(57)【要約】【課題】第１，第２のヨーク間の磁束密度を制御可能とし、共振周波数のバラツキの少ない非可逆回路素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の非可逆回路素子は、磁石２を覆うように配置された第１のヨーク１と、フェライト部材４の下面側に配置され、第１のヨーク１とで磁気閉回路を構成する第２のヨーク３とを備え、第１、第２のヨーク１，３間には、磁束密度の制御可能なギャップ部Ｇが設けられたため、磁力の大きさにバラツキがあっても、ギャップ部Ｇのギャップ幅を可変（調整）することができ、これによって、ギャップ部Ｇにおける第１、第２のヨーク１，３間の磁束密度が調整（制御）、即ち、磁石２の異なる磁力に応じて磁束密度が調整でき、その結果、磁気バイアスのバラツキが小さく、共振周波数のバラツキの少ないものが得られる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第１のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークとを備え、前記第１、第２のヨーク間には、磁束密度の制御可能なギャップ部が設けられたことを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記ギャップ部が空隙で形成されたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記第１，第２のヨークは、結合手段によって互いに組み合わされたことを特徴とする請求項１，又は２記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記第１，第２のヨークは、前記結合手段、又は／及び前記ギャップ部の箇所において、半田付によって結合されたことを特徴とする請求項３記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記第１，第２のヨークの何れか一方には凹部が設けられると共に、他方には凸部が設けられ、前記凹部と前記凸部の凹凸嵌合によって前記結合手段が形成されたことを特徴とする請求項３，又は４記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記ギャップ部は、前記第１，第２のヨークの互いに対向する端面同士の間に形成されたことを特徴とする請求項５記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記第１のヨークは、上面板と、この上面板から下方に折り曲げられた少なくとも一対の側面板を有し、前記第２のヨークは、底板と、この底板から上方に折り曲げられた少なくとも一対の側板を有し、前記側面板と前記側板との間には、前記結合手段が形成されると共に、前記側面板と前記側板の互いに対向する前記端面同士の間には、前記ギャップ部が形成されたことを特徴とする請求項６記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記ギャップ部は、前記第１，第２のヨークの互いに対向する表面同士の間に形成されたことを特徴とする請求項５記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記ギャップ部は、前記第１，第２のヨークの何れか一方側の表面と、この表面に対向する他方側の端面との間に形成されたことを特徴とする請求項５記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
前記第１のヨークは上面板を有し、前記第２のヨークは、底板と、この底板から上方に折り曲げられた少なくとも一対の側板を有し、前記結合手段が前記上面板と前記側板との間に形成されると共に、前記ギャップ部が前記側板の前記端面と前記上面板の表面との間に形成されたことを特徴とする請求項９記載の非可逆回路素子。
【請求項１１】
前記上面板は、端部に設けられた前記凹部と、この凹部の位置で、下方に折り曲げられた舌片を有し、前記側板は、前記凹部内に嵌合する前記凸部を有し、前記凸部が前記舌片に当接可能としたことを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路素子。
【請求項１２】
前記上面板は、端部から延びる折曲可能な突片を有し、前記突片の折曲によって、前記突片と前記側板の前記端面との間における前記ギャップ部のギャップ幅を可変可能としたことを特徴とする請求項１０，又は１１記載の非可逆回路素子。
【請求項１３】
