(57)【要約】【課題】ＨＴＰが極めて大きいカイラルドーパントを提供する。【解決手段】下記一般式（１）  で表される５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトールを不斉源とする光学活性化合物。【化１】2004250397.tif 000012（式中、ｎは  １〜１０の整数であり、Ｙは水素、炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜５のアルキルフェニル基または炭素数１〜４のアルコキシフェニル基である。Ｘは単結合（−），  −ＯＯＣ−または−ＯＣＨ２−である。ＡおよびＢはシクロヘキサン、ベンゼン、ピリミジン、ナフタリン、ジオキサンなどから選択した環を環数の合計で２〜４個有するように環相互の結合形式を含んで特定の組み合わせで選択した置換基である。）【効果】ＨＴＰが５０以上と極めて大きいという特徴を有するカイラルドーパントが得られた。本カイラルドーパントは、少量添加するだけでらせんのピッチを調節することができるため、母液晶の性能劣化を抑制できる。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）  で表される光学活性化合物。
【化１】
2004250397.tif 000010
（式中、ｎは  １〜１０の整数であり、Ｙは水素、炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜５のアルキルフェニル基または炭素数１〜４のアルコキシフェニル基であり、Ｘは単結合（−），  −ＯＯＣ−または−ＯＣＨ２−である。ここで、Ｘが単結合の時、Ａは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−，  −Ｐｙ−または−Ｎｐ−であり、Ａが−Ｃｙ−の時、Ｂは単結合，  −Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは単結合，  −Ｏ−，  −Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−または−Ｐｙｒ−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｙ−の時、Ｂは−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−の時、Ｂは単結合または−Ｏ−  である。また、Ｘが−ＯＯＣ−  の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，  −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，    −Ｐｈ−Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｃｙ−または−Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｐｈ−Ｚ−  であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である。更に、Ｘが−ＯＣＨ２−の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，    −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｄｉ−または−Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である（なお、Ｚは単結合（−）  または−Ｏ−  であり、また、−Ｐｈ−，  −Ｃｙ−，  −ＯＯＣ−，  −Ｐｙ−，  −Ｐｙｒ−，  −Ｄｉ−または−Ｎｐ−は下記構造を示し、−Ｐｈ−はその水素の一つがメチル基、フッ素または塩素で置換されていてもよい。））
【化２】
2004250397.tif 000011
【請求項２】
該一般式（１）  において、Ｙが水素である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項３】
該一般式（１）  において、ｎが  ３〜８  の整数である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項４】
該一般式（１）  において、Ｘが単結合である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項５】
該一般式（１）  において、Ｘが−ＯＯＣ−  である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項６】
ねじり力（ＨＴＰ）が５０以上である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項７】
該一般式（１）  で表されるネマチック液晶用カイラルドーパント。
【請求項８】
該一般式（１）  で表される光学活性化合物を、少なくとも一種以上含有するネマチック液晶組成物。
【請求項９】
電極を有する基板間に請求項８記載のネマチック液晶組成物を狭持してなる液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はカイラルドーパントとして有用な新規な光学活性化合物およびそれを含む液晶組成物ならびにその液晶組成物を用いた液晶表示素子に関する。更に詳しくは、ねじり力（以下ＨＴＰと記す）が５０以上であるカイラルドーパントおよびその利用に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】米国特許６，２１７，７９２  号
【特許文献２】特開昭６２−８１３５４  号公報
【特許文献３】国際出願０２３４７３９  号
【特許文献４】特開２００２−１７９６６９号公報
【特許文献５】特願２００２−１８４２７３号公報
