(57)【要約】【課題】増大した焦点深度によって、孤立した形状構成、特に、明るい背景上の暗い形状構成を結像するデバイス製造方法を提供し、さらにこの方法で使用するマスクも提供すること。【解決手段】デバイス製造方法、その方法で使用するためのマスク・セット、プログラム可能なパターン形成装置を制御するためのデータ・セット、マスク・パターンを作成する方法、およびコンピュータ・プログラム。孤立した暗い形状構成、例えば、コンタクト・ホールまたはラインを２度露光で露光する。これらの２度の露光では異なる照射設定が使用される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射のビームの断面に、明るい局部領域内の望ましい暗い孤立形状構成を含み、かつ前記明るい局部領域の周囲が暗い第１パターンを与えるためのパターン形成装置を使用することによって第１露光を実施し、さらに前記放射のパターン形成したビームを放射感光材料層の標的部分上に投影する段階、および
前記放射のビームの断面に、前記明るい局部領域に実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域の周囲の広領域内が明るい第２パターンを与えるためのパターン形成装置を使用することによって第２露光を実施し、さらに前記放射のパターン形成したビームを放射感光材料層の標的部分上に投影する段階を含み、
前記第１および第２露光がいずれの順番でも実行されるデバイス製造方法であって、
第１照射設定を前記第１露光に使用し、かつ第２照射設定を前記第２露光に使用し、前記第２照射設定が前記第１照射設定と少なくとも一部が異なることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第２照射設定が、前記第２露光において、放射が前記第１露光での前記明るい局部領域に対応する前記暗い領域に実質的に進入しないように配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２照射設定が、照射方式および／または前記照射方式の少なくとも１つのパラメータが異なる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記照射方式が、通常型、環状型、双極型、および四極型である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記照射方式の前記少なくとも１つのパラメータが、ＮＡ、σ、σinner、σouter、多極型方式の配向、偏光、線量、焦点、レンズ設定、および露光波長帯域幅のうちの１つである、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記暗い孤立形状構成がコンタクト・ホールであり、前記放射感光材料がネガティブ・トーン・レジストである、請求項１から５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２照射設定が、対角線上に極を有する四極型照射方式であるが、前記極が前記第２照射設定における光学軸により近接する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１および第２照射設定が投影システムのＮＡを含み、ＮＡの値が前記第１照射設定におけるよりも前記第２照射設定における方が小さい、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記暗い孤立形状構成が孤立ラインである、請求項１から５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１照射設定が、前記孤立ラインに直交する軸上に前記極を有する双極型照射方式を含み、前記第２照射設定が、前記孤立ラインに平行な軸上に前記極を有する双極型照射方式を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記局部領域の半幅が、前記孤立ラインの標的幅の１．５倍から５倍までの値域内にある、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１パターンが、暗い密集形状構成を含む明るい延長局部領域をさらに含みかつ前記延長局部領域の周囲が暗く、前記第２パターンが、前記明るい局部領域と前記明るい延長局部領域とに実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域と前記延長局部領域の周囲の広領域内が明るい、請求項１から１１までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記密集形状構成が密集コンタクト・ホールである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記密集コンタクト・ホールが、前記コンタクト・ホールの標的幅の２倍と４倍の間のピッチで離間する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２パターンの前記広領域が、暗い中程度の密集形状構成をさらに含む、請求項１から１３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記中程度の密集形状構成がコンタクト・ホールである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記密集コンタクト・ホールが、前記コンタクト・ホールの標的幅の２倍と３倍の間のピッチで離間し、前記第２パターンの前記広領域が、前記コンタクト・ホールの標的幅の３倍と６倍の間のピッチで離間する暗い中程度の密集コンタクト・ホールをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記請求項のいずれか一項に記載の方法で使用するマスク・セットであり、明るい局部領域内に望ましい暗い孤立形状構成を含む第１パターンと、前記明るい局部領域に実質的に対応する領域が暗く、かつ前記局部領域の周囲の広領域内が明るい第２パターンとを実現するマスク・セット。
【請求項１９】
前記マスク・セットが、その異なる領域において実現した前記第１および第２パターンを有する単一マスクを含む、請求項１８に記載のマスク・セット。
【請求項２０】
前記マスク・セットが、前記第１および第２パターンをそれぞれに実現する第１および第２マスクを含む、請求項１８に記載のマスク・セット。
【請求項２１】
請求項１から１１までのいずれか一項に記載の方法で使用するデータ・セットであり、明るい局部領域内の望ましい暗い孤立形状構成を含む第１パターンと、前記明るい局部領域に実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域の周囲の広領域内が明るい第２パターンとを実現するデータ・セット。
【請求項２２】
コンタクト・ホールの標的パターン中の孤立、密集、および準密集コンタクト・ホールを識別する段階、
