(57)【要約】【課題】複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜時に、試料（ウェハ）を汚染するパーティクルを低減できるようにする。【解決手段】まず、チャンバ内において、複数の元素を含むターゲット材を用いて、所望のスパッタ膜を成膜する所定の成膜条件で形成される浸食領域とは異なる浸食領域がターゲット材のスパッタ面に形成されるように、スパッタリングを行なう。次に、試料の表面上に所定の成膜条件によりスパッタ膜を成膜する。【選択図】　　　　図１
2004018896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜方法であって、
チャンバ内において、前記スパッタ膜を成膜する第１の成膜条件で形成される浸食領域とは異なる浸食領域が前記ターゲット材のスパッタ面に形成されるように、第２の成膜条件でスパッタリングを行なう第１の工程と、
試料の表面上に前記第１の成膜条件により前記スパッタ膜を成膜する第２の工程とを備えていることを特徴とするスパッタ膜の成膜方法。
【請求項２】
前記第２の成膜条件は、チャンバ内の圧力を前記第１の成膜条件における圧力とは異なる値に設定することを特徴とする請求項１に記載のスパッタ膜の成膜方法。
【請求項３】
前記第１の工程は、前記第１の成膜条件における圧力よりも高い圧力でスパッタリングを行なう工程と、前記第１の成膜条件における圧力よりも低い圧力でスパッタリングを行なう工程との少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２に記載のスパッタ膜の成膜方法。
【請求項４】
前記第１の工程は、不活性ガス雰囲気で行なうことを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載のスパッタ膜の成膜方法。
【請求項５】
前記ターゲット材は金属酸化物からなり、
前記第２の工程は酸化性雰囲気で行なうことを特徴とする請求項４に記載のスパッタ膜の成膜方法。
【請求項６】
複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜方法であって、
不活性ガス雰囲気でスパッタリングを行なうことにより、チャンバの内壁面上又は該チャンバ内に設けられた部材の露出面上に、前記ターゲット材と同一の組成からなるパーティクル防止膜を成膜する第１の工程と、
試料の表面上に所定の成膜条件により前記スパッタ膜を成膜する第２の工程とを備えていることを特徴とするスパッタ膜の成膜方法。
【請求項７】
前記ターゲット材は金属酸化物からなり、
前記第２の工程は酸化性雰囲気で行なうことを特徴とする請求項６に記載のスパッタ膜の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の元素を含むターゲット材を用いて成膜するスパッタ膜の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
チャンバ内にアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを放電ガスとして導入し、陰極と陽極との間に電圧を印加してグロー放電を発生させると、グロー放電により発生したプラズマ中の正イオンが陰極上のターゲット材の表面に衝突し、ターゲット原子をはじき出すスパッタ現象が発生する。
【０００３】
スパッタリング装置は、このスパッタ現象を利用したスパッタ膜をウェハ上に蒸着する成膜装置であり、ターゲット材の材料がほぼそのままウェハ上に成膜できるため、ターゲット材さえ用意できれば、種々の機能を持つ薄膜を成膜することができる。
【０００４】
半導体製造プロセスにおいては、以前から、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）又はコバルト（Ｃｏ）等が配線又はゲート電極の材料として利用されている。また、スパッタリング装置には、反応性スパッタリング法と呼ばれる、チャンバ内に導入された活性ガス（反応性ガス）とスパッタリングされた原子又は分子とがチャンバ内で化学反応を起こすことにより、例えば酸化物又は窒化物からなるスパッタ膜を蒸着させる方法がある。例えば、アルゴンガスに窒素（Ｎ２　）ガスを添加し、これをチャンバ内に導入してターゲット材をスパッタすることにより、配線材のバリア膜となる窒化チタン（ＴｉＮ）又は窒化タングステン（ＷＮ）等の金属窒化物からなるスパッタ膜を形成することができる。
