(57)【要約】【課題】有機物層の層厚を大幅に大にすることができ、この有機物層を常圧下で液体状態でも成膜することができる有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】電極間に発光層及び電荷輸送層を含む複数の層が形成され、少なくともそのうちの１層が、それ自体発光性を有する導電性の液晶性化合物からなる有機ＥＬ素子。また、この液晶性化合物として長い直線的共役構造部分を持つ新規な液晶性化合物及び／又は新規なビオロゲン誘導体を、スメクチック液晶状態又はこれからの相転移で生じる固体状態で用いる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極の間に、発光層及び電荷輸送層を含む複数の層が形成され、少なくともそのうちの１層が、導電性の液晶性化合物からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記液晶性化合物が、それ自体発光性を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記液晶性化合物が、下記一般式（１）〜（４）式のいずれかで表される長い直線的共役構造部分を持つ液晶性化合物又はそれから誘導される長い直線的共役構造部分を持つ液晶性化合物から選ばれた少なくとも１種であって、正孔輸送性に優れた液晶性化合物である請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2004311182.tif 000009
【化２】
2004311182.tif 000010
【化３】
2004311182.tif 000011
【化４】
2004311182.tif 000012
ここで、Ａはベンゼン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン又はピラジンのいずれかの基、ＱはＣＨ＝ＣＨ、Ｃ≡Ｃ、Ｎ＝Ｎ、ＣＨ＝Ｎ又はＮ＝ＣＮなる基のいずれか、Ｒ１又はＲ２はアルキル基、アルコキシル基又は下記一般式（５）で表される基（式中、Ｒ３は水素原子又はメチル基、Ｂは（ＣＨ２）ｍ、（ＣＨ２）ｍ−Ｏ、ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ、ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−Ｏ、Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−Ｏ又はＣＯなる基のいずれかを表す）のいずれかである。
【化５】
2004311182.tif 000013
【請求項４】
前記液晶性化合物が、下記一般式（６）式で表されるビオロゲン誘導体又はそれから誘導される液晶性化合物であって、電子輸送性に優れた液晶性化合物である請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化６】
2004311182.tif 000014
ここで、Ｒ３は水素原子又はメチル基、Ｒ４は炭素数１〜２２の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｚはアルキレン基、Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２、ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ又はＣＯなる基のいずれか、Ｘ１及びＸ２はハロゲン原子を表す。
【請求項５】
前記液晶性化合物からなる層の層厚が０．０５〜５０μｍである請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
ゲート、ソース及びドレインの３電極と、ゲート電極を覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁膜の外側に形成されソース及びドレイン電極間を導通せしめるチャネル部とを有し、該チャネル部が請求項３又は４記載の液晶性化合物の層からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記液晶性化合物からなる層の層厚が０．０５〜５０μｍである請求項６記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記絶縁膜がポリイミドからなり、該絶縁膜にラビング処理を施して、その外層の液晶性化合物の配向性を高めるように構成されていることを特徴とする請求項６又は７記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記ラビング処理のラビング方向がソースとドレイン間の電流流路と略直角である請求項９記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
一対の電極の間に、発光層及び電荷輸送層を含む複数の層が形成され、少なくともそのうちの１層が、導電性の液晶性化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機エレクトロルミネッセンス素子が画素駆動用のスイッチング素子を備え、該スイッチング素子が請求項６乃至９のいずれかに記載の薄膜トランジスタからなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
前記チャネル部の液晶性化合物の層が、有機エレクトロルミネッセンス素子本体の液晶性化合物の層と一体に形成されていることを特徴とする請求項１０記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
