(57)【要約】【課題】本発明は、ワイヤーボンディングを行う際に生じる機械的ストレスによる活性層の光出力特性への悪影響を回避することができるとともに、クロストークによる問題を回避でき、かつ駆動電圧が低い半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】クラッド層１０７の表面上の一部には、活性層１０３が形成されており、この活性層１０３にはレーザ光発光部１５０が設けられている。ガイド層１０４と１０５の表面上には、活性層１０８が形成されており、この活性層１０８にはレーザ光発光部１５１が設けられている。又、活性層１０３とガイド層１０４の間、及びガイド層１０４とガイド層１０５の間には、ＳｉＯ２からなる絶縁層１２１が形成されており、ガイド層１０５とガイド層１０６の間、及びガイド層１０６と活性層１０８の間には、ＳｉＯ２からなる絶縁層１２２が形成されている。これらの絶縁層１２１、１２２により、活性層１０３と１０８は電気的に分離されている。【選択図】　図１
2004071884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層の表面上の一部に形成された第１の活性層と、前記第１のクラッド層の表面上であって、前記第１の活性層が形成された部分以外の表面上に形成された第１のガイド層と、前記第１の活性層の表面上の一部に形成された第２のガイド層と、前記第１の活性層の表面上であって、前記第２のガイド層が形成された部分以外の表面上に形成された第３のガイド層と、前記第１のガイド層と前記第２のガイド層の表面上に形成された第２の活性層と、前記第２の活性層と前記第３のガイド層の表面上に形成された第２のクラッド層とを備えた半導体発光素子において、
前記第１のガイド層の端部に垂直方向に形成され、前記第１の活性層と前記第２のガイド層に隣接して形成された第１の絶縁層と、前記第３のガイド層の端部に垂直方向に形成され、前記第２のガイド層と前記第２の活性層に隣接して形成された第２の絶縁層とを備え、前記第２のガイド層は、前記第１、第２の活性層、及び前記第１、第２の絶縁層によって囲まれるように形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層の各々の上部が、前記第２のクラッド層の上面にまで伸びて形成され、前記第２の絶縁層の下部が、前記第１の活性層の下面にまで伸びて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１、第２、及び第３のガイド層を第４のガイド層により共通化したことを特徴とする請求項１、又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１の活性層、及び前記第２の活性層の各々には、光が発光する発光領域が設けられており、前記第２のクラッド層の表面上にコンタクト層が形成され、前記コンタクト層上に前記第１、及び第２の活性層の各々に対応する第１、及び第２の個別電極を設けるとともに、前記第１、及び第２の個別電極は、前記第１、第２の活性層の各々に設けられた発光領域の上方には形成されていないことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１、第２、第３、及び第４のガイド層が有する各々のバンドギャップエネルギーは、前記第１、及び第２の活性層が有するバンドギャップエネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１の活性層が発する光の波長は、前記第２の活性層が発する光の波長と異なることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１の活性層が発する光の主ピーク波長が４００乃至４５０ｎｍであり、前記第２の活性層が発する光の主ピーク波長が４９０乃至５２０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子に関する。特に、低い駆動電圧で、個別に複数の発光が得られる半導体素子に関する。