【０００５】
スパッタリング装置においては、成膜の対象であるウェハ以外のチャンバの内壁等にも蒸着物質が付着して堆積し、堆積した蒸着物質が、その一部が剥がれ落ちてウエハを汚染するパーティクルの発生源となるおそれがある。このため、通常、スパッタリング装置は、交換可能なシールド部材によってウェハ以外の部位への蒸着物質の堆積を防いでいる。蒸着物質が堆積したシールド部材を所定の周期で交換することにより、パーティクルの発生を防いでいる。
【０００６】
このシールド部材を用いると、蒸着物質がウェハ以外のチャンバの内壁等への堆積を防ぐことはできるが、シールド部材に堆積した蒸着物質の膜厚が厚くなるとこれが剥がれ落ちて、やはりパーティクルの発生原因となる。従って、シールド部材を短い周期で交換する必要があるが、シールド部材の交換には、時間とコストとを要するため、シールド部材の交換周期はできる限り長くする方が望ましい。
【０００７】
反応性スパッタによるスパッタ膜に対するパーティクルの減少方法は、例えば、特開平１０−１３０８１４号公報に開示されている。該公報は、シールド部材にターゲット材のみからなるスパッタ膜を成膜した後、成膜の対象物（試料）に反応性のスパッタリングを行なって、化合物からなるスパッタ膜を成膜することを記載している。通常、シールド部材にはアルミニウム（Ａｌ）等を含む合金が用いられており、このシールド部材と反応性スパッタによるスパッタ膜とは密着性が悪いため、スパッタ膜が剥がれ落ちてパーティクルの発生原因となる。このため、反応性のスパッタリングを行なう前に、ターゲット材のみからなるスパッタ膜をシールド部材の露出面上に成膜することにより、反応性スパッタ膜よりも密着性が良好なスパッタ膜がシールド部材上に形成されるので、膜剥がれによるパーティクルの増加が抑制される旨を記載している。
【０００８】
近年、配線材のバリア膜として用いられる、チタンやタングステンを含む化合物以外にも、スパッタ法による機能膜が種々の分野で利用されるようになってきている。例えば、半導体メモリ装置の分野では、キャパシタの容量絶縁膜となる誘電体膜として、バリウムストロンチウムチタンオキサイド（ＢＳＴＯ）、鉛ジルコニウムチタンオキサイド（ＰＺＴＯ）、又はストロンチウムビスマスタンタルオキサイド（ＳＢＴＯ）等をスパッタ法により成膜する方法が検討されている。
【０００９】
また、錫酸化インジウム（ＩＴＯ）をスパッタ法により成膜することが検討されており、該ＩＴＯは高導電性及び高透過性を有しており、微細加工も可能なことから、フラットパネルディスプレイ用の電極、太陽電池用の電極及び帯電防止膜等の広範囲な分野にわたって用いられている。
【００１０】
さらに、光磁気記録媒体の製造に用いられる希土類と遷移金属とからなる化合物もスパッタ法により成膜されることが多い。
【００１１】
また、半導体メモリ装置の分野は微細化が進行しており、セルのノードが０．２μｍ以下の半導体メモリ装置が開発されようとしている。また、フラットパネルディスプレイの分野においても、集積回路部のさらなる微細化とディスプレイ部の大型化とが同時に進行しており、特にこれらの分野においては、スパッタ膜に生じるパーティクルは、製品の信頼性及び歩留まりに大きく影響を与えるため、パーティクルの低減は重要な課題となっている。
【００１２】
ところで、単元素からなるチタン、タングステン及びコバルト等は単体の金属であるため、結晶化が容易で純度も高いターゲット材を得ることができる。一方、金属酸化物である、ＢＳＴＯ、ＰＺＴＯ、ＳＢＴＯ及びＩＴＯ等は複数の元素からなるため、スパッタ用のターゲット材の製造方法も複雑とならざるを得ない。
【００１３】
例えば、特開２００１−３１６４号公報には、ＢＳＴＯからなるターゲット材の製造方法が開示されている。ここには、粉末状の材料を焼結してＢＳＴＯからなるターゲット材を作製する方法が記載されている。作製されたターゲット材はその密度が理論値の９０％〜９９％程度であり、必ずしも完全な化合物ターゲット材を得られないこと、及び酸素含有量も化学量論比の９０％〜９８％程度であり、酸素欠損を生じていることが記載されている。他の誘電体材料についても、粉末状原料及び焼結温度は異なるものの、同様の方法により化合物ターゲット材が作製されている。
【００１４】
この公報からも分かるように、複数の元素からなる化合物ターゲット材は、一般に粉末状原料を混ぜ合わせて焼き固める焼結法を用いることが多いため、得られる化合物ターゲット材の密度が小さく、さらには酸素が欠損している場合が多い。
【００１５】
