(57)【要約】【課題】半導体に酸化亜鉛薄膜を用いた薄膜トランジスタを高い生産性で安価に製造することができ、また、得られる半導体の電界効果移動度の大きな、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ２６は、基板２８上に、ゲート電極３０、ゲート絶縁膜３２、活性半導体層３４が順次設けられ、さらに活性半導体層３４の対向する両側を覆うコンタクト層３６、３６を介してソース電極３８およびドレイン電極４０が設けられる。活性半導体層３４は、イオンプレーティング法で形成される酸化亜鉛薄膜からなるｎ−型半導体である。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体として酸化亜鉛薄膜を用いる薄膜トランジスタの製造方法であって、
イオンプレーティング法により該酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
圧力勾配型プラズマガンを用い高密度プラズマ下で前記酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
成膜室中に陽極として配設された蒸発材料配置部に酸化亜鉛を主成分とする蒸発材料を配置し、
該蒸発材料配置部の周囲に配設した磁場制御部材により該蒸発材料配置部の上方の磁界を制御し、
該蒸発材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して該蒸発材料を蒸発させてイオン化し、
該蒸発材料と対向して配置される被成膜材料の表面に蒸発物を付着させて前記酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記被成膜材料を低温に保持して前記酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記蒸発材料配置部が前記成膜室の壁を基準として＋２０〜＋５０Ｖの正電位となるように電圧を印加することを特徴とする請求項３または４記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記蒸発材料が３族元素、４族元素およびこれらの元素の化合物のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記３族元素がＡｌ、ＧａまたはＳｃであり、前記４族元素がＳｉであり、前記化合物が前記各元素の酸化物であることを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記蒸発材料が３族元素、４族元素およびこれらの元素の化合物のうち少なくとも１つと７族元素の化合物を含むことを特徴とする請求項６または７記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
基板にゲート電極およびゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上に前記半導体として酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法によって製造される酸化亜鉛薄膜を半導体として有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記半導体の電界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ以上であることを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
ソース電極およびドレイン電極と前記半導体の間に該半導体よりも比抵抗が小さい酸化亜鉛薄膜で形成されるコンタクト層を有することを特徴とする請求項１０または１１記載の薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタに関し、より詳細には、半導体として酸化亜鉛薄膜を用いた薄膜トランジスタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶表示装置等において、各画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、必要に応じてＴＦＴということがある。）が用いられている。
