(57)【要約】【課題】電源の安定化を図ることができると共に、メモリのデータ保持性能を高めることができ、また、電子機器本体の電源がオンされた場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、電子機器が正常に再起動しなくなることを防ぐことができる電子機器及び電子機器のバックアップ電源制御方法及び装置及び制御プログラム及び記憶媒体を提供する。【解決手段】電子機器本体１の周囲環境温度を測定する温度センサー７と、温度センサー７によって測定された周囲環境温度に対応してメモリ９のバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する電源コントローラ１３とを備えた。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項３】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項４】
前記温度測定手段は、温度変化に対して抵抗値が変化する負の温度係数を有する温度依存性抵抗素子と、温度変化に対して抵抗値が変化しない温度非依存性抵抗素子とを直列に接続して構成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給することにより、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項６】
前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給され且つ予め設定された周囲環境温度の範囲内であれば、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項７】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、
前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御方法。
【請求項８】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、
前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御方法。
【請求項９】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定ステップと、
前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御方法。
【請求項１０】
前記温度測定手段は、温度変化に対して抵抗値が変化する負の温度係数を有する温度依存性抵抗素子と、温度変化に対して抵抗値が変化しない温度非依存性抵抗素子とを直列に接続して構成したことを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御方法。
【請求項１１】
前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給することにより、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御方法。
【請求項１２】
前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給され且つ予め設定された周囲環境温度の範囲内であれば、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御方法。
【請求項１３】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御装置。
【請求項１４】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御装置。
【請求項１５】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、
前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定手段と、
前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器のバックアップ電源制御装置。
【請求項１６】
前記温度測定手段は、温度変化に対して抵抗値が変化する負の温度係数を有する温度依存性抵抗素子と、温度変化に対して抵抗値が変化しない温度非依存性抵抗素子とを直列に接続して構成したことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御装置。
【請求項１７】
前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給することにより、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御装置。
【請求項１８】
前記メモリは、前記電子機器本体の電源がオフ状態にあっても、前記メモリに予め設定されている電圧値の電源を供給され且つ予め設定された周囲環境温度の範囲内であれば、前記メモリに記憶されているデータを保持する機能を有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の電子機器のバックアップ電源制御装置。
【請求項１９】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、
電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする制御プログラム。
【請求項２０】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする制御プログラム。
【請求項２１】
電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、
電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする制御プログラム。
【請求項２２】
