(57)【要約】【課題】下地の変動などが発生した場合でも、目標値に対する加工精度の向上を図ることが可能な重ね合わせ補正量算出装置を提供すること。【解決手段】データ保存部１１は、重ね合わせ検査装置４によって測定された写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値と、エッチング後の重ね合わせ精度の測定値とを保存する。演算部１２は、データ保存部１１によって保存された写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値から、エッチング後の重ね合わせ精度の測定値を減算して重ね合わせ検査装置４の補正量を算出する。そして、測定補正部５は、演算部１２によって算出された補正量を重ね合わせ検査装置４に指示する。したがって、写真製版処理によって下地の変動などが発生した場合でも、目標値に対する加工精度が向上するように重ね合わせ検査装置４を制御することが可能となる。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ね合わせ検査装置によって測定された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とを保存するためのデータ保存手段と、
前記データ保存手段によって保存された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とから、前記重ね合わせ検査装置の補正量を算出するための演算手段とを含む、重ね合わせ補正量算出装置。
【請求項２】
前記演算手段は、第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値から第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値を減算して、前記重ね合わせ検査装置の補正量を算出する、請求項１記載の重ね合わせ補正量算出装置。
【請求項３】
前記演算手段は、第１の工程処理後における過去のロットの重ね合わせ精度の測定値と第２の工程処理後における過去のロットの重ね合わせ精度の測定値とから、現ロットに対する前記重ね合わせ検査装置の補正量を算出する、請求項１または２記載の重ね合わせ補正量算出装置。
【請求項４】
重ね合わせ検査装置によって測定された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とを保存するためのデータ保存手段と、
前記データ保存手段によって保存された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とから、露光装置の補正量を算出するための演算手段とを含む、重ね合わせ補正量算出装置。
【請求項５】
前記演算手段は、第１の工程の処理後における過去のロットの重ね合わせ精度の測定値から第２の工程の処理後における過去のロットの重ね合わせ精度の測定値を減算して最適重ね合わせ補正量を算出し、第１の工程の処理後における現ロットの重ね合わせ精度の測定値から前記最適重ね合わせ補正量を減算して前記露光装置の補正量を算出する、請求項４記載の重ね合わせ補正量算出装置。
【請求項６】
前記第１の工程は写真製版処理であり、前記第２の工程はエッチング処理である、請求項１〜５のいずれかに記載の重ね合わせ補正量算出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハ上に形成されるパターンの重ね合わせを補正する技術に関し、特に、重ね合わせ検査データから、重ね合わせ検査装置の補正量を算出する重ね合わせ補正量算出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程においては、従来から、ウェハ上に既に形成されているパターンと、これから転写するマスク上のパターンとの位置合わせを行なう操作が行なわれている。一般に、ウェハ上に形成されるパターンの重ね合わせ制御は、写真製版処理（ウェハに感光剤を塗布後、露光、現像する一連の処理）の変動条件だけから行なわれていた。
【０００３】
また、形成されたパターンの重ね合わせ検査においては、予め目標値と規格値とが設定され、測定結果が目標値に近いほどパターンの出来映えが良いとされていた。これに関連する技術として、特開平１１−２６０６８３号公報および特開２０００−３２３３８３号公報に開示された発明がある。
【０００４】
特開平１１−２６０６８３号公報に開示された半導体材料の製造装置においては、過去に処理された測定データを使って露光条件を決定する際に、過去に処理された同露光工程の後に行なわれる工程での測定データを使用するものである。
【０００５】
