(57)【要約】【課題】環境温度変化により生じる反りを抑制可能な樹脂基板を用いた記録媒体を提供することである。【解決手段】記録媒体であって、第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面を有する樹脂基板と、樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、記録層上に形成された保護層とを含んでいる。記録媒体は更に、中心穴から所定幅の内周領域、記録領域及び外周側非記録領域を除き、樹脂基板の第２面上に形成された、第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層を含んでいる。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面を有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記記録層上に形成された第１保護層と、
前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
を具備したことを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
第１の熱膨張率と、第１中心穴と、第１面とを有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記樹脂基板の第１面に対向する対向面と、前記第１中心穴と対向する第２中心穴を有し、前記樹脂基板に接着された樹脂製ダミー基板と、
前記第２中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域に対応する領域及び前記外周側非記録領域に対応する領域を除き、前記樹脂製ダミー基板の前記対向面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
を具備したことを特徴とする記録媒体。
【請求項３】
前記熱変形抑制層を覆うように前記基板の第２面上に形成された第２保護層を更に具備した請求項１記載の記録媒体。
【請求項４】
第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
前記樹脂基板の前記第１面に接着された、前記中心穴と対向する第２中心穴を有する樹脂製ダミー基板と、
を具備したことを特徴とする記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体に記録された情報を少なくとも読み出し可能な光記憶装置であって、
光ビームを出射する光源と、
該光ビームを前記光記録媒体上に集光する光学ヘッドと、
前記光記録媒体で反射された反射光から再生信号を生成する光検出器と、
を具備したことを特徴とする光記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は樹脂基板を有する記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクの記録密度を向上する方法として、対物レンズの高開口数（高ＮＡ）化及び使用するレーザの短波長化が検討されている。現在使用されている３．５インチ光磁気ディスク装置では、対物レンズの開口数は０．５５であるが、対物レンズの開口数を０．７０にするとビームスポット径が従来の約１．０μｍから０．７８μｍと小さくなる。
【０００３】
使用するレーザの波長を短くする方法でも同様の効果があり、現在使用されている波長６５０ｎｍのレーザを波長４０５ｎｍの青紫レーザに変更することにより、ビームスポット径を従来の約１．０μｍから０．６５μｍへと小さくできる。その結果、短マーク化と狭トラックピッチ化が可能となり、高密度記録が可能となる。
【０００４】
このような高密度記録策を適用した場合、従来は特に問題にならなかった樹脂基板の熱変形による反りに対するマージンが少なくなることが知られている。これは、単板樹脂基板の反りでは従来と同じレベルであっても、高ＮＡ化、短波長により光学収差が発生しやすくなり、ビームスポット形状が乱れるため、安定した記録及び再生動作に大きな支障をきたしてしまうためである。
【０００５】
また、高ＮＡ化による光学収差問題に関しては、従来の樹脂基板の板厚１．２ｍｍでは、板厚のばらつきに敏感となり板厚ずれによる光学収差量が極端に大きくなる。
