(57)【要約】【課題】防水性及び防塵性の向上を図り得る半導体記憶媒体及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】メモリチップ３及びコントロールチップ５が実装された基板１と、端子部と、封止樹脂層６と、スライダ４とを有する半導体記憶媒体において、封止樹脂層６は熱可塑性樹脂によって端子部が外部に露出するように形成する。封止樹脂層６に、スライダ４を摺動可能に嵌め込むことが可能な溝９を形成し、溝９にスライダ４嵌め込む。コントロールチップ５は、外部からスライダ４の位置を特定する情報が入力されると、スライダ４の位置に応じて、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装された基板と、前記基板に設けられた端子部と、前記基板及び前記電子部品を封止する封止樹脂層と、スイッチ片とを少なくとも有し、
前記封止樹脂層は、前記端子部が外部に露出するように形成されており、前記スイッチ片を摺動可能に嵌め込むことが可能に形成された溝を有し、
前記スイッチ片は、前記溝に嵌め込まれて摺動可能となっていることを特徴とする半導体記憶媒体。
【請求項２】
前記端子部から入力されたデータを記憶するメモリチップと、前記スイッチ片の位置に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込み及び前記メモリチップからのデータの読み出しを制御するコントロールチップとが、前記電子部品として前記基板に実装されている請求項１記載の半導体記憶媒体。
【請求項３】
前記コントロールチップが、外部から前記端子部を介して入力された、前記スイッチ片の位置を特定する情報に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項４】
前記スイッチ片が磁石を有し、前記基板に、前記磁石の位置を検出する磁気センサが実装され、
前記コントロールチップが、前記磁気センサによって検出された前記磁石の位置に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項５】
前記磁気センサが、前記磁石との距離に応じてオン・オフされるリードスイッチである請求項４記載の半導体記憶媒体。
【請求項６】
前記磁気センサが、前記磁石との距離に応じて出力電圧の値が変動するホール素子である請求項４記載の半導体記憶媒体。
【請求項７】
前記スイッチ片が金属片を有し、前記基板に、前記金属片との距離に応じてインダクタンスが変化するコイル部材が実装され、
前記コントロールチップが、前記コイル部材のインダクタンスの値に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項８】
前記スイッチ片が金属片を有し、前記基板に、前記金属片との距離に応じてインダクタンスが変化する回路パターンが設けられており、
前記コントロールチップが、前記回路パターンのインダクタンスの値に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項９】
前記スイッチ片が、前記基板の基板面に平行な金属板を有し、
前記溝の内側に、前記金属板の一部又は全部を収容でき、且つ、前記スイッチ片の摺動に伴う前記金属板の移動を可能にする第２の溝が形成され、
前記基板上に、前記スイッチ片の摺動方向に沿って、前記第２の溝に収容された前記金属板の主面と対向するように、複数の電極が配置され、
前記複数の電極は、前記金属板の位置に応じて、前記金属板とコンデンサを構成するように形成されており、
前記コントロールチップが、前記コンデンサが構成されているか否かに応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項１０】
前記スイッチ片が、前記基板の基板面に平行な金属板を有し、
前記溝の内側に、前記金属板の一部又は全部を収容でき、且つ、前記スイッチ片の摺動に伴う前記金属板の移動を可能にする第２の溝が形成され、
前記基板上に、前記スイッチ片の摺動方向に沿って、前記第２の溝に収容された前記金属板の主面と対向するように、複数の電極が配置され、
前記複数の電極は、前記金属板の位置に応じて、いずれかの電極が前記金属板とコンデンサを構成し、且つ、前記コンデンサの静電容量が前記金属板の位置によって異なるように形成されており、
前記コントロールチップが、前記コンデンサの静電容量に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項１１】
前記スイッチ片に、その表面から突出し、且つ、前記基板の基板面に平行な板材が設けられ、
前記溝の内側に、前記板材の一部又は全部を収容でき、且つ、前記スイッチ片の摺動に伴う前記板材の移動を可能にする第２の溝が形成され、
前記基板に、発光素子と受光素子とが実装されており、
前記発光素子と前記受光素子とは、前記発光素子の発光面と前記受光素子の受光面とが対向し、且つ、前記発光素子から出射され、且つ、前記受光素子で受光される光の量が、前記スイッチ片の摺動に伴う前記板材の移動によって変化するように配置されており、
前記コントロールチップが、前記受光素子が受光した光量に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項１２】
前記スイッチ片における前記溝側の部分に、入射した光を入射方向と異なる方向へと導く導光部材が設けられ、
前記基板に、発光素子と受光素子とが実装されており、
前記発光素子と前記受光素子とは、前記スイッチ片が予め設定された位置にある場合に、前記発光素子から出射された光が、前記導光部材を介して、前記受光素子に入射するように配置されており、
前記コントロールチップが、前記発光素子から出射された光が前記受光素子に入射したかどうかによって、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする請求項２記載の半導体記憶媒体。
【請求項１３】
前記封止樹脂層が、熱可塑性樹脂によって形成されている請求項１記載の半導体記憶媒体。
【請求項１４】
前記熱可塑性樹脂に、充填材が混合されている請求項１３記載の半導体記憶媒体。
【請求項１５】
前記充填材がガラス繊維であり、前記熱可塑性樹脂に対する前記充填材の混合比が５重量％〜４０重量％である請求項１４記載の半導体記憶媒体。
【請求項１６】
前記封止樹脂層の表面側における前記充填材の密度が、深部側における前記充填材の密度に比べて低くなっている請求項１４または１５記載の半導体記憶媒体。
【請求項１７】
前記熱可塑性樹脂が、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド系樹脂をベースポリマーとするホットメルト、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、液晶ポリマー、又はこれらの樹脂のうち二種以上を用いたポリマーアロイである請求項１３記載の半導体記憶媒体。
【請求項１８】
電子部品が実装された基板を封止樹脂層によって封止して構成された半導体記憶媒体の製造方法であって、
封止樹脂層を成形するための金型内部に、前記電子部品が実装された基板を設置し、熱可塑性樹脂と充填材とを混合して得られた混合材料を前記金型内部に注入する工程を少なくとも有することを特徴とする半導体記憶媒体の製造方法。
【請求項１９】