【非特許文献１】Ｈ．−Ｊ．ＤＥＵＳＳＥＮら、  ＬＩＱＵＩＤ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ，Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．３，ｐ３２７、１９９６  年
【０００３】
液晶表示素子の表示モードとして種々のものが知られているが、その多くの表示モードにおいて液晶の螺旋ピッチの制御が必要である。液晶の螺旋ピッチの制御が必要なモードとして、以下のようなものがある。現在実用化され多用されているモードは、ネマチック液晶を用いたツイスティッドネマチックモード（ＴＮ  モード）  ならびにスーパーツイステッドネマチックモード（ＳＴＮモード）  である。
【０００４】
ＴＮモードでは、上基板と下基板の間で液晶分子が９０度ねじれる様に配向しており、セル中でらせんの１／４  ピッチが形成されている。
ＳＴＮ  モードでは、上基板と下基板の間で液晶分子が  ２２０度前後ねじれる様に配向しており、セル中でおよそ  ３／５ピッチのらせんが形成されている。
ＴＮモードは単純マトリックス駆動液晶表示素子およびアクティブマトリックス駆動液晶表示素子において、ＳＴＮ  モードは単純マトリックス駆動液晶表示素子において使用されている。
【０００５】
また、前記したＴＮモードおよびＳＴＮ  モードとは別のモードとして、カイラルネマチック液晶の選択反射  （以下、ＳＲと記す）  モードがある。図１および図２に示されている様に、ＳＲモードでは液晶はらせん軸が基板に垂直なプレーナー状態（図１）とらせん軸の方向がランダムなフォーカルコニック状態（図２）をとり、これらの２  状態は電圧パルスで切り替えることができる。プレーナー状態では螺旋ピッチに対応した波長の光を反射するが、フォーカルコニック状態では光は素子を透過する。反射状態を明、透過状態を暗とすることで表示が可能となる。
【０００６】
らせん構造を誘起する光学活性化合物は通常カイラルドーパントと呼ばれている。これまで数多くのカイラルドーパントが合成されているが、その代表的な化合物が下記構造の化合物である。
【０００７】
【化３】
2004250397.tif 000002
【０００８】
カイラルドーパントに求められる最も重要な性能は、大きなＨＴＰを有することである。なお、ＨＴＰは下式で定義される物理量である。
2004250397.tif 000003
カイラルドーパントは通常それ自体液晶性を示さず、しかも、分子量の大きなものが多く、母液晶に対して多量に添加した場合には、種々の性能を劣化させることが多い。性能劣化としては、等方相からネマチック相への相転移温度の低下、液晶の粘性増加、結晶化を引き起こしやすいなどがある。大きなＨＴＰを有するカイラルドーパントは、母液晶に対して少量の添加で所望のらせんピッチを得ることができるため、諸性能の劣化を抑えることができる。上記のカイラルドーパントはＨＴＰが小さく、より大きなＨＴＰを示す化合物が求められている。
【０００９】
なお、本明細書において、“液晶”とは、特に特定の化合物であると断らない限り、複数の液晶化合物よりなる組成物を意味する。また、“カイラルドーパント”とはらせん構造を誘起する光学活性化合物またはその化合物の混合物を意味する。更に、“母液晶”とは、カイラルドーパントを含まないネマチック液晶を意味する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＨＴＰが５０以上と極めて大きいという特徴を有するカイラルドーパントを提供することにある。
ヘプケらは特許文献２にて、光学活性部に  １，１’−ビ−２−ナフトールを使用したカイラルドーパント化合物９種を開示しており、この内の５種が大きなＨＴＰを示す。また、本発明者らも光学活性部に  １，１’−ビ−２−ナフトールを使用したカイラルドーパント化合物の開発検討を種々行い、ＨＴＰが５０以上ある化合物を見出した（特許文献５等）。本発明者らやヘプケらの化合物には等方相からネマチック相への相転移温度の低下、液晶の粘性増加、結晶化を引き起こしやすい等といった性能劣化を抑制する効果が認められた。
【００１１】
上記化合物の他、ＨＴＰが５０以上を示しているカイラルドーパント化合物として、光学活性部に、１，１’−ビ−２−ナフトールの２，２’−位にある水酸基部分を架橋した化合物がある。この中で、Ｈ．−Ｊ．ＤＥＵＳＳＥＮらが非特許文献１に開示している化合物６種の内の３種、湯本らが特許文献４に開示している化合物２５種の内の２種あるいはＨＥＣＫＭＥＩＥＲ  らが特許文献３に開示している化合物６種の内の２種といったカイラルドーパント化合物がＨＴＰ５０以上を示している。
【００１２】
以上のように、ＨＴＰが５０以上のカイラルドーパントの開発が各所で精力的に行われているが、その数はまだ少なく、種々のアプリケーションへの応用を考えた場合、カイラルドーパントの種類の拡大が必要である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは種々の検討を重ねた結果、５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトールおよびその誘導体を不斉源とする光学活性化合物が５０以上と極めて大きなＨＴＰを示すことを見出した。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）  で表される光学活性化合物である。
【００１４】
【化４】
2004250397.tif 000004
