(57)【要約】【課題】厚みのバラツキや反りを抑制させ、ダミー基板を容易に除去する。【解決手段】平坦化されたダミー基板３０の主面３０ａ上に積層形成させることで厚みのバラツキや厚み方向の反りが抑制された薄膜回路体２を形成でき、このように形成された薄膜回路体２に剥離シート４６を貼り付け、剥離シート４６を基材にして薄膜回路体２からダミー基板３０のキャリア層３０ｂを剥離層３０ｃで容易且つ適切に引き剥がすことができ、薄膜回路体２を損傷させることなくダミー基板３０を除去できる。【選択図】  図１７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、この絶縁層の主面に薄膜形成技術によりパターン形成されたパターン配線とを有する回路層が一層以上積層され、少なくとも上記回路層の最下層側の第１の主面に上記パターン配線に接続された接続ランドを有する薄膜回路体と、
主面に上記薄膜回路体の接続ランドと電気的に接続される接続部を有する多層配線基板とを備え、
上記薄膜回路体は、キャリア層と剥離層とが順次積層されたダミー基板の平坦化された主面上に剥離保護層を介して積層形成されると共に、上記回路層の最上層側の第２の主面に、ダミーフィルムと光照射又は加熱により接着強度が低下する接着層とを有する剥離シートが上記接着層で貼り付けられ、
上記ダミー基板のキャリア層を上記剥離層で引き剥がし、さらに上記剥離保護層を除去することで露出する上記第１の主面と、上記多層配線基板の主面とを対向させた状態で上記接続ランドと上記接続部とを電気的に接続した後に、
上記接着層を光照射又は加熱して上記第２の主面と上記接着層との間の接着強度を低下させることにより、上記第２の主面から上記接着層を剥離させて上記剥離シートを除去することで上記多層配線基板の主面上に設けられていることを特徴とする回路基板モジュール。
【請求項２】
上記薄膜回路体は、上記第１の主面及び上記第２の主面の面積が上記多層配線基板の主面の面積より小さくされた状態で上記多層配線基板の主面上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項３】
上記接続ランドが、金、錫の何れか一方又は両方を含有する導電性金属からなる金属層であることを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項４】
上記剥離シートは、可撓性を有していることを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項５】
上記剥離シートは、上記接着層が光照射で接着強度を低下させる場合、上記ダミーフィルムが光透過性を有していることを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項６】
上記薄膜回路体は、上記パターン配線の一部に受動素子及び／又は機能性素子が設けられていることを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項７】
上記ダミー基板は、上記キャリア層が銅泊からなり、上記剥離層がニッケル、クロム、鉛のうち何れか一種以上からなるキャリア付き銅箔であり、
上記剥離シートは、上記ダミーフィルムがポリエステル、ポリエチレンテレフタレート又はポリイミドのうち何れか一種以上からなるフィルム状の樹脂部材であることを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項８】
上記剥離保護層は、上記ダミー基板を酸性溶液又はアルカリ性溶液を用いて除去する際に、上記酸性溶液又は上記アルカリ性溶液から上記薄膜回路体を保護することを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項９】
上記多層配線基板は、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリフェニレンエーテル、ビスマレイトトリアジン、ポリテトラフルオロエチレン、アルミナ、ガラスセラミックのうちの何れかから選択された材料を基材とする有機多層基板、無機多層基板又は有機無機複合多層基板のうち何れかであることを特徴とする請求項１記載の回路基板モジュール。
【請求項１０】
キャリア層と剥離層とが順次積層されたダミー基板の平坦化された主面上に、絶縁層と、この絶縁層の主面に薄膜形成技術によりパターン形成されたパターン配線とを有する回路層を、剥離保護層を介して一層以上積層形成させ、少なくとも上記回路層の最下層側の第１の主面に上記パターン配線と電気的に接続された接続ランドを有する薄膜回路体を形成させる第１の工程と、
上記薄膜回路体の最上層側の第２の主面に、ダミーフィルムと光照射又は加熱により接着強度が低下する接着層とを有する剥離シートを上記接着層で貼り付ける第２の工程と、
上記薄膜回路体から上記ダミー基板のキャリア層を上記剥離層で引き剥がし、さらに上記薄膜回路体から上記剥離保護層を除去する第３の工程と、
主面に上記薄膜回路体の接続ランドと電気的に接続される接続部を有する多層配線基板を形成させる第４の工程と、
上記ダミー基板及び上記剥離保護層を除去することで露出した上記薄膜回路体の第１の主面と、上記多層配線基板の主面とを対向させた状態で上記接続ランドと上記接続部とを電気的に接続させる第５の工程と、
上記接着層を光照射又は加熱して上記第２の主面と上記接着層との間の接着強度を低下させて上記第２の主面から上記剥離シートを剥離させることで、上記薄膜回路体から上記剥離シートを除去する第６の工程とを有することを特徴とする回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１１】
上記第３の工程の後に、上記ダミーフィルムの上記接着層が設けられた主面とは反対側の主面に、上記ダミーフィルムよりも厚みが厚く、上記剥離シートを補強させる補強シートを接着剤で貼り付け、
上記第６の工程においては、上記薄膜回路体から上記剥離シートと上記補強シートとを一括して除去させることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１２】
上記第１の工程の後に、上記ダミー基板の主面上に積層形成された上記薄膜回路体のパターン配線に対して品質検査を行うことを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１３】
上記第１の工程においては、上記第１の主面及び上記第２の主面の面積が上記多層配線基板の主面の面積より小さくされた上記薄膜回路体を形成させることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１４】
上記第２の工程においては、可撓性を有する上記剥離シートを用いることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１５】
上記第２の工程においては、上記接着層が光照射で接着強度が低下する場合、光透過性を有する上記ダミーフィルムを用いることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１６】
上記第１の工程においては、上記パターン配線の一部に受動素子及び／又は機能性素子を設けることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１７】
上記第１の工程においては、上記キャリア層が銅箔からなり、上記剥離層がニッケル、クロム、鉛のうち何れか一種以上からなるキャリア付き銅箔を上記ダミー基板として用い、
上記第２の工程においては、上記ダミーフィルムがポリエステル、ポリエチレンテレフタレート又はポリイミドのうちの何れか一種以上からなるフィルム状の樹脂部材からなる上記剥離シートを用いることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１８】
