(57)【要約】【課題】受光部の開口面積を大きくすると共に、スミア防止も行い、微細化に対応できる固体撮像素子を提供するものである。【解決手段】マトリクス状に配置された複数の受光センサ部２と、この受光センサ部２の各列に対応して設けられた垂直転送部３からなる撮像領域４を備え、撮像領域４において、少なくとも受光センサ部２を除く他の領域上に遮光膜２１が形成され、遮光膜２１が垂直転送部３の転送電極１９上のみに形成された固体撮像素子１を提供する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された受光センサ部と、
前記受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送部とを有して撮像領域が構成され、
前記撮像領域において、前記垂直転送部の転送電極上のみに、遮光膜が形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記遮光膜の幅が、前記垂直転送部の前記転送電極の幅以下であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記撮像領域と水平転送部との間に、信号電荷がいったん蓄積される蓄積部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記転送電極が単層の電極層のみで構成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記転送電極は、上面の角部が除去されて斜面となっていることを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記転送電極は、断面略三角形状とされていることを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子。
【請求項７】
マトリクス状に配置された受光センサ部と、
前記受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送部とを有して撮像領域が構成され、
前記撮像領域において、遮光膜が、前記垂直転送部の転送電極上及び前記転送電極の片側の側壁を覆って形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の固体撮像素子、例えば民生用カムコーダ等に用いられるインターライントランスファ（ＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像素子の構成を図１３に示す（例えば非特許文献１参照）。
このＣＣＤ固体撮像素子４０は、画素を構成する例えばフォトダイオードからなる受光センサ部４１が多数マトリクス状に配列され、受光センサ部４１の各列の一方の側に垂直方向に延びるＣＣＤ構造の垂直転送部４２が形成されて、撮像領域４３が構成されている。さらに、撮像領域４３の垂直方向の端部に水平転送部４４が配置され、この水平転送部４４に電荷電圧変換手段（図示せず）を介して出力部４５が接続されて構成される。
【０００３】
垂直転送部４２は、例えば４相駆動方式に構成され、各転送電極に４相の垂直転送パルスφＶ〔φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４〕が印加され、水平転送部４４は、例えば２相駆動方式に構成され、それぞれの転送電極に２相の水平転送パルスφＨ〔φＨ１，φＨ２〕が印加される。
【０００４】
次に、撮像領域の拡大平面図を図１４に示し、図１４のＡ―Ａ線上における断面図を図１５に、図２のＢ―Ｂ線上における断面図を図１６にそれぞれ示す。
撮像領域は、図１５及び図１６に示すように、第１導電型、例えばｎ型のシリコン半導体基板５０内に、第２導電型、例えばｐ型の第１の半導体ウェル領域５１が形成され、半導体基板５０の表面側に、受光センサ部４１を構成するｎ型の半導体領域（所謂電荷蓄積領域）５２とその上の表面のｐ型の半導体領域５３からなるフォトダイオードが形成される。受光センサ部４１列の一方の側には、ｐ型の読み出しゲート部５４を介して垂直転送部４２を構成するｎ型の転送チャネル領域５５が形成され、ｎ型の転送チャネル領域５５下にｐ型の第２の半導体ウェル領域５６が形成されている。受光センサ部４１列の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、即ちｐ型のチャネルストップ領域５７が形成されている。このｐ型のチャネルストップ領域５７は、受光センサ部４１の表面のｐ型の半導体領域５３に電気的に接続されている。
