(57)【要約】【課題】パターン寸法を簡易に設定することができる基板処理方法およびその装置を提供することを目的とする。【解決手段】露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換画面を表示して操作する。ピボタルシフトに応じて基板処理条件を設定するときには、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる基板処理条件から、どの種類を選択するかという種類選択の画面、およびその種類選択の画面によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択の画面を表示して操作する。この選択された各基板処理条件における現像時間とピボタルシフトとの相関関係に基づいて最適現像時間を求め、パターン寸法を簡易に設定することができる。【選択図】        図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学増幅型フォトレジストからなる塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理方法であって、
露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件を操作し、
操作された酸拡散に係る基板処理条件に基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
化学増幅型フォトレジストからなる塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理方法であって、
露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件を操作し、
操作された溶解速度に係る基板処理条件に基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
化学増幅型フォトレジストからなる塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理方法であって、
露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件を操作するとともに、前記ピボタルシフトに応じて、前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件を操作し、
操作された酸拡散に係る基板処理条件および溶解速度に係る基板処理条件に基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項１または請求項３に記載の基板処理方法において、
前記酸拡散に係る基板処理条件は、前記露光処理前の塗布膜の加熱に影響を与える露光前加熱に係る基板処理条件であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項１または請求項３に記載の基板処理方法において、
前記酸拡散に係る基板処理条件は、前記露光処理後の塗布膜の加熱に影響を与える露光後加熱に係る基板処理条件であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項４に記載の基板処理方法において、
前記露光前加熱に係る基板処理条件は、前記露光処理前の塗布膜の加熱時間であって、その加熱時間を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理方法において、
前記露光前加熱に係る基板処理条件は、前記露光処理前の塗布膜の加熱温度であって、その加熱温度を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
請求項５に記載の基板処理方法において、
前記露光後加熱に係る基板処理条件は、前記露光処理後の塗布膜の加熱時間であって、その加熱時間を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
請求項５に記載の基板処理方法において、
前記露光前加熱に係る基板処理条件は、前記露光処理後の塗布膜の加熱温度であって、その加熱温度を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
請求項２または請求項３に記載の基板処理方法において、
前記溶解速度に係る基板処理条件は、現像を行う現像処理雰囲気内の温度であって、その温度を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
請求項２または請求項３に記載の基板処理方法において、
前記溶解速度に係る基板処理条件は、現像を行う現像処理雰囲気内の湿度であって、その湿度を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
請求項２または請求項３に記載の基板処理方法において、前記溶解速度に係る基板処理条件は、現像液の濃度であって、その濃度を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】
請求項２または請求項３に記載の基板処理方法において、
前記溶解速度に係る基板処理条件は、現像液の温度であって、その温度を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理方法において、
前記溶解速度に係る基板処理条件は、現像処理を行う現像時間であって、その時間を操作することに基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１５】
請求項１，請求項３から請求項９のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記ピボタルシフトが０になるように前記酸拡散に係る基板処理条件を操作することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
請求項２，請求項３，請求項１０から請求項１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記ピボタルシフトが０になるように前記溶解速度に係る基板処理条件を操作することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、
露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段を備え、
前記切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、
同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、
複数個の基板処理条件と、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、
前記基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、
異種の組み合わせからなる基板処理条件から、１または複種類を選択する種類選択手段と、
前記種類選択手段によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、
複数個の基板処理条件と、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、
前記基板処理条件選択手段によって選択された各基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、前記一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、
露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段と、
同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、
複数個の基板処理条件と、前記ピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、
前記切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、前記一連の基板処理を行い、
前記切換手段によって基板処理条件が切り換えられたときには、前記基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】
塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、
露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段と、
異種の組み合わせからなる基板処理条件から、１または複種類を選択する種類選択手段と、
前記種類選択手段によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、
複数個の基板処理条件と、前記ピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、
前記切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、前記一連の基板処理を行い、
