(57)【要約】【課題】原料ガスプラズマの状況に拘らず均一な金属膜の作製を行なう。【解決手段】被エッチング部材２１は、平面視状態で基板３側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率が原料ガスプラズマの状況に応じて設定され、原料ガスプラズマの状況に拘らず均一な金属膜の作製が行なわれる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収容されるチャンバと、基板に対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして少なくとも前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段とからなり、
被エッチング部材は、平面視状態で基板側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率が原料ガスプラズマの状況に応じて設定されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項２】
請求項１に記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマのプラズマ密度が高い部位に対応する被エッチング部材の開口率は、隙間部分が少なくなる小開口率に設定されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項３】
請求項１もしくは請求項２に記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマの状況に加えて原料ガスプラズマの流量に応じて被エッチング部材の開口率が設定され、原料ガスプラズマの流量が多い部位に対応する被エッチング部材の開口率は、隙間部分が少なくなる小開口率に設定されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項４】
基板が収容されるチャンバと、基板に対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして少なくとも前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段とからなり、
被エッチング部材の、平面視状態で基板側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率は、全体の面における開口率と任意の単位部分での開口率とが略等しく設定されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項５】
請求項４にに記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマの密度が均一に制御されると共に原料ガスの流れ状態が均一に制御されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の金属膜作製装置において、
被エッチング部材は、長尺金属が縦横に配列されて格子状態に配置されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の金属膜作製装置において、
被エッチング部材は、長尺金属が一方向に並列されてラダー状態に配置された第１部材及び第２部材を有し、第１部材及び第２部材は長尺金属が平面視で交差する状態に重ねて配置されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項８】
請求項７に記載の金属膜作製装において、
第１部材及び第２部材のそれぞれの長尺金属は開ループで配置されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の金属膜作製装において、
被エッチング部材の開口率は５割から８割の範囲に設定されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、気相成長法により基板の表面に金属膜を作製する金属膜作製装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、気相成長法により金属膜、例えば、銅の薄膜を作製する場合、例えば、銅・ヘキサフロロアセチルアセトナト・トリメチルビニルシラン等の液体の有機金属錯体を原料として用い、固体状の原料を溶媒に溶かし、熱的な反応を利用して気化して基板に成膜を実施している。
【０００３】
原料ガスプラズマにより基板に成膜を実施する技術として、例えば、特許文献１で挙げられた技術が知られている。
【０００４】
【特許文献１】
米国特許２００２０１２４８６６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術では、熱的反応を利用した成膜のため、成膜速度の向上を図ることが困難であった。また、原料となる金属錯体が高価であり、しかも、銅に付随しているヘキサフロロアセチルアセトナト及びトリメチルビニルシランが銅の薄膜中に不純物として残留するため、膜質の向上を図ることが困難であった。
【０００６】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留することなく、均一な成膜を行なうことができる金属膜作製装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、
