(57)【要約】【課題】厚みのより厚いパターン部を利用して、高電力配線、電子部品を内蔵する際の電極、又はシールド構造などに利用した多層配線基板を提供する。【解決手段】同一配線層内に第１パターン部３１と厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層を備えると共に、下層側と接続した第２パターン部３２を設けて上層の配線層との層間接続構造を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部３２で形成してある多層配線基板であって、第２パターン部３２は、第１パターン部３１と同じ厚みで形成された下層パターン部３３の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部３４を形成したものである。そして、層間パターン部３４は、エッチングによりパターン形成された上部金属層３４ａと、その上部金属層３４ａのエッチング時に耐性を示す下部金属層３４ｂとからなる。【選択図】　　　　図４
2004023037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一配線層内に、低電力配線に供する第１パターン部と高電力配線に供する厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備える多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなる多層配線基板。
【請求項２】
同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層、及び同一配線層内で対向する第２パターン部を電極としてその電極間に形成された電子部品を備える多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなる多層配線基板。
【請求項３】
同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、第１パターン部の先端に第２パターン部を設けて上層の配線層との層間接続構造を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部で形成してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなる多層配線基板。
【請求項４】
同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、下層側と接続した第２パターン部を設けて上層の配線層との層間接続構造を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部で形成してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなる多層配線基板。
【請求項５】
同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、スパイラル状の第１パターン部を同心状に複数層設けつつ、各々の第１パターン部の端部に両端交互に第２パターン部を設けて各々の第１パターン部の導電接続してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなる多層配線基板。
【請求項６】
同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、スパイラル状の第２パターン部を同心状に間隔を開けて複数層設けつつ、各々の前記第２パターン部の端部を両端交互に隣接層の第２パターン部と導電接続してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなる多層配線基板。
【請求項７】
同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、シールドすべき回路領域の周囲を囲むシールド壁を複数層積層した第２パターン部で形成してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなる多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、同一配線層内に、第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備える多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器等の小形化や高機能化に伴い、電子部品の高密度化が進められると共に、それを実装するための配線基板に対しても高密度化の要求が高まっている。このため、モバイル機器等では、配線パターンがファイン化すると共に、各層が薄層化した多層配線基板が使用されている。
【０００３】
しかし、配線パターンは、パターンメッキ法やパネルメッキ法（パターンエッチング）で形成されるため、厚みの異なるパターン部を同一配線層内に形成するのは困難であった。このため、厚みの異なる配線パターンを形成しようとすると、２層の配線層が必要となり、全体の層数が増えるためコスト面や工程面で不利となっていた。
【０００４】
一方、従来の電子部品を表面実装する方法では、面積的に実装できる量に限界があるため、多層配線基板の内部に電子部品などを内蔵させる方法が各種検討されている。例えば、多層配線基板の上下の配線層に電極パターンを作製し、その電極間でコンデンサや抵抗を形成する方法が知られている。
【０００５】
しかし、上下の配線層間の距離は、介在する絶縁層の厚みによって決定されるため、形成される電子部品の抵抗値などに制限が有ったり、あるいは抵抗値等の制御が精度良く行えない等の欠点があった。
【０００６】
他方、近年の電気信号の高周波数化に伴って、配線パターン間でのクロストークの問題がクローズアップされている。この対策として、多層配線基板の内部の配線パターンに対して同軸シールド構造を形成する技術が知られている。
【０００７】
