(57)【要約】【課題】抵抗体、金属薄膜等の成膜において、ばらつきが少なく安定した抵抗値、膜厚を売るための製造方法およびその装置を提供する。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明においてはプラスチック基板上に電極パターンが形成されたモニターを設け、このモニターの抵抗検出部分のみに成膜されるようにして抵抗値をモニター、制御することを特徴とする薄膜の製造方法とその装置である。【選択図】　　　　　図１
2004076047.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタ成膜によって、薄膜を製造する方法において、
実際に成膜される基板とは別に、可撓材料上に電極パターンが形成された順次送り可能なモニターを設け、さらに前記電極パターンによって膜の抵抗を測定するための電極プローバ部分は成膜されず、抵抗検出部分のみに成膜されるようにし、各実基板毎に前記可撓材料製モニターを送りながら各基板の膜厚を制御することを特徴とする薄膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された可撓材料上に電極パターンが形成されたモニターによる抵抗値検出装置を具備したスパッタ装置。
【請求項３】
基板上に、インクを吐出するための熱エネルギーを発生する複数の発熱抵抗体を有するインクジェットヘッド用基体の製造方法において、前記発熱抵抗体を成膜する時に請求項１記載の製造方法により、前記発熱抵抗体の膜厚を管理することを特徴とするインクジェットヘッド用基体の製造方法。
【請求項４】
前記発熱抵抗体を形成するためのパワーを供給する電源と、該電源のパワーをコントロールするためのパワーコントローラーと、テープモニターの抵抗値を検出する検出装置とを用い、前記抵抗値検出装置によりテープモニターの抵抗を検出しながら該発熱抵抗体を形成し、テーピモニターの抵抗値が所望の値に達したら、該パワーコントローラーを介して該発熱抵抗体の形成を終了させる請求項１記載のインクジェットヘッド用基体の製造方法。
【請求項５】
ＤＣまたはＲＦスパッタリング法により前記発熱抵抗体を形成し、テープモニターの抵抗値を検出して、前記テープモニターの抵抗値が所定の値に達したら、該発熱抵抗体の形成を終了させる請求項３記載のインクジェットヘッド用基体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタ成膜における膜厚制御方法とその装置に関する。さらに、基板上にインクを吐出するための熱エネルギーを発生する複数の発熱抵抗体を有するインクジェット用基体の製造方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インクジェット記録方式は高速高密度で高精度高画質の記録が可能であり、且つカラー化コンパクト化に適していることから近年注目されている（米国特許第４７２３１２９号、米国特許第４７４０７９６号）。
【０００３】
このインクジェット記録に使用されるヘッドは、図１に示すように、複数の吐出口１００１が設けられ、また、これからそれぞれインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生する電気熱変換素子１００２が、各インク流路１００３毎に基板１００４上に設けられている。電気熱変換素子１００２は、主に発熱抵抗体１００５、これに電力を供給するための電極配線１００６、及びこれらを保護する絶縁膜１００７により構成される。また、各インク流路１００３は、複数の流路壁１００８が一体的に形成された天板を、基板１００４上の電気熱変換素子等との相対位置を画像処理等の手段により位置合わせしながら接合することで形成される。
【０００４】
各インク流路１００３は、その吐出口１００１と反対側の端部が共通液室１００９と連通しており、この共通液室１００９にはインクタンク（図示せず）から供給されるインクが貯留される。共通液室１００９に供給されたインクは、ここから各インク流路１００３に導かれ、吐出口１００１近傍でメニスカスを形成して保持される。ここで、電気熱変換素子１００２を選択的に駆動させることにより、その発生する熱エネルギーを利用して熱作用面上のインクを急激に加熱させ膜沸騰を生起することにより、インクを吐出させる。
