(57)【要約】【課題】柱状金属体の側壁形状の制御がより好適に行えるため、ファイン化に適する柱状金属体の形成方法、その形成方法で得られる柱状金属体、及びその柱状金属体を備えた配線基板を提供する。【解決手段】柱状金属体１９の金属とは別の金属を配線層１２に被覆して保護金属層１３を形成し、その表面に柱状金属体１９の金属のメッキ層を形成し、その表面部分に、幅が柱状金属体１９と略同じでアスペクト比が３以上の第１マスク層を形成し、メッキ層を選択的にエッチングして柱状金属体１９の前駆体を形成し、第１マスク層を除去し、前駆体の柱状金属体１９を形成する位置の上面及び側壁を少なくとも被覆する第２マスク層１８を形成し、前駆体を選択的にエッチングして柱状金属体１９を形成し、第２マスク層１８及び保護金属層１３を除去する柱状金属体の形成方法。【選択図】　　　　図６
2004071753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層又は配線パターンを有さない金属層に柱状金属体を形成する柱状金属体の形成方法において、
（ａ）その柱状金属体を構成する金属とは別の金属を、前記配線層又は前記金属層に被覆して保護金属層を形成する工程、
（ｂ）その保護金属層の表面に前記柱状金属体を構成する金属のメッキ層を形成する工程、
（ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する位置を含む表面部分に、幅が柱状金属体と略同じでアスペクト比が３以上の第１マスク層を形成する工程、
（ｄ）前記メッキ層を選択的にエッチングして柱状金属体の前駆体を形成する工程、
（ｅ）前記第１マスク層を除去する工程、
（ｆ）前記前駆体の柱状金属体を形成する位置の上面及び側壁を少なくとも被覆する第２マスク層を形成する工程、
（ｇ）前記前駆体を選択的にエッチングして柱状金属体を形成する工程、
（ｈ）前記第２マスク層を除去する工程、及び
（ｉ）前記保護金属層を除去する工程、を含むことを特徴とする柱状金属体の形成方法。
【請求項２】
前記（ｃ）工程では、所定の間隔をおいて形成される複数の柱状金属体の形成位置にまたがって、前記第１マスク層が設けられる請求項１記載の柱状金属体の形成方法。
【請求項３】
前記（ｃ）工程では、グリッド状の配置で形成される複数の柱状金属体の各行の形成位置にまたがって前記第１マスク層が並設されると共に、前記（ｆ）工程では、グリッド状の配置で形成される複数の柱状金属体の各列の形成位置にまたがって前記第２マスク層が並設される請求項１記載の柱状金属体の形成方法。
【請求項４】
前記（ｆ）工程で第２マスク層を形成する際に、前記前駆体を含む保護金属層の表面に感光性樹脂層を塗布形成又は積層形成した後に、前記第２マスク層の形成面が露出するように露光と現像を行い、露出した部分に保護金属層と同じ金属をメッキして第２マスク層を形成する請求項１〜３いずれかに記載の柱状金属体の形成方法。
【請求項５】
配線層又は配線パターンを有さない金属層に別の金属で構成された保護金属層を介して形成された柱状金属体であって、エッチングで形成された４つの側壁のうち、対向する１対の側壁と残りの対向する１対の側壁とが、別々のエッチング工程で形成されている柱状金属体。
【請求項６】
複数の柱状金属体がグリッド状の配置で形成されたものである請求項５記載の柱状金属体。
【請求項７】
請求項５又は６記載の柱状金属体を備えた配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体部品実装用のバンプや多層配線基板の配線層間の導電接続などに利用できる柱状金属体の形成方法、その形成方法で得られる柱状金属体、及びその柱状金属体を備えた配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器等の小形化や高機能化に伴い、電子部品の高密度化が進められると共に、それを実装するための配線基板に対しても高密度化の要求が高まっている。電子部品に関しては、ＣＰＵやメモリなどに代表される半導体集積回路の内部素子の高密度化が著しく、半導体チップやその封止部品の端子の密度は更に高まりつつある。これに対応して、ベアチップ等を実装する配線基板についても、ランド径やランドピッチのファイン化が進められている。
【０００３】
一方、ベアチップ等をインターポーザと接続したり、多層配線基板に実装する際には、チップ側又は基板側にバンプと呼ばれる突起を形成しておく方が、導電接続の信頼性や加工性の面から好ましい。
【０００４】
