(57)【要約】【課題】半導体のアンダーフィルと絶縁層を同一材料とすることで高密度でフレキシブル性を有する半導体内蔵モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】無機フィラーと樹脂の混合物からなる電気絶縁層（１０１）と、電気絶縁層（１０１）の片面に少なくとも配線パターン（１０２）を有する配線キャリア層と、他方面に配線パターン層（１０３）を有し、配線パターン（１０２）と配線パターン（１０３）間を相互に接続するインナービア（１０４）と、電気絶縁層内部に埋め込まれた半導体（１０５）とを備え、半導体（１０５）の外部電極が配線パターン（１０２）と突起電極（１０６）を介して電気接続し、かつ半導体（１０５）の外部電極面と配線キャリア間に存在する電気絶縁材料が、電気絶縁層と同一の材料よりなり、電気絶縁層（１０１）及び電気絶縁層の他方面の配線パターン層（１０３）とが略同一面を形成している。【選択図】  図１
2004311788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機フィラーと樹脂の混合物を含む電気絶縁層と、
前記電気絶縁層の片面に少なくとも配線パターンを有する配線キャリア層と、
前記電気絶縁層の他方面に配線パターン層を備え、
前記配線キャリア層の配線パターンと前記他方面の配線パターン間を相互に接続するインナービアと、
前記電気絶縁層内部に埋め込まれた半導体を含むシート状モジュールであって、
前記半導体の外部電極が前記配線キャリアの配線パターンと突起電極を介して電気接続し、
前記半導体の外部電極面と前記配線キャリア間に存在する電気絶縁材料が、前記電気絶縁層と同一の材料であり、
前記電気絶縁層及び前記電気絶縁層の他方面の前記配線パターン層とが略同一面を形成していることを特徴とするシート状モジュール。
【請求項２】
前記シート状モジュールが、複数層積層されている請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項３】
前記配線キャリアが、電気絶縁層と２層以上の配線層を有する多層基板である請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項４】
前記配線キャリア層が、支持体の表面に形成されている請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項５】
前記配線キャリアの電気絶縁層が、補強材と熱硬化樹脂からなる請求項３に記載のシート状モジュール。
【請求項６】
前記配線キャリアの電気絶縁層が、熱可塑性樹脂からなるフイルム状基材である請求項３に記載のシート状モジュール。
【請求項７】
前記熱硬化樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂及びイソシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つである請求項５に記載のシート状モジュール。
【請求項８】
前記フイルム状基材が、全芳香族ポリエステル、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、シンジオタクチックポリスチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アラミド樹脂及びポリフェニレンサルファイド樹脂から選ばれる少なくとも一つである請求項６に記載のシート状モジュール。
【請求項９】
前記電気絶縁層及び前記電気絶縁層の他方面の前記配線パターン層と、前記半導体の外部電極面と反対の面とが略同一面を形成している請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項１０】
前記シート状モジュールに埋め込まれた前記半導体の厚みに対し、前記無機フィラーと樹脂の混合物からなる電気絶縁層の厚みが１．５倍以下であり、前記配線キャリアを含めた総厚みが２００μｍ以下で、かつ可撓性を有する請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項１１】
前記無機フィラーと樹脂の混合物からなる電気絶縁層の樹脂が、熱硬化性樹脂である請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項１２】
前記無機フィラーが、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＴｉＯ２，ＢＮ，ＡｌＮ及びＳｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも一つである請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項１３】
前記熱硬化樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリフェニレンエーテル、フェノール樹脂、フッ素樹脂及びイソシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つである請求項１０に記載のシート状モジュール。
【請求項１４】
前記インアービアが、金属メッキである請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項１５】
前記インナービアが、導電性樹脂組成物である請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項１６】
前記シート状モジュールの無機フィラーと樹脂の混合物からなる電気絶縁層に、さらに受動部品が内蔵された請求項１に記載のシート状モジュール。
【請求項１７】
前記受動部品がチップ部品である請求項１５に記載のシート状モジュール。
【請求項１８】
前記受動部品が前記配線層のパターン間に形成された膜状受動部品である請求項１５に記載のシート状モジュール。
【請求項１９】
膜状受動部品が、薄膜もしくは無機フィラーと熱硬化樹脂の混合物よりなる抵抗、コンデンサ及びインダクタから選ばれた少なくとも一つである請求項１８に記載のシート状モジュール。
【請求項２０】
無機フィラーと樹脂の混合物をシート状に加工し、
前記無機フィラーと樹脂からなるシート状物に貫通孔を形成し、
前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填し、
離型フイルムの片面に配線パターンを形成し、
半導体の外部電極上に導電性の突起物を形成し、
配線パターンを有する配線キャリア層に前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填したシート状物を位置合わせして重ね、
前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ね、
前記半導体を重ねたシート状物に銅箔を重ね、
前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装し、
加熱加圧することで前記シート状物中の熱硬化樹脂及び導電性樹脂組成物を硬化させ、
前記銅箔を加工して配線パターンを形成することを含むシート状モジュールの製造方法。
【請求項２１】
無機フィラーと樹脂の混合物をシート状加工し、
前記無機フィラーと樹脂からなるシート状物に貫通孔を形成し、
前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填し、
離型フイルムの片面に配線パターンを形成し、
半導体の外部電極上に導電性の突起物を形成し、
配線パターンを有する配線キャリア層に前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填したシート状物を位置合わせして重ね、
前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ね、
前記半導体を重ねたシート状物に前記離型フイルム上に配線パターンを有する前記離型フイルムの配線パターンを内側にして位置合わせして重ね、
前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装し、
加熱加圧することで前記シート状物中の熱硬化樹脂及び導電性樹脂組成物を硬化させ、
前記離型フイルムを剥離することを含むシート状モジュールの製造方法。
【請求項２２】
前記無機フィラーと樹脂からなるシート状物に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填することに代えて、加熱硬化の後、貫通孔を形成し、銅メッキによってスルーホールとする請求項２０または２１に記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項２３】
配線パターンを有する配線キャリア層に代えて銅箔と前記シート状物を位置合わせして重ね、前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を実装するに際し、半導体を銅箔に実装し、加熱硬化後に前記銅箔を加工して配線パターンを形成する請求項２０〜２２のいずれかに記載のモジュールの製造方法。
【請求項２４】
前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ね、及び前記半導体を重ねたシート状物に銅箔を重ねる際、
前記半導体の外部電極と反対の面を銅箔に固定し、前記半導体を固定した前記銅箔を前記シート状物に位置合わせして重ねる請求項２０または２１に記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項２５】
前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ね、前記半導体を重ねたシート状物に前記離型フイルム上に配線パターンを有する前記離型フイルムの配線パターンを内側にして位置合わせして重ねる際、
前記半導体の外部電極と反対の面を前記離型フイルムに固定し、前記半導体を固定した前記離型フイルムを前記シート状物に位置合わせして重ねる請求項２０または２１に記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項２６】
前記半導体の外部電極と反対の面を前記離型フイルムに固定を接着剤によって行い、前記離型フイルムを剥離する際において前記接着剤を前記半導体と一体となって剥離する請求項２４に記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項２７】
