(57)【要約】【課題】被めっき物への浸食を極力回避することができ、均一で良好な緻密性を有すると共に、はんだ濡れ性に優れた金皮膜を形成することができる金めっき液を実現する。【解決手段】金めっき液が、（１）非シアン金源、（２）金の錯化剤として亜硫酸塩、（３）金の安定剤としてアミノカルボン酸類、（４）隠蔽剤としてオキシカルボン酸類、（５）析出促進剤としてアンチモン化合物、及び／又はビスマス化合物、（６）析出調整剤としてポリアクリル酸塩型有機化合物、第４級アンモニウム塩型有機化合物、ポリエチレングリコール、及びポリプロピレングリコールの中から選択された少なくとも１種以上の特定有機系化合物を含有している。【選択図】  選択図なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
非シアン系金源と、亜硫酸塩と、アミノカルボン酸類と、オキシカルボン酸類とを含有した金めっき液において、
アンチモン化合物及びビスマス化合物の中から選択された少なくとも１種以上と、ポリアクリル酸塩型有機化合物、第４級アンモニウム塩型有機化合物、ポリエチレングリコール、及びポリプロピレングリコールの中から選択された少なくとも１種以上の特定有機系化合物が添加されていることを特徴とする金めっき液。
【請求項２】
前記ポリアクリル酸塩型有機化合物は、一般式
【化１】
2004250765.tif 000008
（但し、ＸはＮａ、Ｋ、ＮＨ４の中から選択された１種を示す）
で表されることを特徴とする請求項１記載の金めっき液。
【請求項３】
前記第４級アンモニウム塩型有機化合物は、一般式
【化２】
2004250765.tif 000009
（但し、Ｒはアルキル基、Ｙはハロゲン元素を示す）
で表されることを特徴とする請求項１記載の金めっき液。
【請求項４】
前記アミノカルボン酸類は、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、又はこれらの塩の中から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の金めっき液。
【請求項５】
前記オキシカルボン酸類は、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、又はこれらの塩の中から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の金めっき液。
【請求項６】
部品素体の表面の少なくとも一部に導電部を形成し、その後、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の金めっき液を使用して金めっき処理を施し、前記導電部上に金皮膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記金皮膜の形成に先立ち、前記導電部の表面にニッケル皮膜を形成することを特徴とする請求項６記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は金めっき液、及び電子部品の製造方法に関し、より詳しくは置換型の無電解金めっきに好適な金めっき液、及び該金めっき液を使用したセラミック多層基板等の電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品関連の技術分野では、コネクタやリードフレームなどの機能性薄膜として金皮膜が使用されている。また、プリント配線基板の高密度化、表面実装基板（独立回路基板）の増加に伴い、無電解金めっきの需要が増大している。例えば、一般に独立回路基板では、予めレジストで微細回路を形成した後、はんだレベラー処理を施したり、或いは前記微細回路上に所定の前処理を施し、この後Ｃｕ等の導電部上にニッケル皮膜及び金皮膜を被着し、これにより外部電極を形成している。
【０００３】
ところで、前記金皮膜は、通常、還元剤を使用することなく下地金属との間で置換反応を生じさせ、これにより金を析出させる置換型の無電解金めっきにより形成される。したがって、斯かる無電解金めっきに使用される金めっき液には、金析出の均一性、下地金属であるニッケル皮膜との密着性、更にははんだ付け性等に優れていることが要求される。
