(57)【要約】【課題】絶縁膜の成膜不良あるいは空孔などを防止して欠陥を低減することができる積層構造およびその製造方法、ならびに表示装置を提供する。【解決手段】基板１１の平坦面１１Ａに、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの陽極としての積層構造１４が設けられている。積層構造１４は、基板１１の側から、ＩＴＯよりなる密着層１４Ｂ、銀または銀を含む合金よりなる反射層１４ＡおよびＩＴＯよりなるバリア層１４Ｃがこの順に積層され、その積層方向の断面は順テーパ状となっている。密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃのなす側壁面１４Ｅは、絶縁膜１５により完全に覆われ、絶縁膜１５の成膜不良あるいは空孔が防止される。側壁面１４Ｅと平坦面１１Ａとのなすテーパ角θは、１０°以上７０°以下であることが好ましい。積層構造１４は、液晶ディスプレイの反射電極、反射膜あるいは配線としても使用可能である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦面を有する基板の表面に設けられ、複数の層が積層されてなると共に積層方向の断面形状が順テーパ状である
ことを特徴とする積層構造。
【請求項２】
前記複数の層の側壁面と前記基板の平坦面とのなすテーパ角は、１０°以上７０°以下の範囲である
ことを特徴とする請求項１記載の積層構造。
【請求項３】
前記複数の層は、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層を含む
ことを特徴とする請求項１記載の積層構造。
【請求項４】
前記複数の層は、
前記平坦面と前記銀層との間に設けられた密着層と、
前記銀層の表面に接して設けられ前記銀層を保護するバリア層と
を含むことを特徴とする請求項３記載の積層構造。
【請求項５】
前記密着層および前記バリア層のうち少なくとも一方は、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成された
ことを特徴とする請求項４記載の積層構造。
【請求項６】
前記密着層および前記バリア層のうち少なくとも一方は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ），酸化インジウム（Ｉｎ２  Ｏ３  ），酸化スズ（ＳｎＯ２  ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成された
ことを特徴とする請求項５記載の積層構造。
【請求項７】
前記密着層および前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ）により構成された
ことを特徴とする請求項５記載の積層構造。
【請求項８】
前記密着層は、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ）により構成され、前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ）により構成されている
ことを特徴とする請求項５記載の積層構造。
【請求項９】
前記密着層および前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ）により構成されている
ことを特徴とする請求項５記載の積層構造。
【請求項１０】
表面が平坦面な基板の表面に複数の層を順に積層する工程と、
前記複数の層の上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて前記複数の層を一括してエッチングすることにより、前記複数の層の側壁面を順テーパ状にする工程と
を含むことを特徴とする積層構造の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の層の側壁面と前記基板の平坦面とのなすテーパ角が１０°以上７０°以下の範囲になるように形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の積層構造の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の層のうちの一層として、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層を形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の積層構造の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の層を順に形成する工程は、
前記基板の表面に密着層を形成する工程と、
前記密着層の表面に接し前記銀層を形成する工程と、
前記銀層の表面に接して前記銀層を保護するバリア層を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項１２記載の積層構造の製造方法。
【請求項１４】
前記密着層および前記バリア層のうち少なくとも一方を、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成する
ことを特徴とする請求項１３記載の積層構造の製造方法。
【請求項１５】
前記密着層および前記バリア層のうち少なくとも一方を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ），酸化インジウム（Ｉｎ２  Ｏ３  ），酸化スズ（ＳｎＯ２  ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成する
ことを特徴とする請求項１４記載の積層構造の製造方法。
