(57)【要約】【課題】基板と対向板とが対向する全領域において、その間隔を均一に設定することが可能なオゾン処理装置を提供する。【解決手段】オゾン処理装置１は、基板Ｋが載置される載置台２０と、基板Ｋを加熱するヒータと、基板Ｋと対向するように配設された対向板５１と、基板Ｋに向けてオゾンを含んだ処理ガスを供給し、基板Ｋと対向板５１との間に処理ガスを流通させるガス供給装置と、載置台２０の底面中央部を支持，固定する第１支持機構２６、載置台２０の底面を支持するとともに、その上下方向の支持位置を調整可能に構成された複数の第２支持機構３０、第１支持機構２６及び各第２支持機構３０が載置，固定される基台２７を具備した支持装置２５とを備える。第２支持機構３０の支持位置を適宜調整することで、載置台２０の平面度を適正にでき、基板と対向板とが対向する全領域において、その間隔を均一にできる。【選択図】　　　　　図１
2004071761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平に配置され、平坦な上面に基板が載置される載置台と、該載置台の底面を支持する支持装置と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱手段と、前記載置台上に載置された基板と対向し、該基板表面との間の間隔が予め設定された間隔となるように配設された対向板と、前記載置台に載置された基板に向けてオゾンを含んだ処理ガスを供給し、前記基板と対向板との間に該処理ガスを流通させるガス供給手段とを備えて構成されるオゾン処理装置であって、
前記支持装置が、
前記載置台の底面中央部を支持する第１支持手段と、
前記載置台の底面を予め設定された間隔で支持する複数の第２支持手段と、
前記載置台の下方に配設され、前記第１支持手段及び各第２支持手段がそれぞれ載置，固定される基台とを備えるとともに、
前記第１支持手段及び／又は各第２支持手段が、前記載置台底面を支持するその上下方向の支持位置を調整する調整機構部を備えてなることを特徴とするオゾン処理装置。
【請求項２】
前記載置台を支持する前記各第２支持手段が、前記載置台の水平方向の変位を許容可能に構成されてなることを特徴とする請求項１記載のオゾン処理装置。
【請求項３】
前記各第２支持手段が、
平板状の基部、及び該基部の上面に立設された軸部からなる部材であって、前記軸部にねじ溝が形成された支持部材と、
前記支持部材の軸部に螺合されるナットと、
前記支持部材の軸部が嵌挿される貫通穴を有し、該貫通穴に前記軸部が嵌挿された状態で底面が前記ナットにより支持される支持プレートと、
前記支持プレートを前記載置台の底面に固定する固定部材と、
前記基台上面に固設され、前記支持部材の基部を、水平方向にはその移動を許容する一方、上下方向にはその移動を規制するように保持する保持部材とから構成されてなることを特徴とする請求項２記載のオゾン処理装置。
【請求項４】
前記載置台に、その上面に開口する複数の吸気孔を形成するとともに、
前記吸気孔内の気体を吸引，排気して、前記載置台上に載置された基板を前記吸気孔開口部に吸着させる吸引手段を更に設けて構成したことを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれかのオゾン処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶基板などの基板表面に、少なくともオゾンを含んだ処理ガスを吹きかけて、当該基板表面に酸化膜を形成したり、或いは基板表面に形成された酸化膜を改質したり、更には、基板表面に形成されたレジスト膜を除去するオゾン処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、上記オゾン処理装置として、図７に示すような構造のものが知られている。このオゾン処理装置１００は、同図７に示すように、上面に基板Ｋが載置される載置台１０１と、載置台１０１の上方に設置された対向板１０２と、対向板１０２の前記基板Ｋとの対向面に開口するように配設されたノズル１０３と、載置台１０１の底面中央部を支持してこれを昇降させる昇降手段１０４などを備えて構成される。
