(57)【要約】【課題】マスク工程が単純化されて生産収率が向上した半透過型液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明では、基板と；基板上部に形成されるゲート配線と；ゲート配線と交差し、透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と；ゲート配線に連結するゲート電極と；ゲート電極上部で相互に間隔を空けて形成されるソース電極及びドレイン電極と；ソース電極及びドレイン電極と同一層の画素領域に形成され、透過部に対応する透過ホールを有する反射層と；画素領域に形成され、ドレイン電極に連結される画素電極とを含み、ソース電極がデータ配線に連結され、ソース電極及びドレイン電極と反射層が複数個の金属層で構成され、複数個の金属層の最上層が反射特性を有する金属物質からなる、半透過型液晶表示装置用アレイ基板を提供することによって、マスク工程数を削減することができ、よって生産収率が向上した製品を提供できる。【選択図】図２１
2004038186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１マスク工程により、基板上部にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と；
　前記ゲート電極及びゲート配線上部に第１絶縁層を形成する段階と；
　第２マスク工程により、前記ゲート電極を覆う第１絶縁層上部に半導体層を形成する段階と；
　第３マスク工程により、前記半導体層上部に相互に離間するソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート配線と交差し、透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と、前記第１絶縁層上部に前記透過部に対応する透過ホールを有し、前記画素領域に配置する反射層とを形成する段階と；
　第４マスク工程により、前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層上部に、前記ドレイン電極を露出させるためのドレインコンタクトホールを有する第２絶縁層を形成する段階と；
　第５マスク工程により、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と連結し、透明導電性物質からなる画素電極を前記第２絶縁層上部に形成する段階と
を含み、
　前記ソース電極を前記データ配線に連結し、前記ソース電極及びドレイン電極と、前記反射層とを複数個の金属層で構成して前記複数個の金属層の最上層を反射特性を有する金属物質から構成することを特徴とする半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２】
　前記基板の非表示領域に前記第３マスク工程を通じて第１アラインキーを形成する段階と、前記第１アラインキー上部に前記第４マスク工程を通じて前記第１アラインキーを露出するための開口部を有する第２絶縁層を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３】
　前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて前記第１アラインキーに対応する第２アラインキーを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項４】
　前記データ配線は、前記反射層から間隔を空けて配置し、該間隔を５μｍ〜７μｍとすることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項５】
　前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて第１キャパシター電極を形成する段階と、前記第１絶縁層上部に前記第３マスク工程を通じて前記第１キャパシター電極と重なる第２キャパシター電極を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項６】
　前記第２絶縁層に前記第４マスク工程を通じて前記第２キャパシター電極を露出するためのキャパシターコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、前記画素電極を前記キャパシターコンタクトホールを通じて前記第２キャパシター電極と連結させることを特徴とする請求項５に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項７】
　基板上部にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と；
　前記ゲート電極及びゲート配線上部に第１絶縁層を形成する段階と；
　前記第１絶縁層上部にアクティブ層とオーミックコンタクト層で構成した半導体層を形成する段階と；