このため、焼結法により得られる、ＢＳＴＯ、ＰＺＴＯ、ＳＢＴＯ又はＩＴＯ等からなる化合物ターゲット材を用いて、スパッタ法によりスパッタ膜を成膜するには、チャンバ内に酸素ガスを導入して、スパッタリング時におけるターゲット材の酸素欠損を補うことにより、酸素欠損がない所望のスパッタ膜を成膜するようにしている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の化合物ターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜方法は、単体の元素からなるターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜方法と比べてパーティクルの発生が多いという問題がある。
【００１７】
本発明は、前記従来の問題を解決し、複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜時に、試料を汚染するパーティクルを低減できるようにすることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明は、スパッタ膜の成膜方法を、所望のスパッタ膜を成膜する際の成膜圧力と異なる圧力下でスパッタリングを行なうことにより、複数の元素を含むターゲット材のスパッタ面を清浄化する構成と、また、不活性ガス雰囲気でスパッタリングを行なって、チャンバ内の壁面等にターゲット材と同一の組成からなるパーティクル防止膜を成膜する構成とを採る。
【００１９】
具体的に、本発明に係る第１のスパッタ膜の成膜方法は、複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜方法を対象とし、チャンバ内において、スパッタ膜を成膜する第１の成膜条件で形成される浸食領域とは異なる浸食領域がターゲット材のスパッタ面に形成されるように、第２の成膜条件でスパッタリングを行なう第１の工程と、試料の表面上に第１の成膜条件によりスパッタ膜を成膜する第２の工程とを備えている。
【００２０】
第１のスパッタ膜の成膜方法によると、チャンバ内において、所望のスパッタ膜を成膜する第１の成膜条件で形成される浸食領域とは異なる浸食領域がターゲット材のスパッタ面に形成されるように第２の成膜条件でスパッタリングを行なうため、第１の成膜条件で繰り返して成膜を行なう際に浸食領域（エロージョントラック）の周辺部に付着してなる堆積物が除去される。このため、ターゲット材に付着した堆積物による試料上のスパッタ膜の汚染を防止することができる。
【００２１】
第１のスパッタ膜の成膜方法において、第２の成膜条件はチャンバ内の圧力を第１の成膜条件における圧力とは異なる値に設定することが好ましい。このようにすると、ターゲット材のスパッタ面における浸食領域の位置をずらすことができるので、ターゲット材のスパッタ面を確実に清浄化することができる。
【００２２】
この場合に、第１の工程が、第１の成膜条件における圧力よりも高い圧力でスパッタリングを行なう工程と、第１の成膜条件における圧力よりも低い圧力でスパッタリングを行なう工程との少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００２３】
第１のスパッタ膜の成膜方法において、第１の工程は不活性ガス雰囲気で行なうことが好ましい。このようにすると、例えば酸素が欠損したターゲット材を用いる場合には、チャンバ内の露出面に付着して堆積する堆積膜が剥離しにくくなるので、試料を汚染するパーティクルを低減することができる。
【００２４】
この場合に、ターゲット材が金属酸化物からなり、第２の工程を酸化性雰囲気で行なうことが好ましい。
【００２５】
本発明に係る第２のスパッタ膜の成膜方法は、複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜方法を対象とし、不活性ガス雰囲気でスパッタリングを行なうことにより、チャンバの内壁面上又は該チャンバ内に設けられた部材の露出面上に、ターゲット材と同一の組成からなるパーティクル防止膜を成膜する第１の工程と、試料の表面上に所定の成膜条件によりスパッタ膜を成膜する第２の工程とを備えている。
【００２６】
第２のスパッタ膜の成膜方法によると、不活性ガス雰囲気でスパッタリングを行なうことにより、チャンバの内壁面上又は該チャンバ内に設けられた部材の露出面上に、ターゲット材と同一の組成からなるパーティクル防止膜を成膜するため、例えば酸素が欠損したターゲット材の場合には、チャンバ内の露出面に付着して堆積する堆積膜が剥離しにくくなるので、試料を汚染するパーティクルを低減することができる。