明るい局部領域内に前記暗い孤立コンタクト・ホールを含み、かつ前記明るい局部領域の周囲が暗く、さらに、明るい延長局部領域内に前記密集コンタクト・ホールをさらに含み、かつ前記延長局部領域の周囲が暗い第１パターンを表す第１パターン・データ・セットを画定する段階、
前記明るい局部領域と前記明るい延長局部領域とに実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域と前記延長局部領域の周囲の広領域内が明るく、さらに、前記準密集コンタクト・ホールをさらに含む第２パターンを表す第２パターン・データ・セットを画定する段階、
前記第１および第２パターンをそれぞれ結像するために、第１および第２照射設定と投影システム設定を画定する段階、
前記第１および第２照射設定と投影システム設定に基づいて、前記第１および／または第２パターンにおいて、光近接効果補正を少なくとも１つのコンタクト・ホールに適用することによって前記第１および／または第２パターン・データ・セットを変更する段階、ならびに
前記第１および第２変更データ・セットをそれぞれに使用して第１および第２マスク・パターンを作成する段階を含む、マスク・パターンを作成する方法。
【請求項２３】
コンピュータ・システムで実行するとき、前記コンピュータ・システムに請求項２２に記載の方法を実施するように命令するプログラム・コード手段を含むコンピュータ・プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ投影装置を使用するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、望ましいパターンを基板の標的部分の上に施す機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。その場合には、マスクまたはレチクルとも呼ぶパターン形成装置を使用して、ＩＣの個別層に対応する回路パターンを作成することができるが、このパターンは、放射感光材料（レジスト）の層を有する基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の標的部分（例えば、１つまたはいくつかのダイの一部を含む）の上に結像可能である。一般には、単一の基板が、連続的に露光される隣接標的部分の回路網を含むことになる。既知のリソグラフィ装置には、１回の試みでパターン全体を標的部分上に露光することによってそれぞれの標的部分を照射する、いわゆるステッパと、投影ビームによってパターンを所与の方向（「走査」方向）に走査しながら、同期してこの走査方向に対して平行または逆平行に基板を走査することによって標的部分のそれぞれを照射する、いわゆるスキャナが含まれる。リソグラフィ装置は、放射のビームを供給しかつパターン形成装置を照射するように構成された放射システムを備え、さらにこのリソグラフィ装置は、前記パターンを標的部分上に結像するように構成された投影システムを備える。
【０００３】
簡略化のために、以降では投影システムを「レンズ」と呼ぶ場合があるが、この用語は、例えば、屈折光学素子、反射光学素子、および反射屈折系を含めて、様々な種類の投影系を包含するものと広義に解釈されるべきである。放射システムも、放射の投影ビームを誘導し、成形し、または制御するために、このような設計上の任意の種類にしたがって動作する構成要素を含むことが可能であり、以下ではこのような構成要素も集合的にまたは単独に「レンズ」と呼ぶ場合がある。放射システムは、一般に照射システムを含む。照射システムは、レーザなどの光源から放射を受け、パターン形成装置（例えば、マスク・テーブル上のマスク）などの物体を照射するための照射ビームを生成する。典型的な照射システムの内部では、ビームが照射システムのひとみ平面で望ましい空間強度分布を有するように、ビームを成形しかつ制御する。ひとみ平面におけるこのような空間強度分布は、照射ビームを生成するための実質上の放射源として効果的に作用する。暗い背景上の（実質的に均一な）光域からなる前記強度分布の様々な形状を利用することができる。以降では、このような形状をいずれも「照射方式」と呼ぶ。知られている照射方式には、通常型（前記ひとみ中のシルクハット型強度分布）、環状型、双極型、四極型、および照射ひとみ強度分布のより複雑な形状配置が含まれる。前記ひとみ平面内の側方位置は、パターン形成装置における入射角に対応し、一般には、このような入射角をいずれも投影システムの開口数ＮＡの分数シグマ（σ）として表す。したがって、照射システムのひとみにおける強度分布のさらに完全な特性決定は、照射方式の指標の他に、例えば、σおよびＮＡなど、照射方式のパラメータの指標も含む。以後、照射方式と前記照射方式に対応するパラメータの組合せを「照射設定」と呼ぶ。知られている照射設定には、「通常型」照射設定（この設定では照射ひとみ中の強度分布が、投影システムのσ（０＜σ＜１）のパラメータ値と開口数ＮＡのパラメータ値によって画定された一定の半径まで実質的に均一である）、環状型設定（その画定は照射方式パラメータσｉｎｎｅｒおよびσｏｕｔｅｒ値を含む）、双極型設定、四極型設定、およびさらに複雑な配置が含まれる。照射設定を様々な方式で形成することができる。通常型照射方式のσ値は、ズーム・レンズを使用して制御可能であり、他方で環状型方式のσｉｎｎｅｒおよびσｏｕｔｅｒ値は、ズーム／アキシコン・レンズを使用して制御可能である。ＮＡ値は、投影システム中の設定可能なアイリス絞りを使用して制御可能である。
【０００４】
さらに複雑な設定（前記双極型および四極型方式など）は、ひとみ平面内の適切な開口を有する絞りを使用するかまたは回折光学要素によって構成可能である。典型的には、前記回折光学要素は、照射システムのひとみ平面の上流で予め選択した角強度分布を生成するように配置されている。この角強度分布は、照射システムのひとみ平面内の対応する空間強度分布に変換される。
【０００５】
ラインおよびコンタクト・ホールなどの孤立した形状構成を結像するとき、実現可能な焦点深度（ＤＯＦ）は一般に小さく、したがってこのような形状構成を結像するときＤＯＦを改善するために様々な技法が開発されてきた。孤立したラインに関しては、補助的な形状構成の様々な形態が提案されたが、望ましくない残留物が印刷されるのを回避するために補助的な形状構成のサイズを限定しなければならない。したがって、このような形状構成がＤＯＦを改善できる程度は限定的である。コンタクト・ホールに関しては、減衰位相シフト・マスクおよびスリー・トーン・マスクを使用することが提案されたが、これらの方法は、依然として特に大きなＤＯＦをもたらすまでには至っていない。
【０００６】