このような技術として、ＷＯ００／５２９７７号公報には、多層配線基板の最外層にエッチングでバンプを形成する技術が開示されている。この方法では、バンプを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属を、配線層の非パターン部を含めた全面に被覆して保護金属層を形成し、その保護金属層の全面にバンプを構成する金属のメッキ層を電解メッキにより形成した後、そのメッキ層のバンプ形成部分にマスク層を形成し、メッキ層のエッチングを行った後、保護金属層の浸食が可能なエッチングを行って、非パターン部を被覆する保護金属層を除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法で得られるバンプは、エッチングで形成されるため、周囲のエッチング環境によって、エッチングの度合いが変化し、これがバンプの小径化を妨げとなっていた。これを図９に基づいて説明する（理解を容易にするために、エッチングされるメッキ層が基材５１に配線層なしで直接形成されているものを図示した）。
【０００６】
例えば、図９（ａ）に示すように、周囲に別のバンプが存在しない独立したバンプ５２を円形のマスク層５３でエッチングにより形成する場合、円形のマスク層５３は等方的であり、かつ周囲のエッチング環境も均一であるため、エッチングの度合いが正面視で左右対称（つまり全周で同じ形状）となる。
【０００７】
これに対して、図９（ｂ）に示すように、隣接する２つのバンプ５２を円形のマスク層５３でエッチングにより形成する場合、マスク層５３が等方的であるにもかかわらず、周囲のエッチング環境が均一でないため、各バンプ５２のエッチングの度合いが正面視で左右対称とならない。具体的には、両者のバンプ５２の内側面５２ａどうしが短絡しない程度まで、メッキ層のエッチングを行うと、外側面５２ｂのエッチングの度合いが大きくなる。更に、両者の短絡を確実に防止できるようにエッチングの度合いを更に高めると、バンプ５２のアンダーカットが大きくなりすぎ、バンプ５２の強度が低下して実装時などに変形が生じるなどの問題が生じる。
【０００８】
従って、上記の方法では、更なる高密度化を目的としてバンプを小径化しようとすると、接続の信頼性、加工性などの点で限界があった。これは、多層配線基板の最外層にエッチングでバンプを形成する場合の問題であるが、エッチングで柱状金属体を形成する場合のファイン化の問題は、上下の配線層間を導電接続するためのビアポストについても当てはまる課題である。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、エッチングで柱状金属体を形成する際に、柱状金属体の側壁形状の制御がより好適に行えるため、ファイン化に適する柱状金属体の形成方法、その形成方法で得られる柱状金属体、及びその柱状金属体を備えた配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。
即ち、本発明の柱状金属体の形成方法は、配線層又は配線パターンを有さない金属層に柱状金属体を形成する柱状金属体の形成方法において、
（ａ）その柱状金属体を構成する金属とは別の金属を、前記配線層又は前記金属層に被覆して保護金属層を形成する工程、
（ｂ）その保護金属層の表面に前記柱状金属体を構成する金属のメッキ層を形成する工程、
（ｃ）そのメッキ層の前記柱状金属体を形成する位置を含む表面部分に、幅が柱状金属体と略同じでアスペクト比が３以上の第１マスク層を形成する工程、
（ｄ）前記メッキ層を選択的にエッチングして柱状金属体の前駆体を形成する工程、
（ｅ）前記第１マスク層を除去する工程、
（ｆ）前記前駆体の柱状金属体を形成する位置の上面及び側壁を少なくとも被覆する第２マスク層を形成する工程、
（ｇ）前記前駆体を選択的にエッチングして柱状金属体を形成する工程、
（ｈ）前記第２マスク層を除去する工程、及び
（ｉ）前記保護金属層を除去する工程、を含むことを特徴とする。ここで、第１マスク層のアスペクト比は、第１マスク層の幅に対する長さの比を意味し、例えば長円の場合には長径／短径、長方形の場合には長辺／短辺、曲がった形状の場合には中央線の長さ／幅である。
【００１１】
上記において、前記（ｃ）工程では、所定の間隔をおいて形成される複数の柱状金属体の形成位置にまたがって、前記第１マスク層が設けられることが好ましい。
【００１２】
また、前記（ｃ）工程では、グリッド状の配置で形成される複数の柱状金属体の各行の形成位置にまたがって前記第１マスク層が並設されると共に、前記（ｆ）工程では、グリッド状の配置で形成される複数の柱状金属体の各列の形成位置にまたがって前記第２マスク層が並設されることが好ましい。