【請求項１６】
前記密着層および前記バリア層を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ）により構成する
ことを特徴とする請求項１４記載の積層構造の製造方法。
【請求項１７】
前記密着層を、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ）により構成し、前記バリア層は、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ）により構成する
ことを特徴とする請求項１４記載の積層構造の製造方法。
【請求項１８】
前記密着層および前記バリア層を、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ）により構成する
ことを特徴とする請求項１４記載の積層構造の製造方法。
【請求項１９】
前記複数の層を一括してエッチングする工程において、前記複数の層の全部と揮発性化合物を形成可能な成分を含むエッチングガスを用いてドライエッチングする
ことを特徴とする請求項１４記載の積層構造の製造方法。
【請求項２０】
前記エッチングガスは、メタン（ＣＨ４  ）を含む
ことを特徴とする請求項１９記載の積層構造の製造方法。
【請求項２１】
前記複数の層を一括してエッチングする工程において、前記バリア層および前記銀層が選択的に除去されて前記密着層が露出したことを検出したのち、前記密着層のエッチングの進行に伴い前記側壁面に堆積性保護膜を形成するようにエッチング条件を変更することにより、前記側壁面を順テーパ状にする
ことを特徴とする請求項１３記載の積層構造の製造方法。
【請求項２２】
前記複数の層を一括してエッチングする工程において、前記バリア層および前記銀層が選択的に除去されて前記密着層が露出したことを検出したのち、前記密着層と前記基板とのエッチング選択比を向上させるようにエッチング条件を変更することにより、前記側壁面を順テーパ状にする
ことを特徴とする請求項１３記載の積層構造の製造方法。
【請求項２３】
平坦性を有する基板の表面に、複数の層を含む積層構造を有し、前記積層構造は、積層方向の断面形状が順テーパ状である
ことを特徴とする表示素子。
【請求項２４】
前記複数の層の側壁面と前記基板の平坦面とのなすテーパ角は、１０°以上７０°以下の範囲である
ことを特徴とする請求項２３記載の表示素子。
【請求項２５】
前記複数の層は、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層を含む
ことを特徴とする請求項２３記載の表示素子。
【請求項２６】
前記複数の層は、
前記平坦面と前記銀層との間に設けられた密着層と、
前記銀層の表面に接して設けられ前記銀層を保護するバリア層と
を含むことを特徴とする請求項２５記載の表示素子。
【請求項２７】
前記基板の表面に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極が順に積層され、前記第１電極が前記積層構造をなし、前記発光層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す有機発光素子である
ことを特徴とする請求項２３記載の表示素子。
【請求項２８】
前記基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子および配線とが設けられ、前記積層構造が前記基板と前記駆動素子および配線との間に設けられた液晶表示素子である
ことを特徴とする請求項２３記載の表示素子。
【請求項２９】
前記基板に、反射電極を有する画素電極が設けられ、前記反射電極が前記積層構造をなす液晶表示素子である
ことを特徴とする請求項２３記載の表示素子。
【請求項３０】
平坦面を有する基板の表面に複数の表示素子を備えた表示装置であって、
前記表示素子は、複数の層を含む積層構造を有し、前記積層構造は、積層方向の断面形状が順テーパ状である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３１】
前記複数の層の側壁面と前記基板の平坦面とのなすテーパ角は、１０°以上７０°以下の範囲である
ことを特徴とする請求項３０記載の表示装置。
【請求項３２】
前記複数の層は、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された銀層を含む
ことを特徴とする請求項３０記載の表示装置。
【請求項３３】
前記複数の層は、
前記平坦面と前記銀層との間に設けられた密着層と、
前記銀層の表面に接して設けられ前記銀層を保護するバリア層と
を含むことを特徴とする請求項３２記載の表示装置。
【請求項３４】
前記表示素子は、前記基板の表面に、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極が順に積層され、前記発光層で発生した光を前記第２電極の側から取り出す有機発光素子であり、
前記第１電極は前記積層構造をなしている
ことを特徴とする請求項３０記載の表示装置。
【請求項３５】
前記表示素子は、前記基板に、画素電極と、この画素電極に電気的に接続された駆動素子および配線とが設けられ、前記積層構造が、前記基板と前記駆動素子および配線との間に設けられた液晶表示素子である
ことを特徴とする請求項３０記載の表示装置。
【請求項３６】
前記表示素子は、前記基板に、反射電極を有する画素電極が設けられ、前記反射電極が前記積層構造をなしている液晶表示素子である