【０００５】
図２は、インクジェット記録ヘッド用基体２０００のインク路に相当する部分を示すために、図１で示したＸ−Ｘ’の一点鎖線に沿って基板面に垂直に切断した時の模式的断面部分図である。図２において、２００１はシリコン基板、２００２は熱酸化膜からなる蓄熱層を示す。２００３は蓄熱を兼ねるＳｉＯ膜やＳｉＮ膜等からなる層間膜、２００４は発熱抵抗層、２００５はＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ等の金属配線、２００６はＳｉＯ膜やＳｉＮ膜等からなる保護層を示す。２００７は、発熱抵抗層２００４の発熱に伴う化学的、物理的衝撃から保護膜２００６を守るための耐キャビテーション膜である。２００８は、発熱抵抗層２００４の熱作用部である。
【０００６】
このようなインクジェットヘッドに使用される発熱抵抗層２００４としては、現在、ＴａＮ膜等が一般的である。このＴａＮ膜における特性安定性、特に長期繰り返し記録時の抵抗変化率は、ＴａＮ膜の組成と強い相関関係が有る。中でもＴａＮ０．８ｈｅｘを含む窒化タンタルで構成された発熱抵抗体が、長期繰り返し記録時の抵抗変化率が少なく、吐出安定性に優れていることが知られている（特開平７−１２５２１８号）。
【０００７】
一方、感熱紙やインクリボンに直接接触させて記録を行うサーマルプリントヘッドにおいて、その高速熱記録のために薄膜型の発熱抵抗体が種々提案されている。例えば、特開昭５３−２５４４２の号に記載のように、第１の元素がＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，ＷおよびＭｏのうちから選ばれた少なくとも１種であり、第２の元素がＮであり、第３の元素がＳｉであり、第１の元素が５〜４０原子％、第２の元素が３０〜６０原子％、第３の元素が３０〜６０％で構成することにより、高い温度で発熱させても寿命特性に優れた発熱抵抗体を得ることができる。
【０００８】
また現在は、発熱抵抗体を基板上に複数形成したマルチオリフィス（多数ノズル）タイプのインクジェット用記録ヘッドが主流となっている。例えば、６４ノズルや１２８ノズルのものがある。
【０００９】
このような発熱抵抗体を形成する方法としては、これまで主にスパッタリングによる成膜方法が採用されてきた。スパッタリング法のメリットとしては
膜の特性再現性が良い、
自動化が容易、
パーティクルが少ない、
等があげられ、インクジェットヘッド等のデバイス作製時にはよく使用される。
【００１０】
ところで、スパッリング法による成膜における膜厚管理の手法としては、パワーをある所定の値に設定しておき、時間管理による方法が一般的である。
近年インクジェットヘッドの多ノズル化等の要請から発熱抵抗体の抵抗値もさらに高抵抗化が求められている。これは発熱抵抗体の抵抗値を高くすることにより駆動電流を低減でき、その結果駆動ドライバーの負荷を低減することが可能になるからである。
【００１１】
発熱抵抗体のシート抵抗ρｓ、膜の比抵抗ρ、膜厚ｄの関係は次の式で与えられる。
【００１２】
ρｓ＝ρ／ｄ
すなわち発熱抵抗体のシート抵抗を上げる方法としては、膜の比抵抗ρを上げるか膜厚を薄くするかの２つの方法がある。
【００１３】
インクジェットヘッドに使用される発熱抵抗体材料としては、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ等を使用して膜の比抵抗をあげ、かつ膜厚を極限まで薄く（４００Ａ前後）してシート抵抗を上げている。
【００１４】
このように膜厚が非常に薄い場合、発熱抵抗体の抵抗値が従来の時間管理だけではばらつくことが分かってきた。
【００１５】
発熱抵抗体の抵抗値のばらつきを抑えるには、膜厚を十分管理することが重要である。
【００１６】
従来、この膜厚をさらに精度良く管理する手法としては水晶振動子が使用されてきた。
この方法はごく一般的な膜厚管理方法として採用されているが、水晶振動子に膜が積層されることによって膜厚制御の精度が劣化する、また大量に基板を製造する場合には水晶振動子の交換がネックになるなど問題点が多く実際の量産に使用されることはごくまれである。
【００１７】
