(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行う前にメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージのデフラッシュ(deflash)技術を提供し、特に、デフラッシュ処理が困難な部位であるリードフレームの側方に形成されたサイドフラッシュ(side flash)を除去する技術を提供する。【解決手段】従来、超高圧ウォータージェット(waterjet)やメディア(media)等によるデフラッシュ方式でもフラッシュが綺麗に除去されなく、また、レーザービームの移動照射によるデフラッシュ技術も適用し難かったリードフレームのサイドフラッシュ３０の一部に、レーザビームなどの照射媒体によってリード部１４まで切取溝２０を形成した半導体パッケージおよひその切取溝の形成方法、並びに切取溝を有する半導体パッケージにおけるデフラッシュ方法を提供して、デフラッシュの効率や品質の向上を図る。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行うに先立ってメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージにおいて、前記封止工程の後、半導体パッケージの封止部とリード部に同時に付着されて除去し難い隅部に位置するサイドフラッシュのうち、前記封止部と隣接して位置する部位に切取溝を形成してなることを特徴とする、サイドフラッシュに切取溝を有する半導体パッケージ。
【請求項２】
半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行うに先立ってメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージにおいて、前記封止工程の後に半導体パッケージの封止部とリード部に同時に付着されて除去し難い部位に位置するサイドフラッシュのうち、前記封止部と隣接して位置する部位にレーザビームなどの照射媒体によって切取溝を形成するものの、半導体パッケージを給送する状態で前記照射媒体を固定された位置から照射して前記切取溝を形成することを特徴とする、サイドフラッシュに切取溝を形成する方法。
【請求項３】
前記封止工程の後に半導体パッケージの封止部とリード部に同時に付着されて除去し難い部位に位置するサイドフラッシュのうち、前記封止部と隣接して位置する部位にレーザビームなどの照射媒体によって切取溝を形成するものの、半導体パッケージは位置固定した状態で前記照射媒体を移動させて前記切取溝を形成することを特徴とする請求項２に記載のサイドフラッシュに切取溝を形成する方法。
【請求項４】
前記照射媒体の照射方向を、半導体パッケージの一側方向にすることを特徴とする請求項２に記載のサイドフラッシュに切取溝を形成する方法。
【請求項５】
前記照射媒体の照射方向を、半導体パッケージの両側方向にするものの、お互い正確に対向するのではなく、お互いずれた位置からそれぞれ照射されるようにすることを特徴とする請求項２に記載のサイドフラッシュに切取溝を形成する方法。
【請求項６】
半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行うに先立ってメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージにおいて、除去し難い部位に位置したサイドフラッシュに切取溝を形成した後、この切取溝によって比較的除去し易い状態を保持する残余フラッシュにウォータージェットやその他メディアを照射して完全に除去することを特徴とする半導体パッケージのデフラッシュ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行うに先立ってメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージのデフラッシュ(deflash)技術に関し、特に、デフラッシュ処理が困難な部位であるリードフレームの側方に形成されたサイドフラッシュ(side flash)を除去するために、サイドフラッシュに切取溝を形成させる半導体パッケージおよびその切取溝の形成方法、並びに切取溝を有する半導体パッケージにおけるデフラッシュ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、既存の半導体作製工程において、半導体パッケージからフラッシュを除去するために使用されているデフラッシュ方式は、高圧ウォータージェットやメディアなどによるデフラッシュ方式と、レーザビームの照射によるデフラッシュ方式とが広く知られている。
【０００３】
