(57)【要約】【課題】本発明は　処理容器内の圧力を真空ポンプの回転数で制御することができ、基板処理全体に要する時間を低減して処理のスループットを向上することのできる基板処理方法及び装置を提供することを課題とする。【解決手段】真空ポンプ８により排気される処理容器４に基板を連続して投入して処理を行う。真空ポンプ８を第１の回転数で運転し、処理容器４を第１の圧力として基板に処理を施す。処理工程の終了後に、真空ポンプ８の回転数を第１の回転数より高い第２の回転数にして処理容器４内の圧力を第２の回転数に対応した第２の圧力とする。処理容器４内が第２の圧力となった後に、処理容器４内の基板の交換作業を開始する。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空ポンプにより排気される処理容器に基板を連続して投入して処理を行う基板処理方法であって、
前記真空ポンプを第１の回転数で運転し、前記処理容器内を第１の圧力として基板に処理を施す処理工程と、
該処理工程の終了後に、前記真空ポンプの回転数を前記第１の回転数より高い第２の回転数にして前記処理容器内の圧力を該第２の回転数に対応する第２の圧力とする圧力制御工程と、
前記処理容器内が前記第２の圧力となった後に、前記処理容器内の基板の交換作業を開始する基板交換工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理方法であって、
基板の交換作業が終了する前に、前記真空ポンプの回転数を第２の回転数から第１の回転数に向けて低減しはじめ、
基板の交換作業が終了した後に、次の基板の処理を開始する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１記載の基板処理方法であって、
基板の交換作業が終了する前に、前記真空ポンプの回転数を第２の回転数から第１の回転数に向けて低減しはじめ、
前記真空ポンプの回転数が前記第１の回転数となった後に、次の基板の処理を開始する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の基板処理方法であって、
前記処理容器は、前記基板を搬入・搬入するためのゲートバルブを有し、
該ゲートバルブは、前記処理容器内の圧力が前記第２の圧力の下で基板の交換作業が終了した時点において前記ゲートバルブを閉じることを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
請求項４記載の基板処理方法であって、
前記ゲートバルブが閉じられた時点で、前記処理容器へのパージガスの供給を開始することを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項５記載の基板処理方法であって、
前記真空ポンプの回転数が前記第１の回転数となった時点で、原料ガスの前記処理容器への供給を開始することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
所定の真空度において基板に処理を施す基板処理装置であって、
第１の圧力において基板に対する処理が行われる第１の処理容器と、
該第１の圧力より低い圧力である第２の圧力において基板に対する処理が行われる第２の処理容器と、
前記第１及び第２の処理容器が接続され、前記第２の圧力に維持される搬送室と、
前記第１の処理容器を排気する真空ポンプと、
該真空ポンプの回転数を、前記第１の圧力に対応する第１の回転数と前記第２の圧力に対応する第２の圧力との間で制御する回転数制御手段と、
前記第１の処理容器内が前記第１の圧力から前記第２の圧力となった後に、前記第１の処理容器内の基板の交換作業を開始させる制御手段と
よりなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記第１の処理容器内が前記第１の圧力から前記第２の圧力となった時点で前記第１の処理容器と前記搬送室との間のゲートバルブを開き、基板交換作業が終了した時点で該ゲートバルブを閉じることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記ゲートバルブが開かれた時点から前期ゲートバルブが閉じられるまでの間に前記真空ポンプの減速を開始することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記ゲートバルブが閉じられた時点から前記真空ポンプの回転数が第１の回転数に下がるまでの間に、前記第１の処理容器内へのパージガスの供給を開始することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理方法に係り、特に処理容器内を所定の真空度に維持しながら半導体ウェハ等の被処理基板に対して処理を行う基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板に対して薄膜形成したりエッチングを施したりする処理は、処理容器内で真空雰囲気の下で行われることが多い。