(57)【要約】【課題】絶縁体基板が，隔壁を介して隣接した処理部に順次搬送され該処理部毎に所定の処理が順次施されていくプロセスにおいて，軟Ｘ線を照射して絶縁体基板の除電を行う場合に，軟Ｘ線の照射装置の必要台数を低減する。【解決手段】ケーシング２内の液晶用ガラス基板Ｇに対して処理部毎に連続して処理が行われる。各処理部は，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線が透過する材質からなる隔壁７１，７２，７３，７４，７５によって仕切られている。軟Ｘ線を照射する照射装置８１，８２，８３，８４，８５の各照射領域８１ａ，８２ａ，８３ａ，８４ａ，８５ａが，隔壁を透過してこれら照射装置が設置されている処理部に隣接した処理部に及ぶように配置されている。【選択図】  図１
2004311048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板が，隔壁を介して隣接した処理部に順次搬送され該処理部毎に所定の処理が順次施されていく絶縁体基板の製造方法において，
前記隔壁を，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線が透過する材質で構成し，
さらに波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する照射装置を，少なくとも一の処理部内の絶縁体基板に向けて照射できるように，当該一の処理部に配置すると共に，
さらに前記照射装置の照射領域が前記隔壁を透過して，隣接する他の処理部内に及ぶように，前記照射装置を前記一の処理部に配置し，
前記照射装置によって，絶縁体基板周辺の雰囲気に軟Ｘ線を照射して前記絶縁体基板を除電することを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項２】
前記照射装置による軟Ｘ線の照射は，絶縁体基板の帯電面側に向けて照射することを特徴とする，請求項１に記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項３】
前記照射装置の前記絶縁体基板に対する照射可能最遠距離が，以下のパラメータに基づいて定めた値になるように，前記照射装置を配置することを特徴とする，請求項１又は２に記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
・照射装置の軟Ｘ線源のターゲット電流
・絶縁体基板の電位
・照射有効時間
・絶縁体基板の除電位置での単位面積当たりの静電容量
・絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さ
【請求項４】
前記照射装置の前記絶縁体基板に対する照射可能最遠距離は，Ｑ＝照射装置の軟Ｘ線源のターゲット電流  ［μＡ］，
Ｖ＝絶縁体基板の電位  ［ｋＶ｝，
Ｔ＝照射有効時間  ［秒］，
Ｃ＝絶縁体基板の除電位置での単位面積当たりの静電容量  ［ｐＦ／ｍ２］，
Ｈ＝絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さ［ｃｍ］
としたとき，
次の条件を満たすようにして定められるものであることを特徴とする，請求項３に記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
条件ａ：基板除電空間の平均厚さＨ≧Ｘｃｍの時
照射距離［ｍ］  ＜（Ｑ／Ａ１）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４
条件ｂ：基板除電空間の平均厚さＨ＜Ｘｃｍの時
照射距離［ｍ］  ＜（Ｑ／（Ｘ×Ａ１）×Ｈ）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４
ただし，Ｘ，ｋ１，ｋ２，ｋ３，ｋ４，Ａ１，Ａ２，Ａ３は係数で，除電目標電位や雰囲気条件などによって以下の範囲で決定されるものである。
Ｘ＝２〜１０
０．２５＜ｋ１，ｋ２，ｋ３，ｋ４＜０．５
０．２＜Ａ１＜１
１≦Ａ２＜１０
５０≦Ａ３＜５００
【請求項５】
前記照射装置の前記絶縁体基板に対する照射可能最遠距離は，２台の照射装置がケーシング内で対向して配置される場合，
Ｑ＝照射装置の軟Ｘ線源のターゲット電流  ［μＡ］，
Ｖ＝絶縁基板電位  ［ｋＶ｝，
