(57)【要約】【課題】高密度に形成された薄膜コイルおよびその形成方法、ならびにこのような薄膜コイルを備え、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。【解決手段】上面２４ＡＵが最大幅をなす第１コイル２４Ａと、この第１コイル２４Ａをマスクとして用い、巻線間領域５１を埋め込む絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングすることにより形成された絶縁壁２４Ｚと、この絶縁壁２４Ｚによって第１コイル２４Ａと隔てられた第２コイル２４Ｂとを備えるようにした。このため、第１コイル２４Ａの巻線体と第２コイル２４Ｂとの巻線体との電気的絶縁性を確保しつつ、より狭い空間に形成することが容易に可能となる。【選択図】        図３
2004355742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、この基板の面内方向と直交する軸を中心として前記面内方向に沿って巻回すると共に、前記基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルと、
前記第１のコイルの巻線間領域に設けられた第２のコイルと、
前記第１のコイルと前記第２のコイルとを隔てる絶縁壁とを有することを特徴とする薄膜コイル。
【請求項２】
前記第１のコイルは、前記基板から遠ざかるに従って、しだいに幅が大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜コイル。
【請求項３】
前記絶縁壁は、前記基板から遠ざかるに従って、しだいに薄くなるように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜コイル。
【請求項４】
前記第１のコイルは、めっき成長、スパッタリング法または化学的気相成長法のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜コイル。
【請求項５】
前記絶縁壁は、流動性を示す有機物を硬化させたものであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜コイル。
【請求項６】
前記絶縁壁は、ＳＯＧを用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の薄膜コイル。
【請求項７】
基板上に、この基板の面内方向と直交する軸を中心として前記面内方向に沿って巻回すると共に、前記基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルを形成する工程と、
前記第１のコイルの巻線間領域を埋め込むように絶縁層を形成する工程と、
前記第１のコイルをマスクとして用い、前記第１のコイルの側面が前記絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように、前記絶縁層を選択的にエッチングする工程と、
前記絶縁壁によって前記側面が覆われた前記巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜コイルの形成方法。
【請求項８】
前記第１のコイルを形成する工程は、
前記基板上に、前記基板とは反対側の端面が最も小さい幅をなす螺旋状パターンを含むレジスト層を形成する工程と、
前記螺旋状パターンの巻線間領域を埋め込むように第１のコイルを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項９】
前記基板から遠ざかるに従って、しだいに幅が大きくなるように前記第１のコイルを形成することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項１０】
前記絶縁壁の幅が、前記基板から遠ざかるに従って、しだいに小さくなるように前記絶縁層を選択的にエッチングすることを特徴とする請求項７ないし請求項９のいずれか１項に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項１１】
めっき成長により、前記第１のコイルを形成することを特徴とする請求項７ないし請求項１０のいずれか１項に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項１２】
流動性を示す有機物を用いて前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項１３】
ＳＯＧを用いて前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項１４】
基板上に絶縁層を形成する工程と、
この絶縁層の上に、前記基板の面内方向と直交する軸を中心として前記面内方向に沿って巻回する螺旋状のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用い、前記絶縁層を選択的にエッチングすることにより、前記基板とは反対側の開放端が最も大きな幅をなす螺旋状溝を形成する工程と、
前記螺旋状溝の内部を埋め込むように、前記基板とは反対側の端面が最も大きな幅をなす第１のコイルを形成する工程と、
前記第１のコイルをマスクとして用い、前記第１のコイルの側面が前記絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように前記絶縁層を選択的にエッチングする工程と、
前記絶縁壁によって前記側面が覆われた前記巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜コイルの形成方法。
【請求項１５】
前記基板から遠ざかるに従って、しだいに幅が大きくなるように前記螺旋状溝を形成することを特徴とする請求項１４に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項１６】
めっき成長、スパッタリング法または化学的気相成長法のいずれかにより、前記第１および第２のコイルを形成することを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の薄膜コイルの形成方法。
【請求項１７】
磁気的に連結され、記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する少なくとも２つの磁性層と、この少なくとも２つの磁性層またはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜コイルが、
基板上に形成され、この基板の面内方向と直交する軸を中心として前記面内方向に沿って巻回すると共に、前記基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルと、
前記第１のコイルの巻線間領域に設けられた第２のコイルと、
前記第１のコイルと前記第２のコイルとを隔てる絶縁壁とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項１８】
磁気的に連結され、記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する少なくとも２つの磁性層と、この少なくとも２つの磁性層またはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜コイルの形成工程が、
基板上に、この基板の面内方向と直交する軸を中心として前記面内方向に沿って巻回すると共に、前記基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルを形成する工程と、
前記第１のコイルの巻線間領域を埋め込むように絶縁層を形成する工程と、
前記第１のコイルをマスクとして用い、前記第１のコイルの側面が前記絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように、前記絶縁層を選択的にエッチングする工程と、
前記絶縁壁によって前記側面が覆われた前記巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
磁気的に連結され、記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する少なくとも２つの磁性層と、この少なくとも２つの磁性層またはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜コイルの形成工程が、
基板上に絶縁層を形成する工程と、
この絶縁層の上に、前記基板の面内方向と直交する軸を中心として前記面内方向に沿って巻回する螺旋状のレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして用い、前記絶縁層を選択的にエッチングすることにより、前記基板とは反対側の開放端が最も大きな幅をなす螺旋状溝を形成する工程と、
前記螺旋状溝の内部を埋め込むように、前記基板とは反対側の端面が最も大きな幅をなす第１のコイルを形成する工程と、
前記第１のコイルをマスクとして用い、前記第１のコイルの側面が前記絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように前記絶縁層を選択的にエッチングする工程と、
