(57)【要約】【課題】電子ビームの軌道を容易に制御できるとともに電子放出源側への放電を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置、および画像表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法を提供する。【解決手段】蛍光面を有した第１基板１０と、第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、蛍光面を励起する複数の電子放出源１８が設けられた第２基板と、を備え、これら第１および第２基板間には、基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサアッセンブリ２２が設けられている。スペーサアッセンブリは、板状のグリッド２４と、グリッドの両面に立設された第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂとを有している。第１および第２スペーサの少なくとも一方のスペーサは、それぞれグリッド側から基板側に向かって徐々に体積抵抗値が減少している。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光面を有した第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、上記第１および第２基板の間に設けられたスペーサアッセンブリとを備え、
上記スペーサアッセンブリは、上記第１および第２基板に対向した第１および第２表面、並びにそれぞれ上記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記グリッドの第１表面上に立設され上記第１基板に当接した複数の第１スペーサと、上記グリッドの第２表面上に立設され上記第２基板に当接した複数の第２スペーサとを備え、
上記第１スペーサおよび第２スペーサの少なくとも一方のスペーサは、それぞれ上記グリッド側から上記第１基板あるいは第２基板側に向かって徐々に体積抵抗値が減少していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
上記少なくとも一方のスペーサは、上記第１あるいは第２基板と接する端側で１０  ８Ω以下、上記グリッドと接する端側で１０１０Ω以上の体積抵抗値を有していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
上記複数の第２スペーサは、それぞれ上記グリッド側から上記第２基板側に向かって徐々に体積抵抗値が減少していることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記第１スペーサおよび第２スペーサは、それぞれ上記グリッド側から上記第１基板あるいは第２基板側に向かって徐々に体積抵抗値が減少していることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記少なくとも一方のスペーサは、上記グリッドの表面と平行な方向に沿った断面において、体積抵抗値が全面に渡って均一であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
複数の電子ビーム透過孔を有する板状のグリッドと、グリッドの表面に立設された複数のスペーサとを備え画像表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法において、
複数の電子ビーム通過孔が形成された板状のグリッドと、スペーサを成形するための複数のスペーサ形成孔を有した成形型と、を用意し、
上記成形型のスペーサ形成孔にスペーサ形成材料および導電性粉体を充填し、
上記充填されたスペーサ形成材料内で導電性粉体が濃度勾配を持つように調整し、
上記導電性粉体の濃度勾配を調整した後、上記成形型を上記グリッドの表面に密着させ、
上記スペーサ形成材料を硬化させた後、上記成形型を上記グリッドから離型し、
上記硬化したスペーサ形成材料を焼成することを特徴とする画像表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法。
【請求項７】
複数の電子ビーム透過孔を有する板状のグリッドと、グリッドの両面に立設された複数のスペーサとを備え画像表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法において、
複数の電子ビーム通過孔が形成された板状のグリッドと、スペーサを成形するための複数のスペーサ形成孔をそれぞれ有しているとともに紫外線を透過可能な第１成形型および第２成形型と、を用意し、
上記第１および第２成形型のスペーサ形成孔に紫外線硬化型のスペーサ形成材料を充填するとともに、上記第１および第２成形型の少なくとも一方のスペーサ形成孔に導電性粉体を充填し、
上記充填されたスペーサ形成材料内で導電性粉体が濃度勾配を持つように調整し、
上記導電性粉体の濃度勾配を調整した後、上記第１および第２成形型を上記グリッドの両面にそれぞれ密着させ、
上記グリッドに密着した上記第１および第２成形型の外側から上記スペーサ形成材料に紫外線を照射し、スペーサ形成材料を紫外線硬化させ、
上記成形型を上記グリッドから離型し、上記硬化したスペーサ形成材料を焼成することを特徴とする画像表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法。
【請求項８】
上記スペーサ形成材料として、少なくとも紫外線硬化型のバインダおよびガラスフィラーを含有したペーストを用いることを特徴とする請求項６又は７に記載のスペーサアッセンブリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサアッセンブリと、を備えた画像表示装置およびスペーサアッセンブリの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高品位放送用あるいはこれに伴う高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリーン表示性能については一段と厳しい性能が要望されている。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図らねばならない。
