(57)【要約】【課題】小型の製造装置を使用して回路基板を短手番でかつ低コストで製造できる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板１４上の貫通電極が形成される部分に導通セル１０を配置すると共に、基板１４上の絶縁膜が形成される部分に溶融接着特性を有する絶縁性の接合セル１２を配置する工程と、基板１４上の導通セル１０及び接合セル１２を熱プレスすることにより、接合セル１２を溶融して絶縁膜を得ると共に、導通セル１０を利用して絶縁膜を貫通する貫通電極を得る工程と、基板１４を除去する工程と、貫通電極に接続される回路パターンを絶縁膜の片面又は両面に形成する工程とを含む。【選択図】  図２
2004311835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、該絶縁膜に設けられた貫通電極と、前記絶縁膜上に形成され、前記貫通電極に接続される回路パターンとを有する回路基板の製造方法であって、
基板上の前記貫通電極が形成される部分に導通セルを配置すると共に、前記基板上の前記絶縁膜が形成される部分に溶融接着特性を有する絶縁性の接合セルを配置する工程と、
前記基板上の導通セル及び接合セルを熱プレスすることにより、前記接合セルを溶融して前記絶縁膜を得ると共に、前記導通セルを利用して前記絶縁膜を貫通する前記貫通電極を得る工程と、
前記基板を除去する工程と、
前記貫通電極に接続される回路パターンを前記絶縁膜の片面又は両面に形成する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
配線パターンを備えた配線基板の該配線パターンの所定部に導通セルを配置すると共に、前記配線基板上の絶縁膜が形成される部分に溶融接着特性を有する絶縁性の接合セルを配置する工程と、
前記配線基板上の前記導通セル及び接合セルを熱プレスすることにより、前記接合セルを溶融して前記絶縁膜を得ると共に、前記導通セルを利用して、前記配線パターンに接合され、かつ前記絶縁膜を貫通する貫通電極を得る工程と、
前記貫通電極に接続される回路パターンを前記絶縁膜上に形成する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項３】
回路パターンを備えた下側支持体の該回路パターン上の所定部に導通セルを配置すると共に、前記下側支持体上の絶縁膜が形成される部分に溶融接着特性を有する絶縁性の接合セルを配置する工程と、
回路パターンを備えた上側支持体の該回路パターンの所定部が前記導通セルに対応するようにして、前記上側支持体を前記導通セル及び接合セル上に配置する工程と、
前記下側及び上側支持体、前記導通セル及び前記接合セルを熱プレスすることにより、前記接合セルを溶融して前記絶縁膜を得ると共に、前記導通セルを利用して、前記下側及び上側支持体の回路パターンに接合され、かつ前記絶縁膜を貫通する貫通電極を得る工程と、
前記上側及び下側支持体を選択的に除去することにより、前記回路パターンを前記絶縁膜上に転写する工程とを有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記回路パターンを形成する工程は、
前記回路パターンが形成された支持体を用意する工程と、
前記回路パターンの接続部が前記貫通電極に対応するように前記支持体を前記絶縁膜上に配置し、熱プレスすることにより、前記回路パターンを前記貫通電極に接合させる工程と、
前記支持体を選択的に除去することにより、前記回路パターンを前記絶縁膜上に転写して形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記回路パターンは、ジェットプリンティイング法により形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記導通セルは、被覆絶縁体で被覆された導電性ボール、該導電性ボール単体、又は金属層で被覆された樹脂ボールからなり、前記接合セルは熱可塑性又は熱硬化性の絶縁性ボールからなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記導電性ボールは、少なくとも表層部がはんだからなることを特徴とする請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
溶融接着特性を有する絶縁性の複数の接合セルが溶融して形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜を貫通して形成され、導電性ボール、又は金属層が被覆された樹脂ボールよりなる貫通電極と、
前記貫通電極に接続され、前記絶縁膜上に形成された回路パターンとを有することを特徴とする回路基板。
【請求項９】
