(57)【要約】【課題】スペーサーの表層部分に帯電防止のための電気抵抗が比較的低い部分を制御性良く形成することが可能で、且つ、より簡易なスペーサーの製造方法及びスペーサーを提供すること。【解決手段】表層部分の少なくとも一部がＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料からなるスペーサー基体を形成する工程と、前記スペーサー基体を還元処理することにより表層部分の少なくとも一部を低抵抗化する工程と、を含むことを特徴とするスペーサーの製造方法。ガラス材料に含有するＰｂＯの量、還元温度、還元時間、還元雰囲気中の水素濃度等のうちの少なくとも一つの条件設定を変えるだけで、スペーサー表面の導電性を容易に制御することが可能となる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層部分の少なくとも一部がＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料からなるスペーサー基体を形成する工程と、
前記スペーサー基体を還元処理することにより表層部分の少なくとも一部を低抵抗化する工程と、
を含むことを特徴とするスペーサーの製造方法。
【請求項２】
前記スペーサー基体を形成する工程において、表層部分の少なくとも一部にＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料を用いたガラス母材を加熱して延伸し、延伸した延伸ガラス母材を所要の長さに切断することでスペーサー基体を形成することを特徴とする請求項１に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項３】
ガラス母材は縦横の寸法が異なる断面形状をなし、
該ガラス母材を、ガラス母材の内層に配されたコアガラス材と、ガラス母材の表層部分のうち少なくとも断面長手方向に沿った外面を含む領域に配された表面ガラス材とからなる複合構造とし、
表面ガラス材がＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料からなることを特徴とする請求項２に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項４】
コアガラス材の断面形状が長方形であり、表面ガラス材が少なくともコアガラス材の断面長辺側の２面に宛われたガラス母材を用いることを特徴とする請求項３に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項５】
前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍとなるまで還元処理することを特徴とする請求項４に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項６】
表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に宛われたガラス母材を用いることを特徴とする請求項４又は５に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項７】
コアガラス材の断面短辺側の２面に宛われた表面ガラス材が、ＰｂＯを６０重量％以上含有するガラス材料からなることを特徴とする請求項６に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項８】
前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍとなるまで還元処理することを特徴とする請求項６又は７に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項９】
表面ガラス材が、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する部材を含むガラス母材を用いることを特徴とする請求項３に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１０】
コアガラス材の断面形状が長方形であり、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する表面ガラス材がコアガラス材の断面長辺側の２面に宛われたガラス母材を用いることを特徴とする請求項９に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１１】
コアガラス材の断面長辺側の２面に宛われた表面ガラス材が、複数の細板部材を含み、該細板部材は、前記複数の溝のピッチと同じ幅を持ち、該溝の山部と谷部に対応する２つの異なる厚さの部分を有することを特徴とする請求項１０に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１２】
前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍとなるまで還元処理することを特徴とする請求項１０又は１１に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１３】
表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に宛われたガラス母材を用いることを特徴とする請求項１０から１２のいずれかに記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１４】
コアガラス材の断面短辺側の２面に宛われた表面ガラス材が、ＰｂＯを６０重量％以上含有するガラス材料からなることを特徴とする請求項１３に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１５】
前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍとなるまで還元処理することを特徴とする請求項１４に記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１６】
前記スペーサー基体を形成する工程において、ガラス母材を、コアガラス材と表面ガラス材の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内でかつコアガラス材の粘性より表面ガラス材の粘性が高くなる延伸温度に加熱して延伸することを特徴とする請求項３から１５のいずれかに記載のスペーサーの製造方法。
【請求項１７】
表層部分の少なくとも一部に、ＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とするスペーサー。
