(57)【要約】【課題】広帯域で、低域側の減衰量を大きくできるラダー型フィルタ、それを用いた分波器および通信機を提供する。【解決手段】ラダー型フィルタにおいて、並列共振子５に第１インダクタＬ１を直列に接続し、直列共振子７に第２インダクタＬ２を並列に接続する。第１インダクタＬ１が直列に接続された並列共振子５の共振点と、第２インダクタＬ２が並列に接続されたことにより直列共振子７の共振点よりも低域側に発生する、直列共振子７の反共振点とを互いに略一致させる。【選択図】図１
2004173245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラダー型に配置された、少なくとも１つの直列共振子と、少なくとも１つの並列共振子とを有するフィルタ素子を備える、ラダー型フィルタにおいて、
前記直列共振子のうち少なくとも１つにはインダクタが並列に接続されていると共に、前記インダクタが並列に接続されたことにより直列共振子の共振点よりも低域側に発生する反共振点と、前記並列共振子の共振点とが、互いに略一致されていることを特徴とする、ラダー型フィルタ。
【請求項２】
ラダー型に配置された、少なくとも１つの直列共振子と、少なくとも１つの並列共振子とを有するフィルタ素子を備える、ラダー型フィルタにおいて、
前記並列共振子のうち少なくとも１つには第１インダクタが直列に接続され、
前記直列共振子のうち少なくとも１つには第２インダクタが並列に接続され、
前記第１インダクタが直列に接続されたことにより低域側にシフトした並列共振子の共振点と、第２インダクタが並列に接続されたことにより直列共振子の共振点よりも低域側に発生する、反共振点とが互いに略一致されていることを特徴とする、ラダー型フィルタ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの並列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに並列接続して有していることを特徴とする、請求項１または２に記載のラダー型フィルタ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの並列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに直列接続して有していることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの直列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに直列接続して有していることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの直列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに並列接続して有していることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項７】
前記インダクタは、チップ型のコイル、ボンディングワイヤの少なくとも一方からなることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項８】
前記フィルタ素子はパッケージに搭載されている一方、
前記インダクタは、該パッケージ内に形成された配線からなることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項９】
前記フィルタ素子はパッケージに搭載されており、
前記インダクタは、前記フィルタ素子を搭載したパッケージが実装される実装基板上に形成された配線パターンであることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項１０】
前記直列共振子の容量値は０．８ｐＦ以上３ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項１ないし９のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項１１】
前記並列共振子の容量値は１ｐＦ以上９．５ｐＦ以下であることを特徴とする、請求項２ないし９のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項１２】
前記共振子は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成された複数のくし型電極部からなる一端子対弾性表面波共振子であり、かつ、前記フィルタ素子は、弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項１３】
前記共振子は、開口部もしくは凹部を有する基板と、該開口部もしくは凹部上に形成されている少なくとも１層の圧電薄膜の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電薄膜共振子であり、かつ、前記フィルタ素子は、圧電薄膜フィルタ素子であることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のラダー型フィルタを高周波数側に通過帯域を有するフィルタとして用いたことを特徴とする、分波器。
【請求項１５】
請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のラダー型フィルタ、もしくは請求項１４に記載の分波器を搭載したことを特徴とする、通信機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラダー型フィルタに関する。本発明は、例えば自動車電話、携帯電話等の移動体通信機に好適に使用されるラダー型フィルタ、分波器、および通信機に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の通信機の小型・軽量化・複合化が急速に進んでおり、それに伴い、従来は、分波器やトップ用フィルタにおいて、電気的特性・耐電力性に優れた誘電体フィルタが用いられてきたが、分波器やトップ用フィルタにおいても小型・軽量にできる弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタの要求が高まっている。特に分波器の送信側に用いられるフィルタには、高い耐電力性が必要とされる上、通過帯域が低挿入損失、通過帯域外（阻止帯域）が高減衰量といった誘電体フィルタなみの高性能が要求される。
【０００３】
分波器の送信側に用いられる弾性表面波フィルタとしては、特許文献１に開示されている、一端子対弾性表面波共振器（共振子）を、並列腕、直列腕に配置されてなるラダー（梯子）型フィルタが最も一般的となっている。図４５に、各一端子対弾性表面波共振器５１、５２を用いたラダー型フィルタの基本的構成を、図３にラダー型フィルタを構成している弾性表面波共振器の構造を、図４６に上記ラダー型フィルタの代表的な特性を示す。
【０００４】
ラダー型フィルタは、低ロスかつ広帯域であり、通過帯域の比較的近傍において大きな減衰量が得やすいという特徴により、良好な特性が得られるため、携帯電話用などに幅広く利用されてきた。
【０００５】