　前記第１絶縁層上部に、ソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート配線と交差し、透過部と反射部を有し、画素領域を定義するデータ配線と、反射層とを複数個の層で同時に形成する段階と；
　透明導電性物質からなり、前記ドレイン電極と連結する画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項８】
　前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層の形成と同時に、前記第１絶縁層上部に第１アラインキーを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項９】
　前記ゲート電極とゲート配線の形成と同時に、前記第１アラインキーに対応する第２アラインキーを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
　前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層上部に、前記ドレイン電極を露出させるためのドレインコンタクトホールを含む第２絶縁層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
　前記画素電極は、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結させることを特徴とする請求項１０に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
　前記データ配線と反射層は、相互に電気的に絶縁されるように間隔を空けて配置されることを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
　前記反射層の最上層は高い反射特性を有し、前記反射層の最下層は高い化学的耐蝕性を有することを特徴とする請求項７に記載の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は液晶表示装置に係り、特にマスク工程数を削減した半透過型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　最近、液晶表示装置は、消費電力が低く携帯性に優れた技術集約的で付加価値が高い次世代先端表示装置素子として脚光を浴びている。
【０００３】
　前記液晶表示装置は、透明電極が形成された両基板間に液晶を注入し、上部及び下部基板の外部に上部及び下部偏光板を配置させて形成され、上部及び下部電極に電圧を印加して液晶の配列を変えることによって光の透過率を調節する方式により駆動される。
【０００４】
　現在、各画素を開閉するスイッチング素子である薄膜トランジスタが画素ごとに配置されるアクティブマトリックス方式液晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ；Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）が解像度及び動映像具現能力が優秀で最も注目を浴びている。
【０００５】
　図１は一般的な液晶表示装置の断面図である。
　図示したように、上部基板２及び下部基板４が相互に一定の間隔を空けて配置されており、上部基板２及び下部基板４の間には液晶層６が介在している。
【０００６】
　前記下部基板４の透明基板１上部にはゲート電極８が形成されていて、ゲート電極８上部にはゲート絶縁膜９が形成されており、ゲート絶縁膜９上部のゲート電極８を覆う位置にはアクティブ層１１ａ、オーミックコンタクト層１１ｂが順に積層された半導体層１１が形成されている。半導体層１１の上部には相互に一定の間隔を空けて配置されたソース電極１３及びドレイン電極１５が形成されており、ソース電極１３及びドレイン電極１５間の離隔区間にはアクティブ層１１ａの一部を露出させたチャネルが形成されていて、ゲート電極８、半導体層１１、ソース電極１３及びドレイン電極１５、チャネルｃｈは薄膜トランジスタＴを形成する。
【０００７】
　図面に提示しなかったが、前記ゲート電極８と連結して第１方向にゲート配線が形成されて、この第１方向と交差する第２方向に前記ソース電極１３と連結するデータ配線が形成され、このゲート及びデータ配線が交差する領域は画素領域Ｐと定義される。
【０００８】
　また、前記薄膜トランジスタＴの上部にはドレインコンタクトホール１７を有する保護層１９が形成されていて、画素領域Ｐにはドレインコンタクトホール１７を通じて前記ドレイン電極１５と連結する画素電極２１が形成されている。
【０００９】
　また、前記上部基板２の透明基板１下部には、画素電極２１と対応する位置に特定波長帯の光だけをろ過するカラーフィルター層２３が形成されており、カラーフィルター層２３のカラー別境界部には光漏れ現象及び薄膜トランジスタＴへの光流入を遮断するブラックマトリックス２７が形成されている。
【００１０】
　また、このカラーフィルター層２３及びブラックマトリックス２７の下部には液晶層６に電圧を印加するための、別の電極である共通電極２９が形成されている。
【００１１】