しかし、この同軸シールド構造は基板面に平行な方向に形成されており、基板に垂直な方向に対しては、同軸シールド構造が形成できなかった。このため、全体のシールド効果が低下していた。また、特定の回路領域（高周波回路領域など）を囲むようなシールド構造は、形成できなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、厚みが異なるパターン部を同一配線層内に形成できるため、層数を増やさずに各々を低電力配線と高電力配線とに利用できる多層配線基板を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の別の目的は、電子部品を内蔵する際の設計の自由度を高くすることができる多層配線基板を提供することにある。
【００１０】
更に、本発明の別の目的は、基板の厚み方向のシールド構造が形成でき、シールド効果の高い多層配線基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。なお、本発明は、第１実施形態〜第７実施形態の７つの態様に分けることができる。
【００１２】
即ち、本発明の第１実施形態は、同一配線層内に、低電力配線に供する第１パターン部と高電力配線に供する厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備える多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなることを特徴とする。
【００１３】
この多層配線基板によると、層間パターン部が、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、そのエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなるため、自由な形状で下層パターン部の上面に層間パターン部を形成でき、厚みのより厚い第２パターン部とすることができる。このため、低電力配線に供する第１パターン部と高電力配線に供する厚みのより厚い第２パターン部とを同一配線層内に形成することができる。
【００１４】
本発明の第２実施形態は、同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層、及び同一配線層内で対向する第２パターン部を電極としてその電極間に形成された電子部品を備える多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなることを特徴とする。
【００１５】
この多層配線基板によると、層間パターン部が、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、そのエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなるため、自由な形状で下層パターン部の上面に層間パターン部を形成でき、厚みのより厚い第２パターン部とすることができる。このため、同一配線層内で対向する第２パターン部を電極としてその電極間に形成された電子部品を内蔵させることができ、その際、電極間の間隔を自由に調整できる。その結果、電子部品を内蔵する際の設計の自由度を高くすることができる多層配線基板となる。
【００１６】
本発明の第３実施形態は、同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、第１パターン部の先端に第２パターン部を設けて上層の配線層との層間接続構造を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部で形成してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなることを特徴とする。
【００１７】
この多層配線基板によると、層間パターン部が、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、そのエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなるため、自由な形状で下層パターン部の上面に層間パターン部を形成でき、厚みのより厚い第２パターン部とすることができる。このため、第１パターン部の先端に第２パターン部を設けて上層の配線層との層間接続構造を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部で形成することができる。その結果、基板の厚み方向のシールド構造が形成でき、シールド効果の高い多層配線基板となる。
【００１８】
本発明の第４実施形態は、同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、下層側と接続した第２パターン部を設けて上層の配線層との層間接続構造を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部で形成してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなることを特徴とする。
【００１９】
この多層配線基板によると、層間パターン部が、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、そのエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなるため、自由な形状で下層パターン部の上面に層間パターン部を形成でき、厚みのより厚い第２パターン部とすることができる。このため、下層側と接続した第２パターン部を設けて上層の配線層との層間接続構造を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部で形成することができる。その結果、基板の厚み方向のシールド構造が形成でき、シールド効果の高い多層配線基板となる。
【００２０】
