(57)【要約】【課題】被処理物保持面の均熱性を高めた半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。【解決手段】被処理物を保持する保持面を有する金属板の、保持面とは反対側に形成された絶縁層の上に、導電層を形成することにより、金属板の保持面の均熱性を向上させることができる。前記導電層はヒータ回路であることが好ましい。更に、金属板と絶縁層との熱膨張係数の差を４．０ｘ１０−６／℃以下にすれば、耐久性を向上させることができる。このような保持体を半導体製造装置や液晶製造装置に搭載することにより、生産性や歩留りの良い半導体あるいは液晶製造装置を提供することができる。【選択図】    図１
2004311850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を保持する保持面を有する金属板の、保持面とは反対側の面に形成された絶縁層上に、導電層が形成されていることを特徴とする半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項２】
前記導電層が少なくともヒータ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項３】
前記金属板の熱伝導率が、５０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項４】
前記金属板が、Ａｌ−ＳｉＣであることを特徴とする請求項３に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項５】
前記金属板が、鉄、ステンレス、アルミニウム、あるいは銅であることを特徴とする請求項３に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項６】
前記絶縁層と金属板との熱膨張係数の差が、４．０ｘ１０−６／℃以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項７】
前記金属板と絶縁層との間に、１層以上の中間層を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項８】
前記絶縁層が、アルマイトであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項９】
前記絶縁層が、溶射膜であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１０】
前記絶縁層が、Ａｌ２Ｏ３膜であることを特徴とする請求項９に記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１１】
前記絶縁層が、琺瑯であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１２】
前記導電層の表面を絶縁層で被覆していることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１３】
前記金属板の保持面の平面度が、５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１４】
前記金属板の保持面の面粗さが、Ｒａで３μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１５】
前記金属板が、直径２００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１６】
前記金属板が、厚み５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１７】
前記金属板が、吸水率０．０１％以下であることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の半導体あるいは液晶製造装置用保持体。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれかの保持体が搭載されたことを特徴とする半導体あるいは液晶製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、メタルＣＶＤ、絶縁膜ＣＶＤ、イオン注入、エッチング、Ｌｏｗ−Ｋ成膜、ＤＥＧＡＳ装置などの半導体製造装置あるいは、液晶製造装置に使用される保持体、更にはそれを搭載した処理チャンバー、半導体あるいは液晶製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体あるいは液晶の製造工程では、被処理物である半導体基板あるいは液晶用ガラスに対して成膜処理やエッチング処理など様々な処理が行われる。このような半導体基板あるいは液晶用ガラスに対する処理を行う処理装置では、半導体基板あるいは液晶用ガラスを保持し、半導体基板あるいは液晶用ガラスを加熱するためのセラミックスヒータが用いられている。
【０００３】
このような従来のセラミックスヒータは、例えば特開平４−７８１３８号公報に開示されている。特開平４−７８１３８号公報に開示されたセラミックスヒータは、抵抗発熱体が埋設され、容器内に設置され、ウェハー加熱面が設けられたセラミックス製のヒータ部と、このヒータ部のウェハー加熱面以外の面に設けられ、前記容器との間で気密性シールを形成する凸状支持部と、抵抗発熱体へと接続され、容器の内部空間へと実質的に露出しないように容器外へ取り出された電極とを有する。
