(57)【要約】【課題】金属配線等を浸食することなく、該配線の表面に配線保護膜等のめっき膜を選択性良く、かつ経済的に形成できるようにする。【解決手段】表面に埋込み配線８を形成した基板Ｗの該配線８の露出表面に光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜５０を形成し、基板Ｗの表面にめっき液３４を接触させつつ、該基板Ｗの表面に向けて光を照射することを特徴とする。この光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜としては、例えば結晶性酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）が挙げられる。【選択図】    図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に埋込み配線を形成した基板の該配線の露出表面に光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜を形成し、基板の表面にめっき液を接触させつつ、該基板の表面に向けて光を照射することを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
前記金属酸化薄膜は、配線の露出表面を強制的に酸化させることによって得られる酸化膜であることを特徴とする請求項１記載のめっき方法。
【請求項３】
前記配線は銅、前記金属酸化薄膜は結晶性酸化銅膜で、波長が５６０ｎｍ以下の光を基板の表面に向けて照射することを特徴とする請求項２記載のめっき方法。
【請求項４】
前記配線は、銅合金、銀または銀合金であることを特徴とする請求項１または２記載のめっき方法。
【請求項５】
基板の表面にめっき液を接触させつつ、該基板の表面に向けて光を照射して、Ｃｏ、Ｃｏ合金、ＮｉまたはＮｉ合金膜を無電解めっきで形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項６】
表面に埋込み配線を形成し該配線の露出表面に光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜を形成した基板を保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダで保持した基板の表面にめっき液を接触させる手段と、
前記基板ホルダで保持しめっき液を接触させた基板の表面に向けて、前記金属酸化薄膜のバンドギャップに対応する波長以下の波長の光を照射する光源とを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項７】
前記金属酸化薄膜は結晶性酸化銅膜で、前記光源は５６０ｎｍ以下の波長の光を照射することを特徴とする請求項６記載のめっき装置。
【請求項８】
基板の表面に形成した埋込み配線の露出表面に金属酸化薄膜を形成する酸化薄膜形成装置と、
前記基板の表面にめっき液を接触させつつ、該表面に向けて光を照射するめっき装置とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
めっき後の基板のめっき面を後洗浄する後洗浄装置を有することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき方法及びめっき装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部に、銅や銀等の導電体を埋込んで形成した埋込み配線の表面を保護する配線保護膜を形成するのに使用されるめっき方法及びめっき装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の配線形成プロセスとして、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を埋込むようにしたプロセス（いわゆる、ダマシンプロセス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、近年では銅や銀等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化するプロセス技術である。
【０００３】
この種の配線、例えば配線材料として銅を使用した銅配線にあっては、平坦化後、銅からなる配線の表面が外部に露出しており、配線（銅）の熱拡散を防止したり、例えばその後の酸化性雰囲気の絶縁膜（酸化膜）を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合等に、配線（銅）の酸化を防止したりするため、Ｃｏ合金やＮｉ合金等からなる配線保護膜（蓋材）で露出配線の表面を選択的に覆って、配線の熱拡散及び酸化を防止することが検討されている。このＣｏ合金やＮｉ合金等からなる配線保護膜は、例えば無電解めっきによって得られる。
