(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置の真空チャンバで使用する構成要素のアウトガスを軽減する方法を提供すること。【解決手段】本発明によれば、構成要素に非金属、非プラスチック材料を被覆するステップと、次いで被覆を硬化させるように被覆を処理するステップとを含む構成要素の準備処理方法が提供される。好ましい被覆材料は、様々な方法（スプレー、ブラシ塗布、スピニング）を用いて塗布することができ、また加熱もしくは電子ビームでの照射によって処理することができる水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）である。その結果得られる構成要素は、真空環境に曝されたときに、水または炭化水素のアウトガスを著しく低減させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置内のアウトガスを低減させるために構成要素を準備処理する方法であって、
前記構成要素の表面を非金属材料で被覆するステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記材料が非プラスチック材料である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料がガラス、またはガラス状である請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記材料が石英ガラスである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記材料が水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、あるいは１または複数の炭化水素基が結合したシルセスキオキサン前駆物質である請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記被覆ステップが、前記材料の流体組成物を前記構成要素の表面に塗布するステップを含む請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記被覆ステップが、前記材料の前記流体組成物を前記構成要素の表面にスプレーするステップを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記被覆ステップが、前記材料の前記流体組成物を前記構成要素の表面にブラシ塗布するステップを含む請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記被覆ステップが、前記材料の前記液体組成物を前記構成要素の表面にスピニングするステップを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
被覆された前記構成要素を処理して前記被覆を硬化させるステップをさらに含む請求項６から請求項９までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理された被覆が電気絶縁材料の硬い非晶質層である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理ステップが、被覆された表面を加熱するステップを含む請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記加熱ステップが、１００℃〜５００℃で少なくとも１分間実施される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記処理ステップが、被覆された表面を電子ビームで照射するステップを含む請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記処理ステップが、被覆の硬化を起こす放射線の波長を用いて被覆表面を照射するステップを含む請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記放射線が赤外線である請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記材料を３０ｎｍ以上の厚さに被覆する請求項１から請求項１６までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記構成要素が、少なくとも１つのコイルと少なくとも１つの磁石とを有するアクチュエータである請求項１から請求項１７までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
リソグラフィ投影装置で使用するための構成要素であって、３０ｎｍ以上のガラスまたはガラス状材料で被覆された表面を有する構成要素。
【請求項２０】
放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、前記パターン形成手段が所望のパターンに従って前記投影ビームにパターンを形成するように働く支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを前記基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置であって、請求項１から請求項１８までのいずれか一項に従って、または請求項１９に従って準備処理された少なくとも１つの構成要素を有することを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２１】
