(57)【要約】【課題】電気的接続の信頼性の高い配線基板を提供する。【解決手段】基板２００上に形成された第１の配線６と、第１の配線６に交差するように形成された第２の配線４と、第１の配線と第２の配線を電気的に絶縁する絶縁層５と、第２の配線４に接続する素子電極２とを備えた配線基板において、絶縁層５には、素子電極２と第２の配線４を電気的に接続するための抜けパターン１が設けられており、この抜けパターン１の周辺エッジ部１１ａ，１１ｂの近傍における第２の配線４の膜厚は部分的に薄い箇所があることを特徴とする。【選択図】　　　図１
2004071370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の配線と、該第１の配線に交差するように形成された第２の配線と、該第１の配線と該第２の配線を電気的に絶縁する絶縁層と、該第２の配線に接続する素子電極と、を備えた配線基板において、
前記絶縁層には、前記素子電極と前記第２の配線を電気的に接続するための抜けパターンが設けられており、該抜けパターンの周辺エッジ部の近傍における前記第２の配線の膜厚は部分的に薄い箇所があることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２の配線における膜厚の通常箇所と部分的に薄い箇所の膜厚差は１０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所の前記抜けパターン周辺エッジ部における存在比は１０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所は、膜が切れていることにより膜厚が薄くなっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所は、該第２の配線のエッジが部分的に前記抜けパターン周辺エッジ部より内側に存在する箇所であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所は、前記絶縁層のエッジに近接する側に設けたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記抜けパターンは、各接続部に対して２つ以上設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線基板の前記第１の配線と前記第２の配線に電気的に接続される電子放出素子を有することを特徴とする電子源基板。
【請求項９】
電子放出素子を複数有する電子源基板と、画像形成部材とを有する画像形成装置において、前記電子源基板として請求項８に記載の電子源基板を用いることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に厚膜配線を複数配置してなる配線基板、該配線基板を用いた電子源基板および画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、厚膜配線を複数配置してなる配線基板は、例えば電子源の基板として用いられている。この電子源としては、表面伝導型電子放出素子を利用したものが知られている。
【０００３】
図９は表面伝導型電子放出素子の模式図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’の断面図である。
【０００４】
図９に示す電子放出素子は、概略、絶縁性の基板２００上に成膜されて形成された電極（素子電極）２，３と、これらの電極２，３に電気的に接続するように成膜により形成された電子放出用導電性膜７と、この電子放出用導電性膜７に設けられた電子放出部８と、を備える。
【０００５】
また、このような電子放出素子を応用したものとして、表示装置などの画像形成装置が知られている。図１０は画像形成装置の一部破断斜視図であり、図９に示す表面伝導型電子放出素子を利用した画像形成装置（画像表示装置）の一例を示している。
【０００６】
図１０に示すように、このような画像表示装置は、リアプレート８１と、外枠８２と、画像形成部材８４が配置されたフェースプレート８６と、を備え、これら外枠８２とリアプレート８１とフェースプレート８６は、不図示の低融点ガラスフリット等の接着剤により封着されており、画像表示装置内部を真空に維持するための外囲器（気密容器）８８を構成している。
【０００７】
リアプレート８１には、電子放出素子が形成される基板２００が固定されている。この基板２００上には電子放出素子７４がｎ×ｍ個配列形成されている。なお、ｎ，ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。
【０００８】
また、各電子放出素子７４は、導電性膜からなる行方向配線４と列方向配線６に接続されている。図１０における配線は、ｎ本の列方向配線６とｍ本の行方向配線４からなる（「マトリクス配線」とも呼ぶ）。なお、行方向配線４と列方向配線６との交差部には不図示の絶縁層が配置され、行方向配線４と列方向配線６とは絶縁されている。
【０００９】
上記画像表示装置を形成するには、行方向配線４及び列方向配線６を多数配列形成する必要がある。
【００１０】
行方向配線４及び列方向配線６を多数配列形成する方法として、比較的安価で真空装置等が必要なく、大面積に対応し得る印刷技術を用いて導電性膜からなる配線を形成することが特開平８−３４１１０号公報等に開示されている。
【００１１】
印刷技術としては、一般にスクリーン印刷が用いられる。スクリーン印刷とは、所望のパターンの開口を有する版をマスクとして、マスクの開口部から、例えば金属粒子などの導電性粒子を混ぜたペーストを、被印刷体である基板上に印刷形成し、その後焼成を行うことで所望のパターンの導体配線などを形成するものである。
【００１２】
さらに、上記スクリーン印刷では困難な、パターンの細線化や位置精度アップを目的として、ペーストに感光特性を付与した感光性金属ペーストを用いる方法もある。
【００１３】
この感光性金属ペーストを用いた方法は、所望の配線パターンを持つフォトマスクを介して、基板上に成膜されている感光性ペーストを露光し、その後、現像および焼成を行うことで所望のパターンの導体配線などを形成するものである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板上に印刷法などを用いて、厚膜の配線を、マトリックス状に形成した場合、以下のような課題がある。