【０００６】
よって、高い開口数を有する対物レンズでは基板の板厚を薄くすることが必須条件である。ただし、基板を薄板化すると熱変形による反りが大きくなる傾向があり、今度は反りによる光学収差が発生し易くなってしまう。
【０００７】
従来の３．５インチ光磁気ディスクでは、透明樹脂基板の第１面上の半径１８ｍｍ〜４２ｍｍの範囲内に記録層が成膜されており、この記録層面とレーザビーム入射面となる樹脂基板の第２面が有機系保護膜でコーティングされている。
【０００８】
特開平１１−１６２１１号には、基板反りの抑制策として樹脂基板の第２面上に樹脂基板より熱膨張率の小さい熱変形抑制膜を樹脂基板の第１面上の記録層と同じ範囲で成膜し、熱変形を抑制する方法が開示されている。
【０００９】
しかし、この方法を光ディスクで広く使用されているポリカーボネート基板に適用した場合、記録層及び熱変形抑制膜の形成されていない箇所からポリカーボネート基板への吸水がある。
【００１０】
一旦吸水された水分は防湿体である記録層及び熱変形抑制膜でクローズされた媒体構成では放出されにくい状況にあり、急激な温度の上昇があった場合には、ポリカーボネート基板と記録層の界面に水分が放出されてしまう。その結果、記録層の腐食が発生してしまう。
【００１１】
特に、高密度記録の光ディスクに適用されている低複屈折、低飽和吸水率のポリカーボネート系樹脂やアモルファスポリオレフィン樹脂ではこの問題が顕著であり、吸水された水分は急激な環境温度の上昇により記録層及び熱変形抑制膜と樹脂基板の界面から発生したガス又は水分の圧力により、記録層及び熱変形抑制膜が樹脂基板から剥離され半球状に膨らむ現象が起こり、記録再生時にエラーが発生してしまう。
【００１２】
これは、飽和吸水率の低い樹脂は樹脂中での水分の移動が困難であり、最寄の界面にガス又は水分が放出されやすくなるために起こる現象である。
【００１３】
更に光学特性の損失も問題である。即ち、熱変形抑制膜として適用される膜が透明であっても、記録再生用レーザビームの入射面に配置されているため、反射又は吸収によるレーザビームのパワーロスが発生するためである。レーザビームのパワーロスにより、光ディスク高速回転化による記録再生動作の高速化などの対応に対しマージンを狭めてしまうなどの弊害が発生する。
【００１４】
記録膜の腐食及び光学特性の損失の問題に対し、樹脂基板の第２面上の熱変形抑制膜の配置を第１面上の記録層の記録領域より内周側全面とし、記録領域と重ならない構成とした方法が特開平１−２９２６３９号で提案されている。
【００１５】
この従来技術を図１を参照して説明する。記録媒体２の透明樹脂基板の第１面上には記録層６が形成されている。透明樹脂基板４は中心穴５を有している。記録層６の記録領域より内周側全面の樹脂基板４の第２面上には熱変形抑制膜８が形成されている。この記録媒体２では、熱変形抑制膜８が記録層６の記録領域と重ならない構成となっている。
【００１６】
熱変形抑制膜をこのように内周側に配置することにより、記録領域において記録層６と熱変形抑制膜８で樹脂基板４がクローズされなくなり、記録層腐食の問題は解決できる。また、レーザビームの入射領域外に熱変形抑制膜８が設けられているため、光学的な損失の問題もない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、熱変形抑制膜８の領域が記録層６の記録領域より内周側全面に及ぶこの構成では、光ディスク装置のスピンドル１２のリファレンスプレーンと熱変形抑制膜８が矢印１４で示すように接触し、熱変形抑制膜８の剥離が発生してしまう。
【００１８】
その結果、塵埃が発生しやすくなり、記録媒体２とスピンドル１２のリファレンスプレーン接触部の平面度が損なわれ、安定した記録・再生動作が困難となってしまう。この熱変形抑制膜の剥離問題を解決するため、有機系保護膜の塗布による熱変形抑制膜の保護が考えられる。
【００１９】
しかし、熱変形抑制膜８が形成されたリファレンスプレーン接触部は記録媒体２の最内周のリング状の領域であり、回転式塗布装置での高周速が得にくく、有機系保護膜の厚さをむら無く均一に塗布することは困難である。
【００２０】
また、有機系保護膜を有しない熱変形抑制膜には耐久性の面で問題が発生してしまうことがある。例えば、光ディスクのユーザーが日常的に行っている光ディスクのレーザビーム入射面のクリーニングは、アルコールを含んだクリーニング剤と拭き取り用の布又は柔らかい紙などで行われることが多い。