前記充填材がガラス繊維であり、前記熱可塑性樹脂に対する前記充填材の混合比が５重量％〜４０重量％である請求項１８記載の半導体記憶媒体の製造方法。
【請求項２０】
前記熱可塑性樹脂が、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド系樹脂をベースポリマーとするホットメルト、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、液晶ポリマー、又はこれらの樹脂のうち二種以上を用いたポリマーアロイである請求項１８記載の半導体記憶媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体記憶媒体およびその製造方法に関し、特には、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、及び携帯電話等に使用される半導体記憶媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話等の種々の電子機器において、データ保存用のメディアとして半導体記憶媒体が採用されている。半導体記憶媒体は、軽量、小型であり、又半導体記憶媒体に保存されたデータはパソコン等でも使用できるため、半導体記憶媒体を記録メディアとして採用する電子機器は年々増加傾向にある。
【０００３】
半導体記憶媒体の代表的な例としては、一般にメモリカードと呼ばれるものが挙げられる。現在市販されているメモリカードは、通常、樹脂で形成された二つのシェルによって、メモリチップ等の電子部品が実装された基板を挟み込んで構成されている。また、メモリカードの小型化を図るために、メモリチップ等の電子部品が実装された基板を封止樹脂によって封止して構成したものも知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
図１１は、従来からの半導体記憶媒体を示す図であり、図１１（ａ）は半導体記憶媒体の外観を示す斜視図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｈ−Ｈ´に沿って切断した断面図である。なお、図１１に示す半導体記憶媒体は、メモリカードの一例である。
【０００５】
図１１（ａ）に示すように、半導体記憶媒体は、カード状の外観を呈しており、この外観は封止樹脂層３６によって構成されている。また、図１１（ｂ）に示すように、半導体記憶媒体は、封止樹脂層３６の内部に、基板３１と、基板３１上に形成された端子部３２と、基板３１に実装された各種ＩＣチップ、プロテクトスイッチ３４（図１１（ａ）参照）及びコンデンサといった電子部品とを有している。
【０００６】
ＩＣチップのうち、３３はデータを記憶するメモリチップであり、３５はメモリチップ３３へのデータの書き込みやメモリチップ３３からのデータの読み出しを制御するコントロールチップである。基板３１の表面には、各実装部品間の電気的接続を確保するための印刷回路（図示せず）が形成されている。
【０００７】
プロテクトスイッチ３４は、メモリチップ３３に記録されたデータの誤消去を防止するために設けられたスイッチである。プロテクトスイッチ３４の突起３４ａの位置を変更することによって、コントロールチップ３５はメモリチップ３３へのデータの書き込みを不能又は可能とする。
【０００８】
また、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板３１に実装された電子部品のうちプロテクトスイッチ３４以外の電子部品は、基板３１と共に封止樹脂層３６によって封止されており、外部から遮蔽されている。端子部３２及びプロテクトスイッチ３４は、封止樹脂層３６の外に露出している。
【０００９】
なお、図１１（ｂ）中に示す、３６ａ及び３６ｂは、封止樹脂層３６を金型によって成形する際に（図１２参照）、基板３１の位置決めを行うスペーサである。図１１（ａ）及び（ｂ）に示す矢印は、半導体記憶媒体を電子機器のスロットに挿入する際の挿入方向を示している。
【００１０】
図１２は、図１１に示す半導体記憶媒体の製造方法を示す図であり、図１２（ａ）は封止樹脂層が形成される前の基板を示す平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）に示した基板を切断線Ｉ−Ｉ´に沿って切断した断面図、図１２（ｃ）は基板に封止樹脂層を形成する工程を示す断面図である。
【００１１】
先ず、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板３１の一方の面に、端子部３２や、各種ＩＣチップ（メモリチップ３３及びコントロールチップ３５等）、及びプロテクトスイッチ３４といった各種電子部品を実装する。なお、図１２（ａ）において、各種ＩＣチップ、端子部３２及びプロテクトスイッチ３４にはハッチングを施している。基板３１の他方の面には、スペーサ３６ａ及び３６ｂを取り付ける。スペーサ３６ａ及び３６ｂは、後述する封止樹脂と同様の熱硬化性樹脂によって予め成形されてから、基板３１に固定されている。
【００１２】
次に、図１２（ｃ）に示すように、上型３７ａと下型３７ｂとで構成された金型に、基板３１をセットする。このとき、端子部３２及びプロテクトスイッチ３４の封止樹脂から露出させる部分には、上型３７ａが密着される。次いで、トランスファモールド法によって封止樹脂層３６を形成する。
【００１３】
具体的には、上型３７ａと下型３７ｂとで形成されたキャビティ３８内に、ランナー３９を介して、予め加熱してゲル化させた封止樹脂を加圧して注入し、これを硬化させる。これにより、図１１で示したように、端子部３２とプロテクトスイッチ３４とが封止樹脂層３６から露出した半導体記憶媒体が得られる。なお、図１２の例において、封止樹脂としては、熱硬化性樹脂が用いられている。
【００１４】
このようにして得られた半導体記憶媒体は、電子部品の殆どが封止樹脂層３６によって外部から絶縁されるため、安定して動作することができる。
【００１５】
【特許文献１】
特開２００２−１７６０６６号公報（第４−５頁、第３図）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１１に示す半導体記憶媒体においては、構造上、基板３１に実装された電子部品のうちプロテクトスイッチ３４を封止樹脂層３６から露出させる必要性があるため、防水性や防塵性の向上を図れないという問題がある。
【００１７】
本発明の目的は、上記問題を解消し、防水性及び防塵性の向上を図り得る半導体記憶媒体及びその製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の半導体記憶媒体は、電子部品が実装された基板と、前記基板に設けられた端子部と、前記基板及び前記電子部品を封止する封止樹脂層と、スイッチ片とを少なくとも有し、前記封止樹脂層は、前記端子部が外部に露出するように形成されており、前記スイッチ片を摺動可能に嵌め込むことが可能に形成された溝を有し、前記スイッチ片は、前記溝に嵌め込まれて摺動可能となっていることを特徴とする。
【００１９】
上記本発明の半導体記憶媒体においては、前記端子部から入力されたデータを記憶するメモリチップと、前記スイッチ片の位置に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込み及び前記メモリチップからのデータの読み出しを制御するコントロールチップとが、前記電子部品として前記基板に実装されているのが好ましい。
