(57)【要約】【課題】  高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の透過型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、反射型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの電気光学表示装置を得る。【解決手段】  単結晶Ｓｉ基板１０に多孔質半導体層（低多孔質Ｓｉ層１１ａ・高多孔質Ｓｉ層１１ｂ・低多孔質Ｓｉ層１１ｃ）、単結晶Ｓｉ層１２ａ、ＳｉＯ２層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ２層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ２層１３ａを除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４ａを、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂを、それぞれ形成し、表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部を、それぞれ形成し、Ｓｉ基板１０を多孔質Ｓｉ層１１ｂから分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付け、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する。【選択図】    図７
2004311955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２】
それぞれ単結晶半導体からなる種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の両方に、それぞれ前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
このエッチングした単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、
前記支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３】
単結晶半導体からなる支持基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
このエッチングした単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
このエッチングした単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６】
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７】
単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８】
単結晶半導体からなる支持基板の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１０】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１１】
単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１２】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１３】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１４】
単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１５】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１６】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１７】
単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
その上を絶縁層で覆う工程と、
半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１８】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
その上を絶縁層で覆う工程と、
半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項１９】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
その上を絶縁層で覆う工程と、
半導体エピタキシャル成長により前記表示領域に多結晶半導体層を、前記周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２０】
単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板の少なくとも一方に、前記単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板および支持基板を前記絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、
前記種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記種子基板の分離により露出した前記単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２１】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記イオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行う工程と、
前記支持基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２２】
単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、
単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記支持基板上に、前記多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、
前記単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、
前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により前記種子基板のイオン注入層と前記支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、
剥離用アニール処理を行い、前記種子基板を前記イオン注入層の歪部から分離する工程と、
少なくとも水素アニール処理により前記単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、
前記単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、
表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、
全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、
前記支持基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、
前記支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程と
を含む超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記表示領域の多結晶半導体層を選択的に四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングして非晶質半導体層化した後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項１から請求項５、請求項１１から請求項１３、請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的に四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項６から請求項１０、請求項１４から請求項１６、請求項２０から請求項２２のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と
を含む請求項１から請求項５、請求項１１から請求項１３、請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項６から請求項１０、請求項１４から請求項１６、請求項２０から請求項２２のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記表示領域の多結晶半導体層を選択的に四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に、前記表示領域を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項１から請求項５、請求項１１から請求項１３、請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的に四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に、前記表示領域を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項６から請求項１０、請求項１４から請求項１６、請求項２０から請求項２２のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記半導体エピタキシャル成長により四族元素の少なくとも１種を含有する多結晶半導体層を前記表示領域に、単結晶半導体層を前記周辺回路領域に形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層を固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項１から請求項５、請求項１１から請求項１３、請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記半導体エピタキシャル成長により四族元素の少なくとも１種を含有する多結晶半導体層を前記表示領域に、単結晶半導体層を前記周辺回路領域に形成する工程と、
前記表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項１から請求項５、請求項１１から請求項１３、請求項１７から請求項１９のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３１】
四族元素の少なくとも１種を含有する非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を前記表示領域に、単結晶半導体層を前記周辺回路領域に形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と
を含む請求項６から請求項１０、請求項１４から請求項１６、請求項２０から請求項２２のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３２】
四族元素の少なくとも１種を含有する非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を前記表示領域に、単結晶半導体層を前記周辺回路領域に形成する工程と、
前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、
前記表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と
を含む請求項６から請求項１０、請求項１４から請求項１６、請求項２０から請求項２２のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記支持基板の分離は、前記各超薄型電気光学表示装置に分割する際の分割領域内の分割線に沿って前記単結晶半導体層から少なくとも前記多孔質半導体層まで溝を形成した後に行う
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項６、請求項７、請求項１０、請求項１１、請求項１３、請求項１４、請求項１６、請求項１７、請求項１９、請求項２０、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１または請求項３２に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記支持基板の分離は、前記各超薄型電気光学表示装置に分割する際の分割領域内の分割線に沿って前記単結晶半導体層から少なくとも前記支持基板のイオン注入層の歪部まで溝を形成した後に行う
ことを特徴とする請求項３、請求項４、請求項８、請求項９、請求項１２、請求項１５、請求項１８、請求項２１、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１または請求項３２に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記多孔質半導体層からの分離は、回転中の前記多孔質半導体層への気体、液体、または気体と液体との混合体の高圧流体ジェットの噴射により行う
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項６、請求項７、請求項１０、請求項１１、請求項１３、請求項１４、請求項１６、請求項１７、請求項１９、請求項２０、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２または請求項３３に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記剥離用アニール処理後のイオン注入層の歪部からの分離は、回転中の前記イオン注入層への気体、液体、または気体と液体との混合体の高圧流体ジェットの噴射により行う
ことを特徴とする請求項３、請求項４、請求項５、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１２、請求項１３、請求項１５、請求項１６、請求項１８、請求項１９、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２または請求項３４に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記高圧流体ジェットは、微細な固体を添加したものである
ことを特徴とする請求項３５または請求項３６に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３８】
前記高圧流体ジェットは、超音波を印加したものである
ことを特徴とする請求項３５または請求項３６に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項３９】
前記多孔質半導体層からの分離は、回転中の前記多孔質半導体層へのレーザー加工により行う
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項６、請求項７、請求項１０、請求項１１、請求項１３、請求項１４、請求項１６、請求項１７、請求項１９、請求項２０、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２または請求項３３に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４０】
前記イオン注入層からの分離は、回転中の前記イオン注入層へのレーザー加工により行う
ことを特徴とする請求項３、請求項４、請求項５、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１２、請求項１３、請求項１５、請求項１６、請求項１８、請求項１９、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２または請求項３４に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４１】
前記多孔質半導体層からの分離は、回転中の前記多孔質半導体層へのレーザーウオータージェット加工により行う
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項６、請求項７、請求項１０、請求項１１、請求項１３、請求項１４、請求項１６、請求項１７、請求項１９、請求項２０、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２または請求項３３に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４２】
前記イオン注入層からの分離は、回転中の前記イオン注入層へのレーザーウオータージェット加工により行う
ことを特徴とする請求項３、請求項４、請求項５、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１２、請求項１３、請求項１５、請求項１６、請求項１８、請求項１９、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２または請求項３４に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４３】
前記剥離用アニールは、ラピッドサーマルアニールにより行う
ことを特徴とする請求項３、請求項４、請求項５、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１２、請求項１３、請求項１５、請求項１６、請求項１８、請求項１９、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１または請求項３２に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４４】
前記剥離用アニールは、前記支持基板の裏面から熱放射させる
ことを特徴とする請求項４３に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４５】
前記単結晶半導体層の表面を、紫外線照射硬化型テープを介して流体冷却する
ことを特徴とする請求項４４に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４６】
前記表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板に所定の液晶ギャップを介して対向基板を重ね合わせてシールした後に前記支持基板の分離を行い、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４７】
前記表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板に所定の液晶ギャップを介して対向基板を重ね合わせてシールした後に前記支持基板の分離を行い、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４８】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、
透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板に、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項４９】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、
透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５０】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、
透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理して切断した前記電気光学表示素子基板の良品チップに、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
液晶注入封止した後に前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５１】
前記単結晶半導体層の電気光学表示素子基板内の良品チップに所定の液晶ギャップを介して対向基板の良品チップを重ね合わせてシールし、
液晶注入封止した後に前記支持基板を分離し、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板内に支持体を接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５２】
前記単結晶半導体層の電気光学表示素子基板内の良品チップに所定の液晶ギャップを介して対向基板の良品チップを重ね合わせてシールし、
液晶注入封止した後に前記支持基板を分離し、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５３】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、
前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の
製造方法。
【請求項５４】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、
前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５５】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５６】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５７】
配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５８】
配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項５９】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６０】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成し、
さらに配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６１】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成し、
さらに配向膜形成および配向処理して切断した前記電気光学表示素子基板の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６２】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、
前記支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６３】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、
前記支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６４】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６５】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６６】
画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６７】
画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、
前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６８】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項６９】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して、
さらに配向膜形成および配向処理した前記電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７０】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して、
さらに配向膜形成および配向処理して切断した前記電気光学表示素子基板の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、
液晶注入封止する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７１】
前記表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板の画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、
耐湿性樹脂により封止した後に前記支持基板の分離を行い、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７２】
前記表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板の画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、
耐湿性樹脂により封止した後に前記支持基板の分離を行い、
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７３】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、
耐湿性樹脂により封止した後に前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７４】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、
耐湿性樹脂により封止した後に前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の
製造方法。
【請求項７５】
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、
耐湿性樹脂により封止した後に前記支持基板の分離を行い、
この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、
前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７６】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、
前記電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、
この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、
耐湿性樹脂により封止した後に前記各超薄型電気光学表示装置に分割する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７７】
前記分離は、紫外線照射硬化型テープにより保持した状態で行う
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７８】
前記表示領域の画素開口部の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を除去した後、
少なくとも絶縁膜及び遮光性金属膜をそれぞれ順に形成してから前記光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、前記表示素子部を形成した多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層の側部あるいは側部及び上部を絶縁膜を介した遮光性金属膜で覆う
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項７９】
前記表示領域の画素開口部の底の前記遮光性金属膜を除去してから前記光透過性材料を埋め込む
ことを特徴とする請求項７８に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８０】
前記画素開口部の内壁の前記遮光性金属膜を、アース電位に落とす
ことを特徴とする請求項７８または請求項７９に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８１】
前記種子基板に形成する多孔質半導体層は、前記支持基板に形成する多孔質半導体層よりも高い多孔率とする
ことを特徴とする請求項２、請求項７、請求項１１、請求項１４、請求項１７、請求項２０、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１および請求項３２に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８２】
前記種子基板に形成する多孔質半導体層は、前記支持基板に形成する多孔質半導体層よりも厚くする
ことを特徴とする請求項２、請求項７、請求項１１、請求項１４、請求項１７、請求項２０、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１および請求項３２に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８３】
超薄型電気光学表示素子基板の表示領域内の画素開口部以外に対応する部分および周辺回路全域に対応する対向基板の液晶側には白色系反射膜を形成し、
超薄型電気光学表示素子基板の表示領域内の画素開口部以外に対応する部分および周辺回路全域に対応する透明支持基板表面には黒色系低反射遮光膜を形成する
ことを特徴とする請求項項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８４】
種子基板分離した後の超薄型ＳＯＩ層を含む支持基板表面の周辺部をＣ面取りする
ことを特徴とする請求項２、請求項４、請求項５、請求項７、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１および請求項３２に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８５】
多孔質半導体層を介して単結晶半導体層形成した種子基板の直径と、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層及び絶縁層形成した支持基板の直径が異なる両基板を貼り合せた後に、
高圧流体ジェット噴射を真横方向又は斜目方向から種子基板の多孔質半導体層に当てて種子基板を分離し、
種子基板分離後の超薄型ＳＯＩ層を含む支持基板表面の周辺部をＣ面取りする
ことを特徴とする請求項２、請求項７、請求項１１、請求項１４、請求項１７、請求項２０、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１および請求項３２に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８６】
前記分離後の超薄型電気光学表示素子基板に、反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラスを少なくとも透明支持体として、耐光性の透明接着剤で貼り合せる
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８７】
少なくとも入射側に反射防止膜形成した前記高熱伝導性ガラスの防塵ガラス、前記高熱伝導性ガラスの対向基板、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、前記高熱伝導性ガラスの支持基板及び少なくとも出射側に反射防止膜形成した前記高熱伝導性ガラスの防塵ガラスを貼り合わせた
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８８】
少なくとも入射側に反射防止膜形成した前記高熱伝導性ガラスの防塵ガラス、前記高熱伝導性ガラスの対向基板、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、高熱伝導性の不透明支持基板として少なくとも入射側に反射防止膜形成した前記高熱伝導性ガラスの防塵ガラス及び前記高熱伝導性ガラスの対向基板を貼り合わせ、且つ超薄型電気光学表示素子基板と高熱伝導性の不透明支持基板を貼り合わせた
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項８９】
透明電極及び配向膜形成して配向処理した集光レンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成の対向基板と、表示領域の画素開口部をエッチングして光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、
表示素子に接続した透明電極及び配向膜形成して配向処理を行った電気光学表示素子基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、
支持基板を多孔質半導体層又はイオン注入層の歪み部から分離し、
剥離残りをエッチングした超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を透明接着剤で貼り合せる
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９０】
透明電極及び配向膜形成して配向処理した集光レンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に反射膜形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板と、表示領域の画素開口部をエッチングして光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、
表示素子に接続した透明電極及び配向膜形成して配向処理を行った電気光学表示素子基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、
支持基板を多孔質半導体層又はイオン注入層の歪み部から分離し、
剥離残りをエッチングした超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に低反射遮光膜形成したマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を貼り合せる
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９１】
表示領域の反射電極下の単結晶半導体層に表示部または表示部及び周辺回路の一部を形成する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９２】
シール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９３】
単結晶半導体層に多層配線構造の周辺回路または表示部及び周辺回路を形成する
ことを特徴とする請求項１から３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９４】
歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層の格子定数と異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層を多孔質半導体層上に形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項６、請求項７、請求項１０、請求項１１、請求項１３、請求項１４、請求項１６、請求項１７、請求項１９、請求項２０、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２、請求項３３のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９５】
歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層の格子定数と異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層を単結晶半導体層上に形成する
ことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請求項１３、請求項１４、請求項１５、請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０、請求項２１、請求項２２、請求項２３、請求項２４、請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、請求項２９、請求項３０、請求項３１、請求項３２、請求項３３、請求項３４のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９６】
歪みチャネルが誘起されるチャネル半導体層と、格子定数が前記チャネル半導体層の格子定数と異なり、前記チャネル半導体に歪みを印加する歪み印加半導体層を絶縁層上に形成する
ことを特徴とする請求項１から３２のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９７】
前記チャネル半導体層はシリコン層、前記歪み印加半導体層はシリコンゲルマニウム層である
ことを特徴とする請求項９４、請求項９５または請求項９６に記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９８】
前記歪み印加半導体層中のゲルマニウム濃度は、前記多孔質半導体層の接触面から、あるいは前記単結晶半導体層の接触面から、あるいは前記絶縁層の接触面から徐徐に増加して前記歪み印加半導体層表面で所望濃度となる傾斜組成である
ことを特徴とする請求項９７のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製造方法。
【請求項９９】
前記絶縁層は、
酸化シリコン膜、
酸窒化シリコン膜、
酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜、
窒化シリコン膜、
酸化シリコンと窒化シリコンと酸化シリコンとを順に積層した積層膜、
および、酸化アルミニウム膜
のうち少なくとも一種を含むものである
ことを特徴とする請求項１から３２のいずれかに記載の超薄型電気光学表示装置の製法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高輝度、高精細、高機能の透過型液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）、半透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、上面発光型有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置、下面発光型有機ＥＬ表示装置などの超薄型電気光学表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透過型高温多結晶シリコン（以下、「ポリＳｉ」と称す。）ＴＦＴ（Thin Film Transistor）ＬＣＤの場合、石英ガラスに減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により微結晶Ｓｉ薄膜を形成し、さらにＳｉイオン注入によりアモルファスＳｉ化した後に、例えば６２０℃１２時間の固相成長法により大粒径ポリＳｉ薄膜を形成し、その膜にＬＣＤの周辺回路および表示素子などを形成している。
【０００３】
また、透過型または反射型低温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤまたは有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ（以下「有機ＥＬ」と称す）の場合、ほうけい酸ガラスやアルミノけい酸ガラスなどの低歪点ガラスにプラズマＣＶＤ等によりアモルファスＳｉ薄膜を形成し、エキシマレーザーアニール（ＥＬＡ）による結晶化で大粒径ポリＳｉ薄膜を形成し、その膜にＬＣＤ周辺回路および表示素子、または有機ＥＬ周辺回路および表示素子などを形成している。
【０００４】
ところが、これらの高温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤ、低温ポリＳｉＴＦＴＬＣＤまたは有機ＥＬの場合、単結晶Ｓｉに比べ電子・正孔移動度が高くないポリＳｉ薄膜上に、ＬＣＤまたは有機ＥＬの周辺回路を形成するため、デバイス特性、特に高速動作性が問題となる。
【０００５】
近年、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる反射型ＬＣＤが、プロジェクタなどに採用されている。これは単結晶Ｓｉの高い電子・正孔移動度を利用したものである。ＬＣＯＳは、汎用ＭＯＳＬＳＩ技術によって単結晶Ｓｉ基板表面に周辺回路および表示素子のみならず、映像信号処理回路やメモリ回路などの機能を取り込んだものであり、高輝度、高精細、高機能という特徴を有する。
【０００６】
ところが、ＬＣＯＳは、強い入射光の漏れによるＴＦＴリーク電流が画質および信頼性に問題を起こしやすい。そのため、漏れ光対策によって、加工工数増大、歩留および生産性低下をもたらしている。そこで、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板（例えば、特許文献１〜６参照）の採用が考えられるが、この場合は単結晶Ｓｉ基板が光透過しないため、反射型ＬＣＤおよび上面発光型有機ＥＬに限定されてしまう。
【０００７】
本発明者は、特許文献７にて、単結晶Ｓｉ基板を用いて透過型ＬＣＤを作製する方法を提案している。この場合の透過型ＬＣＤは、単結晶Ｓｉ基板表面に周辺回路と反射膜を内蔵した透明樹脂埋め込みの画素表示部を形成し、その裏面を研削および研磨して単結晶Ｓｉ薄膜マトリックスアレイを形成し、色フィルタ基板と透明樹脂で貼り合わせるものである。
【０００８】
【特許文献１】特許第２６０８３５１号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５５６２号公報
【特許文献３】特許第３０４８２０１号公報
【特許文献４】特開２０００−１９６０４７号公報
【特許文献５】特開２００１−７７０４４号公報
【特許文献６】特開平５−２１１１２８号公報
【特許文献７】特許第３２１８８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に、特許文献７に記載のような単結晶Ｓｉ基板表面に周辺回路と画素表示部とを形成した透過型ＬＣＤを用いた場合、単結晶Ｓｉ基板が高い電子・正孔移動度を有し、非常に高感度であることから、強い入射光によるＴＦＴリーク電流が問題となりやすい。
【００１０】
また、最近のＬＣＯＳなどの高輝度反射型ＬＣＤでも、強い入射光による表示部のＴＦＴリーク電流が問題となっている。さらに、将来、下面発光型有機ＥＬでも、高輝度化が進むほど自分自身で発した光の漏れによるＴＦＴリーク電流が問題となる可能性がある。
【００１１】
そこで、本発明においては、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の透過型ＬＣＤ、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの電気光学表示装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００１３】
本製造方法では、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、この単結晶半導体層に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により、表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板を多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００１４】
本発明の第２の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、それぞれ単結晶半導体からなる種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板の両方に、それぞれ多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板の少なくとも一方に、単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、種子基板および支持基板を絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、種子基板を、種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、種子基板の分離により露出した単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、このエッチングした単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００１５】