Ｓｈｕｊｉ  Ｎａｋａｏらによる「Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ  ｏｆ  Ｕｌｔｒａ−ｆｉｎｅ  Ｌｉｎｅ  ｗｉｔｈｏｕｔ  Ｕｓｉｎｇ  Ａｎｙ  Ｓｔｒｏｎｇ  ＲＥＴ」、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＸＩＶ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ  ４３４６巻（２００１年）が、１００ナノメートル以下のライン・パターンを２度の露光で結像する技法を開示する。最初に、暗いラインを２本の明るいラインの間に結像し、次いで、暗いラインが明るい領域内で孤立するように、２度目の露光によって明るいライン対の間の望ましくない暗いラインを消去する。他の大きな形状構成を同時に結像できるように通常型の照射を使用する
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の１つの目的は、増大した焦点深度によって、孤立した形状構成、特に、明るい背景上の暗い形状構成を結像するデバイス製造方法を提供し、さらにこの方法で使用するマスクも提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的および他の目的は、本発明にしたがって、
放射のビームの断面に、明るい局部領域内に望ましい暗い孤立形状構成を含み、かつ前記明るい局部領域の周囲が暗い第１パターンを与えるためのパターン形成装置を使用することによって第１露光を実施し、さらに放射のパターン形成したビームを放射感光材料層の標的部分上に投影する段階、および
放射のビームの断面に、前記明るい局部領域に対応する領域内が暗く、前記局部領域の周囲の広領域内が明るい第２パターンを与えるためのパターン形成装置を使用することによって第２露光を実施し、さらに放射のパターン形成したビームを放射感光材料層の標的部分上に投影する段階を含むデバイス製造方法であって、
第１照射設定を前記第１露光に使用し、かつ第２照射設定を前記第２露光に使用し、前記第２照射設定が前記第１照射設定と少なくとも一部が異なることを特徴とする方法において実現される。
【０００９】
これらの２度の露光に関する照射設定を別々に最適化することによって、暗い孤立形状構成に関するＤＯＦと露光寛容度を最適化することが可能である。いくつかの場合では、第２露光に関する照射方式が、第１露光での明るい局部領域に対応する暗い領域に実質的に光が進入しないよう配置されていることが好ましい。他の場合では、第１露光と第２露光の焦点外れ挙動が相互に打ち消し合うように配置され、いずれか一方の別々の露光の焦点深度よりも大きい組合せ焦点深度を備えることができる。実験または模擬計算を行って露光すべき所与のパターンに最も適切な方式を決定することができる。
【００１０】
孤立形状構成とは、例えば、それらに最も近い隣接形状構成から、関連する標的形状構成の寸法、例えば、ライン幅またはコンタクト・ホール直径の３倍よりも大きい距離だけ孤立している形状構成である。本明細書では、標的形状構成の寸法は、現像後のレジスト中の目標とする形状構成の寸法である。回路パターンの作成には、形状構成間の空間許容度の制御と形状構成の寸法の制御とが伴う。特に、デバイスの製造において許容される最高度に微細なこのような空間および／または寸法の制御が重要である。前記最高度に微細な空間および／または最高度に微細な幅を限界寸法と呼ぶが、一般に本明細書では、標的形状構成の寸法が限界寸法であり、したがって、以降では限界寸法、すなわち、ＣＤまたは標的ＣＤと呼ぶ。
【００１１】
２度の露光に関して最適化すべき照射設定には、照射方式（例えば、円形型、環状型、双極型、および四極型）ならびに照射方式のパラメータ（例えば、ＮＡ、σ、σｉｎｎｅｒ、σｏｕｔｅｒ、多極型方式の配向、偏光、線量、焦点、レンズ設定、および露光波長帯域幅など）が含まれる。例えば、回折光学要素を使用して、２度の露光に関する特定の特注照度分布を作成することも可能である。
【００１２】
本発明は、ネガティブ・トーン・レジストを使用するコンタクト・ホールの形成に特に応用可能であり、その場合に、第１および第２露光が、対角線上に極を有する四極型照射方式を用いるが、第２露光ではこれらの極がひとみ平面の中心により近接していれば、焦点深度を改善することができる。
【００１３】
本発明は、孤立ラインの形成に応用可能であり、その場合に、第１露光が、この孤立ラインに直交する軸上に極を有する双極型照射方式を用い、かつ第２露光が孤立ラインに平行な軸上に極を有する双極型照射方式を用いれば、焦点深度を改善することができる。局部領域の半幅が、孤立ラインの標的幅の１．５倍から５倍までの値域にある場合に、特に適切な結果が得られる。
【００１４】
ＩＣの個別層に対応する形状構成の回路パターンは、一般に、形状構成間に異なる間隔を有する複数の形状構成を含む。したがって、形状構成は、様々な隣接距離でまたは様々な隣接距離の値域で存在可能であり、したがってそれに応じて分類可能である。一般には、標的形状構成の寸法の１倍から２倍までにわたる距離だけ離間する「密集形状構成」が通常知られており、同様に、標的形状構成の寸法の２倍を下回らない距離だけ離間する「孤立形状構成」が通常知られている。しかし、「密集形状構成」の一般的に容認された厳密な定義はなく、「孤立形状構成」の一般的に容認された厳密な定義も存在しない。明るい局部領域内に望ましい暗い孤立形状構成を含み、かつ前記明るい局部領域の周囲が暗く、さらに、暗い密集形状構成を含む明るい延長局部領域をさらに含み、かつ前記延長局部領域の周囲が暗い前記第１パターンと、前記明るい局部領域と前記明るい延長局部領域とに実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域と前記延長局部領域の周囲の広領域内が明るい前記第２パターンとを有することによって、本発明は、孤立形状構成と密集形状構成をともに含むコンタクト・ホールの回路パターンの形成に応用可能である。孤立形状構成が埋め込まれている明るい局部領域の存在によって、孤立形状構成の結像で使用するのに適切な照射設定は、前記密集形状構成を結像するのに適切な照射設定に一致し、したがって有利なことに、両種類の形状構成を同時に照射するための前記第１露光で使用可能である。
【００１５】
形状構成の種類は、形状構成間における相互距離の３つの連続的な値域にしたがって、形状構成の回路パターンにおける３種類の形状構成、すなわち、密集形状構成、準密集形状構成、および孤立形状構成を識別することによってさらに区別することができる。明るい局部領域内に望ましい暗い孤立形状構成を含み、かつ前記明るい局部領域の周囲が暗く、さらに、暗い密集形状構成を含む明るい延長局部領域をさらに含み、かつ前記延長局部領域の周囲が暗い前記第１パターンと、前記明るい局部領域と前記明るい延長局部領域とに実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域と前記延長局部領域の周囲の広領域が明るく、それによって前記広領域が暗い中程度の密集形状構成をさらに含む第２パターンとを有することによって、本発明は前記３種類の形状構成を含むコンタクト・ホールの回路パターンの形成にも応用可能である。
【００１６】
