(57)【要約】    【課題】  磁気飽和による電流の制限が少ない小型の積層型チップタイプパワーインダクタを提供し、生産性及び経済性の優れたチップタイプパワーインダクタの製造方法を提供しようとする。    【解決手段】  磁性体層を備えて構成され少なくとも一面に電極パターン２２を形成した電極層を多層に積層し、前記各電極層の電極パターン２２が互いに直列接続されて形成されたコイルを内部に備えた積層体と、該積層体の積層方向の両端面に接触する少なくとも磁性体で構成したカバー層と、を備えてコア磁性体２０を構成し、前記コイルへの通電により前記コア磁性体２０の内部に形成される磁路を横切るように非磁性体層２４を挿入した構成とする。【選択図】      図１
2004311944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体層を備えて構成され少なくとも一面に電極パターンを形成した電極層を多層に積層し、前記各電極層の電極パターンが互いに直列接続されて形成されたコイルを内部に備えた積層体と、
該積層体の積層方向の両端面に接触する少なくとも磁性体で構成したカバー層と、を備えてコア磁性体を構成し、
前記コイルへの通電により前記コア磁性体の内部に形成される磁路を横切るように非磁性体層を挿入したことを特徴とするチップタイプパワーインダクタ。
【請求項２】
前記電極層は、中央に開口部が形成され、少なくとも一面に電極パターンが形成された非磁性体層と、該非磁性体層の中央開口部及び側面に形成された磁性体層と、を備えて構成したことを特徴とする請求項１記載のチップタイプパワーインダクタ。
【請求項３】
前記カバー層には、非磁性体層が更に含まれる構成としたことを特徴とする請求項１記載のチップタイプパワーインダクタ。
【請求項４】
前記積層体とカバー層間には、電極パターンの形成されない非磁性体層により構成されるバッファー層を介挿したことを特徴とする請求項１記載のチップタイプパワーインダクタ。
【請求項５】
前記非磁性体層は、B2O3-SiO2系ガラス、Al2O3-SiO2系ガラス又はその他のセラミック物質により構成することを特徴とする請求項１記載のチップタイプパワーインダクタ。
【請求項６】
磁性体層は、Ni系、Ni-Zn系又はNi-Zn-Cu系のフェライトにより構成することを特徴とする請求項１記載のチップタイプパワーインダクタ。
【請求項７】
キャリアフィルム上に形成された磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートをそれぞれ用意する段階と、
前記磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートにカッティングラインをそれぞれ形成する段階と、
カッティングラインの形成された非磁性体膜グリーンシートにビアホールを形成し、グリーンシートの上面に電極パターンを形成し、前記磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートからそれぞれ不必要な部分を除去して、磁性体膜グリーンシートの残存部分と、磁性体膜グリーンシートの不要部分に対応する非磁性体膜グリーンシートの残存部分とを相互に嵌合して電極層を形成する段階と、
前記電極パターンの形成されない非磁性体膜グリーンシートを少なくとも一層中間に挿入した状態で、前記電極層を複数積層して積層体を形成する段階と、
前記積層体の積層方向の両端面に少なくとも磁性体層により構成されるカバー層を積層してコア磁性体を形成する段階と、
前記コア磁性体を焼成する段階と、
前記焼成されたコア磁性体の外側面に外部電極端子を形成する段階と、
を含むことを特徴とするチップタイプパワーインダクタの製造方法。
【請求項８】
キャリアフィルム上に形成される磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートは、ドクターブレードテープキャスティングにより形成することを特徴とする請求項７記載のチップタイプパワーインダクタの製造方法。
【請求項９】