【０００５】
半導体基板５０の表面上には、絶縁膜５８が形成され、読み出しゲート部５４、ｎ型の転送チャネル領域５５及びチャネルストップ領域５７上に絶縁膜５８を介して例えば２層の多結晶シリコン層５９１，５９２より転送電極５９が形成されている。そして、転送チャネル領域５５、転送電極５９とにより垂直転送部４２が構成される。尚、転送電極５９は、図１６に示すように、垂直方向に隣り合う受光センサ部４１間において重ね合わされて形成される。転送電極５９上には層間絶縁膜６０を介して例えばＡｌからなる遮光膜６１が形成される。
【０００６】
遮光膜６１上には、全面を覆ってパッシべーション膜６２が形成され、このパッシべーション膜６２上には平坦化膜６３が形成され、この平坦化膜６３上にはカラーフィルタ６４が形成される。そして、このカラーフィルタ６４上の受光センサ部４１と対応する位置には、オンチップレンズ６５が形成されている。
【０００７】
【非特許文献１】
社団法人，映像情報メディア学会編，「テレビジョンカメラの設計技術」，１９９９年８月２０日，ｐ１７３，ｐ１８０―ｐ１８１，図６．１４
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、固体撮像素子に対する微細化の要求が強くなってきているが、このようなインターライントランスファ型のＣＣＤ固体撮像素子５０において、さらに微細化の要求に対応しようとした場合、スミア特性或いは感度特性が低下したり、垂直転送時の取り扱い電荷量が低減してしまうといった問題がさらに顕著となる。
【０００９】
即ち、インターライントランスファ型のＣＣＤ固体撮像素子５０においては、図１５に示したように、遮光膜６１の端から入射光によって垂直転送部４２にスミアが発生することを防止するために、一部受光センサ部４１に跨るような張り出し部６６が設けられる。
【００１０】
しかし、例えばスミアを防止しながら微細化に対応する場合、遮光膜６１の張り出し部６６により受光センサ部４１の開口面積が小さくなり、受光センサ部４１への光の入射量が低下して感度が低下してしまう。
【００１１】
これに対して、転送電極５９の幅を狭くすることで、開口面積が小さくなることを防ぐことも考えられるが、転送電極５９の幅を狭くした場合、垂直転送時の取り扱い電荷量が低下し、例えば垂直転送時の取り扱い電荷量に律則される飽和信号量も減少してしまう。
【００１２】
本発明は、上述の点に鑑み、スミア特性を維持し、且つ受光部の開口面積を大きくして感度特性を向上でき、微細化に対応できる固体撮像素子を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る固体撮像素子は、マトリクス状に配置された受光センサ部と、この受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送部とを有して撮像領域が構成され、撮像領域において、垂直転送部の転送電極上のみに、遮光膜が形成された構成とする。
【００１４】
本発明に係る固体撮像素子によれば、垂直転送部の転送電極上のみに、遮光膜が形成されるので、従来のように受光センサ部に跨って遮光膜の張り出し部が形成されない。これにより、開口面積が大きくなり受光センサ部への光の入射量を増加できる。従って、感度特性を向上できる。
また、転送電極の幅を小さくする必要がなくなり、垂直転送時の取り扱い電荷量を増加できる。これにより、垂直転送時の取り扱い電荷量に律則する飽和信号量を増加できる。
【００１５】
また、本発明に係る固体撮像素子は、マトリクス状に配置された受光センサ部と、この受光センサ部の各列に対応して設けられた垂直転送部とを有して撮像領域が構成され、撮像領域において、垂直転送部の転送電極上及び転送電極の片側の側壁を覆って、遮光膜が形成された構成とする。
【００１６】
本発明に係る固体撮像素子によれば、垂直転送部の転送電極上及び転送電極の片側の側壁を覆って、遮光膜が形成されているので、前述した作用効果に加えてスミア特性をさらに向上できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