前記切換手段によって基板処理条件が切り換えられたときには、前記基板処理条件選択手段によって選択された各基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、一連の基板処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２２】
請求項１８から請求項２１のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記種類は、前記塗布膜を基板に塗布形成する塗布液に関するものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２３】
請求項１８から請求項２２のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記種類は、パターン寸法に関するものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２４】
請求項１８から請求項２３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記種類は、パターン形状に関するものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２５】
請求項１８から請求項２４のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係に基づいて、前記一連の基板処理を行った後、その処理結果を前記相関関係記憶手段に記憶し、
次に行われるべき一連の基板処理に、相関関係記憶手段に記憶された前記処理結果を反映させることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板（以下、単に基板と称する）に対して基板処理を行う基板処理方法およびその装置に係り、特に、化学増幅型フォトレジストからなる塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基板処理において基板にパターン形成を行うには、塗布膜（例えばフォトレジスト膜）が塗布形成された基板にマスクパターンを合わせて、そのマスクパターンを通して光を照射することで基板に対して露光処理を行った後、露光処理が行われたその基板を現像する。実際には、基板の表面には凹凸があるので、その凹凸によって焦点が基板の各位置で変化し、焦点が変化することによって実際に得られるパターン寸法は基板の各位置で異なる。
【０００３】
パターン寸法は、上述した焦点のほかに露光量によっても変わる。ある露光量を選択すると、焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない条件があり、本明細書中では、この条件を『ピボタルポイント』と定義づける。このピボタルポイントを露光条件とすれば、基板の表面の凹凸によって焦点が変化しても均一なパターン寸法を得ることができる。
【０００４】
しかし、マスクパターン寸法と、ピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法とは異なる。本明細書中では、このピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差を『ピボタルシフト』と定義づける。従って、従来は、マスクパターンにシフトをかけて補正することで、露光後に所望のパターン寸法になるようにしている。
【０００５】
ただ、実際には、パターン寸法とピボタルシフトとは比例関係でないことが知られており、パターン寸法をピボタルシフト量だけ補正しても、補正されたパターン寸法に対して新たなピボタルシフトが生じるので、ピボタルシフトが０になるところで所望のパターン寸法を得るのは困難である。また、たとえ１種類のパターン寸法について補正することができたとしても、他のパターン寸法に対して同一の補正では所望のパターン寸法を得ることができないという課題もある。
【０００６】
そこで、パターン寸法とピボタルシフトとの相関関係が微小領域では直線であると近似して、マスクパターン寸法、それに対応するピボタルシフト、そのピボタルシフトからマスクパターン寸法を補正したパターン寸法、補正したパターン寸法に対応するピボタルシフトなど、三角形の相似を利用してピボタルシフトが０になるようなパターン寸法を求めることで、上記課題を解決している（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−１６８３４１号公報（第２−３頁、図１−図３、図５）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにピボタルシフトが０になるようにパターン寸法を補正すると、パターン寸法ごとに補正されたマスクパターンが必要になり、さらには、フォトレジストの種類によってもピボタルシフト量が異なることから、レジスト種ごとにも補正されたマスクパターンが必要になって、膨大なマスクの数となる。また、パターン寸法ごと、レジスト種ごとのマスクパターンの数が多くなることで、そのときの処理時間やコストも膨大なものとなってしまう。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、パターン寸法を簡易に設定することができる基板処理方法およびその装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
すなわち、従来は、ピボタルシフトが０になるようにパターン寸法を補正するというようにマスクパターン側で操作していた。そこで、発想を変えて、マスクパターン側で、なるべくあるいは全く操作せずに、パターン寸法を左右するような他の基板処理条件で操作することについて考えてみた。
【００１１】
ピボタルシフトが起こり易いのは、塗布膜を基板に塗布形成する塗布液の中でも、『化学増幅型レジスト』と呼ばれるものである。この化学増幅型レジストは、レジスト中の感光剤として酸発生剤を含んでおり、露光によって発生した酸は、続く加熱による熱処理において触媒反応を誘起させ、現像液に対して、ネガ型の場合には不溶化が、ポジ型の場合には可溶化がそれぞれ促進する。そこで、化学増幅型レジストそのものを変えることは困難であるが、露光によって発生する酸の拡がりを示す拡散長に代表される、酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件によっては、パターン寸法は変わり得るとの仮定の下で、様々な実験を行うとともに、一方、現像処理によるレジストの溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件によっても、パターン寸法は変わり得るとの仮定の下で、様々な実験を行った。
【００１２】
その結果、例えば露光前あるいは露光後の加熱による熱処理や、現像処理で基板処理条件を変えてみれば、ピボタルシフトが変化し、さらにはパターン寸法を補正しなくともピボタルシフトが０になるような基板処理条件が存在することが確認された。してみれば、酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件を操作することでパターン寸法を簡易に設定すればよい。このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。
【００１３】
すなわち、請求項１に記載の発明は、化学増幅型フォトレジストからなる塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理方法であって、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件を操作し、操作された酸拡散に係る基板処理条件に基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００１４】
〔作用・効果〕請求項１に記載の発明によれば、酸拡散に係る基板処理条件を操作し、操作された酸拡散に係る基板処理条件に基づいて一連の基板処理を行うことで、マスクパターン側で、なるべくあるいは全く操作せずに、パターン寸法を簡易に設定することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、化学増幅型フォトレジストからなる塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理方法であって、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件を操作し、操作された溶解速度に係る基板処理条件に基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００１６】
〔作用・効果〕請求項２に記載の発明によれば、溶解速度に係る基板処理条件を操作し、操作された溶解速度に係る基板処理条件に基づいて一連の基板処理を行うことで、マスクパターン側で、なるべくあるいは全く操作せずに、パターン寸法を簡易に設定することができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、化学増幅型フォトレジストからなる塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理方法であって、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件を操作するとともに、前記ピボタルシフトに応じて、前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件を操作し、操作された酸拡散に係る基板処理条件および溶解速度に係る基板処理条件に基づいて前記一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００１８】
