(57)【要約】【課題】  液滴を所定位置に塗布して安定性・再現性に優れた電子放出特性を得る。【解決手段】  基板１上に一対の素子電極２、３と、素子電極２、３間を連絡する導電性膜４とを設ける。素子電極２、３が設けられる電極形成部及び導電性膜４が設けられる導電性膜形成部を囲むバンクを形成する工程と、電極形成部に第１液滴を吐出する工程と、導電性膜形成部に第２液滴を吐出する工程とを有する。【選択図】      図１
2004311406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に一対の素子電極と、前記素子電極間を連絡する導電性膜とが設けられる電子放出素子の製造方法であって、
前記素子電極が設けられる電極形成部及び前記導電性膜が設けられる導電性膜形成部を囲むバンクを形成する工程と、
前記電極形成部に第１液滴を吐出する工程と、
前記導電性膜形成部に第２液滴を吐出する工程とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子放出素子の製造方法において、
前記バンクに撥液性を付与する工程を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電子放出素子の製造方法において、
撥液性を有する材料で前記バンクを形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法において、
前記基板上の前記電極形成部と前記導電性膜形成部との少なくとも一方に親液性を付与する工程を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする電子放出素子。
【請求項６】
基板上に一対の素子電極と、前記素子電極間を連絡する導電性膜とが設けられた電子放出素子であって、
前記素子電極及び前記導電性膜を囲むバンクを有することを特徴とする電子放出素子。
【請求項７】
請求項６に記載の電子放出素子を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子とその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
冷陰極電子放出素子の１手法として、M.I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys．，１０，１２９０（１９６５）等に開示された表面伝導型電子放出素子がある。表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用するものであり、特許文献１には絶縁基板上に形成された一対の素子電極と、素子電極間を連絡する導電性膜とを有する電子放出素子の構成が示されている。
【０００３】
この電子放出素子を製造する方法としては、例えば基板に一般的な真空蒸着技術や、フォトリソグラフィ技術により素子電極を形成し、次いで分散塗布法によって導電性薄膜を形成する技術が挙げられる。その後、素子電極に電圧を印加し通電処理を施すことによって電子放出部が形成される。
【０００４】
ところが、上記の製造方法では、半導体プロセスを主とする方法によるため、工程数が多く、現行の技術では大面積に電子放出素子を形成することが困難であって、特殊かつ高価な製造装置を必要とし、生産コストが高いといった欠点があった。そのため、特許文献１には、素子電極となる導電性物質を含む液滴を、インクジェット方式にて基板に付与した後に焼成するとともに、電子放出部が形成される導電性薄膜の構成元素を含む液滴をインクジェット方式にて基板に付与した後に焼成することによって電子放出素子を作製するという技術が開示されている。
また、特許文献１には、導電性薄膜形成材料を含む液滴を基板上に付与した場合に、液滴が所定位置以外に拡がって焼成後の膜厚が薄くなり、安定性・再現性に優れた電子放出特性が得られなくなるという不都合を回避するために、基板表面に疎水性を備えた被膜を形成するという技術が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−１８２５１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
疎水性を備えた被膜であっても、特に多量のインクを塗布する場合に液滴の拡がりを均一且つ容易に抑えることが困難である。そのため、液滴が所定位置以外に拡がって焼成後の膜厚が薄くなり、安定性・再現性に優れた電子放出特性が得られなくなる可能性があった。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、液滴を所定位置に塗布することができ、安定性・再現性に優れた電子放出特性を有する電子放出素子とその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の電子放出素子の製造方法は、基板上に一対の素子電極と、前記素子電極間を連絡する導電性膜とが設けられる電子放出素子の製造方法であって、前記素子電極が設けられる電極形成部及び前記導電性膜が設けられる導電性膜形成部を囲むバンクを形成する工程と、前記電極形成部に第１液滴を吐出する工程と、前記導電性膜形成部に第２液滴を吐出する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明の電子放出素子の製造方法では、素子電極形成材料を含む第１液滴を電極形成部に吐出した際、及び導電性膜形成材料を含む第２液滴を導電性膜形成部に吐出した際にも、これら電極形成部、導電性膜形成部がバンクで囲まれているので、所定位置以外に拡がることを阻止できる。そのため、焼成後に膜厚が薄くなって安定性・再現性が損なわれることを防止できる。
【０００９】
この電子放出素子の製造方法においては、前記バンクに撥液性を付与する工程を有することが好ましい。
これにより、吐出された液滴の一部がバンク上にのっても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクからはじかれ、バンク間に流れ落ちるようになる。したがって、吐出された液状体がバンク間にて基板上に広がり、電極形成部、導電性膜形成部をほぼ均一に埋め込むようになる。
また、撥液性を有する材料でバンクを形成すること構成としてもよい。
