バスライン１１８、ゲートバスライン端子１４０及び蓄積容量バスライン端子１４８を形成する。次に、レジストパターン１６１を除去する。
【００１４】
次に、図３０に示すように、絶縁膜１２２、ａ−Ｓｉ層１２４’及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）１２５’をこの順に基板全面に成膜する。次に、ポジ型レジストを基板全面に塗布する。次に、ゲートバスライン１１２をマスクとしてガラス基板１１０の裏面（図３０では下方）から背面露光を行い、さらに第２のフォトマスクを用いた露光を行って、ゲートバスライン１１２上に自己整合的にレジストパターン１６２を形成する。次に、図３１及び図３２に示すように、レジストパターン１６２をエッチングマスクとして用いてエッチングし、チャネル保護膜１２５を形成する。次に、レジストパターン１６２を除去する。
【００１５】
次に、図３３に示すように、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１２６’と金属膜１２８’とを連続して成膜する。次に、金属膜１２８’上の基板全面にレジストを塗布し、第３のフォトマスクを用いてパターニングして、レジストパターン１６３を形成する。次に、図３４及び図３５に示すように、レジストパターン１６３をエッチングマスクとして用いてエッチングし、ドレインバスライン１１４、ドレイン電極１２８、ソース電極１３０、ドレインバスライン端子１４４及び蓄積容量電極１３２をそれぞれ形成する。これによりＴＦＴ１２０が形成される。次に、レジストパターン１６３を除去する。
【００１６】
次に、図３６に示すように、透明な絶縁膜からなる保護膜１３６を基板全面に成膜する。次に、保護膜１３６上の基板全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングして、レジストパターン１６４を形成する。次に、図３７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び図３８に示すように、レジストパターン１６４をエッチングマスクとして用いてエッチングし、コンタクトホール１３８’、１３９’、１４２’、１４６’、１５０’をそれぞれ形成する。次に、レジストパターン１６４を除去する。
【００１７】
次に、基板全面にポジ型レジストを塗布する。次に、表面に凹凸を形成するために、複数の円形の遮光部を有する第５のフォトマスクを用いて低照度の紫外（ＵＶ）光で露光する。次に、コンタクトホール１３８’、１３９’、１４２’、１４６’、１５０’に対応する位置に開口部を有する第６のフォトマスクを用いて高照度のＵＶ光を露光する。続いて現像すると、図３９に示すように、高照度のＵＶ光で露光されたコンタクトホール１３８’、１３９’、１４２’、１４６’、１５０’上の領域は開口され、コンタクトホール１３８、１３９、１４２、１４６、１５０が形成される。一方、低照度のＵＶ光が露光された領域は、遮光部により遮光された領域と比較して、レジスト層の膜厚が所定量だけ減少する。これにより、表面に凹凸が形成された凹凸レジスト層１５２が形成される。
【００１８】
次に、図４０に示すように、凹凸レジスト層１５２上の基板全面に、Ａｌからなる金属膜１１６’を成膜する。次に、第７のフォトマスクを用いてパターニングし、画素領域毎の反射電極１１６と、ゲートバスライン端子１４０上の保護導電膜１４１と、蓄積容量バスライン端子１４８上の保護導電膜１４９と、ドレインバスライン端子１４４上の保護導電膜１４５とを形成する。以上の工程により、図２５及び図２６（ａ）〜（ｃ）に示すＴＦＴ基板が完成する。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
上記のＴＦＴ基板の製造方法では、素子分離後のＴＦＴ１２０上にＳｉＮ膜からなる保護膜１３６を形成し、凹凸レジスト層１５２形成前に予め保護膜１３６及び絶縁膜１２２にコンタクトホール１３８’、１３９’、１４２’、１４６’、１５０’を形成している。また、上記のＴＦＴ基板の製造方法では、第５のフォトマスクを用いて凹凸レジスト層１５２表面の凹凸を形成し、他の第６のフォトマスクを用いてコンタクトホール１３８、１３９、１４２、１４６、１５０を形成している。このため、反射型のＴＦＴ基板の製造工程では７枚のフォトマスクが必要になる。したがって、通常５枚のフォトマスクにより製造される透過型のＴＦＴ基板と比較して、ＴＦＴ基板の製造工程が増加し、それに伴い製造コストの増加及び製造歩留りの低下が生じてしまうという問題が生じる。
【００２０】