請求項１９乃至２１に記載の制御プログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器本体の電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器及び電子機器のバックアップ電源制御方法及び装置及び制御プログラム及び記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、携帯用の電子機器には、電子機器本体の電源として、ニッケル水素電池やリチウムイオン電池等のメインバッテリーを備えており、前記メインバッテリーから電子機器の電源回路を介して各回路に対して電源を、予め設定された電圧に変換して供給するようになっている。
【０００３】
前記電源回路は、電子機器本体の電源がオンになった場合には、動作可能な所定の電圧の電源をメモリに対して供給するが、前記電源がオフの場合には、前記メインバッテリーの消費電力を低くするために、前記電圧を前記電源がオン時の供給電圧値よりも低く設定する場合がある。
【０００４】
また、一般に電子機器には、前記メインバッテリーとは別の電源供給源としてサブバッテリーを備えている。そして、前記電子機器本体の電源がオフ時において、前記メインバッテリーの交換作業や前記メインバッテリーの残量が少なくなることにより電源供給ができなくなった場合に、前記サブバッテリーから電源供給を行うことが可能となるが、一般的に前記サブバッテリーは前記メインバッテリーよりも容量が小さく、バッテリー標準電圧値も低くなっており、そのためにメモリに対するバックアップ電源電圧値を、前記電子機器本体の電源がオン時の供給電圧値よりも低電圧に設定する場合がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
電子機器本体の電源がオフ状態で、バックアップ電源回路からメモリに対して電源が供給されている場合において、電子機器の周囲環境温度が常温或いは常温以上でメモリのデータ保持保証温度範囲内であった場合には、バックアップ電源の電圧値についても安定して供給することが可能となる。
【０００６】
しかしながら、前記周囲環境温度が低温で且つメモリのデータ保持保証温度範囲内である場合には、バックアップ電源供給回路を構成するコンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇或いはメモリの内部抵抗値の減少に伴う漏れ電流の増加により、バックアップ電源電圧が維持できなくなり、メモリのデータ保持電圧値の保証範囲を下回ってしまうことが考えられる。
【０００７】
この場合、メモリに保持されていたデータが全て消去されてしまうことが考えられる。
【０００８】
また、瞬間的な電圧低下が発生した場合には、メモリ内部の一部分が破壊されることが考えられ、この場合には、電子機器本体の電源をオンした場合には、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、プログラムの一部が破壊された場合には、電子機器が正常に再起動しなくなることもあり得る。
【０００９】
また、バックアップ電源が所定の電圧を維持して電源の供給を行っていたとしても、前記周囲環境温度がメモリのデータ保持保証温度範囲を超えてしまった場合においては、当然メモリ内部のデータが正常か否かの保証はされず、前述したようなメモリ内部の一部分が破壊されることが考えられる。
【００１０】
この場合には、同様に電子機器本体の電源をオンした場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、プログラムの一部が破壊された場合に、電子機器が正常に再起動しなくなることもあり得る。
【００１１】
本発明は、上述した従来技術の有する問題点を解消するためになされたもので、その目的は、電源の安定化を図ることができると共に、メモリのデータ保持性能を高めることができ、また、電子機器本体の電源がオンされた場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、電子機器が正常に再起動しなくなることを防ぐことができる電子機器及び電子機器のバックアップ電源制御方法及び装置及び制御プログラム及び記憶媒体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の電子機器は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１３】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給して該メモリのデータを保持する機能を備えた電子機器において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御方法は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする。
【００１６】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御方法は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御方法は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御方法において、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御ステップとを備えたことを特徴とする。
【００１８】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御装置は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００１９】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御装置は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００２０】
また、上記目的を達成するために本発明の電子機器のバックアップ電源制御装置は、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置において、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定手段と、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定手段と、前記温度測定手段によって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【００２１】
