(57)【要約】【課題】波長可変半導体レーザにおいて、動作電流の増加を招くことなく発振波長可変幅の増大と高速応答とを両立させる。【解決手段】共振器方向に第１の領域と第２の領域の少なくとも２つの領域を有する波長可変半導体レーザにおいて、前記第１の領域の領域における前記活性層の深さ位置での前記光導波路の幅を前記第２の領域における光導波路の幅より狭く形成する。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路を両端面間に備え、前記両端面を結ぶ方向に第１の領域と第２の領域の少なくとも２つの領域を有し、前記第１の領域における前記活性層の深さ位置での前記光導波路の幅が前記第２の領域における光導波路の幅より狭いことを特徴とする波長可変半導体レーザ。
【請求項２】
前記第１の領域における前記光導波路の幅が２０μｍ以上かつ１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の波長可変半導体レーザ。
【請求項３】
前記第１の領域にグレーティングが形成されていることを特徴とする請求項２に記載の波長可変半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光情報処理や計測などの光源として用いるのに適した波長可変半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンパクトで低価格という利点を有する半導体レーザは光情報処理や光計測などの光源として広く利用されている。
【０００３】
半導体レーザのうち、半導体の劈開端面がミラーであるファブリペロー（ＦＰ）共振器を利用した半導体レーザは、作製が容易であり光ディスクのピックアップ光源として量産されている。しかし、温度により発振波長が変化する、高速変調時に複数の縦モードで発振するなどの欠点がある。
【０００４】
半導体レーザのコンパクトさを損なわずに上記の欠点を解決する技術として、鋭い波長選択特性を持つ回折格子を半導体共振器内に設けることにより帰還を行う半導体レーザが知られている。この種の半導体レーザが、分布ブラッグ反射（ＤＢＲ：Ｄｉｓｔｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）レーザや分布帰還（ＤＦＢ：Ｄｉｓｔｉｂｕｔｅｄ　Ｆｅｅｄ　Ｂａｃｋ）レーザである。また、ＤＢＲレーザと多電極ＤＦＢレーザは電流的に発振波長となるブラッグ波長を変化させることができる特長がある。
【０００５】
実用性を考えると、波長可変幅は大きいことが望まれる。例えば光通信においては、発振波長が広いほど多数の周波数チャンネルを利用でき、大容量送信が可能となる。
【０００６】
発振波長の制御は、電流注入により光導波路の屈折率が変化することにより行うことができる。電流注入によって半導体の屈折率Ｎが変化する機構は主に、プラズマ効果と熱効果の２つである。プラズマ効果は、注入キャリアにより発生する。熱効果は、電流注入による電力消費により発生する。電流Ｉによる屈折率の変化ΔＮＴは、次式で与えられる。
【０００７】
【数１】
2004023029.tif 000003
【０００８】
【数２】
2004023029.tif 000004
【０００９】
ここでＴは温度、ＺＴは熱抵抗、ＰＤは消費電力、Ｖｊはｐ−ｎ接合の順電圧、Ｒｓは直列抵抗であり、いずれも電流注入した領域における値である。
【００１０】
このうち、プラズマ効果による発振波長制御は、キャリア密度の揺らぎによってスペクトル線幅が増加する短所がある。光通信においてはスペクトル線幅が増加すると、波長多重に大容量伝送が困難となる。それに対して、熱効果による発振波長制御は、スペクトル線幅を増加させることがないという長所を有する。
【００１１】
熱効果を向上させ発振波長可変幅を増大するために、様々な素子構造が提案されている。例えば、特開平５−２８３８１８号公報においては図７に示すように多電極ＤＦＢレーザの１つの領域に、共振器に垂直な断面を狭いメサ状に形成するように溝３１２を形成した構造（以下従来構造Ａという）が記載されている。
【００１２】
また、特開平１０−２５６６７５号公報に記載された構造（以下、従来構造Ｂという）を図８に示す。この図はＤＦＢレーザのストライプ状の導波路を抜き出して模式的に示したものである。この構造では、多電極ＤＦＢレーザの１つの領域において、活性層３２３を含む光導波路の幅を通常の電流狭窄幅より狭くしている。