【０００４】
そして、従来の置換型無電解金めっき液には人体に有害なシアン化合物が含有されていたため、作業性が悪く、このため環境保全上の観点から、近年、シアン化合物を含有しない無電解金めっき液が開発されてきている（特許文献１、２）。
【０００５】
このうち、特許文献１は、非シアン金源、亜硫酸塩、及びカルボン酸類の金属錯化剤を含み、不純物として、アンモニウムイオン、塩素イオン、硫酸イオン、臭素イオン、ヨウ素イオンが所定濃度となるように調製している。
【０００６】
また、特許文献２は、水溶性亜硫酸金化合物、亜硫酸塩、水溶性ポリアミノカルボン酸又はその塩、オキシカルボン酸又はその塩、ホスホン酸類、並びにアンチモン化合物及びテルル化合物から選ばれた少なくとも１種の化合物を含有している。
【０００７】
【特許文献１】
特開平６−３３０３３４号公報
【特許文献２】
特開平７−３４２５８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記特許文献１では、析出速度が遅くなるのを回避して一定の析出速度を得るために、浴温を８５℃程度まで高くしている。
【０００９】
しかしながら、耐薬品性に劣る被めっき物、例えば、ガラス成分を含有したセラミック基板（以下、「ガラスセラミック基板」という）を特許文献１のような浴温の高い金めっき浴に浸漬し、無電解金めっきを施した場合、金めっき液中に被めっき物が溶解してしまい、その結果電子部品の機械的強度が低下したり、電気的特性が劣化するという問題点があった。
【００１０】
また、上記特許文献２では、析出促進剤としてのアンチモン化合物やテルル化合物を金めっき液に添加することにより浴温の低温化が可能となるため、上記特許文献１に比べると機械的強度の低下や電気的特性の劣化は改善されるものの、シアン化合物を含有した金めっき液に比べ、置換析出した金皮膜は緻密性に欠け、負荷試験後のはんだ付け性に劣るという問題点があった。
【００１１】
すなわち、セラミック基板の外部電極の最外層に金皮膜を形成した場合、リフロー処理等により加熱されるため、負荷試験後も良好なはんだ付け性を保持する必要がある。
【００１２】
そして、金ははんだ接合時には速やかにはんだ中に拡散し、下地金属であるニッケル皮膜の酸化を抑制する作用を奏するので、金皮膜が緻密であれば、前記ニッケル皮膜の酸化や拡散を効果的に抑制することができ、良好なはんだ付け性を得ることができる。
【００１３】
しかしながら、上記特許文献２では、上述したように金皮膜が緻密性を欠くため、下地金属であるニッケル皮膜の拡散が生じ易くなり、このため、特に負荷試験後のはんだ付け性の低下が顕著になるという問題点があった。
【００１４】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、被めっき物への浸食を極力回避することができ、均一で良好な緻密性を有すると共に、はんだ付け性に優れた金皮膜を形成することができる金めっき液、及び該金めっき液を使用した電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究したところ、析出促進剤としてのアンチモン化合物やビスマス化合物に加え、析出調整剤として特定の有機系化合物を金めっき液に含有させることにより、被めっき物の浸食を極力回避しつつ、均一で良好な緻密性を有し、はんだ付け性に優れた金皮膜を形成することができる金めっき液を得ることができるという知見を得た。
【００１６】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、非シアン系金源と、亜硫酸塩と、アミノカルボン酸類と、オキシカルボン酸類とを含有した金めっき液において、アンチモン化合物及びビスマス化合物の中から選択された少なくとも１種以上と、ポリアクリル酸塩型有機化合物、第４級アンモニウム塩型有機化合物、ポリエチレングリコール、及びポリプロピレングリコールの中から選択された少なくとも１種以上の特定有機系化合物が添加されていることを特徴としている。
【００１７】
また、前記ポリアクリル酸塩型有機化合物は、具体的には、一般式
【００１８】
【化３】
2004250765.tif 000002
