(57)【要約】【課題】レジストを使用せずに有機発光層をパターニングできる有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子、及び有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】基板（絶縁性基板）１上に第１電極２を形成する工程と、第１有機発光層用の第１塗膜４を第１電極２上と基板１上とに形成する工程と、電磁誘導により第１電極２を発熱させ、該発熱によって第１電極２上の第１塗膜４を選択的に加熱して不溶化する不溶化工程と、不溶化工程後、第１塗膜４を液に曝し、不溶化されていない部分の第１塗膜４を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の第１塗膜４を第１有機発光層４ａとして第１電極２上に残す工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法による。【選択図】　図１
2004071403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に電極を形成する工程と、
有機発光層用の塗膜を前記電極上と前記絶縁性基板上とに形成する工程と、
電磁誘導により前記電極を発熱させ、該発熱によって前記電極上の前記塗膜を選択的に加熱して不溶化する不溶化工程と、
前記不溶化工程後、前記塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記塗膜を有機発光層として前記電極上に残す工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
絶縁性基板上に電極を形成する工程と、
有機発光層用の塗膜を前記電極上と前記絶縁性基板上とに形成する工程と、
前記電極と対向する導体パターンを前記塗膜に近接若しくは当接させる工程と、
前記導体パターンを電磁誘導により発熱させ、該発熱によって該導体パターンに対向する前記電極上の前記塗膜を選択的に加熱して不溶化する不溶化工程と、
前記不溶化工程後、前記塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記塗膜を有機発光層として前記電極上に残す工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
絶縁性基板上に電極を形成する工程と、
有機発光層用の塗膜を前記電極上に選択的に印刷する工程と、
前記電極を電磁誘導により発熱させ、該発熱によって前記電極上の前記塗膜を加熱して有機発光層にする工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された陽極と、
を備え、
前記陰極が、磁性導電膜又は該磁性導電膜を含む積層膜からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項５】
請求項４に記載の前記有機ＥＬ素子を複数配列してなる有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子とその製造方法、及び複数の有機ＥＬ素子を配列してなる有機ＥＬ表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、可視光を発光し、しかも低電圧で駆動できる発光素子として、有機ＥＬ素子が着目されている。その有機ＥＬ素子は、従来の無機ＥＬ素子と比較して、単純な製造プロセスにより作製できるという利点も有する。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子を使用した表示装置は、従来広く普及している液晶表示装置に比べ、視野角依存性が無く、応答速度が速く、且つバックライトが不要なため、装置の構造が簡単になり、軽量化が可能であるという利点がある。そして、有機ＥＬ素子は固体素子であるので衝撃に強いという長所もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述の有機ＥＬ素子の有機発光層としては、例えば色素がドープされた高分子材料が使用され、それは通常スピンコート法により形成される。
【０００５】
しかしながら、このようにスピンコート法で有機発光層を形成する場合、塗布した後に有機発光層を電極毎にパターニングする必要があるのであるが、有機発光層上にパターニング用のレジストを塗布すると、有機発光層とレジストとが互いに混ざり合い、有機発光層を所望にパターニングできないという不都合が生じる。また、露光用の紫外線により有機発光層が損傷を受けるという不都合もある。これらの不都合は、スピンコートによる有機発光層の形成を実現するのに大きな障害となっている。
【０００６】
本発明は係る従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、レジストを使用せずに有機発光層をパターニングできる有機ＥＬ素子の製造方法、有機ＥＬ素子、及び有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、絶縁性基板上に電極を形成する工程と、有機発光層用の塗膜を前記電極上と前記絶縁性基板上とに形成する工程と、電磁誘導により前記電極を発熱させ、該発熱によって前記電極上の前記塗膜を選択的に加熱して不溶化する不溶化工程と、前記不溶化工程後、前記塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記塗膜を有機発光層として前記電極上に残す工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法により解決する。
【０００８】
以下、本発明の作用について説明する。
【０００９】
本発明によれば、電磁誘導を利用して電極を発熱させることにより、その電極上の塗膜を選択的に不溶化して有機発光層とし、その後、不溶化されていない部分の塗膜を選択的に溶解するので、電極上に有機発光層を選択的に残すことができ、従来例のようにレジストを使用して塗膜をパターニングする必要が無い。
【００１０】
更に、電磁誘導を使用することにより、導電体よりなる電極を選択的に加熱できる一方、絶縁体よりなる絶縁性基板の温度上昇を防止することができるので、絶縁性基板が熱により変形する恐れが無い。よって、有機発光層を形成した後の工程において、絶縁性基板の熱変形による位置合わせズレを考慮する設計が不要となる。
【００１１】
しかも、電磁誘導を使用することで、電極が電磁誘導用の磁界に曝された時点からすぐさま加熱を開始することができ、加熱に時間的な遅延が伴うことが無い。そして、加熱の具合は実質的に磁界と電極との相互作用だけによって定まるので、電極を再現性良く加熱することができる。
【００１２】
特に、電極として磁性導電膜又は該磁性導電膜を含む積層膜を使用し、ヒステリシス損失による発熱を利用する場合には、磁性導電膜のキュリー温度を境にして電極の温度上昇が鈍るので、そのキュリー温度を電極の実質的な温度上限とすることができ、電極の温度コントロールが正確になる。
【００１３】
また、上記の電極を、前記絶縁性基板上に透明導体パターンを形成する工程と、前記透明導体パターンの上面よりも小さいレジストパターンを該透明導体パターンの上面上に形成する工程と、前記レジストパターンが残存する状態で前記透明導体パターンをめっき液に浸し、電解めっき又は無電解めっきにより、前記透明導体パターンの側壁と上面の縁部とに導電膜を形成して、該導電膜と前記導体パターンとを前記電極として使用する工程と、前記レジストパターンを除去する工程を行うことにより形成しても良い。
【００１４】
こうすると、透明導体パターンの側壁に形成された導電膜が電磁誘導により発熱して、電極上の塗膜が不溶化して有機発光層となる。そして、この方法では、絶縁性基板として光学的に透明なものを使用することで、有機発光層からの光を透明導体パターンと絶縁性基板とを通して素子の外部に取り出すことができるボトムエミッション型の有機ＥＬ素子が提供される。
【００１５】
更に、このように透明導体パターンの側壁と上面の縁部とに導電膜を形成することで、該透明導体パターンと導電膜とからなる電極が低抵抗化される。
【００１６】
或いは、このような電極の形成方法に代えて、上記の電極を、前記絶縁性基板上に透明導電膜を形成する工程と、前記透明導電膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングマスクに使用しながら前記透明導電膜をエッチングして透明導体パターンにする工程と、前記レジストパターンが残存する状態で前記透明導体パターンをめっき液に浸し、電解めっきにより前記透明導体パターンの側壁に導電膜を形成して、該導電膜と前記透明導体パターンとを前記電極として使用する工程と、前記レジストパターンを除去する工程を行うことにより形成してもよい。この場合も、絶縁性基板として光学的に透明なものを使用することになる。
【００１７】
この方法によれば、透明導体パターンをパターニングするために形成したレジストを除去せず、それが残存する状態でめっきを行って透明導体パターンの側壁に導電膜を形成するので、めっき用のレジストを新たに形成する工程が不要となる。
【００１８】
又は、上記した課題は、絶縁性基板上に電極を形成する工程と、有機発光層用の塗膜を前記電極上と前記絶縁性基板上とに形成する工程と、前記電極と対向する導体パターンを前記塗膜に近接若しくは当接させる工程と、前記導体パターンを電磁誘導により発熱させ、該発熱によって該導体パターンに対向する前記電極上の前記塗膜を選択的に加熱して不溶化する不溶化工程と、前記不溶化工程後、前記塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記塗膜を有機発光層として前記電極上に残す工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法により解決する。
【００１９】
次に、本発明の作用について説明する。
【００２０】
本発明によれば、絶縁性基板上の電極を発熱させるのではなく、電極に対向する導体パターンを塗膜に当接若しくは近接させ、その後導体パターンを電磁誘導により発熱させることにより、電極上の塗膜を選択的に加熱して不溶化する。このように、電極が塗膜を加熱する役割を担わないので、電極を設計する自由度が増大し、電極を思いのままに設計することができる。
【００２１】
なお、上記いずれの発明においても、不溶化工程の最中又はその前に、補助加熱手段を用いて電極を室温よりも高い温度に加熱しても良い。こうすることで、より低い周波数の交番磁界により電極を所望の温度にまで加熱することができる。
【００２２】
更に、上記のいずれの発明においても、不溶化工程を真空中又は不活性ガスの雰囲気中で行うことで、有機発光層が酸素や水に触れてその特性が劣化するのが防がれる。
【００２３】
又は、上記した課題は、絶縁性基板上に電極を形成する工程と、有機発光層用の塗膜を前記電極上に選択的に印刷する工程と、前記電極を電磁誘導により発熱させ、該発熱によって前記電極上の前記塗膜を加熱して有機発光層にする工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法によって解決する。
