(57)【要約】【課題】小型化しても電気的特性劣化がなく、ＬＣ回路を構成するコンデンサ、インダクタの実装性を向上し、電気的接続の信頼性を高めた非可逆回路素子を提供する。【解決手段】フェリ磁性体に複数の中心導体を配した組立体と、中心導体の一端とグランド間に配置した複数の第１のコンデンサと、中心導体と入力端子及び／又は出力端子間に配置したＬＣ回路を構成する表面実装型インダクタ及び第２のコンデンサと、フェリ磁性体に直流磁界を与える永久磁石と、入力端子と出力端子を形成した樹脂ケースを備えたことを特徴とする。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェリ磁性体に複数の中心導体が配された組立体と、前記中心導体の一端とグランド間に配置される複数の第１のコンデンサと、前記中心導体と入力端子及び／又は出力端子間に配置されるＬＣ回路を構成する表面実装型インダクタ及び第２のコンデンサと、前記フェリ磁性体に直流磁界を与える永久磁石と、前記入力端子と前記出力端子が形成された樹脂ケースを備えた非可逆回路素子であって、
前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサとは板状の誘電体基板の主面に電極を形成してなる平板コンデンサであり、
前記表面実装型インダクタは巻線部と該巻線部の両端部に設けられた二つの鍔状脚部と、前記巻線部に巻回される巻線と、前記鍔状脚部の下面側に設けられ前記巻線の終端部が接続される端子電極を備え、
前記表面実装型インダクタにより前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサを電気的に接続することを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサの主面と、前記表面実装型インダクタの端子電極を電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
樹脂ケースには熱可塑性樹脂を壁として第１のコンデンサと第２のコンデンサを収容する凹部が形成され、前記第１のコンデンサと第２のコンデンサとの間に形成された仕切壁は、前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサの主面よりも低い高さに形成されていることを特徴とする請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記仕切壁と連続する凹部壁の一部を切欠いた部分を含み、前記第１のコンデンサ及び第２のコンデンサを収容するそれぞれの凹部の一部と重なる領域に表面実装型インダクタを配置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記第１コンデンサ及び第２のコンデンサを一つの誘電体基板の主面に電極を形成してなる平板コンデンサとすることを特徴とする請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
表面実装型インダクタの自己共振周波数が非可逆回路素子の動作周波数よりも高く、かつ２５０ＭＨｚにおけるＱ値が２７以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
表面実装型インダクタの磁心は、Ａｌを主成分とし、副成分としてＭｎを必須としＣｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｒの群から選ばれる少なくとも一つを有する非磁性のセラミック材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
表面実装型インダクタの磁心は、Ａｌを主成分とし、副成分としてＳｉを必須としＣａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｐの群から選ばれる少なくとも一つを有する非磁性のセラミック材料からなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波信号に対して非可逆伝送特性を有する非可逆回路素子と、これに用いる樹脂ケースに関し、具体的には携帯電話などの移動体通信システムの中で使用され、一般にアイソレータやサーキュレータと呼ばれる非可逆回路素子及び樹脂ケースに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロ波帯、ＵＨＦ帯で使用される携帯電話、自動車電話等の送受信回路部品の一つとしてアイソレータ，サーキュレータ等の非可逆回路素子がある。一般にアイソレータやサーキュレータは、アンプの破損を防止する目的で使用され、信号の伝送方向の挿入損失は小さく、かつ逆方向への逆方向損失は大きくなるような機能を持たせたものである。以下、本明細書では特開平１１−３０８０１３号に開示された非可逆回路素子のうちアイソレータを例にとって説明する。
