(57)【要約】【課題】フォルステライト形成に優れた酸化マグネシウム焼鈍分離剤及び方向性電磁鋼板を提供すること。【解決手段】ホウ素を含有する焼鈍分離剤用酸化マグネシウムであって、該酸化マグネシウム中に含有されるホウ素中の三配位ホウ素の比率が、５５〜７０％であることを特徴とする焼鈍分離剤用酸化マグネシウム。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素を含有する焼鈍分離剤用酸化マグネシウムであって、該酸化マグネシウム中に含有されるホウ素中の三配位ホウ素の比率が、５５〜７０％であることを特徴とする焼鈍分離剤用酸化マグネシウム。
【請求項２】
該酸化マグネシウムに含有されるホウ素量が、０．０４〜０．１５質量％である、請求項１記載の酸化マグネシウム。
【請求項３】
水酸化マグネシウムを１０７３〜１４７３Ｋ、６００〜７２００秒の範囲の異なる焼成条件で焼成したホウ素を含有する２種以上の酸化マグネシウムを準備し、該２種以上の酸化マグネシウムの各々の三配位ホウ素の比率を測定し、次いで三配位ホウ素の比率が５５〜７０％を満たすように該２種以上の酸化マグネシウムを混合して得た焼鈍分離剤用酸化マグネシウム。
【請求項４】
該酸化マグネシウムに含有されるホウ素量が、０．０４〜０．１５質量％である、請求項３記載の酸化マグネシウム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の焼鈍分離剤用酸化マグネシウムを用いて形成した方向性電磁鋼板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォルステライト被膜形成能に優れた焼鈍分離剤用酸化マグネシウムに関し、特に酸化マグネシウム中に含有されるホウ素の形態とその量を制御した酸化マグネシウムに関する。
【０００２】
【特許文献１】
特許第２６５０８１７号明細書
【特許文献２】
特開平１１−２６９５５５号公報
【特許文献３】
特許第２６６５４５１号明細書
【特許文献４】
特許第１７４０９６２号明細書
【特許文献５】
特許第２６９０８４１号明細書
【特許文献６】
特許第３０４３９７５号明細書
【特許文献７】
特開平１０−８８２４４号公報
【０００３】
【従来の技術】
変圧器や発電機に使用される方向性電磁鋼板は、一般に、約３％のケイ素を含有するケイ素鋼を熱間圧延し、次いで最終板厚に冷間圧延し、その後脱炭焼鈍（一次再結晶焼鈍）、仕上げ焼鈍を経て製造している。このとき、電磁鋼板に絶縁性を付与する目的で、脱炭焼鈍後、鋼板表面に酸化マグネシウムを含むスラリー（焼鈍分離剤）を塗布し、乾燥させ、コイル状に巻取り、次いで最終の仕上げ焼鈍を行っている。脱炭焼鈍では、鋼板中のケイ素と酸素が反応して、鋼板表面に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）被膜を形成する。次いで、仕上げ焼鈍では、このＳｉＯ２被膜とスラリー中の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）とが反応して、絶縁性に優れたフォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）被膜を鋼板表面に形成する（２ＭｇＯ＋ＳｉＯ２→Ｍｇ２ＳｉＯ４）。このフォルステライト被膜を、通常グラス被膜ともいう。このフォルステライト被膜形成においては、酸化マグネシウムの性状、特性が影響すると考えられている。フォルステライト被膜は、鋼板に絶縁性を付与することに加えて、鋼板との熱膨張率の差異により鋼板表面に張力を付与することにより、方向性電磁鋼板の鉄損を低減し磁気特性を向上させると考えられている。
【０００４】
