(57)【要約】【課題】製鋼工程での高純化、熱延工程での高圧下率化や高温巻き取り化、および連続焼鈍工程での高温焼鈍化等の工程負荷をできるだけ軽減した上で、連続焼鈍時の再結晶粒成長を促進し、高いｒ値（ｒ値≧２．０）と伸び（全伸び≧５０％）を示す極低炭素薄鋼板を提示すること。【解決手段】Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が５×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が５×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項２】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４．７×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項３】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項４】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が５×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項５】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４．７×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項６】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項７】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、スピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の体積個数密度が１．９×１０１０個／ｍｍ３以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項８】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、スピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物の体積個数密度が１．７５×１０１０個／ｍｍ３以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項９】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、スピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の析出物の体積個数密度が１．５×１０１０個／ｍｍ３以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項１０】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項１２】
Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価またはスピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項１３】
請求項４〜９のいずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価またはスピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の２０％以上にＴｉ、Ｃ、Ｎ、Ｎｂの１種以上が含まれていることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径２００ｎｍ超のＬａ酸化物、Ｃｅ酸化物のいずれか一方または双方にＳが含まれていることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径２００ｎｍ超のＬａ酸化物、Ｃｅ酸化物のいずれか一方または双方の２０％以上にＳが含まれていることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加工性、成形性に優れた極低炭素薄鋼板で、自動車や家電製品等のプレス成形に供される鋼板として好適な薄鋼板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、自動車や家電製品など優れた加工性を求められる用途には、Ｃ濃度を０．０１５質量％以下とし、且つＴｉやＮｂ等の炭窒化物形成能の強い元素を添加した、極低炭素鋼が広く用いられており（例えば、特許文献１および特許文献２参照）、成分や製造方法を工夫することにより、これまで加工性をさらに改善する試みがなされてきた。例えば、Ｔｉを添加した極低炭素鋼中のＣ、Ｍｎ、Ｐ等の量を低減させることによって優れた加工性を得ている（特許文献３、特許文献４および特許文献５参照）。また、仕上げ熱延の板厚増加や熱延巻き取り温度の上昇により深絞り性や張り出し性等の加工性に優れた鋼板が開示されている（特許文献６および特許文献７参照）。しかしながら、高純化に依存する方法は、精錬コストの上昇と成分適中能の低下に伴う材質ばらつきの原因となり、また熱延条件の過酷化は加熱炉や熱間圧延機への負荷を増大させるといった問題を生じる。
