(57)【要約】【課題】Ｃｕ−Ｗ合金、またはＣｕ−ＷＣ合金の冶金的諸条件を最適化することにより、遮断特性と再点弧特性の優れた真空遮断器を提供する。【解決手段】真空遮断器の接点を、１０〜５０重量％のＣｕから成る導電性成分相と、５０〜９０重量％のＷ（またはＷＣ）から成る耐弧成分とを含む接点材料で構成し、昇温過程での接点材料中のＣｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した溶融開始温度Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］を、２．８％以下とする。これにより、遮断特性と再点弧特性とを両立させることができる。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０〜５０重量％のＣｕから成る導電性成分相と、５０〜９０重量％のＷから成る耐弧成分とを含む接点材料であり、昇温過程での前記接点材料中の前記Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した溶融開始温度Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、前記Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、前記溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］が、２．８％以下である接点材料から成る接点を備えたことを特徴とする真空遮断器。
【請求項２】
前記Ｃｕから成る導電性成分相の一部または総てがＡｇであることを特徴とする請求項１に記載の真空遮断器。
【請求項３】
前記Ｗから成る耐弧成分の一部または総てがＭｏであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空遮断器。
【請求項４】
１０〜５０重量％のＣｕから成る導電性成分相と、５０〜９０重量％のＷＣから成る耐弧成分とを含む接点材料であり、昇温過程での前記接点材料中の前記Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した溶融開始温度Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、前記Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、前記溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］が、２．８％以下である接点材料から成る接点を備えたことを特徴とする真空遮断器。
【請求項５】
前記Ｃｕから成る導電性成分相の一部または総てがＡｇであることを特徴とする請求項４に記載の真空遮断器。
【請求項６】
前記ＷＣから成る耐弧成分の一部または総てがＭｏＣであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の真空遮断器。
【請求項７】
１％以下のＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも１つから成る第１の補助成分を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の真空遮断器。
【請求項８】
１％以下のＢｉ、Ｓｂの少なくとも１つから成る第２の補助成分を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の真空遮断器。
【請求項９】
５％以下のＴｅ、Ｓｅの少なくとも１つから成る第３の補助成分を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の真空遮断器。
【請求項１０】
０．０８％以下のＣを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の真空遮断器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、優れた遮断特性と再点弧特性とを有する接点材料を備えた真空遮断器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
（真空バルブの一般的構造）
一般に真空遮断器において、真空中でのア−クの拡散性を利用して高真空中で電流遮断を行わせる真空バルブの接点は、対向する固定、可動の２つの接点から構成されている。
【０００３】
図７に示す如く、絶縁容器１０１の両端開口部を蓋体１０２ａ、１０２ｂにより閉塞した真空容器１０３内に、一対の接点１０４、１０５を対向させて設けると共に、これらを前記蓋体１０２ａ、１０２ｂを貫通させて真空容器１０３内に挿入された通電軸１０６、１０７の端部にそれぞれ装着し、その一方の通電軸１０７を図示しない操作機構により軸方向に移動可能として、前記一方の接点（以下固定接点）１０４に対して、他方の接点（以下可動接点）１０５を接触または開離出来るようにしてある。
【０００４】
この場合、蓋体１０２ｂと通電軸１０７との間には、真空容器１０３内を真空気密に保持し、かつ導電棒１０７の軸方向への移動を可能とするベロ−ズ１０８が設けられる。なお図中１０９は、前記各接点１０４、１０５および通電軸１０６、１０７を包囲する如く設けられたシ−ルドである。
【０００５】
上記真空遮断器は、通常両接点１０４、１０５が接触し通電状態となる。この状態からの動作により通電軸１０７が図中矢印Ｍ方向に移動すると、可動接点１０５が固定接点１０４から開離し、両接点１０４、１０５間にはア−クが発生する。このア−クは陰極例えば可動接点１０５側からの金属蒸気の発生により維持され、電流がゼロ点（零点）に達すると金属蒸気の発生が止まってア−クが維持できなくなり、遮断が完了する。
【０００６】
ところで、上記両接点１０４、１０５間に発生するア−クは、遮断電流が大きいと、ア−ク自身により生じた磁場と外部回路の作る磁場との相互作用により著しく不安定な状態となる。その結果ア−クは接点面上を移動し（接点が電極に取り付けられ一体化している時には、アークは電極面上にも移動している場合もある）、接点の端部或いは周辺部に片寄り、その部分を局部的に過熱し、多量の金属蒸気を放出させて、真空容器１０３内の真空度を低下させる。その結果、真空遮断器の遮断性能は低下する。これらは金属組織などで代表される接点の状態に依存することが多い。
【０００７】
図８は、一対の接点４１、５１を対向させて設けると共に、接点４１の背面には平板型電極４０、接点５１の背面には平板型電極５０をそれぞれ装着した真空バルブである。また接点４１の背面にはコイル電極４０、接点５１の背面にはコイル電極５０をそれぞれ装着してもよい。
【０００８】
（従来の接点材料）
一般に真空遮断器では、大電流遮断性能、耐電圧性能、耐溶着性能の基本的３要件の他に再点弧現象の発生の抑制が重要な要件となっている。
【０００９】
しかしながら、これらの要件の中には相反するものがある関係上、単一の金属種によって総ての要件を満足させることは不可能である。この為、実用されている多くの接点材料に於いては、不足する性能を相互に補うような２種以上の元素を組合せることによって、例えば大電流用、高耐圧用などのように特定の用途に合った接点材料の選択採用が行われ、それなりに優れた特性を持つ真空バルブが開発されているが、それでも一部の機能を犠牲にして対応している製品が多い。さらに強まる要求を充分満足する真空バルブは未だ得られていないのが実情である。
【００１０】
例えば、基本三要件を満たした大電流遮断用接点材料として、ＢｉやＴｅの様な溶着防止成分を５重量％以下含有するＣｕ−Ｂｉ系合金、Ｃｕ−Ｔｅ系合金が知られている（特公昭４１−１２１３１号、特公昭４４−２３７５１号）。Ｃｕ−Ｂｉ合金は結晶粒界に析出した脆いＢｉ、Ｃｕ−Ｔｅ合金は結晶粒界及び粒内に析出した脆いＣｕ２Ｔｅが合金自体を脆化させ低溶着引き外し力が実現したことから大電流遮断特性に優れている。しかしこの合金には、ロウ付け作業性と再点弧特性の安定性に難点がある。
【００１１】
一方、高耐圧・大電流遮断用接点材料として、Ｃｕ−Ｃｒ系合金が知られている。この合金は前記Ｃｕ−Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｔｅ合金よりも、構成成分間の蒸気圧差が少ない為均一な性能発揮を期待し得る利点があり使い方によっては優れたものである。Ｃｒを５０重量％程度含有させたＣｕ−Ｃｒ合金（特公昭４５−３５１０１号）が知られている。この合金は、Ｃｒ自体がＣｕと略同等の蒸気圧特性を保持し、かつ強力なガスのゲッタ作用を示す等の効果で高電圧大電流遮断性を実現し、高耐圧特性と大容量遮断とを両立させ得る接点として多用されている。しかしこの合金は、活性度の高いＣｒを使用していることから、原料粉の選択、不純物の混入、雰囲気の管理などに十分に配慮しながら接点素材を製造（焼結工程など）する時、接点素材から接点片へ加工する時などで、接点製品とするのに細心の配慮を要する。
【００１２】
また、高耐電圧接点材料としてＣｕ−Ｗ系合金が知られている。この合金は高溶融点材料の効果によって優れた耐ア−ク性を発揮している。しかしこの合金では、遮断特性に難点がある。
【００１３】
（再点弧の発生）
