(57)【要約】【課題】層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜、キャパシタ強誘電体膜、配線用金属膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、あるいは埋め込み層を形成するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら研磨を実施し、長時間に亘り使用を続けても安定した研磨特性を維持する研磨用パッドを提供する。【解決手段】被研磨物表面を研磨するためのパッドであり、樹脂を保持したシート状有機繊維基材の層を加熱加圧成形により一体化してなり、有機繊維が実質的に非発泡の樹脂により固定されており、樹脂の含有量が２５．３〜４０．３質量％であり、少なくとも一方の表面には有機繊維が露出した状態で存在する研磨用パッド。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
被研磨物表面を研磨するためのパッドであり、当該パッドは、
樹脂を保持したシート状有機繊維基材の層を加熱加圧成形により一体化してなり、有機繊維が実質的に非発泡の樹脂により固定されており、
前記樹脂の含有量が２５．３〜４０．３質量％であり、
少なくとも一方の表面には有機繊維が露出した状態で存在することを特徴とする研磨用パッド。
【請求項２】
有機繊維がアラミド繊維である請求項１記載の研磨用パッド。
【請求項３】
所定の被研磨物の研磨すべき表面を、請求項１又は２記載の研磨用パッドの有機繊維が露出した表面に押し当て、スラリ状研磨剤を供給しながら被研磨物と研磨パッドとを相対的に摺動させ研磨をすることを特徴とする研磨物の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被研磨物の表面研磨に適用する研磨用パッドに関する。特に、半導体装置等の製造において、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）研磨剤と共に用いられるパッドであり、層間絶縁膜やＢＰＳＧ膜（ボロン、リンをドープした二酸化珪素膜）の平坦化工程、シャロー・トレンチ分離の形成工程等に使用するのに適した研磨用パッドに関する。また、本発明は、シリコンウエハ、ハードディスク等を被研磨物とし、その表面研磨をするのにも適した研磨用パッドに関する。さらに、本発明は、この研磨用パッドを使用して研磨をする研磨物の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超々大規模集積回路の実装密度を高めるために、種々の微細加工技術が研究、開発されている。既に、デザインルールは、サブハーフミクロンのオーダーになっている。このような厳しい微細化の要求を満足するために開発されている技術の一つにＣＭＰ技術がある。この技術は、半導体装置の製造工程において、露光を施す層を完全に平坦化し、露光技術の負担を軽減し、製造歩留まりを高いレベルで安定させることに寄与する。半導体装置製造工程におけるＣＭＰ技術には、素子分離形成、メモリのキャパシタ形成、プラグ及び埋め込み金属配線形成等において溝に埋め込んだ成膜層の余分な成膜部分を除去するためのリセスＣＭＰ技術、及び層間絶縁膜成膜後の平坦化ＣＭＰ技術がある。
【０００３】
集積回路内の素子分離形成には、ＬＯＣＯＳ（シリコン局所酸化）技術が用いられてきたが、加工寸法のさらなる微細化に伴い、素子分離幅のより小さいシャロー・トレンチ分離技術が採用されつつある。シャロー・トレンチ分離では、基板上に埋め込んだ余分な酸化珪素膜を除くためにＣＭＰ技術が必須となる。
【０００４】
従来、半導体装置の製造工程においては、プラズマ−ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、化学的蒸着法）や低圧−ＣＶＤ、スパッタ、電解メッキ等の手段により酸化珪素等絶縁膜、キャパシタ強誘電体膜、配線用金属膜を基板上に形成しこれら（被研磨物）を平坦化するために、また、埋め込み層を形成するために、次のような研磨を実施している。
【０００５】
被研磨物を研磨用パッドに押し当て、ＣＭＰ研磨剤スラリを被研磨物と研磨用パッドの間に供給しながら、研磨用パッドを被研磨物との間で相対的に摺動させる技術である。