第２露光では、（第１パターンの）前記明るい局部領域と前記明るい延長局部領域とに実質的に対応する暗い領域の結像に使用するのに適切な照射設定が、前記準密集形状構成を結像するのに適切な照射設定と一致する。これは、第２パターンでは（第１パターンに存在するように）密集形状構成に典型的な高い空間周波数が存在しないことによる。したがって、有利なことに、暗い領域と暗い準密集形状構成を同時に照射するための前記第２露光で単一の最適照射設定を使用することができる。
【００１７】
本発明は、密集および孤立コンタクト・ホール、または密集、準密集、および孤立コンタクト・ホールを含むパターンの形成に特に応用可能である。
【００１８】
本発明は、上記方法に使用するためのマスク・セットも提供し、明るい局部領域内に望ましい暗い孤立形状構成を含む第１パターンと、前記明るい局部領域に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域の周囲の広領域内が明るい第２パターンとを実現する。
【００１９】
第１および第２パターンは、露光すべきパターンがマスクの半分のサイズよりも小さければ、単一マスクの異なる領域内で実現可能であるし、または別体のマスクでも実現可能である。
【００２０】
さらには、本発明は、上記方法に使用するデータ・セットであり、かつ明るい局部領域内に望ましい暗い孤立形状構成を含む第１パターンと、前記明るい局部領域に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域の周囲の広領域内が明るい第２パターンとを実現するためにプログラム可能なパターン形成装置を制御するためのデータ・セットを提供する。
【００２１】
さらに本発明は、
コンタクト・ホールの標的パターン中の孤立、密集、および準密集コンタクト・ホールを識別する段階、
明るい局部領域内に前記暗い孤立コンタクト・ホールを含み、かつ前記明るい局部領域の周囲が暗く、さらに、明るい延長局部領域内に前記密集コンタクト・ホールをさらに含み、かつ前記延長局部領域の周囲が暗い第１パターンを表す第１パターン・データ・セットを画定する段階、
前記明るい局部領域と前記明るい延長局部領域とに実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域と前記延長局部領域の周囲の広領域内が明るく、さらに、前記準密集コンタクト・ホールをさらに含む第２パターンを表す第２パターン・データ・セットを画定する段階、
前記第１および第２パターンをそれぞれ結像するために、第１および第２照射設定と投影システム設定を画定する段階、
前記第１および第２照射設定と投影システム設定に基づいて、前記第１および／または第２パターンにおいて、光近接効果補正を少なくとも１つのコンタクト・ホールに適用することによって前記第１および／または第２パターン・データ・セットを変更する段階、ならびに
前記第１および第２変更データ・セットをそれぞれに使用して第１および第２マスク・パターンを作成する段階を含むマスク・パターンを作成する方法を提供する。
【００２２】
本発明は、上の方法を実施するためのコンピュータ・プログラムも提供する。
【００２３】
本明細書では、リソグラフィ装置をＩＣ製造で使用することに特定して言及する場合があるが、本明細書に説明するリソグラフィ装置には、例えば、集積光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、液晶表示板（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の応用例があり得ることを理解されたい。このような別法の応用例の文脈では、本明細書における「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、より一般的な用語「基板」または「標的部分」という用語とそれぞれに同義であると見なし得ることを当業者なら理解しよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えば、トラック（典型的には、基板にレジスト層を塗布しかつ露光したレジストを現像する手段）または計測もしくは検査手段の中で処理可能である。応用可能な場合は、本明細書の開示をこのようなおよび他の基板処理手段に応用することができる。さらには、例えば、多層ＩＣを作成するために基板を２度以上処理することが可能であり、したがって、多重に処理された層を既に含んでいる基板についても本明細書で使用する基板という用語を同様に用いる。
【００２４】
本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ナノメートルの波長を有する）および極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５から２０ナノメートルまでの範囲内の波長を有する）を含めて、すべての種類の電磁放射を包含する。
【００２５】
本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、基板の標的部分中にパターンを作成するように投影ビームの断面にパターンを与えるために使用可能な装置を指すものと広義に解釈されるべきである。投影ビームに与えられたパターンは、基板の標的部分中の望ましいパターンに厳密に対応しなくてもよいことに留意されたい。一般には、投影ビームに与えられたパターンは、集積回路など、標的部分中に作成されたデバイス中の特定機能層に対応することになる。
【００２６】
パターン形成装置は透過型または反射型であり得る。パターン形成装置の実施例には、マスク、プログラマブル・ミラー・アレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィではよく知られており、バイナリ、交番位相シフト、および減衰位相シフトなどのマスク型ばかりでなく、様々なハイブリッド・マスク型も含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの１つの実施例は微小ミラーのマトリックス配置を利用し、これらのミラーのそれぞれが、入射する放射ビームを異なる方向に反射するために個々に傾斜可能であり、このような方式で反射ビームをパターン形成する。
【００２７】
支持構造は、パターン形成装置の支持、すなわち、その重量を支える。そのパターン形成装置の保持方法は、パターン形成装置の配向、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えば、パターン形成装置が真空環境中で保持されているのかどうかなどに依存する。機械固定技法、吸引技法、または他の固定技法、例えば、真空条件下での静電固定技法などを用いて支持することができる。支持構造は、例えば、架台またはテーブルであり、それらは必要に応じて固定式または可動式でよく、かつパターン形成手段を望ましい位置に、例えば、投影システムに対して確実に保持することができる。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語の使用はいずれも、より一般的な「パターン形成装置」という用語と同義であると見なすことができる。