近年の技術開発により、ＳＡＷフィルタを構成する電極膜の高耐電力化が進み、分波器の送信側フィルタとしても使われるようになってきており、ＡＭＰＳ方式や８００ＭＨｚ帯ＣＤＭＡ方式の分波器などはすでにラダー型フィルタのＳＡＷフィルタにより実用化されている。
【０００６】
しかし、その一方で、携帯電話用、特に分波器用ラダー型フィルタに要求される性能は厳しくなってきており、更なる低挿入損失化、高減衰量化が必要となってきている。なお、下記の各特許文献２ないし４の各内容、および本願発明との各対比については後述する。
【特許文献１】日本国特許第２８００９０５号公報（対応公開特許公報：特開平５−１８３３８０号公報、公開日：１９９３年７月２３日）
【特許文献２】特開平９−１６７９３７号公報、公開日：１９９７年６月２４日）
【特許文献３】日本国特許第３１９１４７３号公報（対応公開特許公報：特開平６−２６０８７６号公報、公開日：１９９４年９月１６日）
【特許文献４】特開２００２−２２３１４７号公報、公開日：２００２年８月９日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
例えば、最近になって分波器を必要とされるようになった８００ＭＨｚ帯のＰＤＣ方式の場合、分波器の送信用フィルタには、通過帯域の挿入損失が１ｄＢ以下、減衰量が４０ｄＢ以上という非常に厳しい特性要求がある。また、この方式の場合、送信帯域が９４０ＭＨｚ−９５８ＭＨｚ、受信帯域が８１０ＭＨｚ−８２８ＭＨｚであり、送信帯域と受信帯域の周波数間隔が１１２ＭＨｚもあるという特殊な周波数構成となっている。上述したＡＭＰＳ方式や８００ＭＨｚ帯ＣＤＭＡ方式の送信帯域と受信帯域との間の周波数間隔は２０ＭＨｚであるので、８００ＭＨｚ帯のＰＤＣ方式の周波数間隔は、上述したＡＭＰＳ方式等と比べて、実に５倍以上にもなる。
【０００８】
しかしながら、ラダー型フィルタの減衰域は直列腕および並列腕に配置される共振子（一端子対弾性表面波共振器）の共振周波数と反共振周波数の周波数間隔によって決定され、比較的近傍の減衰量は得やすいが、通過帯域から大きく離れた周波数帯では減衰量が得られない。
【０００９】
また、減衰量は、並列腕に配置される共振子（一端子対弾性表面波共振器）と直列腕に配置される共振子の容量の比によって決定されることにより、挿入損失と減衰量とは互いに完全なトレードオフの関係となっている。
【００１０】
そのため、このように１００ＭＨｚ以上も離れた周波数帯域でありながら、通過帯域での挿入損失１ｄＢ以下、阻止帯域での減衰量４０ｄＢ以上という要求特性は従来のラダー型フィルタでは実現が困難であったという問題を生じている。
【００１１】
なお、上記のような問題は、開口部もしくは凹部を有するＳｉ基板と、該開口部もしくは凹部上に形成されている少なくとも１層以上の圧電薄膜（例えば、ＺｎＯやＡｌＮからなる）の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電薄膜共振子を用いて構成されてなるラダー型フィルタの圧電薄膜フィルタにおいても同様に生じる問題である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のラダー型フィルタは、以上の課題を解決するために、ラダー型に配置された、少なくとも１つの直列共振子と、少なくとも１つの並列共振子とを有するフィルタ素子を備える、ラダー型フィルタにおいて、前記直列共振子のうち少なくとも１つにはインダクタが並列に接続されていると共に、前記インダクタが並列に接続されたことにより直列共振子の共振点よりも低域側に発生する反共振点と、前記並列共振子の共振点とが、互いに略一致されていることを特徴としている。
【００１３】
上記構成では、少なくとも１つの直列共振子にインダクタを並列に接続したから、直列共振子の反共振点が高域側にシフトして、通過帯域を広げることが可能となり、また、直列共振子の共振点よりも低域側に別の反共振点が発生する。
【００１４】
これらにより、上記構成においては、並列共振子の共振点と、直列共振子に並列にインダクタを接続することにより発生する、共振点よりも低域側に位置する直列共振子の反共振点を、例えば阻止帯域にて互いに一致させることで、並列共振子の共振点と、直列共振子に並列にインダクタを接続することにより発生する反共振点との、二つの効果を発揮できて、通過帯域に対する、特に低域側阻止帯域の減衰量を大きくできる。
【００１５】
本発明の他のラダー型フィルタは、以上の課題を解決するために、ラダー型に配置された、少なくとも１つの直列共振子と、少なくとも１つの並列共振子とを有するフィルタ素子を備える、ラダー型フィルタにおいて、前記並列共振子のうち少なくとも１つには第１インダクタが直列に接続され、前記直列共振子のうち少なくとも１つには第２インダクタが並列に接続され、前記第１インダクタが直列に接続されたことにより低域側にシフトした並列共振子の共振点と、第２インダクタが並列に接続されたことにより直列共振子の共振点よりも低域側に発生する、反共振点とが互いに略一致されていることを特徴としている。
【００１６】
上記構成によれば、少なくとも１つの並列共振子に第１インダクタを直列に接続したので、並列共振子の共振点が低域側にシフトして、通過帯域を広げることができ、また、並列共振子の反共振点より高域側に別の共振点が発生し、この別の共振点を、例えば高域側の阻止帯域に一致させることで、通過帯域に対する高域側阻止帯域の減衰量を大きくできる。
【００１７】
また、上記構成では、少なくとも１つの直列共振子に第２インダクタを並列に接続したから、直列共振子の反共振点が高域側にシフトして、通過帯域を広げることが可能となり、また、直列共振子の共振点よりも低域側に別の反共振点が発生する。
【００１８】
これらにより、上記構成においては、並列共振子に対し直列に第１インダクタを接続することにより低域側にシフトした並列共振子の共振点と、直列共振子に並列に第２インダクタを接続することにより発生する、共振点よりも低域側に位置する反共振点とを、例えば阻止帯域にて互いに一致させることで、低域側にシフトした並列共振子の共振点と、直列共振子に並列に第２インダクタを接続することにより発生する反共振点との、二つの効果を発揮できて、通過帯域に対する、特に低域側阻止帯域の減衰量を大きくできる。
【００１９】
したがって、上記構成では、通過帯域に対する低域側阻止帯域の減衰量を大きくでき、かつ、通過帯域が広帯域にできる。特に、上記構成を、分波器（デュプレクサ）の、高周波数側に通過帯域を有するフィルタ（例えば送信側フィルタ）に用いると、上記フィルタは、低周波数側に通過帯域を有するフィルタ（例えば受信側フィルタ）の通過帯域でも大きな減衰量が得られるので、分波器において効果的である。
【００２０】
上記ラダー型フィルタでは、前記少なくとも１つの並列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに並列接続して有していてもよい。
【００２１】
上記ラダー型フィルタにおいては、前記少なくとも１つの並列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに直列接続して有していてもよい。
【００２２】