前記絶縁壁によって前記側面が覆われた前記巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、螺旋状に巻回した薄膜コイルおよびその形成方法ならびにこの薄膜コイルを備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、記録用の誘導型変換素子を有する記録ヘッドと、再生用の磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドとを組み合わせた複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。記録ヘッドには、記録媒体に記録をおこなうための磁束を形成する薄膜コイルが設けられており、この薄膜コイルが、記録ヘッドの性能と密接な関係のある磁路長の決定要因のひとつとなっている。磁路長とは、薄膜磁気ヘッドにおける記録媒体と対向する面（以下、エアベアリング面という。）から、薄膜コイルを挟むように配設されると共に各々に磁極が含まれる２つの磁性層が連結する位置までの長さに相当するものである。一般に、磁路長は短いことが要求される。これは、磁路長を短くすることにより、例えば磁束立ち上がり時間（Ｆｌｕｘ  Ｒｉｓｅ  Ｔｉｍｅ）や非線形トランジションシフト（Ｎｏｎ−ｌｉｎｅａｒ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｓｉｆｔ：ＮＬＴＳ）特性などが改善でき、その結果、記録ヘッドの性能向上を図ることができるあらである。一方で、薄膜コイルは、より低い電気抵抗値を示すことが要求される。
【０００３】
このような薄膜コイルを形成する方法としては、フォトリソグラフィ技術を利用したものが一般的である（例えば、特許文献１参照。）。この方法は、具体的には、以下のような手順によるものである。まず、金属下地膜が形成された基板上にフォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ法により螺旋状のレジストパターンを形成する。次いで、金属下地膜を利用し、螺旋状のレジストパターンの巻線間領域を埋め込むようにめっき処理を施して螺旋状の導電膜を形成する。
さらに、レジストパターンの除去後、イオンミリング等を用いた金属下地膜の除去を行い、露出した導電膜の間をレジストなどの有機絶縁物、または酸化アルミニウムなどの無機絶縁物によって充填することにより、薄膜コイルを完成する。
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１のような方法では、近年の面記録密度の向上には対応することが困難であった。すなわち、記録媒体の面記録密度が向上するのに伴い、記録ヘッドのサイズの微小化が求められ、薄膜コイルについても非常に限られた領域（積層面内方向の幅または積層方向の厚み）のなかに形成することが要求される。この場合、薄膜コイルは、より低い電気抵抗値を示すことも同時に求められるので、薄膜コイルの各巻線体（ターン）の幅（断面積）をある程度確保しつつ、隣り合う巻線体の間隔（すなわち、巻線間領域の幅）を狭める必要がある。上記特許文献１のような方法の場合、レジストパターンの螺旋状部分の幅をより小さくしなければならないが、そうしてしまうとレジストパターンの螺旋状部分における崩れや剥離、あるいは金属下地膜の残留などが発生してしまい、その結果、薄膜コイルにおける巻線間領域の幅を狭めることが困難であった。
そこで、薄膜コイルを２層構造とすることにより、各巻線体の断面積を確保する構造も提案されているが、その場合には積層方向の厚みを増大させてしまうという問題があった。
【０００５】
この問題を解決するものとして、例えば、第１コイルを形成したのち、この第１コイルの表面（上面および側面）と第１コイルの巻線間領域の底面とに絶縁膜を形成し、さらに第１コイルの巻線間領域に第２コイルを形成するようにした方法が開示されている（例えば、特許文献２）。この場合、第１および第２コイルは、互いのいずれか一方の端部が接続されて一本の連続体としての薄膜コイルを構成する。この特許文献２の方法によれば、第１コイルと第２コイルとが絶縁膜を介して比較的高密度に、かつ同一平面上に形成された薄膜コイルが得られる。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−６０３０７号公報
【特許文献２】
特開２００２−３４３６３９号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献２に記載の方法では、第１コイルの側面が絶縁膜によって十分に覆われないことがある。特にスパッタリング法や蒸着法などにより絶縁膜を第１コイルの表面に付着させるようにした場合には、その傾向が強い。例えば、スパッタリング法による場合、スパッタリング真空度や成膜速度、あるいはターゲットと基板との距離などの諸条件を適切に設定する必要があるうえ、第１コイルにおける表面性のばらつきや側面の傾斜角度の不均一性などの不確定要素により、部分的に絶縁膜厚が不十分となることがある。また、絶縁膜を形成した段階において、十分な絶縁膜厚が得られているかどうかを確認することも困難である。このため、第１コイルの巻線体と第２コイルの巻線体との電気的絶縁が不十分となり、電気的な短絡を生じるおそれがあった。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、微小領域内に高密度に形成された薄膜コイルおよびその形成方法、ならびにこのような薄膜コイルを備え、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能な薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄膜コイルは、基板上に形成され、この基板の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回すると共に、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルと、この第１のコイルの巻線間領域に設けられた第２のコイルと、第１のコイルと第２のコイルとを隔てる絶縁壁とを有するようにしたものである。ここで、「絶縁壁」とは、第１のコイルと第２のコイルとを物理的かつ電気的に隔てるものである。
【００１０】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気的に連結され、記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する少なくとも２つの磁性層と、この少なくとも２つの磁性層またはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜コイルが、基板上に形成され、この基板の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回すると共に、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルと、この第１のコイルの巻線間領域に設けられた第２のコイルと、第１のコイルと第２のコイルとを隔てる絶縁壁とを有するようにしたものである。
【００１１】
本発明に係る薄膜コイルまたは薄膜磁気ヘッドでは、第１のコイルが、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなし、第１のコイルの側面がオーバーハングしている。そして、このオーバーハングした領域を埋めるように絶縁壁が設けられ、これによって、第１のコイルと第２のコイルとの間が絶縁される。
【００１２】
本発明に係る薄膜コイルでは、第１のコイルが、基板から遠ざかるに従って、しだいに幅が大きくなるように構成されていてもよく、めっき成長、スパッタリング法または化学的気相成長法のいずれかにより形成されたものであってもよい。絶縁壁が基板から遠ざかるに従ってしだいに薄くなるように構成されていてもよい。絶縁壁は流動性を示す有機物を硬化させたものや、ＳＯＧを用いて形成されたものであってもよい。
【００１３】
本発明に係る第１の観点の薄膜コイルの形成方法は、基板上に、この基板の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回すると共に、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルを形成する工程と、第１のコイルの巻線間領域を埋め込むように絶縁層を形成する工程と、第１のコイルをマスクとして用い、第１のコイルの側面が絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように、絶縁層を選択的にエッチングする工程と、絶縁壁によって側面が覆われた巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１４】
本発明に係る第１の観点の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気的に連結され、記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する少なくとも２つの磁性層と、この少なくとも２つの磁性層またはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、薄膜コイルの形成工程が、基板上に、この基板の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回すると共に、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルを形成する工程と、第１のコイルの巻線間領域を埋め込むように絶縁層を形成する工程と、第１のコイルをマスクとして用い、第１のコイルの側面が絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように、絶縁層を選択的にエッチングする工程と、絶縁壁によって側面が覆われた巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１５】
