(57)【要約】【課題】基板研磨の際に生じるバラツキやパターン依存性を防止するために、ウェハー内の有効なショット領域の外側にダミーパターンを形成することとすると、露光時のスループットが低下し、生産性を著しく阻害する。【解決手段】ウェハーの外周に形成した円環状マスクを用いて、ダマシン配線やコンタクトホール等の配線構造が形成された領域における基板から絶縁膜の上面までの高さと、同等の高さを有する配線構造が形成されない領域をウェハーの外周に形成する。円環状マスクは、ポジレジストに重合反応を起こさせることにより、または選択的に樹脂を塗布すること等により形成する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込み配線構造を有する半導体装置において、ウェハーの外周近傍の円環状の領域に位置する埋め込み配線構造が形成されない領域と、前記ウェハーの外周近傍の円環状の領域の内側に埋め込み配線構造が形成された領域とを備え、前記埋め込み配線構造が形成されない領域における基板から絶縁膜の上面までの高さが、前記埋め込み配線構造が形成された領域における基板から絶縁膜の上面までの高さと同等であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記埋め込み配線構造が、コンタクトホールまたはダマシン配線または接続ビアからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
埋め込み配線構造を有する半導体装置の製造方法において、基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上にホトレジストを形成する工程と、前記ホトレジストに埋め込み配線構造に対応したパターンをウェハーの全面に感光する工程と、前記ウェハーの外周に埋め込み配線構造に対応したパターンを有さない円環状マスクを形成する工程と、前記ホトレジストを用いて埋め込み配線構造が形成された領域を形成する工程と、前記埋め込み配線構造が形成された領域における基板から絶縁膜の上面までの高さと同等の高さを有する埋め込み配線構造が形成されない領域を前記円環状マスクを用いて形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記円環状マスクを形成する工程は、前記円環状マスクが形成される領域の前記ホトレジストに対してエネルギー照射を施すことにより、前記円環状マスクが形成される領域のホトレジストを現像液に不溶とする工程を少なくとも含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記円環状マスクを形成する工程は、前記ホトレジストに埋め込み配線構造に対応したパターンを前記ウェハーの全面に感光する工程の前に、前記円環状マスクが形成される領域の上に感光用光を遮蔽する遮蔽板を搭載する工程を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記円環状マスクを形成する工程は、前記円環状マスクが形成される領域にマスク材料を選択的に形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線構造を有する半導体装置とその製造方法に関するものであり、特にダマシン配線及びコンタクトホール、接続ビアを備える半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、システムＬＳＩに代表される高速・高機能の半導体装置に銅配線を用いたダマシン配線が多用されるようになってきた。
【０００３】
ダマシン配線をウェハー全面に行うと、基板ベベル（端面）部やウェハーの外周近傍の段差部において密着不良や応力、金属膜の凝集に起因した剥がれが生じるため、製品として出荷可能な有効ショット領域のみにダマシン配線やコンタクトホール等を形成する方法が知られている。
【０００４】
しかし、有効なショット領域以外のパターンを形成しない領域では研磨レートが遅いため、当該部分を完全に除去するためには過剰な研磨が必要となり、ウェハー面内のバラツキの増大を招く要因となる。
【０００５】
また、エロージョンやディッシングに代表されるパターン依存性が顕著となり、このパターン依存性によってもウェハー面内のバラツキが増大する。
【０００６】
そして、このようなウェハー面内のバラツキの増大が、歩留まりの低下や性能劣化等を引き起こす要因となる。
【０００７】
