(57)【要約】      （修正有）【課題】電流鏡と少ない抵抗とを利用して、絶対温度正比例の電流及びベース−エミッタ間電圧正比例の電流を同時に発生させ、さらに電流を相い足す方式で低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる電圧回路を提供する。【解決手段】電流の大きさが絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）であり、且つ入力端が第１の電圧にカップリングされた第１の電流源と、電流の大きさがベース-エミッタ間電圧に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）であり、かつ入力端が第１の電圧にカップリングされ、出力端が絶対温度に正比例する電流の電流源の出力端にカップリングされた第２の電流源と、一端が共に該第１の電流源及び該第２の電流源の出力端にカップリングされ、そして他端が第２の電圧にカップリングされた第１の抵抗と、を備えてなり、その中、該第１の電流源及び該第２の電流源により発生した電流総和を利用して、該第１の抵抗において低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる。【選択図】図３
2004355612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流の大きさが絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）であり、入力端が第１の電圧にカップリングされた第１の電流源と、
電流の大きさがベース−エミッタ間電圧に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）であり、かつ入力端が第１の電圧にカップリングされ、そして出力端が絶対温度に正比例する電流の電流源の出力端にカップリングされた第２の電流源と、
一端が共に前記第１の電流源及び前記第２の電流源の出力端にカップリングされ、そして他端が第２の電圧にカップリングされた第１の抵抗と、を備えてなり、その中
前記第１の電流源及び前記第２の電流源により発生した電流総和を利用して前記第１の抵抗において低バンド・ギャップ参照電圧が発生することを特徴とする低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【請求項２】
前記第１の電圧は前記第２の電圧よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【請求項３】
前記第１の電流源は、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされた第１のモス電界効果トランジスタと、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされた第２のモス電界効果トランジスタと、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、ゲート端及びドレーン端が共に前記第１のモス電界効果トランジスタのゲート端及び前記第２のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第３のモス電界効果トランジスタと、コレクタ端が前記第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされた第１の双極ジャンクション・トランジスタと、コレクタ端が前記第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、またベース端が前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が前記第２の電圧にカップリングされた第２の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第２の抵抗と、一端が前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、そして、他端が前記第２の電圧にカップリングされた第３の抵抗と、一端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第４の抵抗と、を備えてなり、その中
前記第１のモス電界効果トランジスタと、前記第２のモス電界効果トランジスタと、前記第３のモス電界効果トランジスタとは、いずれも同一なＰ型モス電界効果トランジスタであり、
前記第１の双極ジャンクション・トランジスタと前記第２の双極ジャンクション・トランジスタとは、いずれもｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタであり、
前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積は前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積の整数倍、かつ、少くとも２倍であり、
また前記第２の電流源は、ベース端が共に前記第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、そしてコレクタ端が共に前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第２の抵抗の一端にカップリングされた第３の双極ジャンクション・トランジスタと、ベース端が前記第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてコレクタ端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端、前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び前記第４の抵抗の一端にカップリングされた第４の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が前記第１の電圧にカップリングされ、そして他端が前記第３の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第５の抵抗と、一端が前記第１の電圧にカップリングされ、そして他端が前記第４の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第６の抵抗と、を備えてなり、その中
前記第３の双極ジャンクション・トランジスタ及び前記第４の双極ジャンクション・トランジスタはいずれも同一のｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタであり、
前記第２の電流源はさらに補償回路を備えてなり、この補償回路は、一端が共に前記第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び前記第４の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされたキャパシタと、一端が前記キャパシタの他端にカップリングされ、そして他端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端、前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端、前記第４の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端および前記第４の抵抗の一端にカップリングされた第７の抵抗と、を備えてなる、ことを特徴とする請求項１記載の低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【請求項４】
前記第１の電流源は、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされた第４のモス電界効果トランジスタと、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされた第５のモス電界効果トランジスタと、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、そしてゲート端が共に前記第４のモス電界効果トランジスタのゲート端と前記第５のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされた第６のモス電界効果トランジスタと、コレクタ端が共に前記第４のモス電界効果トランジスタのゲート端と前記第５のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端と前記第６のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第５の双極ジャンクション・トランジスタと、コレクタ端が前記第６のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、ベース端が前記第５の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が前記第２の電圧にカップリングされた第６の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が前記第４のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第８の抵抗と、一端が前記第５の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第９の抵抗と、一端が共に前記第５の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び前記第６の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第１０の抵抗と、を備えてなり、その中
