(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウェハを収容するとき、半導体ウェハが仕切板に接触して損傷することを防ぐことができる半導体ウェハ用容器を提供する。【解決手段】仕切板１２の開放端側の一部によって案内部１８が構成され、挿排方向の一方へ向かうにつれて並び方向の寸法が小さくなるように先細状に形成される。これによって半導体ウェハ１３を半導体ウェハ用容器に収容するとき、案内部１８に半導体ウェハ１３の幅方向両側部２１が接触しても、半導体ウェハ１３の移動を妨げることなく、円滑に配置領域１５に案内する。【選択図】      図４
2004311841.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体ウェハを収容する収容空間が形成され、収容空間を予め定める挿排方向の一方へ開放する容器本体と、
挿排方向と交差する並び方向に間隔をあけて容器本体に設けられ、収容空間を各半導体ウェハが個別に配置される配置領域に仕切り、容器本体の開放端側の一部によって案内部が構成され、案内部は、挿排方向の一方へ向かうにつれて並び方向の寸法が小さくなるように先細状に形成される仕切板とを含むことを特徴とする半導体ウェハ用容器。
【請求項２】
案内部は、挿排方向の一方へ向かうにつれて一様な寸法減少率で並び方向の寸法が小さくなるように先細状に形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ用容器。
【請求項３】
案内部の挿排方向の寸法は、仕切板全体の挿排方向の寸法の３分の１以下であり、残余の部分は、並び方向に垂直に形成されることを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウェハ用容器。
【請求項４】
各仕切板は、挿排方向および並び方向と交差する方向に間隔をあけて対を成して設けられる仕切片を有し、各仕切片に、前記案内部がそれぞれ形成され、
対を成す仕切片の案内部によって各半導体ウェハの両側部が案内され、
各仕切片における案内部の先端部は、前記挿排方向および並び方向と交差する方向に相互に近づくにつれて、挿排方向の他方へ傾斜して形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウェハ用容器。
【請求項５】
各仕切板は、ポリフェニレンスルフイド、ペルフロロアルコキシふっ素樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、塩化ビニル樹脂またはポリプロピレンから成ることを特徴とする請求項１〜４のいいずれかに記載の半導体ウェハ用容器。
【請求項６】
収容する半導体ウェハは、多結晶シリコン角型ウェハであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体ウェハ用容器。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の半導体ウェハ用容器を用いて、半導体ウェハを搬送することを特徴とする半導体ウェハ搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体ウェハを収容する半導体ウェハ用容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、第１の従来の技術の半導体ウェハ用容器１を示す斜視図である。図６は、半導体ウェハ用容器１の仕切板３を簡略化して示す正面図であり、図７は、図６の切断面線Ｓ７−Ｓ７から見て示す断面図である。半導体ウェハ用容器１は、容器本体２および仕切板３から構成される。容器本体２は、大略的に、四角枠形状に形成され、その枠内部に複数の角形の半導体ウェハ４が収容される収容空間が形成される。容器本体２は、半導体ウェハ４が挿排されるように、収容空間を上方向に開放するように形成される。仕切板３は、収容空間を半導体ウェハ４が厚み方向に間隔をあけて個別に配置される配置領域６に仕切る。仕切板３は、対を成す仕切片５を有する。各仕切片５は、容器本体２の長手方向に延びる壁部の収容空間に臨む一端面部に、短手方向の内方に突出し、上下方向に全域にわたって延びるように設けられる。各仕切片３の厚み寸法は、一様に形成される。半導体ウェハ４を半導体ウェハ用容器１に収容する場合、半導体ウェハ４を半導体ウェハ用容器１の配置領域６に対して下方向７へ移動させ、配置領域６に配置される。
【０００３】