そこでこの問題点を改善するため、従来の技術では図９に示すように、ウェハー１９面内の有効なショット領域の外側の領域にダミーパターン２０を形成する方法が用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１１−４５８６８号公報（〔００５９〕、図１６）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の技術による半導体装置の製造方法では、有効ショット領域以外の領域についてもダミーパターンを露光する必要があるため、露光時のスループットが低下し、生産性を著しく阻害するという問題があった。
【００１０】
本発明は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、本発明の目的は、生産性の低下を招くことなく、ウェハーの外周近傍で生じる剥がれや、ウェハー面内のバラツキに起因する歩留まりの低下及び性能劣化を防止することができる半導体装置とその製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は、埋め込み配線構造を有する半導体装置において、ウェハーの外周近傍の円環状の領域に位置する埋め込み配線構造が形成されない領域と、ウェハーの外周近傍の円環状の領域の内側に埋め込み配線構造が形成された領域とを備え、埋め込み配線構造が形成されない領域における基板から絶縁膜の上面までの高さが、埋め込み配線構造が形成された領域における基板から絶縁膜の上面までの高さと同等であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、埋め込み配線構造が、コンタクトホールまたはダマシン配線または接続ビアからなることを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明は、埋め込み配線構造を有する半導体装置の製造方法において、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜の上にホトレジストを形成する工程と、ホトレジストに埋め込み配線構造に対応したパターンをウェハーの全面に感光する工程と、前ウェハーの外周に埋め込み配線構造に対応したパターンを有さない円環状マスクを形成する工程と、ホトレジストを用いて埋め込み配線構造が形成された領域を形成する工程と、埋め込み配線構造が形成された領域における基板から絶縁膜の上面までの高さと同等の高さを有する埋め込み配線構造が形成されない領域を円環状マスクを用いて形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、円環状マスクを形成する工程は、円環状マスクが形成される領域のホトレジストに対してエネルギー照射を施すことにより、円環状マスクが形成される領域のホトレジストを現像液に不溶とする工程を少なくとも含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、円環状マスクを形成する工程は、ホトレジストに埋め込み配線構造に対応したパターンをウェハーの全面に感光する工程の前に、円環状マスクが形成される領域の上に感光用光を遮蔽する遮蔽板を搭載する工程を有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、円環状マスクを形成する工程は、円環状マスクが形成される領域にマスク材料を選択的に形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図であり、図２は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。また、図３及び図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法について図３及び図４を用いて説明する。
【００２０】
本実施の形態では、埋め込み配線構造としてコンタクトホールを形成する場合について説明する。
【００２１】
ここで、埋め込み配線構造とは、絶縁膜に溝加工を施し、そこに配線材料を埋め込んだ後に溝外部の余分な配線材料を化学機械研磨（ＣＭＰ）技術によって除去することにより形成された配線構造をいう。なお、以下の説明では、「埋め込み配線構造」を「配線構造」ということとする。
【００２２】
シリコンからなる基板１上にゲート電極２とＬＤＤ構造を用いたソース・ドレインとなる拡散層３及びコバルトシリサイド層４を形成する（図３（ａ））。
【００２３】
次に、コンタクトエッチング時のストッパーとなるＳｉ３Ｎ４膜５をＣＶＤ法を用いて厚さ約１００ｎｍ形成し、コンタクトホールの層間膜となるＢＰＳＧ膜６をＣＶＤ法を用いて厚さ約８００ｎｍ程度ウェハー全面に形成する。
