(57)【要約】【課題】所要の抵抗値を有する抵抗器を、エッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体の製造方法、および平滑積層体を用いた部品の製造方法の提供。【解決手段】平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層することによって、所要の抵抗値を有する抵抗器をエッチング形成された配線パターン内部に形成可能とする平滑積層体を製造する。またこの平滑積層体を用いてプリント配線板、ＩＣパッケージなどに適用される高周波用途用の部品を製造する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層してなることを特徴とする平滑積層体の製造方法。
【請求項２】
平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体を用いてなることを特徴とする部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる高周波特性に優れた平滑積層体の製造方法、および高周波用途向けのプリント配線板、ＩＣパッケージなどに適用できる平滑積層体を用いてなる部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い実装基板の高密度化が進み、実装部品点数の削減が進んでいる。このような背景の中で基板自体に実装部品を埋め込む方法が各種提案されてきている。特に最近では処理する信号が高速化し、高周波化してきている。このために電流が表層部に集中する表皮効果が無視できなくなってきており、信号伝送路を形成する導電部の表面粗度が問題となってきている。なお特許文献１には、銅箔に所定のパターンで抵抗層となるＮｉ−Ｃｒ合金層をメッキして、接着剤などを用いて基材に接着し、銅箔部分をエッチングすることにより抵抗内蔵型のプリント配線板を製造する方法が開示されている。また特許文献２には、金属ストリップに表面清浄化処理を施した後に連続して金属薄膜を形成する方法が開示されている。
【０００３】
本出願に関する先行技術文献情報として次のものがある。
【特許文献１】
特開平５−４１５７３号公報
【特許文献２】
特開２００２−１２１６６６号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような点に鑑みて、平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる高周波特性に優れた平滑積層体の製造方法、および高周波用途向けのプリント配線板、ＩＣパッケージ、インターポーザなどに適用できる平滑積層体を用いてなる部品の製造方法を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記課題に対する第１の解決手段として本発明の平滑積層体の製造方法は、平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体の製造方法において、平滑導電板に活性化処理を施した直後に抵抗合金層を積層する方法とした。
【０００６】
前記課題に対する第２の解決手段として本発明の部品の製造方法は、平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体を用いる方法とした。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の製造方法を説明する。図１は、本発明の製造方法を用いた平滑積層体の一実施形態を示す概略断面図であり、平滑導電板２４に抵抗合金層２３を積層した例を示している。図２は、本発明の製造方法を用いた部品の一実施形態を示す概略断面図であり、平滑積層体２０を接着層２５を介して基材２７に積層した例を示している。図３は、本発明の製造方法を用いた部品の他の一実施形態を示す概略断面図であり、前記部品３０にエッチング加工を施した例を示している。
【０００８】
平滑導電板２４の材質としては、平滑積層体を製造可能な素材で導電性の優れたものであれば特にその種類は限定されず、平滑積層体の用途により適宜選択して用いることができる。平滑導電板２４の比抵抗として、１〜２０μΩ・ｃｍが望ましく、より望ましくは１〜１０μΩ・ｃｍが良い。例えば、常温で固体である導電性の優れた金属（例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなど）や、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む導電性の優れた合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）などが適用できる。平滑積層体の用途がプリント配線板などであれば、平滑導電板２４としては、導電性に優れた金属であるＣｕ、Ａｌなどや、これらの金属のうち少なくとも１種類を含む導電性の優れた合金などを適用することができる。すなわち銅板、アルミニウム板などを平滑導電板２４として適用することが可能である。銅板としては、Ｃｕの他、ＪＩＳに規定の無酸素銅、タフピッチ銅、リン青銅、黄銅や、銅ベリリウム系合金（例えば、ベリリウム２％、残部が銅の合金など）、銅銀系合金（例えば、銀３〜５％、残部が銅の合金など）など、アルミニウム板としては、Ａｌの他、ＪＩＳに規定の１０００系、３０００系などのアルミニウム合金を適用することができる。
【０００９】
