(57)【要約】【課題】コア損失が４００ｋＷ／ｍ３以下と低く、室温で１０８Ω・ｃｍ以上の高抵抗、１２００以上の高い透磁率、３０００ガウス以上のＢｓを示し、Ｔｃ　が１５０℃以上で且つ易焼結である低損失のＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料を提供する。【解決手段】Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＮｉＯ及びＭｎＯを所定量含有し、平均結晶粒径が１〜３０μｍ、且つ焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ３以上であるフェライト材料とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ及びＭｎをそれぞれＦｅ２Ｏ３換算で４７〜５０モル％、ＣｕＯ換算で０．１〜１０モル％、及びＭｎＯ換算で０．０１〜１．０モル％含有し、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．７〜１．９９であり、平均結晶粒径が１〜３０μｍ、且つ焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする低損失フェライト材料。
【請求項２】
請求項１記載の低損失フェライト材料１００重量部に対して、Ｓｉ及びＣｒをそれぞれＳｉＯ２換算で０．０５〜１．０重量部、Ｃｒ２Ｏ３換算で０．０５〜１．５重量部含有することを特徴とする低損失フェライト材料。
【請求項３】
請求項１、２のいずれかに記載の低損失フェライト材料１００重量部に対して、ＢｉをＢｉ２Ｏ３換算で０．０５〜２．０重量部含有することを特徴とする低損失フェライト材料。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の低損失フェライト材料の１００重量部に対して、Ｚｒ及びＹの酸化物をＺｒＯ２換算で０．００１〜０．１重量部、Ｙ２Ｏ３換算で０．００１〜０．１重量部含有することを特徴とする低損失フェライト材料。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載した低損失フェライト材料でもって所定形状になしたことを特徴とするフェライトコア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フェライト材料組成物に関する。特に、低損失、高透磁率、高磁束密度（Ｂｓ）、高抵抗、高キュリー温度（Ｔｃ）、及び易焼結を示すフェライト材料、及びこれを用いたフェライトコアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｎｉ−Ｚｎ系のフェライト材料は、インダクター・変圧器・安定器・電磁石・ノイズ除去等のコアとして広く使用されている。
【０００３】
特に、近年液晶ディスプレイの電子機器への応用拡大に伴い、バックライト点灯用のトランスの市場が拡大している。パソコン、ワープロ、液晶テレビ、カメラ一体型ＶＴＲをはじめ、情報通信機器、ゲーム機、車載用途など液晶搭載機器が広がりを見せる中、トランス回路の小型化・薄型化・高効率化の要求は低コスト化と同時に一段と強まっている。
【０００４】
液晶ディスプレイのバックライトシステムは、輝度、効率、寿命などから冷陰極管方式が主流となっている。冷陰極管を点灯するためには、トランス回路に比較的低圧の直流電圧入力から数千Ｖの交流高電圧出力を発生する必要があり、低電圧側と高電圧側の接点にあるトランスでは耐絶縁性が信頼性向上の重要な課題である。
【０００５】
このため、トランス回路の小型・薄型化・高効率化を実現する上では、トランスの開発が重要なポイントとなっている。
【０００６】
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに各種添加物を加えることによって特性を高めることも提案されているが、（特許文献１、特許文献２、特許文献３）、いずれも上記問題を解決するものではなかった。
【０００７】
このトランスの車載用途として小型化・薄型化・高効率化を実現するためにはフェライト材料としては、低損失・高透磁率・高Ｂｓ・高Ｔｃ・高抵抗であることが要求されている。
【０００８】