この際、処理容器内の圧力を所定の真空圧に制御する方法として、処理容器からの真空排気におけるコンダクタンスを調整する方法が一般的に用いられている。コンダクタンスの調整は、排気口に設けられたバタフライバルブを用いて行うことが一般的である。すなわち、バタフライバルブの開度を調整することによりコンダクタンスを調整し、所定の真空度を得るものである。
【０００３】
しかし、バタフライバルブを用いた場合、処理容器内にバタフライバルブを設けるスペースを確保しなければならず、処理容器の容積がその分増大してしまう。また、バタフライバルブに処理容器内での反応生成物が付着し、それがバタフライバルブを操作する際に剥離してパーティクルとなり、処理容器内が汚染されるといった問題が発生するおそれがある。
【０００４】
このような問題を解決する手段として、特開平１１−９９３２７号公報及び特開平８−１３４６９６号公報は、処理容器の排気用真空ポンプの回転数を調整することにより真空度を調整する（圧力制御を行う）方法を提案している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により基板上に薄膜を形成する処理では、処理時の真空度は比較的小さく、例えば１０２Ｐａ程度である。通常、複数の処理容器は搬送室に接続されて基板に対して一連の処理を行なうためのクラスターツールを構成する。搬送室内の圧力は、搬送室に接続された他の処理容器の圧力に合わせて、例えば１０−４Ｐａ程度の高真空度に維持される。
【０００６】
したがって、上述のように一つの処理容器で行なう処理が１０２Ｐａ程度の真空度で行なわれる場合、この処理容器に対して基板を搬入・搬出する際には、処理容器内の圧力を搬送室内の真空度まで上げなければならない。すなわち、基板を処理容器に搬入する際には、予め処理容器内の圧力を１０−４Ｐａ程度にしてから処理容器のゲートバルブを開ける。また、基板を処理容器から搬出する際には、処理容器内の圧力を処理圧力である１０２Ｐａ程度の真空度から１０−４Ｐａ程度の搬送圧力にする必要がある。
【０００７】
上述のように、処理容器内の圧力を１０２〜１０−４Ｐａのような広い範囲で変化させる場合には、真空ポンプの回転数の制御に時間がかかるといった問題がある。例えば、真空ポンプとしてターボモレキュラポンプを用いた場合、搬送圧力である１０−４Ｐａに相当する回転数は、最大回転数の例えば３．２×１０５ｒｐｍで運転する。また、処理圧力である４００Ｐａに相当する回転数は例えば２．４×１０５ｒｐｍである。
【０００８】
一般的に、ターボモレキュラポンプの回転数を３．２×１０５ｒｐｍから２．４×１０５ｒｐｍまで落とすには数分かかる。したがって、この回転数による圧力制御の時間は、基板の搬入・搬出に必要な時間となる。しかし、実際に処理容器のゲートバルブを開けてから基板の搬入・搬出にかかる時間は３０秒程度であり、処理容器内の圧力制御に必要な時間の方が実際の基板の搬出・搬入に必要な時間よりはるかに長い。すなわち、基板の搬入・搬出における処理容器内の圧力制御に要する時間が、基板の処理時間を増大させるといった問題があった。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、処理容器内の圧力を真空ポンプの回転数で制御することができ、圧力制御に要する時間と基板の搬入・搬出に要する時間とをトータルで考えることにより、基板処理全体に要する時間を低減して処理のスループットを向上することのできる基板処理方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１１】