本発明の一実施の形態として、ＣＣＤ固体撮像素子の概略構成図（平面図）を図１に示す。
本実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子１は、本発明をフレームインターライントランスファ（ＦＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合であり、入射光から信号電荷を発生させる撮像領域４と、撮像領域４で発生した信号電荷が一旦蓄積される蓄積部６と、水平転送部７と、出力部８とを有して構成されている。
撮像領域４においては、画素を構成する例えばフォトダイオードからなる受光センサ部２が多数マトリクス状に配列され、受光センサ部２の各列の一方の側に垂直方向に延びるＣＣＤ構造の第１の垂直転送部３が形成されている。
蓄積部６には、撮像領域４の第１の垂直転送部３のそれぞれに１対１に対応するＣＣＤ構造の第２の垂直転送部５が設けられている。
水平転送部７には、図示しない電荷電圧変換手段を介して出力部８が接続される。
【００１８】
このＣＣＤ固体撮像素子１では、各受光センサ部２において受光量に応じて光電変換された信号電荷が第１の垂直転送部３に読み出され、この第１の垂直転送部３内を転送して一旦蓄積部６の第２の垂直転送部５に蓄積される。そして、１水平ライン毎の信号電荷が水平転送部７に転送され、水平転送部７内を順次転送されて出力部８を通じて出力される。
【００１９】
次に、撮像領域の拡大平面図を図２に示し、図２のＡ―Ａ線上における拡大断面図を図３に、図２のＢ―Ｂ線上における拡大断面図を図４にそれぞれ示す。
撮像領域４は、図３に示すように、第１導電型、例えばｎ型のシリコン半導体基板１０内に、第２導電型、例えばｐ型の第１の半導体ウェル領域１１が形成され、半導体基板１０の表面側に、受光センサ部２を構成するｎ型の半導体領域（所謂電荷蓄積領域）１２とその上の表面のｐ型の半導体領域１３からなるフォトダイオードが形成される。受光センサ部２列の一方の側には、ｐ型の読み出しゲート部１４を介して垂直転送部３を構成するｎ型の転送チャネル領域１５が形成され、ｎ型の転送チャネル領域１５下にｐ型の第２の半導体ウェル領域１６が形成されている。受光センサ部２列の他方の側には、水平方向に隣り合う画素間を分離するための画素分離領域、即ちｐ型のチャネルストップ領域１７が形成されている。このｐ型のチャネルストップ領域１７は、受光センサ部２の表面のｐ型の半導体領域１３に電気的に接続されている。
【００２０】
半導体基板１０の表面上には、絶縁膜１８が形成され、読み出しゲート部１４、ｎ型の転送チャネル領域１５及びチャネルストップ領域１７上に絶縁膜１８を介して例えば２層の多結晶シリコン層１９１，１９２より転送電極１９が形成されている。そして、転送チャネル領域１５、絶縁膜１８及び転送電極１９とにより垂直転送部３が構成される。尚、転送電極１９は、図２に示すように、垂直方向に隣り合う受光センサ部２間において重ね合わされて形成される。転送電極１９上には層間絶縁膜２０を介して例えばＡｌからなる遮光膜２１が形成される。
【００２１】
本実施の形態では、特に、遮光膜２１が、垂直転送部３の転送電極１９（１９１）上のみに形成され、スミアに対して影響の少ない垂直方向に隣接する受光センサ部２間には形成されていない。
【００２２】
さらに、本実施の形態では、遮光膜２１の幅を、転送電極１９の垂直転送部３にある部分、即ち転送電極１９の電極部１９Ａの幅と比較して、同じまたは小さい構成とする。
このうち、図３では、遮光膜２１の幅が、電極部１９Ａの幅よりも小さい場合を示している。
これにより、受光センサ部２や転送電極１９の両側壁部は、遮光膜２１に覆われない状態となっている。
【００２３】
本実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子１では、ＦＩＴ型を採用しているため、ＩＴ型のＣＣＤ固体撮像素子と比較して、第１の垂直転送部３における転送速度を充分速くすることにより、スミアの影響を非常に小さくすることが可能になる。
このため、遮光膜２１を上述したように狭い幅に形成しても、スミアの影響を受けないようにすることができる。
【００２４】
