(57)【要約】【課題】基板の上方に配置された遮蔽板の振動を低減するこができる基板処理装置を提供する。【解決手段】回転駆動機構１００は、モータ１０１と、モータ１０１に挿入されモータ１０１の駆動軸として使用されるモータ軸１１０を有している。また、モータ軸１１０の下端は、雰囲気遮断板２７の中心部付近を貫通して結合されている。さらに、モータ軸１１０は中空軸であり、その内側には処理液流路１３１とプロセスガス流路１１２とが設けられている。このように、モータ１０１の駆動力を直接１１０に伝達することにより、基板Ｗと雰囲気遮断板２７との距離を小さくすることができる。そのため、処理液によって洗浄処理を行う際に、基板Ｗ付近の雰囲気をプロセスガスと置換する場合、プロセスガスの使用量を低減して効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。【選択図】        図１
2004172204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させつつ所定の処理を施す基板処理装置であって、
（ａ）  前記基板を略水平姿勢にて保持しつつ、前記基板を略鉛直方向に沿った第１の回転軸を中心として回転させる保持手段と、
（ｂ）  前記保持手段よりも上方に配置され、前記保持手段によって保持された基板の上面に対向する雰囲気遮断板と、
（ｃ）  前記雰囲気遮断板の上方に配置され、前記雰囲気遮断板と接続された第１のモータ軸を回転軸として前記雰囲気遮断板を回転させる第１のモータと、
を備え、
前記第１のモータの駆動力は、前記第１のモータ軸に直接伝達されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
（ｄ）  前記第１のモータ軸に挿入して設けられた第１の流路を介して前記第１のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けてプロセスガスを吐出する第１のプロセスガス吐出手段と、
（ｅ）  前記第１のモータ軸に挿入して設けられた第２の流路を介して前記第１のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けて処理液を吐出する第１の処理液吐出手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
（ｆ）  前記第１の流路と前記第１のモータとの間の第１の隙間部に配置された第１のシール機構、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記第１のシール機構は、
（ｆ−１）  前記第１の隙間部の一端と連通接続され、前記第１の隙間部にシールガスを供給する第１のシールガス供給手段と、
（ｆ−２）  前記第１の隙間部の他端と連通接続され、前記第１の隙間部を排気する第１の排気手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記第１の隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
（ｇ）  プロセスガスを、
（ｇ−１）  前記第１のモータ軸の周壁の下部付近に設けられた第３の流路と、
（ｇ−２）  前記雰囲気遮断板の内部に設けられた第４の流路と、
を介して前記基板の上方から前記基板の周縁部に向けて吐出する第２のプロセスガス吐出手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置であって、
（ｈ）  前記第１のモータ軸の下部と前記第１のモータを含むハウジングの下部との間の第２の隙間部に設けられた第２のシール機構、
をさらに備え、
前記第２の隙間部は、前記第３の流路と接することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記第２のシール機構は、
（ｈ−１）  前記第２の隙間部と連通接続され、前記第２の隙間部にシールガスを供給する第２のシールガス供給手段と、
（ｈ−２）  前記第２の隙間部と連通接続され、前記第２の隙間部内を排気する第２の排気手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記第２の隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第２の隙間部は、耐処理液加工されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記保持手段は、
（ｂ−１）  前記基板の保持位置より下方に配置された第２のモータを有しており、前記基板は、前記第２のモータに挿入して設けられた第２のモータ軸を中心として回転させられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理装置であって、
（ｉ）  前記第２のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方からプロセスガスを吐出する第３のプロセスガス吐出手段と、
（ｊ）  前記第２のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方から処理液を吐出する第２の処理液吐出手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記雰囲気遮断板と、前記保持手段に保持された基板との距離は０．５ｍｍ以下であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）に対して所定の処理を行う基板処理装置に関するもので、特に、基板上方に配置される雰囲気遮断板を回転させる回転駆動機構の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板の製造工程において、洗浄処理は、基板表面を清浄に保ち、また、パーティクルや金属汚染を効果的に除去する技術として重要である。このような洗浄処理の一方式として、基板上方に雰囲気遮断板を配置し、基板の上方および下方から基板に向けて処理液を吐出して洗浄を行う洗浄方式が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−０９３８９１号公報
【０００４】
図７は、スピンベース５１０に保持された基板Ｗの上方に、基板Ｗと対向するように雰囲気遮断板を配置した枚葉式洗浄装置５００の構成の一例を示す図である。図７に示すように、基板洗浄装置５００は、主として雰囲気遮断板５３０と、略鉛直方向の回転軸を中心として雰囲気遮断板５３０を回転させるベルト駆動機構５４１と、スピンベース５１０と、略鉛直方向の回転軸を中心としてスピンベース５１０を回転させるベルト駆動機構５２１とから構成されている。
【０００５】
雰囲気遮断板５３０は、基板Ｗ付近の雰囲気を周囲雰囲気から遮断するのに使用される部材である。
【０００６】
雰囲気遮断板５３０の中心部上面側には、回転軸５３５が垂設されている。回転軸５３５は中空の円筒状部材であり、その内側の中空部分には配管５３７を介して処理液供給源５３８と連通接続された上側処理液ノズル５３６が挿設されている。また、気体供給路５４５は、回転軸５３５の内周面と上側処理液ノズル５３６の外周面とに囲まれた空間である。図７に示すように、気体供給路５４５は、配管５４６を介してプロセスガスを供給するガス供給源５４７と連通接続されている。したがって、基板Ｗの上方から基板Ｗの上面に向かって、プロセスガスや処理液を吐出することができる。
【０００７】
回転軸５３５の上端付近は、ベルト駆動機構５４１を介してモータ５４２と連動連結されている。図７に示すように、回転軸５３５の外周に固設された従動プーリ５４１ａとモータ５４２の回転軸に連結された主動プーリ５４１ｂとの間にベルト５４１ｃが巻き掛けられている。したがって、モータ５４２が駆動すると、その駆動力はベルト駆動機構５４１を介して回転軸５３５に伝達され、回転軸５３５とともに雰囲気遮断板５３０が水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊ５を中心として回転される。
【０００８】
スピンベース５１０は、中心部に開口を有する円盤状の部材であって、その上面にはそれぞれが円形の基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャックピン５１４が立設されている。
【０００９】
スピンベース５１０の中心部下面側には回転軸５１１が垂設されている。回転軸５１１は回転軸５３５と同様の中空の円筒状部材であり、その内側の中空部分に挿設された下側処理液ノズル５１５と、気体供給路５１９とが設けられている。そのため、基板Ｗ下方から基板の下面に向けて、それぞれ、処理液およびプロセスガスを供給することができる。
【００１０】
また、回転軸５１１の下端付近は、ベルト駆動機構５２１を介してモータ５２０と連動連結されている。そのため、スピンベース５１０のチャックピン５１４に把持された基板Ｗは、雰囲気遮断板５３０と同様に、水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊ５を中心として回転される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、基板洗浄装置５００では、ベルト５４１ｃによってモータ５４２の駆動力を回転軸５３５に伝達することにより、雰囲気遮断板５３０を軸Ｊ５を中心とした水平面内で回転させている。しかし、基板処理装置５００のようにベルト駆動機構５４１によって回転軸５３５を回転させる際、ベルト５４１ｃで発生した振動が回転軸５３５を介して雰囲気遮断板５３０に伝達される。これにより、雰囲気遮断板５３０が振動して基板Ｗと雰囲気遮断板５３０とが衝突する場合があるため、基板Ｗと雰囲気遮断板５３０との距離を少なくとも０．５ｍｍ以上とする必要があった。その結果、雰囲気遮断板５３０を基板Ｗに近接させてチャンバ２内の雰囲気と遮断し基板Ｗ付近を雰囲気をプロセスガスと置換する際に、多くのプロセスガスを必要とし、基板Ｗ付近を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができなかった。