【０００４】
この発明では、それ以前のヒータである金属製のヒータで見られた汚染や、熱効率の悪さの改善が図られているが、半導体基板の温度分布については触れられていない。しかし、半導体基板の温度分布は、前記様々な処理を行う場合に、歩留りに密接な関係が生じるので重要である。そこで、例えば特開２００１−１１８６６４号公報では、セラミック基板の温度を均一化することができるセラミックヒータが開示されている。この発明では、セラミック基板面の最高温度と最低温度の温度差は、数％以内であれば、実用に耐えるとされている。
【０００５】
しかし、近年の半導体基板あるいは液晶用ガラスは大型化が進められている。例えば、半導体基板であるシリコン（Ｓｉ）ウェハでは８インチから１２インチへと移行が進められている。また、液晶用ガラスでは、例えば１０００ｍｍｘ１５００ｍｍという非常に大型化が進められている。この半導体基板あるいは液晶用ガラスの大口径化に伴って、セラミックスヒータの半導体基板の保持面（加熱面）の温度分布は、±１．０％以内が必要とされるようになり、更には、±０．５％以内が望まれるようになってきた。
【０００６】
セラミックスヒータの保持面の均熱性を向上させる方法として、熱伝導率の高いセラミックスを用いることがある。セラミックスの熱伝導率が高ければ、抵抗発熱体で発熱した熱が、セラミックスの内部を拡散しやすく、保持面の均熱性を高めることができる。
【０００７】
抵抗発熱体を発熱させるには、通電するので、セラミックスは、電気的に絶縁体である必要がある。しかし、絶縁性のセラミックスで、熱伝導率の高いものは、限られており、例えば、熱伝導率２０００Ｗ／ｍＫのダイヤモンドや５００Ｗ／ｍＫのｃ−ＢＮ（立方晶型窒化ホウ素）等があるが、いずれも超高圧高温の条件でしか得られない材料であり、非常に高価で、製造可能な大きさにも限界があるので、本発明の目的とするセラミックスヒータには用いることができない。
【０００８】
また、一般的に用いられるＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ等のセラミックスでは、均熱性を向上させるために、その厚みを厚くすればよいが、厚みを厚くすると昇温や降温の速度が遅くなり、いわゆるスループットを上げることができないので、生産性が悪くなる。また、厚みを厚くしたり、直径を大きくすれば、セラミックスのコストが飛躍的に上昇してしまうという問題もあった。
【０００９】
【特許文献１】
特開平０４−０７８１３８号公報
【特許文献２】
特開２００１−１１８６６４号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、半導体ウェハあるいは液晶用ガラスの表面の均熱性を高め、安価で生産効率の良い半導体あるいは液晶製造装置用保持体およびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体あるいは液晶製造装置用保持体は、被処理物を保持する保持面を有する金属板の、保持面とは反対側の面に形成された絶縁層上に、導電層が形成されていることを特徴とする。前記導電層はヒータ回路を含むことが好ましい。
【００１２】
記金属板の熱伝導率は、５０Ｗ／ｍＫ以上であることが好ましい。前記金属板は、Ａｌ−ＳｉＣあるいは、鉄、ステンレス、アルミニウム、又は、銅であることが好ましい。また、前記絶縁層と金属板との熱膨張係数の差は、４．０ｘ１０−６／℃以下であることが好ましい。更に、前記金属板と絶縁層との間に、１層以上の中間層を有することが好ましい。
【００１３】
また、前記絶縁層は、アルマイトであることが好ましく、また、溶射膜であることが好ましい。溶射膜としては、、Ａｌ２Ｏ３膜であることが好ましい。また、前記絶縁層は、琺瑯であってもかまわない。更に、前記導電層の表面を絶縁層で被覆していることが好ましい。
【００１４】
前記金属板の保持面の平面度は、５００μｍ以下であることが好ましく、また、その面粗さは、Ｒａで３μｍ以下であることが好ましい。また、前記金属板は、その直径が２００ｍｍ以上であり、その厚みは５０ｍｍ以下であることが好ましい。更に、前記金属板の吸水率は、０．０１％以下であることが望ましい。
【００１５】
また本発明の保持体は、半導体製造装置においては、ウェハを加熱し、液晶製造装置においては、ガラス基板を加熱することが好ましい。
【００１６】
このような保持体を搭載された半導体製造装置や液晶製造装置は、被処理物であるウェハあるいは液晶用ガラス表面の温度が従来のものより均一になるので、歩留り良く半導体あるいは液晶表示装置を製造することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
一般的に量産されている金属は、大型にしても比較的コストは安く、同一のサイズのセラミックスに比べると、そのコストは格段に安価である。しかも、金属の熱伝導率は、比較的高いものが多いので、保持面の均熱性を得ることが容易である。しかし、金属は、導電性であるため、金属に直接導電層を形成することができない。そこで、図１に示すように、金属板１の保持面とは反対側の面に、絶縁層２を形成し、該絶縁層の上に導電層３を形成した保持体とすれば、被処理物６の表面の均熱性を大幅に向上することができ、しかも保持体のコストを安価にできることを見出した。
【００１８】
