(57)【要約】【課題】基板にダメージを与えることなく、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を良好に行う。【解決手段】現像ユニット１０Ａ、１０Ｂで基板Ｗに対して現像処理、リンス処理および置換処理がこの順序で行われた後、該基板Ｗが乾燥防止液で濡れた状態のまま主搬送ロボット３０により超臨界乾燥ユニット２０にウエット搬送される。そして、その超臨界乾燥ユニット２０で高圧乾燥処理（超臨界乾燥処理）が専門的に実行される。したがって、現像処理において使用可能な現像液の種類に制約を課すことなく、しかも超臨界乾燥ユニット２０の圧力容器２０２内の腐食等の問題を発生させることなく、現像処理から高圧乾燥処理までの一連の処理が行われる。しかも、乾燥防止液の存在により基板Ｗの搬送中に基板Ｗが自然乾燥してしまうのが効果的に防止される。【選択図】        図２
2004172231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
湿式処理装置内で、基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施し、さらに該湿式処理を受けた前記基板に乾燥防止液を供給して前記基板に付着する前記処理液を前記乾燥防止液に置換する湿式処理工程と、
前記湿式処理工程後の前記基板を前記乾燥防止液で濡れた状態のまま高圧乾燥装置に搬送する搬送工程と、
前記高圧乾燥装置内で、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて前記搬送工程により搬送されてきた前記基板を高圧乾燥させる乾燥工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
湿式処理装置内で、基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、
前記湿式処理工程後の前記基板を前記処理液で濡れた状態のまま置換装置に搬送する第１搬送工程と、
前記置換装置内で、前記搬送工程により搬送されてきた前記基板に乾燥防止液を供給して前記基板に付着する前記処理液を前記乾燥防止液に置換する置換工程と、
前記置換工程後の前記基板を前記乾燥防止液で濡れた状態のまま高圧乾燥装置に搬送する第２搬送工程と、
前記高圧乾燥装置内で、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて前記第２搬送工程により搬送されてきた前記基板を高圧乾燥させる乾燥工程と
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
前記乾燥防止液として、前記高圧流体との親和性が前記処理液よりも高い置換液を用いる請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記装置間での基板搬送が前記基板を輸送用容器に収容した状態でウェット搬送される請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す処理液供給手段と、
前記湿式処理が施された前記基板に乾燥防止液を供給して前記基板に付着する前記処理液を前記乾燥防止液に置換する乾燥防止液供給手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
処理液で濡れた基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に乾燥防止液を供給して前記基板に付着する前記処理液を前記乾燥防止液に置換する乾燥防止液供給手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記乾燥防止液供給手段は、前記高圧流体との親和性が前記処理液よりも高い置換液を前記乾燥防止液として供給する請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
請求項５記載の基板処理装置と同一構成を有する湿式処理ユニットと、
高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて前記基板を高圧乾燥させる高圧乾燥ユニットと、
前記乾燥防止液で濡れた状態のまま前記基板を前記湿式処理ユニットから前記高圧乾燥ユニットに搬送する搬送ユニットと
を備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項９】
基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す湿式処理ユニットと、
請求項６記載の基板処理装置と同一構成を有する置換ユニットと、
高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて前記置換ユニットから搬送されてくる基板を高圧乾燥させる高圧乾燥ユニットと、
前記処理液で濡れた状態のまま前記基板を前記湿式処理ユニットから前記置換ユニットに搬送し、また前記乾燥防止液で濡れた状態のまま前記基板を前記置換ユニットから前記高圧乾燥ユニットに搬送する搬送ユニットと
を備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１０】
前記乾燥防止液として、前記高圧流体との親和性が前記処理液よりも高い置換液を用いる請求項８または９記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記搬送ユニットは、前記基板を輸送用容器に収容した状態で前記ユニット間をウェット搬送する請求項８ないし１０のいずれかに記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板（以下、単に「基板」という）に対して、所定の湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を施す基板処理方法、ならびに該方法に好適な基板処理装置および基板処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの微細化が近年急速に進められているが、この微細化に伴って基板処理において新たな問題が生じることとなった。例えば、基板上に塗布されたレジストをパターニングして微細パターンを形成する場合、湿式現像処理および乾燥処理をこの順序で行う。ここで、基板に塗布されたレジストを現像する湿式現像処理では、例えばアルカリ現像処理およびリンス処理が実行される。すなわち、アルカリ現像処理では、不要なレジストを除去するためにアルカリ性水溶液が使用され、リンス処理ではそのアルカリ性水溶液を除去するために（現像を停止するために）純水などのリンス液が使用される。一方、乾燥処理では基板を回転させることにより基板上に残っているリンス液に遠心力を作用させて基板からリンス液を除去し、乾燥させる（スピン乾燥）。このうち乾燥工程においては、乾燥の進展とともにリンス液と気体との界面が基板上に現れ、半導体デバイスの微細パターンの間隙にこの界面が現れると、微細パターン同士がリンス液の表面張力により互いに引き寄せられて倒壊するという問題があった。