【００２１】
熱変形抑制膜と樹脂基板との密着性が低いと、クリーニング剤の拭き取り作業による熱変形抑制膜の剥離が発生し易くなる。このことを検証するために、ポリカーボネート基板に熱変形抑制膜としてＳｉＮをスパッタリング法により１６５ｎｍの膜厚で成膜し、ワイプテストによる熱変形抑制膜の密着性を評価してみた。
【００２２】
ワイプテストの内容は、エタノールを染み込ませた綿棒でＳｉＮ表面を膜が剥離するまでこするものである。このときの綿棒への荷重は１００ｇ、こすり速度は５００ｍｍ／分であり、上述したディスクのクリーニング作業を再現したものである。その結果、５往復で熱変形抑制膜の剥離が発生し、有機系保護膜の必要性を確認した。
【００２３】
ただし、有機系保護膜の塗布にも別の問題がある。即ち、熱変形抑制膜は成膜時に膜中又は表面に凸状異物が付着することが避けられない。このような場合、従来の有機系保護膜の塗布方法では、熱変形抑制膜上に発生する凸状異物を基点として外周に伸びる筋状の有機系保護膜欠陥が発生してしまう。
【００２４】
よって、本発明の目的は、樹脂基板を用いた記録媒体の環境温度変化により生じる反りを抑制可能な記録媒体を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面によると、第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面を有する樹脂基板と、前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、前記記録層上に形成された第１保護層と、前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、を具備したことを特徴とする記録媒体が提供される。
【００２６】
好ましくは、基板は円形であり、記録層は光記録可能である。記録層は第１の熱膨張率より小さな第３の熱膨張率を有している。好ましくは、第２の熱膨張率は第３の熱膨張率より小さい。例えば、熱変形抑制層はＳｉＮから形成されている。
【００２７】
好ましくは、熱変形抑制層は樹脂基板の半径１３．５ｍｍ〜２２ｍｍの範囲内に形成されており、より好ましくは、樹脂基板の半径１７ｍｍ〜２２ｍｍの範囲内に形成されている。
【００２８】
好ましくは、熱変形抑制層を覆うように基板の第２面上に第２保護層が形成されている。熱変形抑制層はスパッタリング、蒸着又は印刷の何れかにより形成されている。
【００２９】
本発明の他の側面によると、第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する樹脂基板と、前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、前記樹脂基板の前記第１面に接着された、前記中心穴と対向する第２中心穴を有する樹脂製ダミー基板と、を具備したことを特徴とする記録媒体が提供される。
【００３０】
本発明の更に他の側面によると、第１の熱膨張率と、第１中心穴と、第１面とを有する樹脂基板と、前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、前記樹脂基板の第１面に対向する対向面と、前記第１中心穴と対向する第２中心穴を有し、前記樹脂基板に接着された樹脂製ダミー基板と、前記第２中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域に対応する領域及び前記外周側非記録領域に対応する領域を除き、前記樹脂製ダミー基板の前記対向面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、を具備したことを特徴とする記録媒体が提供される。
【００３１】
本発明の更に他の側面によると、光記録媒体に記録された情報を少なくとも読み出し可能な光記憶装置であって、光ビームを出射する光源と、該光ビームを前記光記録媒体上に集光する光学ヘッドと、前記光記録媒体で反射された反射光から再生信号を生成する光検出器とを具備し、前記光記録媒体は、第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面を有する樹脂基板と、前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、前記記録層上に形成された第１保護層と、前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、を具備したことを特徴とする光記憶装置が提供される。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。各実施形態の説明において、図１に示した従来例と同一構成部分については同一符号を付して説明する。