【００２０】
この場合、前記コントロールチップが、外部から前記端子部を介して入力された、前記スイッチ片の位置を特定する情報に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする態様（第１の態様）とできる。
【００２１】
また、前記スイッチ片が磁石を有し、前記基板に、前記磁石の位置を検出する磁気センサが実装され、前記コントロールチップが、前記磁気センサによって検出された前記磁石の位置に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする態様（第２の態様）ともできる。
【００２２】
第２の態様においては、前記磁気センサが、前記磁石との距離に応じてオン・オフされるリードスイッチ、又は前記磁石との距離に応じて出力電圧の値が変動するホール素子であるのが好ましい。
【００２３】
更に、前記スイッチ片が金属片を有し、前記基板に、前記金属片との距離に応じてインダクタンスが変化するコイル部材又は回路パターンが実装され、前記コントロールチップが、前記コイル部材又は回路パターンのインダクタンスの値に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする態様（第３の態様）ともできる。
【００２４】
また、前記スイッチ片が、前記基板の基板面に平行な金属板を有し、前記溝の内側に、前記金属板の一部又は全部を収容でき、且つ、前記スイッチ片の摺動に伴う前記金属板の移動を可能にする第２の溝が形成され、前記基板上に、前記スイッチ片の摺動方向に沿って、前記第２の溝に収容された前記金属板の主面と対向するように、複数の電極が配置され、前記複数の電極は、前記金属板の位置に応じて、前記金属板とコンデンサを構成するように形成されており、前記コントロールチップが、前記コンデンサが構成されているか否かに応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする態様（第４の態様）とすることもできる。
【００２５】
更に、前記スイッチ片が、前記基板の基板面に平行な金属板を有し、前記溝の内側に、前記金属板の一部又は全部を収容でき、且つ、前記スイッチ片の摺動に伴う前記金属板の移動を可能にする第２の溝が形成され、前記基板上に、前記スイッチ片の摺動方向に沿って、前記第２の溝に収容された前記金属板の主面と対向するように、複数の電極が配置され、前記複数の電極は、前記金属板の位置に応じて、いずれかの電極が前記金属板とコンデンサを構成し、且つ、前記コンデンサの静電容量が前記金属板の位置によって異なるように形成されており、前記コントロールチップが、前記コンデンサの静電容量に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする態様（第５の態様）とすることもできる。
【００２６】
また、前記スイッチ片に、その表面から突出し、且つ、前記基板の基板面に平行な板材が設けられ、前記溝の内側に、前記板材の一部又は全部を収容でき、且つ、前記スイッチ片の摺動に伴う前記板材の移動を可能にする第２の溝が形成され、前記基板に、発光素子と受光素子とが実装されており、前記発光素子と前記受光素子とは、前記発光素子の発光面と前記受光素子の受光面とが対向し、且つ、前記発光素子から出射され、且つ、前記受光素子で受光される光の量が、前記スイッチ片の摺動に伴う前記板材の移動によって変化するように配置されており、前記コントロールチップが、前記受光素子が受光した光量に応じて、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする態様（第６の態様）とすることもできる。
【００２７】
更に、前記スイッチ片における前記溝側の部分に、入射した光を入射方向と異なる方向へと導く導光部材が設けられ、前記基板に、発光素子と受光素子とが実装されており、前記発光素子と前記受光素子とは、前記スイッチ片が予め設定された位置にある場合に、前記発光素子から出射された光が、前記導光部材を介して、前記受光素子に入射するように配置されており、前記コントロールチップが、前記発光素子から出射された光が前記受光素子に入射したかどうかによって、前記メモリチップへのデータの書き込みを不能又は可能にする態様（第７の態様）とすることもできる。
【００２８】
上記本発明の半導体記憶媒体において、前記封止樹脂層は、熱可塑性樹脂、又は熱可塑性樹脂と充填材との混合材料によって形成されているのが好ましい。前記封止樹脂層を熱可塑性材料と充填材との混合材料によって形成されている場合、前記封止樹脂層の表面側における前記充填材の密度が、深部側における前記充填材の密度に比べて低くなっているのが好ましい。
【００２９】
次に、上記目的を達成するために本発明の半導体記憶媒体の製造方法は、電子部品が実装された基板を封止樹脂層によって封止して構成された半導体記憶媒体の製造方法であって、封止樹脂層を成形するための金型内部に、前記電子部品が実装された基板を設置し、熱可塑性樹脂と充填材とを混合して得られた混合材料を前記金型内部に注入する工程を少なくとも有することを特徴とする。
【００３０】
上記本発明の半導体記憶媒体及び半導体記憶媒体の製造方法において、前記充填材としてはガラス繊維が挙げられ、前記熱可塑性樹脂に対する前記充填材の混合比は５重量％〜４０重量％とするのが好ましい。前記熱可塑性樹脂としては、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド系樹脂をベースポリマーとするホットメルト、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、液晶ポリマー、又はこれらの樹脂のうち二種以上を用いたポリマーアロイが挙げられる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１にかかる半導体記憶媒体について、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３２】
図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体記憶媒体においてプロテクトスイッチを構成するスイッチ片が封止樹脂層に取り付けられる前の状態を示す平面図である。図１（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ半導体記憶媒体の異なる面を示している。
【００３３】
図２は、図１に示す半導体記憶媒体を示す図であり、図２（ａ）は半導体記憶媒体の外観を示す斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ａ−Ａ´に沿って切断した状態を示す図である。なお、図２においては封止樹脂層のみにハッチングを施している。
【００３４】
図３は、図１及び図２に示す半導体記憶媒体の封止樹脂層にプロテクトスイッチを構成するスライダを取り付けた状態を示す図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は斜視図である。
【００３５】
図１及び図２に示すように、半導体記憶媒体は、従来技術において図１１に示した半導体記憶媒体と同様に、カード状の外観を呈しており、この外観は封止樹脂層６によって構成されている。また、図２（ｂ）に示すように、半導体記憶媒体は、従来技術において図１１に示した半導体記憶媒体と同様に、基板１と、基板１上に設けられた端子部２（図１（ｂ）参照）と、基板１に実装された各種ＩＣチップ及びコンデンサ等の電子部品と、封止樹脂層６とを有している。
