(57)【要約】【課題】  各種インジケータ、ディスプレイ、光プリンターの書き込み光源やバックライト用光源などに利用可能なＬＥＤチップを用いた発光ダイオードに係わり、特にＬＥＤチップにかかる熱応力を低減させ、耐熱性に優れた発光ダイオード及びその製造方法に関する。【解決手段】  一対のリード電極の少なくとも一方とＬＥＤチップの電極とをそれぞれ電気的に接続させた導電性ワイヤーと、前記ＬＥＤチップ及びワイヤーを被覆する透光性封止樹脂とを有する発光ダイオードにおいて、前記透光性封止樹脂はＬＥＤチップを被覆する無機フィラーが含有され緩衝層として働く第一の部位と、該第一の部位上に第一の部位よりも透光性の高い第二の部位とを有する発光ダイオードである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のリード電極の少なくとも一方とＬＥＤチップの電極とをそれぞれ電気的に接続させた導電性ワイヤーと、前記ＬＥＤチップ及び導電性ワイヤーを被覆する透光性封止樹脂とを有する発光ダイオードにおいて、
前記透光性封止樹脂はＬＥＤチップを被覆する無機フィラーが含有され緩衝層として働く第一の部位と、該第一の部位上に第一の部位よりも透光性の高い第二の部位とを有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記緩衝層は線膨張係数が２×１０−５（１／℃）以上６×１０−５（１／℃）以下である請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記緩衝層の厚みはＬＥＤチップ上に２０μｍ以上４００μｍ以下である請求項１に記載の発光ダイオード。 
【請求項４】
前記無機フィラーは、シリカ、窒化ホウ素、燐酸カルシウム、希土類化合物から選択される少なくとも一種が含有されている請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記ＬＥＤチップはリード電極を有する表面に凹部を持った基板上に配置されると共に前記透光性封止樹脂は前記凹部内に配置される請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記透光性封止樹脂は、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリノルボルネン樹脂から選択される少なくとも一種である請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記緩衝部には無機フィラーの密度勾配があり、リード電極に近づくにつれ連続的に線膨張係数がリード電極の線膨張係数に近づく請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
一対のリード電極の少なくとも一方とＬＥＤチップの電極とをそれぞれ電気的に接続させた導電性ワイヤーと、前記ＬＥＤチップ及び導電性ワイヤーを被覆する透光性封止樹脂とを有する発光ダイオードの形成方法であって、
リード電極とＬＥＤチップの電極とを導電性ワイヤーによってワイヤボンドする工程と  前記ＬＥＤチップ及び導電性ワイヤー上に無機フィラーを混合撹拌させた該無機フィラーよりも比重の小さい熱硬化性或いは熱可塑性樹脂を配置させる工程と、
前記熱硬化性或いは可塑性樹脂中の無機フィラーをＬＥＤチップ側に沈降させる工程とを有する発光ダイオードの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は各種インジケータ、ディスプレイ、光プリンターの書き込み光源やバックライト用光源などに利用可能なＬＥＤチップを用いた発光ダイオードに係わり、特にＬＥＤチップにかかる熱応力を低減させ、耐熱性に優れた発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、表面実装型や砲弾型などの種々の発光装置が様々な分野に利用されている。発光装置の一例である発光ダイオードは、支持体となる基板上にＬＥＤチップを樹脂によってダイボンディングされている。また、ＬＥＤチップの各電極とワイヤーなどを用いて電気的に接続させると共に所望に応じてＬＥＤチップを保護する透光性封止樹脂で被覆してある。