上記ラダー型フィルタでは、前記少なくとも１つの直列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに直列接続して有していてもよい。
【００２３】
上記ラダー型フィルタにおいては、前記少なくとも１つの直列共振子は、少なくとも２つの共振子を互いに並列接続して有していてもよい。
【００２４】
上記構成によれば、少なくとも２つの共振子を複数段用いることで、共振子の合成容量を一定にしたまま共振子を分割した場合、基本的にはインダクタがまたがる範囲の容量が同じであれば、ほとんど同じ特性を示すことから、対数を多くすることによって、耐電力性が向上でき、また、通過帯域内のリップルを低減できる。
【００２５】
上記ラダー型フィルタでは、前記インダクタは、チップ型のコイル、ボンディングワイヤの少なくとも一方からなっていてもよい。
【００２６】
上記ラダー型フィルタでは、前記フィルタ素子はパッケージに搭載されている一方、前記インダクタは、該パッケージ内に形成された配線からなっていてもよい。
【００２７】
上記ラダー型フィルタにおいては、前記フィルタ素子はパッケージに搭載されており、前記インダクタは、前記フィルタ素子を搭載したパッケージが実装される実装基板上に形成された配線パターンであってもよい。
【００２８】
上記ラダー型フィルタでは、前記直列共振子の容量値は０．８ｐＦ以上３ｐＦ以下であることが好ましい。上記ラダー型フィルタにおいては、前記並列共振子の容量値は１ｐＦ以上９．５ｐＦ以下であることが望ましい。
【００２９】
上記ラダー型フィルタでは、前記共振子は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成された複数のくし型電極部からなる一端子対弾性表面波共振子であり、かつ、前記フィルタ素子は、弾性表面波素子であってもよい。
【００３０】
上記ラダー型フィルタにおいては、前記共振子は、開口部もしくは凹部を有する基板と、該開口部もしくは凹部上に形成されている少なくとも１層の圧電薄膜の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電薄膜共振子であり、かつ、前記フィルタ素子は、圧電薄膜フィルタ素子であってもよい。
【００３１】
本発明の分波器は、前記課題を解決するために、上記のいずれかに記載のラダー型フィルタを高周波数側に通過帯域を有するフィルタとして用いたことを特徴としている。
【００３２】
本発明の通信機は、前記課題を解決するために、上記のいずれかに記載のラダー型フィルタもしくは上記記載の分波器を搭載したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００３３】
本発明のラダー型フィルタは、以上のように、ラダー型に配置された、少なくとも１つの直列共振子および少なくとも１つの並列共振子を有する、ラダー型フィルタにおいて、少なくとも１つの直列共振子にはインダクタが並列に接続されてなり、並列共振子の共振点と、インダクタが並列に接続されたことにより直列共振子の共振点よりも低域側に発生する、直列共振子の反共振点とが互いに略一致されている構成である。
【００３４】
それゆえ、上記構成は、並列共振子の共振点と、直列共振子に並列にインダクタを接続することにより発生する、共振点よりも低域側に位置する反共振点を、例えば阻止帯域にて互いに一致させることで、並列共振子の共振点と、直列共振子に並列にインダクタを接続することにより発生する、直列共振子の反共振点の二つの効果を発揮できて、通過帯域に対する、特に低域側阻止帯域の減衰量を大きくできる。
【００３５】
したがって、上記構成では、通過帯域に対する低域側阻止帯域の減衰量を大きくでき、かつ、通過帯域が広帯域にできる。特に、上記構成を、携帯電話等の通信機に使用される分波器における、高周波数側に通過帯域を有するフィルタに用いると、上記フィルタは、低周波数側に通過帯域を有するフィルタの通過帯域でも大きな減衰量が得られるので、上記分波器において効果的であるという効果を奏する。
【００３６】
本発明の他のラダー型フィルタは、以上のように、並列共振子のうち少なくとも１つには第１インダクタが直列に接続され、前記直列共振子のうち少なくとも１つには第２インダクタが並列に接続され、前記第１インダクタが直列に接続されたことにより低域側にシフトした並列共振子の共振点と、第２インダクタが並列に接続されたことにより直列共振子の共振点よりも低域側に発生する、反共振点とが互いに略一致されている構成である。
【００３７】
それゆえ、上記構成は、並列共振子に対し直列に第１インダクタを接続することにより低域側にシフトした並列共振子の共振点と、直列共振子に並列に第２インダクタを接続することにより発生する、共振点よりも低域側に位置する反共振点とを、例えば阻止帯域にて互いに一致させることで、低域側にシフトした並列共振子の共振点と、直列共振子に並列に第２インダクタを接続することにより発生する反共振点との、二つの効果を発揮できて、通過帯域に対する、特に低域側阻止帯域の減衰量を大きくできる。
【００３８】
したがって、上記構成では、通過帯域に対する低域側阻止帯域の減衰量を大きくでき、かつ、通過帯域が広帯域にできる。特に、上記構成を、分波器（デュプレクサ）の、高周波数側に通過帯域を有するフィルタ（例えば送信側フィルタ）に用いると、上記フィルタは、低周波数側に通過帯域を有するフィルタ（例えば受信側フィルタ）の通過帯域でも大きな減衰量が得られるので、分波器において効果的であるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
本発明の実施の形態について図１ないし図４４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００４０】
本発明に係るラダー型フィルタとしての弾性表面波フィルタでは、図１および図２に示すように、第１および第２の一端子対弾性表面波共振器（共振子）５、７に対して、インダクタ（第１インダクタ）Ｌ１、およびインダクタ（第２インダクタ）Ｌ２をそれぞれ付加した２つの第１および第２の基本ユニット６、８を構成し、これら２つの第１および第２の基本ユニット６、８をラダー型（Ｌ型のラダー型）に組み合わせることにより、フィルタ素子（弾性表面波素子）が形成されている。
【００４１】
まず、第１の基本ユニット６は、所定の共振周波数を有する第１の一端子対弾性表面波共振器（並列共振子）５を用い、これに対し直列にインダクタＬ１を接続する。そして、このような構成で、共振周波数を、反共振周波数の１００ＭＨｚ以上低域側にある阻止帯域に略一致させたものである。上記弾性表面波フィルタでは、第１の基本ユニット６がラダー型フィルタの並列腕として配置されている。
【００４２】
図３は前記第１の一端子対弾性表面波共振器５を並列に配置した回路図および概略構成図であり、図４は前記第１の一端子対弾性表面波共振器５の等価回路を表した図である。図５は前記第１の一端子対弾性表面波共振器５を並列に配置した場合の減衰量−周波数特性を示している。
【００４３】
前記第１の一端子対弾性表面波共振器５を並列に配置した場合では、反共振周波数ｆａを通過帯域に略一致させると、共振周波数ｆｒにおいて減衰極が形成され、通過帯域近傍では大きな減衰量が得られる。しかしながら、共振周波数ｆｒより、さらに低域側では急激に減衰量が小さくなってしまう。