したがって、方向性電磁鋼板の製造においては、フォルステライト被膜は極めて重要な役割を果たしており、この被膜を形成する酸化マグネシウムの特性が、方向性電磁鋼板の磁気特性に、直接影響を及ぼすと考えられている。
【０００５】
焼鈍分離剤としての酸化マグネシウムの特性を判断する一つの評価値として、酸化マグネシウム粒子とクエン酸との反応活性度（Ｃｉｔｒｉｃ  Ａｃｉｄ  Ａｃｔｉｖｉｔｙ、以下、ＣＡＡと略す）が着目されており、ＣＡＡ分布を制御することで、焼鈍分離剤性能を向上させる研究がされている。
【０００６】
例えば、ＣＡＡ分布の広いアルカリ土類金属を得るために、焼成条件を変化させてＣＡＡの平均値が異なる焼成品を得たのち、これらを配合する製造方法、又は焼成温度を段階的に上昇させてＣＡＡの平均値が異なる焼成品を得る製造方法がある（特許文献１〜３参照）。しかし、いずれもフォルステライトの生成量及び被膜の均一度は低く、焼鈍分離剤としての性能は不充分である。
【０００７】
一方、酸化マグネシウム中に微量に含まれる不純物量を制御することで、酸化マグネシウムの焼鈍分離剤性能を向上させる提案がされている。特に、ホウ素（Ｂ）のフォルステライト被膜形成促進効果が期待されている。
【０００８】
酸化カルシウム（ＣａＯ）量とＢ量を特定した焼鈍分離剤用酸化マグネシウムが知られている（特許文献４参照）。また、塩素（Ｃｌ）量とＢ量を特定した焼鈍分離剤用酸化マグネシウムが知られている（特許文献５参照）。また、ＣａＯ、ＳＯ３、ハロゲン、Ｂ量を特定し、加えて、その他の諸物性を特定した焼鈍分離剤用酸化マグネシウムが知られている（特許文献６参照）。更に、Ｂを含む多くの物性値を制御した焼鈍分離剤用酸化マグネシウムが知られている（特許文献７参照）。この様に、Ｂの含有量を含めた複数の物性値を制御し、Ｂのフォルステライト形成促進効果を安定させる試みがなされているが、いずれもフォルステライトの生成量及び被膜性能の点から充分な結果は未だ得られていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、フォルステライト（グラス被膜）形成に非常に優れた焼鈍分離剤用酸化マグネシウムを、安定的にかつ確実に提供することである。さらに、本発明の焼鈍分離剤用酸化マグネシウムを使用して、優れた磁気特性を有する方向性電磁鋼板を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の発明者らは、上記の課題を解決するため、鋭意検討した結果、酸化マグネシウム中に含有されるホウ素の形態に着目し、この形態及びその量を制御することで、安定したグラス被膜形成が可能な焼鈍分離剤用酸化マグネシウム及びその利用を見出したものである。
【００１１】
すなわち本発明の酸化マグネシウムは、ホウ素を含有する焼鈍分離剤用酸化マグネシウムであって、該酸化マグネシウム中に含有されるホウ素中の三配位ホウ素の比率が、５５〜７０％であることを特徴とする焼鈍分離剤用酸化マグネシウムである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
【００１３】
本発明において、三配位ホウ素（以下「三配位Ｂ」という）とは、中心原子となって配位化合物を構成するホウ素であり、かつ配位子を３個有するホウ素をいう。
【００１４】
ここで、三配位Ｂの存在量は、Ｂの形態を核磁気共鳴（Ｂ−ＮＭＲ）スペクトルのフーリエ変換分析法で決定し、算出することができる。
【００１５】
１１Ｂ−ＮＭＲ分析は、Ｃｈｅｍａｇｎｅｔｉｃｓ社製ＣＭＸ−３００を用い、室温で、測定対象の核種１１Ｂを、観測周波数９６．３２６４０３ＭＨｚにてＤＤ−ＭＡＳ（Ｄｉｐｏｌｅ  Ｄｅｃｏｕｐｌｉｎｇ−Ｍａｇｉｃ  Ａｎｇｌｅ  Ｓｐｉｎｎｉｎｇ）法で行った。パルス強度の設定は固体の無水ホウ酸を測定して行い、調整は、１１Ｂのｍ＝−１／２⇔ｍ＝１／２の遷移によるピークが、パルス幅４．５μｓ以下ではベースラインに対してｙ軸の正方向に観察されるように位相を設定し、その後パルス幅を長くして、９μｓでベースラインに対するピーク強度の平均が０となるように設定した。次に測定は、パルス幅１．５μｓ、観測幅２００ｋＨｚ、観測ポイント４０９６点、観測繰り返し時間５．０秒、試料回転数５．０ｋＨｚ、化学シフト基準は、飽和ホウ酸水溶液を用い、外部基準を１９．４９ｐｐｍで行った。