本発明に係る第１の観点の薄膜コイルの形成方法または薄膜磁気ヘッドの製造方法では、あらかじめ、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルの巻線間領域を埋め込むように絶縁層を形成したのち、第１のコイルをマスクとして絶縁層を選択的にエッチングするようにしたので、第１のコイルの側面を覆う絶縁壁が形成される。
【００１６】
本発明に係る第１の観点の薄膜コイルの形成方法では、第１のコイルを形成する工程が、基板上に、この基板とは反対側の端面が最も小さい幅をなす螺旋状パターンを含むレジスト層を形成する工程と、螺旋状パターンの巻線間領域を埋め込むように第１のコイルを形成する工程とを含むようにしてもよい。ここで、基板から遠ざかるに従って、しだいに幅が大きくなるように第１のコイルを形成するようにしてもよい。また、めっき成長により、第１のコイルを形成するようにしてもよい。さらに、流動性を示す有機物またはＳＯＧを用いて絶縁層を形成するようにしてもよく、その場合、絶縁壁の幅が、基板から遠ざかるに従って、しだいに小さくなるように絶縁層を選択的にエッチングしてもよい。
【００１７】
本発明に係る第２の観点の薄膜コイルの形成方法は、基板上に絶縁層を形成する工程と、この絶縁層の上に、基板の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回する螺旋状のレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクとして用い、絶縁層を選択的にエッチングすることにより、基板とは反対側の開放端が最も大きな幅をなす螺旋状溝を形成する工程と、おの螺旋状溝の内部を埋め込むように、基板とは反対側の端面が最も大きな幅をなす第１のコイルを形成する工程と、この第１のコイルをマスクとして用い、第１のコイルの側面が絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように絶縁層を選択的にエッチングする工程と、絶縁壁によって側面が覆われた巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１８】
本発明に係る第２の観点の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁気的に連結され、記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して対向する少なくとも２つの磁性層と、この少なくとも２つの磁性層またはこれらに連結された他の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、薄膜コイルの形成工程が、基板上に絶縁層を形成する工程と、この絶縁層の上に、基板の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回する螺旋状のレジストパターンを形成する工程と、このレジストパターンをマスクとして用い、絶縁層を選択的にエッチングすることにより、基板とは反対側の開放端が最も大きな幅をなす螺旋状溝を形成する工程と、この螺旋状溝の内部を埋め込むように、基板とは反対側の端面が最も大きな幅をなす第１のコイルを形成する工程と、この第１のコイルをマスクとして用い、第１のコイルの側面が絶縁層の一部からなる絶縁壁によって覆われるように絶縁層を選択的にエッチングする工程と、絶縁壁によって側面が覆われた巻線間領域の内部を埋め込むように第２のコイルを形成する工程とを含むようにしたものである。
【００１９】
本発明に係る第２の観点の薄膜コイルの形成方法または薄膜磁気ヘッドの製造方法では、絶縁層を選択的にエッチングすることにより、基板とは反対側の開放端が最も大きな幅をなす螺旋状溝を形成したのち、この螺旋状溝の内部を埋め込むように、基板とは反対側の端面が最も大きな幅をなす第１のコイルを形成する。さらに第１のコイルをマスクとして絶縁層を選択的にエッチングするようにしたので、第１のコイルの側面を覆う絶縁壁が形成される。
【００２０】
本発明に係る第２の観点の薄膜コイルの形成方法では、基板から遠ざかるに従って、しだいに幅が大きくなるように螺旋状溝を形成するようにしてもよい。また、めっき成長、スパッタリング法または化学的気相成長法のいずれかにより、第１および第２のコイルを形成するようにしてもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
［第１の実施の形態］
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。この薄膜磁気ヘッドは、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜コイルを備えたものであるので、以下、併せて説明する。図１は、磁気記録装置の内部構成を表す斜視図であり、図２は、磁気記録装置の要部であるヘッドスライダの外観を拡大して示した斜視図である。
【００２３】
この磁気記録装置は、図１に示したように、例えば、筐体１の内部に情報が記録されることとなる記録媒体としての複数の磁気ディスク２と、各磁気ディスク２に対応して配設され、先端にヘッドスライダ３が取り付けられた複数のアーム４とを備えている。磁気ディスク２は、筐体１に固定されたスピンドルモータ５を中心として回転可能となっている。アーム４は、動力源としての駆動部６に接続されており、筐体１に固定された固定軸７を中心として、ベアリング８を介して旋回可能となっている。なお、図１では、例えば、固定軸７を中心として複数のアーム４が一体として旋回するモデルを示している。
【００２４】
ヘッドスライダ３は、図２に示したように、アーム４の旋回時における空気抵抗を減少させるために凹凸構造が形成されたほぼ直方体状の基体１１と、この基体１１のうち、磁気ディスク２に対向する記録媒体対向面３０（以下、エアベアリング面３０という。）と直交する一側面（図２における手前側の面）に配設された垂直記録方式の薄膜磁気ヘッド１０とを有している。なお、図２では、エンベアリング面３０側の凹凸構造を視認できるようにするため、図１に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
【００２５】
次に、図３ないし図５を参照して、薄膜磁気ヘッド１０の構成について説明する。図３は薄膜磁気ヘッド１０の断面構成を表しており、（Ａ）はエアベアリング面３０に平行な断面構成を示し、（Ｂ）はエアベアリング面３０に垂直な断面構成を示している。図４は、図３の一部構成を拡大して示した部分拡大断面図である。さらに、図５は図３に示した薄膜磁気ヘッド１０をＶ矢視方向から眺めた平面構成を表す。なお、図３の断面構成は、図５に示したＩＩＩ−ＩＩＩ切断線の矢視方向に対応している。また、図３に示した上向きの矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッド１０に対して磁気ディスク２（図３では示さず）が相対的に進行する方向、すなわち磁気ディスク２の進行方向（媒体進行方向）を示している。
【００２６】
以下の説明では、図３ないし図５におけるＸ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さまたは高さ」と表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面３０に近い側を「前側または前方」、その反対側を「後側または後方」と表記するものとする。ただし、薄膜コイルについては、巻回する中心軸からの半径方向の長さを「幅」と表記する。
【００２７】
この薄膜磁気ヘッド１０は、例えば、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであり、図３に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２  Ｏ３  ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基体１１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３  ）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層１２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１０Ａと、例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁材料により構成された分離層１７と、垂直記録方式の記録処理を実行する単磁極型の記録ヘッド部１０Ｂと、例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層２８とがこの順に積層された構成を有している。
【００２８】
再生ヘッド部１０Ａは、例えば、下部シールド層１３と、シールドギャップ膜１４と、上部シールド層１５とがこの順に積層された構成を有している。シールドギャップ膜１４には、エアベアリング面３０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子１６が埋設されている。