前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装する工程が、前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装する工程の後に行う請求項２０〜２２のいずれかにに記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項２８】
前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装する工程と、加熱加圧することで前記シート状物中の熱硬化樹脂及び導電性樹脂組成物を硬化させる工程とが、加熱加圧することで同時に行われる請求項２０〜２２のいずれかに記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項２９】
配線パターンを有する配線キャリア層が多層基基板である請求項２０〜２２のいずれかに記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項３０】
半導体の外部電極上に導電性の突起物が金バンプである請求項２０〜２８のいずれかに記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項３１】
加熱加圧する温度が１５０〜２６０℃の範囲である請求項２０〜２８のいずれかに記載のシート状モジュールの製造方法。
【請求項３２】
加熱加圧する圧力が１０〜２００ｋｇ／ｃｍ２の範囲である請求項２０〜２８のいずれかに記載のシート状モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度なモジュールの実現が可能であり、かつフレキシブル性を有する半導体内蔵モジュール及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、半導体の高密度、高機能化が一層叫ばれている。これによりそれらを実装するため回路基板もまた小型高密度なものが望まれている。これらの要求に対し、高密度実装を実現する手段として、ＬＳＩ間や部品間の電気配線を最短距離で接続できる基板の層間の電気接続方式であるインナビアホール接続法が、最も回路の高密度配線化が図れることから各方面で開発が進められている。しかしながらこれらの方法によっても、２次元的に部品を高密度に実装することは限界に近づきつつある。
【０００３】
またこれらのインナービア構造の高密度実装基板は、樹脂系の材料で構成されるため、熱伝導度が低く、部品実装が高密度になればなる程部品からの発生する熱を放熱させることは困難となる。２０００年の予測では、ＣＰＵのクロック周波数が１ＧＨｚ程度になるといわれており、またその機能の高度化とあいまってＣＰＵの消費電力も１チップ当たり１００〜１５０Ｗに達しようとする予測もある。また高速化、高密度化に伴いノイズの影響も避けて通れなくなりつつある。従って回路基板は高密度、高機能に加え、対ノイズ、放熱性に加え部品を内蔵した３次元実装形態のモジュールの出現が期待されている。
【０００４】
このような要求に対し、多層セラミック基板を応用し内部にコンデンサや抵抗体を形成したモジュールが提案されている。このようなセラミック多層基板では、基板材料と同時焼性可能な高誘電体材料をシート状に加工し、内部に挟み込んで焼成することで得られるが、異種の材料を同時焼性する場合、焼結タイミングのずれや、焼結時の収縮率の違いにより、焼成後そりが生じたり内部の配線に剥離が生じたりすることがあり、精密な焼成条件のコントロールが必要である。またセラミック基板による部品内蔵は、先に示した通り同時焼性が基本であるため、コンデンサや抵抗体などは形成できるが、シリコンなどの半導体を同時焼性することは不可能であり内蔵することはできない。
【０００５】
一方、低温で半導体などの能動部品やコンデンサ、抵抗などの受動部品を内蔵させた回路基板の提案がなされている。下記特許文献１〜２には、プリント基板材に形成された銅配線に電子部品を搭載し、更にその上に樹脂で一面に被覆して埋め込み層を形成し、さらに接着剤で複数層接着する方法が記載されており、また下記特許文献３には貫通のスルーホール内に誘電体などの材料を埋設し、表面電極を形成してコンデンサや抵抗を内蔵する方法が記載されている。
【０００６】
また、下記特許文献４には、インナービア構成で半導体やコンデンサなどを内蔵させる方法が記載されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平０３−６９１９１号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平１１−１０３１４７号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開平０９−２１４０９２号公報
【００１０】
【特許文献４】
特開平１１−２２０２６２号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の場合において内蔵前に部品を配線上に実装している。半導体ベアチップを内蔵する場合においてもあらかじめ半導体を実装しておく必要があるため半導体周囲には封止樹脂が存在する。そのため、上記半導体内蔵基板において半導体の近くにビアを形成することが困難である。
【００１２】
本発明は、前記従来の問題を解決するため、高密度なモジュールの実現が可能であり、かつフレキシブル性を有する半導体内蔵モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明のシート状モジュールは、無機フィラーと樹脂の混合物を含む電気絶縁層と、前記電気絶縁層の片面に少なくとも配線パターンを有する配線キャリア層と、前記電気絶縁層の他方面に配線パターン層を備え、前記配線キャリア層の配線パターンと前記他方面の配線パターン間を相互に接続するインナービアと、前記電気絶縁層内部に埋め込まれた半導体を含むシート状モジュールであって、前記半導体の外部電極が前記配線キャリアの配線パターンと突起電極を介して電気接続し、前記半導体の外部電極面と前記配線キャリア間に存在する電気絶縁材料が、前記電気絶縁層と同一の材料であり、前記電気絶縁層及び前記電気絶縁層の他方面の前記配線パターン層とが略同一面を形成していることを特徴とする。
【００１４】
本発明のシート状モジュール第２番目の製造方法は、無機フィラーと樹脂の混合物をシート状に加工し、前記無機フィラーと樹脂からなるシート状物に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填し、離型フイルムの片面に配線パターンを形成し、半導体の外部電極上に導電性の突起物を形成し、配線パターンを有する配線キャリア層に前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填したシート状物を位置合わせして重ね、前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ね、前記半導体を重ねたシート状物に銅箔を重ね、前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装し、加熱加圧することで前記シート状物中の熱硬化樹脂及び導電性樹脂組成物を硬化させ、前記銅箔を加工して配線パターンを形成することを含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明のシート状モジュール第２番目の製造方法は、無機フィラーと樹脂の混合物をシート状加工し、前記無機フィラーと樹脂からなるシート状物に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填し、離型フイルムの片面に配線パターンを形成し、半導体の外部電極上に導電性の突起物を形成し、配線パターンを有する配線キャリア層に前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填したシート状物を位置合わせして重ね、前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ね、前記半導体を重ねたシート状物に前記離型フイルム上に配線パターンを有する前記離型フイルムの配線パターンを内側にして位置合わせして重ね、前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装し、加熱加圧することで前記シート状物中の熱硬化樹脂及び導電性樹脂組成物を硬化させ、前記離型フイルムを剥離することを含むことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明のシート状モジュールは、半導体の外部電極が配線キャリアの配線パターンと突起電極を介して電気接続し、半導体の外部電極面と配線キャリア間に存在する電気絶縁材料が、電気絶縁層と同一の材料であり、電気絶縁層及び電気絶縁層の他方面の配線パターン層とが略同一面を形成していることにより、半導体近傍にビアを形成することができ、高密度なシート状モジュールを形成できる。
【００１７】
また、本構造の電気絶縁層を複数層有する多層シート状モジュールとすることでより高密度に半導体を実装したモジュールを実現できる。
【００１８】
また、前記配線層は支持体の表面に形成されていてもよい。支持体を剥離することにより、配線基板等に実装可能なパッケージが得られる。また、露出した配線パターン上に他の電気素子などが実装できる。この場合において、前記支持体が有機フイルム又は金属箔からなることが望ましい。また、配線キャリアが電気絶縁層と２層以上の配線層を有することで、多層の半導体内蔵モジュールが可能である。また前記構成においては、配線キャリアの電気絶縁層として補強材と熱硬化樹脂を用いることとで、この機械的強度を有するモジュールを実現できる。
【００１９】
配線キャリアの電気絶縁層として、熱可塑性樹脂からなるフイルム状基材を用いることで、フレキシブル性を有する多層配線構造のモジュールを実現できる。前記配線キャリアの電気絶縁層の補強材と熱硬化樹脂で構成された電気絶縁層の熱硬化樹脂が、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂及びイソシアネート樹脂から選ばれる少なくとも一つであるであることが望ましい。耐熱性や電気絶縁性に優れるからである。前記配線キャリアの電気絶縁層の熱可塑性樹脂からなるフイルム状基材が、全芳香族ポリエステル、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、シンジオタクチックポリスチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アラミド樹脂及びポリフェニレンサルファイド樹脂から選ばれる少なくとも一つであることが望ましい。
