(57)【要約】【課題】非常に狭い周波数選択幅を持つ誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタを実現することにある。【解決手段】コア部１が、クラッド部２よりも大きな誘電率を持つ物質により構成される誘電体導波路において、コア部１の側面から近接したクラッド部２内に、電磁波導波方向に沿って周期的に、クラッドの誘電率とは異なる誘電率をもつ誘電体構造物３が配置されていることを特徴とする。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア部が、クラッド部よりも大きな誘電率を持つ物質により構成される誘電体導波路において、コア部の側面から近接したクラッド部内に、電磁波導波方向に沿って周期的に、クラッドの誘電率とは異なる誘電率をもつ誘電体構造物が配置されていることを特徴とする誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項２】
前記誘電体構造物と前記コア部との最近接距離の上限は、電磁波のクラッド内波長の１／２以下とすることを特徴とする請求項１記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項３】
前記誘電体構造物と前記コア部との最近接距離の下限は、前記コア部表面に前記誘電体構造表面が接する位置であることを特徴とする請求項１又は２記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項４】
前記誘電体構造物の配置周期は、電磁波の導波路管内波長の０．４７倍〜０．５３倍の長さであることを特徴とする請求項１，２又は３記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項５】
前記コア部の断面形状が方形であることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項６】
前記誘電体構造物を、コア部の上下左右側面のうちの少なくとも任意の１側面に近接した位置に配置したことを特徴とする請求項５記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項７】
前記誘電体構造物を、コア部の上下左右側面のうち任意の対向する２側面に近接した位置に配置したことを特徴とする請求項５記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項８】
前記誘電体構造物の形状が円柱、楕円柱、角柱、球、楕円球であることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６又は７記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項９】
前記コア部の比誘電率及び前記誘電体構造物の比誘電率が９．０から２０．０の間にあり、かつクラッド部の比誘電率が１．０から３〜０の間にあることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７又は８記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【請求項１０】
前記コア部の材料又は前記誘電体構造物の材料の少なくとも一方として、珪素、ゲルマニウム、ガリウム・砒素系化合物、インジウム・燐系化合物、インジウム・アンチモン系化合物を用い、かつクラッド部に、二酸化珪素、ポリイミド系有機化合物、エポキシ系有機化合物、アクリル系有機化合物、空気、真空を用いることを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタに関する。例えば、通信用電磁波周波数帯域選択フィルタに適用できるものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信用の周波数選択フィルタには、導波路格子アレイや誘電体多層膜が利用されている。
これらの周波数選択フィルタの帯域特性は波長多重通信に適したものであるが、今後の波長多重通信の普及に伴う波長（又は周波数）選択素子の集積化には適していない。
【０００３】
まず、導波路格子アレイは多数の屈曲した導波路が必要であるため、センチメートル単位の大きさをもち、集積化は困難である。
また誘電体多層膜は多層膜片を機械的に精密配置するため、集積化は困難である。
【０００４】
これに対し、高集積が可能な周波数選択フィルタとして誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタが考えられる。
誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタは、コア部がクラッド部を構成する物質よりも大きい誘電率を持つ物質からなる誘電体導波路において、電磁波の導波路管内波長の１／２程度の周期にて、電磁波進行方向にそって導波路の誘電率を変化させている。
【０００５】
具体的には、コア部を進行方向に対して周期的に切断し、これにより生じた空隙にクラッド物質のようなコア部とは誘電率の異なる物質を充填した構造となっている。
この構造は従来の微細半導体加工技術により小型かつ大量に製作でき、高集積化が可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来、コア部が石英系の導波路において、例えば、図５に示されるようなグレーティングフィルタが知られているが（特開平９−３１８８２６号公報）、コア部１２の構造が複雑で、特にフィルタの阻止周波数帯域を狭くしようとすると、その微細度が増し、加工が困難という問題点があった。尚、図５において、１０は基板、１４はクラッドである。