本発明の目的は、製造工程を削減でき、良好な表示品質の得られる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上にマトリクス状に配列された画素領域と、前記基板上に互いに並列して形成された複数の第１のバスラインと、前記第１のバスライン上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１のバスラインに前記第１の絶縁膜を介して交差し、互いに並列して形成された複数の第２のバスラインと、前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に表面が皺状に形成され、絶縁性を有する皺状樹脂層と、前記皺状樹脂層上の前記画素領域毎に光反射性材料で形成され、前記皺状樹脂層表面に倣い表面が皺状に形成された反射電極と、前記第１及び第２のバスラインにそれぞれ接続された複数のバスライン端子と、前記反射電極と同一の形成材料で前記複数のバスライン端子上にそれぞれ形成され、前記複数のバスライン端子にそれぞれ接続された複数の保護導電膜とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図１乃至図１８を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、反射型の液晶表示装置は、ＴＦＴや反射電極等が画素領域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、カラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成されたＣＦ基板４とを対向させて貼り合わせ、両基板２、４間に液晶を封入した構造を有している。
【００２３】
ＴＦＴ基板２には、絶縁膜を介して互いに交差する複数のゲートバスライン及び複数のドレインバスラインが形成されている。複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路７０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路７２とが設けられている。これらの駆動回路７０、７２は、制御回路７４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。ＣＦ基板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板７６が貼り付けられている。
【００２４】
図２は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示している。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示し、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示している。図３（ｃ）は図２のＣ−Ｃ線で切断した液晶表示装置用基板の断面を示している。図２及び図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板２は、互いに並列して図２中左右方向に延びて形成された複数のゲートバスライン１２を透明なガラス基板１０上に有している（図２では２本のゲートバスライン１２を示している）。また、ＳｉＮ膜やシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）等からなり、ゲートバスライン１２上に形成された絶縁膜（ゲート絶縁膜）２２を介してゲートバスライン１２に交差して、互いに並列して図２中上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４が形成されている（図２では２本のドレインバスライン１４を示している）。
【００２５】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０のゲート電極（ゲートバスライン）１２上には、絶縁膜２２を介して、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる動作半導体層２４と、例えばＳｉＮ膜からなるチャネル保護膜２５と、例えばｎ＋ａ−Ｓｉからなるｎ型不純物半導体層（オーミックコンタクト層）２６とがこの順に形成されている。ｎ型不純物半導体層２６上には、ドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２８と、ソース電極３０とが形成されている。ドレイン電極２８及びその下層のｎ型不純物半導体層２６と、ソース電極３０及びその下層のｎ型不純物半導体層２６とは、互いに電気的に分離されている。ドレイン電極２８及びソース電極３０上には、例えばＳｉＮ膜からなり、絶縁性を有する保護膜３６が形成されている。保護膜３６上には、皺状の表面を有する皺状樹脂層５２が形成されている。皺状樹脂層５２は、感光性及び絶縁性を有する例えば単層のレジストにより形成されている。
【００２６】
ＴＦＴ基板２上にマトリクス状に配置された画素領域には、Ａｌ等の光反射性材料からなる反射電極１６が形成されている。反射電極１６は、皺状樹脂層５２の表面形状に倣い皺状に形成されている。反射電極１６は、コンタクトホール３８を介してソース電極３０に電気的に接続されている。各画素領域をゲートバスライン１２にほぼ平行に横切って、蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、絶縁膜２２を介して蓄積容量電極（中間電極）３２が画素領域毎に形成されている。反射電極１６は、コンタクトホール３９を介して蓄積容量電極３２に電気的に接続されている。