〔作用・効果〕請求項３に記載の発明によれば、酸拡散に係る基板処理条件を操作するとともに、溶解速度に係る基板処理条件を操作し、操作された酸拡散に係る基板処理条件および溶解速度に係る基板処理条件に基づいて一連の基板処理を行うことで、マスクパターン側で、なるべくあるいは全く操作せずに、パターン寸法を簡易に設定することができる。
【００１９】
上述した酸拡散に係る基板処理条件は、露光処理前の塗布膜の加熱に影響を与える露光前加熱に係る基板処理条件（請求項４に記載の発明）であってもよいし、露光処理後の塗布膜の加熱に影響を与える露光後加熱に係る基板処理条件（請求項５に記載の発明）であってもよい。
【００２０】
上述した露光前加熱に係る基板処理条件の例として、露光処理前の塗布膜の加熱時間（請求項６に記載の発明）や、露光処理前の塗布膜の加熱温度（請求項７に記載の発明）などがある。上述した露光後加熱に係る基板処理条件の例として、露光処理後の塗布膜の加熱時間（請求項８に記載の発明）や、露光処理後の塗布膜の加熱温度（請求項９に記載の発明）などがある。
【００２１】
露光処理前の塗布膜の加熱温度（請求項７に記載の発明）の場合には、加熱温度が高くなると、基板がひきしめられて露光時において酸が拡散し難くなり、それに従ってネガ型においてはピボタルシフトが減って、０に一旦なってから負の方向に増えることが実験によって確認されている。露光処理後の塗布液の加熱温度（請求項９に記載の発明）の場合には、加熱温度が高くなると、露光によって発生した酸により触媒反応が誘起し易くなることで酸が拡散し易くなり、それに従ってネガ型においては負の方向からピボタルシフトが増えて、０に一旦なってから正の方向に増えることが実験によって確認されている。
【００２２】
上述した溶解速度に係る基板処理条件の例として、現像を行う現像処理雰囲気内の温度（請求項１０に記載の発明）や、現像を行う現像雰囲気内の湿度（請求項１１に記載の発明）や、現像液の濃度（請求項１２に記載の発明）や、現像液の温度（請求項１３に記載の発明）や、現像処理を行う現像時間（請求項１４に記載の発明）などがあり、例えば現像時間が長くなると、それに従って負の方向からピボタルシフトが増えて、０に一旦なってから正の方向に増えることが実験によって確認されている。
【００２３】
マスクパターン側で操作せずにパターン寸法を設定するには、ピボタルシフトが０になるように酸拡散に係る基板処理条件や溶解速度に係る基板処理条件を操作する（請求項１５，１６に記載の発明）のが好ましい。
【００２４】
また、請求項１７に記載の発明は、塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段を備え、前記切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、前記一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００２５】
〔作用・効果〕請求項１７に記載の発明によれば、ピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段を備えることで、切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、一連の基板処理を行うことが可能になる。例えば、ピボタルシフトが生じないような塗布液の場合、あるいはピボタルシフトが生じてもパターン寸法のバラツキに悪影響がない場合などには、ピボタルシフトに応じて基板処理条件を設定する必要はなく、塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理において、より汎用性の高い基板処理装置を実現することができる。
【００２６】
請求項１８に記載の発明は、塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件と、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、前記基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、前記一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００２７】
〔作用・効果〕請求項１８に記載の発明によれば、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件とピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備えることで、基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、相関関係記憶手段から読み出された上述した相関関係と基づいて、選択されたその基板処理条件におけるピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係がわかる。そして、ピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係から、ピボタルシフトに応じて酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件を操作することが可能になり、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。
【００２８】
請求項１９に記載の発明は、塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、異種の組み合わせからなる基板処理条件から、１または複種類を選択する種類選択手段と、前記種類選択手段によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件と、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、前記基板処理条件選択手段によって選択された各基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、前記一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００２９】
〔作用・効果〕請求項１９に記載の発明によれば、異種の組み合わせからなる基板処理条件から、１または複種類を選択する種類選択手段と、種類選択手段によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件とピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備えることで、基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、相関関係記憶手段から読み出された上述した相関関係と基づいて、選択された各基板処理条件におけるピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係がわかる。そして、ピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係から、ピボタルシフトに応じて酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件を操作することが可能になり、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。
【００３０】
請求項２０に記載の発明は、塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段と、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件と、前記ピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、前記切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、前記一連の基板処理を行い、前記切換手段によって基板処理条件が切り換えられたときには、前記基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００３１】