【００１５】
図１１（ａ）に従来法による配線基板の要部構造を示す。図１２は図１１（ａ）の配線基板の工程フロー図であり、（ａ）は不図示の基板上に素子電極２，３を配置した状態、（ｂ）は列配線６の配置後の状態、（ｃ）は絶縁層５の配置後の状態、（ｄ）は行方向配線４を絶縁層上に配置した後の状態である。尚、１はコンタクトホール、２，３は素子電極、４は行方向配線、５は絶縁層、６は列方向配線である。
【００１６】
従来法の場合に発生する問題を図１３の概念図を用いて説明する。図１３は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面から見た状態を示しており、（ａ）は行配線の印刷・乾燥後の状態、（ｂ）は焼成後の状態、（ｃ）は行配線を更に積層した後の焼成後の状態である。尚、１１はコンタクトホール１の周辺エッジ部、２００は基板ガラス、２０１はコンタクトホール下部に生じたクラック、２０２はコンタクトホール下部に生じた浮き、２０３は絶縁層に生じたクラック、２０４は基板ガラスに生じたクラックである。
【００１７】
図１３のように、行方向配線材料は、印刷法等において行方向配線と素子電極の接続部であるところの絶縁層５の抜けパターン（コンタクトホール１）に充填され（図１３（ｂ））、またコンタクトホール周辺エッジ部１１においては絶縁層の高さを越えて配置されるものであるが、この工程における行方向配線の形成、特に焼成工程を経ることによりに以下のような問題があった。
【００１８】
１）コンタクトホール部の配線ペーストは金属系の導電性ペーストを用いるために、一般にガラス系の材料を用いる絶縁材料や基板ガラスに対して、線膨張係数が２倍程度大きい。このため焼成での降温工程中から、コンタクトホール周辺エッジ部１１の絶縁層や接続部に強い引っ張り応力を生じ、コンタクトホール下部の行方向配線が基板と一緒に引き裂かれる現象（図１３のクラック２０１）が発生し、上記部分での電気的接続性を著しく阻害する場合があることが確認されている。
【００１９】
２）また、コンタクトホール部の配線ペーストは、焼成時の脱バインダーにより体積減少し、この体積収縮による応力とペーストの挙動により発生する熱応力による引っ張り応力により、行方向配線と素子電極の接続部界面に浮きが部分的に生じる場合（図１３の浮き２０２）があり、上記部分での電気的接続性を阻害する場合があることが確認されている。
【００２０】
３）さらに、前記１）項で説明したように配線材料と絶縁層や基板ガラスとの線膨張係数の差により、絶縁層上の行配線パターン端部の絶縁層にクラック（図１３のクラック２０３）が生じる場合や、ガラス基板にクラック（図１３のクラック２０４）が生じる場合がある。これは行配線の熱収縮・熱応力で生じる引っ張り応力が、配線端部や絶縁層パターンエッジ部などの応力集中しやすい部分でクラックが生じるものであり、結果的に配線基板の品質を阻害するものである。
【００２１】
本発明は、上記問題を解決し、電気的接続の信頼性の高い配線基板、該配線基板を用いた電子源基板および画像形成装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべくなされた本発明の構成は、以下の通りである。
【００２３】
即ち、本発明は、基板上に形成された第１の配線と、該第１の配線に交差するように形成された第２の配線と、該第１の配線と該第２の配線を電気的に絶縁する絶縁層と、該第２の配線に接続する素子電極とを備えた配線基板において、前記絶縁層には、前記素子電極と前記第２の配線を電気的に接続するための抜けパターンが設けられており、該抜けパターンの周辺エッジ部の近傍における前記第２の配線の膜厚は部分的に薄い箇所があることを特徴とする配線基板である。
【００２４】
上記本発明の配線基板は、更なる特徴として、
「前記第２の配線における膜厚の通常箇所と部分的に薄い箇所の膜厚差は１０％以上であること」、
「前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所の前記抜けパターン周辺エッジ部における存在比は１０％以上であること」、
「前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所は、膜が切れていることにより膜厚が薄くなっていること」、
「前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所は、該第２の配線のエッジが部分的に前記抜けパターン周辺エッジ部より内側に存在する箇所であること」、「前記第２の配線における膜厚の部分的に薄い箇所は、前記絶縁層のエッジに近接する側に設けたこと」、
「前記抜けパターンは、各接続部に対して２つ以上設けたこと」、
を含む。
【００２５】
また、本発明は、本発明の配線基板の前記第１の配線と前記第２の配線に電気的に接続される電子放出素子を有することを特徴とする電子源基板である。
【００２６】
さらに、本発明は、電子放出素子を複数有する電子源基板と、画像形成部材とを有する画像形成装置において、前記電子源基板として上記本発明の電子源基板を用いることを特徴とする画像形成装置である。
【００２７】
本発明によれば、絶縁層に形成される抜けパターン（以下、「コンタクトホール」と称す。）の周辺エッジ部の近傍に第２の配線の膜厚の薄い部分を設けたことにより、第２の配線と素子電極のコンタクト部（コンタクトホール下部）に作用する引っ張り応力を緩和することが出来る。
【００２８】
また、配線端部のクラックや絶縁層のクラックに対しても、膜厚の薄い部分が存在することにより配線材料の引っ張り応力が緩和され、その効果を発揮する。この場合、より大きな効果が得られるのは、膜厚差が薄い部分が絶縁層パターンの端部に近い部分に存在することである。なぜならば、配線の薄い部分から、絶縁層パターンの端部までの距離が短くなり、線膨張係数の差による引っ張り応力が少なくなるためである。更に、この部分の配線材料が部分的に切れているほうがより良好な効果があり、また別に、この部分の配線材料がコンタクトホールの周辺エッジ部から部分的にはみ出ないような構造とすることでもより良好な効果がある。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、この発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００３０】