第２の従来の技術の半導体ウェハ用容器は、第１の従来の技術の半導体ウェハ用容器のおける仕切板の形状が異なる。この仕切板の形状は、半導体ウェハを水平に支持できるように、仕切板の厚み方向一端面部が平面状に形成される。したがって半導体ウェハを水平に安定して支持することができる（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
第３の従来の技術の半導体ウェハ用容器は、第１の従来の技術の半導体ウェハ用容器のおける仕切板の形状が異なる。この仕切板の形状が、半導体ウェハの表面と線接触して半導体ウェハを水平に支持できるように形成されている。したがって収容されている半導体ウェハが、仕切片に接触して損傷するのを可及的に防いでいる（たとえば特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−２１６２２９号公報
【特許文献２】
実開平３−６９２４０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図８は、第１の従来の技術の半導体ウェハ用容器１を図７と同一の方向に見て示す断面図である。図８に示すように、半導体ウェハ用容器１に半導体ウェハ４を挿入方向７へ移動させたとき、半導体ウェハ４の移動経路が配置領域６に導かれておらず、仕切片５の開放端部によって遮られることがある。半導体ウェハ４の移動経路が仕切片５によって遮られていると、半導体ウェハ４が挿入方向７に移動され、半導体ウェハ４の周縁部が仕切片５に接触し、半導体ウェハ４に仕切片５からの反力が作用し、半導体ウェハ４に削れおよび欠けなどが生じるおそれがある。また半導体ウェハ４の移動経路が仕切片５によって遮られると、半導体ウェハ４を半導体ウェハ用容器１に搬送する作業が滞り、作業効率が低下する。また仕切片５の厚み寸法が、長手方向に隣接する仕切片５の間隔に対して大きいので、半導体ウェハ４の移動経路を高精度に制御しないと、半導体ウェハ４の周縁部が仕切片５に接触する可能性が高い。また半導体ウェハ用容器１は、できるだけ多くの半導体ウェハ４を収容できるように、前記仕切片５の間隔を半導体ウェハの厚み寸法に対して小さく形成されている。これによって半導体ウェハ４の周縁部が、仕切片５に接触する可能性が高い。
【０００７】
第２および第３の従来の技術の半導体ウェハ用容器は、仕切片の形状が、半導体ウェハが収容された状態で、半導体ウェハを水平に支持するように形成されている。したがってこれらの半導体ウェハ用容器の仕切板は、半導体ウェハを挿入するときに生じる、仕切片と半導体ウェハとの接触に関して考慮していない。
【０００８】
したがって本発明の目的は、半導体ウェハを収容するとき、半導体ウェハが仕切板に接触して損傷することを防ぐことができる半導体ウェハ用容器を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の半導体ウェハを収容する収容空間が形成され、収容空間を予め定める挿排方向の一方へ開放する容器本体と、
挿排方向と交差する並び方向に間隔をあけて容器本体に設けられ、収容空間を各半導体ウェハが個別に配置される配置領域に仕切り、容器本体の開放端側の一部によって案内部が構成され、案内部は、挿排方向の一方へ向かうにつれて並び方向の寸法が小さくなるように先細状に形成される仕切板とを含むことを特徴とする半導体ウェハ用容器である。
【００１０】
本発明に従えば、案内部は、仕切板の開放端側の一部によって構成され、挿排方向の一方へ向かうにつれて並び方向の寸法が小さくなるように先細状に形成される。これによって半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に収容するとき、案内部に半導体ウェハの周縁部が接触しても、案内部が前記先細状に形成されるので、半導体ウェハの移動を妨げることなく、円滑に配置領域に案内することができる。したがって半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に収容するとき、半導体ウェハの周縁部が仕切板に接触しても、半導体ウェハの削れおよび欠けなどの損傷を防ぐことができる。半導体ウェハ用容器に可及的に多くの半導体ウェハを収容するため、配置領域の寸法を可及的に小さくすると仕切板に半導体ウェハが接触する可能性が大きくなるが、案内部が前記先細状に形成されるので、接触することによって生じる損傷を防ぐことができ、より多くの半導体ウェハを収容することができる。
【００１１】