【００１３】
いずれの構造においても光導波路幅が狭いので熱抵抗が大きくなり、少ない消費電力ＰＤで光導波路の屈折率を大きく変化させることができる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の従来の構造には、波長可変の応答性が低い、動作電流が増加する、などの課題があった。すなわち、従来構造Ａにおいては、熱抵抗ＺＴが増加するために温度変化の時定数が増加してしまう。なぜならば、過渡状態での温度上昇ΔＴ（ｔ）は、下式の単純なモデルでは下式に従うからである。
【００１５】
【数３】
2004023029.tif 000005
【００１６】
ここで、Ｃａｃｔｉｖｅは光導波路の熱容量である。一般に熱容量は材料の比熱と密度、体積に比例する。この場合、体積は活性層からヒートシンクへ熱流が流れる領域となる。従って、Ｃａｃｔｉｖｅには発熱源である活性層周辺に存在する領域の体積が大きく影響する。従来構造Ａにおいては溝３１２の深さが活性層まで達していず電流阻止層までしかエッチングせず、またメサ形状の幅が広い。その結果、活性層２の周辺に存在する領域の大きさの、メサ形状を形成している領域と形成していない領域での差は小さい。従って、ＣａｃｔｉｖｅはＺＴの増加に比べて減少が小さいので、ＺＴＣａｃｔｉｖｅは大きくなる。すなわち、温度変化の時定数が増加する。
【００１７】
一方、従来構造Ｂは、活性層３２３の幅が狭いために、活性層３２３での発熱が温度上昇させる領域が狭い。従って、Ｃａｃｔｉｖｅを減少することができるため、ＺＴが増加しても応答性の低下を避けることができる。しかし、光導波路層３２１、３２５や活性層３２３の幅が他の領域の電流狭窄幅より狭いため、光分布が他の領域と大きく異なる。その結果、この狭い導波路と他の導波路との結合効率が低下し、動作電流が増加してしまう。
【００１８】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、動作電流の増加を招くことなく発振波長可変幅の増大と高速応答との両立を可能とする波長可変半導体レーザを提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の波長可変半導体レーザは、以下に示す構成を有するものである。
【００２０】
本発明の波長可変半導体レーザは、光導波路を両端面間に備え、前記両端面を結ぶ方向に第１の領域と第２の領域の少なくとも２つの領域を有し、前記第１の領域の領域における前記活性層の深さ位置での前記光導波路の幅が前記第２の領域における光導波路の幅より狭いものである。
【００２１】
この構成により、光導波路幅が狭くなるため熱抵抗を増加させることができる。従って、電流注入による発熱が効果的に光導波路の屈折率を変化させる。すなわち同じ消費電力でも屈折率変化量を増加させることができる。また、活性層の周辺に存在する半導体層が減少しているため、熱容量を低下させることができる。熱抵抗の増加と同時に熱容量を減少させることができるため、屈折率変化の応答性の低下を避けることができる。
【００２２】
本発明の波長可変半導体レーザは、さらに第１の領域における前記光導波路の幅が２０μｍ以上かつ１５０μｍ以下であることが好ましい。この好ましい構成によれば、光導波路の幅を１５０μｍ以下とすることにより第１の領域の熱抵抗を有効に増加させることができるとともに、光導波路の幅を２０μｍ以上とすることにより光導波路内における光分布の水平方向の広がり幅は２０μｍ程度であるため光分布を乱すことがなく、第１の領域と第２の領域との結合効率を低下させることがない。すなわち、動作電流の増加を招くことなく、屈折率変化の増大を実現できる。
【００２３】
本発明の波長可変半導体レーザは、さらに第１の領域にグレーティングが形成されていることが好ましい。この好ましい構成によれば、屈折率を変化させて発振波長を変化させることができる。すなわち、波長可変幅の増加と応答性を両立することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（第一の実施形態）
図１は、本発明の第一の実施形態における波長可変半導体レーザであるＤＢＲレーザを示す図面である。
