(57)【要約】【課題】クロスライトが発生せず、更に高密度な情報記録が可能な磁壁移動型光磁気記録媒体が望まれている。【解決手段】透光性基板１１の表面に光干渉層１２、再生層１３、中間層１４、記録層１５、保護層１６が順次積層され、光ビームの照射方向から見て凸であるグルーブ部情報トラック１９ａには、放熱層１７がさらに積層されている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド部及びグルーブ部の双方を情報トラックとして利用するランド・アンド・グルーブ記録方式の光磁気記録媒体において、
前記ランド部及びグルーブ部には、少なくとも再生層、中間層および記録層が積層され、前記記録層から前記再生層に転写された記録マーク境界の磁壁を光ビームによって形成された温度分布によって移動させて情報を再生する超解像再生が可能であり、
前記ランド部又は前記グルーブ部の一方は、これらランド部及びグルーブ部を横断する断面において、他方に比べて前記光ビームの照射方向と反対方向に突出しており、
その突出している前記ランド部又は前記グルーブ部の一方には、放熱層がさらに積層されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ビームを用いて情報の記録および再生が可能な光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な高密度記録媒体として、半導体レーザーなどの光ビームの光エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込んで情報（信号）を記録し、磁気光学効果を用いて、記録されている情報（信号）を読み出す光磁気記録媒体がある。近年、この光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
ここで、光磁気記録媒体等の線記録密度は、再生光学系のレーザー波長及び対物レンズの開口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザー波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まると光ビームのビームウェストの径が決まるため、信号再生時の空間周波数は２ＮＡ／λ程度が検出可能な限界となってしまう。従って、記録密度の更なる向上を実現するためには、再生光学系のレーザー波長λを短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【０００４】
しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限度があるため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開発されている。例えば、特許文献１には、図５（ａ）（ｂ）に示すように、磁性層（再生層）Ａにおけるある原子スピン（記録マーク）と、この原子スピンとは向きが異なる隣の原子スピン（記録マーク）との境界に存在する一対の磁壁Ｂの一方を光ビームＣの照射によって発生する温度勾配によって移動させ、これら一対の磁壁Ｂ、Ｂによって画された磁区Ｄ内の原子スピンの向きを一方向に揃えて、信号を再生する方法が提案されている。尚、図５（ａ）では、磁区Ｄ内の矢印が原子スピンの向きを示している。
【０００５】
上記方法によれば，記録媒体が磁壁の移動する温度に加熱された瞬間に低温部から高温部に向かって磁壁Ｂの移動が起こるので、光ビームＣのスポット径よりも高密度で記録された信号の再生が可能となり、光の回折限界にまったく依存せずに信号を再生することができる。
【０００６】