本製造方法では、種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、絶縁層を介してこれらの両基板を貼り合わせ、種子基板を種子基板の多孔質半導体層において分離することにより、支持基板の多孔質層上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層を必要に応じてフッ酸系エッチャントで多孔質半導体層剥離残りをエッチングし、更に水素アニール処理でエッチングして平坦化した後に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により、表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板を多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００１６】
本発明の第３の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる支持基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００１７】
本製造方法では、支持基板の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により、表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００１８】
本発明の第４の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理によりイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、このエッチングした単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００１９】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、必要に応じてフッ酸系エッチャントで単結晶半導体層の表面をエッチングし、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成し、表示領域の多結晶半導体ＴＦＴ層に表示領域部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をイオン注入層歪み部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００２０】
本発明の第５の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、このエッチングした単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００２１】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、多孔質半導体層、単結晶半導体層および絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、必要に応じてフッ酸系エッチャントで単結晶半導体層の表面をエッチングし、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより、支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を、それぞれ形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板を多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００２２】
本発明の第６の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００２３】
本製造方法では、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、この単結晶半導体層に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００２４】
本発明の第７の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板の少なくとも一方に、単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、種子基板および支持基板を絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、種子基板を、種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、種子基板の分離により露出した単結晶半導体層の表面を少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００２５】
本製造方法では、種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、絶縁層を介してこれらの両基板を貼り合わせ、種子基板を種子基板の多孔質半導体層において分離することにより、支持基板の多孔質層上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層を必要に応じてフッ酸系エッチャントで多孔質半導体層剥離残りをエッチングし、更に水素アニール処理でエッチングして平坦化した後に、単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００２６】
本発明の第８の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる支持基板の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００２７】
本製造方法では、支持基板の表面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をそのイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００２８】
本発明の第９の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理によりイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体からなる支持基板の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００２９】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、必要に応じてフッ酸系エッチャントで単結晶半導体層の表面をエッチングし、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をそのイオン注入層の歪部分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００３０】
本発明の第１０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体からなる支持基板の表面に絶縁層を形成し、更に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００３１】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、多孔質半導体層、単結晶半導体層および絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、必要に応じてフッ酸系エッチャントで単結晶半導体層の表面をエッチングし、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより、支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を残して、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００３２】
本発明の第１１の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板の少なくとも一方に、単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、種子基板および支持基板を絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、種子基板を、種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、種子基板の分離により露出した単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００３３】
本製造方法では、種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、絶縁層を介してこれらの両基板を貼り合わせ、種子基板を種子基板の多孔質半導体層において分離することにより、支持基板の多孔質層上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層を水素アニール処理でエッチングして平坦化した後に、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００３４】
本発明の第１２の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理によりイオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００３５】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示領域部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をそのイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００３６】
本発明の第１３の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００３７】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、多孔質半導体層、単結晶半導体層および絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより、支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００３８】
本発明の第１４の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板の少なくとも一方に、単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、種子基板および支持基板を絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、種子基板を、種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、種子基板の分離により露出した単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００３９】
本製造方法では、種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、絶縁層を介してこれらの両基板を貼り合わせ、種子基板を種子基板の多孔質半導体層において分離することにより、支持基板の多孔質層上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層を水素アニール処理でエッチングして平坦化した後に、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００４０】
本発明の第１５の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理によりイオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００４１】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着により全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をそのイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００４２】
本発明の第１６の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００４３】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、多孔質半導体層、単結晶半導体層および絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより、支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、全面に絶縁膜と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体膜または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質および多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００４４】
本発明の第１７の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板の少なくとも一方に、単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、種子基板および支持基板を絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、種子基板の分離により露出した単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、その上を絶縁層で覆う工程と、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００４５】
本製造方法では、種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、絶縁層を介してこれらの両基板を貼り合わせ、種子基板を種子基板の多孔質半導体層において分離することにより、支持基板の多孔質層上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層を水素アニール処理でエッチングして平坦化した後に、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域にＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光性金属膜をＣＶＤ、スパッタリングなどで形成してパターニングして遮光性金属膜を形成し、その上に絶縁層を形成し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光金属膜上に形成する比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板を分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００４６】
本発明の第１８の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理によりイオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、その上を絶縁層で覆う工程と、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００４７】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域にＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光性金属膜をＣＶＤ、スパッタリングなどで形成してパターニングして遮光性金属層を形成し、その上に絶縁層を形成し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光金属層上に形成する比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００４８】
本発明の第１９の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、その上を絶縁層で覆う工程と、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００４９】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、多孔質半導体層、単結晶半導体層および絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより、支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の多結晶半導体表示素子形成領域にＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光性金属膜をＣＶＤ、スパッタリングなどで形成してパターニングして遮光性金属層を形成し、その上に絶縁層を形成し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光性金属層上に形成する比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００５０】
本発明の第２０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板および支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、種子基板および支持基板の少なくとも一方に、単結晶半導体層を介して絶縁層を形成する工程と、種子基板および支持基板を絶縁層の形成面で貼り合わせる工程と、種子基板を、同種子基板の多孔質半導体層から分離する工程と、種子基板の分離により露出した単結晶半導体層の表面を、少なくとも水素アニール処理によりエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を同支持基板の多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００５１】
本製造方法では、種子基板および支持基板の両方に多孔質半導体層および単結晶半導体層を形成し、絶縁層を介してこれらの両基板を貼り合わせ、種子基板を種子基板の多孔質半導体層において分離することにより、支持基板の多孔質層上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、この支持基板の単結晶半導体層を水素アニール処理でエッチングして平坦化した後に、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域にＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光性金属膜をＣＶＤ、スパッタリングなどで形成してパターニングして遮光性金属層を形成し、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光金属層上に形成する比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、周辺回路領域に高い電子・正孔移動度で高い駆動能力の単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００５２】
本発明の第２１の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理によりイオン注入層と絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板を同種子基板のイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板の所定深さにイオン注入層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行う工程と、支持基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００５３】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域にＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光性金属膜をＣＶＤ、スパッタリングなどで形成してパターニングして遮光性金属層を形成し、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光金属層上に形成する比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板をそのイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００５４】
本発明の第２２の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、単結晶半導体からなる種子基板にイオン注入層を形成する工程と、単結晶半導体からなる支持基板に多孔質半導体層を形成する工程と、支持基板上に、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成する工程と、単結晶半導体層上に、絶縁層を形成する工程と、種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成する工程と、剥離用アニール処理を行い、種子基板をイオン注入層の歪部から分離する工程と、少なくとも水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化する工程と、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させる工程と、表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域に遮光性金属層を形成する工程と、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程と、支持基板を多孔質半導体層から分離する工程と、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を貼り付ける工程と、支持体の貼り付け後、各超薄型電気光学表示装置に分割する工程とを含む。
【００５５】
本製造方法では、イオン注入層を形成した種子基板に、多孔質半導体層、単結晶半導体層および絶縁層を形成した支持基板を貼り合わせ、熱処理により種子基板のイオン注入層と支持基板の絶縁層とを共有結合させて単結晶半導体層を形成し、剥離用アニール処理後に種子基板をイオン注入層において分離し、さらに水素アニール処理により単結晶半導体層の表面をエッチングして平坦化を行うことにより、支持基板上に超薄型ＳＯＩ層が形成される。その後、単結晶半導体層の表示領域をエッチングして絶縁層を露出させ、表示領域内の非晶質半導体または非晶質及び多結晶混在半導体または多結晶半導体表示素子形成領域にＷＳｉ２（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ２（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光性金属膜をＣＶＤ、スパッタリングなどで形成してパターニングして遮光性金属層を形成し、全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に表示素子部を、少なくとも非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層をエッチングした周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、遮光金属層上に形成する比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の非晶質半導体ＴＦＴまたは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴまたは多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板の多孔質層上の超薄型ＳＯＩ層に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
【００５６】
本発明の第２３の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、表示領域の多結晶半導体層に選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングして非晶質半導体層化した後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程とを含む。
【００５７】
本製造方法によれば、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層を選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）例えば多結晶構成元素のＳｉを例えば１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上（例えばＳｉＦ４などを３０ＫeＶ、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量で注入など）イオン注入またはイオンドーピングして多結晶半導体層を非晶質半導体層化した後に、６００〜６５０℃で１０〜１５時間程度の固相成長により結晶粒径（電子・正孔移動度）を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層またはイオン注入層の歪み部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、例えばこの固相成長により結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計を適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、多結晶Ｓｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００５８】
本発明の第２４の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的にシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程とを含む。
【００５９】
本製造方法によれば、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着により表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛）、例えばＳｉを例えば１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上（例えばＳｉＦ４などを３０ＫeＶ、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入）イオン注入またはイオンドーピングした後に、６００〜６５０℃で１０〜１５時間程度の固相成長により結晶粒径（電子・正孔移動度）を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、例えばこの固相成長により結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計を適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、多結晶Ｓｉ膜中の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００６０】
本発明の第２５の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、それぞれ形成する工程とを含む。
【００６１】
本製造方法によれば、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層に選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば紫外線ランプ、可視光ランプ、赤外線ランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板を多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪み部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる表示領域の多結晶半導体層の改質は、例えばその表面から５０〜２００ｎｍ深さの半導体活性層を対象とするそれぞれの条件（注入イオンの種類と注入深さ、レーザー種類の選択など）であってよい。
【００６２】
本発明の第２６の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程とを含む。
【００６３】
本製造方法によれば、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば紫外線ランプ、可視光ランプ、赤外線ランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板を多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる表示領域の多結晶半導体層の改質は、例えばその表面から５０〜２００ｎｍ深さの半導体活性層を対象とするそれぞれの条件（注入イオンの種類と注入深さ、レーザー種類の選択など）であってよい。
【００６４】
本発明の第２７の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、表示領域の多結晶半導体層を選択的にシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に、表示領域を再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程とを含む。
【００６５】
本製造方法によれば、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の多結晶半導体層を選択的にシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピング、例えばＳｉイオンを１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上（例えばＳｉＦ４などを３０ＫeＶ、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量でイオン注入など）注入した後に、前記表示領域の多結晶半導体層を選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザー例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば紫外線ランプ、可視光ランプ、赤外線ランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる表示領域の多結晶半導体層の改質は、例えばその表面から５０〜２００ｎｍ深さの半導体活性層を対象とするそれぞれの条件（注入イオンの種類と注入深さ、レーザー種類の選択など）であってよい。
また、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールにより結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ膜中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計を適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、多結晶Ｓｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００６６】
本発明の第２８の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的にシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングした後に、表示領域を再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成する工程とを含む。
【００６７】
本製造方法によれば、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層を形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的にシリコン、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピング、例えばＳｉイオンを１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上（例えばＳｉＦ４などを３０ＫeＶ、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量でイオン注入など）注入した後に、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば紫外線ランプ、可視光ランプ、赤外線ランプなどを照射して溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる表示領域の多結晶半導体層の改質は、例えばその表面から５０〜２００ｎｍ深さの半導体活性層を対象とするそれぞれの条件（注入イオンの種類と注入深さ、レーザー種類の選択など）であってよい。
また、例えばフラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールにより結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ膜中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）を含有させると、多結晶Ｓｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００６８】
本発明の第２９の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、半導体エピタキシャル成長により錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する多結晶半導体層を表示領域に、四族元素を含まない単結晶半導体層を周辺回路領域にそれぞれ形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層を固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成する工程とを含む。
【００６９】
本製造方法によれば、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、四族元素を含まない単結晶半導体層を前記周辺回路領域に形成し、表示領域の多結晶半導体層を固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成し、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を、形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板を多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）を含有させると、多結晶Ｓｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００７０】
本発明の第３０の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、半導体エピタキシャル成長により錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する多結晶半導体層を表示領域に、四族元素を含まない単結晶半導体層を周辺回路領域に形成する工程と、表示領域の多結晶半導体層を再結晶化させることで結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程とを含む。
【００７１】
本製造方法によれば、前記請求項１〜５、１１〜１３、１７〜１９において、半導体エピタキシャル成長により錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する多結晶半導体層を表示領域に、四族元素を含まない単結晶半導体層を周辺回路領域に形成し、表示領域の多結晶半導体層に選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば紫外線ランプ、可視光ランプ、赤外線ランプなどの照射による溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成し、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる表示領域の多結晶半導体層の改質は、例えばその表面から５０〜２００ｎｍ深さの半導体活性層を対象とするそれぞれの条件（注入イオンの種類と注入深さ、レーザー種類の選択など）であってよい。
また、例えばフラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールにより結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、多結晶Ｓｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００７２】
本発明の第３１の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を表示領域に、単結晶半導体層を周辺回路領域に形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を選択的に固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程とを含む。
【００７３】
本製造方法によれば、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を表示領域に、単結晶半導体層を周辺回路領域に形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を固相成長させて結晶粒径を制御した多結晶半導体層を形成し、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、例えば結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、多結晶Ｓｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００７４】
本発明の第３２の超薄型電気光学表示装置の製造方法は、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を表示領域に、単結晶半導体層を周辺回路領域に形成する工程と、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を再結晶化することで結晶粒径を制御した多結晶半導体層に形成する工程と、表示領域の結晶粒径を制御した多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程とを含む。
【００７５】
本製造方法によれば、前記請求項６〜１０、１４〜１６、２０〜２２において、錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有する非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を前記表示領域に、単結晶半導体層を前記周辺回路領域に形成し、表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層に選択的にＸｅフラッシュランプアニール、あるいはパルス状又は連続波レーザーアニール例えばエキシマレーザー、非線形光学効果による光高調波変調遠紫外線又は／及び近紫外線レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなど、あるいは集光ランプアニール例えば紫外線ランプ、可視光ランプ、赤外線ランプなどの照射による溶融又は半溶融又は非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで結晶粒径制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成し、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部を形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。そして、支持基板をその多孔質半導体層あるいはイオン注入層の歪部から分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置が得られる。
尚、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールによる表示領域の多結晶半導体層の改質は、例えばその表面から５０〜２００ｎｍ深さの半導体活性層を対象とするそれぞれの条件（注入イオンの種類と注入深さ、レーザー種類の選択など）であってよい。
また、例えばフラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールにより結晶粒径を制御した多結晶Ｓｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）を含有させると、多結晶Ｓｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶ＳｉＴＦＴが得られる。
【００７６】
上記本発明の第１から第３２の電気光学表示装置の製造方法において、支持基板の分離は、各超薄型電気光学表示装置に分割する際の分割領域内の分割線に沿って単結晶半導体層から少なくとも多孔質半導体層またはイオン注入層まで溝を形成した後に行うことが望ましい。これにより、支持基板から分離される超薄型または超薄型ＳＯＩ構造の電気光学表示素子基板層が予め分割されるため、支持基板の分離が容易となる。なお、溝形成の際、超薄型または超薄型ＳＯＩ構造の電気光学表示素子基板層は支持基板によって支持されているため、溝形成時の割れ、欠け、クラックの発生が防止される。
【００７７】
多孔質半導体層または剥離用アニール処理後のイオン注入層の歪部からの分離は、回転中の多孔質半導体層または剥離用アニール処理後のイオン注入層の歪部への気体、液体、または気体と液体との混合体の高圧流体ジェットの噴射により行うことができる。特に気体と液体との混合体の高圧流体ジェットの噴射では、液体に気体のバブルが混入し、このバブル破裂時の衝撃力によってより効果的に分離を行うことができる。
【００７８】
ここで、高圧流体ジェット噴射は、微細な固体を添加したものとすれば、この微細な固体が多孔質半導体層または剥離用アニール処理後のイオン注入層の歪部に直に衝突することによってより効果的に分離を行うことができる。また、高圧流体ジェット噴射は、超音波を印加したものとすれば、超音波振動が多孔質半導体層または剥離用アニール処理後のイオン注入層の歪部に作用し、より効果的に多孔質半導体層または剥離用アニール処理後のイオン注入層の歪部からの分離を行うことができる。
【００７９】
また、多孔質半導体層からの分離またはイオン注入層からの分離は、回転中の多孔質半導体層またはイオン注入層へのレーザー加工あるいはレーザーウオータージェット加工により行うことができる。特に、分離前に溝を形成した場合には、この回転中の多孔質半導体層またはイオン注入層へのレーザー加工あるいはレーザーウオータージェット加工により、また、回転中の多孔質半導体層または剥離用アニール処理後のイオン注入層の歪部への高圧流体ジェット噴射により、さらに効果的に多孔質半導体層またはイオン注入層からの分離を行える。
【００８０】
ここで、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板に所定の液晶ギャップを介して対向基板を重ね合わせてシールした後に支持基板の分離を行い、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の反射型ＬＣＤが得られる。
【００８１】
あるいは、超薄型の反射型ＬＣＤは、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板に所定の液晶ギャップを介して対向基板を重ね合わせてシールした後に支持基板の分離を行い、分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
【００８２】
また、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより、超薄型の反射型ＬＣＤが得られる。
【００８３】
また、超薄型の反射型ＬＣＤは、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００８４】
あるいは、超薄型の反射型ＬＣＤは、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップに、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００８５】
