(57)【要約】【課題】装置内の堆積物を十分に除去しつつ、洗浄工程が簡便で、大面積にも対応できる洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄方法、及び洗浄に用いるドライアイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の洗浄装置１を使用すれば、本実施例のように縦約２メートル、横約２メートルという大面積のターゲット１６であっても十分に洗浄可能である。また、本発明の洗浄装置１を使用すれば、本実施例のようにマスク２４とターゲット１６との２〜１００ｍｍ（距離）の隙間であっても十分に洗浄可能である。また、ドライアイス１５は昇華して炭酸ガスとなるため、排気手段を設置することでクリーンルーム内での洗浄も可能である。また、廃液処理等の後処理の必要がないため簡便に洗浄を行うことができる。【選択図】　図７
2004089944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状の第１の物質が流通する第１の流路と、
不活性ガスが流通する第２の流路と、
前記第１の流路を流通するガス状の前記第１の物質と前記第２の流路を流通する不活性ガスとを合流させる合流部と、
前記合流部において合流により生じる固体状の前記第１の物質の粒子を噴出させるためのノズルと
を具備することを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
請求項１に記載の洗浄装置において、
前記固体状の第１の物質は昇華性物質であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】
請求項１に記載の洗浄装置において、
前記第１の物質は二酸化炭素であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】
請求項３に記載の洗浄装置において、
前記第１の流路には炭酸ガスのタンクが接続されるようになっている
ことを特徴とする洗浄装置。
【請求項５】
請求項３に記載の洗浄装置において、
前記第２の流路における合流部の直前の領域に設けられた加熱手段
を更に具備することを特徴とする洗浄装置。
【請求項６】
請求項５に記載の洗浄装置において、
前記加熱手段は、前記領域を４０℃から７０℃の温度に加熱する
ことを特徴とする洗浄装置。
【請求項７】
請求項３に記載の洗浄装置において、
前記第１の流路を流れる炭酸ガスの圧力は、少なくとも７０００ヘクトパスカル以下であり、
前記第２の流路を流れる不活性ガスの圧力は、少なくとも５０００ヘクトパスカル以上である
ことを特徴とする洗浄装置。
【請求項８】
請求項３に記載の洗浄装置において、
前記第１の流路に設けられた第１の圧力調整弁と、
前記第２の流路に設けられた第２の圧力調整弁と
を更に具備することを特徴とする洗浄装置。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれか一項に記載の洗浄装置を使って、
スパッタリングによって成膜する成膜装置内を洗浄する
ことを特徴とする洗浄方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の洗浄方法において、
スパッタリングに用いるターゲットに付着した堆積物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項１１】
炭酸ガスを第１の圧力で流通させる工程と、
不活性ガスを第１の流速よりも大きい第２の圧力で流通させる工程と、
前記各圧力で流通される前記炭酸ガスと前記不活性ガスとを合流させる工程と
を具備することを特徴とする固体状二酸化炭素の粒子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の固体状二酸化炭素の粒子の製造方法において、
前記第１の圧力は、少なくとも７０００ヘクトパスカル以下であり、
前記第２の圧力は、少なくとも５０００ヘクトパスカル以上である
