(57)【要約】【課題】凹凸部を有する基材に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ装置及びこれらの装置を使用した無電解メッキ方法の提供。【解決手段】少なくとも一つの凹凸形状を有する基材に金属メッキ被膜の形成を行う処理部と水洗部とを有する無電解メッキ装置において、該処理部が複数の処理槽を有し、該水洗部が水洗手段と水切り手段とを有し、前記処理部から前記水洗部及び前記水洗部から前記処理部への該基材の移動を自動搬送手段で行うことを特徴とする無電解メッキ装置。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの凹凸形状を有する基材に金属メッキ被膜の形成を行う処理部と水洗部とを有する無電解メッキ装置において、該処理部が複数の処理槽を有し、該水洗部が水洗手段と水切り手段とを有し、前記処理部から前記水洗部及び前記水洗部から前記処理部への該基材の移動を自動搬送手段で行うことを特徴とする無電解メッキ装置。
【請求項２】
前記水洗手段がスプレー水洗装置であることを特徴とする請求項１に記載の無電解メッキ装置。
【請求項３】
前記水洗手段がスプレー水洗装置と水浸漬槽とであることを特徴とする請求項１に記載の無電解メッキ装置。
【請求項４】
前記水切り手段がガス吹き付け装置であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【請求項５】
前記水洗部が一つのみ配設されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【請求項６】
前記自動搬送手段が３次元ロボットであることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【請求項７】
前記自動搬送手段は、複数の処理槽と水洗部とで基材を最大瞬間昇降速度３０〜９０ｃｍ／ｓｅｃで少なくとも１回昇降させることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【請求項８】
前記基材は、幅が１０〜３００μｍ、アスペクト比が３〜１０の溝部を有する剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤であることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【請求項９】
複数の処理槽を有する処理部と水洗部とを有する無電解メッキ装置を用いて、少なくとも一つの凹凸形状を有する基材に金属メッキ被膜の形成を行う無電解メッキ方法において、該水洗部にて該基材を水洗した後、水切り手段にて水切りを行った後、次工程の処理を行い、該処理槽から前記水洗部及び前記水洗部から前記処理槽への前記基材の移動を自動搬送手段で行うことを特徴とする無電解メッキ方法。
【請求項１０】
前記水洗がスプレー水洗方式であることを特徴とする請求項９に記載の無電解メッキ方法。
【請求項１１】
前記水洗が浸漬方式とスプレー水洗方式の両方であることを特徴とする請求項９に記載の無電解メッキ方法。
【請求項１２】
前記水洗部が一つのみ配設されていることを特徴とする請求項９から１１の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【請求項１３】
前記水切り手段がガス吹き付け装置であることを特徴とする請求項９から１２の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【請求項１４】
前記自動搬送手段が３次元ロボットであることを特徴とする請求項９から１３の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【請求項１５】
前記自動搬送手段は、複数の処理槽と水洗部とで基材を最大瞬間昇降速度３０〜９０ｃｍ／ｓｅｃで少なくとも１回昇降させることを特徴とする請求項９から１４の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【請求項１６】
前記基材は、幅が１０〜３００μｍ、アスペクト比が３〜１０の溝部を有する剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤であることを特徴とする請求項９から１５の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、凹凸形状を有する基材に金属メッキ被膜を形成する無電解メッキ装置及び無電解メッキ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基材の表面に金属被膜を形成して電気的特性を付与する方法として、スパッタリング方法、真空蒸着方法、電解メッキ方法、無電解メッキ方法等が使用されている。無電解メッキ方法はスパッタリング方法、真空蒸着方法、電解メッキ方法に比べ、装置も比較的簡単で、常圧下での工程であって大量に生産できるため製造コストも低く、凹凸を有する基材に対しても均一に金属メッキ被膜が形成でき、電気的エネルギを用いないで水溶液中の金属イオンを置換反応、あるいは酸化還元反応により、導体や不導体（合成樹脂、ガラス、陶器、ホウロウ等）の基材表面に金属メッキ被膜を形成することが可能であることから利用価値が高い方法として知られている。
【０００３】
無電解メッキ方法を利用している一例としては、例えばインクジェットプリンタの剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤への電極の設置、サーマルプリンタのサーマルヘッドの基板への発熱体の設置等が挙げられる。
【０００４】
剪断モード型インクジェットヘッドの一例としては、例えば特開昭６３−２４７０５１号公報には、圧電性基盤にインク圧力室と空気圧力室用の溝を研削し、各圧力室の側壁に印加電極を設け、インク圧力室側の印加電極に信号電圧を印加し、空気圧力室側の電極を接地して、インク圧力室側から空気圧力室側に電圧を掛けることにより、側壁を剪断変形させてインク圧力室の圧力変化でインクを吐出させる方式が挙げられている。
【０００５】
この剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤は、複数の狭く深い溝部（以下、単に溝部ともいう）と、溝部につながる平面とを有する微細構造をしている。各溝部には金属メッキ被膜（以下、単にメッキ被膜ともいう）による印加電極が配設され、平面には各印加電極につながるメッキ被膜による配線用電極が配設されている。
【０００６】