【０００３】
図９に従来のアイソレータの一例を分解斜視図で示す。このアイソレータは、磁気ヨークとして機能する金属ケース（上ケース１、下ケース１２）、永久磁石２、組立体２０、平板コンデンサ（第１のコンデンサ）８、９、１０、ダミー抵抗１１、樹脂ケース７から構成されている。
前記組立体２０は、円板状のシールド板から放射状に３つの中心導体４、５、６が突出した構造の導体薄板を用意し、その導体薄板の円板状部にガーネットフェライト（フェリ磁性体）３を配置して、前記３つの中心導体４、５、６を折り曲げて重ねて一体に構成される。このとき、各中心導体４、５、６は絶縁されて重ねられる。
【０００４】
前記樹脂ケース７は、中央に、組立体２０用の円形状の凹部１３ａを有し、その周囲に平板コンデンサ用の凹部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄを有する。この平板コンデンサ用の凹部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの底部及び組立体２０用の凹部１３ａには、接続電極１４ａが形成されている。そして、この接続電極１４ａは、一体の０．１ｍｍ程度の前記導体薄板で構成されており、樹脂ケースの側面部まで延出され、外部端子１５ａ〜１５ｆを構成している。この外部端子１５ｄ〜１５ｆは、外部端子１５ａ〜１５ｃの対向面に対称に形成されている。また、樹脂ケースには前記中心導体が接続される端子電極部１６ａ、１６ｄが形成されている。この端子電極部１６ａ、１６ｄは側面の外部端子１５ａ、１５ｄに導通するように形成されている。これら外部端子及び接続する端子電極部や接続電極は、同一の導体薄板から形成される。
【０００５】
この樹脂ケース７の凹部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄにはそれぞれ平板コンデンサ８、９、１０が収容配置される。この平板コンデンサは、平板状の誘電体基板の上下面に電極を形成して構成されており、その下面の電極と、前記凹部の底部に形成された接続電極１４ａとが半田接続される。凹部１３ｄには平板コンデンサ１０とともにダミー抵抗１１が配置され、このダミー抵抗１１の一方の電極を接続電極１４ａに半田接続し、他方は中心導体６と接続する。
【０００６】
次いで、樹脂ケース７の凹部１３ａに、上記した組立体２０を配置する。このとき、中心導体部分の円板状のシールド板は、接続電極１４ａと半田接続される。これにより、中心導体の一端はアース接続される。中心導体４の一端は、平板コンデンサ８の上面の電極
と接続され、中心導体５の一端は、平板コンデンサ９の上面の電極と端子電極部１６ｄに接続される。そして端子電極部１６ａ上にはコンデンサが接続され、図１２の平面図に示すように平板コンデンサ（第２のコンデンサ）３０と前記中心導体４とにチップインダクタ３１を接続してＬＣ回路を構成している。中心導体５の一端は、平板コンデンサ９の上面の電極と端子電極部１６ｄに接続される。
【０００７】
そして、下ケース１２上に樹脂ケース７が配置される。下ケース１２は、樹脂ケース７の底部の凹部２１に合致する構造となっている。この凹部２１では、接続電極１４ａが露出し下ケース１２とはんだ接続されて、樹脂ケース７と下ケース１２が一体化される。そして、ガーネットフェライト３に直流磁界を印加する永久磁石２を上ケース１に位置決めし、上ケース１と下ケース１２を嵌合させて、面実装可能なアイソレータを構成している。尚、上記抵抗を無くし、他の中心導体と同様に端子電極部を設けて構成すればサーキュレータとなる。また、上記コンデンサ、端子電極部と中心導体端部との接続は、例えば半田付けやスポット溶接により行われる。このように構成して図１１に示す等価回路のアイソレータとしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような非可逆回路素子は用いられる通信システム（例えばＷ−ＣＤＭＡ、ＰＤＣ、ＰＣＳ等）の周波数帯の拡張に対応するため広帯域をカバーする性能が要求される。また、移動体通信の分野では、小型高性能化と低価格化の要求は高まるばかりで、いまや数百μｍ単位での小型化とコンマ数ｄＢ単位での高性能化と更なる廉価化が課題とされるに至っている。