また、上記目的を達成するために本発明の制御プログラムは、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、電子機器本体の周囲環境温度を測定する温度測定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記メモリのバックアップ電源の電圧値を変化させるように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする。
【００２２】
また、上記目的を達成するために本発明の制御プログラムは、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を少なくとも２種類以上の値に設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を予め設定された電圧値に変更するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする。
【００２３】
また、上記目的を達成するために本発明の制御プログラムは、電源がオフ時においてもメモリにバックアップ電源を供給してメモリのデータを保持する機能を備えた電子機器のバックアップ電源制御装置を制御するコンピュータ読み取り可能な制御プログラムにおいて、電子機器本体の周囲環境温度を温度測定手段により測定する温度測定ステップと、前記メモリのバックアップ電源の電圧値を０Ｖに設定可能な電圧値設定ステップと、前記温度測定ステップによって測定された周囲環境温度に対応して前記バックアップ電源を０Ｖに設定するように制御する制御ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムコードから成ることを特徴とする。
【００２４】
更に、上記目的を達成するために本発明の記憶媒体は、前記制御プログラムを格納したことを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２６】
（第一実施の形態）
まず、本発明の第一実施の形態を図１乃至図５に基づき説明する。
【００２７】
尚、以下の説明では、本発明の好適例として、メインメモリ及びバックアップメモリとしてＳＲＡＭ（スタティックランダムアクセスメモリ）を備えた電子機器及び電子機器のバックアップ電源制御方法及び装置について述べることとする。
【００２８】
図１は、本実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を備えた電子機器の構成を示すブロック図である。
【００２９】
図１において、１は電子機器本体で、システム部２、メインバッテリー（メイン電源）３、サブバッテリー（サブ電源）４、電源オン・オフスイッチ５、電源回路部６及び温度センサー（温度測定手段）７を有している。
【００３０】
システム部２は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）８、主記憶装置（メモリ）９、表示装置１０、補助記憶装置１１及び入力装置１２を有している。ＣＰＵ８は、電子機器全体の制御を司るものである。主記憶装置９は、アプリケーションプログラムやデータを格納するものであり、本実施の形態においては、ＳＲＡＭ（スタティックランダムアクセスメモリ）で構成されている。表示装置１０は、文字等を表示するものである。補助記憶装置１１は、メモリカードやハードディスク等のファイルを読み書き可能なものである。入力装置１２は、キーボードやタッチパネル等によりデータを入力するものである。
【００３１】
メインバッテリー３は、電子機器本体１に電源を供給するものである。サブバッテリー４は、メインバッテリー３からの電源供給が行われない場合にバックアップ用電源の供給源となるものである。電源オン・オフスイッチ５は、電子機器本体１の電源をオン・オフするものである。電源回路部６は、システム部１に対して予め設定された電源を供給するためのもので、電源コントローラ（制御手段）１３を有している。この電源コントローラ１３は、電子機器本体１の電源オン・オフやＬｏｗ・Ｂａｔｔｅｒｙ電圧検出時に電源をオフする機能を備えたワンチップマイコン等で構成されている。温度センサー７は、電子機器本体１の周囲環境温度を検出するものであり、本実施の形態では、温度に対して抵抗値が変化する感温抵抗素子であるサーミスタにより構成されている。
【００３２】
図１において、１４はバックアップ用電源ＶＢＢで、主に電子機器本体１の電源がオフになっている場合に、メモリ９や図示しないＲＴＣ（リアルタイムクロック）等に供給されるものであり、本実施の形態においては、電子機器本体１の電源がオフされている場合についても、メモリ９に対しては電源供給を行うものとし、メインバッテリー３及びサブバッテリー４を電源供給源とする。
【００３３】
また、図１において、１５はメイン電源ＶＣＣで、電子機器本体１の電源がオンされている場合にシステム部２に供給されるものである。
【００３４】
尚、本実施の形態において、メモリ９にＳＲＡＭを使用することにより、電子機器本体１の電源がオフであっても、クロックやリフレッシュ信号をＣＰＵ８から供給することなく、所定の電圧を有する電源を前記ＳＲＡＭに対して供給し続けることにより、該ＳＲＡＭに記憶されたデータやプログラム等を保持することが可能となる。
【００３５】
また、本実施の形態における前記ＳＲＡＭに関しては、書き込みや読み込み等の動作時には５．０Ｖの電圧値を有する電源が必要であり、電子機器本体１の電源がオフ時におけるデータを保持するモードでは３．３Ｖ〜５．０Ｖの電圧値を有する電源の供給を必要とするメモリ９である。
【００３６】
図２は、本実施の形態に係る電子機器における電源回路部６の構成を示すブロック図である。
【００３７】
図２において、Ｑ１は第一のＰｃｈのＦＥＴ（電界効果トランジスタ）で、メインバッテリー３と後述するＤＣ−ＤＣコンバータ２０との間に接続されている。Ｑ２は第一のＮＰＮトランジスタで、第一のＰｃｈのＦＥＴＱ１を駆動するものである。Ｑ３は第二のＰｃｈのＦＥＴで、サブバッテリー４とバックアップ用電源供給回路との間に接続されている。Ｑ４は第二のＮＰＮトランジスタで、第二のＰｃｈのＦＥＴＱ３を駆動するものである。