【００２４】
次に、本発明の作用について説明する。
【００２５】
本発明によれば、印刷により電極上に塗膜を形成するので、従来のようにレジストを使用して塗膜をパターニングする必要が無い。
【００２６】
又は、上記した課題は、絶縁性基板上に第１電極を形成する工程と、
電磁誘導の際に前記第１電極よりも高温に発熱する第２電極を前記絶縁性基板上に形成する工程と、第１有機発光層用の第１塗膜を前記第１電極上に選択的に印刷する工程と、前記第１塗膜よりも不溶化温度が高い第２有機発光層用の第２塗膜を前記第２電極上に選択的に印刷する工程と、前記第１電極及び前記第２電極に対して電磁誘導により、前記第１電極よりも高温に前記第２電極を発熱させ、該発熱によって前記１電極上の前記第１塗膜を加熱して第１有機発光層にすると共に、前記第２電極上の前記第２塗膜を加熱して第２有機発光層にする工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法によって解決する。
【００２７】
次に、本発明の作用について説明する。
【００２８】
本発明によれば、印刷により第１、第２電極上に第１、第２塗膜を形成するので、従来のようにレジストを使用して第１、第２塗膜をパターニングする必要が無い。
【００２９】
しかも、第１、第２塗膜に対して別々に不溶化工程を行う必要が無く、１回の不溶化工程で第１、第２塗膜を一括して不溶化することができるので、プロセスの煩雑化が防がれる。
【００３０】
更に、電磁誘導による発熱量を第１電極と第２電極とで異ならせたので、第１、第２塗膜の各々に最適な温度で該第１、第２塗膜が不溶化される。
【００３１】
又は、上記した課題は、第１電極を絶縁性基板上に形成する工程と、第１の励磁周波数に対しては前記第１電極よりも低温に発熱し、第２の励磁周波数に対しては前記第１電極よりも高温に発熱する第２電極を前記絶縁性基板上に形成する工程と、第１有機発光層用の第１塗膜を前記第１電極上、前記第２電極上、及び前記絶縁性基板上に形成する工程と、前記第１の励磁周波数の磁界中に前記絶縁性基板を置いて電磁誘導により前記第１電極を前記第２電極よりも高温に発熱させ、該発熱によって前記第１電極上の前記第１塗膜を加熱して選択的に不溶化する第１不溶化工程と、前記第１不溶化工程後、前記第１塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記第１塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記第１塗膜を前記第１有機発光層として前記第１電極上に残す工程と、第２有機発光層用の第２塗膜を前記第２電極上、前記第１有機発光層上、及び前記絶縁性基板上に形成する工程と、前記第２の励磁周波数の磁界中に前記絶縁性基板を置いて電磁誘導により前記第２電極を前記第１電極よりも高温に発熱させ、該発熱によって前記第２電極上の前記第２塗膜を加熱して選択的に不溶化する第２不溶化工程と、前記第２不溶化工程後、前記第２塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記第２塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記第２塗膜を前記第２有機発光層として前記第２電極上に残す工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法によって解決する。
【００３２】
次に、本発明の作用について説明する。
【００３３】
本発明によれば、第１電極と第２電極とを絶縁性基板上に形成する。このうち、第２電極は、電磁誘導により、第１の励磁周波数に対しては第１電極よりも低温に発熱し、第２の励磁周波数に対しては第１電極よりも高温に発熱する。このような第１、第２電極を使用することで、スピンコート法等の簡便な塗布方法を用いながら、異なる色を発光する第１、第２有機発光層が第１、第２電極上に自己整合的に塗り分けられる。
【００３４】
なお、上記の第１電極及び第２電極として、共に磁性導電膜と非磁性導電膜との積層膜を使用し、且つ、第１電極における非磁性導電膜の厚さを第２電極における非磁性導電膜の厚さよりも厚くすることで、第１電極と第２電極との発熱量を励磁周波数によって異ならせることが可能となる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３６】
（１）第１の実施の形態
最初に、図１（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００３７】
まず、ガラス等の絶縁体よりなる基板１上に、陰極形状の開口が形成されたレジストマスク（不図示）を形成し、そのレジストマスクをマスクに使用する電子ビーム蒸着法によりＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ、Ｔｂ等の磁性金属を基板１上に蒸着して、その後レジストマスクを除去することにより、上記磁性金属を陰極形状の磁性導電膜３ａとして基板上に残す。その磁性導電膜３ａの厚さは、約５０〜５００ｎｍ程度である。なお、磁性導電膜３ａは、上記の金属に限定されず、鉄族元素、希土類元素、及び磁性金属酸化物のいずれかからなる膜であってよい。このうち、磁性金属酸化物としては、ＥｕＯやＣｒＯ２等がある。
【００３８】
次いで、陰極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用し、電子ビーム蒸着法により、基板１の一部領域上と磁性導電膜３ａ上とに別々にアルミニウム膜等の非磁性導電膜を厚さ約２０〜１０００ｎｍ程度に選択的に形成し、その非磁性導電膜を第１陰極２及び被覆膜３ｂとして使用し、更に被覆膜３ｂと磁性導電膜３ａとの積層膜を第２陰極３とする。なお、非磁性導電膜としては、アルミニウム合金膜、マグネシウム膜、及びマグネシウム合金膜のいずれかをアルミニウム膜に代えて使用しても良い。
【００３９】
被覆膜３ｂとしてアルミニウム等の仕事関数が小さい金属を使用することで、その上に後で形成される有機発光層と被覆膜３ｂとの間の電子注入のためのポテンシャルバリアを小さくできるので、第２陰極３から有機発光層に電子を効率良く注入することができる。
【００４０】
次に、図１（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００４１】
まず、水やアセトン等の溶媒中に有機発光層の前駆物質を溶解させてなる溶液を作製し、その溶液を第１陰極２上、第２陰極３上、及び基板１上にスピンコートし、その後溶媒成分を乾燥させて厚さが約５０〜１０００ｎｍ程度の第１有機発光層用の第１塗膜４とする。
【００４２】
そのような第１塗膜４としては、ある温度（不溶化温度）以上に加熱すると溶媒に不溶化するものを使用する。以下、この第１塗膜４の不溶化温度をＴ１とし、上述の前駆物質として、不溶化温度Ｔ１が約１５０〜３００℃のポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）の前駆物質であるスルホニウム塩高分子を使用する。このポリｐフェニレンビニレンは、黄緑色の発光層となるものである。
【００４３】
次に、図１（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、第１陰極２と第２陰極３とを、図３に示す交番磁界発生部により発生する交番磁界Ｂに曝す。その交番磁界発生部は、励磁回路７０とそれに接続されたコイル８とを有し、励磁回路７０が供給する交流電流の大きさを変えることにより、交番磁界Ｂの強さが任意に可変となる。
【００４４】
このように各陰極２、３（図１（ｃ））が交番磁界Ｂに曝されると、それらは電磁誘導により発熱することになるが、その発熱の機構はヒステリシス損失によるものと渦電流の抵抗損失によるものとの二種に分けられる。
【００４５】
ヒステリシス損失による発熱は、磁性金属（鉄族元素、鉄族元素、及び希土類元素等）や磁性金属酸化物が交番磁界中に置かれたときに生じ、その発熱量Ｐｈは経験的に次式で示される。
【００４６】
Ｐｈ∝（最大磁束密度）１．６×（磁性金属の体積）×（励磁周波数）・・・（１）
一方、抵抗損失による損失は、任意の導体が交番磁界中に置かれたときに生じ、その発熱量Ｐｒは次式で示される。
【００４７】
Ｐｒ∝（透磁率）２×（導電率）×（導体の面積）２×（導体の厚さ）３×（励磁周波数）２×（コイル８に流れる電流）２　　　・・・（２）
なお、（２）式は、コイル８中に円筒形の非磁性金属を置き、その金属の内部の磁界が一様であると近似した場合の結果である。今の場合、各陰極２、３の形状は四角柱であるが、発熱量は（２）式によって近似して構わない。
【００４８】
磁性金属においては上記ＰｈとＰｒとの和が全発熱量になり、一方、非磁性金属においてはＰｒが即ち全発熱量になる。
【００４９】
今の場合、第１陰極２は、非磁性金属であるアルミニウムにより構成されているので、その全発熱量Ｐ（１）は抵抗損失による発熱量Ｐｒ（１）と等しい。
【００５０】
一方、第２陰極３は、磁性金属よりなる磁性導電膜３ａを有しているので、ヒステリシス損失による発熱量Ｐｈ（２）と抵抗損失による発熱Ｐｒ（２）との和Ｐｈ（２）＋Ｐｒ（２）が全発熱量Ｐ（２）となる。
【００５１】
各電極の全発熱量Ｐ（１）、Ｐ（２）の周波数依存性は図４のようになる。Ｐ（１）は、抵抗損失による発熱量だけからなり、（１）式よりそれは励磁周波数の二乗の項だけからなる。一方、Ｐ（２）は、励磁周波数の二乗の項に加え、（２）式における励磁周波数の一乗の項をも含む。よって、（１）式及び（２）式中の励磁周波数以外のパラメータを適当に設定すれば、Ｐ（１）とＰ（２）とは図示の如く交点を有し、その交点の周波数ｆ０（以下、境界周波数と言う）を境にして、各陰極２、３の発熱量が反転し、一方が他方よりも優勢に発熱するようになる。
【００５２】
そのような性質を利用して、図１（ｃ）の工程では、その境界周波数ｆ０より高い第１の励磁周波数ｆ１を用いることにより、第１塗膜４の不溶化温度Ｔ１よりも低い温度に第２陰極３の加熱温度を抑えながら、第１陰極２をＴ１よりも高温に加熱する（第１不溶化工程）。その結果、第１陰極２上では第１塗膜４が選択的に不溶化されて第１有機発光層４ａとなる一方、第２陰極３上では塗膜４が不溶化しない。
【００５３】
従って、その第１塗膜４を水やアセトン等の液に曝すと、図１（ｄ）に示すように、第１有機発光層４ａを第１陰極２上に選択的に残しながら、第１塗膜４が除去されることになる。
【００５４】
なお、第１有機発光層４ａは、酸素や水分に触れるとその特性が劣化するので、上述の第１不溶化工程（図１（ｃ））は、真空中（圧力約０．１Ｔｏｒｒ以下）や窒素等の不活性ガスの雰囲気中（大気圧）で行うのが好ましい。
【００５５】
また、（２）式のように、Ｐｒは導電率に比例しているので、第１陰極２の発熱を優勢にするには、第１陰極の材料の抵抗率（導電率の逆数）をできるだけ小さくするのが好ましい。実用的には、抵抗率が１ｍΩｃｍ以下の非磁性金属を第１陰極２に使用するのが好ましい。
【００５６】