また本発明は、案内部は、挿排方向の一方へ向かうにつれて一様な寸法減少率で並び方向の寸法が小さくなるように先細状に形成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明に従えば、案内部は、挿排方向の一方へ向かうにつれて一様な寸法減少率で並び方向の寸法が小さくなるように先細状に形成される。案内部が、たとえば挿排方向の一方へ向かうにつれて寸法減少率が一様でない場合、半導体ウェハの周縁部が案内部に接触すると、半導体ウェハが案内部に引っ掛かり、円滑に配置領域に案内されず、半導体ウェハが損傷することがある。したがって案内部を、前述のように一様な寸法減少率で先細状に形成するので、半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に収容するとき、案内部に半導体ウェハの周縁部が接触しても、さらに円滑に配置領域に案内することができる。
【００１３】
また本発明は、案内部の挿排方向の寸法は、仕切板全体の挿排方向の寸法の３分の１以下であり、残余の部分は、並び方向に垂直に形成されることを特徴とする。
【００１４】
本発明に従えば、案内部の挿排方向の寸法は、仕切板全体の挿排方向の寸法の３分の１以下であり、残余の部分は、並び方向に垂直に形成される。半導体ウェハ用容器は、複数の半導体ウェハを収容している状態で、搬送される場合がある。この場合、収容される半導体ウェハが部分的に、半導体ウェハ用容器の外方に突出していると、搬送中に突出している部分が半導体ウェハ用容器以外の何かに接触して損傷するおそれがあるので、半導体ウェハは、収容空間に収まる寸法に形成される。案内部の挿排方向の寸法は、仕切板全体の挿排方向の寸法の３分の１以下であるので。収容されている半導体ウェハの重心が、挿排方向に関して中間部にある場合、半導体ウェハ用容器における半導体ウェハの重心は、挿排方向に関して仕切板の案内部を除く残余の部分にある。前記残余の部分は、並び方向に垂直に形成されるので、半導体ウェハ用容器に半導体ウェハが収容された状態で、半導体ウェハ用容器の並び方向が略鉛直になるように配置して、換言すると、半導体ウェハが略水平になるように配置すると、半導体ウェハは、前記残余の部分に支持される。これによって半導体ウェハの位置が案内部に起因してずれることなく、落下するのを防ぐことができる。したがって半導体ウェハ用容器は、並び方向をたとえば略鉛直に配置しても、半導体ウェハを安定して支持することができる。
【００１５】
また本発明は、各仕切板は、挿排方向および並び方向と交差する方向に間隔をあけて対を成して設けられる仕切片を有し、各仕切片に、前記案内部がそれぞれ形成され、
対を成す仕切片の案内部によって各半導体ウェハの両側部が案内され、
各仕切片における案内部の先端部は、前記挿排方向および並び方向と交差する方向に相互に近づくにつれて、挿排方向の他方へ傾斜して形成されることを特徴とする。
【００１６】
本発明に従えば、半導体ウェハを挿排方向の他方に移動させて、半導体ウェハ用容器に収容するとき、対を成す仕切片の案内部によって半導体ウェハの両側部が案内される。各仕切片における案内部の先端部は、前記挿排方向および並び方向と交差する方向に相互に近づくにつれて、挿排方向の他方へ傾斜して形成される。先端部がこのように形成されるので、半導体ウェハが挿排方向の他方に移動されて、万一案内部の先端部に接触しても、先端部が半導体ウェハに与える負荷を軽減することができ、半導体ウェハが損傷するのを防ぐことができる。また前述のように案内部の先端部が形成されるので、半導体ウェハの両側部が先端部に接触すると、両側部はそれぞれ先端部から配置領域に案内されるような反力を受け、配置領域に案内される。半導体ウェハが挿排方向の他方に移動するに伴って、半導体ウェハの両側部は先端部から反力を受けるので、配置領域における前記挿排方向および並び方向と交差する方向の中央部に案内することができる。
【００１７】
また本発明は、各仕切板は、ポリフェニレンスルフイド、ペルフロロアルコキシふっ素樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、塩化ビニル樹脂またはポリプロピレンから成ることを特徴とする。
【００１８】
本発明に従えば、各仕切板は、ポリフェニレンスルフイド、ペルフロロアルコキシふっ素樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、塩化ビニル樹脂またはポリプロピレンから成るので、耐薬品性および耐熱性を有する半導体ウェハ用容器を容易に形成することができる。
【００１９】
