(57)【要約】【課題】小形で放射角度の小さいＸ線発生装置および前記装置を用いたＸ線治療装置を提供する。【解決手段】本発明によるＸ線発生装置は、真空容器ＶＣと、前記容器ＶＣ内に配置される入口開口と前記開口より小さい径の出口開口を有する円錐台状のＸ線ターゲット管ＸＴを備えている。電子源は前記容器内ＶＣに配置され、前記Ｘ線ターゲット管の入口開口から前記ターゲット管の内壁面に高エネルギー電子ビームを入射してＸ線を発生させ、前記Ｘ線にターゲット管の内壁面に入射するときに全反射させられるように配置されている。Ｘ線治療装置は前記Ｘ線発生装置を多数本組み合わせて用いる。【選択図】        図１
2004311245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、
前記容器内に配置され電子ビームを発生する電子源と、および
前記容器内に配置され、入口開口と前記開口より小さい径の出口開口を有する円錐台状であり、入口開口から内壁面に衝突した電子ビームによりＸ線を発生し、前記Ｘ線が他方の面に入射して全反射し、または直接前記出口開口から放出するＸ線ターゲット管から構成したＸ線発生装置。
【請求項２】
前記Ｘ線ターゲット管の材料は原子量が大きく、さらに高融点、化学的に安定性、または熱放射性に優れた金属であるＡｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｒｅ，から選ばれた１以上の材料である請求項１記載のＸ線発生装置。
【請求項３】
前記電子ビームは前記ターゲット管の管軸に略平行に入射させられるものである請求項１記載のＸ線発生装置。
【請求項４】
前記電子源は、中心よりは外周の密度が高いリング状の電子ビームを発生させる装置であり、ビームの外径は前記ターゲット管入口開口よりわずかに小さく殆どの電子が前記ターゲット管の内壁面に衝突するように構成されている請求項１〜３記載のＸ線発生装置。
【請求項５】
前記Ｘ線ターゲット管は薄い金属材料で構成され、外周に同様な斜面をもつカバー管を設け、前記Ｘ線ターゲット管と前記カバー管により、Ｘ線ターゲット組立として構成した請求項１〜４記載のＸ線発生装置。
【請求項６】
前記Ｘ線ターゲット組立の前記Ｘ線ターゲット管と前記カバー管は熱的に連結されており、カバー管の表面には冷却フィンが連結され真空容器外に放熱する請求項５記載のＸ線発生装置。
【請求項７】
前記Ｘ線ターゲット組立の前記Ｘ線ターゲット管と前記カバー管には、多数の開口が設けられており、前記Ｘ線ターゲット管の内部で発生したガスを放出するように構成したガス放出作用をもつものである請求項５記載のＸ線発生装置。
【請求項８】
前記カバー管は複数の管から構成されている請求項５記載のＸ線発生装置。
【請求項９】
前記真空容器はＸ線を透過し、付着した電子を放電する回路が設けられている請求項１記載のＸ線発生装置。
【請求項１０】
請求項１記載のＸ線発生装置を複数本準備し、それぞれの発生Ｘ線の中心軸が交差するように配置して交差点に患部を位置させるようにしたＸ線治療装置。
【請求項１１】
請求項１記載のＸ線発生装置を多数本配置して、選択的に使用するＸ線治療装置。
【請求項１２】
真空容器と、
前記容器内に配置され電子ビームを発生する電子源と、および
前記容器内に配置され対向する２面を有し、対向面が一方側から入射した前記電子ビームに衝突されＸ線を発生し、前記Ｘ線が他方の面に入射して全反射し、または直接出口開口から放射するＸ線ターゲットからなるＸ線発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、管状のＸ線ターゲットの内壁面に大きい入射角（小さい接線入射角）で、入射する高エネルギー電子ビームを入射し、内壁面と前記電子の衝突によりＸ線を全反射の方向に発生させ、前記Ｘ線を管内で全反射させ、狭い放射角度で取り出すＸ線発生装置、および前記装置を用いたＸ線治療装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