【０００３】
加えて、この微細パターンの倒壊には、リンス液を振り切る際の流体抵抗や、リンス液が微細パターンから排出される時に生じる印圧や、３０００ｒｐｍ超の高速回転による空気抵抗や遠心力も関与していると考えられている。
【０００４】
この問題の解決のために、基板を圧力容器などの反応槽内に設置し、低粘性、高拡散性の性質を持つ超臨界流体（以下、「ＳＣＦ」という）を使用した高圧処理技術が従来より提案されている。その従来技術として、例えば洗浄、エッチング、現像処理などの湿式処理と、ＳＣＦを用いた高圧乾燥処理とを同一反応槽内で行う基板処理装置がある（特許文献１参照）。この特許文献１に記載の装置では、基板がセットされた反応槽内に液体タンクから洗浄液、エッチング液、現像液などの処理液が導入されると、この反応槽内で処理液が回転機構により撹拌されてスムーズで均一な湿式処理が実行される。これに続いて、処理液の代えてリンス液が液体タンクから反応槽に導入されてリンス処理が実行される。その後、リンス液が反応槽から排出されながらガスボンベからＳＣＦが反応槽に導入される。これによって、リンス液がＳＣＦによって置換される。そして、緩やかにＳＣＦが排出されて超臨界乾燥、つまり高圧乾燥処理が実行される。
【０００５】
【特許文献１  】
特開平１１−８７３０６号公報（
【００１６】、
【００１７】、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一の反応槽内で湿式処理と高圧乾燥処理とを連続して行う従来装置では、次のような問題が発生する。すなわち、高圧乾燥処理を実行する基板処理装置では、従来より多用されている基板処理装置、つまり常圧で表面処理を行う基板処理装置と比較すると多くの制約条件がある。そのうち最大の制約条件は、処理液の選択範囲が限られている点である。というのも、この基板処理装置では、反応槽として圧力容器を用いる必要があるが、表面処理を実行するために強酸や強アルカリといった腐食性の処理液を用いた場合、該処理液が圧力容器の接液面を腐食してしまうためである。このような事情から、表面処理を実行するために強酸や強アルカリといった腐食性の薬液を導入することができず、この結果、処理液の選択範囲が大幅に制約されてしまう。
【０００７】
ここで、上記制約を取り払うために圧力容器の内面をフッ素樹脂などで耐蝕コーティングすることが当然考えられるが、高圧下で長期間その機能を継続発揮させることは事実上困難である。また仮に、圧力容器の内面を耐蝕コーティングしたとしても、そこに至る細い配管や接手、高圧弁等の部品のすべての内面を耐蝕コーティングすることは実質的に不可能である。
【０００８】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、微細パターンの倒壊などのダメージを基板に与えることなく、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を良好に行うことができる基板処理方法、ならびに該方法に好適な基板処理装置および基板処理システムを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる基板処理方法の一の態様は、上記目的を達成するため、湿式処理装置内で、基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施し、さらに該湿式処理を受けた基板に乾燥防止液を供給して基板に付着する処理液を乾燥防止液に置換する湿式処理工程と、湿式処理工程後の基板を乾燥防止液で濡れた状態のまま高圧乾燥装置に搬送する搬送工程と、高圧乾燥装置内で、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて搬送工程により搬送されてきた基板を高圧乾燥させる乾燥工程とを備えたことを特徴としている。
【００１０】
このように構成された発明では、湿式処理については湿式処理装置で実行する一方、高圧乾燥処理については高圧乾燥装置で専門的に実行しているため、湿式処理工程において使用可能な処理液の種類に制約が課せられることがなく、しかも圧力容器内の腐食等の問題を発生させることなく、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を良好に行うことができる。
【００１１】
また、特許文献１に記載の装置では、圧力容器に対して処理液およびＳＣＦを出し入れしなければならず、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理に時間がかかるという問題を含んでいる。これに対して、本発明では、高圧乾燥装置では処理流体のみが用いられる。しかも、湿式処理工程と乾燥工程とを並行して行うことが可能となっている。このため、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を短時間で行うことができ、効率的な基板処理を行うことができる。
【００１２】
さらに、湿式処理装置内で所定の湿式処理を受けた基板に対して乾燥防止液を供給して基板に付着する処理液を乾燥防止液に置換した上で、この乾燥防止液で濡れた状態のまま基板が湿式処理装置から高圧乾燥装置にウェット搬送される。このため、基板の搬送中に基板が自然乾燥してしまうのを効果的に防止することができ、基板にダメージを与えることなく良好に処理することができる。
【００１３】
この発明にかかる基板処理方法の他の態様は、上記目的を達成するため、湿式処理装置内で、基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す湿式処理工程と、湿式処理工程後の基板を処理液で濡れた状態のまま置換装置に搬送する第１搬送工程と、置換装置内で、搬送工程により搬送されてきた基板に乾燥防止液を供給して基板に付着する処理液を乾燥防止液に置換する置換工程と、置換工程後の基板を乾燥防止液で濡れた状態のまま高圧乾燥装置に搬送する第２搬送工程と、高圧乾燥装置内で、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて第２搬送工程により搬送されてきた基板を高圧乾燥させる乾燥工程とを備えたことを特徴としている。
【００１４】