（但し、ＸはＮａ、Ｋ、ＮＨ４の中から選択された１種を示す）
で表されることを特徴とし、前記第４級アンモニウム塩型有機化合物は、一般式
【００１９】
【化４】
2004250765.tif 000003
（但し、Ｒはアルキル基、Ｙはハロゲン元素を示す）
で表されることを特徴としている。
【００２０】
さらに、本発明の金めっき液は、前記アミノカルボン酸類は、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、又はこれらの塩の中から選択された少なくとも１種であることを特徴とし、前記オキシカルボン酸類は、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸、又はこれらの塩の中から選択された少なくとも１種であることを特徴としている。
【００２１】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、部品素体の表面の少なくとも一部に導電部を形成し、その後、上記金めっき液を使用して金めっき処理を施し、前記導電部上に金皮膜を形成することを特徴としている。
【００２２】
上記製造方法によれば、上述した金めっき液を使用して電子部品を製造しているので、均一で緻密な金皮膜を有し、はんだ付け性が良好で、且つ下地金属との密着性も良好で、信頼性に優れた電子部品を得ることができる。
【００２３】
また、本発明の電子部品の製造方法は、前記金皮膜の形成に先立ち、前記被めっき物の表面にニッケル皮膜を形成することを特徴としている。
【００２４】
上記製造方法によれば、下地金属としてのニッケル皮膜上に均一で緻密性の良好な金皮膜を形成することが可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００２６】
本発明の一実施の形態としての金めっき液は、（１）金を析出させるための非シアン系金源、（２）金の錯化剤として亜硫酸塩、（３）金の安定剤としてアミノカルボン酸類、（４）隠蔽剤としてのオキシカルボン酸類を含有し、さらに（５）析出促進剤としてアンチモン化合物及びビスマス化合物の中から選択された少なくとも１種以上、及び（６）析出調整剤として下記一般式〔Ａ〕で示されるポリアクリル酸塩型有機化合物、下記一般式〔Ｂ〕で示される第４級アンモニウム塩型有機化合物、ポリエチレングリコール、及びポリプロピレングリコールの中から選択された少なくとも１種以上の特定有機系化合物が添加されており、これにより、被めっき物への浸食を極力回避することができ、均一で良好な緻密性を有し、はんだ付け性に優れた金皮膜を形成することができる。
【００２７】
【化５】
2004250765.tif 000004
（但し、ＸはＮａ、Ｋ、ＮＨ４の中から選択された１種を示す）
【００２８】
【化６】
2004250765.tif 000005
（但し、Ｒはアルキル基、Ｙはハロゲン元素を示す）
以下、上記（１）〜（６）について詳述する。
【００２９】
（１）非シアン系金源
本実施の形態では、良好な作業環境を確保する観点から、人体に有害なシアン化合物を含有していない非シアン系金源を使用している。
【００３０】
しかしながら、金めっき液中の非シアン系金源の濃度が金換算で０．２ｋｇ／ｍ３未満の場合は、金の析出速度が極端に遅くなって金皮膜が不均一となる虞がある。一方、前記非シアン系金源の濃度が金換算で１０ｋｇ／ｍ３を超えると、逆に析出速度が速くなり過ぎて金皮膜の緻密性が低下したり、或いはニッケル等の下地金属との密着性が低下する虞がある。
【００３１】
そこで、本実施の形態では、金めっき液中の金濃度が０．２〜１０ｋｇ／ｍ３、好ましくは０．５〜５ｋｇ／ｍ３となるように非シアン系金源を金めっき液に添加している。
【００３２】
尚、非シアン系金源としては、亜硫酸金ナトリウム、亜硫酸金カリウム、塩化金ナトリウム等を使用することができる。
【００３３】
（２）錯化剤
金めっき液中で金イオンとの間で安定な可溶性錯体を形成するために、本実施の形態では、錯化剤として亜硫酸塩を添加している。
【００３４】
しかしながら、金めっき液中の亜硫酸塩濃度が５ｋｇ／ｍ３未満の場合は、析出速度が速くなり過ぎてニッケル等の下地金属との密着性が低下し易くなる。一方、金めっき液中の亜硫酸塩濃度が１５０ｋｇ／ｍ３を超えると析出速度が遅くなり、めっき皮膜（金皮膜）が不均一となる虞がある。
