(57)【要約】【課題】薄膜形成法で内部導体を形成し、誘電体層を薄膜化させた場合であっても内部導体とセラミック間で剥離が生じないようにする。【解決手段】導電膜形成工程１１で薄膜形成法によりフィルム上に導電膜を形成し、セラミックシート作製工程１２で第２のセラミックシートのバインダ量が第１のセラミックシートのバインダ量よりも少量となるように第１及び第２のセラミックシートを作製する。次いで、転写工程１３ａで第１のセラミックシートの一方の面に導電膜を転写し、セラミック層形成工程１３ｂで導電膜が転写されていない第１のセラミックシートの他方の面と第２のセラミックシートとが密着するように第１のセラミックシート、第２のセラミックシート、及び第１のセラミックシートを積層し、セラミック層を内蔵した積層体を作製し、焼成工程１４、外部導体形成工程１５等を経て積層セラミックコンデンサを製造する。【選択図】  図２
2004172248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜と導電膜との間に複数枚のセラミックグリーンシートを介装して誘電体層を形成する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
金属箔状の導電膜を薄膜形成法によりフィルム上に形成する導電膜形成工程と、
セラミック原料粉末とバインダとを混練させたセラミックスラリーに成形加工を施し、第１及び第２のセラミックグリーンシートを作製するセラミックグリーンシート作製工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの一方の面に前記導電膜を接合し、さらに、前記第２のセラミックグリーンシートが前記第１のセラミックグリーンシートの他方の面間で挟持されるように前記第１のセラミックグリーンシート、前記第２のセラミックグリーンシート、及び前記第１のセラミックグリーンシートを順次積層し、前記誘電体層となるべき生のセラミック層を内蔵した積層体を作製する積層体作製工程と、
前記積層体を焼成して焼結体を得る焼成工程とを含み、
前記第２のセラミックグリーンシートのバインダ含有量は、前記第１のセラミックグリーンシートのバインダ含有量よりも少量であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記積層体作製工程は、前記フィルム上に形成された前記金属箔状の導電膜を前記第１のセラミックグリーンシートの一方の面に転写する転写工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの前記導電膜が転写されていない他方の面と少なくとも１枚以上の前記第２のセラミックグリーンシートとが密着するように該第１のセラミックグリーンシート、前記第２のセラミックグリーンシート、及び前記第１のセラミックグリーンシートを順次積層し、前記生のセラミック層を形成するセラミック層形成工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記セラミックグリーンシート作製工程は、前記導電膜形成工程によりフィルム上に形成された前記導電膜上で前記セラミックスラリーに成形加工を施して前記第１のセラミックグリーンシートを作製し、
前記積層体作製工程は、前記第１のセラミックグリーンシートの前記導電膜が形成されていない導電膜非形成面と少なくとも１枚以上の導電膜が形成されていない前記第２のセラミックグリーンシートとが密着するように該第１のセラミックグリーンシート、前記第２のセラミックグリーンシート、及び前記第１のセラミックグリーンシートを順次積層し、前記生のセラミック層を形成することを特徴とする請求項１記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載のセラミックグリーンシート作製工程及び積層体作製工程に代えて、薄膜形成法によりフィルム上に形成された導電膜上に第１及び第２のセラミックグリーンシートを連続的に形成し、誘電体層となるべき生のセラミック層を内蔵した積層体を作製する積層処理工程を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記積層処理工程は、前記導電膜上でセラミックスラリーに成形加工を施し、第１のセラミックグリーンシートを形成する第１のシート成形工程と、前記第１のセラミックグリーンシート上でセラミックスラリーに成形加工を施し、前記第１のセラミックグリーンシートよりもバインダ含有量の少ない第２のセラミックグリーンシートを形成する第２のシート成形工程と、前記第２のセラミックグリーンシート上でセラミックスラリーに成形加工を施し、前記第１のセラミックグリーンシートを形成する第３のシート成形工程とを含むことを特徴とする請求項４記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記誘電体層の厚みは、０．３〜１．２μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記薄膜形成法は、真空蒸着法、スパッタリング法、電解めっき法、及び無電解めっき法の中から選択された少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミックコンデンサの製造方法に関し、より詳しくは導電膜と導電膜との間に複数枚のセラミックグリーンシート（以下、「セラミックシート」という）を介装して誘電体層を形成した積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、各種電子機器の分野では、セラミック焼結体に内部導体を内蔵させた積層セラミックコンデンサが多用されている。
【０００３】
この種の積層セラミックコンデンサでは、内部導体と内部導体との間にセラミック層を介装することにより誘電体層を形成しているが、小型化・大容量化や低価格化の要請から、最近では、誘電体層の厚みが１μｍ程度まで薄層化したものが開発されている。
【０００４】
また、内部導体を形成する導電材料についても、ＣｕやＮｉ等の卑金属材料を使用した積層セラミックコンデンサが開発されている。
【０００５】
ところで、積層セラミックコンデンサの大容量化を図るためには、誘電体層の積層方向の個数（積層数）を増加させたり、誘電体層の厚みを薄くすれば良いと考えられるが、内部導体を通常のスクリーン印刷法で形成した場合は、内部導体の薄膜化に限界があり、積層体に歪が生じ易いという欠点がある。
【０００６】
すなわち、上記積層セラミックコンデンサでは、複数のセラミックシートが積層されたセラミック層の上下面に所定パターンの内部導体を形成し、これにより誘電体層を構成している。
【０００７】
しかしながら、誘電体層の積層数を増加させた場合、内部導体が形成されている部分は内部導体が形成されていない部分に比べ、内部導体の膜厚分だけ厚くなる傾向が顕著となって積層体に歪が生じ易くなる。したがって、内部導体の膜厚は、極力薄くする必要がある。
【０００８】
ところが、膜厚の薄い内部導体を形成しようとすると、焼成処理時に導電性粉末が均一な膜として焼成せず、内部導体が網目状に形成され、このため所望の静電容量を得ることができなくなる。
【０００９】
また、上記導電性ペーストは、導電性粉末、有機バインダ及び有機溶媒との混合物であるため、焼成前の内部導体の膜厚は、導電性材料のみの厚みに比べて２〜３倍と厚くなる。
【００１０】
