(57)【要約】【課題】耐熱性の低い発光層の上部へ、形成温度の高い透明導電性のアノード電極の配設を実現し、高輝度の画像表示を得る。【解決手段】耐熱性の低い第１有機層としての有機発光層４ａ，４ｂ，４ｃとを絶縁基板である主基板上に形成し、形成温度の高い透明導電性のアノード電極８を耐熱性かつ透明なカバーフィルム７上にそれぞれ形成した後、両者を重ね合わせることで、耐熱性の低い有機発光層４ａ，４ｂ，４ｃ上に形成温度の高い透明導電性のアノード電極を配設する。さらに、透明導電性のアノード電極８上に発光効率を向上する機能を有する第２の有機層を形成してから有機発光層４ａ，４ｂ，４ｃと重ね合わせることで、有機物同士の接続が緻密となる。【選択図】                図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上の表示領域にカソード電極と有機発光層およびアノード電極とからなる発光体素子から構成される複数の画素を形成した有機発光表示装置であって、
前記複数の画素のそれぞれ毎に前記カソード電極が形成され、
隣接する前記画素間に複数の画素分離用バンクを有し、
前記画素分離用バンクの間に、前記発光体素子の発光層を構成する第１有機層が形成され、
前記アノード電極が内面に形成されて、前記第１有機層の上層を覆って配設されるカバーフィルムを具備し、
前記カバーフィルムに形成された前記アノード電極の上に前記第１有機層と密接して該第１有機層の発光効率を向上するための第２有機層を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記カバーフィルムと前記アノード電極は、可視光領域に高い光透過率を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記カバーフィルムは、前記アノード電極の形成に耐え得る耐熱性を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記カバーフィルムと前記アノード電極との間に、水分及び酸素の透過性の低い無機膜層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記無機膜層がダイヤモンドライクカーボン層であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記複数の画素の隣接する複数の画素を構成する前記発光体素子の発光波長が異なることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記カバーフィルムに、前記隣接する複数の画素のそれぞれの前記発光波長を透過するカラーフィルタ層を該複数の画素毎に有することを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記カラーフィルタ層が前記アノード電極と前記カバーフィルムの間に有することを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記隣接する複数の画素が赤、緑、青であることを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
絶縁基板上の表示領域にカソード電極と有機発光層およびアノード電極とからなる発光体素子から構成される複数の画素を形成した有機発光表示装置の製造方法であって、
前記製造方法は、主基板形成工程とカバーフィルム形成工程及び主基板にカバーフィルムを貼り合わせる主基板・カバーフィルム一体化工程とからなり、
前記主基板形成工程は、
前記絶縁基板上にカソード電極を形成する主基板形成第１工程と、
前記カソード電極を形成した前記絶縁基板の隣接する画素間に前記複数の画素毎に前記カソード電極を露呈させる画素分離用バンクを形成する主基板形成第２工程と、
前記画素分離用バンクの間に露呈した前記カソード上に少なくとも発光層を有する第１有機層を形成する主基板形成第３工程と、からなり、
前記カバーフィルム形成工程は、
耐熱透明フィルム上に透明導電膜からなるアノード電極を形成するカバーフィルム形成第１工程と、
前記アノード電極の上に前記第１有機層の発光効率を向上するための第２有機層を形成するカバーフィルム形成第２工程と、からなり、
前記主基板・カバーフィルム一体化工程が、
前記主基板形成工程を経た主基板に有する前記第１有機層に前記カバーフィルム形成工程を経たカバーフィルムに有する前記第２有機層を密着させる貼り合わせ工程を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記カバーフィルム形成工程の前記カバーフィルム形成第１工程の前に、ダイヤモンドライクカーボン層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記隣接する複数の画素に形成される前記第１有機層の発光波長が該隣接する複数の画素で異なる有機材料を用いることを特徴とする請求項１０または１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記カバーフィルム形成工程の前記カバーフィルム形成第１工程の前に、前記複数の画素に形成される前記第１有機層の発光波長に対応するカラーフィルタを形成する工程を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１有機層の隣接する複数の画素で異なる有機材料の発光波長が赤、緑、青に対応することを特徴とする請求項１２または１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子を用いた有機発光表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、特定の有機物を電極で挟み込み、電荷を与えることで発光する現象を利用した有機エレクトロルミネッセンス（所謂、有機ＥＬ）発光素子（有機発光素子）を用いた表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置、以下、有機発光表示装置または有機ＥＬディスプレイとも称する）の開発が盛んに行われている。有機ＥＬディスプレイは自発光する素子を用いているため、液晶ディスプレイのようにバックライトを必要とせず、また、コントラストが高い、応答速度が速い等、液晶ディスプレイに指摘されている欠点を解消する特性を備えている。