【００２７】
ゲートバスライン１２の一端部（図２では左方）には、ゲートバスライン端子４０が形成されている。ゲートバスライン端子４０上には、反射電極１６と同一の形成材料からなる保護導電膜４１が形成されている。保護導電膜４１は、保護膜３６及び絶縁膜２２が開口されたコンタクトホール４２を介してゲートバスライン端子４０に電気的に接続されている。またドレインバスライン１４の一端部（図２では上方）には、ドレインバスライン端子４４が形成されている。ドレインバスライン端子４４上には、反射電極１６と同一の形成材料からなる保護導電膜４５が形成されている。保護導電膜４５は、保護膜３６が開口されたコンタクトホール４６を介してドレインバスライン端子４４に電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１８の一端部（図２では左方）には、蓄積容量バスライン端子４８が形成されている。蓄積容量バスライン端子４８上には、反射電極１６と同一の形成材料からなる保護導電膜４９が形成されている。保護導電膜４９は、保護膜３６及び絶縁膜２２が開口されたコンタクトホール５０を介して蓄積容量バスライン端子４８に電気的に接続されている。ゲートバスライン端子４０及びドレインバスライン端子４４の外周部には、皺状樹脂層５２が形成されている。また、蓄積容量バスライン端子４８の外周部には、皺状樹脂層５２が形成されている。
【００２８】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の製造方法について図４乃至図１８を用いて説明する。図４、図５、図７、図８、図１０、図１１、図１３、図１４、図１５（ａ）、図１７及び図１８は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造工程を示す工程断面図であり、図３（ａ）に対応する断面を示している。図１５（ｂ）は本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造工程を示す工程断面図であり、図３（ｂ）に対応する断面を示している。図１５（ｃ）は本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造工程を示す工程断面図であり、図３（ｃ）に対応する断面を示している。図６、図９、図１２及び図１６は本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造工程を示しており、ＴＦＴ基板を基板面に垂直方向に見た図である。
【００２９】
図４に示すように、例えばＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、例えば膜厚１００ｎｍのＡｌ膜と膜厚５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜とをこの順にガラス基板１０上の全面に成膜し、金属膜（ゲート金属層）６０を形成する。なお金属膜６０は、クロム（Ｃｒ）膜やＡｌ合金膜、モリブデン（Ｍｏ）系膜で形成してもよい。次に、金属膜６０上の基板全面にレジスト（感光性樹脂）を塗布し、第１のフォトマスクを用いてパターニングして、所定形状のレジストパターン６１を形成する。
【００３０】
次に、図５及び図６に示すように、レジストパターン６１をエッチングマスクとして用いて、Ｃｌ系ガスによるドライエッチングを行う。なお、金属膜６０がＣｒ膜で形成されていればＣｒエッチャントによるウェットエッチングを行い、金属膜６０がＡｌ合金膜やＭｏ系膜で形成されていれば、Ａｌエッチャントによるウェットエッチングを行う。これにより、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、ゲートバスライン端子４０及び蓄積容量バスライン端子４８を形成する。次に、レジストパターン６１を除去する。
【００３１】
次に、図７に示すように、例えばプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、透明で絶縁性を有する例えば膜厚３５０ｎｍのＳｉＮ膜からなる絶縁膜２２と、例えば膜厚３０ｎｍのａ−Ｓｉ層２４’と、例えば膜厚１２０ｎｍのＳｉＮ膜２５’とをこの順に基板全面に連続成膜する。次に、感光部分が可溶化するポジ型レジストを基板全面に塗布する。次に、ゲートバスライン１２をマスクとしてガラス基板１０の裏面（図７では下方）から背面露光を行い、さらに第２のフォトマスクを用いた露光を行って、ゲートバスライン１２上に自己整合的にレジストパターン６２を形成する。
【００３２】
次に、図８及び図９に示すように、レジストパターン６２をエッチングマスクとして用いてエッチングし、ゲートバスライン１２上のＴＦＴ２０形成領域にチャネル保護膜２５を形成する。次に、レジストパターン６２を除去する。
【００３３】