　一方、前記上部基板２及び下部基板４の間に介在する液晶層６の漏洩を防止するために、上部基板２及び下部基板４の縁はシールパターン３１により封止されている。
【００１２】
　また、前記上部基板２及び下部基板４の間にはボールスペーサー３３が配置され、前述したシールパターン３１と一緒に一定のセルギャップを維持する役割を果たす。
【００１３】
　図面に提示しなかったが、前記上部基板２及び下部基板４の液晶層６と各々接する部分は、液晶の配列を容易に誘導するために上部及び下部配向膜をさらに含む。
【００１４】
　図面に提示しなかったが、このような液晶表示装置は別の光源であるバックライトを含む。しかし、前記バックライトから生成された光は液晶表示装置の各セルを通過しながら実際に画面上には７％程度だけ透過されるので、高輝度の液晶表示装置を提供するためにはバックライトをさらに明るくしなければならず、電力消耗量が大きくなる。
【００１５】
　それゆえ、充分なバックライトの電源供給用として重量の大きいバッテリーを用いてきたが、これも使用時間に制限がある。
【００１６】
　このような問題点を解決するために、最近、バックライト光を使用しないか、または外部光を兼用する反射／半透過型液晶表示装置が研究／開発された。
【００１７】
　この中反射型液晶表示装置は、外部光を利用して動作するので、バックライトが消耗する電力量を大幅に減少する効果があるため、長時間携帯状態で使用が可能であって、電子手帳やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯用表示素子として利用されている。
【００１８】
　前記反射／半透過型液晶表示装置は、既存透過型液晶表示装置において透明電極で形成された画素部に反射特性が良い金属物質で構成された反射板が備わることを特徴とする。
【００１９】
　前記画素部において、反射板は、透明電極の上部、下部どちらに配置しても構わないが、液晶配列を容易に誘導するために透明電極を反射板上部に配置する構造が最近注目を浴びており、このような構造でも前記反射板と透明電極間の短絡及び反射板の保護を目的とする多重層構造絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置が提案されている。
【００２０】
　以下、多重層絶縁膜を有する半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
　図２ないし図８、及び図９ないし図１５は、既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を段階別に示した図面である。図２ないし図８は画面が駆動される領域と定義されるアクティブ領域における薄膜トランジスタ部及び画素部の段階別断面図であり、図９ないし図１５は非アクティブ領域でのアラインキー形成部に対する段階別断面図である。
【００２２】
　前記アレイ基板に形成されるパターンは、蒸着またはコーティング、フォトエッチング、エッチングを含むマスク工程により形成されるものであって、マスク工程毎に図示した。
【００２３】
　図２及び図９では、第１マスク工程により、透明基板４上に第１金属物質を使用してゲート電極１０及び第１アラインキー１２を各々形成する。
【００２４】
　図３及び図１０では、前記ゲート電極１０及び第１アラインキー１２を覆う基板全面に第１絶縁物質を使用してゲート絶縁膜１４を形成し、次いで第２マスク工程により、非晶質シリコン及び不純物シリコンを使用して、ゲート電極１０上部に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）からなるアクティブ層１６ａと、不純物シリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ）からなるオーミックコンタクト層１６ｂで構成される半導体層１６とを形成する。
【００２５】
　次に、図４及び図１１では、第３マスク工程により、第２金属物質を使用して、前記半導体層１６上部に相互に一定の間隔を空けて配置されるソース電極１８及びドレイン電極２２と、ソース電極１８と連結されるデータ配線２０と、前述した第１アラインキー１２と対応する位置のゲート絶縁膜１４上部に第２アラインキー２４とを形成する。
【００２６】
　前記ゲート電極１０、半導体層１６、ソース電極１８及びドレイン電極２２は、薄膜トランジスタＴを形成する。
【００２７】
　図５及び図１２では、前記薄膜トランジスタＴ及び第２アラインキー２４を覆う基板全面に第１保護層２５、第２保護層２６、第３保護層２８を順に形成し、その後第４マスク工程により、前記第２アラインキー２４と対応する位置の第２保護層２６及び第３保護層２８に、第２アラインキー２４を露出させるための第１開口部３０を形成する。
【００２８】
　この段階は、比較的厚い厚さで形成される第２保護層２６により第２アラインキー２４が遮られることを防止するための段階であって、前述した第１ないし３マスク工程に利用されるマスクより単純な構造のオープンマスクが利用される。
【００２９】
　図６及び図１３は、第５マスク工程により、前記薄膜トランジスタＴ部の第３保護層２８上部に反射特性が良い第３金属物質を使用して第２開口部３４を有する反射層３２を形成し、第３保護層２８を一部露出させる段階である。
