(57)【要約】【課題】遮断特性と再点弧特性の優れた真空遮断器を提供する。【解決手段】真空遮断器の接点を、１５〜８５重量％のＣｕ相から成る導電性成分と、残部としてのＣｒを主成分とする耐弧性成分とを含む合金からなり、昇温過程でのＣｕ相の摂氏で測定した溶融開始温度Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、Ｃｕ相の摂氏で測定した凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率を、３．５％以下とする。これにより、遮断特性と再点弧特性とを両立させることができる。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１５〜８５重量％のＣｕ相から成る導電性成分と、残部としてのＣｒを主成分とする耐弧性成分とを含む合金からなり、昇温過程での前記Ｃｕ相の摂氏で測定した溶融開始温度Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、前記Ｃｕ相の摂氏で測定した凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、前記溶融開始温度Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が、３．５％以下である接点材料から成る接点を備えたことを特徴とする真空遮断器。
【請求項２】
前記合金中に、０．０５重量％以下のＣを含有したことを特徴とする請求項１に記載の真空遮断器。
【請求項３】
前記導電性成分は、Ｃｕ量に対して０．３５重量％以下のＣｒを含有したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の真空遮断器。
【請求項４】
前記耐弧性成分は、Ｃｒ量に対して５０重量％以下のＷを含有したものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の真空遮断器。
【請求項５】
前記耐弧性成分は、Ｃｒ量に対して５０重量％以下のＭｏ、Ｔａ、Ｎｂの少なくとも１つを含有したものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の真空遮断器。
【請求項６】
前記耐弧性成分は、Ｃｒ量に対して０．１重量％以下のＡｌ、Ｓｉの少なくとも１つを含有したものであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の真空遮断器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、優れた遮断特性と再点弧特性とを有する接点材料を備えた真空遮断器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に真空遮断器において、真空中でのア−クの拡散性を利用して高真空中で電流遮断を行わせる真空バルブの接点は、対向する固定、可動の２つの接点から構成されている。
【０００３】
図７に示す如く、絶縁容器１０１の両端開口部を蓋体１０２ａ、１０２ｂにより閉塞した真空容器１０３内に、一対の接点１０４、１０５を対向させて設けると共にこれらを前記蓋体１０２ａ、１０２ｂを貫通させて真空容器１０３内に挿入された通電軸１０６、１０７の端部にそれぞれ装着し、その一方の通電軸１０７を図示しない操作機構により軸方向に移動可能として、前記一方の接点（以下固定接点）１０４に対して、他方の接点（以下可動接点）１０５を接触または開離出来るようにしてある。
【０００４】
この場合、蓋体１０２ｂと通電軸１０７との間には、真空容器１０３内を真空気密に保持しかつ通電軸１０７の軸方向への移動を可能とするベロ−ズ１０８が設けられる。なお図中１０９は、前記各接点１０４、１０５および通電軸１０６、１０７を包囲する如く設けられたシ−ルドである。
【０００５】
上記真空遮断器は、通常両接点１０４、１０５が接触し通電状態となる。この状態からの動作により通電軸１０７が図中矢印Ｍ方向に移動すると、可動接点１０５が固定接点１０４から開離し、面接点間にはア−クが発生する。このア−クは陰極例えば可動接点１０５側からの金属蒸気の発生により維持され、電流がゼロ点（零点）に達すると金属蒸気の発生が止まってア−クが維持できなくなり、遮断が完了する。
【０００６】
ところで、上記両接点１０４、１０５間に発生するア−クは、遮断電流が大きいとア−ク自身により生じた磁場と外部回路の作る磁場との相互作用により著しく不安定な状態となる。その結果ア−クは接点面上を移動し（接点が電極に取り付けられ一体化している時には、ア−クは電極面上にも移動している場合もある）、接点の端部或いは周辺部に片寄り、その部分を局部的に過熱し、多量の金属蒸気を放出させて、真空容器１０３内の真空度を低下させる。その結果、真空遮断器の遮断性能は低下する。これらは金属組織などで代表される接点の状態に依存することが多い。
【０００７】
図８は、一対の接点４１、５１を対向させて設けると共に接点４１の背面には平板型電極４０、接点５１の背面には平板型電極５０をそれぞれ装着した真空バルブである。また接点４１の背面にはコイル電極４０、接点５１の背面にはコイル電極５０をそれぞれ装着してもよい。
【０００８】
一般に真空遮断器では、大電流遮断性能、耐電圧性能、耐溶着性能の基本的３要件の他に再点弧現象の発生の抑制が重要な要件となっている。
【０００９】
しかしながら、これらの要件の中には相反するものがある関係上、単一の金属種によって総ての要件を満足させることは不可能である。この為実用されている多くの接点材料に於いては、不足する性能を相互に補うような２種以上の元素を組合せることによって、例えば大電流用、高耐圧用などのように特定の用途に合った接点材料の選択採用が行われ、それなりに優れた特性を持つ真空バルブが開発されているが、それでも一部の機能を犠牲にして対応している製品が多い。さらに強まる要求を充分満足する真空バルブは未だ得られていないのが実情である。
【００１０】
例えば、大電流遮断性を目的とした接点として、Ｃｒを５０重量％程度含有させたＣｕ−Ｃｒ合金（特公昭４５−３５１０１号）が知られている。この合金は、Ｃｒ自体がＣｕと略同等の蒸気圧特性を保持しかつ強力なガスのゲッタ作用を示す等の効果で高電圧大電流遮断性を実現し、高耐圧特性と大容量遮断とを両立させ得る接点として多用されている。
【００１１】
この合金は、活性度の高いＣｒを使用していることから、原料粉の選択、不純物の混入、雰囲気の管理などに十分に配慮しながら接点素材を製造（焼結工程など）したり、接点素材から接点片へと加工に配慮しながら接点製品としたりしているが、再点弧の発生が引金となって遮断性能を低下させる場合が見られ、その改善が望まれている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
一般にＣｕＣｒ接点は、両者の高温度での蒸気圧特性が近似していることなどが寄与して、遮断した後でも接点表面は比較的平滑な損傷特性を示し、安定した電気特性を発揮している。
【００１３】
しかし近年では、一層の大電流遮断や一層の高電圧が印加される可能性のある回路への適応が日常的に行われる結果、接点として加工した新品時の表面の状態、電流遮断後の接点表面の損傷の状態などによっては、耐電圧不良を示し再点弧発生の一因となったり、次の電流の開閉時の接触抵抗の異常上昇や温度の異常上昇を引起こす原因となり、遮断特性の低下の一因となったりしている。
