(57)【要約】【課題】本発明はスタンパとその製造方法及びパターン転写方法に係り、特に微細なパターンの転写を低コストで行うためのスタンパや方法に関する。【解決手段】基板と、該基板の一方の表面に形成された高さの異なる複数の凸部とを有し、該凸部のうち高さの高い凸部は少なくとも２種類以上の材料を少なくとも２層以上積層した積層構造であるスタンパによって達成される。【効果】本発明によれば、複数のパターンを一括転写できるため、従来のフォトリソグラフィ技術やインプリント技術と比較して製造コストを低減できる効果を得られる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の表面に形成された高さの異なる複数の凸部とを有し、該凸部のうち高さの高い凸部は少なくとも２種類以上の材料を少なくとも２層以上積層した積層構造であることを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
請求項１に記載のスタンパにおいて、前記高さの異なる複数の凸部のうち高さの低い凸部は、前記高さの高い凸部を構成する積層構造と比べて積層数が少ない構造であることを特徴とするスタンパ。
【請求項３】
請求項１に記載のスタンパにおいて、前記高さの高い凸部を構成する材料は、互いに隣接した材料同士が所定のエッチング手法に対してそれぞれ異なるエッチングレートを有する材料であることを特徴とするスタンパ。
【請求項４】
請求項１に記載のスタンパにおいて、前記基板を構成する材料と基板と接する前記凸部の材料は、所定のエッチング手法に対してそれぞれ異なるエッチングレートを有する材料であることを特徴とするスタンパ。
【請求項５】
請求項１に記載のスタンパにおいて、前記凸部を構成する材料が、前記基板表面からの高さの等しい領域はそれぞれ同じ種類の材料であることを特徴とするスタンパ。
【請求項６】
請求項５に記載のスタンパにおいて、異なる高さの前記凸部の段差間を構成する材料がそれぞれ単一の材料であることを特徴とするスタンパ。
【請求項７】
請求項１に記載のスタンパを原版として、該原版の高さの異なる複数の凸部を有する表面に被覆材料膜を形成した後、該原版を取り除くことで得られる該被覆材料膜により構成されることを特徴とするスタンパ。
【請求項８】
請求項１に記載のスタンパを原版として、該原版の凸部を有する表面に第一被覆材料膜を形成し、該原版を取り除いて得られる該第一被覆材料膜の凸部を有する表面に第二被覆材料膜を形成した後、該第一被覆材料膜を取り除いて得られる該第二被覆材料膜により構成されることを特徴とするスタンパ。
【請求項９】
スタンパによるパターン転写方法において、
スタンパの凸部を有する表面にレジストを塗布した後、
該レジストを被転写基板の表面に押し付けて該被転写基板の表面に該レジストを接続し、
該スタンパを取り除いて該レジストを該被転写基板の表面に形成することを特徴とするパターン転写方法。
【請求項１０】
スタンパにより転写したパターンを利用して構造体を形成する方法において、複数の段差を有するスタンパによって該被転写基板の表面にｎ段（ｎは整数）の段差を有するレジストパターンを形成した後に、
該レジストパターンの凹部で被転写基板が露出する領域の表面をエッチングする工程あるいは該レジストパターンの凹部で被転写基板が露出する領域の表面に第１の構造材料を形成する工程と、
該レジストパターンの被転写基板表面から１段目の高さまでのレジストを除去して該被転写基板が露出する領域を新たに形成する工程と、
該レジストパターンの凹部で被転写基板が露出する領域の表面をエッチングするかあるいは直前に形成された構造材料の表面を含む該レジストパターンの凹部で被転写基板が露出する領域の表面に新たな構造材料を形成する工程と、
該レジストパターンの被転写基板表面から２段目の高さまでのレジストを除去して被転写基板が露出する領域を新たに形成する工程とをｎ回まで繰り返して形成することを特徴とする構造体の形成方法。
【請求項１１】
請求項１３に記載の構造体の形成方法において、
第ｍ段目（ｍ≦ｎ）の構造材料として光透過性材料を用いる場合の工程が、
前記レジストパターン及び被転写基板が露出する領域の表面に該光透過性材料を形成する工程と、
該光透過性材料の全面に光を照射することで該光透過性材料と接触する該レジストの表面を軟化させる工程と、
