(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、基板、特に半導体ウェハの製造品質に及ぼされるチャックの非平坦さの不利な影響が低減される方法を提供することである。【解決手段】  チャックの非平坦さが様々な位置で測定され、かつ理想化された平面からのずれとしてデータバンクに格納される。測定されたずれは、チャックの焦点距離および／または傾斜の事前に決定された設定に対する補正を計算するために用いられ、これらの補正は、露光フィールドのそれぞれの露光を調整するためにそれぞれ別々に用いられる。【選択図】  図１
2004172624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に構造を転写するために露光を実行する装置において、感光層で被覆された基板を該装置と位置合わせする方法であって、該装置は、該基板を調整するための可動のチャックと、光源と、少なくとも１つの焦点調節手段とを有し、該方法は、
記録されるべき該基板に対面する該チャックの表面と、該チャック上の少なくとも１つの第１の位置のために理想化された平面との間の任意のずれを測定する工程と、
該基板が該チャックと接触し、かつ、該チャックによって固定されるように、該基板を該チャック上に提供する工程と、
該感光層に投影された該チャック上の該少なくとも１つの第１の位置が、第１のデテールの範囲内、または、そのすぐ近くに配置されるように、該感光層の多数のデテールから、該基板上の第１の露光フィールドを表す第１のデテールを選択する工程と、
該基板上の該多数のデテールに対して予定される共通の焦点距離を事前決定する工程と、
該基板上の該第１のデテールと該焦点調節手段との間の事前に決定された焦点距離に対する第１の補正を、少なくとも１つの第１の位置において測定されたずれの関数として計算する工程と、
該第１の露光フィールドを露光する工程において、該基板を調整するための該チャックを移動させることによって、該焦点距離に該第１の補正を適用する工程と
を包含する、方法。
【請求項２】
前記チャック上の少なくとも１つの第２の位置のずれを測定する工程と、
前記基板上の第２のデテールを選択する工程であって、前記感光層に投影された該チャック上の該少なくとも１つの第２の位置は、該第２のデテールの範囲内か、または該第２のデテールのすぐ近くに配置される、工程と、
前記事前に決定された焦点距離に対する第２の補正を、該少なくとも１つの第２の位置の該測定されたずれの関数として計算する工程と、
該第２の補正を適用する工程であって、さらなる露光工程において該基板を調整するために第２の露光フィールドに対して繰返され、該第１の補正と該第２の補正とは異なる、工程と
を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の補正は、少なくとも２つの第１の位置において測定された前記ずれから測定された任意の傾斜の補償を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の補正は、少なくとも２つの第２の位置において測定された前記ずれから測定された任意の傾斜の補償を含むことを特徴とする、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記焦点距離を調整する工程は、前記基板上の前記感光層における前記デテールのすべてについて、それぞれ個別に繰返され、該デテールは、露光工程を実行するための露光フィールドをそれぞれ表すことを特徴とする、請求項１〜４の１つに記載の方法。
【請求項６】
前記測定する工程において測定された前記ずれがデータバンクに格納されることと、
前記デテールにおける前記焦点距離および前記傾斜に対する前記補正は、該デテールと関連した位置の各々にて測定された、該格納されたずれの関数として、多数の基板について計算されることと
を特徴とする、請求項１〜５の１つに記載の方法。
【請求項７】
前記チャックの前記表面と、理想化された平面との間のずれは、露光を実行する装置における少なくとも１つの焦点／傾斜センサを用いて測定される、請求項１〜６の１つに記載の方法。
【請求項８】