このように内部導体をスクリーン印刷法で形成する場合は、内部導体の膜厚を薄膜化するのに限界があり、内部導体の膜厚に起因した積層体の歪を緩和するのが困難となる。
【００１１】
そこで、従来より、真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成法によりフィルム上に金属膜を形成した後、該金属膜をセラミックシートに転写し、これによりセラミックシート上に薄層で緻密な内部導体を形成する技術が提案されている（特許文献１及び２）。
【００１２】
該特許文献１及び２では、内部導体が薄層の金属膜のみで形成されているので、内部導体の膜厚に起因する積層体の歪を大幅に緩和することができる。
【００１３】
【特許文献１】
特開昭６４−４２８０９号公報
【特許文献２】
特開平６−６１０９０号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記特許文献１及び２のように薄膜形成法で形成された金属膜を使用して内部導体を形成した場合、金属膜の性状は緻密であり、１μｍ以下の膜厚であっても内部導体にはピンホール等の欠陥が殆ど生じない。
【００１５】
すなわち、薄膜形成法で形成された内部導体には欠陥が殆どないため、積層体に脱バインダ処理を施した場合、熱分解ガスの積層方向への拡散が前記金属膜によって阻害され、その結果、脱バインダ性が低く、内部導体がセラミック層から剥離し易くなるという問題点があった。
【００１６】
また、誘電体層の厚みをより一層薄くすると、誘電体層を構成するセラミック層でのセラミック粒子が減少し、セラミック層に欠陥が生じ易くなり、積層セラミックコンデンサとしての信頼性が低下するという問題点があった。
【００１７】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、薄膜形成法で内部導体を形成し、誘電体層を薄層化させた場合であっても内部導体とセラミックとの間で界面剥離が生じず、信頼性に優れた高性能な積層セラミックコンデンサを製造することのできる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究をした結果、積層工程において、セラミックシート同士を接着させるために必要なバインダ量は、セラミックシートに内部導体を接着させるために必要なバインダ量よりも少量で良いという知見を得た。その結果、単にバインダ量の多いセラミックシートを使用して作製した積層体よりも、バインダ量の多いセラミックシート間にバインダ量の少ないセラミックシートを挟持させて作製した方が、積層体中のバインダ総量を低減させることが可能となる。そして、このような積層体を使用した場合は、脱バインダ処理を施しても内部導体がセラミック層から剥離するのを回避することができるという知見を得た。
【００１９】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、導電膜と導電膜との間に複数枚のセラミックシートを介装して誘電体層を形成する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、金属箔状の導電膜を薄膜形成法によりフィルム上に形成する導電膜形成工程と、セラミック原料粉末とバインダとを混練させたセラミックスラリーに成形加工を施し、第１及び第２のセラミックシートを作製するセラミックシート作製工程と、前記第１のセラミックシートの一方の面に前記導電膜を接合し、さらに、前記第２のセラミックシートが前記第１のセラミックシートの他方の面間で挟持されるように前記第１のセラミックシート、前記第２のセラミックシート、及び前記第１のセラミックシートを順次積層し、前記誘電体層となるべき生のセラミック層を内蔵した積層体を作製する積層体作製工程と、前記積層体を焼成して焼結体を得る焼成工程とを含み、前記第２のセラミックシートのバインダ含有量は、前記第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少量であることを特徴としている。
【００２０】
上記製造方法によれば、脱バインダ処理を施しても内部導体がセラミック層から剥離するのを回避することが可能となり、薄膜形成法で導電膜を形成し、セラミック層を薄層化させた場合であっても信頼性に優れた高性能な積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【００２１】
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記積層体作製工程が、前記フィルム上に形成された前記金属箔状の導電膜を前記第１のセラミックシートの一方の面に転写する転写工程と、前記第１のセラミックシートの前記導電膜が転写されていない他方の面と少なくとも１枚以上の前記第２のセラミックシートとが密着するように該第１のセラミックシート、前記第２のセラミックシート、及び前記第１のセラミックシートを順次積層し、前記生のセラミック層を形成するセラミック層形成工程とを含むことを特徴としている。
【００２２】
上記製造方法によれば、第１のセラミックシートの一方の面に導電膜が形成され、第２のセラミックシートを前記第１のセラミックシートで挟持することにより、薄層化された誘電体層を形成することが可能となる。
【００２３】
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、前記セラミックシート作製工程が、前記導電膜形成工程によりフィルム上に形成された前記導電膜上で前記セラミックスラリーに成形加工を施して前記第１のセラミックシートを作製し、前記積層体作製工程は、前記第１のセラミックシートの前記導電膜が形成されていない導電膜非形成面と少なくとも１枚以上の導電膜が形成されていない前記第２のセラミックシートとが密着するように該第１のセラミックシート、前記第２のセラミックシート、及び前記第１のセラミックシートを順次積層し、前記生のセラミック層を形成することを特徴とするのも好ましい。
【００２４】
上記製造方法によれば、フィルム上に形成された導電膜上に第１のセラミックシートが形成されることにより、フィルムの使用量を削減することが可能となる。
【００２５】
さらに、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、上述したセラミックシート作製工程及び積層体作製工程に代えて、薄膜形成法によりフィルム上に形成された導電膜上に第１及び第２のセラミックシートを連続的に形成し、誘電体層となるべき積層体を内蔵した積層処理工程を含むことを特徴とし、また、前記積層処理工程は、具体的には、前記導電膜上でセラミックスラリーに成形加工を施し、第１のセラミックシートを形成する第１のシート成形工程と、前記第１のセラミックシート上でセラミックスラリーに成形加工を施し、前記第１のセラミックシートよりもバインダ含有量の少ない第２のセラミックシートを形成する第２のシート成形工程と、前記第２のセラミックシート上でセラミックスラリーに成形加工を施し、前記第１のセラミックシートを形成する第３のシート成形工程とを含むことを特徴とするのも好ましい。
【００２６】
上記製造方法によれば、第１〜第３のシート成形工程を逐次実行して導電膜上に第１のセラミックシート、第２のセラミックシート、及び第１のセラミックシートを順次形成することにより、大幅に基材のフィルムの使用量を削減することが可能となる。
【００２７】
また、前記誘電体層の厚みは、生産技術や製造コスト等を考慮すると０．３〜１．２μｍに制御するのが好ましい。
【００２８】