【００１６】
図１には、このようにして得られた本発明の酸化マグネシウムについてのＢ−ＮＭＲスペクトルを示す。なお、本図のＢ−ＮＭＲスペクトルは、ゼーマン分裂により遷移したもののうち、ｍ＝１／２⇔ｍ＝−１／２遷移の情報であり、横軸は化学シフトδ〔ｐｐｍ〕、縦軸は強度で示している。
【００１７】
図１におけるＢ−ＮＭＲスペクトルには、３個のピークが重なって現れている。中央ピークは、Ｂ原子核の周辺に４つの原子核が配位した四配位Ｂであり、その両側に現れた２個のショルダーピークは、Ｂ原子核周辺に３つの原子核が配位した三配位Ｂである。三配位Ｂは、Ｂ原子核近傍に電場勾配を有するため、四極分裂して、四配位Ｂピークの両側に観察されている。このような配位の異なる２種のＢの存在を、本発明では、以下の方法で簡易的に評価した。
【００１８】
Ｂ−ＮＭＲスペクトルにおいて、中央ピーク６〜−４ｐｐｍ範囲を四配位Ｂと、ショルダーピーク２２〜６ｐｐｍ及び−４〜−２０ｐｐｍの範囲を三配位Ｂと定義し、積分法で算出した面積を積分値とする。次に、これらの積分値を用いて、次式を用いて三配位ホウ素の比率を算出した。
三配位Ｂの比率〔％〕
＝三配位Ｂの積分値／（三配位Ｂの積分値＋四配位Ｂの積分値）×１００
【００１９】
次に、ホウ素（Ｂ）中の三配位Ｂの比率の好ましい範囲は、以下のようにして求めた。ここでＢ含有量は、試料を酸に溶解し、ＩＣＰ発光分光分析により求めた数値である。
【００２０】
まず、製造条件、焼成条件を変えて製造した複数個の酸化マグネシウム（以下「ＭｇＯ」という）について、Ｂ含有量及び上記の方法により算出した三配位Ｂの比率を表１に示す。これらの焼成品を、表２に示す配合で混合し、表３に示す特性を有する試料酸化ＭｇＯを得た。表１、表３には、後述する測定方法で測定したＣＡＡ値も併せて示す。これらの試料ＭｇＯにおける三配位Ｂの比率とフォルステライト生成率の関係を図２に示す。
【００２１】
【表１】
2004176144.tif 000002
【００２２】
【表２】
2004176144.tif 000003
【００２３】
【表３】
2004176144.tif 000004
【００２４】
図２において、三配位Ｂの比率とフォルステライト生成率の関係は、大きく３つのグループに分類できる。第１は、三配位Ｂの比率が５５〜７０％でフォルステライトの生成量が９０％以上を示すグループ、第２は、三配位Ｂの比率が５５〜７０％であるにもかかわらずフォルステライトの生成量が７０〜８７％のグループ、そして第３は、三配位Ｂの比率が５５％未満でフォルステライトの生成量が９０％未満を示すグループである。ここで、第１と第２のグループの相違は、表３によると、後者のＢ含有量が、０．０３４質量％、０．１８５質量％、０．１９５質量％であるのに対し、前者が概略０．０４〜０．１５質量％である点にある。
【００２５】
したがって、フォルステライトの生成率９０％以上を満たすためには、三配位Ｂの比率は５５％〜７０％であることが必要であり、好ましくは５７〜６５％である。三配位Ｂの比率がこの範囲にあり、かつＢ含有量が、０．０４〜０．１５質量％の範囲、より好ましくは０．０５〜０．１２質量％の範囲、特に好ましくは０．０６〜０．１０質量％の範囲にあると、９０％以上のフォルステライト生成率が安定して得られることがわかる。なお、フォルステライトの生成量が９０％を基準値としたが、これは、この基準値を満たすことができれば、ＭｇＯ粒子とシリカを主成分とする鋼板表面上の皮膜との固相反応性が優れ、密着性の良好なフォルステライト皮膜が形成し得るからである。