基板が収容されるチャンバと、基板に対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして少なくとも前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段とからなり、
被エッチング部材は、平面視状態で基板側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率が原料ガスプラズマの状況に応じて設定されていることを特徴とする。
【０００８】
そして、請求項１に記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマのプラズマ密度が高い部位に対応する被エッチング部材の開口率は、隙間部分が少なくなる小開口率に設定されていることを特徴とする金属膜作製装置。
【０００９】
また、請求項１もしくは請求項２に記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマの状況に加えて原料ガスプラズマの流量に応じて被エッチング部材の開口率が設定され、原料ガスプラズマの流量が多い部位に対応する被エッチング部材の開口率は、隙間部分が少なくなる小開口率に設定されていることを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、
基板が収容されるチャンバと、基板に対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして少なくとも前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段とからなり、
被エッチング部材の、平面視状態で基板側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率は、全体の面における開口率と任意の単位部分での開口率とが略等しく設定されていることを特徴とする。
【００１１】
そして、請求項４にに記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマの密度が均一に制御されると共に原料ガスの流れ状態が均一に制御されていることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の金属膜作製装置において、
被エッチング部材は、長尺金属が縦横に配列されて格子状態に配置されていることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の金属膜作製装置において、
被エッチング部材は、長尺金属が一方向に並列されてラダー状態に配置された第１部材及び第２部材を有し、第１部材及び第２部材は長尺金属が平面視で交差する状態に重ねて配置されていることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７に記載の金属膜作製装において、
第１部材及び第２部材のそれぞれの長尺金属は開ループで配置されていることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の金属膜作製装において、
被エッチング部材の開口率は５割から８割の範囲に設定されていることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１、図２に基づいて本発明の金属膜作製装置の一実施形態例を説明する。図１には本発明の一実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面、図２には被エッチング部材の平面視、図３には被エッチング部材の斜視状況を示してある。
【００１７】
図に示すように、円筒状に形成された、チャンバ１の底部近傍には支持台２が設けられ、支持台２には基板３が載置される。支持台２にはヒータ４及び冷媒流通手段５を備えた温度制御手段６が設けられ、支持台２は温度制御手段６により所定温度（例えば、基板３が１００℃乃至２００℃に維持される温度）に制御されるようになっている。
【００１８】
チャンバ１の上面は開口部とされ、開口部は絶縁材製（例えば、セラミックス製）の天井部材である円盤状の天井板７によって塞がれている。天井板７によって塞がれたチャンバ１の内部は真空装置８により所定の圧力に維持される。支持台２の上方におけるチャンバ１の筒部には、チャンバ１の内部にハロゲンとしての塩素を含有する原料ガス（He，Ar等で塩素濃度が≦50% 、好ましくは10% 程度に希釈されたCl2 ガス）を供給するノズル１２が接続されている。ノズル１２は天井板７に向けて開口し、ノズル１２には流量制御器１３を介して原料ガスが送られる。尚、原料ガスに含有されるハロゲンとしては、フッ素（Ｆ）、臭素（Ｂｒ）及びヨウ素（Ｉ）等を適用することが可能である。
【００１９】
尚、ノズル１２を設ける場所は、チャンバ１の上部に水平方向に設けたり、チャンバ１の上下に２段に設ける等が可能であり、図示例の状態に限定されるものではない。
【００２０】
天井板７の上方にはチャンバ１の内部をプラズマ化するためのプラズマ生成用アンテナ１５が設けられ、プラズマ生成用アンテナ１５は天井板７の面と平行なリング状に形成されている。プラズマ生成用アンテナ１５には整合器１６及び電源１７が接続されて高周波電力が供給される。チャンバ１の筒部には、高蒸気圧ハロゲン化物を形成しうる金属（本実施形態では銅）で形成される被エッチング部材２１が挟持されている。