【００２０】
また前記構成において、前記電気絶縁層及び前記電気絶縁層の他方面の前記配線パターン層と前記半導体の外部電極面と反対の面とが略同一面を形成することが望ましい。これにより前記電気絶縁層の厚みが半導体の厚み程度のモジュールを実現できる。また前記に加え、半導体表面を露出させることでモジュール表面の半導体を直接冷却可能な放熱性の優れた半導体内蔵モジュールを実現できる。
【００２１】
また前記構成において、前記無機フィラーと樹脂の混合物からなる電気絶縁層の厚みが１．５倍以下であり、前記配線キャリアを含めた総厚みが２００μｍ以下で、かつ可トウ性を有することを特徴とすることが望ましい。これによってフレキシブル性を持ったモジュールを実現できる。
【００２２】
前記無機フィラーと樹脂の混合物からなる電気絶縁層の樹脂に、熱硬化性樹脂を用いることで、前記に加え前記半導体が熱硬化樹脂で封止されていて機械的強度を有するモジュールを実現できる
また前記構成において、前記無機フィラーが、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＴｉＯ２，ＢＮ，ＡｌＮ及びＳｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも一つであることが望ましい。種々の性能を発揮させることができるからである。即ち，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＢＮ，ＡｌＮを用いた場合、熱伝導性に優れたモジュールとなる。また、ＭｇＯでは、熱伝導が良好になりかつ熱膨張係数を大きくすることができる。さらにＳｉＯ２（特に非結晶ＳｉＯ２）であれば、熱膨張係数が小さく、軽く、また誘電率の小さいモジュールとすることができる。
【００２３】
また前記構成において、前記インナービアを金属メッキとすることで、既存のメッキプロセスを利用してビア形成と同時に前記絶縁体表面に薄い配線層を形成できる。
【００２４】
前記インナービアを導電性樹脂組成物とすることで、多層高密度ビアがインナービア構造で形成できる。これによって薄くきわめて高密度なモジュールが実現できる。
【００２５】
また上記に加えて記載のシート状モジュールの無機フィラーと樹脂の混合物からなる電気絶縁層に、更に受動部品を内蔵することで、多様なモジュールを作製できる。
【００２６】
さらに、前記受動部品として既存のチップ部品を内蔵することで容易に特性の安定したモジュールが実現できる。
【００２７】
あるいは、前記受動部品が前記配線層のパターン間に形成された膜状受動部品であることで薄型モジュールの実現が可能である。この場合において、膜状受動部品が、薄膜もしくは無機フィラーと熱硬化樹脂の混合物よりなる抵抗、コンデンサ、インダクタからなるものが望ましい。薄膜では優れた性能の受動部品が得られるからである。また、フィラーと熱硬化性樹脂の混合物よりなる受動部品は、製造が容易で信頼性も高い。
【００２８】
本発明の第１〜２番目の製造方法によれば、簡易な工法でシート状モジュールを形成できる。また離型フイルムに配線パターンを形成したものを使用するので、エッチング後の湿式処理が不要となり、より工程を簡略化できる。
【００２９】
前記構成においては、前記無機フィラーと樹脂からなるシート状物に貫通孔を形成し、前記貫通孔に導電性樹脂組成物を充填する工程とに代えて、加熱硬化の後、貫通孔を形成し、銅メッキによってスルーホールとすることが望ましい。従来のスルーホール技術をそのまま利用することができるので、工業上極めて有効である。
【００３０】
前記製造方法において、配線パターンを有する配線キャリア層に積層して半導体を実装したが、銅箔を積層して絶縁層の加熱硬化後に前記銅箔を加工して配線パターンを形成して配線パターンを形成することを特徴とする。この方法により、簡易な工法でシート状モジュールを形成できる。
【００３１】
前記製造方法において、前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ねる工程と前記半導体を重ねたシート状物に銅箔を重ねる工程とが、前記半導体の外部電極と反対の面を銅箔に固定する工程と前記半導体を固定した前記銅箔を前記シート状物に位置合わせして重ねる工程であることを特徴とする。この方法により、半導体内蔵と前記シート状物の硬化を同時にでき、簡易な工法でシート状モジュールを形成できる。
【００３２】
前記製造方法において、前記シート状物に前記導電性の突起物を形成した半導体の外部電極側を内側にして位置合わせして重ねる工程と前記半導体を重ねたシート状物に銅箔を重ねる工程とが、前記半導体の外部電極と反対の面を銅箔に固定する工程と前記半導体を固定した前記銅箔を前記シート状物に位置合わせして重ねる工程であることを特徴とする。この方法により半導体内蔵と前記シート状物の硬化を同時にでき、簡易な工法でシート状モジュールを形成できる。
【００３３】
前記製造方法において、前記半導体の外部電極と反対の面を前記離型フイルムに固定が接着剤によって行われ、前記離型フイルムを剥離する工程において前記接着剤が前記半導体と一体となって剥離されることを特徴とする。この方法によって一括して位置合わせして積層できるので、簡易な工法でシート状モジュールを形成できる。
【００３４】
前記製造方法において、前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装する工程が、前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装する工程の後であることを特徴とする。この方法によって一括して位置合わせして積層できるので、簡易な工法でシート状モジュールを形成できる。
【００３５】
前記製造方法において、前記半導体を前記シート状物に埋没一体化させつつ前記半導体を前記配線キャリア表面の配線パターンに実装する工程と、加熱加圧することで前記シート状物中の熱硬化樹脂及び導電性樹脂組成物を硬化させる工程とが、加熱加圧することで同時に行われることを特徴とする。これによって簡易な工法でシート状モジュールを形成できる。
【００３６】
前記構成において、前記配線パターンを有する配線キャリア層として基板を用いることができる。これによって容易に多層の半導体内蔵モジュールを形成できる。
【００３７】
また前記構成において、半導体の外部電極上に導電性の突起物が金バンプであることが望ましい。
【００３８】
また前記構成において、加熱加圧する温度が１５０〜２６０℃の範囲であることが望ましい。
【００３９】
また前記構成において、加熱加圧する圧力が１０〜２００Ｋｇ／ｃｍ２の範囲であることが望ましい。
【００４０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態の一例について解説する。
【００４１】
（実施の形態１）
この実施の形態１は、本発明のシート状モジュールの一例であり、図１はこの実施形態の半導体内蔵シート状モジュールの断面図である。この実施形態の半導体内蔵シート状モジュールは、電気絶縁層１０１と、電気絶縁層１０１の片面に少なくとも形成された配線層１０２と、電気絶縁層１０１の他方面に配線パターン層１０３を有し、配線キャリア層として配線層１０２と配線パターン層１０３を電気的に接続するインナービア１０４と、電気絶縁層１０１の内部に配置された半導体１０５を含み、配線層１０２と半導体１０５との接続は、突起電極１０６を介して接続されており、配線層１０２と半導体１０５間に存在する電気材料が、電気絶縁層１０１と同一の材料よりなる。電気絶縁層１０１は、無機フィラーと樹脂とを含む混合物からなる。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮ又はＳｉＯ２などを用いることができる。無機フィラーは、混合物に対して７０重量％から９５重量％であることが好ましい。無機フィラーの平均粒子径は、０．１μｍ〜２０μｍ以下であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂又はシアネート樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、耐熱性が特に高いため特に好ましい。なお、混合物は、さらに分散剤、着色剤、カップリング剤又は離型剤を含んでいてもよい。
【００４２】
配線層１０２及び配線パターン層１０３は、電気導電性を有する物質からなり、たとえば、銅箔や導電性樹脂組成物からなる。配線パターンとして銅箔を用いる場合、たとえば、電解メッキにより作製された厚さ１８μｍ〜３５μｍ程度の銅箔が使用できる。銅箔は、電気絶縁層１０１との接着性を向上させるため、電気絶縁層１０１と接触する面を粗化することが望ましい。また、銅箔には、接着性及び耐酸化性向上のため、銅箔表面をカップリング処理したものや、銅箔表面に錫、亜鉛又はニッケルをメッキしたものを使用してもよい。また、配線層１０２及び配線パターン層１０３には、エッチング法又は打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。以後、配線キャリア表面の配線層及び配線パターン層をまとめる場合は、「配線パターン」と表記する。
【００４３】
インナービア１０４は、たとえば、熱硬化性の導電性物質からなる。熱硬化性の導電性物質としては、たとえば、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物を用いることができる。金属粒子としては、金、銀、銅又はニッケルなどを用いることができる。金、銀、銅又はニッケルは導電性が高いため好ましく、銅は導電性が高くマイグレーションも少ないため特に好ましい。熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂又はシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。
【００４４】
半導体１０５は、たとえば、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの素子が用いられる。半導体素子は、半導体ベアチップであってもよい。
【００４５】
図１に示したシート状モジュールでは、配線層と１０２と配線パターン層１０３とが、電気絶縁層１０１の貫通孔に充填されたインナービア１０４によって接続される。したがって、図１に示したシート状モジュールでは、高密度に回路部品１０３を実装することができる。
【００４６】
また、本発明のシート状モジュールでは、電気絶縁層１０１に含まれる無機フィラーによって回路部品で発生した熱が速やかに伝導される。したがって、信頼性の高いシート状モジュールが得られる。
