(57)【要約】【課題】背面電極の補助電極に近い箇所が損傷する虞が少ない有機ＥＬパネルを提供する。【解決手段】有機ＥＬパネル３１は、基板３２と、有機ＥＬ素子３９と、陰極端子４０とを有する。有機ＥＬ素子３９は、少なくとも第一電極３４と有機層３６と第二電極３７とを有し、基板３２に積層形成される。陰極端子４０は、第二電極３７に接続される。補助電極４１は、陰極端子４０と第二電極３７を接続させる開口部４１ａを有し、陰極端子４０上に形成される。補助電極４１は、陰極端子４０よりも導電率が高い。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有し前記基板に積層形成された有機ＥＬ素子と、前記第二電極に接続される陰極端子と、を有する有機ＥＬパネルであって、
前記陰極端子上に補助電極を形成し、前記補助電極に前記陰極端子と前記第二電極を接触させる開口部を設けたことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記補助電極は、前記陰極端子よりも導電率が高いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、第一電極と第二電極の間に少なくとも発光層を有する有機層を挟持した有機ＥＬ素子を基板に形成した有機ＥＬパネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、有機ＥＬパネルが種々提案されており、例えば特許文献１に開示されている。有機ＥＬパネル１は、ガラス基板２上に積層体３を形成したものであり、この積層体３は、透明電極４，絶縁層５，有機層６及び背面電極７からなる有機ＥＬ素子８と、陰極端子９と、補助電極１０を有している（図８参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−２６７０６６号公報
【０００４】
有機層６は正孔注入層，正孔輸送層，発光層及び電子輸送層からなるものであり、透明電極４と背面電極７に挟持されている。補助電極１０は、クロム（Ｃｒ）等の導電性材料からなるものであり、陰極端子９上に形成されている。背面電極７は陰極端子９及び補助電極１０に導通しており、透明電極４と陰極端子９に電源を接続することにより発光部Ｐが光輝する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、背面電極７の補助電極１０に近い箇所が高温になって溶融し、背面電極７の一部が陰極端子９から剥離してしまう問題があった。この問題は、陰極端子９の材料（例えばＩＴＯ）よりも補助電極１０の材料（例えばクロム）の導電率が高いため、陰極端子９の電流Ｉは補助電極１０に流れ込みやすいが、補助電極１０と背面電極７の界面には酸化膜があるため電気抵抗が高く、補助電極１０に流れ込んだ電流Ｉは、再度、陰極端子９に流れ込んでから、背面電極７に回り込むため、背面電極７の補助電極１０に近い箇所に電流Ｉが集中するためであると考えられる（図９参照）。
【０００６】
本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、背面電極の補助電極に近い箇所が損傷する虞が少ない有機ＥＬパネルを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するため、請求項１に記載したように、基板３２と、少なくとも第一電極３４と有機層３６と第二電極３７とを有し前記基板３２に積層形成された有機ＥＬ素子３９と、前記第二電極３７に接続される陰極端子４０と、を有する有機ＥＬパネル３１であって、
前記陰極端子４０上に補助電極４１を形成し、前記補助電極４１に前記陰極端子４０と前記第二電極３７を接触させる開口部４１ａを設けたことを特徴とする有機ＥＬパネル。
【０００８】
また、本発明は、請求項２に記載したように、前記補助電極４１は、前記陰極端子４０よりも導電率が高いものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を添付の図面に基づいて説明する。図１乃至図６は、第一実施形態を示すものである。
【００１０】
有機ＥＬパネル３１は、ガラス基板３２上に積層体３３を形成したものである。積層体３３は、透明電極３４（第一電極），絶縁層３５，有機層３６，背面電極３７（第二電極）及びリブ部３８を有する有機ＥＬ素子３９と、陰極端子４０と、補助電極４１とを有している。
【００１１】