【０００３】
尚、前記載置台１０１，対向板１０２及びノズル１０３は、閉塞空間を備えたチャンバ（図示せず）内に配設されている。また、載置台１０１には、ヒータ（図示せず）が内蔵されるとともに、その前記上面（載置面）に開口した複数の吸気孔（図示せず）が形成されており、この吸気孔（図示せず）には真空ポンプなどから構成される吸引手段（図示せず）が接続されている。また、ノズル１０３にはオゾンガス生成装置（図示せず）が接続されている。
【０００４】
このように構成されたオゾン処理装置１００によれば、基板Ｋが載置台１０１の載置面に載置されると、吸引手段（図示せず）により吸気孔（図示せず）内の気体が吸引，排気されて吸気孔（図示せず）内が負圧となり、これにより基板Ｋが当該吸気孔（図示せず）開口部に吸着されるとともに、ヒータ（図示せず）によって所定温度に加熱される。
【０００５】
そして、載置面に載置された基板Ｋと対向板１０２との間の間隔ｇが所定間隔となるように、載置台１０１が昇降手段１０４によって上昇せしめられた後、オゾンガス生成装置（図示せず）により生成された所定濃度のオゾンガス（処理ガス）が、加熱された基板Ｋに向けてノズル１０３から吐出される。
【０００６】
このようにして吐出されたオゾンガスは、基板Ｋに衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、このような流れの中で、オゾン（Ｏ３）は基板Ｋにより加熱され、このように加熱されたり、基板Ｋやレジストと接触したりすることによって酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）に分解され、この活性酸素（Ｏ＊）によって、基板Ｋ表面に酸化膜が形成されたり、或いは基板Ｋ表面上の酸化膜が改質されたり、更には、基板Ｋ表面に形成されたレジスト膜が活性酸素（Ｏ＊）との熱化学反応によって除去される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記間隔ｇは、基板Ｋ表面に沿って流れるオゾンガス流の層厚を制御するものであり、この間隔ｇを狭めることで、オゾンガス流の層厚を薄くし、当該オゾンガス流の流速を速くすることができる。そして、オゾンガス流の層厚を薄くすることにより、上記酸化膜の形成やその改質、或いはレジスト膜の除去に寄与するオゾンの割合を増やすことができ、その反応効率を高めることができる。また、オゾンガス流の流速を速くすることにより、基板Ｋ表面の処理範囲を広くすることができる。
【０００８】
本願発明者らは、かかる知見を基に鋭意研究を重ねた結果、前記間隔ｇを０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ程度としたときに、上記オゾン処理をムラなく効率的に実施し得ることを見出した。容易に理解できるように、この間隔ｇに係る範囲は極めて狭小である。したがって、基板Ｋ表面をムラなく効率的に処理するという目的を達成するためには、当該間隔ｇを極めて厳格に管理しなければならない。
【０００９】
ところが、上述した従来のオゾン処理装置１００では、載置台１０１の底面中央部のみを支持した構造となっているので、載置台１０１に自重による撓みを生じ、前記間隔ｇが載置台１０１の中央部付近と端部近傍とで大きく異なるという現象を生じていた。このため、基板Ｋと対向板１０２との間の間隔ｇを、全ての領域で上述した０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ程度に収めることができず、結果、基板Ｋ表面をムラなく効率的に処理するという当初の目的を達成することができないでいた。特に、近年では処理対象の基板Ｋが大型化しており、これに伴って載置台１０１の撓みも大きくなるため、問題である。
【００１０】
また、オゾン処理時には、載置台１０１が加熱されて高温となるため、常温下ではその載置面の平面度が高精度に仕上げられていても、高温下では熱歪によって当該平面度が悪化することも考えられ、かかる平面度の悪化によって、前記間隔ｇを前記範囲内に収めることができないといったことも起こり得る。
