(57)【要約】【課題】レジストを塗布したウェハに起因する炭化水素含有ガスの発生量を抑制し得るＥＵＶ露光装置及びＥＵＶ露光方法を提供することを目的とする。【解決手段】ＥＵＶ光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ上に露光する装置であって、  前記ウェハ上に無機レジスト層を成膜する無機レジスト成膜部と、  前記マスクをＥＵＶ光で照明する照明光学系と、前記マスクを通過したＥＵＶ光を前記無機レジスト層が成膜されたウェハ上に投影結像する投影結像光学系とを具備する露光部と、  前記無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しつつ、無機レジスト成膜部から露光部へ搬送する搬送機構と、を有することを特徴とするＥＵＶ露光装置とした。【選択図】    図１
2004172272.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ上に露光する装置であって、
前記ウェハ上に無機レジスト層を成膜する無機レジスト成膜部と、
前記マスクをＥＵＶ光で照明する照明光学系と、前記マスクを通過したＥＵＶ光を前記無機レジスト層が成膜されたウェハ上に投影結像する投影結像光学系とを具備する露光部と、
前記無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しつつ、無機レジスト成膜部から露光部へ搬送する搬送機構と、
を有することを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＵＶ露光装置であって、
前記無機レジスト層を現像する無機レジスト現像部と、
前記無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しつつ、露光部から無機レジスト現像部へ搬送する搬送機構と、
をさらに有することを特徴とするＥＵＶ露光装置。
【請求項３】
ＥＵＶ光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ上に露光する方法であって、ウェハ上に無機レジスト層を形成した後、このウェハを大気から遮断しつつ露光を行うことを特徴とするＥＵＶ露光方法。
【請求項４】
請求項３に記載のＥＵＶ露光方法であって、
前記露光したウェハを大気から遮断しつつ、ウェハ上の無機レジスト層の現像を行うことを特徴とするＥＵＶ露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を用いて、マスクに形成されたパターンをレジストが塗布されたウェハ上に露光するＥＵＶ露光装置及びＥＵＶ露光方法に関する。特に、レジストを塗布したウェハからのガス放出を抑制し、長期安定した結像性能を得られるＥＵＶ露光装置及びＥＵＶ露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（１１〜１４ｎｍ）のＥＵＶ光を使用した投影リソグラフィ技術が開発されている（例えば、非特許文献１参照）。このＥＵＶリソグラフィ技術は、従来の波長１９０ｎｍ程度の光線を用いた光リソグラフィでは実現不可能な、７０ｎｍ以下の解像力を得られる技術として期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光の波長領域での物質の複素屈折率ｎは、ｎ＝１−δ−ｉｋ（δ、ｋ：複素数）で表わされる。この屈折率の虚部ｋはＥＵＶ光の吸収を表す。δ、ｋは１に比べて非常に小さいため、この領域での屈折率は１に非常に近い。したがって従来のレンズのような透過屈折型の光学素子を使用できない。屈折率が１よりも僅かに小さいことによる全反射を利用した斜入射ミラーや、界面での微弱な反射光を位相を合わせて多数重畳させて全体として高い反射率が得られる多層膜反射鏡等が使用される。
【０００４】
１３．４ｎｍ付近の波長域では、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を交互に積層したＭｏ／Ｓｉ多層膜を用いると直入射で６７．５％の反射率を得ることができ、波長１１．３ｎｍ付近の波長域では、Ｍｏ層とベリリウム（Ｂｅ）層を交互に積層したＭｏ／Ｂｅ多層膜を用いると直入射で７０．２％の反射率を得ることができる（例えば、非特許文献２参照）。
【０００５】