【００２４】
このＢＰＳＧ膜表面の凹凸を平滑化するためにケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）技術を用いてＢＰＳＧ膜を約３００ｎｍ研磨した後、ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ２膜７を厚さ約２００ｎｍ程度ウェハー全面に成長する（図３（ｂ））。
【００２５】
次に、配線構造としてコンタクトホールのパターンを形成するため、ポジレジスト８を厚さ約７００ｎｍスピン塗布し、保管や搬送によるレジスト剥がれを防止するため、ウェハーの最外周から約１ｍｍのポジレジストをシンナーを用いて溶解除去する。
【００２６】
続いて、コンタクトホールのパターンからなるフォトマスクと縮小投影型露光装置を用いてウェハー全面のポジレジスト８にコンタクトホールのパターンを感光して感光領域９を形成する（図３（ｃ））。
【００２７】
次に、エネルギー照射として通常のパターン形成時の照射時間を越えた過剰な光の照射を行う。本実施の形態では、高圧水銀（Ｈｇ）ランプを用いた周辺露光装置を用いて、配線構造が形成されない領域１０となるウェハー１９の最外周から例えば幅約５ｍｍの円環状の範囲に過剰な光の照射を行った（図２）。
【００２８】
以下に、この過剰な光の照射による効果を説明する。
【００２９】
一般にポジレジストは、図５に示すような現像後の残膜特性を示す。すなわち、少ないエネルギー照射では現像液に不溶となるが（図中Ａ）、あるエネルギー以上では現像液に可溶となる（図中Ｂ）。この特性を用いて通常のパターン形成は行われる。
【００３０】
しかし、より過剰なエネルギーを照射して行くと、重合反応（有機物の分子量が結合により増大する反応）によって現像液に溶け難くなる（図中Ｃ）。
【００３１】
このときの過剰な光の照射量は、後工程で実施されるコンタクトホールの加工に用いられるドライエッチング時にエッチングマスクとして十分耐えられる膜厚の現像後レジスト残膜が得られる光の照射量で決定される。
【００３２】
図４（ａ）に、この過剰な光の照射工程に続いて現像処理を施した後の基板の断面図を示す。
【００３３】
過剰な光の照射を行わなかった領域では、コンタクトホールパターンが得られる（図中のＡ領域）。一方、過剰な光照射の端部では照度分布がブロードなため、現像液に可溶となるエネルギーが照射され、ポジレジストが現像液に溶解する領域が形成される（図中のＢ領域）。
【００３４】
そして過剰な光照射領域では、重合反応が起こることによりポジレジストが残存する領域が形成される（図中のＣ領域）。
【００３５】
すなわち、ポジレジストの現像処理を施すと、過剰な光の照射工程により、基板の外周の光の照射領域では、コンタクトホールのパターンが感光されているにもかかわらず、現像工程によっても溶解せずにポジレジストがパターン化されずに残存する。
【００３６】
そして、このパターン化されずに残存したポジレジストが、コンタクトホールが形成されない領域を形成するときに用いられる円環状マスクとなる。
【００３７】
従って、マスク露光工程を付加することなく同一のマスクを用いて、配線構造が形成された領域１１と、基板外周の配線構造が形成されない領域１０に対応したレジストパターンを形成することができるので、露光時のスループットの低下を招くことがなく、生産性の向上を図ることができる。
【００３８】
次に、反応性ドライエッチング技術等を用いてコンタクトホール１２の加工を行った後、前記ポジレジストを酸素プラズマ等を用いて除去する。
【００３９】
以上の工程により、基板１から絶縁膜として用いたＳｉＯ２膜７の上面までの高さが、配線構造としてのコンタクトホール９に対応したパターンが形成された領域におけるのと同等の高さである配線構造が形成されない領域が基板外周に形成される。
【００４０】
この後に、バリヤ金属１３として例えば厚さがそれぞれ約１０ｎｍの窒化チタン膜とチタン膜からなる積層膜をスパッタ技術を用いて形成し、コンタクトホールに埋設するタングステン膜１４をＣＶＤ法を用いて約６００ｎｍ成長する（図４（ｂ））。
【００４１】
次に、化学機械研磨（ＣＭＰ）技術を用いて、コンタクトホール１２内のみにタングステンが残るようにタングステン膜１４を研磨することにより、コンタクトホール１２が完成する（図１）。
【００４２】
ここで、配線構造としてのコンタクトホールが形成された領域とウェハー外周の配線構造が形成されない領域とにおける、基板１からＳｉＯ２膜７の表面までの高さは等しい。