このように構成された発明においても、上記一の態様にかかる発明と同様に、湿式処理については湿式処理装置で実行する一方、高圧乾燥処理については高圧乾燥装置で専門的に実行しているため、処理液の種類に関する制約がなく、しかも圧力容器内の腐食等の問題を発生させることなく、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を良好に行うことができる。また、高圧乾燥装置では処理流体のみが用いられるとともに、湿式処理と、置換処理と、高圧乾燥処理とを並行して行うことが可能となっている。このため、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を短時間で行うことができ、効率的な基板処理を行うことができる。
【００１５】
さらに、湿式処理が施された基板については、処理液で濡れた状態のまま置換装置にウェット搬送し、その置換装置内で基板に付着している処理液を乾燥防止液に置換した上で、この乾燥防止液で濡れた状態のまま基板が高圧乾燥装置にウェット搬送される。このように、基板の搬送中において基板は処理液か乾燥防止液で濡れており、基板が自然乾燥してしまうのを効果的に防止することができ、基板にダメージを与えることなく良好に処理することができる。
【００１６】
ここで、乾燥防止液として、高圧流体との親和性がリンス液よりも高い置換液を用いることができる。この発明では、上記したように乾燥防止液で濡れた状態で基板は高圧乾燥装置に搬送されてくるため、その乾燥防止液が高圧流体と親和性に優れていることで乾燥工程を効率的に進めることができる。
【００１７】
また、装置間での基板搬送については、基板に乾燥防止液や処理液を盛った状態でウェット搬送してもよいが、基板を輸送用容器に収容した状態でウェット搬送するようにしてもよい。こうすることで、基板搬送中における基板の自然乾燥をより効果的に防止することができる。
【００１８】
上記した基板処理方法に好適な基板処理装置としては、例えば基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す処理液供給手段と、湿式処理が施された基板に乾燥防止液を供給して基板に付着する処理液を乾燥防止液に置換する乾燥防止液供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置があり、この装置は請求項１の湿式処理工程を実行するのに好適となっている。
【００１９】
また、上記した基板処理方法に好適な基板処理装置としては、例えば処理液で濡れた基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に乾燥防止液を供給して基板に付着する処理液を乾燥防止液に置換する乾燥防止液供給手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置があり、この装置は請求項２の置換工程を実施するのに好適となっている。
【００２０】
このように構成された発明（基板処理装置）の乾燥防止液供給手段については、高圧流体との親和性が処理液よりも高い置換液を乾燥防止液として供給するように構成するのが、より好適である。つまり、高圧流体を含む処理流体を用いた高圧乾燥を実行する前に、高圧流体との親和性に優れた置換液を基板に付着させておくことで、単に基板搬送中の基板の自然乾燥を防止するのみならず、乾燥工程の効率を高めることができる。
【００２１】
上記した基板処理方法に好適な基板処理システムとしては、例えば請求項５記載の基板処理装置と同一構成を有する湿式処理ユニットと、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて基板を高圧乾燥させる高圧乾燥ユニットと、乾燥防止液で濡れた状態のまま基板を湿式処理ユニットから高圧乾燥ユニットに搬送する搬送ユニットとを備えたことを特徴とする基板処理システムがあり、このシステムは請求項１にかかる基板処理方法を実施するのに好適となっている。
【００２２】
また、上記した基板処理方法に好適な基板処理システムとしては、例えば基板に処理液を供給して所定の湿式処理を施す湿式処理ユニットと、請求項６記載の基板処理装置と同一構成を有する置換ユニットと、高圧流体あるいは高圧流体と薬剤との混合物を処理流体として用いて湿式処理ユニットから搬送されてくる基板を高圧乾燥させる高圧乾燥ユニットと、処理液で濡れた状態のまま基板を湿式処理ユニットから置換ユニットに搬送し、また乾燥防止液で濡れた状態のまま基板を置換ユニットから高圧乾燥ユニットに搬送する搬送ユニットとを備えたことを特徴とする基板処理システムがあり、このシステムは請求項２にかかる基板処理方法を実施するのに好適となっている。
【００２３】
ここで、乾燥防止液として、高圧流体との親和性が処理液よりも高い置換液を用いることができる。この発明では、高圧流体との親和性に優れた乾燥防止液で濡れた状態で基板を高圧乾燥ユニットにウェット搬送するため、高圧乾燥処理を効率的に進めることができる。
【００２４】
さらに、ユニット間での基板搬送については、基板に乾燥防止液や処理液を盛った状態でウェット搬送してもよいが、基板を輸送用容器に収容した状態でウェット搬送するようにしてもよい。こうすることで、基板搬送中における基板の自然乾燥をより効果的に防止することができる。
【００２５】
なお、本発明において、用いられる高圧流体としては、安全性、価格、超臨界状態にするのが容易、といった点で、二酸化炭素が好ましい。二酸化炭素以外には、水、アンモニア、亜酸化窒素、エタノール等も使用可能である。高圧流体を用いるのは、拡散係数が高く、溶解した汚染物質を媒体中に分散することができるためであり、その高圧流体を超臨界流体にした場合には、気体と液体の中間の性質を有するようになり、拡散係数は気体に近づき、微細なパターン部分にもよく浸透することができる。また、超臨界流体の密度は、液体に近く、気体に比べて遥かに大量の添加剤（薬剤）を含むことができる。
【００２６】
ここで、本発明における高圧流体とは、１ＭＰａ以上の圧力の流体である。好ましく用いることのできる高圧流体は、高密度、高溶解性、低粘度、高拡散性の性質が認められる流体であり、さらに好ましいものは超臨界状態または亜臨界状態の流体である。二酸化炭素を超臨界流体とするには３１゜Ｃ、７．１ＭＰａ以上とすればよく、特に乾燥工程には、５〜３０ＭＰａの亜臨界（高圧流体）または超臨界流体を用いることが好ましく、７．１〜２０ＭＰａでこれらの処理を行うことがより好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明にかかる基板処理システムの第１実施形態を示す図である。また図２は、図１の基板処理システムに装備される現像ユニットを示す図である。さらに図３は、図１の基板処理システムに装備される高圧乾燥ユニットを示す図である。この基板処理システムは、図１に示すように、基板処理部ＰＳと、この基板処理部ＰＳに結合されたインデクサ部ＩＤとを備えている。
