(57)【要約】【課題】装置コストを大幅に低減した真空処理装置を提供する。【解決手段】被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に必要なガスを供給するガス供給手段と、高周波電力印加手段と、各反応装置を経た後の排気配管を合流させて排気する排気手段とを有し、各反応装置内の被処理物を同時に処理する真空処理装置において、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設け、且つ合流前の排気配管の全数に比べ排気コンダクタンス制御手段が設けられている排気配管の数が少ないことを特徴とする真空処理装置。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に必要なガスを供給するガス供給手段と、高周波電力印加手段と、各反応装置を経た後の排気配管を合流させて排気する排気手段とを有し、各反応装置内の被処理物を同時に処理する真空処理装置において、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設け、且つ合流前の排気配管の全数に比べ排気コンダクタンス制御手段が設けられている排気配管の数が少ないことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記複数の反応装置の数は、２の乗数個以外の数であることを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置を有する真空処理装置を用いて堆積膜形成、エッチング等の、半導体デバイス、電子写真用感光体、画像入力用ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等の形成を行う真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、複数の反応装置を有する真空処理装置は、図２に示すような構成が用いられるのが一般的である。図中２０１はガス供給・流量制御手段でガスボンベ、減圧弁、バルブ、マスフローコントローラーなどから構成されている。排気手段２０８は、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプなどから構成されており、集合排気配管２０７を介して反応装置内を排気する。
【０００３】
集合排気配管２０７の合流後の配管には、真空処理装置全体の圧力調整を行うための排気コンダクタンス制御手段２０９が設けられている。
【０００４】
反応装置２０５へのガス供給はガス供給・流量制御手段２０１よりガス供給配管２０２を介して行われる。この際、複数の反応装置に供給するガス流量を均一又は適正流量に調整するために、ガス供給配管２０２の分岐後の配管に流量可変バルブ２０３が設けられている。
【０００５】
各反応装置の排気のコンダクタンス調整は、排気コンダクタンス制御手段２０６により各反応装置を均一又は適正値に調整している。排気コンダクタンス制御手段としては、バタフライ弁、スロットルリングバルブのようなコンダクタンス可変バルブにて調整するものである。
【０００６】
特開２０００−２７３６１６号公報には、各成膜室と排気系を繋ぐ配管中に可変コンダクタンスバルブを設け成膜室の圧力を調整する技術が開示されている。
【０００７】
また、図３（ａ，ｂ）に示すように、排気コンダクタンス制御手段を用いない方法もとられている。
この場合は、排気配管の合流前の配管長さ、径、曲げ角度を同一にして排気コンダクタンスを均一にできる構成であることが前提となり、複数の反応装置の個数は２個、４個、８個、１６個と２の乗数個限定となるものである。
【０００８】
また、特公平７−１３９４７号公報には、原料ガス供給手段と排気手段が共通化された複数の反応容器を用いる技術が開示されている。また、特開平１０−１６８５７６号公報には、真空容器が排気手段、原料ガス供給手段と着脱可能な接続機構を介して接続する堆積膜形成装置、及び着脱機構に関する詳細が開示されている。
【０００９】
このようにして複数の反応装置を単一の排気手段や単一のガス供給手段に接続することで、ガス供給手段や排気手段への設備投資を低減することができる。
【００１０】
