(57)【要約】【課題】被研磨基板のうねり及び／又はノジュールを低減し得る研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた被研磨基板のうねり及び／又はノジュール低減方法、並びに前記研磨液組成物を用いた基板の製造方法を提供すること。【解決手段】水、研磨材、有機酸またはその塩および界面活性剤を含有する研磨液組成物であって、有機酸がＯＨ基またはＳＨ基を有する総炭素数２〜１５の多価カルボン酸であり、かつ、界面活性剤が分子中に２個以上のイオン性親水基を持ち、分子量が300 以上である研磨液組成物、研磨工程において前記研磨液組成物を用いて、被研磨基板のうねり及び／又はノジュールを低減する方法、前記研磨液組成物を用いて、被研磨基板を研磨する工程を有する基板の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、研磨材、有機酸またはその塩および界面活性剤を含有する研磨液組成物であって、有機酸がＯＨ基またはＳＨ基を有する総炭素数２〜１５の多価カルボン酸であり、かつ、界面活性剤が分子中に２個以上のイオン性親水基を持ち、分子量が300 以上である研磨液組成物。
【請求項２】
界面活性剤がイオン性親水基として２個以上のカルボン酸基を有する請求項１の研磨液組成物。
【請求項３】
研磨材がアルミナ粒子である請求項１又は２記載の研磨液組成物。
【請求項４】
研磨工程において請求項１〜３いずれか記載の研磨液組成物を用いて、被研磨基板のうねり及び／又はノジュールを低減する方法。
【請求項５】
請求項１〜３いずれか記載の研磨液組成物を用いて、被研磨基板を研磨する工程を有する基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被研磨基板のうねりやノジュールが低減可能な研磨液組成物に関する。更には、該研磨液組成物を用いた被研磨基板のうねり及び／又はノジュールの低減方法及び前記研磨液組成物を用いた基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクは、最小記録面積を小さくし高容量化を推進するために、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが求められている。かかるヘッドの浮上量を小さくするためにはハードディスク基板の研磨工程での短波長うねり（波長５０〜５００μｍのうねり）、長波長うねり（波長０．５ｍｍ以上のうねり）、更にはノジュール由来の膨らみの低減が求められている。ここで言う「うねり」とは、表面粗さよりも波長の長い表面凹凸のことであり、「ノジュール」とはNi-Pメッキ膜形成時に発生する周囲より硬い膨らみのことである。このようなうねりやノジュールを低減した基板を製造するため、研磨パッドの孔径制御や硬さを硬くする、研磨荷重や回転数を制御するといった機械的条件が検討されている。しかしながらこのような機械的研磨条件の検討は効果があるものの充分とは言えない。また、水溶性の鉄化合物を含有した研磨液組成物を用いてうねりを低減することが検討されている（例えば、特許文献１）が、うねりやノジュールを充分に低減しえるとは言い切れないのが現状である。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−２０４４１６号公報（請求項１）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、被研磨基板のうねり及び／又はノジュールを低減し得る研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた被研磨基板のうねり及び／又はノジュール低減方法、並びに前記研磨液組成物を用いた基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は、
〔１〕  水、研磨材、有機酸またはその塩および界面活性剤を含有する研磨液組成物であって、有機酸がＯＨ基またはＳＨ基を有する総炭素数２〜１５の多価カルボン酸であり、かつ、界面活性剤が分子中に２個以上のイオン性親水基を持ち、分子量が300 以上である研磨液組成物、
〔２〕  研磨工程において前記〔１〕記載の研磨液組成物を用いて、被研磨基板のうねり及び／又はノジュールを低減する方法、並びに
〔３〕  前記〔１〕記載の研磨液組成物を用いて、被研磨基板を研磨する工程を有する基板の製造方法
に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の研磨液組成物は、水、研磨材、有機酸またはその塩および界面活性剤を含有する研磨液組成物であって、有機酸がＯＨ基またはＳＨ基を有する総炭素数２〜１５の多価カルボン酸（以下、単に有機酸またはその塩ともいう）、並びに分子中に２個以上のイオン性親水基を持ち、分子量が300 以上の界面活性剤（以下、単に界面活性剤ともいう）であることに大きな特徴があり、かかる特徴を有する研磨液組成物を用いることで、被研磨基板のうねりとノジュールを有意に低減することができ、単位面積当たりの記憶容量を増加できる基板を生産できるという顕著な効果が発現される。