また本発明は、収容する半導体ウェハは、多結晶シリコン角型ウェハであることを特徴とする。
【００２０】
本発明に従えば、収容する半導体ウェハは、多結晶シリコン角型ウェハである。多結晶シリコン角形ウェハは複数の結晶粒界を有すので、外力によって損傷しやすいが、収納するとき前記仕切板によって、損傷する可能性を小さくすることができる。
【００２１】
また本発明は、前記半導体ウェハ用容器を用いて、半導体ウェハを搬送することを特徴とする半導体ウェハ搬送方法である。
【００２２】
本発明に従えば、前記半導体ウェハ用容器を用いて、半導体ウェハを搬送するので、半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に容易に収容して、搬送することができる。したがって複数の前記半導体ウェハ用容器を用いて、前記半導体ウェハ用容器に収容されている半導体ウェハを、別の前記半導体ウェハ用容器に搬送することを容易にすることができる。また前記半導体ウェハ用容器に収容されている半導体ウェハを、別の前記半導体ウェハ用容器に搬送するとき、半導体ウェハが仕切板に接触して引っ掛かり、搬送が中断されることを防ぐことができる。したがって半導体ウェハの搬送を高効率に行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の一形態である半導体ウェハ用容器（以下、単に「容器」ということがある）１０を示す斜視図である。容器１０は、複数の半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」ということがある）１３が収容される。容器１０は、収容されるウェハ１３をたとえば熱処理、薬液塗布、エッチングおよび電気特性出力測定などを行うときにウェハ１３を支持している。
【００２４】
容器１０に収容されるウェハ１３は、本実施の形態では、多結晶シリコン角形ウェハである。多結晶シリコン角形ウェハは、たとえば太陽電池に用いられる半導体ウェハであって、多結晶シリコンから成り、長方形板状、本実施の形態では正方形板状である角形に形成される。ウェハ１３は、たとえば長さ寸法および幅寸法が１２５ｍｍに形成され、厚み寸法が０．３ｍｍに形成される。
【００２５】
容器１０には、予め定める挿排方向Ａが設定される。容器１０に収容されるウェハ１３は、挿排方向Ａのうちの一方である排出方向Ａ１に移動されて、容器１０から排出される。また挿排方向Ａのうちの他方である挿入方向Ａ２に移動されて、容器１０に収容される。
【００２６】
容器１０は、挿排方向Ａに交差する並び方向Ｂが設定される。容器１０は、複数のウェハ１３を予め定める並び方向Ｂに複数並べて収容する。本実施の形態では、挿排方向Ａと並び方向Ｂとは、略直交する。また容器１０は、挿排方向Ａおよび並び方向Ｂにともに交差する幅方向Ｃが設定される。本実施の形態では、幅方向Ｃは、挿排方向Ａおよび並び方向Ｂと略直交する。
【００２７】
容器１０は、容器本体１１および仕切板１２を含んで構成される。容器本体１１は、大略的に、四角枠形状に形成され、その枠内部に複数のウェハ１３が収容される収容空間１４が形成される。また容器本体１１は、収容空間１４を排出方向Ａ１に開放するように形成される。
【００２８】
容器本体１１は、一対の壁部１６ａ，１６ｂと、一対の連結部１７ａ，１７ｂと、一対の係止片２３とを含んで構成される。各壁部１６ａ，１６ｂおよび各連結部１７ａ，１７ｂは、板状にそれぞれ形成される。各壁部１６ａ，１６ｂは、幅方向Ｃに対して対向して設けられ、並び方向Ｂに延びる。２つのうち一方の連結部１７ａは、各壁部１６ａ，１６ｂの並び方向一端部４０ａ，４０ｂを連結する。２つのうち他方の連結部１７ｂは、各壁部１６ａ，１６ｂの並び方向他端部４１ａ，４１ｂを連結する。これによって容器本体１１は、挿排方向Ａに垂直な断面形状が略直方体状の枠体に形成される。また収容空間１４は、一対の壁部１６ａ，１６ｂおよび一対の連結部１７ａ，１７ｂに囲まれて形成される。
【００２９】
一対の係止片２３は、ウェハ１３が収容空間１４を挿入方向Ａ２に通過することを防止する。一対の係止片２３は、各壁部１６ａ，１６ｂの挿入方向Ａ１側部分に設けられる。一方の壁部１６ａに設けられる係止片２３は、他方の壁部１６ｂに向かって突出する。また他方の壁部１６ｂに設けられる係止片２３は、一方の壁部１６ａに向かって突出する。このような一対の係止片２３は、互いに対向する。収容空間１４に収容されるウェハ１３は、係止片２３によって係止されて、さらに挿入方向Ａ２に移動することが阻止される。したがって収容空間１４は、ウェハ１３が挿排可能に排出方向Ａ１に開放され、挿入方向Ａ２にウェハ１３が通過できないように係止片２３によって塞がれている。