ことを特徴とする固体状二酸化炭素の粒子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、洗浄装置、洗浄方法及び固体状二酸化炭素の粒子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ等の表示部に用いられるガラス基板の表面に薄膜を形成する方法として、スパッタリングが行われている。
【０００３】
スパッタリングによる場合、ターゲットの表面が装置内の酸素と反応して酸化膜を形成することがある。酸化膜は、一般に絶縁体であり、ターゲット表面やスパッタリング装置の部品等に堆積して異常放電の原因となる。
【０００４】
この異常放電によって、基板に形成された膜にパーティクルが混入し、基板のパターン欠陥、表示欠陥等の問題を引き起こす。
【０００５】
このため従来では、ターゲット表面、装置内の堆積物を除去するために、サンドブラスト処理等による堆積物の研磨、化学処理等によりこれらの洗浄を行っていた（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平６−１７２９８７号公報（第２頁）
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、サンドブラスト処理を行った場合、洗浄に使用した砂等が装置内に残るため、この砂等を取り除く別途の工程が必要となり、洗浄工程が煩雑になる。
【０００７】
また、例えば洗浄溶剤を用いて化学処理によって洗浄を行った場合、洗浄するターゲットやスパッタリング装置を一度分解しなければならない場合があり、極めて煩雑で、また、面積の大きい部分やターゲット等を洗浄する方法としては適切でない。さらに、洗浄後のターゲットやスパッタリング装置を乾燥させる工程や、廃液の処理の工程が別途必要となる。また、例えば活性ガスを用いて化学処理によって洗浄を行った場合は、洗浄溶剤を用いた場合と比較して、装置の分解・再組立ての工程は省略できる利点があるが、細かい隙間に堆積した堆積物を除去する点では不十分である。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みて、装置内の細かい隙間に堆積した堆積物をも十分に除去しつつ、洗浄が簡便で、大面積にも対応できる洗浄装置、この洗浄装置を用いた洗浄方法及び洗浄に用いることができる固体状二酸化炭素の粒子の製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る洗浄装置は、ガス状の第１の物質が流通する第１の流路と、不活性ガスが流通する第２の流路と、前記第１の流路を流通するガス状の前記第１の物質と前記第２の流路を流通する不活性ガスとを合流させる合流部と、前記合流部において合流により生じる固体状の前記第１の物質の粒子を噴出させるためのノズルとを具備することを特徴とする。
【００１０】
このような構成によれば、合流部において固体状の第１の物質の粒子が形成され、形成された粒子はノズルを介して外部に噴出される。この第１の物質の粒子によってスパッタリング装置やスパッタリング装置に用いられるターゲットは効果的に洗浄される。
【００１１】
すなわち、合流部に、ガス状の第１の物質の流速を不活性ガスの流速よりも小さくするように、それぞれガス状の第１の物質及び不活性ガスを供給する。すると、ガス状の第１の物質と不活性ガスの流速の差により合流部において固体状の第１の物質の粒子が形成される。そしてノズルを介して噴出された粒子が衝突する際の衝撃により堆積物を除去する。
【００１２】
ノズルを介することにより、細かな隙間に堆積した堆積物を効果的に除去することができる。さらに、第１の物質の粒子を噴射するノズルの方向を自由に定めることで、大面積のターゲット等も洗浄することができる。
【００１３】
また、前記固体状の第１の物質は昇華性物質であることが好ましい。これにより、ノズルを介して噴出された固体状の第１の物質が昇華する際の膨張等により堆積物を除去することができる。
【００１４】