〔作用・効果〕請求項２０に記載の発明によれば、ピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段を備えることで、切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、一連の基板処理を行うことが可能になる。さらには、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件とピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備えることで、切換手段によって基板処理条件が切り換えられたときには、基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、相関関係記憶手段から読み出された上述した相関関係と基づいて、選択されたその基板処理条件におけるピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係がわかる。そして、ピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係から、ピボタルシフトに応じて酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件を操作することが可能になり、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。以上より、一連の基板処理において、より汎用性の高い基板処理装置を実現することができるとともに、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。
【００３２】
請求項２１に記載の発明は、塗布膜を基板に塗布形成し、塗布形成された前記基板に対して露光処理を行い、露光処理が行われたその基板を現像することで基板にパターン形成する一連の基板処理を行う基板処理装置であって、露光での光の焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光条件であるピボタルポイントで処理されて得られた実際のパターン寸法と、マスクパターン寸法との差分であるピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段と、異種の組み合わせからなる基板処理条件から、１または複種類を選択する種類選択手段と、前記種類選択手段によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件と、前記ピボタルシフトと、前記塗布膜への露光によって塗付膜内に発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件あるいは前記現像による塗布膜の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備え、前記切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、前記一連の基板処理を行い、前記切換手段によって基板処理条件が切り換えられたときには、前記基板処理条件選択手段によって選択された各基板処理条件と、前記相関関係記憶手段から読み出された前記相関関係とに基づいて、一連の基板処理を行うことを特徴とするものである。
【００３３】
〔作用・効果〕請求項２１に記載の発明によれば、ピボタルシフトに応じて、基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換手段を備えることで、切換手段によって切り換えられた、あるいは切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、一連の基板処理を行うことが可能になる。さらには、異種の組み合わせからなる基板処理条件から、１または複種類を選択する種類選択手段と、種類選択手段によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択手段と、複数個の基板処理条件とピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶手段とを備えることで、切換手段によって基板処理条件が切り換えられたときには、基板処理条件選択手段によって選択された基板処理条件と、相関関係記憶手段から読み出された上述した相関関係と基づいて、選択された各基板処理条件におけるピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係がわかる。そして、ピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件との相関関係から、ピボタルシフトに応じて酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件を操作することが可能になり、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。以上より、一連の基板処理において、より汎用性の高い基板処理装置を実現することができるとともに、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。
【００３４】
上述した種類の例として、塗布膜を基板に塗布形成する塗布液に関するもの（請求項２２に記載の発明）や、パターン寸法に関するもの（請求項２３に記載の発明）や、パターン形状に関するもの（請求項２４に記載の発明）などがある。
【００３５】
また、相関関係記憶手段から読み出された上述した相関関係に基づいて、一連の基板処理を行った後、その処理結果を相関関係記憶手段に記憶し、次に行われるべき一連の基板処理に、相関関係記憶手段に記憶された処理結果を反映させる（請求項２５に記載の発明）ことで、相関関係に関するデータの蓄積とともに、より正確なデータに補正して記憶することができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の平面ブロック図であり、図２は、実施例装置中のスピンコータまたはスピンデベロッパの概略側面図であり、図３は、実施例装置中のプリベークユニットまたはポストベークユニットの概略側面図であり、図４は、ピボタルシフトの説明に供する模式図であり、図５は、現像時間とピボタルシフトとの相関関係を示す模式図であり、図６は、実施例装置中の入力部（タッチパネル）周辺の概略図である。
【００３７】
本実施例に係る基板処理装置は、図１に示すように、インデクサ１とプロセスユニット２とインターフェイス３とから構成されている。本実施例の場合には、インターフェイス３は、レジスト塗布および現像処理などを行うプロセスユニット２と、基板の露光処理を行う外部処理装置としての露光ユニット４（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）とを連結するように構成されている。
【００３８】
次に、インデクサ１の具体的構成について説明する。インデクサ１は、カセット載置台５とインデクサ用搬送経路６ａとから構成されている。カセット載置台５は、複数枚（例えば２５枚）の未処理の基板Ｗまたは処理済の基板Ｗを収納したカセットＣが複数個（図１では４個）載置可能に構成されている。図示を省略するインデクサ用搬送機構は、昇降移動および搬送経路６ａ上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、カセット載置台５上のカセットＣとプロセスユニット２との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００３９】
次に、インターフェイス３の具体的構成について説明する。インターフェイス３は、インデクサ用搬送経路６ａと同じくインターフェイス用搬送経路６ｂから構成されている。図示を省略するインターフェイス用搬送機構は、昇降移動および搬送経路６ｂ上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、プロセスユニット２と露光ユニット４との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００４０】
次に、プロセスユニット２の具体的構成について説明する。プロセスユニット２は、往路搬送経路７と複数個（図１では２個）のスピンコータ（Ｓｐｉｎ  Ｃｏａｔｅｒ）８とプリベーク（Ｐｒｅ  Ｂａｋｅ）ユニット９と復路搬送経路１０とポストベーク（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）ユニット１１と複数個の（図１では２個）のスピンデベロッパ（Ｓｐｉｎ  Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ）１２とから構成されている。
【００４１】
スピンコータ８は、フォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するためのユニットであり、プリベークユニット９は、塗布形成された基板Ｗを加熱するためのユニットである。往路搬送経路７は、インデクサ１とインターフェイス３との間にわたって形成されており、図示を省略する往路搬送機構は、昇降移動および搬送経路７上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、インデクサ１とスピンコータ８とプリベークユニット９とインターフェイス３との各間で基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行うことができるように構成されている。フォトレジスト膜は、本発明における塗布膜に相当する。また、プリベークは露光前に加熱する処理でもあって、プリベークは、本発明における露光前加熱に相当する。
【００４２】
なお、本実施例の場合には、スピンコータ８は２個分配設されているので、一方を、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ）を基板Ｗに塗布形成するユニットに設定し、他方を、フォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するユニットに設定してもよい。また、反射防止膜を塗布形成する機能とフォトレジスト膜を塗布形成する機能とを両スピンコータ８の少なくとも一方に兼用させてもよい。