【００３３】
図２を参照すると、本発明第１実施形態の記録媒体２Ａの断面図が示されている。記録媒体２Ａは、例えば光ディスク記録媒体又は光磁気ディスク記録媒体であり、本明細書では３．５インチ光磁気ディスクを例にとって説明する。３．５インチは、３．５×２．５４≒８．８９≒約９ｃｍである。
【００３４】
ポリカーボネート等から形成された透明樹脂基板４の第１面上には記録層６が成膜されている。樹脂基板４は直径Ｄ１＝１５ｍｍの中心穴５と、第１の熱膨張率を有している。記録層６は例えばＴｂＦｅＣｏから成る磁性膜を含んでいる。
【００３５】
記録層６は記録領域６ａと、内周側非記録領域６ｂと、外周側非記録領域６ｃを有している。この記録領域６ａ内を光学ヘッドが移動し、記録層６にデータの記録・再生を行う。
【００３６】
記録層６の形成領域は、ディスク状記録媒体２Ａの半径１８ｍｍ〜４２ｍｍの範囲内である。樹脂基板４の板厚は０．６ｍｍであり、熱変形が比較的大きい。
【００３７】
中心穴５から所定幅の内周領域１５、記録領域６ａ及び外周側非記録領域６ｃを除き、樹脂基板４の第２面上には熱変形抑制膜又は熱変形抑制層８が形成されている。熱変形抑制膜８は樹脂基板４の第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有している。
【００３８】
熱変形抑制膜８は、例えばＳｉＮから形成されている。ＳｉＮ熱変形抑制膜８はスパッタリング、蒸着等により成膜される。記録層６上には有機系保護膜１０がコーティングされている。
【００３９】
熱変形抑制膜８の成膜領域を、本発明の半径１７ｍｍ〜２２ｍｍと、図１に示した従来例の半径７．５ｍｍ〜２２ｍｍの２種類とし、膜厚を０〜３００ｎｍまで変化させた。
【００４０】
この２種類の構成で、記録媒体の温度が２５℃〜５５℃に上昇した時の媒体熱変形量の熱変形抑制膜の膜厚依存性を測定した。熱変形抑制膜８の成膜領域のデータは３．５インチ記録媒体用データである。
【００４１】
図３に本発明第１実施形態の媒体熱変形量の熱変形抑制膜の膜厚依存性を示す。熱変形抑制膜８の成膜領域は、ｒ１７ｍｍ〜ｒ２２ｍｍである。図４に図１に示した従来例の媒体熱変形量の熱変形抑制膜の膜厚依存性を示す。熱変形抑制膜８の成膜領域は、ｒ７．５ｍｍ〜ｒ２２ｍｍである。
【００４２】
図４に示した従来例では、媒体の熱変形量を０にできる熱変形抑制膜の膜厚は内周（ｒ２５ｍｍ）で２００ｎｍ、外周（ｒ４０ｍｍ）で２４０ｎｍとなり、同一の膜厚で内周外周とも熱変形をゼロ近辺に抑えることはできない。
【００４３】
これに対して、熱変形抑制膜８の成膜領域がｒ１７ｍｍ〜ｒ２２ｍｍの第１実施形態では、内周の熱変形量は膜厚１６０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内で０を維持しており、熱変形抑制膜８の膜厚を外周の熱変形ゼロの膜厚２３０ｎｍに設定することにより、内周、外周とも熱変形量をゼロ近辺に抑えることができる。
【００４４】
熱変形抑制膜８は、樹脂基板４の半径１３．５ｍｍ〜２２ｍｍの範囲内に形成するのが好ましい。より好ましくは、第１実施形態で説明した樹脂基板４の半径１７ｍｍ〜２２ｍｍの範囲内である。
【００４５】
図１に示したスピンドル１２の半径は１１．５ｍｍであるため、熱変形抑制膜８をｒ１３．５ｍｍ〜ｒ２２ｍｍの範囲内に形成しても熱変形抑制膜８とスピンドル１２が干渉することはない。
【００４６】
なぜ所定幅の内周領域１５を除き、熱変形抑制膜８を図２に示した本発明のように設けると好ましいのか詳細な理由は分からないが、内周領域１５に熱変形抑制膜８を設けない本発明では、記録層６による基板変形現象を相殺可能な条件が広くなったものと推定される。
【００４７】
そのことを図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を参照して説明する。図５（Ａ）は従来例の作用を、図５（Ｂ）は本発明の作用を概念的に示している。双方の図において、右側が記録層２０のみ成膜された樹脂基板１８であり、左側が熱変形抑制膜２４，２４´のみを成膜した樹脂基板２２である。
