(57)【要約】【課題】製造バラツキが発生しても精度良く制御することができる電子回路、素子基板、電子装置、電気光学装置及び電子機器を提供する。【解決手段】表示パネル部に配置される画素２０の略中央部を除く環状の形成領域に回路形成領域ＺＣを形成した。また、その略中央部に発光領域ＺＬを形成した。そして、前記回路形成領域ＺＣに１つの駆動回路ＫＣを形成するとともに、前記発光領域ＺＬに４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成した。また、前記駆動回路ＫＣと各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを配線Ｆで並列接続した。【選択図】      図３
2004302319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の信号線と複数の第２の信号線との交差部に対応して複数の単位回路を備えた電子装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
第１の端子と第２の端子とを備え、前記第１の端子に印加される駆動電圧、または、前記第１の端子と前記第２の端子との間に流れる駆動電流により駆動される電子素子と、
前記駆動電圧または前記駆動電流を制御する能動素子と、を備え、
前記複数の単位回路は、前記電子素子及び前記能動素子のうち、少なくともいずれかを２個以上含む単位回路を含んでいることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、
さらに複数の電源線を含み、
前記能動素子は、前記電子素子と前記複数の電源線の対応する一つの電源線との間に電気的に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられた電気光学装置であって、
前記複数の画素回路の各々は、
第１の端子と第２の端子とを備え、前記第１の端子に印加される駆動電圧、または、前記第１の端子と前記第２の端子との間に流れる駆動電流により駆動される電気光学素子と、
前記駆動電圧または前記駆動電流を制御する能動素子と、を備え、
前記複数の画素回路は、前記電気光学素子及び前記能動素子のうち、少なくともいずれかを２個以上含む画素回路を含んでいることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられた電気光学装置であって、
前記複数の単位画素の各々は、
電気光学素子と、
前記電気光学素子に供給される駆動電圧または駆動電流を制御する制御用電子素子と、を複数含み、
前記複数の単位画素は、前記電気光学素子と電気的に切断された前記制御用電子素子を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電気光学装置において、
前記複数の電気光学素子の各々は、ＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられた電気光学装置であって、
前記複数の単位画素の各々は、電気光学材料が配置された電気光学材料配置領域を複数含み、
前記複数の単位画素は、前記複数の電気光学材料配置領域のうち前記電気光学材料が機能を発現しない電気光学材料配置領域を含む単位画素を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置において、
前記電気光学材料は、有機材料であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
透明基板に、
第１の端子と第２の端子との間に供給される電圧レベル、または、前記第１の端子と前記第２の端子との間に供給される電流レベルに依存して、光学特性または電気特性が変化する１つ電子回路を構成する複数の電子素子を形成するための素子形成領域と、
電気信号に応じた前記電圧レベルまたは前記電流レベルを前記各電子素子の第１の端子に供給する前記電子回路を構成するトランジスタを含む駆動回路を形成する回路形成領域と
を備え、
前記素子形成領域の中央部に配置し、その素子形成領域の周囲に前記回路形成領域を配置したことを特徴とする素子基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の素子基板において、
前記素子形成領域には電子素子が形成されていることを特徴とする素子基板。
【請求項１１】
複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられ、前記複数の単位画素の各々に電気光学材料が配置された電気光学材料配置領域と、前記電気光学材料配置領域の機能を制御する複数の能動素子を備えた電気光学装置の製造方法において、
前記複数の電気光学材料配置領域のうち機能を発現しない電気光学材料配置領域と前記能動素子との電気的接続を切断する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学材料配置領域と前記能動素子との電気的接続の切断は、レーザによって行われるようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１または２に記載の電子装置を実装したことを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項３乃至８のいずれか一つに記載の電気光学装置を実装したことを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項９または１０に記載された素子基板を実装したことを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１１または１２に記載された電気光学装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子装置、素子基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学装置の一つに、有機ＥＬ素子といった電流駆動型電子素子を備えた電気光学装置がある。前記電気光学装置においては、その表示パネル部上に複数の有機ＥＬ素子を備えた画素がマトリクス状に配置されている。各画素は、データ線駆動回路とデータ線を介して接続されている。そして、各画素に所定のタイミングでデータ線駆動回路から出力されるデータ信号が供給され、そのデータ信号の電流レベルに応じた有機ＥＬ素子が発光するようになっている。（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
国際公開第ＷＯ９８／３６４０７号パンフレット
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記電気光学装置では、各画素を構成する有機ＥＬ素子等の製造バラツキによって、その表示品位が劣化してしまうことがある。例えば、有機ＥＬ素子の形成が良好に行われず、その結果、前記有機ＥＬ素子が形成された画素形成領域が、常時、黒く表示されてしまう場合がある。その結果、電気光学装置の表示品位が劣化してしまう。
【０００５】
本発明の目的は、製造バラツキが発生しても精度良く制御することができる電子装置、素子基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子装置は、複数の第１の信号線と複数の第２の信号線との交差部に対応して複数の単位回路を備えた電子装置であって、前記複数の単位回路の各々は、第１の端子と第２の端子とを備え、前記第１の端子に印加される駆動電圧、または、前記第１の端子と前記第２の端子との間に流れる駆動電流により駆動される電子素子と、前記駆動電圧または前記駆動電流を制御する能動素子と、を備え、前記複数の単位回路は、前記電子素子及び前記能動素子のうち、少なくともいずれかを２個以上含む単位回路を含んでいる。
【０００７】
これによれば、単位回路を構成する電子素子または能動素子のうちのいずれかが不良によって駆動しなくても正常に駆動する単位回路を備えた電子装置を提供することができる。
【０００８】
この電子装置において、さらに複数の電源線を含み、前記能動素子は、前記電子素子と前記複数の電源線の対応する一つの電源線との間に電気的に接続されていてもよい。
【０００９】