【００１３】
また、前記（ｆ）工程で第２マスク層を形成する際に、前記前駆体を含む保護金属層の表面に感光性樹脂層を塗布形成又は積層形成した後に、前記第２マスク層の形成面が露出するように露光と現像を行い、露出した部分に保護金属層と同じ金属をメッキして第２マスク層を形成することが好ましい。
【００１４】
一方、本発明の柱状金属体は、配線層又は配線パターンを有さない金属層に別の金属で構成された保護金属層を介して形成された柱状金属体であって、エッチングで形成された４つの側壁のうち、対向する１対の側壁と残りの対向する１対の側壁とが、別々のエッチング工程で形成されていることを特徴とする。
【００１５】
上記において、複数の柱状金属体がグリッド状の配置で形成されたものであることが好ましい。
【００１６】
他方、本発明の配線基板は、上記何れかの柱状金属体を備えたことを特徴とする。
【００１７】
［作用効果］
本発明の柱状金属体の形成方法によると、幅が柱状金属体と略同じでアスペクト比が３以上の第１マスク層を形成して、メッキ層を選択的にエッチングすることで柱状金属体の前駆体を形成してから、その上面及び側壁を被覆する第２マスク層を形成した後、前駆体を選択的にエッチングして柱状金属体を形成する。このように所定の幅で横に延びた柱状金属体の前駆体を形成してから（１段目エッチング）、所定の長さにエッチングして柱状金属体を形成する（２段目エッチング）ため、２段目エッチングで多少バラツキが生じても１段目で形成された側壁が浸食されないので、柱状金属体の側壁形状の制御がより好適に行える。そして、１段目エッチングについては、前駆体のアスペクト比が比較的大きいため、前駆体の両端以外は安定なエッチングが行えるので、周囲のエッチング環境が不均一でも、側壁形状の制御がより好適に行える。従って、エッチングで柱状金属体を形成する際に、柱状金属体の側壁形状の制御がより好適に行えるため、ファイン化に適する柱状金属体を形成することができる。
【００１８】
前記（ｃ）工程で、所定の間隔をおいて形成される複数の柱状金属体の形成位置にまたがって前記第１マスク層が設けられる場合、１つの第１マスク層で複数の柱状金属体を形成でき、第１マスク層のパターンを簡易化して効率良く柱状金属体を形成することができる。また、上記の如き作用効果によって、間隔が狭い柱状金属体の場合でも、側壁形状の制御が好適に行えるため、短絡やアンダーカットを生じにくくすることができる。
【００１９】
前記のようにして、クロスする方向に複数並設されたマスク層によって、グリッド状に配置した複数の柱状金属体を形成する場合、一段のエッチングでグリッド状に形成する場合と比較して、上記の如き作用効果によって、側壁形状の制御を好適に行うことができるため、短絡やアンダーカットの問題をより生じにくくすることができる。
【００２０】
前記（ｆ）工程で第２マスク層を形成する際に、感光性樹脂層を塗布形成又は積層形成した後に露光と現像を行い、露出した部分に保護金属層と同じ金属をメッキして第２マスク層を形成する場合、比較的小規模な装置にて高い位置精度及び形状精度でレジストを形成することができ、また、保護金属層と同じ金属で第２マスク層を形成するため、保護金属層と第２マスク層とをエッチング等により同時に除去することができる。
【００２１】
一方、本発明の柱状金属体によると、対向する１対の側壁と残りの対向する１対の側壁とが、別々のエッチング工程で形成されているため、上記の如き本発明で製造することができ、柱状金属体の側壁形状の制御がより好適に行えるため、ファイン化に適する柱状金属体となる。
【００２２】
また、複数の柱状金属体がグリッド状の配置で形成されたものである場合、一段のエッチングでグリッド状に形成する場合と比較して、上記の如き作用効果によって、側壁形状の制御を好適に行うことができるため、短絡やアンダーカットの問題をより生じにくくすることができる。
【００２３】
他方、本発明の配線基板によると、上記の柱状金属体を備えるため、側壁の短絡やアンダーカットの問題が生じにくく、接続の信頼性や耐久性等が高い配線基板をとすることができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１〜図６は、本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図である。本実施形態では、基材１１に形成された配線層１２のランド１２ａに、所定の間隔で複数の柱状金属体１９を形成する場合の例を示す。
【００２５】