【００４８】
ここで、矢印は温度変化によって基板２０，２２に生じる力である。熱変形抑制膜２４，２４´を設けたとき、この内周から外周までの力が記録層２０のみを設けた条件と一致すれば、基板１８は変形しないはずである。
【００４９】
ところが、図５（Ａ）に示すように、従来の構成では内周と中周で力を一致させると外周が一致しないというように、全領域でバランスよく基板１８の変形を抑制することができない。
【００５０】
一方、図５（Ｂ）に示す本発明では、熱変形抑制膜２４´を最適位置に設けたため設計自由度が広がった結果、内外周にわたり記録層成膜基板１８とほぼ同じ力が基板２２により加わるように設定することが可能となる。
【００５１】
記録媒体２Ａの反りの抑制については以下のようにも考えられる。記録媒体２Ａが加熱され熱変形が発生した場合、図１に示したスピンドル１２のリファレンスプレーン外周端を作用点として第１面側に反る作用と、熱変形抑制膜８の外周端を作用点として第２面側に反る作用の二つの異なる方向への反り作用の相殺効果により、記録媒体２Ａの熱変形を抑制することができる。
【００５２】
上述した説明では、熱変形抑制膜８としてＳｉＮ膜を成膜したが、熱変形抑制膜８は樹脂基板４より熱膨張率の小さい材料であれば、単層或いは多種材料を組み合わせた積層構造でもよい。
【００５３】
また、熱変形抑制膜８を樹脂基板４に接着してもよいし、印刷で形成するようにしてもよい。熱変形抑制膜８としてＳｉＮを採用した場合には、熱変形抑制膜８は記録層６より小さな熱膨張率を有している。
【００５４】
図６は本発明第２実施形態の記録媒体２Ｂの断面図を示している。本実施形態では、熱変形抑制膜８を覆うように樹脂基板４の第２面上に有機系保護膜２６が塗布されている。本実施形態の他の構成は、上述した第１実施形態と同様である。
【００５５】
熱変形抑制膜８の耐久性について検討する。熱変形抑制膜８としてＳｉＮ等の薄膜を使用した場合、その耐久性に問題があり、図６に示した第２実施形態のように有機系保護膜２６の塗布が必要である。ここでは、有機系保護膜２６の有効性について説明する。
【００５６】
ワイプテストによる耐久性評価結果を図７に示す。即ち、ポリカーボネート基板に熱変形抑制膜としてＳｉＮをスパッタリング法により１６５ｎｍの膜厚で成膜し、ワイプテストによる密着性を評価した。
【００５７】
ワイプテストの内容はエタノールを染み込ませた綿棒でＳｉＮ表面を熱変形抑制膜が剥離するまでこするものである。このときの綿棒への荷重は１００ｇ、こすり速度は５００ｍｍ／分である。
【００５８】
有機系保護膜なしの状態での熱変形抑制膜では５往復で膜剥離が発生した。これに対して、図６の第２実施形態に示すように有機系保護膜２６を塗布した場合、その膜厚が１μｍ以上であれば十分な耐久性が得られることが判明した。
【００５９】
図８を参照すると、本発明第３実施形態の記録媒体２Ｃの分解断面図が示されている。熱変形抑制膜を適用する樹脂基板の構成については、ここまで単板基板を基本に説明してきたが、張り合わせ基板でも同様の効果が得られる。
【００６０】
第１面上に記録層６を形成し、第２面上に熱変形抑制膜８を形成した板厚１．１ｍｍの樹脂基板４´と、板厚０．１ｍｍのダミー樹脂基板２８を接着により張り合わせる。
【００６１】
ダミー樹脂基板２８は樹脂基板４´の中心穴５と同一直径の中心穴２９を有している。このような積層構造の記録媒体２Ｃでも、温度上昇による反りを抑制することができる。
【００６２】
図９を参照すると、本発明第４実施形態の記録媒体２Ｄの分解斜視図が示されている。記録層６を第１面上に形成した樹脂基板４と、熱変形抑制膜８を樹脂基板４との対向面に形成したダミー樹脂基板３０を接着により張り合わせる。
【００６３】
樹脂基板４及びダミー樹脂基板３０ともその板厚は０．６ｍｍである。ダミー樹脂基板３０は樹脂基板４の中心穴５と同一直径の中心穴３１を有している。
【００６４】
温度上昇が生じた場合、記録層６を付加した樹脂基板４は記録層側に反る。よって、これを打ち消す作用を付加するため、ダミー樹脂基板３０の接着面側に熱変形抑制膜８を配置する。
【００６５】
図１０を参照すると、本発明の光磁気ディスクを適用可能な光磁気ディスク装置の概略構成図が示されている。光磁気ディスク装置のハウジング４０内にはスピンドルモータ４２が設けられている。
【００６６】