画像表示装置などの画像形成装置に用いられる電子源基板等に適用可能な本発明の配線基板の一実施形態例を、図１を参照して説明する。図１は配線基板の要部構造を示しており、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａの模式的断面図である。
【００３１】
図１に示すように、本実施の形態に係る配線基板は、基板２００上に形成される素子電極２，３と、列配線（第１の配線）６と、絶縁層５と、行配線（第２の配線）４とを備え、絶縁層５には、コンタクトホール１が形成されている。１１ａ，１１ｂはコンタクトホール周辺エッジ部で、１２は絶縁層パターンのエッジである。
【００３２】
図１に示すように、行配線４の膜厚は、エッジ部１１ａとエッジ部１１ｂでは異なり、通常箇所（エッジ部１１ｂ）と薄い箇所（エッジ部１１ａ）とでは、同図“Ｔ”ほどの差がある。
【００３３】
ここでエッジ部１１ａ，１１ｂにおける行配線４の膜厚をそれぞれｄ１１ａ、ｄ１１ｂとすると、これらの膜厚差Ｔは通常箇所の膜厚（図１の場合にはｄ１１ｂ）の１０％以上、つまり、
（ｄ１１ｂ−ｄ１１ａ）×１００／ｄ１１ｂ≧１０［％］
であるのが望ましい。尚、この膜厚差が大きいほど、本発明による効果は大きい。
【００３４】
また、行配線４における膜厚の部分的に薄い箇所のコンタクトホール周辺エッジ部における存在比は１０％以上であることが好ましい。ここで言う「存在比」とは、コンタクトホールの周長に対する、膜厚の部分的に薄い箇所のある部分の長さの比である。また、「コンタクトホールの周長」とは、図１１（ａ）のように、絶縁層４の抜けパターンが四角形の場合、図１１（ｂ）に示す各辺（Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ）の長さの合計（Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）の長さであり、仮に、コンタクトホールが楕円形の場合（説明図無し）、楕円の周長を指す。
【００３５】
図１に示した例では、コンタクトホール１のパターンが正方形であり、行配線４の部分的に膜厚の薄いエッジ部１１ａはコンタクトホールパターンの一辺に相当し、存在比は約２５％となる。
【００３６】
また、図１に示した例では、行配線４の部分的に膜厚の薄い箇所は、同図（ｂ）に示すように絶縁層パターンのエッジ１２に近接する側のエッジ部１１ａに設けている。この様な形態とすることにより、絶縁層のクラックに対しても、膜厚の薄い部分が存在することにより配線材料の引っ張り応力が緩和され、その効果を発揮する。
【００３７】
さらにまた、図１の例の様に、コンタクトホール１を各接続部に対して２個以上設けることにより、各接続部でのコンタクト不良の発生確率を分散することができ、結果的に基板全体でのコンタクト不良の発生確率を下げることができ、製品の信頼性を高めることができる。特に、図示のように２つのコンタクトホールを左右対称に設けた場合には、応力緩和効果は対称に発生し、局部的な応力集中が緩和されるなど、極めて好ましいものである。
【００３８】
本発明の別の実施形態例を、図２を参照して説明する。図２は配線基板の要部構造を示しており、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａの模式的断面図である。
【００３９】
本実施の形態では、図２（ｂ）の断面で見た場合に、行配線４が絶縁層パターンのエッジ１２に近い側のコンタクトホール周辺エッジ部１１ａよりはみ出さずに、コンタクトホール１の中で傾斜を持って形成されている。この様な形態ではエッジ部１１ａにおける行配線４の膜厚は「０」であるから、前述した膜厚差は１００％であり、存在比は図１と同様２５％となり、引っ張り応力の低減効果は大きく、良好な結果が得られる。
【００４０】
本発明の別の実施形態例を、図３を参照して説明する。図３は配線基板の要部構造を示しており、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａの模式的断面図である。
【００４１】
本実施の形態では、図３（ｂ）の断面で見た場合に、行配線４が絶縁層パターンのエッジ１２に近い側のコンタクトホール周辺エッジ部１１ａの近傍で切れて（切れ部１８）、膜厚の部分的に薄い箇所が形成されている。この様な形態においてもエッジ部１１ａにおける行配線４の膜厚は「０」であるから、前述した膜厚差は１００％であり、存在比は図１と同様２５％となり、引っ張り応力の低減効果は大きく、良好な結果が得られる。
【００４２】
図３の様な形態は、例えば配線ペースト形成後の焼成時に発生する引っ張り応力で、コンタクトホール周辺エッジ部の配線が部分的に切れるような膜厚に予め設計することによって形成できる。
【００４３】
本発明の別の実施形態例を、図５を参照して説明する。図５は配線基板の要部構造を示しており、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａの模式的断面図である。
【００４４】
本実施の形態では、図５（ｂ）の断面で見た場合に、行配線４が線幅の違う２層以上の層で形成し、上層に位置する行配線４ｂの線幅を下層に位置する行配線４ａの線幅より狭くして、コンタクトホール周辺エッジ部１１ａと１１ｂの膜厚差Ｔをより大きくするように形成したものである。
【００４５】
上記した本発明の実施の形態に係る配線基板は、基板上に複数配置した電子放出素子とそれを駆動するための配線を大面積に形成する電子源基板および、該電子源基板を用いた画像形成装置などにも好ましく適用できる。
【００４６】
次に、本発明の電子源基板、画像形成装置について説明する。
【００４７】
本発明の配線基板に対し、各素子電極間の所定の位置に素子膜（電子放出用導電性膜）を成膜し、この素子膜に電子放出部を形成して電子源基板が完成する。素子膜の成膜方法および電子放出部の形成方法は、従来の方法をそのまま適用することが可能である。
【００４８】
表面伝導型電子放出素子の代表的な構成、製造方法および特性については、たとえば特開平２−５６８２２号公報に開示されている。
【００４９】