先ず、図１（１）に示すように、基材１１に配線層１２をパターン形成した基板を準備する。この例では、ランド１２ａと直線パターン１２ｂとからなる配線パターンを４本並設してなる配線層１２が、形成されている。その際、パターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレジストを使用する方法や、パターンメッキ用レジストを使用する方法等で作製したもの用いることができる。
【００２６】
基材１１としては、ガラス繊維や高分子不織布とポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂とからなる基材を用いることができ、また、配線層１２を構成する金属としては、通常、銅、ニッケル、錫等が使用できる。
【００２７】
本発明の（ａ）工程は、図１（２）に示すように、柱状金属体を構成する金属とは別の金属を、配線層１２又は金属層に被覆して保護金属層１３を形成するものである。保護金属層１３の形成方法は、無電解メッキや、無電解メッキと電解メッキの組合せ、その他、スパッタ、蒸着と電解メッキの組合せなど何れでもよいが、無電解メッキと電解メッキの組合せが好ましい。保護金属層１３の厚みは、０．５〜１０μｍが好ましく、１〜５μｍがより好ましい。
【００２８】
その場合、まず、配線層１２の非パターン部を含めた全面に無電解メッキを行って下地導電層を形成する。無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用されるが、これらの金属は、配線層１２を構成する金属と同一でも異なっていてもよい。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００２９】
次に、配線層１２の非パターン部を含めた略全面を保護金属層１３で被覆すべく、下地導電層の全面に電解メッキを行って保護金属層１３を形成する。この保護金属層１３は、パターン部１３ｂと非パターン部１３ｃからなる。
【００３０】
その際、保護金属層１３を構成する金属としては、柱状金属体１９を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用される。具体的には、柱状金属体１９を構成する金属が銅である場合、保護金属層１３を構成する別の金属としては、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が使用される。
【００３１】
上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、対象となる基板をメッキ浴内に浸漬しながら、下地導電層を陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。
【００３２】
本発明の（ｂ）工程は、図２（３）に示すように、保護金属層１３の表面に柱状金属体１９を構成する金属のメッキ層１４を形成するものである。これにより、パターン部の上部付近が若干盛り上がったメッキ層１４が形成される。メッキ層１４の形成は、無電解メッキでもよいが、保護金属層１３を電極とした電解メッキが好ましい。
【００３３】
メッキ層１４の金属としては、通常、銅、ニッケル、錫等が使用されるが、配線層１２を構成する金属とは同一でも異なっていてもよい。好ましくは、配線層１２及びメッキ層１４が銅の場合である。なお、この場合、特に保護金属層１３はニッケルであるのが好ましい。
【００３４】
具体的なメッキ層１４の厚みとしては、例えば２０〜２００μｍ、或いはそれ以上のものが例示できる。この厚みが得られる柱状金属体１９の高さに相当する。
【００３５】
本発明の（ｃ）工程は、図２（４）に示すように、メッキ層１４の柱状金属体１９を形成する位置を含む表面部分に、幅が柱状金属体１９と略同じでアスペクト比が３以上の第１マスク層１５を形成するものである。本実施形態では所定の間隔をおいて形成される複数の柱状金属体１９の形成位置にまたがって、第１マスク層１５が設けられる例を示す。この例ではアスペクト比が約８である。
【００３６】
第１マスク層１５の形状は、形成される柱状金属体１９の上面を含むような形状であればよく、長方形、長円、楕円、これらが曲がった形状、例えば円弧状、屈曲状、波状に曲がった形状などが挙げられる。第１マスク層１５のアスペクト比は５以上が好ましい。第１マスク層１５の幅は、得られる柱状金属体１９の幅に略等しくなるが、第１マスク層１５の幅は５〜１００μｍが好ましく、１０〜５０μｍがより好ましい。
【００３７】