【００４４】
これに対し、図６および図７で表した本発明の第１の基本ユニット６を並列に配置した場合は前記第１の一端子対弾性表面波共振器５に対して直列にインダクタＬ１を接続することにより、図８および図９の減衰量−周波数特性に示すように共振周波数ｆｒ１と反共振周波数ｆａ１の周波数間隔を広げ、通過帯域から低域側に大きく離れた阻止帯域においても、共振周波数ｆｒ１による、より大きな減衰量を得ることができる。
【００４５】
また、このとき、反共振周波数ｆａ１の高域側に第２の共振周波数ｆｒ１’が形成され、通過帯域の高域側阻止帯域にも減衰極が形成される。共振周波数ｆｒ１と第２の共振周波数ｆｒ１’に基づく減衰量は、前記第１の一端子対弾性表面波共振器５の容量成分と外部のインダクタＬ１の関係により決定されるため、対数、交叉幅および電極線幅／電極ピッチを変えて前記第１の一端子対弾性表面波共振器５の容量を調整するか、外部のインダクタＬ１のインダクタンス値を調整することにより、容易に調整が可能である。
【００４６】
次に、前述の第２の基本ユニット８について説明すると、第２の基本ユニット８は、前記第１の基本ユニット６の第１の一端子対弾性表面波共振器５の反共振周波数ｆａ１に略一致する所定の共振周波数を有する第２の一端子対弾性表面波共振器（直列共振子）７に対し並列にインダクタＬ２を接続することにより、高域側にシフトさせた反共振周波数ｆａ２を有し、共振周波数ｆｒ２と反共振周波数ｆａ２との間の周波数間隔を大きくすると共に、好ましくは共振周波数ｆｒ２の１００ＭＨｚ以上低域側にある阻止帯域に略一致する周波数に第２の反共振周波数ｆａ２’による減衰極が新たに形成されたものである。本発明では、第２の基本ユニット８を、ラダー型の直列腕として配置することを特徴とする。
【００４７】
図１０は前記第２の一端子対弾性表面波共振器７を直列に配置した回路図であり、図１１は前記第２の一端子対弾性表面波共振器７の等価回路を表した図である。図１２は前記第２の一端子対弾性表面波共振器７を直列に配置した場合の減衰量−周波数特性を示している。
【００４８】
前記第２の一端子対弾性表面波共振器７では、インダクタＬ２を省いた場合、共振周波数ｆｒを通過帯域に略一致させると、共振周波数ｆｒの高域側近傍に反共振周波数ｆａによる減衰極が形成される。しかしながら、反共振周波数ｆａの減衰極は共振周波数ｆｒ、すなわち通過帯域の高域側に形成されるため通過帯域の低域側にある阻止帯域では減衰量が得られない。
【００４９】
これに対し、図１３および図１４で表した本発明の第２の基本ユニット８は前記第２の一端子対弾性表面波共振器７に対して並列にインダクタＬ２を接続することにより、図１５および図１６の減衰量−周波数特性に示すように、周波数が高域側に移動した反共振周波数ｆａ２により、通過帯域幅を拡大し、同時に通過帯域より低域側に、新たな第２の反共振周波数ｆａ２’が形成されることによって、通過帯域から低域側に大きく離れた阻止帯域においても第２の反共振周波数ｆａ２’による減衰量を得ることができる。
【００５０】
第２の反共振周波数ｆａ２’は、前記第２の一端子対弾性表面波共振器７の容量成分と外部のインダクタＬ２との関係により決定されるため、対数、交叉幅および電極線幅／電極ピッチを変えて前記第２の一端子対弾性表面波共振器７の容量を調整するか外部のインダクタＬ２のインダクタンス値を調整することにより、容易に調整が可能である。
【００５１】
第２の基本ユニット８をラダー型の直列腕として用いることにより、従来のラダー型フィルタとは異なり、直列腕、並列腕ともに通過帯域すなわち共振周波数ｆｒ２の低域側に減衰極を形成できるため、従来のラダー型フィルタよりも少ない素子数で低域側の減衰量を大きく稼ぐことが可能である。また、素子数を少なくすることにより、阻止帯域での減衰量を増大させつつも挿入損失を小さく抑えることが可能である。
【００５２】
しかも、前記２つの第１および第２の基本ユニット６、８により形成される通過帯域に対し低域側の減衰極は周波数、減衰量ともに第１および第２の基本ユニット６、８で互いに独立してそれぞれ調整可能であり、１００ＭＨｚ以上低域側に離れた周波数帯域であっても容易に減衰量を得ることが可能である。この構成によって、送信帯域と受信帯域が大きく離れた特殊な周波数方式においても、最小限の素子数で、通過帯域においては極めて低挿入損失、かつ、阻止帯域では高減衰量の弾性表面波フィルタを実現できる。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明に係る弾性表面波フィルタの実施例について説明する。図１は本実施例の形態で作成した中心周波数９４９ＭＨｚの８００ＭＨｚ帯ＰＤＣ用フィルタである。図２はその回路構成を示した図である。上記弾性表面波フィルタでは、図１に示すように、例えば４１°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板からなる圧電性基板１と、圧電性基板１上に、弾性表面波を伝搬するための櫛型電極２と、反射器電極３と、ワイヤボンディングによりパッケージの電極端子と電気的に接続するためのワイヤボンディングパッド４とが設けられている。櫛型電極２と、反射器電極３と、ワイヤボンディングパッド４とは、例えばフォトリソグラフィー法を用いた、金属電極膜によりそれぞれ形成されている。上記櫛型電極２を、圧電性基板１上に、複数、弾性表面波の伝搬方向に沿ってそれぞれ形成することにより、第１および第２の一端子対弾性表面波共振器５、７がそれぞれ形成されている。
【００５４】
本実施例では耐電力性を高めるため、前記金属電極膜に厚さ１０ｎｍのＴｉ電極膜上に厚さ１７１ｎｍのＡｌ−１ｗｔ％Ｃｕ（Ａｌ合金）の電極膜を形成した積層構造を採用している。なお、上記Ａｌ合金は、Ａｌ単体であってもよい。Ｔｉはチタン、Ａｌはアルミニウム、Ｃｕは銅を示す。
【００５５】
図２において、第１の基本ユニット６は、第１の一端子対弾性表面波共振器（並列共振子）５と、それに直列に接続されたインダクタＬ１とによって構成されている。第２の基本ユニット８は、第２の一端子対弾性表面波共振器（直列共振子）７と、それに並列に接続されたインダクタＬ２とによって構成されている。
【００５６】
本実施例では、圧電性基板１としては、４１°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板の例を挙げているが、４１°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板に限定されるものではなく、送信帯域と受信帯域の周波数関係および挿入損失と減衰量の関係から、６４°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3、１２８°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3、３８．５°〜５５°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3など、カット角の異なるＬｉＮｂＯ3基板やＬｉＴａＯ3基板に適宜用いることが可能である。
【００５７】