【０００４】
ここで、例えば、図７に示すように、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に堆積したＳｉＯ２等からなる絶縁膜２の内部に配線用の微細な凹部４を形成し、表面にＴａＮ等からなるバリア層６及びＣｕのシード層を形成した後、例えば、銅めっきを施して、基板Ｗの表面に銅膜を成膜して凹部４の内部に埋め込み、しかる後、基板Ｗの表面にＣＭＰ（化学機械的研磨）を施して平坦化することで、絶縁膜２の内部に銅膜からなる配線８を形成し、この配線（銅膜）８の露出表面に、例えば無電解めっきによって得られる、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護膜（蓋材）９を選択的に形成して配線８を保護する場合を考える。
【０００５】
一般的な無電解めっきによって、このようなＣｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護膜（蓋材）９を配線８の表面に選択的に形成する工程を説明すると、先ず、ＣＭＰ処理を施した半導体ウエハ等の基板Ｗを、例えば液温が２５℃で、希釈したＨ２ＳＯ４等の酸溶液中に、例えば１分程度浸漬させて、絶縁膜２の表面に残った銅等のＣＭＰ残さ等を除去する。そして、基板Ｗの表面を超純水等の洗浄液で洗浄した後、例えば、液温が２５℃で、０．００５ｇ／ＬのＰｄＣｌ２と０．２ｍｌ／ＬのＨＣｌ等の混合溶液中に基板Ｗを、例えば１分間浸漬させ、これにより、配線８の表面に触媒としてのＰｄを付着させて配線８の露出表面を活性化させる。
【０００６】
次に、基板Ｗの表面を超純水で水洗いした後、例えば液温が８０℃のＣｏ−Ｗ−Ｐめっき液中に基板Ｗを、例えば１２０秒程度浸漬させて、活性化させた配線８の表面に選択的な無電解めっき（無電解Ｃｏ−Ｗ−Ｐ蓋めっき）を施し、しかる後、基板Ｗの表面を超純水等の洗浄液で洗浄する。これによって、配線８の表面に、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護膜９を選択的に形成して配線８を保護する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来例にあっては、無電解めっきによって、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護膜（蓋材）を形成する際に、金属配線の表面に、例えばＰｄ等の触媒を付与しており、この触媒付与は、例えば、下記の化学式で示す置換めっきによって行われるため、原理的に下地の配線（銅膜）が浸食（エッチング）され、これによって、配線の内部にボイドが発生して配線特性が劣化したり、まためっき膜の異方成長によって、半導体デバイスの動作に不具合が生じ、歩留りの低下に繋がってしまう。
Ｃｕ＋ＰｄＳＯ４→ＣｕＳＯ４＋Ｐｄ
しかも、Ｐｄは、銅に対する拡散元素であるので、銅配線の低抵抗を阻害してしまうばかりでなく、一般に高価であるので、経済性にも問題がある。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、金属配線を浸食することなく、該配線の表面に配線保護膜等のめっき膜を選択性良く、かつ経済的に形成できるようにしためっき方法及びめっき装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、表面に埋込み配線を形成した基板の該配線の露出表面に光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜を形成し、基板の表面にめっき液を接触させつつ、該基板の表面に向けて光を照射することを特徴とするめっき方法である。
【００１０】
このように、基板の表面（被処理面）にＰｄ等の触媒を付与する代わりに、光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜を形成することで、置換めっきによることなく、つまり、下地の金属配線等の浸食（エッチング）を伴うことなく、金属酸化薄膜を基板の表面に形成することができる。しかも、例えばＣｕ２Ｏの金属酸化銅膜に光を照射することで、下記の化学式に示すように、配線の露出表面の活性化を促進して、例えばＣｏ等の金属Ｍを析出させ成長させることができる。ここに、ｅは自由電子を、Ｈはホールを示す。
Ｃｕ２Ｏ  ＋  ｈν  →  Ｃｕ２Ｏ（ｅ＋Ｈ）
Ｍ２＋  ＋２ｅ  →  Ｍ
