(57)【要約】【課題】薄膜を大面積、高均一、高堆積速度で堆積することができるマルチターゲット・スパッタ装置を提供する。【解決手段】マルチターゲット・スパッタ装置において、真空チャンバー１に支持されるとともに、この真空チャンバー１内の同一面上に配置される３個以上のターゲット電極２，２′と、これらのターゲット電極２，２′の一方の面にターゲット電極２，２′の端から一定の距離を離して配置される基板ホルダ３とを具備し、前記基板ホルダ３上に基板をセットし、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギー粒子の入射を回避するようにし、前記基板上に超伝導薄膜を堆積する。【選択図】    図１
2004176160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）真空チャンバーに支持されるとともに、該真空チャンバー内の同一面上に配置される３個以上のターゲット電極と、
（ｂ）該ターゲット電極の一方の面にターゲット電極の端から一定の距離を離して配置される基板ホルダとを具備し、
（ｃ）前記基板ホルダ上に基板をセットし、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギー粒子の入射を回避するようにし、前記基板上に薄膜を堆積することを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項２】
請求項１記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記ターゲット電極は、出し入れ可能にし、プラズマ中心部から、任意の距離を選択できるスパッタ電極機能を有することを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項３】
請求項１記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記基板ホルダとして第１の基板ホルダと、該第１の基板ホルダに対向するように第２の基板ホルダを配置し、前記ターゲット電極の両側で前記基板に薄膜を堆積することを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項４】
請求項３記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記第１及び第２の基板ホルダと前記複数のターゲット電極により、プラズマが閉じ込められ、前記第１及び第２の基板ホルダの配置構造では、ターゲット電極が鉛直線を含む面内に配置され、前記基板ホルダ及び基板は、その面から一定の距離離れた面上に配置されることを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項５】
請求項３記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記第１及び第２の基板ホルダは複数組配置され、各組の第１及び第２の基板ホルダは自転機構に連結されるとともに、前記の複数組の全ての組の第１及び第２の基板ホルダが公転機構に連結されることを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項６】
請求項５記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記複数組の第１及び第２の基板ホルダは２組であることを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項７】
請求項５記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記複数組の第１及び第２の基板ホルダと複数のターゲット電極により、プラズマが閉じ込められることを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項８】
請求項３記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、独立したプラズマ発生部が、真空チャンバーの中心から同一距離上に、２つ以上準備され、前記基板ホルダが別のプラズマ発生部に移動して薄膜が堆積され、これを繰り返すことにより、積層膜の形成を行うことを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項９】