また、特開２０００−３２３３８３号公報に開示された半導体製造方法においては、露光、現像処理されたウェハでの重ね合わせ誤差を測定し、測定した重ね合わせ誤差からアライメント補正値を算出して蓄積しておき、蓄積したアライメント補正値のうち、次に露光、現像処理するウェハの処理条件と共通する条件のアライメント補正値に基づいて次のウェハの露光時のアライメント補正を行なうものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−２６０６８３号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開２０００−３２３３８３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
半導体製造において、写真製版処理の際の重ね合わせ位置は、たとえばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程による下地の変動など、写真製版工程以外の影響によっても変動する。したがって、写真製版処理の変動条件だけで重ね合わせを制御しても、出来上がったパターンの重ね合わせが理想とする目標値からかなり外れてしまうといった問題点があった。
【０００９】
また、重ね合わせは、マークとする部分の凹凸を見ながら行なわれる。このマーク部分が正常でない、たとえばマーク部分が左右対象となっていない場合、重ね合わせマークの位置が正しく認識されず、重ね合わせ測定に大きな誤差が含まれる。この誤差は、加工精度の許容値の５０％を占める場合もある。その結果、写真製版処理によって生成されたパターンが、目標値から外れてしまうといった問題点があった。これは、特定プロセスのウェハ処理が原因となって、写真製版処理で問題となるケースが多い。
【００１０】
さらには、この目標値からの誤差は、エッチングなど再生が不可能な加工後にしか明らかにならないといった問題点もあった。これらの問題点は、上述した先行技術によっても解決することができない。
【００１１】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、下地の変動などが発生した場合でも、目標値に対する加工精度の向上を図ることが可能な重ね合わせ補正量算出装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のある局面に従えば、重ね合わせ補正量算出装置は、重ね合わせ検査装置によって測定された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とを保存するためのデータ保存手段と、データ保存手段によって保存された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とから、重ね合わせ検査装置の補正量を算出するための演算手段とを含む。
【００１３】
本発明の別の局面に従えば、重ね合わせ補正量算出装置は、重ね合わせ検査装置によって測定された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とを保存するためのデータ保存手段と、データ保存手段によって保存された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とから、露光装置の補正量を算出するための演算手段とを含む。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置が用いられる半導体製造システムにおける処理工程の概略を示す図である。ウェハに対してＣＭＰ、成膜などの処理が行なわれた後、写真製版処理（ウェハに感光剤を塗布後、露光、現像する一連の処理）が行なわれる。その後で、ウェハ上に形成されたパターンの重ね合わせ精度が測定される（工程２１）。この工程２１は、各ロットに対して行なわれる。
【００１５】
その後、ウェハに対してエッチング処理が行なわれた後、レジストが除去される。そして、ウェハ上に形成されたパターンの重ね合わせ精度が再度測定される（工程２２）。
【００１６】
工程２１は、パターンを写真製版処理した後の重ね合わせ検査を行なうためのものである。また、工程２２は、一連の工程処理後の仕上がりの検査を行なうためのものである。
【００１７】
図２は、図１に示す処理工程によって形成される処理パターンの一例を示す図である。図２（ａ）は、ウェハに形成されたホール部分の側面図である。また、図２（ｂ）は、ＣＭＰ処理および成膜処理が行なわれた後のホール部分を示す図である。
【００１８】