【００３８】
Ｒ１は第一のＰｃｈのＦＥＴＱ１の駆動用抵抗、Ｒ２は第二のＰｃｈのＦＥＴＱ３の駆動用抵抗、Ｒ３は後述するシャントレギュレータ２４の第一の電流制限用抵抗、Ｒ４，Ｒ５は第一及び第二の分圧用抵抗で、電源コントローラ１３のＡＤコンバータに接続された後述するＬｏｗ・Ｂａｔｔｅｒｙ電圧値ＭＢＡＴ２８を検出するものである。Ｒ６は第二の電流制限抵抗で、後述する第四のダイオード（電源漏れ防止用）Ｄ４に接続されたサブバッテリー４の充電電流を制限するものである。
【００３９】
Ｄ１は第一のダイオード（逆流防止用）で、電子機器本体１の電源がオンの場合に動作する後述するＤＣ−ＤＣコンバータ２０に接続されている。Ｄ２は第二のダイオード（逆流防止用）で、後述する第一のボルテージレギュレータ（ＲＥＧ１）２１に接続されている。Ｄ３は第三のダイオード（逆流防止用）で、後述する第二のボルテージレギュレータ（ＲＥＧ２）２２に接続されている。Ｄ４は第四のダイオード（電源漏れ防止用）で、後述する第三のボルテージレギュレータ（ＲＥＧ３）３１と第二の電流制限抵抗Ｒ６との間に接続されている。第四のダイオードＤ４は、メインバッテリー３の電圧が極端に低下した場合や、電子機器本体１からメインバッテリー３が取り外された場合に、サブバッテリー４からメインバッテリー３の電源供給ラインへの電源の漏れを防ぐためのものである。Ｄ５，Ｄ６は第五及び第六のダイオード（逆流防止用）で、メインバッテリー３及びサブバッテリー４の両方からバックアップ電源回路へ電源を供給可能にするものである。
【００４０】
尚、本実施の形態においては、サブバッテリー４は充電可能な二次バッテリーであり、メインバッテリー３の電圧値が一定以上ある場合には、後述する第三のボルテージレギュレータ３１を経由してサブバッテリー４に対してトリクル充電を行うものとする。
【００４１】
２０はＤＣ−ＤＣコンバータで、第１のＦＥＴＱ１に接続され、電子機器本体１の電源がオン時において，システム部２にメイン電源ＶＣＣを供給するものである。２１は第一のボルテージレギュレータで、メインバッテリー３またはサブバッテリー４からの供給された電源電圧からメモリ９がデータの保持（バックアップ）を行うために必要な電圧値ＶＲＧ１を供給するものであり、本実施の形態では、ＶＲＧ１＝３．３Ｖの電圧値に設定されているものとする。
【００４２】
２２は第二のボルテージレギュレータで、メインバッテリー３またはサブバッテリー４からの供給された電源電圧からメモリ９がデータの保持（バックアップ）を行うために必要な電圧値ＶＲＧ２を供給するためのものであり、本実施の形態では、ＶＲＧ２＝５．０Ｖの電圧値に設定されているものとする。
【００４３】
２３は電圧検出器で、サブバッテリー４に接続されている。電圧検出器２３は、サブバッテリー４の出力電圧を検出する。電圧検出器２３は、正常電圧値以上の電圧を検出した場合には、出力信号ＳＢＩＮをＨｉｇｈレベルにして、第二のＰｃｈのＦＥＴＱ３をオンにして、サブバッテリー４からの電源供給を行う。また、電圧検出器２３は、正常電圧値以上の電圧が検出できない場合には、つまりサブバッテリー４が接続されていない場合や必要な電圧を出力していない場合には、出力信号ＳＢＩＮをＬｏｗレベルにすることにより、第二のＰｃｈのＦＥＴＱ３をオフにして、サブバッテリー４からの電源供給を停止する過放電防止機能を有する。
【００４４】
２４はシャントレギュレータで、基準電圧値Ｖｒｅｆを出力するものである。２５は第一の制御信号ＲＥＧ１＿ＥＮで、第一のボルテージレギュレータ２１の電源出力のオン・オフ制御を行うための信号である。２６は第二の制御信号ＲＥＧ２＿ＥＮで、第二のボルテージレギュレータ２２の電源出力のオン・オフ制御を行うための信号である。２７は制御信号ＰＷＯＮで、電子機器本体１の電源出力のオン・オフを制御するための信号である。電子機器本体１の電源がオンされた場合には、制御信号ＰＷＯＮ２７がＨｉｇｈレベルとなって第一のＰｃｈのＦＥＴＱ１をオンにし、ＤＣ−ＤＣコンバータ２０に電源供給を行うことによって、システム部２に対して所定のメイン電源ＶＣＣを供給する。また、電子機器本体１の電源がオフされた場合には、制御信号ＰＷＯＮ２７がＬｏｗレベルとなって第一のＰｃｈのＦＥＴＱ１をオフにし、システム部２に対する電源供給を停止させる。
【００４５】
尚、ＲＥＧ１＿ＥＮ２５、ＲＥＧ２＿ＥＮ２６及びＰＷＯＮ２７の各制御信号は、何れも電源コントローラ１３が制御しているものとする。
【００４６】
２８は電圧ＭＢＡＴで、メインバッテリー３の電圧値が抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５とで分圧され、電源コントローラ１３のＡ／Ｄ変換機能を有する端子に接続されている。電圧ＭＢＡＴ２８の電圧値とシャントレギュレータ２４から出力される基準電圧値Ｖｒｅｆからメインバッテリー３の出力電圧を検出し、該出力電圧が所定の電圧以下となっている場合には、メインバッテリー３の容量が少なくなったものとして、システム部２に対してロー（Ｌｏｗ）バッテリー信号等を出力して、電子機器本体１の電源をオフする機能を有するものとする。
【００４７】
２９は基準電圧Ｖｒｅｆで、シャントレギュレータ２４から出力されるものであり、入力電圧や電子機器の周囲環境温度に対しては非依存性の機能を持ち、常に一定の電圧を出力できる機能を有するものとする。基準電圧Ｖｒｅｆを電源コントローラ１３のＡ／Ｄ変換機能におけるリファレンス電源端子に接続することにより、メインバッテリー３の電圧の分圧値である電圧ＭＢＡＴ２８やサーミスタＴＨ１による分圧値である後述する電圧ＴＨＶ３０の測定精度を高めることが可能となる。
【００４８】
３０は電圧ＴＨＶで、温度非依存性の分圧抵抗Ｒ７と、温度依存性抵抗素子であるサーミスタＴＨ１とによって基準電圧Ｖｒｅｆを分圧したものである。この電圧ＴＨＶ３０を、電源コントローラ１３のＡ／Ｄ変換機能を有する端子に接続することにより、電圧ＴＨＶ３０の電圧値の検出が可能となる。分圧抵抗Ｒ７と、サーミスタＴＨ１とによって、温度センサー７が構成されている。
【００４９】