また、上記薄膜形成法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、電解めっき法、及び無電解めっき法の中から選択された少なくとも１種以上を使用することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。
【００３０】
図１は本発明の製造方法により製造された積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す模式断面図であって、該積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分としたセラミック焼結体１の両端面にＡｇ等の導電性材料からなる外部導体２ａ、２ｂが形成されると共に、該外部導体２ａ、２ｂの表面にはＮｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金等からなる第１のめっき皮膜３ａ、３ｂが形成され、さらに該第１のめっき皮膜３ａ、３ｂの表面にはＳｎやはんだ等のＳｎ合金からなる第２のめっき皮膜４ａ、４ｂが形成されている。
【００３１】
上記セラミック焼結体１は、複数の誘電体層からなる誘電体ブロック５と、該誘電体ブロック５を保護する一対の保護層６ａ、６ｂとで構成されている。
【００３２】
また、誘電体ブロック５は、内部導体７（７ａ〜７ｄ）と接する第１の誘電セラミック層８（８ａ〜８ｄ）と、内部導体７（７ａ〜７ｄ）と接していない第２の誘電セラミック層９（９ａ〜９ｃ）とから形成され、第１の誘電セラミック層層８の内部導体が形成されていない面間で前記第２の誘電セラミック層９が挟持されるように第１の誘電セラミック層８ｄ、第２の誘電セラミック層９ｃ、第１の誘電セラミック層８ｃ、第２の誘電セラミック層９ｂ、第１の誘電セラミック層８ｂ、第２の誘電セラミック層９ａ、第１の誘電セラミック層８ａの順で積層されている。そして、第１の誘電セラミック層８は１枚のセラミックシート（第１のセラミックシート）で形成されると共に、第２の誘電セラミック層９は少なくとも１枚以上のセラミックシート（第２のセラミックシート）で形成され、２個の第１の誘電セラミック層８、１個の第２の誘電セラミック層９で１個の誘電体層を構成している。
【００３３】
さらに、内部導体７ａ〜７ｄは、積層方向に並設状態となるように前記第１の誘電セラミック層の界面に沿って形成されると共に、内部導体７ａ、７ｃは外部導体２ａに電気的に接続され、内部導体７ｂ、７ｄは外部導体２ｂに電気的に接続され、内部導体７ａ、７ｃと内部導体７ｂ、７ｄとの間で静電容量を形成している。
【００３４】
次に、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を説明する。
【００３５】
図２は本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す製造工程図である。
【００３６】
まず、導電膜形成工程１１では、例えばポリエチレンフタレート（ＰＥＴ）からなるフィルムの表面にシリコン等を塗布して離型処理を施し、次いで、図３（ａ）に示すように、前記フィルム２１の表面に薄膜形成法により金属箔状の膜厚０．１μｍ〜０．８μｍ程度の導電膜２２を形成する。
【００３７】
ここで、薄膜形成法としては金属箔状の導電膜２２を形成することができるのであれば特に限定されることはなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、電解めっき法、還元剤を使用した自己触媒型の無電解めっき法等、任意の薄膜形成法を使用することができる。
【００３８】
また、導電膜材料としては、内部導体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではなく、Ｐｔ、Ｐｄ−Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等を使用することができるが、経済的観点を考慮するとＮｉを使用するのが望ましい。
【００３９】
次に、周知のフォトリソグラフィ技術を使用して導電膜２２を所定パターンに形成する。
【００４０】
すなわち、まず、図３（ｂ）に示すように、導電膜２２の表面にフォトレジスト２３を塗布してプリベークし、この後、不図示のフォトマスクを介して上方から紫外光を照射し、フォトレジスト２３を感光させて現像、ポストベークし、図３（ｃ）に示すように、フォトマスクパターンをフォトレジスト２３に転写する。
【００４１】
次いで、図３（ｄ）に示すように、フォトレジスト２３で被覆されていない導電膜部分をエッチング除去し、その後、フォトレジスト２３を有機溶剤で除去し、図３（ｅ）に示すように、フィルム２１上に所定パターンの導電膜２２を形成する。
【００４２】
一方、セラミックシート作製工程１２では、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主成分とするバインダ含有量の異なる第１のセラミックシート及び第２のセラミックシートを作製する。
【００４３】
すなわち、まず、チタン酸バリウム粉末を、例えば加水分解法により製造する。具体的には、水酸化バリウム水溶液とエチルアルコールやブチルアルコール、イソプロピルアルコール等の有機溶媒に溶解させたチタンアルコキシド溶液を用意し、バリウムとチタンのモル比Ｂａ／Ｔｉが所定値となるように水酸化バリウム水溶液とチタンアルコキシド溶液とを調合して混合し、６０〜１００℃に加温した反応槽に混合溶液を投入して合成反応を起こさせ、約１時間熟成した後、遠心分離して沈殿物を分離し、大気下、温度７００〜１０００℃で仮焼処理を施した後、解砕し、チタン酸バリウム粉末を製造する。
【００４４】
尚、バリウムとチタンのモル比Ｂａ／Ｔｉは化学量論的には１．０００であるが、必ずしも１．０００に調合する必要はなく、使用目的に応じて、例えば０．９５０〜１．０５０の範囲に調合することができ、特に非還元性の誘電体層を得るためには、モル比Ｂａ／Ｔｉは１．０００〜１．０３５の範囲に調合するのが好ましい。
【００４５】
また、必要に応じてチタン酸バリウム粉末にＤｙ等の希土類元素やＺｒ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉ等の元素化合物を添加してもよく、また、焼結助剤としてＳｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ等を添加するのも好ましい。
【００４６】
尚、上記各添加物は、有機溶媒中に分散させたチタン酸バリウムに添加するため、有機溶媒に可溶なアルコキシド化合物、アセチルアセトネート、或いは金属石鹸の形態で添加するのが好ましい。
【００４７】
そして、このようにチタン酸バリウムに上記添加物を添加した場合は、添加後に蒸発乾燥処理や熱処理を行なって有機溶媒を除去し、これによりチタン酸バリウム粉末が製造される。
【００４８】
次に、チタン酸バリウム粉末をポリビニルブチルアルコール樹脂等のバインダとエチルアルコール等の有機溶媒と共に、粉砕媒体としてのＰＳＺ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ  Ｚｉｒｃｏｎｉａ；部分安定化ジルコニア）が内有されたボールミルに投入して所定時間（例えば、２４時間）湿式粉砕を行い、バインダ含有量の異なる２種類のセラミックスラリー（第１及び第２のセラミックスラリー）を作製する。
【００４９】
