(57)【要約】【課題】半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着力を担保すると共にブレードの磨耗を抑制することが可能である半導体パッケージ用リードフレーム及び半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】複数のチップが一方の面に載置された状態において一括樹脂封止され個々を切断する切断溝が形成された半導体パッケージ用リードフレームにおいて、切断溝３の幅がブレードの幅より大きく、切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部４を設ける。【選択図】　　図２
2004023007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のチップが一方の面に載置された状態において一括樹脂封止され個々を切断する切断溝が形成された半導体パッケージ用リードフレームにおいて、
前記切断溝の幅がブレードの幅より大きく、該切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を設けた
ことを特徴とする半導体パッケージ用リードフレーム。
【請求項２】
前記切断溝に設けられた凸部と前記半導体パッケージ用リードフレームとが同一高さである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ用リードフレーム。
【請求項３】
半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に複数のチップが一括樹脂封止された半導体パッケージにおいて、
前記半導体パッケージ用リードフレームに個々を切断する切断溝を設けるとともに、前記切断溝の幅がブレードの幅より大きく、該切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を設けた半導体パッケージ用リードフレームと、
前記半導体パッケージ用リードフレームに搭載され、金属ワイヤーで該半導体パッケージ用リードフレームの端子部と接続される半導体チップと、
前記半導体チップが搭載された前記半導体パッケージ用リードフレームを封止する封止樹脂とを備える半導体パッケージ集合体が、
前記半導体パッケージ用リードフレームに形成された前記切断溝に沿って個片化された
ことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
前記切断溝に設けられた凸部と前記半導体パッケージ用リードフレームとが同一高さである
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に複数のチップを一括樹脂封止した後に個片化する半導体パッケージの製造方法において、
前記半導体パッケージ用リードフレームの他方の面のうちブレードにより切断される部位に切断溝の幅がブレードの幅より大きい該切断溝と、該切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を切断方向に従って形成する工程と、
前記半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体パッケージ用リードフレームに搭載された前記半導体チップと該半導体パッケージ用リードフレームの端子部とを金属ワイヤーで接続する工程と、前記半導体チップが搭載され、前記端子部が該半導体チップと前記金属ワイヤーで接続された前記半導体パッケージ用リードフレームを樹脂封止する工程と、前記樹脂封止した前記半導体パッケージ用リードフレームを該半導体パッケージ用リードフレームに形成した前記切断溝に沿って前記ブレードにより個片化する工程とを備える
半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージ用リードフレーム及び半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法に関する。詳しくは、複数のチップが一方の面に載置された状態において一括樹脂封止され個々を切断する切断溝が形成された半導体パッケージ用リードフレーム及び半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に複数のチップが一括樹脂封止された半導体パッケージ並びに半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に複数のチップを一括樹脂封止した後に個片化する半導体パッケージの製造方法に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体パッケージ等の半導体部品の高密度実装が要求され、それに伴い半導体部品の小型化、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止半導体パッケージが要求されている。
以下、このような高密度の小型、薄型の要求に応じて行われている従来の外部端子となるリード部が片面封止された小型／薄型の半導体パッケージであるＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ　Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージの製造方法について図５を用いて説明する。
【０００３】
従来のＱＦＮ型の半導体パッケージの製造方法では先ず図５（ａ）で示す様に、裏面に保護テープ１０１を貼り付けた半導体パッケージ用リードフレーム１０２のダイパット１０３に半導体チップ１０４をボンディングし、半導体チップと半導体パッケージ用リードフレームの端子部１０５とを金属ワイヤー１０６で接続した後に一括樹脂封止を行い、半導体チップがボンディングされた半導体パッケージ用リードフレームの一方の面を樹脂１０７で封止する。
【０００４】
次に、保護テープの剥離を行い、図５（ｂ）で示す様に、図５（ｂ）中符号Ａで示す半導体パッケージの周辺に位置する図５（ｂ）中符号Ｂで示す切断部をブレード１０８で切削して図５（ｃ）で示す様なＱＦＮ型の半導体パッケージを製造している。
【０００５】
ここで、従来のＱＦＮ型半導体パッケージの製造方法で用いられる半導体パッケージ用リードフレームの裏面形状は切断部が平坦形状である場合と全面溝加工形状である場合とがある。
即ち、図６中符号Ｃで示す半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大図である図７及び図８を用いて説明すると、図７に示す様に半導体パッケージ用リードフレームの裏面と図７中符号Ｘで示す半導体パッケージ用リードフレームのブレードによる切削部とが同一高さに形成された平坦形状である場合と、図８に示す様に、図８中符号Ｘで示す半導体パッケージ用リードフレームのブレードによる切削部周辺全体に溝加工が施され半導体パッケージ用リードフレームの裏面と比較してブレードによる切削部の高さが低く形成されている全面溝加工形状である場合とがある。
