(57)【要約】【課題】導体パターンの転写工程時に、合わせて被転写体である絶縁材の薄型且つ厚さの均一化が図れる配線基板及びその製造方法、素子実装基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】第１の剥離体１に導体パターン４を形成する工程と、未硬化の絶縁材５の一表面に導体パターン４を密着させ、他表面に第２の剥離体６を密着させて、第１の剥離体１と第２の剥離体６とで絶縁材５を狭圧する工程と、第１の剥離体１を絶縁材５から剥離して導体パターン４を絶縁材５に転写する工程と、第２の剥離体６を絶縁材５から剥離する工程とを有する。【選択図】        図２
2004311804.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材の一表面に、前記絶縁材に対して剥離可能な第１の剥離体から転写された導体パターンを有する配線基板であって、
前記導体パターンは、未硬化の前記絶縁材を前記第１の剥離体と、前記絶縁材に対して剥離可能な第２の剥離体とで狭圧し、前記第１の剥離体を前記絶縁材から剥離することで前記絶縁材に転写された
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
第１の剥離体に導体パターンを形成する工程と、
未硬化の絶縁材の一表面に前記導体パターンを密着させ、他表面に第２の剥離体を密着させて、前記第１の剥離体と前記第２の剥離体とで前記絶縁材を狭圧する工程と、
前記第１の剥離体を前記絶縁材から剥離して前記導体パターンを前記絶縁材に転写する工程と、
前記第２の剥離体を前記絶縁材から剥離する工程とを有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の剥離体はその一部を前記絶縁材に残して前記絶縁材から剥離され、
前記絶縁材に残された前記第２の剥離体をマスクとして、前記導体パターンに達する層間接続孔を前記絶縁材に形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁材を狭圧した状態で前記第１及び第２の剥離体を加熱し、前記第１及び第２の剥離体からの伝熱により前記絶縁材を熱硬化させる
ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記導体パターンを、導電性の前記第１の剥離体に電気めっき法で形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁材の一表面に前記絶縁材に対して剥離可能な第１の剥離体から転写された導体パターンを有すると共に、前記導体パターンと電気的に接続する素子が実装されている素子基板であって、
前記導体パターンは、未硬化の前記絶縁材を前記第１の剥離体と、前記絶縁材に対して剥離可能な第２の剥離体とで狭圧して前記第１の剥離体を前記絶縁材から剥離することで前記絶縁材に転写された
ことを特徴とする素子実装基板。
【請求項７】
前記素子の周囲を、前記絶縁材に貼り合わされた補強材が囲んでいる
ことを特徴とする請求項６に記載の素子実装基板。
【請求項８】
第１の剥離体に導体パターンを形成する工程と、
未硬化の絶縁材の一表面に前記導体パターンを密着させ、他表面に第２の剥離体を密着させて、前記第１の剥離体と前記第２の剥離体とで前記絶縁材を狭圧する工程と、
前記第１の剥離体を前記絶縁材から剥離して前記導体パターンを前記絶縁材に転写する工程と、
前記第２の剥離体を前記絶縁材から剥離する工程と、
前記導体パターンと電気的に接続させて素子を実装する工程とを有する
ことを特徴とする素子実装基板の製造方法。
【請求項９】
厚さ方向を貫通する凹所が形成された補強材を前記絶縁材に貼り合わせる工程と、
前記凹所内に位置させて前記素子を実装する工程とを有する
ことを特徴とする請求項８に記載の素子実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、転写法によって形成された導体パターンを有する配線基板及びその製造方法、その配線基板に素子が実装された素子実装基板及びその製造方法に関する。更に詳しくは、導体パターンの転写時に合わせて絶縁材の薄型化や厚さ制御が行える配線基板及びその製造方法、素子実装基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型コンピュータ等の電子機器の小型化、高機能化に伴い、これらを構成する電子部品の高密度実装化が不可欠となっている。電子部品の高密度実装化は、従来より、電子部品の小型化による部品端子のファインピッチ化や、電子部品が実装される配線基板上の導体パターンの微細化等によって進められてきた。
【０００３】
また、近年においては、複数の配線基板を積層することによって三次元的な配線の引き回しを可能とする多層配線基板の開発が進められ、更には、この多層配線基板に対し、チップ抵抗やチップコンデンサあるいは半導体ベアチップ等の素子を内蔵して、実装効率の更なる向上を図った素子実装基板の開発も進められている。
【０００４】
配線基板にファインピッチな導体パターンを形成する方法として、従来より、転写法が知られている。この転写法による製造プロセスは、主として、転写シートの一表面に導体パターンを形成する工程と、その導体パターンを転写シートごと絶縁層へ貼り合わせる工程と、転写シートを分離して導体パターンを絶縁層に転写する工程とを有している。この種の従来技術として、例えば特許文献１がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−１０７４４５号公報