【００４７】
また、図１に示したシート状モジュールでは、電気絶縁層１０１に用いる無機フィラーを選択することによって、電気絶縁層１０１の線膨張係数、熱伝導度、誘電率などを容易に制御することができる。電気絶縁層１０１の線膨張係数を半導体素子と略等しくすると、温度変化によるクラックの発生等を防止することができるため、信頼性の高いシート状モジュールが得られる。電気絶縁層１０１の熱伝導性を向上させると、高密度で回路部品を実装した場合にも、信頼性の高いシート状モジュールが得られる。電気絶縁層１０１の誘電率を低くすることによって、誘電損失の少ない高周波回路用モジュールが得られる。
【００４８】
また、図１に示したシート状モジュールでは、半導体１０５の背面が電気絶縁層１０１と略同一平面を形成していて、半導体１０５の背面が露出しているため、半導体を直接冷却可能である。
【００４９】
また、本発明のシート状モジュールは、電気絶縁層１０１の材料として、無機フィラーと樹脂との混合物を用いているため、セラミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく製造が容易である。
【００５０】
なお、図１に示したシート状モジュールでは、配線層１０２及び配線パターン層１０３は電気絶縁層１０１に埋設されている場合を示したが、配線層１０２及び配線パターン層１０３が電気絶縁層１０１に埋設されていなくもよい（図５（ｈ））。
【００５１】
また、図１に示したシート状モジュールでは配線層１０２及び配線パターン層１０３上に回路部品が実装されていない場合を示したが、キャリア層１０２及び配線パターン層１０３上の回路部品を内蔵してもよい（以下の実施形態において同様である）。
【００５２】
配線層１０２及び配線パターン層１０３上に回路部品を実装することによって、さらに高密度に回路部品を実装できる。
【００５３】
（実施の形態２）
この実施の形態２は、本発明のシート状モジュールの一例であり、図２はこの実施形態の半導体内蔵シート状モジュールの断面図である。
【００５４】
同図において、実施の形態１と同一名称の要素は、実施の形態１と同様の構成である。実施の形態２に示したシート状モジュールでは、実施の形態１のシート状モジュールに対して半導体２０５の背面が電気絶縁層２０１に内蔵されている。
【００５５】
（実施の形態３）
この実施の形態３は、本発明のシート状モジュールの一例であり、図３はこの実施形態の半導体内蔵シート状モジュールの断面図である。
【００５６】
同図において、実施の形態１と同一名称の要素は、実施の形態１と同様の構成である。
【００５７】
実施の形態３に示したシート状モジュールでは、実施の形態１のシート状モジュールに対して配線キャリア層として配線層１０２のみであったものが表層に配線層３０２を有する多層基板３０７となっている。
【００５８】
多層基板としてはガラスエポキシ基板といった樹脂基板、セラミック基板又はフレキ基板といった従来の多層基板を用いることができる。
【００５９】
（実施形態４）
この実施の形態４は、本発明のシート状モジュールの一例であり、図４はこの実施形態の半導体内蔵シート状モジュールの断面図である。
【００６０】
同図において、実施の形態３と同一名称の要素は、実施の形態３と同様の構成である。
【００６１】
実施の形態４に示したシート状モジュールでは、実施の形態４のシート状モジュールに対してインナービアに代えてスルーホール４０４を有する。なお、本実施の形態では配線キャリア層として多層基板４０７を用いる場合を示しているが、実施の形態１と同様にキャリア層が配線層のみの形態でも可能である。
【００６２】
（実施形態５）
この実施形態５では、図１に示したシート状モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態５で用いられる材料及び半導体は、実施形態１で説明したものである。
【００６３】
図５（ａ）〜（ｈ）はシート状モジュールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物５０１を形成する。板状の混合物５０１は、無機フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを混合してペースト状混練物とし、そのペースト状混練物を一定厚みに成型することによって形成することができる。板状の混合物５０１を、熱硬化性樹脂の硬化温度より低い温度で熱処理をしてもよい。熱処理をすることによって、混合物５０１の可撓性を維持しながら粘着性を除去することができるため、その後の処理が容易になる。また、溶剤によって熱硬化性樹脂を溶解させた混合物では、熱処理をすることによって、溶剤の一部を除去することができる。
【００６４】
その後、図５（ｂ）に示すように、混合物５０１の所望の位置に貫通孔５０２を形成することによって、貫通孔５０２が形成された板状体を形成する。貫通孔５０２は、たとえば、レーザ加工、ドリルによる加工又は金型による加工で形成することができる。レーザ加工は、微細なピッチで貫通孔５０２を形成することができ、削り屑が発生しないため好ましい。レーザ加工では、炭酸ガスレーザやエキシマレーザを用いると加工が容易である。なお、貫通孔５０２は、ペースト状混練物を成型して板状の混合物５０１を形成する際に、同時に形成してもよい。
その後、図５（ｃ）に示すように、貫通孔５０２に導電性樹脂組成物５０３を充填することによって、貫通孔５０２に導電性樹脂組成物５０３が充填された板状体を形成する。
【００６５】
図５（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、半導体５０４上に突起電極５０５を形成する。
【００６６】
図５（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、銅箔５０６ａ及び５０６ｂを形成する。
その後、図５（ｆ）に示すように、銅箔５０６ａ、図５（ｃ）の板状体、突起電極５０５を形成した半導体５０４及び銅箔５０６ｂを重ねる。
【００６７】
その後、図５（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧することによって半導体５０４を埋設させると同時に突起電極５０５によって半導体５０４を銅箔５０６ａに電気的に接続する。このようにして板状体を形成した後、これを加熱することによって、混合物５０１及び導電性樹脂組成物５０３中の熱硬化性樹脂を硬化させ、半導体５０４が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物５０１及び導電性樹脂組成物５０３中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物５０１は電気絶縁層５０７となり、導電性樹脂組成物はインナービア５０８となる。この工程によって、銅箔５０６ａ及び５０６ｂと半導体５０４と絶縁層５０７とが機械的に強固に接着する。
【００６８】
また、インナービア５０８によって、銅箔５０６ａ及び５０６ｂが電気的に接続される。なお、加熱によって混合物５０１及び導電性樹脂組成物５０３中の熱硬化性樹脂を硬化させる際に、加熱しながら１０ｋｇ／ｃｍ２〜２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧することによって、シート状モジュールの機械的強度を向上させることができる（以下の実施形態において同様である）。
【００６９】
その後、図５（ｈ）に示すように、銅箔５０６ａ及び５０６ｂを加工することによって配線パターン５０９ａ及び５０９ｂを形成する。
【００７０】
このようにして、実施形態１で説明したシート状モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明したシート状モジュールを容易に製造することができる。
【００７１】
なお、実施形態５では、貫通孔５０１に充填する導電性物質として導電性樹脂組成物５０３を用いたが、熱硬化性の導電性物質であればよい（以下の実施形態において同様である）。
【００７２】
（実施形態６）
この実施形態６では、図１に示したシート状モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態６で用いられる材料は、実施形態１で説明したものである。
【００７３】
図６（ａ）〜（ｈ）は、実施形態６におけるシート状モジュールの製造工程を示す断面図である。まず、図６（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物６０１を形成する。この工程は図５（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００７４】
その後、図６（ｂ）に示すように、混合物６０１の所望の位置に、貫通孔６０２を形成する。この工程は図５（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００７５】
その後、図６（ｃ）に示すように、貫通孔６０２に導電性樹脂組成物６０３を充填することによって、貫通孔６０２に導電性樹脂組成物６０３が充填された板状体を形成する。
【００７６】
図６（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、半導体６０４上に突起電極６０５を形成する。
図６（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図６（ｅ）に示すように、離型フイルム６０７上に配線パターン６０６を形成する。離型フイルム６０７には、たとえば、ポリエチレンテレフタレートやポリフェニレンサルファイトのフイルムを用いることができる。配線パターン６０６は、たとえば、離型フイルム６０７に銅箔を接着した後フォトリソ工程及びエッチング工程を行うことによって形成できる。また、配線パターン６０６には、エッチング法又は打ち抜き法で形成された金属板のリードフレームを用いてもよい。
【００７７】
その後、図６（ｆ）に示すように、配線パターン６０６ａ及び６０６ｂと導電性物質６０３とが所望の部分で接続されるように、離型フイルム６０７ａ、図６（ｃ）の板状体及び離型フイルム６０７ｂを位置合わせして重ねる。
【００７８】
その後、図６（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって半導体６０４を埋設させると同時に突起電極６０５によって半導体６０４を配線パターン６０６ａに電気的に接続させ、混合物６０１及び導電性樹脂組成物６０３中の熱硬化性樹脂を硬化させ、半導体６０４ならびに配線パターン６０６ａ及び６０６ｂが埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物６０１及び導電性樹脂組成物６０３中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物６０１は電気絶縁層６０８となり、導電性樹脂組成物６０２はインナービア６０９となる。