前記チャックの前記表面と、理想化された平面との間のずれは、極めて平らな試験基板の表面と、理想化された平面との間のずれの測定を介して間接的に決定される、請求項１〜７の１つに記載の方法。
【請求項９】
前記基板上の前記すべてのデテールについて事前に決定された前記共通の焦点距離および／または傾斜が、各場合について露光のために理想的な、複数のデテールにおいて測定された複数の焦点距離および／または傾斜にわたる平均から計算される、請求項１〜７の１つに記載の方法。
【請求項１０】
基板に構造を転写するために露光を実行する装置において、感光層で被覆された基板を装置と位置合わせする方法であって、該装置は、該基板を位置合わせするための可動のチャックと、光源と、少なくとも１つの焦点調節手段とを有し、該方法は、
記録されるべき該基板に対面する該チャックの表面と、該チャック上の少なくとも１つの第１の位置のために理想化された平面との間の任意のずれを測定する工程と、
該チャック上に該基板を提供する工程と、
該感光層において理想的な焦点距離を測定するために提供された複数のデテールから第１のデテールを選択する工程であって、
該第１のデテールは、該基板上の第１の露光フィールドを表し、これにより、該感光層に投影された該チャック上の少なくとも１つの第１の位置は、該第１のデテールの範囲内か、または、そのすぐ近くに配置される、工程と、
許容可能なずれの限界値を事前決定する工程と、
該ずれを該事前に決定された限界値と比較する工程と、
該感光層において理想的な焦点距離を測定するために提供された複数のデテールからの該デテールを該比較の関数として拒絶する工程と、
該複数のデテールからの少なくとも１つのさらなるデテールにおける露光のために理想的である焦点距離を測定する工程と、
該チャックの移動により該第１の露光フィールドの露光を実行するために、該測定された理想的焦点距離に該基板を位置合わせする工程と
を包含する、方法。
【請求項１１】
基板に構造を転写するために露光を実行する装置において、感光層で被覆された基板を装置と位置合わせする方法であって、該装置は、該基板を調整するための可動のチャックと、光源と、少なくとも１つの焦点調節手段とを有し、該方法は、
記録されるべき該基板に対面する該チャックの表面と、該チャック上の少なくとも１つの第１の位置のために理想化された平面との間の任意のずれを測定する工程と、
該チャック上に該基板を提供する工程と、
該感光層に投影された該チャック上の少なくとも１つの第１の位置が該第１のデテールの範囲内か、または、そのすぐ近くに配置されるように、該基板上の第１の露光フィールドを表す少なくとも１つの第１の調整マークを該感光層における多数のデテールから選択する工程と、
許容可能なずれの限界値を事前決定する工程と、
該ずれを該事前に決定された限界値と比較する工程と、
該第１のデテール内に形成される該調整マークを該比較の関数として拒絶する工程と、
該チャックの移動により該第１の露光フィールドの露光を実行するために、少なくとも１つのさらなる調整マークに基づいて、該焦点距離の方向に対して垂直な角度の方向に該基板を調整する工程と
を包含する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に構造を転写するために露光を行う装置において感光層によって被覆される基板を調整する方法に関し、この装置は、基板、光源、および少なくとも１つの焦点調節手段、好適には、磁気レンズまたは光学レンズを位置合わせするために可動チャックを有する。
【背景技術】
【０００２】
チャックは、半導体製作の分野において、基板を保持および固定するために、特に、リソグラフィプロセス、堆積プロセス、エッチングプロセス、研磨プロセス、ワニス塗布プロセス等を実行する間に用いられる。これらのプロセスは、半導体ウェハ、マスクまたはレチクル、あるいは構造を形成するためのフラットパネル等の基板に対して用いられる。最近の構造は、μｍ以下の範囲のサイズで形成される必要があるので、基板は、応力および曲げがほとんどかからないようにチャック上に取り付けられなければならない。この場合、これらの基板は、基板のそれぞれの裏面に適合された接触領域または表面を有さなければならない。チャックへの適切な固定は、吸引装置（真空ポンプ）を用いて、静電気によって、基板それ自体の重量で、または他の方法で実行され得る。
