(57)【要約】【課題】広領域に簡便にナノ粒子を配列することができ、且つ粒子の被覆率を高くできる粒子配列基板及びその方法を提供する。【解決手段】基板１と、基板１の上に配置され、フルオロアルキル基を有するシラン化合物を含む疎水化層２と、疎水化層２の上に配列されたナノ粒子３とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に配置され、フルオロアルキル基を有するシラン化合物を含む疎水化層と、
前記疎水化層の上に配列されたナノ粒子
とを備えることを特徴とする粒子配列基板。
【請求項２】
基板の表面に、前記表面に対する純水の接触角が９０度以上となるように疎水化層を形成する工程と、
前記基板をナノ粒子が分散した溶液中に浸漬し、前記表面に前記ナノ粒子を配列する工程
とを備えることを特徴とする粒子配列基板の製造方法。
【請求項３】
前記疎水化層を形成する工程は、フルオロアルキル基を有するシラン化合物を含む表面処理剤を用いることを特徴とする請求項２に記載の粒子配列基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粒子配列基板に係り、特に、基板表面にナノ粒子を配列した粒子配列基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ナノメーターサイズの粒子（ナノ粒子）は、様々な特性を持つことから注目されてきている。ナノ粒子は、化学気相成長法（ＣＶＤ）などによる気相合成法や逆ミセル法などの液相合成法によって合成される。このナノ粒子を各種デバイスに応用する際の課題として、粒子の配列の困難性があげられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
粒子の特性を最大限に引き出すためには、デバイスの特性にあった配列がなされなければならない。このような配列の基本条件としては、配置むらが無いこと、あるいは粒子間の距離が一定にそろっていること等があげられる。例えば、ハードディスク等の記録装置は、記録密度の増大に伴って磁気記録パターンの微細化が要求されている。この磁気記録用パターンは、従来、蒸着法などによりナノ粒子がガラス等の基板表面に配置される。近年は、１ビットあたりの磁性体面積をより小さくするための技術が検討されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−４８３４０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
１ビットあたりの記録面積を小さくするためには、磁性ナノ粒子を基板全面に均一に配置する必要がある。磁性ナノ粒子を基板全面に均一に配置する手法としては、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、あるいは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）の短針の先端でナノ粒子を捕捉し、捕捉した粒子を運んで配置する手法があるが、コストが莫大である。一方、コストのかからない方法として「自己組織化」という配置技術が研究されている。しかし、自己組織化を用いた従来の配置方法では、基板表面にボイドや粒子の乱れが発生することがあり、広領域に被覆率が高くなるように配置することは困難であった。
【０００６】
本発明は、上記した従来技術の欠点を除くためになされたものであって、その目的とするところは、広領域に簡便にナノ粒子を配列することができ、且つ粒子の被覆率を高くできる粒子配列基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の特徴は、（イ）基板と、（ロ）基板の表面に配置され、フルオロアルキル基を有するシラン化合物を含む疎水化層と、（ハ）疎水化層の上に配列されたナノ粒子とを備える粒子配列基板であることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第２の特徴は、（イ）基板の表面に、表面に対する純水の接触角が９０度以上となるように疎水化層を形成する工程と、（ロ）基板をナノ粒子が分散した溶液中に浸漬し、表面にナノ粒子を配列する工程とを備える粒子配列基板の製造方法であることを要旨とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図面は模式的なものであり、厚みと平均寸法の関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において種々の変更を加えることができる。
【００１０】
本発明の実施の形態に係る粒子配列基板は、図１に示すように、基板１と、基板１の表面に形成された疎水化層２と、疎水化層２の上に配置されたナノ粒子３とを備える。