【０００３】
また、上述したＴｉやＮｂを添加した極低炭素鋼では、微細な炭窒化物が鋼中に存在し、再結晶が著しく抑制される。このため、高温での焼鈍が必要となり、通板時のヒートバックルや板破断の発生、エネルギー消費量が多くなる等の課題もある。これに対して、ＮｂやＴｉを添加しない極低炭素鋼のＭｎ、Ｐ量を適正化し、熱間圧延を制御することによって再結晶温度が低い鋼板が開発されている（特許文献８および特許文献９参照）。しかし、これらの発明では二次加工性が低下すると共に、全伸び（変形開始から破断に至るまでの伸びで、破断伸びを示す。）が５０％以上で、且つランクフォード値（板状試験片に引張変形を与えた時の幅方向のひずみと厚さ方向のひずみの比であり、以降ｒ値と記載する。）が２．０以上の超深絞り用鋼板を得ることは困難である。
【０００４】
【特許文献１】
特公昭４２−１２３４８号公報
【特許文献２】
特公昭５４−１２８８３号公報
【特許文献３】
特開平３−１３０３２３号公報
【特許文献４】
特開平４−１４３２２８号公報
【特許文献５】
特開平４−１１６１２４号公報
【特許文献６】
特開平３−１７０６１８号公報
【特許文献７】
特開平４−５２２２９号公報
【特許文献８】
特開平６−２１２３５４号公報
【特許文献９】
特開平６−２７１９７８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、製鋼工程での高純化、熱延工程での高圧下率化や高温巻き取り化、および連続焼鈍工程での高温焼鈍化等の工程負荷をできるだけ軽減した上で、連続焼鈍時の再結晶粒成長を促進し、高いｒ値（ｒ値≧２．０）と伸び（全伸び≧５０％）を示す極低炭素薄鋼板を得ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を要旨とする。
（１）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が５×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（２）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４．７×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（３）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（４）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が５×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板である。また、
（５）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４．７×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（６）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の析出物の面積個数密度が４×１０６個／ｍｍ２以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（７）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、スピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の体積個数密度が１．９×１０１０個／ｍｍ３以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（８）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、スピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の析出物の体積個数密度が１．７５×１０１０個／ｍｍ３以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（９）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、スピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の析出物の体積個数密度が１．