(57)【要約】【課題】基板の製造工程に係る複数の装置の中の他の装置において動作異常が発生した時に当該他の装置において処理中であった基板の良否を、生産効率を著しく低下させることなく判定することができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る基板処理装置１００は、検査ユニット６１〜６４と制御手段９０とを備え、制御手段９０は他の基板処理装置２００の制御手段２９０と通信ラインＮを介して接続されている。基板処理装置２００において動作異常が発生した場合は、その時基板処理装置２００内で処理を受けていた基板を特定する情報を制御手段２９０から制御手段９０へ受信し、その情報に基づいて基板を検査ユニット６１〜６４へ搬送して、検査を行う。このようにして、生産効率を著しく低下させることなく、当該基板の良否を判定することができる。【選択図】        図４
2004311714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の製造工程に係る諸処理を分担して行う複数の装置の中の１つとして設置される基板処理装置であって、
基板の搬送を行う搬送手段と、
基板に対して所定の検査を行う検査部と、
前記複数の装置の中の前記基板処理装置以外の他の装置において動作異常が発生した時に前記他の装置において処理を受けていた基板を指定する情報を含む所定の情報を、前記基板処理装置の外部より受信し、前記所定の情報に基づいて前記検査部へ基板を搬送させるように前記搬送手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
基板に対してレジスト塗布処理を行うレジスト塗布処理部と、
基板に対して現像処理を行う現像処理部と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記他の装置は、基板に対して露光処理を行う装置であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２から請求項３までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記検査部は、基板が現像処理を受けた後搬出されるまでの搬送経路途中の所定の箇所に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記所定の情報は、前記動作異常の種類を特定する情報をさらに含み、
前記制御手段は、前記動作異常の種類を特定する情報に基づいて検査の種類を決定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記検査部における検査結果を出力する検査結果出力手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
不良基板用のカセット
をさらに備え、
前記制御手段は、前記検査部における検査結果を受け、基板が不良であると判定した場合は、前記不良基板用のカセットへ基板を搬送させるように前記搬送手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板の製造工程に係る諸処理を分担して行う複数の装置の中の１つである基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、基板の製造工程においては、基板に対して洗浄処理、レジスト塗布処理、露光処理、現像処理、エッチング処理、層間絶縁膜の形成処理、熱処理、ダイシング処理などの諸処理が施される。これらの諸処理は、最初から最後まで１つの装置で行われるわけではなく、これらの諸処理を分担して行う複数の基板処理装置が存在し、各基板処理装置において所定の処理が順次基板に対して施されることによって、基板の製造工程が進行する。
【０００３】
例えば、図６に示した基板処理装置３００は、上述の諸処理の中のレジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理を行う基板処理装置であり、隣接配置された基板処理装置４００は、上述の諸処理の中の露光処理を行う基板処理装置である。基板処理装置３００は、基板に対してレジスト塗布処理を行うレジスト塗布処理ユニット３１０、現像処理を行う現像処理ユニット３２０、レジスト塗布処理や現像処理の前後において熱処理を行う熱処理ユニット３３０等の複数の処理ユニットを備えている。
【０００４】
このような基板処理装置３００および基板処理装置４００を用いて、基板に対して一連の処理を施すときには、まず基板処理装置３００に基板を搬入し、レジスト塗布処理ユニット３１０においてレジスト塗布処理を行うとともに熱処理ユニット３３０においてその前後の熱処理を行う。次に、基板を一旦基板処理装置３００から搬出して基板処理装置４００に搬入し、基板処理装置４００において露光処理を行う。そして、露光処理後の基板を基板処理装置４００から搬出して再び基板処理装置３００に搬入し、現像処理ユニット３２０において現像処理を行うとともに熱処理ユニット３３０においてその前後の熱処理を行う。その後、基板を基板処理装置３００から搬出して、後続の処理を行う更に別の基板処理装置へ搬送する。
【０００５】