また、これらの反応装置には、高周波電力印加手段を接続し、放電エネルギーを利用するプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成用真空処理装置があり、この方法により形成される非晶質薄膜　（例えば水素又は／及びハロゲンによって補償されたアモルファスシリコン）　は電子写真用感光体、半導体デバイス、ＴＦＴ等の半導体素子への応用が提案され、その中のいくつかは実用に至っている。特に１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯の高周波を用いたプラズマＣＶＤ法（以降『ＲＦ−ＰＣＶＤ』と略記する）は基板材料、堆積膜材料等が導電体、絶縁体に関わらず処理でき、又、その取り扱いが比較的容易であるため広く用いられている。又、プラズマを生成するために使用する高周波電力の周波数を工夫することにより、更なる改善を行うための様々な工夫がなされており、近年においては、ＲＦと比較してより周波数が高いＶＨＦ帯の高周波電力を用いたプラズマＣＶＤ（以降『ＶＨＦ−ＰＣＶＤ』と略記する）法が注目を浴びており、これを用いた各種堆積膜形成装置及び方法の開発も積極的に進められている。
【００１１】
例えば特開平６−２８７７６０公報にはａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材形成に用いうるＶＨＦ帯の周波数を用いたＰＣＶＤの装置及び方法が開示されている。このように堆積膜の性能を落とさずに堆積速度を向上させることで、製造に懸かる合計時間を短縮でき、コストダウンが可能になる。また、特開平７−２８８２３３号公報には、同一円周上に配置された複数の円筒状基体上に、ＶＨＦ帯の高周波を用いて複数の堆積膜を同時に形成する技術が開示されている。
【００１２】
図４は、ＶＨＦ帯と呼ばれる、１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯の周波数より比較的高い周波数の高周波を好適に使用できる反応装置で、円筒状基体４０１の上に電子写真用感光体を好適に堆積することが出来る装置の模式図である。図中、カソード電極４０４を反応容器４０２外に設置し、反応容器４０２内に複数の円筒状基体４０１を設置する構成としたアモルファスシリコン感光体製造装置である。
【００１３】
図４に示す装置は、高周波電源４０８から発振された高周波電力がマッチングボックス４０９を介し、電力分岐４１３の給電点に印加され、反応容器４０２の外部に設置された複数のカソード電極４０４から反応容器４０２内に電力を供給され、反応容器４０２内にプラズマを生起し堆積膜を形成する構成である。
【００１４】
カソード電極４０４から放出される高周波電力を反応容器４０２に効率良く導入するために、円筒形の反応容器４０２の側壁には誘電体であるセラミックスが用いられている。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、真空処理時の不純物混入抑制、耐熱性等の点からアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が好ましい。
【００１５】
さらに、図４に示す反応装置は反応容器４０２内に複数の円筒状基体４０１が同一円周上に等間隔に設置される構成となっている。円筒状基体４０１の本数は、反応容器と円筒状基体の径に応じて任意に変えることが可能である。また、反応容器４０２内にガスを導入するガス導入管４０３が円筒状基体の配置円外の同一円周上等間隔に複数本設置されている。このガス導入管４０３には、複数個のガス放出孔が設けられており、このガス放出孔の位置を調整又は孔径を調整することによって、反応容器４０２内に導入するガスの分布を調整することができる。また、ガス導入管４０３に関しても、ガスを均等に供給することが出来れば任意の数にすることが出来る。また、電力分岐４１３と各カソード電極４０４の接続にはコンデンサーを介して接続してもよい。
【００１６】
図４の装置を用いた場合の堆積膜形成の概略を以下に説明する。
まず、反応容器４０２内に円筒状基体４０１を設置し、不図示の排気装置により排気管を通して反応容器４０２内を排気する。続いて、不活性ガスを流しながらヒーター（不図示）により円筒状基体４０１を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱・制御する。
【００１７】
円筒状基体４０１が所定の温度となったところで、ガス供給・流量調整手段手段及びガス供給配管（図示せず）よりガス分岐配管４１５、ガス導入管４０３を介して原料ガスを反応容器４０２内に導入する。その後、排気コンダクタンス制御手段（図示せず）を用いて、反応容器４０２内の圧力が０．０５￣２０Ｐａの間、好適には０．１￣１０Ｐａの所定の圧力に設定する。反応容器４０２内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力を高周波電源４０８よりマッチングボックス４０９を介してカソード電極４０４へ供給する。これにより、反応容器４０２内に高周波電力が導入され、反応容器４０２内にグロー放電が生起し、原料ガスは励起解離して円筒状基体上に堆積膜が形成される。堆積膜形成中、回転軸４１０を介して円筒状基体４０１をモーター４１１により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体４０１表面全周に渡って堆積膜が形成される。