平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第１のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークと、前記第１、第２のヨーク間に設けられた磁束密度の制御可能なギャップ部とを備え、前記第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって前記ギャップ部のギャップ幅を可変し、前記ギャップ部における前記第１，第２のヨーク間の磁束密度を調整するようにしたことを特徴とする非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１，第２のヨークは、結合手段によって互いに組み合わされ、前記結合手段の結合力に抗して、前記第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたことを特徴とする請求項１３記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１５】
前記ギャップ部に治具を介在させて、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたことを特徴とする請求項１４記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１６】
前記治具は、弾性を有する弾性部材で形成され、前記弾性部材の弾性に抗して、前記第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたことを特徴とする請求項１５記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１７】
厚みの異なる前記治具を用意すると共に、前記磁石の磁力を予めロット毎に測定し、前記ロット毎に前記治具を選定して、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたことを特徴とする請求項１５記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１８】
前記ギャップ部のギャップ幅を調整した後、前記第１，第２のヨークは、前記結合手段、又は／及び前記ギャップ部の箇所において、半田付によって結合されたことを特徴とする請求項１４から記載の非可逆回路素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は送受信システム等に適用されるサーキュレータ、アイソレータ等の非可逆回路素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の非可逆回路素子の図面を説明すると、図９は従来の非可逆回路素子の分解斜視図、図１０は従来の非可逆回路素子に係り、その取付状態を示す斜視図である。
【０００３】
次に、従来の非可逆回路素子の構成を図９，図１０に基づいて説明すると、箱形の第１のヨーク５１は、上面板５１ａと、この上面板５１ａの四辺から下方に折り曲げられた四つの側面板５１ｂを有し、この第１のヨーク５１内には、磁石５２が配置されている。
【０００４】
この磁石５２の下部に配置されたフェライト部材５３には、ここでは図示しないが、１２０度の間隔で、一部が互いに交叉した状態となった金属板からなる３個の中心導体が取り付けられている。
【０００５】
フェライト部材５３の下部に配置されたコ字状の第２のヨーク５４は、底板５４ａと、この底板５４ａの対向する辺から上方に折り曲げられた一対の側板５４ｂを有する。
【０００６】
そして、第１，第２のヨーク５１，５４で、磁石５２とフェライト部材５３を挟持すると共に、側面板５１ｂと側板５４ｂが重ね合わされ、この合わせ目部が半田付けされて、第１，第２のヨーク５１，５４が結合されることによって、第１，第２のヨーク５１，５４とで磁気閉回路が形成された構成となっている。
【０００７】
このような構成を有する従来の非可逆回路素子は、プリント基板５５上に載置されて、プリント基板５５に搭載されるようになっている。（例えば、特許文献１参照）
【０００８】
しかし、磁石５２は、製造のバラツキによって、磁力の大きさにバラツキがあり、従来のように、側面板５１ｂと側板５４ｂが重ね合わされ、この合わせ目部が半田付けされると、第１，第２のヨーク５１，５４間の磁束密度は、バラツキのある磁力によって変化し、従って、磁気バイアスにバラツキが生じて、共振周波数のバラツキが大きくなる。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１０−２８４９０７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の非可逆回路素子は、側面板５１ｂと側板５４ｂが重ね合わされ、この合わせ目部が半田付けされると、第１，第２のヨーク５１，５４間の磁束密度は、バラツキのある磁力によって変化し、従って、磁気バイアスにバラツキが生じて、共振周波数のバラツキが大きくなるという問題がある。
【００１１】