非磁性体膜グリーンシートの上面の電極パターンは、スクリーンプリンティングにより形成することを特徴とする請求項７記載のチップタイプパワーインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップタイプパワーインダクタ及びその製造方法に係るもので、詳しくは、磁気飽和（magnetic saturation）による電流の制限が少ない小型のチップタイプパワーインダクタ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、チップタイプインダクタは、信号ライン用インダクタ、パワー用或いは電源ライン用インダクタに大別されるが、信号ライン用インダクタが数mA〜数十mAの定格電流範囲を有する反面、パワーインダクタには数百mA〜数A程度の比較的大きい定格電流が要求される。
【０００３】
最近、電子機器が小型化されるにつれて、電子部品の小型化及び軽量化も進行している。然し、このような小型の電子機器に使用される電源回路の相対的な容積比率は、電子機器全体の容積に対して増加する傾向がある。これは、各種の電子回路に使用されるＣＰＵを始めとする各種のＬＳＩが高速化及び高集積化されて小型化する反面、電源回路の必須回路要素であるインダクタ及び変圧器のような磁気部品の小型化が困難であるためである。
【０００４】
又、インダクタ及び変圧器のような磁気部品は、小型化されて磁性体の容積が減少すると、磁気コアが磁気飽和し易くなって、電源として扱える電流量が減少するという問題点がある。
【０００５】
一般に、インダクタの製造に使用される磁性体材料としてはフェライト系及び金属磁性体系であるが、大量生産及び小型化に有利な積層型チップタイプインダクタにはフェライト系磁性材料が主に使用される。しかし、フェライトは、透磁率及び電気抵抗が高い反面、飽和磁束密度が低いため、そのまま使用すると、磁気飽和によるインダクタンスの低下が大きくなって、直流重畳特性が悪くなる。従って、積層型のチップタイプインダクタの場合は使用できる電流範囲は非常に小さかった。そのため、従来のチップタイプパワーインダクタは、損失が大きく、電気抵抗は低いが、飽和磁束密度の高い金属系磁性材料に導線を巻いた巻線型パワーインダクタが大部分であった。しかし、このような巻線型パワーインダクタは、積層型パワーインダクタに比べて小型化に限界があった。
【０００６】
又、携帯型機器が急速に増加して、バッテリの消耗を最小化できる低消費電力型部品に対する要求が増加するにつれて、効率が高くて発熱の小さいＤ級アンプが、カーステレオ、ＰＤＡ、ノートブックＰＣなどを中心に多く使用されている。Ａ級及びＢ級のような一般的なアンプが真空管及びトランジスタなどの増幅機能(アナログ処理)を利用している反面、Ｄ級アンプは、スイッチを高速にオン/オフするスイッチング動作(デジタル処理)により信号を増幅している。且つ、Ｄ級アンプは効率が高くて、アンプの内部から発生する熱量が小さいため、大型のパワーパッケージ及びヒートシンクを省略することができ、小型化に有利であるという長所もある。Ｄ級アンプの出力は、低域通過フィルタを通してスピーカーに供給されるが、このような低域通過フィルタを構成するインダクタは、小型でかつ低損失及び大電流の特性を有すべきである。現在、Ｄ級アンプ用パワーインダクタは、巻線型製品が主流をなしているが、該巻線型製品は、前述したように小型化に限界があるため、携帯型機器などには小型の積層型チップタイプパワーインダクタの開発が切実に要求されている。
【０００７】
図１３は従来チップタイプパワーインダクタの一例を示した図で、一面に電極パターン１２を形成した磁性体層を複数積層してコア磁性体１０を構成している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１１５７３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
然るに、このような従来の積層型のチップタイプパワーインダクタにおいては、前述したように磁性体材料としてフェライト系磁性材料を使用しているため、低い電流で磁気飽和する現象は未解決のままである。
【０００９】