前記絶縁膜は熱可塑性又は熱硬化性の前記接合セルが熱プレスにより溶融接着して形成されたものであり、前記貫通電極は少なくとも表層部がはんだからなることを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回路基板及びその製造方法に係り、より詳しくは、電子部品が搭載されるインターポーザなどに適用できる回路基板及その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品が実装されるインターポーザなどの回路基板では、絶縁膜を介して回路パターンが複数層形成され、その回路パターンは絶縁膜に形成されたビアホールを介して相互接続されている。
【０００３】
このような回路基板の回路パターンを相互接続する方法として各種方法が提案されている。例えば、ドリル又はレーザーにより絶縁膜に貫通孔を形成した後に、めっきを施して回路パターンを形成する方法、又は、絶縁膜の貫通孔に導電性ペーストを充填して回路パターンを相互接続する方法がある。
【０００４】
あるいは、フォトエッチング、めっき又は印刷などにより金属からなる接続用の突起部を絶縁膜上に形成しておき、絶縁膜を積層する際にその突起部で絶縁膜を貫通させることに基づいて回路パターンを相互接続する方法がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−４６０４５号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来技術では、レーザー装置、めっき装置又は印刷装置などの各種の製造装置が必要であり、しかも生産効率を上げるために大型の絶縁基板が使用されることから、各工程ごとに大型の製造装置を導入する必要がある。従って、設備投資が膨大になって回路基板の製造コストの上昇を招くという問題がある。
【０００７】
このため、少機種の小型の製造装置を使用することにより、多種多用な仕様の回路基板を短手番でかつ低コストで製造できる技術が切望されている。
【０００８】
なお、特許文献１には、基板上に形成された下層配線上に金属からなるスタッドバンプを形成した後に、スタッドバンプ上面が露出する中間絶縁膜を形成し、スタッドバンプに接続される上層配線を中間絶縁膜上に形成する方法が記載されている。
【０００９】
特許文献１では、スルーホールポストの形成工程が簡略化されるものの、小型の製造装置を用いて短手番でかつ低コストで回路基板を製造することに関しては考慮されていない。
【００１０】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、小型の製造装置を使用して回路基板を短手番でかつ低コストで製造できる回路基板の製造方法及び回路基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、回路基板の製造方法に係り、絶縁膜と、該絶縁膜に設けられた貫通電極と、前記絶縁膜上に形成され、前記貫通電極に接続される回路パターンとを有する回路基板の製造方法であって、基板上の前記貫通電極が形成される部分に導通セルを配置すると共に、前記基板上の前記絶縁膜が形成される部分に溶融接着特性を有する絶縁性の接合セルを配置する工程と、前記基板上の導通セル及び接合セルを熱プレスすることにより、前記接合セルを溶融して前記絶縁膜を得ると共に、前記導通セルを利用して前記絶縁膜を貫通する前記貫通電極を得る工程と、前記基板を除去する工程と、前記貫通電極に接続される回路パターンを前記絶縁膜の片面又は両面に形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明では、まず、基板上に貫通電極となる導通セル（導電性ボール）と絶縁膜となる接合セル（熱可塑性又は熱硬化性の絶縁性ボール）とが配置された後に、導通セルと接合セルとが熱プレスされる。これにより、接合セルが溶融して絶縁膜が形成されると同時に、導通セルが絶縁膜を貫通する貫通電極となる。次いで、基板が除去された後に、貫通電極に接続される回路パターンが絶縁膜の片面又は両面に形成される。
【００１３】
上記した発明において、基板として配線パターンを備えた配線基板を使用してもよい。この場合、配線基板の配線パターンの接続部上に導通セルが配置され、その他の領域に接合セルが配置された後にこれらが熱プレスされる。そして、配線基板の配線パターンに接続された貫通電極と絶縁膜とが配線基板上に形成された後に、貫通電極に接続される回路パターンが絶縁膜上に形成される。
【００１４】
あるいは、回路パターンを備えた下側支持体上に同様にして導通セル及び接合セルを配置し、その上にさらに回路パターンを備えた上側支持体を配置し、熱プレスした後に、上側及び下側支持体を回路パターンに対して選択的に除去するようにしてもよい。
【００１５】