放射線（Ｘ線）治療では、治癒させたい癌の病巣に選択的に放射線を集中し、その周辺の正常な細胞組織にはできるだけ放射線量を減少させるという命題がある。ＣＴにより癌の広がりと立体的な位置を正確に把握できるようになり、このＣＴ画像を基礎にして、線量分布を計算しながら最適な照射方法を求める治療計画を実行するコンピュータ制御の治療計画装置が普及している。原体照射方法を凌ぐ線量集中性を実現するＩＭＲＴは照射野内のＸ線の強度を変化させることにより癌などのターゲット（照射すべき領域）の３次元的形状に対して線量集中度を格段に高めるＸ線治療法である。この放射線の強度分布を調整する装置がマルチコリメータで、リニアックの照射口の部分に設置されている。
【０００３】
このコリメータの制御する方法が現在２通りある。そのひとつの方式はマルチスタチックセグメント方式で、対になったコリメータの片方の照射野が最初覆われて閉じている。照射開始とともに対になったコリメータが、コンピュータ制御により、別々に動き、コリメータの間隙を調節しながら、左方から順に計算で求めたモニター値の照射を実施する。コリメータが一時停止し、照射、また移動し照射を繰り返す方式である。他の方式はスライディングウインドウ方式で、コリメータの移動速度を変えながら動き、照射装置はコリメータに連動して線量率を変えながら連続的に照射する方式である。このコリメータを機械的に動作させる方式は、動作時間がかかること、動作機構が複雑になること、機械的機構のためのメンテナンス作業が必要になるなどの問題がある。
【０００４】
従来のＸ線発生装置であるＸ線管は、電子源に真空放電を用いるガスＸ線管（冷陰極Ｘ線管）と熱電子Ｘ線管（クーリッジ管）のいずれかを用いている。
熱陰極から出た電子線はウェーネルト電極で集束されて、陽極面に焦点を結び、Ｘ線を発生させる。陽極物質は、連続Ｘ線の場合タングステン、特性Ｘ線の場合、特にＫα線を得たい場合、鉄、銅、モリブデン、銀が多く用いられる。
制動放射で生ずるＸ線は、陰極物質に関係なく、連続スペクトルをもつ。制動放射とは、電子が物質中を通るときに、物質の原子核によりその進行方向を曲げられるために放射する（制動放射）Ｘ線であり連続Ｘ線の性質を示す。またこの連続Ｘ線の放射角度は、大きくなる。Ｘ線治療にはＸ線が細いほど照射領域に対して精度よく照射できるので、Ｘ線を適度にコリメータによって絞り込む必要がある。このためにＸ線がコリメータにより吸収されて形成される細いＸ線の出力は著しく低下させられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、極めて狭い角度のＸ線ビームを効率良く発生することができるＸ線発生装置を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、前記Ｘ線発生装置を利用したＸ線治療装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による請求項１記載のＸ線発生装置は、真空容器と、前記容器内に配置され電子ビームを発生する電子源と、および
前記容器内に配置され、入口開口と前記開口より小さい径の出口開口を有する円錐台状であり、入口開口から内壁面に衝突した電子ビームによりＸ線を発生し、前記Ｘ線が他方の面に入射して全反射し、または直接前記出口開口から放出するＸ線ターゲット管から構成されている。
本発明による請求項２記載のＸ線発生装置は、請求項１記載のＸ線発生装置において、前記Ｘ線ターゲット管の材料は原子量が大きく、さらに高融点、化学的に安定性、または熱放射性に優れた金属であるＡｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｒｅ，から選ばれた１以上の材料である。
本発明による請求項３記載のＸ線発生装置は、請求項１記載のＸ線発生装置において、前記電子ビームは前記ターゲット管の管軸に略平行に入射させられるものである。
本発明による請求項４記載のＸ線発生装置は、請求項１〜３記載のＸ線発生装置において、前記電子源は、中心よりは外周の密度が高いリング状の電子ビームを発生させる装置であり、ビームの外径は前記ターゲット管入口開口よりわずかに小さく殆どの電子が前記ターゲット管の内壁面に衝突するように構成されている。
【０００７】