請求項５記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、均一な膜厚の薄膜の形成を行うために、ターゲットの最適間隔の選択、基板ホルダの自転及び公転数を設定することを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【請求項１０】
請求項１から９記載の何れか１項に記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記薄膜は超伝導薄膜であることを特徴とするマルチターゲット・スパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マルチターゲット・スパッタ装置に係り、特に超伝導薄膜を大面積、高均一、高堆積速度で堆積するマルチターゲット・スパッタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
これまでに、大面積に亘り均一膜厚を高堆積速度で作製できるスパッタ装置、及び作製技術は報告されていない。すなわち、大面積、高均一、高堆積速度、高結晶性等の要請項目は、それぞれ互いに相反の関係にあるため、全てを満足するスパッタ装置は存在しなかった。
【０００３】
特に、酸化物超伝導体では、ｏｆｆ−ａｘｉｓ（後述）状態での堆積が不可欠であるが、かかる要請を満足する装置は開発されていなかった。例えば、電気特性が、原子配列や構成元素の組成に著しく敏感な酸化物超伝導体等をスパッタ法で作製する場合、従来のターゲット直上に置いた基板上では良質の薄膜が作製できない。
【０００４】
これは、スパッタによって発生した高エネルギー粒子が、基板表面（薄膜成長面）を直撃し、原子配列の妨害や軽元素の再スパッタによる欠損が生じるためである。このような欠点を回避するため、ターゲットの直上位置から基板をずらして配置する、所謂ｏｆｆ−ａｘｉｓ法により良質な薄膜が得られている。
【０００５】
しかしながら、これは、単一のターゲットで作製する方法（下記特許文献１参照）であるが、良質薄膜の作製領域は小さく（１ｃｍ程度）、大型化には致命的な欠点があった。そこで、２つのターゲットを対向させたスパッタ法（下記非特許文献１参照）が用いられ、比較的大きな面積で高品質の薄膜（５ｃｍ程度）が得られるようになった。しかし、この方法では、薄膜の堆積速度が著しく遅く、単一ターゲットを用いたｏｆｆ−ａｘｉｓ法に比べ、１／３程度であった。
【０００６】
また、対向ターゲット方式において、複数の基板ホルダを配置する場合、基板表面・薄膜中に異物が混入し、薄膜特性の低下を招く状況にあり、十分な工夫がなされていなかった。
【０００７】
一方、ターゲットを円筒状にしたスパッタ法では円筒状の一方にアノード電極が配置され、他方の円筒口直前に基板を配置して薄膜を作製するが、この方法は基本的にｏｆｆ−ａｘｉｓ状態で、かつ、プラズマが閉じ込められているため、良質薄膜が高堆積速度で形成される利点があった。
【０００８】
しかし、大きな膜厚分布を有し、円筒径が固定されているため、膜厚分布の改善は容易ではなく、さらに、酸化物焼結材料等では良質の円筒ターゲットを作製することが非常に難しく、薄膜の生産には不適当な方法であった。
【０００９】
このように、これまで種々の試みがなされてきたが、スパッタ法では、１０−２０ｃｍサイズで良質の超伝導薄膜を高堆積速度で作製する量産が可能なスパッタ装置は開発されていなかった。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−４０４６号公報  第４−６頁  図１
【非特許文献１】
ＪＡＰＡＮＥＳＥ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ
ＶＯＬ．３０，Ｎｏ．５，ＭＡＹ，１９９１，ｐｐ．９３９−９４４
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来のスパッタ装置では、超伝導薄膜を大面積、高均一、高堆積速度で堆積することはできないのが実状であった。
【００１２】