Ｔ＝照射有効時間  ［秒］，
Ｃ＝絶縁体基板の除電位置での単位面積当たりの静電容量  ［ｐＦ／ｍ２］，
Ｈ＝絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さ  ［ｃｍ］
としたとき，
次の条件を満たすようにして定められるものであることを特徴とする，請求項３に記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
基板除電空間の平均厚さＨ≧Ｘｃｍの時
２台の照射装置の対向照射距離［ｍ］  ＜（２Ｑ／Ａ１）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４
基板除電空間の平均厚さＨ＜Ｘｃｍの時
２台の照射装置の対向照射距離［ｍ］  ＜  ２×（２Ｑ／（Ｘ×Ａ１）×Ｈ）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４，
ただし，Ｘ，ｋ１，ｋ２，ｋ３，ｋ４，Ａ１，Ａ２，Ａ３は係数で，除電目標電位や雰囲気条件などによって以下の範囲で決定されるものである。
Ｘ＝２〜１０
０．２５＜ｋ１，ｋ２，ｋ３，ｋ４＜０．５
０．２＜Ａ１＜１
１≦Ａ２＜１０
５０≦Ａ３＜５００
【請求項６】
前記照射装置による絶縁体基板の上面側及び／または下面側の照射空間厚さは，少なくとも５ｍｍ以上であることを特徴とする，請求項３〜５のいずれかに記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項７】
前記処理は，薬液による処理や純水洗浄，乾燥処理等を連続で行うウエットプロセス，あるいはレジスト塗布や加熱乾燥，露光等を連続で行うフォトリソプロセス，あるいはプロセスとプロセスとの間の基板を搬送することであることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁体基板は，基板上に少なくとも金属配線または導電膜が形成されているものであることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の除電された絶縁体基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁体基板が，隔壁を介して隣接した処理部に順次搬送され該処理部毎に所定の処理を前記絶縁体基板に対して順次行って，絶縁体基板を製造するための装置であって，
前記処理部を形成するためのケーシングと，
前記ケーシング内において隣接した処理部を区画形成するための隔壁と，
波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する照射装置と，
前記絶縁体基板を隣接する処理部に搬送するためのローラ搬送装置とを有し，
前記隔壁は，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線が透過する材質で構成され，
前記照射装置は，少なくとも一の処理部内の絶縁体基板に向けて照射できるように当該一の処理部に配置される共に，さらに前記照射装置の照射領域が前記隔壁を透過して，隣接する他の処理部内にも及ぶように，前記照射装置が前記一の処理部に配置されていることを特徴とする，除電された絶縁体基板の製造装置。
【請求項１０】
前記隔壁は，波長域１〜１００オングストロームの軟Ｘ線に対する透過能が１／１０以上の材質で構成されていることを特徴とする，請求項９に記載の除電された絶縁体基板の製造装置。
【請求項１１】
前記隔壁の材質は，厚さ０．０１ｍｍ以上のポリイミド系素材，シクロオレフィン樹脂，アクリル系素材，ポリプロピレン，フッ素樹脂またはポリエチレン樹脂であることを特徴とする，請求項１０に記載の除電された絶縁体基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，除電された絶縁体基板の製造装置及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶ディスプレイ用ガラス基板のウェットプロセスにおいては，ガラス基板は，基板導入搬送部→薬液処理部→基板薬液除去部→純水洗浄部→純水水滴除去部→乾燥部→基板搬出部というように，異なった処理を行う処理部に順次搬送されながら処理されていく。
【０００３】