【０００３】
ＬＥＤチップのダイボンディング・ワイヤーボンディング後に基板の凹部内部に注入される封止樹脂には、一般に絶縁性且つ透光性を有し室温で液状の樹脂が使用される。具体例として、エポキシ樹脂やアクリレート樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、又はアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリノルボルネン樹脂等の熱可塑性樹脂が使用される。熱硬化性樹脂を用いた場合、樹脂硬化のため加熱により透光性樹脂を形成させることができる。また、熱可塑性樹脂を用いた場合、溶剤を揮発させることにより透光性樹脂を形成させることができる。
【０００４】
熱硬化性樹脂の特徴としては、成形時に熱硬化反応を伴い圧縮成形のような簡単な方法で成形可能であり堅くて頑丈な樹脂が得られる。耐熱性については、全般的に熱可塑性樹脂よりも優れている。熱可塑性樹脂の特徴としては、化学構造的には線状高分子を成している。また、押出成形、射出成形によって効率よく加工することができ、成形不良品については再製利用も可能である。更に、熱硬化性樹脂よりも透明樹脂を成形しやすく、透光性に優れている。
【０００５】
次に、ＬＥＤチップは、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮなどの半導体発光層からなる。これらの半導体発光層からなるＬＥＤ基板は、透光性封止樹脂を使用するため半導体の中でもＩＣ基板などに比べ特に熱に弱く熱応力の発生が大きな問題とされていた。そのため、発熱放出の役割を持つリード電極などを形成することにより改善を行ってきた。
【特許文献１】特開平５−２９６６３号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本発明などに用いるＬＥＤチップにおいて量産性よく耐熱性の高い発光ダイオードを形成させる場合は上記方法では十分ではない場合があった。そのため、実装時のリフロー熱により、ＬＥＤチップ・基板・リード電極と透光性封止樹脂との熱膨張係数差による剥離に伴いワイヤーオープンが発生したり、ヒートサイクル性能が他の表面実装部品に比べ劣ることが問題とされており、耐熱性を向上させることを本発明の目的とした。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、発光ダイオードの信頼性が熱伝導経路である基板上のＬＥＤチップ・基板・リード電極と透光性樹脂の界面に発生する熱応力にあることに着目し、透光性封止樹脂の構成成分を変化させたものである。
【０００８】
本発明は、更に詳細に説明した下記構成（１）〜（７）によって、上記本発明の目的を達成することができる。
（１）透光性封止樹脂はＬＥＤチップ及びワイヤーを被覆する無機フィラーが含有され緩衝層として働く第一の部位と、該第一の部位上に第一の部位よりも透光性の高い第二の部位とを有することを特徴とする発光ダイオード。
（２）前記緩衝層は線膨張係数が２×１０−５（１／℃）以上６×１０−５（１／℃）以下でると共に、緩衝部の厚みはＬＥＤチップ上に２０μｍ以上４００μｍ以下である発光ダイオード。
（３）前記緩衝部には、シリカ、窒化ホウ素、燐酸カルシウム、希土類化合物から選択される少なくとも一種の無機フィラーが含有されている発光ダイオード。
（４）前記ＬＥＤチップはリード電極を有する表面に凹部を持った基板上に配置されると共に前記透光性封止樹脂は前記凹部内に配置される発光ダイオード。
（５）前記透光性封止樹脂は、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリノルボルネン樹脂から選択される少なくとも一種である発光ダイオード。
（６）前記緩衝部には無機フィラーの密度勾配があり、リード電極に近づくにつれ連続的に線膨張係数がリード電極の線膨張係数に近づく発光ダイオード