本発明による請求項５記載のＸ線発生装置は、請求項１〜４記載のＸ線発生装置において、前記Ｘ線ターゲット管は、薄い金属材料で構成され、外周に同様な斜面をもつカバー管を設け、前記Ｘ線ターゲット管と前記カバー管により、Ｘ線ターゲット組立として構成されている。
本発明による請求項６記載のＸ線発生装置は、請求項５記載のＸ線発生装置において、前記Ｘ線ターゲット組立の前記Ｘ線ターゲット管と前記カバー管は熱的に連結されており、カバー管の表面に冷却フィンが連結され真空容器外に放熱するように構成されている。
本発明による請求項７記載のＸ線発生装置は、請求項５記載のＸ線発生装置において、前記Ｘ線ターゲット組立の前記Ｘ線ターゲット管と前記カバー管には、多数の開口が設けられており、前記Ｘ線ターゲット管の内部で発生したガスを放出するように構成されている。
本発明による請求項８記載のＸ線発生装置は、請求項５記載のＸ線発生装置において、前記カバー管は複数の管から構成されている。
本発明による請求項９記載のＸ線発生装置は、請求項１記載のＸ線発生装置において、前記真空容器にはＸ線を透過し、付着した電子を放電する回路が設けられている。
本発明による請求項１０記載のＸ線治療装置は、請求項１記載のＸ線発生装置を複数本準備し、それぞれの発生Ｘ線の中心軸が交差するように配置して交差点に患部を位置させるよう構成されている。
本発明によるに請求項１１記載のＸ線治療装置は、請求項１記載のＸ線発生装置を多数本配置して、選択的に使用するように構成されている。
本発明による請求項１２記載のＸ線発生装置は、真空容器と、
前記容器内に配置され電子ビームを発生する電子源と、および
前記容器内に配置され対向する２面を有し、対向面が一方側から入射した前記電子ビームに衝突されＸ線を発生し、前記Ｘ線が他方の面に入射して全反射し、または直接出口開口から放射するＸ線ターゲットから構成されている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下図面等を参照して本発明による装置の実施の形態を説明する。図１を参照して本発明によるＸ線発生装置の基本構成を説明する。真空容器ＶＣの中にＸ線ターゲット管ＸＴが配置されている。Ｘ線ターゲット管ＸＴと入口開口と前記開口より小さい径の出口開口を有する円錐台状である。前記容器ＶＣ内前記Ｘ線ターゲット管の入口開口から前記ターゲット管の内壁面に高エネルギー電子ビームを入射してＸ線を発生させ、前記Ｘ線がターゲット管の内壁面に入射するときに全反射させられるように配置された電子源Ｅｓが配置されている。
【０００９】
図２に示すようにＸ線ターゲット管ＸＴに高いエネルギー電子ｅ１  ，ｅ２  が入射すると、全反射の方向にＸ線Ｘ１  ，Ｘ２  が発生する。これらのＸ線が再度Ｘ線ターゲット管ＸＴの内壁に入射すると、全反射して出口開口の方に導かれる。その結果、比較的狭い放射角のＸ線ビームが真空容器の外にとりだされる。
図３は、Ｘ線ターゲット組立の実施例における電子の軌道と発生したＸ線の軌跡を説明するための説明図である。このＸ線ターゲット組立３００はＸ線ターゲット管３０１とカバー管３０４からなり、図示しない真空容器内に配置され、高真空に保たれている。入口開口３０２と前記開口より小さい径の出口開口３０３を有する円錐台状の形状になる。同様に前記容器内には、前記Ｘ線ターゲット組立３００の入口開口３０２に管の軸線に平行な高エネルギー電子ビームを発生させる電子源が設けられている。
【００１０】
高エネルギー電子ビームの一部の電子３０５が入口開口３０２に管の軸線に平行に突入すると前記Ｘ線ターゲット管３０１の壁面に衝突して電子ビームのエネルギーによりＸ線３０６が発生する。Ｘ線３０６は右側の出口開口３０３から放射される。電子ビームの形状は、内部が中空であるドーナツ状の形状で、前記電子ビームの外径は入口開口３０２に等しく、内径は出口開口３０３に等しくなる。前記電子ビームはすべてＸ線ターゲット管３０１の内壁に衝突することになる。入射した電子線に対して発生させられたＸ線は幾何光学的に言えば全反射の経路を辿ることになっている。現実には全反射の経路をずれたＸ線の発生も当然予想されるが、反射角が小（大きい接線入射角）のものは出口開口３０３に到達できず損失となる分であるから、これを無視して説明を進める。