そこで、図３のような、より単純な構造の誘電体導波路型の周波数選択フィルタが考えられていた。
【０００７】
即ち、従来の技術による周波数選択フィルタとして誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタを図３に示す。
この誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタは、コア部１がクラッド部２を構成する物質よりも大きい誘電率を持つ物質からなる誘電体導波路において、電磁波進行方向にそってコア部１を周期的に切断し、これにより生じた空隙にクラッド物質を充填した構造となっている。
【０００８】
ここで例として、コア部１の比誘電率をε１＝１２．０９６、クラッド物質の比誘電率をε２＝２．０８５、切断周期をａ、コア部の断面形状を０．９５２ａ×０．４７６ａ、切断空隙幅を０．１４ａとして本導波構造の特性を述べる。
また、これら比誘電率は、１５５０ｍ程度の波長の通信用赤外線を対象とした誘電体導波路を形成する際によく用いられる珪素及び二酸化珪素の比誘電率に対応する。
【０００９】
本構造を通過することができる導波電磁界モードの分散関係を周期的境界条件を課した平面波展開法（Ｒ．Ｄ．　Ｍｅａｄｅ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　Ｂ　４８，　８４３４　（１９９３））にて計算した結果を図４に示す。
但し、ここでは説明の簡略化のためＴＥモードについてのみ分散関係を示している。
ＴＭモードの場合は周波数帯域の違いを除き、ＴＥモードと全く同じ議論ができるため、ここでは省略する。
【００１０】
また図４中の各量は格子定数ａや光速ｃにて規格化されているので注意が必要である。即ち、図４の横軸と縦軸は、それぞれ２π／ａ，ｃ／ａで規格化されている、無次元の値である。
図４からもわかるように、一般に、誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタでは、導波路管内を伝搬する電磁波の波長の０．５倍が、空隙周期ａに一致した場合、即ち図４にて規格化伝搬定数がｋ＝０．５の状態では電磁波が導波路を通過できない阻止帯域が形成される。
また阻止された電磁波は入射した方向に反射するため、この反射を抽出すれば、多数の周波数から必要な周波数帯域を選別することも可能である。
【００１１】
阻止帯域幅は空隙幅が小さいほど狭いが、空隙幅が０．１４ａの場合、帯域幅は中心周波数に対して０．８％となっている。
ここで、波長多重光通信用周波数帯域の選択に必要な帯域幅と、この誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタの阻止帯域幅を比較する。
通常、波長多重光通信では１５５０ｎｍを中心とした１００ｎｍ程度の波長の光が使用される。
この波長帯域は周波数帯では１９３ＴＨｚを中心とした１２ＴＨｚに対応する。
【００１２】
上述した空隙幅０．１４ａの誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタを、この周波数帯にて利用するために、ここでは切断周期をａ＝４２０ｎｍとする。
得られる阻止帯域は１９１ＴＨｚを中心に約１．５ＴＨｚである。
またこの場合、コア部の断面形状は幅ｗ＝４００ｎｍ、高さｈ＝２００ｎｍとなり、また空隙幅はｇ＝５９ｎｍである。
ここで、波長多重通信を実現するために、上記の１２ＴＨｚの周波数帯域を８分割すると、各帯域の幅は約１．５ＴＨｚとなり、上述した従来型の誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタの帯域に一致する。
【００１３】
即ち従来型の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタでは、６０ｎｍを下回る極細い空隙幅を用ることによりはじめて、これらの各波長を選択分離することができる。
ところが、将来的には数十、或いは数百波にもおよぶ波長多重化が予想され、必要な帯域幅はさらに狭くなる。
そして、この場合、必要となる空隙幅は１０ｎｍ程度になると予想される。
【００１４】
現在の微細加工技術では、６０ｎｍ程度の空隙でさえ、正確に再現性良く、量産することは困難である。
ましてや１０ｎｍ以下の空隙を持つ導波路は事実上製造不可能と考えられる。このように従来技術に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型波長選択フィルタでは、所望の周波数帯域幅を得るには６０ｎｍもの微細加工が必要となっていた。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の請求項１に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、コア部が、クラッド部よりも大きな誘電率を持つ物質により構成される誘電体導波路において、コア部の側面から近接したクラッド部内に、電磁波導波方向に沿って周期的に、クラッドの誘電率とは異なる誘電率をもつ誘電体構造物が配置されていることを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決する本発明の請求項２に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項１において前記誘電体構造物と前記コア部との最近接距離の上限は、電磁波のクラッド内波長の１／２以下とすることを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決する本発明の請求項３に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項１又は２において、前記誘電体構造物と前記コア部との最近接距離の下限は、前記コア部表面に前記誘電体構造表面が接する位置であることを特徴とする。