【００１４】
しかし、接点の表面状態を管理しても完全には再点弧発生を抑制することが出来ていないのが現実であり、十分な遮断特性が得られていないのが現実である。
【００１５】
ＣｕＣｒ合金の遮断特性と再点弧特性は、合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度分布、Ｃｒ粒子の偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度、接点表面および内部のガスの量や存在状態などに依存し、これらの最適化が重要となっている。上述した近年の適応状況では、これらの最適化を進めているにも拘らず、遮断特性にばらつきが発生したり、再点弧発生頻度にもばらつきが見られたりしている。優れた遮断特性と再点弧特性とを兼備した真空遮断器の実現は未達成であり、これらを両立させた真空遮断器の開発が期待されている。
【００１６】
この発明の目的は、遮断特性と再点弧特性の優れた真空遮断器を提供するにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に、本発明に係る真空遮断器は、１５〜８５重量％のＣｕ相から成る導電性成分と、残部としてのＣｒを主成分とする耐弧性成分とを含む合金からなり、昇温過程でのＣｕ相の摂氏で測定した溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、Ｃｕ相の摂氏で測定した凝固開始温度（発熱開始温度）Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が、３．５％以下である接点材料から成る接点を備えたことを特徴とする。
【００１８】
すなわちこの発明によって、安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。
【００１９】
［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が３．５％を越えると再点弧特性の低下と大きなバラツキが発生する。遮断特性も低下する。
【００２０】
これに対して、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が３．５％以下なら、安定した再点弧特性、遮断特性が得られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
本発明の一実施形態の主旨は、１５〜８５重量％（以下重量％を、単に％と表示する）のＣｕ相から成る導電性成分と、残部としてのＣｒを主成分とする耐弧性成分とを含む合金からなり、昇温過程でのＣｕ相の摂氏で測定した溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での、Ｃｕ相の摂氏で測定した凝固開始温度（発熱開始温度）Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が、３．５％以下である接点材料から成る接点を真空遮断器に搭載し、再点弧発生と遮断特性の安定化を図ることである。
【００２３】
本発明の実施形態で対象とする接点では、総Ｃｒ量が８５％を越えると、定格電流の開閉および大電流の遮断によって、接点部もしくは遮断器端子部の温度上昇特性や接触抵抗特性の低下を招き好ましくない。一方、総Ｃｒ量が１５％未満の接点では、電流遮断時に耐ア−ク性が劣り、遮断後の接点の表面損傷が著しく、再点弧特性が低下を招き好ましくない。
【００２４】
また、本発明の実施形態で対象とする接点におけるＣｒ粒子は、０．１〜１５０μｍの範囲の平均粒子直径（以下粒径）が好ましく、この範囲にあるＣｒ粒子が少なくとも７５％（容積％）を占める時、さらに安定した再点弧特性を発揮する。
【００２５】
本発明の実施形態として、Ｃｕ相から成る導電性成分と、残部としてのＣｒを主成分とする耐弧性成分とを含むＣｕ−Ｃｒ合金を、固相焼結法（Ｃｕ相の溶融温度以下の温度）、溶浸法（Ｃｕ相の溶融温度以上の温度）、溶解法、アーク溶解法、レーザ溶解法、プラズマ溶解法（Ｃｕ相およびＣｒの溶融温度以上の温度）、アトマイズド法（Ｃｕ相およびＣｒの溶融温度以上の温度）のいずれかによって製造した接点材料に於いて、昇温過程でのＣｕ相の溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での前記Ｃｕ相の凝固開始温度（発熱開始温度）Ｔ２との差と、溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１との比率、すなわち［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率を３．５％以下としてもよい。
【００２６】
すなわち、この発明は、Ｃｕ−Ｃｒ合金の製造方法の種類には関係なく、いずれかの方法によって得られたＣｕ−Ｃｒ合金自体の前記［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が３．５％以下であることが重要である。
【００２７】
また、本発明の実施形態として、Ｃｕ相から成る導電性成分と、残部としての、アトマイズド法、テルミット法、電気分解法のいずれかで製造したＣｒを主成分とする耐弧性成分とで構成されたＣｕ−Ｃｒ合金に於いて、昇温過程でのＣｕ相の溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後の冷却過程での前記Ｃｕ相の凝固開始温度（発熱開始温度）Ｔ２との差と、溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１との比率、すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率を３．５％以下としてもよい。
【００２８】
すなわち、この発明は、Ｃｕ−Ｃｒ合金の原料Ｃｒ粉の製造方法の種類には関係なく、いずれかの方法によって得られたＣｕ−Ｃｒ合金であっても、合金自体の前記［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が３．５％以下であることが重要である。
【００２９】
一般に、遮断によって接点面（被ア−ク点、ア−クを受けた近傍）は著しく高温度となる。昇温中の接点面は固体から液体となり液相が発生する。遮断完了と共に接点温度はやがて降下し、液体から固体（凝固）となり液相は消滅する。接点材料の材料物性、接点の冷却条件、遮断器の機械的条件などによって変動するが、液相が発生してから消滅するまでの時間（液相が存在している時間）の大小は、接点面が遮断特性、再点弧特性の維持、向上に対して好ましくない高い温度状態に止まっている時間の大小を指す。従って高い温度状態に止まっている時間の大小は、遮断特性、再点弧特性を左右する目安となる。
【００３０】
そこで、昇温過程でのＣｕ相の溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１と、少なくとも１２００℃に加熱した後、冷却させた時の冷却過程での前記Ｃｕ相の凝固開始温度（発熱開始温度）Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）と、溶融開始温度（吸熱開始温度）Ｔ１との比率、すなわち［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が重要な意味を持つ。Ｃｕの融点が１０８０℃であるにもかかわらず、１２００℃とする理由は、昇温過程でのＣｕ相が確実に液相となる為の目安の温度である。（Ｔ１−Ｔ２）値を小さくする為にＴ１を小とするかまたはＴ２値を大とする必要がある。
