(57)【要約】【課題】誘電体ブロックに構成した、ＴＥＭモードを利用する誘電体フィルタにおいて、誘電体ブロック内に生じるＴＥモード等のスプリアスの励振を抑制して、低スプリアス特性の誘電体フィルタを得る。【解決手段】誘電体ブロック１の内部に励振孔３ｂを設け、誘電体ブロック１の外面に、励振孔３ｂの一方の端部で、励振孔３ｂ内部の内導体に導通する入出力端子５ｂを形成する。この入出力端子５ｂが接する実装基板６の入出力電極８ｂに対向する反対面側に接地電極非形成部１１を設ける。これにより、励振孔３ｂから誘電体ブロック１の外導体４への電界強度を上下均等にし、ＴＥモード等のスプリアスモードの励振を抑制する。【選択図】　図３
2004023567.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した、共振器用の共振器孔と該共振器に結合する励振用の励振孔とを設け、前記誘電体ブロックの外面に、前記励振孔の内導体に導通する入出力端子と外導体とを形成してなる誘電体フィルタの実装基板への実装構造において、
前記実装基板への実装面に、前記誘電体フィルタの外導体が導通する接地電極と前記入出力端子が導通する入出力電極とを設け、該実装基板への実装面に対向する反対面に、接地電極を設けるとともに、前記実装面の入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設けたことを特徴とする誘電体フィルタの実装構造。
【請求項２】
略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した、共振器用の共振器孔と該共振器に結合する励振用の励振孔とを設け、前記誘電体ブロックの外面に、前記励振孔の内導体に導通する入出力端子と外導体とを形成してなる誘電体フィルタの実装基板への実装構造において、
前記誘電体フィルタと前記実装基板との間にアダプタ基板を介在させ、該アダプタ基板の前記誘電体フィルタが当接する面から実装基板への実装面にかけて、前記誘電体フィルタの外導体が導通する接地電極と、前記入出力端子が導通する入出力電極とをそれぞれ設けるとともに、該アダプタ基板の実装基板への実装面における、前記アダプタ基板の前記誘電体フィルタの当接面に設けた入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設け、実装基板にアダプタ基板の実装面に形成した接地電極および入出力電極に対応する電極を設けたことを特徴とする誘電体フィルタの実装構造。
【請求項３】
略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した、共振器用の共振器孔と該共振器に結合する励振用の励振孔とを設け、前記誘電体ブロックの外面に、前記励振孔の内導体に導通する入出力端子と外導体とを形成してなる誘電体フィルタと、
前記誘電体フィルタが当接する面に該誘電体フィルタの外導体と入出力端子がそれぞれ導通する接地電極と入出力電極とを備え、前記誘電体フィルタが当接する面とは反対側の面に、前記入出力電極の対向位置を接地電極非形成部とする接地電極を備えたアダプタ基板とから成る誘電体フィルタ装置。
【請求項４】
単一の略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した、共振器用の共振器孔と該共振器に結合する励振用の励振孔とを設け、前記誘電体ブロックの外面に、前記励振孔の内導体に導通する入出力端子と外導体とを形成してなり、前記入出力端子をアンテナ端子、送信信号入力端子または受信信号出力端子とし、前記共振器で送信周波数帯域を通過させる送信フィルタ部と、受信周波数帯域を通過させる受信フィルタとをそれぞれ構成した誘電体デュプレクサの実装基板への実装構造において、