ＣＭＰ研磨剤としてはフュームドシリカ系が、研磨用パッドとしては発泡ウレタン系が一般的に用いられている（例えば、特許文献１を参照。）。発泡ウレタン系パッドによる研磨は、被研磨物に微細な研磨傷を発生させることがあり、被研磨物に要求される品質・性能が高くなるに伴い、微細な研磨傷の発生も問題となってくる。また、前述の研磨用パッドは、長時間の使用によってパッドの消耗が激しくなると、パッド面内の発泡密度のバラツキによって研磨特性が安定しない不具合を起こすことがある。
【０００６】
【特許文献１】
特許第２７４０１４３号公報（［００１８］、［００２７］、［００２８］）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜、キャパシタ強誘電体膜、配線用金属膜、その他の被研磨物表面を研磨し平坦化するに当たり、あるいは埋め込み層を形成するに当たり、微細な研磨傷の発生を抑制しながら研磨を実施し、長時間に亘り使用を続けても安定した研磨特性を維持する研磨用パッドを提供することである。また、研磨傷の発生を抑制しながら研磨を実施し、研磨特性のバラツキが小さい被研磨物を製造することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明に係る研磨用パッドは被研磨物表面を研磨するためのパッドであって、次の（１）〜（３）の構成を備えることを特徴とする。
（１）樹脂を保持したシート状有機繊維基材の層を加熱加圧成形により一体化してなり、有機繊維が実質的に非発泡の樹脂により固定されたパッドである。
（２）パッド中の樹脂の含有量が２５．３〜４０．３質量％である。
（３）パッドの少なくとも一方の表面には有機繊維が露出した状態で存在する。
【０００９】
上記構成によれば、加熱加圧成形されたパッドの層中に、実質的に非発泡の樹脂が制限された量で存在するため、パッド厚さ方向の樹脂量バラツキは非常に小さく抑制されている。すなわち、樹脂はシート状有機繊維基材に均一に保持されており、基材表層への樹脂の上付きや基材内部の樹脂不足はない。パッドがシート状有機繊維基材を複数枚重ねた層からなっている場合には、詳細な断面観察においてもシート状有機繊維基材の重ね合せ界面を判別できない程度に均一な構成となっている。従って、パッド表面が、長時間に亘る使用の間に消耗して順次更新されても、パッド表面の物性変化が現れ難い。その結果、本発明に係る研磨用パッドを長時間に亘り使用し続けても、研磨特性の安定した研磨を継続して実施することができる。
【００１０】
本発明に係る研磨用パッドは、表面に有機繊維が露出した状態で存在するが、この状態は、パッド表面を機械的に粗化することにより実現できる。パッド表面が消耗して新しく現れる表面が材料的に見て常に均質であることは、研磨特性を安定させる上で極めて重要な事項である。更新される表面が材料的に見て常に均質である研磨用パッドは、使用可能な厚み範囲を決定すれば、その厚さに達するまでパッドが安定した研磨特性を保つことが可能となる。
【００１１】
本発明に係る研磨物の製造法は、所定の被研磨物の研磨すべき表面を上記の研磨用パッドに押し当て、スラリ状研磨剤を被研磨物とパッドとの間に供給しながら、被研磨物とパッドを相対的に摺動させ、被研磨物の研磨すべき表面を研磨することを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る研磨用パッドを用いて研磨を実施すると、従来の発泡ウレタン系パッドやガラス繊維などの無機材質系パッドを用いた場合には回避が難しかった被研磨物表面の微細な研磨傷発生を良好に抑制することができる。
【００１３】
この研磨傷発生を抑制できる理由は、以下のように推測される。研磨用パッドを所定の押圧力で被研磨物に押し当て、研磨剤を被研磨物と研磨用パッドとの間に供給しながら、被研磨物と研磨用パッドを相対的に摺動させて研磨する方法では、研磨作業中に、パッドから剥がれ落ちたパッド成分が異物となって被研磨物と研磨用パッドの間に入り込む。このような状態で研磨を実施すると、前記異物によって被研磨物に通常よりも深く削られる部分が発生し、研磨傷（スクラッチや局部的な欠点）が生じる。特に、発泡ウレタン系や無機材質系パッドから生成する異物はサイズが大きくしかも硬いために前記不具合が顕著になる。しかし、本発明に係る研磨用パッドを用いる場合には、表面から剥がれ落ちる異物はサイズが小さく、しかも異物（主として有機繊維）は軟らかいために、スクラッチや局部的な欠点が生じ難く、不良になるような深さの研磨傷が皆無もしくは激減する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