【００２８】
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、屈折光学系、反射光学系、および反射屈折光学系を含めて、例えば、使用している露光放射に、または浸漬液の利用もしくは真空の利用など他の要素にも適切な様々な種類の投影システムを包含するものと広義に理解するべきである。本明細書では「レンズ」という用語の使用はいずれも、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると見なすことができる。
【００２９】
照射システムも、放射の投影ビームを誘導し、成形し、かつ制御するための屈折、反射、および反射屈折光学構成要素を含めて、様々な種類の光学構成要素を包含することが可能であり、以下ではこのような構成要素も集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ぶ場合がある。
【００３０】
リソグラフィ装置は、２つ（２ステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つまたはそれ以上のマスク・テーブル）を有する種類があり得る。このような「多ステージ」機械では、追加的なテーブルを並行して使用可能であり、１つまたは複数のテーブル上で予備工程を実行しながら、他方で１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用することができる。
【００３１】
リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板の間の空間を充満するために、相対的に高い屈折率を有する液体、例えば、水の中に基板を浸漬する種類でもよい。浸漬液は、リソグラフィ装置中の他の空間、例えば、マスクと投影システムの第１要素との間に適用することもできる。浸漬技法は、投影システムの開口数を増やすために当業ではよく知られている。
【００３２】
ここで添付の図面を参照して、例示によってのみ本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００３３】
図では、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【００３４】
図１は、本発明の方法に使用可能なリソグラフィ投影装置を模式的に示す。本装置は、
放射（例えば、ＤＵＶ（遠赤外線）放射）の投影ビームＰＢを供給し、この特定の場合では、放射源ＬＡも含む放射システムＥｘ、ＩＬ；
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク保持器が備わり、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めする第１位置決め装置に連結されている第１物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ；
基板Ｗ（例えば、レジストが塗布されているシリコン・ウェハ）を保持するための基板保持器が備わり、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２位置決め装置に連結されている第２物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ；および
マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの標的部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）の上に結像するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、屈折レンズ系）を備える。
この図に示すように、この装置は透過型である（例えば、透過マスクを有する）。しかし、一般には、例えば、それが反射型であってもよい（例えば、反射マスクを有する）。別法として、この装置は、上で言及した種類のプログラマブル・ミラー・アレイなど、別の種類のパターン形成装置を用いることもできる。
【００３５】
放射源ＬＡ（例えば、エキシマ・レーザ）は放射のビームを発生する。このビームは、直接にまたは、例えば、ビーム拡大器Ｅｘなどの調節装置を横切った後で、照射システム（照射器）ＩＬに送出される。照射器ＩＬは、ビーム中の強度分布の外半径範囲および／または内半径範囲（通常、それぞれσ−外半径およびσ−内半径と呼ぶ）を設定するための調整装置ＡＭを備えることができる。この照射器は、積分器ＩＮおよび集光器ＣＯなどの他の様々な構成要素をさらに備えるのが一般である。このように、マスクＭＡの上に当たるビームＰＢは、その断面中に望ましい均一性と強度分布を有する。
【００３６】
図１に関して、放射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置の箱体内部にあってもよいが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプである場合にしばしばそうであるように）、リソグラフィ投影装置から遠隔にあってもよく、この装置の中に、放射源が発生する放射ビームを導入する（例えば、適切な誘導ミラーの助けによって）ことに留意されたい。後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザの場合にしばしばそうである。
【００３７】
次いで、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを横切ってから、ビームＰＢは、基板Ｗの標的部分Ｃ上にビームＰＢを合焦するレンズＰＬを通過する。第２位置決め装置（および干渉型測定装置ＩＦ）の助けによって、例えば、異なる標的部分ＣをビームＰＢの経路中に位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１位置決め装置を使用して、例えば、マスクＭＡをマスク・ライブラリーから機械的に取り出した後にまたは走査時に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）および短行程モジュール（微細な位置決め）の助けによって実現するが、これらは図１に明示されていない。しかし、ウェハ・ステッパ（ステップ・アンド・スキャン装置とは異なる）の場合は、マスク・テーブルＭＴを短行程アクチュエータに単に連結するか、または固定することができる。
【００３８】
図示の装置は２つの異なる方式で使用することができる。すなわち、
１．ステップ方式では、マスク・テーブルＭＴを基本的に静止状態に維持し、マスク像全体を１回の試み（すなわち、単一「閃光」）で標的部分Ｃ上に投影する。次いでビームＰＢが異なる標的部分Ｃを照射できるように、基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動する。