前記第４のモス電界効果トランジスタと、前記第５のモス電界効果トランジスタと、前記第６の電界効果トランジスタとはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、
前記第５の双極ジャンクション・トランジスタと前記第６の双極ジャンクション・トランジスタとはいずれもｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタであり、
前記第５の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積は前記第６の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積の整数倍、かつ、少くとも２倍であり、
また前記第２の電流源は、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、ドレーン端が共に前記第４のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第８の抵抗の一端にカップリングされた第７のモス電界効果トランジスタと、ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、ゲート端及びドレーン端が共に前記第７のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第８のモス電界効果トランジスタと、ドレーン端が共に前記第７のモス電界効果トランジスタのゲート端と前記第８のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされ、ゲート端が共に前記第６のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第６の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、ソース端が共に第５の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第６の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第１０の抵抗の一端とにカップリングされた第９のモス電界効果トランジスタと、を備えてなり、その中
前記第７のモス電界効果トランジスタ及び前記第８のモス電界効果トランジスタはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、
前記第９のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタである、ことを特徴とする請求項１記載の低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【請求項５】
ソース端が第１の電圧にカップリングされた第１のモス電界効果トランジスタと、
ソース端が前記第１の電圧にカップリングされた第２のモス電界効果トランジスタと、
ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、ゲート端及びドレーン端が共に前記第１のモス電界効果トランジスタのゲート端及び前記第２のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第３のモス電界効果トランジスタと、
コレクタ端が前記第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされた第１の双極ジャンクション・トランジスタと、
コレクタ端が前記第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、ベース端が前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が前記第２の電圧にカップリングされた第２の双極ジャンクション・トランジスタと、
一端が前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、他端が前記第２の電圧にカップリングされた第１の抵抗と、
一端が前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、他端が前記第２の電圧にカップリングされた第２の抵抗と、
一端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第３の抵抗と、
ベース端が共に前記第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、コレクタ端が共に前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第１の抵抗の一端にカップリングされた第３の双極ジャンクション・トランジスタと、
ベース端が前記第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、コレクタ端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第３の抵抗の一端とにカップリングされた第４の双極ジャンクション・トランジスタと、
一端が前記第１の電圧にカップリングされ、そして他端が前記第３の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第４の抵抗と、
一端が前記第１の電圧にカップリングされ、そして他端が前記第４の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第５の抵抗と、を備えてなり、その中
前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端が出力した、絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）と、前記第３の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端が出力した、ベース−エミッタ間電位に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）とにより生じた電流総和を利用して、前記第１の抵抗において低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる、ことを特徴とする低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【請求項６】
前記第３の双極ジャンクション・トランジスタ及び前記第４の双極ジャンクション・トランジスタはいずれも同一のｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタであり、及び
前記ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源はさらに補償回路を備えてなり、この補償回路は一端が共に前記第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び前記第４の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされたキャパシタと、一端が前記キャパシタの他端にカップリングされ、そして他端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第４の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端と前記第３の抵抗の一端とにカップリングされた第６の抵抗と、を備えてなる、ことを特徴とする請求項５記載の低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【請求項７】
ソース端が第１の電圧にカップリングされた第１のモス電界効果トランジスタと、
ソース端が前記第１の電圧にカップリングされた第２のモス電界効果トランジスタと、
ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、ゲート端が共に前記第１のモス電界効果トランジスタのゲート端と、前記第２のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされた第３のモス電界効果トランジスタと、
コレクタ端が共に前記第１のモス電界効果トランジスタのゲート端と前記第２のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端と前記第３の電界効果トランジスタのゲート端とにカップリングされた第１の双極ジャンクション・トランジスタと、
