(57)【要約】【課題】処理対象物を除電しながら搬送する装置（これを「除電搬送装置」と呼ぶ。）であって、半導体ウエハや石英基板などの処理対象物の帯電を効果的に防止でき、低コストで、かつ配置の制約が少ないものを提供すること。【解決手段】駆動手段１１１によって移動されるべき本体１１２と、本体１２から下方へ延びるように設けられたアーム１１５，１１６を備える。アーム１１５，１１６は、本体１１２に対して下方に処理対象物１００，１０１を保持する。本体１１２の下面に取り付けられたイオナイザ５１，５２を備える。イオナイザ５１，５２は処理対象物１００，１０１へ向けてイオンを放出する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動手段によって移動されるべき本体と、
上記本体から下方へ延びるように設けられ、上記本体に対して下方に処理対象物を保持するアームと、
上記本体の下面に取り付けられ、上記処理対象物へ向けてイオンを放出するイオナイザを備えたことを特徴とする除電搬送装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記載の除電搬送装置において、
上記処理対象物を収納するカセットを備え、
上記処理対象物は上記カセットを介して上記アームに保持されるようになっていることを特徴とする除電搬送装置。
【請求項３】
請求項１に記載の記載の除電搬送装置において、
上記イオナイザと上記処理対象物との間の鉛直方向の間隔が１００ｍｍ以上２２０ｍｍ以下であることを特徴とする除電搬送装置。
【請求項４】
請求項１に記載の除電搬送装置と、
上記処理対象物を薬液に浸漬させるための薬液槽、純水で洗浄するための純水洗浄槽、および乾燥させるためのスピンドライヤと、
上記薬液槽、純水洗浄槽およびスピンドライヤで上記処理対象物がそれぞれ薬液浸漬、純水洗浄、乾燥の処理を受けるように、上記除電搬送装置の本体を移動させる駆動手段とを備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の処理装置において、
少なくとも上記薬液槽での薬液浸漬から上記純水洗浄槽での純水洗浄までの間、上記除電搬送装置のイオナイザは上記処理対象物へ向けて連続してイオンを放出するようになっていることを特徴とする処理装置。
【請求項６】
請求項４に記載の処理装置において、
上記スピンドライヤでの乾燥の処理後に上記処理対象物が置かれるアンロード部を備え、
少なくとも上記スピンドライヤを出てから上記アンロード部で処理対象物が上記除電搬送装置のアームから取り外されるまでの間、上記除電搬送装置のイオナイザは上記処理対象物へ向けて連続してイオンを放出するようになっていることを特徴とする処理装置。
【請求項７】
請求項４に記載の処理装置において、
上記処理対象物は上記イオナイザからのイオンを１０秒以上受けるようになっていることを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は除電搬送装置に関し、より詳しくは、半導体ウエハや石英基板などの処理対象物を除電しながら搬送する除電搬送装置に関する。また、この発明は、そのような除電搬送装置によって処理対象物を除電しながら搬送して、処理対象物に薬液や純水を用いた処理を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路または液晶パネルなどの電子デバイスの大型化、加工技術の微細化に伴い、その製造過程において半導体ウエハや石英基板への静電気による空気中の塵埃の吸着、または静電気放電による配線パターン破壊が問題となる。例えば、半導体集積回路の製造過程で半導体ウエハ上に形成されている金属配線間距離のデザインルールは０．２μｍから０．１μｍ程度であるのに対して、静電気力により吸着するパーティクルサイズは同程度であるか又はそれより大きい。このため、製造過程で半導体基板上にパーティクルが付着すると回路の短絡などの原因となり、収率（歩留まり）の低下を招くことになる。
【０００３】
一般に、半導体ウエハを薬液槽や純水槽に浸漬して処理する場合、耐薬液性を持つ４フッ化樹脂などの絶縁材料からなるカセット（「キャリア」とも呼ばれる。）に半導体ウエハを収納した状態で浸漬させる。このような絶縁材料からなるカセットは、薬液槽や純水槽からの引き上げ時に液との間で摩擦による帯電を生じ易い。また、液晶パネルの製造過程では、液晶パネルを構成する石英基板自身が絶縁材料であるから、液との間で摩擦による帯電を生じ易い。