前記導電層は、ヒータ回路、ＲＦ電極回路、静電チャック電極回路等があり、そのうちの１種類を含む単層であっても、２種類以上を含む多層であってもよい。その中でも本発明の目的の一つである被処理物を均一に加熱するためには、導電層には、少なくともヒータ回路を含むことが好ましい。また、導電層の形成は、溶射や蒸着など既知の方法で行うことができる。
【００１９】
金属板は、高熱伝導率であるほど好ましいが、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有しておれば、本発明の効果が得られるので好ましい。そのような材料としては、Ａｌ−ＳｉＣが好ましい。また、鋼やステンレスのような鉄系金属やアルミニウムあるいは銅であっても、耐食性や耐熱性に優れ、安価であるので好ましい。
【００２０】
金属板に形成する絶縁層は、熱膨張係数が金属板と大きく異なると、加熱時に熱膨張係数の差に起因する熱応力が過大になって、剥離やクラックが発生することがあるので、金属板と絶縁層との熱膨張係数の差は、４．０ｘ１０−６／℃以下であることが好ましい。
【００２１】
また、図２に示すように、金属板１と絶縁層２との間に、熱膨張係数が金属板と絶縁層の熱膨張係数の間である材料からなる中間層４を１層以上形成すれば、金属板と絶縁層との熱膨張係数の差を緩和し、熱応力を低減することができるので、耐久性の観点から好ましい。該中間層は、導電性であっても絶縁性であってもかまわない。
【００２２】
絶縁層は、アルマイトが絶縁性、耐熱性、耐食性、コストの観点から好ましい。また、絶縁層は溶射膜としてもよい。溶射は、安価に大型の金属板上に絶縁層を形成できる手法であるからである。溶射膜としては、絶縁性、耐熱性、耐食性、コストの観点から、Ａｌ２Ｏ３が好ましい。
【００２３】
また、絶縁層は、琺瑯であっても、絶縁性、耐熱性、耐食性、コストの観点から好ましい。特に、金属板を鋼やステンレスなどの鉄系金属とする場合、熱膨張率や濡れ性の観点から好ましい。
【００２４】
また図３に示すように、前記導電層３の表面は、絶縁層５で被覆した方が、導電層の劣化を防ぐ観点から好ましい。特に、導電層がヒータ回路である場合、前記劣化の防止の他に、ヒータ回路で発熱した熱が、金属板とは反対側への放散されるのを抑制することができるので、均熱性や省エネルギーの観点からも好ましい。
【００２５】
また、金属板の被処理物保持面の平面度は５００μｍ以下、面粗さはＲａで３μｍ以下であれば、被処理物を均一に加熱することができ、被処理物表面の温度分布を±１．０％以下にすることができるので、好ましい。
【００２６】
また、金属板の直径が２００ｍｍ以上であれば、本発明の効果が顕著になり、大型の半導体ウェハや液晶用ガラスを処理することができるので、好ましい。更に、金属板の厚みは、５０ｍｍ以下であれば、急速な昇温や降温が可能になるので好ましい。
【００２７】
また、本発明の保持体を設置した装置内を一度真空引きしてから使用する場合は、該保持体からのガスの発生により、真空引きの時間が長くなることを防ぐために、金属板の吸水率は０．０１％以下であることが好ましい。吸水率が０．０１％を超えると、真空引きに要する時間が長くなり、設備の稼動率が低下し、生産効率が悪くなる。
【００２８】
また、本発明の保持体を半導体装置に組み込んで、半導体ウェハを処理することができる。本発明の保持体は、ウェハ保持面の温度が均一であるので、ウェハの温度分布も従来より均一になるので、形成される膜や熱処理等に対して、安定した特性を得ることができる。
【００２９】
また、本発明の保持体を液晶製造装置に組み込んで、液晶用ガラスを処理することができる。本発明の保持体は、液晶用ガラスの保持面の温度が均一であるので、液晶用ガラス表面の温度分布も従来より均一になるので、形成される膜や熱処理等に対して、安定した特性を得ることができる。
【００３０】
【実施例】
実施例１
市販の直径４００ｍｍ、厚み１０ｍｍのＡｌ−ＳｉＣ製の金属板を用意した。このＡｌ−ＳｉＣの熱伝導率は２２０Ｗ／ｍＫであり、熱膨張係数は、４．５ｘ１０−６／℃、吸水率は０．００％である。この金属板の片方の面にＡｌ２Ｏ３膜を溶射により形成した。Ａｌ２Ｏ３を溶射した面と反対側の面を研磨して、平面度３０μｍ、面粗さＲａ０．７μｍに仕上げた。Ａｌ２Ｏ３膜の熱膨張係数は、６．７ｘ１０−６／℃である。
【００３１】
前記Ａｌ２Ｏ３膜の上に、ヒータ回路パターンを抜いたマスクを置いて、ＡｇとＰｄを同時に溶射することにより、Ａｇ−Ｐｄからなるヒータ回路をＡｌ２Ｏ３膜上に形成した。このヒータ回路の両端部にＷ端子を半田接合し、更に系外へ電気的に接続されるＮｉ製の引出線を接合した。
【００３２】
この保持体を真空装置のチャンバー内に設置して、チャンバー内を真空にした。真空引きは、５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。更に真空引きを行いながら，Ａｒを流してチャンバー内を１３．３ｋＰａ（１００ｔｏｒｒ）の減圧にして、前記Ｎｉ引出線を介して２００Ｖの電力を供給して、保持面を２５０℃に加熱した。
【００３３】
保持面の均熱性をウェハ温度計を用いて測定したところ、２５０℃±０．３５％であった。また、この保持体を室温から２５０℃まで昇降温を５００回繰り返すヒートサイクル試験したところ、１０個の保持体を試験して、１０個とも剥離やクラック発生などの問題はなかった。
【００３４】
実施例２