前記のような従来の非可逆回路素子をさらに小型化する場合、平板コンデンサ８，９，１０や、ガーネットフェライト３の寸法を小さくするのはもとより、端子電極部１６ａと接続してＬＣ回路を構成するコンデンサ３０、インダクタ３１も小型のものを使用して構成する必要があった。コンデンサやインダクタを小型にしていくとＱ値が劣化し、非可逆回路素子の挿入損失が大きくなるといった問題や、コンデンサ３０とインダクタ３１との接続方法を十分に考慮しないと接続状態が悪くなったり、ツームストーン現象により素子立ちが生じ、非可逆回路素子として機能しないといった問題があった。
そこで本発明はＬＣ回路を内蔵する非可逆回路素子において、小型化しても電気的特性劣化がなく、前記ＬＣ回路を構成するコンデンサ、インダクタの実装性を向上し、電気的接続の信頼性を高めた非可逆回路素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、フェリ磁性体に複数の中心導体が配された組立体と、前記中心導体の一端とグランド間に配置される複数の第１のコンデンサと、前記中心導体と入力端子及び／又は出力端子間に配置されるＬＣ回路を構成する表面実装型インダクタ及び第２のコンデンサと、前記フェリ磁性体に直流磁界を与える永久磁石と、前記入力端子と前記出力端子が形成された樹脂ケースを備えた非可逆回路素子であって、
前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサとは板状の誘電体基板の主面に電極を形成してなる平板コンデンサであり、
前記表面実装型インダクタが線部と該巻線部の両端部に設けられた二つの鍔状脚部と、前記巻線部に巻回される巻線と、前記鍔状脚部の下面側に設けられ前記巻線の終端部が接続される端子電極を備え、
前記表面実装型インダクタにより前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサを電気的に接続する非可逆回路素子である。
【００１０】
本発明において、ＬＣ回路を構成する第２のコンデンサと表面実装型インダクタの接続を、第１のコンデンサと第２のコンデンサの主面に前記表面実装型インダクタの端子電極を電気的に接続して行うのが好ましい。樹脂ケースには熱可塑性樹脂を壁として第１のコンデンサと第２のコンデンサを収容する凹部が形成されており、前記第１のコンデンサと第２のコンデンサとの間に形成された仕切壁は、前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサの主面よりも低い高さに形成するのが好ましい。
そして、前記仕切壁と連続する凹部壁の一部を切欠いた部分を含み、面実装型インダクタを前記第１のコンデンサ及び第２のコンデンサを収容するそれぞれの凹部の一部と重なる領域に配置するのが好ましい。
本発明においては、前記第１コンデンサ及び第２のコンデンサを一つの誘電体基板の主面に電極を形成してなる平板コンデンサとして構成することも出来る。
【００１１】
また本発明においては、表面実装型インダクタの自己共振周波数は非可逆回路素子の動作周波数よりも高く、かつ２５０ＭＨｚにおけるＱが２７以上とするのが好ましい。この表面実装型インダクタの磁心は、Ａｌを主成分とし、副成分としてＭｎを必須としＣｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｒの群から選ばれる少なくとも一つを有する非磁性のセラミック材料やＡｌを主成分とし、副成分としてＳｉを必須としＣａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｐの群から選ばれる少なくとも一つを有する非磁性のセラミック材料で構成するのも好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の非可逆回路素子用樹脂ケースとこれを用いた非可逆回路素子について、図をもとに以下詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例に掛かる非可逆回路素子の樹脂ケースの平面図であり、図２は中心導体を構成する導体薄板の平面図であり、図３（ａ）はＡ指示部の拡大図であり、図３（ｂ）は部品を実装した状態を示す拡大図であり、図４は図３（ｂ）に開示した非可逆回路素子用樹脂ケースのＡ−Ａ‘断面図であり、図５は本発明の非可逆回路素子の一例を示す分解斜視図である。