【０００６】
以下、図２３を参照して説明する。
（図２３Ａの工程）
絶縁層７０にビアホール７１を形成する。このビアホール７１は例えばレーザ加工やマイクロドリルなどによって形成される。そして、そのビアホール７１内に金属粉末を含有する導電ペースト７２を充填する。
【０００７】
（図２３Ｂの工程）
樹脂製の転写シート７３に導体パターン７４を形成する。例えば、転写シート７３の表面に金属箔を接着した後、この金属箔の表面にレジストをパターニングした後、エッチング処理及びレジスト除去を行って導体パターン７４が形成される。
【０００８】
（図２３Ｃの工程）
導体パターン７４を、導電ペースト７２が充填されたビアホール７１に位置合わせして転写シート７３を絶縁層７０の表面に貼り付ける。その後、転写シート７３を剥がすことにより、ビアホール７１に接続する導体パターン７４を表面に有する配線基板が得られる。
【０００９】
このようにして作製した一単位の配線基板を複数作製し、これらを積層圧着することにより多層配線基板を作製することができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献１の従来例では、導体パターン７４の転写時には導体パターン７４と導電ペースト７２との接合に主眼がおかれており、また既に絶縁層７０にビアホール７１及び導電ペースト７２が形成されていることなどから、絶縁層７０の厚さ制御や面方向に関して均一な厚さに調整するといったことができない。また、転写時に導体パターン７４とビアホール７１との位置合わせが必要であり、導体パターン７４が微細化してくるとこれへの対応が困難となる。あるいは厳密な工程管理が要求されコスト高をもたらしてしまう。
【００１１】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、導体パターンの転写工程時に、合わせて被転写体である絶縁材の薄型且つ厚さの均一化が図れる配線基板及びその製造方法、素子実装基板及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板では、絶縁材の一表面に第１の剥離体から転写された導体パターンが、未硬化の絶縁材を第１の剥離体と第２の剥離体とで狭圧し、第１の剥離体を絶縁材から剥離することで転写されたことを特徴としている。
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法は、第１の剥離体に導体パターンを形成する工程と、未硬化の絶縁材の一表面に導体パターンを密着させ、他表面に第２の剥離体を密着させて、第１の剥離体と第２の剥離体とで絶縁材を狭圧する工程と、第１の剥離体を絶縁材から剥離して導体パターンを絶縁材に転写する工程と、第２の剥離体を絶縁材から剥離する工程とを有することを特徴としている。
【００１４】
このように、絶縁材の一表面に導体パターンを圧着させると共に、他表面にも絶縁材に対して剥離可能な第２の剥離体を圧着させて未硬化（Ｂステージの半硬化状態や、熱可塑性樹脂の軟化した状態や、ペーストあるいは液状の状態なども含む）の絶縁材を挟み込むので、一表面に対する導体パターンの転写と合わせて絶縁材の厚さ制御を行うことができる。加圧条件や加熱条件を絶縁材の材質に応じて適宜調整することで、面方向に関して厚さにばらつきのない均一な厚さの、しかも非常に薄い配線基板を得ることができる。
【００１５】
絶縁材として例えば熱硬化性樹脂を用いた場合には、絶縁材が狭圧された状態で第１及び第２の剥離体を加熱し、第１及び第２の剥離体からの伝熱により絶縁材を熱硬化させることができる。このとき、絶縁材と第１及び第２の剥離体は面接触で密着しているため、絶縁材をその面方向に関して均一に加熱して硬化させることができ反りを抑制することができる。したがって、第１及び第２の剥離体は熱伝導率が等しいあるいは近い値の材料を用いることが好ましい。
【００１６】
その他、絶縁材として光硬化性樹脂を用いて例えば紫外線などの光照射により絶縁材を硬化させてもよい。また、絶縁材には、紙、ガラス布、ガラス繊維などを混合させて強度の向上を図ってもよい。
【００１７】
また、第２の剥離体をその一部を絶縁材に残して剥離し、その残された第２の剥離体をマスクとして、導体パターンに達する層間接続孔を絶縁材に形成するようにすれば、工程の簡略化及びコスト低減が図れる。
【００１８】
第１の剥離体は、導体パターンの平面度を維持するため及びハンドリング性を向上させるための支持体として機能する。したがって、この要求に応えるべき強度等の機械的性質及び耐熱温度等の材料学的性質を具備するように構成される。
【００１９】
第１及び第２の剥離体は、最終的には絶縁材から剥離されて残らない。その剥離を容易とするための剥離層を有していることが好ましい。剥離層としては、例えば複数の金属層を積層させた構成が挙げられる。この構成の場合には、例えば３５０℃ほどの熱プレス工程を経ても寸法変化や変質などが生じないという利点がある。
【００２０】
また、他の剥離層の構成として、剥離されるべき表面の所定部位に離型剤が塗布された樹脂層が挙げられる。更に、他の剥離層として熱発泡層を用いてもよく、この場合、所定温度への加熱処理により熱発泡層を発泡させて転写用支持体の剥離が可能である。
【００２１】
あるいは、剥離層は設けずに、第１の剥離体又は第２の剥離体を溶解させて絶縁材から剥離させてもよい。
【００２２】
また、導体パターンを、導電性の第１の剥離体に電気めっき法で形成すれば、アディティブ法によるパターンめっき技術を用いて微細な導体パターンを高精度に形成できる。
【００２３】
