(57)【要約】【課題】搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを容易に確認することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】レーザ光を出射する半導体レーザチップ５１と、半導体レーザチップ５１から出射されるレーザ光を光ディスク５５上に通過させるホログラム素子５２と、光ディスク５５で反射しホログラム素子５２を通過した反射レーザ光を受光し、この反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子５３を備えた半導体レーザ装置５０において、受光素子５３の前記電気信号を出力する出力端子ＲＦ、Ｖａ〜Ｖｄ、Ｖｔ１〜Ｖｔ４に受光素子５３を識別するためのオフセット電圧を印加するオフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８から成るオフセット電圧印加部１０を受光素子５３に設ける。【選択図】      図２
2004334997.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する半導体レーザチップと、該半導体レーザチップから出射されるレーザ光を光ディスク上に通過させる光学部品と、前記光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子を備えた半導体レーザ装置において、
前記受光素子が、その出力端子に該受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記オフセット電圧として、予め定めた電圧が用いられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記オフセット電圧として、予め定めた正、負のいずれかの電圧が用いられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記受光素子は前記電気信号が出力される複数の出力端子を有し、該複数の出力端子と該複数の出力端子のそれぞれに印加されるオフセット電圧との組み合わせが、前記受光素子を識別するための予め定めた組み合わせであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記受光素子は複数のフォトダイオードと該複数のフォトダイオードの出力信号を増幅する複数の増幅回路と該複数の増幅回路の各増幅回路からの前記電気信号が出力される複数の出力端子を有し、該複数の出力端子と該複数の出力端子のそれぞれに印加されるオフセット電圧との組み合わせが、前記受光素子を識別するための予め定めた組み合わせであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記受光素子が、該受光素子の外部から与えられる切替信号に応じて、前記出力端子に前記オフセット電圧を印加するか否かを切り替えるようになっていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体レーザ装置の検査方法において、
前記半導体レーザ装置に搭載された受光素子から出力されるオフセット電圧により該受光素子を識別し、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認した後に、前記半導体レーザ装置の動作検査を行うことを特徴とする半導体レーザ装置の検査方法。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体レーザ装置の組立方法において、
前記半導体レーザ装置に搭載された受光素子から出力されるオフセット電圧により該受光素子を識別し、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認した後に、前記半導体レーザ装置に搭載される光学部品を取り付けることを特徴とする半導体レーザ装置の組立方法。
【請求項９】
半導体レーザ装置に搭載される受光素子であって、半導体レーザチップから出射されたレーザ光が光学部品を介して光ディスクに照射され、該光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子において、