上記第３の工程において、酸性溶液又はアルカリ性溶液を用いて上記ダミー基板を上記薄膜回路体から除去する際に、上記剥離保護層が上記酸性溶液又は上記アルカリ性溶液から上記薄膜回路体を保護することを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項１９】
上記第４の工程においては、上記多層配線基板として、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリフェニレンエーテル、ビスマレイトトリアジン、ポリテトラフルオロエチレン、アルミナ、ガラスセラミックのうちの何れかから選択された材料を基材とする有機多層基板、無機多層基板又は有機無機複合多層基板のうち何れかを用いることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【請求項２０】
上記第１の工程においては、上記接続ランドを金、錫の何れか一方又は両方を含有する導電性金属からなる金属層で形成させることを特徴とする請求項１０記載の回路基板モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成技術による微細なパターン配線を有する回路基板モジュール及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年おいては、例えばノート型パーソナルコンピュータ、携帯型電話機、カメラ一体型ＶＴＲ（ｖｉｄｅｏ  ｔａｐｅ  ｒｅｃｏｒｄｅｒ）、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）等の電子機器の小型軽量化、多機能化及び高機能化が要求されている。これに伴い、このような電子機器に実装される回路基板等においても、小型軽量化や高密度にパターン配線等を形成させる高密度実装化が要求されている。このような背景から、回路基板においては、例えば薄膜形成技術等でパターン配線を微細にパターン形成させる技術や、パターン配線を多層に積層形成させる技術等を用いて形成させた、キャパシタ、レジスタ、インダクタ等の受動素子やフィルタ等の機能性素子等を有する多機能回路基板の開発が盛んに行われている。
【０００３】
このような多機能回路基板としては、例えば図２６に示したベースにＳｉ基板を用いた回路基板モジュール１００や、図２７に示したベースにガラス基板を用いた回路基板モジュール２００等が提案されている。
【０００４】
この回路基板モジュール１００は、Ｓｉ基板をベース１０１として用い、このベース１０１上にＳｉＯ２層１０２を形成した後に、例えばリソグラフィ技術等の薄膜形成技術によって薄膜回路層１０３が成膜形成された構成となっている。回路基板モジュール１００において、薄膜回路層１０３には、詳細を省略するが、その内部にパターン配線１０４と共にインダクタ、レジスタ或いはキャパシタ等の受動素子１０５が絶縁層１０６を介して多層に形成されたものである。
【０００５】
回路基板モジュール１００は、薄膜回路層１０３上にビア（スルーホール）等を介してパターン配線１０４と接続された接続端子１０７が形成され、これら接続端子１０７にフリップチップ実装法等により高周波ＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ−ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の電子部品１０８が実装された構成となっている。この回路基板モジュール１００では、例えばマザー基板等に実装することで、高周波回路部とベースバンド回路部とを区分し、これら両者が電気的に干渉することを抑制させることが可能である。
【０００６】
しかしながら、この回路基板モジュール１００においては、薄膜回路層１０３内に受動素子１０５を形成する際に、ベース１０１が導電性を有するＳｉ基板であることから受動素子１０５の良好な高周波特性にとって邪魔になることがある。
【０００７】
一方、高周波モジュール装置２００は、上述した回路基板モジュール１００におけるベース１０１の問題を解決するために、ベース２０１にガラス基板が用いられている。高周波モジュール装置２００も、ベース２０１上に例えば薄膜形成技術等によって薄膜回路層２０２が成膜形成されてなる。高周波モジュール装置２００において、薄膜回路層２０２には、詳細を省略するが、その内部にパターン配線２０３と共にインダクタ、レジスタ或いはキャパシタ等の受動素子２０４が絶縁層２０５を介して多層に形成されたものである。
【０００８】
高周波モジュール装置２００は、薄膜回路層２０２上にビア等を介してパターン配線２０３と接続された接続端子２０６が形成され、これら接続端子２０６にフリップチップ実装法等により高周波ＩＣやＬＳＩ等の電子部品２０７が直接実装されて構成される。この高周波モジュール装置２００は、ベース２０１に導電性を有しないガラス基板を用いることで、ベース２０１と薄膜回路層２０２との容量的結合度が抑制されて薄膜回路層２０２内に良好な高周波特性を有する受動素子２０４を形成させることが可能となる。
【０００９】
この高周波モジュール装置２００においては、例えばマザー基板等に実装するために、薄膜回路層２０２の表面に端子パターンを形成するとともにワイヤボンディング法等によってマザー基板との接続が行われる。
【００１０】
これらの回路基板モジュール１００，２００においては、上述したようにベース１０１，２０１上に薄膜形成技術による高精度の薄膜回路層１０３，２０２が形成されている。そして、ベース１０１，２０１には、薄膜回路層１０３，２０２を形成する際に、高温焼結やスパッタリングを行うときの表面温度の上昇に対する耐熱特性、リソグラフィ処理を行うときの焦点深度の保持、マスキングを行うときのコンタクトアライメント特性が必要となる。
【００１１】
このため、ベース１０１，２０１は、その主面が高精度の平坦性を必要とするとともに、絶縁性、耐熱性或いは耐薬品性等が要求される。上述したベース１０１，２０１は、Ｓｉ基板やガラス基板であることから、かかる特性を有しておりＬＳＩと別プロセスにより低コストで低損失な受動素子の形成を可能にさせる。
【００１２】
また、回路基板モジュール１００，２００において、ベース１０１，２０１は、従来のセラミックモジュール技術で用いられる印刷によるパターン等の形成方法或いはプリント配線基板に配線パターンを形成する湿式エッチング法等と比較して、高精度の受動素子１０５，２０４の形成が可能であると共に、素子サイズをその面積の１／１００程度まで縮小することが可能である。また、回路基板モジュール１００，２００では、ベース１０１，２０１にＳｉ基板やガラス基板を用いることで、受動素子の使用限界周波数を２０ＧＨｚ以上まで高めることが可能である。
【００１３】
ところで、これらの回路基板モジュール１００、２００においては、上述したようなベース１０１，２０１上に形成したパターン配線１０４，２０３を介して高周波信号系のパターン形成と、電源やグランドの供給配線或いは制御系信号配線が行われる。このため、回路基板モジュール１００、２００では、各配線間に電気的干渉が生じるとともに、薄膜回路層１０３，２０２を多層に形成することによるコストアップや、配線の取り回しによる大型化といった問題が生じてしまうことがある。
【００１４】
また、これらの回路基板モジュール１００，２００では、ベース１０１，２０１に比較的高価なＳｉ基板やガラス基板が用いられることで、コストがアップするといった問題もある。
【００１５】
このような問題を解決する手段としては、例えば図２８に示すような回路基板モジュール３００等が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【００１６】
この回路基板モジュール３００は、有機配線基板等からなるベース３０１の主面に平坦化処理が施され、高度に平坦化されたベース３０１の主面に薄膜形成技術等によって受動素子等を有する薄膜回路層３０２が形成された構成になっている。
【００１７】