これによれば、複数の電源線を介して駆動電力が供給される電子素子または能動素子を備えた電子装置において、その電子素子または能動素子のうちのいずれかが不良によって駆動しなくても駆動する電子装置を提供することができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられた電気光学装置であって、前記複数の画素回路の各々は、第１の端子と第２の端子とを備え、前記第１の端子に印加される駆動電圧、または、前記第１の端子と前記第２の端子との間に流れる駆動電流により駆動される電気光学素子と、前記駆動電圧または前記駆動電流を制御する能動素子と、を備え、前記複数の画素回路は、前記電気光学素子及び前記能動素子のうち、少なくともいずれかを２個以上含む画素回路を含んでいる。
【００１１】
これによれば、単位画素を構成する電気光学素子が不良のため駆動しなくても、その電気光学素子を能動素子から切断することで、他の電気光学素子を正常に駆動させることができる。また、単位画素を構成する能動素子が不良のため駆動しなくても、その能動素子を電気光学素子から切断することで、他の正常に駆動する能動素子によって前記電気光学素子を制御することができる。
従って、電気光学素子または能動素子が不良のため、その画素形成領域が、常時、黒く表示されてしまうことはない。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられた電気光学装置であって、前記複数の単位画素の各々は、電気光学素子と、前記電気光学素子に供給される駆動電圧または駆動電流を制御する制御用電子素子と、を複数含み、前記複数の単位画素は、前記電気光学素子と電気的に切断された前記制御用電子素子を含む。
【００１３】
これによれば、単位画素を構成する制御用電子素子が不良のため駆動なくても、その制御用電子素子を電気光学素子から切断することで、他の正常に駆動する制御用電子素子によって前記電気光学素子を制御することができる。従って、制御用電子素子が不良のため、その画素形成領域が、常時、黒く表示されてしまうことはない。このことから、制御用電子素子の不良によって生じる電気光学装置の表示品位の劣化を抑制することができる。
【００１４】
この電気光学装置において、前記複数の電気光学素子の各々は、ＥＬ素子である。
これによれば、電気光学素子がＥＬ素子である電気光学装置において、その表示品位の劣化を抑制することができる。
【００１５】
この電気光学装置において、前記ＥＬ素子は、有機ＥＬ素子であってもよい。
これによれば、電気光学素子が有機ＥＬ素子である電気光学装置において、その表示品位の劣化を抑制することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられた電気光学装置であって、前記複数の単位画素の各々は、電気光学材料が配置された電気光学材料配置領域を複数含み、前記複数の単位画素は、前記複数の電気光学材料配置領域のうち前記電気光学材料が機能を発現しない電気光学材料配置領域を含む単位画素を含む。
【００１７】
これによれば、本発明の電気光学装置は、複数の電気光学材料配置領域のうちその機能を発現しない電気光学材料配置領域を備えている。従って、機能を発現しない電気光学材料配置領域を実質的に使用しないので、その表示品位の劣化を抑制することができる。
【００１８】
この電気光学装置において、前記電気光学材料は、有機材料であってもよい。
これによれば、本発明の電気光学装置は、その電気光学材料が有機材料で構成されているものであって、その複数の電気光学材料配置領域のうち、その機能を発現しない電気光学材料配置領域を備えている。従って、機能を発現しない電気光学材料配置領域を実質的に使用しないので、その表示品位の劣化を抑制することができる。
【００１９】
本発明の素子基板は、透明基板に、第１の端子と第２の端子との間に供給される電圧レベル、または、前記第１の端子と前記第２の端子との間に供給される電流レベルに依存して、光学特性または電気特性が変化する１つ電子回路を構成する複数の電子素子を形成するための素子形成領域と、電気信号に応じた前記電圧レベルまたは前記電流レベルを前記各電子素子の第１の端子に供給する前記電子回路を構成するトランジスタを含む駆動回路を形成する回路形成領域とを備え、前記素子形成領域の中央部に配置し、その素子形成領域の周囲に前記回路形成領域を配置した。
【００２０】
これによれば、透明基板上に形成される複数の電子素子の出力信号を回路形成領域の中央部に集中して出力させることができる。従って、例えば、上記素子基板上に電気光学素子を形成した場合、その各電気光学素子から出力される出力信号としての光を回路形成領域の中央部に集中して発光させる。従って、複数の電気光学素子のうちのいくつかが製造時の不良により、発光しない電気光学素子があっても、その発光のムラを抑制することができる。
【００２１】
この素子基板において、前記素子形成領域には電子素子が形成されていてもよい。
これによれば、透明基板上に形成した複数の電子素子の出力信号を回路形成領域の中央部に集中して出力させることができる。従って、例えば、上記素子基板上に電気光学素子を形成した場合、その各電気光学素子から出力される出力信号としての光を回路形成領域の中央部に集中して発光させる。従って、複数の電気光学素子のうちのいくつかが製造時の不良により、発光しない電気光学素子があっても、その発光のムラを抑制することができる。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して複数の単位画素が設けられ、前記複数の単位画素の各々に電気光学材料が配置された電気光学材料配置領域と、前記電気光学材料配置領域の機能を制御する複数の能動素子を備えた電気光学装置の製造方法において、前記複数の電気光学材料配置領域のうち機能を発現しない電気光学材料配置領域と前記能動素子との電気的接続を切断する工程を含む。
【００２３】
これによれば、複数の電気光学材料配置領域のうち、その機能を発現しない電気光学材料配置領域を能動素子から電気的に切断するようにした。従って、機能を発現しない電気光学材料配置領域を実質的に使用しない電気光学装置を製造することができる。この結果、その表示品位の劣化を抑制した電気光学装置を提供することができる。
【００２４】
この電気光学装置の製造方法において、前記電気光学材料配置領域と前記能動素子との電気的接続の切断は、レーザによって行われてもよい。
これによれば、レーザによって、その機能を発現しない電気光学材料配置領域を能動素子から電気的に切断するようにした。従って、機能を発現しない電気光学材料配置領域を実質的に使用しない電気光学装置を精度良く且つ容易に製造することができる。
【００２５】
本発明の電子機器は、上記電子装置を実装している。
これによれば、単位回路を構成する電子素子または能動素子のうちのいずれかが不良によって駆動しなくても正常に駆動する電子機器を提供することができる。
【００２６】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置を実装している。
これによれば、画素回路を構成する電気光学素子または能動素子のうちのいずれかが不良によって駆動しなくても正常に駆動する電子機器を提供することができる。
【００２７】
本発明の電子機器は、上記素子基板を実装している。
これによれば、複数の電気光学素子のうちのいくつかが製造時の不良により、発光しない電気光学素子があっても、その発光のムラを抑制することができる電子機器を提供することができる。
【００２８】
本発明の電子機器は、上記電気光学装置の製造方法を用いて製造された。
これによれば、機能を発現しない電気光学材料配置領域を実質的に使用しないようにすることで、その表示品位の劣化を抑制することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図５に従って説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの電気的構成を示すブロック図である。図２は、表示パネル部の電気的構成を示すブロック回路図である。
【００３０】
有機ＥＬディスプレイ１０は、制御回路１１、表示パネル部１２、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４を備えている。有機ＥＬディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００３１】
また、本実施形態における有機ＥＬディスプレイ１０は、透明基板Ｓの裏面側に所望の画像が表示される、所謂、バックエミッション型のディスプレイである。
【００３２】
制御回路１１は、図示しない外部装置から供給される画像データＤに基づいて、表示パネル部１２に画像を表示させるための走査駆動信号ＳＫ及びデータ線駆動信号ＤＫを作成する。そして、制御回路１１は、前記走査駆動信号ＳＫを走査線駆動回路１３に出力するとともに、前記データ線駆動信号ＤＫをデータ線駆動回路１４に出力する。
【００３３】