５×１０１０個／ｍｍ３以下であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（１０）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（１１）  （１）〜（３）いずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（１２）  Ｃ濃度が５０ｐｐｍ以下の極低炭素薄鋼板において、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価またはスピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（１３）  （４）〜（９）いずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価またはスピード法による電解面のＳＥＭ評価で、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（１４）  （１）〜（１３）いずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の２０％以上にＴｉ、Ｃ、Ｎ、Ｎｂの１種以上が含まれていることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（１５）  （１）〜（１４）いずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径２００ｎｍ超のＬａ酸化物、Ｃｅ酸化物のいずれか一方または双方にＳが含まれていることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
（１６）  （１）〜（１４）いずれかに記載の極低炭素薄鋼板であって、粒径２００ｎｍ超のＬａ酸化物、Ｃｅ酸化物のいずれか一方または双方の２０％以上にＳが含まれていることを特徴とする加工性に優れた薄鋼板。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳細に説明する。
一般に、極低炭素鋼板は、真空脱ガス装置で極低炭素域まで脱炭処理した溶鋼を連続鋳造し、得られたスラブを熱間圧延し、酸洗、冷間圧延、連続焼鈍の各工程を経て製造される。このような極低炭素鋼板の加工性を向上させるためには、微細析出物の個数密度を減少させることが重要であり、それによりピニング力が低下することで、連続焼鈍時の再結晶粒成長が促進できる。そのためには、真空脱ガス装置の能力範囲内でＣ、Ｎをできるだけ除去し、さらにＴｉ、Ｎｂを添加して固溶Ｃ、Ｎを固定した上で、酸化物、硫化物、炭窒化物等の析出物をできるだけ大きく、且つ少なく分布させることが重要である。
そこで、本発明者らは、ＴｉやＮｂを添加した極低炭素鋼で連続焼鈍時の再結晶粒成長を促進させることにより、加工性をさらに向上させる方法について、微細析出物の挙動に着目した詳細な研究・解析を重ねた結果、Ｌａ、Ｃｅのいずれか一方または双方の添加によりＳを固定することが有効であることを見いだした。
【０００８】
鋼中にＬａ、Ｃｅのいずれか一方または双方を添加して、比較的粒径の大きな（例えば、数μｍ以上）ランタンオキシサルファイドやセリュウムオキシサルファイドとして介在物中に固定することにより、固溶Ｓ濃度を低減させた。鋳片内の固溶Ｓ濃度を低下させると、熱間圧延工程でＳは微細なＴｉＳ（粒径１０〜２００ｎｍ程度）として析出せず、ＴｉＳよりも粒径が大きいＴｉ４Ｃ２Ｓ２（粒径２００ｎｍ程度超）として析出させることができる。また、熱延巻き取り以前の工程で鋼板中のＣもＴｉ４Ｃ２Ｓ２として固定されるので、巻き取り時に析出する微細な炭化物（粒径数１０〜２００ｎｍ程度）の析出量も大幅に低減できる。すなわち、ＬａやＣｅを添加することにより、ＴｉやＮｂを添加した極低炭素鋼における析出物の粒径を大きくし、且つその個数密度を少なくすることができるため、連続焼鈍時の結晶粒成長が促進され、その結果として高ｒ値、高伸び値を示す加工性に優れた鋼板が得られる。
【０００９】
しかし、鋼板中のＣ、Ｎ、ＳおよびＬａ、Ｃｅ添加量が同一であっても、全ての鋼板で加工性が向上するわけではない。これは、ＬａやＣｅを添加する際の溶鋼の状態、特に酸素濃度がばらついているため、分析上成分値が同じであっても、ランタンオキシサルファイドやセリュウムオキシサルファイドが生成せず、単にランタンオキシサイドやセリュウムオキサイドになってＳを固定しないことが原因と考えられる。この場合、上述したように鋼板中の析出物は微細であり、且つその個数密度も多くなるため、連続焼鈍時の再結晶粒成長は阻害され、高加工性鋼板とはならない。そのため、実際の製造に際しては、Ｌａ、Ｃｅを添加する前の溶鋼中酸素濃度に応じて、ランタンオキシサルファイドやセリュウムオキシサルファイドが生成し、その上で微細析出物が後述する所定の粒径と個数密度を満足する条件を析出物分布調査により予め見出し、その添加条件を満足するようにＬａ、Ｃｅの添加量を調整して製造することで、ＴｉやＮｂを添加した極低炭素鋼における微細な析出物の個数密度を少なくすることができるため、連続焼鈍時の結晶粒成長が促進され、その結果として高ｒ値、高伸び値を示す加工性に優れた鋼板が得られる。