損失の大きいフェライト材料を用いると電力損失が増え、これに伴い、発熱量が増える。発熱量が増加すれば、放熱スペースを取る必要性がでてくる。この放熱スペースが大きくなれば、トランス回路の小型化・薄型化は、実現できないのである。また抵抗においても同様で、低抵抗では種々の絶縁対策を行うため小型化・薄型化できないのである。また透磁率、Ｂｓにおいては、トランスは偏磁なので飽和し易く発熱する為、小型化しても飽和しにくく発熱しない為に高透磁率及び高Ｂｓ、及び高Ｔｃ温度の特性が必要である。
【０００９】
また、使用周波数４０〜１００ｋＨｚの範囲で低損失なＭｎ−Ｚｎ系フェライト材料がトランス用フェライト材料として使用されている。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−１７６７１７号公報
【特許文献２】
特開２００１−１０２２０９号公報
【特許文献３】
特開１９９９−０３５３６９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、フェライト材料の中では電気抵抗が数Ω・ｃｍと低く、トランスとして耐電圧を確保する設計が必要であり、小型化、低コスト化の要求に対し限界状態にある。
【００１２】
これに対し、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトはＭｎ−Ｚｎ系フェライトに比べ約１０６倍も電気抵抗が高く、絶縁性に優れており、トランスとしての絶縁対策が容易に行える。さらに、コア・コイル間、コア・端子間などの絶縁対策が不要なため絶縁距離を短くできることで、トランスの小型化が容易に行えると同時に低コストが可能となるという大きな利点がある。ところが、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトに比べ損失（コア損失）が約１０倍と大きく、発熱のためトランスとしての実用性に欠けているという欠点がある。コア損失とは、フェライトコアをトランスとして使用する場合において、電圧を変換する際に生じるコアの損失を表すフェライトの材料定数である。発熱を抑えるためには、コア損失の絶対値は小さい方が好ましい。
本発明はコア損失が４００ｋＷ／ｍ３以下と低く、室温で１０８Ω・ｃｍ以上の高抵抗、１２００以上の高い透磁率、３０００ガウス以上のＢｓを示し、Ｔｃ　が１５０℃以上で且つ易焼結である低損失のＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決する為の手段】
本発明の低損失フェライト材料は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ及びＭｎの酸化物を、それぞれＦｅ２Ｏ３換算で４７〜５０モル％、ＣｕＯ換算で０．１〜１０モル％、ＺｎＯ換算で１０〜３３モル％、ＮｉＯ換算で１５〜３５モル％及びＭｎＯ換算で０．０１〜１．０モル％含有し、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．７〜１．９９である主成分において、平均結晶粒径が１〜３０μｍ、且つ焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする。
【００１４】
また、前記本発明のフェライト材料１００重量部に対して、Ｓｉ、Ｃｒの酸化物をそれぞれＳｉＯ２換算で０．０５〜１．０重量部、Ｃｒ２Ｏ３換算で０．０５〜１．５重量部含有する事を特徴とする。
【００１５】
また、前記フェライト材料１００重量部に対して、Ｂｉの酸化物をＢｉ２Ｏ３換算で０．０５〜２．０重量部含有することを特徴とする。
【００１６】
また、前記フェライト材料１００重量部に対して、Ｚｒ、Ｙの酸化物をそれぞれＺｒＯ２換算で０．００１〜０．１重量部、Ｙ２Ｏ３換算で０．００１〜０．１重量部含有することを特徴とする。
【００１７】
更に、本発明のフェライトコアは、前記低損失フェライト材料でもって所定形状になしたことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の低損失フェライト材料は、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｍｎ系フェライトに対して、必要に応じて、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３及びＢｉ２Ｏ３及びＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３を添加すること、さらに好ましくは所定の成分含有量、平均結晶粒径そして、焼結密度を満足することによって、コア損失が、４００ｋＷ／ｍ３以下、好適には３５０ｋＷ／ｍ３以下となり、更に好適には３００ｋＷ／ｍ３以下となり、更に好適には、２５０ｋＷ／ｍ３以下となり、室温で１０８Ω・ｃｍ以上の高抵抗、透磁率が１２００以上、３０００ガウス以上のＢｓ、１５０℃以上のＴｃ且つ易焼結である低損失のフェライト材料を得られる点が特徴である。