【０００４】
従来は、このような帯電を防ぐために、クリーンベンチ（洗浄室）の内部上方に配設されたＨＥＰＡフィルタの下面に沿ってイオナイザ（コロナ放電を利用して空気をイオン化させる装置）を設ける方式が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。クリーンベンチの下部には洗浄槽などが置かれており、被洗浄物はイオン化された空気を浴びながら洗浄槽で処理を受ける。
【０００５】
また、半導体ウエハの帯電を防ぐために、洗浄槽を挟んで、洗浄槽の上縁と略同じ高さにクリーンエアの吹出口と排気ダクトとを互いに向き合う様に配置し、その吹出口にイオナイザを設ける方式が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平３−３４４２４号公報（第３頁右上欄第２０行から左下欄第５行、第１図）
【特許文献２】
特開平４−１１７２８号公報（第１頁の請求項１、第２図）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１のように、クリーンベンチの内部上方に配設されたＨＥＰＡフィルタの下面に沿ってイオナイザを設けたのでは、イオナイザと被洗浄物との距離が遠いため、除電が不十分となる。
【０００８】
また、特許文献２のように、洗浄槽の上縁と略同じ高さにイオナイザを配置したのでは、半導体ウエハが洗浄槽から引き上げられる際の短時間（イオン化したクリーンエアにさらされる時間は１秒以内と考えられる）では、除電が不十分となる。また、この方式では、各槽毎にイオナイザを設けることになるため、多数の槽を備えた洗浄装置ではイオナイザの設置台数も多くなって、コストが高くつくという問題がある。さらに、この方式は、洗浄処理後に使用される市販のスピンドライヤ（大型の蓋を蝶番式に開閉するようになっている回転式乾燥機）に対しては、配置スペースの観点から、適用困難である。
【０００９】
そこで、この発明の課題は、処理対象物を除電しながら搬送する装置（これを「除電搬送装置」と呼ぶ。）であって、半導体ウエハや石英基板などの処理対象物の帯電を効果的に防止でき、低コストで、かつ配置の制約が少ないものを提供することにある。
【００１０】
また、この発明の課題は、そのような除電搬送装置によって処理対象物を除電しながら搬送して、処理対象物に薬液や純水を用いた処理を施す処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、この発明の除電搬送装置は、
駆動手段によって移動されるべき本体と、
上記本体から下方へ延びるように設けられ、上記本体に対して下方に処理対象物を保持するアームと、
上記本体の下面に取り付けられ、上記処理対象物へ向けてイオンを放出するイオナイザを備えたことを特徴とする。
【００１２】
なお、「処理対象物」とは、基本的には半導体ウエハや石英基板のように薬液や純水を用いた処理の対象になる物を意味する。ただし、この「処理対象物」には、半導体ウエハや石英基板を収納するためのカセットが含まれていても良い。
【００１３】
「イオナイザ」とは、高電圧が印加される電極を備え、この電極からのコロナ放電を利用して空気をイオン化させる装置を意味する。
【００１４】
この請求項１の除電搬送装置によれば、クリーンベンチの内部上方に配設されたＨＥＰＡフィルタの下面に沿ってイオナイザを設ける方式（特許文献１の方式）に比して、処理対象物に対して近い位置にイオナイザが配置される。また、洗浄槽の上縁と略同じ高さにイオナイザを配置する方式（特許文献２の方式）とは異なり、処理対象物がアームに保持されている間、常に、イオナイザから放出されるイオンによって処理対象物が除電され得る。したがって、処理対象物の帯電を効果的に防止できる。この結果、処理対象物へのパーティクルの吸着及び静電破壊を低く抑えることができ、製品の収率（歩留まり）を改善できる。
【００１５】
また、例えばこの除電搬送装置が適用される処理装置が薬液槽、純水槽、スピンドライヤなどの複数の処理部を備えていたとしても、各処理部毎にイオナイザを設ける必要は無く、駆動手段によって移動されるべき除電搬送装置の本体毎にイオナイザを設ければ足りる。したがって、イオナイザの設置台数を低減でき、コスト面で優れる。
【００１６】
