(57)【要約】【課題】材料のエッチング方法に関係なく、エッチング工程の間および／または後にエッチングの程度を正確に求めることができる方法および装置を提供する。【解決手段】材料２５のエッチングの程度を、エッチングされる材料２５の一部分に隣接して検出器素子６０、７２を配置することによって求める方法および装置が提供される。素子の幅Ｗ１、Ｗ２は変化する。上記一部分のエッチング時に、検出器素子の抵抗が測定される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料におけるエッチングの程度を求める方法であって、
前記材料のうちのエッチングされる部分に隣接して、幅が可変の検出器素子を配置するステップと、
前記部分のエッチング時に、前記検出器素子の抵抗を測定するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記検出器素子を配置するステップが、前記材料にドープすることによって前記検出器素子を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記検出器素子を配置するステップが、前記検出器素子を、第１の幅の主要部分を有する細長い形状に形づくるステップを含み、前記第１の幅は、前記検出器素子の長さに沿って離隔した位置において狭くなって、前記検出器素子の比較的幅の狭い部分を形成している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記形づくるステップが、前記幅の狭い部分が、前記検出器素子の、前記材料の前記エッチングされる部分に最も近い縁部にあるように、前記検出器素子を形づくるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記形づくるステップが、前記幅の狭い部分が、前記材料の前記エッチングされる部分に実質的に接するように、前記検出器素子を形づくるステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記材料の前記エッチングされる部分が、該部分をエッチングによって取り除いた後のシリコンにおける細長いスロットを画定し、
前記幅が可変の検出器素子を、前記スロットの対向する辺に隣接する前記シリコン内に配置するステップ、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
エッチング用の露出された部分を含む基板であって、該部分は縁部を有している、前記基板と、
前記基板のドープされた部分から成る導電性エッチング制御素子であって、該素子の長さに沿って変化する幅を有し、前記露出された部分の前記縁部に沿って延びている前記導電性エッチング制御素子と、
を備えているエッチング制御アセンブリ。
【請求項８】
前記エッチング制御素子に電圧を印加して、前記露出された部分のエッチング時に前記エッチング制御素子の導通を試験するためのコネクタ手段を備えている、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記エッチング制御素子が、ｎ型領域を画定するようドープされている、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記露出された部分内に延在し且つ前記基板のドープされた部分から成る第２の導電性エッチング制御素子をさらに備えている、請求項７に記載のアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、半導体基板等の材料におけるエッチング程度の測定および制御に関し、特に、インクジェットプリントヘッド基板におけるエッチング程度の測定および制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術のさまざまな用途において、従来のシリコンウエハーの一部であるシリコン等の基板の中または上に、機械的および電気的構成要素が製造される。結果として生じる微小電子機械システム（頭字語ＭＥＭＳで知られている）は、機械的素子、センサ、アクチュエータ、および電子回路を基板上に集積したものである。電子回路は、集積回路（ＩＣ）工程を用いて作製され、微小機械要素は、微細加工によって作製される。このような作製は、基板内に溝またはスロット等の構造（feature）の作成を必要とすることが多い。材料を除去してこのような構造を形成することは、エッチングによって行われることが多い。さらに、基板上に形成されている他の材料層がパターニングおよびエッチングされて、最終的な形状が形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
