(57)【要約】【課題】自動実装及びリフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを提供する。【解決手段】断面円形のケーブル本体２の中心部に中心導体３が配設され、この中心導体３の両端部が露出しているセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、前記ケーブル本体２の両端部を、それぞれ非円形状に押し潰して非円形部６を形成したことにより、上記課題を解決した。このとき、非円形部６は、ほぼ楕円状又は扁平状に形成されていることが好ましい。また、非円形部６は、ケーブル本体２をプリント基板上に搭載したとき、露出している中心導体３とプリント基板との間隔が０．２ｍｍ以下になるように曲がっていることが好ましい。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面円形のケーブル本体の中心部に中心導体が配設され、この中心導体の両端部が露出しているセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、前記ケーブル本体の両端部を、それぞれ非円形状に押し潰して非円形部を形成したことを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項２】
前記非円形部が、ケーブル本体の径方向に沿って延在する第１線に線対称であり、その第１線と直交すると共にケーブル本体の径方向にも沿って延在する第２線にも線対称であり、かつ、第１線に沿った第１幅と第２線に沿った第２幅との寸法が異なる非円形状に形成されている請求項１に記載のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項３】
前記非円形部が、ほぼ楕円状又は扁平状に形成されている請求項２に記載のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項４】
前記非円形部が、前記第１幅と前記第２幅とのうち寸法が短い幅方向に沿って曲っている請求項２又は３に記載のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項５】
前記非円形部が、前記ケーブル本体を基板上に搭載したとき、前記露出している中心導体と前記基板の半田付けランドとの間隔が０．２ｍｍ以下になるように形成されている請求項４に記載のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ。
【請求項６】
断面円形のケーブル本体の中心部に配設された中心導体の両端部を露出させ、このケーブル本体の両端部を、該ケーブル本体を基板上に搭載したとき、前記露出している中心導体と前記基板との間隔が０．２ｍｍ以下になるように曲げプレス加工により押し潰すと共に曲げて非円形部を形成することを特徴とするセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、自動実装及びリフロー半田付け（リフロー実装）を行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信機器や情報処理機器等の電子機器は、小型化及び軽量化に伴い、電子部品をプリント基板に高密度に実装することが要求されている。この電子部品を高密度に実装する技術として、電子部品実装装置を用いてプリント基板上に自動的に実装する自動実装や、リフロー炉を用いて半田付けを行う、リフロー半田付けがある。リフロー半田付けは、プリント基板の例えばランド電極である半田付けランド上に印刷やディスペンサーなどの半田供給器等により半田ペーストを塗布する。この上に実装すべき電子部品等を所定の位置に搭載した後に、この部品を搭載したプリント基板をリフロー炉で加熱する。半田付けランド上の半田ペーストが溶融（リフロー）し、冷却後、電子部品等が半田付けランド上に半田付けされるものである。
【０００３】
ところで、小型電子部品の高周波伝送路として、高周波性能に優れるセミリジッド同軸ケーブルが広く用いられている。このセミリジッド同軸ケーブルについても、前述の自動実装及びリフロー半田付けが行えれば、生産性が向上すると共にコストダウンにもつながる。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−３５２６３８号公報（第２頁）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、セミリジッド同軸ケーブルのプリント基板への実装は手作業で行われていた。すなわち、図５及び図６に示すように、セミリジッド同軸ケーブル５０は、中心導体５１の外周に少なくとも絶縁体５２と外部導体５３とが順次同軸上に設けられて断面円形状に形成されているため、その周方向に転がりやすい。
【０００６】
このため、自動実装では、電子部品実装装置のアーム等によってセミリジッド同軸ケーブルをつかむときにセミリジッド同軸ケーブルが平面状に置いてあると、セミリジッド同軸ケーブルが転がってつかみ難いこともあり得る。また、電子部品実装装置のアーム等によってつかんだセミリジッド同軸ケーブルをプリント基板の半田付けランド上に載置して、アーム等からセミリジッド同軸ケーブルをはなすと、半田付けランドの表面（載置面）が平面状に形成されているので、セミリジッド同軸ケーブルが半田付けランド上から転がることもあり得る。