ところで、通常、基板の製造工程に係る諸処理を分担して行う複数の基板処理装置のそれぞれには、装置の動作異常を検知する機構が設けられている。そして、基板に対して処理を施している最中に動作異常が発生し、それを検知した場合には、当該基板処理装置はアラームを発報するように構成されている。このような従来の基板処理装置の構成は、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平０９−２５１９３８号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来より、このようなアラームが発報されたときには、その都度オペレータ（または装置管理者）がアラームの内容を確認して異常対応を行っている。そして、アラームが発報された時に当該基板処理装置で処理中であった基板が不良基板となっているか否かは、当該基板処理装置における処理後または他の基板処理装置における所定の処理の完了後にオペレータが当該基板を確認して判断をしていた。しかし、多くの場合、オペレータが肉眼で正確な判断を行うことは困難であるため、当該基板を別設の検査装置まで搬送して検査を行うか、あるいは安全をみて不良基板であると推定して再生処理を行っていた。
【０００８】
しかし、当該基板を別設の検査装置まで搬送して検査を行うことは、当該基板の装置間の搬送や、検査予定の他の基板に対する影響により、基板の製造工程における生産効率を著しく低下させることになる。また、当該基板を不良基板であると推定して再生処理を行うことも、正常な基板についてまで無駄にすることとなるため、やはり基板の製造工程における生産効率を著しく低下させることになる。そこで、このような基板の良否を、生産効率を著しく低下させることなく判定することが求められている。
【０００９】
ただし、このような基板の良否を判定する場合には、当該基板の処理段階が検査可能な段階であることが必要である。基板処理装置によっては、アラームが発報されても、当該基板の良否の判定は後続の他の基板処理装置における処理の後でなければ行うことができない場合がある。例えば、上述の基板処理装置４００において基板に対する露光処理中に何らかの動作異常が発生した場合では、処理中の基板の表面には未だ電子回路パターンの形状が現出していないため、その良否の判定は、後続の基板処理装置３００において現像処理を終えた後に行うことになる。
【００１０】
本発明は、これらの課題に鑑みてなされてものであり、基板の製造工程に係る複数の装置の中の他の装置において動作異常が発生した時に当該他の装置において処理中であった基板の良否を、生産効率を著しく低下させることなく判定することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板の製造工程に係る諸処理を分担して行う複数の装置の中の１つとして設置される基板処理装置であって、基板の搬送を行う搬送手段と、基板に対して所定の検査を行う検査部と、前記複数の装置の中の前記基板処理装置以外の他の装置において動作異常が発生した時に前記他の装置において処理を受けていた基板を指定する情報を含む所定の情報を、前記基板処理装置の外部より受信し、前記所定の情報に基づいて前記検査部へ基板を搬送させるように前記搬送手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、基板に対してレジスト塗布処理を行うレジスト塗布処理部と、基板に対して現像処理を行う現像処理部と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記他の装置は、基板に対して露光処理を行う装置であることを特徴とする。
【００１４】
請求項４に係る発明は、請求項２から請求項３までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記検査部は、基板が現像処理を受けた後搬出されるまでの搬送経路途中の所定の箇所に配置されることを特徴とする。
【００１５】
請求項５に係る発明は、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記所定の情報は、前記動作異常の種類を特定する情報をさらに含み、前記制御手段は、前記動作異常の種類を特定する情報に基づいて検査の種類を決定することを特徴とする。
【００１６】
請求項６に係る発明は、請求項１から請求項５までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記検査部における検査結果を出力する検査結果出力手段をさらに備えたことを特徴とする。
【００１７】
請求項７に係る発明は、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の基板処理装置であって、不良基板用のカセットをさらに備え、前記制御手段は、前記検査部における検査結果を受け、基板が不良であると判定した場合は、前記不良基板用のカセットへ基板を搬送させるように前記搬送手段を制御することを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１９】