上述したように、本発明は、有機繊維が実質的に非発泡で制限された量の樹脂により固定されており、そのような有機繊維が表面に露出した構成の研磨用パッドが、研磨傷発生の少ない、高速且つ安定した研磨特性を維持することに有効であることを見出し、なしたものである。
【００１５】
シート状有機繊維基材は、材質がアラミド、ポリエステル、ポリイミド等であり、織布や不織布の形態で樹脂中にシート状繊維基材として存在する。有機繊維の繊維径には特に制限はなく、通常１ｍｍ以下のものを使用でき、５０μｍ以下のものが好ましい。有機繊維の繊維径は、好ましくは１μｍ〜１ｍｍ、より好ましくは１０〜５０μｍである。
【００１６】
不織布形態のシート状有機繊維基材は、繊維自身の熱融着力によって繊維同士を結着して形成したものでもよく、また、樹脂バインダを用いて繊維同士を結着して形成したものでもよい。樹脂バインダとしては特に制限はなく、例えば、水溶性エポキシ樹脂等のエポキシ系バインダを使用することができる。樹脂バインダを用いる場合、その量に制限はないが、有機繊維１００質量部に対して３〜２１質量部とすることが好ましく、１０〜２１質量部とすることがより好ましい。
【００１７】
不織布形態のシート状有機繊維基材は樹脂によりしっかりと固定されるので、パッド表面は良好な毛羽立ち状態を呈する。織布形態であるものとは異なり、パッド表面に織り目が現れないのも好ましい。
【００１８】
有機繊維として、アラミド繊維の選択（単独で用いるか又は主たる繊維として用いる）は好ましいものである。その理由は、アラミド繊維は一般的な有機繊維に比べて引張り強度が高く、研磨用パッドの耐久性を向上させ使用寿命を延ばせるからである。さらに、アラミド繊維にはパラ系とメタ系があり、パラ系アラミド繊維はメタ系アラミド繊維より繊維自体の力学的物性値（引張り強度など）が高いので、パラ系アラミド繊維の選択は研磨用パッドの摩耗消耗を抑制して寿命を延ばす上で好適である。パラ系アラミド繊維は、メタ系アラミド繊維より吸湿性も小さいので、水分のある研磨環境に好適である。パラ系アラミド繊維としてはポリｐ−フェニレンテレフタラミド繊維とポリｐ−フェニレンジフェニルエーテルテレフタラミド繊維が市販されており、これらが一般的である。
【００１９】
有機繊維を固定するための樹脂は、特に熱硬化性樹脂を使用することが好ましい。熱硬化性樹脂は、熱可塑性樹脂に比べ弾性率が高いため、研磨やドレッシングによる摩耗が少なく耐久性に優れるからである。熱硬化性樹脂として例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等を使用できる。熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、通常は硬化剤、硬化促進剤等を配合する。硬化剤としては、ジシアンジアミド、有機酸、有機酸無水物、ポリアミン等を用いることができ、硬化促進剤としては、例えば、２−エチル−４−メチルイミダゾール等を用いることができる。エポキシ樹脂は、有機繊維との接着性に優れるため好ましい選択であり、エポキシ樹脂の脆さを低減するために、ゴム成分などの可撓化成分を加え変性したエポキシ樹脂も好ましい。
【００２０】
本発明に係る研磨用パッドを製造するに当っては、まず、上記織布又は不織布形態のシート状有機繊維基材に上記樹脂を含浸し、乾燥する。含浸して保持させた樹脂の含有量は、２５．３〜４０．３質量％である。樹脂含有量が少ないと、シート状有機繊維基材の繊維同士の接着が不十分となり、研磨用パッドの厚さ方向の材料均質性を確保できないこととなる。また、樹脂含有量が多くなりすぎると、樹脂をシート状有機繊維基材中へ浸透させる以外に基材表面に余剰樹脂の上付きが起こることがあり、同様に研磨用パッドの厚さ方向の材料均質性を確保できないこととなる。
尚、シート状有機繊維基材が不織布形態であり樹脂バインダを用いて繊維同士を結着したものである場合には、前記樹脂含有量には、樹脂バインダの含有量を含むのとする。
【００２１】
次に、上記のように樹脂を保持させたシート状有機繊維基材を１枚又は必要な厚み分まで積層し、加熱加圧成形によって一体化する。加熱加圧成形時の加熱温度は、通常１５０〜２００℃であり１６０〜１８０℃がより好ましく、成形圧力は、通常５０〜５００ｋＰａであり２００〜４００ｋＰａがより好ましい。これによって、樹脂は実質的に非発泡となる。