また、前記第１の物質は二酸化炭素であることが好ましい。これにより、固体状の第１の物質の粒子は、昇華性物質であるドライアイスとなる。ドライアイスは昇華すると炭酸ガスとなり、この炭酸ガスは排気手段を設置することで容易に除去可能であり、これによりクリーンルーム内での洗浄が容易となる。また、廃液処理等のような後処理の工程を除くことができ、洗浄工程の簡略化につながる。
【００１５】
本発明では、前記第１の流路には炭酸ガスのタンクが接続されるようになっていることが好ましい。一般的に、炭酸ガスの供給手段は、例えば炭酸ガスのボンベ等のように大型で重量も重い。このような供給手段を洗浄装置自体に設置させては、洗浄装置の大型化、総重量の極大化は避けられない。本発明によれば、装置自体の小型軽量化を図ることが可能となる。これにより、洗浄の際の煩雑さを軽減することができ、簡便な洗浄の実現につながるものである。
【００１６】
また、前記第２の流路における合流部の直前の領域に設けられた加熱手段を更に具備することも好ましい形態である。このような構成によれば、ドライアイスが堆積して第２の流路を詰まらせることなく、従って不活性ガスの圧力が減退することもない。これにより、ドライアイスの形成を確実にすることが可能となる。ここで、前記加熱手段は、前記領域を４０℃から７０℃の温度に加熱するとより好ましい。第２の流路にドライアイスが堆積せず、かつ効果的にドライアイスを形成することができる最も適切な温度範囲である。
【００１７】
更に、前記第１の流路を流れる炭酸ガスの圧力は、少なくとも７０００ヘクトパスカル以下であり、前記第２の流路を流れる不活性ガスの流速は、少なくとも５０００ヘクトパスカル以上であることも好ましい形態である。これにより、効果的にドライアイスを形成することができる。
【００１８】
更に、前記第１の流路に設けられた第１の圧力調整弁と、前記第２の流路に設けられた第２の圧力調整弁とを更に具備することもまた好ましい形態である。このような構成により、より確実に炭酸ガス及び不活性ガスの供給圧を調整することができ、ドライアイスをより効果的に形成することができる。
【００１９】
本発明に係る洗浄方法は、以上の本発明の洗浄装置を使って、スパッタリングによって成膜する成膜装置内、例えばターゲットを洗浄することを特徴とするものである。本発明の洗浄装置を使用することにより、例えばターゲット表面の細かな隙間に堆積した堆積物を効果的に除去することができる。また、洗浄も簡便であり、大面積の成膜装置やターゲットに対しても使用することが可能である。
【００２０】
本発明に係る固体状二酸化炭素の粒子の製造方法は、炭酸ガスを第１の圧力で流通させる工程と、不活性ガスを第１の流速よりも大きい第２の圧力で流通させる工程と、前記各圧力で流通される前記炭酸ガスと前記不活性ガスとを合流させる工程とを具備することを特徴とするものである。
【００２１】
このような構成によれば、炭酸ガスと不活性ガスとの流速の違いを利用して効率的にドライアイスを形成することができる。このため、例えばより効果的で簡便な洗浄が実現されることになる。さらに効果的にドライアイスを製造するためには、前記第１の圧力は、少なくとも７０００ヘクトパスカル以下であり、前記第２の圧力は、少なくとも５０００ヘクトパスカル以上であることが好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２３】
（洗浄装置）
図１から図３をもとにして、本発明に係る洗浄装置の構成について説明する。
【００２４】
図１は、本発明に係る洗浄装置の外観を概略的に示したものである。図２は、洗浄装置の内部の構造を示したものである。図３は、洗浄装置にガスを供給する仕組みについて模式的に示したものである。
【００２５】
図１に示すように、本発明に係る洗浄装置１は、本体２、ノズル３、及びチューブ４からなる。
【００２６】
本体２は、合流管５、配管６ａ及び６ｂ、接続部７ａ及び７ｂ、加熱装置８、及び制御部９を有し、これらが筐体１０内に図２のように設置されて構成される。
【００２７】
合流管５は例えばＳＵＳ等の金属からなる管であり、その直径は２〜３０ｍｍである。合流管５の一端はチューブ４と接続されている。また、他端は二股に分かれ、一方が配管６ａと、他方が配管６ｂと接続されている。合流管５において固体状の第１の物質の粒子としてのドライアイスが形成される。ドライアイスは固体状二酸化炭素の粒子であり、昇華性物質である。