請求項１記載の発明は、基板処理方法であって、真空ポンプにより排気される処理容器に基板を連続して投入して処理を行う基板処理方法であって、前記真空ポンプを第１の回転数で運転し、前記処理容器内を第１の圧力として基板に処理を施す処理工程と、該処理工程の終了後に、前記真空ポンプの回転数を前記第１の回転数より高い第２の回転数にして前記処理容器内の圧力を該第２の回転数に対応する第２の圧力とする圧力制御工程と、前記処理容器内が前記第２の圧力となった後に、前記処理容器内の基板の交換作業を開始する基板交換工程とを有することを特徴とするものである。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板処理方法であって、基板の交換作業が終了する前に、前記真空ポンプの回転数を第２の回転数から第１の回転数に向けて低減しはじめ、基板の交換作業が終了した後に、次の基板の処理を開始することを特徴とするものである。
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の基板処理方法であって、基板の交換作業が終了する前に、前記真空ポンプの回転数を第２の回転数から第１の回転数に向けて低減しはじめ、前記真空ポンプの回転数が前記第１の回転数となった後に、次の基板の処理を開始することを特徴とするものである。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の基板処理方法であって、前記処理容器は、前記基板を搬入・搬入するためのゲートバルブを有し、該ゲートバルブは、前記処理容器内の圧力が前記第２の圧力の下で基板の交換作業が終了した時点において前記ゲートバルブを閉じることを特徴とするものである。
【００１５】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の基板処理方法であって、前記ゲートバルブが閉じられた時点で、前記処理容器へのパージガスの供給を開始することを特徴とするものである。
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の基板処理方法であって、前記真空ポンプの回転数が前記第１の回転数となった時点で、原料ガスの前記処理容器への供給を開始することを特徴とするものである。
【００１７】
請求項７記載の発明は、所定の真空度において基板に処理を施す基板処理装置であって、第１の圧力において基板に対する処理が行われる第１の処理容器と、該第１の圧力より低い圧力である第２の圧力において基板に対する処理が行われる第２の処理容器と、前記第１及び第２の処理容器が接続され、前記第２の圧力に維持される搬送室と、前記第１の処理容器を排気する真空ポンプと、該真空ポンプの回転数を、前記第１の圧力に対応する第１の回転数と前記第２の圧力に対応する第２の圧力との間で制御する回転数制御手段と、前記第１の処理容器内が前記第１の圧力から前記第２の圧力となった後に、前記第１の処理容器内の基板の交換作業を開始させる制御手段とよりなることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前記第１の処理容器内が前記第１の圧力から前記第２の圧力となった時点で前記第１の処理容器と前記搬送室との間のゲートバルブを開き、基板交換作業が終了した時点で該ゲートバルブを閉じることを特徴とするものである。
【００１９】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前記ゲートバルブが開かれた時点から前期ゲートバルブが閉じられるまでの間に前記真空ポンプの減速を開始することを特徴とするものである。
【００２０】
請求項１０記載の発明は、請求項８又は９記載の基板処理装置であって、前記制御手段は、前記ゲートバルブが閉じられた時点から前記真空ポンプの回転数が第１の回転数に下がるまでの間に、前記第１の処理容器内へのパージガスの供給を開始することを特徴とするものである。
【００２１】
上述の本発明によれば、真空ポンプの回転数を制御することにより第１の処理容器内の圧力を制御する。したがって、第１の処理容器にバタフライバルブ等の圧力調整機構を設ける必要がなく、第１の処理容器の容積を低減することができる。また、バタフライバルブのような可動部を第１の処理容器内に設ける必要がないので、第１の処理容器内雰囲気の汚染を防止することができる。
【００２２】
また、第１の処理容器内の圧力が第２の圧力に到達した時点で、真空ポンプの減速を開始するため、ゲートバルブを閉じた時点で真空ポンプの減速を開始する場合より早く、第１の処理容器内の圧力を第１の圧力まで上昇することができる。
【００２３】