【００２２】
上記のように成形した研磨用パッドの研磨面には、粗化処理を施し、有機繊維を露出させる。粗化処理の方法としては、セラミックロール、サンドブラストなどを用いる研磨、ダイヤモンド砥石、ワイヤーブラシ、メタルスクレーバー、樹脂製ブラシ、ガラス或いはアルミナセラミックスプレート等を用いるドレッシング処理等が挙げられる。ダイヤモンド砥石を用いてドレッシング処理を行なう場合、ドレス番手＃１００〜＃４００が好ましい。
研磨面に露出した有機繊維の長さは、１ｃｍ以下であることが好ましく、３ｍｍ以下であることがより好ましい。例えば、１０μｍ〜１ｃｍであることが好ましく、１０μｍ〜３ｍｍであることがより好ましく、５０〜５００μｍであることが更に好ましい。
また、研磨面には、必要に応じて溝加工を施す。溝加工を施す場合、溝形状は特に制限はなく、例えば、格子状、同心円状が好ましく、溝深さは０．１〜０．８ｍｍが好ましく、溝幅は０．５〜２ｍｍが好ましく、溝ピッチは１〜２０ｍｍが好ましい。
【００２３】
本発明に係る研磨物の製造法において、対象となる被研磨物は、例えば、半導体基板、すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された基板等である。このような半導体基板上に形成された絶縁膜である酸化珪素膜層又は窒化珪素膜層を、上記研磨用パッドを用いてスラリ状研磨剤を供給しながら研磨することによって、酸化珪素膜層又は窒化珪素膜層の表面凹凸を解消し、半導体基板全面に亘って平滑な面とする。また、このような半導体基板に形成された膜に限らず、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、硝子、窒化珪素等の無機絶縁膜、ポリシリコン、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｔａ、ＴａＮ等を主として含有する膜も対象となる被研磨物である。
【００２４】
研磨工程で供給するスラリ状研磨剤としては特に制限はなく、例えば、半導体基板の絶縁膜を研磨する場合には、酸化セリウム粒子を０．５〜２質量％の濃度で水に分散させた研磨剤が好適である。必要に応じ、平坦化剤（例えば、水溶性ポリマ、日立化成工業（株）製「ＨＳ−８１０２ＧＰ」）等の添加剤を添加してもよい。添加剤は、あらかじめ研磨剤中に添加しておいてもよいし、添加剤を２〜７質量％含有する水溶液等として、スラリ状研磨剤と同時に滴下して添加してもよい。
【００２５】
使用する研磨装置の種類には制限はなく、円盤型研磨装置、リニア型研磨装置のいずれも使用可能である。研磨装置は、半導体基板（被研磨物）を保持するヘッドと研磨用パッドを貼り付ける定盤（回転数が変更可能なモータ等に装着してある）を備えた構成が一般的である。研磨条件に制限はないが、半導体基板を研磨する場合、定盤の回転速度は、半導体基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましく、研磨用パッドを半導体基板に押し当てる圧力は研磨後に傷が発生しないように５０ｋＰａ以下が好ましい。研磨している間、研磨用パッドと半導体基板との間へは、スラリ状研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨用パッドの表面が常にスラリ状研磨剤で覆われている状態にすることが好ましい。
研磨終了後の半導体基板は、流水中で十分に洗浄後、スピンドライヤ等を用いて表面に付着している水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
【００２６】
【実施例】
以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００２７】
シート状有機繊維基材として、以下のものを準備した。
［ポリエステル繊維織布］
織密度たて４８本／よこ４８本、単位質量１３０ｇ／ｍ２、繊維径２５μｍ（旭化成（株）製「ＢＫＥポプリン」）
［アラミド繊維不織布］