本発明では、基板上に配置された導通セルと接合セルとを熱プレスすることにより絶縁膜とそれを貫通する貫通電極とが形成されるようにしたので、絶縁膜に形成されたビアホールに導電体を充填する方法より、極めて短手番で回路基板を製造することができるようになる。
【００１６】
また、本発明の一つの好適な態様では、絶縁膜上に形成される回路パターンは、支持体上にジェットプリンティング法により形成された回路パターンが転写されて形成される。従って、本発明で使用される主要な製造装置としては、導通セル及び接合セルを配列するための配列機、これらを熱プレスするためのプレス機、及び回路パターンを形成するためのジェットプリンティング装置などの小型設備である。
【００１７】
このため、従来技術と違って、設備投資が膨大になる大型の製造装置を導入する必要がないので、極めて低コストで回路基板を製造することができるようになる。しかも、めっき工程などのウェットプロセスを不要とし、ドライプロセスのみで回路基板を製造することができるので、廃液処理などの問題を考慮する必要がない。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法で使用される導通セル及び接合セルを示す断面図、図２〜図６は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法を示す図である。なお、図２（ｂ）は図２（ａ）のＩ−Ｉに沿った断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【００２０】
第１実施形態の回路基板の製造方法は、図１（ａ）に示すように、まず、球状の導通セル１０を用意する。この導通セル１０は、導電性ボール１０ａとそれを被覆する被覆絶縁体１０ｂとにより構成される。導電性ボール１０ａとして、各種金属又は有機導電性材料（高分子）が使用され、特に材料は限定されないが、はんだなどの接着性を有する導電材料を使用することが好ましい。あるいは、Ｃｕボールなどの導電性ボール上にはんだなどの接着性を有する導電体が被覆された複合体であってもよい。
【００２１】
被覆絶縁体１０ｂは溶融接着特性を有する絶縁材料から構成される。そのような絶縁材料としては、ポリイミド又は液晶ポリマーなどの熱可塑性の絶縁材料、又は熱硬化性の絶縁材料が使用される。熱硬化性の絶縁材料を用いる場合、Ｂ−ステージ（半硬化状態）のものが使用される。
【００２２】
このような導通セル１０は、例えば、溶融した状態の樹脂の中に導電性ボールを入れて導電性ボールの表面に絶縁体を付着させることにより得られる。
【００２３】
なお、被覆絶縁体１０ｂは、フラックス作用を有する絶縁材料が導電性ボール１０ａ側に形成された多層構造としてもよい。また、導電性ボール１０ａ上に被覆絶縁体１０ｂを形成せずに、導電性ボール１０ａ自体を導通セル１０として使用してもよい。
【００２４】
導通セル１０の変形例としては、樹脂ボールを金属皮膜で被覆したもの、さらには金属皮膜上に前述した被覆絶縁体が形成されたものを使用してもよい。樹脂ボールとしてエポキシ又はポリイミドなどの樹脂が使用され、熱プレス時に溶融しない樹脂が好適に選択される。また、金属皮膜は、銅又はニッケルなどからなる単層の金属層であってもよいし、金属層上にはんだ層などが形成された多層構造であってもよい。金属層は樹脂ボール上に無電解めっきにより形成される。
【００２５】
次いで、図１（ｂ）に示すように、球状の接合セル１２を用意する。接合セル１２は全体にわたって絶縁材料により構成された絶縁性ボールからなり、上記した導通セル１０の被覆絶縁体１０ｂと同様な熱可塑性又は熱硬化性の絶縁材料が使用される。接合セル１２は外部圧力により要求範囲で塑性変形可能なものが使用される。
【００２６】
続いて、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、ステンレスなどからなる基板１４を用意する。この基板１４は、最終的に得られる回路基板と略同一の大きさのものが使用される。本実施形態では、大型基板上に多層配線構造を形成した後に切断して個々の回路基板を得るのではなく、個々の回路基板に対応する小型基板（例えば２〜５０ｍｍ□）を使用して回路基板を製造する形態を例示する。
【００２７】
次いで、同じく図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、上記した導通セル１０及び接合セル１２を整列機（不図示）により基板１４上に配置する。この導通セル１０及び接合セル１２が基板１４上に整列された状態をブロックと呼ぶ。整列機には予め設計ツールから導通セル１０及び接合セル１２の大きさや配置情報がインプットされており、所要の大きさの導通セル１０及び接合セル１２が基板１４上の所定位置に配列されるようになっている。この整列機は微小な導通セル１０及び接合セル１２をハンドリングして小型の基板１４上の所定位置に配置させるものであり、従来技術で使用する装置と違って、設置面積が小さく膨大な設備投資を必要としない。
