(57)【要約】【課題】チップ型電子部品に外部電極を形成する際、チップ型電子部品を個々に保持する作業が必要となり、生産効率が悪い。また、チップ型電子部品を個々に保持していることから、外部電極形成工程が煩雑になる。【解決手段】半導体ウェハの第二主面を接着材により固定した後、個々の電子部品にダイシングし、さらに第一主面に導電性ペーストを塗布し外部電極を形成する。また、半導体ウェハの第一主面を接着材により固定し、第二主面に導電性ペーストを塗布することで、一度に多数のチップ型電子部品外部電極を形成することができる。【選択図】  図１
2004311761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一主面にバンプを形成するとともに、第二主面に金属層を形成した半導体ウェハを接着材に固定する第二主面固定工程と、前記半導体ウェハの前記金属層を残留させた状態で個々の電子部品にダイシングする第一ダイシング工程と、前記電子部品の外囲に封止用樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記半導体ウェハの前記金属層を残留させた状態で前記電子部品の外形寸法に合わせて、個々の電子部品にダイシングする第二ダイシング工程と、前記電子部品の前記第一主面に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、前記第一主面を接着材で固定する第一主面固定工程と、前記第二主面に形成した前記接着剤を剥離する接着材剥離工程と、前記第二主面に形成した前記金属層を個々の電子部品にダイシングする第三ダイシング工程と、前記電子部品の前記第二主面に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、前記第一主面に形成した接着材を剥離する接着材剥離工程とを備えたことを特徴とするチップ型電子部品の外部電極形成方法。
【請求項２】
前記導電性ペーストの塗布がディップ方法であることを特徴とする請求項１記載の外部電極形成方法。
【請求項３】
前記接着材が紫外線剥離テープであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の外部電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体部品の外部電極形成方法に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体部品の外部電極形成方法としては、キャリアプレートの保持孔にチップ部品の端部を挿入して該チップ部品を突出状態で保持させ、キャリアプレートに保持されたチップ部品の突出高さを揃え、キャリアプレートに保持されたチップ部品の突出端に導電性ペーストを一括で付着させているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図２（ａ）は前記特許文献１に記載された従来技術を用いた半導体部品の外部電極形成方法を示す装置の断面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ部斜視図である。図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、１０１はチップ部品、１０２はチップ部品を突出状態で保持可能な多数の保持孔を有する弾性プレート、１０３は弾性プレートの周縁を支持する支持フレーム、１０４は導電性ペースト、１０５はチップの端部に所定厚の導電性ペーストを塗布するためのスペーサである。
【０００４】
詳細な構成を下記に説明する。弾性プレート１０２と、その周縁を支持する支持フレーム１０３から成るキャリアプレートの各保持孔にチップ部品１０１の端部を挿入して、該チップ部品１０１を突出状態で保持させた後、キャリアプレートと導電性ペースト１０４が塗布されたディップ面とを接近させ各チップ部品１０１の突出端を導電性ペースト１０４に接触させる際に、キャリアプレートのチップ挿入側のフレーム面を所定厚のスペーサ１０５を介してディップ面に押し付ける構成となっている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平０８−４６３４４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし上記構成では、弾性プレート１０２にチップ部品１０１を個々に挿入しなくてはならず、生産効率が悪い。また、弾性プレート１０２への押し込み量がバラつくと、そのまま導電性ペースト１０４の塗布厚バラつきとなり、安定した塗布が困難である。