(57)【要約】【課題】低誘電率絶縁膜の表面荒れを起こさないエッチング方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、第一のエッチング工程でキャップ層１６を除去するときに、低誘電率絶縁膜１５の表面が荒れたとしても、第一のエッチング工程の後に、第二の反応ガスとしてハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）のガスを真空雰囲気中に導入し、１００ｎｍ／分以下の速度でゆっくりエッチングを行うことで、低誘電率絶縁膜１５の表面に薄膜が形成され、凹部が埋められる反応と、表面がエッチングされる反応とが同時に進行し、低誘電率絶縁膜１５の表面が平坦化される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シロキサン結合の繰り返し単位を有し、少なくとも一つのシロキサン結合に有機官能基が結合した重合体で構成され、比誘電率が２．６以下の低誘電率絶縁膜と、
誘電材料を主成分とし、前記低誘電率絶縁膜表面に配置されたキャップ層とを有するエッチング対象物を真空雰囲気中に配置し、
二重結合を有するフルオロカーボンガスを主成分とする第一の反応ガスを、前記真空雰囲気中に導入し、該第一の反応ガスのプラズマを発生させ、前記キャップ層をエッチングし、前記低誘電率絶縁膜を露出させた後、
二重結合を有しないフルオロカーボンガスを主成分とする第二の反応ガスを、前記真空雰囲気中に導入し、前記第二の反応ガスのプラズマを発生させ、前記低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング方法。
【請求項２】
前記キャップ層は、ＳｉＮと、ＳｉＯ２と、ＳｉＯＮと、ＳｉＣと、ＳＯＧと、ＯＳＧと、ＳｉＯＣと、ａ−ＳｉＣＯ：Ｈと、ＭＳＸと、ＭＳＱと、ＭＨＳＱと、ＨＳＱと、Ｏｒｇａｎｉｃ−ＳＯＧと、Ｂｌａｃｋ　ＤｉａｍｏｎｄＴＭ　とからなる郡より選択されるいずれか１種類の誘電材料を主成分とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記第一の反応ガスは、フルオロカーボンとして、Ｃ２Ｆ４と、Ｃ３Ｆ６と、Ｃ４Ｆ６のうち少なくとも１種類のフルオロカーボンガスを含有する請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記第二の反応ガスは、フルオロカーボンのガスとして、ＣＦ４と、Ｃ３Ｆ８と、Ｃ３Ｆ７Ｉと、Ｃ３Ｆ６Ｏのうち、少なくとも１種類のフルオロカーボンガスを含有する請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電プラズマを利用したエッチング方法に関し、特に、半導体装置のキャップ層と低誘電率絶縁膜をエッチングする技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のエッチングには、主たるエッチングガスとしてフルオロカ―ボン（ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８等）が、添加ガスとしてＡｒやＯ２、ＣＯ等が用いられる。
【０００３】
しかし、ポーラス材からなる多孔質膜であって、比誘電率（ｋ）が２．６以下の低誘電率絶縁膜のエッチングに対して、従来の二酸化ケイ素のエッチング技術をそのまま適用するといくつかの問題が発生する。
その中の一つとして、低誘電率絶縁膜の表面に形成されたキャップ層と、低誘電率絶縁膜との選択性（エッチング速度比）の問題がある。
【０００４】
低誘電率膜に用いられるキャップ層としてはＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＳｉＯＮ，ＳｉＣ，ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ），或いはＯＳＧ，ＳｉＯＣ，ａ−ＳｉＣＯ：Ｈ，ＭＳＸ，ＭＳＱ，ＭＨＳＱ，ＨＳＱ，Ｏｒｇａｎｉｃ−ＳＯＧ，Ｂｌａｃｋ　ＤｉａｍｏｎｄＴＭ　等のハイブリッド膜等による単層構造もしくは各種組み合わせによる２層構造（デュアルハードマスク構成）が主である。