【００２８】
基板処理部ＰＳでは、ともに同一の湿式処理工程を基板に対して施す複数の現像ユニット（この実施形態では２個の現像ユニット１０Ａ、１０Ｂ）が本発明の請求項１の「湿式処理装置」、請求項５の「基板処理装置」、請求項８の「湿式処理ユニット」として設けられている。すなわち、各現像ユニット１０Ａ、１０Ｂは、第一の処理液として現像液を基板Ｗの表面に供給して現像処理を実行し、さらに第二の処理液としてリンス液を供給してリンス処理した後、さらに乾燥防止液を基板Ｗの表面に供給することにより基板Ｗに付着するリンス液を乾燥防止液に置換する。なお、その構成および動作については後で詳述する。
【００２９】
また、処理ユニットとして、湿式処理工程（この実施形態では、現像処理＋リンス処理＋置換処理）を受けた基板Ｗに超臨界乾燥処理を施す超臨界乾燥ユニット２０が設けられており、これが本発明の「高圧乾燥ユニット」および「高圧乾燥装置」として機能する。なお、その構成および動作については後で詳述する。
【００３０】
さらに、これらの処理ユニット１０Ａ、１０Ｂ、２０に取り囲まれるように、基板処理部ＰＳの中央に本発明の「搬送ユニット」として機能する主搬送ロボット３０が配置されている。
【００３１】
この実施形態では、現像ユニット１０Ａ、１０Ｂの基本的構成は図２に示すように同一である。すなわち、各現像ユニット１０Ａ、１０Ｂでは、基板Ｗを保持する基板保持部（基板保持手段）１０２が設けられている。この基板保持部１０２は、基板Ｗと同程度の平面サイズを有する基板支持板１０４と、この基板支持板１０４の上面に固着された複数の周縁支持ピン１０６とを備えており、周縁支持ピン１０６により基板Ｗの周縁部を支持することで基板Ｗを略水平状態で保持可能となっている。なお、必要に応じて基板Ｗの下面中央部を支持する中央支持ピンを基板支持板１０４の上面から立設してもよい。また、この実施形態では基板Ｗを機械的に保持しているが、基板保持方式はこれに限定されるものではなく、例えば基板Ｗの下面を真空吸着して保持してもよい。
【００３２】
この基板支持板１０４は、モータ１０８の出力回転軸１１０に連結されており、モータ１０８の作動に伴って回転する。これによって、基板保持部１０２に保持されている基板Ｗは所望タイミングで回転駆動される。
【００３３】
また、この装置では、次に説明するようにスリットノズル１４８から基板Ｗに供給された現像液の余剰分、吐出ノズル１４８からリンス処理において使用するリンス液および置換処理において使用する乾燥防止液（置換液）を回収すべく、基板保持部１０２の周囲に処理カップ１１２が設けられている。なお、この処理カップ１１２は昇降可能に構成され、その底部には排液口１１４（１１６）や排気口１１６（１１４）が設けられている。
【００３４】
この基板処理システムでは、上記したようにスリットノズル１２４から基板Ｗに現像液を供給するために、現像液供給機構１１８が本発明の「処理液供給手段」として設けられている。この現像液供給機構１１８は、現像液供給源１２０から供給される現像液をバルブ１２２を介してスリットノズル１２４に圧送し、基板Ｗの表面に現像液を広がらせて現像液層を形成する。すなわち、スリットノズル１２４は基板Ｗの直径と同等の長さを有する現像液供給口を有しており、その現像液供給口から現像液を静止させた基板Ｗ上に滴下させつつ、水平方向移動機構１２６を使用してスリットノズル１２４を基板Ｗと平行に（＋Ｘ）の向きに移動させ、基板Ｗの表面全面に現像液を盛るようにしている。なお、現像液供給口の長さは基板Ｗの直径と同等に限定されず、それ以上の長さを有していてもよい。また、現像液を盛る際には基板Ｗに与える現像液の衝撃を考慮し、スリットノズル１２４が基板Ｗの上方に位置する手前から現像液の滴下を開始し、スリットノズル１２４を（＋Ｘ）の向きに移動させている。
【００３５】
スリットノズル１２４の水平方向移動機構１２６は、モータ１２８、プーリ１３０、１３２およびベルト１３４で構成されている。モータ１２８のモータ軸にはプーリ１３２が連結されており、プーリ１３０、１３２にはベルト１３４が掛けられている。すなわち、モータ１２８の回転にともなってベルト１３４が循環回走するように構成されている。また、ベルト１３４と昇降機構１３６のサーボモータ１３８とは係止部材１４０によって接続されている。したがって、モータ１２８の正または逆回転にともなって、サーボモータ１３８がＸ軸方向に前進または後退し、その結果昇降機構１３６の上部に設けられているスリットノズル１２４が（＋Ｘ）または（−Ｘ）の向きに移動することとなる。
【００３６】
一方、昇降機構１３６は、サーボモータ１３８とカップリング１４２とボールネジ１４４とで構成されている。サーボモータ１３８の回転は、カップリング１４２を介してボールネジ１４４に伝達される。ボールネジ１４４にはスリットノズル１２４が螺合されている。したがって、サーボモータ１３８の正または逆回転によってスリットノズル１２４が鉛直方向に昇降されることになる。なお、カップリング１４２はサーボモータ１３８のモータ軸とボールネジ１４４との軸ずれを吸収してサーボモータ１３８を保護するための部材である。
【００３７】
なお、この現像液供給機構１１８では、現像液を吐出する現像ノズルとしてスリットノズル１２４を用いているが、これに限定されるものではなく、これ以外にストレートノズル、ＳＳノズル、ＳＩノズル、ＭＩノズルなどのノズルを用いることができる。また、現像ノズル１２４をＸ方向にスキャンさせて現像液を基板Ｗに供給しているが、現像ノズル１２４から基板Ｗに現像液を部分的に供給した後で基板Ｗを回転させて現像液を基板全面に塗布する機構を本発明の「処理液供給手段」として採用してもよい。
【００３８】
また、この実施形態では、リンス液または乾燥防止液（置換液）を選択的に基板Ｗに供給するためにリンス・乾燥防止液供給機構１４６が設けられている。このリンス・乾燥防止液供給機構１４６では、基板保持部１０２の上方位置にノズル１４８が設けられており、リンス液または乾燥防止液を選択的に基板Ｗに向けて吐出可能となっている。そして、上記吐出ノズル１４８の基端は、同図に示すように、昇降回転機構１５０に連結されており、昇降回転機構１５０によって回転中心ＡＸ周りで水平揺動および昇降可能となっている。また、吐出ノズル１４８の後端部はバルブ１５２を介してリンス液供給源１５４に接続されるとともに、バルブ１５６を介して乾燥防止液供給源１５８に接続されており、バルブ１５２、１５６の開閉制御によって吐出ノズル１４８からリンス液または乾燥防止液を選択的に吐出可能となっている。なお、この実施形態では、リンス・乾燥防止液供給機構１４６が、本発明の「処理液供給手段」としての機能と、「乾燥防止液供給手段」としての機能とを兼ね備えており、吐出ノズル１４８はリンス液および乾燥防止液を吐出するためのノズルとして機能しているが、リンス液専用の吐出ノズルと、乾燥防止液専用の吐出ノズルをそれぞれ設けるとともに、昇降回転機構により各吐出ノズルを適宜昇降・回転させるように構成してもよいことは言うまでもない。また、一の昇降回転機構によりリンス液専用の吐出ノズルと、乾燥防止液専用の吐出ノズルとを移動させるように構成してもよい。