ここで、上記特許文献１によると、上記磁壁の移動は、同一の情報トラック上で（トラック方向に）起こる現象であり、再生層Ａは情報トラック間で互いに分断（すなわち、磁気的に分断）されていることが望ましいとされている。このような閉じていない磁区Ｄ（分断された磁壁Ｂ）を作成する方法として、上記特許文献１には、再生層Ａを含む磁性層に高出力のレーザーを照射してアニールし、磁性層を磁気的に変質させる方法と、矩形の深溝基板を用いる方法が提案されている。しかし、アニール処理をディスク全面に行なうには時間がかかり、記録媒体の量産性を考慮した場合、記録媒体のコストアップにつながり問題であるとともに、アニールされた領域は非記録領域となるため、従来品に比べれば十分な高密度記録が達成されるが、更なる高密度化には限界がある。一方、矩形の深溝基板を用いて磁性層を形成した場合、トラック間の段差部において付着する磁性層はトラック内の膜厚と比較して非常に薄くなり、実質的に磁気的な結合はなくなるとともに、ランド部及びグルーブ部の双方を情報トラックとして使用するランド・アンド・グルーブ記録方式が可能となり記録密度がより改善されるといった効果がある。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような磁壁移動型の光磁気記録媒体に限らず、高密度の光磁気記録媒体及び磁気記録媒体において、トラック密度を緻密にさせてゆくと、隣接トラック間のクロスライトやクロストークが発生する。特に、上記ランド・アンド・グルーブ記録方式ではクロスライトが顕著に発生する。具体的には、Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，２，２７３−２７８（２００２）に報告があるように、凹凸のある基板上に光ビームを照射した時、凸に当たる角部で高い光エネルギーの吸収を示す。従って、記録・再生用光ビームの照射方向に凹である情報トラックへの記録に際し、隣接する凸である情報トラックの角部における光エネルギーの吸収が高く、クロスライトを顕著にする傾向にあった。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、超高密度の磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、ランド部及びグルーブ部の双方を情報トラックとして利用するランド・アンド・グルーブ記録方式の光磁気記録媒体において、前記ランド部及びグルーブ部には、少なくとも再生層、中間層および記録層が積層され、前記記録層から前記再生層に転写された記録マーク境界の磁壁を光ビームによって形成された温度分布によって移動させて情報を再生する超解像再生が可能であり、前記ランド部又は前記グルーブ部の一方は、これらランド部及びグルーブ部を横断する断面において、他方に比べて前記光ビームの照射方向と反対方向に突出しており、その突出している前記ランド部又は前記グルーブ部の一方には、放熱層がさらに積層されていることを特徴とする本発明の光磁気記録媒体によって解決される。
【００１１】
すなわち、本発明の光磁気記録媒体では、隣接する情報トラックを横断する断面において光ビームの照射方向と反対方向に突出している情報トラックがグルーブ部からなる場合、その情報トラックに放熱層が形成されている。従って、グルーブ部からなる情報トラックは、ランド部からなる情報トラックに比して熱容量が増加すると共に、照射された光ビームによって発生した熱の伝導率は、グルーブ部からなる情報トラックの周方向において高く、隣接するランド部からなる情報トラックとの間における熱伝導率は相対的に低くなる（断熱的となる）。
【００１２】
従って、ランド部からなる情報トラックへの情報の記録に際しては、これに隣接するグルーブ部からなる情報トラックの角部は光ビームの照射によって熱を吸収するが、このグルーブ部からなる情報トラックはその周方向における熱伝導性が高く、ランド部からなる情報トラックに比して相対的に熱容量が高い。このため、グルーブ部からなる情報トラックは記録温度まで加熱されることはなく、クロスライトが防止される。一方、グルーブ部からなる情報トラックへの記録に際しては、これに隣接するランド部からなる情報トラックは熱吸収が低く、且つグルーブ部からなる情報トラックとランド部からなる情報トラックとの間の熱伝導率よりもグルーブ部からなる情報トラックの周方向における熱伝導率の方が相対的に高い。このため、熱が隣接する情報トラック間を横断方向に伝導することが抑制されランド部からなる情報トラックへのクロスライトが防止される。
【００１３】
