(57)【要約】【課題】従来、効率的な精製が困難であった５’保護化プリンヌクレオシド誘導体の効率的な精製方法を提供する。【解決手段】５’位保護化プリンヌクレオシド誘導体を、包接溶媒を包接する結晶として得ることにより不純物を除去した後、該結晶を水溶媒中で懸濁洗浄することにより包接溶媒を除去することで、５’位保護化プリンヌクレオシド誘導体を高純度に精製する。【効果】これまで得られ難かった高純度の５’位保護化プリンヌクレオシド誘導体の合成が容易に、大スケールで可能になった。【選択図】　　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
抱接溶剤を抱接した結晶を得る工程と、抱接溶剤を結晶から除去する工程とを有することを特徴とする一般式〔１〕［化１］
【化１】
2004131434.tif 000009
（式中、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基又はトリフェニルメチル基を、Ｒ２は水素原子、水酸基、炭素数１から４の低級アルコキシ基又は置換された炭素数１から４の低級アルコキシ基を、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を表す。）で表される５’位保護化プリンヌクレオシド類の精製法。
【請求項２】
抱接溶剤が、一般式〔２〕［化２］
【化２】
2004131434.tif 000010
（式中、Ｒ３は炭素数１から４の低級アルキル基またはアリール基を表す。）で表されるニトリル化合物であり、溶剤を抱接した結晶が、一般式〔３〕［化３］
【化３】
2004131434.tif 000011
（式中、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基又はトリフェニルメチル基を、Ｒ２は水素原子、水酸基、炭素数１から４の低級アルコキシ基又は置換された炭素数１から４の低級アルコキシ基を、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を、ｍおよびｎはそれぞれ独立して１から１０の整数を表す。）で表される化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の５’位保護化プリンヌクレオシド類の精製法。
【請求項３】
溶剤を抱接した結晶が、式〔４〕［化４］
【化４】
2004131434.tif 000012
であり、抱接溶剤を除去して得られる化合物が、式〔５〕［化５］
【化５】
2004131434.tif 000013
であることを特徴とする請求項２に記載の精製法。
【請求項４】
Ｒ３がメチル基であることを特徴とする請求項２又は３に記載の５’位保護化プリンヌクレオシド類の精製法。
【請求項５】
抱接溶剤の除去工程を、水溶媒中での縣濁洗浄により行うことを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の５’位保護化プリンヌクレオシド類の精製法。
【請求項６】
水溶媒中での縣濁洗浄を１０℃から８０℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項５に記載の５’位保護化プリンヌクレオシド類の精製法。
【請求項７】
水溶媒中での縣濁洗浄を５０℃から７０℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項６に記載の５’位保護化プリンヌクレオシド類の精製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は２’−デオキシ−プリンヌクレオシドおよびその誘導体に関する。さらに詳しくは、本発明は、５’位保護化２’−デオキシ−β−プリンヌクレオシド類の製造方法、精製方法に関する。
【０００２】
５’位保護化２’−デオキシ−β−プリンヌクレオシド類は、近年開発されつつあるアンチセンスＤＮＡなどの原料として有用な化合物である。
【０００３】
【従来の技術】
近年、ゲノム創薬の進展に伴い、アンチセンスＤＮＡ医薬などが急速に開発されている。それに伴い、原料となるＤＮＡオリゴマー、さらにオリゴマーの原料となる保護化デオキシヌクレオシド類の需要が増大している。一方で医薬品の用途には、含まれている不純物による副生成物の生成を極力抑制するため、非常に高純度の中間体製品を使用する必要がある。
【０００４】