２．スキャン方式では、所与の標的部分Ｃを単一「閃光」で露光しないこと以外は、基本的に同じシナリオが該当する。ただし、投影ビームＰＢにマスク像全体にわたって走査させるように、マスク・テーブルＭＴが所与の方向（いわゆる「走査方向」であり、例えば、ｙ方向）に移動可能であり、並行して、基板テーブルＷＴを速度Ｖ＝Ｍｖで同方向または逆方向に同期移動する。前式でＭはレンズＰＬの倍率（典型的にはＭ＝１／４または１／５）である。このようにして、分解能を損なわずに済むように相対的に大きな標的部分Ｃを露光することができる。
【００３９】
本発明の第１の方法では、ネガティブ・レジストを使用して孤立コンタクト・ホールを印刷する。これを２度の露光で実施する。
【００４０】
第１の露光では、図２Ａに模式的に示す四極型照射方式を用いて、関連部分を図２Ｃに示すマスクを照射するが、そのマスクは、明るい局部領域１２が取り囲むコンタクト・ホールに対応する不透明領域１１を有する。そして次に、隣接する形状構成の区域に達する不透明領域１３が、この明るい領域１２を取り囲む。コンタクト・ホールに対応する不透明領域１１は、望ましいコンタクト・ホールの標的直径に等しい直径Ｄ、例えば、１００ナノメートルを有し、それに、例えば、０から６０ナノメートルの値域内の偏倚値が加わる。明るい局部領域の幅Ｇ（Ｇは明るい局部領域の全幅または直径の半分を表す）は、望ましいコンタクト・ホールの標的直径の約２倍または３倍、例えば、２３０から２６０ナノメートルになるように設定され、それに偏倚値が加わる。
【００４１】
ここにまたは以下に挙げる寸法は「基板水準での」単位量であり、したがってマスクにおける実際の寸法は、投影システムＰＬの倍率の逆数に等しい分だけ大きい、例えば、４倍から５倍大きいことに留意されたい。
【００４２】
第２の露光では、図２Ｂに模式的に示す四極型照射方式を同様に用いるが、これらの極はひとみ平面の原点により近接している。これは、一部を図２Ｄに示すパターンを照射するが、そのパターンは、第１パターン中の明るい領域１２に対応する不透明領域１４を有し、かつ第１露光で露光された他の形状構成を覆う暗い領域（図示せず）以外の他の領域が明るい。第２露光の不透明領域は、第１露光での明るい局部領域と厳密に同じサイズである必要がないことに留意されたい。領域１２が領域１４よりも大きければ、多少の２重露光が存在することになるが、それによって有害な影響を受けることはない。領域１２が領域１４よりも小さければ、細い正方形の輪郭が露光されずに残ることになる。これは、得られるレジスト形状構成をレジストの現像時に洗浄する場合は問題にならない。領域１４が領域１２よりも大きい場合、その差は、露光するための標的ＣＤの半分よりも小さくなければならない。領域１２が領域１４よりも大きい場合は、孤立形状構成が第２露光から保護される部分が少なくなるが、それはある程度まで許容範囲内である。
【００４３】
第１露光は、密集するコンタクト・ホールを結像するために最適なＮＡで、例えば、約２５０ナノメートルのピッチにある１００ナノメートルのホールに関してＮＡ＝０．７１で（したがって、それは同じ工程で結像可能である）、１９３ナノメートルの露光放射によって実行される。ＤおよびＧの最適値は、最適の露光線量窓を捜すことによって見つけることができる。
【００４４】
同様に１９３ナノメートルの露光放射を使用する第２露光は、すべての焦点水準に関してコンタクト・ホールの中心の外乱が最小であり、同時に外側領域も露光するように決定された照射設定で実行される。本実施例では、このような基準によって、低いＮＡ設定（例えば、０．５）と第２露光構造のピッチに関して最適化された四極型設定が得られる。したがって、第１露光に関する設定と較べて、これらの極の位置がひとみ平面の中心に向かって移動する。
【００４５】
第２露光は、外側領域を照射し、第１露光によって露光されずに残された外側部分を露光する。それはまた、内側領域の焦点外れ領域内に多少のエネルギーを追加し、スルー・フォーカス挙動を改善する。これは、第１および第２露光が反対の焦点外れ挙動を有するからである。
【００４６】
第１および第２露光の効果をそれぞれ図２Ｅおよび２Ｆに示すが、それらは、Ｘ位置とＺ（焦点）の関数として正規化単位で表したエアリアル画像の強度を示す。図２Ｇは、図２ＥおよびＦの和である。送出された線量のＸ分布がＺ値の広い値域にわたって均一であり、大きな焦点深度を示しているのが分かる。
【実施例２】
【００４７】
本発明の第２の方法では、２度の露光を行って孤立ラインを印刷する。第１の露光では、図３Ａに模式的に示す双極型照射方式を用いて、関連部分を図３Ｃに示すマスクを照射するが、そのマスクは、明るい局部領域２２が取り囲む孤立ラインに対応する不透明領域２１を有する。このような双極の極は、ライン２１に直交する軸上に配置されている。そして次に、隣接する形状構成の区域に達していることが好ましい不透明領域２３が、この明るい領域２２を取り囲む。不透明領域２３は可能な限り大きくなければならないが、小さめの、例えば、Ｓの２倍または３倍の距離にわたって延在する不透明領域２３によって結果を改善することができる。孤立ラインに対応する不透明領域２１は、望ましいラインの標的幅、例えば、７５ナノメートルに等しい幅Ｌを有し、いくつかの場合では、それに偏倚値が加わる。明るい局部領域の半幅Ｓは、ラインの全幅の１．５倍から２．５倍までの値域にあるように、例えば、約２３０ナノメートルに設定されている。
【００４８】
第２の露光では、図３Ｂに模式的に示す双極型照射方式を再び用いるが、これらの極はライン２１に平行な軸上にある。これは、一部を図３Ｄに示すパターンを照射するが、そのパターンは、第１パターン中の明るい領域２２に対応する不透明領域２４を有し、かつ第１露光で露光された他の形状構成を覆う暗い領域（図示せず）以外の他の領域は明るい。
【００４９】
孤立ラインに関するこのような２度の双極型露光を、水平および垂直の密集ラインを低ｋ線で結像するように実行した２度の双極型露光と組み合わせることは非常に都合がよいことが分かる。その場合に、２度の露光において密集ラインに最適な工程条件を使用することができる。最も適切な条件を有する露光で孤立ラインの直近域を露光し、露出域の残部を他方の露光で露光する。
【００５０】
第１および第２露光の効果をそれぞれ図３ＥおよびＦに示すが、これらの図は、Ｘ位置とＺ（焦点）の関数としてエアリアル画像の強度を正規化単位で示す。図３Ｇは、図３ＥとＦの和である。送出された線量のＸ分布がＺ値の広い値域にわたって均一であり、大きな焦点深度を示すことが分かる。
【実施例３】
【００５１】
