(57)【要約】【課題】透明導電膜の成膜条件下において強度低下が起こらず、表面圧縮応力を維持できる透明導電膜付き化学強化ガラス基板の提供。【解決手段】ガラス基板を化学強化することにより化学強化ガラス基板が形成され、前記化学強化ガラス基板上に透明導電膜が形成されてなる透明導電膜付き化学強化ガラス基板であって、前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は質量％表示で２〜７％のＮａ２Ｏおよび０〜３％のＬｉ２Ｏを含有し、歪点は５５０℃以上であり、表面圧縮応力が２００〜８００ＭＰａである透明導電膜付き化学強化ガラス基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を化学強化することにより化学強化ガラス基板が形成され、前記化学強化ガラス基板上に透明導電膜が形成されてなる透明導電膜付き化学強化ガラス基板であって、
前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は質量％表示で２〜７％のＮａ２Ｏおよび０〜３％のＬｉ２Ｏを含有し、歪点が５５０℃以上であり、かつ表面圧縮応力が２００〜８００ＭＰａである透明導電膜付き化学強化ガラス基板。
【請求項２】
前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、厚さが０．２〜１．１ｍｍである請求項１に記載の透明導電膜付き化学強化ガラス基板。
【請求項３】
前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、質量％表示で４〜１３％のＫ２Ｏを含有する請求項１または２に記載の透明導電膜付き化学強化ガラス基板。
【請求項４】
前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、質量％表示で４５〜７０％のＳｉＯ２、２〜２０％のＡｌ２Ｏ３、０〜６％のＢ２Ｏ３、０〜６％のＺｒＯ２および１０〜２５％のＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯをさらに含有する請求項３に記載の透明導電膜付き化学強化ガラス基板。
【請求項５】
前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、密度が２．４〜２．６ｇ／ｃｍ３である請求項１〜４のいずれか１項に記載の透明導電膜付き化学強化ガラス基板。
【請求項６】
前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、圧縮応力層の深さが１５〜１２０μｍである請求項１〜５のいずれか１項に記載の透明導電膜付き化学強化ガラス基板。
【請求項７】
前記透明導電膜は、酸化スズ膜である請求項１〜６のいずれか１項に記載の透明導電膜付き化学強化ガラス基板。
【請求項８】
ガラス基板を化学強化することにより化学強化ガラス基板を形成し、前記化学強化ガラス基板上に、常圧ＣＶＤ法により透明導電膜を形成する透明導電膜付き化学強化ガラス基板の製造方法であって、
前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、質量％表示で２〜７％のＮａ２Ｏおよび０〜３％のＬｉ２Ｏを含有し、歪点が５５０℃以上であり、かつ表面圧縮応力が２００〜８００ＭＰａであることを特徴とする透明導電膜付き化学強化ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特にタッチパネル用に適した、透明導電膜付き化学強化ガラス基板、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス基板上に酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明導電膜が形成された透明導電膜付きガラス基板は、タッチパネル、ディスプレイ、太陽電池用カバーガラス、帯電防止用コピー機天板ガラス、冷凍用ショーケースなど様々な分野に利用されている。その中で、タッチパネルに関しては、ＩＴ化、モバイル化が進むにつれ、情報携帯端末（ＰＤＡ）、電子手帳、携帯電話、デジタルカメラ、ＦＡ機器、カーナビゲーションなどへの搭載が急速に増えてきている。
【０００３】