真空遮断器には、電流遮断後真空バルブ内で閃絡が発生し接点間が再び導通状態になる（その後放電は継続しない）現象を誘起することがある。この現象を再点弧と呼び、その発生メカニズムは未解明であるが、電気回路が一度電流遮断状態となった後に導通状態に急激に変化する為、異常過電圧が発生しやすい。特にコンデンサバンクの遮断時に再点弧を発生させる実験によれば、極めて大きな過電圧の発生や、過大な高周波電流が流れる為、再点弧の発生抑制技術の開発が求められている。
【００１４】
上記した様に、再点弧現象の発生メカニズムは未だ知られていないが、本発明者らの実験観察によれば、再点弧は真空バルブ内の接点・接点間、接点・ア−クシ−ルド間でかなり高い頻度で発生している。その為、本発明者らは、例えば接点がア−クを受けた時に放出される突発性ガスの抑制技術、接点表面形態の最適化技術など、再点弧の発生抑制に極めて有効な技術を明らかにし、再点弧発生数を大幅に低減化した。しかし、近年の真空バルブに対する高耐電圧化要求、大電流遮断化要求、特に小形化要求には、接点の一層の低再点弧化が必要となってきた。
【００１５】
すなわち近年では、需要家の使用条件の過酷化と共に負荷の多様化が進行している。最近の顕著な傾向として、リアクトル回路、コンデンサ回路などへの適応拡大が挙げられ、それに伴う接点材料の開発、改良が急務となっている。コンデンサ回路では通常の２倍、３倍の電圧が印加される関係上、電流遮断、電流開閉時のア−クによって接点の表面が著しく損傷しその結果接点の表面荒れ、脱落消耗を招き、再点弧発生の一因と考えられるが、しかし再点弧現象は、製品の信頼性向上の観点から重要であるにもかかわらず、未だ防止技術はむろんのこと直接的な発生原因についても明らかにはなっていない。
【００１６】
本発明者らの実験によれば、例えば２０ｋＡ程度の遮断電流では、上記の接点合金のうちＣｕ−Ｗ系合金が再点弧特性に最も有利な傾向がある。
【００１７】
Ｃｕ−Ｗ系合金の加熱過程で放出されるガス総量、ガスの種類並びに放出形態について、再点弧発生との相関を詳細に観察を行ったところ、溶融点近傍で極めて短時間ではあるがパルス状に突発的に放出されるガスが多い接点では、再点弧発生率も高くなることを見出した。そこであらかじめＣｕ−Ｗ系合金をＣｕの溶融温度以上にて加熱するなどして、Ｃｕ−Ｗ合金中の突発的ガスの放出要因を除去しておくことや、Ｃｕ−Ｗ合金の合金中のポアや組織的偏析を抑制する様に焼結技術を改良することなどによって、再点弧現象の発生を低減させた。
【００１８】
しかし近年の更なる再点弧発生抑制要求に対しては、尚改善の必要性を認めると共に他の施策の開発が重要となっている。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
Ｃｕ−Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｔｅ合金は、真空遮断器用接点材料として、８０〜９０％ＩＡＣＳ級の高い導電性と優れた耐溶着性を持ち、回路電圧が１２ｋＶ以下にて適用した場合には、優れた大電流遮断特性を発揮する。しかし回路電圧が１２ｋＶを越える高電圧回路に適用した場合には、再点弧特性が極端に低下する。
【００２０】
Ｃｕ−Ｃｒ接点は、現在高耐圧接点材料として多用されている。ＣｕとＣｒが高温度での蒸気圧特性が近似していることなどが寄与して、遮断した後でも接点表面は比較的平滑な損傷特性を示し、安定した電気特性を発揮している。しかし近年では、一層の大電流遮断や一層の高電圧が印加される可能性のある回路への適応が日常的に行われる結果、接点として加工した新品時の表面の状態、電流遮断後の接点表面の損傷の状態などによっては、耐電圧不良を示し再点弧発生の一因となったり、次の電流の開閉時の接触抵抗の異常上昇や温度の異常上昇を引起こす原因となり、遮断特性の低下の一因となったりしている。しかし、接点の表面状態を管理しても完全には再点弧発生を抑制することが出来ていないのが現実であり、十分な遮断特性が得られていないのが現実である。
【００２１】
Ｃｕ−Ｗ接点は、上記Ｃｕ−Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｔｅ合金やＣｕ−Ｃｒ合金よりも優れた耐電圧特性を有することから、Ｃｕ−Ｂｉ合金、Ｃｕ−Ｔｅ合金やＣｕ−Ｃｒ合金に優先してＣｕ−Ｗ合金を適用してきたが、さらに強まる低再点弧化の要求に対しては十分な接点材料とはいえない実情である。
【００２２】
Ｃｕ−Ｗ合金の遮断特性と再点弧特性は、合金中のＷ量の変動、Ｗ粒子の粒度分布、Ｗ粒子の偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度、接点表面および内部のガスの量や存在状態などに依存し、これらの最適化が重要となっている。これらの最適化を進めているにも拘らず、上述したＣｕ−Ｗ合金でも、より過酷な高電圧領域及び突入電流を伴う回路ではやはり再点弧現象の発生が観察されている。遮断特性にばらつきが発生したり、再点弧発生頻度にもばらつきが見られたりしている。
【００２３】
この様に、上記基本三要件を一定レベルに維持した上で、優れた遮断特性と再点弧特性とを兼備した真空遮断器の実現は未達成であり、これらを両立させた真空遮断器の開発が期待されている。
【００２４】
本発明の目的は、上記の事情に鑑みてなされたもので、Ｃｕ−Ｗ合金、またはＣｕ−ＷＣ合金の冶金的諸条件を最適化することにより、遮断特性と再点弧特性の優れた真空遮断器を提供するにある。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為、本発明に係る真空遮断器は、１０〜５０重量％のＣｕから成る導電性成分相と、５０〜９０重量％のＷから成る耐弧成分とを含む接点材料であり、昇温過程での接点材料中のＣｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した凝固開始温度（発熱開始温度）Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］が、２．８％以下である接点材料から成る接点を備えたことを特徴とする。
【００２６】
すなわちこの発明によって、Ｃｕ−Ｗ接点を備えた真空遮断器は安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。
【００２７】
［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％を越えると、再点弧特性の低下とそのバラツキが発生すると共に、遮断特性も低下する。これは、電流遮断後の冷却過程での被ア−ク点には、液相部分（溶融している部分）が長時間存在していることを指す。耐電圧値の低い（耐電圧特性が劣る）液相状態が長時間存在するということは、再点弧の発生を誘発する機会および遮断不能を起こす機会の増大を招き好ましくない。
【００２８】
［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％以下なら、安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。
【００２９】
［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％以下を得る有力な第１の手段は、耐電圧的に欠陥（弱点）となる液相の存在を短時間に制御することが基本となる。原料表面や焼結容器などの清浄化（例えば、原料がＣｕの場合は焼結前に少なくとも８００℃で３０分程度の脱ガス処理を行う。原料がＡｇの場合は焼結前に少なくとも７００℃で３０分程度の脱ガス処理を行うこと）や、原料の高純度化（例えばＣｕ相中に存在するＣｕ以外またはＣｕＡｇ以外の成分の総量を０．３％以下とすること）や、焼結中雰囲気の高品質化（例えば、１０−２Ｐａ．よりも高真空中での焼結処理を行う。−７０℃以下の露点を持つ高純度水素雰囲気中での焼結処理を行うこと）などが、Ｃｕ液相中（Ａｇ液相中）への溶融点降下物質の侵入を制限し、Ｔ２値の極度の低下を抑制する。
【００３０】
［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％以下を得る他の有力な第２の手段は、常温にある接点がア−クを受け昇温過程に入る時、被ア−ク点からその周辺への熱の伝達を遅らせ、被ア−ク点近傍の温度の上昇を遅らせることによって、液相の生成時刻を遅らせＴ１値を小とする。熱の伝達を遅らせる施策として、例えばＣｕに対して固溶したり反応したりしない１％以下好ましくは０．１％以下の炭素、酸化物などのＣｕ中での存在が有効である。
【００３１】
なお、従来の製造では、上記の有力な第１及び第２の手段には、十分な配慮がなされない為、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比は、２．８を越え、再点弧特性と遮断特性の両立が得られない。本発明の実施では上記の有力な第１及び第２の手段は重複して採用される。
【００３２】
なお、本発明の実施での凝固開始温度Ｔ２の決定に際して、「少なくとも１２００℃」を選択する理由とその効果は、Ｔ２測定値の真値を得ることと測定値のバラツキを無くする為に、温度測定中の接点の全体がＣｕ相の融解温度を完全かつ確実に上回る様に、純銅の溶融温度１０８３℃を大幅に越えさせた測定条件を採用するのが好ましい為である。
【００３３】
また、本発明に係る真空遮断器は、１０〜５０重量％のＣｕから成る導電性成分相と、５０〜９０重量％のＷＣから成る耐弧成分とを含む接点材料であり、昇温過程での接点材料中の前記Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、前記Ｃｕから成る導電性成分相の摂氏で測定した凝固開始温度（発熱開始温度）Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、前記溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］が、２．８％以下である接点材料から成る接点を備えたことを特徴とする。