【００１３】
図１及び図４に示すように、この樹脂ケース７には第１のコンデンサである平板コンデンサ８、９、１０が収容配置される凹部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄと、ＬＣ回路を構成する第２のコンデンサである平板コンデンサ３０が収容配置される凹部１３ｆと、平板コンデンサ１０と並列接続されるダミー抵抗１１が配置される凹部１３ｅと、前記凹部の壁の一部を表面実装型インダクタ３１の連接する２側面を支持するように切りかいた切欠き部１８が形成されている。
樹脂ケース７は、例えば０．１ｍｍ程度のＣｕの導体薄板と液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイド等の高耐熱の熱可塑性エンジニアリングプラスチックを一体化してなるものである。前記Ｃｕの導体薄板や前記磁気ヨークには、その表面に銀、銅、金、アルミニウムのうち少なくとも一つを含む金属または合金で電気抵抗率が５．５μΩｃｍ以下、好ましくは３．０μΩｃｍ更に好ましくは１．８μΩｃｍ以下である導電性の高い金属皮膜を形成し、これにより、マイクロ波信号の伝送効率を高め、外部との相互干渉を抑制して損失を低減している。このときの皮膜厚さは０．５〜２５μｍ、好ましくは０．５〜１０μｍ、更に好ましくは１〜８μｍである。そして、前記導体薄板や金属磁性材をフープ状とし、これを金型内に配置して前記熱可塑性エンジニアリングプラスチックを用いて射出成形して形成される。平板コンデンサを収容するための３つの凹部１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの底部は、組立体２０が収容される凹部１３ａの底部の導体薄板が露出した共通の接続電極１４ａとつながり、前記平板コンデンサ８，９，１０が一面状に配置され、平板コンデンサの下面の電極と凹部の底部に形成された接続電極１４ａと半田接続される。前記平板コンデンサ３０が収容される凹部１３ｆの底部は、導体薄板が露出して入力端子を形成する端子電極部１６ａとなっている。
【００１４】
組立体２０は、例えば図２に示すように、円板状のシールド板から放射状に３つの中心導体４、５、６が突出した構造の導体薄板を用意し、その導体薄板の円板状部にガーネットフェライト３を配置して、前記３つの中心導体４、５、６を折り曲げて重ねて一体に構成される。そして中心導体４、５の一端は、平板コンデンサ８、９の上面の電極に接続され、中心導体５の一端は、平板コンデンサ１０の上面の電極とダミー抵抗１１と接続される。そして中心導体４は屈曲形成されており、表面実装型インダクタ３１と干渉しないように構成されている。
【００１５】
図３（ａ）（ｂ）に樹脂ケースのＬＣ回路を配置する部分の拡大図を示す。前記凹部１７には、ＬＣ回路を構成する平板コンデンサ３０が配置され、平板コンデンサ３０の一方の電極が端子電極部１６ａにはんだ接続される。そして平板コンデンサ３０と平板コンデンサ８を電気的に接続するように表面実装型インダクタ３１が配置される。平板コンデンサが収容される凹部間の仕切壁５０を平板コンデンサの前記電極面よりも突出しないように形成している。そして、前記平板コンデンサのそれぞれの電極面をそれぞれ実質的に等しい高さとしているので前記表面実装型インダクタ３１は組立時に傾むいたりせずに安定して配置される。また、前記凹部１３ｂの壁の一部を切りかいた切欠き部１８により表面実装型インダクタ３１の連接する２側面を支持するようにし、凹部１３ｆの樹脂壁により他の２側面を支持するようにしているので、表面実装型インダクタ３１がずれたり、素子立ちをすることがなく、電気的接続を信頼性良く行うことが出来る。
【００１６】
図４は平板コンデンサ８、平板コンデンサ３０、表面実装型インダクタ３１を実装した状態のＡ−Ａ’断面図である。表面実装型インダクタ３１は平板コンデンサ８、平板コンデンサ３０の主面に実装されはんだ付けされる。表面実装型インダクタの巻線部は端子電極に対して凹状となっており、はんだが表面実装型インダクタの下面側に回り込むことがない。このため平板コンデンサ８、平板コンデンサ３０をショートするようなはんだブリッジが発生せず、ツームストーン現象も発生しにくく、電気的接続を信頼性良く行うことが出来る。また、中心導体４を屈曲形成して、表面実装型インダクタ３１と干渉しないように構成しているので、はんだ付けの際に表面実装型インダクタに外力を加えて保持する必要なく、非可逆回路素子の構成を簡単に出来る。