【００１１】
発生したＸ線はＸ線ターゲット管３０１の出口開口３０３から放射され、外部に取り出され、治療用Ｘ線などに利用される。前記Ｘ線ターゲット管３０１は入口開口３０２の直径は約１ｍｍ、出口開口３０３の直径は約０．５ｍｍと極めて細い円錐管になるので、Ｘ線は放射角度の極めて小さいビームになる大きい特徴がある。
【００１２】
実際に前記の外形寸法のＸ線ターゲット管において、左端に衝突した電子がＸ線を発生したときの走査経路を求める。図４を参照して説明する。Ｘ線ターゲット管４０１の中心線をｘ軸、中心線と直角の方向にｙ軸を取る。Ｘ線ターゲット管４０１の左側のＰ１  点に電子ビームが衝突したときに、Ｘ線が進む方向を計算する。Ｐ１  の座標は（ｘ１  ，ｙ１  ）とする。ｘ１  は１ｍｍとする。Ｘ線の放射する軌跡を直線１に、Ｘ線ターゲット管４０１の内壁の上部の直線部を直線２に、Ｘ線ターゲット管４０１の内壁の下部の直線部を直線３に定める。直線３の勾配はｔａｎθであるとすると、ｘ軸に平行に入射する電子ビームに対してＸ線の軌跡を示す直線１の勾配はｔａｎ２θになる。直線１はＰ１  点を通るので、直線１は次の式で示される。なお、Ｐ１  の部分を一部誇張して示してある。
ｙ＝ｔａｎ２θ×（ｘ−ｘ１  ）−ｙ１                    （１）
直線２は勾配ｔａｎθで、点（０，０．５）を通るので、直線２は次の式で示される。
ｙ＝−ｔａｎθ×ｘ＋０．５                          （２）
また、直線３は勾配で、点（０，−０．５）を通るので、直線３は次の式で示される。
ｙ＝ｔａｎθ×ｘ−０．５                            （３）
いま直線１と直線２が交わる点をＰ２  とすれば、（１）式と（２）式から
ｘ２  ＝０．５＋ｙ１  ＋ｘ１  ×ｔａｎ２θ／ｔａｎθ＋ｔａｎ２θ  （４）
ｙ２  ＝０．５−ｔａｎθ×ｘ２                          （５）
ここで、θはｘ方向に１００ｍｍ移動すると０．２５ｍｍ移動するので、勾配は０．２５／１００からθ＝ｔａｎ−１（０．２５／１００）＝０．１４３２３９度である。
Ｐ１  座標のｘ１  ＝１ｍｍからｙ１  ＝０．４９７５０ｍｍになる。
同様に（４）式と（５）式から
ｘ２  ＝１３３．６６ｍｍ、ｙ２  ＝０．１６５９ｍｍになる。
直線１がｘ軸をきる点をＰ３  （ｘ３  ，ｙ３  ）とすると、
ｘ３  ＝１００．５ｍｍになる。ただしｙ３  ＝０ｍｍである。
このようにＸ線ターゲット管４０１の左端１ｍｍのところで放射するＸ線は出口開口付近でＸ線ターゲット管４０１の中心線を横切ることになり、１回の反射もない。このことはＸ線ビームが細いことを示す。
【００１３】
実際は電子ビームは広がりをもつ放射角度を有する。図５は、Ｘ線ターゲット組立に発散性の電子が入射した場合のＸ線の軌跡を説明するための図である。
電子ビームの中心軸が管軸に平行であるが発散性の電子５０５が、入口開口５０２からＸ線ターゲット管５０１に入射してＸ線５０６を発生させる。
Ｘ線５０６は反射を繰り返し、出口開口５０３から放出される。放出されたＸ線は窓５１０を介して射出される。窓５１０はＸ線に対して透明であるが、付着した荷電粒子、電子等を逃がすような回路接続がなされている。
Ｘ線ターゲット組立５００は、真空を保持する真空容器５１１の中に、Ｘ線ターゲット管５０１とカバー管５０４から構成され、大部分は離れているが一部でそれぞれ熱的に接続されている。Ｘ線ターゲット管５０１には孔５０７、カバー管５０４には孔５０８が設けられている。電子線の衝突により発生したガス等を逃がすようにしてある。電子線の衝突による発熱を放熱板５０９を通して、外部に散逸させるようにしてある。外部には強制空冷または水冷の装置が設置されている。
【００１４】
Ｘ線ターゲット管６０１の内壁を多層膜で形成する実施例を図６に示す。