（７）リード電極とＬＥＤチップ及び導電性ワイヤーによってワイヤボンドする工程と、前記ＬＥＤチップ及び導電性ワイヤー上に無機フィラーを混合撹拌させた該無機フィラーよりも比重の小さい熱硬化性或いは可塑性樹脂中の無機フィラーをＬＥＤチップ側に沈降させる工程とを有する発光ダイオードの形成方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の構成により、ＬＥＤチップ・基板と透光性封止樹脂との界面に発生する熱応力を低減させる。これにより実装時のリフロー熱による剥離に伴うワイヤーオープンを減少させるものである。またＬＥＤチップ・基板間に絶縁性熱伝導層である緩衝層が設けられることによりチップ実装側からのみ放熱されていた構造から、素子中の全てのＬＥＤチップ・基板からの放熱が得られるため素子熱抵抗も低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明者は種々の実験の結果、凹部を持った基板上にＬＥＤチップが配置される発光ダイオードにおいて無機フィラーを含有する透光性封止樹脂注入時に、無機フィラーをＬＥＤチップ側に沈降させ緩衝層を成形することによって、耐熱性が急激に良くなることを見出し本発明を成すに至った。
【００１１】
即ち、一実施の形態における発光ダイオードでは、透光性封止樹脂の熱膨張率がＬＥＤチップ・基板・リード電極に比べ大きいため熱衝撃による膨張・収縮挙動が発生し所望の信頼性が得られないことから、ＬＥＤチップ・基板・リード電極と透光性樹脂との界面に発生する熱応力を、緩衝部を有する透光性封止樹脂を成形することにより抑制し、耐熱性を向上させたものである。
【００１２】
以下、本発明の発光ダイオードの一例として表面実装型ＬＥＤを簡単に説明する。図１に本発明の模式的断面図を示す。インサート成形可能な耐熱性樹脂を基板１０６に用い、ＬＥＤチップ１０３を被覆した発光ダイオード１００を構成する。支持体である基板１０６にはＬＥＤチップ１０３と外部とを電気的に接続させるための内部電極１０５ｂがはめ込まれている。外部電極１０５ａは、光反射性を高めるために銀でメッキされている。該ＬＥＤチップ１０３はダイボンディングにより固着係止されている。その後、ＬＥＤチップ１０３上に設けられた電極と基板の電極とを金線１０４によりワイヤーボンディングさせ、基板凹部内に透光性樹脂を注入し発光ダイオード１００を形成させることができる。
【００１３】
本発明に用いたＬＥＤチップはダブルへテロ構造を形成しているため、発光部からの光放出は多い。また、窒化物半導体を利用したＬＥＤチップは結晶成長が難しいことから、窒化物半導体の物性から一般にサファイア基板上に形成される。このため、サファイア基板上に形成された半導体積層面側に正極及び負極の電極を形成する。また、発光層上のほぼ前面を覆う全面電極を形成する。このようなオーミック接触を取れる電極材料は限られており、この金属電極層を介して光が取り出される。
【００１４】
なお、本発明に用いる表面実装型発光ダイオードは、基板に側壁を有するタイプと基板上の側壁を取り除いた指向特性の異なるタイプの発光ダイオードが使用可能となる。以下、本発明の一実施形態を更に詳細に示す。
【００１５】
本発明に用いる発光ダイオードの構成は、先ず支持体である基板１０６が、インサート成形可能な耐熱性樹脂から成り、導通部としてリード電極１０５を設ける。該リード電極には、外部電極１０５ａと内部電極１０５ｂがある。該リード電極１０５は光取り出し効率を損なわないためにＡｇメッキされた銅電極を使用してある。次に基板１０６の凹部内に発光素子としてＡｌＧａＩｎＰからなるＬＥＤチップ１０３をダイボンド機器を用いてＡｇペースト導電性接着剤でマウントする。
【００１６】
次にマウントされたＬＥＤチップ１０３の発光面側の電極と基板１０６のリード電極１０５とをワイヤボンディング機器を用いてワイヤボンドさせる。使用したワイヤーは金ワイヤー１０４である。
【００１７】
次に本発明における透光性封止樹脂には熱硬化性或いは熱可塑性樹脂を用いており、次に沈降性無機フィラーが含有された該透光性封止樹脂をＬＥＤチップが配置された基板１０６の凹部内に注入する。沈降性無機フィラーは、濡れ性、粒径と比重、粘度の性質上沈降して凹部底面を覆う。沈降性無機フィラーは、透光性封止樹脂との濡れ性が悪いほど沈降しやすくなる。また粒径又は比重が大きいほど、透光性樹脂の粘度が低いほど、沈降性は大きくなる。更に透光性封止樹脂との屈折率差の小さいものほど透過率が良好となる傾向にある。透光性封止樹脂であるエポキシ樹脂の屈折率（ｎＤ＝１．５０）に対しシリカの屈折率（ｎＤ＝１．４６）、アルミナの屈折率（ｎＤ＝１．５６）と近似を示すため、透光性を損なうことなく緩衝層を成形することができる。また、他の透光性樹脂と沈降性無機フィラーとの屈折率差も近似を示す。これによって、光取りだし効率を大きく損なうことなく、耐熱性の高い発光ダイオードを得ることができる。以下、本発明の構成部材について詳述する。