【請求項１８】
スペーサーが、スペーサーの内層に配されたコアガラス材と、スペーサーの表層部分のうち少なくとも断面長手方向に沿った外面を含む領域に配された表面ガラス材とが一体化された複合構造を有し、表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とするスペーサー。
【請求項１９】
コアガラス材の断面形状が長方形であり、表面ガラス材は、少なくともコアガラス材の断面長辺側の２面に一体化され、該断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とする請求項１８に記載のスペーサー。
【請求項２０】
コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１９に記載のスペーサー。
【請求項２１】
表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に一体化され、該断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とする請求項１９又は２０に記載のスペーサー。
【請求項２２】
コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項２１に記載のスペーサー。
【請求項２３】
表面ガラス材が、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する部分を含むことを特徴とする請求項１８に記載のスペーサー。
【請求項２４】
コアガラス材の断面形状が長方形であり、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する表面ガラス材がコアガラス材の断面長辺側の２面に一体化され、該断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とする請求項２３に記載のスペーサー。
【請求項２５】
コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項２４に記載のスペーサー。
【請求項２６】
表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に一体化され、該断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とする請求項２４又は２５に記載のスペーサー。
【請求項２７】
コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項２６に記載のスペーサー。
【請求項２８】
コアガラス材と表面ガラス材とが、コアガラス材と表面ガラス材の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内となる温度に加熱した時に、コアガラス材の粘性より表面ガラス材の粘性が高くなるガラス材であることを特徴とする請求項１８から２７のいずれかに記載のスペーサー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子源が一対の基板間に気密に封入された電子線装置の該基板間を支持するスペーサーの製造方法に関する。更に詳しくは、帯電防止等の目的で表層部分に比較的電気抵抗の低い部分が形成され、例えばパネル状ディスプレイの表裏一対の基板間に配置されるスペーサーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、表面伝導型の電子放出素子を基板上にマトリクス状に配置し、電子放出素子を気密に封入するように対向配置された基板上に設けられた蛍光体に放出電子を照射して画像を形成するパネル状ディスプレイの開発が進んでいる。
【０００３】
このような、電子源が一対の基板間に気密に封入された電子線装置の基板間を支持するスペーサーの製造方法としては、ガラス母材を、該ガラス母材を挟み込んだ送り出しローラーの回転により送り出す一方、送り出されたガラス母材を引き取りローラー間に挟んで、上記送り出しローラーの送り出し速度より早い引き取り速度で引き取ると共に、上記送り出しローラーと引き取りローラー間でガラス母材を加熱軟化させ、送り出しローラーの送り出し速度と引き取りローラーによる引き取り速度の速度差によって延伸し、延伸された延伸母材を切断して、所望の細さの板状又は柱状のスペーサーとする加熱延伸法等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一方、このような電子線装置に用いられるスペーサーについては、電子源から放出された電子の一部がスペーサーに当たったり、放出電子の作用でイオン化したイオンがスペーサーに付着したりすることで帯電を引き起こす可能性が指摘されている。スペーサーが帯電すると、電子源から放出された電子の軌道が正確に制御できなくなり、例えば表示画像が歪むといった問題につながる。
【０００５】
このような課題を解決するために、スペーサーの表面に、帯電電荷を速やかに外部に放出して帯電を防止するための電気抵抗が比較的低い部分である帯電防止膜を設けてスペーサーの帯電を防止する技術が特開昭５７−１１８３５５号公報や、特開昭６１−１２４０３１号公報などに開示されている。また、このような帯電防止膜を有するスペーサーをより少ない工程で効率的に製造するための技術として、上記加熱延伸法を応用し、加熱延伸を行いながらスペーサーの基材表面にスプレーにより導電性の材料を塗布していく方法が、特開２０００−３１１６０５に開示されている。
【０００６】
本発明の課題は、上記従来の方法とは異なる方法により、スペーサーの表層部分に帯電防止のための電気抵抗が比較的低い部分を制御性良く形成することが可能で、且つ、より簡易なスペーサーの製造方法及びスペーサーを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の第１は、
表層部分の少なくとも一部がＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料からなるスペーサー基体を形成する工程と、
前記スペーサー基体を還元処理することにより表層部分の少なくとも一部を低抵抗化する工程と、
を含むことを特徴とするスペーサーの製造方法であり、
「前記スペーサー基体を形成する工程において、表層部分の少なくとも一部にＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料を用いたガラス母材を加熱して延伸し、延伸した延伸ガラス母材を所要の長さに切断することでスペーサー基体を形成すること」、