【００２６】
次に、このような好ましい範囲の三配位Ｂ量を有するＭｇＯは、以下の方法で製造することができる。
【００２７】
ＭｇＯ自体は、公知の一般的な方法を用いて製造することができる。すなわち、原料として塩化マグネシウムを用い、塩化マグネシウム含有水溶液に、水酸化カルシウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性水溶液（スラリー）を添加し反応させて水酸化マグネシウムを生成し、これを焼成して得ることができる。また、塩化マグネシウム含有水溶液からアマン法又はマグネサイト焼成によって得たＭｇＯ、またはマグネサイトを焼成して得たＭｇＯを再水和した水酸化マグネシウムを焼成して得ることもできる。
【００２８】
水酸化マグネシウムの焼成は、ろ過、水洗、乾燥したのち、例えば直接式連続型加熱炉で焼成してＭｇＯを生成し、次いでＭｇＯを粉砕し、粒径を制御して、焼鈍分離剤用酸化マグネシウムを製造する。ここで、直接式連続型加熱炉とは、被加熱体を直接、バーナー等で連続的に加熱する加熱炉をいい、例えば、ロータリーキルン等が挙げられる。なお、水酸化マグネシウムを焼成する条件は、１０７３〜１４７３Ｋで６００〜７２００秒の条件で行うことが好ましい。
【００２９】
またＭｇＯに含有させるＢ量の調整は、例えば塩化マグネシウム水溶液にホウ酸、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸アンモニウム、酸化ホウ素等のＢ化合物を添加する方法、ＭｇＯを水和する際にこれらのＢ化合物を添加する方法、水酸化マグネシウムとＢ化合物を予め混合して焼成する方法、などにより制御することができる。一方、Ｂ量が過剰な場合には、洗浄等により除去することができる。
【００３０】
次に、表１を参照すると、高温で焼成するほど、また焼成時間を長時間化するほど、ＭｇＯ中の三配位Ｂの比率が増大する。したがって、焼成温度と焼成時間を適正化することで、単一の製造（焼成）条件で製造したＭｇＯのみを用いて、三配位Ｂの比率５５％以上を満たすことができる（表３、試料３参照）。しかしながら、高温で焼成した酸化マグネシウムは、ＣＡＡ活性度が低下する傾向にあるので、上記した好ましい焼成条件の範囲内で、異なる条件で焼成して三配位Ｂ量が異なるＭｇＯを予め製造しておき、三配位Ｂの比率が上記の範囲内になるようにこれらを混合することが好ましい。
【００３１】
このようにして三配位Ｂ量、及び好ましくはＢ含有量が本発明の範囲にあるＭｇＯは、ＣＡＡ４０％が１００〜２００秒にあり、かつＣＡＡ７０％が２００〜２０００秒の範囲にあり、反応活性度が適切な範囲のＭｇＯを得ることができる。
【００３２】
なおＣＡＡの測定は、以下の様にして行った。
（１）３００ｍｌビーカーに、０．４Ｎのクエン酸溶液を１００ｍｌ取り、次いで１％フェノールフタレイン指示薬を２ｍｌ添加し、マグネチックスターラーを備えた恒温槽で２９５．１５±０．３Ｋに保つ。
（２）反応率４０％の場合はＭｇＯ２．００×１０−３ｋｇを、反応率７０％の場合はＭｇＯ１．１４×１０−３ｋｇを投入し、投入と同時に時間測定を開始する。。
（３）投入から５秒後に、撹拌を開始する（回転数：４００ｒｐｍ）。
（４）終点は、液の色が桃色となる点とし、投入から終点までの所要時間を、ＣＡＡとした。
【００３３】
なお、焼鈍分離剤用ＭｇＯには、例えば、特許第２６９０８４１号明細書に記載のＭｇ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｖ等の塩素化合物など、フォルステライト被膜形成のための、公知の反応補助剤、インヒビター補助剤、張力付与型絶縁被膜添加剤を添加することもできる。