溝部の構造の一例としては、溝部の幅は８０μｍ、深さは４００μｍ、長さは１００ｍｍが挙げられる。このため、無電解メッキ方法で溝の内側にメッキ被膜（印加用電極）を形成する場合、溝部の奥部分まで無電解メッキ液（以下、単にメッキ液ともいう）が流入し難く、溝の底付近はメッキ液が滞留しやすく、また、化学反応によるガスが発生し気泡が生じ、この気泡によりメッキ液の供給が阻止されることで、メッキ被膜の形成が不均一になったり、また、ピンホール等の欠陥が発生し易く、均一な印加用電極が得られ難い問題がある。上記の微細な構造を有する剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤は、無電解メッキ方法でも溝部の側壁に均一に印加用電極と溝つながる平面に配線用電極とを均一に形成するのは非常に困難な基材の一つとして挙げられている。
【０００７】
溝部の側壁に形成した印加用電極が不均一になった場合は、側壁の剪断変形が一定に生じなくなる危険があり、これに伴いインクの吐出が一定でなくなり、印刷品質の低下が生じる危険がある。このため、剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤は、溝部の側壁部分と溝部につながる平面とに均一にメッキ被膜層を形成するのは重要な項目の一つとされている。
【０００８】
特に無電解メッキ方法ではメッキ液自体が化学反応により消耗するため、メッキ液組成変化の影響を直接受ける。このため、剪断モード型インクジェットヘッドに使用する圧電性基盤に設けられた溝部の深部まで均一な印加用電極を形成するためには、メッキ液の安定した供給が必要とされている。
【０００９】
このような観点から、メッキ被膜を形成すべき対称物に対してメッキ液を吹き付けながら無電解メッキ処理を行なう技術（例えば、特許文献１参照。）や、メッキ液を撹拌しながら無電解メッキ処理を行なう技術（例えば、特許文献２参照。）や、メッキ処理槽中でメッキ被膜を形成すべき対称物を一定間隔で引き上げ・浸漬操作を行う方法（例えば、特許文献３参照。）等が知られている。しかしながらこれらの技術は、平坦な面に対してメッキ被膜の品質を向上させることや、メッキ被膜を形成すべき対称物に対してメッキ液を均等に供給するために有効であるが、複数の溝部とこれらの溝部につながる平面とを有する微細な構造の圧電性基盤等には有効の技術となっていない。
【００１０】
これら複数の溝部とこれらの溝部につながる平面部とを有する微細な構造の圧電性基盤に対する無電解メッキ方法として、無電解メッキ処理槽中で圧電性基盤に設けられた複数の溝部に対して深さ方向にメッキ液を噴出することで溝の深部までメッキ被膜の形成を行う無電解メッキ方法及び無電解メッキ装置が知られている（例えば、特許文献４参照。）。しかしながらこの方法では複数の溝部とメッキ液の噴出位置とを合わせる精度が要求される前作業を必要とするため生産性が低く、且つ無電解メッキ装置もメッキ液の噴出装置を配設しなければならずコストが高くなる欠点を有している。
【００１１】
又、圧電性基盤に設けられた溝部を一旦トンネル状にして、このトンネル内に強制的にメッキ液を流すことで溝部の深部までメッキ被膜の形成を行う方法が知られている（例えば、特許文献５参照。）。しかしながらこの方法は、無電解メッキ処理を行う前に圧電性基盤に設けられた複数の溝部を一旦トンネル状にする作業と、無電解メッキ処理終了後に解体して圧電性基盤を取り出す作業が必要となるため生産性が低く、トンネル状にした複数の溝部にメッキ液を強制的に流す装置を付けなければならずコストが高くなる欠点を有している。
【００１２】
この様な状況から、凹凸部を有する基材（例えば剪断モード型インクジェットヘッドに使用する複数の溝部を有する圧電性基盤）に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ装置及びこれらの装置を使用した無電解メッキ方法の開発が望まれている。
【００１３】
【特許文献１】
特開昭６０−１３０７７号公報
【００１４】
【特許文献２】
特開昭６２−１０２９３号公報
【００１５】
【特許文献３】
特開平７−３１６８２７号公報
【００１６】
【特許文献４】
特開平１０−２３５８７９号公報
【００１７】
【特許文献５】
特開平１０−１５７１４４号公報
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記状況に鑑みなされたもので、その目的は、凹凸部を有する基材に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ装置及びこれらの装置を使用した無電解メッキ方法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の構成により達成された。
【００２０】
１）少なくとも一つの凹凸形状を有する基材に金属メッキ被膜の形成を行う処理部と水洗部とを有する無電解メッキ装置において、該処理部が複数の処理槽を有し、該水洗部が水洗手段と水切り手段とを有し、前記処理部から前記水洗部及び前記水洗部から前記処理部への該基材の移動を自動搬送手段で行うことを特徴とする無電解メッキ装置。
【００２１】
２）前記水洗手段がスプレー水洗装置であることを特徴とする１）に記載の無電解メッキ装置。
【００２２】
３）前記水洗手段がスプレー水洗装置と水浸漬槽とであることを特徴とする１）に記載の無電解メッキ装置。
【００２３】
４）前記水切り手段がガス吹き付け装置であることを特徴とする１）から３）の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【００２４】
５）前記水洗部が一つのみ配設されていることを特徴とする１）から４）の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【００２５】
６）前記自動搬送手段が３次元ロボットであることを特徴とする１）から５）の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【００２６】
７）前記自動搬送手段は、複数の処理槽と水洗部とで基材を最大瞬間昇降速度３０〜９０ｃｍ／ｓｅｃで少なくとも１回昇降させることを特徴とする１）から６）の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【００２７】
８）前記基材は、幅が１０〜３００μｍ、アスペクト比が３〜１０の溝部を有する剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤であることを特徴とする１）から７）の何れか１項に記載の無電解メッキ装置。
【００２８】