シリコンその他の材料のエッチングには、複数の方法がある。材料のエッチング方法に関係なく、エッチング工程の間および／または後にエッチングの程度を正確に求めることが通常望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、材料のエッチングの程度を、エッチングされる材料の一部分に隣接して検出器素子を配置することによって求める方法および装置に関する。素子の幅は変化する。上記一部分のエッチング時に、検出器素子の抵抗が測定される。
【０００５】
本発明を実施する方法および装置を、以下に詳細に説明する。本発明の他の利点および特徴は、本明細書の以下の部分および図面を検討すれば明白になろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１を参照して、本発明の方法および装置は、製造中に何らかの材料のエッチングを必要とする複数のデバイスのうちの例示的な１つであるインクジェットプリントヘッドの状況において容易に理解することができる。したがって、本発明の原理およびその好ましい実施形態については、まずインクジェットプリントヘッド２０の主要構成要素を参照して説明する。このプリントヘッド１つを図１に示す。
【０００７】
プリントヘッドの各構成要素は、従来のシリコンウエハー上に形成される。シリコンウエハーの一部２２が図１に見える。シリコンの一部２２上に、二酸化ケイ素２４等の絶縁層が成長している。以下、基板２５という用語は、ウエハーの部分と絶縁層を含むものとみなす。単一のシリコンウエハー上に、複数のプリントヘッド基板を同時に作成することができる。通常、ウエハーのダイはそれぞれ、個々のプリントヘッドになる。
【０００８】
インクは、基板２５上に保持されている小型のインクチャンバ内に送られる。このようなチャンバ（「発射チャンバ」２６と呼ぶ）は、バリアー層２８内に形成される。バリアー層２８は感光性材料でできており、これをプリントヘッド基板上に積層、次に露光、現像、および硬化させて、発射チャンバを画定する形状にする。
【０００９】
インク滴を噴射する主要な機構は、薄膜抵抗器３０である。抵抗器３０は、加熱されると瞬時に気泡を形成し、気泡によって、液体インクの滴がチャンバ２６からオリフィス３２（オリフィスの１つを、図１に切欠きで示す）を通って排出される。抵抗器３０は、プリントヘッド基板２５上に保持されている。抵抗器３０は、従来技術において既知であるように好適なパッシベーション層およびその他の層で覆われており、抵抗器を加熱する電流パルスを伝達する金属層に接続されている。それぞれの発射チャンバ２６内には、１つよりも多い抵抗器を配置することができる。
【００１０】
プリントヘッド基板は、ＣＭＯＳまたはＮＭＯＳの回路要素（トランジスタ等）を組み込んでもよく、インク滴を発射する多重化された制御信号を用いることができるようにする他の技術を用いてもよい。これによって、プリントヘッドと、プリントヘッドから遠く離れたコントローラとの間の接続が簡単になる。
【００１１】
通常のプリントヘッドにおいて、プリントヘッドの大部分を覆うオリフィス板３４内に、オリフィス３２が形成されている。オリフィス板３４は、レーザー・アブレーションされたポリイミド材料から作ることができる。オリフィス板３４は、バリアー層２８に接合され、各発射チャンバ２６が、インク滴が射出されるオリフィス３２のうちの１つと連なるように整列している。または、バリアー層２８とオリフィス層３４を、光によって現像される（photo-developed）ポリマー等の一体部材として一緒に形成し、その一体部材内の各チャンバを、基板上の対応する各抵抗器に整列させてもよい。
【００１２】
各液滴が噴射された後、発射チャンバ２６にはインクが補充される。この点に関して、各チャンバは、バリアー層２８内に形成されたチャネル３６と連なっている。チャネル３６は、シリコン基板を貫いて形成された細長いインク供給スロット４０に向かって延びている。インク供給スロット４０は、インク供給スロット４０の対向する長辺部上に配置された発射チャンバ２６の行と行の中央に置いてもよい。スロット４０は、インク噴射要素（オリフィス板３４を除く）が基板上に形成された（図２）後に作成してもよい。
【００１３】