このような構成の回路基板モジュール３００では、薄膜回路層３０２に対する電気や信号の供給を、有機配線基板であるベース３０１を介して行えることから、レギュレーションの高い電源供給が行える。また、この回路基板モジュール３００では、ベース３０１が有機配線基板であることから、ベース基板にＳｉ基板やガラス基板を用いた場合に比べてコストダウンが図れる。
【００１８】
【特許文献１】
特開２００２−９４２４７号公報（第５−６頁）
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した回路基板モジュール３００では、ベース３０１の主面上に薄膜回路層３０２が順次積層形成されており、製造コストが高価な薄膜回路層３０２がベース３０１の主面全体に形成されることから、更なる小型化、低コスト化を図ることは困難である。
【００２０】
そこで、本発明は、受動素子や配線部を精度良く形成することを可能にすると共に、小型化、低価格化が図られた回路基板モジュール及びその製造方法を提供することを目的に提案されたものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上述した目的を達成する本発明に係る回路基板モジュールは、絶縁層と、この絶縁層の主面に薄膜形成技術によりパターン形成されたパターン配線とを有する回路層が一層以上積層され、少なくとも回路層の最下層側の第１の主面にパターン配線に接続された接続ランドを有する薄膜回路体と、主面に薄膜回路体の接続ランドと電気的に接続される接続部を有する多層配線基板とを備え、薄膜回路体が、キャリア層と剥離層とが順次積層されたダミー基板の平坦化された主面上に剥離保護層を介して積層形成されると共に、回路層の最上層側の第２の主面に、ダミーフィルムと光照射又は加熱により接着強度が低下する接着層とを有する剥離シートが接着層で貼り付けられ、ダミー基板を剥離層で引き剥がしてダミー基板を除去し、さらに剥離保護層を除去することで露出する第１の主面と、多層配線基板の主面とを対向させた状態で接続ランドと接続部とを電気的に接続した後に、接着層を光照射又は加熱して第２の主面と接着層との間の接着強度を低下させることにより、第２の主面から接着層を剥離させて剥離シートを除去することで多層配線基板の主面上に設けられていることを特徴としている。
【００２２】
この回路基板モジュールでは、ダミー基板の平坦化された主面上に剥離保護層を介して薄膜回路体を積層形成させることにより、ダミー基板上に厚みのバラツキや厚み方向の反りを抑制させた薄膜回路体が形成され、多層配線基板上に高密度且つ高精度なパターン配線を有する薄膜回路体を設けることが可能となる。
【００２３】
本発明に係る回路基板モジュールの製造方法は、キャリア層と剥離層とが順次積層されたダミー基板の平坦化された主面上に、絶縁層と、この絶縁層の主面に薄膜形成技術によりパターン形成されたパターン配線とを有する回路層を、剥離保護層を介して一層以上積層形成させ、少なくとも回路層の最下層側の第１の主面にパターン配線と電気的に接続された接続ランドを有する薄膜回路体を形成させる第１の工程と、薄膜回路体の最上層側の第２の主面に、ダミーフィルムと光照射又は加熱により接着強度が低下する接着層とを有する剥離シートを接着層で貼り付ける第２の工程と、薄膜回路体からダミー基板を剥離層で引き剥がすことでダミー基板を除去し、さらに薄膜回路体から剥離保護層を除去する第３の工程と、主面に薄膜回路体の接続ランドと電気的に接続される接続部を有する多層配線基板を形成させる第４の工程と、ダミー基板及び剥離保護層を除去することで露出した薄膜回路体の第１の主面と、多層配線基板の主面とを対向させた状態で接続ランドと接続部とを電気的に接続させる第５の工程と、接着層を光照射又は加熱して第２の主面と接着層との間の接着強度を低下させて第２の主面から剥離シートを剥離させることで、薄膜回路体から剥離シートを除去する第６の工程とを有することを特徴としている。
【００２４】
この回路基板モジュールの製造方法では、ダミー基板の主面上に剥離保護層を介して形成させた薄膜回路体の第２の主面に剥離シートを貼り付け、薄膜回路体を剥離シートと共にダミー基板のキャリア層から剥離層で引き剥がし、さらに剥離保護層を除去することで、剥離シートを基材にして薄膜回路体を損傷させることなく、容易且つ適切にダミー基板及び剥離保護層を除去することができる。
【００２５】
この回路基板モジュールの製造方法では、ダミー基板の平坦化された主面上に薄膜回路体を積層形成させることにより、ダミー基板上に厚みのバラツキや厚み方向の反りが抑制された薄膜回路体を形成でき、多層配線基板上に高密度且つ高精度なパターン配線を有する薄膜回路体が設けられた回路基板モジュールを製造できる。
【００２６】
この回路基板モジュールの製造方法では、接着層を光照射又は加熱して第２の主面と接着層との間の接着強度を低下させることで、薄膜回路体から剥離シートが容易且つ適切に除去されることから、製造歩留まりを向上できる。
【００２７】
また、本発明に係る回路基板モジュールの製造方法では、第３の工程の後に、ダミーフィルムの接着層が設けられた主面とは反対側の主面に、ダミーフィルムよりも厚みが厚く、剥離シートを補強させる補強シートを接着剤で貼り付けることで、薄膜回路体と多層配線基板とを接続させる際の作業性が高められて製造歩留まりを向上できる。
【００２８】
さらに、本発明に係る回路基板モジュールの製造方法では、第１の工程の後に、ダミー基板の主面上に積層形成された薄膜回路体のパターン配線の品質検査を行うことで、良品のパターン配線を有する薄膜回路体だけを多層配線基板上に設けることができることから、高品質な回路基板モジュールを製造できると共に歩留まりの向上及び製造コストの削減を図れる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。本発明を適用した図１に示す回路基板モジュール１は、例えば携帯型電話機等の電子機器に内蔵されて高周波信号等の交換処理等を行うものである。回路基板モジュール１は、薄膜形成技術等により形成された薄膜回路体２と、この薄膜回路体２と電気的に接続される多層配線基板３とを有している。そして、回路基板モジュール１は、薄膜回路体２及び多層配線基板３をそれぞれ別途に形成させ、多層配線基板３上に薄膜回路体２を設けたものである。
【００３０】
薄膜回路体２は、多層配線基板３を電気的に接続させるための後述する接続ランド３２が一部に設けられた配線層４と、第１のパターン配線５ａと第１の絶縁層５ｂとを有する第１の回路層５と、第２のパターン配線６ａと第２の絶縁層６ｂとを有する第２の回路層６とが順次積層形成されたものである。この薄膜回路体２は、最下層側すなわち第１の回路層５側が第１の主面２ａとされ、最上層側すなわち第２の回路層６側の第２の主面２ｂとされており、第１の主面２ａには接続ランド３２が適宜形成されている。
【００３１】
また、この薄膜回路体２には、配線層４、第１のパターン配線５ａ、第２のパターン配線６ａを互いに層間接続させるビア７が第１の回路層５及び第２の回路層６の層内に適宜形成されている。
【００３２】
薄膜回路体２は、第１の回路層５及び第２の回路層６のパターン配線５ａ，６ａの所定の位置にキャパシタ８、レジスタ９、インダクタ１０といった受動素子が薄膜形成技術により設けられている。キャパシタ８は、例えばデカップリングキャパシタやＤＣカット用キャパシタであり、タンタルオキサイト（ＴａＯ）膜等によって薄膜形成されている。レジスタ９は、例えば終端抵抗用抵抗体であり、窒化タンタル（ＴａＮ）膜等によって薄膜形成されている。インダクタ１０は、例えばパターン配線５ａ，６ａの一部を略渦巻構造にパターン形成させたスパイラルインダクタである。なお、薄膜回路体２においては、上述した受動素子の他に、例えばフィルタ等の機能性素子を配線層４やパターン配線５ａ，６ａの一部に薄膜形成させることも可能である。
【００３３】
