(57)【要約】【課題】画素電極間のギャップを低減することによって、画質の欠陥の発生を抑制することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】画素電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板１、ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板及びＴＦＴ基板と対向基板の間隙内に保持された液晶とを備える液晶表示装置において、隣り合う画素電極を異なる画素電極層に形成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、
該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板と、
前記ＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶とを備える液晶表示装置において、
隣り合う前記画素電極が異なる画素電極層に形成された
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
複数の画素電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、
該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板と、
前記ＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶とを備える液晶表示装置において、
隣接する前記画素電極が異なる画素電極層に形成された
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関する。詳しくは、相対向する一対の基板間に液晶物質を保持した構造を有する液晶表示装置に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置による画像表示は、所定の間隙を介して対面配置された一対の基板間に電圧を印加し、基板の間隙内に保持された液晶物質の複屈折特性に基づいて光透過率を制御することによって行っている。
【０００３】
ここで、従来の反射型液晶表示装置では、図４で示す様に、液晶１０１の下部電極としての機能と光の反射層としての機能を兼ね、下部配線層１０６と接続された１層構造のアルミニウムから成る画素電極１０２をＴＦＴ基板１０３の最上層メタルとして形成し、この画素電極と対向基板１０４に形成された液晶の上部電極（対向電極）１０５との間に電圧を印加して画像の表示を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、画素電極は各画素電極間の電位を分離する必要があるために、図５（ａ）で表す模式的な平面図及び図５（ｂ）で表す模式的な断面図で示す様に画素電極毎に分離された構造となっており、図５中符号Ａで示す画素電極間の位置においては液晶の下部電極が存在しないために、液晶の配列を規定する電界が生じないこととなる。
即ち、画素電極間の位置においては液晶の配向の乱れが生じ、結果として画素電極間の位置において縦スジや横スジといった欠陥が画質に現れてしまう。
【０００５】
なお、半導体プロセス技術の進歩によって、画素電極の加工精度も向上しているものの、各画素電極間の電位を分離する必要上、１層構造の画素電極の場合においては画素電極間のギャップを完全になくすことは原理的に不可能である。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであって、画素電極間のギャップを低減することによって、画質の欠陥の発生を抑制することができる液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶とを備える液晶表示装置において、隣り合う前記画素電極を異なる画素電極層に形成する。
【０００８】
ここで、隣り合う画素電極を異なる画素電極層に形成することによって、隣り合う画素電極との間にギャップが生じない。
【０００９】
また、本発明に係る液晶表示装置は、複数の画素電極がマトリクス状に配置されたＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板と所定の間隙を介して対面配置された対向基板と、前記ＴＦＴ基板及び対向基板の間隙内に保持された液晶とを備える液晶表示装置において、隣接する画素電極を異なる画素電極層に形成する。
【００１０】
ここで、隣接する画素電極を異なる画素電極層に形成することによって、液晶の配列を規定する電界が生じない領域を完全に無くすことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
【００１２】
図１は、本発明を適用した液晶表示装置の一例におけるＴＦＴ基板を説明するための模式的な図であり、ここで示すＴＦＴ基板１における画素電極は２層構造を採り、第１の画素電極２と、この第１の画素電極と隣り合う第２の画素電極３とは異なるメタル層として形成されている。
【００１３】
即ち、本発明を適用した液晶表示装置の一例におけるＴＦＴ基板は、下部配線層４の上層に第１のＳｉＯ２膜５が形成され、この第１のＳｉＯ２膜の上層に下部配線層と接続されたアルミニウムから成る第１の画素電極が形成されている。また、第１の画素電極の上層に第２のＳｉＯ２膜６が形成され、この第２のＳｉＯ２膜の上層に下部配線層と接続されたアルミニウムから成る第２の画素電極が形成され、この第２の画素電極の上層には第３のＳｉＯ２膜７が形成されている。
なお、第１の画素電極が形成されない領域における第１のＳｉＯ２膜の上層には平坦化膜８が形成されている。
【００１４】
ここで、下部配線層と第１の画素電極との間及び第１の画素電極と第２の画素電極との間に形成される層間膜は絶縁膜として機能すれば充分であり、必ずしもＳｉＯ２膜である必要は無い。
【００１５】
なお、上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例におけるＴＦＴ基板では、隣り合う画素電極が異なるメタル層として形成される様に２層構造を採っているが、隣り合う画素電極が異なるメタル層として形成されれば充分であり、必ずしも２層構造である必要は無く、３層以上の構造を採っても良いのは勿論である。但し、積層するメタル層の増加に伴ってＴＦＴ基板の厚みが増すために、ＴＦＴ基板の薄膜化という点を考慮すると、隣り合う画素電極が異なるメタル層として形成されるための最小限のメタル層の積層数である２層構造を採用した方が好ましい。