【００１８】
上記課題を解決する本発明の請求項４に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項１，２又は３において前記誘電体構造物の配置周期は、電磁波の導波路管内波長の０．４７倍〜０．５３倍の長さであることを特徴とする。
【００１９】
上記課題を解決する本発明の請求項５に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項１，２，３又は４において前記コア部の断面形状が方形であることを特徴とする。
【００２０】
上記課題を解決する本発明の請求項６に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項５において前記誘電体構造物を、コア部の上下左右側面のうちの少なくとも任意の１側面に近接した位置に配置したことを特徴とする。
【００２１】
上記課題を解決する本発明の請求項７に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項５において前記誘電体構造物を、コア部の上下左右側面のうち任意の対向する２側面に近接した位置に配置したことを特徴とする。
【００２２】
上記課題を解決する本発明の請求項８に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項１，２，３，４，５，６又は７において前記誘電体構造物の形状が円柱、楕円柱、角柱、球、楕円球であることを特徴とする。
【００２３】
上記課題を解決する本発明の請求項９に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項１，２，３，４，５，６，７又は８において前記コア部の比誘電率及び前記誘電体構造物の比誘電率が９．０から２０．０の間にあり、かつクラッド部の比誘電率が１．０から３〜０の間にあることを特徴とする。
【００２４】
上記課題を解決する本発明の請求項１０に係る誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタは、請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９において前記コア部の材料又は前記誘電体構造物の材料の少なくとも一方として、珪素、ゲルマニウム、ガリウム・砒素系化合物、インジウム・燐系化合物、インジウム・アンチモン系化合物を用い、かつクラッド部に、二酸化珪素、ポリイミド系有機化合物、エポキシ系有機化合物、アクリル系有機化合物、空気、真空を用いることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明では、誘電体導波路のコア部の外側（即ちクラッド部）に、コア部に近接して、クラッドとは異なる誘電率を持った誘電体構造物を配置することにより、誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタの構成に必要な、電磁波進行方向の誘電率の周期的変化を与える。
【００２６】
ここで例として、誘電体導波路のコア部の比誘電率をε１＝１２．０９６、クラッド物質の比誘電率をε２＝２．０８５とし、クラッド部に配置されたクラッドとは異なる誘電率を持つ誘電体構造物の比誘電率をε３＝１２．０９６としとして、本発明を説明する。
図１に示すように、誘電体構造物の配置周期をａ、コア部の断面形状は０．９５２ａ×０．４７６ａとする。
【００２７】
これらのパラメータは上述した従来型誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタの場合と同じ値である。
また誘電体構造物の形状は円柱とし、その半径を０．２ａ、高さを０．４５ａとする。
この円柱誘電体構造物はコア部の左右両側に、導波路中心から距離ｄ（ここでは例としてｄ＝ａとする）だけ離れた位置にその中心を持つように配置する。
【００２８】
この場合、コア部側面から円柱誘電体構造物側面までの最近接距離は０．３ａである。
本構造の導波路を通過することができる導波電磁界モードの分散関係を周期的境界条件を課した平面波展開法（Ｒ．Ｄ．　Ｍｅａｄｅ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　Ｂ　４８，　８４３４　（１９９３））にて計算した結果を図２に示す。
但し、ここでは説明を簡略化するためＴＥモードに関してのみ分散関係を示している。
ＴＭモードの場合は周波数帯域の違いを除き、ＴＥモードと全く同じ議論ができるため、ここでは省略する。
【００２９】
従来型誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタと同様に、本導波路においても、規格化伝搬定数がｋ＝０．５の状態で阻止帯域が形成される。
そして、その帯域幅は中心周波数に対して０．４％である。