【００３６】
ＩＣチップのうち、３はデータを記憶するメモリチップであり、５はメモリチップ３へのデータの書き込みやメモリチップ３からのデータの読み出しを制御するコントロールチップである。基板１には、メモリチップ３に加えて、メモリ容量の増加を図るためのサブメモリチップ（図示せず）が実装される場合もある。
【００３７】
また、図２（ｂ）に示すように、電子部品と基板１とは封止樹脂層６によって封止され、外部から遮蔽されている。一方、端子部２は、封止樹脂層６によって封止されず、外部に露出している。更に、基板１の表面には、メモリチップ３やコントロールチップ５といった電子部品と端子部２とを接続するための回路パターン（図示せず）が形成されている。この回路パターンや端子部２の形成は、基板上に設けた金属膜をエッチング等によってパターンニングすることによって行われる。
【００３８】
また、基板１には、封止樹脂層６を金型によって成形する際に、基板１の位置決めを行うスペーサ（図示せず）が取り付けられている。本実施の形態１においても、スペーサとしては、図１２に示したものが用いられている。
【００３９】
このように、本実施の形態１においても、半導体記憶媒体は、従来技術において図１１に示した半導体記憶媒体と同様に、各種電子部品が実装された基板１を封止樹脂層６によって封止して構成されている。但し、本実施の形態１においては、半導体記憶媒体は、主として、以下の点で、従来技術において図１１に示した半導体記憶媒体と異なっている。
【００４０】
本実施の形態１においては、後述の実施の形態７においても説明するように、封止樹脂層６は熱可塑性樹脂によって形成されている。また、本実施の形態１においては、半導体記憶媒体はスライダ４を有している。スライダ４はプロテクトスイッチを構成するスイッチ片である。更に、図３に示すように、スライダ４は封止樹脂層６の外に位置しており、封止樹脂層６に形成された溝９に摺動可能に嵌め込まれている。
【００４１】
具体的には、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、スライダ４は、摺動方向（図２中に示す矢印の方向）に垂直な断面がＨ形を呈するように形成されており、引掛部４ａと、基部４ｃと、引掛部４ａと基部４ｃとを連結する連結部４ｂとで構成されている。
【００４２】
また、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、溝９は、半導体記憶媒体の側面から内部へと向かう横溝９ａと半導体記憶媒体の一方の主面から内部へと向かう縦溝９ｂとで構成されている。横溝９ａは、スライダ４の連結部４ｂが半導体記憶媒体の側面に沿って摺動可能となるように形成されており、縦溝９ｂは、スライダの引掛部４ａが摺動可能となるように形成されている。
【００４３】
よって、スライダ４の引掛部４ａを横溝９ａに向けた状態で、スライダ４を溝９に圧入すると、図３に示すように、引掛部４ａは縦溝９ｂの壁面に引っ掛かり、スライダ４が摺動する際のガイドとなる。また、スライダ４は引掛部４ａによって溝９から容易に外れることはない。
【００４４】
なお、図１〜図３において、８は半導体記憶媒体の側面に設けられた凹部である。凹部８は、スライダ４を溝９に圧入したときに基部４ｃが半導体記憶媒体の側面から突出しないように設けられている。
【００４５】
また、図１（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、縦溝９ｂの底面の中央には、凸部１０が設けられている。凸部１０は、引掛部４ａと接触してスライダ４の位置を二通りに仮固定することが可能なように形成されている。更に、凸部１０によって仮固定された位置は、外部の装置（図示せず）によって検出され、スライダ４の位置を特定する情報（位置情報）が外部の装置から端子部２を介して入力される。
【００４６】
更に、位置情報が入力されると、入力された位置情報に応じて、コントロールチップ５は、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にする。このため、本実施の形態１においては、従来技術において図１１に示した半導体記憶媒体のようにプロテクトスイッチを設けることなく、メモリチップ３に記録されたデータの誤消去を防止することができる。
【００４７】
なお、ここでいう「外部の装置」としては、本実施の形態１にかかる半導体記憶媒体を利用する電子機器（例えば、デジタルカメラや携帯電話、ビデオカメラ等）が挙げられる。また、スライダ４の位置の検出は、例えば、半導体記憶媒体を挿入するスロット内に、スライダの位置に応じてオン・オフされる接点を設けること等によって行うことができる。
【００４８】
このように、本実施の形態１によれば、端子部２のみを封止樹脂層６から露出させるだけで、メモリチップ３に記録されたデータの誤消去を防止することができる。このことから、本実施の形態１によれば、従来の半導体記憶媒体に比べて、防水性や防塵性の向上を図ることができると言える。
【００４９】
なお、本実施の形態１においては、スライダはプロテクトスイッチとして使用されているが、これに限定されるものではない。例えば、メモリ容量の切り替えスイッチや、セキュリティ強度の切り替えスイッチとして使用することもできる。また、本実施の形態１において、図１に示す半導体記憶媒体の主面にはラベル（図示せず）が貼付される。このため、縦溝９ｂや凸部１０はラベルによって外部から隠蔽され、外観の向上が図られる。
【００５０】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２にかかる半導体記憶媒体について、図４を参照しながら説明する。図４は、本発明の実施の形態２にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図４（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した断面図である。なお、図４（ａ）及び（ｂ）においては、スライダは断面で示している。また、図４（ｂ）においては、封止樹脂層を図示しており、封止樹脂層にのみハッチングを施している。
【００５１】
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、半導体記憶媒体は、基板１と、端子部（図示せず）と、各種ＩＣチップ及びコンデンサ１２等の電子部品とを有している。また、ＩＣチップには、メモリチップ３やサブメモリチップ１１、コントロールチップ５が含まれている。基板には、図４（ａ）に図示していないＩＣチップが実装される場合もある。
【００５２】
更に、本実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、電子部品及び基板１は封止樹脂層６によって封止されている。また、封止樹脂層６には、スライダ４を摺動可能に嵌め込むための溝９が設けられており、スライダ４は溝９に嵌め込まれている。
【００５３】
但し、本実施の形態２においては、実施の形態１と異なり、スライダ４の位置の検出は、基板１に実装された磁気センサを用いてスライダ４の先端（圧入時に溝側となる端部）に埋め込まれた磁石１４の位置を検出することによって行われている。また、コントロールチップ５は、磁気センサからの情報に基づいて、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にする。