以下に、本実施形態にかかわる表面伝導型電子放出素子の基本的な構成と製造方法および特性について概説する。
【００５０】
図９は、本発明に適用可能な電子放出素子の構成を示す図面である。図において、２００は絶縁性基板、２と３は素子電極、７は導電性膜、８は電子放出部である。
【００５１】
本実施形態における、電子放出部８を含む導電性膜７のうち電子放出部８としては、粒径が数ｎｍの電気伝導性粒子からなり、電子放出部８を含む導電性膜７のうち電子放出部８以外の部分は、微粒子膜よりなる。なお、ここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散した状態のみならず、微粒子が互いに隣接あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜をさす。
【００５２】
電子放出部を含む導電性膜７の構成原子又は分子の具体例としては、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｓｂ２Ｏ３等の酸化物、ＨｆＢ２、ＺｒＢ２、ＬａＢ６、ＣｅＢ６、ＹＢ４、ＧｄＢ４等のホウ化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、さらにはカーボン、ＡｇＭｇ、ＮｉＣｕ、ＰｂＳｎ等である。
【００５３】
また、導電性膜７の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法、分散塗布法、ディッピング法、スピナー法等がある。
【００５４】
図９に示したような表面伝導型電子放出素子の形成方法としては様々な方法があるが、その一例を説明する。
【００５５】
絶縁性基板２００上に設けられた素子電極２と３との間に、有機金属溶液を塗布して放置することにより、有機金属薄膜を形成する。尚、有機金属溶液とは、前記Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属を主元素とする有機化合物の溶液である。この後、有機金属薄膜を加熱焼成処理してリフトオフ、エッチング等によりパターニングし、導電性膜７を形成する。
【００５６】
続いて、フォーミングと呼ばれる通電処理により素子電極２、３間に電圧を印加することにより、導電性膜７の部分に構造の変化した電子放出部８が形成される。この通電処理により導電性膜７を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造の変化した部位を電子放出部８と呼ぶ。
【００５７】
フォーミング処理中の電圧波形を図１４に示す。図１４中、Ｔ１およびＴ２はそれぞれ電圧波形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１マイクロ秒〜１０ミリ秒、Ｔ２を１０マイクロ秒〜１００ミリ秒、三角波の波高値（フォーミング時のピーク電圧）は４Ｖから１０Ｖ程度とし、フォーミング処理は真空雰囲気下で数十秒間で適宜設定した。
【００５８】
以上、説明した電子放出部を形成する際に、素子電極間の三角波パルスを印加してフォーミング処理を行っているが、素子電極間に印加する波形は三角波に限定することはなく、矩形波など所望の波形を用いてもよく、その波高値およびパルス幅、パルス間隔等についても上述の値に限るものではなく、電子放出部が良好に形成されれば所望の値を選択することができる。
【００５９】
上記の素子構成をもち上記の製造方法によって作製された本実施形態にかかわる電子放出素子の基本特性について図１５と図１６を参照して説明する。
【００６０】
図１５は、図９で示した構成を有する素子の電子放出特性を測定する為の測定評価装置の概略構成図である。図１５において、６１は素子に素子電圧Ｖｆを印加するための電源、６０は素子電極２、３間の電子放出部を含む導電性膜７を流れる素子電流Ｉｆを測定するための電流計、６４は素子の電子放出部８より放出される放出電流Ｉｅを捕捉するためのアノード電極、６３はアノード電極６４に電圧を印加するための高圧電源、６２は素子の電子放出部８より放出される放出電流Ｉｅを測定するための電流計である。
【００６１】
電子放出素子の上記素子電流Ｉｆ、放出電流Ｉｅの測定にあたっては、素子電極２、３に電源６１と電流計６０とを接続し、該電子放出素子の上方に電源６３と電流計６２を接続したアノード電極６４を配置している。また、本電子放出素子およびアノード電極６４は真空装置６５内に設置され、その真空装置には排気ポンプ６６および真空計等の真空装置に必要な機器が具備されており、所望の真空下にて本素子の測定評価を行えるようになっている。なお、アノード電極６４の電圧は１〜１０ｋＶ、アノード電極６４と電子放出素子との距離Ｈは３〜８ｍｍの範囲で測定した。
【００６２】
図１５に示した測定評価装置により測定された放出電流Ｉｅおよび素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖｆの関係の典型的な例を図１６に示す。なお、図１６は任意単位で示されており、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆのおよそ１０００分の１程度である。図１６からも明らかなように、本電子放出素子は放出電流Ｉｅに対して３つの特性を有する。
【００６３】
第一に、本素子はある電圧（閾値電圧とよぶ、図１６中のＶｔｈ）以上の素子電圧を印加すると、急激に放出電流Ｉｅが増加し、一方、閾値電圧以下では放出電流Ｉｅがほとんど検出されない。即ち、放出電流Ｉｅに対する明確な閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素子である。
【００６４】
第２に、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに依存する為、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆで制御できる。
【００６５】
第３に、アノード電極６４に捕捉される電荷量は、素子電圧Ｖｆを印加する時間により制御できる。
【００６６】
以上のような特性を有する為、本発明にかかわる電子放出素子は、多方面への応用が期待される。また、素子電流Ｉｆは素子電圧Ｖｆに対して単調増加する（ＭＩ）特性の例を示したが、このほかにも、素子電流Ｉｆが素子電圧Ｖｆに対して電圧制御型負性抵抗（ＶＣＮＲ）特性を示す場合もある。この場合も電子放出素子は上述した３つの特性を有する。