９）複数の処理槽を有する処理部と水洗部とを有する無電解メッキ装置を用いて、少なくとも一つの凹凸形状を有する基材に金属メッキ被膜の形成を行う無電解メッキ方法において、該水洗部にて該基材を水洗した後、水切り手段にて水切りを行った後、次工程の処理を行い、該処理槽から前記水洗部及び前記水洗部から前記処理槽への前記基材の移動を自動搬送手段で行うことを特徴とする無電解メッキ方法。
【００２９】
１０）前記水洗がスプレー水洗方式であることを特徴とする９）に記載の無電解メッキ方法。
【００３０】
１１）前記水洗が浸漬方式とスプレー水洗方式の両方であることを特徴とする９）に記載の無電解メッキ方法。
【００３１】
１２）前記水洗部が一つのみ配設されていることを特徴とする９）から１１）の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【００３２】
１３）前記水切り手段がガス吹き付け装置であることを特徴とする９）から１２）の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【００３３】
１４）前記自動搬送手段が３次元ロボットであることを特徴とする９）から１３）の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【００３４】
１５）前記自動搬送手段は、複数の処理槽と水洗部とで基材を最大瞬間昇降速度３０〜９０ｃｍ／ｓｅｃで少なくとも１回昇降させることを特徴とする９）から１４）の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【００３５】
１６）前記基材は、幅が１０〜３００μｍ、アスペクト比が３〜１０の溝部を有する剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤であることを特徴とする９）から１５）の何れか１項に記載の無電解メッキ方法。
【００３６】
【発明の実施の形態】
発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討を加えた結果、剪断モード型インクジェットヘッドに用いる圧電性基盤の様な微細な複数の溝部の内部に対してメッキ皮膜の形成がバラツク原因の一つとして、温度、処理液の供給以外に次の項目が挙げられると推定した。
【００３７】
１）無電解メッキ処理槽に浸浸したとき、前工程の処理液が水洗不足により溝部の内部に部分的に残存していることで、残存している部分でメッキ被膜の形成が正常に行われないためにムラが発生する。
【００３８】
２）無電解メッキ処理槽に浸浸したとき、前工程の水洗の水が溝の内部に部分的に残っていることで、水が付着している部分は無電解メッキ処理液の濃度が薄くなり、溝の内部で無電解メッキ処理液の濃度勾配が形成されるためメッキ皮膜にムラが発生する。
【００３９】
即ち、メッキ皮膜を均一に形成させるためには、メッキ皮膜を形成させる箇所に前工程の処理液、水洗水の残存が無いことが重要であると推定し、無電解メッキ処理槽にメッキ皮膜を形成させる基材（以下、被メッキ体ともいう）を浸浸する前に溝部の内部に前工程の処理液が残存しないような水洗手段および水洗後の水が溝の内部にムラの状態で残らない様な水切り手段を検討し本発明に至った次第である。
【００４０】
以下、凹凸形状を有する基材の一例として、図２に示すインク圧力室と空気圧力室用の複数の溝部が形成された剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤を用いて、図１〜図１０を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００４１】
図１は、一部破断面を有する剪断モード型インクジェットヘッドの一例を示す概略斜視図である。
【００４２】
図中１は、剪断モード型インクジェットヘッドを示す。剪断モード型インクジェットヘッド１は、下層圧電性基盤２０１と上層圧電性基盤２０２とを接合して形成された圧電性基盤２と、天板３と、ノズル板４とを有している。
【００４３】
圧電性基盤２は、研削加工を施すことによりノズル板４側が開口し、反対側が閉塞している互いに平行な所定の長さを有する複数の溝部（凹部に該当する）２０３と、溝部２０３の閉塞した側につながる平面（凸部に該当する）２０５と、溝部２０３の両側に側壁２０４とを有している。複数の溝部２０３は交互にインク圧力室用の溝部２０３ａと空気圧力室用の溝部２０３ｂとなっている。溝部２０３は本発明に係わる基材の凹部に相当し、平面２０５は本発明の基材の凸部に相当する。
【００４４】
３０１はインク供給管３０２から供給されたインクのインク溜を示し、各溝部２０３に連通した各インク供給口３０３より各インク圧力室用の溝部２０３ａに供給される様になっている。３０４は圧電性基盤２の上面を覆う第１天板を示し、３０５は第１天板の上面を覆う第２天板を示す。各溝部２０３は第１天板３０４とノズル板４とにより覆われることで複数の密閉されたチャネル（インク圧力室及び空気圧力室）が形成される様になっている。４０１は各溝部の各側壁の剪断変形に伴い、インク圧力室及び空気圧力室の圧力変化でインクを吐出させる穴を示す。
【００４５】
第１天板３０４及び第２天板３０５の材料は特に限定されず、例えば有機材料からなっても良いが、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイド、石英、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等が挙げられる。
【００４６】
ノズル板４を構成する基材としては、金属や樹脂が使用される。例えばステンレス、ポリイミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン等が好ましく採用できる。特に好ましくはポリイミド樹脂で、Ｄｕｐｏｎｔ社製：カプトンや宇部興産（株）製：ユーピレックス等が寸法安定性、耐インク性、耐熱性等に優れているので好ましい。
【００４７】
図２は図１に示される圧電性基盤の概略図である。図２の（ａ）は圧電性基盤の概略斜視図である。図２の（ｂ）は図２の（ａ）のＡ−Ａ′に沿った概略断面図である。
【００４８】
圧電性基盤２は下層圧電性基盤２０１と上層圧電性基盤２０２とを接合して形成され、これらの下層圧電性基盤２０１と上層圧電性基盤２０２とは基盤の厚さ方向に逆方向に分極されている。２０３ｃは溝部２０３の閉塞されている側の傾斜した面を有する底面を示し、平面２０５とつながっている。
【００４９】
２０６は溝部の側壁２０４の内面にメッキ被膜により形成された印加用電極を示す。印加用電極２０６は側壁２０４を剪断変形させるために電圧が印加される。２０７は印加用電極２０６に接続し、溝部につながる平面２０５にメッキ被膜により形成された配線用電極を示す。配線用電極２０７は外部のプリント配線基板等への電気的接続のためのリード線接続部となる。印加用電極２０６と配線用電極２０７とは連続して形成されている。