すなわち、後述する焼成工程でバインダを燃焼させて除去しようとした場合、セラミックシートが一律に大量のバインダを含有していると、導電膜は緻密で欠陥が殆どないことから、積層方向への熱分解ガスの拡散が阻害されてバインダの分解ガスによって内部導体とセラミック層との界面で剥離が生じ易くなる。
【００５０】
ところが、セラミックシート中のバインダ含有量が少なくなると、導電膜２２とセラミックシートとの密着が悪くなり、積層体を形成できなくなる。
【００５１】
したがって、導電膜２２と接するセラミックシートについては、バインダ含有量を多くして導電膜とセラミックシートとの密着性を確保する必要がある。
【００５２】
一方、セラミックシート同士では材料が同質であるため、セラミックシート及び導電膜間よりも接合性は良好であり、バインダ含有量も少なくすることができる。
【００５３】
そして、バインダ含有量の少ないセラミックシートでは焼成工程における脱バインダ処理でのバインダの燃焼によって容易且つ迅速に空孔が形成される。したがって、導電膜に接するセラミックシートのバインダ含有量を多くしても該バインダの熱分解により発生したガスは前記空孔を介して外部に容易に排出され、その結果、内部導体とセラミック層との界面での剥離を防止することが可能となる。
【００５４】
しかも、バインダ量を少なくすることにより、緻密で欠陥の少ないセラミックシートを得ることができ、積層セラミックコンデンサの信頼性向上を図ることができる。
【００５５】
そこで、本実施の形態では、導電膜２２と接しない第２のセラミックシートのバインダ含有量が、導電膜２２と接する第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少量となるように、バインダ含有量の異なる２種類のセラミックスラリー、すなわち第１及び第２のセラミックスラリーを作製している。
【００５６】
尚、第１及び第２のセラミックスラリーに含有される各々バインダの具体的数量は、チタン酸バリウム粉末の平均粒径やバインダの種類（結着力、熱分解時に発生するガス量）に応じて適宜設定される。また、各々セラミックスラリーに応じてバインダの種類を適宜変更するのも好ましい。
【００５７】
次に、積層体作製工程１３に進み、誘電体層となるべき生のセラミック層を内蔵した積層体を作製する。
【００５８】
すなわち、積層体作製工程１３は転写工程１３ａと生のセラミック層形成工程１３ｂに区分され、まず、転写工程１３ａでは、導電体形成工程１１でフィルム２１上に形成された導電膜２２を、セラミックシート作製工程１２で作製された第１のセラミックシート２４上に転写する。
【００５９】
具体的には、図４（ａ）に示すように、第１のセラミックシート２４と導電膜２２とが当接するように第１のセラミックシート２４上にフィルム２１を配置し、約１００℃の加熱下、１．９６×１０６〜４．９０×１０７Ｐａの圧力でフィルム２１を矢印Ａ方向に押圧し、その後、フィルム２１を剥がすことにより、図４（ｂ）に示すように、第１のセラミックシート２４上に導電膜２２が転写される。
【００６０】
次に、生のセラミック層形成工程１３ｂでは、導電膜が転写された第１のセラミックシートの導電膜が転写されていない面上に第２のセラミックシートを所定枚数圧着し、次いで、該第２のセラミックシートの表面に第１のセラミックシートを積層し、１個の誘電体層となるべき生のセラミック層を作製する。
【００６１】
こうして作製した複合シートを交互に適宜所定枚数圧着し、誘電体ブロック５となるべき積層セラミック層を形成し、さらに保護層６ａ、６ｂとなる適数枚の第２のセラミックシートで前記積層セラミック層を挟持し、積層体を形成する。
【００６２】
尚、後述するように積層体には焼成処理が施され、その結果、セラミック層は誘電体層を構成することになるが、誘電体層の厚みＴ（図１参照）は、０．３〜１．２μｍとなるようにセラミック層の厚みを調整するのが好ましい。
【００６３】
すなわち、コンデンサの最小単位は、２枚の第１のセラミックシート、１枚の第２のセラミックシート、及び一対の導電膜で構成されるが、セラミックシートの厚みを精度よく形成するためには、セラミックシートの厚みは少なくとも０．１μｍは必要であり、したがってセラミック層の厚みＴとしては少なくとも０．３μｍは必要である。
【００６４】
一方、セラミック層の厚みＴが１．２μｍを超えて厚くした場合、厚みの薄いセラミックシートを使用すると、積層枚数が多くなって製造コストが増加するし、一方、厚みの厚いセラミックシートを使用すると、平均粒径の大きなセラミック原料粉末（チタン酸バリウム粉末）を使用することができるため、必然的にバインダ含有量を少なくすることができ、バインダの熱分解ガスに起因する内部導体とセラミックシートの界面での剥離は生じ難く、したがって複数枚のセラミックシートを積層して素子を形成する必要はない。
【００６５】
すなわち、セラミックシートとしては薄層化されたものを使用すると共に、誘電体層の厚みＴが０．３〜１．２μｍとなるようにセラミック層の厚みを調整するのが好ましい。
【００６６】
次いで、焼成工程１４に進み、窒素雰囲気下で所定温度（例えば、３５０℃）に加熱し、バインダを分解させて該バインダを除去した後、所定の還元性雰囲気で焼成温度１０００〜１２００℃で約２時間、焼成処理を施し、セラミック焼結体１を作製する。
【００６７】
その後、外部導体形成工程１５では、ガラスフリットをＡｇ等の導電性材料に含有させた導電性ペーストを使用し、該導電性ペーストをセラミック焼結体１の両端面に塗布した後、焼付処理を行なって外部導体２ａ、２ｂを形成する。
【００６８】
最後にめっき工程１６では、電解めっきを行い、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金等からなる第１のめっき皮膜３ａ、３ｂ、及びＳｎやはんだ等のＳｎ合金からなる第２のめっき皮膜４ａ、４ｂを外部導体２ａ、２ｂの表面に形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００６９】
尚、積層セラミックコンデンサの製造において、外部導体の形成は、上記したようにセラミック焼結体を得た後、外部導体を形成する方法以外に、焼成前の積層体に外部導体となるべき導電性ペースト層を形成し、その後焼成してセラミック焼結体と外部導体とを同時に得るようにしてもよい。
【００７０】
このように本実施の形態では、第２のセラミックシートのバインダ含有量を第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少なくしているので、導電膜２２と第１のセラミックシート２４との密着性を損なうこともなく、焼成工程１４で積層体に含有されているバインダを効果的に除去することができ、内部導体７と第１の誘電セラミック層８との界面剥離を防止することが可能となる。
【００７１】
図５は本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の第２の実施の形態を示す要部製造工程図であって、本第２の実施の形態では、搬送フィルム上に導電膜を形成した後、第１のセラミックスラリーを使用して前記導電膜上に直接第１のセラミックシートを作製している。
【００７２】
すなわち、導電膜形成工程２５では、第１の実施の形態と同様、図６に示すように、搬送フィルム２８上に導電膜２９を形成する。
【００７３】
次いで、セラミックシート作製工程２６では、第１の実施の形態と同様、バインダ含有量の異なる第１及び第２のセラミックスラリーを作製する。
【００７４】