このように遮光膜２１を形成するには、例えば層間絶縁膜２０上に遮光材をスパッタリング法またはＣＶＤ法で形成した後、通常のフォトリソグラフィ技術を用いて、レジスト膜を垂直転送部３上のみに残るようにパターニングして、遮光膜２１形成用のレジストマスクを形成した後、このレジストマスクをマスクとして、ドライエッチングを行うことで形成できる。
【００２５】
遮光膜２１上には、全面を覆ってパッシべーション膜２２が形成され、このパッシべーション膜２２上には平坦化膜２３が形成される。この平坦化膜２３上にはカラーフィルタ２４が形成される。そして、このカラーフィルタ２４上の受光センサ部２と対応する位置には、オンチップレンズ２５が形成される。
【００２６】
本実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子１によれば、遮光膜２１が垂直転送部３の転送電極１９上のみに形成され、且つ転送電極１９の電極部１９Ａの幅よりも小さい幅で形成されている。従って、従来のような受光センサ部２上の張り出し部や転送電極の側壁を覆う部分がない分、受光センサ部２の開口面積が大きくなり、光の入射量が増加するので、感度を向上することができる。
また、遮光膜の張り出し部がない分、例えば転送電極１９の幅を大きくすることができる。従って、転送電極１９の幅を広げることにより、転送電極１９の取り扱い電荷量を増加することができる。これにより、例えば取り扱い電荷量に律則する飽和信号量を増加できる。
【００２７】
本実施の形態では、遮光膜２１は、第１の垂直転送部３の転送チャネル領域１５上に接続して形成されている。遮光膜２１は垂直転送部３における転送スピードや転送電極１９（１９１，１９２）の膜厚、電極材料等に応じて部分的に形成することも可能である。この場合、遮光膜が形成されない箇所では総膜厚を薄くできる。
【００２８】
次に、本発明の他の実施の形態を図５及び図６に示す。
尚、図５及び図６は図２に示す撮像領域のＡ―Ａ線上の拡大断面図に相当している。
前述した実施の形態では、遮光膜２１が垂直転送部３の転送電極１９（１９１）上のみに形成された構成を示したが、本実施の形態では、図６に示すように、遮光膜２１が、垂直転送部３の転送電極１９（１９１）上及び転送電極１９（１９１）の片側の側壁を覆って形成される。
この場合、遮光膜２１は、スミアに対して影響が強いチャネルストップ領域１７側の側壁に形成する。即ち、遮光膜２１は転送電極１９上から転送電極１９のチャネルストップ領域１７側の側壁にかけて連続して形成される。
その他の部分は、図１〜図４に示した場合と同様であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略している。
【００２９】
本実施の形態のＣＣＤ固体撮像素子によれば、遮光膜２１が、転送電極１９上から、スミアに対して影響が強い転送電極１９のチャネルストップ１７側の側壁にかけて連続して形成されているので、前述した実施の形態の作用効果に加えてスミア特性を向上できる。
【００３０】
尚、遮光膜２１は、図６に示すように、転送電極１９（１９１）の読み出しゲート領域１４側の側壁、即ち、転送電極１９（１９１）上から転送電極１９（１９１）の読み出しゲート領域１４側の側壁にかけて連続して形成することもできる。この場合は、遮光膜２１を転送電極１９（１９１）上と転送電極１９（１９１）の読み出しゲート部１７側の側壁を覆って形成した場合に比べてスミア特性が多少劣る。
【００３１】
本実施の形態においても、上述した実施の形態と同様に、遮光膜２１は第１の垂直転送部３の転送チャネル領域１５上に接続して形成されている。遮光膜２１は垂直転送部３における転送スピードや転送電極１９（１９１，１９２）の膜厚、電極材料等に応じて部分的に形成することも可能である。この場合、遮光膜２１が形成されない箇所では総膜厚を薄くできる。
【００３２】
ここで、転送電極の低抵抗化や微細化等により、転送電極を上述した２層の電極層ではなく、１層の電極層のみで構成することもできる。
【００３３】
次に、このような構成の固体撮像素子に本発明を適用した場合の実施の形態を、図７〜図１０を用いて説明する。
図７は撮像領域の拡大平面図であり、また、図８は図７のＡ―Ａ線上の拡大断面図であり、また、図９は図７のＢ―Ｂ線上の拡大断面図であり、さらに、図１０は図７のＣ―Ｃ線上の断面図である。