【０００３】
ＴＦＴは、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体ならびにソース電極およびドレイン電極を含み、ゲート電圧によって半導体のゲート電極側界面の電荷量を変化させ、ドレイン電流を制御してスイッチングさせるものである。
【０００４】
半導体として無機材料を用いる場合、非晶質（アモルファス）シリコン薄膜が広く使用されている。
【０００５】
しかしながら、非晶質シリコン薄膜を半導体に用いたＴＦＴ（ａ−ＳｉＴＦＴ）は、非晶質シリコン薄膜中の多数の結晶欠陥の存在により、電子の移動度が０．５〜１ｃｍ２／Ｖｓ程度と小さく、例えば液晶表示装置の表示面積が５０インチを越えるような大画面のものでは、配線遅延のためにテレビ画像信号が追随できずに良好な動画像が得られない。
【０００６】
また、非晶質シリコン薄膜を半導体に用いたＴＦＴは、非晶質シリコン薄膜が可視光を吸収して光伝導（リーク電流）が発生しやすい特性を有するため、非晶質シリコン薄膜の一方の面を不透明なゲート電極で遮光し、他方の面を例えばブラックマトリクス等の遮光膜で覆って遮光することが必要である。このため、ＴＦＴの構成部材の材料が制限され、また、ＴＦＴの構造も複雑となる。
【０００７】
これに対して、ポリシリコンを半導体に用いたＴＦＴの検討も進められており、この場合、成膜温度や成膜方法に大きく依存するものの数十〜数百ｃｍ２／Ｖｓ程度の電界効果移動度が得られることが報告されている。
【０００８】
しかしながら、ポリシリコンを半導体に用いたＴＦＴは、例えば高温ポリシリコンを用いる場合、結晶性の良い膜を形成するためには１０００℃以上の高温で処理する必要があり、このとき、熱歪点が６００℃程度の通常のガラス基板を使用することができず、石英基板を使用する必要がある。そして、石英基板は高価であるため、例えば表示画面サイズ大きくすることがコスト面で制約され、それにより用途も制約されることになる。また、例えば低温ポリシリコンを用いる場合、ＴＦＴのスイッチングのオフ時に流れるリーク電流の問題がある。
【０００９】
従来のＴＦＴがもつこれらの課題を解決し、さらに、ＴＦＴを安価に製造することを目的として、半導体として酸化亜鉛を用いたＴＦＴの研究が進められている。そして、スパッタ法やパルスレーザ堆積法（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いて成膜して得られる酸化亜鉛を用いたＴＦＴについて、２．３ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られ、また、スイッチングのオン／オフ比が通常のＴＦＴ並みの１０６以上得られたとの報告も行われている（非特許文献１参照。）。
【００１０】
【非特許文献１】
高木伸吾、西井潤弥、他  「透明酸化亜鉛薄膜トランジスタの低温
作製」第４９回応用物理学関係連合講演会  講演予稿集、
３２４頁（２９ａ−ＺＮ―１１）
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体として酸化亜鉛を用いた従来のＴＦＴの研究では、上記のように有用な高い電界効果移動度が得られていないのが現状である。
【００１２】
また、半導体として酸化亜鉛を用いた従来のＴＦＴの研究では、上記の酸化亜鉛を形成する成膜方法ごとに特有の不具合もある。
【００１３】
すなわち、成膜方法としてスパッタ法を用いる場合、飛来粒子の運動エネルギが１００ｅＶ程度と大きいため、酸化亜鉛薄膜（半導体）の下地となる絶縁膜や電極に損傷を生じ易い。また、成膜速度が必ずしも大きくないため、生産性やコストの面で必ずしも優位ということはできない。
【００１４】
一方、成膜法としてパルスレーザ堆積法を用いる場合、成膜速度が遅くまた成膜面積も小さいため、生産性やコスト上の問題が大きい。
【００１５】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、半導体に酸化亜鉛薄膜を用いた薄膜トランジスタを高い生産性で安価に製造することができる薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【００１６】