このような構成の薄膜回路体２は、詳細は後述するが、配線層４、第１の回路層５及び第２の回路層６が、高精度に平坦化された主面を有するダミー基板３０上に剥離保護層３１を介して順次積層形成され、ダミー基板３０及び剥離保護層３１が除去されることで形成される。このため、薄膜回路体２では、ダミー基板３０上に必要な部分だけを薄膜形成技術で形成させることが可能となる。また、この薄膜回路体２は、従来のようなベースにガラス基板やＳｉ基板等のベース基板を用いることのない構成となっていることから、大幅にコストダウンできる。
【００３４】
この薄膜回路体２では、ダミー基板３０の高精度に平坦化された主面上に形成させることから、配線層４、パターン配線５ａ，６ａを高密度且つ高精度に形成でき、さらに小型且つ高性能な受動素子を搭載することが可能である。
【００３５】
多層配線基板３は、複数のパターン配線層１１が各層間に絶縁層１２を介して構成されており、複数のパターン配線層１１は全層を貫通或いは複数層を貫通するビア１３で層間接続されている。多層配線基板３は、その表裏主面に入出力端子部１４が複数備えられている。そして、入出力端子部１４は、例えば外部電源に対する接続端子や、薄膜回路体２を実装する際の接続ランド３２のベースとして機能する。また、多層配線基板３においては、複数のパターン配線層１１が、入出力端子部１４から供給される電力、コントロール信号、高周波信号等を薄膜回路体２へ伝達させる配線として機能すると共に、グランド部（接地電極）としても機能する。
【００３６】
多層配線基板３においては、絶縁層１２の材料に低誘電率で低いＴａｎδ、すなわち高周波特性に優れた材料、例えばポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ビスマレイドトリアジン（ＢＴ−ｒｅｓｉｎ）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹脂等の有機材料、セラミック等の無機材料、或いはガラスエポキシ等の有機材料と無機材料の混合体等が用いられる。なお、多層配線基板３は、一般的な多層配線基板製造工程を経ることによって製造される。
【００３７】
次に、上述した回路基板モジュール１の製造方法について説明する。先ず、回路基板モジュール１における薄膜回路体２を作製する工程について説明する。薄膜回路体２を形成する際は、図２に示すように、主面３０ａ上に剥離保護層３１が成膜されたダミー基板３０を用意する。ダミー基板３０は、銅等の金属箔からなり、ダミー基板３０の基材となるキャリア層３０ｂと、ニッケル、クロム、鉛のうち何れか一種以上からなり、ピール強度が弱い剥離層３０ｃと、銅めっき等からなる銅めっき層３０ｄとが順次積層されたものである。具体的に、ダミー基板３０としては、例えば特開２０００−２６９６３７号公報に記載されているキャリア付き銅箔を用いる。なお、ダミー基板３０としてキャリア付き銅箔を用いることで、薄膜回路体２をその大きさが限定されることなくダミー基板３０上に製造できることから、薄膜回路体２を製造する際の歩留まりを向上でき、且つ製造時のコストを低減できる。また、剥離層３０ｃ及び銅めっき層３０ｄは、例えば電界めっき、無電界めっき等といっためっき処理により形成される。
【００３８】
剥離保護層３１は、ダミー基板３０の主面３０ａ上に例えばスピンコート法等で全面に亘って１μｍ〜３μｍ程度の厚みにポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂等を成膜させたものである。そして、剥離保護層３１は、後述する薄膜回路体２をダミー基板３０から剥離した後に、薄膜回路体２に残留した銅めっき層３０ｄを除去するのに用いる薬液より薄膜回路体２の第２の主面２ｂを保護させるように機能する。
【００３９】
次に、剥離保護層３１上には、図３に示すように、接続ランド３２を形成させる。この接続ランド３２を形成させる際は、先ず、剥離保護層３１の主面全面に、金或いは錫等を含有する導電性金属等からなる金属膜をスパッタリング技術やめっき技術等により成膜させる。この金属膜は、例えば金で成膜される場合は０．３μｍ〜０．５μｍ程度の厚みに成膜され、錫で成膜される場合は１μｍ〜１．５μｍ程度の厚みに成膜される。次に、金属膜上には、接続ランド３２が形成される箇所が開口部となる例えばフォトレジスト等からなるマスクがフォトリソグラフ技術等によって形成される。次に、金属膜は、マスクの開口部から露出している部分にエッチング処理が施される。このエッチング処理は、例えば金属膜が金からなる場合はエッチャントにヨウ化カリウム水溶液等を用い、金属膜が錫からなる場合はエッチャントに希硫酸等を用いる、いわゆるウェットエッチングにて行われる。次に、金属膜上に形成されたマスクを、例えばレジスト剥離液への浸漬や、酸素プラズマ等によるドライエッチング等で除去する。このようにして、剥離保護層３１上には、接続ランド３２が形成される。なお、以上では、剥離保護層３１の主面全面に金属層を成膜させたが、このような方法に限定されることはなく、例えば予めマスクを形成させた後に金属膜を成膜し、マスク上の金属膜をマスクごと除去することで接続ランド３２を形成させることも可能である。
【００４０】
次に、接続ランド３２上に配線層４を形成させる。この配線層４を形成させる際は、図４に示すように、先ず、剥離保護層３１及び接続ランド３２上に例えばスパッタリング等により導電性金属等からなる第１のシードメタル層３３を全面に亘って成膜させる。この第１のシードメタル層３３は、例えば厚みが２００Å〜１０００Å程度のチタン、ニッケル等の金属層と厚みが１０００Å〜３０００Å程度の銅等の金属膜とが順次積層されたものである。次に、第１のシードメタル層３３上には、少なくとも接続ランド３２と対向する位置に開口部３４ａを有するめっきレジスト３４を例えばフォトリソグラフ法等でパターン形成し、開口部３４ａの部分に選択的に電解めっき等を施すことで銅等の導電性金属からなるめっき層３５を形成させる。次に、剥離保護層３１上には、図５に示すように、めっきレジスト３４が除去されることで配線層４が形成される。すなわち、めっき層３５が配線層４となる。この配線層４は、導電性を良好にさせるためにその厚みが５μｍ程度に形成される。
【００４１】
また、めっきレジスト３４が除去されて露出した第１のシードメタル層３３は、図６に示すように、配線層４をマスクにしたエッチング処理が施されて、除去される。このエッチング処理が施される第１のシードメタル層３３は、ニッケルや銅等の金属層は硝酸、酢酸、硫酸等のうちの一種以上を含有する混酸水溶液をエッチャントとしてウェットエッチングされ、チタン等の金属層は希フッ酸水溶液をエッチャントとしてウェットエッチングされる。
【００４２】
次に、剥離保護層３１上には、図７に示すように、配線層４を覆うように第１の絶縁層５ｂが全面に亘って均一な厚みに成膜される。第１の絶縁層５ｂは、従来の回路基板製造工程において一般的に知られる絶縁性誘電材料を用いて成膜形成される。具体的に、第１の絶縁層５ｂには、低誘電率で低いＴａｎδ、すなわち高周波特性に優れた、例えばポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ビスマレイドトリアジン（ＢＴ−ｒｅｓｉｎ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、ビスマレイドトリアジン（ＢＴ−レジン）、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ樹脂、アクリル系樹脂等を含有する絶縁性誘電材料が用いられる。第１の絶縁層５ｂは、上述した絶縁性誘電材料が例えばスピンコート法、カーテンコート法、ロールコート法、ディップコート法等によって配線層４を覆うように塗布されることで成膜形成される。
【００４３】