【００１１】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、基板と対向板とが対向する全領域において、その間隔を均一に設定することが可能なオゾン処理装置の提供をその目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段及びその効果】
上記目的を達成するための本発明は、水平に配置され、平坦な上面に基板が載置される載置台と、該載置台の底面を支持する支持装置と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱手段と、前記載置台上に載置された基板と対向し、該基板表面との間の間隔が予め設定された間隔となるように配設された対向板と、前記載置台に載置された基板に向けてオゾンを含んだ処理ガスを供給し、前記基板と対向板との間に該処理ガスを流通させるガス供給手段とを備えて構成されるオゾン処理装置であって、
前記支持装置が、
前記載置台の底面中央部を支持する第１支持手段と、
前記載置台の底面を予め設定された間隔で支持する複数の第２支持手段と、
前記載置台の下方に配設され、前記第１支持手段及び各第２支持手段がそれぞれ載置，固定される基台とを備えるとともに、
前記第１支持手段及び／又は各第２支持手段が、前記載置台底面を支持するその上下方向の支持位置を調整する調整機構部を備えてなることを特徴とするオゾン処理装置に係る。
【００１３】
この発明によれば、載置台上面に載置された基板が加熱手段によって加熱されるとともに、前記載置台に載置された基板に向けてオゾンを含んだ処理ガスが供給される。
【００１４】
供給された処理ガスは、基板に衝突した後、所定間隔で相互に対向する基板と対向板との間を流通し、かかる流れの中で、オゾン（Ｏ３）は基板により加熱され、このように加熱されたり、基板やレジストと接触することによって酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）に分解され、この活性酸素（Ｏ＊）によって、基板表面に酸化膜が形成されたり、或いは基板表面上の酸化膜が改質されたり、更には、基板表面に形成されたレジスト膜が活性酸素との熱化学反応によって除去される。
【００１５】
ところで、上述したように、基板と対向板との間の間隔は、基板表面に沿って流れる処理ガス流の層厚を制御するものであり、当該間隔を所定の間隔（例えば、０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ）に設定することで、オゾン処理をムラなく効率的に実施することができる。
【００１６】
ところが、載置台の底面中央部のみを支持した構造の上記従来のオゾン処理装置では、載置台に自重による撓みを生じるため、基板と対向板との間の間隔を、全ての領域で所定の範囲内に収めることができず、結局、基板表面をムラなく効率的に処理するという本来の目的を達成できないでいた。また、載置台は加熱によって高温となるため、常温下ではその上面の平面度が高精度に仕上げられていても、高温下では熱歪によって当該平面度が悪化することも考えられ、かかる平面度の悪化によって、前記間隔を所定範囲内に収めることができないといったことも起こり得る。
【００１７】
そこで、本発明に係るオゾン処理装置では、前記載置台の底面中央部を支持する第１支持手段と、前記載置台の底面を予め設定された間隔で支持する複数の第２支持手段と、前記載置台の下方に配設され、前記第１支持手段及び各第２支持手段がそれぞれ載置，固定される基台とを備え、前記第１支持手段及び／又は各第２支持手段が、前記載置台底面を支持するその上下方向の支持位置を調整する調整機構部を具備した支持装置によって前記載置台の底面を支持するようにしている。
【００１８】
この支持装置によると、前記第１支持手段及び／又は第２支持手段の調整機構部により、載置台底面を支持するその上下方向の支持位置を調整することで、第１支持手段の支持位置と各第２支持手段の支持位置との間の相対的な支持位置関係を適宜調整することができる。