そこで、本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、磁気飽和による電流の制限が少なく、生産性及び経済性に優れた小型のチップタイプパワーインダクタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するため、本発明に係るチップタイプパワーインダクタは、磁性体層を備えて構成され少なくとも一面に電極パターンを形成した電極層を多層に積層し、前記各電極層の電極パターンが互いに直列接続されて形成されたコイルを内部に備えた積層体と、該積層体の積層方向の両端面に接触する少なくとも磁性体で構成したカバー層と、を備えてコア磁性体を構成し、前記コイルへの通電により前記コア磁性体の内部に形成される磁路を横切るように非磁性体層を挿入した。
【００１１】
又、前記電極層は、中央に開口部が形成され、少なくとも一面に電極パターンが形成された非磁性体層と、該非磁性体層の中央開口部及び側面に形成された磁性体層と、を備えて構成した。
【００１２】
更に、前記カバー層には、非磁性体層が更に含まれる構成とした。
更にまた、前記積層体とカバー層間には、電極パターンの形成されない非磁性体層により構成されるバッファー層を介挿した。
【００１３】
そして、非磁性体層としては、B2O3-SiO2系ガラス、Al2O3-SiO2系ガラス又はその他のセラミック物質を使用し、磁性体層としては、Ni系、Ni-Zn系又はNi-Zn-Cu系のフェライトを使用する。
【００１４】
又、本発明に係るチップタイプパワーインダクタの製造方法は、キャリアフィルム上に形成された磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートをそれぞれ用意する段階と、前記磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートにカッティングラインをそれぞれ形成する段階と、カッティングラインの形成された非磁性体膜グリーンシートにビアホールを形成し、グリーンシートの上面に電極パターンを形成し、前記磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートからそれぞれ不必要な部分を除去して、磁性体膜グリーンシートの残存部分と、磁性体膜グリーンシートの不要部分に対応する非磁性体膜グリーンシートの残存部分とを相互に嵌合して電極層を形成する段階と、前記電極パターンの形成されない非磁性体膜グリーンシートを少なくとも一層中間に挿入した状態で、前記電極層を複数積層して積層体を形成する段階と、前記積層体の積層方向の両端面に少なくとも磁性体層により構成されるカバー層を積層してコア磁性体を形成する段階と、前記コア磁性体を焼成する段階と、前記焼成されたコア磁性体の外側面に外部電極端子を形成する段階と、を含む。
【００１５】
又、キャリアフィルム上に形成される磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシートは、ドクターブレードテープキャスティングにより形成する。
【００１６】
そして、非磁性体膜グリーンシートの上面の電極パターンは、スクリーンプリンティングにより形成する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るチップタイプパワーインダクタ及びその製造方法においては、コア磁性体の内部に形成される磁路を横切るように非磁性体層を挿入することにより、磁路の磁気抵抗を増加させてパワーインダクタの内部の磁束を制御することができ、従来の積層型チップタイプパワーインダクタでは具現できなかった数百mA〜1A程度の直流重畳特性が得られる。
【００１８】
又、透磁率及び誘電率の低い非磁性体層に電極パターンを形成すれば、非磁性体層の厚みが薄くなっても絶縁性が保たれ、各電極パターン間の短絡を防止することができ、且つ、寄生容量の発生が抑制されて周波数特性が改善される。従って、上記非磁性体層を薄くすることにより更に小型化することができる。
【００１９】
更に、カバー層として磁性体層と非磁性体層とを組み合わせて構成すれば、焼結過程で発生するコア磁性体の各磁性体層と非磁性体層間の微少な熱膨張率の差に基づく応力をバランスさせて、製品の機械的構造を安定化させることができる。
【００２０】
そして、非常に小型の積層型チップタイプパワーインダクタを製造できるため、携帯電話、ノートブックＰＣ、その他の小型通信機器及び電子製品に使用できるだけでなく、生産性の優れた大量の部品を経済的に製造できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を、図を参照して説明する。