表示パネル部１２は、透明基板Ｓ上の中央部に表示領域Ｐを備えている。表示領域Ｐには、図２に示すように、マトリクス状に複数の画素２０が配置されている。また、表示領域Ｐには、そのマトリクス状に配置された画素２０の列方向に沿ってｍ本のデータ線Ｘ１〜Ｘｍ（ｍは自然数）が延設されている。また、表示領域Ｐには、そのマトリクス状に配置された画素２０の行方向に沿ってｎ本の走査線Ｙ１〜Ｙｎ（ｎは自然数）が延設されている。そして、前記画素２０は、各データ線Ｘ１〜Ｘｍと走査線Ｙ１〜Ｙｎとの交差部に対応する位置に配置されている。各画素２０は対応するデータ線Ｘ１〜Ｘｍと走査線Ｙ１〜Ｙｎとにそれぞれ接続されている。
【００３４】
また、表示領域Ｐには、駆動電圧供給線Ｌｏが設けられている。駆動電圧供給線Ｌｏには駆動電圧Ｖｏｅｌが供給されている。また、駆動電圧供給線Ｌｏにはｍ本の電源線ＶＬ１〜ＶＬｍ（ｍは自然数）が接続されている。各電源線ＶＬ１〜ＶＬｍは、本実施形態においては、前記データ線Ｘ１〜Ｘｍに平行して設けられている。そして、各電源線ＶＬ１〜ＶＬｍは対応する画素２０に接続されている。従って、各画素２０には駆動電圧供給線Ｌｏ及び電源線ＶＬ１〜ＶＬｍを介して駆動電圧Ｖｏｅｌが供給される。
【００３５】
さらに、表示領域Ｐには、ｎ本の信号線ＬＳ１〜ＬＳｎ（ｎは自然数）が設けられている。各信号線ＬＳ１〜ＬＳｎは、画素２０の行方向に沿って平行して設けられている。そして、各信号線ＬＳ１〜ＬＳｎは対応する画素２０に接続されると共に、前記走査線駆動回路１３に接続されている。各信号線ＬＳ１〜ＬＳｎは、前記走査線駆動回路１３から出力される後記するタイミング信号ＳＹ１〜ＳＹｎ（ｎは自然数）を対応する画素２０に供給する。
【００３６】
走査線駆動回路１３は、前記制御回路１１から出力される走査駆動信号ＳＫに基づいて、前記表示領域Ｐに延設されたｎ本の走査線Ｙ１〜Ｙｎのうちの１本の走査線を選択し、その選択された走査線に走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎ（ｎは自然数）を出力する。また、走査線駆動回路１３は、前記走査駆動信号ＳＫに基づいて各画素２０内に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間を制御するタイミング信号ＳＹ１〜ＳＹｎを作成するとともに、その作成したタイミング信号ＳＹ１〜ＳＹｎを対応する前記信号線ＬＳ１〜ＬＳｎを介して各画素２０に出力する。
【００３７】
データ線駆動回路１４は、図２に示すように、複数の単一ラインドライバ２３を備えている。各単一ラインドライバ２３は、それぞれ前記データ線Ｘ１〜Ｘｍを介して対応する画素２０に電気的に接続されている。また、各単一ラインドライバ２３は、前記制御回路１１から出力されるデータ線駆動信号ＤＫに基づいて、それぞれデータ信号Ｉｄａｔａを作成する。そして、各単一ラインドライバ２３は、それぞれその作成されたデータ信号Ｉｄａｔａをデータ線Ｘ１〜Ｘｍを介して対応する画素２０に出力する。尚、本実施形態においては、前記データ信号Ｉｄａｔａは電流信号である。したがって、各単一ラインドライバ２３は、前記データ線駆動信号ＤＫに基づいた電流値を、それぞれ作成し、その作成した値の電流をデータ信号Ｉｄａｔａとしてそれぞれ対応する前記データ線Ｘ１〜Ｘｍを介して対応する画素２０に出力する。
【００３８】
次に、前記画素２０の電気的構成について図３に従って説明する。図３は各画素２０の電気的構成を示す図である。
画素２０は、その形成領域に回路形成領域ＺＣと発光領域ＺＬとを備えている。回路形成領域ＺＣは、駆動回路ＫＣが形成される領域である。発光領域ＺＬは、その発光層を構成する後記する発光膜ＬＦ（図４参照）が有機材料で構成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが複数形成される領域である。また、本実施形態では、前記回路形成領域ＺＣは、その略中央部を除いた環状の形成領域であって、前記発光領域ＺＬは、前記略中央部に形成された形成領域である。
【００３９】
以下、各画素２０の構成は全て同じであるので、説明の便宜上、ｎ番目の走査線Ｙｎとｍ番目のデータ線Ｘｍとの交差部に対応する位置に配置された画素２０についてのみ説明する。
【００４０】
駆動回路ＫＣは、駆動トランジスタＱｄ、第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２、開始トランジスタＱｓｔ及び保持キャパシタＣｏを備えている。駆動トランジスタＱｄは、電流を供給する電流源として機能するトランジスタである。また、第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び開始トランジスタＱｓｔは、それぞれ、スイッチング素子として機能するトランジスタである。
【００４１】
尚、前記駆動トランジスタＱｄの導電型は、本実施形態においては、ｐ型である。また、前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び開始トランジスタＱｓｔの導電型は、本実施形態においては、それぞれｎ型である。また、前記駆動トランジスタＱｄ、第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び開始トランジスタＱｓｔは、それぞれ、通常はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００４２】
前記駆動トランジスタＱｄは、そのドレインが、第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１のドレインに接続されている。第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１のソースはデータ線Ｘｍに接続されている。
【００４３】
前記駆動トランジスタＱｄのドレイン／ゲート間には、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２が接続されている。第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２のゲートは、前記第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１のゲートに接続されるとともに走査線Ｙｎに接続されている。従って、前記第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１及び前記第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２は走査線Ｙｎを介して前記走査線駆動回路１３から出力される走査信号ＳＣｎに応じて、同時にオン・オフ制御される。
【００４４】
また、前記駆動トランジスタＱｄのソースは前記電源線ＶＬｍに接続され、駆動電圧Ｖｏｅｌが供給されるようになっている。前記駆動トランジスタＱｄのゲートには保持キャパシタＣｏの第１接続端子Ｅ１が接続され、同保持キャパシタＣｏの第２接続端子Ｅ２には同駆動トランジスタＱｄのソースが接続されている。前記保持キャパシタＣｏは、前記データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルに応じた電荷を蓄積する。
【００４５】
また、前記駆動トランジスタＱｄのドレインは、開始トランジスタＱｓｔのドレインが接続されている。開始トランジスタＱｓｔのソースは配線Ｆを介して発光領域ＺＬに形成される複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｄ１にそれぞれ接続されている。開始トランジスタＱｓｔのゲートは、前記信号線ＬＳｎに接続されている。従って、開始トランジスタＱｓｔは、前記信号線ＬＳｎを介して走査線駆動回路１３から供給されるタイミング信号ＳＹｎに応じてオン・オフ制御される。
【００４６】