これにより、撥液処理を省略することが可能となり、生産効率を向上させることができる。
【００１０】
また、この電子放出素子製造方法においては、前記基板上の前記電極形成部と前記導電性膜形成部との少なくとも一方に親液性を付与する工程を有することが好ましい。
このようにすれば、基板上の電極形成部または導電性膜形成部が親液性となっていることから、吐出された液状体が電極形成部または導電性膜形成部にてより拡がり易くなり、これによって液状体がより均一にバンク内を埋め込むようにすることができる。
【００１１】
また、前記バンクをアッシング処理等により剥離する工程を設けてもよい。
このようにすれば、素子電極及び導電性膜を囲むバンクを基板上から除去することが可能になる。
【００１２】
本発明の電子放出素子は、上記の製造方法により製造されたことを特徴としている。
これにより、本発明では焼成後に膜厚が薄くならず、安定性・再現性に優れた電子放出素子を得ることができる。
【００１３】
また、本発明の電子放出素子は、基板上に一対の素子電極と、前記素子電極間を連絡する導電性膜とが設けられた電子放出素子であって、前記素子電極及び前記導電性膜を囲むバンクを有することを特徴としている。
これにより、本発明では、素子電極及び導電性膜を液滴吐出により製造する際に、バンクで囲まれた位置に液滴を塗布することになるので、液状体が所定位置以外に拡がることを阻止できる。そのため、焼成後に膜厚が薄くなって安定性・再現性が損なわれることを防止できる。
【００１４】
そして、本発明の電気光学装置は、上記の電子放出素子を備えることを特徴としている。
これにより、本発明では、安定性・再現性に優れた電子放出素子を備えることから安定性・再現性に優れた電気光学装置を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
これにより、本発明では、安定性・再現性に優れた電子放出素子を備えることから安定性・再現性に優れた電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の電子放出素子とその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器の実施の形態を、図１ないし図９を参照して説明する。
まず、平面型表面伝導型電子放出素子について図１を用いて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係わる平面型表面伝導型電子放出素子の基本的な構成を示す模式的平面図である。
図１において、符号１は基板、符号２と３は素子電極、符号４は導電性膜、符号５は電子放出部である。
【００１７】
基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を低減させたガラス、青板ガラス、スパッタ法等によりＳｉＯ２を堆積させたガラス基板及びアルミナ等のセラミックス基板等を用いることができる。
対向する素子電極２，３の材料としては、一般的な導電性材料が用いられ、例えばＮｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属或は合金、Ｐｄ、Ａｓ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ２、Ｐｄ−Ａｇ等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体導体材料等から選択することができる。
【００１８】
素子電極２，３間の間隔Ｌは好ましくは数百ｎｍないし数百μｍである。また素子電極２，３間に印加する電圧は低い方が望ましく、再現良く作成することが要求されるため、好ましい素子電極間隔Ｌは数μｍないし数十μｍである。素子電極２，３の長さＷ２は電極の抵抗値および電子放出特性から、数μｍないし数百μｍであり、また素子電極２，３の膜厚は、数百Åないし数μｍが好ましい。さらに好ましくは素子電極の形状、間隔は導電性膜４の膜厚分布によって適宜設定される。
【００１９】
電子放出部を含む部位である導電性膜４は、良好な電子放出特性を得るために微粒子で構成された微粒子膜が特に好ましく、その膜厚は、素子電極２，３および後述する通電フォーミング条件等によって適宜設定されるが、好ましくは数Åないし数千Åで、特に好ましくは１０Åないし５００Åである。
導電性膜４を構成する材料は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｓｂ２Ｏ３等の酸化物、ＨｆＢ２、ＺｒＢ２、ＬａＢ６、ＣｅＢ６、ＹＢ４、ＧｄＢ４等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等があげられる。
【００２０】
電子放出部５は、導電性膜４の一部に形成された高抵抗の亀裂により構成され、導電性膜４の膜厚、膜質、材料及び後述する通電フォーミング等の手法に依存したものとなる。電子放出部５の内部には、数Åから数十ｎｍの範囲の粒径の導電性微粒子が存在する場合もある。この導電性微粒子は、導電性膜４を構成する材料の元素の一部、あるいは全ての元素を含有するものとなる。また、電子放出部５及びその近傍の導電性膜４には、後述の活性化工程によって形成される炭素あるいは炭素化合物を有することもできる。
【００２１】
次に、電子放出素子の素子電極２、３及び導電性膜４を製造する際に用いられる製膜装置（液滴吐出装置）について説明する。
図２は、本実施形態に係る製膜装置の概略斜視図である。図２に示すように、製膜装置１００は、液体吐出ヘッド１０、液体吐出ヘッド１０をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸３２、Ｘ方向ガイド軸３２を回転させるＸ方向駆動モータ３３、基板１を載置するための載置台３４、載置台３４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸３５、Ｙ方向ガイド軸３５を回転させるＹ方向駆動モータ６、クリーニング機構部１４、ヒータ１５、及びこれらを統括的に制御する制御装置８等を備えている。Ｘ方向ガイド軸３２及びＹ方向ガイド軸３５はそれぞれ、基台７上に固定されている。なお、図２では、液体吐出ヘッド１０は、基板１の進行方向に対し直角に配置されているが、液体吐出ヘッド１０の角度を調整し、基板１の進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液体吐出ヘッド１０の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板１とノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００２２】
