(57)【要約】【課題】アンダーフィル樹脂と半導体素子との間に気泡が混入することにより発生するボイドの影響を低減することができると共に、アンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドの発生も抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板２１の半導体装置１１に対向する部分にアンダーフィル樹脂３６を供給する工程と、アンダーフィル樹脂３６の表面に半導体素子１１を密着させる工程と、半導体素子１１の電極１２と基板２１の接続パッド２２とを電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂３６の表面に半導体素子１１を密着させる工程における雰囲気より高圧、かつ、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において、アンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程とを備える。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備えた半導体素子を、前記電極に対応する接続パッドを備えた基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の、前記半導体素子に対向する部分にアンダーフィル樹脂を供給する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面に前記半導体素子を密着させる工程と、
前記半導体素子の電極と、前記基板の接続パッドとを電気的に接続する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程における雰囲気より高圧、かつ、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において、前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程と、を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体素子の電極と前記基板の接続パッドとを電気的に接続する工程において、前記電極および前記接続パッドの一方または両方に設けられたバンプを加熱する工程を含み、
前記加熱する工程は、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において行なう、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程は、アンダーフィル樹脂を加熱する工程を含む、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
高圧雰囲気の圧力は、０．２ＭＰａ以上、２ＭＰａ未満である、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程は、略大気圧の雰囲気中で行なわれる、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に半導体素子をフリップチップ実装する、半導体製造装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに対して前記半導体素子の主表面を平行に保持しながら、前記ステージに保持した基板に向かって移動可能なボンディングヘッドと、
前記半導体素子および前記基板を包囲する耐圧ボックスと、
前記耐圧ボックス内の雰囲気を大気圧より高圧にする加圧装置と、を備えた、半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関し、より特定的には、半導体素子を基板上にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体素子の下面に形成した電極と、基板の上面に形成した接続パッドとを半田バンプなどを介して接合するフリップチップ実装が行なわれている。このフリップチップ実装を行なう際に、半導体素子とこの半導体素子を実装する基板との隙間に樹脂を充填して両者を接着する場合がある。これは、半導体素子と基板とを接着して一体化することにより、半導体素子と基板の熱膨張率の差により電極と接続パッドとの間に発生する熱応力を低減するものである。これにより電極と接続パッドとの接触不良などを抑制することができる。したがって、この半導体素子と基板との接着は強固かつ確実に行なわれなければならない。
【０００３】
この半導体素子と基板との間に樹脂を充填する方法としては、半導体素子を基板上にフリップチップ実装した後に、半導体素子の下面と基板の上面との隙間に液状の樹脂を注入する方法がある。この方法によると次のような問題点がある。
【０００４】