＜１．基板処理装置１００の機構上の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の平面図、図２はその正面図、図３は後述する熱処理ユニット５０の正面図である。なお、図１から図３には、各図の方向関係を明確にするためにＸＹＺ直交座標系を付している。後述する複数のブロックの配列方向をＸ方向、水平面内でＸ方向と直交する方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする。図１〜図３を参照しつつ、まず、基板処理装置１００の機構上の構成について以下に説明する。
【００２０】
基板処理装置１００は、基板Ｗに対し、レジスト塗布処理、現像処理やそれらに付随する所定の熱処理等を行う装置である。図１〜図３に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、５つのブロック１〜５を一列に配列して構成されている。これら５つのブロックは個別にフレーム（枠体）に組み付けられ、物理的に分割することができるとともに、上記の順に連結することにより基板処理装置１００を構成することができる。したがって、基板処理装置１００の使用状況により新たなブロックを追加したり、あるいは一部のブロックを削除したりすることが可能である。
【００２１】
また、基板処理装置１００のブロック５の側方には、レジスト塗布処理後の基板Ｗに対し所定の回路パターンを露光する露光処理を施す基板処理装置２００が隣接配置されている。基板処理装置１００と基板処理装置２００とは共に、基板Ｗの製造工程に係る諸処理を分担して行う複数の装置の中の１つとして設置されており、これらが全体として基板処理システムを構成している。
【００２２】
基板処理装置１００は、反射防止膜塗布処理ユニット１０と、レジスト塗布処理ユニット（レジスト塗布処理部）２０と、現像処理ユニット（現像処理部）３０と、エッジ露光処理ユニット４０と、熱処理ユニット５０と、を含む複数の処理ユニットを、ブロック１〜５に分属して備えている。
【００２３】
反射防止膜塗布処理ユニット１０は、基板処理装置２００における露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、基板Ｗの表面（後に塗布するフォトレジスト膜の下部）に反射防止膜を塗布形成する処理ユニットである。図１および図２に示すように、本実施形態では、ブロック２内の装置正面側（−Ｙ側）の位置に３つの反射防止膜塗布処理ユニット１０が積層配置されている。各反射防止膜塗布処理ユニット１０は、それぞれ基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック１１、スピンチャック１１上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を供給するノズル１２等を備えている。
【００２４】
レジスト塗布処理ユニット２０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗの表面に化学増幅型レジスト等のフォトレジスト膜を塗布形成する処理ユニットである。図１および図２に示すように、本実施形態では、ブロック３内の装置正面側（−Ｙ側）の位置に３つのレジスト塗布処理ユニット２０が積層配置されている。各レジスト塗布処理ユニット２０は、それぞれ基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック２１、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗ上にフォトレジスト膜用の塗布液を供給するノズル２２等を備えている。
【００２５】
現像処理ユニット３０は、基板処理装置２００において所定の電子回路パターンが露光された基板Ｗに対して現像処理を行う処理ユニットである。図１および図２に示すように、本実施形態では、ブロック４内の装置正面側（−Ｙ側）の位置に５つの現像処理ユニット３０が積層配置されている。各現像処理ユニット３０は、それぞれ基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１、スピンチャック３１上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル３２等を備えている。
【００２６】
エッジ露光処理ユニット４０は、フォトレジスト膜が塗布形成された基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光処理を行う処理ユニットである。図１および図２に示すように、本実施形態では、ブロック５内に２つのエッジ露光処理ユニット４０が２段に積層配置されている。エッジ露光処理ユニット４０は、それぞれ基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器４２などを備えている。
【００２７】
熱処理ユニット５０は、上述の反射防止膜塗布処理、レジスト膜塗布処理、現像処理、エッジ露光処理、あるいは基板処理装置２００における露光処理の各処理の前後において基板Ｗに対して必要な熱処理を行う処理ユニットである。図１および図３に示すように、本実施形態では、ブロック２〜４内の装置背面側（＋Ｙ側）の位置に複数の熱処理ユニット５０が多列多段に積層配置されている。熱処理ユニット５０には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する加熱プレートや、加熱された基板Ｗを常温にまで冷却する複数個の冷却プレートや、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理するアドヒージョン処理ユニット等の複数の種類があるが、図３では全て熱処理ユニット５０として示している。なお、図３中において「×」印で示した箇所は、配管配線部が備わっていたり、処理ユニットを追加するための空きスペースとして確保されている箇所である。