タッチパネルの基本構成を図１に示す。図１においては、入力側のフィルム１上にフィルム用導電膜２を有する上部電極３とガラス基板５上に透明導電膜４を有する下部電極６とがドットスペーサ７を挟み込んで対向し、指や入力ペン８などで入力する際の圧力により上部電極３が撓んで、下部電極６と接することにより、その位置を電気的に検出するものである。
【０００４】
近年、モバイル機器への用途に対しては、ますます小型・軽量・薄型化が要求されており、ガラス基板５の厚さも１．１ｍｍから、０．５〜０．７ｍｍ程度まで薄くなってきている。しかし、ガラス基板５の厚さを薄くしていくと、強度が低下し、使用中または携帯中の落下などにより割れるという不具合があった。
【０００５】
上記問題を解決するために、ガラス基板の強度を高める方法として、ガラス基板表面に圧縮応力層を形成させる方法が一般的に知られている。前記ガラス基板表面に圧縮応力層を形成させる方法としては、軟化点付近まで加熱したガラス基板表面を風冷などにより急速に冷却する風冷強化法と、ガラス転移点以下の温度でイオン交換によりガラス基板表面にイオン半径のより大きいアルカリイオンを導入する化学強化法が代表的である。前述したように、ガラス基板の厚さが薄くなる場合、風冷強化法では、風冷過程において表面と内部の温度差がつきにくく目的の強度が得られにくい。そのため、後者の化学強化法による強化が通常行われている。
【０００６】
一方、ガラス基板上に形成される透明導電膜には、ＩＴＯ膜や酸化スズ膜が広く使われている。酸化スズ膜は、ＩＴＯ膜と比べて、真空プロセスを使わない常圧ＣＶＤ法で成膜できるため、量産性、コスト的に優れているとともに、性能的にも耐磨耗性や熱的・化学的耐久性に優れた特徴をもっている。
【０００７】
しかし、常圧ＣＶＤ法により酸化スズ膜を成膜する場合、生産性や膜性能を考慮すると成膜温度を高くする必要がある。その場合、一般的に使用されているソーダライムガラスをガラス基板として用いた場合、強度向上の目的であらかじめ化学強化されていたとしても、成膜工程で高温にさらされることによって表面の圧縮応力層が緩和され、せっかく向上させた強度が低下する問題があった。つまり、酸化スズ膜の生産性や膜性能とガラス基板の強度とを両立させることが困難であった。
【０００８】
上記課題に対しては、酸化スズ膜を形成した後に化学強化する方法が開示されている（例えば、特許文献１、および特許文献２参照。）。この方法であれば、化学強化した後には高温の成膜プロセスを通らないため、ガラス基板の強度低下は起こりにくい。しかし、必然的に膜を介して化学強化するため、ガラス単体の場合と比べてイオン交換が困難になることが予想される。また、イオン交換が可能であったとしても、膜中にもアルカリイオンが含まれるため、膜の性能面での信頼性が劣ることが予想される。
【０００９】
また、ソーダライムガラス以外のガラスをタッチパネルのガラス基板に適用した例が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。しかし、強度向上目的ではないため化学強化処理は施されていない。
【００１０】
【特許文献１】特開平９−５９０４３号公報
【特許文献２】特開平１０−２３１１４７号公報
【特許文献３】特開平８−１１９６７４号公報
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前述の課題を解消しようとするものであり、常圧ＣＶＤ法などの高温で成膜される工程においても、化学強化されたガラス基板の強度を損なうことなく、ガラス基板の厚さを薄くしたとしても、タッチパネルの実用強度を十分満足できる透明導電膜付き化学強化ガラス基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ガラス基板を化学強化することにより化学強化ガラス基板が形成され、前記化学強化ガラス基板上に透明導電膜が形成されてなる透明導電膜付き化学強化ガラス基板であって、前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、質量％表示で２〜７％のＮａ２Ｏおよび０〜３％のＬｉ２Ｏを含有し、歪点が５５０℃以上であり、かつ表面圧縮応力が２００〜８００ＭＰａである透明導電膜付き化学強化ガラス基板を提供する。
【００１２】