該レジストを現像して軟化領域及び該軟化領域に接する該光透過性材料を除去する工程と、
該レジストパターンの該被転写基板から第ｍ段目の高さまでのレジストを除去して該被転写基板が露出する領域を新たに形成する工程であることを特徴とする構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体デバイスなどの製造工程において、微細な形状の構造体を形成するためのパターン転写技術としてフォトリソグラフィ技術が多く用いられてきた。しかし、パターンの微細化が進められる一方で、パターン寸法が露光に使用する光の波長によって制限を受けるほか、マスク位置を高精度に制御する機構が必要になるなど、装置コストが高くなるという欠点があった。これに対し、微細なパターン形成を低コストで行うための技術が米国特許５，７７２，９０５　号公報などにおいて開示されている。これは、基板上に形成したいパターンと同じパターンの凹凸を有するスタンパを、被転写基板表面に形成されたレジスト膜層に対して型押しすることで所定のパターンを転写するものであり、上記米国特許５，７７２，９０５　号公報記載のナノインプリント技術によれば、２５ナノメートル以下の微小寸法のパターンが形成可能であるとしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、微細パターンを形成可能とされるインプリント技術によっても、複数のパターンからなる構造体を形成するためには、フォトリソグラフィの場合と同様に複数のパターンのスタンプを用意する必要があるほか、パターン同士の高精度な位置合わせも要求されるなど、製造コストの高額化は避けられない。
【０００４】
以上の技術課題に鑑み、本発明の目的は複数のパターンを一括転写するスタンパを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
複数のパターンを一括転写するスタンパは、基板と、該基板の一方の表面に形成された高さの異なる複数の凸部とを有し、該凸部のうち高さの高い凸部は少なくとも２種類以上の材料を少なくとも２層以上積層した積層構造であるスタンパによって達成される。
【０００６】
また、該凸部のうち高さの低い凸部は該高さの高い凸部を構成する積層構造と比べて積層数が少ない構造とすることが好ましい。
【０００７】
また、該高さの高い凸部を構成する材料は、互いに隣接した材料同士が所定のエッチング手法に対してそれぞれ異なるエッチングレートを有する材料とすることが好ましい。
【０００８】
また、凸部を構成する材料が、基板表面からの高さの等しい領域はそれぞれ同じ種類の材料とすることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
以下、本発明の一実施例を説明する。本実施例ではスタンパの構造と作製方法を説明する。
【００１０】
図１は本発明のスタンパの鳥瞰断面図である。スタンパ１０１はスタンパ基板１０２の一方の表面に、それぞれ形状の異なる凸部１０５，１０６，１０７，
１０８が設けられた構造となっている。凸部１０５と凸部１０６とは、それぞれが異なる高さの単一形状である。このとき、高さの低い凸部１０５が第一の材料１０３のみで構成されるのに対して、高さの高い凸部１０６では凸部１０５と同じ高さの領域が第一の材料１０３で構成され、それよりも高い領域は第二の材料１０４で構成されている。また、凸部１０７及び１０８は高さの異なる凸部を組み合わせた構造となっているが、これらも凸部１０６の場合と同様に、凸部１０５と同じ高さの領域は第一の材料１０３により構成され、それよりも高い領域は第二の材料１０４で構成されている。本実施例のスタンパの特徴のひとつとしては、基板と、基板に形成された複数の段差を有する積層構造からなる部材（凸部
１０６）とを有し、この部材が２種類以上の材料で構成されていることにある。また、この部材は隣り合う層と層の材料が異なる材料で形成されている。また、この隣り合う層と層の材料は所定のエッチング手法に対してそれぞれ異なるエッチングレートを有する材料で形成されている。
【００１１】
なお、スタンパ材料としてシリコン基板を利用する場合、凹凸形状の加工には半導体製造工程で一般的に用いられるフォトリソグラフィ技術やエッチング技術を適用することが可能である。
【００１２】
図２はスタンパ作製工程の説明図である。まず図２（ａ）に示すように厚み