ここで、半導体素子とは、ダブルへテロ構造を有する発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）、半導体レーザダイオード（以下、ＬＤという）、スーパールミネセントダイオード（ＳＬＤ）等の光を発する半導体素子をいう。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＧａＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＮ等のＩＩＩ族窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子
、発光ダイオード等の半導体発光素子を用いた高輝度タイプの発光素子が量産されるようになり、特に、上記窒化物半導体を用いた発光素子は、その混晶比を変化させることにより、紫外領域から赤外領域まで発光色を調整することができる。
【０００３】
又、最近は、これら窒化物半導体を用いた複数の活性層により、１チップで複数のレーザ光を得る半導体発光素子が開発されており、１チップ内において、複数の活性層をキャリア閉じこめ層（クラッド層）を介して順次積層したものが提案されている。図５に、複数の活性層を順次積層した従来の半導体発光素子の模式的な概略図を示す。
図５に示すように、この半導体発光素子は、サファイア基板５０１上に、ＧａＮからなるバッファー層５０２、ｎ型のＧａＮからなるｎ型コンタクト層５０３、ｎ型のＧａＡｌＮからなるｎ型クラッド層５０４、第１活性層５０５、アンドープＧａＮからなるバリア層５０６、第２活性層５０７、ｐ型のＧａＡｌＮからなるｐ型クラッド層５０８、ｐ型のＧａＮからなるｐ型コンタクト層５０９を順次形成した半導体発光素子である。又、ｐ型コンタクト層５０９の表面上には、ｐ側電極５１０が形成されており、ｎ型コンタクト層５０３の表面上にはｎ側電極５１１が形成されている。
【０００４】
ここで、これらの活性層５０５、５０７は、これらの活性層５０５、５０７を隔離するためのバリア層５０６を挟み込む様に積層されている。即ち、活性層５０５と活性層５０７の間にバリア層５０６を設けており、これらの活性層５０５、活性層５０７及びバリア層５０６を直列接続した構成となっているため、電気的に両活性層を直列接続した構造となっている。また、電子と正孔の再結合を効率よく行わせ、発光効率を上げるために、バンドギャップエネルギーのより大きい材料からなるクラッド層５０４、５０８により、これらの活性層５０５、５０７、及びバリア層５０６が挟み込まれたダブルへテロ構造となっている。尚、図５に示した５１２は活性層５０５のレーザ光発光部、５１３は活性層５０７のレーザ光発光部である。この構造により、ｐ側電極５１０とｎ側電極５１１の間に電圧を印加すると、各活性層５０５、５０７により電子と正孔の再結合が行われ、レーザ光発光部５１２、５１３により、波長の異なる複数のレーザ光を発光することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のダブルへテロ構造を有する半導体発光素子においては、図５より明らかな様に、レーザ光発光部５１２、５１３の上方にｐ側電極５１０が設けられているため、ｐ側電極に対して、金線等により外囲器とワイヤーボンディングを行う際に生じる機械的ストレスがレーザ光発光部５１２、５１３にかかってしまい、その結果、活性層５０５、５０７の光出力特性に影響がでるという問題が生じていた。
【０００６】
又、活性層５０５と活性層５０７の間にバリア層５０６を設ける積層構造としているため、活性層５０５，及び５０７を同時に発振させるための電圧（駆動電圧）が高くなってしまうとともに、クロストークが生じてしまうという問題があった。又、レーザ光発光部５１２、５１３により、波長の異なる複数のレーザ光が発光されるが、活性層５０５と活性層５０７の間にバリア層５０６を設ける積層構造としているため、１チップ上において、レーザ光発光部５１２、５１３により、各々個別に発光させることができなかった。