【０００３】
半導体ウェハの場合、チャックに特別な要求が課される。この場合、基板に対面するチャックの表面は、ウェハの平坦な裏面に対応して平坦（ｅｖｅｎｎｅｓｓ）である必要がある。チャックの非平坦さ（ｕｎｅｖｅｎｎｅｓｓ）は、完全に除くことができず、例えば、基板がチャックと接触すると、この基板それ自体の重力によって直接的に基板に移送され得る。
【０００４】
基板に構造を転写するための露光工程を実行するための、例えば、ウェハステッパまたはスキャナ等の装置において露光工程が実行された場合、この非平坦さによって変更された基板上に形成される感光層のレンズ系との距離、すなわち、焦点距離が不明瞭な像をもたらし得る。理想的な焦点距離からのずれは、焦点ずれ（ｄｅｆｏｃｕｓｉｎｇ）と呼ばれる。焦点距離に関して今日達成され得るプロセスウィンドウの典型的範囲は、例えば、０．５μｍである。これらの値は、将来、さらに小さくなる。
【０００５】
露光装置におけるチャックの平坦さは、例えば、数週間の間隔で規則的に測定される。このような測定は、いわゆる「金のウェハ（ｇｏｌｄｅｎ  ｗａｆｅｒｓ）」を用いて実行され得、これらのウェハは、任意の応力にさらされない場合、特に平らな面を有する。露光装置は、焦点および傾斜センサを備え、これらのセンサは、ウェハ上の任意の表面微細形状を補償するために、ウェハ上の事前に決定された露光フィールドについて、レンズまたはレンズ系に対する表面の焦点距離および任意の傾斜を測定することができる。
【０００６】
理論的には、これらのセンサを用いて、各個別の露光工程の前に、特定の露光を測定し、従って、局所的非平坦さを補償するためにウェハを調整することが可能である。このために、ウェハが載せられたチャックの焦点距離および傾斜が、それぞれ、再調整されることが必要である。
【０００７】
しかしながら、実際、この手順は多大な時間を要し、これと関連した生産性の低下に基づいてほとんど実現不可能である。従って、基板の調整のために、露光フィールドのすべてに共通の焦点距離および傾斜の共通値が規定される。これらの値は、バッチの第１のウェハの平均化された個々の測定値から取得され得る。
【０００８】
この結果として、チャックの非平坦さによる影響を受けた半導体ウェハ上の領域は、そこで局所的に、例えば、マスクからウェハ上に投影された構造の不明瞭な像をもたらす焦点距離または傾斜が自動的に調整される。
【０００９】
焦点／傾斜センサは、さらに、金のウェハに転写されるチャックの非平坦さを測定するために用いられる。このような測定の結果は、装置の製造業者によって規定される許容誤差と比較される。このチャックは、比較結果に依存して、交換されるか、または再び用いられ得る。交換は、通常、約４年後を期限とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、基板、特に半導体ウェハの製造品質に及ぼされるチャックの非平坦さの不利な影響が低減される方法を提供することである。本発明のさらなる目的は、半導体ウェハを調整する労力を低減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本目的は、基板に構造を転写するための露光を実行する装置において、感光層で被覆された基板を調整する方法を用いて達成され、この装置は、基板、光源、および少なくとも１つの焦点調節手段を位置合わせするための可動のチャックを有し、この方法は、
記録されるべき基板に対面するチャックの表面と、チャック上の少なくとも１つの第１の位置のために理想化された平面との間の任意のずれを測定する工程と、
チャック上に基板を提供する工程と、
感光層に投影されるチャック上の少なくとも１つの第１の位置が、第１のデテール（ｄｅｔａｉｌ）の範囲内か、または、そのすぐ近くに配置されるように、感光層における多数のデテールから基板上の第１の露光フィールドを表す第１のデテールを選択する工程と、
基板上の多数のデテールのために予定される共通の焦点距離を事前決定する工程と、