【００６７】
また、本実施形態による電子源が適用されるカラー画像表示装置の代表的な構成としては、まず、図１０に示すように上記特開平２−５６８２２号公報に開示された製造方法により作製される電子放出素子を複数個、基板２００上に形成する。該基板２００をリアプレート８１上に固定した後、基板２００の５ｍｍ上方にフェースプレート８６（ガラス基板８３の内面に蛍光体膜８４とメタルバック８５が形成されて構成される）を支持枠８２を介して配置し、フェースプレート８６、支持枠８２、リアプレート８１の接合部にフリットガラスを塗布し、大気中もしくは窒素雰囲気中にて４００℃乃至５００℃で１０分間以上焼成することで封着した。また、リアプレート８１への基板２００の固定もフリットガラスにて行った。
【００６８】
なお、ここではフェースプレート８６、支持枠８２、リアプレート８１で外囲器８８を構成したが、リアプレート８１は主に基板２００の強度を補強する目的で設けられるため、基板２００自体で十分な強度をもつ場合には、別体のリアプレート８１は不要であり、基板２００に直接、支持枠８２を封着し、フェースプレート８６、支持枠８２、基板２００にて外囲器８８を構成する。
【００６９】
また、蛍光体膜８４の内面側には通常メタルバック８５が設けられる。メタルバック８５を設置する目的は、蛍光体のうち内面側への光をフェースプレート側へ鏡面反射することにより輝度を向上すること、電子ビーム加速電圧を印加する為の電極として作用させること、外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体を保護することなどである。
【００７０】
メタルバック８５は、蛍光体膜作成後、蛍光体膜の内面の平滑処理（通常フィルミングと呼ばれる）を行い、その後Ａｌを真空蒸着することで作成する。更に、フェースプレート８６の蛍光体膜８４の電気伝導性を高めるため、蛍光体膜８４の外面側に透明電極（図示せず）が設けられる場合もある。
【００７１】
前述の封着を行う際、カラー画像表示装置の場合には、各色に対応する蛍光体と電子放出素子との位置合わせを十分に行う必要がある。このようにして作成されるガラス容器内の雰囲気を排気管（図示せず）を通じて真空ポンプにて排気し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄｏｘ１〜ＤｏｘｍとＤｏｙ１からＤｏｙｎを通じ素子電極間に電圧を印加して前述のフォーミング処理を実施し、電子放出部を形成し電子放出素子を作成する。最後に、１０−４Ｐａ程度の真空度にて、排気管を熱して溶着し外囲器の封止を行う。さらに、封止後に真空度を維持するために、ゲッター処理なる工程を実施する。これは、封止を行う直前あるいは封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等により、画像表示装置の所定の位置（図示せず）に配設されたゲッターを加熱してゲッター蒸着膜を形成する処理である。ゲッターとしては、通常、Ｂａ等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作用により真空度を維持するものである。
【００７２】
以上のような製造方法により構成される画像表示装置において、各電子放出素子には容器外端子Ｄｏｘ１〜ＤｏｘｍとＤｏｙ１〜Ｄｏｙｎを通じて電圧を印加することにより電子放出させる。
【００７３】
すなわち、走査線に対応する容器外端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍには画像信号の１水平期間づつ順次電圧が印加され、容器外端子Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎには水平期間に選択された走査線の画像信号の強度に応じた信号電圧が印加される。従って、選択された容器外端子Ｄｏｘｉ（１≦ｉ≦ｍ）に接続される各電子放出素子の両端に画像信号の強度に応じた電圧が印加され、画像信号の強度に応じた電子が放出される。なお、容器外端子Ｄｏｘ１〜Ｄｏｘｍと容器外端子Ｄｏｙ１〜Ｄｏｙｎとは逆であってもよい。
【００７４】
また、高圧端子８７を通じメタルバック８５または透明電極に数ｋＶ以上の高圧を印加し電子ビームを加速して蛍光体膜８４に衝突させて蛍光体を励起・発光させることにより画像が形成される。もちろん、これらの構成は画像表示装置を作成する上で必要な構成の概略であり、各部材の材料等は上述の内容に限るものではない。
【００７５】
蛍光体膜８４は、モノクローム表示の場合には蛍光体のみからなるが、カラー表示の場合は、図１７に示すように、蛍光体の配列によりブラックストライプあるいはブラックマトリクスと呼ばれる黒色部材９２と蛍光体９３とで構成される。黒色部材９２を設ける目的は、カラー表示の場合に必要となる３原色蛍光体の、各蛍光体９３の塗り分け部分を黒くすることで混色等を目立たなくすること、蛍光体膜における外光反射によるコントラストの低下を抑制することである。該黒色部材としては、通常、黒鉛を主成分とするものが多いが、電気伝導性があり、光の透過および反射が少ない材料であれば、これに限るものではない。
【００７６】
【実施例】
以下、これまで説明した実施の形態に基づく、より具体的な実施例を説明する。
【００７７】
（実施例１）
実施例１は、上述の実施形態の中でも参照した図１に示した構成と同一である。本実施例における基板上への配線の形成方法を説明する。
【００７８】
（工程１）
先ず、主材質がガラス（ソーダライムガラス、もしくはＰＤ２００）の基板２００の上に、素子電極として、スパッタ法でＴｉ（膜厚１０ｎｍ）を成膜し次にＰｔ（膜厚５０ｎｍ）を成膜し、フォトリソエッチング法にてパターニングした。同図では、素子電極パターンは１対のみ図示したが、実際には、ｎ×ｍ個配列形成している（以下も同様）。
【００７９】
（工程２）
次に列配線６として、Ａｇを主成分とする感光性金属ペーストを用いて、スクリーン印刷法で成膜し、乾燥し、列配線パターンを有するフォトマスクにて露光し、現像し、焼成によりパターンを作製した。この工程では膜厚を稼ぐために、前記工程の一部を繰り返し実施して、焼成後基板からの膜厚を１６μｍとした。
【００８０】
（工程３）