平滑導電板２４の厚みは、平滑積層体を製造可能であれば特に限定はされず、平滑積層体の用途により適宜選定して用いることができる。平滑導電板２４の厚みは、例えば１〜１０００μｍであることが好ましい。１μｍ未満では平滑導電板としての製造が難しくなり、１０００μｍを超えると平滑積層体としての製造が難しくなる。より好ましくは、５〜１００μｍである。なお平滑導電板２４は、圧延箔などの板材であってもよいし、板材にめっきや蒸着などによる膜材を予め積層したものであってもよいし、クラッド材などの積層体でもよい。例えば、銅−アルミニウム構造のクラッド材などである。平滑導電板としては、表面粗度を抑えることが可能で、導電性の優れた圧延銅箔を用いることが好ましい。
【００１０】
平滑導電板２４の表面粗度（Ｒａ）は、０．００１〜０．３μｍであることが好ましい。０．００１μｍ未満では平滑導電板としての製造が難しい。０．３μｍを超えると高周波帯での表皮効果による伝送路損失が大きくなるため好ましくない。これは高周波化に伴う表皮効果により、電流が伝送路の表層部に集中するために伝送路表面の凹凸部分を流れることとなり、実効的に伝送距離が長くなって伝送時間が長くなるとともに、伝送路での損失が増加する物と考えられる。このため高周波帯域では伝送路の表面粗度を抑えることが必要となってきている。また特性インピーダンスや配線パターンの高精度微細加工の観点からも導電層粗さの低減が要望されている。しかしながら表面粗度を闇雲に低くすると接着材を用いた場合などに接合強度が下がることが知られている。これは多くの接着材が表面に存在する凹凸によるアンカー効果などを利用しているためと考えることができる。このため平滑導電板自体のアンカー効果に代わる接合強度の強化策が必要となる。
【００１１】
抵抗合金層２３の材質としては、平滑積層体を製造可能な素材で所要の体積抵抗率を有するものあれば特にその種類は限定されず、平滑積層体の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、常温で固体であり所要の体積抵抗率を有する合金（例えば、ＪＩＳに規定の合金など）などが適用できる。平滑積層体の用途がプリント配線板などであれば、配線パターンに抵抗部を形成可能な所要の体積抵抗率を有する抵抗合金を適用することができる。抵抗合金としては、銅マンガン系合金（例えば、マンガン１２〜１５％、ニッケル２〜４％、残部が銅の合金など）、銅ニッケル系合金（例えば、銅５５％、ニッケル４５％からなる合金など）、ニッケルクロム系合金（例えば、ニッケル８０％、クロム２０％からなるＮｉ−Ｃｒ合金などや、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金など）、ニッケルリン系合金（例えば、リン１〜２０％、残部がニッケルの合金など）、ニッケルホウ素リン系合金（例えば、ホウ素２％、リン８〜１６％、残部がニッケルの合金など）、鉄クロム系合金（例えば、クロム２０％、アルミニウム３％、残部が鉄のＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金など）、鉄ニッケル系合金（Ｆｅ−Ｎｉ合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金など）、鉄炭素系合金などを適用することができる。好ましくは、Ｎｉ−Ｃｒ系合金などである。また体積抵抗率は１０〜５００μΩ・ｃｍが好ましい。１０μΩ・ｃｍ未満では高周波帯における充分な表皮深さを得ることは難しく、５００μΩ・ｃｍを超えると極細配線パターンでの抵抗調整が難しくなる。
【００１２】
また抵抗合金層２３の厚みは、平滑積層体を製造可能であれば特に限定はされず、平滑積層体の用途により適宜選定して用いることができる。抵抗合金層２３は、例えば０．０１〜１０μｍであることが好ましい。０．０１μｍ未満では抵抗層としての形成が難しくなり、安定した抵抗値を実現することが難しくなる。また１０μｍを超えると製造時間が長くなりすぎる。より好ましくは、０．０５〜３μｍである。なお抵抗合金層は、平滑積層体の用途により、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの乾式製膜手段から適宜選択して用いることができる。好ましくは、平滑導電板の表面活性化に用いるスパッタエッチング法と相性のよいスパッタリングである。
【００１３】
基材２７の材質としては、平滑積層体と直接もしくは接着層２５を介して接合可能な素材であれば特にその種類は限定されず、平滑積層体を用いた部品の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、セラミック材料、高分子材料、金属または合金材料である。平滑積層体を用いた部品をプリント配線板などに適用する場合には、絶縁性の基材を用いることができるが、接着層２５が絶縁性である場合には導電性の基材を用いることもできる。高分子材料としては、プラスチックなどの有機高分子物質やプラスチックに粉末や繊維などを混ぜた混合体を適用することができる。平滑積層体をフレキシブルプリント配線板などに適用する場合には、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、ナイロンなどの芳香族ポリアミドなどや液晶ポリマーなどを用いることができる。
【００１４】