前記電気信号を出力する出力端子に、受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっていることを特徴とする受光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置に関するものであり、特に、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ、ＭＯ、ＤＶＤ等の光ディスクにデータを記録、或いは、データを再生する光ディスク装置の光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般の光ピックアップに使用される半導体レーザ装置は、例えば、図１に示すように構成されている。図１において、５０は半導体レーザ装置を示し、半導体レーザ装置５０は、半導体レーザチップ５１、光学部品であるホログラム素子５２、受光素子５３等が一体に構成されている。半導体レーザチップ５１と受光素子５３がともにステム５９上にダイボンドされて配設され、１つのパッケージ５６内に収められている。そして、ホログラム素子５２はパッケージ５６のキャップ５６ａの上面に接着固定され、半導体レーザチップ５１、受光素子５３とともに一体化されている。
【０００３】
次に、このような構成の半導体レーザ装置５０の動作を説明する。光ディスク５５のデータ再生時、半導体レーザチップ５１から出射されたレーザ光５７が、ホログラム素子５２を透過して、対物レンズ５４等で集光されて、光ディスク５５の記録面５５ａに到達する。そして、記録面５５ａで反射し、情報を得たレーザ光５８は、半導体レーザ装置５０に戻り、ホログラム素子５２によって進路を変えられ、受光素子５３に入射する。このレーザ光５８は、受光素子５３内でフォトダイオード等により電気信号に変換され、この電気信号は再生信号及び光ピックアップ光学系を調整する信号として、図示しないリードピンから光ディスク装置の電気回路等に与えられる。
【０００４】
このような構成の半導体レーザ装置５０に搭載される半導体レーザチップ５１は、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ等の光ディスク５５の種類に応じて、その種類（高出力の赤外半導体レーザ、赤色半導体レーザ等）が決められ、光学部品であるホログラム素子５２や受光素子５３は、光ピックアップの光学設計によって、ホログラム素子５２の回折格子や受光素子５３内のフォトダイオードの受光部のパターン形状及びゲイン等が、使用される光ピックアップにおいて最適になるように決められる。そして、このように最適に設計された半導体レーザチップ５１、ホログラム素子５２、受光素子５３等が上述のような構成に組み立てられ、使用される光ピックアップの仕様に応じた半導体レーザ装置５０となる。
【０００５】
このような半導体レーザ装置５０の検査は、回折格子や受光部のパターンの少しの違いなどは外観からは容易に区別することができず、ゲインや周波数特性などの回路定数においても、実際の信号光入力がなければ、即ち、半導体レーザ装置５０を単体で測定しても容易には分からないので、実際に使用する光ピックアップにセットして、レーザ光５７を光ディスク５５の記録面５５ａに照射し、反射したレーザ光５８を実際に受光素子５３で受けて、要求する電気信号が得られるかどうかで検査している。
【０００６】
また、光ディスク装置の光ディスクに対面して配置される光学ピックアップに設けられる受発光素子であって、電流―電圧変換手段を通して第１の受光素子群と第２の受光素子群の各受光素子に関する信号からプッシュプル方式のトラッキングエラーに関する信号を得るための加算手段と、プッシュプル方式のトラッキングエラーに関する信号を補正して、トラッキングエラーに関する信号のＤＣオフセット成分を付加するための補正手段とを内蔵している受発光素子もある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−１１５１６８号公報  （第４−７頁、第１図）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、図１に示すような半導体レーザ装置５０には、使用される光ピックアップにおいて最適になるように設計された受光素子５３等が用いられている。しかしながら、半導体レーザチップ５１や受光素子５３は、ホログラム素子５２と違って、パッケージ５６の中にダイボンドされているために、完成品の状態ではその外観を確認することは難しい。そのため、間違った種類の受光素子５３が搭載されていた場合であっても、そのことを外観から判別することは、非常に困難である。
【０００９】
現行の半導体レーザ装置５０の検査は、上述したように、実際に使用する光ピックアップにセットして行われているが、一般に使用されている受光素子５３の中には、周波数特性やゲインのみが異なるものが多いため、実際に光ピックアップに組み込んで検査を行っても、例えば、低速で光ディスクを回転させている場合には、要求するものと異なる周波数特性やゲインの受光素子であることを発見できず、低速、高速の両方の検査を行うことが必要であり、検査工数が増大するという問題があった。
【００１０】
また、それぞれの受光素子の仕様範囲が広く、その仕様範囲の一部が重なっている場合には、その一部の使用範囲での検査では、同じ受光素子であるか異なる受光素子であるかを判断できず、要求される受光素子が間違いなく搭載されていることを確認するためには、温度特性等も考慮した全ての仕様範囲で全数検査する必要が生じる。即ち、検査において受光素子の誤搭載を発見するためには、温度特性等の抜き取り検査や設計上で保証されている項目まで全ての特性を検査することになり、膨大な検査項目と測定時間が必要になるという問題があった。