【０００７】
なお、本発明での界面活性剤は研磨材や研磨クズ等の分散質の界面に作用し、分散質の分散媒への分散性を向上させる作用を有する。特に、本発明においては分子中に２個以上のイオン性親水基を持ち、分子量が300 以上の界面活性剤は複数のイオン性親水基を持つことにより分散質粒子の表面電荷が大きくなり分散性が著しく大きいものと考えられる。
【０００８】
該研磨液組成物がうねり、ノジュールを低減する作用機構については、詳細なことは不明であるが以下のことが考えられる。即ち、前記有機酸又はその塩と前記界面活性剤とを併用することで研磨材の凝集が著しく抑制される。このことにより、凝集粗大研磨材による凹部の研磨が抑制され、結果として凸部の選択的研磨の促進がより大きくなり、うねりやノジュールが低減すると考えられる。
【０００９】
本発明に用いられる有機酸及びその塩は、ＯＨ基またはＳＨ基を有する総炭素数２〜１５の多価カルボン酸およびその塩である。ＯＨ基またはＳＨ基を有する総炭素数２〜１５の多価カルボン酸およびその塩は特に限定はないが、その総炭素数は水への溶解性の観点から２〜１５であり、好ましくは２〜１０、より好ましくは２〜８、さらに好ましくは２〜６である。また、うねりやノジュールの低減の観点、入手性の観点から、ヒドロキシカルボキシル化合物が好ましい。
【００１０】
かかる有機酸の具体例としては、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、アロクエン酸、タルトロン酸、マンデル酸、メルカプトコハク酸などが挙げられる。これらの内、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、イソクエン酸、アロクエン酸及びタルトロン酸が好ましく、特に好ましくはリンゴ酸、酒石酸及びクエン酸であり、最も好ましくはクエン酸である。
【００１１】
これらの有機酸の塩としては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機アミン等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの金属の中でも、うねり及びノジュール低減の観点から１Ａ、３Ｂ、又は８族に属する金属が好ましく、１Ａ族に属するナトリウム及びカリウムが最も好ましい。
【００１２】
アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
【００１３】
有機アミン等の具体例としては、ジメチルアミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙げられる。
【００１４】
これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩が特に好ましい。
【００１５】
前記有機酸およびその塩は単独で用いても良いし、２種以上を混合して用いても良い。
【００１６】
本発明の研磨液組成物中における有機酸およびその塩の含有量は、うねりやノジュール低減の観点から研磨液組成物中0.01重量％以上が好ましく、取り扱い性の観点から１５重量％以下が好ましい。両者を加味し、より好ましくは0.05〜10重量％、最も好ましくは0.1 〜８重量％である。
【００１７】
本発明の研磨液組成物は、分子中に２個以上のイオン性親水基を持ち、分子量が300 以上の界面活性剤を含有する。
【００１８】
本発明で使用される界面活性剤は、２個以上のイオン性親水基を持ち、分子量が300 以上であれば特に限定はないが、うねりやノジュールの低減の観点からイオン性親水基の数は好ましくは１０以上である。更に粒子間相互作用由来の不安定化（分散質間架橋などによる）を防止する観点から、イオン性親水基の数は３０００以下が好ましい。両者を加味し、イオン性親水基の数は、より好ましくは１０〜２０００、更に好ましくは２０〜１５００、特に好ましくは２０〜１０００である。
【００１９】
イオン性親水基の種類としては、カルボン酸基、スルフォン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、ホスホン酸基等に代表されるアニオン性基、４級アンモニウム塩に代表されるカチオン性基が挙げられる。これらの内、うねり低減の観点から、親水基としてアニオン性基を持つものが好ましく、カルボン酸基を持つもの、中でも少なくとも２個以上のカルボン酸基をもつものがより好ましく、アルケニルコハク酸、マレイン酸共重合体、イタコン酸共重合体のようなα、β―ジカルボン酸ユニットを持つ化合物がさらに好ましく、マレイン酸重合体及び共重合体とその塩が最も好ましい。これらの中で、好ましくは、アルキル多価カルボン酸や（メタ）アクリル酸、マレイン酸、イタコン酸等のカルボン酸単量体の重合体及びその共重合体とその塩であり、さらに好ましくは、アルケニルコハク酸やマレイン酸共重合体、イタコン酸共重合体のようなα、β−ジカルボン酸ユニットを持つ化合物であり、最も好ましくはマレイン酸重合体及び共重合体とその塩である。以上の好ましい化合物の内、共重合体の場合に用いられる単量体の種類としては、特に限定はないが、具体例としては、オレフィン系炭化水素類、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル類、（メタ）アクリル酸アミド類、ポリアルキレンオキサイドアルキレンエーテル類、アルキル酸ビニルエステル類等が挙げられる。