これまで、５’位保護化デオキシプリンヌクレオシド類は特開昭５８−１８０５００号公報、特開昭６３−１７９８８９号公報や特表平６−５０７８８３号公報などの例で明らかなとおり、カラムクロマトグラフィー法を用いて精製されてきた。この方法では、極性や構造が大きく異なる不純物の精製は比較的容易であるが、類似構造を有する不純物の除去は困難である。不純物として特に問題となる３’位置換異性体の除去は難しい。また、大掛かりな精製装置が必要なことから将来の大量生産、大量供給においては非常に問題があるといわざるを得ない。
【０００５】
また、これまでにも、カラムクロマトグラフィーを用いずに不純物を除くための検討がなされてきた。具体的には再沈殿法による精製について、特開昭６０−１５２４９５号公報やＰＣＴ出願ＷＯ２０００７５１５４公報では開示されている。再沈殿による方法とは、予め粗化合物を可溶性溶媒に溶解した後で、不溶性溶媒を添加または不溶性溶媒中に滴下することにより、強制的に再析出させる方法である。そのため基本的に精製能力は低い。また、可溶性溶媒と不溶性溶媒の量比を適切に調整することは工業的には困難で、量比を誤ると容易にオイル化したり、粘性のある沈殿を生じて精製に失敗しやすい。実際、特開昭６０−１５２４９５公報の方法によれば、粘調なアメ状にて得られる場合があり、工業的には問題がある。これまでには再沈殿によるアモルファス化の方法は開示されてきたが、再結晶により結晶を得る方法については知られていなかった。
【０００６】
【特許文献１】特開昭５８−１８０５００号公報
【０００７】
【特許文献２】特開昭６３−１７９８８９号公報
【０００８】
【特許文献３】特表平６−５０７８８３号公報
【０００９】
【特許文献４】特開昭６０−１５２４９５号公報
【００１０】
【特許文献５】ＰＣＴ出願ＷＯ２０００７５１５４公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従来の問題点を鑑み、本発明の目的は効率的かつ特別な設備を必要としない、非常に高純度の５’位保護化デオキシプリンヌクレオシド類の製造法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題について鋭意検討した結果、アセトニトリルを初めとするニトリル系の溶媒を用いることで、５’位保護化デオキシプリンヌクレオシド類がこれら溶媒を抱接した共晶体として得られ、再結晶による精製法で精製可能であることを見出した。さらに、水溶媒中で縣濁洗浄することにより、抱接した溶媒が容易に除去できることを見出し、本発明を完成した。
【００１３】
即ち、本発明は以下のとおりである。
［１］抱接溶剤を抱接した結晶を得る工程と、抱接溶剤を結晶から除去する工程とを有することを特徴とする一般式〔１〕［化６］
【００１４】
【化６】
2004131434.tif 000002
【００１５】
（式中、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４‘−ジメトキシトリチル基、又はトリフェニルメチル基を、Ｒ２は水素原子、水酸基、炭素数１から４の低級アルコキシ基又は置換された炭素数１から４の低級アルコキシ基を、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を表す。）で表される５‘位保護化プリンヌクレオシド類の精製法、
［２］抱接溶剤が、一般式〔２〕［化７］
【００１６】
【化７】
Ｒ３−ＣＮ　〔２〕
（式中、Ｒ３は炭素数１から６の低級アルキル基またはアリール基を表す。）で表されるニトリル化合物であり、溶剤を抱接した結晶が、一般式〔３〕［化８］
【００１７】
【化８】
2004131434.tif 000003
【００１８】
（式中、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４‘−ジメトキシトリチル基又はトリフェニルメチル基を、Ｒ２は水素原子、水酸基、炭素数１から４の低級アルコキシ基又は置換された炭素数１から４の低級アルコキシ基を、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を、ｍおよびｎはそれぞれ独立して１から１０の整数を表す。）で表される化合物であることを特徴とする、［１］に記載の５‘位保護化プリンヌクレオシド類の精製法、
［３］溶剤を抱接した結晶が、式〔４〕［化９］
【００１９】
【化９】
2004131434.tif 000004
【００２０】
であり、抱接溶剤を除去して得る化合物が、式〔５〕［化１０］
【００２１】
【化１０】