「ガラス母材は縦横の寸法が異なる断面形状をなし、
該ガラス母材を、ガラス母材の内層に配されたコアガラス材と、ガラス母材の表層部分のうち少なくとも断面長手方向に沿った外面を含む領域に配された表面ガラス材とからなる複合構造とし、
表面ガラス材がＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料からなること」、をその好ましい態様として含むものである。
【０００８】
本発明は、上記第１の発明において、
「コアガラス材の断面形状が長方形であり、表面ガラス材が少なくともコアガラス材の断面長辺側の２面に宛われたガラス母材を用いること」、
「前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍとなるまで還元処理すること」、
「表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に宛われたガラス母材を用いること」、
「コアガラス材の断面短辺側の２面に宛われた表面ガラス材が、ＰｂＯを６０重量％以上含有するガラス材料からなること」、
「前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍとなるまで還元処理すること」、
をその好ましい態様として含むものである。
【０００９】
また本発明は、上記第１の発明において、
「表面ガラス材が、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する部材を含むガラス母材を用いること」、
「コアガラス材の断面形状が長方形であり、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する表面ガラス材がコアガラス材の断面長辺側の２面に宛われたガラス母材を用いること」、
「コアガラス材の断面長辺側の２面に宛われた表面ガラス材が、複数の細板部材を含み、該細板部材は、前記複数の溝のピッチと同じ幅を持ち、該溝の山部と谷部に対応する２つの異なる厚さの部分を有すること」、
「前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍとなるまで還元処理すること」、
「表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に宛われたガラス母材を用いること」、
「コアガラス材の断面短辺側の２面に宛われた表面ガラス材が、ＰｂＯを６０重量％以上含有するガラス材料からなること」、
「前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍとなるまで還元処理すること」、
をその好ましい態様として含むものである。
【００１０】
ところで、一般にガラス材の延伸加工は、ガラス材の粘性が１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲になるように加熱して行われる。
【００１１】
上記従来の製造方法においても、ガラス母材の粘性が１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲になるように加熱して延伸が行われるが、粘性を低めに設定して延伸、つまり加熱温度を高めにして延伸すると、図１５に示されるように、得られる細板状スペーサーの断面長寸方向の両端部が丸味を帯びて膨らみやすくなる。このような膨れを生じると、得られた細板状スペーサーを、基板上に横長に立てて設置する場合に、基板との接触面が湾曲しているので、安定性が悪く、組み立て性が悪いと共に、支持強度も得にくくなる問題がある。
【００１２】
また、粘性を高めに設定して延伸、つまり加熱温度を低めにして延伸すると、図１６に示されるように、得られる細板状スペーサーの断面長寸方向の中間部がくびれやすくなる。このようなくびれを生じた場合、所期の強度が得られず、例えばパネル状ディスプレイの表裏一対の基板間に配置されるスペーサーとして用いた場合、一対の基板間は減圧状態となるため、必要な耐大気圧性が得られなくなる場合も生じる。
【００１３】
上記膨れやくびれの発生原因は、縦横の寸法が異なる断面形状のガラス母材を加熱するときに、断面長手方向の両端部が中間部に比して加熱されやすいことにあると考えられる。例えば断面長方形のガラス母材で、その長手方向に沿った面を長手面、短手方向に沿った面を短手面とすると、断面長手方向の中間部は長手面からの熱で加熱されるのに対し、断面長手方向両端部は、長手面からと短手面からとの両方からの熱を受けて加熱されることになり、上記中間部に比して加熱されやすい。このため、ガラス母材の断面長手方向全体を所定の延伸しやすい粘性を有する状態にまで加熱しようとすると、上記両端部の加熱が過剰となり、粘性が低下して膨れの原因になると考えられる。また、この膨れを押さえるために加熱温度を下げると、上記中間部の加熱が不足し、中間部の粘性が高くなって、延伸時に応力が集中することでくびれの原因になると考えられる。
【００１４】
これを解決するために本発明は、上記第１の発明において、
「前記スペーサー基体を形成する工程において、ガラス母材を、コアガラス材と表面ガラス材の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内でかつコアガラス材の粘性より表面ガラス材の粘性が高くなる延伸温度に加熱して延伸すること」、
をその好ましい態様として含むものである。
【００１５】
また、本発明の第２は、
表層部分の少なくとも一部に、ＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とするスペーサーである。
【００１６】
本発明の第３は、
スペーサーが、スペーサーの内層に配されたコアガラス材と、スペーサーの表層部分のうち少なくとも断面長手方向に沿った外面を含む領域に配された表面ガラス材とが一体化された複合構造を有し、表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有することを特徴とするスペーサーである。
【００１７】
本発明は、上記第３の発明において、
「コアガラス材の断面形状が長方形であり、表面ガラス材は、少なくともコアガラス材の断面長辺側の２面に一体化され、該断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有すること」、
「コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍであること」、
「表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に一体化され、該断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有すること」、
「コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍであること」、
をその好ましい態様として含むものである。
【００１８】
また本発明は、上記第３の発明において、
「表面ガラス材が、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する部分を含むこと」、
「コアガラス材の断面形状が長方形であり、外面側に延伸方向に沿った複数の溝を有する表面ガラス材がコアガラス材の断面長辺側の２面に一体化され、該断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有すること」、
「コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍであること」、
「表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に一体化され、該断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部にＰｂＯを含有するガラス材料を還元処理することにより低抵抗化された部分を有すること」、
「コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の低抵抗化された部分の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍであること」、
をその好ましい態様として含むものである。
【００１９】
さらに本発明は、上記第３の発明において、
「コアガラス材と表面ガラス材とが、コアガラス材と表面ガラス材の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内となる温度に加熱した時に、コアガラス材の粘性より表面ガラス材の粘性が高くなるガラス材であること」、
をその好ましい態様として含むものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明のスペーサーの製造方法は、表層部分の少なくとも一部がＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料からなるスペーサー基体を形成する工程と、前記スペーサー基体を還元処理することにより表層部分の少なくとも一部を低抵抗化する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
本明細書において「スペーサー基体」とは、還元処理後に最終的にスペーサーとなるべき中間部材を指している。スペーサー基体は、単一の種類の材料で構成しても良いし、後述の好ましい形態のようにコアガラス材と表面ガラス材とに分けて複合構造としても良い。いずれにしても、表層部分の少なくとも一部がＰｂＯを４０重量％以上含有するガラス材料（以下、ＰｂＯ含有ガラスと略す）からなる構成であれば良い。即ち、スペーサー基体全体をＰｂＯ含有ガラスから構成しても良いし、複数層の構成とする場合には、表面ガラス材のみをＰｂＯ含有ガラスとしても良い。このような割合でＰｂＯを含有するガラス材料は、水素還元等の還元処理により容易に低抵抗化が可能である。
【００２２】
スペーサー基体のＰｂＯ含有ガラスからなる部分は、必ずしも表層部分の全面に形成する必要はないが、少なくとも、完成後のスペーサーが基板間を支持する状態に配置されたときに露出する面となる部分の表層は該ＰｂＯ含有ガラスで構成されていることが好ましい。尚、通常、帯電防止のために設ける低抵抗部分は、電荷を外部に流出させるためにスペーサーと接触する他の部材との接触部分にかけて設けられる。
【００２３】
スペーサー基体の還元処理においては、上記のＰｂＯ含有ガラスからなる部分の少なくとも一部を還元処理し、帯電電荷を適切に外部に放電するのに必要且つ十分な程度に低抵抗化する。
【００２４】
尚、ＰｂＯ含有ガラスとしては、ＰｂＯを４０重量％以上含有するガラスであれば特に制限はないが、基板との間で熱応力が発生すること等が無いように基板と同種のガラス材料が好ましい。
【００２５】
また還元処理の為の還元装置には特に制限はないが、図１に示すような、水素等の還元剤雰囲気中で加熱処理を行うことのできるものが、速やかに還元処理を行う上で好ましい。
【００２６】
図１は本発明のスペーサー基体の還元処理方法の一例を説明するための説明図である。図１において、１１はスペーサー基体、３１はスペーサー基体１１が配置されるとともに内部が所定の水素濃度雰囲気とされる容器、３２は容器３１内のスペーサー基体１１を加熱するヒーター、３３はヒーター３２の熱を効率的に容器３１内に伝えるための反射鏡である。
【００２７】
図１のような還元処理装置内にスペーサー基体１１を配置し、容器内の水素流量を０．５〜２ｌ／分とする。
【００２８】
容器内の雰囲気が整ったら、加熱温度は４５０〜５５０℃とし、１〜２時間、還元処理を行う。これにより、スペーサー基体１１の表層部分を低抵抗化し、帯電防止の機能を有するスペーサーの作製が可能である。
【００２９】
このような本発明の方法によれば、表層部分に帯電防止のための比較的電気抵抗の低い部分を安価かつ簡易に、しかも制御性良く形成可能となる。即ち、メンテナンスが容易で頻度もそれほど多くは必要としない還元装置を使用することで帯電防止の機能を有するスペーサーの製造の低コスト化が可能となるだけでなく、ガラス材料に含有するＰｂＯの量、還元温度、還元時間、還元処理雰囲気の水素濃度等のうちの少なくとも一つの条件設定を変えるだけで、スペーサー表層部分の抵抗値を容易に制御することが可能となる。また、還元装置内雰囲気の場所的均一性を保つことは比較的容易であるため、帯電防止の為の低抵抗部分をより高い均一性で形成することも期待できる。
【００３０】
次に、本発明のスペーサー基体の形成方法の好ましい実施形態を図面を参照して具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３１】
スペーサー基体を形成する工程において、表層部分の少なくとも一部にＰｂＯ含有ガラスを用いたガラス母材を加熱して延伸し、延伸した延伸ガラス母材を所要の長さに切断することでスペーサー基体を形成する方法が、簡易な好ましい製造方法として挙げられる。
【００３２】
図２は本発明におけるスペーサー基体の形成の方法の一例を示す説明図、図３は図２に示されるガラス母材の部分拡大図、図４は図２の方法によって得られる本発明におけるスペーサー基体の拡大斜視図である。なお、これを還元処理してスペーサーを製造するため、形状はほとんど変わらないため、図４はスペーサーの形状をも示す図である。