【０００７】
また、リフロー半田付けの場合では、プリント基板上にセミリジッド同軸ケーブルを精度よく実装したとしても、セミリジッド同軸ケーブル等を実装したプリント基板をさらにリフロー炉に搬送するために、セミリジッド同軸ケーブルが転がりやすいと、その搬送の際に振動等がプリント基板上のセミリジッド同軸ケーブルにかかるので、セミリジッド同軸ケーブルが半田付けランド上から転がることもあり得る。
【０００８】
従って、セミリジッド同軸ケーブルのプリント基板への実装は手作業で行われていた。
【０００９】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであって、自動実装及びリフロー半田付け（リフロー実装）を行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びその製造方法の提供を目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、断面円形のケーブル本体の中心部に中心導体が配設され、この中心導体の両端部が露出しているセミリジッド同軸ケーブルアセンブリであって、前記ケーブル本体の両端部を、それぞれ非円形状に押し潰して非円形部を形成したものである。
【００１１】
このようにケーブル本体の両端部を非円形状に押し潰して非円形部を形成することにより、このケーブル本体を基板上に搭載した場合に、非円形部が基板例えば半田付けランドに接触するときには、ケーブル本体が転がり難くなるので、基板上への実装を自動で行えることになる。
【００１２】
また、このケーブル本体は、例えば平板の表面上に載置したとき、両端部に非円形部が形成されているので、ケーブル本体に外力が作用していないと、ほぼ特定の周面を下にした静止状態になる。つまり、ケーブル本体を載置したとき、その特定の周面が下になっていなくても、ケーブル本体が周方向に沿って転がってほぼ特定の周面を下にした静止状態になる。この静止状態はケーブル本体が転がり難い状態である。よって、ケーブル本体を例えば基板上に転がり難い静止状態で載置することができることになる。
【００１３】
従って、自動実装及びリフロー半田付け（リフロー実装）を行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを得ることが可能となる。
【００１４】
前記非円形部が、ケーブル本体の径方向に沿って延在する第１線に線対称であり、その第１線と直交すると共にケーブル本体の径方向にも沿って延在する第２線にも線対称であり、かつ、第１線に沿った第１幅と第２線に沿った第２幅との寸法が異なる非円形状に形成されていることが好ましい。
【００１５】
前記非円形部が、ほぼ楕円状又は扁平状に形成されていることが好ましい。
【００１６】
このように、非円形部がそれぞれ楕円状又は扁平状に形成されていることにより、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリが転がり難い状態か転がりやすい状態かを容易に把握することができる。
【００１７】
前記非円形部が、前記第１幅と前記第２幅とのうち寸法が短い幅方向に沿って曲っていることが好ましい。
【００１８】
これにより、ケーブル本体を一層転がり難い状態で例えば基板上に実装することが可能となる。
【００１９】
前記非円形部が、前記ケーブル本体を基板上に搭載したとき、前記露出している中心導体と前記基板の半田付けランドとの間隔が０．２ｍｍ以下になるように形成されていることが好ましい。
【００２０】
このように中心導体と半田付けランドとの間隔が０．２ｍｍ以下であると、リフロー半田付けにおいては半田付けランド上に半田ペーストが塗布され、この半田ペーストに中心導体が接触するので、中心導体を確実に半田接続することが可能となる。
【００２１】
また、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法は、断面円形のケーブル本体の中心部に配設された中心導体の両端部を露出させ、このケーブル本体の両端部を、該ケーブル本体を基板上に搭載したとき、前記露出している中心導体と前記基板との間隔が０．２ｍｍ以下になるように曲げプレス加工により押し潰すと共に曲げて非円形部を形成するものである。
【００２２】
このように、ケーブル本体の両端部を曲げプレス加工により押し潰すと共に曲げて非円形部を形成することで、生産性がよく、安価に、しかも精度よく、自動実装及びリフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造することが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ及びセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法について図面を参照しつつ説明する。
【００２４】
（セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ）
図１は本発明の第１のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを示す図である。図２は本発明の第２のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを示す図である。図３は本発明の第２のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上にリフロー半田付けを行った状態を示す側面図である。