また、この除電搬送装置は駆動手段によって移動されるので、適用される処理装置が例えばスピンドライヤを備えていたとしても、スピンドライヤの蓋を開いた状態で、スピンドライヤ内部へ処理対象物を容易に入れたり出したりできる。つまり、この除電搬送装置は駆動手段によって移動されるので、配置の制約が少ない。そして、この搬送の間、イオナイザから放出されるイオンによって処理対象物が除電され得る。
【００１７】
一実施形態の除電搬送装置は、上記処理対象物を収納するカセットを備え、上記処理対象物は上記カセットを介して上記アームに保持されるようになっていることを特徴とする。
【００１８】
この一実施形態の除電搬送装置では、処理対象物はカセットを介してアームに保持されるようになっているので、処理対象物が確実に保持される。なお、このカセットは処理対象物とともに除電され、処理対象物とともに処理を受ける。
【００１９】
一実施形態の除電搬送装置は、上記イオナイザと上記処理対象物との間の鉛直方向の間隔が１００ｍｍ以上２２０ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００２０】
この一実施形態の除電搬送装置では、上記イオナイザと上記処理対象物との間の鉛直方向の間隔が２２０ｍｍ以下であり、接近しているので、処理対象物が短時間で除電され得る。例えば処理装置内で起こり得る約＋１５０００Ｖから−２００００Ｖの範囲内の帯電であれば、１０秒以内、より確実には２０秒以内に略０Ｖまで除電できる。
【００２１】
一方、上記イオナイザからのイオンの放出角度範囲を考慮すれば、放出角度範囲内に処理対象物の全体が入るように、処理対象物は上記イオナイザから１００ｍｍ以上離れているのが望ましい。
【００２２】
上記イオナイザは陽イオンと陰イオンとを同時に放出するのが望ましい。そのようにした場合、供給イオンによる逆帯電を防止しながら、処理対象物を確実に除電できる。
【００２３】
上記アームは一対設けられ、この一対のアームの間に上記処理対象物および／またはカセットを保持するようになっているのが望ましい。そのようにした場合、処理対象物やカセットが確実に保持される。
【００２４】
上記アームの材料は、上記処理対象物が浸漬される薬液に対して耐性を持つのが望ましい。
【００２５】
上記アームの材料は、上記処理対象物が処理される温度に対して耐熱性を持つのが望ましい。
【００２６】
上記アームの材料は、絶縁性を持つのが望ましい。そのようにした場合、イオナイザが発生したイオンのリークを防ぐことができる。
【００２７】
また、上記アームは、金属製フレームを絶縁性物質で覆って構成されるのが望ましい。そのようにした場合、イオナイザが発生したイオンのリークを防ぐことができるとともに、上記処理対象物を保持する強度を容易に持つことができる。
【００２８】
また、一実施形態の除電搬送装置では、上記イオナイザから上記処理対象物へ向けてＮ２ガスを流す手段を備えるのが望ましい。イオナイザから上記処理対象物へ向けてＮ２ガスを流すことによって、イオナイザが発生したイオンを拡散させることができる。また、上記イオナイザの電極先端からパーティクルが発塵するのを防止できる。
【００２９】
この発明の処理装置は、
請求項１に記載の除電搬送装置と、
上記処理対象物を薬液に浸漬させるための薬液槽、純水で洗浄するための純水洗浄槽、および乾燥させるためのスピンドライヤと、
上記薬液槽、純水洗浄槽およびスピンドライヤで上記処理対象物がそれぞれ薬液浸漬、純水洗浄、乾燥の処理を受けるように、上記除電搬送装置の本体を移動させる駆動手段とを備えたことを特徴とする。
【００３０】
この発明の処理装置は、上述の除電搬送装置によって処理対象物を除電しながら搬送して、処理対象物に薬液浸漬、純水洗浄、乾燥の処理を施すことができる。
【００３１】
より詳しくは、この処理装置の例えばロード部（処理開始前に処理対象物が置かれる場所）で、処理対象物が除電搬送装置のアームによって保持される。上記処理対象物が除電搬送装置によってロード部から薬液槽に搬送される。この薬液槽で上記処理対象物が薬液に浸漬される。次に、上記処理対象物が除電搬送装置によって薬液槽から純水洗浄槽に搬送される。この純水洗浄槽で上記処理対象物が純水で洗浄される。次に、上記処理対象物が除電搬送装置によって純水洗浄槽からスピンドライヤに搬送される。このスピンドライヤで上記処理対象物が乾燥される。次に、上記処理対象物が除電搬送装置によってスピンドライヤから例えばアンロード部へ搬送される。
【００３２】