本実施例では、第１の基本ユニット６を構成する第１の一端子対弾性表面波共振器５の段数は１段構成としたが、通過帯域で弾性表面波が励振される、第２の基本ユニット８では、電力分散による耐電力性向上を目的として第２の一端子対弾性表面波共振器７は２段構成とした。
【００５８】
このように、直列共振子となる第２の一端子対弾性表面波共振器７、および、並列共振子となる第１の一端子対弾性表面波共振器５は、少なくとも１つの一端子対弾性表面波共振器からなっていればよい。また、圧電性基板１と、圧電性基板１上にそれぞれ形成された第１および第２の一端子対弾性表面波共振器５、７とによって、弾性表面波素子が形成されている。
【００５９】
上述の弾性表面波素子は、図１７に示すように、セラミック製のパッケージ２０に納められる。パッケージ２０は、実装基板に実装されると共に、第１の基本ユニット６および第２の基本ユニット８を構成するチップ型の各インダクタＬ１、Ｌ２も同様に実装基板に実装されている。本実施例ではインダクタＬ１、Ｌ２をチップ部品で構成した。
【００６０】
しかしながら、特に第１の基本ユニット６を構成するインダクタＬ１などは小さいインダクタンス値で済むため、圧電性基板１上に電極配線として構成する、またはパッケージ２０内の電極配線で構成する、あるいはパッケージ２０を実装した実装基板上の配線パターンで構成するという方法でも実現可能である。
【００６１】
一方、インダクタＬ２は、比較的大きなインダクタンス値が必要であり、意図的に付加したインダクタ、例えばチップ部品のコイルで形成されることが好ましい。本実施例に用いた設計のパラメータを下記の表１に示す。
【００６２】
【表１】
2004173245.tif 000003
【００６３】
本実施例の形態で作製した弾性表面波フィルタの特性を図１８に示す。上記弾性表面波フィルタを、所望する一例としての８００ＭＨｚ帯ＰＤＣ方式の送信側フィルタに用いた場合、上記送信側フィルタの周波数帯域での実力値は、通過帯域である９４０ＭＨｚ−９５８ＭＨｚにおいて挿入損失０．６６ｄＢ、所望する阻止帯域となる８１０ＭＨｚ−８２８ＭＨｚにおいて４５．９ｄＢの減衰特性（減衰ピーク２２参照）が得られた。上記の所望する阻止帯域とは、８００ＭＨｚ帯ＰＤＣ方式では、受信側フィルタの通過帯域に相当するものである。
【００６４】
このように本実施例では、第１の基本ユニット６を構成するインダクタＬ１を調整することによって、第１の基本ユニット６における、共振周波数ｆｒ１の減衰極を通過帯域から低周波数側に大きく離れた阻止帯域まで移動させることができる。
【００６５】
また、第２の基本ユニット８ではインダクタＬ２を第２の一端子対弾性表面波共振器７に対し並列に接続することにより、第２の基本ユニット８における反共振周波数ｆａ２を高域側に移動させて通過帯域幅を広げるとともに、本来（インダクタＬ２を省いたもの）は直列腕に配置した第２の一端子対弾性表面波共振器７では現れない、通過帯域より低域側にも新たな反共振周波数ｆａ２’の減衰極を形成することが可能である。
【００６６】
このような第２の基本ユニット８による反共振周波数ｆａ２’の減衰極も第１の基本ユニット６の場合と同様にインダクタＬ２を調整することにより、減衰極の周波数を阻止帯域に合わせることが可能である。
【００６７】
本実施例の場合、第１の基本ユニット６により形成された共振周波数ｆｒ１の減衰極と第２の基本ユニット８により形成された反共振周波数ｆａ２’の減衰極とを阻止帯域内にて互いに略一致させる。これにより、通過帯域より低域側において高減衰量を確保することが可能である。
【００６８】
このことによって、本実施例では、第１の基本ユニット６の並列腕、第２の基本ユニット８の直列腕、それぞれ１素子という最小限の素子数で、かつ、通過帯域での挿入損失を小さく抑えながら、通過帯域外（例えば、通過帯域の低域側となる通過帯域外となる阻止帯域）での減衰量を増大させることが可能である。
【００６９】
したがって、本発明の弾性表面波フィルタは、通過帯域に対して、低域側において大きな減衰量を確保できるから、携帯電話等の通信機における分波器の送信側フィルタ、特に、送信側の通過帯域に対して、受信側の通過帯域が１００ＭＨｚ〜２００ＭＨｚと大幅に低域側に設定されている、８００ＭＨｚ帯ＰＤＣ方式の通信機における分波器の送信側フィルタに好適に使用できる。
【００７０】
以下に、本実施例と、各比較例との特性の比較結果を説明する、まず、比較例として、本実施例から、各インダクタＬ１、Ｌ２を省いたものを作製し、その比較例と本実施例との、挿入損失−周波数の特性を図１９にそれぞれ合わせて示した。図１９から明らかなように、本実施例は、比較例と比べて、通過帯域が広くなり、かつ挿入損失も小さくなっており、その上、通過帯域に対して低域側の通過帯域外（特に１００ＭＨｚ以上低域側）の減衰量が、比較例より大幅に大きいことが分かる。
【００７１】
また、他の比較例として、本実施例から、インダクタＬ２を省いたものを作製し、上記の他の比較例と本実施例との、挿入損失−周波数の特性を図２０にそれぞれ合わせて示した。図２０から明らかなように、本実施例は、他の比較例と比べて、通過帯域が広くなり、かつ挿入損失も小さくなっており、その上、通過帯域に対して低域側の通過帯域外（特に１００ＭＨｚ以上低域側）の減衰量が、他の比較例より大幅に大きいことが分かる。
【００７２】
また、さらに他の比較例として、本実施例から、インダクタＬ１を省いたものを作製し、上記のさらに他の比較例と本実施例との、挿入損失−周波数の特性を図２１にそれぞれ合わせて示した。図２１から明らかなように、本実施例は、さらに他の比較例と比べて、通過帯域での挿入損失が小さくなっており、その上、通過帯域に対して低域側の通過帯域外（特に１００ＭＨｚ以上低域側）の減衰量が、さらに他の比較例より大幅に大きいことが分かる。
【００７３】
なお、上記実施例では、Ｌ型のラダー型を用いて例を挙げたが、他のラダー型でもよく、例えば図２２に示すＴ型や、図２３に示すπ型でもよい。つまり、少なくとも１つの直列共振子に並列にインダクタが接続されていれば、どのようなラダー型の構成でもよい。
【００７４】
また、図２４（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１および第２の一端子対弾性表面波共振器５、７を複数段に分割した構成（互いに、直列や並列に接続した）としてもよい。このような複数段構成とすると、対数を多くできることによってリップルの発生を低減でき、また、耐電力性を向上できる。
【００７５】
以下に、本願発明と、従来技術（特許文献２ないし４）との差異について、詳細に説明する。なお、特許文献４に係る特性図を作成するために用いたフィルタには、比較しやすいように、本願発明と同じ基板を用いている。
【００７６】
本願発明は、図２５に示すように、直列共振子に対し並列にインダクタＬ（１２ｎＨ）を接続することによって、図２６に示すように、通過帯域より低域側に新たに発生する反共振点（ｆａ’）を、共振子の容量値およびインダクタの値を調整して、並列共振子の共振点に一致させている。これにより、通過帯域に対する低域側の減衰量を改善するものである。
【００７７】