ＥＵＶ露光装置は、主としてＥＵＶ光源、照明光学系、マスクステージ、投影結像光学系、ウェハステージ等により構成される。ＥＵＶ光源には、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源や放射光等が使用される。照明光学系は、反射面に斜め方向から入射したＥＵＶ光を反射させる斜入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜反射鏡、および所定の波長のＥＵＶ光のみを透過させるフィルター等により構成され、マスク上を所望の波長のＥＵＶ光で照明する。なお、前述のように、ＥＵＶ光の波長域では透明な物質は存在しないので、マスクには従来の透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用される。マスク上に形成された回路パターンは、複数の多層膜反射鏡等で構成された投影結像光学系により、レジストが塗布されたウェハ上に結像して該レジストに転写される。なお、ＥＵＶ光は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度（例えば、１×１０−３Ｐａ以下）に維持されている。
【０００６】
投影結像光学系は複数の多層膜反射鏡により構成される。多層膜反射鏡の反射率は１００％ではないので、光量の損失を抑えるために反射鏡の枚数はできるだけ少なくすることが好ましい。これまでに、４枚の多層膜反射鏡からなる光学系（例えば、特許文献１、特許文献２参照）や、６枚の多層膜反射鏡からなる光学系（例えば、特許文献３、特許文献４参照）等が報告されている。光束が一方向に進行する屈折光学系と異なり、反射光学系では光学系の中で光束が往復することになるので、反射鏡による光束のけられを避けるという制限のために、開口数（ＮＡ）を大きくすることが難しい。４枚光学系ではＮＡを０．１５程度までにしかできないが、６枚光学系では更にＮＡの大きい光学系の設計が可能になる。マスクステージとウェハステージが投影結像光学系の両側に配置できるように、反射鏡の枚数は通常は偶数になっている。このような投影結像光学系は、限られた面数で光学系の収差を補正しなければならないので、各反射鏡には非球面形状が適用され、また、所定の像高の近傍でのみ収差の補正されたリングフィールド光学系になっている。マスク上のパターン全体をウェハ上に転写するためには、マスクステージとウェハステージとを、光学系の倍率分だけ異なる速度でスキャンさせながら露光を行う。
【０００７】
【特許文献１】
米国特許第５３１５６２９号明細書
【０００８】
【特許文献２】
米国特許第５０６３５８６号明細書
【０００９】
【特許文献３】
特開平０９−２１１３３２号公報
【００１０】
【特許文献４】
米国特許第５８１５３１０号明細書
【００１１】
【非特許文献１】
Ｄ．  Ｔｉｃｈｅｎｏｒ，  ｅｔ  ａｌ．、「ＳＰＩＥ」、１９９５年、第２４３７巻、ｐ．２９２
【００１２】
【非特許文献２】
Ｃ．  Ｍｏｎｔｃａｌｍ、「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＳＰＩＥ」、１９９８年、第３３３１巻、ｐ．４２
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなＥＵＶ露光装置内は、ＥＵＶ光の波長領域での光の減衰を防止するため真空に保たれている。しかし、露光装置内は完全な真空にはなっておらず、炭化水素等の有機物系のガス等が常に存在する環境にある。この炭化水素を含有する残留ガスとしては、例えば真空排気系（真空ポンプ）に用いられるオイルに起因するもの、装置内部の可動部分の潤滑剤に起因するもの、装置内部で使用される部品（例えば電気ケーブルの被覆材料等）に起因するもの等がある。これら機構系に起因する残留ガスの量は、真空対応のガス放出の極力少ない材料を選択すること、十分時間をかけて排気すること等により、ある程度まで低下させることができる。
【００１４】
炭化水素を含有する残留ガスとしては、この他に露光装置内に導入されるウェハに起因するものがある。ウェハには有機材料からなるレジスト層が塗布されており、ここにＥＵＶ光が照射された場合、残留している溶剤が蒸発したり、レジストを構成する樹脂が分解脱離する。また、露光装置の外部でウェハにレジストを塗布し、このウェハを露光装置内に導入する場合、ウェハは一度大気中に出されることになるので、表面に有機物を含む汚れが付着する。このため、炭化水素を含むガスが装置内に放出されることになる。故に、ウェハの処理枚数（露光されるウェハの枚数）が増えるほど、ウェハに起因する残留ガスの量が増加する。そして、この炭化水素を含んだ残留ガス分子は、装置内の多層膜反射鏡の表面に物理吸着する。