【００３３】
図２において、１はガラス母材で、このガラス母材１は、図３に拡大して示されるように、断面（ガラス母材１の延伸方向に対する直角方向の断面）長方形のコアガラス材２と、その断面長手方向に沿った面（断面長辺側の２面）をそれぞれ覆ってコアガラス材２を挟み込んだ断面長方形の板状の表面ガラス材３を、全体として断面長方形となるように組み合わせたものとなっている。
【００３４】
本例におけるガラス母材１の断面形状は長方形であるが、本発明はこのような断面形状のガラス母材１に限らず、円形や矩形でも良い。しかし、好ましくは本例のように縦横の寸法が異なる断面形状のガラス母材１であり、例えば断面形状が楕円形、台形などでもよい。このような縦横の寸法が異なる断面形状のガラス母材から得られるスペーサーは、相似形を維持して断面形状の縦横の寸法が異なるものとなり、基板上に断面長手方向が基板と略垂直となるように寝かせて配置すれば良く、製造工程の簡素化が図れる。また、本明細書における長方形とは、４つのコーナーが直角に交わった形状の他、コーナーに面取り加工や丸味付（Ｒ加工）が施された形状をも含むものである。しかしながら、基板間を安定に支えるスペーサーを得るためにも、好ましい形態は断面が長方形のものである。
【００３５】
また、ガラス母材は、必ずしもコアガラス材と表面ガラス材とで構成する必要はなく、全体をＰｂＯ含有ガラスとしても良いが、コアガラス材と表面ガラス材とからなる複合構造とすることにより、材料の選択性が拡がる。即ち、コアガラス材の材料選択基準には強度や、熱膨張率（基板との熱応力の関係を考慮）等を主とし、表面ガラス材をＰｂＯ含有ガラスとするといったことも可能となる。
【００３６】
上記コアガラス材２と表面ガラス材３の組み合わせは、押し付け合わせた状態、嵌め合わせた状態、接着した状態のいずれでも良い。本例においては、図２に示されるように、ガラス母材１の周囲をメカチャック４で締め付けることで、コアガラス材２と表面ガラス材３が相互に押し付け合わされた状態で組み合わされている。
【００３７】
上記コアガラス材２を構成するガラスとしては、例えば元素ガラス、酸化物ガラス、フッ化物ガラス、塩化物ガラス、硫化物ガラスなどから用途に応じて選択することができる。これらのうち、加工性の点からは、酸化物ガラス（例えばケイ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、ホウ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラスなど）が好ましい。
【００３８】
上記表面ガラス材３を構成するガラスも、コアガラス材と同様の材料が使用できるが、少なくともＰｂＯを４０重量％以上含有する組成のガラス材料を用いる。
【００３９】
図２に示される例においては、前記コアガラス材２と表面ガラス材３を組み合わせたガラス母材１を用い、このガラス母材１をメカチャック４で締め付け保持し、下部をヒーター６で加熱して延伸し、延伸した延伸ガラス母材１’の下部を引き取りローラー５間に挟み込む。この状態で、メカチャック４を徐々に下降させながら、引き取りローラー５を回転させ、メカチャック４の下降速度より速い引き取り速度で延伸ガラス母材１’を引き取ると共に、上記メカチャック４と引き取りローラー５間で、ヒーター６によりガラス母材１を延伸温度に加熱し軟化させる。すると、メカチャック４の下降速度と引き取りローラー５による引き取り速度の速度差によって、延伸温度に加熱されて軟化したガラス母材１が延伸されると共に、コアガラス材２と表面ガラス材３が一体化され、ガラス母材１と断面形状がほぼ相似形の延伸ガラス母材１’が連続して形成される。そして、冷却固化した状態で引き取りローラー５を通過した延伸ガラス母材１’をカッター７で切断することで、所望の細さの板状または柱状のスペーサー基体１１（図４参照）とすることができる。
【００４０】
そして、スペーサー基体を還元処理して低抵抗化する工程において、コアガラス材２の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部、好ましくは全部を、抵抗率が１０８〜１０１０Ω・ｃｍとなるまで還元処理することが好ましい。この程度の抵抗率が、スペーサーの表層部分がスペーサーと他の部材との接触部分から帯電電荷を適切に放電するのに十分な程度に低抵抗であり、且つ基板間においてスペーサーを通じて過剰に電流が流れない程度に高抵抗であるからである。
【００４１】
尚、この程度の還元処理を行うには、例えば、表面ガラス材３がＰｂＯを４０重量％含むガラス材料である場合には、図１のような還元処理装置内にスペーサー基体１１を配置し、容器内の水素流量を０．５〜２ｌ／分として、容器内の雰囲気が整ったら、加熱温度は４５０〜５５０℃とし、１〜２時間、還元処理を行うと良い。
【００４２】
上記ガラス母材１の延伸は、コアガラス材２と表面ガラス材３の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内でかつコアガラス材２の粘性より表面ガラス材３の粘性が高くなる延伸温度に加熱して行うことが好ましい。延伸温度におけるコアガラス材２と表面ガラス材３の粘性が１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲外である場合、ガラス母材１の延伸加工が困難となる。具体的な延伸温度は、コアガラス材２および表面ガラス材３の材質などによっても相違するが、一般的には５００〜１０００℃程度である。
【００４３】
コアガラス材２と表面ガラス材３の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内でかつコアガラス材２の粘性より表面ガラス材３の粘性が高くなる延伸温度に加熱しての延伸は、本発明におけるコアガラス材と表面ガラス材として、コアガラス材と表面ガラス材の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内となる温度に加熱した時に、コアガラス材の粘性より表面ガラス材の粘性が高くなるガラス材をそれぞれ用いることで行うことができる。コアガラス材２と表面ガラス材３の粘性の調整は、コアガラス材２と表面ガラス材３の成分やその配合量の調整によって行うことができる。例えば、酸化物ガラスにおいては、含有されるアルカリ酸化物、酸化ホウ素、酸化鉛などの含有量を多くすること（少なくすること）で高温領域での粘性を下げる（上げる）ことができ、含有される酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムなどの含有量を多く（少なく）することで、高温領域の粘性を上げる（下げる）ことができる。また、上記成分やその配合量の調整と、コアガラス材２と表面ガラス材３の加熱温度の調整を併用することもできる。加熱温度の調整は、例えばコアガラス材２の中心部に焦点を合わせたレンズや凹面鏡を介して赤外線を照射することにより加熱を行い、コアガラス材２を表面ガラス材３に比して高温に加熱することによって行うことができる。尚、延伸温度におけるコアガラス材２と表面ガラス材３の粘性の差は、膨れの抑制効果を得やすくする上で、０．１ｄＰａ・ｓ以上であることが好ましい。