３１は第三のボルテージレギュレータで、メインバッテリー３に接続されており、該メインバッテリー３から所定の電圧値以上の電源供給がある場合には、サブバッテリー４に対して第四のダイオードＤ４と第二の電流制限抵抗Ｒ６とを用いてトリクル充電を行うものとする。
【００５０】
３２は電源ＶＬＮで、メインバッテリー３が供給するものである。３３は第四のボルテージレギュレータ（ＲＥＧ４）で、メインバッテリー３及びサブバッテリー４の両方に接続されているものである。３４は電源ＶＤＤで、第四のボルテージレギュレータ３３から出力されるものであり、電源コントローラ１３の電源として供給される。
【００５１】
図３は、本実施の形態に係る電子機器における温度センサーの一部を構成するサーミスタＴＨ１の抵抗値−温度特性を表わした図であり、同図において、縦軸は抵抗値を、横軸は温度を、それぞれ示す。
【００５２】
本実施の形態に係る電子機器におけるサーミスタＴＨ１は、負の温度係数を有するタイプであり、図３に示すように、温度が上昇すると抵抗値が減少し、温度が下降すると抵抗値が増加する特性を有する抵抗素子である。
【００５３】
このサーミスタＴＨ１と温度非依存特性の分圧抵抗Ｒ７とにより、温度検出値ＴＨＶが温度に対応して変化する。この電圧値ＴＨＶを電源コントローラ１３のＡ／Ｄ変換機能を用いて数値化し、予め用意されている変換式から算出する手段や、変換テーブル値と比較する手段等を用いることにより、電子機器本体１の周囲環境温度ＴＭＰを検出することが可能となる。
【００５４】
図４は、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度ＴＭＰとメモリ９に供給されるバックアップ電源ＶＢＢの電圧値の制御結果を示す図であり、同図において、縦軸はバックアップ電源ＶＢＢの電圧値を、横軸は温度を、それぞれ示す。
【００５５】
本実施の形態において、ＳＲＡＭのデータ保持における温度保証範囲が−２０℃〜７０℃となっているものとする。
【００５６】
また、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度が０℃以下においては、バックアップ電源ＶＢＢの供給を行う電源回路部６において、コンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇等により出力電圧値の精度が落ちると共に、ＳＲＡＭの内部抵抗値が下がり始めることにより漏れ電流が大きくなるため、バックアップ電源ＶＢＢの安定度が低下し、ＳＲＡＭのデータ保持に必要な最低電圧の保証値である３．３Ｖより低くなる場合が起こり得るものとする。
【００５７】
まず、周囲環境温度ＴＭＰが０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の範囲では、バックアップ電源ＶＢＢを通常のデータ保持電圧として、低電圧モードであるＶＢＢ＝３．３Ｖに設定する。
【００５８】
周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ＜０℃の範囲では、バックアップ電源ＶＢＢの電圧をＶＢＢ＝５．０Ｖに設定することにより、メモリ９のデータ保持機能の信頼性を高めることが可能となる。
【００５９】
周囲環境温度ＴＭＰが、ＴＭＰ＜−２０℃或いは７０℃＜ＴＭＰの範囲においては、メモリ９のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、ＶＢＢ＝０Ｖに設定することにより、ＳＲＡＭで構成されているメモリ９の保持している内容を全て初期化する。
【００６０】
このバックアップ電源ＶＢＢの前記供給制御を実現するために、電源コントローラ１３は、図５に示すフローチャートに従って処理を行う。
【００６１】
図５に示すフローチャートは、電源コントローラ１３が一定時間毎に実行する処理動作の流れを示したものであり、電源コントローラ１３内部のタイマー割り込みを用い、割り込み発生後に本フローチャートに係る処理を行い、該処理を終了後は、割り込み処理を終了させる。
【００６２】
また、電子機器本体１の電源がオンされている場合は、電源オン信号ＰＷＯＮをＨｉｇｈにしてＤＣ−ＤＣコンバータ２０を動作させているために、メイン電源ＶＣＣが常にシステム部２に供給されると共に、メモリ９に供給しているバックアップ電源ＶＢＢについても第一のダイオード（逆流防止用）Ｄ１を通して供給されるため、常にＶＢＢ＝ＶＣＣとなる。
【００６３】
また、電子機器本体１の電源がオンされている場合については、タイマー割り込みは発生せず、図５に示すフローチャートに係る処理は行われないものとする。
【００６４】
尚、図５に示すフローチャートに係るプログラムは、電源コントローラ１３に内蔵されている記憶装置に記憶されているものとする。
【００６５】
以下、図５を用いて、本実施の形態に係る電子機器の動作を説明する。
【００６６】
本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度に対応したバックアップ電源ＶＢＢ制御を実行するための本プログラムの処理動作が、タイマー割り込みにより開始すると、まず、ステップＳ５０１で、サーミスタＴＨ１と分圧抵抗Ｒ７とで分圧された電圧値ＴＨＶを内蔵のＡ／Ｄ変換入力端子より検出する。次に、ステップＳ５０２で、予め用意されている変換式から算出する手段や、変換テーブル値と比較する手段等を用いることにより、周囲環境温度ＴＭＰを検知する。
【００６７】
次に、ステップＳ５０３で、周囲環境温度ＴＭＰが０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の範囲であるか否かを判断する。そして、周囲環境温度ＴＭＰが０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の範囲である（通常環境状態）と判断された場合はステップＳ５０６へ進み、それ以外の場合にはステップＳ５０４へ進む。
【００６８】
ステップＳ５０６においては、電子機器本体１の周囲環境温度は通常環境温度であると判断されたことにより、ＲＥＧ１＿ＥＮ信号をＨｉｇｈ、ＲＥＧ２＿ＥＮ信号をＬｏｗにすることにより、バックアップ電源ＶＢＢをボルテージレギュレータ（ＲＥＧ１）２１の出力電圧のＶＲＧ１＝３．３Ｖに設定した後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【００６９】