この一連の処理過程で、処理対象物が除電搬送装置のアームに保持されている間、つまりロード部から薬液槽間、薬液槽から洗浄槽間、洗浄槽からスピンドライヤ間、スピンドライヤからアンロード部間では常に、イオナイザから放出されるイオンによって処理対象物が除電され得る。したがって、処理対象物の帯電を効果的に防止できる。この結果、処理対象物へのパーティクルの吸着及び静電破壊を低く抑えることができ、製品の収率（歩留まり）を改善できる。
【００３３】
また、この処理装置では、薬液槽、純水槽、スピンドライヤなどの各処理部毎にイオナイザを設ける必要は無く、駆動手段によって移動されるべき除電搬送装置の本体毎にイオナイザを設ければ足りる。したがって、イオナイザの設置台数を低減でき、コスト面で優れる。
【００３４】
また、この処理装置では、除電搬送装置は駆動手段によって移動されるので、スピンドライヤの蓋を開いた状態で、スピンドライヤ内部へ処理対象物を容易に入れたり出したりできる。つまり、配置の制約が少ない。したがって、スピンドライヤに対して除電搬送装置が容易に適用される。
【００３５】
一実施形態の処理装置は、少なくとも上記薬液槽での薬液浸漬から上記純水洗浄槽での純水洗浄までの間、上記除電搬送装置のイオナイザは上記処理対象物へ向けて連続してイオンを放出するようになっていることを特徴とする。
【００３６】
後述するように、上記薬液槽での薬液浸漬から上記純水洗浄槽での純水洗浄までの間は、上記処理対象物が帯電しようとする傾向が強い。したがって、この一実施形態の処理装置によれば、上記処理対象物の帯電を効果的に防止できる。
【００３７】
一実施形態の処理装置は、上記スピンドライヤでの乾燥の処理後に上記処理対象物が置かれるアンロード部を備え、少なくとも上記スピンドライヤを出てから上記アンロード部で処理対象物が上記除電搬送装置のアームから取り外されるまでの間、上記除電搬送装置のイオナイザは上記処理対象物へ向けて連続してイオンを放出するようになっていることを特徴とする。
【００３８】
後述するように、上記スピンドライヤを出てから上記アンロード部で処理対象物が上記除電搬送装置のアームから取り外されるまでの間は、上記処理対象物が帯電しようとする傾向が強い。したがって、この一実施形態の処理装置によれば、上記処理対象物の帯電を効果的に防止できる。
【００３９】
一実施形態の処理装置では、上記処理対象物は上記イオナイザからのイオンを１０秒以上、より好ましくは２０秒以上受けるのが望ましい。
【００４０】
例えば処理装置内で起こり得る約＋１５０００Ｖから−２００００Ｖの範囲内の帯電であれば、後述するように、１０秒以内、より確実には２０秒以内に略０Ｖまで除電できるからである。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の除電搬送装置および処理装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４２】
図１は、この発明の一実施形態の除電搬送装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃを備えた処理装置９０の概略構成を示している。この処理装置は半導体集積回路の製造工程に用いられる。
【００４３】
具体的には、この処理装置９０は、半導体製造工場内に置かれたクリーンベンチ９１と、クリーンベンチ９１内の下部に床面に沿って右から順に設置されたロード部２、薬液槽３，４，５、純水洗浄槽６，７，８、スピンドライヤ９およびアンロード部１０と、これらの処理部２〜１０の上方の位置に支持された除電搬送装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃとを備えている。アンロード部１０の直下には、この処理装置９０の動作を制御するためのコントローラ３０が設けられている。
【００４４】
クリーンベンチ９１は、その内部にクリーン度の高い空間を形成するために、上部に配設されたＨＥＰＡフィルタ（またはＵＬＰＡフィルタ）８１，８２，…，８５を通してクリーンエアをダウンフローし、後面パネル４１に設けられた排気口２１，２２，２３や下方の図示しない排気口から排気するようになっている。クリーンベンチ９１の後面パネル４１には、除電搬送装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃの移動を許容するための図示しないガイド溝が設けられている。詳しくは後述するが、除電搬送装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃは、このガイド溝を通して前後方向に延びる支持部材によって支持されるとともに、このガイド溝に沿って上下方向（±ｚ方向）や左右方向（±ｘ方向）に移動することができる。