図１ないし図３に示すように、半導体パッケージ１において樹脂成型による封止工程中に封止部１２周辺のリードフレーム１０に部分的に異物のフラッシュ３が付着されてしまうが、これを除去しないと、次の工程であるメッキ工程が行えないため、たいてい高圧に噴射されるウォータージェットやその他メディアなどによるデフラッシュ工程が施されている。このようなデフラッシュ工程が行われる前の状態を図２に示し、デフラッシュ工程後の状態を図３に示す。
【０００４】
しかし、高圧に噴射されるウォータージェットやメディアなどによるデフラッシュ工程が行われても、図３に示すように、封止部１２の一側からリード部１４の一側にかけて付着されていたサイドフラッシュ３０は隅部に残存したまま綺麗に落ちないが、これがデフラッシュ工程における難題とされている。
【０００５】
勿論、ウォータージェットやメディアなどの噴射圧力をより高めてサイドフラッシュ３を完全に除去する方法もあり得るが、過大な超高圧でウォータージェットやメディアなどを噴射すると、むしろ過大な噴射圧により封止部１２やリード部１４が損傷されるなどの問題につながる恐れがある。しかも、より圧力を高めた超高圧状態にウォータージェットの噴射圧力を高めるためには、その噴射圧力の仕様に応じてポンプなどの付帯設備を拡充する必要があり、その分だけ技術的に克服すべき諸問題がさらに生じてくるため、その適用は極めて困難な実情である。
【０００６】
また、レーザビームの照射によるデフラッシュ方式は、主として、一般的に金属からなる防熱板が表面に位置する半導体パッケージを作製する過程中、封止工程で防熱板の表面に付着されるフラッシュを除去する目的に活用しているが、この方式は、防熱板の面積が比較的大きく、その防熱板全体にかけて均一にレーザビームが照射されなければならないので面度であり、その効果も低下せざるを得ない。しかも、ちょっと失敗すると、防熱板以外の封止部にレーザビームを照射してしまい、封止部自体にも損傷をもたらす恐れがあるので、直接サイドフラッシュの除去に活用するには不都合な点があった。
【０００７】
また、防熱板の表面に付着されている異物の形態や厚さなどは様々であり、それらに対応してレーザビームの照射強度をその都度調節するのは容易でないため、その実用化には限界があった。このため、現在は高圧に噴射されるウォータージェットやメディアなどによるデフラッシュ方式が殆ど適用されている実情である。
【０００８】
半導体パッケージおよび半導体パッケージにおけるデフラッシュ方法に関する特許文献としては次のような文献がある。
【特許文献１】特開平１０−２３３４０７号公報
【特許文献２】特開平７−１９３０９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明者は、半導体パッケージにおいて、封止工程で発生するフラッシュのうち、封止部とリード部に同時付着される、除去し難い隅部に位置するリード部のサイドフラッシュを既存より容易で完全に除去するために、いったん封止部からリード部に到る前記フラッシュを切り取って切取溝を形成し、これにより、切取溝を除く他の部位に残っているフラッシュ部は封止部と分離され、単にリード部にのみ付着された状態にすると、切取溝を形成しない場合に比べて容易にサイドフラッシュを除去するデフラッシュ工程が可能になるという事実に着目し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明の目的は、封止部とリード部に同時に付着されて除去し難い隅部に位置するサイドフラッシュのうち、封止部と隣接するサイドフラッシュに切取溝を形成してなる半導体パッケージと、その切取溝を形成する方法を提供することによって、より有効にデフラッシュ工程が行われようにし、且つ、生産製品の品質をより向上させることにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、切取溝が形成された前記半導体パッケージに対してデフラッシュ工程を行う場合、予め切取溝が形成されているサイドフラッシュは封止部とは分離された状態となり、単にリード部のみに付着されて支えられるような支持力だけを持っているため、従来より低圧のウォータージェットやその他メディアによるデフラッシュ工程によってもフラッシュの除去が容易にでき、結果として、デフラッシュの効率を向上させ、且つ、デフラッシュ過程で切取溝を形成する前処理工程と実際にデフラッシュ工程を行う後処理工程の役割を効率的に区分してより経済的な運用を可能にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明は、半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行うに先立ってメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージにおいて、前記封止工程の後、半導体パッケージの封止部とリード部に同時に付着されて除去し難い隅部に位置するサイドフラッシュのうち、前記封止部と隣接して位置する部位に切取溝を形成してなる半導体パッケージを提供する。