【００１１】
疎水化層２は、基板１の表面全面に厚さ１〜１０ｎｍ程度に形成されている。この疎水化層２は、純水との接触角が９０度以上となる疎水性の層である。疎水化層２の純水との接触角は、９０〜１３０度程度でも良い。この疎水化層２は、フルオロアルキル基を有するシラン化合物が含まれている。疎水化層２に含まれるフルオロアルキル基を有するシラン化合物としては、下記に示す一般式（１）で表されるフッ素（Ｆ）を含有した化合物であることが好ましい。
【００１２】
【化１】
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（一般式（１）中、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれメチル基、メトキシ基、エトキシ基、またはハロゲン原子であり、ｎは０以上、ｍは１以上の整数である。）
このような一般式（１）で表される化合物としては、例えば、ＣＦ３Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、ＣＦ３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）２等があげられる。特に、疎水化層２は、ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）２を含む層であるのが好ましい。
【００１３】
ナノ粒子３は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、疎水化層２の表面の全面にマトリクス状、若しくは六方細密型に配置されている。ナノ粒子３の直径Ｌは、それぞれ０．１ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。図１に示す粒子配列基板を、例えばハードディスクのような磁気記録体として使用する場合には、ナノ粒子３の直径Ｌ＝０．１ｎｍ〜２０ｎｍ程度に選ぶのが良い。ナノ粒子３の形状は、球状に限定されることなく、任意のものを用いることができる。例えば、円柱、円錐状、あるいは直方体、六角柱といった多面体、及びこれら球体や多面体等がそれぞれ組み合わさった形状や、球体や多面体等の一部が欠損したものでも構わない。ナノ粒子３として用いられる材料は、金属、半導体、絶縁体のいずれでも良い。例えば、使用可能な材料としては、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、白金合金（ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、セレン合金（ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、珪素（Ｓｉ）等があげられる。また、図１に示す粒子配列基板を磁気記録体として使用する場合には、飽和磁化が大きく、磁気異方性が大きい材料が好ましい。このため、磁気記録体として使用するナノ粒子３の材料としては、コバルト（Ｃｏ）、Ｐｔ、サマリウム（Ｓｍ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、及びアルミニウム（Ａｌ）ならびにこれらの金属の合金からなる群より選択される少なくとも一種を用いるのが良い。より好ましくは、結晶磁気異方性の大きいＣｏ基合金、特にＣｏＰｔ、ＳｍＣｏ、ＣｏＣｒをベースとした材料やＦｅＰｔ，  ＣｏＰｔ等の規則合金が良い。具体的には、Ｃｏ−Ｃｒ，  Ｃｏ−Ｐｔ，  Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，  Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ，  Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｆｅ５０Ｐｔ５０、Ｆｅ５０Ｐｄ５０、Ｃｏ３Ｐｔ１等を用いることができる。これらの材料の他にも、Ｔｂ−Ｆｅ，  Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，  Ｔｂ−Ｃｏ，  Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，  Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，  Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，  Ｎｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の希土類−遷移金属合金、ＰｔＭｎＳｂ等の半金属、Ｃｏフェライト、バリウム（Ｂａ）フェライト等の磁性酸化物などをナノ粒子３として選択しても良い。