次に絶縁層５として、ＰｂＯを主成分とする感光性ガラスペーストを用い、前記と同様な手法により、絶縁層パターンを作成した。この工程では膜厚を稼ぐために、前記工程の一部を繰り返し実施して、焼成後基板からの膜厚を４０μｍとした。この時、絶縁層５には１つの単位機能箇所に２つのコンタクトホール１を作製した。コンタクトホール１は次の工程で形成される行配線４の膜厚が薄い部分が絶縁層パターンの端部１２に近くなるようにするため、できるだけ絶縁層パターンの端部１２に近くなるように配置してある。
【００８１】
（工程４）
次に行配線４として、Ａｇを主成分とする金属ペーストを用いて、スクリーン印刷法でパターンを形成し、乾燥し、焼成により作製した。この工程では膜厚を稼ぐために、前記工程の一部を繰り返し実施して、焼成後絶縁層からの膜厚を２０μｍとした。この時の行配線パターンはコンタクトホールのエッジ部分を全て覆うような幅で、スクリーン版のパターンは図７のようなストレートな単純パターンで作製した。図７は、スクリーン版を示し、１３は版開口部、１４は紗、１５は紗に塗られた乳剤である。行配線のパターン幅は版開口部１３の幅で決まる。
【００８２】
以上ような工程にてマトリックスパターンの配線基板を作製した。
【００８３】
以上のようにして作製した配線基板において、行配線４のコンタクトホール周辺エッジ部１１ａと１１ｂにおける膜厚差は、行配線を印刷する際のスクリーン印刷の性質上自ずと膜厚差ができる位置にコンタクトホールを配置したために実現している。
【００８４】
本実施例においては、ｄ１１ａは６μｍ、ｄ１１ｂは１６μｍであった。従って、
（ｄ１１ｂ−ｄ１１ａ）×１００／ｄ１１ｂ＝６２［％］
であり、膜厚差Ｔは通常箇所の膜厚（ｄ１１ｂ）の６２％であった。また膜厚の薄い部分は、四角形のコンタクトホールのほぼ一辺に相当し、存在比は約２５％となった。
【００８５】
次に、このマトリックスパターンの配線基板に対し、各素子電極間の所定の位置に素子膜（電子放出用導電性膜）を形成した。具体的には、上記配線基板上に有機パラジウム（ＣＣＰ４２３０、奥野製薬工業（株）製）をスピンナーにより回転塗布後、３００℃で１０分間の加熱処理を実施しＰｄからなる薄膜を形成した。このようにして形成されたＰｄ薄膜は、Ｐｄを主元素とする微粒子から構成され、その膜厚は１０ｎｍ、シート抵抗値は５×１０４Ω／□であった。シート抵抗値は長さと幅が等しい導体の単位長さ換算の抵抗値として定義される。このＰｄ薄膜をフォトリソグラフィー法を用いて、パターニングすることにより導電性膜７を形成した。
【００８６】
次に、フォーミング処理を施す。フォーミング方法は、従来の方法を導入することが可能であり、本実施例では、以下の条件とした（図１４（ａ）参照）。図１４（ａ）中、Ｔ１およびＴ２は電圧波形のパルス幅とパルス間隔であり、本実施例ではＴ１を１ミリ秒、Ｔ２を１０ミリ秒とし、三角波の波高値（フォーミング時のピーク電圧）は１４Ｖとしフォーミング処理は約１．３×１０−４Ｐａの真空雰囲気下で６０秒間実施した。このようにして作製された電子放出部は、パラジウム元素を主成分とする微粒子が分散配置された状態となり、その微粒子の平均粒径は３ｎｍであった。
【００８７】
次に、すべての表面伝導型電子放出素子のフォーミングが終了後、この電子源を用いて図１０に示したような画像表示装置の外囲器８８を組み立てた。そして、１．３×１０−４Ｐａ程度の真空度で排気管（図示せず）をガスバーナーで熱して溶着し外囲器の封止を行った。
【００８８】
尚、封止後の真空度を維持するために、ゲッター処理を実施した。これは、封止を行う直前に高周波加熱等の加熱法により、画像表示装置内の所定の位置（図示せず）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッターはＢａ等を主成分とするものである。
【００８９】
以上のようにして完成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて、走査信号および変調信号を信号発生手段（図示せず）により、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧端子８７を通じて、メタルバック８５に数ｋＶの高圧を印加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発光させることで画像を表示させた。
【００９０】
（実施例２）
実施例２は、上述の実施形態の中でも参照した図２に示した構成と同一である。本実施例における基板上への配線の形成方法は実施例１と基本的に同様である。但し、行配線パターンはコンタクトホールのエッジ部分とほぼ同等な幅で作製したスクリーン版を用い、このパターンは図７のようなストレートな単純パターンで作製した。
【００９１】
以上のようにして作製した基板において、行配線４のコンタクトホール周辺エッジ部１１ａと１１ｂにおける膜厚差は、行配線を印刷する際のスクリーン印刷の性質上自ずと膜厚差ができる位置にコンタクトホールを配置し、かつコンタクトホールからほぼはみ出ないような印刷パターン幅で作製したために実現している。
【００９２】
本実施例においては、ｄ１１ａは０μｍ、ｄ１１ｂは１６μｍであった。従って、
（ｄ１１ｂ−ｄ１１ａ）×１００／ｄ１１ｂ＝１００［％］
であり、膜厚差Ｔは通常箇所の膜厚（ｄ１１ｂ）の１００％であった。また膜厚の薄い部分は、四角形のコンタクトホールパターンのほぼ一辺に相当し、存在比は約２５％となった。
【００９３】
次に、このマトリックスパターンの配線基板に対し、実施例１と同様にして導電性膜７を形成した。
【００９４】
さらに、実施例１と同様に、フォーミング処理を施した後、この電子源を用いて図１０に示したような画像表示装置を作製した。
【００９５】
以上のようにして完成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて、走査信号および変調信号を信号発生手段（図示せず）により、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧端子８７を通じて、メタルバック８５に数ｋＶの高圧を印加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発光させることで画像を表示させた。