前記のように構成された駆動回路ＫＣにおいて、前記走査線駆動回路１３から走査線Ｙｎを介してＨレベルの走査信号ＳＣｎが出力される。すると、前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２が同時にオン状態になる。このとき、前記データ線Ｘｍを介してデータ信号Ｉｄａｔａが駆動回路ＫＣに供給される。そして、前記データ信号Ｉｄａｔａに応じた電荷が保持キャパシタＣｏに蓄積される。前記保持キャパシタＣｏに前記データ信号Ｉｄａｔａに応じた電荷が蓄積されると、前記走査線駆動回路１３から走査線Ｙｎを介してＬレベルの走査信号ＳＣｎが出力される。その結果、前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２がオフ状態になるとともに、前記駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に保持キャパシタＣｏに蓄積された電荷に応じた駆動電流Ｉｅｌが流れる状態になる。この状態で、前記走査線駆動回路１３から信号線ＬＳｎを介してＨレベルのタイミング信号ＳＹｎが供給されると、前記開始トランジスタＱｓｔがオン状態になり、前記駆動電流Ｉｅｌが前記配線Ｆを介して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｄ１に供給される。つまり、前記駆動回路ＫＣは、走査線駆動回路１３から出力される走査信号ＳＣｎ及びタイミング信号ＳＹｎ基づいて、データ信号Ｉｄａｔａに応じた駆動電流Ｉｅｌを各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給することができる。
【００４７】
前記発光領域ＺＬは、本実施形態においては、後記するバンク３６，３７（図４参照）によって上下左右方向に２つずつ、計４分割になるように区画されている。そして、その区画された各領域には、１つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成されている。つまり、各画素２０には、その略中央部に４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが上下左右方向に隣接して形成されている。
【００４８】
そして、このように構成された各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、その各陽極Ｄ１が、前記したように、配線Ｆ及び前記開始トランジスタＱｓｔを介して１つの前記駆動トランジスタＱｄのドレインに接続されている。また、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陰極Ｄ２はそれぞれ接地されている。つまり、前記開始トランジスタＱｓｔのソースと接地との間に４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが互いに並列に接続されている。
【００４９】
従って、前記開始トランジスタＱｓｔがオン状態になることによって、前記駆動トランジスタＱｄのソース／ドレイン間に流れる駆動電流Ｉｅｌが４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの各々に供給される。
【００５０】
すると、従来のように、１つの画素につき１つしか有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがない場合、各画素間で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの入力インピーダンスがばらついてしまい、そのため、駆動トランジスタＱｄのドレイン／ソース間にかかるドレイン／ソース間電圧Ｖｄｓのばらつきが発生してしまう。その結果、駆動電流Ｉｅｌにばらつきが生じてしまう。しかしながら本発明のように、１つの画素につき４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがある場合、その各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの入力インピーダンスがばらついていたとしても、入力インピーダンスが低い有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには入力インピーダンスが高い有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる分の駆動電流が流れるため、４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ全体で流れる駆動電流Ｉｅｌは平均化される。つまり、１つの駆動トランジスタＱｄに対して４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを互いに並列に接続することで、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの入力インピーダンスのバラツキを吸収できる。
【００５１】
また、１つの駆動トランジスタＱｄに対して４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを互いに並列に接続することによって、４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのうち、例えば、３個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが製造時の不良により、常時、発光しなくても、他の１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させることができる。このとき、発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが４個から３個に減ったとしても、４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ全体で流れる駆動電流Ｉｅｌは変わらないため、４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの全てが発光したときと同じ輝度で発光させることができる。この結果、１つの駆動トランジスタＱｄに対して１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成された従来の画素を備えたディスプレイに比べて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光のムラを抑制することができる。
【００５２】
次に、以上のように構成された画素２０の製造方法について、図４に従って説明する。
図４は、前記画素２０を含む表示パネル部１２の断面構造の一部断面図である。図４に示す一部断面図は、前記開始トランジスタＱｓｔと、該開始トランジスタＱｓｔに配線Ｆを介して接続された２個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとが形成された、図３中のＡ−Ａ線に沿う断面に対応したものである。尚、他の画素２０についても、その断面構造の同様な構造なので、その詳細な説明は省略する。
【００５３】
前記表示パネル部１２は、図４に示すように、透明基板Ｓｄと、前記透明基板Ｓｄの上方に形成された素子形成層ＤＺと、その素子形成層ＤＺ上の電気光学材料配置領域または素子形成領域に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する発光膜ＬＦとを備えている。そして、前記透明基板Ｓｄと前記素子形成層ＤＺとで素子基板Ｔを構成している。
【００５４】
図４に示すように、回路形成領域ＺＣであって素子形成層ＤＺ上の回路形成領域には、各発光膜ＬＦに対応する前記駆動回路ＫＣが形成されている。また、発光領域ＺＬであって、前記素子形成層ＤＺには、駆動回路ＫＣは形成されていない。
【００５５】
前記素子形成層ＤＺには、前記各駆動回路ＫＣを構成する前記開始トランジスタＱｓｔが形成されている。
詳しくは、透明基板Ｓｄ及び二酸化珪素で構成された絶縁膜３２上に開始トランジスタＱｓｔの構成するシリコン層３３が形成されている。また、絶縁膜３２上に形成される二酸化珪素で構成された酸化膜上には、開始トランジスタＱｓｔのゲート３４Ｇ、ソース３４Ｓ及びドレイン３４Ｄが形成されている。
【００５６】
そして、前記ソース３４Ｓは前記配線Ｆを介して素子形成層ＤＺ上に形成される画素電極３５に電気的に接続されている。画素電極３５は導電性透明材料で構成されており、本実施形態では、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）で構成されている。また、素子形成層ＤＺ上には、前記画素電極３５を他の画素電極３５と電気的に絶縁するための無機材料で構成される第１バンク３６が形成されている。前記第１バンク３６上には有機材料で構成される第２バンク３７が形成されている。前記第１及び第２バンク３６，３７は、隣接して形成される前記発光膜ＬＦ同士を区画するためのバンクである。前記画素電極３５は、その一部が開口されている。そして、前記画素電極３５上には、該画素電極３５が開口されている位置を含むように有機材料で構成された発光膜ＬＦが形成されている。前記発光膜ＬＦは、本実施形態においては、有機材料をインクジェット方式で所定の第１及び第２バンク３６，３７で囲まれる位置に吐出することで形成される発光膜である。