一方、光ビームの照射方向と反対方向に突出している情報トラックがランド部からなる場合には、このランド部からなる情報トラックに放熱層が形成されている。従って、ランド部からなる情報トラックは、グルーブ部からなる情報トラックに比して熱容量が増加すると共に、照射された光ビームによって発生した熱の伝導率はランド部からなる情報トラックの周方向において高く、隣接するグルーブ部からなる情報トラックとの間における熱伝導率は相対的に低くなる（断熱的となる）。従って、ランド部からなる情報トラックへの情報記録時と、グルーブ部からなる情報トラックへの情報記録時とで、上記とは反対の現象が起き、隣接する情報トラックへのクロスライトが同様に防止される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の光磁気記録媒体の一例を示す模式的断面図である。図１に示す光磁気記録媒体では、リング状の凸部１と凹部２が中心から外側に向けて繰り返し形成された円板状の透光性基板１１の表面に光干渉層１２が形成され、この光干渉層１２の上に再生層（磁壁移動層）１３が形成され、以下、中間層１４、記録層１５、保護層１６が順次積層されている。すなわち、凸部１の上にランド部１８からなる情報トラック（以下「ランド部情報トラック１８ａ」）が、凹部２の上にグルーブ部１９からなる情報トラック（以下「グルーブ部情報トラック１９ａ」）が形成され、それらが透光性基板１１の中心から外側に向けて交互に配置されている。さらに、グルーブ部情報トラック１９ａの保護層１６の表面には放熱層１７が積層されている。
【００１５】
図１に示す光磁気記録媒体は、半導体レーザーなどの光源から出射された記録再生用の光ビームを透光性基板１１の裏面１１ａ側から照射し、超解像再生よって記録層１５に記録されている情報（信号）を再生する構成としてある。すなわち、ランド部情報トラック１８ａとグルーブ部情報トラック１９ａとでは、後者が光ビームの照射方向と反対方向に相対的に突出しており、前者は相対的に凹んでいる。上記超解像再生とは、記録層１５から再生層１３に転写された記録マークの境界に存在する一対の磁壁の一方を光ビームの照射によって形成される温度勾配によって移動させ、これら一対の磁壁によって画された磁区内の原子スピンの向きを一方向に揃えることによって、光ビームのスポット径よりも高密度で記録されている信号を再生することを意味する。
【００１６】
上述のように、図１に示す光磁気記録媒体では、グルーブ部情報トラック１９ａにのみ放熱層１７が形成されている。従って、ランド部情報トラック１８ａへの情報記録の際に、隣接するグルーブ部情報トラック１９ａの角部２０は光ビーム照射によって熱を吸収するが、このグルーブ部情報トラック１９ａは周方向に沿った熱伝導率が高く、ランド部情報トラック１８ａに比して熱容量も高い。このため、グルーブ部情報トラック１９ａが記録温度にまで昇温されることはない。一方、グルーブ部情報トラック１９ａへの情報記録の際に、隣接するランド部情報トラック１８ａは光ビーム照射によって熱を吸収するがその吸収は低く、且つグルーブ部情報トラック１９ａからランド部情報トラック１８ａへの熱伝導率よりもグルーブ部情報トラック１９ａの周方向における熱伝導率の方が相対的に高い。このため、ランド部情報トラック１８ａが記録温度まで昇温されることはない。
【００１７】
図２は本発明の光磁気記録媒体の他例を示す模式的断面図である。図２に示す光磁気記録媒体の基本構成は、図１に示す光磁気記録媒体と同一である。異なるのは、図２に示す光磁気記録媒体では、記録再生用の光ビームを透光性基板１１の裏面１１ａとは反対の表面側から照射して、記録層１５に記録されている情報を超解像再生によって読み出す構成とされているため、透光性基板１１の表面に保護層１６が形成され、この保護層１６の上に記録層１５が形成され、以下、中間層１４、再生層１３、光干渉層１２が順次積層されている。また、透光性基板１１に対する光ビームの照射方向が図１に示す光磁気記録媒体とは逆のため、ランド部情報トラック１８ａが光ビームの照射方向と反対方向に相対的に突出しており、グルーブ部情報トラック１９ａが相対的に凹んでいる。