図１は、本発明に係るチップタイプパワーインダクタの第１実施形態の概略構成を示した断面模式図であり、コア磁性体２０を上下に分離するようにその間に非磁性体層２４を介在した基本構造を示す図である。
【００２２】
このチップタイプパワーインダクタにおいて、前記非磁性体層２４は、コア磁性体２０の磁路を横切るようにマイクロギャップを形成し、磁気抵抗を増加させて低い電流で磁気飽和が発生する現象を防止する働きをする。コア磁性体２０は、複数の磁性体層を積層して構成したものであり、その中間部は電極パターン２２を形成した図示省略の磁性体層からなる電極層を積層して積層体を構成している。この場合、非磁性体層２４は、前記積層体を構成する複数の電極層間の少なくとも１ヶ所（図１においては１ヶ所で示す）に挿入されることが好ましく、その厚さは、チップタイプパワーインダクタの電気的特性を考慮して決定される。又、上記各磁性体層上に形成された電極パターン２２は、各磁性体層及び非磁性体層２４に形成した図示省略のビアホールを介して互いに電気的に直列接続され、スパイラル状のコイルを形成する。
【００２３】
図２は、本発明に係るチップタイプパワーインダクタの第２実施形態の概略構成を示した断面模式図である。
このチップタイプパワーインダクタにおいて、多層に積層して構成したコア磁性体は、磁性体領域３０と非磁性体領域３６とに分けられ、更に、磁性体領域３０は、同図中左右の非磁性体領域３６間の中央磁性体と非磁性体領域３６の外側にある周辺磁性体とに分けられる。前記中央磁性体部分には、同図においてコア磁性体を上下方向に分離する非磁性体層３４が挿入され、図１の第１実施形態と同様に、コア磁性体の磁路を横切るようにマイクロギャップを形成して磁気抵抗を増加させている。
【００２４】
図２において、磁性体領域３０及び非磁性体領域３６の各領域は相互独立されたように見えるが、同図の上下方向に積層した層状構成をなしており、実際の製造時には、各領域の部分を一つの層に形成して、それら各層を積層して一体に形成する。詳細な製造工程は、後で説明する。
【００２５】
このような構造のチップタイプパワーインダクタにおいて、コア磁性体の内部の非磁性体領域３６を構成する各非磁性体層の上面または下面中、少なくとも何れか一面に電極パターン３２が形成される。尚、磁性材料に比べて電気抵抗が高く、透磁率及び誘電率の低い非磁性体層に電極パターン３２を形成すると、図１のような磁性体層に電極パターン２２を形成した場合に比べ、電極パターン３２の形成される各非磁性体層の厚みが薄くなっても絶縁性が保たれ、各電極パターン３２間の短絡を防止することができ、且つ、寄生容量の発生が抑制されて周波数特性が改善される。
【００２６】
下記の表１は、図１３、図１及び図２に示した各構造を有するチップタイプパワーインダクタの電気的特性を比較して示したものであり、図３は、各構造のチップタイプパワーインダクタにおいて、ＤＣバイアスを印加したときのインダクタンスの変化を示したものである。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
表１で磁気飽和電流とは、図３においてＤＣバイアスを印加して、インダクタンス値が10％減少したときの電流値をいう。非磁性体層２４又は３４が挿入されない場合（図１３を参照）、インダクタンスは大きいが、50mAで磁気飽和する。その反面、図１又は図２のように非磁性体層２４又は３４が挿入される場合、磁気飽和電流値が大きくなり、特に、図２のように非磁性体層３４が挿入され、コア磁性体が磁性体領域３０及び非磁性体領域３６により構成された場合、磁気飽和電流値が１Ａを越えて、非磁性体層３４が挿入されない図１３に示す従来構成のもの場合より20倍以上増加したことが分かる。
【００２９】
このような本発明に係るチップタイプパワーインダクタは、電気的特性が向上するだけでなく、製造方法においても高い生産性及び経済性を提供する。
【００３０】