本発明は、上記状況に鑑みて、薄膜を大面積、高均一、高堆積速度で堆積することができるマルチターゲット・スパッタ装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕マルチターゲット・スパッタ装置において、真空チャンバーに支持されるとともに、この真空チャンバー内の同一面上に配置される３個以上のターゲット電極と、このターゲット電極の一方の面にターゲット電極の端から一定の距離を離して配置される基板ホルダとを具備し、前記基板ホルダ上に基板をセットし、基板面ではスパッタによって発生する高エネルギー粒子の入射を回避するようにし、前記基板上に薄膜を堆積することを特徴とする。
【００１４】
〔２〕上記〔１〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記ターゲット電極は、出し入れ可能にし、プラズマ中心部から、任意の距離を選択できるスパッタ電極機能を有することを特徴とする。
【００１５】
〔３〕上記〔１〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記基板ホルダとして第１の基板ホルダと、この第１の基板ホルダに対向するように第２の基板ホルダを配置し、前記ターゲット電極の両側で前記基板に薄膜を堆積することを特徴とする。
【００１６】
〔４〕上記〔３〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記第１及び第２の基板ホルダと前記複数のターゲット電極により、プラズマが閉じ込められ、前記第１及び第２の基板ホルダの配置構造では、ターゲット電極が鉛直線を含む面内に配置され、前記基板ホルダ及び基板は、その面から一定の距離離れた面上に配置されることを特徴とする。
【００１７】
〔５〕上記〔３〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記第１及び第２の基板ホルダは複数組配置され、各組の第１及び第２の基板ホルダは自転機構に連結されるとともに、前記の複数組の全ての組の第１及び第２の基板ホルダが公転機構に連結されることを特徴とする。
【００１８】
〔６〕上記〔５〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記複数組の第１及び第２の基板ホルダは２組であることを特徴とする。
【００１９】
〔７〕上記〔５〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記複数組の第１及び第２の基板ホルダと複数のターゲット電極により、プラズマが閉じ込められることを特徴とする。
【００２０】
〔８〕上記〔３〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、独立したプラズマ発生部が、真空チャンバーの中心から同一距離上に、２つ以上準備され、前記基板ホルダが別のプラズマ発生部に移動して薄膜が堆積され、これを繰り返すことにより、積層膜の形成を行うことを特徴とする。
【００２１】
〔９〕上記〔５〕記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、均一な膜厚の薄膜の形成を行うために、ターゲットの最適間隔の選択、基板ホルダの自転及び公転数を設定することを特徴とする。
【００２２】
〔１０〕上記〔１〕から〔９〕記載の何れか〔１〕に記載のマルチターゲット・スパッタ装置において、前記薄膜は超伝導薄膜であることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２４】
図１は本発明の実施例を示す真空チャンバー及び内部冶具等をチャンバー開閉口から見た模式図、図２は図１のＡ−Ａ線矢視図、図３はそのスパッタ部の模式図である。
【００２５】
これらの図において、１はＬ１  （１００ｃｍφ）（高さ）×Ｌ２  （８０ｃｍ）（横幅）の円筒状のステンレス製の真空チャンバー、１Ａはその真空チャンバー１のシール部、２，２′はその真空チャンバー１に支持され、出し入れにより配置位置を調整可能なターゲット電極、２Ａ，２Ａ′はターゲット電極２，２′の支持棒であり、これらのターゲット電極の支持棒２Ａ，２Ａ′と真空チャンバー１間は支持棒２Ａ，２Ａ′の出し入れを可能にするシール部１Ａによって構成されている。
【００２６】