【００２０】
界面活性剤の分子量とはゲル浸透クロマトグラフィーでのポリスチレンスルフォン酸換算重量平均分子量をいう。該分子量はうねり低減の観点300 以上であるが、好ましくは300 〜100 万、より好ましくは500 〜50万、さらに好ましくは1000〜10万、特に好ましくは1000〜５万である。
【００２１】
本発明に用いられる分子中に同種、異種を問わず２個以上のイオン性親水基を持つ分子量３００以上の界面活性剤の具体例を以下に述べる。なお、かぎ括弧で表した名称は、いずれも商品名を示す。親水基がアニオン性基である界面活性剤の例としては、炭素数１４〜３０のアルケニルコハク酸カリウム、スピクリスポール酸に代表されるアルキル多価カルボン酸またはその塩、「UC3120」（東亜合成化学（株）製）、「ポイズ５２１」（花王（株）製）、「アロンA6016 」（東亜合成化学（株）製）、「FC-900」（日本触媒化学（株）製）に代表される（メタ）アクリル酸重合体及びその共重合体とその塩、「デモールＳＴ」（花王（株）製）、「デモールＥＰ」（花王（株）製）に代表されるマレイン酸重合体およびその共重合体とその塩、酢酸ビニルとイタコン酸との共重合体、アクリル酸とイタコン酸との共重合体に代表されるイタコン酸重合体およびその共重合体およびその塩、「デモールＮ」（花王（株）製）、「デモールＡＳ」（花王（株）製）に代表されるポリナフタレンスルフォン酸とその塩、「メルフロー」（三井化学（株））に代表されるポリメラミンスルフォン酸、スルフォン化スチレン重合体及びその共重合物とその塩、アルギン酸ナトリウム、カルボキシメチルセルロースに代表される多糖類およびその誘導体とその塩、「KL318 」（クラレ（株）製）、「SS2217」（クラレ（株）製）に代表されるアニオン性親水基単量体変性ポリビニルアルコールなどが挙げられる。親水基がカチオン性基である界面活性剤の例としては、「マーコート100 」（マツモト交商（株）製）、「マーコート５５０」（マツモト交商（株）製）、「マーコート280 」（マツモト交商（株）製）に代表される４級アンモニウム単量体の重合体およびその共重合体とその塩、（トリメチルアンモニウムクロライド）エチル（メタ）アクリル酸エステル類の重合体及びその共重合体とその塩、「C-506 」（クラレ（株）製）、「CM-308」（クラレ（株）製）、に代表されるカチオン性親水基単量体変性ポリビニルアルコール、などが挙げられる。
【００２２】
また、これらのアニオン性基を有する界面活性剤の内、塩型を用いる場合の対イオンとしては、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機アミン等との塩が挙げられる。金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの金属の中でも、うねり及びノジュール低減の観点から１Ａ、３Ｂ、又は８族に属する金属が好ましく、１Ａ族に属するナトリウム及びカリウムが最も好ましい。
【００２３】
アルキルアンモニウムの具体例としては、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
【００２４】
有機アミン等の具体例としては、ジメチルアミン、トリメチルアミン、アルカノールアミン等が挙げられる。
【００２５】
これらの塩の中では、アンモニウム塩、ナトリウム塩及びカリウム塩が特に好ましい。
【００２６】
本発明における界面活性剤の含有量は、うねり低減の観点から、0.0001重量％以上が好ましく、また、発泡の観点から、5 重量％以下が好ましい。より好ましくは0.0005〜３重量％、さらに好ましくは0.001 〜1.5 重量％、もっとも好ましくは0.005 〜0.5 重量％である。なお、界面活性剤は、単独で又は２種以上を混合して用いることができる。
【００２７】