本発明の素子実装基板は、未硬化の絶縁材を第１の剥離体と第２の剥離体とで狭圧し、第１の剥離体を絶縁材から剥離することで転写された導体パターンに、素子が電気的に接続されて実装されたことを特徴としている。
【００２４】
本発明の素子実装基板の製造方法は、第１の剥離体に導体パターンを形成する工程と、未硬化の絶縁材の一表面に導体パターンを密着させ、他表面に第２の剥離体を密着させて、第１の剥離体と第２の剥離体とで絶縁材を狭圧する工程と、第１の剥離体を絶縁材から剥離して導体パターンを絶縁材に転写する工程と、第２の剥離体を絶縁材から剥離する工程と、導体パターンと電気的に接続させて素子を実装する工程とを有することを特徴としている。
【００２５】
絶縁材が導体パターンと密着されて狭圧されることで導体パターンを絶縁材表面上に平坦に形成させることができ、微小な素子であっても高精度に実装させることができる。
【００２６】
素子としては、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサなどの受動素子や、半導体ベアチップ、半導体パッケージ部品などの能動素子などが挙げられる。
【００２７】
また、厚さ方向を貫通する凹所が形成された補強材を絶縁材に貼り合わせて、その凹所内に位置させて素子を実装すれば、素子実装基板の変形や反りを抑制して寸法安定性やハンドリング性の向上を図ることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２９】
（第１の実施の形態）
図１〜図５は、第１の実施の形態による配線基板の製造工程を示す。
【００３０】
（図１Ａの工程）
例えば厚さ１４０μｍほどの銅箔２の一表面に剥離層３を形成して第１の剥離体１を作製する。剥離層３は、例えば厚さ０．０１μｍほどのＣｒ層と、厚さ０．１５μｍほどの（Ｎｉ−Ｃｏ）層の２層の金属層から構成される。Ｃｒ層は銅箔２を給電体とした電気めっき法で銅箔２の表面上に析出され、（Ｎｉ−Ｃｏ）層は同じく銅箔２を給電体とした電気めっき法でＣｒ層の表面上に析出される。
【００３１】
Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は、例えば３５０℃ほどの温度でも金属接合しない特性を有し、したがって後工程で熱プレスを受けても簡単に剥離させることができる。この場合、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界で剥離可能である。
【００３２】
また、剥離層３としては上記構成以外にも、例えばＣｒ層の１層構造、Ｎｉ層の１層構造、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｒ）層との２層構造、Ｃｒ層とＮｉ層との２層構造などとしてもよい。
【００３３】
（図１Ｂの工程）
以上のように構成される第１の剥離体１に、後の工程で絶縁材に転写されるべき導体パターン４を形成する。具体的には、先ず、剥離層３の表面に所望の形状にパターニングされためっきレジスト（図示せず）を形成する。
【００３４】
次いで、第１の剥離体１を銅の電解浴中に浸漬してカソード電極に接続し、銅の電気めっき膜を析出させる。その後めっきレジストを除去して銅材料からなる導体パターン４が得られる。
【００３５】
一般に、ウェットエッチング法によって導体膜の不要部分を除去してパターニングする方法（サブトラクティブ法）に比べて、電気めっき法によって必要な部分にのみ導体膜を析出させて導体パターンを形成する方法（アディティブ法）の方が微細なパターンを形成することができるので、本実施の形態によれば、ラインアンドスペースが例えば１０μｍ／１０μｍといった微細な導体パターン４を高精度に形成することができる。
【００３６】
また、第１の剥離体１の全厚のほとんどを占める銅箔２は寸法変化が小さく、よって、以下に続く工程中における導体パターン４の寸法変化を抑制して微細な導体パターン４の寸法精度を安定して保つことができる。
【００３７】
（図２Ｃ、Ｄの工程）
上記第１の剥離体１に形成された導体パターン４を絶縁材５に転写する工程である。この工程に際しては、第１の剥離体１に加えてこの第１の剥離体１と同様な構成の第２の剥離体６も用いる。
【００３８】
すなわち、第２の剥離体６は、銅箔７の一表面に、例えばＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層の２層の金属層からなる剥離層８を形成して構成される。なお、第２の剥離体６には転写用の導体パターンは形成されていない。
【００３９】
絶縁材５は、例えばガラス布にワニス状のエポキシ樹脂を含浸させてＢステージの半硬化状態としたフィルム状のプリプレグである。
【００４０】
この絶縁材５の一表面に上記導体パターン４を密着させ、更に他表面には第２の剥離体６の剥離層８を密着させて、第１の剥離体１、絶縁材５及び第２の剥離体６を図示しない熱プレス装置の熱板間で加熱させながら狭圧する（図２Ｄ）。
【００４１】
これによって、絶縁材５を数μｍ〜数十μｍの薄さにすることができ、しかも面方向にわたってその厚さを均一とすることができる。また、導体パターン４間の間隙が微小であっても隙間なく絶縁材５をその間隙に充填させることができる。更に、導体パターン４は絶縁材５の表面に埋め込まれて、導体パターン４と絶縁材５双方の表面を面一にして凹凸のない平坦な表面が得られる。
【００４２】
また、絶縁材５の材質に応じて加圧圧力と加熱温度を制御することで、絶縁材５の厚さを調整して例えば特性インピーダンスなどの電気的特性を制御することができる。
【００４３】
