(57)【要約】　　　（修正有）【課題】良好な流動性および成形性を有するとともに、反りの発生が抑制され、かつ半田耐熱性に優れた片面封止タイプの半導体装置を得ることのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂と下記の一般式で表されるナフトール系化合物を必須成分として含有する硬化剤。2004018553.tif 000020及び、平均粒径の規定された３種類の無機充填剤からなる組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の片面に搭載された半導体素子の、半導体素子搭載面側のみを樹脂封止するために用いられるエポキシ樹脂組成物であって、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）下記の一般式（１）で表されるナフトール系化合物を必須成分として含有する硬化剤。
【化１】
2004018553.tif 000019
（Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有する３種類の無機質充填剤の混合物であって、上記平均粒径（ｘ）を有する無機質充填剤が混合物全体の５０〜９２重量％、上記平均粒径（ｙ）を有する無機質充填剤が混合物全体の５〜４０重量％、上記平均粒径（ｚ）を有する無機質充填剤が混合物全体の３〜１５重量％に設定されている。
（ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。
（ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した無機質充填剤の平均粒径をαとした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで表される平均粒径。
（ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した無機質充填剤の平均粒径をαとした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１αで表される平均粒径。
【請求項２】
上記（Ｂ）成分中のナフトール系化合物の含有割合が、（Ｂ）成分全体の３０重量％以上である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
上記（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに、（Ｄ）成分として金属水酸化物を含有する請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子が搭載された絶縁基板の半導体素子搭載面側のみを封止してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、流動性および成形性を確保しつつ、反りの発生が抑制され、かつ半田耐熱性に優れた片面封止タイプの半導体装置の製造に用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子は、通常、エポキシ樹脂組成物を用いてトランスファー成形により樹脂封止される。この種のパッケージとして、従来から各種形態のパッケージが開発されている。
【０００３】
そして、近年の半導体装置分野における半導体素子の封止技術において、片面封止タイプのものが注目され実用化されている。エポキシ樹脂組成物硬化体で半導体素子が封止された半導体装置は量産性に優れ、かつ低コストのものであり、さらに上記片面封止タイプの半導体装置は半導体素子の高集積化による高性能化が可能なものである。また、フリップチップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式における、半導体素子を絶縁基板であるボードに実装する方法では、通常、半導体素子を内包する状態で片面封止、あるいは絶縁基板と半導体素子の間の空隙に溶融した熱硬化性樹脂組成物を充填し硬化させて樹脂封止することが行われている。しかし、これらの半導体装置に関し、封止樹脂の硬化収縮、絶縁基板と封止樹脂の線膨張係数の不一致に起因してパッケージに反りが発生するという問題を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような反りを発生した半導体装置は、反り応力による封止界面の剥離等が生じ信頼性を低下させたり、さらには実装基板への実装性が劣る結果となる。このために片面封止型パッケージの反りを向上させることが強く望まれている。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、良好な流動性および成形性を有するとともに、反りの発生が抑制され、かつ半田耐熱性に優れた片面封止タイプの半導体装置を得ることのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の提供をその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明は、絶縁基板の片面に搭載された半導体素子の、半導体素子搭載面側のみを樹脂封止するために用いられるエポキシ樹脂組成物であって、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）下記の一般式（１）で表されるナフトール系化合物を必須成分として含有する硬化剤。
【化２】