【００２９】
下部シールド層１３および上部シールド層１５は，例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。シールドギャップ膜１４は、ＭＲ素子１６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばＡｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁材料により構成されている。ＭＲ素子１６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ）などを利用して再生処理を実行するものである。
【００３０】
記録ヘッド部１０Ｂは、例えば、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁層１９，２１により周囲を埋設された磁極層２９と、開口（バックギャップ２３ＢＧ）を有するギャップ層２３と、絶縁層２６によって埋設された磁束発生用の薄膜コイル２４と、リターンヨーク層２７とがこの順に積層された構成を有している。したがって、薄膜コイル２４は、２つの磁性層である磁極層２９およびリターンヨーク層２７の間に配設されている。
【００３１】
薄膜コイル２４は、基板としてのギャップ層２３の上に形成され、このギャップ層２３の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回し、ギャップ層２３とは反対側の端面である上面２４ＡＵが最も大きな幅をなす第１コイル２４Ａと、この第１コイル２４Ａの巻線間領域５１に設けられた第２コイル２４Ｂと、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとを隔てる絶縁壁２４Ｚとを備えるものである。第１および第２コイル２４Ａ，２４Ｂは、例えば銅（Ｃｕ）などの高導電性材料を用いて、めっき成長あるいはスパッタリング法によって形成されたものであり、両端部が図示しない電極に接続されて書込動作時に電流が流れることにより磁束が生じるようになっている。
【００３２】
図４に示したように、第１コイル２４Ａは、ギャップ層２３から遠ざかるに従って、しだいにその幅が大きくなるように構成されている。すなわち、側面２４ＡＳは巻線間領域５１側に傾くようにオーバーハングしており、上面２４ＡＵをギャップ層２３の面内方向と直交する方向（Ｚ方向）から投影した場合に陰になる領域（上面２４ＡＵの幅方向のエッジ部分からギャップ層２３へ下ろした垂線と、側面２４ＡＳとによって挟まれた領域）であるオーバーハング領域５１Ａが形成されている。側面２４ＡＳを覆い、オーバーハング領域５１Ａを埋めるように絶縁壁２４Ｚが形成されるので、結果的に、絶縁壁２４Ｚはギャップ層２３から遠ざかるに従って、しだいにその幅が小さくなる（薄くなる）ように構成される。このように、第１コイル２４Ａは両側面２４ＡＳが巻線間領域５１側にオーバーハングした逆台形形状をなし、一方で、第２コイル２４Ｂは例えば矩形形状をなしている。ここで、第１コイル２４Ａの断面積と第２コイル２４Ｂの断面積とは等しいことが望ましい。こうすることで、互いの断面積が異なる場合に比べ、より小さな断面領域に形成しつつ、より低抵抗を実現できるからである。さらに、絶縁壁２４Ｚは、より容易に側面２４ＡＳを覆うことができるようにするため、例えば、流動性を示す有機物を硬化させたものであることが好ましい。あるいは、スピンオングラス（ＳＯＧ）を用いて形成したものでもよい。なお、図４に示したように、第１および第２コイル２４Ａ，２４Ｂならびに絶縁壁２４Ｚの上面（ギャップ層２３とは反対側の面）の高さが同一面内に含まれる（均一な厚みとなる）ように構成することが望ましい。そうすることで、記録ヘッド１０Ｂの厚みをより薄くすることができるからである。但し、必ずしもそのように構成されていなくともよい。
【００３３】
磁極層２９は、薄膜コイル２４において発生した磁束を収容し、その磁束を磁気ディスク２に向けて放出するものであり、例えば、主要な磁束の放出部分として機能する主磁極層２２と、この主磁極層２２の磁気ボリューム（磁束収容量）を確保するための補助的な磁束の収容部分として機能する補助磁極層１８とが積層された２段構成をなしている。主磁極層２２は、エアベアリング面３０からこの面と離れる方向に延在しており、このエアベアリング面３０から記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１をもって延在する先端部２２Ａと、この先端部２２Ａの後方に連結され、先端部２２Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部２２Ｂとを含んで構成されている。先端部２２Ａの幅Ｗ１は、例えば約０．２μｍ以下である。後端部２２Ｂの幅は、例えば、後方において一定幅Ｗ２を有し、かつ前方において先端部２２Ａに近づくにしたがって漸次縮小するようになっている。この主磁極層２２の幅が先端部２４Ａから後端部２４Ｂへ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッド１０の記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイントＦＰ」である。この主磁極層２２は、例えば、２．４Ｔ（テスラ）の飽和磁束密度を有する磁性材料、具体的には鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）系や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）系の磁性材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ〜０．３μｍである。
【００３４】
補助磁極層１８は、例えば、主磁極層２２のリーディング側（媒体流入側）に、エアベアリング面３０から後退した位置からこの位置と離れる方向に延在しており、主磁極層２２と連結されている。この補助磁極層１８は、例えば、主磁極層２２と同様の磁性材料により構成されており、矩形状の平面形状を有している。なお、本発明で言うところの「連結」とは、単に接触しているだけでなく、接触した上で磁気的導通が可能な状態にあることを意味している。「リーディング側（媒体流入側）」の意味については、以下でリターンヨーク層２７の構成を説明する際に詳述する。
【００３５】
ギャップ層２３は、エアベアリング面３０近傍において主磁極層２２とリターンヨーク層２７との間に磁気的なギャップを設けるためのものである。このギャップ層２３は、例えば、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚みは約０．２μｍ以下である。
【００３６】
絶縁層２６は、薄膜コイル２２を周囲から電気的に分離するためのものである。絶縁層２６は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やＳＯＧなどにより構成されており、その表面が丸みを帯びた斜面を有している。この絶縁層２６の最前端の位置は、薄膜磁気ヘッド１０の記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。このスロートハイトゼロ位置ＴＰとエアベアリング面３０との間の距離は「スロートハイトＴＨ（μｍ）」であり、約０．３μｍ以下である。また、絶縁層２６の前方部分の傾斜角度に基づいて決定されるエイペックスアングルθは、約４０°〜６０°である。
【００３７】
リターンヨーク層２７は、主磁極層２２から放出されて磁気ディスク２を磁化した磁束を環流させるためのものである。リターンヨーク層２７は、主磁極層２２のトレーリング側（媒体流出側）に、エアベアリング面３０に近い側においてギャップ層２３を介して主磁極層２２と対向すると共にエアベアリング面３０から遠い側のバックギャップ２３ＢＧにおいて主磁極層２２と連結されるように配設されている。このリターンヨーク層２７は、例えば、エアベアリング面３０からバックギャップ２３ＢＧまで延在する連続構造を有し、かつ矩形状の平面形状を有しており、パーマロイや鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などの磁性材料により構成されている。
【００３８】
上記した「トレーリング側（媒体流出側）」とは、媒体進行方向Ｍ（図３参照）に向かって進行する磁気ディスク２の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流出する側をいい、ここでは厚み方向（Ｚ軸方向）における上側をいう。これに対して、「リーディング側（媒体流入側）」とは、流れの流入する側をいい、ここでは厚み方向における下側をいう。
【００３９】
次に、図３ないし図５を参照して、薄膜磁気ヘッド１０の動作について説明する。
【００４０】
この薄膜磁気ヘッド１０では、情報の記録時において、図示しない外部回路を通じて記録ヘッド部１０Ｂの薄膜コイル２４に電流が流れると、その薄膜コイル２４において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層２９を構成する補助磁極層１８および主磁極層２２に収容されたのち、主に主磁極層２２内を後端部２２Ｂから先端部２２Ａに流れる。この際、主磁極層２２内を流れる磁束は、その主磁極層２２の幅の減少（Ｗ２→Ｗ１）に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束するため、先端部２２Ａのうちのトレーリング側部分に磁束が集中する。この磁束が先端部２２Ａから外部に放出されると、磁気ディスク２の表面と直交する方向に記録磁界が発生し、この記録磁界により磁気ディスク２が垂直方向に磁化されるため、磁気ディスク２に磁気的に情報が記録される。