【００１８】
上述のように、図２に示す光磁気記録媒体では、ランド部情報トラック１８ａにのみ放熱層１７が形成されている。従って、グルーブ情報トラック１９ａへの情報記録の際に、隣接するランド部情報トラック１８ａの角部２０は光ビーム照射によって熱を吸収するが、このランド部情報トラック１８ａは周方向に沿った熱伝導率が高く、グルーブ情報トラック１９ａに比して熱容量も高い。このため、ランド部情報トラック１８ａが記録温度にまで昇温されることはない。一方、ランド部情報トラック１８ａへの情報記録の際に、隣接するグルーブ情報トラック１９ａは光ビーム照射によって熱を吸収するがその吸収は低く、且つランド部情報トラック１８ａからグルーブ情報トラック１９ａへの熱伝導率よりもランド部情報トラック１８ａの周方向における熱伝導率の方が相対的に高い。このため、グルーブ部情報トラック１９ａが記録温度まで昇温されることはない。
【００１９】
以上のように、図１に示す光磁気記録媒体でも、図２に示す光磁気記録媒体でも、ある情報トラックへの情報記録時に、この情報トラックに隣接する他の情報トラックへのクロスライトが防止される。
【００２０】
図１および図２に示す光磁気記録媒体の光干渉層１２、再生層１３、中間層１４、記録層１５、保護層１６、および放熱層１７は、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ホローカソードマグネトロン法、抵抗加熱や電子ビーム加熱法、高真空でも放電させることが可能な電子放出源などの公知の成膜方法で形成することができる。また、成膜原料物質としては、情報記録媒体を構成する誘電体材料、アルミ等の金属材料、希土類−遷移金属に代表される光磁気材料などの公知の物質を使用することができる。さらに、透光性基板１１としては、ＰＣ（ポリカーボネート）などのプラスチック材料やガラス、ガラスの上にフォトポリマーを形成したものが使用できる。ランド部情報トラック１８ａやグルーブ部情報トラック１９ａの溝幅や溝深さは再生時や記録時に使用する光ビームの波長、該光磁気記録媒体に求められる記憶容量、クロスイレース／クロスライトのパワーマージン、クロストークのマージン、基板製造マージン等を考慮して適宜決定することができる。
【００２１】
【実施例】
（実施例１）
以下、図１に示した光磁気記録媒体について、実施例を示してさらに詳しく説明する。図１に示した光磁気記録媒体は以下のようにして作成した。透光性基板１１には直径８６ｍｍのディスク状ポリカーボネートを用いた。この透光性基板１１の表面には、ランド部１８となるリング状の凸部１と、グルーブ部１９となるリング状の凹部２とが中心から外側に向けて交互に形成されている。また、凸部１および凹部２の平坦部分の幅Ｗ１は０．３９μｍ、凸部と凹部の境界となるテーパー状の壁面２１と平坦部分との傾斜角度は７０度、その幅Ｗ２は０．０６μｍ、隣接する凸部１と凹部２の配列ピッチは０．４５μｍである。また、かかる透光性基板１１の表面に、光干渉層１２、再生層１３、中間層１４、記録層１５、保護層１６を順次積層し、凸部１にランド部１８を、凹部２にグルーブ部１９をそれぞれ形成すると、グルーブ部１９の深さが１６０ｎｍとなるよう凸部１の高さ及び凹部２の深さが設定されている。
【００２２】
次に、上記各層の形成方法を具体的に説明する。直流マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳｉ、及びＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ａｌの各ターゲットを取り付け、透光性基板１１を基板ホルダーに固定した後、１×１０−５Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。
【００２３】
上記真空排気を維持しつつＡｒガスとＮ２ガスをチャンバー内に導入し、透光性基板１１を回転させながら、光干渉層１２としてＳｉＮ層を３０ｎｍ成膜した。引き続き、真空排気を維持しつつＡｒガスをチャンバー内に導入し、透光性基板１１を回転させながら、再生層１３としてＧｄＦｅＣｏＣｒ層を３０ｎｍ、中間層１４としてＴｂＦｅＣｒ層を１０ｎｍ、記録層１５としてＴｂＦｅＣｏＣｒ層を８０ｎｍ順次成膜した。続いて、光干渉層１２の成膜時と同様の条件で、保護層１６としてＳｉＮ層を５０ｎｍ成膜した。