【０００３】
上記のような要望を満たす画像表示装置として、例えば、フィールドエミッションディスプレイ（以下ＦＥＤと称する）等の平面表示装置が注目されている。このＦＥＤは、所定の隙間を置いて対向配置された第１基板および第２基板を有し、これらの基板は、その周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁を介して互いに接合され真空外囲器を構成している。第１基板の内面には蛍光体層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体層を励起して発光させる電子放出源として複数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
また、第１基板および第２基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には支持部材として複数のスペーサが配設されている。そして、このＦＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。
【０００５】
このような構成のＦＥＤでは、電子放出素子の大きさがマイクロメートルオーダーであり、第１基板と第２基板との間隔をミリメートルオーダーに設定することができる。このため、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、画像表示装置の高解像度化、軽量化、薄型化を達成することが可能となる。
【０００６】
上述のような画像表示装置において、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは１０ｋＶ以上に設定することが必要となる。第１基板と第２基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性、製造性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。また、高い加速電圧で加速された電子が蛍光面に衝突した際、蛍光面で２次電子および反射電子が発生する。
【０００７】
第１基板と第２基板との間の空間が狭い場合、蛍光面で発生した２次電子および反射電子が、基板間に配設されたスペーサに衝突し、その結果、スペーサが帯電する。ＦＥＤにおける加速電圧では、一般にスペーサは正に帯電する。この場合、電子放出素子から放出された電子ビームはスペーサに引き付けられ、本来の軌道からずれてしまう。その結果、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生し、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。
【０００８】
このようなスペーサによる電子ビームの吸引を低減するため、スペーサ表面の全部または一部に導電処理を施して帯電を逃がすことが考えられる。例えば、特許文献１には、絶縁スペーサの第２基板側の端部に導電性処理を施し、スペーサの帯電を逃がす構造が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】
米国特許第５，７２６，５２９号明細書
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、絶縁スペーサの第２基板側の端部に導電性処理を施した場合、帯電されたスペーサの電荷が第２基板へ放電し、第２基板上に設けられた電子放出素子が損傷あるいは劣化し表示品位が低下する恐れがある。また、スペーサを介して第１基板から第２基板に流れる無効電流が増加し、温度の上昇や消費電力の増加を引き起こす。
【００１１】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、電子ビームの軌道を容易に制御できるとともに電子放出源側への放電を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置、およびその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面を有した第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、上記第１および第２基板の間に設けられたスペーサアッセンブリとを備え、
上記スペーサアッセンブリは、上記第１および第２基板に対向した第１および第２表面、並びにそれぞれ上記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記グリッドの第１表面上に立設され上記第１基板に当接した複数の第１スペーサと、上記グリッドの第２表面上に立設され上記第２基板に当接した複数の第２スペーサとを備え、上記第１スペーサおよび第２スペーサの少なくとも一方のスペーサは、それぞれ上記グリッド側から上記第１基板あるいは第２基板側に向かって徐々に体積抵抗値が減少している。
【００１３】
この発明の形態に係るスペーサアッセンブリの製造方法は、複数の電子ビーム通過孔が形成された板状のグリッドと、スペーサを成形するための複数のスペーサ形成孔を有した成形型と、を用意し、上記成形型のスペーサ形成孔にスペーサ形成材料および導電性粉体を充填し、上記充填されたスペーサ形成材料内で導電性粉体が濃度勾配を持つように調整し、上記導電性粉体の濃度勾配を調整した後、上記成形型を上記グリッドの表面に密着させ、上記スペーサ形成材料を硬化させた後、上記成形型を上記グリッドから離型し、上記硬化したスペーサ形成材料を焼成することを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）に適用した実施の形態について詳細に説明する。