（式中、ｎは  １〜１０の整数であり、Ｙは水素、炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜５のアルキルフェニル基または炭素数１〜４のアルコキシフェニル基であり、Ｘは単結合（−），  −ＯＯＣ−または−ＯＣＨ２−である。ここで、Ｘが単結合の時、Ａは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−，  −Ｐｙ−または−Ｎｐ−であり、Ａが−Ｃｙ−の時、Ｂは単結合，  −Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは単結合，  −Ｏ−，  −Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−または−Ｐｙｒ−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｙ−の時、Ｂは−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−の時、Ｂは単結合または−Ｏ−  である。また、Ｘが−ＯＯＣ−  の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，  −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，    −Ｐｈ−Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｃｙ−または−Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｐｈ−Ｚ−  であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である。更に、Ｘが−ＯＣＨ２−の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，    −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｄｉ−または−Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である（なお、Ｚは単結合（−）  または−Ｏ−  であり、また、−Ｐｈ−，  −Ｃｙ−，  −ＯＯＣ−，  −Ｐｙ−，  −Ｐｙｒ−，  −Ｄｉ−または−Ｎｐ−は下記構造を示し、−Ｐｈ−はその水素の一つがメチル基、フッ素または塩素で置換されていてもよい。））
【００１５】
【化５】
2004250397.tif 000005
【００１６】
そして、本発明では、該一般式（１）  において、Ｙが水素原子である光学活性化合物が望ましく、ｎ  が３〜８の整数である光学活性化合物が望ましく、Ｘが単結合（−）  あるいは−ＯＯＣ−  である光学活性化合物が望ましい。また、ねじり力（ＨＴＰ）が５０以上である化合物が望ましい。そして本化合物は、ネマチック液晶用カイラルドーパントとして好適に使用され、該一般式（１）  で表される光学活性化合物を少なくとも１  種以上含有するネマチック液晶組成物として好適に使用され、このネマチック液晶組成物を、電極を有する基板間に狭持してなる液晶素子とされる。
【００１７】
光学活性体にはＲ体とＳ体とがあるが、いずれも好適に使用できる。すなわち、Ｒ体とＳ体との性質の違いは、誘起するらせん構造の掌性（右らせん、左らせん）  が異なる点である。そこで、使用にあたっては、併用するカイラルドーパントの掌性を考慮し、いずれかを選択する。
【００１８】
本発明の化合物は、母液晶であるネマチック液晶との相溶性が良く、結晶化も起こしにくいが、本発明の光学活性化合物を単独で多量にネマチック液晶へ添加した場合、その組み合わせによっては得られた組成物が常温で結晶化する場合があり得る。しかし、この場合、他のカイラルドーパントを併用することによって容易に結晶化が回避できる。
本発明の光学活性化合物をカイラルドーパントとして使用する場合、光学活性化合物は、それを添加したネマチック液晶に基づいて、通常  ０．１〜２０重量％、好ましくは  ０．１〜１０重量％の範囲で添加される。この添加割合は、光学活性化合物のＨＴＰの値、結晶性およびネマチック液晶の種類などにより、この好適範囲が決定される。
【００１９】
らせんピッチは温度に対して変化しやすいという性質があるが、らせんピッチの変化は種々の性能に影響を与えるため、前記したいずれの表示モードにおいても、らせんピッチの温度変化はできるだけ小さいほうが望ましい。
特に、ＳＲモードでは、らせんピッチに対応する光を反射（選択反射）し明状態となるが、これまでに開発されたカイラルドーパントの多くは、温度上昇に伴いらせんピッチが長くなり、反射光の色が長波長側へ変化してしまうという問題があった。
選択反射波長の温度上昇に伴う変化を「波長シフト」と呼ぶ。温度上昇により選択反射波長が長くなる場合をプラスの波長シフトと定義し、逆に短くなる場合をマイナスの波長シフトと定義する。
【００２０】
選択反射波長の温度依存性をなくす方法として、プラスの波長シフトを示すカイラルドーパントとマイナスの波長シフトを示すカイラルドーパントとを組み合わせて使用する方法がある。
本発明においては、Ａ、ＢおよびＸを適宜変えることにより、プラスの波長シフトを示すカイラルドーパントならびにマイナスの波長シフトを示すカイラルドーパントいずれも得ることができる。従って、組み合わせるカイラルドーパントの波長シフトを考慮し、本発明の化合物を適宜選択することにより、選択反射波長の温度依存性のない液晶組成物を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、ＨＴＰが５０以上と極めて大きいという特徴を有するカイラルドーパントを提供する。
従って、ＴＮモード、ＳＴＮ  モード及びＳＲモードで使用する液晶において、本発明のカイラルドーパントを少量添加するだけでらせんのピッチを調節することができるため、母液晶の性能劣化を抑制できる。
【００２２】
【実施例】
次に実施例および比較例を掲げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はもちろんこれに限定されるものではない。
【００２３】
実施例１            （式（１）  ：  ｎ＝４，  Ｘ＝−，  Ｙ＝Ｈ，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−          （Ｅ１））
４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの製造。