更に、交番磁界Ｂの周波数としては３ｋＨｚ〜４００ｋＨｚのものを使用するのが好ましい。周波数の上限を４００ｋＨｚとしたのは、これより大きい周波数では、放射されるノイズが大きくなるためである。また、周波数の下限を３ｋＨｚとしたのは、これより低い周波数では加熱効率（各陰極２、３における磁束の吸収）が低下するためである。一般的な目安としては、１０ｋＨｚ以下ではヒステリシス損失による発熱Ｐｈを利用し、それより高い周波数では抵抗損失による発熱Ｐｒを利用するのが好ましい。
【００５７】
次に、図２（ａ）に示すように、第１塗膜４の形成方法と同じ方法を用いて、第１有機発光層４ａ、第２陰極３上、及び基板１上に第２塗膜５を形成する。この第２塗膜５としては、第１塗膜４と同様に、不溶化温度以上の温度に加熱すると溶媒に不溶化するものを使用する。但し、その第２塗膜５としては、その不溶化温度Ｔ２が第１塗膜４の不溶化温度Ｔ１よりも低い（Ｔ２＜Ｔ１）ものを使用する。この理由は後述する。そのような第２塗膜５用の前駆物質としては、例えば、ポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）の前駆物質であるスルホニウム塩高分子中のベンゼン環の２、５位をエトキシ基で置換したものがある。この前駆物質は、不溶化温度が約５０〜１５０℃程度であり、赤橙色の発光層となるものである。
【００５８】
次に、図２（ｂ）の断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、既述の交番磁界発生部（図３参照）により交番磁界Ｂを発生させ、その交番磁界Ｂに各陰極２、３を曝す。
【００５９】
このとき、励磁周波数ｆ０（図４参照）よりも低い第２の励磁周波数ｆ２を使用することで、第１陰極２の加熱温度を第２塗膜５の不溶化温度Ｔ２よりも低く抑えながら、第２陰極３をＴ２よりも高く加熱し、該第２陰極３上の第２塗膜５を選択的に不溶化して第２有機発光層５ａとする（第２不溶化工程）。
【００６０】
ところで、第１有機発光層４ａは有機物よりなるので、不溶化後にその不溶化温度Ｔ１より高温に加熱されるのは好ましく無い。
【００６１】
そこで、本実施形態では、上記のように不溶化温度が高い塗膜から順に、即ち最初に第１塗膜４（不溶化温度Ｔ１）を不溶化して第１発光層４ａにし、その後に第２塗膜５（不溶化温度Ｔ２＜Ｔ１）を不溶化するようにした。こうすると、第２塗膜５を不溶化する際、第１陰極２の加熱温度はＴ２以下に抑えられているから、該第１陰極２がＴ１より高温に加熱されることがなく、その上の第１有機発光層４ａがＴ１より高温の加熱されるのを防止することができる。
【００６２】
次に、第２塗膜５を水やアセトン等の液に曝すことにより、図２（ｃ）に示すように、第２有機発光層５ａを第２陰極３上に残しながら、第２塗膜５を除去する。
【００６３】
なお、第１有機発光層４ａの場合と同様に、第２有機発光層５ａも酸素や水分に触れるととの特性が劣化するので、上述の第２不溶化工程（図２（ｂ））は真空中や窒素等の不活性ガスの雰囲気中で行うのが好ましい。
【００６４】
次いで、図２（ｄ）に示すように、陽極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用する電子ビーム蒸着法により、第１、第２陰極２，３上に、透明導電膜としてＩＴＯ膜を約８０ｎｍの厚さに形成し、それらを第１、第２陽極６、７とする。
【００６５】
ここまでの工程により、本実施形態に係る有機ＥＬ素子が完成する。この有機ＥＬ素子は、第１有機発光層４ａが黄緑色に発光し、第２有機発光層５ａが赤橙色に発光して、その二色の光が基板１の上方に発光するトップエミッション型の素子である。
【００６６】
以上説明した本実施形態によれば、パターニング用のレジストを使用せずに、第１、第２有機発光層４ａ、５ａを第１、第２陰極２、３上に選択的に残すことができるので、従来のようにレジストと発光層とが混ざり合ってパターニングができないという不都合が生じない。
【００６７】
しかも、電磁誘導による加熱温度の上下関係が境界周波数ｆ０を境にして反転する第１陰極２と第２陰極３とを使用することで、簡便なスピンコート法を用いながら、異なる色を発光する第１、第２有機発光層４ａ、５ａを各陰極上に自己整合的に塗り分けることができる。そのため、各色の有機発光層を対応する陰極上に選択的に塗り分ける場合のように、有機発光層と陰極との位置合わせを行う必要が無い。
【００６８】
更に、電磁誘導を使用することにより、導電体よりなる各陰極２、３を選択的に加熱できる一方、絶縁体よりなる基板１の温度上昇を防止することができるので、基板１が熱により変形する恐れが無い。よって、各有機発光層４ａ、５ａを形成した後の工程において、基板１の熱変形による位置合わせズレを考慮する設計が不要となる。
【００６９】
そのうえ、電磁誘導を使用することで、各陰極２、３が交番磁界Ｂに曝された時点からすぐさま加熱を開始することができ、加熱に時間的な遅延を伴うことが無い。しかも、加熱の具合は実質的に交番磁界Ｂだけによって定まるので、各陰極２、３を再現性良く加熱することができる。
【００７０】
更に、第２陰極３に磁性導電膜３ａを使用したが、磁性導電膜３ａはそのキュリー温度以上に加熱されると磁性を失って非磁性導電膜となるので、発熱量における（１）式の寄与が無くなり、（２）式だけが発熱量に寄与するようになる。よって、キュリー温度を境にして第２陰極３の温度上昇が鈍るので、キュリー温度を第２陰極３の実質的な温度上限とすることができ、第２陰極３の温度コントロールが容易になる。これにより、第２陰極３が過剰に加熱されてその上の第２塗膜５が劣化するのを防ぐことができる。この利点は、以下の全ての実施形態において、磁性導電膜を電磁誘導により加熱する場合にも同様にして得ることができる。
【００７１】
なお、キュリー温度は、磁性導電膜３ａの組成を連続的に変えることにより、連続的に調整することが可能である。例えば、Ｎｉのキュリー温度は３５８℃であるが、Ｎｉ４０％−Ｆｅ６０％（パーマロイ）では３００℃となる。
【００７２】
また、上記では、第１陰極２を一層の非磁性導電膜（アルミニウム膜）で構成したが、第２陰極３と同様に、第１陰極２を非磁性導電膜と磁性導電膜との二層構造にしてもよい。その場合は、第１陰極２における非磁性導体膜の厚さを、第２陰極３における非磁性導電膜の厚さよりも厚くすることで、図４と同じ傾向の（励磁周波数）−（発熱量）特性が得られるので、上記と同様の利点を得ることができる。
【００７３】
（２）第２の実施の形態
上記した第１実施形態の有機ＥＬ素子はトップエミッション型であったが、本発明によればボトムエミッション型のものも作製可能である。ボトムエミッション型を作製するには、次のようなプロセスに従う。
【００７４】
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス等の光学的に透明な絶縁体よりなる基板１上に透明導電膜としてＩＴＯを約１５０〜３００ｎｍの厚さに形成し、それをフォトリソグラフィによりパターニングして第１透明導体パターン１０、第２透明導体パターン１１とする。
【００７５】
次に、図５（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、フォトリソグラフィにより、第２透明導体パターン１１の全体を覆い、且つ第１透明導体パターン１０の上面を覆うレジストパターン１４を形成する。第１透明導体パターン１０の側面は、レジストパターン１４で覆わず、露出するようにする。
【００７６】
次いで、基板１と第１導体パターン１０とを硫酸銅浴（硫酸銅２００ｇ／ｌ、硫酸５０ｇ／ｌ、塩化物９０ｐｐｍ）等のめっき液中に浸し、電解めっきにより、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で第１導体パターン１０に給電を行いながらその側壁にＣｕよりなる非磁性導電膜１２を厚さ約２００〜５００ｎｍ程度に形成して、それを第１導体パターン１０と共に第１陽極１３として使用する。このとき、フォトリソグラフィにおける位置合わせ誤差を考慮して、レジストパターン１４を第１透明導体パターン１０の上面よりも小さく形成しておく。この場合、非磁性導電膜１２は、第１透明導体パターン１０の側面だけでなく、その上面の縁部にも形成されることになる。
【００７７】
次に、図５（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、フォトリソグラフィにより、第１陽極１３の全体を覆い、且つ、第２透明導体パターン１１の上面を覆うレジストパターン１５を形成する。第２透明導体パターン１１の側面は、レジストパターン１５で覆わず、露出するようにする。この際、既述のように、レジストパターン１５を第２透明導体パターン１１の上面よりも小さく形成するのが好ましい。
【００７８】
次いで、基板１と第２導体パターン１１とをニッケル−リン浴（硫酸ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム３０ｇ／ｌ、ピロリン酸ナトリウム６０ｇ／ｌ、トリエタノールアミン１００ｇ／ｌ）等のめっき液中に浸し、無電解めっきにより、第２導体パターン１１の側壁にＮｉよりなる磁性導電膜１６を形成して、それを第２導体パターン１１と共に第２陽極１７として使用する。
【００７９】
上記によって、第１陽極１３と第２陽極１７とが形成されたが、このうち第１陽極１３は非磁性導電膜１２を有し、一方、第２陽極１７は磁性導電膜１６を有しているので、各陽極１３、１７は異なる材料からなる。よって、電磁誘導におけるこれらの陽極１３、１７の（励磁周波数）−（発熱量）特性は図４と略同じ傾向を示し、境界周波数ｆ０を境にして加熱温度が反転するので、第１実施形態で説明した有機発光層の色分けを行うことが可能となる。
【００８０】
そこで、次の工程より、第１実施形態で説明した有機発光層の色分けの工程に移る。
【００８１】
最初に、図５（ｄ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、既述のポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）の前駆体であるスルホニウム塩高分子を水やアセトン等の溶媒中に溶かしてなる溶液を作製し、それをスピンコートにより全面に塗布する。塗布後、その溶液を乾燥させて、第１有機発光層用の第１塗膜１８（不溶化温度Ｔ１）とする。
【００８２】
次いで、図６（ａ）に示すように、境界周波数ｆ０よりも高い第１の励磁周波数を使用する電磁誘導により、第２陽極１７が不溶化温度Ｔ１よりも高温になるのを抑えつつ、第１陽極１３を不溶化温度Ｔ１よりも高温に加熱して、第１陽極１３上の第１塗膜１８を選択的に不溶化して第１有機発光層１８ａとする。この第１有機発光層１８ａは、黄緑色の光を発光するものである。
【００８３】
続いて、第１塗膜１８を水やアセトン等の液に曝すことにより、図６（ｂ）に示すように、不溶化していない部分の第１塗膜１８を除去すると共に、第１有機発光層１８ａを第１陽極１３上に選択的に残す。
【００８４】
次に、図６（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、ポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）の前駆体であるスルホニウム塩高分子中のベンゼン環の２、５位をエトキシ基で置換した高分子を水やアセトン等の溶媒中に溶かしてなる溶液を作製する。次いで、その溶液を、第１有機発光層１８ａ上、第２陽極１７上、及び基板１上にスピンコートし、その後乾燥させ、第２有機発光層用の第２塗膜１９（不溶化温度Ｔ２＜Ｔ１）とする。