【００１９】
したがって、例え、載置台が自重によって撓み、また、加熱されることによって熱歪を生じるようなことがあっても、上記相対的な支持位置関係を適宜調整することで、かかる撓みや熱歪を矯正して、載置台上面の平面度を所望の精度とすることができ、基板と対向板とが対向する全領域において、その間隔を均一にすることができる。斯くして、かかる作用により、基板表面をムラなく効率的にオゾン処理することが可能となる。
【００２０】
また、前記載置台は、基板加熱用の加熱手段によって加熱されているため、載置台が第２支持手段を介して基台に固定，拘束されている場合には、熱膨脹による歪が載置台に生じることとなり、かかる歪によって載置台上面の平面度が悪化し、基板と対向板との間の間隔を所望の範囲に収めることができなくなるおそれがある。
【００２１】
そこで、載置台を支持する前記各第２支持手段を、載置台が水平方向に変位するのを許容するように構成すれば、載置台が何ら拘束されること無く水平方向に熱膨脹することが可能となり、前記歪が生じるのを防止することができる。
【００２２】
尚、前記各第２支持手段は、これらを、平板状の基部、及び該基部の上面に立設された軸部からなる部材であって、前記軸部にねじ溝が形成された支持部材と、前記支持部材の軸部に螺合されるナットと、前記支持部材の軸部が嵌挿される貫通穴を有し、該貫通穴に前記軸部が嵌挿された状態で底面が前記ナットにより支持される支持プレートと、前記支持プレートを前記載置台の底面に固定する固定部材と、前記基台上面に固設され、前記支持部材の基部を、水平方向にはその移動を許容する一方、上下方向にはその移動を規制するように保持する保持部材とから構成することができる。
【００２３】
また、前記載置台に、その上面に開口する複数の吸気孔を形成するとともに、前記吸気孔内の気体を吸引，排気して、前記載置台上に載置された基板を前記吸気孔開口部に吸着させる吸引手段を設けた構成とすれば、例えば、基板が反っていてその表面の平面度が悪いようなものでも、これを載置台上面に吸着させることで載置台上面に倣わせることができ、当該基板表面の平面度を適正なものとすることができる。尚、吸引手段は、真空ポンプなどから構成される。
【００２４】
また、前記対向板の好ましい材質としては、例えば、セラミック，ステンレス，シリコン，アルミニウム，チタン，ガラス及び石英などを挙げることができる。また、前記対向板は、一枚の板から構成されるものでも、複数枚の板を同一平面上に並設したものでも良く、その形状も、何ら限定されるものではなく、三角形や四角形，六角形の他、円形や楕円形のものであっても良い。
【００２５】
また、前記基板の加熱温度は、２００℃〜５００℃の範囲が好ましい。この範囲内であれば、基板内に含まれる不純物の蒸発を上記処理と同時に行うことができる。また、前記処理ガスは、１４重量％以上のオゾンを含むものが好適であり、オゾンとＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ　ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ、ケイ酸テトラエチル、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４）の混合ガスであっても良い。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態について添付図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るオゾン処理装置の概略構成を示した断面図である。また、図２は、図１における矢視Ａ方向の側面図であり、図３は、図２における矢視Ｂ方向の底面図であり、図４は、本実施形態に係る第２支持機構を示した断面図である。また、図５は、図１における矢視Ｃ−Ｃ方向の断面図であり、図６は、図１における矢視Ｄ方向の底面図である。
【００２７】