本発明の第５実施形態は、同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、スパイラル状の第１パターン部を同心状に複数層設けつつ、各々の第１パターン部の端部に両端交互に第２パターン部を設けて各々の第１パターン部の導電接続してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなることを特徴とする。
【００２１】
この多層配線基板によると、層間パターン部が、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、そのエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなるため、自由な形状で下層パターン部の上面に層間パターン部を形成でき、厚みのより厚い第２パターン部とすることができる。このため、スパイラル状の第１パターン部を同心状に複数層設けつつ、各々の第１パターン部の端部に両端交互に第２パターン部を設けて各々の第１パターン部の導電接続することができる。その結果、基板内部にコイルを内蔵した多層配線基板となる。
【００２２】
本発明の第６実施形態は、同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、スパイラル状の第２パターン部を同心状に間隔を開けて複数層設けつつ、各々の第２パターン部の端部を両端交互に隣接層の第２パターン部と導電接続してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなることを特徴とする。
【００２３】
この多層配線基板によると、層間パターン部が、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、そのエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなるため、自由な形状で下層パターン部の上面に層間パターン部を形成でき、厚みのより厚い第２パターン部とすることができる。このため、スパイラル状の第２パターン部を同心状に間隔を開けて複数層設けつつ、各々の第２パターン部の端部を両端交互に隣接層の第２パターン部と導電接続することができる。その結果、基板内部にコイルを内蔵し、しかも第２パターン部でコイルが形成されているため高電力に好適に対応できる多層配線基板となる。
【００２４】
本発明の第７実施形態は、同一配線層内に第１パターン部と厚みのより厚い第２パターン部とを有する配線層を備えると共に、シールドすべき回路領域の周囲を囲むシールド壁を複数層積層した第２パターン部で形成してある多層配線基板であって、前記第２パターン部は、前記第１パターン部と同じ厚みで形成された下層パターン部の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部を形成したものであり、前記層間パターン部は、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、その上部金属層のエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなることを特徴とする。
【００２５】
この多層配線基板によると、層間パターン部が、エッチングによりパターン形成された上部金属層と、そのエッチング時に耐性を示す下部金属層とからなるため、自由な形状で下層パターン部の上面に層間パターン部を形成でき、厚みのより厚い第２パターン部とすることができる。このため、シールドすべき回路領域の周囲を囲むシールド壁を複数層積層した第２パターン部で形成することができる。その結果、シールドすべき回路領域の周囲に、基板の厚み方向のシールド構造が形成でき、シールド効果の高い多層配線基板となる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら、第１実施形態から第７実施形態の順で説明する。図１〜図７は、各々、第１実施形態から第７実施形態の多層配線基板に対応している。
【００２７】
〔第１実施形態〕
図１は、第１実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図であるが、理解を容易にするために、絶縁層の記載は省略している。第１実施形態の多層配線基板は、同一配線層内に、低電力配線に供する第１パターン部３１と高電力配線に供する厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層を備える。
【００２８】
この第２パターン部３２は、第１パターン部３１と同じ厚みで形成された下層パターン部３３の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部３４を形成したものである。そして、層間パターン部３４は、エッチングによりパターン形成された上部金属層３４ａと、その上部金属層３４ａのエッチング時に耐性を示す下部金属層３４ｂとからなる。
【００２９】
第２パターン部３２は、通常の配線パターンと同様に、どの様なパターン形状でもよい。また、第２パターン部３２の上面に上層の配線層の第２パターン部３２を形成することにより、厚みが２倍、３倍・・となるパターン部を形成することができる。第２パターン部３２の厚みは第１パターン部３１の厚みの２倍以上が好ましく、３〜８倍程度がより好ましい。
【００３０】
本発明において、高電力配線は、低電力配線と比較してより高電力の配線であり、両者の区別は相対的なものである。
【００３１】
以下、第１実施形態の多層配線基板の製造方法について、図８〜図１１に示すように、基材２１の両面に配線層を形成する場合の例を説明する。
【００３２】
先ず、図８（１）に示すように、第１パターン部３１又は下層パターン部３３となるパターン部２２を基材２１の両面上にパターン形成したものを準備する。その際、パターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレジストを使用する方法や、パターンメッキ用レジストを使用する方法等で作製したもの用いることができる。基材２１としては、ガラス繊維とポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂とからなる基材を用いることができ、また、パターン部２２を構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、錫等が使用される。