【００８５】
次いで、図６（ｄ）に示すように、境界周波数ｆ０よりも低い第２の励磁周波数を使用する電磁誘導により、第１陽極１３が不溶化温度Ｔ２よりも高温になるのを抑えつつ、第２陽極１７を不溶化温度Ｔ２よりも高温に加熱して、第２陽極１７上の第２塗膜１９を選択的に不溶化して第２有機発光層１９ａとする。この第２有機発光層１９ａは、赤橙色の光を発光するものである。
【００８６】
続いて、第２塗膜１９を水やアセトン等の液に曝すことにより、図７（ａ）に示すように、不溶化していない部分の第２塗膜１９を除去すると共に、第２有機発光層１９ａを第２陽極１７上に選択的に残す。
【００８７】
次に、図７（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、陰極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用する電子ビーム蒸着法により、第１、第２有機発光層１８ａ、１９ａの上にアルミニウムとリチウムとの合金膜（Ａｌ−Ｌｉ膜）を厚さ約５０ｎｍ程度に形成する。次いで、そのＡｌ−Ｌｉ膜の上に、シャドウマスクを使用する電子ビーム蒸着法によりアルミニウム膜を厚さ約２５０ｎｍ程度に形成する。そして、上記のＡｌ−Ｌｉ膜とアルミニウム膜との積層膜を、第１陰極２０及び第２陰極２１として使用する。各陰極２０、２１にＡｌ−Ｌｉのような仕事関数の小さい金属を使用することで、各陰極２０、２１と各有機発光層１８ａ、１９ａとの間のポテンシャルバリアを小さくすることができ、有機発光層１８ａ、１９ａに電子を効率良く注入することができる。
【００８８】
ここまでの工程により、本実施形態に係る有機ＥＬ素子が完成する。
【００８９】
上記した本実施形態によれば、各発光層１８ａ、１９ａからの光を各透明導体パターン１０、１１及び光学的に透明な基板１を通して外部へ取り出すことができる、ボトムエミッション型の素子を提供することができる。
【００９０】
また、非磁性導電膜１２や磁性導電膜１６は、正孔の注入電極として使用されないから、その仕事関数が小さい必要がなく、その材料の選定が比較的自由となる。
【００９１】
更に、透明導体パターン１０、１１としては、ＩＴＯのように通常の導体よりも電気抵抗が二桁程度大きいものが使用されるが、その側壁に抵抗の小さい非磁性導電膜１２や磁性導電膜１６を設けることで、各陽極１３、１７を低抵抗化することができる。従って、単純マトリックス表示装置のように陽極１３、１７がバスラインとして機能する場合には、そのバスラインが低抵抗化されることから、バスラインを延長しても、該バスラインにおける信号の遅延が防止されてその信号波形の変形が極力防がれるので、表示領域を拡大することが可能となる。
【００９２】
（３）第３の実施の形態
上記した第２実施形態では、二色発光のボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を製造した。本発明では、二色発光の素子の他に、単色発光のボトムエミッション型の有機ＥＬ素子も製造し得る。以下、それについて説明する。
【００９３】
最初に、図８（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、ガラス等の光学的に透明な絶縁体よりなる基板１上に透明導電膜としてＩＴＯを厚さ約３００ｎｍの厚さに形成し、その上にレジストパターン２３を形成する。そして、このレジストパターン２３をエッチングマスクにし、シュウ酸を使用するウエットエッチングにより、透明導電膜をパターニングして複数の透明導体パターン２２とする。
【００９４】
次に、図８（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、レジストパターン２３が残存する状態の透明導体パターン２２をニッケル−リン浴等のめっき液中に浸し、無電解めっきにより、各透明導体パターン２２の側壁にＮｉよりなる導電膜２４を形成して、それを透明電極パターン２２と共に陽極２５として使用する。本実施形態では、有機発光層の塗り分けを行わないので、各陽極２５の導電膜２４に共通の材料を使用してよい。
【００９５】
このめっきにおいては、透明導体パターン２２の形成時に使用したレジストパターン２３がめっきレジストとして機能するので、第２実施形態のようにめっき用に新たにレジストを形成する必要が無く、しかもレジストパターン２３によって透明導体パターン２２の側壁に導電膜２４をセルフアライン的に形成することができる。
【００９６】
次に、図８（ｃ）に示すように、有機発光層用の塗布液をスピンコートにより全面に塗布し、それを乾燥させて塗膜２６とする。そのような塗膜２６用の塗布液としては、第１実施形態で説明した、ｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）の前駆体であるスルホニウム塩高分子や、該高分子のベンゼン環の２、５位をエトキシ基で置換したＰＰＶ誘導体の前駆体であるスルホニウム塩高分子等を既述の溶媒に溶解したものが挙げられる。
【００９７】
なお、本実施形態では、有機発光層の塗り分けを行わないから、この塗膜２６の不溶化温度について特に気にする必要は無い。
【００９８】
次いで、図８（ｄ）に示すように、既述の交番磁界発生部（図３）により発生した磁界Ｂに各陽極２５を曝し、電磁誘導により陽極２５を塗膜２６の不溶化温度以上の温度に加熱する。その結果、陽極２５上の塗膜２６が選択的に加熱されて不溶化し、有機発光層２６ａとなる。
【００９９】
既述の如く、この不溶化工程を真空中や不活性ガスの雰囲気中で行うことで、有機発光層２６ａの特性が酸素や水分により劣化するのを防ぐことができる。
【０１００】
続いて、塗膜２６を記述の水等の液に曝すことにより、図９（ａ）に示すように、不溶化されていない部分の塗膜２６を溶解して除去すると共に、有機発光層２６ａを各陽極２５上に残す。
【０１０１】
次に、図９（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、陰極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用する電子ビーム蒸着法により、各有機発光層２６ａの上にアルミニウムとリチウムとの合金膜（Ａｌ−Ｌｉ膜）を厚さ約５０ｎｍ程度に形成する。次いで、そのＡｌ−Ｌｉ膜の上に、上記と同じシャドウマスクを使用する電子ビーム蒸着法によりアルミニウム膜を厚さ約２５０ｎｍ程度に形成する。そして、上記のＡｌ−Ｌｉ膜とアルミニウム膜との積層膜を、陰極２７として使用する。
【０１０２】
ここまでの工程により、本実施形態に係る単色発光の有機ＥＬ素子が完成する。
【０１０３】
本実施形態によれば、第２実施形態と同様にボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を製造することができ、第２実施形態と同様の利点を得ることができる。しかも、本実施形態では、有機発光層２６ａの色分けを行わないので、透明導体パターン２２をパターニングするのに使用したレジストパターン２３をそのままめっきレジストとして使用することができる。よって、透明導体パターン２２の側壁に導電膜２４を形成するための新たなレジストが不要となるので、工程数の増加やプロセスの煩雑化を防止することができる。
【０１０４】
（４）第４の実施の形態
次に、本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【０１０５】
最初に、図１０（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、ガラス等の絶縁体よりなる基板１上に透明導電膜としてＩＴＯを約１５０ｎｍの厚さに形成し、それをフォトリソグラフィによりパターニングして、赤色用陽極３０Ｒ、青色用陽極３０Ｂ、及び緑色用陽極３０Ｇとする。
【０１０６】
次に、図１０（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、各陽極３０Ｒ〜３０Ｇ上と基板１上とに、赤色有機発光層用の塗布液をスピンコートにより厚さ約５００ｎｍ程度に塗布し、それを乾燥させて赤色用塗膜３１（不溶化温度Ｔ１）とする。そのような塗膜３１の塗布液としては、例えば、既述したポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）のスルホニウム塩高分子中のベンゼン環の２、５位をエトキシ基で置換したＰＰＶ誘導体の前駆体を既述の溶媒中に溶かしたものがある。
【０１０７】
また、これとは別に、ガラス等の絶縁体よりなる加熱用基板３２の上に、例えば厚さ約１μｍのアルミニウム膜を形成し、それをパターニングすることで導体パターン３３を形成する。その導体パターン３３は、同色の陽極（例えば赤色用陽極３０Ｒ）のピッチと同じ間隔を置いて複数形成される。
【０１０８】
次に、図１０（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、導体パターン３３が赤色用陽極３０Ｒと対向するように加熱用基板３２と基板１とを位置合わせする。その後、加熱用基板３２を基板１に向けて降ろし、導体パターン３３を赤色用塗膜３１に当接させる。
【０１０９】
続いて、交番磁界発生部（図３参照）において発生した第１の励磁周波数の交番磁界Ｂに導体パターン３３を曝すことにより、電磁誘導によってその導体パターン３３を発熱させる。発熱温度は、第１の励磁周波数によって調整することができ、今の場合赤色用塗膜３１の不溶化温度Ｔ１以上とする。これにより、導体パターン３３が当接する部分の赤色用塗膜３１が選択的に不溶化され、赤色有機発光層３１Ｒとなる。
【０１１０】
なお、導体パターン３３が赤色用塗膜３１に当接することで該赤色用塗膜３１に傷がつく恐れがある場合は、図１４のように、導体パターン３３を覆う緩衝膜３６を加熱用基板３２上に形成するのが好ましい。そのような緩衝膜３６としては有機膜を使用するのが好ましく、例えば、厚さ約１μｍのレジストを使用し得る。この点は、後の工程でも同様である。
【０１１１】
また、上記では導体パターン３３を赤色用塗膜３１に当接させて赤色用塗膜３１を直接的に加熱したが、導体パターン３３を赤色用塗膜３１に近接させることによっても、導体パターン３３からの輻射熱等によって赤色用塗膜３１を加熱することができる。この場合、赤色用陽極３０Ｒの短辺幅以下の距離、例えば５μｍ以下の距離に導体パターン３３を赤色用塗膜３１に近接させることで、赤色用塗膜３１を効果的に加熱することができる。これについては、後の工程でも同様である。
【０１１２】
その後、この赤色用塗膜３１を記述の液に曝すことにより、図１１（ａ）に示すように、不溶化されていない部分の赤色用塗膜３１が選択的に除去されて、赤色有機発光層３１Ｒが赤色用陽極３０Ｒ上に残る。
【０１１３】