そして、まず、第２のセラミックスラリーを使用し、ドクターブレード法により成形加工を施し、第１のセラミックシートよりもバインダ含有量の少ない第２のセラミックシートを作製する。
【００７５】
次に、図６に示すように、矢印Ｂ方向に稼動する搬送フィルム２８上の導電膜２９に第１のセラミックスラリー３０を載置し、ブレード３２で所定膜厚に膜厚調整しながら第１のセラミックスラリー３０に成形加工を施し、導電膜２９上に直接第１のセラミックシート３１を作製する。
【００７６】
続く積層体作製工程２７では、上述のようにして形成された第１のセラミックシートの表面に前記第２のセラミックシートを圧着し、次いで、第１のセラミックシートを圧着する。
【００７７】
そして、このようにして形成された積層物を所定個数重ね合わせて積層セラミック層を形成し、さらに保護層６ａ、６ｂとなる適数枚の第２のセラミックシートで前記積層セラミック層を挟持し、積層体を作製する。
【００７８】
そしてその後は第１の実施の形態と同様、焼成工程１４→外部導体形成工程１５→めっき工程１６を実行し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００７９】
本第２の実施の形態でも第２のセラミックシートのバインダ含有量を第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少なくしているので、導電膜２９と第１のセラミックシート３１との密着性を損なうこともなく、焼成工程１４では積層体に含有されているバインダを効果的に除去することができ、内部導体７と第１の誘電セラミック層８との界面剥離を防止することが可能となる。
【００８０】
しかも、本第２の実施の形態では、導電膜２９上に直接第１のセラミックシート３１を作製することにより、第１のセラミックシート３１と導電膜２９とを接合させているので、第１の実施の形態のような転写工程が不要となり、製造工程の簡略化が可能となる。
【００８１】
図７は本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の第３の実施の形態を示す要部製造工程図であって、本第３の実施の形態では、上述したセラミックシート作製工程及び積層体作製工程に代えて積層処理工程３４を設け、該積層処理工程３４でフィルム上に形成された導電膜上に第１及び第２のセラミックグリーンシートを連続的に積層し、誘電体層となるべきセラミック層を内蔵した積層体を作製している。
【００８２】
すなわち、導電膜形成工程３３では、第１及び第２の実施の形態と同様、図８に示すように、搬送フィルム３５上に導電膜３６を形成する。
【００８３】
次いで、積層処理工程３４では、まず、第１の実施の形態と同様、バインダ含有量の異なる第１及び第２のセラミックスラリーを作製する。すなわち、第２のセラミックシートのバインダ含有量が第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少量となるように第１及び第２のセラミックスラリーを作製する。
【００８４】
そして、図７の第１のシート成形工程３４ａでは、図８に示すように、矢印Ｃ方向に稼動する搬送フィルム３５上の導電膜３６に第１のセラミックスラリー３７ａを載置し、ブレード３８で所定膜厚に膜厚調整しながら導電膜３６上に第１のセラミックシート４１ａを形成する。
【００８５】
次いで、第２のシート成形工程３４ｂでは、第１のセラミックシート４１ａ上に第２のセラミックスラリー３７ｂを載置し、ブレード３９で所定膜厚に膜厚調整しながら前記第１のセラミックシート４１ａ上に第２のセラミックシート４１ｂを形成する。
【００８６】
さらに、第３のシート成形工程３４ｃでは、第２のセラミックシート４１ｂ上に第１のセラミックスラリー３７ａ′を載置し、ブレード４０で所定膜厚に膜厚調整しながら前記第２のセラミックシート４１ｂ上に第１のセラミックシート４１ａ′を形成する。
【００８７】
こうして作製された導電膜付きセラミックシートを複数枚圧着して積層セラミック層を形成し、さらに保護層６ａ、６ｂとなる適数枚の第２のセラミックシートで前記積層セラミック層を挟持し、積層体を形成する。
【００８８】
そしてこの後、第１及び第２の実施の形態と同様、焼成工程１４→外部導体形成工程１５→めっき工程１６を実行することにより、積層セラミックコンデンサが製造される。
【００８９】
本第３の実施の形態でも第２のセラミックシートのバインダ含有量を第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少なくしているので、導電膜３６と第１のセラミックシート４１ａ、４１ａ′との密着性を損なうこともなく、焼成工程１４では積層体に含有されているバインダを効果的に除去することができ、内部導体７と第１の誘電セラミック層８との界面剥離を防止することができる。
【００９０】
しかも、本第３の実施の形態では、導電膜３３上に直接第１及び第２のセラミックシート４１ａ、４１ｂ、４１ａ′を連続処理して形成しているので、製造工程のより一層の簡略化が可能となる。
【００９１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない、上記実施の形態では導電膜２２をフォトリソグラフィ技術を使用して形成しているが、フィルム上に導電膜を形成し、次いでスクリーン印刷等により所定パターンのレジスト膜を形成し、その後レジスト膜が形成されていない部分の導電膜を硝酸等の酸性溶液で除去した後、有機溶剤でレジスト膜を除去し、これにより所定パターンの導電膜を形成するようにしてもよい。
【００９２】
また、上記実施の形態では、セラミック原料粉末としてのチタン酸バリウム粉末を加水分解法で製造しているが、水熱合成法や固相法等、その他の方法で製造してもよい。
【００９３】
【実施例】
〔第１の実施例〕
まず、離形処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなるフィルム上に真空蒸着を施し、該フィルム上に銅薄膜を形成し、次いで、電解めっきを施して銅薄膜上にニッケル薄膜を形成し、その後、〔発明の実施の形態〕の項で述べたような周知のフォトリソグラフィ技術（図３参照）を利用して所定パターンを有する膜厚が０．１〜０．８μｍの導電膜を形成した。
【００９４】
さらに、水酸化バリウム８水和物を９０℃に加温した純水中に溶解させた水酸化バリウム水溶液と、イソプロピルアルコールに溶解させたチタンイソプロポキシド溶液を用意した。
【００９５】
そして、バリウムとチタンのモル比Ｂａ／Ｔｉが１．００２となるように水酸化バリウム水溶液とチタンイソプロポキシド溶液とを調合して混合し、８０℃に加温された反応槽に混合溶液を投入して合成反応を起こさせ、１時間熟成した後、遠心分離して結晶を析出させ、空気中で７００〜１０００℃で仮焼処理を施した後、解砕し、仮焼粉末を作製した。
【００９６】
次いで、前記仮焼粉末をエチルアルコール中に分散させ、Ｄｙ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｂａの各アルコキシド化合物、及び焼結助剤としてＳｉ−Ｂを主成分とするアルコキシド化合物を前記仮焼粉末に添加してスラリー状とし、次いで蒸発・乾燥処理を施し、更に熱処理を施してエチルアルコールを除去し、これにより平均粒径が５０ｎｍ及び８０ｎｍのチタン酸バリウム粉末を作製した。
【００９７】
次に、チタン酸バリウム粉末をポリビニルブチルアルコール樹脂（バインダ）及びエチルアルコールと共に、ＰＳＺが内有されたボールミルに投入して２４時間湿式粉砕を行い、バインダ含有量の異なるセラミックスラリーを作製した。