【０００５】
低誘電率絶縁膜は、二酸化ケイ素からなる絶縁膜に比べて低膜密度であるため、エッチング速度が高く、上述したようなキャップ層のエッチング速度と比較してもエッチング速度が高い。
従ってエッチングがキャップ層の下地である低誘電率膜に達するや否や低誘電率膜が即時にエッチングされてしまう。
【０００６】
低誘電率膜の高エッチ速度は、従来のＳｉＯ２に比べて膜自体の密度が低く、且つ膜構造も異なることが主たる原因である。
特に、トレンチとビアの中間層（ストップ層）の無いデュアルダマシン構造の場合、キャップ層をエッチングする際に僅かでも下地の低誘電率絶縁膜がオーバーエッチされると、その時の面内分布を補うためのきわめて高度な低誘電率膜トレンチエッチング技術が必要になる。
【０００７】
これは、低誘電率絶縁膜をエッチングする時の面内分布がたとえ良くても初期の分布を強調して反映してしまうからである。
通常この問題解消には、キャップ層のエッチングと低誘電率絶縁膜のエッチングの両方ともに高精度のエッチ面内均一性が必要となる。
【０００８】
しかし、そのためには、エッチング条件に強い制約を持たせることを意味し、逆に総合的なプロセスマージンを狭くする。本発明はこれらの問題を解消するためのエッチング法を提案するものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の要求に応じるために創作されたものであり、その目的は、総合的なプロセスマージンを狭くすることなく、低誘電率膜の膜厚の面内均一性を向上させる技術を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、シロキサン結合の繰り返し単位を有し、少なくとも一つのシロキサン結合に有機官能基が結合した重合体で構成され、比誘電率が２．６以下の低誘電率絶縁膜と、誘電材料を主成分とし、前記低誘電率絶縁膜表面に配置されたキャップ層とを有するエッチング対象物を真空雰囲気中に配置し、二重結合を有するフルオロカーボンガスを主成分とする第一の反応ガスを、前記真空雰囲気中に導入し、該第一の反応ガスのプラズマを発生させ、前記キャップ層をエッチングし、前記低誘電率絶縁膜を露出させた後、二重結合を有しないフルオロカーボンガスを主成分とする第二の反応ガスを、前記真空雰囲気中に導入し、前記第二の反応ガスのプラズマを発生させ、前記低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング方法である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載のエッチング方法であって、前記キャップ層は、ＳｉＮと、ＳｉＯ２と、ＳｉＯＮと、ＳｉＣと、ＳＯＧと、ＯＳＧと、ＳｉＯＣと、ａ−ＳｉＣＯ：Ｈと、ＭＳＸと、ＭＳＱと、ＭＨＳＱと、ＨＳＱと、Ｏｒｇａｎｉｃ−ＳＯＧと、Ｂｌａｃｋ　ＤｉａｍｏｎｄＴＭ　とからなる郡より選択されるいずれか１種類の誘電材料を主成分とするエッチング方法である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のエッチング方法であって、前記第一の反応ガスは、フルオロカーボンとして、Ｃ２Ｆ４と、Ｃ３Ｆ６と、Ｃ４Ｆ６のうち少なくとも１種類のフルオロカーボンガスを含有するエッチング方法である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のエッチング方法であって、前記第二の反応ガスは、フルオロカーボンのガスとして、ＣＦ４と、Ｃ３Ｆ８と、Ｃ３Ｆ７Ｉと、Ｃ３Ｆ６Ｏ（ＣＦ３ＯＣＦ＝ＣＦ２）のうち、少なくとも１種類のフルオロカーボンガスを含有するエッチング方法である。
【００１１】
先ず、本発明に用いた第一、第二の反応ガスによるエッチングの原理を説明する。
図５は、反応ガスとしてＣＦ４ガスと、Ｃ３Ｆ８ガスと、Ｃ４Ｆ６ガスとをそれぞれ用いて、レジスト層と、キャップ層と、低誘電率絶縁膜をエッチングした場合のエッチング速度（ｎｍ／分）を示すグラフである。図５の符号ＳＲはレジスト層のエッチング速度を示し、図５の符号ＳＣはキャップ層のエッチング速度を示し、図５の符号ＳＬは低誘電率絶縁膜のエッチング速度をそれぞれ示している。