プラスチックとしては、例えば、アクリル樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、ユリア樹脂、ベンゾグアナミン樹脂など）、アリル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、液晶ポリマー、ＥＥＡ樹脂（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｙｌａｃｒｙｌａｔｅ樹脂）、ＡＡＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ  Ａｃｒｙｌａｔｅ  Ｓｔｙｒｅｎｅ樹脂）、ＡＢＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ  Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ  Ｓｔｙｒｅｎｅ樹脂）、ＡＣＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｎｉｔｒｉｌｅ  Ｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ樹脂）、ＡＳ樹脂（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ  Ｓｔｙｒｅｎｅ樹脂）、アイオノマー樹脂、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エポキシ樹脂、珪素樹脂、スチレンブタジエン樹脂、フェノール樹脂、弗化エチレンプロピレン、弗素樹脂、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリアミド（６ナイロン、１１ナイロン、１２ナイロン、６６ナイロン、６１０ナイロン、６１２ナイロンなど）、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリシクロヘキンジメルテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリトリメチレンナフタレートなど）、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレンなど）、ポリカーボネート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリサルホン、ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリブタジエン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどを用いてもよい。
【００１５】
基材２７の厚みは、平滑積層体を用いた部品の用途により適宜選定される。例えば基材が高分子材料からなる場合には、１〜１０００μｍが好ましい。１μｍ未満の場合には高分子基材としての製造が難しくなり、１０００μｍを超えると平滑積層体を用いた部品としての製造が難しくなる。例えば平滑積層体を用いた部品の用途がフレキシブルプリント配線板などであれば、３〜３００μｍの範囲のものが好ましい。３μｍ未満の場合には機械的強度が乏しく、３００μｍを超えると可撓性が乏しくなる。好ましくは、１０〜１５０μｍである。より好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００１６】
接着層２５の材質としては、平滑積層体を用いた部品を製造可能な素材であれば特にその種類は限定されず、平滑積層体を用いた部品の用途により適宜選択して用いることができる。例えば、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、エチレンテレフタレート／イソフタレート共重合体などのポリエステル系樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ゴム系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、ユリア系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エチレン・アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂系などの公知の接着剤が適用できる。特にエポキシ系樹脂が好ましい。
【００１７】
また接着層２５の厚みは、平滑積層体を用いた部品を製造可能であれば特に限定はされず、平滑積層体を用いた部品の用途により適宜選定して用いることができる。接着層２５の厚みは、例えば１〜１００μｍであることが好ましい。１μｍ未満では接着効果が乏しくなり、１００μｍを超えると重くなりすぎる。より好ましくは、１０〜５０μｍである。
【００１８】
図１に示す平滑積層体２０の製造方法について説明する。図４に示すように、真空槽５２内において、巻き戻しリール６２に設置された平滑導電板２４の積層処理予定面側を、活性化処理装置７０で活性化処理する。この活性化により、平滑導電板２４の表面に存在するゴミなどの不要物や表面酸化物などの化合物を充分に除去して平滑導電板の素地を露出させることにより、次段階でのスパッタリング膜の密着性を高めることができる。
【００１９】
活性化処理は、以下のようにして実施する。すなわち、真空槽５２内に装填された平滑導電板２４をアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に、１０〜１×１０−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した平滑導電板２４の面積が、実効的に電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく高速エッチングが困難であり、１０Ｐａを超えると活性化処理効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続エッチングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくエッチングするためには電極Ａと接触した平滑導電板２４の面積を実効的に電極Ｂの面積より小さくする必要があり、実効的１／３以下とすることにより充分な効率でエッチング可能となる。
