(57)【要約】【課題】半導体レーザの品質検査に要する時間の短縮と検出率の向上を図ることが可能な半導体レーザ検査装置および方法を提供すること。【解決手段】半導体レーザを取り付けて半導体レーザの動作温度を制御するレーザ取付部１１０と、取り付けられる半導体レーザの駆動電流を発生させる駆動回路１２０と、半導体レーザの発光出力を検出し発光出力に応じた信号を生成するモニタ検出回路１３０と、基準電圧発生回路１４０と、モニタ検出回路１３０が生成した信号と上記基準電圧とを比較して駆動回路１２０が発生する駆動電流を制御するための制御信号を生成する制御回路１５０と、制御回路１５０からの出力に重畳させる短パルス信号を発生するパルス発生回路１６０とを備え、駆動回路１２０は、制御回路１５０が生成した制御信号に短パルス信号を重畳して得られる信号に応じた駆動電流を発生する構成を有している。【選択図】  図１
2004172536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザを取り付けて前記半導体レーザの動作温度を制御するレーザ取付部と、前記レーザ取付部に取り付けられる前記半導体レーザに流す駆動電流を発生させる駆動回路と、前記半導体レーザの発光出力を検出し発光出力に応じた信号を生成するモニタ検出回路と、所定の基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記モニタ検出回路が生成した前記信号と前記基準電圧発生回路が発生した基準電圧とを比較して前記駆動回路が発生する駆動電流を制御するための制御信号を生成する制御回路と、前記制御回路からの出力に重畳させる短パルス信号を発生するパルス発生回路とを備え、前記駆動回路は、前記制御回路が生成した制御信号に前記短パルス信号を重畳して得られる信号に応じた駆動電流を発生することを特徴とする半導体レーザ検査装置。
【請求項２】
半導体レーザを駆動電流を制御して所定の発光出力で動作させて定常状態にする定常駆動ステップと、前記定常駆動ステップで前記半導体レーザが定常状態で動作した後に、短パルスを前記駆動電流に重畳するパルス重畳ステップと、前記短パルスを重畳する前後の所定期間の駆動電流を検出する検出ステップと、前記短パルスを重畳した後または前後の駆動電流の変動に基づいて前記半導体レーザの不具合の有無を判断する判断ステップとを備えたことを特徴とする半導体レーザ検査方法。
【請求項３】
前記半導体レーザの動作温度を常温より高い温度にする高温動作ステップを備え、前記定常駆動ステップは、前記高温動作ステップで前記半導体レーザが高い温度で動作した後に行われることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ検査方法。
【請求項４】
前記半導体レーザの動作温度を常温に安定させる常温動作ステップを備え、前記定常駆動ステップは、前記常温動作ステップで前記半導体レーザが動作した後に行われることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ検査方法。
【請求項５】
前記半導体レーザの動作温度を常温に安定させる常温動作ステップと、前記半導体レーザの動作温度を常温より高い温度に安定させる高温動作ステップとを備え、前記常温動作ステップで前記半導体レーザが動作した後に前記定常駆動ステップと、前記パルス重畳ステップと、前記検出ステップと、前記判断ステップとを行い、前記高温動作ステップで前記半導体レーザが動作した後に前記定常駆動ステップと、前記パルス重畳ステップと、前記検出ステップと、前記判断ステップとを行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ検査方法。
【請求項６】
前記パルス重畳ステップは、複数の前記短パルスの駆動電流を重畳することを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ検査装置および方法に関し、特に、発光寿命が短い半導体レーザや不安定に発光する半導体レーザを検出する半導体レーザ検査装置および方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、格子欠陥密度が高い半導体レーザチップ、不純物濃度異常が生じているチップ、結晶成長異常が生じているチップ等の不具合チップを検査する技術として、所定の環境下で所定の発光出力を負荷として駆動電流の変動を見る方法が知られている（例えば、非特許文献１参照。）。具体的には、図８および図９に示す様に、所定の環境温度下で一定の光発光出力を負荷として所定時間、半導体レーザの駆動電流の変化を検査するものである。ここで、図８は、半導体レーザの負荷となる発光出力と半導体レーザの環境温度を示す図である。また、図９は、このような条件下で半導体レーザに流す駆動電流の変動を示す図である。