【００３３】
次に、図８（２）に示すように、予めパターン形成したパターン部２２の非パターン部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層１０を形成する。無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、パターン部２２を構成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００３４】
次に、図８（３）に示すように、下層のパターン部２２の非パターン部を含めた全面を保護金属層１１で被覆すべく、下地導電層１０の全面に電解メッキを行って保護金属層１１を形成する。その際、保護金属層１１を構成する金属としては、上部金属層を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用される。具体的には、上部金属層を構成する金属が銅である場合、保護金属層を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。但し、本発明は、これらの金属の組合せに限らず、電解メッキ可能な金属と、そのエッチング時に耐性を示す別の金属との組合せが何れも使用可能である。
【００３５】
上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、図８（２）の基板をメッキ浴内に浸漬しながら、下地導電層１０を陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。
【００３６】
即ち、本発明における製造工程は、上部金属層を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、下層のパターン部２２の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層１１を形成する工程を含むが、上述のように下地導電層１０等が介在する状態で、保護金属層１１による被覆を行ってもよく、また、下地導電層１０等を介在させずに、直接、保護金属層１１による被覆を行ってもよい。
【００３７】
次に、図９（４）に示すように、保護金属層１１の全面に、上部金属層２４ａを構成する金属のメッキ層２４を電解メッキにより形成する。当該金属としては、通常、銅、ニッケル等が使用されるが、パターン部２２を構成する金属とは同一でも異なっていてもよい。電解メッキは、上記と同様の方法により行われるが、保護金属層１１が陰極として利用される。具体的なメッキ層２４の厚みとしては、例えば２０〜２００μｍ、或いはそれ以上のものが例示される。
【００３８】
次に、図９（５）に示すように、上記のメッキ層２４の上部金属層２４ａを形成する表面部分に、マスク層２５を形成するものである。本実施形態では、スクリーン印刷により、下層パターン部３３となるパターン部２２と同じパターンでマスク層２５を印刷する例を示す。マスク層２５のパターンは、下層パターン部３３と同じパターンか、又はこれに近いパターンが好ましい。
【００３９】
次に、図９（６）に示すように、メッキ層２４のエッチングを行う。その際、エッチングによる浸食量が多過ぎると、形成される上部金属層２４ａが幅狭化（アンダーカットの増大）して、後の工程に支障をきたす場合が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、非パターン部にメッキ層２４が残存して、短絡の原因となる場合が生じる。従って、上記のエッチングによる浸食の程度は、図９（６）に示す程度か、或いはこれより多少増減する範囲内が好ましい。
【００４０】
エッチングの方法としては、メッキ層２４及び保護金属層１１を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、メッキ層２４（即ち上部金属層２４ａ）が銅であり、保護金属層１１が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用される。上記のエッチングによると、図９（６）に示すように、保護金属層１１で被覆されたパターン部２２（パターン部及び非パターン部）、上部金属層２４ａ及びマスク層２５がエッチングされずに残ることになる。
【００４１】
次に、図１０（７）に示すように、マスク層２５の除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、マスク層２５の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【００４２】
次に、図１０（８）に示すように、保護金属層１１の浸食が可能なエッチングを行う。エッチングの方法としては、メッキ層２４のエッチング工程とは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用いると金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、その他のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的には、上部金属層２４ａと下層のパターン部２２が銅であり、保護金属層１１が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。これにより、図１０（８）に示すように、上部金属層２４ａとパターン部２２とに介在する保護金属層１１のみを残存させることができる。また、非パターン部には、下地導電層１０のみが残存する。
【００４３】