【００３０】
収容空間１４の幅方向Ｃの寸法は、少なくともウェハ１３の幅寸法よりも大きい寸法に形成され、収容空間１４の挿排方向Ａの寸法は、少なくともウェハ１３の長さ寸法よりも大きい寸法に形成される。このように収容空間１４は、ウェハ１３よりも大きく形成されるので、収容空間１４に収容されるウェハ１３は、容器１０の外方に突出することなく収容される。また収容空間１４の並び方向Ｂの寸法は、収容するウェハの数に基づいて決定される。
【００３１】
図２は、仕切板３を簡略化して示す正面図である。仕切板１２は、収容空間１４を各ウェハ１３が個別に配置される配置領域１５に仕切る。仕切板１２は、並び方向Ｂに間隔をあけて、各壁部１６ａ，１６ｂに複数設けられる。本実施の形態では、各仕切板１２は、並び方向Ｂに等間隔に間隔を開けて設けられる。各仕切板１２は、幅方向Ｃに間隔をあけて対を成して設けられる仕切片１９ａ，１９ｂを有する。一方の壁部１６ａに設けられる仕切片１９ａは、他方の壁部１６ｂに向かって突出する。また他方の壁部１６ｂに設けられる仕切片１９ｂは、一方の壁部１６ａに向かって突出する。一対の仕切片１９ａ，１９ｂは、挿排方向Ａに全域にわたって延びるように設けられる。このような一対の仕切片１９ａ，１９ｂは、互いに対向する。各仕切片１９は、挿排方向Ａおよび幅方向Ｂを含む仮想平面に関して、対称に形成される。各仕切片１９ａ，１９ｂは、排出方向Ａ１側端部に案内部１８ａ，１８ｂがそれぞれ形成される。言い換えると、容器本体の開放端側の一部に案内部１８ａ，１８ｂが形成される。
【００３２】
各案内部は、一対の仕切片１９ごとに設けられ、対をなして設けられる。対を成す案内部１８ａ，１８ｂは、各ウェハ１３の両側部である幅方向両端部２１を各配置領域１５に案内する。各案内部１８ａ，１８ｂは、排出方向Ａ２へ向かうにつれて並び方向Ｂの寸法が小さくなるような先細状に形成される。また各案内部１８ａ，１８ｂは、排出方向Ａ２に向かうにつれて一様な寸法減少率で並び方向Ｂの寸法が小さくなるように形成される。寸法減少率とは、予め定める方向の寸法の減少率を示す。具体的には、寸法減少率とは、予め定める位置における寸法と、予め定める位置が連続的に予め定める方向に変位し、変位した位置における寸法との変化率であって、寸法の減少の割合を示す。したがって本実施の形態では、各案内部１８ａ，１８ｂは、幅方向一方から見て、各案内部１８ａ，１８ｂの並び方向両側部が直線状に形成される。
【００３３】
案内部１８と、案内部１８を除く残余の部分４４との境界４３は、挿排方向Ａに垂直な仮想平面上に配置される。換言すると、案内部１８は、幅方向Ｂの両端面部４１，４２が挿排方向Ａに関して同一の位置から、並び方向中間部に向かってテーパ状に形成される。案内部１８を除く残余の部分４４は、並び方向Ｂの寸法Ｌ３が一様に形成され、並び方向Ｂに垂直に形成される。案内部１８の挿排方向Ａの寸法Ｌ１は、仕切板１２全体の挿排方向Ａの寸法Ｌ２の３分の１以下となるように形成される。
【００３４】
幅方向Ｃに対を成し、１つの仕切板１２を構成する２つの仕切片１９ａ，１９ｂにおける各案内部１８ａ，１８ｂの先端部２０ａ，２０ｂは、幅方向Ｃに相互に近づくにつれて、排出方向Ａ１へ傾斜して形成される。換言すると、一方の仕切片１９ａの先端部２０ａは、他方の仕切片１９ｂに向かって傾斜して形成される。
【００３５】
図３は、図２の切断面線Ｓ２２−Ｓ２２から見て示す断面図である。隣接する仕切片１９の並び方向Ｂの間隔Ｌ４は、ウェハ１３の厚み寸法Ｌ５に比べて大きく設定される。具体的には、各仕切片１９の並び方向Ｂの間隔Ｌ４は、挿排操作のときに仕切板１２間において、ウェハ１３が狭持されて挿排できなくなる不具合が生じない程度に大きく設定される。各仕切片１９の並び方向Ｂの間隔Ｌ４は、たとえばウェハ１３の厚み寸法Ｌ５の１０倍に設定される。仕切片１９の先端部２０を除く残余の部分４４は、幅方向Ｃの寸法である突出高さが、少なくとも収容されるウェハ１３の厚み方向両端部を支持できる寸法に形成される。
【００３６】