各処理部間はお互いに金属板やプラスチック板などの隔離板で隔離されて区切られており，基板が通過できる程度の隙間が常時開口しているか，あるいは開閉扉があり基板通過時のみ開口するような機構となっている。
【０００４】
そして従来の絶縁体基板の処理プロセスにおいては，従前のコロナ放電に代えて軟Ｘ線照射法（例えば特許文献１，２，３参照）による除電が行われている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第２７４９２０２号公報
【特許文献２】
特許第２６４８２８６号公報
【特許文献３】
特開平７−２９４９２８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，前記した従来技術は，１つの室内の除電に関するものであり，前記した隔壁によって区切られた処理部の各処理工程においてガラス基板などの絶縁体基板に対して除電を行う場合，前記した従来技術に従えば，各処理部毎に除電装置を設置する必要があり，除電装置の設置台数が非常に多くなると共に，装置コストの上昇を招くという問題があった。また必要な除電性能に対して許容される最遠照射距離に関して前記従来技術では何ら検討されていないため，場合によっては基板の一部の除電が十分に行われていない場合もあった。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，絶縁体基板が，隔壁を介して隣接した処理部に順次搬送され該処理部毎に所定の処理が順次施されていく前記絶縁体基板の製造方法において，前記隔壁の材質を考慮するとともに，軟Ｘ線を照射する照射装置を効率よく配置することで，前記問題の解決を図ることを目的としている。さらにまた，該照射装置に配置にあたっては，前記絶縁体基板に対する照射可能最遠距離をも勘案して照射装置を配置し，絶縁体基板に対する除電を十分に行うようにして，前記問題の解決を図ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため，本発明においては，絶縁体基板が，隔壁を介して隣接した処理部に順次搬送され該処理部毎に所定の処理が順次施されていく場合の前記絶縁体基板の除電を行うにあたり，まず前記隔壁を，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線が透過する材質で構成する。そして波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する照射装置を，少なくとも一の処理部内の絶縁体基板に向けて照射できるように，当該一の処理部に配置すると共に，さらに前記照射装置の照射領域が前記隔壁を透過して，隣接する他の処理部内に入るように，前記照射装置を前記一の処理部に配置している。そして本発明は，前記照射装置によって，絶縁体基板周辺の雰囲気に軟Ｘ線を照射して前記絶縁体基板の除電をすることを特徴とするものである。
【０００９】
なお本発明でいうところの隔壁とは，開閉自在なシャッタを有して，基板が通過する際に開口し，それ以外は閉鎖される機能を有するものや，必要最小限の通過口が形成され，常時開口しているものも含まれる。したがって，ある程度雰囲気を遮断するものであればよい。また格別な処理を行わなくても，処理に付される絶縁体基板が装置内に搬入され，処理部へと導入するローダ部，処理が終了して，搬出されるアンローダ部，さらには格別な処理を実施しなくとも，待機して自然乾燥に付したり，あるいは次処理を行う次の処理部へと搬送するための搬送部も，隔壁を介して処理部に隣接しているものであれば，本発明でいうところの処理部に相当する。
【００１０】
本発明においては，前記したように，少なくとも一の処理部内の絶縁体基板に向けて照射できるように，当該一の処理部に照射装置を配置すると共に，さらに前記照射装置の照射領域が前記隔壁を透過して，隣接する他の処理部内にも及ぶように前記照射装置を前記一の処理部に配置したので，従来処理部毎に照射装置を配置していたのと比べて，製造工程全体に必要な照射装置の設置台数を低減させることができる。
【００１１】
前記照射装置による軟Ｘ線の照射は，絶縁体基板の帯電面側，例えば下面側に向けて照射することが好ましい。これによって，絶縁体基板の除電を効果的に行うことができる。
【００１２】