なお、図７（ａ）は裏面が平坦形状である半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大平面図、図７（ｂ）は裏面が平坦形状である半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大断面図、図８（ａ）は裏面が全面溝加工形状である半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大平面図を示し、図８（ｂ）は裏面が全面溝加工形状である半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大断面図を示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体パッケージ用リードフレームの切断部の裏面が平坦形状である場合は半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着面積が広く樹脂封止の際に接着界面からの樹脂浸入を有効に抑制することが可能であるものの、図７中符号Ｄで示すブレードによる切削部の厚さが大きいためにブレードにより切削を行う際に半導体パッケージ用リードフレームの素材である金属によるブレードの磨耗が生じやすいという不都合があった。なお、半導体パッケージの外形はブレードによる切断幅によって決定されるのであるが、ブレードの側面の磨耗が生じやすくなることにより半導体パッケージの外形のバラツキが生じやすくなるという不都合もあった。
【０００７】
一方、半導体パッケージ用リードフレームの切断部の裏面が全面溝加工形状である場合は半導体パッケージ用リードフレームのブレードによる切削部周辺全体に溝加工を施すことにより図８中符号Ｅで示すブレードによる切削部の厚さを小さくし、半導体パッケージ用リードフレームの素材である金属を切削する量が多いことに起因する上記した切断部が平坦形状である半導体パッケージ用リードフレームにおける不都合を解消することが可能であるものの、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着面積が狭くなり、半導体パッケージ用リードフレームの端子部周辺と保護テープとの接合力が減少してしまい、樹脂封止する際に半導体パッケージ用リードフレームの端子部と保護テープとの界面に樹脂が浸入して半導体パッケージ用リードフレームの端子部上面を樹脂が覆ってしまうことにより、半導体パッケージの実装時の通電が悪くなり、実装不良品が生じてしまうという不都合があった。
【０００８】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着力を担保すると共にブレードの磨耗を抑制することが可能である半導体パッケージ用リードフレーム及び半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体パッケージ用リードフレームは、複数のチップが一方の面に載置された状態において一括樹脂封止され個々を切断する切断溝が形成された半導体パッケージ用リードフレームにおいて、前記切断溝の幅がブレードの幅より大きく、該切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を設けた。
【００１０】
ここで、切断溝の幅がブレードの幅より大きく、切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を設けたことによって、ブレードの側面で切削する半導体パッケージ用リードフレームの切断部の厚さを小さくすることができると共に半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着面積を充分に確保することができる。
【００１１】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体パッケージは、半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に複数のチップが一括樹脂封止された半導体パッケージにおいて、前記半導体パッケージ用リードフレームに個々を切断する切断溝を設けるとともに、前記切断溝の幅がブレードの幅より大きく、該切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を設けた半導体パッケージ用リードフレームと、前記半導体パッケージ用リードフレームに搭載され、金属ワイヤーで該半導体パッケージ用リードフレームの端子部と接続される半導体チップと、前記半導体チップが搭載された前記半導体パッケージ用リードフレームを封止する封止樹脂とを備える半導体パッケージ集合体を、前記半導体パッケージ用リードフレームに形成された前記切断溝に沿って個片化した。
【００１２】
ここで、半導体パッケージ用リードフレームに個々を切断する切断溝を設けるとともに、切断溝の幅がブレードの幅より大きく、切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を設けた半導体パッケージ用リードフレームによって、ブレード側面で切削する半導体パッケージ用リードフレームの切断部の厚さを小さくすることができると共に半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着面積を充分に確保することができる。
【００１３】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体パッケージの製造方法は、半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に複数のチップを一括樹脂封止した後に個片化する半導体パッケージの製造方法において、前記半導体パッケージ用リードフレームの他方の面のうちブレードにより切断される部位に切断溝の幅がブレードの幅より大きい該切断溝と、該切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を切断方向に従って形成する工程と、前記半導体パッケージ用リードフレームの一方の面に半導体チップを搭載する工程と、前記半導体パッケージ用リードフレームに搭載された前記半導体チップと該半導体パッケージ用リードフレームの端子部とを金属ワイヤーで接続する工程と、前記半導体チップが搭載され、前記端子部が該半導体チップと前記金属ワイヤーで接続された前記半導体パッケージ用リードフレームを樹脂封止する工程と、前記樹脂封止した前記半導体パッケージ用リードフレームを該半導体パッケージ用リードフレームに形成した前記切断溝に沿って前記ブレードにより個片化する工程とを備える。
【００１４】
ここで、半導体パッケージ用リードフレームの一方の面のうちブレードにより切断される部位に切断溝の幅がブレードの幅より大きい切断溝と、切断溝内にブレードの幅より小さい幅の凸部を切断方向に従って形成することによって、ブレードにより個片化する際にブレード側面で切削する半導体パッケージ用リードフレームの切断部の厚さを小さくすることができると共に半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着面積を充分に確保することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００１６】
図１に本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームの一例を説明するための模式的な平面図を示し、図２に図１中符号ａで示す半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大図を示す。なお、図２（ａ）は本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大平面図を示し、図２（ｂ）は本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大断面図を示している。