【００３１】
発明者らの別の実験によれば、別の手段で固体状態の接点面を加熱しながら耐電圧特性を連続測定すると、液相が出現した時点で耐電圧は大幅に低下（１０〜５０％）する現象を確認している。液相の出現は、ア−ク点近傍の熱物性の変化や表面（凹凸）の変化に影響を与えると共に、液相が存在している時間は、接点蒸気の放出状況、液状接点の噴出状況を左右し遮断特性に影響を与える。この様に、液相の出現と液相が存在している時間が、真空遮断器の遮断特性、耐電圧特性に影響を与えていることを示唆している。
【００３２】
真空バルブの再点弧特性、遮断特性の安定化には、従来から種々の技術が開発されてきた。例えば接点材料の組成、成分量の変動、ガス量、組織形態（粒度、粒度分布、偏析の程度、合金中に存在する空孔の程度）、接点の表面形態などに依存すると考えられている。さらに発明者らの観察によれば、再点弧特性のより一層の安定化には、上記に加えてＣｕＣｒ合金中のＣｕ相のＴ１（溶融開始温度）とＴ２（冷却過程での凝固開始温度）との差（Ｔ１−Ｔ２）値と、Ｔ１との比率［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率が深く関与していることが判った。この場合のＴ１及びＴ２は、便宜上（℃）で示す数値で決定される。
【００３３】
以下に本発明を実施例と比較例とで詳細に説明する。評価条件と評価結果を図１〜６に示す。
【００３４】
（１）再点弧特性
直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状接点片を、ディマウンタブル型真空バルブに装着し、２４ｋＶ×５００Ａの回路を２０００回遮断した時の再点弧発生頻度を測定した。尚、数値は実施例４の値を基準とした時の相対値を、バラツキ幅を持って比較した。
【００３５】
再点弧発生頻度が、０．１倍未満を評価（Ａ）、０．１〜０．８倍未満を評価（Ｂ）、　　０．８〜１．２倍未満を評価（Ｃ）、１．２〜１．５倍未満を評価（Ｄ）、１．５〜１０倍未満を評価（Ｘ）、１０〜１００倍未満を評価（Ｙ）、１００倍以上を評価（Ｚ）とした。
【００３６】
なお、評価（Ａ）〜（Ｄ）を「合格」、評価（Ｘ）〜（Ｚ）を「不良」の目安とした。
【００３７】
（２）遮断特性
直径７０ｍｍの接点を装着した遮断テスト用実験バルブを開閉装置に取り付けると共に、ベーキング、電圧エージング等を与えた後、２４ｋＶ、５０Ｈｚの回路に接続し、電流をほぼ１ｋＡずつ増加しながら遮断限界を真空バルブ３本につき評価した。尚、数値は実施例４の値を１．０とした時の比較値を、バラツキ幅を持って示したもので、評価の目安は倍率が０．９倍以上は合格、０．９倍未満は不合格である。
【００３８】
（３）遮断テスト用実験バルブの組立ての概要
遮断テスト用実験バルブの組立ての概要を示す。端面の平均表面粗さを約１．５μｍに研磨したセラミックス製絶縁容器（主成分：ＡＬ２Ｏ３）を用意し、このセラミックス製絶縁容器については、組立て前に１６００℃の前加熱処理を施した。封着金具として、板厚さ２ｍｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金を用意した。ロウ材として、厚さ０．１ｍｍの７２％Ａｇ−Ｃｕ合金板を用意した。上記用意した各部材を被接合物間（セラミックス製絶縁容器の端面と封着金具）に気密封着接合が可能なように配置して、５×１０−４Ｐａの真空雰囲気で封着金具とセラミックス製絶縁容器との気密封着工程に供した。
【００３９】
（４）供試接点合金の製造方法
Ｃｕ−Ｃｒ合金に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％とした上で、耐弧性成分として所定の粒子直径（好ましくは０．１〜１５０μｍ）を持つＣｒと、導電性成分として所定量のＣｕ（または０．３５％以下のＣｒを含有するＣｕＣｒ）とを準備する。これらを均一に分散する様に混合し成型した後、焼結熱処理（例えば１０３０℃）または焼結熱処理と溶浸熱処理（例えば１０００℃と１１５０℃を順次）を行い、Ｃｕ−Ｃｒ接点素材（実施例１〜４、比較例１〜２）またはＣｕＣｒ−Ｃｒ接点素材（実施例１３〜１５）を準備する。必要によりＣｕ−Ｃｒ合金のＣｕ相とＣｒ粒子との界面に、補助成分として粒子直径が好ましくは５μｍ以下を持つＣが存在するＣｕ−Ｃｒ−Ｃ接点素材（実施例５〜８、比較例３）を準備する。
【００４０】
これらの試料の製造に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を調整する１つの方法として、例えば▲１▼Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中に存在する主成分以外の微量成分の種類とその総量の制御で達成する。すなわちＣｕとＣｒとの界面に存在するＣ（Ｃ量はＣｕＣｒ合金に対して、０．０５％以下）、Ｃｕ相中のＣｒ（Ｃｕ量に対して０．３５％以下のＣｒ）、ＣｕおよびＣｒ中に存在するのＡｌ（Ｃｒ量に対して０．１％以下のＡｌ）、ＣｕおよびＣｒ中に存在するのＳｉ（Ｃｒ量に対して０．１％以下のＳｉ）が好適である。
【００４１】
これらの試料の製造に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を調整の他の方法として、例えば▲２▼焼結処理の温度と時間の制御で達成する。すなわち焼結温度は、Ｃｕ相中へのＣｒの拡散、ＣｕおよびＣｒ中へのＡｌの拡散、ＣｕおよびＣｒ中へのＳｉの拡散、ＣｕとＣｒとの界面に存在するＣ量などが［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を左右する。焼結処理の温度が９００℃近傍を越えると、拡散が異常に進展する。９００℃近傍より低下すると拡散不足となる。
【００４２】
これらの試料の製造に於ける［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を調整の他の方法として、例えば▲３▼焼結処理時の処理温度とその後の冷却速度の制御で達成する。すなわち、８００〜９００℃近傍の冷却速度を０．１〜１０℃／分の範囲で選択して、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を制御する。０．１℃／分を選択すると、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率は小さくなり、１０℃／分を選択すると［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率は大きくなる傾向を示す。実際には、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を一層小さくする為に、上記▲１▼▲２▼▲３▼単独よりも適宜組み合わせながら実施することが好ましい。
【００４３】
（５）ＣｕＣｒマトリックス中およびＣｒ粒子との界面のＣ量の測定
ＣｕＣｒマトリックス中、およびＣｕＣｒマトリックスとＣｒ粒子との界面のＣ量の確認は、例えば金属顕微鏡写真上でのＣの分布状態の観察時に同時に測定する方法、ＳＥＭ若しくはＥＤＸなどの測定装置により計測する方法などによって測定した。