【００１２】
また、ベルト５４１ｃを使用して回転軸５３５を介して雰囲気遮断板５３０を回転させる場合、当該ベルト５４１ｃの磨耗によってパーティクルが発生する。そして、ベルト駆動機構５４１の密閉度が低い場合、ベルト駆動機構５４１からパーティクルが飛散して基板Ｗに付着していまい、基板不良の原因となっていた。
【００１３】
さらに、回転軸５３５内に配設された上側処理液ノズル５３６および気体供給路５４５から基板Ｗに向けて吐出される処理液およびプロセスガスの吐出方向を調整する場合や、基板Ｗと雰囲気遮断板５３０との平行度や回転中心等の位置調整の場合、回転軸５３５とベルト５４１ｃとモータ５４２とをそれぞれ調整しなければならず調整作業が非効率的だった。
【００１４】
そして、以上の問題点は、基板洗浄装置に限られず、雰囲気遮蔽板を使用する基板処理全般においても同様に問題となる。
【００１５】
そこで、本発明では、基板の上方に配置された遮蔽板を回転させて基板処理を行う基板処理装置において、回転による遮断板の振動を低減するこができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項１に記載の発明は、基板を回転させつつ所定の処理を施す基板処理装置であって、前記基板を略水平姿勢にて保持しつつ、前記基板を略鉛直方向に沿った第１の回転軸を中心として回転させる保持手段と、前記保持手段よりも上方に配置され、前記保持手段によって保持された基板の上面に対向する雰囲気遮断板と、前記雰囲気遮断板の上方に配置され、前記雰囲気遮断板と接続された第１のモータ軸を回転軸として前記雰囲気遮断板を回転させる第１のモータと、を備え、前記第１のモータの駆動力は、前記第１のモータ軸に直接伝達されることを特徴とする。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第１のモータ軸に挿入して設けられた第１の流路を介して前記第１のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けてプロセスガスを吐出する第１のプロセスガス吐出手段と、前記第１のモータ軸に挿入して設けられた第２の流路を介して前記第１のモータ軸の下部付近から前記保持手段に保持された基板に向けて処理液を吐出する第１の処理液吐出手段と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記第１の流路と前記第１のモータとの間の第１の隙間部に配置された第１のシール機構、をさらに備えることを特徴とする。
【００１９】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記第１のシール機構は、前記第１の隙間部の一端と連通接続され、前記第１の隙間部にシールガスを供給する第１のシールガス供給手段と、前記第１の隙間部の他端と連通接続され、前記第１の隙間部を排気する第１の排気手段と、を有することを特徴とする。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記第１の隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする。
【００２１】
請求項６に記載の発明は、請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、プロセスガスを、前記第１のモータ軸の周壁の下部付近に設けられた第３の流路と、前記雰囲気遮断板の内部に設けられた第４の流路と、を介して前記基板の上方から前記基板の周縁部に向けて吐出する第２のプロセスガス吐出手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の基板処理装置であって、前記第１のモータ軸の下部と前記第１のモータを含むハウジングの下部との間の第２の隙間部に設けられた第２のシール機構、をさらに備え、前記第２の隙間部は、前記第３の流路と接することを特徴とする。
【００２３】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の基板処理装置であって、前記第２のシール機構は、前記第２の隙間部と連通接続され、前記第２の隙間部にシールガスを供給する第２のシールガス供給手段と、前記第２の隙間部と連通接続され、前記第２の隙間部内を排気する第２の排気手段と、を有することを特徴とする。
【００２４】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の基板処理装置であって、前記第２の隙間部は、ラビリンス構造を有することを特徴とする。
【００２５】
請求項１０に記載の発明は、請求項７ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第２の隙間部は、耐処理液加工されていることを特徴とする。
【００２６】
請求項１１に記載の発明は、請求項１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記保持手段は、前記基板の保持位置より下方に配置された第２のモータを有しており、前記基板は、前記第２のモータに挿入して設けられた第２のモータ軸を中心として回転させられることを特徴とする。
【００２７】
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の基板処理装置であって、前記第２のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方からプロセスガスを吐出する第３のプロセスガス吐出手段と、前記第２のモータ軸に挿入して設けられ、前記保持手段に保持された基板の下方から処理液を吐出する第２の処理液吐出手段と、をさらに備えることを特徴とする。
【００２８】
請求項１３に記載の発明は、請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記雰囲気遮断板と、前記保持手段に保持された基板との距離は０．５ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３０】
＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態における基板処理装置１の全体構成を模式的に示す正面図である。また、図２は、基板処理装置１の回転駆動機構１００上部付近の断面を模式的に示す図である。また、図３は、基板処理装置１の回転駆動機構１００下部付近の断面を模式的に示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００３１】
本発明の基板処理装置１は、基板１枚に対して基板処理を行う枚葉式の基板処理装置であり、スピンベース３０に保持された基板Ｗに向けて、純水や、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ酸水（過酸化水素水をフッ酸水に混合）等の酸性溶液や、アンモニア水、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水との混合液）等のアルカリ性溶液等の薬液を供給して洗浄処理を行う装置である（以下、酸性溶液やアルカリ性溶液を総称して「薬液」とも呼ぶ、また、純水や薬液を総称して「処理液」とも呼ぶ）。
【００３２】
図１に示すように、基板処理装置１は、主として、略鉛直方向に沿った中心軸を有する円筒状のチャンバ２と、その内部に配置され、基板Ｗを略水平にて保持するスピンベース３０と、スピンベース３０を鉛直方向の回転軸を中心として回転させる回転駆動機構３００と、洗浄処理中に基板Ｗ付近の雰囲気をチャンバ２内の雰囲気から遮断するのに使用される雰囲気遮断板２７と、雰囲気遮断板２７を鉛直方向の回転軸を中心として回転させる回転駆動機構１００と、雰囲気遮断板２７およびスピンベース３０を取り囲むように配置されるスプラッシュガード３とから構成されている。
【００３３】
雰囲気遮断板２７は、スピンベース３０に保持された基板Ｗの上面に対向するように略水平姿勢にて設けられた部材である。雰囲気遮断板２７は、スピンベース３０に保持された基板Ｗに近接させることにより、基板Ｗ付近の雰囲気をチャンバ２内の雰囲気と遮断することができる。また、雰囲気遮断板２７を基板Ｗに近接させつつ、基板Ｗ付近の雰囲気をプロセスガス供給源１１９（図２参照）から供給されるプロセスガスと置換することにより、基板Ｗ付近の雰囲気を低酸素濃度雰囲気とすることができる。そのため、振切り乾燥時に発生するウォーターマークを抑制することができる。さらに、雰囲気遮断板２７の直径は、基板Ｗの直径よりも若干大きく、かつ、スプラッシュガード３の上部開口の直径よりも小さくなるように形成されている。これにより、振切り乾燥時にスプラッシュガード３で跳ね返った汚染物質が基板Ｗに付着するのを防止することができるため、乾燥不良を防止することができる。
【００３４】
回転駆動機構１００は、主としてモータ１０１と、モータ１０１に挿入され、モータ１０１の駆動軸として機能するモータ軸１１０とを有している。図１に示すように、回転駆動機構１００は、昇降機構３３によって鉛直方向に昇降可能に構成されている。
【００３５】
モータ軸１１０は、図１に示すように、雰囲気遮断板２７の中心部付近を貫通して雰囲気遮断板２７と接続されている。また、モータ軸１１０は、モータ１０１内側の上部に配設されたベアリング１９１と、モータ１０１内側の下部に配設されたベアリング２９１とによって軸受けされている。
【００３６】