【００２５】
ｎ型ＧａＡｓの基板１１１上にｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓの第１クラッド層１１２、ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓの量子井戸からなる活性層１１３、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓの第２クラッド層１１４、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓの回折格子層１１５、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓの第３クラッド層１１６、ｎ型Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓの電流阻止層１１７、ｐ型ＧａＡｓのキャップ層１１８、ｎ型ＧａＡｓのコンタクト層１１９の半導体多層膜からなる光導波路が形成されている。共振器方向に光導波路は３領域に分割され、導波光を増幅する利得領域１０１、導波光の位相を制御する位相制御領域１０２、回折格子１１５ａが形成され発振波長であるブラッグ波長を制御するＤＢＲ領域１０３からなる。
【００２６】
位相制御領域１０２とＤＢＲ領域１０３の活性層１１３ａはＳｉイオン注入による無秩序化が施されている。そのため活性層１１３ａのバンドギャップエネルギーは、利得領域１０１の活性層１１３のバンドギャップより大きい。従って、活性層１１３で発生した導波光の吸収が低減されている。
【００２７】
ｎ電極１３１は基板１１１下に設置している。各領域間の境界部分１００のコンタクト層１１９を除去し、各領域のコンタクト層１１９の上にｐ電極１３２が設置されている。このような構成により、各領域に対して個別に電流注入による互いに独立な制御を行うことができる。
【００２８】
利得領域１０１近傍の端面には反射率５％の低反射率、ＤＢＲ領域１０３近傍の端面には反射率１％以下の無反射率のコーティングが施されている。
【００２９】
利得領域１０１とＤＢＲ領域１０３における、共振器に垂直な断面を図２に示す。図２（ａ）は図１のａ−ａ’における断面であり、図２（ｂ）はｂ−ｂ’における断面である。いずれの領域においても第３クラッド層１１６がリッジ状に形成され、電流阻止層１１７に埋め込まれていることによって電流狭窄と実効屈折率導波が実現する。第３クラッド層１１６のリッジ底での幅は、２μｍとする。
【００３０】
ただし、ＤＢＲ領域１０３においては、光導波路の幅Ｗを利得領域１０１の光導波路の幅より狭くするために、コンタクト層１１９から第１クラッド層１１２までエッチングにより光導波路の横に溝を形成している。このように光導波路幅を狭くすることで、ＤＢＲ領域の熱抵抗と熱容量を同時に低減することができると期待できる。なお、光導波路の活性層の側面からの酸化防止とジャンクション・ダウンでの実装時での側面にハンダ付着することによるショート防止のために、光導波路側面に絶縁膜１４１を形成している。
【００３１】
図３にＤＢＲ領域の熱抵抗と熱容量の光導波路幅依存性を理論計算した結果を示す。図３（ａ）は、従来のように光導波路の横にコンタクト層１１９から電流阻止層１１２までのエッチングにより溝を形成した場合である。図３（ｂ）は、本実施形態の場合である。従来構造の場合、Ｗを減少させるほど熱抵抗を大きくすることができるが、熱容量の減少は小さい。なぜならば、熱容量に大きく寄与する活性層周辺の領域の減少が小さいためである。その結果、応答の時定数を意味する熱抵抗×熱容量は、熱抵抗が大幅に増加するＷ≦１５０μｍにおいて増加してしまう。すなわち、熱抵抗の増加と応答性を両立させることが困難である。一方、本実施形態の構造では光導波路の幅を狭くするための溝が第１クラッド層１１２まで達しているため、Ｗの減少に伴い熱容量に大きく寄与する活性層周辺の領域を減少することができる。従って、Ｗを小さくすることにより熱抵抗を増加させても、熱抵抗×熱容量が減少する。すなわち、熱抵抗の増加と応答性の向上が実現できる。
【００３２】