有機エレクトロルミネッセンス装置については、「特許文献１」に典型的構造であるホール輸送層、発光層、陰極（カソード）の３層構造が、また「特許文献２」に２層型で電子輸送層と発光層を兼ねた方式とホール輸送層と発光層とを兼ねた方式が記載されている。そして、上記３層構造で、キャリアブロック層を電子輸送層とホール輸送層の中間に介在させて、電子輸送性発光層とホール輸送性発光層とを別々に機能させる構造が「特許文献３」に記載されている。
【０００３】
また、発光層で生じた光を外部に取り出す構造として、発光層や電極を積層した面の反対側から光を取り出すボトムエミッション構造と、積層した側から光を取り出すトップエミッション構造が「特許文献４」に記載されている。ボトムエミッション構造は薄膜トランジスタＴＦＴ等を用いた駆動回路が形成されたガラス等の絶縁基板（以下、単に基板とも称する）の裏面側へ発光を取り出すため、駆動回路の配線等により光が遮断されるため開口率が低い。一方、トップエミッション構造は駆動回路の干渉なく発光を取り出すことができ開口率が高い。光の取り出し効率が高くなれば、同じ光量を得るのに与える電荷（電流）を小さくすることができ、電力消費を抑えるのに有効である。
【０００４】
また、トップエミッション構造の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、有機ＥＬの発光素子が水分や酸素によって特性が劣化するのを抑制するために、有機ＥＬ素子（有機発光素子）を形成した基板（主基板、有機ＥＬパネル）の当該有機発光素子を覆って封止部材を設けることが行われている。この封止部材としては、ガラス板や透明フィルムが用いられる。主基板の有機発光素子を覆って有機樹脂を塗布し、さらにその上をダイヤモンドライクカーボン膜で覆ったものが「特許文献５」に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特公平６−３２３０７号公報
【特許文献２】
特許２８７９０８０号公報
【特許文献３】
特許２９３７０１５号公報
【特許文献４】
特開２００２−３２８６１４号公報
【特許文献５】
特開２００２−９３５８６号公報
【特許文献６】
特開２００２−２４３９２８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
有機エレクトロルミネッセンス装置においてトップエミッション構造とするには、基板上にメタルのアノード電極、電子輸送層、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）発光層、ホール輸送層、透明導電膜のカソード電極を順次積層した構成になる。しかし、透明導電膜のカソード電極を形成する方式としては、スパッタ法やイオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が一般的であるが、いずれも高温状態での膜形成となり、基板上に既に形成されている有機物からなる有機発光層（ＲＧＢ発光層）の耐熱性に問題を生じる。このため、基板上に透明電極膜のカソード電極、ホール輸送層、ＲＧＢ発光層、電子輸送層、メタルのアノード電極の順に積層するボトムエミッション構造の形態が一般的であり、開口率の高いトップエミッション構造の有機ＥＬパネルを製造するにはＲＧＢ発光層上方への透明電極の積層技術が課題となる。
【０００７】
本発明の目的は、駆動回路素子、配線等による遮蔽の影響を受けずに駆動回路の形成された基板の上方へ高い開口率で発光を取り出し可能な光透過率の高い透明導電膜および透明フィルムを有する有機発光表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも発光層を有する有機層をカソード電極上の画素分離用バンク内部に形成してアノード電極とで挟み込んだ発光体素子を基板（主基板とも言う）上に配設する有機発光表示装置であって、前記基板上の画素分離用バンク内部に発光層を有する有機層（第１有機層）を形成し、その上方から別途に透明導電膜のアノード電極を形成し、さらにその上に発光効率を向上させる働きを有する有機層（第２の有機層）を形成した耐熱性を有する透明なフィルム材料を好適とするカバーフィルムを上記有機層同士が密に接触するように重ね合わせた構造とした。
【０００９】
また、前記カバーフィルムおよび前記カバーフィルム上のアノード電極は可視光領域の光に対して高い光透過率を有し、発光層（第１有機層）で生じた光を前記カバーフィルムおよび前記アノード電極を通して少ない減衰で主基板とは反対側から外部に取り出せる構造とした。
【００１０】
また、前記アノード電極上に導電性接着材等からなる端子を設け、前記カバーフィルムと前記主基板とを重ね合わせて貼り合わせ、両者を一体化した際に、前記主基板上に設けた上部電極用外部取り出し端子と接続する構造とした。
【００１１】
また、前記アノード電極と前記主基板上の駆動回路用外部取り出し端子との間に絶縁体を設置し絶縁を保つ構造とした。
【００１２】
また、前記カバーフィルムと前記主基板を重ね合わせた際、前記主基板上に予め塗布した封止材により前記カバーフィルムと前記基板を固定した。
【００１３】
このように、本発明では、発光層を有する第１有機層を主基板上のカソード電極の上に形成する。一方、アノード電極は耐熱性を有する透明なカバーフィルム上に形成して、さらにこのアノード電極の上に発光特性の向上に寄与する第２有機層を形成して、主基板とカバーフィルムとを発光層を有する第１有機層と発光特性の向上に寄与する第２有機層が接触するように重ね合わせることで、耐熱性の低い第１発光層の上方に、アノード電極を配設することができる。そして、第１有機層と第２有機層の接触部は有機層同士の接触のため、より密な接触が可能となる。また、可視光の高い透過性を有するアノード電極および耐熱性カバーフィルムを通して、発光層で生じた発光を少ない減衰でかつ、駆動回路配の素子や配線の影響なく高い開口率で取り出すことができ、高輝度の画像表示を得ることができる。
【００１４】
なお、本発明は、上記の構成および後述する実施例の構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明による有機発光実施例装置の一実施例を説明する。有機発光表示装置には、発光に寄与する部分に使用する第１有機層を構成する有機材料として低分子材料系と高分子材料系があるが、本発明は、これらを限定するものではなく、双方を混成した有機発光表示装置であってもよい。また、本発明は以下に説明する実施例で用いる材料、組成等に限定するものではない。
【００１６】
〔第１実施例〕
図１は本発明による有機発光表示装置の実施の形態を説明する第１実施例の構成を模式的に説明する要部断面図である。図中の参照符号は次のとおりである。