【００９８】
すなわち、チタン酸バリウム粉末１００重量部に対し、バインダ含有量が１５重量部、又は５重量部となるように上記２種類のチタン酸バリウム粉末にバインダを添加して４種類のセラミックスラリーを作製した。そして、平均粒径５０ｎｍのチタン酸バリウム粉末はシート厚みが０．１５μｍ、平均粒径８０ｎｍのチタン酸バリウム粉末はシート厚みが０．３０μｍとなるようにドクターブレード法により成形加工を施し、Ｎｏ．Ａ〜Ｄのセラミックシートを作製した。
【００９９】
また、本発明者らは、上述と同様の方法・手順により、平均粒径が１８０ｎｍ、バインダ含有量がチタン酸バリウム粉末１００重量部に対し８重量部、シート厚みが１．００μｍからなるＮｏ．Ｅのセラミックシートを作製した。
【０１００】
表１はシートＮｏ．Ａ〜Ｅの仕様を示している。
【０１０１】
【表１】
2004172248.tif 000003
次に、本発明者らは、上記Ｎｏ．Ａ〜Ｅの５種類のセラミックシートを組み合わせ、実施例１〜７、及び比較例１〜７の積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１０２】
（実施例１）
〔発明の実施の形態〕で述べた方法により、Ｎｏ．Ａのセラミックシートを第１のセラミックシートとして使用し、該セラミックシートの表面に所定パターンの導電膜を転写して膜厚０．１μｍの内部導体を形成した。
【０１０３】
次いで、Ｎｏ．Ｂのセラミックシートを第２のセラミックシートとして使用し、内部導体の引き出し部が互い違いとなるように、内部導体の形成されたＮｏ．Ａのセラミックシート１枚と内部導体の形成されていないＮｏ．Ｂのセラミックシート１枚とを適宜積層し、誘電体層となるべき５つの生のセラミック層を有する積層セラミック層を形成し、該積層セラミック層を適数枚の第２のセラミックシートで挟持し、積層体を形成した。
【０１０４】
次いで、該積層体を窒素雰囲気中、３５０℃で熱処理を施して脱バインダ処理を行い、さらに、酸素分圧１０−９〜１０−１２ＭＰａのＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気下、温度１１５０℃で２時間焼成し、セラミック焼結体を作製した。
【０１０５】
そしてこの後、Ｂ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＢａＯ系ガラスフリットを含有したＡｇを主成分とする導電性ペーストを使用し、該導電性ペーストをセラミック焼結体の両端面に塗布し、窒素雰囲気中、温度６００℃で焼付処理を行ない、外部導体を形成し、縦５．０ｍｍ、横５．７ｍｍ、厚さ２．４ｍｍの積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１０６】
尚、内部導体の対向面積は１層当たり１６．３×１０−６ｍ２であった。
【０１０７】
（実施例２）
Ｎｏ．Ｂのセラミックシートを２枚重ねとした以外は、実施例１と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１０８】
（実施例３）
第１のセラミックシートとしてＮｏ．Ｃのセラミックシートを使用し、第２のセラミックシートとしてＮｏＤのセラミックシートを使用し、内部導体の膜厚を０．２μｍに形成した以外は実施例１と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１０９】
（実施例４）
第２のセラミックシートであるＮｏ．Ｄのセラミックシートを２枚重ねとした以外は、実施例３と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１０】
（実施例５）
第２のセラミックシートであるＮｏ．Ｄのセラミックシートを４枚重ねとした以外は、実施例３と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１１】
（実施例６）
第２のセラミックシートであるＮｏ．Ｄセラミックシートを４枚重ねとし、内部導体の膜厚を０．４μｍに形成した以外は実施例３と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１２】
（実施例７）
第２のセラミックシートであるＮｏ．Ｄのセラミックシートを６枚重ねとし、内部導体の膜厚を０．８μｍに形成した以外は実施例３と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１３】
（比較例１）
Ｎｏ．Ａのセラミックシートのみを使用して積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１４】
すなわち、膜厚０．１μｍの導電膜を表裏両面に転写したＮｏ．Ａのセラミックシートで誘電体層となるべき１つの生のセラミック層を形成し、次いで、膜厚０．１μｍの導電膜を一方の面にのみ転写したＮｏ．Ａのセラミックシートを積層し、セラミック層の総数が「５」の積層セラミック層を作製し、その後該積層セラミック層を適数枚のＮｏ．Ａのセラミックシートで挟持し、積層体を作製した。
【０１１５】
そしてこの後、上記各実施例と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１６】
（比較例２）
Ｎｏ．Ａのセラミックシートのみを使用した別の比較例を作製した。
【０１１７】
すなわち、Ｎｏ．Ａのセラミックシートの一方の面に膜厚０．１μｍの導電膜を転写し内部導体を作製した。そして、内部導体の引き出し部が互い違いであって、かつ前記Ｎｏ．Ａのセラミックシートの他方の面同士が密着するように、内部導体の形成されたＮｏ．Ａのセラミックシート１枚と内部導体の形成されていないＮｏ．Ａのセラミックシート１枚とを順次積層し、誘電体層となるべきセラミック層の総数が「５」の積層セラミック層を形成し、その後該積層セラミック層を適数枚のＮｏ．Ａのセラミックシートで挟持し、積層体を作製した。
【０１１８】
そしてこの後、上記各実施例と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１１９】
（比較例３）
Ｎｏ．Ｃのセラミックシートのみを使用して積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２０】
すなわち、Ｎｏ．Ｃのセラミックシートの一方の面に膜厚０．２μｍの導電膜を転写し内部導体を作製した。そして、内部導体の引き出し部が互い違いであって、かつ内部導体の形成されていない面同士が密着するように、内部導体の形成された１枚のＮｏ．Ｃのセラミックシートと内部導体の形成されていない２枚重ねとされたＮｏ．Ｃのセラミックシートとを積層し、誘電体層となるべきセラミック層の総数が「５」の積層セラミック層を形成し、その後積層セラミック層を適数枚のＮｏ．Ｃのセラミックシートで挟持し、積層体を作製した。
【０１２１】
そしてこの後、上記各実施例と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２２】
（比較例４）
内部導体の膜厚を０．４μｍ、内部導体の形成されていないＮｏ．Ｃのセラミックシートを６枚重ねとした以外は比較例３と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２３】
（比較例５）
Ｎｏ．Ｄのセラミックシートのみを使用した以外は比較例３と同様の積層セラミックコンデンサを作製しようとしたが、導電膜をセラミックシートに転写することができなかった。