【００４３】
ポストベークユニット１１は、露光処理後の基板Ｗを加熱するためのユニットであり、スピンデベロッパ１２は、露光処理後で、かつ露光加熱後の基板Ｗに対して現像処理を行うためのユニットである。復路搬送経路１１は、往路搬送経路７と同じくインデクサ１とインターフェイス３との間にわたって形成されており、図示を省略する復路搬送機構は、昇降移動および搬送経路１１上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、インターフェイス３とポストベークユニット１１とスピンデベロッパ１２とインデクサ１との各間で基板Ｗの受け渡しをそれぞれ行うことができるように構成されている。ポストベークは、本発明における露光後加熱に相当する。
【００４４】
次に、スピンコータ８の具体的構成について説明する。なお、スピンデベロッパ１２については、フォトレジスト液の替わりに現像液を基板Ｗに向けて吐出している点を除いて、スピンコータ８とほぼ同様の構成をしているので、その説明を省略する。スピンコータ８は、図２に示すように、基板Ｗを保持して水平面内に回転させるスピンチャック１３，フォトレジスト液を吐出するノズル１４，フォトレジスト液が飛散するのを防止する飛散防止カップ１５などから構成されている。フォトレジスト液は、化学増幅型レジスト液を用いる。なお、図示を省略するが、洗浄液としてリンス液を基板Ｗの端縁に向けて吐出することで端縁に付着したフォトレジスト液や汚れを洗浄除去するエッジリンス用のノズルや、リンス液を基板Ｗの裏面に向けて吐出することで裏面に付着したフォトレジスト液や汚れを洗浄除去するバックリンス用のノズルなどを備えてもよい。
【００４５】
このスピンチャック１３に保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズル１４からフォトレジスト液を吐出することで、基板Ｗの遠心力によりフォトレジスト膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。現像処理の場合には、このスピンチャック１３に保持されて回転している基板Ｗに向けてノズル１４から現像液を吐出することで、現像処理を行う。
【００４６】
ノズル１４とフォトレジスト液を貯留するタンク（図示省略）との間には調整用バルブ１６が配設されており、後述するコントローラ２１により、フォトレジスト液の流量調整、フォトレジスト液の吐出開始や吐出停止を、調整用バルブ１６を介して調節することができる。なお、図２中のコントローラ２１，相関関係記憶部２２，および入力部２３は、図３中のコントローラ２１，相関関係記憶部２２，および入力部２３とそれぞれ同一のものであることに留意されたい。
【００４７】
次に、プリベークユニット９の具体的構成について説明する。なお、ポストベークユニット１１については、ポストベークユニット１１とほぼ同様の構成をしているので、その説明を省略する。プリベークユニット９は、図３に示すように、側面に開口部を有するとともに上面に光入射窓を有する熱処理炉１７，熱処理炉１７の開口部を開閉するシャッタ１８，シャッタ１８の水平移動に追従して移動する支持ピン付きの基板保持部材１９，熱処理炉１７の光入射窓を光が透過して熱処理炉１７内の基板Ｗを加熱（ベーク）するランプユニット２０などから構成されている。
【００４８】
加熱による熱処理を行うために基板Ｗを搬入するには、基板Ｗを支持ピンに載置することで基板保持部材１９に保持させ、シャッタ１８を熱処理炉１７の方向へ水平移動させることで行われ、熱処理終了後に基板Ｗを搬出するには、シャッタ１８を熱処理炉１７の外側へ水平移動させることで行われる。プリベーク（露光前加熱）およびポストベーク（露光後加熱）ともに、熱処理を行うには、ランプユニット２０から光が発生し、熱処理炉１７の光入射窓をその光が透過して熱処理炉１７内の基板Ｗに照射されることで行われる。プリベークは、基板Ｗに塗布形成されたフォトレジスト膜中の溶媒を揮発させるために行う熱処理で、ポストベークは、上述したように、現像が効率良く行えるように、露光によって発生したフォトレジスト膜中の酸から触媒反応を誘起させるための熱処理である。
【００４９】
次に、コントローラ，相関関係記憶部，および入力部（タッチパネル）の具体的構成について説明する。コントローラ２１は、本実施例装置を統括制御するためのものである。相関関係記憶部２２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などに代表される記憶部で構成されており、複数個の基板処理条件とピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件や溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶している。入力部２３は、マウスやキーボードやボタンやタッチパネルなどのポインティングデバイスで構成されており、オペレータが入力したデータを、コントローラ２１を介して、本実施例装置の各構成（例えばインデクサ１やプロセスユニット２やインターフェイス３など）を制御する。
【００５０】
本実施例では、入力部２３のうちのタッチパネル２４（図６，図９〜図１５参照）に入力されて選択された基板処理条件は、コントローラ２１を介して、相関関係記憶部２２に送られて、選択された基板処理条件においてピボタルシフトが０のときの酸拡散に係る基板処理条件や溶解速度に係る基板処理条件で、基板処理が行われる。また、本実施例では、酸拡散や溶解速度に係る基板処理条件以外の基板処理条件は、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる。また、本実施例では、溶解速度に係る基板処理条件として、スピンデベロッパ１２にて現像処理を行う現像時間を例に採って説明する。
【００５１】
ポジ型のレジストにおいて、露光量をそれぞれ変えたときの焦点とパターン寸法との関係は、図４に示すとおりである。なお、焦点を横軸に、パターン寸法を縦軸にそれぞれとっている。また、露光量が少ないほどパターン寸法が大きくなり、露光量が多いほどパターン寸法は小さくなる。図４において、焦点が変化してもパターン寸法の変化が少ない露光量（露光条件）が存在する。この条件がピボタルポイントとなり、ピボタルシフトは、ピボタルポイントにおけるパターン寸法とマスクパターン寸法（図４では設計寸法）との差分で表される。
【００５２】
現像時間と、そのピボタルシフトとの相関関係を表したのが、図５の模式図であって、現像時間を横軸に、ピボタルシフトを縦軸にそれぞれとっている。なお、このとき、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる複数の基板処理条件によって、この模式図は変わる。逆に、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件をそれぞれ選択したときには、その選択された各基板処理条件から図５に示す模式図が一義的に決まる。
【００５３】
ピボタルシフトが０のときは、ピボタルポイントにおけるパターン寸法とマスクパターン寸法（図５では設計寸法）とが一致しているときであって、このとき、パターン寸法を補正するというマスクパターン側での操作を行わなくてもよい。従って、ピボタルシフトが０のときの現像時間が、図５に示す『最適現像時間』となる。この図５に示す相関関係は、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる複数の基板処理条件ごとに、相関関係記憶部２２に予め記憶されている。相関関係記憶部２２は、本発明における相関関係記憶手段に相当する。
【００５４】
入力部２３は、例えば図６に示すように、タッチパネル２４やキーボード２５やボタン２６などから構成されている。本実施例では、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類から、どの種類を選択するかという種類選択の画面、および種類選択によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択の画面は、このタッチパネル２４で表示され、タッチパネル２４の操作表示に従って、オペレータはタッチパネル２４に直接触って、基板処理条件の選択などの操作を行う。タッチパネル２４は、本発明における切換手段と種類選択手段と基板処理条件選択手段とに相当する。
【００５５】
次に、本実施例に係る一連の基板処理について、図７のフローチャートを参照して説明するとともに、基板処理前における最適現像時間の設定（現像時間の操作）について、図８のフローチャートおよび図９〜図１５の表示態様を参照して説明する。なお、本実施例の場合には現像時間の設定なので、露光処理や露光後加熱（ポストベーク処理）後であっても、現像時間の操作が現像処理前であればそれで足り、現像時間の設定のタイミングについては特に限定されない。
【００５６】
ステップＳ１（最適現像時間の設定）
タッチパネル２４の操作表示に従って、最適現像時間の設定を行う。具体的には、ステップＴ１〜Ｔ７の操作を行う。
【００５７】
ステップＴ１（切り換える？）
ピボタルシフトに応じて基板処理条件を設定するか否かをオペレータが判断する。具体的には、図９に示すように、『基板処理条件を切り換えますか？』という切換画面が、タッチパネル２４上に表示される。そして、その下に『▲１▼切り換える』および『▲２▼切り換えない』が表示される。