また、モータ１０１の内側には、図１に示すように、モータ軸１１０（回転側）に取り付けられたロータ磁界発生部１０２と、モータ１０１のカバーの内壁（固定側）に取り付けられたステータ磁界発生部１０３とが備えられている。ロータ磁界発生部１０２は、略円筒状の部材であり、その外周部には、コイルが巻かれている。そのため、ロータ磁界発生部１０２では、当該コイルに電位差を印加することによって電磁気的に磁界を発生することができる。また、ロータ磁界発生部１０２の中心付近の中空部には、モータ軸１１０が挿入して設けられている。そのため、ロータ磁界発生部１０２は、モータ軸１１０を介してベアリング１９１およびベアリング２９１により回転させることができる。ただし、ロータ磁界発生部１０２で発生させる磁界は、電磁気的なものだけに限られず、アルニコ磁石、フェライト磁石、希土類コバルト磁石およびＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石を使用して作成された永久磁石であってもよい。
【００３７】
ステータ磁界発生部１０３は、複数の円弧状部材によって構成された略円筒部材である。図１に示すように、ステータ磁界発生部１０３は、その内周面はロータ磁界発生部１０２の外周面を覆うように形成されており、モータ１０１の内壁に固定されている。また、ステータ磁界発生部１０３を構成する各円弧状には、コイルを巻きつけられている。そのため、各円弧状のコイルに、電位差を印加することによって、それぞれ異なった磁界を発生することができる。
【００３８】
このように、ステータ磁界発生部１０３ではそれぞれ別個に磁界を発生することができる。そのため、ロータ磁界発生部１０２にて磁界を発生させつつステータ磁界発生部１０３の各円弧状部材で発生させる磁界を制御することによって、昇降機構３３とモータ１０１のカバーとが接続されて固定側を構成することで、ロータ磁界発生部１０２が回転させられ、モータ軸１１０を回転させることができる。その結果、モータ軸１１０に接続されている雰囲気遮断板２７は、軸Ｊ１を中心として回転させられる。
【００３９】
なお、ベアリング１９１およびベアリング２９１は、当該ベアリング内にてパーティクルが発生し、そのパーティクルが基板Ｗに付着して処理不良が発生するのを抑制するため、非接触タイプや非接触タイプのシール付きのものを使用することが好ましい。
【００４０】
このように、基板処理装置１は、モータ１０１の駆動力を、従来の基板処理装置５００（図７参照）のようにベルト駆動機構５４１などの別体の動力伝達機構を介さずに直接駆動力を伝達して雰囲気遮断板２７を回転することができる。そのため、本実施の形態の基板処理装置１では、従来の基板処理装置５００のように、ベルト５４１ｃで発生した振動が回転軸５３５を介して雰囲気遮断板５３０に伝達されることがなく、雰囲気遮断板２７の振動について考慮する必要がない。その結果、本実施の形態の基板処理装置１では、雰囲気遮断板２７と基板Ｗとの距離を０．５ｍｍ以下とすることができるため、基板Ｗ付近の雰囲気をプロセスガスと置換する場合、基板Ｗ付近を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【００４１】
また、従来の基板処理装置５００では、ベルト駆動機構５４１の密閉度が低い場合、ベルト５４１ｃが磨耗して発生したパーティクルがベルト駆動機構５４１外部に飛散し、当該パーティクルが基板Ｗに付着して基板不良の原因となっていた。しかし、本実施の形態の基板処理装置１では、ベルト駆動機構を有さず、ベルトの磨耗によって発生するパーティクルの影響を考慮する必要がないため、良好に基板処理を実施することができる。
【００４２】
さらに、従来の基板処理装置５００において、雰囲気遮断板５３０の水平度（すなわち、雰囲気遮断板５３０とＸ軸との平行度）の調整を行う場合、回転軸５３５のＺ軸に対する傾きを調整するほかに、ベルト駆動機構５４１の調整（例えば、モータ５４２の回転軸とＺ軸との傾き調整、ベルト５４１ｃの位置調整等）を行う必要があった。これに対して、本実施の形態の回転駆動機構１００は、モータ軸１１０に対して直接モータ１０１の駆動力が伝達されるように構成されているため、回転駆動機構１００の傾きを調整するのみで雰囲気遮断板２７の水平度を調整することができ、調整作業に要する時間を短縮することができる。
【００４３】
モータ軸１１０は、円筒状の中空部分を有する中空軸であり、その内部には、図１に示すように、処理液流路１３１が挿入して設けられている。図３に示すように、基板Ｗ中央付近の上方には処理液吐出口１３１ａが同心に設けられている。また、図２に示すように、処理液流路１３１の上端は、配管１３７（１３７ａ、１３７ｈ、１３７ｋ、１３７ｆ、１３７ｇ）およびバルブ１３８ａを介して第１の処理液供給源１３９ａと、また、配管１３７（１３７ａ、１３７ｈ、１３７ｄ、１３７ｅ）およびバルブ１３８ｂを介して第２の処理液供給源１３９ｂと、また、配管１３７（１３７ａ、１３７ｂ、１３７ｃ）およびバルブ１３８ｃを介して第３の処理液供給源１３９ｃと、さらに、配管１３７（１３７ａ、１３７ｈ、１３７ｋ、１３７ｍ、１３７ｎ）およびバルブ１３８ｄを介してウエハ洗浄液供給源１３９ｄと、それぞれ連通接続されている。
【００４４】
したがって、基板Ｗが回転駆動機構３００によって回転されている際に、バルブ１３８ｂ，１３８ｃおよび１３８ｄが閉鎖されてバルブ１３８ａが開放されると、処理液吐出口１３１ａから基板Ｗに向けて第１の処理液が吐出される。また、バルブ１３８ｃ、１３８ｄ、および１３８ａが閉鎖されてバルブ１３８ｂが開放されると第２の処理液が、また、バルブ１３８ｄ、１３８ａおよび１３８ｂが閉鎖されてバルブ１３８ｃが開放されると第３の処理液が、さらに、バルブ１３８ａ、１３８ｂ、１３８ｃが閉鎖されてバルブ１３８ｄが開放されるとウエハ洗浄液が、それぞれ処理液吐出口１３１ａから基板Ｗに向けて吐出される。そして、吐出された処理液が、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの上面中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として、基板Ｗ上面に対して基板処理を施すことができる。
【００４５】
なお、第１、第２、および第３の処理液としては、洗浄方法に応じて、純水や、硝酸水、塩酸水、フッ酸水、混合フッ酸水（過酸化水素水をフッ酸水に混合）等の酸性溶液や、アンモニア水、ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水との混合液）等のアルカリ性溶液が選択される。また、本実施の形態では、ウエハ洗浄液として純水を使用している。
【００４６】
モータ軸１１０内部の中空部分と処理液流路１３１との間は、プロセスガス流路１１２として使用される。図３に示すように、プロセスガス流路１１２の上端には、処理液流路１３１と同様に、チャックピン３１に保持された基板Ｗの上側中央付近にプロセスガスを吐出するプロセスガス吐出口１１２ａが設けられている。プロセスガス流路１１２の上端は、ハウジング１０５（モータ１０１のカバーに相当）を貫通して設けられたガス導入管１１１、配管１１７（１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｃ）およびバルブ１１８を介してプロセスガス供給源１１９と連通接続されている。したがって、基板Ｗを回転させつつバルブ１１８を開放すると、配管１１７およびプロセスガス流路１１２を介して、プロセスガス吐出口１１２ａから基板Ｗの上面中央付近に向けてプロセスガスを吐出することができる。そして、吐出されたプロセスガスは、基板Ｗの中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として基板Ｗの上面付近をプロセスガス雰囲気とすることができる。なお、本実施の形態において、プロセスガスは、安価に入手することができる窒素ガスを使用している。
【００４７】
また、基板処理装置１は、プロセスガス供給源２１９から供給されるプロセスガスを、プロセスガス導入管２１１、２１２およびプロセスガス空間２１３を介し、遮断板下部２７ｃの周縁部に等間隔で全周に設けられたプロセスガス吐出口２１４から基板Ｗの周縁部に向けて吐出可能に構成されている。
【００４８】
図４は、雰囲気遮断板２７下方に視点を設定して雰囲気遮断板２７を見た場合の回転駆動機構１００および雰囲気遮断板２７を模式的に示す図である。なお、図４において、説明の都合上、雰囲気遮断板２７の遮断板側部２７ｂおよび遮断板下部２７ｃを取り外している。図３、図４に示すように、回転駆動機構１００下部には、プロセスガス供給源２１９から供給されるプロセスガスの流路となるプロセスガス導入管２１１、２１２が設けられている。
【００４９】
プロセスガス導入管２１１は、図３に示すように、回転駆動機構１００のハウジング１０５下部に略水平方向に形成された貫通孔であり、図４に示すように、６つの導入管により構成されている。そして、各プロセスガス導入管２１１は、その隣り合うプロセスガス導入管２１１とのなす角θがπ／３（単位：ｒａｄ）となるように形成されている。
【００５０】
プロセスガス導入管２１２は、モータ１０１が駆動することによって回転させられるモータ軸１１０の下部の周壁に形成された貫通孔である。図３に示すように、プロセスガス導入管２１２の一端の孔部２１２ａは、プロセスガス導入管２１１と略同一高さとなるように形成されており、したがって、孔部２１２ａとモータ軸隙間部２２３とは接することとなる。また、プロセスガス導入管２１２の他端２１２ｂは、モータ軸１１０の下端に形成されており、プロセスガス空間２１３と連通接続されている。さらに、プロセスガス導入管２１２は、図４に示すように、プロセスガス導入管２１１と同様に６つの導入管により構成されている。そして、各プロセスガス導入管２１２は、その隣り合うプロセスガス導入管２１１とのなす角θがπ／３（単位：ｒａｄ）となるように形成されている。
【００５１】
このように、プロセスガス導入管２１１はハウジング１０５に設けられており、また、プロセスガス導入管２１２はモータ１０１を駆動させることによって回転させられるモータ軸１１０に設けられている。これにより、モータ軸１１０が回転すると、プロセスガス導入管２１２はプロセスガス導入管２１１に対して相対的に移動し、プロセスガス導入管２１１とプロセスガス導入管２１２とは常に略直線状とならない。しかし、モータ軸隙間部２２３の水平方向の幅に対してプロセスガス導入管２１２の直径は十分大きく設定されている。このため、プロセスガス導入管２１１から供給されるプロセスガスの大部分は、モータ軸隙間部２２３に進入することなく、プロセスガス導入管２１２に流入する。