少なくとも１つの第１の位置において測定されたずれの関数として、基板上の第１のデテールと焦点調整手段との間の事前に決定された焦点距離の第１の補正を計算する工程と、
第１の露光フィールドの露光工程において、基板を調整するためのチャックを移動することによって焦点距離に対して第１の補正を適用する工程とを包含する。
【００１２】
チャックの非平坦さは、理想化された平面からのずれを決定することによって測定される。理想化された平面は、実質的に、半導体ウェハの裏面用として想定され得る。これは、例えば、金のウェハ等の従来技術に基づく測定方法であり得る。ずれの位置は、正確に決定され、従って、好適には、チャックのより微細な表面微細形状（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）がもたらされる。
【００１３】
従来技術とは対照的に、測定されたずれは、チャックを分類するために用いられた後に放棄されず、実際、格納されて、次の露光プロセス、特に、測定および位置合わせプロセスのプリセット値として用いられる。
【００１４】
このために、基板上の感光層における露光フィールドを表すデテールに対する、露光フィールドの現在位置の下に配置されるチャック上の位置のずれに関する格納された値が抽出される。これは、この場合、第１の位置のずれの少なくとも１つの値、または、露光フィールドの範囲における複数の位置の複数のずれの値であり得る。ずれの値が露光フィールドの外側の位置、しかしながら、そのすぐ近くに配置されることも可能である。重要な要素は、非平坦さを表すずれが、局所的に露光フィールド、または感光層におけるデテールと関連付けられ得、露光工程の間、非平坦さによって引き起こされた任意の焦点はずれを補償することである。
【００１５】
基板上の多数の露光フィールドまたはデテールに対して決定された共通の焦点距離が、次の工程においてプリセットされる。これは、基板表面と、構造を転写するために用いられるそれぞれの焦点調整手段との間の距離である。ウェハまたはマスク露光装置の場合、これは、光学レンズであり得る。反射マスクの場合、ミラーまたはミラー系が焦点調整手段として提供され、かつ、本発明に含まれる。電子ビームまたはイオンビーム投影装置の場合、磁気または電磁レンズが焦点手段として提供される。
【００１６】
上述の工程は、それぞれの基板が、チャックの焦点および傾斜の調整に関する複雑さを必要なだけ低減することを可能にする。各個別の露光フィールドについて焦点調整工程を実行する必要はない。本発明により決定された補正が、さらに、同じバッチにおける、かつ同じ特性を有する次に続くすべての基板の表面微細形状のために用いられることは、特に有利である。
【００１７】
Ｃａｎｏｎ  Ｉｎｃ．製の露光装置の場合、複数の露光フィールドについて、例えば、レンズまたはレンズ系に対する基板の焦点距離および傾斜を測定するために焦点／傾斜センサが用いられ、従って、可動チャックを用いて基板を調整することを可能にする。
【００１８】
このような測定は、特に、すでに複数の層を有し、かついくつかのプロセスにかけられた基板の複雑な表面微細形状を考慮に入れるために用いられる。構造および回路は、基板上の各露光フィールドについて同一であり、焦点距離の、および傾斜の共通の値を取得するために、焦点距離および傾斜の測定は、統計的に平均化される。これまで、ウェハのすべての露光フィールドは、共通の焦点距離および傾斜に基づいて露光されてきた。
【００１９】
本発明により、事前に決定された値が考慮に入れられるが、しかしながら、この事前に決定された焦点距離は、さらなる工程において、基板上の感光層における局所的非平坦さをそれぞれ考慮に入れるために、測定されたずれの関数として、各露光フィールドおよびデテールについて個別かつ追加的に補正される。これは、格納されたデータを抽出することによって行われ、補正を計算することを可能にする。焦点距離に対する補正は、計算された値を用いてチャックを移動させることによって局所的に達成され得る。
【００２０】