【００２７】
第２のスパッタ膜の成膜方法において、ターゲット材が金属酸化物からなり、第２の工程を酸化性雰囲気で行なうことが好ましい。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本願発明者らは、複数の元素を含むターゲット材を用いたスパッタ膜の成膜条件とパーティクルの発生との関係について、種々の検討を重ねた結果、以下のような２つの知見を得ている。
【００２９】
すなわち、第１の知見は、試料にスパッタ膜を成膜する前にスパッタリングを行ない、このときの圧力範囲を所望のスパッタ膜を成膜する圧力と異なる圧力に設定することにより、スパッタリング時に発生するパーティクルを低減できるというものである。
【００３０】
図１（ａ）は複数の元素を含む、例えばマグネトロンスパッタリング用のターゲット材であって、所望のスパッタ膜を成膜する際の成膜圧力によりスパッタリングを行なった場合の断面構成を示している。図１（ａ）に示すように、所望のスパッタ膜の成膜時に設定する設定圧力である第１の成膜圧力Ｐ０　でスパッタリングを行なうと、ターゲット材１０１のスパッタ面には、アルゴン等の正イオンが衝突して浸食された第１のエロージョントラック（浸食領域）１０１ａが形成される。さらに、この第１の成膜圧力Ｐ０　でスパッタリングを繰り返し行なうと、第１のエロージョントラック１０１ａの周辺部には、ターゲット材１０１がリスパッタされた堆積物１０２が形成される。この堆積物１０２は剥離して、試料を汚染するパーティクルの原因となる。
【００３１】
そこで、図１（ｂ）に示すように、成膜圧力を第１の成膜圧力Ｐ０　よりも高い第２の成膜圧力Ｐ１　としてスパッタリングを行なうと、ターゲット材１０１には、第１の成膜圧力Ｐ０　の場合の第１のエロージョントラック１０１ａと比べて、５ｍｍ程度だけ外側に第２のエロージョントラック１０１ｂが形成される。これにより、所定の成膜圧力である第１の成膜圧力Ｐ０　でスパッタリングを行なう際に形成された外側の堆積物１０２を除去することができる。
【００３２】
同様に、図１（ｃ）に示すように、成膜圧力を第１の成膜圧力Ｐ０　よりも低い第３の成膜圧力Ｐ２　としてスパッタリングを行なうと、ターゲット材１０１には、第１の成膜圧力Ｐ０　の場合の第１のエロージョントラック１０１ａと比べて、５ｍｍ程度だけ内側に第３のエロージョントラック１０１ｃが形成される。これにより、今度は、第１の成膜圧力Ｐ０　でスパッタリングを行なう際に形成された内側の堆積物１０２を除去することができる。
【００３３】
このように、試料に所望のスパッタ膜を成膜する前に、チャンバ内の成膜圧力を所定値よりも高圧側又は低圧側に設定してスパッタリング操作を行なうことにより、ターゲット材１０１のスパッタ面にリスパッタされてなる堆積物１０２を除去することができるため、複数の元素を含むターゲット材１０１からのパーティクルを低減することができる。
【００３４】
第２の知見は、とりわけ、例えば容量絶縁膜に用いるＢＳＴＯのように焼結された金属酸化物からなるターゲット材に関している。前述したように、現状の焼結された金属酸化物からなるターゲット材は、酸素の組成が化学量論比よりも小さいため、酸化性雰囲気で、すなわち酸素ガスをアルゴンガスに添加してスパッタリングを行なっている。
【００３５】
これに対し、第２の知見は、酸素ガスを添加することなくアルゴンガスのみのスパッタガスによりスパッタリングを行なって、チャンバの内壁面上又はシールド部材の露出面上に、酸素が欠損したターゲット材と同一の組成からなるパーティクル防止膜を蒸着すると、得られたパーティクル防止膜は、酸素を添加した状態で成膜された所望のスパッタ膜と比べて壁面やシールド部材との密着性が高いというものである。
【００３６】
これにより、ターゲット材と同一の組成からなり、所望のスパッタ膜と比べて密着性に優れたパーティクル防止膜がチャンバ内の露出面上に堆積されるため、チャンバ内の露出面から堆積膜が剥離しにくくなるので、試料を汚染するパーティクルを低減することができる。
【００３７】
（一実施形態）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３８】
図２は本発明の一実施形態に係るスパッタ膜の成膜方法を実現可能なスパッタリング装置の概略的な断面構成を示している。
【００３９】