【００２５】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、図１乃至図３に示すように、断面円形のケーブル本体２の中心部に配設されている中心導体３の両端部が露出していると共に、ケーブル本体２の両端部がそれぞれ非円形状に押し潰されて非円形部６が形成されているものである。
【００２６】
本発明を構成するセミリジッド同軸ケーブル１のケーブル本体２は、特に限定されるものではなく、一般的に知られているセミリジッド同軸ケーブルが用いられる。すなわち、ケーブル本体２は、中心導体（内部導体）３の外周に絶縁体４と外部導体５とを順次同軸上に積層した構造のケーブルである。
【００２７】
中心導体３は、セミリジッド同軸ケーブルの中心導体（内部導体）として用いられているものであれば特に限定されず、例えば、外径０．１５〜０．２０ｍｍの銀めっき銅覆鋼線等が用いられる。
【００２８】
絶縁体４は、リフロー炉における加熱に耐え得る絶縁材料、例えば低誘電率の絶縁体樹脂（ＰＴＦＥ（ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）などのフッ素樹脂等）等により形成されていることが好ましい。絶縁体４の厚さ（層厚）は、セミリジッド同軸ケーブルの絶縁体として機能できるならば特に限定されず、例えば、０．１〜０．３ｍｍである。絶縁体４は、例えば、低誘電率の絶縁体樹脂を押出し被覆したり、低誘電率の樹脂の絶縁体テープを巻回したり等して形成される。具体的には例えば、中心導体３の外周にＰＴＦＥをペースト押出し、これを焼結して厚さ０．２０ｍｍの多孔質低誘電率の絶縁体が形成される。また、厚さ６０μｍ、幅４ｍｍのＰＴＦＥテープを中心導体の外周に２／３ラップで重ね巻きし、厚さ０．２ｍｍの多孔質の絶縁体を形成することができる。
【００２９】
外部導体５は、導電性の材料例えば銅等の金属により形成されるものである。外部導体５は、例えば、絶縁体４の外周に無電解ニッケル−燐（Ｎｉ−Ｐ）めっき液を用いて無電解めっきを行い、絶縁体４表面にＮｉ−Ｐを析出させ、無電解めっき金属層を設ける。この無電解めっき金属層上に光沢硫酸銅めっき液を用いて電気めっき銅層を設けることにより、無電解めっき金属層と電気めっき銅層とからなる厚さ約６０μｍの外部導体が形成される。
【００３０】
なお、外部導体５上には、外部絶縁体やその他の被覆層を設けるようにしてもよい。例えば、外部絶縁体は、外部導体５の外周にリフロー炉における加熱に耐え得る絶縁材料を押出し被覆して形成されることが好ましい。
【００３１】
ケーブル本体２の両端部は、外部導体５より絶縁体４が延出し、さらにこの絶縁体４より中心導体３が延出されている。つまり、ケーブル本体２は、絶縁体４の両端部及び中心導体３の両端部が露出したものであり、例えば、セミリジッド同軸ケーブルの両端部を段差剥きに加工して絶縁体４及び中心導体３を露出させることができる。このケーブル本体２の両端部は、ほぼ同じ非円形状又はほぼ同じ非円形状及び同じ方向にそれぞれ押し潰されて非円形部６が形成されている。
【００３２】
非円形部６は、露出している絶縁体４の両端部に形成するようにしてもよいが、好ましくは露出している外部導体５の両端部に形成することがよい。
【００３３】
非円形部６の形状は、ケーブル本体２を押し潰してなる非円形状であれば特に限定されないが、好ましくは、ケーブル本体２の径方向に沿って延在する第１線Ａに線対称であり、その第１線Ａと直交すると共にケーブル本体２の径方向にも沿って延在する第２線Ｂにも線対称であり、かつ、第１線Ａに沿った第１幅ａと第２線Ｂに沿った第２幅ｂとの寸法が異なる非円形状であることがよい。
【００３４】
つまり、非円形部６は、例えば、第１線Ａが押し潰し方向とほぼ直交する方向に沿って延在し、第２線が押し潰し方向に沿って延在し、かつ、第１幅ａが第２幅ｂより長い寸法の非円形状に形成されることが好ましく、具体的には例えば、図示するようにほぼ楕円状や扁平状に形成されていることが特に好ましい。
【００３５】
また、非円形部６は、ケーブル本体２を押し潰して変形させて形成されるが、その変形は、外部導体５及び絶縁体４の材質によって一概に言えないが、主に外部導体５が変形することによって行われるようにすることが好ましい。すなわち、外部導体５が主に変形して絶縁体４の変形が少ない非円形部６が形成されるように、絶縁体４及び外部導体５の材質を決めることが好ましい。
【００３６】
非円形部６の長さ（長手方向の長さ）は、特に限定されないが、外部導体５の端部から１０ｍｍ以下の寸法であって、外部導体５をプリント基板１０の半田付けランド１２に電気的に接続する場合、多くは外部導体５の両端部であるため、対応する半田付けランド１２の幅以上の寸法であることが好ましい。
【００３７】
非円形部６の厚さ（第２幅ｂ）は、ケーブル本体２をプリント基板１０上に搭載したとき、対向するプリント基板１０の半田付けランド１２との間隔が、好ましくは０．２ｍｍ以下、特に好ましくは０．１ｍｍ以下となる寸法に形成することが好ましい。
【００３８】
非円形部６は、どのような手段により形成してもよいが、プレス加工により形成することが好ましい。