【０００３】
そして、以下に示すような基準で不具合チップを検出していた。
（１）常温Ｔｅ１環境で、検出開始時Ｔ００の動作電流Ｉ０値が大きい。
（２）高温Ｔｅ２環境で安定した後の動作電流Ｉ２値が大きい。
（３）Ｔｅ１環境からＴｅ２環境へ移行したときの動作電流の変化値（Ｉ２−Ｉ１）が大きい。
（４）Ｔｅ２環境でＴ０２時経過後の動作電流Ｉ３値が大きい。
（５）Ｔｅ２環境でＴ０２時経過後の動作電流の変化値（Ｉ３−Ｉ２）が大きい。
（６）Ｔｅ１環境に戻したときの動作電流の変化値（Ｉ３−Ｉ４）が小さい。
（７）Ｔｅ１環境で安定後の動作電流の変化値（Ｉ５−Ｉ０）が大きい。
なお、上記の各記号は、図８および図９に示したものを用いた。
【非特許文献１】
伊藤・中村共編、「半導体レーザー  基礎と応用」、倍風館、１９８９年、ｐ．２３９−２５９
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来の半導体レーザの検査方法では、高温環境下で長時間検査するため、発光寿命が短い半導体レーザや不安定に発光する半導体レーザを検出するのにも長時間を要し、検出率も低いという問題があった。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、半導体レーザの品質向上と検出率の向上を図ることが可能な半導体レーザ検査装置および方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ検査装置は、半導体レーザを取り付けて前記半導体レーザの動作温度を制御するレーザ取付部と、前記レーザ取付部に取り付けられる前記半導体レーザに流す駆動電流を発生させる駆動回路と、前記半導体レーザの発光出力を検出し発光出力に応じた信号を生成するモニタ検出回路と、所定の基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記モニタ検出回路が生成した前記信号と前記基準電圧発生回路が発生した基準電圧とを比較して前記駆動回路が発生する駆動電流を制御するための制御信号を生成する制御回路と、前記制御回路からの出力に重畳させる短パルス信号を発生するパルス発生回路とを備え、前記駆動回路は、前記制御回路が生成した制御信号に前記短パルス信号を重畳して得られる信号に応じた駆動電流を発生する構成を有している。
この構成により、駆動電流に短パルスを重畳して半導体レーザに短時間の負荷を課す手段を設けたため、半導体レーザの品質向上と検出率の向上を図ることが可能な半導体レーザ検査装置を実現することができる。
【０００６】
また、本発明の半導体レーザ検査方法は、半導体レーザを駆動電流を制御して所定の発光出力で動作させて定常状態にする定常駆動ステップと、前記定常駆動ステップで前記半導体レーザが定常状態で動作した後に、短パルスを前記駆動電流に重畳するパルス重畳ステップと、前記短パルスを重畳する前後の所定期間の駆動電流を検出する検出ステップと、前記短パルスを重畳した後または前後の駆動電流の変動に基づいて前記半導体レーザの不具合の有無を判断する判断ステップとを備えた構成を有している。
この構成により、駆動電流に短パルスを重畳して半導体レーザに短時間の負荷を課すようにしたため、半導体レーザの品質向上と検出率の向上を図ることが可能な半導体レーザ検査方法を実現することができる。
【０００７】
また、本発明の半導体レーザ検査方法は、半導体レーザを駆動電流を制御して所定の発光出力で動作させて定常状態にする定常駆動ステップと、前記定常駆動ステップで前記半導体レーザが定常状態で動作した後に、短パルスを前記駆動電流に重畳するパルス重畳ステップと、前記短パルスを重畳する前後の所定期間の駆動電流を検出する検出ステップと、前記短パルスを重畳した後または前後の駆動電流の変動に基づいて前記半導体レーザの不具合の有無を判断する判断ステップと、前記半導体レーザの動作温度を常温より高い温度にする高温動作ステップを備え、前記定常駆動ステップは、前記高温動作ステップで前記半導体レーザが高い温度で動作した後に行われる構成を有している。
この構成により、高温環境下で短パルスを重畳することで、苛酷な環境下で駆動電流の変動等により発生する不具合の検出が容易になるとともに不具合チップの検出確率を向上することが可能な半導体レーザ検査方法を実現することができる。
【０００８】