図２に示すように、チャンバ２０１の上部に設けられた開口部には、その内部に磁石２０２が埋め込まれたカソード（陰極）２０３が気密に取り付けられている。
【００４０】
チャンバ２０１の下部には排気口２０１ａが設けられており、さらに、排気口２０１ａと間隔をおくように試料の保持台２０４が設けられている。保持台２０４にはヒータ（図示せず）が埋め込まれ、その上面には、試料であるウェハ２０５が保持される。また、カソード２０３における保持台２０４との対向面には、例えば誘電体からなるターゲット材１０１が貼り付けられて保持される。
【００４１】
ターゲット材１０１と保持台２０４の上面とは、例えばアルミニウム合金からなるシールド部材２０６により覆われており、スパッタ時には、シールド部材２０６によりチャンバ２０１の内部に完全に閉空間が形成される。このシールド部材２０６により、該シールド部材２０６の内壁面上にはスパッタ膜が蒸着することがあっても、チャンバ２０１の内壁面上にはスパッタ膜は蒸着されない。
【００４２】
チャンバ２０１は、排気口２０１ａがクライオポンプ（図示せず）等に接続され、該クライオポンプにより排気されて高真空の状態が維持される。
【００４３】
チャンバ２０１の側壁には、ガス導入管２０７が設けられ、該ガス導入管２０７を通して、例えばアルゴン等のスパッタガスと、酸素（Ｏ２　）又は窒素（Ｎ２　）等の反応性ガスとがチャンバ２０１内に導入される。これらの混合ガスがチャンバ２０１の内部に導入された後、カソード２０３に直流（ＤＣ）電圧又は高周波（ＲＦ）電圧を印加すると、チャンバ２０１内にプラズマ放電が生じる。
【００４４】
以下、前記のように構成されたスパッタリング装置を用いた本実施形態に係るスパッタ膜の成膜方法を説明する。
【００４５】
（１）ターゲット材清浄化及びパーティクル防止膜堆積工程
まず、保持台２０４の保持面の上にウェハ２０５を保持する。その後、クライオポンプにより、チャンバ２０１の内部を十分な真空（＜１０−８Ｐａ）状態とし、その後、例えばアルゴン等のスパッタガスのみをガス導入管２０７を通してチャンバ２０１に導入する。これと同時に、例えばＢＳＴＯからなるターゲット材１０１とウェハ２０５との間に高電圧を印加して、ターゲット材１０１をスパッタリングする。この清浄化工程における成膜圧力は、所望のスパッタ膜を成膜する際の成膜圧力の２倍程度の値に設定している。これにより、図１（ｂ）に示したように、ターゲット材１０１のスパッタ面における比較的外側の領域に第２のエロージョントラック１０１ｂが形成される。このとき同時に、図２に示すように、少なくともシールド部材２０６の内壁面上に、ターゲット部材とほぼ同一の組成からなるパーティクル防止膜１０３が堆積する。ここでは、パーティクル防止膜１０３の膜厚を約２００ｎｍとしている。また、このターゲット材清浄化及びパーティクル防止膜堆積工程（以下、工程（１）と呼ぶ。）においては、ウェハ２０５の上面にもパーティクル防止膜１０３が形成されるため、ウェハ２０５に代わるダミーウェハを用いるか、又はウェハ２０５の上面を覆うことができ且つ可動式のシャッタ機構等を設けると、ウェハ２０５を無駄にすることがなくなる。
【００４６】
（２）スパッタ膜成膜工程
次に、前述したように、現状のＢＳＴＯからなるターゲット材２０３は酸素が欠損しているため、スパッタガスに、活性（反応性）ガスとして酸素ガスを添加する。また、チャンバ２０１の内部の成膜圧力を、所望のスパッタ膜を成膜する際の所定の成膜圧力、すなわち工程（１）における成膜圧力の２分の１程度の値に下げた後に、スパッタリングを行なう。これにより、ウェハ２０５の上面には、酸素欠損がない例えばＢＳＴＯからなる、所望の誘電体（スパッタ）膜１０４を成膜する。ここでは、誘電体膜１０４の膜厚を約３０ｎｍとしている。
【００４７】
このように、本実施形態によると、所望の誘電体膜１０４を成膜するよりも前に、複数の元素を含むターゲット材、例えばＢＳＴＯのような金属化合物からなるターゲット材２０６のスパッタ面に対して、成膜圧力を所定の成膜圧力と変えてスパッタリングを行なうことにより、エロージョントラックを所定の成膜条件時に形成される第１のエロージョントラック１０１ａと異なる領域にずらせことができる。これにより、第１のエロージョントラック１０１ａの周辺領域に堆積する堆積物１０２を除去することができる。
【００４８】