また、超薄型の反射型ＬＣＤは、単結晶半導体層の電気光学表示素子基板内の良品チップに所定の液晶ギャップを介して対向基板の良品チップを重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に支持基板を分離し、分離後の超薄型電気光学表示素子基板内に支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００８６】
あるいは、超薄型の反射型ＬＣＤは、単結晶半導体層の電気光学表示素子基板内の良品チップに所定の液晶ギャップを介して対向基板の良品チップを重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に支持基板を分離し、分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００８７】
一方、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の透過型ＬＣＤは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
【００８８】
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
【００８９】
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００９０】
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００９１】
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００９２】
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００９３】
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
【００９４】
また、超薄型の透過型ＬＣＤは、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【００９５】
あるいは、超薄型の透過型ＬＣＤは、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した透明電極を形成し、さらに配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、液晶注入封止することにより得られる。
【００９６】
ところで超薄型の透過型ＬＣＤでは、分離した超薄型電気光学表示素子基板に、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めたプロジェクタ用透過型ＬＣＤを実現できる。
【００９７】
尚、対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス、出射側の反射防止膜形成の防塵ガラスにも前記高熱伝導性ガラスを使用すること、たとえば、入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラス、単結晶サファイアの対向基板、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、単結晶サファイアの支持基板、反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造として相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。
【００９８】
さらに、プロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合は対向基板（ブラックマスク基板を含む）材、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス材として上記同様の例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めることが出来る。
【００９９】
なお、たとえば、入射側より反射防止膜形成した複屈折無しの単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの防塵ガラス、単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの対向基板、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、金属支持基板の構造とし、反射防止膜形成した単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの防塵ガラスと単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの対向基板を耐光性の透明接着剤で貼り合わせ、且つ超薄型電気光学表示素子基板と金属支持基板を高熱伝導性及び導電性接着剤で貼り合わせることで高い熱放散効果を期待できる。
【０１００】
ところで、透明電極及び配向膜形成して配向処理した集光レンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成の対向基板と、表示部の画素開口部をエッチングして光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、表示素子に接続した透明電極及び及び配向膜形成して配向処理を行った超薄型電気光学表示素子基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、支持基板を多孔質半導体層又はイオン注入層の歪み部から分離し、必要に応じて剥離残りをエッチングして光透過性材料を露出させ、或いは絶縁層を介して光透過性材料を露出させた超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成した透明支持基板を透明接着剤で貼り合せたデュアルマイクロレンズ構造は、従来のデュアルマイクロレンズ構造よりも高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を最高度まで高めることが出来るので、更なる高輝度、高精細、長寿命のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０１０１】
更に、透明電極及び配向膜形成して配向処理した集光レンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に反射膜形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板と、表示部の画素開口部をエッチングして光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、表示素子に接続した透明電極及び及び配向膜形成して配向処理を行った超薄型電気光学表示素子基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、支持基板を多孔質半導体層又はイオン注入層の歪み部から分離し、必要に応じて剥離残りをエッチングして光透過性材料を露出させ、或いは絶縁層を介して光透過性材料を露出させた超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に低反射遮光膜形成したマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を透明接着剤で貼り合せたデュアルマイクロレンズ構造は、高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を最高度まで高め、且つ不要な入射光及び反射光を除去するので、更なる高輝度、高コントラスト、高精細、長寿命のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０１０２】
ところで、表示領域の画素開口部の単結晶半導体層を除去した後、絶縁膜および遮光性金属膜をそれぞれ順に形成してから光透過性材料を埋め込み表面平坦化することによって、遮光性金属膜の遮光作用により、特に黒色系金属膜の場合にはその低反射性によって、強い入射光による表示素子への漏れ光を防止できるため、画質を向上させることができる。
このとき、各画素開口部内壁の遮光性金属膜をアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できるので、ＴＦＴのリーク電流が防止され、高輝度、高精細、高機能なプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０１０３】
一方、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の半透過型ＬＣＤは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、さらにそこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。これにより、光透過率が低く、十分に光透過しにくい超薄型電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部を光透過性材料により形成した超薄型の半透過型ＬＣＤが得られる。
【０１０４】
あるいは、超薄型の半透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、さらにそこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより得られる。
【０１０５】
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１０６】
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、そこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、少なくとも表示領域の画素開口部の光透過性材料を露出させ、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１０７】
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１０８】
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１０９】
また、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、さらにそこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止することにより超薄型の半透過型ＬＣＤを得られる。これにより、光透過率が低く、十分に光透過しにくい超薄型電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部を光透過性材料により形成した超薄型の半透過型ＬＣＤが得られる。
【０１１０】
また、超薄型の半透過型ＬＣＤは、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、さらにそこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、各超薄型電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止、あるいは液晶注入封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１１１】
あるいは、超薄型の半透過型ＬＣＤは、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、さらにそこに画素表示素子に接続した反射と透過の二領域の画素電極を形成して配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップに、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールし、液晶注入封止することにより得られる。
【０１１２】
尚、超薄型の透過型或いは半透過型ＬＣＤにおいて、超薄型電気光学表示素子基板の表示領域の多結晶半導体層が例えば５０ｎｍ以下と薄い場合は、使用目的によっては必ずしも画素開口部をエッチングして光透過材料を埋め込む必要はなく、そのまま透明支持基板に透明接着剤で貼り合わせて、コストダウンを図ってもよい。
【０１１３】
上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板の画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に支持基板の分離を行い、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の上面発光型有機ＥＬが得られる。
【０１１４】
あるいは、超薄型の上面発光型有機ＥＬは、表示素子部および周辺回路部を形成した支持基板の画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に支持基板の分離を行い、分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１１５】
また、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に支持体を接着剤で貼り付けた後、画素表示素子に接続した陰極、有機ＥＬ発光層および陽極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、超薄型の上面発光型有機ＥＬが得られる。
【０１１６】
一方、超薄型電気光学表示装置としての超薄型の下面発光型有機ＥＬは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１１７】
あるいは、超薄型の下面発光型有機ＥＬは、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に支持基板の分離を行い、この分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１１８】
また、超薄型の下面発光型有機ＥＬは、上記本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、分離後の超薄型電気光学表示素子基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付けた後、電気光学表示素子基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、この除去した部分を光透過性材料により埋め込み表面平坦化し、この上に画素表示素子に接続した陽極、有機ＥＬ発光層および陰極を形成し、耐湿性樹脂により封止した後に各超薄型電気光学表示装置に分割することにより得られる。
【０１１９】
超薄型の反射型ＬＣＤや上面発光型有機ＥＬでは、画素表示部の反射電極下の単結晶半導体層にも表示回路以外のメモリー回路等含む周辺回路の一部を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
また、単結晶半導体層に多層配線構造の周辺回路或いは表示回路及び周辺回路を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
更に、シール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成することで、ＬＣＤパネルサイズのシュリンクによるウエーハ１枚当たりの取り個数が増加してコストダウンが実現する。
【０１２０】
ところで、例えば単結晶Ｓｉ層の格子定数と異なり、前記単結晶Ｓｉ層に歪みを印加する歪み印加半導体のシリコンゲルマニウム混晶層（以後、ＳｉＧｅ層と称する）を多孔質Ｓｉ層上に形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャンネル層の単結晶Ｓｉ層（以後  歪みＳｉ層と称する）を形成、あるいは半導体エピタキシャル成長により単結晶Ｓｉ基板上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャンネル層の歪みＳｉ層を形成、あるいは絶縁層上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、表示領域のＳｉＧｅ層をエッチングして絶縁層を露出させた後に、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を、周辺回路領域には歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャンネル層の歪みＳｉ層を形成することにより、歪みチャネル半導体層に歪みをかけるとそのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制され、更に電子移動度を高めることが出来るので、例えば無歪みチャンネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な高い電子移動度が実現し、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力を有するＭＯＳＴＦＴの表示部及び周辺回路からなる高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が可能となる。
このときに、歪み印加半導体層中のゲルマニウム濃度は、多孔質Ｓｉ層の接触面から、あるいは単結晶Ｓｉ基板の接触面から、あるいは絶縁層の接触面から徐徐に増加して歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層表面で所望濃度例えばＧｅ濃度２０〜３０％となる傾斜組成とすると、所望の大幅に高い電子移動度の歪みＳｉ層が実現する。
【０１２１】
なお、本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、分離は、紫外線照射硬化型テープにより保持した状態で行うことが望ましい。紫外線照射硬化型テープは粘着力が強いため、この紫外線照射硬化型テープにより強固に保持および表面保護した状態で、分離を行うことができる。特に、分割領域内の分割線に沿って溝形成した場合は、溝内部がこの紫外線照射硬化型テープの紫外線照射硬化型接着剤で充填保持されるので、分離層からの分離時のストレスによる超薄型電気光学表示素子基板周辺部の欠け、クラック、割れなどを防止することができる。また、不要な多孔質半導体層などのエッチング時にも保護層として作用するため、超薄型電気光学表示素子基板周辺部の欠け、クラック、割れ、エッチングむらなどを防止することができる。さらに、紫外線照射硬化型テープは紫外線の照射によって粘着力が弱まり剥離しやすくなるため、分離後は糊残りなく容易に除去することができる。その上、帯電防止の紫外線照射硬化型テープであるため、電気光学表示素子基板内に形成した半導体デバイスが分離または剥離時に静電気ダメージを受けるのを防止することができる。なお、用途に応じて糊残りのない帯電防止の熱膨張剥離型粘着剤のテープを用いることもできる。
【０１２２】
ところで、ＳＯＩ構造を構成する絶縁層は、少なくとも酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜、窒化シリコン膜、酸化シリコンと窒化シリコンと酸化シリコンとを順に積層した積層膜、および、酸化アルミニウム膜のうち少なくとも一種を含むものとするのが望ましいが、特に窒化系シリコン膜を含むものとするのが望ましい。これにより、単結晶半導体層への表示素子および周辺回路の形成プロセス中に、支持基板側から単結晶半導体層への特性悪化元素、例えばハロゲン元素の浸透を防止することができる。また、この表示素子および周辺回路の形成プロセス中、単結晶半導体層が、支持基板に形成した多孔質半導体層の熱膨張の悪影響例えば反り歪を受けるのを防止することができる。
更に、分離後のＳＯＩ構造の絶縁層下の単結晶半導体層及び多孔質半導体層をエッチングする際にエッチングストッパーの作用をするので、エッチングムラのない超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示素子基板が得られる。
【０１２３】
本発明の超薄型電気光学表示装置の製造方法において、表示領域の画素開口部の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を除去した後、少なくとも絶縁膜および遮光性金属膜をそれぞれ順に形成してから光透過性材料を埋め込み表面平坦化し、表示素子部を形成した多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層の側部あるいは上部及び側部を絶縁膜を介した遮光性金属膜で覆うことによって、遮光性金属膜の遮光作用より、特に黒色系金属膜の場合にはその低反射性によって、強い入射光による表示素子への漏れ光を防止できるため、画質を向上させることができる。
更に、表示領域の表示素子部を形成した多結晶半導体層の側部あるいは上部及び側部とを絶縁膜を介した遮光性金属膜をアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できるので、ＴＦＴのリーク電流が防止され、高輝度、高精細、高機能な超薄型のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０１２４】
また、このとき、表示領域の画素開口部底面の遮光性金属膜を除去してから光透過性材料を埋め込むことによって、表示領域の画素開口部の底が光透過するため、透過型ＬＣＤが得られる。
【０１２５】
ところで、超薄型電気光学表示素子基板の表示領域内の画素開口部以外に対応する部分および周辺回路全域に対応する対向基板の液晶側には白色系反射膜を形成し、超薄型電気光学表示素子基板の表示領域内の画素開口部以外に対応する部分および周辺回路全域に対応する透明支持基板表面には黒色系低反射遮光膜を形成することで、強い入射光の不要部分を反射させてコントラストを高め、液晶温度上昇を低減するのでＬＣＤパネルの寿命を長くする。
更に、裏面からの反射光漏れを黒色系低反射遮光膜で防ぐのでＴＦＴのリーク電流を防止し画質を高める。
【０１２６】
この時に、二重多孔質半導体層分離法において、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成した種子基板の直径を、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成した支持基板の直径よりも若干小さくするか又は大きくするのが好ましい。これにより、高圧流体ジェット噴射或いはレーザーウオータージェット噴射などを真横方向又は斜目方向から種子基板の多孔質半導体層に当てて種子基板を分離すると同時に、支持基板の多孔質半導体層への高圧流体ジェット噴射或いは噴射或いはレーザーウオータージェット噴射などの衝撃力を弱めるので、支持基板の多孔質半導体層から支持基板が分離することはない。
また、二重多孔質半導体層分離法の製造方法において、種子基板に形成する多孔質半導体層は、支持基板に形成する多孔質半導体層よりも高い多孔率である方が望ましい。更に、種子基板に形成する多孔質半導体層は、支持基板に形成する多孔質半導体層よりも厚くする方が望ましい。
これにより種子基板の分離が確実に行えるので、種子基板と支持基板の多孔質半導体層の多孔率と厚み調整を緩和でき、表示素子および周辺回路の形成プロセス中、単結晶半導体層が支持基板に形成した多孔質半導体層の熱膨張の悪影響例えば反り歪を受けるのを防止することができる。
【０１２７】
そして、前記二重多孔質半導体層分離法のみならず、二重イオン注入層分離法、多孔質・イオン注入層分離法においても、種子基板分離した後の超薄型ＳＯＩ層を含む支持基板表面の周辺部をＣ面取りすることで、周辺部の超薄型ＳＯＩ層などの欠け、クラック、割れを防止することが出来る。
Ｃ面取りの角度と幅は任意に設定でき、砥石、ダイヤモンドホイール、レーザーなどで行うのが好ましい。更に、必要に応じてＳｉダストやマイクロクラックを除去する為に、フッ酸系エッチャントでライトエッチングしてもよい。
【発明の効果】
【０１２８】
本発明により、以下の効果を奏することができる。
【０１２９】
（１）結晶半導体層の表面に絶縁層を形成し、表示領域の絶縁層を残して周辺回路領域の絶縁層を除去し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成することにより、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に形成することが可能となる。これにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有して、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に好適な高輝度、高精細で高機能の透過型ＬＣＤや、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３０】
（２）単結晶半導体層の表示領域を除去して絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成することにより、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に形成することが可能となる。これにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有して、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に好適な高輝度、高精細で高機能の透過型ＬＣＤや、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３１】
（３）単結晶半導体層の表示領域を除去して絶縁層を露出させ、表示領域内のＴＦＴ表示素子形成領域に金属遮光層を形成し、その上を絶縁層で覆い、半導体エピタキシャル成長により表示領域に多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域の多結晶半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成することにより、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に形成することが可能となる。これにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有して、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に好適な高輝度、高精細で高機能の透過型ＬＣＤや、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３２】
（４）前記（１）〜（３）において、前記表示領域の多結晶半導体層のみを選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）例えばＧｅイオン注入して多結晶半導体層を非晶質半導体層化した後に、固相成長により結晶粒径（電子・正孔移動度）を制御した多結晶半導体層を表示素子部に形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。これにより多結晶半導体の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶半導体層の表示素子部が得られる。
そして、支持基板を分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有したプロジェクタなどの強い光が入射する装置に好適な高輝度、高精細で高機能の透過型ＬＣＤや、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３３】
（５）単結晶半導体層の表面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成することにより、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴあるいは非晶質半導体ＴＦＴあるいは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に形成することが可能となる。これにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有して、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に好適な高輝度、高精細、高機能の透過型ＬＣＤや、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３４】
（６）単結晶半導体層の表示領域を除去して絶縁層を露出させ、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成することにより、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴあるいは非晶質半導体ＴＦＴあるいは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に形成することが可能となる。これにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有して、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に好適な高輝度、高精細、高機能の透過型ＬＣＤや、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３５】
（７）単結晶半導体層の表示領域を除去して絶縁層を露出させ、表示領域内の画素表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより全面に絶縁層と非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を形成し、少なくとも周辺回路領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を除去し、表示領域に非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層を、周辺回路領域に単結晶半導体層をそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成することにより、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴあるいは非晶質半導体ＴＦＴあるいは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に形成することが可能となる。これにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有して、プロジェクタなどの強い光が入射する装置に好適な高輝度、高精細、高機能の透過型ＬＣＤや、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３６】
（８）前記（５）〜（７）において、前記表示領域の非晶質半導体層または非晶質及び多結晶混在半導体層または多結晶半導体層のみを選択的に四族元素（Ｓｉ、Ｇｅ、錫、鉛など）の少なくとも１種のイオン注入またはイオンドーピングした後に、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層に表示素子部を、周辺回路領域の単結晶半導体層に周辺回路部をそれぞれ形成することにより、任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性の多結晶半導体ＴＦＴあるいは非晶質半導体ＴＦＴあるいは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。
これにより多結晶半導体の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質の多結晶半導体ＴＦＴが得られる。そして、支持基板を分離して支持体を貼り付け、各超薄型電気光学表示装置に分割することにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の透過型ＬＣＤ、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が得られる。
【０１３７】
（９）画素表示部の反射電極下の単結晶半導体層にもメモリー回路含む周辺回路を形成、あるいはシール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成、更に単結晶半導体層に多層配線構造の周辺回路を形成することで、ＬＣＤパネル内周辺回路の集積度が高まり、外付け周辺ＩＣ機能を取り込むことで、高機能化及びコストダウンが実現する。
【０１３８】
（１０）単結晶Ｓｉ層の格子定数と異なり、前記単結晶Ｓｉ層に歪みを印加する歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を多孔質Ｓｉ層上に形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャンネル層の歪みＳｉ層を形成、あるいは半導体エピタキシャル成長により単結晶Ｓｉ基板上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、全面に絶縁層を形成して表示領域の絶縁層を残し、周辺回路領域の絶縁層をエッチングした後に、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャンネル層の歪みＳｉ層を形成、あるいは絶縁層上に歪み印加半導体のＳｉＧｅ層を形成し、表示領域のＳｉＧｅ層をエッチングして絶縁層を露出させた後に、Ｓｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層を、周辺回路領域には歪み印加半導体のＳｉＧｅ層をシードに歪みチャンネル層の歪みＳｉ層を形成することにより、チャネル半導体層に歪みをかけるとそのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制され、更に電子移動度を高めることが出来るので、従来の無歪みチャネル層の単結晶半導体層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現し、高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が実現する。
この時に、歪み印加半導体層中のゲルマニウム濃度は、多孔質Ｓｉ層の接触面から、あるいは単結晶Ｓｉ基板の接触面から、あるいは絶縁層の接触面から徐徐に増加して前記歪み印加半導体層表面で所望濃度例えば２０〜３０％となる傾斜組成とすることで、所望の大幅な電子移動度の歪みＳｉ層が実現する。
【０１３９】
（１１）支持基板の分離を、糊残りのない帯電防止の紫外線照射硬化型テープにより対向基板および支持基板を保持した状態で行うことによって、対向基板および支持基板を強力に保持し、また対向基板および支持基板の表面を保護した状態で分離し、分離後はＵＶ照射硬化によって糊残りなく容易に紫外線照射硬化型テープを除去することができるため、歩留および生産性を高めることができる。また、紫外線照射硬化型テープが帯電防止機能を有することによって、分離時の支持基板上の多結晶半導体ＴＦＴ回路と単結晶半導体ＴＦＴ回路の静電気ダメージによる特性不良発生を防止することができる。さらに、不要な多孔質Ｓｉ層などのエッチング時にも保護層として作用し、超薄型電気光学表示素子基板周辺部の欠け、クラック、割れなどを防止することができる。
【０１４０】
（１２）各製法において、支持基板の分離を、各電気光学表示装置に分割する際の分割線に沿って単結晶半導体層から少なくとも多孔質半導体層またはイオン注入層まで溝を形成した後に行うことによって、支持基板から分離されるＴＦＴ基板層が予め分割されるため、支持基板の分離が容易となる。これにより、各超薄型電気光学表示装置への分割時の割れ、欠け、クラックの発生を防止することができる。特に、溝形成した場合は溝内部が紫外線照射硬化型糊で充填されるので、分離層からの分離時のストレスによる超薄型電気光学表示素子基板周辺部の欠け、クラック、割れなどを防止することができる。
また、各超薄型電気光学表示装置への分割は、支持基板に貼り合わせた状態で行うことから、分割時の割れ、欠け、クラックの発生を防止することができる。
【０１４１】
（１３）表示領域の画素開口部の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層を除去した後、絶縁膜および遮光性金属膜をそれぞれ順に形成してから透光性材料を埋め込むことによって、遮光性金属膜の遮光作用により、特に黒色系金属膜の場合にはその低反射性によって、強い入射光による表示素子部のＴＦＴへの漏れ光を防止できるため、画質を向上させることができる。
このとき、各画素開口部内側及びＴＦＴ上部などの遮光性金属膜をアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止できるので、表示素子部のＴＦＴリーク電流が防止され、高輝度、高精細、高機能な電気光学表示装置が得られる。
【０１４２】
（１４）表示領域の多結晶半導体層の画素開口部に透明樹脂、ガラス、ＳｉＯ２などの高透過率で紫外線耐光性の透光性材料を埋め込んでいるため、光透過率の高い透過型ＬＣＤが得られる。
【０１４３】
（１５）透光性材料の埋め込み部の下部に絶縁膜および遮光性金属膜を設けた状態で単結晶半導体層および多孔質半導体層のエッチングを行う場合は、エッチング液によって透光性材料がダメージを受けないので、この透光性材料の特性低下がなくなり、光透過率を高く維持することができる。
【０１４４】
（１６）分離した種子基板や支持基板は再使用できるので、コストダウンが可能である。
【０１４５】
（１７）絶縁層に窒化系シリコン膜を含むものとすることによって、この窒化系シリコン膜が基板分離後のエッチング時のストッパとして機能するため、エッチングむらを防止することができ、また、ＬＣＤ組立時や半導体デバイスプロセス中に、支持基板側から半導体層（多結晶半導体層および単結晶半導体層）への特性悪化元素例えばハロゲン元素の浸透を防止することができる。さらに、半導体デバイスプロセス中、半導体層が、支持基板に形成した多孔質層の膨張の影響を受けて、反り歪みするのを低減または防止することができる。これらにより、歩留まりおよび品質が向上する。
更に、分離後の超薄型ＳＯＩ構造に窒化系シリコン膜の絶縁膜があると、その高剛性により超薄型電気光学表示素子基板層のクラック、欠け、割れなどを防止できる。
【０１４６】
（１８）各製法において、支持基板の分離を、各超薄型電気光学表示装置に分割する際の分割領域内の分割線に沿って単結晶半導体層から少なくとも多孔質半導体層またはイオン注入層の歪部まで溝を形成した後に行うことによって、支持基板から分離される超薄型単結晶半導体層または超薄型ＳＯＩ層構造の電気光学表示素子基板層が予め分割されるため、高圧流体ジェット噴射剥離法またはレーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などによる支持基板の分離が容易となる。これにより、各超薄型の電気光学表示装置への分割時の割れ、欠け、クラックの発生を防止することが出来て、歩留、品質が向上し、コストダウンが実現する。
特に、溝形成した場合はその内部が紫外線照射硬化型接着剤で充填されるので、分離層からの分離時のストレスによる超薄型電気光学表示素子基板周辺部の欠け、クラック、割れなどを防止することが出来る。
【０１４７】
（１９）二重多孔質半導体層分離法において、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成した種子基板の直径を、多孔質半導体層を介して単結晶半導体層を形成した支持基板の直径よりも若干小さくするか又は大きくすることにより、高圧流体ジェット噴射を真横方向又は斜目方向から種子基板の多孔質半導体層に衝突させて種子基板を分離させると、支持基板の多孔質半導体層には高圧流体ジェット噴射が直接当たらないので、支持基板が分離することはない。
さらに、二重多孔質半導体層分離法の製造方法において、種子基板に形成する多孔質半導体層は支持基板に形成する多孔質半導体層よりも高い多孔率である方が望ましい。更に、種子基板に形成する多孔質半導体層は支持基板に形成する多孔質半導体層よりも厚くする方が望ましい。
これにより種子基板の分離を確実に行えるので、支持基板の多孔質半導体層の多孔率と厚み調整を緩和でき、表示部および周辺回路の形成プロセス中、単結晶半導体層が支持基板に形成した多孔質半導体層の熱膨張の悪影響例えば反り歪を受けるのを防止することができる。
【０１４８】
（２０）表示領域の多結晶半導体層あるいは非晶質半導体層あるいは非晶質及び多結晶混在半導体層の画素開口部に透明樹脂、ガラス、ＳｉＯ２などの高透過率で紫外線耐光性の透光性材料を埋め込んでいるため、光透過率の高い紫外線耐光性の超薄型電気光学表示素子基板によるプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０１４９】
（２１）分離した超薄型電気光学表示素子基板に、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めたプロジェクタ用透過型ＬＣＤを実現できる。
尚、対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス、出射側の反射防止膜形成の防塵ガラスにも前記高熱伝導性ガラスを使用すること、たとえば、入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラス、単結晶サファイアの対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、単結晶サファイアの支持基板、反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造として相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。
また、プロジェクタ用反射型ＬＣＤの場合は、対向基板（ブラックマスク基板も含む）材、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス材として、上記同様の反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、単結晶サファイア、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めることが出来る。
なお、たとえば、入射側より反射防止膜形成した複屈折無しの単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの防塵ガラス、単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの対向基板、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、金属支持基板の構造とし、反射防止膜形成した単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの防塵ガラスと単結晶または多結晶ＹＡＧ或いはスピネルの対向基板を耐光性の透明接着剤で貼り合わせ、且つ超薄型電気光学表示素子基板と金属支持基板を高熱伝導性及び導電性接着剤で貼り合わせることで高い熱放散効果を期待できる。
【０１５０】
（２２）集光レンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成した対向基板を重ね合わせた高精度な膜厚の超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成した透明支持基板を貼り合せるデュアルマイクロレンズ構造は、従来のデュアルマイクロレンズ構造よりも高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を最高度まで高めることが出来るので、更なる高輝度、高精細、長寿命の超薄型電気光学表示素子基板によるプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０１５１】
（２３）集光レンズとして機能する各マイクロレンズ周囲にブラックマスク作用の反射膜形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板を重ね合わせた高精度な膜厚の超薄型電気光学表示素子基板に、フィールドレンズとして機能する各マイクロレンズ周囲にブラックマスク作用の低反射遮光膜形成したマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を貼り合せるデュアルマイクロレンズ構造は、高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めて画素の実効開口率を最高度まで高め、且つ不要な入射光及び反射光をブラックマスクで排除するので、更なる高輝度、高コントラスト、高精細、長寿命の超薄型電気光学表示素子基板によるプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０１５２】
（２４）超薄型の多結晶半導体ＴＦＴあるいはあるいは非晶質半導体ＴＦＴあるいは非晶質及び多結晶混在半導体ＴＦＴの表示素子と、超薄型の単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一基板内に超薄型の電気光学表示素子基板として形成することができるため、例えば１００μｍの透明ガラスや樹脂フィルムなどの対向基板を重ね合わせ、さらに１００μｍの透明ガラスや樹脂フィルムなどの支持基板に貼り合せることにより、高輝度、高精細、高機能、超薄型のＬＣＤ（透過型、半透過型、反射型）や上面発光型有機ＥＬまたは下面発光型有機ＥＬなどの超薄型電気光学表示装置が実現できる。
【０１５３】