図１及び図２に示すように、本例のオゾン処理装置１は、所定の内容積を有し、上部が開口した処理チャンバ１０と、処理チャンバ１０の上部開口部を閉塞するように設けられた蓋体１１と、処理チャンバ１０内に水平に配設され、その上面に基板Ｋが載置される載置台２０と、載置台２０の底面を支持する支持装置２５と、この支持装置２５を上下方向に昇降させる昇降装置１５と、載置台２０の上方に配設されたノズルヘッド４０などを備えて構成されており、処理チャンバ１０内のガスが適宜排出口（図示せず）から外部に排出されるようになっている。
【００２８】
前記載置台２０は、図２に示すように、平坦な上面に基板Ｋが載置される上部部材２１、及びその下側に設けられた下部部材２２からなり、上部部材２１にはその上面に開口する複数の吸気孔２１ａと、吸気孔２１ａと連通し、図示しない吸引手段に接続した複数の連通孔２１ｂとが形成され、下部部材２２はその底面が前記支持装置２５によって支持されている。
【００２９】
また、上部部材２１と下部部材２２との間には、ヒータ２３が設けられており、このヒータ２３によって、上部部材２１上面に載置された基板Ｋが所定温度に加熱される。尚、上部部材２１及び下部部材２２の好適な材質としては、アルミニウムなどを挙げることができる。但し、基板Ｋの加熱温度が極めて高温である場合（例えば、基板Ｋを５００℃に加熱する場合）には、耐熱性に優れたステンレスを用いるのが好ましい。
【００３０】
前記吸引手段（図示せず）は、真空ポンプなどから構成され、連通孔２１ｂ及び吸気孔２１ａ内の気体を吸引，排気して、上部部材２１の上面に載置された基板Ｋを吸気孔２１ａの開口部に吸着させる。これにより、基板Ｋが上部部材２１の上面に倣った状態となる。
【００３１】
図１乃至図４に示すように、前記支持装置２５は、下部部材２２の底面中央部に固着されてこれを支持する第１支持機構２６と、所定の間隔で配設され、前記下部部材２２の底面を支持する複数の第２支持機構３０と、中空の角パイプによって格子状に形成され、前記第１支持機構２６及び各第２支持機構３０が載置，固定される基台２７などから構成される。尚、基台２７の好適な材質としては、耐熱性に優れたステンレスなどを挙げることができる。また、基台２７を中空の角パイプから構成しているので、その軽量化を図ることができる。
【００３２】
前記基台２７の上方位置には、前記載置台２０（下部部材２２）の底面と対向するように熱反射板２８が設けられており、この熱反射板２８は固定部材２９を介して基台２７上に固設されている。これにより、載置台２０からのふく射熱によって基台２７が温度上昇するのを抑制することができる。尚、熱反射板２８及び固定部材２９の好適な材質としては、耐熱性に優れたステンレスなどを挙げることができる。
【００３３】
前記各第２支持機構３０は、図４に示すように、平板状の基部３１ａ、及び基部３１ａの上面に立設された軸部３１ｂからなる正面視逆Ｔ字形状をした部材であって、軸部３１ｂにねじ溝３１ｃが形成された支持部材３１と、ねじ溝３１ｃに螺合されるナット３２と、軸部３１ｂが嵌挿される貫通穴３３ａを有し、この貫通穴３３ａ内に軸部３１ｂが嵌挿された状態で、底面が前記ナット３２によって支持される支持プレート３３と、支持プレート３３を下部部材２２の底面に連結部材３４を介して固定する固定部材３５と、基台２７の上面に固設された取付部材３６と、基部３１ａとの間に所定の隙間Ｓが形成されるように取付部材３６上に設けられたスペーサ３７と、このスペーサ３７上に設けられ、支持部材３１の基部３１ａを取付部材３６との間で保持する保持部材３８などから構成される。
【００３４】
この第２支持機構３０によれば、支持部材３１のねじ溝３１ｃに螺合されたナット３２の上下方向の位置を適宜調整することで、載置台２０を支持するその上下方向の支持位置を調整することができる。したがって、第１支持機構２６によって中央部が支持される載置台２０が自重によって撓み、その周縁端部が下方に変位する場合には、前記ナット３２を上方に移動させることで、前記撓みによる変位を打ち消すように、載置台２０の周縁端部を上方に変位させることができ、これにより、載置台２０上面の平面度を適正な精度に調整することができる。