【００１８】
（緩衝層１０１）
本発明の緩衝層１０１は、沈降性無機フィラーを含有した透光性樹脂を基板凹部内に注入することにより少なくともＬＥＤチップ１０３を覆う状態にする。また、沈降性無機フィラーは、絶縁性で比重が大きく低膨張、高熱伝導であるシリカ、窒化ホウ素、燐酸カルシウム、希土類化合物から選択される少なくとも一種が含有されるものである。本発明における緩衝層１０１とはＬＥＤチップ１０３における熱伝導経路である基板１０６、リード電極１０５と透光性封止樹脂の界面に発生する熱応力を低減させるものである。また基板１０６、リード電極１０５間に絶縁性熱伝導層である緩衝層１０１が設けられることによりチップ実装側からのみ放熱されていた構造から、素子中の基板、リード電極からの放熱が得られるため素子熱抵抗の低減効果も持つ。
【００１９】
本発明における緩衝層１０１は、ＬＥＤチップ１０３からの光に対して透光性が高く、透光性封止樹脂材及び基板１０６との密着性及び耐熱性が高いことが好ましい。該緩衝層１０１は、あらかじめＬＥＤチップ１０３が配置された基板１０６の凹部に流し込み硬化させることで比較的簡単に形成できる。
【００２０】
（透光性封止樹脂層１０２）
透光性封止材は、基板凹部内に設けるものであり、ＬＥＤチップ１０３からの光を効率よく外部に透過させると共に外力、塵芥などからＬＥＤチップ１０３や金ワイヤ１０４などを保護するものである。このような透光性封止材としてはエポキシ樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいアクリル樹脂、ポリカーボネット樹脂、ポリノルボルネン樹脂等の熱可塑性樹脂が用いられる。
【００２１】
（ＬＥＤチップ１０３）
ＬＥＤチップ１０３はＭＯＣＶＤ法や液相成長法などにより、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｌＩｎＰ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮなどの半導体発光層を基板上に積層させることにより形成することができる。ＬＥＤチップの構造としてはＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造、ダブルへテロ構造のものが挙げられる。特に活性層を介してダブルへテロ構造のものは、活性層で発生した光が活性層内を導波管の如く伝搬し活性層の端面から放出されやすい。
【００２２】
窒化物半導体（ＩｎXＧａYＡｌ1-X-YＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、０≦Ｘ＋Ｙ≦１）は、結晶成長が難しく絶縁性のサファイア基板上に形成される。サファイア基板上に形成された窒化物半導体に電力を供給するためには正極及び負極を同一面側に形成せざるを得ず、オーミック接触かつ、効率的に電流を注入させるためには透光性の電極として金薄膜などが用いられる。このような電極は薄膜にして透光性を持たせているものの金属からなるが故にＬＥＤチップの活性層で生成した光は部分的に反射される。
【００２３】
このようなＬＥＤチップ１０３は基板上にダイボンド機器を用いてマウントすることができる。また、ＬＥＤチップ１０３上に設けられた電極と、金線ワイヤ１０４を利用して電気的に接続させることができる。
【００２４】
（基板１０６）