【００５２】
また、雰囲気遮断板２７のプロセスガス空間２１３は、プロセスガス導入管２１２から供給されたプロセスガスの流路として使用される。図３に示すように、プロセスガス空間２１３は、雰囲気遮断板２７の内部空間であり、遮断板下部２７ｃの周縁部に設けられたプロセスガス吐出口２１４と接続されている。
【００５３】
このように、プロセスガス供給源２１９から供給されるプロセスガスは、プロセスガス導入管２１１、プロセスガス導入管２１２、およびプロセスガス空間２１３を介してプロセスガス吐出口２１４に到達する。そのため、プロセスガス吐出口２１４からチャックピン３１に把持された基板Ｗの周縁部に向けてプロセスガスを吐出することができる。したがって、プロセスガス吐出口１１２ａから基板Ｗの中心付近に向けてプロセスガスを吐出するのに加えて、プロセスガス吐出口２１４から基板Ｗの周縁部に向けてプロセスガスを吐出することにより、基板Ｗの周縁部付近の雰囲気をさらに効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。そのため、基板Ｗ付近上面付近をプロセスガス雰囲気に置換するのに要する時間をさらに短縮することができる。
【００５４】
スピンベース３０は、図１に示すように、その中心部に開口を有する円盤状の部材であって、その上面にはそれぞれが円形の基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャックピン３１が立設されている。したがって、基板Ｗは、スピンベース３０上に略水平姿勢にて保持されている。
【００５５】
チャックピン３１は、基板Ｗの外周端面を押圧して基板Ｗを保持するピンであり、チャックピン３１が基板Ｗの外周端面を押圧する押圧状態と、基板Ｗの外周端面から離れる開放状態との間で切り換え可能に構成されている。したがって、スピンベース３０が、図示を省略する搬送ユニットから基板Ｗを受け取る場合、および、当該ユニットに対して基板Ｗを受け渡す場合において、チャックピン３１は開放状態にされる。一方、基板Ｗに対して後述する基板処理を施す場合には、チャックピン３１を押圧状態として基板Ｗの周縁部を把持し、スピンベース３０から所定間隔を隔てた水平姿勢にて基板Ｗを保持する。
【００５６】
なお、円形の基板Ｗを確実に保持するためには、チャックピン３１を３個以上設けてあれば良く、例えば、３個のチャックピン３１がスピンベース３０の周縁に沿って等間隔（１２０°間隔）に立設してもよい。ただし、図１では図示の便宜上、２個のチャックピン３１を示している。
【００５７】
回転駆動機構３００は、図１に示すように、主として、モータ３０１と、モータ３０１に挿入され、モータ３０１の駆動軸として機能するモータ軸３１０とから構成されている。
【００５８】
モータ軸３１０は、図１に示すように、スピンベース３０の中心部付近の中心部付近を貫通してスピンベース３０と接続されている。また、モータ軸３１０は、モータ軸３１０内側の上部に配設されたベアリング３９１と、モータ３０１内側の下部に配設されたベアリング３９２とによって軸受けされている。
【００５９】
また、モータ３０１の内側には、図１に示すように、モータ軸３１０（回転側）に取り付けられたロータ磁界発生部３０２と、モータ３０１の内壁（固定側）に取り付けられたステータ磁界発生部３０３とが備えられている。ロータ磁界発生部１０２は、略円筒状の部材であり、その外周部には、コイルが巻かれている。そのため、ロータ磁界発生部３０２では、当該コイルに電位差を印加することによって電磁気的に磁界を発生することができる。また、ロータ磁界発生部３０２の中心付近の中空部には、モータ軸３１０が挿入して設けられている。そのため、ロータ磁界発生部３０２は、モータ軸１１０を介してベアリング３９１およびベアリング３９２により回転させることができる。ただし、ロータ磁界発生部１０２で発生させる磁界は、ロータ磁界発生部３０２と同様に、電磁気的なものだけに限られず、永久磁石であってもよい。
【００６０】
ステータ磁界発生部３０３は、複数の円弧状部材によって構成された略円筒部材である。図１に示すように、ステータ磁界発生部３０３は、その内周面はロータ磁界発生部３０２の外周面を覆うように形成されており、モータ３０１の内壁に固定されている。また、ステータ磁界発生部３０３を構成する各円弧状部材には、コイルを巻きつけられている。そのため、各円弧状のコイルに、電位差を印加することによって、それぞれ異なった磁界を発生することができる。
【００６１】
このように、磁界発生部３０３ではそれぞれ別個に磁界を発生することができる。そのため、ロータ磁界発生部３０２にて磁界を発生させつつステータ磁界発生部３０３の各円弧状部材で発生させる磁界を制御することによって、ロータ磁界発生部３０２が回転させられ、モータ軸３１０を回転させることができる。その結果、モータ軸３１０に接続されているスピンベース３０は、軸Ｊ１を中心として回転させられる。
【００６２】
なお、ベアリング３９１およびベアリング３９２は、当該ベアリングにおいてパーティクルが発生して基板の処理不良を抑制するため、非接触タイプか非接触タイプのシール付きのものを使用することが好ましい。また、回転駆動機構３００は、回転駆動機構１００と同期して回転させることができる。そのため、回転駆動機構１００に結合された雰囲気遮断板２７と、回転駆動機構３００に結合されたスピンベース３０とを同期して回転させることができる。
【００６３】
モータ軸３１０は、円筒状の中空部分を有する中空軸とされており、その内部には、図１に示すように、処理液流路３３１が挿入されて設けられている。また、処理液流路３３１の上端には処理液吐出口３３１ａが設けられている。そして、処理液流路３３１の下端は、配管１３７（１３７ｊ、１３７ｈ、１３７ｋ、１３７ｆ、１３７ｇ）およびバルブ１３８ａを介して第１の処理液供給源１３９ａと、また、配管１３７（１３７ｊ、１３７ｈ、１３７ｄ、１３７ｅ）およびバルブ１３８ｂを介して第２の処理液供給源１３９ｂと、また、配管１３７（１３７ｊ、１３７ｂ、１３７ｃ）およびバルブ１３８ｃを介して第３の処理液供給源１３９ｃと、さらに、配管１３７（１３７ｊ、１３７ｈ、１３７ｋ、１３７ｍ、１３７ｎ）およびバルブ１３８ｄを介してウエハ洗浄液供給源１３９ｄと、それぞれ連通接続されている。また、配管１３７は、上述のように処理液流路１３１とも連通接続されている。
【００６４】
したがって、基板Ｗが回転駆動機構３００によって回転されている際に、バルブ１３８ｂ，１３８ｃおよび１３８ｄが閉鎖されてバルブ１３８ａが開放されると、処理液吐出口３３１ａから基板Ｗに向けて第１の処理液が吐出される。また、バルブ１３８ｃ、１３８ｄ、および１３８ａが閉鎖されてバルブ１３８ｂが開放されると第２の処理液が、また、バルブ１３８ｄ、１３８ａおよび１３８ｂが閉鎖されてバルブ１３８ｃが開放されると第３の処理液が、さらにバルブ１３８ａ、１３８ｂ、１３８ｃが閉鎖されてバルブ１３８ｄが開放されるるとウエハ洗浄液が、それぞれ処理液吐出口３３１ａから基板Ｗに向けて吐出される。そして、吐出された処理液が、基板Ｗの下面中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として、基板Ｗ下面に対して基板処理を施すことができる。なお、上述のように、バルブ１３８ａ〜１３８ｄの開閉制御を行うことにより、基板Ｗ上方の処理液吐出口１３１ａから基板Ｗの上面の中心付近に向けて処理液が吐出される。そのため、本実施の形態の基板処理装置１では、バルブ１３８ａ〜１３８ｄの開閉制御を行うことにより、基板Ｗの上面および下面から同時に処理液を供給し、洗浄処理を実施することができる。
【００６５】
また、モータ軸３１０内部の中空部分と処理液流路３３１との間は、プロセスガス流路３１２として使用される。図１に示すように、プロセスガス流路３１２の上端には、処理液流路３３１と同様に、チャックピン３１に保持された基板Ｗの下面中央付近にプロセスガスを吐出するプロセスガス吐出口３１２ａが設けられている。そして、プロセスガス流路３１２の下端は、配管１１７（１１７ａ、１１７ｂ、１１７ｄ）およびバルブ１１８を介してプロセスガス供給源１１９に連通接続されている。したがって、基板Ｗを回転させつつバルブ１１８を開放すると、配管１１７およびプロセスガス流路３１２を介してプロセスガス吐出口３１２ａから基板Ｗの下面中央付近に向けてプロセスガスを吐出することができる。そして、吐出されたプロセスガスは、基板Ｗの中心部付近から周縁部方向に広がるため、主として基板Ｗの下面付近をプロセスガス雰囲気とすることができる。なお、上述のようにプロセスガス供給源１１９は、配管１１７およびバルブ１１８を介してプロセスガス吐出口１１２ａとも連通接続されている。したがって、本実施の形態では、バルブ１１８の開閉制御を行うことにより、基板Ｗの上面および下面から同時にプロセスガスを供給することができる。
【００６６】
スプラッシュガード３は、回転駆動機構３００によって回転させつつ基板Ｗに向けて処理液を吐出する際において、回転による遠心力によって基板Ｗの外側に飛散された処理液を回収する部材である。そして、スプラッシュガード３の回収ポート１１ａ、回収ポート１１ｂ、回収ポート１１ｃおよび案内部３ａによって回収された処理液は、それぞれ、第１の処理液回収槽２１、第２の処理液回収槽２２、第３の処理液回収槽２３および洗浄液回収槽２６に貯留される。また、回収ポート１１ａ〜１１ｃおよび案内部３ａで回収されなかった処理液は、洗浄液回収槽２４にて回収された貯留される。
【００６７】
図１に示すように、スプラッシュガード３は、チャンバ２と同心状に外側から内側に向かって配置された４つの円筒部材４８ａ〜４８ｄを含んでいる。４つの円筒部材４８ａ〜４８ｄは、最外部の円筒部材４８ａから最内部の円筒部材４８ｄに向かって、順に高さが低くなるようになっている。円筒部材４８ａ〜４８ｄの上端からは、中心側（スピンベース３０側）に向かって斜め上方に突出部４９ａ〜４９ｄがそれぞれ突出しており、突出部４９ａ〜４９ｄの先端はほぼ鉛直な面にのる。
【００６８】