【００５４】
具体的には、図４の例では、磁気センサとしては、リードスイッチ１３が用いられている。リードスイッチ１３は、基板１における封止樹脂層６の溝９に対向する部分に設置されている。また、リードスイッチ１３は、一対のリード線１３ａ及び１３ｂと、リード線１３ａ及び１３ｂを収容するカプセル１３ｃとで構成されている。リード線１３ａ及び１３ｂの一方の端部は基板に固着され、基板１に設けられた回路パターンやスルーホールを介してコントロールチップ５に接続されている。
【００５５】
リード線１３ａ及び１３ｂの他方の端部は自由端となっており、このリード線１３ａ及び１３ｂの自由端は、磁石１４が近づくと接触し、磁石１４が遠ざかると非接触となるように構成されている。つまり、リードスイッチ１３は磁石１４との距離に応じてオン・オフされる。
【００５６】
このため、図４の例では、コントロールチップ５は、このリードスイッチ１３のオン・オフ状態を検出することによって、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にしている。
【００５７】
なお、本実施の形態２においては、リードスイッチ１３以外の磁気センサを用いることもできる。その他の磁気センサとしては、例えば、磁石１４との距離に応じて出力電圧の値が変動するホール素子等が挙げられる。また、本実施の形態２において、スライダ４に埋め込まれる磁石１４の形状は特に限定されるものではない。更に、磁石１４は一部がスライダから露出していても良いし、スライダ内部に完全に埋め込まれていても良い。
【００５８】
また、本実施の形態２においては、実施の形態１と異なり、基板１にはスペーサが取り付けられておらず、代わりにタブ１ａが設けられている。タブ１ａは封止樹脂層６の成形金型を構成する上型と下型とによって挟みこまれ、封止樹脂層６を形成する際の治具として機能する。また、タブ１ａには、基板１の位置決め用の貫通孔１ｂが設けられている。
【００５９】
このように、本実施の形態２によっても、端子部２のみを封止樹脂層６から露出させるだけで、メモリチップ３に記録されたデータの誤消去を防止することができる。このことから、本実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、防水性や防塵性の向上を図ることができると言える。
【００６０】
なお、封止樹脂層６の形成後、タブ１ａは切断され、切断面は封止樹脂層６から露出することになる。しかし、タブ１ａには電子部品は実装されておらず、又タブ１ａには回路パターンも形成されていないため、このような切断面が封止樹脂層６から露出していたとしても、上述の防水性や防塵性に対する影響は極めて小さいといえる。
【００６１】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３にかかる半導体記憶媒体について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明の実施の形態３にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図５（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｃ−Ｃ´に沿って切断した断面図である。なお、図５（ａ）においては、スライダは断面で示している。また、図５（ｂ）においては、封止樹脂層を図示しており、封止樹脂層にのみハッチングを施している。
【００６２】
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態３においては、実施の形態２において示した磁気センサの代わりにコイル部材１５を基板１に実装しており、又実施の形態２において示した磁石の代わりに金属片１６をスライダ４の先端に埋め込んでいる。これ以外の点においては、本実施の形態３における半導体記憶媒体は、実施の形態２における半導体記憶媒体と同様に構成されている。
【００６３】
コイル部材１５は、巻線で構成されており、基板１における封止樹脂層６の溝９に対向する部分に設置されている。よって、コイル部材１５は、スライダ４の先端に埋め込まれた金属片１６との距離に応じてインダクタンスが変化するため、コイル部材１５のインダクタンスの値を検出することによってスライダ４の位置を検出することができる。
【００６４】
本実施の形態３においては、コントロールチップ５は、コイル部材のインダクタンスの値を検出し、検出した値に基づいて、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にしている。
【００６５】
なお、本実施の形態３においては、コイル部材１５を実装する代わりに、金属片１６との距離に応じてインダクタンスが変化する回路パターンを基板上に設けた態様とすることもできる。また、本実施の形態３において、スライダ４に埋め込まれる金属片１６の形状は特に限定されるものではない。更に、金属片１６は一部がスライダから露出していても良いし、スライダ内部に完全に埋め込まれていても良い。
【００６６】
このように、本実施の形態３によっても、端子部２のみを封止樹脂層６から露出させるだけで、メモリチップ３に記録されたデータの誤消去を防止することができる。このことから、本実施の形態３においても、実施の形態１と同様に、防水性や防塵性の向上を図ることができると言える。
【００６７】
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４にかかる半導体記憶媒体について、図６を参照しながら説明する。図６は、本発明の実施の形態４にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図６（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｄ−Ｄ´に沿って切断した断面図である。なお、図６（ｂ）においては、封止樹脂層を図示しており、封止樹脂層にのみハッチングを施している。
【００６８】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態４においても、実施の形態１と同様に、半導体記憶媒体は、電子部品が実装された基板１を有し、電子部品及び基板１は封止樹脂層６によって封止されている。また、封止樹脂層６には、スライダ４を摺動可能に嵌め込むための溝９が設けられており、スライダ４は溝９に嵌め込まれている。但し、本実施の形態４においては、主として、以下の点において実施の形態１と異なっている。
【００６９】
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態４においては、スライダ４の先端に、先端面から突出するように金属板１９が設けられている。金属板１９は、スライダ４を溝９に圧入したときに基板１と平行となるように設けられている。溝９の内側には、更に第２の溝１８が設けられている。この第２の溝１８は、金属板１９の一部又は全部を収容でき、スライダ４の摺動に伴う金属板１９の移動が可能となるように形成されている。
【００７０】