なお、磁気ディスク２を磁化した磁束は、リターンヨーク層２７に環流される。
【００４１】
一方、再生時においては、再生ヘッド部１０ＡのＭＲ素子１６にセンス電流が流れると、磁気ディスク２からの再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子１６の抵抗値が変化する。そして、この抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、磁気ディスク２に記録されている情報が磁気的に読み出される。
【００４２】
次に、図３〜図５に示した薄膜磁気ヘッドを製造する方法について説明する。
【００４３】
以下では、まず、図３〜図５を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図６〜図１２を参照して、薄膜磁気ヘッド１０の主要部（ここでは、薄膜コイル２４）の形成工程について詳細に説明する。図６〜図１２は薄膜コイル２４の製造工程を説明するためのものである。なお、薄膜磁気ヘッド１０の一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴等については既に詳述したので、その説明を随時省略するものとする。
【００４４】
この薄膜磁気ヘッド１０は、主に、めっき処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ技術などのパターニング技術、ならびにドライエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを利用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、まず、基体１１上に絶縁層１２を形成したのち、この絶縁層１２上に、下部シールド層１３と、ＭＲ素子１６を埋設したシールドギャップ膜１４と、上部シールド層１５とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部１０Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１０Ａ上に分離層１７を形成したのち、この分離層１７上に、絶縁層１９，２１により周囲を埋設された磁極層２９（補助磁極層１８，主磁極層２２）と、バックギャップ２３ＢＧを有するギャップ層２３と、薄膜コイル２４を埋設した絶縁層２６と、リターンヨーク層２７とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部１０Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１０Ｂ上にオーバーコート層２８を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面３０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００４５】
記録ヘッド部１０Ｂを形成する際には、分離層１７を形成したのち、まず、分離層１７上に、例えばめっき処理を使用して、後工程においてエアベアリング面３０となる位置（図３参照）から後退するように補助磁極層１８を選択的に形成する。続いて、例えばスパッタリングを使用して、補助磁極層１８およびその周辺の分離層１７を覆うように、Ａｌ２Ｏ３よりなる前駆絶縁層を形成し、例えばＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ）法を使用して、少なくとも補助磁極層１８が露出するまで前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより、補助磁極層１８の周囲を埋め込むように絶縁層１９を形成する。続いて、補助磁極層１８と絶縁層１９とにより構成された平坦面上に、例えばめっき処理やスパッタリングを使用して、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）系または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）系の磁性材料よりなる磁性層（図示せず）を形成したのち、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術を使用してこの磁性層をパターニングすることにより、主磁極層２２を選択的に形成する。この主磁極層２２を形成する際には、前方から順に先端部２２Ａと後端部２２Ｂとを含むようにし、特に、最終的にネックハイトＮＨが約０．３μｍ以下となるように形成位置を調整する。これにより、補助磁極層１８と主磁極層２２との２段構成を有する磁極層２９が形成される。
【００４６】
続いて、例えばスパッタリングを使用して、主磁極層２２およびその周辺の絶縁層１９を覆うように、Ａｌ２Ｏ３よりなる前駆絶縁層を形成し、例えばＣＭＰ法を使用して、少なくとも主磁極層２２が露出するまで前駆絶縁層を研磨して平坦化することにより、主磁極層２２の周囲を埋め込むように絶縁層２１を形成する。続いて、主磁極層２２と絶縁層２１とにより構成された平坦面上に、例えばスパッタリングを使用して、約０．２μｍ以下の厚みとなるようにギャップ層２３を形成する。このギャップ層２３を形成する際には、バックギャップ２３ＢＧを覆わないようにする。
【００４７】
次に、薄膜コイル２４を形成する。この薄膜コイル２４の形成工程については後に詳述する。薄膜コイル２４を形成したのち、薄膜コイル２４およびその周辺のギャップ層２３を覆うように、フォトレジスト膜（図示せず）を選択的に形成する。続いて、このフォトレジスト膜を焼成することにより、絶縁層２６を形成する。この焼成によりフォトレジスト膜が流動するため、丸みを帯びた斜面を有するように絶縁層２６が形成される。この絶縁層２６を形成する際には、最終的にスロートハイトＴＨが約０．３μｍ以下となるように形成位置を調整する。最後に、例えばめっき処理やスパッタリングを使用して、絶縁層２６およびその周辺を覆うように、パーマロイや鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）よりなるリターンヨーク層２７を選択的に形成する。このリターンヨーク層２７を形成する際には、前方においてギャップ層２３を介して磁極層２９と対向すると共に後方においてバックギャップ２３ＢＧを通じて磁極層２９と連結されるようにする。以上により、記録ヘッド部１０Ｂの形成が完了する。
【００４８】
次に、薄膜コイル２４の形成工程について説明する。この工程は、基板としてのギャップ層２３上に、このギャップ層２３の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に沿って巻回すると共に、ギャップ層２３とは反対側の端面である上面２４ＡＵが最も大きい幅をなす螺旋状の第１コイル２４Ａを形成する工程と、第１コイル２４Ａの巻線間領域５１を埋め込むように絶縁層２４ＺＬを形成する工程と、第１コイル２４Ａをマスクとして用い、第１コイル２４Ａの側面２４ＡＳが前記絶縁層の一部からなる絶縁壁２４Ｚによって覆われるように、絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングする工程と、絶縁壁２４Ｚによって側面２４ＡＳが覆われた巻線間領域５１の内部を埋め込むように第２コイル２４Ｂを形成する工程とを含んでいる。以下、図６ないし図１２を参照して、詳細に説明する。各図（Ａ）は平面図を表し、各図（Ｂ）はそれぞれの平面図に対応する部分拡大断面図である。例えば、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示したＶＩ（Ｂ）−ＶＩ（Ｂ）切断線における矢視方向の断面図である。なお、簡略化のため、薄膜コイル２４の形成に直接関わらない構成要素については主磁極層２２およびギャップ層２３を除き、図示しないこととする。
【００４９】
まず、図６に示したように、めっき下地層（図示せず）で覆われたギャップ層２３上に、フォトリソグラフィ法などにより螺旋状パターン４１を有するレジスト層４１Ｌを選択的に形成する。この際、螺旋状パターン４１の断面形状は、ギャップ層２３とは反対側の端面である上面４１Ｕが面内方向に最も小さい幅をなすようにする（図６（Ｂ）参照）。特に、ギャップ層２３から遠ざかるに従って、面内方向の幅がしだいに小さくなるようにすることが望ましい。レジスト層４１Ｌの形成されていない領域を螺旋状パターン４１の螺旋状溝４２とする。次いで、図７に示したように、例えば、めっき下地層を利用し、銅などを用いてめっき処理を施し、螺旋状溝４２を埋め込むように第１コイルパターン２４ＰＡを形成する。
【００５０】
さらに、図８に示したように、レジスト層４１Ｌを除去したのち、これにより露出しためっき下地層（図示せず）をイオンミリング等によって除去することにより、上面２４ＡＵが最も大きな幅をなす第１コイル２４Ａと、この第１コイル２４Ａにおける巻線体の隙間領域である巻線間領域５１とが形成される。先の工程において、螺旋状パターン４１の面内方向の幅がギャップ層２３から遠ざかるに従ってしだいに小さくなるようにレジスト層４１Ｌを形成した場合には、第１コイル２４における厚み方向の断面が逆台形形状となり、オーバーハング領域５１Ａが形成される（図８（Ｂ）参照）。こののち、図９に示したように、巻線間領域５１を埋め込むように絶縁層２４ＺＬを形成する。この際、第１コイル２４Ａの厚み（巻線間領域５１の深さ）以上の厚みとなるように絶縁層２４ＺＬを形成することが好ましい。こうすることにより、第１コイル２４Ａの側面２４ＡＳを完全に絶縁層２４ＺＬによって覆うことができるからである。より具体的には、例えば、加熱することにより流動性を示すレジストなどを全面に亘って塗布し、ベーキング処理を施して収縮させることにより各側面２４ＡＳが十分にレジストに覆われるようにする。あるいは、スピンオングラス（ＳＯＧ）を用いて絶縁層ＺＬを形成するようにしてもよい。