【００１２】
ここでは、レジスト層としてノボラック樹脂系の感光材料を用い、キャップ層として二酸化ケイ素からなるものを用い、低誘電率絶縁膜としてメチルシルセスキオキサン（以下ＭＳＱと略記する）からなり、比誘電率が２．６以下のものを用いた。
【００１３】
図６は、上記各ガスに対する、低誘電率絶縁膜とレジスト層との選択比と、低誘電率絶縁膜とキャップ層との選択比と、キャップ層とレジスト層との選択比を表すグラフであり、低誘電率絶縁膜とレジスト層との選択比の値と、低誘電率絶縁膜とキャップ層との選択比の値と、キャップ層とレジスト層の選択比の値は、図５のエッチング速度ＳＬ、ＳＲ、ＳＣを用い、ＳＬ／ＳＲ、ＳＬ／ＳＣ、ＳＣ／ＳＲで算出した。
【００１４】
図５から分かるように、ＣＦ４と、Ｃ３Ｆ８を用いてエッチングを行なった場合には低誘電率絶縁膜のエッチング速度ＳＬがキャップ層のエッチング速度ＳＣよりも速いので、図６に示すように、低誘電率絶縁膜とキャップ層との選択比（ＳＬ／ＳＣ）は１を超えている。
【００１５】
これに対し、Ｃ４Ｆ６を用いた場合は低誘電率絶縁膜のエッチング速度ＳＬがキャップ層Ｓｃよりも遅いので、低誘電率絶縁膜とキャップ層との選択比（ＳＬ／ＳＣ）が１未満になっている。
【００１６】
Ｃ４Ｆ６を用いた場合に、低誘電率絶縁膜のエッチング速度ＳＬがキャップ層のエッチング速度ＳＣよりも遅くなったのは、Ｃ４Ｆ６のように二重結合を有するフルオロカーボンがプラズマ化すると、ポリマー前駆体が多数形成され、キャップ層のように膜密度が緻密なものはそのポリマー前駆体によってエッチングされるが、低誘電率絶縁膜のようにその膜中に多孔質構造を有するものは、細孔内にポリマー前駆体が入り込むことで、エッチングが停止するためである。
【００１７】
本発明によりエッチングされるエッチング対象物は、低誘電率絶縁膜とキャップ層の積層膜を有しており、そのキャップ層は、例えばＣＶＤ法等により成膜された二酸化ケイ素薄膜からなるため、低誘電率絶縁膜よりも膜密度が高くなっている。
これに対し、低誘電率絶縁膜は、例えば、下記構造式（１）
【００１８】
【化１】
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【００１９】
に示されるような重合体で構成されており、例えば、スピンコート法のような成膜方法で成膜することでその膜中に多孔質構造を形成し、比誘電率を２．６以下にすることができる。このような低誘電率絶縁膜は、微細構造の半導体装置の層間絶縁膜として用いることができる。
【００２０】
上述したエッチング対象物をエッチングするには、ノボラック樹脂のような樹脂膜がパターニングされたレジスト層をキャップ層表面に配置しておき、二重結合を有するフルオロカーボンのガスのプラズマを発生させてエッチングを行なうと、キャップ層とレジスト層との選択比は１を超えるので、レジスト層のエッチング量が小さく、レジスト層の開口底面に露出するキャップ層が精度良くエッチングされる。
【００２１】
しかも、その反応ガスを用いた場合には、低誘電率絶縁膜とキャップ層との選択比が１未満になるので、キャップ層がエッチング除去され、開口底面に低誘電率絶縁膜が露出しても、低誘電率絶縁膜のエッチング量が小さく、エッチングが停止する。
【００２２】
開口底面に露出するキャップ層がエッチング除去されたところで、第一の反応ガスのプラズマを消滅させると共に、第一の反応ガスの導入を停止した後、真空排気すれば、第一の反応ガスが除去されるので、引き続き行われる第二のエッチング工程で、第二の反応ガスを真空雰囲気中に導入しても、第一の反応ガスと第二の反応ガスとが混合されない。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図２（ａ）の符号１０は本発明のエッチング方法によりエッチングされるエッチング対象物の一例を示している。
このエッチング対象物１０は、シリコンウェハ１１と、低誘電率絶縁膜１５と、キャップ層１６とを有している。