実施例１と同じ金属板を用いた。この金属板をアルマイト処理用の電解液に浸積して、陽極酸化することにより、金属板の表面にγ−Ａｌ２Ｏ３を被覆した。これを沸騰水処理、加熱蒸気処理を行ってγ−Ａｌ２Ｏ３表面の気孔を封孔して、Ａｌ−ＳｉＣのアルマイト処理を行った。その後、該金属板の一面を研磨加工して、平面度３０μｍで、面粗さ０．７μｍ（Ｒａ）に仕上げ、保持面とした。形成したアルマイト処理層の熱膨張係数は、６．７ｘ１０−６／℃である。
【００３５】
実施例１と同様に、金属板の保持面とは反対側の面に、溶射により、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子およびＮｉ引出線を接合した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３５％であった。また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全て剥離やクラックの発生はなかった。
【００３６】
実施例３
実施例１と同様の金属板を用い、その表面に琺瑯処理を施した。琺瑯の熱膨張係数は、３０．５ｘ１０−６／℃であった。琺瑯処理を施した金属板の一面を研磨加工して、平面度３０μｍ、面粗さ０．７μｍ（Ｒａ）の保持面を仕上げた。その後、実施例１と同様にヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。
【００３７】
この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３５％であった。また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中６個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、２６ｘ１０−６／℃と大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。
【００３８】
実施例４
市販の直径４００ｍｍ、厚み１０ｍｍの鋼製の金属板を用意した。この鋼の熱伝導率は５０Ｗ／ｍＫであり、熱膨張係数は、４１ｘ１０−６／℃、吸水率は０．００％である。この金属板に琺瑯処理を施した。琺瑯の熱膨張係数は、３５ｘ１０−６／℃である。実施例１と同様に研磨加工して、平面度３０μｍ、面粗さＲａ０．７μｍの保持面を仕上げた。その後、実施例１と同様にして、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。
【００３９】
この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．６５％であった。また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中８個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、６ｘ１０−６／℃と実施例３よりは小さいが、４．０ｘ１０−６／℃より大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。また、金属板の熱伝導率が、Ａｌ−ＳｉＣよりも低いので、均熱性は実施例１よりは劣っていた。
【００４０】
実施例５
実施例４と同様にして、鋼製保持体を作成した。ただし、実施例４の琺瑯処理の前に、熱膨張係数３８．５ｘ１０−６／℃の琺瑯処理を施した。実施例４と同様に、保持面を仕上げ、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。
【００４１】
この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．６５％であった。
【００４２】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。実施例４とは異なり、中間層を挟んだことにより、熱膨張係数の差が緩和された効果があらわれたことが判る。
【００４３】
実施例６
鋼板の代わりに、熱伝導率４０３Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数２０ｘ１０−６／℃の銅板を用いた以外は、実施例４と同様にして、保持体を作製した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．２５％であった。熱伝導率の良い銅板を用いたことにより、均熱性が向上したことが判る。
【００４４】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中７個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、１５ｘ１０−６／℃と実施例３よりは小さいが、４．０ｘ１０−６／℃より大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。
【００４５】
実施例７
Ａｌ−ＳｉＣ板の代わりに、熱伝導率２３６Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数２３ｘ１０−６／℃のＡｌ板を用いた以外は、実施例１と同様にして、保持体を作製した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３０％であった。熱伝導率の良い銅板を用いたことにより、均熱性が向上したことが判る。