次に、図１０に示すように、例えばＰＶＤ法を用いて、例えば膜厚３０ｎｍのｎ＋ａ−Ｓｉ層２６’と、例えば膜厚２０ｎｍのＴｉ膜、膜厚７５ｎｍのＡｌ膜及び膜厚２０ｎｍのＴｉ膜からなる金属膜（ドレイン金属層）２８’とをこの順に連続して成膜する。なお金属膜２８’は、Ａｌ合金膜や、その他の低抵抗金属の積層膜等で形成してもよい。次に、金属膜２８’上の基板全面にレジストを塗布し、第３のフォトマスクを用いてパターニングして、所定形状のレジストパターン６３を形成する。
【００３４】
次に、図１１及び図１２に示すように、レジストパターン６３をエッチングマスクとして用いて、金属膜２８’、ｎ＋ａ−Ｓｉ層２６’及びａ−Ｓｉ層２４’を一括してドライエッチングを行う。このエッチングは、Ｃｌ系ガスを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）法により行われる。またこのエッチングでは、チャネル保護膜２５がエッチングストッパとして機能し、その下層のａ−Ｓｉ層２４’はエッチングされずに残存する。これにより、ドレインバスライン１４、ドレイン電極２８、ソース電極３０、ドレインバスライン端子４４及び蓄積容量電極３２をそれぞれ形成する。次に、レジストパターン６３を除去する。
【００３５】
次に、図１３に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、透明で絶縁性を有し、例えば膜厚３３０ｎｍのＳｉＮ膜からなる保護膜３６を基板全面に成膜する。次に、例えば膜厚３．５μｍ程度のポジ型レジストを保護膜３６上の基板全面に塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングして、所定形状のレジストパターン６４を形成する。
【００３６】
次に、レジストパターン６４の表面にＵＶ光を照射した後、レジストパターン６４を例えば２００℃以上の焼成温度で焼成する。ＵＶ光は、例えばｉ線以下の照射波長（具体的には１７０〜２６０ｎｍ）及び約３０ｍＪの照射エネルギーで照射するのが好ましい。これにより、図１４に示すように、レジストパターン６４表面のみが架橋反応して皺状の凹凸が形成され、皺状樹脂層５２が得られる。このとき領域αには、レジストを焼成する際に生じるレジスト昇華物等が形成される。
【００３７】
次に、図１５（ａ）、（ｃ）及び図１６に示すように、皺状樹脂層５２をエッチングマスクとして用いて保護膜３６をエッチングし、コンタクトホール３８、３９、４６をそれぞれ形成するとともに、図１５（ｂ）及び図１６に示すように、保護膜３６及び絶縁膜２２を一括エッチングし、コンタクトホール４２、５０をそれぞれ形成する。このエッチングは、例えばフッ素系ガスを用いたＲＩＥ法によるドライエッチングである。エッチング条件は、６．７Ｐａ、ＳＦ６／Ｏ２＝２００／２００（ｓｃｃｍ）、６００Ｗとする。領域αに形成されたレジスト昇華物等は、このエッチングにより除去される。
【００３８】
次に、図１７に示すように、例えばＰＶＤ法を用いて、例えば膜厚１５０ｎｍのＡｌ膜を皺状樹脂層５２上の基板全面に成膜し、金属膜１６’を形成する。次に、金属膜１６’上の全面にレジストを塗布する。次に、第５のフォトマスクを用いてパターニングし、レジストパターン６５を形成する。次に、図１８に示すように、レジストパターン６５をエッチングマスクとして用いて、燐酸、硝酸、酢酸の混酸等によりウェットエッチングを行い、画素領域毎の反射電極１６と、各ゲートバスライン端子４０上の保護導電膜４１と、各蓄積容量バスライン端子４８上の保護導電膜４９と、各ドレインバスライン端子４４上の保護導電膜４５とをそれぞれ形成する。次に、レジストパターン６５を除去する。以上の工程を経て、本実施の形態による液晶表示装置用基板のＴＦＴ基板２が完成する。その後、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４とを貼り合わせて液晶を封止することにより、本実施の形態による液晶表示装置が完成する。
【００３９】
本実施の形態では、保護膜３６上に形成された皺状樹脂層５２の表面に皺状の凹凸が形成されている。皺状樹脂層５２上に形成された反射電極１６は、皺状樹脂層５２表面の形状に倣い皺状に形成されている。このため、反射電極１６により、表示画面側から入射する光を乱反射させることができ、高輝度及び高視野角の反射型液晶表示装置が得られる。
【００４０】
また、本実施の形態では、皺状樹脂層５２を形成した後にコンタクトホール３８、３９、４２、４６、５０を形成している。このため、コンタクトホール３８、３９、４２、４６、５０を形成する際に、レジスト焼成時に生じたレジスト昇華物等を除去できる。また、レジスト焼成時には金属膜が露出していないため、金属膜表面に熱酸化膜が形成されることがない。したがって、レジスト昇華物や熱酸化膜等による金属膜間のコンタクト不良を回避できる。また、素子分離後のＴＦＴ２０上にＳｉＮ膜からなる保護膜３６を形成しているため、レジスト等によるＴＦＴ２０の汚染を防止できる。
【００４１】