【００３５】
また、スペーサ３７の厚さは、支持部材３１の基部３１ａの厚さより若干厚くなっており、基部３１ａの上面と保持部材３８の下面との間には、所定の間隙（ギャップ）が形成されている。斯くして、かかる構造とすることにより、支持部材３１は、保持部材３８によってその上下方向の移動が規制される一方、水平方向には、取付部材３６上を滑動して移動可能となっている。
【００３６】
図１に示すように、前記昇降装置１５は、前記処理チャンバ１０の底面を貫通して設けられる昇降ロッド１６を備え、この昇降ロッド１６により支持部材１７を介して基台２７を支持しており、当該昇降装置１５の作動によって支持装置２５及び載置台２０が昇降せしめられる。尚、昇降装置１５は、油圧シリンダや空圧シリンダなどから構成される。
【００３７】
また、前記処理チャンバ１０の底面には、先端が先鋭に形成され、その先端部に基板Ｋが仮置きされる複数の支持針１２が立設されており、この支持針１２は、載置台２０が下降端位置にある時に、当該載置台２０に形成された貫通孔（図示せず）に挿通されて、その先端が載置台２０の上面より上方に突出する一方、載置台２０が上昇端位置にある時に、前記貫通孔（図示せず）から抜き取られるようになっている。また、支持針１２は、図示はしないが、基台２７の格子穴と一致する位置に立設されており、また、熱反射板２８に形成された貫通孔（図示せず）にも挿通されているようになっている。
【００３８】
斯くして、載置台２０が下降端位置にある時に、支持針１２上に基板Ｋが仮置きされた後、載置台２０が上昇せしめられると、支持針１２が載置台２０に対して相対的に没して、基板Ｋが載置台２０上に載置される。尚、昇降装置１５は、載置台２０が上昇端に位置したとき、後述する対向板５１下面と基板Ｋ表面との間隔ｇが所定の間隔（例えば、０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ）となるように、載置台２０を前記上昇端位置に上昇させる。
【００３９】
図１，図５及び図６に示すように、前記ノズルヘッド４０は、ブロック状のヘッド本体４１と、ヘッド本体４１を取り囲むように設けられ、これを支持，固定する固定プレート４５と、ヘッド本体４１の下面にこれから垂下するように配設された複数のノズル５０とを備えており、ヘッド本体４１の中央部、及び固定プレート４５の端部複数個所をそれぞれ支持する取付部材５５を介して蓋体１１に固定されている。尚、ノズル５０はヘッド本体４１の下面全面に配設されるが、図６では、その一部のみを図示している。
【００４０】
前記ヘッド本体４１には、その側面の一方端部から他方端部に貫通する複数の貫通孔４２がそれぞれ形成され、前記固定プレート４５には、オゾンガス流路４６、及びこのオゾンガス流路４６と前記各貫通孔４２の一方端開口部とをそれぞれ接続する複数の接続孔４７が形成されており、オゾンガス流路４６には、オゾンガス生成装置６０によって生成された所定濃度のオゾンガス（処理ガス）が当該オゾンガス生成装置６０から供給される。尚、各貫通孔４２の他方端開口部は、固定プレート４５によってそれぞれ封止されている。
【００４１】
前記各ノズル５０は管状の部材からなり、上側の開口部（図示せず）が前記貫通孔４２に接続し、下側の開口部５０ａが基板Ｋ表面と対向している。斯くして、オゾンガス生成装置６０からオゾンガス流路４６，接続孔４７及び貫通孔４２を順次介してノズル５０に供給されたオゾンガスは、その下部開口部５０ａから基板Ｋに向けて吐出される。
【００４２】
また、各ノズル５０の下端部には、基板Ｋと対向する平面視六角形状をした鍔状の対向板５１がそれぞれ固設されており、各対向板５１は、隣接する対向板５１間に所定の隙間５２が形成されるように、同一平面内に配設されている。尚、対向板５１の好ましい材質としては、例えば、セラミック，ステンレス，シリコン，アルミニウム，チタン，ガラス及び石英などを挙げることができる。
【００４３】
また、前記ヘッド本体４１及び固定プレート４５の上面には、ジグザグ状の凹溝（図示せず）が複数個形成されており、各凹溝（図示せず）内にそれぞれ冷却液管６６が埋設されている。そして、これら冷却液管６６には、冷却液循環装置６５から冷却液が供給され、循環せしめられる。