【００１０】
熱間圧延、冷間圧延、連続焼鈍等の製造工程における固相での析出状態（析出物の個数密度や粒径分布等）は、上述したように溶鋼中でのオキシサルファイドの生成状況に応じて大きく変化する。そこで、Ｃ：０．００３質量％、Ｓｉ：０．０２質量％、Ｍｎ：０．２質量％、Ｐ：０．０２質量％、Ｓ：０．０１質量％、Ｔｉ：０．０３質量％、Ｎｂ：０．０２質量％、Ｎ：０．００２質量％を基本成分とし、Ｌａ、Ｃｅ量を種々変化させた鋳片を１１５０℃加熱、９３０℃仕上げで熱間圧延し、７３０℃で巻き取り、板厚４ｍｍの熱延板とし、さらに圧下率８０％で冷間圧延後、７８０℃で連続焼鈍して得られた冷延鋼板の加工性と析出物の粒径分布を詳細に調査し、加工性が向上するための析出物分布を定量的に評価した。ここで、析出物の大きさやその個数密度は、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価とスピード法による電解面のＳＥＭ評価で実施した。
【００１１】
抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価とは、試料片の表面をエッチングし、表面に露出した鋼中析出物をＣ蒸着膜などの支持膜に固定してＴＥＭ観察を行い、析出物の大きさや個数密度を評価するものである。抽出レプリカの作製には、金属学会セミナー  局所領域のキャラクタリゼーション（ＩＩ）７９ページ（１９９４年９月５日発行）に示される、ＳＰＥＥＤ法電解−ブランクレプリカ法を用いた。
【００１２】
ＳＰＥＥＤ法電解−ブランクレプリカ法とは、試料片の表面を研磨後、日本金属学会誌４３巻１０６８ページ（１９７９年１１月２０日発行）に示される、ＳＰＥＥＤ法（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｐｏｔｅｎｔｉｏｓｔａｔｉｃ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  ｂｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  Ｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）電解（非水溶媒系電解液−定電位電解）により鋼中の析出物を安定に抽出後、電解面に酢酸メチルを滴下し、その上にアセチルセルロース膜を貼り付け、乾燥後アセチルセルロース膜を機械的に剥離し、Ｃ蒸着を行ったのちにアセチルセルロース膜を酢酸メチルによって溶解してブランクレプリカを作製するものである。非水溶媒系電解液としては１０質量％アセチルアセトン−１質量％テトラメチルアンモニウムクロライド−メタノールを用いた。電解量としては、試料表面の面積１ｃｍ２あたり１０Ｃ（クーロン）（鋼約３ミリグラム相当）を電解した。このようにして作製した抽出レプリカをＴＥＭで観察し、得られたＴＥＭ像を画像処理ソフトウェア（三谷商事株式会社製  ＷｉｎＲＯＯＦ）を用いて二値化し、同ソフトウェアを用いて観察された粒子の円相当直径のヒストグラムを求め、粒子の大きさによる頻度分布を求めた。さらにここで求めた頻度をＴＥＭで観察した視野の面積で除することにより析出物の面積あたりの個数密度に換算した。以上述べてきたＳＰＥＥＤ法は、以降はスピード法と記載する。
【００１３】
次にスピード法による電解面のＳＥＭ評価とは、試料片の表面を研磨後、上記スピード法による電解を行い、試料面を直接ＳＥＭ観察することにより析出物の大きさや個数密度を評価するものである。電解液としては上記と同様、１０質量％アセチルアセトン−１質量％テトラメチルアンモニウムクロライド−メタノールを用い、電解量としては試料表面の面積１ｃｍ２あたり１Ｃ（クーロン）（鋼約０．３ミリグラム相当）を電解した。このようにして電解した表面のＳＥＭ像を画像処理ソフトウェア（三谷商事株式会社製  ＷｉｎＲＯＯＦ）を用いて二値化し、同ソフトウェアを用いて観察された粒子の円相当直径のヒストグラムを求め、粒子の大きさによる頻度分布を求めた。さらにここで求めた頻度をＳＥＭで観察した視野の面積および電解量を深さに換算した数値で除することにより析出物の体積あたりの個数密度に換算した。
【００１４】