【００３５】
そこで、本実施の形態では、金めっき液中の亜硫酸塩濃度を５〜１５０ｋｇ／ｍ３、より好ましくは、１０〜１２０ｋｇ／ｍ３としている。
【００３６】
尚、亜硫酸塩としては、例えば、亜硫酸アンモニウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム等を使用することができる。
【００３７】
（３）安定剤
金めっき液中で金−亜硫酸錯体を安定的に保持するために、本実施の形態では、安定剤としてアミノカルボン酸類を添加している。
【００３８】
しかしながら、金めっき液中のアミノカルボン酸類の濃度が２ｋｇ／ｍ３未満の場合は、溶解した下地金属イオン（銅イオンやニッケルイオン等）などの不純物の影響を受け易くなってめっき液の浴安定性が低下し、また、置換対象となる下地金属（ニッケル等）の溶解が遅くなって析出速度が低下する虞がある。一方、金めっき液中のアミノカルボン酸類濃度が７５ｋｇ／ｍ３を超えて添加しても析出速度が稍低下する程度で、安定剤としての顕著な作用効果を奏することができず、経済的観点から過剰な添加は好ましくない。しかも被めっき物が耐薬品性に劣るガラスセラミック基板のような場合は、該被めっき物を溶解させてしまう虞も生じる。
【００３９】
そこで、本実施の形態では、金めっき液中のアミノカルボン酸類の濃度を２〜７５ｋｇ／ｍ３、好ましくは４〜４０ｋｇ／ｍ３としている。
【００４０】
尚、アミノカルボン酸類としては、ニトリロ三酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸等の遊離酸或いはこれらの塩を使用することができる。
【００４１】
（４）隠蔽剤
被めっき物から溶出した下地金属イオン（銅イオンやニッケルイオン等）が錯体を形成してこれら下地金属イオンが金めっき液中で安定的に保持するために、本実施の形態では、隠蔽剤としてオキシカルボン酸類を添加している。
【００４２】
しかしながら、金めっき液中のオキシカルボン酸類濃度が３ｋｇ／ｍ３未満の場合は、上記安定剤と同様、溶解した下地金属（銅イオンやニッケルイオン等）の影響を受け易くなってめっき液の安定性が低下する。一方、金めっき液中のオキシカルボン酸類濃度が１００ｋｇ／ｍ３を超えて添加しても、上記安定剤と同様、析出速度が稍低下する程度であり、隠蔽剤としての顕著な作用効果を奏することができず、経済的観点から過剰に添加するのは好ましくない。しかも被めっき物が耐薬品性に劣るガラスセラミック基板のような場合は、該被めっき物を溶解させてしまう虞がある。
【００４３】
そこで、本実施の形態では、金めっき液中のオキシカルボン酸類濃度を３〜１００ｋｇ／ｍ３、好ましくは５〜５０ｋｇ／ｍ３としている。
【００４４】
尚、オキシカルボン酸類としては、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸等の遊離酸或いはこれら塩を使用することができる。
【００４５】
（５）析出促進剤
析出促進剤として、アンチモン化合物及び／又はビスマス化合物を金めっき液中に添加することにより、析出速度を速くすることができ。その結果めっき浴の低温化が可能となり、ガラスセラミック基板の浸食を抑制することができる。
【００４６】
しかしながら、このような作用効果を得るためには、アンチモン化合物及び／又はビスマス化合物の濃度は、アンチモン濃度及び／又はビスマス濃度換算で少なくとも０．５×１０−３ｋｇ／ｍ３以上必要である。一方、アンチモン化合物及び／又はビスマス化合物の濃度が、アンチモン濃度及び／又はビスマス濃度換算で１．０×１０−１ｋｇ／ｍ３を超えると、析出速度が速くなって金皮膜の緻密性が低下し、はんだ付け性の劣化を招来したり、下地金属との密着性が低下する。
【００４７】
そこで、本実施の形態では、アンチモン化合物及び／又はビスマス化合物の濃度を、アンチモン濃度及び／又はビスマス濃度換算で０．５×１０−３ｋｇ〜１．０×１０−１ｋｇ／ｍ３、好ましくは１．０×１０−３〜５．０×１０−２ｋｇ／ｍ３としている。
【００４８】