コレクタが前記第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、ベース端が前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が前記第２の電圧にカップリングされた第２の双極ジャンクション・トランジスタと、
一端が前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第１の抵抗と、
一端が前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第２の抵抗と、
一端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が前記第２の電圧にカップリングされた第３の抵抗と、
ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、そしてドレーン端が共に前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第１の抵抗の一端にカップリングされた第４のモス電界効果トランジスタと、
ソース端が前記第１の電圧にカップリングされ、そしてゲート端及びドレーン端が共に第４のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第５のモス電界効果トランジスタと、
ドレーン端が共に前記第４のモス電界効果トランジスタのゲート端と前記第５のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされ、ゲート端が共に前記第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、そしてソース端が共に前記第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と前記第３の抵抗の一端とにカップリングされた第６のモス電界効果トランジスタと、を備えてなり、その中
前記第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端が出力した、絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）と、前記第４のモス電界効果トランジスタのドレーン端が出力した、ベース−エミッタ間電位に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）とにより生じた電流総和を利用して、前記第１の抵抗において低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる、ことを特徴とする低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【請求項８】
前記第４のモス電界効果トランジスタ及び前記第５のモス電界効果トランジスタはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、及び
前記第６のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタである、ことを特徴とする請求項７記載の低バンド・ギャップ参照電圧回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は低バンド・ギャップ参照電圧回路に関し、特に、電流鏡及び比較的少ない抵抗を利用して低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる低バンド・ギャップ参照回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示すように、従来の技術において低バンド・ギャップ参照電圧が知られている。これは３つのＰ型モス電界効果トランジスタ１１１，１１２及び１１３と、演算増幅器（ＯｐＡｍｐ）１２と、２つのｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ（ＢＪＴ）１３１及び１３２と、４つの抵抗１４，１５，１６１及び１６２とにより共同してカップリングしてなり、その中、抵抗１６１及び１６２は同一の抵抗値を有すると共に、ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３２のｐｎ接合面積がｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３１の整数倍、かつ少くとも２倍であるので、ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３２は少くとも２つの、ｐｎ接合面積がｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３１に等しいｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタが、同極端で互いにカップリング（エミッタ端がエミッタ端と接続し、ベース端がベース端と接続し、コレクタ端がコレクタ端と接続する）する方式により形成されている。
【０００３】
演算増幅器１２により節点１０１及び１０２が仮想ショートの状態に形成されるので、節点１０１及び１０２の電圧が同一であると見なすことができ、そして節点１０１及び１０２の電圧値もまたそれぞれｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３１のベース−エミッタ間電圧（ＶBE131 で表わす）及びｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３２のベース−エミッタ間電圧（ＶBE132 で表わす）と見なせるので、ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３１のベース−エミッタ間電圧とｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３２のベース−エミッタ間電圧との差が抵抗１４上（抵抗１４の両端電圧差をΔＶBE132 と表わす）に反応、つまり、
ＶBE131 −ＶBE132 ＝ΔＶBE132                                   （１）
となる。したがって抵抗１４を流れる（その抵抗値をＲ14とする）電流（ｉR14 で表わす）は次の式で表わすことが出来る。
【０００４】
ｉR14 ＝ΔＶBE132 ／Ｒ14                                        （２）
なお、節点１０２の電圧（節点１０１の電圧と同一、すなわち、ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ１３１のベース−エミッタ間電圧ＶBE131 である）がＶBE131 であるので、抵抗１６２（抵抗値をＲ162 とする）の電流（ｉR162で表わす）を以下の式で表わすことが出来る。
【０００５】
ｉR162＝ＶBE131 ／Ｒ162                                       （３）
Ｐ型モス電界効果トランジスタ１１２のドレーン端から流れ出る電流値は抵抗１４及び１６２の総和であり、そして、３つの同一のＰ型モス電界効果トランジスタ１１１，１１２及び１１３が１つの電流鏡回路を構成するので、抵抗１５（抵抗値をＲ15とする）の電流値（ｉR15 で表わす）も抵抗１４及び１６２を流れる電流の総和に等しいと見なすことが出来る。即ち、
ｉR15 ＝ｉR14 ＋ｉR162＝ΔＶBE132 ／Ｒ14＋ＶBE131 ／Ｒ162     （４）
であるので、節点１０３より出力したバンド・ギャップ参照電圧Ｖref は次の式で表わすことが出来る。
【０００６】
Ｖref ＝ｉR15 Ｒ15
＝Ｒ15（ΔＶBE132 ／Ｒ14＋ＶBE131 ／Ｒ162 ）
＝Ｒ15（ＩＰＴＡＴ＋ＩＰＴＶＢＥ）                      （５）
このようなバンド・ギャップ参照回路は伝統のバンド・ギャップ参照回路に比べて１組の同一抵抗値の抵抗１６１，１６２を加えたことにより、バンド・ギャップ参照電圧Ｖref は、構成がベース−エミッタ間電圧に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）のＶBE131 項において更に因子１／Ｒ162 をかけることとなるので、出力したバンド・ギャップ参照電圧が比較的低くなる。また、（５）式において、ΔＶBE132 及びＶBE131 はそれぞれ絶対温度と正比例及び反比例の関係をなすので、適当に抵抗値１４，１５及び１６２の抵抗値を選択することにより、この種のバンド・ギャップ参照回路に節点１０３において絶対温度に付随して変化しない低バンド・ギャップ参照電圧を出力させることが出来る。
【０００７】
しかしながら、この種の回路は比較的低いバンド・ギャップ参照電圧を出力する目的を達成するために、節点１０１及び１０２はそれぞれ定格外に１組の同一抵抗値の抵抗をカップリングする必要があるので集積回路の設計から言えば、比較的大きな面積が必要となり、この種の低バンド・ギャップ回路として実用性に欠如しているという欠点が存在している。
【０００８】
従来技術中の別種の低バンド・ギャップ参照電圧回路は、図２に示すように、絶対温度電流（ＩＰＴＡＴ）に正比例する電流源２１と、入力偏圧電流源２２と、ｐｎｐ双極ジャンクション・トランジスタ２３と、抵抗２４及び２５とにより共同してカップリングされてなるものである。