さらにこの構造では、チップ部品１０１の両端に導電性ペースト１０４を塗布する場合、片側に塗布をした後、反対側に塗布する場合、一度、弾性プレート１０２からチップ部品１０１を全て取り外し、チップ端部に導電性ペースト１０４が塗布されたか否かを確認して、チップ部品１０１を、導電性ペースト１０４の塗布されていない端部が突出するように、再び、弾性プレート１０２に保持させ、ディップ面に押し付けることとなり、工程が非常に煩雑になるという問題を有していた。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するものであり、工程を煩雑化させる事なくチップ部品１０１の両端に導電性ペースト１０４を塗布する事を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の半導体部品の外部電極形成方法は、第一主面にバンプを形成するとともに、第二主面に金属層を形成した半導体ウェハを接着材に固定する第二主面固定工程と、半導体ウェハの金属層を残留させた状態で個々の電子部品にダイシングする第一ダイシング工程と、電子部品の外囲に封止用樹脂を充填する樹脂充填工程と、半導体ウェハの金属層を残留させた状態で電子部品の外形寸法に合わせて、個々の電子部品にダイシングする第二ダイシング工程と、電子部品の第一主面に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、第一主面を接着材で固定する第一主面固定工程と、第二主面に形成した接着材を剥離する接着材剥離工程と、第二主面に形成した金属層を個々の電子部品にダイシングする第三ダイシング工程と、電子部品の第二主面に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、第一主面に形成した接着材を剥離する接着材剥離工程とを備えたものであり、導電性ペーストの塗布がディップ方法で、接着材が紫外線剥離テープである。
【０００９】
これによれば、チップ部品整列時に一つ一つ並べること無く、一度に一ウェハ分のチップ部品に外部電極を形成する事ができ、さらに、チップ部品を並べ直すこと無く、両端部に導電性ペーストを塗布することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（実施の形態）
図１（ａ）は第一主面にバンプを形成するとともに、第二主面に金属層を形成した半導体ウェハを接着材で固定する第二主面固定工程であり、図１（ｂ）は半導体ウェハの金属層を残留させた状態で個々の電子部品にダイシングする第一ダイシング工程であり、図１（ｃ）は電子部品の外囲に封止用樹脂を充填する樹脂充填工程であり、図１（ｄ）半導体ウェハの前記金属層を残留させた状態で電子部品の外形寸法に合わせて、個々の電子部品にダイシングする第二ダイシング工程であり、図１（ｅ）は電子部品の第一主面に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程であり、図１（ｆ）は第一主面を接着材で固定する第一主面固定工程であり、図１（ｇ）は第二主面に形成した接着剤を剥離する接着材剥離工程と、第二主面に形成した金属層を個々の電子部品にダイシングする第三ダイシング工程であり、図１（ｈ）は電子部品の前記第二主面に導電性ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程、図１（ｉ）は第一主面に形成した接着材を剥離する接着材剥離工程である。
【００１２】
図１（ａ）〜図１（ｉ）において１は半導体ウェハ、２は半導体ウェハ１の第一主面に設けられた例えばＣｕ等の金属からなるバンプ、３は半導体ウェハ１の第二主面に設けられた例えばＣｕ等の金属からなる金属層、４ａ、４ｂは第二主面で半導体ウェハ１を固定する接着材として、例えば紫外線（以下、ＵＶと称す）剥離テープ、５は例えばダイオード素子が形成された電子部品、６は半導体ウェハ１に形成した溝、７は溝６に充填し電子部品５を保護する封止用樹脂、８はディップ塗布することにより、外部電極を形成する例えば銀を主成分とする導電性ペーストである。
【００１３】
ＵＶ剥離テープ４ａにより半導体ウェハ１の第二主面を固定する（図１（ａ））。このとき、半導体ウェハ１には複数の電子部品５が形成され、且つ第一主面には例えばＣｕ等の金属からなるバンプ２が形成され、第二主面には例えばＣｕ等の金属からなる金属層３が形成されている。
【００１４】