ここで示す半導体パッケージ用リードフレーム１は切断部２に切断方向に沿って切断溝３が形成されており、この切断溝内には半導体パッケージ用リードフレームの裏面と同一高さで凸部４が形成されている。ここで、図２（ｂ）中符号ｂで示す切断溝の幅は図２（ｂ）中符号ｃで示すブレードの幅よりも大きく、図２（ｂ）中符号ｄで示す凸部の幅はブレードの幅よりも小さく形成されている。
【００１７】
なお、切断溝内に形成された凸部は、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着面積を確保することにより半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとを充分に接着し、樹脂封止の際に接着界面からの樹脂浸入を抑制することができれば充分であり、切断溝内に形成された凸部の個数は必ずしも１つである必要は無く、例えば図３に示す様に切断溝内に２つの凸部が形成されても構わない。
同様に、切断溝内に形成された凸部は、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとを充分に接着し、樹脂封止の際に接着界面からの樹脂浸入を抑制すべく半導体パッケージ用リードフレームの裏面と同一高さで形成されているが、例えば、弾力性を有する保護テープが用いられる等、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとが充分に接着するのであれば、必ずしも半導体パッケージ用リードフレームの裏面と同一高さで形成される必要性は無いが、より強固な接着を可能とし、より確実に樹脂封止の際に接着界面からの樹脂浸入を抑制できるように凸部は半導体パッケージ用リードフレームの裏面と同一高さで形成された方が好ましい。
【００１８】
本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームでは、ブレードの磨耗を抑制することができ、半導体パッケージの幅や長さのバラツキを抑え品質の安定が図れ、更にはブレードの長期間利用が可能となりランニングコストの低減が図れると共に、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの間の樹脂浸入の抑制により実装不良品を低減することが可能となる。
【００１９】
図４に本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例を説明するための模式的な断面図を示す。
本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例では、先ず図４（ａ）で示す様に、半導体パッケージ用リードフレーム１の切断部２の裏面に切断方向に沿って切断溝３を形成すると共に、この切断溝内に半導体パッケージ用リードフレームの裏面と同一高さで凸部４を形成する。ここで、図４（ａ）中符号ｂで示す切断溝の幅は図４（ａ）中符号ｃで示すブレードの幅よりも大きく、図４（ａ）中符号ｄで示す凸部の幅はブレードの幅よりも小さく形成する。
【００２０】
なお、切断溝内に形成する凸部は、樹脂封止の際に接着界面からの樹脂浸入を抑制することができれば充分であり、切断溝内に形成する凸部の個数は必ずしも１つである必要は無い点は上記した本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームの一例と同様である。
また、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとが充分に接着するのであれば凸部を必ずしも半導体パッケージ用リードフレームの裏面と同一高さに形成する必要は無いが、より強固な接着を可能とし、より確実に樹脂封止の際に接着界面からの樹脂浸入を抑制できるように凸部は半導体パッケージ用リードフレームの裏面と同一高さで形成する方が好ましい点についても上記した本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームの一例と同様である。
【００２１】
次に、図４（ｂ）で示す様に、半導体パッケージ用リードフレームの裏面に保護テープ５を貼り付け、半導体パッケージ用リードフレームのダイパッド６に半導体チップ７をボンディングし、半導体チップと半導体パッケージ用リードフレームの端子部８とを金属ワイヤー９で接続した後に一括樹脂封止を行い、半導体チップがボンディングされた半導体パッケージ用リードフレームの一方の面を樹脂１０で封止する。
【００２２】
続いて、保護テープの剥離を行い、図４（ｃ）で示す様に、図４（ｃ）中符号ｅで示す半導体パッケージの周辺に位置する図４（ｃ）中符号ｆで示す切断部を半導体パッケージ用リードフレームに形成した切断溝に沿ってブレード１１により切削して図４（ｄ）で示す様な半導体パッケージを製造する。
【００２３】
本発明を適用した半導体パッケージの製造方法では、上記した本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームと同様に半導体パッケージの品質の安定が図れ、更にはランニングコストの低減が図れると共に、実装不良品を低減することが可能となる。
【００２４】
【発明の効果】
以上述べてきた如く、本発明の半導体パッケージ用リードフレーム及び半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法によれば、半導体パッケージ用リードフレームと保護テープとの接着力を担保すると共にブレードの磨耗を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームの一例を説明するための模式的な平面図である。
【図２】図１中符号ａで示す半導体パッケージ用リードフレームの切断部の拡大図である。
【図３】本発明を適用した半導体パッケージ用リードフレームの他の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図４】本発明を適用した半導体パッケージの製造方法の一例を説明するための模式的な断面図である。
【図５】従来の半導体パッケージの製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図６】従来の半導体パッケージ用リードフレームを説明するための模式的な平面図である。
【図７】従来の半導体パッケージ用リードフレームの一例を説明するための模式的な平面図及び断面図である。
【図８】従来の半導体パッケージ用リードフレームの他の一例を説明するための模式的な平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１　　半導体パッケージ用リードフレーム
２　　切断部
３　　切断溝
４　　凸部
５　　保護テープ
６　　ダイパッド
７　　半導体チップ
８　　端子部
９　　金属ワイヤー
１０　　樹脂
１１　　ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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