そこで、本発明は第１，第２のヨーク間の磁束密度を制御可能とし、共振周波数のバラツキの少ない非可逆回路素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第１のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークとを備え、前記第１、第２のヨーク間には、磁束密度の制御可能なギャップ部が設けられた構成とした。
【００１３】
また、第２の解決手段として、前記ギャップ部が空隙で形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記第１，第２のヨークは、結合手段によって互いに組み合わされた構成とした。
【００１４】
また、第４の解決手段として、前記第１，第２のヨークは、前記結合手段、又は／及び前記ギャップ部の箇所において、半田付によって結合された構成とした。
また、第５の解決手段として、前記第１，第２のヨークの何れか一方には凹部が設けられると共に、他方には凸部が設けられ、前記凹部と前記凸部の凹凸嵌合によって前記結合手段が形成された構成とした。
【００１５】
また、第６の解決手段として、前記ギャップ部は、前記第１，第２のヨークの互いに対向する端面同士の間に形成された構成とした。
また、第７の解決手段として、前記第１のヨークは、上面板と、この上面板から下方に折り曲げられた少なくとも一対の側面板を有し、前記第２のヨークは、底板と、この底板から上方に折り曲げられた少なくとも一対の側板を有し、前記側面板と前記側板との間には、前記結合手段が形成されると共に、前記側面板と前記側板の互いに対向する前記端面同士の間には、前記ギャップ部が形成された構成とした。
【００１６】
また、第８の解決手段として、前記ギャップ部は、前記第１，第２のヨークの互いに対向する表面同士の間に形成された構成とした。
また、第９の解決手段として、前記ギャップ部は、前記第１，第２のヨークの何れか一方側の表面と、この表面に対向する他方側の端面との間に形成された構成とした。
【００１７】
また、第１０の解決手段として、前記第１のヨークは上面板を有し、前記第２のヨークは、底板と、この底板から上方に折り曲げられた少なくとも一対の側板を有し、前記結合手段が前記上面板と前記側板との間に形成されると共に、前記ギャップ部が前記側板の前記端面と前記上面板の表面との間に形成された構成とした。
【００１８】
また、第１１の解決手段として、前記上面板は、端部に設けられた前記凹部と、この凹部の位置で、下方に折り曲げられた舌片を有し、前記側板は、前記凹部内に嵌合する前記凸部を有し、前記凸部が前記舌片に当接可能とした構成とした。
また、第１２の解決手段として、前記上面板は、端部から延びる折曲可能な突片を有し、前記突片の折曲によって、前記突片と前記側板の前記端面との間における前記ギャップ部のギャップ幅を可変可能とした構成とした。
【００１９】
また、第１３の解決手段として、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第１のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークと、前記第１、第２のヨーク間に設けられた磁束密度の制御可能なギャップ部とを備え、前記第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって前記ギャップ部のギャップ幅を可変し、前記ギャップ部における前記第１，第２のヨーク間の磁束密度を調整するようにした製造方法とした。
【００２０】
また、第１４の解決手段として、前記第１，第２のヨークは、結合手段によって互いに組み合わされ、前記結合手段の結合力に抗して、前記第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにした製造方法とした。
また、第１５の解決手段として、前記ギャップ部に治具を介在させて、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにした製造方法とした。
【００２１】
また、第１６の解決手段として、前記治具は、弾性を有する弾性部材で形成され、前記弾性部材の弾性に抗して、前記第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにした製造方法とした。
【００２２】
また、第１７の解決手段として、厚みの異なる前記治具を用意すると共に、前記磁石の磁力を予めロット毎に測定し、前記ロット毎に前記治具を選定して、前記ギャップ部のギャップ幅を調整するようにした製造方法とした。