【００４４】
上記粘性を考慮した延伸方法によると、図４に拡大して示すように、膨れ及びくびれのないスペーサー基体を得ることができる。これは、上記延伸温度において、コアガラス材２の粘性より、このコアガラス材２の断面長辺側の２面を覆っている表面ガラス材３の粘性が高いため、ガラス母材１の断面長手方向両端部のコアガラス材２の粘性が低くなりすぎても、これを覆う表面ガラス材３で膨れを抑制することができるためと考えられる。従って、コアガラス材２のみでガラス母材１を構成した場合には断面長手方向両端部に膨れを生じてしまう延伸温度に加熱しても、この膨れを生じることがなく、膨れもくびれもないスペーサー基体１１を、ひいては膨れもくびれもないスペーサーを得ることができる。
【００４５】
通常、スペーサー８の厚み（スペーサー基体１１の厚みと言っても良い）は０．０５〜０．５ｍｍ程度で、この程度の厚みのスペーサー８としたときの表面ガラス材３の厚みは、０．５〜５μｍであることが好ましい。つまり、前記ガラス母材１の厚み、ガラス母材１におけるコアガラス材２及び表面ガラス材３の厚みは、延伸後の厚みが上記範囲内となるものであることが好ましい。ガラス母材１における表面ガラス材３の厚みが大きすぎると、延伸加工が行いにくく、表面ガラス材３の厚みが小さすぎると、上記膨れの抑制効果が得にくくなる。また、表面ガラス材を帯電防止膜として機能させるために適切なシート抵抗とするためにも、スペーサー８としたときの表面ガラス材が上記の厚みであることが好ましい。
【００４６】
また、スペーサーの形状安定性が良いことにより、さらなる別の効果も奏することとなる。この効果を、図１３、図１４を用いて説明する。図１３はスペーサーが基板間を支持するように配置された状態を説明するための断面概念図、図１４はスペーサーの基板との接合面に低抵抗膜を成膜する工程を説明するための概念図である。図１３において、９は低抵抗膜、１０００は基板、１００１は基板上に配置された配線を表している。尚、図１３では、後述の好ましい形態である、スペーサー表面に複数の溝を有する場合を示している。
【００４７】
スペーサーの帯電防止のためには、図１３に示すように、スペーサー８の表面に帯電防止部（表面ガラス材３）を形成するだけでなく、電荷を外部に効率的に逃がすためにスペーサー８と基板１０００や基板上に配置された配線１００１との接合面に低抵抗膜９を設けておくことが好ましい。
【００４８】
この低抵抗膜９を形成する方法はいろいろ考えられるが、多数のスペーサーに良質な低抵抗膜９を形成する方法として、図１４に示すような方法が考えられている。即ち、スペーサー８を基板との接合面が露出する状態で多数束ね、この露出部分にスパッタ法等により金属等の低抵抗物質を成膜するというものである。
【００４９】
ところが、形状安定性が悪く、例えば図１５、図１６のように歪んだ形状のスペーサーを束ねた場合、スペーサー間に隙間が生じ、これに成膜を施すと成膜物質が接合面以外の部分にまで回り込み、所定の低抵抗膜９を形成することができなくなってしまう。
【００５０】
本発明の好ましい形態における方法で、形状安定性良くスペーサー８を形成しておけば、このような低抵抗膜９の成膜時の問題を回避することができ、良好な低抵抗膜９が得られることになる。
【００５１】
図５はガラス母材の他の例を示す部分拡大図、図６は図５のガラス母材から得られる本発明におけるスペーサー基体を示す斜視図で、図２〜図４と同じ符号は同じ部材を示すものである。また３’は、断面短辺側の２面に宛われた表面ガラス材を示す。
【００５２】
本例におけるガラス母材１は、コアガラス材２の断面長辺側及び断面短辺側の総ての面が表面ガラス材３、３’で覆われたものとなっている。このようにすると、得られるスペーサー基体１１は断面短辺側をも表面ガラス材３’で覆われたものとなり、断面短辺側の平滑正が一層得やすくなる。また、本例においては、コアガラス材２の断面長辺側の表面ガラス材３と、断面短辺側の表面ガラス材３’を、含有成分の種類及び／又は配合量が異なる異種のガラス材で構成し、膨れ防止制御を緻密に行うこともできる。
【００５３】
更に好ましくは、スペーサー基体を還元処理して低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部、好ましくは全部を、抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍとなるまで還元処理することである。ここで、断面短辺側の２面に宛われた表面ガラス材３’をＰｂＯを６０重量％以上含有するガラス材料で構成しておくことで、断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材を好ましい抵抗率とする還元処理と同時に断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材をも、上記の好ましい抵抗率とすることもできる。これにより、この断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材を、上記の低抵抗膜９として利用することができる。
【００５４】
次に、図２に示した方法を用いた別のスペーサー基体の形成の方法を説明する。本形態では、ガラス母材を構成する表面ガラス材は、図７に示すように、外面側、即ちコアガラス材２に宛われる面と反対側の面に、延伸方向に沿って複数の溝を有する部材（表面ガラス材３”）を含むものとなっている。
【００５５】
ガラス母材１を構成する表面ガラス材３”に設けておく溝の形状は、断面が矩形状、台形状、半円形状等、特開２０００−３１１６０８に示されているように、完成したスペーサー８が基板間に配置された状態で該スペーサー８表面に入射する電子の入射角度をなるべく小さくすることが可能となるような設計に合わせて適宜決定すればよい。図７は溝の断面が矩形状の場合を示しているが、図１１には溝の断面が台形状の場合が示してある。図１１のように、溝の断面が台形状であると、スペーサー表面へ入射する電子の入射角をより小さくすることができるため好ましい。
【００５６】