前記実装基板への実装面に、前記誘電体デュプレクサの外導体が導通する接地電極と前記入出力端子が導通する入出力電極とを設け、該実装基板への実装面に対向する反対面に、接地電極を設けるとともに、前記実装面の入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設けたことを特徴とする誘電体デュプレクサの実装構造。
【請求項５】
単一の略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した、共振器用の共振器孔と該共振器に結合する励振用の励振孔とを設け、前記誘電体ブロックの外面に、前記励振孔の内導体に導通する入出力端子と外導体とを形成してなり、前記入出力端子をアンテナ端子、送信信号入力端子または受信信号出力端子とし、前記共振器で送信周波数帯域を通過させる送信フィルタ部と、受信周波数帯域を通過させる受信フィルタとをそれぞれ構成した誘電体デュプレクサの実装基板への実装構造において、
前記誘電体デュプレクサと前記実装基板との間にアダプタ基板を介在させ、該アダプタ基板の前記誘電体デュプレクサが当接する面から実装基板への実装面にかけて、前記誘電体デュプレクサの外導体が導通する接地電極と、前記入出力端子が導通する入出力電極とをそれぞれ設けるとともに、該アダプタ基板の実装基板への実装面における、前記アダプタ基板の前記誘電体デュプレクサの当接面に設けた入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設け、実装基板にアダプタ基板の実装面に形成した接地電極および入出力電極に対応する電極を設けたことを特徴とする誘電体デュプレクサの実装構造。
【請求項６】
請求項１もしくは２に記載の誘電体フィルタの実装構造、請求項３に記載の誘電体フィルタ装置、または請求項４もしくは５に記載の誘電体デュプレクサの実装構造を備えた通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば移動体通信端末用の高周波回路に適用される誘電体フィルタや誘電体デュプレクサの実装構造、誘電体フィルタ装置およびそれらを備えた通信装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の誘電体デュプレクサの実装構造を図８に示す。図８において（Ａ）は誘電体デュプレクサの正面図、（Ｂ）はその底面図である。全体が略直方体形状の誘電体ブロックの内部には、共振器孔２ａ〜２ｆおよび励振孔３ａ，３ｂを設けている。誘電体ブロックの外面には外導体４および入出力端子５ａ，５ｂ，５ｃを形成している。入出力端子５ａ，５ｂは励振孔３ａ，３ｂの内面に形成した内導体の一方の端部に導通している。
【０００３】
図８の（Ｃ）は上記誘電体デュプレクサを実装する実装基板の上面図、（Ｄ）はその下面図である。（Ｃ）においてＡで示す破線は誘電体デュプレクサの実装領域を示している。実装基板６の上面には、接地電極７とともに誘電体デュプレクサの入出力端子５ａ〜５ｃが導通する入出力電極８ａ〜８ｃおよびそれらから延びる線路９ａ〜９ｃをそれぞれ形成している。実装基板６の下面には全面に接地電極１０を形成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような誘電体ブロックに複数の共振器孔を設けてなる誘電体デュプレクサは、各共振器をＴＥＭモードで動作させる。しかし、外面に外導体４を形成した、全体に略直方体形状の誘電体ブロックは、外導体４で囲まれた空間がＴＥモードの共振空間として作用し、ＴＥモードのスプリアス（不要波）が生じる。特にＴＥ１０１モード（誘電体ブロックの実装面の縦横をｘ−ｚとし、高さ方向をｙとした時のＴＥｘｙｚで表したモード）が、利用するＴＥＭモードの周波数帯域に近接するため問題となる。
【０００５】