１は主基板、２はカソード電極、３は画素分離用バンク、３ａは画素分離用バンク最外周幅広パターン、４ａは赤（Ｒ）色発光層、４ｂは緑（Ｇ）色発光層、４ｃは青（Ｂ）色の各有機発光層（すなわち、第１有機層）、５は駆動回路用外部取り出し端子、６は上部電極用外部取り出し端子、７は耐熱性の透明なカバーフィルム、８は透明導電膜からなるアノード電極、９はホール輸送層、１０は導電性接着剤、１１は封止材を示す。
【００１７】
主基板１はガラス基板等の絶縁板からなり、その表面には薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）等の駆動回路および配線を有する。ＴＦＴとしてはアモルファスシリコンＴＦＴと低温ポリシリコンＴＦＴ等がある。画素分離用バンク３はカソード電極２のパターン間に配設し、隣接する画素との間を区切るものである。赤色発光層４ａ、緑色発光層４ｂ、青色発光層４ｃは材料系により単層および多層の構造をとる。駆動回路用外部取り出し端子５は主基板１上の駆動回路を外部から制御するために用いる。カバーフィルム７は透明なフィルム材であり、透明導電膜からなるアノード電極８をスパッタ法等により形成する際に耐えうる耐熱性を有する。また、カバーフィルム７およびアノード電極８は可視光域で高い光透過率を有する。
【００１８】
ホール輸送層９はカバーフィルム７上のアノード電極８の上に形成し、その後、主基板１上の各色の発光層４および画素分離用バンク３と接触するように主基板１とホール輸送層９を密接させて重ね合わせ、封止材１１により固定される。
その際、上部電極用外部取り出し端子６とアノード電極８は導電性接着剤１０を介して接続し、アノード電極８は外部から制御可能とする。また、駆動回路用外部取り出し端子５とアノード電極８およびホール輸送層９は絶縁体からなる画素分離用バンク３の最外周幅広パターン３ａにより絶縁が保たれる。これらにより発光層４で生じた各色の発光は主基板１上に有する駆動回路等の影響を受けずに高い開口率のまま、可視光の高い透過率を有するアノード電極８およびカバーフィルム７を通して外部に有効に取り出すことができる。なお、カソード電極２と発光層４とホール輸送層９とアノード電極８が発光に寄与するものであり、本発明ではこれらを総称して発光体素子と称する。
【００１９】
図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は主基板の本発明による有機発光表示装置の第１実施例における主基板の製造方法の一連の製造工程を模式的に順次説明する要部断面図である。図３（ａ）（ｂ）はカバーフィルムの製造方法の一連の製造工程を模式的に順次説明する要部断面図、図３（ｃ）は図２で製造した主基板と図３（ａ）（ｂ）で製造したカバーフィルムを貼り合わせた状態を示す要部断面図である。
【００２０】
本実施例では、まず図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ等の駆動回路を有する基板１上にカソード電極２と、主基板１の外周の一部にＴＦＴ等の駆動回路等を外部から制御するための駆動回路用外部取り出し端子５と上部電極用外部端子６を形成する。本実施例では、主基板１には厚さは０．７ｍｍのガラス基板（コーニング製＃１７３７）を用いた。また、本実施例では縦横比３：４の公称１５．２インチサイズに発光層からなる画像の表示領域を形成するため、主基板のサイズは、表示領域である発光層形成領域より各辺約２５ｍｍ大きくして３５８ｍｍ×２８０ｍｍとした。また、カソード電極２には導電率の高い金属材料等が好ましく、その材料としてはＣｒ、Ｍｏ−Ｔａ、Ｔａ、Ａｌ等がある。
【００２１】
また、駆動回路用外部取り出し端子５と上部電極用外部取り出し端子６についても同様に、導電率の高い材料が好ましい。本実施例ではカソード電極２および駆動回路用外部取り出し端子５と上部電極用外部取り出し端子６は、スパッタによりＡｌを全面コートした後、露光・現像を行い、それぞれ膜厚１００ｎｍに形成した。なお、カソード電極２の表面はより平滑なものが好ましい。
【００２２】
次に、図２（ｂ）に示すように、カソード電極２のパターン間に画素分離用バンク３と駆動回路用外部取り出し端子５の近傍に画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａ  を形成する。その形成方法としては、絶縁材料を全面コートした後、露光・現像を行ってパターニングする方法と印刷法等の直接パターニングする方法がある。また、その材料としては前者には感光性を有する材料を用い、後者には熱硬化性のポリイミドペースト、マレイミドワニス、ポリアミドペースト等を用いる。どちらも吸湿性が少なく、ガスの発生が少ないものであればよい。
【００２３】
本実施例では１画素（カラー表示では１サブ画素）の表示エリアサイズは縦２８０μｍ、横８０μｍ、そのピッチは、縦３００μｍ、横１００μｍとした。画素分離用バンク３は表示領域以外を覆う必要があるため、その寸法は縦横共にライン幅は２０μｍとなり、横ラインのピッチは３００μｍ、縦ラインのピッチは１００μｍである。また、画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａの幅は４ｍｍとし、それ以外の画素分離用バンク３の外周部の幅は１ｍｍとした。画素分離用バンク３および画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａの形成領域の寸法は、約３１２．２ｍｍ×２３２．４ｍｍである。表示領域は対角が公称約１５．２インチであり、画素はこの中に横方向に１０２４×３個（赤、緑、青の３色分）の合計３０７２個、縦方向には７６８個が配設される。
【００２４】
本実施例においては、日立化成製の感光性熱硬化性ポリイミドを用い、これをスピンナにより主基板１上に前面塗布し、露光・現像を行った後、窒素雰囲気中で常温から２２０゜Ｃまで５゜Ｃ／分の速さで昇温させ、２２０゜Ｃに至った後、６０分保持して硬化させた。露光・現像・硬化工程の調整により画素分離用バンクの側面には約４５度のテーパを形成した。後の工程で配設する透明導電膜のアノード電極およびカバーフィルムの追従性を向上させるには、なるべくテーパを小さくするのが好ましい。
【００２５】