【００４５】
ロード部２は、処理対象物としての半導体ウエハ１００を搭載したカセット（「キャリア」とも呼ばれる。）１０１が最初に置かれる場所である。ロード部２に半導体ウエハ１００を搭載したカセット１０１が置かれると、それらは隣の薬液槽３に近い位置までベルトコンベア式に水平方向に搬送されて、待機する。
【００４６】
薬液槽３，４，５は、それぞれ所定の薬液で満たされており、カセット１０１とともに半導体ウエハ１００を薬液に浸漬させて、半導体製造工程で必要なエッチングなどの処理を行うために用いられる。各薬液槽３，４，５では、薬液はポンプによって槽内へ供給されてオーバフローする。オーバフローした薬液はフィルタによって濾過されて、その中のパーティクルが除去される。その後、薬液は再びポンプによって槽内へ供給され、循環される。
【００４７】
純水洗浄槽６，７，８は、カセット１０１とともに半導体ウエハ１００を純水で洗浄するために用いられる。各純水洗浄槽６，７，８では、槽の下部から槽内へ純水が供給されてオーバフローする。オーバフローした水は図示しない排水管を通して排出されて、工場の排水設備へ導かれる。
【００４８】
スピンドライヤ９は、市販の回転式乾燥機であり、半導体ウエハ１００を搭載したカセット１０１を収容して、毎分１０００回転程度の高速回転によって遠心力で水分を振り切って乾燥させる。このスピンドライヤ９は、処理対象物を出し入れするとき、蓋９ａを奥の一辺の周りに回動させて蝶番式に開閉するようになっている。
【００４９】
コントローラ３０は、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が薬液槽３，４，５、純水洗浄槽６，７，８およびスピンドライヤ９でそれぞれ薬液浸漬、純水洗浄、乾燥の処理を受けるように、この処理装置９０全体の動作を制御する。
【００５０】
アンロード部１０は、スピンドライヤ９での乾燥の処理後に半導体ウエハ１００を搭載したカセット１０１が置かれる場所である。
【００５１】
図２は、図１中に示した各除電搬送装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃと同じ除電搬送装置１の構成を示している。
【００５２】
この除電搬送装置１は、支持部材１１１によって支持された直方体状の外形をもつ本体１１２を備えている。この本体１１２内には、前後方向（±ｙ方向）に延びる左右一対の旋回軸１２３，１２４が貫通して設けられている。
【００５３】
一方の旋回軸１２３には、その径方向に突出して、前後一対の略円柱状の補助アーム１１３Ａ，１１３Ｂが一体に取り付けられている。これらの補助アーム１１３Ａ，１１３Ｂにまたがって、略コの字状の係合アーム１１５が取り付けられている。係合アーム１１５は、補助アーム１１３Ａと同心で直線状に延びる部分１１５ａと、補助アーム１１３Ｂと同心で直線状に延びる部分１１５ｃと、これらの直線状部分１１５ａ，１１５ｃの先端同士を前後方向に直線状に連結するフック部１１５ｂとを含んでいる。フック部１１５ｂの前後方向の長さは、搬送すべきカセット１０１の前後方向の寸法と略同じに設定されている。
【００５４】
他方の旋回軸１２４にも全く同様に、前後一対の略円柱状の補助アーム１１４Ａ，１１４Ｂと、係合アーム１１６とが取り付けられている。係合アーム１１６は、直線状部分１１６ａ，１１６ｃと、フック部１１６ｂとを含み、フック部１１６ｂの前後方向の長さは、搬送すべきカセット１０１の前後方向の寸法と略同じに設定されている。
【００５５】
本体１１２の内部には、旋回軸１２３，１２４をそれぞれの中心の周りに回動させるためのステッピングモータが設けられている。旋回軸１２３，１２４がそれぞれの中心の周りに回動されると、補助アーム１１３Ａ，１１３Ｂとともに係合アーム１１５，１１６（のフック部１１５ｂ，１１６ｂ）が図中にα，βで示すような円弧を描いて回動する。
【００５６】
一方、カセット１０１は、４フッ化樹脂からなる市販のウエハキャリアであり、詳しくは、略半円筒状の外形をもつボディ１０２と、このボディ１０２の下部から下方へ突出した一対の脚部１０３，１０３と、ボディ１０２の上縁から外向きに突出した一対のフランジ部１０４，１０４とを備えている。ボディ１０２には、円板状の半導体ウエハ１００を立てて収容するための溝（図示せず）が複数形成されている。