一方、ステップＳ５０４においては、周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ＜０℃の範囲であるか否かを判断する。そして、周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ＜０℃の範囲である（低温環境状態）と判断された場合はステップＳ５０７へ進み、それ以外（保証範囲温度外）の場合にはステップＳ５０５へ進む。
【００７０】
ステップＳ５０７においては、電子機器本体１の周囲環境温度は低温環境温度状態であると判断されたことにより、ＲＥＧ１＿ＥＮ信号をＬｏｗ、ＲＥＧ２＿ＥＮ信号をＨｉｇｈにすることにより、バックアップ電源ＶＢＢをボルテージレギュレータ（ＲＥＧ２）２２の出力電圧（ＶＲＧ２）のＶＲＧ２＝５．０Ｖに設定した後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【００７１】
一方、ステップＳ５０５においては、周囲環境温度ＴＭＰがＴＭＰ＜−２０℃或いは７０℃＜ＴＭＰの範囲であると判断されたため、メモリ９のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、ＲＥＧ１＿ＥＮ信号及びＲＥＧ２＿ＥＮ信号をいずれもＬｏｗにして、バックアップ電源ＶＢＢ＝０Ｖに設定することにより、メモリ９のデータ保持における温度保証範囲外になったものとして、メモリ９の保持している内容を全て初期化した後、本処理動作を終了する。
【００７２】
このような図５に示すフローチャートに従ったプログラムを電源コントローラ１３内の記憶装置に格納して動作させることにより、上述した本発明の電源制御方法を実施することが可能となる。
【００７３】
以上のように、電子機器の周囲環境温度が通常の温度保証範囲内である場合には、バックアップ電圧値を低下させて低電圧状態でのメモリのデータ保持を行い、周囲環境温度がメモリの温度補償範囲内での低温時の場合にはバックアップ電圧値を上昇させることにより、バックアップ電源供給回路を構成するコンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇、或いはメモリの内部抵抗値の減少に伴う漏れ電流の増加により、バックアップ電源電圧が維持できなくなり、メモリのデータ保持電圧値の保証範囲を下回ってしまうことを防ぐことが可能となり、メモリのデータ保持性能を高めることが可能となる。
【００７４】
また、周囲環境温度がメモリのデータ保持可能な温度保証値の範囲外になった場合には、当然メモリ内部のデータが正常か否かの保証はされないため、バックアップ電源を０Ｖ、つまりオフにしてメモリ内のデータを初期化することにより、電子機器本体が電源をオンされた場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、電子機器が正常に再起動しなくなることを防ぐことが可能となる。
【００７５】
（第二実施の形態）
次に、本発明の第二の実施の形態を、図６乃至図８に基づき説明する。
【００７６】
上述した第一実施の形態において、バックアップ電源ＶＢＢの電圧値を３．３Ｖまたは５．０Ｖ、更には０Ｖにする制御については、全て電源コントローラ１３が行うことになっており、且つ検出された周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ＜０℃の場合は、バックアップ電源ＶＢＢを５．０Ｖのみの設定にして、メモリ９に供給を行うものとした。
【００７７】
これに対して、本実施の形態においては、周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の場合は、周囲環境温度ＴＭＰに対応してバックアップ電源ＶＢＢの電圧値を変化させることにより、メモリ保持機能の安定度を高めると共に、バックアップ電源ＶＢＢの電圧値をなるべく低く制御することにより、バックアップ時の消費電力を抑えることを可能にしたものである。
【００７８】
以下、本実施の形態について説明する。
【００７９】
尚、本実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器の構成には、上述した第一実施の形態における図１と同一であるから、同図を流用して説明する。
【００８０】
図６は、本実施の形態に係る電子機器における電源回路部６の構成を示すブロック図であり、同図において上述した第一実施の形態における図２と同一部分には同一符号を付してある。
【００８１】
本実施の形態に係る電子機器における温度センサー７は、温度依存性抵抗素子であるサーミスタＴＨ２と温度非依存性の分圧抵抗Ｒ１０とによって基準電圧Ｖｒｅｆを分圧した電圧ＴＨＶ２を出力するものである。この電圧ＴＨＶ２を電源コントローラ１３のＡ／Ｄ変換機能を有する端子に接続することにより、電圧ＴＨＶ２の電圧値の検出が可能となる。
【００８２】
上述した第一実施の形態と同様に、サーミスタＴＨ２をＧＮＤ（グランド）側に接続しているため、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度ＴＭＰが高くなると、サーミスタＴＨ２の抵抗値が低下するために電圧値（ＴＨＶ２）４１は低下する。
【００８３】
また、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度ＴＭＰが低くなるとサーミスタＴＨ２の抵抗値が増加するために電圧値（ＴＨＶ２）４１は上昇する。
【００８４】
図６において、４０はコンパレータ（比較回路）、Ｑ５は第三のＰｃｈのＦＥＴで、メインバッテリー３またはサブバッテリー４からの電源供給ラインとインダクタＬ１との間に接続されている。Ｒ１１は第三のＰｃｈのＦＥＴＱ５の駆動用抵抗、Ｌ１はインダクタで、第三のＰｃｈのＦＥＴＱ５と平滑コンデンサＣ１との間に接続されている。Ｄ７は第七のダイオードで、第三のＰｃｈのＦＥＴＱ５とインダクタＬ１とのラインにアノード端子が接続され、且つカソード端子がＧＮＤ側に接続されている。第七のダイオードＤ７は、第三のＰｃｈのＦＥＴＱ５がオンした時にインダクタＬ１に電磁エネルギーを蓄積し、また、第三のＰｃｈのＦＥＴＱ５がオフした時に前記電磁エネルギーをインダクタＬ１から放出し、負荷であるメモリ９に供給する通路を得るためのものである。