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記金属酸化薄膜は、配線の露出表面を強制的に酸化させることによって得られる酸化膜であることを特徴とする請求項１記載のめっき方法である。この強制酸化は、基板の表面を、例えばＨ２Ｏ２等の酸化剤溶液に接触させることによって行うことができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記配線は銅、金属酸化薄膜は結晶性酸化銅膜で、波長が５６０ｎｍ以下の光を基板の表面に向けて照射することを特徴とする請求項２記載のめっき方法である。
【００１３】
銅の表面は、ｐＨや電位を制御したアンモニア水や過酸化水素等の水溶液、またはその混合液に接触させることで、ｐ型半導体である結晶性酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）に変化させることができる。つまり、銅は、図１にそのｐＨ−電位図を示すように、特定のｐＨと電位条件の下で、様々な形態をとり、その中で、Ｃｕ２Ｏが安定なｐＨおよび酸化還元電位の領域が存在し、このｐＨ−電位領域をとる酸化剤溶液中に銅を浸漬させると、その表面にＣｕ２Ｏ膜が形成される。例えば、銅配線が形成された基板を、ｐＨ＝１０、酸化還元電位＝０.１Ｖ（標準水素電極電位）の水溶液に浸漬すると、配線である銅表面にＣｕ２Ｏ膜が形成される。
【００１４】
ここで、Ｃｕ２Ｏは、バンドギャップ約２．２ｅＶのｐ型の半導体であるので、バンドギャップに対応する波長約５６０ｎｍ以下の光を照射すると、Ｃｕ２Ｏ膜の内部で自由電子とホールが生成され、ｐ型半導体であることから、生成した電子は表面に局在化し、図２に示すように、電子を受け渡しやすい性質を持つ。このため、このような状態のＣｕ２Ｏ膜の表面に、溶液中の金属イオンが到達すると、この金属イオンは、Ｃｕ２Ｏから電子を受け取り金属として析出する。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、前記配線は、銅、銅合金、銀または銀合金であることを特徴とする請求項１または２記載のめっき方法である。
請求項５に記載の発明は、基板の表面にめっき液を接触させつつ、該基板の表面に向けて光を照射して、Ｃｏ、Ｃｏ合金、ＮｉまたはＮｉ合金膜を無電解めっきで形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき方法である。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、表面に埋込み配線を形成し該配線の露出表面に光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜を形成した基板を保持する基板ホルダと、前記基板ホルダで保持した基板の表面にめっき液を接触させる手段と、前記基板ホルダで保持しめっき液を接触させた基板の表面に向けて、前記金属酸化薄膜のバンドギャップに対応する波長以下の波長の光を照射する光源とを有することを特徴とするめっき装置である。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記金属酸化薄膜は結晶性酸化銅膜で、前記光源は５６０ｎｍ以下の波長の光を照射することを特徴とする請求項６記載のめっき装置である。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、基板の表面に形成した埋込み配線の露出表面に金属酸化薄膜を形成する酸化薄膜形成装置と、前記基板の表面にめっき液を接触させつつ、該表面に向けて光を照射するめっき装置とを有することを特徴とする基板処理装置である。
請求項９に記載の発明は、めっき後の基板のめっき面を後洗浄する後洗浄装置を有することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図３は、本発明の実施の形態のめっき装置を備えた基板処理装置の平面配置図を示す。同図に示すように、この基板処理装置には、表面に形成した配線用の凹部４内に配線８を形成した基板Ｗ（図７参照）を収容した基板カセットを載置収納するロード・アンロード部１０が備えられている。そして、基板Ｗの表面（被処理面）に形成した埋込み配線８の露出表面に光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜を形成する酸化薄膜形成装置１２と、金属酸化薄膜形成後の基板の表面にめっきを施すめっき装置１８と、めっき後の基板の表面を後洗浄する後洗浄装置２０が直列に配置されて備えられている。更に、これらの各装置の側方に位置して、基板Ｗの受渡しを行う搬送ロボットからなる基板搬送部２２が、これらの各装置と平行に走行自在に配置されている。なお、この例では、酸化薄膜形成装置１２、めっき装置１８及び後洗浄装置２０を直列に配置した例を示しているが、これに限定されないことは勿論である。