（２５）上記のように得られた直視型で超薄型の透過型ＬＣＤ、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬ、下面発光型有機ＥＬなどを用いることで、腕時計、名刺、カード、眼鏡、切手やヘッドマウントタイプの超薄型電気光学表示装置と、これによる超薄型デジタルスチルカメラ、超薄型デジタルムービーカメラ、超薄型カムコーダー、超薄型音響機器(ＣＤ、ＭＤなど)、超薄型携帯電話、超薄型携帯テレビ、超薄型テレビモニターなどの超薄型、超小型、超軽量のエレクトロニクス製品が実現可能となる。さらに、高輝度、高精細、高機能で超薄型の透過型あるいは反射型ＬＣＤにより超薄型、超小型、超軽量のデータ或いはＡＶ（Audio Visual）用プロジェクタＬＣＤ製品が実現可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１５４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【０１５５】
（Ａ）多孔質半導体層分離法
（Ａ−１）超薄型の透過型ＬＣＤ
本実施形態においては、多孔質シリコン（以下、「Ｓｉ」と称す。）層を使用した多孔質半導体層分離法による超薄型電気光学表示装置の製造方法について説明する。図１から図１６は、本発明の実施の形態における多孔質Ｓｉ層分離法による超薄型のＬＣＤの製造工程図である。
【０１５６】
（１）支持基板としての単結晶Ｓｉ基板１０に陽極酸化で多孔質Ｓｉ層（低多孔質Ｓｉ層１１ａ・高多孔質Ｓｉ層１１ｂ・低多孔質Ｓｉ層１１ｃ）を形成する。
【０１５７】
[１]まず、例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚のｐ型単結晶Ｓｉ（抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）基板（以下、「Ｓｉ基板」と称す。）１０に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン１×１０19atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍ厚の高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質層Ｓｉ層１１ａに相当する）を形成する。
【０１５８】
[２]この高濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０14atoms／ｃｍ３程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約２０μｍ厚の低濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する高多孔質Ｓｉ層１１ｂに相当する）を形成する。
【０１５９】
[３]さらに、この低濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０19atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍ厚の高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層１１ｃに相当する）を形成する。
【０１６０】
なお、気相エピタキシーであるＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、テトラシラン（Ｓｉ4Ｈ10）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ（MolecularBeam  Epitaxy；分子線エピタキシー）法、スパッター法等でもよい。
【０１６１】
[４]その後、陽極化成法により、例えば電解液に５０％フッ化水素溶液とエチルアルコールとを２：１の体積割合で混合した混合液を用い、例えば約１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で５〜１０分間電流を流し、高濃度層に多孔率の低い低多孔質Ｓｉ層１１ａ，１１ｃ、低濃度層に多孔率の高い高多孔質Ｓｉ層１１ｂを形成する。
【０１６２】
なお、陽極化成におけるＳｉの溶解反応ではフッ化水素溶液中のＳｉの陽極反応には正孔が必要であるため、基板には多孔質化しやすいｐ型Ｓｉ基板を用いるのが望ましいが、これに限るものではない。
【０１６３】
また、このように、陽極化成法により多孔質層を形成する場合は、多孔質層を多孔率の異なる複数の層で構成することができる。例えば、上記のように、単結晶Ｓｉ基板１０上に第１の低多孔質Ｓｉ層１１ａ、高多孔質Ｓｉ層１１ｂ、第２の低多孔質Ｓｉ層１１ｃを順に形成した３層構造とするほか、単結晶Ｓｉ基板１０の上に高多孔質Ｓｉ層１１ｂと低多孔質Ｓｉ層１１ｃとを順に形成した２層構造としてもよい。
【０１６４】
このとき、高多孔質Ｓｉ層１１ｂの多孔率は４０〜８０％の範囲で、低多孔質Ｓｉ層１１ａ，１１ｃの多孔率は１０〜３０％の範囲とする。このように異なる多孔率の複数の層のそれぞれの厚みは、陽極化成時の電流密度および時間や、陽極化成時の化成溶液の種類または濃度を変えることで任意に調整することができる。
【０１６５】
なお、Ｓｉ基板１０としては、ＣＺ（Czochralski）法、ＭＣＺ（Magnetic Field Applied Czochralski）法やＦＺ（Floating Zone）法などで作成された単結晶Ｓｉ基板のみならず、基板表面が水素アニール処理された単結晶Ｓｉ基板、あるいはエピタキシャル単結晶Ｓｉ基板などを用いることができる。もちろん、単結晶Ｓｉ基板に代えて単結晶ＳｉＧｅ基板、更にはＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板等の単結晶化合物半導体基板を用いることもできる。
【０１６６】
（２）多孔質Ｓｉ層（低多孔質Ｓｉ層１１ｃ）上に半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層１２ａを形成する（図１参照）。
【０１６７】
[１]まず、ＣＶＤ半導体エピタキシャル成長装置内において、水素雰囲気中１０００〜１１００℃程度でプリベークを行い、低多孔質Ｓｉ層１１ｃの表面の孔を封止して表面を平坦化する。水素アニールは、１０５０℃で０．００１３ｎｍ／ｍｉｎ、１１００℃で０．００２２ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度で行う。
【０１６８】
[２]この後、１０２０℃まで降温し、モノシランガスなどを原料ガスとするＣＶＤを行い、約５μｍ厚の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層１２ａを形成する。
尚、前記同様に、気相エピタキシーであるＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、テトラシラン（Ｓｉ4Ｈ10）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としてはＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ（MolecularBeam  Epitaxy；分子線エピタキシー）法、スパッター法等でもよい。
【０１６９】
（３）単結晶Ｓｉ層１２ａの表面を熱酸化して絶縁層としての約１００ｎｍ厚のＳｉＯ2（酸化シリコン）層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａをエッチングにより除去する。そして、ＣＶＤ法の半導体エピタキシャル成長により表示領域に約１０μｍ厚の多結晶Ｓｉ層（以後はポリＳｉ層とも称する）１４を、周辺回路領域に約１０μｍ厚の単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成する（図２参照）。
【０１７０】
絶縁膜は熱酸化の酸化シリコン膜ＳｉＯ2以外に、減圧熱ＣＶＤで単結晶Ｓｉ層１２ａ上に窒化シリコン膜（Ｓｉ3Ｎ4）または窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜を形成し熱酸化することで、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層膜、または酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜の積層膜（例えばＳｉＯ2；２００ｎｍ、Ｓｉ3Ｎ4；５０ｎｍ及びＳｉＯ2；２００ｎｍ）としてもよい。さらに、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）としてもよい。
なお、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＭＢＥ法、蒸着法などにより、上記単層膜や多層膜の絶縁膜を形成してもよい。
【０１７１】
ところで、ＣＶＤ法の半導体エピタキシャル成長では単結晶Ｓｉ層１２ｂとポリＳｉ層１４を同一成膜条件で形成するので、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂの結晶性（電子・正孔移動度）を重視すると、表示領域のポリＳｉ層１４の結晶性（電子・正孔移動度）を十分に制御できない場合がある。そこで、単結晶Ｓｉ層１２ｂの周辺回路部をフォトレジスト膜で覆い、開口したポリＳｉ層１４表面にＳｉイオンを高濃度、例えば３０ＫｅＶ，１〜３×１０15atoms／ｃｍ2で注入して表面層を非晶質Ｓｉ膜（以後アモルファスＳｉ膜とも称する）化する。
そして、フォトレジスト膜を剥離洗浄した後に窒素ガス雰囲気中の６００〜６５０℃で１０〜１５時間のアニールによる固相成長で、結晶粒径を制御したポリＳｉ層１４の表面層が形成される。
このとき、Ｓｉイオン注入の濃度および深さ、更にアニール条件を調整することで、任意の結晶粒径による任意の電子・正孔移動度、例えば５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４の表面層を得ることが好ましい。
尚、ポリＳｉは通常約１０ｎｍ以上の粒径を持つ微細結晶の集合体と定義されており、アモルファスＳｉ膜は一般的に１０ｎｍ以下の粒径であり、Ｘ線回折でも結晶配向性を示さない材料である。
【０１７２】
あるいは、ポリＳｉ層１４のみを選択的に、例えばＸｅランプをフラッシュ照射するフラッシュランプアニール、あるいはパルス状または連続波レーザーアニール例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調の遠紫外線レーザーおよび近紫外線レーザーのいずれかまたは両方、可視光レーザー、赤外線レーザーなどを照射、あるいは集光ランプアニール例えば超高圧水銀ランプなどの紫外線ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、アークランプなどの赤外線ランプなどを照射して、溶融、半溶融または非溶融状態の加熱と冷却により再結晶化させることで、任意に結晶粒径を制御した例えば５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４の表面層が形成される。このとき、膜ストレス低減のために適温（例えば、２００〜４００℃）にＳｉ基板１０を加熱した状態において、再結晶化させるフラッシュランプあるいはレーザーあるいは集光ランプ照射の強度（ポリＳｉ層１４表面からの深さ及び時間など）を調整することで、任意の結晶粒径による任意の電子・正孔移動度、例えば５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４の表面層を得ることが好ましい。
【０１７３】
この時に、ポリＳｉ層１４にＧｅ（ゲルマニウム）、Ｓｎ（錫）、Ｐｂ（鉛）等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングで適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で前記の固相成長、フラッシュランプアニール、パルス状または連続波レーザーアニール、集光ランプアニールなどで再結晶化させると、結晶化を促進すると共に、例えばポリＳｉ薄膜の結晶粒界（グレインバウンダリー）に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
【０１７４】
ところで、この四族元素はイオン注入又はイオンドーピングによりアモルファスＳｉ膜または／およびポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
また、ＣＶＤでのＳｉエピタキシャル成長またはプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤでの成膜時に、原料ガス中にガス成分として混合してアモルファスＳｉまたは／およびポリＳｉ層及び単結晶Ｓｉ膜中に四族元素、例えばＧｅ、錫などを含有させてもよい。
【０１７５】
尚、アモルファスＳｉは原料ガスとして水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、ＳｉＨ2Ｆ2等を用い、プラズマＣＶＤ法により常温〜３００℃の１３．５６ＭＨｚでの高周波放電中で分解させることによりＨを含むアモルファスＳｉ膜を形成する。
また、６００℃がポリＳｉとアモルファスＳｉの境界なので、５８０℃以下のホットウオール減圧ＣＶＤ装置での熱ＣＶＤによりＨを含まないアモルファスＳｉ膜を形成してもよい。
【０１７６】
ところで、電子移動度を高める手段のひとつとして、チャネル半導体層に歪みをかける技術が知られている。これはチャネル半導体層に歪みをかけると、そのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制されるので電子移動度を高めることが出来る。具体的には、単結晶Ｓｉ基板上にＳｉよりも格子定数の大きい材料からなる混晶層の歪み印加半導体層、例えば、Ｇｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層を形成し、このＳｉＧｅ層上にチャネル半導体層としての単結晶Ｓｉ層を形成すると、格子定数の違いにより、歪みのかかった歪みＳｉ層が形成される。この歪みチャネル層を用いると、無歪みチャネル層を用いた場合に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成できることが報告されている。（Ｊ．Welser，J．L．Hoyt，S．Takagi，and  J．F．Gibbons，ＩＥＤＭ94-373）
【０１７７】
そこで、例えば、Ｇｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層である歪み印加半導体層としての単結晶Ｓｉ層１２ａを形成し、その上に歪みＳｉ層１２ｂを形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が実現する。
このＧｅ組成比は大きい方が良く、０．２を大きく下回る場合はＭＯＳＴＦＴの移動度の顕著な向上は期待できず、また、０．５を大きく超える場合はＳｉＧｅ層表面凹凸の増加や膜質低下等の問題があり、０．３程度が好ましい。
また、Ｇｅ濃度はＳｉＧｅ層の中で徐徐に増加させ、表面で所望濃度となる傾斜組成とし、この傾斜組成ＳｉＧｅ層上に歪みＳｉ層を順次形成することが好ましい。
【０１７８】
尚、ＳｉＧｅ層の成膜方法としては、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等のエピタキシャル成長法や、ＬＰＥ（Liqud  Phase  Epitaxy）法等の液相成長法、ポリＳｉＧｅ層やアモルファスＳｉＧｅ層の固相成長法などがあるが、Ｇｅ組成比の制御が可能な結晶成長方法であれば、他の成長方法でもよい。
【０１７９】
また、Ｓｉ原料としては水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、テトラシラン（Ｓｉ4Ｈ10）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）など、Ｇｅ原料としてはゲルマン（ＧｅＨ４）、四塩化ゲルマニウム（ＧｅＣＬ４）、四フッ化ゲルマニウム（ＧｅＦ４）などが適している。
【０１８０】
尚、歪み半導体層としてＳｉＧｅ層の代わりに、ＳｉＣやＳｉＮ等のようにＳｉと他の元素との混晶層、ＺｎＳｅ層等の二―六族混晶層もしくはＧａＡｓやＩｎＰ等の三―五族混晶層などの互いに格子定数の異なる材料からなる混晶層でもよい。
【０１８１】
なお、上記のＳｉＧｅ層などの歪み印加半導体層上の歪み半導体層による電子移動度向上法は、超薄型半導体層或いは超薄型ＳＯＩ半導体層の剥離による映像信号処理ＬＳＩ、メモリＬＳＩ、ＣＰＵＬＳＩ、ＤＳＰＬＳＩ、音声信号処理ＬＳＩ、ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ、ＢiＣＭＯＳなどの半導体デバイスの製造にも使用できる。
【０１８２】
（４）汎用技術によりポリＳｉ層１４の、例えば５０〜１００ｎｍ厚の任意の結晶粒径を制御した表面層に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａ（図３（ａ）参照）や配線などを、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ（図３（ｂ）参照）、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製して超薄型電気光学表示素子基板層（以後、超薄型ＴＦＴ基板層とも称する）を形成する。
なお、単結晶Ｓｉ層１２ｂは、Ｓｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、周辺駆動回路のみならず映像信号処理回路、画質補正回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路などを取り込んでもよい。また、同時に、超薄型ＴＦＴ基板層の周辺回路に接続する外部取り出し電極（半田バンプ含む）６５を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢ（Printed  Circuit  Board）へのマウントを行うのが好ましい。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等については図示を省略している。
尚、外部取り出し電極に半田などのバンプを形成する場合は、対向基板の厚み以下のバンプ高さとすることが好ましい。
【０１８３】
この時に、単結晶半導体層に多層配線構造の周辺回路または表示部及び周辺回路を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
更に、シール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成することで、ＬＣＤパネルサイズシュリンクによるウエーハ１枚当たりの取り個数が増加してコストダウンが実現する。
【０１８４】
また、この段階で、後に各超薄型電気光学表示装置の１パネルに分割する際の分割線、すなわちスクライブライン内の分割境界線に沿って、単結晶Ｓｉ層１２ｂから少なくとも高多孔質Ｓｉ層１１ｂまで溝６２（図７参照）を形成しておくことが好ましい。溝６２を形成しておくことによって、後述の超薄型ＴＦＴ基板層が予めスクライブライン内で分割されるため、Ｓｉ基板１０からの分離を容易に行うことが可能であるとともに、後述する（１２）の工程の分割を容易に行うことが可能となる。
溝６２は、ドライエッチング（ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃｌ+Ｏ2、ＨＢr＋Ｏ2などでのプラズマエッチング、逆スパッタエッチングなど）、ウエットエッチング（ＨＦ+Ｈ2Ｏ2+Ｈ2Ｏ混合液，ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチャント、アルカリ系エッチャントなど）や機械的加工（ブレードダイシング、ダイアモンドカッター、超硬合金カッター、超音波カッターなどによる切り溝）等により、任意の幅で単結晶Ｓｉ層１２ｂから少なくとも高多孔質Ｓｉ層１１ｂまで形成することが好ましい。
そして、画素開口部に埋め込む透明樹脂１６が溝内にも埋め込まれ、分離時の絶縁層及び単結晶Ｓｉ層１２ｂのチッピング、クラック、割れ等を低減することができる。
【０１８５】
（５）表示領域の画素開口部のポリＳｉ層１４をエッチングにより除去する。エッチングは、画素開口部以外のフォトレジストなどのマスキングによりＣｌ+Ｏ２、ＨＢr＋Ｏ2、ＳＦ6、ＣＦ4などのプラズマエッチング、反応性エッチング等のドライエッチングにより行う（図４参照）。なお、必要に応じてＨ2Ｏ2+Ｈ2Ｏ混合液，ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系のウエットエッチングにより行ってもよい。
【０１８６】
（６）ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法などにより、全面に５０〜２００ｎｍ厚の透明絶縁膜（例えばＳｉＯ2層１３ｂ、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯＮなど）および１００〜３００ｎｍ厚の遮光性金属膜（以下、「金属膜」と称す）１７をそれぞれ順に形成し、ポリＳｉ層１４上のポリＳｉＴＦＴ部の接続部（ドレイン、ソース、ゲートなど）および画素開口部底の金属膜１７をＣＣｌ4などのプラズマエッチング、或いは酸系エッチング液によりウエットエッチングする。
尚、周辺回路部上に形成された透明絶縁膜及び金属膜はエッチングせずにすることで、強い入射光の漏れを遮光するのでＴＦＴリーク電流を防止する。
要は、プロジェクタ用ＬＣＤのように強い入射光が入射する場合は、画素開口部以外は遮光膜で覆うことが望ましい。
【０１８７】
その後、表示領域の画素開口部内に光透過性材料としての透明樹脂１６を埋め込み、ＣＭＰなどにより表面平坦化する（図５参照）。ここで、金属膜１７は、強い入射光の乱反射によるＴＦＴリーク電流を防止するためにＷＳｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｔａなどの低反射金属膜が好ましい。さらにここで、各画素開口部側壁の金属膜１７をアース電位にしておくことで、強い入射光による各部のチャージアップを防止し、ＴＦＴのリーク電流を防止することができる。
なお、さらに強い入射光による漏れ光でのＴＦＴリーク電流低減対策及び耐光性向上対策としては、ポリＳｉＴＦＴ上の金属膜１７を残してポリＳｉＴＦＴ部の電極接続部のみ窓開けしてポリＳｉＴＦＴ部の上、横、下側、つまりポリＳｉＴＦＴ部を金属膜で覆って遮光するのが好ましい。
【０１８８】
透明樹脂１６は、全面に１５〜２０μｍ形成して画素開口部を埋め込むようにし、必要に応じてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などにより表面平坦化する。透明樹脂１６は、例えばシリコーン系、ウレタン系、エポキシ系などの透明樹脂をスピンコートなどで塗布し、所定条件、例えば所定の加熱処理で硬化させる。なお、透明樹脂１６に代えて、ガラス膜やＳｉＯ2膜などの透光性材料を用いることも可能であるが、いずれも強い入射紫外線の耐光性を有することが必要である。
【０１８９】
ガラス膜の場合、有機溶剤に分散させた低温用微粉末ガラスパウダを塗布して画素開口部等に充填し、適当な温度、例えば５００〜６００℃で溶融させてガラス厚膜を形成する。または、ＣＶＤ、スパッタリング等により、ＳｉＯ2、ＰＳＧ（PhosphoSilicate Glass）、ＢＰＳＧ（Boro-PhosphoSilicate Glass）、ＢＳＧ（BoroSilicate Glass）の少なくとも１種で画素開口部等を埋めるようにする。その後、ＣＭＰなどにより表面平坦化する。
【０１９０】
（７）表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１５ａ上の透明樹脂１６に、窓開けを行い、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ；酸化インジュウム・酸化錫の混合透明導電膜）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ；酸化インジュウム・酸化亜鉛の混合透明導電膜）などの画素電極としての１３０〜１５０ｎｍ厚の透明電極１８ａなどを形成することにより超薄型ＴＦＴ基板層を形成する（図６参照）。
【０１９１】
（８）Ｓｉ基板１０の超薄型ＴＦＴ基板層と対向基板２１とを重ね合わせてシールする（図６参照）。
[１]Ｓｉ基板１０上の超薄型ＴＦＴ基板層および対向基板２１上の透明電極１８ａ，１８ｂにスピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング等によりポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜材料を塗布し、バフラビング等の配向処理を行い、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等による有機洗浄を行うことにより、それぞれ配向膜２０ａ，２０ｂを形成する。あるいは、配向膜２０ａ，２０ｂは、ＳｉＯｘなどを斜方蒸着した無機系配向膜としてもよい。
尚、対向基板には反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、ほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラス、マイクロシートガラスや、高い透明性、耐熱性および耐湿性の樹脂フィルムなどで構成され、必要に応じて色フィルタやマイクロレンズアレイなどが形成され、さらに全面に透明電極が形成され、少なくとも１チップごとに配向処理された有機または無機の配向膜が形成されているものとする。
【０１９２】
[２]Ｓｉ基板１０の超薄型ＴＦＴ基板層の１パネルごとにシール剤２２（図７参照）およびコモン電極剤（図示せず）を塗布し、例えば１２インチφの対向基板２１を所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせて封止固着する、いわゆる面面液晶組立｛基板状態（面）の単結晶Ｓｉ基板１０と、同じく基板状態（面）の対向基板２１とを重ね合わせてシールする。｝を行う（図６参照）。ただし、液晶注入口（図示せず。）は空けておく。
ところでシール剤とコモン剤は、可視光照射硬化型接着剤、熱硬化併用の可視光照射硬化型接着剤、若しくは紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化併用の紫外線照射硬化型接着剤、熱硬化型接着剤のいずれでもよいが、特性及び作業面から同じタイプとするのが好ましい。
具体的なシール剤及びコモン剤は、例えばシール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現する変性アクリレートオリゴマー、液の粘度調整するアクリレートモノマー、可視光硬化またはＵＶ硬化部分を硬化する光開始剤、シール剤及びコモン剤の主成分で硬化後の基本特性を出現するエポキシ樹脂、エポキシ樹脂を硬化させる硬化剤、シール剤中には外気からの水分進入を防ぐ充填フィラー（シリカ真球など）、液晶ギャップ相当のファイバーなどから構成されている。
ＴＦＴ基板チップ内のコモンパッド部に塗布されるコモン剤中には液晶ギャップより大きい（例、液晶ギャップより約１ｕｍ大きい約３ｕｍΦ）金メッキ樹脂のミクロパールを混入し、ＴＦＴ基板チップと対向基板チップの重ね合わせ時の加圧でミクロパールが破砕されて、破砕された金メッキ樹脂が双方の透明導電膜を電気的に導通させる。
また、シール領域にポリイミド、ポリアミド等の液晶配向膜がある場合は、その膜を破砕された金メッキ樹脂が貫通して双方の透明導電膜を電気的に導通させるように、ミクロパールの材料、大きさなどを工夫する必要がある。
更に、スピンコーティングなどでＴＦＴ基板チップまたは／及び対向基板チップのシール領域にポリイミド等の有機系液晶配向膜形成されている場合は、シール剤中への外気からの水分進入を防ぐフィラー充填は重要で、ＬＣＤパネルサイズによりフィラー充填率の最適化が必要であり、例えば１インチサイズ程度のプロジェクタ用ＬＣＤパネルでは１０〜３０％程度のフィラー充填率が好ましいが、ディスペンス塗布し易さと水分進入率との兼ね合いで決定するのが好ましい。
この時に超薄型の電気光学表示素子基板層（単結晶Ｓｉ層１２）内の１チップと対向基板２１間の電気的導通をとる為に、その１チップ内の少なくとも２箇所のコモンパッド部に金メッキ樹脂のミクロパール混入したコモン剤をディスペンサーで塗布する。
また、同様に超薄型の電気光学表示素子基板層（単結晶Ｓｉ層１２）内の１チップ毎にシール領域に液晶ギャップ相当のファイバー（ギャップ剤）を添加したシール剤２２を塗布する。
ところでこの時に直視型の場合は、マイクロスペーサを全画面内に散布することにより液晶ギャップを確保してもよい。
さらに、対向基板２１または超薄型ＴＦＴ基板層の画素開口部周辺に、液晶ギャップに相当する樹脂等で形成した突起（ＯＣＳ；On  Chip  Spacer）を任意の個数形成してもよい。
ここで、超薄型ＴＦＴ基板層（単結晶Ｓｉ層１２）や対向基板２１に「少なくとも１チップごと」としたのは、全面に有機または無機の配向膜２０ａ，２０ｂを形成してもよい場合があるからである。また、本明細書中において、超薄型ＴＦＴ基板層（単結晶Ｓｉ層１２）の１チップと対向基板２１の１チップを重ね合わせて１パネルのＬＣＤと定義する。
【０１９３】
なお、上記面面液晶組立に対して、透明電極１８ｂが形成され配向処理された有機または無機の配向膜２０ｂが形成された対向基板の良品チップを超薄型のＴＦＴ基板層内の良品チップに選択的に重ね合わせてシールする、いわゆる面単液晶組立（基板状態（面）の単結晶Ｓｉ基板１０と、チップ状態（単個）の対向基板とを重ね合わせてシールする。）としてもよい。
【０１９４】
面面液晶組立は不良チップを含むＴＦＴ基板層と、不良チップを含む対向基板２１を重ね合わせてシールすることもあるので、不良ＬＣＤパネルが発生し、コストアップとなる可能性がある。これに対して、面単液晶組立は、良品の対向基板チップを超薄型のＴＦＴ基板層内の良品チップに選択的に重ね合わせてシールするので不良ＬＣＤパネル発生が少なく、コストダウンすることができる。
【０１９５】
（９）Ｓｉ基板１０と対向基板２１上を紫外線照射硬化型テープ（以下「ＵＶテープ」と称す）２３などで覆い、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法、またはレーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからＳｉ基板１０を分離する（図７参照）。分離したＳｉ基板１０は、必要に応じて表面再研磨、エッチング、水素を含む雰囲気下での熱処理等を行い、再使用することができる。
【０１９６】
ＵＶテープ２３は、ポリオレフィンやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などのＵＶテープ基材および強い接着力で糊残りのない帯電防止のアクリル系ＵＶ照射硬化型接着剤からなるものである。ＵＶ照射硬化型接着剤は接着力が強いため、このＵＶテープ２３により対向基板２１およびＳｉ基板１０を強固に保持および表面保護した状態で、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからＳｉ基板１０を分離することができる。
【０１９７】
特に、溝６２を形成した場合は、液晶面単組立では溝６２の内部がＵＶテープ２３のＵＶ照射硬化型接着剤で充填保持されるので、分離層からの分離時のストレスによる超薄型ＴＦＴ基板周辺部の欠け、クラック、割れなどを防止することができる。また、不要な多孔質Ｓｉ層などのエッチング時にも保護層として作用し、超薄型ＴＦＴ基板周辺部の欠け、クラック、割れ、エッチングむらなどを防止することができる。さらに、ＵＶ照射硬化型接着剤は、紫外線の照射によって粘着力が弱まるため、分離後はＵＶテープ２３を糊残りなく除去することができる。なお、用途に応じて糊残りのない帯電防止の熱膨張剥離型粘着剤のテープを用いてもよい。
尚、面単液晶組立の場合はＵＶテープの粘着剤厚みを対向基板の厚み以上にして隙間を十分に充填するようにした方が好ましい。
又、分離後の基板保持のたわみによるクラック、欠け、割れ防止の為に両面ＵＶテープを用い、片面に対向基板２１を貼り合せ、他面には剛性を有するガラスなどの透明シートを貼り合せてもよい。
更に、必要に応じて面単液晶組立の場合は、ワックスを介して剛性を有するガラスシート、金属シートなどを少なくとも対向基板２１に貼り合せてもよい。
このワックスはその剥離洗浄によるＬＣＤシール性などへの悪影響防止の為に、エタノール、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のアルコール系溶剤で除去できる有機系接着剤や水溶性接着剤が好ましい。
水溶性接着剤としてはホットメルト系水溶性固形ワックス（例えば、日化精工株式会社のアクアワックス２０／５０／８０（主成分は脂肪酸グリセリド）、アクアワックス５５３／５３１／４４２／ＳＥ（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン共重合物、グリセリンポリエーテル）、ＰＥＧワックス２０（主成分はポリエチレングリコール）等）、または水溶性液状ワックス（例えば、日化精工株式会社の合成樹脂系液状接着剤のアクアリキッドＷＡ−３０２（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、メタノール）、ＷＡ−２０５１１／ＱＡ−２０５６６（主成分はポリエチレングリコール、ビニルピロリドン誘導体、ＩＰＡ、水）等）を使用することが出来るが、５０〜６０℃の温純水で剥離洗浄する。
【０１９８】
なお、帯電防止のＵＶテープ２３としてはＵＶテープ基材の糊側表面にＩＴＯやＩＺＯなどの導電性透明膜を形成または導電性の表面化学処理したもの、または、ＵＶ照射硬化型接着剤中に静電気ダメージを防止するレベルの導電性透明酸化物微粒子（ＩＴＯやＩＺＯなど）を混入させたものなどがある。また、必要に応じてこれらを組み合わせたものを用いてもよい。このように帯電防止のＵＶテープ２３を用いることで、ＴＦＴ基板層に形成された半導体素子の静電気ダメージを防止することができる。
この帯電防止機能により製造工程中の静電破壊を防止することができるため、静電気ダメージによる半導体特性不良を防止することができる。なお、ＵＶ照射硬化型接着剤の硬化前および硬化後の表面抵抗は、１０6〜１０12Ω／□程度の静電気ダメージを防止するレベルであることが望ましい。
【０１９９】
なお、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからの分離を、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法により行う場合、図４０に示す高圧流体ジェット噴射剥離装置を用いる。図４０は本発明の実施の形態における高圧流体ジェット噴射剥離装置の概略断面図である。
【０２００】
図４０に示す高圧流体ジェット噴射剥離装置は、上下から基板を真空吸着して回転させる一対のホルダ８１ａ，８１ｂと、高圧流体ジェット８２を噴射する微細ノズル８３とを備える。ガードリングストッパ８０は、ホルダ８１ａ，８１ｂの周囲を囲む円筒状の治具である。ガードリングストッパ８０には、微細ノズル８３から噴射される高圧流体ジェット８２の幅を制限して通過させる１０〜５０μｍ程度の径のスリット孔８４が形成されている。なお、スリット孔８４の径については、高圧流体ジェット８２の水圧および風圧との相関によって決定する。
【０２０１】
このような高圧流体ジェット噴射剥離装置において、例えば、ホルダ８１ａ，８１ｂ間に図６に示すＳｉ基板１０と対向基板２１とを貼り合わせた基板を挟持する。ここで分離したい層（分離層）は高多孔質Ｓｉ層１１ｂである。なお、図４０においては簡単のため、Ｓｉ基板１０、高多孔質Ｓｉ層１１ｂおよび対向基板２１以外については図示を省略している。
【０２０２】
ここで、ガードリングストッパ８０の高さと、ホルダ８１ａ，８１ｂで挟持するＳｉ板１０および対向基板２１の高さを調整し、微細ノズル８３から噴射される高圧流体ジェット８２が分離したい高多孔質Ｓｉ層１１ｂに正確に当たるように微調整する。その後、ホルダ８１ａ，８１ｂを回転させ、微細ノズル８３から噴射する高圧流体ジェット８２の圧力を高多孔質Ｓｉ層１１ｂに作用させてＳｉ基板１０を分離する。
【０２０３】
このとき、微細ノズル８３から噴射する高圧流体ジェット８２は、ガードリングストッパ８０のスリット孔８４によってその幅が制御されるうえ、分離したい高多孔質Ｓｉ層１１ｂに正確に当たるようにその高さが微調整されているため、狙った高多孔質Ｓｉ層１１ｂ以外の部分には分離するほど強く当たらない。
【０２０４】
また、高圧流体ジェット８２は、ウオータージェット、エアージェットの他、水、エッチング液やアルコールなどの液体、空気、窒素ガスやアルゴンガスなどの気体や、前記液体に前記気体を適当比率で混在させた液体と気体との混合体などのジェットの噴射により行うこともできる。特に液体と気体との混合体のジェットの噴射、いわゆるウオーターエアージェットでは、液体に気体のバブルが混入し、このバブル破裂時の衝撃作用によってより効果的に分離を行える。
【０２０５】
また、高圧流体ジェット８２を吹き付ける場合には、流体に超音波を印加すると、超音波振動が多孔質層に作用するため、より効果的に多孔質層からの分離を行える。さらに、この高圧流体ジェット８２に、さらに微細な固体としての粒体や粉体（研磨剤、氷、プラスチック片など）の超微粉末を添加してもよい。このように高圧流体ジェット８２に、微細な固体を添加すれば、この微細な固体が高多孔質Ｓｉ層１１ｂに直に衝突することによって、より効果的に分離を行える。
そして、この高圧流体ジェット８２に粒体や粉体の超微粉末を添加し、さらに超音波を印加すれば、さらに効果的に分離を行える。
【０２０６】
あるいは、回転中の基板の分離層にレーザー出力部から照射するレーザー光を当てて分離するレーザー加工剥離装置（図示せず）を用いることもできる。なお、このレーザー加工剥離装置と前述の高圧流体ジェット噴射剥離装置との違いは、レーザー出力部が前述の微細ノズル８３とスリット孔８４を組み合わせたものに相当することのみであり、他はほとんど同じ構成である。
【０２０７】
このレーザー加工剥離装置では、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層１１ｂの横方向から一つ以上のレーザー照射によるレーザー加工（アブレーション加工、熱加工など）によって、この高多孔質Ｓｉ層１１ｂから分離することができる。
【０２０８】
ここで、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザー、エキシマレーザー、高調波変調レーザーなどからなる可視光、近紫外線、遠紫外線、近赤外線、遠赤外線などのレーザー光を使用できる。
【０２０９】
レーザー加工では、加工対象物が吸収する少なくとも一つ以上のパルス波または連続波のレーザー光を照射して、熱加工やアブレーション加工で分離する方法と、加工対象物に対して透過する波長を有する少なくとも一つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど）を加工対象物内部に焦点を合わせて照射し、多光子吸収による光学的損傷現象を発生させて改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域など）を形成し、そこを起点として比較的小さな力で分離する方法とがある。
【０２１０】
一般的に、後者の場合は加工対象物例えば単結晶半導体基板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度（パルスレーザー光の集光点の電界強度）が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１μS以下の条件でレーザー光を照射すると、加工対象物内部には多光子吸収による光学的損傷現象が発生し、この光学的損傷により内部に熱ひずみが誘起され、これにより内部に改質領域例えばクラック領域が形成され、そこを起点として比較的小さな力で分離させる方法であるが、単結晶半導体基板に比べ、本発明の多孔質半導体層や後述するイオン注入層の単結晶半導体層の場合は、上記のピークパワー密度以下により多光子吸収による光学的損傷現象を発生させて改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域など）の形成が可能であり、このレーザー加工による多孔質半導体層や後述するイオン注入層からの分離が容易である。
【０２１１】
レーザー加工の場合は、上記のいずれの方法でもレーザー光線を集光レンズで加工対象物内部(つまり多孔質半導体層や後述するイオン注入層の内部)に焦点を合せ、その焦点を徐々に回転中の加工対象物内部に移動させることで分離することができる。特に、本発明の場合は、加工対象物が多孔質Ｓｉ層やイオン注入層なので、このレーザー光による分離加工を高精度で効率良く行うことができる。このとき、必要に応じて流体冷却した支持治具を用いて、ＵＶテープを介して対向基板２１側を冷却しながら多孔質Ｓｉ層からＳｉ基板１０を分離してもよい。
【０２１２】
また、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層１１ｂに、出力部からレーザー光とウオータージェットを組み合わせたレーザーウオータージェットを照射して分離するレーザーウオータージェット加工剥離装置（図示せず）を用いることもできる。なお、このレーザーウオータージェット加工剥離装置と前述のレーザー加工剥離装置および高圧流体ジェット噴射剥離装置との違いは、レーザーウオータージェット出力部が前述の微細ノズル８３とスリット孔８４を組み合わせたものに相当することのみであり、他はほとんど同じ構成である。
【０２１３】
レーザーウオータージェット加工剥離法は、ウオータージェットとレーザーの利点を組み合わせ、水と空気の境界面でレーザー光が完全に反射することを利用し、グラスファイバー内と同じようにウオータージェットがレーザー光を全反射して平行にガイドし、このレーザー光の吸収による熱加工やアブレーション加工で分離する方法である。従来の熱変形が問題となるレーザー加工法と違い、レーザーウオータージェットは常時水による冷却がされているので、分離面の熱影響、例えば熱変形などが低減される。
【０２１４】
このレーザーウオータージェット加工剥離法では、例えば、少なくとも一つ以上のパルス波または連続波の近赤外線レーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザーＮｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザーなど）が任意の水圧の純水または超純水の水柱内に封じ込まれた一つ以上のレーザーウオータージェットを、回転中の基板の高多孔質Ｓｉ層１１ｂの横方向から照射する加工（アブレーション加工、熱加工など）によって、この高多孔質Ｓｉ層１１ｂから分離することができる。
【０２１５】
なお、レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、高調波変調レーザーなどからなる可視光、近赤外線、遠赤外線、近紫外線、遠紫外線などのレーザー光を使用できる。また、任意の水圧のウオータージェットの水柱は水道水でもよいが、レーザーの種類によってはレーザーを乱反射で散乱させずに減衰させない純水または超純水によるウオータージェットの水柱が望ましい。
【０２１６】
なお、上記の高圧流体ジェット噴射剥離法、レーザー加工剥離法およびレーザーウオータージェット加工剥離法は、超薄型半導体層或いは超薄型ＳＯＩ半導体層の剥離による映像信号処理ＬＳＩ、メモリＬＳＩ、ＣＰＵＬＳＩ、ＤＳＰＬＳＩ、音声信号処理ＬＳＩ、ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ、ＢiＣＭＯＳなどの半導体デバイスの製造にも使用できる。さらに、高圧流体ジェット噴射法、レーザー加工法およびレーザーウオータージェット加工法により、単結晶あるいは多結晶半導体基板あるいは透明または不透明支持基板の切断や、回転中の単結晶あるいは多結晶半導体インゴットのスライシングなどにも使用できる。
【０２１７】
このとき、前述のように、後に各電気光学表示装置の１パネル毎に分割する際の分割線、すなわちスクライブライン内の分割境界線に沿って、単結晶Ｓｉ層１２ｂから少なくとも高多孔質Ｓｉ層１１ｂまで溝６２を形成しておいた場合には、支持基板としての単結晶Ｓｉ基板１０から分離される超薄型のＴＦＴ基板層が予め分割されているため、分離をさらに容易に行うことが可能となる。
【０２１８】
（１０）分離した面の低多孔質Ｓｉ層１１ｃ、単結晶Ｓｉ層１２ａ、等をエッチングし、ＳｉＯ2層１３ａおよびＳｉＯ2層１３ｂなどの透明絶縁層を介して表示領域の透明樹脂１６を露出させる（図８（ａ）は基板全体を、同図（ｂ）は表示領域をそれぞれ示している）。
【０２１９】
ここで、低多孔質Ｓｉ層１１ｃおよび単結晶Ｓｉ層１２ａは、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ混合液やＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などによりウエットエッチングあるいはドライエッチング（ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃｌ+Ｏ2、ＨＢr＋Ｏ2などでのプラズマエッチング、逆スパッタエッチングなど）する。このとき、画素開口部内に埋め込まれた光透過材料は、ＳｉＯ2層１３ａおよびＳｉＯ2層１３ｂなどの透明絶縁膜により低多孔質Ｓｉ層１１ｃおよび単結晶Ｓｉ層１２ａのエッチング時に保護することができるので、光透過率などの品質低下を防止できる。なお、フッ酸系エッチング液でのウエットエッチングする場合は、ＳｉＯ2層の代わりに高耐酸性の窒化系シリコン膜を含む透明絶縁膜、例えば窒化シリコン膜を熱酸化させた酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜、酸化シリコンと窒化シリコンとの積層膜を熱酸化させた酸化シリコンと窒化シリコンと酸化シリコンとを順に積層した積層膜、あるいは、酸窒化シリコン膜の方が好ましい。
【０２２０】
（１１）ＳｉＯ2層１３ａおよびＳｉＯ2層１３ｂなどの透明絶縁膜を介した透明樹脂１６の露出面に支持体としての透明支持基板２４を、シリコーン系、ウレタン系、エポキシ系やアクリル系などの耐熱性で耐光性の透明接着剤２５ａを用いて貼り付ける。（図９（ａ）は基板全体を、同図（ｂ）は表示領域をそれぞれ示している。）
なお、プロジェクタ用透過型ＬＣＤの場合は耐光性の透明接着剤であることがましい。
更に、透明接着剤２５ａは特性悪化元素例えばハロゲン元素を含まないものを用いるのが好ましい。
【０２２１】
