(57)【要約】【課題】基板に対して大きなダメージを与えることなく、比較的短時間で効果的な熱処理を行うことが可能で、さらには熱処理時間を簡便に制御することが可能な熱処理装置、熱処理方法を提供する。【解決手段】本発明の熱処理装置１は、基板１０を光源３からの光照射にて熱処理するものであって、基板１０を回転させる回転板４と、基板１０に対して光源３を相対的に移動させる光源移動用ロッド５とを備え、光源３及び基板１０は、それぞれ移動速度を任意に設定可能とされ、したがってこれらの相対速度を任意に制御でき、基板１０への光照射時間を任意に設定可能である。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を光照射にて熱処理する熱処理装置であって、
回転板を備え、該回転板上に前記基板を載置させて該基板を回転移動させる基板移動手段と、
前記光源と前記基板との相対速度を制御する相対速度制御手段とを備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
基板を光照射にて熱処理する熱処理装置であって、
回転板を備え、該回転板上に前記基板を載置させて該基板を回転移動させる基板移動手段と、
光源を前記回転板の回転円の径方向に概ね沿って前記基板上を走査する形にて、前記基板に対して相対的に移動させる光源移動手段と、
前記光源と前記基板との相対速度を制御する相対速度制御手段とを備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
前記相対速度制御手段は、前記光源からの光が前記基板に対して単位面積当り１ｎ秒〜１ｍ秒照射されるべく、該光源と基板との相対速度を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記光源移動手段は、前記光源が前記回転板の回転軸中心に相対的に近い位置にある場合に、前記光源の移動速度を遅くすることを特徴とする請求項２又は３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記光源は、その光照射面積が、前記回転板の回転軸中心に相対的に近い位置ほど小さく構成されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の熱処理装置。
【請求項６】
基板を光照射にて熱処理する熱処理方法であって、前記基板を回転移動させ、該基板と光源との相対移動速度に基づき、前記基板に対する光照射時間を制御することを特徴とする熱処理方法。
【請求項７】
基板を光照射にて熱処理する熱処理方法であって、前記基板を回転移動させ、光源を前記基板の回転円の径方向に略沿って該基板上を走査する形にて、前記基板に対して相対的に移動させながら光照射を行い、その相対移動速度に基づき、前記基板に対する光照射時間を制御することを特徴とする熱処理方法。
【請求項８】
前記光照射を、前記基板に対して単位面積当り１ｎ秒〜１ｍ行うことを特徴とする請求項６又は７に記載の熱処理方法。
【請求項９】
前記光源が前記基板の回転移動軸の中心に相対的に近い位置にある場合に、該光源の移動速度を遅くすることを特徴とする請求項７又は８に記載の熱処理方法。
【請求項１０】
前記光源は、その光照射面積が、前記基板の回転移動軸の中心に相対的に近い位置ほど小さく構成されていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか１項に記載の熱処理方法。
【請求項１１】
半導体膜を備えた半導体装置の製造方法であって、基板上に半導体膜を形成する工程と、請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の熱処理方法を用いて前記半導体膜を熱処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対して熱処理する熱処理装置、熱処理方法、及び半導体装置の製造方法に関するもので、特に、短時間で効率良く熱処理を行うことが可能な熱処理装置、熱処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置等の表示装置として、マトリクス状に配置された多数の画素を、画素毎に駆動するために、各画素に薄膜半導体装置であるＴＦＴを設けたアクティブマトリクス型の表示装置が知られている。かかる用途に用いられるＴＦＴとしては、多結晶シリコンＴＦＴが広く用いられている。また、多結晶シリコンＴＦＴの製造プロセスとして、能動層を比較的低温にて製造することが可能な低温プロセスが知られている。
【０００３】