【００２０】
次に平滑導電板２４の活性化された表面に、膜形成ユニット９０により抵抗合金層２３を形成する。膜形成方法として、スパッタリングを用いた場合について説明する。膜形成ユニット９０では、前記活性化処理装置とは逆に平滑導電板２４側の面積を実効的に大きくすることによりスパッタリング処理を行うことができる。すなわち、真空槽５２内に装填された平滑導電板２４をアース接地された一方の電極Ａと接触させ、絶縁支持された他の電極Ｃとの間に、１０〜１×１０−３Ｐａの極低圧不活性ガス雰囲気中で、１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極Ａと接触した平滑導電板２４の面積が、実効的に電極Ｃの面積の３倍以上となるようにしてスパッタリング処理する。不活性ガスとしては、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどやこれらを含む混合体を適用することができる。好ましくはアルゴンである。なお不活性ガス圧力が１×１０−３Ｐａ未満では安定したグロー放電が行いにくく、１０Ｐａを超えるとスパッタリング効率が低下する。印加する交流は、１ＭＨｚ未満では安定したグロー放電を維持するのが難しく連続スパッタリングが困難であり、５０ＭＨｚを超えると発振し易く電力の供給系が複雑となり好ましくない。また、効率よくスパッタリングするためには電極Ａと接触した平滑導電板２４の面積を実効的に電極Ｃの面積より大きくする必要があり、３倍以上とすることにより充分な効率で膜形成が可能となる。
【００２１】
例えば図５に示すように、スパッタリング法を用いる膜形成ユニット９０は、電気的にフローティング状態にされたターゲット電極９４と、アース接地された水冷の電極ロール７２との組み合わせで構成される。ターゲット電極９４には抵抗合金層２３を形成するターゲット９２が設置され、またマグネット９８を設置して磁場によりスパッタリングの効率を向上させている。さらにターゲット９２の異常加熱を防止するために、ターゲット電極９４を水冷できるようにしてある。ターゲット電極９４−電極ロール７２間に高周波電源９６を印加することで、プラズマを発生させてターゲット９２にイオン衝撃を与え、これにより放出されたターゲット物質を平滑導電板２４の活性化表面上に積層させて抵抗合金層２３を形成させ、平滑積層体２０を得ることができる。
【００２２】
このようにして積層することにより、所要の層厚みを有する平滑積層体２０を形成することができ、巻き取りロール６４に巻き取られる。さらに必要により所定の大きさに切り出して、図１に示すような平滑積層体２０を製造することができる。
【００２３】
膜形成ユニットは活性化処理装置の直後あるいは近傍であることが好ましく、膜形成ユニットを活性化処理装置の直後あるいは近傍に配置することで、製造装置のコンパクト化などを図ることが可能である。例えば、図４に図示しているように活性化処理装置の電極ロールと膜形成ユニットの電極ロールを共用化する形態などや、さらに活性化処理装置と膜形成ユニットをそれぞれ共用の電極ロールの外周上に配置する形態などである。このような形態を採ることで一体化した処理が可能となる。なお直後あるいは近傍とは、活性化処理された導電板面が吸着や反応などにより再び不活性化されて膜形成に悪影響を与えない範囲あるいは状態のことである。
【００２４】
本発明の部品の製造方法は、平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層してなる平滑積層体を用いる方法であり、本発明の製造方法を用いた部品は、図２に示すような平滑積層体を接着層などを介して高分子材料などの基材に積層したものや、さらに平滑積層体にエッチング加工などの加工を施したもの、さらにこれに樹脂などで被覆あるいは固定したものや、これらの部品を複数層積層したものや、ビア加工やスルーホール加工などにより層間導通処理などを施したものなどである。例えば、図３に示すようなプリント配線板などの部品３２などである。
【００２５】
図２に示すような部品３０は、例えば図１に示すような平滑導電板２４−抵抗合金層２３の２層構造の平滑積層体２０に、適切な接着層２５を介して高分子板などの基材２７に固定したものである。平滑積層体２０と基材２７の接着強度を増すために、例えば、平滑積層体２０の抵抗合金層２３の基材２７との対向面にアンカー効果を得るための凹凸を設けてもよい。この凹凸は、抵抗合金層２３面に各種の粗化処理、例えば、化学処理などを施すことによっても設けることができるし、膜形成時のスパッタリング条件などを変化させながら膜形成を行うことによっても可能である。また抵抗合金層２３にクロム系素材を使用した場合、抵抗合金層２３露出表面にクロム化合物を形成させることができ、これと接着層２５との化学的あるいは物理的に接合強度を増すことが可能である。なお抵抗合金層２３に凹凸を設けることは、高周波帯域での表皮効果のため抵抗分の増大にもつながる可能性はあるが、抵抗合金層２３は抵抗配線路を設けるためのものであるため、利用する帯域での抵抗値を配線路長あるいは配線幅などをレーザートリミングなどの手段により適切に制御することが可能であり、抵抗層における表皮深さは導電体に比して充分な深さを得ることは可能であるのであまり問題とはならない。さらに平滑導電板２４との積層部分すなわち導電配線部においても、抵抗合金層厚み以上の表皮深さを得ることは可能であり、平滑導電板表層に電流を流しうるためこちらもあまり問題とはならない。