インク滴を噴射する、今述べた構成要素（バリアー層２８、抵抗器３０等）は、基板２５の表側４２に搭載されている。プリントヘッド基板の裏側４４（図３）は、カートリッジに流体結合するインク槽への開口部にインクスロット４０が液通するように、プリントカートリッジの本体に搭載されている。したがって、補充インクは、基板２５の裏側４４からインク供給スロット４０を通って表側４２に向かって流れる。インクは次に、表側４２を横切って（すなわち、チャネル３６に、チャネル３６を通って、およびオリフィス板３４の下へと）流れ、チャンバ２６（図１）を満たす。
【００１４】
基板２５の表側４２のうちの、スロット４０とインクチャネル３６との間の部分は、棚４６として知られている。バリアー層２８のうちのインクスロット４０に最も近い部分は、引込みローブ４８の形になっており、１つのチャネル３６を隣接するチャネルから分離するのに一般的に役立っている。ローブは、スロット４０から棚４６を横切ってチャネル３６に流入するインクを方向づける表面を規定している。各図には、引込みローブ４８およびチャネルの形状の例が示されている。これらの形状は、本発明の一部を形成するものではない。
【００１５】
棚の長さ５０（図２）は、スロット４０の縁部５２（基板の表側４２）と、引込みローブ４８の最も近い部分との間の距離であると考えることができる。通常この棚の長さは、プリントヘッドの作製中に正確に確立される。例えば、ある局面のインクジェットプリンタの性能は、棚の長さと直接相関関係にあるものもある（インクチャンバ補充速度、したがって発射頻度等）。
【００１６】
プリントヘッド基板内のインク供給スロット４０は、シリコン基板の一部を制御して除去することによって形成される。その部分は、エッチングによって除去される。シリコンをエッチングしてスロットを形成する複数の方法が既知である。
【００１７】
一般的に、エッチングは化学的であっても物理的であっても、またはその両方の組合せであってもよい。化学エッチングは、化学物質を用いて選択した材料を溶解する液体（ウェット）環境または気体（ドライ、またはプラズマ）環境のどちらかにおいて行われる。ウェット化学エッチングにおいて、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等の材料選択性（material-selective）液体化学物質内に、ウエハーが配置される。材料選択性液体化学物質は、シリコン材料のうちの露出した部分を溶解する。ドライエッチングにおいて、エッチングされる材料は、高選択性の気体の化学物質と衝突する。物理的エッチングは、材料を削り落とす高エネルギーイオンをウエハーと衝突させることを伴う。レーザーエネルギーでのエッチングもまた可能である。
【００１８】
基板内にインク供給スロット４０を形成する方法としては他に、アブレイシブジェット加工として知られているものがある。この方法は、圧縮空気を用いて、非常に細かな粒子（酸化アルミニウムの研磨粒子等）の流れが、スロット形成に十分な時間だけ基板の裏側４４に当たるようにする。このアブレイシブジェット加工は、ドリリング(drilling)またはサンドブラスト加工（sandblasting）と呼ばれることが多い。しかし本説明においては、この方法は、エッチングという用語に包含されるものに含まれる。
【００１９】
シリコンエッチング工程は、徐々に行われるものである。スロットの幅「ＳＷ」(図３を参照されたい）は、エッチング工程中に徐々に成長し、縁部５２において測定されるような、スロットの特定の深さにおける所望の設計幅に達する。
【００２０】
基板において、または、エッチング工程において凹凸があると、幅「ＳＷ」が許容量を超えて設計許容差以上に大きくなってしまう可能性がある。例えば、例示的なプリントヘッドの実施形態において、スロット４０の幅が過度に大きいと、棚の長さ５０（図２）が短くなり、したがってデバイスの予想性能が変わってしまう。さらに、スロットの幅が広すぎると、金属層がインクに曝され、それによって、プリントヘッドのインク吐出要素の腐食および故障が引き起こされてしまう可能性がある。便宜上、過大量のエッチングを以後「オーバーエッチング」と呼ぶ。
【００２１】
したがって、本発明の実施形態によれば、シリコン２２には、以後検出器素子６０と呼ぶ導電素子が設けられる。検出器素子６０は、シリコンのうちのエッチングによって取り除かれてスロット４０が形成される部分に隣接して配置される。この検出器素子は、シリコンのエッチングの程度を決定し、それによってエッチングされた部分の受容性を決定する、簡単かつロバストな方法として、エッチング工程の間および／またはその後に有用である。次に、例示的プリントヘッドに組み込まれる本発明の一実施形態を、特に図２ないし図４を参照して説明する。