図２（ｃ）は、成膜処理および写真製版処理が行なわれた後のパターンの重ね合わせ精度の測定値を説明するための図である。ホール部分の上に形成された成膜部分の窪みがホール部分からずれている（下地の変動成分を含んでいる）ため、写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値３１は、レジストの位置（黒丸で示す位置）の中心と窪みの位置（白三角で示す位置）の中心との距離となる。実際には、ホール部分に対するレジストの重ね合わせ位置は正しいが、重ね合わせ精度の測定値３１はある程度大きな値となる。
【００１９】
図２（ｄ）は、エッチング処理を行なった後のパターンの重ね合わせ精度の測定値を説明するための図である。エッチング処理後の重ね合わせ精度の測定値３２は、エッチングによって形成されたパターンの位置（黒丸で示す位置）の中心とホール部分の位置（白丸で示す位置）の中心との距離となる。ホール部分に対するレジストの重ね合わせ位置は正しいため、重ね合わせ精度の測定値３２は比較的小さな値となる。
【００２０】
図３は、本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置を用いた半導体製造工程の概略を説明するための図である。まず、ロットａに対する写真製版処理が行なわれ（Ｓ１）、ロットａに対する写真製版後の重ね合わせ検査（工程２１）が行なわれる（Ｓ２）。そして、ロットａに対するエッチング処理が行なわれ（Ｓ３）、ロットａに対するエッチング後の重ね合わせ検査（工程２２）が行なわれる（Ｓ４）。
【００２１】
次に、ロットｂに対する写真製版処理が行なわれる（Ｓ５）。そして、ロットａの写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値３１ａと、エッチング処理後の重ね合わせ精度の測定値３２ａとから、次式によって次ロット（ロットｂ）の最適重ね合わせ補正量３３ａが算出される（Ｓ６）。
【００２２】
（最適重ね合わせ補正量３３）＝（測定値３１）−（測定値３２）  …（１）
次に、算出された最適重ね合わせ補正量３３ａを用いて、ロットｂの重ね合わせ精度の補正を行ない、ロットｂに対する写真製版処理後の重ね合わせ検査（工程２１）が行なわれる（Ｓ７）。そして、ロットｂに対するエッチング処理が行なわれ（Ｓ８）、ロットｂに対するエッチング処理後の重ね合わせ検査（工程２２）が行なわれる（Ｓ９）。
【００２３】
次に、ロットｃに対する写真製版処理が行なわれる（Ｓ１０）。そして、ロットｂの写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値３１ｂと、エッチング処理後の重ね合わせ精度の測定値３２ｂとから、式（１）によって次ロット（ロットｃ）の最適重ね合わせ補正量３３ｂが算出される（Ｓ１１）。以降、同様の処理が繰返される。
【００２４】
このように、過去の重ね合わせ精度の測定値３１および３２を用いて次に処理するロットの重ね合わせ補正量３３を算出し、フィードバックするようにしたので、下地や装置の変動分を考慮した重ね合わせ検査が行なえるようになる。
【００２５】
図４は、本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置を用いた半導体製造システムの概略構成を示すブロック図である。この半導体製造システムは、写真製版した後の各ロットの重ね合わせ検査によって求められた重ね合わせ精度を検出する写真製版後重ね合わせ精度検出部１と、エッチングした後の各ロットの重ね合わせ検査によって求められた重ね合わせ精度を検出するエッチング後重ね合わせ精度検出部２と、重ね合わせ補正量算出装置３と、重ね合わせ検査装置４と、重ね合わせ補正量算出装置３によって算出された最適重ね合わせ補正量を用いて重ね合わせ検査装置４を補正する測定補正部５と、最適重ね合わせ補正量を考慮して、重ね合わせ検査装置４によって測定された重ね合わせ精度（補正済み重ね合わせ精度）を検出する補正済み重ね合わせ精度検出部６と、補正済み重ね合わせ精度検出部６によって検出された補正済み重ね合わせ精度を用いて露光が補正される露光装置７とを含む。
【００２６】
また、重ね合わせ補正量算出装置３は、写真製版処理後重ね合わせ精度検出部１によって検出された写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値３１およびエッチング後重ね合わせ精度検出部２によって検出されたエッチング処理後の重ね合わせ精度の測定値３２を保存するデータ保存部１１と、データ保存部１１に保存された写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値３１とエッチング後の重ね合わせ精度の測定値３２とから最適重ね合わせ補正量３３を算出する演算部１２とを含む。
【００２７】