また、本発明は、電界効果移動度の大きな半導体を有する薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、半導体として酸化亜鉛薄膜を用いる薄膜トランジスタの製造方法であって、イオンプレーティング法により該酸化亜鉛薄膜を形成することを特徴とする。
【００１８】
これにより、高い生産性で安価に薄膜トランジスタを製造することができる。また、得られる酸化亜鉛薄膜の結晶性が良好であるため、電界効果移動度の大きな半導体を有する薄膜トランジスタを得ることができる。
【００１９】
この場合、圧力勾配型プラズマガンを用い高密度プラズマ下で前記酸化亜鉛薄膜を形成すると、好適である。
【００２０】
また、この場合、成膜室中に陽極として配設された蒸発材料配置部に酸化亜鉛を主成分とする蒸発材料を配置し、該蒸発材料配置部の周囲に配設した磁場制御部材により該蒸発材料配置部の上方の磁界を制御し、該蒸発材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して該蒸発材料を蒸発させてイオン化し、該蒸発材料と対向して配置される被成膜材料の表面に蒸発物を付着させて前記酸化亜鉛薄膜を形成すると、好適である。ここで、酸化亜鉛を主成分とする蒸発材料には、実質的に酸化亜鉛のみからなる蒸発材料を含むものとする。
【００２１】
また、この場合、前記被成膜材料を低温に保持して前記酸化亜鉛薄膜を形成すると、好適である。ここで、低温とは、室温〜２００℃程度の温度をいう。
【００２２】
また、この場合、前記蒸発材料配置部が前記成膜室の壁を基準として＋２０〜＋５０Ｖの正電位となるように電圧を印加すると、運動エネルギの小さな飛来粒子で成膜することができて好適である。ここで、成膜室の壁とは、成膜室内部と成膜室外部とを仕切る導電性の隔壁をいう。
【００２３】
また、この場合、前記蒸発材料が３族元素、４族元素およびこれらの元素の化合物のうち少なくとも１つを含むと、好適である。
【００２４】
また、この場合、前記３族元素がＡｌ、ＧａまたはＳｃであり、前記４族元素がＳｉであり、前記化合物が前記各元素の酸化物であると、好適である。
【００２５】
また、この場合、前記蒸発材料が３族元素、４族元素およびこれらの元素の化合物のうち少なくとも１つと７族元素の化合物を含むと、好適である。
【００２６】
また、この場合、基板にゲート電極およびゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜上に前記半導体として酸化亜鉛薄膜を形成すると、酸化亜鉛薄膜を形成する際に飛来粒子によるゲート電極やゲート絶縁膜へ与えるダメージが大きくないため、好適である。特に、蒸発材料配置部が成膜室の壁を基準として＋２０〜＋５０Ｖの正電位となるように電圧を印加して酸化亜鉛薄膜を成膜すると、より好適である。
【００２７】
また、本発明に係る薄膜トランジスタは、上記の薄膜トランジスタの製造方法によって製造される酸化亜鉛薄膜を半導体として有することを特徴とする。
【００２８】
これにより、上記薄膜トランジスタの製造方法の効果を好適に発現する薄膜トランジスタを得ることができる。
【００２９】
この場合、前記半導体の電界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖｓ以上であると、好適である。
【００３０】
なお、電界効果移動度の上限は、薄膜トランジスタが上記薄膜トランジスタの製造方法によって得られるものである限り、特に限定するものではないが、例えば、半導体としての諸特性のバランス上等の観点からは、実用上、１５００ｃｍ２／Ｖｓ以下程度である。
【００３１】
また、この場合、ソース電極およびドレイン電極と前記半導体の間に該半導体よりも比抵抗が小さい酸化亜鉛薄膜で形成されるコンタクト層を有すると、ソース電極およびゲート電極間の電子の移動が円滑化されて好適である。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタの好適な実施の形態（以下、本実施の形態例という。）について、図を参照して、以下に説明する。
【００３３】
まず、本実施の形態例に係る薄膜トランジスタの製造方法を実施するために用いるイオンプレーティング装置の一例について図１を参照して説明する。
【００３４】