ここで、透明支持基板２４の表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１５ａに相当する部分、および対向基板２１の表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１５ａに相当する部分には、予めそれぞれ低反射及び遮光膜２６ａ，反射膜２６ｂを形成しておくのが望ましい。また、透明支持基板２４および対向基板２１それぞれの周辺回路領域に相当する部分にも、予め低反射及び遮光膜２６ｃ，反射膜２６ｄを形成しておくのが望ましい。
これにより、反射膜２６ｂは不要な入射光を反射させてコントラストを高め、液晶温度上昇を低減させてパネルの長寿命化を図り、更に低反射及び遮光膜２６ａは裏面からの反射光によるＴＦＴリーク電流を低減して耐光性を高めて高輝度化を図る。
【０２２２】
尚、透明支持基板としては、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上などの光学特性を満足する石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）、ほうけい酸ガラス、アルミノけい酸ガラス、マイクロシートガラス、透明プラスティックなどの材料が用いられる。
【０２２３】
更に、分離した超薄型電気光学表示素子基板に、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス、例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融または焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（単結晶サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ、単結晶または多結晶スピネル、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を透明支持基板として耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、強い入射光に対して高い熱放散効果を発揮して高輝度化、高精細化、長寿命化を実現し、品質及び信頼性を高めたプロジェクタ用透過型ＬＣＤを実現できる。
尚、対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、入射側の反射防止膜形成の防塵ガラス、出射側の反射防止膜形成の防塵ガラスにも前記高熱伝導性ガラスを使用すること、たとえば、入射側より反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラス、単結晶サファイアの対向基板（マイクロレンズ基板、ブラックマスク基板などを含む）、液晶層、超薄型電気光学表示素子基板、単結晶サファイアの支持基板、反射防止膜形成の単結晶サファイア防塵ガラスの構造として相互を耐光性の透明接着剤で貼り合せることで、更に高い熱放散効果を期待できる。
【０２２４】
（１２）スクライブライン内の分割境界線に沿って対向基板２１、電気光学表示素子基板層（単結晶Ｓｉ層１２）及び透明支持基板２４を切断する。なお、対向基板２１および透明支持基板２４の材質に応じてブレードダイシング、レーザー切断加工（炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等の熱加工及びアブレーション加工、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー、Ｎｄ：ＹＬＦレーザー、チタンサファイアレーザー等の多光子吸収改質レーザー加工等）、ダイアモンドカッター、超硬合金カッター、超音波カッター、高圧流体ジェット噴射切断加工、レーザーウオータージェット切断加工などを使い分けて分割切断してもよい。
その後、液晶注入口から電界印加方法および配向膜に応じた液晶７０、例えばネマティック液晶｛ＴＮモード液晶、ＶＡ（垂直配向）モード液晶など｝、スメティック液晶（強誘電性液晶、反強誘電性液晶など）、高分子分散型液晶またはその他の液晶を注入封止し、必要に応じて加熱急冷却処理して液晶配向処理することにより透過型ＬＣＤが得られる。
（図１０（ａ）は遮光膜無しの場合の透過型ＬＣＤを、同図（ｂ）は反射及び遮光膜有りの場合の透過型ＬＣＤをそれぞれ示している。）。
【０２２５】
この時に、配向膜と配向処理及び液晶の関係は下記のような組み合わせが好ましい。
[１]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[２]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の垂直配向剤添加した有機系配向膜の場合は、ラビング処理が不要で負の誘電異方性のＴＮモード液晶（ＶＡモード液晶）を用いる。
[３]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[４]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリビニルシンナメート等の有機系配向膜の場合は、２５７ｎｍの直線偏光した紫外線を基板に対して垂直に照射する光配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[５]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、２６６ｎｍのＹＡＧレーザーを基板に対して任意の角度例えば４５°で照射するレーザー配向処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[６]シリコン原子と酸素原子が錯体を形成したアルキル基がシリコン原子に結合しているシラン系配向膜の場合は、配向処理が不要であり、負の誘電異方性のＴＮモード（ＶＡモード）液晶を用いる。
[７]アミノシラン系配向膜の場合は、ラビング処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[８]１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの斜方蒸着膜の無機系系配向膜の場合は、基板の垂直方向からの蒸着角を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[９]蒸着あるいはスパッタによる１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの無機系系配向膜の場合は、アルゴンイオンビームを基板に対して１５〜２０°の角度から３００〜４００ｅＶの加速電圧でイオンビーム照射処理して正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１０]ミラートロンスパッタリング（指向性スパッタリング）による１０〜３０ｎｍ厚ＳｉＯｘの無機系配向膜の場合は、基板に対するスパッタリング角度を調整して配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１１]ＣＶＤ法による５〜２０ｎｍ厚のＤＬＣ（Diamond  Like  Carbon）膜の無機系配向膜の場合は、基板に対して例えば４５°の方向から３００〜４００ｅＶの加速電圧でアルゴンイオンビーム照射してイオンビーム配向処理を行い、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１２]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１３]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍのＰＥ（ポリエチレン）膜の第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１４]上記１〜１１の処理を行った第１配向膜の上に、イオン蒸着により約５０ｎｍビフェニルー４，４‘−ジメタクリレートのポリマー化した第２配向膜を形成し、正の誘電異方性のＴＮモード液晶を用いる。
[１５]ポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理をして強誘電性（ＦＬＣ）液晶を用いる。
[１６]５〜５０ｎｍ厚のポリイミド、ポリアミド等の有機系配向膜の場合は、ラビング配向或いは２５７ｎｍ直線偏光ＵＶ照射の光配向或いはアルゴンイオンビーム照射のイオンビーム配向或いは２６６ｎｍのＹＡＧレーザー照射のレーザー配向処理をして電界効果複屈折型（ＥＣＢ）型液晶を用いる。
【０２２６】
あるいは、Ｓｉ基板１０を分離する前に、超薄型ＴＦＴ基板層の表示部の画素開口部に相当する部分のポリＳｉ層１４をエッチングにより除去し、必要に応じてポリＳｉＴＦＴ部上及び画素開口部内壁に透明絶縁膜を介して遮光性金属膜を形成し、この遮光性金属膜除去した画素開口部内を光透過性材料としての透明樹脂１６等により埋め込み表面平坦化し、その上に表示用ポリＳｉＴＦＴ１５ａのドレインに接続した透明電極１８ａを形成し、配向膜２０ａを形成して配向処理をした超薄型ＴＦＴ基板内の良品チップにシール剤及びコモン剤（図示せず）塗布し、透明電極１８ｂおよび配向膜２０ｂを形成して配向処理した対向基板２１の良品チップと所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする工程まで行い、その後、対向基板２１とＳｉ基板１０を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからＳｉ基板１０を分離して光透過性材料としての透明樹脂１６等を露出させ、必要に応じて剥離残りをエッチングして透明接着剤で透明支持基板２４に貼り合わせる方法でもよい。
【０２２７】
以上のように、本実施形態では超薄型の電気光学表示素子基板層（単結晶Ｓｉ層１２）の下で分離することで、例えば１０μｍ厚の極めて薄い単結晶Ｓｉ薄膜による高い電子・正孔移動度の超薄型の電気光学表示素子基板を得ることができるため、例えば、それぞれ約１００μｍ厚の対向基板および透明支持基板と重ね合わせることにより、約２００μｍ程度の厚さの超薄型で高輝度、高精細、高機能な透過型ＬＣＤ（ＬＣＯＳ）を、歩留まり良く、高い生産性で安価に製造することができる。
【０２２８】
（Ａ−２）超薄型の反射型ＬＣＤの場合
超薄型の反射型ＬＣＤを製造する場合、（Ａ−１）に示した（１）〜（４）までの工程（図１〜図３）については同じである。その後、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、周辺回路領域に配線層２７を形成し、保護膜２８を形成後、表示領域内の画素表示用ポリＳｉＴＦＴ部１５ａのドレインに接続したアルミニウム、アルミニウム−シリコン合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金などの高反射率の反射電極１９ａを画素表示部に形成する。
そして、上記（Ａ−１）と同様に、少なくとも１パネルごとにポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜材料を形成し、バフラビング等の液晶配向処理を行い、必要に応じてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等による有機洗浄を行うことにより、有機系の液晶配向膜（以下、「配向膜」と称す。）２０ａを形成する。あるいは、配向膜２０ａは、ＳｉＯｘの斜方蒸着膜により形成した無機系配向膜としてもよい。
【０２２９】
尚、この超薄型の反射型ＬＣＤでは画素表示部の反射電極下の単結晶半導体層に表示回路のみならずメモリー回路等含む周辺回路の一部も形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
また、単結晶半導体層に多層配線構造の周辺回路或いは表示部及び周辺回路を形成することで、集積度を高めて高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
更に、シール領域の単結晶半導体層にも周辺回路を形成することで、ＴＦＴ基板サイズのシュリンクによるウエーハ１枚当たりの取り個数が増加してコストダウンが実現する。
【０２３０】
さらに、上記（Ａ−１）と同様にこの上にシール剤及びコモン剤（図示せず）塗布し、透明電極１８ｂ形成してポリイミド、ポリアミド等の有機系液晶配向膜２０ｂを形成してバフラビング等の液晶配向処理した対向基板２１を所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする（図１２参照）。なお、反射電極１９ａにおいて、直視用の反射型ＬＣＤの場合は適度な光の散乱効果を与え表示の見易さを改善するためにこの電極に適当な凹凸形状を設けておく。
例えば、画素表示部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜６３を形成し、加熱でリフローした後に、表示用ポリＳｉＴＦＴ部１５ａのドレインに接続した例えば高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射電極６４を形成する。尚、プロジェクタ用の反射型ＬＣＤの場合は高平坦性の画素電極形状とするのが好ましい。
【０２３１】
次に、Ｓｉ基板１０と対向基板２１上をＵＶテープ２３などで覆い、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからＳｉ基板１０を分離する（図１２参照）。
この分離方法は上記（Ａ−１）と同様である。この分離後、不透明な支持体としての金属支持基板２９を高熱伝導性及び導電性の接着剤２５ｂを用いて貼り付ける（図１３参照）。
なお、本実施形態においては支持体として金属を用いているが、その他の支持体として樹脂フィルムやガラスなどを用いることも可能である。この場合は高熱伝導性を有する樹脂やガラス材が好ましい。支持体が樹脂フィルムまたはガラスの場合、液晶転移点以下、例えば８０℃の低温硬化型またはＵＶ照射硬化型接着剤で貼り合わせる。また、プロジェクタ用途の場合には支持体として熱放散性の良い金属を用いるが、この場合、冷却促進とアース電位のために、金属フィラー混入した高い熱伝導性および電気伝導性で液晶転移点以下、例えば８０℃の低温硬化型接着剤で貼り合わせるのが好ましい。
その後の工程については、上記（Ａ−１）と同様である。
【０２３２】
このとき、超薄型の電気光学表示素子基板層（単結晶Ｓｉ層１２）は金属支持基板２９との貼り合せ面に低多孔質Ｓｉ層１１ｃが残っているため、接着剤１７との密着性が向上しており、金属支持基板２９に強固に保持されている。その後、液晶注入口から電界印加方法および配向膜に応じた液晶７０、例えば上記のようにネマティック液晶（ＴＮ型液晶、垂直配向型液晶など）、スメティック液晶（強誘電性液晶、反強誘電性液晶など）またはその他の液晶を注入封止し、必要に応じて加熱急冷却処理して液晶配向処理することにより、図１３に示す反射型ＬＣＤ（ＬＣＯＳ）が得られる。
【０２３３】
以上のように、本実施形態では超薄型の電気光学表示素子基板層（単結晶Ｓｉ層１２）の下で分離することで、例えば１０μｍ厚の極めて薄い単結晶Ｓｉ薄膜による高い電子・正孔移動度の超薄型の電気光学表示素子基板を得ることができるため、例えば、それぞれ約１００μｍ厚の対向基板および金属支持基板と重ね合わせることにより、約２００μｍ程度の厚さの超薄型で高輝度、高精細、高機能な反射型ＬＣＤ（ＬＣＯＳ）を、歩留まり良く、高い生産性で安価に製造することができる。
【０２３４】
（Ａ−３）超薄型の半透過型ＬＣＤの場合
超薄型の半透過型ＬＣＤを製造する場合、（Ａ−１）に示した（１）〜（６）までの工程（図１〜図５）については同じである。
この後に、表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１５ａ上の透明樹脂１６に窓開けを行い、反射と透過の二領域の画素電極などを形成することによりＴＦＴ基板層を形成する（図１４参照）。
【０２３５】
半透過型ＬＣＤの場合は、一画素内に反射及び透過の二領域を持たせる為に、反射電極の一部をパターニングし、そこに透明電極を形成する。
例えば、図１４（a）のように、画素開口部に表示用ポリＳｉＴＦＴ部１５ａのドレインに接続したＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明電極１８ａを形成し、透明電極の一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜６３を形成し、加熱でリフローした後に、透明電極と接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射電極６４を形成することで一画素内に反射及び透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。
【０２３６】
又は、図１４（b）のように、画素開口部の一部に汎用リソグラフィ技術により適度な凹凸形状の感光性樹脂膜６３を形成し、加熱でリフローした後に、表示用ポリＳｉＴＦＴ部１５ａのドレインに接続した高反射率のアルミニウム膜を形成して適度な凹凸形状の反射電極６４を形成し、アルミニウム膜を含む画素開口部に透明電極１８ａを形成することで一画素内に反射及び透過の二領域を持たせた画素電極を形成する。
【０２３７】
この透過と反射の画素面積比をコントロールすることにより、透過及び反射の光学特性のバランスを取ることができる。
この半透過型ＬＣＤの透過表示には透過型ＬＣＤと同様にバックライト光源を用い、反射表示には反射型ＬＣＤと同様に太陽光を用いるのは言うまでもない。
そして、半透過型ＬＣＤではより明るい表示のために、反射電極を配線やＴＦＴの上などの不透明領域にも覆い被せて開口率を高め、透明電極を不透明配線がない部分に配置し、全体の開口率を高くするなどの工夫が必要である。
【０２３８】
又、反射型ＬＣＤ及び半透過型ＬＣＤでのペーパーホワイトの見栄えを実現する為に、反射光の正反射成分を減らして光を拡散散乱させる機能として、反射電極に形成した凹凸形状の傾斜角度を特定の範囲内に限定し、角度の分布形状を最適化する必要がある。
又、凹凸を規則的に配置すると太陽光下で反射画像に虹色の光干渉が発生し、視認性低下するので、フィボナッチ数列で表される配列を凹凸パターンに適用するなどで凹凸配置をランダム化する必要がある。
【０２３９】
その後の工程については上記（Ａ−１）と同様に、配向膜形成および配向処理した超薄型ＴＦＴ基板層に、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板を、所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする。
Ｓｉ基板１０と対向基板２１上を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、上記（Ａ−１）と同様に高多孔質Ｓｉ層１１ｂからＳｉ基板１０の分離を行い、少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を透明絶縁膜を介して露出させ、この分離後の超薄型ＴＦＴ基板に透明な支持体を透明接着剤で貼り付け、前記各超薄型電気光学表示装置に分割後に液晶注入封止する。
この時に、配向膜と配向処理及び液晶の関係は、上記の（Ａ−１）の透過型ＬＣＤに準じた組み合わせを使用してもよい。
【０２４０】
つまり、半透過型ＬＣＤの場合は超薄型の電気光学表示素子基板層（単結晶Ｓｉ層１２）の表示部の画素開口部をエッチングして光透過性材料を埋め込んで表面平坦化し、そこに画素表示素子のドレインに接続する反射と透過の二領域を有する画素電極、配向膜を形成して配向処理を行い、シール剤及びコモン剤塗布し、同様に透明電極、配向膜を形成して配向処理した対向基板を所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に単結晶Ｓｉ基板１０を分離し、必要に応じて露出した画素開口部の光透過性材料に付着した剥離残りの高多孔質Ｓｉ層や低多孔質Ｓｉ層をエッチングして少なくとも表示部の画素開口部の光透過性材料を透明絶縁膜を介して露出させて透明支持基板を透明接着剤で貼り合せ、各電気光学表示装置に分割した後に液晶注入封止し、必要に応じて加熱急冷却処理して液晶配向処理することにより半透過型ＬＣＤが得られる。
【０２４１】
ここで、有機ＥＬの構造と製法について詳細に説明する。
有機ＥＬ層には、単層型、二層型、三層型があるが、低分子化合物の三層型を示すとその構造は、陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層及び陰極、または、陽極、ホール輸送性発光層、キャリアブロック層、電子輸送性発光層及び陰極となる。
【０２４２】
例えば、上面発光型有機ＥＬのＴＦＴ基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡｌやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）が形成され（必要に応じて全面に陽極が形成される。）、全面を耐湿性透明樹脂で覆っている構造となっている。
【０２４３】
上面発光型有機ＥＬの場合は、表示用ＴＦＴのドレインに接続されたＬｉ−ＡｌやＭｇ−Ａｇなどの陰極を画素表示部に形成する。このとき、陰極が電流駆動用ＭＯＳＴＦＴ上を覆っている場合は発光面積が大きくなり、陰極が遮光膜となるため、自発光光等がＭＯＳＴＦＴに入射しない。そのため、リーク電流発生がなく、ＴＦＴ特性悪化が避けられる。
【０２４４】
又、下面発光型有機ＥＬのＴＦＴ基板の表示部は、各画素毎の電流駆動用ＴＦＴのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極）上に、各画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層が被着され、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極）が形成され（必要に応じて全面に陰極が形成される。）、さらに全面を耐湿性樹脂で覆っている構造となっている。この密封により、外部からの湿気浸入が防止でき、湿気に弱い有機ＥＬ発光層の劣化や電極酸化を防止し、長寿命、高品質、高信頼性が可能となる。
【０２４５】
（Ａ−４）超薄型の下面発光型有機ＥＬの場合
超薄型の下面発光型有機ＥＬの場合、（Ａ−１）の超薄型の透過型ＬＣＤとほぼ同様の工程によるが、Ｓｉ基板１０を分離する前に、超薄型ＴＦＴ基板の表示領域の画素開口部に相当する部分をエッチングにより除去し、必要に応じて画素開口部内に透明絶縁膜と遮光用金属膜を形成した後に画素開口部底の遮光用金属膜を除去し、この除去した画素開口部内を光透過性材料としての透明樹脂（図示せず）等により埋めて表面平坦化し、表示領域のポリＳｉ層１４の画素毎の電流駆動用ポリＳｉＴＦＴ部１５ａのソースに接続されたＩＴＯ膜などの陽極（透明電極６０ｃ）をこの平坦化膜上に形成し、さらに画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層６０ｂを被着し、その上部にＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極６０ａ）を形成し（必要に応じて全面に陰極を形成する。）、さらに全面を耐湿性透明樹脂６１で覆う。
【０２４６】
その後、耐湿性透明樹脂６１とＳｉ基板１０を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからＳｉ基板１０を分離し、分離した面の低多孔質Ｓｉ層１１ｃ、単結晶Ｓｉ層１２ａ等をエッチングし、ＳｉＯ2層１３ａ、ＳｉＯ2層１３ｂなどの透明絶縁層を介して表示領域の画素開口部に埋め込まれた透明樹脂を露出させ、透明支持基板２４に透明接着剤２５ａで貼り合わせる（図１５参照）。
このように、耐湿性透明樹脂６１による密封により、外部からの湿気浸入が防止でき、湿気に弱い有機ＥＬ発光層６０ｂの劣化や電極酸化を防止し、長寿命、高品質、高信頼性が可能となる。尚、バンプ含む外部取り出し電極６６の高さは耐湿性透明樹脂６１よりも低いのが好ましい。
【０２４７】
（Ａ−５）超薄型の上面発光型有機ＥＬの場合
超薄型の上面発光型有機ＥＬの場合、（Ａ−２）の超薄型の反射型ＬＣＤとほぼ同様の工程によるが、表示領域のポリＳｉ層１４の画素毎の電流駆動用ポリＳｉＴＦＴ部１５ａのドレインに接続されたＬｉ−ＡＬやＭｇ−Ａｇなどの陰極（金属電極６０ａ）上に、画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層６０ｂを被着し、その上部にＩＴＯ膜などの陽極（透明電極６０ｃ）を形成し（必要に応じて全面に陰極を形成する。）、さらに下面発光型有機ＥＬと同様に、全面を耐湿性透明樹脂６１で覆う。
その後、耐湿性透明樹脂６１とＳｉ基板１０を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、高多孔質Ｓｉ層１１ｂからＳｉ基板１０を分離し、高熱伝導性及び導電性接着剤で金属支持基板２９に貼り合わせる（図１６参照）。
このように、耐湿性透明樹脂６１による密封により、外部からの湿気浸入が防止でき、湿気に弱い有機ＥＬ発光層６０ｂの劣化や電極酸化を防止し、長寿命、高品質、高信頼性が可能となる。
尚、超薄型の上面発光型有機ＥＬでは画素表示部の反射電極下の単結晶半導体層に表示回路のみならずメモリー回路含む周辺回路の一部も形成することで集積度を高めて、高精細、高機能、高品質で安価な超薄型電気光学表示装置が実現する。
更に、バンプ含む外部取り出し電極６６の高さは耐湿性透明樹脂６１よりも低いのが好ましい。
【０２４８】
以上のように、本実施形態においては、Ｓｉ基板１０の単結晶Ｓｉ層１２ａを熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等の半導体エピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂをそれぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０２４９】
このとき、表示領域のポリＳｉ層１４表面を選択的に四族元素例えば高濃度Ｓｉイオン注入によりアモルファスＳｉ層化し、固相成長により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御したポリＳｉ層１４の表面層に、表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０２５０】
このときに、固相成長により結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉＴＦＴが得られる。
【０２５１】
あるいは、ポリＳｉ層１４のみを選択的にキセノン等のフラッシュランプを照射、あるいはパルス状または連続波レーザーを照射、例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなどを照射、あるいは集光ランプ例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して再結晶化により任意の結晶粒径に制御したポリＳｉ層１４の表面層に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０２５２】
このときに、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールにより結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉＴＦＴ表示素子が得られる。
【０２５３】
このときに、Ｓｉ基板１０に歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層１２ａを形成し、熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層をシードに歪みＳｉ層１２ｂを形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した駆動能力の高い単結晶ＳｉＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、従来に比べ高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０２５４】
更に、Ｓｉ基板１０の単結晶Ｓｉ層１２ａの上に、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより絶縁層ＳｉＯ2層１３ａとアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１４を形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａとアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１４を残し、少なくとも周辺回路領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１４を除去し、表示領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂをそれぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０２５５】
このとき、表示領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１４表面を選択的に四族元素例えば高濃度Ｓｎイオン注入し、固相成長により任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御したポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０２５６】
このときに、固相成長により結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉＴＦＴが得られる。
【０２５７】
あるいは、アモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリＳｉ混在層またはポリＳｉ層１４のみを選択的にＸｅフラッシュランプなどを照射、あるいはパルス状または連続波レーザーを照射、例えばＸｅＣｌエキシマレーザー、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの光高調波変調レーザー、可視光レーザー、赤外線レーザーなどを照射、あるいは集光ランプ例えば超高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプなどを照射して再結晶化により任意の結晶粒径に制御したポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを形成するので、任意に制御された電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板１０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０２５８】
このときに、フラッシュランプアニール、レーザーアニールあるいは集光ランプアニールの再結晶化により結晶粒径を制御したポリＳｉ層中に、Ｇｅ、錫、鉛などの四族元素の少なくとも１種の合計が適量（例えば１×１０１８〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃ）含有させると、ポリＳｉ層の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減するので、高キャリア移動度で高品質のポリＳｉＴＦＴ表示素子が得られる。
【０２５９】
（Ｂ）二重多孔質半導体層分離法
本実施形態においては、多孔質Ｓｉ層を使用した二重多孔質半導体層分離法（種子用半導体基板に形成した多孔質半導体層から種子用半導体基板を分離し、支持用半導体基板に形成した多孔質半導体層から支持用半導体基板を分離する）による超薄型電気光学表示装置の製造方法について説明する。図１７から図２５は、本発明の実施の形態における二重多孔質Ｓｉ層分離法による超薄型のＬＣＤの製造工程図である。
【０２６０】
（１）種子基板３０と支持基板３３に、陽極化成法で多孔質Ｓｉ層を形成する（図１７参照）。このとき、種子基板３０には支持基板３３の高多孔質Ｓｉ層３４ｂよりも厚目で高い多孔率の高多孔質Ｓｉ層３１ｂを形成する。
【０２６１】
[１]まず、ｐ型単結晶Ｓｉ（抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）の種子基板３０に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン１×１０19atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍ厚の高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層３１ａに相当する）を形成する。
【０２６２】
[２]この高濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０14atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約２０μｍ厚の低濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する高多孔質Ｓｉ層３１ｂに相当する）を形成する。
【０２６３】
[３]さらに、この低濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン５×１０19atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約５μｍの高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層３１ｃに相当する）を形成する。
【０２６４】
なお、ＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、テトラシラン（Ｓｉ4Ｈ10）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4)などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ法、スパッター法等でもよい。
【０２６５】
[４]その後、陽極化成法により、例えば電解液に５０％フッ化水素溶液とエチルアルコールとを２：１の体積割合で混合した混合液を用い、例えば約１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で５〜１０分間電流を流し、高濃度層に多孔率の低い低多孔質Ｓｉ層３１ａ、３１ｃ、低濃度層に多孔率の高い高多孔質Ｓｉ層３１ｂを形成する。
【０２６６】
[５]上記と同様に、ｐ型単結晶Ｓｉ（抵抗率０．０１〜０．０２Ω・ｃｍ）の支持基板３３に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン１×１０19atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍ厚の高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層３４ａに相当する）を形成する。
【０２６７】
[６]この高濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン１×１０15atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約５μｍ厚の低濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する高多孔質Ｓｉ層３４ｂに相当する）を形成する。
【０２６８】
[７]さらに、この低濃度層表面に、モノシランガス、ジボランガスなどのＣＶＤ法によりボロン３×１０19atoms／ｃｍ3程度の濃度でｐ型不純物を添加し、約１０μｍの高濃度の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層（後述する低多孔質Ｓｉ層３４ｃに相当する）を形成する。
尚、前記同様に、ＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、テトラシラン（Ｓｉ4Ｈ10）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4)などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ法、スパッター法等でもよい。
【０２６９】
[８]その後、陽極化成法により、例えば電解液に５０％フッ化水素溶液とエチルアルコールとを２：１の体積割合で混合した混合液を用い、例えば約１０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で５〜１０分間電流を流し、高濃度層に多孔率の低い低多孔質Ｓｉ層３４ａ、３４ｃ低濃度層に多孔率の高い高多孔質Ｓｉ層３４ｂを形成する。
【０２７０】
なお、このように、陽極化成法により多孔質層を形成する場合は、多孔質層を多孔率の異なる複数の層で構成することができる。例えば、上記のように、種子基板３０上に第１の低多孔質Ｓｉ層３１ａ、高多孔質Ｓｉ層３１ｂ、第２の低多孔質Ｓｉ層３１ｃを順に形成した３層構造とするほか、種子基板３０の上に高多孔質Ｓｉ層３１ｂと低多孔質Ｓｉ層３１ｃとを順に形成した２層構造としてもよい。支持基板３３についても同様に、支持基板３３上に高多孔質Ｓｉ層３４ｂと低多孔質Ｓｉ層３４ｃとを順に形成した２層構造としてもよい。
【０２７１】
このとき、高多孔質Ｓｉ層の多孔率は４０〜８０％の範囲で、低多孔質Ｓｉ層の多孔率は１０〜３０％の範囲とする。このように異なる多孔率の複数の層のそれぞれの厚みは、陽極化成時の電流密度および時間や、陽極化成時の溶液の種類または濃度を変えることで任意に調整することができる。
【０２７２】
なお、多孔質Ｓｉ層の形成後、約４００℃でドライ酸化することにより、多孔質Ｓｉの孔の内壁を１〜３ｎｍほど酸化するのが好ましい。これにより、多孔質Ｓｉが後の高温処理により構造変化を起こすのを防止することができる。
【０２７３】
また、低多孔質Ｓｉ層３１ｃ，３４ｃは、不純物濃度を高く（１×１０19atoms／ｃｍ3以上）し、かつ可能な限り多孔率を低く（１０〜３０％程度）しておくのが好ましい。これらの低多孔質Ｓｉ層３１ｃ，３４ｃの上には、後述する半導体デバイス形成のために優れた結晶性の単結晶Ｓｉ層３２，３５を形成する必要があるからである。
【０２７４】
このとき、後述する単結晶Ｓｉ層３２（図１８参照）の歪み低減のため、
多孔率  ：  低多孔質Ｓｉ層３１ｃ  ＜  低多孔質Ｓｉ層３４ｃ
膜厚    ：  低多孔質Ｓｉ層３１ｃ  ＜  低多孔質Ｓｉ層３４ｃ
とするのが好ましい。
【０２７５】
このとき、後の工程で種子基板３０を剥離しやすくするため、かつ種子基板３０の剥離時に支持基板３３が剥離しないようにするため、
多孔率  ：  高多孔質Ｓｉ層３１ｂ  ＞  高多孔質Ｓｉ層３４ｂ
膜厚    ：  高多孔質Ｓｉ層３１ｂ  ＞  高多孔質Ｓｉ層３４ｂ
とするのが好ましい。
【０２７６】
なお、陽極化成におけるＳｉの溶解反応ではフッ化水素溶液中のＳｉの陽極反応には正孔が必要であるため、基板には多孔質化しやすいＰ型Ｓｉを用いるのが望ましいが、これに限るものではない。
【０２７７】
また、種子基板３０および支持基板３３は、ＣＺ（Czochralski）法、ＭＣＺ（Magnetic Field Applied Czochralski）法やＦＺ（Floating Zone）法などで作成された単結晶Ｓｉ基板のみならず、基板表面が水素アニール処理された単結晶Ｓｉ基板、あるいはエピタキシャル単結晶Ｓｉ基板などを用いることができる。
もちろん、単結晶Ｓｉ基板に代えて単結晶ＳｉＧｅ基板、ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板等の単結晶化合物半導体基板を用いることもできる。
【０２７８】
（２）種子基板３０および支持基板３３の両基板に、それぞれ単結晶半導体層としての半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層３２，３５を形成し、少なくとも一方に絶縁層３６としてのＳｉＯ2酸化膜またはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4及びＳｉＯ2積層膜を形成する（図１７参照）。なお、ここでのポイントは、単結晶Ｓｉ層３２の厚さを単結晶Ｓｉ層３５の厚さよりも薄くすることである。
【０２７９】
まず、ＣＶＤ半導体エピタキシャル成長装置内において、水素雰囲気中１０００〜１１００℃程度でプリベークを行い、低多孔質Ｓｉ層３１ｃ，３４ｃの表面の孔を封止して表面を平坦化する。この後、１０２０℃まで降温し、シランガスを原料ガスとするＣＶＤを行い、１〜１０μｍ厚さの半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層３２、３５を形成する。
なお、前記同様に、ＣＶＤ法での単結晶Ｓｉ層形成には、水素化物原料のモノシラン（ＳｉＨ4）以外に、同じく水素化物原料のジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8）、テトラシラン（Ｓｉ4Ｈ10）や、ハロゲン化物原料のジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ3）四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4)などの原料ガスを用いることができる。また、単結晶Ｓｉ層の形成方法としては、ＣＶＤ法に限らず、ＭＢＥ法、スパッター法等でもよい。
【０２８０】
また、デバイス作製する種子基板３０の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層３２は、他方の支持基板３３の半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層３５と同等以下の膜厚とする。これは、デバイスプロセス中の高多孔質Ｓｉ層３４ｂの酸化による膨張によって、デバイス作製する半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層３２に歪みが発生するのを低減および防止するためである。
【０２８１】
また、デバイス作製する半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層３２の厚みは１〜３μｍ程度、単結晶Ｓｉ層３５の厚みは、後述のように最終的に除去するので５〜１０μｍ程度が望ましい。
【０２８２】
また、単結晶Ｓｉ層３５のＳｉＯ2酸化膜（絶縁層３６）の厚みは、２００〜３００ｎｍが望ましい。長時間熱酸化してμｍ単位程度に厚くすると、高多孔質Ｓｉ層３４ｂの熱酸化歪みの影響により単結晶Ｓｉ層３５に反り歪みが発生するためである。
【０２８３】
絶縁層３６は熱酸化の酸化シリコン膜ＳｉＯ2以外に、減圧熱ＣＶＤで単結晶Ｓｉ層３５上に窒化シリコン膜または窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜を形成して熱酸化することで、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層膜、または酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜の積層膜、例えばＳｉＯ2；２００ｎｍ、Ｓｉ3Ｎ4；５０ｎｍ及びＳｉＯ2；２００ｎｍ）としてもよい。
さらに、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）としてもよい。なお、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＭＢＥ法、蒸着法などにより、上記単層膜や多層膜の絶縁膜を形成してもよい。
【０２８４】
このように適当な膜厚の窒化系シリコン膜があることで、後の工程におけるＬＣＤ組立時や半導体デバイスプロセス中に、支持基板３３側からハロゲン元素が浸透し、単結晶Ｓｉ層３２を汚染するのを防止することができる。また、半導体デバイスプロセス中の高多孔質Ｓｉ層３４ｂの酸化による膨張によって、半導体デバイス作製するエピタシャル成長の単結晶Ｓｉ層３５に反り歪みが発生するのを低減および防止することができる。さらに、この窒化系シリコン膜は、単結晶Ｓｉ層３２、低多孔質Ｓｉ層３１ｃなどのエッチング時にエッチングストッパーとして機能するため、エッチングむらを防止することができる。
【０２８５】
更に、分離後の超薄型ＳＯＩ構造の絶縁層下の多孔質Ｓｉ層をエッチングする際にエッチングストッパーの作用もするので、エッチングムラのない超薄型ＳＯＩ構造の超薄型電気光学表示素子基板が得られる。
【０２８６】
また、ＬＣＤ組立または有機ＥＬ組立時、セット組立および市場における静電気ダメージおよび電磁波遮蔽対策として、イオン注入時またはエピタキシャル成長時に単結晶Ｓｉ層３５に任意の濃度のｎ型またはｐ型不純物を添加し、酸化膜形成時などに活性化してもよい。このように最後まで残る絶縁層３６下の単結晶Ｓｉ層３５に任意濃度のｎ型またはｐ型不純物を添加することにより、電気光学表示装置の品質および信頼性を高めることができる。
【０２８７】
（３）種子基板３０と支持基板３３を貼り合わせる（図１８参照）。
室温で種子基板３０の単結晶Ｓｉ層３２と支持基板３３の絶縁層３６の表面同士を接触させ、ファンデアワールス力により結合させる。この後、４００℃３０分間の熱処理を行って共有結合させ、貼り合せを強固にする。尚、必要に応じて前記よりも高い温度例えば１０００℃３０〜６０分の熱処理を追加してより強固な貼り合せにしてもよい。
熱処理は、窒素中、不活性ガス中、または、窒素と不活性ガスの混合ガス中で行う。このとき、双方の基板の表面に塵や汚れ付着がないことを確認する。なお、異物があった時は、剥離洗浄する。
【０２８８】
あるいは、減圧熱処理炉に重ね合わせた２枚の基板をセットし、真空引きで所定圧力（例えば１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下）に保持し、一定時間経過後に大気圧にブレークしたときの加圧で密着させ、連続して窒素中、不活性ガス中、または、窒素と不活性ガスの混合ガス中で昇温加熱して熱処理接合する連続作業をしてもよい。
また、接合面を接合に先立って室温の真空中でアルゴンなどの不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングにより、表面の塵や汚れ付着等を除去して表面に接合するための結合力を付与して表面平滑度を高めて貼り合せを強固にしてもよい。