本発明に用いられる研磨材は、研磨用に一般に使用されている研磨材を使用することができる。該研磨材の例としては、金属；金属又は半金属の炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物；ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表（長周期型）の２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族由来のものである。研磨材の具体例として、α−アルミナ粒子、中間アルミナ粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、酸化マグネシウム粒子、酸化亜鉛粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子等が挙げられ、これらを１種以上使用することは、研磨速度を向上させる観点から好ましい。また、研磨特性の必要性に応じてこれらを２種以上混合して使用しても良い。研磨材用途別ではNi-Pメッキされた基板の研磨はアルミナ粒子やシリカ粒子が速度向上、表面欠陥防止の観点から好ましい。特にアルミナ粒子の場合、微小うねり低減、表面粗さ低減、速度向上、表面欠陥防止の観点からアルミナとしての純度が９５％以上のアルミナが好ましく、より好ましくは結晶型としてα−アルミナ粒子、γ−アルミナ粒子、δ−アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η−アルミナ粒子及びκ−アルミナ粒子であり、更にはα−アルミナ粒子、γ−アルミナ粒子、δ−アルミナ粒子及びθ―アルミナ粒子が好ましく、特に好ましくはα−アルミナ粒子、θ−アルミナ粒子であり、α−アルミナ粒子とθ−アルミナ粒子とを組み合わせることが最も好ましい。また、ガラス材質の研磨には酸化セリウム粒子及びアルミナ粒子が好ましい。半導体ウェハや半導体素子等の研磨では酸化セリウム粒子、アルミナ粒子及びシリカ粒子が好ましい。
【００２８】
特に本発明の研磨液組成物は、Ni-Pメッキされた基板の研磨でのアルミナ粒子を用いた研磨において好適に用いられる。
【００２９】
研磨材の一次粒子の平均粒径は、うねりやノジュール低減の観点から、好ましくは0.001 〜３μm であり、一次粒子が凝集して二次粒子を形成している場合は、同様に微小うねり低減の観点から、その二次粒子の平均粒径は、好ましくは0.01〜３μm である。特に研磨材がアルミナ粒子である場合、一次粒子の平均粒径は0.005 〜0.8 μm がより好ましく、特に好ましくは0.01〜0. 5μm であり、二次粒子の平均粒径は0.05〜2 μm がより好ましく、特に好ましくは0.1 〜1.5 μm である。また、研磨材がシリカ粒子の場合、一次粒子の平均粒径は0.01〜0.2 μm がより好ましく、特に好ましくは0.02〜0.1 μm であり、二次粒子の平均粒径は0.03〜2 μm がより好ましく、特に好ましくは0.1 〜1.2 μm である。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡で観察（好適には3000〜30000 倍）または透過型電子顕微鏡で観察（好適には10000 〜300000倍）して画像解析を行い、粒径を測定することにより求めることができる。また、二次粒子の平均粒径はレーザー光回折法を用いて体積平均粒径として測定することができる。
【００３０】
研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への供給性や回収再利用性の観点から、その比重は２〜６であることが好ましく、２〜５であることがより好ましい。
【００３１】
研磨材の含有量は、経済性及び表面粗さを小さくし、効率よく研磨することができるようにする観点から、研磨液組成物中において好ましくは1 〜40重量％、より好ましくは2 〜30重量％、さらに好ましくは3 〜25重量％である。
【００３２】
本発明の研磨液組成物中の水は、媒体として使用されるものであり、その含有量は被研磨物を効率良く研磨する観点から、好ましくは55〜98.5重量％、より好ましくは60〜97重量％、さらに好ましくは70〜95重量％である。
【００３３】
また、本発明の研磨液組成物には、目的に応じて他の成分を配合することができる。例えば、前記多価カルボン酸以外の有機酸及びその塩、無機酸及びその塩、酸化剤、増粘剤、防錆剤、塩基性物質等が挙げられる。前記多価カルボン酸以外の有機酸及びその塩の具体例としては、炭素数４以上のＯＨ基又はＳＨ基を有しない多価カルボン酸、アミノカルボン酸、アミノ酸及びそれらの塩等が挙げられ、より好ましくはコハク酸、マレイン酸、フマル酸、グルタル酸、シトラコン酸、イタコン酸、アジピン酸等であり、さらに好ましくはコハク酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸及びグルタル酸である。無機酸及びその塩、並びに酸化剤の具体例としては、特開昭62-25187号公報2 頁右上欄3 〜11行目、特開昭63-251163 号公報２頁左下欄７行〜14行、特開平1-205973号公報3 頁左上欄11行〜右上欄2 行、特開平3-115383号公報2 頁右下欄16行〜3 頁左上欄11行、特開平4-275387号公報2 頁右欄27行〜3 頁左欄12行等に記載されているものが挙げられる。