【００７９】
その後、図６（ｈ）に示すように、離型フイルム６０６ａ及び６０６ｂを図６（ｇ）の板状体から剥離する。
【００８０】
このようにして、実施形態１で説明したシート状モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明したシート状モジュールを容易に製造することができる。
【００８１】
なお、本方法では、あらかじめ配線パターン６０６を形成した離型フイルム６０７を用いるため、配線パターン６０６が電気絶縁層６０８に埋め込まれ表面が平坦なシート状モジュールを製造できる（以下の実施形態において離型フイルムを用いる場合は同様である）。
【００８２】
（実施の形態７）
この実施形態７では、図１に示したシート状モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態７で用いられる材料は、実施形態１で説明したものである。
【００８３】
図７（ａ）〜（ｈ）は、実施形態７におけるシート状モジュールの製造工程を示す断面図である。まず、図７（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物７０１を形成する。この工程は図５（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００８４】
その後、図７（ｂ）に示すように、混合物７０１の所望の位置に、貫通孔７０２を形成する。この工程は図５（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００８５】
その後、図７（ｃ）に示すように、貫通孔７０２に導電性樹脂組成物７０３を充填することによって、貫通孔７０２に導電性樹脂組成物７０２が充填された板状体を形成する。
【００８６】
図７（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図７（ｄ）に示すように、離型フイルム７０７ａ上に配線パターン７０６ａを形成する。この工程は図６（ｅ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００８７】
さらに、図７（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図７（ｅ）に示すように、離型フイルム７０７ｂ上に突起電極７０５を形成した半導体７０４と配線パターン７０６ｂを固定する。なお、本工程では図７（ｄ）と同様の工程で作製した配線パターン７０６ｂを有する離型フイルム７０６ｂ上に突起電極７０５を形成した半導体７０４を固定する工程にすることで容易に作製できる。
【００８８】
その後、図７（ｆ）に示すように、配線パターン７０６ａ及び７０６ｂと導電性物質７０３とが所望の部分で接続されるように、図７（ｅ）の半導体が固定された離型フイルム７０７ｂ、図７（ｃ）の板状体及び図７（ｄ）の離型フイルム７０７ｂを位置合わせして重ねる。
【００８９】
その後、図７（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって半導体７０４を埋設させると同時に突起電極７０５によって半導体７０４を配線パターン６０６ａに電気的に接続させ、混合物７０１及び導電性樹脂組成物７０３の熱硬化性樹脂を硬化させ、半導体７０４ならびに配線パターン７０６ａ及び７０６ｂが埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物７０１及び導電性樹脂組成物７０３中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物７０１は電気絶縁層７０８となり、導電性樹脂組成物７０２はインナービア６０９となる。
【００９０】
その後、図７（ｈ）に示すように、離型フイルム７０６ａ及び７０６ｂを図７（ｇ）の板状体から剥離する。
【００９１】
このようにして、実施形態１で説明したシート状モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明したシート状モジュールを容易に製造することができる。
【００９２】
（実施の形態８）
この実施形態８では、図２に示したシート状モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態８で用いられる材料は、実施形態２で説明したものである。図８（ａ）〜（ｊ）は、実施形態８におけるシート状モジュールの製造工程を示す断面図である。まず、図８（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物８０１を形成する。この工程は図５（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【００９３】
その後、図８（ｂ）に示すように、混合物８０１の所望の位置に、貫通孔８０２を形成する。この工程は図５（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。その後、図８（ｃ）に示すように、貫通孔８０２に導電性樹脂組成物８０３を充填することによって、貫通孔８０２に導電性樹脂組成物８０３が充填された板状体を形成する。
【００９４】
図８（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、半導体８０４上に突起電極８０５を形成する。また、図８（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、銅箔８０６を形成する。
【００９５】
その後、図８（ｆ）に示すように、銅箔８０６ａ、図８（ｃ）の板状体及び突起電極８０５を形成した半導体８０４を重ねる。
【００９６】
その後、図８（ｇ）に示すように、加圧することによって半導体８０４を埋設させると同時に突起電極８０５によって半導体８０４を銅箔８０６ａに電気的に接続させる。
【００９７】
その後、図８（ｈ）に示すように、図８（ｇ）の板状体にさらに図８（ｃ）の板状体及び銅箔８０６ｂを位置合わせして重ねる。
【００９８】
その後、図８（ｉ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって一体化させる。混合物８０１及び導電性樹脂組成物８０３中の熱硬化性樹脂を硬化させ、半導体８０４が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物８０１及び導電性樹脂組成物８０３中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物８０１は電気絶縁層８０７となり、導電性樹脂組成物８０２はインナービア８０８となる。
【００９９】
その後、図８（ｊ）に示すように、銅箔８０６ａ及び８０６ｂを加工することによって配線パターン８０９ａ及び８０９ｂを形成する。
【０１００】
このようにして、実施形態２で説明したシート状モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明したシート状モジュールを容易に製造することができる。
【０１０１】
（実施の形態９）
この実施形態９では、図２に示したシート状モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態９で用いられる材料は、実施形態２で説明したものである。図９（ａ）〜（ｊ）は、実施形態９におけるシート状モジュールの製造工程を示す断面図である。まず、図９（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物９０１を形成する。この工程は図５（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１０２】
その後、図９（ｂ）に示すように、混合物９０１の所望の位置に、貫通孔９０２を形成する。この工程は図５（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１０３】
その後、図９（ｃ）に示すように、貫通孔９０２に導電性樹脂組成物９０３を充填することによって、貫通孔９０２に導電性樹脂組成物９０３が充填された板状体を形成する。
【０１０４】
図９（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、半導体９０４上に突起電極９０５を形成する。
【０１０５】
図９（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図９（ｅ）に示すように、離型フイルム９０７上に配線パターン９０６を形成する。この工程は図６（ｅ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１０６】
その後、図９（ｆ）に示すように、配線パターン９０６ａ及びと導電性物質９０３とが所望の部分で接続されるように図９（ｃ）の板状体及び離型フイルム９０６７ａを位置合わせして重ね、さらに突起電極９０５を形成した半導体９０４を位置合わせして重ねる。
【０１０７】
その後、図９（ｇ）に示すように、加圧することによって半導体９０４を埋設させると同時に突起電極９０５によって半導体９０４を配線パターン９０６ａに電気的に接続させる。
【０１０８】
その後、図９（ｈ）に示すように、図９（ｇ）の板状体にさらに図９（ｃ）の板状体及び離型フイルム９０７ｂを位置合わせして重ねる。
【０１０９】
その後、図９（ｉ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって一体化させる。混合物９０１及び導電性樹脂組成物９０３中の熱硬化性樹脂を硬化させ、半導体９０４ならびに配線パターン９０６ａ及び９０６ｂが埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物９０１及び導電性樹脂組成物９０３中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物９０１は電気絶縁層９０８となり、導電性樹脂組成物９０２はインナービア９０９となる。
【０１１０】
その後、図９（ｊ）に示すように、離型フイルム９０７ａ及び９０７ｂを図９（ｉ）の板状体から剥離する。
【０１１１】