上述の特許文献２（特開平９−１６７９３７号公報）では、特許文献２の明細書の図１２に記載されているように、３つの直列共振子のうち、１つの直列共振子に対して並列にインダクタを接続する構造が開示されている。このような構造にすることで、並列に接続されたインダクタによって、並列にインダクタを接続された直列共振子の反共振点が、周波数の高域側にシフトすることを利用し、残余の直列共振子の反共振点で通過帯域高域側の減衰極を形成すると共に、周波数の高域側にシフトした並列にインダクタを接続された直列共振子の反共振点によって、さらに、通過帯域高域側の帯域外の減衰量を改善するものである。
【００７８】
しかしながら、上記の構成では、直列共振子に並列にインダクタを接続することにより、通過帯域より低域側に新たに発生する反共振点については何ら考慮されておらず、通過帯域低域側の減衰量を大きくすることは出来ない。
【００７９】
また、特許文献３（日本国特許第３１９１４７３号公報）においては、特許文献３の明細書の図１７に記載されているように、全ての直列共振子をまたぐようにして、インダクタが並列に接続されている。このような構造にすることで、直列共振子の反共振点が周波数の高域側にシフトすることを利用し、通過帯域を広帯域化するものである。
【００８０】
しかしながら、上記の構成では、直列共振子に並列にインダクタを接続することにより、通過帯域より低域側に新たに発生する反共振点については何ら考慮されておらず、通過帯域低域側の減衰量を大きくすることは出来ない。
【００８１】
また、特許文献４（特開２００２−２２３１４７号公報）では、特許文献４の図１に記載されているように、直列共振子にインダクタとキャパシタが並列に接続されている。このような構造にすることで、直列共振子の反共振点の周波数を調整している。
【００８２】
図２７は、特許文献４の第１の実施形態に記載されている直列共振子の構成を示し、図２８は、特許文献４に係る第１の実施形態の構成における直列共振子のインピーダンス特性を示す。このとき、直列共振子に並列に接続されるインダクタＬ１の値は０．１ｎＨであり、直列共振子に直列に接続されるインダクタＬ２の値は０．１ｎＨであり、直列共振子に並列に接続されるコンダクタＣの値は０．５ｐＦである。
【００８３】
特許文献４の第１の実施形態では、直列共振子にインダクタＬ１とキャパシタＣとを並列に接続することにより、直列共振子の反共振点を低域側にシフトさせ、共振点−反共振点の間隔を小さくすることで、通過帯域高域側の急峻性を高めるものである。直列共振子の反共振点を低域側にシフトする役割はキャパシタＣが担っており、インダクタＬ１はそれを補正するために用いられている。
【００８４】
図２９は、特許文献４に係る第２の実施形態の構成における直列共振子のインピーダンス特性を示す。このとき、並列に付加されるインダクタＬ１の値は２００ｎＨであり、直列共振子に直列に接続されるインダクタＬ２の値は０．５ｎＨであり、直列共振子に並列に接続されるコンダクタＣの値は０．５ｐＦである。
【００８５】
特許文献４の第２の実施形態では、直列共振子にインダクタとキャパシタとを並列に接続することにより、直列共振子の反共振点を高域側にシフトさせ、通過帯域を広帯域化するものである。直列共振子の共振点の低域側には反共振点が新たに発生するが、この反共振点は使用されていない。
【００８６】
一方、本願発明の実施の形態では、並列共振子に直列にインダクタが接続されている。並列共振子に直列にインダクタが接続されることによって、並列共振子の共振点が低域側にシフトする。これにより、通過帯域を広帯域化するものである。
【００８７】
特許文献４においては、２つの並列共振子のグランドを共通化した後、有極用インダクタ（有極用Ｌ）が直列に接続されている構造が示されているが、本願発明の実施の形態における、並列共振子に直列に接続されているインダクタと、特許文献４における有極用インダクタ（有極用Ｌ）とは、下記に説明するように、その作用と得られる効果が全く異なる。
【００８８】
図３０および図３１に、特許文献４における、前記第２および第１の各実施形態に記載の構成の伝送特性をそれぞれ示す。特許文献４の構成では、並列共振子の共振点より低域側に、新たに減衰極が発生する。有極用インダクタの接続により新たに発生する減衰極は、直列共振子の両側に配置された並列共振子のグランドを共通にした後に、有極用インダクタを付加することにより発生するものであり、並列共振子１つでは発生しないものである。
【００８９】
一方、本願発明における並列共振子の共振点による減衰極は、図９に示すとおり、インダクタを直列に接続することにより、並列共振子の共振点が低域側へシフトしたものである。よって、本願発明の並列共振子による減衰極と有極用インダクタ付加による減衰極は発生のメカニズムの異なるものである。
【００９０】
なお、特許文献４では、直列共振子に並列インダクタを付加することにより、図３１に示すように、新たに発生した反共振点ｆａ’は有極用インダクタ付加により新たに発生した減衰極より２００ＭＨｚ以上低域側に存在している。よって、本願発明と特許文献４に記載の発明とは明らかに相異なる構成であることが分かる。
【００９１】
その上、上記のように特許文献４では、直列共振子の反共振点の周波数調整が目的であり、直列共振子に並列にインダクタを接続することにより、通過帯域より低域側に新たに発生する反共振点については何ら考慮されておらず、通過帯域低域側の減衰量を大きくすることは出来ない。また、並列共振子に接続されるインダクタの働きも本願発明とは全く異なっている。
【００９２】
以下に、本願発明における、共振子の容量値の好ましい範囲について説明する。本願発明の構成は、直列共振子に並列にインダクタを付加することにより、直列共振子の共振点よりも低域側に発生する直列共振子の反共振点と、並列共振子に直列にインダクタを付加すること（図３２参照）により、低域側にシフトする並列共振子の共振点とを、通過帯域よりも低域側の減衰帯域に略一致させて減衰極を形成し、高減衰量を得るものである（図３３参照）。
【００９３】
減衰極の周波数および減衰量は直列共振子、並列共振子それぞれの容量値と、ぞれぞれの共振子に接続されるインダクタンス値によって決定される。減衰極の周波数は共振子の容量値に合わせて、接続されるインダクタのインダクタンス値を変えていくことで同じ周波数に設定することが可能である。
【００９４】
そこで、図３４に示すように、減衰極の周波数を固定した状態で直列共振子の共振子容量を、１．２９ｐＦ（破線）から０．６５ｐＦ（実線）と小さくしていった場合、減衰特性は改善されるが挿入損失は増大する傾向にある。逆に、図３５に示すように、直列共振子の共振子容量を１．２９ｐＦ（破線）から３．２２ｐＦ（実線）と大きくしていった場合には、挿入損失は改善されるが減衰特性は悪化する。
【００９５】
４１°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板を用い、共振子の対数を種々変化させて直列共振子の容量を変えた場合における、各特性のシミュレーション結果を図３６、図３７および表２に示す。図３７に示す帯域幅は、最小挿入損失を示す周波数に対し、１ｄＢ落ちまでの挿入損失を示す周波数幅を示す。なお、直列共振子の容量の変化に合わせて、減衰極の周波数を一定にするために、並列に接続するインダクタのインダクタンス値も変化させている。
【００９６】
【表２】
2004173245.tif 000004
【００９７】