【００２４】
次に、真空排気を維持しつつＡｒガスをチャンバー内に導入し、透光性基板１１を回転させながら、放熱層１７となるＡｌを３０ｎｍ成膜した。再生層１３、中間層１４、記録層１５の各磁性層はＧｄ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜した。各磁性層の組成は、すべて補償組成近傍になるようにＣｏ及びＣｒの量を調整し、キュリー温度は、再生層１３が２１０℃、中間層１４が１２０℃、記録層１５が２９０℃程度となるように設定した。放熱層１７の膜厚は薄すぎると効果が薄れ、厚すぎると情報の記録に過大なレーザーパワーを必要とするため、最適な厚さをシミュレーションで調べたところ１０から５０ｎｍが好適であったため、本実施例では３０ｎｍとした。
【００２５】
次に、透光性基板１１をチャンバーから真空を破らずミリング装置に移し、真空に排気した。イオン引き出し開口部の大きさは、直径１２０ｍｍである。真空排気したまま、透光性基板１１を回転させながらイオンガンを用いて、Ａｒイオンビーム照射しミリング処理を施した。このとき、透光性基板１１を傾けて、Ａｒイオンビームの進行方向と透光性基板１１の表面との角度は５０°〜６０°程度にした。このような形態にすることによりグルーブ部１９に成膜されている放熱層１７はイオンガンに対してランド部１８に隠れる形でＡｒイオンビームに曝されることなく、ランド部１８及び角部２０のみにミリング処理が施される。このミリング処理によりランド部１８及び角部２０に付着した放熱層１７を完全に除去し、グルーブ部１９のみに放熱層１７が堆積されるようにする。このときグルーブ部１９に残存している放熱層１７の膜厚は２０ｎｍであった。この透光性基板１１を真空装置から取り出した後，紫外線硬化樹脂からなる保護コート層を全面に形成する。以上のようにして、ランド部情報トラック１８ａ、およびグルーブ部情報トラック１９ａが透光性基板１１の中心から外側に向けて繰り返し形成され、さらに、グルーブ部情報トラック１９ａにのみに放熱層１７が積層されている光磁気記録媒体を完成させた。
【００２６】
以上のようにして完成させた光磁気記録媒体を図３に示す光磁気ディスク記録再生装置にセットして記録再生特性を測定した。図３の符号３１は光磁気記録信号を再生するための光ピックアップ、符号３３は記録磁界を印加するための磁気ヘッドを示している。記録再生に用いた光ビームの波長は６５０ｎｍ、対物レンズＮＡは０．６５である。スピンドルモータ３２により線速度１．５ｍ／ｓで光磁気記録媒体を回転させ、半径３５ｍｍの位置で記録特性の測定を行った。光磁気ヘッド３３により磁界を５ＭＨｚで変調しながら、ランド部情報トラック１８ａ及びグルーブ部情報トラック１９ａに記録用のＤＣレーザーを照射して、マーク長０．１５μｍの繰り返しパターンを磁界変調記録した。
【００２７】
次に、記録された信号を再生パワー２．５ｍＷで再生し、ジッターの記録パワー依存性を測定した。ジッターの測定は、タイムインターバルアナライザーを用いて行った。得られたアナログ信号波形をＤＣレベルでスライスして２値化し、立ち上がりエッジのインターバルを測定した。そして、すべてのデータパターンに対する１０５サンプルでの相対ジッター分布を導出し、ジッターの記録パワー依存性を測定した。ここでは、通常の１ビーム光学系で評価し、再生ビーム自身による加熱で、磁壁を移動させるための温度勾配を形成した。
【００２８】
ランド部情報トラック１８ａ及びグルーブ部情報トラック１９ａともに、記録パワーを４ｍＷ以上にしたとき、磁壁移動再生が行われ、ランド部情報トラック１８ａでは８．２ｎｓｅｃ、グルーブ部情報トラック１９ａでは７．４ｎｓｅｃと良好なジッター値が得られた。
【００２９】