本発明は上記問題点を解決し、外周器との接続時におけるレーザ発光部に対する機械的ストレスを回避することができるとともに、クロストークによる問題を回避でき、かつ駆動電圧が低い半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の半導体発光素子は、基板と、基板上に形成された第１のクラッド層と、第１のクラッド層の表面上の一部に形成された第１の活性層と、第１のクラッド層の表面上であって、第１の活性層が形成された部分以外の表面上に形成された第１のガイド層と、第１の活性層の表面上の一部に形成された第２のガイド層と、第１の活性層の表面上であって、第２のガイド層が形成された部分以外の表面上に形成された第３のガイド層と、第１のガイド層と第２のガイド層の表面上に形成された第２の活性層と、第２の活性層と第３のガイド層の表面上に形成された第２のクラッド層とを備えた半導体発光素子において、第１のガイド層の端部に垂直方向に形成され、第１の活性層と第２のガイド層に隣接して形成された第１の絶縁層と、第３のガイド層の端部に垂直方向に形成され、第２のガイド層と第２の活性層に隣接して形成された第２の絶縁層とを備え、第２のガイド層は、第１、第２の活性層、及び第１、第２の絶縁層によって囲まれるように形成されていることを特徴とする。
ここで、第１の絶縁層と第２の絶縁層の各々の上部が、第２のクラッド層の上面にまで伸びて形成され、第２の絶縁層の下部が、第１の活性層の下面にまで伸びて形成することができる。
【０００８】
又、第１、第２、及び第３のガイド層を第４のガイド層により共通化することができる。
【０００９】
又、第２のクラッド層の表面上にコンタクト層を形成し、コンタクト層上に第１、及び第２の活性層の各々に対応する第１、及び第２の個別電極を設けるとともに、第１、及び第２の個別電極は、第１、第２の活性層の各々に設けられた発光部の上方には形成しないものとすることができる。
【００１０】
又、第１、第２、第３、及び第４のガイド層が有する各々のバンドギャップエネルギーは、第１、及び第２の活性層が有するバンドギャップエネルギーよりも大きいものとすることができる。
【００１１】
又、第１の活性層が発する光の波長は、第２の活性層が発する光の波長と異なるものとすることができる。
【００１２】
又、第１の活性層が発する光の主ピーク波長が４００乃至４５０ｎｍであり、第２の活性層が発する光の主ピーク波長が４９０乃至５２０ｎｍであるものとすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。図１は、本発明に係る半導体発光素子の実施形態である半導体レーザ素子の基本的な構成を示す概略図であり、図２は図１に係る半導体レーザ素子のｐ側電極の配置を説明するための図である。
【００１４】
図１において、１０１はｎ型のＧａＮからなる基板であり、この基板１０１上にｎ型ＧａＮからなるコンタクト層１０２、ｎ型のＧａＡｌＮからなるクラッド層１０７が順次積層されている。ここで、クラッド層１０７は、例えば、Ｇａ０．８２Ａｌ０．１８Ｎからなり、５．３ｅＶのバンドギャップエネルギーを有する。クラッド層１０７の表面上の一部には、例えばＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｎからなり、バンドギャップエネルギーが２．７ｅＶで青色のレーザ光（波長４００〜４５０ｎｍ）を発光する活性層１０３が形成されており、この活性層１０３にはレーザ光発光部１５０が設けられている。又、クラッド層１０７の表面のうち、活性層１０３が形成されていない領域には、ｎ型のＧａＮからなり、３．４ｅＶのバンドギャップエネルギーを有するｎ型のガイド層１０４が形成されている。活性層１０３の内側表面上には、ＧａＮからなり３．４ｅＶのバンドギャップエネルギーを有するノンドープガイド層１０５が、活性層１０３の外側表面上には、ｐ型のＧａＮからなり、３．４ｅＶのバンドギャップエネルギーを有するガイド層１０６が形成されている。又、ガイド層１０４と１０５の表面上には、例えばＩｎ０．６６Ｇａ０．３４Ｎからなり、バンドギャップエネルギーが２．４ｅＶで緑色のレーザ光（波長４９０〜５２０ｎｍ）を発光する活性層１０８が形成されており、この活性層１０８にはレーザ光発光部１５１が設けられている。尚、図１から明らかな様に、活性層１０３と活性層１０８の間にはガイド層１０５が設けられており、いわゆるバリア層は設けられていない。これらのｎ型のコンタクト層１０２、ｎ型のクラッド層１０７、活性層１０３、１０８及びガイド層１０４、１０５、１０６は、いずれも有機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法という）、及びフォトリソグラフィー等の手法を用いて、基板１０１上に順次形成されたものである。