移動体通信端末（携帯電話）等の通信機器では、装置の設計上、送信周波数帯の２倍や３倍の周波数帯域で大きな減衰量を確保する必要がある。例えばＷ−ＣＤＭＡ方式の携帯電話システムの場合、端末側の送信周波数帯が１９２０−１９８０ＭＨｚで、その２倍が３８４０−３９６０ＭＨｚ、３倍が５７６０−５９４０ＭＨｚとなる。従来の誘電体ブロックを用いた誘電体フィルタにおいて、Ｗ−ＣＤＭＡ用端末のデュプレクサを設計すると、ＴＥ１０１モードのピーク周波数は送信周波数帯の２倍の近くである４０００ＭＨｚ付近に発生する。
【０００６】
もちろん、誘電体ブロックの外形寸法により、ＴＥ１０１モードのピーク周波数を変化させることはできるが、ＴＥ１０１モードのピーク周波数を所定周波数にシフトすることを設計要素にすると、本来利用するＴＥＭモードの特性を最善の状態にすることの妨げになる。
【０００７】
上述のことは誘電体デュプレクサに限らず、誘電体ブロックを用いた単体の誘電体フィルタについても同様である。
この発明の目的は、誘電体ブロックを用いた誘電体フィルタ（誘電体デュプレクサを含む）に生じるＴＥモード等のスプリアスの発生自体を抑制して上述の問題を解消することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明の誘電体フィルタの実装構造は、略直方体形状の誘電体ブロックの内部に、該誘電体ブロックの一方の面から、それに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した、共振器用の共振器孔と該共振器に結合する励振用の励振孔とを設け、前記誘電体ブロックの外面に、前記励振孔の内導体に導通する入出力端子と外導体とを形成してなる誘電体フィルタの実装基板への実装構造において、
前記実装基板への実装面に、前記誘電体フィルタの外導体が導通する接地電極と前記入出力端子が導通する入出力電極とを設け、該実装基板への実装面に対向する反対面に、接地電極を設けるとともに、前記実装面の入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設けたことを特徴としている。
【０００９】
この構造により、励振孔の開放端付近（励振孔内面の内導体が導通する入出力端子付近）と外導体との間に生じる電界の上下方向（実装面とそれに対向する面方向）の強度が均衡してＴＥモードの励振が抑えられる。
【００１０】
また、この発明の誘電体フィルタの実装構造は、前記誘電体フィルタと前記実装基板との間にアダプタ基板を介在させ、該アダプタ基板の前記誘電体フィルタが当接する面から実装基板への実装面にかけて、誘電体フィルタの外導体が導通する接地電極と、前記入出力端子が導通する入出力電極とをそれぞれ設けるとともに、該アダプタ基板の実装基板への実装面における、前記アダプタ基板の前記誘電体フィルタの当接面に設けた入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設け、実装基板にアダプタ基板の実装面に形成した接地電極および入出力電極に対応する電極を設けたことを特徴としている。
【００１１】
この構造により、励振孔内面の内導体に導通する入出力端子とアダプタ基板との接合面からアダプタ基板および実装基板の接地電極との間に生じる電界が弱められ、その分、励振孔の下部方向（実装面方向）と上部方向（実装面とは反対側の面方向）への電界強度が均衡してＴＥモードの励振が抑えられる。
【００１２】
この発明の誘電体フィルタ装置は、上記構造の誘電体フィルタと、アダプタ基板とを備え、アダプタ基板に誘電体フィルタを接合した状態とする。
これにより、その構造の誘電体フィルタ装置を実装基板に実装する際、アダプタ基板の実装面の電極パターンに合わせて、実装基板への実装面の電極パターンを定めれば、前述のアダプタ基板を誘電体フィルタと実装基板との間に介在させた誘電体フィルタの実装構造となり、上述の作用効果が得られる。
【００１３】