図１に示すように、突出部４９ａと突出部４９ｂとにより回収ポート１１ａが、突出部４９ｂと突出部４９ｃとにより回収ポート１１ｂが、また、突出部４９ｃと突出部４９ｄとにより回収ポート１１ｃが、それぞれ形成されている。各回収ポート１１ａ〜１１ｃは、上下方向に積層されている。
【００６９】
円筒部材４８ｂの下部は、同心状の２つの円筒体４８ｅ、４８ｆとなっており、円筒体４８ｅは、円筒体４８ｆの外側に配置されている。同様に、円筒部材４８ｃは、円筒体４８ｇ、４８ｈとなっており、円筒体４８ｇは円筒体４８ｈより外側に配置されている。さらに、円筒部材４８ｃの下部は、同心状の２つの円筒体４８ｉ、４８ｊとなっており、円筒体４８ｉは円筒体４８ｊより外側に配置されている。
【００７０】
円筒体４８ｊは、円筒部材４８ｄから中心側斜め下方に延びる傾斜部４８ｋの下方に延びるように設けられている。突出部４９ｄ、円筒部材４８ｄ、および傾斜部４８ｋにより、スプラッシュガード３の中心部に向かって開口した断面がほぼ「コ」の字形の案内部３ａが形成されている。案内部３ａは、回収ポート１１ｃの下方に位置している。
【００７１】
スプラッシュガード３の下方には、チャンバ２の下部を塞ぐように底板３５がほぼ水平に配置されている。底板３５からは、円筒状の５つの分離壁２５ａ〜分離壁２５ｅが立設されている。分離壁２５ａ〜２５ｅは同心状に、外側から内側に向かって、分離壁２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ、２５ｅの順に配置されている。また、平面視において、分離壁２５ｅの直径はスピンベース３０の直径よりわずかに小さい。
【００７２】
分離壁２５ａ、２５ｂを側壁として第１の処理液回収槽２１が、分離壁２５ｂ、２５ｃを側壁として第２の処理液回収槽２２が、分離壁２５ｃ、２５ｄを側壁として第３の処理液回収槽２３が、それぞれ形成されている。また、分離壁２５ｄ、２５ｅを側壁として洗浄液回収槽２６が、チャンバ２および分離壁２５ａを側壁として洗浄液回収槽２４が、それぞれ形成されている。
【００７３】
スプラッシュガード３には、昇降機構１０が結合されている。図１に示すように、昇降機構１０は、主として、スプラッシュガード３に結合された結合部材１０ａと、結合部材１０ａに接続されてほぼ鉛直方向に沿う昇降軸１０ｂと、昇降軸１０ｂに接続され昇降軸１０ｂを昇降可能な昇降駆動部１０ｃとから構成されている。分離壁２５ａには、案内部材１０ｄが結合されており、昇降軸１０ｂは案内部材１０ｄに挿通されている。昇降駆動部１０ｃを駆動させることにより、昇降駆動部１０ｃを昇降させてスプラッシュガード３をほぼ鉛直方向に昇降できるように構成されている。
【００７４】
そして、スプラッシュガード３が下降されると、円筒部材４８ａの下部および円筒体４８ｅが分離壁２５ａと分離壁２５ｂとの間に、円筒体４８ｆ、４８ｇが分離壁２５ｂと分離壁２５ｃとの間に、円筒体４８ｈ、４８ｉが分離壁２５ｃと分離壁２５ｄとの間に、円筒体４８ｊが２５ｄと分離壁２５ｅとの間に、それぞれ挿入される。
【００７５】
このように、スプラッシュガード３では、昇降機構１０によってスプラッシュガード３の鉛直方向の位置を制御することにより、スピンベース３０から飛散される処理液を別々の回収槽に回収することができる。すなわち、（１）回収ポート１１ａで回収された処理液は、円筒部材４８ａの内周面と円筒部材４８ｂおよび円筒体４８ｅ外周面との間の空間に導かれ、第１の処理液回収槽２１に貯留される。また、（２）回収ポート１１ｂで回収された処理液は、円筒部材４８ｂおよび円筒体４８ｆの内周面と円筒部材４８ｃおよび円筒体４８ｇの外周面との間の空間に導かれ、第２の処理液回収槽２２に貯留される。また、（３）回収ポート１１ｃで回収された処理液は、円筒部材４８ｃおよび円筒体４８ｈの内周面と円筒部材４８ｄおよび円筒体４８ｉの外周面との間の空間に導かれ、第３の処理液回収槽２３に貯留される。さらに、（４）案内部３ａで回収された処理液は、円筒部材４８ｄ、傾斜部４８ｋおよび円筒体４８ｊの内周面に沿って導かれ、洗浄液回収槽２６に貯留される。そして、回収された処理液は、その種類に応じて、廃棄処分したり、再利用することが可能である。
【００７６】
円筒部材４８ｄの内周面には、スピンベース３０を洗浄するために略水平方向に洗浄液を吐出できる洗浄ノズル１２が配設されている。図１に示すように、洗浄ノズル１２は、配管１７およびバルブ１８を介して洗浄液供給源１９と連通接続されている。したがって、バルブ１８を開放することにより、洗浄ノズル１２から略水平方向に洗浄液を吐出することができる。なお、本実施の形態では、洗浄液として純水を使用している。
【００７７】
制御部６０は、プログラムや変数等を格納するメモリ６１と、メモリ６１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ６２とを備えている。ＣＰＵ６２は、メモリ６１に格納されているプログラムに従って、各バルブの開閉制御や、雰囲気遮断板２７を回転させる回転駆動機構１００、スピンベース３０を回転させる回転駆動機構３００、スプラッシュガード３の昇降を行う昇降機構１０、および回転駆動機構１００の昇降を行う昇降機構３３の位置制御等を所定のタイミングで行う。
【００７８】
＜２．基板上方の回転駆動機構の処理液ミスト対策＞
本実施の形態の基板処理装置１によって洗浄処理を行う場合、基板Ｗを回転駆動機構３００によって回転させつつ、基板Ｗの上方および下方から処理液を吐出する。これにより、吐出された処理液は回転の遠心力によって基板Ｗの表裏全面に拡がって処理液による洗浄処理が進行する。しかし、回転の遠心力によって飛散した処理液のミストのうちスプラッシュガード３によって回収されなかったものは、チャンバ２内に飛散される。そして、当該処理液ミストが回転駆動機構１００に進入すると、モータ軸１１０を腐食させたり、モータ１０１故障の原因となる。また、同様に、チャンバ２内を浮遊するパーティクルがモータ１０１内に進入するとモータ１０１故障の原因となる。
【００７９】
そこで、以下では、処理液のミストが飛散し、パーティクルが浮遊するチャンバ２内の雰囲気中に配置され、これら処理液ミストやパーティクルの影響を大きく受ける回転駆動機構１００について、回転駆動機構１００を密閉（シール）してその内部に処理液ミストやパーティクルが進入するのを防止する機構、および処理液のミストにより回転駆動機構１００が腐食されるのを防止する機構について説明する。
【００８０】
＜２．１．回転駆動機構上部のシール＞
基板処理装置１において、プロセスガスを基板Ｗの上方および下方から供給する際、回転駆動機構１００によって雰囲気遮断板２７を回転させるとともに、回転駆動機構３００によって基板Ｗを回転させながら、プロセスガスを供給する。この場合、基板Ｗの上面中心付近に供給されるプロセスガスは、上述のように、配管１１７、ガス導入管１１１およびプロセスガス流路１１２を介してプロセスガス吐出口１１２ａから吐出される。
【００８１】
しかし、洗浄処理が終了し、バルブ１１８を閉鎖して基板Ｗ上方からのプロセスガスの供給を停止するとともに、モータ１０１の回転を停止させた場合、プロセスガス吐出口１１２ａ（図３参照）付近のガスや処理液ミストが、プロセスガス吐出口１１２ａからプロセスガス流路１１２内に吸い上げられる。そして、吸い上げられた処理液のミストやガスが、リング隙間部１５２およびモータ隙間部１５３を介してモータ１０１内部に流入すると、モータ１０１が故障する原因となる。
【００８２】
そこで、以下では、プロセスガス吐出口１１２ａから吸い上げられてプロセスガス流路１１２の上部に向かって逆流する処理液のミストやガスが、モータ１０１の上方からモータ１０１内部に流入することを防止するシール機構について説明する。
【００８３】
図２に示すように、モータ軸１１０の上部には内側リング１１４が固定されており、モータ軸１１０とともに回転できるように構成されている。一方、ハウジング１０５には、外側リング１５１が固定されている。図２に示すように、外側リング１５１は、外側リング１５１の内周面の凹凸と内側リング１１４の外周面の凹凸とが一定間隔となるように固定されている。そのため、外側リング１５１の内周面と内側リング１１４の外周面とに挟まれたリング隙間部１５２は、ラビリンス機構（シール機構）を形成している。なお、本実施の形態では、外側リング１５１の内周面と内側リング１１４の外周面との間隔が０．１ｍｍ以下となるようにしている。このようにリング隙間部１５２は、外側リング１５１と内側リング１１４とによってラビリンス構造を有している。
【００８４】
ここで、ラビリンス機構とは、非接触型のシール（密閉）機構であり、２つの部材の凹凸を組み合わせてそれらの間を小さな隙間通路としたシール機構である。これにより、プロセスガス供給源１１９からガス導入管１１１を介してプロセスガス流路１１２の上部に供給されるプロセスガスがリング隙間部１５２に流入する際、当該凹凸部がプロセスガス等の流体の通過を抑制する流体抵抗として働く。そのため、リング隙間部１５２からモータ隙間部１５３を介してモータ１０１内部にプロセスガスが流入することを抑制することができる。また、当該凹凸部は、モータ１０１内部で発生したパーティクルがプロセスガス流路１１２に流入することを抑制することができる。
【００８５】
また、本実施の形態では、リング隙間部１５２にシールガスを充填することにより、プロセスガス流路１１２を上方に向かって逆流した処理液ミストがリング隙間部１５２に流入した場合であっても、リング隙間部１５２に充填したシールガスによって処理液ミストを塞き止めて、モータ１０１内部に流入することを防止している。
【００８６】
図２に示すように、リング隙間上部１５２ａには、ハウジング１０５と外側リング１５１とを貫通するシールガス導入管１６１ａが形成されている。さらに、処理液ノズル１２０を挟んでシールガス導入管１６１ａと反対側には、シールガス導入管１６１ａと同様にハウジング１０５と外側リング１５１とを貫通するシールガス導入管１６１ｂが形成されている。
【００８７】