2004131434.tif 000005
【００２２】
であることを特徴とする［２］に記載の精製法、
［４］　　Ｒ３がメチル基であることを特徴とする［２］又は［３］に記載の５‘位保護化プリンヌクレオシド類の精製法であり、［５］抱接溶剤の除去工程を、水溶媒中での縣濁洗浄により行うことを特徴とする［１］から［４］の何れか一項に記載の５‘位保護化プリンヌクレオシド類の精製法、
［６］水溶媒中での縣濁洗浄を１０℃から８０℃の温度範囲で行うことを特徴とする［５］に記載の５‘位保護化プリンヌクレオシド類の精製法、
［７］水溶媒中での縣濁洗浄を５０℃から７０℃の温度範囲で行うことを特徴とする［６］に記載の５‘位保護化プリンヌクレオシド類の精製法。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
プリン基としては天然および非天然ヌクレオシドの核酸プリン塩基を表す。具体的にはアデニンやグアニンが挙げられる。
【００２４】
アミノ基が保護されたプリン基の保護基としては、アルキル基、アルキルアシル基あるいは置換されてもよいベンゾイル基が挙げられる。アルキル基は直鎖状でも分岐していてもよいし、さらに別の官能基がついていてもよい。置換基としてはたとえばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基等が挙げられる。
【００２５】
アルキルアシル基は直鎖状でも分岐していてもよく、環を形成していてもよく、さらに別の官能基がついていてもよい。置換基としてはたとえばアセチル基、プロピオニル基、ｎ−ブチリル基、ｉ−ブチリル基、ピバロイル基、ｎ−ペンチロイル基、ｉ−ペンチロイル基、シクロプロピオニル基、フェニルアセチル基等が挙げられる。
【００２６】
置換されてもよいベンゾイル基は無置換でも置換されていてもよく、また、フェニル基の２位、３位、４位いずれの位置に置換基があってもよい。また、複数の位置に置換基があってもよい。置換基としてはたとえばメチル基、エチル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基などのアルキルオキシ基、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基などのハロゲン基、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基などのアルキルアミノ基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基、フェニル基ピリジニル基等が挙げられる。
【００２７】
具体的には、ベンゾイル基、２−クロロベンゾイル基、３−クロロベンゾイル基、４−クロロベンゾイル基、２−ブロモベンゾイル基、３−ブロモベンゾイル基、４−ブロモベンゾイル基、２−フルオロベンゾイル基、３−フルオロベンゾイル基、４−フルオロベンゾイル基、２−メトキシベンゾイル基、３−メトキシベンゾイル基、４−メトキシベンゾイル基、２−ニトロベンゾイル基、３−ニトロベンゾイル基、４−ニトロベンゾイル基、２−アミノベンゾイル基、３−アミノベンゾイル基、４−アミノベンゾイル基、２−メチルアミノベンゾイル基、３−メチルアミノベンゾイル基、４−メチルアミノベンゾイル基、２−ジメチルアミノベンゾイル基、３−ジメチルアミノベンゾイル基、４−ジメチルアミノベンゾイル基、４−フェニルベンゾイル基、４−アセチルベンゾイル基等が挙げられる。
【００２８】
炭素数１から４の低級アルコキシ基としては、たとえばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピロキシ基、イソプロピロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基などがあげられる。置換された炭素数１から４の低級アルコキシ基としては、たとえば、メトキシメチルオキシ基、メトキシエチルオキシ基、メトキシプロピルオキシ基、エトキシメチルオキシ基、エトキシエチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシメチルオキシ基などがあげられる。
【００２９】