また、基板の交換作業が終了した時点で、ゲートバルブを閉じてから直ちにパージガスの供給を開始することにより、真空ポンプの回転数を落とすこととパージガスによる圧力上昇とにより、第１の処理容器内の圧力を急速に第１の圧力に上昇させることができ、圧力制御に要する時間を短縮することができる。したがって、基板処理装置の全体処理のスループットを向上することができる。
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００２４】
まず、本発明による基板処理方法が行われる基板処理装置について説明する。図１は本発明の一実施例による基板処理装置の概略構成図である。図１に示す基板処理装置は、複数の処理容器を接続して一連の処理を行うクラスターツールとして構成されたものである。本実施例では、クラスターツール（基板処理装置）は、基板（半導体ウェハ）に対してＣｕ膜を形成するための一連の処理を行うも装置として説明する。
【００２５】
図１に示す基板処理装置は、カセットボックス１と、ガス抜き処理容器２と、プレクリーンエッチトモジュール（ＰＣＥＭ）３と、第１の処理容器４と、第２の処理容器５と、搬送室６とを有する。カセットボックス１と、ガス抜き処理容器２と、ＰＣＥＭ３と、第１の処理容器４と、第２の処理容器５とは、夫々ゲートバルブ７Ａ〜７Ｅを介して搬送室６に接続される。ゲートバルブ７Ａ〜７Ｅは、対応する処理容器に対する基板の搬入・搬出時に開けられる。
【００２６】
搬送室６には搬送ロボット等の基板搬送機構６ａが設けられる。基板搬送機構６ａは、各処理容器で基板に処理が順次行われるように、ガス抜き処理容器２、ＰＣＥＭ３、第１の処理容器４、第２の処理容器５の順で、外部からカセットボックス１に供給された基板を順次搬送する。
【００２７】
カセットボックス１には、複数の基板（ウェハ）が外部から供給され、基板処理装置内の雰囲気（真空）と外部雰囲気（大気圧）とを切り替える。カセットボックスに供給された基板は、ゲートバルブ７Ａを通じて基板搬送機構６ａにより一枚ずつ取り出され、ガス抜き処理容器２に供給される。ガス抜き処理容器２では、基板表面に付着したガスを除去する処理が行われる。
【００２８】
ガス抜き処理が終了すると、基板はガス抜き処理容器２からＰＣＥＭ３へと基板搬送機構６ａにより搬送される。ＰＣＥＭ３では、プラズマ処理により基板表面を清浄化する。ＰＣＥＭ３での処理が終了すると、表面が清浄化された基板は基板搬送機構６ａによりＰＣＥＭ３から第１の処理容器へと搬送される。
【００２９】
第１の処理容器は、基板の表面にバリアメタル膜を形成する処理を行うための処理容器である。例えば、第１の処理容器４内では、ＣＶＤやＡＬＤを用いて薄膜の形成が行われる。基板上にバリアメタル膜の形成が終了すると、基板はゲートバルブ７Ｄを通じて取り出され、基板搬送機構により第２の処理容器５へと搬送される。
【００３０】
第２の処理容器５内では、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりバリアメタル膜の上にＣｕ膜を形成する処理が行われる。Ｃｕ膜が形成された基板は、基板搬送機構６ａによりカセットボックス１に戻された後、装置外部へと移送される。
【００３１】
以上のような構成の基板処理装置において、搬送室６内の圧力は、雰囲気の清浄化を維持するために高真空度に維持され、且つ接続されている処理容器の中で、真空度が高い処理容器の圧力と同等な真空度に維持される。本実施例では、第２の処理容器５において行われるＰＶＤによるＣｕ膜の生成処理が、１０−４Ｐａ程度の真空度を必要とするので、搬送室６内は１０−４Ｐａ程度の真空度に維持される。
【００３２】
ここで、第１の処理容器における処理は、ＣＶＤあるいはＡＬＤ等によるバリアメタル膜の生成処理であり、処理時の圧力は比較的低真空度の雰囲気で行われる。例えば、バリアメタル膜がＴｉＮ膜である場合、処理圧力は例えば４００Ｐａ程度である。すなわち、４００Ｐａの圧力に維持した第１の処理容器４内の基板に対して、原料ガスとしてＴｉＣｌ４とＮＨ３とを交互に供給することで、基板上にＴｉＮ膜を生成する。原料ガスを供給する際は、パージガスとして例えばＮ２も第１の処理容器４に供給される。
【００３３】
上述のようなバリアメタル膜生成処理により表面にバリアメタル膜が生成された基板は、第１の処理容器から第２の処理容器へと基板搬送機構６ａにより搬送される。第１の処理容器内での処理が終了した時点では、第１の処理容器内は４００Ｐａ程度の低真空度である。したがって、処理が終了した基板を搬出して次の基板を搬入するためにゲートバルブ７Ｄを開く前に、第１の処理容器内の圧力を４００Ｐａの低真空度から搬送室６内の圧力である１０−４程度の高真空度にしなければならない。