【００５８】
ステップＴ２（通常処理）
ピボタルシフトが生じないような塗布液（例えば化学増幅型フォトレジスト以外のフォトレジスト液）の場合、あるいはピボタルシフトが生じてもパターン寸法のバラツキに悪影響がないとオペレータが判断した場合には、『▲２▼切り換えない』の領域に直接触って、ピボタルシフトに応じては基板処理条件を設定しないという操作を行う。そして、通常処理に移行する。このとき、タッチパネル２４の表示態様は、図９の表示態様から他の表示態様に変わるが、その表示態様については図示を省略する。
【００５９】
ステップＴ３（種類選択）
ピボタルシフトが生じてパターン寸法のバラツキに悪影響があるとオペレータが判断した場合には、『▲１▼切り換える』の領域に直接触って、種類選択に移行する。このとき、タッチパネル２４の表示態様は、図９から図１０の表示態様に変わる。
【００６０】
具体的には、図１０に示すように、『どの種類を選択しますか？』という種類選択の画面が、タッチパネル２４上に表示される。そして、その下に『１．フォトレジストの種類』，『２．パターン寸法の種類』および『３．パターン形状の種類』が表示される。
【００６１】
例えば、フォトレジストの種類から基板処理条件を選択する場合には、『１．フォトレジストの種類』の領域に直接触って、種類選択の操作を行う。このとき、タッチパネル２４の表示態様は、図１０から図１１の表示態様に変わる。
【００６２】
ステップＴ４（基板処理条件選択）
具体的には、図１１に示すように、『１．フォトレジストの種類』という基板処理条件選択の画面が、タッチパネル２４上に表示される。そして、その下にフォトレジストの種類中の基板処理条件として『Ａ．……』，『Ｂ．……』，『Ｃ．……』が表示される。
【００６３】
例えば、『Ａ．……』というフォトレジスト液を基板Ｗに塗布形成する場合には、『Ａ．……』の領域に直接触って、基板処理条件選択の操作を行う。このとき、タッチパネル２４の表示態様は、図１１から図１４の表示態様に変わる。
【００６４】
ステップＴ５（全て選択？）
具体的には、図１４に示すように、『これでよろしいですか？』という基板処理条件選択についての確認画面が、タッチパネル２４上に表示される。そして、その下に問いに対する答えとして『はい』および『いいえ』が表示される。
【００６５】
全ての種類について基板処理条件を全て選択した場合には、『はい』の領域に直接触って、選択確認完了の操作を行ってステップＴ６の『最適現像時間を求める』に移行する。このとき、タッチパネル２４の表示態様は、図１４から図１５の表示態様に変わる。
【００６６】
全て選択していない場合には、『いいえ』の領域に直接触って、ステップＴ３の種類選択に戻る。このとき、タッチパネル２４の表示態様は、図１４から図１０の表示態様に戻る。また、全て選択していないのにも関わらず『はい』の領域に直接触った場合でも、『全部選択していません』がタッチパネル２４上に表示され、図１０の表示態様に戻るように構成してよい。
【００６７】
なお、フォトレジストの種類以外から基板処理条件を選択する場合には、図１０に示す『２．パターン寸法の種類』または『３．パターン形状の種類』の領域に直接触って、種類選択の操作を行う。『２．パターン寸法の種類』から基板処理条件を選択したとき、タッチパネル２４の表示態様は、図１０から図１２の表示態様に変わり、『３．パターン形状の種類』から基板処理条件を選択したとき、タッチパネル２４の表示態様は、図１０から図１３の表示態様に変わる。
【００６８】
具体的には、図１１と同様に、『２．パターン寸法の種類』から基板処理条件を選択したときには、図１２に示すように、『２．パターン寸法の種類』という基板処理条件選択の画面が、タッチパネル２４上に表示される。そして、その下にパターン寸法の種類中の基板処理条件として『ａ．……』，『ｂ．……』，『ｃ．……』が表示される。『３．パターン形状の種類』から基板処理条件を選択したときには、図１３に示すように、『３．パターン形状の種類』という基板処理条件選択の画面が、タッチパネル２４上に表示される。そして、その下にパターン形状の種類中の基板処理条件として『Ｘ．……』，『Ｙ．……』，『Ｚ．……』が表示される。
【００６９】
例えば、『ｃ．……』というパターン寸法で、かつ『Ｙ．……』というパターン形状で露光処理を行う場合には、パターン寸法の種類から基板処理条件を選択したときには、図１２中の『ｃ．……』の領域に直接触り、パターン形状の種類から基板処理条件を選択したときには、図１３中の『Ｙ．……』の領域に直接触って、各々の基板処理条件選択の操作をそれぞれ行う。このとき、タッチパネル２４の表示態様は、パターン寸法の種類から基板処理条件を選択したときには、図１２から図１４の表示態様に変わり、パターン形状の種類から基板処理条件を選択したときには、図１３から図１４の表示態様に変わる。
【００７０】
ステップＴ６（最適現像時間を求める）
図１２〜図１４から図１５の表示態様に変わったときには、具体的には、図１２〜図１４でそれぞれ選択された各基板処理条件と、相関関係記憶部２２から読み出された相関関係とに基づいて、最適現像時間を求め、その最適現像時間が、図１５に示すように、タッチパネル２４上に表示される。この最適現像時間は、図１２〜図１４でそれぞれ選択された『Ａ．……』というフォトレジストで、『ｃ．……』というパターン寸法で、かつ『Ｙ．……』というパターン形状での基板処理条件におけるピボタルシフトが０のときの現像時間である。
【００７１】
この最適現像時間の結果は、コントローラ２１に送られて、この最適現像時間に基づいてコントローラ２１は、スピンデベロッパ１２の調整用バルブ１６を操作する。後述するステップＳ６の現像処理で詳しく説明する。
【００７２】
ステップＴ７（処理開始）
この最適現像時間がタッチパネル２４上に表示されたら、処理開始に移行する。続いて、ステップＳ２に移行して一連の基板処理について説明する。
【００７３】
ステップＳ２（塗布処理）
ステップＳ１の最適現像時間の設定が済めば、フォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成する塗布処理をスピンコータ８にて行う。具体的には、カセットＣをカセット載置台５に載置し、図示を省略するインデクサ用搬送機構が昇降移動およびインデクサ用搬送経路６ａ上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、カセットＣ内に収容された１枚の未処理の基板Ｗをプロセスユニット２内の図示を省略する往路搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動および往路搬送経路７上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗをスピンコータ８内に搬入する。
【００７４】
搬入の際には、スピンコータ８内のスピンチャック１３に基板Ｗを水平姿勢に載置することで基板Ｗを保持する。そして、コントローラ２１はスピンチャック１３のモータ部分を回転させる。このモータ部分の回転で、スピンチャック１３は基板Ｗを水平面内に回転させて、コントローラ２１は、スピンコータ８内の調整用バルブ１６を操作してフォトレジスト液の吐出を開始させる。このスピンチャック１３に保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズル１４からフォトレジスト液を吐出することで、基板Ｗの遠心力によりフォトレジスト膜が基板Ｗの中心から全面にわたって塗布形成される。基板Ｗの塗布形成を終了させる場合には、コントローラ２１はスピンチャック１３のモータ部分の回転停止とともに、スピンコータ８内の調整用バルブ１６を操作してフォトレジスト液の吐出停止を行う。
【００７５】
ステップＳ３（プリベーク処理）
基板Ｗの塗布処理が終了すれば、基板Ｗに塗布形成されたフォトレジスト膜中の溶媒を揮発させるために行う露光前加熱処理であるプリベーク処理をプリベークユニット９にて行う。具体的には、塗布形成された基板Ｗを往路搬送機構はスピンコータ８から搬出し、昇降移動および往路搬送経路７上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗをプリベークユニット９内に搬入する。
【００７６】
搬入の際には、往路搬送機構は支持ピンに基板Ｗを渡し、その基板Ｗをその支持ピンに載置することで基板保持部材１９に保持させ、コントローラ２１はシャッタ１８を基板保持部材１９とともに熱処理炉１７の方向へ水平移動させる。そして、コントローラ２１はランプユニット２０から光が発生するようにランプユニット２０を操作し、発生した光を、熱処理炉１７の光入射窓を透過させて熱処理炉１７内の基板Ｗに照射して露光前加熱処理であるプリベーク処理を行う。プリベーク処理を終了させる場合には、コントローラ２１はランプユニット２０から光の発生を停止するようにランプユニット２０を操作する。
【００７７】
ステップＳ４（露光処理）