ことを特徴とする請求項３０記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射電極，反射膜あるいは配線などとして好適な積層構造およびその製造方法、これを用いた表示素子、ならびに表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機発光素子を用いた有機発光ディスプレイが注目されている。有機発光ディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けて開発が進められている。
【０００３】
有機発光素子としては、例えば、基板の上に、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；薄膜トランジスタ）および平坦化層などを介して、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極が順に積層されたものが知られている。発光層で発生した光は、基板の側から取り出される場合もあるが、第２電極の側から取り出される場合もある。
【０００４】
光を取り出す側の電極としては、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透過性を有する導電性材料により構成された透明電極が用いられることが多い。透明電極の構成については、従来より種々の提案がなされている。例えば、ＩＴＯの厚膜化によるコスト上昇を回避するため、銀（Ａｇ）などよりなる金属薄膜と酸化亜鉛（ＺｎＯ）などよりなる高屈折率薄膜とを積層するようにした提案がある（例えば、特許文献１参照。）。この透明電極では、高屈折率薄膜の厚みを５ｎｍ〜３５０ｎｍ、金属薄膜の厚みを１ｎｍ〜５０ｎｍと、高屈折率薄膜を金属薄膜に比較して相対的に厚くして透明性を高めると共に、高屈折率薄膜により金属薄膜の表面での反射を低減するようにしている。
【０００５】
光を取り出さない側の電極には種々の金属電極が用いられることが多い。例えば、光を第２電極の側から取り出す場合には、陽極である第１電極は例えばクロム（Ｃｒ）などの金属により構成される。従来では、例えば、第１電極をクロムよりなる金属材料層とクロムの酸化物よりなる緩衝薄膜層との２層構造とし、金属材料層を構成するクロムの表面粗さを緩衝薄膜層により緩和するようにした提案がある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−３３４７９２号公報
【特許文献２】
特開２００２−２１６９７６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
光を第２電極の側から取り出す場合、発光層で発生した光は、第２電極を通って直接取り出されるものもあるが、第１電極で一度反射してから第２電極を通って放出されるものもある。従来は第１電極をクロムなどにより構成していたので、第１電極における光の吸収率が大きく、第１電極で反射されてから取り出される光の損失が大きいという問題があった。第１電極の光吸収率が有機発光素子に与える影響は大きく、発光効率が低いと同一輝度を得るために必要な電流量が増加する。駆動電流量の増加は、有機発光素子の実用化にとって極めて重要な素子寿命に大きな影響を及ぼす。
【０００８】
そのため、例えば、第１電極を、金属のうちで最も反射率の高い銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成することが考えられる。その場合、銀は極めて反応性に富むので、変質あるいは腐食などを防止するため、例えば上述した従来技術のように銀層の表面に緩衝薄膜層などを設けることが有益であると思われる。
【０００９】
しかしながら、第１電極を銀層の表面に緩衝薄膜層を設けた積層構造とする場合、従来から銀のパターニングに用いられているウェットエッチング技術では、銀層と緩衝薄膜層とのエッチングレートの差により銀層のエッチングのみが急速に進行してしまい、第１電極の良好なパターニングが困難となるおそれがある。第１電極の形状が不良であると、第１電極の側面を覆う絶縁膜に成膜不良あるいは空孔などが生じやすくなり、ひいては有機発光素子の欠陥の原因となりかねない。なお、銀のドライエッチング技術は従来では未だ開発されていない。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、絶縁膜の成膜不良あるいは空孔などを防止して欠陥を低減することができる積層構造およびその製造方法、表示素子、ならびに表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明による積層構造は、平坦面を有する基板の表面に設けられ、複数の層が積層されてなると共に積層方向の断面形状が順テーパ状であるものである。複数の層の側壁面と基板の平坦面とのなすテーパ角は、１０°以上７０°以下の範囲であることが好ましい。ここに、側壁面は、複数の層のなす側壁面であり、それが断面が直線状の平坦面である場合にはその平面であるが、側面が内側に弯曲している等、断面が直線状でない、すなわち平坦面でない場合には、積層構造の最下端面の端と最上端面の端とを結ぶ線（面）により形成される仮想面をいうものとする。このような積層構造は、その上に、発光層を含む有機層および第２電極が順に積層され、発光層で発生した光を第２電極の側から取り出すようになっていてもよい。あるいは、このような積層構造は、その上に、液晶表示素子の画素電極に電気的に接続された駆動素子および配線が設けられていてもよい。更に、このような積層構造は、液晶表示素子の反射電極をなしていてもよい。
【００１２】
本発明による積層構造の製造方法は、表面が平坦面な基板の表面に複数の層を順に積層する工程と、複数の層の上にマスクを形成する工程と、マスクを用いて複数の層を一括してエッチングすることにより、複数の層の側壁面を順テーパ状にする工程とを含むものである。
【００１３】