図５は、本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置３の構成例を示すブロック図である。この重ね合わせ補正量算出装置３は、コンピュータ本体３１、ディスプレイ装置３２、ＦＤ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｄｉｓｋ）３４が装着されるＦＤドライブ３３、キーボード３５、マウス３６、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ−Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）３８が装着されるＣＤ−ＲＯＭ装置３７、およびネットワーク通信装置３９を含む。
【００２８】
重ね合わせ補正量算出プログラムは、ＦＤ３４またはＣＤ−ＲＯＭ３８等の記録媒体によって供給される。重ね合わせ補正量算出プログラムがコンピュータ本体３１によって実行されることによって、最適重ね合わせ補正量の算出が行なわれる。また、重ね合わせ補正量算出プログラムは他のコンピュータよりネットワーク通信装置３９を経由し、コンピュータ本体３１に供給されてもよい。
【００２９】
図５に示すコンピュータ本体３１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）４０、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）４１、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）４２およびハードディスク４３を含む。ＣＰＵ４０は、ディスプレイ装置３２、ＦＤドライブ３３、キーボード３５、マウス３６、ＣＤ−ＲＯＭ装置３７、ネットワーク通信装置３９、ＲＯＭ４１、ＲＡＭ４２またはハードディスク４３との間でデータを入出力しながら処理を行なう。
【００３０】
ＦＤ３４またはＣＤ−ＲＯＭ３８に記録された重ね合わせ補正量算出プログラムは、ＣＰＵ４０によりＦＤドライブ３３またはＣＤ−ＲＯＭ装置３７を介して一旦ハードディスク４３に格納される。ＣＰＵ４０は、ハードディスク４３から適宜重ね合わせ補正量算出プログラムをＲＡＭ４２にロードして実行することによって、重ね合わせ補正量の算出が行なわれる。
【００３１】
図６は、重ね合わせ補正量算出装置３を用いた重ね合わせ検査装置４の補正処理を説明するためのフローチャートである。まず、重ね合わせ補正量算出装置３は、ロット処理のレシピを問合せる（Ｓ２１）。現在どのロットが処理されているかが図示しない製造管理装置などによって管理されており、その情報が重ね合わせ補正量算出装置３によって取得される。
【００３２】
次に、演算部１２は、ロット処理のレシピを参照して、過去のロット処理によって検出された写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値３１とエッチング後の重ね合わせ精度の測定値３２とをデータ保存部１１から読出し、式（１）を用いて最適重ね合わせ補正量を算出する（Ｓ２２）。
【００３３】
次に、測定補正部５は、演算部１２によって算出された最適重ね合わせ補正量を重ね合わせ検査装置４に指示する（Ｓ２３）。重ね合わせ検査装置４は、測定補正部５によって指示された最適重ね合わせ補正量を用いて写真製版処理後の重ね合わせ検査を行ない（Ｓ２４）、写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定結果を写真製版処理後重ね合わせ精度検出部１へ報告する（Ｓ２５）。データ保存部１１は、写真製版処理後重ね合わせ精度検出部１から写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値３１を取得して保存する（Ｓ２６）。
【００３４】
次に、重ね合わせ検査装置４は、エッチング後の重ね合わせ検査を行ない（Ｓ２７）、エッチング後の重ね合わせ精度の測定結果をエッチング後重ね合わせ精度検出部２へ報告する（Ｓ２８）。データ保存部１１は、エッチング後重ね合わせ精度検出部２からエッチング後の重ね合わせ精度の測定値３２を取得して保存する（Ｓ２９）。
【００３５】
これらの一連の処理が、各ロット、各工程、各装置に対して行なわれ、下地の変動分などが連続的に補正される。したがって、目標値に対する重ね合わせ精度を高めることができ、製品の加工品質を向上させることができる。
【００３６】
また、写真製版処理後の重ね合わせ精度とエッチング後の重ね合わせ精度とが測定されたロットが複数ある場合、たとえばロットａとロットｂとがある場合、次式によってロットｃの最適重ね合わせ補正量が算出されてもよい。
【００３７】
