(57)【要約】【課題】検査プローブのテストパッドに対するスライド量を小さくし、半導体装置の使用時に必要ない製造上の必要長さの増大を抑制する。【解決手段】ベースフィルム上に形成した配線と接続するように半導体素子が搭載されるテープキャリア型半導体装置であって、配線の外部接続用端子から延在し、電気測定用検査プローブを接触させるテストパッド８の表面に少なくとも１本以上のスリット１０を形成した。電気的特性検査工程において、検査プローブがテストパッド８上をスライドした際に検査プローブの先端がスリット１０に入ることによってスライド量を抑制する。これによりテストパッド８のサイズ縮小を可能とし、テストパッド８や引回し領域等の半導体装置の使用時に必要ない領域を小さくできる。このため、テープキャリア上の１ピース長さの増大を抑制することができ、製品コストが低減する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムに、電子部品と電気的に接続する配線電極部と、検査プローブが接触して検査される検査電極部とを有する配線が形成されたテープキャリアであって、前記配線の検査電極部に前記検査プローブの先端が入って係止される係止部が形成されていることを特徴とするテープキャリア。
【請求項２】
ベースフィルム上に形成した配線と接続するように半導体素子が搭載されるテープキャリア型半導体装置であって、前記配線の外部接続用端子から延在し、電気測定用検査プローブを接触させるテストパッドの表面に少なくとも１以上のスリットを形成したこと特徴とする半導体装置。
【請求項３】
スリットは、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に対して直角方向に伸びる請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
スリットは、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に突出したＶ字形である請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
スリットの幅が、検査プローブの先端の径の１．０〜５．０倍である請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項２記載の半導体装置のスリットを形成したテストパッドに電気測定用検査プローブを接触させて半導体装置を検査する際に、前記検査プローブの先端が前記テストパッド上を移動して前記スリットに入ることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、テープキャリアおよび半導体装置ならびに半導体装置の検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ドライバＩＣ等に使用されているテープキャリア型半導体装置の製造に関連して、半導体素子をテープキャリアに搭載した後、電気的特性検査を行う。
【０００３】
図５は導体リード側から見た従来のテープキャリア型半導体装置の平面図である。ベースフィルム１８上に銅箔をエッチングすることにより細線パターンが形成されている（図示せず）。半導体素子は細線パターンと接続され、封止樹脂１６によって表面を保護されている。細線パターンには外部接続用のアウターリード１７が形成され、それ以外の領域の細線パターンはソルダーレジスト１５により表面保護されている。アウターリード１７からは電気検査用のテストパッド領域１４及び引回し領域３が延在し、ベースフィルム１８の端部にはテープキャリアの搬送を規制するためのスプロケットホール１３が打抜き形成されている。
【０００４】
図６は図５に示したテストパッド領域の拡大図、図７はその断面図である。電気的特性検査において、テープキャリア上に設けた複数個のテストパッド８に検査プローブ９を安定して接触させる為に、検査プローブ９をテストパッド８の表面にスライドさせて検査を行う。このためテストパッド８上に検査プローブ９がスライドするスペースが必要となり、ある程度以上のサイズをもったテストパッド８が必要となる。また、テストパッド８の表面には、垂直型の検査ピンの位置合せずれを補正するための凹みが形成されている場合も有る（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平２−３９４４７号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
テープキャリア型半導体装置のコスト構造において、直接材料費の大勢を占めるテープキャリアのコストは、半導体装置のコストにおいて大きな要素であり、課題である反面、コストダウンをもたらす要素でもある。テープキャリアのコストを構成するのはテープの面積であり、これはテープキャリア幅とテープキャリアのパーフォレーション数（テープキャリア長さ）による。
【０００７】