また、本発明は、ガラス基板を化学強化することにより化学強化ガラス基板を形成し、前記化学強化ガラス基板上に、常圧ＣＶＤ法により透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜付き化学強化ガラス基板の製造方法であって、前記透明導電膜付き化学強化ガラス基板は質量％表示で２〜７％のＮａ２Ｏおよび０〜３％のＬｉ２Ｏを含有し、歪点が５５０℃以上であり、かつ表面圧縮応力が２００〜８００ＭＰａであることを特徴とする透明導電膜付き化学強化ガラス基板の製造方法を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、ガラス基板を化学強化する、例えば加熱された硝酸カリウム溶融塩にガラス基板を浸漬して、ガラス基板表層中のナトリウムイオンおよびリチウムイオンと溶融塩中のカリウムイオンとをイオン交換する、ことにより化学強化ガラス基板とした後、前記化学強化ガラス基板上に透明導電膜を成膜して得られる。好ましい成膜法は常圧ＣＶＤ法である。
【００１４】
前記ガラス基板の厚さは、０．２〜１．１ｍｍであることが好ましい。ガラス基板の厚さを上記範囲とすることにより、タッチパネル等の製品の軽量化に寄与きる。また、風冷強化では形成することができない厚さの圧縮応力層を化学強化により形成させることができる。０．２ｍｍ未満では、化学強化しても実用強度の観点から満足できなくなるおそれがある。また、前記ガラス基板の厚さが０．２〜０．７ｍｍといった薄板に、特に化学強化が有効である。
【００１５】
なお、未強化ガラス基板の厚さは、それが化学強化された化学強化ガラス基板の厚さと同じであり、さらにその上に透明導電膜が形成された透明導電膜付き化学強化ガラス基板の厚さとも同じである。同様にして、密度、歪点といった物性も三者間で同じである。また、未強化ガラス基板と化学強化ガラス基板とではごく薄い表層において微視的に化学組成が異なるが、ガラス基板全体としての化学組成は実質的に変化しない。また、化学強化ガラス基板と透明導電膜付きガラス基板とでは、ごく薄い透明導電膜の有無の点で微視的に化学組成が異なるが、ガラス基板全体としての化学組成は実質的に変化しない。すなわち、Ｎａ２Ｏ含有量、Ｋ２Ｏ含有量をはじめとするガラス基板の化学組成は、前記三者間で同じである。
【００１６】
透明導電膜付き化学強化ガラス基板の表面圧縮応力は、２００〜８００ＭＰａであることが、タッチパネル等の実用強度の観点から必須であり、好ましくは３００〜６００ＭＰａである。また、透明導電膜形成後も表面圧縮応力を上記範囲とするためには、透明導電膜形成前の化学強化ガラス基板そのものの表面圧縮応力は、２００〜８００ＭＰａであることが好ましく、さらに好ましくは３００〜６００ＭＰａである。化学強化ガラス基板上に常圧ＣＶＤ法で透明導電膜を形成する場合、成膜中にガラス基板が高温となるため、応力緩和が起こりやすくなり、化学強化処理で得られた強度を維持できなくなるおそれがある。よって、後述するように、ガラス基板の歪点を５５０℃以上とすることにより、成膜後であっても、表面圧縮応力を上記範囲とすることが可能となる。
【００１７】
透明導電膜付き化学強化ガラス基板の圧縮応力層の深さは、１５μｍ未満であると十分な化学強化の効果が得られないが、１２０μｍ超ではさらなる強度向上の効果が望めず、経済的でない。さらに、生産効率の観点から、大きいサイズの透明導電膜付き化学強化ガラス基板を後工程にて所望のサイズに切断することが行われているが、圧縮応力層の深さが１２０μｍを越えると切断しにくくなる。強化性能と切断性とを考慮すると、透明導電膜付き化学強化ガラス基板の圧縮応力層の深さは、好ましくは３０〜１００μｍ、さらに好ましくは３０〜７０μｍであり、特に好ましくは３０〜５０μｍである。圧縮応力層の深さは、高温での成膜によって実質的に変化しない。
【００１８】
また、透明導電膜付き化学強化ガラス基板に用いられるガラス基板の歪点は、５５０℃以上である。５５０℃未満であると、常圧ＣＶＤ法での成膜中にガラス基板が高温となる際に応力緩和が起こりやすくなり、化学強化工程で得られた強度が低下するおそれがある。なお、ガラス基板の歪点とは、成膜前かつ化学強化前における歪点を意味しており、化学強化後かつ成膜後であっても実質的にほとんど変化しない。
【００１９】
本発明の透明導電膜付き化学強化ガラス基板が製品の軽量化に寄与するためには、ガラス基板の密度は低い方が好ましく、具体的には、２．４〜２．６ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
【００２０】
以下に本発明のガラス基板の化学組成について詳しく説明する。なお、以下における成分割合は、質量％表示である。
【００２１】