図３６、図３７および表２から明らかなように、共振子容量が小さくなると減衰量が大きく取れるようになるが挿入損失が増大し、帯域幅が減少する。図３６、図３７における、縦の破線は、本発明の実施例（容量が１．２９ｐＦ）の測定結果を示す。
【００９８】
ＰＤＣ市場においての分波器（デュプレクサ）に対する特性要求は非常に厳しく、実際に分波器が用いられる特性としては、おおよそ分波時において挿入損失１．２ｄＢ以下、減衰量３８ｄＢ以上程度が必要となっている。分波器化することにより、挿入損失の悪化分約０.３ｄＢ、減衰量改善分約３ｄＢを考慮すると、単体の特性としては挿入損失０.９ｄＢ以下、減衰量３５ｄＢ以上が望ましい。
【００９９】
本願発明の設計では、直列共振子の容量が０．８ｐＦよりも小さくなると、挿入損失が０．９ｄＢよりも大きくなってしまい急速に悪化する。また、容量が大きくなると減衰量が悪化し、容量値が３ｐＦを超えると、３５ｄＢ未満まで悪化する。したがって、直列共振子の容量値は０．８ｐＦ以上３ｐＦ以下（図３６、図３７の縦の各二重線）に設定することが望ましい。
【０１００】
同様に、並列共振子の容量値を変えた場合を図３８、図３９に示す。並列共振子の共振子容量を４．２９ｐＦ（破線）から１．０８ｐＦ（実線）と小さくしていった場合、図３８のように挿入損失が改善するが減衰量が悪化する。また、並列共振子の共振子容量を４．２９ｐＦ（破線）から１０．７ｐＦ（実線）と大きくした場合は、図３９のように帯域幅が減少し挿入損失が悪化する。
【０１０１】
４１°Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3基板を用い、共振子の対数を種々変化させて、並列共振子容量を変えた場合のシミュレーション結果を図４０、図４１および表３に示す。なお、並列共振子の容量の変化に合わせて、減衰極の周波数を一定にするために、直列に接続するインダクタのインダクタンス値も変化させている。図４０、図４１における、縦の破線は、本発明の実施例（容量が４．２９ｐＦ）の測定結果を示す。図４１に示す帯域幅も、前記の図３７に示す帯域幅と同様に測定されたものである。
【０１０２】
【表３】
2004173245.tif 000005
【０１０３】
この場合も直列共振子の場合と同様に、挿入損失０．９ｄＢ以下、減衰量３５ｄＢ以上を実現できる容量値を求めると、並列共振子の容量値は１ｐＦ以上９．５ｐＦ以下（図４０、図４１の縦の各二重線）であることが望ましい。
【０１０４】
なお、上記実施の形態、実施例では、ラダー型フィルタにＳＡＷフィルタを用いた例を挙げたが、上記に限定されるものではなく、ＳＡＷフィルタに代えて、圧電薄膜フィルタ（圧電薄膜フィルタ素子）を用いても、上記実施の形態、実施例に記載と同様の効果を発揮できるラダー型フィルタを得ることができる。
【０１０５】
そのような圧電薄膜フィルタにおいて、ラダー型にそれぞれ配置される圧電薄膜共振子としては、図４２に示すものが一例として挙げられる。図４２に示すように、上記圧電薄膜共振子２１は、シリコンからなる支持基板２２の開口部２４上に絶縁膜２３を備え、その絶縁膜２３上における開口部２４に面する位置に圧電薄膜２６をその上下（圧電薄膜２６の厚さ）方向からそれぞれ挟むように下部電極２５および上部電極２７を形成して有するものである。
【０１０６】
よって、上記圧電薄膜共振子２１では、下部電極２５および上部電極２７にて挟まれた位置の圧電薄膜２６、絶縁膜２３により振動部が構成されるダイヤフラム構造を形成できる。開口部２４は支持基板２２をその厚さ方向に貫通するように形成されている。絶縁膜２３は、二酸化珪素（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはそれらの多層構造からなるものである。圧電薄膜２６は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などからなるものである。
【０１０７】
なお、上記開口部２４に代えて、図４３に示すように、上記圧電薄膜共振子２１ａは、ダイヤフラム構造に面した位置に開口し、支持基板２２をその厚さ方向に貫通しない凹部２４ａを支持基板２２に形成したものであってもよい。
【０１０８】
次に、上記実施例に記載の弾性表面波フィルタや、圧電薄膜フィルタを用いた通信機について図４４に基づき説明する。上記通信機１００は、受信を行うレシーバ側（Ｒｘ側）として、アンテナ１０１、アンテナ共用部（分波器）／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２、アンプ１０３、Ｒｘ段間フィルタ１０４、ミキサ１０５、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ミキサ１０７、２ｎｄＩＦフィルタ１０８、１ｓｔ＋２ｎｄローカルシンセサイザ１１１、ＴＣＸＯ（temperature compensated crystal oscillator（温度補償型水晶発振器））１１２、デバイダ１１３、ローカルフィルタ１１４を備えて構成されている。
【０１０９】
Ｒｘ段間フィルタ１０４からミキサ１０５へは、図４４に二本線で示したように、バランス性を確保するために各平衡信号にて送信することが好ましい。
【０１１０】
また、上記通信機１００は、送信を行うトラスミッタ側（Ｔｘ側）として、上記アンテナ１０１および上記アンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２を共用するとともに、ＴｘＩＦフィルタ１２１、ミキサ１２２、Ｔｘ段間フィルタ１２３、アンプ１２４、カプラ１２５、アイソレータ１２６、ＡＰＣ（automatic power control （自動出力制御））１２７を備えて構成されている。
【０１１１】
そして、上記のアンテナ共用部／ＲＦＴｏｐフィルタ１０２、Ｒｘ段間フィルタ１０４、１ｓｔＩＦフィルタ１０６、ＴｘＩＦフィルタ１２１、Ｔｘ段間フィルタ１２３には、上述した本発明の弾性表面波フィルタや、圧電薄膜フィルタが好適に利用できる。
【０１１２】
本発明に係る弾性表面波フィルタや、圧電薄膜フィルタは、前述したように優れたフィルタ機能を備えることができるものである。よって、上記弾性表面波フィルタや、圧電薄膜フィルタを有する本発明の通信機は、伝送特性を向上できるものとなっている。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明に係るラダー型フィルタは、通過帯域における小さな挿入損失、およびその通過帯域に対して低域側での大きな減衰量という、優れたフィルタ特性を発揮できるから、携帯電話などの通信機における分波器の高域側フィルタとして好適に使用できて、通信分野での利用に好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明に係るラダー型フィルタとしての弾性表面波フィルタにおける実施例の電極パターンを示す概略斜視図である。
【図２】上記弾性表面波フィルタの回路構成図である。
【図３】上記弾性表面波フィルタにおける、第１の一端子対弾性表面波共振器の回路図および概略構成図である。
【図４】上記第１の一端子対弾性表面波共振器の等価回路図である。
【図５】上記の第１の一端子対弾性表面波共振器の減衰量−周波数特性を示すグラフである。
【図６】上記弾性表面波フィルタにおける第１の基本ユニットの回路図である。