【００２８】
このとき、導通セル１０は回路基板の貫通電極が形成される部分に対応する位置に配置され、接合セル１２は貫通電極を除く層間絶縁膜が形成される領域に連続的に配置される。つまり、導通セル１０はその導電性ボール１０ａが層間絶縁膜を貫通する貫通電極となり、一方、複数の接合セル１２は後に溶融・接着することにより連続的な層間絶縁膜となるものである。
【００２９】
従って、導電セル１０及び接合セル１２の大きさは、多層配線構造の貫通電極（ビアホール）の径、深さ及びピッチ、層間絶縁膜の膜厚に対応するように適宜調整される。
【００３０】
さらに、接合セル１２は、溶融・接着する際に層間絶縁膜全体の体積（（Ａ×Ｂ×Ｃ）−（導電性ボール１０ａのトータル体積））になるようにその大きさ及び配置が適宜調製される（図２（ａ）及び（ｂ）参照）。なお、導通セル１０の被覆絶縁体１０ｂも後に溶融・接着して層間絶縁膜の一部となり、層間絶縁膜全体の体積に含まれる。
【００３１】
図２（ａ）の例では、２０〜５０μｍの導通セル１０とそれと略同一の大きさの接合セル１２とが配置されてブロックが構成されている。さらに、最終的に得られる層間絶縁膜の体積を調整するために、基板１４の周縁部に微小接合セル１２ａが配置されている。
【００３２】
次いで、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、図２（ｂ）の構造体を金型１６に配置し、導通セル１０及び接合セル１２をプレス機（不図示）で押圧しながら熱処理を行う。このプレス機は小型の基板１４上の導通セル１０及び接合セル１２を押圧するものであり、従来技術で使用する装置と違って、設置面積が小さく膨大な設備投資を必要としない。
【００３３】
このとき、接合セル１２及び導通セル１０の被覆絶縁体１０ｂは熱可塑性を有するため、溶融して相互に接着した状態で硬化する。なお、接合セル１２及び導通セル１０の被覆絶縁体１０ｂとして熱硬化性の材料を使用する場合は、Ｂ−ステージ状態（完全に硬化していない状態）となる。
【００３４】
これにより、図４（ａ）に示すように、複数の接合セル１２及び導通セル１０の被覆絶縁体１０ｂが溶融・接着することにより層間絶縁膜１８が形成される。
これと同時に、導通セル１０の上下の被覆絶縁体１０ｂが熱プレスによって排斥されて導電性ボール１０ａ上部及び下部が基板１４及び金型１６に接触した状態となる。
【００３５】
その後に、基板１４及び金型１６を除去することにより、図４（ｂ）に示すように、導電性ボール１０ａが層間絶縁膜１８を貫通する貫通電極２０となり、貫通電極２０の上側接続部２０ａと下側接続部２０ｂとがそれぞれ層間絶縁膜１８の両面に露出した状態となる。
【００３６】
このように、本実施形態では、層間絶縁膜にビアホールを形成することなく、基板１４上に配列された導通セル１０及び接合セル１２を熱プレスすることにより、極めて短手番で層間絶縁膜１８とそれを貫通する貫通電極２０とを形成することができる。
【００３７】
上記した形態では、接合セル１２を溶融させて層間絶縁膜１８の上面及び下面が概ね平坦化されるようにしたが、導通セル１０と接合セル１２、及び接合セル１２同士が接着された状態となっていればよい。後述するように、回路パターンを転写により形成する工程で再度熱プレスを行うため、その工程で熱可塑性の層間絶縁膜１８を溶融させて平坦な層間絶縁膜１８を得ることも可能である。
【００３８】
次いで、図５（ａ）に示すように、剥離可能なテープなどの第１支持体２２上にジェットプリンティング法で導電性ペーストなどを描画することにより接続パッド２４ａを有する回路パターン２４を形成して、上側プレート３０とする。ジェットプリティング法では、ジェットプリンティング装置（不図示）のノズルから導電性ペーストなどを高速噴射させることにより基板上に部分成膜することができる。このため、本実施形態では、回路パターン２４を形成する際にめっきやフォトリソグラフィなどを用いる必要がない。
【００３９】
続いて、同様な方法により、第２支持体２２ａ上に接続パッド２４ａを有する回路パターン２４を形成して、下側プレート３０ａとする。
【００４０】
この工程で使用されるジェットプリンティング装置は、上記した基板１４及び金型１６に対応する小型の第１及び第２支持体２２，２２ａ上に回路パターン２４を直接描画して形成するものあり、従来技術で使用する製造装置と違って、設置面積が小さく膨大な設備投資を必要としない。
【００４１】