炭素数１〜６の低級アルキル基またはアリール基で置換されたニトリル化合物としては、たとえばアセトニトリル、プロピオニトリル、ｎ−ブチロニトリル、ｉ−ブチロニトリル、ｎ−ペンタンニトリル、ｎ−ヘキサンニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられる。また、これらの溶媒は単独で用いても、あるいは混和可能な比率で他の溶媒と混和して使用してもよい。混和の際に用いることのできる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸エチル，酢酸ブチルなどのエステル類、アセトン，メチルエチルケトン，メチルイソブチルケトンなどのケトン類、ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、ＴＨＦなどのエーテル類、ベンゼン、トルエン、クメン、キシレン、メシチレン、ジイソプロピルベンゼン、トリイソプロピルベンゼンなどの芳香族炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ピリジン、ルチジン、キノリンなどのピリジン類、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の３級アミン、ＤＭＦ、ＤＭＩ、ＤＭＳＯなどの極性溶媒、水などが挙げられる。混和の際の比率はアセトニトリルに対し１００重量％以下であるが、好ましくは２０重量％以下であり、さらに好ましくは１０重量％以下である。
【００３０】
溶媒を抱接した結晶とは、結晶格子に溶媒を取りこんだ形で結晶を形成したり、溶媒との弱い相互作用により複合体を形成したりするなど、結晶構造を形成するために溶媒が補助的な役割を果たしている状態を指し、抱接の形態と結晶構造については特に制限されない。そして本発明で包接溶剤とは化合物の結晶構造中に包接される溶剤を示す。
【００３１】
再結晶の際のニトリル系溶媒量は、その溶液に対する化合物の飽和溶解度以下であれば特に規定されないが、化合物１に対して５倍以上１５０倍以下が望ましく、さらに望ましくは８倍以上５０倍以下である。
【００３２】
再結晶の際の温度は特に規定されないが、−１０℃から溶媒の沸点の範囲が望ましい。また、通常は１度の再結晶で十分精製可能であるが、さらに繰り返し再結晶を行うことでより高純度にすることもできる。
【００３３】
再結晶で得た結晶は、減圧乾燥などにより付着溶媒などの余分な溶媒や水分を除去することもできる。乾燥温度は、化合物が分解しない限り限定はされないが、３０℃から６０℃が好ましい。減圧度は使用するポンプの能力に応じ、特に限定はされないが、９．８Ｐａから５８８０Ｐａまで可能である。
【００３４】
再結晶で得られた結晶が、乾燥後も抱接溶媒が除去できなかった場合には、抱接されにくい溶媒を用いて縣濁洗浄することにより除去できる。水溶媒が特に好ましい。縣濁洗浄の温度は、化合物が分解しない限り特に限定されないが、１０℃以上から８０℃以下が好ましい。５０℃以上から７０℃以下の範囲で行うのが特に好ましい。使用する水の量は、化合物の重量に対して５倍から１５０倍重量の範囲で行うのが好ましく、５倍から５０倍量の範囲が特に好ましい。縣濁洗浄の時間は、０．５時間から４８時間の間で行うのが好ましく、特に好ましくは、４時間から１０時間の間である。
【００３５】
縣濁洗浄の後、結晶をろ取により得ることができる。　得られた結晶は、減圧乾燥などにより付着水を除去することもできる。乾燥温度は、化合物が分解しない限り限定はされないが、３０℃から６０℃が好ましい。減圧度は使用するポンプの能力に応じ、特に限定はされないが、１ｍｍＨｇから６００ｍｍＨｇまで可能である。
【００３６】
以上本発明により、保護化デオキシプリンヌクレオシド類の効率的な精製ができるようになった。
【００３７】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００３８】
実施例１
Ｎ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン
Ｎ２−イソブチリル−２−デオキシグアノシン１１０ｇ（９５％含量）をピリジンにより共沸脱水し、さらにピリジン２．４Ｌに溶解した。４，４’−ジメトキシトリチルクロリド１１８．３ｇを室温で添加した後、室温で３時間攪拌した。重曹にて塩酸を中和した後、反応液を約４００ｇまで濃縮した。酢酸エチル１．５Ｌ、水１．５Ｌを加えた後分液し、さらに有機層中に原料のＮ２−イソブチリル−２−デオキシグアノシンがなくなるまで水洗を繰り返した。２０％塩化ナトリウム水溶液１ｋｇで洗浄したのち、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去したのち、全重が７００ｇになるように酢酸エチルを加えた。