(57)【要約】【課題】ワイヤーボンディングによりバンプが形成される半導体ウェーハを製造する場合において、バンプをボンディングパッドに容易に形成すると共に、バンプの頭部の高さを均一にする。【解決手段】半導体ウェーハ１０の表面に形成されたボンディングパッド１１にワイヤーボンディングによりバンプ１４を形成するバンプ形成工程と、バンプ１４が埋没するように表面に樹脂を被覆して樹脂層１５を形成する樹脂被覆工程と、樹脂層１５を研削してバンプ１４を表出させ、バンプ１４の高さを揃える研削工程とから構成される半導体ウェーハの製造方法を提供する。【選択図】  図６
2004311767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの表面に形成されたボンディングパッドにワイヤーボンディングによりバンプを形成するバンプ形成工程と、
該バンプが埋没するように該表面に樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂被覆工程と、
該樹脂層を研削して該バンプを表出させる研削工程と
から構成される半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面にバンプが形成された半導体ウェーハを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩ等の集積回路が複数形成された半導体ウェーハは、ダイシング装置等によって個々の半導体チップに分割され、パッケージングされて各種電子機器に利用されるが、電子機器の小型化、軽量化を図るために、ＣＳＰと呼ばれるチップサイズのパッケージに半導体チップをパッケージングする技術も開発され、実用に供されている。
【０００３】
ＣＳＰは、半導体ウェーハを分割する前に、個々の集積回路に形成されたボンディングパッドに、例えばスタッドバンプボンディングと称されるワイヤーボンディングを利用した方法によって５０μｍ〜１００μｍ程の高さの金、銀、銅等の金属からなる突起（バンプ）を形成し（例えば特許文献１参照）、エポキシ樹脂等の樹脂で回路面を被覆して保護した後に、ダイシング装置等によって回路毎の個々の半導体チップに分割することにより形成される（例えば特許文献２参照）。そして、プリント基板上の端子とバンプとがハンダ等によって接続されることによりＣＳＰがプリント基板に実装される。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３３２０４８号公報
【特許文献２】
特開２０００−１７３９５４号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バンプの直径は５０μｍ〜１００μｍ程であり、スタッドバンプボンディングにおいてはバンプの頭部にひげ状の突起が形成されて頭部の高さが不揃いになるという問題がある。
【０００６】
そして、バンプの頭部の高さを揃えるために、バンプの頭部をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）によって相当の時間をかけて研磨する必要があり、生産性が低下するという問題もある。
【０００７】
従って、ワイヤーボンディングによってバンプが形成される半導体ウェーハを製造する場合においては、バンプをボンディングパッドに容易に形成すると共に、効率的な方法でバンプの頭部の高さを均一にすることに課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、半導体ウェーハの表面に形成されたボンディングパッドにワイヤーボンディングによりバンプを形成するバンプ形成工程と、バンプが埋没するように表面に樹脂を被覆して樹脂層を形成する樹脂被覆工程と、樹脂層を研削してバンプを表出させる研削工程とから構成される半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【０００９】
このように構成される半導体ウェーハの製造方法においては、ワイヤーボンディングによりバンプを形成した後に、バンプが埋没するように樹脂層を形成し、樹脂層を研削してバンプを表出させるようにしたため、バンプを短時間で形成することができると共に、効率的な方法でバンプの頭部の高さを揃えることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の一例について、図１〜図６を参照して説明する。図１に示す半導体ウェーハ１０の表面においては、ストリートＳによって区画された領域にそれぞれ回路Ｃが形成されており、各回路Ｃには、図１において拡大して示すように、複数のボンディングパッド１１が形成されている。このボンディングパッド１１は、半導体ウェーハ１０の表面に形成された金属被膜による電極である。
【００１１】
各ボンディングパッド１１の上に、例えば図２に示すワイヤーボンディング装置２０を用いてバンプを形成する。ワイヤーボンディング装置２０を用いる場合は、図２（Ａ）に示すように、キャピラリ２１に形成された細孔から、例えば金で形成されたワイヤ１２を下方に突出させ、電気トーチ２２とワイヤ１２との間で放電を発生させることにより、図２（Ｂ）に示すように、ワイヤ１２の先端にボール１３を形成する。
【００１２】