各仕切板１２は、ポリフェニレンスルフイド（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎ  ｓｕｌｆｉｄｅ：略称ＰＰＳ）、ペルフロロアルコキシふっ素樹脂（Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｃｏｘｙ  ｆｌｕｏｒｏｒｅｓｉｎｓ：略称ＰＦＡ）、ポリブチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｂｕｔｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：略称ＰＢＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ：略称ＰＥＥＫ）、塩化ビニル樹脂（Ｐｏｌｙ  ｖｉｎｙｌ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ：略称ＰＶＣ）またはポリプロピレン（Ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ：略称ＰＰ）から成る。したがって各仕切板１２は、たとえば耐熱性および耐薬品性を有し、仕切板１２を容易に形成することができる。
【００３７】
容器１０に複数のウェハ１３を収容する場合、収容する前の工程において、図３に示すように、各ウェハ１３は、収容空間１４を挿入方向Ａ２に臨む位置に配置される。具体的には各ウェハ１３は、長さ方向Ｄを挿排方向Ａと略平行にし、ウェハ１３の厚み方向Ｅを並び方向Ｂと略平行にして配置される。各ウェハ１３は、挿排方向Ａに関して、各ウェハ１３の厚み方向中間部が、それぞれ隣接する仕切片１９の並び方向中間部と同一の位置となるように配置される。また各ウェハ１３は、挿排方向Ａに関して、各ウェハ１３の幅方向中間部が、容器１０の幅方向中間部と同一の位置となるように配置される。
【００３８】
前述のように複数のウェハ１３を配置した後、各ウェハ１３を収容する工程において、各ウェハ１３を挿入方向Ａ１に変位させる。ウェハ１３の幅方向両端部２１が、係止片２３に当接するまで変位させる。これによってウェハ１３は、係止片２３および仕切板１２によって支持される。したがって複数のウェハ１３は、挿入された配置領域１５に個別に配置される。
【００３９】
図４は、仕切板１２を図３と同一の方向に見て示す断面図である。図４に示すように、収容する前の工程において、ウェハ１３の配置位置が並び方向Ｂに関してずれている場合がある。この場合、ウェハ１３を挿入方向Ａ１に変位させると、ウェハ１３の幅方向両端部２１が、仕切片１９の案内部１８に接触する。案内部１８は、前述のように先細状に形成されるので、案内部１８にウェハ１３の幅方向両端部２１が案内部１８に接触しながら、案内部１８の挿入方向Ａ１の断面形状に沿うような移動経路２３で配置領域１５に案内される。したがってウェハ１３の移動を妨げることなく、円滑に配置領域１５に案内することができる。これによってウェハ１３の幅方向両端部２１が仕切板１２に接触しても、ウェハ１３の削れおよび欠けなどの損傷を防ぐことができる。
【００４０】
本実施の形態において、容器に収容されるウェハ１３は、多結晶シリコンから成る。多結晶シリコンから成る半導体ウェハは、結晶粒界が複数存在するので、単結晶シリコンから成る半導体ウェハより強度が小さく、外力によって損傷しやすい。またウェハ１３の形状は、角形に形成されるので、丸形の半導体ウェハに比べて、周縁部が何かに接触すると、反力が作用しやすい形状であるので、接触によって損傷しやすい。したがって本実施の形態におけるウェハ１３は、外力が作用すると損傷する可能性が高い。
【００４１】
しかしながら、前述したような容器１０に収容することによって、ウェハを円滑に配置領域に案内することによって、多結晶シリコン角形ウェハのような外力が作用すると損傷しやすいウェハでも、損傷を防ぐことができる。また容器１０に可及的に多くのウェハ１３を収容するため、配置領域１５の寸法を可及的に小さくすると、仕切板１２にウェハ１３が接触する可能性が大きくなるが、案内部１８が前記先細状に形成されるので、接触することによって生じる損傷を防ぐことができ、より多くのウェハ１３を収容することができる。これによって製造コストが低い多結晶シリコンを用いた場合であっても、製造されるウェハ１３の歩留まりを向上することができ、太陽電池に用いられる半導体ウェハの製造コストを低減することができる。
【００４２】
前述のように案内部１８の先端部２０が形成されるので、ウェハ１３の幅方向両端部２１が万一先端部２０に接触しても、ウェハ１３の幅方向両端部２１はそれぞれ先端部２０から容器１０の幅方向中間部に向かうような反力を受ける。したがってウェハ１３が万一先端部２０に接触しても、先端部２０がウェハ１３に与える負荷を軽減することができる。またウェハ１３が、容器１０の幅方向Ｃに対して、不所望に変位することなく、配置領域１５における幅方向中央部に案内される。
【００４３】