次に、図１０（９）に示すように、非パターン部に残存する下地導電層１０をソフトエッチングで除去するが、ソフトエッチングを行うのは、上部金属層２４ａや、露出するパターン部２２を過度に浸食するのを防止するためである。ソフトエッチングの方法としては、下地導電層１０を構成する金属に対するエッチング液を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッチングの処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。
【００４４】
即ち、本発明の製造工程は、少なくとも保護金属層１１の浸食が可能なエッチングを行って、少なくとも非パターン部を被覆する保護金属層１１を除去する工程を含むが、上述のように下地導電層１０を有する場合には、保護金属層１１と下地導電層１０を順次エッチングして、非パターン部の保護金属層１１と下地導電層１０とを除去する。これにより、パターン部間の短絡を確実に防止することができる。
【００４５】
次に、図１１（１０）に示すように、絶縁層２６を形成するための絶縁材２６ａの塗布を行う。絶縁材２６ａとしては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂等の反応硬化性樹脂を用いることができ、これを各種方法で、上部金属層２４ａの高さよりやや厚くなるように塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。塗布方法としては、ホットプレス及び各種コーターが用いられる。
【００４６】
次に、図１１（１１）に示すように、硬化した絶縁材２６ａを研削・研磨等することにより、上部金属層２４ａの高さと略同じ厚さを有する絶縁層２６を形成する。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００４７】
更に、上層に積層された第２パターン部３２を形成する場合には、図１１（１２）に示すように、上部金属層２４ａの上面に上層の配線層２７を形成する。この配線層２７の形成は、下層のパターン部２２を形成するのと同様の方法で形成することができる。例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、エッチング処理することによって、所定のパターンを持った配線層２７を形成することができる。
【００４８】
以上の工程によると、図１に示すように、第１パターン部３１と同じ厚みで形成された下層パターン部３３の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部３４を形成した第２パターン部３２が形成できる。その際、同時に層間接続構造を形成してもよく、その場合、層間接続構造を形成する表面部分にも、マスク層２５を形成する。
【００４９】
更に上層に配線層と絶縁層とを繰り返し形成することにより、第１パターン部３１、第２パターン部３２、及び配線層間の導電接続構造を多数層有する多層配線基板を製造することができる。
【００５０】
〔第１実施形態の別形態〕
以下、本発明の別の実施形態について説明する。
【００５１】
（１）前記の実施形態では、マスク層を印刷により形成する例を示したが、ドライフィルムレジスト等を用いてマスク層を形成してもよい。その場合、ドライフィルムレジストの熱圧着、露光、現像が行われる。また、マスク層の除去（剥離）には、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。
【００５２】
また、マスク層をメッキ層のエッチング時に耐性を示す金属で形成してもよい。その場合、保護金属層と同様の金属を使用することができ、パターン形成と同様の方法により、所定の位置にマスク層を形成すればよい。
【００５３】
（２）前記の実施形態では、マスク層の除去をメッキ層のエッチング工程の直後に行う例を示したが、マスク層の除去工程の順序はこれに限定されず、例えば、保護金属層のエッチング工程の直後、下地導電層のソフトエッチング工程の直後、あるいは、絶縁材２６ａを研削・研磨等する際に、マスク層の除去を行ってもよい。
【００５４】
（３）前記の実施形態では、下地導電層を有する下層の配線層に保護金属層を被覆する例を示したが、下地導電層を形成せずに直接、保護金属層を被覆してもよい。その場合、無電解メッキ等により下層の配線層に保護金属層を被覆すればよく、また、保護金属層の浸食が可能なエッチングのみで、非パターン部を被覆する保護金属層を除去して、パターン部間の陥落を防止することができる。
【００５５】
〔第２実施形態〕
図２は、第２実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図であるが、理解を容易にするために、電子部品ＥＣの周囲の絶縁層の記載は省略している。第２実施形態の多層配線基板は、同一配線層内に第１パターン部３１と厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層、及び同一配線層内で対向する第２パターン部３２を電極としてその電極間に形成された電子部品ＥＣを備える。
【００５６】
この第２パターン部３２は、第１パターン部３１と同じ厚みで形成された下層パターン部３３の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部３４を形成したものである。そして、層間パターン部３４は、エッチングによりパターン形成された上部金属層３４ａと、その上部金属層３４ａのエッチング時に耐性を示す下部金属層３４ｂとからなる。
【００５７】
第２パターン部３２は、対向する電極として形成されていれば、どの様なパターン形状でもよい。また、第２パターン部３２の上面に上層の配線層の第２パターン部３２を形成することにより、厚みが２倍、３倍・・となるパターン部を形成することができる。第２パターン部３２の厚みは第１パターン部３１の厚みの２倍以上が好ましく、３〜８倍程度がより好ましい。第２パターン部３２の形成方法は、第１実施形態と同様である。
【００５８】
電子部品ＥＣとしては、抵抗、コンデンサなどが挙げられる。抵抗を形成する場合、例えば半導電性の樹脂組成物、セラミック組成物などが、対向する第２パターン部３２の間に充填される。また、コンデンサを形成する場合、高誘電率の樹脂組成物、セラミック組成物などが充填される。第２パターン部３２を複数積層した第２パターン部３２とし、複数層にまたがる電子部品ＥＣを形成してもよい。