【０１２４】
これは、Ｎｏ．Ｄのセラミックシートはバインダ含有量がチタン酸バリウム１００重量部に対し５重量部と少なく、このため導電膜のセラミックシートへの密着性が悪く、導電膜をセラミックシートに転写することができなかったものと思われる。
【０１２５】
（比較例６）
内部導体の膜厚を０．４μｍ、Ｎｏ．Ｅのセラミックシートを使用した以外は比較例１と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２６】
（比較例７）
Ｎｏ．Ｅのセラミックシートを２枚使用し、また内部導体の膜厚が０．８μｍとした以外は比較例６と同様の方法・手順で積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１２７】
次に、内部導体とセラミックとの接合面の状態、すなわち、界面剥離の有無について、各実施例及び比較例に係る５個の積層セラミックコンデンサを樹脂で固めて研磨し、金属顕微鏡（倍率５０倍）で目視にて観察した。
【０１２８】
表２はセラミック層の仕様と導電膜の転写可否及び剥離の有無を示している。
【０１２９】
【表２】
2004172248.tif 000004
この表２から明らかなように比較例１〜４はバインダ含有量がチタン酸バリウ１００重量部に対し１５重量部と多いため、導電膜の転写性には優れているが、脱バインダ処理を行なっても熱分解ガスの拡散が導電膜によって阻害され、このためバインダを十分に除去することができず、界面剥離が認められた。
【０１３０】
また、比較例６、７は、バインダ含有量がチタン酸バリウム１００重量部に対し８重量部と適度に多いため転写性は良好で、しかも導電膜とセラミックシートとの界面での剥離も生じないが、後述するように耐久性に劣り、信頼性低下を引き起こす。
【０１３１】
これに対し実施例１〜７は、導電膜に接するセラミックシートのバインダ含有量が１５重量部、導電膜に接しないセラミックシートのバインダ含有量が５重量部であり、前者のバインダ含有量は導電膜の転写に十分な量であり、したがって良好な転写性を確保することができ、また後者のバインダ含有量は前者のバインダ含有量よりも少量であり、バインダの燃焼により形成された空孔により熱分解ガスを外部に容易に排出することができ、したがって積層体に含有されるバインダが効率よく除去され、界面剥離が生じるのを回避できることが分った。
【０１３２】
次に、導電膜のセラミックシートへの転写性が良好で且つ界面剥離の生じなかった実施例１〜７及び比較例６について、セラミック焼結体の平均粒径、誘電体層の厚みＴ、誘電率ε、誘電損失ｔａｎδ、抵抗率ρを測定し、さらに実施例７、比較例６については高温負荷試験を行い、信頼性を評価した。
【０１３３】
ここで、セラミック焼結体の平均粒径は、セラミック焼結体の断面研磨面をエッチング処理し、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＳＥＭ）で観察し、測定した。
【０１３４】
また、誘電体層の厚みＴについてもＳＥＭ（倍率１万倍）で観察して求めた。
【０１３５】
さらに、静電容量Ｃ及び誘電損失ｔａｎδは自動ブリッジ式測定器で測定し、測定された静電容量に基づいて誘電率εを算出した。
【０１３６】
抵抗率ρは、絶縁抵抗計を使用し、５Ｖの直流電圧を２分間印加し、２５℃での絶縁抵抗Ｒを算出し、該絶縁抵抗Ｒに基づいて算出した。
【０１３７】
高温負荷試験は、温度１５０℃で５Ｖの直流電圧を印加し、絶縁抵抗Ｒが１０５Ω以下に低下するまでの時間を計測し、斯かる時間を平均寿命として耐久性を評価した。
【０１３８】
表３はその測定結果である。
【０１３９】
【表３】
2004172248.tif 000005
この表３から明らかなように比較例６は誘電率ε、誘電損失ｔａｎδ、及び抵抗率ρは良好であるが、実施例７に比べると信頼性に劣ることが分る。これは比較例６は、セラミックシートの厚みが１．００μｍと厚いため、バインダ含有量が少なくても界面剥離が生じ難いものの、原料粉末であるチタン酸バリウム粉末の平均粒径が１８０ｎｍと大きいため、セラミックシート等の欠陥などの影響で信頼性が低下するものと思われる。
【０１４０】
これに対して実施例１〜７はいずれも良好な誘電特性を有し、また、実施例７と比較例６、７との対比から分かるように、原料粉末であるチタン酸バリウム粉末の平均粒径は５０ｎｍ又は８０ｎｍと小さく、シート厚みも０．１５μｍ又は０．３０μｍと薄いので、良好な誘電特性を維持できると共に、良好な機械的強度を有し、耐久性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを得ることができることが確認された。
【０１４１】
（第２の実施例）
まず、第１の実施例と同様の方法・手順で平均粒径が８０ｎｍのチタン酸バリウム粉末を作製し、次いでチタン酸バリウム粉末１００重量部に対し、バインダ含有量が１５重量部、又は５重量部となるように前記チタン酸バリウム粉末に添加して２種類のセラミックスラリー（第１及び第２のセラミックスラリー）を作製した。
【０１４２】
そして、第２のセラミックスラリーに対し、ドクターブレード法による成形加工を施し、厚みが０．３０μｍの第２のセラミックシートを所定枚数作製した。
【０１４３】
さらに、第１の実施例と同様の方法・手順で、搬送フィルム上に所定パターンの膜厚０．２μｍの導電膜を形成すると共に、該導電膜上に第１のセラミックスラリーを載置し、ドクターブレード法で導電膜上に第１のセラミックシートを所定枚数作製した。
【０１４４】
次に、第２のセラミックシートが第１のセラミックシートの導電膜の形成されていない面間で挟持されるように、第２のセラミックシートの表面に第１のセラミックシートを積層し、誘電体層となるべき１つの生のセラミック層を形成した。
【０１４５】
次いで、第２のセラミックシート及び第１のセラミックシートを適宜積層し、セラミック層の数が「５」の積層セラミック層を形成し、さらに該積層セラミック層を適数枚の第２のセラミックシートで挟持し、積層体を形成した。
【０１４６】
第１の実施例と同様の方法・手順で、実施例１１の積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１４７】
また、バインダ含有量がチタン酸バリウム１００重量部に対して５重量部のセラミックスラリーのみを使用し、実施例１１と同様の方法・手順で比較例１１の積層セラミックコンデンサを作製しようとした。
【０１４８】
ところが、導電膜と接する第１のセラミックシートのバインダ含有量が少なすぎるため、第１のセラミックシート上に導電膜を形成することができなかった。
【０１４９】
表４は実施例１１及び比較例１１のセラミック層の仕様と導電膜の形成可否及び界面剥離の有無を示している。
【０１５０】
【表４】
2004172248.tif 000006
この表４から明らかなように実施例１１は第１のセラミックシート上に導電膜を形成することができ、また界面剥離も生じなかった。
【０１５１】
次に、第１の実施例と同様、実施例１１について、セラミック焼結体の平均粒径、誘電体層の厚みＴ、誘電率ε、誘電損失ｔａｎδ、抵抗率ρを測定した。
【０１５２】
表５はその測定結果を示している。
【０１５３】
【表５】
2004172248.tif 000007
この表５から明らかなように実施例１１では良好な誘電特性が得られることが分った。
【０１５４】
〔第３の実施例〕
まず、第２の実施例と同様、第１及び第２のセラミックスラリーを作製した。
【０１５５】