次に、図１１（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、青色有機発光層用の塗布液をスピンコートにより基板１上に厚さ約５００ｎｍ程度に塗布し、それを乾燥させて青色用塗膜３４（不溶化温度Ｔ２）とする。この場合に使用される塗布液としては、例えば、ポリパラフェニレン（ｐｐｐ）の前駆物質を既述の溶媒に溶解したものがある。
【０１１４】
そして、これとは別に、既述の導体パターン３３が形成された加熱用基板３２を用意する。その加熱用基板３２は、赤色用塗膜３１を加熱した場合（図１０（ｂ））よりも１ピッチ（隣接する陽極３１Ｒ〜３１Ｇ間の距離）だけ横方向にシフトされ、各導体パターン３３が青色用陽極３０Ｂと対向するように基板１と位置合わせされる。
【０１１５】
次に、図１１（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、導体パターン３３が青色用陽極３０Ｂと対向した状態で加熱用基板３２を基板１に向けて降ろし、導体パターン３３を青色用塗膜３４に当接させる。
【０１１６】
続いて、交番磁界発生部（図３参照）において発生した第２の励磁周波数の交番磁界Ｂに導体パターン３３を曝すことにより、電磁誘導によってその導体パターン３３を発熱させ、その温度を青色用塗膜３４の不溶化温度Ｔ２よりも高温にする。これにより、導体パターン３３が当接する部分の青色用塗膜３４が選択的に不溶化され、青色有機発光層３４Ｂとなる。
【０１１７】
その後、この青色用塗膜３４を記述の液に曝すことにより、図１２（ａ）に示すように、不溶化されていない部分の青色用塗膜３４が選択的に除去されて、青色有機発光層３４Ｂが青色用陽極３０Ｂ上に残る。
【０１１８】
次に、図１２（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、緑色有機発光層用の塗布液をスピンコートにより基板１上に厚さ約５００ｎｍ程度に塗布し、それを乾燥させて緑色用塗膜３７（不溶化温度Ｔ３）とする。この場合に使用される塗布液としては、例えば、既述したポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体の前駆体であるスルホニウム塩高分子を既述の溶媒に溶解したものが使用される。
【０１１９】
また、これとは別に、既述の導体パターン３３が形成された加熱用基板３２を用意する。その加熱用基板３２は、青色用塗膜３４を加熱した場合（図１１（ｂ））よりも１ピッチだけ横方向にシフトされ、各導体パターン３３が緑色用陽極３０Ｇと対向するように基板１と位置合わせされる。
【０１２０】
次に、図１２（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、導体パターン３３が緑色用陽極３０Ｇと対向した状態で加熱用基板３２を基板１に向けて降ろし、導体パターン３３を緑色用塗膜３７に当接させる。
【０１２１】
続いて、交番磁界発生部（図３参照）において発生した第３の励磁周波数の交番磁界Ｂに導体パターン３３を曝すことにより、電磁誘導によってその導体パターン３３を発熱させ、その温度を緑色用塗膜３７の不溶化温度Ｔ３よりも高温にする。これにより、導体パターン３３が当接する部分の緑色用塗膜３７が選択的に不溶化され、緑色有機発光層３７Ｇとなる。
【０１２２】
その後、この緑色用塗膜３７を記述の液に曝すことにより、図１３（ａ）に示すように、不溶化されていない部分の青色用塗膜３７が選択的に除去されて、緑色有機発光層３７Ｇが緑色用陽極３０Ｇ上に残る。
【０１２３】
次に、図１３（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１２４】
まず、陰極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用する電子ビーム蒸着法により、各色の有機発光層３１Ｒ、３４Ｂ、３７Ｇの上にアルミニウムとリチウムとの合金膜（Ａｌ−Ｌｉ膜）を厚さ約５０ｎｍ程度に選択的に形成する。次いで、そのＡｌ−Ｌｉ膜の上に、上記と同じシャドウマスクを使用する電子ビーム蒸着法によりアルミニウム膜を厚さ約２５０ｎｍ程度に選択的に形成する。そして、上記のＡｌ−Ｌｉ膜とアルミニウム膜との積層膜を、赤色用陰極３８Ｒ、青色用陰極３８Ｂ、緑色用陰極３８Ｇとして使用する。
【０１２５】
ここまでの工程により、本実施形態に係る有機ＥＬ素子が完成する。この有機発光素子は、ボトムエミッション型であり、更に赤色有機発光層３１Ｒ、青色有機発光層３４Ｂ、緑色有機発光層３７Ｇが形成されているので、フルカラー表示が可能となる。
【０１２６】
本実施形態によれば、第１〜第３の実施形態と異なり、基板１上の各陽極３０Ｒ〜３０Ｇを発熱させるのではなく、それらに対向して設けられた導体パターン３０を電磁誘導により所望の温度に発熱させ、各色用の塗膜３１、３４、３７を選択的に加熱する。このように、陽極３０Ｒ〜３０Ｇは、各塗膜３１、３４、３７を加熱する役割を担わないので、それらの形状や大きさ、材料等に制限が生じず、各陽極３０Ｒ〜３０Ｇの設計の自由度が大きく、それらを思いのままの形状に設計することができる。
【０１２７】
よって、第２〜第３実施形態のようにＩＴＯよりなる各陽極３０Ｒ〜３０Ｇの側壁に導体膜や磁性導電膜を形成すること無しに、それらの上に有機発光層３１Ｒ、３４Ｂ、３７Ｇを形成することができるようになる。
【０１２８】
また、陽極３０Ｒ〜３０Ｇと陰極との形成順序も逆にすることができ、陽極３０Ｒ〜３０Ｇの代わりに陰極を先に基板１上に形成することもできる。
【０１２９】
しかも、加熱温度は、第１〜第３の励磁周波数のみを変えることにより所望に制御することができ、温度設定が容易となる。
【０１３０】
更に、導体パターン３０が形成された加熱用基板３２は、何度も使用することができるので経済的である。
【０１３１】
そして、各塗膜３１、３４、３７における加熱領域の境界、すなわち、導体パターン３０の縁部が当接する部位を高精度に決める必要が無いので、導体パターン３０と陽極３０Ｒ〜３０Ｇとの位置合わせが容易であり、その位置合わせを実行する装置として簡便なものを使用できる。
【０１３２】
なお、上記では、各色の有機発光層３１Ｒ、３４Ｂ、３７Ｇを基板１の上方に間隔を置いて交互に形成したが、本実施形態はこれに限られない。例えば、基板１を色毎に三つの領域に分け、各領域にその色の有機発光層を集積形成することで、エリアカラーも実現することができる。
【０１３３】
（５）第５の実施の形態
次に、本発明の第５の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
【０１３４】
上記第１〜第４実施形態では、有機発光層用の塗膜をスピンコートにより形成した。本実施形態では、これに代えて、印刷法により有機発光層用の塗膜を形成する。
【０１３５】
最初に、図１５（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、陰極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用する電子ビーム蒸着により、ガラス等の絶縁体よりなる基板１上に、アルミニウム合金よりなる赤色用陰極４０Ｒを厚さＴＨＲに形成する。厚さＴＨＲは、アルミニウムの蒸着時間を調節することにより任意に制御可能である。
【０１３６】
次いで、上記のシャドウマスクを横方向に１ピッチだけずらし、電子ビーム蒸着により、基板１上にアルミニウムよりなる青色用陰極４０Ｂを厚さＴＨＢに形成する。更に、このシャドウマスクを横方向にもう１ピッチだけずらし、電子ビーム蒸着により、基板１上にアルミニウムよりなる緑色用陰極４０Ｇを厚さＴＨＧに形成する。
【０１３７】
このように、各陰極４０Ｒ〜４０Ｇに対して一つのシャドウマスクを共通に使用すると共に、アルミニウムの蒸着時間を陰極４０Ｒ〜４０Ｇ毎に変えることで、電極の厚みを陰極４０Ｒ〜４０Ｇ毎に変えることができる。
【０１３８】
次に、図１５（ｂ）に示すように、オフセット印刷用の平版４５を用意し、その平版４５の印刷面上に、塗布装置を使用して赤色有機発光層用の塗布液４６を塗布する。塗布液４６としては、例えば、既述したポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）のスルホニウム塩高分子中のベンゼン環の２、５位をエトキシ基で置換したＰＰＶ誘導体の前駆体を既述の溶媒中に溶かしたものがある。
【０１３９】
なお、平版４５の印刷面には、赤色用陰極４０Ｒに対応した凸部４５ａが形成されている。
【０１４０】
続いて、この平版４５の印刷面を基板１に押圧することにより、塗布液４６を赤色用陰極４０Ｒ上に選択的に印刷する。印刷が終了後、図１５（ｃ）に示すように、赤色用陰極４０Ｒ上の塗布液４６を乾燥させて、赤色用塗膜４１（不溶化温度Ｔ１）とする。
【０１４１】
その後、上記と同様の印刷工程を青色用陰極４０Ｂと緑色用陰極４０Ｇに対しても行うことで、図１６（ａ）に示すように、これらの陰極４０Ｂ、４０Ｇ上に青色用塗膜４２（不溶化温度Ｔ２）と緑色用塗膜４３（不溶化温度Ｔ３）を選択的に印刷する。このうち、青色用塗膜４２の塗布液としては、例えば、ポリパラフェニレン（ｐｐｐ）の前駆物質を既述の溶媒に溶解したものが使用される。また、緑色用塗膜４３の塗布液としては、例えば、既述したポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）の前駆体であるスルホニウム塩高分子を既述の溶媒に溶解したものが使用される。
【０１４２】
次に、図１６（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。まず、各塗膜４１〜４３を加熱して不溶化すべく、既述の交番磁界発生部（図３参照）により交番磁界Ｂを発生させ、各陰極４０Ｒ〜４０Ｇをその交番磁界Ｂに曝すことで、各陰極４０Ｒ〜４０Ｇを電磁誘導により一括して発熱させる。ここで、塗膜４１〜４３の不溶化温度Ｔ１〜Ｔ３は通常は塗膜毎に異なるので、各陰極４０Ｒ〜４０Ｇを同じ温度に発熱させる訳にはいかず、不溶化温度Ｔ１〜Ｔ３に応じて個々の陰極４０Ｒ〜４０Ｇの発熱温度を変える必要がある。なお、不溶化温度Ｔ１〜Ｔ３の中の最高温度以上に全ての陰極４０Ｒ〜４０Ｇを発熱させることも考えられるが、これでは、その最高温度以下で不溶化する塗膜が過度に加熱されてその特性が劣化してしまうので好ましくない。
【０１４３】
そこで、本実施形態では、陰極４０Ｒ〜４０Ｇが導電体（アルミニウム合金）よりなり、その発熱量がその厚さに依存する（第１実施形態の式（２）参照）ことに着目し、陰極４０Ｒ〜４０Ｇの形成工程（図１５（ａ））において、陰極４０Ｒ〜４０Ｇの各々の厚さＴＨＲ〜ＴＨＧを塗膜４１〜４３の不溶化温度Ｔ１〜Ｔ３に応じて変えるようにする。
【０１４４】
第１実施形態の式（２）によれば、発熱量Ｐｒは厚さの３乗に比例しているので、不溶化温度が低い塗膜の陰極の厚さを薄くし、不溶化温度が高い塗膜の陰極の厚さを厚くすればよいことになる。
【０１４５】
例えば、不溶化温度がＴ１＜Ｔ２＜Ｔ３の場合は、各陰極４０Ｒ〜４０ＧをそれぞれＴＨＲ＜ＴＨＢ＜ＴＨＧとすることで、各々の塗膜４１〜４３を過剰に加熱すること無しに、最適な温度で不溶化することができる。
【０１４６】
この工程により、各塗膜４１〜４３は不溶化され、それぞれ赤色有機発光層４１Ｒ、青色有機発光層４２Ｂ、及び緑色有機発光層４３Ｇとなる。各色の有機発光層４１Ｒ、４２Ｂ、４３Ｇは、印刷法により各陰極４０Ｒ〜４０Ｇ上に予め選択的に印刷されているので、不溶化されていない塗膜を除去する工程をこの後に行う必要は無い。