【００５９】
充填の方法としては、印刷塗布する方法、感光性樹脂組成物をシート状に形成してラミネートした後、露光・現像する方法、先に充填部が開口した絶縁層を形成しておき、開口部にスクイーズなどで充填する方法などが挙げられる。特に、特性や種類の異なる電子部品ＥＣを同一層内に形成する場合など、予めドライフィルムレジストをラミネートしてから、露光・現像を順次繰り返して、充填部を順次開口し、その開口部にスクイーズなどで順次充填する方法をとるのが好ましい。その場合、電子部品ＥＣを形成後、残りのドライフィルムレジストを除去し、その部分に第１実施形態と同じ方法で絶縁層を形成すればよい。
【００６０】
〔第３実施形態〕
図３は、第３実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図であるが、理解を容易にするために、絶縁層の記載は省略している。第３実施形態の多層配線基板は、同一配線層内に第１パターン部３１と厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層を備えると共に、第１パターン部３１の先端に第２パターン部３２を設けて上層の配線層との層間接続構造（信号伝送路）を形成しつつ、その層間接続構造の周囲（全周の場合を除く）を囲むシールド構造を前記第２パターン部３２で形成してある。
【００６１】
この第２パターン部３２は、第１パターン部３１と同じ厚みで形成された下層パターン部３３の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部３４を形成したものである。そして、層間パターン部３４は、エッチングによりパターン形成された上部金属層３４ａと、その上部金属層３４ａのエッチング時に耐性を示す下部金属層３４ｂとからなる。
【００６２】
第２パターン部３２は、円形、四角形等の層間接続構造と、Ｃ字状のシールド構造とで形成できるが、シールド構造は内周面が略Ｃ字状であれば、外周面はどの様なパターン形状でもよい。また、第２パターン部３２の上面に上層の配線層の第２パターン部３２を形成することにより、厚みが２倍、３倍・・となるパターン部を形成することができる。その場合、２段目以上の上層を環状のシールド構造（第４実施形態を参照）としてもよい。第２パターン部３２の厚みは第１パターン部３１の厚みの２倍以上が好ましく、３〜８倍程度がより好ましい。
【００６３】
〔第４実施形態〕
図４（ａ）は、第４実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図であるが、理解を容易にするために、一部を破断して図示している。第４実施形態の多層配線基板は、同一配線層内に第１パターン部３１と厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層を備えると共に、下層側と接続した第２パターン部３２を設けて上層の配線層との層間接続構造（信号伝送路）を形成しつつ、その層間接続構造の周囲を囲むシールド構造を前記第２パターン部３２で形成してある。この実施形態では、シールド構造は層間接続構造の全周を囲むものが好ましいが、Ｃ字型に囲むものでもよい。
【００６４】
この第２パターン部３２は、第１パターン部３１と同じ厚みで形成された下層パターン部３３の上面に、周囲の絶縁層と略同じ高さの層間パターン部３４を形成したものである。そして、層間パターン部３４は、エッチングによりパターン形成された上部金属層３４ａと、その上部金属層３４ａのエッチング時に耐性を示す下部金属層３４ｂとからなる。
【００６５】
第２パターン部３２によるシールド構造は、内周面が環状又は略Ｃ字状であれば、どの様なパターン形状でもよい。また、第２パターン部３２の上面に上層の配線層の第２パターン部３２を形成することにより、厚みが２倍、３倍・・となるパターン部を形成することができる。これにより、厚み方向に複数層にわたる同軸シールド構造を形成することができる。
【００６６】
複数層のシールド構造の端部に位置する層間接続構造は、下層又は上層の第１パターン部３１と別の層間接続構造で接続されるが、この層間接続構造も第２パターン部３２で形成される。また、図３に示すように、この層間接続構造を部分的に囲むシールド構造を前記第２パターン部３２で形成してもよい。
【００６７】
〔第４実施形態の別形態〕
また、第４実施形態の基板厚み方向の同軸シールド構造を、基板面に平行な方向の同軸シールド構造に接続することで、図４（ｂ）に示すようなＬ字型の同軸シールド構造を形成することができる。基板面に平行な方向の同軸シールド構造は、信号パターンとその両側に形成された遮蔽パターンとを有する中間配線層と、その中間配線層の上側に絶縁層を介して形成され、前記信号パターンの上方に位置する上側遮蔽部を有する上側遮蔽層と、前記中間配線層の下側に絶縁層を介して形成され、前記信号パターンの下方に位置する下側遮蔽部を有する下側遮蔽層とを備え、両側の前記遮蔽パターン上に立設する上側金属壁と前記遮蔽パターン下に立設する下側金属壁とを設けて、前記上側遮蔽部と前記下側遮蔽部とを導電接続することで筒状遮蔽部を形成してある。その際、遮蔽パターン、下側遮蔽部、上側遮蔽部は第１パターン部３１で形成され、上側金属壁及び下側金属壁は、第２パターン部３２で形成される。なお、基板面に平行な方向の同軸シールド構造については、特開２００１−３２６４３３号公報などに構造や製法の詳細が記載されている。
【００６８】
図４（ｂ）に示すＬ字型の同軸シールド構造は、信号パターンＳとなる第１パターン部３１の先端に第２パターン部３２を設けて、更にその上層に第２パターン部３２を設けると共に、前記の上側金属壁、遮蔽パターン、及び下側金属壁の形状を、信号パターンＳの先端に設けた第２パターン部３２の囲むＵ字型に形成し、そのＵ字型部の内側の底面を遮蔽する下側遮蔽部と、Ｕ字型部の内側の上面を遮蔽しつつ信号パターンＳの先端の第２パターン部３２を通過させる開口を設けた上側遮蔽部とを形成し、更に、その開口を全周で囲む第２パターン部３２を設けて、厚み方向の同軸シールド構造を形成している。なお、Ｕ字型部は内側面が略Ｕ字状で有ればよい。