透明電極３４は、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化スズ（ＳｎＯ２）の混合物であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなるものであり、スパッタリング或いは蒸着等の手段によって形成されている。透明電極３４は、所定間隔をあけて配置された縦方向のストライプ状になっている。絶縁層３５は、ポリイミド系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。絶縁層３５には、マトリクス状に配置された発光部に対応する矩形の開口３５ａが形成されている。
【００１２】
有機層３６は、正孔注入層３６ａ，正孔輸送層３６ｂ，発光層３６ｃ及び電子輸送層３６ｄからなるものである（図４参照）。なお、有機層３６は、少なくとも発光層２６ｃがあれば良いが、本実施形態のように正孔注入層２６ａ，正孔輸送層２６ｂ及び電子輸送層２６ｄを設けることにより、発光輝度を向上させることができる。背面電極３７は、アルミニウム（Ａｌ）からなるものであり、透明電極３４に直交する方向、即ち横方向のストライプ状になっている。
【００１３】
リブ部３８は、フェノール系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。リブ部３８は、絶縁層３５上に形成されており、逆テーパ形状になっている。リブ部３８は、透明電極３４と直交する方向に平行線状に設けられている。陰極端子４０は、ＩＴＯからなるものであり、補助電極４１の開口部４１ａで背面電極３７に接続されている。なお、背面電極３７は、蒸着等の方法によって、絶縁層３４，有機層３６及びリブ部３８の上に形成されるものであるが、本実施形態において「背面電極」とは、リブ部３８によって分断され、有機層３６上に形成されたものを示している。
【００１４】
補助電極４１は、クロム（Ｃｒ）からなるものであり、陰極端子４０よりも導電率が高い。補助電極４１は、陰極端子４０上に形成されている。補助電極４１には矩形の開口部４１ａが設けられており、この開口部４１ａで、背面電極３７と陰極端子４０が接続されている。図６に示すように、陰極端子４０の電流Ｉは、一度、補助電極４１に流れ込み、再度、陰極端子４０に流れ込んでから、開口部４１ａの近傍で背面電極３７に流れる。
【００１５】
本実施形態によれば、陰極端子４０から補助電極４１に入った電流Ｉは、補助電極４１の開口部４１の全周から、再度、陰極端子４０に流れ込み、背面電極３７に回り込むため、電流Ｉが１箇所に集中することがなく、従来のように、電流Ｉが補助電極１０の一端から陰極端子９に流れ込む場合と比較すると、背面電極３７が損傷する虞が小さい。
【００１６】
なお、図７に示す第二実施形態のように、補助電極４１の開口部４１ａに対応する箇所に設けられた、絶縁層３５のコンタクトホール３５ａで、陰極端子４０と背面電極３７が接触するように構成しても良く、第一実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００１７】
また、本実施形態は、ドットマトリクス型の有機ＥＬパネルであったが、例えばセグメント型の有機ＥＬパネルに適用することも可能であることは言うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】
本発明は、基板と、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有し前記基板に積層形成された有機ＥＬ素子と、前記第二電極に接続される陰極端子と、を有する有機ＥＬパネルであって、前記陰極端子上に補助電極を形成し、前記補助電極に前記陰極端子と前記第二電極を接触させる開口部を設けたものであり、第二電極の補助電極に近い箇所が損傷する虞が少ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施形態を示す正面図。
【図２】同上実施形態を示す断面図。
【図３】同上実施形態を示す断面図。
【図４】同上実施形態を示す有機層の拡大断面図。
【図５】同上実施形態を示す要部拡大断面図。
【図６】同上実施形態を示す要部拡大断面図。
【図７】本発明の第二実施形態を示す正面図。
【図８】従来例を示す断面図。
【図９】同上従来例を示す要部拡大断面図。
【符号の説明】
３１    有機ＥＬパネル
３２    基板
３４    透明電極（第一電極）
３５    絶縁層
３６    有機層
３７    背面電極（第二電極）
３９    有機ＥＬ素子
４０    陰極端子
４１    補助電極
４１ａ  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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