【００９６】
（実施例３）
実施例３は、上述の実施形態の中でも参照した図３に示した構成と同一である。本実施例における基板上への配線の形成方法は実施例１と基本的に同様である。但し、行配線パターンはコンタクトホールのエッジ部分より少しはみ出す程度の幅で作製したスクリーン版を用い、このパターンは図７のようなストレートな単純パターンで作製した。この結果、行配線４のコンタクトホール周辺エッジ部１１ａに切れ部１８が発生した。これは主に、行配線の焼成の際の脱バインダーによる体積収縮にて形成されたものである。
【００９７】
以上のようにして作製した基板において、行配線４のコンタクトホール周辺エッジ部１１ａと１１ｂにおける膜厚差は、行配線を印刷する際のスクリーン印刷の性質上自ずと膜厚差ができる位置にコンタクトホールを配置し、かつコンタクトホールから少しはみ出すような印刷パターン幅で作製したため、特に意識的に切れ部１８を作製し、実現している。
【００９８】
本実施例においては、ｄ１１ａは０μｍ、ｄ１１ｂは１６μｍであった。従って、
（ｄ１１ｂ−ｄ１１ａ）×１００／ｄ１１ｂ＝１００［％］
であり、膜厚差Ｔは通常箇所の膜厚（ｄ１１ｂ）の１００％であった。また膜厚の薄い部分は、四角形のコンタクトホールパターンのほぼ一辺に相当し、存在比は約２５％となった。
【００９９】
次に、このマトリックスパターンの配線基板に対し、実施例１と同様にして導電性膜７を形成した。
【０１００】
さらに、実施例１と同様に、フォーミング処理を施した後、この電子源を用いて図１０に示したような画像表示装置を作製した。
【０１０１】
以上のようにして完成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて、走査信号および変調信号を信号発生手段（図示せず）により、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧端子８７を通じて、メタルバック８５に数ｋＶの高圧を印加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発光させることで画像を表示させた。
【０１０２】
（実施例４）
実施例４は、図４に示した構成のバリエーションである。図４は配線基板の要部構造を示しており、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａの模式的断面図である。図４において、２００は基板、２，３は素子電極、６は列配線（第１の配線）、５は絶縁層、４は行配線（第２の配線）、１はコンタクトホール、１１ａ，１１ｂはコンタクトホール周辺エッジ部、１２は絶縁パターンのエッジである。
【０１０３】
本実施例における基板上への配線の作成方法は実施例１と基本的に同様である。但し、行配線パターンはコンタクトホールのエッジ部分に相当する部分の幅を狭くしたスクリーン版を用い、このパターンは図８のようなストレートなパターンに１６の吐出抑制パターンを設けたもので作製した。この吐出抑制パターンは絶縁層の上部に形成する際、行配線の膜厚が薄い部分が絶縁層パターンの端部に近い側になるように配置したパターンである。
【０１０４】
以上のようにして作製した基板において、行配線４のコンタクトホール周辺エッジ部１１ａと１１ｂにおける膜厚差は、図８ような印刷パターン幅で作製したために実現している。
【０１０５】
本実施例においては、ｄ１１ａは０μｍ、ｄ１１ｂは１６μｍであった。従って、
（ｄ１１ｂ−ｄ１１ａ）×１００／ｄ１１ｂ＝１００［％］
であり、膜厚差Ｔは通常箇所の膜厚（ｄ１１ｂ）の１００％であった。また膜厚の薄い部分は、四角形のコンタクトホールパターンのほぼ一辺に相当し、存在比は約２５％となった。
【０１０６】
本実施例のように、配線ペーストの形成を意図的に、絶縁層のコンタクトホールから部分的にはみ出ないような構造とすることで、コンタクトホール周辺エッジ部の配線は部分的に無い状態にした構成も本発明の範囲であり、応力緩和という点で良好な結果をもたらす。
【０１０７】
次に、このマトリックスパターンの配線基板に対し、実施例１と同様にして導電性膜７を形成した。
【０１０８】
さらに、実施例１と同様に、フォーミング処理を施した後、この電子源を用いて図１０に示したような画像表示装置を作製した。
【０１０９】
以上のようにして完成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて、走査信号および変調信号を信号発生手段（図示せず）により、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧端子８７を通じて、メタルバック８５に数ｋＶの高圧を印加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発光させることで画像を表示させた。
【０１１０】
（実施例５）
実施例５は、上述の実施形態の中でも参照した図５に示した構成と同一である。本実施例における基板上への配線の形成方法は実施例１と基本的に同様である。但し、行配線パターンは、実施例１に加えて、上層行配線４ｂを下層行配線４ａの上にスクリーン印刷により作製した。この時、上層行配線４ｂのスクリーン版の線幅は下層行配線４ａの線幅より狭くし、上層と下層における行配線幅の差の効果で、コンタクトホール周辺エッジ部１１ａと１１ｂにおける膜厚に差を持たせた。
【０１１１】
本実施例においては、ｄ１１ａは６μｍ、ｄ１１ｂは３２μｍであった。従って、
（ｄ１１ｂ−ｄ１１ａ）×１００／ｄ１１ｂ＝８１［％］
であり、膜厚差Ｔは通常箇所の膜厚（ｄ１１ｂ）の８１％であった。また膜厚の薄い部分は、四角形のコンタクトホールパターンのほぼ一辺に相当し、存在比は約２５％となった。
【０１１２】
次に、このマトリックスパターンの配線基板に対し、実施例１と同様にして導電性膜７を形成した。
【０１１３】
さらに、実施例１と同様に、フォーミング処理を施した後、この電子源を用いて図１０に示したような画像表示装置を作製した。
【０１１４】
以上のようにして完成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて、走査信号および変調信号を信号発生手段（図示せず）により、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧端子８７を通じて、メタルバック８５に数ｋＶの高圧を印加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発光させることで画像を表示させた。