【００２０】
図４は、本発明の実施の形態のめっき装置１８を示す。このめっき装置１８は、表面を上向きにして基板Ｗを着脱自在に保持する基板ホルダ３０を有している。この基板ホルダ３０は上下動自在に構成され、この基板ホルダ３０の上方に位置して、リング状で、基板ホルダ３０の上昇に伴って、基板ホルダ３０で保持した基板Ｗの周縁部に圧接してここをシールするシールリング３２が配置されている。このように、基板Ｗの周縁部をシールリング３２でシールすることで、基板Ｗの表面（上面）とシールリング３２でめっき液３４を保持するめっき室３６が区画形成され、しかも、この状態で基板ホルダ３０とシールリング３２が一体に回転できるように構成されている。なお、基板ホルダ３０を固定し、シールリング３２を上下動自在に構成してもよい。
【００２１】
シールリング３２の上方に位置して処理ヘッド３８が配置され、この処理ヘッド３８の内部には、基板ホルダ３０で保持した基板Ｗに向けて光を照射する、例えば蛍光灯、白熱ランプ、ハロゲンランプ等からなる光源４０が収納されている。この光源４０は、基板ホルダ３０で保持した基板Ｗの全面に、均一な光強度で光を照射できるようになっている。なお、この光強度を変化できるようにしてもよく、また局部的に調整できるようにしてもよい。更に、この処理ヘッド３８には、めっき室３６にめっき液３４を供給するめっき液注入口４２が設けられている。
【００２２】
光源４０は、この例では、光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜として、下記のように結晶酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）を使用した時、Ｃｕ２Ｏは、バンドギャップ約２．２ｅＶのｐ型の半導体であり、バンドギャップに対応する波長約５６０ｎｍ以下の光を照射するとＣｕ２Ｏ内部で自由電子とホールが生成されるため、５６０ｎｍ以下の波長の光を照射するようになっている。
【００２３】
これにより、基板ホルダ３０で基板Ｗを保持し、基板ホルダ３０を上昇させ、基板Ｗの周縁部をシールリング３２に圧接させて、基板Ｗの上面とシールリング３２とでめっき室３６を形成する。そして、このめっき室３６内にめっき液３４を供給した後、基板Ｗを回転させながら、光源４０から基板Ｗに向けて光を照射することで、基板Ｗの表面にめっきが行われるように構成されている。
【００２４】
次に、この基板処理装置による一連の基板処理（蓋めっき処理）を更に図５及び図６を参照して説明する。なお、この例では、図７に示すように、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護膜（蓋材）９を選択的に形成して、銅からなる配線８を保護する場合について説明する。
【００２５】
先ず、図６（ａ）に示すように、絶縁膜２の内部に、銅からなる配線８を埋込み形成した基板Ｗを該基板Ｗの表面（被処理面）を上向き（フェースアップ）で収納してロード・アンロード部１０に搭載した基板カセットから、１枚の基板Ｗを基板搬送部２２で取り出して酸化薄膜形成装置１２に搬送する（図３参照）。
【００２６】
この酸化薄膜形成装置１２で、例えば、ｐＨ＝１０、酸化還元電位＝０.１Ｖ（標準水素電極電位）のアンモニア水と過酸化水素の混合水溶液に基板Ｗを浸漬するか、または基板Ｗの表面を接触させることで、図６（ｂ）に示すように、基板Ｗの配線８の露出表面に、この例では、結晶性酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）５０からなる光電気化学反応性を有する金属酸化薄膜を形成する。つまり、銅は、図１にそのｐＨ−電位図を示すように、特定のｐＨと電位条件の下で、様々な形態をとり、その中で、Ｃｕ２Ｏが安定なｐＨおよび酸化還元電位の領域が存在し、例えば、ｐＨ＝１０、酸化還元電位＝０.１Ｖ（標準水素電極電位）の水溶液に浸漬すると、表面にＣｕ２Ｏ膜が形成される。
【００２７】
この結晶性酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）５０は、従来のＰｄ等の触媒の代わりとしての役割を果たすもので、このように、結晶性酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）５０をＰｄ等の触媒の代わりに配線８の表面に形成することで、置換めっきによることなく、つまり、下地の配線８の浸食（エッチング）を伴うことなく、結晶性酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）５０を配線８の表面に形成することができる。
【００２８】