【００１１】
一方、正しい受光素子が搭載されていることを前提に、同じ測定項目であっても周波数特性や温度特性について全ての領域を検査するわけではなく、１点ないしは２点程度の検査を行う場合は、間違った受光素子が搭載された場合であっても、受光素子の種類によっては通常の検査では発見されないばかりでなく、良品と判定される場合も有り得るという問題があった。
【００１２】
また、特許文献１に記載の従来技術では、出射されるレーザ光が１ビーム方式の場合においても、３ビーム方式の場合と同じように、ＤＣオフセット成分を含むプッシュプル方式のトラッキングエラーに関する信号を得ることはできるが、この付加されるＤＣオフセット成分は任意に定められるものではなく、従って、この付加されるＤＣオフセット成分から受光素子の誤搭載を発見することはできない。
【００１３】
本発明は、上記の点に鑑み、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを容易に確認することができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、レーザ光を出射する半導体レーザチップと、該半導体レーザチップから出射されるレーザ光を光ディスク上に通過させる光学部品と、前記光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子を備えた半導体レーザ装置において、前記受光素子が、その出力端子に該受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっているものである。
【００１５】
このようにすると、前記受光素子から出力される前記オフセット電圧を測定することにより該受光素子を識別することができ、搭載された受光素子の識別が視認によっては困難である場合や半導体レーザ装置単体で検査する場合においても、容易に受光素子を識別することができる。また、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されているかどうかの検査において、仕様と異なった受光素子が誤搭載されていることを容易に発見でき、受光素子が誤搭載された半導体レーザ装置であるにも拘わらず、良品として市場に流出するのを防ぐことができる。
【００１６】
また、例えば、前記オフセット電圧として、予め定めた電圧が用いられていると、前記受光素子から出力されるオフセット電圧の電圧値から該受光素子を容易に識別することができる。
【００１７】
また、例えば、前記オフセット電圧として、予め定めた正、負のいずれかの電圧が用いられていると、オフセット電圧の違いが明確になり、受光素子の識別がより容易になるとともに、オフセット電圧を正、負の両方向に２分割することによって、オフセット電圧を大きくしすぎて受光素子のダイナミックレンジを狭めることを防止することができる。
【００１８】
また、例えば、前記受光素子は前記電気信号が出力される複数の出力端子を有し、該複数の出力端子と該複数の出力端子のそれぞれに印加されるオフセット電圧との組み合わせが、前記受光素子を識別するための予め定めた組み合わせであると良い。このようにすると、出力端子の数とオフセット電圧の種類の数とを乗じた数の種類の受光素子を識別することができる。
【００１９】
また、例えば、前記受光素子は複数のフォトダイオードと該複数のフォトダイオードの出力信号を増幅する複数の増幅回路と該複数の増幅回路の各増幅回路からの前記電気信号が出力される複数の出力端子を有し、該複数の出力端子と該複数の出力端子のそれぞれに印加されるオフセット電圧との組み合わせが、前記受光素子を識別するための予め定めた組み合わせであると良い。このようにすると、出力端子の数とオフセット電圧の種類の数とを乗じた数の種類の受光素子を識別することができる。
【００２０】
また、例えば、前記受光素子が、該受光素子の外部から与えられる切替信号に応じて、前記出力端子に前記オフセット電圧を印加するか否かを切り替えるようになっていると、受光素子の識別を必要とするときのみ受光素子からオフセット電圧が出力され、その他の通常時には受光素子からオフセット電圧が重畳していない電気信号が出力されるようにすることができ、通常時に受光素子からの電気信号を処理する他の電気回路等の処理において、オフセット電圧を考慮する必要が無くなる。
【００２１】
また、例えば、前記半導体レーザ装置の検査方法において、該半導体レーザ装置に搭載された受光素子から出力されるオフセット電圧により該受光素子を識別し、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認した後に、前記半導体レーザ装置の動作検査を行うようにすると、受光素子の誤搭載を判別するための動作検査を行う必要がなくなるので、検査工数を削減することができる。