液体吐出ヘッド１０は、導電性微粒子を含有する分散液からなる液体材料をノズル（吐出口）から吐出するものであり、Ｘ方向ガイド軸３２に固定されている。Ｘ方向駆動モータ３３は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸３２を回転させる。Ｘ方向ガイド軸３２の回転により、液体吐出ヘッド１０が基台７に対してＸ軸方向に移動する。
【００２３】
後述するように、液体吐出方式としては、圧電体素子であるピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式、液体材料を加熱し発生した泡（バブル）により液体材料を吐出させるバブル方式など、公知の様々な技術を適用できる。このうち、ピエゾ方式は、液体材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。
【００２４】
載置台３４はＹ方向ガイド軸３５に固定され、Ｙ方向ガイド軸３５には、Ｙ方向駆動モータ６、１６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、１６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸３５を回転させる。Ｙ方向ガイド軸３５の回転により、載置台３４が基台７に対してＹ軸方向に移動する。
クリーニング機構部１４は、液体吐出ヘッド１０をクリーニングし、ノズルの目詰まりなどを防ぐものである。クリーニング機構部１４は、上記クリーニング時において、Ｙ方向の駆動モータ１６によってＹ方向ガイド軸３５に沿って移動する。
ヒータ１５は、ランプアニール等の加熱手段を用いて基板１を熱処理するものであり、基板１上に吐出された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行う。
【００２５】
本実施形態の製膜装置１００では、液体吐出ヘッド１０から液体材料を吐出しながら、Ｘ方向駆動モータ３３及び／又はＹ方向駆動モータ６を介して、基板１と液体吐出ヘッド１０とを相対移動させることにより、基板１上に液体材料を配置する。
液体吐出ヘッド１０の各ノズルからの液滴の吐出量は、制御装置８から上記ピエゾ素子に供給される電圧によって制御される。
また、基板１上に配置される液滴のピッチは、上記相対移動の速度、及び液体吐出ヘッド１０からの吐出周波数（ピエゾ素子への駆動電圧の周波数）によって制御される。
また、基板１上に液滴を開始する位置は、上記相対移動の方向、及び上記相対移動時における液体吐出ヘッド１０からの液滴の吐出開始のタイミング制御等によって制御される。
【００２６】
次に、本発明の電子放出素子の製造方法について説明する。
（バンク形成工程）
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法でバンクの高さ（素子電極２、３及び導電性膜４の厚さ）に合わせて有機材料を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。また、下層が無機物で上層が有機物で構成された２層以上でバンク（凸部）を形成してもよい。
【００２７】
バンクを形成する有機材料としては、液体材料に対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（テフロン（登録商標）化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００２８】
本実施の形態では、基板１上で素子電極２、３がそれぞれ形成される電極形成部２ａ、３ａ（図３参照）と導電性膜４が形成される導電性膜形成部４ａ（図３参照）とに応じた形状のマスクを用いることで、図３に示されるように、電極形成部２ａ、３ａ及び導電性膜形成部４ａを囲むバンクＢを形成することができる。このように形成するバンクＢとしては、上部側の幅が狭く、底部側の幅が広いテーパ状とすることが、電極形成部２ａ、３ａ及び導電性膜形成部４ａに液状体の液滴が流れ込みやすくなることから好ましい。
【００２９】
（親液化処理工程）
基板１がガラス基板の場合、その表面は素子電極形成材料及び導電性膜形成材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態では、親液性を高めるとともに、バンク形成時のレジスト残渣を除去するために、基板１に対して親液化処理を施す。親液化処理としては、紫外線を照射することにより親液性を付与する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ２プラズマ処理を実施する。
【００３０】
具体的には、基板１に対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板１の板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
【００３１】
（撥液化処理工程）
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥水性を付与する。撥水化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが１００〜８００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００３２】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、撥液性が付与される。なお、先に行った基板１に対する親液化処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥水化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後に親液化処理することが好ましい。