半田バンプの表面に塗布したフラックスが、半田バンプを溶融したときに上記隙間に入り込むことがある。そのフラックスが上記隙間に残留していた場合には、このフラックスにより樹脂の注入が妨げられ、ボイドが発生することがある。この場合には、接着が不完全となり、歩留まりが低下する。
【０００５】
そこで、基板の表面に予めアンダーフィル樹脂を供給しておき、そのアンダーフィル樹脂に基板を密着させた後、半田バンプによる電極と接続パッドとの接続を行なうフリップチップ実装方法も開発されている。この方法によると、半田バンプに塗布されたフラックスの影響を受けることがない。
【０００６】
しかし、このアンダーフィル樹脂を用いたフリップチップ実装方法においても、次のような問題がある。アンダーフィル樹脂の表面には多少の凹凸が存在する。そのようなアンダーフィル樹脂に下面が平滑な基板を当接すると、凹部に空気が残り、半導体素子の下面とアンダーフィル樹脂の表面との界面に気泡が残ることがあり、これがボイドとなることがある。この場合には、このボイドにより半導体素子と基板とが確実に接着されないという問題がある。
【０００７】
この問題を解決するフリップチップ実装方法としては、特許文献１記載のフリップチップ実装方法がある。特許文献１記載のフリップチップ実装方法においては、減圧雰囲気中において半導体素子をアンダーフィル樹脂の表面に密着させる。さらに、この減圧雰囲気中において、半導体素子の電極と基板の接続パッドとに設けた半田バンプ加熱する等して、両者を接続する。
【０００８】
続いて、このアンダーフィル樹脂を硬化させる前に、雰囲気の圧力を解放して大気圧とする。このときアンダーフィル樹脂と基板との界面に発生したボイドは、雰囲気の圧力の上昇に伴って収縮する。雰囲気が大気圧の状態を維持しながら、アンダーフィル樹脂を硬化させることで、ボイドが収縮した状態のままで硬化するので、ボイドの影響を少なくすることができる。
【０００９】
【特許文献１】
特開平１１−１６３０４８号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記の特許文献１に記載されたフリップチップ実装方法によると、上記のようにアンダーフィル樹脂と基板との界面に発生したボイドを収縮させることができる。しかし、このフリップチップ実装方法においても、次のような問題がある。
【００１１】
半田バンプを溶融させるための加熱や、アンダーフィル樹脂を硬化させるための加熱により、アンダーフィル樹脂が加熱され、アンダーフィル樹脂が発泡することがある。その状態でアンダーフィル樹脂が硬化すると、アンダーフィル樹脂に発泡による気泡が残ったままとなり、これがボイドとなって、半導体素子と基板との接着力が低下する。上記特許文献１記載のフリップチップ実装方法では、このアンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドを抑制する効果はない。
【００１２】
特許文献１記載のフリップチップ実装方法においては、減圧雰囲気中において、半導体素子の電極と基板の接続パッドとを接続する。この接続として一般的な半田パンプを用いる場合には、半田バンプを溶融させるための加熱が必要となる。このとき、その熱によりアンダーフィル樹脂も加熱されるが、特許文献１に記載のフリップチップ実装方法において減圧雰囲気であるために、かえってアンダーフィル樹脂の発泡が発生しやすくなり、これによりボイドの発生が助長されることが懸念される。
【００１３】
したがって、この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、アンダーフィル樹脂と半導体素子との間に気泡が混入することにより発生するボイドの影響を低減することができると共に、アンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドの発生も抑制することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明に基づいた半導体装置の製造方法に従えば、電極を備えた半導体素子を、上記電極に対応する接続パッドを備えた基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法において、基板の半導体装置に対向する部分にアンダーフィル樹脂を供給する工程と、アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程と、半導体素子の電極と基板の接続パッドとを電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程における雰囲気より高圧、かつ、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において、アンダーフィル樹脂を硬化させる工程とを備えている。
【００１５】