以下、低温プロセスを採用した多結晶シリコンＴＦＴの能動層の形成方法について簡単に説明する。はじめに、基板の全面に、シリコン酸化膜等からなる下地保護膜（緩衝膜）を形成した後、全面に、半導体膜である非晶質シリコン膜を形成する。次いで、この非晶質シリコン膜にエキシマレーザー光（波長３０８ｎｍあるいは２４９ｎｍ等）を照射してレーザーアニールを施す。この工程において、非晶質シリコンが多結晶化し、多結晶シリコン膜が形成される。この多結晶シリコン膜を所定の形状にパターニングし、不純物を注入後、ＥＬＡ、ＲＴＡや炉アニール等の方法で活性化することにより能動層として機能する多結晶半導体膜を形成することができる。かかる方法を採用すれば、例えば６００℃以下の比較的低温で能動層を形成することができるので、非晶質シリコンＴＦＴと同じ比較的安価なガラス基板を用いながら、高性能なＴＦＴを得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このように、不純物の活性化を行う場合、ＲＴＡ活性化や炉アニール活性化では熱により基板がダメージを受ける等の不具合が生じる場合があるので与えられる光エネルギーや温度に制限がでてしまい充分には活性化されていない。またＥＬＡ活性化においては数十〜数百ｎ秒の短時間で高温のアニールが可能であるが短波長パルスレーザーであるため、照射時間が固定であり、また、レーザーアブレーションなどによるエネルギーの制限もあり、これも充分に活性化されているとは言えない。基板へのダメージを抑える為に、例えば、特開昭６０−２２３１１２号公報あるいは特開平０５−３３５４８２号公報に記載された方法が知られている。そこで、本発明は基板等の被熱処理材料に対してダメージを与えることなく、比較的短時間で効果的な熱処理を行うことが可能で、さらには熱処理時間を簡便に制御することが可能な熱処理装置、熱処理方法を提供することを目的とし、さらにその熱処理方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の熱処理装置は、基板を光照射にて熱処理する熱処理装置であって、回転板を備え、該回転板上に前記基板を載置させて該基板を回転移動させる基板移動手段と、前記光源と前記基板との相対速度を制御する相対速度制御手段とを備えることを特徴とする。このような熱処理装置によると、基板と光源との相対移動速度を制御することが可能なため、基板に対する光源からの光照射時間を制御することが可能となる。したがって、例えば相対移動速度を速くすれば光照射時間は短くなり、熱による基板のダメージは低減されることとなる。すなわち、本発明の熱処理装置は、光源のエネルギーの大小によって、光照射時間を制御することにより、任意の量の光照射を実現可能とするものである。
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の熱処理装置の異なる態様として、基板を光照射にて熱処理する熱処理装置であって、回転板を備え、該回転板上に前記基板を載置させて該基板を回転移動させる基板移動手段と、光源を前記回転板の回転円の径方向に概ね沿って前記基板上を走査する形にて、前記基板に対して相対的に移動させる光源移動手段と、前記光源と前記基板との相対速度を制御する相対速度制御手段とを備えることを特徴とする。このような熱処理装置によると、基板を光源との間で回転移動させるとともに、その相対移動速度を制御することが可能なため、基板に対する光源からの光照射時間を制御することが可能となる。したがって、例えば相対移動速度を速くすれば光照射時間は短くなり、熱による基板のダメージは低減されることとなる。すなわち、この場合の熱処理装置も、光源のエネルギーの大小によって、光照射時間を制御することにより、任意の量の光照射を実現可能とするものである。
【０００７】
また本発明では、基板上の任意の位置に、任意の時間だけ光照射を行うことが可能となる。すなわち、基板の回転に伴い回転移動方向に沿って光照射が行われ、光源の走査に伴い回転円の径方向に沿って光照射が行われるため、基板上の任意の位置に光源をもっていくことが可能となるのである。また、その回転板の回転移動速度及び光源の走査速度を任意に設定することにより、基板上の各位置での光照射時間を任意に設定することができるのである。
【０００８】
前記相対速度制御手段は、前記光源からの光が前記基板に対して単位面積当り１ｎ秒〜１ｍ照射されるべく、該光源と基板との相対速度を制御するものとすることができる。相対速度制御手段により光源と基板との相対速度を制御し、基板に対する光照射を１ｎ秒〜１ｍの範囲で可能としたため、様々な種類の光源により熱処理を行うことが可能となり、例えば高エネルギーのランプ光照射を行う場合にも、基板の回転移動速度を速めることにより熱による基板へのダメージを低減させることが可能となる。なお、上記光照射時間を１ｎ秒未満とすると装置として耐久性に問題が生じる場合があり、また、１ｍ超える光照射を行うと基板へのダメージが大きくなる場合がある。