図１に示した第１実施形態のチップタイプパワーインダクタは、磁性体膜グリーンシート上に電極パターン２２を形成し、それら磁性体膜グリーンシートを積層すると共に中間層として電極パターン２２の形成されない非磁性体層２４を介挿させて積層体を形成し、さらにこの積層体の積層方向両端面に多層化した磁性体膜グリーンシートを積層してコア磁性体２０を形成する段階を含んで製造される。
【００３１】
以下、製造工程の詳細を、図２に示された第２実施形態のチップタイプパワーインダクタ構造を例に説明する。尚、このような工程は、図１に示された第１実施形態にも適用することができる。
先ず、一連の製造工程のうち各磁性体層及び非磁性体層を製造する単位工程を、図４〜図５を参照して説明する。
【００３２】
図４（Ａ）はグリーンシートの用意段階を示したもので、キャリアフィルム４０上に例えば矩形状の磁性体膜グリーンシート４２を形成する。本発明では、厚膜積層工程で使用されるドクターブレードテープキャスティング（Doctor Blade Tape Casting）方式により、キャリアフィルム上にスラリー（Slurry）化された磁性体膜グリーンシート４２を塗布する。また、同様にしてキャリアフィルム４０上に非磁性体膜グリーンシート４２を形成する。このとき、キャリアフィルム４０としてはＰＥＴフィルムを使用するが、その他の材料も使用することができ、キャリアフィルム４０は、前記各磁性体層及び非磁性体層の製造が終了された後、各層を順次積層する際に除去される。
【００３３】
又、キャリアフィルム４０上に形成された磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシート４２は、それ自体で、又は複数の層を積層して後述する磁性体カバー層５１又は非磁性体カバー層５２（図６又は図７を参照）としてそれぞれ使用することができる。
【００３４】
次に、図４（Ｂ）に示したように、磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシート４２上にそれぞれ所定形状のカッティングライン４４ａ，４４ｂを形成する。カッティングラインとしては、レーザ加工や機械的加工などにより、例えば矩形状の磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシート４２の対辺近傍部で対辺に平行なカッティングライン４４ａ及び内部ウィンドー用カッティングライン４４ｂが形成される。尚、このときキャリアフィルム４０が損傷されないように注意すべきである。図４（Ｂ）のカッティング工程は、磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシート４２の全てに対して適用される。
【００３５】
このとき、カッティングライン４４ａ，４４ｂの形成された非磁性体膜グリーンシート４２は、それ自体で、又は複数の層を積層して後述するバッファー層４２’（図６を参照）として使用することができる。一方、内部ウィンドー用カッティングライン４４ｂの形成されない非磁性体膜グリーンシート４２は、それ自体で、又は複数の層を重ねることで、図２に示す中央磁性体部分のコア磁性体を上下方向に分離する非磁性体層３４として使用される。
【００３６】
又、非磁性体膜グリーンシート４２には、図４（Ｂ）に示したように、レーザーパンチング（Laser Punching）や機械的パンチング（Mechanical Punching）方法により、カッティングライン４４ａ，４４ｂの他にビアホール４６が形成される。
【００３７】
次に、図４（Ｃ）に示したように、カッティングライン４４ａ，４４ｂ及びビアホール４６の形成された非磁性体膜グリーンシート４２上に電極パターン４８が形成される。この電極パターン４８は、積層される非磁性体膜グリーンシート４２毎に相互に異なるパターン(例えば、第１層目のシートの電極パターン４８と第２層目のシートの電極パターン４８とが相互に中心線対称になる形状)に形成され、ビアホール４６を介して互いに直列接続されてスパイラル状のコイルを形成する。なお、電極パターン４８は、コイル部品の使用目的に応じて多様な形状に変形してもよい。又、積層される非磁性体膜グリーンシート４２中少なくとも何れか二つに形成される電極パターン４８は、その一方端が非磁性体膜グリーンシート４２の端までに延長されて外部に露出し、外部配線と電気的に接続できるようになっている。又、電極パターン４８は、スクリーンプリンティング（Screen Printing）方式により非磁性体膜グリーンシート４２の上面に導電性ペーストを印刷し、ビアホール４６にも導電性物質を充填する。図４（Ｃ）に示したように、電極パターン４８の一方端はビアホール４６に連結されるが、このような形状とすることで、上述したように積層された電極パターン４８はビアホール４６を介して相互に電気的に接続される。