【００４３】
そのため、ＣＭＰ技術を用いたタングステン膜１４の研磨工程において、ウェハー外周の配線構造が形成されない領域１０がダミーパターンと同様の機能を果たす。
【００４４】
その結果、研磨速度が基板面内で均一となり、研磨後の基板の高さバラツキ、ディッシングやエロージョンに代表されるパタ−ン依存性が抑制されるので、歩留まりの低下及び性能劣化を防止することができる。
【００４５】
なお、本実施の形態では配線構造としてコンタクトホールを形成する場合について説明したが、これに限らず、ダマシン配線、接続ビア等の配線構造を形成する場合にも本発明を適用することができることは言うまでもない。
【００４６】
また、本実施の形態では、過剰な光の照射は、基板外周から約５ｍｍの領域に照射することとしたが、これに限らず、形成する配線構造に応じて各配線構造毎に照射する幅を変更して照射する場合にも本発明を適用することができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、エネルギー照射として高圧水銀（Ｈｇ）ランプを用いた光照射を用い、ポジレジストに重合反応を起こさせることにより円環状マスクを形成することとしたが、これに限らず、他の光源を用いた赤外光・可視光・紫外光の照射によることとした場合にも本発明を用いることができる。
【００４８】
また、ポジレジストに重合反応を起こさせるためのエネルギー照射として、電子線照射または希ガスや水素・窒素等のイオンビーム照射を用いた場合であっても本発明を用いることができることは言うまでもない。
【００４９】
さらに、エネルギー照射はシリコンイオンやアルゴンイオン等を用いたイオン注入により行い、注入イオンによりポジレジスト中のダングリングボンドの切断と再結合を行うことでイオンが注入された領域のレジストを現像液に不溶とする工程により円環状マスクを形成する場合にも本発明を適用することができる。
【００５０】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について図面を参照して詳細に説明する。
【００５１】
図６は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００５２】
基板１上にＢＰＳＧ膜６及びＳｉＯ２膜７を形成する工程までは実施の形態１と同様にして行う（図６（ａ））。
【００５３】
次に、コンタクトホールのパターンを形成するため、ポジレジスト８を約７００ｎｍの厚さでスピン法により塗布する。
【００５４】
そして、保管や搬送によるレジスト剥がれを防止するため、ウェハーの最外周から約１ｍｍ程度の範囲内のポジレジストをシンナー等を用いて溶解除去する。
【００５５】
続いて、その後の工程で行われるポジレジスト８を感光する際の光を遮蔽するために、ウェハーの外周から幅約５ｍｍ程度の範囲の基板上に遮蔽板１５を搭載する（図６（ｂ））。
【００５６】
遮蔽板１５の材料としては、例えばチタン等を用いることができる。
【００５７】
次に、ウェハー全面に形成されたポジレジスト８に配線構造となるコンタクトホールに対応したパターンを感光する。
【００５８】
このとき、遮蔽板１５で覆われた基板外周のポジレジスト８は感光されないため、現像工程においても現像液に溶解せず残存する。
【００５９】
その後、遮蔽板１５を外して現像を行うとことにより、遮蔽板１５で覆われていたウェハー外周部には配線構造が形成されていない円環状マスクが形成され、その他の領域には配線構造に対応したレジストパターンが形成される（図６（ｃ））。
【００６０】
続いて、実施の形態１と同様にして、コンタクトホールの加工及びポジレジストの除去を行った後、窒化チタン／チタン等の積層膜からなるバリヤ金属１３とタングステン膜１４を形成し、このタングステン膜１４をＣＭＰ技術を用いて研磨することにより図１に示す基板が得られる。
【００６１】
このとき、コンタクトホールからなる配線構造が形成された領域１１と、円環状マスクで覆われていた配線構造が形成されない領域１０における基板１からＳｉＯ２膜７の上面までの高さは等しい。
【００６２】
そのため、タングステン膜１４の研磨において研磨速度がウェハー面内で均一となり、研磨後の基板の高さバラツキ、ディッシングやエロージョンに代表されるパタ−ン依存性が抑制される。
【００６３】
本実施の形態２では、遮蔽板１５としてチタンを用いることとしたが、これに限らず、レジストパターン感光時に光を遮蔽できる材料であれば他の材料、例えばアルミニウム等を用いることもできる。
【００６４】