デバイス製造方法であって、
少なくとも一部分を放射線感光材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、
パターン形成手段を用いて前記投影ビームの断面にパターンを付与するステップと、
パターンが形成された放射線ビームを放射線感光材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと
を含むデバイス製造方法において、請求項１から請求項１８までのいずれか一項に従って、または請求項１９に従って準備処理された構成要素を用いることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、
放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、このパターン形成手段が所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成するように働く支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置のための、構成要素の準備処理方法（ｐｒｅｐａｒｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書で使用する「パターン形成手段」という用語は、基板のターゲット部分に作成するパターンに対応するパターンが形成された断面を、入射する放射線ビームに付与するために用いることができる手段を指すものと広く解釈すべきであり、「ライト・バルブ（光弁）」という用語もこの意味で用いることができる。一般に、前記パターンは、集積回路や他のデバイスなどといったターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能層に対応している（以下参照）。こうしたパターン形成手段の例には以下のものが含まれる。
（１）マスク
マスクの概念はリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、レベンソン型位相シフト・マスクおよびハーフトーン型位相シフト・マスクなどのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。こうしたマスクを放射線ビーム中に配置すると、マスク・パターンに従って、マスク上に衝突する放射線の選択的透過（透過性マスクの場合）または反射（反射性マスクの場合）が行われる。マスクの場合、一般にその支持構造は、入射する放射線ビーム中の所望の位置にマスクを保持できること、および必要であればビームに対してマスクを移動できることを確実にするマスク・テーブルである。
（２）プログラマブル・ミラー・アレイ
このようなデバイスの一例は、粘弾性制御層および反射面を有する、マトリクス状にアドレス指定可能な表面である。こうした装置の背景となる基本原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射することにある。適切なフィルタを用いると、前記非回折光を反射ビームから濾去し、後に回折光のみを残すことができる。このようにして、マトリクス状にアドレス指定可能な表面のアドレス指定されたパターンに従ってビームにパターンが形成される。プログラム可能なミラー・アレイの別の実施例は、小さいミラーのマトリクス状の配列を使用するものであり、適切な局部電界を印加するか、あるいは電圧作動手段を用いることによりそれぞれのミラーを別々に軸線を中心に傾斜させることができる。ここでも、ミラーはマトリクス状にアドレス指定可能にされており、アドレス指定されたミラーが、入射する放射線ビームを、アドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにして、マトリクス状にアドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに従って、反射ビームにパターンが形成される。必要なマトリクス・アドレス指定は、適切な電子手段を用いて実施することができる。上述のどちらの場合も、パターン形成手段は１つまたは複数のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。本明細書で言及するミラー・アレイに関する他の情報は、例えば米国特許第５，２９６，８９１号および第５，５２３，１９３号、ならびにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号から得られ、これらを参照によって本明細書に組み込む。プログラマブル・ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、例えばフレームまたはテーブルとして実施されることができ、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。
（３）プログラマブルＬＣＤアレイ
このような構成の例は米国特許第５，２２９，８７２号に示されており、これを参照によって本明細書に組み込む。この場合の支持構造は、上述のように、例えば必要に応じて固定することも移動させることもできるフレームまたはテーブルとして実施されることができる。
簡略化のために、本明細書の他の部分では特定の箇所で、特にマスクおよびマスク・テーブルに関する実施例に言及しているが、こうした実施例の中で論じられる一般原理は、先に述べたように、パターン形成手段のより広い意味において理解すべきである。
【０００３】