イオンプレーティング装置１０は、図１に示すように、成膜室である真空容器１２と、真空容器１２中にプラズマビーム（プラズマ）ＰＢを供給するプラズマ源であるプラズマガン（プラズマビーム発生器）１４と、真空容器１２内の底部に配置されてプラズマビームＰＢが入射する陽極部材１６と、成膜の対象である基板（被成膜材料）Ｗを保持する基板保持部材ＷＨを陽極部材１６の上方で適宜移動させる搬送機構１８とを備える。真空容器１０は、アースされている。なお、参照符号２０ｂ、２０ｃは酸素等の雰囲気ガスを供給するための供給路を示し、また、参照符号２０ｄはＡｒ等の不活性ガスを後述するハース１６ａに供給するための供給路を示し、また、参照符号２０ｅは排気系を示す。
【００３５】
プラズマガン１４は、特開平９−１９４２３２号公報等に開示した圧力勾配型であり、その本体部分は真空容器１２の側壁に備えられる。生成するプラズマビームＰＢは、プラズマガン１４の陰極１４ａ、中間電極１４ｂ、１４ｃおよび電磁石コイル１４ｄによって強度や分布状態が制御され、収束される。収束したプラズマビームＰＢは、さらに、ステアリングコイル１４ｅによって入射方向が制御され、真空容器１２中に導入される。ステアリングコイル１４ｅについては、さらに詳細を後述する。なお、参照符号２０ａは、プラズマビームＰＢのもととなる、Ａｒ等の不活性ガスからなるキャリアガスの導入路を示す。
【００３６】
陽極部材１６は、プラズマビームＰＢを下方に導く主陽極であるハース（蒸発材料配置部）１６ａと、その周囲に配置された環状の補助陽極１６ｂとからなる。
【００３７】
ハース１６ａは、正電位を持ち、プラズマガン１４から出射したプラズマビームＰＢを下方に吸引する。ハース１６ａは、プラズマビームＰＢが入射する中央部に貫通孔ＴＨが形成されており、貫通孔ＴＨに蒸発材料２２が装填される。蒸発材料２２は、柱状若しくは棒状に成形されたタブレットであり、プラズマビームＰＢからの電流によって加熱されて昇華し、蒸着物質を生成する。ハース１６ａは蒸発材料２２を徐々に上昇させる構造を有しており、蒸発材料２２の上端は常に一定量だけハース１６ａの貫通孔ＴＨから突出している。
【００３８】
補助陽極１６ｂは、ハース１６ａの周囲に同心に配置された環状の容器で構成され、容器内には、永久磁石２４ａとコイル２４ｂとが収容されている。これら永久磁石２４ａおよびコイル２４ｂは、磁場制御部材であり、これにより、ハース１６ａに入射するプラズマビームＰＢの向きが制御される。
【００３９】
搬送機構１８は、搬送路１８ａ内に水平方向に等間隔で配列されて基板保持部材ＷＨを支持する多数のコロ１８ｂと、コロ１８ｂを回転させて基板保持部材ＷＨを所定の速度で水平方向に移動させる図示しない駆動装置とを備える。基板保持部材ＷＨに基板Ｗが保持される。この場合、基板Ｗを搬送する搬送機構１８を設けることなく、真空容器１２の内部の上方に基板Ｗを真空チャックで固定して配置してもよい。
【００４０】
以上のように構成したイオンプレーティング装置１０では、以下のように成膜処理が行われる。
【００４１】
まず、真空容器１０の下部に配置されたハース１６ａの貫通孔ＴＨに蒸発材料２２を装着する。一方、ハース１６ａの上方の対向する位置に基板Ｗを配置する。
【００４２】
そして、アース電位にある真空容器１０を挟んで、負電圧をプラズマガン１４の陰極１４ａに、正電圧をハース１６ａに印加して放電を生じさせ、これにより、プラズマビームＰＢを生成する。放電が安定した状態でのハース１６ａの電圧は、真空容器１０（真空容器１０の導電性の壁）を基準として好ましくは＋２０〜＋５０Ｖの範囲内とする。このハース１６ａの電圧は、磁場、真空容器１０の圧力、放電電流等の条件を変更することで調整することができる。
【００４３】
プラズマビームＰＢは、ステアリングコイル１４ｅと補助陽極１６ｂ内の永久磁石２４ａ等とによって決定される磁界に案内されてハース１６ａに到達する。この際、材料ロッド２２の周囲にアルゴンガスが供給されるので、容易にプラズマビームＰＢがハース１６ａに引き寄せられる。
【００４４】
プラズマビームＰＢ内におけるハース１６ａ直上での電位はハース１６ａの電位と略同程度であるため、正にイオン化された蒸着物質（蒸発物、蒸着材料の元素）は、ハース１６ａの電位と略等しい電位、すなわち、ポテンシャルエネルギを持つ。
【００４５】
