(57)【要約】【課題】比較的低温で、高品質の有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成することが可能な有機絶縁膜の作製方法を提供する。【解決手段】炭素と炭素との３重結合を有し、有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を基板上に塗布する。基板上に塗布されたモノマまたはオリゴマに紫外線を照射して重合反応を生じさせ、有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成する。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素と炭素との３重結合を有し、有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を基板上に塗布する工程と、
前記基板上に塗布されたモノマまたはオリゴマに紫外線を照射して重合反応を生じさせ、有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程と
を有する有機絶縁膜の作製方法。
【請求項２】
前記紫外線が、波長２００〜３５０ｎｍの成分を含む請求項１に記載の有機絶縁膜の作製方法。
【請求項３】
（ａ）有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を、表面上に半導体能動素子が形成された基板の上に塗布する工程と、
（ｂ）前記基板上に塗布されたモノマまたはオリゴマに紫外線を照射して重合反応を生じさせ、有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマが、炭素と炭素との３重結合を有し、前記工程（ｂ）において、該３重結合部分で重合反応を生じさせる請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記紫外線が、波長２００〜３５０ｎｍの成分を含む請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、前記基板を加熱しながら紫外線を照射する請求項３〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）において、基板の温度が３５０℃を超えないように該基板を加熱する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
透明基板の表面上に、行列状に配置された複数の薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタの各行に対応し、対応する行の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線、薄膜トランジスタの各列に対応し、対応する薄膜トランジスタのソース電極に接続されたソース配線を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ、前記ゲート配線、及び前記ソース配線を覆うように、前記透明基板の上に、有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を塗布する工程と、
前記透明基板上に塗布されたモノマまたはオリゴマに紫外線を照射して重合反応を生じさせ、有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に、前記薄膜トランジスタの各々に対応して、該薄膜トランジスタのドレイン領域に接続される画素電極を形成する工程と
を有するＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項９】