また、本実施例では、第１有機層である発光層の材料として高分子系のものを用いた。高分子系発光層の形成方法としては、インクジェット法、印刷法等があるが、本実施例ではインクジェット法により形成した。高分子系の発光層はウェットプロセスで塗布するために希釈したインクを用いる。そのため、発光層は塗布直後と溶剤が揮発した乾燥後では膜厚が変動する。本実施例では、赤、緑、青の発光層とも固形分濃度が１０％に希釈されたものを用い、乾燥後の膜厚をそれぞれ０．１μｍに設計しているため、塗布直後の未乾燥状態における膜厚は１．０μｍである。そのため、画素分離用バンク３はそれと等しい膜厚１．０μｍとした。なお画素分離用バンク３にはプラズマ処理等を行うことにより撥液処理を施すことで、画素分離用バンクの表面側にはみ出すことを抑制した。また、画素分離用バンク３と発光層の膜厚差は、後の工程で上方から重ね合わせて配設するアノード電極およびカバーフィルムの追従性を向上させるために、なるべく小さくするのが好ましい。
【００２６】
また、後の工程で主基板１の第１有機層４の上方からアノード電極８およびホール輸送層９を重ね合わせた際、これらが駆動回路用外部取り出し端子５と接触しないように画素分離用バンク３の駆動回路用外部取り出し端子５近傍のパターンは最外周幅広パターン３ａ  としている。なお、本実施例では絶縁体からなる画素分離用バンク３を利用しているが、アノード電極８およびホール輸送層９と駆動回路用外部取り出し端子５との間に別途絶縁材料を配設してもよい。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、画素分離用バンク内に第１有機層である赤色発光層４ａ、緑色発光層４ｂ、青色発光層４ｃを形成する。本実施例では、第１有機層である発光層として、前述した様に高分子系の有機材料を用い、画素分離用バンク３内にとインクジェット法により塗布した。各色を発光する発光材料のインクとして、赤色発光層４ａはＤｏｗ社製のＲｅｄ−Ｆを１、２、３、４−テトラメチルベンゼンで調合したもの、緑色発光層４ｂはＤｏｗ社製のＧｒｅｅｎ−Ｋを１、２、３、４−テトラメチルベンゼンで調合したもの、青色発光層４ｃはＤｏｗ社製のＢｌｕｅ−Ｃを１、３、５−トリメチルベンゼンで調合したものを用いた。
【００２８】
次に、図２（ｄ）に示すように、主基板１の外周に封止材１１を塗布する。この封止材１１の塗布方式としてはディスペンサ、スクリーン印刷法等がある。本実施例ではディスペンサを用いて封止材１１を塗布した。封止材１１は主基板１とカバーフィルム７を重ね合わせる際につぶれて広がる。可視光の透過性は高くないため、重ね合わせた後、画素形成領域にかからないように形成する。
【００２９】
次に、図３（ａ）に示すように、カバーフィルム７上に透明導電膜のアノード電極８を形成する。その方式としてはスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等がある。
アノード電極８の材料としては、透明性、導電性、機械的特性から金属酸化膜が好ましく、好適にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ    Ｔｉｎ    Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ    Ｚｉｎ    Ｔｉｎ    Ｏｘｉｄｅ）等がある。本実施例ではスパッタ法を用いて膜厚１５０ｎｍ、比抵抗１Ωｃｍ、可視光領域の透過率が９９％のＩＴＯからなるアノード電極８を形成した。
【００３０】
また、アノード電極８には一部の端部に主基板１上の上部電極用取り出し端子６と接触させるための導電性接着材１０を形成するエリアを設ける。本実施例では、画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａの反対側短辺の外側に幅５ｍｍで導電性接着材１０の形成エリアを設けた。透明導電膜アノード電極８は、主基板１とカバーフィルム７を重ね合わせた際、画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａと画素分離用バンク３の長辺の最外周部に幅１ｍｍで接触し、画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａの反対側短辺から外側に５ｍｍはみ出すように約３１６．２ｍｍ×２３２．４ｍｍの大きさにベタパターンで形成した。またカバーフィルム７には、耐熱性が高く、かつ可視光の透過率が高い材料を用いるのが好ましい。アノード電極８の導電率を小さくするためには３００〜３５０゜Ｃの熱処理が不可欠である。本実施例では膜厚１００μｍで耐熱性３５０゜Ｃ、可視光領域の透過率が９９％の透明ポリイミドフィルムを用いた。その大きさは発光層形成領域（表示領域）より各辺とも約１５ｍｍ大きくし３３８ｍｍ×２６０ｍｍとした。
【００３１】
次に、図３（ｂ）に示すように、アノード電極８上に第２有機層であるホール輸送層９と導電性接着材１０を形成する。ホール輸送層は全色共通とした。形成方法としてはスピンナーにより前面コートした後、露光・現像によりパターニングする方法、ロールコート法、印刷法、インクジェット法等によりパターン形状に直描する方法がある。本実施例ではインクジェット法を用い、基板１と耐熱性フィルム７を重ね合わせた際、画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａを含む画素分離用バンク３の最外周部に１ｍｍの幅で接触するように、約３０９．２ｍｍ×２３２．４ｍｍにアノード電極８上の短辺の一方にあわせてベタパターンで形成した。
【００３２】
また、ホール輸送材料のインクとしては、導電性高分子であるポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸を含む水コロイド溶液（Ｂａｙｅｒ社製のＢＹＴＯＲＯＮ    Ｐ−ＣＨ−８０００）を用いた。なお、第１有機層であるホール輸送層９と第２有機層である発光層４を同じ基板上に積層する場合は、層間の混合を防ぐために、同じ系統の溶剤は使用できないが、本実施例では、別々の基板（主基板１）およびカバーフィルム７上に発光層とホール輸送層をそれぞれ形成するため、同じ系統の溶剤を使用することが可能である。また、本実施例ではホール輸送層９を形成したが、ホール輸送層に限定するものではなく、有機物からなる発光特性の向上に寄与する有機層であればよい。
【００３３】
導電性接着材１０は、アノード電極８のホール輸送層９の形成されていない端部にディスペンサにより形成した。導電性接着材１０は可視光域の光透過率が低いため、主基板１とカバーフィルム７を重ね合わせた際、表示領域である発光層形成領域にかからないエリアに形成する。また、導電性接着材１０は主基板１とカバーフィルム７を重ね合わせた際、主基板１上の上部電極用外部取り出し端子６とを接触させ外部から制御するために用いる。なるべく導電性が高く、かつ上部電極用外部取り出し端子６およびカソード電極８に対する接着力が高いものが好ましい。本実施例では平均粒径７ｎｍのナノ銀粒子を用いた低温焼成形Ａｇペースト接着材（ハリマ化成（株）製）を用いた。