【００２６】
図３に示すようなプリント配線板などの部品３２は、図２に示す部品３０の平滑積層体２０の部分に対してエッチング加工を施したものであり、導電配線部３２や抵抗配線部３４などを形成することにより製造することができる。このとき配線部は、平滑導電板２４部が残存する２層の良導体部（導電配線部３２）と、平滑導電板２４部が除去され抵抗合金層２３のみの１層の抵抗部（抵抗配線部３４）を適宜選択的に形成することができる。さらにエッチング液や抵抗合金層２３の材質を適切に選定することにより、この抵抗合金層２３をエッチングストップ層として機能させることができ、精度よくエッチング処理することが可能であるため、抵抗合金層２３部のみの抵抗配線部３４を形成することが容易となり、所要の抵抗値を有する抵抗部を配線内部に設けることができる。
【００２７】
なお本発明の製造方法を用いた平滑積層体に抵抗合金層部分のみの配線部を形成させることにより、終端抵抗やブリーダ抵抗などの抵抗器として機能させることができるため、プリント配線板の埋め込み抵抗や、抵抗アレイ、抵抗ネットワーク、抵抗ラダーなどの集合抵抗などにも適用してもよい。この抵抗値は抵抗合金層の材質によって決まる体積抵抗率と膜厚みおよび配線パターンの幅や長さを適宜選択して製造することができる。このため今までプリント配線板に取り付けられていた抵抗器を削減もしくは不要とすることが可能となり、高周波帯域においてもプリント配線板の高密度化などに効果がある。
【００２８】
また本発明の製造方法を用いた平滑積層体の抵抗合金層は、抵抗器として機能させるばかりでなく、発熱体やヒューズとして機能させることも可能である。本発明の平滑積層体では、高周波帯域での伝送損失を阻害する要因となる粗度を抑えることができるため、従来より高速、高周波での用途が可能である。このため、プリント配線板（リジットプリント配線板やフレキシブルプリント配線板など）などに好適であり、ＩＣカード、ＣＳＰ（チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ）やＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などのＩＣパッケージなどにも応用が可能である。
【００２９】
【実施例】
以下に、実施例を図面に基づいて説明する。平滑導電板２４として厚み３５μｍの圧延銅箔を用い、抵抗合金層２３としてＮｉ−Ｃｒ合金層を用いた。圧延銅箔２４を平滑積層体製造装置５０にセットし、真空槽５２内の活性化処理ユニット７０でスパッタエッチング法により表面を活性化処理した。活性化処理された圧延銅箔２４にスパッタリングを用いた膜形成ユニット９０でＮｉ−Ｃｒ抵抗合金層２３を形成させて平滑積層体２０を製造した。さらにエポキシ樹脂系接着層２５を介してガラスエポキシ基材２７に積層固定して部品３０を製造した。またエッチング加工を施して部品３２を製造した。
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の平滑積層体の製造方法は平滑導電板の少なくとも一方の面に抵抗合金層を積層する方法であり、本発明の部品の製造方法は平滑積層体を用いる方法である。このため平滑積層体の抵抗合金層に抵抗部を形成させることにより回路を形成する部品点数を削減することが可能であり、高周波用プリント配線板などへの適用も好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を用いた平滑積層体の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の製造方法を用いた部品の一実施形態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の製造方法を用いた部品の他の一実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本発明の製造方法に用いる装置の一実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の製造方法に用いる膜形成ユニットの一実施形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
２０    平滑積層体
２３    抵抗合金層
２４    平滑導電板
２５    接着層
２６    導電板
２７    基材
３０    部品
３２    部品
３４    抵抗配線部
３５    導電配線部
５０    平滑積層体製造装置
５２    真空槽
５４    真空ポンプ
６０    圧接ユニット
６２    巻き戻しリール
６４    巻き取りロール
７０    活性化処理装置
７２    電極ロール
７４    電極
７６    電極
９０    膜形成ユニット
９２    ターゲット
９４    ターゲット電極
９６    高周波電源
９８    マグネット
Ａ      電極Ａ
Ｂ      電極Ｂ
Ｃ      電極Ｃ
【図１】
2004322615.tif 000003
【図２】
2004322615.tif 000004
【図３】
2004322615.tif 000005
【図４】
2004322615.tif 000006
【図５】
2004322615.tif 000007