従来は、検査プローブ９のスライド量をテストパッド８のサイズに含んでおり、テープキャリアにおいて本来、半導体装置の使用時に必要ない製造上の必要長さが増大する。つまり切り捨てられる領域が増大し、不用な製品コストが増大することになる。実際には、図５に示す通りテープキャリア上の１ピース長さ１は、パーフォレーションピッチ４の整数倍になるため、テープキャリア上の製品打抜き後長さ２とテストパッドおよび引回し領域３を合せた長さ以上に、切り捨て領域１９が発生する場合が生じる。
【０００８】
また、近年の検査プローブ９はばねを使った垂直当接方式ではなく、テストパッド８の表面に対して斜めに当接させることで検査プローブ９の弾性を利用してスライドさせることによりコンタクト安定性を向上して微細配置および多ピン可を実現している。これにより従来テストパッド８に形成した位置補正用の単独の丸凹みではスライド量をコントロールすることが困難になってきている。
【０００９】
したがって、この発明の目的は、テープキャリアにおいて、検査プローブのテストパッドに対するスライド量を小さくし、半導体装置の使用時に必要ない製造上の必要長さの増大を抑制することができるテープキャリアおよび半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためにこの発明の請求項１記載のテープキャリアは、ベースフィルムに、電子部品と電気的に接続する配線電極部と、検査プローブが接触して検査される検査電極部とを有する配線が形成されたテープキャリアであって、前記配線の検査電極部に前記検査プローブの先端が入って係止される係止部が形成されている。
【００１１】
このように、配線の検査電極部に検査プローブの先端が入って係止される係止部が形成されているので、電気的特性検査工程において、検査プローブが検査電極部上をスライドした際に検査プローブの先端が、例えば溝状に形成された係止部に入ることによってスライド量を抑制する。これにより検査電極部のサイズ縮小を可能とし、テープキャリアの製造上の必要長さが増大することを抑制することができる。
【００１２】
請求項２記載の半導体装置は、ベースフィルム上に形成した配線と接続するように半導体素子が搭載されるテープキャリア型半導体装置であって、前記配線の外部接続用端子から延在し、電気測定用検査プローブを接触させるテストパッドの表面に少なくとも１以上のスリットを形成した。
【００１３】
このように、配線の外部接続用端子から延在し、電気測定用検査プローブを接触させるテストパッドの表面に少なくとも１以上のスリットを形成したので、電気的特性検査工程において、検査プローブがテストパッド上をスライドした際に検査プローブの先端がスリットに入ることによってスライド量を抑制する。これによりテストパッドのサイズ縮小を可能とし、テストパッドや引回し領域等の半導体装置の使用時に必要ない領域を小さくできる。このため、テープキャリア上の１ピース長さの増大を抑制することができ、製品コストが低減する。
【００１４】
請求項３記載の半導体装置は、請求項２記載の半導体装置において、スリットは、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に対して直角方向に伸びる。このように、スリットは、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に対して直角方向に伸びるので、検査プローブの先端がスリットに入った際に引っ掛かった状態となり検査プローブが位置決めされる。
【００１５】
請求項４記載の半導体装置は、請求項２記載の半導体装置において、スリットは、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に突出したＶ字形である。このように、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に突出したＶ字形であるので、検査プローブの先端がスリットに入った際に引っ掛かった状態となる。また、検査プローブがテストパッドの幅に対して中央に接触しない場合にも、検査プローブがスリットのＶ字に沿ってスライドすることでテストパッドの中央へと案内され、検査プローブのテストパッドに対する位置ずれを補正することができる。
【００１６】
請求項５記載の半導体装置は、請求項２記載の半導体装置において、スリットの幅が、検査プローブの先端の径の１．０〜５．０倍である。このように、スリットの幅が、検査プローブの先端の径の１．０〜５．０倍であることが望ましい。すなわち、５．０倍以上になるとテストパッドの標準的なサイズを超えることになりスリットを形成できない。１．０倍以下になると検査プローブがスリットに引っ掛からない。
【００１７】