また、絶縁材５はその両表面全体が、金属である第１及び第２の剥離体１、６で密着された状態でこれら第１及び第２の剥離体１、６からの伝熱によって加熱される。したがって、絶縁材５をその面方向に関して偏りなく加熱させることができ、よって面方向に関して均一に樹脂の熱硬化を進ませて反りの発生を抑制できる。
【００４４】
絶縁材５としては、上述した剥離層３を構成するＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層とが金属接合しない３５０℃ぐらいの温度までの加熱で変形や変質しない材料を用いることができる。
【００４５】
例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いることができる。熱硬化性樹脂の場合には、絶縁材５を熱硬化温度よりも低い温度で軟化させて所望の厚さにしたり導体パターン４との密着力を高めたりした後、更なる高温加熱によって完全に硬化させる。
【００４６】
あるいは、熱硬化性樹脂に限らず、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミドなどの熱可塑性樹脂を用いてもよい。この場合には、絶縁材５を加熱軟化させた後高温加熱を行わなくても常温で硬化させることができる。
【００４７】
また、絶縁材５と特性の異なる他の絶縁層が積層されているとその絶縁層を変形させたり変質させたりしてしまうおそれがあるが、本実施の形態では熱プレスを行うべき積層体は絶縁材５以外は金属であるのでそのようなことはない。
【００４８】
（図３Ｅの工程）
上記熱プレス工程にて絶縁材５がＣステージの完全硬化状態となると、第２の剥離体６が絶縁材５から剥離される。具体的には剥離層８におけるＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面で剥離される。例えば、その境界面に切れ込みを入れて剥離する。上記熱プレスは、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層とが金属接合しない温度にて行われるため、上記工程の熱ストレスを受けてもＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は簡単に剥離可能である。
【００４９】
（図３Ｆの工程）
上記剥離工程にて、絶縁材５の他表面には、２層構造の剥離層８のうちの１層（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａが残る。この（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａに図示しないレジストパターンを形成した後、そのレジストパターンをマスクとしてウェットエッチングにて選択的に開口９を形成する。
【００５０】
（図４Ｇの工程）
上記開口９が形成された（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａをマスクとして、開口９に臨む絶縁材５の部分を例えばレーザエッチングする。これにより、導体パターン４に達する層間接続孔１０が絶縁材５に形成される。なお、レーザエッチングに限らず、ウェットエッチングやドライエッチング、あるいはドリル加工にて層間接続孔１０を形成してもよい。
【００５１】
このように、第２の剥離体６の剥離時に絶縁材５に残された剥離層の一部をそのまま層間接続孔形成用のマスクとして用いることで、別途レーザエッチング用のマスクを形成する工程を省け、工程の簡略化及びコスト低減が図れる。
【００５２】
（図４Ｈの工程）
第１の剥離体１を給電体として銅の電解浴中にて電気めっきを行い、銅材料にて、層間接続孔１０を埋めると共に絶縁材５の他表面側にパネルめっき膜１１を形成する。
【００５３】
（図５Ｉの工程）
めっき膜１１に図示しないレジストパターンを形成した後、そのレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにて（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａ及びめっき膜１１のパターニングを行い、導体パターン１２を形成する。
【００５４】
（図５Ｊの工程）
次いで、第１の剥離体１が絶縁材５から剥離され、導体パターン４が絶縁材５に転写される。具体的には剥離層３におけるＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面で剥離される。例えば、その境界面に切れ込みを入れて剥離する。上述した熱プレスは、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層とが金属接合しない温度にて行われるため、上記工程の熱ストレスを受けてもＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は簡単に剥離可能である。
【００５５】
（図５Ｋの工程）
上記第１の剥離体１の剥離工程にて、絶縁材５の表面には、２層構造の剥離層３のうちの１層（Ｎｉ−Ｃｏ）層３ａが残るが、この（Ｎｉ−Ｃｏ）層３ａを、銅材料でなる導体パターン４は溶解させないエッチング液を用いたウェットエッチングにて除去して導体パターン４の表面を露出させる。
【００５６】
これにより、絶縁材５の一表面に第１の剥離体１から転写されたファインピッチな導体パターン４が絶縁材５に対して凹凸なく平坦に形成され、更に絶縁材５の他表面に層間接続孔１０を充填する導電材を介して導体パターン４と電気的に接続された導体パターン１２が形成された配線基板１７が得られる。
【００５７】