【００１７】
図５に示すようにガーネットフェライトを略円板状とし、その一部を中心軸に平行に切断した形状としている。このように構成することで、終端抵抗と接続する中心導体の直流磁界印加方向にガーネットフェライトと重複する部分の長さを他の中心導体よりも短く構成して、電気的特性の一つであるアイソレーション特性を改善するとともに、組立体２０の中心を樹脂ケースの中心近傍とすることで、ＬＣ回路を構成する平板コンデンサ３０を配置する凹部１３ｆを平面的に広くなるように構成した。このため、平板コンデンサ３０のコンデンサ電極面積を広くすることが出来、コンデンサのＱ値を劣化させることなく構成でき、また誘電体基板を適度な厚みをもって構成できるので、その取り扱いが容易である。
【００１８】
図６に表面実装型インダクタ３１の外観斜視図を、図７にその側面図を示す。この表面実装型インダクタ３１は１００５サイズであり、磁心２の巻線部１０１と該巻線部の両端部に設けられた二つの鍔状脚部１０２ａ、１０２ｂと、前記巻線部に巻回される巻線１０３と、前記鍔状脚部の下面側に設けられ前記巻線の終端部１０４ａ、１０４ｂが接続される端子電極１０５ａ、１０５ｂを備える。
磁心２を構成する材料は、アルミナを主成分とする非磁性のセラミック材料が用いられる。例えばＡｌを主成分とし、副成分としてＭｎを必須としＣｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｒの群から選ばれる少なくとも一つを有する非磁性のセラミック材料や、Ａｌを主成分とし、副成分としてＳｉを必須としＣａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｐの群から選ばれる少なくとも一つを有する非磁性のセラミック材料である。具体的には、酸化物換算でＡｌ：８９〜９５ｗｔ％、Ｍｎ：２〜４ｗｔ％、残部がＣｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｒの群から選ばれる少なくとも一つであり、また、酸化物換算でＡｌ：８５〜８８ｗｔ％、Ｓｉ：８〜１０ｗｔ％、残部がＣａ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｐの群から選ばれる少なくとも一つのセラミック材料である。
【００１９】
端子電極１０５ａ、１０５ｂはＡｇ、Ｃｕ等の下地電極にＮｉを下地としＳｎ，Ａｇ，Ｃｕ等の合金めっきが施されている。巻線部に巻回される巻線１０３は、線径が数十μｍの導線を用い、その終端部は端子電極１０５ａ、１０５ｂに接続され、巻回される巻線１０３による磁界は、永久磁石２の直流磁界に対して、略直交するようになる。このように構成することで、表面実装型インダクタの自己共振周波数が非可逆回路素子の動作周波数よりも高く、かつ２５０ＭＨｚにおけるＱ値が２７以上の高Ｑ値を得ることができ、もって非可逆回路素子の電気的特性を損ねることがない。
【００２０】
非可逆回路素子用樹脂ケース７の外壁部５１は前記熱可塑性樹脂で形成され、この外壁部５１は中心導体の一端が接続される前記平板コンデンサの電極面よりも高く形成される。そしてその外壁部の対向する２側面に前記導体薄板からなる外部端子１５ａ〜１５ｆを備えるように構成している。
この外部端子は、前記Ｃｕの導体薄板で形成され、この導体薄板と前記熱可塑性樹脂とを射出成形後、フープ状になした導体薄板のリード部（図示せず）を金型で切断、折り曲げ加工して、前記外部端子として形成した。前記外部端子の内、外部端子１５ｂ，１５ｃ，１５ｅ，１５ｆは、前記接続電極１４ａと接続している。
【００２１】
このような樹脂ケースを用いて８００ＭＨｚ対応（ＰＤＣ　周波数８４３ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）の４ｍｍ角アイソレータを作製した。このアイソレータは、従来のアイソレータと同じく磁気ヨークとして機能する金属ケース（上ケース１、下ケース１２）、永久磁石２、組立体２０、平板コンデンサ８、９、１０、ダミー抵抗１１、樹脂ケース７から構成され、その等価回路は図９に示す従来のものと同様である。中心導体４，５，６が巻回された前記ガーネットフェライト部分でインダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成し、平板コンデンサ８，９，１０でコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。前記コンデンサＣ３に並列接続するダミー抵抗１１（Ｒｔ）を配置し、前記インダクタンスＬ１，Ｌ２，Ｌ３、コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を調整して所望の周波数ｆ０（中心周波数）で動作するアイソレータを構成した。