一方、膜厚管理の手法としては他に膜の光学的物性を利用して、抵抗体の膜厚を管理する製造方法も提案されているが、実際に必要な物性としては抵抗値のばらつきを抑えることが目標であるので、現実的には膜の違う物性を管理しても効果がでないことがある。
【００１８】
こういった意味から、抵抗体等の膜厚管理においてモニターにより抵抗値そのものを管理することにより、非常に精度良く抵抗体の膜厚を制御できる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
上述した多数ノズルタイプのインクジェット用記録ヘッドの製造においては、次のような問題点があった。
【００２０】
例えば、一度に多数の記録ヘッドに用いられる発熱抵抗体を成膜するので、発熱抵抗体を形成する際の成膜時の各種条件変動により、形成された発熱抵抗体の抵抗値にばらつきが生じることがあった。
【００２１】
この発熱抵抗体形成時の変動要因としては、ターゲットに投入するパワー、導入ガス、基板加熱温度等の変動が考えられる。これらの変動を抑えるために、装置上及びプロセス上の検討はなされているが、十分なものではなかった。この発熱抵抗体の抵抗値がばらついていると、吐出量が変動し安定した記録がなされない。そこで、安定した記録を行うために各種試みがなされている。
【００２２】
例えば、出来上がった発熱抵抗体の抵抗値にばらつきが生じた場合には、記録ヘッド毎に印加する駆動電圧を調整する方法がある。この方法においては、発熱抵抗層を形成する際に、その近傍にインクの吐出には用いない抵抗層を同時に成膜する。そして、プリンタ本体側からその発熱抵抗層の抵抗値を測定することにより、実際にインクの吐出を発熱抵抗層の抵抗値を推測して、その推測された抵抗値に応じた駆動電圧を記録ヘッドに印加するものである。しかしながら、このようにして推測された抵抗値は、電極の抵抗値のばらつきや、プリンタ本体側での抵抗値読み取り誤差等により、実際の発熱抵抗層の抵抗値との間に多少の誤差を含む。また、プリンタ本体側とのやりとりが必要になることから、装置を複雑にする等の事態を招く。
【００２３】
また、例えば、発熱抵抗体に印加する電圧をダブルパルス駆動にすることにより、吐出量を調整する方法がある。ダブルパルス駆動とは、図３に示すように主パルスＰ２と副パルスＰ１と、その間の休止時間Ｐ３とからなるパルスにおいて、副パルス長と休止時間とを調整することにより、インクの吐出量と基板の温度を調整するものである。各駆動パルスは、駆動手段３００４およびシフトレジスタ３００５を介して発熱抵抗層３００６へ与えられ、これにより吐出口３００７内のインク３００３に気泡３００２が生じてインク滴３００１が吐出される。ここで、基板温度が摂氏１０℃程度の比較的低温の場合には、インクが高粘度化しているため吐出量が減少している。その場合には、副パルス幅を長く設定することで、吐出量を増やすことができる。一方、基板温度が５０℃程度に上昇している場合には、印加エネルギーは小さくてよいので副パルス幅を短く設定し、吐出量を減らす。
【００２４】
しかしながら、安定した記録を行うために吐出量を安定化させるためのこれらの試みでは、駆動方法が複雑になり、必ずしも満足のいくものではなかった。したがって、インクジェット用基体の製造の段階で、発熱抵抗体の抵抗値のばらつきを可能な限り少なくし、安定した発熱抵抗体を形成することが要求される。しかも、今後、さらなる記録の高画質化や高速化が要求され、そのための多数ノズル化においては、発熱抵抗体の抵抗値のばらつきを抑えることは急務となっている。
【００２５】
本発明の主たる目的は、従来のインクジェット記録ヘッドの発熱抵抗体に関する上述した諸問題を解決し、ばらつきが少なく安定した抵抗値を有する発熱抵抗体を簡易に得ることを可能にするインクジェット用基体の製造方法とその装置を提供することにある。
【００２６】
本発明の他の目的は、記録画像の高精細化に対応した小ドット化や高速記録に対応した多数ノズル化においても、吐出が安定した発熱抵抗体を簡易に得ることを可能にするインクジェット用基体の製造方法とその装置を提供することにある。
更に本発明の他の目的は、抵抗値等で管理できる金属等の薄膜材料を安定に製造することを可能にする製造方法とその装置を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記問題点を解決するために鋭意検討を行った結果、以下の製造方法とその装置の提供により前記目的を達成した。