【００１８】
所望の膜厚の形成が行なわれた後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止して堆積膜の形成を終える。同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の方法及び装置により、同時に作成できる堆積膜の数量は多くなり量産性の向上がなされるとともに、ガス流量制御手段やガス排気手段といった付帯設備を共通化出来るというコスト面のメリットがあり、生産コストを大幅に低減させることが可能となった。
【００２０】
しかしながら、最近の製品価格競争が大変に厳しい環境においては、生産設備投資においても一円単位のコスト削減が求められており、未だ改善の余地があるのも実情である。
本発明は、量産化における装置コストを大幅に低減させ且つ、堆積膜の特性の再現性及び生産性を向上させることが可能な真空処理装置を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の真空処理装置は、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に必要なガスを供給するガス供給手段と、高周波電力印加手段と、各反応装置を経た後の排気配管を合流させて排気する排気手段とを有し、各反応装置内の被処理物を同時に処理する真空処理装置において、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設け、且つ合流前の排気配管の全数に比べ排気コンダクタンス制御手段が設けられている排気配管の数が少ないことを特徴とした真空処理装置である。
【００２２】
また、前記複数の反応装置の数は、２の乗数個以外の数であることを特徴としている。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、複数の反応装置に必要なガスを供給し各反応装置内の被処理物を同時に処理する真空処理装置において、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設ける方法が生産コストに影響を及ぼしている知見を得た。
【００２４】
複数の反応装置を排気する排気手段に関しては、複数の反応装置で共有することが設備コストを低減するために好ましい。しかしながら、例えば、複数の反応装置を用いａ−Ｓｉなどの堆積膜を形成する処理をおこなう場合は、各反応装置に供給するガス流量を正確に制御すると同時に、各反応装置内の排気コンダクタンスも均一又は適正値に制御しなければ所望の膜が得られない。このため、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設ける必要がある。また、排気コンダクタンス制御手段は、量産対応の生産装置では、多数の反応装置がある為、当然、排気コンダクタンス制御手段の数量も反応装置と同数が必要となる。また、生産性を向上させる為、これらの制御は自動化となることから、このような設備は一般的に高額となってしまい、生産設備投資額が膨大になってしまう。
【００２５】
しかし前述したように、反応装置の数が、図３（ａ，ｂ）に示すように、２の乗数個となる場合は、排気配管の合流前の配管長さ、径、曲げ角度を同一にして排気コンダクタンスを均一にできる構成をとることができるため、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を用いない方法が可能である。
【００２６】
図３（ａ，ｂ）に示すように、排気コンダクタンス制御手段を用いない方法もとられている。
この場合の装置コストは、排気コンダクタンス制御手段が不要なことから特に膨大はしないが、例えば、図２に示すように、反応装置が３個の場合は、排気配管の合流前の配管長さ、径、曲げ角度を同一にして排気コンダクタンスを均一にそろえるのは中々難しく、また配管長が無駄に長くなってしまう場合があってコストアップとか特性に影響する場合があり調整が困難であることから、一般的には排気配管の合流前に排気コンダクタンス制御手段を合流前の配管の全数すなわち反応装置毎に設けている。
【００２７】
このことから、反応装置の数が３個、５個、６個といった２の乗数個以外の場合は、排気配管の合流前の配管長さ、径、曲げ角度を同一にして排気コンダクタンスを均一にすることが困難なため、排気コンダクタンス制御手段を反応装置毎に設けている。そのため、装置コストは膨大してしまう。
【００２８】
本発明の真空処理装置は、図１に示すように、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設ける際、合流前の排気配管の全数に比べ排気コンダクタンス制御手段が設けられている排気配管の数を少なくし、装置コストを低減させたものである。また、排気コンダクタンス制御手段の数を少なくすることで、排気コンダクタンスの調整作業時間、管理等に関わるコストも大きく削減したものである。