ここでこの構造の実寸法が、コア部の断面が上に説明した従来型の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタのコア部と同じ値であるｗ＝４００ｎｍ，ｈ＝２００ｎｍであるとして、従来技術と比較する。
【００３０】
この場合、誘電体構造物の配置周期も、上述した従来型誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタの空隙周期と同じａ＝４２０ｎｍである。
また最小空隙幅であるコア部側面と円柱誘電体構造物側面までの最近接距離は１２０ｎｍであり、従来型に比べ２倍大きい。
即ち、微細加工技術でも製造可能なサイズである。
しかしながら、得られる阻止帯域幅は１９４ＴＨｚを中心に約０．８ＴＨｚと、従来型よりも狭くなっている。
【００３１】
また詳しい計算は省くが、阻止帯域の中心周波数は誘電体構造物の周期ａに反比例するため、ａを調整すれば中心周波数を調整可能である。
１５５０ｎｍ帯の周波数帯域は前述したように１９３ＴＨｚを中心に１２ＴＨｚ、即ち±３％程度の範囲である。
従ってａの調整範囲も約±３％、即ち導波路管内を伝搬する電磁波の中心波長の０．４７倍〜０．５３倍である。
【００３２】
また、帯域幅を減少させるには、電磁波が感じる誘電体構造物による摂動を小さくすれば良い。
これは、コア部から円柱誘電体構造を遠くに引き離せば良いので、空隙幅としては広くなり、製造がより容易になる方向である。
即ち本発明によれば、非常に狭い周波数選択幅を持つ周波数選択フィルタを容易に製造することが可能となる。
【００３３】
但し、詳しい計算によれば、この構造物側面がコア部側面から、電磁波のクラッド内波長の１／２より大きいと、阻止帯域の幅が０．０１％以下となっている。
製造誤差等を考慮すれば、このような小さな阻止帯域は実現しないと考えられる。
即ち誘電体構造物とコア部との最近接距離の上限は、電磁波のクラッド内波長の１／２以下とすべきである。
【００３４】
また、誘電体構造物とコア部との最近接距離の下限は、コア部表面に本誘電体構造の表面が接する位置である。
また本発明の基本原理は、コア以下の部分に周期的に配置された誘電体構造物により、誘電体導波路に誘電率の周期的構造を与えることが本質的であるため、コア部自体の断面形状は任意の形状で構わないことは明らかである。
また、上記基本原理から、コア以外の部分に周期的に配置された誘電体構造物の配置場所は、電磁波進行方向に周期的でありさえすればコア部の上下左右どこに配置しても構わないことも明らかである。
【００３５】
但し、実際に製造される可能性の高いプレーナー型の方形導波路においては、導波路の左右に配置するほうが、製造が容易と考えられる。
また、上記基本原理から、コア以下の部分に周期的に配置された誘電体構造物の形状は、上記の円柱に限らず、楕円柱、角柱、球、楕円球などを用いて良いことは明らかである。
また、上記基本原理から、コア以下の部分に周期的に配置された誘電体構造物の誘電率はクラッドと異なった値であればいかなる値でも良いことは明らかである。
【００３６】
また、材料に関しては、導波電磁波を波長１５５０ｎｍ近傍の通信用赤外線領域とした場合、コア部には高誘電率で、赤外線を透過でき、かつ加工性、安定性に問題が少ない材料として、珪素、ゲルマニウム、ガリウム・砒素系化合物、インジウム・燐系化合物、インジウム・アンチモン系化合物等を材料として用いることができる。
【００３７】
これらの材料の比誘電率は、ほぼ９から２０の間にあるが、１０〜１５の間にある方がより好ましい。
またクラッド部には、低誘電率で、赤外線を透過でき、かつ加工性、安定性に問題が少ない材料として、二酸化珪素、ポリイミド系有機化合物、エポキシ系有機化合物、アクリル系有機化合物、空気、真空等が材料として用いることができる。
【００３８】
これらの材料の比誘電率はほぼ１．０から３．０の間にあるが、２〜２．５の間にある方がより好ましい。
また、コア以下の部分に周期的に配置された誘電体構造物の材料は、製造の容易性を考慮すると、コア部に使用した材料を用いるのが好ましい。
【００３９】
誘電体構造物の比誘電率ε３は、クラッド物質の比誘電率ε２と異なれば、どんな値でも構わない。
ただし、その差が大きければ大きいほど効果がある。
誘電体導波路は図１及び図３に示すようにコア部が４面すべてクラッド部に囲まれていてもよいし、１面は空気（又は真空）に触れていてもよいし、３面が空気（又は真空）に触れていてもよいし、さまざまな構造が考えられる。
【００４０】
このように説明したように、本発明は、誘電体導波路に誘電率の周期的構造を与えるという概念に基づき、図１に示すような誘電体構造物をクラッド部に形成することにより、極度の微細加工を必要とせず所望の周波数帯域を得る小型なフィルタを簡易に実現できる。
【００４１】
【実施例】
〔実施例１〕
本発明の実施例を図１に示す。
本実施例は、同図に示すように、コア部１が、クラッド部２よりも大きな誘電率を持つ物質により構成される誘電体導波路において、コア部１の左右両側面から電磁波のクラッド物質内波長の１／２以内の距離に近接したクラッド領域内に、電磁波導波方向に沿って周期的に、クラッドの誘電率とは異なる誘電率をもつ円柱状の誘電体構造物３が、左右対向した位置に配置されていることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４２】
〔実施例２〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１にてクラッド領域に周期的に配置された誘電体構造物の形状が、楕円柱、角柱、球或いは楕円球であることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４３】