この発明の誘電体デュプレクサの実装構造は、前述の誘電体フィルタの実装構造と同様に、実装基板への実装面に、誘電体デュプレクサの外導体が導通する接地電極と前記入出力端子が導通する入出力電極とを設け、該実装基板への実装面に対向する反対面に、接地電極を設けるとともに、前記実装面の入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設けたことを特徴としている。
【００１４】
この構造により、励振孔の開放端付近と外導体との間に生じる電界の上下方向の強度が均衡してＴＥモードの励振が抑制できる。
【００１５】
また、この発明の誘電体デュプレクサの実装構造は、前述の誘電体フィルタの実装構造と同様に、誘電体デュプレクサと実装基板との間にアダプタ基板を介在させ、該アダプタ基板の前記誘電体デュプレクサが当接する面から実装基板への実装面にかけて、誘電体デュプレクサの外導体が導通する接地電極と、前記入出力端子が導通する入出力電極とをそれぞれ設けるとともに、該アダプタ基板の実装基板への実装面における、前記アダプタ基板の前記誘電体デュプレクサの当接面に設けた入出力電極の対向位置に接地電極非形成部を設け、実装基板にアダプタ基板の実装面に形成した接地電極および入出力電極に対応する電極を設けたことを特徴としている。
【００１６】
この構造により、励振孔内面の内導体に導通する入出力端子とアダプタ基板との接合面からアダプタ基板および実装基板の接地電極との間に生じる電界が弱められ、励振孔の開放端付近での上下方向の電界分布を均衡化でき、ＴＥモードの励振が抑制できる。
【００１７】
この発明の通信装置は、前述の構造を備えた誘電体フィルタの実装構造、誘電体フィルタまたは誘電体デュプレクサの実装構造を備えたことを特徴としている。これによりスプリアス特性の抑圧されたフィルタ特性で送信信号、受信信号または両信号の所定周波数帯域の透過および遮断を確実に行うことができ、通信特性に優れた通信装置が得られる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
第１の実施形態に係る誘電体デュプレクサの実装構造について図１〜図４を参照して説明する。
図１は誘電体デュプレクサの透視斜視図である。図１において１は略直方体形状の誘電体ブロックである。この誘電体ブロック１の内部に、その一方の面からそれに対向する他方の面にかけて、それぞれの内面に内導体を形成した共振器孔２ａ〜２ｆと励振孔３ａ，３ｂをそれぞれ設けている。誘電体ブロック１の外面（六面）には外導体４を形成している。また、誘電体ブロック１の外面の所定位置に外導体４から離間させた入出力端子５ａ〜５ｃを形成している。
【００１９】
共振器孔２ａ〜２ｆの内面には内導体を形成するとともに、一方の端部付近に内導体非形成部ｇを設けて、それらの部分を共振器の開放端としている。また、これらの内導体非形成部ｇを設けた端部付近とは反対側の共振器孔の端部で、内面の内導体が誘電体ブロック１外面の外導体４に導通していて、それらの部分で共振器の短絡端を構成している。励振孔３ａ，３ｂの内面の内導体は一方の端部で入出力端子５ａ，５ｂに導通させていて、他方の端部で誘電体ブロック１外面の外導体４に導通させている。もう１つの入出力端子５ｃは共振器孔２ｆの開放端付近との間で静電容量を生じさせて容量性結合させている。
【００２０】
共振器孔２ａ〜２ｆのそれぞれは、開放端側の内径を太く、短絡端側の内径を細くしてステップインピーダンス構造としている。共振器孔２ａによる共振器は励振孔３ａとインターディジタル結合する。共振器孔２ｂ，２ｃには、それらの短絡端側が相対的に近接していて、共振器孔２ｂ，２ｃによる２つの共振器間は誘導性結合する。共振器孔２ｄ，２ｅ，２ｆについては、それらの開放端側が相対的に近接していて、共振器孔２ｄ，２ｅ，２ｆによる３つの共振器は容量性結合する。また、励振孔３ｂは共振器孔２ｃ，２ｄによる２つの共振器に対してそれぞれインターディジタル結合する。