この発明に基づいた半導体製造装置に従えば、基板上に半導体素子をフリップチップ実装する、半導体製造装置であって、基板を保持するステージと、ステージに対して半導体素子の主表面を平行に保持しながら、ステージに保持した基板に向かって移動可能なボンディングヘッドと、半導体素子および基板を包囲する耐圧ボックスと、耐圧ボックス内の雰囲気を大気圧より高圧にする加圧装置とを備えている。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本実施の形態における半導体装置の製造方法および半導体製造装置について、図を参照しながら説明する。なお、図１から図５は、本実施の形態における半導体装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
【００１７】
（半導体装置）
本実施の形態の半導体装置３１は、半導体素子１１を基板２１にフリップチップ実装して構成されている。まず、半導体装置３１を構成する半導体素子１１および基板２１の構造について説明する。
【００１８】
図１に示すように半導体素子１１の下面には、複数の電極１２が設けられており、電極１２の表面には半田バンプ３５が設けられている。基板２１の上面にも、半導体素子１１の電極１２に対応する位置に、複数の接続パッド２２が設けられている。この接続パッド２２は、基板２１の図示しない配線に接続されている。接続パッド２２の表面にも半田バンプ３５が設けられている。本実施の形態では半田バンプを用いているが、金など他の金属材料で構成したバンプを用いても良い。また、バンプは、本実施の形態のように電極１２と接続パッド２２の両方に設けても良いし、電極１２または接続パッド２２の一方にのみ設けるようにしても良い。
【００１９】
基板２１の半導体素子１１に対向する位置には、アンダーフィル樹脂３６が予め供給されている。アンダーフィル樹脂３６は本実施の形態では、流れにくい液状の熱硬化性エポキシ樹脂を用いている。このアンダーフィル樹脂３６としては、本実施の形態のような液状の樹脂以外に、フィルム状の樹脂などを用いることができる。
【００２０】
本実施の形態では、アンダーフィル樹脂３６は、基板２１にのみ予め供給しているが、半導体素子１１にのみ予め供給するようにしても良いし、両方に予め供給するようにしてもよい。
【００２１】
図５に示す半導体装置３１は、上述のように、半導体素子１１を基板２１にフリップチップ実装して構成されている。半導体素子１１の電極１２と、基板２１の接続パッド２２とは、半田バンプ３５を介して電気的に接続されている。また、半導体素子１１と基板２１とは、アンダーフィル樹脂３６により接着されて一体化されている。
【００２２】
（半導体製造装置）
図１を参照して、半導体製造装置５０の構造について説明する。図１に示すように、この半導体製造装置５０は、ステージ５１と、ボンディングヘッド５６と、耐圧ボックス５８と、加圧装置としてのポンプ５２とを備えている。
【００２３】
ステージ５１は、基板２１を水平に保持するものであり、ステージ５１には、基板２１を真空吸着するための吸引管５４が設けられている。このステージ５１はヒータを内蔵しており、基板２１の予備加熱が可能である。
【００２４】
ボンディングヘッド５６は、半導体素子１１を、基板２１の表面と平行に保持した状態で昇降可能に構成されており、その内部には半導体素子１１を真空吸引するための吸引管５７が配設されている。ボンディングヘッド５６は、半導体素子１１を保持した状態で昇降することで、半導体素子１１を、基板２１の表面に予め配設したアンダーフィル樹脂３６に密着させることができる。また、このボンディングヘッド５６はヒータを内蔵しており、半導体素子１１を室温から４００℃程度まで加熱することができる。
【００２５】
耐圧ボックス５８は、半導体素子１１および基板２１を包囲するものである。耐圧ボックス５８は、ステージ５１との間で気密を保持することができる。また、耐圧ボックス５８はその内部の雰囲気を高圧にしてもその圧力に耐えられるように構成されている。
【００２６】
ステージ５１には、ステージ５１の上面側に連通する通気管５３を介して、加圧装置としてのポンプ５２が接続されている。ポンプ５２は、耐圧ボックス５８の内部に空気または不活性ガスを送り込み、耐圧ボックス５８の内部の雰囲気を高圧にすることができる。
【００２７】
（半導体装置の製造方法）
図１から図５を参照して、半導体装置の製造方法について説明する。
【００２８】
図１を参照して、耐圧ボックス５８の内部の雰囲気が大気圧の状態で、基板２１をステージ５１の所定位置に配置し、吸引管５４により吸引することで真空吸着して固定する。
【００２９】
同時に、耐圧ボックス５８の内部の雰囲気が大気圧の状態で、半導体素子１１をボンディングヘッド５６に装着する。このとき半導体素子１１は、基板２１上方の所定の位置に位置決めすると共に吸引管５７により吸引することで真空吸着して固定する。
【００３０】
このとき特許文献１記載のフリップチップ実装方法のように、耐圧ボックス５８の内部の雰囲気が減圧されている場合には、真空吸着を用いることが困難となる。本実施の形態においては、耐圧ボックス５８の内部は大気圧または大気圧より高圧であるので、真空吸着による吸着が可能である。したがって、特許文献１のフリップチップ実装方法のように半導体素子１１や基板２１の固定手段の選択において制限を受けることはない。