前記透明基板の法線に平行な視線で見たとき、前記画素電極の外周が、前記ゲート配線及びソース配線と重なっている請求項８に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記モノマまたはオリゴマが、炭素と炭素との３重結合を有し、前記重合反応を生じさせる工程において、該３重結合部分で重合反応を生じさせる請求項８または９に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機絶縁膜の作製方法及び半導体装置の製造方法に関し、特に有機絶縁膜の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を基板上に塗布し、重合させて有機絶縁膜を形成する方法、その有機絶縁膜を有する半導体装置及びＴＦＴ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路装置の微細化及び高集積化に伴い、低誘電率の有機絶縁材料を用いた層間絶縁膜が注目されている。特開昭６３−１４４５２５号公報に開示された方法では、水素シルセスキオキサン樹脂溶液を、電子素子の形成された基板表面に塗布し、溶剤を蒸発させた後、１５０〜１０００℃の熱処理を行うことにより、絶縁膜が形成される。一般的には、縦型バッチ式加熱炉において、４００℃以上の温度で約１時間の最終の熱処理が行われる。
【０００３】
半導体集積回路装置が、デュアルダマシン法で形成された多層配線を有する場合、このような高温で長時間の熱処理を行うと、下層と上層とを接続するビアホール部分でストレスマイグレーションによる導通不良が発生しやすい。さらに、半導体能動素子のスタンバイ時のリーク電流が、製造途中の熱負荷に大きく依存することが知られている。熱負荷が大きくなると、スタンバイ時のリーク電流が増大する。
【０００４】
液晶表示装置の低消費電力化のために、絶縁膜の誘電率を低下させることが望ましい。ところが、ガラス基板の軟化点よりも高い温度で熱処理を行うことはできない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
有機ポリマの重合反応は、処理温度に大きく依存しており、熱処理温度を下げて、処理時間を長くしても、所望の架橋率の高品質の膜を得ることはできない。
【０００６】
本発明の目的は、比較的低温で、高品質の有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成することが可能な有機絶縁膜の作製方法を提供することである。
本発明の他の目的は、比較的低温で作製した高品質の有機絶縁膜を有する半導体装置及びＴＦＴ基板の製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、炭素と炭素との３重結合を有し、有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を基板上に塗布する工程と、前記基板上に塗布されたモノマまたはオリゴマに紫外線を照射して重合反応を生じさせ、有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する有機絶縁膜の作製方法が提供される。
【０００８】
本発明の他の観点によると、（ａ）有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を、表面上に半導体能動素子が形成された基板の上に塗布する工程と、（ｂ）前記基板上に塗布されたモノマまたはオリゴマに紫外線を照射して重合反応を生じさせ、有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の観点によると、透明基板の表面上に、行列状に配置された複数の薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタの各行に対応し、対応する行の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線、薄膜トランジスタの各列に対応し、対応する薄膜トランジスタのソース電極に接続されたソース配線を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ、前記ゲート配線、及び前記ソース配線を覆うように、前記透明基板の上に、有機絶縁材料の原料となるモノマまたはオリゴマを溶剤に溶解させた原料溶液を塗布する工程と、前記透明基板上に塗布されたモノマまたはオリゴマに紫外線を照射して重合反応を生じさせ、有機絶縁材料からなる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に、前記薄膜トランジスタの各々に対応して、該薄膜トランジスタのドレイン領域に接続される画素電極を形成する工程とを有するＴＦＴ基板の製造方法が提供される。
【００１０】
紫外線を照射して重合反応を生じさせることにより、比較的低温で所望の架橋率を達成することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