図８に本発明の一実施例に係るアイソレータと比較例のアイソレータの入力ポートＰ１（外部端子１５ａが対応）―出力ポートＰ２（外部端子１５ｄが対応）間での挿入損失特性の周波数特性を示す。比較例のアイソレータは表面実装型インダクタを１００５タイプの積層型インダクタとしたものであり、他の構成は実施例のものと同一なのでその説明を省く。
本発明のアイソレータでは、その挿入損失のピーク値が０．１５ｄＢ以下であり、通過帯域においても０．２ｄＢ以下であった。一方、比較例のものは、挿入損失のピーク値が０．３５ｄＢ程度であり、通過帯域においても０．４ｄＢ程度であり、本発明のアイソレータと比べ、電気的特性に劣るものであった。
【００２２】
上記実施例においては、第１のコンデンサと第２のコンデンサとをそれぞれ異なる有電体基板で構成したが、図９に示すように一つの誘電体基板の主面に前記第１のコンデンサと第２のコンデンサの電極を形成した平板コンデンサとして構成してもよい。この場合には、第１のコンデンサと第２のコンデンサを仕切る仕切壁は必要としない。表面実装型インダクタは、前記平板コンデンサの電極に接続されるが、予め平板コンデンサと表面実装型インダクタとをはんだ付けして、これを樹脂ケースに実装するのが組み立てを簡略化できて好ましい。平板コンデンサと表面実装型インダクタとをはんだ付けするはんだは、他の部位をはんだ付けするはんだよりも高い温度ではんだ付けされるものを用いれば、表面実装型インダクタの固定を別途行わなくてすむのでより好ましい。
本発明に非可逆回路素子に用いられるはんだはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等のＰｂフリーはんだを用いるのがより好ましい。
【００２３】
【発明の効果】
本発明によれば、従来のＬＣ回路を内蔵する非可逆回路素子が抱えていた、いくつかの問題を解消し、すなわち小型化しても電気的特性劣化がなく、前記ＬＣ回路を構成するコンデンサ、インダクタの実装性を向上し、電気的接続の信頼性を高めた非可逆回路素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に掛かる非可逆回路素子の樹脂ケースの平面図である。
【図２】中心導体を構成する導体薄板の平面図である。
【図３】（ａ）本発明の一実施例に掛かる非可逆回路素子の樹脂ケースＡ指示部の拡大図であり、（ｂ）は部品を実装した状態を示す拡大図である。
【図４】図３（ｂ）に開示した非可逆回路素子用樹脂ケースのＡ−Ａ‘断面図である。
【図５】本発明の非可逆回路素子の一例を示す分解斜視図である。
【図６】本発明の非可逆回路素子に用いる表面実装型インダクタの外観斜視図である。
【図７】本発明の非可逆回路素子に用いる表面実装型インダクタの正面図である。
【図８】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子と従来の非可逆回路素子の挿入損失の周波数特性図である。
【図９】本発明の一実施例に係る非可逆回路素子に用いる平板コンデンサの他の例を示す斜視図である。
【図１０】従来の非可逆回路素子の分解斜視図である。
【図１１】本発明を適用する非可逆回路素子の等価回路図である。
【図１２】従来の非可逆回路素子の部分拡大図である。
【符号の説明】
４、５、６　中心導体
７　樹脂ケース
８、９、１０、３１　平板コンデンサ
１１　ダミー抵抗
１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｆ　平板コンデンサを配置する凹部
１４ａ　接続電極
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ，１５ｆ　外部端子
２０　組立体
２２　絶縁部材
３１　表面実装型インダクタ
５０　平板コンデンサが収容される凹部間の仕切壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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