【００２１】
図１、図２に示すように、被エッチング部材２１は、チャンバ１の筒部に挟持される絶縁材製のリング部２２を備え、リング部２２の内周側に長尺金属が縦横に配列されて格子状態に配置された枠部材（銅製）２３が設けられている。被エッチング部材２１は、長尺金属が格子状に配列された枠部材２３を備えた一つの枠体２０で構成されている。
【００２２】
尚、図３に示すように、リング部２６の内周側に長尺金属を一方向に並列してラダー状態に配置した枠部材（銅製）２４を備えて枠体２５とし、枠体２５を２段に配置（第１部材、第２部材）すると共に、枠体２５を互いに９０度位相をずらして平面視で交差する状態に重ね、平面視で枠部材（銅製）２４が格子状となるようにした被エッチング部材２１としてもよい。
【００２３】
枠体２５を２段に重ねる場合、リング部２６の厚さを厚くしてリング部２６同士のみを接触するようにして枠部材（銅製）２４同士が絶縁されたり、枠体２５同士の間に絶縁材を介在させて枠部材（銅製）２４同士が絶縁される。また、リング部２６の内周側にラダー状の枠部材（銅製）２４を備えた枠体２５だけで被エッチング部材２１を構成することも可能である。
【００２４】
被エッチング部材２１の材質は、銅（Cu）に限らず、ハロゲン化物形成金属、好ましくは塩化物形成金属であるAg,Au,Pt,Ir,Ta,Ti,Ｗ等を用いることが可能である。また、高融点金属及び貴金属を用いることが可能である。
【００２５】
上述した金属膜作製装置では、以下に詳説する方法で金属薄膜３１の成膜を行う。
【００２６】
まず、チャンバ１の内部にノズル１２から原料ガスを供給すると共に、プラズマ生成用アンテナ１５から高周波電力をチャンバ１の内部に入射することで、原料ガス中の塩素ガスをイオン化して塩素ガスプラズマを発生させる。プラズマは、ガスプラズマ３２で図示する領域に発生する。このときの反応は、次式で表すことができる。
Ｃｌ2   →  ２Ｃｌ* ・・（１）
ここで、Ｃｌ* は塩素ガスラジカルを表す。
【００２７】
ガスプラズマ３２が被エッチング部材２１の枠部材（銅製）２３に作用することにより、被エッチング部材２１が加熱されると共に、被エッチング部材２１の枠部材（銅製）２３にエッチング反応が生じる。このときの反応は、次式で表される。
Ｃｕ（ｓ）＋２Ｃｌ* →  ＣｕＣｌ2 （ｇ）  ・・（２）
ここで、ｓは固体状態、ｇはガス状態を表す。上記（２）式は、被エッチング部材２１のＣｕ成分がガスプラズマ３２によりエッチングされ、ガス化した状態を表す。前駆体３３は、ガス化したＣｕＣｌ2 及びこれと組成比が異なる物質（ＣｕX1ＣｌY1）である。
【００２８】
ガスプラズマ３２を発生させることにより被エッチング部材２１を加熱し、更に温度制御手段６により基板３の温度制御を行なうことにより、基板３の温度は被エッチング部材２１の温度よりも低くなる。この結果、前駆体３３は基板３に吸着される。このときの反応は、次式で表される。
ＣｕＣｌ2 （ｇ）  →  ＣｕＣｌ2 （ａｄ）  ・・（３）
ここで、ａｄは吸着状態を表す。
【００２９】
基板３に吸着したＣｕＣｌ2 は、塩素ガスラジカルにより還元されてＣｕ成分となることで、金属薄膜３１（Ｃｕ薄膜）の一部を形成する。このときの反応は、次式で表される。
ＣｕＣｌ2 （ａｄ）＋２Ｃｌ* →Ｃｕ（ｓ）＋２Ｃｌ2 ↑  ・・（４）
【００３０】
更に、上式（２）において発生したガス化したＣｕＣｌ2 の一部は、基板３に吸着する（上式（３）参照）前に、塩素ガスラジカルにより還元されてガス状態のＣｕとなる。このときの反応は、次式で表される。
ＣｕＣｌ2 （ｇ）＋２Ｃｌ* →Ｃｕ（ｇ）＋２Ｃｌ2 ↑  ・・（５）
この後、ガス状態の銅（Ｃｕ）は、基板３に成膜され、金属薄膜３１を形成する一部となる。
【００３１】
反応に関与しないガス及びエッチング生成物は排気口３４から排気される。
【００３２】
上記構成の金属膜作製装置では、ガスプラズマ３２を用いているため、反応効率が大幅に向上して成膜速度が速くなる。また、原料ガスとしてＣｌ2 ガスを用いてるため、コストを大幅に減少させることができる。そして、原料に酸素を含んでいないため、成膜時に酸化雰囲気となることがなく、酸化が抑制されて不純物の残留を少なくすることができ、高品質な金属薄膜３１を作製することが可能となる。
【００３３】
上記構成の金属膜作製装置は、ガスプラズマ３２が均一となるように、即ち、ガスプラズマ３２のプラズマ密度が均一で、原料プラズマの流量が均一となるように、プラズマ生成用アンテナ１５の状況やノズル１１の状況が設定されている。
【００３４】
このような状況で、被エッチング部材２１は、平面視状態で基板３側に対向する全体の面において、対向する面積全体に対する隙間部分（格子状の枠部材２３以外の部分）の面積の割合（以下、全体の開口率と記載する）と、格子状の枠部材２３の任意の単位面積（少なくとも枠部材２３を含みひとつの開口部分よりも大きい面積）の隙間部分（以下、部分の開口率と記載する）とが、ガスプラズマ３２の状況に応じて設定されている。
【００３５】
ガスプラズマ３２が均一となっている状況では、被エッチング部材２１の全体の開口率と、格子状の枠部材２３の任意の単位面積の部分の開口率とが、略等しく設定されている。例えば、図２に示すように、被エッチング部材２１の全体の開口率と、任意の単位面積ＡやＢの部分の開口率とが、略等しく設定されている。そして、開口率の値としては、０．５（５割）〜０．８（８割）の範囲で設定されている。
【００３６】