【００５７】
上記補助アーム１１３Ａ，１１３Ｂとともに係合アーム１１５，１１６が回動されて閉じて、係合アーム１１５，１１６のフック部１１５ｂ，１１６ｂがカセット１０１のフランジ部１０４，１０４の直下に来ると、フック部１１５ｂ，１１６ｂとフランジ部１０４，１０４とがそれぞれ係合する。これにより、上記除電搬送装置１の本体１１２に対して下方に、半導体ウエハ１００を搭載したカセット１０１が確実に保持される。半導体ウエハ１００およびカセット１０１はそのように保持された状態で除電搬送装置１によって搬送され得る。
【００５８】
除電搬送装置１の本体１１２の下面には、半導体ウエハ１００およびカセット１０１へ向けてイオンを放出するイオナイザ５１，５２が取り付けられている。
一方のイオナイザ５１はプラス電極を含み、他方のイオナイザ５２はマイナス電極を含んでいる。このイオナイザはパルスＤＣ方式のものであり、イオナイザ５１のプラス電極とイオナイザ５２のマイナス電極とに交互に直流高電圧を印加することで、プラスとマイナスのイオンを個別に並行して発生させるようになっている。発生したイオンは、クリーンベンチ内のクリーンエアのダウンフローに乗って拡散されながら、下方の半導体ウエハ１００およびカセット１０１に達する。したがって、イオナイザ５１，５２が発生するプラスイオンとマイナスイオンの量を調節することにより、供給イオンによる逆帯電を防止しながら、半導体ウエハ１００およびカセット１０１を確実に除電できる。なお、直流高電圧は、支持部材１１１内を通るケーブルを通して電極５１，５２へ供給される。
【００５９】
また、これらのイオナイザ５１，５２には、支持部材１１１内を通る配管を通してＮ２ガスが供給されている。イオナイザ５１，５２から半導体ウエハ１００およびカセット１０１へ向けてＮ２ガスを流すことによって、イオナイザ５１，５２が発生したイオンをさらに拡散させることができる。また、イオナイザ５１，５２の電極先端からパーティクルが発塵するのを防止できる。
【００６０】
イオナイザ５１，５２と半導体ウエハ１００およびカセット１０１との間の鉛直方向の間隔Ｈは、この例ではＨ＝２２０ｍｍ程度に設定されている。イオナイザ５１，５２と半導体ウエハ１００およびカセット１０１との間の鉛直方向の間隔が２２０ｍｍ以下であり、接近していれば、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が短時間で除電され得る。例えば処理装置９０内で起こり得る約＋１５０００Ｖから−２００００Ｖの範囲内の帯電であれば、１０秒以内、より確実には２０秒以内に略０Ｖまで除電できる。
【００６１】
一方、放出角度範囲内に半導体ウエハ１００およびカセット１０１の全体が入るように、半導体ウエハ１００およびカセット１０１はイオナイザ５１，５２から１００ｍｍ以上離れているのが望ましい。イオナイザ５１，５２からのイオンの放出角度範囲を考慮すれば、カセット１０１が置かれた面でイオンが達する範囲Ｄは、イオナイザ５１，５２からその面までの鉛直方向の距離（Ｈ＋Ｈ０）に依存して広がるからである。
【００６２】
図３は、プラスに帯電していた処理対象物（半導体ウエハ１００およびカセット１０１）がＤＣパルス方式のイオナイザ５１，５２からイオン照射を受けた場合の帯電電位の時間経過を示している。図示のように、処理対象物の帯電電位は、イオナイザから放出されるイオンを受けて徐々に低下し、０Ｖ付近まで除電される。また、処理対象物がマイナスに帯電している場合でも同様に０Ｖ付近まで除電される。
【００６３】
定量的には、シリコンウエハの帯電電位が１００００〜１５０００Ｖまたは−１５０００Ｖ〜−２００００Ｖであった場合、イオン照射が１０秒〜２０秒程度で０Ｖ程度まで除電された。また、シリコンウエハの帯電電位が５０００Ｖまたは−５０００Ｖ程度であった場合、イオン照射が２〜５秒程度で０Ｖ程度まで除電された。
【００６４】
さて、除電搬送装置１の本体１１２は、図２中に示した支持部材１１１によって支持されている。支持部材１１１は、前後方向（±ｙ方向）に延びて図１中に示した後面パネル４１を貫通し、後面パネル４１の裏側に設けられたて図示しない駆動機構に連結されている。除電搬送装置１の本体１１２は支持部材１１１とともに、コントローラ３０からの制御信号に応じて、その駆動機構を介して上述のガイド溝に沿って移動される。これらのコントローラ３０、駆動機構、ガイド溝および支持部材１１１が有機的に一体となって駆動手段を構成する。この結果、この除電搬送装置１は、半導体ウエハ１００およびカセット１０１を保持した状態で上下方向（±ｚ方向）や左右方向（±ｘ方向）に移動される。