以上に述べた条件は、本実施例で用いた条件であって、たとえば非水溶媒系電解液として２質量％トリエタノールアミン−１質量％テトラメチルアンモニウムクロライド−メタノールを用いることも可能であり、１０質量％アセチルアセトン−１質量％テトラメチルアンモニウムクロライド−メタノールに限られるものではない。また電解量も試料表面の面積１ｃｍ２あたり１０Ｃまたは１Ｃ（クーロン）（鋼約３ミリグラムまたは０．３ミリグラム相当）に限られるものではない。また、画像の二値化および粒径分布を求めるために用いるソフトウェアは三谷商事株式会社ＷｉｎＲＯＯＦに限られるものではない。
【００１５】
上記評価方法を用いて析出物を調査した結果、再結晶粒径は鋼板中の析出物個数密度や析出物粒径と強い相関があることが判明した。すなわち、２００ｎｍ以下の微細析出物の個数密度が減少すると、それに応じてピニング力が低下し、再結晶粒成長が促進されることが分かった。
具体的には、析出物の面積個数密度が粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で５×１０６個／ｍｍ２以下、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲で４．７×１０６個／ｍｍ２以下、さらには粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲で４×１０６個／ｍｍ２以下の場合、再結晶粒の成長が促進され、加工性が向上する。
尚、析出物の面積個数密度は、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価で得られた析出物の面積個数密度を用いて求められるが、特にこの方法に限定するものではなく、いかなる分析方法を用いて得られた値を用いても良い。
【００１６】
また、スピード法による電解面のＳＥＭ評価で得られた析出物の体積個数密度が粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で１．９×１０１０個／ｍｍ３以下、粒径１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲で１．７５×１０１０個／ｍｍ３以下、さらには粒径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲で１．５×１０１０個／ｍｍ３以下であることが加工性向上の条件であった。
【００１７】
また、析出物の粒径に関しては、抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価とスピード法による電解面のＳＥＭ評価の何れであっても、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上であれば、加工性が向上する。これは、粒径１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の析出物の平均粒径が４０ｎｍ以上になると、析出物の粒径分布が大きい側にシフトし、それに応じて析出物の個数密度が減少するためである。さらに、析出物の個数密度と平均粒径の両者が、上記条件を満足する場合に、加工性が向上することは勿論である。
【００１８】
上記で観察した１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にある析出物は、殆どＴｉやＮｂを含む炭窒化物であり、２０％以上の析出物にはＴｉ、Ｎｂ、Ｃ、Ｎの１種以上が含有されている。
また、２００ｎｍ超の介在物は、上記析出物の平均粒径や個数密度を満足する場合には、ランタンオキシサルファイド、セリュウムオキシサルファイドのいずれか一方または双方が生成し、すなわちＣｅ酸化物、Ｌａ酸化物のいずれか一方または双方にＳが含まれている。
また、Ｓの固定が良好な場合、Ｃｅ酸化物、Ｌａ酸化物のいずれか一方または双方の２０％以上にＳが含まれている。ここで、Ｃｅ酸化物、Ｌａ酸化物とは、他の成分が付着や結合しているものも含む。
【００１９】
以上に述べたように、加工性は鋼板中の成分で規定できるものではなく、鋼板中の微細な析出物の粒径と個数密度を規定して、始めて再結晶粒の成長を促進し、高加工性材料を得ることができる。ここでは、Ｌａ、Ｃｅ添加を一例にして本発明を説明したが、例えばＣａやＭｇの添加でＳを固定する方法、二次精錬段階で強力に脱硫して極低硫鋼を製造する方法等を組み合わせることも可能であり、本発明はＬａ、Ｃｅの添加に限られたものではない。本発明のより本質的なことは、微細析出物の個数密度、粒径、および組成を制御し上記条件を達成することにある。
【００２０】
本発明では、前述したように鋼板の成分組成を細かく規定するものではないが、自動車や家電等の薄鋼板用途として使用する場合、Ｃ濃度は０．００５質量％以下にする必要がある。これは、Ｃ濃度が０．００５質量％を超えるとＬａ、Ｃｅを添加しても微細な炭窒化物の析出量が多くなり過ぎ、再結晶粒の成長が阻害されるため、薄鋼板用途に必要な加工性が得られないためである。
【００２１】
以下に加工性を向上させ易くするための鋼板中の成分の好ましい成分組成を説明する。