有機絶縁材料の原料として、ダウケミカル社のＳｉＬＫ（登録商標）や、ハネウェル社のＧＸ−３（登録商標）等が知られている。これらの原料は、炭素と炭素との３重結合を有するモノマまたはオリゴマを含み、この３重結合部分で重合反応を生じさせることにより、有機絶縁性ポリマが形成される。
【００１２】
図１に、有機絶縁性ポリマの原料組成物を構成する一部分の分子モデルを示す。２つのベンゼン環同士が、相互に３重結合している２つの炭素原子を介して結合している。２つのベンゼン環が同一平面上にあるとき（平行状態のとき）と、ベンゼン環の含まれる平面が相互に直交するとき（直交状態のとき）が、安定したエネルギ状態である。半経験的分子軌道法により、そのエネルギ差を計算したところ、約０．４２ｋｃａｌ／ｍｏｌであった。このため、室温程度の熱エネルギによって、ベンゼン環がほぼ自由に回転する。すなわち、図１に示した分子モデルは、室温状態において、平行状態、直交状態、及びそれらの中間の状態を取り得る。
【００１３】
この分子モデルの紫外吸収スペクトルを、分子軌道法により求めた。ベンゼン環が平行状態の時に、波長３０５ｎｍ付近に大きな吸収ピークが現れ、ベンゼン環が直交状態の時に、波長２４５ｎｍ付近に大きな吸収ピークが現れることがわかった。この分子モデルは、室温で平行状態、直交状態、及び両者の中間の状態を取り得るため、室温では、波長２４５ｎｍから３０５ｎｍまで広がる吸収ピークが現れると考えられる。
【００１４】
実際の有機絶縁性ポリマの原料組成物は、この分子モデルよりも複雑な構造をしているため、吸収ピークはよりブロードになるであろう。有機絶縁性ポリマの原料組成物に、波長２００〜３５０ｎｍの紫外線を照射することによって、重合反応を促進させることができると思われる。
【００１５】
次に、図２及び図３を参照して、本発明の第１の実施例による有機絶縁膜の作製方法について説明する。
基板上に、有機絶縁材料の原料組成物であるＳｉＬＫ（ダウケミカル社の登録商標）をスピンコート法により塗布する。塗布前の原料組成物の平均分子量は８０００〜１００００である。ホットプレートを用いて、３２０℃で９０秒間の仮焼成を行い、主溶剤を蒸発させる。この仮焼成温度は、主溶剤であるシクロヘキサノンの沸点１５６℃、及び溶剤であるγブチロラクトンの沸点２０６℃、及び有機絶縁膜と下地表面との密着性を高めるためのカップリング材の反応の観点から最適化されたものである。
【００１６】
図２に、焼成装置の概略断面図を示す。真空容器１内に基板保持台６が配置されており、その上に基板１０が保持される。基板保持台６にはヒータが内蔵されており、その上に保持された基板１０を加熱することができる。真空容器１の内部が、排気管５を経由して真空排気される。
【００１７】
真空容器１の上側の開口部がランプ室２で気密に塞がれている。ランプ室２の内部に深紫外線ランプ４が装填されている。ランプ室２の内部空洞と真空容器１の内部空洞との間の隔壁に、石英ガラス板３が取り付けられている。深紫外線ランプ４から放射された紫外線が、石英ガラス板３を透過して、真空容器１内に配置された基板１０の表面に照射される。
【００１８】
有機絶縁材料の原料溶液を塗布し、仮焼成した基板１０を、図２に示した焼成装置の基板保持台６の上に載置する。真空容器１内を真空排気し、基板１０を所定の温度に加熱しながら、その表面に紫外線を照射する。紫外線の照射と基板加熱とにより、有機絶縁材料の重合反応が進行する。
【００１９】
図３に、焼成時間と架橋率との関係を、種々の焼成温度について示す。図３の横軸は焼成時間の平方根を単位「分１／２」で表し、縦軸は架橋率を単位「％」で表す。図中の丸印、四角形、菱形、ばつ印、及びプラス印は、それぞれ焼成中の基板温度を１００℃、２００℃、３００℃、３５０℃、及び２３℃として焼成を行った試料の架橋率を示す。なお、いずれの試料においても、基板１０の表面における紫外線のパワー密度は、２．１ｍＷ／ｃｍ２である。架橋率は、ラマン分光法を用い、炭素同士の３重結合とベンゼンのラマンピークから見積もることができる。
【００２０】
従来の焼成方法（紫外線を照射することなく、基板温度４００℃で３０分間の熱処理）で形成した有機絶縁膜の架橋率は約７０％である。本実施例においては、基板加熱に加えて紫外線照射を行っているため、例えば、基板温度３５０℃で約５分間の焼成、基板温度３００℃で約２５分間の焼成、または基板温度２００℃で約１００分間の焼成を行うことにより、架橋率を７０％まで高めることができる。
【００２１】