照射装置の配置にあたっては，絶縁体基板に対する照射可能最遠距離が，以下のパラメータに基づいて定めた値になるようにすることが望ましい。すなわち，照射装置の軟Ｘ線源のターゲット電流，絶縁体基板の電位，照射有効時間，絶縁体基板の除電位置での単位面積当たりの静電容量，絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さによって基づいて決定した値となるように，ケーシングの処理部に照射装置を配置することで，必要最小限のエネルギーで絶縁体基板に対する除電を効果的に実施することができる。
【００１３】
発明者らの検証によれば，照射装置の絶縁体基板に対する前記照射可能最遠距離は，Ｑ＝照射装置の軟Ｘ線源のターゲット電流  ［μＡ］，Ｖ＝絶縁基板電位  ［ｋＶ｝，Ｔ＝照射有効時間  ［秒］，Ｃ＝絶縁体基板の除電位置での単位面積当たりの静電容量  ［ｐＦ／ｍ２］，Ｈ＝絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さ  ［ｃｍ］としたとき，次の条件を満たすようにして定められるものがよい。
すなわち，基板除電空間の平均厚さＨ≧Ｘｃｍの時には，照射距離［ｍ］  ＜（Ｑ／Ａ１）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４，
基板除電空間の平均厚さＨ＜Ｘｃｍの時には，照射距離［ｍ］  ＜（Ｑ／（Ｘ×Ａ１）×Ｈ）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４，である。
ただし，Ｘ，ｋ１，ｋ２，ｋ３，ｋ４，Ａ１，Ａ２，Ａ３は係数で，除電目標電位や雰囲気条件などによって以下の範囲で決定されるものである。
Ｘ＝２〜１０
０．２５＜ｋ１，ｋ２，ｋ３，ｋ４＜０．５
０．２＜Ａ１＜１
１≦Ａ２＜１０
５０≦Ａ３＜５００
【００１４】
また照射装置を対向配置する場合，例えば絶縁体基板の両側に配置する場合には，基板除電空間の平均厚さＨ≧Ｘｃｍの時には，２台の照射装置の対向照射距離［ｍ］  ＜（２Ｑ／Ａ１）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４，
基板除電空間の平均厚さＨ＜Ｘｃｍの時には，２台の照射装置の対向照射距離［ｍ］  ＜  ２×（２Ｑ／（Ｘ×Ａ１）×Ｈ）ｋ１  ÷Ｖｋ２  ×（Ｔ／Ａ２）ｋ３  ／（Ｃ／Ａ３）ｋ４，がよい。
【００１５】
前記のようにして除電を実施する場合，絶縁体基板周辺雰囲気は，圧力が１〜１０００Ｔｏｒｒの空気あるいは窒素ガスであることが好ましい。
【００１６】
また前記照射装置による絶縁体基板の上面側及び／または下面側の照射空間厚さは，少なくとも５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１７】
本発明が適用される絶縁体基板の処理としては，例えば薬液による処理や純水洗浄，乾燥処理等を連続で行うウエットプロセス，あるいはレジスト塗布や加熱乾燥，露光等を連続で行うフォトリソプロセスが挙げられる。またプロセスとプロセスとの間で基板を搬送することも，本命発明においては，「処理」として扱う。
【００１８】
さらにまた本発明で除電される絶縁体基板は，基板上に少なくとも金属配線または導電膜が形成されているものであってもよい。
【００１９】
前記照射装置によって軟Ｘ線を照射する照射有効時間は，少なくとも１μｓｅｃ．以上であることが好ましい。
【００２０】
前記隔壁は，波長域１〜１００オングストロームの軟Ｘ線に対する透過能が１／１０以上の材質で構成されていれば，実用上十分である。またその材質としては，例えば厚さ０．０１ｍｍ以上のポリイミド系素材，シクロオレフィン樹脂，アクリル系素材，ポリプロピレン，フッ素樹脂またはポリエチレン樹脂を挙げることができる。
【００２１】
ケーシングの材質については，軟Ｘ線に対する透過能が１／１００以下の素材で構成されていることが好ましい。ケーシング外への影響を防止することができるからである。またその材質としては，例えば少なくとも厚さ０．５ｍｍ以上の硬質塩ビ系素材，厚さ０．１ｍｍ以上の金属素材，または厚さ０．２ｍｍ以上のガラス素材のいずれか１種を有するものを提案することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明すると，図１，図２は，本実施の形態にかかる液晶用ガラス基板のウエットエッチングプロセスを実施する処理装置１の側面断面，平面断面の様子を各々示しており，この処理装置１は，絶縁体基板としての液晶用ガラス基板Ｇに対して一連の処理を，隣接して連続した個々の処理部内で行うように構成されている。