【００２８】
基板処理装置１００はまた、ブロック１〜４、すなわち基板Ｗが現像処理を受けた後基板処理装置１００から搬出されるまでの搬送経路途中に存在するブロックの所定の箇所に、検査ユニット（検査部）６１〜６４を備えている。検査ユニット６１〜６４は本発明の特徴部分の１つであり、基板Ｗに対して、レジスト膜厚測定、パターン線幅測定、パターン重ね合わせ検査、マクロ欠陥検査等の所定の検査を行うユニットである。レジスト膜厚測定は、基板Ｗの表面に塗布されたフォトレジスト膜の膜厚を測定する検査である。パターン線幅測定は、露光および現像処理によって基板Ｗ上に形成された電子回路パターンの線幅を測定する検査である。パターン重ね合わせ検査は、露光処理および現像処理によって基板Ｗ上に形成された電子回路パターンの位置ずれ等の欠陥を検出する検査である。マクロ欠陥検査は、基板Ｗの表面に現出したパーティクル等の比較的大きな欠陥を検出する検査である。図１〜図３に示すように、本実施形態では、４つの検査ユニット６１〜６４が４箇所に配置されており、ブロック１内の装置正面側（−Ｙ側）の位置に配置された検査ユニット６１がレジスト膜厚測定を行う検査ユニット、ブロック２の熱処理ユニット５０の上方に配置された検査ユニット６２がパターン線幅測定を行う検査ユニット、ブロック３の熱処理ユニット５０の上方に配置された検査ユニット６３がパターン重ね合わせ検査を行う検査ユニット、ブロック４の熱処理ユニット５０の上方に配置された検査ユニット６４がマクロ欠陥検査を行う検査ユニットであるとする。
【００２９】
また、基板処理装置１００は、カセット載置台８０と、基板Ｗの搬送を行う搬送手段とを備えている。図１に示すように、本実施形態では、搬送手段は、６つの搬送機構７１〜７６と４つの基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ５とを備えて構成されている。
【００３０】
カセット載置台８０は、ブロック１内の−Ｘ側の位置に配置されており、基板Ｗを収納する４個のカセットＣ１〜Ｃ４を一列に載置することができる。４個のカセットＣ１〜Ｃ４は、何れも内壁部に多段の収納溝が刻印されており、複数の基板Ｗ（例えば２５枚）を水平姿勢かつ互いに所定の間隔を隔てて積層した状態で収納することができる。但し、通常、処理の前後に基板Ｗを収納するために使用するカセットはカセットＣ１〜Ｃ３であり、カセットＣ４は、上述の検査ユニット６１〜６４において検査の結果、不良であると判定された基板Ｗを収納するために使用する。
【００３１】
基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ５のうち、ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ３はブロック１〜ブロック４の間の隔壁を部分的に貫通して設けられている。また、ＰＡＳＳ４はブロック４において積層された熱処理ユニット５０の層間に設けられており、ＰＡＳＳ５はブロック５においてエッジ露光処理ユニット４０の下部に設けられている。ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ５は、何れも複数本の基板載置用のピンを備えており、複数の搬送機構の間で基板Ｗの受渡を行う際に一時的に基板Ｗを載置することができる。
【００３２】
ブロック１に配置された搬送機構７１は、カセット載置台８０に沿ってＹ方向に水平移動可能な可動台７１ａと、可動台７１ａ上に設けられた保持アーム７１ｂと、保持アーム７１ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン７１ｃとを備えている。基板Ｗはピン７１ｃ上に載置されることにより保持アーム７１ｂに水平姿勢に保持される。そして、保持アーム７１ｂは、基板Ｗを保持しつつ、Ｚ方向への上下運動と、水平面内の旋回運動と、旋回半径方向への進退運動とを行うことができる。このような可動台７１ａと保持アーム７１ｂとの運動により、搬送機構７１は、任意のカセットＣ１〜Ｃ４と基板載置部ＰＡＳＳ１と検査ユニット６１との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。
【００３３】