【００３１】
図２を参照して、耐圧ボックス５８の内部の雰囲気を大気圧に保ったまま、ボンディングヘッド５６を基板２１に向かって下降させ、半導体素子１１の下面を、基板２１の上面に予め配設したアンダーフィル樹脂３６の表面に密着させる。このとき半導体素子１１は、基板２１の所定位置に位置し、対応する半導体素子１１の電極１２と基板２１の接続パッド２２とが半田バンプ３５を介して接触する。ボンディングヘッド５６は、半導体素子１１をアンダーフィル樹脂３６に密着させるとき、半導体素子１１を下方向に加圧する。これにより半導体素子１１は、基板２１に圧接され、半田バンプ３５は変形して電極１２と接続パッド２２とを広い面積で接触する。
【００３２】
ここで、半導体素子１１を密着させる前のアンダーフィル樹脂３６の表面には多少の凹凸がある。そのため半導体素子１１をアンダーフィル樹脂３６に密着させたとき、半導体素子１１の下面とアンダーフィル樹脂３６の表面との界面に気泡が残り、図２に模式的に示すようなボイド３７が形成されることがある。
【００３３】
図３を参照して、ポンプ５２を作動させ、耐圧ボックス５８の内部に空気または不活性ガスを送り込み、耐圧ボックス５８の内部の雰囲気を高圧にする。このように耐圧ボックス５８の内部を高圧にすることで、大気圧と高圧の差圧の影響により上記のような気泡からなるボイド３７は収縮する。
【００３４】
図４を参照して、耐圧ボックス５８の内部の高圧雰囲気を維持しながら、半田バンプ３５およびアンダーフィル樹脂３６を加熱する。この加熱により半田バンプ３５を溶融させ、半導体素子１１の電極１２と基板２１の接続パッド２２とを電気的に接続する。また、このアンダーフィル樹脂３６の加熱により、アンダーフィル樹脂３６は硬化する。半田バンプ３５を溶融させる必要があるため、このときの加熱温度は、本実施の形態では２００℃程度であり、この加熱はステージ５１およびボンディングヘッド５６に内蔵したヒータにより行なう。
【００３５】
この加熱によりアンダーフィル樹脂３６が高温になっても、耐圧ボックス５８の内部が高圧雰囲気に保たれているので、アンダーフィル樹脂３６の発泡を抑制することができる。これにより新たなボイドの発生を抑制することができる。この実施の形態ではこのように、電極１２と接続パッド２２を電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程とを同時に行なっている。
【００３６】
電極１２と接続パッド２２とを電気的に接続する工程およびアンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程における、耐圧ボックス５８の内部の高圧雰囲気としては、たとえば０．２ＭＰａ以上とするのが好ましい。圧力が０．２ＭＰａ未満であると、半導体素子１１をアンダーフィル樹脂３６の表面に密着させる工程で発生したボイド３７が十分に収縮せず、このボイド３７の影響を完全に排除できない可能性がある。また、この圧力では、電極１２と接続パッド２２を電気的に接続する工程およびアンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程におけるアンダーフィル樹脂３６の発泡を十分に抑制できない可能性がある。
【００３７】
この耐圧ボックスの内部の高圧雰囲気としては、１ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。１ＭＰａ以上であると、さらにボイド３７を小さく収縮させることができ、ボイド３７を、その悪影響をほぼ完全に排除することができるレベルまで小さくすることができる。また、アンダーフィル樹脂３６の発泡を抑制する効果がさらに顕著となる。
【００３８】
一方、ボイド３７を収縮させるためには、この高圧雰囲気の圧力は高いほど好ましいが、耐圧ボックス５８の製造コスト等を考慮すると、現実的には、２ＭＰａ程度が上限となる。
【００３９】
また、本実施の形態では、半導体素子１１を基板２１のアンダーフィル樹脂３６表面に密着させる工程を、大気圧雰囲気中で行なっている。ボイド３７を収縮させるために、この工程と、後のアンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程とで十分な差圧が確保される必要がある。その差圧が確保されるならば、半導体素子１１を基板２１のアンダーフィル樹脂３６表面に密着させる工程は、必ずしも大気圧の雰囲気中で行なわなくてもよい。
【００４０】
図５を参照して、アンダーフィル樹脂３６が完全に硬化した後、ボンディングヘッド５６の吸着を解除し、ボンディングヘッド５６を上昇させる。また、耐圧ボックス５８の内部の高圧雰囲気を大気に解放し、大気圧に戻す。このとき、アンダーフィル樹脂３６は完全に硬化しているので、高圧雰囲気を解放してもボイド３７が再度膨張することはない。したがって、ボイド３７が微小化された状態を維持するので、ボイド３７による接着不良などの悪影響を回避することができる。