また案内部１８と仕切片１９の案内部１８を除く残余の部分４４との境界４３は、挿排方向Ａに垂直な仮想平面上に配置されるように形成される。対を成す仕切片１９の案内部１８における先端部２０が、互いに近づくにつれて、案内部１８はウェハ１３が接触した場合に挿入方向上流寄りの部分では、容器１０の幅方向の中央部に向かって、いわばセンタリングするように案内し、挿入方向下流寄り、換言すると、前記残余の部分４４寄りになるにつれて前記センタリング効果を減少させて配置領域１５へ案内することができる。これによってウェハ１３は、ウェハ１３の容器１０における壁部１６への接触を確実に避けて、容器１０の幅方向中央寄りに配置されるように案内されることはもちろん、加えて案内部１８だけでセンタリング効果を発揮する場合に比べて、案内部１８から受ける負荷を軽減して、より円滑に案内することができる。収容されるウェハ１３を処理する容器１０に対して、このようにウェハ１３を容器１０に対して間隔をあけて配置されるのが好ましい。これによってウェハ１３を薬液などのよって処理する場合に、処理の効果を高めることができる。
【００４４】
また案内部１８は、前述のように一様な寸法減少率で並び方向Ｂの寸法が小さくなるように先細状に形成される。案内部１８が、前記寸法減少率が一様でない場合、換言すると、案内部が直線状ではなく曲率を有して形成される場合、ウェハ１３の幅方向両端部２１が案内部１８に接触すると、ウェハ１３が案内部１８に引っ掛かり、円滑に配置領域１５に案内されず、ウェハ１３が損傷することがある。したがって案内部１８を、前述のように一様な寸法減少率で先細状に形成するので、ウェハ１３を容器１０に収容するとき、案内部１８にウェハ１３の幅方向両端部２１が接触しても、確実に配置領域１５に案内することができる。
【００４５】
複数のウェハ１３が収容している容器１０を、たとえば並び方向Ｂを鉛直方向と略平行にして配置することがある。前述のように案内部１８の挿排方向Ａの寸法は、仕切板１２全体の挿排方向Ａの寸法の３分の１以下である。ウェハ１４の重心は、本実施の形態では、挿排方向Ａに関して中間部にあるので、収容されているウェハ１３の重心は、挿排方向Ａに関して仕切板１２の案内部１８を除く残余の部分４４にある。これによって容器１０にウェハ１３が収容された状態で、容器１０の並び方向Ｂが略鉛直になるように配置して、換言すると、ウェハ１３の幅方向Ｃが略水平になるように配置しても、ウェハ１３の位置が案内部１８に起因してずれることなく、容器１０から落下するのを防ぐことができる。したがって容器１０は、並び方向Ｂをたとえば略鉛直に配置しても、ウェハ１３を安定して支持することができる。
【００４６】
容器１０に複数のウェハ１３を収容する方法として、容器１０を複数、たとえば二つ用いる方法がある。一方の容器１０に収容されているウェハ１３を、他方の容器１０に収容する方法である。まず一方の容器１０に予め複数のウェハ１３を収容しておき、この一方の容器１０を予め定める位置に搬送する。一方の容器１０は、開放端側を他方の容器１０の開放端側に臨み、互いの挿排方向Ａの軸線が同軸の状態であって、互いの並び方向Ｂが略平行となるように配置する。したがって一方の容器１０に収容されている複数のウェハ１３まとめて挿排方向Ａの一方に変位させることによって、他方の容器１０に収容する。他方の容器１０は、前述のように仕切板１２が形成されるので、ウェハ１３が仕切板１２に接触して損傷することを防ぐことができる。また一方の容器１０に収容されている複数のウェハ１３を、他方の容器１０に搬送するとき、ウェハ１３が仕切板１２に接触して引っ掛かり、搬送が中断されることを防ぐことができる。したがってウェハ１３の搬送を高効率に行うことができる。
【００４７】
前述の実施の形態の容器１０において、各仕切片１９は、挿排方向Ａに全域にわたって延びるように設けられたけれども、これに限ることはない。各仕切片は、挿排方向の部分的に設けられてもよく、たとえば挿排方向の中間部から一方に向かって設けられてもよい。これによって隣接する配置領域に収容されるウェハ同士が接触することを防ぐことができる。また本実施例では、容器１０は、多結晶シリコン角型ウェハを収容するとしたが、他の形態のウェハを収容してもよい。たとえば単結晶シリコンから成るウェハであってもよい。また容器１０は、丸形に形成されるウェハであっても収容可能である。また収容されるウェハは、長さ方向の中間部から挿排方向の他方側が、仕切片と接触しないようにすることができる。したがってこの容器を用いて、収容されるウェハにウェットエッチングなどの薬液処理を効果的に行うことができる。