【００５７】
そして、前記のように構成された表示パネル部１２を製造した後に、４個の発光膜ＬＦのうち、その光学的機能を発現しない発光膜ＬＦの画素電極３５に接続される配線Ｆを、たとえば、レーザを利用して切断する。このことによって、その発光膜ＬＦには駆動電流Ｉｅｌが供給されないようになる。この結果、光学的機能を発現する他の発光膜ＬＦを機能させることができるので、常時、黒く表示される発光膜ＬＦを実質的に使用しないようにすることができる。有機ＥＬディスプレイ１０の表示品位の劣化を抑制することができる。
【００５８】
以上のことから、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの製造バラツキが発生しても、精度良く制御することができる有機ＥＬディスプレイ１０を実現することができる。
尚、本実施形態における駆動トランジスタＱｄは、それぞれ、特許請求の範囲に記載された能動素子または制御用電子素子に対応している。また、本実施形態における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、それぞれ、特許請求の範囲に記載された電子素子または電気光学素子に対応している。さらに、本実施形態における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極Ｄ１及び陰極Ｄ２は、それぞれ、特許請求の範囲に記載された第１の端子及び第２の端子に対応している。
【００５９】
また、本実施形態におけるデータ信号Ｉｄａｔａ、データ線Ｘ１〜Ｘｍ及び画素２０は、それぞれ、特許請求の範囲に記載された電気信号、信号線及び電子回路、単位回路または単位画素に対応している。
【００６０】
次に、このように構成された有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法について、図５に従って説明する。
図５は、有機ＥＬディスプレイ１０の駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【００６１】
まず、前記制御回路１１から出力される走査駆動信号ＳＫに基づいて、走査線駆動回路１３が走査線Ｙ１を選択する。そして、前記走査線駆動回路１３からＨレベルの走査信号ＳＣ１が出力される。すると、前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２が同時にオン状態になるとともに、前記データ線Ｘ１〜Ｘｍを介して各データ信号Ｉｄａｔａがそれぞれの前記保持キャパシタＣｏに供給される。このことによって、前記各保持キャパシタＣｏには前記データ信号Ｉｄａｔａに応じた電荷がそれぞれ蓄積される。つまり、選択された走査線Ｙ１上の各画素２０へのデータの書き込みが行われる。
【００６２】
また、このとき、前記走査線駆動回路１３からＬレベルのタイミング信号ＳＹ１が出力される。このことによって、走査線Ｙ１上の各画素２０の開始トランジスタＱｓｔはオフ状態になっている。従って、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには駆動電流Ｉｅｌが供給されず、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは未だ発光しない。
【００６３】
その後、前記走査線駆動回路１３からＬレベルの走査信号ＳＣ１が供給されるとともに、Ｈレベルのタイミング信号ＳＹ１が出力される。このことによって、前記開始トランジスタＱｓｔはオン状態になり、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと前記駆動トランジスタＱｄとが配線Ｆを介して電気的に接続された状態になる。その結果、前記各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに前記駆動トランジスタＱｄに流れる電流が駆動電流Ｉｅｌとして供給され、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは駆動トランジスタＱｄに流れる電流の電流レベルに応じて発光する。
【００６４】
続いて、前記走査線駆動回路１３が前記走査駆動信号ＳＫに基づいて、次の走査線Ｙ２を選択し、その選択された走査線Ｙ２上の画素２０に、前記と同様にして、走査信号ＳＣ２及びタイミング信号ＳＹ２を順次供給する。そして、前記走査線Ｙ２と接続された画素２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが駆動トランジスタＱｄに流れる電流の電流レベルに応じて発光する。その後、前記と同様にして、前記走査線駆動回路１３は前記走査駆動信号ＳＫに基づいて、順次、走査線を選択して、その選択された走査線に接続された画素２０に走査信号ＳＣ１〜ＳＣｎ及びタイミング信号ＳＹ１〜ＳＹｎを供給する。その結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが、順次、駆動トランジスタＱｄに流れる電流の電流レベルに応じて発光する。そして、最後の走査線Ｙｎを選択し、データ信号Ｉｄａｔａに基づいて発光させると、１フレーム分の画像が表示パネル部１２に表示されることとなる。
【００６５】
続いて、１フレーム期間終了後、前記走査線駆動回路１３は前記走査駆動信号ＳＫに基づいて走査線Ｙ１を選択し、前記走査線駆動回路１３からＬレベルのタイミング信号ＳＹ１が前記信号線ＬＳ１を介して各画素２０に供給される。このことによって、走査線Ｙ１上の各画素２０の開始トランジスタＱｓｔが全てオフ状態になり、走査線Ｙ１上の各画素２０の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光が停止する。この結果、走査線Ｙ１上の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間が終了する。
【００６６】
また、走査線駆動回路１３からＬレベルのタイミング信号ＳＹ１が供給されると同時に、前記走査線駆動回路１３からＨレベルの走査信号ＳＣ１が前記走査線Ｙ１を介して各画素２０に供給される。このことによって、走査線Ｙ１上の画素２０の第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２がオン状態になり、再度、データの書き込みが行われる。
【００６７】
このように、１フレーム期間終了後、前記走査線駆動回路１３は前記走査駆動信号ＳＫに基づいて、順次、走査線Ｙ１〜Ｙｎを選択して、前記と同様な動作が行われて画像が表示される。
【００６８】
以上のように、前記走査線駆動回路１３が前記走査駆動信号ＳＫに基づいて、走査線Ｙ１〜Ｙｎを順次選択し、その選択された走査線と接続された画素２０に走査信号及びタイミング信号を順次出力する。また、選択された走査線と接続された画素２０にデータ信号Ｉｄａｔａを供給し、データの書き込みを行う。このようにして、所望の画像を前記表示パネル部１２に表示させることができる。
【００６９】
前記実施形態の画素及び有機ＥＬディスプレイによれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、表示パネル部１２に配置される画素２０の略中央部を除く環状の形成領域に回路形成領域ＺＣを形成した。また、その略中央部に発光領域ＺＬを形成した。そして、前記回路形成領域ＺＣに１つの駆動回路ＫＣを形成するとともに、前記発光領域ＺＬに４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成した。また、前記駆動回路ＫＣと各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを配線Ｆで並列接続した。従って、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの製造バラツキによって、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの入力インピーダンスがばらついていたとしても、入力インピーダンスが低い有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには入力インピーダンスが高い有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる分の駆動電流が流れる。この結果、４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ全体で流れる駆動電流Ｉｅｌは平均化されるので、入力インピーダンスのバラツキによる発光のムラを画素２０毎で抑制することができる。従って、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの製造バラツキが生じても、画素２０の発光を精度良く制御することができる有機ＥＬディスプレイ１０を実現することができる。