本発明による表示素子は、平坦性を有する基板の表面に、複数の層を含む積層構造を有し、前記積層構造は、積層方向の断面形状が順テーパ状であるものである。
【００１４】
本発明による表示装置は、平坦面を有する基板の表面に複数の表示素子を備えたものであって、表示素子は、複数の層を含む積層構造を有し、積層構造は、積層方向の断面形状が順テーパ状であるものである。
【００１５】
本発明による積層構造、本発明による表示素子および本発明による表示装置では、積層方向の断面形状を順テーパ状としたので、積層構造を他の膜で覆う場合に側壁面におけるカバレッジ性が向上し、成膜不良あるいは空孔などが防止される。
【００１６】
本発明による積層構造の製造方法では、表面が平坦面な基板の表面に複数の層が順に積層されたのち、この複数の層の上にマスクが形成される。次に、このマスクを用いて複数の層が一括してエッチングされることにより、複数の層の側壁面が順テーパ状にされる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル１０と封止パネル２０とが対向配置され、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０により全面が貼り合わせられている。駆動パネル１０は、例えば、ガラスなどの絶縁材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に設けられている。
【００１９】
ＴＦＴ１２のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソースおよびドレイン（いずれも図示せず）は、例えば酸化シリコンあるいはＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）などよりなる層間絶縁膜１２Ａを介して設けられた配線１２Ｂに接続されている。配線１２Ｂは、層間絶縁膜１２Ａに設けられた図示しない接続孔を介してＴＦＴ１２のソースおよびドレインに接続され、信号線として用いられる。配線１２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）―銅（Ｃｕ）合金により構成されている。なお、ＴＦＴ１２の構成は、特に限定されず、例えば、ボトムゲート型でもトップゲート型でもよい。
【００２０】
平坦化層１３は、ＴＦＴ１２が形成された基板１１の表面を平坦化して平坦面１１Ａを形成し、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各層の膜厚を均一に形成するためのものである。平坦化層１３には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの積層構造１４と配線１２Ｂとを接続する接続孔１３Ａが設けられている。平坦化層１３は、微細な接続孔１３Ａが形成されるため、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。平坦化層１３の材料としては、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）などの無機材料を用いることができる。本実施の形態では、平坦化層１３は、例えばポリイミド等の有機材料により構成されている。
【００２１】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、基板１１の側から、ＴＦＴ１２および平坦化層１３を介して、陽極としての積層構造（第１電極）１４、絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての共通電極（第２電極）１７がこの順に積層されている。共通電極１７の上には、必要に応じて、保護膜１８が形成されている。
【００２２】
積層構造１４は、基板１１の平坦面１１Ａの上に、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して形成されている。積層構造１４は、複数の層が積層され、積層方向の断面形状が順テーパ状となっている。
【００２３】
積層構造１４は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。そのため、積層構造１４は、例えば、銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された反射層１４Ａを含むことが好ましい。銀は金属の中で最も反射率が高く、反射層１４Ａにおける光の吸収損失を小さくすることができるからである。なお、反射層１４Ａを銀により構成するようにすれば反射率を最も高くすることができるので好ましいが、銀と他の金属との合金により構成するようにすれば、化学的安定性および加工精度を高めることができると共に、後述する密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃとの密着性も向上させることができるので好ましい。銀は非常に反応性が高く、加工精度および密着性も低いなど、極めて取り扱いが難しいからである。
【００２４】
反射層１４Ａの積層方向の膜厚（以下、単に膜厚と言う）は、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚がこの範囲内であれば、高い反射率を得ることができるからである。更に、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であればより好ましい。反射層１４Ａを薄くすることにより表面粗さを小さくすることができ、したがって後述するバリア層１４Ｃの膜厚を薄くして光の取り出し効率を上げることができるからである。また、反射層１４Ａを薄くすることにより、製造途中の熱工程により反射層１４Ａが結晶化して表面の凹凸が激しくなるのを緩和し、反射層１４Ａ表面の凹凸によりバリア層１４Ｃの欠陥が増加するのを阻止することができるからである。