【００２１】
このような構造により、共振器孔２ｂ，２ｃによる２段の共振器が、高域側に減衰極を有する帯域通過フィルタとして作用し、共振器孔２ａによる共振器が、所定周波数を減衰させるトラップ共振器として作用する。また共振器孔２ｄ，２ｅ，２ｆによる３段の共振器が、低域側に減衰極を有する帯域通過フィルタとして作用する。
【００２２】
このようにして、入出力端子５ａを送信信号入力端子、入出力端子５ｂをアンテナ端子、入出力端子５ｃを受信信号出力端子とし、共振器孔２ａ〜２ｃを備えた共振器によるフィルタを送信フィルタ、共振器孔２ｄ〜２ｆを備えた共振器によるフィルタを受信フィルタとして用いる。
【００２３】
図２は、図１に示した誘電体デュプレクサと、それを実装する実装基板の構造を示す図である。図２において（Ａ）は誘電体デュプレクサの正面図、（Ｂ）はその底面図である。（Ｃ）は上記誘電体デュプレクサを実装する実装基板の上面図、（Ｄ）はその下面図である。（Ｃ）においてＡで示す破線は誘電体デュプレクサの実装領域を示している。実装基板６の上面には、接地電極７とともに誘電体デュプレクサの入出力端子５ａ〜５ｃが導通する入出力電極８ａ〜８ｃおよびそれらから延びる線路９ａ〜９ｃをそれぞれ形成している。
【００２４】
図２の（Ｄ）において１１ａ，１１ｂはそれぞれ接地電極非形成部である。この接地電極非形成部１１ａ，１１ｂは実装基板６の実装面に形成した入出力電極８ａ，８ｂに対向する位置に設けている。これらの接地電極非形成部１１ａ，１１ｂ以外の領域には接地電極１０を形成している。
【００２５】
図２の（Ｄ）に示した接地電極非形成部１１ａ，１１ｂの大きさは、誘電体デュプレクサの入出力端子５ａ，５ｂの寸法およびそれに合わせて設計される実装基板側の入出力電極８ａ，８ｂの寸法によって異なるが、その一例として、Ｗ−ＣＤＭＡ方式のシステムで用いる誘電体デュプレクサの場合、接地電極非形成部１１ａ，１１ｂの寸法範囲は１．２ｍｍ×０．９ｍｍ〜２．５ｍｍ×２．０ｍｍ程度とする。図２の（Ｂ）に示したアンテナ端子５ｂの実装面部分の寸法を、Ｗｄ＝１．００ｍｍ、Ｌｄ＝１．００ｍｍ、Ｇ（外導体４の非形成部）＝０．４５ｍｍとすれば、接地電極非形成部１１ｂの寸法は、Ｗｂ＝１．９０ｍｍ、Ｌｂ＝１．４５ｍｍとする。また、入出力端子５ａが接続される入出力端子８ａに対向する部分の接地電極非形成部１１ａの寸法は、例えば２．００×１．５０ｍｍとする。
【００２６】
図３は励振孔３ｂ周囲の電界分布の例を示している。これらは実装基板６に対して誘電体デュプレクサを実装した状態での励振孔３ｂの延びる軸に垂直な面での部分断面図である。（Ａ）は実装基板６に対して接地電極非形成部を設けていない従来の例、（Ｂ），（Ｃ）は接地電極６の下面（実装面とは反対側の面）に接地電極非形成部１１を設けた例である。
【００２７】
図３の（Ａ）に示すように、励振孔３ｂと接地電極４，１０との間に電界が生じる。その際、誘電体ブロック１の入出力端子５ｂと接地電極４との間の電極の無い部分と、実装基板６の入出力電極８ｂと接地電極７との間の電極の無い部分とを通して、励振孔３ｂの電界の一部は、実装基板６の接地電極１０方向に分布する。そのため、励振孔３ｂから誘電体ブロック１の実装面側の外導体４に対する電界強度が弱くなる。
【００２８】
図３の（Ｂ）に示すように、実装基板６に接地電極非形成部１１を設けることにより、励振孔３ｂから実装基板６の接地電極１０に対する電界強度が弱くなり、その分、励振孔３ｂから誘電体ブロック１の実装面側の外導体４への電界強度が強くなる。その結果、励振孔３ｂから誘電体ブロック１の上面側の外導体４への電界強度と、実装面側の外導体４への電界強度とが略等しくなると、ＴＥモードの励振が抑制できる。
【００２９】