【００４６】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個中５個の保持体に剥離やクラックが発生した。熱膨張係数の差が、１６．３ｘ１０−６／℃と４．０ｘ１０−６／℃より大きい場合、剥離やクラックの発生確率が高くなることが判る。
【００４７】
実施例８
実施例１と同様の保持体を作製した後、ヒータ回路側の面上に、Ａｌ２Ｏ３を溶射し、ヒータ回路を絶縁層で被覆した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３０％であった。ヒータ回路を絶縁層で被覆したことにより、均熱性が向上したことが判る。
【００４８】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックは発生しなかった。
【００４９】
実施例９、１０
実施例２と同様の保持体を作製した。ただし、保持面の研磨加工を調整して、平面度を４００μｍと６００μｍとした。これらの保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、いずれの保持体でも実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、平面度が４００μｍでは、２５０℃±０．３５％であり、平面度が６００μｍでは、２５０℃±０．５５％であった。
【００５０】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックは発生しなかった。
【００５１】
実施例１１
吸水率０．０１５％のＡｌ−ＳｉＣ板を用いた以外は、実施例１と同様にして、保持体を作製した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、６０分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±０．３５％であった。吸水率の大きいＡｌ−ＳｉＣ板を用いたことにより、真空引き中に気孔に吸着したガスがでてくるので、真空引きの時間が長くなったことが判る。
【００５２】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。
【００５３】
実施例１２〜１４
ヒータ回路を、Ｗを蒸着することにより、形成した以外は、実施例１と同様にして、保持体を作製した。なお、保持面の平面度は、実施例１とおなじ３０μｍとしたが、面粗さを実施例１と同じ０．７μｍ（Ｒａ）と、２．５μｍ（Ｒａ）および３．２μｍ（Ｒａ）の３種類とした。
【００５４】
これらの保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、いずれの保持体も実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、Ｒａ０．７μｍで２５０℃±０．３５％、Ｒａ２．５μｍで２５０℃±０．４０％、Ｒａ３．２μｍで２５０℃±０．７０％であった。
【００５５】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、いずれの保持体でも１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。
【００５６】
比較例１
市販の直径４００ｍｍ、厚み１０ｍｍのＡｌ２Ｏ３の板を用意した。このＡｌ２Ｏ３の熱伝導率は２５Ｗ／ｍＫであり、熱膨張係数は、６．７ｘ１０−６／℃、吸水率は０．００％である。Ａｌ２Ｏ３板の一面を研磨して、平面度３０μｍ、面粗さＲａ０．７μｍに仕上げた。
【００５７】
実施例１と同様にして、Ａｇ−Ｐｄヒータ回路を形成し、Ｗ端子とＮｉ引出線を接合した。この保持体を実施例１と同様に、真空装置に設置し、２５０℃での均熱性を測定した。なお、真空引きは、実施例１と同様５分間で１．３Ｐａ（０．０１ｔｏｒｒ）に到達した。その結果、均熱性は、２５０℃±１．２％であった。熱伝導率が低いため、均熱性が非常に悪くなったことが判る。
【００５８】
また、実施例１と同様に、ヒートサイクル試験を行ったところ、１０個の保持体を試験して、１０個全ての保持体に剥離やクラックの発生はなかった。熱伝導率が悪くても、耐久性に差はなかった。
【００５９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、金属板の保持面とは反対側の面に絶縁層を形成し、該絶縁層の上に導電層を形成すれば、保持面の均熱性を高めることができる。前記導電層はヒータ回路であることが好ましい。更に、金属板と絶縁層との熱膨張係数の差を４．０ｘ１０−６／℃以下にすれば、耐久性を向上させることができる。このような保持体を半導体製造装置や液晶製造装置に搭載することにより、生産性や歩留りの良い半導体あるいは液晶製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の保持体の断面構造の一例を示す。
【図２】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【図３】本発明の保持体の断面構造の他の一例を示す。
【符号の説明】
１  金属板
２  絶縁層
３  ヒータ回路
４  中間層
５  被覆絶縁層
６  被処理物
【図１】
2004311850.tif 000003
【図２】
2004311850.tif 000004
【図３】
2004311850.tif 000005