請求項１乃至５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するに際して、前記液晶性化合物の層を、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の湿式法により形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項６乃至９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するに際して、前記液晶性化合物の層を、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の湿式法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するに際して、該素子本体の液晶性化合物層と前記薄膜トランジスタのチャンネル部の液晶性化合物層とを同時に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスプレイ等に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、とくに導電性を有する液晶性化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ディスプレイのフラットパネル化が急速に進んでおり、フラットディスプレイとして、現在最も広範囲に用いられているのは、液晶ディスプレイである。
しかし、液晶ディスプレイには、自発光でないため明るさが十分でないこと、視野角依存性があること、高速応答に適さないこと等の本質的な問題がある。
【０００３】
そのため、各種の自発光式のフラットディスプレイが検討されているが、その中でもエレクトロルミネッセンスディスプレイの実用化へ向けて、活発な取組みがなされており、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ということがある）について、多くの提案がなされている。
【０００４】
この有機ＥＬ素子は、有機物発光層を一対の電極で挟んだ構造で、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子とが、発光層内で再結合して光を発するものである。初期の有機ＥＬ素子は単層構造であったが、Ｔａｎｇらが電子注入電極、発光層、正孔輸送層及び正孔注入電極の順に積層した積層型有機ＥＬ素子を提案し、低駆動電圧化と発光効率の飛躍的改善が可能になった。
【０００５】
現在の有機ＥＬ素子の代表的なものは、上記のような積層型であり、正孔を注入する陽極として、透明基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜を形成し、正孔輸送層の材料としてトリフェニルジアミン誘導体（例えばＴＰＤ）等、発光層の材料としてアルミキノリノール錯体誘導体（例えばＡｌｑ３）等、陰極の材料として仕事関数の小さい金属が用いられることが多く、陽極と正孔輸送層の間及び／又は陰極と発光層の間にキャリアの移動をより容易にするためのバッファ層を設けることも一般的に行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の有機ＥＬ素子は、有機化合物層のキャリアの移動度が低いために、その膜厚は１００ｎｍ程度以下ときわめて薄くする必要があった。かかる薄膜は、高真空下の蒸着法で形成する必要があり、成膜装置が高価な上に生産性も低いため、
製造コストが大になることが問題である。
【０００７】
また、電極からのキャリアの注入効率も不十分で、これを改善するため多層構造にすることが多いが、これが製造コストを一層高める要因となっている。さらに、従来の有機ＥＬ素子は、上述のような薄膜に１０Ｖ前後の電圧が印加されるため、電位勾配は１０６Ｖ／ｃｍ程度と非常に大きい。そのため、電極間にショートが生じやすく、吸湿等により性能が劣化し易いことなど、耐久性にも問題が残されている。
【０００８】
そこで本発明は、有機化合物層に導電性の高い液晶性化合物を用い、その導電率が高いため層厚を大幅に大にすることができ、キャリアの注入効率が良いため層構造を簡単にすることができ、かつこの有機物層を常圧下で液体状態でも成膜することができる有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。これにより、成膜コストの大幅な低減と素子の耐用性向上を図ることのできる手段を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、電界効果型の薄膜トランジスタであって、そのチャネル部に導電性の高い液晶性化合物を用い、その導電率が高いため層厚を大幅に大にすることができ、この液晶化合物層を常圧下で液体状態でも成膜することができる薄膜トランジスタを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の第一は、
一対の電極の間に、発光層及び電荷輸送層を含む複数の層が形成され、少なくともそのうちの１層が、導電性の液晶性化合物からなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１１】
この素子において、前記の液晶性化合物は、それ自体発光性を有するものであることが好ましい。このようにそれ自体が発光性を有する液晶性化合物を用いることにより、電荷輸送層と発光層を一つの層で構成することが可能になり、素子の構造を簡略化して、その製造コストを低減することができる。
【００１２】
また、上記の液晶性化合物は、下記一般式（１）〜（４）式のいずれかで表される長い直線的共役構造部分を持つ液晶性化合物の群及びそれから誘導される長い直線的共役構造部分を持つ液晶性化合物の群から選ばれた少なくとも１種であって、正孔輸送性に優れたものであることが好ましい（以下、これを化合物Ａという）