さらに、本実施の形態によれば、皺状樹脂層５２表面に凹凸を形成する際にフォトマスクを用いないため、フォトマスクを１枚削減できる。また、皺状樹脂層５２をエッチングマスクとして用いているため、フォトマスクをさらに１枚削減できる。したがって、フォトマスクの必要枚数が７枚から５枚に減少する。このため、ＴＦＴ基板２の製造工程が減少し、それに伴い製造コストの削減及び製造歩留りの向上が可能になる。
【００４２】
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法について図１９乃至図２４を用いて説明する。図１９は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の図３（ａ）に対応する断面を示している。なお、第１の実施の形態と同一の機能作用を有する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。図１９に示すように、ソース電極３０のうち、コンタクトホール３８を介して反射電極１６に接続された領域の表面はエッチング除去されている。同様に、蓄積容量電極３２のうち、コンタクトホール３９を介して反射電極１６に接続された領域の表面はエッチング除去されている。図示は省略しているが、ゲートバスライン端子４０のうち、コンタクトホール４２を介して保護導電膜４１に接続された領域の表面はエッチング除去されている。ドレインバスライン端子４４のうち、コンタクトホール４６を介して保護導電膜４５に接続された領域の表面はエッチング除去されている。蓄積容量バスライン端子４８のうち、コンタクトホール５０を介して保護導電膜４９に接続された領域の表面はエッチング除去されている。
【００４３】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、ＴＦＴ２０を形成するまでの工程は、図４乃至図１２を用いて説明した第１の実施の形態と同様であるため図示及び説明を省略する。図２０に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて、ドレイン電極２８、ソース電極３０及び蓄積容量電極３２上の基板全面に、例えば膜厚３３０ｎｍのＳｉＮ膜からなる保護膜３６を成膜する。次に、保護膜３６上の基板全面にレジストを塗布し、第４のフォトマスクを用いてパターニングして、所定形状のレジストパターン６４を形成する。
【００４４】
次に、図２１に示すように、レジストパターン６４をエッチングマスクとして用いて保護膜３６及び絶縁膜２２を一括エッチングし、コンタクトホール３８、３９、４２、４６、５０（図２１ではコンタクトホール４２、４６、５０は図示せず）をそれぞれ形成する。このエッチングは、例えばフッ素系ガスを用いたＲＩＥ法によるドライエッチングである。エッチング条件は、例えば６．７Ｐａ、ＳＦ６／Ｏ２＝２００／２００（ｓｃｃｍ）、６００Ｗとする。次に、レジストパターン６４を除去する。
【００４５】
次に、図２２に示すように、例えば膜厚３．５μｍ程度のポジ型レジスト（皺状樹脂層５２形成用）を保護膜３６上の基板全面に塗布し、第５のフォトマスクを用いてパターニングして、コンタクトホール３８、３９、４２、４６、５０上が開口されたレジストパターン６６を形成する。当該コンタクトホール３８、３９、４２、４６、５０は、露光及び現像だけで形成できる。次に、レジストパターン６６の表面にＵＶ光を照射した後、レジストパターン６６を例えば２００℃以上の焼成温度で焼成する。ＵＶ光は、例えばｉ線以下の照射波長（具体的には１７０〜２６０ｎｍ）及び約３０ｍＪの照射エネルギーで照射するのが好ましい。これにより、図２３に示すように、レジストパターン６６表面のみが架橋反応して皺状の凹凸が形成され、皺状樹脂層５２が得られる。このとき領域αには、レジストを焼成する際に生じる金属膜表面の熱酸化膜やレジスト昇華物、あるいはレジストの残渣等が形成される。
【００４６】
次に、図２４に示すように、皺状樹脂層５２をエッチングマスクとして用いて、ソース電極３０のうち、コンタクトホール３８が形成された領域の表面と、蓄積容量電極３２のうち、コンタクトホール３９が形成された領域の表面とをエッチング除去する。また、図示は省略しているが、ゲートバスライン端子４０のうち、コンタクトホール４２が形成された領域の表面と、ドレインバスライン端子４４のうち、コンタクトホール４６が形成された領域の表面と、蓄積容量バスライン端子４８のうち、コンタクトホール５０が形成された領域の表面とを同時にエッチング除去する。このエッチングは、例えばＲＩＥ法を用いたドライエッチングである。エッチング条件は、例えば６．０Ｐａ、ＳＦ６／Ｏ２＝１５０／１５０（ｓｃｃｍ）、６００Ｗとする。このエッチングは、領域αに形成された熱酸化膜やレジスト昇華物等を除去するために行われる。
【００４７】