ナス型フラスコに  （Ｒ）−（＋）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトール    ０．５０ｇ（０．００１７ｍｏｌ）および  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸  ０．８８ｇ（０．００３４ｍｏｌ）  を入れ、ジクロロメタン  ２５ｍＬ（ミリリットル）  に溶かした。そこにジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）  ０．７７ｇ（０．００３７ｍｏｌ）およびジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）  ０．３３ｇ（０．００２７ｍｏｌ）  を加え、室温で一昼夜攪拌を行った。
析出した固体をろ別し、有機層を  ２Ｎ  塩酸および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。
減圧下に溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフにより精製を行なう事により目的化合物を  ０．７４ｇ  （収率５６％）得た。
【００２４】
実施例２〜４
（式（１）  ：  ｎ＝５，  Ｘ＝−，  Ｙ＝Ｈ，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｐｈ−          （Ｅ２））              ４’−ｎ−ペンチルビフェニル−４−カルボン酸−（Ｒ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステル、
（式（１）  ：  ｎ＝８，  Ｘ＝−，  Ｙ＝Ｈ，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｄｉ−          （Ｅ３））            ４−（５−ｎ−  オクチル−１，３−ジオキサン−２−イル）安息香酸−（Ｒ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステル、および
（式（１）  ：  ｎ＝６，  Ｘ＝−，  Ｙ＝Ｈ，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−０−            （Ｅ４））            ４−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸−（Ｒ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの製造。
実施例１において、  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸に替えて、４’−ｎ−  ペンチルビフェニル−４−カルボン酸、  ４−（５−ｎ−オクチル−１，３−ジオキサン−２−イル）安息香酸、または    ４−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸をそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして、目的化合物を得た。
【００２５】
実施例５      （式（１）  ：  ｎ＝６，  Ｘ＝−ＯＯＣ−，  Ｙ＝Ｈ，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｐｈ−Ｃｙ−      （Ｅ５））    ４−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）  安息香酸−［５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルビス  （オキシカルボニル−４，１−フェニレン）  エステルの製造。
【００２６】
（１）    ４−アセトキシ安息香酸−［５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルエステルの合成。
ナス型フラスコに（Ｒ）−（＋）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフトール    ５．０ｇ（０．０１７ｍｏｌ）および４−アセトキシ安息香酸クロライド  １１．１ｇ（０．０５６ｍｏｌ）を入れ、ジクロロメタン  １５０ｍＬに溶かした。そこに、ピリジン  ４．４ｇ（０．０５６ｍｏｌ）  を加え、室温で一昼夜撹拌を行った。
反応液に水  ５０ｍＬ  を加えて３０分撹拌した後、  ２Ｎ  塩酸を加え有機層と水層とを分離した。有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。減圧下で溶媒を留去して、目的化合物  ９．８ｇ（０．０１６ｍｏｌ）  を得た。
【００２７】
（２）      ４−ヒドロキシ安息香酸−［５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルエステルの合成。
ナス型フラスコに４−アセトキシ安息香酸−［５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルエステル  ９．８ｇ（０．０１６ｍｏｌ）  を入れ、トルエン  ５０ｍＬ  に溶かした。そこにメチルアミン４０ｗｔ％のメタノール溶液を４．９ｇ（０．０６３ｍｏｌ）滴下し、室温で５  時間撹拌を行った。
反応液に  ２Ｎ  塩酸を加え、有機層と水層を分液した。
有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した後、減圧下で溶媒を留去して、目的化合物  ７．２ｇ（収率８５％）  を得た。
【００２８】
（３）    ４−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）  安息香酸−［５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルビス  （オキシカルボニル−４，１−フェニレン）  エステルの合成。