【００５０】
本図では分極化した圧電性基盤を厚さ方向に分極が逆になるように接合し、溝部の側壁の全面に印加用電極を形成し、側壁の上と下とで剪断変形させる場合を示しているが、溝部の側壁の上半分の分極化した圧電性基盤に印加用電極を形成し、側壁の上半分を剪断変形させる方法であってもかまわない。
【００５１】
本図で示される構成の圧電性基盤の方が溝部の側壁の上半分に印加用電極を形成する場合よりも効率が良く、同じ電圧の場合、溝部の側壁の剪断変形量が大きいので高い圧力を発生し、射出されたインクの飛翔速度が速く、着弾ずれを少なくでき画質の大幅な向上が可能である。或いは必要とする剪断変形量に対して電圧を小さくできるので剪断モード型インクジェットヘッドの発熱を抑えることができる。
【００５２】
圧電性基盤に使用する材料としては、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ等のセラミックスが挙げられ、主にＰｂＯｘ、ＺｒＯｘ、ＴｉＯｘの混合微結晶体に、ソフト化剤又はハード化剤として知られる微量の金属酸化物、例えばＮｂ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｌａ、Ｃｒ等の酸化物を含むものが好ましい。
【００５３】
ＰＺＴは充填密度が大きいので圧電性定数が大きく、加工性が良いので好ましい。ＰＺＴは、焼成後、温度を下げると、急に結晶構造が変化して、原子がズレ、片側がプラス、反対側がマイナスという双極子の形の、細かい結晶の集まりになる。こうした自発分極は方向がランダムで、極性を互いに打ち消しあっているので、更に分極処理が必要となる。
【００５４】
分極処理は、ＰＺＴの薄板を電極で挟み、シリコン油中に漬けて、１０〜３５ｋＶ／ｃｍ程度の高電界を掛けて分極する。分極したＰＺＴに分極方向に直角に電圧を掛けると、側壁が圧電滑り効果により、斜め方向に、くの宇形に、剪断変形して、インク圧力室の容積が膨張する。
【００５５】
本図に示される圧電性基盤において、溝部２０３は幅が１０〜３００μｍ、溝部幅に対する溝部の深さ（アスペクト比）が２〜１０であることが好ましい。アスペクト比が２未満の場合は、圧電性基盤に使用する材料によっては剪断変形量が少なくなり、必要とするインクの飛翔速度が得られなくなる場合がある。１０を越えた場合は、圧電性基盤に使用する材料によっては溝部の幅の精度が不安定になり、これに伴い印加用電極２０６を形成しても、安定した剪断変形量が得られなくなる場合がある。
【００５６】
本図に示される圧電性基盤において、印加用電極を形成する部分と配線用電極とを形成する部分は互いに形状の異なる部分であり、両者に均等にメッキ層を形成しなければならないものである。
【００５７】
このためにメッキ液は全ての溝部２０３の内部と平面２０５とに均等に供給することが必要である。
【００５８】
図２に示される複数の溝部を有する圧電性基盤の溝部に印加用電極２０６と、溝部につながる平面に配線用電極２０７とは無電解メッキ方法にて、１）フォトレジスト層形成工程、２）無電解メッキ前処理工程、３）無電解メッキ工程、４）フォトレジスト層剥離工程等を順次経て形成することが可能である。
【００５９】
尚、フォトレジスト層形成工程は本発明に係る圧電性基盤の場合にはメッキ被膜を形成する箇所とメッキ被膜を形成させない箇所とが混在するため必要とするが、被メッキ体の種類によっては必要としない場合もある。この場合は、フォトレジスト層剥離工程は不要となる。
【００６０】
図３はフォトレジストパターンを形成した圧電性基盤の概略斜視図である。フォトレジストパターン形成工程においては、圧電性基盤２にフォトレジスト膜を塗布した後、マスクをかけて露光現像し、これにより、印加用電極２０６と配線用電極２０７とを形成しない部分にフォトレジストパターン２０８（図中のドットで示した部分を示す）を形成するものである。その形状は、本図に示すものであり、溝部２０３の側壁と溝部２０３につながる平面２０５の一部が露出されたフォトレジストパターン２０８が形成されている。
【００６１】
図４は、フォトレジストパターンを剥離した後の圧電性基盤の概略斜視図である。
【００６２】
図中のドットで示した部分は、印加用電極２０６が形成された複数の溝部の側壁と、配線用電極２０７が形成された溝部につながる平面とを示す。フォトレジストパターンを剥離することで図２に示される圧電性基盤が作製される。
【００６３】
次に、凹凸形状を有する基材の一例として、図４に示すフォトレジストパターンが形成された圧電性基盤を用いて、図２に示される印加用電極と配線用電極とが形成された圧電性基盤を作製する本発明の無電解メッキ装置及び無電解メッキ方法につき説明する。
【００６４】
図５は無電解メッキ装置の一例を示す概略斜視図である。
図中５は無電解メッキ装置を示す。無電解メッキ装置５は、エッチング処理槽６ａ１と、触媒核形成処理槽６ａ２と、無電解メッキ処理槽６ａ３と、フォトレジストパターン除去処理槽６ａ４とを有する処理部６ａと、水洗部６ｂと、被メッキ体である圧電性基盤を各処理槽に移動するための自動搬送手段であるロボット７とを有している。尚、本発明に係る圧電性基盤の場合にはメッキ被膜を形成する箇所とメッキ被膜を形成させない箇所とを形成するフォトレジスト層形成工程が必要であるが、本発明の無電解メッキ装置には含まず別の装置とすることが好ましい。また、被メッキ体の種類によってはフォトレジスト層形成工程を必要としない場合もあるが、この場合は、フォトレジスト層剥離工程は不要となる。
【００６５】
本図の場合は、無電解メッキ装置のフレーム（不図示）に処理部６ａと、水洗部６ｂと、ロボット７とが配設されている場合を示す。ロボット７の配設する場所は特に限定なく、例えば、処理部と水洗部とから分離して天井、壁等に配設してもかまわない。エッチング処理槽６ａ１、触媒核形成処理槽６ａ２、無電解メッキ処理槽６ａ３、フォトレジストパターン除去処理槽６ａ４には処理液の供給と排液設備（不図示）、温度制御装置（不図示）及び処理液循環装置（不図示）等が配設されている。水洗部６ｂに関しては図１０で説明する。
【００６６】
次にロボット７について説明する。７０１は圧電性基盤取り付け部材（以下、単に取り付け部材ともいう）８を、配設された各処理槽の横方向（Ｘ軸）、例えばエッチング処理槽６ａ１から水洗部６ｂへの移動、水洗部６ｂから触媒核形成処理槽６ａ２への移動、水洗部６ｂから無電解メッキ処理槽６ａ３への移動、水洗部６ｂからフォトレジストパターン除去処理槽６ａ４等に平行往復移動（図中Ｂ矢印方向）する第１移動手段を示す。
【００６７】
７０２は第１移動手段７０１に保持され、配設された各処理槽に対して直交方向（Ｙ軸）に往復移動可能（図中Ｃ矢印方向）な第２移動手段を示す。