【００３４】
すなわちこの発明によって、Ｃｕ−ＷＣ接点を備えた真空遮断器は安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。
【００３５】
しかし、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％を越えると、再点弧特性の低下とそのバラツキが発生すると共に、遮断特性も低下する。これに対して、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％以下なら、安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。
【００３６】
［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％を越えると、電流遮断後の冷却過程での被ア−ク点には、液相部分（溶融している部分）が長時間存在していることを指す。耐電圧値の低い（耐電圧特性が劣る）液相状態が長時間存在するということは、再点弧の発生を誘発する機会および遮断不能を起こす機会の増大を招き好ましくない。
【００３７】
［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］比が２．８％以下では、耐電圧的に欠陥（弱点）となる液相の存在を短時間に制御する。原料表面や焼結容器などの清浄化（例えば、焼結前に少なくとも１０００℃で３０分程度の脱ガス処理）や、原料の高純度化（例えばＣｕ以外の成分の総量を０．３％以下とする）や、焼結中雰囲気の高品質化（例えば、１０−２Ｐａ．よりも高真空中での処理、−７０℃以下の露点を持つ高純度水素雰囲気）が、液相中への溶融点降下物質の侵入を制限し、極度のＴ２値の低下を抑制し、２．８％以下の比率を達成する有力な手段の１つである。他の手段として、常温にある接点がア−クを受け昇温過程に入る時、被ア−ク点からその周辺への熱の伝達を遅らせ、被ア−ク点近傍の温度の上昇を遅らせることによって、液相の生成時刻を遅らせＴ１値を小とする。熱の伝達を遅らせる手段として、例えばＣｕに対して固溶したり反応したりしない１％以下好ましくは０．１％以下の炭素、酸化物などのＣｕ中での存在が有効である。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００３９】
本発明の実施形態の主旨は、例えば、Ｃｕ−Ｗ（５０〜９０％）接点に対して、Ｃｕ相（高導電性成分相）の溶融開始温度（示差熱分析に於いて吸熱開始温度として測定される）Ｔ１と、凝固開始温度（示差熱分析に於ける発熱開始温度）Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値を小さくした接点材料から成る接点を真空遮断器に搭載し、再点弧発生と遮断特性の安定化を図ることである。
【００４０】
本発明の実施形態で対象とする接点は、Ｃｕ、Ａｇの少なくとも１つから成る１０〜５０重量％（以下重量％を、単に％と表示する）の高導電性成分相と、Ｗ、Ｍｏの少なくとも１つ（またはＷＣ、ＭｏＣの少なくとも１つ）から成る５０〜９０％の耐弧成分（必要によりＢｉ、Ｔｅなどの耐溶着性成分）とを含む接点材料に対して適応する時に効果を発揮する。
【００４１】
耐弧成分の総量が９０％を越えると（以下耐弧成分としてＷを代表例とし、高導電性成分相としてＣｕを代表例としたＣｕ−Ｗ合金について説明する。他の合金系でも同様の傾向である）、２０ｋＡを越える大電流を遮断すると、盛んな熱電子放出によって、遮断特性が保てない。さらに定格電流の開閉および大電流の遮断によって、接点部もしくは遮断器端子部の温度上昇特性や接触抵抗特性の低下を招き好ましくない。一方、Ｗの総量が５０％未満の接点では、電流遮断時に耐ア−ク性の低下で、遮断後の接点表面は著しいア−ク損傷を受け（Ｗの脱落やＣｕ部分の選択的蒸発、飛散により形成される被アーク点近傍の凹凸や荒れ）を受け再点弧特性の低下を招き好ましくない。
【００４２】
本発明の実施形態で対象とする接点で使用するＷ粒子粒は、０．１〜９μｍの範囲の平均粒子直径（以下粒径）が好ましく、この範囲にあるＷ粒子が少なくとも５０％（容積％）を占める時には、さらに安定した再点弧特性を発揮する（Ｗ以外のＷＣ、Ｍｏ、ＭｏＣであっても同様）。
【００４３】
本発明の他の望ましい実施形態は、ＷにＭｏ及びＦｅを一体化してＷＭｏＦｅとした。その結果ＣｕとＷとの間の濡れ性を改良しＷ粒子とＣｕとの密着強度を向上させた。更に一体化したＷＭｏＦｅによって囲まれるＣｕ相の大きさも好ましい範囲である１０μｍ以下の領域が所定面積以上占める様に制限し接点合金組織の均一化を図った。
【００４４】
その結果、ア−クを受けた時に選択的に優先して蒸発、飛散するＣｕを少なくなる様に制御するのみならず、被ア−ク時の熱衝撃によっても接点面上には、再点弧発生に対して有害な著しい亀裂発生も抑止され、Ｗ粒子の飛散脱落も軽減された。この様に合金組織の均一化、Ｍｏ、Ｆｅの一体化等の改良を図ったので、ア−クを受けた後でも接点表面の溶融、飛散損傷が少なくなり、再点弧抑止に重要な影響を及ぼす接点表面荒れを少なくした。これらの相乗的効果によって、遮断電流特性を維持した上でＣｕ−Ｗ合金の再点弧発生頻度の抑制を得た。
【００４５】
接点片を用いた発明者らの基礎的実験によれば、固体状態にある１対のＣｕ−２７％Ｗ接点を対向させ、一方の接点を加熱しながら、耐電圧特性（暗電流対ギャップ特性）を連続測定すると、接点の一部に液相が出現する温度に到達すると、耐電圧値は大幅に低下（約１０〜５０％低下）する。引き続いてこのＣｕＷ接点を冷却すると耐電圧値は回復する（ほぼ元の耐電圧値に戻る）現象を確認している。
【００４６】
液相の出現は、ア−ク点近傍の熱物性の変化や表面（凹凸）の変化に影響を与えると共に、液相が存在している期間中は、接点蒸気の放出状況、液状接点の噴出状況を左右し、その結果耐電圧特性に影響を与える。従って、液相の出現量の大小や液相が存在している期間（液相の存在時間）の大小が、真空遮断器の耐電圧特性に影響を与えていることを示し、これは再点弧の引き金ともなる可能性があると共に、当然、遮断特性にも影響を与えると考えられる。
【００４７】
本発明は、この知見に基づき、遮断により接点に液相が存在している時間の大小に注目したものである。すなわち液相が存在している時間は、接点が昇温してゆき液相を生成し始めた時の温度（溶融開始温度）Ｔ１と、融解温度以上に加熱された接点を冷却してゆき、接点から液相が消失した時の温度（凝固開始温度）Ｔ２との、両者の差（Ｔ１−Ｔ２）を、液相が存在している時間と定義する。Ｔ１の値は、主としてＣｕ相中のＣｕ以外の成分の種類とその量によって変動するので、ある程度の正確さを持った数値把握が可能である。しかしＴ２の値は、融解温度以上に加熱された時に加熱環境（周囲雰囲気からのガスや不純物の侵入固溶による凝固温度の変動）から影響を受け、その都度変動する為、Ｔ２値は十分には把握出来ない。そこで本発明では、数値把握が可能なＴ１を基本として、これに対するＴ１、Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）との関係を求めた。すなわち本発明は、溶融開始温度Ｔ１と凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）と、Ｔ１との比率を制御するものである。
【００４８】
前記した様に、遮断によって昇温過程にある接点面（被ア−ク点やア−ク点近傍）は著しく高温度となり、接点面の一部に液相を生ずるに至る。遮断完了と共に接点温度はやがて降下し、液相は固体（凝固）となり消滅する。液相が発生してから消滅するまでの時間（液相が存在している時間）の大小は、遮断特性、再点弧特性の維持向上に対して、好ましくない高温度状態に止まっている期間（時間）の大小を指す。一般には、接点材料の状態（材料物性など）、接点材料の製造条件（焼結温度、冷却条件など）、遮断器の機械的条件（投入速度、開極速度、接触圧力など）などによって変動する。従って、高い温度状態に止まっている時間の大小は、真空遮断器の遮断特性、再点弧特性を左右する目安となると共に重要な意味を持つ。
【００４９】
そこで、昇温過程でのＣｕ−Ｗ接点（実質的には同合金中のＣｕ相）の溶融開始温度（示差熱分析に於ける吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後、これを冷却させた時の冷却過程での前記Ｃｕ相の凝固開始温度（示差熱分析に於ける発熱開始温度）Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）と、溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比が重要な意味を持つ。なおここで、Ｃｕ相の凝固温度１０８３℃よりはるかに高い温度、すなわち「少なくとも１２００℃」とする理由は、正確なＴ２値（液相が存在している時間）を決定する為の選択である。実際の真空遮断器での被ア−ク点やア−ク点近傍の温度は、３０００〜６０００℃に達するが、Ｔ２値の決定の為に、わざわざ３０００〜６０００℃に加熱する必要なく、凝固開始温度の測定は１２００℃で十分に安定した数値を得る。
【００５０】