【００２８】
配管６ａ及び配管６ｂは、例えばＳＵＳ等の金属からなる管であり、その直径はそれぞれ２〜３０ｍｍである。配管６ａの一端は合流管５の一方と接続されており、他端は接続部７ａと接続されている。配管６ｂの一端は合流管５の他方と接続されており、他端は接続部７ｂと接続されている。配管６ｂには、合流管５と接続される直前の部分に加熱装置８が設けられている。配管６ａにはガス状の第１の物質としての炭酸ガスである二酸化炭素ガスが、配管６ｂには不活性ガス、例えば窒素ガスがそれぞれ流れる。
【００２９】
接続部７ａ及び７ｂは、例えばＳＵＳ等の金属からなり、配管６ａ及び配管６ｂと後述するガス供給源とを接続するために設けられる。
【００３０】
加熱装置８は、設置領域８ａを加熱し、合流管５で形成されたドライアイスを配管６ｂに堆積させないために設けられる。加熱装置８は、上述したように配管６ｂが合流管５と接続される直前の部分に設けられる。加熱装置８の加熱温度は制御部９により、ほぼ４０℃〜７０℃の範囲に、より好ましくは４５℃程度に保たれている。また、加熱される領域８ａの長さは、３０ｍｍ〜１５０ｍｍの範囲、７０ｍｍ程度より好ましい。また、領域８ａの合流管５側に最も近い位置と合流管５における現実の合流部との間の距離は、３０ｍｍ〜１５０ｍｍの範囲、７０ｍｍ程度より好ましい。
【００３１】
これにより、ドライアイスにより配管６ｂが詰まることなく、配管６ｂから供給される窒素ガスの供給圧をほぼ一定に保つことができる。４０℃より低いと、或いは長さが３０ｍｍ以下、距離が１５０ｍｍ以上であるとドライアイスにより配管６ｂが詰まってしまい、また７０℃よりも高いと、或いは長さが１５０ｍｍ以上、距離が３０ｍｍ以下であると合流管５のドライアイスの形成に支障をきたす虞がある。
【００３２】
ノズル３は、例えば断熱被覆付きＳＵＳからなり、ノズル３の口径は１０ｍｍである。合流管５で形成されたドライアイスを外部に噴射するために設けられる。
【００３３】
チューブ４は、フレキシブルな例えばＳｉゴム、又はＮＢＲゴム等からなり、内径は１７ｍｍ程度であり、合流管５で形成されたドライアイスをノズル３に運搬するために設けられる。
【００３４】
次に、この洗浄装置１に炭酸ガス及び窒素ガスを供給する構成について説明する。
【００３５】
図３に示すように、炭酸ガスは、液体二酸化炭素が封入されたタンク１３を供給源とし、不活性ガスである窒素ガスは、例えば工場内を流れる窒素ガスのパイプライン１４を供給源とする。
【００３６】
タンク１３は、接続管１１ａによって洗浄装置１の接続部７ａと接続される。接続管１１ａには弁１２ａが設けられ、タンク１３から供給される炭酸ガスの圧力すなわち炭酸ガスの流速を調整する。
【００３７】
パイプライン１４は、接続管１１ｂによって洗浄装置１の接続部７ｂと接続される。接続管１１ｂには弁１２ｂが設けられ、パイプライン１４から供給される窒素ガスの圧力すなわち窒素ガスの流速を調整する。
【００３８】
ここで、タンク１３及びパイプライン１４から炭酸ガス及び窒素ガスが供給される過程について説明する。
【００３９】
タンク１３内の液体二酸化炭素は、蒸発して炭酸ガスとなって接続管１１ａに流出する。この炭酸ガスは弁１２ａにより圧力を調節され、接続部７ａを経て配管６ａに流れ込む。窒素ガスは、パイプライン１４から接続管１１ｂに流出する。この窒素ガスは、弁１２ｂにより圧力を調節され、接続部７ｂを経て配管６ｂに流れ込む。このようにして炭酸ガス、窒素ガスの供給が行われる。そして、配管６ａと配管６ｂの合流部においては、炭酸ガスがそれよりも十分に流速の速い窒素ガスに引っ張られることによって炭酸ガスが断熱膨張し、炭酸ガスの温度が低下し、炭酸ガスが昇華してドライアイスの粒子が生成され、更にこのドライアイスの粒子が窒素ガスにより加速される。なお、実際には、合流部において、炭酸ガスは厳密な意味での断熱膨張をしていないが、それに近い現象が生じていると考えられる。そして、ノズル３からドライアイスの粒子が噴出される。