次いで、図６（ａ）に示すように、上側プレート３０の回路パターン２４の接続パッド２４ａが上記した貫通電極２０の上側接続部２０ａに対応するようにして、上側プレート３０を図４（ｂ）の構造体の上面に配置する。また、同様に、下側プレート３０ａの回路パターン２４の接続パッド２４ａが上記した貫通電極２０の下側接続部２０ｂに対応するようにして下側プレート３０ａを図４（ｂ）の構造体の下面に配置する。そして、このように配置される構造体を基板１４上に配置し、さらに金型１６を上側から配置した状態で熱プレスを行う。なお、図６では、層間絶縁膜１８に形成された貫通電極２０が側面から透視されて描かれている。
【００４２】
次いで、図６（ｂ）に示すように、基板１４及び金型１６を取り外すことにより、貫通電極２０の上側接続部２０ａに回路パターン２４の接続パッド２４ａが接合された状態で回路パターン２４全体が層間絶縁膜１８の上面に埋め込まれて接着される。また同様に、貫通電極２０の下側接続部２０ｂに回路パターン２４の接続パッド２４ａが接合された状態で回路パターン２４全体が層間絶縁膜１８の下面に埋め込まれて接着される。
【００４３】
このとき、前述したように、貫通電極２０（導電性ボール）として、少なくとも表層部がはんだなどの接着性を有する導電体からなるものを使用することにより、貫通電極２０と回路パターン２４とが容易に接合されると共に、接合の信頼性を向上させることができる。
【００４４】
あるいは、前述したように、導通セル１０として樹脂ボール上に金属皮膜が被覆されたものを使用する場合においても、樹脂ボールは金属ボールと比較して弾性があることから熱プレス時に変形しやすいため、層間絶縁膜１８に埋め込まれる回路パターン２４が貫通電極２０に良好な状態で接合される。これによって、回路パターン２４と貫通電極２０との接続の信頼性を向上させることができる。
【００４５】
その後に、上側及び下側プレート３０，３０ａの第１及び第２支持体（テープ）２２，２２ａを回路パターン２４及び層間絶縁膜１８に対してそれぞれ選択的に引き剥がして除去する。これにより、図６（ｃ）に示すように、貫通電極２０の上側接続部２０ａに接続される回路パターン２４と、貫通電極２０の下側接続部２０ｂに接続される回路パターン２４とが図４（ｂ）の構造体上に転写・形成される。
【００４６】
なお、第１、第２支持体２２，２２ａとして金属板を使用し、この金属板上にパターニングされた回路パターン２４を同様に層間絶縁膜１８上に転写するようにしてもよい。この場合、金属板として、回路パターン２４及び層間絶縁膜１８に対して選択的にエッチング除去できる金属材料が選択される。
【００４７】
また、図４（ａ）の層間絶縁膜１８の両面に、貫通電極２０に接続される回路パターン２４をジェットプリンティング法により直接形成するようにしてもよい。この場合、図６（ｄ）に示すように、貫通電極２０の上側接続部２０ａに接続される回路パターン２４と、貫通電極２０の下側接続部２０ｂに接続される回路パターン２４とが、層間絶縁膜１８上に埋め込まれないで形成される。
【００４８】
このようにして、図６（ｃ）又は（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１８を貫通する球状又は樽形の貫通電極２０を介して相互接続された回路パターン２４が層間絶縁膜１８の両面に形成される。あるいは、層間絶縁膜１８の片面のみに回路パターン２４が形成されるようにしてもよい。
【００４９】
本実施形態では、個々の回路基板に対応する基板１４を利用して回路基板を製造するので、大型基板を使用する場合と違って、切断工程及び切断装置が不要であるという観点からも低コスト化を図ることができる。以上により、第１実施形態の回路基板１，１ａが完成する。
【００５０】
なお、図６（ｃ）又は（ｄ）の回路基板１，１ａと同様な回路基板（回路パターンが片面又は両面に形成されたもの）をｎ個（ｎは１以上の整数）作成し、これらの回路基板を積層することによりさらに複数の多層配線を備えた回路基板を製造してもよい。
【００５１】
本実施形態の回路基板１は、例えば、電子部品とマザーボードの接続端子とを整合又はグリッド変換するためのインターポーザなどに使用される。そして、回路基板１の一方側の回路パターン２４に電子部品が実装され、他方側の回路パターン２４がマザーボードの接続端子に接続される。
【００５２】
以上説明したように、第１実施形態の回路基板の製造方法では、まず、基板１４上に導通セル１０と接合セル１２とが配置されてブロックが形成される。その後、基板１４上のブロックを熱プレスすることにより、接合セル１２が溶融して層間絶縁膜１８が形成されると同時に、導通セル１０の導電性ボール１０ａが層間絶縁膜１８を貫通する貫通電極２０となる。続いて、貫通電極２０の上側接続部２０ａ及び下側接続部２０ｂにそれぞれ接続される回路パターン２４が層間絶縁膜１８の両面に転写・形成される。
【００５３】