遮断特性、再点弧特性を両立せるのには、（Ｔ１−Ｔ２）値を小さくすることが必要で、その為にはＴ１値を小とするか、Ｔ２値を大とする必要がある。
【００５１】
Ｔ１値を小とするには、一例として、Ｃｕ−Ｗ接点中に存在するＣが、被ア−ク点が受けた熱入力を、他の部分へ熱伝達するのを一定の時間だけ、（熱伝達を）妨害する効果、すなわち接点が溶融を始めるまでの時刻を遅らせる効果を発揮し、Ｔ１を小とする１つの手段となっている（手段１）。
【００５２】
Ｔ２値を大とするには、液相状態となった時のＣｕ液相中のＣｕの純度を高め、純Ｃｕの凝固温度になるべく近い温度で凝固させる。すなわちＣｕ液相中への溶融点を降下させる物質の侵入量が少なくなる様に、高純度原料の使用、清浄部品（焼結容器など）の使用、清浄雰囲気での焼結作業などの配慮を行うことが、Ｔ２値を大とする１つの手段となっている（手段２）。
【００５３】
なお、再点弧の発生を抑制もしくは軽減化する補助技術として、純度、清浄度など品質的に好ましい状態の原料粉［Ｃｕ］と原料粉［Ｗ］とを、清浄雰囲気中で得た後、これらを解砕・分散・混合しながら均一で微細な［Ｃｕ・Ｗ］混合粉体を清浄雰囲気中で得る。これによって投入、遮断で生成する接点表面の微細な凹凸や損傷の発生を低減化させ、電極空間への微小金属粒子の放出、飛散を低減化させる基本効果を得る。これらの基本効果とＴ１とＴ２との制御効果とを重畳させることによって、再点弧特性と遮断特性との両立を一層確実なものにする。
【００５４】
真空バルブの再点弧特性、遮断特性の安定化には、従来から種々の技術が開発されてきた。例えば接点材料の組成、成分量の変動、ガス量、組織形態（粒度、粒度分布、偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度）、接点の表面形態などに依存すると考えられこれらを最適化した。さらに発明者らの観察によれば、再点弧特性のより一層の安定化には、上記に加えてＣｕ−Ｗ合金中のＣｕ相のＴ１（溶融開始温度）とＴ２（冷却過程での凝固開始温度）との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、Ｔ１との比率　［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比が深く関与していることが判った。
【００５５】
この場合のＴ１及びＴ２は、便宜上（℃）で示す数値で計測した。
【００５６】
以下に本発明を実施例と比較例とで詳細に説明する。評価条件と評価結果を図１〜６に示す。
【００５７】
（１）Ｔ１、Ｔ２値の計測
固体状態にある先端が５ｍｍ×長さ３０ｍｍの曲率半径を持つ針状のＣｕＷ電極と、固体状態にある直径２０ｍｍ×厚さ５ｍｍの板状のＣｕＷ試験片電極とを、真空度１０−４Ｐａ．の高真空中で対向させる。板状のＣｕＷ試験片電極表面の一部を例えばレーザ照射法によって、局部的に連続的に昇温して行くと共に、昇温中のその温度を赤外線温度計によって非接触法で計測する。昇温過程にある両電極間に電圧をゼロから絶縁破壊するまで連続印加し、板状ＣｕＷ片の温度と対応した耐電圧値（一定のギャップ間での電圧特性）を連続測定する。昇温過程で接点の一部に液相が出現する温度に到達すると、耐電圧値は大幅に低下（約１０〜１００％程度低下）する。赤外線温度計で計測した温度値と、別途ＣｕＷ片のみを電気炉で加熱しながら示蓋熱分析装置を用いて求めた吸熱開始温度Ｔ１（溶融開始温度）、発熱開始温度Ｔ２（凝固開始温度）とを対比させながらＴ１、Ｔ２値を決定する。
【００５８】
（２）再点弧特性
直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状接点片を、ディマウンタブル型真空バルブに装着し、２４ｋＶ×５００Ａの回路を２０００回遮断した時の再点弧発生頻度を測定した。尚、数値は、実施例４の値を基準とした時の相対値を、バラツキ幅を持って示した。
【００５９】
再点弧発生頻度が、０．１倍未満を評価（Ａ）、０．１〜０．８倍未満を評価（Ｂ）、　　０．８〜１．２倍未満を評価（Ｃ）、１．２〜１．５倍未満を評価（Ｄ）、１．５〜１０倍未満を評価（Ｘ）、１０〜１００倍未満を評価（Ｙ）、１００倍以上を評価（Ｚ）とした。
【００６０】
なお、評価（Ａ）〜（Ｄ）を「合格」、評価（Ｘ）〜（Ｚ）を「不良」の目安とした。
【００６１】
（３）遮断特性
直径７０ｍｍの接点を装着した遮断テスト用実験バルブを開閉装置に取り付けると共にベーキング、電圧エージング等を与えた後、２４ｋＶ、５０Ｈｚの回路に接続し、電流をほぼ１ｋＡずつ増加しながら遮断限界を真空バルブ３本につき評価した。尚、数値は実施例４の値を１．０とした時の比較値を、バラツキ幅を持って示したもので、評価の目安は倍率がＯ．９倍以上は合格、０．９倍未満は不合格である。
【００６２】
（４）遮断テスト用実験バルブの組立ての概要
遮断テスト用実験バルブの組立ての概要を示す。端面の平均表面粗さを約１．５μｍに研磨したセラミックス製絶縁容器（主成分：ＡＬ２Ｏ３）を用意し、このセラミックス製絶縁容器については、組立て前に１６００℃の前加熱処理を施した。封着金具として、板厚さ２ｍｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金を用意した。ロウ材として、厚さＯ．１ｍｍの７２％Ａｇ−Ｃｕ合金板を用意した。上記用意した各部材を被接合物間（セラミックス製絶縁容器の端面と封着金具）に気密封着接合が可能なように配置して、５×１０−４Ｐａ．の真空雰囲気で封着金具とセラミックス製絶縁容器との気密封着工程に供した。
【００６３】
（５）供試接点合金の製造方法
Ｃｕ−Ｗ合金に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％とした上で、耐弧性成分として所定の粒子直径（好ましくは０．１〜９μｍ）を持つＷと、導電性成分として所定量のＣｕを準備する。これらを均一に分散する様に非酸化性雰囲気中で混合し成型した後、非酸化性雰囲気中で焼結熱処理（例えば１０３０℃）または焼結熱処理と溶浸熱処理（例えば１０００℃と１１５０℃を順次）行い、Ｃｕ−Ｗ接点素材（実施例１〜４、比較例１〜２）を準備した。
【００６４】
Ｃｕ−Ｗ合金のＣｕ相とＷ粒子との界面に、補助成分として粒子直径が好ましくは５μｍ以下のＣが存在するＣｕ−Ｗ−Ｃ接点素材（実施例５〜８、比較例３）を準備した。
【００６５】
耐弧成分としてＷの一部または総てをＭｏで置換したＣｕ−Ｗ接点素材（実施例９〜１２）、他の耐弧成分としてＷＣの一部または総てをＭｏＣで置換したＣｕ−Ｗ接点素材（実施例１３〜１５）を準備した。
【００６６】
また、導電性成分としてＣｕの一部または総てをＡｇで置換したＡｇ−Ｗ接点素材（実施例１６〜１７）を準備した。
【００６７】
第１の補助成分としてＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉの１つを含有したＣｕ−Ｗ接点素材（実施例１８〜２１、比較例４）を準備した。第２の補助成分としてＢｉ、Ｓｂの１つを含有したＣｕ−Ｗ接点素材（実施例２２〜２４、比較例５）を準備した。第３の補助成分としてＴｅ、Ｓｅの１つを含有したＣｕ−Ｗ接点素材（実施例２５〜２７、比較例６）を準備した。
【００６８】
次いで、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を（０．０１〜０．１％）、（０．９〜１．１％）、（１．９〜２．１％）、（２．７〜２．８％）、（５．５〜５．６％）としたＣｕ−Ｗ接点素材（実施例２８〜３１、比較例７）を準備した。
【００６９】
接点製造に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比を調整する１つの方法としては、前述の（手段１）、（手段２）のいずれかまたは両者を選択した上で、例えば▲１▼Ｃｕ−Ｗ合金中のＣｕ相中に存在する主成分以外の微量成分の種類とその総量の制御で達成する。すなわちＣｕとＷとの界面に存在するＣを制御する（Ｃ量をＣｕ−Ｗ合金に対して、０．０８％以下とする）。
【００７０】
接点製造に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比を調整する他の方法として、例えば▲２▼焼結処理の温度と時間の制御で達成する。すなわち焼結処理の温度をＴ１値近傍（Ｔ１値±５０℃程度。Ｃｕ−Ｗでは１０３０〜１１３０℃、Ａｇ−ＷＣでは９１０〜１０１０℃）の様に高目の温度を選択すると、ＣｕおよびＷ表面の活性化、ＣｕとＷとの界面（ＡｇとＷＣとの界面）の清浄化を達成し、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比を小とする。
【００７１】
接点製造に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比を調整する他の方法として、例えば▲３▼焼結処理時の処理温度とその後の冷却速度の制御で達成する。すなわち、固相焼結では１０００℃近傍、固相・溶浸焼結では１１００℃近傍を通過する際の冷却速度を、０．１℃〜１０℃／分を選択すると、Ｃｕ相中の内蔵ガス量、Ｗの吸着ガスの両者を、より多く放出させ　［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比は小さくなる。０．１℃／分未満の速度の選択では、生産性が劣る。１０℃／分を越えた速度を選択すると［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比は大きくなる傾向を示す。実際には、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比を一層小さくする為に、前述の（手段１）、（手段２）と、上記▲１▼▲２▼▲３▼の条件とを適宜組み合わせながら実施することが好ましい。