【００５１】
第１コイル２４Ａを形成したのち、図１０に示したように、第１コイル２４Ａをマスクとして用い、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等により、絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングする。こうすることにより、絶縁層２４ＺＬの一部が上面２４ＡＵの陰となるオーバーハング領域５１Ａに残留するので、側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚが形成されると共に、ギャップ層２３が露出し、内部領域５２が形成される。図１０では、ギャップ層２３の面内に直交する方向にエッチングするようにしたが、エッチング角度はこれに限定されず、所望の角度を選択することができる。
【００５２】
絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングしたのち、図１１に示したように、内部領域５２を残すように、選択的にレジストパターン４３を形成する。こののち、図１２に示したように、レジストパターン４３によって保護されていない内部領域５２の内部を埋め込むように第２コイル２４Ｂを形成する。この場合、特に、第２コイル２４Ｂの厚みが第１コイル２４Ａの厚みよりも薄くなるように形成することにより、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとの互いの側面における絶縁性をより確実に確保することができる。最後に、図１３に示したように、ＣＭＰ法などを用いて、少なくとも第１コイル２４Ａが露出するまで全面に亘って研磨し、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとを絶縁壁２４Ｚによって分離する。ここでは、さらにＣＭＰ法などにより平坦化をおこない、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとの厚みを一定化する。このように平坦化することにより、その上に他の層を形成する際に容易かつ高精度に行うことが可能となる。こののち、第１コイル２４Ａの一端部Ｐ１Ｅと第２コイル２４Ｂの一端部Ｐ２Ｓとを連結することにより、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとが一体となった連続体としての薄膜コイル２４が完成する。なお、薄膜コイル２４の両端部Ｐ１Ｓ，Ｐ２Ｅは、図示しない駆動回路に接続される。
【００５３】
以上のように、本実施の形態によれば、ギャップ層２３とは反対側の端面である上面２４ＡＵが最も大きい幅をなす螺旋状の第１コイル２４Ａを形成し、その巻線間領域５１を埋め込むように、あらかじめ絶縁層２４ＺＬを形成したのち、第１コイル２４Ａをマスクとして絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングするようにしたので、第１コイルの周囲にスパッタリング等で絶縁膜を付着させる従来の方法に比べ、第１コイルにおける表面性のばらつきや側面の傾斜角度の不均一性などの不確定要素の影響を受けることが少なく、第１コイル２４Ａの側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚを容易に形成することができる。このため、第１コイル２４Ａの巻線体と第２コイル２４Ｂとの巻線体との電気的絶縁性を確保しつつ、より狭い空間に形成することが可能となる。特に、流動性を示すレジストやＳＯＧを用いて絶縁壁を形成するようにしたので、より容易に第１コイル２４Ａの巻線体と第２コイル２４Ｂの巻線体との電気的絶縁を図ることができる。よって、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能となる。
【００５４】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る薄膜コイルおよび薄膜磁気ヘッドは、図１ないし図５に示した上記第１の実施の形態の薄膜コイルおよび薄膜磁気ヘッドと同様の構造をなし、その形成方法（製造方法）のみ異なるものである。従って、以下では、本実施の形態に係る薄膜コイルの形成方法についてのみ説明することとする。
【００５５】
本実施の形態の薄膜コイルは、上記第１の実施の形態とは異なり、いわゆるダマシン法を用いて形成される。以下、図１４〜図２１を参照して、その形成方法について詳細に説明する。
【００５６】
まず、図１４に示したように、基板としてのギャップ層２３の上に、全面に亘ってＡｌ２Ｏ３などからなる絶縁層２４ＺＬを形成する。次に、ギャップ層２３の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に巻回する螺旋状のレジストパターン４４を選択的に形成する。続いて、このレジストパターンをマスクとして用い、絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングする。これにより、図１５に示したように、ギャップ層２３とは反対側の開放端５３Ｋが最も大きな幅をなす螺旋状溝５３が形成される。この場合、特に、ギャップ層２３から遠ざかるに従って、螺旋状溝５３における面内方向の幅がしだいに大きくなるようにすることが望ましい（図１５（Ｂ）参照）。すなわち、底部５３Ｂの幅を最小幅とし、開放端５３Ｋに向かうに従ってしだいに幅を拡げ、開放端５３Ｋにおいて最大幅となるようにすることが望ましい。一方、絶縁層２４ＺＬがエッチングされずに残った領域が巻線間領域５１となる。
【００５７】
螺旋状溝５３を形成したのち、図１６に示したように、レジストパターン４４を除去し、さらに、例えばスパッタリングを利用して、少なくとも螺旋状溝５３の内部を埋め込むように全面に亘って導電膜１２４Ａを形成する。ここでは、化学的気相成長法など他の真空成膜法やめっき成長を利用して導電膜１２４Ａを形成するようにしてもよい。続いて、図１７に示したように、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化処理を施すことにより、絶縁層ＺＬに埋設された第１コイル２４Ａの上面２４ＡＵを含む平坦面を形成する。ここで、第１コイル２４Ａは、ギャップ層２３とは反対側の上面２４ＡＵが最大幅をなしている。ここで、ギャップ層２３から遠ざかるに従って、螺旋状溝５３における面内方向の幅がしだいに大きくなるようにすると、第１コイル２４Ａにおける厚み方向の断面が逆台形形状となる。
【００５８】
第１コイル２４Ａを形成したのち、図１８に示したように、第１コイル２４Ａをマスクとして用い、ＲＩＥ等により、絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングする。こうすることにより、絶縁層２４ＺＬの一部が上面２４ＡＵの陰となるオーバーハング領域５１Ａに残留するので、側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚが形成されると共に、ギャップ層２３が露出し、内部領域５２が形成される。図１８では、ギャップ層２３の面内に直交する方向にエッチングするようにしたが、エッチング角度はこれに限定されず、所望の角度を選択することができる。
【００５９】
絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングしたのち、少なくとも内部領域５２を残すように、選択的にレジストパターン（図示せず）を形成する。次いで、図１９に示したように、側面２４ＡＳが絶縁壁２４Ｚで覆われた巻線間領域５１の内部、すなわち、内部領域５２を少なくとも埋め込むように、全面に亘って導電膜１２４Ｂを形成する。最後に、図２０に示したように、ＣＭＰ法などを用いて、少なくとも第１コイル２４Ａが露出するまで全面に亘って研磨および平坦化を行うことにより、絶縁壁２４Ｚによって分離されると共に一定の厚みを有する第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとを形成する。こののち、第１コイル２４Ａの一端部Ｐ１Ｅと第２コイル２４Ｂの一端部Ｐ２Ｓとを連結することにより、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとが一体となった連続体としての薄膜コイル２４が完成する。なお、薄膜コイル２４の両端部Ｐ１Ｓ，Ｐ２Ｅは、図示しない駆動回路に接続される。
【００６０】