第１マスク層１５の形成方法としては、各種の印刷法により成形する方法、フォトレジスト用のドライフィルムや感光性樹脂を露光・現像して成形する方法、転写により形成する方法、金属系レジストを用いた方法など何れでもよい。
【００３８】
本発明の（ｄ）工程は、図３（５）に示すように、メッキ層１４を選択的にエッチングして柱状金属体１９の前駆体１６を形成するものである。この図のように、第１マスク層１５を長方形にしても、その両端ではエッチングが進み易く、両端がラウンドした形状にエッチングされてしまい、両端で側壁形状の制御が困難となる。従って、第１マスク層１５の両端は、柱状金属体１９を形成する位置から、柱状金属体１９の幅以上の長さだけ延長していることが好ましい。
【００３９】
選択的なエッチングの方法としては、メッキ層１４及び保護金属層１３を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。例えば、メッキ層１４（即ち柱状金属体１９）が銅であり、保護金属層１３が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。
【００４０】
本発明の（ｅ）工程は、図３（６）に示すように、第１マスク層１５を除去するものである。第１マスク層１５の除去は、薬剤除去、剥離除去など、第１マスク層１５の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。また、ドライフィルムレジストの場合、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。
【００４１】
本発明の（ｆ）工程は、前駆体１６の柱状金属体１９を形成する位置の上面及び側壁を少なくとも被覆する第２マスク層１８を形成するものである。本実施形態では、図４（７）〜図５（９）に示すように、前駆体１６を含む保護金属層１３の表面に感光性樹脂層１７を塗布形成（又は積層形成）した後に、第２マスク層１８の形成面が露出するように露光と現像を行い、露出した部分に保護金属層１３と同じ金属をメッキして第２マスク層１８を形成する例を示す。なお、柱状金属体１９の高さが比較的高い場合には、感光性樹脂層１７を積層形成するより塗布形成するのが好ましい。また、感光性樹脂層１７の厚みは全面が覆われるように、塗布形成又は積層形成できる厚みで有ればよい。
【００４２】
感光性樹脂とは光により光分解、光架橋、又は光重合を起こすような、低分子量及び／又は高分子量の成分を含む樹脂組成物を指す。被覆には、ドライフィルムをラミネートする方法や感光性樹脂組成物を塗布・硬化させる方法等が利用できる。ドライフィルム（フォトレジスト）は、有機溶剤現像タイプやアルカリ水溶液現像タイプが存在し、加熱圧着ロール等を有するドライフィルムラミネータ等を用いて、熱圧着（ラミネート）が行われる。感光性樹脂組成物の塗布は、各種コーターを用いて行うことができる。
【００４３】
次いで、図４（８）に示すように、第２マスク層１８の形成面にあたる部分、又はその反転部分を露光し、現像して前者の部分を除去する。これにより感光性樹脂層１７に開口部１７ａが形成される。このような露光は、フォトマスク用フィルムを介在させつつ、又はフォトプロッター等による直接露光により、露光機を用いて通常、紫外線等により行われる。現像には、ドライフィルムの種類に応じた現像液等が使用され、例えば有機溶剤現像タイプに対してはトリクロロエタン等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、炭酸ナトリウム等が使用される。第２マスク層１８の形成面は、柱状金属体１９を形成する位置の上面及び側壁を少なくとも含めばよく、図４（８）のように、前駆体１６の幅方向に若干延長されているのが好ましい。
【００４４】
次に、図５（９）に示すように、感光性樹脂層１７に開口部１７ａから露出する部分に保護金属層１３と同じ金属をメッキして第２マスク層１８を形成する。金属のメッキは、保護金属層１３を電極すとる電解メッキが好ましい。第２マスク層１８の厚みは、０．５〜１０μｍが好ましく、１〜５μｍがより好ましい。第２マスク層１８の幅は５〜１００μｍが好ましく、１０〜５０μｍがより好ましい。
【００４５】
次に、図５（１０）に示すように、感光性樹脂層１７を除去する。感光性樹脂層１７の除去方法は、薬剤除去、剥離除去など、樹脂の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、ドライフィルムレジストである場合、例えば有機溶剤現像タイプに対してはメチレンクロライド等、アルカリ水溶液現像タイプに対しては、水酸化ナトリウム等で剥離することができる。