また、第１８の解決手段として、前記ギャップ部のギャップ幅を調整した後、前記第１，第２のヨークは、前記結合手段、又は／及び前記ギャップ部の箇所において、半田付によって結合された製造方法とした。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の非可逆回路素子、及びその製造方法の図面を説明すると、図１は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る分解斜視図、図２は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る要部の断面図、図３は図２の３−３線における断面図、図４は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の斜視図、図５は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の分解斜視図である。
【００２４】
また、図６は本発明の非可逆回路素子の製造方法を説明するための説明図、図７は本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の斜視図、図８は本発明の非可逆回路素子の第３実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の斜視図である。
【００２５】
次に、本発明の非可逆回路素子の第１実施例の構成を図１〜図５に基づいて説明すると、磁性板（鉄板等）からなる第１のヨーク１は、四角平板状の上面板１ａと、この上面板１ａの対向する端部に設けられ、結合手段Ｋを形成するための凹部１ｂと、この凹部１ｂの位置で、下方に折り曲げられた舌片１ｃと、上面板１ａの端部から延びる折曲可能な突片１ｄを有する。
【００２６】
円板状の磁石２は、第１のヨーク１の下面に配置されて、上面が第１のヨークの下面に接着剤等によって取り付けられている。
【００２７】
コ字状の磁性板（鉄板等）からなる第２のヨーク３は、四角状の底板３ａと、この底板３ａの対向する辺から上方に折り曲げられた対向する一対の側板３ｂと、この一対の側板３ｂの上端部から上方に突出し、結合手段Ｋを形成するための凸部３ｃを有する。
【００２８】
この第２のヨーク３は、図４，図５に示すように、凸部３ｃが第１のヨーク１の凹部１ｂに強嵌合されて、第１，第２のヨーク１，３が組み合わされると共に、突片１ｄが側板３ｂ外に突出した状態となっている。
【００２９】
そして、凹部１ｂと凸部３ｃの凹凸嵌合によって結合手段Ｋが形成されて、第１，第２のヨーク１，３が組み合わされると共に、凸部３ｃは、舌片１ｃに当接した状態となっている。
【００３０】
また、第１，第２のヨーク１，３が組み合わされることによって、第１，第２のヨーク１，３間に磁気閉回路が形成され、更に、第１，第２のヨーク１，３が組み合わされた際、第１のヨーク１（突片１ｄを含む）の下面（表面）と、側板３ｂの上端に位置する端面３ｄは互いに対向した状態になると共に、第１のヨーク１の下面と側板３ｂの端面３ｄとの間には、空隙からなるギャップ部Ｇが形成されている。
【００３１】
このギャップ部Ｇのギャップ幅は、第１，第２のヨーク１，３の何れか一方、或いは双方を上下方向に可動することによって、可変（調整）できると共に、この上下方向の移動の際、凸部３ｃが舌片１ｃにガイドされて移動可能となっている。
【００３２】
そして、ここでは図示しないが、結合手段Ｋの箇所には半田付が施されて、第１，第２のヨーク１，３が結合された状態となると共に、半田付の後、必要が生じた際は、突片１ｄを折曲して、突片１ｄの表面と端面３ｄとの間のギャップ部Ｇのギャップ幅を微調整できるようになっている。
【００３３】
なお、上記実施例では、第１のヨーク１に凹部１ｂ、第２のヨーク３に凸部３ｃを設けたもので説明したが、第１のヨーク１に凸部、第２のヨーク３に凹部を設けても良い。
また、結合手段Ｋの箇所において、半田付けしたもので説明したが、この結合手段Ｋ、又は／及びギャップ部の箇所に半田付をしても良い。
また、結合手段Ｋは、凹凸嵌合以外の構成を用いても良い。
【００３４】
ＹＩＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｇａｒｎｅｔ）等からなる平板状のフェライト部材４は、第２のヨーク３の底板３ａ上に載置された状態で、取り付けられている。
【００３５】
また、チップ型のコンデンサＣ１は、板状のセラミック等からなる絶縁体２１と、この絶縁体２１の対向する平坦な二つの外面に設けられた銀等からなる第１，第２の電極部２２，２３とで構成され、そして、互いに対向する第１，第２の電極部２２，２３との間で容量が形成されている。
【００３６】
そして、３個のチップ型のコンデンサＣ１は、第１の電極部２２が第２のヨーク３の底板３ａに半田付けされ、第２のヨーク３に取り付けられると共に、第２のヨーク３に接地された構成となっている。
【００３７】
銅等の薄い導電板からなる第１，第２，第３の中心導体５，６、７は、それぞれ両端部に設けられた一対の折り曲げ部５ａ、６ａ、７ａと、一方の折り曲げ部５ａ、６ａ、７ａの端部に設けられた接続部５ｂ、６ｂ、７ｂと、他方の折り曲げ部５ａ、６ａ、７ａの端部において折り曲げ形成された端子部５ｃ、６ｃ、７ｃとを有する。