シールガス導入管１６１ａは、配管１６７（１６７ａ、１６７ｃ、１６７ｄ）およびバルブ１６８を介して、また、シールガス導入管１６１ｂは、配管１６７（１６７ｂ、１６７ｃ、１６７ｄ）およびバルブ１６８を介して、それぞれシールガス供給源１６９に連通接続されている。したがって、バルブ１６８を開放することにより、シールガス供給源１６９からシールガス導入管１６１ａ、１６１ｂの２本の導入管を介してリング隙間部１５２にシールガスを供給することができる。ここで、シールガスとは、リング隙間部１５２に充填するガスのことである。このシールガスは、（１）プロセスガス流路１１２を逆流する処理液のミストがモータ１０１内部に流入するのをリング隙間部１５２に充填したガスにより塞き止めるために、また、（２）モータ１０１で発生したパーティクルがプロセスガス流路１１２に流入するのを充填したガスによって塞き止めるために使用される。なお、シールガスは、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等の不活性ガスが使用されるが、本実施の形態においては、安価に入手することができる窒素ガスを使用している。
【００８８】
リング隙間下部１５２ｂには、ハウジング１０５と外側リング１５１とを貫通する排出管１７１ａが形成されている。また、処理液ノズル１２０を挟んで排出管１７１ａと反対側には、排出管１７１ａと同様に、ハウジング１０５と外側リング１５１とを貫通する排出管１７１ｂが形成されている。
【００８９】
図２に示すように、排出管１７１ａは、配管１７７（１７７ａ、１７７ｃ、１７７ｄ、１７７ｅ）、排気ポンプ１７６、および、バルブ１７８を介して、また、排出管１７１ａは、配管１７７（１７７ｂ、１７７ｃ、１７７ｄ、１７７ｅ）、排気ポンプ１７６、および、バルブ１７８を介して、それぞれ排出ドレイン１７９に連通接続されている。したがって、リング隙間部１５２にシールガスを充填しつつ、バルブ１７８を開放して排気ポンプ１７６を動作させることにより、リング隙間部１５２からモータ１０１内部や基板Ｗに処理液ミストやパーティクルが流出することを塞き止めつつ、リング隙間部１５２に流入した処理液のミストやパーティクルをシールガスとともに排出ドレイン１７９に排出することができる。
【００９０】
以上のように、回転駆動機構１００の上部において、（１）リング隙間部１５２をラビリンス機構として形成することにより、処理ミストが通過する際の流体抵抗となるため、リング隙間部１５２に処理液ミストが流入することを抑制することができる。さらに、（２）リング隙間部１５２に処理液ミストが流入した場合であっても、この流入した処理液ミストは、リング隙間部１５２に充填したシールガスによって塞き止められ、リング隙間下部１５２ｂからシールガスとともに排出ドレインに排出される。そのため、回転駆動機構１００上部に流入した処理液ミストは、確実に回転駆動機構１００外に排出することができる。
【００９１】
その結果、処理液ミストがモータ１０１内部に流入することを確実に防止することができるため、処理液ミストが原因となってモータ１０１が故障することを防止できる。
【００９２】
＜２．２．回転駆動機構下部のシール＞
本実施の形態の基板処理装置１では、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ付近をプロセスガス雰囲気として洗浄処理を行う場合、基板Ｗの周縁部付近をさらに効率的にプロセスガス雰囲気とするため、プロセスガス吐出口１１２ａおよびプロセスガス吐出口３１２ａだけでなく、プロセスガス吐出口２１４からもプロセスガスを吐出している。
【００９３】
しかし、洗浄処理終了後、バルブ２１８を閉鎖してプロセスガス吐出口２１４から基板Ｗへのプロセスガスの供給を停止するとともに、モータ１０１の回転を停止させた場合、（１）プロセスガス吐出口２１４（図３参照）付近の処理液のミストが、プロセスガス空間２１３、プロセスガス導入管２１２を介して、また、（２）チャンバ２内を浮遊するの処理液のミストやパーティクルが、回転駆動機構１００と雰囲気遮断板２７との間の遮蔽板隙間部２２４を介して、それぞれモータ軸隙間部２２３に吸い上げられる。そして、吸い上げられた処理液ミストやパーティクルがモータ１０１内部に流入すると、モータ１０１が故障する原因となる。
【００９４】
そこで、以下では、プロセスガス吐出口２１４またはチャンバ２内から吸い上げられた処理液のミストやパーティクルが、モータ１０１下部のモータ軸隙間部２２３を介してモータ１０１内部に流入することを防止するシール機構について説明する。
【００９５】
図５は、モータ軸１１０の下部付近に設けられたラビリンスリング２４１を説明するための斜視図である。図３に示すように、モータ軸１１０の下部付近には複数（本実施の形態においては５つ）のラビリンスリング２４１が設けられている。ラビリンスリング２４１は、図５に示すように、モータ軸１１０の外周部に配置されたリング部材である。ラビリンスリング２４１をプロセスガス導入管２１２の孔部２１２ａ付近に設けることにより、モータ軸１１０とハウジング１０５との間のモータ軸隙間部２２３に凹凸を形成することができ、モータ軸隙間部２２３にラビリンス機構（シール機構）を形成することができる。これにより、モータ軸隙間部２２３は、流体抵抗として働くため、吸い上げられた処理液ミストがモータ軸隙間部２２３に流入することを抑制することができる。このように、モータ軸隙間部２２３は、モータ軸１１０とその外周部に配置されたラビリンスリング２４１とによってラビリンス構造を有しているといえる。
【００９６】
なお、ラビリンスリング２４１にかえて、ハウジング１０５の内周面でラビリンスリング２４１の配置と同じ部位に溝を形成して凹部とし、モータ軸１１０の外周面の加工しない面とでラビリンス機構を形成してもよい。また、本実施の形態では、モータ軸隙間部２２３にシールガスを充填することにより、モータ軸隙間部２２３に流入した処理液ミストを充填したシールガスによって塞き止めて、モータ１０１内部に流入することを防止している。
【００９７】
図３に示すように、モータ軸隙間上部２２３ａ付近のハウジング１０５には、シールガス導入管２２１が形成されている。シールガス導入管２２１の一端は、配管２２７およびバルブ２２８を介してシールガス供給源２２９と連通接続されている。また、シールガス導入管２２１の他端は、図３に示すように、二股に分岐した導入管２２１ａ、２２１ｂとそれぞれ連通されている。さらに導入管２２１ａおよび導入管２２１ｂの端部のうち、シールガス導入管２２１と連通された端部と反対側の端部は、ともにモータ軸隙間部２２３と連通している。したがって、バルブ２２８を開放することにより、シールガス供給源２２９からモータ軸隙間部２２３にシールガスを供給することができる。また、図３に示すように、シールガス導入管２２１から上側に分岐する導入管２２１ａの下面位置は、プロセスガス導入管２１１の上面位置と略同一高さ、または、プロセスガス導入管２１１の上面位置より高くなるように設定されており、また、シールガス導入管２２１から下側に分岐する導入管２２１ｂの上面位置は、プロセスガス導入管２１１の下面位置と略同一高さ、または、プロセスガス導入管２１１の下面位置より低くなるように設定されている。これにより、プロセスガス導入管２１１より上方に設けられたラビリンス機構と、プロセスガス導入管２１１より下方のラビリンス機構とに効率的にシールガスを供給することができる。そのため、プロセスガス供給路（プロセスガス導入管２１１、プロセスガス導入管２１２、およびプロセスガス空間２１３）とモータ軸隙間部２２３とを効率的にシールすることができる。
【００９８】
また、モータ軸隙間下部２２３ｂには、ハウジング１０５を貫通するモータ軸隙間下部２２３ｂが形成されている。図３に示すように、排出管２３１は、配管２３７、バルブ２３８、および、排気ポンプ２３６を介して排出ドレイン２３９に連通接続されている。
【００９９】
したがって、モータ軸隙間上部２２３ａにシールガスを充填しつつバルブ２３８を開放して排気ポンプ２３６を動作させることにより、モータ軸隙間上部２２３ａからモータ１０１内部や基板Ｗ付近に処理液ミストやパーティクルが流出することを塞き止めつつ、モータ軸隙間部２２３に流入した処理液ミストやパーティクルをシールガスとともに排出ドレイン２３９に排出することができる。
【０１００】
以上のように、回転駆動機構１００の下部において、（１）モータ軸隙間部２２３をラビリンス機構として形成することにより、処理液ミストが通過する際の流体抵抗となるため、モータ軸隙間部２２３に処理液ミスとが流入することを抑制することができる。さらに（２）モータ軸隙間部２２３に処理液ミストが流入した場合であっても、この流入した処理液ミストは、モータ軸隙間部２２３に充填したシールガスによって塞き止められ、モータ軸隙間下部２２３ｂからシールガスとともに排出ドレイン２３９に排出されるため、回転駆動機構１００下部に流入した処理液ミストは確実に回転駆動機構１００外に排出することができる。
【０１０１】
＜２．３．回転駆動機構の腐食防止＞
上述のように、本実施の形態の基板処理装置１では、基板Ｗを回転させつつ、プロセスガス吐出口１１２ａおよびプロセスガス吐出口２１４からプロセスガスを吐出して基板Ｗ付近をプロセスガス雰囲気とする洗浄処理う。そして、洗浄処理終了後、モータ１０１の回転を停止させ、バルブ２１８を閉鎖してプロセスガスの供給を停止する場合、（１）基板Ｗ近で発生した処理液のミストがプロセスガス吐出口２１４、プロセスガス空間２１３、プロセスガス導入管２１２を介して、また、（２）チャンバ２内の処理液のミストが遮蔽板隙間部２２４を介して、それぞれモータ軸隙間部２２３に吸い上げられる。これにより、モータ軸隙間部２２３付近のハウジング１０５やモータ軸１１０に処理液ミストが付着してによって腐食され、回転駆動機構１００の性能が低下してしまう（例えば、モータ軸１１０が腐食されることにより、モータ軸１１０の軸心が偏心して雰囲気遮断板２７を正しく回転することができない等）。
【０１０２】
そこで、本実施の形態では、回転駆動機構１００の下部付近が腐食することを防止する耐処理液性を有する膜を形成して回転駆動機構１００を耐処理液加工することにより、処理液ミストによる腐食を防止している。図６は、回転駆動機構１００下部付近に形成される耐処理液性膜を説明するための図である。図６に示すように、モータ軸１１０の下部付近の外周面およびモータ軸１１０に設けられたラビリンスリング２４１の表面には、腐食防止膜２２５が形成されている。また同様に、ハウジング１０５の下部付近の内周面には、腐食防止膜２２６が形成されている。