基板１０６は、ＬＥＤチップ１０３を配置させ外部からの電流をＬＥＤチップ１０３に供給するリード電極１０５が設けられたものである。そのため基板１０６は、耐熱性や絶縁性を有するものが好適に用いられる。このような基板１０６の具体的材料としては、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（以下ＢＴレジンとも呼ぶ）、セラミックス、液晶ポリマーやポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ樹脂）が好適に挙げられる。本発明に係る発光ダイオード１００は、ＬＥＤチップ１０３からの光を効率よく取り出すために基板側壁部１０６ａを持った発光ダイオードと、透光性封止樹脂注入後に基板側壁部１０６ｂを取り除いたことにより光の指向特性の異なる発光ダイオードとがある。またＬＥＤチップからの光を効率よく反射させるために基板を構成する樹脂に酸化チタンなどの白色顔料などを混合させることができる。
【００２５】
樹脂により基板１０６をモールド成形させる場合は、内部に配置されるＬＥＤチップ１０３に電力を供給するリード電極１０５をインサート成形などで比較的簡単に形成することができる。リード電極１０５は銅及び銅合金等の電気良導体により形成することができる。本発明に係る発光ダイオードのリード電極１０５には発熱を効率よく放出させるものが好ましく銅電極を使用している。ＬＥＤチップ１０３からの光の反射性を向上させるために、リード電極１０５の表面に銀、アルミニウム、金等の平滑な金属メッキを施すこともできる。
【００２６】
ガラスエポキシ及びＢＴレジンにより基板を構成させる場合は、銅張りガラスエポキシ及び銅箔を圧着したＢＴレジンに所望のパターンを作るためにケミカルエッチングを行う。これにドリル加工、パンチングプレス加工により側壁部となる穴を作ったガラスエポキシ及びＢＴレジンを接着剤で張り合わせ形成する。セラミックにより基板を構成させる場合は、セラミック焼成前の原料となるグリーンシート上に所望のパターンで高融点金属を含有した導電性ペーストを印刷する。グリーンシートを複数重ね合わせ基板形状にさせた後に焼成してセラミック基板を形成する。導電性ペーストは焼成時に樹脂成分が飛び外部との電気的接続が可能な電極層として残る。以下、本発明の具体的実施例について詳述するが、これのみに限定されるものではない。
【実施例１】
【００２７】
チップタイプＬＥＤとして、青色（４７０ｎｍ）が発光可能な窒化物半導体を発光層に持ったＬＥＤチップをダイボンディングにより基板に配置させた。ＬＥＤチップはサファイア基板上に窒化ガリウムからなるバッファ層、ＧａＮからなるｎ型コンタクト兼クラッド層、ＧａＡｌＮからなるｐ型クラッド層、ＧａＮからなるｐ型コンタクト層が積層されたものである。ｎ型コンタクト層及びｐ型クラッド層との間には単一量子井戸構造となるＩｎＧａＮ層が形成されている。サファイア基板上に形成された半導体層側から正極及び負極の電極を形成させるために窒化物半導体の一部をエッチングさせてｎ型コンタクト層を露出させてある。ｐ型コンタクト層上には金薄膜をオーミック電極として形成させてある。
【００２８】
基板は予め形成させたリード電極を金型内に配置させエポキシ樹脂を注入硬化させることにより成形させた。成形された基板は開口部の底面にリード電極の一部が露出しており平滑面としてある。なお、平滑な基板底面とは、鏡面の如く一定方向から入射したＬＥＤチップからの光の大部分を特定方向に反射可能な平面を言う。このような平面上に配置されたＬＥＤチップから放出される縦方向の光は、効率よく前面に放出することができる。そのため、リード電極の表面、基板底面及び側面はＬＥＤチップからの光を効率よく反射することが可能となる。
【００２９】
基板の開口部内に透光性エポキシ樹脂を用いて上述のＬＥＤチップをダイボンディング機器によりマウントさせた。ＬＥＤチップの各電極と基板開口部内のリード電極とを金線を用いてワイヤボンディングさせ電気的に導通を取ってある。
【００３０】
緩衝層になる部材の線膨張係数はリード電極の線膨張係数に近づくほど好ましい。実施例１における線膨張係数の測定は、ＴＭＡ（熱機械的分析装置）により行った。透光性樹脂であるエポキシ樹脂の線膨張係数は６×１０−５（１／℃）以上２×１０−４（１／℃）以下、リード電極の線膨張係数は１．３×１０−５（１／℃）以上２．０×１０−５（１／℃）以下であるため緩衝層になる部材の線膨張係数は２×１０−５以上６×１０−５以下とするのが好ましい。さらに好ましくは緩衝層になる部材の線膨張係数は２×１０−５（１／℃）以上５×１０−５以下とする。
【００３１】