リソグラフィ投影装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。このような場合、パターン形成手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することが可能であり、このパターンを、放射線感光材料（レジスト）の層で被覆した基板（シリコン・ウェハ）上の（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分に結像させることができる。一般に単一のウェハは、投影システムにより１つずつ連続的に照射される隣接ターゲット部分の全ネットワークを含む。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成を採用する現在の装置は、異なる２つのタイプの装置に区別することができる。一方のタイプのリソグラフィ投影装置では、マスク・パターン全体をターゲット部分の上に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射するようになっており、こうした装置は一般にウェハ・ステッパと呼ばれる。もう一方の装置は、一般にステップ・アンド・スキャン式装置と呼ばれ、マスク・パターンを投影ビームの下で所与の基準方向（「走査」方向）に漸次走査し、それと同時にこの方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般にＭ＜１）を有するため、基板テーブルを走査する速度Ｖはマスク・テーブルを走査する速度のＭ倍になる。本明細書に記載するリソグラフィ装置に関するさらに詳しい情報は、例えば米国特許第６，０４６，７９２号から得ることができ、これを参照によって本明細書に組み込む。
【０００４】
リソグラフィ投影装置を用いた製造工程では、少なくとも一部を放射線感光材料（レジスト）の層で被覆した基板の上に（例えばマスクの）パターンが結像（イメージング）される。この結像ステップの前に、プライミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベークなど様々な処理を基板に施すことができる。また露光後に、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベークおよび結像したフィーチャの測定／検査など他の処理を基板に施すこともできる。この一連の処理が、例えばＩＣなどのデバイスの個々の層にパターンを形成するための基礎として用いられる。次いで、こうしたパターンが形成された層を、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学的機械研磨など様々な処理にかけることが可能であるが、これらは全て、個々の層を仕上げるものである。いくつかの層が必要な場合には、全ての処理またはその変形形態を新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に一連のデバイスが基板（ウェハ）上に形成されることになる。次いで、これらのデバイスをダイシングやソーイングなどの技術によって互いに分離し、それによって個々のデバイスをキャリアに取り付けたり、ピンに接続したりすることができるようになる。こうした工程に関する他の情報は、例えばピーター・ファン・ツァント（Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ）の著書「マイクロチップの製造；半導体処理のための実用ガイド（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」第３版、マグローヒル出版社、１９９７、ＩＳＢＮ  ０−０７−０６７２５０−４から得ることができ、これを参照によって本明細書に組み込む。
【０００５】
簡略化のために、以下では投影システムを「レンズ」と呼ぶことがあるが、この用語は、例えば屈折光学系、反射光学系および反射屈折光学系を含めて様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。放射線システムはまた、放射線の投影ビームの方向付け、成形または制御を行うために、これらの設計タイプのいずれかに従って動作する構成要素を含むことができ、こうした構成要素も以下では一括して、または単独で「レンズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフィ装置は２以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものであってもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、あるいは１つまたは複数のテーブル上で予備ステップを実施し、それと同時に１つまたは複数の他のテーブルを露光に用いることもできる。例えば米国特許第５，９６９，４４１号およびＷＯ９８／４０７９１号には２ステージ・リソグラフィ装置が記載されており、これらを参照によって本明細書に組み込む。
【０００６】
大気を含むすべての物質は、数ミリメートル（気体の場合）から数ナノメートル（固体の場合）の距離の範囲内で極紫外線を強く吸収するため、極紫外線リソグラフィは超高真空環境で実施される必要がある。極紫外線を利用しないリソグラフィでも、光吸収を低減するために真空または部分真空が望ましい。真空が必要であるということは、ステージ、光学系およびセンサなど、リソグラフィ・システムの標準的な構成要素すべてを真空環境で動作させる必要があることを意味する。構成要素はそれぞれ、システム全体に電力、電気信号および冷却水を運ぶ多数の接続ケーブルおよび管により、相互および外部に接続されている。