【００２９】
次に本発明の実施の態様を図に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の真空処理装置の一例を示す模式図である。
【００３０】
図１は反応装置１０５（１０５−ａ、１０５−ｂ、１０５−ｃ）の数が３個の場合であり、図中１０１はガス供給・流量制御手段でガスボンベ、減圧弁、バルブ、マスフローコントローラーなどから構成されている。
ガス供給・流量制御手段１０１よりガス供給配管１０２を介して反応装置１０５全てにガスを供給する。この際、ガス供給配管１０２の分岐後の配管には流量可変バルブ１０３が設けられおり、複数の反応装置に供給するガス流量を均一又は適正流量に調整している。
【００３１】
排気手段１０８は、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ターボ分子ポンプなどから構成されており、集合排気配管１０７を介して反応装置内を排気する。この際、複数の反応装置の排気コンダクタンスを制御する為に、反応装置１０５−ａの排気配管には排気コンダクタンス制御手段１０６が設けられている。
【００３２】
また、各反応装置の排気側には排気バルブ（図示せず）と、各排気配管には圧力計が設けられている。
【００３３】
反応装置１０５−ｂ、１０５−ｃの排気配管側は、配管長さ、径、曲げ角度が均等に配分された構成となっている。
【００３４】
この真空処理装置より例えば、ＳｉＨ４ガスを６００ｓｃｃｍ流した場合の各反応装置の排気コンダクタンスを均一に調整する方法は次のようにして行う。
【００３５】
あらかじめ、流量可変バルブ１０３は各反応装置にＳｉＨ４ガスが２００ｓｃｃｍ均等に流れるよう各反応装置１０５の間に常設または必要時に設けた流量計（フローメーター）にて流量可変バルブ１０３の開度を調整している。
【００３６】
まず、ガス供給・流量制御手段１０１内のマスフローコントローラーにてＳｉＨ４ガスを４００ｓｃｃｍの流量にて制御しガス供給配管１０２を介して、反応装置１０５−ｂ、１０５−ｃに供給する。その際、反応装置１０５−ａ、１０５−ｂ側は、排気配管の長さ、径、曲げ角度が均等に配分されるように構成されているため、それぞれの反応装置の圧力は双方均等になる。本例での反応装置の場合は双方の反応装置の圧力は０．４５Ｐａで均等となった。その後、ＳｉＨ４ガス流量６００ｓｃｃｍとし、全ての反応装置に供給する。供給後、反応装置１０５−ａの圧力計が０．４５Ｐａの圧力になるよう排気コンダクタンス制御手段１０６にて調整する。このようにして、反応装置１０５の排気コンダクタンスを均一に調整するものである。
【００３７】
図５（ａ，ｂ）は、反応装置の数が５個の場合、６個の場合の真空処理装置の構成の一例を示している。
【００３８】
本発明においては、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設ける際、合流前の排気配管の全数に比べ排気コンダクタンス制御手段が設けられている排気配管の数を少なくすればいかなる方法でもよいが、好ましい方法は、図５のように排気手段への合流直前の分岐において、分岐の一方は、反応装置の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐されている構成である。例えば、図６では排気手段直前の分岐で反応装置が３個と３個となるよう分岐している。この場合も、排気コンダクタンス制御手段を２個設けることで、調整は可能である。双方の違いは流量可変バルブの個数であり、排気手段合流直前の分岐の一方は、反応装置の総数に対して最大となる２の乗数個に分岐する方が少なく済むものである。
【００３９】
以上のように、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設ける際、合流前の排気配管の全数に比べ排気コンダクタンス制御手段が設けられている排気配管の数を少なくしても排気コンダクタンスを均一に制御することが可能となり、装置コストを低減させることができるものである。
また、排気コンダクタンス制御手段の数も少ないので、調整作業及び点検、管理作業の時間も短くなり、その結果、量産性の向上が図られるものである。
【００４０】
【実施例】
以下実験例及び実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００４１】
［実験例１］
図４に示した反応装置３個を１ユニットとした図１に示す接続方法で接続した真空処理装置を用いて、ガス供給・流量制御手段を介してＳｉＨ４ガスを６００ｓｃｃｍ流した。