５００マイクロメートルの単結晶シリコン基板２０１の一方の表面に厚み１．５　マイクロメートルのシリコン酸化膜２０２を形成し、さらにシリコン酸化膜２０２の表面全体に厚み１．０　マイクロメートルのシリコン膜２０３を形成する。
【００１３】
次に図２（ｂ）に示すように、多結晶シリコン膜２０３の表面に紫外線軟化性のレジスト２０４を塗布する。
【００１４】
次に図２（ｃ）に示すように、所定のパターンを有するフォトマスク２０５を通して紫外線ランプ２０６によりレジスト２０４に紫外線を照射し、この位置のレジストを軟化させてレジスト軟化領域２０７を形成する。
【００１５】
次にレジスト２０４を現像してレジスト軟化領域２０７を除去することで、図２（ｄ）に示すようにシリコン膜２０３の表面に露出領域２０８が形成される。このときの露出領域２０８の幅は３．０マイクロメートルである。
【００１６】
次に多結晶シリコン膜２０３の露出領域２０８をＣｌ２　（塩素）ガスによりドライエッチングすると、多結晶シリコン膜２０３のみが選択的にエッチングされて、直下にあるシリコン酸化膜２０２は殆どエッチングされないため図２（ｅ）に示すような構造が得られる。
【００１７】
次に、残っているレジスト２０４を全て除去した後、多結晶シリコン膜２０３及びシリコン酸化膜２０２の表面にレジスト２０４を塗布して第二のパターンを有するフォトマスクによる露光，現像（図示省略）を同様に行うことで、図２
（ｆ）に示すようにシリコン酸化膜２０２が露出領域２０８で露出した構造が得られる。このときの露出領域２０８の幅は１．０マイクロメートルである。
【００１８】
次に露出領域２０８をＣＨＦ３／Ｏ２ガスによってドライエッチングすると、シリコン酸化膜２０２のみが選択的にエッチングされて、直下の単結晶シリコン基板２０１は殆どエッチングされないため図２（ｇ）に示すような構造が得られる。
【００１９】
その後、残ったレジスト２０４を全て除去すれば、図２（ｈ）に示すような構造のスタンパ１０１が得られる。
【００２０】
なお、本実施例では多結晶シリコン膜２０３のエッチングガスとしてＣｌ２　ガスの例を説明しているが、ＣＦ４／Ｏ２，ＨＢｒ，Ｃｌ２　，Ｃｌ２／ＨＢｒ／Ｏ２　などのガスを利用することも可能である。これらのガスはＣｌ２　ガスと同様、シリコン酸化膜に対するエッチング速度が多結晶シリコン膜に対するエッチング速度に比べて極めて小さいため、多結晶シリコン膜のみを選択的にエッチングすることができる。またシリコン酸化膜２０２のエッチングガスとしてＣＨＦ３／Ｏ２ガスの例を記載しているが、ＣＦ４／Ｈ２，ＣＨＦ／Ｏ２　，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８などのガスを利用することも可能である。これらのガスもＣＨＦ３／Ｏ２ガスと同様に、多結晶シリコン膜に対するエッチング速度がシリコン酸化膜に対するエッチング速度に比べて極めて小さいため、シリコン酸化膜のみを選択的にエッチングすることができる。
【００２１】
本実施例のように凸部が積層構造の材料で構成され、かつ互いに隣接した材料間で選択性を発現するエッチング方法を適用すれば、各段差の高さを各材料毎の厚みによって制御することが可能となる。すなわち、各材料の厚みを均一に制御すれば、エッチング条件に変動が生じても安定して寸法を制御できるという特徴がある。
【００２２】
（実施例２）
以下、本発明の他の一実施例を説明する。本実施例ではスタンパの構造と作製方法について説明する。
【００２３】
実施例１で説明したスタンパを、そのままパターンの転写に適用しても当然構わないが、転写を繰り返すうちにスタンパが劣化してパターン転写不良を発生する可能性がある。そのため、最初に形成したスタンパを原版として、原版のパターンを複製して得られる構造体を新たなスタンパとして用いる方が低コスト化に有効な場合もある。
【００２４】
図３には、実施例１のようにして得られたスタンパを原版として用いた場合の、スタンパの作製方法を示す。まず図３（ａ）に示すようにスタンパ１０１のうち凹凸パターンを有する側の表面全体に金属ニッケル膜３０１をスパッタ法によって形成する。次に図３（ｂ）に示すように金属ニッケル膜３０１の表面に電解メッキを施すことでニッケルメッキ膜３０２を形成する。次に図３（ｃ）に示すようにスタンパニッケルメッキ膜３０８からスタンパ原版１０１を引き剥がすことで、図３（ｄ）に示すようにニッケルメッキ層よりなるスタンパ３０３を得ることが出来る。この方法によれば、原版となるスタンパ１０１の凹凸パターンとは反転した構造で再現された凸部を有するスタンパ３０３が得られる。