【０１０３】
ここで、本実施の形態では、腐食防止膜２２５、２２６として、ポリテトラフルオロエチレン（ポリエチレンの水素全部がフッ素で置換された化合物）のようなフッ素を含有する有機高分子を使用しているが、これに限定されるものでなく、処理液に対して耐腐食性を有している材料であればよい。
【０１０４】
このように、ハウジング１０５、モータ軸１１０、およびラビリンスリング２４１に耐腐食性を有する腐食防止膜２２５、２２６を形成することにより、処理液ミストによる腐食を防止することができる。そのため、処理液ミストによる腐食によって回転駆動機構１００の性能が低下することを防止することができる。
【０１０５】
＜３．基板の洗浄方法＞
ここでは、基板処理装置１による基板の洗浄方法について説明する。なお、基板Ｗの洗浄処理を開始する前において、すべてのバルブは閉鎖されている。
【０１０６】
まず、昇降機構１０によってスプラッシュガード３を下降させるとともに、昇降機構３３によって回転駆動機構１００を上昇させて、図示を省略する搬送ユニットからスピンベース３０に基板Ｗを受け渡す。この際、スプラッシュガード３回転駆動機構１００、および雰囲気遮断板２７が当該搬送ユニットと干渉しないように、スプラッシュガード３および回転駆動機構１００を移動させる。そして、受け渡された基板Ｗをチャックピン３１によって把持し、スピンベース３０に対して略水平姿勢となるように基板Ｗを保持する。
【０１０７】
次に、昇降機構１０によって基板Ｗと回収ポート１１ａとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード３を移動させるとともに、昇降機構３３によって雰囲気遮断板２７を基板Ｗより上方に１４０ｍｍ〜１５０ｍｍ離間させ、基板Ｗと対向させる。続いて、回転駆動機構１００によって雰囲気遮断板２７を回転させるとともに、回転駆動機構３００によってスピンベース３０を回転させる。そして、雰囲気遮断板２７とスピンベース３０とが、それぞれ所定の回転数となるように回転制御を行う。
【０１０８】
また、スピンベース３０を回転させる際に、バルブ１６８を開放してシールガス供給源１６９から回転駆動機構１００上部のリング隙間部１５２にシールガスを供給するとともに、バルブ１７８を開放し、排気ポンプ１７６を動作させる。これにより、リング隙間部１５２がシール機構とし働き、てプロセスガス流路１１２とモータ隙間部１５３とをシールすることができる。そのため、基板Ｗが把持されたスピンベース３０内の雰囲気の処理液ミストがプロセスガス流路１１２を介してモータ１０１内部に流入することを防止できる。また、モータ１０１内部からプロセスガス流路１１２を介してスピンベース３０内の雰囲気にパーティクルが流入することを防止し、基板Ｗに当該パーティクルが付着することを防止することができる。
【０１０９】
さらに、スピンベース３０を回転させる際に、バルブ２２８を開放してシールガス供給源２２９から回転駆動機構１００下部のモータ軸隙間部２２３にシールガスを供給するとともに、バルブ２３８を開放し、排気ポンプ２３６を動作させる。これにより、モータ軸隙間部２２３はシール機構として働き、プロセスガス導入管２１２および遮蔽板隙間部２２４とモータ１０１内部とをシールすることができる。そのため、スピンベース３０内やチャンバ２内の雰囲気の処理液ミストやパーティクルがモータ１０１内部に流入することを防止できる。また、モータ１０１内部からモータ軸隙間部２２３を介してスピンベース３０内の雰囲気にパーティクルが流入することを防止し、基板Ｗに当該パーティクルが付着することを防止できる。
【０１１０】
続いて、バルブ１３８ａを開放して処理液吐出口１３１ａと処理液吐出口３３１ａとから基板Ｗの上下面に向けて第１の処理液を吐出する。このとき、スピンベース３０は回転し続けているため、基板Ｗの中心付近に吐出された第１の処理液は、回転にともなう遠心力によって基板Ｗの周縁方向に広がり、基板Ｗの上下全面にわたって供給されて洗浄処理が進行する。そして、回転するスピンベース３０や基板Ｗから飛散した第１の処理液は、回収ポート１１ａにて回収され第１の処理液回収槽２１に貯留される。
【０１１１】
続いて、バルブ１３８ａを閉鎖するとともに、昇降機構１０を上昇させて基板Ｗと回収ポート１１ｂとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード３を移動させる。次に、バルブ１３８ｂを開放して第２の処理液によって基板Ｗの上下面の洗浄処理を行う。このとき、回転するスピンベース３０や基板Ｗから飛散した第２の処理液は、回収ポート１１ｂにて回収され第２の処理液回収槽２２に貯留される。
【０１１２】
続いて、バルブ１３８ｂを閉鎖するとともに、昇降機構１０を上昇させて基板Ｗと回収ポート１１ｃとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード３を移動させる。次に、バルブ１３８ｃを開放して第３の処理液によって基板Ｗの上下面の洗浄処理を行う。このとき、回転するスピンベース３０や基板Ｗから飛散した第３の処理液は、回収ポート１１ｃにて回収され第３の処理液回収槽２３に貯留される。なお、雰囲気遮断板２７およびスピンベース３０は回転し続けている。また、第１、第２、および第３の処理液によって洗浄処理を行っている間、リング隙間部１５２およびモータ軸隙間部２２３はシール機構として機能し続けているため、モータ１０１内部にこれら処理液のミストが進入することを防止できる。
【０１１３】
続いて、雰囲気遮断板２７およびスピンベース３０を回転させつつ、バルブ１３８ｃを閉鎖するとともに、昇降機構１０を上昇させて基板Ｗと回収ポート１１ｃとが略同一高さとなるようにスプラッシュガード３を移動させる。次に、昇降機構３３によって雰囲気遮断板２７を下降させて、基板Ｗと雰囲気遮断板２７との距離が０．５ｍｍ以下となるようにする。続いて、バルブ１１８およびバルブ２１８を開放して、プロセスガス吐出口１１２ａから基板Ｗ上面の中心付近に向けて、また、プロセスガス吐出口３１２ａから基板Ｗ下面の中心付近に向けて、さらに、遮断板下部２７ｃに設けられたプロセスガス吐出口２１４から基板Ｗ上面の周縁付近に向けてそれぞれプロセスガスを供給する。
【０１１４】
このように、雰囲気遮断板２７およびスピンベース３０を回転させつつ、雰囲気遮断板２７との距離が０．５ｍｍ以下となるようにして基板Ｗの上下面にプロセスガスを供給することにより、基板Ｗ付近の雰囲気をプロセスガスと置換してプロセスガス雰囲気とすることができる。そのため、基板Ｗ付近を低酸素濃度雰囲気とすることができる。また、基板Ｗと雰囲気遮断板２７との距離が０．５ｍｍ以下とすることにより、基板Ｗ付近の雰囲気をプロセスガスと置換するのに使用されるプロセスガスの使用量を低減することができるため、効率的に基板Ｗ付近をプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１１５】
続いて、バルブ１３８ｄを開放して基板Ｗの上下面の中央付近にウエハ洗浄液を吐出して基板Ｗを洗浄するとともに、バルブ１８を開放して洗浄ノズル１２からチャックピン３１に向けてチャック洗浄液を吐出することによって基板Ｗや、スピンベース３０、チャックピン３１をリンス洗浄する。これにより、基板Ｗ、スピンベース３０およびチャックピン３１に残留している第１、第２、および第３の処理液が洗い流される。そのため、これら処理液が結晶化することによって生じるパーティクルが発生することを防止でき、良好に基板処理を行うことができる。なお、本実施の形態では、ウエハ洗浄液およびチャック洗浄液として純水を使用している。
【０１１６】
続いて、バルブ１３８ｄおよびバルブ１８を閉鎖して基板Ｗへのウエハ洗浄液およびチャック洗浄液の供給を停止する。次に、雰囲気遮断板２７およびスピンベース３０を高速に回転させて、基板Ｗに付着したウエハ洗浄液およびチャック洗浄液を基板Ｗの周縁方向に振りきって振切り乾燥させる。この際、基板Ｗ付近には、プロセスガスが供給し続けており、基板Ｗ付近は低酸素濃度雰囲気となっている。そのため、ウォーターマーク（水と酸素と基板のシリコンとが反応して発生する乾燥不良）の発生を抑制することができ、基板Ｗを良好に乾燥させることができる。また、リング隙間部１５２およびモータ軸隙間部２２３はシール機構として機能し続けているため、モータ１０１内部に処理液のミストが進入することを防止できる。
【０１１７】
基板の乾燥が完了すると、雰囲気遮断板２７およびスピンベース３０の回転を停止させる。次に、バルブ１１８およびバルブ２１８を閉鎖して基板Ｗへのプロセスガスの供給を、また、バルブ１３８ｄを閉鎖して基板Ｗへのウエハ洗浄液の供給を、さらに、バルブ１８を閉鎖してチャックピン３１へのチャック洗浄液の供給をそれぞれ停止させる。そして、昇降機構１０によってスプラッシュガード３を下降させるとともに、昇降機構３３によって回転駆動機構１００を上昇させて、図示を省略するスピンベース３０から搬送ユニットに基板Ｗを受け渡して洗浄処理を終了する。
【０１１８】
＜４．基板処理装置の利点＞
以上のように、本実施の形態の基板処理装置１では、以下のような利点がある。
【０１１９】
（１）回転駆動機構１００では、モータ１０１の駆動力がモータ軸１１０に直接伝達されることにより、雰囲気遮断板２７を回転することができる。そのため、従来の基板処理装置５００で使用されているベルト駆動機構と比較して、雰囲気遮断板２７の振動を低減することができ、チャックピン３１に把持された基板Ｗと雰囲気遮断板２７との距離を小さくすることができる。
【０１２０】
また、基板Ｗと雰囲気遮断板２７との距離を小さくしつつ、基板Ｗに向けて処理液およびプロセスガスを吐出することができるため、処理液を基板Ｗに向けて吐出しつつ、基板Ｗ付近をプロセスガス雰囲気とする場合、吐出するプロセスガスの供給量を低減することができ、基板Ｗ付近を効率的にプロセスガスと置換してプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１２１】