【００２５】
積層構造１４は、例えば、基板１１の側から、密着層１４Ｂ、反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃがこの順に積層されていることが好ましい。密着層１４Ｂは、基板１１の平坦面１１Ａと反射層１４Ａとの間に設けられ、反射層１４Ａが平坦化層１３から剥離するのを防止するものである。バリア層１４Ｃは、反射層１４Ａを構成する銀あるいは銀を含む合金が空気中の酸素あるいは硫黄成分と反応することを防止すると共に、反射層１４Ａを形成した後の製造工程においても反射層１４Ａがダメージを受けることを緩和する保護膜としての機能を有している。また、バリア層１４Ｃは、銀または銀を含む合金よりなる反射層１４Ｂの表面粗さを緩和する表面平坦化膜としての機能をも有している。
【００２６】
バリア層１４Ｃは、例えば、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成されていることが好ましい。具体的には、バリア層１４Ｃは、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ  ），酸化インジウム（Ｉｎ２  Ｏ３  ），酸化スズ（ＳｎＯ２  ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されていることが好ましい。これらの材料をバリア層１４Ｃとして用いることにより積層構造１４の平坦性を高めることができるので、有機層１６の各層の膜厚が均一になり、有機層１６の膜厚不足による積層構造１４と共通電極１７との短絡の虞がなくなると共に、特に後述の共振器構造を形成する場合には画素内色むらの発生を防いで色再現性を高めることができるので好適であるからである。また、これらの材料は可視光領域における光吸収性が極めて小さいことから、バリア層１４Ｃにおける吸収損失を低減し、光取り出し効率を高めることができるからである。更に、バリア層１４Ｃは、有機層１６への正孔注入効率を高めるという仕事関数調整層としての機能も有しており、反射層１４Ａよりも仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましいからである。中でも、生産性の観点からはＩＴＯおよびＩＺＯが特に好ましい。
【００２７】
バリア層１４Ｃの膜厚は、上述した保護膜としての機能を確保するためには例えば、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。更に、光取り出し効率を高めるためには、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であればより好ましい。
【００２８】
密着層１４Ｂは、例えば、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成されていることが好ましい。具体的には、密着層１４Ｂは、インジウム（Ｉｎ）とスズ（Ｓｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ），インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）と酸素（Ｏ）とを含む化合物（ＩＺＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ  ），酸化インジウム（Ｉｎ２  Ｏ３  ），酸化スズ（ＳｎＯ２  ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されていることが好ましい。バリア層１４Ｃおよび反射層１４Ａをエッチングした後に密着層１４Ｂをエッチングする際に、新たなマスクを形成したりエッチングガスを変更する必要がなく、同じマスクを用いて同じエッチングガスによりパターニングすることができるからである。
【００２９】
密着層１４Ｂの膜厚は、反射層１４Ａのヒロックあるいは剥離を抑制できる程度であることが好ましい。具体的には、５ｎｍ以上５０ｎｍであることが好ましく、更に１０ｎｍ以上３０ｎｍであればより好ましい。
【００３０】
密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃは同一の材料により構成されていてもよく、あるいは上記の材料のうちから異なる材料を組合せてもよい。本実施の形態では、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃは、例えば両者ともＩＴＯにより構成されている。その他、例えば、密着層１４ＢをＩＴＯ、バリア層１４ＣをＩＺＯによりそれぞれ構成することが可能である。あるいは、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃは、両者ともＩＺＯにより構成されていてもよい。あるいは、密着層１４ＢをＺｎＯ、バリア層１４ＣをＩＴＯによりそれぞれ構成してもよい。
【００３１】
積層構造１４は、最下端面である平坦面１１Ａから最上端面１４Ｄへ向かって徐々に幅が狭くなる、所謂順テーパ状をなしている。これにより、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃのなす側壁面１４Ｅが、絶縁膜１５により完全に覆われ、絶縁膜１５の成膜不良あるいは空孔を防止することができる。よって、絶縁膜１５の成膜不良あるいは空孔から反射層１４Ａの変質などが生じ、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの欠陥に繋がることが防止される。