【０００９】
具体的には、前記光源移動手段は、前記光源が前記回転板の回転軸中心に相対的に近い位置にある場合に、前記光源の移動速度を遅くするものとすることができる。回転板が等速回転する場合には、回転板の回転軸中心に相対的に近い位置は、相対的に遠い位置よりも回転速度が遅いため、それにあわせて光源の移動速度も遅く移動させるものとすれば、基板上にムラ無く光照射を行うことが可能となる。
【００１０】
一方、前記光源は、前記回転板の回転軸中心に相対的に近い位置の光照射面積が小さく構成されているものとすることができる。この場合、上記同様、回転板が等速回転する場合には、回転板の回転軸中心に相対的に近い位置は、相対的に遠い位置よりも回転速度が遅いため、それにあわせて光源の光照射面積を回転中心に近い側で小さく構成すれば、基板上にムラ無く光照射を行うことが可能となる。
【００１１】
次に、上記課題を解決するために、本発明の熱処理方法は、基板を光照射にて熱処理する熱処理方法であって、前記基板を回転移動させ、光源を前記基板の回転円の径方向に略沿って該基板上を走査する形にて、前記基板に対して相対的に移動させながら光照射を行い、その相対移動速度に基づき、前記基板に対する光照射時間を制御することを特徴とする。この場合、基板と光源の相対移動速度により基板に対する光照射時間が制御され、例えば相対移動速度を速くすれば光照射時間は短くなり、熱による基板のダメージを低減することが可能となる。
【００１２】
また本発明の熱処理方法では、基板上の任意の位置に、任意の時間だけ光照射を行うことが可能となる。すなわち、基板の回転に伴い回転移動方向に沿って光照射が行われ、光源の走査に伴い回転円の径方向に沿って光照射が行われるため、基板上の任意の位置に対して光照射を行うことが可能となるのである。また、基板の回転移動速度及び光源の走査速度を任意に設定することにより、基板上の各位置での光照射時間を任意に設定することができるのである。
【００１３】
上記本発明の熱処理方法においては、前記光照射を、前記基板に対して単位面積当り１ｎ秒〜１ｍ行うものとすることができる。光源と基板との相対速度を制御し、基板に対する光照射を１ｎ秒〜１ｍの範囲で行うものとしたため、様々な種類の光源により熱処理を行うことが可能となり、例えば高エネルギーのランプ光照射を行う場合にも、基板の回転移動速度を速めることにより熱による基板へのダメージを低減させることが可能となる。なお、上記光照射時間を１ｎ秒未満とすると装置として耐久性に問題が生じる場合があり、また、１ｍ秒を超える光照射を行うと基板へのダメージが大きくなる場合がある。
【００１４】
具体的には、前記光源が前記基板の回転円の回転中心に相対的に近い位置にある場合に、該光源の移動速度を遅くするものとすることができる。基板を等速で回転移動させる場合には、回転円の中心に相対的に近い位置は、遠い位置よりも回転速度が遅いため、それにあわせて光源の移動速度も遅く移動させるものとすれば、基板上にムラ無く光照射を行うことが可能となる。
【００１５】
一方、前記光源は、前記基板の回転円の回転中心に相対的に近い位置の光照射面積が小さく構成されているものとすることができる。この場合、上記同様、基板が等速回転する場合には、基板の回転円の中心に相対的に近い位置は、相対的に遠い位置よりも回転速度が遅いため、それにあわせて光源の光照射面積を回転中心に近い側で小さく構成すれば、基板上にムラ無く光照射を行うことが可能となる。なお、本発明の熱処理方法は、上記記載の熱処理装置を用いて行うことができ、この場合も短時間で効果的な熱処理を行うことが可能となる。
【００１６】
次に、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体膜を備えた半導体装置の製造方法であって、基板上に半導体膜を形成する工程と、上記記載の熱処理方法を用いて前記半導体膜を熱処理する工程とを含むことを特徴とする。この場合、熱処理を短時間で効果的に行うことができ、基板に対してダメージを与えることなく、半導体膜を熱処理することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の熱処理装置についてその一実施形態を模式図である。熱処理装置１は、チャンバー１内に載置された被熱処理材料（本実施形態の場合、基板１０）を熱処理するための装置であって、基板１０を回転移動させるための回転板４と、回転板４を回転させるためのサーボモータ６と、基板１０に対して光照射を行うための光源３と、光源３を基板上を走査するように移動させるための光源移動用ロッド５とを備えてなる。
【００１８】