【０１１５】
（実施例６）
実施例６は、図６に示した構成のバリエーションである。図６は配線基板の要部構造を示しており、（ａ）は模式的平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａの模式的断面図である。図６において、２００は基板、２，３は素子電極、６は列配線（第１の配線）、５は絶縁層、４は行配線（第２の配線）、４ａは下層行配線、４ｂは上層行配線、１はコンタクトホール、１１ａ，１１ｂはコンタクトホール周辺エッジ部、１２は絶縁パターンのエッジである。
【０１１６】
本実施例における基板上への配線の作成方法は実施例１と基本的に同様である。但し、行配線パターンは、実施例１に加えて、上層行配線４ｂを下層行配線４ａの上にスクリーン印刷により作製した。この時、下層行配線４ａのスクリーン版の線幅は上層行配線４ｂの線幅より狭くし、上層と下層における行配線幅の差の効果で、コンタクトホール周辺エッジ部１１ａと１１ｂにおける膜厚に差を持たせた。
【０１１７】
本実施例においては、ｄ１１ａは６μｍ、ｄ１１ｂは３０μｍであった。従って、
（ｄ１１ｂ−ｄ１１ａ）×１００／ｄ１１ｂ＝８０［％］
であり、膜厚差Ｔは通常箇所の膜厚（ｄ１１ｂ）の８０％であった。また膜厚の薄い部分は、四角形のコンタクトホールパターンのほぼ一辺に相当し、存在比は約２５％となった。
【０１１８】
次に、このマトリックスパターンの配線基板に対し、実施例１と同様にして導電性膜７を形成した。
【０１１９】
さらに、実施例１と同様に、フォーミング処理を施した後、この電子源を用いて図１０に示したような画像表示装置を作製した。
【０１２０】
以上のようにして完成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｏｘ１乃至Ｄｏｘｍ、Ｄｏｙ１乃至Ｄｏｙｎを通じて、走査信号および変調信号を信号発生手段（図示せず）により、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧端子８７を通じて、メタルバック８５に数ｋＶの高圧を印加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発光させることで画像を表示させた。
【０１２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、コンタクトホール周辺エッジ部近傍の配線膜厚に差を持たせた構造としたことで、コンタクトホール下部の電気的接続の阻害要因を減少し、さらに絶縁層や基板へのクラックによる品質劣化を抑制することができる。さらにまたコンタクトホールパターンを２つ以上設けることで電気的接続不良の発生確率を下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態及び実施例１に係る配線基板の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態及び実施例２に係る配線基板の模式図である。
【図３】本発明の実施の形態及び実施例３に係る配線基板の模式図である。
【図４】本発明の実施例４に係る配線基板の模式図である。
【図５】本発明の実施の形態及び実施例５に係る配線基板の模式図である。
【図６】本発明の実施例６に係る配線基板の模式図である。
【図７】実施例に係わるスクリーン版の模式図である。
【図８】実施例に係わるスクリーン版の模式図である。
【図９】電子放出素子の模式図である。
【図１０】画像形成装置の一部破断斜視図である。
【図１１】従来技術に係る配線基板における課題を説明する模式図である。
【図１２】従来技術に係る配線基板における課題を説明する模式図である。
【図１３】従来技術に係る配線基板における課題を説明する模式図である。
【図１４】フォーミング処理に用いる典型的な波形を示す図である。
【図１５】本発明に好適な表面伝導型電子放出素子の特性評価装置を示す図である。
【図１６】本発明に好適な表面伝導型電子放出素子の典型的な特性を示す図である。
【図１７】蛍光体膜のパターン図である。
【符号の説明】
１　コンタクトホール
２，３　素子電極
４　行配線（第２の配線）
４ａ　下層行配線
４ｂ　上層行配線、
５　絶縁層
６　列配線（第１の配線）
７　電子放出用導電性膜
８　電子放出部
１１、１１ａ、１１ｂ　コンタクトホール周辺エッジ部
１２　絶縁パターン端部
１３　版開口部
１４　紗
１５　乳剤
１６　吐出抑制パターン
１８　切れ部
６０　素子電流Ｉｆを測定するための電流計
６１　素子に素子電圧Ｖｆを印加するための電源
６２　放出電流Ｉｅを測定するための電流計
６３　高圧電源
６４　アノード電極
６５　真空装置
６６　排気ポンプ
７４　電子放出素子
８１　リアプレート
８２　外枠
８３　基板
８４　画像形成部材
８５　メタルバック
８６　フェースプレート
８８　外囲器（表示パネル）
９２　黒色部材
９３　蛍光体
２００　基板
２０１　クラック
２０２　浮き
２０３　クラック
２０４　クラック
【図１】
2004071370.tif 000003
【図２】
2004071370.tif 000004
【図３】
2004071370.tif 000005
【図４】
2004071370.tif 000006
【図５】
2004071370.tif 000007
【図６】
2004071370.tif 000008
【図７】
2004071370.tif 000009
【図８】
2004071370.tif 000010
【図９】
2004071370.tif 000011
【図１０】
2004071370.tif 000012
【図１１】
2004071370.tif 000013
【図１２】
2004071370.tif 000014
【図１３】
2004071370.tif 000015
【図１４】
2004071370.tif 000016
【図１５】
2004071370.tif 000017
【図１６】
2004071370.tif 000018
【図１７】
2004071370.tif 000019