【００８５】
Ｒ１２及びＲ１３は分圧抵抗で、インダクタＬ１の出力電圧を分圧するものである。４３は電圧値ＦＢＶで、分圧抵抗Ｒ１２及びＲ１３によって分圧されたものである。Ｃ１は平滑コンデンサで、インダクタＬ１より出力された電源の変動を平滑化するためのものである。Ｄ８は第八のダイオードで、メイン電源ＶＣＣからの逆流を防止するものである。
【００８６】
４２はコントロール信号（ＣＯＮＴ＿ＥＮ）で、コンパレータ４０の動作をオン・オフさせるものであり、電源コントローラ１３から出力され、ＣＯＮＴ＿ＥＮ＝Ｈｉｇｈの場合は、コンパレータ４０をオンにしてバックアップ電源ＶＢＢへの電源供給を行い、ＣＯＮＴ＿ＥＮ＝Ｌｏｗの場合は、コンパレータ４０をオフにしてバックアップ電源ＶＢＢへの電源供給を停止する。
【００８７】
コンパレータ４０は、分圧された電圧ＦＢＶを（＋）端子へ、サーミスタＴＨ２より出力された電圧（ＴＨＶ２）４１を（―）端子へ、それぞれ接続することにより、分圧電圧（ＦＢＶ）４３がサーミスタ電圧（ＴＨＶ２）４１よりも高くなるとコンパレータ４０の出力はＨｉｇｈレベルになり、第三のＰｃｈのＦＥＴＱ５がオフになる。また、分圧電圧（ＦＢＶ）４３が電圧（ＴＨＶ２）４１よりも低くなるとコンパレータ４０の出力はＬｏｗレベルになり、第三のＰｃｈのＦＥＴＱ５がオンになる。
【００８８】
このような一連の動作を繰り返すことにより、供給電源を所望の電圧値に設定することが可能になる。
【００８９】
尚、本実施の形態においては、サーミスタＴＨ２の出力電圧（ＴＨＶ２）４１が本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度によって変化するために、メモリ９に供給するバックアップ電源ＶＢＢの電圧値を周囲環境温度ＴＭＰに合わせて変化させることが可能となる。
【００９０】
図７は、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度ＴＭＰとメモリ９に供給されるバックアップ電源ＶＢＢの電圧値の制御結果を示す図であり、同図において、縦軸はバックアップ電源ＶＢＢの電圧値を、横軸は温度を、それぞれ示す。
【００９１】
本実施の形態においても、上述した第一実施の形態と同様に、ＳＲＡＭのデータ保持における温度保証範囲が−２０℃〜７０℃になっているものとする。
【００９２】
更に、上述の第一実施の形態と同様に、本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度が０℃以下においては、バックアップ電源ＶＢＢの供給を行う電源回路部において、コンデンサの容量低下やダイオードの順方向電圧の上昇等により、出力電圧値の精度が落ちると共に、ＳＲＡＭの内部抵抗値が下がり始めるために漏れ電流が大きくなり、バックアップ電源ＶＢＢの安定度が低下するため、ＳＲＡＭのデータ保持に必要な最低電圧の保証値である３．３Ｖより低くなる場合が起こり得るものとする。
【００９３】
まず、周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の範囲では、コンパレータ４０の比較結果により設定された電圧値の電源をデータ保持電圧としてバックアップ電源ＶＢＢへの電源供給を行う。
【００９４】
尚、本実施の形態において、バックアップ電源ＶＢＢの電圧値が図７の特性を示すように、サーミスタＴＨ２と非温度依存性の分圧抵抗Ｒ１０の抵抗値とを、それぞれ設定する。
【００９５】
この図７に示す出力電圧値特性を備えることにより、周囲環境温度ＴＭＰが０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の範囲では、バックアップ電源ＶＢＢが約３．３Ｖを維持することで、消費電力を抑えることができる。
【００９６】
しかし、周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ＜０℃の場合においては、前述のサーミスタＴＨ２の特性と非温度依存性の分圧抵抗Ｒ１０の抵抗値の設定により、温度が低下するに従ってバックアップ電源ＶＢＢの電圧値も上昇し、最終的に周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃の場合はＶＢＢ＝５．０Ｖの電圧値となることにより、低温時でのバックアップ電源ＶＢＢの安定化を図ることが可能となる。
【００９７】
また、周囲環境温度ＴＭＰが、ＴＭＰ＜−２０℃或いは７０℃＜ＴＭＰの範囲においては、メモリ９のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、ＶＢＢ＝０Ｖに設定することにより、メモリ９のデータ保持における温度保証範囲外になったものとして、メモリ９の保持している内容を全て初期化する。
【００９８】
このバックアップ電源ＶＢＢの前記供給制御を実現するために、電源コントローラ１３は、図８に示すフローチャートに従って処理を行う。
【００９９】
図８に示すフローチャートは、上述した第一実施の形態と同様に、電源コントローラ１３が一定時間毎に実行する処理動作の流れを示したものであり、電源コントローラ１３の内部のタイマー割り込みを用い、割り込み発生後に、本フローチャートに係る処理を行い、該処理を終了後は、割り込み処理を終了させる。
【０１００】
また、電子機器本体１の電源がオンされている場合は、電源オン信号ＰＷＯＮ２７をＨｉｇｈにしてＤＣ−ＤＣコンバータ２０を動作させているために、メイン電源ＶＣＣが常にシステム部２に供給されると共に、メモリ９に供給しているバックアップ電源ＶＢＢについても、第一のダイオード（逆流防止用）Ｄ１を通して供給されるため、常にＶＢＢ＝ＶＣＣとなる。
【０１０１】
また、電子機器本体１の電源がオンされている場合については、タイマー割り込みは発生せず、図８に示すフローチャートに係る処理は行われないものとする。
【０１０２】
尚、図８に示すフローチャートに係るプログラムは、電源コントローラ１３に内蔵されている記憶装置に記憶されているものとする。
【０１０３】
以下、本実施の形態に係る電子機器の動作を、図８に基づき説明する。
【０１０４】