無機酸およびその塩としては、より好ましくは硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸カリウム、硫酸ニッケル、硫酸アルミニウム、スルファミン酸アンモニウム等に代表される含硫黄無機酸およびその塩が挙げられる。特に、前記多価カルボン酸以外の有機酸及びその塩は、研磨速度向上の面から、さらに無機酸及びその塩はロールオフ低減の面から、研磨液組成物に添加することが好ましい。それぞれの機能を発現させる観点から、これらの成分は単独で用いても良いし、２種類以上混合して用いても良い。また、その含有量は、それぞれの機能を発現させる観点及び経済性の観点から、好ましくは研磨液組成物中０．０５〜２０重量％、より好ましくは０．０５〜１０重量％、さらに好ましくは０．０５〜５重量％である。
【００３４】
さらに、他の成分として必要に応じて殺菌剤や抗菌剤などを配合することができる。これらの殺菌剤、抗菌剤の含有量は、殺菌又は抗菌作用を発揮する観点、研磨性能への影響、経済面の観点から研磨液組成物中0.0001〜0.1 重量% 、より好ましくは0.001 〜0.05重量％、さらに好ましくは0.002 〜0.02重量％である。
【００３５】
尚、本発明の研磨液組成物の各成分濃度は、研磨する際の好ましい濃度であるが、該組成物の製造時の濃度であって良い。通常、組成物は濃縮液として組成物は製造され、これを使用時に希釈して用いる場合が多い。
【００３６】
また、研磨液組成物は目的成分を任意の方法で添加、混合して製造することができる。
【００３７】
研磨液組成物のｐＨは、被研磨物の種類や要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例えば、研磨液組成物のｐＨは、被研磨物の洗浄性及び加工機械の腐食防止性、作業者の安全性の観点から、2 〜12が好ましい。また、被研磨物がNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板などの金属を主対象とした精密部品基板である場合、研磨速度向上と表面品質の向上の観点からｐＨは２〜１０が好ましく、２〜９がより好ましく、２〜７がさらに好ましく、２〜５が特に好ましい。さらに、半導体ウェハや半導体素子等の研磨、特にシリコン基板、ポリシリコン膜、SiO2膜等の研磨に用いる場合は、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点から、7 〜12が好ましく、8 〜11がより好ましく、9 〜11が特に好ましい。該ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、オキシカルボン酸、多価カルボン酸やアミノポリカルボン酸、アミノ酸等の有機酸、及びその金属塩やアンモニウム塩、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
【００３８】
本発明の基板の製造方法は、前記研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有している。
【００３９】
本発明の対象である被研磨基板に代表される被研磨物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属又は半金属、及びこれらの金属を主成分とした合金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化タンタル、窒化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂などが挙げられる。これらの中では、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金が被研磨物であるか、又はそれらの金属を含んだ半導体素子等の半導体基板が被研磨物であることが好ましい。特に、Ni-Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板が、研磨する際に本発明の研磨液組成物を用いた場合、うねりやノジュールを特に低減することができるので好ましい。従って、本発明は前記基板のうねり低減方法にも関する。
【００４０】
これらの被研磨物の形状には特に制限がなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が本発明の研磨液組成物を用いた研磨の対象となる。その中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に特に優れている。
【００４１】