また、本発明の半導体レーザ検査方法は、半導体レーザを駆動電流を制御して所定の発光出力で動作させて定常状態にする定常駆動ステップと、前記定常駆動ステップで前記半導体レーザが定常状態で動作した後に、短パルスを前記駆動電流に重畳するパルス重畳ステップと、前記短パルスを重畳する前後の所定期間の駆動電流を検出する検出ステップと、前記短パルスを重畳した後または前後の駆動電流の変動に基づいて前記半導体レーザの不具合の有無を判断する判断ステップと、前記半導体レーザの動作温度を常温に安定させる常温動作ステップを備え、前記定常駆動ステップは、前記常温動作ステップで前記半導体レーザが動作した後に行われる構成を有している。
この構成により、常温環境下で短パルスを重畳するため、苛酷な環境下に置くまでもなく検出できる不具合を短時間に検出することが可能な半導体レーザ検査方法を実現することができる。
【０００９】
また、本発明の半導体レーザ検査方法は、半導体レーザを駆動電流を制御して所定の発光出力で動作させて定常状態にする定常駆動ステップと、前記定常駆動ステップで前記半導体レーザが定常状態で動作した後に、短パルスを前記駆動電流に重畳するパルス重畳ステップと、前記短パルスを重畳する前後の所定期間の駆動電流を検出する検出ステップと、前記短パルスを重畳した後または前後の駆動電流の変動に基づいて前記半導体レーザの不具合の有無を判断する判断ステップと、前記半導体レーザの動作温度を常温に安定させる常温動作ステップと、前記半導体レーザの動作温度を常温より高い温度に安定させる高温動作ステップとを備え、前記常温動作ステップで前記半導体レーザが動作した後に前記定常駆動ステップと、前記パルス重畳ステップと、前記検出ステップと、前記判断ステップとを行い、前記高温動作ステップで前記半導体レーザが動作した後に前記定常駆動ステップと、前記パルス重畳ステップと、前記検出ステップと、前記判断ステップとを行う構成を有している。
この構成により、常温下でも高温下でも短パルスを重畳して半導体レーザの品質検査を行うこととしたため、検出率をより向上することが可能な半導体レーザ検査方法を実現することができる。
【００１０】
また、本発明の半導体レーザ検査方法は、半導体レーザを駆動電流を制御して所定の発光出力で動作させて定常状態にする定常駆動ステップと、前記定常駆動ステップで前記半導体レーザが定常状態で動作した後に、短パルスを前記駆動電流に重畳するパルス重畳ステップと、前記短パルスを重畳する前後の所定期間の駆動電流を検出する検出ステップと、前記短パルスを重畳した後または前後の駆動電流の変動に基づいて前記半導体レーザの不具合の有無を判断する判断ステップとを備え、前記パルス重畳ステップは、複数の前記短パルスの駆動電流を重畳する構成を有している。
この構成により、短パルスを複数回重畳して半導体レーザの品質検査を行うこととしたため、検出率をより向上することが可能な半導体レーザ検査方法を実現することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査装置１００のブロック構成を示す図である。半導体レーザ検査装置１００は、レーザ取付部１１０、レーザ取付部１１０に取り付けられる半導体レーザに流す駆動電流を発生させる駆動回路１２０、上記半導体レーザの発光出力を検出するモニタ検出回路１３０、所定の基準電圧を発生させる基準電圧発生回路１４０、モニタ検出回路１３０からの出力と基準電圧発生回路１４０で発生した基準電圧とを比較して駆動回路１２０を制御する制御回路１５０、および制御回路１５０からの出力に重畳させる短パルス信号を発生するパルス発生回路１６０を含むように構成される。
【００１２】
レーザ取付部１１０は、検査対象の半導体レーザが固定でき、動作温度を制御できるようになっている。また、幾何学的な配置としては、レーザ取付部１１０に固定された半導体レーザからの発光出力が、直接または間接にモニタ検出回路１３０に入射するように構成されている。
【００１３】
駆動回路１２０は、レーザ取付部１１０に取り付けられた半導体レーザを発光させるため、すなわち駆動するための電流である駆動電流を発生するようになっている。駆動回路１２０が発生する電流は、制御回路１５０によって制御されると共に、パルス発生回路１６０が発生するパルスにも応答するようになっている。また、言うまでもなく、駆動電流は可変とする。
【００１４】
モニタ検出回路１３０は、レーザ取付部１１０に取り付けられた半導体レーザの発光出力を検出すると共に、モニタできるようになっている。また、モニタ検出回路１３０は、検出した発光出力に応じた電流、電圧その他の信号を発生させて制御回路１５０に出力するのでも良い。また出力する信号は、アナログであってもディジタルであってもよい。