パラ系アラミド繊維チョップ（繊維径：１２．５μｍ、繊維長：５ｍｍ、デュポン製「ケブラー」）とパラ系アラミド繊維パルプ（繊維径：１μｍ、繊維長：１ｍｍ、デュポン製「ケブラー」）とメタ系アラミド繊維チョップ（繊維径：２５μｍ、繊維長：６ｍｍ、軟化温度２８０℃、帝人製「コーネックス」）を混抄し、水溶性エポキシ樹脂バインダ（ガラス転移温度１１０℃、大日本インキ化学工業（株）製、商品名「Ｖコート」）の２０質量％水溶液をスプレーして加熱乾燥（１５０℃、３分間）し、さらに、一対の熱ロール間（温度３００℃、線圧力１９６ｋＮ／ｍ）に通すことにより加熱圧縮し、メタ系アラミド繊維チョップをパラ系アラミド繊維チョップに熱融着した不織布である。このアラミド繊維不織布は、単位質量７０ｇ／ｍ２、パラ系アラミド繊維チョップ／パラ系アラミド繊維パルプ／メタ系アラミド繊維チョップ／エポキシ樹脂バインダの配合質量比は５８／１７／８／１７である。
【００２８】
プリプレグとして、以下のものを準備した。
先ず、硬化剤としてジシアンジアミドを、硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾールを配合したビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン製「ＥＰ−８２８ＳＫ」）ワニス（Ａ）を準備した。ワニス（Ａ）の調製には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１００質量部に対し、硬化剤２０質量部、硬化促進剤０．１質量部、溶剤としてメチルエチルケトン４０質量部用いた。
【００２９】
［プリプレグ（１）］
ワニス（Ａ）をポリエステル繊維織布に含浸し加熱乾燥（１７５℃、５分間）してプリプレグとした。このプリプレグは、樹脂含有量（不織布を構成するためのエポキシ樹脂バインダを含む。以下同様）３３．６質量％であり、その１枚を加熱加圧成形した後の厚さは６１〜６５μｍとなる。
［プリプレグ（２）］
ワニス（Ａ）をアラミド繊維不織布に含浸し加熱乾燥（１７５℃、５分間）してプリプレグとした。このプリプレグは、樹脂含有量３３．６質量％であり、その１枚を加熱加圧成形した後の厚さは６１〜６５μｍとなる。
［プリプレグ（３）］
ワニス（Ａ）をアラミド繊維不織布に含浸し加熱乾燥（１７５℃、５分間）してプリプレグとした。このプリプレグは、樹脂含有量２５．３質量％であり、その１枚を加熱加圧成形した後の厚さは５４〜５８μｍとなる。
［プリプレグ（４）］
ワニス（Ａ）をアラミド繊維不織布に含浸し加熱乾燥（１７５℃、５分間）してプリプレグとした。このプリプレグは、樹脂含有量４０．２４質量％であり、その１枚を加熱加圧成形した後の厚さは６９〜７３μｍとなる。
［プリプレグ（５）］
ワニス（Ａ）をアラミド繊維不織布に含浸し加熱乾燥（１７５℃、５分間）してプリプレグとした。このプリプレグは、樹脂含有量２３．６４質量％であり、その１枚を加熱加圧成形した後の厚さは５２〜５６μｍとなる。
［プリプレグ（６）］
ワニス（Ａ）をアラミド繊維不織布に含浸し加熱乾燥（１７５℃、５分間）してプリプレグとした。このプリプレグは、樹脂含有量４３．５６質量％であり、その１枚を加熱加圧成形した後の厚さは７２〜７６μｍとなる。
【００３０】
尚、上記プリプレグ（２）〜（６）の樹脂含有量の調整は、基材をワニスに含浸し乾燥したときの樹脂付着量をスクイズロールの隙間を狭くして実施した。また、プリプレグ（１）〜（６）をそれぞれ加熱加圧成形した後にも、プリプレグと同量の樹脂含有量が維持される。
【００３１】
実施例１
プリプレグ（１）を１４枚重ねたプリプレグ層の両表面に離型フィルム（５０μｍ厚のポリプロピレンフィルム）を配置しこれをステンレス製鏡面板に挟み込み、その複数組をプレス熱盤間に投入し、熱盤との間にはクラフト紙層からなる厚さ１０ｍｍのクッション材を介在させて加熱加圧成形（温度１７０℃、圧力３００ｋＰａ、時間１２０分）し、厚さ０．９ｍｍの積層板を得た。その樹脂含有量は３３．６質量％である。
【００３２】
実施例２
プリプレグ（２）を１４枚使用し、実施例１と同様に加熱加圧成形し厚さ０．９ｍｍの積層板を得た。その樹脂含有量は３３．６質量％である。
【００３３】
実施例３
プリプレグ（３）を１６枚使用し、実施例１と同様に加熱加圧成形し厚さ０．９ｍｍの積層板を得た。その樹脂含有量は２５．３質量％である。
【００３４】
実施例４
プリプレグ（４）を１３枚使用し、実施例１と同様に加熱加圧成形し厚さ０．９ｍｍの積層板を得た。その樹脂含有量は４０．２４質量％である。
【００３５】
従来例１