次に、第１の絶縁層５ｂには、配線層４が露出されるようにビア７となる開口部３６がパターンニング処理により形成される。開口部３６は、第１の絶縁層５ｂに感光性の絶縁性誘電材料を用いた場合、例えばフォトリソグラフ技術等によるパターンニング処理が施されることで形成される。また、開口部３６は、第１の絶縁層５ｂに非感光性の絶縁性誘電材料を用いた場合、例えば反応性イオンエッチング、レーザ加工等のドライエッチング技術により第１の絶縁層５ｂを選択的にエッチング処理が施されることで形成される。なお、開口部３６は、第１の絶縁層５ｂの厚みが１０μｍ〜３０μｍ程度に成膜された場合、直径が１０μｍ〜５０μｍ程度に形成されることになる。
【００４４】
次に、第１の絶縁層５ｂ上には、図８に示すように、キャパシタ８の下電極やレジスタ９の受電極となる受電極３７を形成させる。この受電極３７を形成する際は、先ず、第１の絶縁層５ｂ上に例えばチタン等の金属からなる第１の金属膜を表面全面に亘って５００Å〜２０００Å程度の厚みにスパッタリング法や蒸着法等を用いて成膜する。次に、この第１の金属膜の表面全面に亘って例えばＣｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属からなる第２の金属膜を１０００Å〜３０００Å程度の厚みに成膜する。次に、第２の金属膜には、その主面上の受電極３７を形成させる領域が開口部となるようにフォトリソグラフ技術によるフォトレジストがマスクとして形成され、マスクの開口部の露出している部分にエッチング処理が施される。このエッチング処理は、例えば硝酸、硫酸、酢酸等を所定の割合で混合した混酸をエッチャントとするウェットエッチングによって行われる。次に、エッチング処理によりマスクの開口部に露出した第１の金属膜にも、エッチング処理が施される。このエッチング処理は、例えば弗酸アンモニウムと一水素二弗化アンモニウムとを所定の割合で混合した薬液をエッチャントとするウェットエッチングや、ＣＦ４プラズマ等によるドライエッチング等によって行われる。そして、第１の絶縁層５ｂ上には、マスクを例えばレジスト剥離液に浸漬するか、酸素プラズマによるドライエッチング法等により除去することで、第１の金属膜及び第２の金属膜で構成される受電極３７が形成される。
【００４５】
次に、第１の絶縁層５ｂ上には、図９に示すように、受電極３７と接続されるようにキャパシタ８の誘電体膜３８と、抵抗体膜３９を有するレジスタ９とが形成される。キャパシタ８の誘電体膜３８及びレジスタ９を形成する際は、先ず、第１の絶縁層５ｂ上に受電極３７を覆うようにタンタル、窒化タンタル等からなるＴａ膜４０を成膜する。このＴａ膜４０は、陽極酸化することによってキャパシタ８となる酸化タンタル（ＴａＯ）誘電体膜のベース膜である。このＴａ膜４０の成膜方法は、例えば２０００Å程度の厚みに成膜が可能なスパッタリング法等が好ましい。
【００４６】
次に、Ｔａ膜４０上には、キャパシタ８が形成される部分だけを陽極酸化させるためのマスクが形成される。これにより、Ｔａ膜４０上は、マスクの開口部から外方に臨む部分だけが陽極酸化されることになる。次に、マスクの開口部から外方に臨むＴａ膜４０には、陽極酸化処理が施される。この陽極酸化処理は、例えばホウ酸化アンモニウム等の電解液中でＴａ膜４０が陽極となるように１００〜２００Ｖの電圧が３０分程度印加されることにより、Ｔａ膜４０が酸化されて、Ｔａ膜４０の表面にＴａＯ膜４１が形成される。なお、ＴａＯ膜４１は、Ｔａ膜４０に印加される電圧や印可している時間等を調節することで所望の厚みに形成させることが可能である。
【００４７】
次に、陽極酸化処理が施されたＴａ膜４０上に形成されたマスクを除去する。これにより、Ｔａ膜４０の表面が選択的に酸化されたＴａＯ膜４１をキャパシタ８の誘電体材料とすることができる。次に、Ｔａ膜４０及びＴａＯ膜４１は、キャパシタ８及びレジスタ９の形成部位をレジスト等でマスクした状態で酸素プラズマやＣＦ４プラズマ等によるドライエッチング等を施すことで、マスク以外の部分が除去される。そして、第１の絶縁層５ｂ上には、マスクを除去することでキャパシタ８のＴａ膜４０及びＴａＯ膜４１からなる誘電体膜３８及びＴａ膜４０からなる抵抗体膜３９を有するレジスタ９が同時に形成される。なお、キャパシタ８の誘電体膜３８には、例えばＢＳＴ（Ｂａ，ＳＲ，Ｔｉ，Ｏ）膜やＳＴＯ（Ｓｒ，Ｔｉ，Ｏ）膜等を用いることができる。また、レジスタ９の抵抗体膜３９には、タンタル、窒化タンタルの他に、例えばニッケルクロム等の抵抗体材料を用いることができる。
【００４８】
次に、第１の絶縁層５ｂ上には、図１０に示すように、第１のパターン配線５ａが形成される。この第１のパターン配線５ａを形成させる際は、先ず、第１の絶縁層５ｂ上に例えばスパッタリング等により導電性金属等からなる第２のシードメタル層４２を全面に亘って成膜させる。この第２のシードメタル層４２は、上述した第１のシードメタル層３３と同様に、例えば厚みが２００Å〜１０００Å程度のチタン、ニッケル等の金属層と厚みが１０００Å〜３０００Å程度の銅等の金属膜とが順次積層されたものである。次に、第２のシードメタル層４２上には、例えば所定の位置に開口部を有するめっきレジストを例えばフォトリソグラフ法等でパターン形成し、開口部の部分に選択的に電解めっき等を施すことで銅等の導電性金属からなるめっき層を形成させる。
【００４９】
次に、第１の絶縁層５ｂ上には、めっきレジストが除去されることで一部がキャパシタ８及びレジスタ９と接続された第１のパターン配線５ａが形成される。また、第１のパターン配線５ａには、開口部３６に相対する位置に配線層４に接続されるビア７が形成される。次に、第２のシードメタル層４２には、レジストが除去されて露出している部分だけにウェットエッチング等が施される。このとき、第２のシードメタル層４２は、銅やニッケルが例えば硝酸、硫酸、酢酸等を所定の割合で混合した混酸をエッチャントとするウェットエッチングによってエッチング処理され、チタンが例えば弗酸アンモニウムと一水素二弗化アンモニウムとを所定の割合で混合した薬液をエッチャントとするウェットエッチングによりエッチング処理される。これにより、第２のシードメタル層４２は、第１のパターン配線５ａが形成された部分だけに設けられて第１のパターン配線５ａの下地層となる。
【００５０】
このようにして形成された第１のパターン配線５ａは、導電性を良好にさせるためにその厚みが５μｍ程度に形成される。また、第１のパターン配線５ａは、第１の絶縁層５ｂと一緒に第１の回路層５を構成することになる。
【００５１】
次に、誘電体膜３８上には、図１１に示すように、上電極４３を成膜させる。これにより、第１の絶縁層５ｂ上には、第１のパターン配線５ａに接続されたキャパシタ８が形成されることになる。上電極４３は、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属材料を、密着性を向上させるためのＣｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の下地層を介して成膜されたものである。例えば、上電極４３の材料にＡｌ、Ｃｕを用いた場合、上電極４３は、スパッタリング法等により２０００Å程度の厚みに成膜された後に、マスキング及びエッチング等によって所定のパターン形状に成膜される。また、上電極４３は、例えばリフトオフ法等によって成膜することも可能である。
【００５２】
次に、第１の回路層５上には、図１２に示すように、第１のパターン配線５ａに接続されたキャパシタ８及びレジスタ９を覆うように第２の回路層６が積層形成される。この第２の回路層６は、第１の回路層５と同様の材料を用いると共に同様の工程を経ることによって形成される第２のパターン配線６ａ及び第２の絶縁層６ｂにより構成される。また、第２の回路層６においては、第２のパターン配線６ａの一部にインダクタ１０がスパイラルインダクタとしてパターン形成されると共に、第２のパターン配線６ａの下地層として第３のシードメタル層４４が設けられる。
【００５３】
この第２の回路層６においては、第２の絶縁層６ｂに感光性の絶縁性誘電材料を用いた場合、第２の絶縁層６ｂが高精度の平坦化されたダミー基板３０の主面３０ａ上に積層形成されることから、その厚みにバラツキが生じることを抑えることができる。このため、第２の回路層６においては、例えばフォトリソグラフ処理等によるパターンニング像の焦点のずれが抑制されて第２のパターン配線６ａやビア７等を精度良く形成させることができる。また、第２の回路層６においては、第２のパターン配線６ａの一部に設けられたインダクタ１０も精度良くパターン形成させることができる。