【００７２】
（実施例１〜４、比較例１〜２）
本発明接点のポイントは、遮断器の遮断特性、再点弧特性の両立に対して、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣｕ相の溶融開始温度Ｔ１と冷却過程での凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値とＴ１との比率、すなわち［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比を制御することがポイントとなる。
【００７３】
本発明技術がその効果を効果的に発揮する為のＣｕ−Ｗ合金中のＣｕ量の範囲を明らかとする為に［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７（％）で一定とした接点を製造する。工業的には、製造技術上の理由と経済的な理由から［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率は、３（％）以上や５（％）程度のものが生産される。
【００７４】
＜再点弧特性＞
接点中の総Ｃｕ量を５０％（５０％Ｗ）としたＣｕ−５０％Ｗ接点を搭載した複数の遮断器を２４ｋＶ、２０００回遮断した時の再点弧発生頻度は、１０〜２０回の範囲であった。本発明ではこの特性を性能上の許容範囲とし、この接点の特性を基準とし、実施例４とした。
【００７５】
接点中の総Ｃｕ量を５％（９５％Ｗ）としたＣｕ−９５％Ｗ接点では、一部では１．２〜１．５倍未満（評価Ｄ）を示し合格の判定であったが、多くは１０以上〜１００倍（評価Ｙ）を示した如く、バラツキの大きな再点弧発生となり好ましくない再点弧特性を示した（比較例１）。遮断電流によって接点面が過大に温度上昇したことが一因と考えられる。
【００７６】
接点中の総Ｃｕ量を１０％（９０％Ｗ）としたＣｕ−９０％Ｗ接点では、前記実施例４を基準として比較した再点弧発生頻度は、１．２〜１．５倍未満（評価Ｄ）を示し、良好な再点弧特性を示した（実施例１）。
【００７７】
接点中の総Ｃｕ量を２５％（７５％Ｗ）としたＣｕ−７５％Ｗ接点でも、前記実施例４と比較した再点弧発生頻度は、０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）を示し、良好な再点弧特性を示した（実施例２）。
【００７８】
接点中の総Ｃｕ量を４０％（６０％Ｗ）としたＣｕ−６０％Ｗ接点でも、前記実施例４と比較した再点弧発生頻度は、０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示し、良好な再点弧特性を示した（実施例３）。
【００７９】
これに対して、接点中の総Ｃｕ量を７５％（２５％Ｗ）としたＣｕ−２５％Ｗ接点では、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％としたにもかかわらず、前記実施例４と比較した再点弧発生頻度は、一部では１．２〜１．５倍未満（評価Ｄ）を示し合格の判定であったが、多くは１．５以上〜１０倍（評価Ｘ）を示した如く、バラツキの大きな再点弧発生となり好ましくない再点弧特性を示した（比較例２）。遮断による接点面には激しい荒損が見られている。
【００８０】
以上から本発明技術は、１０〜５０％Ｃｕを含有したＣｕ−Ｗ合金に対して適用する時、再点弧特性にその効果を発揮する。
【００８１】
＜遮断特性＞
接点中の総Ｃｕ量を１０％（９０％Ｗ）としたＣｕ−９０％Ｗ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、０．９〜０．９５倍を示し、良好な遮断特性を示した（実施例１）。
【００８２】
接点中の総Ｃｕ量を２５％（７５％Ｗ）としたＣｕ−７５％Ｗ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、０．９倍から１．０５倍を示し、良好な遮断特性を示した（実施例２）。
【００８３】
接点中の総Ｃｕ量を４０％（６０％Ｗ）としたＣｕ−６０％Ｗ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、１．０〜１．１倍を示し、極めて良好な遮断特性を示した（実施例３）。
【００８４】
接点中の総Ｃｕ量を５０％（５０％Ｗ）としたＣｕ−５０％Ｗ接点を基準接点とし、遮断特性を１．０とした（実施例４）。
【００８５】
これに対して、接点中の総Ｃｕ量を５％（９５％Ｗ）としたＣｕ−９５％Ｗ接点では、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％としたにもかかわらず、前記実施例４と比較した遮断特性は、Ｏ．３〜０．６倍に大幅な低下を示し、極めて劣る遮断特性を示した（比較例１）。
【００８６】
更に、接点中の総Ｃｕ量を更に増加し７５％（２５％Ｗ）としたＣｕ−２５％Ｗ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、０．７〜０．８倍を示し、やや劣る遮断特性を示した（比較例２）。
【００８７】
以上の様に、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を制御して、Ｃｕ−Ｗ合金の遮断特性、再点弧特性を向上させる為には、Ｃｕ量が１０〜５０％のＣｕ−Ｗ合金に対して適応するのが好ましい。
【００８８】
（実施例５〜８、比較例３）
前記実施例１〜４、比較例１〜２では、本発明技術を適応する接点として、Ｃｕ量が１０〜５０％のＣｕ−Ｗ合金が好ましいことを示した。本発明では、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣｕ相とＷとの界面に補助成分を存在させたＣｕ−Ｗ−Ｃ合金としても同等の効果を発揮する。Ｃの補助成分を存在させることによって、ア−ク点から周辺（接触面および接点内部）への熱伝達を遅らせ（微少領域に限っての熱伝導度を小さくし、ア−クを受けてから液相を生成させる時刻を遅らせる）、結果的に液相の存在期間（存在時間）を短縮し、（Ｔ１−Ｔ２）値を小さく調整する結果、再点弧特性、遮断特性に好ましい状態とする。本発明では、この様な補助成分としてＣの存在効果を確認した。
【００８９】
Ｃｕ−Ｗ合金中への適量のＣを存在させる方法としては、次のような方法がある。
【００９０】
第１の方法として、混合作業に於いて、まずＣ量とＣｕ量との比率が容積的に同程度となる様に秤量し、ＣとＣｕとの混合粉を得て、次いで、この混合粉にＣｕのみを追加し混合してゆき、Ｃ量が０．００５％以下、０．０１〜０．１５％に相当する微量のＣをＣｕ−Ｗ中に均一に分散させたＣｕ−Ｗ−Ｃ接点素材を得る。
【００９１】
第２の方法として、有機溶剤で希釈した高分子材料をＣｕ粉の表面層に被覆し、熱分解によってその表面にＣを析出させたＣｕ粉を得て、このＣｕ粉と所定のＷ粉とを混合する。この時希釈する有機溶剤の量と高分子材料の量を調節しながら、Ｃｕ−Ｗ中へのＣの量を調節する。これによって所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１５％）のＣ量をＣｕ−Ｗ中に均一に分散させたＣｕ−Ｗ−Ｃ接点素材を得る。
【００９２】
第３の方法として、Ｃｕ粉とＷ粉とをあらかじめ混合した混合粉を前記第２の方法に従って、有機溶剤で希釈した高分子材料を混合粉表面層に被覆し、熱分解によって混合粉の表面にＣを析出させる。これによって所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１５％）のＣ量をＣｕ−Ｗ中に均一に分散させたＣｕ−Ｗ−Ｃ接点素材を得る。
【００９３】
第４の方法として、前記第１の方法を実施するに於いて、第２の方法で得たＣｕ粉を使用する。これによって所定量範囲（０．００５％以下、Ｏ．０１〜０．１５％）のＣ量をＣｕ−Ｗ中に均一に分散させたＣｕ−Ｗ−Ｃ接点素材を得る。
【００９４】
第５の方法として、前記第１の方法を実施するに於いて、第３の方法で得たＣｕ粉とＷ粉とをあらかじめ混合した混合粉を使用する。これによって所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１５％）のＣをＣｕ−Ｃｒ中に均一に分散させたＣｕ−Ｗ−Ｃ接点素材を得る。
【００９５】
なお、Ｃｕ−Ｗ−Ｃ接点でのＣは、その粒子直径が著しく微細であり、量的には極めて少量であるので、機械的な混合法ではＣ粒子の持つ潤滑性の為に、効果的な混合が行えないなどが原因となって、良質な接点素材が得られない。そこで本発明では、上記した第１〜５の方法を適宜選択し組み合わせることによって、Ｃｕ−Ｗ中のＣの量を所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１５％）とした供試接点を得る。
【００９６】
＜再点弧特性＞
接点中のＣｕ−Ｗ合金中のＣの量を０．００５％、０．０１％、０．０３％、０．０８％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等かそれ以上の良好な特性、すなわち０．１〜０．８倍（評価Ｂ）、０．８〜１．２倍（評価Ｃ）、１．２〜１．５倍（評価Ｄ）を示した（実施例５〜８）。
【００９７】