開口率が０．５を下回ると、原料ガスに対する金属成分が過剰になって金属薄膜３１の膜質を悪化させてしまう。開口率が０．８を越えると、原料ガスに対する金属成分が不足して成膜レートが低下し成膜に時間を要してしまう。開口率の値としては、０．６（６割）〜０．７（７割）の範囲が好ましい。
【００３７】
従って、被エッチング部材２１は、ガスプラズマ３２が均一である場合の状況下で、全体の開口率と部分の開口率が略等しく設定され、開口率の値が０．５〜０．８の範囲で設定されているので、均一にしかも成膜速度を低下させることなく金属薄膜３１を作製することができる。そして、被エッチング部材２１は、リング部２２に格子状の枠部材２３を設ける、もしくは、リング部２６にラダー状の枠部材２４を設けるだけの簡単な構成で作製することができ、コストを抑えることができる。
【００３８】
従って、上述した金属膜作製装置では、均一性に優れた金属薄膜３１を高速に作製することができ、生産コストと歩留りの改善を可能にすることができる。
【００３９】
図４、図５に基づいて被エッチング部材の他の実施形態例を説明する。
【００４０】
図４、図５には他の実施形態例に係る被エッチング部材の平面視状況を示してある。
【００４１】
図４に示した被エッチング部材３６は、円周の一箇所が不連続部３７ａとされたリング部３７を備え、リング部３７の内周側に櫛状態の、例えば銅製の長尺金属３８が一方向に交互に並列して配置された枠体３９で構成されている。リング部３７の円周の一箇所を不連続部３７ａとして長尺金属３８を櫛状態に配置したことで、長尺金属３８は開ループで配置された状態になり、被エッチング部材３６は電気的に開ループとなる。
【００４２】
そして、被エッチング部材３６は、平面視状態で基板３（図１参照）側に対向する全体の面において、対向する面積全体に対する隙間部分（枠体３９における長尺金属３８以外の部分）の面積の割合（以下、全体の開口率と記載する）と、枠体３９における任意の単位面積（少なくとも長尺金属３８と開口部分を含む面積）の隙間部分（以下、部分の開口率と記載する）とが、ガスプラズマ３２（図１参照）の状況に応じて設定されている。
【００４３】
ガスプラズマ３２が均一となっている状況では、被エッチング部材３６（枠体３９）の全体の開口率と、枠体３９における任意の単位面積の部分の開口率とが、０．５〜０．８の範囲で略等しく設定されている。
【００４４】
リング部３７を金属で構成し長尺金属３８を開ループで配置したことにより、温度制御のための通電が可能になり、熱伝導性がよいリング部３７を通して加熱などの温度制御を容易に行なうことが可能になる。
【００４５】
尚、図４に示した被エッチング部材３６を２段に重ねて、位相を変えて平面視で長尺金属３８が格子状（交差している状態）になるように配置することも可能である。
【００４６】
図５に示した被エッチング部材４１は、同心円状態に多数の円弧状の、例えば銅製のフィン４２が配置されて入れ子フィン型の枠体４３が構成されている。
【００４７】
そして、被エッチング部材４１は、平面視状態で基板３（図１参照）側に対向する全体の面において、対向する面積全体に対する隙間部分（枠体４３におけるフィン４２以外の部分）の面積の割合（以下、全体の開口率と記載する）と、枠体４３における任意の単位面積（少なくともフィン４２と開口部分を含む面積）の隙間部分（以下、部分の開口率と記載する）とが、ガスプラズマ３２（図１参照）の状況に応じて設定されている。
【００４８】
ガスプラズマ３２が均一となっている状況では、被エッチング部材４１（枠体４３）の全体の開口率と、枠体４３における任意の単位面積の部分の開口率とが、０．５〜０．８の範囲で略等しく設定されている。
【００４９】
尚、被エッチング部材の形状としては、多数の棒状の金属部材が円形中心に向かって延びて配置されるスポーク型を適用したり、渦巻き状態に金属部材が配置されるものを適用することが可能である。
【００５０】
上述した実施形態例では、ガスプラズマ３２が均一（プラズマ密度が均一及びガス流れである塩素ガスラジカル量が均一）である場合の被エッチング部材の形状を説明したが、部分の開口率はガスプラズマ３２の状況に応じて適宜設定される。
【００５１】
つまり、図５に示したように、ガスプラズマ３２（図１参照）の密度（強度）の分布に応じて、ガスプラズマ３２の密度が高い部位に対向する被エッチング部材の部分の開口率が小さく（小開口率：金属部材の割合を多く）設定され、ガスプラズマ３２の密度が低い部位に対向する被エッチング部材の部分の開口率が相対的に大きく（金属部材の割合を少なく）設定される。
【００５２】
また、塩素ガスラジカル量の分布に応じて、塩素ガスラジカル量が多い（ガス流れが多い）部位に対向する被エッチング部材の部分の開口率が小さく（小開口率：金属部材の割合を多く）設定され、塩素ガスラジカル量が少ない（ガス流れが少ない）部位に対向する被エッチング部材の部分の開口率が相対的に大きく（金属部材の割合を少なく）設定される。
【００５３】
これらにより、ガスプラズマ３２の密度や塩素ガスラジカル量に分布が生じても、前駆体３３（図１参照）の均一に生成されて均一性に優れた金属薄膜３１（図１参照）を作製することができる。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の金属膜作製装置は、
基板が収容されるチャンバと、基板に対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして少なくとも前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段とからなり、