ナス型フラスコに４−ヒドロキシ安息香酸−［（Ｒ）−５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルエステル  １．０ｇ（０．００１９ｍｏｌ）、  ４−（トランス−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）  安息香酸  １．１ｇ（０．００３７ｍｏｌ）を入れ、ジクロロメタン  ４０ｍＬ  に溶かした。ＤＣＣ    ０．９２ｇ（０．００４５ｍｏｌ）  およびＤＭＡＰ    ０．１８ｇ（０．００１５ｍｏｌ）を加え、室温で一昼夜撹拌を行った。析出した固体を濾別し、有機層を２Ｎ塩酸および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した後、減圧下で溶媒を留去し、粗生成物を得た。
得られた粗生成物をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフにより精製し、目的化合物  １．５ｇ（収率７４％）  を得た。
【００２９】
実施例６、７
（式（１）  ：  ｎ＝６，  Ｘ＝−ＯＯＣ−，  Ｙ＝Ｈ，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｐｈ−Ｏ−      （Ｅ６））      ４−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸−［５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルビス  （オキシカルボニル−４，１−フェニレン）  エステル、および  （式（１）  ：  ｎ＝５，  Ｘ＝−ＯＯＣ−，  Ｙ＝Ｈ，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−      （Ｅ７））      トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−［５，５’，６，６’，７，７’，８，８’−オクタヒドロ−１，１’−ビ−２−ナフタレン］−２，２’−ジイルビス  （オキシカルボニル−４，１−フェニレン）  エステルの製造。
実施例５（３）において、  ４−（トランス−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）  安息香酸に替えて、４−ｎ−ヘキシルオキシ安息香酸、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸をそれぞれ用いた以外は実施例５と同様にして、目的化合物を得た。
【００３０】
また、各化合物（Ｅ１〜Ｅ７）の熱物性をＤＳＣ（昇温）  により測定した結果は下記であった。
Ｅ１（４２）、Ｅ２（３３）、Ｅ３（１２）、Ｅ４（１）  、Ｅ５（４６）、Ｅ６（２６）、Ｅ７（２６）
なお、（）内の数値は融点またはガラス転移温度（℃）である。化合物Ｅ１〜Ｅ７が室温で結晶状態になっているのか、或いは、ガラス状態になっているのか、明確には確認できなかった。
また、光学活性化合物（Ｅ１〜Ｅ７）について、その構造式を化６に、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を表１、２に示した。
【００３１】
【化６】
2004250397.tif 000006
【００３２】
2004250397.tif 000007
【００３３】
2004250397.tif 000008
【００３４】
実施例８
上記で合成した光学活性化合物（Ｅ１〜Ｅ７）  について、ＨＴＰ並びに波長シフトの測定をした。
メルク社製ネマチック液晶（ＺＬＩ−１５６５）に、実施例１〜７で得た光学活性化合物（Ｅ１〜Ｅ７）を所定量添加し、キラルネマチック（Ｎ＊）液晶組成物を調製した。
調製した液晶組成物のＮ＊相の上限温度、特性反射の挙動を調べ、最後に特性反射の挙動によりねじり力（ＨＴＰ）、波長シフトを求めた。
【００３５】
Ｎ＊相の上限温度の決定は偏光顕微鏡観察により行った。
また、特性反射挙動測定は以下の手順で行った。  ＩＴＯ  電極付の液晶セル（セル厚１０μｍ  ）に、上記で調製した液晶組成物を等方相の状態で充填した。このセルを６０℃とし、±６０Ｖ  の矩形波電圧を１  分間程度印加した後、室温まで急冷しプレーナー配向を得た。
この液晶セルの２５℃、６０℃における特性反射挙動を自記分光光度計を用いて調べた。２５℃、６０℃におけるＨＴＰはそれぞれ下式より求めた。
ＨＴＰ  （μｍ−１）  ＝ｎ／  （λ２５×Ｃ／１００）
ＨＴＰ  （μｍ−１）  ＝ｎ／  （λ６０×Ｃ／１００）
ここで、ｎはカイラルネマチック液晶の屈折率、λ２５は２５℃、λ６０は６０℃における特性反射波長（μｍ）  、Ｃは光学活性化合物の濃度  （ｗｔ％）  を表す。尚、屈折率ｎ  は母液晶ＺＬＩ−１５６５の値  １．６を採用した。
【００３６】
波長シフトは下式より求めた。
波長シフト（ｎｍ）＝  λ６０−λ２５
ここで、λ２５、λ６０は単位をｎｍとする他は、上記と同じである。
結果を表３に示した。実施例の光学活性化合物は５０以上の大きなＨＴＰを有していることがわかる。
【００３７】
比較例１
実施例８と同様に、公知化合物ＣＢ１５、ＣＮ、Ｓ−８１１  を用いて調製した液晶組成物のＮ＊相の上限温度を調べ、次に特性反射挙動よりＨＴＰ、波長シフトを求めた。結果を表３にまとめた。
【００３８】
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【図面の簡単な説明】
【図１】カイラルネマチック液晶のプレーナー分子配向
【図２】カイラルネマチック液晶のフォーカルコニック分子配向
【図１】
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【図２】
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