【００６８】
７０３は第２移動手段７０２に配設され、Ｘ軸及びＹ軸方向に対して直交方向（Ｚ軸）に移動可能（図中Ｄ矢印方向）な第３移動手段を示す。
【００６９】
第１移動手段７０１は、ステッピングモータ（不図示）により回転するプーリ７０１ａ（図６を参照）と、７０１ｂとに架けられ往復駆動する駆動ベルト７０１ｃとを配設した基台７０１ｄとを有している。駆動ベルト７０１ｃの片側に第２移動手段７０２をＸ軸に沿って移動させる移動部材７０１ｅが取り付けられている。尚、移動部材７０１ｅには第２移動手段７０２の基台７０２ｄが固定されている。
【００７０】
基台７０１ｄは、配設された各処理槽の領域外まで延びており、各処理槽の領域外に移動（図中Ｂ矢印方向）可能となっている。基台７０１ｄには第２移動手段７０２が配設されており、無電解メッキ処理時以外の時に領域外の部分に第２移動手段７０２を待機させることで取り付け部材８に取り付けられている無電解メッキ処理が終了した圧電性基盤を取り外し、新しく無電解メッキ処理を行う圧電性基盤に交換することが可能となっている。
【００７１】
第２移動手段７０２は、ステッピングモータ（不図示）により回転するプーリ７０２ａ、７０２ｂ（図６を参照）に架けられ往復駆動する駆動ベルト７０２ｃとを配設した基台７０２ｄを有している。駆動ベルト７０２ｃの片側に第３移動手段７０３を取り付け部材７０２ｇにより取り付けた基台７０２ｅが固定された移動部材７０２ｆが取り付けられている。これにより、第３移動手段７０３はＹ軸に沿って移動（図中Ｃ矢印方向）が可能となっている。
【００７２】
第３移動手段７０３は、ステッピングモータ（不図示）により回転するボールネジ７０３ａを配設した基台７０３ｂを有している。ボールネジ７０３ａには移動部材７０３ｃが取り付けられている。移動部材７０３ｃには取り付け部材８の把持部７０３ｄを有する取り付け部材７０３ｅが取り付けられている。これにより、取り付け部材８がＺ軸方向（図中Ｄ矢印方向）に往復移動（昇降）が可能になっている。把持部７０３ｄは取り付け部材８を着脱可能に取り付ける様になっている。７０３ｄ１は把持部７０３ｄにおいて取り付け部材８を着脱するための動力源を送る配管を示す。
【００７３】
処理時における第３移動手段７０３による取り付け部材８の昇降動作は、昇降の瞬間最大昇降速度が３０〜９０ｃｍ／ｓｅｃで少なくとも１回昇降させることが好ましい。３０ｃｍ／ｓｅｃ未満の場合は、溝部へのメッキ液の供給が不足し溝部の内部でメッキ処理液の成分が不足し、金属メッキ被膜が不均一になる場合がある。９０ｃｍ／ｓｅｃを超えた場合、溝部の上面および溝部につながる平面で圧電性基盤の表面を流動するメッキ処理液の流速が速くなり過ぎるためメッキ被膜の形成が抑制される現象が現れ、メッキ被膜が形成されない場所が発生する場合がある。
【００７４】
第３移動手段７０３により取り付け部材８を昇降させることで、圧電性基盤の表面のメッキ処理液を更新させる効果がある。特に微細な溝部と平面とを有する形状を持つ圧電性基板の様な基材では、溝部の内部でメッキ液が部分的に滞留し易く、滞留した箇所でメッキ被膜が部分的に形成されることで、成分のバランスが異なったメッキ液が存在するようになる。このため、取り付け部材８を昇降させることは、これらの成分のバランスが異なったメッキ液を正常な成分を有するメッキ液に更新するための効果が大きい。
【００７５】
瞬間最大昇降速度とは、昇降動作は往復動作であるため停止、加減速を周期的に繰返すことになるが、この往復動作の中での最大瞬間速度で表す。
【００７６】
無電解メッキ処理中における昇降動作は周期的に行うことが好ましいが、圧電性基盤をメッキ処理液に浸漬した直後に一定時間昇降動作させずに静止させ、初期のメッキ被膜の形成が安定することで、その後高速、流動の悪影響を受け難くなるため好ましい。このため、昇降動作は、圧電性基盤をメッキ処理液に３０秒〜２分浸漬後に開始することがより好ましい。
【００７７】
昇降動作は連続動作であっても良いが、加減速時を含め圧電性基盤が動いている時間がメッキ処理時間の５０％以上あれば間欠動作であっても連続動作であってもかまわない。
【００７８】
この昇降動作は、無電解メッキ処理槽以外のエッチング処理槽、触媒核形成処理槽、フォトレジストパターン除去処理槽及び水洗部において採用してもかまわない。又、他の凹凸形状を有する基材に採用することも可能である。
【００７９】
図６は図５で示される無電解メッキ装置の概略平面図である。
図中の符号は図５と同義である。処理部６ａでは、エッチング処理槽６ａ１、触媒核形成処理槽６ａ２、無電解メッキ処理槽６ａ３及びフォトレジストパターン除去処理槽６ａ４で処理された後の圧電性基盤の水洗処理を共通で行うための水洗部６ｂが配設されている。各処理槽の配設位置は特に限定は無いが、無電解メッキ装置をコンパクトにし、ロボットによる被メッキ体である圧電性基盤の各処理槽への移動動作を可能な限り少なくする様に配設することが好ましい。
【００８０】
本図では水洗部６ｂの周囲にエッチング処理槽６ａ１、触媒核形成処理槽６ａ２、無電解メッキ処理槽６ａ３及びフォトレジストパターン除去処理槽６ａ４を配置した場合を示している。水洗部を共通化できるように各処理槽を配置することで、通常各処理槽の後に配設していた水洗部を無くすことが可能となり、且つロボットによる被メッキ体である圧電性基盤の各処理槽への移動動作を可能な限り少なくすることができ無電解メッキ装置をコンパクトにすることが可能となるため好ましい処理槽の配置の一例である。
【００８１】
図７は図５で示されるロボットの配設位置を変えた一例を示す概略斜視図である。本図ではロボット７を処理部６ａと水洗部６ｂとから分離して壁（不図示）に配設した場合を示している。図中７０１ｆは第２移動手段７０２の取り付け部材を示す。第２移動手段７０２は取り付け部材７０１ｆを介して移動部材７０１ｅに取り付けられ、Ｘ軸に沿って移動が可能となっている。他の符号は図５と同義である。
【００８２】
処理部６ａにおけるエッチング処理槽６ａ１、触媒核形成処理槽６ａ２、無電解メッキ処理槽６ａ３及びフォトレジストパターン除去処理槽６ａ４、水洗部６ｂの配置は図６と同じである。
【００８３】
図５〜図７に示される様に、ロボット７を使用することで、圧電性基盤の各処理槽および水洗部への搬送を自動化できると共に、ロボットは搬送移動方向の制約がないため水洗部を１ヶ所とし１つの水洗部で各処理槽での処理後の洗浄を行うことができ、装置の小型化、低コスト化が可能になる。また、取り付け部材８の保管箱（不図示）からの取り出し及び戻しの自動化が可能となり、無電解メッキの自動化が可能となる。尚、ロボット７は予め処理の順番、処理時間、各処理槽での圧電性基盤の昇降回数及び昇降速度が組み込まれコンピュータ制御で駆動するようにすることが好ましい。