ここで、本実施形態においては、活性層１０３とガイド層１０４の間、及びガイド層１０４とガイド層１０５の間には、ＳｉＯ２からなる絶縁層１２１が形成されている。この絶縁層１２１は、ガイド層１０４、１０５を形成後、リアクティブイオンエッチング法（ＲＩＥ）等によりガイド層１０４の一部を除去し、その後スパッタリング法等を用いて上記除去部分にＳｉＯ２絶縁膜、より具体的には、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ３）４による絶縁層を４００℃で成長させ、埋め込むことにより形成される。尚、絶縁層の材料はＳｉＮであっても良い。又、本実施形態においては、ガイド層１０５とガイド層１０６の間、及びガイド層１０６と活性層１０８の間には、ＳｉＯ２からなる絶縁層１２２が形成されている。この絶縁層１２２の形成方法は、上述の絶縁層１２１の場合と同様の方法である。尚、絶縁層１２１の場合と同様に、絶縁材料はＳｉＮであっても良い。
【００１５】
ガイド層１０５は、図１より明らかな様に、活性層１０３、１０８、及び絶縁層１２１、１２２によって囲まれるように形成されている。前記ガイド層１０６、及び活性層１０８上には、ｐ型のＧａＡｌＮからなるクラッド層１０９が形成されている。当該クラッド層１０９は、ｎ型のクラッド層１０７と同様に、例えばＧａ０．８２Ａｌ０．１８Ｎからなり、５．３ｅＶのバンドギャップエネルギーを有するものである。このクラッド層１０９の上には、ｐ型のＧａＮからなるｐ型のコンタクト層１１０が形成されている。このｐ型クラッド層１０９、及びｐ型コンタクト層１１０は、ＭＯＣＶＤ法により順次形成されたものである。
【００１６】
ｐ側のコンタクト層上には、例えばＡｕ等からなるｐ側電極１１１、１１２が形成されており、基板１０１の裏面には、Ａｌなどからなるｎ側電極１１３が形成されている。このｐ側電極１１１、１１２は、各々、活性層１０３、１０８に対応して設けられたものであり、図２に示す様に、図１に示した半導体レーザ素子を上方から見た場合、絶縁層１２１の延長線１３０と絶縁層１２２の延長線１４０の間に配置されるように、ｐ側のコンタクト層１１０の表面上に形成されている。尚、ｐ側電極１１１、１１２、及びｎ側電極１１３は、各々Ａｕ、Ａｌからなる金属膜をスパッタリング法等により、ｐ型電極１１１、１１２についてはｐ型コンタクト層１１０の表面上に、ｎ型電極１１３についてはｎ型のＧａＮ基板１０１の裏面上に各々形成されたものである。
【００１７】
ここで、本発明の半導体発光素子においては、前述のごとく、活性層１０３、１０８の間にバリア層を設けることなく、ガイド層１０５を設けている点、絶縁層１２１、１２２を設けている点、及びｐ側電極１１１及び１１２の形成位置に特徴がある。
即ち、本発明においては、図１より明らかな様に、活性層１０３は、活性層１０３の有するバンドギャップエネルギー（２．７ｅＶ）よりも大きなバンドギャップエネルギーを有するｐ型のガイド層１０６（バンドギャップエネルギーは３．４ｅＶ）とｎ型クラッド層１０７（バンドギャップエネルギーは、５．３ｅＶ）とにより挟まれているため、ｐ側電極１１１とｎ側電極１１３の間に、活性層１０３のバンドギャップエネルギーに相当する２．７ｅＶの電圧を印加すれば、活性層１０３のレーザ光発光部１５０より、青色のレーザが発光されることになる。
又、活性層１０８は、活性層１０８の有するバンドギャップエネルギー（２．４ｅＶ）よりも大きなバンドギャップエネルギーを有するｎ型のガイド層１０４（バンドギャップエネルギーは３．４ｅＶ）とｐ型クラッド層１０９（バンドギャップエネルギーは、５．３ｅＶ）とにより挟まれているため、ｐ側電極１１２とｎ側電極１１３の間に、活性層１０８のバンドギャップエネルギーに相当する２．４ｅＶの電圧を印加すれば、活性層１０８のレーザ光発光部１５１より、緑色のレーザが発光されることになる。