〔実施例３〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１及び２において、クラッド部に配置された誘電体構造物が、コア部の上下左右のうち任意の１つの側面側に配置されていることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４４】
〔実施例４〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１及び２において、クラッド部に配置された誘電体構造物が、コア部の上下左右のうち任意の２つの側面側に配置されていることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４５】
〔実施例５〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１及び２において、クラッド部に配置された誘電体構造物が、コア部の上下左右のうち任意の３つの側面側に配置されていることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４６】
〔実施例６〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１及び２において、クラッド部に配置された誘電体構造物が、コア部の上下左右全ての側面側にのみ配置されていることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４７】
〔実施例７〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１〜６において、コア部の断面形状が方形であることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４８】
〔実施例８〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１〜６において、コア部の断面形状が任意の多角形であることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００４９】
〔実施例９〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１〜６において、コア部の断面形状が真円、楕円、長円を含む任意の円形であることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００５０】
〔実施例１０〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１〜９において、コア部の比誘電率及びクラッド部に配置されたクラッドとは異なる誘電率を持つ誘電体構造物の比誘電率が９．０から２０．０の間にあり、かつクラッド部の比誘電率が１．０から３．０の間にあることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００５１】
〔実施例１１〕
本実施例は、図示はしないが、上記実施例１〜９において、コア部の材料及びクラッド部に配置されたクラッドとは異なる誘電率をを持つ誘電体構造物の材料に珪素、ゲルマニウム、ガリウム・砒素系化合物、インジウム・燐系化合物、インジウム・アンチモン系化合物を用い、かつクラッド部の材料に、二酸化珪素、ポリイミド系有機化合物、エポキシ系有機化合物、アクリル系有機化合物、空気、真空を用いることを特徴とする誘電体導波路型周波数選択フィルタである。
【００５２】
【発明の効果】
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発明によれば、非常に狭い周波数選択幅を持つ誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタを、従来の半導体製造用微細加工技術を適用して製作することが可能となる。その結果、波長多重光通信等に必要な高性能電磁波周波数帯域選択素子を安価かつ大量に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタの構造を示し、図１（ａ）はその上面図、図１（ｂ）は同図（ａ）中のＡ−Ａ′線断面図、図１（ｃ）は同図（ａ）中のＢ−Ｂ′線断面図である。
【図２】本発明の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタにおける導波モードを示すグラフである。
【図３】従来型の誘電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタの構造を示し、図３（ａ）はその上面図、図３（ｂ）は同図（ａ）中のＡ−Ａ′線断面図、図３（ｃ）は同図（ａ）中のＢ−Ｂ′線断面図である。
【図４】従来型の誌電体導波路ブラッググレーティング型周波数選択フィルタにおける導波モードを示すグラフである。
【図５】コア部が石英系の導波路に係るグレーティングフィルタに関し、図５（ａ）はその斜視図、図５（ｂ）はその断面図である。
【符号の説明】
１　コア部
２　クラッド部
３　誘電体構造物
【図１】
2004023697.tif 000003
【図２】
2004023697.tif 000004
【図３】
2004023697.tif 000005
【図４】
2004023697.tif 000006
【図５】
2004023697.tif 000007