【００２２】
また、例えば、前記半導体レーザ装置の組立方法において、該半導体レーザ装置に取り付けられた受光素子から出力されるオフセット電圧により該受光素子を識別し、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認した後に、前記半導体レーザ装置に搭載される光学部品を取り付けるようにすると、受光素子が誤搭載された半導体レーザ装置を光学部品が搭載されていない低付加価値の段階で処理することができ、受光素子の誤搭載による損失を最小限に抑えることができる。
【００２３】
また、例えば、半導体レーザ装置に搭載される受光素子であって、半導体レーザチップから出射されたレーザ光が光学部品を介して光ディスクに照射され、該光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子において、前記電気信号を出力する出力端子に、受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっていると良い。
【００２４】
このようにすると、前記受光素子から出力される前記オフセット電圧を測定することによって、該受光素子を識別することができ、半導体レーザ装置に搭載され視認によっては識別が困難である場合においても、容易に識別することができる受光素子が実現できる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。尚、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の概略構成は、図１に示す一般の半導体レーザ装置５０の概略構成と同じであり、その説明は省略する。図２は、本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【００２６】
図２において、５３は受光素子を示す。受光素子５３は、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈと、アンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈと、加算アンプＰＡｍｐと、オフセット電圧印加部１０と、出力端子ＲＦ、Ｖａ〜Ｖｄ、Ｖｔ１〜Ｖｔ４を備えており、オフセット電圧印加部１０は、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８から構成されている。フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈはアノードが接地され、カソードがそれぞれアンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈのそれぞれの入力に接続されている。
【００２７】
これらのフォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈは、図１に示す光ディスク５５の記録面５５ａで反射されたレーザ光５８を受光し、レーザ光５８の光信号を電気信号に変換して出力する。そして、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｈから出力された電気信号は、それぞれアンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈで増幅され、増幅されたそれぞれの電気信号はオフセット電圧印加回路ＯＦＳ１〜ＯＦＳ８に与えられ、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ１〜ＯＦＳ８によってそれぞれ所定のＤＣレベルのオフセット電圧が印加され、このオフセット電圧が重畳されたそれぞれの電気信号が出力端子Ｖａ〜Ｖｄ、Ｖｔ１〜Ｖｔ４から出力される。
【００２８】
複数のフォトダイオードのうち、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｄは、図１に示すレーザ光５７の焦点位置を光ディスク５５の記録面５５ａに合わせる調整に用いるフォーカスサーボ信号Ｖａ〜Ｖｄ用の電気信号を生成する。一方、フォトダイオードＰＤｅ〜ＰＤｈは、光ディスク５５の記録面５５ａ上のトラックに記録されている情報パターンにレーザ光５７の中心を合わせる調整に用いられるトラッキングサーボ信号Ｖｔ１〜Ｖｔ４用の電気信号を生成する。また、フォトダイオードＰＤａ〜ＰＤｄからの電気信号はアンプＰＡｍｐにより加算増幅され、再生に用いられるＲＦ信号が生成される。そして、このＲＦ信号にはオフセット電圧印加回路ＯＦＳ０によって所定のＤＣレベルのオフセット電圧が印加され、このオフセット電圧が重畳されたＲＦ信号が出力端子ＲＦから出力される。
【００２９】