この配線基板１７は、上述した導体パターン４転写時の熱プレスにて、面方向にわたって均一な厚さでもって薄型化されており、しかも反りの発生も抑えられている。また、導体パターン４の転写と絶縁材５の均一薄型化とを同一工程で行うので工程数の増加にはつながらず、また上記した一連の工程は既存の設備を用いて行うことができるので、新たな設備の準備に係るコスト上昇も抑えることができる。
【００５８】
また、絶縁材５に導体パターン４を転写した後にその導体パターン４と接続する層間接続孔１０を形成するので、導体パターン４の転写時には絶縁材５との高精度な位置合わせは不要であり、導体パターン４が微細であってもレーザエッチングにて高精度に層間接続を行える。
【００５９】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態について説明する。なお、上記第１の実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００６０】
（図６Ｌ、Ｍの工程）
上記第１の実施の形態で得られた配線基板１７に、例えば樹脂やセラミックなどからなる絶縁性の補強材１３を熱圧着する。補強材１３の一表面には絶縁性で且つ流動性の小さい接着層１４が形成されている。更に、補強材１３には厚さ方向を貫く凹所１５が形成されている。この凹所１５の平面寸法は、配線基板１７の導体パターン４ａに実装すべき素子の平面寸法よりわずかに大きい。
【００６１】
（図７Ｎの工程）
素子との接合部となる導体パターン４ａ上に、ぬれ性を高めて接合性を良くするための錫、ニッケル、金、銀、はんだなどの接合材１６を供給あるいは形成する。
【００６２】
（図７Ｏの工程）
素子２０を凹所１５に配置させて配線基板１７に実装する。素子２０はその導電性バンプ２０ａが接合材１６を介して導体パターン４ａと電気的に接続される。素子２０の実装後、凹所１５にアンダーフィル樹脂２１が供給され素子２０と配線基板１７との接合部の保護が図られる。
【００６３】
（図８の工程）
配線基板１７の他表面側で露出している導体パターン１２に、外部接続用端子として機能する導電性バンプ２２（はんだボール、金属めっきバンプ、金属スタッドバンプなど）を接合させて素子実装基板２３が得られる。
【００６４】
なお、図８は図９に示す平面図における［８］−［８］線方向の断面図である。図９に示す素子実装基板２３は最終的には、１個の素子２０を１単位とするユニット、あるいは２個以上の素子２０を１単位とするユニットに分割される。
【００６５】
素子２０の周囲を囲むようにして存在する補強材１３によって、素子実装基板２３の反りなどが抑制されると共にハンドリング性を向上させて、導電性バンプ２２を介しての他の基板などへの実装工程の作業性を向上させることができる。
【００６６】
また、素子の実装後に、剥離体の剥離や配線基板に対するエッチングやフォトリソグラフィなどの各種処理を行う方法においては、その実装後の処理に不良が生じた場合、素子が正常であっても製品全体としては不良となってしまう。これに対して本実施の形態では、素子２０の実装後は配線基板１７自体の加工は何ら行われず、既に完成した配線基板１７に対して素子２０を実装するだけであるので、既存の実装設備をそのまま用いることができ、更に歩留りも向上させることができる。
【００６７】
（第３の実施の形態）
次に本発明の第３の実施の形態について説明する。なお、上記各実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００６８】
上記図１Ａ〜図５Ｉまでの工程と同様にして、図１０Ａに示すように第１の剥離体１、導体パターン４、絶縁材５、導体パターン１２’の積層体を得る。
【００６９】
（図１０Ａ、Ｂの工程）
そして、その積層体と、第２の剥離体２６とで、絶縁材２５を狭圧する。第２の剥離体２６は、銅箔２７の一表面に、例えばＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層の２層の金属層からなる剥離層２８を形成して構成される。なお、第２の剥離体２６には転写用の導体パターンは形成されていない。
【００７０】
絶縁材２５は、例えばガラス布にワニス状のエポキシ樹脂を含浸させてＢステージの半硬化状態としたフィルム状のプリプレグである。
【００７１】
その絶縁材２５の一表面に上記導体パターン１２’を密着させ、更に他表面には第２の剥離体２６の剥離層２８を密着させて、第１の剥離体１、絶縁材２５及び第２の剥離体２６を図示しない熱プレス装置の熱板間で加熱させながら狭圧する（図１０Ｂ）。
【００７２】
これによって、絶縁材２５を薄く、且つ面方向にわたってその厚さを均一とすることができる。また、導体パターン１２’間の間隙が微小であっても隙間なく絶縁材２５をその間隙に充填させることができる。
【００７３】
また、絶縁材２５の材質に応じて加圧圧力と加熱温度を制御することで、絶縁材２５の厚さを調整して例えば特性インピーダンスなどの電気的特性を制御することができる。
【００７４】
（図１１Ｃの工程）
上記熱プレス工程にて絶縁材２５がＣステージの完全硬化状態となると、第２の剥離体２６が絶縁材２５から剥離される。具体的には剥離層２８におけるＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面で剥離される。例えば、その境界面に切れ込みを入れて剥離する。上記熱プレスは、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層とが金属接合しない温度にて行われるため、上記工程の熱ストレスを受けてもＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は簡単に剥離可能である。