また、この溝の幅、深さ、ピッチ等の寸法は、どの程度の延伸を行うかにより異なり、これも完成状態の設計に合わせて適宜決定される。なお、本発明における溝は、必ずしもガラス母材の延伸方向に連続して設けられている必要はなく、途中で途切れていても構わないが、加工の容易性を考えると延伸方向に連続した溝を設けることが好ましい。
【００５７】
このようにして、スペーサーの表面に凹凸構造を形成すると、スペーサーが基板間に配置された状態で該スペーサーの表面に入射する電子の入射角度をなるべく小さくすることができ、スペーサーの帯電防止の効果をさらに向上させることが可能となる。
【００５８】
また、このような凹凸構造を有するスペーサーの製造に際して、本形態の製造方法によれば、表面ガラス材には片面のみに溝を形成すれば良いため、製造機械の単純構成化、工程の簡素化、短時間化が可能となる。
【００５９】
外面側に延伸方法に沿って複数の溝を有する部材を表面ガラス材として用いる方法には、上記のように単体の板状部材に溝を形成する形態もあるが、複数の細板部材から構成する形態も好ましい形態として挙げられる。このための細板部材には、前記複数の溝のピッチと同じ幅を持ち、前記溝の山部と谷部に対応する２つの異なる厚さの部分を有する部材を用いる。図１２は、このような複数の細板部材により表面ガラス材を構成する形態を説明するための概念図である。図１２において、３’’’は細板部材を表している。このように本形態では、ほとんどが同一形状の複数の細板部材３’’’を用意し、これにより図１２に示すようにコアガラス材２の周側面の断面長辺側の面を覆うことで、表面ガラス材の一部又は全部を構成する。
【００６０】
細板部材の形状は、表面ガラス材に形成する上記の様な様々な形状の溝に合わせて１ピッチ分の形態で作製すれば良い。
【００６１】
このような複数の細板部材により表面ガラス材を構成する形態によれば、単一形状の部材の製造は、板材に加工により溝を設けるよりも製造の簡素化が可能であるため、さらなる低コスト化が可能となる。
【００６２】
なお、複数の溝を有する表面ガラス材を用いる本形態においても、上記と同様の理由により、前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面長辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０８〜１０１０Ω・ｃｍとなるまで還元処理すること、表面ガラス材が、更にコアガラス材の断面短辺側の２面に宛われたガラス母材を用いること、コアガラス材の断面短辺側の２面に宛われた表面ガラス材が、ＰｂＯを６０重量％以上含有するガラス材料からなること、前記低抵抗化する工程において、コアガラス材の断面短辺側の２面に一体化された表面ガラス材の少なくとも一部の抵抗率が、１０３〜１０４Ω・ｃｍとなるまで還元処理すること、が好ましいことは言うまでもない。
【００６３】
また、ガラス母材をコアガラス材と表面ガラス材とで形成する全ての形態において、前記スペーサー基体を形成する工程において、ガラス母材を、コアガラス材と表面ガラス材の粘性が共に１０５〜１０１０ｄＰａ・ｓの範囲内でかつコアガラス材の粘性より表面ガラス材の粘性が高くなる延伸温度に加熱して延伸することが、上記と同様の理由により好ましい。
【００６４】
【実施例】
（実施例１）
スペーサー基体１１を、図２に示されるようなメカチャック４と引き取りローラー５を用い、加熱したガラス母材１を延伸することで作成した。
【００６５】
ガラス母材１としては、図３に示すような形態で、断面形状が４ｍｍ×４８ｍｍの長方形をなすコアガラス材２の断面長辺側の面にそれぞれ厚さ１ｍｍで幅４８ｍｍの表面ガラス材３を宛ったもので、全体の断面積Ｓ１が２８８ｍｍ２（６ｍｍ×４８ｍｍ）のものを用いた。材料としては、コアガラス材２には延伸時の加熱温度７００℃における粘性１０６ｄＰａ・ｓを、表面ガラス材３にはＰｂＯの含有量４０重量％、延伸時の加熱温度７００℃における粘性１０７．６ｄＰａ・ｓを用いた。
【００６６】
上記ガラス母材１を、Ｖ１＝５ｍｍ／ｍｉｎの速度でメカチャック４を降下させることにより送り出し、ヒーター６で約７００℃に加熱し、ヒーター６付近に配置された引き取りローラー５にてＶ２＝４５００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き取ることで加熱延伸し、最後にカッター７にて長さが１０００ｍｍになるように切断した。得られたスペーサー８の断面積Ｓ２は０．３２（０．２×１．６ｍｍ）ｍｍ２で、前述した部分的なくびれおよび膨出は見受けられなかった。
【００６７】
次に、図１に示す水素還元装置を用いてスペーサー基体１１の表層を水素還元することで低抵抗化してスペーサーを作製した。具体的には、図１の装置の容器３１内にスペーサー基体１１を配置し、容器内の水素流量を１ｌ／ｍｉｎ、加熱温度を５００℃として１時間、還元処理を行うことにより、表面ガラス材３の部分のシート抵抗が１０１４Ω／□のスペーサーが得られた。
【００６８】
（実施例２）
本例においては、表面ガラス材３のＰｂＯ含有量を５０重量％とした以外は実施例１と同様にしてスペーサーを作成した。本例において作成したスペーサーにおいても、実施例１と同様に部分的なくびれおよび膨出は見受けられず、また表面ガラス材３の部分のシート抵抗が１０１２Ω／□のスペーサーが得られた。
【００６９】
（比較例１）
本例においては、表面ガラス材３のＰｂＯ含有量を３０重量％とした以外は実施例１と同様にしてスペーサーを作成した。本例において作成したスペーサーにおいても、実施例１と同様に部分的なくびれおよび膨出は見受けられなかったが、表面ガラス材３の部分のシート抵抗が１０１６Ω／□となっていた。
【００７０】
このため、更に同じ条件で水素還元を１時間行ったが、シート抵抗は１０１５．５Ω／□に留まり、十分な導電性は得られなかった。
【００７１】
（比較例２）
本例においては、表面ガラス材３のＰｂＯ含有量を２０重量％とした以外は実施例１と同様にしてスペーサーを作成した。本例において作成したスペーサーにおいても、実施例１と同様に部分的なくびれおよび膨出は見受けられなかったが、表面ガラス材３の部分のシート抵抗が１０１７．５Ω／□となっていた。
【００７２】
このため、更に同じ条件で水素還元を１時間行ったが、シート抵抗は１０１７Ω／□に留まり、十分な導電性は得られなかった。
【００７３】
（実施例３）
本例は、図７に示すように表面ガラス材の表面に断面が矩形状の溝を形成したものを用いた以外は実施例１と同様にしてスペーサーを作製した。なお、表面ガラス材３”の溝の深さは０．３ｍｍ、幅は０．３ｍｍ、ピッチは０．９ｍｍとした。
【００７４】
その結果、実施例１と同様に良質なスペーサーが得られ、表面ガラス材３”の部分のシート抵抗は最終的に１０１４Ω／□となっていた。また、得られたスペーサーの溝は断面が矩形状で、深さは１０μｍ、幅は１０μｍ、ピッチは３０μｍの整った形状であった。