【００３０】
　この段階では、前述した第４マスク工程を通じて露出させた第２アラインキー２４が反射層３２のパターニング工程のためのアラインキーとして利用される。
【００３１】
　前記第１保護層２５、第３保護層２８は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で構成され、第２保護層２６はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）から選択されることを特徴とする。前記第２保護層２６は反射層３２と図示しなかった透過電極間の電気的干渉を低下させるために形成され、第１保護層２５は薄膜トランジスタＴの電気的特性を改善するために形成されたものであって、第３保護層２８は第２保護層２６と反射層３２間の接触特性を向上させるために形成されたものである。
【００３２】
　図７及び図１４では、前記反射層３２を覆う基板全面に第４保護層３６を形成し、次いで第６マスク工程により前述した第２開口部３４と対応する位置にドレイン電極２２を露出させるためのドレインコンタクトホール３８を形成する。
【００３３】
　前記第４保護層３６は、前述した第１保護層２５、第３保護層２８と同一の物質から選択され、反射層３２と透過電極（図示せず）の間の腐蝕現象であるガルバニック（Ｇａｌｖａｎｉｃ）現象を防止する役割を果たす。
【００３４】
　次に、図８及び図１５は、第７マスク工程により、透明導電性物質を使用して、前記ドレインコンタクトホール３８を通じて液晶が駆動される領域と定義される画素部Ｐに、ドレイン電極２２と連結する透過電極４０を形成する段階である。
【００３５】
　この段階を経て、画素部Ｐは、反射層３２と対応する領域として外部光を反射させて画面を具現する反射部と、基板下部に配置されたバックライトから供給される光を利用して画面を具現する透過部とにより構成される。
【００３６】
　このように、既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板製作には、ゲート工程、半導体層工程、データ工程、反射層工程、アラインキーオープン工程、コンタクトホール工程、画素工程からなる７マスク工程が要求された。
【００３７】
　すなわち、既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の工程は、透過型液晶表示装置用アレイ基板に比べて多くの工程を有し、マスク工程では化学的／物理的工程が反復されて、工程数が増加するほど製造費用が増加し、また素子に損傷を加える確率が高まる問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３８】
　前記問題点を解決するために、本発明ではマスク工程が単純化されて生産収率が向上した半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００３９】
　このために、本発明では、ソース電極及びドレイン電極とデータ配線を形成する金属物質を少なくとも二重層以上の金属物質で構成し、最上部層を形成する金属物質を反射特性が良い金属物質で構成し、他の反射層工程を省略して、これにより少ないマスク工程により半透過型液晶表示装置用アレイ基板を製作する。
【課題を解決するための手段】
【００４０】
　前記目的を達成するために、本発明の第１様態では、基板と；前記基板上部に形成されるゲート配線と；前記ゲート配線と交差して透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と；前記ゲート配線に連結されるゲート電極と；前記ゲート電極上部に相互に離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と；前記ソース電極及びドレイン電極と同一層として前記画素領域に形成され、前記透過部に対応する透過ホールを有する反射層と；前記画素領域に形成され、前記ドレイン電極に連結される画素電極とを含み、前記ソース電極が前記データ配線に連結され、前記ソース電極及びドレイン電極と前記反射層とが複数個の金属層で構成され、前記複数個の金属層の最上層が反射特性を有する金属物質からなることを特徴とする、半透過型液晶表示装置用アレイ基板を提供する。
【００４１】
　前記反射特性を有する金属物質は、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属物質から選択され、前記金属物質はアルミニウムネオジム（ＡｌＮｄ）である。
【００４２】
　前記データ配線は、前記反射層から間隔を空けて配置され、該間隔は５μｍ〜７μｍである。
【００４３】
　当該アレイ基板は、前記ゲート配線及びゲート電極の上部に形成される第１絶縁層と、前記第１ゲート絶縁層上部に形成される半導体層と、前記ソース電極及びドレイン電極と反射層上部に連続的に形成され、前記ドレイン電極を露出するためのドレインコンタクトホールを有する第２絶縁層及び第３絶縁層をさらに含むことができる。
【００４４】