本実施の形態では、図７に示すように、転送電極３０が、１つの画素２に対して２つの転送電極３０１，３０２が配置されて構成されている。この転送電極３０は、例えば金属膜や多結晶シリコン膜等からなる１層の電極層のみで構成されている。そして、転送電極３０は、図８及び図１０に示すように、その上面の角部が除去されて斜面（テーパー状）となっている。尚、隣接する転送電極３０１及び転送電極３０２との間（所謂ギャップ部３５）には層間絶縁膜２０のみが形成されている。
その他の部分は、図２〜図４と同様の構成であるので、対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００３４】
転送電極３０を、前述したような、上面の角部が除去されて斜面とされた形状にするには、例えば電極材料層を形成した後、レジストマスクを角部に斜面を有する転送電極１９のパターンに形成して、エッチバックにより、このレジストマスクの形状を電極材料層に転写する。
このようにして、図８及び図１０に示したように、水平及び垂直方向に隣接する受光センサ部２間において、受光センサ部２に向かって斜面を有する２つの転送電極３０１及び３０２が形成される。
【００３５】
このような本実施の形態の固体撮像素子では、垂直転送レジスタが、例えば４相駆動方式に構成され、各転送電極３０（３０１，３０２）に４相の駆動パルスφＶ〔φＶ１，φＶ２，φＶ３，φＶ４〕が印加される。例えば各画素２に蓄積された信号電荷を読み出す際は、φＶ１及びφＶ３に例えば１０〜１５Ｖ程度の電圧を印加することで、蓄積された信号電荷が、転送電極３０２に対応する読み出しゲート部（図示せず）を介して、垂直転送レジスタ３の転送チャネル領域１５へと読み出しされる。
【００３６】
そして、本実施の形態においても、遮光膜２１は、垂直転送部３の転送電極３０上にのみ、即ち電極部３０Ａ上にのみに形成する。
また、遮光膜２１は、転送電極３０の電極部３０Ａの幅以下の幅に形成する。
【００３７】
本実施の形態によれば、上述した実施の形態の場合と同様に、遮光膜２１が垂直転送部３の転送電極３０上のみに形成され、転送電極３０の電極部３０Ａの幅よりも小さい幅で形成されるので、従来のような受光センサ部上の張り出し部や転送電極の側壁を覆う部分がない分、受光センサ部２の開口面積が大きくなり、光の入射量が増加するので、感度を向上することができる。
【００３８】
また、遮光膜の張り出し部がない分、例えば転送電極３０の幅を大きくすることができる。従って、転送電極３０の幅を広げることにより、転送電極３０の取り扱い電荷量を増加することができる。これにより、例えば取り扱い電荷量に律則する飽和信号量を増加できる。
【００３９】
また、転送電極３０の上面の角部が、受光センサ部２へと向かって斜面となっているので、この形状により受光センサ部２に入射する光の範囲を広げることができ、受光センサ部２への光の入射量をさらに増加させて、例えば転送電極３０の上面の角部が斜面とされていない構成に比べて感度特性をさらに向上することができる。
尚、斜面の傾きをゆるくすることで光の入射量を増加させることが可能である。
【００４０】
図７の場合では、転送電極３０の上側の角部を斜面（テーパー状）に形成したが、図１１に示すように、転送電極３０の形状を断面略三角形状に形成することもできる。
転送電極３０をこのような形状にするには、例えば電極材料層を形成した後、レジストマスクを断面が三角形状となる転送電極３０のパターンに形成して、エッチバックにより、このレジストマスクの形状を電極材料層に転写する。
この場合においても、水平及び垂直方向に隣接する受光センサ部２間において、受光センサ部２に向かって斜面を有する２つの転送電極３０１及び３０２が形成される。
【００４１】
このように転送電極３０を断面略三角形状に形成した場合、前述した転送電極３０の上方のそれぞれの角部がテーパー状とした場合に比べて、受光センサ部２に入射する光の範囲をさらに広げることができ、受光センサ部２への光の入射量をさらに増加させて、感度特性をさらに向上することができる。
【００４２】
本実施の形態においても、上述した実施の形態と同様に、遮光膜２１は第１の垂直転送部３を構成する転送チャネル領域１５上にのみ形成したが、遮光膜２１は垂直方向への転送スピードや転送電極３０（３０１，３０２）の膜厚、電極材料等に応じて、部分的に形成することも可能である。
【００４３】
例えば図１２に示すように、転送電極３０１及び転送電極３０２との間の層間絶縁膜２２が介在されている部分（所謂ギャップ部）３５上の周囲のみ遮光膜２１を形成することができる。