【００３９】
また、非円形部６は、非円形状に形成されるが、図２に示すように、第１幅と第２幅とのうち寸法が短い幅（図示例では第２幅）方向に沿って曲って形成されていることが好ましい。
【００４０】
非円形部６の曲がりは、どのように形成してもよく、図示するように屈曲させたり、湾曲させたりして形成するようにしてもよく、この場合も例えばプレス加工により非円形部６を形成するようにしてもよい。
【００４１】
また、非円形部６は、ケーブル本体２をプリント基板１０上に搭載したとき、露出している中心導体３とプリント基板１０の半田付けランド１１との間隔が、好ましくは０．２ｍｍ以下、特に好ましくは０．１ｍｍ以下、最も好ましくは中心導体と半田付けランドとが接する寸法になるように形成されていることがよい。
【００４２】
次に、このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１をプリント基板１０に搭載させてリフロー半田付けを行う場合について説明する。
【００４３】
プリント基板１０の半田付けランド１１，１２上には、印刷やディスペンサーなどの半田供給器等により厚さ０．１〜０．２ｍｍ例えば０．２ｍｍの半田ペーストが半田付けランド１１，１２の面積に対応して塗布されている。
【００４４】
このプリント基板１０にセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を搭載する。この搭載は、図３に示すように、ケーブル本体２の両端部の非円形部６（露出している外部導体の両端部）がそれぞれ任意の半田付けランド１２と対向すると共に、中心導体３の露出している両端部がそれぞれ任意の半田付けランド１１と対向するように行う。また、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１（ケーブル本体２）を、第２幅ｂ方向に延在する一方の周面（非円形部が曲がって形成されている場合には曲がり方向前方に沿って延在する方の周面）が下になるように、つまり、プリント基板１０の表面に接するように搭載する。これにより、ケーブル本体２をプリント基板１０上に転がり難く搭載することができる。
【００４５】
すなわち、搭載時、非円形部６が半田付けランドに接触していれば、ケーブル本体が簡単に転がることがない。
【００４６】
また、ケーブル本体２を例えば平板の表面上に載置したとき、両端部が非円形状に押し潰されている（非円形部６が形成されている）と、ケーブル本体２に外力が作用していない状態（自然のままの状態）では、ほぼ特定の周面を下にした静止状態になる。この特定の周面が前記一方の周面（非円形部６が曲がって形成されている場合には曲がり方向前方に沿った方の周面）である。このとき、ケーブル本体２は、その第１線Ａが水平方向と平行又はほぼ平行となっているため、非円形部６は、中央部から水平方向両端部（第１線Ａ上の両端部）までの重量がほぼ同じであるので、その周方向に沿って転がり難くなっている。例えば、ケーブル本体２が、特定の周面が下になって搭載されずに、第１線Ａが水平方向と平行又はほぼ平行になっていないと、非円形部６の中央部から水平方向両端部までの重量が異なるため、重量が重いほうが下に軽いほうが上に行こうとして回動する。そして、両方の重量がほぼ同じになると、回動がとまる。この状態が前記特定の周面が下になった静止状態で、第１線Ａが水平方向と平行又はほぼ平行になっている状態である。
【００４７】
よって、ケーブル本体２をプリント基板１０上に転がり難く搭載することができる。
【００４８】
このとき、非円形部６が曲がって形成されていると、ケーブル本体２は、一方の周面を下にした静止状態を保持する力が増えるので、一層ケーブル本体２をプリント基板１０上に転がり難く搭載することができる。
【００４９】
次にこのプリント基板（実装すべき電子部品等を所定の位置に搭載したプリント基板）１０をリフロー炉を用いて加熱する。半田付けランド１１，１２上の半田ペーストが溶融（リフロー）し、冷却後、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１が所定の半田付けランド１１，１２上に半田付けされる。なお、図３中、１３は半田を示す。
【００５０】
このとき、中心導体３と半田付けランド１１との間隔が０．２ｍｍ以下であると、中心導体３が半田ペーストと接触するので、一層確実に半田接続を行えることになる。
【００５１】
したがって、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１は、ストレート品（直線状）であってもプリント基板１０上に転がり難く実装することができるので、自動実装及びリフロー半田付け（リフロー実装）を行えるものである。このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を、例えば小型電子部品の高周波伝送路としてプリント基板１０にリフロー半田付けにより実装できる。すなわち、他の電子部品等と一括して半田付けできるので、プリント基板１０の生産性が向上すると共にコストダウンにもつながり、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１は、工業的価値が高いものである。
【００５２】