【００４４】
以上のように構成された本例のオゾン処理装置１では、まず、適宜手段によって基板Ｋが支持針１２上に載置される。この時、載置台２０の位置は下降端に位置している。また、冷却液循環装置６５から冷却液管６６内に冷却液が供給，循環され、この冷却液によってヘッド本体４１が冷却されている。
【００４５】
次に、昇降装置１５によって載置台２０及び支持装置２５が上昇せしめられると、支持針１２が載置台２０に対し相対的に没して、基板Ｋが載置台２０上面に載置されるとともに、載置台２０が上昇端位置に達して、対向板５１下面と基板Ｋ表面との間の間隔ｇが所定の間隔（例えば、０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ）となる。
【００４６】
尚、基板Ｋが載置台２０上面に載置されると、吸引手段（図示せず）により連通孔２１ｂ及び吸気孔２１ａ内の気体が吸引，排気されて、基板Ｋがこの吸気孔２１ａの開口部に吸着せしめられて当該上面（上部部材２１上面）に倣った状態となるとともに、ヒータ２３によって所定温度に加熱される。
【００４７】
そして、所定濃度のオゾンガスがオゾンガス生成装置６０から、オゾンガス流路４６，接続孔４７及び貫通孔４２を順次介してノズル５０に供給され、その下部開口部５０ａから基板Ｋに向けて吐出される。
【００４８】
このようにして吐出されたオゾンガスは、基板Ｋに衝突した後、これに沿って流れるオゾンガス層を形成し、このような流れの中で、オゾン（Ｏ３）は基板Ｋにより加熱され、このように加熱されたり、基板Ｋやレジストと接触することによって酸素（Ｏ２）と活性酸素（Ｏ＊）に分解され、この活性酸素（Ｏ＊）によって、基板Ｋ表面に酸化膜が形成されたり、或いは基板Ｋ表面上の酸化膜が改質されたり、更には、基板Ｋ表面に形成されたレジスト膜が活性酸素との熱化学反応によって除去される。
【００４９】
その後、各ノズル５０から吐出され、基板Ｋに沿って流れるオゾンガスは、相互に衝突して、各対向板５１間の隙間５２に向かう流れとなり、この隙間５２から対向板５１の裏面（上面）側に、即ち、基板Ｋと対向板５１との間から排気される。これにより、処理後のオゾンガスが基板Ｋ表面付近に滞留して、ノズル５０から吐出されるオゾンガスが基板Ｋ表面に達し難くなるのが防止され、酸化膜の形成やその改質、レジスト膜の除去といった上記処理を効果的に行うことが可能となる。
【００５０】
ところで、上述したように、基板Ｋと対向板５１との間の間隔ｇは、基板Ｋ表面に沿って流れる処理ガス流の層厚を制御するものであり、当該間隔ｇを所定の間隔（例えば、０．２ｍｍ〜１．０ｍｍ）に設定することで、オゾン処理をムラなく効率的に実施することができる。
【００５１】
ところが、上記従来のオゾン処理装置のように、載置台２０の底面中央部のみを支持した構造とすると、載置台２０に自重による撓みが生じるため、基板Ｋと対向板５１との間の間隔ｇを、全ての領域で所定の範囲内に収めることができず、基板Ｋ表面をムラなく効率的に処理するという本来の目的を達成できない。また、載置台２０は高温に加熱されるため、常温下ではその上面の平面度が高精度に仕上げられていても、高温下では熱歪によって当該平面度が悪化することも考えられ、かかる平面度の悪化によって、前記間隔ｇを所定範囲内に収めることができないといったことも起こり得る。
【００５２】
そこで、本例のオゾン処理装置１では、前記載置台２０の底面中央部を第１支持機構２６によって支持するとともに、支持位置を調整可能な第２支持機構３０によって載置台２０底面の他の部位を支持するようにしている。これにより、第１支持機構２６によって中央部が支持される載置台２０が自重によって撓み、その周縁端部が下方に変位したり、熱歪によって同じく周縁端部が下方に変位するような場合に、第２支持機構３０のナット３２を適宜上方に移動させて、前記撓みによる変位や歪を打ち消すように、載置台２０の周縁端部を上方に変位させることで、載置台２０上面の平面度を適正な精度に調整することができる。斯くして、本例のオゾン処理装置１によれば、基板Ｋと対向板５１とが対向する全領域において、その間隔を均一にすることができ、かかる作用により、基板Ｋ表面をムラなく効率的にオゾン処理することが可能となる。