チャンバー２は、図示しない真空装置の作動により内部が真空に、若しくは図示しない窒素ガス供給装置の作動により内部が窒素雰囲気に保たれる。回転板４は本実施形態では半径数十ｃｍ〜数ｍ程度の円形に構成され、基板１０を固定した状態で載置させるための基板固定部８を備えている。なお、基板固定部８は、任意の大きさの基板を固定可能とするべく基板固定部の位置を自在に動かすことができるように設けられており、図１の実施形態の例では基板の一辺が１０センチ程度に設定されている。回転板４を回転させるためサーボモータ６は、回転板４を１ＲＴ／ｍｉｎ〜１０００００ＲＴ／ｍｉｎの範囲の速度で回転させることが可能とされている。
【００１９】
したがって、基板１０は、回転板４の回転に伴って、回転中心軸Ａを中心に回転移動することとなる。基板１０は、所定の半導体膜が成膜されたもので、熱処理装置１は、この半導体膜をアニールすることを目的としており、特に本実施形態の場合、Ａｌ等の低融点金属をゲート配線として用いているため、高温の条件で長時間熱処理することが好ましくない構成である。
【００２０】
光源３は、ランプ光源を備え、その光源光を所定の光学素子にて長方形若しくは正方形にし光照射を行っている。したがって、本実施形態の光源３は、その光照射面が長方形状若しくは正方形状に構成され、その一辺が１μｍ〜１０ｃｍ程度に設定され、図１の実施形態の例では、当該光源３において、回転板４の回転中心軸Ａ側の光照射面の面積が、回転板の周縁側の光照射面の面積よりも小さく構成されている。これは、回転中心軸Ａに近づく程、回転速度が遅くなるため、その分の光照射量を補正するためである。
【００２１】
また、光源３は、光源移動用ロッド５の相対移動に基づき、基板上を回転板４の径方向に走査する形で移動する。なお、光源移動用ロッド５は、図示しない駆動部によりチャンバー２内に挿脱する形で移動するものとされ、その移動速度は任意に設定可能で、具体的には、基板１０の回転に伴って、基板１０の全面に光照射可能なように移動速度を設定する。
【００２２】
このような加熱処理装置１においては、基板１０は回転移動可能に設置され、光源３は基板１０に対して相対的に移動可能に設置されるとともに、基板１０及び光源３の移動速度はいずれも任意に設定可能であるため、基板１０及び光源３との相対速度は任意に制御可能とされている。したがって、基板１０に対する光源３からの光照射時間を制御することが可能となる。すなわち、例えば相対移動速度を速くすれば光照射時間は短くなり、熱による基板１０、特にＡｌ等を備える半導体膜へのダメージは低減されることとなる。具体的には、光源３からの光が基板１０に対して単位面積当り１ｎ秒〜１ｍ照射されるべく、光源３と基板１０との相対速度を制御するものとしている。これにより、基板１０にダメージを与えることなく、短時間で十分な熱処理効果を得ることができる。
【００２３】
また、本実施形態では回転板４が等速回転するものとされ、光源移動用ロッド５は、光源３が回転板４の回転軸中心Ａに相対的に近い位置にある場合に、その移動速度を遅くするべく制御されている。回転板４が等速回転する場合には、その回転軸中心Ａに相対的に近い位置は、相対的に遠い位置よりも回転速度が遅いため、それにあわせて光源３が回転軸中心Ａに相対的に近い位置にある場合には、光源３の移動速度も速く移動させるものとし、基板上にムラ無く光照射を行うことを可能としている。なお、光源移動用ロッド５を等速移動するものとし、回転板４を移動速度可変式にすることも可能で、この場合、光源３が回転軸中心Ａに近い位置にある場合に、回転板４の回転速度を相対的に速くすればよい。上記のような、本発明に係るアニール法を、ここでは、スピン式光アニール法と呼ぶ。
【００２４】
なお、熱処理装置１において光源３はランプを備えるものとしたが、これをＹＡＧ等のＣＷ固体レーザーや半導体レーザーを用いて構成しても良く、また、ランプの種類はＸｅアークランプ、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ等を用いて構成しても良い。特に、基板１０に成膜する半導体膜として、アモルファスシリコンや多結晶シリコン膜を用いた場合は、薄膜の吸収率の大きい短波長成分リッチな光源を用いることが好ましい。
【００２５】
次に、上記実施形態の熱処理装置、及び上述した熱処理装置を用いる熱処理方法を適用した半導体装置の製造方法について、その一実施形態を説明する。
なお、本実施形態では、ｎチャネル型の多結晶シリコンＴＦＴを製造する場合を例として説明する。図２〜図４はいずれも、本実施形態の薄膜半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２６】