尚、アンチモン化合物としては、具体的には酒石酸アンチモニルナトリウム、酒石酸アンチモニルカリウム、オキシ硫酸アンチモン、三塩化アンチモンを使用することができ、ビスマス化合物としては、クエン酸ビスマス、塩化ビスマス、硝酸ビスマス等を使用することができ、これらアンチモン化合物及びビスマス化合物をそれ単独で又は適宜組み合わせて添加することができる。
【００４９】
（６）析出調整剤
上述した析出促進剤は、金の析出速度を速くする作用を有するが、析出促進剤のみを金めっき液に添加しても析出皮膜の緻密性が低下したり、めっき反応が不均一となってめっき不着部分が生じたり、或いは皮膜の色調にも不具合が生じる虞があり、このため析出調整剤として前記特定有機系化合物を前記析出促進剤と併用する必要がある。
【００５０】
すなわち、前記析出調整剤は下地金属や金皮膜上に吸着して金の析出を抑制し、これにより下地金属への析出作用を緩和することができ、したがって皮膜の色調が変色することもなく、上記析出促進剤の作用と相俟って、適度な析出速度を維持した状態で緻密性に優れた密着性の良い金皮膜を形成することができる。しかも、斯かる作用は、下地金属の種類によって差異が生じ難く、金の析出性も均一なものとなる。
【００５１】
しかしながら、特定有機系化合物の濃度が１．０×１０−２ｋｇ／ｍ３未満になると析出速度が速くなり過ぎて金皮膜の緻密性が低下し、はんだ付け性が劣化したり、下地金属との密着性が低下する。一方、特定有機系化合物の濃度が５ｋｇ／ｍ３を超えると析出速度が遅くなり、析出外観が不均一となってムラの発生する虞がある。
【００５２】
そこで、本実施の形態では、上述した析出促進剤と同様、析出調整剤としての特定有機系化合物の濃度を、１．０×１０−２〜５ｋｇ／ｍ３、好ましくは１．０×１０−１〜２ｋｇ／ｍ３としている。
【００５３】
このように本実施の形態では、上記析出促進剤と上記析出調整剤とを併用することにより、適度な析出速度を維持することができ、浴温を３５〜７０℃、好ましくは４０〜６０℃の範囲に制御しながら金めっきを施すことができる。すなわち、金めっき液の浴温が３５℃未満になると、析出速度が遅くなって析出外観が不均一となり析出ムラの発生する虞があり、また、金めっき液の浴温が７０℃を超えると被めっき物が溶出する虞があるが、本実施の形態では、上記析出促進剤と上記析出調整剤とを併用することにより、めっき液の浴温を３５℃〜７０℃、好ましくは４０℃〜６０℃の範囲に設定して無電解金めっきを行なうことができ、これにより被めっき物の溶出が生じることもなく、析出外観が均一で析出ムラが生じないようにしている。
【００５４】
次に、上記金めっき液を使用して製造された電子部品について詳述する。
【００５５】
図１は上記金めっき液を使用して製造された電子部品としてのセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図であって、該セラミック多層基板は、複数のセラミックシート（第１〜第５のセラミックシート１ａ〜１ｅ）が積層されてセラミック素体６を形成している。
【００５６】
そして、セラミック素体６の表面には外部電極４（４ａ〜４ｃ）が形成されると共に、該セラミック素体６の内部には所定パターンの内部電極３（３ａ〜３ｈ）が埋設されており、ビアホール５（５ａ〜５ｋ）を介して各内部電極間３、又は内部電極３と外部電極４とが電気的に接続されている。そして、本実施の形態では、第４のセラミックシート１ｄを介して内部電極３ｇと内部電極３ｅとが対向状に配されてコンデンサ部を形成し、外部電極４ｃ及び内部電極３ｈ、３ｆ、３ｄ、３ｂはビアホール５ｋ、５ｇ、５ｅ、５ｃを介して電気的に接続されインダクタ部を形成している。
【００５７】
また、外部電極４は、図２に示すように、銅電極（導電部）７の表面にＮｉ−Ｐ皮膜やＮｉ−Ｂ皮膜等のニッケル皮膜８が形成され、該ニッケル皮膜８の表面に金皮膜９が形成されている。
【００５８】
次に、上記セラミック多層基板の製造方法を説明する。
【００５９】
まず、所定形状に成形されたセラミックシート１に対し、必要に応じてビアホール５を形成し、次いで、導電性ペーストを使用し、所定の配線パターンをセラミックシート１ａ〜１ｄ上にスクリーン印刷して内部電極３を形成し、その後、第１〜第５のセラミックシート１ａ〜１ｅを積層し、所定温度で焼成処理してセラミック素体６を形成する。