【００２５】
次に図４には、実施例１のようにして得られるスタンパを原版として用いた場合の、スタンパの別な作製方法を示す。まず原版となるスタンパ１０１をエポキシ系樹脂基板４０１に接触させながら、エポキシ系樹脂基板４０１のガラス転移温度近傍まで加熱して基板を軟化させ、図４（ａ）に示すようにエポキシ系樹脂基板４０１を変形させる。次に全体を２５℃まで冷却した後、図４（ｂ）に示すようにスタンパ１０１とエポキシ樹脂基板４０１とを引き剥がす。次にエポキシ系樹脂基板４０１の凹凸パターンが形成された表面にニッケル金属膜４０２をスパッタにより形成することで図４（ｃ）の構造が得られる。次に図４（ｄ）に示すようにニッケル金属膜４０２の表面に電解メッキによってニッケルメッキ膜
４０３を形成する。次に図４（ｅ）に示すようにニッケルメッキ膜４０３とエポキシ系樹脂基板４０１とを引き剥がすことで、図４（ｆ）に示すようなスタンパ４０４を得ることが出来る。この方法によれば、原版となったスタンパ１０１の凹凸パターンがそのままの構造で再現された凸部を有するスタンパ４０４が得られる。
【００２６】
（実施例３）
以下、本発明の他の一実施例を説明する。本実施例ではパターン転写方法について説明する。
【００２７】
インプリント技術において、スタンパを用いてパターンを転写するためには、パターンが転写される基板表面に予めレジスト膜を形成しておき、これにスタンパを押し付けてレジストを変形させることで、スタンパ表面に形成された凹凸パターンをレジストに転写するという工程をとる。しかし、図５に示すようにスタンパ１０１を被転写基板５０１の表面に形成したレジスト５０２に押し付けたときにレジスト５０２の変形が不十分な場合には、スタンパ１０１との間に空隙
５０３が残留してパターン不良を発生する場合がある。
【００２８】
この問題を解決するためのパターン転写方法を図６で説明する。まず図６（ａ）に示すようにスタンパ１０１の凹凸パターンを有する表面にレジスト６０１をスピンコートで塗布して、スタンパ１０１の凹部にレジスト６０１が充填されるようにする。次に図６（ｂ）に示すように被転写基板６０２にレジスト６０１を接触させた後、レジスト６０１を熱処理により硬化させる。次に全体を２５℃まで冷却した後、スタンパ１０１を引き剥がすことで、レジスト６０１が被転写基板６０２の表面に転写され、図６（ｃ）に示すような構造が得られる。この方法によれば、予め基板表面に塗布されたレジストにスタンパを接触させた場合と同様に凹凸パターンを転写することが可能で、かつ、レジスト変形不足によるパターン不良の発生を抑制可能なパターン転写方法を提供できる。
【００２９】
（実施例４）
以下、本発明の他の一実施例を説明する。本実施例では転写したパターンを利用した被転写基板表面の加工工程を説明する。
【００３０】
まず図７でパターンを転写する工程を説明する。図７（ａ）に示すようにレジスト７０２を表面に塗布したガラス基板７０１を設置する。次に図７（ｂ）に示すように、スタンパ１０１をレジスト７０２に接触させるとともに、全体をレジスト７０２のガラス転移温度まで加熱することで、図７（ｂ）に示すようにレジスト７０２が変形してスタンパ１０１の凹凸パターンが転写される。次に全体を２５℃まで冷却した後にスタンパ１０１を除去することで、図７（ｃ）に示すような、ガラス基板７０１表面の露出領域７０３が形成されたレジストパターンが得られる。ガラス基板７０１の加工は、この露出領域７０３を利用することで行われる。なお、図７（ａ）においてレジスト７０２の厚みがスタンパ１０１の凸部の高さより大きい場合には図７（ｄ）に示すようにレジスト７０２の凹部にレジストの残留領域７０４が形成されるため、図７（ｅ）に示すように異方性のあるリアクティブイオンエッチング（以下、ＲＩＥ）により残留領域７０４の厚み分だけレジスト７０２のエッチングを行うことで、図７（ｃ）と同様の構造を有するレジストパターンを形成することができる。
【００３１】