磁気特性を制御する目的で、上記の磁性体にさらにＦｅ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つ以上の元素と合金化させたものを使用することもできる。さらに、金属または合金に磁気特性を向上させるための添加物、例えばＣｒ、ニオブ（Ｎｂ）、バナジウム（Ｖ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、インジウム（Ｉｎ）、Ｓｉ、ホウ素（Ｂ）等、あるいはこれらの元素と、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）の中から選ばれる少なくとも１つの元素との化合物が添加されていても良い。
【００１４】
疎水化層２と純水との接触角が９０°以上となることで、ナノ粒子の被覆率を高くできるという作用は、以下のように説明できる。即ち、図１に示す粒子配列基板は、基板１の表面にフルオロアルキル基を有するシラン化合物を含む疎水化層２が形成されている。フルオロアルキル基を有するシラン化合物は、上述した一般式（１）で示されるような構造を有しているので、メチル基、メトキシ基、またはハロゲン原子からなるＲ１、Ｒ２、及びＲ３が基板１側に結合し、疎水基であるフルオロアルキル基が、疎水化層２の外側を向いた構造となる。一方、ナノ粒子３の表面は、極性が強く凝集しやすい性質を有しているので、アルキル基などの疎水基で覆われている。疎水化層２の表面を覆ったフルオロアルキル基と、ナノ粒子３の表面を覆うアルキル基との間には相互作用が発生し、ナノ粒子３が基板１表面に吸着しやすくなる。
【００１５】
図３に、疎水化層２表面から算出された接触角に対するナノ粒子３の被覆率を示す。横軸に示した「接触角」は、常温（２５℃）常圧（１気圧）の疎水化層２の表面に純水の液滴を滴下し、疎水化層２表面に対する純水の接触角を接触角試験器を用いて測定した。縦軸に示した「被覆率」は、疎水化層２表面に対するナノ粒子３の配列している割合［％］を算出したものである。被覆率の算出にはＡＦＭを使用し、２μｍ×２μｍの領域で基板１の表面の画像を取得した後、ＡＦＭに付属する画像解析ソフトを用いて表面の凹凸形状を自動解析した。この自動画像解析ソフトによる被覆率の計算は、ＡＦＭ画像を構成する５１２ピクセル×５１２ピクセルの各高さデータをエリアごとに積分して表示するものである。図３に示す場合においては、直径Ｌの球状体が基板１上に高さＬを有して配置された場合を「ナノ粒子３が配列されている」と計算し、疎水化層２の上にナノ粒子３が直径Ｌ、高さＬを有して隙間なく配列した場合（図２（ａ）、図２（ｂ）参照）を被覆率１００％として計算した。図３に示すように、疎水化層２の表面の接触角が１°〜１０°の場合は被覆率が１０％以下であり、ナノ粒子３が殆ど疎水化層２上に配列しない。また、接触角が３５°〜４５°，６０〜８０°の場合も、被覆率が５０％以下となり、ナノ粒子３を緻密に配列できていない。一方、疎水化層２の接触角が９０°以上になると、被覆率は９５％程度となり、ナノ粒子３が緻密に配置できることがわかる。このため、図１に示す粒子配線基板によれば、疎水化層２の極性が疎水性となり純水との接触角が９０°以上となることで、ボイドを発生させることなく、粒子が広範囲、且つ均一に配列した被覆率の高い粒子配列基板を提供することができる。
【００１６】
次に、本発明の実施の形態に係る粒子配列基板の製造方法を説明する。なお、以下に述べる粒子配列基板の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の方法により実現可能であることは勿論である。
【００１７】
まず、ガラス等からなる基板１を用意する。基板１としては、ガラスの他、Ｓｉ，ＧａＰ，ＧａＡｓ，などの半導体基板、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂などの高分子基板、ＳｉＯ２、ＳｉＮ，アルミナなどのセラミックス基板、Ｆｅ，Ａｕ，Ａｇ、Ｃｕなどの金属基板、または炭化珪素基板等を使用することも可能である。そして、基板１の表面に、表面に対する純水の接触角が９０°以上となるように、表面処理剤を用いて疎水化層２を形成する。表面処理剤には、フッ素を含有したシラン化合物を用いるのが好ましい。特に、アルキル基に比べて短時間で高い疎水効果が得られるアルキルフルオロ基を含んだ表面処理剤を用いるのが良い。アルキルフルオロ基を含んだ化合物としては、例えば、ＣＦ３Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、ＣＦ３Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５Ｃ２Ｈ４ＳｉＣｌ３、ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）２等がある。