【００７０】
（２）前記実施形態では、４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのうち、例えば、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成不良になった場合、その有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと駆動回路ＫＣとを接続する配線Ｆを切断するようにした。この結果、４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのうち、例えば、３個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが製造時の不良により、常時、発光しなくても、他の１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させることができる。従って、１つの駆動回路ＫＣに対して１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが形成された従来の画素を備えたディスプレイに比べて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電気的接触の不良によってデータ信号Ｉｄａｔａを供給されても、常時、黒く表示されてしまう欠陥した画素の発生を抑制することができる。従って、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが製造時の不良により、常時、発光しなくても、他の１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光するので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光のムラを抑制することができる。
【００７１】
（３）前記実施形態では、１つの画素２０において、たとえば、１個の発光膜ＬＦの膜厚が他の発光膜ＬＦの膜厚に比べて著しく厚いまたは薄い場合、その発光膜ＬＦの画素電極３５に接続される配線Ｆを、たとえば、レーザを利用して切断する。そして、その発光膜ＬＦに駆動電流Ｉｅｌが供給されないようになる。従って、発光する発光膜ＬＦの膜厚を均一化することができる。この結果、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの入力インピーダンスを等しくすることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図６に従って説明する。この第２実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
【００７２】
図６は、有機ＥＬディスプレイ１０の表示パネル部１２に配置される画素３０の回路図である。
本実施形態における画素３０の回路形成領域ＺＣ及び発光領域ＺＬは、前記第１実施形態における画素２０における回路形成領域ＺＣ及び発光領域ＺＬの形成位置のように限定されるものではなく、任意の位置に配置してよい。
【００７３】
尚、本実施形態における各画素３０の回路構成は、前記第１実施形態と同様に全て同じであるので、説明の便宜上、ｎ番目の走査線Ｙｎとｍ番目のデータ線Ｘｍとの交差部に対応する位置に配置された画素３０についてのみ説明する。
【００７４】
本実施形態における駆動回路ＫＣは、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２、第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２、開始トランジスタＱｓｔ及び保持キャパシタＣｏを備えている。第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２は、それぞれ、電流を供給する電流源として機能するトランジスタである。また、第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び開始トランジスタＱｓｔは、それぞれ、スイッチング素子として機能するトランジスタである。
【００７５】
前記第２の駆動トランジスタＱｄ２の利得係数は、第１の駆動トランジスタＱｄ１の利得係数と等しくなるように形成されている。従って、第２の駆動トランジスタＱｄ２のソース／ドレイン間に流れる電流の電流レベルは、第１の駆動トランジスタＱｄ１のソース／ドレイン間に流れる電流の電流レベルと等しい。
【００７６】
尚、前記第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２の導電型は、本実施形態においては、それぞれ、ｐ型である。また、前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び開始トランジスタＱｓｔの導電型は、本実施形態においては、それぞれｎ型である。また、前記第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２、第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び開始トランジスタＱｓｔは、それぞれ、通常はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００７７】
前記第１の駆動トランジスタＱｄ１は、そのドレインが、第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１のドレインに接続されている。第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１のソースはデータ線Ｘｍに接続されている。
【００７８】
前記第１の駆動トランジスタＱｄ１のドレイン／ゲート間には、第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２が接続されている。第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２のゲートは、前記第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１のゲートに接続されるとともに走査線Ｙｎに接続されている。従って、前記第１のスイッチングトランジスタＱｓｗ１及び前記第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ２は走査線Ｙｎを介して前記走査線駆動回路１３から出力される走査信号ＳＣｎに応じて、同時にオン・オフ制御される。
【００７９】
また、前記第１の駆動トランジスタＱｄ１のソースは前記電源線ＶＬｍに接続され、駆動電圧Ｖｏｅｌが供給されるようになっている。前記第１の駆動トランジスタＱｄ１のゲートには保持キャパシタＣｏの第１接続端子Ｅ１が接続され、同保持キャパシタＣｏの第２接続端子Ｅ２には同第１の駆動トランジスタＱｄ１のソースが接続されている。前記保持キャパシタＣｏは、前記データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルに応じた電荷を蓄積する。
【００８０】
また、前記第１の駆動トランジスタＱｄ１のドレインは、開始トランジスタＱｓｔのドレインが接続されている。開始トランジスタＱｓｔのソースは配線Ｆを介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに接続されている。開始トランジスタＱｓｔのゲートは、前記信号線ＬＳｎに接続されている。従って、開始トランジスタＱｓｔは、前記信号線ＬＳｎを介して走査線駆動回路１３から供給されるタイミング信号ＳＹｎに応じてオン・オフ制御される。
【００８１】