ＩＣの個別層に対応するコンタクト・ホールの回路パターンは、一般に複数のコンタクト・ホールを有し、これらのコンタクト・ホール間の間隔が異なる。それに応じて、このようなパターンのコンタクト・ホールを分類することができる。例えば、以後、密集コンタクト・ホール、準密集コンタクト・ホール、および孤立コンタクト・ホールと呼ぶコンタクト・ホールの３つの型をそれぞれ、標的形状構成寸法の２倍までの相互隣接距離を有するコンタクト・ホール、標的形状構成寸法の２倍から４倍までの隣接距離を有するコンタクト・ホール、および標的形状構成寸法の４倍よりも大きな隣接距離を有するコンタクト・ホールとして画定する。前記３つの値域を区別する別法も可能であり、本発明をここに挙げた実施例に限定するものではない（密集形状構成は、少なくとも１つの標的形状構成の寸法分だけ切り離された形状構成を含むことが一般に知られており、また孤立形状構成は、標的形状構成の寸法の２倍よりも少ない寸法分だけ切り離された形状構成を含まないことが一般に知られている）。本発明による第３の方法は、第２露光（および第１露光において孤立コンタクト・ホールと密集コンタクト・ホールの同時結像を明確に例示したこと）以外は、第一実施例の方法と同じである。密集、準密集、および孤立コンタクト・ホールの標的パターンを組み合わせて構成する第１および第２サブ・パターンを図４に例示する。図４Ａは標的パターンを示し、図４Ｂは孤立および密集コンタクト・ホールを含む第１サブ・パターンを示し、また図４Ｃは準密集コンタクト・パターンを含む第２サブ・パターンを示す。正方形の標的が描かれているが、基板中に実際に印刷される形状構成は、投影レンズの低域濾過効果によって丸くなる。
【００５２】
第１露光では、図２Ａに模式的に示した四極型照射方式を用いて、その関連部分が図５に示されているマスクを照射するが、そのマスクは、明るい局部領域１２が取り囲む孤立コンタクト・ホールに対応する不透明領域１１を有する。そして次に、密集コンタクト・ホールの集合１１０の区域に達する不透明領域１３が、この明るい領域１２を取り囲む。これらの密集コンタクト・ホールは、明るい延長局部領域１２０内に位置する。この延長領域の縁と隣接コンタクト・ホールの間の間隙Ｈは、コンタクト・ホールの標的幅から、密集と画定されたコンタクト・ホール間の最大間隔までの値域内にあるように設定されている。
【００５３】
第１露光は、密集コンタクト・ホール１１０の集合を結像するのに最適なＮＡで、例えば、約２５０ナノメートルのピッチにある１００ナノメートルのホールに対してＮＡ＝０．７５で実行する。第１露光の最適照射設定は、σｉｎｎｅｒ＝０．６２およびσｏｕｔｅｒ＝０．９２の四極型である。ＤとＧの最適値は、最適露光線量窓を捜すことによって見つけることができる。第１および第２露光は、ともに１９３ナノメートルの波長の放射を含む。
【００５４】
第２露光のためのマスクを図６に示す。第２露光を使用して、前記孤立コンタクト・ホールに関連する明るい領域１２に対応する不透明領域１４と、密集コンタクト・ホールの集合を有する領域を覆うための、明るい延長領域１２０に対応する同様の不透明領域１４０とを結像する。不透明領域１４および１４０は、透過性（「明るい」）広領域１５によって取り囲まれるが、この広領域１５は準密集コンタクト・ホールの集合１３０を含む。第２露光の最適ＮＡと照射設定は、ＮＡ＝０．５２、ならびにσｉｎｎｅｒ＝０．６５およびσｏｕｔｅｒ＝０．８９の四極型である。
【００５５】
図７Ａ、Ｂでは、本発明による方法の本実施例によって得られた、それぞれ密集、準密集、および孤立コンタクト・ホールに関する実現可能な工程露光寛容度７１、７２、および７３が、図４に示した標的パターンを結像するのに最適に選択された単一の露光工程によって得られる、それぞれ密集、準密集、および孤立コンタクト・ホールに関する実現可能な工程露光寛容度７１０、７２０、および７３０と比較されている。図７は、相当する露光寛容度における焦点深度の増大を示し、本発明の利点を例示している。本発明の２度露光法に関する結果は、ネガティブ・トーン・レジストの使用に基づいている。単一露光工程に関する結果は、リバース・トーン・マスク（コンタクト・ホールを除いて大部分が不透明）、ポジティブ・レジスト、および図８に例示する四極型と通常型照射設定の組合せの使用に基づいている。
【００５６】
本実施例では、密集コンタクト・ホール１１０が、方眼格子上に、コンタクト・ホール標的幅の２倍のピッチで離間している。したがって、２つのコンタクト・ホール間における明るい領域の最少距離はＣＤの１倍である。格子の対角線に沿った２つのコンタクト・ホール間の距離は、ＣＤの１．４１倍である。しかし、孤立コンタクト・ホール（本発明にしたがって第１パターンの中に組み合わせた）と一緒に密集コンタクト・ホールの他のパターンを同時に結像するために十分な工程露光寛容度を与える照射設定も同じく可能である。このような他のパターンは、例えば、コンタクト・ホールの標的幅の３倍または４倍にもなるピッチで離間するコンタクト・ホールの集合を含むことも可能である。同様に、本実施例では、第２パターンの中に含まれ得る前記中程度の密集コンタクト・ホールは、方眼格子上にコンタクト・ホール幅の３倍のピッチで離間しているが、例えば、ＣＤの３倍から６倍までのピッチで離間している中程度の密集コンタクト・ホールの他のパターンも同様に可能である。
【００５７】
第１および第２パターンを得るために、本実施例に使用するために構成されたマスク・パターンを描画する工程を用いることができる。その工程は、図９に概略的にしてあるが、
コンタクト・ホールの標的パターン中の孤立、密集、および準密集コンタクト・ホールを識別する段階（図９の作業Ｓ１）、
明るい局部領域内に前記暗い孤立コンタクト・ホールを含み、かつ前記明るい局部領域の周囲が暗く、さらに、明るい延長局部領域内に前記密集コンタクト・ホールをさらに含み、かつ前記延長局部領域の周囲が暗い第１パターンを表す第１パターン・データ・セットを画定する段階（図９の作業Ｓ２）、
前記明るい局部領域と前記明るい延長局部領域とに実質的に対応する領域内が暗く、かつ前記局部領域と前記延長局部領域の周囲の広領域内が明るく、さらに前記準密集コンタクト・ホールを含む第２パターンを表す第２パターン・データ・セットを画定する段階（図９の作業Ｓ３）、
前記第１および第２パターンをそれぞれ結像するための第１および第２照射設定ならびに投影システムを画定する段階（図９の作業Ｓ４）、
前記第１および第２照射設定ならびに投影システム設定に基づいて、前記第１および／または第２パターンにおいて、光近接効果補正を少なくとも１つのコンタクト・ホールに適用することによって前記第１および／または第２パターン・データ・セットを変更する段階（図９の作業Ｓ５）、ならびに
前記第１および第２変更データ・セットをそれぞれ使用して第１および第２マスク・パターンを描画する段階（図９の作業Ｓ６）を含む。
【００５８】