【００３４】
次に、図３（ｃ）に示すように、主基板１上に形成した第１有機層を構成する各色の発光層４ａ、４ｂ、４ｃおよび画素分離用バンク３と画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａの上方に第２有機層であるホール輸送層９が接触するようにカバーフィルム７を重ね合わせた後、封止材１１を硬化させて主基板１とカバーフィルム７を固定する。各色の発光層４ａ，４ｂ，４ｃとホール輸送層９は共に有機物からなるため、有機物と金属電極のような有機物と無機物の接触よりも、より密な接触となる。また、主基板１とカバーフィルム７を重ね合わせた際、導電性接着材１０と上部電極用外部取り出し端子６が接触する。また、画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａにより、アノード電極８およびホール輸送層９と駆動回路用外部取り出し端子５の絶縁が保たれる。
【００３５】
本実施例では、ホール輸送層９が画素分離用バンク３の外周部に約１ｍｍ幅で接触するように位置あわせして重ね合わせた。画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａの幅は４ｍｍあり、ホール輸送層９は画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａ上から外側にはみ出さず、駆動回路用外部取り出し端子５との接触を防ぐことができた。また、主基板１とカバーフィルム７を、周辺の雰囲気を真空（約１Ｐａ）の状態で重ね合わせ、大気に開放した後、カバーフィルム７側から封止材に選択的に紫外光を照射した後、さらに８０゜Ｃで１時間加熱して硬化させた。低い圧力下で重ねあわせた後、大気に開放して封止材を硬化するため、常に、主基板１とカバーフィルム７は密着する方向に圧力が作用し、各色の発光層４ａ，４ｂ，４ｃとホール輸送層９の接触がより密になる。
【００３６】
なお、本実施例では上記方式で重ね合わせを行ったが、ラミネータ方式等により行ってもよい。また、画素分離用バンク３と各色の発光層４ａ，４ｂ，４ｃの段差は０．９μｍあるが、カバーフィルム７は１００μｍあり、カバーフィルム７の弾性により段差が緩和され、カバーフィルム７の外部への視覚的な影響はない。
【００３７】
次に、駆動回路用外部取り出し端子５および上部電極用外部取り出し端子６に外部から制御系を接続することで有機発光表示装置を製作した。こうして製造した有機発光表示装置により、カバーフィルム７を通して表示される画像を見ることができた。
【００３８】
〔第２実施例〕
本発明の第２実施例は、カバーフィルム上に無機膜層形成する以外は、上記第１実施例と同様の方法である。本実施例では、カバーフィルムの上に無機膜層を形成する以外は、第１実施例と同様な方法で有機発光表示装置を製造する。
【００３９】
図４は本発明の第２実施例の製造工程を示す概要図であり、カバーフィルム上への無機膜層の形成から後の製造工程を示す。図４において、参照符号１２は無機膜層である。本実施例では、まず上記第１実施例を説明する図２（ａ）〜（ｄ）までと同様の工程を行い、主基板１上の画素分離用バンク３内のカソード電極２上に赤、緑、青色の発光層４ａ，４ｂ，４ｃを形成する。本実施例では無機膜層１２を除く材料の構成は第１実施例と同様のものを用いて行った。
【００４０】
図４（ａ）に示すように、カバーフィルム７上に無機膜層１２を形成する。無機膜層としては、ダイヤモンドライクカーボン（以後、ＤＬＣと称する）、ＳｉＯ２  、Ｓｉ３  Ｎ４  、Ａｌ２  Ｏ３  等があり、水分や酸素等の透過性が低く可視光の透過率の高いものが好ましい。無機膜層１２の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法、バイアススパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法等がある。本実施例では無機膜層としてＤＬＣを用いた。
【００４１】
ＤＬＣからなる無機膜層はプラズマＣＶＤ法では、真空容器中で高周波等がかけられ、かつ温度調整可能な電極基板上に耐熱性フィルムを固定し、メタンやアセチレンなどの炭化水素系ガス等に場合によっては水素ガスを添加したものを原料ガスに用い、プラズマにより分解した炭素イオンを耐熱フィルム上に成長させて形成する。バイアススパッタ法では、ターゲットに炭素からなるグラファイト等を用い、真空容器中で電場等を利用してアルゴン等のガスでスパッタして耐熱性フィルム上に炭素原子を堆積させ、基板となる耐熱性フィルムにバイアスをかけることで、炭素原子にアルゴンのイオンを衝突させ、イオンアシスト効果により形成する。
【００４２】
本実施例では原料ガスに炭化水素ガスと水素ガスを用い、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍのＤＬＣからなる無機膜層１２を耐熱性フィルム７の片側全面に形成した。ＤＬＣからなる無機膜層１２は酸素透過率が低く、無機膜層１２を形成することで無機膜層１２未形成時より、水分および酸素の透過率を２〜４倍程度低下させることができる。これにより透過水分および透過酸素による発光層の劣化抑制によりパネル寿命延長に効果が得られる。また、本実施例で形成したＤＬＣからなる無機膜層１２の可視光透過率は９９％である。
【００４３】
次に、図４（ｂ）〜（ｄ）の工程を行い、カバーフィルム７上の無機膜層１２上に透明導電膜からなるアノード電極８、第２有機層であるホール輸送層９、および導電性接着材１０を形成した後、主基板１の各色の発光層４ａ，４ｂ，４ｃとホール輸送層９が密着するように重ね合わせて封止する。カバーフィルム７上に無機膜層１２が形成されている以外は図３（ａ）〜（ｃ）と同様であるため、説明は省略する。
【００４４】
次に、駆動回路用外部取り出し端子５および上部電極用外部取り出し端子６に外部から制御系を接続することで有機発光表示装置を製作した。この有機発光表示装置は、カバーフィルム７を通して高輝度の画像を見ることができた。また、第１実施例で製作したパネルより、発光の半減期を迎えるまでの時間を２倍以上に延長することができた。
【００４５】
〔第３実施例〕
本実施例では、カバーフィルム上にカラーフィルター層を形成する以外は、上記した第１実施例および第２実施例と同様の方法で有機発光表示装置を作製した。