このように、基板１４上に配置された導通セル１０及び接合セル１２を熱プレスすることにより層間絶縁膜１８と貫通電極２０とが得られるので、層間絶縁膜にビアホールを形成した後に導電体を充填する方法より、製造手番の短縮を図ることができる。
【００５４】
また、本実施形態では、整列機、プレス機及びジェットプリンティング装置のような小型設備を主要な製造装置として使用することにより回路基板１を製造することができる。このため、従来技術と違って、設備投資が膨大になる大型の製造装置及びそれに付随する治工具類を導入する必要がないので、極めて低コストで回路基板１を製造することができるようになる。しかも、めっき工程などのウェットプロセスを不要とし、ドライプロセスのみで回路基板１を製造することができるので、廃液処理などの問題を考慮する必要がない。
【００５５】
（第２の実施の形態）
図７及び図８は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図である。第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、予め用意された配線基板上に導電セル及び接合セルを配置することにより多層配線構造を形成することにある。図７及び図８において第１実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００５６】
第２実施形態の回路基板の製造方法は、まず、図７（ａ）に示すような配線基板３４を用意する。この配線基板３４では、剛性の強い絶縁基板３２にビアホール３２ａが形成されており、このビアホール３２ａを介して相互接続される配線パターン２５が絶縁基板３２の両面に形成されている。この配線基板３４として第１実施形態で製造された回路基板１を使用してもよいことはもちろんである。
【００５７】
その後、図７（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、配線基板３４の配線パターン２５の接続部上に導通セル１０を配置すると共に、それ以外の層間絶縁膜が形成される領域に接合セル１２を配置する。
【００５８】
次いで、図７（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、導通セル１０及び接合セル１２により構成されるブロックを金型１６に挿入して押圧しながら熱処理する。これにより、図７（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１８とそれを貫通する貫通電極２０とが形成され、貫通電極２０の下側接続部２０ｂが配線基板３４の配線パターン２５の接続部に接合される。
【００５９】
続いて、図８（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な方法により、支持体２２上に回路パターン２４が形成された上側プレート３０を用意する。その後、上側プレート３０をその回路パターン２４が貫通電極２０の上側接続部２０ａに対応するようにして図７（ｄ）の構造体に配置した後、押圧しながら熱処理を行う。
【００６０】
次いで、図８（ｂ）に示すように、上側プレート３０の支持体２２を引き剥がすことにより、貫通電極２０の上側接続部２０ａに接続される回路パターン２４が層間絶縁膜１８に埋め込まれた状態で転写・形成される。
【００６１】
なお、上記したような転写技術により回路パターン２４を形成する代わりに、図７（ｄ）の層間絶縁膜１８上にジェットプリンティング法で導電性ペーストを直接描画して回路パターン２４を形成してもよい。
【００６２】
また、導通セル１０及び接合セル１２を配置する工程から回路パターン２４を形成する工程までを所定回数繰り返すことにより、所要の多層配線構造を有する回路基板を製造してもよい。
【００６３】
また、第１実施形態と第２実施形態の製造方法を組み合わせて、所定数の配線層の多層配線構造を有する回路基板を製造してもよい。
【００６４】
第２実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏する。
【００６５】
（第３の実施の形態）
図９は本発明の第３実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図である。第３実施形態は１回の熱プレスにより回路基板を製造する形態である。
【００６６】
まず、図９（ａ）に示すように、第１実施形態と同様な基板１４と回路パターン２４が形成された第２支持体２２ａ（下側支持体）から構成される下側プレート３０ａとを用意する。その後、下側プレート３０ａをその回路パターン２４が上側になるようにして基板１４上に配置する。続いて、第１実施形態と同様な方法により、下側プレート３０ａの回路パターン２４の接続パッド上に導通セル１０を配置すると共に、層間絶縁膜が形成される部分に接合セル１２を配置する。
【００６７】