なお、バンクＢに対する撥水化処理により、先に親液処理した基板１表面に対し多少は影響があるものの、特に基板１がガラス等からなる場合には、撥水化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板１はその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
また、バンクＢについては、撥水性を有する材料（例えばフッ素基を有する樹脂材料）によって形成することにより、その撥水処理を省略するようにしてもよい。
【００３３】
この撥液化処理を、例えばプラズマパワーが５５０Ｗ、４フッ化メタンガス流量が１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が５ｍｍ／ｓｅｃの条件で実施した所、有機銀化合物（ジエチレングリコールジメチルエーテル溶媒）に対する接触角は、撥液化処理前のバンクが１０°以下であったのに対し、撥液化処理後のバンクが６４．９°になった。また、純水に対する接触角は撥液化処理前のバンクが６９．３°であったのに対し、撥液化処理後のバンクが１０４．１°になった。
【００３４】
（素子電極材料配置工程）
次に、液滴吐出法を用いて、素子電極形成材料を基板１上の電極形成部２ａ、３ａに塗布する。ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。
【００３５】
また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。
【００３６】
上記の製膜装置１００を用いて本実施の形態で実施する液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３７】
図４は、ピエゾ方式の液滴吐出ヘッド１０による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図４において、液体材料（素子電極形成材料又は導電性膜形成材料）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３８】
従って、素子電極材料配置工程では、液体吐出ヘッド１０から素子電極形成材料を含む液体材料を液滴（第１液滴）にして吐出し、その液滴を基板１上の電極形成部２ａ、３ａに配置する。このとき、電極形成部２ａ、３ａはバンクＢに囲まれているので、液状体が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢは撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上にのっても、バンク表面が撥液性となっていることによりバンクＢからはじかれ、バンク間の電極形成部２ａ、３ａに流れ落ちるようになる。さらに、電極形成部２ａ、３ａは親液性を付与されているため、吐出された液状体が電極形成部２ａ、３ａにてより拡がり易くなり、これによって液状体が所定位置内でより均一に電極形成部２、３ａを埋め込むようにすることができる。
【００３９】
なお、液滴として吐出する液状体は、素子電極２、３を構成する上述した導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものであり、本実施の形態では上述した有機銀化合物（ジエチレングリコールジメチルエーテル溶媒）を用いる。
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００４０】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００４１】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００４２】
（熱処理／光処理工程）
次に、熱処理／光処理工程では、基板１上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去する。すなわち、基板１上に配置された素子電極形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、焼成して分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
【００４３】
例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、素子電極としての導電膜に変換される。なお、液滴吐出と焼成とを繰り返すことにより、膜厚の大きな素子電極を形成することも可能である。
【００４４】
（導電性膜材料配置工程）
素子電極２、３が製膜されたら、続いて同様の液滴吐出法を用いて、導電性膜形成材料を液滴（第２液滴）として吐出し、基板１上の導電性膜形成部４ａに塗布する。導電性膜形成部４ａも、バンクＢに囲まれているので、液状体が所定位置以外に拡がることを阻止できる。また、バンクＢは撥液性が付与されているため、吐出された液滴の一部がバンクＢ上にのっても、バンク間の導電性膜形成部４ａに流れ落ちるようになる。さらに、導電性膜形成部４ａは親液性を付与されているため、吐出された液状体が導電性膜形成部４ａにてより拡がり易くなり、これによって液状体が所定位置内でより均一に導電性膜形成部４ａを埋め込むようにすることができる。なお、導電性膜形成材料の液状体が素子電極２、３に重なった場合でも支障はない。
なお、液滴として吐出する液状体は、導電性膜４を構成する上述した導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなるものであり、分散媒としては素子電極形成材料と同様のものを用いることができる。
【００４５】
（熱処理／光処理工程）
この工程は、素子電極と同様に、基板１を焼成することにより、基板１上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去する。
この熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜４としての導電膜に変換される。なお、液滴吐出と焼成とを繰り返すことにより、膜厚の大きな導電性膜を形成することも可能である。
【００４６】
（アッシング剥離処理）
この工程では、電極形成部２ａ、３ａ及び導電性膜形成部４ａの周囲に存在するバンクＢをアッシング剥離処理により除去する。アッシング処理としては、プラズマアッシングやオゾンアッシング等を採用できる。