【００３４】
方向性電磁鋼板用焼鈍分離剤及び方向性電磁鋼板は下記の方法で製造することができる。方向性電磁鋼板はＳｉ２．５〜４．５％を含有するケイ素鋼スラブを熱間圧延し、酸洗後に冷間圧延又は中間焼鈍をはさむ２回冷間圧延を行って、所定の板厚とする。次に、冷間圧延したコイルを９２３〜１１７３Ｋの湿潤水素雰囲気中で脱炭を兼ねた再結晶焼鈍を行い、このとき鋼板表面にシリカ（ＳｉＯ２）を主成分とする酸化被膜が形成する。この鋼板上に、上記方法で製造した本発明のＭｇＯを水に均一に分散させた水スラリーを、ロールコーティング又はスプレーを用いて連続的に塗布し、約５７３Ｋで乾燥させる。こうして処理された鋼板コイルを、例えば、１４７３Ｋで２０時間の最終仕上げ焼鈍を行って、鋼板表面にフォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）を形成し、これが絶縁被膜とともに、鋼板表面に張力を付与して、方向性電磁鋼板の鉄損値を向上させることができる。
【００３５】
【実施例】
下記の実施例により本発明を詳細に説明するが、これらの実施例は本発明をいかなる意味においても制限するものではない。
【００３６】
実施例１
濃度２．０ｍｏｌ・ｋｇ−１の塩化マグネシウム溶液に対し、ホウ酸をＢに換算して０．０１８４質量％、水酸化カルシウムスラリーを、得られるＭｇＯの濃度が１．２ｍｏｌ・ｋｇ−１となるように添加した。この混合溶液を、３４３Ｋで２時間反応させ、ろ過、水洗、乾燥して、水酸化マグネシウムを製造した。この水酸化マグネシウムを、ロータリーキルンを用いて、１３０３Ｋで、２０分間焼成し、次いで、粉砕して、ＭｇＯを得た。得られたＭｇＯの三配位Ｂ比率、Ｂ量、ＣＡＡ４０％及びＣＡＡ７０％を測定し、結果を、表４に示した。
【００３７】
実施例２
ロータリーキルンを用いて、マグネサイトを１３７３Ｋで１時間焼成し、ＭｇＯを製造した。このＭｇＯを、スラリー中のＭｇＯの濃度が２ｍｏｌ・ｋｇ−１となるように、水に投入し、ＭｇＯに対して、２．８質量％のホウ酸ナトリウムを添加し、３６３Ｋで２時間反応させ、水酸化マグネシウムを製造した。更に、ロータリーキルンを用いて、１１７３Ｋで３０分間、及び、１３７３Ｋで３０分間、それぞれ焼成したのち、粉砕し、焼成度の異なるＭｇＯを製造した。それぞれの三配位比率は、４９．８％、６８．５％であった。またＢ量は、０．０７６質量％、０．０７７質量％であった。その後、三配位Ｂ比率、Ｂ量が、本発明の範囲に入るように、２種類のＭｇＯを、混合比率５５：４５で混合して、実施例２のＭｇＯ粒子を得た。得られたＭｇＯの三配位Ｂ比率、Ｂ量、ＣＡＡ４０％及びＣＡＡ７０％を測定し、結果を、表４に示した。
【００３８】
実施例３
アマン法により得られたＭｇＯを、スラリー中のＭｇＯの濃度が３ｍｏｌ・ｋｇ−１となるように、水に投入し、ＭｇＯに対して、３．８質量％のホウ酸を添加し、３５３Ｋで２時間反応させて、水酸化マグネシウムを製造した。次いで、ロータリーキルンを用いて、１０７３Ｋで１時間、１３２３Ｋで２０分間、１４７３Ｋで３０分間、それぞれ焼成したのち、粉砕し、焼成度の異なるＭｇＯを製造した。それぞれの三配位比率は、４７．０質量％、６０．５質量％、７５．８質量％であった。またＢ量は、０．０９、０．０９２、０．０９３であった。その後、三配位Ｂ比率、Ｂ量が、本発明の範囲にはいるように、３種類のＭｇＯを、混合比率４０：２５：３５で混合して、実施例３のＭｇＯを得た。得られたＭｇＯの三配位Ｂ比率、Ｂ量、ＣＡＡ４０％及びＣＡＡ７０％を測定し、結果を、表４に示した。
【００３９】
比較例１
実施例１と同一条件で製造した水酸化マグネシウムを、ロータリーキルンを用いて、１２２３Ｋで１時間焼成し、粉砕して比較例１のＭｇＯを得た。得られたＭｇＯの三配位Ｂ比率、Ｂ量、ＣＡＡ４０％及びＣＡＡ７０％を測定し、結果を、表４に示した。