ブロック２〜ブロック５に配置された搬送機構７２〜７５は、いずれも基台７０ａと、基台７０ａ上に設けられた保持アーム７０ｂと、保持アーム７０ｂの略Ｃ字状の先端部分の内側に突出する複数本のピン７０ｃとを備えている。基板Ｗはピン７０ｃ上に載置されることにより保持アーム７０ｂに水平姿勢に保持される。そして、保持アーム７０ｂは、基板Ｗを保持しつつ、Ｚ方向への上下運動と、水平面内の旋回運動と、旋回半径方向への進退運動とを行うことができる。このような運動により、搬送機構７２はブロック２内において、基板載置部ＰＡＳＳ１と反射防止膜塗布処理ユニット１０と熱処理ユニット５０と検査ユニット６２と基板載置部ＰＡＳＳ２との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。また同様に、搬送機構７３はブロック３内において、基板載置部ＰＡＳＳ２とレジスト塗布処理ユニット２０と熱処理ユニット５０と検査ユニット６３と基板載置部ＰＡＳＳ３との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。また同様に、搬送機構７４はブロック４内において、基板載置部ＰＡＳＳ３と現像処理ユニット３０と熱処理ユニット５０と検査ユニット６４と基板載置部ＰＡＳＳ４との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。また同様に、搬送機構７５はブロック５内において、基板載置部ＰＡＳＳ４とエッジ露光処理ユニット４０基板載置部ＰＡＳＳ５との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。
【００３４】
さらに、ブロック５に配置された搬送機構７６は、Ｙ方向に水平移動可能な可動台７６ａと、可動台７６ａ上に設けられた保持アーム７６ｂと、保持アーム７６ｂの先端部分の内側に突出する複数本のピン７６ｃとを備えている。基板Ｗはピン７６ｃ上に載置されることにより保持アーム７６ｂに水平姿勢に保持される。そして、保持アーム７６ｂは、基板Ｗを保持しつつ、Ｚ方向への上下運動と、水平面内の旋回運動と、旋回半径方向への進退運動とを行うことができる。このような保持アーム７６ｂの運動により、搬送機構７６は、基板載置部ＰＡＳＳ５と基板処理装置２００との間で基板Ｗの搬送を行うことができる。
【００３５】
＜２．基板処理装置１００の制御上の構成＞
続いて、上述のような機構上の構成を備えた基板処理装置１００の制御上の構成について、以下に説明する。図４は、基板処理装置１００の制御上の構成を概念的に示したブロック図である。図４には、基板処理装置１００と基板処理装置２００との間の電気的接続についても併せて示している。
【００３６】
図４に示すように、基板処理装置１００は制御手段９０を備えている。制御手段９０は、少なくとも通信部と記憶部と演算部と（いずれも図示省略）を備えた電子装置であり、通信部を介して各種の情報や信号を送受信することができるとともに、各種の情報を記憶部に記憶させることができ、また、受信した情報や記憶した情報に基づき演算部において所定の判定処理を行うことができる。
【００３７】
制御手段９０は、上述の複数の処理ユニット１０，２０，３０，４０，５０、４つの検査ユニット６１〜６４、および６つの搬送機構７１〜７６のそれぞれと電気的に接続されている。制御手段９０は、複数の処理ユニットのそれぞれに対して所定の信号を送信することによって、各処理ユニットにおける処理動作を操作、調節することができる。同様に、制御手段９０は、４つの検査ユニット６１〜６４のそれぞれに対して所定の信号を送信することによって、各検査ユニット６１〜６４における検査動作を操作、調節することができる。同様に、制御手段９０は、６つの搬送機構７１〜７６のそれぞれに対して所定の信号を送信することによって、各搬送機構７１〜７６の搬送動作を操作、調節することができる。また、制御手段９０には、基板処理装置１００における基板Ｗの処理条件に関する情報が記憶されており、その情報に基づいて上述の操作、調節を行うことより、基板処理装置１００における基板Ｗの処理動作を制御することができる。
【００３８】
基板処理装置１００は、検査ユニットにおける検査の結果を画面上に表示あるいはプリントアウトする検査結果出力手段９５も備えている。検査結果出力手段は、制御手段９０と電気的に接続され、制御手段９０を介して検査ユニットからの検査結果の情報を出力することができるように構成されている。
【００３９】
一方、制御手段９０は、通信ラインＮを介して、外部の基板処理装置２００に備えている制御手段２９０とも電気的に接続されており、制御手段２９０から所定の情報を受信することができる。
【００４０】
基板処理装置２００の制御手段２９０は、上述の制御手段９０と同様に、少なくとも通信部と記憶部と演算部と（いずれも図示省略）を備えた電子装置であって、基板処理装置２００における露光処理動作を制御することができる。また、制御手段２９０は、基板処理装置２００の動作異常を検知することができる検知手段２８０と電気的に接続されており、基板処理装置２００内で動作異常が発生したときには、検知手段２８０から検知信号を受信することができる。そして、受信した検知信号に基づき、所定の情報を通信ラインＮを介して基板処理装置１００の制御手段９０へ送信することもできる。
【００４１】
＜３．基板処理装置１００における処理の流れ＞
図５は、以上のような構成を備えた基板処理装置１００における処理の流れを示すフローチャートである。図５を参照しつつ、基板処理装置１００における一連の処理の流れについて、以下に説明する。
【００４２】
基板処理装置１００は、基板Ｗに対し反射防止膜塗布処理やレジスト塗布処理等の露光処理前の処理（以下、「露光前処理」という）を行った後、基板Ｗを一旦搬出して基板処理装置２００に搬送する。そして、基板処理装置２００において基板Ｗに対して露光処理が行われた後、基板処理装置１００は、基板Ｗを再度搬入し、現像処理等の露光処理後の処理（以下、「露光後処理」という）を行うこととなる。