プラズマアッシングは、プラズマ化した酸素ガス等のガスとバンク（レジスト）とを反応させ、バンクを気化させて剥離・除去するものである。バンクは炭素、酸素、水素から構成される固体の物質であり、これが酸素プラズマと化学反応することでＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離することができる。
一方、オゾンアッシングの基本原理はプラズマアッシングと同じであり、Ｏ３（オゾン）を分解して反応性ガスのＯ＋（酸素ラジカル）に変え、このＯ＋とバンクとを反応させる。Ｏ＋と反応したバンクは、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ２となり、全て気体として剥離される。
【００４７】
（通電フォーミング工程）
次に、フォーミングと呼ばれる通電処理を施す。素子電極２，３間に通電を行うと、導電性膜４の部位に電子放出部５が形成される（図１参照）。フォーミング工程においては、瞬間的に導電性膜４の一部に局所的に熱エネルギーが集中し、その部位に構造の変化した電子放出部５が形成される。
通電フォーミングの電圧波形は、特にパルス波形が好ましい。これには、例えば三角波や矩形波等のパルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加する手法と、パルス波高値を増加させながらパルスを印加する手法がある。
通電フォーミング処理の終了は、パルス間隔中に、導電性膜４を局所的に破壊、変形しない程度の電圧を印加し、電流を測定して検知することができる。例えば０．１Ｖ程度の電圧印加により流れる電流を測定し、抵抗値を求めて、１ＭΩ以上の抵抗を示した時、通電フォーミングを終了させる。
【００４８】
フォーミング処理以降の電気的処理は、例えば図５に示すような真空処理装置内で行うことができる。この真空処理装置は測定評価装置としての機能をも兼ね備えている。図５においても、図１に示した部位と同じ部位には図１に付した符号と同一の符号を付している。
【００４９】
図５において、符号５５は真空容器であり、符号５６は排気ポンプである。真空容器５５内には電子放出素子が配されている。また、符号５１は電子放出素子に素子電圧Ｖｆを印加するための電源、符号５０は素子電極２、３間を流れる素子電流Ｉｆを測定するための電流計、符号５４は素子の電子放出部５より放出される放出電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極、符号５３はアノード電極５４に電圧を印加するための高圧電源、符号５２は電子放出部５より放出される放出電流Ｉｅを測定するための電流計である。一例として、アノード電極５４の電圧を１ｋＶ〜１０ｋＶの範囲とし、アノード電極５４と電子放出素子との距離Ｈを２ｍｍ〜８ｍｍの範囲として測定を行うことができる。
【００５０】
真空容器５５内には、不図示の真空計等の真空雰囲気下での測定に必要な機器が設けられていて、所望の真空雰囲気下での測定評価を行えるようになっている。排気ポンプ５６は、ターボポンプ、ロータリーポンプ等からなる通常の高真空装置系と、イオンポンプ等からなる超高真空装置系とにより構成されている。ここに示した電子放出素子基板を配した真空処理装置の全体は、不図示のヒーターにより加熱できる。
【００５１】
（活性化工程）
フォーミングを終えた素子に活性化工程と呼ばれる処理を施す。活性化工程は、例えば、有機物質のガスを含有する雰囲気下で、通電フォーミングと同様に、素子電極２，３間にパルスの印加を繰り返すことで行うことができ、この処理により、素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅが、著しく変化するようになる。
【００５２】
活性化工程における有機物質のガスを含有する雰囲気は、例えば油拡散ポンプやロータリーポンプなどを用いて真空容器内を排気した場合に雰囲気内に残留する有機ガスを利用して形成することができる他、オイルを使用しないイオンポンプなどにより一旦十分に排気した真空中に適当な有機物質のガスを導入することによっても得られる。このときの好ましい有機物質のガス圧は、前述の素子の形態、真空容器の形状や、有機物質の種類などにより異なるため、場合に応じ適宜設定される。適当な有機物質としては、アルカン、アルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン類、フェノール、カルボン、スルホン酸等の有機酸類等を挙げることが出来、具体的には、メタン、エタン、プロパンなどＣｎＨ２ｎ＋２で表される飽和炭化水素、エチレン、プロピレンなどＣｎＨ２ｎ等の組成式で表される不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、メタノール、エタノール、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミン、エチルアミン、フェノール、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等が使用できる。
【００５３】
この処理により、雰囲気中に存在する有機物質から、通電フォーミング工程で形成した亀裂の内側に新たに炭素あるいは炭素化合物からなる亀裂が形成され、素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅが、著しく変化するようになる。
炭素あるいは炭素化合物とは、例えばグラファイト（いわゆるＨＯＰＧ，ＰＧ，ＧＣを包含するもので、ＨＯＰＧはほぼ完全なグラファイト結晶構造、ＰＧは結晶粒が２０ｎｍ程度で結晶構造がやや乱れたもの、ＧＣは結晶粒が２ｎｍ程度になり結晶構造の乱れがさらに大きくなったものを指す。）、非晶質カーボン（アモルファスカーボン及び、アモルファスカーボンと前記グラファイトの微結晶の混合物を指す。）であり、その膜厚は、５０ｎｍ以下の範囲とするのが好ましく、３０ｎｍ以下の範囲とすることがより好ましい。
活性化工程の終了判定は、素子電流Ｉｆと放出電流Ｉｅを測定しながら、適宜行うことができる。
【００５４】
（安定化工程）