【００２８】
すなわち本発明は、スパッタ成膜によって、金属、抵抗体薄膜等を製造する方法において、
実際に成膜される基板とは別に、プラスチック等の基板上に電極パターンが形成された順次送り可能なモニターを設け、さらに前記電極パターンによって膜の抵抗を測定するための電極プローバ部分は成膜されず、抵抗検出部分のみに成膜されるようにし、各実基板毎に前記テープモニターを送りながら各基板の膜厚を制御することを特徴とする金属、抵抗体薄膜の製造方法とその装置である。インクジェット用の発熱抵抗体は製品ニーズ、ノズルの多数化等により高抵抗化される傾向にある。
【００２９】
この課題を達成するためには抵抗体の比抵抗を上げるか、膜厚を薄くする方法が
ある。技術としてはこの両方の方法を採用して対処することはすでに述べた。
抵抗体の膜厚は極限まで薄くなり、その結果抵抗値を高精度に管理するには発熱抵抗体の膜厚を高精度に管理する必要がある。
【００３０】
本発明による製法と装置の採用により、インクジェットヘッド用基体の発熱抵抗体の抵抗値ばらつきを抑えることができ、更に金属配線の抵抗値バラツキも抑えることができ、その結果高品位の記録画像が得られ、かつ駆動方法が簡略化され、低コストの液体吐出装置を提供することができる。
【００３１】
また従来使用されてきた水晶振動子のように大量に基板を処理することがほとんど不可能であるのに対して、基本的にはじめから大量に基板を処理することを前提に膜厚のモニター手法について考慮しているため、本発明ではそのような問題はない。
【００３２】
かつ、プラスチック上に印刷等の安価な方法により電極パターンを形成したモニターを使用することにより非常に安いコストで膜厚管理することが可能になる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３４】
本発明の製造方法により、前述の図１及び図２に示した構成のインクジェットヘッド用基体、及びこれを用いたインクジェットヘッドを製造できる。本発明において、発熱抵抗体２００４あるいは金属配線２００５の成膜法としては、直流（ＤＣ）電源や高周波（ＲＦ）電源を用いたＤＣまたはＲＦスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法など、各種成膜法が用いられるが、一般的にはＤＣまたはＲＦスパッタリング法が用いられる。
【００３５】
図４−１，４−２は、発熱抵抗層２００４あるいは金属配線２００５を成膜するスパッタリング装置の概要を示す。図４−１において、４００１はあらかじめ所定の組成に作製されたターゲット、４００２は平板マグネット、４０１１は基板への成膜をコントロールするシャッター、４００３は基板ホルダー、４００４は基板、４０１４はターゲット４００１と基板ホルダー４００３に接続された電源である。４０１３は電源４０１４のパワーを制御するコントローラーである。さらに、基板ホルダー４００３の裏面には、基板の温度コントロールを行う内部ヒーター４００８が設けられている。４００６はプラスチックモニター送り出し、４００７は巻き取り機構、４００５はプラスチックモニターである。
【００３６】
また４０１９はプラスチックモニターに形成された薄膜の抵抗測定器、４０２０はパソコン制御部を示す。
【００３７】
図４−２にはプラスチックモニター部の詳細を示す。
【００３８】
４０１５がモニターガイド、４０１７はプラスチックモニター上の電極と電気的コンタクトを取るための探針部である。探針部はアースから電気的に絶縁されている。４０１６はモニター電極部分と４０１７の密着を行うためのセラミックス製パッド、４０１８はモニターの必要部分のみに成膜させるための開口部を示している。
【００３９】
図４−３にはプラスチックモニター上に形成した電極パターンの例４０２１−Ａ、４０２１−Ｂを示す。
【００４０】
図４−１，４−２の装置を用いた成膜は、例えば以下の様にする。まず、排気ポンプ４０１２を用いて成膜室４００９を１×１０−３〜１×１０−６Ｐａまで排気する。次いで、アルゴンガスと窒素ガスからなる混合ガスを、マスフローコントローラー（不図示）を介してガス導入口４０１０から成膜室４００９に導入する。この時、基板温度が所定の温度になるように、内部ヒーター４００８を調節する。次に、コントローラー４０１３により電源４０１４のパワーを所定の値に制御し、ターゲット４００１にパワーを印加してプリスパッタリングを５分間行う。