【００３９】
ここで、乾燥防止液としては現像ユニット１０Ａ、１０Ｂから超臨界乾燥ユニット２０に搬送している間に基板Ｗの自然乾燥を防止することができる液体であれば、原則的には如何なる液体を用いてもよいのである。しかしながら、超臨界乾燥ユニット２０での超臨界乾燥処理の効率を考慮すると、ＳＣＦとの親和性に優れたものを採用するのが望ましい。というのも、ＳＣＦに対するリンス液の親和性よりも高い親和性を有する液体を用いることで特許文献１に記載の装置よりも効率良く超臨界乾燥処理を行うことができるからである。これらの点を考慮すると、フロロカーボン系の薬液などを置換液を乾燥防止液として用いることができる。
【００４０】
そして、このように構成された現像ユニット１０Ａ、１０Ｂでは、バルブ１２２、１５２、１５６を開閉制御することで、基板Ｗに現像液を供給して所定の現像処理を施し、該現像処理を受けた基板Ｗにリンス液を供給してリンス処理を施し、さらに該リンス処理を受けた基板Ｗに乾燥防止液を供給して基板Ｗに付着するリンス液を乾燥防止液に置換する。
【００４１】
次に、図３を参照しつつ超臨界乾燥ユニット２０について詳述する。この超臨界乾燥ユニット２０は、同図に示すように、基板Ｗを圧力容器２０２の内部、つまり処理チャンバー２０４で回転自在に保持する。より具体的には、圧力容器２０２では、その内部が処理チャンバー２０４となっているとともに、その側面部に基板Ｗを処理チャンバー２０４に対して搬入出させるための開口部２０６が設けられている。
【００４２】
また、圧力容器２０２の近傍には、開口部２０６を開閉するゲート部２０８が配置されている。このゲート部２０８にはゲート駆動部（図示省略）が連結されており、装置全体を制御する制御部からの動作指令に応じてゲート駆動部が作動することでゲート部２０８が昇降移動される。例えば、ゲート部２０８を下降させると、開口部２０６が閉じられて処理チャンバー２０４内が気密状態となる。一方、ゲート駆動部によりゲート部２０８を上昇させると、同図に示すように開口部２０６が開放状態となり、主搬送ロボット３０のハンドが同図中の１点鎖線で示す搬送経路に沿って移動して処理チャンバー２０４に対してアクセス可能となる。そして、乾燥防止液で濡れた状態の基板Ｗを保持したハンドが処理チャンバー２０４に移動して処理チャンバー２０４内に位置するスピンチャック２１０に載置する（基板Ｗの搬入）。また、逆にハンドがスピンチャック２１０上の基板Ｗを受け取った後、搬送経路に沿って圧力容器２０２から後退することで基板Ｗが圧力容器２０２から搬出される。
【００４３】
このスピンチャック２１０は処理チャンバー２０４内に配置されており、その上面に設けられた吸着口（図示省略）により基板Ｗの下面中央部を吸着保持可能となっている。また、スピンチャック２１０には、モータ２１２によって回転される回転軸２１４が連結されており、制御部からの動作指令を受けたモータ２１２が回転駆動されるのに応じてスピンチャック２１０およびそれによって保持されている基板Ｗが一体的に処理チャンバー２０４内で回転する。なお、スピンチャック２１０の基板Ｗの保持は吸着に限られるものではなく、メカ的に保持する構成でもよい。
【００４４】
また、この圧力容器２０２では、同図に示すように、処理チャンバー２０４に連通する２つの貫通孔２１６，２１８が設けられている。これらの貫通孔のうち天井側に設けられた貫通孔２１６の処理チャンバー２０４側の端部はスピンチャック２１０に保持された基板Ｗの上面中央部を臨むように設けられるとともに、その他端部はバルブ２２０を介してＳＣＦ供給部２２２にそれぞれ接続されている。このため、制御部からの開閉指令に基づきバルブ２２０を開くことでＳＣＦ供給部２２２から超臨界二酸化炭素が処理流体として処理チャンバー２０４に供給されて超臨界乾燥を実行可能となっている。
【００４５】
なお、この実施形態では、処理流体として超臨界二酸化炭素のＳＣＦを使用するが、超臨界二酸化炭素と薬剤との混合物を処理流体として処理チャンバー２０４に導入するようにしてもよく、乾燥処理に適した薬剤として乾燥防止液成分をＳＣＦに溶解もしくは均一分散させる助剤となり得る相溶化剤を用いることが好ましく、乾燥防止液成分をＳＣＦと相溶化させることができれば特に限定されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類や、いわゆる界面活性剤であるジメチルスルホキシド等のアルキルスルホキシドが好ましいものとして挙げられる。
【００４６】
残りの貫通孔２１８はバルブ２２４を介してＳＣＦ回収部２２６にそれぞれ接続されており、上記のようにして処理チャンバー２０４内に導入されるＳＣＦおよび超臨界乾燥処理に伴って発生する汚染物質などを圧力容器２０２の外に排出回収可能となっている。
【００４７】
次に、主搬送ロボット３０について図４を参照しつつ説明する。この主搬送ロボット３０は、インデクサ部ＩＤとの間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるとともに、処理ユニット１０Ａ、１０Ｂ、２０に対してアクセスして基板Ｗの搬入／搬出を行うことができるように構成されている。
【００４８】
インデクサ部ＩＤは、直方体形状の有蓋容器であるポッドＰに収容された状態で基板Ｗが置かれる基板ステーション４０と、基板ステーション４０に置かれたポッドＰに対して基板Ｗを搬入／搬出することができ、かつ、主搬送ロボット３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができるインデクサロボット５０とを備えている。基板ステーション４０では、複数個（この実施形態では３個）のポッドＰがＹ方向に沿って載置可能となっており、各ポッドＰ内には、複数枚の基板Ｗを互いに積層して収容することができるカセット（図示省略）が収容されている。また、ポッドＰの外側面のうちインデクサロボット５０に対向することになる前面には、着脱自在な蓋が設けられており、図示しない脱着機構によって、当該蓋の自動着脱が行われるようになっている。
【００４９】
そして、インデクサロボット５０は、基板ステーション４０に置かれたポッドＰの配置方向、すなわちＹ方向に沿って、走行可能となっており、任意のポッドＰの前方に移動したり、主搬送ロボット３０との間で基板Ｗを受け渡すための受け渡し部６０の前へと移動する。
【００５０】