このような工程を経て得られた電子放出素子は、安定化工程を行うことが好ましい。この工程は、真空容器内の有機物質を排気する工程である。真空容器を排気する真空排気装置は、装置から発生するオイルが素子の特性に影響を与えないように、オイルを使用しないものを用いるのが好ましい。具体的には、ソープションポンプ、イオンポンプ等の真空排気装置を挙げることが出来る。
【００５５】
真空容器内の有機成分の分圧は、上記炭素あるいは炭素化合物がほぼ新たに堆積しない分圧で１．３×１０−６Ｐａ以下が好ましく、さらには１．３×１０−８Ｐａ以下が特に好ましい。さらに真空容器内を排気するときには、真空容器全体を加熱して、真空容器内壁や、電子放出素子に吸着した有機物質分子を排気しやすくするのが好ましい。このときの加熱条件は、８０〜２５０℃好ましくは１５０℃以上で、できるだけ長時間処理するのが望ましいが、特にこの条件に限るものではなく、真空容器の大きさや形状、電子放出素子の構成などの諸条件により適宜選ばれる条件により行う。真空容器内の圧力は極力低くすることが必要で、１．３×１０−５Ｐａ以下が好ましく、さらには１．３×１０−６Ｐａ以下が特に好ましい。
【００５６】
安定化工程を行った後の、駆動時の雰囲気は、上記安定化処理終了時の雰囲気を維持するのが好ましいが、これに限るものではなく、有機物質が十分除去されていれば、圧力自体は多少上昇しても十分安定な特性を維持することが出来る。このような真空雰囲気を採用することにより、新たな炭素あるいは炭素化合物の堆積を抑制でき、結果として素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅが安定する。
【００５７】
上述した工程を経て得られた本発明の電子放出素子の基本特性について説明する。
本発明を適用可能な電子放出素子は、放出電流Ｉｅに関して次の３つの特徴的性質を有する。
（i）本素子はある電圧（閾値電圧）以上の素子電圧を印加すると急激に放出電流Ｉｅが増加し、一方閾値電圧以下では放出電流Ｉｅが殆ど検出されない。つまり、放出電流Ｉｅに対する明確な閾値電圧を持った非線形素子である。
（ii）放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに単調増加依存するため、放出電流Ｉｅは素子電圧Ｖｆで制御できる。
（iii）アノード電極５４（図５参照）に捕捉される放出電荷は、素子電圧Ｖｆを印加する時間に依存する。つまり、アノード電極５４に捕捉される電荷量は、素子電圧Ｖｆを印加する時間により制御できる。
以上の説明より理解されるように、本発明の電子放出素子は、入力信号に応じて、電子放出特性を容易に制御できることになる。この性質を利用すると複数の電子放出素子を配して構成した電子源、画像形成装置等、多方面への応用が可能となる。
【００５８】
このように、本実施の形態では、バンクＢで囲まれた電極形成部２ａ、３ａ及び導電性膜形成部４ａにそれぞれ液滴を吐出するので、多量の液滴を吐出した場合であっても、液状体が所定位置以外に拡がることを阻止できる。そのため、本実施の形態では、液状体が拡がることで焼成後に膜厚が薄くなり、電子放出素子として電子放出特性の安定性・再現性が損なわれることを防止できる。また、本実施の形態では、バンクＢに撥液性を付与しているので、吐出された液滴の一部がバンクＢ上に乗った場合でも、バンク間の電極形成部２ａ、３ａまたは導電性膜形成部４ａに流れ落とさせることができる。さらに、本実施の形態では、電極形成部２ａ、３ａ及び導電性膜形成部４ａに親液性を付与しているので、吐出された液状体がそれぞれ電極形成部２ａ、３ａ及び導電性膜形成部４ａにてより拡がり易くなり、これによって電極形成部２ａ、３ａ及び導電性膜形成部４ａに液状体をより均一に塗布することができ、一様な膜厚を有する素子電極２、３及び導電性膜４を得ることが可能になる。
【００５９】
次に、本発明を適用可能な電子放出素子の応用例について説明する。本発明を適用可能な電子放出素子を複数個基板上に配列し、電気光学装置として例えば電子源や画像形成装置が構成できる。
電子放出素子の配列については、種々のものが採用できる。一例として、並列に配置した多数の電子放出素子の個々を両端で接続し、電子放出素子の行を多数個配し（行方向と呼ぶ）、この配線と直交する方向（列方向と呼ぶ）で、該電子放出素子の上方に配した制御電極（グリッドとも呼ぶ）により、電子放出素子からの電子を制御駆動する梯子状配置のものがある。これとは別に、電子放出素子をＸ方向及びＹ方向に行列状に複数個配し、同じ行に配された複数の電子放出素子の電極の一方を、Ｘ方向の配線に共通に接続し、同じ列に配された複数の電子放出素子の電極の他方を、Ｙ方向の配線に共通に接続するものが挙げられる。このようなものは、いわゆる単純マトリクス配置である。まず単純マトリクス配置について以下に詳述する。
【００６０】
本発明を適用可能な電子放出素子については、前述した通り３つの特性がある。即ち、表面伝導型電子放出素子からの放出電子は、閾値電圧以上では、対向する素子電極間に印加するパルス状電圧の波高値と幅で制御できる。一方、閾値電圧以下では、殆ど放出されない。この特性によれば、多数の電子放出素子を配置した場合においても、個々の素子にパルス状電圧を適宜印加すれば、入力信号に応じて、表面伝導型電子放出素子を選択して電子放出量を制御できる。
【００６１】
以下この原理に基づき、本発明の電子放出素子を複数配して得られる電子源基板について、図６を用いて説明する。図６において、７１は電子源基板、７２はＸ方向配線、７３はＹ方向配線である。７４は電子放出素子、７５は結線である。
ｍ本のＸ方向配線７２は、Ｄｘ１，Ｄｘ２，……，Ｄｘｍからなり、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法、液滴吐出法等を用いて形成された導電性金属等で構成することができる。配線の材料、膜厚、幅は適宜設計される。Ｙ方向配線７３は、Ｄｙ１，Ｄｙ２……Ｄｙｎのｎ本の配線よりなり、Ｘ方向配線７２と同様に形成される。これらｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方向配線７３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している（ｍ，ｎは、共に正の整数）。不図示の層間絶縁層は、真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ２等で構成される。例えば、Ｘ方向配線７２を形成した基板７１の全面或は一部に所望の形状で形成され、特に、Ｘ方向配線７２とＹ方向配線７３の交差部の電位差に耐え得るように、膜厚、材料、製法が適宜設定される。Ｘ方向配線７２とＹ方向配線７３は、それぞれ外部端子として引き出されている。