【００１９】
本発明の低損失フェライト材料においては、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ及びＭｎをそれぞれＦｅ２Ｏ３換算で４７〜５０モル％、ＣｕＯ換算で０．１〜１０モル％、及びＭｎＯ換算で０．０１〜１．０モル％含有し、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．７〜１．９９である主成分の平均結晶粒径が１〜３０μｍ、且つ焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ３以上とすることが低損失フェライト材料を得るために重要である。
【００２０】
本発明において、Ｆｅ２Ｏ３を４７〜５０モル％としたのは、Ｆｅ２Ｏ３が４７モル％未満では、Ｂｓ及び透磁率が低下し、５０モル％を超えると抵抗値の低下及びコア損失の増大が生じる為である。
【００２１】
また、ＣｕＯを０．１〜１０モル％としたのは、ＣｕＯが０．１モル％未満では、焼結性が低下し、１０モル％を超えると透磁率が低下するためである。
【００２２】
また、ＭｎＯを０．０１〜１．０モル％としたのは、この範囲外では透磁率、Ｂｓが低下するためである。
【００２３】
また、ＺｎＯ／ＮｉＯ＝１．７〜１．９９としたのは、１．７未満では、透磁率が低下し、１．９９を超えると、Ｂｓ、Ｔｃが低下する為である。
【００２４】
また、低いコア損失及び高い透磁率を同時に実現するために、フェライト材料の平均結晶粒径を１〜３０μｍとする。この数値に限定される理由は、１μｍ未満又は３０μｍを超えると、更に低いコア損失及び高い透磁率を同時に実現することが出来ない為である。
【００２５】
また、本発明のフェライト材料においては、低いコア損失及び高い透磁率を同時に実現するために、焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ３以上とする。この数値に限定される理由は、５．１ｇ／ｃｍ３未満では、実効的な磁性体占有率が低くなるため、低いコア損失及び高い透磁率を同時に実現することが出来ないためである。
【００２６】
なお、平均結晶粒径は焼結体の結晶写真の画像解析、焼結密度はアルキメデス法により測定する。
【００２７】
また、本発明の低損失フェライト材料は、前記低損失フェライト材料１００重量部に対して、Ｓｉ及びＣｒをそれぞれＳｉＯ２換算で０．０５〜１．０重量部、Ｃｒ２Ｏ３換算で０．０５〜１．５重量部含有することが好ましい。ＳｉＯ２を０．０５〜１．０重量部含有することが好ましいのは、０．０５重量部未満では、コア損失を著しく向上させることができないからであり、１．０重量部を超えると透磁率とＢｓを著しく向上させることができないからである。
【００２８】
また、Ｃｒ２Ｏ３を０．０５〜１．５重量部含有することが好ましいのは、０．０５重量部未満では、コア損失を著しく小さくすることができないからであり、１．５重量部を超えると透磁率とＢｓの向上が著しくないからである。
【００２９】
また、本発明の低損失フェライト材料は、前記低損失フェライト材料１００重量部に対してＢｉをＢｉ２Ｏ３換算で０．０５〜２．０重量部含有することが好ましい。Ｂｉ含有量がＢｉ２Ｏ３換算で０．０５重量部未満では、コア損失の向上が著しくなく、２．０重量部を超えると透磁率とＢｓの向上が著しくないからである。
【００３０】
また、本発明の低損失フェライト材料は、前記低損失フェライト材料１００重量部に対してＺｒ及びＹをそれぞれＺｒＯ２換算で０．００１〜０．１重量部及びＹ２Ｏ３換算で０．００１〜０．１重量部含有することで、さらにコア損失を低くすることができる。ＺｒＯ２及びＹ２Ｏ３の添加量を共に０．００１〜０．１重量部としたのは、０．００１重量部未満では、コア損失を著しく向上することができないからであり、０．１重量部を超えると透磁率とＢｓを著しく向上することができないからである。
【００３１】