【００２３】
すなわち本実施の形態にかかる製造装置としての処理装置１は，絶縁体基板としての液晶用ガラス基板Ｇをこの処理装置内に導入して，以降の各処理部に送るためのローダ部１０，液晶用ガラス基板Ｇに対して所定のエッチング処理を実施するエッチング部２０，エッチング後に基板表面に残っている薬液を除去する薬液除去部３０，基板表面を洗浄する洗浄部４０，洗浄後に基板表面の洗浄液の水切りを行う水切り部５０，水切り後の基板を乾燥させる乾燥部６０を有している。
【００２４】
各処理部は，いずれも隔壁７１，７２，７３，７４，７５を介して仕切られて，連続して隣接している。これら隔壁７１，７２，７３，７４，７５は，いずれも常時開口している通過口，但し，搬送装置のケーシング７の通過口より狭く，液晶用ガラス基板Ｇと搬送ローラ等の搬送手段が通る足る開口を備えたもの（図示せず）を有しており，液晶用ガラス基板Ｇは，この通過口を通じて次処理の処理部に搬送される。そして本実施の形態においては，これら隔壁７１，７２，７３，７４，７５には，いずれも軟Ｘ線透過率の高いパネルとして，例えば厚さ１ｍｍのシクロオレフィン樹脂板が使用されている。
【００２５】
ローダ部１０から乾燥部６０に至るまでの液晶用ガラス基板Ｇの搬送は，各処理部を貫通してケーシング２内に配列されている搬送ローラ３によって行われる。ケーシング２は，天板２ａ，底板２ｂ，側板２ｃ，２ｄによって略筒状に構成され，さらにローダ部１０の入口側には搬入口２ｅを有する入口板２ｆ，乾燥部６０の出口側には，搬出口２ｇを有する出口板２ｈを有している。
【００２６】
本実施の形態では，ケーシング２を構成する前記した天板２ａ，底板２ｂ，側板２ｃ，２ｄ，入口板２ｆ，出口板２ｈは，いずれも軟Ｘ線透過率の低い材質，例えば，少なくとも厚さ０．５ｍｍ以上の硬質塩ビ系素材，厚さ０．１ｍｍ以上の金属素材，または厚さ０．２ｍｍ以上のガラス素材のいずれか１種を有するものを使用することが好ましい。
【００２７】
ローダ部１０に搬入された液晶用ガラス基板Ｇは，搬送ローラ３によって，エッチング部２０へと搬送される。エッチング部２０は，液晶用ガラス基板Ｇの上面に対して薬液を供給する上部薬液供給ノズル２１と，液晶用ガラス基板Ｇの下面に対して薬液を供給する下部薬液供給ノズル２２と，進行方向前方に配置されて，基板の下面に向けて洗浄液を供給する洗浄ノズル２３を有している。またエッチング部２０の底部には，薬液や洗浄液などの排液を排出するための排液部２４を有している。
【００２８】
エッチング部２０においてエッチング処理された液晶用ガラス基板Ｇは，搬送ローラ３によって，薬液除去部３０へと搬送される。薬液除去部３０は，液晶用ガラス基板Ｇの上面に対して乾燥空気を供給して，基板上の薬液を除去する上部エアナイフ３１と，液晶用ガラス基板Ｇの下面に対して乾燥空気を供給して，基板下面に付着している薬液を除去する下部エアナイフ３２を有し，さらに除去された薬液を排出するための排液部３３を有している。
【００２９】
薬液除去部３０において薬液が除去された液晶用ガラス基板Ｇは，搬送ローラ３によって，洗浄部４０へと搬送される。洗浄部４０は，液晶用ガラス基板Ｇの上面に対して洗浄液，例えば純水を供給して，基板の上面を洗浄する上部洗浄ノズル４１と，液晶用ガラス基板Ｇの下面に対して洗浄液，例えば純水を供給して，基板の下面を洗浄する下部洗浄ノズル４２を有し，さらに底部には，これら洗浄液を排出するための排液部４３を有している。
【００３０】
洗浄部４０において洗浄処理された液晶用ガラス基板Ｇは，搬送ローラ３によって，水切り部５０へと搬送される。水切り部５０は，液晶用ガラス基板Ｇの上面に対して乾燥空気を供給する上部ドライエアノズル５１と，液晶用ガラス基板Ｇの下面に対して乾燥空気を供給する下部ドライエアノズル５２を有し，さらに底部には，洗浄液等を排出するための排液部５３を有している。
【００３１】
水切り部５０において水切りされた液晶用ガラス基板Ｇは，搬送ローラ３によって，乾燥部６０へと搬送され，最終乾燥に付される。その後この液晶用ガラス基板Ｇは，搬出口２ｇを通じてケーシング外へ取り出されるようになっている。