【００２２】
一実施形態において、検出器素子６０は、ドープされたシリコンのストリップから成っている。図２においてそのような検出器素子を２つ示し、そのそれぞれが、スロット４０の対向するそれぞれの縁部５２に隣接している。一実施形態において、シリコンのストリップには、不純物が従来の手段（イオン注入または拡散等）によってドープされ、検出器素子６０をｎ型領域にしている。図２および図３における点は、シリコン２２のうちのドープされた部分を表す。
【００２３】
検出器素子６０を提供するドープ手法は、上述のようにプリントヘッド上に組み込まれてもよい発射制御トランジスタ等、シリコンのうちの他の部分における構成要素の製造において用いられるドープと同時に着手されてもよい、ということが理解されよう。
【００２４】
一実施形態において、検出器素子６０の抵抗は、エッチングによるスロット４０の形成後に求められる。本説明を読めば明白になるように、検出器素子６０は、スロット４０がオーバーエッチングされることによって１つの検出器素子６０を崩壊させ、それによって検出可能な電気的断絶（不連続）を引き起こすよう、構成され配置されている。この電気的断絶は、検出器素子における非常に高い抵抗（実質的に開回路）として検知することができる。したがってこの断絶は、許容できないほど幅の広いスロットを表す。いったん検出されると、この許容できないほど幅の広いスロットを保持しているウエハーのダイには、不合格の印を付けることができる。
【００２５】
検出器素子６０は、標準のＩＣ試験装置を用いて検出器素子の抵抗を迅速かつ正確に測定するために、損なわれていない完全な状態の検出器素子の長さ方向にわたる抵抗をかなり低くし、なおかつ、スロットの非常に少量のオーバーエッチングを判定するために、高感度を提供するように、形づくられている。この点に関して、検出器素子６０は、その長さに沿って平面図（図２等）で考えると、幅が均一の検出器素子よりも抵抗の低い、可変の幅を有する。
【００２６】
ここで、検出器素子６０（「半導電性ワイヤ」と見なしてもよい）等のドープされた部材における抵抗を考える上で、「シート抵抗」と呼ばれる単位体を扱うと都合のよいことが多いことに注目すべきである。均一にドープされた回路要素において、このシート抵抗は「Ω／□」という単位で指定され、いくつかの単位正方形は、平面図で見たときのその長さ「Ｌ」にわたる要素の長方形セグメントに対応する（図４を参照されたい）。例えば、長さＬが２５，０００μｍ、均一な幅Ｗが５μｍ、およびシート抵抗が３０００Ω／□である要素の抵抗は、（２５，０００／５）×３０００＝１５ＭΩとなり、これは測定が非常に困難な値である。シート抵抗と長さとは同じであるが幅が５０μｍである要素の抵抗は、（２５，０００／５０）×３０００＝１．５ＭΩとなり、これは幅が５μｍの要素の１０分の１の値であり、通常の研究室の設備を使用して高い信頼度で容易に測定される。
【００２７】
図２を参照して、この検出器素子６０は、上述の有利な低抵抗の測定値を達成するようにその長さの大部分に沿って比較的広い幅Ｗ１（図２において横方向に測定）を有するよう形づくられているが、その幅は、検出器の長さに沿った選択した位置における比較的狭い部分において、狭くなって幅Ｗ２になっている。便宜上、本明細書においてこの幅の狭くなった各部分を「リンク」６２と呼ぶ。検出器素子６０の長さに沿って間隔を置いて配置されたリンク６２が存在することによって、シリコンが少量オーバーエッチングされるとリンク６２のうちの少なくとも１つが崩壊し、それによって検出器素子６０において断絶が引き起こされ、これは、検出器素子の抵抗がこれに対応して急上昇することによって、容易に判定することができることを確実にする。図２の破線７０は、スロットの縁部５２がオーバーエッチングの結果であり得る場合を示しており、このオーバーエッチングはまた、リンク６２のうちの１つも除去し、そこに示す位置「Ｘ」において断絶を引き起こしている。
【００２８】
オーバーエッチングと見なされるものはまた、供給スロット４０の位置を規定するのに用いられる機構が整列不良である場合にも起こる可能性があることが理解されよう。したがって、幅が正確なスロットが製造される場合であっても、スロットの整列不良によってリンク６２の崩壊が引き起こされるので、オーバーエッチング状態が検出される。
【００２９】