この溶液をジイソプロピルエーテル３２００ｇ中に激しく攪拌しながら滴下した後、２時間室温で攪拌した。ろ過して得られた固体を５０℃で減圧乾燥し、恒量になったことを確認した後、室温でアセトニトリル４．４Ｌに溶解した。室温で４時間攪拌した後に析出した固体をろ過した。室温で４時間減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、アセトニトリルを２分子抱接していた。さらに４０℃で１２時間減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、アセトニトリルを１分子抱接していた。さらに５０℃で１５時間減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、アセトニトリルを０．６７分子抱接していた。さらに５５℃で恒量になるまで（２４時間）減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、アセトニトリルを０．５分子抱接していた。ＸＲＤ測定により、何れの乾燥状態でも結晶であることが判明した。また、ＴＧ−ＤＴＡ分析により、恒量まで乾燥して得たアセトニトリル０．５分子を抱接した結晶は、吸熱反応を生じる温度（８１−９３℃）まで重量減少が生じず、付着溶媒を持たないことが判明した。収量１６８ｇ（収率８４．８％）。ＨＰＬＣ（ＵＶ　２５４ｎｍ）による分析の結果、９９．７面積％の純度であった。最大不純物はＮ２−イソブチリル−３’，５’−Ｏ−ビス（４、４’―ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン（０．１７面積％）であった。
【００３９】
次に再結晶で得られた１６８ｇのＮ４−イソブチリル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシンのアセトニトリルを包摂した結晶体に１７００ｍＬの水を加え混合し、６０℃で６時間懸濁状態を維持したまま攪拌した。その後懸濁物を濾取、１０００ｍＬの水で２回洗浄した。得られた濾過物を風乾し、その後４０℃、１ｍｍＨｇ下で減圧乾燥を行なった。次第に温度を上昇させ最後には５５℃で恒量となるまで乾燥を行なった。ＮＭＲによる分析の結果、アセトニトリルを包接しないＮ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシンを得た。収量１６０ｇ（収率９８．２％）。ＨＰＬＣ（ＵＶ　２５４ｎｍ）による分析の結果、９９．３面積％の純度であった。最大不純物はＮ２−イソブチリル−２’−デオキシグアノシン（０．５面積％）であった。
【００４０】
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）δ１２．１（ｓ，１Ｈ）、１１．７（ｓ，１Ｈ）、８．１（ｓ，１Ｈ）、７．３（ｍ，２Ｈ）、７．３−７．３（ｍ，７Ｈ）、６．９−６．８（ｍ，４Ｈ）、６．３（ｔ，Ｊ＝６Ｈｚ，１Ｈ）、５．４（ｍ，１Ｈ）、４．４（ｍ，１Ｈ）、３．９７（ｍ，１Ｈ）、３．７２４（ｓ，３Ｈ）、３．７１９（ｓ，３Ｈ）、３．２（ｍ，１Ｈ）、３．１（ｍ，１Ｈ）、２．８（ｍ，１Ｈ）、２．４（ｍ，１Ｈ）、１．１（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）
ＩＲ（ＫＢｒ）ｃｍ−１　３３９８、３２３８、２９３５、２８３８、１６７９、１６０９、１５６１、１５０９、１２５２、１１７８、１０３４、８３０．
【００４１】
実施例２〜４、比較例１
実施例１で行なった水溶媒による懸濁洗浄の温度を変えて実施した結果を［表１］に示した。懸濁時間はいずれも６時間である。
【００４２】
【表１】
2004131434.tif 000006
【００４３】
実施例５
Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシンの製造