【００２４】
シリコンウェハ１１の片面には下地層１４が形成されており、低誘電率絶縁膜１５は下地層１４の表面に配置されている。
キャップ層１６は低誘電率絶縁膜１５の表面に形成されており、キャップ層１６の表面には所定パターンにパターニングされたレジスト層１８が配置されている。レジスト層１８には、パターニングによって細長の開口１９が複数本形成されており、各開口１９の底面にはそれぞれキャップ層１６の表面が露出している。
【００２５】
図１の符号１は上述したエッチング対象物１０のエッチングに用いられるエッチング装置の一例を示している。
エッチング装置１は真空槽２を有している。真空槽２内の底壁側には電極６が配置されており、上述したエッチング対象物１０を真空槽２内に搬入し、レジスト層１８が形成された面を天井側に向けて電極６表面に載置する。
【００２６】
次いで、真空槽２に接続された真空排気系５を起動し、真空槽２内を所定圧力まで真空排気する。
真空槽２外には第一、第二のガス供給系２１、２２が配置されており、第二のガス供給系２２のバルブを閉じた状態で、第一のガス供給系２１のバルブ２１を開け、第一のガス供給系２１のガスタンクに充填された第一の反応ガスを、真空槽２内の天井側に設置されたシャワーヘッド７に所定流量で供給すると、第一の反応ガスがシャワーヘッド７から真空槽２内に導入される。
【００２７】
真空槽２内の圧力が所定圧力で安定したところで、コイル用高周波電源２４を起動し、真空槽２の外壁に巻きつけられたコイル９に高周波電流を流すと共に、電極用高周波電源２３を起動し、電極６に高周波電圧を印加すると、高周波電流によって真空槽２内に誘導電場が形成されて第一の反応ガスがプラズマ化し、第一の反応ガスのイオンが発生し、そのイオンが高周波電圧が印加された電極６に引き付けられ、エッチング対象物１０のレジスト層１８が形成された面に垂直に入射する。
【００２８】
ここでは、キャップ層１６は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で構成されており、第一の反応ガスとして、Ｃ４Ｆ６のように二重結合を有するフルオロカーボンのガスが導入されている。
【００２９】
レジスト層１８はノボラック樹脂を主成分とし、キャップ層１６は二重結合を有するフルオロカーボンのガスのプラズマでエッチングされやすいのに対し、レジスト層１８はエッチングされ難いので、第一の反応ガスのイオンがレジスト層１８が形成された面に入射すると、レジスト層１８はエッチングされずに残り、開口１９底面に露出するキャップ層１６が精度良くエッチングされる。
【００３０】
キャップ層１６の膜厚分布やエッチングむら等により、開口１９によってキャップ層１６が除去されるまでの時間が異なるので、全ての開口１９の底面に露出するキャップ層１６を除去するようにエッチングを行なうと、短時間ではあるが、低誘電率絶縁膜１５の表面が第一の反応ガスのプラズマに曝される。
【００３１】
低誘電率絶縁膜１５はＭＳＱのように、シロキサン結合の繰り返し単位を有し、少なくとも一つのシロキサン結合に有機官能基が結合した重合体で構成されており、その膜中には多孔質構造が形成され、比誘電率が２．６以下と小さくなっている。
【００３２】
上述したように、このような低誘電率絶縁膜１５は、キャップ層１６に比べて第一の反応ガスのプラズマによるエッチング速度が遅いので、第一の反応ガスのプラズマに曝されてもエッチングされず、キャップ層１６が除去され、低誘電率絶縁膜１５が開口１９内に露出すると、エッチングが停止する。
【００３３】
全ての開口１９の底面のキャップ層１６が除去されたところで、電極用高周波電源２３を停止してエッチング対象物１０へのプラズマ入射を停止させ、コイル用高周波電源２４を停止してプラズマを消滅させ、第一のガス供給系２１のバルブを閉じて第一の反応ガスの導入を停止して、第一のエッチング工程を終了する。
【００３４】
図２（ｂ）はその状態を示しており、各開口１９の底面には低誘電率絶縁膜１５の表面が露出している。
上述したように、低誘電率絶縁膜１５はエッチングされないので、開口１９毎に膜厚が変化することがなく、その面内分布は一定になっている。