又、本発明においては、従来技術とは異なり、活性層１０３、１０８の間にバリア層を設ける代わりに、ガイド層１０５を設けるとともに、絶縁層１２１、１２２を設けているため、図１における絶縁層１２１、１２２により挟まれた部分、即ち、活性層１０３のレーザ光発光部１５０と活性層１０８のレーザ光発光部１５１の間に位置する活性層１０３、ガイド層１０５、及び活性層１０８が順次積層された部分の駆動電圧は、活性層１０３が有するバンドギャップエネルギー（２．７ｅＶ）と活性層１０８の有するバンドギャップエネルギー（２．４ｅＶ）の和である５．１ｅＶ以上となる。
従って、活性層１０３、ガイド層１０５、及び活性層１０８が順次積層された中央部分のバンドギャップエネルギー（５．１ｅＶ）が最も大きくなっているため、青色レーザが発光される活性層１０３と緑色レーザが発光される活性層１０８は、最も大きなバンドギャップエネルギーを有する上記中央部分により電気的に分離される構造となる。その結果、活性層１０３と活性層１０８は電気的に影響を受けなくなるとともに、上述のごとく、両活性層１０３、１０８の間にバリア層を設けていないため、クロストークの影響が大幅に減少することになる。
【００１８】
又、本発明においては、上述のごとく、ｐ側電極１１１とｎ側電極１１３の間に、活性層１０３のバンドギャップエネルギーに相当する２．７ｅＶの電圧を印加すれば、活性層１０３のレーザ光発光部１５０より青色のレーザ光が、ｐ側電極１１２とｎ側電極１１３の間に、活性層１０８のバンドギャップエネルギーに相当する２．４ｅＶの電圧を印加すれば、活性層１０８のレーザ光発光部１５１より、緑色のレーザ光が発光されることになるため、ｐ側電極１１１、及び１１２を同時に通電することにより、従来の半導体レーザ素子に比し、低い駆動電圧により、１チップで波長の異なる２つのレーザ光を個別かつ同時に発振することが可能になる。
【００１９】
更に、本発明においては、前述のごとく、ｐ側電極１１１及び１１２は、図１に示した半導体レーザ素子の上面図である図２に示す様に、絶縁層１２１の延長線１３０と絶縁層１２２の延長線１４０の間に配置されるように、ｐ側のコンタクト層１１０の表面上に形成されており、活性層１０３のレーザ光発光部１５０、及び活性層１０８のレーザ光発光部１５１の上方には形成されていない。従って、ｐ側電極に対してワイヤーボンディングを行い、外周器との接続を行う際に生じる機械的ストレスがレーザ光発光部１５０、１５１にかからないため、ワイヤーボンディングによる、活性層１０３、１０８の光出力特性への悪影響を回避することができる。
【００２０】
尚、図３に示す様に、図１に示した絶縁層１２１の上部をｐ型クラッド層１０９の上面まで伸ばして絶縁層１３０を形成し、絶縁層１２２の上部をｐ型クラッド層１０９の上面まで伸ばして形成するとともに、絶縁層１２２の下部を活性層１０３の下面まで伸ばして絶縁層１３１を形成した構成としてもい良い。この絶縁層１３０、１３１は、ＭＯＣＶＤ法等を用いて基板１０１上にｎ型のコンタクト層１０２からｐ型クラッド層１０９を順次形成した後、ドライエッチング等によりＳｉＯ２等の絶縁材を埋め込むためのトレンチ溝を形成し、その後、スパッタリング法等を用いて上記トレンチ溝に絶縁材を充填することにより形成される。尚、絶縁層の材料はＳｉＮであっても良い。この絶縁層１３０、１３１を形成することにより、活性層１０３、１０８は、互いに電気的、光学的、物理的に分離されることになるため、クロストークの影響を更に回避することができるようになる。
【００２１】
又、図４に示す様に、ガイド層１０４、１０５、１０６を共通化したガイド層１３５を設ける構成としても良い。この場合、ｎ型のクラッド層１０７の表面全体にＭＯＣＶＤ法により活性層１０３を形成し、フォトリソグラフィー等により、活性層１０８のレーザ光発光部１５１の下方に位置する部分１３６を除去する。これは、ｐ側電極１１２とｎ側電極１１３の間に電圧を印加し、活性層１０８のレーザ光発光部１５１より緑色のレーザ光を発光させる際の、印加電圧の上昇を回避するためである。その後、ＭＯＣＶＤ法により、活性層１０３の表面上と上記除去部分１３６に、ガイド層１３５を形成する。このガイド層１３５は、ＧａＮからなり３．