【００８４】
図８は図５で示される把持部の拡大概略断面図である。
把持部７０３ｄは、ブラケット７０３ｄ２に取り付けられたクランプレバ支持部材７０３ｄ３と、クランプレバ受け部材７０３ｄ４、クランプレバ押し出し用シリンダヘッド７０３ｄ５と、クランプレバ支持部材７０３ｄ３に回動自在に取り付けられたクランプレバ７０３ｄ６とを有している。クランプレバ７０３ｄ６はブラケット７０３ｄ２に取り付けられたバネ７０３ｄ７により取り付け部材８を把持しないときはブラケット７０３ｄ２側に引っ張られることで、クランプレバ受け部材７０３ｄ４と離れている（図中点線で示されるクランプレバ７０３ｄ６の状態）。取り付け部材８を把持するときは、クランプレバ押し用シリンダヘッド７０３ｄ５により押されることでクランプレバ受け部材７０３ｄ４とクランプレバ７０３ｄ６が密着し取り付け部材８を把持することが可能となる（図中実線で示されるクランプレバ７０３ｄ６の状態）。尚、クランプレバ押し用シリンダヘッド７０３ｄ５の駆動は動力源は空気、電気等でかまわない。
【００８５】
図９は取り付け部材の概略図である。図９の（ａ）は取り付け部材の概略斜視図である。図９の（ｂ）は図９の（ａ）に示される取り付け部材の概略平面図である。尚、図９の（ｂ）はガイド部材８０２ａの構造を説明するために片方の圧電性基盤９は省略してある。
【００８６】
図中、８０１は取り付け基台を示し、圧電性基盤９を基台８０１に保持するため少なくとも一対のガイド部材８０２ａを有している。各ガイド部材は圧電性基盤９を保持した時に取り付け基台の短辺８０１ａと平行になるように取り付け基台８０１の両面に固定されている。
【００８７】
ガイド部材８０２ａは取り付け基台８０１の面に対して直交する面を有する側壁と、取り付け基台８０１の面に対して平行な面を有する側壁とを有する側壁８０２ａ１と、底部８０２ａ２とを有している。この様な構造にすることでガイド部材８０２ａに圧電性基盤９を保持したとき、圧電性基盤９の下部面にはガイド部材８０２ａの底部がないため、取り付け部材８を昇降させ無電解メッキ処理を行う時に、ガイド部材８０２ａにより影響を受けることがなく圧電性基盤９へのメッキ液の供給が可能となる。
【００８８】
取り付け基台の大きさ及び一対のガイド部材の数は、被メッキ体である圧電性基盤の大きさ及び数によって決められるため、一義的に決めることはできないが、作業効率から複数の圧電性基盤が取り付けられることが必要である。本図は取り付け基台の両面に、各２つの圧電性基盤を保持した状態を示している（片面は不図示）。
【００８９】
ガイド部材８０２ａに圧電性基盤を保持する時は、溝部の開口部を下向きにして取り付けることが、溝部の処理液または水洗水の排出を促進することから好ましい。本図に示される圧電性基盤９は、無電解メッキ処理終了後に切断することで図２に示される圧電性基盤が３つ作製できる様な大きさをしている。８０１ｂは取り付け基台８０１の上部を示し、ロボットの把持部７０３ｄ（図５を参照）により把持される箇所である。
【００９０】
図１０は図５に示す水洗部の拡大概略断面図である。図１０の（ａ）は水洗部での水洗手段及び水切り手段の配置の一例を示す拡大概略断面図である。図１０の（ｂ）は図１０の（ａ）のＧで示される部分の拡大概略断面図である。
【００９１】
水洗部６ｂは側壁６ｂ１と底部６ｂ２とを有する箱形構造となっており次の機能を有している。１）水洗手段として、水浸漬槽としても使用でき、２）水洗手段としてスプレー水洗装置による水洗ができ、３）水切り手段としてのガス吹き付け装置よる水切りができ、４）スプレー水洗装置から噴出する水と、ガス吹き付け装置により飛ばされた水とが周囲に飛散するのを防止する機能を有している。
【００９２】
水洗部６ｂを水浸漬槽として使用する場合は、排水管６ｂ５のコック（不図示）を閉め水を溜めることで可能である。水の量は、取り付け部材に配設されたガイド部材８０２ａの最上段が浸漬する位置が好ましく、例えば本図の場合は図中の点線Ｅで示される位置が好ましい。
【００９３】
本発明の無電解メッキ方法において水洗部６ｂを水浸漬槽として使用する工程としては全ての処理工程の後使用してもよいが、特に無電解メッキ前処理工程である触媒核形成処理槽で処理した後の圧電性基盤のプレ水洗に使用する場合が好ましい。触媒核形成処理槽で処理した直後にスプレー水洗をした場合は、圧電性基盤の表面に付着させた成分が流れ落ちてしまうことがある。これを避けるために、プレ水洗として水浸漬槽による浸漬を行った後、排水管のコック（不図示）を開き水を抜き、スプレー水洗を行うことで防ぐことが可能である。
【００９４】
６ｂ３は水洗手段のスプレー水洗装置を示し、取り付け部材の基台８０１の両面に取り付けられたガイド部材８０２ａに保持されている圧電性基盤９を洗浄するために、両側の側壁６ｂ１に取り付けられている。スプレー水洗装置６ｂ３の数は基台８０１に取り付けられたガイド部材８０２ａに保持されている圧電性基盤の数に従って決めることが可能である。
【００９５】
スプレー水洗装置６ｂ３の配設位置は、予め取り付け部材の基台８０１に取り付けられたガイド部材８０２ａの位置に合わせ水洗部の側壁６ｂ１に取り付けることが好ましい。本図では両側の側壁６ｂ１にそれぞれ２箇所にスプレー水洗装置６ｂ３を取り付けた場合を示している。
【００９６】
６ｂ３１は水の供給管を示し、６ｂ３２はノズルを示す。水洗時に使用する水の量は、圧電性基盤に設けられた溝部の幅、アスペクト比、本数等により変化かするため、洗浄する圧電性基盤の形状毎に予備実験で決めることが望ましい。水洗時間も水洗水量と同様にして決めることが望ましい。
【００９７】
スプレー水洗装置による効果を以下に示す。他の凹凸形状を有する基材の場合も同様である。
【００９８】
１）メッキ前処理工程の触媒核形成処理後の水洗が不十分であった場合、触媒凝集物が基材表面に残ったり、一旦取り除いた凝集物が再付着する場合がある。このような状態でメッキ液で無電解メッキ処理した場合は、これら凝集物を核として、イボ状の異常析出物が発生したり、又、凝集物がメッキ被膜の形成が不要とする箇所に付着した場合は凝集物を核としてメッキ被膜の形成がされてしまい不良品を作製してしまう場合がある。
【００９９】
スプレー水洗方式を行うことにより、常に新しい水で洗い表面を洗い流すためこれらの触媒凝集物の残存、再付着を防止することが可能となり、安定したメッキ被膜が得られる様になった。
【０１００】
２）圧電性基盤に設けられた溝部の内部の洗浄が容易になり、前工程の処理液を次の工程に持ち込むことがなくなり、溝部の内部で部分的な処理液の性能劣化を抑えることが可能となり、安定したメッキ皮膜の形成を行うことが可能となった。
【０１０１】