【００３８】
そして、第１，第２，第３の中心導体５，６、７は、それぞれ絶縁材からなる誘電体８を挟んで上下方向の異なる面に配置され、且つ、互いに１２０度の間隔を置いて配設されると共に、上下方向において一部が交叉した状態となっている。
また、これ等の第１，第２，第３の中心導体５，６、７は、誘電体８を介してフェライト部材４上に載置される。
【００３９】
この時、第１，第２，第３の中心導体５，６，７の端子部５ｃ、６ｃ、７ｃは、それぞれが第２のヨーク３外に導出されると共に、端子部５ｃ、６ｃ、７ｃの中間部のそれぞれがチップ型のコンデンサＣ１の第２の電極部２３上に半田付けされて、電気的に接続される。
また、接続部５ｂ、６ｂ、７ｂは、第２のヨーク３の底板３ａに半田付けされて、接地状態で電気的に接続される。
【００４０】
そして、第１，第２，第３の中心導体５，６，７上には、第１のヨーク１に配設された磁石２を配置し、この状態で、第１のヨーク１の上面板１ａと第２のヨーク３の側板３ｂ同士を結合して、第１，第２のヨーク１，３間で磁石２，フェライト部材４等を挟持すると、サーキュレータ、或いはアイソレータからなる非可逆回路素子が形成される。
【００４１】
また、このような構成を有する非可逆回路素子は、ここでは図示しないが、導電パターンを有する回路基板上に搭載されて、第１，第２，第３の中心導体５，６，７の端子部５ｃ、６ｃ、７ｃは、配線用の導電パターンに半田付けされると共に、第２のヨーク３の底板３ａが接地用の導電パターンに半田付けされる。
【００４２】
一般に、磁石２は、製造のバラツキによって、磁力の大きさにバラツキがあり、このような磁石２を用いて非可逆回路素子を製造すると、第１，第２のヨーク１，３間の磁束密度は、バラツキのある磁力によって変化し、従って、磁気バイアスにバラツキが生じて、共振周波数のバラツキが大きくなる。
【００４３】
そこで、本発明の非可逆回路素子は、第１，第２のヨーク１，３の間にギャップ部Ｇを形成したため、ギャップ部Ｇのギャップ幅を可変（調整）することができ、これによって、ギャップ部Ｇにおける第１、第２のヨーク１，３間の磁束密度が調整（制御）、即ち、磁石２の異なる磁力に応じて磁束密度が調整でき、その結果、磁気バイアスのバラツキが小さく、共振周波数のバラツキの少ないものが得られる。
【００４４】
次に、本発明の非可逆回路素子の製造方法を図６に基づいて説明すると、先ず、第１，第２のヨーク１，３間には、磁石２，及び第１，第２，第３の中心導体５，６，７を取り付けたフェライト部材４を配置して、図６に示すように、第１，第２のヨーク１，３が結合手段Ｋによって組み合わされた状態にする。
【００４５】
次に、ウレタンゴムやバネ性のある金属板等からなる弾性部材、或いは平板状のスペーサ等の治具９をギャップ部Ｇに介在する。
なお、この治具９は、第１，第２のヨーク１，３を組合せる前に、ギャップ部Ｇとなる箇所に予め介在させても良い。
【００４６】
次に、第１，第２のヨーク１，３の何れか一方、或いは双方を、ギャップ部Ｇのギャップ幅が小さくなるように押圧（加圧）する。
この時、この押圧（加圧）は、結合手段Ｋの結合力（挟持力）に抗して行われると共に、これによってギャップ部Ｇのギャップ幅が調整され、その結果、第１、第２のヨーク１，３間の磁束密度が調整（制御）される。
【００４７】
次に、結合手段Ｋの箇所に半田付を行った後、ギャップ部Ｇから治具９を抜き取ると、本発明の非可逆回路素子の製造が完了する。
なお、半田付の後、必要に応じて、突片１ｄを折曲して、突片１ｄの表面と端面３ｄとの間のギャップ部Ｇの微調整を行っても良い。
【００４８】
また、本発明の非可逆回路素子における他の製造方法として、厚みの異なるスペーサからなる複数の治具９を用意すると共に、磁石２の磁力を予めロット毎に測定する。
【００４９】
次に、磁石２の磁力の大きさによって、使用する治具９の厚みをデータ化しておき、磁石２の製造ロット毎に測定された磁力の大きさに応じた治具９を選定して、この選定された治具９をギャップ部Ｇに介在する。
【００５０】
次に、第１，第２のヨーク１，３の何れか一方、或いは双方を、ギャップ部Ｇのギャップ幅が小さくなるように押圧（加圧）する。
この時、この押圧（加圧）は、結合手段Ｋの結合力（挟持力）に抗して行われると共に、押圧（加圧）は、ギャップ部Ｇのギャップ幅が治具９の厚みになるまで行われる。
【００５１】
その結果、第１、第２のヨーク１，３間の磁束密度が調整（制御）され、しかる後、結合手段Ｋの箇所に半田付を行った後、ギャップ部Ｇから治具９を抜き取ると、本発明の非可逆回路素子の製造が完了する。
【００５２】
また、図７は、本発明の非可逆回路素子の第２実施例を示し、この第２実施例の構成を説明すると、第１のヨーク１には、上面板１ａから下方に折り曲げられた一対の凸部１ｅを設け、また、第２のヨーク３の側板３ｂには、凸部１ｅが強嵌合可能な凹部３ｅを設けている。
【００５３】