本発明の研磨液組成物は、精密部品用基板の研磨に好適に用いられる。例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板、フォトマスク基板、光学レンズ、光学ミラー、光学プリズム、半導体基板等の研磨に適している。半導体基板の研磨は、シリコンウェハ（ベアウェハ）のポリッシング工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において行われる研磨がある。本発明の研磨液組成物は、特に磁気ディスク基板の研磨に適している。
【００４２】
本発明の研磨液組成物を用いる被研磨基板のうねり及び／又はノジュール低減方法において、上記に挙げた被研磨基板を、本発明の研磨液組成物を用いて研磨することにより、うねりやノジュールを顕著に低減できる。例えば、多孔質の有機高分子系の研磨布などを貼り付けた研磨盤で基板を挟み込み、本発明の研磨液組成物を研磨面に供給し、圧力を加えながら研磨盤や基板を動かすことにより、うねりやノジュールを低減した基板を製造することができる。
【００４３】
本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができる。
【００４４】
【実施例】
実施例１〜６、比較例１〜４
［研磨液配合方法］
研磨材（一次粒子の平均粒径0.23μm 、二次粒子の平均粒径0.65μm のα−アルミナ（純度99.9％））１６重量部、中間アルミナ（θ−アルミナ、平均粒径0.２μm 、比表面積150m2/g 、純度99.9% ）を４重量部、イタコン酸０．５重量部、表１に示す有機酸、界面活性剤を所定量、残分をイオン交換水として攪拌混合して研磨液組成物１００重量部を得た。研磨時にはこの研磨液組成物を４倍量のイオン交換水にて希釈(vol/vol) して使用した。
【００４５】
［研磨方法］
ランク・テーラーホブソン社製のタリーステップ（触針先端サイズ：25μm ×25μm 、ハイパスフィルター：80μm 、測定長さ：0.64mm）によって測定した中心線平均粗さRaが0.2 μm 、厚さ1.27 mm 、直径3.5 インチのNi-Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の設定条件でポリッシングし、磁気記録媒体用基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。得られた研磨物のうねりとノジュール残存数を下記方法に基づき測定した。
【００４６】
両面加工機の設定条件を下記に示す。
＜両面加工機の設定条件＞
両面加工機：スピードファーム（株）製、9B型両面加工機
加工圧力：9.8kPa
研磨パッド：フジボウ（株）製「H9900S」（商品名）
定盤回転数：50rpm
研磨液組成物供給流量：100ml/min
研磨時間：7min  ただし、ノジュール評価のみ1.5min
投入した基板の枚数：10枚
【００４７】
［研磨速度］
７分間研磨した前後の各基板の重さを計り（Sartorius 社製「BP-210S 」）、各基板の重量変化を求め、１０枚の平均値を減少量とし、それを研磨時間で割った値を重量減少速度とした。重量の減少速度を下記の式に導入し、研磨速度（μm/min ）に変換した。比較例の研磨速度を基準値１として各実験例の研磨速度の相対値（相対速度）を求めた。
重量減少速度(g/min) ＝｛研磨前の基板重量(g) −研磨後の基板重量(g) ｝／研磨時間(min)
研磨速度( μm/min)＝重量減少速度(g/min) ／基板片面面積(mm2) ／Ni-Pメッキ密度(g/cm3) ×10000
【００４８】
［うねり］
７分間研磨した後の各基板表面のうねりを下記の条件で測定した。
機器      ：「Zygo New-View200」（Ｃａｎｏｎ販売株式会社製製）
レンズ    ：2.5 倍  Micheison
ズーム比  ：０．５
リムーブ  ：Cylinder
フィルター：FFT Fixed Band Pass
短波長うねり  50〜500 μm 
長波長うねり  0.5 〜5mm
エリア    ：4.33mm×5.77mm
【００４９】
［ノジュール］
1.5 分研磨後の各基板を下記の条件で観察し、残存ノジュール数を数えた。
機器      ：偏光顕微鏡（ニコンUFX-DX）
倍率      ：300 倍
観察箇所：ディスクの中央部（内周と外周の中間）のディスク１周
【００５０】
表１に結果を示す。研磨速度とうねりの値は比較例１の値を基準値１とした比較値とし、ノジュール残存数は観察数で表記した。比較例１の無添加、比較例２の有機酸単独、比較例３の界面活性剤単独に比較して実施例１〜６は研磨速度を維持しながら、うねり、ノジュール残存数を著しく低減していることがわかる。また、比較例２と比較例４の比較よりＯＨを含有する多価カルボン酸にてうねり、ノジュール残存数低減効果が発現することがわかる。
【００５１】
【表１】
2004204118.tif 000002
【００５２】
【発明の効果】
本発明の研磨液組成物を精密部品用基板等の研磨に用いることにより、該基板のうねり、ノジュール残存数を低減させるという効果が奏される。