【００３２】
また、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃの側壁面１４Ｅと基板１１の平坦面１１Ａとのなすテーパ角θは、１０°以上７０°以下の範囲であることが好ましい。テーパ角θが１０°よりも小さいと、積層構造１４のパターンが広がりすぎて高精細化に不利となるからである。また、テーパ角θが７０°を超えると、側壁面１４Ｅがほとんど垂直に近い急峻性を有するため、絶縁膜１５に成膜不良あるいは空孔などが生じやすくなるおそれがあるからである。更に、テーパ角θは２５°以上５０°以下であることがより好ましく、３５°以上４５°以下であれば更に望ましい。テーパ角θがこの範囲内であれば、例えば、積層構造１４の合計膜厚を例えば約１３０ｎｍとすると積層構造１４の片側におけるパターンの広がり量ΔＷを約０．１５μｍないし０．３μｍ程度におさめることができ、積層構造１４のパターンが広がりすぎず、かつ、絶縁膜１５の成膜不良あるいは空孔を効果的に防止することができるからである。
【００３３】
ここに、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃの側壁面１４Ｅは、それが図１に示したように断面が直線状の平坦面である場合にはその平面であるが、例えば図２に示したように側壁面１４Ｅが内側に弯曲している等、断面が直線状でない、すなわち平坦面でない場合には、積層構造１４の最下端面である平坦面１１Ａの端１４Ｆと最上端面１４Ｄの端１４Ｇとを結ぶ線（面）により形成される仮想面Ａをいうものとする。
【００３４】
また、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃの側壁面１４Ｅは、図３に示したように反射層１４Ａとバリア層１４Ｃとの界面および反射層１４Ａと密着層１４Ｂとの界面がエッチングの際に浸食されて段々状になっていてもよい。更に、図４に示したようにバリア層１４Ｃ、反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂの各々の側面の傾斜がそれぞれ異なる折れ線状などであってもよい。なお、側壁面１４Ｅの形状は、図１ないし図４に示した例に限定されるものではないことは勿論である。
【００３５】
絶縁膜１５は、積層構造１４と共通電極１７との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域の形状を正確に所望の形状とするためのものである。絶縁膜１５は、例えば、膜厚が６００ｎｍ程度であり、酸化シリコンあるいはポリイミドなどの絶縁材料により構成されている。絶縁膜１５は、積層構造１４の側壁面１４Ｅから上面の周辺部にかけてを覆うように形成され、積層構造１４すなわち有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける発光領域に対応して開口部１５Ａが設けられている。
【００３６】
有機層１６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によって構成が異なっている。図５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃが積層構造１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは、発光層１６Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。本実施の形態では、正孔輸送層１６Ａが正孔注入層を兼ねている。発光層１６Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものであり、絶縁膜１５の開口部１５Ａに対応した領域で発光するようになっている。電子輸送層１６Ｃは、発光層１６Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。
【００３７】
有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が４５ｎｍ程度であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が５０ｎｍ程度であり、２，５−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）―Ｎ−フェニルアミノ］］スチリルベンゼン―１，４−ジカーボニトリル（ＢＳＢ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３  ）により構成されている。
【００３８】
有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１６Ｃは、例えば、膜厚が３０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ３  により構成されている。
【００３９】
図６は、有機発光素子１０Ｇにおける有機層１６の構成を拡大して表すものである。有機発光素子１０Ｇの有機層１６は、正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂが積層構造１４の側からこの順に積層された構造を有している。正孔輸送層１６Ａは、正孔注入層を兼ねており、発光層１６Ｂは、電子輸送層を兼ねている。
【００４０】