【００１５】
基準電圧発生回路１４０は、レーザ取付部１１０に取り付けられた半導体レーザから出力させたい発光出力に応じた基準電圧を発生させるようになっている。そのため、半導体レーザからの発光出力を一定に維持しようとするときは、上記の基準電圧を固定することになる。基準電圧は、アナログ信号としてでも、ディジタル信号として出力されるのでも良い。
【００１６】
制御回路１５０は、モニタ検出回路１３０からの出力である検出信号と基準電圧発生回路１４０からの基準電圧の信号とに基づいて制御信号を発生し、この検出信号が基準電圧を中心とする所定範囲内に入るように制御される。制御の方法は、公知技術であるため、その説明を省略する。また、基準電圧発生回路１４０からの出力信号は、上記と同様に、電流若しくは電圧でも、またはアナログ信号若しくはディジタル信号でも良い。
【００１７】
パルス発生回路１６０は、制御回路１５０の制御によって発生する駆動電流に重畳する短パルスを発生するようになっている。この短パルスについて、図２を用いて説明する。短パルスのパルス長は、例えば、制御回路１５０を含む制御系の応答時間より短いものとし、装置により異なるが、具体的には、１ｎｓ〜１ｍｓとするのでもよい。これによって、制御回路１５０の制御による駆動電流に影響を与えることなく、駆動電流を短時間変更することができる。また、短パルスのパルス高（例えば、電流値で）は、例えばこの短パルスを重畳したときの発光出力が試験対象の半導体レーザの最大定格値となるような高さであっても良く、試験に応じて短パルスの高さを調整することができるものとする。
【００１８】
以下に、半導体レーザ検査装置１００の動作について説明する。駆動電流が駆動回路１２０によってレーザ取付部１１０に取り付けられた半導体レーザに入力されると、半導体レーザは所定条件下で発光し、半導体レーザからの発光ビームがモニタ検出回路１３０に入射し、入射した発光ビームの発光出力に応じた検出信号がモニタ検出回路１３０によって生成され制御回路１５０に出力される。制御回路１５０に出力された検出信号が基準電圧発生回路１４０からの基準電圧と比較され、制御回路１５０から駆動回路１２０の制御信号が生成され、駆動電流が制御され発光出力が基準電圧に応じた値になる。駆動電流の制御がなされた状態で短パルスがパルス発生回路１６０から出力されると、短パルスのパルス幅およびパルス高に応じて発光出力が上昇する（図２参照。）短パルスのパルス幅は制御回路１５０を含む制御系の応答時間より短いため、短パルスが消滅した後は、短パルスを重畳する前の駆動電流が概ね維持される。
【００１９】
以下に、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法について図面を用いて説明する。
【００２０】
図２に、半導体レーザの動作温度と負荷の時間変化を示す。ここで、負荷とは、半導体レーザに出力させる発光出力のことをいう。また、図２において、横軸は時間軸であり、左側の縦軸は温度軸であり、右側の縦軸は負荷（発光出力）の軸である。時刻Ｔ００は、半導体レーザへ駆動電流の印加を開始した時刻をいい、時刻Ｔ０１は、常温Ｔｅ１から高温Ｔｅ２に昇温させる時刻をいい、時刻Ｔ０２は、高温Ｔｅ２から常温Ｔｅ１に降温させる時刻をいい、時刻Ｔ０３は、駆動電流をオフした時刻をいう。そして、時刻Ｔ０１〜Ｔ０２の間に最大定格値の負荷Ｐ１となる短パルスを短時間（ΔＴ）入力することにより、半導体レーザの負荷が図２に示すようにＰ０からＰ１、そしてＰ０へと変化する。
【００２１】
時刻Ｔ０１と時刻Ｔ０２との差としては、例えば、数十分から数十時間とすることができる。駆動電流は、例えば定格出力が得られる電流値とすることができるが、試験に応じて変えることができるものとする。ここで、短パルスは、時刻Ｔ０１と時刻Ｔ０２との間の所定の時刻に重畳され、パルス高は、定常状態Ｐ０の負荷から最大定格値の負荷Ｐ１となるようにすることができるが、試験に応じて変えることができるものとする。すなわち、短パルスは、高温Ｔｅ２環境下で重畳されるものである。
【００２２】
図３に、上記の温度変化と駆動電流変化を課した場合における半導体レーザの駆動電流の変動を模式的に示す。図３に示すように、短パルスは、時刻Ｔ０１後の駆動電流が概ね安定した後に重畳される。短パルス重畳後の駆動電流を拡大して図３（ｂ）に示す。短パルス重畳前後の駆動電流の変動が図３（ｂ）に示す曲線Ｉｄ１のようになったときは、検査対象の半導体レーザが規格内の半導体レーザであるとされ、曲線Ｉｄ２のようになったときは、規格外の半導体レーザすなわち不具合チップであるとされる。