そして、凸部１ｅと凹部３ｅの凹凸嵌合によって結合手段Ｋが形成されると共に、側板３ｂの端面３ｄと、上面板１ａの下面（表面）、及び凸部１ｅの端面１ｆの間にギャップ部Ｇが形成されたものである。
【００５４】
その他の構成は、上記実施例と同様な構成を有すると共に、その製造方法は、上記実施例と同様の製造方法を有したものとなっている。
【００５５】
また、図８は、本発明の非可逆回路素子の第３実施例を示し、この第３実施例の構成を説明すると、第１のヨーク１には、上面板１ａから下方に折り曲げられた一対の側面板１ｇと、この側面板１ｇの端部から下方に突出した凸部１ｅを設け、また、第２のヨーク３の側板３ｂには、凸部１ｅが強嵌合可能な凹部３ｅを設けている。
【００５６】
そして、凸部１ｅと凹部３ｅの凹凸嵌合によって結合手段Ｋが形成されると共に、側板３ｂの端面３ｄと、側面板１ｇ、及び凸部１ｅの端面１ｆの間にギャップ部Ｇが形成されたものである。
【００５７】
その他の構成は、上記第１実施例と同様な構成を有すると共に、その製造方法は、上記実施例と同様の製造方法を有したものとなっている。
なお、この第３の実施例において、側面板３ｇに凹部を設けると共に、側板３ｂに凸部を設けても良い。
【００５８】
また、本発明の非可逆回路素子は、第１，第２のヨーク１，３の表面同士を対向させて、この表面同士の間にギャップ部Ｇを形成するようにしても良い。
【００５９】
【発明の効果】
本発明の非可逆回路素子は、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第１のヨークと、フェライト部材の下面側に配置され、第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークとを備え、第１、第２のヨーク間には、磁束密度の制御可能なギャップ部が設けられたため、磁力の大きさにバラツキがあっても、ギャップ部のギャップ幅を可変（調整）することができ、これによって、ギャップ部における第１、第２のヨーク間の磁束密度が調整（制御）、即ち、磁石の異なる磁力に応じて磁束密度が調整でき、その結果、磁気バイアスのバラツキが小さく、共振周波数のバラツキの少ないものが得られる。
【００６０】
また、ギャップ部が空隙で形成されたため、ギャップ部における第１、第２のヨーク間の磁束密度の変化を大きくできて、調整の容易なものが得られる。
【００６１】
また、第１，第２のヨークは、結合手段によって互いに組み合わされたため、第１，第２のヨークが結合手段によって保持された状態となって、第１，第２のヨークの仮止めができると共に、この仮止めによって、ギャップ部の調整の容易なものが得られる。
【００６２】
また、第１，第２のヨークは、結合手段、又は／及びギャップ部の箇所において、半田付によって結合されたため、第１，第２のヨークの結合の確実なものが得られる。
【００６３】
また、第１，第２のヨークの何れか一方には凹部が設けられると共に、他方には凸部が設けられ、凹部と凸部の凹凸嵌合によって結合手段が形成されたため、結合手段の構成が簡単で、生産性が良く、組立性の良好なものが得られる。
【００６４】
また、ギャップ部は、第１，第２のヨークの互いに対向する端面同士の間に形成されたため、その構成が簡単であると共に、ギャップ部の形成において、第１，第２のヨークの形状を大きくすることが無く、小型のもが得られる。
【００６５】
また、第１のヨークは、上面板と、この上面板から下方に折り曲げられた少なくとも一対の側面板を有し、第２のヨークは、底板と、この底板から上方に折り曲げられた少なくとも一対の側板を有し、側面板と側板との間には、結合手段が形成されると共に、側面板と側板の互いに対向する端面同士の間には、ギャップ部が形成されたため、その構成が簡単であると共に、ギャップ部の形成において、第１，第２のヨークの形状を大きくすることが無く、小型のもが得られる。
【００６６】
また、ギャップ部は、第１，第２のヨークの互いに対向する表面同士の間に形成されたため、ギャップ部における第１，第２のヨーク間の対向面積を大きくできて、ギャップ部における第１、第２のヨーク間の磁束密度の変化を大きくでき、調整の容易なものが得られる。
【００６７】
また、ギャップ部は、第１，第２のヨークの何れか一方側の表面と、この表面に対向する他方側の端面との間に形成されたため、その構成が簡単であると共に、ギャップ部の形成において、第１，第２のヨークの形状を大きくすることが無く、小型のもが得られる。
【００６８】
また、第１のヨークは上面板を有し、第２のヨークは、底板と、この底板から上方に折り曲げられた少なくとも一対の側板を有し、結合手段が上面板と側板との間に形成されると共に、ギャップ部が側板の端面と上面板の表面との間に形成されたため、その構成が簡単であると共に、ギャップ部の形成において、第１，第２のヨークの形状を大きくすることが無く、小型のもが得られる。
【００６９】