ただし、Ｗがあまりに小さいと、ＤＢＲ領域１０３と位相制御領域１０２との結合効率が低下する。結合効率の低下は、動作電流の増加を招くので好ましくない。図４に結合効率の光導波路幅Ｗ依存性を、理論計算した結果を示す。Ｗ≧２０μｍにおいては結合効率が変化しないが、Ｗ＜２０μｍにおいては急激に結合効率が低下することが分かる。これは、導波光の水平方向（半導体多層膜の主面に平行方向）の光分布が、光導波路中心から左右約１０μｍほどで導波路中心での光強度の１００分の１以下となるためである。
【００３３】
従って、ＤＢＲ領域の熱抵抗を増大させ、かつ結合効率の低下を避けるには、光導波路幅Ｗは１５０μｍ以下、２０μｍ以上とすればよい。本実施形態ではＷ＝５０μｍとした。
【００３４】
利得領域１０１への注入電流により、利得領域の活性層１１３が発光し光導波路を光が導波する。利得領域１０１近傍の端面とＤＢＲ領域１０３の回折格子１１５ａによるＤＢＲとを２つの反射鏡として共振器が形成され、導波光が利得領域１０１で増幅されレーザ発振する。導波光は利得領域１０１近傍の端面から空間中へ放射され、レーザ光として利用できる。ＤＢＲレーザにおいて、ＤＢＲのブラッグ波長にもっとも波長の近い縦モードのみが、主にブラッグ反射しレーザ発振する。
【００３５】
出力は利得領域１０１への電流注入により制御する。発振波長の制御は、ＤＢＲ領域１０３への電流注入により行うことができる。電流注入によってＤＢＲ領域１０３の活性層が発熱し、実効屈折率が増加する。その結果、ブラッグ波長が長波側へシフトする。同様に位相制御領域１０２への電流注入による発熱により実効屈折率が増加し、導波光の位相が変化する。そのため縦モードを連続的に変化させることができる。ＤＢＲ領域１０３への電流注入だけでは実現できない連続的な発振波長の制御が、位相制御領域１０２への電流注入を適切に設定することによって可能となる。
【００３６】
ＤＢＲ領域の光導波路幅を狭くしない従来のＤＢＲレーザにおいて、ＤＢＲ領域１０３に電流１００ｍＡを注入した場合（印加電圧２Ｖ、投入電力０．２Ｗ）の発振波長の変化幅は、２ｎｍである。一方、本実施形態のＤＢＲレーザの場合には、同じ投入電力０．２Ｗでも発振波長の変化幅が４ｎｍと従来の２倍に増加する。また、従来のようにＤＢＲ領域の光導波路幅の光導波路の幅を側面の電流阻止層までの溝により狭くしたＤＢＲレーザも同様に発振波長の変化幅が４ｎｍに増加する。
【００３７】
しかし、ＤＢＲ領域の光導波路幅の幅を浅い溝により狭くした従来の構造では、発振波長の変化の応答速度が低下する。例えば、発振波長変化が安定するまでの時間は光導波路の幅を狭くしない従来構造では１μｓｅｃであったが、光導波路の幅を狭くした従来構造では１０μｓｅｃに増加した。一方、本実施形態では発振波長変化が安定するまでの時間が０．５μｓｅｃに減少した。
【００３８】
このように、本実施形態の構造により、発振波長可変幅の増大と高速応答性を両立することができる。また、本実施形態のＤＢＲレーザの動作電流は従来のＤＢＲ領域の光導波路幅を狭くしない構造における動作電流と差異がない。すなわち、本実施形態のように光導波路幅を狭くしても、光導波路の幅が２０μｍ以上であれば、ＤＢＲ領域１０３と位相制御領域１０２との間の結合効率が低下せず、動作電流の増加を招くことがない。
【００３９】
また、本実施形態ではＤＢＲ領域１０３の光導波路の幅を狭くしているが、位相制御領域１０２の光導波路の幅も同様に狭くしてもよい。この場合、ＤＢＲ領域１０３と同様に、応答速度の低下や動作電流の増加を招くことなく、少ない消費電力で位相制御が可能となる。
【００４０】
（第二の実施形態）
図５は、本発明の第二の実施形態における半導体光集積素子である２電極ＤＦＢレーザを示す図面である。
【００４１】
ｎ型ＧａＡｓの基板２１１上にｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓの第１クラッド層２１２、ｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓの回折格子層２１５、ｎ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓの第２クラッド層２１４、ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓの量子井戸からなる活性層２１３、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓの第３クラッド層２１６、ｎ型Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓの電流阻止層２１７、ｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓの第４クラッド層２１８、ｐ型ＧａＡｓのコンタクト層２１９の半導体多層膜からなる光導波路が形成されている。回折格子層２１５には回折格子２１５ａが形成されている。