フルオロアルキル基は、基の数が多いほど短時間で疎水効果が得られるので、フルオロアルキル基を８個有するＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＭｅ）３及びＣＦ３（ＣＦ２）７Ｃ２Ｈ４ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）２を表面処理剤として使用するのが好ましい。なお、表面処理剤には、フッ素原子を含有していなくてもドデシル基のような長鎖アルキル基を含有する化合物、例えばドデシルトリメトキシシランを含む表面処理剤も使用可能であることを確認済みである。
【００１８】
疎水化層２の形成は、これらの表面処理剤の原液を飽和状態にした密閉容器内に、基板１を１０分以上、好ましくは３０分以上放置することにより行う。放置時間は長いほど良い。疎水化層２の形成する際の温度は２０℃〜５０℃程度が好ましい。また、疎水化層２を形成した後、基板１を６０℃〜２００℃でホットプレート等を用いて加熱することにより、更に疎水性の高い疎水化層２を形成しても良い。
【００１９】
次に、疎水化層２を形成した基板１をナノ粒子３が分散した溶液に浸漬し、疎水化層２の表面にナノ粒子３を接触させる。溶液中のナノ粒子３は、周囲を覆う凝集制御剤によりアルカン部位が溶媒側を向いている。一方、疎水化層２の表面はフルオロアルキル基で覆われているため、ナノ粒子３のアルキル基と相互作用が発生する。この結果、ナノ粒子３が疎水化層２の表面に均一に吸着する。ナノ粒子３を分散させる溶媒には、比較的沸点の高い炭化水素（ＣｘＨｙ）を用いるのが好ましい。但し、Ｃの数が長すぎると溶媒を蒸発させるのが難しくなるため、Ｃの数は、６〜１０程度の炭化水素を用いるのが好ましい。
【００２０】
次に、ナノ粒子３が分散した溶液から基板１を垂直に引き上げて基板１を溶液中から取り出す。基板１を溶液中から引き上げる速度は、遅くするほど配向状態が良い。このため、引き上げる速度は、１〜１００００ｎｍ／ｓ程度が好ましく、特に１０〜１０００ｎｍ／ｓ程度が良い。また、基板１を固定して液面を下降させることにより、基板を引き上げるのと実質的に同等の操作をしても良い。
【００２１】
以上の工程により、本発明の実施の形態に係る粒子配列基板が製造可能となる。本発明の実施の形態に係る粒子配列基板の製造方法によれば、表面に対する純水の接触角が９０°以上となるように、基板１の表面にフルオロアルキル基を含む表面処理剤を用いて疎水化層２を形成する。このため、疎水化層２の表面は、疎水基であるフルオロアルキル基で覆われる。この基板１を同じく疎水基で覆われたナノ粒子３を含む溶液に浸漬することにより、疎水化層２とナノ粒子３との間に相互作用が発生する。このため、図１に示す粒子配列基板は、疎水化層２の表面のナノ粒子３の配列乱れを起こすことなく、９５％程度の高被覆率でナノ粒子３を配列することができる。
【００２２】
なお、ナノ粒子３が配列した基板１の用途により、加熱処理を行う場合がある。例えば、図１に示す粒子配列基板を磁気記録媒体として応用する場合は、ＦｅＰｔ系、ＣｏＰｔ系の規則化合金等の粒子の特性上、基板１を浸漬した溶液中から取り出したままでは、疎水化層上に配列されたナノ粒子３が不規則相となる場合が多い。そこで、図１に示す粒子配列基板を、真空中あるいは還元雰囲気中で２００℃〜６００℃の温度でアニール処理することで、規則相に相変態し、磁気記録媒体に適した大きな磁気異方性を持つ粒子を有する配列基板が製造できる。さらに、アニール処理を磁界中で行うことで、ナノ粒子３の磁気配向をそろえることもできる。磁界の強さは、使用するナノ粒子３の材料によって異なるが、強ければ強いほどその効果が期待できる。少なくとも０．１テスラ以上、より好ましくは０．５テスラ程度以上にするのが良い。
【００２３】
以下に、本発明の実施の形態に係る粒子配列基板及びその製造方法を用いた実施例を示す。
【００２４】
（第１の実施例）
直径５ｎｍの金微粒子（ナノ粒子）３を、テトラクロロ金酸塩を還元して得た。そして金微粒子（ナノ粒子）３をドデカンチオールで覆った。次に、溶媒としてオクタンを用いて、０．００１％金微粒子分散オクタン溶液を調整した。次に、シリコン（Ｓｉ）からなる基板１を、ヘプタデカトリフルオロデシルトリメトキシシラン蒸気雰囲気で一昼夜放置し、表面に疎水化層２を形成した。疎水化層２の表面の純水に対する接触角は１１０°であった。この基板１を、先に調整した０．００１％金粒子分散オクタン溶液に浸漬し、液面を４０ｎｍ／ｓの速度で基板１に対して垂直に降下させた。この結果、基板１には、金微粒子（ナノ粒子）３の自己組織化膜が形成されていた。基板１の表面をＡＦＭで観察したところ、５ｎｍの金微粒子（ナノ粒子）３が単層に均一に配列していた。基板１の被覆率は９５％であった。したがって、疎水化層２の表面の純水に対する接触角を１１０°になるように疎水化処理することで、ナノ粒子３を緻密に且つ均一に配置できるのが確認できた。