【００６２】
電子放出素子７４を構成する一対の素子電極（不図示）は、それぞれｍ本のＸ方向配線７２とｎ本のＹ方向配線７３に、導電性金属等からなる結線７５によって電気的に接続されている。配線７２と配線７３を構成する材料、結線７５を構成する材料及び一対の素子電極を構成する材料は、その構成元素の一部あるいは全部が同一であっても、また夫々異なってもよい。これらの材料は、例えば前述の素子電極２、３の材料より適宜選択される。素子電極を構成する材料と配線材料が同一である場合には、素子電極に接続した配線は素子電極ということもできる。
【００６３】
Ｘ方向配線７２には、Ｘ方向に配列した電子放出素子７４の行を選択するための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段が接続される。一方、Ｙ方向配線７３には、Ｙ方向に配列した電子放出素子７４の各列を入力信号に応じて変調するための、不図示の変調信号発生手段が接続される。各電子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給される。
上記構成においては、単純なマトリクス配線を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とすることができる。
【００６４】
図６に示すようなマトリックス状に配列された電子放出素子７４を液滴吐出方式で形成する場合、液滴吐出ヘッドに形成された複数のノズルのピッチと、電子放出素子７４との配列ピッチとは必ずしも一致しない。そのため、本実施の形態では、ノズルピッチと素子７４の配列ピッチとを一致させるために、液滴吐出ヘッドを走査方向と直交する方向（以下、適宜「非走査方向」と称する）に対して所定角度θだけ傾けて走査する。
例えば、非走査方向における電子放出素子７４のピッチＰに対してノズル２５のピッチａが一致しない場合、ヘッドをＺ軸周りにＰ＝ａ×ｃｏｓθを満足する角度θで傾けることで、ピッチＰとピッチａとを一致させる。ヘッドを傾ける方法としては、図２に示した液滴吐出ヘッド１をＺ軸周りに回転させる機構を設けたり、図７に示すように、ノズル２５のピッチａが素子ピッチＰと一致するように、予めヘッド１０を傾けてキャリッジ１２１に支持させてもよい。
このような構成とすることで、ピッチが合わないために液滴を吐出させないノズルが生じることを防止して、生産性を向上させることが可能となる。
【００６５】
このような単純マトリクス配置の電子源を用いて構成した画像形成装置について、図８を用いて説明する。図８は、画像形成装置の表示パネル１０１の一例を示す模式図である。
図８において、７１は電子放出素子を複数配した電子源基板、８１は電子源基板７１を固定したリアプレート、８６はガラス基板８３の内面に蛍光膜８４とメタルバック８５等が形成されたフェースプレートである。８２は支持枠であり、該支持枠８２には、リアプレート８１、フェースプレート８６がフリットガラス等を用いて接続されている。８８は外囲器であり、例えば大気中あるいは窒素中で、４００〜５００℃の温度範囲で１０分間以上焼成することで、封着して構成される。
【００６６】
７４は、図１に示したような電子放出素子である。７２，７３は、表面伝導型電子放出素子の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線及びＹ方向配線である。外囲器８８は、上述の如く、フェースプレート８６、支持枠８２、リアプレート８１で構成される。リアプレート８１は主に基板７１の強度を補強する目的で設けられるため、基板７１自体で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート８１は不要とすることができる。即ち、基板７１に直接支持枠８２を封着し、フェースプレート８６、支持枠８２及び基板７１で外囲器８８を構成してもよい。一方、フェースプレート８６とリアプレート８１の間に、スペーサーと呼ばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器８８を構成することもできる。
【００６７】
蛍光膜８４は、モノクロームの場合は蛍光体のみで構成することができる。カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の配列により、ブラックストライプあるいはブラックマトリクス等と呼ばれる黒色導電材と蛍光体（いずれも図示せず）とから構成することができる。ブラックストライプ、ブラックマトリクスを設ける目的は、カラー表示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと、蛍光膜８４における外光反射によるコントラストの低下を抑制することにある。黒色導電材の材料としては、通常用いられている黒鉛を主成分とする材料の他、導電性があり、光の透過及び反射が少ない材料を用いることができる。
【００６８】
ガラス基板８３に蛍光体を塗布する方法は、モノクローム、カラーによらず、沈澱法や印刷法等が採用できる。蛍光膜８４の内面側には、通常メタルバック８５が設けられる。メタルバックを設ける目的は、蛍光体の発光のうち内面側への光をフェースプレート８６側へ鏡面反射することにより輝度を向上させること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させること、外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメージから蛍光体を保護すること等である。メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれる。）を行い、その後Ａｌを真空蒸着等を用いて堆積させることで作製できる。
フェースプレート８６には、更に蛍光膜８４の導電性を高めるため、蛍光膜８４の外面側に透明電極（不図示）を設けてもよい。前述の封着を行う際、カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させる必要があり、十分な位置合わせが不可欠となる。