次に、例えばＰＶＤ法を用いて、例えば膜厚１５０ｎｍのＡｌ膜からなる金属膜を皺状樹脂層５２上の基板全面に成膜する。次に、金属膜上の全面にレジストを塗布する。次に、第６のフォトマスクを用いてパターニングし、レジストパターンを形成する。次に、当該レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、燐酸、硝酸、酢酸の混酸等によりウェットエッチングを行い、画素領域毎の反射電極１６と、各ゲートバスライン端子４０上の保護導電膜４１と、各蓄積容量バスライン端子４８上の保護導電膜４９と、各ドレインバスライン端子４４上の保護導電膜４５とをそれぞれ形成する。次に、レジストパターンを除去する。以上の工程を経て、本実施の形態による液晶表示装置用基板のＴＦＴ基板２が完成する。その後、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板４とを貼り合わせて液晶を封止することにより、本実施の形態による液晶表示装置が完成する。
【００４８】
本実施の形態では、保護膜３６上に形成された皺状樹脂層５２の表面に皺状の凹凸が形成されている。皺状樹脂層５２上に形成された反射電極１６は、皺状樹脂層５２表面の形状に倣い皺状に形成されている。このため、反射電極１６により、表示画面側から入射する光を乱反射させることができ、高輝度及び高視野角の反射型液晶表示装置が得られる。
【００４９】
また、本実施の形態では、レジスト焼成時に領域αに生じた金属膜表面の熱酸化膜やレジスト昇華物、レジストの残渣等を皺状樹脂層５２を形成した後にエッチング除去している。したがって、熱酸化膜やレジスト昇華物等による金属膜間のコンタクト不良を回避できる。また、素子分離後のＴＦＴ２０上にＳｉＮ膜からなる保護膜３６を形成しているため、レジスト等によるＴＦＴ２０の汚染を防止できる。
【００５０】
さらに、本実施の形態では、皺状樹脂層５２表面に凹凸を形成する際にフォトマスクを用いないため、フォトマスクを１枚削減できる。したがって、フォトマスクの必要枚数が７枚から６枚に減少する。このため、ＴＦＴ基板２の製造工程が減少し、それに伴い製造コストの削減及び製造歩留りの向上が可能になる。
【００５１】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、皺状樹脂層５２がポジ型レジストにより形成されているが、本発明はこれに限らず、皺状樹脂層５２をネガ型レジストにより形成してもよい。
また、上記実施の形態では、感光性樹脂からなるレジストパターン６４表面に紫外光を照射した後にレジストパターン６４を焼成して皺状樹脂層５２を形成しているが、本発明はこれに限られない。レジストパターン６４を形成する樹脂を適宜選択し、レジストパターン６４に他の処理を施して皺状樹脂層５２を形成してもよい。
【００５２】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上にマトリクス状に配列された画素領域と、
前記基板上に互いに並列して形成された複数の第１のバスラインと、
前記第１のバスライン上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１のバスラインに前記第１の絶縁膜を介して交差し、互いに並列して形成された複数の第２のバスラインと、
前記画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に表面が皺状に形成され、絶縁性を有する皺状樹脂層と、前記皺状樹脂層上の前記画素領域毎に光反射性材料で形成され、前記皺状樹脂層表面に倣い表面が皺状に形成された反射電極と、
前記第１及び第２のバスラインにそれぞれ接続された複数のバスライン端子と、
前記反射電極と同一の形成材料で前記複数のバスライン端子上にそれぞれ形成され、前記複数のバスライン端子にそれぞれ接続された複数の保護導電膜と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５３】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板において、
前記複数のバスライン端子は、前記皺状樹脂層が形成された外周部を有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５４】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記皺状樹脂層はレジストにより形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５５】
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記皺状樹脂層は単層で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５６】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記第２の絶縁膜は、シリコン窒化膜又はシリコン酸化膜により形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５７】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記薄膜トランジスタのソース電極のうち、前記反射電極に接続された領域の表面はエッチング除去されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５８】