従って、露光系の焦点および／または傾斜の計算にチャックの非平坦さを直接的に含むことによって、リソグラフィプロセスの焦点の深さは、異なった位置の関数として改善され得る。これは、依然として装置製造業者の規格値の範囲内にある、ほんのわずかな非平坦ささえも補償する。従って、許容誤差の範囲、すなわち、プロセスウィンドウは、有利にも拡大され、製造品質が対応して改善される。
【００２１】
本発明の２つのさらなる局面により、調整プロセスの除外領域として用いられる領域、または複数の露光フィールドは、平坦ではない位置を正確に測定することによって決定され得る。
【００２２】
第１の局面は、これらの露光フィールドが、焦点距離の値（１つのバッチのウェハに対して共通に事前決定される）を決定するために用いられなくてもよいことである。
【００２３】
この利点は、較正測定を要求する周期的測定が、本発明により、これまで必要であった規模ではもはや実行される必要がないことである。露光のために理想的な焦点距離、またはチャックの理想的傾斜が、まさにチャックに生じる非平坦さが原因で必要とされた複数の測定によって、個々の測定を通じて、比較的大きいエラーを回避することが可能になっている。
【００２４】
本発明により、特に、下方に配置されるチャックの非平坦さによる影響を受ける露光フィールドが除外されるので、焦点距離測定を少ない回数で行うことが可能であるので、露光装置での生産速度が上昇する。
【００２５】
第２のさらなる局面によると、ウェハの表面と並行であるＸＹ平面における実際の位置合わせプロセスのために、これらの露光フィールドは用いられ得ない。利点は、これらの露光フィールド内の対応する調整マークの質が悪く、従って、不正確な調整が行われる。
【００２６】
さらに、チャックの表面の粗さが重要な役割を果たす金属加工の分野において本発明を用いることも予定される。表面の測定、および、この表面の測定に基づいた、その表面上に取り付けられた基板と用いられる、レーザまたは焦点エッチングソース（ｆｏｃｕｃｉｎｇ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｓｏｕｒｃｅ）等のプロセスのソースとの間の位置が正確な距離に対する補正が、さらに、この場合、処理結果を改善し得る。
【００２７】
本発明による方法は、基板に構造を転写するために露光を実行する装置において、感光層で被覆された基板を該装置と位置合わせする方法であって、該装置は、該基板を調整するための可動のチャックと、光源と、少なくとも１つの焦点調節手段とを有し、該方法は、記録されるべき該基板に対面する該チャックの表面と、該チャック上の少なくとも１つの第１の位置のために理想化された平面との間の任意のずれを測定する工程と、該基板が該チャックと接触し、かつ、該チャックによって固定されるように、該基板を該チャック上に提供する工程と、該感光層に投影された該チャック上の該少なくとも１つの第１の位置が、第１のデテールの範囲内、または、そのすぐ近くに配置されるように、該感光層の多数のデテールから、該基板上の第１の露光フィールドを表す第１のデテールを選択する工程と、該基板上の該多数のデテールに対して予定される共通の焦点距離を事前決定する工程と、該基板上の該第１のデテールと該焦点調節手段との間の事前に決定された焦点距離に対する第１の補正を、少なくとも１つの第１の位置において測定されたずれの関数として計算する工程と、該第１の露光フィールドを露光する工程において、該基板を調整するための該チャックを移動させることによって、該焦点距離に該第１の補正を適用する工程とを包含し、これにより上記目的を達成する。
【００２８】
前記チャック上の少なくとも１つの第２の位置のずれを測定する工程と、前記基板上の第２のデテールを選択する工程であって、前記感光層に投影された該チャック上の該少なくとも１つの第２の位置は、該第２のデテールの範囲内か、または該第２のデテールのすぐ近くに配置される、工程と、前記事前に決定された焦点距離に対する第２の補正を、該少なくとも１つの第２の位置の該測定されたずれの関数として計算する工程と、該第２の補正を適用する工程であって、さらなる露光工程において該基板を調整するために第２の露光フィールドに対して繰返され、該第１の補正と該第２の補正とは異なる、工程とを包含してもよい。
【００２９】