【図７】上記第１の基本ユニットの等価回路図である。
【図８】上記第１の基本ユニットの減衰量−周波数特性を示すグラフである。
【図９】上記図５と図８とを重ね合わせて示したグラフである。
【図１０】上記弾性表面波フィルタにおける、第２の一端子対弾性表面波共振器の回路図である。
【図１１】上記第２の一端子対弾性表面波共振器の等価回路図である。
【図１２】上記第２の一端子対弾性表面波共振器の減衰量−周波数特性を示すグラフである。
【図１３】上記弾性表面波フィルタにおける、第２の基本ユニットの回路図である。
【図１４】上記第２の基本ユニットの等価回路図である。
【図１５】上記第２の基本ユニットの減衰量−周波数特性を示すグラフである。
【図１６】上記図１２と図１５とを重ね合わせて示したグラフである。
【図１７】上記弾性表面波フィルタ、および上記弾性表面波フィルタを搭載したパッケージの概略構成図である。
【図１８】上記弾性表面波フィルタの電気的特性を示すグラフである。
【図１９】上記弾性表面波フィルタと比較例の弾性表面波フィルタとの各電気的特性を合わせて示すグラフである。
【図２０】上記弾性表面波フィルタと、他の比較例の弾性表面波フィルタとの各電気的特性を合わせて示すグラフである。
【図２１】上記弾性表面波フィルタとさらに他の比較例の弾性表面波フィルタとの各電気的特性を合わせて示すグラフである。
【図２２】上記弾性表面波フィルタの一変形例を示す回路図である。
【図２３】上記弾性表面波フィルタの他の一変形例を示す回路図である。
【図２４】（ａ）〜（ｄ）は上記弾性表面波フィルタのさらに他の各変形例をそれぞれ示す回路図である。
【図２５】本発明に係る、直列共振子に並列にインダクタを付加した例を示す回路ブロック図である。
【図２６】図２５の回路のインピーダンス特性を示すグラフである。
【図２７】特許文献４に記載の第１の実施形態に係る要部構成を示す回路ブロック図である。
【図２８】特許文献４に記載の第１の実施形態に係る構成のインピーダンス特性を示すグラフである。
【図２９】特許文献４に記載の第２の実施形態に係る構成のインピーダンス特性を示すグラフである。
【図３０】特許文献４に記載の第２の実施形態に係る構成の伝送特性を示すグラフである。
【図３１】特許文献４に記載の第１の実施形態に係る構成の伝送特性を示すグラフである。
【図３２】本願発明の並列共振子に対し、直列にインダクタを付加した回路ブロック図である。
【図３３】図３２の回路のインピーダンス特性を示すグラフである。
【図３４】本願発明のラダー型フィルタと、その直列共振子の容量を小さく設定した比較としてのフィルタとにおける、伝送特性をそれぞれ示すグラフである。
【図３５】本願発明のラダー型フィルタと、その直列共振子の容量を大きく設定した比較としてのフィルタとにおける、伝送特性をそれぞれ示すグラフである。
【図３６】本願発明の構成における、直列共振子容量と各特性との関係を示すグラフである。
【図３７】本願発明の構成における、直列共振子容量と帯域幅（１ｄＢ落ち）との関係を示すグラフである。
【図３８】本願発明のラダー型フィルタと、その並列共振子の容量を小さく設定した比較としてのフィルタとにおける、伝送特性をそれぞれ示すグラフである。
【図３９】本願発明のラダー型フィルタと、その並列共振子の容量を大きく設定した比較としてのフィルタとにおける、伝送特性をそれぞれ示すグラフである。
【図４０】本願発明の構成における、並列共振子容量と各特性との関係を示すグラフである。
【図４１】本願発明の構成における、並列共振子容量と帯域幅（１ｄＢ落ち）との関係を示すグラフである。
【図４２】本発明のラダー型フィルタに用いる圧電薄膜共振子の断面図である。
【図４３】上記圧電薄膜共振子の一変形例の断面図である。
【図４４】上記弾性表面波フィルタや圧電薄膜フィルタを用いた通信機の要部ブロック図である。
【図４５】従来のラダー型フィルタの基本構成図である。
【図４６】従来のラダー型フィルタの代表特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１５】
１：圧電性基板
２：櫛型電極
３：反射器電極
４：ワイヤボンディングパッド
５：第１の一端子対弾性表面波共振器（並列共振子）
６：第１の基本ユニット
７：第２の一端子対弾性表面波共振器（直列共振子）
８：第２の基本ユニット
Ｌ１、Ｌ２：インダクタ
【図１】
2004173245.tif 000006
【図２】
2004173245.tif 000007
【図３】
2004173245.tif 000008
【図４】
2004173245.tif 000009
【図５】
2004173245.tif 000010
【図６】
2004173245.tif 000011
【図７】
2004173245.tif 000012
【図８】
2004173245.tif 000013
【図９】
2004173245.tif 000014
【図１０】
2004173245.tif 000015
【図１１】
2004173245.tif 000016
【図１２】
2004173245.tif 000017
【図１３】
2004173245.tif 000018
【図１４】
2004173245.tif 000019
【図１５】
2004173245.tif 000020
【図１６】
2004173245.tif 000021
【図１７】
2004173245.tif 000022
【図１８】
2004173245.tif 000023
【図１９】
2004173245.tif 000024
【図２０】
2004173245.tif 000025
【図２１】
2004173245.tif 000026
【図２２】
2004173245.tif 000027
【図２３】
2004173245.tif 000028
【図２４】
2004173245.tif 000029
【図２５】
2004173245.tif 000030
【図２６】
2004173245.tif 000031
【図２７】
2004173245.tif 000032
【図２８】
2004173245.tif 000033
【図２９】
2004173245.tif 000034
【図３０】
2004173245.tif 000035
【図３１】
2004173245.tif 000036
【図３２】
2004173245.tif 000037
【図３３】
2004173245.tif 000038
【図３４】
2004173245.tif 000039
【図３５】
2004173245.tif 000040
【図３６】
2004173245.tif 000041
【図３７】
2004173245.tif 000042
【図３８】
2004173245.tif 000043
【図３９】
2004173245.tif 000044
【図４０】
2004173245.tif 000045
【図４１】
2004173245.tif 000046
【図４２】
2004173245.tif 000047
【図４３】
2004173245.tif 000048
【図４４】
2004173245.tif 000049
【図４５】
2004173245.tif 000050
【図４６】
2004173245.tif 000051