【００６０】
次いで、セラミック素体６の表面に銅を主成分とする導電性ペーストを塗布して焼付処理を行ない、所定パターンの銅電極７を形成して被めっき物を作製する。
【００６１】
そしてこの後、被めっき物に一連の前処理を行なった後、無電解めっき処理を行なう。
【００６２】
すなわち、まず、被めっき物に脱脂処理を施し、被めっき物から有機物質や無機物質による汚染を除去すると共にめっき液と銅電極７との濡れ性を向上させる。次いで、被めっき物を硫酸塩やクエン酸等の酸性水溶液に浸漬して銅電極７の表面に固着している酸化物をエッチング除去し、また表面形状を適度に平滑化或いは粗化等して表面形状の微調整を行い、さらに、エッチング処理時に銅電極７の表面に形成されたスマットを酸性処理液で除去し、銅電極７とめっき皮膜との密着性を向上させ、この後、無電解ニッケルめっきを行う。
【００６３】
すなわち、ホスフィン酸塩やホウ素化合物等の所定の還元剤が添加されたニッケルめっき液に被めっき物を浸漬し、酸化還元反応を生じさせて銅電極７の表面にＮｉ−ＰやＮｉ−Ｂ等のニッケルを主成分としたニッケル皮膜８を形成する。
【００６４】
尚、ニッケルめっき液には、上記還元剤の他、硫酸ニッケルなどのニッケル塩、コハク酸やグリシン、クエン酸などの錯化剤、その他微量の添加剤が含有されている。
【００６５】
次に、浴温が３５〜７０℃に調製された上記金めっき液に被めっき物を浸漬し、金めっきを施す。
【００６６】
すなわち、ニッケル皮膜８が形成された被めっき物を金めっき液に浸漬すると、電気化学的に卑な金属であるＮｉが溶出して電子（ｅ−）を放出し、該放出された電子（ｅ−）によって貴なＡｕ＋或いはＡｕ３＋が還元され、金がニッケル皮膜８上に析出し、これにより金皮膜９が形成される。
【００６７】
このように本実施の形態では、析出促進剤としてアンチモン化合物及びビスマス化合物の中から選択された少なくとも１種以上、及び析出調整剤として特定有機系化合物が添加された金めっき液を使用してニッケル皮膜８上に金皮膜９を形成しているので、上記析出調整剤がニッケル皮膜８や金皮膜９上に吸着して金の析出を抑制することができ、これにより適度な析出速度を維持しつつ金めっきを施すことができ、均一で析出ムラがなく、緻密性に優れ、はんだ付け性が良好で、且つ密着性の良好な金皮膜９を形成することができる。
【００６８】
しかも、適度な析出速度を維持しつつ金皮膜を形成しているので、Ｎｉ−Ｐ皮膜やＮｉ−Ｂ皮膜等のニッケルめっき皮膜の種類に限定されることもなく、また、Ｐ含有率に差異のあるＮｉ−Ｐ皮膜上に金めっきを施した場合であっても均一で緻密性に優れた金皮膜９を形成できる。
【００６９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では上記金めっき液を使用した置換めっき処理によりめっき工程を完了させているが、ワイヤーボンディング実装が必要な場合には、チオ尿素、アスコルビン酸などの還元剤を使用して自己触媒型めっき反応を生じさせ、前記置換金めっきで形成された金皮膜９の表面に金薄膜を重層し、所望厚膜の金皮膜を形成することができる。
【００７０】
【実施例】
〔実施例１〕
被めっき物として、独立したＣｕ回路電極を有し、Ａｌ、Ｂ、Ｃａ、Ｓｉを主成分とする８ｍｍ×８ｍｍのガラスセラミック基板を用意した。
【００７１】
次いで、該ガラスセラミック基板に無電解Ｎｉめっきを施し、Ｃｕ部分の表面に膜厚約３μｍのＮｉ−Ｐ皮膜（Ｐ含有率６〜７ｗｔ％）を形成した。
【００７２】
一方、非シアン系金源として２ｋｇ／ｍ３の亜硫酸金ナトリウム、錯化剤として９５ｋｇ／ｍ３の亜硫酸ナトリウム、安定剤として７．５ｋｇ／ｍ３のエチレンジアミン四酢酸二ナトリウム（アミノカルボン酸類）、隠蔽剤として２０ｋｇ／ｍ３のクエン酸水素二アンモニウム（オキシカルボン酸類）、析出促進剤としてアンチモン濃度で０．０１ｋｇ／ｍ３の三塩化アンチモン、析出調整剤として１ｋｇ／ｍ３のポリジメチルジアリルアンモニウムクロライド溶液（平均分子量約２０００）（第４級アンモニウム塩型化合物）を含有し、ｐＨを７．０、浴温を６０℃に調製した金めっき浴を作製した。
【００７３】