【００３４】
ここで、第１の処理容器に対して基板を搬出・搬入する際の関連する部分の動作に関して説明する。図２は第１の処理容器に対して基板を搬出・搬入する際のタイムチャートである。また、図３は第１の処理容器に対して基板を搬出・搬入する際の動作のフローチャートである。図２において、（ａ）は第１の処理容器４を排気する真空ポンプ８の回転数を示し、（ｂ）は第１の処理容器４に供給されるパージガスの供給状態を示し、（ｃ）は第１の処理容器４に供給される原料ガスの供給状態を示し、（ｄ）は第１の処理容器内の圧力を示し、（ｅ）は第１の処理容器のゲートバルブ７Ｄの開閉動作を示す。
【００３５】
第１の処理容器４内でＴｉＮ膜を生成していると仮定すると、第１の処理容器内でのＴｉＮ膜の生成処理が終了した時点では、第１の処理容器４内の圧力は４００Ｐａ（第１の圧力）である。本実施例では第１の処理容器４を排気する真空ポンプ８はターボモレキュラポンプであり、例えば２．４×１０５ｒｐｍにおいて４００Ｐａを維持することができる。したがって、第１の処理容器４において基板の処理が終了した時点では、真空ポンプ８の回転数は２．４×１０５ｒｐｍである。
【００３６】
したがって、第１の処理容器４において基板の処理が終了した時点で、パージガス及び原料ガスの供給用バルブが閉じて供給を停止する。パージガス及び原料ガスの供給用バルブが閉じられたら（図３のステップＳ１）、真空ポンプの回転数を上げ始めて（ステップＳ２）第１の処理容器４内の圧力を４００Ｐａ（第１の圧力）から１０−４Ｐａ（第２の圧力）へ向かって上昇させる。この時点では、第１の処理容器４のゲートバルブ７Ｄは未だ閉じられたままである。なお、真空ポンプ８の回転数は、回転数制御部９（回転数制御手段）により制御される。
【００３７】
真空ポンプ８の回転数が最大回転数の３．２×１０５ｒｐｍに達すると、第１の処理容器４内の圧力は１０−４Ｐａに到達し（ステップＳ３）、搬送室６内の圧力に等しくなる。この時点でゲートバルブ７Ｄを開き（ステップＳ４）、第１の処理容器４に搬送室６の基板搬送機構６ａのアームが進入できるようにする。また、この時点で、回転数制御部９は、第１の処理容器の真空ポンプの回転数を下げ始める。
【００３８】
ゲートバルブ７Ｄが開いたら、第１の処理容器４内の処理が終了した基板を搬基板搬送機構６ａにより保持して搬出し、第２の処理容器５内に移すと同時に、次に処理を行う基板を、ＰＣＥＭ３から搬出して第１の処理容器４内へ搬入する。次に処理を行う基板の搬入作業入が終了したら（ステップＳ５）、ゲートバルブ７Ｄを閉じる（ステップＳ６）。
【００３９】
ゲートバルブ７Ｄが閉じられたら、まずパージガスの供給用バルブを開いてパージガスを第１の処理容器４に供給する（ステップＳ７）。こ時点は、真空ポンプの回転数は２．４×１０５ｒｐｍに向かって減少している途中であり、ゲートバルブ７Ｄが閉じられると、第１の処理容器４内の圧力は上昇し始める。これに加えて、パージガスを供給することで、第１の処理容器４内の圧力は急速に上昇する。
【００４０】
その後、真空ポンプの回転数が、第１の処理容器での処理圧力である４００Ｐａに相当する圧力に到達したら（ステップＳ８）、原料ガスの供給用バルブを開いて原料ガスを第１の処理容器４に供給する（ステップＳ９）。これにより、次の基板に対するＴｉＮ膜の生成処理が行われる。
【００４１】
第１の処理容器４では、カセットボックス１に供給された基板を全て処理するまで、以上の動作が繰り返される。ここで、第１の処理容器内の圧力は、真空ポンプの回転数を制御するだけで、処理圧力（第１の圧力）４００Ｐａと搬送室内の圧力（第２の圧力＝第２の処理容器での処理圧力）とのいずれか一方に維持さすることができる。
【００４２】
ここで、本実施例では、図２（ａ）に示すように、第１の処理容器４内の圧力が１０−４Ｐａに到達した時点で、真空ポンプ８の減速を開始する。この時点で第１の処理容器４における排気速度は下がりはじめるが、搬送室６に対しても別の排気系により排気が行われているため、第１の処理容器内力は、ほぼ１０−４Ｐａを維持した状態に保たれる。したがって、ゲートバルブ７Ｄを閉じた時点で真空ポンプ８の減速を開始する場合より早く、第１の処理容器４内の圧力を処理圧力まで上昇することができる。
【００４３】