【００３５】
第一のエッチング工程終了後、第一の反応ガスの導入を停止した状態で真空排気を続け、真空槽２内から第一の反応ガスを排出し、真空槽２内の圧力が所定圧力まで低下したところで、第二のガス供給系２２のバルブを開け、第二の反応ガスをシャワーヘッド７から真空槽２内に導入する。
【００３６】
真空槽２内の圧力が所定圧力で安定したところで、コイル９に高周波電流を流すと共に、電極６に高周波電圧を印加すると、高周波電流によって真空槽２内に誘導電場が形成され、第二の反応ガスがプラズマ化してイオンが発生し、それらのイオンが高周波電圧が印加された電極６に引きつけられ、開口１９の底面に露出する低誘電率絶縁膜１５の表面に垂直に入射する。
【００３７】
ここでは、第二の反応ガスはＣＦ４と、Ｃ３Ｆ８のように二重結合を有しないフルオロカーボンのガスで構成されており、上述した低誘電率絶縁膜１５に対するエッチング性が高いので、第二の反応ガスのイオンが入射すると、低誘電率絶縁膜１５は膜厚方向にエッチングされる。
【００３８】
このとき、開口１９の内壁にキャップ層１６が露出しているが、二重結合を有するフルオロカーボンはキャップ層１６に対するエッチング性が低いので、開口１９内でキャップ層１６が横方向にエッチングされない。
【００３９】
低誘電率絶縁膜１５が所定深さまでエッチングされたところで、コイル用高周波電源２４と電極用高周波電源２３とを停止し、第二のエッチング工程を終了させる。
図２（ｃ）はその状態を示しており、エッチングによって低誘電率絶縁膜１５にはレジスト層１８の開口１９と同じ平面形状の開口が形成されている。
【００４０】
上述したように、第二のエッチング工程の前には、低誘電率絶縁膜１５の膜厚の面内分布は一定になっているので、低誘電率絶縁膜１５に形成された開口の底面から、シリコンウェハ１１までの距離は一定になっている。
【００４１】
次に、レジスト層１８を除去し、エッチング対象物１０の開口１９が形成された面にバリア膜を形成すると、開口１９の底面と側壁がバリア膜で覆われる。その開口１９に銅のような導電性材料を充填して配線を形成すれば、半導体装置が作製される。
【００４２】
上述したように、低誘電率絶縁膜１５に形成された開口の底面から、シリコンウェハまでの距離は一定になっているので、配線からシリコンウェハまでの距離も一定になっている。
尚、第一のエッチング工程と、第二のエッチング工程の際に、不図示の温度制御手段によってエッチング対象物１０を所定温度に維持すれば、エッチング速度が設定速度よりも上昇したり、エッチング対象物１０が熱損傷を受けることがない。
【００４３】
【実施例】
上述したエッチング対象物１０を用い、真空槽２内の圧力を変えてキャップ層１６のエッチングを行なったところ、真空槽２内の圧力が１Ｐａ以下であれば、各開口１９内にキャップ層１６の残渣が残らずにエッチングされることがわかった。
【００４４】
その条件を基に、キャップ層１６と低誘電率絶縁膜１５のエッチングを行ない、低誘電率絶縁膜１５がエッチングされず、かつ、キャップ層１６のエッチング速度がさほど低下しない最適パラメータを求めた。
＜実施例＞
最適パラメータの一例として、Ｃ４Ｆ６からなる第一の反応ガスの流量を５０ｓｃｃｍにして真空槽２内の圧力を０．６５Ｐａとし、エッチング対象物１０の温度を２０℃、コイル９への印加電力を１０００Ｗ、電極６への印加電力が３００Ｗの条件でキャップ層１６をエッチング除去し、その状態のエッチング対象物１０の電子顕微鏡写真を撮影した。
【００４５】
＜比較例＞
第一の反応ガスとしてＣＦ４を用いた以外は上記実施例と同じ条件で第一のエッチング工程を行い、エッチング対象物１０の電子顕微鏡写真を撮影した。
【００４６】
＜評価＞
図３は本発明によりエッチングされたエッチング対象物１０の電子顕微鏡写真であり、図４は比較例によりエッチングされたエッチング対象物の電子顕微鏡写真であり、図３、図４の符号Ｃはそれぞれキャップ層１６を示している。
【００４７】