【００６５】
したがって、コントローラ３０に対する設定内容に応じて、上述の除電搬送装置１によって半導体ウエハ１００およびカセット１０１を除電しながら各処理部２〜１０へ搬送して、半導体ウエハ１００およびカセット１０１に薬液浸漬、純水洗浄、乾燥の処理を施すことができる。
【００６６】
図１を用いて詳しく説明すると、この処理装置９０のロード部２で、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電搬送装置１Ａのアーム１１５，１１６によって保持される。半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電搬送装置１Ａによってロード部２から順次薬液槽３，４，５に搬送される。これらの薬液槽３，４，５で半導体ウエハ１００およびカセット１０１がそれぞれ所定の薬液に浸漬される。次に、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電搬送装置１Ａによって薬液槽５から順次純水洗浄槽６，７，８に搬送される。これらの純水洗浄槽６，７，８で半導体ウエハ１００およびカセット１０１がそれぞれ純水で洗浄される。次に、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電搬送装置１Ｂによって純水洗浄槽８からスピンドライヤ９に搬送される。このスピンドライヤ９で半導体ウエハ１００およびカセット１０１が乾燥される。次に、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電搬送装置１Ｃによってスピンドライヤ９からアンロード部１０へ搬送される。
【００６７】
この一連の処理過程で、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電搬送装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃのアーム１１５，１１６に保持されている間、つまりロード部２から薬液槽３までの間、薬液槽３，４，５間、薬液槽５から洗浄槽６までの間、洗浄槽８からスピンドライヤ９までの間、スピンドライヤ９からアンロード部１０までの間では常に、イオナイザ５１，５２から放出されるイオンによって半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電され得る。したがって、半導体ウエハ１００およびカセット１０１の帯電を効果的に防止できる。この結果、半導体ウエハ１００およびカセット１０１へのパーティクルの吸着及び静電破壊を低く抑えることができ、製品の収率（歩留まり）を改善できる。
【００６８】
また、この処理装置９０では、薬液槽３，４，５、純水槽６，７，８、スピンドライヤ９などの各処理部毎にイオナイザ５１，５２を設ける必要は無く、除電搬送装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃの本体１１２毎にイオナイザ５１，５２を設ければ足りる。したがって、イオナイザ５１，５２の設置台数を低減でき、コスト面で優れる。
【００６９】
また、この処理装置９０では、除電搬送装置１Ｂ，１Ｃは移動されるので、スピンドライヤ９の蓋９ａを開いた状態で、スピンドライヤ９内部へ半導体ウエハ１００およびカセット１０１を容易に入れたり出したりできる。つまり、配置の制約が少ない。したがって、スピンドライヤ９に対して除電搬送装置が容易に適用される。
【００７０】
図４は、この処理装置９０においてイオナイザ５１，５２を動作させない場合の、上述の一連の処理過程（右から左に処理が進行する）での帯電傾向を示している。この例では、処理対象物はシリコンウエハ１００およびテフロンキャリア１０１である。
【００７１】