はじめに、図２（ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したガラス基板１０（図１に示した基板１０に対応）を用意した後、基板温度が１５０〜４５０℃となる条件下で、ガラス基板１０の全面に、シリコン酸化膜等の絶縁膜からなる下地保護膜（緩衝膜）１１をプラズマＣＶＤ法等により、例えば５００ｎｍ程度など、１０μｍ未満の厚さに成膜する。この工程において用いる原料ガスとしては、モノシランと一酸化二窒素との混合ガスや、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）と酸素、ジシランとアンモニア等が好適である。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板温度が１５０〜４５０℃となる条件下で、下地保護膜１１を形成したガラス基板１０の全面に、非晶質シリコン膜（非晶質半導体膜）２１をプラズマＣＶＤ法等により３０〜１００ｎｍの厚さに成膜する。この工程において用いる原料ガスとしては、ジシランやモノシランが好適である。次に、この非晶質シリコン膜２１に、図２（ｃ）に示すようにエキシマレーザー光（ＸｅＣｌエキシマレーザーの場合は波長３０８ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザーの場合は波長２４９ｎｍ）を照射してレーザーアニールを行い、多結晶シリコン膜２２が形成される。なお、非晶質シリコン膜２１をパターニングしてから、レーザーアニールを行って多結晶シリコン膜を形成しても良い。
【００２８】
次に、図２（ｄ）に示すように、多結晶シリコン膜２２をフォトリソグラフィー法により、形成する能動層の形状にパターニングする。すなわち、多結晶シリコン膜２２上にフォトレジストを塗布した後、フォトレジストの露光、現像、多結晶シリコン膜２２のエッチング、フォトレジストの除去を行うことにより、多結晶シリコン膜２２のパターニングを行う。
【００２９】
次に、図３（ａ）に示すように、３５０℃以下の温度件下で、多結晶シリコン膜２２を形成したガラス基板１０の全面に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなるゲート絶縁膜３１を５０〜１５０ｎｍの厚さに成膜する。この工程において用いる原料ガスとしては、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガス等が好適である。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３１を形成したガラス基板１０の全面に、スパッタリング法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン等の金属、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金等の導電性材料を成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングし、３００〜８００ｎｍの厚さのゲート電極３２を形成する。すなわち、導電性材料を成膜したガラス基板１０上にフォトレジストを塗布した後、フォトレジストの露光、現像、導電性材料のエッチング、フォトレジストの除去を行うことにより、導電性材料をパターニングし、ゲート電極３２を形成する。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示すように、ゲート電極３２をマスクとして、約０．１×１０１３〜約１０×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込み、ゲート電極３２に対して自己整合的に低濃度ソース領域２２ｂ、低濃度ドレイン領域２２ｃを形成する。ここで、ゲート電極３２の直下に位置し、不純物イオンが導入されなかった部分はチャネル領域２２ａとなる。
【００３２】
また、図３（ｄ）に示すように、ゲート電極３２より幅広のレジストマスク（図示略）を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１０１５〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域２２ｄ、及び高濃度ドレイン領域２２ｅを形成する。
【００３３】
なお、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造のソース領域及びドレイン領域を形成する代わりに、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極３２より幅広のレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及びドレイン領域を形成しても良い。また、ゲート電極３２をマスクとして高濃度の不純物を打ち込み、セルフアライン構造のソース領域及びドレイン領域を形成しても良い。
【００３４】