このようにして、実施形態１で説明したシート状モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態１で説明したシート状モジュールを容易に製造することができる。
【０１１２】
（実施の形態１０）
この実施形態１０では、図２に示したシート状モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態１０で用いられる材料は、実施形態２で説明したものである。図１０（ａ）〜（ｈ）は、実施形態１０におけるシート状モジュールの製造工程を示す断面図である。まず、図１０（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物１００１を形成する。この工程は図５（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１１３】
その後、図１０（ｂ）に示すように、混合物１００１の所望の位置に、貫通孔１００２を形成する。この工程は図５（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１１４】
その後、図１０（ｃ）に示すように、貫通孔１００２に導電性樹脂組成物１００３を充填することによって、貫通孔１００２に導電性樹脂組成物１００３が充填された板状体を形成する。
【０１１５】
図１０（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図１０（ｄ）に示すように、銅箔１００６を形成する。さらに、図１０（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図１０（ｅ）に示すように、図１０（ｄ）に示した銅箔１００６上に、突起電極１００５を形成した半導体１００４を接着層１００７を介して固定する。接着層１００６としては、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂組成物を用いることができ、無機フィラーを含んでいてもよい。
【０１１６】
その後、図１０（ｆ）に示すように、銅箔１００６ａ、図１０（ｃ）の板状体、半導体１００４を固定した銅箔１００６ｂを重ねる。
【０１１７】
その後、図１０（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧することによって半導体１００４を埋設させると同時に突起電極１００５によって半導体１００４を銅箔１００６ａに電気的に接続する。このようにして板状体を形成した後、これを加熱することによって、混合物１００１及び導電性樹脂組成物１００３中の熱硬化性樹脂を硬化させ、半導体１００４が埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物１００１及び導電性樹脂組成物１００３中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物１００１は電気絶縁層１００８となり、導電性樹脂組成物はインナービア１００９となる。この工程によって、銅箔１００６ａ及び１００６ｂと半導体１００４と絶縁層１００８とが機械的に強固に接着する。
【０１１８】
その後、図１０（ｈ）に示すように、銅箔１００６ａ及び１００６ｂを加工することによって配線パターン１００１０ａ及び１００１０ｂを形成する。
【０１１９】
このようにして、実施形態２で説明したシート状モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態２で説明したシート状モジュールを容易に製造することができる。
【０１２０】
（実施の形態１１）
この実施形態１１では、図２に示したシート状モジュールの製造方法の他の一実施形態を説明する。実施形態１１で用いられる材料は、実施形態２で説明したものである。図１１（ａ）〜（ｈ）は、実施形態１１におけるシート状モジュールの製造工程を示す断面図である。まず、図１１（ａ）に示すように、無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含む混合物を加工することによって板状の混合物１１０１を形成する。この工程は図５（ａ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１２１】
その後、図１１（ｂ）に示すように、混合物１１０１の所望の位置に、貫通孔１１０２を形成する。この工程は図５（ｂ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１２２】
その後、図１１（ｃ）に示すように、貫通孔１１０２に導電性樹脂組成物１１０３を充填することによって、貫通孔１１０２に導電性樹脂組成物１１０３が充填された板状体を形成する。
【０１２３】
図１１（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図１１（ｄ）に示すように、離型フイルム１１０７上に配線パターン１１０６を形成する。この工程は図６（ｅ）と同様であるため、重複する説明は省略する。
【０１２４】
さらに、図１１（ａ）〜（ｃ）の工程と平行して、図１１（ｅ）に示すように、図１１（ｄ）に示した配線パターン１１０６を形成した離型フイルム１１０７上に突起電極１１０５を形成した半導体１１０４を接着層１１０８を介して固定する。
【０１２５】
その後、図１１（ｆ）に示すように、配線パターン１１０６ａ及び１１０６ｂと導電性物質１１０３とが所望の部分で接続されるように、半導体が固定された離型フイルム１１０７ａ、図１１（ｃ）の板状体、及び離型フイルム１１０７ｂを位置合わせして重ねる。
【０１２６】
その後、図１１（ｇ）に示すように、位置合わせして重ねたものを加圧し加熱することによって半導体１１０４を埋設させると同時に突起電極１１０５によって半導体１１０４を配線パターン１１０６ａに電気的に接続させ、混合物１１０１及び導電性樹脂組成物１１０３中の熱硬化性樹脂を硬化させ、半導体１１０４及び接着層１１０８ならびに配線パターン１１０６ａ及び１１０６ｂが埋設された板状体を形成する。加熱は、混合物１１００及び導電性樹脂組成物１１０３中の熱硬化性樹脂が硬化する温度以上の温度（たとえば１５０℃〜２６０℃）で行い、混合物１１０１は電気絶縁層１１０９となり、導電性樹脂組成物１１０２はインナービア１１１０となる。
【０１２７】
その後、図１１（ｈ）に示すように、離型フイルム１１０７ａ及び１１０７ｂを図１１（ｇ）の板状体から剥離する。この時、接着層１１０８と離型フイルム１１０７ｂで剥離して、接着層１１０８は電気絶縁層１１０９に残る。
このようにして、実施形態２で説明したシート状モジュールが形成される。上記製造方法によれば、実施形態２で説明したシート状モジュールを容易に製造することができる。
【０１２８】
【実施例】
以下具体的な実施例を詳細に解説する。
【０１２９】
（実施例１）
本発明の半導体内蔵モジュールの作製に際し、まず無機フィラーと熱硬化樹脂によるシート状物の作製方法から説明する。本実施例に使用したシート状物の作製方法は、無機フィラーと液状の熱硬化樹脂を攪拌混合機により混合した。使用した攪拌混合機は、所定の容量の容器に無機フィラーと液状の熱硬化樹脂を投入し、容器自体を回転させながら公転させるもので、比較的粘度が高くても充分な分散状態が得られるものである。実施した半導体内蔵モジュール用のシート状物の配合組成は、無機フィラーである平均粒子径２．３μｍのシリカ粉末７５重量％と、液状熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂：日本ペルノックス（株）製（商品名“ＷＥ−２０２５”、酸無水系硬化剤含む）２４．８重量％と、添加物としてカーボンブラックを０．２重量％とした。作製方法は、上記組成で秤量・混合されたペースト状の混合物の所定量を取り、離型フイルム上に滴下させた。混合条件は、所定量の無機フィラーと前記液状エポキシ樹脂を容器に投入し、本容器ごと混練機によって混合した。混練機は、容器を公転させながら、自転させる方法により行われるもので１０分程度の短時間で混練が行われる。また離型フイルムとして厚み７５μｍの表面にシリコンによる離型処理を施されたポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。滴下させた離型フイルム上の混合物にさらに離型フイルムを重ね、加圧プレスで一定厚みになるようにプレスした。次に離型フイルムで挟持された混合物を離型フイルムごと加熱し、粘着性が無くなる条件下で熱処理した。熱処理条件は、温度が１２０℃で１５分間保持である。これにより前記混合物は、厚み１４０μｍの粘着性のないシート状物ができた。前記熱硬化エポキシ樹脂は、硬化開始温度が１３０℃であるため、前記熱処理条件下では、未硬化状態（Ｂステージ）であり、以降の工程で加熱により再度溶融させることができた（図５（ａ））。
【０１３０】
このようにして作製したシート状物を所定の大きさにカットし、炭酸ガスレーザを用いてピッチが０．２ｍｍ〜２ｍｍの等間隔の位置に直径０．１５ｍｍの貫通孔５０２を形成した（図５（ｂ））。この貫通孔５０２に、ビアホール充填用の導電性樹脂組成物ペーストとして、平均粒子径３．４μｍの銅の球形状の金属粒子８５重量％と、樹脂組成としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名“エピコート８２８”油化シェルエポキシ製）３重量％とグルシジルエステル系エポキシ樹脂（商品名“ＹＤ−１７１”東都化成製）９重量％及び硬化剤としてアミンアダクト硬化剤（商品名“ＭＹ−２４”味の素製）３重量％を三本ロールにて混練したものを、スクリーン印刷法により充填した（図５（ｃ））。次に半導体５０４の外部電極上に田中貴金属製の２５μｍ径金ワイヤーを３００℃でボンディングして５０μｍ高さの突起電極５０５を形成した（図５（ｄ））。図５（ｄ）の半導体と、図５（ｃ）のシート状物とを位置合わせして別途準備した銅箔（片面粗化処理した１８μｍ銅箔）で挟んだ（図５（ｆ））。この時、銅箔の粗化面はシート状物側になるように、半導体の突起電極はシート状物側になるように配置した。次に熱プレスを用いてプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で５分間加熱加圧した。これにより、前記シート状物５０１中の熱硬化樹脂が加熱により溶融軟化するため、半導体５０４がシート状物中に埋没し、突起電極５０５が銅箔５０６ａに電気的機械的に接続された。さらに加熱温度を上昇させ１７５℃で６０分間保持した。これによりシート状物５０１中のエポキシ樹脂及び、導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、シート状物と半導体及び銅箔が機械的に強固な接着が得られた。かつ導電性樹脂組成物５０３が前記銅箔と電気的（インナービア接続）機械的に接着したインナービア５０８を有する電気絶縁層５０７が得られた（図５（ｇ））。この半導体を埋設した電気絶縁層５０７の表面の銅箔をエッチング技術によりエッチングして、インナビアホール上に直径０．２ｍｍの電極パターン及び配線パターン５０９ａ及び５０９ｂが形成された（図５（ｈ））。