【０００９】
節点２０１の、節点２０２に対応する電位差がｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ２３のベース−エミッタ間電圧（ＶBE23で表わす）であるので、抵抗２４（その抵抗値をＲ24とする）の電流（すなわち、吾人がここで発生したい、ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流ＩＰＴＶＢＥ）は次の式で表わすことが出来る。
【００１０】
ＩＰＴＶＢＥ＝ＶBE23／Ｒ24                                    （６）
したがって、節点２０３より出力したバンド・ギャップ参照電圧Ｖref は次の式で表わすことが出来る。
Ｖref ＝Ｒ25（ＩＰＴＡＴ＋ＩＰＴＶＢＥ）
＝Ｒ25（ＩＰＴＡＴ＋ＶBE23／Ｒ24）                      （７）
前述の第１種のバンド・ギャップ参照回路と同一な所は、この種のバンド・ギャップ参照回路が抵抗２４を加えたことにより、バンド・ギャップ参照電圧は、構成がベース−エミッタ間電圧に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）のＶBE23項において更に因子１／Ｒ24をかけることとなるので、出力したバンド・ギャップ参照電圧が伝統のバンド・ギャップ参照電圧に比べて低くなる。しかしながら、この種のバンド・ギャップ参照回路と第１種のバンド・ギャップ参照回路とを比べた場合に、ＩＰＴＶＢＥを生ずるための抵抗を１個少なく（抵抗２４のみ）使用したけれども、却ってｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタを１個多く使用している。さらには、絶対温度に正比例する電圧ＩＰＴＡＴ及びベース−エミッタ間電圧に比例する電流ＩＰＴＶＢＥは先後順にそれぞれ発生する必要があり、前述の第１種のバンド・ギャップ参照回路（電流鏡の方式で同時にＩＰＴＡＴ及びＩＰＴＶＢＥが発生する）に比べて実際的な回路配置がより複雑である。
【００１１】
上記従来技術に見るネックに鑑み、本出願人により鋭意テストと研究とを重ねた結果、ついに本発明の「低バンド・ギャップ参照電圧回路」を案出した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の主たる目的は、電流鏡と比較的少ない抵抗とを利用して、絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）及びベース−エミッタ間電圧に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）を同時に発生させ、さらに電流を相い足す方式で低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる低バンド・ギャップ参照電圧回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路は、電流の大きさが絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）であり、入力端が第１の電圧にカップリングされた第１の電流源と、電流の大きさがベース−エミッタ間電圧に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）であり、入力端が第１の電圧にカップリングされ、そして出力端が絶対温度に正比例する電流の電流源の出力端にカップリングされた第２の電流源と、一端が共に該第１の電流源及び該第２の電流源の出力端にカップリングされ、そして他端が第２の電圧にカップリングされた第１の抵抗とを備えてなり、その中、該第１の電流源及び該第２の電流源より発生した電流総和により、当該第１の抵抗において低バンド・ギャップ参照電圧が発生することを特徴とする（請求項１に対応）。
【００１４】
上記本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路において該第１の電圧は該第２の電圧よりも大きいことを特徴とする（請求項２に対応）。
また上記本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路において、該第１の電流源は、ソース端が該第１の電圧にカップリングされた第１のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされた第２のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、ゲート端及びドレーン端が共に該第１のモス電界効果トランジスタのゲート端及び該第２のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第３のモス電界効果トランジスタと、コレクタ端が該第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされた第１の双極ジャンクション・トランジスタと、コレクタ端が該第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、またベース端が該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が該第２の電圧にカップリングされた第２の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第２の抵抗と、一端が該第１の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第３の抵抗と、一端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第４の抵抗と、を備えてなり、
該第１のモス電界効果トランジスタと、該第２のモス電界効果トランジスタと該第３のモス電界効果トランジスタとは、いずれも同一なＰ型モス電界効果トランジスタであり、
該第１の双極ジャンクション・トランジスタと該第２の双極ジャンクション・トランジスタとは、いずれもｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタであり、
該第１の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積は該第２の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積の整数倍、かつ、少くとも２倍であり、及び
該第２の電流源は、ベース端が共に該第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第１の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、そしてコレクタ端が共に該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第２の抵抗の一端にカップリングされた第３の双極ジャンクション・トランジスタと、ベース端が該第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてそのコレクタ端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端、該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び該第４の抵抗の一端にカップリングされた第４の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が該第１の電圧にカップリングされ、そして他端が該第３の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第５の抵抗と、一端が該第１の電圧にカップリングされ、そして他端が該第４の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第６の抵抗とを備えてなり、その中：
該第３の双極ジャンクション・トランジスタ及び該第４の双極ジャンクション・トランジスタはいずれも同一のｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタであり、
該第２の電流源はさらに補償回路を備え、この補償回路は、一端が共に該第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び該第４の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされたキャパシタと、一端が該キャパシタの他端にカップリングされ、そして他端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端、該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端、該第４の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端及び該第４の抵抗の一端にカップリングされた第７の抵抗とを備えてなる、ことを特徴とする（請求項３に対応）。
【００１５】