【０２８９】
（４）高多孔質Ｓｉ層３１ｂから種子基板３０を分離する（図１９参照）。
分離方法は、（Ａ）に準ずる。
ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法またはレーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法により、高多孔質Ｓｉ層３１ｂから種子基板３０を分離する（図１９参照）。
なお、分離した種子基板３０の単結晶Ｓｉ基板は、必要に応じて表面再研磨、エッチング、水素を含む雰囲気下での熱処理等を行い、再使用することができる。
【０２９０】
この時に、図４１（ａ）、（ｂ）のように、多孔質半導体層３１ａ，３１ｂ，３１ｃを介して単結晶半導体層３２を形成した種子基板３０の直径を、多孔質層半導体層３４ａ，３４ｂ，３４ｃを介して単結晶半導体層３５を形成した支持基板３３の直径よりも若干小さくするか又は大きくするのが好ましい。
これにより、例えば図４１（ａ）種子基板直径＞支持基板直径の場合は真横方向から、図４１（ｂ）種子基板直径＜支持基板直径の場合は任意の角度の斜目上方向から高圧流体ジェット噴射を種子基板３０の高多孔質半導体層３１ｂに当てて種子基板３０を分離すると同時に、支持基板３３の高多孔質層半導体層３４ｂへの高圧流体ジェット噴射力を弱めて、支持基板３３の高多孔質層半導体層３４ｂから支持基板が分離しないようにする。
【０２９１】
また、二重多孔質半導体層分離法において、種子基板に形成する多孔質半導体層は、支持基板に形成する多孔質半導体層よりも高い多孔率である方が望ましい。更に、種子基板に形成する多孔質半導体層は、支持基板に形成する多孔質半導体層よりも厚くする方が望ましい。
これにより種子基板の分離が確実に行えるので、種子基板３０と支持基板３３の多孔質半導体層の多孔率と厚み調整を緩和でき、表示素子および周辺回路の形成プロセス中、単結晶半導体層３２が支持基板３３に形成した多孔質層半導体層３４ａ，３４ｂ，３４ｃの熱膨張の悪影響例えば反り歪を受けるのを防止することができる。
【０２９２】
そして、図４２（ａ）のように、種子基板分離した後の単結晶半導体層３２と３５、多孔質層半導体層３１ｃ、３４ａ、３４ｂ、３４ｃなどを含む支持基板３３表面の周辺部をＣ面取り化することで、周辺部の超薄型ＳＯＩ層などの欠け、クラック、割れを防止するので、歩留、品質が向上してコストダウンが実現する。更に、必要に応じてＳｉダストやマイクロクラックを除去する為に、フッ酸系エッチャントでライトエッチングしてもよい。
【０２９３】
（５）剥離残りの高多孔質Ｓｉ層３１ｂおよび低多孔質Ｓｉ層３１ｃをＨＦ＋Ｈ2Ｏ2＋Ｈ2Ｏ混合液、ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチャント又はアルカリ系エッチャントでウエットエッチングする。
尚、物理的剥離である高圧流体ジェット噴射剥離法の場合は多孔質Ｓｉ層剥離残りしやすいので前記ウエットエッチングが必要であるが、レーザー加工剥離法或いはレーザーウオータージェット加工剥離法の場合は局部的加熱溶融による剥離なので、前記多孔質Ｓｉ層の剥離残りが発生しにくく必ずしもウエットエッチングは必要ではなく、水素アニール処理によるドライエッチングのみでもよい。
【０２９４】
この後に、水素アニール処理により単結晶Ｓｉ層３２をドライエッチングし、所望の厚みと高平坦性の、例えば１μｍ厚の単結晶Ｓｉ層３２の超薄型ＳＯＩ構造を形成する。水素アニールは、１０５０℃で０．００１３ｎｍ／ｍｉｎ、１１００℃で０．００２２ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度で行う。
尚、必要に応じて、水素アニール処理した単結晶Ｓｉ層３２をシードにＳｉエピタキシャル成長により、さらに高結晶性の任意厚みの単結晶Ｓｉ層を積層形成してもよい。
図２０はエッチング後の状態であって、（ａ）は絶縁層３６としてＳｉＯ2層３６ａを形成した場合の例を、（ｂ）は絶縁層３６としてＳｉＯ2層３６ａ、Ｓｉ3Ｎ4層３６ｂ及びＳｉＯ2層３６ａを形成した場合の例をそれぞれ示している。
【０２９５】
（６）単結晶Ｓｉ層３２を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａ１００〜２００ｎｍ厚を形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａをエッチングにより除去する。そして、ＣＶＤ法等の半導体エピタキシャル成長により表示領域に５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に５０〜１００ｎｍ厚の単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成する（図２１（ａ）参照）。このときの各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０２９６】
必要に応じて、固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０２９７】
このとき、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層３２の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層３６ａを露出させ、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層３２は残す。そして、ＣＶＤ法等の半導体エピタキシャル成長により表示領域の絶縁層上に５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層３２に５０〜１００ｎｍ厚の単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成してもよい（図２１（ｂ）参照）。
【０２９８】
そして、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニールまたはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０２９９】
あるいは、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１４のＴＦＴ部下に遮光膜３７形成し、固相成長法またはフラッシュランプアニールまたはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３００】
このとき、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層３２の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層３６ａを露出させ、表示領域内の画素表示用ポリＳｉＴＦＴ領域に、ＣＶＤとエッチングによりＷＳｉ2（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ2（チタンシリサイド）、ＭｏＳｉ2（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドなどの遮光性金属層３７を形成し、その上を絶縁層で覆い、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層３２表面の絶縁層は除去する。
【０３０１】
そして、ＣＶＤ法の半導体エピタキシャル成長により表示領域の絶縁層のＳｉＯ2層３６ａ上に５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層３２に５０〜１００ｎｍ厚の単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成してもよい（図２１（ｃ）参照）。
【０３０２】
そして、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニールまたはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３０３】
このときに、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介して歪み印加半導体層、例えばＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層３２を形成し、貼り合せ及び種子基板分離後に熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域にＳｉＧｅ層３２をシードに歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０３０４】
また、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介して歪み印加半導体層、例えばＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層３２を形成し、貼り合せ及び種子基板分離後に表示領域のＳｉＧｅ層３２をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層３６ａを露出させ、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域にＳｉＧｅ層３２をシードに歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０３０５】
更に、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介して歪み印加半導体層、例えばＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層３２を形成し、貼り合せ及び種子基板分離後に表示領域のＳｉＧｅ層３２をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層３６ａを露出させ、表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、その上に絶縁層を形成し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域にＳｉＧｅ層３２をシードに歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０３０６】
この時に、このＧｅ組成比は大きい方が良く、０．２を大きく下回る場合はＭＯＳＴＦＴの移動度の顕著な向上は期待できず、また、０．５を大きく超える場合はＳｉＧｅ層表面凹凸の増加や膜質低下等の問題があり、０．３程度が好ましい。
また、Ｇｅ濃度はＳｉＧｅ層の中で徐徐に増加させ、表面で所望濃度となる傾斜組成とし、この傾斜組成のＳｉＧｅ層３２上に歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成することが好ましい。
【０３０７】
尚、上記は表示領域にポリＳｉ層を形成してポリＳｉＴＦＴ部を作製する実施例を示したが、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによりアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層を形成してアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部を作製してもよい。
【０３０８】
また、（Ａ）と同様に、このアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４にＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の四族元素の少なくとも１種を適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で前記の固相成長、フラッシュランプアニール、パルス状または連続波レーザーアニール、集光ランプアニールなどで再結晶化させたポリＳｉ膜にポリＳｉＴＦＴ部を作製してもよい。
これにより、ポリＳｉ膜の結晶粒界（グレインバウンダリー）に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。
【０３０９】
ところで、この四族元素はイオン注入又はイオンドーピングによりアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層中に含有させることが出来る。
また、ＣＶＤなどでのＳｉエピタキシャル成長、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤでの成膜時に、原料ガス中にガス成分として混合してアモルファスＳｉまたはまたはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層、更には単結晶Ｓｉ膜中に四族元素、例えばＧｅ、Ｓｎなどを任意の濃度で含有させてもよい。
【０３１０】
更に、四族元素、例えばＧｅ、Ｓｎを任意の濃度含有するＳｉターゲットをスパッタリングすることで、任意の四族元素濃度を含有するアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層を形成してもよい。
【０３１１】
（７）汎用技術によりポリＳｉ層１４の例えば５０〜１００ｎｍ厚の任意の結晶粒径を制御した表面層に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａ（図２２（ａ）参照）、配線等を、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ（図２２（ｂ）参照）、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製して超薄型のＴＦＴ基板層を作製する。なお、単結晶Ｓｉ層１２ｂは、単結晶Ｓｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、周辺駆動回路のみならず映像信号処理回路、画質補正回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路などを取り込んでもよい。
条件は（Ａ）に準ずる。
【０３１２】
また、同時に、超薄型のＴＦＴ基板層の周辺回路に接続する外部取り出し電極（半田バンプ含む）を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢへのマウントを行うのが好ましい。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等については図示を省略している。
【０３１３】
なお、プロジェクタ用などの強い入射光の裏面反射光によるＴＦＴリーク電流対策として、ポリＳｉＴＦＴ部またはアモルファスＳｉＴＦＴ部１５ａの下に、例えば２００〜３００ｎｍ厚のＷＳｉ2（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ2（チタンシリサイド）、ＭｏＳｉ2（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドの遮光用金属層３７をＣＶＤ等で形成してパターニングした場合の表示領域を図２３（ａ）、周辺回路領域を図２３（ｂ）にそれぞれ示す。
【０３１４】
また、この段階で、後に各超薄型電気光学表示装置の１パネルに分割する際の分割線、すなわちスクライブライン内の分割境界線に沿って、単結晶Ｓｉ層１２ｂから少なくとも高多孔質Ｓｉ層３４ｂまで溝６２を形成しておくことが好ましい。溝６２を形成しておくことによって、後述の超薄型ＴＦＴ基板層が予めスクライブライン内で分割されるため、Ｓｉ基板１０からの分離を容易に行うことが可能であるとともに、後述するの工程の分割を容易に行うことが可能となる。
溝６２は、ドライエッチング（ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃｌ+Ｏ2、ＨＢr＋Ｏ2などでのプラズマエッチング、逆スパッタエッチングなど）、ウエットエッチング（ＨＦ+Ｈ2Ｏ2+Ｈ2Ｏ混合液，ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチャント、アルカリ系エッチャントなど）や機械的加工（ブレードダイシング、ダイアモンドカッター、超硬合金カッター、超音波カッターなどによる切り溝）等により、任意の幅で単結晶Ｓｉ層１２ｂから少なくとも高多孔質Ｓｉ層３４ｂまで形成することが好ましい。
そして、画素開口部に埋め込む透明樹脂１６が溝内にも埋め込まれ、分離時の絶縁層及び単結晶Ｓｉ層１２ｂのチッピング、クラック、割れ等を低減することができる。
【０３１５】
（８）表示領域の画素開口部のポリＳｉ層１４をエッチングにより除去する。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３１６】
（９）ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法などにより、５０〜２００ｎｍ厚の透明絶縁膜（例えばＳｉＯ2層１３ｂ、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯＮなど）および１００〜３００ｎｍ厚の金属膜１７をそれぞれ順に形成し、ポリＳｉ層１４上のポリＳｉＴＦＴ部１５ａの接続部（ドレイン、ソース、ゲートなど）および画素開口部底の金属膜１７をエッチングし、画素開口部内に透明樹脂１６などを埋め込み、ＣＭＰなどにより表面平坦化する（図２４参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３１７】
（１０）表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１５ａドレイン上の透明樹脂に窓開けを行い、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの画素電極としての透明電極１８ａなどを形成することにより超薄型ＴＦＴ基板層を形成する（図２４（ａ）参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３１８】
なお、プロジェクタ用などの強い入射光によるＴＦＴリーク電流対策として、ポリＳｉＴＦＴ部またはアモルファスＳｉＴＦＴ部１５ａの下に遮光性金属層３７を形成した場合の表示領域を、図２４（ｂ）に示す。このように、表示領域のポリＳｉＴＦＴ部またはアモルファスＳｉＴＦＴ部１５ａ上部および下部、画素開口部側部を遮光用金属層３７および金属膜１７で覆うことで漏れ光を完全に遮蔽することが好ましい。
【０３１９】
（１１）支持基板３３および対向基板２１にそれぞれ配向膜２０ａ，２０ｂを形成し、配向処理して、いずれかの一方にシール剤及びコモン剤（図示せず）塗布し、所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする（図２５参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３２０】
（１２）支持基板３３と対向基板２１上を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、ウオータージェット、エアージェット、ウオーターエアージェットなどの高圧流体ジェット噴射剥離法またはレーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法などにより、高多孔質Ｓｉ層３４ｂから支持基板３３を分離する（図２５参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３２１】
（１３）分離した面の低多孔質Ｓｉ層３４ｃ、単結晶Ｓｉ層３５、ＳｉＯ2層３６ａ、単結晶Ｓｉ層３２等をエッチングし、ＳｉＯ2層１３ａ、ＳｉＯ2層１３ｂを介して表示領域の透明樹脂１６を露出させる。条件は、（Ａ）に準ずる。
尚、図２１（ｂ）、（ｃ）の場合は、ＳｉＯ2層３６ａ、単結晶Ｓｉ層３２をエッチングする必要はない。
【０３２２】
また、これ以降の工程については、（Ａ）に準ずる。
【０３２３】
なお、超薄型の反射型ＬＣＤを製造する場合、上記（１）〜（７）までの工程（図１７〜図２３）については同じである。その後、（Ａ−２）と同様に、周辺回路領域に配線層２７を形成し、保護膜２８を形成後、表示領域のＴＦＴのドレインに接続したアルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金などの高反射率の反射電極１９ａを形成する（図２６参照）。
【０３２４】
反射電極１９ａは、直視用の反射型ＬＣＤの場合は適度な光の散乱効果を与え表示の見易さを改善するためにこの電極に適当な凹凸形状を設けておくが、プロジェクタ用の反射型ＬＣＤの場合は高平坦性の電極形状とするのが好ましい。
【０３２５】
そして、配向膜２０ａを形成してシール剤及びコモン剤（図示せず）塗布し、さらに透明電極１８ｂおよび配向膜２０ｂを形成した対向基板２１を所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする（図２６参照）。
その後の工程については（Ａ−２）と同様である。
【０３２６】
尚、超薄型の半透過型ＬＣＤを製造する場合、（１）〜（７）までの工程（図１７〜図２３）については透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程についてはそれぞれ（Ａ−３）と同様である。
【０３２７】
また、超薄型の下面発光型有機ＥＬおよび超薄型の上面発光型有機ＥＬについても、（１）〜（７）までの工程（図１７〜図２３）については超薄型透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程については、それぞれ（Ａ−４）、（Ａ−５）と同様である。
【０３２８】
以上のように、本実施形態における二重多孔質Ｓｉ層分離法では、支持基板３３の単結晶Ｓｉ層３２を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板３３上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３２９】
あるいは、本実施形態における別の二重多孔質Ｓｉ層分離法では、支持基板３３の単結晶Ｓｉ層３２の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層３６ａの絶縁層を露出させ、半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板３３上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３３０】
あるいは、本実施形態におけるさらに別の二重多孔質Ｓｉ層分離法では、支持基板３３の単結晶Ｓｉ層３２の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層３６ａの絶縁層を露出させ、表示領域のＳｉＯ2層３６ａのポリＳｉＴＦＴ形成領域にＣＶＤとエッチングにより遮光用金属層を形成し、その上に絶縁層を形成し、半導体エピタキシャル成長により表示領域に絶縁層を介してポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光用金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板３３上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３３１】
以上の表示領域のポリＳｉ層１４にＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の四族元素の少なくとも１種を選択的にイオン注入あるいはイオンドーピングなどで適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で選択的な固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状または連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径を制御したポリＳｉ膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、そのポリＳｉ膜の結晶粒界（グレインバウンダリー）に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。そして、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子が得られる。
【０３３２】
さらに、半導体エピタキシャル成長によりＳｎ、Ｇｅ、Ｐｂなどの四族元素の少なくとも１種を含有するポリＳｉ層を前記表示領域に形成し、選択的に固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状又は連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径を制御したポリＳｉ層のポリＳｉＴＦＴ表示素子部とすると、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。そして、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子が得られる。
【０３３３】
あるいは、本実施形態における二重多孔質Ｓｉ層分離法では、支持基板３３の単結晶Ｓｉ層３２を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによりアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜またはポリＳｉ膜１４を形成し、周辺回路領域のアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜またはポリＳｉ膜１４とＳｉＯ2層１３ａをエッチングして単結晶Ｓｉ膜を露出させ、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜またはポリＳｉ層１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板３３上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３３４】
あるいは、本実施形態における別の二重多孔質Ｓｉ層分離法では、支持基板３３の単結晶Ｓｉ層３２の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層３６ａの絶縁層を露出させ、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより絶縁層とアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜またはポリＳｉ層１４形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層またはアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、アモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜またはポリＳｉ層１４とＳｉＯ2層の絶縁層をエッチングした単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板３３上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３３５】
あるいは、本実施形態におけるさらに別の二重多孔質Ｓｉ層分離法では、支持基板３３の単結晶Ｓｉ層３２の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層３６ａの絶縁層を露出させ、表示領域のＳｉＯ2層３６ａの画素表示素子形成領域にＣＶＤとエッチングにより遮光用金属層を形成し、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより全面に絶縁層とアモルファスＳｉ膜またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ膜またはポリＳｉ層１４を形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層またはアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、絶縁層とアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４をエッチングした単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光用金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板３３上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３３６】
以上の表示領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４に、Ｇｅ（ゲルマニウム）、錫、鉛等の四族元素の少なくとも１種を選択的にイオン注入あるいはイオンドーピングにより適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で前記の選択的な固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状または連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法により任意の結晶粒径を制御したポリＳｉ膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。そして任意に制御された電子・正孔移動度で且つ低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。
【０３３７】
さらに、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着により錫、ゲルマニウム、鉛などの四族元素の少なくとも１種を含有するアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４を前記表示領域に形成し、且つ選択的な固相成長法、フラッシュランプアニール法、レーザーアニール法、集光ランプアニール法により任意の結晶粒径を制御したポリＳｉ層のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴが得られ易くなる。そして任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶半導体ＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上に形成することができる。
【０３３８】
ところで、上記の本実施形態における二重多孔質Ｓｉ層分離法では、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介して歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層３２を形成し、貼り合せ及び種子基板分離後に熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層３２をシードに歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成してもよい。
また、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介して歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０％のＳｉＧｅ層３２を形成し、貼り合せ及び種子基板分離後に表示領域のＳｉＧｅ層３２をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層３６ａを露出させ、ＣＶＤ等の半導体エピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層３２をシードにに歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成してもよい。
更に、種子基板に多孔質Ｓｉ層を介して歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０％のＳｉＧｅ層３２を形成し、貼り合せ及び種子基板分離後に表示領域のＳｉＧｅ層３２をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層３６ａを露出させ、表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、その上に絶縁層を形成し、ＣＶＤ等の半導体エピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層３２をシードに歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成してもよい。
これにより、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した駆動能力の高い単結晶ＳｉＭＯＳＴＦＴ周辺回路が実現するので、従来に比べ高性能、高精細、高品質の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３３９】
（Ｃ）イオン注入層分離法
本実施形態においては、イオン注入層を使用したイオン注入層分離法による超薄型電気光学表示装置の製造方法について説明する。図２７から図３０は、本発明の実施の形態における水素イオン注入層分離法による超薄型のＬＣＤの製造工程図である。
【０３４０】
（１）単結晶Ｓｉからなる支持基板４０を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａをエッチングにより除去する。そして、ＣＶＤなどの半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成する（図２７参照）。このときの各条件は、（Ａ）に準ずる。
このときに、支持基板４０の表面にＣＶＤ等の半導体エピタキシャル成長により、歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層を形成し、熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａをエッチングにより除去し、ＣＶＤなどの半導体エピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域にＳｉＧｅ層の歪み印加半導体層をシードに歪みチャネル層の歪みＳｉ層１２ｂをそれぞれ形成するしてもよい。
【０３４１】
なお、必要に応じてフラッシュランプアニールまたは固相成長法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３４２】
なお、支持基板４０としては、ＣＺ（Czochralski）法、ＭＣＺ（Magnetic Field Applied Czochralski）法やＦＺ（Floating Zone）法などで作成された単結晶Ｓｉ基板のみならず、基板表面が水素アニール処理された単結晶Ｓｉ基板、あるいはエピタキシャル単結晶Ｓｉ基板などを用いることができる。もちろん、単結晶Ｓｉ基板に代えて単結晶ＳｉＧｅ基板、更にはＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板やＩｎＰ基板等の単結晶化合物半導体基板を用いることもできる。
【０３４３】
（２）汎用技術によりポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａ（図２８（ａ）参照）、配線等を、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ（図２８（ｂ）参照）等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製する。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３４４】
なお、単結晶Ｓｉ層１２ｂは、Ｓｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、周辺駆動回路のみならず映像信号処理回路、画質補正回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路などを取り込んでもよい。条件は、（Ａ）に準ずる。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等については図示を省略している。
【０３４５】
（３）全面に水素イオン注入層４１を形成する。なお、水素イオンは、約１０００ｋｅＶ，５×１０16〜１×１０17atoms／ｃｍ2のドーズ量で、深さ約１０μｍに注入する。
この時に、単結晶Ｓｉ基板内の高濃度の水素イオン注入層４１を均一化する為に、且つ高濃度の水素イオン離脱防止のために、５００℃以上のプロセス工程以降に高濃度の水素イオン注入層４１を形成する。
また、電極、配線などは水素イオン注入深さバラツキの原因となりので、これらは水素イオン注入工程以降の剥離アニール前または後に形成するのが好ましい。
【０３４６】
（４）剥離用アニール処理を行う。
剥離用アニールは、４００〜６００℃、１０〜２０分間の熱処理、または急加熱急冷却のＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal；ラピッドサーマルアニール、例えばハロゲンランプ８００℃数秒、Ｘｅフラッシュランプアニール１０００℃数ミリ秒、炭酸ガス等のレーザーアブレーションなどの熱処理により行う。
これにより、イオン注入した水素が膨張し、微小気泡内の圧力作用および結晶再配列作用により水素イオン注入層４１に歪み層４１ａ（図２９参照）が発生する。このとき、支持基板４０上には酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等のデバイス構成膜が存在するが、これらを貫通して絶縁膜下に水素イオン注入層を形成し、熱処理により歪みを発生させる。
但し、剥離アニール前の電極及び配線形成の場合は、流体冷却した支持治具によりＵＶテープを介して超薄型ＴＦＴ基板層側を冷却しながら、支持基板（単結晶Ｓｉ基板４０）の裏面より急加熱急冷却のＲＴＡでの剥離アニールするのが好ましい。
あるいは、剥離アニール無しで、流体冷却した支持治具によりＵＶテープを介して超薄型ＴＦＴ基板層側を冷却しながらの水素イオン注入層４１のレーザー加工剥離法またはレーザーウオータージェット加工剥離法が好ましい。
【０３４７】
また、この段階で、後に各超薄型電気光学表示装置の１パネルに分割する際の分割線、すなわちスクライブライン内の分割境界線に沿って、単結晶Ｓｉ層１４から少なくとも水素イオン注入層の歪部４１aまで溝６２を形成しておくことが好ましい。溝６２を形成しておくことによって、後述の超薄型ＴＦＴ基板層が予めスクライブライン内で分割されるため、支持（Ｓｉ）基板４０からの分離を容易に行うことが可能であるとともに、後述するの工程での分割を容易に行うことが可能となる。
溝６２は、ドライエッチング（ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃｌ+Ｏ2、ＨＢr＋Ｏ2などでのプラズマエッチング、逆スパッタエッチングなど）、ウエットエッチング（ＨＦ+Ｈ2Ｏ2+Ｈ2Ｏ混合液，ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチャント、アルカリ系エッチャントなど）や機械的加工（ブレードダイシング、ダイアモンドカッター、超硬合金カッター、超音波カッターなどによる切り溝）等により、少なくとも水素イオン注入層の歪部４１aまで形成するのがよい。
そして、画素開口部に埋め込む透明樹脂１６が溝内にも埋め込まれ、分離時の絶縁層及び単結晶Ｓｉ層１２ｂ等のチッピング、クラック、割れ等を低減することができる。
【０３４８】
（５）表示領域の画素開口部のポリＳｉ層１４をエッチングにより除去する。条件は（Ａ）に準ずる。
【０３４９】
（６）ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法などにより、５０〜２００ｎｍ厚の透明絶縁膜（例えばＳｉＯ2層１３ｂ、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯＮなど）および１００〜３００ｎｍ厚の低反射の金属膜１７をそれぞれ順に形成し、ポリＳｉ層１４上のポリＳｉＴＦＴ部１５ａの接続部（ドレイン、ソース、ゲートなど）および画素開口部底の金属膜１７をエッチングし、画素開口部内に透明樹脂１６などを埋め込み、ＣＭＰなどにより表面平坦化する。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３５０】
（７）表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１５ａドレイン上の透明樹脂１６に窓開けを行い、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの画素電極としての透明電極１８ａなどを形成することにより超薄型ＴＦＴ基板層を形成する（図２９参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。   同時に、超薄型電気光学表示素子基板層の周辺回路内の配線及び外部取り出し電極（半田バンプ含む）を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢへのマウントを行うのが好ましい。
【０３５１】
（８）支持基板４０および対向基板２１にそれぞれ配向膜２０ａ，２０ｂを形成して配向処理し、いずれか一方にシール剤及びコモン剤（図示せず）塗布し、所定の液晶ギャップ例えば２μｍで重ね合わせてシールする。（図３０参照）。条件は（Ａ）に準ずる。
【０３５２】
（９）支持基板４０と対向基板２１上を少なくとも糊残りのない帯電防止のＵＶテープ２３などで覆い、引張り剥離などにより、水素イオン注入層４１の歪み層４１ａから支持基板４０を分離する（図３０参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
なお、上記では剥離アニール後に引張り剥離したが、支持基板４０と対向基板２１の重ね合わせてシールした後、高圧流体ジェット噴射剥離してもよい。
更に、レーザー加工剥離法あるいはレーザーウオータージェット加工剥離法によって水素イオン注入層４１を局部的加熱し、歪発生させて剥離してもよい。条件は（Ａ）に準ずる。
つまり、必要に応じて流体冷却した支持治具によりＵＶテープを介して対向基板２１側を冷却しながら、レーザー加工剥離法の局部的加熱によりイオン注入した高濃度水素を熱膨張させ、微小気泡内の圧力作用および結晶再配列作用により水素イオン注入層４１に歪み層４１ａを発生させることにより支持基板を分離してもよい。
尚、レーザーウオータージェット加工剥離法では冷却作用の水をレーザーと同時に照射するので、必ずしも流体冷却した支持治具は必要ではない。
【０３５３】
（１０）分離した面の水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）４１をエッチングし、ＳｉＯ2層１３ａ、ＳｉＯ2層１３ｂを介して表示領域の画素開口部に埋め込まれた透明樹脂１６を露出させる。条件は（Ａ）に準ずる。
【０３５４】
これ以降の工程については、（Ａ）に準ずる。
【０３５５】
なお、反射型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、下面発光型有機ＥＬおよび上面発光型有機ＥＬを製造する場合、（１）〜（４）までの工程（図２７，図２８）については透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程については、それぞれ（Ａ−２）、（Ａ−３）、（Ａ−４）および（Ａ−５）と同様である。
【０３５６】
なお、本実施形態においては、分離用に水素イオンを注入しているが、これ以外に窒素、ヘリウムなどの希ガスなどを用いることも可能である。
尚、例えば水素イオン注入の場合は、水素イオンビームを質量分離、走査するイオン注入装置（従来のボロン、燐などの不純物をＳｉ基板に注入するイオン注入装置と同じ）以外に、プラズマ生成手段によって水素を含むプラズマ発生させ、このプラズマから水素負イオンビームを引き出し、この水素負イオンを所定の深さに注入する水素負イオンビーム注入装置でもよい。
【０３５７】
以上のように、本実施形態におけるイオン注入層分離法では、単結晶Ｓｉからなる支持基板４０の表面を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、Ｓｉエピタキシャル成長により、表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じて固相成長法、フラッシュランプアニール法、レーザーアニール法、集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御した表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１３ａに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂをそれぞれ形成するので、任意に制御した低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３５８】
更に、表示領域のポリＳｉ層１４に、必要に応じてＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、且つこの状態で固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状または連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法などで任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）に制御したポリＳｉ膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、ポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴの表示部が得られ易くなる。そして任意に制御された電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３５９】