【０００７】
したがって、チャンバ内で真空を維持することが必要であり、そのチャンバは、ステンレス鋼からソフト・プラスチックまで広範囲の材料から作成された構成要素を含む。さらに、構成要素の多くがワイヤなどであるため、真空チャンバ内のすべての構成要素の総表面積はきわめて大きくなる可能性がある。
【０００８】
自然のままの形の構成要素は、ある程度の表面粗さおよび表面多孔性を有しており、このため製造中に大気条件下で、原子および分子が構成要素に付着することがある。そうした構成要素を真空中に置くと原子および分子が放出され、それによって真空の質が低下し、真空チャンバ内に真空を作り出すために用いられる真空ポンプ・システム（例えば、ターボ・ポンプまたはクライオ・ポンプ・システム）にさらに負荷がかかるようになる。さらに、ソフト・プラスチックは、材料の大部分から生じる可塑剤を放出する。したがって、真空チャンバ内に置かれた構成要素は、「アウトガス（ガス放出）」として知られるものの一因となる可能性がある。こうしたアウトガスは、構成要素がその表面から真空中に分子を放出するために生じる。動作時には、これらの分子を真空ポンプ・システムによって排出する必要がある。さらに、リソグラフィ・システムの動作中、外界からの新しいウェハ、放射の前後にレジストから放出される炭化水素、ならびにスキャナ・システムのすべての可動部品の磨耗および亀裂からの寄与により、真空ポンプ・システムに対するアウトガスの負荷はさらに高くなる。
【０００９】
例えば光透過性のチャンバを窒素でフラッシュする１５７ｎｍ装置など、真空を必要としないリソグラフィ投影装置でも、同様のアウトガスの問題が生じる。真空ではないが、（例えば拡散によって）やはりアウトガスが生じて窒素が汚染され、それが露光の信頼性を低下させる可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、チャンバ内の構成要素のアウトガスに伴う問題を軽減する方法を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この要求および他の要求は、リソグラフィ投影装置内のアウトガスを低減させるように構成要素を準備処理する方法を提供する本発明の第１の観点によって対処される。前記方法は、前記構成要素の表面に非金属材料を被覆するステップを含む。
【００１２】
構成要素に非金属材料を被覆することにより、構成要素の表面上にある放出可能などんな分子も被覆層によって放出が妨げられるため、構成要素に起因する汚染が低減される。金属材料は、隣接するアクチュエータ（例えばリニア・モータ）の効率を低下させることがあるので、またアクチュエータ信号を弱める恐れがある渦電流の発生源となるので、非金属材料が用いられる。プラスチック材料はそれ自体がアウトガスの発生源になることがあり、また本発明の一つの目的はアウトガスを低減させることであるため、非プラスチック材料を用いることが好ましい。許容できないアウトガスの負荷をそれ自体が発生させることがなければ、適切なプラスチック材料（例えばテフロン（登録商標））を用いてもよい。
【００１３】
材料はガラスまたはガラス状であることが好ましく、それは、こうした材料が電気絶縁体であり、構成要素表面からの汚染物質の放出を防止するのに効果的であることが分かっているからである。ガラスまたはガラス状の被覆を用いて、ＥＵＶの直接照射による劣化、または電子によって引き起こされる劣化からポリマー成分を保護することができる。被覆がない場合、この２つのメカニズムによって多量のアウトガスが生じる可能性がある。したがってこうした被覆は、ケーブルやコネクタなどの構成要素からのアウトガスを防止するのに有用である。被覆は石英ガラスであることが好ましく、必要であればリン酸塩ガラスや他のタイプのガラスを用いることもできる。
【００１４】
水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）は、被覆用として特に好ましい前駆体材料である。これは流体組成物としてスプレー、ブラシ塗布、またはスピニング（スピンコート）により塗布することが可能であり、次いで、それが硬くガラス状、すなわち電気絶縁性および非晶質となり、塗布後にそれ自体による水および／または炭化水素のアウトガスが認められなくなるように処理することができる。ＨＳＱの代わりに、１または複数の炭化水素基が結合したシルセスキオキサン（ＳＱ）前駆体材料を用いることができる。こうした前駆物質を用いて生成された被覆は、一部は有機の特徴を有し、一部は無機の特徴を有する、いわゆる「ハイブリッド・コーティング」である。
【００１５】
構成要素上に被覆を塗布するために、例えばスパッタリングや蒸着などのＰＶＤ技術、またはＣＶＤ技術など、他の塗布技術を用いることもできる。
【００１６】
前記処理には、熱処理または電子による照射が含まれていてもよい。ＨＳＱを用いる場合、流体組成物のかご状構造は、アウトガスを防止するのに特に効果的であると考えられている、固体で非晶質の石英状構造に分解される。
【００１７】
本発明の方法の他の利点は、このように被覆されたリソグラフィ装置の構成要素が、例えば光学系の清浄化に用いられる化学物質の影響を受けにくいことである。例えば、極紫外線リソグラフィにハロゲン化物ガスを用いて、光学系を汚染物または発生源の破片から清浄化することができる。例えば前記ハロゲン化物ガスに対して脆弱な電子部品を保護するために、これらの部品をエポキシ・タイプの材料で封じ込めてもよく、それを本発明に従って前述のガラスまたはガラス状材料で被覆することができる。
【００１８】