【００４０】
（洗浄工程）
次に、図４から図７に基づいて、本発明に係る洗浄装置の動作について説明する。
【００４１】
図４は、本発明に係る洗浄装置により堆積物が除去される工程を示したものである。図５は、炭酸ガス及び不活性ガスが合流する様子を示したものである。図６は、合流部において炭酸ガスが昇華してドライアイスを形成する様子を示したものである。図７は、ノズルから堆積物に向けてパウダー状のドライアイスが噴射される様子を示したものである。図８は、ノズルからドライアイスが噴射される際のノズルの拡大図を示したものである。図９は、堆積物が堆積している部材にドライアイスが衝突する様子を示したものである。
【００４２】
図４に示すように、洗浄装置１により堆積物が除去される工程は、ドライアイス形成工程（ステップ２０１からステップ２０３）と、噴射洗浄工程（ステップ２０４からステップ２０５）とから構成される。
【００４３】
まず、ドライアイス形成工程について説明する。
【００４４】
タンク１３から配管６ａに供給される炭酸ガスＣＯ２の圧力、及びパイプライン１４から配管６ｂに供給される窒素ガスＮ２の圧力を、弁１２ａ及び弁１２ｂにより調節する（ステップ２０１）。このとき、炭酸ガスＣＯ２の供給圧が７０００ヘクトパスカル以下、より好ましくは５０００ヘクトパスカルとなり、窒素ガスＮ２の供給圧が５０００ヘクトパスカル以上、より好ましくは６０００ヘクトパスカルとなるように調節することが望ましい。これにより、効果的にドライアイスを形成することができる。即ち、炭酸ガスＣＯ２の供給圧が７０００ヘクトパスカルを超えて窒素ガスＮ２の供給圧が５０００ヘクトパスカルよりも小さくなると、これらガス間の流速差を利用したドライアイスの形成ができなくなる。
【００４５】
次に、図５に示すように、所望の流量に調節された炭酸ガスＣＯ２及び窒素ガスＮ２は、それぞれ配管６ａ及び配管６ｂを通って合流管５に流入して合流する（ステップ２０２）。
【００４６】
次に、合流管５で合流した炭酸ガスＣＯ２及び窒素ガスＮ２について、図６に示すように、窒素ガスＮ２の流速が炭酸ガスＣＯ２の流速よりも大きく、流速に差があるため、炭酸ガスＣＯ２が昇華してドライアイス１５を形成する（ステップ２０３）。このとき、形成されたドライアイス１５が堆積し、配管６ｂを塞いでしまうことがないよう、配管６ｂの合流点手前に上述したように加熱装置８が設けられている。
【００４７】
このようにドライアイス１５を効率的に形成することで、この形成されたドライアイス１５を用いて効果的な洗浄を行うことができる。
【００４８】
次に、形成されたドライアイスを用いた噴射洗浄工程について説明する。
【００４９】
図７に示すように、形成されたドライアイス１５は窒素ガスＮ２の圧力によってチューブ４を経て、ノズル３から部材１７に堆積した堆積物１８に向けて噴射される（ステップ２０４）。このとき図８に示すように、ノズル３の噴出口３ａを狭くすることで、より勢い良くドライアイスを噴射し、密度の上がった（衝突エネルギー密度を上げた）ドライアイス粒子が噴出口から被洗浄物にぶつかり堆積物を除去するので洗浄を効果的にする。２０％〜８５％程度、更には６０％程度噴出口３ａを絞りこまれていることが好ましい形態である。
【００５０】
次に、図９に示すように、ドライアイス１５は、堆積物１８に直接衝突する衝撃、部材１７に衝突する衝撃、及びドライアイス１５が炭酸ガスＣＯ２に昇華する際の膨張によって、堆積物１８を部材１７から除去する（ステップ２０５）。
【００５１】
このようにして、ドライアイス１５を用いることにより、効果的に堆積物１８を除去することができる。
【００５２】
（スパッタ装置）
図１０は、本発明に係る洗浄装置により洗浄されるスパッタ装置の一例を概略的に示したものである。
【００５３】
スパッタ装置１９は、マグネトロンスパッタリング式の装置であり、ターゲット１６、磁石２２、電源２３、マスク２４、マスク支持部２５、ターゲット支持部２６、ガラス基板支持部２７、ガス注入口２８、アノード２９を有する収容部２０と、扉部２１とから形成される。
【００５４】