【００６９】
図８に示した画像形成装置は、例えば以下のようにして製造される。
外囲器８８内は、適宜加熱しなから、イオンポンプ、ソープションポンプ等のオイルを使用しない排気装置により不図示の排気管を通じて排気し、１．３×１０−５Ｐａ程度の真空度の有機物質の十分に少ない雰囲気にした後、封止が成される。外囲器８８の封止後の真空度を維持するために、ゲッター処理を行うこともできる。これは、外囲器８８の封止を行う直前あるいは封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等を用いた加熱により、外囲器８８内の所定の位置に配置されたゲッター（不図示）を加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッターは通常Ｂａ等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作用により、例えば１．３×１０−５Ｐａ以上の真空度を維持するものである。ここで、電子放出素子のフォーミング処理以降の工程は適宜設定できる。
【００７０】
表示パネル１０１は、端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎ及び高圧端子８７を介して外部の電気回路と接続している。端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍには、表示パネル１０１内に設けられている電子源、即ち、ｍ行ｎ列の行列状にマトリクス配線された電子放出素子群を１行（ｎ素子）づつ順次駆動する為の走査信号が印加される。端子Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎには、前記走査信号により選択された１行の電子放出素子の各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加される。高圧端子８７には、直流電圧源より、例えば１０ｋＶの直流電圧が供給されるが、これは電子放出素子から放出される電子ビームに、蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。
【００７１】
このような構成をとり得る本発明を適用可能な画像形成装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを介して電圧を印加することにより、電子放出が生じる。高圧端子８７を介してメタルバック８５あるいは透明電極（不図示）に高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速された電子は、蛍光膜８４に衝突し、発光が生じて画像が形成される。
【００７２】
以上説明した電気光学装置としての画像形成装置は、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システムやコンピューター等の表示装置の他、感光性ドラム等を用いて構成された光プリンターとしての画像形成装置等の各種電子機器に用いることができる。また、本発明の別の電子機器の具体例について説明する。
図９（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は先の図８に示した表示パネル１０１を備えた表示部を示している。
図９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図９（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は先の図８に示した表示パネル１０１を備えた表示部を示している。
図９（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図９（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は先の図８に示した表示パネル１０１を備えた表示部を示している。
図９（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の電子放出素子を備えたものであるので、安定性・再現性に優れた表示特性が得られる。
【００７３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００７４】
例えば、上記実施の形態では、アッシングによりバンクＢを剥離・除去する手順としたが、これに限定されるものではなく、表示特性に悪影響を及ぼさない場合は、バンクＢを除去せずに残したままであってもよい。この場合、アッシング工程を省くことができるため、生産効率の向上に寄与できる。
また、上記実施の形態では、電極形成部２ａ、３ａと導電性膜形成部４ａの双方に親液性を付与する構成としたが、これに限られるものではなく、いずれか一方にのみ親液性を付与する構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明に係る電子放出素子の一例を示す模式図である。
【図２】製膜装置の概略斜視図である。
【図３】バンクが形成された基板の平面図である。
【図４】ピエゾ方式による液状体の吐出原理を説明するための図である。
【図５】真空処理装置の一例を示す概略構成図である。
【図６】単純マトリックス配置の電子源の一例を示す模式図である。
【図７】傾いた状態でキャリッジに支持されるヘッドの外観斜視図である。
【図８】画像形成装置の表示パネルの一例を示す模式図である。
【図９】（ａ）は本発明の電子機器を携帯電話に適用した例を示す図、（ｂ）携帯型情報処理装置に適用した例を示す図、（ｃ）は腕時計型電子機器に適用した例を示す図である。
【符号の説明】
【００７６】
Ｂ  バンク、１  基板、２、３  素子電極、２ａ、３ａ  電極形成部、４  導電性膜、４ａ  導電性膜形成部、７４  電子放出素子、１０１  表示パネル（電気光学装置）、６００  携帯電話本体（電子機器）、７００  情報処理装置（電子機器）、８００  時計本体（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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