【００５４】
次に、第２の回路層６上には、図１３に示すように、第２のパターン配線６ａを覆うようにレジスト層４５が形成される。このレジスト層４５には、例えばソルダーレジストや、絶縁性誘電材料等を用いる。次に、レジスト層４５には、所定の形状にパターンニングされたマスクを介してフォトリソグラフ処理を施すことによって所定の位置に第２のパターン配線６ａが臨む開口部４５ａが形成される。次に、開口部４５ａには、図１４に示すように、ニッケル及び／又は金等の導電性金属等からなるめっき処理が施されて素子用ランド４６が形成される。この素子用ランド４６は、めっきで形成されることの他に、例えばはんだ、水溶性耐熱フラックス等で形成されてもよく、ＩＣやＬＳＩ等の電子部品等を実装する際の接続部や、薄膜回路体２を検査する際の電極として機能することになる。
【００５５】
以上のようにして、ダミー基板３０の主面３０ａ上に薄膜回路体２が作製される。この薄膜回路体２においては、最上層側すなわち第２の回路層６側の第２の主面２ｂから素子用ランド４６が露出することになる。
【００５６】
この薄膜回路体２では、高精度に平坦化されたダミー基板３０の主面３０ａ上に積層形成されることから、厚みのバラツキや厚み方向の反りが抑制されて高精度且つ高密度な配線層４、パターン配線５ａ，６ａ、キャパシタ８、レジスタ９、インダクタ１０を設けることができる。
【００５７】
また、この薄膜回路体２では、ダミー基板３０上に、配線層４、各回路層５，６の必要な部分だけを形成できることから、小型化、低コスト化を図ることができる。
【００５８】
なお、この薄膜回路体２おいては、回路層５，６を２層構造としているが、このことに限定されることはなく、第１の回路層５の形成工程を繰り返すことによって回路層を三層以上有する構成にすることができる。
【００５９】
次に、薄膜回路体２の第２の主面２ｂには、図１５に示すように、剥離シート４７を全面に亘って貼り付ける。この剥離シート４７は、例えばポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等の可撓性、耐熱性及び耐薬品性を有する樹脂材料等からなるダミーフィルム４８と、このダミーフィルム４８の主面全面に設けられた光照射又は加熱することで接着強度が低下する接着層４９とによって構成されている。そして剥離シート４７は、基材となるダミーフィルム４８が接着層４９によって薄膜回路体２の第２の主面２ｂに貼り付けられたものである。接着層４９は、光照射又は加熱されると発泡する樹脂材料等からなり、光照射又は加熱されて生じる泡により薄膜回路体２の第２の主面２ｂとの間に空間ができて接着強度を低下させ、剥離シート４７を薄膜回路体２から容易に剥離させるように作用する。この剥離シート４７は、ダミーフィルム４８の厚みが３０μｍ〜５０μｍ程度にされ、接着層４９の厚みが４０μｍ〜８０μｍ程度にされている。具体的に、剥離シート４７としては、例えば日東電工社製の剥離シート（商品名：リバアルファ）を用いる。なお、剥離シート４７おいては、接着層４９が光照射により接着性を低下させる場合、ダミーフィルム４８が光透過性を有することで接着層４９に適切に光を照射させることが可能となる。
【００６０】
次に、剥離シート４７のダミーフィルム４８側の主面４７ａには、図１６に示すように、全面に亘って補強シート５０が例えば接着剤等により貼り付けられる。この補強シート５０は、その厚みが２００μｍ〜５００μｍ程度のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等からなり、薄いダミーフィルム４８を基材とする剥離シート４７を補強することで、後の工程の作業性を向上させるように作用する。なお、補強シート５０には、例えば回路基板の表面研磨やダイシングを行う際に使用するダイシングテープ等を用いることも可能である。
【００６１】
次に、ダミー基板３０のキャリア層３０ｂは、図１７に示すように、薄膜回路体２から除去される。具体的には、ダミー基板３０のキャリア層３０ｂを剥離層３０ｃで引き剥がすことで、薄膜回路体２側に銅めっき層３０ｄと剥離保護層３１とが残留した状態でダミー基板３０のキャリア層３０ｂ及び剥離層３０ｃが適切に除去される。このとき、薄膜回路体２においては、第２の主面２ｂに貼り付けられた剥離シート４７のダミーフィルム４８及び補強シート５０により剛性が高められるため、損傷することなく適切且つ容易にダミー基板３０のキャリア層３０ｂ及び剥離層３０ｃを除去できる。剥離層３０ｃを例えばクロムめっき等で形成した場合、剥離層３０ｃと銅めっき層３０ｄとの界面にクロム酸塩等からなる被膜が形成されることから、薄膜回路体２よりキャリア層３０ｂを剥離層３０ｃで容易に引き剥がすことができる。
【００６２】
次に、薄膜回路体２の第１の主面２ａ上に残留した銅めっき層３０ｄ及び剥離保護層３１は、図１８に示すように、所定の方法で除去される。銅めっき層３０ｄは、例えば硫酸過水等の酸溶液といった剥離用薬液に浸漬するといったウェットエッチング方により除去される。また、剥離保護層３１は、例えば酸素プラズマによるドライエッチング方により除去される。これにより、薄膜回路体２の第１の主面２ａには、接続ランド３２や第１の絶縁層５ｂ等が露出することになる。薄膜回路体２においては、相対していたダミー基板３０の主面３０ａが高精度に平坦化されていることから、第１の主面２ａが高精度に平坦化されることになる。また、ダミー基板３０の銅めっき層３０ｄが除去される際は、剥離保護層３１が薄膜回路体２の第１の主面２ａから露出する接続ランド３２を剥離用薬液から保護する保護膜として機能する。
【００６３】
次に、薄膜回路体２は、図１９に示すように、第１の主面２ａを実装面として上述した多層配線基板３上に実装される。多層配線基板３は、層内にグランド部等を備えるパターン配線層１１を複数有し、薄膜回路体２等が実装される実装面３ａ上に露出する入出力端子部１４が形成されている。
【００６４】
そして、薄膜回路体２は、多層配線基板３の実装面３ａで露出している入出力端子部１４に接続ランド３２が例えばはんだ接続等で電気的に接続されることで多層配線基板３に実装される。具体的には、接続ランド３２及び入出力端子部１４の表面に印刷法等ではんだペーストを成膜させ、これら接続ランド３２及び入出力端子部１４が相対している状態で薄膜回路体２と多層配線基板３との間にアンダーフィル５１を充填し、例えば半田リフロー槽等で加熱されることで接続ランド３２と入出力端子部１４がはんだにより電気的に接続され、薄膜回路体２が多層配線基板３の実装面３ａに実装される。なお、薄膜回路体２を多層配線基板３に実装させる際は、はんだ接続の他に、例えば異方性導電膜による接続、金めっきを施した後に超音波溶接させる等、様々な方法で行うことができる。
【００６５】
次に、剥離シート４７及び補強シート５０は、図２０に示すように、薄膜回路体２の第２の主面２ｂから一括して除去される。剥離シート４７は、接着層４９を光照射又は加熱して第２の主面２ｂと接着層４９との間の接着強度を低下させることで、薄膜回路体２から容易且つ適切に剥離して除去される。
【００６６】
具体的に、接着層４９が加熱で接着性が低下する場合、接着層４９を例えば１００℃〜１５０℃程度の高温槽内で所定の時間加熱することで薄膜回路体２から剥離シート４７を除去することができる。また、接着層４９が光照射で接着性が低下する場合、接着層４９に所定の波長の光を所定の時間照射することで薄膜回路体２から剥離シート４７を除去することができる。
【００６７】
このようにして、薄膜回路体２と多層配線基板３とによって構成される図１に示す回路基板モジュール１が製造される。
【００６８】