Ｎａ２Ｏは、イオン交換により表面圧縮応力層を形成させるための必須成分である。また、ガラスの溶融性を著しく向上させる成分でもある。２％より少ないと、イオン交換が困難となり所望の表面圧縮応力層が得られない。７％より多いと、歪点が低くなるだけでなく、ガラス基板の耐候性が低下する。
【００２２】
Ｌｉ２Ｏは、必須成分ではないが、Ｎａ２Ｏと同じように、イオン交換により表面圧縮応力層を形成させるための成分である。また、ガラスの溶融性を著しく向上させる成分でもある。３％より多いと、歪点が低下するおそれがある。
【００２３】
Ｋ２Ｏは、溶融性を向上させる成分であるとともに、化学強化におけるイオン交換速度を向上させ、所望の表面圧縮応力と圧縮応力層の深さを得るために必要な成分である。４％より少ないと、溶融性が悪化するとともにイオン交換速度が低下し好ましくない。１３％より多いと、歪点が低くなるおそれがある。
【００２４】
ＳｉＯ２は、ガラスの骨格を構成する成分である。４５％より少ないと、歪点が低くなるとともに、耐候性が悪化する傾向がある。７０％より多いと、ガラスの粘性が増大し溶融性が著しく悪化する。
【００２５】
Ａｌ２Ｏ３は、歪点を高くする成分であるとともに、イオン交換速度を向上させる成分である。２％より少ないと歪点が低くなり、イオン交換速度向上の効果も得られなくなり好ましくない。２０％より多いと、ガラスの粘性が高くなるため、均質な溶融が困難になる。
【００２６】
Ｂ２Ｏ３は、必須成分ではないが、添加することにより溶融性が向上するので６％まで含有させることができる。６％より多いと、溶融時の揮散が激しくなるとともに、歪点が低下するおそれがあるので好ましくない。
【００２７】
ＺｒＯ２は、必須成分ではないが、歪点を高める成分であるとともにイオン交換速度を向上させる成分である。６％より多いと、さらなるイオン交換速度向上の効果は得られないとともに、密度が増大し、溶融性も悪化し、未溶融物としてガラス中に残るので好ましくない。
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ、すなわちＭｇＯとＣａＯとＳｒＯとＢａＯとの合計の含有量は１０〜２５％であることが好ましい。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯは、溶融性を向上させる成分であるとともに、歪点の調節に有効な成分である。これらの合量が１０％より少ないと溶融性が悪化するので好ましくない。これらの合量が２５％より多いと、失透しやすくなるうえ、歪点が低下するおそれがある。さらにイオン交換速度が低下するおそれもある。また密度を下げるためにはＳｒＯは３％以下、ＢａＯは２％以下であることが好ましい。
【００２８】
上記成分以外の任意の成分として、本発明の目的を損なわない範囲で、ガラスの溶融の際の清澄剤として、ＳＯ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ａｓ２Ｏ３、塩化物、フッ化物などを適宜含有してもよい。ただし、タッチパネルの視認性を上げるため、可視域に吸収をもつＦｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３などの原料中の不純物として混入するような成分はできるだけ減らすことが好ましく、各々０．１５％以下、特に０．０５％以下であることが好ましい。
【００２９】
先に触れたとおり、Ｎａ２ＯおよびＬｉ２Ｏは、化学強化を行うことにより、Ｋ２Ｏへとイオン交換される。イオン交換後の化学強化ガラス基板の表面のごく薄い領域では、Ｋ２Ｏの成分が多くなっているが、化学強化ガラス基板全体の組成としては実質的に変化することはない。
【００３０】
本発明に用いられる化学強化前（すなわち未処理）のガラス基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、種々の原料を適量調合し、約１５００〜１６００℃に加熱し溶融した後、脱泡、攪拌などにより均質化し、周知のフロート法、ダウンドロー法、プレス法などによって板状に成形する。徐冷後、必要に応じて所望のサイズに切断、研磨加工を施し、ガラス基板が得られる。
【００３１】
さらに所定の化学強化の方法により、ガラス基板に化学強化を施す。前記化学強化の方法としては、ガラス基板表層内のＮａ２ＯおよびＬｉ２ＯとＫ２Ｏとをイオン交換することができれば特に限定されないが、具体的には、加熱された硝酸カリウム溶融塩にガラス基板を浸漬することにより、ガラス中のＮａ２ＯおよびＬｉ２Ｏと溶融塩中のＫ２Ｏとをイオン交換する方法が挙げられる。ガラス基板に所望の表面圧縮応力を有する化学強化層を設けるためには、ガラス基板の厚さによっても変動するが、４００〜５５０℃の硝酸カリウム溶液に２〜１０時間ガラス基板を浸漬させることが好ましい。