また、３は基板ホルダ（なお、図２の下部では基板ホルダ３を取り外した状態を示している。）、４，５はモーター、６はカンタルヒータ線の端子、７は導通円板、８は導通板、８Ａはリード接続部、９Ａ，９Ｂは固定されたギア、１０はラダーチェーン、１１は基板ホルダ３の回転支持棒、１２は固定された回転シャフト、１３はリード摺動板（固定金具）、１４は外部のリード端子、１５は公転棒、１６，１７は回転方向変換ギア、１８は主回転支持棒、１９は基板である。
【００２７】
なお、ターゲット電極２，２′は、主にスパッタを行うための主ターゲット電極２とスパッタの状況に応じてスパッタの条件を調整するための補助的なターゲット電極２′から構成されている。
【００２８】
この実施例においては、Ｌ１  （１００ｃｍφ）（高さ）×Ｌ２  （８０ｃｍ）（横幅）の円筒状のステンレス製の真空チャンバー１を配置し、排気系、ガス導入系、真空計測系、覗き窓、及びシャッター機構等を省略している。
【００２９】
真空チャンバー１内には、２つのプラズマ発生部２０（図２中のＩ，ＩＩ）を有する構造となっており、１つのプラズマ発生部２０には、２個のターゲット電極（マグネトロン電極）２を一対とすると、並列に二対（並列間隔Ｌ５  は５ｃｍ）、それに垂直にそれぞれ１個のターゲット電極２′が配置され、１つのプラズマ発生部２０につき、ターゲット電極２，２′が合計５個、もう１つのプラズマ発生部２０（両者の間隔Ｌ７  は２０ｃｍ）と合わせ、合計１０個のターゲット電極２，２′が装備されている。
【００３０】
ターゲット電極２，２′は、真空チャンバー１への出入りが自由となっているため、一対のターゲット電極２の間隔は、膜厚分布に対し最適間隔を選択できる。基板ホルダ３は、ターゲット電極２，２′を挟む状態で配置されており、この装置では、４つの直径Ｌ８  （２０ｃｍφ）の大きさの基板ホルダ３が準備されている。
【００３１】
基板ホルダ３の回転支持棒１１は固定されたギア９Ａが、主回転支持棒１８のギア９Ｂとラダーチェーン１０で結合され、モータ５によって、回転方向変換ギア１７を介して基板１９の回転（自転）が行われる。
【００３２】
一方、基板ホルダ３の公転は、公転棒１５に固定された回転シャフト１２により、モータ４によって、回転方向変換ギア１６を介して達成される。
【００３３】
基板ホルダ３は、基板１９をカンタルヒータ線で加熱できる構造になっており、基板温度は８００℃まで可能である。この基板ホルダ３のカンタルヒータ線の端子６は、絶縁層を介して回転支持棒１１に固定された導通円板７に接続され、この導通円板７と導通板８が摺動接触を実現しており、導通板８のもう一方の端は主回転支持棒１８に絶縁・固定されたリード接続部８Ａに摺動接触している。リード接続部８Ａは主回転支持棒１８内の銅線に接続され、電流導入端子を介して外部のリード端子１４に繋がっており、このリード端子１４から電力が供給され、基板１９が加熱される。
【００３４】
（薄膜作製の実施例１）
上記した真空チャンバー１を用いて、酸化物超伝導薄膜を作製した。
【００３５】
このスパッタ用真空チャンバー１には、５個のＥｕＢａ２  Ｃｕ３  Ｏ７  （ＥＢＣＯ）焼結ターゲット（８５ｍｍφ）をターゲット電極２に搭載し、ターゲット電極２の端から、３ｃｍの位置に基板ホルダ３を配置した。基板ホルダ３はターゲット電極２を挟み、２つ配置されている。
【００３６】
また、ターゲット電極２は、一対の対向ターゲット電極の間隔Ｌ４  が２０ｃｍ、もう一対の対向ターゲット電極間隔Ｌ６  が１６ｃｍの位置に配置され、また、対向ターゲット電極２と垂直に配置されているターゲット電極２′は、中心に位置する対向ターゲット電極２の端からＬ３  （５ｃｍ）の位置に設置するようにした。
【００３７】
基板ホルダ３には５０ÅのＣｅＯ２  バッファ層を形成したＲ面サファイア基板１９を固定し、基板温度を６６０℃、スパッタガスをＡｒ＋８％Ｏ２  、スパッタガス圧を７Ｐａ、１個のターゲット電圧を１６０Ｖ、ターゲット電流を０．５５Ａとして超伝導薄膜を５０００Å形成した。この時の薄膜堆積速度は、１５０Å／ｍｉｎで、ｏｆｆ−ａｘｉｓ法では大きな堆積速度を示した。
【００３８】
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）では、析出物のない、スパッタ薄膜特有の平滑な表面が観察された。Ｘ線回折の結果、完全なｃ軸配向を示し、結晶性が良好であった。超伝導臨界温度（Ｔｃ  ）は、２０ｃｍφに亘り、（８９±１）Ｋと高品質の超伝導特性を示した。膜厚を調べた結果、図４に示すように、１８ｃｍφに亘り、±２％以内の膜厚分布を示し、大型サイズで高均一薄膜が得られることが明らかになった。