基板Ｗのプリベーク処理が終了すれば、露光処理を露光ユニット４にて行う。具体的には、プリベーク処理後の基板Ｗを、コントローラ２１はシャッタ１８を基板保持部材１９とともに熱処理炉１７の外側へ水平移動させることで基板Ｗを搬出し、基板保持部材１９の支持ピンから基板Ｗを往路搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動および往路搬送経路７上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗを、図示を省略するインターフェイス用搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動およびインターフェイス用搬送経路６ｂ上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗを露光ユニット４内に搬入する。搬入後は、露光ユニット４にて露光処理を行う。
【００７８】
ステップＳ５（ポストベーク処理）
基板Ｗの露光処理が終了すれば、露光によって発生したフォトレジスト膜中の酸から触媒反応を誘起させるために行う露光後加熱処理であるポストベーク処理をポストベークユニット１１にて行う。具体的には、露光処理後の基板Ｗをインターフェイス用搬送機構は露光ユニット４から搬出し、昇降移動およびインターフェイス用搬送経路６ｂ上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗを、図示を省略する復路搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動および復路搬送経路１０上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗをポストベークユニット１１内に搬入する。
【００７９】
搬入の際には、ステップＳ３のプリベーク処理と同じく、コントローラ２１はシャッタ１８を基板保持部材１９とともに熱処理炉１７の方向へ水平移動させる。そして、ステップＳ３のプリベーク処理と同じく、ランプユニット２０からの光を熱処理炉１７内の基板Ｗに照射して露光処理後加熱処理であるポストベーク処理を行う。
【００８０】
ステップＳ６（現像処理）
基板Ｗのポストベーク処理が終了すれば、現像処理をスピンデベロッパ１２にて行う。具体的には、ポストベーク処理後の基板Ｗを復路搬送機構はポストベークユニット１１から搬出し、昇降移動および復路搬送経路１０上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗをスピンデベロッパ１２内に搬入する。
【００８１】
搬入の際には、スピンデベロッパ１２内のスピンチャック１３に基板Ｗを水平姿勢に載置することで基板Ｗを保持する。そして、ステップＳ２の塗布処理と同じく、スピンチャック１３は基板Ｗを水平面内に回転させて、スピンデベロッパ１２内の調整用バルブ１６を操作して現像液の吐出を開始させる。このスピンチャック１３に保持されて回転している基板Ｗの中心に向けてノズル１４から現像液を吐出することで、現像処理が行われる。基板Ｗの塗布形成を終了させる場合には、コントローラ２１はスピンチャック１３のモータ部分の回転停止とともに、スピンデベロッパ１２内の調整用バルブ１６を操作して現像液の吐出停止を行う。
【００８２】
この調整用バルブ１６による現像液の吐出開始から吐出停止までの時間が、現像時間となる。本実施例では、ステップＴ６で求められた最適現像時間に基づいて、コントローラ２１は、現像液の吐出開始から吐出停止までの時間が、最適現像時間になるように調整用バルブ１６を操作する。
【００８３】
基板Ｗの現像処理が終了すれば、処理済の基板Ｗを復路搬送機構はスピンデベロッパ１２から搬出し、昇降移動および復路搬送経路１０上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、その基板Ｗをインデクサ用搬送機構に渡す。この搬送機構は、昇降移動およびインデクサ用搬送経路６ａ上を図１中の矢印の方向に水平移動することで、カセット載置台５に載置されたカセットＣに処理済の基板Ｗを収容する。カセットＣに複数枚（例えば２５枚）の処理済の基板Ｗを収納した後、そのカセットＣをインデクサ１から払い出すことで一連の基板処理が終了する。
【００８４】
上述の構成を有する本実施例に係る基板処理方法およびその装置は、以下の作用を奏する。すなわち、溶解速度に係る基板処理条件の１つである現像時間を操作し、操作された現像時間に基づいて一連の基板処理を行うことで、マスクパターン側で操作せずに、パターン寸法を簡易に設定することができる。本実施例では、現像時間を操作するのに、ステップＴ６で最適現像時間を求め、操作された現像時間に基づいて一連の基板処理を行うのに、現像液の吐出開始から吐出停止までの時間が最適現像時間になるように、ステップＳ６で調整用バルブ１６を操作することで最適現像時間分の現像処理を行っている。
【００８５】
なお、図５の現像時間とピボタルシフトとの相関関係を示す模式図からもわかるように、現像時間が長くなると、それに従って負の方向からピボタルシフトが増えて、０に一旦なってから正の方向に増える。ピボタルシフトが０になるように現像時間を操作する、すなわちピボタルシフトが０のときの現像時間である最適現像時間を求めることで、マスクパターン側で操作せずにパターン寸法を設定することができる。
【００８６】
また、本実施例では、ピボタルシフトに応じて基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換画面（図９参照）をタッチパネル２４上に表示することで、切換画面によって切り換えられた基板処理条件に基づいて、処理を開始して（ステップＴ７）、ステップＳ２以降の処理を行うこと、あるいは切換画面によって切り換えられなかった基板処理条件に基づいて、通常処理（ステップＴ２）を行うことがそれぞれ可能になる。
【００８７】
さらには、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる基板処理条件から、どの種類を選択するかという種類選択の画面（図１０参照）をタッチパネル２４上に表示し、その種類選択の画面によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択の画面（図１１〜図１３参照）をタッチパネル２４上で表示する。
【００８８】
また、複数個の基板処理条件とピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件や溶解速度に係る基板処理条件との相関関係を予め記憶した相関関係記憶部２２を備えることで、切換画面によって基板処理条件が切り換えられたときには、基板処理条件選択の画面によって選択された基板処理条件と、相関関係記憶部２２から読み出された上述した相関関係と基づいて、選択された各基板処理条件におけるピボタルシフトと酸拡散に係る基板処理条件や溶解速度に係る基板処理条件（本実施例では現像時間）との相関関係がわかる。そして、ピボタルシフトと酸拡散や溶解速度に係る基板処理条件との相関関係から、ピボタルシフトに応じて酸拡散に係る基板処理条件や溶解速度に係る基板処理条件（本実施例では現像時間）を操作することが可能になり、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。以上より、一連の基板処理において、より汎用性の高い基板処理装置を実現することができるとともに、一連の基板処理においてパターン寸法を簡易に設定することができる。
【００８９】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００９０】
（１）上述した本実施例では、相関関係記憶部２２に記憶された相関関係として現像時間とピボタルシフトとの相関関係を例に採って説明し、現像時間を操作することで基板処理を行ったが、現像時間に限定されない。現像によるフォトレジスト液の溶解速度に影響を与える溶解速度に係る基板処理条件や、あるいはフォトレジスト液への露光によって発生する酸の拡がりに影響を与える酸拡散に係る基板処理条件と、ピボタルシフトとの相関関係を相関関係記憶２２に予め記憶し、その溶解速度あるいは酸拡散に係る基板処理条件を操作することで基板処理を行うものであれば、特に限定されない。
【００９１】
例えば、溶解速度に係る基板処理条件の場合には、実施例でも述べた現像時間であってもよいし、現像を行う現像処理雰囲気（例えばスピンデベロッパ）内の温度や湿度であってもよいし、現像液の濃度や温度であってもよい。また、酸拡散に係る基板処理条件の場合には、露光前加熱（プリベーク）に影響を与える露光前加熱に係る基板処理条件であってもよいし、露光後加熱（ポストベーク）に影響を与える露光後加熱に係る基板処理条件であってもよい。露光前加熱（プリベーク）に係る基板処理条件の場合には、プリベーク処理での加熱時間や加熱温度であってもよいし、露光後加熱（ポストベーク）に係る基板処理条件の場合には、ポストベーク処理での加熱時間や加熱温度であってもよい。
【００９２】
プリベーク処理での加熱温度の場合には、加熱温度が高くなると、基板Ｗがひきしめられて露光時において酸が拡散し難くなり、それに従ってネガ型においてはピボタルシフトが減って、０に一旦なってから負の方向に増える。この加熱温度とピボタルシフトとの相関関係を示す模式図は、図１６に示すとおりであり、プリベーク処理での加熱温度（図１６ではプリベーク温度）を横軸に、パターン寸法を縦軸にそれぞれとっている。ピボタルシフトが０のときの加熱温度が、図１６に示す『最適プリベーク温度』となる。本実施例の図５の現像時間とピボタルシフトとの相関関係を示した模式図と同じく、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる複数の基板処理条件から、１つの基板処理条件をそれぞれ選択したときには、その選択された各基板処理条件から図１６に示す模式図が一義的に決まる。