緩衝層として液状エポキシ樹脂１００重量部中に対しシリカ５．４重量部を含有させた混合樹脂を攪拌させながら基板開口部内に注入させた。注入後、８５℃３時間＋１４０℃４時間で硬化させることによりＬＥＤチップを被覆する無機フィラーが含有された緩衝層となる第一の部位と、該第一の部位上に第一の部位よりも透光性の高い第二の部位とを成形させた。こうしてチップタイプＬＥＤを５０個形成して耐熱特性を調べた。
【００３２】
図４には、比較のために無機フィラーを含有せず、緩衝層を成形しない以外は本発明のチップタイプＬＥＤと同様にして５０個のチップタイプＬＥＤを形成させた。形成された上記チップタイプＬＥＤを各５０個を用い耐環境性を調べるため低温側−４０℃、高温側１００℃の液相熱衝撃試験を５０００回実施したところ緩衝層を設けたチップタイプＬＥＤは不灯不良が見られなかったのに対し、緩衝層を設けなかったチップタイプＬＥＤには１５００回より不灯不良が発生し、５０００回実施時には３０個の不灯発生が見られた。更に、図３に示す基板側壁部を取り除いたチップタイプＬＥＤについても、図１に示す側壁部を有する発光ダイオードと同様の液相熱衝撃試験を実施したところ不灯不良は見られず耐熱特性が大幅に向上しうることが分かった。また、他の透光性封止樹脂と沈降性無機フィラーを用いても同様の効果が得られた。
【実施例２】
【００３３】
液状エポキシ樹脂に添加する沈降性無機フィラーを５種の濃度で実施例１と同条件のもと液相熱衝撃試験を行い、緩衝層の膜厚差による耐熱性を調べた。沈降性無機フィラーにはシリカを用い、５種の濃度は液状エポキシ樹脂１００重量部に対して、それぞれ１重量部、３重量部、５．４重量部、８重量部、１１重量部の割合で添加しボールミルで６時間分散させ、それぞれディスペンサーで基板凹部に注入した。８５℃で３時間＋１４０℃で４時間の硬化を行い、外部電極成形後、チップタイプＬＥＤとした。この発光ダイオードの耐環境性を調べたところ、沈降性無機フィラーの添加量が多い３重量部から１１重量部については、不灯発生は見られなかった。しかし、添加量の最も少ない１重量部の発光ダイオードについては３５００回目より不灯発生し、５０００回では２４個の不良発生があった。また、各発光ダイオードの側面を切断し、緩衝層の膜厚測定の結果、緩衝層の膜厚は添加量が１重量部、３重量部、５．４重量部、８重量部、１１重量部に対して、それぞれ２０μｍ、６６μｍ、１５０μｍ、２５０μｍ、４００μｍであった。次にフォトダイオードによる光度測定を行ったところ上記の１重量部から８重量部の緩衝層に対する光度は１８０ｍｃｄを保つのに対し１１重量部となる膜厚４００μｍでは光度が１００ｍｃｄと著しく低下することがわかった。以上から、本発明に係る発光ダイオードにおける緩衝層の膜厚は、耐熱性を有する２０μｍ以上及び光取り出し効率を損なわない４００μｍ以下とする。
【００３４】
本発明の構成により、ＬＥＤチップからの光取り出し効率を低下させることなく、発光層の端部より放出される発光輝度を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施例によるチップタイプＬＥＤの模式的断面図を示す。
【図２】本発明の一実施例によるチップタイプＬＥＤの模式的断面図を示す。
【図３】本発明の一実施例によるチップタイプＬＥＤの模式的断面図を示す。
【図４】本発明と比較のために示すチップタイプＬＥＤの模式的断面図を示す。
【符号の説明】
【００３６】
１００、２００、３００、４００・・・発光ダイオード
１０１、２０１、３０１・・・緩衝層
１０２、２０２、３０２、４０２・・・透光性封止樹脂層
１０３、２０３、３０３、４０３・・・ＬＥＤチップ
１０４、２０４、３０４、４０４・・・金線ワイヤ
１０５、２０５、３０５、４０５・・・リード電極
１０５ａ、４０５ａ・・・外部電極
１０５ｂ、４０５ｂ・・・内部電極
１０６、２０６、３０６、４０６・・・基板
２０６ａ・・・基板側壁部
２０６ｂ、３０６ｂ・・・基板支持体部
２０７、３０７・・・絶縁性樹脂
【図１】
2004172636.tif 000003
【図２】
2004172636.tif 000004
【図３】
2004172636.tif 000005
【図４】
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