【００２５】
（第２の実施例）
直径７ｎｍの金微粒子（ナノ粒子）３を、テトラクロロ金酸塩を還元して得た。そして、金微粒子（ナノ粒子）３をドデカンチオールで覆い、０．００１％金分散デカン溶液を調整した。次に、Ｓｉからなる基板１を、デシルトリメトキシシラン蒸気雰囲気中で１０時間放置し、疎水化層２を形成した。この疎水化層２の表面の純水に対する接触角は１００°であった。その後、調整した０．００１％デカン溶液に基板１を浸漬し、基板１を５０ｎｍ／ｓの速度で、基板１に対して垂直方向に引き上げた。この結果、基板１には、金ナノ微粒子の自己組織化膜が形成されていた。そして、基板１の表面をＡＦＭで観察したところ、７ｎｍの金微粒子が単層に均一に配列していた。基板１の被覆率は９５％であった。したがって、疎水化層２の表面の純水に対する接触角を１０６°になるように疎水化処理することで、ナノ粒子３を緻密に且つ均一に配置できるのが確認できた。
【００２６】
（第３の実施例）
テトラクロロシランから還元法で合成した５ｎｍのＳｉ粒子（ナノ粒子）３をヘキサン溶液に分散させた。次に、石英からなる基板１をドデシルトリメトキシシラン蒸気で１２時間処理し、疎水化層２を形成した。この疎水化層２表面の純水に対する接触角は、９８°であった。疎水化層２が形成された基板１をＳｉ粒子（ナノ粒子）３を含むヘキサン溶液に浸漬し、１００ｎｍ／ｓの速度で、基板１に対して垂直方向に引き上げた。ＡＦＭで観察したところ、Ｓｉ粒子が単層で配列していることがわかった。被覆率は９５％であったことから、疎水化層２の表面の純水に対する接触角を９８°になるように疎水化処理することで、ナノ粒子３を緻密に且つ均一に配置できるのが確認できた。
【００２７】
（第４の実施例）
直径１０ｎｍのＦｅＰｔ粒子を塩化白金と硝酸鉄から還元法にて合成した。そして、合成したＦｅＰｔ粒子（ナノ粒子３）を０．００１％オクタン溶液に分散させた。次に、ガラスからなる基板１をヘプタデカトリフルオロデシルトリメトキシシラン蒸気で５時間処理して疎水化層２を形成した。この疎水化層２の表面の純水に対する接触角は、１０８°であった。その後、ＦｅＰｔ粒子（ナノ粒子）３を分散させた０．００１％オクタン溶液に基板１を浸漬した。次に、オクタン溶液を蒸発させることにより、４０ｎｍ／ｓの速度で基板１から液面を基板１に対して垂直方向に後退させた。基板１の表面をＡＦＭで観察したところ、ＦｅＰｔ粒子（ナノ粒子）３が単層で配列していることが観察された。引き続き、基板１を１％水素濃度の窒素雰囲気下４５０℃で加熱した。磁気測定を行ったところ、磁気異方性を有することが確認できた。また、被覆率は９５％であったことから、疎水化層２の表面の純水に対する接触角を１０８°になるように疎水化処理することで、ナノ粒子３を緻密且つ均一に配置できるのが、確認できた。また、第４の実施例においては疎水化層２に疎水化処理を行った基板１にＦｅＰｔ粒子（ナノ粒子）３を配列することで、記録媒体として有効に使用可能であることが確認できた。
【００２８】
本発明の実施の形態は上述のように記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。例えば、疎水化層２は、既説明したところの表面を疎水化する処理剤を含むメタノール溶液に基板１を浸漬させて形成しても良い。この場合、基板１を浸漬させるアルコール溶液としてはプロパノール、エタノール等を使用することができる。このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、広領域に簡便にナノ粒子を配列することができ、且つ粒子の被覆率を高くできる粒子配列基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る粒子配列基板を示す図２（ａ）のＡ−Ａ方向からみた断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る粒子配列基板の平面図である。図２（ａ）はナノ粒子をマトリクス状に配列した図を示す。図２（ｂ）は、ナノ粒子を六方細密型に配列した図を示す。
【図３】疎水化層表面の接触角に対するナノ粒子の被覆率を示すグラフである。
【符号の説明】
１…基板
２…疎水化層
３…ナノ粒子
【図１】
2004322237.tif 000004
【図２】
2004322237.tif 000005
【図３】
2004322237.tif 000006