以上、本実施の形態によれば、ダマシン法を用いて、あらかじめ、絶縁層２４ＺＬにギャップ層２３とは反対側の開放端５３Ｋが最大幅をなす螺旋状溝５３を形成したのち、この螺旋状溝５３の内部を埋め込むように、上面２４ＡＵが最大幅をなす第１コイル２４Ａを形成し、さらに第１コイル２４Ａをマスクとして絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングするようにしたので、第１コイルの周囲にスパッタリング等で絶縁膜を付着させる従来の方法に比べて、第１コイルにおける表面性のばらつきや側面の傾斜角度の不均一性などの不確定要素の影響を受けにくく、第１コイル２４Ａの側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚを容易かつ確実に形成することができる。このため、第１コイル２４Ａの巻線体と第２コイル２４Ｂとの巻線体との電気的絶縁性を十分に確保しつつ、より狭い空間に形成することが可能となる。よって、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能となる。
【００６１】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る薄膜コイルおよび薄膜磁気ヘッドは、図１ないし図５に示した上記第１の実施の形態の薄膜コイルおよび薄膜磁気ヘッドと同様の構造をなし、その形成方法（製造方法）のみ異なるものである。従って、以下では、本実施の形態に係る薄膜コイルの形成方法についてのみ説明することとする。
【００６２】
本実施の形態の薄膜コイルは、上記第１の実施の形態において説明した、主に、フォトリソグラフィを用いた方法により第１のコイルが形成されると共に、上記第２の実施の形態において説明したダマシン法により第２のコイルが形成される。以下、図６〜図１０，図１９および図２０を参照して、本実施の形態における薄膜コイルの形成方法について順に説明する。
【００６３】
まず、図６に示したように、めっき下地層（図示せず）で覆われたギャップ層２３上に、フォトリソグラフィ法などにより螺旋状パターン４１を有するレジスト層４１Ｌを選択的に形成する。この際、螺旋状パターン４１の形状は、ギャップ層２３とは反対側の端面である上面４１Ｕが面内方向に最も小さい幅をなすようにする。特に、ギャップ層２３から遠ざかるに従って、面内方向の幅がしだいに小さくなるようにすることが望ましい。レジスト層４１Ｌの形成されていない領域を螺旋状パターン４１の螺旋状溝４２とする。次いで、図７に示したように、例えば、めっき下地層を利用し、銅などを用いてめっき処理を施し、螺旋状溝４２を埋め込むように第１コイルパターン２４ＰＡを形成する。
【００６４】
さらに、図８に示したように、レジスト層４１Ｌを除去したのち、これにより露出しためっき下地層（図示せず）をイオンミリング等によって除去することにより、上面２４ＡＵが最も大きな幅をなす第１コイル２４Ａと、この第１コイル２４Ａにおける巻線体の隙間領域である巻線間領域５１とが形成される。先の工程において、螺旋状パターン４１の面内方向の幅がギャップ層２３から遠ざかるに従ってしだいに小さくなるようにレジスト層４１Ｌを形成した場合には、第１コイル２４における厚み方向の断面が逆台形形状となり、オーバーハング領域５１Ａが形成される。こののち、図９に示したように、巻線間領域５１を埋め込むように絶縁層２４ＺＬを形成する。この際、第１コイル２４Ａの厚み（巻線間領域５１の深さ）以上の厚みとなるように絶縁層２４ＺＬを形成することが好ましい。こうすることにより、第１コイル２４Ａの側面２４ＡＳを完全に絶縁層２４ＺＬによって覆うことができるからである。より具体的には、例えば、加熱することにより流動性を示すレジストなどを全面に亘って塗布し、ベーキング処理を施して収縮させることにより各側面２４ＡＳが十分にレジストに覆われるようにする。あるいは、スピンオングラス（ＳＯＧ）を用いて絶縁層ＺＬを形成するようにしてもよい。
【００６５】
第１コイル２４Ａを形成したのち、図１０に示したように、第１コイル２４Ａをマスクとして用い、ＲＩＥ等により、絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングする。こうすることにより、絶縁層２４ＺＬの一部が上面２４ＡＵの陰となるオーバーハング領域５１Ａに残留するので、側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚが形成されると共に、ギャップ層２３が露出し、内部領域５２が形成される。図１０では、ギャップ層２３の面内に直交する方向にエッチングするようにしたが、エッチング角度はこれに限定されず、所望の角度を選択することができる。
【００６６】
絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングしたのち、少なくとも内部領域５２を残すように、選択的にレジストパターン（図示せず）を形成する。次いで、図１９に示したように、側面２４ＡＳが絶縁壁２４Ｚで覆われた巻線間領域５１の内部、すなわち、内部領域５２を少なくとも埋め込むように、全面に亘って導電膜１２４Ｂを形成する。最後に、図２０に示したように、ＣＭＰ法などを用いて、少なくとも第１コイル２４Ａが露出するまで全面に亘って研磨および平坦化を行うことにより、絶縁壁２４Ｚによって分離されると共に一定の厚みを有する第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとを形成する。こののち、第１コイル２４Ａの一端部Ｐ１Ｅと第２コイル２４Ｂの一端部Ｐ２Ｓとを連結することにより、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとが一体となった連続体としての薄膜コイル２４が完成する。なお、薄膜コイル２４の両端部Ｐ１Ｓ，Ｐ２Ｅは、図示しない駆動回路に接続される。
【００６７】
以上、本実施の形態によれば、ギャップ層２３とは反対側の端面である上面２４ＡＵが最も大きい幅をなす螺旋状の第１コイル２４Ａを形成し、その巻線間領域５１を埋め込むように、あらかじめ絶縁層２４ＺＬを形成したのち、第１コイル２４Ａをマスクとして絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングするようにしたので、第１コイルの周囲にスパッタリング等で絶縁膜を付着させる従来の方法に比べ、第１コイルにおける表面性のばらつきや側面の傾斜角度の不均一性などの不確定要素の影響を受けることが少なく、第１コイル２４Ａの側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚを容易に形成することができる。このため、第１コイル２４Ａの巻線体と第２コイル２４Ｂとの巻線体との電気的絶縁性を確保しつつ、より狭い空間に形成することが可能となる。特に、流動性を示すレジストやＳＯＧを用いて絶縁壁を形成するようにしたので、より容易に第１コイル２４Ａの巻線体と第２コイル２４Ｂの巻線体との電気的絶縁を図ることができる。よって、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能となる。
【００６８】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る薄膜コイルおよび薄膜磁気ヘッドは、図１ないし図５に示した上記第１の実施の形態の薄膜コイルおよび薄膜磁気ヘッドと同様の構造をなし、その形成方法（製造方法）のみ異なるものである。従って、以下では、本実施の形態に係る薄膜コイルの形成方法についてのみ説明することとする。
【００６９】
本実施の形態の薄膜コイルは、上記第２の実施の形態において説明したダマシン法により第１のコイルが形成されると共に、上記第１の実施の形態において説明した、主に、フォトリソグラフィを用いた方法により第２のコイルが形成される。以下、図１４〜図１８および図１１〜図１３を参照して、本実施の形態における薄膜コイルの形成方法について順に説明する。
【００７０】
まず、図１４に示したように、基板としてのギャップ層２３の上に、全面に亘ってＡｌ２Ｏ３などからなる絶縁層２４ＺＬを形成する。次に、ギャップ層２３の面内方向と直交する軸を中心として面内方向に巻回する螺旋状のレジストパターン４４を選択的に形成する。続いて、このレジストパターンをマスクとして用い、絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングする。これにより、図１５に示したように、ギャップ層２３とは反対側の開放端５３Ｋが最も大きな幅をなす螺旋状溝５３が形成される。この場合、特に、ギャップ層２３から遠ざかるに従って、螺旋状溝５３における面内方向の幅がしだいに大きくなるようにすることが望ましい。すなわち、底部５３Ｂの幅を最小幅とし、開放端５３Ｋに向かうに従ってしだいに幅を拡げ、開放端５３Ｋにおいて最大幅となるようにすることが望ましい。
一方、絶縁層２４ＺＬがエッチングされずに残った領域が巻線間領域５１となる。
【００７１】
螺旋状溝５３を形成したのち、図１６に示したように、レジストパターン４４を除去し、さらに、例えばスパッタリングを利用して、少なくとも螺旋状溝５３の内部を埋め込むように全面に亘って導電膜１２４Ａを形成する。ここでは、化学的気相成長法など他の真空成膜法やめっき成長を利用して導電膜１２４Ａを形成するようにしてもよい。続いて、図１７に示したように、例えばＣＭＰ法を用いて平坦化処理を施すことにより、絶縁層ＺＬに埋設された第１コイル２４Ａの上面２４ＡＵを含む平坦面を形成する。ここで、第１コイル２４Ａは、ギャップ層２３とは反対側の上面２４ＡＵが最大幅をなしている。ここで、ギャップ層２３から遠ざかるに従って、螺旋状溝５３における面内方向の幅がしだいに大きくなるようにすると、第１コイル２４Ａにおける厚み方向の断面が逆台形形状となる。
【００７２】