（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記バスライン端子のうち、前記保護導電膜に接続された領域の表面はエッチング除去されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００５９】
（付記８）
対向配置された２枚の基板と、前記２枚の基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記２枚の基板の一方に、付記１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００６０】
（付記９）
基板上に第１のバスライン及び前記第１のバスラインに接続された第１のバスライン端子を形成し、
前記第１のバスライン及び前記第１のバスライン端子上に第１の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜上に第２のバスライン及び前記第２のバスラインに接続された第２のバスライン端子を形成するとともに、前記第１及び第２のバスラインの一方に接続されたゲート電極と、他方に接続されたドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記第２のバスライン及び前記第２のバスライン端子上に第２の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜上に樹脂を塗布してパターニングし、前記薄膜トランジスタのソース電極上並びに前記第１及び第２のバスライン端子上が開口された樹脂層を形成し、
前記樹脂層に所定の処理を施し、皺状の表面を有する皺状樹脂層を形成し、
前記皺状樹脂層をエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２の絶縁膜をエッチングし、
前記皺状樹脂層上に光反射性材料を成膜してパターニングし、前記ソース電極に接続され、前記皺状樹脂層表面に倣い皺状の表面を有する反射電極と、前記第１及び第２のバスライン端子上の保護導電膜とを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６１】
（付記１０）
付記９記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法を用いて成膜されたシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜により形成され、
前記第１及び第２の絶縁膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによりエッチングされること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６２】
（付記１１）
付記９又は１０に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記樹脂層は感光性樹脂層であり、
前記所定の処理は、前記感光性樹脂層表面に紫外光を照射した後に前記感光性樹脂層を所定の焼成温度で焼成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６３】
（付記１２）
基板上に第１のバスライン及び前記第１のバスラインに接続された第１のバスライン端子を形成し、
前記第１のバスライン及び前記第１のバスライン端子上に第１の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜上に第２のバスライン及び前記第２のバスラインに接続された第２のバスライン端子を形成するとともに、前記第１及び第２のバスラインの一方に接続されたゲート電極と、他方に接続されたドレイン電極とを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記第２のバスライン及び前記第２のバスライン端子上に第２の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜上に樹脂を塗布してパターニングし、薄膜トランジスタのソース電極上及び前記第１及び第２のバスライン端子上が開口された第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層をエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２の絶縁膜をエッチングし、
前記第２の絶縁膜上に樹脂を塗布してパターニングし、薄膜トランジスタのソース電極上及び前記第１及び第２のバスライン端子上が開口された第２の樹脂層を形成し、
前記第２の樹脂層に所定の処理を施し、皺状の表面を有する皺状樹脂層を形成し、