。
【化７】
2004311182.tif 000003
【化８】
2004311182.tif 000004
【化９】
2004311182.tif 000005
【化１０】
2004311182.tif 000006
ここで、Ａはベンゼン、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン又はピラジンのいずれかの基、ＱはＣＨ＝ＣＨ、Ｃ≡Ｃ、Ｎ＝Ｎ、ＣＨ＝Ｎ又はＮ＝ＣＮなる基のいずれか、Ｒ１又はＲ２はアルキル基、アルコキシル基又は下記一般式（５）で表される基（式中、Ｒ３は水素原子又はメチル基、Ｂは（ＣＨ２）ｍ、（ＣＨ２）ｍ−Ｏ、ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ、ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ−Ｏ、Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−Ｏ又はＣＯなる基のいずれかを表す）のいずれかである。
【化１１】
2004311182.tif 000007
さらに、上記の液晶性化合物は、下記一般式（６）式で表されるビオロゲン誘導体又はそれから誘導される液晶性化合物であって、電子輸送性に優れたものであることも同様に好ましい（以下、これを化合物Ｂという）。
【化１２】
2004311182.tif 000008
ここで、Ｒ３は水素原子又はメチル基、Ｒ４は炭素数１〜２２の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｚはアルキレン基、Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２、ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ２）ｍ又はＣＯなる基のいずれか、Ｘ１及びＸ２はハロゲン原子を表す。
【００１３】
上記の化合物Ａ及び化合物Ｂは、ともにそれ自体が発光する。また、化合物Ａは正孔輸送性に優れ、化合物Ｂは電子輸送性に優れ、ともにキャリアの移動度は半導体に近い大きな値を示す。そのため、上記の液晶性化合物からなる層の層厚を０．０５〜５０μｍの範囲まで拡大することができる。したがって、この液晶性化合物の層は湿式法で低コストに成膜することができる。また、低電圧で作動するため、素子の耐久性を向上させることができる。
【００１４】
本発明の薄膜トランジスタは、
ゲート、ソース及びドレインの３電極と、ゲート電極を覆うように形成された絶縁膜と、該絶縁膜の外側に形成されソース及びドレイン電極間を導通せしめるチャネル部とを有し、該チャネル部が上記の化合物Ａ及び／又は化合物Ｂの液晶性化合物の層からなることを特徴とする薄膜トランジスタである。
【００１５】
また、この薄膜トランジスタにおいても、前記液晶性化合物からなる層の層厚は０．０５〜５０μｍの範囲まで拡大することができる。したがって、この液晶性化合物の層は湿式法により低コストで成膜することができる。
【００１６】
また、前記絶縁膜がポリイミドからなり、該絶縁膜にラビング処理を施して、その外層の液晶性化合物の配向性を高めるように構成されていることが好ましい。
さらに、前記ラビング処理のラビング方向がソースとドレイン間の電流流路と略直角であることがより好ましい。
【００１７】
上記の構成により、長い直線的共役構造部分を持つ液晶性化合物の鎖状部分がソースとドレイン間の電流流路と直角に配列し、共役コア部分が近接して配向されるため、キャリアの輸送性が著しく大になり、半導体レベルの導電性を示す。そのため、従来の導電性有機化合物では困難であった、薄膜トランジスタのチャネル部の構成材料としての使用が可能になった。
【００１８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の第二は、
一対の電極の間に、発光層及び電荷輸送層を含む複数の層が形成され、少なくともそのうちの１層が、導電性の液晶性化合物からなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機エレクトロルミネッセンス素子が画素駆動用のスイッチング素子を備え、該スイッチング素子が本発明の上記いずれかの薄膜トランジスタからなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００１９】
この素子においては、前記チャネル部の液晶性化合物の層が、有機エレクトロルミネッセンス素子本体の液晶性化合物の層と一体に形成されていることが好ましい。これにより、上記チャネル部にＳｉを用いる場合よりも、製造工程の簡略化や素子のコンパクト化を図ることができる。
【００２０】
また、本発明は、上記のいずれかの有機エレクトロルミネッセンス素子又は薄膜トランジスタの製造方法であって、前記液晶性化合物の層を、スピンコート法、
ディップコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の湿式法により形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を含む。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第一の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。この素子は、透明な基板１上に陽極２、バッファ層３、液晶性化合物層４及び陰極５が順次積層されてなるものである。陽極２には、光を取り出すため透明な材料で、仕事関数が大きいものが用いられ、例えばＩＴＯ膜が好適である。