４ｅＶのバンドギャップエネルギーを有するノンドープガイド層であるが、上記除去部分１３６に形成された部分は、後にｎ型化を行う。その後、ＭＯＣＶＤ法により、ガイド層１３５の表面上に活性層１０８を形成し、フォトリソグラフィー等により、活性層１０３のレーザ光発光部１５０の上方に位置する部分１３７を除去する。これは、ｐ側電極１１１とｎ側電極１１３の間に電圧を印加し、活性層１０３のレーザ光発光部１５０より青色のレーザ光を発光させる際の、印加電圧の上昇を回避するためである。その後、上記除去部分１３７にＭＯＣＶＥ法により、ガイド層１３５を積層する。この除去部分１３７に積層された部分は、後にｐ型化を行う。
【００２２】
尚、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形をすることが可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。
【００２３】
例えば、本発明の実施形態では、ＧａＮ系化合物半導体を用いた半導体発光素子について説明したが、他の半導体材料、例えば、ＩｎＧａＡｌＮのＮの一部又は全部をＡｓおよび／またはＰ等で置換した材料や、ＧａＡｓ系化合物半導体を用いた半導体発光素子にも本発明を適用できる。
【００２４】
又、本発明の実施形態では、１チップで波長の異なる２つのレーザ光を個別かつ同時に発振する構成としたが、１チップで波長の異なる３つのレーザ光、例えば、赤色、青色、緑色のレーザ光を個別かつ同時に発振する構成としても良い。
【００２５】
更に、本発明の実施形態では、ＧａＮ系発光素子の構造を説明するために、便宜上、基板が下層側に位置し、これにＧａＮ系結晶層が上方へ積み重ねられる構造とし、下層側をｎ型、上層側をｐ型として説明を行ったが、ｎ型を上層側、ｐ型を下層側とした構成としても良い。
【００２６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した様に、本発明の半導体発光素子によれば、活性層とガイド層が順次積層されるとともに、２つの絶縁層により挟まれた領域のバンドギャップエネルギーが最も大きくなる構成となっているため、レーザが発光される２つの活性層が、上記絶縁層により挟まれた領域により電気的に分離される構造となる。その結果、２つの活性層は互いに電気的に影響を受けなくなるとともに、両活性層間にはバリア層が設けられていないため、従来の半導体レーザ素子に比し、クロストークの影響が大幅に減少することになる。又、上記構成により、低い駆動電圧により、１チップで波長の異なる２つのレーザ光を個別かつ同時に発振することが可能になる。更に、本発明においては、ｐ側電極が、活性層のレーザ光発光部の上方に形成されていない。従って、ｐ側電極に対してワイヤーボンディングを行う際に生じる機械的ストレスがレーザ光発光部にかからないため、ワイヤーボンディングによる、各活性層の光出力特性への悪影響を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体発光素子の実施形態である半導体レーザ素子の基本的な構成を示す概略図である。
【図２】図１に係る半導体レーザ素子のｐ側電極の配置を説明するための図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子の変型例の構成を示す概略図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体レーザ素子の変型例の構成を示す概略図である。
【図５】従来の半導体発光素子の模式的な概略図である。
【符号の説明】
１０１：基板
１０３、１０８：活性層
１０４、１０５、１０６、１３５：ガイド層
１０７：ｎ型クラッド層
１０９：ｐ型クラッド層
１１１、１１２：ｐ側電極
１１３：ｎ側電極
１２１、１２２、１３０、１３１：絶縁層
１５０、１５１：レーザ光発光部
【図１】
2004071884.tif 000003
【図２】
2004071884.tif 000004
【図３】
2004071884.tif 000005
【図４】
2004071884.tif 000006
【図５】
2004071884.tif 000007