【００９３】
ポストベーク処理での加熱温度の場合には、加熱温度が高くなると、露光によって発生した酸により触媒反応が誘起し易くなることで酸が拡散し易くなり、それに従ってネガ型においては負の方向からピボタルシフトが増えて、０に一旦なってから正の方向に増える。この加熱温度とピボタルシフトとの相関関係を示す模式図は、図１７に示すとおりであり、ポストベーク処理での加熱温度（図１７ではＰＥＢ温度）を横軸に、パターン寸法を縦軸にそれぞれとっている。ピボタルシフトが０のときの加熱温度が、図１６に示す『最適ＰＥＢ温度』となる。本実施例の図５の現像時間とピボタルシフトとの相関関係を示した模式図と同じく、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる複数の基板処理条件から、１つの基板処理条件をそれぞれ選択したときには、その選択された各基板処理条件から図１７に示す模式図が一義的に決まる。
【００９４】
これらの基板処理条件を操作設定するタイミングは、基板処理条件に関わる処理前であればそれで足り、設定のタイミングについては特に限定されない。例えば、プリベーク処理での加熱温度の操作設定は、プリベーク処理直前の塗布処理時であってもよいし、基板処理前であってもよいし、ポストベーク処理での加熱時間の操作設定は、ポストベーク処理直前での露光処理時であってもよいし、それよりも前のプリベーク処理時であってもよいし、基板処理前であってもよい。
【００９５】
これらの基板処理条件を操作するのは、例えばプリベーク処理もしくはポストベーク処理での加熱温度の場合には、ランプユニット２０からの光量をフィルタなどで調節することで操作してもよいし、加熱時間の場合には、ランプユニット２０からの光の発生のタイミングを調節することで操作してもよい。
【００９６】
（２）上述した本実施例では、ピボタルシフトが０になるように現像時間などに代表される基板処理条件を求めたが、マスクパターン側でも操作する、あるいはパターン寸法のバラツキが少ない程度でのピボタルシフトのときの基板処理条件を求め、その基板処理条件に基づいて基板処理を行ってもよい。ただ、マスクパターン側で操作せずにパターン寸法を設定するには、ピボタルシフトが０になるように基板処理条件を求めるのが好ましい。
【００９７】
（３）上述した本実施例では、現像時間などに代表される１つの基板処理条件のみを操作して、操作されたこの基板処理条件に基づいて基板処理を行ったが、ピボタルシフトに応じて、２つ以上の基板処理条件を組み合わせて操作して、操作されたこれらの基板処理条件に基づいて基板処理を行ってもよい。例えば、酸拡散に係る基板処理条件を操作するとともに、溶解速度に係る基板処理条件を操作し、操作されたこれらの基板処理条件に基づいて基板処理を行ってもよい。また、酸拡散に係る基板処理条件の中で、プリベーク処理前およびプリベーク処理後の加熱時間を両方組み合わせて操作し、操作されたこれらの加熱時間に基づいて基板処理を行ってよい。
【００９８】
（４）相関関係記憶部２２から読み出された相関関係に基づいて、その処理結果を相関関係記憶部２２に記憶し、次に行われるべき一連の基板処理に、相関関係記憶部２２に記憶された処理結果を反映させてもよい。この場合には、相関関係に関するデータの蓄積とともに、より正確なデータに補正して記憶することができる。
【００９９】
（５）上述した本実施例では、ピボタルシフトに応じて基板処理条件を設定するか否かを切り換える切換画面（図９参照）、フォトレジストの種類や、パターン寸法の種類や、パターン形状の種類の組み合わせからなる基板処理条件から、どの種類を選択するかという種類選択の画面（図１０参照）、およびその種類選択の画面によってそれぞれ選択された各種類において、同種類中の複数個の基板処理条件から、１つの基板処理条件を選択する基板処理条件選択の画面（図１１〜図１３参照）をそれぞれタッチパネル２４上で表示するように入力部２３を構成したが、上述した画面を全てタッチパネル２４上で表示させる必要はない。
【０１００】
例えば、全ての基板処理について、ピボタルシフトに応じて基板処理条件を設定するのであれば、切換画面をタッチパネル２４上で表示させる必要はない。すなわち、本発明における切換手段を備える必要はない。また、フォトレジストの種類やパターン寸法の種類が１種類に既に決まっていて、パターン形状の種類において複数個の基板処理条件から選択する場合には、種類選択の画面をタッチパネル２４上で表示させる必要はない。すなわち、本発明における種類選択手段を備える必要はない。また、フォトレジストの種類やパターン寸法の種類やパターン形状の種類がそれぞれ１種類に既に決まっている場合には、種類選択の画面および基板処理条件選択の画面をタッチパネル２４上で表示させる必要はない。すなわち、本発明における種類選択手段および基板処理条件選択手段を備える必要はない。
【０１０１】
また、タッチパネル２４以外にも、キーボード２５やボタン２６やマウスなどに代表されるポインティングデバイスに、本発明における切換手段と種類選択手段と基板処理条件選択手段とに相当する機能を備えてもよい。また、図６，図９〜図１５に示す表示態様に限定されない。複数の種類を同時に選択してもよい。
【０１０２】
（６）ピボタルシフトが起こり易いのは、塗布液の中でも、本実施例のように化学増幅型レジストであるので、パターン寸法を簡易に設定することができるが、化学増幅型レジスト以外の塗布液を本発明に係る基板処理装置に適用してもよい。また、化学増幅型レジスト以外の塗布液を用いる場合に、図９に示すタッチパネル２４上に表示された切換画面で、『▲２▼切り換えない』の領域に直接触って、ピボタルシフトに応じては基板処理条件を設定しないという操作を行うとともに、化学増幅型レジストを用いる場合に、その切換画面で、『▲１▼切り換える』の領域に直接触って、ピボタルシフトに応じては基板処理条件を設定するという操作を行うようにしてもよい。
【０１０３】
（７）上述した塗布処理や現像処理は基板を回転させて行うものであったが、基板を現像液に浸漬するタイプであってもよいし、基板を停止したまま塗布液を塗布する、あるいは基板に塗布膜を転写することで塗布膜を基板に塗布形成するタイプであってもよい。
【０１０４】
また、スピンコータ８，プリベークユニット９，ポストベークユニット１１，スピンデベロッパ１２の各構成についても、図２，図３に限定されない。インデクサ１とプロセスユニット２とインターフェイス３と露光ユニット４との配設についても、図１に限定されないのは言うまでもない。
【０１０５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、酸拡散に係る基板処理条件あるいは溶解速度に係る基板処理条件を操作し、操作されたこれらの基板処理条件に基づいて一連の基板処理を行えば、パターン寸法を簡易に設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本実施例に係る基板処理装置の平面ブロック図である。
【図２】
本実施例装置中のスピンコータまたはスピンデベロッパの概略側面図である。
【図３】
本実施例装置中のプリベークユニットまたはポストベークユニットの概略側面
図である。
【図４】
ピボタルシフトの説明に供する模式図である。
【図５】
現像時間とピボタルシフトとの相関関係を示す模式図である。
【図６】
本実施例装置中の入力部（タッチパネル）周辺の概略図である。
【図７】本実施例に係る一連の基板処理を示すフローチャートである。
【図８】基板処理前における最適現像時間の設定（現像時間の操作）を示すフローチャートである。
【図９】タッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１０】タッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１１】タッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１２】タッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１３】タッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１４】タッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１５】タッチパネルの一表示態様を示す図である。
【図１６】変形例に係る相関関係を示す模式図である。
【図１７】さらなる変形例に係る相関関係を示す模式図である。
【符号の説明】
８  …  スピンコータ
９  …  プリベークユニット
１１  …  ポストベークユニット
１２  …  スピンデベロッパ
１６  …  調整用バルブ
２１  …  コントローラ
２２  …  相関関係記憶部
２４  …  タッチパネル
Ｗ  …  基板
【図１】
2004172198.tif 000003
【図２】
2004172198.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004172198.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2004172198.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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