【００３９】
このように、スパッタターゲットと基板とでプラズマを囲むような配置をとり、スパッタ粒子を効率よく基板に堆積させるようにして従来のｏｆｆ−ａｘｉｓ対向電極配置法に比べ約５倍成膜速度を向上させ、かつ、基板を垂直に配置する工夫によりスパッタの過程で発生するドロップレットの基板付着を軽減させ、これらの工夫の結果、従来５ｃｍφ程度の均一特性膜しか得られなかった手法に比べ、１８−２０ｃｍφ程度の均一特性膜を成膜することができた。
【００４０】
（薄膜作製の実施例２）
１つのプラズマ発生部２０（図２の第１の部分Ｉ）には、５個のＥＢＣＯ焼結ターゲットを、他のプラズマ発生部２０（図２の第２の部分ＩＩ）には、５個のＰｒＢａ２  Ｃｕ３  Ｏ７  （ＰＢＣＯ）ターゲット（８５ｍｍφ）を搭載し、実施例１と同様のスパッタ条件で、ＣｅＯ２  バッファ層付きサファイア基板１９（１００ｍｍφ）に約１２０Åの膜厚を積層状に、各々３０層、計６０層を堆積させた。
【００４１】
最初、４８ｓｅｃ間ＥＢＣＯのプラズマ発生部２０（Ｉ）で薄膜を堆積し、その後、基板ホルダ３をもう一方のプラズマ発生部２０（ＩＩ）に回転移動（公転）し、ＰＢＣＯ薄膜を同一時間堆積させ、これを３０回繰り返した。薄膜の堆積時には、基板ホルダ３は、実施例１と同一の条件で回転（自転）させた。
【００４２】
得られた積層薄膜をＸ線回折した結果、ＥＢＣＯとＰＢＣＯはそれぞれ、ｃ軸配向を示し、完全なエピタキシャル成長を示していた。また、１００ｍｍφの大面積に亘り、均一な膜厚で積層状に堆積していることが分かった。この積層膜においても、ＥＢＣＯ薄膜は、ほぼ８８Ｋの超伝導臨界温度（Ｔｃ  ）を示した。
【００４３】
この実施例では、酸化物についての均一膜厚での薄膜作製を行ったが、金属、窒化物、炭化物等の他の材料系に対しても、同様の効果があることは明白であり、Ｘ線フィルタや光学フィルタ、放射光フィルタ等々の積層膜の作製に有効である。
【００４４】
（薄膜作製の実施例３）
１つのプラズマ発生部２０の５個のターゲット電極に、８６ｍｍφのＭｏターゲットを、また、他のプラズマ発生部２０の５個のターゲット電極に８６ｍｍφのＣ（炭素）ターゲットをセットし、１５０℃の基板温度で１００ｍｍφのＳｉ基板上に積層膜を作製した。純Ａｒ中７Ｐａの雰囲気で、直流電源によりスパッタした。１周期の膜厚を６０Å（Ｍｏの膜厚を３５Å、Ｃの膜厚を２５Å）とし、それぞれ５０層を交互に積層させた。
【００４５】
Ｍｏ（又はＣ）を積層する場合、そのプラズマ発生部２０で基板１９を回転（自転）させたが、次にＣ（又はＭｏ）を積層する場合、基板ホルダ３を次のプラズマ発生部２０に回転移動（公転）させた。Ｃのスパッタ効率はＭｏのものより小さいので、ＣとＭｏの投入電力を約５：１に調整した。
【００４６】
この作製したＸ線ミラーに連続Ｘ線を入射させて特性を調べた結果、ブラッグ角θ＝８８°でシャープな反射Ｘ線が得られた。中心波長λ＝１２０Å、半値幅１．３Åであった。シャープな半値幅の結果から、多層積層膜のそれぞれの膜厚が均一で、また、面内で膜厚分布が良好であることが分かった。
【００４７】
Ｃターゲットの代わりに、Ｓｉターゲットを使用し、Ｍｏ−Ｓｉの多層膜を作製したが、この場合、Ｓｉ薄膜の作製にはＲＦ電源を使用した。電力調整により同程度の反射特性を示した。
【００４８】
上記したように、本発明によれば、
（１）高エネルギー粒子の基板面への入射回避については、対向ターゲットスパッタ法と同様な、ターゲット側面に基板を配置し、ｏｆｆ−ａｘｉｓ状態での薄膜堆積を行うことができた。
【００４９】
（２）大型面積に亘り均一膜厚の作製課題については、ターゲットの複数化による蒸発源の分散化、投入電力の独立化、プラズマ濃度分布に合わせたターゲット位置の最適化、基板の自転、公転による振動の採用により、大面積で高均一薄膜の実現を可能にした。
【００５０】
（３）堆積速度、量産性の向上については、ターゲットの複数化の他に、複数ターゲットを２つの基板ホルダで挟み、プラズマ閉じ込め状態を実現し、高堆積速度を可能にした。また、基板ホルダが両側に配置されるため、生産性は倍に向上した。
【００５１】