さらに、工程（１）におけるスパッタリングを不活性ガスのみで行なうため、シールド部材２０６の内壁面上には、酸素欠損がない状態の堆積膜と比べてシールド部材２０６との密着性が向上したパーティクル防止膜１０３が成膜される。その結果、通常、シールド部材２０６等に堆積する堆積膜は剥がれやすくてパーティクルの発生原因となるが、本実施形態においては、酸素欠損を生じた状態で成膜されたパーティクル防止膜１０３が剥がれ難いため、ウェハ２０５の汚染を防止することができる。
【００４９】
また、スパッタ膜成膜工程（以下、工程（２）と呼ぶ。）においては、ターゲット材２０６の酸素欠損を補うべく、スパッタガスに酸素ガスを添加しているため、誘電体膜１０４をキャパシタの容量絶縁膜に用いた場合に生じる酸素欠損によるリーク電流の増大や、容量値の低下を防止することができる。これにより、誘電体膜１０４の歩留まりが向上し、該誘電体膜１０４を用いた半導体装置の信頼性が向上する。
【００５０】
なお、パーティクル防止膜１０３を２００ｎｍ程度の膜厚で形成したが、この膜厚はその積算値によってパーティクルが発生するまでの期間が決定される。例えば、工程（１）におけるスパッタリング時間を短くして、パーティクル防止膜１０３の膜厚を２００ｎｍ以下とし、工程（２）が終了するごとに、工程（１）を行なって、パーティクル防止膜１０３の膜厚が２００ｎｍを超えるまで、工程（１）及び（２）を繰り返しても良い。
【００５１】
また、工程（１）は、工程（２）における成膜圧力よりも高い圧力条件で且つ不活性ガスのみでパーティクル防止膜１０３を形成したが、これに限られず、第１のエロージョントラック１０１ａのターゲット材１０１に対する位置や、工程（２）における圧力範囲によっては、所定の成膜圧力よりも低い圧力でスパッタリングを行なう方がより効果的である場合もある。
【００５２】
また、工程（１）において、所定の成膜圧力よりも高くして行なう清浄化工程と、所定の成膜圧力よりも低くして行なう清浄化工程とを少なくとも１サイクル以上繰り返すとさらに有効である。
【００５３】
また、本実施形態においては、工程（１）であるターゲット材清浄化及びパーティクル防止膜堆積工程を１つの工程として同時に行なったが、２つの工程に分けて行なってもよい。さらに、パーティクル防止膜堆積工程の後にターゲット材清浄化工程を行なうような場合には、ターゲット材清浄化工程においては必ずしも不活性ガス雰囲気でスパッタリングを行なう必要はなく、活性ガス（酸素ガス）を添加した状態でターゲット清浄化のスパッタリングを行なってもよい。
【００５４】
また、本実施形態に係るスパッタリング装置は、マグネトロンスパッタリング装置に限られない。例えば、ターゲット材１０１のスパッタ面に堆積物１０２が形成され、且つ成膜圧力によりエロージョントラックの位置がずれるようなスパッタリング装置に有効である。
【００５５】
また、シールド部材２０６は必ずしも必要ではない。
【００５６】
また、複数の元素を含むターゲット材１０１は、ＢＳＴＯに限られないことはいうまでもないが、酸素の組成が化学量論比と比べて小さい材料からなるターゲット材には、特に有効である。
【００５７】
【発明の効果】
本発明に係る第１のスパッタ膜の成膜方法によると、ターゲット材のスパッタ面からのパーティクルの発生を低減することができる。
【００５８】
本発明に係る第２のスパッタ膜の成膜方法によると、チャンバの内壁面上又は該チャンバ内に設けられた部材の露出面からのパーティクルの発生を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係るスパッタ膜の成膜方法におけるターゲット材を示し、（ａ）は所定の成膜圧力下における第１のエロージョントラックを示す構成断面図であり、（ｂ）は所定の成膜圧力よりも高い成膜圧力下における第２のエロージョントラックを示す構成断面図であり、（ｃ）は所定の成膜圧力よりも低い成膜圧力下における第３のエロージョントラックを示す構成断面図である。
【図２】本発明に係るスパッタ膜の成膜方法を実現可能なスパッタリング装置を示す概略的な構成断面図である。
【符号の説明】
１０１　　　ターゲット材
１０１ａ　　第１のエロージョントラック（浸食領域）
１０１ｂ　　第２のエロージョントラック（浸食領域）
１０１ｃ　　第３のエロージョントラック（浸食領域）
１０２　　　堆積物
１０３　　　パーティクル防止膜
１０４　　　誘電体膜（スパッタ膜）
２０１　　　チャンバ
２０１ａ　　排気口
２０２　　　磁石
２０３　　　カソード
２０４　　　保持台
２０５　　　ウェハ（試料）
２０６　　　シールド部材
２０７　　　ガス導入管
【図１】
2004018896.tif 000003
【図２】
2004018896.tif 000004