図４は、インデクサロボット５０と主搬送ロボット３０との間での基板Ｗの受け渡しの様子を示す拡大平面図である。主搬送ロボット３０は、基板Ｗを保持するための一対のハンド３０２，３０４と、これらの一対のハンド３０２，３０４を、基台部３０６に対して互いに独立に進退させるための進退駆動機構３０８，３１０と、基台部３０６を鉛直軸線（図４の紙面に垂直な軸線）回りに回転駆動するための回転駆動機構（図示省略）と、基台部３０６を鉛直方向に昇降させるための昇降駆動機構（図示省略）とを備えている。進退駆動機構３０８，３１０は、多関節アーム型のものであり、ハンド３０２，３０４の姿勢を保持しつつ、それらを水平方向に進退させる。一方のハンド３０２は、他方のハンド３０４よりも上方において進退するようになっており、ハンド３０２，３０４の両方が基台部３０６の上方に退避させられた初期状態では、これらのハンド３０２，３０４は上下に重なり合う。
【００５１】
一方、インデクサロボット５０は、基板Ｗを保持するための一対のハンド５０２，５０４と、これらの一対のハンド５０２，５０４を基台部５０６に対して互いに独立に進退させるための進退駆動機構５０８，５１０と、基台部５０６を鉛直軸線回りに回転させるための回転駆動機構（図示省略）と、基台部５０６を昇降させるための昇降駆動機構（図示省略）と、インデクサロボット５０全体をＹ方向（図４参照）に沿って水平移動させるための水平駆動機構とを備えている。進退駆動機構５０８，５１０は、多関節アーム型の駆動機構であって、ハンド５０２，５０４を、それらの姿勢を保持した状態で、水平方向に沿って進退させる。一方のハンド５０２は、他方のハンド５０４の上方に位置していて、ハンド５０２，５０４が基台部５０６の上方に退避した初期状態では、ハンド５０２，５０４は上下に重なり合っている。
【００５２】
インデクサロボット５０のハンド５０２，５０４および主搬送ロボット３０のハンド３０２，３０４は、いずれもフォーク形状に形成されている。インデクサロボットのハンド５０２，５０４はほぼ同形状であり、また、主搬送ロボット３０のハンド３０２，３０４はほぼ同形状である。インデクサロボット５０のハンド５０２，５０４と主搬送ロボット３０のハンド３０２，３０４とは、平面視においてほぼ噛み合う形状を有していて、ハンド５０２，３０２間またはハンド５０４，３０４間で、基板Ｗを直接受け渡すことができる。すなわち、受け渡し部６０において、インデクサロボット５０のハンド５０２は、主搬送ロボット３０のハンド３０２から基板Ｗを直接受け取ることができる。同様に、インデクサロボット５０のハンド５０４は、受け渡し部６０において、主搬送ロボット３０のハンド３０４に、基板Ｗを直接受け渡すことができる。
【００５３】
次に、上記のように構成された基板処理システムの動作について図５を参照しつつ詳述する。図５は、図１の基板処理システムの動作を示すフローチャートである。ここでは、動作理解を助けるために１枚の基板Ｗに着目して装置各部の動作について説明する。
【００５４】
基板ステーション４０に置かれたポッドＰに収容されている未処理基板Ｗは、インデクサロボット５０により搬出された（ステップＳ１）後、さらに受け渡し部６０において主搬送ロボット３０に直接受け渡される。こうして、未処理基板Ｗが基板処理部ＰＳにローディングされる。そして、この未処理基板Ｗを受け取った主搬送ロボット３０は、現像ユニット１０Ａ、１０Ｂのうちいずれか一方の現像ユニットの前まで移動し、当該現像ユニットに基板Ｗを搬入する（ステップＳ２）。そして、各現像ユニット１０Ａ、１０Ｂで基板Ｗに対して現像処理、リンス処理および置換処理がこの順序で行われた（ステップＳ３〜Ｓ５）後、該基板Ｗが乾燥防止液で濡れた状態のまま主搬送ロボット３０により超臨界乾燥ユニット２０にウエット搬送される（ステップＳ６）。すなわち、共通乾燥防止液で濡れた基板Ｗをハンド３０２（または３０４）で保持し、現像ユニットから搬出する。そして、その濡れた状態のまま該ハンド３０２（または３０４）を処理チャンバー２０４に移動してスピンチャック２１０に載置した（基板Ｗの搬入）後、空となったハンド３０２（または３０４）を搬送経路に沿って搬入時とは逆向きに移動させてロボット本体（図示省略）まで戻す。なお、この間、ゲート部２０８は上昇しており、開口部２０６は開放状態にある。
【００５５】
こうして、基板Ｗのウェット搬送が完了すると、ゲート駆動部が作動してゲート部２０８を下降させ、これによって開口部２０６が閉じられて処理チャンバー２０４が気密状態となる。そして、処理チャンバー２０４へのＳＣＦ導入およびＳＣＦ回収を実行して高圧乾燥処理（超臨界乾燥処理）を実行する（ステップＳ７）。ここでは、処理チャンバー２０４内の圧力を徐々に高めていくとともに、モータ２１２を作動させてスピンチャック２１０およびそれによって保持されている基板Ｗを比較的低い回転数で回転させる。このように基板Ｗを回転させることで基板Ｗの一部だけが乾燥するのを防止して乾燥処理の均一化を図っている。また、ＳＣＦ供給部２２２からＳＣＦを処理チャンバー２０４に供給しながら、ＳＣＦ回収部２２６に回収して処理チャンバー２０４内の圧力および温度を所定値に維持した後、ＳＣＦの導入を停止するとともに、処理チャンバー２０４からＳＣＦをＳＣＦ回収部２２６に回収することにより処理チャンバー２０４内を減圧して基板Ｗを乾燥させている。なお、ＳＣＦを処理チャンバー２０４に封じ込めた後、上記のようにＳＣＦの導入を停止するとともに、処理チャンバー２０４内のＳＣＦをＳＣＦ回収部２２６に回収して超臨界乾燥を行うようにしてもよい。
【００５６】
こうして現像処理から高圧乾燥処理までの一連の処理が完了すると、スピンチャック２１０の回転を停止するとともに、処理チャンバー２０４を大気圧まで減圧した後、ゲート部２０８を上昇させて基板Ｗの搬出が可能な状態にして主搬送ロボット３０に対して基板の搬送指令を与える。すると、この搬送指令を受けた主搬送ロボット３０がスピンチャック２１０から基板Ｗを受取り、超臨界乾燥ユニット２０から処理済みの基板Ｗを搬出する。そして、ローディング時とは逆の手順、つまりアンローディング動作を実行して処理済みの基板Ｗを基板ステーション４０に置かれたポッドＰに収容する（ステップＳ８）。
【００５７】
以上のように、この実施形態によれば、現像処理については現像ユニット１０Ａ、１０Ｂで実行する一方、高圧乾燥処理については超臨界乾燥ユニット２０で専門的に実行しているため、現像処理において使用可能な現像液の種類に制約を課すことなく、しかも超臨界乾燥ユニット２０の圧力容器２０２内の腐食等の問題を発生させることなく、現像処理から高圧乾燥処理までの一連の処理を良好に行うことができる。
【００５８】