【００３８】
次に、カッティングライン４４ａ，４４ｂの形成された磁性体膜グリーンシート４２及び電極パターン４８の形成された非磁性体膜グリーンシート４２は、それぞれ不必要な部分が除去される。この場合、磁性体膜及び非磁性体膜グリーンシート４２における除去領域と残す領域とは、互いに反対の関係をなしている。従って、後述の積層工程において、磁性体膜グリーンシート４２及び電極パターン４８の形成された非磁性体膜グリーンシート４２を一組として積層すると、磁性体膜グリーンシート４２と非磁性体膜グリーンシート４２とが嵌合して単一の電極層を構成することになる。
【００３９】
図５（Ｄ）及び（Ｅ）は、不必要な部分がそれぞれ除去された非磁性体膜及び磁性体膜の各グリーンシート４２を示したもので、図５（Ｄ）の非磁性体膜グリーンシート４２には中央領域及び両端領域が除去されて枠状の非磁性体層４２ａが残り、図５（Ｅ）の磁性体膜グリーンシート４２には非磁性体膜グリーンシート４２の除去領域である中央領域及び両端領域のみに磁性体層４２ｂが残っている。一方、図５（Ｅ）の磁性体膜グリーンシート４２から中央の磁性体層４２ｂを除去したものには、前述した内部ウィンドー用カッティングライン４４ｂの形成されない非磁性体膜グリーンシート４２を嵌合し、その非磁性体膜グリーンシート４２を図２に示す中央磁性体部分のコア磁性体を上下方向に分離する非磁性体層３４とする。
【００４０】
前記各磁性体層４２ｂ及び非磁性体層４２ａの製造が終了すると、次に、各層を積層する工程を順次行う。ここで、図６は積層工程を示したもので、各磁性体層４２ｂ及び非磁性体層４２ａの各層は順次積層されてコア磁性体を構成する。
【００４１】
まず、磁性体層から成るカバー層としての磁性体カバー層５１を両端に配置して、その間に、磁性体層４２ｂと電極パターン４８を形成した非磁性体層４２ａとを組み合わして構成した単一の電極層を複数積層する。このとき、非磁性体層４２ａに形成された電極パターン４８が上部の磁性体カバー層５１と直接接する現象を防止するために、電極パターン４８の形成されない非磁性体層４２’をバッファー層として使用することもできる。又、磁性体カバー層５１及びバッファー層４２’は、図４（Ａ）〜（Ｂ）の工程により製造されたグリーンシート４２及びカッティングライン４４ａ，４４ｂの形成されたグリーンシート４２をキャリアフィルム２０から剥離した状態で使用する。
【００４２】
尚、図６では、カバー層として磁性体カバー層５１を使用した例を示しているが、これに限られず、図７に示すように、磁性体層カバー５１と非磁性体層カバー層５２とを組み合わせてもよい。この場合、この追加的に形成された非磁性体カバー層５２は、焼結過程で発生するコア磁性体の各磁性体層と非磁性体層間の微少な熱膨張率の差に基づく応力をバランスさせて、製品の機械的構造を安定化させる役割をする。
【００４３】
ここで、複数層の電極層の形成方法は、図５（Ｄ）〜（Ｅ）の工程により製造された非磁性体層４２ａと磁性体層４２ｂとを交互に積層して形成する。図６には電極層を４層構成で示しているが、実際は、これより多く積層されることが好ましい。非磁性体層４２ａと磁性体層４２ｂとが交互に積層されることで、同一の電極層に磁性体層４２ｂ及び非磁性体層４２ａが組み合わされて存在することになる。このように積層された非磁性体層４２ａ上の各電極パターン４８は、電極パターン４８の一方端がビアホール４６(図４（Ｃ）を参照)に連結され、他の層の電極パターン４８の端に電気的に接続される。このようにして、各層の電極パターン４８が相互電気的に接続され、スパイラル状のコイルを形成する。
【００４４】
積層される電極層間には、図６に示すように電極パターン４８の形成されない非磁性体層４２ｃが挿入され、図２に示す中央磁性体部分のコア磁性体を上下方向に分離するマイクロギャップ（図２では非磁性体層３４）を形成するが、この非磁性体層４２ｃは、磁性体層４２ｂ’と組み合わされて一つの層を構成する。図６では、このような内部のマイクロギャップを一つの非磁性体層４２ｃにより構成する例を示しているが、最終的な製品の電気的特性に応じて複数の非磁性体層４２ｃを挿入することもできる。