前記皺状樹脂層をエッチングマスクとして用いて、前記皺状樹脂層を形成する際に前記ソース電極上及び前記第１及び第２のバスライン端子上に形成された昇華物及び／又は熱酸化膜をエッチング除去し、
前記皺状樹脂層上に光反射性材料を成膜してパターニングし、前記ソース電極に接続され、前記皺状樹脂層表面に倣い皺状の表面を有する反射電極と、前記第１及び第２のバスライン端子上の保護導電膜とを形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６４】
（付記１３）
付記１２記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法を用いて成膜されたシリコン窒化膜又はシリコン酸化膜により形成され、
前記第１及び第２の絶縁膜、あるいは前記昇華物及び／又は前記熱酸化膜は、フッ素系ガスを用いたドライエッチングによりエッチング除去されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６５】
（付記１４）
付記１２又は１３に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記第２の樹脂層は感光性樹脂層であり、
前記所定の処理は、前記感光性樹脂層表面に紫外光を照射した後に前記感光性樹脂層を所定の焼成温度で焼成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６６】
（付記１５）
付記１１又は１４に記載の液晶表示装置用基板の製造方法において、
前記焼成温度は２００℃以上であること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００６７】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、製造工程を削減でき、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２５】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２６】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２７】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２８】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図２９】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図３０】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３１】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３２】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図３３】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３４】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３５】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図３６】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３７】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図３８】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図３９】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図４０】従来の液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
２　ＴＦＴ基板
４　ＣＦ基板
１０　ガラス基板
１２　ゲートバスライン
１３　ゲート電極
１４　ドレインバスライン
１６　反射電極
１６’、２８’　金属膜
１８　蓄積容量バスライン
２０　ＴＦＴ
２２　絶縁膜
２４　動作半導体層
２４’　ａ−Ｓｉ層
２５　チャネル保護膜
２６　ｎ型不純物半導体層
２６’　ｎ＋ａ−Ｓｉ層
２８　ドレイン電極
３０　ソース電極
３２　蓄積容量電極
３４　蓄積容量
３６　保護膜
３８、３９、４２、４６、５０　コンタクトホール
４０　ゲートバスライン端子
４１、４５、４９　保護導電膜
４４　ドレインバスライン端子
４８　蓄積容量バスライン端子
５２　皺状樹脂層
６１、６２、６３、６４、６５、６６　レジストパターン
７０　ゲートバスライン駆動回路
７２　ドレインバスライン駆動回路
７４　制御回路
７６　偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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