次いで、上述したガラスセラミック基板を前記金めっき浴に浸漬し、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面に金皮膜を形成した。
【００７４】
〔実施例２〕
非シアン系金源として１．５ｋｇ／ｍ３の亜硫酸金ナトリウム、錯化剤として９０ｋｇ／ｍ３の亜硫酸ナトリウム、安定剤として６ｋｇ／ｍ３のニトリロ三酢酸（アミノカルボン酸類）、隠蔽剤として２５ｋｇ／ｍ３の酒石酸ナトリウム（オキシカルボン酸類）、析出促進剤としてアンチモン濃度で０．０２ｋｇ／ｍ３の三塩化アンチモン、析出調整剤として１ｋｇ／ｍ３のポリカルボン酸アンモニウム溶液（平均分子量約１００００）（ポリアクリル酸塩型有機化合物）を含有し、ｐＨを７．４、浴温を５５℃に調製した金めっき浴を作製し、実施例１と同様、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面に金皮膜を形成した。
【００７５】
〔実施例３〕
非シアン系金源として２ｋｇ／ｍ３の亜硫酸金ナトリウム、錯化剤として１２０ｋｇ／ｍ３の亜硫酸ナトリウム、安定剤として７．５ｋｇ／ｍ３のジエチレントリアミン五酢酸（アミノカルボン酸類）、隠蔽剤として３０ｋｇ／ｍ３のクエン酸三ナトリウム（オキシカルボン酸類）、析出促進剤としてビスマス濃度で０．００５ｋｇ／ｍ３のクエン酸ビスマス、析出調整剤として０．５ｋｇ／ｍ３のポリエチレングリコール（平均分子量約６００）を含有し、ｐＨを７．５、浴温を５５℃に調製した金めっき浴を作製し、実施例１と同様、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面に金皮膜を形成した。
【００７６】
〔実施例４〕
非シアン系金源として２ｋｇ／ｍ３の亜硫酸金ナトリウム、錯化剤として１２０ｋｇ／ｍ３の亜硫酸ナトリウム、安定剤として７．５ｋｇ／ｍ３のエチレンジアミン四酢酸二ナトリウム（アミノカルボン酸類）、隠蔽剤として３０ｋｇ／ｍ３のクエン酸三ナトリウム（オキシカルボン酸類）、析出促進剤としてビスマス濃度で０．０１ｋｇ／ｍ３のクエン酸ビスマス、析出調整剤として０．５ｋｇ／ｍ３のポリプロピレングリコール（平均分子量約２０００）を含有し、ｐＨを７．２、浴温を６０℃に調製した金めっき浴を作製し、実施例１と同様、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面に金皮膜を形成した。
【００７７】
〔比較例１〕
析出促進剤及び析出調整剤を添加しなかった以外は実施例１と同様の金めっき浴を作製し（ｐＨ７．０、浴温８３℃）、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面に金皮膜を形成した。
【００７８】
〔比較例２〕
析出促進剤を添加しなかった以外は実施例１と同様の金めっき浴を作製し（ｐＨ７．０、浴温８５℃）、実施例１と同様、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面に金皮膜を形成した。
【００７９】
〔比較例３〕
析出調整剤を添加しなかった以外は実施例１と同様の金めっき浴を作製し（ｐＨ７．０、浴温５３℃）、実施例１と同様、Ｎｉ−Ｐ皮膜の表面に金皮膜を形成した。
【００８０】
表１は各実施例及び比較例のめっき液組成を示している。
尚、表１中、析出促進剤の含有量は、アンチモン濃度及び／又はビスマス濃度を示している。
【００８１】
【表１】
2004250765.tif 000006
次に、本発明者らは、上記実施例及び比較例について、膜厚、析出外観、金の析出状態、密着性、はんだ付け性、Ｃａ溶出量を測定した。
【００８２】
ここで、膜厚は、蛍光Ｘ線膜厚計により測定し、析出外観は目視及び走査型電子顕微鏡で観察し、金の析出状態は目視で判定した。
【００８３】
また、密着性は、実施例及び比較例の試験片について、ＪＩＳＺ−１５２２に準拠し、セロハン粘着テープを使用した剥離試験で評価した。
【００８４】
また、はんだ付け性は、各実施例及び比較例について、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）を行った後、はんだ槽に浸漬し、電極面積の９５％以上がはんだで被覆されているか否かにより評価した。
【００８５】