【００４１】
本実施の形態では上記のように、電極１２と接続パッド２２とを電気的に接続する工程とアンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程とを同時に行なったが、これらを別々の工程で行なってもよい。その場合の電極１２と接続パッド２２とを電気的に接続する工程とアンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程とを以下に説明する。
【００４２】
（電極１２と接続パッド２２とを電気的に接続する工程）
図４を参照して、耐圧ボックス５８の内部を高圧雰囲気とし、半田バンプ３５を加熱して溶融させ、半導体素子１１の電極１２と基板２１の接続パッド２２とを電気的に接続する。この半田バンプ３５の加熱は、半導体素子１１や基板２１の熱膨張を抑制するために、熱膨張率の小さい半導体素子１１の側から加熱を行うためボンディングヘッド５６に内蔵したヒータにより行うことが好ましい。このときの加熱温度は、本実施の形態では２００℃程度である。
【００４３】
このとき、加熱方法、加熱温度によっては、半田バンプ３５を加熱する熱が伝わりアンダーフィル樹脂３６も加熱され、部分的に高温になることがある。その場合でも、耐圧ボックス５８の内部が高圧に保たれているので、アンダーフィル樹脂３６の発泡を抑制することができる。これにより新たなボイドの発生を抑制することができる。
【００４４】
（アンダーフィル樹脂を硬化させる工程）
耐圧ボックス５８の内部の高圧雰囲気を維持しながら、アンダーフィル樹脂３６を加熱しアンダーフィル樹脂３６を硬化させる。この加熱もボンディングヘッド５６に内蔵したヒータにより行ない、加熱温度は２００℃程度である。この加熱によりアンダーフィル樹脂３６が高温になっても、耐圧ボックス５８の内部が高圧雰囲気に保たれているので、アンダーフィル樹脂３６の発泡を抑制することができ、新たなボイドの発生を抑制することができる。
【００４５】
なお、電極１２と接続パッド２２とを電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程とは、同一圧力の高圧雰囲気中で行なってもよいし、それぞれの工程の特性に応じて圧力を変更するようにしてもよい。
【００４６】
上記実施の形態においては、電極１２と接続パッド２２とを電気的に接続する工程とアンダーフィル樹脂３６を硬化させる工程において、いずれも加熱する工程を含んでいる。ここで、電極１２と接続パッド２２とを機械的に圧着したり、加熱しなくても硬化するアンダーフィル樹脂３６を用いたりすることで、これらの工程において加熱する工程を含まないようにしてもよい。その場合にも、これらの工程において、アンダーフィル樹脂３６に新たなボイドが発生することを防止することができる。
【００４７】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。したがって、本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によると、アンダーフィル樹脂と半導体素子との間に気泡が混入することにより発生するボイドの影響を低減することができると共に、アンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドの発生も抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に基づいた本実施の形態における、半導体素子および基板を半導体製造装置に装着する工程を示す概略断面図である。
【図２】この発明に基づいた本実施の形態における、半導体素子をアンダーフィル樹脂に密着させる工程を示す概略断面図である。
【図３】この発明に基づいた本実施の形態における、耐圧ボックスの内部を高圧雰囲気にする工程を示す概略断面図である。
【図４】この発明に基づいた本実施の形態における、電極と接続パッドとを電気的に接続し、アンダーフィル樹脂を硬化させる工程を示す概略断面図である。
【図５】この発明に基づいた本実施の形態における、半導体装置の製造を完了した状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１１  半導体素子、１２  電極、２１  基板、２２  接続パッド、３１  半導体装置、３５  半田バンプ、３６  アンダーフィル樹脂、３７  ボイド、５０  半導体製造装置、５１  ステージ、５２  ポンプ（加圧装置）、５６  ボンディングヘッド、５８  耐圧ボックス。
【図１】
2004311709.tif 000003
【図２】
2004311709.tif 000004
【図３】
2004311709.tif 000005
【図４】
2004311709.tif 000006
【図５】
2004311709.tif 000007