リンク６２における単位正方形の数が最小になるようにリンク６２の幅Ｗ２は狭く、長さＬ２は短く（すなわち、検出器の長さ方向、図２の縦方向に測定して短い）、それによって、リンクの幅が狭いことに起因する検出器素子全体の抵抗の増大を最小にするようになっている。
【００３０】
プリントヘッドのスロット４０に関して本明細書において考察する実施形態において、好適な検出器素子６０の幅Ｗ１は約５０μｍ以上の幅であってもよく、そのリンク６２の幅Ｗ２は、その幅の約１０パーセントすなわち５μｍ幅であってもよい。リンクの長さＬ２は、約１０μｍ長であってもよい。他のドープおよび処理技法であれば、さらに幅の狭い（５μｍよりも）リンクが可能になるかもしれない。そのような、より幅の狭いリンクが用いられる場合には、長さと幅の２：１という比を保つために、それに応じて今説明したリンクを短くしてもよい。
【００３１】
また、６４（図２）におけるように、リンク６２を形成するために、全体的な検出器素子６０に切り欠きが入れられるものとして考えられ得る。切り欠きは、間隔Ｓをおいて配置されており、本明細書において説明する実施形態においては、最小で約１００μｍ離れており、より典型的には約２５０μｍ〜５００μｍ離れており、最大でも約１０００μｍしか離れていない。
【００３２】
もちろん、検出器素子６０の大きさと、リンク６２の相対的な大きさおよび間隔とは、製造されているスロットまたは溝の形状がいかなるものであっても、それに関する選択された設計許容差に合わせてさまざまであってもよい。例えば、できるだけ多くの切欠きのリンク６２を用い（それによって検出器素子の物理的感度を高め）ながら、５ＭΩ等、最大所望抵抗レベル内のままで、損なわれていない完全な状態の検出器素子を検知してもよい。
【００３３】
一実施形態において、検出器素子６０は、全体の抵抗が約５ＭΩ未満になるように形づくられドープされており、他の実施形態において、全体の抵抗が約１ＭΩ未満になるように形づくられドープされている。広範囲の抵抗レベルが好適である可能性がある。また、所望であれば、シリコンは、検出器素子をｐ型領域として形成するようドープされてもよい。また、金属その他いかなる半導電性薄膜層を用いて検出器素子を形成してもよい。
【００３４】
図２においてわかるように、一実施形態において、リンク６２は、検出器素子６０の、スロット４０の縁部５２に接する縁部に沿って整列しており、スロットをわずかにオーバーエッチングすることによって（図２の破線７０で示すように）、上述のようにリンク６２が崩壊するようになっている。実施形態によっては、スロット４０の対向する縁部５２に別の検出器素子６０が配置されて、両側のオーバーエッチングを検出することができる。さらに、エッチングされるスロットまたは同様の構造を、検出器素子で完全に取り囲んでもよい。
【００３５】
別の検出器素子（その一部をスロットの縁部５２の近くに破線７２で示す、図２）を、シリコンの、エッチングによって取り除くよう意図される部分内に配置してもよいこともまた意図される。第２のそのような検出器素子７３を、対向するスロットの縁部の近くに配置することができる。検出器素子７２、７３の抵抗を検知して、所望の最小量のエッチングが行われて所望の最小スロット幅を形成したかどうかを判定してもよい。本例において、この最小量のエッチングは、エッチングによって十分なスロット材料が除去されて素子７２、７３の両方において断絶が引き起こされるまで、発生しない。
【００３６】
図３は、図２の例示的スロット４０および検出器素子６０を断面図で示す。シリコン２２を貫通するスロット４０を示したが、本発明による検出器は、シリコン内にエッチングによって形成されるいかなる形状（溝、くぼみ、等）とともに用いてもよく、本発明による検出器を用いてＭＥＭＳデバイスその他いかなるシリコン微細加工要素におけるいかなる構造のエッチングによる形成を検出してもよいことが理解されよう。
【００３７】
上述のように、検出器素子６０の抵抗の大きさ（したがって、オーバーエッチングの存否）は、標準のＩＣ試験装置によって検知することができる。図４は、上述のエッチングされるスロット４０にまたがる２つの検出器素子６０の抵抗を測定する一実施形態の図を示す。図４においてわかるように、検出器素子は両方とも、一方の端が接地されている。各検出器素子６０の他方の端は、トランジスタ７４を介して、露出した試験プローブ接点７６、７８に接続されている。トランジスタ７４は、プリントヘッド内に組み込まれたＣＭＯＳ制御要素８０の一部であってもよい。ＣＭＯＳ制御要素は、抵抗器制御信号と、検出器素子の抵抗を試験する電力とを供給する。素子６０に印加される電力で、標準の試験装置（端子７６、７８に用いるプローブを有する）は検出器素子の抵抗を迅速に求める。