図３、４から明かなように、本発明のエッチング方法によれば、第一のエッチング工程でキャップ層１６のみがエッチングされたのに対し、比較例のエッチング方法では、キャップ層１６と共に低誘電率絶縁膜１５もエッチングされてしまった。
これらのことから、二重結合を有するフルオロカーボンを用いてエッチングを行えば、キャップ層１６のみをエッチング除去することが可能なことが確認された。
【００４８】
＜その他の例＞
以上は、二重結合を有するフルオロカーボンとしてＣ４Ｆ６を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、Ｃ２Ｆ４、Ｃ３Ｆ６等を用いることができる。
【００４９】
また、キャップ層１６や低誘電率絶縁膜１５に対して化学的に不活性なガスを希釈ガスとして第一の反応ガスに添加すれば、フルオロカーボンガスの濃度を低くし、エッチング速度を遅くすることができる。
そのような希釈ガスとしては、アルゴンやキセノンのような希ガスや、窒素ガス（Ｎ２）等を用いることができる。
【００５０】
二重結合を有しないフルオロカーボンは、ＣＦ４とＣ３Ｆ８に限定されるものではなく、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ７Ｉや、Ｃ３Ｆ６Ｏ（商品名ＨＦＥ２１６）のようなフルオロエーテルを用いることができる。
また、第二の反応ガスに、低誘電率絶縁膜１５やキャップ層１６に対して化学的に不活性なガスを希釈ガスとして添加することもできる。
【００５１】
以上は、低誘電率絶縁膜１５として、ＭＳＱを用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＯＳＧ、ＳｉＯＣ、ａ−ＳｉＣＯ：Ｈ、ＭＳＸ、ＭＨＳＱ、ＨＳＱ、Ｏｒｇａｎｉｃ−ＳＯＧ、ＬＫＤＴＭ、Ｂｌａｃｋ　ＤｉａｍｏｎｄＴＭ、ＦｌｏｗｆｉｌｌＴＭ、ＣｏｒａｌＴＭ、ＡｕｒｏｒａＴＭ、ＮａｎｏｇｌａｓｓＥＴＭ、ＦＯｘＴＭ、ＯＣＤ　ＴＭ、Ａｃｃｕｓｐｉｎ　ＴＭ、ＨＯＳＰ　ＴＭ、Ａｅｒｏｇｅｌ、Ｘｅｌｏｇｅｌ、Ｐｏｒｏｕｓ　Ｓｉｌｉｃａ：ＩＳＭ−１．５等を用いることができる。
【００５２】
第二の反応ガスに酸素ガスを添加すると、低誘電率絶縁膜１５のエッチング速度が速くなるが、低誘電率絶縁膜１５が酸素ガスのプラズマに曝されると、その電気的特性が劣化する原因となるので、第二の反応ガス中の酸素濃度は５％以下が好ましい。
【００５３】
以上はレジスト層にノボラック樹脂を用いる場合について説明したが、ノボラック樹脂以外にもナフトキノンジアジド化合物やその他の感光性樹脂を用いることができる。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、キャップ層を除去する第一のエッチング工程で低誘電率絶縁膜がエッチングされず、低誘電率絶縁膜をエッチングするときには、その膜厚の面内分布が一定になっているので、低誘電率絶縁膜に形成される開口の底面からシリコンウェハまでの距離が一定になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いるエッチング装置の一例を説明する図
【図２】（ａ）〜（ｃ）：本発明のエッチング方法を説明するための断面図
【図３】本発明のエッチング方法によりキャップ層がエッチングされた状態の断面電子顕微鏡写真
【図４】従来技術のエッチング方法によりキャップ層がエッチングされた状態の断面電子顕微鏡写真
【図５】エッチング速度と反応ガスの種類との関係を説明するためのグラフ
【図６】選択比と反応ガスの種類との関係を説明するためのグラフ
【符号の説明】
１……エッチング装置　　２……真空槽　　１０……エッチング対象物　　１５……低誘電率絶縁膜　　６……電極　　　７……シャワーヘッド　　９……コイル　　１６……キャップ層　　１８……レジスト層　　１９……開口　　２１……第一のガス供給系　　２２……第二のガス供給系　　２３……電極用高周波電源　　２４……コイル用高周波電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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