【０１４７】
次に、図１６（ｃ）に示すように、陽極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用する電子ビーム蒸着法により、各有機発光層４１Ｒ、４２Ｂ、４３Ｇの上に透明導電膜としてＩＴＯ膜を約８０ｎｍの厚さに選択的に形成し、それらを赤色用陽極４４Ｒ、青色用陽極４４Ｂ、及び緑色用陽極４４Ｇとする。
【０１４８】
本実施形態によれば、印刷法により、各色用の陰極４０Ｒ〜４０Ｇ上に各色用の塗膜４１〜４３を選択的に印刷するので、第１〜第４実施形態のように各色の塗膜毎に不溶化工程を行う必要がなく、１回の不溶化工程で全ての塗膜４１〜４３を一括して不溶化することができるので、プロセスの煩雑化が防止される。
【０１４９】
しかも、塗膜４１〜４３の不溶化温度に応じて各陰極４０Ｒ〜４０Ｇの厚さを変えることで、電磁誘導における各陰極４０Ｒ〜４０Ｇの発熱量を異ならせることができるため、塗膜４１〜４３がそれぞれに最適な温度で不溶化され、それらを過剰に加熱してその特性を劣化させてしまうのを防ぐことができる。
【０１５０】
なお、上記では、陰極４０Ｒ〜４０Ｇとして非磁性金属であるアルミニウムを使用したが、これに代えて、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇｄ、及びＴｂ等の磁性金属を使用してもよい。その場合は、陰極の総発熱量はヒステリシス損失によるもの（Ｐｈ）と抵抗損失によるもの（Ｐｒ）との和になるが、Ｐｈが陰極の体積に依存する（第１実施形態の式（１））ことから、結局Ｐｈも陰極の厚さに依存すると言える。よって、陰極４０Ｒ〜４０Ｇとして上述のような磁性金属を使用する場合であっても、その厚さを塗膜４１〜４３毎に変えることで上記の利点を得ることができる。
【０１５１】
更に、上記では塗膜４０Ｒ〜４０Ｇの不溶化温度に応じて陰極４０Ｒ〜４０Ｇの厚さを個別に変えたが、第１実施形態の式（１）、（２）によれば、厚さの他に、陰極の材料、面積、等を変えてもよいことが分かる。
【０１５２】
なお、本実施形態においては、塗膜４１〜４３を加熱して各色の有機発光層４１Ｒ、４２Ｂ、４３Ｇにしてから各陽極４４Ｒ〜４４Ｇを形成したが、本実施形態はこれに限られない。例えば、各塗膜４１〜４３を形成し、その上に各陽極４４Ｒ〜４４Ｇを形成した後に、塗膜４１〜４３を加熱して有機発光層４１Ｒ、４２Ｂ、４３Ｇにしてもよい。
【０１５３】
（６）その他の実施の形態
第１実施形態の式（１）、（２）により、励磁周波数が高いほど電磁誘導による発熱量が大きくなるのが理解される。よって、大きな発熱量が望ましい場合は、励磁周波数を高くすることで対応すればよいことになる。
【０１５４】
しかしながら、高い励磁周波数を発生するには、高価な交番磁界発生部を必要とし、しかもその交番磁界発生部の回路構成が煩雑になり、更には周辺に高周波の交番磁界が漏れ出して周囲の電子機器に悪影響を及ぼす恐れがある。
【０１５５】
そこで、上述の第１〜第５実施形態においては、電磁誘導による加熱を行う前やその最中に、補助加熱手段を用いて、電極を予め室温よりも高い温度に加熱するのが好ましい。
【０１５６】
そのような補助加熱手段としては、例えば、図１７（ａ）に示すような抵抗加熱を利用したホットプレート５０がある。そのホットプレート５０上に基板１を載置することで、基板１とその上の電極（不図示）を約１００℃程度に加熱する。
【０１５７】
或いは、ホットプレートに代えて、図１７（ｂ）に示すように、レーザ加熱やランプ加熱により電極を加熱してもよい。
【０１５８】
そのような補助加熱手段を使用することで、高周波の交番磁界を使用しなくとも電極を所望の温度にまで加熱することができる。
【０１５９】
【実施例】
以下、本発明者が実際に行った実施例について説明する。
【０１６０】
（１）第１実施例
本実施例は、既述の第１実施形態を単純マトリックスの二色エリアカラーの表示装置に適用したものである。
【０１６１】
まず、図１８の平面図に示すように、帯状の第１陰極２と第２陰極３とが電気的に接続してなるデータバスライン６０を基板１上に間隔を置いて複数形成した。基板１としては、平面サイズが３０ｍｍ×３０ｍｍの正方形のガラス基板を使用した。また、データバスライン６０の幅は３０μｍとし、それを１０μｍの間隔を隔てながら全部で２００本形成した。
【０１６２】
図１８のＩ−Ｉ線断面図とＩＩ−ＩＩ線断面図をそれぞれ図１９（ａ）、（ｂ）に示す。
【０１６３】
図１９（ａ）に示すように、第２陰極３は既述の磁性導電膜３ａと被覆膜３ｂとの二層構造を有する。磁性導電膜３ａは、シャドウマスクを使用する電子ビーム蒸着により形成され、その厚さを２５０ｎｍとし、その材料としてパーマロイ（４０Ｎｉ−６０Ｆｅ）を使用した。また、被覆膜３ｂとして厚さが３０ｎｍのＡｌ層を使用した。
【０１６４】
一方、図１９（ｂ）に示す第１陰極２としては、厚さが３００ｎｍのＡｌ層を使用した。この第１陰極２と被覆層３ｂとは、同一のシャドウマスクを使用する電子ビーム蒸着により形成された。
【０１６５】
次に、図２０に示す平面構造を得るまでの工程について説明する。まず、ポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体の前駆体であるスルホニウム塩高分子（不溶化温度：１５０〜３００℃）を水に溶解してなる塗布液をスピンコートにより厚さ１２０ｎｍに全面に形成した後、それを窒素の雰囲気中３０℃で３０分間乾燥させ、第１塗膜とした。
【０１６６】
その後、既述の第１不溶化工程を行い、第１陰極２上の第１塗膜を選択的に不溶化して、第１有機発光層４ａとした。この第１有機発光層４ａは、−［Ｃ６Ｈ４−ＣＨ（Ｓ＋Ｅｔ２Ｂｒ−）ＣＨ２］ｎ−なる高分子により構成され、黄緑色に発光するものである。
【０１６７】
この第１不溶化工程は、大気圧の窒素雰囲気中で行われ、交番磁界発生部（図３参照）のコイル８に１００ｋＨｚの交流電流を流し、１００ｋＨｚの交番磁界Ｂを発生させ、第１陰極２を約２００℃に加熱した。
【０１６８】
その後、全体を水に浸し、不溶化されていない部分の第１塗膜を除去した。
【０１６９】
なお、図２０のＩ−Ｉ線断面図及びＩＩ−ＩＩ線断面図は、それぞれ図２１（ａ）、（ｂ）の通りである。
【０１７０】
次に、図２２に示す平面構造を得るまでの工程について説明する。まず、上記ＰＰＶ誘導体の前駆体におけるベンゼン環の２、５位をエトキシ基で置換したものを水に溶解してなる塗布液をスピンコートにより厚さ１２０ｎｍに全面に形成した後、それを窒素の雰囲気中３０℃で３０分間乾燥させ、第２塗膜（不溶化温度：５０〜１５０℃）とした。
【０１７１】
その後、既述の第２不溶化工程を行い、第２陰極３上の第２塗膜を選択的に不溶化し、第２有機発光層５ａとした。この第２有機発光層５ａは、−［Ｃ６Ｈ２（ＯＣ２Ｈ５）２−ＣＨ（Ｓ＋Ｅｔ２Ｂｒ−）ＣＨ２］ｎ−なる高分子により構成され、赤橙色の光を発光するものである。
【０１７２】
この第２不溶化工程においては、既述の第１不溶化工程と同じ交番磁界発生部を使用し、コイル８（図３参照）への入力電流の周波数を１０ｋＨｚ、そのパワーを１００ｗとして、大気圧の窒素雰囲気中で第２陰極３を８０℃に加熱した。
【０１７３】
その後、全体を水に浸し、不溶化されていない部分の第２塗膜を除去した。
【０１７４】
なお、図２２のＩ−Ｉ線断面図及びＩＩ−ＩＩ線断面図は、それぞれ図２３（ａ）、（ｂ）のようになる。
【０１７５】
次に、図２４の平面図に示すように、陽極形状の開口が形成されたシャドウマスク（不図示）を使用する電子ビーム蒸着により、ＩＴＯを厚さ約８０ｎｍに形成し、幅３０μｍの帯状の走査バスライン（陽極）６１とする。その走査バスライン６１は、データバスライン６０と直交する方向に延在し、１０μｍの間隔を置きながら全部で１２０本形成された。
【０１７６】
以上により、本実施例に係る有機ＥＬ表示装置が完成する。この表示装置は、第１陰極２が配列された領域では黄緑色に発光し、第２陰極３が配列された領域では赤橙色に発光する、二色エリアカラーのトップエミッション型の表示装置である。
【０１７７】
（２）第２実施例
本実施例は、記述の第４実施形態を単純マトリックス型の二色エリアカラーの表示装置に適用したものである。
【０１７８】
まず、図２６の平面図に示すように、第１実施形態と同じ基板１の全面にＩＴＯを厚さ１５０ｎｍに形成し、それをフォトリソグラフィによりパターニングして、帯状の走査バスライン６５（陽極）を幅３０μｍに形成した。この走査バスライン６５の上半分は赤色用陽極３０Ｒとして機能し、下半分は緑色用陽極３０Ｇとして機能する。このバスライン６５は、１０μｍの間隔を置いて２２０本形成された。
【０１７９】
なお、図２６のＩ−Ｉ線断面図とＩＩ−ＩＩ線断面図は、それぞれ図２７（ａ）、（ｂ）のようになる。
【０１８０】
次いで、図２８の平面構造を得るまでの工程について説明する。まずポリｐフェニレンビニレン（ＰＰＶ）の前駆体であるスルホニウム塩高分を水に溶解してなる塗布液をスピンコートにより厚さ１２０ｎｍに全面に形成した後、それを窒素の雰囲気中３０℃で３０分間乾燥させ、緑色用塗膜３７（不溶化温度：１５０〜３００℃）とした。
【０１８１】
また、これと共に、図２９に示す加熱用基板３２を用意した。この加熱用基板３２としてはガラス基板を使用し、不図示のシャドウマスクを用いる電子ビーム蒸着により、加熱用基板３２の表面上にアルミニウムよりなる厚さ１μｍの導体パターン３３を形成した。この導体パターン３３は、走査バスライン６５（図２６参照）の下半分、すなわち緑色用陽極３０Ｇと同じパターン形状を有する。
【０１８２】
次に、この加熱用基板３２と基板１とを対向させ、その後それぞれの導体パターン３３と緑色用陽極３０Ｇとを位置あわせした後、導体パターン３３を緑色用塗膜３７に当接させる。当接後の図２９のＩ−Ｉ線断面図とＩＩ−ＩＩ線断面図は、それぞれ図３０（ａ）、（ｂ）のようになる。なお、この図３０（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図２８のＩ−Ｉ線断面図及びＩＩ−ＩＩ線断面図にも対応する。
【０１８３】
その後、第１実施例で使用したのと同じ交番磁界発生部（図３参照）を使用し、そのコイル８に１００ｋＨｚ、１００Ｗの交流電流を流し、１００ｋＨｚの交番磁界Ｂを発生させた。そして、大気圧の窒素雰囲気中で導体パターン３３をこの交番磁界Ｂに曝すことにより、電磁誘導により導体パターン３３を２００℃に約３０分間加熱した。
【０１８４】
その結果、導体パターン３３と対向する緑色用陽極３０Ｇ上の緑色用塗膜３７が選択的に加熱され不溶化し、緑色有機発光層３７Ｇとなる。なお、この緑色有機発光層３７Ｇは、−［Ｃ６Ｈ４−ＣＨ（Ｓ＋Ｅｔ２Ｂｒ−）ＣＨ２］ｎ−なる高分子により構成されるものである。
【０１８５】
その後、全体を水に浸し、不溶化されていない部分の緑色用塗膜３７を除去した。
【０１８６】
これにより、図３１の平面図に示すように、緑色用陽極３０Ｇ上にのみ緑色有機発光層３７Ｇが残ることになる。なお、図３１のＩ−Ｉ線断面図及びＩＩ−ＩＩ線断面図は、それぞれ図３２（ａ）、（ｂ）のようになる。
【０１８７】