次に、この金属酸化薄膜形成後の基板Ｗを基板搬送部２２でめっき装置１８に搬送する。このめっき装置１８では、前述のように、基板ホルダ３０で基板Ｗをフェースアップで保持し、基板ホルダ３０を上昇させ基板Ｗの周縁部をシールリング３２に圧接させてめっき室３６を形成し、このめっき室３６内に、例えば、液温が８０℃のＣｏ−Ｗ−Ｐめっき液３４を供給し、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗに向けて光源４０から光を照射することで、配線８の表面に選択的なめっき（Ｃｏ−Ｗ−Ｐ蓋めっき）を施し、しかる後、基板Ｗの表面を超純水等の洗浄液で洗浄する。これによって、配線８の表面に、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護膜９（図７参照、以下同じ）を選択的に形成して配線８を保護する。
【００２９】
この時、図６（ｃ）に示すように、結晶性酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）５０に光を照射することで、下記の化学式に示すように、配線８の表面の活性化を促進して、例えばＣｏ等の金属Ｍからなるめっき膜を析出させ成長させることができる。ここで、ｅは自由電子を、Ｈはホールを示す。
Ｃｕ２Ｏ  ＋  ｈν  →  Ｃｕ２Ｏ（ｅ＋Ｈ）
Ｍ２＋  ＋２ｅ  →  Ｍ
【００３０】
つまり、Ｃｕ２Ｏ膜は、バンドギャップ約２．２ｅＶのｐ型の半導体であるので、このバンドギャップに対応する波長約５６０ｎｍ以下の光を照射すると、Ｃｕ２Ｏ内部で自由電子ｅとホールＨが生成され、ｐ型半導体であることから、生成した電子ｅは表面に局在化し、図２に示すように、電子ｅを受け渡しやすい性質を持つ。このような状態のＣｕ２Ｏ膜の表面に、溶液中の金属イオンＭ＋が到達すると、Ｃｕ２Ｏ膜から電子ｅを受け取り、金属Ｍが析出する。そして、金属Ｍの析出が進むと、析出した金属ＭによりＣｕ２Ｏ膜に光が到達しなくなり、光の効果により析出は停止するが、自己触媒作用を有する金属、例えばＣｏなどを析出金属とすれば、光照射でいったん金属Ｍの析出が起これば、その後は従来の無電解めっきと同じ状態で金属の析出が進行する。
【００３１】
しかも、絶縁膜２の表面には、触媒としての役割を果たすものが何ら存在しないので、絶縁膜２の表面にめっき膜が成膜されることを確実に防止し、これによって、配線８の表面に選択的にめっきを施す際の選択性を向上させることができる。
【００３２】
次に、このめっき処理後の基板Ｗを基板搬送部２２で後洗浄装置２０に搬送し、この後洗浄装置２０で、基板Ｗの表面に付着したパーティクルや不要物をロール状ブラシ等で取り除き、しかる後、基板Ｗの表面の化学洗浄及び純水洗浄を行って、スピン乾燥させる。
そして、このスピン乾燥後の基板Ｗを基板搬送部２２でロード・アンロード部１０に搭載された基板カセットに戻す。
【００３３】
ここで、この例では、配線保護膜９として、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜を使用している。つまり、Ｃｏイオン、錯化剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調整剤、還元剤としての次亜リン酸ナトリウム、及びＷを含む化合物を含有した無電解めっき液を使用し、このめっき液に基板Ｗの表面を浸漬させることで、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金からなる配線保護膜９を形成している。
【００３４】
このめっき液には、必要に応じて、安定剤としての重金属化合物または硫黄化合物の１種または２種以上、または界面活性剤の少なくとも一方が添加され、また水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ナトリウムまたはアンモニア水等のｐＨ調整剤を用いて、ｐＨが好ましくは５〜１４、より好ましくは６〜１０に調整されている。めっき液の温度は、例えば３０〜９０℃、好ましくは４０〜８０℃である。
【００３５】
めっき液のコバルトイオンの供給源としては、例えば硫酸コバルト、塩化コバルト、酢酸コバルト等のコバルト塩を挙げることができる。コバルトイオンの添加量は、例えば０．００１〜１．０ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．０１〜０．３ｍｏｌ／Ｌ程度である。
【００３６】