これに対して、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣの量を０．１５％とした接点では、Ｃｕ−Ｗ中のＣには凝集が見られ、評価した接点によって再点弧の発生頻度に大きなバラツキが見られ、基準接点（実施例４）と比較した再点弧の発生頻度は、１．５倍以上〜１０倍、１００倍以上（評価Ｘ〜Ｚ）を示し、極めて好ましくない再点弧特性を示した（比較例３）。
【００９８】
一方、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣの量を０．００５％未満とする接点では、再点弧特性はさらに良好である。０．００５％未満のＣの量を持つＣｕ−Ｗ合金の製造は、原料の精製（熱処理温度の高温度化による不純物の熱分解の促進）、混合および焼結熱処理工程（粉塵混入の防止）、熱処理用容器材質の選択（Ｃの混入の防止）、熱処理雰囲気と温度の調整と熱処理回数の増加などで調整することによって得る。
【００９９】
＜遮断特性＞
遮断特性の評価は、各接点について測定した遮断電流値を、前記実施例４の遮断電流値を１．０とした倍率で示した。
【０１００】
Ｃｕ−Ｗ合金中のＣの量を０．００５％、０．０１％、０．０３％、０．０８％とした接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等以上の良好な遮断特性、すなわち、０．９５〜１．１倍（実施例５）、０．９５〜１．０５倍（実施例６）、０．９〜１．０倍（実施例７）、０．９〜０．９５倍（実施例８）を示した。
【０１０１】
これに対して、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣの量を０．１５％とした接点では、Ｃｕ−Ｗ中のＣの凝集によって、評価した接点によって遮断特性に大きなバラツキが見られ、基準接点（実施例４）と比較した遮断特性は、０．２５〜０．５倍を示し、大幅な低下とバラツキを示した（比較例３）。
【０１０２】
実施例５に於いて遮断テストに供した後の接点について、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣの分布状態を顕微鏡観察すると、良好な分散を確認した。遮断電流による熱入力に対して断熱効果を十分発揮し、液相が存在する時間を短縮したものと考えられ、その結果遮断特性の向上に寄与したものと考えられる。遮断電流が消滅した時には、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣの断熱効果よりも、熱容量の大幅に大きな近接する電極や導電軸の冷却効果が優先し急速に冷却される為、液相が存在する時間（Ｔ１−Ｔ２）の長短は、液相の生成時刻（溶融開始時刻Ｔ１）を遅らせることにのみ依存する。
【０１０３】
以上の様に、再点弧特性、遮断特性に及ぼすＣｕ−Ｗ合金中のＣ量は、明らかに相関性が見られ、０．０８％以下とすることが好ましい。Ｃｕ−Ｗ合金の遮断特性、再点弧特性を向上させる為には、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を制御した上で、０．０８％以下のＣ量とした１０〜５０％Ｃｕ−Ｗ−Ｃ合金によって対応するのが好ましい。
【０１０４】
すなわち、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣ量を０．０８％以下としたＣｕ−Ｗ−Ｃ合金に対して、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］を２．８％以下とすることによって、遮断特性、再点弧特性は好ましい特性を示す。Ｃｕ−Ｗ接点中のＣ量が０．０８％を越えると、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］を２．８％以下としても、Ｃは凝集した状態となって存在する傾向にあり、素材特性の均質性を損なう結果、再点弧発生頻度にはバラツキを伴う傾向を示すと共に、遮断特性も低下させ、両特性の両立は得られない。
【０１０５】
この様に、Ｃｕ−Ｗ合金中のＣ量が０．０８％以下の場合には、低い再点弧発生頻度を発揮すると共に、遮断特性にも好影響を与えている。Ｃｕ−Ｗ接点中のＣ量を好ましい０．０８％以下とする為には、原料の必要以上の吟味や、特に加熱処理時の雰囲気の制御を要する。
【０１０６】
なお、Ｃｕ−Ｗ接点中のＣの粒子直径（形状が球形でない場合には球に換算した時の直径）または集合体の直径は、５μｍ以下（形状が球形でない場合には球に換算した時の直径）であることが望ましい。Ｃの粒子直径が５μｍ以下では、再点弧の発生頻度のバラツキが少なくなると共に、遮断時の電流による熱流のバランスが良くなり、遮断特性のバラツキも少なくなる。
【０１０７】
（実施例９〜１２）
前記実施例１〜８、比較例１〜３では、Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点について、耐弧成分としてＷを選択した例を示したが、本発明技術では耐弧成分としてＷの一部または総てをＭｏとしてもその効果を発揮する。すなわち２５％Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点に於いて、耐弧成分としてＷの一部をＭｏで置換しＷＭｏ（Ｗ：Ｍｏ＝重量比９９．９９：０．０１、Ｗ：Ｍｏ＝重量比９０：１０、Ｗ：Ｍｏ＝重量比５０：５０、Ｗ：Ｍｏ＝重量比０．０１：９９．９９）としたＣｕ−ＷＭｏ接点を製造した。
【０１０８】
＜再点弧特性＞
基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、いずれも極めて良好な特性０．１倍未満（評価Ａ）ないし０．１〜０．８未満（評価Ｂ）を示した（実施例９〜１２）。
【０１０９】
＜遮断特性＞
基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、いずれも良好な特性０．９〜１．１倍を示し合格の範囲である（実施例９〜１２）。
【０１１０】
ＷＭｏの形成によって、Ｗ粒子の熱的安定性および機械的特性を改善し、その結果再点弧発生の一因となる遮断時のＷ粒子の脱落を抑制する。また適量のＭｏの存在は、遮断時のＷの粒子成長を抑制し、Ｗの微細分散化にも有益に作用する。遮断後の接点面のＳＥＭ観察によれば、脱落したＷ粒子の付着が減少している。
【０１１１】
すなわち、Ｃｕ−Ｗ接点中のＷの一部または総てをＭｏで置換しても、前記［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／（Ｔ１）］が２．８％以下という条件を満たす時には、同様に安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。
【０１１２】
（実施例１３〜１５）
前記実施例１〜８、比較例１〜３では、Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点について、耐弧成分としてＷの選択した例を示したが、本発明技術では耐弧成分としてＷの総てをＷＣとしても、またＷＣの一部または総てをＭｏＣとしてもその効果を発揮する。
【０１１３】
すなわち２５％Ｃｕ−ＷＣ合金の　［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点に於いて、耐弧成分としてＷＣの一部をＭｏＣで置換し、ＷＣＭｏＣ（ＷＣ：ＭｏＣ＝重量比９９．９９：０．０１、ＷＣ：ＭｏＣ＝重量比５０：５０、ＷＣ：ＭｏＣ＝重量比０．０１：９９．９９）としたＣｕ−ＷＣＭｏＣ接点を製造した（実施例１３〜１５）
＜再点弧特性＞
基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、いずれも良好な特性０．１〜０．８未満（評価Ｂ）ないし０．８〜１．２未満（評価Ｃ）を示した（実施例１３〜１５）。
【０１１４】
＜遮断特性＞
基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、いずれも良好な特性０．９〜１．０５倍を示し合格の範囲である（実施例１３〜１５）。
【０１１５】
すなわちＣｕ−Ｗ接点中のＷの総てをＷＣとしても、またＷＣの一部または総てをＭｏＣで置換しても、前記［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］が２．８％以下という条件を満たす時には、同様な安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。（なおここでのＭｏＣとは、Ｍｏ炭化物の意味であって、Ｍｏ２Ｃを含むものである。）
（実施例１６〜１７）
前記実施例１〜１５、比較例１〜３では、Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点について、導電成分としてＣｕを選択した例を示したが、本発明技術では導電成分としてＡｇ、ＡｇＣｕとしてもその効果を発揮する。
【０１１６】
すなわち４０％Ａｇ−Ｗ合金、４０％ＡｇＣｕ（２０Ａｇ＋２０Ｃｕ）−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点を製造した（実施例１６〜１７）。
【０１１７】
＜再点弧特性＞
基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、いずれもほぼ同等の特性０．８〜１．２未満（評価Ｃ）を示した（実施例１６〜１７）。
【０１１８】
＜遮断特性＞