すなわち、温度１０５℃、湿度１００％、圧力０．１２ＭＰａの条件で４時間放置した各試験片を、２５ｗｔ％のロジンを含有したイソプロピルアルコールからなるフラックスを塗布し、次いで、浴温２３０℃（±５℃）のはんだ槽（６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂ）に２秒間浸漬し、電極面積の９５％以上がはんだで被覆されているか否かによりはんだ付け性を評価した。
【００８６】
また、Ｃａ溶出量は、金めっき浴１０ｍｌに各実施例及び比較例の試験片１枚を２４時間浸漬し、ＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合プラズマ発光分光法）で定量分析し、算出した。
【００８７】
表２は各実施例及び比較例について、めっき処理時間、及び各測定結果を示している。
【００８８】
【表２】
2004250765.tif 000007
この表２から明らかなように比較例１の金めっき液は、析出促進剤として三塩化アンチモン、及び析出調整剤として特定有機系化合物が含有されておらず、このため浴温を８３℃と高くしたにもかかわらず、めっき処理時間は６０分と長い。また、析出外観が全体に赤っぽく、緻密性に欠けるためはんだ付け性が悪い。また浴温が８３℃と高いためＣａ溶出量も３１１μｇ／ｍｌと多かった。
【００８９】
比較例２の金めっき液は、析出調整剤として特定有機系化合物は含有されているが、析出促進剤としての三塩化アンチモンが含有されていないため、浴温を８５℃と高くしたにもかかわらずめっき処理時間が６０分と長い。また、析出外観が略グレー色で、緻密性に欠けるためはんだ付け性が悪い。また浴温が８５℃と高いためＣａ溶出量も３１４μｇ／ｍｌと多かった。
【００９０】
比較例３の金めっき浴は、析出促進剤として三塩化アンチモンが含有されているので、めっき処理時間は１０分と短く、Ｃａ溶出量も３１μｇ／ｍｌと少ないが、析出調整剤として特定有機系化合物が含有されておらず、このため析出外観は部分的に赤く、金めっきが析出していない不着部分が生じ、またはんだ付け性も悪かった。
【００９１】
これに対して実施例１〜４の金めっき浴は、析出促進剤として三塩化アンチモンが含有されているので、析出速度が速くなり、その結果めっき処理時間も短くなり、浴温の低温化が可能になってガラスセラミック基板の浸食を抑制することができる。
【００９２】
しかも、析出調整剤として特定有機系化合物を含有しているので、めっき反応が抑制され、均一な金皮膜を得ることができる。
【００９３】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る本発明に係る金めっき液は、非シアン系金源と、亜硫酸塩と、アミノカルボン酸類と、オキシカルボン酸類とを含有した金めっき液において、アンチモン化合物及びビスマス化合物の中から選択された少なくとも１種以上と、少なくとも１種以上の特定有機系化合物が添加されているので、被めっき物の浸食を極力回避しつつ、均一で緻密な金皮膜を形成することができる。
【００９４】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、部品素体の表面の少なくとも一部に導電部を形成し、その後、上記金めっき液を使用して金めっき処理を施し、前記導電部上に金皮膜を形成するので、均一で緻密な金皮膜を有し、はんだ付け性が良好で、且つ下地金属との密着性も良好で、信頼性に優れた電子部品を得ることができる。
【００９５】
また、本発明の電子部品の製造方法は前記金めっき皮膜の形成に先立ち、前記被めっき物の表面にはニッケル皮膜を形成するので、ニッケル皮膜上に緻密で析出外観も均一な金皮膜が形成されたセラミック多層基板等の電子部品を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の金めっき液を使用して製造された電子部品としてのセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【符号の説明】
６  セラミック素体（部品素体）
７  銅電極（導電部）
９  金皮膜
【図１】
2004250765.tif 000010
【図２】
2004250765.tif 000011