インレットドア４４を介して光磁気（ＭＯ）カートリッジ４６を装置内に挿入すると、内部の光磁気ディスク（ＭＯディスク）４８がスピンドルモータ４２のスピンドルハブにチャッキングされ、ＭＯディスク４８のローディングが行われる。
【００６７】
ローディングされたＭＯディスク４８の下側には、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）により媒体のトラックを横切る方向に移動自在なキャリッジ５０が設けられている。キャリッジ５０上には対物レンズ５２及びビーム立ち上げプリズム５４が搭載されている。
【００６８】
固定光学系５６に設けられているレーザダイオード５８からのレーザビームを、ビーム立ち上げプリズム５４により反射して対物レンズ５２に入射し、ＭＯディスク４８の記録面にビームスポットをフォーカスする。
【００６９】
対物レンズ５２はフォーカスアクチュエータにより光軸方向に移動制御され、またトラックアクチュエータにより媒体トラックを横切る方向に、例えば数十トラックの範囲内で移動することができる。ローディングされたＭＯディスク４８の上側には、ディスク４８に外部磁界を与える電磁石６０が設けられている。
【００７０】
本発明は以下の付記を含むものである。
【００７１】
（付記１）　第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面を有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記記録層上に形成された第１保護層と、
前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
を具備したことを特徴とする記録媒体。
【００７２】
（付記２）　前記基板は円形である付記１記載の記録媒体。
【００７３】
（付記３）　前記記録層は光記録可能である付記１記載の記録媒体。
【００７４】
（付記４）　前記記録層は前記第１の熱膨張率より小さな第３の熱膨張率を有している付記１記載の記録媒体。
【００７５】
（付記５）　前記第２の熱膨張率は前記第３の熱膨張率より小さい付記４記載の記録媒体。
【００７６】
（付記６）　前記熱変形抑制層はＳｉＮから形成されている付記５記載の記録媒体。
【００７７】
（付記７）　前記熱変形抑制層は前記樹脂基板の半径１３．５ｍｍ〜２２ｍｍの範囲内に形成されている付記２記載の記録媒体。
【００７８】
（付記８）　前記熱変形抑制層は前記樹脂基板の半径１７ｍｍ〜２２ｍｍの範囲内に形成されている付記７記載の記録媒体。
【００７９】
（付記９）　前記熱変形抑制層を覆うように前記基板の第２面上に形成された第２保護層を更に具備した付記１記載の記録媒体。
【００８０】
（付記１０）　前記熱変形抑制層は前記樹脂基板に接着されている付記１記載の記録媒体。
【００８１】
（付記１１）　前記熱変形抑制層はスパッタリング、蒸着及び印刷のいずれかにより形成されている付記１記載の記録媒体。
【００８２】
（付記１２）　第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
前記樹脂基板の前記第１面に接着された、前記中心穴と対向する第２中心穴を有する樹脂製ダミー基板と、
を具備したことを特徴とする記録媒体。
【００８３】
（付記１３）　第１の熱膨張率と、第１中心穴と、第１面とを有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記樹脂基板の第１面に対向する対向面と、前記第１中心穴と対向する第２中心穴を有し、前記樹脂基板に接着された樹脂製ダミー基板と、
前記第２中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域に対応する領域及び前記外周側非記録領域に対応する領域を除き、前記樹脂製ダミー基板の前記対向面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
を具備したことを特徴とする記録媒体。
【００８４】
（付記１４）　光記録媒体に記録された情報を少なくとも読み出し可能な光記憶装置であって、
光ビームを出射する光源と、
該光ビームを前記光記録媒体上に集光する光学ヘッドと、
前記光記録媒体で反射された反射光から再生信号を生成する光検出器とを具備し、