図１ないし図３に示すように、このＳＥＤは、透明な絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。第２基板１２は、第１基板１０よりも僅かに大きな寸法に形成されている。そして、第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同志が接合され、内部が高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器１５を構成している。
【００１５】
第１基板１０の内面には蛍光面として蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、電子の衝突で赤、青、緑に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成されている。これらの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７、および図示しないゲッタ膜が順に形成されている。なお、第１基板１０と蛍光体スクリーン１６との間に、例えばＩＴＯからなる透明導電膜あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよい。
【００１６】
第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、第２基板１２の内面には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリクス状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の周縁部に引出されている。
【００１７】
接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、第１基板および第２基板同志を接合している。
【００１８】
図２ないし図４に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２間に配設されたスペーサアッセンブリ２２を備えている。本実施の形態において、スペーサアッセンブリ２２は、板状のグリッド２４と、グリッドの両面に一体的に立設された複数の柱状のスペーサと、を備えている。
【００１９】
詳細に述べると、グリッド２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。そして、グリッド２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
【００２０】
グリッド２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．２５ｍｍに形成されている。グリッド２４の表面には、金属板を構成する元素からなる酸化膜、例えば、Ｆｅ３Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４からなる酸化膜が形成されている。更に、グリッド２４の少なくとも第２基板側の表面には、ガラス、セラミック等からなる高抵抗物質を塗布、焼成した高抵抗膜が形成され、高抵抗膜のシート抵抗値は、Ｅ＋８Ω／□以上に設定されている。
【００２１】
電子ビーム通過孔２６は、例えば、０．１５〜０．２５ｍｍ×０．１５〜０．２５ｍｍの矩形状に形成されている。なお、上述した放電電流制限効果を有する高抵抗膜は、グリッド２４に設けられた電子ビーム通過孔２６の壁面にも形成されている。
【００２２】
グリッド２４の第１表面２４ａ上には、複数の第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、その延出端は、ゲッタ膜、メタルバック１７および蛍光体スクリーン１６の遮光層１１を介して第１基板１０に当接している。グリッド２４の第２表面２４ｂ上には、複数の第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、その延出端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１に当接している。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、それぞれ所定の間隔をおいて配列され、グリッド２４の各表面の全域に渡って設けられている。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂはそれぞれ隣合う２つの電子ビーム通過孔２６間に設けられ互いに整列して延びている。これにより、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、グリッド２４を両面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体に形成されている。
【００２３】
第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。第１スペーサ３０ａの高さは、第２スペーサ３０ｂの高さよりも低く形成されている。
【００２４】
第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、主に、ガラスを主成分とするスペーサ形成材料により形成されている。第２基板１２側に位置した第２スペーサ３０ｂは、導電性材料、例えば、Ａｇからなる導電性粉体を含有している。第２スペーサ３０ｂにおける導電性粉体は、濃度勾配を持って含有されている。すなわち、導電性粉体の含有濃度は、第２スペーサ３０ｂのグリッド２４側の基端から第２基板１２側の先端に向かって徐々に増大している。これにより、各第２スペーサ３０ｂの体積抵抗値は、グリッド２４側から第２基板１２側に向かって徐々に減少している。例えば、第２スペーサ３０ｂの体積抵抗値は、グリッド２４側の基端で１０１０Ω以上、第２基板１２側の先端で１０  ８Ω以下となっている。また、第２スペーサ３０ｂの高さ方向の各位置において、グリッド２４の表面と平行な方向に沿った断面の体積抵抗値は全面に渡ってほぼ均一となっている。
【００２５】
第２スペーサ３０ｂに含有される導電性材料としては、Ａｇの他、Ｎｉ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｗ等を用いることができる。また、導電性材料の含有濃度は、電子ビームに与える反発力、つまり、電子ビームの軌道補正量を考慮して任意に設定される。