【００４４】
（実施例１〜４、比較例１〜２）
本発明接点のポイントは、遮断器の遮断特性、再点弧特性に対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の溶融開始温度Ｔ１と冷却過程での凝固開始温度Ｔ２との差（Ｔ１−Ｔ２）値とＴ１との比率、すなわち［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率がポイントとなる。
【００４５】
本発明技術がその効果を効果的に発揮する為のＣｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量の範囲を、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点を製造する。工業的には、通常［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率は、５．０程度（以上）であることが多いので、製造時に使用するＣｒ原料中のＡｌ、Ｓｉ、Ｃを前記値以内に選択すると共に、焼結熱処理後の冷却条件を１℃／分程度とし、Ｃｕ相中のＣｒ量を０．０５％未満とする。
【００４６】
＜再点弧特性＞
再点弧特性（再点弧発生の頻度）は、接点中の総Ｃｕ量を８５％としたＣｕ−１５％Ｃｒ接点（実施例４）で、複数の遮断器を２４ｋＶ、２０００回遮断した時の再点弧発生頻度は１０〜３０回の範囲であった。本発明ではこの特性を性能上許容範囲とし、この接点の特性を基準とし実施例４とすると共に、他の実施例、比較例を相対評価した。
【００４７】
接点中の総Ｃｕ量を１５％（８５％Ｃｒ）としたＣｕ−８５％Ｃｒ接点では、０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）から０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示し、良好な再点弧特性を示した（実施例１）。
【００４８】
接点中の総Ｃｕ量を４５％（５５％Ｃｒ）としたＣｕ−５５％Ｃｒ接点では、前記実施例４と比較した再点弧発生頻度は、０．１倍未満（評価Ａ）から０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）を示し、極めて良好な再点弧特性を示した（実施例２）。
【００４９】
接点中の総Ｃｕ量を６５％（３５％Ｃｒ）としたＣｕ−３５％Ｃｒ接点でも、前記実施例４と比較した再点弧発生頻度は、０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）から０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示し、良好な再点弧特性を示した（実施例３）。
【００５０】
これに対して、接点中の総Ｃｒ量を１０％（９０％Ｃｒ）としたＣｕ−９０％Ｃｒ接点では、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％としたにもかかわらず、前記実施例４と比較した再点弧発生頻度は、１．５〜１０倍（評価Ｘ）と１０〜１００倍（評価Ｙ）を示し、極めて劣る再点弧特性を示した（比較例１）。
【００５１】
更に、接点中の総Ｃｕ量を更に増加した９５％（５％Ｃｒ）としたＣｕ−５％Ｃｒ接点では、前記実施例４と比較した再点弧の発生頻度は、１０〜１００倍（評価Ｙ）から１００倍以上（評価Ｚ）を示し、極めて劣る再点弧特性を示した（比較例２）。
【００５２】
したがって、本発明技術は、１５〜８５％Ｃｕを含有したＣｕ−Ｃｒ合金に対して適用する時、再点弧特性にその効果を発揮する。
【００５３】
＜遮断特性＞
接点中の総Ｃｕ量を８５％（１５％Ｃｒ）としたＣｕ−８５％Ｃｒ接点は良好な遮断特性を示し、これを基準接点とし、遮断特性を１．０とした（実施例４）。
【００５４】
接点中の総Ｃｕ量を１５％（８５％Ｃｒ）としたＣｕ−８５％Ｃｒ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、１．０〜１．１倍を示し、良好な遮断特性を示した（実施例１）。
【００５５】
接点中の総Ｃｕ量を４５％（５５％Ｃｒ）としたＣｕ−５５％Ｃｒ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、１．１倍から１．２倍を示し、良好な遮断特性を示した（実施例２）。
【００５６】
接点中の総Ｃｕ量を６５％（３５％Ｃｒ）としたＣｕ−３５％Ｃｒ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、１．２〜１．３倍を示し、極めて良好な遮断特性を示した（実施例３）。
【００５７】
これに対して、接点中の総Ｃｒ量を１０％（９０％Ｃｒ）としたＣｕ−９０％Ｃｒ接点では、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％としたにもかかわらず、前記実施例４と比較した遮断特性は、０．４〜０．６倍を示し、極めて劣る遮断特性を示した（比較例１）。
【００５８】
更に、接点中の総Ｃｕ量を更に増加した９５％（５％Ｃｒ）としたＣｕ−５％Ｃｒ接点では、前記実施例４と比較した遮断特性は、０．８〜０．９倍を示し、やや劣る遮断特性を示した（比較例２）。
【００５９】
以上の様に、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を制御してＣｕ−Ｃｒ合金の遮断特性、再点弧特性を向上させる為には、Ｃｕ量が１５〜８５％のＣｕ−Ｃｒ合金に対して適応するのが好ましい。
【００６０】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ量を１５〜８５％とすることにより、一定の導電率、機械的性質を維持する結果、安定した遮断特性、再点弧特性を示す。［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が好ましい３．５％以下であっても、Ｃｕ量が１５％未満では、十分な導電率、低い接触抵抗特性、低い温度特性が確保されず遮断特性が低下する。Ｃｕ量が８５％を越えると、再点弧特性に大きなばらつきが生ずる。
【００６１】
（実施例５〜８、比較例３）
前記実施例１〜４、比較例１〜２では、本発明技術を適応する接点として、Ｃｕ量が１５〜８５％のＣｕ−Ｃｒ合金が好ましいことを示した。本発明では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相とＣｒとの界面に補助成分（Ｃ成分）を存在させたＣｕ−Ｃｒ−Ｃ合金としても同等の効果を発揮する。補助成分を存在させることによって、ア−ク点から周辺（接触面および接点内部）への熱伝達を遅らせ（微少領域での熱伝導度を小さくしア−クを受けてから液相を生成させる時刻を遅らせる）、結果的に液相が存在している時間を短くし、（Ｔ１−Ｔ２）値を小さく調整する結果、再点弧特性、遮断特性に好ましい状態とする。遮断後の表面近傍の顕微鏡的組織観察の結果、一部のＣはＣｒと結合している状態が観察された。Ｃは、Ｃｒと結合する事によってＣｕ相への拡散が制御され、結果としてＣｕＣｒ界面付近の凝固温度を高くする（凝固温度が下がる現象を抑える）事になる。すなわち、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率を小さく抑える本発明では、この様な補助成分としてＣの存在効果を確認した。