マグネトロンスパッタリングとは、ターゲットの表面付近に高い電場と磁場とを印加することにより、ターゲット表面付近にプラズマを形成し、このプラズマを形成するイオンをターゲットに衝突させ、ターゲットを構成する原子を飛び出させて基板に付着させることで膜を形成する方法である。
【００５５】
ターゲット１６は、例えばタンタルなどの金属からなる。矩形の板状をなしており、大きさは、ここでは縦約２メートル、横約２メートルの大型のものを用いている。磁石２２は、ターゲットの表面付近に磁界をかけるために設けられている。電源２３は、ターゲット１６と後述するマスク２４との間に約４５０Ｖの高電圧を印加させてプラズマを形成させるために設けられる。マスク２４は、ターゲット１６を飛び出した原子を的確に基板に付着させるために設けられる。タンタル、アルミニウム、モリブデン、チタン、シリコン、ニオブ、タングステン、クロム等の金属からなり、ターゲット１６と対向するように設けられる。中央部にはターゲット１６から飛び出した原子が通過するための孔が形成されている。マスク２４とターゲット１６との距離は２〜１００ｍｍである。マスク支持部２５、ターゲット支持部２６は、例えばフッ素樹脂（例えば、テフロン（登録商標））、セラミック等の絶縁体の材料からなり、それぞれマスク２４、ターゲット１６を固定させるために設けられる。ガラス基板支持部２７は、膜を形成するガラス基板Ｇを装着させ、固定させるために設けられる。ガス注入口２８は、プラズマ化させてターゲット１６に衝突させる例えばアルゴンＡｒ等のガスを注入するために設けられる。ガス注入口２８には、例えばスライド式のドア等が設けられている（図示は省略する）。このドアはガスを注入する際に開かれ、スパッタ装置１９を起動させる際に閉ざされる。アノード２９は、注入したアルゴンＡｒ等のガスがイオン化するのを促進するために、マスク２４付近に設けられる。これらの部品が収容部２０内に配置される。扉部２１は、収容部２０に例えば止め具等によって枢着されて設けられる。
【００５６】
次に、図１１を用いてこのスパッタ装置１９の成膜方法について説明する。
【００５７】
まずスパッタ装置１９を起動させる前に、ガラス基板支持部２７に膜を形成するガラス基板Ｇを設置し、収容部２０内をアルゴンＡｒと酸素Ｏ２との雰囲気にしておく。アルゴンＡｒ、酸素Ｏ２は、ガス注入口から収容部２０内に注入される。
【００５８】
そこに電源２３によりターゲット１６とマスク２４との間に電圧を印加して、スパッタ装置を起動させる。すると、マスク２４に囲まれたターゲット１６表面付近にプラズマ３０となったアルゴンイオン３１が発生する。このアルゴンイオン３１は、ターゲット１６に衝突してターゲット１６を構成する例えばタンタル等の金属の原子を弾き飛ばす。弾き飛ばされたタンタル原子３２は、ガラス基板Ｇの表面上に付着して五酸化タンタル薄膜３３を形成する。
【００５９】
このとき、アルゴンＡｒとともに収容部２０内に注入された酸素Ｏ２が、プラズマ３０の領域に侵入して酸素イオン３４となり、ターゲット１６を構成するタンタル、又は弾き飛ばされたタンタル原子３２と結合して、絶縁体であるタンタル酸化物３５を形成する。このタンタル酸化物３５は、堆積物１８となって、ターゲット１６の表面上やマスク２４、アノード２９の表面上等に堆積する。スパッタ装置、ターゲットに堆積物が堆積した様子を図１２に示す。この堆積物１８は異常放電の原因となる。
【００６０】
次に、図１３及び図１４をもとにして、本発明に係る洗浄装置を用いてスパッタリングターゲット及びスパッタリング装置の洗浄する形態について説明する。
【００６１】
図１３は、本発明の洗浄装置を用いてスパッタリングターゲットを洗浄する様子を示したものである。図１４は、この洗浄装置を用いて、スパッタリング装置のマスクを洗浄する様子を示したものである。
【００６２】
図１３に示すように、洗浄装置１によりターゲット１６を洗浄するためには、扉部２１を開けて、ノズル３をターゲット１６上に堆積した堆積物１８に向けてドライアイスを噴射することにより行うことができる。
【００６３】
例えば、ターゲット１６の表面全体にわたって堆積物１８が堆積している場合であってもドライアイス１５をターゲット１６の表面全体にわたって噴射すれば、堆積物１８を除去することができる。