【００２６】
上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２は第１基板１０および第２基板１２間に配設されている。そして、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００２７】
ＳＥＤは、グリッド２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、グリッド２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶ程度の電圧を印加する。画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧を印加し、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【００２８】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。図５（ａ）に示すように、スペーサアッセンブリ２２を製造する場合、まず、所定寸法のグリッド２４、グリッドとほぼ同一の寸法を有した矩形板状の第１および第２成形型３６ａ、３６ｂを用意する。この場合、Ｆｅ−４５〜５５％Ｎｉからなる板厚０．１２ｍｍの薄板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより電子ビーム通過孔２６を形成しグリッド２４とする。その後、グリッド２４全体を酸化処理により酸化させ、電子ビーム通過孔２６の内面を含めグリッド表面に絶縁膜を形成する。更に、絶縁膜の上に、ガラスを主成分としたコート液をスプレー被覆し、乾燥、焼成して高抵抗膜を形成する。
【００２９】
第１および第２成形型３６ａおよび３６ｂは、紫外線を透過する透明な材料、例えば、シリコン、透明ポリエチレンテレフタレート等により形成する。第１成形型３６ａは、第１スペーサ３０ａを成形するための有底のスペーサ形成孔４０ａを多数有している。スペーサ形成孔４０ａはそれぞれ第１成形型３６ａの一方の表面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。同様に、第２成形型３６ｂは、第２スペーサ３０ｂを成形するための有底のスペーサ形成孔４０ｂを多数有している。スペーサ形成孔４０ｂはそれぞれ第２成形型３６ｂの一方の表面に開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。
【００３０】
続いて、図５（ｂ）に示すように、スペーサ形成材料４６ａとして、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを第１成形型３６ａのスペーサ形成孔４０ａに充填する。また、スペーサ形成材料４６ｂとして、紫外線硬化型のバインダ、ガラスフィラー、およびＡｇからなる導電性粉体を含有したガラスペーストを第２成形型３６ｂのスペーサ形成孔４０ｂに充填する。その後、適当な方法により、各スペーサ形成孔４０ｂにおいて、導電性紛体の濃度がスペーサ形成孔４０ｂの開口側から底側に向かって徐々に増大するように調整する。
【００３１】
次に、スペーサ形成材料４６ａの充填されたスペーサ形成孔４０ａが電子ビーム通過孔２６間に位置するように、第１成形型３６ａを位置決めしグリッド２４の第１表面２４ａに密着させる。同様に、スペーサ形成材料４６ｂの充填されたスペーサ形成孔４０ｂが電子ビーム通過孔２６間に位置するように、第２成形型３６ｂを位置決めしグリッド２４の第２表面２４ｂに密着させる。これにより、グリッド２４、第１成形型３６ａおよび第２成形型３６ｂからなる組立体４２を構成する。組立体４２において、第１成形型３６ａのスペーサ形成孔４０ａと第２成形型３６ｂのスペーサ形成孔４０ｂとは、グリッド２４を挟んで対向して配列されている。
【００３２】
続いて、グリッド２４、第１成形型３６ａおよび第２成形型３６ｂを密着させた状態で、スペーサ形成材料４６ａ、４６ｂに対し、第１および第２成形型３６ａ、３６ｂの外面側から紫外線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料をＵＶ硬化させる。ここで、第１および第２成形型３６ａおよび３６ｂはそれぞれ紫外線透過材料で形成されている。そのため、照射された紫外線は、第１および第２成形型３６ａおよび３６ｂを透過し、充填されたスペーサ形成材料４６ａ、４６ｂに照射される。これにより、組立体４２の密着を維持した状態で、スペーサ形成材料４６ａ、４６ｂを紫外線硬化させる。
【００３３】
その後、図５（ｃ）に示すように、硬化したスペーサ形成材料４６ａ、４６ｂをグリッド２４上に残すように、第１および第２成形型３６ａおよび３６ｂをグリッド２４から離型する。次に、スペーサ形成材料４６ａ、４６ｂが設けられたグリッド２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。スペーサ形成材料４６ｂについては、加えるＡｇ粉末の割合を最適化することで、導電部となるＡｇ部分の熱膨張係数とガラスを基材とするスペーサとの熱膨張係数の差を低減し、熱膨張差に起因する破損を生じることなく焼成することができる。
【００３４】
これにより、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサアッセンブリ２２が得られる。この際、第２スペーサ３０ｂは、基端側から先端部に向かい、Ｌｉ系ホウ珪酸アルカリガラスにより形成された絶縁層からＡｇにより形成された導電層に成分が徐々に変化するスペーサとして形成される。
【００３５】
一方、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。
【００３６】
続いて、上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２を第２基板１２上に位置決め配置する。この際、第２スペーサ３０ｂの延出端がそれぞれ配線２１上に配置されるようにスペーサアッセンブリ２２を位置決めする。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサアッセンブリ２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。これにより、スペーサアッセンブリ２２を備えたＳＥＤが製造される。