次いで、第２の実施例と同様の方法・手順で、搬送フィルム上に所定パターンの膜厚０．２μｍの導電膜を形成すると共に、該導電膜上に第１のセラミックスラリー、第２のセラミックスラリー、第１のセラミックスラリーを同時に塗工し、これにより総計０．９μｍの積層セラミックシートを作製した  。
【０１５６】
次いで、誘電体層となるべき生のセラミック層の数が「５」となるように積層セラミックシートを重ね合わせ、第１の実施例と同様の方法・手順で、実施例２１の積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１５７】
また、バインダ含有量がチタン酸バリウム１００重量部に対し１５重量部のセラミックスラリーを使用し、上述と同様にして比較例２１の積層セラミックコンデンサを作製した。
【０１５８】
さらに、バインダ含有量がチタン酸バリウム１００重量部に対し５重量部のセラミックスラリーを使用し、上述と同様にして比較例２２の積層セラミックコンデンサを作製しようとしたが、バインダ含有量が少ないため、導電膜上に第１のセラミックシートを形成することができなかった。
【０１５９】
次いで、実施例２１及び比較例２２について、第１の実施例と同様の方法で界面剥離の有無を調べた。
【０１６０】
表６は各実施例及び比較例のセラミック層の仕様とその測定結果を示している。
【０１６１】
【表６】
2004172248.tif 000008
この表６から明らかなように比較例２１はバインダ含有量が多く、バインダの燃焼による熱分解ガスの排出が導電膜により阻害され、その結果、界面剥離が生じた。
【０１６２】
これに対し実施例２１は第１のセラミックシートのバインダ含有量を多くし、第２のセラミックシートのバインダ含有量を第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少なくしているため、導電膜を形成することができ、また界面剥離も生じなかった。
【０１６３】
次に、第１の実施例と同様、実施例２１について、セラミック焼結体の平均粒径、誘電体層の厚みＴ、誘電率ε、誘電損失ｔａｎδ、抵抗率ρを測定した。
【０１６４】
表７はその測定結果を示している。
【０１６５】
【表７】
2004172248.tif 000009
この表７から明らかなように実施例２１では良好な誘電特性が得られることが分った。
【０１６６】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、導電膜と導電膜との間に複数枚のセラミックシートを介装して誘電体層を形成する積層セラミックコンデンサの製造方法であって、金属箔状の導電膜を薄膜形成法によりフィルム上に形成する導電膜形成工程と、セラミック原料粉末とバインダとを混練させたセラミックスラリーに成形加工を施し、第１及び第２のセラミックシートを作製するセラミックシート作製工程と、前記第１のセラミックシートの一方の面に前記導電膜を接合し、さらに、前記第２のセラミックシートが前記第１のセラミックシートの他方の面間で挟持されるように前記第１のセラミックシート、前記第２のセラミックシート、及び前記第１のセラミックシートを順次積層し、前記誘電体層となるべき生のセラミック層を内蔵した積層体を作製する積層体作製工程と、前記積層体を焼成して焼結体を得る焼成工程とを含み、前記第２のセラミックシートのバインダ含有量は、前記第１のセラミックシートのバインダ含有量よりも少量であるので、脱バインダ処理を行なってもバインダは効率良く除去することができ、第１のセラミックシートと導電膜との間で界面剥離が生じるのを回避することができる。
【０１６７】
また、前記積層体作製工程は、前記フィルム上に形成された前記金属箔状の導電膜を前記第１のセラミックシートの一方の面に転写する転写工程と、前記第１のセラミックシートの前記導電膜が転写されていない他方の面と少なくとも１枚以上の前記第２のセラミックシートとが密着するように該第１のセラミックシート、前記第２のセラミックシート、及び前記第１のセラミックシートを順次積層し、前記セラミック層を形成する生のセラミック層形成工程とを含むことにより、薄層化された誘電体層を形成することができる。
【０１６８】
また、前記セラミックシート作製工程は、前記導電膜形成工程によりフィルム上に形成された前記導電膜上で前記セラミックスラリーに成形加工を施して前記第１のセラミックシートを作製し、前記積層体作製工程は、前記第１のセラミックシートの前記導電膜が形成されていない導電膜非形成面と少なくとも１枚以上の前記第２のセラミックシートとが密着するように該第１のセラミックシート、前記第２のセラミックシート、及び前記第１のセラミックシートを順次積層し、前記生のセラミック層を形成することによっても、第１のセラミックシート上に導電膜が形成されたセラミック層を容易に作製することができる。しかも、この場合は、フィルムの使用量を削減することができる。
【０１６９】
さらに、上述したセラミックシート作製工程及び積層体作製工程に代えて、薄膜形成法によりフィルム上に形成された導電膜上に第１及び第２のセラミックグリーンシートを連続的に形成し、誘電体層となるべき積層体を内蔵した積層処理工程を含むことようにした場合であっても、導電膜上に容易に第１のセラミックシート及び第２のセラミックシートを作製することができ、誘電体層となるべき所望のセラミック層を形成することができる。しかも、この場合、大幅に基材のフィルムの使用量を削減することができる。
【０１７０】
また、前記誘電体層の厚みを０．３〜１．２μｍとすることにより、寸法精度が良好でしかも比較的低コストで誘電特性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【０１７１】
このように本発明の製造方法によれば、積層体に焼成処理を施しても、内部導体とセラミックとの界面で剥離が生じることもなく、機械的強度や信頼性に優れ、且つ誘電特性に優れた積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法で製造された積層セラミックコンデンサの模式断面図である。
【図２】本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す製造工程図である。
【図３】導電膜の形成手順を示す図である。
【図４】導電膜のセラミックシートへの転写手順を示す図である。
【図５】積層セラミックコンデンサの製造方法の第２の実施の形態を示す要部製造工程図である。
【図６】第２の実施の形態における第１のセラミックシートの形成手順を示す図である。
【図７】積層セラミックコンデンサの製造方法の第３の実施の形態を示す要部製造工程図である。
【図８】積層セラミックシートの形成手順を示す図である。
【符号の説明】
１１    導電膜形成工程
１２    セラミックシート作製工程
１３    積層体作製工程
１３ａ  転写工程
１３ｂ  セラミック層形成工程
１４    焼成工程
１５    外部導体形成工程
２２    導電膜
２９    導電膜
３１    第１のセラミックシート
３４    積層処理工程
３４ａ  第１のシート成形工程
３４ｂ  第２のシート成形工程
３４ｃ  第３のシート成形工程
３６    導電膜
４１ａ、４１ａ′  第１のセラミックシート
４１ｂ  第２のセラミックシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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