【００７５】
（図１１Ｄの工程）
上記剥離工程にて、絶縁材２５の他表面には、２層構造の剥離層２８のうちの１層（Ｎｉ−Ｃｏ）層２８ａが残る。この（Ｎｉ−Ｃｏ）層２８ａに図示しないレジストパターンを形成した後、そのレジストパターンをマスクとしてウェットエッチングにて選択的に開口２９を形成する。
【００７６】
（図１２Ｅの工程）
上記開口２９が形成された（Ｎｉ−Ｃｏ）層２８ａをマスクとして、開口２９に臨む絶縁材２５の部分を例えばレーザエッチングする。これにより、導体パターン１２’に達する層間接続孔３０が絶縁材２５に形成される。なお、レーザエッチングに限らず、ウェットエッチングやドライエッチング、あるいはドリル加工にて層間接続孔３０を形成してもよい。
【００７７】
（図１２Ｆの工程）
第１の剥離体１を給電体として銅の電解浴中にて電気めっきを行い、銅材料にて、層間接続孔３０を埋めると共に絶縁材２５の他表面側にパネルめっき膜３１を形成する。
【００７８】
（図１３Ｇの工程）
めっき膜３１に図示しないレジストパターンを形成した後、そのレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにて（Ｎｉ−Ｃｏ）層２８ａ及びめっき膜３１のパターニングを行い、導体パターン３２を形成する。
【００７９】
（図１３Ｈの工程）
次いで、第１の剥離体１が絶縁材５から剥離され、導体パターン４が絶縁材５に転写される。具体的には剥離層３におけるＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面で剥離される。例えば、その境界面に切れ込みを入れて剥離する。上述した熱プレスは、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層とが金属接合しない温度にて行われるため、上記工程の熱ストレスを受けてもＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は簡単に剥離可能である。
【００８０】
（図１３Ｉの工程）
上記第１の剥離体１の剥離工程にて、絶縁材５の表面には、２層構造の剥離層３のうちの１層（Ｎｉ−Ｃｏ）層３ａが残るが、この（Ｎｉ−Ｃｏ）層３ａを、銅材料でなる導体パターン４は溶解させないエッチング液を用いたウェットエッチングにて除去して導体パターン４の表面を露出させる。
【００８１】
これにより、図１３Ｉに示すように、３層の導体パターン４、１２’、３２を有する配線基板３３が得られる。絶縁材５の一表面には第１の剥離体１から転写されたファインピッチな導体パターン４が絶縁材５に対して凹凸なく平坦に形成されている。導体パターン１２’は層間接続孔１０を充填する導電材を介して導体パターン４と電気的に接続されている。導体パターン３２は層間接続孔３０を充填する導電材を介して導体パターン１２’と電気的に接続されている。
【００８２】
なお、図１３Ｇの工程の後、この積層体に、上述した図１０Ａから始まる同様の工程を繰り返していけば、４層以上の導体パターンを有する配線基板を製造することができる。
【００８３】
（第４の実施の形態）
次に本発明の第４の実施の形態について説明する。なお、上記各実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００８４】
（図１７Ａの工程）
上記第１の実施の形態と同様に、銅箔２の一表面に剥離層３を形成して第１の剥離体１を作製する。
【００８５】
（図１７Ｂの工程）
第１の剥離体１に、後の工程で絶縁材に転写されるべき導体パターン３６を形成する。具体的には、先ず、剥離層３の表面に所望の形状にパターニングされためっきレジスト（図示せず）を形成する。
【００８６】
次いで、第１の剥離体１を銅の電解浴中に浸漬してカソード電極に接続し、銅の電気めっき膜を析出させる。その後めっきレジストを除去して銅材料からなる導体パターン３６が得られる。
【００８７】
（図１８Ｃ、Ｄの工程）
第１の剥離体１に形成された導体パターン３６を絶縁材５に転写する工程である。この工程に際しては、第１の剥離体１に加えてこの第１の剥離体１と同様な構成の第２の剥離体６も用いる。
【００８８】
第２の剥離体６は、銅箔７の一表面に、例えばＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層の２層の金属層からなる剥離層８を形成して構成される。剥離層８の表面上には、絶縁材５の他表面側に転写されるべき導体パターン３７が電気めっき法でパターンめっきされている。
【００８９】
絶縁材５は、例えばガラス布にワニス状のエポキシ樹脂を含浸させてＢステージの半硬化状態としたフィルム状のプリプレグである。
【００９０】
この絶縁材５の一表面に第１の剥離体１に形成された導体パターン３６を密着させ、他表面には第２の剥離体６に形成された導体パターン３７を密着させて、第１の剥離体１、絶縁材５及び第２の剥離体６を図示しない熱プレス装置の熱板間で加熱させながら狭圧する（図１８Ｄ）。
【００９１】
これによって、絶縁材５を薄く、しかも面方向にわたってその厚さを均一とすることができる。また、絶縁材５の材質に応じて加圧圧力と加熱温度を制御することで、絶縁材５の厚さを調整して例えば特性インピーダンスなどの電気的特性を制御することができる。
【００９２】
また、絶縁材５はその両表面全体が、金属である第１及び第２の剥離体１、６で密着された状態でこれら第１及び第２の剥離体１、６からの伝熱によって加熱される。したがって、絶縁材５をその面方向に関して偏りなく加熱させることができ、よって面方向に関して均一に樹脂の熱硬化を進ませて反りの発生を抑制できる。