このとき、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８によって印加される前記オフセット電圧は、一般的に、受光素子５３からの初期オフセット電圧が±３０ｍＶ程度あるので、この初期オフセット電圧と区別できるように、±５０ｍＶ以上にすることが望ましい。しかし、印加するオフセット電圧を大きくすると、増幅器が有効に動作する振幅範囲であるダイナミックレンジが狭くなるので、±５０ｍＶ〜±１００ｍＶ程度にすることが望ましい。そして、その範囲内で複数の異なった値のオフセット電圧（例えば、＋５０ｍＶと＋１００ｍＶ）をそれぞれのオフセット電圧印加回路で印加することができる。また、正、負のそれぞれの方向に異なった値のオフセット電圧（例えば、−５０ｍＶと＋１００ｍＶ）を印加することもできる。
【００３０】
このようにして、各種のオフセット電圧が重畳された電気信号の信号波形の一例を図３に示す。図３において、縦軸は電気信号の電圧を示しており、横軸は時間を示している。（ａ）はオフセット電圧＝０Ｖの場合、（ｂ）はオフセット電圧＞０Ｖの場合、（ｃ）はオフセット電圧＜０Ｖの場合の電気信号の信号波形である。（ａ）の場合は、オフセット電圧が印加されておらず、アンプで増幅された電気信号の電圧レベルが実線３０で示されている。（ｂ）の場合は、破線３１が正のオフセット電圧レベル（＋ｄｖ）を示しており、電気信号の電圧レベルはオフセット電圧分だけ正方向にシフトしている。（ｃ）の場合は、破線３２が負のオフセット電圧レベル（−ｄｖ）を示しており、電気信号レベルはオフセット電圧分だけ負方向にシフトしている。また、受光素子５３が光を受光していないときには、オフセット電圧のみが出力される。
【００３１】
このように、受光素子５３から出力される各種電気信号は、受光素子の機種に応じて予め定められた所定のオフセット電圧が重畳されて出力される。通常、これらの各種電気信号が与えられる半導体レーザ装置５０が搭載される光ディスク装置の電気回路等において、このオフセット電圧は除去され、その後演算処理される。また、このオフセット電圧の値を受光素子の機種に応じたものにすることにより、受光素子５３が搭載された半導体レーザ装置５０の検査を行う際には、受光素子５３から出力されるオフセット電圧を測定することにより、搭載されている受光素子５３の機種を一意的に特定することができ、搭載されるべき受光素子と異なった受光素子が搭載されている場合でも、容易にその誤搭載を発見することができる。
【００３２】
また、印加されるオフセット電圧は、各電気信号毎、即ち、出力端子毎に設定することができる。また、印加されるオフセット電圧は、正、負の両方向の電圧、または、同じ正または負の電圧であっても異なる値の電圧にすることができる。従って、出力端子と各出力端子に印加されるオフセット電圧との組み合わせによって、例えば、出力端子と正、０のオフセット電圧の組み合わせ、または、出力端子と正、０、負のオフセット電圧の組み合わせによって受光素子の機種を特定することができる。即ち、オフセット電圧の値の種類×出力端子の数だけ異なった組合せを生成することができ、この異なった組合せのそれぞれを受光素子の機種に対応させることによって、多数の受光素子の識別ができる。
【００３３】
表１は、出力端子と出力端子に印加するオフセット電圧の種類数との組み合わせにより識別できる受光素子の機種数を示した表である。オフセット電圧の種類数が、１行目には２種類の場合（例えば、正と０、即ち、＋５０ｍＶと０Ｖ）、２行目には３種類の場合（例えば、正、０、負、即ち、＋５０ｍＶ、０Ｖ、−５０ｍＶ）が示されている。そして、１列目から６列目は、各種電気信号が出力される出力端子の数が１〜６個の場合であり、それぞれの場合の識別できる受光素子の数が示されている。例えば、オフセット電圧の種類数を３種類とし、出力端子の数を５個とすると、識別できる受光素子の数は、３の５乗、即ち、２４３種類となる。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
一般に光ピックアップに使用される信号端子の数は、フォーカスサーボ信号に２個、トラッキングサーボに２個、ＲＦ信号に１個と合計５個程度であり、実際、識別しなければならない受光素子の数は、数十〜数百程度である。従って、オフセット電圧の種類数が２種類または３種類程度であっても、多くの受光素子を識別することができ、ダイナミックレンジの観点から、オフセット電圧を正、または負の同一方向に幾種類も設定しない方が好ましい。
【００３６】
また、受光素子の誤搭載は、図１に示すような半導体レーザ５０を完全に組み立てる前に発見することができ、受光素子の誤搭載による損失を最小限にすることができる。以下に、この効果を図６を参照して説明する。図６は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の組立工程を示すフローチャートである。
【００３７】