【００４１】
この時同時にプラスチックモニターの準備を行う。抵抗値をモニターする方法として４探針法の場合を述べる。図４−３に示したようにプラスチックモニターに４０２１−Ａのように電極パターンを形成したものをセットしておき、４０１８の成膜開口部に所定部分が成膜されるように位置決めする。電極パターンは当然成膜面側に配置しておくことは、言うまでも無い。また、この位置決めはテープモニター部分に位置決めマークを予め作成してそれを検知すれば簡単に制御できる。その次に電極密着パッドを下降させてモニター４００５に形成されている電極パターン部分と４０１７の電気的コンタクトを取るための探針部を圧着させる。この時抵抗測定器４０１９により電極モニター部分の抵抗が測定できる状態になる。
【００４２】
当然成膜が開始される前は抵抗値として数メガΩかそれ以上の状態であるが、成膜が開始されると同時に４０１９の薄膜の抵抗測定器で測定される。プリスパッタ５分間終了後、シャッター４０１１を開ける。この時から基板４００４とモニター４０２１−Ａに膜が形成され、抵抗測定器で抵抗が測定される。あらかじめ設定された抵抗値になったところで、パソコンの制御によりシャッター４０１１を閉じパワーコントローラー４０１３から電源のパワー供給を停止させる。基板４００４と電極モニター４０２１−Ａの抵抗値が１対１の対応がない場合は、その相関関係を調べておけばその換算値によって抵抗値をモニターすることもできる。
【００４３】
基板４００４への成膜が完了した後は、次の基板の成膜を行う。
【００４４】
基板を別の新規基板に交換し、最初の成膜と同じ手法で作成できる。
テープモニター４００５については、次の電極パターンが成膜開口部４０１８の所定部分に移動させるために、まず電極密着用パッド４０１６を上昇させ、テープモニターの送り出し巻き取り機構が動作可能になったところで、所定量のみテープモニターを移動させる。モニター４００５に形成されている電極パターン部分と４０１７の探針部との電気的コンタクトを取るためテープモニター密着パッド４０１６を下降させ圧着させる。この状態で膜の抵抗が再びモニターできる状態になるので、次の成膜ができる。この状態であらかじめ設定されたて抵抗値になるまで成膜を行えば連続で作業することが出来る。このような製造方法を繰り返すことにより抵抗値が安定した膜が得られる。
【００４５】
また図には示していないが、電極パターン中の探針部がコンタクトする近くの領域にスルーホールを形成して、電極パターンがある面と反対側に電極パッド部を設けたプラスチックモニターを使用すれば、探針部をプラスチックモニターの非成膜面側に設置し、この電極パッド部から電気的コンタクトをとる装置構成でも、同じように膜の抵抗をモニターできる。
【００４６】
以上説明した方法により、発熱抵抗体及び金属配線を成膜して製造したインクジェットヘッド用基板は、紙、プラスチックシート、布、物品等を包含する記録保持体に対して、インク、機能性液体等を吐出することにより文字、記号、画像等の記録、印刷等を行うインクジェットヘッドを構成するための基体として用いられ、この基体を用いて構成されるインクジェットヘッド、このインクジェットヘッドに対して供給されるインクを貯溜するためのインク貯溜部を含むインクジェットペン、及びインクジェットヘッドが装着されるインクジェット装置に利用される。
【００４７】
以下、本発明の実施例について説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、抵抗値で管理できる薄膜材料全てに適用できる事はいうまでも無い。
【００４８】
＜実施例１＞
本実施例においては、Ｓｉ基板あるいは既に駆動用のＩＣを作り込んだＳｉ基板を用いた。このＳｉ基板には、熱酸化法、スパッタ法、ＣＶＤ法などによって膜厚１．２μｍのＳｉＯ２の蓄熱層２００２を形成し、またＩＣを作り込んだＳｉ基板も同様にその製造プロセス中で、ＳｉＯ２の蓄熱層を形成しておいた。
【００４９】
次に、スパッタ法、ＣＶＤ法などによってＳｉＮあるいはＳｉＯ２から成る膜厚１．２μｍの層間絶縁膜２００３を形成した。次いで、発熱抵抗層２００４を図４−１，４−２の装置を用いて形成した。