（４）高品質の積層膜の形成では、プラズマ発生部を２箇所準備し、２種の異なった材料のターゲットを使用し、基板を自転、公転させることにより、膜厚の均一な多層膜を実現することが可能となった。
【００５２】
（５）基板表面及び薄膜中への異物（スパッタ屑、ダスト等）の付着・混入防止については、ターゲット電極を１つの鉛直面上に配列し、かつ、それらを挟むように基板ホルダが配置されるが、基板面は鉛直線と平行になる。このような基板配置状態で、基板の自転・公転がなされるが、基板の積載時や薄膜堆積中に発生した異物の重力による基板面への堆積は回避されている。
【００５３】
また、上記したマルチターゲット・スパッタ装置の各部の寸法は、その一例に過ぎず、適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００５４】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００５５】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００５６】
（Ａ）本発明のスパッタ法は、ｏｆｆ−ａｘｉｓ状態での薄膜形成であり、高エネルギー粒子の基板面への入射が回避され、理想的な結晶成長が可能である。これに対して、従来のスパッタ法では、ターゲットの直上に置かれた基板上に薄膜を堆積する（ｏｎ−ａｘｉｓ法）が、この配置では、高エネルギー粒子の基板面への入射があり、この粒子の衝撃によって薄膜の成長が阻害される。また、高速堆積の可能なマグネトロンスパッタ法の場合、ｏｎ−ａｘｉｓ堆積では、マグネットの配置を反映した不均一な膜分布が無視できない。
【００５７】
（Ｂ）ターゲットの複数配置は、蒸着源の分散化につながり、膜厚の均一化を促進し、かつ、膜厚均一領域の拡大を可能にする。即ち、高品質薄膜の大型化が実現可能となる。
【００５８】
（Ｃ）ターゲットの複数化は、薄膜の堆積速度の向上につながり、ｏｆｆ−ａｘｉｓスパッタ法の低堆積速度の欠点を改善できる。また、薄膜堆積部を複数にすることにより、薄膜堆積部のターゲットは、全て同一状態で配置できるため、高品質薄膜が同一条件で作製でき、量産化を図ることができる。また、ターゲット物質を変えることにより、高均一な積層膜形成が可能である。
【００５９】
（Ｄ）複数のターゲット電極を挟む状態で、電極両側に基板ホルダを配置する場合、プラズマは閉じ込められ、薄膜の堆積速度が向上する。
【００６０】
（Ｅ）基板は、鉛直線を含む面内で、回転・振動するため、基板の積載時や、スパッタ中に発生した粉塵等が薄膜中に取り込まれず、不純物の少ない、平滑なスパッタ薄膜が作製できる。
【００６１】
（Ｆ）高品質の積層膜の形成では、プラズマ発生部を２箇所準備し、２種の異なった材料のターゲットを使用し、基板を自転、公転させることにより、膜厚の均一な多層膜を実現することができる。
【００６２】
（Ｇ）特に、大面積、高均一、高堆積速度、高結晶性の超伝導薄膜の形成に好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す真空チャンバー及び内部冶具等をチャンバー開閉口から見た模式図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線矢視図である。
【図３】図１のスパッタ部の模式図である。
【図４】本発明の実施例の基板中心からのＥＢＣＯ薄膜のＴＣ  及び膜厚の分布を示す図である。
【符号の説明】
１    円筒状のステンレス製の真空チャンバー
１Ａ    真空チャンバーのシール部
２，２′    ターゲット電極
２Ａ，２Ａ′    ターゲット電極の支持棒
３    基板ホルダ
４，５    モーター
６    カンタルヒータ線の端子
７    導通円板
８    導通板
８Ａ    リード接続部
９Ａ，９Ｂ    ギア
１０    ラダーチェーン
１１    基板ホルダの回転支持棒
１２    回転シャフト
１３    リード摺動板（固定金具）
１４    外部のリード端子
１５    公転棒
１６，１７    回転方向変換ギア
１８    主回転支持棒
１９    基板
【図１】
2004176160.tif 000003
【図２】
2004176160.tif 000004
【図３】
2004176160.tif 000005
【図４】
2004176160.tif 000006