以上で説明した回路基板モジュール１の製造方法では、ダミー基板３０の主面３０ａ上に形成させた薄膜回路体２の第２の主面２ｂに剥離シート４７を貼り付け、薄膜回路体２を剥離シート４７と共にダミー基板３０の剥離層３０ｃで引き剥がしてキャリア層３０ｂを除去し、その後に所定の方法で銅めっき層３０ｄ及び剥離保護層３１を除去することにより、剥離シート４７が基材となって薄膜回路体２からダミー基板３０を除去できることから、薄膜回路体２を損傷させることなく容易且つ適切にダミー基板３０が除去される。
【００６９】
この方法によれば、高精度に平坦化されたダミー基板３０の主面３０ａ上に薄膜回路体２を積層形成させることにより、ダミー基板３０上に厚みのバラツキや厚み方向の反りが抑制された薄膜回路体２を形成でき、多層配線基板３の実装面３ａ上に高密度且つ高精度な配線層４やパターン配線５ａ，６ａを有する薄膜回路体２が実装された回路基板モジュール１を製造できる。
【００７０】
この方法によれば、剥離シート４７の接着層４９を光照射又は加熱して薄膜回路体２の第２の主面２ｂと接着層４９との間の接着強度を低下させることで、薄膜回路体２から剥離シート４７が容易且つ適切に除去させることができる。これにより、この方法では、剥離シート４７を除去する際に、例えば剥離用薬液等に薄膜回路体２や多層配線基板３を浸漬する必要が無く、洗浄処理や乾燥処理等の煩わしい作業を省略できることから製造歩留まりを向上できる。また、この方法では、剥離シート４７を除去する際に、剥離用薬液等によって薄膜回路体２や多層配線基板３が腐食されて劣化してしまうことを防止できる。
【００７１】
この方法によれば、剥離シート４７の主面４７ａに、ダミーフィルム４８よりも厚みが厚い補強シート５０を接着剤等で貼り付けることで、剥離シート４７が剛性を高めるように補強されることから、薄膜回路体２を多層配線基板３に実装させる際の作業性等が良好になって製造歩留まりを向上できる。
【００７２】
この方法によれば、多層配線基板３とは別に、薄膜回路体２だけをダミー基板３０の主面３０ａ上に積層形成することで、高精度な配線層４や各回路層５，６の必要な部分だけが設けられた薄膜回路体２として形成できることから、小型化、低コスト化が図られた回路基板モジュール１を製造できる。
【００７３】
この方法によれば、剥離保護層３１を形成した直後に、接続ランド３２を形成することにより、ダミー基板３０を除去した後に薄膜回路体２の第１の主面２ａに接続ランド３２が露出し、且つ第１の主面２ａが段差のない平滑な面となることから、多層配線基板３の実装面３ａに容易、且つ適切に実装させることができる。なお、以上では、剥離保護層３１を形成した後に接続ランド３２を形成したが、この方法に限定されることはなく、例えばダミー基板３０を除去した後に接続ランド３２を形成させても良い。この場合、接続ランド３２は、ダミー基板３０を除去することで露出する配線層４上に形成されることになる。
【００７４】
また、この方法によれば、ダミー基板３０上に薄膜回路体２を形成した後に、例えば薄膜回路体２の配線層４やパターン配線５ａ，６ａが適切にパターン形成されているか否かを確認する短絡検査、断線検査、外観検査等を光学的自動布線検査機（ＡＯＩ：Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｓｐｅｃｔｏｒ）等の検査機構や目視確認等で行う品質検査を薄膜回路体２に施すことも可能である。これにより、この方法によれば、品質検査を薄膜回路体２に施すことで、配線層４、パターン配線５ａ，６ａが適切に形成されている薄膜回路体２だけを多層配線基板３に実装できることから、不具合のある薄膜回路体２を多層配線基板３に実装させた場合の無駄がなくなり歩留まりの向上が図れる。
【００７５】
上述した説明では、第１の実施の形態として薄膜回路体２の製造方法についても詳細に述べている。しかしながら、薄膜回路体２は、上述した第１の実施の形態における製造方法によって製造されることに限定されることはなく、以下に説明する第２の実施の形態による製造方法でも製造できる。
【００７６】
ここで、本発明の第２の実施の形態として、上述した第１の実施の形態とは異なる製造方法で作製された薄膜回路体６０ａ〜６０ｃについて図面を参照して詳細に説明する。なお、第２の実施の形態において、上述した薄膜回路体２を作製する際の第１の実施の形態と同じ工程、同じ材料や部材を用いる場合は、これらの説明は省略すると共に、図面において同じ符号を付するものとする。
【００７７】
第２の実施の形態の製造方法で薄膜回路体６０ａ〜６０ｃを作製する際は、図２１に示すように、ダミー基板６１の平坦化された主面６１ａ上に上述した第１の実施の形態における薄膜回路体２を作製する方法と同様の工程で、複数の薄膜回路体６０ａ〜６０ｃが一体化された薄膜回路群６２が剥離保護層６３を介して形成される。ダミー基板６１は、上述した第１の実施の形態で用いたダミー基板３０と同様の材料で同じ構成に形成されている。具体的に、ダミー基板６１は、キャリア層６１ｂと剥離層６１ｃと銅めっき層６１ｄとが順次積層されたものである。剥離保護層６３には、上述した第１の実施の形態で用いた剥離保護層３１と同様の材料を用い、同様の工程で形成されている。
【００７８】
ダミー基板６１上に形成された薄膜回路群６２は、第１の実施の形態における薄膜回路体２をダミー基板６１上に複数並べて一体形成したものである。具体的に、この薄膜回路群６２は、複数の薄膜回路体６０ａ〜６０ｃを例えば直列や、碁盤目模様に並べるようにしたものである。
【００７９】
また、薄膜回路群６２においては、配線層４やパターン配線５ａ，６ａの形成パターンを薄膜回路体６０ａ〜６０ｃ毎に複数種に分けてダミー基板６１上に複数作製させることも可能である。これにより、ダミー基板６１上には、配線層４、パターン配線５ａ，６ａのパターンが異なる複数種の薄膜回路体６０ａ〜６０ｃを一括して一体形成できる。なお、本実施の形態によれば、薄膜回路群６２が三つの薄膜回路体６０ａ〜６０ｃを一体化させた構成となっているが、このことに限定されることはなく、例えば薄膜回路群は複数の薄膜回路体が一体化されていれば良く、三つ以上の薄膜回路体が一体化された構成であっても適用可能である。
【００８０】
次に、ダミー基板６１上に形成された薄膜回路群６２には、上述した品質検査が薄膜回路体６０ａ〜６０ｃそれぞれに施される。これにより、薄膜回路体６０ａ〜６０ｃは、それぞれの配線層４、パターン配線５ａ，６ａが適切にパターン形成されているか否かが判別される。
【００８１】
次に、薄膜回路群６２には、図２２に示すように、最上層側の一主面６２ａ全面に剥離シート６４が貼り付けられる。この剥離シート６４は、上述した第１の実施の形態で用いた剥離シート４７と同様の材料で、ダミーフィルム６５と接着層６６とによって構成に形成されている。
【００８２】
次に、剥離シート６４の主面６４ａには、図２３に示すように、補強シート６７が接着剤等で全面に亘って貼り付けられる。この補強シート６７は、上述した第１の実施の形態で用いた補強シート５０と同様の材料で同様の厚みとなるように形成されている。
【００８３】
次に、ダミー基板６１のキャリア層６１ｂは、図２４に示すように、上述したダミー基板３０のキャリア層３０ｂを除去する方法と同様にして、薄膜回路群６２から除去される。
【００８４】
次に、ダミー基板６１のキャリア層６１ｂが除去された薄膜回路体６０ａ〜６０ｃは、図２５に示すように、例えばダイシング装置等によりダイシング加工が施され、個々に分割される。薄膜回路体６０ａ〜６０ｃは、銅めっき層６１ｄ及び剥離保護層６３が残留しており、例えば接続ランド３２等が保護されることになる。なお、銅めっき層６１ｄ及び剥離保護層６３は、上述した銅めっき層３０ｄ及び剥離保護層３１と同様の方法で、薄膜回路体６０ａ〜６０ｃより除去することができる。
【００８５】
次に、それぞれ分割された薄膜回路体６０ａ〜６０ｃは、上述した品質検査の結果に基づいて選別される。具体的には、上述した品質検査で配線層４、パターン配線５ａ，６ａが適切にパターン形成されている薄膜回路体を選別し、それ以外の薄膜回路体は除去されて後の工程に流れないようにする。