次いで、第１実施形態と同様な回路パターン２４が形成された第１支持体２２（上側支持体）から構成される上側プレート３０を用意する。そして、導通セル１０及び接合セル１２上に上側プレート３０をその回路パターン２４の接続パッドが導通セル１０に対応するように位置合わせして配置する。
【００６８】
続いて、上側プレート３０側から金型１６を配置した状態で熱プレスした後に、基板１４及び金型１６を取り外す。これにより、図９（ｂ）に示すように、接合セル１２及び導通セル１０の被覆絶縁体１０ｂが溶融・接着することにより層間絶縁膜１８が形成される。これと同時に、上側及び下側プレート３０，３０ａの回路パターン２４が層間絶縁膜１８の両面にそれぞれ埋め込まれると共に、導通セル１０が回路パターン２４に接合される貫通電極２０となる。
【００６９】
その後に、図９（ｃ）に示すように、上側及び下側プレート３０，３０ａの第１及び第２支持体２２，２２ａを回路パターン２４に対して選択的に引き剥がすことにより、回路パターン２４が層間絶縁膜１８の両面にそれぞれ埋め込まれた状態で転写・形成される。以上により、第１実施形態の回路基板１と同様な回路基板が得られる。
【００７０】
第３実施形態は第１実施形態と同様な効果を奏する。これに加えて、一回の熱プレスにより回路基板を製造するようにしたので、第１実施形態より製造工程が簡易となり、製造コストを低減することができる。
【００７１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、基板上に貫通電極となる導通セルと絶縁膜となる接合セルとが配置された後、これらが熱プレスされることにより、接合セルが溶融して絶縁膜が形成されると同時に、導通セルが絶縁膜を貫通する貫通電極となる。その後に、貫通電極に接続される回路パターンが絶縁膜上に形成される。
【００７２】
このため、絶縁膜に形成されたビアホールに導電体を充填する方法より、極めて短手番で回路基板を製造することができるようになる。また、配列機、プレス機、ジェットプリンティング装置などの小型設備を主要な製造装置として回路基板を製造することできるので、膨大な設備投資を必要とせず、低コストで回路基板を製造することができるようになる。しかも、ドライプロセスのみで回路基板を製造することができるので、ウェットプロセスに係る廃液処理などの問題を考慮する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法で使用される導通セル及び接合セルを示す断面図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法における基板上に導通セル及び接合セルが配置される様子を示す図である。なお、図２（ｂ）は図２（ａ）の平面図のＩ−Ｉに沿った断面図である。
【図３】図３は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法における導通セル及び接合セルが熱プレスされる様子を示す図である。なお、図３（ｂ）は図３（ａ）の平面図のＩＩ−ＩＩに沿った断面図である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の配線基板の製造方法における層間絶縁膜及び貫通電極が形成される様子を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法で使用される上側及び下側プレートを示す平面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１実施形態の回路基板の製造方法における回路パターンが形成される様子を示す側面透視図である。
【図７】図７は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図８】図８は本発明の第２実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は本発明の第３実施形態の回路基板の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１，１ａ…回路基板、１０…導通セル、１０ａ…導電性ボール、１０ｂ…被覆絶縁体、１２…接合セル、１２ａ…微小接合セル、１４…基板、１６…金型、１８…層間絶縁膜、２０…貫通電極、２０ａ…上側接続部、２０ｂ…下側接続部、２２…第１支持体，２２ａ…第２支持体、２４，２５…回路パターン、２４ａ…接続パッド、３０…上側プレート、３０ａ…下側プレート、３２…絶縁基板、３２ａ…ビアホール、３４…配線基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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