基板Ｗ上に蒸着物質が堆積し、薄膜が形成される。このとき、蒸着物質のポテンシャルエネルギは飛来過程で運動エネルギに転化し、基板Ｗへの衝突により熱エネルギとして散逸される。基板Ｗの温度上昇を防止するために、成膜途中で適宜、搬送機構により基板Ｗを成膜ゾーンから真空容器１２上部両端に設けられた冷却ゾーンに移動させて基板Ｗを冷却する。
【００４６】
つぎに、上記のイオンプレーティング装置１０を用いて行う本実施の形態例に係る薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタについて説明する。
【００４７】
まず、本実施の形態例に係る薄膜トランジスタについて、図２を参照して説明する。
【００４８】
本実施の形態例に係る薄膜トランジスタ２６は、基板２８上に、ゲート電極３０が設けられ、さらにゲート電極３０を覆うゲート絶縁膜３２が設けられる。ゲート絶縁膜３２上に活性半導体層（半導体）３４が設けられ、さらに活性半導体層３４の対向する両側を覆うコンタクト層３６、３６を介してソース電極３８およびドレイン電極４０が設けられる。
【００４９】
基板２８は、適宜の材料で形成したものを用いることができ、例えばガラス基板やプラスティックフィルム基板等を用いることができる。基板２８の厚みは、通常のものと同じでよい。
【００５０】
ゲート電極３０は、例えばＡｌやＷ等の適宜の金属材料で形成したものを用いることができる。
【００５１】
ゲート絶縁膜３２は、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ２あるいはこれらの混合物等の適宜の絶縁性材料で形成したものを用いることができる。
【００５２】
活性半導体層３４は、後述する方法で形成される酸化亜鉛薄膜であり、ｎ−型半導体である。
【００５３】
コンタクト層３６、３６は、ソース電極３８およびゲート電極３０間の電子の移動を円滑化するために設ける層であり、例えば、Ｇａを３質量％ドーピングしたｎ＋型の酸化亜鉛薄膜であり、活性半導体層３４と同様の方法により形成することができる。
【００５４】
ソース電極３８およびドレイン電極４０は、いずれもＡｌ等の適宜の導電性材料を用いて形成することができる。
【００５５】
つぎに、本実施の形態例に係る薄膜トランジスタの製造方法について説明する。
本実施の形態例に係る薄膜トランジスタの製造方法において、半導体となる酸化亜鉛薄膜以外の膜は、スパッタ法や真空蒸着法の適宜の成膜方法を用いて形成することができ、また、イオンプレーティング法を用いて形成することもできる。
したがって、ここでは、半導体となる酸化亜鉛薄膜の製造方法についてのみ説明する。
【００５６】
ゲート電極３０およびゲート絶縁膜３２を予め設けたガラス材料からなる基板２８（図１中、Ｗに対応。）を基板保持部材ＷＨで保持する。
【００５７】
ハース１６ａには、蒸発材料２２としてＺｎＯを主成分とし、必要に応じて３族元素等のドーパントを含む材料を配置する。
【００５８】
ここで、蒸発材料２２は実質的にＺｎＯのみからなる材料であってもよい。
【００５９】
ドーパントは、３族元素、４族元素およびこれらの元素の化合物のなかから適宜選択して用いることができる。また、３族元素、４族元素およびこれらの元素の化合物と７族元素の化合物を用いることもできる。３族元素は、例えばＡｌ、ＧａまたはＳｃを好適に用いることができる。４族元素は、例えばＳｉを好適に用いることができる。３族または４族元素としては、例えばＡｌ２Ｏ３等の酸化物を好適に用いることができる。７族元素は、例えばフッ素等を好適に用いることができる。
【００６０】
プラズマガスとしてアルゴンを用い、アルゴン流量を３０ｓｃｃｍの一定値に保ちながら、酸素を１５ｓｃｃｍの流量で供給する。真空容器１０の圧力は、例えば１０−４Ｔｏｒｒとする。ハース１６ａの電圧は、前記のように真空容器１０を基準として＋２０〜＋５０Ｖの範囲内とする。また、プラズマの放射電流は１００Ａの一定値に保つ。成膜過程において基板２８を、適時、成膜領域から冷却領域に搬送して冷却することで、成膜中の基板２８の温度を室温〜２００℃の範囲に維持する。
【００６１】