次に、本実施例の光磁気記録媒体においてクロスライトが発生しない記録パワーマージンを以下のようにして調べた。ランド部情報トラック１８ａに図３に示した光磁気ディスク記録再生装置を用いて（１−７）ＲＬＬ変調で、０．１２μｍ／ｂｉｔのランダム信号を記録し、続いて両隣のグルーブ部情報トラック１９ａに同様の信号を記録した。記録パワーはランド部情報トラック１８ａ及びグルーブ部情報トラック１９ａで同じ記録パワーとした。このように３トラック記録を行った後、ランド部情報トラック１８ａに記録した信号を再生して、記録パワーを順次変えて再生信号のビットエラーレートが１×１０−３以下となる記録パワー範囲を求めた。同様にランド部情報トラック１８ａとグルーブ部情報トラック１９ａを入れ替えて測定した。この時、記録パワーを順次変えてこれを繰り返した。この結果、ランド部情報トラック１８ａでは±１５％、グルーブ部情報トラック１９ａでは±１２％の記録パワーマージンとなり、両者が共有するクロスライトを起こさない記録パワーマージンは±１１％となり実用上十分であることがわかった。
【００３０】
（比較例１）
放熱層を２０ｎｍの厚さに成膜して、イオンガンを用いたミリング処理を行わない他は、上記実施例１と同様にして比較例１の光磁気記録媒体を作成した。こうして作成した光磁気記録媒体を図３に示す光磁気ディスク再生装置に乗せ、実施例１と同様にして０．１５μｍの繰り返しパターンを記録再生したところ、ランド部情報トラックでは８．０ｎｓｅｃ、グルーブ部情報トラックでは７．６ｎｓｅｃと実施例１とほぼ変わらないジッター値が得られた。次に実施例１と同様にして比較例１のクロスライトを起こさない記録パワーマージンを測定した。この結果、ランド部情報トラックでは±１０％、グルーブ部情報トラックでは±３％の記録パワーマージンとなり、両者が共有するクロスライトを起こさない記録パワーマージンは±１％となり実用上不十分な値であった。
【００３１】
（実施例２）
図２に示した光磁気記録媒体を以下のようにして作成した。使用した透光性基板１１は実施例１と同様である。この透光性基板１１をイオンビームスパッタリング装置に取り付け、チャンバー内が１×１０−５Ｐａ以下の高真空になるまでクライオポンプで真空排気し、真空排気を維持しつつＡｌターゲットにＡｒイオンビームを照射して、放熱層１７であるＡｌ膜を透光性基板１１を回転させながらランド部１８に成膜した。
【００３２】
この時、透光性基板１１を傾けて、Ａｌターゲットと透光性基板１１との間を結ぶ直線と基板１１の表面とのなす角度が３０°となるようにした。このようにすることにより、ＡｒイオンによってスパッタリングされたＡｌ粒子は概ね直進性良く透光性基板１１に到達するため、Ａｌ粒子はランド部１８によって遮られグルーブ部１９にＡｌ膜は形成されない。よって、ランド部１８にのみ放熱層１７が形成される。本実施例ではＡｌ膜を２０ｎｍ成膜した。
【００３３】
次に真空を破らず透光性基板１１を直流マグネトロンスパッタリング装置に取り付け、実施例１と同様の方法によって、保護層１６としてＳｉＮ層を５０ｎｍ、記録層１５としてＴｂＦｅＣｏＣｒ層を８０ｎｍ、中間層１４としてＴｂＦｅＣｒ層を１０ｎｍ、再生層１３としてＧｄＦｅＣｏＣｒ層を３０ｎｍ、光干渉層１２としてＳｉＮ層を３０ｎｍ成膜した。その後、この透光性基板１１を真空装置から取り出し、紫外線硬化樹脂からなる保護コート層を全面に形成し、ランド部情報トラック１８ａ、およびグルーブ部情報トラック１９ａが透光性基板１１の中心から外側に向けて繰り返し形成され、さらに、ランド部情報トラック１８ａのみに放熱層１７が積層されている光磁気記録媒体を完成させた。
【００３４】
以上のようにして完成させた光磁気記録媒体を図４に示す光磁気ディスク記録再生装置にセットして記録再生特性を測定した。図４中の符号４１は光磁気記録信号を再生するための光ピックアップと記録磁界を印加するための磁気ヘッドが一体となった光磁気ヘッドを示している。記録再生に用いた光ビームの波長は６５０ｎｍ、対物レンズＮＡは０．６５である。スピンドルモータ３２により線速度１．５ｍ／ｓで光磁気記録媒体を回転させ、半径３５ｍｍの位置で記録特性の測定を行った。実施例１と同様の方法でジッターの記録パワー依存性を測定した。この結果、ランド部情報トラック１８ａ及びグルーブ部情報トラック１９ａともに記録パワーを４ｍＷ以上にしたとき、磁壁移動再生が行われ、ランド部情報トラック１８ａでは７．６ｎｓｅｃ、グルーブ部情報トラック１９ａでは８．２ｎｓｅｃと良好なジッター値が得られた。