【００３８】
７６、７８で示すもの等の接点は、完成したデバイスの内部にあってもよく、検出器素子の抵抗が、そのデバイスの自己診断モードの一部として検知され、それによっていかなる外部プローブも不要にしてもよいことに注目すべきである。さらに、そのような接点は、外部抵抗計に誘導結合していてもよい。そのような結合は、例えばエッチング工程中に検出器素子が監視される場合に、特に有用であろう。
【００３９】
上述のエッチングは、説明のために、シリコンをベースにしたインクジェットプリントヘッドにおけるインク供給スロットの形成に関して説明した。しかし前述のように、本発明は、材料層がエッチングされるいかなる回路製造においても有用である。検出器素子は、いかなる半導電性材料層に組み込んで、その層の隣接部分の除去量を測定してもよい。
【００４０】
また、検出器素子の抵抗は、エッチング工程の終了時に検知してもよいが、検出器素子がその内部に形成される構成要素のエッチング工程中に検出器素子の抵抗を検知する工程を容易に組み立てることができる、ということもまた意図される。したがって、エッチング工程後に素子を試験してそのエッチングが行き過ぎたかどうかを判定するのではなく、検出器素子に断絶がないかをエッチング工程中に試験するアセンブリを使用してもよい。そのような検出器は、配置され（例えば、上述の検出器７２、７３のように）、検知されて、例として、エッチング工程の終点を指示するリアルタイム制御を行い、それによって断絶が判定された時点で即座にエッチング工程を停止する。
【００４１】
例えばホウ素で、材料（シリコン等）を濃くドープすることによってエッチングを制御することが有用なときもある。シリコン内に拡散したホウ素は、高濃度では、上述のＴＭＡＨ等のエッチャントを実質的に阻止する。ホウ素の濃いドープを用いて、エッチング後に残る「エッチングを阻止される」シリコンの一部を画定してもよいことが理解されよう。したがって、ホウ素をドープされていないシリコンは、シリコンのうちの、残りの、エッチングが阻止される部分の縁部まで、エッチングによって取り除かれる。
【００４２】
本発明の他の実施形態によれば、エッチングが阻止される部分の、意図される縁部（すなわち、シリコンのうちのホウ素でドープされる部分の縁部）に隣接して、本発明のｎ型の検出器素子を配置し、その検出器素子を、ホウ素の拡散が適切に整列されて（aligned）いるかどうかを示す基準として用いてもよい。すなわち、このｎ型の検出器素子が所定位置にある状態で、整列不良のホウ素拡散領域が「部分的に重なり」、検出器素子を保持するシリコンの一部にドープを行い、それによって、検出器素子におけるｐｎ接合の領域を作成する（ホウ素の拡散が検出器素子と部分的に重なる場合）。結果として生じるｐｎ接合によって、その検出器素子の抵抗の検出可能な増大が引き起こされ、それによって、ホウ素拡散が不正確な位置が示される。
【００４３】
本発明の好ましいおよび他の実施形態を上述したが、本発明の精神および範囲はそのような実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲において規定されるさまざまな変更および均等物にも及ぶということが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】製造を部分的に本発明の一実施形態に従って行ってもよいインクジェットプリントヘッド１つの切欠き斜視図である。
【図２】いくつかのインク吐出要素と本発明の一実施形態に従って作成されるエッチング測定および制御素子の一部とを含む、インクジェットプリントヘッド用のエッチングされたシリコン基板１つの表側の拡大平面図である。
【図３】層３４を省いた図２の３−３線拡大断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に従って作成されるエッチング測定および制御素子に関連する試験要素を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
２５：基板
２６：発射チャンバ
２８：バリアー層
３０：抵抗器
３６：チャネル
４０：インク供給スロット
６０、７２、７３：検出器素子
６２：リンク
【図１】
2004285477.tif 000003
【図２】
2004285477.tif 000004
【図３】
2004285477.tif 000005
【図４】
2004285477.tif 000006