有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａは、例えば、膜厚が５０ｎｍ程度であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１６Ｂは、例えば、膜厚が６０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ３  にクマリン６（Ｃ６；Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１体積％混合したものにより構成されている。
【００４１】
図１，図５および図６に示した共通電極１７は、例えば、膜厚が１０ｎｍ程度であり、銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属または合金により構成されている。本実施の形態では、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀との合金（ＭｇＡｇ合金）により構成されている。
【００４２】
共通電極１７は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのすべてを覆うように形成されている。共通電極１７の電圧降下を抑制するため、絶縁膜１５の上には補助電極１７Ａが設けられていることが好ましい。補助電極１７Ａは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの隙間を縫って設けられており、その端部は、基板１１の周辺部に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられた領域を取り囲むように形成された図示しない母線となる幹状補助電極に接続されている。補助電極１７Ａおよび図示しない母線となる幹状補助電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）あるいはクロム（Ｃｒ）のような低抵抗の導電性材料を単層あるいは積層構造としたものにより構成されている。
【００４３】
共通電極１７は、また、半透過性反射層としての機能を兼ねている。すなわち、この有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、積層構造１４の反射層１４Ａとバリア層１４Ｃとの界面を第１端部Ｐ１、共通電極１７の発光層１６Ｂ側の界面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６およびバリア層１４Ｃを共振部として、発光層１６Ｂで発生した光を共振させて第２端部Ｐ２の側から取り出す共振器構造を有している。このように共振器構造を有するようにすれば、発光層１６Ｂで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、色純度を向上させることができるので好ましい。また、封止パネル２０から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、後述するカラーフィルタ２２（図１参照）との組合せにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができるので好ましい。
【００４４】
そのためには、共振器の第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離Ｌは数１を満たすようにし、共振器の共振波長（取り出される光のスペクトルのピーク波長）と、取り出したい光のスペクトルのピーク波長とを一致させることが好ましい。光学的距離Ｌは、実際には、数１を満たす正の最小値となるように選択することが好ましい。
【００４５】
【数１】
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Ｌは第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間の光学的距離、Φは第１端部Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ１  と第２端部Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ２  との和（Φ＝Φ１  ＋Φ２  ）（ｒａｄ）、λは第２端部Ｐ２の側から取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍはＬが正となる整数をそれぞれ表す。なお、数１においてＬおよびλは単位が共通すればよいが、例えば（ｎｍ）を単位とする。）
【００４６】
図１に示した保護膜１８は、例えば、膜厚が５００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下であり、透明誘電体からなるパッシベーション膜である。保護膜１８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２  ），窒化シリコン（ＳｉＮ）などにより構成されている。
【００４７】
封止パネル２０は、図１に示したように、駆動パネル１０の共通電極１７の側に位置しており、接着層３０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止する封止用基板２１を有している。封止用基板２１は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２１には、例えば、カラーフィルタ２２が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっている。
【００４８】
カラーフィルタ２２は、封止用基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、駆動パネル１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ２２が表面に露出せず、接着層３０により保護することができるからである。カラーフィルタ２２は、赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。