陰極５は、仕事関数の小さい金属例えばＡｌ，Ｃａ，ＦＬｉ（フッ化リチウム），Ｍｇやこれらの合金の薄膜により形成する。
【００２２】
液晶性化合物層４は、発光層でありかつキャリア輸送層の機能を有する。本実施形態では、この液晶性化合物層４には、それ自体発光性を有しかつキャリア輸送能の大な液晶性化合物を用いる。かかる化合物として、▲１▼前述の化合物Ａを単独で用いる、▲２▼化合物Ａ中に一部化合物Ｂを添加する、▲３▼化合物Ａ自体も発光性を有するが、さらに少量の発光材料を添加する等のケ−スを例示することができる。
【００２３】
上記のケ−ス▲１▼及び▲３▼では、液晶性化合物層４は主に正孔輸送層であり、それ自体青色に発光するため発光効率が高い。ケ−ス▲２▼では、液晶性化合物層４は電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備え、陽極及び陰極双方から注入されたキャリアの層４内での発光再結合確率を高めることができる。また、ケ−ス▲１▼〜▲３▼のいずれの場合も、これらの化合物に電子受容性物質又は電子供与性物質をドープすることにより、正孔又は電子の移動度をより高めることができる。
【００２４】
バッファ層３は、陽極２からの正孔注入のエネルギー障壁を低下させることを目的とし、例えば銅フタロシアニン、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｐｈｅｎｅ）−ｐｏｌｙｓｔｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｐｈｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）等を用いる。なお、前述のケ−ス▲２▼や▲３▼では、バッファ層３を必要としない場合もあり、陰極５側に電子注入を目的とするバッファ層を設けてもよい。
【００２５】
図２は、本発明の第二の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。この素子の構造も図１の素子と同様であるが、液晶性化合物層４が２層に分かれ、陽極側の正孔輸送層４ａと陰極側の電子輸送層４ｂとから構成されていることが特徴である。正孔輸送層４ａには、前記の化合物Ａ又はこれに電子受容性物質をドープしたものを、電子輸送層４ｂには化合物Ｂ又はこれに電子供与性物質をドープしたものを好適に用いることができる。この場合は、液晶性化合物層４ａ，４ｂのいずれか一方が発光性を有すればよいが、双方が発光してもよい。このように、液晶性化合物層４を２層構造にすることにより、さらにキャリアの注入を容易にするとともに、発光スペクトルの選択の自由度を高めることができる。
【００２６】
図３は、本発明の第三の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。この素子は、透明基板１上に陽極２、バッファ層３、液晶性化合物層４、
有機物発光層６及び陰極５が順次積層されてなるもので、発光層６が液晶性化合物層でない点が、図１及び図２の実施形態と相違する。発光層６には従来の各種の有機発光材料、例えば各種の金属錯体、低分子蛍光色素や高分子蛍光材料を用いることができる。
【００２７】
この場合、液晶性化合物層４は主にキャリア輸送層として機能するが、従来のアモルファス型の有機化合物に比して、キャリア輸送性が高いため層厚を大にし得るとともに、キャリアの注入効率を高めて駆動電圧を低下させるという効果も期待できる。この実施形態においても、前述の化合物Ａ、化合物Ｂやこれらの混合物を好適に用いることができる（なお、化合物Ａや化合物Ｂのグループにおいて、発光性のない成分系を選択することも容易である）。
【００２８】
上記の各実施態様で用いられる液晶性化合物は、キャリアの移動度が１０−２ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上で（電気伝導度は１０−７Ｓ／ｃｍ以上で）、従来の有機物のキャリア輸送層に比して４〜６オーダー高い。したがって、キャリア輸送層や発光層の層厚を、従来の有機ＥＬ素子より大幅に大きく（例えば１０〜１００倍以上に）し得ることが特徴である。
【００２９】
この液晶性化合物は、所定の温度域でスメクチック相の液晶状態を呈する。またこの化合物は、長い直線的共役系構造部分を持つ高分子からなり、π電子共鳴構造面が電極面に平行に配列して、キャリアの移動を容易にするという自己組織性を有する。そのため、固体状態においてもキャリアの移動度は十分大きい。したがって、本発明においては、この化合物をスメクチック相の液晶状態で用いてもよく、これからの相転移で生じた固体状態で用いてもよい。
【００３０】
従来の有機ＥＬ素子では、有機物層の厚みが１００ｎｍのオーダーであり、通常は真空蒸着により成膜されるが、本発明の有機ＥＬ素子では、液晶性化合物層の厚みを数〜数十μｍのオーダーにすることができる。また、液体状態で成膜して、これを固体状態に相転移させても、キャリアの移動度は確保される。
【００３１】
したがって、この液晶性化合物層を、スピンコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の湿式法により形成することが可能である。湿式法による成膜は、常圧下で簡易な設備で作業ができ生産性も大なため、
蒸着法に比して成膜コストが大幅に低減される。また、大型基板でも容易に成膜し得るという利点を有している。
【００３２】
図４は、本発明の実施例である薄膜トランジスタの断面模式図である。この薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）は、基板１上に、ゲート７を挟んでソース８及びドレイン９が対向して形成された電界効果型のＴＦＴであり、ゲート７を覆うように絶縁膜１０が形成され、絶縁膜１０の外側にソース８とドレイン９を導通させるチャネル部１１が形成されているが、このチャネル部１１に、前述のＡ化合物及び／又はＢ化合物の高導電性液晶性化合物を用いることが特徴である。