また、上面板は、端部に設けられた凹部と、この凹部の位置で、下方に折り曲げられた舌片を有し、側板は、凹部内に嵌合する凸部を有し、凸部が舌片に当接可能としたため、ヨークの可動時、凸部が舌片をガイドにして移動でき、組立とギャップ部の調整の容易なものが得られる。
【００７０】
また、上面板は、端部から延びる折曲可能な突片を有し、突片の折曲によって、突片と側板の端面との間におけるギャップ部のギャップ幅を可変可能としたため、半田付後においても、ギャップ部の微調整が可能となる。
【００７１】
また、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石を覆うように配置された第１のヨークと、フェライト部材の下面側に配置され、第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークと、第１、第２のヨーク間に設けられた磁束密度の制御可能なギャップ部とを備え、第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによってギャップ部のギャップ幅を可変し、ギャップ部における第１，第２のヨーク間の磁束密度を調整するようにしたため、ギャップ部における第１、第２のヨーク間の磁束密度の調整（制御）、即ち、磁石の異なる磁力に応じて磁束密度の調整の容易な製造方法を提供できる。
【００７２】
また、第１，第２のヨークは、結合手段によって互いに組み合わされ、結合手段の結合力に抗して、第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって、ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたため、第１，第２のヨークが結合手段によって保持された状態となって、第１，第２のヨークの仮止めができると共に、この仮止め状態でギャップ部の調整が可能となって、調整作業の容易な製造方法が提供できる。
【００７３】
また、ギャップ部に治具を介在させて、ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたため、調整作業の容易な製造方法が提供できる。
【００７４】
また、治具は、弾性を有する弾性部材で形成され、弾性部材の弾性に抗して、第１，第２のヨークの何れか一方、或いは双方を可動することによって、ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたため、調整作業の容易な製造方法が提供できる。
【００７５】
また、厚みの異なる前記治具を用意すると共に、磁石の磁力を予めロット毎に測定し、ロット毎に治具を選定して、ギャップ部のギャップ幅を調整するようにしたため、調整作業の容易な製造方法が提供できる。
【００７６】
また、ギャップ部のギャップ幅を調整した後、第１，第２のヨークは、結合手段、又は／及びギャップ部の箇所において、半田付によって結合されたため、製造の容易な製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る分解斜視図。
【図２】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る要部の断面図。
【図３】図２の３−３線における断面図。
【図４】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の斜視図。
【図５】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の分解斜視図。
【図６】本発明の非可逆回路素子の製造方法を説明するための説明図。
【図７】本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の斜視図。
【図８】本発明の非可逆回路素子の第３実施例に係り、第１，第２のヨークの要部の斜視図。
【図９】従来の非可逆回路素子の分解斜視図。
【図１０】従来の非可逆回路素子に係り、その取付状態を示す斜視図。
【符号の説明】
１  第１のヨーク
１ａ  上面板
１ｂ  凹部
１ｃ  舌片
１ｄ  突片
１ｅ  凸部
１ｆ  端面
１ｇ  側面板
２  磁石
３  第２のヨーク
３ａ  底板
３ｂ  側板
３ｃ  凸部
３ｄ  端面
３ｅ  凹部
４  フェライト部材
５  第１の中心導体
５ａ  折り曲げ部
５ｂ  接続部
５ｃ  端子部
６  第２の中心導体
６ａ  折り曲げ部
６ｂ  接続部
６ｃ  端子部
７  第３の中心導体
７ａ  折り曲げ部
７ｂ  接続部
７ｃ  端子部
８  誘電体
９  治具
Ｃ１  チップ型のコンデンサ
２１  絶縁体
２２  第１の電極部
２３  第２の電極部
Ｇ  ギャップ部
Ｋ  結合手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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