【００４３】
まず、基板Ｗが基板処理装置１００に搬入されると、基板処理装置１００は基板Ｗに対して露光前処理を行う（ステップＳ１）。本実施形態では、基板Ｗに対して、反射防止膜塗布処理と、レジスト塗布処理と、エッジ露光処理と、それぞれの処理の前後に付随する熱処理とを行う。これらの処理は、所定のカセットから基板Ｗを取り出し、搬送手段によって反射防止膜塗布処理ユニット１０と、レジスト塗布処理ユニット２０と、エッジ露光処理ユニット４０と、熱処理ユニット５０とに基板Ｗを順次搬送し、各処理ユニットにおいて行われる。これらの処理によって、基板Ｗの表面は、反射防止膜の上にフォトレジスト膜が塗布形成され、その周縁部が露光された状態となっている。
【００４４】
露光前処理が終了すると、続いて搬送機構７６が基板Ｗを隣接する基板処理装置２００に搬送する。基板処理装置２００においては、基板Ｗに対して露光処理が施される（ステップＳ２）。
【００４５】
露光処理が行われている間、基板処理装置２００の検知手段２８０は、基板処理装置２００の動作異常を常に監視しており、動作異常を検知すると、検知信号を制御手段２９０へ送信する（ステップＳ３）。
【００４６】
検知手段２８０より検知信号を受けた場合、制御手段２９０は、その時に基板処理装置２００において処理中の基板Ｗが「動作異常が発生した時に処理を受けていた基板」（以下、「特定基板」という）であると指定する情報を、通信ラインＮを介して、基板処理装置１００の制御手段９０へ送信する（ステップＳ４）。具体的には、通常これらの装置間でやりとりをする基板Ｗごとの処理の履歴データに、特定基板であることを指定する１ビットの情報（フラグ）を付加するなどすればよい。動作異常を検知した時に基板処理装置２００において処理を受けていた基板が複数枚存在する場合には、それらの全てについて特定基板として指定する情報が制御手段９０へ送信される。また、この時、制御手段２９０は、検知手段２８０からの検知信号に基づき、動作異常が発生した箇所や動作異常が発生したタイミング等の、動作異常の種類を特定する情報も、同時に制御手段９０へ送信する。
【００４７】
基板処理装置１００の制御手段９０は、基板処理装置２００の制御手段２９０から特定基板を指定する情報が送信されると、それを受信する（ステップＳ５）。
【００４８】
露光処理中に動作異常が検知された場合と動作異常が検知されなかった場合との、何れの場合においても、その後、基板Ｗは、基板処理装置２００から再び基板処理装置１００へ搬送される。この時、通常であれば基板Ｗの表面は電子回路パターン通りに露光されており、フォトレジスト膜の露光された部分だけが変質している状態となっている。基板処理装置１００は、再び基板Ｗが搬入されると、基板Ｗに対して露光後処理を行う（ステップＳ６）。本実施形態では、基板Ｗに対して現像処理とその前後に付随する熱処理とを行う。これらの処理は、搬送手段によって現像処理ユニット３０と熱処理ユニット５０とに基板Ｗを順次搬送し、各処理ユニットにおいて行われる。これらの処理によって、通常であれば、フォトレジスト膜が電子回路パターン通りに溶解し、基板Ｗ表面に電子回路パターンの形状が現出することとなる。
【００４９】
基板Ｗに対して露光後処理が終了すると、基板処理装置１００の制御手段９０は、当該基板Ｗについて特定基板であると指定する情報を受信したか否かを確認する（ステップＳ７）。
【００５０】
制御手段９０が当該基板Ｗについて特定基板であると指定する情報を受信していない場合は、当該基板Ｗの露光処理中に基板処理装置２００に動作異常は発生しなかったと判断できるため、制御手段９０は当該基板Ｗを正常に処理が行われた基板であると判定し、搬送機構７１〜７４を制御して当該基板Ｗを通常使用するカセットＣ１〜Ｃ３のいずれかへ搬送して、収納する（ステップＳ８）。
【００５１】
一方、制御手段９０が当該基板Ｗについて特定基板であると指定する情報を受信していた場合は、当該基板Ｗの露光処理中に基板処理装置２００に動作異常が発生したと判断できる。したがって、制御手段９０は当該基板Ｗを検査対象基板であると判定し、搬送機構７１〜７４を制御して当該基板Ｗを検査ユニット６１〜６４へ搬送する。４箇所の検査ユニット６１〜６４のうち、何れの検査ユニットへ基板Ｗを搬送するかは、特定基板であることを指定する情報と同時に受信した動作異常の種類を特定する情報に基づいて、制御手段９０が判定処理をして決定する。この判定処理は、予め制御手段９０に備えた記憶手段に動作異常の種類と検査の種類とを関連づけたテーブルを記憶させておき、動作異常の種類を特定する情報をそのテーブルに照合させて検査の種類を決定するなどすればよい。動作異常の種類により２箇所以上の検査ユニットへ順次搬送し、２種類以上の検査を連続して行ってもよい。当該基板Ｗを受け取った検査ユニット６１〜６４は、それぞれ所定の検査を実行する（ステップＳ９）。
【００５２】
検査ユニット６１〜６４において取得された検査結果は、各検査ユニットから制御手段９０へ送信され、検査結果を受け取った制御手段は、検査結果に基づき、当該基板Ｗについて、正常と不良との何れの状態であるか判定処理を行う（ステップＳ１０）。この判定処理は、制御手段９０が予め記憶しているリファレンスデータと比較して、検査結果が許容範囲内であるか否かを判定するなどすればよい。また、この時、制御手段９０は検査結果および判定結果を検査結果出力手段９５に出力する。