また、上記本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路において、
該第１の電流源は、ソース端が該第１の電圧にカップリングされた第４のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされた第５のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、そしてゲート端が共に該第４のモス電界効果トランジスタのゲート端と該第５のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされた第６のモス電界効果トランジスタと、コレクタ端が共に該第４のモス電界効果トランジスタのゲート端と該第５のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端と該第６のモス電界効果トランジスタのゲート端とにカップリングされた第５の双極ジャンクション・トランジスタと、コレクタ端が該第６のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、ベース端が該第５の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が該第２の電圧にカップリングされた第６の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が該第４のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第８の抵抗と、一端が該第５の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされ第９の抵抗と、一端が共に該第５の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び該第６の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第１０の抵抗と、を備えてなり、その中
該第４のモス電界効果トランジスタと、該第５のモス電界効果トランジスタと、該第６のモス電界効果トランジスタとはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、
該第５の双極ジャンクション・トランジスタと該第６の双極ジャンクション・トランジスタとはいずれもｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタであり、
該第５の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積は該第６の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積の整数倍、かつ、少なくとも２倍であり、
また該第２の電流源は、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、ドレーン端が共に該第４のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第８の抵抗の一端にカップリングされた第７のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、ゲート端及びドレーン端が共に該第７のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第８のモス電界効果トランジスタと、ドレーン端が共に該第７のモス電界効果トランジスタのゲート端と該第８のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされ、ゲート端が共に該第６のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第６の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、ソース端が共に第５の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第６の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第１０の抵抗の一端とにカップリングされた第９のモス電界効果トランジスタと、を備えてなり、その中
該第７のモス電界効果トランジスタ及び該第８のモス電界効果トランジスタはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、
該第９のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタである、ことを特徴とする（請求項４に対応）。
【００１６】
さらには、上記目的を達成するために本発明により提供された他の発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路は、ソース端が第１の電圧にカップリングされた第１のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされた第２のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、ゲート端及びドレーン端が共に該第１のモス電界効果トランジスタのゲート端及び該第２のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第３のモス電界効果トランジスタと、コレクタ端が該第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされた第１の双極ジャンクション・トランジスタと、コレクタ端が該第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、ベース端が該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が該第２の電圧にカップリングされた第２の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、他端が該第２の電圧にカップリングされた第１の抵抗と、一端が該第１の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、他端が該第２の電圧にカップリングされた第２の抵抗と、一端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第３の抵抗と、ベース端が共に該第２のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第１の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、コレクタ端が共に該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第１の抵抗の一端にカップリングされた第３の双極ジャンクション・トランジスタと、ベース端が該第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、コレクタ端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第３の抵抗の一端とにカップリングされた第４の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が該第１の電圧にカップリングされ、そして他端が該第３の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第４の抵抗と、一端が該第１の電圧にカップリングされ、そして他端が該第４の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされた第５の抵抗と、を備えてなり、その中
該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端が出力した、絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）と、該第３の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端が出力した、ベース−エミッタ間電位に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）とにより生じた電流総和を利用して、該第１の抵抗において低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる、ことを特徴とする（請求項５に対応）。
【００１７】
上記本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路において、
該第１の電圧は該第２の電圧よりも大きいものであり、
該第１のモス電界効果トランジスタと該第２のモス電界効果トランジスタと該第３のモス電界効果トランジスタとはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、
該第１の双極ジャンクション・トランジスタと該第２の双極ジャンクション・トランジスタはいずれもｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタであり、及び