また、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態４においては、基板１における封止樹脂層６の溝９に対向する部分に、スライダ４の摺動方向に沿って（図６中に示す矢印の方向）、電極１７ａ及び１７ｂが配置されている。電極１７ａ及び１７ｂはそれぞれ基板１に設けられた回路パターンやスルーホール（図示せず）を介してコントロールチップ５に接続されている。また、図６（ａ）の例では、電極１７ａ及び１７ｂは板状に形成されており、その主面が金属板１９の主面と対向するように配置されている。
【００７１】
従って、図６（ａ）に示す位置から、金属板１９の基板１上への投影面が電極１７ａ及び１７ｂの両方に重なる位置まで、スライダ４を移動させると、金属板１９、電極１７ａ及び１７ｂによって、封止樹脂層６を誘電体とする、直列に接続された二つのコンデンサが形成される。このとき、電極１７ａにおける金属板１９の投影面に重なる部分と金属板１９との間に存在する封止樹脂６、及び電極１７ｂにおける金属板１９の投影面に重なる部分と金属板１９との間に存在する封止樹脂６に電荷が蓄えられるので、静電容量を検出できる。つまり、本実施の形態４においては、コンデンサが構成されているかどうか（静電容量が検出されるかどうか）によって、スライダ４の位置を検出することができる。
【００７２】
このため、本実施の形態４においては、コントロールチップ５は、静電容量の検出を行い、コンデンサが構成されているかどうか（静電容量が検出できたか否か）に応じて、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にする。
【００７３】
また、本実施の形態４においては、図７に示す構成とすることもできる。図７は、本発明の実施の形態４にかかる半導体記憶媒体における他の例の内部構成を示す図であり、図７（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｅ−Ｅ´に沿って切断した断面図である。
【００７４】
図７に示す例では、図６に示す例と異なり、基板１における封止樹脂層６の溝９に対向する部分に、スライダ４の摺動方向に沿って（図７中に示す矢印の方向）、電極１７ｃ〜１７ｅが配置されている。なお、電極１７ｃ〜１７ｅも、電極１７ａ及び１７ｂ（図６参照）と同様に、基板１に設けられた回路パターンやスルーホール（図示せず）を介してコントロールチップ５に接続されており、又板状に形成されている。電極１７ｃ〜１７ｅの主面も、金属板１９の主面と対向するように配置されている。
【００７５】
このため、図７に示す例においては、スライダ４が移動すると、金属板１９は電極１７ｃ〜１７ｅのいずれかと共に、金属板１９と電極１７ｃ〜１７ｅとの間に存在する封止樹脂層６を誘電体とするコンデンサを構成することになる。
【００７６】
例えば、図７（ａ）に示すように、スライダ４の位置が、金属板１９の基板１上への投影面が電極１７ｃと電極１７ｄとの両方と重なる位置である場合は、金属板１９、電極１７ｃ及び電極１７ｄによって、直列に接続された二つのコンデンサが構成される。このとき、電極１７ｃにおける金属板１９の投影面に重なる部分と金属板１９との間に存在する封止樹脂６、及び電極１７ｄにおける金属板１９の投影面に重なる部分と金属板１９との間に存在する封止樹脂６に電荷が蓄えられる。
【００７７】
また、スライダ４の位置が、金属板１９の基板１上への投影面が電極１７ｄと電極１７ｅとの両方と重なる位置である場合も、直列に接続された二つのコンデンサが構成され、電極１７ｄ又は１７ｅと金属板１９との間に存在する封止樹脂６に電荷が蓄えられる。
【００７８】
但し、図７の例では、電極１７ｃ〜１７ｅはそれぞれ大きさが異なっているため、金属板１９によって構成される各コンデンサの静電容量はそれぞれ異なっている。このため、金属１９と電極１７ａ〜１７ｃのいずれか二つとによって構成された、直列に接続された二つコンデンサの静電容量の和を検出することによってスライダ４の位置を検出することができる。図７の例においては、コントロールチップ５は、コンデンサの静電容量を検出し、検出した値に基づいて、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にする。
【００７９】
このように、本実施の形態４によっても、端子部２のみを封止樹脂層６から露出させるだけで、メモリチップ３に記録されたデータの誤消去を防止することができる。このことから、本実施の形態４においても、実施の形態１と同様に、防水性や防塵性の向上を図ることができると言える。
【００８０】
なお、図６の例では、金属板１９は、殆どの部分が剥き出した状態でスライダ４に取り付けられているが、本実施の形態４はこの例に限定されるものではない。例えば、スライダ４の構成材料によって、金属板１９における一方の主面又は両方の主面が被覆された態様であっても良い。
【００８１】
（実施の形態５）
次に、本発明の実施の形態５にかかる半導体記憶媒体について、図８を参照しながら説明する。図８は、本発明の実施の形態５にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図８（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｆ−Ｆ´に沿って切断した断面図である。なお、図８（ｂ）においては、封止樹脂層を図示しており、封止樹脂層にはハッチングを施している。
【００８２】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態５においても、実施の形態１と同様に、半導体記憶媒体は、電子部品が実装された基板１を有し、電子部品及び基板１は封止樹脂層６によって封止されている。また、封止樹脂層６には、スライダ４を摺動可能に嵌め込むための溝９が設けられており、スライダ４は溝９に嵌め込まれている。但し、本実施の形態５においては、主として、以下の点において実施の形態１と異なっている。
【００８３】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態５においては、スライダ４の先端に、先端面から突出するように板材２３が設けられている。板材２３は、スライダ４を溝９に圧入したときに基板１と平行となるように設けられている。
【００８４】
また、溝９の内側には、更に第２の溝２２が設けられている。この第２の溝２２も、実施の形態４において図６に示した第２の溝と同様に、板材２３の一部又は全部を収容でき、スライダ４の摺動に伴う板材２３の移動が可能となるように形成されている。
【００８５】
更に、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態５においては、基板１における封止樹脂層６の溝９に対向する部分に、発光素子２０と受光素子２１とが実装されている。また、発光素子２０及び受光素子２１は、発光素子２０の発光面と受光素子２１の受光面とが対向し、発光面及び受光面が第２の溝２２の内側に露出するように設置されている。
【００８６】
このため、発光素子２０から出射された光の一部又は全部は、板材２３の位置に応じて遮蔽されるので、受光素子２１で受光される光の量はスライダの摺動に伴う板材の移動によって変化することとなる。よって、受光素子２１で受光される光の量を検出すれば、スライダ４の位置を検出することができる。本実施の形態５においては、コントロールチップ５は、受光素子２１で受光される光の量を検出し、検出した値に基づいて、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にする。