【００３２】
ガラス基板を化学強化することにより化学強化ガラス基板を形成した後、前記化学強化ガラス基板上に透明導電膜を形成する。透明導電膜を形成する方法としては、常圧ＣＶＤ法が好ましく用いられる。透明導電膜の材料として酸化スズを用い、酸化スズ膜を化学強化ガラス基板上に常圧ＣＶＤ法を用いて形成する場合は、以下のような方法が用いられる。まず、化学強化ガラス基板を、ベルト式加熱炉に投入し、キャリアガスとともに原料ガスをインジェクタから噴霧することにより化学強化ガラス基板上に酸化スズ膜を成膜する。原料ガスとして用いられる酸化スズ原料は特に限定されず、四塩化スズなどのスズ塩化物、アルキル化スズなどを用いることができる。また、膜抵抗の調整のため、フッ素、アンチモンなどの微量成分を添加することができる。前記常圧ＣＶＤ法における化学強化ガラス基板の温度は５００〜５５０℃であることが好ましい。
【００３３】
透明導電膜としては、耐磨耗性や熱的・化学的耐久性に優れた酸化スズ膜が好ましく用いられる。前記透明導電膜の厚さは、タッチパネルとして用いる場合、１０〜２０ｎｍであることが透過率の点で好ましい。
【００３４】
さらに、ガラス基板から酸化スズ膜などの透明導電膜へのアルカリマイグレーションを防止するため、酸化ケイ素などのアルカリバリア層をガラス基板と透明導電膜との間に設けてもよい。この場合、例えば、別のインジェクタから、モノシランと酸素とからなるガスを噴霧することで同時に成膜することができる。前記酸化ケイ素のアルカリバリア層の膜厚は、タッチパネルとして用いる場合、４０〜６０ｎｍであることが光学特性の点で好ましい。
【００３５】
本発明の透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、タッチパネル、ディスプレイ、太陽電池用カバーガラス、帯電防止用コピー機天板ガラス、冷凍用ショーケースなどの種々の用途に使用することができる。
【００３６】
また、本発明の透明導電膜付き化学強化ガラス基板のシート抵抗値は、タッチパネルとして用いる場合、３００〜２０００Ω／□であることが好ましい。また、本発明の透明導電膜付き化学強化ガラス基板の可視光線での最高透過率（裏面コートのない条件において、４００〜７００ｎｍの範囲における透過率のうち、最も高い透過率を意味する。）は、タッチパネルとして用いる場合、８７〜９５％であることが視認性の点で好ましい。
【００３７】
【実施例】
以下に実施例（例１〜６）および比較例（例７〜１０）を挙げて、本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されない。
【００３８】
表１の組成（単位：質量％）になるように、酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等一般に使用されているガラス原料を適宜選択し、ガラスとして２ｋｇとなるように秤量および混合した。ついで、白金製るつぼに入れ、１６００℃の抵抗加熱式電気炉に投入し、５時間溶融し、脱泡、均質化した後、型材に流し込み、所定の温度で徐冷し、ガラスブロックを得た。このガラスブロックからサイズが５５×５５ｍｍ×厚み０．７ｍｍになるように切断、研削し、最後に両面を鏡面に加工し、ガラス基板を得た。このとき、例１〜１０の可視光線での最高透過率は、９１〜９２％であった。可視光線での最高透過率は、分光光度計ＵＶ１６００（島津製作所製）を用いて測定した。
【００３９】
【表１】
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【００４０】
前記ガラス基板の密度および歪点を測定した。密度は約２０ｇの塊をアルキメデス法によって測定した。歪点は繊維引き伸ばし法（ＪＩＳ　Ｒ３１０３−２）によって測定した。その結果を表２に示す。
【００４１】
ついで、前記ガラス基板を、例１〜６および例９、１０については、５００℃に加熱保持した硝酸カリウム溶融塩中に５時間浸漬して化学強化処理を施し、化学強化ガラス基板を得た。例７、８については、４５０℃に加熱保持した硝酸カリウム溶融塩中に５時間浸漬して化学強化処理を施し、化学強化ガラス基板を得た。次にベルト炉に化学強化ガラス基板を投入し、５３０℃に加熱した成膜ゾーンで、常圧ＣＶＤ法によって、四塩化スズ、水、メタノールとフッ化水素を噴霧し、化学ガラス強化基板上に酸化スズ膜を成膜し、酸化スズ膜付き化学強化ガラス基板を得た。