更に、Ｓｉ基板１０の単結晶Ｓｉ層１２ａの上に、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより絶縁層ＳｉＯ2層１３ａとアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４を形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａとアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４を残し、少なくとも周辺回路領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４を除去し、表示領域に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂをそれぞれ形成するので、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３６０】
以上の表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１４に、必要に応じてＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、且つこの状態で固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状または連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法などで再結晶化させたポリＳｉ膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、例えばポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴの表示部が得られ易くなる。
そして、比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一Ｓｉ基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の電気光学表示装置を得ることができる。
【０３６１】
ところで、上記の本実施形態におけるイオン注入層分離法では、単結晶Ｓｉからなる支持基板４０の表面に、歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層を形成し、熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域にＳｉＧｅ層の歪み印加半導体層をシードに歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成してもよい。
これにより、歪みチャネル半導体層に歪みをかけるとそのバンド構造が変化し、その結果、縮退が解けて電子散乱が抑制され、更に電子移動度を高めることが出来るので、例えば無歪みチャンネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な高い電子移動度が実現し、高い電子・正孔移動度で高い駆動能力を有するＭＯＳＴＦＴの表示部及び周辺回路からなる高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が可能となる。
【０３６２】
（Ｄ）二重イオン注入層分離法
本実施形態においては、イオン注入層を使用した二重イオン注入層分離法（種子用半導体基板に形成したイオン注入層から種子用半導体基板を分離し、支持用半導体基板に形成したイオン注入層から支持用半導体基板を分離する）による超薄型電気光学表示装置の製造方法について説明する。図３１から図３６は、本発明の実施の形態における二重水素イオン注入層剥離法による超薄型のＬＣＤの製造工程図である。
【０３６３】
（１）単結晶Ｓｉからなる例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚の種子基板４３に水素イオンを高濃度注入し、水素イオン注入層４４を形成する。なお、水素イオンは、約３００ｋｅＶ，５×１０16〜１×１０17atoms／cm2のドーズ量で、深さ約３μｍに注入する（図３１参照）。
【０３６４】
このときに、剥離した水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）４４が歪み印加半導体層となるように、単結晶Ｓｉ基板４３の表面にＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により歪み印加半導体層としてＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層の単結晶Ｓｉ層４４を形成してもよい。そして、この厚み（深さ）に前記の水素イオンを高濃度注入し、水素イオン注入層４４としてもよい。
【０３６５】
このとき、ＳｉＧｅ層中の水素イオン注入層の歪み層４４ａでＧｅ濃度が所望濃度となる傾斜組成とすることで、種子基板分離後の歪み印加半導体層である単結晶Ｓｉ層４４表面のＧｅ濃度が所望濃度となるように設定し、この傾斜組成のＳｉＧｅ層の歪み印加半導体層である単結晶Ｓｉ層４４をシードにＳｉエピタキシャル成長により歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成することが好ましい。
つまり、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層４４は絶縁層４２に接した部分から傾斜組成してＧｅ濃度が徐徐に増加して表面濃度が例えばＧｅ濃度２０〜３０％となるようにすることが好ましい。
あるいは、単結晶Ｓｉ基板そのものをＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅからなる単結晶Ｓｉ基板４３としてもよい。
【０３６６】
（２）単結晶Ｓｉからなる例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚の支持基板４０を熱酸化してＳｉＯ2層またはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4及びＳｉＯ2積層膜からなる絶縁層４２を形成する（図３１参照）。
絶縁膜４２は熱酸化の酸化シリコン膜ＳｉＯ2以外に、減圧熱ＣＶＤで単結晶Ｓｉ層４０上に窒化シリコン膜または窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜を形成して熱酸化することで、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜の積層膜、または酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜の積層膜（例えばＳｉＯ2；２００ｎｍ、Ｓｉ3Ｎ4；５０ｎｍ及びＳｉＯ2；２００ｎｍ）としてもよい。
さらに、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）としてもよい。なお、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、ＭＢＥ法、蒸着法などにより、上記単層膜や多層膜の絶縁膜を形成してもよい。
【０３６７】
（３）種子基板４３と支持基板４０を貼り合わせる。
支持基板４０と種子基板４３を洗浄後、室温で種子基板４３の水素イオン注入層４４と支持基板４０の絶縁層４２の表面同士を接触させ、ファンデルワールス力により結合させる。この後、４００℃，３０分間の熱処理を行って共有結合させ、貼り合わせを強固なものにする。この時の熱処理は水素イオン離脱温度以下の処理温度および処理時間に設定することが必要であり，熱処理は処理温度および処理時間を除いて、（Ｂ）で説明したのと同様である。
また、接合面を接合に先立って室温の真空中でアルゴンなどの不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングにより、表面の塵や汚れ付着等を除去して表面に接合するための結合力を付与して表面平滑度を高めて貼り合せを強固にしてもよい。
【０３６８】
（４）剥離用アニールにより、イオン注入した高濃度水素を熱膨張させ、微小気泡内の圧力小および結晶再配列作用により水素イオン注入層４４に歪み層４４ａを発生させ、種子基板４３および支持基板４０の両基板にＵＶテープ２３を貼り合わせ、引っ張り剥離或いは高圧流体ジェット噴射剥離する（図３２参照）。剥離用アニールは、（Ｃ）に準ずる。
その後、ＵＶ照射硬化して、支持基板４０および種子基板４３からＵＶテープ２３を剥離する。あるいは剥離用アニールせずに、水素イオン注入層４４をレーザー加工剥離あるいはレーザーウオータージェット加工剥離することで分離してもよい。
【０３６９】
この後に、図４２（ｂ）のように種子基板分離した後に、単結晶Ｓｉ層（水素イオン注入層）４４、熱酸化膜ＳｉＯ2４２及び支持基板表面の周辺部をＣ面取り化することで、周辺部の超薄型ＳＯＩ層などの欠け、クラック、割れを防止するので、歩留、品質が向上してコストダウンが実現する。更に、必要に応じてＳｉダストやマイクロクラックを除去する為に、フッ酸系エッチャントでライトエッチングしてもよい。
【０３７０】
なお、分離した種子基板４３の単結晶Ｓｉ基板は、必要に応じて表面再研磨、エッチング、水素を含む雰囲気下での熱処理等を行い、再使用することができる。
【０３７１】
（５）剥離した水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）４４の表面を必要に応じてフッ酸系エッチャントで単結晶Ｓｉ層４４表面の一部をエッチングし、更に水素アニール処理によりエッチングし、所望の厚みと高平坦性の、例えば１μｍの単結晶Ｓｉ層４４の超薄型ＳＯＩ構造を形成する。水素アニールは、１０５０℃で０．００１３ｎｍ／ｍｉｎ、１１００℃で０．００２２ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度で行う。
【０３７２】
（６）単結晶Ｓｉ層４４を熱酸化して１００〜２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａをエッチングにより除去する。そして、ＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により表示領域に５０〜１００ｎｍのポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に５０〜１００ｎｍの単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成する（図３３参照）。このときの各条件は（Ａ）に準ずる。
【０３７３】
このときに、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層としての単結晶Ｓｉ層４４を形成し、この歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層をシードにＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層１２ｂに比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路が実現する。
【０３７４】
必要に応じて固相成長法、フラッシュランプアニール法、レーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３７５】
このとき、（Ｂ）の図２１（ｂ）と同様に、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層４４の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層１３ａを露出させ、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層４４は残す。そして、ＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により表示領域の絶縁層上に５０〜１００ｎｍのポリＳｉ層１４を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層４４上に５０〜１００ｎｍの単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成してもよい。
【０３７６】
このときも、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層としての単結晶Ｓｉ層４４を形成し、この歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層をシードにＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層１２ｂに比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路が実現する。
【０３７７】
そして、必要に応じて固相成長法、フラッシュランプアニール法、レーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３７８】
あるいは、（Ｂ）の図２１（ｃ）と同様のに、必要に応じて液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層４４の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層１３ａを露出させ、表示領域内の画素表示用ポリＳｉＴＦＴ領域に、ＣＶＤとエッチングによりＷＳｉ2（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ2（チタンシリサイド）、ＭｏＳｉ2（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドなどの遮光性金属層３７を形成し、その上を絶縁層で覆い、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層４４表面の絶縁層は除去する。
【０３７９】
そして、ＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により表示領域の絶縁層のＳｉＯ2層１３ａ上に５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層４４に５０〜１００ｎｍ厚の単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成してもよい。そして、必要に応じて固相成長法、フラッシュランプアニール法、レーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３８０】
このときも、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層としての単結晶Ｓｉ層４４を形成し、この歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層をシードにＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成すると、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層１２ｂに比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路が実現する。
【０３８１】
（７）汎用技術によりポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａ（図３４（ａ）参照）、配線等を、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ（図３４（ｂ）参照）、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等の半導体素子および半導体集積回路のいずれかまたは両方をそれぞれ作製する。条件は、（Ａ）に準ずる。なお、ダイオード、抵抗、キャパシタ、コイルや配線等については図示を省略している。
【０３８２】
なお、単結晶Ｓｉ層１２ｂは、単結晶Ｓｉ基板同様の高い電子・正孔移動度を有するので、周辺駆動回路のみならず映像信号処理回路、画質補正回路、メモリ回路、ＣＰＵ（Central Processing Unit）回路やＤＳＰ（Digital Signal Processor）回路などを取り込んでもよい。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３８３】
（８）表面から深さ３〜５μｍに高濃度の水素イオンを注入して水素イオン注入層４５を形成し、剥離用アニール処理して歪み層４５ａ（図３４（ａ），（ｂ）参照）を発生させる。水素イオン注入は、３００〜５００ｋｅＶ，５×１０16〜１×１０17atoms／ｃｍ2で行う。剥離用アニールは、上記（４）に準ずる。
この時に、上記（Ｃ）同様に単結晶Ｓｉ基板内の高濃度の水素イオン注入層４５を均一化する為に、且つ高濃度の水素イオン離脱防止のために、５００℃以上のプロセス工程以降に高濃度の水素イオン注入層４５ａを形成する。
また、電極、配線などは水素イオン注入深さバラツキの原因となりので、これらは水素イオン注入工程以降の剥離アニール前または後に形成するのが好ましい。
但し、剥離アニール前の電極及び配線形成の場合は、流体冷却した支持治具によりＵＶテープを介して超薄型ＴＦＴ基板層側を冷却しながら、支持基板（単結晶Ｓｉ基板４０）の裏面より急加熱急冷却のＲＴＡでの剥離アニールが好ましい。
【０３８４】
このとき、支持基板４０上にはＳｉＯ2層１３ａ、ポリＳｉ層１４等のＳｉ系デバイス構成層が存在するが、これらを貫通して絶縁層４２下に水素イオン注入層４５を形成し、熱処理により歪み４５ａを発生させる。また、剥離用アニールは急加熱急冷却のＲＴＡが好ましいが、特にＸｅフラッシュランプアニール法の極めて短時間（例えば７００℃１０ミリ秒）により行えば、デバイス特性などに悪影響を与えることなく歪みを発生させることができる。
【０３８５】
なお、剥離用アニールせずに、流体冷却した支持治具によりＵＶテープを介して超薄型ＴＦＴ基板層側を冷却しながら、水素イオン注入層４５をレーザー加工剥離あるいはレーザーウオータージェット加工剥離することで分離してもよい。
【０３８６】
また、この段階で、後に各超薄型電気光学表示装置の１パネルに分割する際の分割線、すなわちスクライブライン内の分割境界線に沿って、単結晶Ｓｉ層１２ｂから少なくとも水素イオン注入層の歪部４５aまで溝６２を形成しておくことが好ましい。溝６２を形成しておくことによって、後述の超薄型ＴＦＴ基板層が予めスクライブライン内で分割されるため、支持（Ｓｉ）基板４０からの分離を容易に行うことが可能であるとともに、後述するの工程での分割を容易に行うことが可能となる。
溝６２は、ドライエッチング（ＳＦ6、ＣＦ4、Ｃｌ+Ｏ2、ＨＢr＋Ｏ2などでのプラズマエッチング、逆スパッタエッチングなど）、ウエットエッチング（ＨＦ+Ｈ2Ｏ2+Ｈ2Ｏ混合液，ＨＦ＋ＨＮＯ3＋ＣＨ3ＣＯＯＨ混合液などのフッ酸系エッチャント、アルカリ系エッチャントなど）や機械的加工（ブレードダイシング、ダイアモンドカッター、超硬合金カッター、超音波カッターなどによる切り溝）等により、少なくとも水素イオン注入層の歪部４５aまで形成するのがよい。
そして、画素開口部に埋め込む透明樹脂１６が溝内にも埋め込まれ、分離時の絶縁層及び単結晶Ｓｉ層１２ｂ等のチッピング、クラック、割れ等を低減することができる。
【０３８７】
（９）表示領域の画素開口部のポリＳｉ層１４をエッチングにより除去する（図３５参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３８８】
（１０）ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着法などにより、５０〜２００ｎｍ厚の透明絶縁膜（例えばＳｉＯ2層１３ｂ、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ及びＳｉＯ2積層膜、ＳｉＯＮなど）および１００〜３００ｎｍ厚の低反射の金属膜１７をそれぞれ順に形成し、ポリＳｉ層１４上のポリＳｉＴＦＴ部１５ａの接続部（ドレイン、ソース、ゲートなど）および画素開口部底の金属膜１７をエッチングし、画素開口部内に透明樹脂１６などを埋め込み、ＣＭＰなどにより表面平坦化する。条件は、（Ａ）に準ずる。
【０３８９】
（１１）表示領域のポリＳｉＴＦＴ部１５ａドレイン上の透明樹脂１６に窓開けを行い、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの画素電極としての透明電極１８ａなどを形成することにより超薄型ＴＦＴ基板層を形成する（図３６参照）。条件は、（Ａ）に準ずる。   同時に、超薄型の電気光学表示素子基板層の周辺回路内の配線及び外部取り出し電極（半田バンプ含む）を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢへのマウントを行うのが好ましい。
【０３９０】
これ以降の工程については、（Ｃ）に準ずる。
【０３９１】
なお、超薄型の反射型ＬＣＤ、超薄型の半透過型ＬＣＤ、超薄型の下面発光型有機ＥＬおよび超薄型の上面発光型有機ＥＬを製造する場合、（１）〜（４）までの工程（図３１〜図３４）については超薄型の透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程については、それぞれ（Ａ−２）、（Ａ−３）、（Ａ−４）および（Ａ−５）と同様である。
【０３９２】
なお、本実施形態においては、高濃度に注入するイオンとして水素イオンを用いた例について説明しているが、注入するイオンはこれに限定されるものではなく、窒素、ヘリウムなどの希ガス等のイオンを用いることも可能である。
尚、例えば水素イオン注入は（Ｃ）と同様に、水素イオンビームを質量分離、走査するイオン注入装置（従来のボロン、燐などの不純物をＳｉ基板に注入するイオン注入装置と同じ）以外に、プラズマ生成手段によって水素を含むプラズマ発生させ、このプラズマから水素負イオンビームを引き出し、この水素負イオンを所定の深さに注入する水素負イオンビーム注入装置でもよい。
【０３９３】
以上のように、本実施形態における二重イオン注入層分離法では、支持基板４０の単結晶Ｓｉ層４４を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤなどのＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０３９４】
あるいは、本実施形態における別の二重イオン注入層分離法では、支持基板４０の単結晶Ｓｉ層４４の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層４２の絶縁層を露出させ、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０３９５】
あるいは、本実施形態におけるさらに別の二重イオン注入層分離法では、支持基板４０の単結晶Ｓｉ層４４の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層４２の絶縁層を露出させ、表示領域のＳｉＯ2層４２のポリＳｉＴＦＴ形成領域にＣＶＤとエッチングにより遮光性金属層を形成し、その上に絶縁層を形成し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域に絶縁層を介してポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じてフラッシュランプアニール法または固相成長法またはレーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより任意の結晶粒径（電子・正孔移動度）の制御を行った表示領域のポリＳｉ層１４に表示素子部としてのポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光用金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０３９６】
以上の表示領域のポリＳｉ層１４にＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で前記の固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状または連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法などで再結晶化させたポリＳｉ膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、例えばポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴの表示部が得られ易くなる。
【０３９７】
あるいは、本実施形態におけるさらに別の二重イオン注入層分離法では、支持基板４０の単結晶Ｓｉ層４４を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによりアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層を形成し、周辺回路領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層とＳｉＯ2層１３ａをエッチングして単結晶Ｓｉ膜１２ｂを露出させ、表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉ及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０３９８】
あるいは、本実施形態における更に別の二重イオン注入層分離法では、支持基板４０の単結晶Ｓｉ層４４の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層４２の絶縁層を露出させ、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより絶縁層のＳｉＯ2層１３ａとアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１４を形成し、表示領域に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファスＳｉ及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、アモルファスＳｉ層あるいはアモルファスＳｉ及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１４と絶縁層のＳｉＯ2層１３ａをエッチングした単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０３９９】
あるいは、本実施形態におけるさらに別の二重イオン注入層分離法では、支持基板４０の単結晶Ｓｉ層４４の表示領域をエッチングしてＳｉＯ2層４２の絶縁層を露出させ、表示領域のＳｉＯ2層４２の表示素子形成領域にＣＶＤ等とエッチングにより遮光用金属層３７を形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などにより絶縁層のＳｉＯ2層１３ａとアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１４を形成し、表示領域に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ部１５ａを、アモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１４と絶縁層のＳｉＯ2層１３ａをエッチングした単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部１５ｂ等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光用金属層３７で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴあるいはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴあるいはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板４０上の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４００】
以上の表示領域のアモルファスＳｉ層あるいはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層あるいはポリＳｉ層１４に、必要に応じてＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この状態で固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状または連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法などで再結晶化させたポリＳｉ膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、例えばポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴの表示部が得られ易くなる。
【０４０１】
ところで、上記の本実施形態における二重イオン注入層分離法では、支持基板４０に絶縁層４２を介して歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層４４を形成し、熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層４４をシードに歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０４０２】
また、支持基板４０に絶縁層４２を介して歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層４４を形成し、表示領域のＳｉＧｅ層４４をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層４２を露出させ、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層４４をシードに歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０４０３】
更に、支持基板４０に絶縁層４２を介して歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層４４を形成し、表示領域のＧｅＳｉ層４４をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層４２を露出させ、表示素子形成領域に遮光性金属層３７を形成し、その上に絶縁層を形成し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層４４をシードに歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０４０４】
これにより、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ、約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路が実現するので、従来に比べ高性能、高精細、高機能、高品質の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４０５】
（Ｅ）多孔質半導体層・イオン注入層分離法
本実施形態においては、多孔質半導体層とイオン注入層を組み合わせた多孔質半導体層・イオン注入層分離法（種子用半導体基板に形成したイオン注入層から種子用半導体基板を分離し、支持用半導体基板に形成した多孔質半導体層から支持用半導体基板を分離する）による超薄型液晶表示装置の製造方法について説明する。図３７から図３９は、本発明の実施の形態における多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法による超薄型のＬＣＤの製造工程図である。
【０４０６】
（１）単結晶Ｓｉからなる例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚の種子基板５０に高濃度に水素イオンを注入し、水素イオン注入層５１を形成する（図３７参照）。
なお、水素イオンは、約１００ｋｅＶ，５×１０16〜１×１０17atoms／ｃｍ2のドーズ量で、深さ約１μｍに注入する。
【０４０７】
このときに（Ｄ）と同じく、剥離した水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）５１が歪み印加半導体層となるように、種子基板の単結晶Ｓｉ基板５０の表面にＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層５１を形成し、種子基板分離後のＳｉＧｅ層５１をシードにＳｉエピタキシャル成長で歪みチャネル層の歪みＳｉ層を形成してもよい。
そして、この厚み（深さ）となるように予め前記の水素イオンを高濃度注入し、水素イオン注入層（ＳｉＧｅ層）５１としてもよい。
【０４０８】
このとき、ＳｉＧｅ層中の水素イオン注入層の歪み層でＧｅ濃度が所望濃度となる傾斜組成とすることで、種子基板分離後の歪み印加半導体層であるＳｉＧｅ層５８表面のＧｅ濃度が所望濃度となるように設定し、この傾斜組成の歪み印加半導体層であるＳｉＧｅ層５８をシードにＳｉエピタキシャル成長により歪みチャネル層としての歪みＳｉ層を形成することが好ましい。
つまり、歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層５１は絶縁層５７に接した部分から傾斜組成してＧｅ濃度が徐徐に増加して表面濃度が例えばＧｅ濃度２０〜３０％となるようにすることが好ましい。
あるいは、単結晶Ｓｉ基板そのものをＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅからなる単結晶Ｓｉ基板５０としてもよい。
【０４０９】
（２）単結晶Ｓｉからなる例えば１２インチφ、１．２ｍｍ厚の支持基板５２に陽極化成法で低多孔質Ｓｉ層５３、高多孔質Ｓｉ層５４および低多孔質Ｓｉ層５５を形成し、半導体エピタキシャル成長の単結晶Ｓｉ層５６を形成し、さらにＳｉＯ2層またはＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4及びＳｉＯ2積層膜からなる絶縁層５７を形成する（図３７参照）。形成方法は（Ａ）に準ずる。
【０４１０】
（３）種子基板５０と支持基板５２を貼り合わせる（図３８参照）。
室温で種子基板５０の水素イオン注入層５１と支持基板５２の絶縁層５７の表面同士を接触させ、ファンデワールス力により結合させる。この後、４００℃３０分間の熱処理を行って共有結合させ、貼り合せを強固にする。この時の熱処理は水素イオン離脱温度以下の処理温度および処理時間に設定することが必要であり、熱処理方法は（Ｂ）に準ずる。
また、接合面を接合に先立って室温の真空中でアルゴンなどの不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングにより、表面の塵や汚れ付着等を除去して表面に接合するための結合力を付与して表面平滑度を高めて貼り合せを強固にしてもよい。
【０４１１】
（４）剥離用アニール処理によりイオン注入した高濃度水素を熱膨張させ、微小気泡内の圧力作用および結晶再配列作用により水素イオン注入層５１に歪みを発生させ、種子基板５０および支持基板５２の両基板にＵＶテープ２３を貼り合せ、引っ張り剥離する（図３９参照）。
剥離用アニールは、（Ｃ）に準ずるが、このとき、高多孔質Ｓｉ層５４から剥離しないように、多孔質Ｓｉ層５４の多孔率および厚みを調整することが重要である。なお、必要に応じて歪発生した水素イオン注入層５１に高圧流体ジェット噴射して剥離させるか、あるいは剥離用アニールしない水素イオン注入層５１をレーザー加工剥離あるいはレーザーウオータージェット加工剥離することで、支持基板に形成する高多孔質Ｓｉ層５４の多孔率および厚み条件を緩和することができる。
【０４１２】
このとき、図４２（Ｃ）のように、種子基板分離した後に、単結晶Ｓｉ層（水素イオン注入層）５１、絶縁層５７、単結晶Ｓｉ層５６、低多孔質Ｓｉ層５５、高多孔質Ｓｉ層５４、低多孔質Ｓｉ層５３及び支持基板５２表面の周辺部をＣ面取り化することで、周辺部の超薄型ＳＯＩ層などの欠け、クラック、割れを防止するので、歩留、品質が向上してコストダウンが実現する。更に、必要に応じてＳｉダストやマイクロクラックを除去する為に、フッ酸系エッチャントでライトエッチングしてもよい。
【０４１３】
つまり、必要に応じて流体冷却した支持治具によりＵＶテープを介して対向基板２１側を冷却しながら、レーザー加工剥離法の局部的加熱によりイオン注入した高濃度水素を熱膨張させ、微小気泡内の圧力作用および結晶再配列作用により水素イオン注入層５１に歪み層５９を発生させることにより支持基板（単結晶Ｓｉ基板）５２を分離してもよい。
尚、レーザーウオータージェット加工剥離法では冷却作用の水をレーザーと同時に照射するので、必ずしも流体冷却した支持治具は必要ではない。
【０４１４】
（５）必要に応じてフッ酸系エッチャントで剥離した単結晶Ｓｉ層５８表面の一部をエッチングし、更に水素アニール処理によりエッチングして所望の厚みと高平坦性の、例えば１ｕｍの単結晶Ｓｉ層５８を形成する。
水素アニールは、１０５０℃で０．００１３ｎｍ／ｍｉｎ、１１００℃で０．００２２ｎｍ／ｍｉｎのエッチング速度で行う。
【０４１５】
これ以降の処理については、（Ｂ）に準ずる。
【０４１６】
なお、単結晶Ｓｉ層５８を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａをエッチングにより除去する。そして、ＣＶＤ法のＳｉエピタキシャル成長により表示領域に５０〜１００ｎｍのポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に５０〜１００ｎｍの単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成する。
【０４１７】
このときに、前記（Ｄ）のように剥離した水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）５８が歪み印加半導体層となるように、単結晶Ｓｉ基板５０の表面にＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長によりＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層５１を形成した場合は、歪み印加半導体層としてのＳｉＧｅ層５８をシードにＳｉエピタキシャル成長により歪みチャネル層の歪みＳｉ層１２ｂを積層してもよい。
これにより、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成したＭＯＳＴＦＴの周辺回路が実現するので、高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置が実現する。
【０４１８】
そして、必要に応じて固相成長法、フラッシュランプアニール法、レーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０４１９】
あるいは、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層５８の表示領域をエッチングして絶縁層５７を露出させ、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層５８は残して、ＣＶＤ法の半導体エピタキシャル成長により表示領域の絶縁層上に５０〜１００ｎｍのポリＳｉ層１４を、周辺回路領域上に５０〜１００ｎｍの単結晶Ｓｉ層５８に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成してもよい。
【０４２０】
そして、必要に応じてフラッシュランプアニール法、固相成長法、レーザーアニール法あるいは集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０４２１】
あるいは、必要に応じて表示領域のポリＳｉ層１４のＴＦＴ部下に遮光金属膜３７を形成し、フラッシュランプアニール法、固相成長法、レーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより表示領域のポリＳｉ層１４の結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御する場合の各条件は、（Ａ）に準ずる。
【０４２２】
このとき、液晶ギャップ幅以下の膜厚の単結晶Ｓｉ層５８の表示領域をエッチングして絶縁層５７を露出させ、表示領域内の画素表示用ポリＳｉＴＦＴ領域に、ＣＶＤとエッチングによりＷＳｉ2（タングステンシリサイド）、ＴｉＳｉ2（チタンシリサイド）ＭｏＳｉ2（モリブデンシリサイド）などの遷移金属シリサイドなどの遮光性金属層３７を形成し、その上を絶縁層で覆い、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層５８表面の絶縁層は除去する。
【０４２３】
そして、ＣＶＤ法の半導体エピタキシャル成長により表示領域の絶縁層上に５０〜１００ｎｍ厚のポリＳｉ層１４を、周辺回路領域上の単結晶Ｓｉ層５８に５０〜１００ｎｍ厚の単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成してもよい。
【０４２４】
さらに、超薄型のＴＦＴ基板層の周辺回路に接続する半田バンプなどの外部取り出し電極を形成するが、ＬＣＤパネル形成後に異方性導電膜接合や超音波接合、半田付けなどでフレキシブル基板との接合やＰＣＢへのマウントを行うのが好ましい。
【０４２５】
このようにして、この支持基板上の超薄型ＴＦＴ基板層の表示領域の画素開口部のポリＳｉ層或いはアモルファスＳｉ層を除去して透光性材料を埋め込み表面平坦化し、その上に画素表示素子に接続した画素電極を形成し、さらに支持基板上の超薄型ＴＦＴ基板層（超薄型ＳＯＩ層）と対向基板を重ね合わせてシールした後に、多孔質Ｓｉ層から支持基板を分離し、必要に応じて剥離残りの多孔質Ｓｉ層などをエッチングして分離した面の透光性材料を露出させて透明支持基板に透明接着剤で貼り付けることにより、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型の透過型ＬＣＤが得られる。
【０４２６】
なお、超薄型の反射型ＬＣＤ、超薄型の半透過型ＬＣＤ、超薄型の下面発光型有機ＥＬおよび超薄型の上面発光型有機ＥＬを製造する場合、（１）〜（４）までの工程（図３７〜図３９）については超薄型の透過型ＬＣＤと同じであり、その後の工程については、それぞれ（Ａ−２）、（Ａ−３）、（Ａ−４）および（Ａ−５）と同様である。
【０４２７】
なお、本実施形態においては、高濃度に注入するイオンとして水素イオンを用いた例について説明しているが、注入するイオンはこれに限定されるものではなく、窒素、ヘリウムなどの希ガス等のイオンを用いることも可能である。
尚、例えば水素イオン注入は（Ｃ）と同様に、水素イオンビームを質量分離、走査するイオン注入装置（従来のボロン、燐などの不純物をＳｉ基板に注入するイオン注入装置と同じ）以外に、プラズマ生成手段によって水素を含むプラズマ発生させ、このプラズマから水素負イオンビームを引き出し、この水素負イオンを所定の深さに注入する水素負イオンビーム注入装置でもよい。
【０４２８】
すなわち、本実施形態における多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法では、分離後の支持基板５２上の単結晶Ｓｉ層５８を熱酸化してＳｉＯ2層を形成し、表示領域のＳｉＯ2層を残して周辺回路領域のＳｉＯ2層を除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域のポリＳｉ層１４に表示部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板５２上の超薄型ＳＯＩ層の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４２９】
あるいは、本実施形態における別の多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法では、分離後の支持基板５２上の単結晶Ｓｉ層５８の表示領域をエッチングして絶縁層５７を露出させ、周辺回路領域を残し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に単結晶Ｓｉ層１２bをそれぞれ形成し、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域のポリＳｉ層１４に表示部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板５２上の超薄型ＳＯＩ層の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４３０】