　また、当該アレイ基板は、前記ゲート配線と同一層に形成される第１キャパシター電極と、前記データ配線と同一層に形成されて前記第１キャパシター電極と重なる第２キャパシター電極とをさらに含むことができる。
【００４５】
　前記第１絶縁層は、前記第１キャパシター電極と第２キャパシター電極の間に形成され、前記第２キャパシター電極は前記第２絶縁層及び第３絶縁層が有するキャパシターコンタクトホールを通じて前記画素電極に連結される。
【００４６】
　本発明の第２様態では、第１マスク工程により、基板上部にゲート電極及びゲート配線を形成する段階と；前記ゲート電極及びゲート配線上部に第１絶縁層を形成する段階と；第２マスク工程により前記ゲート電極を覆う第１絶縁層上部に半導体層を形成する段階と；第３マスク工程により、前記半導体層上部に相互に間隔を空けて配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート配線と交差して透過部と反射部を有する画素領域を定義するデータ配線と、前記第１絶縁層上部に前記透過部に対応する透過ホールを有して前記画素領域に配置される反射層とを形成する段階と；第４マスク工程により、前記ソース電極及びドレイン電極、データ配線、並びに反射層上部に、前記ドレイン電極を露出させるためのドレインコンタクトホールを有する第２絶縁層を形成する段階と；第５マスク工程により、前記第２絶縁層上部に、前記ドレインコンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と連結される透明導電性物質からなる画素電極を形成する段階とを含み、前記ソース電極を前記データ配線に連結し、前記ソース電極及びドレイン電極と前記反射層とを複数個の金属層で構成して前記複数個の金属層の最上層を反射特性を有する金属物質から構成することを特徴とする、半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【００４７】
　当該方法は、前記基板の非表示領域に前記第３マスク工程を通じて第１アラインキーを形成する段階と、前記第１アラインキー上部に、前記第４マスク工程を通じて前記第１アラインキーを露出させるための開口部を有する第３絶縁層を形成する段階をさらに含む。
　当該方法はまた、前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて前記第１アラインキーに対応する第２アラインキーを形成する段階をさらに含む。
【００４８】
　当該方法では、前記データ配線は前記反射層から間隔を空けて配置し、該間隔は５μｍ〜７μｍとする。また当該方法は、前記基板上部に前記第１マスク工程を通じて第１キャパシター電極を形成する段階と、前記第３マスク工程を通じて前記第１絶縁層上部に前記第１キャパシター電極と重なる第２キャパシター電極を形成する段階とをさらに含むことができる。
【００４９】
　当該方法は、前記第４マスク工程を通じて前記第２絶縁層に前記第２キャパシター電極を露出するためのキャパシターコンタクトホールを形成する段階をさらに含み、よって前記画素電極を前記キャパシターコンタクトホールを通じて前記第２キャパシター電極と連結させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
　以下、本発明による望ましい実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００５１】
　図１６は、本発明による半透過型液晶表示装置の平面図であって、一つの画素領域を中心に図示した。
【００５２】
　図示したように、第１方向にゲート配線１１１が形成されていて、第２方向にゲート配線１１１と交差するデータ配線１２０が形成されており、ゲート配線１１１からはゲート電極１１０が、データ配線１２０からはソース電極１１８が分岐しており、ソース電極１１８から一定の間隔を空けて、ソース電極１１８と共にゲート電極１１０と一定間隔重なるドレイン電極１２２が形成されている。
【００５３】
　本実施例は、前記ゲート配線１１１及びデータ配線１２０が交差する領域と定義される画素領域に、前記データ配線１２０と同一物質で構成され、中央部に透過ホール１２３を有する反射層１２４が形成されていることを特徴とする。
【００５４】
　また、前記画素領域には、ドレインコンタクトホール１３２を通じてドレイン電極１２２と連結する画素電極１３６が形成されている。
【００５５】
　前記画素領域において、前述した反射層１２４が形成された部分は反射部を構成し、透過ホール１２３を通じて露出する画素電極１３６が形成された部分は透過部を構成する。
【００５６】
　また、本発明は、ソース電極１１８及びドレイン電極１２２と、データ配線１２０とを構成する物質を選択する際に、上部層物質を反射特性が良い金属物質から選択し、かつソース電極１１８及びドレイン電極１２２、及びデータ配線１２０の形成段階で反射層１２４を同時に形成することによって、マスク工程数を削減することを特徴とする。
【００５７】
　この時、前記データ配線１２０と反射層１２４の間の間隔Ｉを5μｍ〜7μｍとして、データ配線１２０と反射層１２４の間に短絡が発生するのを防止する。