基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、いずれも同等の特性０．９〜１．０倍を示し合格の範囲である（実施例１６〜１７）。
【０１１９】
すなわち、Ｃｕ−Ｗ接点中のＣｕの一部または総てをＡｇで置換しても、前記［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］が２．８％以下という条件を満たす時には、同様に安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。なお、Ｃｕ−ＷＣ接点中のＣｕの一部または総てをＡｇで置換しても、同様の効果が得られる。
【０１２０】
（実施例１８〜２１、比較例４）
前記実施例１〜１７、比較例１〜３では、ＣｕやＡｇなどからなる導電成分と、ＷやＭｏなどからなる耐弧成分とで構成され［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点について、再点弧特性、遮断特性との関係を示したが、本発明技術ではこれら導電成分と耐弧成分との構成のみならずＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉの１つからなる補助成分（１）を存在させても同等の効果を発揮する。
【０１２１】
すなわち２７％Ｃｕ−Ｗ合金の　［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点に於いて、補助成分（１）として０．２％〜５％のＣｏ、０．２％のＦｅ、０．２％のＮｉとしたＣｕ−Ｗ−Ｃｏ、Ｃｕ−Ｗ−Ｆｅ、Ｃｕ−Ｗ−Ｎｉ接点を製造した。なお、原料に起因する不可避的な程度の微量の補助成分（１）のＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなどの成分は、前記実施例１〜１７、比較例１〜３中にも存在している。ここではこれらの量を越えた量の添加が対象である。
【０１２２】
＜再点弧特性＞
補助成分（１）として０．２％〜１％のＣｏの場合では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等以上の良好な特性Ｏ．１未満ないし０．１〜０．８未満（評価Ａ〜Ｂ）を示した。素材自体の相対密度の改善と安定化が寄与した（実施例１８〜１９）。
【０１２３】
これに対して、補助成分（１）として５％のＣｏの場合では、遮断特性は向上しているものの、Ｃｏの偏析が避けられず０．１〜０．８未満（評価Ｂ）と１．５以上〜１０倍（評価Ｘ）の再点弧特性を示し、大きなバラツキが見られ再点弧特性と遮断特性との両立は得られず好ましくない（比較例４）
なお、補助成分（１）として０．２％のＦｅ、Ｎｉの場合でも、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等の良好な特性０．１〜０．８未満（評価Ｂ）ないし０．８〜１．２未満（評価Ｃ）を示し合格である（実施例２０〜２１）。
【０１２４】
＜遮断特性＞
補助成分（１）として０．２％〜１％のＣｏの場合では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等以上の特性１．０５〜１．１５倍を示し向上した（実施例１８〜１９）。なお補助成分（１）として５％のＣｏの場合では、遮断特性はさらに向上し、１．１〜１．２５倍未満を示した（比較例４）が、上記の様に再点弧特性に大きなバラツキが見られている。
【０１２５】
なお、補助成分（１）として０．２％のＦｅ、Ｎｉの場合でも、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、良好な特性０．９５〜１．１倍を示し合格である（実施例２０〜２１）。
【０１２６】
すなわち、１％以下のＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも１つから成る補助成分（１）を含有させると、焼結後の被焼結体（接点合金）の密度を幅広く調節でき、健全な焼結体とし、一層安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。１％を越えて補助成分（１）が存在すると、導電性の低下に伴って遮断特性の低下を招くと共に、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］を２．８％以下とした時に得られる効果が十分には発揮されない。
【０１２７】
なお、Ｃｕ−ＷＣ接点中に１％以下のＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの少なくとも１つから成る補助成分（１）を含有させても、同様の効果が得られる。
【０１２８】
（実施例２２〜２４、比較例５）
前記実施例１〜１７、比較例１〜３では、ＣｕやＡｇなどからなる導電成分と、ＷやＭｏなどからなる耐弧成分とで構成され［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点について、再点弧特性、遮断特性との関係を示したが、本発明技術ではこれら導電成分と耐弧成分との構成のみならずＢｉ、Ｓｂの１つからなる補助成分（２）を存在させても同等の効果を発揮する。すなわち２７％Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点に於いて、補助成分（２）として０．１％〜５．０％のＢｉ、０．１％のＳｂとしたＣｕ−Ｗ−Ｂｉ、Ｃｕ−Ｗ−Ｓｂ接点を製造した。
【０１２９】
＜再点弧特性＞
補助成分（２）として０．１％〜１％のＢｉの場合では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等程度の特性（評価Ｂ〜Ｃないし評価Ｃ〜Ｄ）を示し合格の範囲である（実施例２２〜２３）。
【０１３０】
これに対して、補助成分（２）として５％のＢｉの場合では、Ｂｉの偏析が避けられず、再点弧特性は評価（Ｙ）ないし評価（Ｚ）を示し、大幅な低下が見られ好ましくない（比較例５）。
【０１３１】
なお、補助成分（２）として０．１％のＳｂの場合でも、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等程度の特性（評価Ｂ〜Ｃ）を示し合格の範囲である（実施例２４）。
【０１３２】
＜遮断特性＞
補助成分（２）として０．１％〜１％のＢｉの場合では、耐溶着性も改善した上に、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等の遮断特性０．９〜１．０倍を示し合格の範囲である（実施例２２〜２３）。
【０１３３】
これに対して、補助成分（２）として５％のＢｉの場合では、Ｂｉの偏析が避けられず、耐溶着性は改善されるものの、遮断特性は０．４〜０．５５倍未満を示し大幅な低下が見られ好ましくない（比較例５）。
【０１３４】
なお、補助成分（２）として０．１％のＳｂの場合でも、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等の遮断特性０．９〜０．９５倍を示し合格の範囲である（実施例２４）。
【０１３５】
すなわち、１％以下のＢｉ、Ｓｂの少なくとも１つから成る補助成分（２）を含有させると、接点合金の耐溶着性を調節する結果、遮断後に引き外した接点面は平滑性を持ち、一層安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。１％を越えて補助成分（２）が存在すると、材料自体が脆い性質を示し逆に遮断後に引き外した接点面は粗となり平滑性を損ない、遮断後の再点弧特性の低下を招くと共に、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］を２．８％以下として得られる効果が十分には発揮されない。
【０１３６】
なお、Ｃｕ−ＷＣ接点中に１％以下のＢｉ、Ｓｂの少なくとも１つから成る補助成分（２）を含有させても、同様の効果が得られる。
【０１３７】
（実施例２５〜２７、比較例６）
前記実施例１〜１７、比較例１〜３では、ＣｕやＡｇなどからなる導電成分と、ＷやＭｏなどからなる耐弧成分とで構成され［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点について、再点弧特性、遮断特性との関係を示したが、本発明技術ではこれら導電成分と耐弧成分との構成のみならずＴｅ、Ｓｅの１つからなる補助成分（３）を存在させても同等の効果を発揮する。すなわち２７％Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点に於いて、補助成分（３）として０．５％〜１０％のＴｅ、０．５％のＳｅとしたＣｕ−Ｗ−Ｔｅ、Ｃｕ−Ｗ−Ｓｅ接点を製造した。
【０１３８】
＜再点弧特性＞
補助成分（３）として０．５％〜５％のＴｅの場合では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等程度の特性（評価Ｃ〜Ｄ）ないし許容範囲の（評価Ｄ）を示し合格の範囲である（実施例２５〜２６）。
【０１３９】
これに対して、補助成分（３）として１０％のＴｅの場合では、Ｃｕ２Ｔｅの偏析が避けられず、再点弧特性は（評価Ｚ）を示し、極端な低下が見られ好ましくない（比較例６）。
【０１４０】
なお、補助成分（３）として０．５％のＳｅの場合でも、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等程度の特性（評価Ｃ〜Ｄ）を示し合格の範囲である（実施例２７）。