本実施の形態に係る電子機器の周囲環境温度に対応したバックアップ電源ＶＢＢ制御を実行するための本プログラムの処理動作がタイマー割り込みにより開始すると、まず、ステップＳ８０１でサーミスタＴＨ２と分圧抵抗Ｒ１０とで分圧された電圧値ＴＨＶ２を内蔵のＡ／Ｄ変換入力端子より検出する。次に、ステップＳ８０２で予め用意されている変換式から算出する手段や、変換テーブル値と比較する手段等を用いることにより、周囲環境温度ＴＭＰを検知する。
【０１０５】
次に、ステップＳ８０３で周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の範囲であるか否かを判断する。そして、周囲環境温度ＴＭＰが−２０℃≦ＴＭＰ≦７０℃の範囲（データ保持状態）であると判断された場合はステップＳ８０５へ進み、それ以外の場合にはステップＳ８０４へ進む。
【０１０６】
ステップＳ８０５においては、電子機器本体１の周囲環境温度は通常環境温度であると判断されたため、ＣＯＮＴ＿ＥＮ信号をＨｉｇｈにすることにより、バックアップ電源ＶＢＢの供給を行った後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【０１０７】
尚、供給されるバックアップ電源ＶＢＢの電圧値に関しては、上述したコンパレータ４０での比較結果に基づいた、周囲環境温度に対応した電圧値が出力される。
【０１０８】
一方、ステップＳ８０４においては、周囲環境温度ＴＭＰがＴＭＰ＜−２０℃或いは７０℃＜ＴＭＰの範囲であると判断されたため、メモリ９のメモリ保持機能の保証対象外温度であるとして、ＣＯＮＴ＿ＥＮ信号をＬｏｗにすることによりバックアップ電源ＶＢＢ＝０Ｖに設定し、メモリ９のデータ保持における温度保証範囲外になったものとして、メモリ９の保持している内容を全て初期化した後、本プログラムによる割り込み処理を終了する。
【０１０９】
このような図８に示すフローチャートに従ったプログラムを電源コントローラ１３内の記憶装置に格納して動作させることにより、上述した本発明のバックアップ電源制御方法を実行することが可能となる。
【０１１０】
（その他の実施の形態）
上述した第一及び第二実施の形態における各機能を実現するフローチャートを基にしたソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、システムまたは装置に供給し、そのシステムまたは装置の電源コントローラが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても、本発明の目的が達成されることは云うまでもない。
【０１１１】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が本発明の新規な機能を実現することになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【０１１２】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、前記補助記憶装置に設置される記憶媒体、例えば、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。
【０１１３】
また、通信インターフェースを設け、通信ネットワークを介してサーバコンピュータからプログラムコードが供給されるようにしても良い。
【０１１４】
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した各実施の形態における各機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態における各機能が実現される場合も含まれることは云うまでもない。
【０１１５】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態における各機能が実現される場合も含まれることは云うまでもない。
【０１１６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、電源の安定化を図ることができると共に、メモリのデータ保持性能を高めることができ、また、電子機器本体の電源がオンされた場合に、誤ったデータを用いて作業を進めてしまうことや、電子機器が正常に再起動しなくなることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源回路部の構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器におけるサーミスタの抵抗値―温度特性を示す図である。
【図４】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電子機器の周囲環境温度ＴＭＰとメモリに供給されるバックアップ電源ＶＢＢの電圧値の制御結果の一例を示す図である。
【図５】本発明の第一実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源コントローラの動作の流れを示すフローチャートである。
【図６】本発明の第二実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源回路部の構成を示す図である。
【図７】本発明の第二実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電子機器の周囲環境温度ＴＭＰとメモリに供給されるバックアップ電源ＶＢＢの電圧値の制御結果の一例を示す図である。
【図８】本発明の第二実施の形態に係るバックアップ電源制御装置を有する電子機器における電源コントローラの動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１　　電子機器本体
２　　システム部
３　　メインバッテリー
４　　サブバッテリー
５　　電源オン・オフスイッチ
６　　電源回路部
７　　温度センサー（温度測定手段）
８　　ＣＰＵ
９　　主記憶装置
１０　表示装置
１１　補助記憶装置
１２　入力装置
１３　電源コントローラ（制御手段）
１４　バックアップ用電源ＶＢＢ
１５　メイン電源ＶＣＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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