【００４６】
本発明の（ｇ）工程は、図６（１１）に示すように、前駆体１６を選択的にエッチングして柱状金属体１９を形成するものである。このエッチングは、（ｄ）工程と同様にして行えばよい。
【００４７】
本発明の（ｈ）工程は、第２マスク層１８を除去するものであり、（ｉ）工程は、保護金属層１３を除去するものである。（ｈ）工程と（ｉ）工程とは同時に行っても、別々に行ってもよい。本実施形態では、図６（１２）に示すように、保護金属層１３と第２マスク層１８とが同一の金属であるため、同時にエッチングすることができるが、異なる金属の場合でも、適当なエッチング液を選択して、両者を同時にエッチングしてもよい。
【００４８】
エッチングの方法としては、（ｄ）工程とは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられるが、塩化物エッチング液を用いると金属系レジスト及び銅の両者が浸食されるため、その他のエッチング液を用いるのが好ましい。具体的には、柱状金属体１９と配線層１２が銅であり、保護金属層１３が前記の金属である場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。これにより、図６（１２）に示すように、柱状金属体１９と配線層１２（パターン部）とに介在する保護金属層１３ｄのみを残存させることができる。また、非パターン部には、下地導電層のみが残存する。この非パターン部に残存する下地導電層はソフトエッチングで除去することができる。ソフトエッチングの方法としては、下地導電層を構成する金属に対するエッチング液を、低濃度で使用したり、また緩やかなエッチングの処理条件で使用したりする方法等が挙げられる。
【００４９】
以上のようにして形成できる本発明の柱状金属体は、図６（１２）に示すように、配線層１２又は配線パターンを有さない金属層に別の金属で構成された保護金属層１３ｄを介して形成された柱状金属体１９であって、エッチングで形成された４つの側壁のうち、対向する１対の側壁１９ａと残りの対向する１対の側壁１９ｂとが、別々のエッチング工程で形成されている。
【００５０】
このような柱状金属体は、半導体部品実装用の配線基板表面のバンプや、多層配線基板の配線層間の導電接続構造、配線層内部又は表面の放熱構造、チップ部品の電極へのバンプ形成、配線基板の検査プローブへのバンプ形成などになどに利用できる。配線基板表面のバンプとして形成される場合、バンプは最表面の配線層や更に下層の配線層と接続される。また、配線層間の導電接続とする場合、例えば以下のような工程が追加される。
【００５１】
まず、図６（１２）に示す基板の表面に、絶縁層を形成するための絶縁材の塗布又は積層を行う。絶縁材としては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂等の反応硬化性樹脂を用いることができ、これを各種方法で、柱状金属体１９の高さよりやや厚くなるように塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。塗布又は積層の方法としては、ホットプレス及び各種コーターが用いられる。
【００５２】
次に、硬化した絶縁材を研削・研磨等することにより、柱状金属体１９の高さと略同じ厚さを有する絶縁層を形成する。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００５３】
次に、柱状金属体１９に一部が導電接続された上層の配線層を形成する。この配線層の形成は、配線層１２を形成するのと同様の方法で形成することができる。例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて所定のマスクを形成し、メッキやエッチングすることによって、所定のパターンを持った配線層を形成することができる。
【００５４】
以上の工程によって、更に上層に配線層を形成することにより、配線層間の導電接続構造を有する多層配線基板を製造することができる。また、多層配線基板の場合、コア基板の両側に配線層と絶縁層との形成が繰り返し行われる。
【００５５】
〔別の実施形態〕
以下、本発明の別の実施形態について説明する。
【００５６】
（１）前記の実施形態では、所定の間隔で直線状に配列した複数の柱状金属体を形成する場合の例を示したが、独立した又はランダムな配列の柱状金属体を形成したり、グリッド状に配置される柱状金属体を形成してもよい。グリッド状の配置で柱状金属体を形成する場合、下記のような工程になる。図７は、（ｃ）工程における第１マスク層の配列、（ｆ）工程における第２マスク層の配列、及び柱状金属体の形成位置の関係を示す、平面視説明図である。