【００６２】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中へ適量のＣを存在させる方法としては、次のような方法がある。
【００６３】
第１の方法として、混合作業に於いて、まずＣ量とＣｕ量との比率が容積的に同程度となる様に秤量し、ＣとＣｕとの混合粉を得て、次いで、この混合粉にＣｕのみを追加し混合してゆき、Ｃ量が０．００５％以下、０．０１〜０．１％に相当する微量のＣをＣｕ−Ｃｒ中に均一に分散させたＣｕ−Ｃｒ−Ｃ接点素材を得る。
【００６４】
第２の方法として、有機溶剤で希釈した高分子材料をＣｕ粉の表面層に被覆し、熱分解によってその表面にＣを析出させたＣｕ粉を得て、このＣｕ粉と所定のＣｒ粉とを混合する。この時希釈する有機溶剤の量と高分子材料の量を調節しながら、Ｃｕ−Ｃｒ中へのＣの量を調節する。これによって所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１％）のＣ量をＣｕ−Ｃｒ中に均一に分散させたＣｕ−Ｃｒ−Ｃ接点素材を得る。
【００６５】
第３の方法として、Ｃｕ粉とＣｒ粉とをあらかじめ混合した混合粉を前記第２の方法に従って、有機溶剤で希釈した高分子材料を混合粉表面層に被覆し、熱分解によって混合粉の表面にＣを析出さる。これによって所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１％）のＣ量をＣｕ−Ｃｒ中に均一に分散させたＣｕ−Ｃｒ−Ｃ接点素材を得る。
【００６６】
第４の方法として、前記第１の方法を実施するに於いて、第２の方法で得たＣｕ粉を使用する。これによって所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１％）のＣ量をＣｕ−Ｃｒ中に均一に分散させたＣｕ−Ｃｒ−Ｃ接点素材を得る。
【００６７】
第５の方法として、前記第１の方法を実施するに於いて、第３の方法で得たＣｕ粉とＣｒ粉とをあらかじめ混合した混合粉を使用する。これによって所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１％）のＣをＣｕ−Ｃｒ中に均一に分散させたＣｕ−Ｃｒ−Ｃ接点素材を得る。
【００６８】
なお、Ｃｕ−Ｃｒ−Ｃ接点では、Ｃの粒子直径が著しく微細である、Ｃの量が極めて少量である、機械的な混合法ではＣ粒子の持つ潤滑性のために効果的な混合が行えない、などが原因となって、良質な接点素材が得られない。そこで本発明では、上記した第１〜５の方法を適宜選択し組み合わせることによって、Ｃｕ−Ｃｒ中のＣの量を所定量範囲（０．００５％以下、０．０１〜０．１％）とした供試接点を得る。
【００６９】
＜再点弧特性＞
接点中のＣｕ−Ｃｒ合金中のＣの量を０．００５％、０．０１％、０．０３％、０．０５％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等の良好な特性０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）と０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示した（実施例５〜７）。
【００７０】
接点中のＣｕ−Ｃｒ合金中のＣの量を０．０５％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等の良好な特性０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示した（実施例８）。
【００７１】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣの量を０．１％とした接点では、Ｃｕ−Ｃｒ中のＣには凝集が見られ、評価した接点によって再点弧の発生頻度に大きなバラツキが見られ、基準接点（実施例４）と比較した再点弧の発生頻度は、１０倍以上〜１００倍未満、１００倍以上（評価Ｙ〜Ｚ）を示し、極めて好ましくない再点弧特性を示した（比較例３）。
【００７２】
なお、接点中のＣｕ−Ｃｒ中のＣの量を０．００５％未満とする接点では、再点弧特性はさらに良好である。０．００５％未満のＣの量を持つＣｕ−Ｃｒ合金の製造は、原料の精製（熱処理温度の高温度化による不純物の熱分解の促進）、混合および焼結熱処理工程（粉塵混入の防止）、熱処理用容器材質の選択（Ｃの混入の防止）、熱処理雰囲気と温度の調整と熱処理回数の増加などで調整する。
【００７３】
＜遮断特性＞
次いで、遮断特性の評価は、各接点について遮断電流値を測定し、前記実施例４の遮断電流値を１．０とした時の倍率で示した。
【００７４】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣの量を０．００５％、０．０１％、０．０３％および０．０５％とした接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等以上の良好な遮断特性１．１〜１．２倍を示した（実施例５〜８）。
【００７５】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣの量を０．１％とした接点では、Ｃｕ−Ｃｒ中のＣの凝集によって、評価した接点によって遮断特性に大きなバラツキが見られ、基準接点（実施例４）と比較した遮断特性は、０．３〜０．６倍を示し、極めて好ましくない遮断特性を示した（比較例３）。
【００７６】
実施例５に於いて遮断テストに供した後の接点について、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣの分布状態を観察すると、良好な分散を確認した。遮断電流による熱入力に対して断熱効果を十分発揮し、液相が存在する時間を短縮したものと考えられ、その結果遮断特性の向上に寄与したものと考えられる。遮断電流が消滅した時には、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣの断熱効果よりも、熱容量の大幅に大きな近接する電極、導電軸の冷却効果が優先し急速に冷却される為、液相が存在する時間の長短は、液相の生成時刻を遅らせることにのみ依存する。
【００７７】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の遮断特性、再点弧特性を向上させる為には、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を制御することが必須であるが、さらに０．０５％以下のＣ量を含む１５〜８５％Ｃｕ−Ｃｒ−Ｃ合金に対して適応すると一層好ましい。
【００７８】
すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣ量を０．０５％以下としたＣｕ−Ｃｒ−Ｃ合金に対して、前記［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を３．５％以下とすることによって、遮断特性、再点弧特性は標準とした実施例４と同等以上の好ましい特性を示す。この比率が３．５％を越えると、耐電圧特性、とりわけ再点弧特性、遮断特性の低下が見られる。