また、本発明においては、さらに低いコア損失及び高い透磁率を同時に実現するために、低損失フェライト材料を構成する上記成分の含有量を９９〜９９．９９重量％とすることが好ましい。この数値が好ましい理由は、９９重量％未満では、非磁性体の影響により、更にコア損失及び透磁率を同時に著しく高くすることができないからであり、９９．９９重量％を超える成分含有量のものを得るには、原料精製上大変困難であるからである。
【００３２】
なお、本発明の低損失フェライト材料は上記成分以外のものとして例えば、ＭｇＯ、Ｋ２Ｏ、Ｐ２Ｏ５、ＷＯ３、ＰｂＯ、等をいずれも０．０５重量部未満の範囲で含んでもよい。
【００３３】
本発明の低損失フェライト材料の製造方法は、例えばＦｅ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＭｎの酸化物あるいは焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用い、これらを前述した範囲になるように主成分の各原料を調合し、振動ミル等で粉砕混合した後仮焼し、この仮焼粉体に例えばＳｉ、Ｃｒ及びＢｉ及びＺｒ、Ｙの酸化物あるいは焼成により酸化物を生成する炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用い、これらを前述した範囲になるように副成分を加え、ボールミルで粉砕した後、バインダーを加えて造粒し、得られた粉体をプレス成形にて所定形状に成形し、４００〜８００℃の範囲で脱バインダーを行い、焼成する事によって得られる。本発明の製造方法においては、粉砕後の仮焼粉の粒子の９０％以上を粒径０．９μｍ以下、成形体の密度を３．０ｇ／ｃｍ３以上、かつ焼成条件を１０００℃〜１３００℃で１〜１０時間保持とすることが、平均結晶粒径を１〜３０μｍかつ焼結密度を５．１　ｇ／ｃｍ３以上とするために重要である。
【００３４】
また、副成分は仮焼後に加えることを拘束するのではなく、仮焼前に主成分へ加えても特性に何ら影響するものではない。
【００３５】
また、本発明のフェライトコアは、前記フェライト材料を用いてフェライトコアを形成したことを特徴とする。
【００３６】
ここで、フェライトコアとしては、図１（ａ）に示すようなリング状のトロイダルコア１、あるいは、図１（ｂ）に示すようなボビン状コア２とすれば良く、それぞれ巻き線部１ａ、２ａに巻き線を施す事によってコイルとすることができる。
【００３７】
この様な本発明のＮｉ−Ｚｎ系フェライトコアは、特に、ＤＣ−ＤＣコンバーター等、各種電源のトランス等に好適に使用することが出来る。
【００３８】
【実施例】
実施例１
表１に示すＦｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＭｎＯ、ＺｎＯおよびＮｉＯから成る原料を振動ミルで混合した後、８００℃〜９５０℃で仮焼した。この仮焼粉体をボールミルにて粉砕した後、所定のバインダーを加えて造粒し、圧縮成型して図１に示すトロイダルコア１の形状に成形し、この成形体を昇温速度７５℃／時間、温度６００℃及び５時間キープの脱バインダー工程を行い昇温速度２００℃、温度３００℃及び１時間キープの脱バインダー工程を行い１０００〜１３００℃で焼成し、これによって試料Ｎｏ．１〜１８を作製した。この焼成において、焼結性の良否を○と×で２分した。○は１３００℃以下でもって焼結する場合であり、×は１３００℃を超える温度にまで高めることで焼結する場合である。なお、いずれの試料も平均結晶粒径が１μｍ以上、焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ３以上であった。
【００３９】
得られた焼結体をトロイダルコア１とし、これに線径０．２ｍｍの被膜銅線を７ターン巻き付けて１００ｋＨｚで初透磁率を測定した。次にＴｃを透磁率と同じ条件で１０ターン巻き付けて測定した。トロイダルコア１に、図２に示すように線径０．２ｍｍの被膜銅線を用いて一次側巻き線３を１００ターン、二次側巻き線４を３０ターン巻き付けて、一次側巻き線３に電源５を、二次側巻き線４に磁束計６をそれぞれ接続し、１００Ｈｚ、１００エルステッドの条件でＢｓを測定した。次に、コア損失の測定はＢｓ測定と同方法で、一次巻き線３を１０ターン、二次巻き線４を１０ターン巻き付けて、５０ｋＨｚ、１５０ｍＴの条件で測定した。また、抵抗値はＪＩＳ　Ｃ−２１４１の規格に添って測定を行った。
【００４０】