なお、真空ポンプ８の減速は、第１の処理容器４内の圧力が１０−４Ｐａに到達した時点で直ちに開始されることが効率的であるが、ゲートバルブ７Ｄが開けられてから閉じられるまでの間に介しされることとしてもよい。
【００４４】
真空ポンプ８の回転数を、第２の圧力に対応する回転数３．２×１０５ｒｐｍから、第１の圧力に対応する回転数２．４×１０５ｒｐｍまで落とすには、真空ポンプの性能にもよるが、数分かかる。ところが、基板の搬出・搬入作業（交換作業）は、３０秒から一分以内で完了する。そこで、本実施例では、次に処理する基板の搬入が終了した時点、すなわち基板の交換作業が終了した時点で、ゲートバルブ７Ｄを閉じてから直ちにパージガスの供給を開始する。これにより、真空ポンプの回転数を落とすこととパージガスによる圧力上昇とにより、第１の処理容器４内の圧力を急速に処理圧力（第１の圧力）に上昇させることができ、圧力制御に要する時間を短縮することができる。したがって、基板処理装置の全体処理のスループットを向上することができる。なお、パージガスの供給は、ゲートバルブ７Ｄが閉じられてから真空ポンプ８の回転数が第１の回転数に下がるまでの間に開始することとしてもよい。
【００４５】
なお、真空ポンプ８の回転数制御部９を含む基板処理装置全体の動作は、制御部１０（制御手段）により制御される。したがって、基板搬送機構６ａの制御、各ゲートバルブ７Ａ〜７Ｅの開閉動作、第１の処理容器への原料ガス及びパージガスの供給用バルブの開閉動作も、制御部１０により行われる。これらの制御は、例えば処理容器の圧力や基板搬送機構の動作を検出するセンサからの信号に基づいて行われてもよく、また、予め動作時間に基づいたシーケンスを作成して行うこともできる。
【００４６】
以上の実施例では、第１の処理容器４にてＴｉＮ膜を生成し、第２の処理容器５にてＣｕ膜を生成する一連の処理を行っているが、本発明による基板処理方法はこれに限ることなく、他の様々な処理に適用することができる。例えば、低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）をエッチングしてビア孔を形成し、ビア孔の内面にバリア膜を形成し、その上にＣｕ膜を形成する一連の処理に適用することができる。また、基板上にゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成し、これにアニール処理を施すという一連の処理にも適用することができる。
【発明の効果】
上述の本発明によれば、真空ポンプの回転数を制御することにより第１の処理容器内の圧力を制御する。したがって、第１の処理容器にバタフライバルブ等の圧力調整機構を設ける必要がなく、第１の処理容器の容積を低減することができる。また、バタフライバルブのような可動部を第１の処理容器内に設ける必要がないので、第１の処理容器内雰囲気の汚染を防止することができる。
【００４７】
また、第１の処理容器内の圧力が第２の圧力に到達した時点で、真空ポンプの減速を開始するため、ゲートバルブを閉じた時点で真空ポンプの減速を開始する場合より早く、第１の処理容器内の圧力を第１の圧力まで上昇することができる。
【００４８】
また、基板の交換作業が終了した時点で、ゲートバルブを閉じてから直ちにパージガスの供給を開始することにより、真空ポンプの回転数を落とすこととパージガスによる圧力上昇とにより、第１の処理容器内の圧力を急速に第１の圧力に上昇させることができ、圧力制御に要する時間を短縮することができる。したがって、基板処理装置の全体処理のスループットを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による基板処理装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す第１の処理容器に対する基板の交換動作のタイムチャートである。
【図３】図１示す第１の処理容器に対する基板の交換動作のタイムチャートである。
【符号の説明】
１　カセットボックス
２　ガス抜き処理容器
３　ＰＣＥＭ
４　第１の処理容器
５　第２の処理容器
６　搬送室
６ａ　基板搬送機構
７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ，７Ｅ　ゲートバルブ
８　真空ポンプ
９　回転数制御部
１０　制御部
【図１】
2004018922.tif 000003
【図２】
2004018922.tif 000004
【図３】
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