３）水洗効率がよくなるため使用する水量を減らすことが可能となり、排水処理負荷の低下を含めコスト低減が可能になった。
【０１０２】
６ｂ４は水切り手段としてのガス吹き付け装置を示す。ガス吹き付け装置６ｂ４は基台８０１の両面のガイド部材に保持されている圧電性基盤９が洗浄された後、付着している水の水切りを行うために両側の側壁６ｂ１に取り付けられいる。ガス吹き付け装置６ｂ４の数は基台８０１の両面のガイド部材に保持されている圧電性基盤の数に従って決めることが可能である。
【０１０３】
ガス吹き付け装置６ｂ４の配設位置は、予め取り付け部材の基台８０１に取り付けられたガイド部材８０２ａの位置に合わせ水洗部の側壁６ｂ１に取り付けることが好ましい。本図では両側の側壁６ｂ１にそれぞれ２箇所にガス吹き付け装置６ｂ４を取り付けた場合を示している。
【０１０４】
６ｂ４１はガスの供給管を示し、６ｂ４２はノズルを示す。ガス吹き付けによる圧電性基盤に付着した水の水切りは、大部分の水を除去しながら完全には乾かない状態を作れる為、有利である。圧電性基盤が完全に乾いてしまうと、メッキ液を含めた処理液に圧電性基盤を浸漬した際、特に溝部で表面がメッキ液に濡れずに気泡付着の状態になる場合がある。水切りの状態は圧電性基盤に付着した水の大部分を除去し且つ圧電性基盤の表面は完全に乾いておらず、特に溝部の表面には１〜２μｍの水の薄膜が残っている状態が好ましい。このような状態にするためには、水除去時に使用するガスの量は、圧電性基盤に設けられた溝部の幅、アスペクト比、本数等により変化するため、圧電性基盤の形状毎に予備実験で決めることが望ましい。水除去時間もガスの量と同様にして決めることが望ましい。使用するガスは空気、チッソガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等が好ましい。
【０１０５】
θはガス吹き付け装置６ｂ４のノズル６ｂ４２の側壁６ｂ１への取り付け角度を示す。取り付け角度θは４５〜８５°が好ましい。４５°未満の場合は、圧電性基盤への水の吹き付け角度が浅くなり、溝部の形状によっては水切りが不十分となる箇所が出来る場合がある。８５°を超えた場合は、ノズルの形状によっては、水が水洗部周辺に飛散する場合がある。
【０１０６】
尚、スプレー水洗装置からの水洗水及びガス吹き付け装置で除去された水は排水管６ｂ５より排水される様になっている。ガス吹き付け装置による効果を以下に示す。
【０１０７】
１）メッキ被膜の形成が既に進行した状態でメッキ液が、例えば水で薄まり５０％濃度が低下したときはメッキ被膜の形成する速度が濃度低下に応じ５０％低下する程度の影響に止まるが、無電解メッキ処理開始直後では、メッキ液の濃度が５０％低下したとき、メッキ被膜の形成が止まってしまいその後まったくメッキ被膜が形成されない場合ある。これはメッキ液の濃度が変わってしまった為にメッキ液に含まれる安定剤成分である金属類が本来析出するべき金属に優先し析出しメッキ被膜の形成を止めてしまうと考えられ、メッキ被膜の形成開始直後の圧電性基盤に接液するメッキ液の濃度はメッキ被膜の形成に重要な影響を与えるのでメッキ液の濃度は一定であることが好ましい。
【０１０８】
ガス吹き付け装置による水切りで、圧電性基盤に付着している水の除去が容易になり、次の工程に圧電性基盤を移動するとき、持ち込まれる水の量を無視する程度になり、メッキ液の濃度が安定化し、安定したメッキ皮膜を得ることが可能となった。
【０１０９】
２）圧電性基盤に設けられた複数の溝部の内部の水の除去が均一に行われる様になり部分的に水が残らなくなったため、メッキ液に圧電性基盤を浸漬したとき、溝部の内部とメッキ液との接液が均一になるため安定したメッキ皮膜が得られることが可能となった。
【０１１０】
３）圧電性基盤に付着している水の除去が容易になるため、従来の様に水切りに時間を必要としないため次の工程に移動する時間が早くなり、生産効率を上げることが可能となった。
【０１１１】
本図に示される水洗部６ｂでのロボットの第３移動手段による取り付け部材８の昇降動作は次の様にすることが好ましい。
【０１１２】
水洗部を水浸漬槽として使用する場合は、触媒核形成処理槽で処理した後、ロボットの第３移動手段により取り付け部材８を瞬間最大昇降速度が３０〜９０ｃｍ／ｓｅｃで浸漬させた後に水を抜く。尚、浸漬する時間は凹凸形状を有する基材の大きさ、数等で異なるため予め予備実験で浸漬する時間を決めることが望ましい。本図に示される様な４つの圧電性基盤の場合は６０秒浸漬した後、水を抜くことが好ましい。
【０１１３】
ロボットの第３移動手段による取り付け部材８を浸漬する場合、後のスプレー水洗をすぐに行うことができるように、予めガイド部材に保持されている圧電性基盤がスプレー水洗装置の位置になるように制御して昇降することが好ましい。この後、スプレー水洗を行う場合は、取り付け部材８のガイド部材８０２ａに保持されている圧電性基盤９の位置を変えずにスプレー水洗を行ってもよく、又、ロボットにより取り付け部材８を除々に上方に移動しながら行ってもかまわない。
【０１１４】
スプレー水洗後に行うガス吹き付けを行う場合も、スプレー水洗と同様に取り付け部材８のガイド部材８０２ａに保持されている圧電性基盤９の位置を変えずにガス吹き付けを行ってもよく、又、ロボットにより取り付け部材８を除々に上方に移動しながら行ってもかまわない。尚、スプレー水洗及びガス吹き付け時の上方への移動速度はガイド部材８０２ａに保持されている圧電性基盤９の数、形等により異なるため、予め予備実験で確認してからきめることが望ましい。
【０１１５】
次に図５に示す無電解メッキ装置を用いて図２に示す圧電性基盤を作製する方法について段階的に説明する。
【０１１６】
１）一方が開口し、他方が閉鎖されている溝と、溝につながる平面を有するＰＺＴで作られた圧電性基盤に図３に示す様に、印加用電極を形成する部分と印加用電極につながる配線用電極を形成する部分を残してフォトレジストパターンを形成する。
【０１１７】
２）エッチング処理槽、触媒核形成処理槽、無電解メッキ処理槽及びフォトレジストパターン除去処理槽に指定の処理液を入れ、処理液を循環しながら設定温度にする。温度及び循環量の設定は各処理液に配設された温度調整装置及び循環装置により行われる。
【０１１８】
３）水洗部のスプレー装置の水量の調節、ガス吹き付け装置のガスの噴出量の調節を行う。
【０１１９】
４）フォトレジストパターンが形成された圧電性基盤を、取り付け部材に図９に示す様に保持させる。
【０１２０】
５）ロボットを駆動させる。尚、ロボットは予め処理の順番、処理時間、各処理槽での圧電性基盤の昇降回数及び昇降速度が組み込まれコンピュータ制御で駆動するようになっている。
【０１２１】