【００４２】
これら３個の反応装置は、一つの排気手段１０８、一つのガス供給・流量制御手段１０１に接続している。
【００４３】
排気コンダクタンス制御手段１０６は反応装置１０５−ａの排気配管に取り付けている。
【００４４】
あらかじめＳｉＨ４ガス流量は、流量可変バルブ１０３の開度を調整し、各反応装置にＳｉＨ４ガスが２００ｓｃｃｍ流れるよう調整している。
【００４５】
まず、ガス供給・流量制御手段１０１内のマスフローコントローラーにてＳｉＨ４ガスを４００ｓｃｃｍの流量にて制御しガス供給配管１０２を介して、反応装置１０５−ｂ、１０５−ｃに供給する。その際、反応装置１０５−ｂ、１０５−ｃ側は、排気配管の長さ、径、曲げ角度が均等に配分されるように構成されているため、それぞれの反応装置の圧力は０．４５Ｐａで均等となった。その後、ＳｉＨ４ガス流量６００ｓｃｃｍとし、全ての反応装置に供給した。供給後、反応装置１０５−ａの圧力計が０．４５Ｐａの圧力になるよう排気コンダクタンス制御手段１０６にて調整した。
【００４６】
その後、一旦、ＳｉＨ４ガスの供給を停止し、反応装置内のガスを引き上げた。
排気コンダクタンス制御手段１０６を調整後のままとし、再度ＳｉＨ４ガスを６００ｓｃｃｍ流したところ、それぞれの反応装置の圧力計値は０．４５Ｐａに対して±１％の範囲で均等に調整されていることが確認された。
【００４７】
上記と同様の実験を数回繰り返したが、いずれも反応装置の圧力は±１％の範囲であり、それぞれの反応装置の排気コンダクタンスで均等となっていた。
【００４８】
［実験例２］
図４に示した反応装置３個を１ユニットとした図１に示す接続方法で接続した真空処理装置を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、表１に示す条件にて堆積膜を形成した。
【００４９】
これら３個の反応装置は、一つの排気手段、一つのガス供給・流量制御手段に接続した。ＶＨＦ電力周波数は１０５ＭＨｚで、それぞれの反応装置に独立に接続した。
【００５０】
ガス供給流量及び排気コンダクタンスは実験例１で調整した状態で行った。
【００５１】
［比較実験例１］
図４に示した反応装置３個を１ユニットとした図２に示す接続方法で接続したこと以外は実施例１と同様にして堆積膜を形成した。
【００５２】
あらかじめ排気のコンダクタンスは、ＳｉＨ４ガスを２００ｓｃｃｍ各反応装置に流して排気コンダクタンス制御手段１０６により各反応装置が０．４５Ｐａで均一になるよう調整している。
尚、本例では、実験例、比較実験例とも、ガスの供給流量を確認する為、流量可変バルブ１０３と反応装置１０５の間に流量計を設けた。
【００５３】
堆積膜形成前のガス流量及び圧力の確認を行った。
【００５４】
その結果を表２に示す。
【００５５】
【表１】
2004131760.tif 000002
【００５６】
【表２】
2004131760.tif 000003
表２の結果の通り、いずれの流量計の値も２００ｓｃｃｍに対して±１％の範囲でガスが均等に配分されていた。圧力についても、０．４５Ｐａに対して±１％の範囲で排気のコンダクタンスも均一であった。
【００５７】
また、本実験例では流量調整に要した時間は、排気コンダクタンス制御手段が少ないために、比較実験例の構成で流量調整をする時間よりは約半分の時間で調整することができるものである。
【００５８】
［装置コスト］
本実験例１で用いた真空処理装置は比較実験例１で用いた真空処理装置より、排気コンダクタンス制御手段を設ける個数が２個少なくなり、装置のコストダウンをすることが出来るものである。
【００５９】
比較実験例１の装置に必要な金額に対して本実験例１の装置は約４．５％のコストダウンをすることができるものである。
【００６０】
量産装置においては、１ユニットに接続する反応装置の個数、又は総ユニットの数が増えるため、本発明の構成を行うことで大幅な装置コストダウンを図ることができる。
【００６１】
［実験例３］
実験例２と同じ装置を用い、実験例２での排気コンダクタンスを調整した状態で、ＳｉＨ４ガス流量のみを４５０ｓｃｃｍに変化させた。実験例１同様、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、表３に示す条件にて堆積膜を形成した。
尚、真空処理装置全体の圧力調整は、集合排気配管１０７に設けられている排気コンダクタンス制御手段１０９を制御し圧力が０．４５Ｐａとなるよう調整している。
【００６２】
これら３個の反応装置は、一つの排気手段、一つのガス供給・流量制御手段に接続した。ＶＨＦ電力周波数は１０５ＭＨｚで、それぞれの反応装置に独立に接続した。
【００６３】
堆積膜形成前のガス流量及び圧力の確認を行った。
その結果を表４に示す。
【００６４】