酸可溶Ａｌ≦０．３質量％：酸可溶性Ａｌが高すぎるとＡｌＮが析出し、再結晶粒の成長性を阻害するため、酸可溶Ａｌの濃度は０．３質量％以下にすることが好ましい。
【００２２】
Ｓｉ≦０．３質量％：Ｓｉは鋼の強度を上げる有用な元素であるが、反対に添加量が多くなると伸びなどの加工性が低下する。そこで、本発明では、全伸び≧５０％を達成できるようにＳｉ上限濃度を０．３質量％にすることが好ましい。
【００２３】
Ｍｎ≦３．０質量％：Ｍｎ濃度が高くなると加工性が低下するため、高い加工性、具体的にはｒ値≧２．０、全伸び≧５０％が期待できるように、Ｍｎ濃度の上限値を３．０質量％にすることが好ましい。
【００２４】
Ｐ≦０．０５質量％：Ｐは０．０５質量％を超えると加工性に悪影響を与え、本発明のｒ値≧２．０、全伸び≧５０％が達成されにくくなるため、上限値を０．０５質量％にすることが好ましい。
【００２５】
Ｓ≦０．０３質量％：Ｓが多すぎると製造コストに見合う範囲でＣｅやＬａを添加しても、Ｓを十分に固定しきれないため、微細なＴｉＳを析出して、再結晶粒の成長を阻害する。このため、Ｓの上限値は０．０３質量％とすることが好ましい。
【００２６】
０．０００５≦Ｎ≦０．００３質量％：ＮはＣと同様、固溶状態で存在すると鋼板の加工性を悪化させるため、できるだけ低減することが好ましいが、例えばＮ濃度を０．０００５質量％よりも低減することは、生産性の低下や精錬コストの大幅な増加を招くことになるので、Ｎの下限値は０．０００５質量％が好ましい。また、Ｎ濃度が高ければ多量のＴｉを添加する必要があり、それに対応して微細なＴｉＳが、製造コストに見合う最大限のＬａ、Ｃｅを添加しても析出してしまうため、Ｎの上限値を０．００３質量％とすることが好ましい。
【００２７】
Ｔｉ≦０．０８質量％：Ｔｉは極低炭素鋼において重要な元素であり、鋼中の加工性を悪化させるＣ、Ｎを固定するために添加される。Ｔｉ濃度が０．０８質量％を超えると、製造コストに見合う最大限のＬａ、Ｃｅを添加しても微細なＴｉＳを析出してしまうため、Ｔｉ濃度は０．０８質量％以下とすることが好ましい。
【００２８】
Ｎｂ≦０．０５質量％：Ｎｂは加工性を向上させるため、ＣとＮを固定するために添加される。添加量が０．０５質量％を超えると固溶Ｎｂの存在によりかえって加工性を劣化させるため、Ｎｂ濃度は０．０５質量％以下とすることが好ましい。
【００２９】
【実施例】
転炉出鋼後の溶鋼を真空脱ガス装置により脱炭素処理し、その後所定の成分を添加することにより表１の成分組成からなる溶鋼を溶製した。Ｌａ、Ｃｅの添加量は、脱炭後の溶存酸素濃度とＳ濃度からＬａ、Ｃｅがオキシサルファイドを生成する条件を事前に見いだし、その結果を基にＬａ、Ｃｅ添加量を変化させた。この溶鋼を連続鋳造して得られた鋳片を、１１５０℃加熱、９３０℃仕上げで熱間圧延し、７００℃で巻き取り、板厚４ｍｍの熱延板とした。得られた熱延鋼板を圧下率８０％（圧下率は（初期板厚−最終板圧）／初期板圧×１００で、ここでは板厚４ｍｍを０．８ｍｍまで冷間圧延した。）で冷間圧延後、７８０℃で連続焼鈍し、さらに圧下率０．７％の調質圧延を施し製品板とした。ここで適用した溶鋼成分値、熱延条件および連続焼鈍条件は通常条件であり、特に製鋼工程、熱延工程、連続焼鈍工程に負荷をかける条件とはなっていない。得られた製品板について、引張試験およびｒ値の測定は、ＪＩＳ  Ｚ  ２２０１記載の５号試験片を用いて行った。ｒ値については、圧延方向（Ｌ方向）、圧延方向に垂直な方向（Ｃ方向）、および圧延方向に対して４５°方向（Ｄ方向）の値を測定し、下式により平均のｒ値を算出した。
ｒ＝（ｒＬ＋２ｒＤ＋ｒＣ）／４
【００３０】
また、製品板について、先に述べた抽出レプリカ法によるＴＥＭ評価とスピード法による電解面のＳＥＭ評価により、各々析出物の面積個数密度と体積個数密度を求めた。このようにして得られた結果を表２にまとめて示す。
表２から明らかなように、微細な析出物の個数密度が本発明の個数密度値以下で、平均粒径が本発明の平均粒径値以上を満足する実施例１〜５は何れも、高いｒ値と良好な全伸びを示し、加工性が向上している。
これに対し、比較例６〜１０では、析出物の個数密度が本発明の個数密度値を超え、平均粒径も本発明の平均粒径値より小さくなったため、十分なｒ値と全伸びが得られず、加工性は改善されなかった。
【００３１】
【表１】
2004176143.tif 000002
【００３２】
【表２】
2004176143.tif 000003
【００３３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によると、製鋼工程での高純化、熱延工程での高圧下率化や高温巻き取り化、および連続焼鈍工程での高温焼鈍化等の工程負荷をできるだけ軽減した上で、連続焼鈍時の再結晶粒成長を促進し、高いｒ値（ｒ値≧２．０）と伸び（全伸び≧５０％）を示す極低炭素薄鋼板を得ることができる。