６）第一処理槽としてエッチング処理槽にフォトレジストパターンが形成された圧電性基盤を浸漬する。このエッチング処理槽では印加用電極と配線用電極とを形成する箇所（露出された溝の側壁および溝につながる平面の一部に触媒核を形成し易くするために、酸性フッ化アンモニウム、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸等の０．５％水溶液に漬けてＰＺＴで作製された圧電性基盤の表面をエッチングする。
【０１２２】
７）規定の時間のエッチング処理が終了した後、ロボットによりエッチング処理槽より圧電性基盤が引き上げられ、水洗部に移動し、圧電性基盤をスプレー水洗装置の位置まで降ろす。この後、スプレー水洗を行った後、圧電性基盤をガス吹き付け装置の位置まで引き上げ、ガスを噴出し付着している水の水切りを行う。
【０１２３】
８）水洗部に規定量の水を入れ、水浸漬槽とする。
９）この後、ロボットにより圧電性基盤を触媒核形成処理槽に移動する。触媒核形成処理槽では、塩化第１錫（ＳｎＣｌ２）と塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）を吸着させて、ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→Ｐｄ＋ＳｎＣｌ４の反応によりメッキ被膜を形成し易くするための触媒である金属パラジウムＰｄを生成させる。
【０１２４】
１０）規定の時間で処理が終了した後、ロボットにより触媒核形成処理槽より圧電性基盤が引き上げられ、水洗部に移動し水浸漬槽に１分間浸漬する。浸漬している時間は３０秒〜２分間を目途に適宜決めることが可能である。浸漬時間に到達した後、水を抜き、スプレー水洗を行った後、圧電性基盤をガス吹き付け装置の位置まで引き上げ、ガスを噴出し水切りを行う。
【０１２５】
１１）この後、ロボットにより圧電性基盤を無電解メッキ処理槽に移動する。無電解メッキ処理槽では、溝部に印加用電極と溝部につながる平面に配線用電極が形成される。
【０１２６】
１２）規定の時間の無電解メッキ処理が終了した後、ロボットにより無電解メッキ処理槽より圧電性基盤が引き上げられ、水洗部に移動し、圧電性基盤をスプレー水洗装置の位置まで降ろす。この後、スプレー水洗を行った後、圧電性基盤をガス吹き付け装置の位置まで引き上げ、ガスを噴出し付着している水の水切りを行う。
【０１２７】
１３）この後、ロボットにより圧電性基盤をフォトレジストパターン除去処理槽に移動する。フォトレジストパターン除去処理槽では、アルカリ性溶液によりフォトレジストパターンが剥離除去され、図２に示すような溝部に印加用電極と溝部につながる平面の一部に配線用電極が形成された圧電性基盤が得られる。
【０１２８】
１４）規定の時間のフォトレジストパターン除去処理が終了した後、ロボットによりフォトレジストパターン除去処理槽より圧電性基盤が引き上げられ、水洗部に移動し、圧電性基盤をスプレー水洗装置の位置まで降ろす。この後、スプレー水洗を行った後、圧電性基盤をガス吹き付け装置の位置まで引き上げ、ガスを噴出し付着している水の水切りを行う。
【０１２９】
１）〜１４）の工程を経て図２に示すような溝部に印加用電極と溝部につながる平面の一部に配線用電極が安定に形成された圧電性基盤が作製される。
【０１３０】
以上、本発明に係る凹凸形状を有する基材の一例として圧電性基盤を用いて本発明の無電解メッキ処理装置および無電解メッキ処理装置を使用した無電解メッキ処理方法につき説明してきたが圧電性基盤により得られた効果は、他の凹凸形状を有する基材に対しても当然当てはめることが可能である。
【０１３１】
本発明に使用するメッキ液は市販されているメッキ液を含め特に限定は無く使用することが可能であり、形成されるメッキ被膜としては、例えばニッケル、銅、スズ、金、コバルト、ニッケル・リン、銅・ホウソ、ニッケル・ホウソ、銅・リン等が挙げられる。これらのメッキ被膜は、目的により適宜選択して使用することができる。
【０１３２】
図２に示される剪断モード型インクジェットヘッド用圧電性基盤の場合の特に好ましいメッキ被膜としては、ニッケル・ホウソ被膜が挙げられる。
【０１３３】
剪断モード型インクジェットヘッド用の圧電性基盤にニッケル・ホウソメッキ記録用紙被膜を形成する場合のメッキ液としては、例えば奥野製薬（株）製　トップケミアロイ、上村工業（株）製　ＢＥＬ８０１、（株）ワールドメタル製　ニボロン７０、ニボロン５等が挙げられる。
【０１３４】
【発明の効果】
凹凸部を有する基材に対して安定したメッキ被膜の形成が容易な無電解メッキ装置及びこれらの装置を使用した無電解メッキ方法を提供することができ、工程稼働率をあげることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】一部破断面を有する剪断モード型インクジェットヘッドの一例を示す概略斜視図である。
【図２】図１に示される圧電性基盤の概略図である。
【図３】フォトレジストパターンを形成した圧電性基盤の概略斜視図である。
【図４】記録用紙フォトレジストパターンを剥離した後の圧電性基盤の概略斜視図である。
【図５】無電解メッキ装置の一例を示す概略斜視図である。
【図６】図５で示される無電解メッキ装置の概略平面図である。
【図７】図５で示されるロボットの配設位置を変えた一例を示す概略斜視図である。
【図８】図５で示される把持部の拡大概略断面図である。
【図９】取り付け部材の概略図である。
【図１０】図５に示す水洗部の拡大概略断面図である。
【符号の説明】
１　剪断モード型インクジェットヘッド
２、９　圧電性基盤
２０３、２０３ａ、２０３ｂ　溝部
２０５　平面
２０６　印加用電極
２０７　配線用電極
２０８　フォトレジストパターン
３　天板
４　ノズル板
５　無電解メッキ装置
６ａ　処理部
６ａ１　エッチング処理槽
６ａ２　触媒核形成処理槽
６ａ３　無電解メッキ処理槽
６ａ４　フォトレジストパターン除去処理槽
６ｂ　水洗部
６ｂ３　スプレー水洗装置
６ｂ３１、６ｂ４１　供給管
６ｂ３２、６ｂ４２　ノズル
６ｂ４　ガス吹き付け装置
７　ロボット
７０１　第１移動手段
７０２　第２移動手段
７０３　第３移動手段
７０３ｄ　把持部
８　圧電性基盤取り付け部材
θ　取り付け角度
【図１】
2004131774.tif 000003
【図２】
2004131774.tif 000004
【図３】
2004131774.tif 000005
【図４】
2004131774.tif 000006
【図５】
2004131774.tif 000007
【図６】
2004131774.tif 000008
【図７】
2004131774.tif 000009
【図８】
2004131774.tif 000010
【図９】
2004131774.tif 000011
【図１０】
2004131774.tif 000012