第２の観点では、本発明はリソグラフィ投影装置で使用するための構成要素を提供し、この構成要素は３０ｎｍ以上のガラスまたはガラス状材料で被覆された表面を有する。
【００１９】
本発明の第３の観点によれば、
放射線の投影ビームを提供するための放射線システムと、
パターン形成手段を支持するための支持構造であって、このパターン形成手段が所望のパターンに従って投影ビームにパターンを形成する支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターンが形成されたビームを基板のターゲット部分の上に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ投影装置であって、本発明の第１の観点に従って準備処理された少なくとも１つの構成要素、または本発明の第２の観点による構成要素を有することを特徴とするリソグラフィ投影装置が提供される。
【００２０】
本発明の第４の観点によれば、
少なくとも一部分を放射線感光材料の層で被覆された基板を提供するステップと、
放射線システムを用いて放射線の投影ビームを提供するステップと、
パターン形成手段を用いて投影ビームの断面にパターンを付与するステップと、
パターンが形成された放射線ビームを放射線感光材料の層のターゲット部分の上に投影するステップと
を含むデバイスの製造方法であって、第１の観点に従って準備処理された構成要素、または本発明の第２の観点による構成要素を用いることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【００２１】
本明細書では、本発明の装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及しているが、こうした装置には他にも多くの用途に使用可能であることを明確に理解すべきである。例えば、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用することができる。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「マスク」、「基板」および「ターゲット部分」というより一般的な用語に置き換えて考えられるべきであることが当業者には理解されよう。
【００２２】
本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、（例えば３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）紫外線、および（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）ＥＵＶ（極紫外線）を含むあらゆるタイプの電磁放射線、ならびにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを包含している。
【００２３】
次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照しながら例示のみの目的で説明する。
【実施例】
【００２４】
図１は、本発明の実施例のいずれかに従って準備処理された、１つまたは複数の構成要素を用いた真空チャンバを有するリソグラフィ投影装置１を概略的に示している。この装置は、
（１）この特定の場合には放射線源ＬＡをも備えた、放射線の投影ビーム（例えばＥＵＶ放射）ＰＢを供給するための放射線システムＥｘ、ＩＬと、
（２）マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備えた第１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）ＭＴであって、ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１のオブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
（３）基板Ｗ（例えばレジスト塗布シリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダを備えた第２のオブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴであって、ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２のオブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
（４）マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに結像させるための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えばミラー群）と
を備えている。
【００２５】
本明細書で図示する装置は、（例えば反射性マスクを有する）反射タイプのものである。しかし一般に、例えば（透過性マスクを有する）透過タイプのものであってもよい。あるいは先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、他の種類のパターン形成手段をこの装置に用いてもよい。
【００２６】