該第１の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積は該第２の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積の整数倍、かつ、少くとも２倍である、ことを特徴とする。
【００１８】
また、上記本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路において、
該第３の双極ジャンクション・トランジスタ及び該第４の双極ジャンクション・トランジスタはいずれも同一のｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタであり、及び
該ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源はさらに補償回路を備えてなり、この補償回路は一端が共に該第３の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び該第４の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされたキャパシタと、一端が該キャパシタの他端にカップリングされ、そして他端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第４の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端と該第３の抵抗の一端とにカップリングされた第６の抵抗と、を備えてなることを特徴とする（請求項６に対応）。
【００１９】
さらには、上記本発明の目的を達成するために本発明により提供された低バンド・ギャップ参照電圧回路は、ソース端が第１の電圧にカップリングされた第１のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされた第２のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、ゲート端が共に該第１のモス電界効果トランジスタのゲート端と該第２のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされた第３のモス電界効果トランジスタと、コレクタ端が共に該第１のモス電界効果トランジスタのゲート端と該第２のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端と該第３のモス電界効果トランジスタのゲート端とにカップリングされた第１の双極ジャンクション・トランジスタと、コレクタ端が該第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、ベース端が該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そしてエミッタ端が該第２の電圧にカップリングされた第２の双極ジャンクション・トランジスタと、一端が該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第１の抵抗と、一端が該第１の双極ジャンクション・トランジスタのエミッタ端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第２の抵抗と、一端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端及び該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端にカップリングされ、そして他端が該第２の電圧にカップリングされた第３の抵抗と、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、そしてドレーン端が共に該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第１の抵抗の一端にカップリングされた第４のモス電界効果トランジスタと、ソース端が該第１の電圧にカップリングされ、そしてゲート端及びドレーン端が共に第４のモス電界効果トランジスタのゲート端にカップリングされた第５のモス電界効果トランジスタと、ドレーン端が共に該第４のモス電界効果トランジスタのゲート端と該第５のモス電界効果トランジスタのゲート端及びドレーン端とにカップリングされ、ゲート端が共に該第３のモス電界効果トランジスタのドレーン端及び該第２の双極ジャンクション・トランジスタのコレクタ端にカップリングされ、そしてソース端が共に該第１の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第２の双極ジャンクション・トランジスタのベース端と該第３の抵抗の一端とにカップリングされた第６のモス電界効果トランジスタと、を備えてなり、その中
該第１のモス電界効果トランジスタのドレーン端が出力した、絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）と、該第４のモス電界効果トランジスタのドレーン端が出力した、ベース−エミッタ間電位に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）とにより生じた電流総和を利用して、該第１の抵抗において低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる、ことを特徴とする（請求項７に対応）。
【００２０】
上記本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路において、
該第１の電圧は該第２の電圧より大きいものであり、
該第１のモス電界効果トランジスタと該第２のモス電界効果トランジスタと該第３のモス電界効果トランジスタとはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、
該第１の双極ジャンクション・トランジスタと該第２の双極ジャンクション・トランジスタはいずれもｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタであり、及び
該第１の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積は該第２の双極ジャンクション・トランジスタのｐｎ接合面積の整数倍、かつ、少くとも２倍である、ことを特徴とする。
【００２１】
また、上記本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路において、
該第４のモス電界効果トランジスタ及び該第５のモス電界効果トランジスタはいずれも同一のＰ型モス電界効果トランジスタであり、及び
該第６のモス電界効果トランジスタはＮ型モス電界効果トランジスタである、ことを特徴とする（請求項８に対応）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、添付図を参照しながら本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図３は本発明に係る低バンド・ギャップ参照電圧回路の第１の好適な実施の態様を示す図である。この実施の態様は絶対温度に正比例する電流（ＩＰＴＡＴ）の電流源３１と、ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流（ＩＰＴＶＢＥ）の電流源３２と、抵抗３３とが共にカップリングされてなるものである。その中、絶対温度に正比例する電流の電流源３１とベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源３２とは、並列方式で高電圧ＶDDと抵抗３３の一端との間にカップリングされ、そして抵抗３３の他端はアースにカップリングされている。
【００２３】
絶対温度に正比例する電流の電流源３１と、ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源とにより生じた電流総和を利用して、該第１の抵抗において、次の式の低バンド・ギャップ参照電圧を生ずる。
Ｖref ＝Ｒ33（ＩＰＴＡＴ＋ＩＰＴＶＢＥ）                          （８）
そして絶対温度に正比例する電流の電流源３１及びベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源３２の実際上の回路配置方法は、以下の好適な実施例により説明される。
【００２４】
図４は本発明に係る低バンド・ギャップ参照電圧回路の第２の好適な実施の態様を示す図である。図に示すように、絶対温度に正比例する電流の電流源は３個の同一のＰ型モス電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）４１１，４１２及び４１３と、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ（ＢＪＴ）４２１及び４２２と、抵抗４３１，４３２及び４３３とにより共にカップリングされてなり、そしてｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のｐｎ接合面積はｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２２のｐｎ接合面積の整数倍、かつ少くとも２倍である。また、ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源は２個の同一なｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２３及び４２４と、抵抗４３４及び４３５とにより共にカップリングされてなる。