【００３２】
次にかかる処理装置１の除電構成について説明する。本実施の形態では，まずローダ部１０の下面，すなわちケーシング２の底板２ｂの所定位置に１台の軟Ｘ線の照射装置８１を設置して，ローダ部１０内のおいて搬送ローラ３の上に載置される液晶用ガラス基板Ｇの下面（裏面）に対して軟Ｘ線を照射するようにした。液晶用ガラス基板Ｇは絶縁体基板であり，静電荷は搬送ローラ３との接触面である下面に集中し，下面が帯電する。したがって，そのように下面に軟Ｘ線を照射することで，好適に液晶用ガラス基板Ｇを中和して除電することができる。この照射装置８１は，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射する機能を有している。
【００３３】
さらにこの照射装置８１の配置場所は，図１，２に示したように，その照射領域８１ａが隔壁７１を越えて，隣接しているエッチング部２０内にも及ぶように配置されている。隔壁７１の材質は，既述したように，軟Ｘ線透過率の高いシクロオレフィン樹脂からなっているので，図示のように照射装置８１の照射領域８１ａは，エッチング部２０内にある液晶用ガラス基板Ｇのローダ部１０側の下面に対しても軟Ｘ線を照射することが可能になっている。
さらに配線及び層間絶縁膜付の基板の場合は，帯電に伴う電化のアンバランスにより発生する層間絶縁膜の破壊を抑制するために，洗浄液あるいはエッチング液に基板表面が接する前に除電を行うことが望ましい。この場合，照射装置は，基板側部に設置して基板の上面と下面とを同時に除電できるように配置すればよく，またケーシングに基板が入った直後に薬液等に基板が接する場合には，ケーシング外側で電化を中和できるように照射装置を配置すればよいく，かかる場合は，基板側部に照射装置を配置することで，照射装置の台数を削減することができる。
【００３４】
さらに本実施の形態では，薬液除去部３０の両側に，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射可能な照射装置８２，８３を設置している。すなわちケーシング２の側板２ｃの所定位置に照射装置８２を，ケーシング２の側板２ｄの所定位置に照射装置８３を設置している。この２つの照射装置８２，８３は，対向するように配置され，さらにその高さ位置は，搬送ローラ３上の液晶用ガラス基板Ｇの側面に位置するように設定されている。そしてこれら２つの照射装置８２，８３の各照射領域８２ａ，８３ａも，図１，図２に示したように，隔壁７２を透過して，隣接するエッチング部２０，隔壁７３を透過して，隣接する洗浄部４０に及ぶようになっている。これによって，図示のように照射装置８２，８３は，エッチング部２０における液晶用ガラス基板Ｇの薬液除去部３０側の側面と，洗浄部４０における液晶用ガラス基板Ｇの薬液除去部３０側の側面とに対して，軟Ｘ線を照射することが可能になっている。
【００３５】
さらにまた，本実施の形態では，水切り部５０の両側に，波長域が１〜１００オングストロームの軟Ｘ線を照射可能な照射装置８４，８５を設置している。すなわちケーシング２の側板２ｃの所定位置に照射装置８４を，ケーシング２の側板２ｄの所定位置に照射装置８５を設置している。この２つの照射装置８４，８５は，対向するように配置され，さらにその高さ位置は，搬送ローラ３上の液晶用ガラス基板Ｇの側面に位置するように設定されている。そしてこれら２つの照射装置８４，８５の各照射領域８４ａ，８５ａも，図１，図２に示したように，隔壁７４を透過して，隣接する洗浄部２０，隔壁７５を透過して，隣接する乾燥部６０に及ぶようになっている。これによって，図示のように照射装置８４，８５は，洗浄部４０における液晶用ガラス基板Ｇの水切り部５０側の側面と，乾燥部６０における液晶用ガラス基板Ｇの水切り部５０側の側面とに対して，軟Ｘ線を照射することが可能になっている。なお本実施の形態で使用した照射装置８１〜８５は，照射角が１１５゜のものを使用した。
【００３６】
薬液除去部３０及び水切り部５０において軟Ｘ線除電装置を相対向する形で２台ずつとしたのは，照射装置の許容照射距離を検討した結果，１台ではガラス基板の最遠部（約１ｍ）の除電性能が不足し，２台とすることで目標性能が得られることが判明したためである。水切り部５０での計算結果を以下に示す。
１台照射での許容最遠距離［ｍ］