【００３３】
この液晶性化合物は半導体域に近い導電性を有し、かつ正孔輸送性又は電子輸送性のいずれかが高い物質であり、ｐ型又はｎ型の半導体の性質を有する。また、
この化合物に電子受容性物質や電子供与性物質をドープすることにより、ｐ型又はｎ型の性質をより強調することができる。かかる液晶性化合物からなるチャネル部１１にゲート７から電界をかけることにより、その内部の正孔又は電子の量を制御して、スイッチング素子としての機能を付与することができる。
【００３４】
また、絶縁膜１０の材料として、ポリイミドを用い、これにラビング処理を施した後、その外層の液晶性化合物層を形成することにより、この液晶性化合物層の配向性を一層高めることが可能になる。これにより、このＴＦＴの作動電圧の低下や高速作動化を図ることができる。
【００３５】
さらに、このラビング処理のラビングの方向は、ソース８とドレイン９間の電流流路の方向（例えば両者の中心間を結ぶ線の方向）と直角の方向であることが望ましい。これにより、長い直線的共役構造部分を持つ液晶性化合物の鎖状部分がソースとドレイン間の電流流路と直角に配列し、共役コア部分が近接して配向されるため、キャリアの輸送性が著しく大になり、シリコン等の半導体レベルの導電性を示すことになる。
【００３６】
図５は、本発明の第四の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。この素子は、ＥＬ素子本体と同じ基板１上に、スイッチング素子としてのＴＦＴが形成されていることが特徴であり、このＴＦＴに前述の本発明の薄膜トランジスタが用いられている。
【００３７】
すなわち、ＥＬ素子本体に隣接して、基板１上にゲート７を挟んでソース８及びドレイン９が対向して形成されている。ゲート７を覆うように絶縁膜１０が形成され、絶縁膜１０の外側にソース８とドレイン９を導通させるチャネル部１１が形成されているが、このチャネル部１１に、前述のような導電性の高い液晶性化合物を用いられている。マトリックス方式の画素駆動であるから、ゲート７およびソース８は、それぞれｘ，ｙの信号線に接続され、ドレイン９はＥＬ素子の一方の極（この例では陽極）に接続されている。
【００３８】
このチャネル部１１の液晶性化合物には、ＥＬ素子本体の液晶性化合物層４と同一の化合物を用いることができ、これと一体に形成することができる。これにより、アクティブマットリックス方式の有機ＥＬ素子において、素子本体とＴＦＴを同時に形成することができ、その製造コストの一層の低減を図ることができる。
【００３９】
【実施例】
図２に示すような構造のＥＬ素子を試作して、電圧−電流特性、発光スペクトル等を調査した。寸法２×２ｍｍ、厚さ約０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により厚さ約１６０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した。その上の形成するバッファ層にはＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、正孔輸送層には前記の化合物Ａを、発光層には化合物Ａ又は化合物Ａに化合物Ｂを混ぜたものを用いた。
【００４０】
これらの化合物をそれぞれ溶媒に希釈し、スピンコート法により、バッファ層、
正孔輸送層、発光層の順に成膜した。各層の厚みはいずれもおおよそ０．１μｍであった。さらにその上にＡｌＬｉ合金の陰極を、真空蒸着法により形成した。陰極の厚さは約１００ｎｍであった。
【００４１】
上述のようにして作成したＥＬ素子を，２４℃でＶＩ特性を測定した結果、約５Ｖ以上で電流値が急増し、最大１０ｍＡ／ｃｍ２以上の電流値が観測された。また、この素子の蛍光スペクトルを測定した結果、波長４３０〜４５０ｎｍの青色の発光が観察された。以上の結果から、本発明の有機ＥＬ素子は、層厚を大にしても十分な電流密度が得られ、スピンコート法のような湿式法で成膜できることが確かめられた。
【００４２】
【発明の効果】
本発明は、有機ＥＬ素子の有機物層に、導電性が高くそれ自体発光性を有する液晶性化合物を用いることにより、有機物層層厚の大幅な増大と層構造の簡略化を可能にし、かつこの有機物層を常圧下で液体状態でも成膜することを可能にしたものである。これにより、成膜コストの大幅な低減と素子の耐用性向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。
【図２】本発明の第二の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。
【図３】本発明の第三の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。
【図４】本発明の薄膜トランジスタの断面構造を示す模式図である。
【図５】本発明の第四の実施形態である有機ＥＬ素子の断面構造を示す模式図である。
【符号の説明】
１  基板
２  陽極
３  バッファ層
４，４ａ，４ｂ  液晶性化合物層
５  陰極
６  発光層
７  ゲート
８  ソース
９  ドレイン
１０  絶縁膜
１１  チャネル部
【図１】
2004311182.tif 000015
【図２】
2004311182.tif 000016
【図３】
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【図４】
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【図５】
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