【００５３】
判定処理の結果、当該基板Ｗについて正常であると判定した場合、基板処理装置１００の制御手段９０は、搬送機構７１〜７４を制御して当該基板Ｗを通常使用するカセットＣ１〜Ｃ３のいずれかへ搬送して、収納する（ステップＳ８）。
【００５４】
判定処理の結果、当該基板Ｗが不良であると判定した場合は、基板処理装置１００の制御手段９０は、搬送機構７１〜７４を制御して当該基板Ｗを不良基板用のカセットＣ４へ搬送して、収納する（ステップＳ１１）。
【００５５】
本実施形態においては、基板処理装置２００において動作異常が発生したときに基板処理装置２００において処理を受けていた特定基板を、自動的に検査ユニットへ搬送して検査を行うことができる。したがって、特定基板を別設の検査装置まで搬送して検査を行う必要がなくなり、また、特定基板を全て不良であると推定して正常な基板までも無駄にしてしまうこともなくなる。すなわち、特定基板の良否の判定を、基板の製造工程における生産効率の著しい低下を生じさせることなく行うことができる。
【００５６】
特に、本実施形態においては、基板処理装置２００において動作異常が発生した時に露光処理を受けていた特定基板Ｗの良否の判定を、後続の現像処理を終えて電子回路パターンの形状が現出した後に自動的に行うことができる。
【００５７】
また、本実施形態においては、４つの検査ユニット６１〜６４は、何れもブロック１〜４の所定の箇所に配置しているため、基板Ｗが現像処理を受けて検査可能な状態となった後、基板処理装置１００から搬出されるまでの搬送経路の途中で基板Ｗを迂回させることなく検査ユニット６１〜６４へ搬送することができる。したがって、基板の製造工程における生産効率の低下を更に抑制することができる。
【００５８】
また、本実施形態においては、動作異常の種類に基づいて検査の種類を決定するため、検査ユニット６１〜６４のうち必要な検査ユニットのみに特定基板を搬送し、必要な種類の検査のみを効率よく実行することができる。したがって、基板の製造工程における生産効率の低下を更に抑制することができる。
【００５９】
また、本実施形態においては、制御手段９０は、検査ユニット６１〜６４における検査結果を受け、特定基板が不良であると判定した場合は、不良基板用のカセットＣ４へ当該基板を搬送させるように搬送機構７１〜７４を制御するため、不良基板を効率よく分別することができ、基板の製造工程における生産効率の低下を更に抑制することができる。
【００６０】
また、本実施形態においては、検査ユニット６１〜６４における検査結果を検査結果出力手段９５から出力することにより、基板処理装置２００の異常対応作業に際して特定基板の検査結果および検査の種類を参照することができるため、基板処理装置２００の動作状態を適切に改善することができ、基板処理装置２００の動作異常の発生を低減させることができる。
【００６１】
不良基板用のカセットとしてカセットＣ１〜Ｃ４のどのカセットを指定してもよいが、本実施形態のように検査ユニット６１に最も近いカセットＣ４を不良基板用のカセットとすることによって、検査ユニット６１において不良と判定された基板Ｗの搬送距離を短くすることができる。
【００６２】
なお、本発明に係る基板処理装置の機構上の構成は、上述の基板処理装置１００の例に限らず、処理ユニットの配置や搬送手段の構成など種々の設計変更が可能である。また、本発明に係る基板処理装置が行う処理内容も、上述の基板処理装置１００の例に限らず、基板の製造工程に係る洗浄処理、露光処理、エッチング処理等であってもよい。また、本発明は、半導体基板に限らず、液晶表示装置用ガラス基板等の種々の基板を取り扱う基板処理装置に適用し得る。
【００６３】
特に、検査ユニットの数や配置は、上述の実施形態の例に限らず、種々の設計変更が可能である。例えば、上述の検査ユニット６１〜６４は、相互に位置を入れ替えて配置してもよく、また、複数の反射防止膜塗布処理ユニット１０、レジスト塗布処理ユニット２０、現像処理ユニット３０の一部を検査ユニットに置き換えるなどして配置してもよい。あるいは、複数種類の検査を行うことが可能な検査ユニットを用いて、配置する検査ユニットの数を減らしてもよく、また、他の種類の検査を行うことができる検査ユニットをさらに追加して配置してもよい。
【００６４】
検査の種類によって、現像処理を行う前に検査を行うことが可能な場合は、現像処理を行う前に検査を行ってもよい。具体的には、露光後処理（ステップＳ６）の前にまず制御手段９０が検査の要否を判定し（ステップＳ７）、検査の種類を決定するとともにその検査を現像処理前に行うことが可能か否かを判定を行う。現像処理前に可能な検査である場合には、基板Ｗを現像処理ユニット３０に搬送する前にその種類の検査を行う検査ユニットへ搬送するように、搬送機構７１〜７６を制御するようにすればよい。例えば、本実施形態で例示した４種類の検査であれば、レジスト膜厚測定に限っては、現像処理を行う前の基板Ｗであってもフォトレジスト膜の膜厚を測定することが可能である。このようにすれば、基板処理装置１００における不要な現像処理を省略できる場合があるため、基板の生産効率の低下を更に抑制することができる。
【００６５】
また、動作異常を検出する対象となる装置も、上述の基板処理装置２００のような露光処理を行う装置に限らず、本発明の基板処理装置における処理の前段階の処理を行う装置であればよい。