前記第１の補正は、少なくとも２つの第１の位置において測定された前記ずれから測定された任意の傾斜の補償を含むことを特徴としてもよい。
【００３０】
前記第２の補正は、少なくとも２つの第２の位置において測定された前記ずれから測定された任意の傾斜の補償を含むことを特徴としてもよい。
【００３１】
前記焦点距離を調整する工程は、前記基板上の前記感光層における前記デテールのすべてについて、それぞれ個別に繰返され、該デテールは、露光工程を実行するための露光フィールドをそれぞれ表すことを特徴としてもよい。
【００３２】
前記測定する工程において測定された前記ずれがデータバンクに格納されることと、前記デテールにおける前記焦点距離および前記傾斜に対する前記補正は、該デテールと関連した位置の各々にて測定された、該格納されたずれの関数として、多数の基板について計算されることとを特徴としてもよい。
【００３３】
前記チャックの前記表面と、理想化された平面との間のずれは、露光を実行する装置における少なくとも１つの焦点／傾斜センサを用いて測定されてもよい。
【００３４】
前記チャックの前記表面と、理想化された平面との間のずれは、極めて平らな試験基板の表面と、理想化された平面との間のずれの測定を介して間接的に決定されてもよい。
【００３５】
前記基板上の前記すべてのデテールについて事前に決定された前記共通の焦点距離および／または傾斜が、各場合について露光のために理想的な、複数のデテールにおいて測定された複数の焦点距離および／または傾斜にわたる平均から計算されてもよい。
【００３６】
本発明による方法は、基板に構造を転写するために露光を実行する装置において、感光層で被覆された基板を装置と位置合わせする方法であって、該装置は、該基板を位置合わせするための可動のチャックと、光源と、少なくとも１つの焦点調節手段とを有し、該方法は、記録されるべき該基板に対面する該チャックの表面と、該チャック上の少なくとも１つの第１の位置のために理想化された平面との間の任意のずれを測定する工程と、該チャック上に該基板を提供する工程と、該感光層において理想的な焦点距離を測定するために提供された複数のデテールから第１のデテールを選択する工程であって、該第１のデテールは、該基板上の第１の露光フィールドを表し、これにより、該感光層に投影された該チャック上の少なくとも１つの第１の位置は、該第１のデテールの範囲内か、または、そのすぐ近くに配置される、工程と、許容可能なずれの限界値を事前決定する工程と、該ずれを該事前に決定された限界値と比較する工程と、該感光層において理想的な焦点距離を測定するために提供された複数のデテールからの該デテールを該比較の関数として拒絶する工程と、該複数のデテールからの少なくとも１つのさらなるデテールにおける露光のために理想的である焦点距離を測定する工程と、該チャックの移動により該第１の露光フィールドの露光を実行するために、該測定された理想的焦点距離に該基板を位置合わせする工程とを包含し、これにより上記目的を達成する。
【００３７】
本発明による方法は、基板に構造を転写するために露光を実行する装置において、感光層で被覆された基板を装置と位置合わせする方法であって、該装置は、該基板を調整するための可動のチャックと、光源と、少なくとも１つの焦点調節手段とを有し、該方法は、記録されるべき該基板に対面する該チャックの表面と、該チャック上の少なくとも１つの第１の位置のために理想化された平面との間の任意のずれを測定する工程と、該チャック上に該基板を提供する工程と、該感光層に投影された該チャック上の少なくとも１つの第１の位置が該第１のデテールの範囲内か、または、そのすぐ近くに配置されるように、該基板上の第１の露光フィールドを表す少なくとも１つの第１の調整マークを該感光層における多数のデテールから選択する工程と、許容可能なずれの限界値を事前決定する工程と、該ずれを該事前に決定された限界値と比較する工程と、該第１のデテール内に形成される該調整マークを該比較の関数として拒絶する工程と、該チャックの移動により該第１の露光フィールドの露光を実行するために、少なくとも１つのさらなる調整マークに基づいて、該焦点距離の方向に対して垂直な角度の方向に該基板を調整する工程とを包含し、これにより上記目的を達成する。
【発明の効果】