【００８６】
これにより、配線層４、パターン配線５ａ，６ａに不具合の有る薄膜回路体が多層配線基板３に実装されることを防止できる。このようにして、複数の薄膜回路体６０ａ〜６０ｃを一括して作製させることができる。そして、このようにして複数作製された薄膜回路体６０ａ〜６０ｃは、上述した第１の実施の形態と同様の方法でそれぞれ多層配線基板３に実装されて回路基板モジュールを構成することになる。
【００８７】
以上のような方法によれば、上述した第１の実施の形態における作用効果の他に、品質検査により配線層４、パターン配線５ａ，６ａに不具合の有る薄膜回路体を除去できると共に、薄膜回路体６０ａ〜６０ｃを一括して複数形成できることから、更なる製造時間の短縮や歩留まりの向上や製造コストの低減が図れる。
【００８８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、高精度に平坦化されたダミー基板の主面上に薄膜回路体を積層形成させることにより、ダミー基板上に厚みのバラツキや厚み方向の反りが抑制された薄膜回路体を形成でき、高密度且つ高精度なパターン配線を有する薄膜回路体を得ることができる。
【００８９】
本発明によれば、剥離シートの接着層を光照射又は加熱して薄膜回路体の第２の主面と接着層との間の接着強度を低下させることで、薄膜回路体から剥離シートを容易且つ適切に除去できる。したがって、本発明によれば、剥離シートを除去する際に、例えば酸性溶液やアルカリ性溶液等に薄膜回路体や多層配線基板を浸漬する必要が無く、洗浄処理や乾燥処理等の煩わしい作業を省略できることから製造歩留まりを向上できる。
【００９０】
本発明によれば、多層配線基板とは別に、薄膜回路体だけをダミー基板の主面上に積層形成することで、高密度且つ高精度なパターン配線の必要な部分だけが設けられた薄膜回路体を形成できることから、回路基板モジュール全体の小型化や低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した回路基板モジュールの断面図である。
【図２】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、ダミー基板及び剥離保護層を示す断面図である。
【図３】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、ダミー基板上に剥離保護層を介して接続ランドが形成された状態を示す断面図である。
【図４】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、ダミー基板上にめっきレジスト及びめっき層が形成された状態を示す断面図である。
【図５】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、めっきレジストを除去した状態を示す断面図である。
【図６】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、ダミー基板上に配線層が形成された状態を示す断面図である。
【図７】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、ダミー基板上に第１の絶縁層が形成された状態を示す断面図である。
【図８】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、第１の絶縁層上に受電極が形成された状態を示す断面図である。
【図９】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、第１の絶縁層上に誘電絶縁膜とレジスタとが形成された状態を示す断面図である。
【図１０】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、第１の絶縁層上に第１のパターン配線が形成された状態を示す断面図である。
【図１１】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、第１の絶縁層上にキャパシタが形成された状態を示す断面図である。
【図１２】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、第１の絶縁層上に第２の回路層が形成された状態を示す断面図である。
【図１３】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、第２の配線層上にレジスト層が形成された状態を示す断面図である。
【図１４】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、第２の配線層上に素子用ランドが形成された状態を示す断面図である。
【図１５】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、薄膜回路体上に剥離シートが貼り付けられた状態を示す断面図である。
【図１６】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、剥離シート上に補強シートが貼り付けられた状態を示す断面図である。
【図１７】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、薄膜回路体からダミー基板のキャリア層が除去された状態を示す断面図である。
【図１８】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、薄膜回路体から銅めっき層及び剥離保護層が除去された状態を示す断面図である。
【図１９】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、薄膜回路体を多層配線基板に実装させた状態を示す断面図である。
【図２０】同回路基板モジュールを製造する工程を説明しており、薄膜回路体から剥離シート及び補強シートが除去された状態を示す断面図である。
【図２１】同回路基板モジュールにおける薄膜回路体を複数作製する工程を説明しており、ダミー基板上に剥離保護層を介して薄膜回路群を形成させた状態を示す断面図である。
【図２２】同回路基板モジュールにおける薄膜回路体を複数作製する工程を説明しており、薄膜回路群上に剥離シートを貼り付けた状態を示す断面図である。
【図２３】同回路基板モジュールにおける薄膜回路体を複数作製する工程を説明しており、剥離シート上に補強シートを貼り付けた状態を示す断面図である。
【図２４】同回路基板モジュールにおける薄膜回路体を複数作製する工程を説明しており、薄膜回路群からダミー基板のキャリア層を除去した状態を示す断面図である。
【図２５】同回路基板モジュールにおける薄膜回路体を複数作製する工程を説明しており、薄膜回路群を薄膜回路体に切り分けた状態を示す断面図である。
【図２６】従来の回路基板モジュールを示す断面図である。
【図２７】同回路基板モジュールの他の例を示す断面図である。
【図２８】同回路基板モジュールの他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ  回路基板モジュール、２  薄膜回路体、３  多層配線基板、４  配線層、５  第１の回路層、６  第２の回路層、７，１３  ビア、８  キャパシタ、９  レジスタ、１０  インダクタ、１１  パターン配線層、１２  絶縁層、１４  入出力端子部、３０，６１  ダミー基板、３０ａ，６１ａ  キャリア層、３０ｂ，６１ｂ  剥離層、３０ｄ，６１ｄ  銅めっき層、３１，６３  剥離保護層、３２  接続ランド、４７，６４  剥離シート、４８，６５ダミーフィルム、４９，６６  接着層、５０，６７  補強シート、６２  薄膜回路群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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