【０１４１】
＜遮断特性＞
補助成分（３）として０．５％〜５％のＴｅの場合では、耐溶着性も改善した上に、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等の遮断特性０．９〜１．０倍を示し合格の範囲である（実施例２５〜２６）。
【０１４２】
これに対して、補助成分（３）として１０％のＴｅの場合では、Ｃｕ２Ｔｅの偏析が避けられず、耐溶着性は改善されるものの、遮断特性は０．４〜０．５５倍未満を示し大幅な低下が見られ好ましくない（比較例６）。
【０１４３】
なお、補助成分（３）として０．５％のＳｅの場合でも、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等の遮断特性０．９〜０．９５倍を示し合格の範囲である（実施例２７）。
【０１４４】
すなわち、５％以下のＴｅ、Ｓｅの少なくとも１つから成る補助成分（３）を含有させると、接点合金の耐溶着性を調節する結果、遮断後に引き外した接点面は平滑性を持ち、一層安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。５％を越えて補助成分（３）が存在すると、材料自体が脆い性質を示し逆に遮断後に引き外した接点面は粗となり平滑性を損ない、遮断後の再点弧特性の低下を招くと共に、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］を２．８％以下として得られる効果が十分には発揮されない。
【０１４５】
なお、Ｃｕ−ＷＣ接点中に５％以下のＴｅ、Ｓｅの少なくとも１つから成る補助成分（３）を含有させても、同様の効果が得られる。
【０１４６】
（実施例２８〜３１、比較例７）
前記実施例１〜２７では、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％の範囲に近似した状態の接点を選択した上で、遮断特性、再点弧特性への影響を検討した。
【０１４７】
このようにＴ１とＴ２を一定範囲とする効果的な手段の１つは、あらかじめ原料Ｃｕを移動速度１ｃｍ／６０分程度の一方向溶解によって、Ｔ１、Ｔ２値に影響を与える成分やガス状成分などＣｕ中の余分な成分を特に十分に小さくしておくこと、あらかじめ原料Ｗ粉を真空中で少なくとも１３５０℃の温度で加熱処理しておくこと、これらの凝固温度近傍を通過する際の冷却速度を十分に小に制御すること、次いでこれら原料を汚染させずに焼結して接点を得ること、焼結熱処理に際してその表面に同程度以上に清浄な状態のＣｕを被覆した容器を選択して使用することなどを基本として、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％の範囲に調整した。
【０１４８】
しかし、本発明技術を実施する場合に於いて、Ｔ１とＴ２とは１．６〜１．７の範囲のみに限ることなくその効果を発揮する。すなわち上記した手段の１つまたは複数を組合せることによって、Ｔ１とＴ２とを広く調整した接点を製造した。
【０１４９】
＜再点弧特性＞
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を０．０１〜０．１％とした場合には、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、極めて良好な特性０．１倍未満（評価Ａ）ないし０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）を示した（実施例２８）。
【０１５０】
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を０．９〜１．１％とした接点を得た。基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、良好な特性０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）を示した（実施例２９）。
【０１５１】
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．９〜２．１％とした接点を得た。基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）ないし０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示した（実施例３０）。
【０１５２】
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を２．７〜２．８％とした接点を得た。基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）ないし１．２〜１．５倍未満（評価Ｄ）を示した（実施例３１）。
【０１５３】
これに対して、Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を５．５〜５．６％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、１．５以上〜１０倍未満（評価Ｘ）ないし１００倍以上（評価Ｚ）の如く、大きなバラツキと極めて好ましくない再点弧特性を示した（比較例７）。
【０１５４】
＜遮断特性＞
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を０．０１〜０．１％とした場合には、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．１５〜１．２５倍の極めて良好な遮断特性を示した（実施例２８）。
【０１５５】
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を０．９〜１．１とした接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．０〜１．１倍の良好な遮断特性を示した（実施例２９）。
【０１５６】
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を１．９〜２．１％とした接点を得た。基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、良好な特性０．９５〜１．１倍を示した（実施例３０）。
【０１５７】
Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を２．７〜２．８％とした接点を得た。基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、良好な特性０．９〜０．９５倍を示した（実施例３１）。
【０１５８】
これに対して、Ｃｕ−Ｗ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を５．５〜５．６％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、０．５〜０．６倍を示し、大幅な遮断特性の低下を示した（比較例７）。
【０１５９】
以上の様に、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を２．８％以下に制御したＣｕ−Ｗ合金に於いて、遮断特性、再点弧特性の両立が得られる。
【０１６０】
なお、Ｃｕ−ＷＣに於いても、［（Ｔ１−Ｔ２）×１００／Ｔ１］比率を２．８％以下に制御することにより、遮断特性、再点弧特性の両立が得られる。
【０１６１】
【発明の効果】
本発明によれば、遮断によって接点面の一部分が溶融してから、これが消滅するまでの間の時間（液相が存在している時間）を短く制御したので、再点弧特性と遮断特性とを両立させた真空遮断器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空遮断器の実施例１〜８および比較例１〜３の評価条件を示す表図。
【図２】本発明に係る真空遮断器の実施例９〜２１および比較例４の評価条件を示す表図。
【図３】本発明に係る真空遮断器の実施例２２〜３１および比較例５〜７の評価条件を示す表図。
【図４】本発明に係る真空遮断器の実施例１〜８および比較例１〜３の評価結果を示す表図。
【図５】本発明に係る真空遮断器の実施例９〜２１および比較例４の評価結果を示す表図。
【図６】本発明に係る真空遮断器の実施例２２〜３１および比較例５〜７の評価結果を示す表図。
【図７】代表的な真空バルブの構成を示す図。
【図８】代表的な真空バルブの他の構成を示す図。
【符号の説明】
４０…電極（接点４１の背面）
４１…固定接点
５０…電極（接点５１の背面）
５１…可動接点
１０１…絶縁容器
１０２ａ…固定側蓋体
１０２ｂ…可動側蓋体
１０３…真空容器
１０４…固定接点
１０５…可動接点
１０６…固定通電軸
１０７…可動通電軸
１０８…ベロ−ズ
１０９…ア−クシ−ルド
Ｍ…通電軸１０７の移動方向
【図１】
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【図２】
2004071436.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004071436.tif 000006
【図６】
2004071436.tif 000007
【図７】
2004071436.tif 000008
【図８】
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