【００３８】
基板、特に半導体ウェハの製造品質に及ぼすチャックの非平坦さの不利な影響を低減する方法を提供することができる。
【００３９】
半導体ウェハを調整する労力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
本発明は、ここで、図面を用いる例示的実施形態を参照してより詳細に説明される。
【００４１】
図１は、フローチャートに基づく本発明の例示的１実施形態を示す。最初に、チャックの非平坦さについてのマップがリソグラフィ投影装置において製作される。これは、表面と理想化された平面との間のずれを決定することによって行われる。露光または投影装置は、焦点／傾斜センサのセットを有し、それぞれ、レーザ、および、例えば、ＰＳＤ（位置検出デバイス）等の検出器を含む。特定の傾斜、および特定の焦点距離は、レーザによって発せられ、かつチャック上に取り付けられる「金の」ウェハの表面から反射される光線から計算され得る。
【００４２】
金のウェハの表面の３次元マップは、それぞれが異なった位置Ｘ、Ｙ、Ｚにおける多数の個別の測定から生成される。理想化された平面は、例えば、３次元データ記録における線形回帰分析によって決定され得る。
【００４３】
金のウェハの非平坦さは、チャックの非平坦さとして記録される。なぜなら、金のウェハそれ自体は、可撓性であるが、互いに対して高い精度に平行の前面および背面を有するからである。従って、チャックの理想化された平面からの非平坦さおよびずれは、対応して、直接的にウェハの前面に転写される。
【００４４】
ずれを有するマップを含む計算されたデータ記録は、データバンクにおける位置の関数として格納される。このマップはチャックと関連付けられる。各々にチャックが提供された複数の投影装置に基づく製造は、それぞれのチャックと関連付けられたマップが格納されるデータバンクを用いる。
【００４５】
この特定の投影装置を用いて、半導体ウェハのバッチに関して、平面が露光されることが予定されると想定されたい。バッチからの第１のウェハが装置に提供され、その装置のチャック上に配置される。複数の露光フィールドがウェハ上に選択され、そのために、露光のために理想的な焦点距離の、および傾斜の理想的な設定の包括的な測定を実行するためにセンサが用いられる。理想的な焦点距離は、調整光学素子を用いて焦点アルゴリズムにより自動的に設定される。この場合、設定された焦点距離の値は、露光フィールド位置ごとに格納される。
【００４６】
これらの焦点距離の値および傾斜の値は、その後、平均化される。平均化された値は、次に、チャックの露光プリセット値として、バッチのすべてのウェハ上の露光フィールドに対して包括的に用いられる。
【００４７】
ここで、第１の露光フィールドが選択される。露光フィールドのマトリクスは、ここで、チャック上のウェハの配向の関数として、投影装置のモニタリングユニットにおける基準座標系に転送される。第１の露光フィールドは、その中に位置座標を有する。次に、チャックの非平坦さの格納されたマップがデータバンクから抽出され、かつ、同様に、基準座標系に転送される。理想的には、理想化された平面からのずれが測定された少なくとも１つの位置が、選択された露光フィールドの領域内に配置される。
【００４８】
測定されたずれは、焦点距離に関して、チャックを設定するための補正に変換される。露光フィールドに設けられた調整マークを用いた、ＸＹ平面内でのチャックの露光フィールドとの細密調整の前または後で、チャックの補正された設定が行われ、かつ、マスクから投影された構造の露光が実行される。
【００４９】
チャックの非平坦さが様々な位置で測定され、かつ理想化された平面からのずれとしてデータバンクに格納される。測定されたずれは、チャックの焦点距離および／または傾斜の事前に決定された設定に対する補正を計算するために用いられ、これらの補正は、露光フィールドのそれぞれの露光を調整するためにそれぞれ別々に用いられる。
【００５０】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は、本発明による例示的実施形態のフローチャートを示す。
【図１】
2004172624.tif 000003