前記光記録媒体は、第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面を有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記記録層上に形成された第１保護層と、
前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
を具備したことを特徴とする光記憶装置。
【００８５】
（付記１５）　光記録媒体に記録された情報を少なくとも読み出し可能な光記憶装置であって、
光ビームを出射する光源と、
該光ビームを前記光記録媒体上に集光する光学ヘッドと、
前記光記録媒体で反射された反射光から再生信号を生成する光検出器とを具備し、
前記光記録媒体は、第１の熱膨張率と、中心穴と、第１面と、該第１面と反対側の第２面とを有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域及び前記外周側非記録領域を除き、前記樹脂基板の第２面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
前記樹脂基板の前記第１面に接着された、前記中心穴と対向する第２中心穴を有する樹脂製ダミー基板と、
を具備したことを特徴とする光記憶装置。
【００８６】
（付記１６）　光記録媒体に記録された情報を少なくとも読み出し可能な光記憶装置であって、
光ビームを出射する光源と、
該光ビームを前記光記録媒体上に集光する光学ヘッドと、
前記光記録媒体で反射された反射光から再生信号を生成する光検出器とを具備し、
前記光記録媒体は、第１の熱膨張率と、第１中心穴と、第１面とを有する樹脂基板と、
前記樹脂基板の第１面上に形成された内周側非記録領域と、記録領域と、外周側非記録領域とを有する記録層と、
前記樹脂基板の第１面に対向する対向面と、前記第１中心穴と対向する第２中心穴を有し、前記樹脂基板に接着された樹脂製ダミー基板と、
前記第２中心穴から所定幅の内周領域、前記記録領域に対応する領域及び前記外周側非記録領域に対応する領域を除き、前記樹脂製ダミー基板の前記対向面上に形成された、前記第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層と、
を具備したことを特徴とする光記憶装置。
【００８７】
【発明の効果】
本発明は以上詳述したように構成したので、樹脂基板を用いた記録媒体の環境温度変化等により生じる反りを抑制することができる。その結果、板厚の薄い樹脂基板を採用可能であり、高品質な高密度記録媒体を提供することができる。
【００８８】
また、熱変形抑制膜とそれを保護する有機系保護膜に関する本発明の技術は、その成膜領域及び膜厚の調整や有機系保護膜の塗布位置の調整により、光ディスク等の記録媒体に適用が予想されるあらゆる外径及び／又は板厚の樹脂基板に有効である。
【００８９】
更に、本発明は記録媒体の反りを解消するだけでなく、記録媒体を扱う光記憶装置との相性を考慮し、記録膜の腐食、光学特性の損失、記録再生エラー等を防止することができる。従って、記録媒体への高速アクセスに対応する光記憶装置のマージンを向上させることができ、記録媒体の高密度化を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の記録媒体の断面図である。
【図２】本発明第１実施形態の記録媒体の断面図である。
【図３】第１実施形態の記録媒体の媒体熱変形量の熱変形抑制膜の膜厚依存性を示す図である。
【図４】従来の記録媒体の媒体熱変形量の熱変形抑制膜の膜厚依存性を示す図である。
【図５】図５（Ａ）は従来例の作用を説明する図、図５（Ｂ）は本発明の作用を説明する図である。
【図６】本発明第２実施形態の記録媒体の断面図である。
【図７】ワイプテストによる耐久性評価結果を示す図である。
【図８】本発明第３実施形態の記録媒体の分解断面図である。
【図９】本発明第４実施形態の記録媒体の分解断面図である。
【図１０】光磁気ディスク装置の概略構成図である。
【符号の説明】
４　樹脂基板
６　記録層
６ａ　記録領域
６ｂ　内周側非記録領域
６ｃ　外周側非記録領域
８　熱変形抑制膜（熱変形抑制層）
１０　有機系保護膜
１２　スピンドル
２６　有機系保護膜
２８，３０　ダミー樹脂基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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