このように構成された前記第１の駆動トランジスタＱｄ１には、同第１の駆動トランジスタＱｄ１と並列に第２の駆動トランジスタＱｄ２が接続されている。詳しくは、第１の駆動トランジスタＱｄ１のソースに第２の駆動トランジスタＱｄ２のソースが接続されている。また、第１の駆動トランジスタＱｄ１のゲートには第２の駆動トランジスタＱｄ２のゲートが接続されている。さらに、第１の駆動トランジスタＱｄ１のドレインには第２の駆動トランジスタＱｄ２のドレインが接続されている。つまり、前記保持キャパシタＣｏの第１接続端子Ｅ１は第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のそれぞれのソースに接続されるとともに、第２接続端子Ｅ２は第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のそれぞれのゲートに接続される。
【００８２】
前記のように構成された駆動回路ＫＣにおいて、前記走査線駆動回路１３から走査線Ｙｎを介してＨレベルの走査信号ＳＣｎが出力される。すると、前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２が共にオン状態になる。この結果、前記データ線Ｘｍを介してデータ信号Ｉｄａｔａが画素３０に供給される。そして、前記データ信号Ｉｄａｔａに応じた電荷が保持キャパシタＣｏに蓄積される。
【００８３】
このとき、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２がともに正常に駆動する場合、前記したように、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２の各ソース／ドレイン間には、互いに同じ電流レベルの電流が流れる。従って、前記第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２の各ソース／ドレイン間には、前記データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルの１／２倍にされた電流が流れる。
【００８４】
この結果、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２がともに正常に駆動する場合における前記保持キャパシタＣｏには、データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルの１／２倍に相当する電荷が蓄積される。
【００８５】
また、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のうち、いずれか一方のみが正常に駆動する場合、他方の第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２をレーザを利用して電気的に切断する。このようにすることで、正常に駆動する第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のソース／ドレイン間のみに、データ信号Ｉｄａｔａを供給させる。
【００８６】
この結果、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のいずれか一方のみが正常に駆動する場合においては、前記保持キャパシタＣｏには、データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルに相当する電荷が蓄積される。
【００８７】
また、前記保持キャパシタＣｏに電荷が蓄積された状態で前記走査線駆動回路１３から走査線Ｙｎを介して前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２を共にオフ状態にする走査信号ＳＣｎが出力される。
【００８８】
すると、前記第１及び第２のスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２がともにオフ状態になる。
この結果、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２がともに正常に駆動する場合においては、各第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のソース／ドレイン間に、前記保持キャパシタＣｏに蓄積された電荷に応じた駆動電流Ｉｅｌが流れる状態になる。このとき、各第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のソース／ドレイン間に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルは、データ信号Ｉｄａｔａの１／２倍の電流レベルに応じた値である。
【００８９】
また、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のいずれか一方のみが正常に駆動する場合においては、その正常に駆動する第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のソース／ドレイン間に、前記保持キャパシタＣｏに蓄積された電荷に応じた駆動電流Ｉｅｌが流れる状態になる。このとき、正常に駆動する第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のソース／ドレイン間に流れる駆動電流Ｉｅｌの電流レベルは、データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルに応じた値である。
【００９０】
この状態で、前記走査線駆動回路１３から信号線ＬＳｎを介して開始トランジスタＱｓｔをオン状態にするタイミング信号ＳＹｎが供給されると、同開始トランジスタＱｓｔがオン状態になる。
【００９１】
この結果、前記開始トランジスタＱｓｔには、各第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２がともに正常に駆動する場合においては、その各ソース／ドレイン間に流れる駆動電流Ｉｅｌの総和が供給される。つまり、開始トランジスタＱｓｔに供給される駆動電流Ｉｅｌの電流レベルは、データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルに応じた値となる。
【００９２】
また、各第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のいずれか一方のみが正常に駆動する場合においては、前記開始トランジスタＱｓｔには、その正常に駆動する第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のいずれかのソース／ドレイン間に流れる駆動電流Ｉｅｌが供給される。つまり、開始トランジスタＱｓｔに供給される駆動電流Ｉｅｌの電流レベルは、データ信号Ｉｄａｔａの電流レベルに応じた値となる。
【００９３】
そして、前記駆動電流Ｉｅｌが前記配線Ｆを介して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極に供給され、同有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが駆動電流Ｉｅｌの電流レベルに応じて発光する。
【００９４】
つまり、本実施形態における駆動回路ＫＣでは、前記第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のいずれか一方が駆動しなくても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動電流Ｉｅｌの電流レベルに応じて発光させることができる。
【００９５】
このように構成された画素３０を備えた有機ＥＬディスプレイ１０においても、前記第１実施形態と同様に、前記走査線駆動回路１３が前記走査駆動信号ＳＫに基づいて、走査線Ｙ１〜Ｙｎを順次選択し、その選択された走査線と接続された画素２０に走査信号及びタイミング信号を順次出力する。また、選択された走査線と接続された画素２０にデータ信号Ｉｄａｔａを供給し、データの書き込みを行う。このようにして、所望の画像を前記表示パネル部１２に表示させることができる。
【００９６】
前記実施形態の画素及び有機ＥＬディスプレイによれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）前記実施形態では、各画素３０を構成する第１の駆動トランジスタＱｄ１に並列に、同第１の駆動トランジスタＱｄ１の利得係数と等しい利得係数を有する第２の駆動トランジスタＱｄ２を接続した。そして、第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のいずれか一方が正常に駆動しない場合は、その正常に駆動しない第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２をレーザで駆動回路ＫＣから電気的に切断する。この結果、前記第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２のいずれか一方が駆動しなくても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動電流Ｉｅｌの電流レベルに応じて発光させることができる。