【００５８】
　また、前記ストレージキャパシターＣＳＴを構成するためにゲート配線１１４からは第１キャパシター電極１１３が分岐しており、キャパシター電極１１３を覆う領域には絶縁体が介在した状態でデータ配線１２０と同一物質で構成された第２キャパシター電極１２１が形成され、第２キャパシター電極１２１はキャパシターコンタクトホール１２５を通じてもう一つの絶縁体が介在した状態で画素電極１３６と連結している。
【実施例２】
【００５９】
　図１７ないし図５Ｇ、及び図２２ないし図６Ｇは、本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を段階別に示した図面である。図１７ないし図５Ｇは、画面が駆動される領域と定義されるアクティブ領域に薄膜トランジスタ部及び画素部を形成する工程の段階別断面図であり、図２２ないし図６Ｇは非アクティブ領域にアラインキーを形成する工程の段階別断面図である。
【００６０】
　図１７及び図２２では、第１マスク工程により透明基板１００上に第１金属物質を使用してゲート電極１１０及び第１アラインキー１１２を形成する。
【００６１】
　前記第１金属物質は、抵抗率値が低い金属物質、特にアルミニウムを含む金属物質から選択することが望ましい。
【００６２】
　図１８及び図２３は、第１絶縁物質を使用してゲート電極１１０及び第１アラインキー１１２を覆う基板全面にゲート絶縁膜１１４を形成し、次に第２マスク工程により、非晶質シリコン、不純物シリコンを使用してゲート電極１１０と対応する位置に非晶質シリコンで構成されたアクティブ層１１６ａと、不純物シリコンからなるオーミックコンタクト層１１６ｂで構成される半導体層１１６とを形成する段階である。
【００６３】
　前記ゲート絶縁膜１１４を構成する第１絶縁物質は、シリコン絶縁物質から選択し、特にシリコン窒化膜とすることが望ましい。
【００６４】
　図１９及び図２４では、第３マスク工程により、第２金属物質を使用して、半導体層１１６と一部重なるソース電極１１８を含むデータ配線１２０と、ソース電極１１８と一定の間隔を空けて配置されるドレイン電極１２２と、画素部Ｐに透過ホール１２３を有する反射層１２４とを、前記半導体層１１６が形成された基板上に形成し、前述した第１アラインキー１１２と対応する位置に第２アラインキー１２６を形成する。
【００６５】
　前記ゲート電極１１０、半導体層１１６、ソース電極１１８及びドレイン電極１２２は薄膜トランジスタＴを形成する。
【００６６】
　前記第２金属物質は、化学的耐蝕性が強い金属物質を下部層とし、反射特性が良い金属物質を上部層とする少なくとも二重層構造で構成されたことを特徴とする。
【００６７】
　前記下部層金属物質は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）のうちいずれか一つの物質から選択されることが望ましく、前記上部層金属物質はアルミニウムまたはアルミニウム合金から選択されることが望ましく、さらに望ましくはアルミニウムネオジムである。
【００６８】
　すなわち、前記ソース電極１１８及びドレイン電極１２２、データ配線１２０、反射層１２４、及び第２アラインキー１２６は、各々第１ソース１１８ａと第２ソース１１８ｂ及び第１ドレイン金属層１２２ａと第２ドレイン金属層１２２ｂ、第１データ金属層１２０ａと第２データ金属層１２０ｂ、第１反射金属層１２４ａと第２反射金属層１２４ｂ、及び第２ａアライン金属層１２６ａと第２ｂアライン金属層１２６ｂで構成され、特に反射層１２４の上部層を構成する第２反射金属層１２４ｂが反射特性が良い金属物質から選択されることによって、ソース電極１１８及びドレイン電極１２２、及びデータ配線１２０を形成する段階で、反射層１２４を同時に形成できることを特徴とする。
【００６９】
　次に、図２０及び図２５では、前記薄膜トランジスタＴ及び第２アラインキー１２６を覆う基板全面に、第１保護層１２８と第２保護層１３０を順序通り形成した後、第４マスク工程により第１保護層１２８及び第２保護層１３０に、前記ドレイン電極１２２を一部露出させるためのドレインコンタクトホール１３２、及び第２アラインキー１２６を露出させるための第２コンタクトホール１３４を形成する。
【００７０】
　前記第１保護層１２８は、無機絶縁物質、特にシリコン絶縁物質から選択することが望ましく、第２保護層１３０は低誘電率値を有する有機絶縁物質から選択し、特にＢＣＢとすることが望ましい。
【００７１】
　従来技術では別の工程としてアラインキーオープン工程が追加されたが、本発明ではソース及びドレイン工程で反射層を形成するために、ドレインコンタクトホール形成段階でアラインキーを同時にオープンさせることができ、これに相当するマスク工程を省略できる。
【００７２】
　図２１及び図２６は、第５マスク工程により、透明導電性物質を使用して、ドレインコンタクトホール１３２を通じてドレイン電極１２２と連結する画素電極１３６を画素部Ｐに形成する段階である。
【００７３】
　前記画素部Ｐにおいて、前述した反射層１２４と対応する領域は反射部を構成し、画素電極１３６下部に反射層１２４がなく、画素電極１３６だけが形成された領域は透過部を構成する。