＝（Ｑ／０．５）０．３３  ÷Ｖ０．３３  ×（Ｔ／５）０．３３  ／（Ｃ／２００）０．３３＝０．８４＜１ｍ
２台対向照射距離［ｍ］
＝２×（Ｑ／０．２５）０．３３  ÷Ｖ０．３３  ×（Ｔ／５）０．３３  ／（Ｃ／２００）０．３３＝２．１ｍ＞１ｍ
除電目標電位：０．１ｋＶ以下
Ｋ１＝ｋ２＝ｋ３＝ｋ４＝０．３３
Ｘ＝５，Ａ１＝＋１，Ａ２＝５，Ａ３＝２００
Ｑ＝軟Ｘ線源のターゲット電流  ＝１５０μＡ
Ｖ＝絶縁基板電位＝５ｋＶ
Ｔ＝照射有効時間＝１秒
Ｃ＝絶縁体基板の除電位置での単位面積当たりの静電容量＝４０００［ｐＦ／ｍ２］
Ｈ＝絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さ＞５ｃｍ
【００３７】
なおかかる対象となったガラス基板の大きさは，１５００ｍｍ×１８００ｍｍであるが，基板の大きさが小さく除電装置の性能が十分である場合には，片側のみの除電でもよい。またターゲット電流とは，照射装置，例えば軟Ｘ線照射ランプから軟Ｘ線を発生させる際に必要な励起電流をいう。また絶縁体基板の除電側の軟Ｘ線照射有効空間厚さＨとは，図３に示したように，ガラス基板Ｇの除電側において軟Ｘ線が照射されて，その雰囲気中に生成されたイオンがガラス基板Ｇの帯電面の除電に有効に機能する空間の基板の帯電面からの距離をいう。このことは除電側（図３ではガラス基板Ｇの下面側）から照射する場合のみならず，ガラス基板Ｇの側方から軟Ｘ線を照射する場合も同じであり，例えば適宜の載置台からガラス基板Ｇを持ち上げて側面，例えばガラス基板Ｇの水平面から少し下側の側方にて照射した際には，その雰囲気中に生成されたイオンがガラス基板Ｇの帯電面（この場合には下面）の除電に有効に機能する空間の基板の帯電面からの距離をいう。その他例えば適宜の載置台からガラス基板Ｇを持ち上げて側面から照射する場合も同じである。なお照射距離にもよるが，例えば照射距離が５０〜７０ｃｍ以内であれば，有効空間厚さが５ｃｍ以上でも，計算では全て５ｃｍ固定で行う。この最大値は，照射距離が遠いほど厚くなり，最大でも１０ｃｍ程度である。
【００３８】
本実施の形態にかかる処理装置１は，以上のような構成を有しているので，各処理部ごとに軟Ｘ線の照射装置を設置する必要はなく，同じ構成を有する処理装置において，従来よりも除電に必要な軟Ｘ線の照射装置の設置台数を低減させることが可能である。なお裏面から軟Ｘ線を照射する場合，搬送ローラだけでなく，メッシュ状の裏面ベルト（搬送ベルト）など，軟Ｘ線を透過するものであれば，搬送手段として採用できる。
【００３９】
次に実際に従来技術，すなわち各処理部ごとに軟Ｘ線の照射装置を設置する処理装置との設置台数の比較，除電性能の評価を実際に行った実験結果に基づいて説明する。
【００４０】
図４，図５に示した処理装置１０１は，ウエットエッチングに必要な構成，ケーシングの大きさ，各処理部の構成を，前記実施の形態にかかる処理装置１と全く同一とし，各処理部を仕切っている隔壁１０２，１０３，１０４，１０５，１０６には，従来から一般に使用されており，軟Ｘ線を透過させない材質，例えば硬質塩ビ系素材からなるパネルを使用した。かかる処理装置１０１では，まずローダ部１０内の上部に１台の照射装置１１１，エッチング部２０の上部に２台の照射装置１１２，１１３が必要である。エッチング部２０の上部には，上部薬液供給ノズル２１が位置しており，処理前，処理後に液晶用ガラス基板Ｇに対して，軟Ｘ線を照射するためには，どうしても２台の照射装置が必要である。
【００４１】
薬液除去部３０においては，その側部に１台の照射装置１１４が必要であり，また洗浄部４０においても，エッチング部２０と同様な理由から，２台の照射装置１１１，１１６が必要である。そして水切り部５０に１台の照射装置１１７，乾燥部６０に１台の照射装置１１８の設置が必要である。
【００４２】
この点，本実施の形態にかかる処理装置１においては，既述したように，設置された軟Ｘ線の照射装置は，ローダ部１０内の下方に１台の照射装置８１，薬液除去部３０内の両側に２台の照射装置８２，８３，水切り部５０内の両側に２台の照射装置８４．８５の，合計５台の軟Ｘ線の照射装置で足りている。したがって，同一の大きさ，処理部構成を有する処理装置において，従来と比べると３台少なくて済む。
【００４３】
次にそのような少ない台数で，満足すべき程度に除電が行えているかどうかについて実験した結果について説明する。