有機絶縁膜の密着性、脱ガス特性、及びストレス等の観点から、架橋率を６０％以上にすることが好ましい。基板加熱と紫外線照射とを併用することにより、基板温度を４００℃程度まで高めることなく、６０％以上の架橋率を達成することができる。
【００２２】
上記第１の実施例では、仮焼成後に、基板１０を、図２に示した焼成装置内に配置したが、図２に示した焼成装置を用いて仮焼成と本焼成とを連続的に行うことも可能である。これにより、スループットの向上を図ることができる。
【００２３】
上記第１の実施例では、基板表面における紫外線のパワー密度を２．１ｍＷ／ｃｍ２にしたが、パワー密度はこの値に限らない。パワー密度を高くすれば、より架橋率を高めることができるであろう。スループットを低下させることなく十分な架橋率を達成するためには、紫外線のパワー密度を２．１ｍＷ／ｃｍ２以上にすることが好ましい。
【００２４】
重合過程中に酸素が混入すると、炭素同士の３重結合が切断された活性部分に酸素原子が結合してしまう。このため、焼成期間中は、真空容器１内を、圧力０．１３Ｐａ（１×１０−３ｔｏｒｒ）以下の真空状態に維持しておくことが好ましい。真空の代わりに、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気としてもよい。
【００２５】
次に、図４及び図５を参照して、本発明の第２の実施例による半導体装置の製造方法について説明する。
図４（Ａ）に示すように、シリコンからなる半導体基板２０の表層部に、シリコン局所酸化（ＬＯＣＯＳ）またはシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）により素子分離絶縁膜２１を形成し、活性領域を画定する。活性領域上に、周知の方法を用いてＭＯＳＦＥＴ２２を形成する。ＭＯＳＦＥＴ２２は、ソース領域２２Ｓ、ドレイン領域２２Ｄ、及びゲート電極２２Ｇを含んで構成される。
【００２６】
半導体基板２０の上に、フォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）からなる第１層目の層間絶縁膜２５を、化学気相成長（ＣＶＤ）により形成する。第１層目の層間絶縁膜２５の上に窒化シリコンからなるエッチングストッパ膜２６を、ＣＶＤにより形成する。エッチングストッパ膜２６及び層間絶縁膜２５を貫通し、ドレイン領域２２Ｄまで達するコンタクトホールを形成する。
【００２７】
ＴｉＮ層及びタングステン層を堆積し、化学機械研磨（ＣＭＰ）により余分なＴｉＮ層及びタングステン層を除去することにより、コンタクトホール内にＴｉＮからなるバリアメタル層２７、及びタングステンからなる導電性プラグ２８を残す。
【００２８】
図４（Ｂ）に示す状態に至るまでの工程を説明する。図４（Ｂ）〜図５（Ｅ）には、第１層目の層間絶縁膜２５よりも上の層のみを示す。エッチングストッパ膜２６の上に、上記第１の実施例による方法で有機絶縁材料からなる厚さ１５０ｎｍの層間絶縁膜３０を形成する。層間絶縁膜３０の上に、酸化シリコンからなる厚さ２５０ｎｍのキャップ膜３１を形成する。
【００２９】
キャップ膜３１及び層間絶縁膜３０に、ＣＦ４とＣＨＦ３とを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により配線溝３２を形成する。配線溝３２の底面に導電性プラグ２８が露出する。配線溝３２の内面上にＴａＮからなる厚さ１５ｎｍのバリアメタル層３３を形成し、その表面を厚さ１３０ｎｍのＣｕのシード層で覆う。さらに、Ｃｕを電解めっきして厚さ９７０ｎｍのＣｕ層を形成した後、ＣＭＰにより配線溝３２の内部以外のＴａＮ層及びＣｕ層を除去する。これにより、銅配線３４が形成される。
【００３０】
図４（Ｃ）に示すように、銅配線３４が形成された配線層の上に、窒化シリコンからなる厚さ７０ｎｍのエッチングストッパ膜４０、酸化シリコンからなる厚さ２８０ｎｍのビア層絶縁膜４１、有機絶縁材料からなる厚さ１５０ｎｍの配線層絶縁膜４２、酸化シリコンからなる厚さ２５０ｎｍのキャップ膜４３、及び窒化シリコンからなる厚さ１００ｎｍのハードマスク膜４４を形成する。有機絶縁材料からなる配線層絶縁膜４２は、前述の第１の実施例による方法で形成する。
【００３１】