2004018553.tif 000002
（Ｃ）下記の平均粒径（ｘ），（ｙ），（ｚ）を有する３種類の無機質充填剤の混合物であって、上記平均粒径（ｘ）を有する無機質充填剤が混合物全体の５０〜９２重量％、上記平均粒径（ｙ）を有する無機質充填剤が混合物全体の５〜４０重量％、上記平均粒径（ｚ）を有する無機質充填剤が混合物全体の３〜１５重量％に設定されている。
（ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。
（ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した無機質充填剤の平均粒径をαとした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで表される平均粒径。
（ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した無機質充填剤の平均粒径をαとした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１αで表される平均粒径。
【０００７】
また、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子が搭載された絶縁基板の半導体素子搭載面側のみを封止してなる半導体装置を第２の要旨とする。
【０００８】
すなわち、本発明者らは、良好な流動性および成形性とともに片面封止タイプの半導体装置の反りの発生を抑制することができ、半田耐熱性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得るために一連の研究を重ねた。その結果、硬化剤成分として上記一般式（１）で表されるナフトール系化合物を必須成分として用いるとともに、上記特定の粒度分布を有する無機質充填剤を併用すると、パッケージにおける反りの抑制効果が向上し、実装性さらには半田耐熱性等の信頼性に優れた封止材料が得られることを見出し本発明に到達した。
【０００９】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の実施の形態について詳しく説明する。
【００１０】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、絶縁基板の片面に搭載された半導体素子の、半導体素子搭載面側のみを樹脂封止する際に用いられるものであって、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、特定のナフトール系化合物を必須成分として含有する硬化剤（Ｂ成分）と、特定の粒度分布を有する無機質充填剤（Ｃ成分）を用いて得られ、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状になっている。
【００１１】
なお、本発明において、片面封止タイプの半導体装置としては、例えば、絶縁基板の片面に搭載した半導体素子の、半導体素子搭載面側のみを半導体素子を内包するよう樹脂封止したタイプの半導体装置や、絶縁基板の片面に半導体素子を搭載する際、両者の間に接続用電極を介して空隙が形成されるよう半導体素子が搭載され、上記空隙に封止材料を充填して硬化させ樹脂封止したタイプの半導体装置等があげられる。
【００１２】
本発明に用いるエポキシ樹脂（Ａ成分）は、特に限定されるものではなく通常用いられるエポキシ樹脂が用いられる。例えば、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型、ビスフェノールＡ型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型やナフタレン型等の各種エポキシ樹脂やブロム化エポキシ樹脂等があげられる。これらは、単独で使用できるほか、２種以上を併用してもよい。
【００１３】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用いられる硬化剤（Ｂ成分）は、下記の一般式（１）で表されるナフトール系化合物を必須成分として含有するものである。
【００１４】
【化３】
2004018553.tif 000003
【００１５】
上記一般式（１）で表されるナフトール系化合物としては、例えば、水酸基当量２００〜２１０、軟化点７０〜８０℃のものを用いることが好ましい。また、本発明においては、硬化剤（Ｂ成分）が上記ナフトール系化合物のみから構成されてもよいし、従来公知の各種フェノール樹脂との併用であってもよい。そして、上記一般式（１）で表されるナフトール系化合物は、硬化剤（Ｂ成分）全体の３０重量％以上を占めることが好ましい。より好ましくは４０重量％以上であり、特に好ましくは５０〜７０重量％の範囲である。すなわち、ナフトール系化合物が、硬化剤（Ｂ成分）全体中の３０重量％未満では、流動性の確保は可能であるが、反りの抑制効果が低減する傾向がみられるからである。
【００１６】
上記硬化剤（Ｂ成分）として、上記一般式（１）で表されるナフトール系化合物とともに従来公知の各種フェノール樹脂を併用する場合の上記併用するフェノール樹脂としては、例えば、下記の一般式（２）、式（３）、式（４）で表される各フェノール樹脂があげられる。これらフェノール樹脂を併用することにより、より信頼性の高い特性を得ることができる。上記式（２）〜（４）で表されるフェノール樹脂は単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。