発泡ポリウレタン系樹脂からなる研磨用パッド（厚み１．２ｍｍ、ロデール製「ＩＣ−１０００」）である。
【００３６】
比較例１
プリプレグ（５）を１７枚使用し、実施例１と同様に加熱加圧成形し厚さ０．９ｍｍの積層板を得た。その樹脂含有量は２３．６４質量％である。
【００３７】
比較例２
プリプレグ（６）を１２枚使用し、実施例１と同様に加熱加圧成形し厚さ０．９ｍｍの積層板を得た。その樹脂含有量は４３．５６質量％である。
【００３８】
上記各実施例、従来例及び比較例における研磨用パッド材に、表面粗さを調整するためのドレス処理（＃１７０、２６．５Ｎ、１５分間）を行ない、研磨作業においてスラリ状研磨剤の供給を均一にするための溝加工（格子状、溝幅２ｍｍ、溝ピッチ１５ｍｍ、溝深さ０．６ｍｍ）を行ない、研磨用パッドとした。これら研磨用パッドとＣＭＰ研磨剤により、シリコンウエハ（２００ｍｍシリコンウエハ上にＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法で１μｍ厚の酸化珪素膜を形成したブランケットウェハ）の研磨を次のように実施した。なお、ドレス処理後に研磨面に露出した有機繊維の長さは、１００μｍ〜９００μｍであった。
【００３９】
研磨装置は荏原製「ＥＰＯ−１１１」を使用し、研磨用パッドφ６００ｍｍを定盤上に貼付けて固定する。上記シリコンウエハを研磨機にセットし、ヘッド部に保持する。前記シリコンウエハの酸化珪素膜面をヘッドに保持したまま研磨用パッドに当接して、研磨荷重を３０ｋＰａに設定する。酸化セリウム系研磨剤（日立化成工業（株）製「ＨＳ−８００５」）と添加剤（日立化成工業（株）製「ＨＳ−８１０２ＧＰ」）をそれぞれ４０ｍｌ／ｍｉｎと１６０ｍｌ／ｍｉｎの量で混合して定盤上に滴下しながら、定盤及びウエハを両者同一方向に７５ｒｐｍで１分間回転させて、酸化珪素膜を研磨する。そして、研磨後のシリコンウエハを純水で十分に洗浄後、乾燥する。
【００４０】
研磨を次の観点から評価した。その結果を研磨用パッドの仕様と共に表１に纏めて示す。
平均研磨速度（ｎｍ／ｍｉｎ）：研磨前後の酸化珪素膜厚差を光干渉式膜厚測定装置により測定し、酸化珪素膜が１分間当たりに減じられる厚さの平均を求める。
研磨傷数（個／ウエハ）：ブランケットウエハを１分間研磨した後、ウエハの表面全体を光学的スキャンし、検出部を顕微鏡観察し研磨傷をカウントする。
研磨速度バラツキ度合い（％）：１枚の研磨用パッドが使用寿命になるまでの間に研磨した全ウエハ（総数約５００枚）について研磨速度を測定し、（最大研磨速度−最小研磨速度）／平均研磨速度×１００で示す。
耐久性：従来例の研磨用パッドの使用寿命を１００とした指数で示す。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
表１に示すように、本発明に係る研磨用パッドを用いることにより、実施例と従来例との対照から、研磨傷の発生を抑制し、しかも長期に亘って安定した速い研磨速度に研磨を実施できることが判る。実施例２〜４と比較例１、２の対照から、樹脂含有量を２５．３〜４０．３質量％にすることにより、パッドの材料構成が均一となり、長期に亘り研磨速度のばらつき度合いを低減できることが判る。
実施例１と実施例２との対照から、有機繊維をポリエステル繊維ではなくアラミド繊維とすることにより、研磨用パッドが高強度になり、摩耗に対する耐久性が高まることが判る。
【００４３】
上記本発明の実施例に係る研磨用パッドは、シリコンウエハやハードディスクなどの製造工程において、その表面を研磨するために用いても、研磨傷の発生を抑制しながら、高速に研磨を実施し、長期に亘る使用に際しパッドが消耗しても研磨特性を安定して研磨することができる。
【００４４】
【発明の効果】
上述したように、本発明に係る研磨用パッドを使用することにより、被研磨物の微細な研磨傷の発生を抑制することができる。そして、研磨速度も速くすることができる。これらによって、被研磨物の生産歩留まり向上を図れ、大幅なコスト低減が可能となる。また、研磨用パッドを構成する材料であるプリプレグの樹脂量を２５．３〜４０．３重量％に設定することにより、厚さ方向の材料構成が均一となり、パッドの消耗に拘わらず、安定した研磨特性を得ることができる。
有機繊維の中でも強度の高いアラミド繊維を選択すれば、研磨用パッドの強度を大きくでき、摩耗に対する耐久性が高まるので、上記効果を保持しつつ研磨用パッドの使用寿命を延ばすことも可能となる。