このようにして得られたレジストパターンを利用して、ガラス基板表面に複雑な断面形状を有する溝の加工工程について説明する。図８はガラス基板表面に溝構造を形成する場合の工程の説明図である。図８（ａ）は前述のパターン転写工程によってガラス基板７０１の露出領域７０３を有するレジストパターンを形成した直後の状態を示す。露出領域７０３に存在するガラス基板７０１表面をＣＦ４／Ｈ２　ガスによってドライエッチングすることで、ガラス基板７０１は露出領域７０３の部分でのみエッチングされて図８（ｂ）に示すような構造となる。次にレジスト７０２のうちの段差が低い部分が全て除去されるまでＲＩＥによるレジストエッチングを行うと図８（ｃ）に示すようにレジストが除去されて、露出領域７０３が拡大される。この状態で再びＣＦ４／Ｈ２ガスによるドライエッチングを行うと、露出領域７０３の部分だけがエッチングされて図８（ｄ）に示すような構造となる。その後、レジスト７０２を除去することで図８（ｅ）に示すような溝形状を有するガラス基板を得ることが出来る。なお、本実施例ではＣＦ４　／Ｈ２　ガスを使用した例を記載しているが、ＳＦ６　，ＣＦ４　，ＣＨＦ３　，ＣＦ４　／Ｏ２　，ＨＢｒ，Ｃｌ２　，Ｃｌ　／ＨＢｒ／Ｏ２などのガスを利用しても構わない。
【００３２】
本実施例によれば、複雑な断面形状を有する溝構造を加工するための複数のレジストパターンが１回のパターン転写のみで形成可能となるため、従来のフォトリソグラフィ技術やインプリント技術と比較して部品点数や工程数が少なくて済み、製造コストの低減を図ることができる。またパターン間の位置合わせも不要となるため、寸法精度の高い形状を容易に得ることが可能となる。
【００３３】
（実施例５）
以下、本発明の他の一実施例を説明する。本実施例では転写されたパターンを利用した、光導波路の作製工程について説明する。
【００３４】
まず図９（ａ）に示すようにガラスエポキシ基板９０１の表面にクラッド材
９０４を形成し、１５０℃で２時間保持してクラッド材９０４を熱硬化させる。ここでクラッド材９０４の材料としては脂環式エポキシ樹脂と無水メチルナジク酸とイミダゾール系触媒とを混合したものを用いた。次にクラッド材９０４の表面に紫外線軟化性のレジスト７０２を塗布した後、本発明のスタンパを用いてパターン転写を行うことで図９（ｂ）に示すような構造が得られる。次に図９（ｃ）に示すようにレジスト７０２及び露出領域７０３の表面にコア材９０２を形成した後、１５０℃で２時間保持してコア材９０２を熱硬化させる。ここでコア材
９０２の材料としては液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂とトリフェニルホスフィンとを混合したものを用いた。次にコア材９０２が形成された表面全体に紫外線ランプ（図示省略）による紫外線照射を行うと、紫外線がコア材９０２を透過してレジスト７０２にも照射される。このとき図９（ｄ）に示すようにコア材９０２と接する位置のレジスト７０２が露光されることでレジスト軟化領域９０３が形成される。次にレジスト７０２の現像を行うとレジスト軟化領域９０３が除去され、このレジスト軟化領域９０３の表面に形成されていたコア材９０２も同時に除去されて図９（ｅ）に示すような構造が得られる。次にレジスト７０２のうちの段差が低い部分が全て除去されるまでＲＩＥによるレジストエッチングを行うと図９（ｆ）に示すように、コア材９０２に隣接した位置のレジスト７０２が除去されて新たな露出領域７０３が形成される。次に図９（ｇ）に示すようにレジスト７０２，露出領域７０３及びコア材９０２の表面にクラッド材９０４を形成した後、１５０℃で２時間保持してクラッド材９０４を熱硬化させる。この状態から、レジスト７０２をリフトオフにより除去するか、あるいはレジスト７０２全体が軟化するまで紫外線照射した後に現像，除去することで図９（ｈ）に示すようにコアをクラッドで取り囲んだ構造の光導波路を得ることができる。なお、本実施例では光導波路を構成する材料としてエポキシ系材料を用いた場合について説明したが、これ以外にポリイミド系やアクリル系，シリコン系などの材料を用いることももちろん可能である。
【００３５】
（実施例６）
以下、本発明の他の一実施例を説明する。本実施例では転写されたパターンを利用した、多層配線基板の作製工程について説明する。
【００３６】