【００１７】
【化４】
2004018553.tif 000004
【００１８】
【化５】
2004018553.tif 000005
【００１９】
【化６】
2004018553.tif 000006
【００２０】
上記式（２）において、繰り返し数ｒは０以上の整数である。そして、上記式（３）おいて、繰り返し数ｎは０以上の整数である。また、上記式（４）において、繰り返し数ｐ，ｑはそれぞれ、１以上の整数である。なお、上記式（４）で表されるフェノール樹脂における、繰り返し単位ｐ，ｑは、ブロック，ランダム，交互等の態様のいずれであってもよい。
【００２１】
したがって、上記式（２）〜（４）で表されるフェノール樹脂を単独でもしくは２種以上前記一般式（１）で表されるナフトール系化合物と併用する際には、先に述べたように、前記一般式（１）で表されるナフトール系化合物の占める割合が硬化剤（Ｂ成分）全体の少なくとも３０重量％となることが好ましい。
【００２２】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と硬化剤（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、硬化剤中の水酸基当量が０．５〜２．０当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．８〜１．２当量である。
【００２３】
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｃ成分）としては、各種公知の無機質充填剤が用いられる。例えば、石英ガラス粉末，シリカ粉末，アルミナ，タルク等があげられる。特に好ましくは溶融球状シリカ粉末があげられる。
【００２４】
そして、上記無機質充填剤（Ｃ成分）は、下記の平均粒径（ｘ）〜（ｚ）を有する３種類の無機質充填剤の混合物である。上記平均粒径は、レーザー散乱式粒度分布測定装置により測定した。
（ｘ）平均粒径２０〜６０μｍ。
（ｙ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した無機質充填剤の平均粒径をαとした場合、０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで表される平均粒径。
（ｚ）上記（ｘ）である平均粒径２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した無機質充填剤の平均粒径をαとした場合、０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１αで表される平均粒径。
【００２５】
すなわち、このような３種類の平均粒径、平均粒径の大きな無機質充填剤（ｘ）と、中程度の粒径の無機質充填剤（ｙ）と、小さい粒径の無機質充填剤（ｚ）を、それぞれ下記に示す割合▲１▼〜▲３▼に配合する必要がある。このような割合となるよう混合することにより、良好な流動性が得られ、金線流れ等の成形信頼性が高く、バリ発生等の成形作業においても良好な結果が得られる。
【００２６】
▲１▼平均粒径２０〜６０μｍ（ｘ）の無機質充填剤が混合物全体の５０〜９２重量％。
▲２▼０．１α≦平均粒径（μｍ）≦０．２αで表される平均粒径（ｙ）の無機質充填剤が混合物全体の５〜４０重量％。
▲３▼０．０１α≦平均粒径（μｍ）＜０．１αで表される平均粒径（ｚ）の無機質充填剤が混合物全体の３〜１５重量％。
〔ただし、αは上記（ｘ）における平均粒径２０〜６０μｍのもののうちから選択使用した無機質充填剤の平均粒径である。〕
【００２７】
そして、上記粒度分布を有する無機質充填剤（Ｃ成分）として、特に溶融シリカ粉末が好ましく用いられるが、さらにこの粒度分布を有する溶融シリカ粉末全体の６０重量％以上が、真円度０．７以上であることが好ましい。特に好ましくは、全体の８０重量％以上が真円度０．８以上であることである。すなわち、溶融シリカ粉末全体の特定割合以上が高い真円度であることにより、より一層流動性が向上し、先に述べたように、高い成形信頼性が得られるようになるからである。
【００２８】
なお、上記真円度は、つぎのようにして算出される。すなわち、図１（ａ）に示すように、真円度の測定対象となる対象物の投影像１において、その実面積をαとし、上記投影像１の周囲の長さをＰＭとした場合、図１（ｂ）に示すように、上記投影像１と周囲の長さが同じＰＭとなる真円の投影像２を想定する。そして、上記投影像２の面積α′を算出する。その結果、上記投影像１の実面積αと投影像２の面積α′の比（α／α′）が真円度を示し、この値（α／α′）は下記の数式（Ａ）により算出される。したがって、真円度が１．０とは、この定義からも明らかなように、真円であるといえる。そして、対象物の外周に凹凸が多ければ多いほどその真円度は１．０よりも順次小さくなる。なお、本発明において、上記無機質充填剤の真円度とは、測定対象となる無機質充填剤から一部を抽出し上記方法にて測定して得られる値であり、通常、平均の真円度をいう。
【００２９】
【数１】
2004018553.tif 000007
【００３０】
このような粒度分布を有する無機質充填剤（Ｃ成分）の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体の７５重量％以上であることが好ましく、より好ましくは８０〜９１重量％の範囲である。すなわち、７５重量％未満のように少なすぎると、耐半田特性や、片面封止タイプの半導体装置において反りレベルでの特性が劣る傾向がみられるからである。