放射線源ＬＡ（例えばレーザ生成源または放電プラズマ源）は放射線ビームを生成する。このビームは、直接、または例えばビーム・エキスパンダＥｘなどの調節手段を通過した後に、照明系（照明器）ＩＬ内に送られる。照明器ＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側の放射範囲（それぞれ一般にσ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）、σ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを含むことができる。さらに、調整手段ＡＭは、一般には積算器ＩＮやコンデンサＣＯなど他の様々な構成要素を含む。このようにして、マスクＭＡ上に衝突するビームＰＢは、その断面内に、所望される均一性および強度分布を有するようになる。
【００２７】
図１に関して、（例えば放射線源ＬＡが水銀ランプである場合によく見られるように）放射線源ＬＡはリソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、リソグラフィ投影装置から離して、生成した放射線ビームを（例えば適切な方向付けミラーを利用して）装置内に導くようにすることも可能であることに留意すべきであり、この後者のケースは、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザである場合によく見られる。本発明および特許請求の範囲は、これらのケースの両方を包含する。
【００２８】
ビームＰＢはその後、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡによって遮られる。マスクＭＡによって選択的に反射されたビームＰＢはレンズＰＬを通過し、このレンズＰＬはビームＰＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃの上に集束させる。第２の位置決め手段ＰＷ（および干渉測定手段ＩＦ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後、または走査中に、第１の位置決め手段を用いてマスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長ストローク・モジュール（粗い位置決め）および短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現されるが、これらは図１に明示されていない。しかし、（ステップ・アンド・スキャン式装置ではなく）ウェハ・ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを、短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよいし、または固定してもよい。マスクのアライメント・マークＭ１、Ｍ２、および基板のアライメント・マークＰ１、Ｐ２を用いて、マスクＭＡおよび基板Ｗの位置を合わせること（整合させること）ができる。
【００２９】
図示した装置は、異なる２つのモードで使用することができる。
（１）ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、マスクの像全体を１回（すなわち、ただ１回の「フラッシュ」）でターゲット部分Ｃの上に投影する。次いで、異なるターゲット部分ＣをビームＰＢで照射することができるように、基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動させる。
（２）走査モードでは、所与のターゲット部分Ｃを１回の「フラッシュ」で露光しないことを除けば、本質的に同じ方法が適用される。その代わり、マスク・テーブルＭＴは速度ｖで所与の方向（例えばｙ方向など、いわゆる「走査方向」）に移動可能であり、その結果投影ビームＰＢはマスクの像全体を走査する。それと同時に、基板テーブルＷＴを、速度Ｖ＝Ｍｖ（ただし、ＭはレンズＰＬの倍率であり、一般にＭ＝１／４または１／５）で同じ方向または反対方向に同時に移動させる。この方法では、解像度を損なうことなく比較的大きいターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３０】
リソグラフィ投影装置の実際的な実施例では、ＥＵＶ放射線ビームが伝わる空間は真空ポンプ・システム手段で排気される。内部が真空に維持されるチャンバは一般に、様々な材料からできた多くの構成要素を含む。例えば、電流を伝達するためのワイヤが真空チャンバを横切っていることが多く、こうしたワイヤは、内部の金属コアがプラスチック材料で囲まれたものから製造され得る。一般に、ワイヤに用いられるソフト・プラスチック材料は徐々に分子を放出して、真空ポンプ・システムにより除去する必要があるアウトガスの負荷の一因となる。また、様々なテーブルを位置決めするために用いられるアクチュエータ・システムのコイルおよび磁石も、アウトガスを発生させる可能性がある。したがって本発明は、構成要素が製造された後、真空環境に置かれる前に、構成要素を準備処理する方法を含んでいる。本発明はまた、例えば窒素によってフラッシュされる１５７ｎｍ波長のリソグラフィ装置のチャンバ内で用いられる構成要素を被覆するためなど、アウトガスを低減させることが望ましい他の状況でも用いることができる。好ましい方法には、以下の２段階が含まれる。
１．構成要素に非金属流体組成物を被覆するステップ
２．被覆された構成要素を準備処理して被覆層を硬化させ、アウトガスを防止するのに効果的なものとするステップ
【００３１】