その結果、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が４７モル％未満の試料（Ｎｏ．１）では、Ｂｓ及び透磁率が低くなった。一方、Ｆｅ２Ｏ３が５０モル％を超える試料（Ｎｏ．２）は抵抗値が低く、コア損失が大きくなった。また、ＣｕＯの含有量が０．１モル％未満の試料（Ｎｏ．３）では、焼結性が悪く、１０モル％を超える試料（Ｎｏ．４）では透磁率及びＢｓが低くなった。また、ＭｎＯの含有量が０．１モル％未満または１モル％を超える試料（Ｎｏ．５、６）では、透磁率及びＢｓが低くかった。また、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．７未満の試料（Ｎｏ．７）では透磁率が低く、１．９９を超える試料（Ｎｏ．８）ではＢｓ、Ｔｃが低くなった。なお、平均結晶粒径は１μｍ以上で焼結密度は、５．１ｇ／ｃｍ３以上であった。
【００４１】
これらに対し、Ｆｅ２Ｏ３を４７〜５０モル％、ＣｕＯを０．１〜１０モル％、ＭｎＯを０．１〜１モル％含有し、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．７〜１．９９である試料（Ｎｏ．９〜１８）では、Ｂｓが３０００ガウス以上、透磁率が１２００以上、Ｔｃが１５０℃以上、抵抗値が１０８Ω・ｃｍ以上で焼結性が良好で、且つコア損失が４００ｋＷ／ｍ３以下と優れた特性が得られた。
【００４２】
【表１】
2004107158.tif 000003
【００４３】
次に、主成分を４９．５モル％のＦｅ２Ｏ３、５モル％のＣｕＯ、０．４モル％のＭｎＯ及びＺｎＯ／ＮｉＯ＝１．９０と固定し、平均結晶粒径と焼結密度を変化させ、その他条件は、上記実施例１と同様にしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎｏ．１９〜２２を得た。また、上記成分含有量は、９９重量％以上であった。
【００４４】
この結果より、平均結晶粒径を１〜３０μｍ、焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ３以上の本発明実施例の範囲外の試料（Ｎｏ．１９、２０）では、コア損失を更に低くできなかった。
これに対し平均結晶粒径を１〜３０μｍ焼結密度を５．１ｇ／ｃｍ３以上の本発明の実施例
（Ｎｏ．２１、２２）では、Ｂｓが３０００Ｇ以上、透磁率が１２００以上、Ｔｃが１５０℃以上、抵抗値が１０８Ω・ｃｍ以上と高く、コア損失も４００ｋＷ／ｍ３以下と優れた特性が得られた。
【００４５】
【表２】
2004107158.tif 000004
【００４６】
実施例２
次に、Ｆｅ２Ｏ３を４９．５モル％、ＣｕＯを５モル％、ＭｎＯを０．４モル％、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．９０とし、さらにＳｉＯ２とＣｒ２Ｏ３を表２に示すように変化させて添加し、その他条件は上記実施例１と同様にしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎｏ．２３〜３０を得た。なお、平均結晶粒径は１μｍ以上で、焼結密度は５．１ｇ／ｃｍ３以上であった。
【００４７】
得られた焼結体について、実施例１と同様にしてコア損失、透磁率、Ｂｓ、Ｔｃ及び抵抗値を測定したところ、表３に示すような結果が得られた。
【００４８】
この結果より、ＳｉＯ２の添加量を０．０５〜１．０重量部の範囲外、Ｃｒ２Ｏ３の添加量を０．０５〜１．５重量部の範囲外とした実施例（試料Ｎｏ．２３〜２６）では、コア損失を著しく低くすることはできなかった。
【００４９】
これに対し、ＳｉＯ２の添加量を０．０５〜１．０重量部、Ｃｒ２Ｏ３の添加量を０．０５〜１．５重量部とした試料（Ｎｏ．２７〜３０）では、Ｂｓが３０００Ｇ以上、透磁率が１２００以上、Ｔｃが１５０℃以上、抵抗値が１０８Ω・ｃｍ以上と高く、コア損失が３５０ｋＷ／ｍ３以下と更に優れた特性が得られた。
【００５０】
【表３】
2004107158.tif 000005
【００５１】
実施例３