【００４２】
共振器方向に光導波路は第１の分布帰還（ＤＦＢ）領域２０１と第２のＤＦＢ領域２０２と２分割されている。第１のＤＦＢ領域２０１近傍の端面には反射率１％以下の無反射率、第２のＤＦＢ領域２０２近傍の端面には反射率９０％の高反射率のコーティングが施されている。レーザ光は、第１のＤＦＢ領域２０１近傍の端面から放射させる。
【００４３】
ｎ電極２３１は基板２１１下に設置している。各領域間の境界部分２００のコンタクト層２１９を除去し、各領域のコンタクト層２１９の上にｐ電極２３２が設置されている。このような構成により、各領域に対して個別に電流注入による互いに独立な制御を行うことができる。
【００４４】
第１のＤＦＢ領域２０１と第２のＤＦＢ領域２０２における、共振器に垂直な断面を図６に示す。図６（ａ）は図５のａ−ａ’における断面であり、図６（ｂ）はｂ−ｂ’における断面である。いずれの領域においても電流阻止層２１７がストライプ状に開口し第４クラッド層２１８により埋め込まれることによって、電流狭窄と実効屈折率導波が実現している。電流阻止層２１７の開口幅は、２μｍとする。
【００４５】
ただし、第２のＤＦＢ領域２０２においては、光導波路の幅Ｗを第２のＤＦＢ領域２０１における光導波路の幅より狭くするために、コンタクト層２１９から第１クラッド層２１２までエッチングにより光導波路の横に溝を形成している。このように光導波路幅を狭くすることで、第２のＤＦＢ領域２０２の熱抵抗と熱容量を同時に低減することができる。なお、光導波路側面には光導波路の保護のために、絶縁膜２４１を形成している。
【００４６】
第１のＤＦＢ領域２０１と第２のＤＦＢ領域２０２への注入電流により、活性層２１３が発光し光導波路を光が導波する。ブラッグ波長近傍の導波光のみが増幅され、レーザ発振する。導波光は主に第１のＤＦＢ領域２０１近傍の端面から空間中へ放射され、レーザ光として利用できる。
【００４７】
各領域への注入電流比を制御することにより、光出力と発振波長を制御することができる。発振波長の制御は各領域への注入電流比により、ブラッグ波長を変化させることによって実現する。このように２電極ＤＦＢレーザは光出力と発振波長の制御が複雑化するが、制御を工夫することにより波長可変幅をＤＢＲレーザより増加させることが可能であることが知られている。
【００４８】
従来のように、第２のＤＦＢ領域２０２の光導波路幅を狭くしない２電極ＤＦＢレーザにおいて、第２のＤＦＢ領域２０２に電流１００ｍＡを注入した場合（印加電圧２Ｖ、投入電力０．２Ｗ）の発振波長の変化幅は、３ｎｍである。一方、本実施形態の２電極ＤＦＢレーザの場合には、同じ投入電力０．２Ｗでも発振波長の変化幅が６ｎｍと従来の２倍に増加する。また、従来のように第２のＤＦＢ領域における光導波路幅の側面に電流阻止層までの深さの溝を形成し光導波路の幅を５０μｍとした２電極ＤＦＢレーザも同様に発振波長の変化幅が４ｎｍに増加する。
【００４９】
しかし、従来のように第２のＤＦＢ領域における光導波路幅の幅を浅い溝により狭くした構造では、発振波長の変化の応答速度が低下する。例えば、発振波長変化が安定するまでの時間が光導波路の幅を狭くしない従来構造では０．８μｓｅｃであったが、光導波路の幅を狭くした従来構造では３μｓｅｃ増加した。一方、本実施形態では発振波長変化が安定するまでの時間が０．３μｓｅｃに減少した。
【００５０】
このように、本実施形態の構造により、２電極ＤＦＢレーザにおいても発振波長可変幅の増大と高速応答性を両立することができる。また、本実施形態の２電極ＤＦＢレーザの動作電流は、従来の第２のＤＦＢ領域の光導波路幅を狭くしない構造における動作電流と差異がない。すなわち、本実施形態のように光導波路幅を狭くしても、光導波路の幅が２０μｍ以上であれば、第１のＤＦＢ領域２０１と第２のＤＦＢ領域２０２との間の結合効率が低下せず、動作電流の増加を招くことがない。