即ち、転送電極３０１及び転送電極３０２との間のギャップ部３５は、層間絶縁膜２２のみが形成されているので、転送電極３０（３０１，３０２）に覆われている部分に比べて、入射光が垂直転送部３の転送チャネル領域１５に入り込み易い。従って、この入射光が入り込み易いギャップ部３５のみを覆うようにして遮光膜２１を形成したものである。
このような構成とした場合、遮光膜が形成されない部分、即ちギャップ部３５以外の転送電極３０の部分では総膜厚を薄くできる。
【００４４】
上述した実施の形態では、本発明をフレームインターライントランスファ（ＦＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像素子に適用して説明したが、例えばインターライントランスファ（ＩＴ）型のＣＣＤ固体撮像素子に適用することもできる。
【００４５】
本発明は、例えば民生用カムコーダ等のある程度のスミアが許容される用途において、垂直方向の転送スピードが速いＣＣＤ固体撮像素子を用いる場合に、最大の効果を発揮することができる。
【００４６】
尚、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００４７】
【発明の効果】
本発明に係る固体撮像素子によれば、受光センサ部上の張り出し部や転送電極の側壁を覆う部分がない分、受光センサ部の開口面積が広がり、感度特性を向上することができる。
また、転送電極の幅を広げることができるので、転送電極の取り扱い電荷量を増加することができる。これにより、取り扱い電荷量に律則する飽和信号量も増加することができる。
【００４８】
遮光膜を、転送電極上及び転送電極の片側の側壁を覆って形成した場合は、前述した効果に加えてスミア特性をさらに向上することができる。
【００４９】
従って、さらなる微細化に対応できる固体撮像素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る固体撮像素子の一実施の形態を示す概略平面図である。
【図２】図１の固体撮像素子の撮像領域を示す拡大平面図である。
【図３】図２に示す撮像領域のＡ―Ａ線上の拡大断面図である。
【図４】図２に示す撮像領域のＢ―Ｂ線上の拡大断面図である。
【図５】本発明に係る固体撮像素子の他の実施の形態を示す拡大断面図（その１）である。
【図６】本発明に係る固体撮像素子の他の実施の形態を示す拡大断面図（その２）である。
【図７】転送電極を単層とした場合の撮像領域を示す拡大平面図である。
【図８】図７の撮像領域のＡ―Ａ線上の拡大断面図である。
【図９】図７の撮像領域のＢ―Ｂ線上の拡大断面図である。
【図１０】図７の撮像領域のＣ―Ｃ線上の拡大断面図である。
【図１１】転送電極の他の形状を示す図である。
【図１２】遮光膜を部分的に形成した場合の撮像領域を示す拡大平面図である。
【図１３】従来の固体撮像素子の概略平面図である。
【図１４】図１３の固体撮像素子の撮像領域を示す拡大平面図である。
【図１５】図１４に示す撮像領域のＡ―Ａ線上の拡大断面図である。
【図１６】図１４に示す撮像領域のＢ―Ｂ線上の拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・ＣＣＤ固体撮像素子、２・・・受光センサ部、３・・・第１の垂直転送部、４・・・撮像領域、５・・・第２の垂直転送部、６・・・蓄積部、７・・・水平転送部、８・・・出力部、１０・・・ｎ型のシリコン半導体基板、１１・・・ｐ型の第１の半導体ウェル領域、１２・・・ｎ型の半導体領域、１３・・・ｐ型の半導体領域、１４・・・ｐ型の読み出しゲート部、１５・・・ｎ型の転送チャネル領域１５、１６・・・ｐ型の第２の半導体ウェル領域、１７・・・ｐ型のチャネルストップ領域１７、１８・・・絶縁膜、１９（１９１，１９２）・・・転送電極、１９Ａ・・・電極部、２０・・・層間絶縁膜、２１・・・遮光膜２１、２２・・・パッシべーション膜、２３・・・平坦化膜、２４・・・カラーフィルタ、２５・・・オンチップレンズ、３０（３０１，３０２）・・・転送電極、３０Ａ・・・電極部、３５・・・ギャップ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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