【００３５】
次に、図４に示す光磁気ディスク記録再生装置に光磁気記録媒体をセットし、実施例１と同様の方法でクロスライトを起こさない記録パワーマージンを調べた。この結果、ランド部情報トラック１８ａでは±１１％、グルーブ部情報トラック１９ａでは±１４％の記録パワーマージンとなり、両者が共有するクロスライトを起こさない記録パワーマージンは±１０％となり実用上十分であることがわかった。
【００３６】
なお、ランド部１８またはグルーブ部１９の一方のみに放熱層１７を形成する方法としては、上記のような透光性基板１１を傾けたスパッタリングやミリング処理以外の方法も考えられるが、量産性を損なうことなく、安価に光磁気記録媒体を生産する上では上記方法が現時点における最適な方法と考えられる。もっとも、放熱層１７の形成方法が上記方法に限定されないことは勿論である。
【００３７】
（比較例２）
透光性基板を直流マグネトロンスパッタリング装置に取り付け、放熱層を２０ｎｍの厚さに成膜し、続いて実施例２と同様にして他の層及び紫外線硬化樹脂からなる保護コート層を形成し比較例２の光磁気記録媒体とした。
【００３８】
上記のようにして作成した光磁気記録媒体を図４に示す光磁気ディスク再生装置にセットし、実施例２と同様にして０．１５μｍの繰り返しパターンを記録再生したところ、ランド部情報トラックでは７．６ｎｓｅｃ、グルーブ部情報トラックでは８．０ｎｓｅｃと実施例２とほぼ変わらないジッター値が得られた。次に実施例２と同様にして比較例２のクロスライトを起こさない記録パワーマージンを測定した。この結果、ランド部情報トラックでは±３％、グルーブ部情報トラックでは±１０％の記録パワーマージンとなり、両者が共有するクロスライトを起こさない記録パワーマージンは±１％となり実用上不十分な値であった。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の光磁気記録媒体では、ランド部またはグルーブ部のうち、これらランド部およびグルーブ部を横断する断面において光ビームの照射方向と反対方向に突出しているどちらか一方に放熱層が積層されているので、光ビームから見て凸に当たる情報トラックは隣接する情報トラックに対して熱容量が増加するとともに、照射された光ビームによる熱エネルギーの熱伝導率が凸に当たる情報トラックに沿った周方向において高くなり、隣接する情報トラック間の熱伝導率は相対的に断熱的となる。よって、ランド部からなる情報トラックとグルーブ部からなる情報トラックとの間でクロスライトを発生させない記録パワーマージンが広がり実用上十分な光磁気記録媒体となる。また、量産性を損なうことなく、上記クロスライトを起こさない記録パワーマージンの良好な光磁気記録媒体を安価に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体の他例を示す模式的断面図である。
【図３】実施例１に係る光磁気ディスク記録再生装置の模式図である。
【図４】実施例２に係る光磁気ディスク記録再生装置の模式図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は、磁壁移動型光磁気記録媒体における超解像再生の原理図である。
【符号の説明】
１  凸部
２  凹部
１１  透光性基板
１２  光干渉層
１３  再生層（磁壁移動層）
１４  中間層
１５  記録層
１６  保護層
１７  放熱層
１８  ランド部
１９  グルーブ部
１８ａランド部情報トラック
１９ａグルーブ部情報トラック
２０  角部
２１  壁面
３１  光ピックアップ
３２  スピンドルモータ
３３  磁気ヘッド
４１  光磁気ヘッド
【図１】
2004334958.tif 000003
【図２】
2004334958.tif 000004
【図３】
2004334958.tif 000005
【図４】
2004334958.tif 000006
【図５】
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