【００８７】
このように、本実施の形態５によっても、端子部２のみを封止樹脂層６から露出させるだけで、メモリチップ３に記録されたデータの誤消去を防止することができる。このことから、本実施の形態５においても、実施の形態１と同様に、防水性や防塵性の向上を図ることができると言える。
【００８８】
なお、本実施の形態５において、発光素子２０としては、可視光線を出射可能なものが用いられている。但し、本実施の形態５においては、これに限定されるものではなく、発光素子は赤外線や紫外線等の可視光線以外の光線を出射可能なものであっても良い。また、発光素子２０及び受光素子２１の代わりに、発光素子と受光素子とが一体化された素子を使用しても良い。
【００８９】
（実施の形態６）
次に、本発明の実施の形態６にかかる半導体記憶媒体について、図９を参照しながら説明する。図９は、本発明の実施の形態６にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図９（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｇ−Ｇ´に沿った切断した断面図である。なお、図９（ａ）においては、スライダは断面で示している。また、図９（ｂ）においては、封止樹脂層を図示しており、封止樹脂層にのみハッチングを施している。
【００９０】
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態６においても、実施の形態１と同様に、半導体記憶媒体は、電子部品が実装された基板１を有し、電子部品及び基板１は封止樹脂層６によって封止されている。また、封止樹脂層６には、スライダ４を摺動可能に嵌め込むための溝９が設けられており、スライダ４は溝９に嵌め込まれている。但し、本実施の形態６においては、主として、以下の点において実施の形態１と異なっている。
【００９１】
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態６においては、スライダ４の先端に、入射した光を入射方向と異なる方向へと導く導光部材２６が設けられている。図９の例では、導光部材２６は直角プリズムである。
【００９２】
また、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施の形態５においては、基板１における封止樹脂層６の溝９に対向する部分に、スライダの摺動方向に沿って、発光素子２４と受光素子２５とが、発光面及び受光面が縦溝９ｂの側面に露出するように配置されている。
【００９３】
このため、スライダ４が予め設定された位置（図９の例では半導体記憶媒体の先端側の位置）にくると、発光素子２４から出射された光は、導光部材２６を介して、受光素子２５に入射することになる。よって、本実施の形態６においては、コントロールチップ５は、発光素子２４から出射された光が受光素子２５に入射したかどうかによって、メモリチップ３へのデータの書き込みを不能又は可能にする。
【００９４】
このように、本実施の形態６によっても、端子部２のみを封止樹脂層６から露出させるだけで、メモリチップ３に記録されたデータの誤消去を防止することができる。このことから、本実施の形態６においても、実施の形態１と同様に、防水性や防塵性の向上を図ることができると言える。
【００９５】
なお、本実施の形態６においても、実施の形態５と同様に、発光素子２４として可視光線を出射可能なものが用いられている。但し、本実施の形態６においても、これに限定されるものではなく、発光素子２４は赤外線や紫外線等の可視光線以外の光線を出射可能なものであっても良い。
【００９６】
（実施の形態７）
次に、上述した本発明の実施の形態１〜６にかかる半導体記憶媒体の製造方法について図１０を用いて説明する。図１０は、本発明の半導体記憶媒体の製造方法における代表的な工程を示す流れ図である。本実施の形態７において、封止樹脂層は、射出成形によって一体的に形成される。
【００９７】
図９に示すように、最初に、基板に端子部や回路パターンを形成し、更に基板上に電子部品を実装する（ステップＳ１）。電子部品としては、実施の形態１〜６において述べたように、メモリチップやコントロールチップといった各種ＩＣチップ、コンデンサ等が挙げられる。
【００９８】
また、実施の形態２〜６に示した基板には、貫通孔が形成されたタブが設けられており、これによって後述する射出成形工程における位置決めが行われるが、実施の形態１に示した基板には、このようなタブは設けられていない。よって、実施の形態１にかかる半導体記憶媒体の作製するのであれば、従来技術において図１２に示したスペーサの基板への取り付けも行う必要がある。
【００９９】
次に、封止樹脂層を形成するため、ステップＳ１において得られた基板を射出成形用の金型にセットして、基板の位置決めを行う（ステップＳ２）。射出成形用の金型としては、従来技術において図１２（ｃ）に示したような上型と下型とによって構成される金型が挙げられる。
【０１００】
基板の位置決めは、実施の形態１に示したように基板にスペーサが取り付けられている場合は、従来技術において図１２（ｃ）に示したように、基板を下型の凹部に配置するだけで良い。一方、実施の形態２〜６に示した基板のようにタブが設けられている場合は、上型と下型とによってタブを挟み込み、金型に設けられた突起をタブに設けられた貫通孔に挿入することによって行う。
【０１０１】
なお、その他の位置決め方法として、基板の位置決め用の可動ピンを予め金型に設けておき、成形中にこの可動ピンを抜くことによって位置決めを行う方法も挙げられる。
【０１０２】
次に、従来技術において示した図１２（ｃ）の例と同様に、射出成形用の金型内に封止樹脂を射出して封止樹脂層を一体的に形成する（ステップＳ３）。なお、ステップＳ３においては、従来技術において示した図１２（ｃ）の例と異なり、端子部のみが露出するように射出成形を行えば良い。
【０１０３】
その後、熱可塑性樹脂が固化するのを待って、封止樹脂層が形成された基板を金型から取り出し（ステップＳ４）、封止樹脂層に設けられた溝にスライダを圧入する（ステップＳ５）。
【０１０４】
ところで、このように封止樹脂層を一体的に成形する場合は、以下の問題が生じる場合がある。一つは、基板の構成材料の熱膨張率と封止樹脂の熱膨張率とが異なり、更に基板と封止樹脂層とが密着しているため、環境の変化によって封止樹脂層にクラックが生じるという問題である。もう一つは、クラックが生じないように封止樹脂層の強度を高めると、半導体記憶媒体を電子機器のスロットに挿入する際に、半導体記憶媒体の先端部分（図１（ｃ）において示す６ｃ）がスロット内部に設けられた接続端子（半導体記憶媒体の端子部に接続する端子）を磨耗させてしまうという問題である。
【０１０５】
このような問題を解決するため、本実施の形態７のステップＳ３においては、充填材を混合した熱可塑性樹脂によって封止樹脂層を形成するのが好ましい態様である。充填材としては、ガラス繊維等が挙げられる。熱可塑性樹脂に対する充填材の混合比は、５重量％〜４０重量％に設定するのが好ましい。
【０１０６】
これは、充填材と熱可塑性樹脂との混合材料を用いて射出成形した場合は、成形品において、金型に接する表層にスキン層を形成することができ、封止樹脂層の表面側（金型側）における充填材の密度を深部側（基板側）における充填材の密度に比べて低くできるからである。つまり、この場合は、封止樹脂層の深部の強度を高めつつ、表層における高硬度のガラス繊維等の密度を低くすることができるので、環境の変化によるクラックの発生とスロット内部の接続端子における磨耗の発生との両方を抑制できるのである。