上記の条件で成膜して得られる活性半導体層３４は、蒸発材料が高効率で蒸発してイオン化した蒸発物が、膜中に適度の運動エネルギで打ち込まれるため、膜内の欠陥の生成が少なく、また、３族不純物元素の膜表面でのマイグレーションが促進され、他の成膜方法に比べて、膜内に均一に不純物元素を分散させることができる。この結果、適切な不純物制御が行いやすくなり、理論的な予測に基づく物性を有する膜を得ることができる。得られる、酸化亜鉛薄膜からなる活性半導体層３４は、例えば、１０−２Ω・ｃｍ程度の比抵抗値を有し、１５ｃｍ２／Ｖｓ程度の電界効果移動度（電子移動度）を有する。なお、ハースに印可する電位が＋５０Ｖを越えると、蒸発物の運動エネルギが高くなりすぎ、一方、＋２０Ｖを下回ると、粒子のマイグレーションが不足し、酸化亜鉛薄膜の結晶性が低下する。電界効果移動度は、ホール測定方法の１種であるファンデルパウの方法により、膜の導電率およびキャリア密度の値を用いて算出される。
【００６２】
また、活性半導体層３４は、低温条件で成膜されるため、基板２８として安価で量産性に優れる通常のガラス基板を用いることができる。
【００６３】
また、活性半導体層３４を形成する際に、高効率で蒸発してイオン化した蒸発材料が適度の運動エネルギで打ち込まれるため、下地となるゲート絶縁膜３２にダメージを与えることがなく、また、活性半導体層３４とゲート絶縁膜３２の界面の荒れを生じることがなく、界面準位の発生を避けることができる。
【００６４】
上記活性半導体層３４とほぼ同様の方法で形成されるコンタクト層３６、３６は、例えば１０−４Ω・ｃｍレベルの低い比抵抗値を有する。
【００６５】
また、上記の活性半導体層３４およびコンタクト層３６、３６を備える薄膜トランジスタ２６は、ゲート電極による蓄積状態（オン状態）／空乏状態（オフ状態）比が通常の薄膜トランジスタと同様に１０６台である。
【００６６】
本実施の形態例に係る薄膜トランジスタおよびその製造方法によれば、イオンプレーティング法により活性半導体層を形成するため、高い生産性で安価に薄膜トランジスタを製造することができる。
【００６７】
また、薄膜トランジスタ２６は、蒸発物の良好な付着力によって膜の強度の大きな活性半導体層３４が得られるため、素子の劣化が小さい。また、上記のように活性半導体層３４の電界効果移動度がアモルファスシリコンからなる半導体の電界効果移動度よりも１桁以上大きいため、ゲート幅を小さく微細化しても回路動作に必要な電流値を十分確保することができる。また、ゲート幅を小さく微細化して薄膜トランジスタを小型化することにより、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画像を高精細化するために画素寸法を小さくした場合であっても、画素内での光の透過割合を示す開口率を高くすることができ、明るい画像が得られる。また、１０ＭＨｚ程度の高速の動作速度で動作させることができるため、例えば液晶画素を駆動する周辺のＣＭＯＳ回路をディスプレイ上にモノシリックに一体化したシステムオンＬＣＤを実現することができる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法によれば、半導体として酸化亜鉛薄膜を用いる薄膜トランジスタの製造方法であって、イオンプレーティング法により酸化亜鉛薄膜を形成するため、高い生産性で安価に薄膜トランジスタを製造することができる。また、得られる酸化亜鉛薄膜の結晶性が良好であるため、電界効果移動度の大きな半導体を有する薄膜トランジスタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態例に係る薄膜トランジスタの製造方法を実施するために用いるイオンプレーティング装置の概略構成を示す図である。
【図２】本実施の形態例に係る薄膜トランジスタの製造方法によって製造する薄膜トランジスタの概略構成を示す図である。
【符号の説明】
１０  イオンプレーティング装置
１２  真空容器
１４  プラズマガン
１６  陽極部材
１６ａ  ハース
１６ｂ  補助陽極
２２  蒸発材料
２４ａ  永久磁石
２４ｂ  コイル
２６  薄膜トランジスタ
２８  基板
３０  ゲート電極
３２  ゲート絶縁膜
３４  活性半導体層
３６  コンタクト層
３８  ソース電極
４０  ドレイン電極
ＷＨ  基板保持部材
Ｗ  基板
【図１】
2004311702.tif 000003
【図２】
2004311702.tif 000004