【００３７】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、第２基板１２側に位置した第２スペーサ３０ｂは、グリッド２４側から第２基板１２に向かって徐々に体積抵抗値が減少し、第２基板との接触部に低抵抗部を有している。そのため、第２スペーサ３０ｂ先端部と第２基板１２との電気的接続ができ、スペーサが正帯電しにくくなる。これにより、第２スペーサ３０ｂは、電子ビームの吸引力が非常に小さく、電子ビームの軌道に与える影響が大幅に減少する。特に、電子放出素子１８から放出された電子ビームは、放出直後の移動速度が最も遅く、スペーサの吸引力の影響を受け易いが、電子放出素子１８の近傍に位置した第２スペーサ３０ｂ側への電子ビームの移動を抑制することができる。その結果、電子放出素子１８から放出された電子ビームは軌道ずれが抑制され、蛍光体スクリーン１６の目標とする蛍光体層に到達する。これにより、電子ビームのミスランディングを防止して色純度の劣化を低減し、画像品位の向上を図ることができる。
【００３８】
また、第２スペーサ３０ｂは第２基板１２との接触部に低抵抗部を有しているため、第２スペーサ３０ｂと第２基板１２との接触部、つまりスペーサの陰極接合部（三重点、Ｔｒｉｐｌｅ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）の電界を緩和して沿面放電を抑制できる。第１基板１０および第２基板１２間の放電耐圧を確保することができる。これにより、蛍光体スクリーンに印加するアノード電圧を高くし、表示画像の輝度向上を図ることが可能となる。更に、スペーサを介して第１基板１０から第２基板１２へ流れる無効電流を無くすことができ、スペーサにおける温度上昇や電力消費の発生を防止することが可能となる。
【００３９】
更に、上記ＳＥＤによれば、第１基板１０と第２基板１２との間にグリッド２４が配置されているとともに、第１スペーサ３０ａの高さは、第２スペーサ３０ｂの高さよりも低く形成されている。これにより、グリッド２４は第２基板１２よりも第１基板１０側に接近して位置している。そのため、第１基板１０側から放電が生じた場合でも、グリッド２４により、第２基板１２上に設けられた電子放出素子１８の放電破損を抑制することが可能となる。従って、放電に対する耐圧性に優れ画像品位の向上したＳＥＤを得ることができる。
【００４０】
また、上記構成のＳＥＤによれば、第１スペーサ３０ａの高さを第２スペーサ３０ｂよりも低く形成することにより、グリッド２４に印加する電圧を第１基板１０に印加する電圧より大きくした場合でも、電子放出素子１８から発生した電子を蛍光体スクリーン側へ確実に到達させることができる。
【００４１】
スペーサアッセンブリの製造方法において、スペーサを焼成してガラス化した後、各スペーサに導電膜を塗布する方法も考えられるが、微細なスペーサに導電処理を施すことは非常に困難であり、製造効率が低下する。これに対して、本実施の形態に係る製造方法によれば、所望の抵抗値を有したスペーサを容易に得られる。
【００４２】
上述した実施の形態では、第２基板１２側に位置した第２スペーサ３０ｂのみをグリッド側から基板側に向かって徐々に抵抗値が減少した構成としたが、第１スペーサ３０ａのみ、あるいは、図６に示すように、第１スペーサ３０ａおよび第２スペーサ３０ｂをそれぞれグリッド２４側から第１基板１０あるいは第２基板１２に向かって徐々に抵抗値が減少した構成としてもよい。
図６に示した実施の形態において、他の構成は前述した実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。そして、図６に示した実施の形態においても前述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。この発明において、スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は必要に応じて適宜選択可能である。また、スペーサは柱状に限らず、細長い板状に形成してもよい。上述した実施の形態では、グリッド上にスペーサを形成する構成としたが、グリッドを持たない構成とすることもできる。電子放出源は、表面導電型の電子放出素子に限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等、種々選択可能であり、また、この発明は、ＳＥＤに限定されることなく、他の画像表示装置にも適用可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、電子ビームの軌道を容易に制御できるとともに電子放出源側への放電を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置、および画像表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法を提供するができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した上記ＳＥＤの斜視図。
【図３】上記ＳＥＤを示す断面図。
【図４】上記ＳＥＤの一部を拡大して示す断面図。
【図５】上記ＳＥＤに用いるスペーサアッセンブリの製造方法を示す断面図。
【図６】この発明の他の実施の形態に係るＳＥＤの一部を示す断面図。
【符号の説明】
１０…第１基板、  １２…第２基板、  １４…側壁、
１５…真空外囲器、  １６…蛍光体スクリーン、  １８…電子放出素子、
２２…スペーサアッセンブリ、  ２４…グリッド、
２６…電子ビーム通過孔、  ３０ａ…第１スペーサ、
３０ｂ…第２スペーサ、  ３６ａ…第１成形型、  ３６ｂ…第２成形型、
４６ａ、４６ｂ…スペーサ形成材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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