【００５０】
まず、Ｔａ−Ｓｉからなる合金ターゲットを用い、Ａｒガス８０ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス１０ｓｃｃｍの混合ガスをガス導入口４０１０から導入した。この時の基板温度は２００℃で行った、次いで、コントローラー４０１３から電源４００６に制御信号を送り、ターゲット４００１にパワーを投入し、プリスパッタを５分間行った。その後シャッター４０１１を開き、基板４００４上に発熱抵抗層２００４の形成を開始した。この時同時にテープモニター４００５に電極パターン４０２１−Ａが形成されたものが、成膜開口部４０１８に所定部分が成膜される位置に移動しておき、電極との接触をとるために、密着パッド４０１６が下降してテープモニター４００５に密着して抵抗値がモニターできる状態になっており、成膜開始と同時に基板４００４に成膜される抵抗値のモニターを開始する。
本実施例では抵抗値を１００Ω／□と設定したので、４探針法により抵抗測定器によりモニターの抵抗値が１００Ω／□に到達した時点でシャッター４０１１を閉じ、成膜を停止した。
【００５１】
その後、混合ガスの導入を停止した。これら一連の作業により発熱抵抗層２００４の形成が終了する。
【００５２】
発熱抵抗層２００４の形成を終了した後、電極配線２００５として厚さ５５００オングストロームのＡｌ膜をスパッタリング法により形成した。次に、フォトリソ法を用いてパターン形成し、Ａｌ膜を取り除いた２２μｍ×２５μｍの熱作用部２００８を形成した。
【００５３】
次に、保護膜２００６としてプラズマＣＶＤ法によって、ＳｉＮから成る膜厚０．３μｍの絶縁体を形成した。次に、耐キャビテーション層２００７としてスパッタリング法によりＴａ膜を膜厚２３００オングストローム形成し、フォトリソ法により、図２に示すようなインクジェットヘッド用基体を作製した。
【００５４】
このようにして作製された基体を用いて、発熱抵抗体の抵抗値を測定した。目標とする抵抗値１００Ωに対して実際に作製された抵抗値は９８．５〜１００．５Ωであり、誤差の少ない抵抗値が得られた。
【００５５】
次に、この基体を用いてインクの発泡開始電圧Ｖｔｈを調べた。この発泡開始電圧Ｖｔｈとは、発熱抵抗体に駆動周波数１５ｋＨｚ、駆動パルス幅１μｓｅｃのパルス信号を与え、印加電圧を上げていきながらインクが発泡を開始する電圧である。この発泡開始電圧Ｖｔｈはヘッド毎に同一で、ばらつきが少なければ、ヘッドに左右されない安定した吐出がなされるので好ましい。この基体の発泡開始電圧Ｖｔｈは約１１Ｖであった。
【００５６】
本実施例においては、連続して２０個の基体を作製し、同様の方法で発熱抵抗体の抵抗値およびＶｔｈを１枚おきに測定した。その結果を図５および図６の実線に示す。これら図に示す様に、本実施例においては、抵抗値およびＶｔｈのばらつきが少なかった。
【００５７】
＜比較例１＞
従来法に従い、膜厚モニターを使用せず、時間管理による成膜条件で抵抗体を成膜したこと以外は、実施例１と同様にしてインクジェットヘッド用基体を連続して２０個作製し、同様に発熱抵抗体の抵抗値およびＶｔｈを１枚おきに測定した。その結果を図５および図６の破線に示す。
これらの図に示す結果から、本発明の製造方法を用いた実施例１（実線）では、従来の製造方法を用いた比較例１（破線）に対して、抵抗値およびＶｔｈともにばらつきが少ないことが分かる。
【００５８】
＜実施例２＞
成膜条件を、Ｔａターゲットパワー：６００Ｗ、Ｓｉターゲットパワー：４００Ｗ（２元スパッタリング法）、Ａｒガス：６５ｓｃｃｍ、Ｎ２　ガス：２２ｓｃｃｍに変更し、これらの条件以外は実施例１と同様にしてインクジェットヘッド用基体を連続して２０個作製し、同様に発熱抵抗体の抵抗値およびＶｔｈを１枚おきに測定した。その結果を図７および図８の実線に示す。但し抵抗モニターにおいては２探針法で４０１２−Ｂの電極パターンを使用した。
これら図に示す様に、本実施例においても、抵抗値およびＶｔｈのばらつきが少なかった。
【００５９】
＜比較例２＞
従来法に従い、膜厚モニターを使用せず、時間管理による成膜条件で抵抗体を成膜したこと以外は、実施例２と同様にしてインクジェットヘッド用基体を連続して２０個作製し、同様に発熱抵抗体の抵抗値およびＶｔｈを１枚おきに測定した。