【００５１】
なお、本発明の実施形態ではＡｌＧａＡｓ系の半導体材料を用い説明したが、ＩｎＰ材料、ＡｌＧａＩｎＰ系材料、ＢＡｌＧａＩｎＮ系材料、ＺｎＭｇＣｄＳＳｅ系材料、ＡｌＧａＩｎＮＡｓ、ＡｌＧａＩｎＮＰ系材料からなる半導体材料を用いてもよい。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の波長可変レーザによれば、波長制御領域に関する光導波路の活性層における幅を他の領域よりより狭くすることで熱抵抗の増加と同時に熱容量を減少させることができる。すなわち、投入電力あたりの実効屈折率変化率を増加させつつ、実効屈折率変化の応答性の低下を避けることができる。
【００５３】
また、波長制御領域に関する光導波路の活性層における幅を２０μｍ以上、１５０μｍ以下とすることにより、結合効率の低下させることなく熱抵抗を増加させることができる。すなわち、動作電流の増加を招かず、投入電力あたりの実効屈折率変化率を増加させることができる。そして実効屈折率変化により発振波長の変化を生じるので、以上のような効果によりＤＦＢレーザやＤＢＲレーザなどの波長可変半導体レーザにおいて、動作電流の増加を招かずに発振波長可変幅の増大と高速応答との両立を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施形態におけるＤＢＲレーザの、共振器方向と平行の断面構造を示す共振器方向に沿った断面図
【図２】本発明の第一の実施形態におけるＤＢＲレーザの、共振器方向に対し垂直に切った断面構造を示す断面図
【図３】従来の形態と本発明の第一の実施形態における、ＤＢＲ領域の熱抵抗、熱容量、熱抵抗×熱容量の、光導波路幅依存性を示す図
【図４】本発明の第一の実施形態におけるＤＢＲ領域と位相制御領域との結合効率の光導波路幅依存性を示す図
【図５】本発明の第二の実施形態における２電極ＤＦＢレーザの、共振器方向と平行の断面構造を示す図
【図６】本発明の第二の実施形態における２電極ＤＦＢレーザの、共振器方向と垂直の断面構造を示す図
【図７】従来の多電極ＤＦＢレーザ（従来構造Ａ）の共振器方向に垂直な面で切った断面図
【図８】従来の多電極ＤＦＢレーザ（従来構造Ｂ）のストライプ状の導波路を抜き出して模式的に示した図
【符号の説明】
１００、２００、３００　境界部分
１０１、３０１　利得領域
１０２、３０２　　位相制御領域
１０３、３０３　　ＤＢＲ領域
１１１、２１１、３１１　　基板
１１２、２１２、３１２　　第１クラッド層
１１３、２１３、３１３　　活性層
１１３ａ、３１３ａ　　無秩序化した活性層
１１４、２１４、３１４　　第２クラッド層
１１５、２１５、３１５　　回折格子層
１１５ａ、２１５ａ、３１５ａ　　回折格子
１１６、２１６、３１６　　第３クラッド層
１１７、２１７、３１７　　電流阻止層
１１８、３１８　　キャップ層
１１９、２１９、３１９　　コンタクト層
１３１、２３１、３３１　　ｎ電極
１３２、２３２、３３２　　ｐ電極
１４１、２４１　　絶縁膜
２０１　　第１のＤＦＢ領域
２０２　　第２のＤＦＢ領域
２１８　　第４クラッド層
３０１　　ＩｎＰ基板
３０２　　ＩｎＧａＡｓＰ光導波層を含むＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ量子井戸活性層
３０３　　ｐ型ＩｎＰクラッド層
３０４　　ｐ型ＩｎＰコンタクト層
３０５　　ｐ型ＩｎＰ電流阻止層
３０６　　ｎ型ＩｎＰ電流阻止層
３０７　　ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ電流阻止層
３０８　　アンドープＩｎＧａＡｓＰ電流阻止層
３０９　　絶縁膜
３１０　　Ｐ電極
３１１　　配線、ボンディングパッド
３１２　　溝
３２１　　ＩｎＰ光閉込層
３２２　　ＩｎＧａＡｓＰ下部光導波路層
３２３　　ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層
３２４　　回折格子
３２５　ＩｎＧａＡｓＰ上部光導波路層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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