【００５３】
また、載置台２０は、内蔵のヒータ２３により加熱されて熱膨脹するが、前記支持部材３１が、その上下方向の移動は規制されるものの、水平方向には移動可能に構成されているので、載置台２０は何らの拘束を受けること無く水平方向に熱膨脹することが可能であり、変位の拘束に伴う熱歪を生じることがない。
【００５４】
また、載置台２０上に載置された基板Ｋを吸気孔２１ａの開口部に吸着させるようにしているので、例えば、基板Ｋが反っていてその表面の平面度が悪いようなものでも、これを載置台２０の上面に吸着させることで当該載置台２０上面に倣わせることができ、これにより、基板Ｋ表面の平面度を適正なものとすることができる。
【００５５】
また、処理チャンバ１０内の雰囲気温度は、ヒータ２３によって昇温せしめられて高温となり、ヘッド本体４１は、この高温となった雰囲気によって昇温せしめられるが、当該ヘッド本体４１を、冷却液管６６内を流通する冷却液によって冷却するようにしているので、貫通孔４２内を流通するオゾンガスが、この冷却液によって冷却され、その温度が一定の範囲内に維持される。これにより、温度上昇に伴うオゾンの熱分解が防止され、前記オゾンガス中のオゾン濃度の低下が防止される。
【００５６】
尚、前記基板Ｋの加熱温度は、２００℃〜５００℃の範囲が好ましい。この範囲内であれば、基板Ｋ内に含まれる不純物の蒸発を上記処理と同時に行うことができる。また、前記オゾンガスは、１４重量％以上のオゾンを含むものが好適であり、オゾンとＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ　ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ、ケイ酸テトラエチル、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４）の混合ガスであっても良い。
【００５７】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
【００５８】
例えば、上例では、第２支持機構３０について、載置台２０を支持するその支持位置を調整可能に構成したが、第１支持機構２６についてもその支持位置を調整可能に構成しても良い。
【００５９】
また、第２支持機構３０のナット３２のみによって載置台２０を下面から支持するように構成したが、図４において二点鎖線で示すように、ナット３２の他にナット３２’を設け、これらナット３２，３２’によって支持プレート３３を挟みつけるようにしても良い。このようにすれば、載置台２０が上方に変位するような場合に、これを下方に引き下げることで、当該変位を矯正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るオゾン処理装置の概略構成を示した断面図である。
【図２】図１における矢視Ａ方向の側面図である。
【図３】図２における矢視Ｂ方向の底面図である。
【図４】本実施形態に係る第２支持機構を示した断面図である。
【図５】図１における矢視Ｃ−Ｃ方向の断面図である。
【図６】図１における矢視Ｄ方向の底面図である。
【図７】従来例に係るオゾン処理の概略構成を示した正面図である。
【符号の説明】
１　　オゾン処理装置
１５　昇降装置
２０　載置台
２３　ヒータ
２５　支持装置
２６　第１支持機構
２７　基台
２８　熱反射板
３０　第２支持機構
３１　支持部材
３２　ナット
３３　支持プレート
４０　ノズルヘッド
５０　ノズル
５１　対向板
６０　オゾンガス生成装置
６５　冷却液循環装置
Ｋ　　基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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