次いで、図３３に示す平面構造を得るまでの工程について説明する。まず、ＰＰＶの中間体におけるベンゼン環の２、５位をエトキシ基で置換したＰＰＶの誘導体であるスルホニウム塩高分子を水に溶解してなる塗布液をスピンコートにより厚さ１２０ｎｍに全面に形成した後、それを窒素の雰囲気中３０℃で３０分間乾燥させ、赤色用塗膜（不溶化温度：５０〜１５０℃）とした。
【０１８８】
その後、上記と同じ交番磁界発生部を使用し、コイル８（図３参照）への入力電流の周波数を１０ｋＨｚ、そのパワーを１００ｗとして、導体パターン３３を８０℃に約３０分間加熱した。これにより、赤色用陽極３０Ｒ上の赤色用塗膜が選択的に不溶化され、赤色有機発光層３１Ｒとなった。なお、この赤色有機発光層３１Ｒは、−［Ｃ６Ｈ２（ＯＣ２Ｈ５）２−ＣＨ（Ｓ＋Ｅｔ２Ｂｒ−）ＣＨ２］ｎ−なる高分子により構成されるものである。
【０１８９】
その後、全体を水に浸し、不溶化されていない部分の赤色用塗膜を除去した。
【０１９０】
なお、図３３のＩ−Ｉ線断面図及びＩＩ−ＩＩ線断面図は、それぞれ図３４（ａ）、（ｂ）のようになる。
【０１９１】
次に、図３５の平面構造を得るまでの工程について説明する。まず、データバスライン形状の開口が形成されたシャドウマスクを使用する蒸着法により、基板１上と各発光層３７Ｇ、３１Ｒ上とにアルミニウムとリチウムとの合金膜（Ａｌ−Ｌｉ膜）を厚さ約５０ｎｍ程度に選択的に形成した。次いで、そのＡｌ−Ｌｉ膜の上に、上記と同じシャドウマスクを使用する蒸着法によりアルミニウム膜を厚さ約２５０ｎｍ程度に選択的に形成した。そして、上記のＡｌ−Ｌｉ膜とアルミニウム膜との積層膜をデータバスライン（陰極）６６として使用した。このデータバスライン６６は、幅が約３０μｍであり、走査バスライン６５と直交する方向に延在して、１０μｍの間隔を置きながら全部で１２０本形成された。
【０１９２】
なお、図３５のＩ−Ｉ線断面図とＩＩ−ＩＩ線断面図は、それぞれ図３６（ａ）、（ｂ）のようになる。
【０１９３】
以上により、本実施例に係る有機ＥＬ表示装置が完成する。この表示装置は、緑色用陽極３０Ｇ配列された領域では黄緑色に発光し、赤色用陽極３０Ｒが配列された領域では赤橙色に発光する、二色エリアカラーのボトムエミッション型の表示装置である。
【０１９４】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【０１９５】
（付記１）　絶縁性基板上に電極を形成する工程と、
有機発光層用の塗膜を前記電極上と前記絶縁性基板上とに形成する工程と、
電磁誘導により前記電極を発熱させ、該発熱によって前記電極上の前記塗膜を選択的に加熱して不溶化する不溶化工程と、
前記不溶化工程後、前記塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記塗膜を有機発光層として前記電極上に残す工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。（１）
（付記２）　前記電極として、抵抗率が１ｍΩｃｍ以下の非磁性導電膜又は該非磁性導電膜を含む積層膜を使用することを特徴とする付記１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０１９６】
（付記３）　前記非磁性導電膜として、アルミニウム膜、アルミニウム合金膜、マグネシウム膜、及びマグネシウム合金膜のいずれかを使用することを特徴とする付記２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０１９７】
（付記４）　前記電極として、磁性導電膜又は該磁性導電膜を含む積層膜を使用することを特徴とする付記１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０１９８】
（付記５）　前記磁性導電膜として、鉄族元素、希土類元素、及び磁性金属酸化物のいずれかよりなる膜を使用することを特徴とする付記４に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０１９９】
（付記６）　前記磁性金属酸化物として、ＥｕＯ又はＣｒＯ２を使用することを特徴とする付記５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２００】
（付記７）　前記電極を形成する工程は、
前記絶縁性基板上に透明導体パターンを形成する工程と、
前記透明導体パターンの上面よりも小さいレジストパターンを該透明導体パターンの上面上に形成する工程と、
前記レジストパターンが残存する状態で前記透明導体パターンをめっき液に浸し、めっきにより、前記透明導体パターンの側壁と上面の縁部とに導電膜を形成して、該導電膜と前記導体パターンとを前記電極として使用する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程とを有すると共に、
前記絶縁性基板として光学的に透明なものを使用することを特徴とする付記１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０１】
（付記８）　前記電極を形成する工程は、
前記絶縁性基板上に透明導電膜を形成する工程と、
前記透明導電膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをエッチングマスクに使用しながら前記透明導電膜をエッチングして透明導体パターンにする工程と、
前記レジストパターンが残存する状態で前記透明導体パターンをめっき液に浸し、めっきにより前記透明導体パターンの側壁に導電膜を形成して、該導電膜と前記透明導体パターンとを前記電極として使用する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程とを有すると共に、
前記絶縁性基板として光学的に透明なものを使用することを特徴とする付記１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０２】
（付記９）　絶縁性基板上に電極を形成する工程と、
有機発光層用の塗膜を前記電極上と前記絶縁性基板上とに形成する工程と、
前記電極と対向する導体パターンを前記塗膜に近接若しくは当接させる工程と、
前記導体パターンを電磁誘導により発熱させ、該発熱によって該導体パターンに対向する前記電極上の前記塗膜を選択的に加熱して不溶化する不溶化工程と、
前記不溶化工程後、前記塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記塗膜を有機発光層として前記電極上に残す工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。（２）
（付記１０）　前記導体パターンを前記塗膜に近接若しくは当接させる工程において、前記導体パターンを前記塗膜に対し前記電極の短辺幅以下の距離に近接させることを特徴とする付記９に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０３】
（付記１１）　前記不溶化工程の最中又はその前に、補助加熱手段を用いて、前記電極を室温よりも高い温度に加熱することを特徴とする付記１乃至付記１０のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０４】
（付記１２）　前記補助加熱手段として、ホットプレート、レーザ加熱、及びランプ加熱のいずれかを使用することを特徴とする付記１１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０５】
（付記１３）　前記不溶化工程を真空中又は不活性ガスの雰囲気中で行うことを特徴とする付記１乃至付記１２のいずれかに記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０６】
（付記１４）　絶縁性基板上に電極を形成する工程と、
有機発光層用の塗膜を前記電極上に選択的に印刷する工程と、
前記電極を電磁誘導により発熱させ、該発熱によって前記電極上の前記塗膜を加熱して有機発光層にする工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。（３）
（付記１５）　絶縁性基板上に第１電極を形成する工程と、
電磁誘導の際に前記第１電極よりも高温に発熱する第２電極を前記絶縁性基板上に形成する工程と、
第１有機発光層用の第１塗膜を前記第１電極上に選択的に印刷する工程と、
前記第１塗膜よりも不溶化温度が高い第２有機発光層用の第２塗膜を前記第２電極上に選択的に印刷する工程と、
前記第１電極及び前記第２電極に対して電磁誘導により、前記第１電極よりも高温に前記第２電極を発熱させ、該発熱によって前記第１電極上の前記第１塗膜を加熱して第１有機発光層にすると共に、前記第２電極上の前記第２塗膜を加熱して第２有機発光層にする工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０７】
（付記１６）　第１電極を絶縁性基板上に形成する工程と、
第１の励磁周波数に対しては前記第１電極よりも低温に発熱し、第２の励磁周波数に対しては前記第１電極よりも高温に発熱する第２電極を前記絶縁性基板上に形成する工程と、
第１有機発光層用の第１塗膜を前記第１電極上、前記第２電極上、及び前記絶縁性基板上に形成する工程と、
前記第１の励磁周波数の磁界中に前記絶縁性基板を置いて電磁誘導により前記第１電極を前記第２電極よりも高温に発熱させ、該発熱によって前記第１電極上の前記第１塗膜を加熱して選択的に不溶化する第１不溶化工程と、
前記第１不溶化工程後、前記第１塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記第１塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記第１塗膜を前記第１有機発光層として前記第１電極上に残す工程と、
第２有機発光層用の第２塗膜を前記第２電極上、前記第１有機発光層上、及び前記絶縁性基板上に形成する工程と、
前記第２の励磁周波数の磁界中に前記絶縁性基板を置いて電磁誘導により前記第２電極を前記第１電極よりも高温に発熱させ、該発熱によって前記第２電極上の前記第２塗膜を加熱して選択的に不溶化する第２不溶化工程と、
前記第２不溶化工程後、前記第２塗膜を液に曝し、不溶化されていない部分の前記第２塗膜を選択的に溶解して除去すると共に、不溶化された部分の前記第２塗膜を前記第２有機発光層として前記第２電極上に残す工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０８】
（付記１７）　前記第１電極及び前記第２電極として共に磁性導電膜と非磁性導電膜との積層膜を使用し、且つ、前記第１電極における前記非磁性導電膜の厚さを前記第２電極における前記非磁性導電膜の厚さよりも厚くすることを特徴とする付記１６に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【０２０９】
（付記１８）　絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された陽極と、
を備え、