【００２３】
このように、従来の判定基準に加え、短パルスを重畳した前後の駆動電流の変動を判断基準とすることによって、不具合を有する半導体レーザチップを新たに発見することが可能となる。例えば、半導体レーザの駆動電流対発光出力曲線が図４に示すようにキンク（発光出力Ｐｋ）を有する場合、半導体レーザに短パルスの駆動電流を印加して、例えば最大定格負荷Ｐ１にすることによって短時間でキンクを越えた状態に推移させることができ、このキンクを越えた部分の特性の影響を検知することができる。
【００２４】
また、図４に示す曲線のようにキンク症状が発現しない特性の不具合チップであっても、格子欠陥密度が高いもの、結晶成長異常がある様なものでは、この短パルスを重畳することで格子欠陥の成長を促し、光変換効率が悪化して動作電流が増加する傾向にあるため、不具合を発現させ易くなり、従来の判定基準でも、または短パルスを重畳した前後の駆動電流の変動を判定基準とすることでも不具合チップの検出率を向上できる。
【００２５】
ここで、従来の判断基準とは、言うまでもなく、以下のいずれかまたはその組み合わせの基準をいう。
（１）常温Ｔｅ１環境で、検出開始時Ｔ０の動作電流Ｉ０値が大きい。
（２）高温Ｔｅ２環境で安定した後の動作電流Ｉ２値が大きい。
（３）Ｔｅ１環境からＴｅ２環境へ移行したときの動作電流の変化値（Ｉ２−Ｉ１）が大きい。
（４）Ｔｅ２環境でＴ２時経過後の動作電流Ｉ３値が大きい。
（５）Ｔｅ２環境でＴ２時経過後の動作電流の変化値（Ｉ３−Ｉ２）が大きい。
（６）Ｔｅ１環境へ戻したときの動作電流の変化値（Ｉ３−Ｉ４）が小さい。
（７）Ｔｅ１環境で安定後の動作電流の変化値（Ｉ５−Ｉ０）が大きい。
なお、記号は、図２および図３に示されたものを用いた。
【００２６】
なお、本発明の第１の実施の形態の半導体レーザ検査方法には、以下のものが含まれるものである。まず、第１の半導体レーザ検査方法として、半導体レーザの駆動電流を制御して半導体レーザを所定の発光出力で動作させて定常状態にする定常駆動ステップと、定常駆動ステップで半導体レーザが定常状態で動作した後に、短パルスを駆動電流に重畳するパルス重畳ステップと、短パルスを重畳する前後の所定期間の駆動電流を検出する検出ステップと、短パルスを重畳した前後の駆動電流の変動に基づいて半導体レーザの不具合の有無を判断する判断ステップとを備えたものがあげられる。
【００２７】
次に、第２の半導体レーザ検査方法として、上記第１の半導体レーザ検査方法がさらに、半導体レーザの動作温度を常温より高い温度に安定させる高温動作ステップを備え、定常駆動ステップが、高温動作ステップで半導体レーザが動作した後に行われる構成のものが上げられる。
【００２８】
以上説明したように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査装置は、駆動電流に短パルスを重畳して半導体レーザに短時間の負荷を課す手段を設けたため、長時間をかけなくても検出可能な不具合を有する半導体レーザチップの検出を短時間で行うこと、または不具合チップの検出確率を向上することができる。
【００２９】
また、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法は、高温環境下で短パルスを重畳するため、苛酷な環境下で駆動電流の変動等により発生する不具合の検出が容易になるとともに不具合チップの検出確率を向上することができる。
なお、以上では、短パルスを１度重畳する例について説明したが、複数回であっても同様の効果が得られる。図５は、本発明を適用して検査した半導体レーザの累積故障率の経時変化と従来の累積故障率の経時変化とを模式的に示す図である。
【００３０】
（第２の実施の形態）
以下に、本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法について図面を用いて説明する。
【００３１】
図６に、半導体レーザの動作温度と負荷の時間変化を示す。なお、以下では、図の軸や記号等は、本発明の第１の実施の形態の場合と同様とする。また、本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ検査装置は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査装置と同一とし、その説明を省略する。
【００３２】
図６に示すように、本発明の第２の実施の形態では、短パルスを用いた負荷が常温環境下で課されるようになっている。重畳する短パルスは、そのパルス長が制御回路１５０を含む制御系の応答時間より短いものであり、パルス高が試験の目的に応じて変えられるものである。パルス高としては、例えば、半導体レーザに課される負荷が上記の最大定格負荷Ｐ１となるようなものとすることができる。