【０１０７】
また、熱可塑性樹脂は、金型のキャビティに入るとすぐ固化するという特性を有している。このため、熱可塑性樹脂を用いれば、従来技術に示した熱硬化性樹脂を用いて封止樹脂を形成する場合に比べて、成形された封止樹脂層にバリが発生するのを抑制でき、生産性の向上を図ることができる。
【０１０８】
本実施の形態７において用いられる熱可塑性樹脂としては、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド系樹脂をベースポリマーとするホットメルト、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、液晶ポリマー、これらの樹脂のうち二種以上を用いたポリマーアロイ等が挙げられる。
【０１０９】
なお、本実施の形態７でいうスキン層とは、封止樹脂層の表面側の充填材が実質的に存在していない部分をいう。スキン層の厚みの設定は、金型温度、樹脂温度、射出速度、射出圧力等の成形条件の設定によって行うことができる。
【０１１０】
また、本実施の形態７においては、従来技術において図１２（ｃ）に示した例と異なり、複数回の射出成形によって封止樹脂層を形成することもできる。例えば、一回目の射出成形によって封止樹脂層の外縁部分を成形し、二回目の射出成形によって残りの部分を成形する態様とすることもできる。
【０１１１】
更に、この態様では、上型及び下型に、これらの凹部から突き出でたり、引っ込んだりすることが可能なピンを設けておくのが好ましい。この場合は、一回目の射出成形における基板の保持は、ピンによって行うことができ、二回目の射出成形における基板の保持は、ピンを引き込ませ、一回目の射出成形で成形された部分によって行うことができるので、上述したタブやスペーサを用いることなく基板の位置決めが行える。よって、生産性の向上を図ることができ、又メモリカードの外観の向上を図ることもできる。
【０１１２】
本発明の半導体記憶媒体及び半導体記憶媒体の製造方法は、上記実施の形態に示す例に限定されるものではない。例えば、本発明において、スライダは、断面がＨ形以外の形状を有するものであっても良く、特に限定されるものではない。また、スライダには、その位置を仮固定する凸部に嵌合する凹部を設けることもできる。更に、スライダを摺動させる溝の形成位置も特に限定されるものではなく、上記実施の形態に示したカード状の封止樹脂層における長辺側の側面以外の部分、例えば、短辺側の側面や主面であっても良い。また、封止樹脂層は、カード状以外の形状を呈していても良い。
【０１１３】
【発明の効果】
以上のように、本発明にかかる半導体記憶媒体及びその製造方法によれば、防水性及び防塵性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体記憶媒体においてプロテクトスイッチを構成するスイッチ片が封止樹脂層に取り付けられる前の状態を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体記憶媒体を示す図であり、図２（ａ）は半導体記憶媒体の外観を示す斜視図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ａ−Ａ´に沿って切断した状態を示す図である。
【図３】図１及び図２に示す半導体記憶媒体の封止樹脂層にプロテクトスイッチを構成するスライダを取り付けた状態を示す図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態２にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図４（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｂ−Ｂ´に沿って切断した断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図５（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｃ−Ｃ´に沿って切断した断面図である。
【図６】本発明の実施の形態４にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図６（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｄ−Ｄ´に沿って切断した断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４にかかる半導体記憶媒体における他の例の内部構成を示す図であり、図７（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｅ−Ｅ´に沿って切断した断面図である。
【図８】本発明の実施の形態５にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図８（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｆ−Ｆ´に沿って切断した断面図である。
【図９】本発明の実施の形態６にかかる半導体記憶媒体の内部構成を示す図であり、図９（ａ）は封止樹脂層が設けられていない状態を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｇ−Ｇ´に沿った切断した断面図である。
【図１０】本発明の半導体記憶媒体の製造方法における代表的な工程を示す流れ図である。
【図１１】従来からの半導体記憶媒体を示す図であり、図１１（ａ）は半導体記憶媒体の外観を示す斜視図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示した半導体記憶媒体を切断線Ｈ−Ｈ´に沿って切断した断面図である。
【図１２】図１１に示す半導体記憶媒体の製造方法を示す図であり、図１２（ａ）は封止樹脂層が形成される前の基板を示す平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）に示した基板を切断線Ｉ−Ｉ´に沿って切断した断面図、図１２（ｃ）は基板に封止樹脂層を形成する工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  端子部
３  メモリチップ
４  スライダ
４ａ  引掛部
４ｂ  連結部
４ｃ  基部
５  コントロールチップ
６  封止樹脂層
８  凹部
９  溝
９ａ  横溝
９ｂ  縦溝
１０  凸部
１１  ＩＣチップ
１２  コンデンサ
１３  リードスイッチ
１３ａ、１３ｂ  リード線
１３ｃ  カプセル
１４  磁石
１５  コイル部材
１６  金属片
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ  電極
１８、２２  第２の溝
１９  金属板
２０、２４  発光素子
２１、２５  受光素子
２３  板材
２６  導光部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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