前記陰極が、磁性導電膜又は該磁性導電膜を含む積層膜からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。（４）
（付記１９）　絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成された透明導体パターンと、
前記透明導体パターンの側壁に形成されて該透明導体パターンと共に陽極を構成する導電膜と、
前記陽極上に形成された有機発光層と、
前記有機発光層上に形成された陰極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【０２１０】
（付記２０）　前記導電膜が、前記透明導体パターンの前記側壁の他に、該透明導体パターンの上面の縁部にも形成されたことを特徴とする付記１９に記載の有機ＥＬ素子。
【０２１１】
（付記２１）　付記１８乃至付記２０のいずれかに記載の前記有機ＥＬ素子を複数配列してなる有機ＥＬ表示装置。（５）
【０２１２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電磁誘導により電極を加熱することで電極上の塗膜を不溶化して有機発光層にし、その後、不溶化されていない部分の塗膜を溶解して除去するので、有機発光層を電極上に選択的に形成することができ、従来例のようにレジストを使用して有機発光層をパターニングする必要が無い。
【０２１３】
そのような電磁誘導においては、絶縁体よりなる絶縁基板は加熱されないので、絶縁基板が熱により変形する恐れが無い。また、電極が電磁誘導用の磁界に曝された時点からすぐさま加熱を開始することができるので、加熱に時間的な遅延が伴わない。更に、加熱の具合が実質的に磁界と電極との相互作用によってのみ定まるので、電極を再現性良く加熱することができる。
【０２１４】
なお、電極として、磁性導電膜又は該磁性導電膜を含む積層膜を使用すると、磁性導電膜のキュリー温度を境にして電極の温度上昇が鈍るので、電極の温度コントロールが容易となる。
【０２１５】
更に、透明導体パターンとその側壁の導電膜により電極を構成し、その導電膜を電磁誘導により発熱させることで、電極上の塗膜を不溶化して有機発光層にしても良い。この場合は、絶縁性基板として光学的に透明なものを使用することで、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を作製することができる。
【０２１６】
また、このように透明導体パターンの側壁に導電膜を形成することで電極を低抵抗化することもできる。
【０２１７】
上記のような導電膜を透明導体パターンの側壁に形成する場合、該透明導体パターンの上面よりも小さいレジストを該上面上に形成することで、めっきにより、透明導体パターンの上面の縁部と側壁とに確実に導電膜を形成することができる。
【０２１８】
或いは、透明導体パターンをパターニングするのに使用されたレジストを導電膜用のめっきレジストとして使用することで、プロセスの煩雑化を防ぐことができる。
【０２１９】
また、電極を電磁誘導により加熱するのではなく、その電極に対向する導体パターンを塗膜に当接若しくは近接させ、その導体パターンを電磁誘導により加熱して塗膜を不溶化することで、電極の設計に制約が無くなり、電極を思いのままに設計することができる。
【０２２０】
更に、電極の上に塗膜を選択的に印刷しても、レジストを使用して塗膜をパターニングする必要が無くなる。
【０２２１】
また、第１電極と、第１の励磁周波数に対しては第１電極よりも低温に発熱し、第２の励磁周波数に対しては第１電極よりも高温に発熱する第２電極とを形成することで、異なる色を発光する第１、第２有機発光層を第１、第２電極上に自己整合的に塗り分けることができる。
【０２２２】
なお、上記いずれの発明においても、電磁誘導で塗膜を不溶化する工程の最中に、補助加熱手段を用いて電極を予め室温よりも高い温度に加熱することで、高い周波数の交番磁界を使用しなくても電極を所望の温度にまで加熱することができる。
【０２２３】
また、そのように塗膜を不溶化する工程を、真空中又は不活性ガスの雰囲気中で行うことで、有機発光層が酸素や水に触れてその特性が劣化するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その２）である。
【図３】本発明の各実施形態で使用される交番磁界発生部の構成図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における、第１陰極及び第２陰極の各発熱量と、励磁周波数との関係について示すグラフである。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その１）である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その２）である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その３）である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その１）である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その２）である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その１）である。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その２）である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その３）である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その４）である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態で使用される加熱用基板の別の例を示す断面図である。
【図１５】本発明の第５の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その１）である。
【図１６】本発明の第５の実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造工程について示す断面図（その２）である。
【図１７】本発明のその他の実施の形態に係る補助加熱手段について示す断面図である。
【図１８】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その１）である。
【図１９】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その１）である。
【図２０】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その２）である。
【図２１】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その２）である。
【図２２】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その３）である。
【図２３】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その３）である。
【図２４】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その４）である。
【図２５】本発明の第１実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その４）である。
【図２６】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その１）である。
【図２７】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その１）である。
【図２８】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その２）である。
【図２９】本発明の第２実施例で使用される加熱用基板の平面図である。
【図３０】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その２）である。
【図３１】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その３）である。
【図３２】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その３）である。
【図３３】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その４）である。
【図３４】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その４）である。
【図３５】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す平面図（その５）である。
【図３６】本発明の第２実施例に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程について示す断面図（その５）である。
【符号の説明】
１・・・基板、２・・・第１陰極、３・・・第２陰極、３ａ・・・磁性導電膜、３ｂ・・・被覆膜、４・・・第１塗膜、４ａ・・・第１有機発光層、５・・・第２塗膜、５ａ・・・第２有機発光層、６・・・第１陽極、７・・・第２陽極、８・・・コイル、１０・・・第１透明導体パターン、１１・・・第２透明導体パターン、１２・・・非磁性導電膜、１３・・・第１陽極、１４、１５・・・レジストパターン、１６・・・磁性導電膜、１７・・・第２陽極、１８・・・第１塗膜、１８ａ・・・第１有機発光層、１９・・・第２塗膜、１９ａ・・・第２有機発光層、２０・・・第１陰極、２１・・・第２陰極、２２・・・透明導体パターン、２３・・・レジストパターン、２４・・・導電膜、２５・・・陽極、２６・・・塗膜、２６ａ・・・有機発光層、２７・・・陰極、３０Ｒ・・・赤色用陽極、３０Ｂ・・・青色用陽極、３０Ｇ・・・緑色用陽極、３１・・・赤色用塗膜、３１Ｒ・・・赤色有機発光層、３２・・・加熱用基板、３３・・・導体パターン、３４・・・青色用塗膜、３４Ｂ・・・青色有機発光層、３７・・・緑色用塗膜、３７Ｇ・・・緑色有機発光層、３８Ｒ・・・赤色用陰極、３８Ｂ・・・青色用陰極、３８Ｇ・・・緑色用陰極、３６・・・緩衝膜、４０Ｒ・・・赤色用陰極、４０Ｂ・・・青色用陰極、４０Ｇ・・・緑色用陰極、４１・・・赤色用塗膜、４１Ｒ・・・赤色有機発光層、４２・・・青色用塗膜、４２Ｂ・・・青色有機発光層、４３・・・緑色用塗膜、４３Ｇ・・・緑色有機発光層、４４Ｒ・・・赤色用陽極、４４Ｂ・・・青色用陽極、４４Ｇ・・・緑色用陽極、５０・・・ホットプレート、６０、６６・・・データバスライン、６１、６５・・・走査バスライン、７０・・・励磁回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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