【００１３】
また、半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行うに先立ってメッキする部位に対して予めフラッシュ(flash)を除去するための半導体パッケージにおいて、前記封止工程の後に半導体パッケージの封止部とリード部に同時に付着されて除去し難い部位に位置するサイドフラッシュのうち、前記封止部と隣接して位置する部位にレーザビームなどの照射媒体によって切取溝を形成するものの、半導体パッケージを給送する状態で前記照射媒体を固定された位置から照射するか、或いは、半導体パッケージは位置固定した状態で前記照射媒体を移動させて前記切取溝を形成する方法を提供する。
【００１４】
また、前記照射媒体の照射方向を半導体パッケージの一側方向にして切取溝を形成するか、或いは、半導体パッケージの両側方向にするものの、お互い正確に対向するのではなく、お互いずれた位置からそれぞれ照射されるようにして切取溝を形成する方法を提供する。
【００１５】
また、本発明は、除去し難い部位に位置したサイドフラッシュに切取溝を形成した後、このように予め形成した切取溝によって比較的除去し易い状態を保持する残余フラッシュにウォータージェットやその他メディアを照射して完全に除去する半導体パッケージのデフラッシュ方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のデフラッシュ方法によれば、封止部とリード部に同時に付着されて除去し難い隅部に位置するサイドフラッシュに切取溝を形成してなる半導体パッケージと、その切取溝を形成する方法を提供できるため、より有効にデフラッシュ過程が行われようにし、且つ、生産製品の品質をより向上させることができる。
【００１７】
また、切取溝が形成された本発明の半導体パッケージに対してデフラッシュ工程を行う場合、予め切取溝が形成されているサイドフラッシュは封止部とは分離された状態となり、単にリード部のみに付着されて支えられるような支持力だけを持っているため、従来より低圧のウォータージェットやその他メディアによるデフラッシュ工程によってもフラッシュの除去が容易にでき、結果として、デフラッシュの効率を向上させ、且つ、デフラッシュ過程で切取溝を形成する前処理工程と実際にデフラッシュ工程を行う後処理工程の役割を効率的に区分してより経済的な運用を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照しつつ本発明をさらな詳細に説明する。
まず、本発明でフラッシュを除去するためのデフラッシュ工程の特徴的な技術を説明するために適用される半導体パッケージの一例を説明する。つまり、本発明の半導体パッケージは、図４の一番目の図面のように封止部１２の周辺としてリードフレーム１０に不規則的に付着されている異物のフラッシュ３のうち、二番目の図面のように封止部１２とリード部１４に同時に付着されている部位に該当するサイドフラッシュ３０に切取溝２０を形成することにその特徴がある。
【００１９】
つまり、本発明の半導体パッケージは、半導体パッケージの作製工程中、樹脂成型による封止工程の後、メッキ工程を行うに先立ってメッキする部位に対して予めフラッシュを除去するために、封止工程の後に半導体パッケージ１の封止部１２とリード部１４に同時に付着されて除去し難い部位に位置するサイドフラッシュ３０のうち、前記封止部１２と隣接して位置する部位に切取溝２０を形成してなる。
【００２０】
前記切取溝２０は、封止工程の後に半導体パッケージ１の封止部１２とリード部１４に同時に付着されて除去し難い部位に位置するサイドフラッシュ３０のうち、前記封止部１２と隣接して位置する部位にレーザビームなどの照射媒体によって形成するが、半導体パッケージ１を給送する状態で前記照射媒体を固定された定位置で照射するか、逆に半導体パッケージ１は位置固定した状態で前記照射媒体を移動させながら照射して形成する。
【００２１】
特に、半導体パッケージ１を給送する状態で前記照射媒体を固定された定位置から照射する場合、前記照射媒体の照射は、図５に示すように半導体パッケージ１の一側方向から行われるようにするか、あるいは、図６および図７に示すように、半導体パッケージ１の両側方向から行われるようにするものの、お互い正確に対向するのではなく、お互いずれた位置からそれぞれ照射されるようにして切取溝２０を形成するといい。
【００２２】
このように除去し難い部位に位置したサイドフラッシュ３０に切取溝２０を形成した後、前記切取溝２０によって比較的除去し易い状態を保持するサイドフラッシュ３０に対するデフラッシュ工程が行われる。
【００２３】