【００４０】
比較例２
実施例２と同一条件で製造した水酸化マグネシウムを、ロータリーキルンを用いて、１０７３Ｋで１時間、１１７３Ｋで２時間、１２７３Ｋで２時間、それぞれ焼成したのち、粉砕し、焼成度の異なるＭｇＯを製造した。それぞれの三配位比率は、４６．６質量％、５０．１質量％、５４．３質量％であった。またＢ量は、０．０６２、０．０６４、０．０６６であった。その後、３種類のＭｇＯを、混合比率３０：３０：４０で混合して、比較例２のＭｇＯを得た。得られたＭｇＯの三配位Ｂ比率、Ｂ量、ＣＡＡ４０％及びＣＡＡ７０％を測定し、結果を、表４に示した。
【００４１】
【表４】
2004176144.tif 000005
【００４２】
表４から明らかなように、実施例１〜３は、三配位Ｂ比率が５５％以上を満たした。比較例１及び２は、三配位Ｂ比率が、下限を下回った。
【００４３】
次に、これらのＭｇＯについて、フォルステライト被膜の形成挙動を調査した。フォルステライトの形成は、２ＭｇＯ＋ＳｉＯ２→Ｍｇ２ＳｉＯ４の固相反応に従って起こると考えられることから、実施例、比較例のＭｇＯ粉末とＳｉＯ２を、モル比で２：１になるように調合した混合物を用いて、圧力５０ＭＰａで、直径１５×１０−３ｍ、高さ１５×１０−３ｍに成形し、これを窒素雰囲気中で、１４７３Ｋで４時間焼成した。この焼成温度は、方向性電磁鋼板上でＳｉＯ２とＭｇＯを含むスラリーとが反応する仕上げ焼鈍温度に相当している。こうして得られた焼結体中のＭｇ２ＳｉＯ４生成量を、Ｘ線回折により定量分析した。結果を表５に示す。
【００４４】
【表５】
2004176144.tif 000006
【００４５】
表５から明らかなように、実施例１〜３は、フォルステライトの生成量が９０％を超えている。一方、比較例１及び２は、フォルステライト形成が９０％を下回り、充分ではない。
【００４６】
次に、ケイ素鋼板上にＭｇＯを塗布して、フォルステライトの被膜特性を調査した。供試鋼は、質量％で、Ｃ：０．０５８％、Ｓｉ：２．８％、Ｍｎ：０．０６％、Ａｌ：０．０２６％、Ｓ：０．０２４％、Ｎ：０．００５０％、残部は不可避的な不純物とＦｅよりなる方向性電磁鋼板用のケイ素鋼スラブを、公知の方法で熱間圧延、酸洗、冷間圧延を行って、最終板厚０．２３×１０−３ｍとし、更に、窒素２５％＋水素７５％の湿潤雰囲気中で脱炭焼鈍した鋼板である。
【００４７】
この鋼板に対し、本発明のＭｇＯ又は比較例のＭｇＯをスラリー状にして、乾燥後の重量で１２×１０−３ｋｇ・ｍ−２になるように鋼板に塗布し、乾燥後１４７３Ｋ、２０時間の最終仕上げ焼鈍を行った。鋼板上のフォルステライト被膜の形成状況を表６に示す。
【００４８】
【表６】
2004176144.tif 000007
【００４９】
表６から明らかなように、実施例１〜３のＭｇＯから形成したフォルステライト被膜は、均一で充分な厚みを有し、かつ被膜の密着性に優れていることを確認している。その一方、比較例の被膜は、均一であっても薄く、密着性にも劣っていた。
【００５０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明は、ＭｇＯ中のホウ素の形態を制御したことにより、フォルステライト（グラス被膜）形成に非常に優れた焼鈍分離剤用ＭｇＯを安定して、かつ確実に提供することができる。また、本発明のＭｇＯを用いて処理して得ることができる方向性電磁鋼板は、方向性電磁鋼板として充分な磁気特性を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の酸化マグネシウムについてのＢ−ＮＭＲスペクトルである。
【図２】試料ＭｇＯにおける三配位Ｂの比率とフォルステライト生成率の関係図である。
【図１】
2004176144.tif 000008
【図２】
2004176144.tif 000009