【００１６】
上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例では、第１の画素電極と第２の画素電極とが異なるメタル層として形成されているために、隣り合う画素電極、即ち第１の画素電極と第２の画素電極との間にギャップが生じない様に画素電極を配置することが可能であるために、液晶の配列を規定する電界が生じない領域が減り、画質の欠陥の発生を抑制することができる。
【００１７】
図２は、本発明を適用した液晶表示装置の他の一例におけるＴＦＴ基板を説明するための模式的な図であり、ここで示すＴＦＴ基板１における画素電極は４層構造を採り、第１の画素電極２と、この第１の画素電極の縦方向に隣接して配置された第２の画素電極３と、第１の画素電極の横方向に隣接して配置された第３の画素電極９と、第１の画素電極と斜め方向に隣接して配置された第４の画素電極１０とは異なるメタル層として形成されている。
即ち、本発明を適用した液晶表示装置の他の一例におけるＴＦＴ基板は、下部配線層の上層に第１のＳｉＯ２膜が形成され、この第１のＳｉＯ２膜の上層に下部配線層と接続されたアルミニウムから成る第１の画素電極が形成されている。また、第１の画素電極の上層に第２のＳｉＯ２膜が形成され、この第２のＳｉＯ２膜の上層に下部配線層と接続されたアルミニウムから成る第２の画素電極が形成されている。更に、第２の画素電極の上層に第３のＳｉＯ２膜が形成され、この第３のＳｉＯ２膜の上層に下部配線層と接続されたアルミニウムから成る第３の画素電極が形成されている。また、第３の画素電極の上層に第４のＳｉＯ２膜１１が形成され、この第４のＳｉＯ２膜の上層に下部配線層と接続されたアルミニウムから成る第４の画素電極が形成され、この第４の画素電極の上層には第５のＳｉＯ２膜１２が形成されている。
なお、第１の画素電極が形成されない領域における第１のＳｉＯ２膜の上層、第２の画素電極が形成されない領域における第２のＳｉＯ２膜の上層、第３の画素電極が形成されない領域における第３のＳｉＯ２膜の上層及び第４の画素電極が形成されない領域における第４のＳｉＯ２膜の上層には平坦化膜が形成されている。
【００１８】
ここで、下部配線層と第１の画素電極との間、第１の画素電極と第２の画素電極との間、第２の画素電極と第３の画素電極との間及び第３の画素電極と第４の画素電極との間に形成される層間膜は絶縁膜として機能すれば充分であり、必ずしもＳｉＯ２膜である必要は無い点は上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例におけるＴＦＴ基板と同様である。
【００１９】
なお、上記した本発明を適用した液晶表示装置の他の一例におけるＴＦＴ基板では、隣接する画素電極が異なるメタル層として形成される様に４層構造を採っているが、隣接する画素電極が異なるメタル層として形成されれば充分であり、必ずしも４層構造である必要は無く、５層以上の構造を採っても良いのは勿論である。但し、積層するメタル層の増加に伴ってＴＦＴ基板の厚みが増すために、ＴＦＴ基板の薄膜化という点を考慮すると、隣接する画素電極が異なるメタル層として形成されるための最小限のメタル層の積層数である４層構造を採用した方が好ましい。
【００２０】
上記した本発明を適用した液晶表示装置の他の一例では、第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極及び第４の画素電極が異なるメタル層として形成されているために、液晶の配列を規定する電界が生じない領域を完全に無くすことができ、画質の欠陥の発生を極めて抑制することができる。
即ち、上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例においては、互いに異なるメタル層に形成された第１の画素電極と第２の画素電極とは完全に分離されるものの、同一のメタル層に形成された第１の画素電極同士または第２の画素電極同士を分離するために図３で示す様に、画素電極が形成されない領域１３が存在し、この画素電極が形成されない領域においては液晶の配列を規定する電界が生じないこととなるが、本発明を適用した液晶表示装置の他の一例においては、隣接する画素電極の全てが異なるメタル層として形成されているために、本発明を適用した液晶表示装置の一例の様に同一メタル層に形成された第１の画素電極同士、第２の画素電極同士、第３の画素電極同士または第４の画素電極同士を意図的に分離する必要が無く、画素電極が形成されない領域が存在しないために、液晶の配列を規定する電界が生じない領域を完全に無くすことができる。
【００２１】
なお、上記した本発明を適用した液晶表示装置の一例及び本発明を適用した液晶表示装置の他の一例では、共に反射型液晶表示装置を例に挙げて説明を行ったが、隣り合う画素電極が異なる画素電極層として形成されることにより、隣り合う画素電極間にギャップが生じないように画素電極を配置することが可能となり、また、隣接する画素電極が異なる画素電極層として形成されることにより、液晶の配列を規定する電界が生じない領域を完全に無くすことができるという点は、透過型液晶表示装置についても共通であり、本発明を適用する液晶表示装置が反射型液晶表示装置に限定されるものではない。
【００２２】
【発明の効果】
以上述べてきた如く、本発明の液晶表示装置では、画素電極間のギャップを低減することによって、画質の欠陥の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した液晶表示装置の一例におけるＴＦＴ基板を説明するための模式的な図である。
【図２】本発明を適用した液晶表示装置の他の一例におけるＴＦＴ基板を説明するための模式的な図である。
【図３】本発明を適用した液晶表示装置の一例における画素電極が形成されない領域を説明するための図である。
【図４】従来の液晶表示装置を説明するための図である。
【図５】従来の液晶表示装置における画素電極を説明するための模式的な図である。
【符号の説明】
１    ＴＦＴ基板
２    第１の画素電極
３    第２の画素電極
４    下部配線層
５    第１のＳｉＯ２膜
６    第２のＳｉＯ２膜
７    第３のＳｉＯ２膜
８    平坦化膜
９    第３の画素電極
１０    第４の画素電極
１１    第４のＳｉＯ２膜
１２    第５のＳｉＯ２膜
１３    画素電極が形成されない領域
【図１】
2004334085.tif 000003
【図２】
2004334085.tif 000004
【図３】
2004334085.tif 000005
【図４】
2004334085.tif 000006
【図５】
2004334085.tif 000007