また、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１は、ケーブル本体２の両端部にそれぞれ非円形部６を形成したので、電気特性を損なうことなく転がり難いものである。すなわち、ケーブル本体全体を非円形部として形成すればそれだけ転がり難くなるが、しかし絶縁体も多少なりとも変形してしまうので、電気特性が悪くなることがある。また、ケーブル本体の一部に非円形部を形成すれば、電気特性が損なわれることがないが、例えば、ケーブル本体の中央部の一部に非円形部を形成しても、ケーブル本体は転がりやすい。このため、ケーブル本体２の両端部にそれぞれ非円形部６を形成することにより、ケーブル本体２は転がり難くなると共に、電気特性も損なわれることがない。
【００５３】
また、非円形部６が楕円状又は扁平状に形成されていると、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１が転がり難い状態か転がりやすい状態かを容易に把握することができる。
【００５４】
（セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法）
次に、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法について説明する。本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法は、上述した構成からなるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法であって、その特徴は、ケーブル本体２の両端部（露出している外部導体５の両端部）を曲げプレス加工により押し潰すと共に曲げて非円形部６を形成するプレス工程である。なお、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を製造するためのその他の製造工程、セミリジッド同軸ケーブル（ケーブル本体）、絶縁体及び中心導体の露出等の形成工程については従来公知の方法と同様である。
【００５５】
プレス工程において、プレスを行う金型はどのようなものでもよく、例えば、図４に示すように、一対の上型２０と下型２１とからなるもの等が挙げられる。また、プレスを行うプレス機械（図示せず）は、特に限定されず、例えば、クランクプレス、リンクモーションプレス、カムプレス、ねじプレス、油圧プレス、空圧プレス、フットプレス、ハンドプレス等が挙げられる。
【００５６】
プレスを行う場合には、例えば、図示するように、下型２１上に絶縁体４及び中心導体３が露出しているセミリジッド同軸ケーブル（ケーブル本体２）を所定の位置に載置し、これに上型２０を嵌合させてプレスする。これにより、ケーブル本体２の両端部（露出している外部導体５の両端部）がほぼ楕円状に押し潰されると共に、ケーブル本体２をプリント基板１０上に載置したときに中心導体３とプリント基板１０（半田付けランド１１）との間隔が０．２ｍｍ以下になるように嵌合方向（押し潰し方向）前方に屈曲されて、非円形部６が形成される。
【００５７】
以上のように、本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法は、汎用されているプレス加工により非円形部６を形成することができるので、自動実装及びリフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリ１を生産性よく、安価に、しかも精度よく製造することができる。
【００５８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により、本発明をさらに詳しく説明する。
【００５９】
（実施例）
まず、外径（φ）０．１６ｍｍの中心導体、外径（φ）０．５ｍｍの絶縁体及び、外径（φ）０．６２ｍｍの外部導体を有するセミリジッド同軸ケーブルを長さ５０ｍｍで切断する。この切断したセミリジッド同軸ケーブルの両端部を段差剥きに加工して絶縁体及び中心導体を露出させる。
【００６０】
このセミリジッド同軸ケーブルをプレス機を用いてプレス曲げ潰し加工して非円形部を形成してセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを製造した。この加工により形成された非円形部は、セミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上に搭載したとき、そのプリント基板の半田付けランドとの間隔が０．１ｍｍのものである。
【００６１】
次に、プリント基板に半田付けランド上に従来と同量の１５０μｍの厚さで半田ペーストを印刷・塗布した。このプリント基板の所定の位置に部品実装機を用いて得られたセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを、非円形部の曲がり方向前方に沿って延在する周面が下になるように（中心導体の先端部と半田付けランドとが対向するように）搭載した。なお、部品実装機を用いて他の電子部品もプリント基板の所定の位置に搭載した。
【００６２】
このセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを搭載したプリント基板をリフロー炉を用いて加熱して半田ペーストを溶融させた。この加熱は、例えば、約１５０℃で６０秒の予備加熱をした後、約２３０℃以上の本加熱（ピーク温度が約２５０℃である本加熱）を３０秒間行ったものである。なお、全体の加熱時間は１２０〜１８０秒である。加熱後、プリント基板を冷却して半田を固化させて、半田付けを行った。