そして、図２（Ｃ）に示すように、キャピラリ２１を下降させてボンディングパッド１１に押圧した状態で、キャピラリ２１から超音波振動を加えるか、または熱圧着を行い、図２（Ｄ）に示すように、キャピラリ２１を上昇させてワイヤ１２を引きちぎることにより、ワイヤーからなるバンプ１４が形成される（バンプ形成工程）。このようにしてバンプ形成工程を遂行すると、めっき等による場合より短時間でバンプを形成することができる。なお、バンプ１４の上端には、切断による切れ端である突起部１４ａが形成される。この突起部１４ａは、各バンプごとにその高さが異なるものである。
【００１３】
図３に示すように、すべてのボンディングパッド１１の上にバンプ１４が形成されると、次に図４に示すように、すべてのバンプ１４が埋没するように、エポキシ樹脂等の樹脂を被覆して樹脂層１５を形成する（樹脂被覆工程）。樹脂層１５の形成には、例えばスピンコータを用いることができる。
【００１４】
樹脂層１５が形成された後は、例えば図５に示す研削装置３０を用いて樹脂層１５を研削することによりバンプ１４を表出させる。この研削装置３０においては、基台３１の端部から壁部３２が起立しており、この壁部３２の内側の面には一対のレール３３が垂直方向に配設され、レール３３にガイドされて支持板３４が昇降するのに伴い支持板３４に取り付けられた研削手段３５が昇降するよう構成されている。また、基台３１上には、ターンテーブル３６が回転可能に配設され、更にターンテーブル３６は、半導体ウェーハ１０を保持する複数のチャックテーブル３７を回転可能に支持している。
【００１５】
研削手段３５においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル３８の先端にマウンタ３９が装着され、更にその下部に研削ホイール４０が固定されている。研削ホイール４０の下面には研削砥石４１が固着されており、スピンドル３８の回転に伴って研削砥石４１が回転する構成となっている。なお、研削手段は、研削ホイール４０の下面にバイトを固定したものでもよい。
【００１６】
この研削装置３０を用いて半導体ウェーハ１０の表面に被覆された樹脂層１５を研削する際は、樹脂槽１５を上に向けて半導体ウェーハ１０をチャックテーブル３７に保持させて研削手段３５の直下に位置付け、スピンドル３８を回転させると共に、研削手段３５を下降させていく。そして、スピンドル３８の回転に伴って研削砥石４１が回転すると共に、回転する研削砥石４１が半導体ウェーハＷの表面に形成された樹脂層１５に接触して押圧力が加えられることにより、その樹脂層１５が研削砥石４１によって研削される。このようにして所定量研削を行うことにより、図６に示すように、バンプ１４が表出する（研削工程）。このとき、バンプ１４の突起部１４ａの高さが不揃いであっても、研削によって頭部の高さが均一になると共に、バンプ１４の頭部の面と樹脂層１５の上面とが面一になる。従って、プリント基板の端子との接続を円滑に行うことができる。また、ＣＭＰによらず研削によりバンプ１４を表出させて頭部を揃えることができるため、効率的であり、生産性を向上させることができる。
【００１７】
以上のようにしてバンプが形成された半導体ウェーハ１０は、図１に示したストリートＳを縦横に切削することにより個々の回路ごとの半導体チップとなる。そして、個々の半導体チップに形成されたバンプは、各種電子機器の内部に搭載されるプリント基板の端子と接続されることにより当該チップとしての機能を奏することができる。そして、バンプの高さが揃っていることにより、端子との接続が確実に行われ、接触不良等が起こらないため、機器全体の信頼性も向上させることができる。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る半導体ウェーハの製造方法によれば、ワイヤーボンディングによりバンプを形成した後に、バンプが埋没するように樹脂層を形成し、樹脂層を研削してバンプを表出させて頭部を揃えるようにしたため、バンプを短時間で形成することができると共に、効率的な方法でバンプの頭部の高さを揃えることができるため、高品質な半導体ウェーハを効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ボンディングパッドが形成された半導体ウェーハを示す平面図である。
【図２】６  ワイヤーボンディングによりバンプを形成する様子を示す断面図である。
【図３】バンプ形成工程終了後の半導体ウェーハを示す断面図である。
【図４】樹脂被覆工程終了後の半導体ウェーハを示す断面図である。
【図５】研削工程に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。
【図６】研削工程終了後の半導体ウェーハを示す断面図である。
【符号の説明】
１０…半導体ウェーハ  １１…ボンディングパッド
１２…ワイヤ  １３…ボール  １４…バンプ
１４ａ…突起部
２０…ワイヤーボンディング装置  ２１…キャピラリ
２２…電気トーチ  ２３…
３０…研削装置  ３１…基台  ３２…壁部
３３…レール  ３４…支持板  ３５…研削手段
３６…ターンテーブル  ３７…チャックテーブル
３８…スピンドル  ３９…マウンタ
４０…研削ホイール  ４１…研削ホイール
【図１】
2004311767.tif 000003
【図２】
2004311767.tif 000004
【図３】
2004311767.tif 000005
【図４】
2004311767.tif 000006
【図５】
2004311767.tif 000007
【図６】
2004311767.tif 000008