【００１５】
多層膜反射鏡の表面に物理吸着した残留ガス分子は、表面上で脱離と吸着とを繰り返しており、そのままでは厚く成長することはない。しかし、多層膜反射鏡にＥＵＶ光が照射されると、反射鏡の基板内部で二次電子が発生し、この二次電子が表面に吸着している炭化水素を含有する残留ガス分子を分解して炭素が析出する。このように、吸着したガス分子が次々と分解されて析出されていくので、多層膜反射鏡の表面には炭素層が形成され、その炭素層の厚さはＥＵＶ光の照射量に比例して増加する（Ｋ．  Ｂｏｌｌｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｎｕｃｌ．  Ｉｎｓｔｒ．  Ａｎｄ  Ｍｅｔｈ．  Ｖｏｌ．  ２０８，
Ｐ．  ２７３  （１９８３）参照）。
【００１６】
このようにして多層膜反射鏡の表面に炭素層が形成されると、反射鏡の反射率が低下してしまうという問題がある。
図２に、多層膜反射鏡の表面に炭素層が形成されたときの反射率の影響を示すグラフを示す。具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜反射鏡（層数４５対層、周期長６．９ｎｍ、膜厚比（＝Ｍｏ層厚／周期長）１／３、最上層はＳｉ）に波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を直入射により照射した時の、表面上への炭素層の形成による反射率の変化（計算値）を示したグラフである。図２において、横軸は炭素層の厚さ（ｎｍ）であり、縦軸は反射率（％）を示す。図２に示すように、炭素層の厚さが２ｎｍ以下では反射率は低下しないが、２ｎｍを越えると反射率は徐々に低下し、６ｎｍでは反射率が６％以上低下する。
【００１７】
なお、多層膜反射鏡の表面に形成される炭素層の厚さが２ｎｍ以下の場合に反射率の低下が生じないのは、多層膜反射鏡の表面に付着した炭素層の光学定数が、多層膜を構成する重原子層（Ｍｏ層）の光学定数と近いので、炭素数が多層膜の重原子層と同様の役割を果たしているからである。
【００１８】
ＥＵＶ露光装置においては、多層膜反射鏡の反射率がわずかに低下しただけでも露光装置のスループットに大きな悪影響を与える。図３は、多層膜反射鏡の反射率の低下によるスループットの影響を示すグラフである。具体的には、実際のＥＵＶ露光装置を想定し、６枚の照明系、１枚の反射マスク、６枚の投影系の合計１３枚の多層膜反射鏡を用いたシステムにおいて、多層膜反射鏡１枚あたりの反射率の低下が光学系の透過率（スループット）に対してどの程度影響を及ぼすかを計算した結果を示す図である。図３に示すように、例えば多層膜反射鏡１枚あたりの反射率低下が６％であると、光学系全体の透過率は元の値の３０％程度にまで低下してしまう。
【００１９】
また、多層膜反射鏡の一部だけに炭素層が析出すると、その部分の反射率が局所的に低下することになるので、光学系の結像特性が劣化してしまう。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、レジストを塗布したウェハに起因する炭化水素含有ガスの発生量を抑制し得るＥＵＶ露光装置及びＥＵＶ露光方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係るＥＵＶ露光装置は、  ＥＵＶ光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ上に露光する装置であって、  前記ウェハ上に無機レジスト層を成膜する無機レジスト成膜部と、  前記マスクをＥＵＶ光で照明する照明光学系と、前記マスクを通過したＥＵＶ光を前記無機レジスト層が成膜されたウェハ上に投影結像する投影結像光学系とを具備する露光部と、  前記無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しつつ、無機レジスト成膜部から露光部へ搬送する搬送機構と、  を有することを特徴とする。
【００２１】