【００５７】
図７（ａ）に示すように、前記（ｃ）工程では、グリッド状の配置で形成される複数の柱状金属体１９の各行の形成位置にまたがって第１マスク層１５が並設される。また、前記（ｆ）工程では、グリッド状の配置で形成される複数の柱状金属体１９の各列の形成位置にまたがって第２マスク層１８が並設される。その他は、前述と同様にすることで、図７（ｂ）に示すように、グリッド状に配置された複数のランド２０の上に、柱状金属体１９が各々形成される。
【００５８】
（２）前記の実施形態では、感光性樹脂層を塗布形成した後に露光と現像を行い、露出した部分に金属をメッキして第２マスク層を形成する例を示したが、第２マスク層の形成は、何れの方法で形成してもよい。
【００５９】
例えば、感光性樹脂層を塗布形成した後に露光と現像を行い残存する部分を第２マスク層とする方法、印刷法により第２マスク層を直接成形する方法、全面に金属をメッキしてからエッチングにより第２マスク層を形成する方法などが挙げられる。
【００６０】
（３）前記の実施形態では、第１マスク層及び第２マスク層が直線状である例を示したが、ランダムに配列した複数の柱状金属体を形成する場合など、図８に示すように、配線層１２のランドを通過する曲がった形状の第１マスク層１５を形成してもよい。なお、第２マスク層についても曲がった形状とすることができる。
【００６１】
（４）前記の実施形態では、配線層に柱状金属体を形成する例を示したが、本発明の柱状金属体の形成方法は、配線パターンを有さない金属層に柱状金属体を形成するものでもよい。その場合、配線パターンを有さない金属層（パネル金属層）に対して、前述した（ａ）〜（ｉ）工程が実施される。
【００６２】
その後、例えば柱状金属体が形成された側に絶縁材（熱硬化性樹脂等）を塗布した後、パターン形成された他の配線層に対して、熱プレスすることにより、柱状金属体と他の配線層を導電接続させることができる。更に、パネル金属層をエッチング等して配線層をパターン形成し、保護金属層を除去していない場合にはそれを除去する。このようにして、接合方式による多層配線基板を製造することができる。
【００６３】
（５）前記の実施形態では、保護金属層と第２マスク層とを同時にエッチングする例を示したが、第２マスク層が感光性樹脂などで形成される場合、これを先に前述した方法で除去した後、保護金属層を除去すればよい。
【００６４】
（６）前記の実施形態では、図１（１）に示す基板に保護金属層を直接形成する例を示したが、この工程に先立って、配線層１２の非パターン部に、その配線層１２のパターン部と略同じ厚みの絶縁層を形成して表面の平坦化を行ってもよい。その場合、前述の絶縁層の形成と同様な材料、塗布方法、硬化方法、研削・研磨方法により、絶縁層を形成すればよい。その後、前述の実施形態と同様の工程を行えばよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図（１）〜（２）
【図２】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図（３）〜（４）
【図３】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図（５）〜（６）
【図４】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図（７）〜（８）
【図５】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図（９）〜（１０）
【図６】本発明の柱状金属体の形成方法の一例を示す工程図（１１）〜（１２）
【図７】本発明の柱状金属体の形成方法の他の例を示す平面視説明図
【図８】本発明の柱状金属体の形成方法の他の例を示す平面視説明図
【図９】従来の柱状金属体の形成方法で得られる柱状金属体を示す断面図
【符号の説明】
１１　　　　　基材
１２　　　　　配線層
１３　　　　　保護金属層
１４　　　　　メッキ層
１５　　　　　第１マスク層
１６　　　　　柱状金属体の前駆体
１７　　　　　感光性樹脂層
１８　　　　　第２マスク層
１９　　　　　柱状金属体
１９ａ〜ｂ　　側壁
２０　　　　　ランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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