【００６４】
また、図１４に示すように、スパッタ装置１９のマスク２４に堆積した堆積物１８を除去する場合も、扉部２１を開け、ノズル３を除去したい堆積物１８に向けてドライアイスを噴射することにより行うことができる。
【００６５】
例えば、ターゲット１６とマスク２４との隙間に堆積物１８が堆積している場合であっても、ノズル３をその隙間に向けてドライアイス１５を噴射すれば、堆積物１８を除去することができる。
【００６６】
このように、本発明の洗浄装置１を使用すれば、本実施形態のように縦約２メートル、横約２メートルという大面積のターゲット１６であっても十分に洗浄可能である。また、本発明の洗浄装置１を使用すれば、本実施形態のようにマスク２４とターゲット１６との２〜１００ｍｍの隙間であっても十分に洗浄可能である。
【００６７】
また、ドライアイス１５は昇華して炭酸ガスとなるため、排気手段を設置することでクリーンルーム内での洗浄も可能である。また、廃液処理等の後処理の必要がないため簡便に洗浄を行うことができる。
【００６８】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００６９】
例えば、本実施形態においては、炭酸ガス及び窒素ガスを供給する際に供給圧を調整する弁１２ａ及び１２ｂを接続管１１ａ及び１１ｂに取り付けた場合の説明を行ったが、図１５のように洗浄装置１に直接、弁１２ａ及び１２ｂを設けることも可能である。このような構成により、より確実に炭酸ガス及び窒素ガスの供給圧を調整することができ、ドライアイスをより効果的に形成することができる。
【００７０】
また、上記実施形態では、不活性ガスとして窒素ガスを用いたが、勿論他の不活性ガスやそれらの混合ガスを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る洗浄装置を示した全体図である。
【図２】本発明に係る洗浄装置を示した断面図である。
【図３】本発明に係る洗浄装置を示した断面図である。
【図４】本発明に係る洗浄装置によって洗浄する工程を示したフロー図である。
【図５】本発明に係る洗浄装置の一部を拡大した断面図である。
【図６】本発明に係る洗浄装置の合流部の断面を示す断面図である。
【図７】本発明に係る洗浄装置を示す全体図である。
【図８】本発明に係る洗浄装置の一部を示す断面図である。
【図９】成膜装置又はターゲットの様子を示す断面図である。
【図１０】スパッタリング装置を示す斜視図である。
【図１１】スパッタリング装置を示す正面図である。
【図１２】スパッタリング装置を示す正面図である。
【図１３】本発明に係る洗浄装置の第１実施形態を示す斜視図である。
【図１４】本発明に係る洗浄装置の第２実施形態を示す斜視図である。
【図１５】本発明に係る洗浄装置の別の形態を示す断面図である。
【符号の説明】
１…洗浄装置
２…本体
３…ノズル
５…合流管
６ａ、６ｂ…配管
７ａ、７ｂ…接続部
８…加熱装置
８ａ…設置領域
１２ａ、１２ｂ…弁
１５…ドライアイス
１６…ターゲット
１９…スパッタ装置
Ｎ２…窒素ガス
ＣＯ２…炭酸ガス
【図１】
2004089944.tif 000003
【図２】
2004089944.tif 000004
【図３】
2004089944.tif 000005
【図４】
2004089944.tif 000006
【図５】
2004089944.tif 000007
【図６】
2004089944.tif 000008
【図７】
2004089944.tif 000009
【図８】
2004089944.tif 000010
【図９】
2004089944.tif 000011
【図１０】
2004089944.tif 000012
【図１１】
2004089944.tif 000013
【図１２】
2004089944.tif 000014
【図１３】
2004089944.tif 000015
【図１４】
2004089944.tif 000016
【図１５】
2004089944.tif 000017