図５（Ｄ）の状態に至るまでの工程を説明する。ＣＨＦ３を用いたＲＩＥにより、ハードマスク膜４４に、配線パターンに対応した開口４４ａを形成する。次に、下層の配線３４に接続するためのビアホールに対応する開口が形成されたレジスト膜をマスクとして、Ｃ５Ｆ８、ＮＨ３及びＨ２を用いたＲＩＥにより、エッチング中にガス組成を変えて、キャップ膜４３、配線層絶縁膜４２、及びビア層絶縁膜４１を、エッチングストッパ膜４０が露出するまでエッチングし、ビアホール４１ａを形成する。レジスト膜を除去した後、配線パターンに対応する開口が形成されたハードマスク膜４４をマスクとして、ＮＨ３を用いたＲＩＥにより、配線層絶縁膜４２を底までエッチングし、配線溝４２ａを形成する。ハードマスク膜４４、及びビアホール４１ａの底に露出したエッチングストッパ膜４０を、ＣＨ２Ｆ２を用いたＲＩＥにより除去する。
【００３２】
図５（Ｅ）の状態に至るまでの工程を説明する。配線溝４２ａとビアホール４１ａの内面、及びキャップ膜４３の上面を、厚さ１５ｎｍのＴａＮ層で覆う。さらに、厚さ１３０ｎｍのＣｕのシード層を形成し、Ｃｕを電解めっきすることにより、厚さ９７０ｎｍのＣｕ層を形成する。ＴａＮ層及びＣｕ層のＣＭＰを行うことにより、配線溝４２ａ及びビアホール４１ａ内に、バリアメタル層４７及び銅配線４８を残す。
【００３３】
Ｃｕ配線４８の上に、同様のデュアルダマシン法により、Ｃｕの多層配線を形成する。有機絶縁材料からなる絶縁膜が、３５０℃程度の熱処理で形成されるため、デュアルダマシン法で形成したビアホール内の層間接続部分における導通不良の発生を防止することができる。
【００３４】
次に、図６及び図７を参照して、第３の実施例による薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板の製造方法について説明する。
図６に、第３の実施例によるＴＦＴを用いた液晶表示装置の１画素の平面図を示す。図の横（行）方向に等間隔て複数のゲート配線６０が配置され、縦（列）方向に等間隔で複数のソース配線６１が配置されている。ゲート配線６０とソース配線６１との交差箇所において、両者は相互に絶縁されている。ゲート配線６０に走査信号が印加され、ソース配線６１に画像信号が印加される。
【００３５】
相互に隣り合う２本のゲート配線６０及び２本のソース配線６１に囲まれた領域内に、透明画素電極６２が配置されている。ゲート配線６０及びソース配線６１の一部は、画素電極６２の外周部分と重なっている。相互に隣り合う２本のゲート配線６０の間に、付加容量配線７０が配置されている。付加容量配線７０には、固定電圧が印加される。
【００３６】
ゲート配線６０とソース配線６１との交差箇所の各々にＴＦＴ６５が配置されている。ＴＦＴ６５のゲート電極５１が、対応するゲート配線６０から分岐している。ＴＦＴ６５のソース電極５５Ｓが、対応するソース配線６１に接続されている。
【００３７】
ＴＦＴ６５のドレイン電極５５Ｄが、透明導電材料からなる接続電極５７Ｂに接続されている。接続電極５７Ｂは、コンタクトホール５９を介して画素電極６２に接続されている。さらに、接続電極５７Ｂは、付加容量配線７０の配置された領域まで伸び、付加容量配線７０との間に付加容量を形成している。
【００３８】
図７に、図６の一点鎖線Ａ７−Ａ７における断面図を示す。以下、図７を参照して、ＴＦＴの製造方法を説明する。
ガラス基板５０の表面上に、ポリシリコンからなるゲート電極５１を形成する。なお、ゲート電極５１を、アルミニウム、クロム、または金で形成してもよい。ゲート電極５１と同時に、図６に示したゲート配線６０及び付加容量配線７０を形成する。ゲート電極５１を覆うように、ガラス基板５０の上に酸化シリコン（窒化シリコンでもよい）からなるゲート絶縁膜５２を形成する。ゲート絶縁膜５２の上に、ゲート電極５１を跨ぐようにアモルファスシリコンからなる半導体層５３を形成する。
【００３９】
半導体層５３の表面のうち、ゲート電極５１の上方の領域に、窒化シリコンからなるチャネル保護膜５４を形成する。チャネル保護膜５４の両側の半導体層５３の表面を覆うように、アルミニウム（クロム、金、ニッケル等でもよい）からなるソース電極５５Ｓ及びドレイン電極５５Ｄを形成する。
【００４０】
ここまでの工程は、公知の成膜方法、フォトリソグラフィ、及びエッチングにより行うことができる。
ソース電極５５Ｓ及びドレイン電極５５Ｄを覆うように、ゲート絶縁膜５２の上に、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）等の透明導電膜、及びアルミニウムからなる金属膜を、スパッタリングにより形成する。金属膜をパターニングすることにより、ソース接続部５８Ａ及びドレイン接続部５８Ｂを形成し、透明導電膜をパターニングすることにより、接続電極５７Ｂとソース接続部５７Ａを形成する。同時に、透明導電膜と金属膜との２層構造を有するソース配線６１を形成する。接続電極５７Ｂはドレイン電極５５Ｄに接続され、ソース接続部５７Ａはソース電極５５Ｓに接続されている。