電子線６０５がＸ線ターゲット管６０１の内壁に小さい接線入射角で入射して、その結果発生したＸ線６０６が入射角度（π／２−θ）で入射すると、第１層６０７の上面において反射角（π／２−θ）でＸ線６０６−１が反射される。反射しなかったＸ線の一部は第１層６０７の下面と第２層６０８の上面の境界面で反射する。この反射Ｘ線は第１層６０７を透過し、再びＸ線ターゲット管６０１の内壁から出るＸ線６０６−２もある。
また一部は第２層６０８の下面と第３層６０９の上部の境界面で反射し、第２層６０８を透過し、続いて第１層６０７を透過し、再びＸ線ターゲット管６０１の内壁から出るＸ線６０６−３もある。
ここで、多層膜の材質すなわち各層の屈折率を適切に選択すれば、効率よく反射Ｘ線６０６−１、６０６−２、６０６−３を外部に取り出すことができる。
【００１５】
以下の多層反射方法について説明する。一般にＸ線に対する物質の屈折率は１よりわずかに小さく、ｎ＝１−δ−ｉβで表す。例えば、第２層６０８の屈折率がｎ＝１−δ−ｉβとすれば、δとβは次式で表される。
2004311245.tif 000003
ここで、γ０  は古典的電子の半径、Ζｉ  は金属のｉ番目の原子の原子量、ｆ”ｉ  はｉ番目の原子の異常分散の虚数部、ρは密度、Ｘｉ  は金属のｉ番目の原子の構成率、ｆ’ｉ  はｉ番目の原子の異常分散の実数部、ＮＡ  はアボガドロ定数である。
このように、原子の原子量Ζｉ  、密度ρ選択し、δやβの値を変えて、Ｘ線の反射角度を選択できる。それぞれの層のδやβが定まるので、各層の屈折率が求まる。この屈折率の適切な選択で、効率良く収束するＸ線が発生できる。
【００１６】
一般に、制動放射するＸ線を発生するには、電子のエネルギーは１０Ｍｅｖ，パルス幅は３μｓｅｃ、繰り返しパルス数は３００ｐｐｓ、電子電流は５０ｍＡのオーダーになる。ターゲットは０．７６ｍｍ×０．７６ｍｍ×０．１５ｍｍの体積のタングステンを用いる。この体積に対して約５００Ｗの平均電力が加わるので、熱の放散するために、銅の基板上に設置して、銅基板を水冷している。このようにＸ線ターゲットに強力な熱が加わるので、融点の高い材料や、高温に対する耐久性のある金属を選択し、これらを組み合わせて使用する。
【００１７】
以上Ｘ線ターゲット管が円錐台形状である場合を例にして説明したが、平板状のローブを有するＸ線を用いるときは、ターゲット管である必要はなく２枚の平板を用いてＸ線ターゲットを形成することができる。この場合において、電子ビームとＸ線のターゲット内における振る舞いは、図２〜図５の説明を利用して説明できる。そしてＸ線発生装置は、真空容器と、前記容器内に配置され電子ビームを発生する電子源と、および前記容器内に配置され対向する２面を有し、対向面が一方側から入射した前記電子ビームに衝突されＸ線を発生し、前記Ｘ線が他方の面に入射して全反射しまたは直接出口開口から放射するＸ線ターゲットから構成することができる。
【００１８】
次に本発明によるＸ線ビーム発生装置のＸ線治療への応用について説明する。従来のＣＴとＸ線発生装置を組み合わせた治療装置の略図を図８に示す。ＣＴ用Ｘ線発生源８０２から放射し、ＣＴ検出用センサアレイ８０３で受けて、検出する。この３次元画像データを計算機で算出し、癌の立体的位置と立体的形状を計測する。
【００１９】
本発明によるＸ線発生装置は、対陰極構造を独特の形状にして、絞り込まれたＸ線すなわち放射角度の極めて小さいＸ線を発生することができるから、次の構成のＸ線治療装置を提供できる。
すなわち、Ｘ線発生装置を複数本準備し、それぞれの発生Ｘビームの中心軸が交差するように配置して交差点に患部を位置させるようにしＸ線エネルギーの集中を図ることができる。
Ｘ線発生装置を多数本配置して、選択的に使用することにより、患部の形状に対応する放射線の集中治療を行うことができる。
【００２０】
本発明によるＸ線治療装置も第８図に示した従来装置のように患部のデータを取得して、このデータを基に、どの方向からどのくらいのＸ線を照射するかを決定する。応用の一例を図７に示す。
本発明のＸ線ビーム発生器は細いビームを放射する。このＸ線ターゲット管を複数個一定の角度で配置したビームＸ線発生源アレイ７０１が、６軸関節を持つ多軸ロボットアーム７０４に設けられ移動させられる。
前記Ｘ線ターゲット管はそれぞれの発生Ｘビームの中心軸が交差するように配置され交差点に患部を位置させるようにしている。