従来の露光装置において、光学系に付着して問題となるのは、主として有機レジストが塗布されたウェハに起因する炭化水素含有ガスである。本発明によれば、無機物のみで構成される無機レジスト層をウェハの上に成膜してから露光を行っている。この無機レジスト層は有機物を含有しないので、ここにＥＵＶ光が照射された場合でも、炭化水素を含有するガスを発生することはない。また、無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しているので、ウェハ表面に付着する有機物を含む汚れの量を抑制することができる。したがって、炭化水素含有ガスに起因するコンタミネーション膜（光学系各部に付着する汚れ）の形成速度が遅くなり、長時間安定した露光を行うことができる。さらに、ウェハを大気から遮断しているので、ウェハ表面にパーティクル等のごみが付着することも抑制できる。これにより、半導体デバイスの欠陥が低減され、露光装置のスループットを向上させることができる。
【００２２】
本発明においては、  前記無機レジスト層を現像する無機レジスト現像部と、前記無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しつつ、露光部から無機レジスト現像部へ搬送する搬送機構と、  をさらに有することが望ましい。露光済みのウェハも大気から遮断することにより、ウェハ表面にパーティクル等のごみが付着することをさらに抑制し、露光装置のスループットをより一層向上させることができる。
【００２３】
本発明に係るＥＵＶ露光方法は、  ＥＵＶ光を用いて、マスクに形成されたパターンをウェハ上に露光する方法であって、ウェハ上に無機レジスト層を形成した後、このウェハを大気から遮断しつつ露光を行うことを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、無機物のみで構成される無機レジスト層をウェハの上に成膜してから露光を行っている。この無機レジスト層は有機物を含有しないので、ここにＥＵＶ光が照射された場合でも、炭化水素を含有するガスを発生することはない。また、無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しているので、ウェハ表面に付着する有機物を含む汚れの量を抑制することができる。したがって、炭化水素含有ガスに起因するコンタミネーション膜（光学系各部に付着する汚れ）の形成速度が遅くなり、長時間安定した露光を行うことができる。さらに、ウェハを大気から遮断しているので、ウェハ表面にパーティクル等のごみが付着することも抑制できる。これにより、半導体デバイスの欠陥が低減され、露光装置のスループットを向上させることができる。
【００２５】
本発明においては、  前記露光したウェハを大気から遮断しつつ、ウェハ上の無機レジスト層の現像を行うことが望ましい。露光済みのウェハも大気から遮断することにより、ウェハ表面にパーティクル等のごみが付着することをさらに抑制し、露光装置のスループットをより一層向上させることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。ＥＵＶ露光装置１０は、主として無機レジスト成膜部１１、露光部１２、無機レジスト現像部１３等により構成される。以下、このＥＵＶ露光装置１０を用いて、マスクに形成されたパターンをウエハ上に露光する動作について説明する。
【００２７】
まず、ウェハ２０が無機レジスト成膜部１１に導入される。無機レジスト成膜部１１では、高周波スパッタリング法により、真空中でウェハ２０上に無機レジスト層が成膜される。すなわち、無機レジスト成膜部１１の内部にＡｒ（アルゴン）ガスを導入し、ターゲット１１１に高周波電源１１２から１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加することにより、プラズマを発生させる。そして、プラズマ中で生成されたイオンがターゲット１１１表面に衝突して、ターゲット材料を蒸発させる。この蒸発したターゲット材料がウェハ２０上に付着して、薄膜が形成される。無機レジスト成膜部１１には、２つの異なる材料（例えば、ＡｓＳ−ＳとＡｇ）からなる２種類のターゲット１１１が設けられており、一方ずつ選択しながら成膜することができるようになっている。このように、ターゲット１１１として無機レジスト材料を選択すれば、ウェハ２０上に無機レジスト層を成膜することができる。
【００２８】