【００７９】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣ量が０．０５％を越えると、［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が３．５％以下であっても、ＣはＣｕ相中に集合したり凝集したりした状態となって存在する傾向にあり、素材特性の均質性を損なう結果、再点弧発生頻度にはバラツキを伴う傾向を示すと共に、遮断特性も低下させ、両特性の両立は得られない。Ｃｕ相中のＣ量が０．０５％以下の場合には、低い再点弧発生頻度を発揮すると共に、遮断特性にも好影響を与えている。
【００８０】
なお、Ｃｕ−Ｃｒ接点中のＣの粒子直径（形状が球形でない場合には球に換算した時の直径）または集合体の直径は、５μｍ以下（形状が球形でない場合には球に換算した時の直径）であることが望ましい。Ｃの粒子直径が５μｍ以下では、再点弧の発生頻度のバラツキが少なくなると共に、遮断時の電流による熱流のバランスが良くなり、遮断特性のバラツキも少なくなる。
【００８１】
（実施例９〜１２、比較例４）
前記実施例１〜８、比較例１〜３では、Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７％で一定とした接点について示したが、本発明技術ではこれに限ることなくその効果を発揮する。
【００８２】
＜再点弧特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を０．０１〜０．２％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、極めて良好な特性０．１倍未満（評価Ａ）を示した（実施例９）。液相の存在期間を極めて短くした効果が十分見られる。
【００８３】
このようにＴ１とＴ２とが近似した状態の接点を得る効果的な手段の１つは、あらかじめ原料Ｃｕを移動速度１ｃｍ／６０分程度の一方向溶解によって、不純物元素やガス状成分などＣｕ中に余分に存在する元素を特に十分に小さくしておくことと、あらかじめ原料Ｃｒ粉を真空中で少なくとも１３５０℃の温度で加熱処理しておくことである。ついでこれらを汚染させずに焼結して接点を得るのが基本である。焼結熱処理に際しては、その表面に同程度以上に清浄な状態のＣｒを被覆した容器を選択して使用する。
【００８４】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．４〜１．５％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、極めて良好な特性０．１倍未満（評価Ａ）ないし０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）を示した（実施例１０）。
【００８５】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を２．４〜２．５％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等の良好な特性０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示した（実施例１１）。
【００８６】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を３．４〜３．５％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等の良好な特性０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）ないし１．２〜１．５倍未満（評価Ｄ）を示した（実施例１２）。
【００８７】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を５．４〜５．５％とした接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、１．２〜１．５倍未満（評価Ｄ）ないし１０以上〜１００倍（評価Ｙ）の如く、大きなバラツキと極めて好ましくない再点弧特性を示した（比較例４）。
【００８８】
＜遮断特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を０．０１〜０．２％とした場合には、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．２５〜１．３倍の極めて良好な遮断特性を示した（実施例９）。
【００８９】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．４〜１．５％とした場合には、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．２５〜１．３５倍の極めて良好な遮断特性を示した（実施例１０）。
【００９０】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を２．４〜２．５％とした場合には、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．１５〜１．２倍の極めて良好な遮断特性を示した（実施例１１）。
【００９１】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を３．４〜３．５％とした場合には、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．０〜１．１倍の良好な遮断特性を示した（実施例１２）。
【００９２】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を５．４〜５．５％とした接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、０．８〜１．０倍の如く、大きなバラツキと極めて好ましくない遮断特性を示した（比較例４）。
【００９３】
以上の様に、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を３．５％以下に制御したＣｕ−Ｃｒ合金に於いて、遮断特性、再点弧特性を向上させる。
【００９４】
（実施例１３〜１５）
前記実施例１〜１２、比較例１〜４では、接点中の導電性成分をＣｕ（特に吟味しない一般の純Ｃｕ）を使用したＣｕ−Ｃｒ合金について、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率に及ぼす効果について示したが、本発明技術ではＣｕ−Ｃｒ合金中の導電性成分は純Ｃｕに限ることなくその効果を発揮する。すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ合金中の導電性成分を純Ｃｕの代わりにＣｕ（Ｃｒ）としたＣｕ（Ｃｒ）−Ｃｒ合金としても同等の効果を発揮する。
【００９５】
＜再点弧特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中に０．０５％のＣｒを含有させたＣｕ（０．０５Ｃｒ）−Ｃｒ接点、０．１５％のＣｒを含有させたＣｕ（０．１５Ｃｒ）−Ｃｒ接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、同等以上の良好な特性０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）を示した（実施例１３〜１４）。