図１０は多層配線基板を作製するための工程を説明する図である。まず図１０（ａ）に示すように、シリコン酸化膜１００２と銅配線１００３とで構成された多層配線基板１００１の表面にレジスト７０２を形成した後にスタンパ（図示省略）によるパターン転写を行う。次に、多層配線基板１００１の露出領域７０３をＣＦ４／Ｈ２ガスによってドライエッチングすると図１０（ｂ）に示すように多層配線基板１００１表面の露出領域７０３が溝形状に加工される。次にレジスト７０２をＲＩＥによりレジストエッチングして、段差の低い部分のレジストを除去することで図１０（ｃ）に示すように露出領域７０３が拡大して形成される。この状態から、先に形成した溝の深さが銅配線１００３に到達するまで露出領域７０３のドライエッチングを行うと、図１０（ｄ）に示すような構造が得られ、次にレジスト７０２を除去することで図１０（ｅ）に示すような、表面に溝形状を有する多層配線基板１００１が得られる。この状態から、多層配線基板１００１の表面にスパッタにより金属膜を形成した後（図示省略）、電解メッキを行うことで図１０（ｆ）に示すように金属メッキ膜１００４が形成される。その後、多層配線基板１００１のシリコン酸化膜１００２が露出するまで金属メッキ膜１００４の研磨を行えば、図１０（ｇ）に示すように金属配線を表面に有する多層配線基板１００１を得ることができる。
【００３７】
また、多層配線基板を作製するための別な工程を説明する。図１０（ａ）で示した状態から露出領域７０３のドライエッチングを行う際に、多層配線基板１００１内部の銅配線１００３に到達するまでエッチングすることで、図１０（ｈ）に示す構造が得られる。次にレジスト７０２をＲＩＥによりエッチングして、段差の低い部分のレジストを除去することで図１０（ｉ）に示す構造が得られる。この状態から、多層配線基板１００１の表面にスパッタによる金属膜１００５を形成すると図１０（ｊ）の構造が得られる。次にレジスト７０２をリフトオフで除去することで、図１０（ｋ）に示す構造が得られる。次に、残った金属膜１００５を用いて電解メッキを行うことで図１０（ｌ）に示した構造の多層配線基板１００１を得ることができる。
【００３８】
以上、各実施例で説明したように、スタンパ表面の凸部の側壁面に２段以上の段差を有したスタンパを用いることで、複雑な断面形状を有する溝構造や、複数の材料からなる構造体を形成するためのパターンを一括転写できるため、従来のフォトリソグラフィ技術やインプリント技術と比較して製造コストを低減できる効果を得られる。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば複数のパターンを一括転写することで、これらのパターン間で自己整合性が発現されるため、高い寸法精度を持つ構造体や溝、あるいは配線を形成できる効果を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスタンパ構造の鳥瞰断面図。
【図２】本発明のスタンパ作製工程の説明図。
【図３】本発明のスタンパの別な作製工程の説明図。
【図４】本発明のスタンパの別な作製工程の説明図。
【図５】パターン転写時に発生する不良の説明図。
【図６】本発明のパターン転写方法の説明図。
【図７】本発明のパターン転写方法の説明図。
【図８】本発明を適用して段差付き溝を加工する工程の説明図。
【図９】本発明を適用して構造体を形成する工程の説明図。
【図１０】本発明を適用して多層配線を形成する工程の説明図。
【符号の説明】
１０１，３０３，４０４…スタンパ、１０２…スタンパ基板、１０３…凸部を構成する第一の材料、１０４…凸部を構成する第二の材料、１０５〜１０８…凸部、２０１…単結晶シリコン基板、２０２，１００２…シリコン酸化膜、２０３…多結晶シリコン膜、２０４，５０２，６０１，７０２…レジスト、２０５…フォトマスク、２０６…紫外線ランプ、２０７，９０３…レジスト軟化領域、２０８，７０３…露出領域、３０１…金属ニッケル膜、３０２，４０３…ニッケルメッキ膜、４０１…エポキシ系樹脂基板、４０２…ニッケル金属膜、５０１，６０２…被転写基板、５０３…空隙、７０１…ガラス基板、７０４…レジスト残留領域、９０１…ガラスエポキシ基板、９０２…コア材、９０４…クラッド材、１００１…多層配線基板、１００３…銅配線、１００４…金属メッキ膜、１００５…金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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