（ロットｃの最適重ね合わせ補正量）＝演算（ロットａの最適重ね合わせ補正量３３ａ，ロットｂの最適重ね合わせ補正量３３ｂ）  …（２）
演算としては、平均、中心などの演算が用いられ、演算に使用するデータ数は別途予め指定される。
【００３８】
また、補正済み重ね合わせ精度検出部６は、重ね合わせ検査装置４によって測定された補正済み重ね合わせ結果を検出する。重ね合わせ検査装置４によって測定された補正済み重ね合わせ結果は次式によって表わされる。
【００３９】
（補正済み重ね合わせ結果）＝（写真製版処理後の重ね合わせ測定結果）−（最適重ね合わせ補正量）  …（３）
補正済み重ね合わせ精度検出部６は、重ね合わせ検査装置４によって測定された補正済み重ね合わせ結果を用いて露光装置７の補正を行なう。
【００４０】
以上説明したように、本実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置によれば、過去の写真製版処理後の重ね合わせ精度の測定値と、エッチング処理後の重ね合わせ精度の測定値とから最適重ね合わせ補正量を算出するようにしたので、下地の変動などが発生した場合であっても目標値に対する加工精度の向上を図ることが可能となった。
【００４１】
また、最適な重ね合わせ補正量を再決定するための条件出し（処理前の先行パイロット処理）が不要となり、最適な重ね合わせ補正量を製造を遅滞させることなく求めることができ、製造時間の短縮を図ることが可能となった。さらには、条件出しのためのウェハ（先行パイロット処理に使用するウェハ）が不要になるので、ウェハの無駄を防止することが可能となった。
【００４２】
（第２の実施の形態）
図７は、本発明の第２の実施の形態における半導体製造システムの概略構成を示すブロック図である。図４に示す半導体製造システムの概略構成と比較して、演算部が補正済み重ね合わせ結果を算出し、測定補正部５が補正済み重ね合わせ結果を用いて露光装置７を補正する点のみが異なる。したがって、重複する構成および機能の詳細な説明は繰返さない。なお、本実施の形態における演算部の参照符号を１２’とする。
【００４３】
第１の実施の形態においては、重ね合わせ検査装置４が最適重ね合わせ補正量を用いて写真製版処理後の重ね合わせ精度を測定し、その重ね合わせ精度の測定値（補正済み重ね合わせ測定結果）を補正済み重ね合わせ精度検出部６へ出力するものであった。本実施の形態においては、演算部１２’が写真製版処理後の重ね合わせ測定値３１と最適重ね合わせ補正量３３とから次式を用いて補正済み重ね合わせ結果を算出する。
【００４４】
（補正済み重ね合わせ結果）＝（現在の測定ロットの写真製版処理後の重ね合わせ測定結果３１）−（過去のロットの最適重ね合わせ補正量３３）  …（４）
測定補正部５は、演算部１２’によって算出された補正済み重ね合わせ結果を用いて露光装置７を補正する。
【００４５】
以上説明したように、本実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置によれば、演算部１２’が写真製版処理後の重ね合わせ測定値３１と最適重ね合わせ補正量３３とから補正済み重ね合わせ結果を算出するようにしたので、最適重ね合わせ補正量３３を用いて補正を行なう機能を有しない重ね合わせ検査装置４を用いた場合であっても、実施の形態１において説明したのと同様の効果を得ることが可能となった。
【００４６】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態における半導体製造システムの概略構成は、図４および図７に示す第１および第２の実施の形態における半導体製造システムの概略構成と同様である。したがって、重複する構成および機能の詳細な説明は繰返さない。また、本実施の形態における重ね合わせ検査装置４の補正処理の手順は、図６に示す第１の実施の形態における重ね合わせ検査装置４の補正処理の手順と同様である。したがって、その処理手順の詳細な説明は繰返さない。
【００４７】
ウェハ上にパターンを形成するために必要なカテゴリーは複数存在する。たとえば、重ね合わせを行なう場合には、ウェハオフセット、ウェハローテーション、ウェハスケーリングなどがある。本実施の形態においては、最適重ね合わせ補正量を算出するカテゴリーを選択するものである。選択されるカテゴリーは、複数であってもよい。たとえば、ウェハオフセットとウェハローテーションとが選択された場合には、それぞれのカテゴリーに対して並行して第１の実施の形態または第２の実施の形態において説明した補正処理が行なわれる。それぞれのカテゴリーは、独立して取り扱われる。
【００４８】