錯化剤としては、例えば酢酸等のカルボン酸及びそれらの塩、酒石酸、クエン酸等のオキシカルボン酸及びそれらの塩、グリシン等のアミノカルボン酸及びそれらの塩を挙げることができる。また、それらは単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。錯化剤の総添加量は、例えば０．００１〜１．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．０１〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度である。ｐＨ緩衝剤としては、例えば硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、ホウ酸等を挙げることができる。ｐＨ緩衝剤の添加量は、例えば０．０１〜１．５ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌ程度である。
【００３７】
ｐＨ調整剤としては、例えばアンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等を挙げることができ、ｐＨを５〜１４、好ましくはｐＨ６〜１０に調整する。還元剤としては、例えば次亜リン酸ナトリウム等を挙げることができる。還元剤の添加量は、例えば０．０１〜１．０ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．０１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ程度である。なお、このように、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）等の還元剤を使用しても、配線表面に選択的に無電解めっきを施す際の選択性を高めることができる。この還元剤を省略することもできる。
【００３８】
タングステンを含む化合物としては、例えばタングステン酸及びそれらの塩、または、タングストリン酸（例えば、Ｈ３(ＰＷ１２Ｐ４０)・ｎＨ２Ｏ）等のヘテロポリ酸及びそれらの塩等を挙げることができる。タングステンを含む化合物の添加量は、例えば０．００１〜１．０ｍｏｌ／Ｌ、好ましくは０．０１〜０．１ｍｏｌ／Ｌ程度である。
【００３９】
このめっき液には、上記成分以外に公知の添加剤を添加することができる。この添加剤としては、例えば、浴安定剤として鉛化合物等の重金属化合物やチオシアン化合物等の硫黄化合物等の１種または２種以上、またアニオン系、カチオン系、ノニオン系の界面活性剤を挙げることができる。
【００４０】
なお、この例では、配線保護膜９としてＣｏ−Ｗ−Ｐ合金を使用しているが、配線保護膜９として、Ｃｏ−Ｐ、Ｎｉ−ＰまたはＮｉ−Ｗ−Ｐからなる配線保護膜を形成するようにしてもよい。また、配線材料として、銅を使用した例を示しているが、銅の他に、銅合金、銀、銀合金、金及び金合金等を使用しても良い。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、置換めっきによることなく、つまり、下地の金属配線等の浸食（エッチング）を伴うことなく、Ｐｄ等の触媒の代わりとしての役割を果たす金属酸化薄膜を配線の露出表面に形成することができ、これによって、歩留りを向上させ、しかも高価なＰｄを使用する必要をなくして、経済性を高めることができる。更に、可視光範囲の光が利用できるため、めっき液に悪影響を与えないばかりでなく、光の強弱を調整することによって、成膜レートを局所的に制御でき、これによって、高い面内均一性を確保するようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｃｕ−Ｈ２Ｏ系のｐＨ−電位の関係を示す図である。
【図２】半導体−溶液界面でのエネルギーバンドを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態のめっき装置を備えた基板処理装置の平面配置図である。
【図４】本発明の実施の形態のめっき装置の概要を示す断面図である。
【図５】図３に示す基板処理装置で一連の基板処理（蓋めっき処理）を行う時のフローを示す図である。
【図６】埋込み配線の表面に配線保護膜を形成する時の状態を工程順に示す図である。
【図７】無電解銅めっきによって配線保護膜を形成した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
２  絶縁膜
８  配線
９  配線保護膜
１０  ロード・アンロード部
１２  酸化薄膜形成装置
１８  めっき装置
２０  後洗浄装置
２２  基板搬送部
３０  基板ホルダ
３２  シールリング
３４  めっき液
３６  めっき室
３８  処理ヘッド
４０  光源
４２  めっき液注入口
５０  結晶性酸化銅膜（Ｃｕ２Ｏ膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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