【００４６】
図５は本発明の第３実施例の製造工程を示す概要図であり、カラーフィルター層の形成から後の製造工程を示す概要図である。図５において、参照符号１３は遮光性を有するブラックマトリックス、１４ａは赤色着色層、１４ｂは緑色着色層、１４ｃは青色着色層、１５は表面段差の緩和と着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散を防止するためのオーバーコート層である。ブラックマトリックス１３、赤色着色層１４ａ、緑色着色層１４ｂ、青色着色層１４ｃで構成されるカラーフィルター層を参照符号１６で示す。
【００４７】
上記したように、カラーフィルター層１６はブラックマトリックス１３と赤色着色層１４ａ、緑色着色層１４ｂ、青色着色層１４ｃの各色の着色層およびオーバーコート層１５からなり、その表面に透明導電膜のアノード電極８を形成するため、表面の平坦性が高く、かつ構成する部材の耐熱性が高いものがよい。カラーフィルター層１６の形成方法としては、顔料分散法、染色法、電着法、印刷法、インクジェット法等がある。
【００４８】
ブラックマトリックス１３の形成方法としては、クロムをスパッタリング法でカバーフィルム７上の無機膜層１２上に成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する方法、感光性を有するポリイミド樹脂等に黒色顔料を分散した混合体をスピンナーやコート法により無機膜層１２の全面に成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する方法、熱硬化性を有するポリイミド樹脂等に黒色顔料を分散した混合体をスクリーン印刷等により成膜とパターニングを同時に行って形成する方法等がある。
【００４９】
また、赤色着色層１４ａ、緑色着色層１４ｂ、青色着色層１４ｃの各色の着色層を印刷法やインクジェット法で形成する場合の材料は、染料或いは顔料等の着色剤と、熱処理あるいは光照射等のエネルギー付与により硬化する樹脂を含有する硬化型着色樹脂組成物を用いる。樹脂組成物としては、例えば「特許文献６」に記されている公知の樹脂と架橋材の組み合わせが使用できる。具体的には、熱硬化型樹脂としては、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等があり、光硬化型樹脂組成物としては、市販のネガ型レジストが好ましく用いられる。また、オーバーコート層１５はスピンナーやコータ法によりブラックマトリックスおよび各色の着色層をすべて覆うように形成し、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の透明度の高い材料を用いる。
【００５０】
本実施例では、まず上記第１実施例および第２実施例と同様、図２（ａ）〜（ｄ）に示したものと同様の工程を施し、主基板１上の画素分離用バンク３内のカソード電極２上に赤、緑、青色の発光層４ａ，４ｂ，４ｃを形成する。本実施例ではカラーフィルター層１６を除く材料の構成は第１実施例および第２実施例と同様のものを用いて行った。
【００５１】
次に、図５（ａ）に示すように、カバーフィルム７上に耐熱性のカラーフィルター層１６を形成する。本実施例では、カバーフィルム７上に無機膜層１２を形成し、その上にカラーフィルター層１６を形成している。しかし、酸素バリア性は低下するが無機膜層１２が無くてもよい。
【００５２】
本実施例では、ブラックマトリックス１３はスクリーン印刷法により形成し、その材料としてはポリイミド樹脂にシーアイ化成（株）製の黒色超微粒子ＮａｎｏＴｅｋ    Ｃｏ３Ｏ４をポリイミド樹脂固形分に対し体積比で１．４倍の量（６０体積％）を混入したものを用いて形成した。ブラックマトリックス１３の開口部と幅およびピッチは、対向する画素分離用バンク３と同寸法とした。ただし、外周パターンの幅は、長辺と画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａ上に位置するものは１ｍｍ、画素分離用バンク最外周幅広パターン３ａの反対側は６ｍｍとし、ブラックマトリックス形成領域はその上方に形成するアノード電極８と同じ約３０９．２ｍｍ×２３２．４ｍｍとし、膜厚１  μｍに形成した。
【００５３】
次に、赤色着色層１４ａと緑色着色層１４ｂおよび青色着色層１４ｃをスクリーン印刷法によりブラックマトリックス１３の開口部に各色を順番に並べて膜厚０．８μｍに形成した。着色層の材料としては、赤色着色層１４ａにはポリイミド樹脂にシーアイ化成（株）製の赤色着色顔料（ＮａｎｏＴｅｋ    α    Ｆｅ２  Ｏ３  ）を体積比５％の濃度で混入したもの、緑色着色層１４ｂ材料にはポリイミド樹脂にシーアイ化成（株）製の緑色着色顔料（ＮａｎｏＴｅｋ    コバルトグリーン    ＣｏＯ―ＴｉＯ２  −ＮｉＯ−ＺｎＯ）を体積比５％の濃度で混入したもの、青色着色層１４ｃの材料にはポリイミド樹脂にシーアイ化成（株）製の青色着色顔料（ＮａｎｏＴｅｋ    コバルトブルー    Ａｌ２  Ｏ３  ―ＣｏＯ）を体積比５％の濃度で混入したものを用いた。各色の配置は対抗する発光層と同じ配列にする。
これらの着色層の色調整により発光層で生じた発光の色純度をより高めることができ、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ    Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ    Ｓｙｓｔｅｍ    Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）のカラーＴＶ方式の三原色想定色座標に近づけることができる。
【００５４】
次に、赤、緑、青色着色層１４ａ、１４ｂ、１４ｃとブラックマトリックス１３を含む無機膜層１２およびカバーフィルム７上に、感光性ポリイミド樹脂を用いスピンナにより全面に塗布した後、露光・現像を行ってブラックマトリックスと同じ寸法で膜厚１．０μｍにオーバーコート層１５を形成した。オーバーコート層１５によりブラックマトリックス１３と赤、緑、青の着色層１４ａ、１４ｂ、１４ｃの段差が０．２μｍから０．０５μｍ以下に減少した。なお、本実施例ではオーバーコート層を形成しているが、ブラックマトリックスと着色層の段差が小さく、かつ着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散がなければ、オーバーコート層は形成しなくてもよい。
【００５５】