請求項６記載の半導体装置の検査方法は、請求項２記載の半導体装置のスリットを形成したテストパッドに電気測定用検査プローブを接触させて半導体装置を検査する際に、前記検査プローブの先端が前記テストパッド上を移動して前記スリットに入る。このように、請求項２記載の半導体装置のスリットを形成したテストパッドに電気測定用検査プローブを接触させて半導体装置を検査する際に、検査プローブの先端がテストパッド上を移動してスリットに入るので、検査プローブのスライド量を抑制して半導体装置を検査することができる。これによりテストパッドのサイズ縮小を可能とし、テープキャリア上の１ピース長さの増大を抑制することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
この発明の第１の実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。図１はこの発明の第１の実施の形態の導体リード側から見たテープキャリア型半導体装置の平面図である。
【００１９】
図１に示すように、このテープ型半導体装置に用いるテープキャリアは、絶縁性のベースフィルム１８に、電子部品と電気的に接続する配線電極部と、検査プローブが接触して検査される検査電極部（テストパッド領域１４）とを有する配線が形成されている。半導体素子は配線電極部と接続するように搭載されている（図示せず）。
【００２０】
この場合、ベースフィルム１８上に銅箔をエッチングすることにより細線パターンが形成されている。半導体素子は細線パターンと接続され、封止樹脂１６によって表面を保護されている。細線パターンには外部接続用のアウターリード１７が形成され、それ以外の領域の細線パターンはソルダーレジスト１５により表面保護されている。アウターリード１７からは電気検査用のテストパッド８及び引回し領域３が延在し、ベースフィルム１８の端部にはテープキャリアの搬送を規制するためのスプロケットホール１３が打抜き形成されている。
【００２１】
図２は図１に示したテストパッド領域の部分２０の拡大図、図３はその切断面ａにおける断面図である。図２に示すように、配線の外部接続用端子（アウターリード１７）から検査電極部のテストパッド８が延在し、このテストパッド８の表面に少なくとも１以上のスリット１０を形成している。テストパッド８は多段状に複数形成される。図２はテストパッド８を６段配置した例である。銅箔で形成されたテストパッド８にエッチングでスリット１０が形成される。図２中のスリット１０は検査プローブ９のスライド方向に直交にして、数本配置した縞状のパターン構造としている。なお、図３においてスリット１０を一部省略している。
【００２２】
上記構成の半導体装置を検査する際、電気測定用検査プローブ９をテストパッド８に接触させる。このとき、図３に示すように、検査プローブ９がテストパッド８に接触しながら検査プローブのオーバードライブ量６に相当する検査プローブ９のスライド量７だけスライドすると複数形成されたスリット１０に検査プローブ９が引っ掛かることで検査プローブ９のスライド量７が抑制される。
【００２３】
スリット１０は検査プローブ９の先端が引っかかる形状であれば、丸形状をアレイ配置してもよいし、スリット１０の深さは銅箔厚みの途中まででも良く、銅箔厚みを貫通してベースフィルム１８に達しても良い。このように検査プローブ９のスライド量７の抑制によりテストパッド高さ５を抑制することが出来る。スリット１０の幅は、検査プローブ９の先端が斜めに接触した場合に入り込むように、検査プローブ９の先端の直径以上あるのが望ましく、これ以下の幅では検査プローブ９の先端がスリット１０に引っかからずに、検査プローブ９のスライド量７を抑制する効果が低下する。またスリット１０の幅は、検査プローブ９の直径の５倍以下が望ましい。すなわち、５倍以上になると、一般的な直径である６０μｍの５倍である３００μｍのスリット１０を形成することになり、従来のテストパッド高さ５の標準的なサイズである３００μｍを超えることになり、スリット１０を形成することが出来ない。また３００μｍのスリット１０を形成するためにテストパッド高さ５を拡大することは本発明の目的であるテープキャリア上の１ピース長さの縮小に逆行することになる。
【００２４】
この発明の第２の実施の形態を図４に基づいて説明する。図４はこの発明の第２の実施の形態において、図１に示したテストパッド領域の部分２０に相当する拡大図である。図４の切断面ｂは図３と同様である。なお、テストパッド領域を除いては図１と同様であり、その説明を省略する。
【００２５】
テストパッド８は多段状に複数形成される。図４は６段配置した例である。銅箔で形成されたテストパッド８にエッチングでスリット１１が形成される。スリット１１はＶ字形状をしており、テストパッド８の表面に検査プローブ９が接触して移動する方向に突出している。すなわち、図３に示すように、検査プローブ９のスライド方向に対して、テストパッド８の幅の中央にＶ字角部が位置し、検査プローブ９がテストパッド８の幅に対して中央に接触しない場合にも、検査プローブ９がテストパッド８上をスライドする過程でスリット１１のＶ字に沿ってスライドすることで検査プローブ８の先端はテストパッド８の中央へと強制される。これにより検査プローブ９のテストパッド８に対する位置ずれを補正することが出来る。