【００６６】
また、上述の実施形態における制御手段９０は、被制御対象の処理ユニット、検査ユニット、および搬送機構のそれぞれを制御する補助制御手段と、補助制御手段を統括制御する主制御手段とを階層的に接続して構成された制御システムであってもよい。また、上述の実施形態における制御手段９０と制御手段２９０とを統括制御するコンピュータを外部に備え、検査の種類を特定するための判定処理や検査結果の判定処理を外部のコンピュータにより遠隔的に行う構成であってもよい。
【００６７】
また、上述の実施形態においては、不良基板用のカセット、例えばカセットＣ４を備えた構成について説明したが、不良基板用のカセットを特に設けない構成としてもよい。すなわち、検査ユニット６１〜６４における検査の結果、不良と判定した基板を特定できる状態としておけば、不良基板を搬送機構７１〜７６により正常基板と同一のカセットへ搬送して収納する構成としてもよい。検査ユニット６１〜６４において不良と判定した基板を特定する方法としては、例えば、検査結果を上述の検査結果出力手段９５において画面上に表示あるいはプリントアウトしたり、検査結果をユーザ側のホストコンピュータに送信する方法などがある。このようにすることで、不良基板を搬送機構７１〜７６によって専用のカセットに搬送するという特別な搬送動作を行わないままで、不良基板を特定し、分別することができる。
【００６８】
【発明の効果】
以上のように、請求項１から請求項７に記載の発明によれば、基板の製造工程に係る諸処理を分担して行う複数の装置の中の他の装置において動作異常が発生したときに当該他の装置において処理を受けていた基板を、自動的に検査部へ搬送して検査を行うことができる。したがって、そのような基板を別設の検査装置まで搬送して検査を行う必要がなくなり、また、そのような基板を全て不良であると推定して正常な基板までも無駄にしてしまうことがなくなる。すなわち、当該他の装置において処理を受けていた基板の良否の判定を、基板の製造工程における生産効率を著しく低下させることなく行うことができる。
【００６９】
特に、請求項３に記載の発明によれば、露光処理を行う装置において動作異常が発生した時に当該装置において処理を受けていた基板の良否の判定を、後続の現像処理を終えて電子回路パターンの形状が現出した後に自動的に行うことができる。
【００７０】
特に、請求項４に記載の発明によれば、基板が現像処理を受けて検査可能な状態となった後、基板処理装置から搬出されるまでの搬送経路の途中で基板を迂回させることなく検査部へ搬送することができる。したがって、基板の製造工程における生産効率の低下を更に抑制することができる。
【００７１】
特に、請求項５に記載の発明によれば、動作異常の種類に基づいて検査の種類を決定することができるため、必要な種類の検査のみを効率よく実行することができる。したがって、基板の製造工程における生産効率の低下を更に抑制することができる。
【００７２】
特に、請求項６に記載の発明によれば、検査部における検査結果を出力する検査結果出力手段を備えたことにより、検査により基板が不良であると判定した場合に当該不良基板を特定することができる。したがって、不良基板を分別することができ、基板の製造工程における生産効率の低下を更に抑制することができる。また、検査結果出力手段から検査結果を出力することにより、動作異常が発生した装置の異常対応作業に際してその検査結果を参照することができるため、当該装置の動作状態を適切に改善することができ、動作異常の発生を低減させることができる。
【００７３】
特に、請求項７に記載の発明によれば、制御手段は、検査部における検査結果を受け、基板が不良であると判定した場合は、不良基板用のカセットへ基板を搬送させるように搬送手段を制御するため、不良基板を効率よく分別することができ、基板の製造工程における生産効率の低下を更に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の正面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００の熱処理ユニット５０の正面図である。
【図４】基板処理装置１００の制御上の構成を概念的に示したブロック図である。
【図５】基板処理装置１００における処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】従来の基板処理装置３００を示す平面図である。
【符号の説明】
１０  反射防止膜塗布処理ユニット
２０  レジスト塗布処理ユニット
３０  現像処理ユニット
４０  エッジ露光処理ユニット
５０  熱処理ユニット
６１〜６４  検査ユニット
７１〜７６  搬送機構
９０  制御手段
１００  基板処理装置
２００  基板処理装置
２８０  検知手段
２９０  制御手段
Ｎ  通信ライン
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ５  基板載置部
Ｗ  基板
【図１】
2004311714.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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