【００４１】
接続電極５７Ｂ、ソース接続部５７Ａ、５８Ａ、及びドレイン接続部５８Ｂを覆うように、有機絶縁材料からなる厚さ１５μｍの層間絶縁膜７２を形成する。層間絶縁膜７２は、上述の第１の実施例による方法で形成される。層間絶縁膜７２に、接続電極５７Ｂの一部を露出させるコンタクトホール５９を形成する。層間絶縁膜７２のエッチングは、ＮＨ３とＨ２とを用いたＲＩＥにより行うことができる。エッチングマスクの材料として、シリコン元素を含むフォトレジストを用いることにより、層間絶縁膜７２とエッチングマスクとのエッチング選択比を大きくすることができる。
【００４２】
層間絶縁膜７２の上に、ＩＴＯからなる画素電極６２を形成する。画素電極６２は、コンタクトホール５９内を経由し、接続電極５７Ｂに接続される。
図６及び図７に示した液晶表示装置のＴＦＴ基板においては、画素電極６２の下に低誘電率の有機絶縁材料からなる層間絶縁膜７２が配置されている。このため、基板面内の配置において、画素電極６２を、ゲート配線６０、ソース配線６１、及びＴＦＴ６５と重ねても、各配線やＴＦＴからの電気的影響を軽減することができる。これにより、液晶表示装置の開口率を向上させることが可能になる。また、ゲート配線６０やソース配線６１に印加される電気信号に起因する電界を画素電極６２でシールドし、ディスクリネーションの発生を抑制することができる。さらに、層間絶縁膜７２の表面を平坦化することができる。
【００４３】
層間絶縁膜７２が、低誘電率の有機絶縁材料で形成されているため、画素電極６２と各配線６０、６１との間の静電容量を小さくすることができる。このため、画素電極と配線間の容量に起因するクロストーク等を軽減することができる。層間絶縁膜７２の未架橋部分により青色光が若干吸収される場合がある。ただし、この吸収量はわずかであり、青色に対する人の視感度は、他の色に比べて低いため、表示品質の低下は問題にならないであろう。
【００４４】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、有機絶縁材料の焼成時に紫外線照射を行うことにより、比較的低温で高い架橋率を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シミュレーションに用いた分子モデルを示す分子構造図である。
【図２】第１の実施例による有機絶縁膜の作製方法で使用する焼成装置の概略断面図である。
【図３】焼成時間と架橋率との関係を、焼成温度ごとに示すグラフである。
【図４】第２の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための基板の断面図（その１）である。
【図５】第２の実施例による半導体装置の製造方法を説明するための基板の断面図（その２）である。
【図６】第３の実施例による液晶表示装置の平面図である。
【図７】第３の実施例による液晶表示装置に用いられるＴＦＴの断面図である。
【符号の説明】
１　真空容器
２　ランプ室
３　石英ガラス板
４　深紫外線ランプ
５　排気管
６　基板保持台
１０　基板
２０　半導体基板
２１　素子分離絶縁膜
２２　ＭＯＳＦＥＴ
２５、３０　層間絶縁膜
２６、４０　エッチングストッパ膜
２７、３３、４７　バリアメタル層
２８　導電性プラグ
３１、４３　キャップ膜
３２　配線溝
３４、４８　銅配線
４１　ビア層絶縁膜
４２　配線層絶縁膜
４４　ハードマスク膜
５０　ガラス基板
５１　ゲート電極
５２　ゲート絶縁膜
５３　半導体層
５４　チャネル保護膜
５５Ｓ　ソース電極
５５Ｄ　ドレイン電極
５７Ａ、５８Ａ　ソース接続部
５７Ｂ　接続電極
５８Ｂ　ドレイン接続部
５９　コンタクトホール
６０　ゲート配線
６１　ソース配線
６２　画素電極
６５　ＴＦＴ
７０　付加容量配線
７２　層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004071777.tif 000007
【図６】
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【図７】
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