また、従来の基板処理装置５００のようにベルト駆動機構５４１から発生するパーティクルの影響を考慮する必要がなく、良好に基板処理を行うことができる。
【０１２２】
さらに、処理液やプロセスガスの吐出方向を調整する場合、回転駆動機構１００について鉛直方向との傾き調整を行えばよく、効率的に著性作業を行うことができる。
【０１２３】
（２）また、本実施の形態の基板処理装置１では、回転駆動機構１００の上部と下部とにシール機構を設けることにより、チャンバ２内およびスピンベース３０内の雰囲気とモータ１０１内部とをシールすることができる。そのため、チャンバ２内およびスピンベース３０からモータ１０１に処理液ミストやパーティクルが進入すること防止でき、モータ１０１がこれら処理ミストやパーティクルによって故障することを防止できる。また、モータ１０１で発生したパーティクルが基板Ｗに付着することを防止し、基板Ｗの処理不良を防止できる。
【０１２４】
（３）また、本実施の形態では、回転駆動機構１００だけでなく回転駆動機構３００についても、従来の基板処理装置５００のようにベルト駆動機構によってスピンベース５１０を回転させるのではなく、モータ３０１の駆動力をモータ軸３１０に直接伝達してスピンベース３０を回転させている。これにより、スピンベース３０の振動を低減することができるため、さらに、雰囲気遮断板２７と基板Ｗとの距離を小さくすることができる。
【０１２５】
＜５．変形例＞
以上、本発明について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１２６】
（１）本実施の形態では、基板Ｗに対して洗浄処理を施しているが、雰囲気遮断板２７を使用する基板処理であれば、他の処理方法であっても適用可能である。
【０１２７】
本実施形態の基板処理装置１において、基板Ｗに対して処理液を吐出する場合、上下から同一の処理液が供給されるように配管が構成されているが、これに限定されるものでない。例えば、配管１３７ａおよび配管１３７ｊに新たなバルブを設け、当該バルブを開閉制御を行うことにより、基板Ｗの上方のみ、下方のみ、または、上方および下方から処理液を供給できるように基板処理装置１の配管およびバルブを構成してもよい。
【０１２８】
（２）また、本実施の形態では、プロセスガス吐出口１１２ａおよびプロセスガス吐出口３１２ａから同一の処理液（すなわち、第１〜第３の処理液およびウエハ洗浄液）を吐出して洗浄処理を行っているが、プロセスガス吐出口１１２ａとプロセスガス吐出口３１２ａとから別の処理液を吐出して洗浄処理を行ってもよい。
【０１２９】
（３）モータ軸１１０の下部の外周面には５つのラビリンスリング２４１が設けられているが、ラビリンスリング２４１の個数はこれに限定されるものでなく、ラビリンス機構を設ける隙間部の鉛直方向の大きさに応じた個数のラビリンスリング２４１を設けてもよい。
【０１３０】
（４）モータ軸１１０の下部には、６つのプロセスガス導入管２１２が形成されているが、プロセスガス導入管２１２の個数はこれに限定されるものでなく、プロセスガスの供給量やモータ軸１１０の肉厚等に応じた個数のプロセスガス導入管２１２を設けてもよい。
【０１３１】
（５）回転駆動機構１００において、モータ軸１１０下部付近やハウジング１０５下部付近のように処理液ミストが付着する部分に耐腐食性の膜を形成して、処理液ミストによる腐食を防止しているが、腐食防止策としてはこれに限定されない。例えば、処理液ミストが付着する部分の表面に対して改質処理を施して腐食を防止してもよい。
【０１３２】
（６）本実施の形態の基板処理装置１では、チャンバ２内の雰囲気に配置された回転駆動機構１００について、その上部付近にシール機構を、また下部付近にシール機構と処理液ミストによる腐食防止策とを施しているが、回転駆動機構３００についても同様なシール機構や腐食防止策を施してもよい。
【０１３３】
【発明の効果】
請求項１から請求項１２に記載の発明によれば、第１のモータの駆動力が第１のモータ軸に直接伝達されて雰囲気遮断板を回転させることにより、回転による雰囲気遮断板の振動を低減することができるため、雰囲気遮断板と基板との距離を小さくすることができる。
【０１３４】
特に、請求項２に記載の発明によれば、雰囲気遮断板と基板との距離を小さくしつつ、基板の上方から基板に向けて処理液とプロセスガスとを吐出することができる。そのため、処理液によって基板処理を行う際に、基板付近を効果的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１３５】
特に、請求項３に記載の発明によれば、第１の隙間部に第１のシール機構を設けることにより、第１の流路を介して第１のモータにパーティクルや処理液ミストが進入することを防止できる。そのため、第１のモータが処理液ミストやパーティクルによって破損することを防止することができる。また、第１のモータ内で発生したパーティクルが第１の流路に進入することを防止することができるため、第１の流路に進入したパーティクルが基板に付着することを防止でき、基板不良が発生することを防止できる。
【０１３６】
特に、請求項４に記載の発明によれば、第１の隙間部の一端からシールガスを供給し、第１の隙間部の他端からシールガスを排出することにより、第１の隙間部に進入したパーティクルや処理液ミストを排出することができる。そのため、第１の隙間部を介して第１のモータに処理液ミストやパーティクルが進入すること、および、第１の流路に進入したパーティクルが基板に付着することをさらに防止することができる。
【０１３７】
特に、請求項５に記載の発明によれば、第１の隙間部はラビリンス構造を有するため、第１の隙間部に進入した処理液ミストやパーティクルが、第１の流路や第１のモータに進入することをさらに防止することができる。
【０１３８】
特に、請求項６に記載の発明によれば、第１の吐出手段に加えて第２の吐出手段から基板に向けてプロセスガスを吐出することにより、基板全体にプロセスガスを供給することができるため、基板付近をさらに効果的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１３９】
特に、請求項７に記載の発明によれば、第２の隙間部に第２のシール機構を設けることにより、第４の流路、第３の流路、および第２の隙間部を介してモータに処理液ミストやパーティクルが進入することを防止できるため、モータの破損を防止することができる。また、モータの回転によって発生したパーティクルが、第３の流路および第４の流路を介して基板に付着することを防止することができるため、基板不良が発生することを防止できる。
【０１４０】
特に、請求項８に記載の発明によれば、第２の隙間部の一端からシールガスを供給し、第２の隙間部の他端からシールガスを排出することにより、第２の隙間部に進入した処理液ミストやパーティクルを排出することができる。そのため、第１のモータに処理液ミストやパーティクルが進入すること、および、モータで発生したパーティクルが第３の流路および第４の流路介して基板に付着することをさらに防止することができる。
【０１４１】
特に、請求項９に記載の発明によれば、第２の隙間部はラビリンス構造を有するため、第２の隙間部に進入した処理液ミストやパーティクルが、第３の流路や第１のモータに進入することをさらに防止することができる。
【０１４２】
特に、請求項１０に記載の発明によれば、モータ軸隙間部が耐処理液加工されているため、モータ軸隙間部が処理液によって腐食することや錆びることを防止できる。
【０１４３】
特に、請求項１１に記載の発明によれば、第２のモータの駆動力が第２のモータ軸に直接伝達されて前記保持手段に保持された基板を回転させることにより、回転による基板の振動を低減することができる。そのため、雰囲気遮断板と基板との距離をさらに小さくすることができる。その結果、基板付近の雰囲気を窒素ガスと置換する場合に使用されるプロセスガスの使用量を低減でき、基板付近を効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１４４】
特に、請求項１２に記載の発明によれば、雰囲気遮断板と基板との距離を小さくしつつ、基板の下方から基板に向けて処理液とプロセスガスとを吐出することができる。そのため、処理液によって基板処理を行う際に、基板付近を効果的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【０１４５】
特に、請求項１３に記載の発明によれば、雰囲気遮断板と基板との距離を０．５ｍｍ以下とするため、基板付近をさらに効率的にプロセスガス雰囲気とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基板処理装置の全体構成を模式的に示す正面図である。
【図２】図１の基板処理装置の回転駆動機構の上部付近の断面を模式的に示す図である。
【図３】図１の基板処理装置の回転駆動機構の下部付近の断面を模式的に示す図である。
【図４】図１の基板処理装置の回転駆動機構の下側を模式的に示す下面図である。
【図５】図１の基板処理装置のモータ軸を模式的に示す斜視図である。
【図６】図１の基板処理装置の回転駆動機構への耐腐食性膜を説明するための図である。
【図７】基板上方に雰囲気遮断板を配置した従来の基板洗浄装置の全体構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置
２７  雰囲気遮断板
３０  スピンベース
１０１、３０１  モータ
１１０、３１０  モータ軸
１１２、３１２  プロセスガス流路
１３１、３３１  処理液流路
１５２  リング隙間部
２２３  モータ軸隙間部
Ｗ  基板
【図１】
2004172204.tif 000003
【図２】
2004172204.tif 000004
【図３】
2004172204.tif 000005
【図４】
2004172204.tif 000006
【図５】
2004172204.tif 000007
【図６】
2004172204.tif 000008
【図７】
2004172204.tif 000009