表４の結果の通り、いずれの流量計の値も１５０ｓｃｃｍに対して±１％の範囲でガスが均等に配分されていた。圧力についても、０．４５Ｐａに対して±１％の範囲で排気のコンダクタンスも均一であった。
【００６５】
一旦、排気コンダクタンス制御手段１０６により排気コンダクタンスを均一に調整をしてしまえば、ガス流量が変化しても反応装置内の圧力バランスは変化せず均等であることが確認された。
【００６６】
【表３】
2004131760.tif 000004
【００６７】
【表４】
2004131760.tif 000005
［実施例１］
図４に示した反応装置３個を１ユニットとした図１に示す接続方法で接続した真空処理装置を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、表５に示す条件にて電子写真感光体を１０サイクル連続で作製した。円筒状基体は一つの反応装置で７本設置されている。
【００６８】
これら３個の反応装置は、一つの排気手段、一つのガス供給・流量制御手段に接続した。ＶＨＦ電力周波数は１０５ＭＨｚで、それぞれの反応装置に独立に接続した。
【００６９】
排気コンダクタンス制御手段１０６は反応装置１０５−ａの排気配管に取り付けている。
【００７０】
ガス供給流量及び排気コンダクタンスは実験例１で調整した状態としている。また、本例のような積層系の場合、排気手段であるメカニカルブースターポンプの周波数を各層の圧力設定になるようあらかじめ設定してあり、本例の層の切り替え時は集合排気配管合流後に設けられている真空処理装置全体の圧力調整用排気コンダクタンス制御手段１０９にて調整するものである。
【００７１】
【表５】
2004131760.tif 000006
電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力の確認及び、作製した電子写真感光体の帯電能、感度についての評価を行った。
【００７２】
尚、電子写真感光体は反応装置１個につき７本作製されているが、本例ではそのうちの１本についての結果を示す。
【００７３】
［比較実施例１］
あらかじめ図４に示した反応装置３個を１ユニットとした図２に示す接続方法で接続した真空処理装置を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、表５に示す条件にて作製した。
【００７４】
比較実施例１で作製した時の電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力を１００としたときの相対値で比較した。
【００７５】
帯電能、感度についても、同様、比較実施例１で作製した時の電子写真感光体の帯電能及び感度を１００とした時の相対値で比較した。
【００７６】
その結果を表４に合わせて示す。
【００７７】
［帯電能］
作製した電子写真感光体を実験用に改造したキヤノン製複写機ｉＲ−５０００を改造したものに設置し、主帯電器に一定の電流を流し、現像器を外して現像器位置に電位計を挿入し、通常の複写操作と同様に感光体を回転させ、露光用の光源を消した状態で、表面の電位（暗部電位）を測定した。軸方向中央の値を、帯電能の代表値とした。
【００７８】
［感度］
作製した電子写真感光体を実験用に改造したキヤノン製複写機ｉＲ−５０００を改造したものに設置し、現像器位置での暗部電位が一定となるよう主帯電器電流を調整した後、原稿に反射濃度０．１以下の所定の白紙を用い、現像器位置での明部電位が所定の値となるよう像露光光量を調整した際の像露光光量により感度を評価する。軸方向中央の値を、感度の代表値とした。
【００７９】
表６から明らかなように、圧力は±１％の範囲で制御されており排気のコンダクタンスが均一であった。すなわち、本発明の装置構成においては、供給されるガス流量は各反応装置で均等となっているものである。
【００８０】
また、積層系の場合であっても、排気コンダクタンスが各反応装置で均等に調整されていることから、ガス流量が変化しても各反応装置間の圧力差は無く均一な状態が維持されている。すなわち、排気コンダクタンスは均等に調整されているものである。
【００８１】
帯電能、感度においても、反応装置間でばらつきが±２％の範囲であり、良好な結果が得られている。
【００８２】
本発明のように装置コストを抑えた真空処理装置であっても、従来同様良好な電子写真感光体を安価で作製することが可能である結果が得られた。
【００８３】
【表６】
2004131760.tif 000007
［実施例２］
図４に示した反応装置５個を１ユニットとした図５（ａ）に示す接続方法で接続した真空処理装置を用いて、ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法により、アルミニウムよりなる直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体上に、表７に示す条件にて電子写真感光体を３０サイクル連続で作製した。円筒状基体は一つの反応装置で６本設置されている。