【０１３１】
この方法によって作製された半導体内蔵モジュールの信頼性評価として、半田リフロー試験、温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて１０回通すことで行った。また温度サイクル試験は、高温側が１２５℃、低温側が−６０℃の温度で各３０分間保持し、２００サイクル行った。このとき半導体モジュールは形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これにより半導体とモジュールは、強固な密着が得られていることがわかる。また導電性樹脂組成物によるインナービア、半導体の接続ともにほとんど初期性能と変化がなかった。また、この方法によって作製された半導体内蔵モジュールフレキシブル性が確認できた。
【０１３２】
（実施例２）
実施例１と同様のシート状物を用いて半導体を内蔵させたモジュールの実施例を示す。実施例１と同一条件で作製した貫通孔に導電性樹脂組成物６０３を充填したシート状物６０１（厚み１４０μｍ）を準備した（図６（ｃ））。次に実施例１と同様に突起電極６０５を形成した半導体６０４を準備した（図６（ｄ））。次に銅箔（７０μｍ厚み）を離型フイルムとし、さらに９μｍ厚みの銅を電解銅メッキ法で離型フイルム上に形成した。この離型フイルムを用いて、配線パターンを形成した。銅９μｍ形成した離型フイルムをフォトリソ法により、化学エッチングし配線パターン６０６を形成した（図６（ｅ））。図６（ｄ）の半導体と前記導電性樹脂組成物６０３を充填したシート状物６０１と、図６（ｅ）の転写フイルムとを位置合わせして挟んだ（図６（ｆ））。この時、配線パターンはシート状物側になるように、また、半導体の突起電極はシート状物側に配置した。これを熱プレスを用いてプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で５分間加熱加圧した。これにより、前記シート状物６０１中の熱硬化樹脂が加熱により溶融軟化するため、半導体６０４がシート状物中に埋没し、突起電極６０５が配線パターン６０６ａに電気的機械的に接続された。さらに加熱温度を上昇させ１７５℃で６０分間保持した。これによりシート状物６０１中のエポキシ樹脂、及び導電性樹脂組成物６０３中のエポキシ樹脂が硬化し、シート状物と半導体及び配線パターンが機械的に強固な接着が得られた。また、導電性樹脂組成物６０３が前記配線パターン６０６ａ及び６０６ｂと電気的、機械的に接着したインナービア６０９を有する電気絶縁層６０８が得られた（図６（ｇ））。次にこの半導体を埋設した電気絶縁層６０８の表面の離型フイルムを剥離した（図６（ｈ））。離型フイルムは光沢面を有し、かつ電解メッキにて配線層を形成してあるため、離型フイルムである銅箔だけが剥離させることができた。
【０１３３】
この方法では、あらかじめ配線パターンを形成した離型フイルムを用いるため、硬化後のモジュールは配線パターンもモジュール内に埋め込まれた平坦なモジュールとなった。このことは、モジュール表面にファインに多層配線が形成できることになる。また同様に配線パターンが埋設されることにより、表面の配線パターンの厚み分だけシート状物が圧縮される。以下の実施例において離型フイルムを用いる場合は同様である。この方法によって作製された半導体内蔵モジュールの信頼性評価として、半田リフロー試験、温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて１０回通すことで行った。また温度サイクル試験は、高温側が１２５℃、低温側が−６０℃の温度で各３０分間保持し、２００サイクル行った。このとき半導体モジュールは形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これにより半導体とモジュールは、強固な密着が得られていることがわかる。また導電性樹脂組成物によるインナービア接続抵抗もほとんど初期性能と変化がなかった。また、この方法によって作製された半導体内蔵モジュールフレキシブル性が確認できた。
【０１３４】
（実施例３）
実施例１と同様のシート状物を用いて半導体を内蔵させたモジュールの実施例を示す。実施例１と同一条件で作製した貫通孔に導電性樹脂組成物７０３を充填したシート状物７０１（厚み１４０μｍ）を準備した（図７（ｃ））。次に実施例２と同様に離型フイルム７０７上に配線パターン７０６を形成した（図７（ｄ））。次に実施例１と同様に突起電極７０５を形成した半導体７０４を準備し、図７（ｄ）の離型フイルム上にシリコン系の接着剤を用いて半導体７０４の背面を接着させた（図７（ｅ））。シリコン系の接着剤は被固定物の離型フイルム面内方向への位置ずれには強いが、逆に離型フイルム面の法線方向への力には弱く被固定物の離型フイルムから剥離は容易であった。別途準備した配線パターンだけを有する転写キャリア７０７ａと、前記導電性樹脂組成物７０３を充填したシート状物７０１と、図７（ｅ）の半導体を固定した離型フイルム７０７ｂとを位置合わせして重ねた（図７（ｆ））。次に実施例２と同様に加熱加圧して半導体７０４がシート状物中に埋没しパターン７０６ａに電気的機械的に接続させ、さらに加熱温度を上昇させ、インナービア７０９を有する電気絶縁層７０８が得られた（図７（ｇ））。次に実施例２と同様にこの半導体を埋設した電気絶縁層７０８の表面の離型フイルムを剥離した（図７（ｈ））。この時半導体７０４を固定していた接着剤は離型フイルムと同時に剥離した。
【０１３５】
この方法によって作製された半導体内蔵モジュールの信頼性評価として、半田リフロー試験、温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて１０回通すことで行った。また温度サイクル試験は、高温側が１２５℃、低温側が−６０℃の温度で各３０分間保持し、２００サイクル行った。このとき半導体モジュールは形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これにより半導体とモジュールは、強固な密着が得られていることがわかる。また導電性樹脂組成物によるインナービア接続抵抗もほとんど初期性能と変化がなかった。また、この方法によって作製された半導体内蔵モジュールフレキシブル性が確認できた。
【０１３６】
（実施例４）
実施例１と同様のシート状物を用いて半導体を内蔵させたモジュールの実施例を示す。実施例１と同一条件で作製した貫通孔に導電性樹脂組成物８０３を充填したシート状物８０１（厚み７０μｍ）を準備した（図８（ｃ））。次に実施例１と同様に突起電極８０５を形成した半導体８０４を準備した（図８（ｄ））。次に別途準備した銅箔（片面粗化処理した１８μｍ銅箔）、図８（ｃ）のシート状物、図８（ｄ）の半導体を重ねた（図８（ｆ））。この時、銅箔の粗化面はシート状物側になるように、また、半導体の突起電極はシート状物側になるように配置した。次に温度１２０℃に加熱しながら、半導体を背面から圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で加圧し、この状態で５分間保持した。これにより、前記シート状物８０１中の熱硬化樹脂が加熱により溶融軟化するため、半導体８０４がシート状物中に埋没し、突起電極８０５が銅箔８０６ａに電気的機械的に接続された（図８（ｇ））。さらに図８（ｇ）のシート状物に図８（ｃ）のシート状物８０１（厚み７０μｍ）と、銅箔（片面粗化処理した１８μｍ銅箔）とを位置合わせして重ねた（図８（ｈ））。この時、銅箔の粗化面はシート状物側になるようにした。次に１７５℃で加熱しながら圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で加圧して６０分間保持した。これによりシート状物８０１中のエポキシ樹脂及び、導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、シート状物と半導体及び銅箔が機械的に強固な接着が得られた。また、導電性樹脂組成物８０３が前記銅箔と電気的（インナービア接続）機械的に接着したインナービア８０８を有する電気絶縁層８０７が得られた（図８（ｉ））。この半導体を埋設した電気絶縁層８０７の表面の銅箔をエッチング技術によりエッチングして、インナビアホール上に直径０．２ｍｍの電極パターン及び配線パターン８０９ａ及び８０９ｂが形成された（図８（ｊ））。
【０１３７】
この方法によって作製された半導体内蔵モジュールの信頼性評価として、半田リフロー試験、温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて１０回通すことで行った。また温度サイクル試験は、高温側が１２５℃、低温側が−６０℃の温度で各３０分間保持し、２００サイクル行った。このとき半導体モジュールは形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これにより半導体とモジュールは、強固な密着が得られていることが確認できた。また導電性樹脂組成物によるインナービア、半導体の接続ともにほとんど初期性能と変化がなかった。また、この方法によって作製された半導体内蔵モジュールフレキシブル性が確認できた。
【０１３８】
（実施例５）
実施例１と同様のシート状物を用いて半導体を内蔵させたモジュールの実施例を示す。実施例１と同一条件で作製した貫通孔に導電性樹脂組成物９０３を充填したシート状物９０１（厚み７０μｍ）を準備した（図９（ｃ））。次に実施例１と同様に突起電極９０５を形成した半導体９０４を準備した（図９（ｄ））。次に実施例２と同様に離型フイルム９０７上に配線パターン９０６を形成した（図９（ｅ））。次に図９（ｅ）の離型フイルム、図９（ｃ）のシート状物、図９（ｄ）の半導体を重ねた（図９（ｆ））。このとき、配線パターン９０６ａはシート状物側になるように、また、半導体の突起電極はシート状物側になるように配置した。次に温度１２０℃に加熱しながら、半導体を背面から圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で加圧し、５分間保持した。これにより、前記シート状物５０１中の熱硬化樹脂が加熱により溶融軟化するため、半導体９０４がシート状物中に埋没し、突起電極９０５が配線パターン９０６ａに電気的機械的に接続された（図９（ｇ））。さらに図９（ｇ）のシート状物に図９（ｃ）のシート状物９０１（厚み７０μｍ）と、図９（ｅ）の離型フイルムとを位置合わせして重ねた（図９（ｈ））。このとき、銅箔の粗化面はシート状物側になるようにした。次に１７５℃で加熱しながら、圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で加圧して６０分間保持した。これによりシート状物９０１中のエポキシ樹脂及び、導電性樹脂組成物中のエポキシ樹脂が硬化し、シート状物と半導体及び銅箔が機械的に強固な接着が得られた。また、導電性樹脂組成物９０３が前記銅箔と電気的（インナービア接続）機械的に接着したインナービア９０８を有する電気絶縁層９０７が得られた（図９（ｉ））。次に実施例２と同様に、この半導体を埋設した電気絶縁層９０８の表面の離型フイルムを剥離した（図９（ｊ））。