第１コイル２４Ａを形成したのち、図１８に示したように、第１コイル２４Ａをマスクとして用い、ＲＩＥ等により、絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングする。こうすることにより、絶縁層２４ＺＬの一部が上面２４ＡＵの陰となるオーバーハング領域５１Ａに残留するので、側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚが形成されると共に、ギャップ層２３が露出し、内部領域５２が形成される。図１８では、ギャップ層２３の面内に直交する方向にエッチングするようにしたが、エッチング角度はこれに限定されず、所望の角度を選択することができる。
【００７３】
絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングしたのち、図１１に示したように、内部領域５２を残すように、選択的にレジストパターン４３を形成する。こののち、図１２に示したように、レジストパターン４３によって保護されていない内部領域５２の内部を埋め込むように第２コイル２４Ｂを形成する。この場合、特に、第２コイル２４Ｂの厚みが第１コイル２４Ａの厚みよりも薄くなるように形成することにより、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとの互いの側面における絶縁性をより確実に確保することができる。最後に、図１３に示したように、ＣＭＰ法などを用いて、少なくとも第１コイル２４Ａが露出するまで全面に亘って研磨し、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとを絶縁壁２４Ｚによって分離する。ここでは、さらにＣＭＰ法などにより平坦化をおこない、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとの厚みが一定となるようにする。このように平坦化することにより、その上に他の層を形成する際に容易かつ高精度に行うことが可能となる。こののち、第１コイル２４Ａの一端部Ｐ１Ｅと第２コイル２４Ｂの一端部Ｐ２Ｓとを連結することにより、第１コイル２４Ａと第２コイル２４Ｂとが一体となった連続体としての薄膜コイル２４が完成する。なお、薄膜コイル２４の両端部Ｐ１Ｓ，Ｐ２Ｅは、図示しない駆動回路に接続される。
【００７４】
以上、本実施の形態によれば、ダマシン法を用いて、あらかじめ、絶縁層２４ＺＬにギャップ層２３とは反対側の開放端５３Ｋが最大幅をなす螺旋状溝５３を形成したのち、この螺旋状溝５３の内部を埋め込むように、上面２４ＡＵが最大幅をなす第１コイル２４Ａを形成し、さらに第１コイル２４Ａをマスクとして絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングするようにしたので、第１コイルの周囲にスパッタリング等で絶縁膜を付着させる従来の方法に比べて、第１コイルにおける表面性のばらつきや側面の傾斜角度の不均一性などの不確定要素の影響を受けにくく、第１コイル２４Ａの側面２４ＡＳを覆う絶縁壁２４Ｚを容易に形成することができる。このため、第１コイル２４Ａの巻線体と第２コイル２４Ｂとの巻線体との電気的絶縁性を確保しつつ、より狭い空間に形成することが可能となる。
よって、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能となる。
【００７５】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。さらに、本発明の薄膜コイルは、薄膜磁気ヘッドに適用する場合に限らず、薄膜インダクタ等の他の電子デバイスに適用することも可能である。
【００７６】
また、上記実施の形態では、図４に示したように、第１および第２のコイルと絶縁壁との上面（基板とは反対側の面）の高さが同一面内に含まれる（均一な厚みとなる）ようにしたが、図２１（Ａ）に示したように、第１コイル２４Ａの上面２４ＡＵと第２コイル２４Ｂの上面２４ＢＵとの高さ位置が異なるようにしてもよい。この場合には、ＣＭＰ法などによる研磨および平坦化を行う工程を省略することができる。さらに、上記実施の形態では、第１のコイルが、基板から遠ざかるに従って、しだいにその幅が大きくなるような逆台形形状をなすようにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図２１（Ｂ）に示したように、基板表面に垂直な側面をなすＴ型形状であってもよい。なお、図２１（Ａ），（Ｂ）では、絶縁層２６など、薄膜磁気ヘッドを構成する他の部分については図示を省略している。
【００７７】
また、上記実施の形態では、第１および第２のコイルをめっき成長により形成するようにしたが、これに限定されず、スパッタリング法または化学的気相成長法などの真空成膜法により形成するようにしてもよい。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の薄膜コイルまたは薄膜磁気ヘッドによれば、第１のコイルが、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなし、第１のコイルの側面がオーバーハングしており、このオーバーハングした領域を埋めるように絶縁壁を設けるようにした。これにより第１のコイルの側面を絶縁壁によって覆うことでき、第１のコイルの巻線体と第２コイルの巻線体との電気的絶縁を確保しつつ、より高密度に構成することができる。この薄膜コイルを薄膜磁気ヘッドに適用した場合には、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能となる。
【００７９】
また、本発明の第１の観点における薄膜コイルの形成方法または薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、あらかじめ、基板とは反対側の端面が最も大きい幅をなす螺旋状の第１のコイルの巻線体間領域である螺旋状溝を埋め込むように絶縁層を形成したのち、第１のコイルをマスクとして絶縁層を選択的にエッチングするようにしたので、絶縁壁によって第１のコイルの側面を覆うことができる。このため、第１のコイルの巻線体と第２コイルの巻線体との電気的絶縁を確保しつつ、より高密度に形成可能となる。従って、この薄膜コイルの形成方法を薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用した場合には、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能となる。特に、流動性を示す有機物を用いて絶縁壁を形成するようにした場合、またはＳＯＧを用いて絶縁壁を形成するようにした場合には、より容易に第１のコイルの巻線体と第２コイルの巻線体との電気的絶縁を図ることができる。
【００８０】
また、本発明の第２の観点における薄膜コイルの形成方法または薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、あらかじめ、基板とは反対側の開放端が最も大きな幅をなす螺旋状絶縁溝を形成したのち、この螺旋状絶縁溝の内部を埋め込むように、基板とは反対側の端面が最も大きな幅をなす第１のコイルを形成し、さらに第１のコイルをマスクとして絶縁層を選択的にエッチングするようにしたので、絶縁壁によって第１のコイルの側面を覆うことができる。このため、第１のコイルの巻線体と第２コイルの巻線体との電気的絶縁を確保しつつ、より高密度に形成可能となる。従って、第１の観点の場合と同様に、この薄膜コイルの形成方法を薄膜磁気ヘッドの製造方法に適用した場合には、さらなる高記録密度化に対応しつつ、安定した記録特性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録装置の内部構成を表す斜視図である。
【図２】図１に示した磁気記録装置におけるヘッドスライダの外観構成を表す斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した薄膜磁気ヘッドの断面構成の一部を拡大して示した部分拡大断面図である。
【図５】図３に示した薄膜磁気ヘッドの平面構成を表す平面図である。
【図６】図３〜図５に示した薄膜磁気ヘッドを製造する工程における一工程を説明するための平面図および断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１４】図３〜図５に示した薄膜磁気ヘッドを製造する工程における他の一工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための平面図および断面図である。
【図２１】本発明の変形例としての薄膜磁気ヘッドにおける断面構成の一部を拡大して示した部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１…筐体、２…磁気ディスク、３…ヘッドスライダ、１０…薄膜磁気ヘッド、１０Ａ…再生ヘッド部、１０Ｂ…記録ヘッド部、１１…基体、１２，１９，２１，２３，２５…絶縁層、１３…下部シールド層、１４…シールドギャップ膜、１５…上部シールド層、１６…ＭＲ素子、１７…分離層、１８…補助磁極層、２２…主磁極層、２２Ａ…先端部、２２Ｂ…後端部、２３…ギャップ層、２４…薄膜コイル、２４Ａ…第１コイル、２４Ｂ…第２コイル、２４ＡＵ，２４ＢＵ…上面、２４ＡＳ…側面、２４Ｚ…絶縁壁、２６…絶縁層、２７…リターンヨーク層、２８…オーバーコート層、２９…磁極層、３０…エアベアリング面、４２，５３…螺旋状溝、５１…巻線間領域、５２…内部領域、ＦＰ…フレアポイント、ＮＨ…ネックハイト、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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