【００６３】
この半田付けを行ったプリント基板上のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリは、搭載した所定の位置からずれることなく半田付けされていた。また、中心導体の両端部は、半田フィレットが形成されて、従来の半田量でも半田付けランドと良好な半田接続が行われていた。また他の電子部品も良好な半田付けが行われていた。
【００６４】
（比較例１）
上述の実施例におけるプレス機による非円形部の形成を行わないで、両端部を段差剥きに加工しただけの複数のセミリジッド同軸ケーブルをそのまま図５に示すようにプリント基板上の所定の位置にそれぞれ載置した以外は実施例と同様の条件で、リフロー、冷却を行い半田付けを行った。
【００６５】
この半田付けを行ったプリント基板上の他の電子部品は良好な半田接続が行われていたが、セミリジッド同軸ケーブルは、搭載した所定の位置からずれて半田付けが行われないものと、所定の位置でずれずに半田付けが行われているものがあった。この半田付けが行われていたセミリジッド同軸ケーブルの両端部の中心導体は、図６の右側部分に示すように、半田接続が不十分であった（オープン不良）。
【００６６】
（比較例２）
上述の実施例におけるプレス機による非円形部の形成を行わないで、両端部を段差剥きに加工しただけの複数のセミリジッド同軸ケーブルをそのままプリント基板上の所定の位置にそれぞれ載置すると共に、半田付けランド上に２５０μｍの厚さで半田ペーストを印刷・塗布した以外は実施例と同様の条件で、リフロー、冷却を行い半田付けを行った。
【００６７】
この半田付けを行ったプリント基板上のセミリジッド同軸ケーブルは、搭載した所定の位置からずれて半田付けが行われないものと、所定の位置でずれずに半田付けが行われているものがあった。この半田付けが行われていたセミリジッド同軸ケーブルの両端部の中心導体は、図６の左側部分に示すように、半田接続されていたが、その周辺部に半田ボールが飛散していた。また、他の電子部品の半田接続部分は半田量過多となり半田ボールの飛散と部品間が半田によって短絡してしまっている箇所が多数発生した（ショート不良、半田ボール不良）。
【００６８】
【発明の効果】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリによれば、ケーブル本体の両端部を、それぞれ非円形状に押し潰して非円形部を形成したので、自動実装及びリフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリが得られた。
【００６９】
本発明のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの製造方法によれば、非円形部をプレス加工に形成するので、自動実装及びリフロー半田付けを行えるセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを生産性よく、安価に、しかも精度よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを示す図であり、その（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。
【図２】本発明の第２のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリを示す図であり、その（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。
【図３】本発明の第２のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上にリフロー半田付けを行った状態を示す側面図である。
【図４】本発明の第２のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプレス加工により製造する一例を示す図であり、その（ａ）は側面図、（ｂ）はプレス加工する前のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリの状態を示す正面図である。
【図５】従来のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上に搭載する状態を示す側面図である。
【図６】従来のセミリジッド同軸ケーブルアセンブリをプリント基板上にリフロー半田付けを行った状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１    セミリジッド同軸ケーブルアセンブリ
２    ケーブル本体
３    中心導体
４    絶縁体
５    外部導体
６    非円形部
１０  プリント基板
１１  半田付けランド
１２  半田付けランド
１３  半田
２０  上型
２１  下型
【図１】
2004355831.tif 000003
【図２】
2004355831.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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