まず評価用の絶縁体基板としては，薄い絶縁膜を介してソース／ドレイン電極が多数直交する金属回路が形成されているものを用いた。評価項目としては，最も激しい帯電が生じる水切り部５０の３ポイント（Ａ，Ｂ，Ｃ）と，乾燥部６０の３ポイント（Ｄ，Ｅ，Ｆ）の計６ヶ所（図３，図５参照）で基板の電位を測定した。また，乾燥直後の基板の金属回路の破壊状況についても回路検査装置にて行った。使用した軟Ｘ線の照射装置の定格は，全て同一のものであり，各々の装置構成は，前記実施の形態にかかる図１，図２に処理装置１と，従来技術にかかる図４，図５に示した処理装置１０１である。
【００４４】
なお，薬液除去部３０に設置した軟Ｘ線の照射では，照射装置への薬液飛散を防止するために，軟Ｘ線透過率の高いシクロオレフィン樹脂板の窓を介して照射するようにした。
【００４５】
従来法と本発明に従って改良した処理方法の評価結果を表１に示す。なお，除電をまったく行わない場合に関しても比較のために評価を行っている。各条件で２５枚の基板で評価を行い，結果はその平均値で示した。
【００４６】
【表１】
2004311048.tif 000003
【００４７】
除電を行わない場合は，電位は５ｋＶで，デバイスの破壊は９枚で生じており，静電気障害が極めて高い確率で発生していることが分かる。一方図４，図５に示した従来技術によって除電を行った場合に関しては，電位はほぼ目標電位（０．０５ｋＶ）以下になっている。Ｃ点だけ０．１６ｋＶと少し高くなっているが，これは水平方向からの照射において，最遠部であるＣ点での除電性能が不足しているためである。デバイス破壊に関しては，除電しない場合に比べると大幅に減少しているが２枚で発生している。帯電電位としてはほぼ目標電位以下になっていることから，このデバイス障害はローダ部１０における非帯電面側（上面側）からの除電により生じている可能性が高いと考えられる。
【００４８】
これに対して，本実施の形態では，照射装置を従来の８台から５台に削減しているが，帯電電位は全てのポイントで目標値以下になっており，デバイス破壊もまったく発生していない。すなわちエッチング部２０，洗浄部４０には照射装置を設置せず，隣の処理部との間を仕切っている隔壁に，軟Ｘ線を透過性能の高い，すなわち軟Ｘ線に透明な隔壁７１，７２，７３，７４，７５を用いたので，こけら隔壁を介して照射領域が隣接する処理部に及び，該処理部に位置する基板に対しても軟Ｘ線を照射して除電していることの有効性が確認された。
【００４９】
以上のように，本発明による効果として，設置台数（＝初期コスト）の３〜４割削減，部分的な除電性能不足の解消，帯電面側からの除電により正負の電荷が対で基板に残留することに起因するデバイス障害の発生防止ができていることが確認できる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明によれば，軟Ｘ線照射装置の必要台数を従来よりも大幅に削減することができる。また照射装置の照射可能最遠距離を考慮して照射装置を配置できるので，設計段階で除電不良のない信頼性の高い装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる処理装置の側面断面の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる処理装置の平面断面の説明図である。
【図３】本発明の実施の形態における照射装置と液晶用ガラス基板との距離感計を説明するための説明である。
【図４】従来技術にかかる除電技術を用いた処理装置の側面断面の説明図である。
【図５】従来技術にかかる除電技術を用いた処理装置の平面断面の説明図である。
【符号の説明】
１    処理装置
２    ケーシング
３    搬送ローラ
１０    ローダ部
２０    エッチング部
３０    薬液除去部
４０    洗浄部
５０    水切り部
６０    乾燥部
７１，７２，７３，７４，７５    隔壁
８１，８２，８３，８４，８５    照射装置
８１ａ，８２ｂ，８３ｃ，８４ｄ，８５ｄ    照射領域
Ｇ    液晶用ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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