金属層３およびＵＶ剥離テープ４ａを残し、個々の電子部品５ごとにダイシングする（図１（ｂ））。このとき、個々の電子部品５の間隔は後に塗布する、銀等の金属フィラーからなる導電性ペースト８を考慮し、０．５ｍｍ程度の溝６を形成する。
【００１５】
溝６にチップ部品の側面を覆い、湿気や外力から素子を保護するための例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂からなる封止用樹脂７を充填する（図１（ｃ））。このとき用いる封止用樹脂７は一般的に封止用樹脂として用いられる樹脂であればよい。
【００１６】
金属層３およびＵＶ剥離テープ４ａを残し、個々の電子部品５の外形寸法にダイシングする（図１（ｄ））。このとき、電子部品５は側面を封止用樹脂７で覆われ、金属層３上に一定間隔で整列した状態となっている。
【００１７】
半導体ウェハ１の金属層３上に整列した電子部品５の第一主面に、導電性ペースト８をディップ法により塗布し乾燥させる（図１（ｅ））。このとき、半導体ウエハ１は金属層３が上側になるように保治具（図示せず。）により保持し、その保治具（図示せず。）を上下方向に移動させ導電性ペースト８をディップ塗布している。これによれば、半導体ウェハ１に一括で導電性ペースト８を塗布することができる。また、半導体ウェハ１内での導電性ペースト８の塗布厚が不均一にならぬ様、導電性ペースト８の表面をスキージ等で均一にならしている。
【００１８】
導電性ペースト８の塗布厚は、例えば外形寸法が０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×ｔ０．３ｍｍのダイオードであれば、０．１５ｍｍ程度でよい。
【００１９】
導電性ペースト８は塗布後、ホットプレートやベーク炉等を用いて乾燥させる。
【００２０】
半導体ウェハ１の第一主面をＵＶ剥離テープ４ｂにより固定する（図１（ｆ））。
【００２１】
ＵＶを照射して接着強度を無くし半導体ウェハ１を固定しているＵＶ剥離テープ４ａを剥離した後、金属層３を個々の電子部品５にダイシングする（図１（ｇ））。
【００２２】
半導体ウェハ１のＵＶ剥離テープ４ｂで整列固定した電子部品５の第二主面に、導電性ペースト８をディップ法により塗布し乾燥させる（図１（ｈ））。このとき、半導体ウェハ１は第一主面が上側になるように保治具（図示せず。）により保持し、その保治具（図示せず。）を上下方向に移動させ導電性ペースト８をディップ塗布している。これによれば、半導体ウェハ１に一括で導電性ペースト８を塗布することができる。また、半導体ウェハ１内での導電性ペースト８の塗布厚が不均一にならぬ様、導電性ペースト８の表面をスキージ等で均一にならしている。さらに、図１（ｅ）に示した工程と同様、半導体ウェハ１に一括で導電性ペースト８を塗布し、ホットプレートやベーク炉等を用いて導電性ペースト８を乾燥する。
【００２３】
ＵＶを照射して接着強度を無くし個々の電子部品５を固定しているＵＶ剥離テープ４ｂを剥離し外部電極を形成した個々の電子部品５を構成する（図１（ｉ））。
【００２４】
なお、本実施の形態において、電子部品としてダイオードを用いて説明したが、半導体ウェハにより構成される電子部品であればこれに限定されることはない。
【００２５】
以上、本発明による気密端子と気密端子のめっき方法について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【００２６】
【発明の効果】
以上のように本発明のチップ型電子部品の外部電極形成方法によれば、ウェハレベルで多数のチップ部品に、導電性ペーストを精度良く一括して塗布することが可能となる。また、半導体ウェハの片側に金属層を設け、半導体部分だけをダイシングしチップ部品に切り分け、片側端部に導電性ペーストを塗布し、後に金属層をダイシングし、もう一方の端部にも導電性ペーストを塗布することで、ウェハレベルのままチップ部品の両端部に導電性ペーストを塗布し、外部電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチップ型半導体部品における外部電極形成方法の工程図
【図２】（ａ）は従来のチップ型半導体部品における外部電極形成方法の工程図
（ｂ）は図２（ａ）のＡ部斜視図
【符号の説明】
１  半導体ウェハ
２  バンプ
３  金属層
４ａ  接着材
４ｂ  接着材
５  電子部品
６  溝
７  封止用樹脂
８  導電性ペースト
１０１  チップ部品
１０２  弾性プレート
１０３  支持フレーム
１０４  導電性ペースト
１０５  スペーサ
【図１】
2004311761.tif 000003
【図２】
2004311761.tif 000004