無機レジスト材料としては、一例でＧｅＳｅ、ＡｓＳ等のカルコゲナイドガラス（ＶＩ族元素を主成分とするアモルファス材料）を挙げることができる。カルコゲナイドガラス上に銀等の金属薄膜を形成して露光を行うと、照射部の金属がカルコゲナイドガラス中に拡散する。ＥＵＶ光の照射により金属が拡散した部分のカルコゲナイドガラスはアルカリに対して不溶となる。一方、未照射で金属が拡散していない部分のカルコゲナイドガラスはアルカリ現像液によってエッチングされるので、この無機レジストはネガ型レジストとして作用する。また、金属が拡散した部分のカルコゲナイドガラスは、フッ素系ガスによるプラズマエッチング速度も遅くなるので、ドライ現像も可能である。
【００２９】
無機レジスト材料としては、前述のＧｅＳｅ、ＡｓＳ等のカルコゲナイドガラスの他に、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、Ｔａ２Ｏ５（五酸化二タンタル）、Ｆｅ２Ｏ３（三酸化第二鉄）、ＷＯ３（三酸化タングステン）、Ａｓ２Ｓ３（三硫化二砒素）、Ｃｒ２Ｏ３（三酸化二クロム）、Ｇｅ３Ｎ４（四窒化三ゲルマニウム）、ＴｉＯ２（二酸化チタン）、ＳｎＯ２（二酸化錫）、Ｎｂ２Ｏ５（五酸化ニオブ）、ＳｍＳ（硫化サマリウム）、ダイヤモンドライクカーボン、フラーレン等を挙げることができる。
【００３０】
なお、無機レジスト層の成膜は高周波スパッタリング法に限られず、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の薄膜形成技術により形成することができる。ＰＶＤは真空中で材料を物理的に気化して蒸気を生成して、それを基板上に凝集させて薄膜を形成する技術の総称であり、具体的には真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等を挙げることができる。ＣＶＤは化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術であり、反応エネルギーの投入の仕方によって、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等の手法がある。
【００３１】
次に、無機レジスト層が塗布されたウェハ２０は、搬送機構２１を介して露光部１２に搬送される。このとき、無機レジスト層が塗布されたウェハ２０が露光装置外部の大気中に曝されないように遮断することが望ましい。特に、真空状態を維持したまま、無機レジスト成膜部１１から露光部１２へウェハ２０を搬送することが望ましい。無機レジスト層が塗布されたウェハ２０を大気から遮断することにより、ウェハ表面に付着する有機物を含む汚れの量やパーティクル等のごみの量を抑制することができる。有機物を含む汚れの付着量を抑制することにより、コンタミネーション膜（光学系各部に付着する汚れ）の形成速度が遅くなり、長時間安定した露光を行うことができる。一方、パーティクル等のごみの付着量を抑制することにより、半導体デバイスの欠陥が低減され、露光装置のスループットを向上させることができる。
【００３２】
露光部１２は、主としてＥＵＶ光源、照明光学系１２１、マスクステージ、投影結像光学系１２２、ウェハステージ等により構成される。ＥＵＶ光源には、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源や放射光等が使用される。照明光学系１２１は、反射面に斜め方向から入射したＥＵＶ光を反射させる斜入射ミラー、反射面が多層膜により形成される多層膜反射鏡、および所定の波長のＥＵＶ光のみを透過させるフィルター等により構成され、マスク１２３上を所望の波長のＥＵＶ光で照明する。なお、マスク１２３は反射型マスクであり、移動可能なマスクステージ上に載置されている。マスク１２３を通過したＥＵＶ光は、複数の多層膜反射鏡等で構成された投影結像光学系１２２により、ウェハ２０上に結像される。ウェハ２０は移動可能なウェハステージ上に載置されており、マスクステージとウェハステージとを、投影結像光学系１２２の倍率分だけ異なる速度でスキャンさせながら露光を行うことにより、マスク１２３に形成された回路パターン全体をウェハ２０の無機レジスト層上に転写する。このように、無機レジスト層を成膜したウェハ２０に露光を行っているので、露光中のレジスト層から炭化水素を含んだガスが放出されることはない。なお、ＥＵＶ光は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度（例えば、１×１０−３Ｐａ以下）に維持されている。