【００９６】
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中に０．３５％のＣｒを含有させたＣｕ（０．３５Ｃｒ）−Ｃｒ接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、良好な特性０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）ないし０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示した（実施例１５）。
【００９７】
＜遮断特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相中に含有するＣｒの量を０．０５％、０．１５％、０．３５％とした接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、同等以上の良好な遮断特性１．２５〜１．３５倍（０．０５％の場合）。１．１〜１．２倍（０．１５％の場合）。１．０〜１．１倍（０．３５％の場合）を示した（実施例１３〜１５）。
【００９８】
以上の様に、Ｃｕ相中に０．３５％以下のＣｒを含有させたＣｕ（Ｃｒ）−Ｃｒ合金に於いて、遮断特性、再点弧特性を向上させる。Ｃｒの量が０．３５％を越えると、接点の製造技術上経済性の面で問題であると共に、接点の導電率を著しく低下させ、接点部温度もしくは遮断器端子部温度の上昇を招き、その結果遮断特性の維持に好ましくない。
【００９９】
すなわち、Ｃｕ量に対して０．３５％以下のＣｒを含有させたＣｕ−Ｃｒ合金に対して、前記［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率を３．５％以下とすることによって、遮断特性、再点弧特性は標準とした実施例４と同等以上の好ましい特性を示す。この比率が３．５％を越えると、耐電圧特性、とりわけ再点弧特性、遮断特性の低下が見られる。
【０１００】
しかし［（Ｔ１−Ｔ２）／（Ｔ１）］比率が好ましい範囲である３．５％以下であっても、Ｃｕ量に対するＣｒ量が０．３５％を越えて存在すると、再点弧特性、遮断特性の両立が得られない。Ｃｕ−Ｃｒ合金自体の導電率、熱伝導率が大幅に低下し、遮断特性の低下が見られる。
【０１０１】
（実施例１６〜１８、比較例５）
前記実施例１〜８、比較例１〜３では、Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７に一定とした接点に於いて、耐弧性成分としてＣｒを使用した例について示したが、本発明技術ではＣｒに限ることなくその効果を発揮する。
【０１０２】
＜再点弧特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７で一定とした接点に於いて、耐弧性成分としてＣｒの一部をＷで置換したＣｒＷ（Ｃｒ：Ｗ＝重量比９５：５、Ｃｒ：Ｗ＝重量比７５：２５、Ｃｒ：Ｗ＝重量比５０：５０）としたＣｕ−ＣｒＷ接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、いずれも極めて良好な特性０．１倍未満（評価Ａ）ないし０．１〜０．８倍未満（評価Ｂ）を示した（実施例１６〜１８）。
【０１０３】
ＣｒＷの形成によって、Ｃｒ粒子の熱的安定性および機械的特性を改善し、その結果再点弧発生の一因となる遮断時のＣｒ粒子の脱落を抑制する。また適量のＷの存在は、Ｃｒの粒子成長を抑制し、Ｃｒの微細分散化にも有益に作用する。遮断後の接点面のＳＥＭ観察によれば、脱落したＣｒ粒子の付着が減少している。［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率が、３．４〜３．５の場合でも同様の現象がみられ、その結果、再点弧特性も良好な特性（評価Ｂ〜Ｃ）を発揮した。
【０１０４】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７に一定とした接点に於いて、耐弧性成分としてのＣｒの一部をＷで置換したＣｒＷ（Ｃｒ：Ｗ＝重量比２５：７５）としたＣｕ−ＣｒＷ接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、一部の遮断器では好ましい０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を発揮したが、１．５倍以上〜１０倍（評価Ｘ）を示し、再点弧の発生頻度に大きなバラツキが見られ、極めて好ましくない再点弧特性を示した（比較例５）。Ｗの増加により高融点化したＣｒＷからの過度の熱電子放出によるものである。
【０１０５】
＜遮断特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を１．６〜１．７で一定とした接点に於いて、耐弧性成分としてのＣｒの一部をＷで置換したＣｒＷ（Ｃｒ：Ｗ＝重量比９５：５）としたＣｕ−ＣｒＷ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．２〜１．３倍の極めて良好な遮断特性を示した（実施例１６）。
【０１０６】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてのＣｒの一部をＷで置換したＣｒＷ（Ｃｒ：Ｗ＝重量比７５：２５）としたＣｕ−ＣｒＷ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．３〜１．４５倍の極めて良好な遮断特性を示した（実施例１７）。
【０１０７】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてのＣｒの一部をＷで置換したＣｒＷ（Ｃｒ：Ｗ＝重量比５０：５０）としたＣｕ−ＣｒＷ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．２５〜１．３５倍の極めて良好な遮断特性を示した（実施例１８）。
【０１０８】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてのＣｒの一部をＷで置換したＣｒＷ（Ｃｒ：Ｗ＝重量比２５：７５）としたＣｕ−ＣｒＷ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、０．７５〜０．９５倍の極めて好ましくない遮断特性を示した（比較例５）。
【０１０９】
以上の様に、Ｃｕ−Ｃｒ合金の再点弧特性、遮断特性の向上に対して、耐弧性成分としてＣｒの一部を所定量比以内のＷで置換したＣｒＷは、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を３．５以下に制御した効果と相俟って有益である。
【０１１０】
すなわち、ＣｒにＷを含有させＣｒＷとすることによって、Ｃｒの液相線温度および固相線温度を上昇させる。遮断時に電極空間に放出される蒸気量を適度に調整し、遮断特性の改善に貢献する。その量が５０％以下の時に安定した遮断特性、再点弧特性を得る。５０％を越えるとＣｒＷ自体が高融点化し遮断特性の低下を招く。なおＣｒＷとすることによって機械的強度を調整しＣｒ粒子の脱落が引き金となって引起こされる再点弧発生を軽減化する。
【０１１１】
（実施例１９〜２１）