【００９３】
（図１９Ｅの工程）
上記熱プレス工程にて絶縁材５がＣステージの完全硬化状態となると、第２の剥離体６が絶縁材５から剥離される。具体的には剥離層８におけるＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面で剥離される。例えば、その境界面に切れ込みを入れて剥離する。上記熱プレスは、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層とが金属接合しない温度にて行われるため、上記工程の熱ストレスを受けてもＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は簡単に剥離可能である。
【００９４】
（図１９Ｆの工程）
上記剥離工程にて、絶縁材５の他表面には、導体パターン３７と、２層構造の剥離層８のうちの１層（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａが残る。その（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａ表面に図示しないレジストパターンを形成した後、そのレジストパターンをマスクとしてウェットエッチングにて選択的に開口９を形成する。
【００９５】
（図２０Ｇの工程）
上記開口９が形成された（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａをマスクとして、開口９に臨む絶縁材５の部分を例えばレーザエッチングする。これにより、導体パターン３６に達する層間接続孔１０が絶縁材５に形成される。なお、レーザエッチングに限らず、ウェットエッチングやドライエッチング、あるいはドリル加工にて層間接続孔１０を形成してもよい。
【００９６】
（図２０Ｈの工程）
第１の剥離体１を給電体として銅の電解浴中にて電気めっきを行い、銅材料にて、層間接続孔１０を埋めると共に（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａ表面上にパネルめっき膜１１を形成する。
【００９７】
（図２１Ｉの工程）
めっき膜１１に図示しないレジストパターンを形成した後、そのレジストパターンをマスクとしたウェットエッチングにて（Ｎｉ−Ｃｏ）層８ａ及びめっき膜１１のパターニングを行い、導体パターン３８を形成する。
【００９８】
（図２１Ｊの工程）
次いで、第１の剥離体１が絶縁材５から剥離され、導体パターン３６が絶縁材５に転写される。具体的には剥離層３におけるＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層との境界面で剥離される。例えば、その境界面に切れ込みを入れて剥離する。上述した熱プレスは、Ｃｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層とが金属接合しない温度にて行われるため、上記工程の熱ストレスを受けてもＣｒ層と（Ｎｉ−Ｃｏ）層は簡単に剥離可能である。
【００９９】
（図２１Ｋの工程）
上記第１の剥離体１の剥離工程にて、絶縁材５の表面には、２層構造の剥離層３のうちの１層（Ｎｉ−Ｃｏ）層３ａが残るが、この（Ｎｉ−Ｃｏ）層３ａを、銅材料でなる導体パターン３６は溶解させないエッチング液を用いたウェットエッチングにて除去して導体パターン３６の表面を露出させる。
【０１００】
これにより、図２１Ｋに示す配線基板３９が得られる。絶縁材５の一表面には第１の剥離体１から転写されたファインピッチな導体パターン３６が絶縁材５に対して凹凸なく平坦に形成されている。絶縁材５の他表面側には、層間接続孔１０を充填する導電材を介して導体パターン４と電気的に接続された導体パターン３７、３８が形成されている。
【０１０１】
この配線基板３９は、上述した熱プレスにて、面方向にわたって均一な厚さでもって薄型化されており、しかも反りの発生も抑えられている。また、導体パターン３６、３７の転写と絶縁材５の均一薄型化とを同一工程で行うので工程数の増加にはつながらず、また上記した一連の工程は既存の設備を用いて行うことができるので、新たな設備の準備に係るコスト上昇も抑えることができる。
【０１０２】
（第５の実施の形態）
次に本発明の第５の実施の形態について説明する。なお、上記各実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。本実施の形態では転写時の熱プレス工程が上記第１の実施の形態と異なる。すなわち、図２に示すようなフィルム状の絶縁材５を用いる代わりに、図１４に示すようにペースト状の絶縁材３４を用いている。
【０１０３】
（図１４Ａの工程）
例えばペースト状のポリイミド樹脂３４を、スピンコート法、スプレー法などで第１の剥離体１における導体パターン４が形成された表面上に塗布する。
【０１０４】
（図１４Ｂの工程）
その後、ポリイミド樹脂３４の表面に第２の剥離体６の剥離層８を密着させて、第１及び第２の剥離体１、６間でポリイミド樹脂３４を挟み込んで加熱する。第１及び第２の剥離体１、６を介した伝熱を受けてポリイミド樹脂３４は硬化して、薄く且つ厚さの均一な絶縁材３４’となる。以降、第１の実施の形態と同様にして工程が進められていく。
【０１０５】
（第６の実施の形態）
次に本発明の第６の実施の形態について説明する。なお、上記各実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１０６】