Ｎ６−ベンゾイルデオキシアデノシン４５．０ｇ（０．１２７ｍｏｌ）をピリジン５００ｍｌに溶かして共沸脱水後、ピリジン５００ｍｌに溶解攪拌しつつ４，４’−ジメトキシトリチルクロリド４２．９ｇ（０．１２７ｍｏｌ）を添加し室温で２．５時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム１２．８ｇを加え、室温で３０分間攪拌後、溶媒を減圧で留去した。残留物にメチルイソブチルケトン８３０ｍｌを加え攪拌しつつ水８３０ｍｌを加えて１０分間攪拌した。次いで有機層を採り飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を減圧で留去した。残留物を激しく攪拌したジイソプロピルエーテル８００ｍｌ中に滴下し、生成した沈殿物を濾取した。沈殿物をアセトニトリル７５０ｍｌから再結晶して、結晶生成物を濾取した。ＮＭＲ分析の結果、アセトニトリルを１分子抱接していた。次いで結晶生成物を真空乾燥したところ、アセトニトリルは失われた。その重量は６６．７ｇであった。逆相用オクタデシルシリカゲルカラムを用いて、アセトニトリル／水（８／２）混合溶媒で溶離させ、ＵＶ検出器（２５４ｎｍ）で検出する高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、純度９９．５％であった。Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシンの収率は、７９．４％であった。最大不純物は、Ｎ６−ベンゾイル−３’，５’−Ｏ−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン（０．１５面積％）であった。
【００４４】
実施例６及び比較例２、３
３’位置換異性体〔Ｎ２−イソブチリル−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン〕あるいは３’，５’位多置換体〔Ｎ２−イソブチリル−３’，５’−Ｏ−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン〕といった不純物の除去能力について、アセトニトリル溶媒で再結晶する方法（実施例６）と可溶性溶媒としてジクロロメタン、不溶性溶媒としてヘキサン（比較例２）あるいはトルエン（比較例３）を用いて再沈殿した精製法とを比較した。併せて目的物〔Ｎ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン〕の回収率も比較し、得られた結晶の熱分析（ＤＳＣ：吸熱ピーク、吸熱エネルギー）を行った。
【００４５】
【表２】
2004131434.tif 000007
【００４６】
ＨＰＬＣ条件（多置換体量の分析）：
カラム：Ｄｅｖｅｌｏｓｉｌ　ＴＭＳ−ＵＧ−５、１５０ｍｍ×φ４．６
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出波長：２５４ｎｍ
移動相：グラジェント条件
時間（ｍｉｎ）　Ｂ液（％）
０　　　　　　２０
１５　　　　　　７０
３５　　　　　１００
４０　　　　　１００
４５　　　　　　２０
６０　　　　　ＳＴＯＰ
〔Ａ液〕　１００ｍＭ　トリエチルアミン−酢酸（ｐＨ７）１００ｍＬ／水８８０ｍＬ／アセトニトリル２０ｍＬ
〔Ｂ液〕　１００ｍＭ　トリエチルアミン−酢酸（ｐＨ７）１００ｍＬ／アセトニトリル９００ｍＬ
【００４７】
ＨＰＬＣ条件（３’位異性体量の分析）：
カラム：Ｄｅｖｅｌｏｓｉｌ　ＴＭＳ−ＵＧ−５、１５０ｍｍ×φ４．６
移動層：アセトニトリル−水（５５：４５）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出波長：２５４ｎｍ
熱分析条件：
機器：パーキンエルマー社製、ＤＳＣ−７
温度上昇速度：１０℃／ｍｉｎ
【００４８】
実施例７及び比較例４
３’位置換異性体〔Ｎ６−ベンゾイル−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン〕あるいは３’，５’位多置換体〔Ｎ６−ベンゾイル−３’，５’−Ｏ−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン〕といった不純物の除去能力について、アセトニトリル溶媒で再結晶する方法（実施例７）と可溶性溶媒としてジクロロメタン、不溶性溶媒としてｔ−ブチルメチルエーテルおよびヘキサンの（１：２）混合液を用いて再沈殿した精製法（比較例４）とを比較した。併せて目的物〔Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン〕の回収率も比較し、得られた結晶の熱分析（ＤＳＣ：吸熱ピーク、吸熱エネルギー）を行った。尚、種々の分析条件は実施例６及び比較例２、３と同様にした。
［ＴｄＢＡ］
【００４９】
【表３】
2004131434.tif 000008
【００５０】
【発明の効果】
本発明により、大量製造可能な方法を用いて、従来の方法に比べ効率的に高純度の５’位保護化プリンヌクレオシド誘導体を製造することができるようになった。