【００７５】
（実施例４）
本実施例のスペーサは、実施例３における表面ガラス材の溝を、図１２に示すように、複数の細板部材３’’’を配列することにより形成した点を除いては実施例３と同様に作成した。
【００７６】
１つの細板部材３’’’の寸法は、全体の幅は０．９ｍｍであり、このうち最大厚さの部分の幅は０．６ｍｍ、最小厚さの部分の幅は０．３ｍｍとし、最大厚さは１ｍｍ、最小厚さは０．７ｍｍとした。
【００７７】
本例においても、実施例３と同様の良質なスペーサーが得られた。
【００７８】
（実施例５）
スペーサー基体１１を、図２に示されるようなメカチャック４と引き取りローラー５を用い、加熱したガラス母材１を延伸することで作成した。
【００７９】
ガラス母材１としては、図５に示すような形態で、断面形状が４ｍｍ×４６ｍｍの長方形をなすコアガラス材２の断面長辺側の面にそれぞれ厚さ１ｍｍで幅４６ｍｍの表面ガラス材３、コアガラス材２の断面短辺側の面にそれぞれ厚さ１ｍｍで幅６ｍｍの表面ガラス材３’を宛ったもので、全体の断面積Ｓ１が２８８ｍｍ２（６ｍｍ×４８ｍｍ）のものを用いた。材料としては、コアガラス材２には延伸時の加熱温度７００℃における粘性１０６．０ｄＰａ・ｓを、表面ガラス材３、３’にはＰｂＯの含有量４０重量％、延伸時の加熱温度７００℃における粘性１０７．６ｄＰａ・ｓを用いた。
【００８０】
上記ガラス母材１を、Ｖ１＝５ｍｍ／ｍｉｎの速度でメカチャック４を降下させることにより送り出し、ヒーター６で約７００℃に加熱し、ヒーター６付近に配置された引き取りローラー５にてＶ２＝４５００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き取ることで加熱延伸し、最後にカッター７にて長さが１０００ｍｍになるように切断した。得られたスペーサー８の断面積Ｓ２は０．３２（０．２×１．６ｍｍ）ｍｍ２で、前述した部分的なくびれおよび膨出は見受けられず、特に断面短辺側の平坦性は実施例１のスペーサーより優れていた。
【００８１】
次に、図１に示す水素還元装置を用いてスペーサー基体１１の表層を水素還元することで低抵抗化してスペーサーを作製した。具体的には、図１の装置の容器３１内にスペーサー基体１１を配置し、容器内の水素流量を１ｌ／ｍｉｎ、加熱温度を５００℃として１時間、還元処理を行うことにより、表面ガラス材３、３’の部分のシート抵抗が１０４Ω／□のスペーサーが得られた。
【００８２】
（実施例６）
本例は、図９に示すように表面ガラス材の表面に断面が矩形状の溝を形成したものを用いた以外は実施例５と同様にしてスペーサーを作製した。なお、表面ガラス材３”の溝の深さは０．３ｍｍ、幅は０．３ｍｍ、ピッチは０．９ｍｍとした。
【００８３】
その結果、実施例５と同様に良質なスペーサーが得られ、表面ガラス材３’、３”の部分のシート抵抗は最終的に１０４Ω／□となっていた。また、得られたスペーサーの溝は断面が矩形状で、深さは１０μｍ、幅は１０μｍ、ピッチは３０μｍの整った形状であった。
【００８４】
（実施例７）
本実施例のスペーサは、実施例６における表面ガラス材の溝を、図１２に示すように、複数の細板部材３’’’を配列することにより形成した点を除いては実施例６と同様に作成した。
【００８５】
１つの細板部材３’’’の寸法は、全体の幅は０．９ｍｍであり、このうち最大厚さの部分の幅は０．６ｍｍ、最小厚さの部分の幅は０．３ｍｍとし、最大厚さは１ｍｍ、最小厚さは０．７ｍｍとした。
【００８６】
本例においても、実施例６と同様の良質なスペーサーが得られた。
【００８７】
（実施例８）
本例は、実施例１〜７において作製したスペーサーに上記図１４を用いて説明したような方法により、１０ｎｍ厚のＴｉ膜、２００ｎｍ厚のＰｔ膜をこの順でどちらもスパッタにより成膜したものである。
【００８８】
その結果、スペーサーの断面長辺側の側面への成膜材料の回り込みは見られず、シート抵抗が１０３Ω／□の所望の低抵抗膜が得られた。
【００８９】
（実施例９）
本例は、コアガラス材２の断面短辺側の面に宛った表面ガラス材３’の材料を、ＰｂＯの含有量６０重量％、延伸時の加熱温度７００℃における粘性１０７．６ｄＰａ・ｓとした点以外は実施例５と同様にしてスペーサーを作成した。
【００９０】
本例において得られたスペーサーは、表面ガラス材３’の部分がシート抵抗１０３Ω／□となっており、低抵抗膜として十分機能するようになっていた。
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、スペーサーの表層部分に帯電防止のための電気抵抗が比較的低い部分を制御性良く形成することが可能で、且つ、より簡易なスペーサーの製造方法及びスペーサーを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスペーサー基体の還元処理方法の一例を説明するための説明図である。
【図２】本発明におけるスペーサー基体の製造方法の一例を示す説明図である。
【図３】図２に示されるガラス母材の部分拡大図である。
【図４】図２の方法によって得られる本発明におけるスペーサー基体を示す斜視図である。
【図５】ガラス母材の他の例を示す部分拡大図である。
【図６】図５のガラス母材から得られる本発明におけるスペーサー基体を示す斜視図である。
【図７】ガラス母材の他の例を示す部分拡大図である。
【図８】図７のガラス母材から得られる本発明におけるスペーサー基体を示す斜視図である。
【図９】ガラス母材の他の例を示す部分拡大図である。
【図１０】図９のガラス母材から得られる本発明におけるスペーサー基体を示す斜視図である。
【図１１】表面ガラス材に設けられた溝の断面が台形状の形態のガラス母材の断面図である。
【図１２】複数の細板部材により表面ガラス材を構成する形態を説明するためのガラス母材の概念図である。
【図１３】スペーサーが基板間を支持するように配置された状態を説明するための断面概念図である。
【図１４】スペーサーの基板との接合面に低抵抗膜を成膜する工程を説明するための概念図である。
【図１５】くびれの発生状態の説明図である。
【図１６】膨出の発生状態の説明図である。
【符号の説明】
１　ガラス母材
１’　延伸ガラス母材
２　コアガラス材
３，３’，３”，１００３　表面ガラス材
３’’’　細板部材
４　メカチャック
５　引き取りローラー
６　ヒーター
７　カッター
８　スペーサー
９　低抵抗膜
１１　スペーサー基体
３１　容器
３２　ヒーター
３３　反射鏡
１０００　基板
１００１　配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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