【００２５】
各回路の接続関係においては、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４１１，４１２及び４１３のソース端はいずれも高電圧ＶDDにカップリングされ、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４１３のゲート端及びドレーン端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ４１１のゲート端及びＰ型モス電界効果トランジスタ４１２のゲート端にカップリングされ、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のコレクタ端はＰ型モス電界効果トランジスタ４１２のドレーン端にカップリングされ、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２２のコレクタ端はＰ型モス電界効果トランジスタ４１３のドレーン端に、該トランジスタ４２２のベース端はｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のベース端に、そして該トランジスタ４２２のエミッタ端はアースにそれぞれカップリングされている。抵抗４３１の一端はＰ型モス電界効果トランジスタ４１１のドレーン端にカップリングされ、そして他端はアースにカップリングされている。抵抗４３２の一端は、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のエミッタ端にカップリングされ、そして他端はアースにカップリングされている。抵抗４３３の一端は共にｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のベース端及びｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２２のベース端にカップリングされ、そして他端はアースにカップリングされている。ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２３のベース端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ４１２のドレーン端及びｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のコレクタ端にカップリングされ、そして該トランジスタ４２３のコレクタ端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ４１１のドレーン端及び抵抗４３１の一端にカップリングされている。ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２４のベース端はｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２３のベース端にカップリングされ、ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２４のコレクタ端は共にｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のベース端とｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２２のベース端と抵抗４３３の一端とにカップリングされている。抵抗４３４の一端は高電圧ＶDDにカップリングされ、他端はｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２３のエミッタ端にカップリングされている。抵抗４３５の一端は高電圧ＶDDにカップリングされ、他端はｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２４のエミッタ端にカップリングされている。
【００２６】
また、電圧の安定性を維持操作するために、なおキャパシタ４４及び抵抗４３６により直列構成された補償回路が必要となる。その中、キャパシタ４４の一端は共にｐｎｐ型ジャンクション・トランジスタ４２３のベース端及びｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２４のベース端にカップリングされ、他端は抵抗４３６にカップリングされ、そして抵抗４３６の他端は共にｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のベース端とｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ４２２のベース端とｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２４のコレクタ端と抵抗４３３の一端と、にカップリングされている。
【００２７】
先ずΔＶBE421 で、ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２１のベース−エミッタ間電圧（ＶBE421 で表わす）とｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２２のベース−エミッタ間電圧（ＶBE422 で表わす）との差を表わすと、抵抗４３２（その抵抗値をＲ432 で表わす）を流れる電流（ｉR432で表わす）は次の式で表わされる。
【００２８】
ｉR432＝ΔＶBE421 ／Ｒ432                                       （９）
Ｐ型モス電界効果トランジスタ４１１，４１２及び４１３により電流鏡が構成されるので、Ｐ型モス電界効果トランジスタ４１１のドレーン端から流れ出る電流量とＰ型モス電界効果トランジスタ４１２のドレーン端から流れ出る電流量とが等しくなる。したがって、
ＩＰＴＡＴ＝ｉR432＝ΔＶBE421 ／Ｒ432                           （10）
次に、抵抗４３３を流れる電流（ｉR433で表わす）は次の式で表わす。
【００２９】
ｉR433＝ＶBE422 ／Ｒ432                                         （11）
そしてｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２３及び４２４により別の電流鏡回路が構成され、両者のコレクタ端から流れる電流量を等しくさせるので次の関係が成立する。
【００３０】
ＩＰＴＶＢＥ＝ｉR433＝ＶBE422 ／Ｒ433                           （12）
したがって、節点４０から出力されたバンド・ギャップ参照電圧Ｖref は次の式より得られる。
Ｖref ＝Ｒ431（ＩＰＴＡＴ＋ＩＰＴＶＢＥ）
＝Ｒ431（ΔＶBE421 ／Ｒ432 ＋ＶBE422 ／Ｒ433 ）            （13）
この（１３）の式において、ΔＶBE421 及びＶBE422 はそれぞれ絶対温度と正比例及び反比例の関係をなすので、適当な抵抗４３１，４３２及び４３３の抵抗値を選択することにより、この種のバンド・ギャップ参照回路に、節点４０において絶対温度に付随して変化しない低バンド・ギャップ参照電圧を出力させることが出来る。
【００３１】
この好適な実施例の回路において、キャパシタ４４及び抵抗４３６の補償作用、及びｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ４２３及び４２４への実施退火により、実際的な操作電圧は１．４ボルト程度で実施できる。また、この好適な実施例では比較的低いＩＰＴＶＢＥを生ずるために、使用された抵抗が前記の第１種の先行技術に比べて一つ少ないので、比較的集積回路のレイアウトに要する面積を節約することができる。最後に、本実施例は電流鏡の方式でＩＰＴＡＴ及びＩＰＴＶＢＥを同時に発生させるので、前記の第２種の先行技術（別の回路でＩＰＴＡＴを生じた後、電流鏡でＩＰＴＡＴをＩＰＴＶＢＥに映射する）に比較して回路構造をより簡単化できる。
【００３２】
次に、図５は本発明に係る低バンド・ギャップ参照電圧回路の第３の好適な実施の態様を示す図である。この図に示すように、絶対温度に正比例する電流の電流源は３個の同一なＰ型モス電界効果トランジスタ５１１，５１２及び５１３と、ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１及び５２２と、抵抗５３１，５３２及び５３３とによりカップリングされてなり、そしてｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１のｐｎ接合面積はｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２２のｐｎ接合面積の整数倍、かつ少くとも２倍である。また、ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源は２個の同一なＰ型モス電界効果トランジスタ５１４及び５１５と、Ｎ型モス電界効果トランジスタ５１６とにカップリングされてなる。