本発明は特に、リソグラフィ装置のテーブルを移動させるために用いられるリニア・アクチュエータのコイルを被覆するのに適用することができる。この被覆は、米国特許第６，２７１，６０６号に開示されたチャンバ壁（２０）よりも好ましい。このチャンバ壁（２０）は、それがステンレス鋼材料であるがために渦電流の影響を受けやすく、また複数のステンレス鋼板を取り付けるのに必要な磁石間の大きなギャップのために、リニア・モータの効率が損なわれる。さらに本発明は、やはり渦電流の問題があってアウトガス防止にあまり効果的ではない欧州特許公開ＥＰ１，２３３，５０１号に開示された金属薄膜を超える利点を有している。金属被覆もまた、結晶構造を制御してピンホールが発生しないように蒸着工程を注意深く制御する必要があるために、適用が困難である。
【００３２】
１．被覆段階
任意の非金属材料を用いることができる。材料は非プラスチック材料であることが好ましい。ガラスまたはガラス状材料は、特に効果的であることが分かっているので好ましい。こうした材料には、ダイヤモンド、およびシルセスキオキサン（ＳＱ）という一般名称で知られる材料系が含まれる。これらの化学物質は一般的な基本式ＲＳｉＯ１．５（ただし、置換基Ｒはケイ素と結合可能な原子または分子であり、例えばヒドリド、グリシジル、メチル、ビニル、プロピル、メタクリレート、シクロヘキセニル、シクロヘキセニルエポキシドなどの重合性の有機基）を有する。これら分子は通常、立方体の各コーナーにケイ素原子を有する立方構造で表される。この立方構造は基本式（ＲＳｉ）８Ｏ１２を有し、ケイ素原子はそれぞれ３個の酸素原子および置換基Ｒに結合している。
【００３３】
水素シルセスキオキサン（ＨＳＱ）は従来、電子ビームにパターンを形成するアプリケーションのためのレジスト材料として用いられてきたが、それをアウトガス防止材料として利用することは、これまで提唱されていなかった。様々な都合のよい方法を用いて構成要素に塗布することが可能であるため、これは特に適している。例えば、それを構成要素上に簡単にスプレーまたはブラシ塗布して、十分に厚い材料層でアウトガスを発生させる可能性のある表面を全て覆い、アウトガスの微細孔を全てふさぐようにすることができる。より好ましくは、例えばＫａｒｌ  Ｓｕｓｓ社の蓋付きスピナーを使用するなど、スピニング工程を用いて流体組成物を塗布することができる。材料の塗布は表面の微細孔をふさぐだけでなく、表面粗さを低減させることによって材料を平坦化する助けとなる。処理後、材料被覆により、他の方法の場合には構成要素の多孔性表面およびプラスチック表面から生じる水および炭化水素のアウトガスが著しく低減する。任意のＳＱ前駆物質を用いることができるが、１つまたは複数の炭化水素基が結合したものが好ましい。
【００３４】
この方法は構成要素自体の働きを妨げない限り、任意の構成要素に適用することができる。例えば、プリント回路基板、電気ケーブル、支持表面、アクチュエータなど、全てを被覆することができる。
【００３５】
被覆に好ましいＨＳＱ材料は市販されており、例えばダウコーニング社からＦＯＸ−１２として市販されている。この材料は、最初はアウトガス表面および部品の被覆を可能にする液体のような特性を示し、表面を覆い、微細孔をふさぐ。
【００３６】
被覆層を任意の所望の厚さに塗布することができるが、優れたアウトガス防止能力を確保するためには、少なくとも３０ｎｍの厚さが好ましい。約１００ｎｍから１ミクロン程度の厚さでは、構成要素はその本来の可撓性をある程度維持することができるが、非常に厚くなると構成要素上に硬い被覆が作成される。ハイブリッド・コーティングはさらに厚くなることがあるが、可撓性は依然として維持される。
【００３７】
２．処理ステップ
被覆された構成要素を処理するために２つの方法を用いることができ、それによって被覆層を硬化させ、構成要素のアウトガスの能力を永続的に低下させることができる。
【００３８】
第１の方法は熱処理であり、それによって構成要素の表面が加熱される。これにより被覆層の化学構造が変化し、その結果、被覆層が固化する。これは、構成要素を１００〜５００℃のオーブンに入れることによって実施することができるが、所望の効果を達成するには２００〜４００℃がより好ましい。
【００３９】
第２の方法は、所望の変化を引き起こす放射線の波長を用いて、構成要素の表面を照射するものである。赤外線を用いて表面を加熱することが可能であり、こうした処理は熱処理と同様の方法で作用する。あるいは、特に被覆材料としてＨＳＱ材料を用いた場合には、電子ビームを用いることが可能であり、電子ビームが被覆材料を露光して、その化学構造をかご状構造から非晶質の石英状構造に変化させる。
【００４０】
この構造の変化により、構成要素が真空中に置かれた場合にも、アウトガスを著しく低減させる硬い表面が構成要素上に残る。
【００４１】
被覆ステップおよび処理ステップを実施すると、構成要素をリソグラフィ投影装置で使用することができるようになる。必要であれば被覆−現像のサイクルをさらに１回または複数回繰り返して、構成要素のアウトガスの可能性をより一層低減させることができる。次いで、必要な場合、あるいはリソグラフィ装置ですぐに用いる場合には、構成要素をさらに処理してもよい。
【００４２】
ポリマー被覆は構成要素に付着する点では優れているが、アウトガスを低減させる効果はあまりない。したがって、最初にポリマー被覆を用い、続いてガラス状のトップ・コートを行う２段階以上の工程によって、優れたアウトガスの低減を維持しながら、両タイプの被覆の利点から利益を得ることができる。
【００４３】
「真空」という用語は、この記載ではリソグラフィ投影装置で一般に用いられる程度の真空を指すものであることを理解されたい。完全な真空を要するものと厳密に解釈されるべきではない。部分真空でも十分である。
【００４４】
（実施例）
図２〜１３は、アクチュエータ・システムで使用される構成要素に適用される本発明の様々な実施例を示している。
【００４５】