【０１３９】
この方法によって作製された半導体内蔵モジュールの信頼性評価として、半田リフロー試験、温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて１０回通すことで行った。また温度サイクル試験は、高温側が１２５℃、低温側が−６０℃の温度で各３０分間保持し、２００サイクル行った。このとき半導体モジュールは形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これにより半導体とモジュールは、強固な密着が得られていることが確認できた。また導電性樹脂組成物によるインナービア接続抵抗もほとんど初期性能と変化がなかった。また、この方法によって作製された半導体内蔵モジュールフレキシブル性が確認できた。
【０１４０】
（実施例６）
実施例１と同様のシート状物を用いて半導体を内蔵させたモジュールの実施例を示す。実施例１と同一条件で作製した貫通孔に導電性樹脂組成物１００３を充填したシート状物１００１（厚み１４０μｍ）を準備した（図１０（ｃ））。次に実施例１と同様に突起電極１００５を形成した半導体１００４を準備し、次に銅箔（片面粗化処理した１８μｍ銅箔）上に接着材１００７を用いて半導体１００４の背面を固定した（図１０（ｅ））。その後、別途準備した銅箔１００６ａ（片面粗化処理した１８μｍ銅箔）、図１０（ｃ）のシート状物、図１０（ｅ）の半導体と接着した銅箔１００６ｂを位置合わせして重ねた（図１０（ｆ））。この時、銅箔の粗化面はシート状物側になるように配置した。これを熱プレスを用いてプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で５分間加熱加圧した。これにより、前記シート状物１００１中の熱硬化樹脂が加熱により溶融軟化するため、半導体１００４及び接着剤１００７がシート状物中に埋没し、突起電極１００５が銅箔１００６ａに電気的機械的に接続された。さらに加熱温度を上昇させ１７５℃で６０分間保持した。これによりシート状物１００１中のエポキシ樹脂及び、導電性樹脂組成物１００３中のエポキシ樹脂が硬化し、シート状物と半導体及び配線パターンが機械的に強固な接着ができた。また、導電性樹脂組成物１００３が銅箔１００６ａ及び１００６ｂと電気的、機械的に接着したインナービア１００９を有する電気絶縁層１００８が得られた（図１０（ｇ））。この半導体を埋設した電気絶縁層１００８の表面の銅箔をエッチング技術によりエッチングして、インナビアホール上に直径０．２ｍｍの電極パターン及び配線パターン１０１０ａ及び１０１０ｂが形成された（図１０（ｈ））。
【０１４１】
この方法によって作製された半導体内蔵モジュールの信頼性評価として、半田リフロー試験、温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて１０回通すことで行った。また温度サイクル試験は、高温側が１２５℃、低温側が−６０℃の温度で各３０分間保持し、２００サイクル行った。このとき半導体モジュールは形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これにより半導体とモジュールは、強固な密着が得られていることが確認できた。また導電性樹脂組成物によるインナービア、半導体の接続ともにほとんど初期性能と変化がなかった。また、この方法によって作製された半導体内蔵モジュールフレキシブル性が確認できた。
【０１４２】
（実施例７）
実施例１と同様のシート状物を用いて半導体を内蔵させたモジュールの実施例を示す。実施例１と同一条件で作製した貫通孔に導電性樹脂組成物１１０３を充填したシート状物１１０１（厚み１４０μｍ）を準備した（図１１（ｃ））。次に実施例２と同様に離型フイルム１１０７上に配線パターン１１０６を形成した（図１１（ｄ））。次に実施例１と同様に突起電極１００５を形成した半導体１００４を準備し、図１１（ｄ）の離型フイルム上に接着剤１１０８を用いて半導体１１０４の背面を接着させた（図１１（ｅ））。
【０１４３】
別途準備した配線パターンだけを有する転写キャリア１１０７ａと、前記導電性樹脂組成物１１０３を充填したシート状物１１０１と、図１１（ｅ）の半導体と接着した離型フイルム１１０７ｂとを位置合わせして重ねた（図１１（ｆ））。
これを熱プレスを用いてプレス温度１２０℃、圧力１０ｋｇ／ｃｍ２で５分間加熱加圧した。これにより、前記シート状物１１０１中の熱硬化樹脂が加熱により溶融軟化するため、半導体１１０４及び接着剤１１０８がシート状物中に埋没し、突起電極１１０５が銅箔１１０６ａに電気的機械的に接続された。さらに加熱温度を上昇させ１７５℃で６０分間保持した。これによりシート状物１１０１中のエポキシ樹脂、及び、導電性樹脂組成物１１０３中のエポキシ樹脂が硬化し、シート状物と半導体及び配線パターンが機械的に強固な接着が得られた。また、導電性樹脂組成物１１０３が前記配線パターン１１０６ａ及び１０６ｂと電気的、機械的に接着したインナービア１１１０を有する電気絶縁層１１０９が得られた（図１１（ｇ））。次にこの半導体を埋設した電気絶縁層１１０９の表面の離型フイルムを剥離した（図１１（ｈ））。離型フイルムは光沢面を有し、かつ電解メッキにて配線層を形成してあるため、離型フイルムである銅箔だけが剥離させることができた。この方法では、あらかじめ配線パターンを形成した離型フイルムを用いるため、硬化後のモジュールは配線パターンもモジュール内に埋め込まれた平坦なモジュールとなる。このことは、モジュール表面にファインに多層配線が形成できることになる。また同様に配線パターンが埋設されることにより、表面の配線パターンの厚み分だけシート状物が圧縮される。以下の実施例において離型フイルムを用いる場合は同様である。
【０１４４】
この方法によって作製された半導体内蔵モジュールの信頼性評価として、半田リフロー試験、温度サイクル試験を行った。半田リフロー試験は、最高温度が２６０℃で１０秒のベルト式リフロー試験機を用いて１０回通すことで行った。また温度サイクル試験は、高温側が１２５℃、低温側が−６０℃の温度で各３０分間保持し、２００サイクル行った。このとき半導体モジュールは形状的にもクラックが発生せず、超音波探傷装置でも特に異常は認められなかった。これにより半導体とモジュールは、強固な密着が得られていることが確認できた。また導電性樹脂組成物によるインナービア接続抵抗もほとんど初期性能と変化がなかった。また、この方法によって作製された半導体内蔵モジュールフレキシブル性が確認できた。
【０１４５】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、半導体のアンダーフィルと絶縁層を同一材料とすることで高密度なモジュールの実現が可能であり、かつフレキシブル性を有する半導体内蔵モジュール及びその製造方法とすることができる。
【０１４６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシート状モジュールの一実施の形態を示す断面図である。
【図２】本発明のシート状モジュールの一実施の形態を示す断面図である。
【図３】本発明のシート状モジュールの一実施の形態を示す断面図である。
【図４】本発明のシート状モジュールの一実施の形態を示す断面図である。
【図５】本発明のシート状モジュールの製造方法の一実施の形態を示す断面図である。
【図６】本発明のシート状モジュールの製造方法の一実施の形態を示す断面図である。
【図７】本発明のシート状モジュールの製造方法の一実施の形態を示す断面図である。
【図８】本発明のシート状モジュールの製造方法の一実施の形態を示す断面図である。
【図９】本発明のシート状モジュールの製造方法の一実施の形態を示す断面図である。
【図１０】本発明のシート状モジュールの製造方法の一実施の形態を示す断面図である。
【図１１】本発明のシート状モジュールの製造方法の一実施の形態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，５０７，６０８，７０８，８０７，９０８，１００８，１１０９    電気絶縁層
２０１，２０２，２０３，２０４    配線層
１０３，２０３，３０３，４０３    配線パターン層
１０４，２０４，３０４，５０８，６０９，７０９，８０８，９０９，１００９，１１１０    インナービア
４０４    スルーホール
１０５，２０５，３０５，４０５，５０４，６０４，７０４，８０４，９０４，１００４，１１０４    半導体
１０６，２０６，３０６，４０６，５０５，６０５，７０５，８０５，９０５，１００５，１１０５    突起電極
３０７    多層基板
５０１，６０１，７０１，８０１，９０１，１００１，１１０１    混合物
５０２，６０２，７０２，８０２，９０２，１００２，１１０２    貫通孔
５０３，６０３，７０３，８０３，９０３，１００３，１１０３    導電性樹脂組成物
５０６，５０６ａ，５０６ｂ，８０６，８０６ａ，８０６ｂ，１００６ａ，１００６ｂ    銅箔
６０６，６０６ａ，６０６ｂ，７０６，７０６ａ，７０６ｂ，９０６，９０６ａ，９０６ｂ，１１０６ａ，１１０６ｂ    配線パターン
６０７，６０７ａ，６０７ｂ，７０７，７０７ａ，７０７ｂ，９０７，９０７ａ，９０７ｂ，１１０７ａ，１１０７ｂ    離型フイルム
【図１】
2004311788.tif 000003
【図２】
2004311788.tif 000004
【図３】
2004311788.tif 000005
【図４】
2004311788.tif 000006
【図５】
2004311788.tif 000007
【図６】
2004311788.tif 000008
【図７】
2004311788.tif 000009
【図８】
2004311788.tif 000010
【図９】
2004311788.tif 000011
【図１０】
2004311788.tif 000012
【図１１】
2004311788.tif 000013