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に収容するとき、案内部に半導体ウェハの周縁部が接触しても、案内部が前記先細状に形成されるので、半導体ウェハの移動を妨げることなく、円滑に配置領域に案内することができる。したがって半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に収容するとき、半導体ウェハの周縁部が仕切板に接触しても、半導体ウェハの削れおよび欠けなどの損傷を防ぐことができる。これによって半導体ウェハの歩留まりをよくすることができるので、半導体ウェハの製造コストを低くすることができる。また本発明の半導体ウェハ用容器は、より多くの半導体ウェハを収容することができる。また案内部は、仕切板の開放端側の一部によって構成されるので、仕切板の案内部を除く残余の部分によって、隣接する配置領域に収容される半導体ウェハ同士が接触することを防ぐことができる。
【００４９】
また本発明によれば、半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に収容するとき、案内部に半導体ウェハの周縁部が接触しても、さらに円滑に配置領域に案内することができる。
【００５０】
また本発明によれば、半導体ウェハ用容器に半導体ウェハが収容された状態で、半導体ウェハ用容器の並び方向が略鉛直になるように配置して、換言すると、半導体ウェハが略水平になるように配置しても、半導体ウェハの位置が案内部に起因してずれることなく、落下するのを防ぐことができる。したがって半導体ウェハ用容器は、並び方向をたとえば略鉛直に配置しても、半導体ウェハを安定して支持することができる。
【００５１】
また本発明によれば、半導体ウェハが挿排方向の他方に移動されて、案内部の先端部に接触しても、先端部が半導体ウェハに与える負荷をさらに軽減することができ、半導体ウェハが損傷するのを確実に防ぐことができる。また前述のように案内部の先端部が形成されるので、半導体ウェハの両側部が先端部に接触すると、両側部はそれぞれ先端部から配置領域に案内されるような反力を受け、配置領域に案内される。半導体ウェハが挿排方向の他方に移動するに伴って、半導体ウェハの両側部は先端部から反力を受けるので、配置領域における前記挿排方向および並び方向と交差する方向の中央部に案内することができる。
【００５２】
また本発明によれば、耐薬品性および耐熱性を有する半導体ウェハ用容器を容易に形成することができる。
【００５３】
また本発明によれば、多結晶シリコン角形ウェハは複数の結晶粒界を有すので、外力によって損傷しやすいが、収納するとき前記仕切板によって、多結晶シリコン角形ウェハであっても損傷する可能性を小さくすることができる。
【００５４】
また本発明によれば、前記半導体ウェハ用容器を用いて、半導体ウェハを搬送するので、半導体ウェハを半導体ウェハ用容器に容易に収容して、搬送することができる。また前記半導体ウェハ用容器に収容されている半導体ウェハを、別の前記半導体ウェハ用容器に搬送するとき、半導体ウェハが仕切板に接触して損傷することを防ぐことができる。また前記半導体ウェハ用容器に収容されている半導体ウェハを、別の前記半導体ウェハ用容器に搬送するとき、半導体ウェハが仕切板に接触して引っ掛かり、搬送が中断されることを防ぐことができる。したがって半導体ウェハの搬送を高効率に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態である半導体ウェハ用容器１０を示す斜視図である。
【図２】容器１０を並び方向一方に見て示す概略図である。
【図３】容器１０を幅方向一方に見て示す概略図である。
【図４】容器１０を幅方向一方に見て示す概略図である。
【図５】第１の従来の技術の半導体ウェハ用容器１を示す斜視図である。
【図６】半導体ウェハ用容器１を長手方向一方に見て示す概略図である。
【図７】半導体ウェハ用容器１を短手方向一方に見て示す概略図である。
【図８】第１の従来の技術の半導体ウェハ用容器１を図７と同一の方向に見て示す断面図である。
【符号の説明】
１０  半導体ウェハ用容器
１１  容器本体
１２  仕切板
１３  半導体ウェハ
１４  収容空間
１５  配置領域
１８  案内部
１９  仕切片
２０  先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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