また、上記では１枚の基板Ｗに着目した装置各部の動作について説明したが、実際の基板処理システムでは、複数枚の基板Ｗは同時に並行処理される。つまり、ある基板Ｗが現像ユニット（１０Ａまた１０Ｂ）において湿式処理（ステップＳ３〜Ｓ５）を受けている間に、別の基板Ｗが超臨界乾燥ユニット２０において高圧乾燥処理（ステップＳ７）を受けている。したがって、この実施形態では、湿式処理と、高圧乾燥処理とが並行して行われており、現像処理から高圧乾燥処理までの一連の処理を短時間で行うことができ、効率的な基板処理を行うことができる。
【００５９】
さらに、現像ユニット１０Ａ、１０Ｂ内で現像処理およびリンス処理を受けた基板Ｗに対して乾燥防止液を供給して基板Ｗに付着するリンス液を乾燥防止液に置換した上で、この乾燥防止液で濡れた状態のまま基板Ｗを現像ユニット１０Ａ、１０Ｂから超臨界乾燥ユニット２０にウェット搬送しているので、基板Ｗの搬送中に基板Ｗが自然乾燥してしまうのを効果的に防止することができ、基板Ｗにダメージを与えることなく良好に処理することができる。
【００６０】
図６は、この発明にかかる基板処理システムの第２実施形態を示す図である。また図７は、図６の基板処理システムに装備される現像ユニットを示す図である。さらに図８は、図６の基板処理システムに装備される置換ユニットを示す図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、第１実施形態における現像ユニット１０Ａ、１０Ｂでは現像処理、リンス処理および置換処理を同一装置内で実行しているのに対し、第２実施形態では現像装置およびリンス処理については現像ユニット１０Ｃで実行する一方、置換処理については専用の置換ユニット７０により行っている点である。また、主搬送ロボット３０は基板Ｗを現像ユニット１０Ｃから置換ユニット７０を経由して超臨界乾燥ユニット２０にウェット搬送している。なお、その他の構成は基本的に第１実施形態と同様である。したがって、以下においては、同一構成については同一符号を付して説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【００６１】
この現像ユニット１０Ｃは、乾燥防止液を基板Ｗに供給する乾燥防止液供給手段に相当する構成を有していない点で第１実施形態の現像ユニット１０Ａ、１０Ｂと相違するのみで、その他の構成は全く同一である。そして、この基板処理装置１０Ｃでは、基板保持部１０２で基板Ｗを保持した状態で現像液供給源１２０から供給される現像液をバルブ１２２を介してスリットノズル１２４に圧送し、基板Ｗの表面に現像液を広がらせて現像液層を形成して現像処理を実行する。また、現像処理後に、吐出ノズル１４８からリンス液を吐出させてリンス処理を行う。このように、現像ユニット１０Ｃは、本発明の請求項２の「湿式処理装置」、請求項８の「湿式処理ユニット」として機能する。なお、現像ユニット１０Ｃのその他の構成および動作は、第１実施形態の現像ユニット１０Ａ、１０Ｂと同一であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。また、現像ユニット１０Ｃとしては、従来より周知の現像装置、つまり基板に現像液を供給して現像処理を実行した後、該基板にリンス液を供給してリンス処理を行う現像装置全般を用いることができる。
【００６２】
置換ユニット７０では、図８に示すように、基板Ｗを保持する基板保持部（基板保持手段）１０２が設けられている。この基板保持部１０２は現像ユニット１０Ａ〜１０Ｃと同一構成を有しており、基板支持板１０４の上面に固着された複数の周縁支持ピン１０６により基板Ｗの周縁部を支持することで基板Ｗを略水平状態で保持可能となっている。なお、基板保持方式はこれに限定されるものではなく、任意であり、必要に応じて基板Ｗの下面中央部を支持する中央支持ピンを基板支持板１０４の上面から立設して支持してもよいし、また、例えば基板Ｗの下面を真空吸着して保持してもよい。
【００６３】
また、乾燥防止液（置換液）を基板Ｗに供給するために乾燥防止液供給機構（乾燥防止液供給手段）１６０が設けられている。この乾燥防止液供給機構１６０では、基板保持部１０２の上方位置にノズル１４８が設けられており、乾燥防止液を基板Ｗに向けて吐出可能となっている。そして、上記吐出ノズル１４８の基端は、同図に示すように、昇降回転機構１５０に連結されており、昇降回転機構１５０によって回転中心ＡＸ周りで水平揺動および昇降可能となっている。また、吐出ノズル１４８の後端部はバルブ１５６を介して乾燥防止液供給源１５８に接続されており、バルブ１５６の開閉制御によって吐出ノズル１４８から乾燥防止液を吐出可能となっている。
【００６４】
そして、この基板処理装置１０Ｃでは、リンス液で濡れた基板Ｗを基板保持部１０２で保持した状態で吐出ノズル１４８から乾燥防止液（置換液）を供給することで基板Ｗに付着するリンス液を乾燥防止液に置換することができる。なお、この第２実施形態においても、  乾燥防止液として第１実施形態と同様の液体を用いることができる。
【００６５】
次に、上記のように構成された基板処理システムの動作について図９を参照しつつ詳述する。図９は、図６の基板処理システムの動作を示すフローチャートである。ここでは、動作理解を助けるために１枚の基板Ｗに着目して装置各部の動作について説明する。
【００６６】
基板ステーション４０に置かれたポッドＰに収容されている未処理基板Ｗは、インデクサロボット５０により搬出された（ステップＳ１１）後、さらに受け渡し部６０において主搬送ロボット３０に直接受け渡される。こうして、未処理基板Ｗが基板処理部ＰＳにローディングされる。そして、この未処理基板Ｗを受け取った主搬送ロボット３０は、現像ユニット１０Ｃの前まで移動し、当該現像ユニット１０Ｃに基板Ｗを搬入する（ステップＳ１２）。そして、現像ユニット１０Ｃで基板Ｗに対して現像処理およびリンス処理がこの順序で行われた（ステップＳ１３、Ｓ１４）後、該基板Ｗがリンス液で濡れた状態のまま主搬送ロボット３０により置換ユニット７０にウェット搬送される（ステップＳ１５；第１搬送工程）。これに続いて、置換ユニット７０により置換処理が実行される（ステップＳ１６）。すなわち、リンス液で濡れた基板Ｗに乾燥防止液（置換液）を供給して該乾燥防止液に置換する。
【００６７】
この置換処理が完了すると、該基板Ｗが乾燥防止液で濡れた状態のまま主搬送ロボット３０により超臨界乾燥ユニット２０にウエット搬送される（ステップＳ１７；第２搬送工程）。そして、第１実施形態と同様にして、超臨界乾燥ユニット２０が高圧乾燥処理（超臨界乾燥処理）を実行して基板Ｗを高圧乾燥させる（ステップＳ１８）。その後、主搬送ロボット３０がスピンチャック２１０から基板Ｗを受取り、超臨界乾燥ユニット２０から処理済みの基板Ｗを搬出する。そして、ローディング時とは逆の手順、つまりアンローディング動作を実行して処理済みの基板Ｗを基板ステーション４０に置かれたポッドＰに収容する（ステップＳ１９）。