被エッチング部材は、平面視状態で基板側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率が原料ガスプラズマの状況に応じて設定されているので、
原料ガスプラズマの状況に拘らず均一な金属膜の作製を行なうことができ、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留することなく、均一な成膜を行なうことができる金属膜作製装置となる。
【００５５】
そして、請求項１に記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマのプラズマ密度が高い部位に対応する被エッチング部材の開口率は、隙間部分が少なくなる小開口率に設定されているので、
プラズマ密度の分布に拘らず均一な金属膜の作製を行なうことができる。
【００５６】
また、請求項１もしくは請求項２に記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマの状況に加えて原料ガスプラズマの流量に応じて被エッチング部材の開口率が設定され、原料ガスプラズマの流量が多い部位に対応する被エッチング部材の開口率は、隙間部分が少なくなる小開口率に設定されているので、原料ガスプラズマの流量の分布に拘らず均一な金属膜の作製を行なうことができる。
【００５７】
本発明の金属膜作製装置の構成は、
基板が収容されるチャンバと、基板に対向する位置におけるチャンバに設けられる金属製の被エッチング部材と、チャンバ内にハロゲンを含有する原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、チャンバの内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで被エッチング部材をエッチングすることにより被エッチング部材に含まれる金属成分と原料ガスとの前駆体を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材側の温度よりも低くして少なくとも前駆体の金属成分を基板に成膜させる温度制御手段とからなり、
被エッチング部材の、平面視状態で基板側に対向する全体の面において対向する面積全体に対する隙間部分の面積の割合である開口率は、全体の面における開口率と任意の単位部分での開口率とが略等しく設定されているので、
均一な金属膜の作製を行なうことができ、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留することなく、均一な成膜を行なうことができる金属膜作製装置となる。
【００５８】
そして、請求項４にに記載の金属膜作製装置において、
原料ガスプラズマの密度が均一に制御されると共に原料ガスの流れ状態が均一に制御されているので、均一な金属膜の作製を行なうことができる。
【００５９】
また、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の金属膜作製装置において、被エッチング部材は、長尺金属が縦横に配列されて格子状態に配置されているので、構成が簡単でコストを抑制することができる。
【００６０】
また、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の金属膜作製装置において、被エッチング部材は、長尺金属が一方向に並列されてラダー状態に配置された第１部材及び第２部材を有し、第１部材及び第２部材は長尺金属が平面視で交差する状態に重ねて配置されているので、作製が容易でコストを抑制することができる。
【００６１】
また、請求項７に記載の金属膜作製装において、
第１部材及び第２部材のそれぞれの長尺金属は開ループで配置されているので、通電が可能となり、加熱等の温度制御を行なうことができる。
【００６２】
また、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の金属膜作製装において、
被エッチング部材の開口率は５割から８割の範囲に設定されているので、膜質を悪化させることなく、しかも、成膜レートを低下させることなく金属膜を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【図２】被エッチング部材の平面図。
【図３】被エッチング部材の斜視図。
【図４】被エッチング部材の他の実施形態例を表す平面図。
【図５】被エッチング部材の他の実施形態例を表す平面図。
【図６】開口率とプラズマ密度の関係を表すグラフ。
【符号の説明】
１  チャンバ
２  支持台
３  基板
４  ヒータ
５  冷媒流通手段
６  温度制御手段
７  天井板
８  真空装置
１２  ノズル
１３  流量制御器
１５  プラズマ生成用アンテナ
１６  整合器
１７  電源
２１，３６，４１  被エッチング部材
２２，２６，３７  リング部
２３，２４  枠部材
２５，４３  枠体
３１  金属薄膜
３２  ガスプラズマ
３３  前駆体
３４  排気口
３８  長尺金属
４２  フィン
【図１】
2004197194.tif 000003
【図２】
2004197194.tif 000004
【図３】
2004197194.tif 000005
【図４】
2004197194.tif 000006
【図５】
2004197194.tif 000007
【図６】
2004197194.tif 000008