【００２６】
以上のように本実施の形態によれば、電気的特性検査工程において、テストパッド８にスリット１０，１１などの凹みを形成する。このテストパッド８上に検査プローブ９の先端がスライドする際に、検査プローブ９の先端がスリット１０，１１に入ることによって検査プローブ９のスライド量を抑制する。これによりテストパッド８のサイズ縮小を可能とし、テープキャリア上１ピースの長さ１の増加を抑制することができる。具体的には、図１に示す通りテープキャリア上の１ピース長さ１は、パーフォレーションピッチ４の整数倍になるため、テープキャリア上の製品打抜き後長さ２とテストパッドおよび引回し領域３を合せた長さとなり、従来例のような切り捨て領域が発生しない。なお、スリットは溝等の係止部であってもよい。
【００２７】
【発明の効果】
この発明の請求項１記載の半導体装置によれば、配線の検査電極部に検査プローブの先端が入って係止される係止部が形成されているので、電気的特性検査工程において、検査プローブが検査電極部上をスライドした際に検査プローブの先端が、例えば溝状に形成された係止部に入ることによってスライド量を抑制する。これにより検査電極部のサイズ縮小を可能とし、テープキャリアの製造上の必要長さが増大することを抑制することができる。
【００２８】
この発明の請求項２記載の半導体装置によれば、配線の外部接続用端子から延在し、電気測定用検査プローブを接触させるテストパッドの表面に少なくとも１以上のスリットを形成したので、電気的特性検査工程において、検査プローブがテストパッド上をスライドした際に検査プローブの先端がスリットに入ることによってスライド量を抑制する。これによりテストパッドのサイズ縮小を可能とし、テストパッドや引回し領域等の半導体装置の使用時に必要ない領域を小さくできる。このため、テープキャリア上の１ピース長さの増大を抑制することができ、製品コストが低減する。
【００２９】
請求項３では、スリットは、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に対して直角方向に伸びるので、検査プローブの先端がスリットに入った際に引っ掛かった状態となり検査プローブが位置決めされる。
【００３０】
請求項４では、テストパッドの表面に検査プローブが接触して移動する方向に突出したＶ字形であるので、検査プローブの先端がスリットに入った際に引っ掛かった状態となる。また、検査プローブがテストパッドの幅に対して中央に接触しない場合にも、検査プローブがスリットのＶ字に沿ってスライドすることでテストパッドの中央へと案内され、検査プローブのテストパッドに対する位置ずれを補正することができる。
【００３１】
請求項５では、スリットの幅が、検査プローブの先端の径の１．０〜５．０倍であることが望ましい。すなわち、５．０倍以上になるとテストパッドの標準的なサイズを超えることになりスリットを形成できない。１．０倍以下になると検査プローブがスリットに引っ掛からない。
【００３２】
この発明の請求項６記載の半導体装置の検査方法によれば、請求項２記載の半導体装置のスリットを形成したテストパッドに電気測定用検査プローブを接触させて半導体装置を検査する際に、検査プローブの先端がテストパッド上を移動してスリットに入るので、検査プローブのスライド量を抑制して半導体装置を検査することができる。これによりテストパッドのサイズ縮小を可能とし、テープキャリア上の１ピース長さの増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態の導体リード側から見たテープキャリア型半導体装置の平面図である。
【図２】図１に示したテストパッド領域の部分２０の拡大図である。
【図３】図２の切断面ａで切った断面図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態において、図１に示したテストパッド領域の部分２０に相当する拡大図である。
【図５】導体リード側から見た従来のテープキャリア型半導体装置の平面図である。
【図６】図５に示したテストパッド領域の拡大図である。
【図７】図６の断面図である。
【符号の説明】
１  テープキャリア上の１ピース長さ
２  テープキャリア上の製品打抜き後長さ
３  テストパッドおよび引回し領域
４  パーフォレーションピッチ
５  テストパッド高さ
６  検査プローブのオーバードライブ量
７  検査プローブのスライド量
８  テストパッド
９  検査プローブ
１０  スリット
１１  スリット
１３  スプロケットホール
１４  テストパッド領域
１５  ソルダーレジスト
１６  封止樹脂
１７  アウターリード
１８  ベースフィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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