図２および図３は、コイル３０を備えた中央の構成要素がヨーク２０に対して図面の面に垂直な方向にその中を移動する、閉囲されたアクチュエータ・システムを示している。内部のチャンバは真空に保たれ、アウトガスを低減させるために、上述のようにコイル３０を被覆１００で被覆することができる（図２および図３参照）。これらの実施例それぞれにおけるコイル３０は、一般にエポキシ・ベースの樹脂を用いてその支持部品に接着されており、そのため低温のステップ（例えば２００℃未満）を用いて塗布および処理することができる被覆が好ましい。図３に示すように、ヨーク２０および磁石１０の内部を被覆することもできる。
【００４６】
第２のタイプのアクチュエータを図４〜図６に示す。この場合、中央の構成要素はチャンバ壁４０に固定され、ヨーク部品２０はその周りを図面の面に垂直な方向に移動する。図７および図８は、コイル３０が２つあることを除いて同様の構造を示しており、磁石１０によって図面の左右方向の相対的な移動が可能である。図４〜図８に示すように、真空はチャンバ壁４０の右側に対して維持される。図４および図５では、コイル部分３０がチャンバ壁４０内の支持体５０によって支持され、図６、図７および図８では、磁石部分１０がチャンバ壁４０によって支持されている。いずれの場合も、コイル部分３０も被覆すること（図４、図５および図８参照）、または磁石部分１０を被覆すること（図５、図６、図７および図８参照）、または両方を被覆すること（図５および図８参照）が可能である。図２〜１３のそれぞれで、被覆は１００で参照されている。
【００４７】
第３のタイプのアクチュエータを図９〜１３に示す。図１０、図１２および図１３では、ヨーク部品２０はチャンバ壁４０に取り付けられ、中央の構成要素はその内側を図面の面に垂直な方向に移動する。図９および図１１では、ヨーク部品２０はチャンバ壁４０に取り付けられ、中央の構成要素はその内側を図面の面の左右方向に移動する。いずれの場合も、図９〜１３に示すように、真空はチャンバ壁４０の左側に対して維持される。図９、図１０および図１１では、１つまたは複数のコイル３０を備えたヨーク部分２０がチャンバ壁４０によって支持されており、図１２および図１３には、１つまたは複数の磁石１０を備えたヨーク部分２０が示してある。いずれの場合も、コイル部分３０を被覆すること（図１０、図１１、図１２および図１３参照）、または磁石部分１０を被覆すること（図９、図１０、図１１および図１３参照）、または両方を被覆すること（図１０、図１１および図１３参照）が可能である。
【００４８】
ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は説明したものとは別な態様で実施することが可能であることが理解されよう。上記説明は本発明を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置を示す図である。
【図２】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図３】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図４】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図５】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図６】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図７】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図８】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図９】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図１０】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図１１】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図１２】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【図１３】本発明を前記リソグラフィ投影装置のアクチュエータ・システムに適用した場合の、選択的な被覆構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
Ｃ  ターゲット部分
ＣＯ  コンデンサ
Ｅｘ  ビーム・エキスパンダ
ＩＬ  照明器
ＩＮ  積算器
ＬＡ  放射線源
Ｍ１、Ｍ２  マスクのアライメント・マーク
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスク・テーブル
Ｐ１、Ｐ２  基板のアライメント・マーク
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  レンズ
ＰＭ、ＰＷ  位置決め手段
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
１  リソグラフィ投影装置
１０  磁石
２０  ヨーク
３０  コイル
４０  チャンバ壁
５０  支持体
１００  被覆
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【外国語明細書】
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