なお、本実施の形態２では、配線構造としてコンタクトホール１２を形成する場合について説明したが、これに限らず、ダマシン配線、接続ビア等の配線構造を形成する工程においても本発明を適用することができることは言うまでもない。
【００６５】
（実施の形態３）
次に、本発明の実施の形態３について図面を参照して詳細に説明する。
【００６６】
図７は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００６７】
ウェハー全面に形成したポジレジストに配線構造となるコンタクトホールのパターンを感光する工程までは実施の形態１と同様に行う。
【００６８】
次に、本発明の実施の形態３では、実施の形態１による過剰な光の照射を行う工程を施すことなく現像を行い、ウェハーの周辺部を含む全面にコンタクトホールのパターンに対応したポジレジストパターン１６を形成する（図７（ａ））。
【００６９】
この後に、円環状マスクを構成するマスク材料としての樹脂１７を、ウェハーの外周から幅約５ｍｍの領域に形成する。
【００７０】
本実施の形態では、レジストを溶解しない有機溶媒を用いた単分散分子量のクロロメチルポリスチレン樹脂を約２００ｎｍの膜厚でスピン塗布法等を用いて形成した。
【００７１】
このとき、塗布時の基板の回転数とクロロメチルポリスチレン樹脂の吐出圧力、及びノズルのウェハー外周からの距離を調整することにより、ウェハー外周に選択的にクロロメチルポリスチレン樹脂を塗布することができる。
【００７２】
このとき、クロロメチルポリスチレン等の樹脂１７はポジレジストがコンタクトホールパターンに対応して除去された部分にも浸透するので、クロロメチルポリスチレン等の樹脂１７が円環状に塗布されたウェハー外周部には配線構造に対応したパターンを有さない円環状マスクが形成される（図７（ｂ））。
【００７３】
次に、反応性イオンエッチング法等を用いてコンタクトホール１２の加工を行う。この工程により、ポジレジストパターン１６で覆われた領域にはコンタクトホールからなる配線構造が形成されるが、円環状マスクが形成された領域ではクロロメチルポリスチレン等の樹脂１７がエッチングマスクとなり配線構造は形成されない。
【００７４】
この後に、ポジレジストパターン１６とクロロメチルポリスチレン等の樹脂１７を酸素プラズマ等を用いて除去し、続いて実施の形態１と同様に窒化チタン／チタンの積層膜からなるバリヤ金属１３とタングステン膜１４を形成する。
【００７５】
そして、このタングステン膜１４をＣＭＰ技術を用いて研磨することにより図１に示す基板が完成する。
【００７６】
このとき、コンタクトホールからなる配線構造が形成された領域１１と、円環状マスクで覆われていた配線構造が形成されない領域１０における基板１からＳｉＯ２膜７の上面までの高さは等しくなる。
【００７７】
そのため、タングステン膜１４の研磨において研磨速度がウェハー面内で均一となり、研磨後の基板の高さバラツキ、ディッシングやエロージョンに代表されるパタ−ン依存性が抑制される。
【００７８】
なお、本実施の形態３では、円環状マスクを形成するマスク材料としてクロロメチルポリスチレン樹脂としたが、これに限らず、反応性ドライエッチ法でのエッチングマスクとして機能し、ウェハー外周部に選択的に塗布できる材料であれば、他の材料であっても本発明を適用できる。
【００７９】
また、本実施の形態３では、周辺に塗布する材料の有機溶媒にポジレジストを溶解しない溶媒を用いたが、これに限らず、周辺に選択的に塗布できればポジレジストが溶解する溶媒であっても本発明を適用できる。
【００８０】
また、本実施の形態３では、ウェハー外周部に選択的に塗布する方法として、スピン塗布法を用いたが、これに限らず、選択的に塗布することができる方法であれば、例えば筆やボールペン等を用いた接触型の塗布方法であっても、またスプレーや霧吹きなどを用いた比接触型の塗布方法を用いても本発明を適用できることは言うまでもない。
【００８１】
また、本実施の形態３では、ポジレジスト塗布後にレジストパターンを感光し、現像後にウェハー周辺に樹脂の塗布を行うこととしたが、これに限らず、ポジレジスト塗布後に基板周辺に樹脂を選択的に塗布した後に現像を行うこととしてもよい。この場合には、樹脂の膜厚を薄く出来る等の利点がある。
【００８２】
なお、本実施の形態３では、配線構造としてコンタクトホール９を形成する場合について説明したが、これに限らず、ダマシン配線、接続ビア等の配線構造を形成する工程においても本発明を適用できることは言うまでもない。
【００８３】
（実施の形態４）
次に、本発明の実施の形態４について図面を参照して詳細に説明する。