治療すべき癌の部分に対して回転するＣＴ用Ｘ線発生源７０２から放射し、ＣＴ検出用センサアレイ７０３で受けて、検出する。この３次元画像データを計算機で算出し、癌の立体的位置と立体的形状を計測する。
このデータを基に、どの方向からどのくらいのＸ線を照射するかは、ＣＴの３次元画像データを基にコンピュータが計算し決定する。
ビームＸ線発生源アレイを多軸ロボットアームにより３次元的に移動、回転させて、多方面から照射する。この方法により、癌にはＸ線を集中させて、癌治療を行う。同時に正常組織へＸ線照射量を減少し、正常組織の細胞のダメージを極力避けることができる。
【００２１】
図７に示したＸ線治療装置は複数のＸ線発生装置７０１ａ〜７０１ｎを準備し、それぞれの発生Ｘビームの中心軸が交差するように配置して交差点に患部を位置させるようにしたものである。このようにして患部のドースレートを大きくしている。前記多数本準備されたＸ線発生装置を選択的に使用することにより、照射位置でＸ線の形状を対象に応じて変えることができる。
前述した真空容器内に、複数本のＸ線ターゲットを設け、電子ビームを走査してＸ線ターゲットを選択的に使用するように構成することができる。
【００２２】
【発明の効果】
以上、詳しく説明したように本発明によるＸ線発生装置は小形で平行度の高い小径のＸ線ビームを発生することができる。
本発明による前記装置を用いたＸ線治療装置は、放射線治療において、不整形の腫瘍形状に対して、その形状に沿った線量分布を３次元的に作り出す照射方法である強度変調放射線治療ＩＭＲＴ（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｔｈｅｒａｐｙ）の照射領域をさらに正確に照射できる。この場合において従来のような余分なＸ線を遮断して形状を整える必要はなく、つまりＸ線の損失なしで正確な治療が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＸ線発生装置の構成を示す略図である。
【図２】Ｘ線ターゲット管の動作原理を説明するための略図である。
【図３】Ｘ線ターゲット組立の実施例における電子の軌道と発生したＸ線の軌跡を説明するための説明図である。
【図４】Ｘ線ターゲット管の実施例における電子（平行入射）の軌道と発生したＸ線の軌跡を説明するための図である。
【図５】Ｘ線ターゲット組立に発散性の電子が入射した場合のＸ線の軌跡を説明するための図である。
【図６】Ｘ線ターゲット組立におけるＸ線の反射の状態を示す図である。
【図７】本願Ｘ線装置を用いた治療装置を説明するための略図である。
【図８】従来のＣＴとＸ線発生装置を組み合わせた治療装置を説明するための略図である。
【符号の説明】
ＶＣ  真空容器
Ｅｓ  電子源
ＸＴ  Ｘ線ターゲット管
３００  Ｘ線ターゲット組立
３０１  Ｘ線ターゲット管
３０２  入口開口
３０３  出口開口
３０４  カバー管
３０５  電子
３０６  Ｘ線
５００  Ｘ線ターゲット組立
５０１  Ｘ線ターゲット管
５０２  入口開口
５０３  出口開口
５０４  カバー管
５０５  電子
５０６  Ｘ線
５０７  ターゲット管の孔
５０８  カバー管の孔
５０９  放熱板
５１０  窓
５１１  真空容器
６０１  Ｘ線ターゲット管
６０２  入口開口
６０３  出口開口
６０５  電子線
６０６  Ｘ線
６０７  Ｘ線ターゲット管の第１層
６０８  Ｘ線ターゲット管の第２層
６０９  Ｘ線ターゲット管の第３層
７０１  Ｘ線発生源アレイ
７０２  ＣＴ用Ｘ線発生源
７０３  ＣＴ検出用センサアレイ
８０２  ＣＴ用Ｘ線発生源
８０３  ＣＴ検出用センサアレイ
【図１】
2004311245.tif 000004
【図２】
2004311245.tif 000005
【図３】
2004311245.tif 000006
【図４】
2004311245.tif 000007
【図５】
2004311245.tif 000008
【図６】
2004311245.tif 000009
【図７】
2004311245.tif 000010
【図８】
2004311245.tif 000011