（第３実施形態）
次に、第１または第２実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の電子機器の適用について図７に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【００９７】
図７は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図７において、パーソナルコンピュータ５０は、キーボード５１を備えた本体部５２と、前記有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット５３とを備えている。この場合においても、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット５３は前記第１または第２実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、製造バラツキが発生しても精度良く制御することができる有機ＥＬディスプレイ１０を備えたモバイル型パーソナルコンピュータ５０を提供することができる。
【００９８】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第１実施形態では、電子素子または電気光学素子としての有機ＥＬ素子を複数（４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）形成し、第２実施形態では、トランジスタとしての駆動トランジスタを複数（２個の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２）形成した。これを、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを複数形成するとともに、駆動トランジスタも併せて複数形成してなる電子回路、電子装置または電気光学装置に応用してもよい。この場合、第１及び第２実施形態に両方の優れた効果を有することになる。
【００９９】
○上記第１実施形態では、画素２０の回路形成領域ＺＣは、その略中央部を除いた環状の形成領域とし、発光領域ＺＬは、前記略中央部に形成された形成領域とした。そして、前記回路形成領域ＺＣに駆動回路ＫＣを形成するとともに、前記発光領域ＺＬに複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成した。
【０１００】
これを、図８に示すように、画素２０の略中央部を回路形成領域ＺＣとし、その略中央部を囲む環状の形成領域を発光領域ＺＬとする。そして、前記回路形成領域ＺＣに駆動回路ＫＣを形成する。また、前記発光領域ＺＬの上下左右方向にそれぞれ有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成するようにしてもよい。この場合の画素２０を含む表示パネル部１２の断面構造の一部断面図を図９に示す。図９に示す一部断面図は、開始トランジスタＱｓｔと、該開始トランジスタＱｓｔに配線Ｆを介して接続された２個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとが形成された、図８中のＢ−Ｂ線に沿う断面に対応したものである。図９に示すように、回路形成領域ＺＣであって、素子形成層ＤＺに駆動回路ＫＣを形成し、その回路形成領域ＺＣを囲むように発光領域ＺＬが形成されている。発光膜ＬＦを備えた発光領域ＺＬを形成することによって、回路形成領域ＺＣが発光しないことを目立たなくすることができる。
【０１０１】
○上記第１実施形態では、データ信号Ｉｄａｔａは電流であり、このデータ信号Ｉｄａｔａに応じた電流レベルの駆動電流Ｉｅｌを駆動トランジスタＱｄが制御するようにした。これを、電圧信号からなるデータ信号を用い、そのデータ信号に応じた電流レベルの駆動電流Ｉｅｌを駆動トランジスタＱｄが制御するようにしてもよい。このようにすることによって、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０２】
○上記第１実施形態では、発光領域ＺＬに４個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成したが、これに限定されるものではなく、２個以上の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤであればよい。
【０１０３】
○上記第１及び第２実施形態では、本発明を素子基板Ｔの裏面側から画像が表示される、所謂、バックエミッション型の有機ＥＬディスプレイ１０に具体化したが、これに限定されるものではなく、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイ１０に具体化してもよい。このようにすることによって、各画素２０，３０の回路形成領域ＺＣの分だけ開口率を向上させることができる。
【０１０４】
○上記第２実施形態では、第１及び第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２は、それぞれ、１つのトランジスタで構成したが、これを、複数の単位トランジスタを設け、その単位トランジスタを直列または並列に接続することで、第１または第２の駆動トランジスタＱｄ１，Ｑｄ２を構成してもよい。
【０１０５】
○上記第１及び第２実施形態では、１色からなる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素２０，３０を設けた有機ＥＬディスプレイ１０であったが、赤色、緑色及び青色の３色の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して各色用の画素２０，３０を設けた有機ＥＬディスプレイに応用しても良い。
【０１０６】
○上記第１及び第２実施形態では、画素２０，３０に具体化して好適な効果を得たが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ以外の例えばＬＥＤやＦＥＤ等の発光素子のような電流駆動素子を駆動する電子回路に具体化してもよい。ＲＡＭ等（特にＭＲＡＭ）の記憶装置に具体化してもよい。
【０１０７】
○上記第１及び第２実施形態では、電流駆動素子として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについて具体化したが、無機ＥＬ素子に具体化してもよい。つまり、無機ＥＬ素子からなる無機ＥＬディスプレイに応用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬディスプレイの電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図２】表示パネル部及びデータ線駆動回路の電気的構成を示すブロック回路図である。
【図３】第１実施形態における画素の回路図である。
【図４】第１実施形態における表示パネル部の一部断面図である。
【図５】有機ＥＬディスプレイの駆動方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】第２実施形態における画素の回路図である。
【図７】第３実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】別例の画素の回路図である。
【図９】別例の表示パネル部の一部断面図である。
【符号の説明】
Ｆ…配線、Ｑｄ…能動素子としての駆動トランジスタ、Ｑｄ１，Ｑｄ２…第１及び第２の駆動トランジスタ、Ｑｓｗ１…第１のスイッチングトランジスタ、Ｃｏ…保持キャパシタ、Ｄ１…第１の端子としての陽極、Ｄ２…第２の端子としての陰極、Ｉｄａｔａ…電気信号としてのデータ信号、Ｉｅｌ…駆動電力としての駆動電流、Ｓｄ…透明基板、Ｔ…素子基板、Ｘ１〜Ｘｍ…信号線としてのデータ線、ＺＣ…回路形成領域、ＺＬ…素子形成領域、２０…単位回路または駆動回路としての画素回路、ＯＬＥＤ…電子素子または電気光学素子としての有機ＥＬ素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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