本実施の形態では、図１５に示すように、第１の実施の形態と同様にして製造される配線基板５２の両面側にそれぞれ素子２０と素子５３が実装されて素子実装基板５１が構成される。
【０１０７】
すなわち、絶縁材５の一表面に転写によって形成された導体パターン４と層間接続されて絶縁材５の他表面に形成された導体パターン５５に、素子５３がその導電性バンプ５３ａを介して接合されている。
【０１０８】
絶縁材５に貼り付けられた補強材１３には導体パターン４に達する貫通孔が形成され、その貫通孔に例えばはんだなどの導電材が充填されて、外部接続端子として機能する導電性バンプ５４が形成されている。なお、素子は２個に限らず、３個以上の素子を配線基板５２に実装してもよい。
【０１０９】
（第７の実施の形態）
次に本発明の第７の実施の形態について説明する。なお、上記各実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１１０】
本実施の形態の素子実装基板は図１６に示すように、３つの素子実装基板６０ａ〜６０ｃを積層させた構造を有する。各素子実装基板６０ａ、６０ｂ、６０ｃは、上記第１及び第２の実施の形態と同様な工程にて得られる。
【０１１１】
素子実装基板６０ａの補強材１３には導体パターン４に達する貫通孔が形成され、その貫通孔に例えばはんだなどの導電材６１が充填されている。その導電材６１に、素子実装基板６０ｂの導電性バンプ２２が接合している。素子実装基板６０ｂの補強材１３にも導体パターン４に達する貫通孔が形成され、その貫通孔に例えばはんだなどの導電材６１が充填されている。その導電材６１に、素子実装基板６０ｃの導電性バンプ２２が接合している。更に、これを繰り返していけば、４層以上の積層構造が得られる。
【０１１２】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【０１１３】
第１及び第２の剥離体とで絶縁材を狭圧するに際しては、図２２に示すように、一対のガイドローラ４１ａ、４１ｂ間を送られるフィルム状の絶縁材を、第１及び第２の剥離体１、６間で挟んだ状態で、一対の押圧ローラ４０ａ、４０ｂによって狭圧するようにしてもよい。あるいは、ローラを用いて液状樹脂を導体パターン上に塗布するロールコート法を用いてもよい。
【０１１４】
また、真空下で、第１及び第２の剥離体間で絶縁材を狭圧すれば、密着部における空気が完全に抜けるためボイドの発生を抑え、ファインピッチな導体パターンであっても絶縁材の充填性を高めることができる。
【０１１５】
なお、導体パターンや層間接続用の導体材料としては、銅に限らず、例えば銅合金、金、銀、アルミニウムなどのその他の金属、合金を用いてもよい。
【０１１６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、導体パターンの転写に際しては、未硬化の絶縁材の一表面に、第１の剥離体に形成された導体パターンを密着させ、他表面に第２の剥離体を密着させて、第１の剥離体と第２の剥離体とで絶縁材を狭圧した後、第１の剥離体を絶縁材から剥離して導体パターンを絶縁材に転写するので、何ら工程を増加させることなく絶縁材の厚さの最適化及び均一化を行える。これによって、配線基板、あるいは素子実装基板の品質向上や薄型化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による配線基板の製造工程断面図である。
【図２】図１に続く製造工程断面図である。
【図３】図２に続く製造工程断面図である。
【図４】図３に続く製造工程断面図である。
【図５】図４に続く製造工程断面図である。
【図６】図５に続いて行われる、第２の実施の形態による素子実装基板の製造工程断面図である。
【図７】図６に続く製造工程断面図である。
【図８】第２の実施の形態による素子実装基板の断面図である。
【図９】同素子実装基板の平面図である。
【図１０】第３の実施の形態による配線基板の製造工程断面図である。
【図１１】図１０に続く製造工程断面図である。
【図１２】図１１に続く製造工程断面図である。
【図１３】図１２に続く製造工程断面図である。
【図１４】第５の実施の形態による配線基板の製造工程断面図である。
【図１５】第６の実施の形態による素子実装基板の断面図である。
【図１６】第７の実施の形態による素子実装基板の断面図である。
【図１７】第４の実施の形態による配線基板の製造工程断面図である。
【図１８】図１７に続く製造工程断面図である。
【図１９】図１８に続く製造工程断面図である。
【図２０】図１９に続く製造工程断面図である。
【図２１】図２０に続く製造工程断面図である。
【図２２】転写工程の変形例を示す模式図である。
【図２３】従来例の配線基板の製造工程断面図である。
【符号の説明】
１…第１の剥離体、２…銅箔、３…剥離層、４…導体パターン、５…絶縁材、６…第２の剥離体、７…銅箔、８…剥離層、１０…層間接続孔、１２…導体パターン、１３…補強材、１４…接着層、１５…凹所、１７…配線基板、２０…素子、２２…外部端子、２３…素子実装基板、２５…絶縁材、２６…第２の剥離体、２７…銅箔、２８…剥離層、３０…層間接続孔、３２…導体パターン、３３…配線基板、３４…絶縁材、３６…導体パターン、３７…導体パターン、３８…導体パターン、３９…配線基板、５１…素子実装基板、５２…配線基板、５３…素子、５５…導体パターン、６０ａ〜６０ｃ…素子実装基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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