つまり、本発明のデフラッシュ工程では、上記のように除去し難い部位に位置したサイドフラッシュ３０を、前述のようにレーザビームなどの照射媒体によって切取溝２０を形成する工程によって１次的に除去した後、その他の残り部位に位置し、比較的除去し易い残余フラッシュ３２に対して２次的にデフラッシュ工程を行うものの、このとき、図４の三番目の図面のように完全なデフラッシュのために、ウォータージェットやその他メディアなどによるデフラッシュ工程を行うと好ましい。
【００２４】
このとき、図５に示すように、半導体パッケージ１を中心に、一側方向からのみレーザビームなどの照射媒体が照射される場合にも切取溝２０は形成できるが、図６および図７に示すように、半導体パッケージ１を中心に、お互いずれて両側方向からレーザビームなどの照射媒体が照射されると、先に一側から切取溝２０を形成するために照射媒体が照射されたにもかかわらず一部が残っているか、あるいは、前記切取溝２０以外のリード部１４の前面または背面に位置した残余フラッシュも除去される利点がある。
【００２５】
もちろん、レーザビームなどの照射媒体を使用する場合、上記のようにお互いずれた位置でなく相対向する位置から同時に照射が行われると、照射媒体がお互い衝突して相互損傷を与える危険性があるので、好ましくない。
【００２６】
本発明の好ましい一例によって実際に半導体パッケージ１の封止部１２とリード部１４に同時に付着されて除去し難い部位に位置するサイドフラッシュ３０をレーザビームにて除去するものの、半導体パッケージ１が５m/minの速度に給送される状態で固定位置から照射されるレーザビームによってレーザビーム照射部からサイドフラッシュ３０まで離隔された距離を２０mm以下に維持した状態で、半導体パッケージ１の一側からのみレーザビームの照射が行われるようにして切取溝２０を形成してみた結果、実際に切取溝２０が確実に形成されたことが確認できた。
【００２７】
また、実際に半導体パッケージ１の封止部１２とリード部１４に同時に付着されて除去し難い部位に位置するサイドフラッシュ３０をレーザビームによって除去するものの、半導体パッケージ１が５m/minの速度に給送される状態で固定位置から照射されるレーザビームによってレーザビーム照射部からサイドフラッシュ３０まで離隔された距離を２０mm以下に保持した状態で、半導体パッケージ１の両側からお互いずれるようにレーザビームの照射が順次的に行われるようにしてフラッシュを除去してみた結果、切取溝２０の他に、該切取溝２０と隣接した前・背面に位置していたフラッシュまで確実に除去されたことが確認できた。
【００２８】
なお、前述したように、１次的に切取溝２０を形成した半導体パッケージ１に対して２次的な後処理工程としてデフラッシュ工程を行うものの、３００kg/cm2の圧力下に両側に交互しながら位置固定した４個のノズルから噴射されるウォータージェットを用いて、半導体パッケージ１が５m/minの速度に給送される状態で２次的なデフラッシュ工程を行った結果、前記切取溝２０の形成後にも残っていたフラッシュ３２が確実に除去されたことが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】一般の半導体パッケージの一例を示す部分省略平面図である。
【図２】従来のデフラッシュ方式のうち、ウォータージェットやメディアなどによるデフラッシュ方式を説明するために図１に例示した半導体パッケージの要部を拡大して示す図であって、デフラッシュ工程が行われる前の状態で、フラッシュが付着されている様子を示す拡大平面図である。
【図３】従来のデフラッシュ方式のうち、ウォータージェットやメディアなどによるデフラッシュ方式を説明するために図１に例示した半導体パッケージの要部を拡大して示す図であって、デフラッシュ工程が行われた後にもサイドフラッシュの除去が完全にできておらず、製品の不良状態が持続される例を説明するための要部拡大平面図である。
【図４】本発明の好ましい一例によるデフラッシュ過程を説明するための要部工程図である。
【図５】媒体の照射による切取溝の形成方式のうち、一側からのみ照射が行われる例を示す側面図である。
【図６】媒体の照射による切取溝の形成方式のうち、両側から照射が行われるものの、お互いずれた位置から照射される例を示す図であって、部分省略側面図である。
【図７】媒体の照射による切取溝の形成方式のうち、両側から照射が行われるものの、お互いずれた位置から照射される例を示す図であって、部分省略正面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１：半導体パッケージ
３：フラッシュ
１０：リードフレーム
１２：封止部
１４：リード部
２０：切取溝
３０：サイドフラッシュ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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