【００６０】
その結果を図７および図８の破線に示す。これらの図に示す結果から、本発明の製造方法を用いた実施例２（実線）においても、同様に、従来の製造方法を用いた比較例２（破線）に対して、抵抗値およびＶｔｈともにばらつきが少ないことが分かる。
【００６１】
＜実施例３＞
電極配線材料として、Ｔａについて検討した。成膜条件として、Ｔａターゲットパワー：８００Ｗ、Ａｒガス：８０ｓｃｃｍに変更して、実施例１のような抵抗体を成膜する方法で電極配線を成膜した。この時、成膜された膜の抵抗値を１Ω／□に管理しながら製造することにより、膜厚ばらつきの少ない安定した電極配線を形成することが出来た。
【００６２】
＜実施例４＞
電極配線材料として、Ａｌ−Ｃｕについて検討した。成膜条件として、Ａｌ９５−Ｃｕ５ターゲットパワー：１０００Ｗ、Ａｒガス：７０ｓｃｃｍに変更して、実施例１のような抵抗体を成膜する方法で電極配線を成膜した。この時、成膜された膜の抵抗値を２００ｍΩ／□に管理しながら製造することにより、膜厚ばらつきの少ない安定した電極配線を形成することが出来た。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ばらつきが少なく安定した抵抗値を有する金属配線、発熱抵抗体を簡易に得ることができる。
【００６４】
さらに、記録画像の高精細化に対応した小ドット化や高速記録に対応した多数ノズル化においても、吐出が安定した発熱抵抗体を簡易に得ることができ、すなわち吐出が安定した液体吐出ヘッド用基体、該基体を備えた液体吐出ヘッド、及び該液体ヘッドを備えた液体吐出装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるインクジェットヘッドの基板を示す概略平面図である。
【図２】図１をＸ−Ｘ’の一点鎖線で垂直に切断したときの基板の断面図である。
【図３】インクジェット記録ヘッド用基体のダブルパルス駆動発泡の模式的断面図である。
【図４−１】本発明による抵抗体を成膜する成膜装置である。
【図４−２】本発明による抵抗体を成膜する成膜装置である。（テープモニター詳細部）
【図４−３】テープモニターの電極部詳細図
【図５】実施例１及び比較例１における発熱抵抗体の抵抗値の結果を示す図である。
【図６】実施例１及び比較例１における発泡開始電圧Ｖｔｈの結果を示す図である。
【図７】実施例２及び比較例２における発熱抵抗体の抵抗値の結果を示す図である。
【図８】実施例２及び比較例２における発泡開始電圧Ｖｔｈの結果を示す図である。
【符号の説明】
１００１　　　　吐出口
１００２　　　　電気熱変換素子
１００３　　　　インク流路
１００４　　　　基板
１００５　　　　発熱抵抗体
１００６　　　　電極配線
１００７　　　　絶縁膜
１００８　　　　流路壁
１００９　　　　共通液室
２０００　　　　基体
２００１　　　　シリコン基板
２００２　　　　蓄熱層
２００３　　　　層間膜
２００４　　　　発熱抵抗層
２００５　　　　金属配線
２００６　　　　保護膜
２００７　　　　耐キャビテーション膜
２００８　　　　熱作用部
３００１　　　　インク滴
３００２　　　　気泡
３００３　　　　インク
３００４　　　　駆動手段
３００５　　　　シフトレジスタ
３００６　　　　発熱抵抗層
３００７　　　　吐出口
４００１　　　　ターゲット
４００２　　　　平板マグネット
４００３　　　　基板ホルダー
４００４　　　　基板
４００５　　　　プラスチックモニター
４００６　　　　プラスチックモニター送り出し機構
４００７　　　　プラスチックモニター巻き取り機構
４００８　　　　内部ヒーター
４００９　　　　成膜室
４０１０　　　　ガス導入口
４０１１　　　　シャッター
４０１２　　　　排気ポンプ
４０１３　　　　パワーコントローラー
４０１４　　電源
４０１５　　プラスチックモニターガイド
４０１６　　プラスチックモニター密着パッド
４０１７　　探針
４０１８　　開口部
４０１９　　抵抗測定器
４０２０　　パソコン制御部
４０２１−Ａ、Ｂ　プラスチックモニター電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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