【００６９】
そして、上記の第２パターン部３２は、第１パターン部３１と同じ厚みで形成された下層パターン部３３の上面に、周囲の絶縁層２６と略同じ高さの層間パターン部３４を形成したものである。そして、層間パターン部３４は、エッチングによりパターン形成された上部金属層３４ａと、その上部金属層３４ａのエッチング時に耐性を示す下部金属層３４ｂとからなる。
【００７０】
図４（ｂ）に示す例では、厚み方向の同軸シールド構造を形成する際に、第２パターン部３２を平面視で円形になるように形成しているが、信号パターンＳの断面形状により近いもの、例えば断面長方形にしてもよい。また、同様にその周囲に形成される第２パターン部３２も、基板面に平行な方向の同軸シールド構造に近い形状、例えば内面が長方形又はそれに近い形状にしてもよい。
【００７１】
〔第５実施形態〕
図５は、第５実施形態の多層配線基板の一例を示す分解斜視図であるが、理解を容易にするために、介在する絶縁層を省略している。第５実施形態の多層配線基板は、同一配線層内に第１パターン部３１と厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層を備えると共に、スパイラル状の第１パターン部３１を同心状に複数層設けつつ、各々の第１パターン部３１の端部に両端交互に第２パターン部３２を設けて各々の第１パターン部３１の導電接続してある。
【００７２】
スパイラル状の第１パターン部３１は、全体が円状のものに限らず、正方形、長方形などでもよい。スパイラル状の第１パターン部３１の巻き方向は、上下で逆方向になるように交互に積層される。
【００７３】
〔第６実施形態〕
図６は、第６実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図であるが、理解を容易にするために、一部を破断して図示している。第５実施形態では第１パターン部３１をスパイラル状としたのに対し、第６実施形態では第２パターン部３２をスパイラル状にしている。第６実施形態の多層配線基板は、同一配線層内に第１パターン部３１（図示省略）と厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層を備えると共に、スパイラル状の第２パターン部３２を同心状に間隔を開けて複数層設けつつ、各々の前記第２パターン部３２の端部を両端交互に隣接層のスパイラル状の第２パターン部３２は、全体が円状のものに限らず、正方形、長方形などでもよい。スパイラル状の第２パターン部３２の巻き方向は、上下で逆方向になるように交互に積層される。このように第２パターン部３２でコイルを形成する場合、特に高電力用のコイルとして有効である。また、この実施形態では第１パターン部３１は、低電力配線として一般に使用される。
【００７４】
〔第７実施形態〕
図７は、第７実施形態の多層配線基板の一例を示す図であり、（ａ）は全体の斜視図、（ｂ）は、その要部を示すＩ−Ｉ断面図である。第７実施形態の多層配線基板は、同一配線層内に第１パターン部３１と厚みのより厚い第２パターン部３２とを有する配線層を備えると共に、シールドすべき回路領域３５の周囲を囲むシールド壁３６を複数層積層した第２パターン部３２で形成してある。
【００７５】
シールド壁３６は、回路領域３５の全周を囲むのが好ましい。また、シールド壁３６は、基板の厚み全体にわたって、形成されているのが好ましい。なお、シールド壁３６は、基板の一部の領域に対して形成してもよく、基板の全周に設けてもよい。
【００７６】
また、シールド壁３６で囲まれた領域の底面や中間層に金属層３７を設けて底面等のシールドを基板内で行ってもよい。通常の多層配線基板で電子部品を両面実装する場合、シールド壁３６で囲まれた領域を上下から覆うシールド部材を設けるのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図
【図２】本発明の第２実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図
【図３】本発明の第３実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図
【図４】本発明の第４実施形態の多層配線基板の一例を示す斜視図
【図５】本発明の第５実施形態の多層配線基板の一例を示す分解斜視図
【図６】本発明の第６実施形態の多層配線基板の一例を示す一部破断した斜視図
【図７】本発明の第７実施形態の多層配線基板の一例を示す図
【図８】本発明の第２パターン部の形成方法の一例を示す工程図（１）〜（３）
【図９】本発明の第２パターン部の形成方法の一例を示す工程図（４）〜（６）
【図１０】本発明の第２パターン部の形成方法の一例を示す工程図（７）〜（９）
【図１１】本発明の第２パターン部の形成方法の一例を示す工程図（１０）〜（１２）
【符号の説明】
２６　　　　　絶縁層
３１　　　　　第１パターン部
３２　　　　　第２パターン部
３３　　　　　下層パターン部
３４　　　　　層間パターン部
３４ａ　　　　上部金属層
３４ｂ　　　　下部金属層
３５　　　　　回路領域
３６　　　　　シールド壁
ＥＣ　　　　　電子部品
２０　　　　　ランド
【図１】
2004023037.tif 000003
【図２】
2004023037.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004023037.tif 000007
【図６】
2004023037.tif 000008
【図７】
2004023037.tif 000009
【図８】
2004023037.tif 000010
【図９】
2004023037.tif 000011
【図１０】
2004023037.tif 000012
【図１１】
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