【００４５】
一方、非磁性体層４２ａに形成された電極パターン４８中少なくとも何れか二つは、外部配線と電気的に接触させるために、その端が非磁性体層４２ａの縁部まで延長されて側面に露出し、積層の終了後、前記延長された電極パターン４８の端に外部電極端子が形成される。図８は積層が終了された後の形状を示したもので、延長されて側面に露出した電極パターン４８の端４６’が示されている。又、図９は図７の工程により非磁性体カバー層５２が更に形成された例を示したもので、図１０〜図１１は製造されたチップタイプパワーインダクタの内部を示した斜視図及び断面図である。
【００４６】
積層の終了後、コア磁性体を焼成して内部の電極パターン４８、非磁性体層４２ａ，４２ｃ及び磁性体層４２ｂ並びに磁性体カバー層５１を同時に焼成すると、図２に示すコイル状の電極パターン３２に通電することによって発生する磁束の磁路が、磁性体領域３０（周辺磁性体と中央磁性体）及びマイクロギャップの非磁性体層３４を結んで構成される。
【００４７】
焼成の終了後には、ディッピング（Dipping）やローラ（Roller）などによりコア磁性体の側面に外部電極端子が形成される。図１２は外部電極端子５０が形成された最終的な部品形態を示したものである。
【００４８】
以上の製造工程により、本発明の積層型のチップタイプパワーインダクタを経済的に製造することができ、特に、大量の部品を迅速に製造することができる。
【００４９】
尚、本発明のチップタイプパワーインダクタにおいて、非磁性体層は、B2O3-SiO2系ガラス、Al2O3-SiO2系ガラス又はその他のセラミック物質により構成するとよい。また、磁性体層は、Ni系、Ni-Zn系又はNi-Zn-Cu系などのフェライトにより構成するとよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係るチップタイプパワーインダクタの第１実施形態の概略構成を示した断面模式図である。
【図２】本発明に係るチップタイプパワーインダクタの第２実施形態の概略構成を示した断面模式図である。
【図３】第１実施形態及び第２実施形態並びに従来構造のチップタイプパワーインダクタの電気的特性を比較して示したグラフである。
【図４】磁性体層及び非磁性体層の製造工程の説明図である。
【図５】図４に続く製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態の積層工程を示す分解斜視図である。
【図７】第２実施形態の他の積層工程を示す分解斜視図である。
【図８】図６の工程により製造されたチップタイプパワーインダクタを示した模式図である。
【図９】図７の工程により製造されたチップタイプパワーインダクタを示した模式図である。
【図１０】図８のチップタイプパワーインダクタの内部を示した斜視図である。
【図１１】図８のチップタイプパワーインダクタの内部を示した断面図である。
【図１２】外部電極の形成されたチップタイプパワーインダクタを示した斜視図である。
【図１３】従来のチップタイプパワーインダクタの構造を示した断面模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
２０…コア磁性体
２２，３２，４８…電極パターン
２４，３４，４２ｃ…(中間に挿入される)非磁性体層
４０…キャリアフィルム
４２…磁性体膜(又は非磁性体膜)グリーンシート
４２ａ…非磁性体層
４２ｂ…磁性体層
４２’…バッファー層
４４ａ，４４ｂ…カッティングライン
４６…ビアホール
５１…磁性体カバー層（カバー層）
５２…非磁性体カバー層（カバー層）
５０…外部電極端子
【図１】
2004311944.tif 000004
【図２】
2004311944.tif 000005
【図３】
2004311944.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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