次に、図５（ｂ）〜（ｄ）の工程を行い、カバーフィルム７上方のカラーフィルター層１６の上にアノード電極８、第２有機層であるホール輸送層９および導電性接着材１０を形成した後、主基板１の第１有機層である赤、緑、青の発光層４ａ、４ｂ、４ｃとホール輸送層９を密着させ、赤、緑、青の発光層４ａ、４ｂ、４ｃとカラーフィルタ層１６の赤、緑、青色の着色層１４ａ、１４ｂ、１４ｃの各色が重なるように重ね合わせて封止する。カバーフィルム７上方にカラーフィルタ層１６が形成されている以外は図３（ａ）〜（ｃ）と同様であるため、説明は省略する。
【００５６】
次に、駆動回路用外部取り出し端子５および上部電極用外部取り出し端子６に外部から制御系を接続することで有機発光表示装置を製作した。この有機発光表示装置は、カバーフィルム７を通して高輝度の画像を見ることができた。また、第１実施例および第２実施例で製作したパネルより、ＮＴＳＣのカラーＴＶ方式の三原色想定色座標に近づけることができた。
【００５７】
〔第４実施例〕
本発明の第４実施例では、発光層に白色発光層を形成する以外は、第３実施例と同様の方法で有機発光表示装置を作製した。第３実施例と同様の構造、工程は説明を省略する。
【００５８】
図６は本発明の第４実施例の構造を模式的に説明する要部断面図であり、第１有機層として白色発光層を有する有機発光表示装置の基本構成を示す。図６において、参照符号１７は第１有機層である白色発光層である。白色発光層１７としては、赤、緑、青等の発光層を積層して色を混合して白色光を得る構成と、その材料自身が白色光を発光する単層からなるものがある。本実施例では、上記第３実施例で使用した赤色発光材料と緑色発光材料と青色発光材料を積層して白色発光層を形成し、これ以外は第３実施例と同様の方法で有機発光表示装置を製造した。この有機発光表示装置では、白色発光層１７の発光が図５で説明したものと同様にカバーフィルム７側に形成したカラーフィルタ層１６の赤、緑、青色の着色層１４ａ、１４ｂ、１４ｃでそれぞれの色に変換され、これをカバーフィルム７を通して画像を見ることができた。また、各色とも第３実施例で製造したものと同等の色純度で、高輝度の画像表示が得られた。
【００５９】
〔第５実施例〕
本発明の第５実施例では、上記したカラーフィルター層１６の代わりに耐熱導電性のカラーフィルター層を形成すること以外は、上記第３実施例乃至第４実施例と同様の方法で有機有機発光表示装置を製造した。
【００６０】
図７は本発明の第５実施例の構造を模式的に説明する要部断面図であり、耐熱性導電性のカラーフィルター層を有する有機有機発光表示装置の基本構成を模式的に示す。図７において、参照符号１８は導電性と遮光性を有する導電性ブラックマトリックス、１９ａは赤色導電性着色層、１９ｂは緑色導電性着色層、１９ｃは青色導電性着色層、２０は導電性を有し表面段差の緩和と着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散を防止するための導電性オーバーコート層、２１は導電性耐熱性カラーフィルター層である。
【００６１】
導電性耐熱性カラーフィルター層２１は導電性ブラックマトリックス１８と各色の導電性着色層１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、および導電性オーバーコート層２０からなり、その表面に透明導電膜のアノード電極８を形成する。そのため、導電性耐熱性カラーフィルター層２１は、その表面の平坦性が高く、かつ構成する部材の耐熱性が高く、導電性が高いものがよい。導電性カラーフィルター層２１の形成は、導電性ブラックマトリックス１８→各色の導電性着色層１９ａ、１９ｂ、１９ｃ→導電性オーバーコート層２０の順に行う。
【００６２】
導電性ブラックマトリックス１８の形成方法としては、クロムをスパッタリング法でカバーフィルム７の上方に成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングして形成する方法等がある。なお、スパッタで形成したクロムからなるブラックマトリックスは反射が大きく、低反射用としてはクロムと酸化クロムの二層膜構成を用いる。また、各色の着色層１９ａ、１９ｂ、１９    ｃの材料には、染料或いは顔料等の着色剤とＩＴＯ粒子等の導電性粒子を耐熱性を有し熱処理あるいは光照射等のエネルギー付与により硬化するポリイミド等の樹脂を含有する硬化型導電性着色樹脂組成物を用いる。その形成方法としては、スピンナーやコート法により１色づつブラックマトリックス全面に成膜した後、フォトリソグラフィー法により不要な箇所をパターニングして、３色の場合はこれを３回繰り返して形成する方法、同材料をインクジェット法により、３色同時に所定のブラックマトリックス開口部に形成する方法、スクリーン印刷法等により１色ずつ所定のブラックマトリックス開口部に選択的形成し、３色の場合は、これを繰り返して形成する方法等がある。
【００６３】
また、導電性オーバーコート層２０はスピンナーやコータ法により導電性ブラックマトリックス１８および各色の着色層１９ａ，１９ｂ，１９ｃをすべて覆うように形成する。その材料としては、耐熱性を有するポリイミド樹脂等の透明度の高いものにＩＴＯ粒子等の導電性粒子を混入したものを用いる。
【００６４】
クロムからなる導電性ブラックマトリックス１８は、その上方に形成するＩＴＯ等からなる透明導電膜からなるアノード電極８より導電率が高く、画素を駆動する際の補助電極として用いることができる。また、導電性ブラックマトリックス内に形成する着色層を導電性を有する導電性着色層とすることで更に導電性ブラックマトリックスの補助電極の効果を高めることができる。
【００６５】
本実施例では、導電性ブラックマトリクス１８を酸化クロムを形成した後、クロムを形成して２層構造とした。また、上記第３実施例乃至第４実施例で用いた各色の着色材料にナノテック（株）製のＩＴＯ粒子を体積比１０％の濃度で混合したものを用いてスクリーン印刷法により各色の着色層を形成した。また、上記第３実施例乃至第４実施例で用いたオーバーコート層材料にシーアイ化成（株）製のＩＴＯ粒子（ＮａｎｏＴｅｋ    Ｉｎ２  Ｏ３  −ＳｎＯ２  ）を体積比１０％の濃度で混合したものを用いスピンナにより全面に塗布した後、露光・現像を行ってブラックマトリックスと同じ寸法で膜厚１．０μｍに導電性オーバーコート層２０を形成した。この他は上記第３実施例乃至第４実施例と同様の方法で有機発光表示装置を製造した。
【００６６】