【００４２】
例１〜１０において、得られた酸化スズ膜付き化学強化ガラス基板について、シート抵抗値および可視光線での最高透過率を測定した。シート抵抗値は、ロレスタＭＣＰ−Ｔ２５０（三菱化学社製）により四探針法を用いて測定した。また、可視光線での最高透過率は、分光光度計ＵＶ１６００（島津製作所製）を用いて、裏面コートがない条件において測定した。
【００４３】
その結果、例１〜１０における酸化スズ膜付き化学強化ガラス基板の可視光線での最高透過率は、例１〜１０において９０％以上であり、シート抵抗値は８００〜１２００Ω／□であり、タッチパネルの下部電極として充分な性能が得られていることを確認した。
【００４４】
ついで、例１〜１０における酸化スズ膜付き化学強化ガラス基板について、表面圧縮応力および圧縮応力層の深さを測定し、あらかじめ成膜前に測定した表面圧縮応力と成膜後の表面圧縮応力との比（成膜後の表面圧縮応力／成膜前の表面圧縮応力。以下、圧縮応力比という。）を求めた。表面圧縮応力および圧縮応力層の深さの測定は、切り出した薄片の一部を用いて表面応力計ＦＳＭ−６０−Ｖ（折原製作所製）にて行った。その結果を表２に示す。
【００４５】
さらに、得られた例１〜１０の酸化スズ膜付き化学強化ガラス基板の破壊応力を同心円曲げ試験法にて測定した。すなわち、直径４６ｍｍの支持リング上に酸化スズ膜付き化学強化ガラス基板を配置し、直径１９ｍｍのリングを用いて膜面側に１ｍｍ／ｍｉｎのクロスヘッドスピードにて負荷をかけ破壊したときの破壊応力を求めた。なお、破壊応力は各１０枚ずつ酸化スズ膜付き化学強化ガラス基板を試験し平均値を求めた。破壊応力は、実用上、３５０ＭＰａ以上であることが好ましい。その結果を表２に示す。
【００４６】
【表２】
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【００４７】
表２に示すように、例１〜６は、ガラス基板の歪点が５５０℃以上であるため、圧縮応力比がほぼ１に近く成膜プロセスを通しても表面圧縮応力の低下は起こっておらず、応力が緩和されていなかった。その結果、破壊応力も高くなり、実用上十分な強度であることが示された。さらに圧縮応力層の深さが好適な範囲となっているため、例１〜６の透明導電膜付き化学強化ガラス基板をホイールカッタにて切断したところ、化学強化前のガラス基板のみで通常切断できているホイール圧に対して１．２〜１．５倍のホイール圧にて問題なく切断できた。
【００４８】
これに対し、ガラス基板がソーダライムガラスである例７は、歪点が５１０℃であるため、圧縮応力比が低く、成膜プロセスを通すと表面圧縮応力の低下が起こり、成膜中に応力が緩和されていることが示された。その結果、破壊応力も低かった。例８は、圧縮応力層がかなり深いが、ガラス基板の歪点が４８０℃であるために、例７と同様に応力緩和により成膜後の表面圧縮応力は低くなり、破壊応力も低かった。また、透明導電膜付き化学強化ガラス基板をホイールカッタにて切断したところ、圧縮応力層が深いために切り線が入りにくく、ホイール圧を上げてもうまく切断できなかった。例９は、母ガラスの歪点が５７０℃と高いが、Ｋ２Ｏが少ないため、イオン交換速度が遅く充分な強度が得られなかった。例１０は、Ｎａ２Ｏ含有量が小さいため、化学強化処理しても圧縮応力層が判別できるほど形成されていなく、破壊応力もかなり低かった。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、ガラス基板の歪点が５５０℃以上のため、成膜中に応力緩和が起こりにくく、化学強化処理で得られた表面圧縮応力を維持できるので、ガラス基板の厚さを薄くしても実用上十分な強度を有する。よって、本発明の透明導電膜付き化学強化ガラス基板は、タッチパネル用部材として好適である。また、従来より高温で成膜できる可能性が広がることにより、生産性向上が期待できる。また、透明導電膜以外の膜、例えば、アルカリバリア膜、反射防止膜、絶縁膜等の成膜温度範囲も広がる。さらに化学強化も同様に高温処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】タッチパネルの構成を説明する図
【符号の説明】
１：フィルム
２：フィルム用導電膜
３：上部電極
４：透明導電膜
５：ガラス基板
６：下部電極
７：ドットスペーサ
８：入力ペン
【図１】
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