次に、Ｆｅ２Ｏ３を４９．５モル％、ＣｕＯを５モル％、ＭｎＯを０．４モル％含有し、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比を１．９０とし、さらにＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３を表４に示すように変化させて、その他条件は上記実施例１と同様にしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎｏ．３１〜３６を得た。なお、平均結晶粒径は、１μｍ以上で焼結密度は５．１ｇ／ｃｍ３以上であった。得られた焼結体に対して、実施例１と同様にしてコア損失、透磁率、Ｂｓ、Ｔｃ及び抵抗値を測定したところ、表４に示すような結果が得られた。
【００５２】
この結果より、Ｂｉ２Ｏ３を０．０５〜２．０重量部含有する試料（Ｎｏ．３１〜３２）ではコア損失を低下することができた。
【００５３】
特に、ＳｉＯ２を０．２重量部、Ｃｒ２Ｏ３を０．０５重量部含有しＢｉ２Ｏ３を範囲外の試料（Ｎｏ．３３〜３４）ではコア損失を著しく低くすることはできなかった。
【００５４】
これに対し、ＳｉＯ２を０．２重量部、Ｃｒ２Ｏ３を０．０５重量部含有しＢｉ２Ｏ３を０．０５〜２．０重量部含有する試料（Ｎｏ．３５〜３６）ではＢｓが３０００ガウス以上、透磁率が１２００以上、Ｔｃが１５０℃以上、抵抗が１０８Ω・ｃｍ以上と高く、コア損失が３００ｋＷ／ｍ３以下と更に優れた特性が得られた。
【００５５】
【表４】
2004107158.tif 000006
【００５６】
実施例４
次に、Ｆｅ２Ｏ３を４９．５モル％、ＣｕＯを５モル％、ＭｎＯを０．４モル％含有し、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比を１．９０とし、さらにＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２とＹ２Ｏ３の添加量を表４に示すように変化させて、その他条件は、上記実施例１と同様にしてトロイダルコア１の形状をなす試料Ｎｏ．３７〜４８を得た。なお、いずれの試料も平均結晶粒径は、１μｍ以上で焼結密度は、５．１ｇ／ｃｍ３以上であった。得られた焼結体に対して、実施例１と同様にしてコア損失、透磁率、Ｂｓ、Ｔｃ及び抵抗値を測定したところ、表５に示すような結果が得られた。
【００５７】
この結果より、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３を添加した試料（Ｎｏ．３７〜３８）はコア損失を低くすることができた。
【００５８】
特に、ＳｉＯ２を０．２重量部、Ｃｒ２Ｏ３を０．０５重量部及びＢｉ２Ｏ３を０．１重量部に固定しＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３の添加量が０．００１〜０．１重量部の範囲内の試料（Ｎｏ．３９〜４２）ではＢｓが３０００ガウス以上、透磁率が１２００以上、Ｔｃが１５０℃以上、抵抗が１０８Ω・ｃｍ以上と高くコア損失が２５０ｋＷ／ｍ３と低く更に優れた特性が得られた。
【００５９】
【表５】
2004107158.tif 000007
【００６０】
【発明の効果】
以上のようにＦｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ及びＭｎをそれぞれＦｅ２Ｏ３換算で４７〜５０モル％、ＣｕＯ換算で０．１〜１０モル％、ＺｎＯ換算で１０〜３３モル％、ＮｉＯ換算で１５〜３５モル％、及びＭｎＯ換算で０．０１〜１．０モル％含有し、ＺｎＯ／ＮｉＯのモル比が１．７〜１．９９であり、平均結晶粒径が１〜３０μｍ、且つ焼結密度が５．１ｇ／ｃｍ３以上である本発明の低損失フェライト材料を用いることにより、優れた焼結性、透磁率、Ｂｓ及び抵抗値を維持し、かつコア損失を小さくすることができる。
【００６１】
また、本発明の低損失フェライト材料でフェライトコアを形成することによって、絶縁対策が不要で低損失化が可能となる。従って、このフェライトコアを電源用に用いれば、各種電子機器の小型化・薄型化・高効率化に大きく貢献することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）（ｂ）は本発明のフェライトコアを示す図である。
【図２】本発明のフェライトコアの特性を測定する方法を示す図である。
【符号の説明】
１：トロイダルコア
１ａ：巻線部
２：ボビンコア
２ａ：巻線部
３：一次側巻線
４：二次側巻線
５：電源
６：磁束計
【図１】
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【図２】
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