以上説明したように、本実施の形態における半導体製造システムによれば、最適重ね合わせ補正量を算出するカテゴリーを選択するようにしたので、目標値に近づけたいカテゴリーに対してのみ補正処理を行なうことが可能となった。
【００４９】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態における半導体製造システムの概略構成は、図４および図７に示す第１および第２の実施の形態における半導体製造システムの概略構成と同様である。したがって、重複する構成および機能の詳細な説明は繰返さない。また、本実施の形態における重ね合わせ検査装置４の補正処理の手順は、図６に示す第１の実施の形態における重ね合わせ検査装置４の補正処理の手順と同様である。したがって、その処理手順の詳細な説明は繰返さない。
【００５０】
本実施の形態における半導体製造システムにおいては、カテゴリー毎の測定値がロットから１つだけでなく、それぞれのウェハ、ショットの各場所で重ね合わせ精度を測定して、重ね合わせ補正量算出装置３へ報告するものである。
【００５１】
図８は、ウェハ上の測定ポイントの一例を示す図である。図８において、Ａ１〜Ａｎは、各ポイントにおける測定結果を示しており、第１または第２の実施の形態において説明したのと同様の方法で最適重ね合わせ補正量が算出される。このよう、ショットやウェハの各ポイントにおける重ね合わせ精度が測定され、必要に応じて最適重ね合わせ補正量がロット毎、ウェハ毎、ショット毎に算出されて補正処理が行なわれる。なお、最適重ね合わせ補正量の算出は、式（１）を用いて行なわれる。
【００５２】
以上説明したように、本実施の形態における半導体製造システムによれば、ロット毎、ウェハ毎、ショット毎に最適重ね合わせ補正量を算出するようにしたので、目標値に近づけたい箇所をきめ細かく設定し、その箇所に対してのみ補正処理を行なうことが可能となった。
【００５３】
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５４】
【発明の効果】
本発明のある局面によれば、演算手段が、データ保存手段によって保存された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とから、重ね合わせ検査装置の補正量を算出するので、第１の工程による下地の変動などが発生した場合でも、目標値に対する加工精度が向上するように重ね合わせ検査装置を制御することが可能となった。
【００５５】
本発明の別の局面によれば、演算手段が、データ保存手段によって保存された第１の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値と第２の工程の処理後における重ね合わせ精度の測定値とから、露光装置の補正量を算出するので、第１の工程による下地の変動などが発生した場合でも、目標値に対する加工精度が向上するように露光装置を制御することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置が用いられる半導体製造システムにおける処理工程の概略を示す図である。
【図２】図１に示す処理工程によって形成される処理パターンの一例を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置を用いた半導体製造工程の概略を説明するための図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置を用いた半導体製造システムの概略構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における重ね合わせ補正量算出装置３の構成例を示すブロック図である。
【図６】重ね合わせ補正量算出装置３を用いた重ね合わせ検査装置４の補正処理を説明するためのフローチャートである。
【図７】本発明の第２の実施の形態における半導体製造システムの概略構成を示すブロック図である。
【図８】ウェハ上の測定ポイントの一例を示す図である。
【符号の説明】
１  写真製版処理後重ね合わせ精度検出部、２  エッチング後重ね合わせ精度検出部、３  重ね合わせ補正量算出装置、４  重ね合わせ検査装置、５  測定補正部、６  補正済み重ね合わせ精度検出部、７  露光装置、１１  データ保存部、１２，１２’  演算部、３１  コンピュータ本体、３２  ディスプレイ装置、３３  ＦＤドライブ、３４  ＦＤ、３５  キーボード、３６  マウス、３７  ＣＤ−ＲＯＭ装置、３８  ＣＤ−ＲＯＭ、３９  ネットワーク通信装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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