【００８４】
図８は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００８５】
ウェハーの周辺部を含む全面にコンタクトホールのパターンに対応したポジレジストパターン１６を形成する工程までは実施の形態３と同様に行う（図８（ａ））。
【００８６】
次に、ウェハー外周から幅約５ｍｍの円環状の領域に、円環状マスクを構成するマスク材料として樹脂テープ１８を貼付する（図８（ｂ））。
【００８７】
続いて、ポジレジストパターン１６及び樹脂テープ１８をマスクとして、反応性ドライエッチング法等によりコンタクトホール１２を加工形成する。
【００８８】
この工程により、ポジレジストパターン１６で覆われた領域にはコンタクトホール１２からなる配線構造が形成されるが、ウェハー外周の円環状の領域では樹脂テープ１８がエッチングマスクとなり配線構造に対応したパターンは形成されない。
【００８９】
本実施の形態４で使用した樹脂テープ１８は、炭素原子とフッ素原子からなる高分子であり、コンタクトホール加工時に用いるエッチングガスと構成が共通であることから、加工寸法やエッチングレート等のエッチング諸性能に影響を与えない事を確認している。
【００９０】
次に、樹脂テープ１８をテープリムーバー（テープ剥し機）等を用いて除去し、ポジレジストパターン１６を酸素プラズマを用いて除去する。
【００９１】
この後に、実施の形態１と同様にして窒化チタン／チタンの積層膜等からなるバリヤ金属１３とタングステン膜１４を形成し、このタングステン膜１４をＣＭＰ技術を用いて研磨することにより図１に示す基板が完成する。
【００９２】
このとき、コンタクトホールからなる配線構造が形成された領域１１と、樹脂テープ１８からなる円環状マスクで覆われていた配線構造が形成されない領域１０における基板１からＳｉＯ２膜７の上面までの高さは等しい。
【００９３】
そのため、タングステン膜１４の研磨において研磨速度がウェハー面内で均一となり、研磨後の基板の高さバラツキ、ディッシングやエロージョンに代表されるパタ−ン依存性が抑制される。
【００９４】
本実施の形態４においては、円環状マスクを構成するマスク材料としてフッ素系の樹脂テープを用いることとしたが、これに限らず、例えばシリカ系のテープを用いた場合であっても本発明を適用することができる。
【００９５】
なお、本実施の形態４では、配線構造としてコンタクトホール９を形成する場合について説明したが、これに限らず、ダマシン配線、接続ビア等の配線構造を形成する場合にも本発明を適用することができることは言うまでもない。
【００９６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、コンタクトホール及びダマシン配線、接続ビア等の配線構造の形成に際し、ウェハー外周の近傍で生じる金属膜等の剥がれによるパーティクルの発生等を防止することができ、さらに、エロージョンやディッシング等による性能劣化が生じることのない半導体装置とその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るポジレジストの現像後の残膜特性を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】従来の技術に係る半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
１    基板
２    ゲート電極
３    拡散層
４    コバルトシリサイド層
５    Ｓｉ３Ｎ４膜
６    ＢＰＳＧ膜
７    ＳｉＯ２膜
８    ポジレジスト
９    感光領域
１０    配線構造が形成されない領域
１１    配線構造が形成された領域
１２    コンタクトホール
１３    バリヤ金属
１４    タングステン膜
１５    遮蔽板
１６    ポジレジストパターン
１７    樹脂
１８    樹脂テープ
１９    ウェハー
２０    ダミーパターン
【図１】
2004311570.tif 000003
【図２】
2004311570.tif 000004
【図３】
2004311570.tif 000005
【図４】
2004311570.tif 000006
【図５】
2004311570.tif 000007
【図６】
2004311570.tif 000008
【図７】
2004311570.tif 000009
【図８】
2004311570.tif 000010
【図９】
2004311570.tif 000011