前記実施例１６〜１８では、耐弧性成分としてＣｒの一部を５０％以下のＷで置換したＣｒＷ（Ｃｒ：Ｗ＝重量比）としたＣｕ−ＣｒＷ接点では、基準接点に対して、良好な再点弧特性、遮断特性を示した。本発明技術では、耐弧性成分としてＣｒの一部に置換する元素は、Ｗに限ることなく発揮する。
【０１１２】
＜再点弧特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてＣｒの一部をＭｏ、Ｔａ、Ｎｂの１つで置換してＣｒＭｏ、ＣｒＴａ、ＣｒＮｂとしたＣｕ−ＣｒＭｏ、Ｃｕ−ＣｒＴａ、Ｃｕ−ＣｒＮｂ接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、いずれも極めて良好な特性０．１〜０．８未満（評価Ｂ）ないし０．８〜１．２倍未満（評価Ｃ）を示した（実施例１９〜２１）。
【０１１３】
＜遮断特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてのＣｒの一部をＭｏで置換したＣｒＭｏ（Ｃｒ：Ｍｏ＝重量比７５：２５）としたＣｕ−ＣｒＭｏ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．１〜１．１５倍の良好な遮断特性を示した（実施例１９）。
【０１１４】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてのＣｒの一部をＴａで置換したＣｒＴａ（Ｃｒ：Ｔａ＝重量比７５：２５）としたＣｕ−ＣｒＴａ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．０〜１．１倍の良好な遮断特性を示した（実施例２０）。
【０１１５】
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてのＣｒの一部をＮｂで置換したＣｒＮｂ（Ｃｒ：Ｎｂ＝重量比７５：２５）としたＣｕ−ＣｒＮｂ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、１．０〜１．０５倍の良好な遮断特性を示した（実施例２１）。
【０１１６】
以上の様に、Ｃｕ−Ｃｒ合金の再点弧特性、遮断特性の向上に対して、耐弧性成分としてＣｒの一部を所定量比以内のＭｏ、Ｔａ、Ｎｂで置換したＣｕ−ＣｒＭｏ、Ｃｕ−ＣｒＴａ、Ｃｕ−ＣｒＮｂ接点は、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を３．５以下に制御した効果と相俟って有益である。
【０１１７】
すなわち、ＣｒにＭｏ、Ｔａ、またはＮｂを含有させ、ＣｒＭｏ、ＣｒＴａ、またはＣｒＮｂとすることによって、遮断時に電極空間に放出されるＣｒの蒸気量を適度に調整し、遮断特性の改善に貢献する。その量が５０％以下の時に安定した遮断特性、再点弧特性を得る。
【０１１８】
（実施例２２〜２７、比較例６〜７）
前記実施例１６〜２１では、耐弧性成分としてＣｒの一部を５０％以下のＷ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂの１つで置換したＣｒＷ、ＣｒＭｏ、ＣｒＴａ、ＣｒＮｂとしたＣｕ−ＣｒＷ、Ｃｕ−ＣｒＭｏ、Ｃｕ−ＣｒＴａ、Ｃｕ−ＣｒＮｂ接点であっても、基準接点に対して、良好な再点弧特性、遮断特性を示した。本発明技術での耐弧性成分は、これらに限ることなく発揮する。
【０１１９】
＜再点弧特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてＣｒの一部を０．００１〜０．１％のＡｌ、Ｓｉの１つで置換したＣｕ−ＣｒＡｌ、Ｃｕ−ＣｒＳｉ接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、いずれも良好な特性０．１倍未満（評価Ａ）ないし１．２〜１．５倍（評価Ｄ）を示した（実施例２２〜２７）。
【０１２０】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてＣｒの一部を、０．３％のＡｌ、Ｓｉの１つで置換したＣｕ−ＣｒＡｌ、Ｃｕ−ＣｒＳｉ接点では、基準接点とした実施例４の再点弧特性と比較して、１．５倍以上〜１０倍（評価Ｘ）ないし１００倍以上（評価Ｚ）を示し、再点弧の発生頻度に大きなバラツキが見られ、極めて好ましくない再点弧特性を示した（比較例６〜７）。
【０１２１】
＜遮断特性＞
Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてＣｒの一部を０．００１％〜０．１％のＡｌ又はＳｉの１つと置換したＣｕ−ＣｒＡｌ、Ｃｕ−ＣｒＳｉ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、０．９〜１．１５倍の良好な遮断特性を示した（実施例２２〜２７）。
【０１２２】
これに対して、Ｃｕ−Ｃｒ合金の耐弧性成分としてＣｒの一部を、０．３％のＡｌ、Ｓｉの１つで置換したＣｕ−ＣｒＡｌ、Ｃｕ−ＣｒＳｉ接点では、基準接点とした実施例４の遮断特性と比較して、０．６〜０．９倍の極めて好ましくない遮断特性を示した（比較例６〜７）。
【０１２３】
以上の様に、Ｃｕ−Ｃｒ合金の再点弧特性、遮断特性の向上に対して、耐弧性成分としてＣｒの一部を所定量比以内のＡｌ、Ｓｉで置換したＣｕ−ＣｒＡｌ、Ｃｕ−ＣｒＳｉ接点は、［（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１］比率を３．５以下に制御した効果と相俟って有益である。
【０１２４】
すなわち、Ｃｒ中に０．１％以下のＡｌ、またはＳｉを含有させることにより、Ｃｕ−Ｃｒ合金の遮断特性、再点弧特性を改善する。これに対して０．３％Ａｌ、または０．３％Ｓｉでは、遮断特性、再点弧特性に大きなばらつきが生ずるとともにこれらの特性の両立が得られない。
【０１２５】
【発明の効果】
本発明によれば、遮断によって接点面の一部分が溶融してから、これが消滅するまでの間の時間（液相が存在している時間）を短く制御したので、再点弧特性と遮断特性とを両立させた真空遮断器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空遮断器の実施例１〜８および比較例１〜３の評価条件を示す表図。
【図２】本発明に係る真空遮断器の実施例９〜１８および比較例４〜５の評価条件を示す表図。
【図３】本発明に係る真空遮断器の実施例１９〜２７および比較例６〜７の評価条件を示す表図。
【図４】本発明に係る真空遮断器の実施例１〜８および比較例１〜３の評価結果を示す表図。
【図５】本発明に係る真空遮断器の実施例９〜１８および比較例４〜５の評価結果を示す表図。
【図６】本発明に係る真空遮断器の実施例１９〜２７および比較例６〜７の評価結果を示す表図。
【図７】代表的な真空バルブの構成を示す図。
【図８】代表的な真空バルブの他の構成を示す図。
【符号の説明】
４０…電極（接点５１の背面）
４１…固定接点
５０…電極（接点５１の背面）
５１…可動接点
１０１…絶縁容器
１０２ａ…固定側蓋体
１０２ｂ…可動側蓋体
１０３…真空容器
１０４…固定接点
１０６…固定通電軸
１０７…可動通電軸
１０８…べローズ
１０９…アークシールド
Ｍ…通電軸１０７の移動方向
【図１】
2004071435.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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