先ず、図１に示すステム５９上に半導体レーザチップ５１をダイボンドする（工程Ｋ１）。次に、受光素子５３を同じくステム５９上にダイボンドする（工程Ｋ２）。これにより、半導体レーザチップ５１と受光素子５３との位置関係は極めて安定に保たれる。次に、半導体レーザチップ５１と受光素子５３とをパッケージ５６に電気的に絶縁されて取り付けられたピン（不図示）とつながるリードフレーム（不図示）にワイヤボンドする（工程Ｋ３）。
【００３８】
次に、パッケージ５６の上面を構成するキャップ５６ａをかぶせ、パッケージ５６を密封封止する（工程Ｋ４）。そして、密封封止したパッケージ５６に電気的ストレス等をかけるバーンインを行う（工程Ｋ５）。その後、中間（静特性）検査を行い、バーンインにより初期劣化した不良品を除くとともに、この中間検査において、取り付けられた受光素子５３が搭載されるべき正しい受光素子であるかどうかを、受光素子５３の各出力端子から出力されるオフセット電圧を測定し、予め検査機等に入力されている受光素子の機種毎のオフセット電圧の組み合わせを参照することにより識別して確認する（工程Ｋ６）。正しい受光素子が搭載されている場合（ＯＫの場合）は次工程に進むが、誤搭載である場合（ＮＧの場合）はこの時点で組立を終了する。
【００３９】
次に、中間検査でパスした良品のキャップ５６ａ上にホログラム素子５２をダイボンドして半導体レーザ装置５０が組み立てられる（工程Ｋ７）。そして、最後に、工程Ｋ８において、半導体レーザ装置５０を、光ピックアップに組み入れて実動作での最終（動特性）検査を行い、最終良品を選別する。このとき、既に中間検査で搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることは確認されているので、最終検査で検査する検査項目に、温度特性等の抜き取り検査や設計上保証されている項目の検査を含める必要はなく、検査項目数を低減し、測定時間を短縮することができる。
【００４０】
このように、組立工程の途中の中間検査で、受光素子５３から出力されるオフセット電圧を測定するという簡単な方法で、受光素子５３が、搭載されるべき正しい受光素子であることを確認することにより、最終検査での検査項目及び検査に要する測定時間を低減することができる。また、最終的に組み立てる前に受光素子５３の誤搭載を発見できるので、中間検査以後に組み立てられる部品及びその組立時間を無駄にすることがなくなり、誤搭載による損失を最小限にすることができる。
【００４１】
図５は、本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。図５において、図２と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。図５に示す受光素子５３が図２に示す受光素子５３と相違する点は、オフセット電圧印加部１０の代わりにオフセット電圧印加部２０が設けられている点である。オフセット電圧印加部２０は、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８と、セレクタＳ０〜Ｓ８と、切替信号ＳＥＬが入力される制御端子ＳＥＬから構成されている。
【００４２】
オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８は、加算アンプＰＡｍｐ、アンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈの出力信号に予め定められた所定のＤＣレベルのオフセット電圧を印加する。セレクタＳ０〜Ｓ８は、加算アンプＰＡｍｐ、アンプＡｍｐａ〜Ａｍｐｈの出力信号と、その出力信号に前記オフセット電圧を印加した信号とを切替信号ＳＥＬにより選択して出力している。例えば、加算アンプＰＡｍｐの出力信号を信号２１、オフセット電圧印加回路ＯＦＳ０の出力信号を信号２２とすると、切替信号ＳＥＬによって、セレクタＳ０がａ入力端子側に切り替わると、オフセット電圧が印加された信号２２がＲＦ信号として出力される。一方、ｂ入力端子側に切り替わると、オフセット電圧が印加されていない信号２１がＲＦ信号として出力される。以下、セレクタＳ１〜Ｓ８においても同様である。
【００４３】
このような構成により、図６に示す半導体レーザ装置の組立工程において、受光素子５３を特定する中間検査（工程Ｋ６）の際には、切替信号ＳＥＬが入力され、セレクタＳ０〜Ｓ８がａ入力端子側に切り替わり、オフセット電圧が出力される。そして、このオフセット電圧の測定により搭載されている受光素子５３を特定することができる。一方、半導体レーザ装置５０が実際に使用される際には、切替信号ＳＥＬが入力されず、セレクタＳ０〜Ｓ８がｂ入力端子側に切り替わり、オフセット電圧が印加されていない各電気信号が出力される。
【００４４】