【００３３】
図６では、この短パルスは、高温環境に移行させる前の常温環境下で重畳される。図７に、上記の温度変化と駆動電流変化を課した場合における半導体レーザの駆動電流の変動を模式的に示す。短パルス重畳前後の駆動電流の変動が上記の図３（ｂ）に示す曲線Ｉｄ１のようになったときは、検査対象の半導体レーザが規格内の半導体レーザであるとされ、曲線Ｉｄ２のようになったときは、規格外の半導体レーザすなわち不具合チップであるとされる。
【００３４】
これにより、半導体レーザを過酷な環境下におくまでもなく検出できる不具合を短時間で検出することができる。なお、上記の短パルスの重畳は複数行うのでも、本発明の第１の実施の形態における短パルスの重畳と組み合わせて行うのでも良い。また、本発明の第１の実施の形態と同様に、従来の判定基準に追加して不具合チップの検出を行うのでも良い。
【００３５】
なお、本発明の第２の実施の形態の半導体レーザ検査方法には、本発明の第１の実施の形態に係る第１の半導体レーザ検査方法に加え、以下のものが含まれるものである。第３の半導体レーザ検査方法として、上記第１の半導体レーザ検査方法がさらに、半導体レーザの動作温度を常温に安定させる常温動作ステップを備え、定常駆動ステップは、常温動作ステップで半導体レーザが動作した後に行われる構成のものが上げられる。
【００３６】
次に、第４の半導体レーザ検査方法として、上記第１の半導体レーザ検査方法がさらに、半導体レーザの動作温度を常温に安定させる常温動作ステップと、半導体レーザの動作温度を常温より高い温度に安定させる高温動作ステップとを備え、常温環境ステップで半導体レーザが動作した後に定常駆動ステップと、パルス重畳ステップと、検出ステップと、判断ステップとを行い、高温環境ステップで半導体レーザが動作した後に定常駆動ステップと、パルス重畳ステップと、検出ステップと、判断ステップとを行う構成のものが上げられる。
【００３７】
以上説明したように、本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法は、常温動作下で短パルスを重畳するため、苛酷な環境下に置くまでもなく検出できる不具合を短時間に検出することができる。
なお、以上では、短パルスを１度重畳する例について説明したが、複数回であっても同様の効果が得られる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、半導体レーザの品質向上と検出率の向上を図ることが可能な半導体レーザ検査装置および方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体レーザ検査装置のブロック構成を示す図
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法の説明図
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法における駆動電流の変動を示す説明図
【図４】半導体レーザの駆動電流対発光出力特性の一例を示す図
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ検査装置および方法の効果の説明図
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法の説明図
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ検査方法における駆動電流の変動を示す説明図
【図８】従来の半導体レーザ検査方法の説明図
【図９】従来の半導体レーザ検査方法における駆動電流の変動を示す説明図
【符号の説明】
１００  半導体レーザ検査装置
１１０  レーザ取付部
１２０  駆動回路
１３０  モニタ検出回路
１４０  基準電圧発生回路
１５０  制御回路
１６０  パルス発生回路
ΔＴ  パルス幅
【図１】
2004172536.tif 000003
【図２】
2004172536.tif 000004
【図３】
2004172536.tif 000005
【図４】
2004172536.tif 000006
【図５】
2004172536.tif 000007
【図６】
2004172536.tif 000008
【図７】
2004172536.tif 000009
【図８】
2004172536.tif 000010
【図９】
2004172536.tif 000011