本実施例による有機発光表示装置でも、カバーフィルム７を通して高輝度の画像を見ることができた。また、上記第３実施例乃至第４実施例で製作したものより、低い駆動電力で同じ光量を得ることができた。なお、本実施例ではオーバーコート層２０を形成しているが、導電性ブラックマトリックスと各色の導電性着色層の段差が小さく、かつ導各色の電性着色層およびブラックマトリックスからの不純物の発散がなければ、導電性オーバーコート層２０は形成しなくてもよい。
【００６７】
図８は本発明の第１実施例乃至第５実施例に用いる主基板上の有する駆動回路を構成する低温ポリシリン薄膜トランジスタの製作工程を示す概要図である。図８における参照符号１０１は主基板であるガラス基板、１０２はＳｉＮ膜、１０３はＳｉＯ膜、１０４はアモルファスシリコン膜、１０５は改質されたシリコン膜、１０６はゲート配線、１０７はソース・ドレイン配線、１０８は絶縁膜、１０９はパシベーション膜、１１０はカソード電極である。
【００６８】
まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上にバリア膜として機能するＳｉＮ膜１０２およびＳｉＯ膜１０３をＣＶＤ等の手段により薄く堆積し、その上にアモルファスシリコン膜１０４を５０ｎｍ程度の厚さにＣＶＤ法で堆積する。ここで記載した、バリア膜の層構成、膜厚およびシリコン膜の膜厚等については一例であり、かかる記載が本発明を制限するものではないことは強調されるべきである。
【００６９】
次に、図８（ｂ）に示すように、エキシマレーザ照射法等の改質手段によって画素回路すなわち画素駆動回路を形成すべき部分のシリコン膜を改質する。
【００７０】
次に、上記のように形成した改質されたシリコン膜１０５を図８（ｃ）に示すように、所定の回路になるようにエッチングし、ゲート絶縁膜（図示しない）、ゲート配線１０６、ソース・ドレイン配線１０７、層間絶縁膜１０８、パシベーション膜１０９、カソード電極１１０を順次、形成することで、薄膜トランジスタ回路を画素部に配置した主基板（アクティブマトリクス基板とも称する）が形成される。画素あたりの薄膜トランジスタＴＦＴの数は２乃至５が選択され、有機発光素子の画素の駆動に最適な回路構成を用いれば良い。かかる回路、電極形成にかかわる加工技術の詳細は当該業者には周知である。また工程の途中にイオン打ち込み、活性化アニール等の工程の追加が必要であることも周知である。ただし、本発明の有機発光表示装置における薄膜トランジスタＴＦＴの製造方法は、上記の実施例に限られたものではなく、従来の液晶パネル等に使用されているものでも構わない。
【００７１】
図９は本発明の画像表示装置を搭載した電子機器の一例としてのテレビ受像機の外観図である。参照符号ＤＳＰは表示部、ＳＴＤはスタンド部である。表示部ＤＳＰには前記実施例の何れかの構成をもつ画像表示装置が実装されている。この他、パーソナルコンピュータや各種情報処理装置のモニターに本発明の有機発光表示装置を実装することができ、高い開口率で高輝度の画像表示を得ることができることは言うまでもない。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、耐熱性の低い複数色（赤、緑、青）の発光層を構成する第１有機層と、形成温度の高い透明導電性のアノード電極とを別々の基板（ガラス板等の主基板と耐熱性を有する透明なカバーフィルム）上に形成した後、両者を重ね合わせることで、耐熱性の低い第１有機層である発光層上に形成温度の高い透明導電性アノード電極を配設することが可能となる。また、透明導電性のアノード電極上に発光効率を向上する機能を有する有機層（第２有機層）を形成してから第１有機層を構成するＲＧＢ発光層と重ね合わせることで、有機物同士の接続によりさらに緻密な接続が可能となる。これにより、可視光域の高い透過率を有する透明導電膜のアノード電極および耐熱性で透明なカバーフィルムを通して発光層で生じた光を少ない減衰で、かつ主基板上の駆動回路の遮蔽の影響なく高い開口率で取出しを可能な有機発光表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による有機発光表示装置の第１実施例の構成を模式的に説明する要部断面図である。
【図２】本発明による有機発光表示装置の第１実施例における主基板の製造方法の一連の製造工程を模式的に順次説明する要部断面図である。
【図３】本発明による有機発光表示装置の第１実施例におけるカバーフィルムの製造方法の一連の製造工程をと主基板とを貼り合わせた状態を示す要部断面図である。
【図４】本発明による有機発光表示装置の第２実施例の製造工程を示す概要図である。
【図５】本発明による有機発光表示装置の第３実施例の製造工程を示す概要図である。
【図６】本発明の第４実施例の構造を模式的に説明する要部断面図である。
【図７】本発明の第５実施例の構造を模式的に説明する要部断面図である。
【図８】本発明の第１実施例乃至第５実施例に用いる主基板上の有する駆動回路を構成する低温ポリシリン薄膜トランジスタの製作工程を示す概要図である。
【図９】本発明の画像表示装置を搭載した電子機器の一例としてのテレビ受像機の外観図である。
【符号の説明】
１・・・  絶縁基板（主基板）、２・・・  カソード電極、３・・・  画素分離用バンク、３ａ・・・  画素分離用バンク最外周幅広パターン、４・・・  発光層（第１有機層）、５・・・  駆動回路用外部取り出し端子、６・・・  上部電極用外部取り出し端子、７・・・  耐熱性で透明なカバーフィルム、８・・・  透明導電膜からなるアノード電極、９・・・  ホール輸送層（第２有機層）、１０・・・  導電性接着剤、１１・・・  封止材、１２・・・  無機膜層、１３・・・  ブラックマトリックス、１４ａ・・・  赤色着色層、１４ｂ・・・  緑色着色層、１４ｃ・・・  青色着色層、１５・・・  オーバーコート層、１６・・・  カラーフィルター層、１７・・・  白色発光層、１８・・・  導電性ブラックマトリックス、１９ａ・・・  赤色導電性着色層、１９ｂ・・・  緑色導電性着色層、１９ｃ・・・  青色導電性着色層、２０・・・  導電性オーバーコート層、２１・・・  導電性カラーフィルター層、１０１・・・  ガラス基板、１０２・・・  ＳｉＮ膜、１０３・・・  ＳｉＯ膜、１０４・・・  アモルファスシリコン膜、１０５・・・  改質されたシリコン膜、１０６・・・  ゲート配線、１０７・・・  ソース・ドレイン配線、１０８・・・  絶縁膜、１０９・・・  パシベーション膜、１１０・・・  カソード電極。
【図１】
2004355995.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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