次に、本発明のスピン式アニール法を用いて不純物の活性化を行う工程について説明する。図１に示した装置の回転板４上の所定位置に、図３（ｄ）に示したガラス基板１０を載置させ、減圧雰囲気下、窒素雰囲気中で、ランプパワーと回転スピードを調節して、図４（ａ）に示すようにランプ光ＳＬを照射してアニールを行うことにより、ソース領域２２ｂ、２２ｄ及びドレイン領域２２ｃ、２２ｅに注入された不純物の活性化を行う。前述したように、ランプ照射時間が連続的に長くなると基板が受けるダメージが大きくなる。また、本発明のスピン式光アニール法においては、回転スピードを高くすれば、基板への連続的な照射時間が短くなるので、ランプパワーを高くしても、基板へのダメージを低く抑えることができる。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、ゲート電極３２の表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜３３を３００〜８００ｎｍの厚さに成膜し、さらに所定のパターンのレジストマスク（図示略）を形成した後、該レジストマスクを介して層間絶縁膜３３のドライエッチングを行い、層間絶縁膜３３において高濃度ソース領域２２ｄ及び高濃度ドレイン領域２２ｅに対応する部分にコンタクトホール３４、３５をそれぞれ形成する。なお、層間絶縁膜３３の成膜工程において用いる原料ガスとしては、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガス等が好適である。
【００３６】
次に、図４（ｃ）に示すように、層間絶縁膜３３の全面に、アルミニウム、チタン、窒化チタン、タンタル、モリブデン、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金等の導電性材料を、スパッタリング法等により成膜した後、フォトリソグラフィー法によりパターニングし、４００〜８００ｎｍの厚さのソース電極３６及びドレイン電極３７を形成する。すなわち、導電性材料を成膜したガラス基板１０上にフォトレジストを塗布した後、フォトレジストの露光、現像、導電性材料のエッチング、フォトレジストの除去を行うことにより、導電性材料をパターニングし、ソース電極３６及びドレイン電極３７を形成する。以上のようにして、ｎチャネル型の多結晶シリコンＴＦＴ（半導体装置）１００を製造することができる。
【００３７】
なお、本実施形態では、不純物の活性化に本発明を適用した場合を例として説明したが、非晶質シリコン膜を結晶化させる場合にも同様に適用する事ができる。また、本実施形態では、ｎチャネル型のＴＦＴを製造する場合を例として説明したが、ｐチャネル型のＴＦＴを製造する場合にも同様に適用することができる。また、本実施形態の製造方法は、特に基板上に多数のＴＦＴを形成するアクティブマトリクス型の液晶装置やＥＬ装置等の表示装置を製造する場合に好適に適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】
本発明の熱処理装置によると、基板と光源との間の相対移動速度を制御することが可能なため、基板に対する光源からの光照射時間を制御することが可能となる。したがって、例えば相対移動速度を速くすれば光照射時間は短くなり、熱による基板のダメージは低減されることとなる。具体的には、相対速度を制御することにより、光源からの光を基板に対して単位面積当り１ｎ秒〜１ｍ照射することが可能となり、例えば高エネルギーのランプ光照射を行う場合にも、相対移動速度を速めることにより熱による基板へのダメージを低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明に係る実施形態の熱処理装置を模式的に示す図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る実施形態の薄膜半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る実施形態の薄膜半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施形態の薄膜半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
１　熱処理装置
２　チャンバー
３　光源
４　回転板
５　光源移動用ロッド
１０　ガラス基板（基板）
１００　多結晶シリコンＴＦＴ（薄膜半導体装置）
【図１】
2004071806.tif 000003
【図２】
2004071806.tif 000004
【図３】
2004071806.tif 000005
【図４】
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