図３の（Ｃ）に示すように、実装基板６に設けた接地電極非形成部１１の範囲が広すぎると、励振孔３ｂから誘電体ブロック１の実装面側の外導体４への電界強度が、上面側の外導体４への電界強度に比べて相対的に強くなり、ＴＥモード等のスプリアスモードが励振されることになる。
【００３０】
したがって、抑制すべきスプリアスモードの抑制効果が最も高くなるように接地電極非形成部１１の大きさおよび位置を定めれば良い。
【００３１】
図４は、この第１の実施形態に係る誘電体デュプレクサの透過特性を示す図である。図４において、横軸の周波数は１ＧＨｚ〜６ＧＨｚまでリニアスケールで表している。縦軸の利得は１目盛り１０ｄＢであり、太線は０ｄＢのラインを表している。（Ａ）は送信信号入力端子からアンテナ端子への透過特性、（Ｂ）はアンテナ端子から受信信号出力端子への透過特性である。図中の破線は前述の接地電極非形成部１１を設けていない従来の誘電体デュプレクサの特性、実線はこの実施形態に係る誘電体デュプレクサの特性である。図中丸印で囲む応答がＴＥ１０１モードによる応答である。このように接地電極非形成部１１を設けたことにより、ＴＥ１０１モードのスプリアスが大幅に抑制できる。また、接地電極非形成部１１を設けても、通過帯域およびそれに隣接する減衰域の特性にほとんど影響を与えることがない。
【００３２】
なお、この実施形態では、２つの励振孔を設けたが、励振孔は１つだけであってもよいし、３つあってもよい。また、複数の励振孔を備えながらも、主要な励振孔の内導体に導通する入出力端子の対向位置にのみ接地電極非形成部を設けてもよい。例えば、図２に示した構成で、入出力電極８ｂが対向する位置にのみ接地電極非形成部１１ｂを設けてもよい。
【００３３】
次に、第２の実施形態に係る誘電体デュプレクサ装置の構成について図５および図６を参照して説明する。
この誘電体デュプレクサ装置は、従来の構造からなる誘電体デュプレクサと新規なアダプタ基板とからなる。
【００３４】
図５の（Ａ）はその分解斜視図、（Ｂ）はアダプタ基板の底面（実装基板への実装面）側から見た斜視図である。ここで３０は誘電体デュプレクサであり、その構造は図１に示したものと同様である。すなわち、略直方体形状の誘電体ブロックに共振器孔２ａ〜２ｆおよび励振孔３ａ，３ｂを設けている。誘電体ブロックの外面には入出力端子３ａ，３ｂおよび外導体４を形成している。
【００３５】
１６はアダプタ基板であり、絶縁性の基材の上面から下面にかけて、入出力電極１８ａ，１８ｂ，１８ｃを形成している。アダプタ基板１６の上面には接地電極１７を、下面には上面の接地電極１７に導通する下面側の接地電極２０をそれぞれ形成している。但し、入出力電極１８ｂの上面側の形成領域に対向する下面側の領域に接地電極非形成部２１を設けている。
この誘電体デュプレクサ３０とアダプタ基板１６とを接合することによって、１つの部品としての誘電体デュプレクサ装置を構成する。
【００３６】
図６は、図５に示した誘電体デュプレクサ装置を実装基板に実装した状態での主要部の断面図である。実装基板６の上面には、アダプタ基板１６の下面に形成した接地電極２０が接する接地電極７や、アダプタ基板の入出力電極１８ｂが接する入出力電極８ｂを形成している。この実装基板６の上面の電極は、アダプタ基板１６の実装基板６への実装面（下面）に形成した接地電極２０および入出力電極１８ｂのパターンに対応して形成している。したがって、アダプタ基板１６の接地電極非形成部２１に対応する実装基板６上の箇所には接地電極７を形成していない。
【００３７】
このような構造により、図３に示した場合と同様に、励振孔３ｂから誘電体ブロック１上面の外導体４方向への電界強度と励振孔３ｂから誘電体ブロック１の下面の外導体４方向への電界強度とが均衡して、ＴＥ１０１モードなどのスプリアスモードの励振が抑制できる。
【００３８】
なお、この実施形態では、２つの励振孔を備えた誘電体デュプレクサについて示したが、励振孔は１つだけであってもよいし、３つあってもよい。また、複数の励振孔のそれぞれの内導体に導通する入出力端子の対向位置に接地電極非形成部を設けてもよい。例えば、図５に示した構成で、入出力電極１８ａが対向する位置にも接地電極非形成部を設けてもよい。