あるいは、本実施形態におけるさらに別の多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法では、分離後の支持基板５２上の単結晶Ｓｉ層５８の表示領域をエッチングして絶縁層５７を露出させ、表示領域内の画素表示用ポリＳｉＴＦＴ領域に遷移金属シリサイドなどの遮光性金属層３７を形成し、その上を絶縁層で覆い、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層５８表面の絶縁層は除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域の絶縁層上にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域上に単結晶Ｓｉ層１２ｂをそれぞれ形成し、必要に応じて固相成長法またはフラッシュランプアニール法またはレーザーアニール法または集光ランプアニール法などにより結晶粒径（電子・正孔移動度）を任意に制御した表示領域のポリＳｉ層１４に表示部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層１２ｂに周辺回路部をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板５２上の超薄型ＳＯＩ層の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４３１】
又、本実施形態における多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法では、分離後の支持基板上の単結晶Ｓｉ層５８を、例えば熱酸化してＳｉＯ2層を形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによりアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４を形成し、周辺回路領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４とＳｉＯ2層をエッチングして単結晶Ｓｉ層５８を露出させ、表示領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層５８に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上の超薄型ＳＯＩ層の超薄型ＴＦＴ基板層に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４３２】
あるいは、本実施形態における別の多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法では、分離した支持基板の単結晶Ｓｉ層５８の表示領域をエッチングしての絶縁層を露出させ、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによりＳｉＯ2層の絶縁層とアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４を形成し、周辺回路領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４とＳｉＯ2層をエッチングして単結晶Ｓｉ層５８を露出させ、表示領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層５８に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上の超薄型ＳＯＩ層内の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４３３】
あるいは、本実施形態におけるさらに別の多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法では、分離した支持基板の単結晶Ｓｉ層５８の表示領域をエッチングして絶縁層５７を露出させ、表示領域の絶縁層上の画素表示素子形成領域にＣＶＤとエッチングにより遮光性金属層を形成し、全面にプラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによりＳｉＯ2層の絶縁層とアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４を形成し、周辺回路領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４とＳｉＯ2層をエッチングして単結晶Ｓｉ層５８を露出させ、表示領域のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４に表示素子部としてのアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ部を、周辺回路領域の単結晶Ｓｉ層５８に周辺回路部としての単結晶ＳｉＴＦＴ部等の半導体素子および半導体集積回路のいずれか一方または両方をそれぞれ形成するので、遮光用金属層で裏面反射光が遮光され、かつ任意に制御した比較的低い電子・正孔移動度で低リーク電流特性のアモルファスＳｉＴＦＴまたはアモルファス及びポリ混在ＳｉＴＦＴまたはポリＳｉＴＦＴ表示素子と、高い電子・正孔移動度で駆動能力の高い単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路とを同一支持基板上の超薄型ＳＯＩ層内の超薄型ＴＦＴ基板層内に形成して、高い電子・正孔移動度を有し、かつ低リーク電流特性を有した高輝度、高精細で高機能の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４３４】
以上のアモルファスＳｉ層またはアモルファス及びポリ混在Ｓｉ層またはポリＳｉ層１４に、必要に応じてＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の四族元素の少なくとも１種をイオン注入またはイオンドーピングあるいはＣＶＤ等での成膜中に適量（合計が例えば１０１７〜１０２２atom/cc、好ましくは１０１８〜１０２０atom/cc）含有させ、この後に選択的に固相成長法、フラッシュランプアニール法、パルス状または連続波レーザーアニール法、集光ランプアニール法などで再結晶化させたポリＳｉ膜のポリＳｉＴＦＴ表示素子とすると、例えばポリＳｉ膜の結晶粒界に存在する不整を低減し、その膜ストレスを低減して高キャリア移動度、高品質のポリＳｉＴＦＴの表示部が得られ易くなる。
【０４３５】
ところで、上記の本実施形態におけ多孔質層・イオン注入層分離法では、種子基板５０表面に歪み印加半導体層としてのＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層５１（水素イオン注入層）を形成し、種子基板分離後の支持基板上の単結晶Ｓｉ層５８（ＳｉＧｅ層の歪み印加半導体層）を熱酸化してＳｉＯ2層１３ａを形成し、表示領域のＳｉＯ2層１３ａを残して周辺回路領域のＳｉＯ2層１３ａを除去し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層５８をシードに歪みチャネル層としての歪Ｓｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０４３６】
また、種子基板５０表面に歪み印加半導体層としてＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層５１（水素イオン注入層）を形成し、種子基板分離後の支持基板上の単結晶Ｓｉ層５８（ＳｉＧｅ層の歪み印加半導体層）の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層４２を露出させ、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層５８をシードに歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０４３７】
更に、種子基板５０表面に歪み印加半導体層としてＧｅ濃度２０〜３０％のＳｉＧｅ層５１（水素イオン注入層）を形成し、種子基板分離後の支持基板上の単結晶Ｓｉ層５８（ＳｉＧｅ層の歪み印加半導体層）の表示領域をエッチングして絶縁層のＳｉＯ2層４２を露出させ、表示素子形成領域に遮光性金属層を形成し、その上に絶縁層を形成し、ＣＶＤ等のＳｉエピタキシャル成長により表示領域にポリＳｉ層１４を、周辺回路領域に歪み印加半導体層のＳｉＧｅ層５８をシードに歪みチャネル層としての歪みＳｉ層１２ｂを形成してもよい。
【０４３８】
これにより、従来の無歪みチャネル層の単結晶Ｓｉ層に比べ、約１．７６倍の大幅な電子移動度の向上を達成した駆動能力の高い歪みチャネル層の単結晶ＳｉＴＦＴ周辺回路が実現するので、従来に比べ高性能、高精細、高品質の超薄型電気光学表示装置を得ることができる。
【０４３９】
（Ｆ）上記（Ａ）〜（Ｅ）では、基板同士の重ね合わせを、それぞれ基板状態（面）のまま行う、いわゆる面面組立により行う例について主に説明したが、この基板同士の重ね合わせを予めチップ状態（単個）として行う、いわゆる面単組立により行うことも可能である。以下、上記（Ａ）〜（Ｅ）の各方法により形成した電気光学表示素子基板から、それぞれ反射型ＬＣＤ、透過型ＬＣＤ、半透過型ＬＣＤ、上面発光型有機ＥＬおよび下面発光型有機ＥＬを組み立てる際の代表的な各方法について説明する。
【０４４０】
（反射型ＬＣＤ）
上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路を形成して配向膜形成および配向処理した超薄型電気光学表示素子基板層と、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と所定の液晶ギャップを介して重ね合わせてシールした後、多孔質層またはイオン注入層の歪部などの分離層から支持基板を分離して超薄型電気光学表示素子基板を形成する。その後、接着剤で支持体を貼り合わせ、各超薄型電気光学表示装置に切断分割後に液晶注入封止する。または、分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持体の良品チップを接着剤で貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止する。
この時に、重ね合わせてシールして液晶注入封止した後に、多孔質層またはイオン注入層の歪部などの分離層から支持基板を分離してもよい。
【０４４１】
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路部の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、表面をＵＶテープで保護し、分離層から支持基板を分離し、支持体を接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。その後、面面組立方式の場合は、この電気光学表示素子基板に配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、切断分割後に液晶注入封止する。
【０４４２】
また、面単組立方式の場合は、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理した超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に、分離層から支持基板を分離して支持体を接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成し、切断分割する。または、別の面単組立方式の場合は、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止する。その後に、分離層から支持基板を分離し、支持体を接着剤で貼り付ける。
【０４４３】
（透過型ＬＣＤ）
上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成した後に、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成してこれに配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に、分離層から支持基板を分離して超薄型電気光学表示表示素子基板を形成する。その後、透明接着剤で透明な支持体を貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止する。または、分離後の超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止する。
【０４４４】
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴ部の周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、表面をＵＶテープで保護し、分離層から支持基板を分離し、超薄型電気光学表示表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。その後、面面組立方式の場合は、この電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、切断分割後に液晶注入封止する。
【０４４５】
また、面単組立方式の場合は、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、切断分割する。または、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止する。
【０４４６】
（半透過型ＬＣＤ）
上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成した後に、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、そこにＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成してこれに配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に、分離層から支持基板を分離して超薄型電気光学表示表示素子基板を形成する。その後、透明接着剤で透明な支持体を貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止する。または、分離後の電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体チップを透明接着剤で貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止する。
【０４４７】
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴ部の周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成した後に、表面をＵＶテープで保護し、分離層から支持基板を分離して超薄型電気光学表示表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。その後、面面組立方式の場合は、この電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理し、透明電極形成して配向膜形成および配向処理した対向基板と、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールし、切断分割後に液晶注入封止する。
【０４４８】
また、面単組立方式の場合は透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理した電気光学表示素子基板内の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止し、切断分割する。または、透明電極形成して配向膜形成および配向処理して切断した対向基板の良品チップを、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み平坦化し、ＴＦＴのドレインに接続する反射及び透明電極を形成した後に配向膜形成および配向処理して切断した電気光学表示素子基板の良品チップと、所定の液晶ギャップで重ね合わせてシールした後に液晶注入封止する。
【０４４９】
（上面発光型有機ＥＬ）
上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成する。ここで、表示部は各画素の電流駆動用ＭＯＳＴＦＴのドレインに接続された陰極（Ｌｉ−ＡＬ、Ｍｇ−Ａｇなど）上に、画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、必要に応じて全面に陽極を形成し、全面を耐湿性透明樹脂で覆った構造を形成する。そして、分離層より支持基板を分離して超薄型電気光学表示素子基板を形成する。その後、この超薄型電気光学表示素子基板に接着剤で支持基板を貼り合わせて切断分割する。または、超薄型電気光学表示素子基板内の良品チップに支持基板の良品チップを接着剤で貼り合わせて切断分割する。
【０４５０】
あるいは上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、表面をＵＶテープで保護し、分離層から支持基板を分離して超薄型電気光学表示素子基板を形成し、支持体を接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。
ここで、表示部は各画素の電流駆動用ＴＦＴのドレインに接続された陰極（Ｌｉ−ＡＬ，Ｍｇ−Ａｇなど）上に、画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、必要に応じて全面に陽極を形成し、全面を耐湿性透明樹脂で覆った構造を形成する。その後、切断分割する。
【０４５１】
（下面発光型有機ＥＬ）
上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成した後に、表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化する。この上に各画素の電流駆動用ＭＯＳＴＦＴのソースに接続された陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、さらに画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陰極（Ｌｉ−ＡＬ，Ｍｇ−Ａｇなど）を形成し、必要に応じて全面に陰極を形成し、さらに全面を耐湿性透明樹脂で覆っている構造を形成する。そして、分離層より支持基板を分離して超薄型電気光学表示素子基板を形成する。その後、透明接着剤で透明な支持基板を貼り合わせて切断分割する。
または、電気光学表示素子基板内の良品チップに透明な支持体の良品チップを透明接着剤で貼り合わせて切断分割する。
【０４５２】
あるいは、上記（Ａ）〜（Ｅ）により、ポリＳｉＴＦＴまたはアモルファスＳｉＴＦＴの表示部と単結晶ＳｉＴＦＴの周辺回路の超薄型電気光学表示素子基板層を形成し、表面をＵＶテープで保護し、分離層から支持基板を分離して超薄型電気光学表示素子基板を形成し、透明な支持体を透明接着剤で貼り付けて電気光学表示素子基板を形成する。この電気光学表示素子基板の表示部の画素開口部をエッチングして透明材料で埋め込み表面平坦化する。この上に画素毎の電流駆動用ＴＦＴのソースに接続された陽極（ＩＴＯ膜など）を形成し、さらに画素毎に赤、青、緑などの有機ＥＬ発光層を被着し、その上部に陰極（Ｌｉ−ＡＬ，Ｍｇ−Ａｇなど）を形成し、必要に応じて全面に陰極を形成し、さらに全面を耐湿性透明樹脂で覆った構造を形成する。その後、切断分割する。
【０４５３】
以上の組立方法を（Ａ）〜（Ｅ）の分離法別にまとめてそれぞれ図４８から図５２に示す。図４８は（Ａ）の多孔質半導体層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法、図４９は（Ｂ）の二重多孔質半導体層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法、図５０は（Ｃ）のイオン注入層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法、図５１は（Ｄ）の二重イオン注入層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法、図５２は（Ｅ）の多孔質半導体層・イオン注入層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法をそれぞれ示している。なお、ここでＴＦＴ基板層とは電気光学表示素子層のことである。ここでは、面面液晶組立を面面組立、面単液晶組立を面単組立と省略して記載している。尚、上記の組立方法を応用展開して、別のいろいろな組立方法を実施できるのは言うまでもない。
【０４５４】
上記のＬＣＤ組立実施例は、基本的に単結晶半導体基板層の電気光学表示素子基板層と対向基板を重ね合わせてシールした後に分離層から支持基板を分離し、電気光学表示素子基板と支持体又は支持体チップと貼り合わせ、切断分割後に液晶注入封止する方法であるが、必要に応じて面単組立の場合は単結晶半導体基板層の電気光学表示素子基板層と対向基板を重ね合わせてシールし、液晶注入封止した後に分離層から支持基板を分離し、電気光学表示素子基板と支持体または支持体チップと貼り合わせた後に切断分割する方法でもよいことを示している。
【０４５５】
図４３は対向基板および透明支持基板に高屈折率材料、例えば高屈折率透明樹脂によりマイクロレンズアレイを形成し、入射側の集光レンズとして機能するマイクロレンズ付き対向基板と出射側のフィールドレンズとして機能するマイクロレンズ付き透明支持基板で高精度の膜厚の超薄型電気光学表示素子基板を挟む構造、いわゆるデュアルマイクロレンズ（ダブルマイクロレンズとも言う）構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤの実施例を示している。尚、マイクロレンズアレイは無機系高屈折率透明膜で形成してもよいことは言うまでもない。
【０４５６】
この実施の具体例として例えば図４３のように、
[１]汎用リソグラフィ＆エッチング法により、対向基板２１の石英ガラス、ネオセラム基板等に所定の凹形状のマイクロレンズ部を複数作成する。
[２]複数のマイクロレンズ部に高屈折率透明樹脂８５を充填し、石英ガラス、ネオセラム等の透明ガラス基板８６を透明接着剤２５ａで貼り合わせる。この時に透明ガラス基板８６を高屈折率透明樹脂８５で対向基板２１に貼り合せて、透明接着剤２５ａを使用しないでもよい。
[３]片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板８６（スタック基板）でカバーしたマイクロレンズアレイ付き対向基板を作成する。
この時に、エッチング法の場合は各マイクロレンズ周囲に相当する領域にアルミニウムなどのブラックマスク作用の反射膜形成した透明ガラス基板８６の反射膜形成面側と、所定凹形状のマイクロレンズ内に高屈折率透明樹脂を充填させた対向基板とを透明接着剤で貼り合せて、片面研磨又は両面研磨により約２０μｍの透明ガラス基板８６（スタック基板）でカバーした各マイクロレンズ周囲をブラックマスク作用の反射膜で遮光したマイクロレンズアレイ形成の対向基板を作成してもよい。
尚、約２０μｍの透明ガラス基板８６（スタック基板）でカバーしたマイクロレンズアレイ対向基板を作成した後に、透明ガラス基板８６（スタック基板）表面の各マイクロレンズ周囲に相当する領域にアルミニウム等のブラックマスク作用の反射膜形成してもよい。
つまり、各マイクロレンズ周囲に相当する透明ガラス基板８６（スタック基板）の表面または裏面のいずれか一方にブラックマスク作用の反射膜形成してもよい。
この時に、スタンプ法で石英ガラス、ネオセラム等の対向基板２１に所定の凹凸形状のマイクロレンズを複数作成してもよい。
これは、汎用リソグラフィ技術でフォトレジストのマイクロレンズパターンを複数形成し、加熱リフローで所望の凸形状のマイクロレンズを複数形成する。
ついで、この凸形状の上に無電解メッキでニッケル等の金属膜を被着し、樹脂及び支持台で型を転写して凹形状のスタンパを作成する。そして、対向基板上に塗布された高屈折率透明樹脂へスタンパを転写して凸形状のマイクロレンズを複数形成し、マイクロレンズ間の凹部に低屈折率透明樹脂を充填して所定厚みの石英ガラス或いはネオセラム等の透明ガラス基板を貼り合せ、片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板８６（スタック基板）でカバーしたマイクロレンズアレイ形成の対向基板を作成してもよい。
さらに、スタンプ法の場合はそれぞれのマイクロレンズ周囲に相当する対向基板の表面にアルミニウム等のブラックマスク作用の反射膜を形成し、対向基板上に塗布された高屈折率透明樹脂にスタンパを転写して凸形状のマイクロレンズを複数形成し、各マイクロレンズ間の凹部に低屈折率透明樹脂を充填して所定厚みの石英ガラス或いはネオセラム等の透明ガラス基板を貼り合せ、片面研磨又は両面研磨により、約２０μｍの透明ガラス基板８６（スタック基板）でカバーしたマイクロレンズ周囲に反射膜形成したマイクロレンズアレイ形成の対向基板を作成してもよい。
尚、片面研磨または両面研磨による透明ガラス膜厚精度が問題となる場合には、所定凹形状のマイクロレンズ内に高屈折率透明樹脂を充填させた後に、スピンコーティング等により所定膜厚の透明樹脂膜を形成し、この透明樹脂膜表面のマイクロレンズ周囲に相当する領域にブラックマスク作用のアルミニウム等の反射膜或いはクロムまたは酸化クロム等の低反射遮光膜を形成してもよい。
このように、超薄型電気光学表示素子基板の表示素子領域及び画素開口部に対応するマイクロレンズ周囲にブラックマスク作用のアルミニウムなどの反射膜を形成し、強い入射光の不要な部分を反射させ、且つ液晶への遮光作用をさせることで、コントラストを高めて画質向上させ、液晶温度上昇を低減させてＬＣＤの高輝度化、長寿命化を図るのが好ましい。
[４]透明電極１８ｂと配向膜２０ｂを形成して配向処理したマイクロレンズアレイ付き対向基板と、表示部の画素開口部をエッチングして光透過性材料１６を埋め込み表面平坦化し、表示素子に接続した透明電極１８ａと配向膜２０ａを形成して配向処理した超薄型電気光学表示素子基板層と重ね合わせてシールし、その後に液晶注入封止したシングルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤを作成する。
[５]超薄型電気光学表示素子基板層下の多孔質層或いはイオン注入層の歪部より支持基板を分離し、必要に応じて剥離残りを化学的エッチングで除去し、ＳｉＯ２層１３ｂ、ＳｉＯ２層１３ａを介して光透過性材料１６を露出させる。
[６]この超薄型電気光学表示素子基板層に前記３と同様に作製した、例えば各マイクロレンズ周囲に相当する透明ガラス基板８６表面または裏面のいずれか一方にクロムまたは酸化クロムなどのブラックマスク作用の低反射遮光膜を形成した約２０μｍの透明ガラス基板８６（スタック基板）でカバーした低反射遮光膜及びマイクロレンズアレイ付き透明支持基板を透明接着剤で貼り合せてデュアルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤを得る。
【０４５７】
この時に、表示素子部のポリＳｉ層等の上及び側面の遮光膜形成のみならず、この表示素子部に対応するマイクロレンズ周囲に相当する領域の透明ガラス基板の、入射側では反射膜、出射側では低反射遮光膜のブラックマスクを形成しておけば、プロジェクタなどの強い入射光漏れによるＴＦＴリーク電流を防止出来て、コントラストが高まり、更なる高輝度化、画質向上及び長寿命化を図ることが出来る。
【０４５８】
従来は、マイクロレンズアレイ付き対向基板と重ね合わせた電気光学表示素子基板の裏面を光学研磨及び化学的エッチングして例えば約２０μｍの超薄型電気光学表示素子基板を作製し、これにマイクロレンズアレイ付き透明支持基板を透明接着剤で貼り合せてデュアルマイクロレンズ構造の透過型ＬＣＤを得ていたが、光学研磨加工の精度を得ることが難しく、設計通りの所望の高輝度化を得るのが難しかった。
【０４５９】
しかし、本発明の各分離法により、集光レンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成の対向基板を重ね合わせた高精度な膜厚の超薄型電気光学表示素子基板層に、フィールドレンズとして機能するマイクロレンズアレイ形成の透明支持基板を貼り合せることで、従来のデュアルマイクロレンズ構造よりも高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の利用効率を高めることが出来るので、更なる高輝度、高精細、長寿命のデュアルマイクロレンズ構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
【０４６０】
更に、集光レンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に相当する領域にブラックマスク作用の反射膜形成の対向基板を重ね合わせた高精度な膜厚の超薄型電気光学表示素子基板層に、フィールドレンズとして機能する各マイクロレンズ周囲に相当する領域にブラックマスク作用の低反射遮光膜形成の透明支持基板を貼り合せることで、高精度な二重のマイクロレンズ機能で集光させて光源光の光利用効率を高め、且つ不要な入射光及び反射光を除去するので、高輝度、高コントラスト、高精細、長寿命のデュアルマイクロレンズ構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現できる。
そして、このデュアルマイクロレンズ構造は画素の実効開口率を最高度まで高めることができる。
【０４６１】
図４４は、プロジェクタ用透過型ＬＣＤ及び反射型ＬＣＤの実装例を示す。
図４４（ａ）はプロジェクタ用透過型ＬＣＤの実装例であり、超薄型電気光学表示素子基板層と対向基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止し、支持基板を分離した後に透明支持基板を透明接着剤で貼り合わせた超薄型電気光学表示素子基板からなるＬＣＤパネルの外部取り出し電極６５にフレキ基板８７を取り付ける。そして、入射側の対向基板に低反射膜付き防塵ガラス８８を透明接着剤で貼り合わせ、出射側の透明支持基板にも低反射膜付き防塵ガラス８８を透明接着剤で貼り合せる。その後に、アルマイト黒化処理したアルミニウム製金属枠８９に高熱伝導性モールド樹脂９０で固着させる。その後に、入射側に見切り板９１を取り付ける。
【０４６２】
図４４（ｂ）はプロジェクタ用反射型ＬＣＤの実装例であり、超薄型電気光学表示素子基板層と対向基板を重ね合わせてシールして液晶注入封止し、支持基板を分離した後に金属支持基板を高熱伝導性及び導電性接着剤で貼り合わせた超薄型電気光学表示素子基板からなるＬＣＤパネルの外部取り出し電極６５にフレキ基板８７を取り付ける。そして、入射側の対向基板に低反射膜付き防塵ガラス８８を透明接着剤で貼り合わせ、アルマイト黒化処理したアルミニウム製金属枠８９に高熱伝導性モールド樹脂９０で固着させる。その後に、入射側に見切り板９１を取り付ける。
【０４６３】
ところで、少なくとも入射側の防塵ガラスとして、例えば反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高熱伝導性ガラス例えば石英ガラス、透明結晶化ガラス（ネオセラム、クリアセラム、ゼロデュアなど）など、更に反射防止膜無しで直線透過率８０％以上の光学特性を満足する１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の高い熱伝導性ガラス例えば高透光性セラミック多結晶体｛酸化物結晶体の電融及び焼結ＭｇＯ（マグネシア）、Ｙ２Ｏ３（イットリア）、ＣａＯ（カルシア）、ＡＬ２Ｏ３（サファイア）、ＢｅＯ（ベリリア）、多結晶サファイアなど、または複酸化物結晶体の単結晶または多結晶ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、単結晶または多結晶ＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３・ＳｉＯ２など｝、フッ化物単結晶体（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化バリウムなど）、気相合成ダイヤモンド膜コートした高透光性セラミック多結晶体またはフッ化物単結晶体または透明結晶化ガラス、水晶などの透明基板を透明接着剤で貼り合せれば、熱冷却が促進されて高輝度化のプロジェクタ用透過型ＬＣＤ及び反射型ＬＣＤが実現する。
【０４６４】
例えば、入射側から反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの対向基板（マイクロレンズ基板、画素開口部以外に反射膜形成したブラックマスク基板などを含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板及び出射側に反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの透明支持基板の材料構成、又は反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの防塵ガラス、高熱伝導性ガラスの対向基板（マイクロレンズ基板、画素開口部以外に反射膜形成したブラックマスク基板などを含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板、高熱伝導性ガラスの透明支持基板及び出射側に反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの防塵ガラスの材料構成とすれば、熱冷却が促進されて高輝度化、高精細化のプロジェクタ用透過型ＬＣＤが実現する。
更に、例えば入射側から反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの対向基板（ブラックマスク基板含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板、金属支持基板の材料構成、又は反射防止膜形成した高熱伝導性ガラスの防塵ガラス、高熱伝導性ガラスの対向基板（ブラックマスク基板含む）、液晶、超薄型電気光学表示素子基板及び金属支持基板の材料構成とすれば、熱冷却が促進されて高輝度化、高精細化のプロジェクタ用反射型ＬＣＤが実現する。
【０４６５】
図４５及び図４６に、本発明の直視用の超薄型電気光学表示装置を用いた実装例を示す。
（ａ）直視用の超薄型透過或いは半透過型ＬＣＤの場合
バックライト内臓のバックライトモジュール９２表面に光ムラ防止の光拡散板９３を透明接着剤で貼り合せる。対向基板に直接偏光板９４を透明接着剤で貼り合せ、且つ透明支持体裏面に直接偏光板９４を透明接着剤で貼り合せた超薄型の透過或いは半透過型ＬＣＤ１００を透明接着剤で光拡散板に貼り合わせてモールド樹脂９５封止して透過或いは半透過型ＬＣＤモジュールを作成する。そして、ＰＣＢ（Printed  Circuit  Board）９６の所定位置にセットして、ＰＣＢの配線用バンプ電極９７と超薄型の透過或いは半透過型ＬＣＤの外部取り出し用バンプ電極９８を接合させ、且つバックライト用配線９９をＰＣＢの配線用バンプ電極に接続した後にモールド樹脂固着する。
（ｂ）直視用の超薄型反射型ＬＣＤの場合
対向基板に直接偏光板９４を透明接着剤で貼り合せた超薄型の反射型ＬＣＤ１０１をＰＣＢ９６の所定位置にセットし、その外部取り出し用バンプ電極９８とＰＣＢの配線用バンプ電極９７を接合させた後にモールド樹脂固着する。
（ｃ）直視用の超薄型下面発光型有機ＥＬの場合
ＰＣＢの所定位置に超薄型の下面発光型有機ＥＬ１０２の耐湿性樹脂側をセットし、その外部取り出し用バンプ電極９８とＰＣＢの配線用バンプ電極９７を接合させた後にモールド樹脂固着する。
（ｄ）直視用の超薄型上面発光型有機ＥＬの場合
ＰＣＢの所定位置に超薄型の上面発光型有機ＥＬ１０３の透明樹脂側をセットし、その外部取り出し用バンプ電極９８とＰＣＢの配線用バンプ電極９７を接合させた後にモールド樹脂固着する。
【０４６６】
更に、図４７のように、本発明を使用した超薄型エレクトロニクス製品の具体例を示す。
名刺或いはキャッシュカード型超薄型携帯電話（音声入力タイプ）の場合は、多層ＰＣＢ１０４の表面に、本発明の超薄型電気光学表示装置１０５例えば直視用反射型ＬＣＤ、本発明を応用した超薄型ＭＯＳＬＳＩ１０６（ＤＳＰ回路，ＣＰＵ回路，映像及び音声メモリ回路、映像信号処理回路、画質補正回路、音声信号処理回路、音声補正回路など）、本発明を応用した超薄型ＣＣＤ１０７、超薄型マイク１０８、超薄型スピーカー１０９、アンテナ１１０などをマウントし、その裏面に電源回路内臓リチウムイオンポリマー電池パック１１１をマウントし、多層ＰＣＢ間を適当な配線とスルーホールで接続する。
【図面の簡単な説明】
【０４６７】
【図１】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図２】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図３】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺回路領域を示す図である。
【図４】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図５】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図６】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図７】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図８】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は基板全体を示す図、（ｂ）は表示領域を示す図である。
【図９】多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は基板全体を示す図、（ｂ）は表示領域を示す図である。
【図１０】多孔質Ｓｉ層分離法によって作製した透過型ＬＣＤを示す断面図であって、（ａ）は遮光膜無しの場合の透過型ＬＣＤを示す図、（ｂ）は遮光膜有りの場合の透過型ＬＣＤを示す図である。
【図１１】多孔質Ｓｉ層分離法による反射型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺回路領域を示す図である。
【図１２】多孔質Ｓｉ層分離法による反射型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図１３】多孔質Ｓｉ層分離法によって作成した反射型ＬＣＤを示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺回路領域を示す図である。
【図１４】多孔質Ｓｉ層分離法によって作成した半透過型ＬＣＤを示す断面図であって、（ａ）は透明電極上に凹凸形状の反射電極を形成した場合の半透過型ＬＣＤを示す図、（ｂ）は凹凸形状の反射電極上に透明電極を形成した場合の半透過型ＬＣＤを示す図である。
【図１５】多孔質Ｓｉ層分離法によって作成した下面発光型有機ＥＬを示す断面図である。
【図１６】多孔質Ｓｉ層分離法によって作成した上面発光型有機ＥＬを示す断面図である。
【図１７】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図１８】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図１９】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図２０】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は絶縁層としてＳｉＯ2を形成した場合の例を示す図、（ｂ）は絶縁層としてＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4及びＳｉＯ2を形成した場合の例を示す図である。
【図２１】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図２２】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺周辺回路領域を示す図である。
【図２３】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺周辺回路領域を示す図である。
【図２４】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺周辺回路領域を示す図である。
【図２５】二重多孔質Ｓｉ層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図２６】二重多孔質Ｓｉ層分離法による反射型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺周辺回路領域を示す図である。
【図２７】水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図２８】水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺周辺回路領域を示す図である。
【図２９】水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図３０】水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図３１】二重水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図３２】二重水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図３３】二重水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図３４】二重水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図であって、（ａ）は表示領域を示す図、（ｂ）は周辺周辺回路領域を示す図である。
【図３５】二重水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図３６】二重水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す表示領域の断面図である。
【図３７】多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図３８】多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図３９】多孔質Ｓｉ層・水素イオン注入層分離法による透過型ＬＣＤの製造工程を示す断面図である。
【図４０】本発明の実施の形態における高圧流体ジェット噴射剥離装置の概略断面図である。
【図４１】二重多孔質Ｓｉ層分離法による電気光学表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図４２】種子基板分離後の支持基板表面周辺部のＣ面取りを説明するための断面図である。
【図４３】デュアルマイクロレンズ（ダブルマイクロレンズ）構造のプロジェクタ用透過型ＬＣＤを示す断面図である。
【図４４】プロジェクタ用透過型ＬＣＤ及び反射型ＬＣＤを示す断面図である。
【図４５】本発明の直視用の超薄型電気光学表示装置を用いた実装例を示す断面図（１）である。
【図４６】本発明の直視用の超薄型電気光学表示装置を用いた実装例を示す断面図（２）である。
【図４７】本発明を使用した超薄型エレクトロニクス製品の具体例を示す断面図である。
【図４８】（Ａ）の多孔質半導体層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。
【図４９】（Ｂ）の二重多孔質半導体層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。
【図５０】（Ｃ）のイオン注入層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。
【図５１】（Ｄ）の二重イオン注入層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。
【図５２】（Ｅ）の多孔質半導体層・イオン注入層分離法によるＬＣＤおよび有機ＥＬの組立法を示す図である。
【符号の説明】
【０４６８】
１０  Ｓｉ基板
１１ａ，１１ｃ，３１ａ，３１ｃ，３４ａ，３４ｃ，５３，５５  低多孔質Ｓｉ層
１１ｂ，３１ｂ，３４ｂ，５４  高多孔質Ｓｉ層
１２ａ，１２ｂ，３２，３５，５６，５８  単結晶Ｓｉ層
１３ａ，１３ｂ  ＳｉＯ2層
１４  ポリＳｉ層
１５ａ  ポリＳｉＴＦＴ部
１５ｂ  単結晶ＳｉＴＦＴ部
１６  透明樹脂
１７  金属膜
１８ａ，１８ｂ  透明電極
１９ａ  反射電極
２０ａ，２０ｂ  配向膜
２１  対向基板
２２  シール剤
２３  ＵＶテープ
２４  透明支持基板
２５ａ  透明接着剤
２５ｂ  接着剤
２６ａ，２６ｃ  低反射及び遮光膜
２６ｂ，２６ｄ  反射膜
２７  配線層   ２８  保護膜
２９  金属支持基板
３０，４３，５０  種子基板
３３，４０，５２  支持基板
３６，４２，５７  絶縁層
３６ａ  ＳｉＯ2層
３６ｂ  Ｓｉ3Ｎ4層
３７  遮光用金属層
４１  水素イオン注入層
４１ａ，４４ａ，４５ａ，５９  歪み層
４４，４５  水素イオン注入層（単結晶Ｓｉ層）
６０ａ  金属電極
６０ｂ  有機ＥＬ発光層
６０ｃ  透明電極
６１  耐湿性透明樹脂
６２  溝
６３  適度な凹凸形状の感光性樹脂膜
６４  適度な凹凸形状の反射電極
６５，６６  外部取り出し電極（バンプ）
７０  液晶
８０  ガードリングストッパ
８１ａ，８１ｂ  ホルダ
８２  高圧流体ジェット
８３  微細ノズル
８４  スリット孔
８５  高屈折率透明樹脂
８６  透明ガラス基板
８７  フレキ基板
８８  低反射膜付き防塵ガラス
８９  金属枠
９０  高熱伝導性モールド樹脂
９１  見切り版
９２  バックライトモジュール
９３  光拡散板
９４  偏光板
９５  モールド樹脂
９６  ＰＣＢ
９７  ＰＣＢの配線用バンプ電極
９８  外部取り出し用バンプ電極
９９  バックライト用配線
１００  超薄型の透過／半透過型ＬＣＤ
１０１  超薄型の反射型ＬＣＤ
１０２  超薄型の下面発光型有機ＥＬ
１０３  超薄型の上面発光型有機ＥＬ
１０４  多層ＰＣＢ
１０５  本発明の超薄型電気光学表示装置
１０６  本発明を応用した超薄型ＭＯＳＬＳＩ
１０７  本発明を応用した超薄型ＣＣＤ
１０８  超薄型マイク
１０９  超薄型スピーカー
１１０  アンテナ
１１１  電源回路内臓リチウムイオンポリマー電池パック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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