【００３１】
さらに、Ｄ成分として、難燃剤としての金属水酸化物を用いてもよい。このような金属水酸化物としては、多面体形状のものを用いることが好ましい。すなわち、六角板形状を有するもの、あるいは鱗片状等のように、いわゆる厚みの薄い平板形状の結晶形状を有するものではなく、縦，横とともに厚み方向（ｃ軸方向）に結晶成長してより立体的かつ球状に近似させた球状の結晶形状、例えば、略１２面体、略８面体、略４面体等の形状を有する金属水酸化物をいい、通常、これらの混合物である。もちろん、上記多面体形状は、結晶の成長の仕方以外にも、粉砕や摩砕等によっても多面体の形は変化し、より立体的かつ球状に近似させることが可能となる。このように、本発明では、上記多面体形状を有する金属水酸化物を用いることにより、鱗片状等のような平板形状の結晶形状を有するものに比べ、エポキシ樹脂組成物の流動性の低下を抑制することが可能となる。
【００３２】
このような金属水酸化物としては、具体的には、下記の一般式（５）で表される金属水酸化物があげられる。
【００３３】
【化７】
2004018553.tif 000008
【００３４】
上記金属水酸化物の含有量は、配合する場合、エポキシ樹脂組成物全体の０．１〜３０重量％、特には０．５〜２５重量％の範囲に設定することが好ましい。すなわち、上記金属水酸化物が０．１重量％未満では、充分な難燃効果を得ることが困難であり、また、３０重量％を超えると、流動性が低下し、ワイヤー流れ等の不良を引き起こす傾向がみられるからである。
【００３５】
本発明では、上記Ａ〜Ｃ成分および場合によりＤ成分に加えて、必要に応じて硬化促進剤、上記Ｄ成分以外のノボラック型ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン系の難燃剤や三酸化アンチモン等の難燃助剤、カーボンブラック等の顔料、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランやγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤、カーボンブラック等の顔料等他の添加剤が適宜に用いられる。
【００３６】
上記硬化促進剤としては、アミン型，リン型等のものがあげられる。アミン型としては、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリエタノールアミン，ジアザビシクロウンデセン等の三級アミン類等があげられる。また、リン型としては、トリフェニルホスフィン等があげられる。これらは単独でもしくは併せて用いられる。そして、この硬化促進剤の配合割合は、エポキシ樹脂組成物全体の０．１〜１．０重量％の割合に設定することが好ましい。さらに、エポキシ樹脂組成物の流動性を考慮すると好ましくは０．１５〜０．３５重量％である。
【００３７】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えばつぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｃ成分および場合によりＤ成分、ならびに必要に応じて他の添加剤を配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混合し、これを室温に冷却した後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により製造することができる。
【００３８】
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての絶縁基板の片面に搭載された半導体素子の封止は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができる。
【００３９】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
【００４０】
下記に示す各成分を準備した。
【００４１】
〔エポキシ樹脂ａ〕
下記の一般式（ａ）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９１、融点１０５℃）
【化８】
2004018553.tif 000009
【００４２】
〔エポキシ樹脂ｂ〕
下記の一般式（ｂ）で表されるヒドロキノン型エポキシ樹脂（エポキシ当量１７５、軟化点１４５℃）
【化９】
2004018553.tif 000010
【００４３】
〔フェノール樹脂ａ〕
前記一般式（１）で表されるナフトール系化合物（水酸基当量１７５、軟化点７５℃）
【００４４】
〔フェノール樹脂ｂ〕
前記一般式（２）で表されるフェノール樹脂（水酸基当量１０７、軟化点９２℃）
【００４５】
〔フェノール樹脂ｃ〕
前記一般式（３）で表されるフェノール樹脂（水酸基当量９７、軟化点９８℃）
【００４６】
〔フェノール樹脂ｄ〕
前記一般式（４）で表されるフェノール樹脂（繰り返し単位ｐ，ｑはブロック重合の態様である）（水酸基当量１５７、軟化点７６℃）
【００４７】
〔フェノール樹脂ｅ〕
下記の一般式（ｅ）で表されるフェノール樹脂（水酸基当量１７０、軟化点８３℃）
【化１０】
2004018553.tif 000011
【００４８】
〔無機質充填剤ａ〜ｃ〕
下記の表１に示す各種シリカ粉末を準備した。
【００４９】
【表１】
2004018553.tif 000012
【００５０】
〔カップリング剤〕