【００６８】
以上のように、この実施形態によれば、現像処理については現像ユニット１０Ｃで実行する一方、高圧乾燥処理については超臨界乾燥ユニット２０で専門的に実行しているため、第１実施形態と同様に、現像液の種類に制約を設けることなく、しかも超臨界乾燥ユニット２０の圧力容器２０２内の腐食等の問題を発生させることなく、現像処理から高圧乾燥処理までの一連の処理を良好に行うことができる。また、現像ユニット１０Ｃでの現像処理と、置換ユニット７０での置換処理と、超臨界乾燥ユニット２０での高圧乾燥処理とが並行して行われており、現像処理から高圧乾燥処理までの一連の処理を短時間で行うことができ、効率的な基板処理を行うことができる。さらに、現像処理およびリンス処理が施された基板Ｗについては、リンス液で濡れた状態のまま置換ユニット７０にウェット搬送し、その置換ユニット７０内で基板Ｗに付着しているリンス液を乾燥防止液に置換した上で、この乾燥防止液で濡れた状態のまま基板を超臨界乾燥ユニット２０にウェット搬送しているので、基板Ｗの搬送中において基板Ｗが自然乾燥してしまうのを効果的に防止することができ、基板Ｗにダメージを与えることなく良好に処理することができる。
【００６９】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、超臨界乾燥ユニット２０を１台のみ基板処理システムに組み込んでいるが、本発明の適用対象は上記実施形態に限定されるのではなく、複数の超臨界乾燥ユニットを組み込んだ基板処理システムに対して適用可能である。この場合、主搬送ロボット３０を複数の超臨界乾燥ユニットに対してアクセス可能に構成し、複数の現像ユニットの各々から現像処理済の基板を搬出し、複数の超臨界乾燥ユニットのうちの一に選択的に搬送するように制御することができ、かかる構成および制御を採用することで基板処理システム全体のスループットを向上させることができる。
【００７０】
また、基板処理ユニットにおける現像ユニットや置換ユニットの設置台数についても、上記超臨界乾燥ユニットと同様に任意である。
【００７１】
また上記実施形態では、本発明の湿式処理として現像処理を実行しているが、これ以外の湿式処理、例えばエッチング処理や洗浄処理などを実行する場合にも、本発明を適用することができる。
【００７２】
また上記実施形態では、高圧乾燥処理（超臨界乾燥処理）中に基板Ｗを低速回転させているが、基板Ｗを静止させた状態で高圧乾燥処理を実行するようにしてもよい。また、高圧乾燥処理ではＳＣＦ供給部２２２からＳＣＦを処理チャンバー２０４に供給しているが、液体二酸化炭素を圧力容器２０２内に導入し、その圧力容器２０２の内部温度を上昇させて二酸化炭素を超臨界状態とするようにしてもよい。
【００７３】
また上記実施形態では、本発明の「搬送ユニット」としてスカラ型搬送ロボットからなる移動式（走行式）の主搬送ロボット３０を用いているが、搬送ユニットの構成はこれに限定されるものではなく、例えば定置式の搬送ロボットを用いることができ、基板搬送を行う搬送ユニット全般を適用することができる。また、搬送ユニットにおけるハンド数や配置などについても任意である。
【００７４】
また上記第１実施形態では、現像ユニット１０Ａ、１０Ｂから置換処理後の基板Ｗをそのまま超臨界乾燥ユニット２０に搬送している。また第２実施形態では現像ユニット１０Ｃからリンス処理後の基板Ｗをそのまま置換ユニット７０にウェット搬送し、さらに置換ユニット７０から置換処理後の基板Ｗをそのまま超臨界乾燥ユニット２０に搬送している。すなわち、処理ユニット間での基板搬送については、基板Ｗに乾燥防止液やリンス液を盛った状態でウェット搬送しているが、基板Ｗを輸送用容器に収容した状態でウェット搬送するようにしてもよい。この場合、乾燥防止液と同一成分の液体を輸送用容器内に貯留した状態で基板Ｗを収容し、超臨界乾燥ユニット２０に搬送するようにするのが望ましい。こうすることで、超臨界乾燥ユニット２０に基板Ｗを搬送する間に基板が自然乾燥されるのをより効果的に防止することができる。
【００７５】
さらに上記実施形態では湿式処理から高圧乾燥処理までのいずれの処理においても基板Ｗを１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉方式であるが、これらの処理全部あるいは一部を複数枚の基板を一括して処理する、いわゆるバッチ方式を採用してもよい。
【００７６】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、湿式処理については湿式処理装置や湿式処理ユニットで実行する一方、高圧乾燥処理については高圧乾燥装置や高圧乾燥ユニットで専門的に実行しているため、湿式処理工程において使用可能な処理液の種類に制約を設ける必要がなく、汎用性に優れている。また、圧力容器内の腐食等の問題を発生させることなく、乾燥処理を良好に行うことができる。また、湿式処理工程と乾燥工程と（また、これらに加えて置換工程）を並行して行うことが可能となっている。このため、湿式処理から乾燥処理までの一連の処理を短時間で行うことができ、効率的な基板処理を行うことができる。さらに、乾燥防止液（またリンス液）で濡れた状態のまま基板を湿式処理装置から高圧乾燥装置にウェット搬送しているので、基板の搬送中に基板が自然乾燥してしまうのを効果的に防止することができ、基板を良好に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる基板処理システムの第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理システムに装備される現像ユニットを示す図である。
【図３】図１の基板処理システムに装備される高圧乾燥ユニットを示す図である。
【図４】インデクサロボットと主搬送ロボットとの間での基板Ｗの受け渡しの様子を示す拡大平面図である。
【図５】図１の基板処理システムの動作を示すフローチャートである。
【図６】この発明にかかる基板処理システムの第２実施形態を示す図である。
【図７】図６の基板処理システムに装備される現像ユニットを示す図である。
【図８】図６の基板処理システムに装備される置換ユニットを示す図である。
【図９】図６の基板処理システムの動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０Ａ〜１０Ｃ…現像ユニット
２０…超臨界乾燥ユニット
３０…主搬送ロボット（搬送ユニット）
７０…置換ユニット
１１８…現像液供給機構
１４６…リンス・乾燥防止液供給機構
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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