【００７４】
　このように、本発明によるアレイ工程ではソース電極及びドレイン電極、並びにデータ配線を構成する上部層金属物質を、反射特性が良い金属物質から選択することが望ましい。
【００７５】
　しかし、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱せずに様々に変更して実施できる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
　このように、本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程によれば、マスク工程数を削減することができ、生産収率が向上した製品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】一般的な液晶表示装置に対する断面図。
【図２】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図３】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図４】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図５】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図６】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図７】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図８】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図９】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１０】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１１】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１２】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１３】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１４】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１５】既存の半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１６】本発明による半透過型液晶表示装置の平面図。
【図１７】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１８】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図１９】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図２０】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図２１】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図２２】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図２３】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図２４】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図２５】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【図２６】本発明による半透過型液晶表示装置用アレイ基板の製造工程の一段階を示した図面。
【符号の説明】
【００７８】
　１００：透明基板
　１１０：ゲート電極
　１１２：第１アラインキー
　１１４：ゲート絶縁膜
　１１６ａ：アクティブ層
　１１６ｂ：オーミックコンタクト層
　１１６：半導体層
　１１８ａ：第１ソース金属層
　１１８ｂ：第２ソース金属層
　１１８：ソース電極
　１２０ａ：第１データ金属層
　１２０ｂ：第２データ金属層
　１２０：データ配線
　１２２ａ：第１ドレイン金属層
　１２２ｂ：第２ドレイン金属層
　１２２：ドレイン電極
　１２４ａ：第１反射金属層
　１２４ｂ：第２反射金属層
　１２４：反射層
　１２６ａ：第２ａアライン金属層
　１２６ｂ：第２ｂアライン金属層
　１２６：第２アラインキー
　１３２：ドレインコンタクトホール
　１３６：画素電極
　Ｐ：画素部
　Ｔ：薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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