β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
【００５１】
〔硬化促進剤〕
トリフェニルホスフィン
【００５２】
〔金属水酸化物〕
多面体形状の結晶構造の金属水酸化物（タテホ化学工業社製、エコーマグＺ−１０）
【００５３】
【実施例１〜１１、比較例１〜６】
下記の表２〜表４に示す各原料を、同表に示す割合で配合し、８０〜１２０℃に加熱したロール混練機（５分間）にかけて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することにより半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【００５４】
【表２】
2004018553.tif 000013
【００５５】
【表３】
2004018553.tif 000014
【００５６】
【表４】
2004018553.tif 000015
【００５７】
このようにして得られた実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法に従って、スパイラルフロー値およびゲルタイムを、さらに半導体パッケージの反り量、耐半田性を測定・評価した。その結果を後記の表５〜表７に併せて示す。
【００５８】
〔スパイラルフロー値〕
スパイラルフロー測定用金型を用い、１７５±５℃にてＥＭＭＩ　１−６６に準じて測定した。
【００５９】
〔ゲルタイム〕
規定温度（１７５℃）の熱平板上に試料（２００〜５００ｍｇ）を載せ、攪拌しながら熱平板上に薄く引き伸ばし、試料が熱平板上に溶融した点から硬化するまでの時間を読み取りゲル化時間とした。
【００６０】
〔反り量〕
上記のようして得られた各エポキシ樹脂組成物製タブレットを用い、絶縁基板上に搭載された半導体素子をトランスファー成形（条件：１７５℃×１分＋１７５℃×５時間の後硬化）することにより図２に示す片面封止タイプの半導体装置を作製した。図２において、３は半導体素子４を搭載した絶縁基板で、５は半導体素子４と絶縁基板３上の回路部分（図示せず）とを接続するボンディングワイヤー、６は半導体素子４を封止した樹脂封止層、７は絶縁基板３の他面に形成された半田製球状接続電極である。
樹脂封止層６（エポキシ樹脂組成物硬化体）サイズ：３０×３０×厚み１．２ｍｍ
半導体素子４サイズ：１０×１０×厚み０．３７ｍｍ
絶縁基板３サイズ：ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）樹脂／ガラスクロス基板
【００６１】
上記のようにして得られた各半導体装置について、マイクロディプスメーターを用いて反り量を測定した。
【００６２】
〔耐半田性〕
上記半導体装置を用い、下記の条件（ａ），（ｂ）にて吸湿させた後、赤外線リフロー（条件：２６０℃×１０秒間）の評価試験（耐半田性）を行った。そして、クラックが発生した個数（２０個中）を測定した。
（ａ）３０℃／６０％ＲＨ×１６８時間
（ｂ）６０℃／６０％ＲＨ×１２０時間
【００６３】
【表５】
2004018553.tif 000016
【００６４】
【表６】
2004018553.tif 000017
【００６５】
【表７】
2004018553.tif 000018
【００６６】
上記表５〜表７から、実施例品は、スパイラルフロー値およびゲルタイムの各値から良好な流動性を備えていることがわかる。しかも、反り量が小さく、耐半田性試験においても優れた評価結果が得られ、信頼性の高い半導体装置が得られたことがわかる。
【００６７】
これに対して、前記一般式（１）で表されるナフトール系化合物を配合していない比較例１，２品では、反り量が高く、しかも耐半田性試験において、前記（ｂ）の条件での測定結果が悪く信頼性に劣るものであることがわかる。また、無機質充填剤の混合割合が前記特定の範囲を外れる比較例３〜６品では、粘度の増加が著しいために、良好な流動性が得られなかった。
【００６８】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、片面封止タイプの半導体装置の封止に用いられる、前記一般式（１）で表されるナフトール系化合物を必須成分として含有する硬化剤（Ｂ成分）を用いるとともに、前記特定の粒度分布を有する無機質充填剤（Ｃ成分）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。このため、上記無機質充填剤が高充填であったとしても、良好な流動性を有するとともに、これを片面封止タイプの半導体装置の封止材料として用いた場合、反りの発生が抑制され、半田耐熱性等の信頼性にも優れた片面封止タイプの半導体装置を得ることができる。
【００６９】
そして、上記Ｂ成分中のナフトール系化合物の含有割合を、硬化剤（Ｂ成分）全体の３０重量％以上に設定すると、より一層良好な流動性を確保したまま、反り発生の抑制効果が得られる。
【００７０】
さらに、Ｄ成分として金属水酸化物を用いると、優れた難燃作用を奏するとともに、多面体形状のものを用いた場合エポキシ樹脂組成物の流動性の低下を抑制することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）および（ｂ）は無機質充填剤の真円度の測定方法を示す説明図である。
【図２】実施例および比較例で作製した片面封止タイプの半導体装置を示す断面図である。
【図１】
2004018553.tif 000021
【図２】
2004018553.tif 000022