この図４から分かるように、薬液槽３，４，５（図４では「薬液槽１」「薬液槽２」「薬液槽３」と表す。）での薬液浸漬から純水洗浄槽６，７，８（図４では「洗浄槽１」と表す。）での純水洗浄までの間は、シリコンウエハ１００やテフロンキャリア１０１が帯電しようとする傾向が強い。この理由は、除電搬送装置１Ａのアーム（図４では「アーム１」と表す。）によって引き上げられる処理対象物と薬液や純水との間で摩擦が生じるからである。同様に、除電搬送装置１Ｂのアーム（図４では「アーム２」と表す。）によって処理対象物がスピンドライヤ９に入れられるときも、シリコンウエハ１００やテフロンキャリア１０１が帯電しようとする傾向が強い。また、スピンドライヤ９での乾燥処理の間も、純水とウエハ表面との摩擦帯電が発生するため、除電搬送装置１Ｃのアーム（図４では「アーム３」と表す。）による乾燥後の引き上げ時に静電容量の増加により急激に帯電電位が上昇する。この帯電電位の値は、図４のデータによれば１００００Ｖから１５０００Ｖのオーダにまで及ぶ。このため、処理対象物をスピンドライ後に除電する必要性が高い。
【００７２】
したがって、少なくとも薬液槽３，４，５での薬液浸漬から純水洗浄槽６，７，８での純水洗浄までの間、イオナイザ５１，５２からイオンを照射すれば、半導体ウエハ１００およびカセット１０１の帯電を効果的に防止できる。また、少なくともスピンドライヤ９を出てからアンロード部１０で半導体ウエハ１００およびカセット１０１が除電搬送装置のアームから取り外されるまでの間、イオナイザ５１，５２からイオンを照射すれば、半導体ウエハ１００およびカセット１０１の帯電を効果的に防止できる。
【００７３】
この実施形態では、処理対象物は、半導体ウエハ１００、例えばシリコンウエハを搭載したカセットであるものとしたが、当然ながらこれに限られるものではない。半導体ウエハ１００に代えて石英基板を処理対象物としても良い。また、１カセットを搬送するタイプを示しているが、２カセットを同時に搬送するタイプであっても良い。また、カセットを用いず、処理対象物として基板のみを搬送するタイプであっても良い。
【００７４】
アーム１１５，１１６の材料は、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が浸漬される薬液に対して耐性を持つのが望ましい。
【００７５】
また、アーム１１５，１１６の材料は、半導体ウエハ１００およびカセット１０１が処理される温度に対して耐熱性を持つのが望ましい。
【００７６】
また、アーム１１５，１１６の材料は、絶縁性を持つのが望ましい。そのようにした場合、イオナイザ５１，５２が発生したイオンのリークを防ぐことができる。
【００７７】
また、アーム１１５，１１６は、金属製フレームを絶縁性物質で覆って構成されるのが望ましい。そのようにした場合、イオナイザ５１，５２が発生したイオンのリークを防ぐことができるとともに、半導体ウエハ１００およびカセット１０１を保持する強度を容易に持つことができる。
【００７８】
また、イオナイザイ５１，５２によるイオン発生方式は、パルスＤＣ方式に限られず、公知の様々な方式を採用することができる。
【００７９】
【発明の効果】
以上より明らかなように、この発明の除電搬送装置によれば、。しかも、この発明の除電搬送装置は、低コストで、かつ配置の制約が少ない。
【００８０】
また、この発明の処理装置によれば、そのような除電搬送装置によって処理対象物を除電しながら搬送して、処理対象物に薬液や純水を用いた処理を施すので、半導体ウエハや石英基板などの処理対象物の帯電を効果的に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態の除電搬送装置を備えた処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】上記除電搬送装置の構成を示す図である。
【図３】プラスに帯電していた処理対象物がＤＣパルス方式のイオナイザからイオン照射を受けた場合の帯電電位の時間経過を示す図である。
【図４】上記処理装置においてイオナイザを動作させない場合の、一連の処理過程（右から左に処理が進行する）での帯電傾向を示す図である。
【符号の説明】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  除電搬送装置
５１，５２  イオナイザ
９０  処理装置
９１  クリーンベンチ
１００  半導体ウエハ
１０１  カセット
１１１  支持部材
１１２  本体
１１３Ａ，１１３Ｂ，１１４Ａ，１１４Ｂ  補助アーム
１１５，１１６  係合アーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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