このようにすることで、受光素子５３からの出力、即ち、半導体レーザ装置５０から出力される各電気信号を用いた演算の際に、半導体レーザ装置５０の外部の電気回路等でオフセット電圧を考慮して演算する必要がなくなり、この外部の電気回路等を簡素化できる。また、実際に光ピックアップ光学系に組み込んで動特性を検査する場合においても、オフセット電圧を印加しない信号を選択して実動作に合わせた信号電圧で検査することができる。
【００４５】
尚、半導体レーザ装置の組立工程外において、従来は、組みあがった半導体レーザ装置の選別において、半導体レーザ装置の外観の僅かな違いを人間の目で確認して選別していたが、受光素子から出力されるオフセット電圧を測定して受光素子の機種を特定することによって、その受光素子が使用されている半導体レーザ装置の機種を特定することも可能となる。
【００４６】
尚、以上説明した本発明の実施形態は、光学系を構成する光学部品としてホログラム素子を使用した半導体レーザ装置であったが、この光学部品にビームスプリッタ等を使用した半導体レーザ装置にも本発明は適用可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上のように、本発明によると、レーザ光を出射する半導体レーザチップと、該半導体レーザチップから出射されるレーザ光を光ディスク上に通過させる光学部品と、前記光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子を備えた半導体レーザ装置において、前記受光素子が、その出力端子に該受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっているので、前記受光素子から出力されるオフセット電圧を測定することにより受光素子を容易に識別することができ、搭載された受光素子の識別が視認によっては困難である場合や半導体レーザ装置単体で検査する場合においても、搭載されるべき正しい受光素子が搭載されていることを確認できる。
【００４８】
また、半導体レーザ装置の検査において、受光素子の誤搭載を判別するための動作検査を行う必要がなくなるので、検査工数を削減することができる。また、半導体レーザ装置の組立工程において、光学部品等をアッセンブリする前の中間段階での検査によって受光素子の誤搭載を発見できるので、受光素子の誤搭載による損失を最小限にすることができる。
【００４９】
また、半導体レーザ装置に搭載される受光素子であって、半導体レーザチップから出射されたレーザ光が光学部品を介して光ディスクに照射され、該光ディスクで反射し前記光学部品を通過した反射レーザ光を受光し該反射レーザ光を電気信号に変換する受光素子において、前記電気信号を出力する出力端子に受光素子を識別するためのオフセット電圧が印加されるようになっているので、前記受光素子から出力される前記オフセット電圧を測定することによって、該受光素子を識別することができ、半導体レーザ装置に搭載され視認によっては識別が困難である場合においても、容易に識別することができる受光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、本発明の実施形態の半導体レーザ装置の概略構成を示す構成図である。
【図２】は、本発明の第１実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【図３】は、本発明の実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子から出力される電気信号を示す信号波形図である。
【図４】は、本発明の実施形態の半導体レーザ装置の組立工程を示すフローチャートである。
【図５】は、本発明の第２実施形態の半導体レーザ装置に搭載された受光素子の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【符号の説明】
１０、２０    オフセット電圧印加部
２１、２２    信号
３０    電気信号の電圧レベル
３１    正オフセット電圧レベル
３２    負オフセット電圧レベル
５０    半導体レーザ装置
５１    半導体レーザチップ
５２    ホログラム素子（光学部品）
５３    受光素子
５４    対物レンズ
５５    光ディスク
５５ａ    記録面
５６    パッケージ
５６ａ    キャップ
５７    レーザ光（出射レーザ光）
５８    レーザ光（反射レーザ光）
５９    ステム
ＰＤａ〜ＰＤｈ    フォトダイオード
ＰＡｍｐ    加算アンプ
Ａｍｐａ〜Ａｍｐｈ    アンプ
ＯＦＳ０〜ＯＦＳ８    オフセット電圧印加回路
ＲＦ    再生信号、出力端子
Ｖａ〜Ｖｄ    フォーカスサーボ信号、出力端子
Ｖｔ１〜Ｖｔ４    トラッキングサーボ信号、出力端子
Ｓ０〜Ｓ８    セレクタ回路
ＳＥＬ    切替信号、制御端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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