【００３９】
なお、第１・第２の実施形態では、誘電体デュプレクサについて示したが、誘電体ブロックに単一のフィルタを構成した誘電体フィルタについても同様に適用できる。
次に、第３の実施形態に係る通信装置の構成を図７を参照して説明する。
図７において、ＡＮＴは送受信アンテナ、ＤＰＸはデュプレクサ、ＢＰＦａ，ＢＰＦｂはそれぞれ帯域通過フィルタ、ＡＭＰａ，ＡＭＰｂはそれぞれ増幅回路、ＭＩＸａ，ＭＩＸｂはそれぞれミキサ、ＯＳＣはオシレータ、ＳＹＮは周波数シンセサイザである。
【００４０】
ＭＩＸａは送信中間周波信号ＩＦと、ＳＹＮから出力された信号とを混合し、ＢＰＦａはＭＩＸａからの混合出力信号のうち送信周波数帯域のみを通過させ、ＡＭＰａはこれを電力増幅してＤＰＸを介し、ＡＮＴより送信する。ＡＭＰｂはＤＰＸから取り出した受信信号を増幅する。ＢＰＦｂはＡＭＰｂから出力される受信信号のうち受信周波数帯域のみを通過させる。ＭＩＸｂは、ＳＹＮから出力された周波数信号と受信信号とをミキシングして受信中間周波信号ＩＦを出力する。
【００４１】
信号処理回路は、音声コーデック、ＴＤＭＡ同期制御回路、変調器、復調器、およびＣＰＵなどから成り、この信号処理回路の入力部にマイク、スピーカ、表示器、電池などを接続することによって移動体通信端末（携帯電話）としての通信装置を構成している。
【００４２】
上記ＢＰＦａ，ＢＰＦｂには、前述の誘電体フィルタを用い、上記ＤＰＸには第１または第２の実施形態に係る誘電体デュプレクサを用いる。
このように、低スプリアス特性の誘電体デュプレクサまたは誘電体フィルタを用いたことにより、送信信号、受信信号または両信号の所定周波数帯域の透過および遮断を確実に行うことができ、通信特性に優れた通信装置が得られる。
【００４３】
【発明の効果】
この発明によれば、励振孔の開放端付近と外導体との間に生じる電界の上下方向の強度が均衡してＴＥモードの励振が抑えられる。
【００４４】
また、この発明によれば、誘電体フィルタとアダプタ基板とを接合した構造の誘電体フィルタ装置を実装基板に実装する際、アダプタ基板の実装面の電極パターンに合わせて、実装基板への実装面の電極パターンを定めるだけで、上述の作用効果が得られる。
【００４５】
この発明によれば、スプリアス特性の抑圧されたフィルタ特性で送信信号、受信信号または両信号の所定周波数帯域の透過および遮断を確実に行うことができ、通信特性に優れた通信装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る誘電体デュプレクサの透視斜視図
【図２】同誘電体デュプレクサとその実装基板の構成を示す図
【図３】同誘電体デュプレクサの実装構造での励振孔周囲の電界強度の例を示す図
【図４】同誘電体デュプレクサの従来例に比較して示した特性図
【図５】第２の実施形態に係る誘電体デュプレクサの実装構造および誘電体デュプレクサ装置の構成を示す図
【図６】同誘電体デュプレクサ装置の実装構造を示す部分断面図
【図７】第３の実施形態に係る通信装置の構成を示すブロック図
【図８】従来の誘電体デュプレクサおよびその実装基板の構成を示す図
【符号の説明】
１−誘電体ブロック
２−共振器孔
３−励振孔
４−外導体
５−入出力端子
６−実装基板
７，１０−接地電極
８−入出力電極
９−線路
１１−接地電極非形成部
１６−アダプタ基板
１７，２０−接地電極
１８−入出力電極
２１−接地電極非形成部
３０−誘電体デュプレクサ
ｇ−内導体非形成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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