【００３３】
続いて、露光済みのウェハ２０は、搬送機構２２を介して無機レジスト現像部１３に搬送される。このとき、露光済みのウェハ２０が大気に曝されないように遮断することが望ましい。特に、真空状態を維持したまま、露光部１２から無機レジスト現像部１３へ無機レジスト層が塗布されたウェハ２０を搬送することが望ましい。露光済みのウェハ２０も大気から遮断することにより、ウェハ表面にパーティクル等のごみが付着することをさらに抑制し、露光装置のスループットをより一層向上させることができる。また、レジスト層の成膜、露光、現像のプロセスを真空中で一貫して実施することにより、プロセスの管理が容易になり歩留まりが向上する。
【００３４】
無機レジスト現像部１３では、フッ素を含んだガスを用いたプラズマエッチングにより、真空中でウェハ２０上の無機レジスト層の現像が行われる。すなわち、無機レジスト現像部１３の内部にＳＦ６（六弗化硫黄）ガスを導入し、電極１３１に高周波電源１３２から１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加することによりプラズマを発生させる。ウェハ２０は電極１３１の上に置かれている。プラズマ中で発生したＦイオン及びＦラジカルがウェハ２０上の無機レジスト層表面に到達し、無機レジストと反応してパターンの現像が行われる。このようにして、所望のレジストパターンを得ることができる。
【００３５】
なお、無機レジスト層の現像は、プラズマエッチングによるドライ現像に限られず、従来から広く使用されているウェット現像で行うこともできる。ウェット現像を行う場合、露光済みのウェハ２０を露光部１２から大気中に取り出し、ウェット現像装置内に搬送する。ウェット現像装置では、大気中でアルカリ水溶液をウェハに滴下して無機レジストの現像を行う。
【００３６】
このようなＥＵＶ露光装置１０を用いて、無機レジスト層を成膜したウェハ２０の露光を行うことにより、露光中のレジスト層からのガス放出を防止することができる。
【００３７】
以上、本発明の実施の形態に係るＥＵＶ露光装置及びＥＵＶ露光方法について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、様々な変更を加えることができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るＥＵＶ露光装置及びＥＵＶ露光方法によれば、無機物のみで構成される無機レジスト層をウェハの上に成膜してから露光を行っているので、レジスト層から炭化水素を含有するガスが発生することはない。また、無機レジスト層が成膜されたウェハを大気から遮断しているので、ウェハ表面に付着する有機物を含む汚れの量を抑制することができる。このため、長時間の露光を行った場合でも、光学系を構成する多層膜反射鏡等の表面に炭素層が形成されなくなり、反射率の低下を防止することができる。その結果、露光装置のスループットを向上させることができると共に、光学系の結像特性の劣化を抑制することができる。さらに、ウェハを大気から遮断することにより、ウェハ表面にパーティクル等のごみが付着することも抑制できる。その結果、半導体デバイスの欠陥が低減され、露光装置のスループットをより一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るＥＵＶ露光装置の全体構成を示す図である。
【図２】多層膜反射鏡の表面に炭素層が形成されたときの反射率の影響を示すグラフである。
【図３】多層膜反射鏡の反射率の低下によるスループットの影響を示すグラフである。
【符号の説明】
１０・・・ＥＵＶ露光装置          １１・・・無機レジスト成膜部
１２・・・露光部                  １３・・・無機レジスト現像部
２０・・・ウェハ                  ２１、２２・・・搬送機構
１１１・・・ターゲット            １１２・・・高周波電源
１２１・・・照明光学系            １２２・・・投影結像光学系
１２３・・・マスク                １３１、１３３・・・電極
１３２・・・高周波電源
【図１】
2004172272.tif 000003
【図２】
2004172272.tif 000004
【図３】
2004172272.tif 000005