作業Ｓ５の完了時に得られる変更データ・セットは、例えば、Ｅビーム・マスク描画装置を制御するように構成されたコンピュータへの入力として使用することができる。標的パターン中の密集、準密集、および孤立コンタクト・ホールは、コンタクト・ホールが標的パターン（この標的パターンは第１パターンと第２パターンの組合せである）の中に存在するピッチの値域に基づいて識別することができる。本明細書および特許請求の範囲の文脈では、形状構成のサイズとは、これらの形状構成が基板水準で名目的に有するサイズ（標的サイズ）を言う。一般に、マスク水準で追加的なサイズ偏差を導入して、例えば、パターンの投影および露光時に発生する誤差を補償するが、本明細書および特許請求の範囲の文脈では、物体パターンの形状構成のこのようなサイズ変更を偏倚および／または光近接効果補正（「ＯＰＣ」）と呼ぶ。通常は、偏倚および／またはＯＰＣの量を基板水準での対応する名目的なサイズ変更量でも表す。光近接効果補正は、形状構成の近隣に副次的な解像度補助形状構成を設けることによっても実施可能である。例えば、孤立コンタクト・ホールと密集コンタクト・ホールのみの識別に基づいてまたは準密集コンタクト・ホールと孤立コンタクト・ホールのみに基づいて、第１および第２パターン・データ・セットを入手する同様の工程を上述の工程にならって画定することができる。
【００５９】
以上に本発明の特定の実施例を説明してきたが、本発明を説明とは別様に実施できることが理解されよう。例えば、ネガティブ・トーン・レジストを使用するコンタクト・ホールの形成を説明したが、本発明は、ポジティブ・トーン・レジストを使用して島、柱、または点の形成にも応用可能である。説明は本発明を限定しようとするものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置を示す図である。
【図２Ａ】別々の露光と組み合わせた露光に関する焦点対位置のグラフと一緒に、本発明による第１方法で使用する照射方式およびマスク・パターンを示す図である。
【図２Ｂ】別々の露光と組み合わせた露光に関する焦点対位置のグラフと一緒に、本発明による第１方法で使用する照射方式およびマスク・パターンを示す図である。
【図２Ｃ】別々の露光と組み合わせた露光に関する焦点対位置のグラフと一緒に、本発明による第１方法で使用する照射方式およびマスク・パターンを示す図である。
【図２Ｄ】別々の露光と組み合わせた露光に関する焦点対位置のグラフと一緒に、本発明による第１方法で使用する照射方式およびマスク・パターンを示す図である。
【図２Ｅ】別々の露光と組み合わせた露光に関する焦点対位置のグラフと一緒に、本発明による第１方法で使用する照射方式およびマスク・パターンを示す図である。
【図２Ｆ】別々の露光と組み合わせた露光に関する焦点対位置のグラフと一緒に、本発明による第１方法で使用する照射方式およびマスク・パターンを示す図である。
【図２Ｇ】別々の露光と組み合わせた露光に関する焦点対位置のグラフと一緒に、本発明による第１方法で使用する照射方式およびマスク・パターンを示す図である。
【図３Ａ】本発明による第２方法に関連する、図２ＡからＧまでと同様の図である。
【図３Ｂ】本発明による第２方法に関連する、図２ＡからＧまでと同様の図である。
【図３Ｃ】本発明による第２方法に関連する、図２ＡからＧまでと同様の図である。
【図３Ｄ】本発明による第２方法に関連する、図２ＡからＧまでと同様の図である。
【図３Ｅ】本発明による第２方法に関連する、図２ＡからＧまでと同様の図である。
【図３Ｆ】本発明による第２方法に関連する、図２ＡからＧまでと同様の図である。
【図３Ｇ】本発明による第２方法に関連する、図２ＡからＧまでと同様の図である。
【図４Ａ】コンタクト・ホールの標的パターンを示す図であり、２つの構成パターンが、孤立および密集コンタクト・ホール（図４Ｂ）ならびに準密集コンタクト・ホール（図４Ｃ）を含む。
【図４Ｂ】コンタクト・ホールの標的パターンを示す図であり、２つの構成パターンが、孤立および密集コンタクト・ホール（図４Ｂ）ならびに準密集コンタクト・ホール（図４Ｃ）を含む。
【図４Ｃ】コンタクト・ホールの標的パターンを示す図であり、２つの構成パターンが、孤立および密集コンタクト・ホール（図４Ｂ）ならびに準密集コンタクト・ホール（図４Ｃ）を含む。
【図５】密集および孤立コンタクト・ホールをパターン形成するように構成されたマスクを示す図である。
【図６】準密集コンタクト・ホールをパターン形成するように構成されたマスクを示す図である。
【図７Ａ】２度露光で得られた密集、準密集、孤立コンタクト・ホールに関する工程露光寛容度を示すグラフである。
【図７Ｂ】単一露光で得られた密集、準密集、孤立コンタクト・ホールに関する工程露光寛容度を示すグラフである。
【図８】単一露光で使用するための照射設定を示す図である。
【図９】マスク・パターンを描画するための作業を示すフロー・チャートである。
【符号の説明】
【００６１】
ＡＭ  調整手段
Ｃ  標的部分
ＣＯ  集光器
Ｅｘ  ビーム拡大器
ＩＦ  干渉型測定装置
ＩＬ  照射システム
ＩＮ  積分器
ＬＡ  放射源
ＬＰ  投影システム
Ｍ１〜Ｍ６  反射器
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスク・テーブル
ＰＢ  放射ビーム
ＰＬ  レンズ要素
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
１１  不透明領域
１２  明るい領域
１３  不透明領域
１４  不透明領域
１５  明るい広領域
２１  孤立ラインに対応する不透明領域
２２  明るい領域
２３  不透明領域
２４  不透明領域
１１０  密集コンタクト・ホール
１２０  明るい延長領域
１３０  準密集コンタクト・ホール
１４０  不透明領域
【図１】
2004343081.tif 000002
【図２Ａ】
2004343081.tif 000003
【図２Ｂ】
2004343081.tif 000004
【図２Ｃ】
2004343081.tif 000005
【図２Ｄ】
2004343081.tif 000006
【図２Ｅ】
2004343081.tif 000007
【図２Ｆ】
2004343081.tif 000008
【図２Ｇ】
2004343081.tif 000009
【図３Ａ】
2004343081.tif 000010
【図３Ｂ】
2004343081.tif 000011
【図３Ｃ】
2004343081.tif 000012
【図３Ｄ】
2004343081.tif 000013
【図３Ｅ】
2004343081.tif 000014
【図３Ｆ】
2004343081.tif 000015
【図３Ｇ】
2004343081.tif 000016
【図４Ａ】
2004343081.tif 000017
【図４Ｂ】
2004343081.tif 000018
【図４Ｃ】
2004343081.tif 000019
【図５】
2004343081.tif 000020
【図６】
2004343081.tif 000021
【図７Ａ】
2004343081.tif 000022
【図７Ｂ】
2004343081.tif 000023
【図８】
2004343081.tif 000024
【図９】
2004343081.tif 000025
【外国語明細書】
2004343081000001.pdf