【００３３】
その中、各回路の接続関係においては、Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１１，５１２及び５１３のソース端はいずれも高電圧ＶDDにカップリングされ、Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１３のゲート端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ５１１のゲート端とＰ型モス電界効果トランジスタ５１２のゲート端及びドレーン端とにカップリングされている。ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１のコレクタ端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ５１１のゲート端と、Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１２のゲート端及びドレーン端と、Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１３のゲート端とにカップリングされている。ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２２のコレクタ端はＰ型モス電界効果トランジスタ５１３のドレーン端にカップリングされ、該トランジスタ５２２のベース端はｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１のベース端にカップリングされ、そして該トランジスタ５２２のエミッタ端はアースにカップリングされている。抵抗５３１の一端はＰ型モス電界効果トランジスタ５１１のドレーン端にカップリングされ、他端はアースにカップリングされている。抵抗５３２の一端はＰ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１のエミッタ端にカップリングされ、他端はアースにカップリングされている。抵抗５３３の一端は共にｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１のベース端及びｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２２のベース端にカップリングされ、他端はアースにカップリングされている。Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１４のソース端は高電圧ＶDDにカップリングされ、該トランジスタ５１４のドレーン端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ５１１のドレーン端及び抵抗５３１の一端にカップリングされている。Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１５のソース端は高電圧ＶDDにカップリングされ、該トランジスタ５１５のゲート端及びドレーン端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ５１４のゲート端にカップリングされている。Ｎ型モス電界効果トランジスタ５１６のドレーン端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ５１４のゲート端とＰ型モス電界効果トランジスタ５１５のゲート端及びドレーン端とにカップリングされ、該トランジスタ５１６のゲート端は共にＰ型モス電界効果トランジスタ５１３のドレーン端及びｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２２のコレクタ端にカップリングされ、そして該トランジスタ５１６のソース端は共にｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１のベース端とｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ５２２のベース端と抵抗５３３の一端とにカップリングされている。
【００３４】
先ずΔＶBE521 で、ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ５２１のベース−エミッタ間電圧（ＶBE521 で表わす）とｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ５２２のベース−エミッタ間電圧（ＶBE522 で表わす）との差を表わすと、抵抗５３２（その抵抗値をＲ532 で表わす）を流れる電流（ｉR532で表わす）は次の式で表わされる。
【００３５】
ｉR532＝ΔＶBE521 ／Ｒ532                                       （14）
Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１１，５１２及び５１３により電流鏡が構成されるので、Ｐ型モス電界効果トランジスタ５１１のドレーン端から流れ出る電流量とＰ型モス電界効果トランジスタ５１２のドレーン端から流れ出る電流量とが等しくなる。したがって
ＩＰＴＡＴ＝ｉR532＝ΔＶBE521 ／Ｒ532                           （15）
次に抵抗５３３を流れる電流（ｉR533で表わす）は次の式で表わす。
【００３６】
ｉR533＝ＶBE522 ／Ｒ533                                         （16）
そしてＰ型モス電界効果トランジスタ５１４及び５１５により別の電流鏡回路が構成され、両者のドレーン端から流れ出る電流量を等しくさせるので次の関係が成立する。
【００３７】
ＩＰＴＶＢＥ＝ｉR533＝ＶBE522 ／Ｒ533                           （17）
したがって、節点５０から出力されたバンド・ギャップ参照電圧Ｖref は次の式より得られる。
Ｖref ＝Ｒ531(ＩＰＴＡＴ＋ＩＰＴＶＢＥ)
＝Ｒ531(ΔＶBE521 ／Ｒ532 ＋ＶBE522 ／Ｒ533)              （18）
この（１８）の式においてΔＶBE521 及びＶBE522 はそれぞれ絶対温度と正比例及び反比例の関係をなすので、適当な抵抗５３１，５３２及び５３３の抵抗値を選択することにより、この種のバンド・ギャップ参照回路に、節点５０において絶対温度に付随して変化しない低バンド・ギャップ参照回路電圧を出力させることが出来る。
【００３８】
本実施態様の回路は補償回路を構成しないところに前記第１の実施態様と異なるので、実際的な操作電圧は２．０ボルト程度に増してから実施できる。また、本実施態様の回路は比較的低いＩＰＴＶＢＥを生ずるために、使用される抵抗は前記の第１種の従来技術に比べて一個少ないので、集積回路のレイアウトに要する面積を節約できる。最後に、本実施態様は電流鏡の方式でＩＰＴＡＴとＩＰＴＶＢＥとを同時に発生させるので、前記第２種の従来技術が別の回路で先ずＩＰＴＡＴが発生してから、さらに電流鏡でＩＰＴＡＴをＩＰＴＶＢＥに映射するのに比べて、回路構造がより簡単化できる。
【００３９】
要するに、本発明の低バンド・ギャップ参照電圧回路は該実施態様の説明から明白であるように産業の利用可能性を有し、発明特許の要件である新規性及び進歩性を具備している。しかしながら、上記実施の態様は本発明の特許性を説明するためにあり、当然本発明の技術的思想は当該実施の態様に限定されず、添付請求項の範囲を逸脱しない限り、当業者による単純な設計変更、付加、修飾及び置換はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来の技術における第１種の低バンド・ギャップ参照電圧回路の見取図である。
【図２】従来の技術における第２種の低バンド・ギャップ参照電圧回路の見取図である。
【図３】本発明に係る低バンド・ギャップ参照電圧回路の第１の好適な実施態様を示す図である。
【図４】本発明に係る低バンド・ギャップ参照電圧回路の第２の好適な実施態様を示す図である。
【図５】本発明に係る低バンド・ギャップ参照電圧回路の第３の好適な実施態様を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０１，１０２，１０３，２０１，２０２，２０３，３０，４０，５０…節点  １１１，１１２，１１３，４１１，４１２，４１３，５１１，５１２，５１３，５１４，５１５，５１６…Ｐ型モス電界効果トランジスタ  １４，１５，１６１，１６２，２４，２５，３３，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５，４３６，５３１，５３２，５３３…抵抗
１３１，１３２，２３，４２３，４２４…ｐｎｐ型双極ジャンクション・トランジスタ
４２１，４２２，５２１，５２２…ｎｐｎ型双極ジャンクション・トランジスタ  ２１，３１…絶対温度に正比例する電流の電流源  ３２…ベース−エミッタ間電圧に正比例する電流の電流源  １２…演算増幅器  ４４…キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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