【００８４】
これら５個の反応装置は、一つの排気手段、一つのガス供給・流量制御手段に接続した。ＶＨＦ電力周波数は１０５ＭＨｚで、それぞれの反応装置に独立に接続した。
【００８５】
ガス供給流量及び排気コンダクタンスは実施例１と同様の方法にて行った。
【００８６】
【表７】
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電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力の確認を行ったところ、いずれの接続方法においても実施例１と同様良好な結果が得られた。
【００８７】
また、作製した電子写真感光体について帯電能、感度について実施例１と同様の評価を行ったところ、いずれの接続方法においても実施例１同様良好な結果が得られた。
【００８８】
［実施例３］
図４に示した反応装置６個を１ユニットとした図５（ｂ）に示す接続方法で接続した真空処理装置を用いて、実施例２と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行ったところ、いずれの接続方法においても実施例１同様良好な結果が得られた。
【００８９】
また、電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力についても、いずれの接続方法においても実施例１と同様良好な結果が得られた。
【００９０】
［実施例４］
図４に示した反応装置６個を１ユニットとした図６に示す接続方法で接続した真空処理装置を用いて、実施例２と同様にして電子写真感光体を作製し、実施例１と同様の評価を行ったところ、いずれの接続方法においても実施例１同様良好な結果が得られた。
【００９１】
また、電荷注入阻止層開始前の各反応装置の圧力についても、いずれの接続方法においても実施例１と同様良好な結果が得られた。
【００９２】
【発明の効果】
以上のように、本発明においては、被処理物が設置された減圧可能な複数の反応装置と、各反応装置に必要なガスを供給するガス供給手段と、高周波電力印加手段と、各反応装置を経た後の排気配管を合流させて排気する排気手段とを有し、各反応装置内の被処理物を同時に処理する真空処理装置において、各反応装置を経た後の合流前の排気配管に排気コンダクタンス制御手段を設け、且つ合流前の排気配管の全数に比べ排気コンダクタンス制御手段が設けられている排気配管の数が少ない構成の真空処理装置とすることで、装置コストを大幅に低減することが可能となる。
【００９３】
また、本発明の真空処理装置を用いて生産を行うことで、生産コストを大幅に低減させ且つ、特性の安定性が得られた製品を生産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図２】従来の真空処理装置の一例を示す模式図である。
【図３】従来の真空処理装置の配管接続方法を示す模式図である。
【図４】ＶＨＦ−ＰＣＶＤ法を用いた反応装置の模式図である。
【図５】本発明の真空処理装置の配管接続方法を示す模式図である。
【図６】本発明の真空処理装置の配管接続方法を示す模式図である。
【符号の説明】
１０１　　　　　　ガス供給・流量制御手段
１０２　　　　　　ガス供給配管
１０３　　　　　　流量可変バルブ
１０４　　　　　　高周波電源
１０５　　　　　　反応装置
１０６　　　　　　排気コンダクタンス制御手段
１０７　　　　　　集合排気配管
１０８排気手段
１０９排気コンダクタンス制御手段（真空処理装置全体圧力調整用）
２０１　　　　　　ガス供給・流量制御手段
２０２　　　　　　ガス供給配管
２０３　　　　　　流量可変バルブ
２０４　　　　　　高周波電源
２０５　　　　　　反応装置
２０６　　　　　　排気コンダクタンス制御手段
２０７　　　　　　集合排気配管
２０８排気手段
２０９排気コンダクタンス制御手段（真空処理装置全体圧力調整用）
４００　　　　　　反応装置
４０１　　　　　　円筒状基体
４０２　　　　　　反応容器
４０３　　　　　　ガス導入管
４０４　　　　　　カソード電極
４０５　　　　　　高周波電力供給装置
４０６　　　　　　基体支持体
４０７　　　　　　排気配管
４０８　　　　　　高周波電源
４０９　　　　　　マッチングボックス
４１０　　　　　　回転軸
４１１　　　　　　モーター
４１２　　　　　　ギア
４１３　　　　　　高周波電力分岐部
４１４　　　　　　シールド
４１５　　　　　　ガス分岐配管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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