【００４９】
赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ２２Ｒ，緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００５０】
さらに、カラーフィルタ２２における透過率の高い波長範囲と、共振器構造から取り出す光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、封止パネル２０から入射する外光のうち、取り出す光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ２２を透過し、その他の波長の外光が有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに侵入することが防止される。
【００５１】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００５２】
図７ないし図１８はこの表示装置の製造方法を工程順に表すものである。まず、図７（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に、ＴＦＴ１２，層間絶縁膜１２Ａおよび配線１２Ｂを形成する。
【００５３】
次に、図７（Ｂ）に示したように、基板１１の全面に、例えばスピンコート法により上述した材料よりなる平坦化層１３を形成し、露光および現像により平坦化層１３を所定の形状にパターニングすると共に接続孔１３Ａを形成する。そののち、ポリイミドをイミド化させるため、クリーンベーク炉で例えば３２０℃の温度で焼成する。
【００５４】
続いて、図８（Ａ）に示したように、平坦化層１３によって形成された平坦面１１Ａの上に、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯよりなる密着層１４Ｂを例えば２０ｎｍの膜厚で形成する。
【００５５】
そののち、図８（Ｂ）に示したように、密着層１４Ｂの上に、例えばスパッタ法により、例えば銀を含む合金よりなる反射層１４Ａを例えば１００ｎｍの膜厚で形成する。このように、平坦化層１３の上に、密着層１４Ｂを介して反射層１４Ａを形成することにより、反射層１４Ａが下地層としての平坦化層１３から剥離するのを防止することができる。更に、剥離した部分からエッチング液あるいは空気などが侵入し、反射層１４Ａを構成する銀または銀を含む合金がそれらに含まれる酸素や硫黄成分などと反応することを防止することもできる。
【００５６】
次に、図８（Ｃ）に示したように、反射層１４Ａの上に、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯよりなるバリア層１４Ｃを例えば１０ｎｍの膜厚で形成する。このように、反射層１４Ａの成膜後、速やかにバリア層１４Ｃを形成することにより、反射層１４Ａを構成する銀または銀を含む合金が空気中の酸素または硫黄成分と反応することを防止することができると共に、反射層１４Ａを形成した後の製造工程においても反射層１４Ａに対するダメージを緩和し、反射層１４Ｂとバリア層１４Ｃとの界面を清浄に保つことができる。
【００５７】
密着層１４Ａ，反射層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを形成したのち、図９（Ａ）に示したように、例えばリソグラフィ技術を用いて、バリア層１４Ｃの上に、例えばフォトレジスト膜よりなるマスク４１を形成する。
【００５８】
続いて、図９（Ｂ）に示したように、このマスク４１を用いて、バリア層１４Ｃ、反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂを一括してエッチングする。これにより、側壁面１４Ｅが順テーパ状とされる。また、このとき、上述したように、側壁面１４Ｅと基板１１の平坦面１１Ａとのなすテーパ角θが、１０°以上７０°以下の範囲になるように形成することが好ましい。
【００５９】
この一括エッチングは、ドライエッチングにより行う必要がある。ウェットエッチングでは、バリア層１４Ｃ、反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂを一括してパターニングすることはできず、途中で少なくとも一度、例えば密着層１４Ｂをエッチングする際に新たなマスクを形成しなければならない。そのため、マスク合わせの余裕などを考慮すると、反射層１４Ａと密着層１４Ｂとの界面で平坦面が形成されることは避けられず、側壁面１４Ｅを順テーパ状に形成することは困難である。また、ウェットエッチングでは、例えばＩＴＯと銀とのエッチングレートは２倍以上という大きな差があり、エッチングレートを完全に同一にしない限り銀のみが急速にエッチングされて、反射層１４Ａの側面だけが垂直になったり、サイドエッチングが進行してしまうおそれがある。これに対して、ドライエッチングでは、ＩＴＯと銀とのエッチングレート差があったとしても、図２ないし図４のような多少不均一な形状にはなるものの、サイドエッチングなどの問題も起こらず、側壁面１４Ｅを順テーパ状に形成することができる。
【００６０】
ドライエッチングには、反射層１４Ａ，密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃの全部と揮発性化合物を形成可能な成分を含むエッチングガスを用いることが好ましい。具体的には、例えばメタン（ＣＨ４  ）を含むエッチングガスを用いることが好ましい。メタンは、銀と反応してメチル銀（ＡｇＣＨ３  ）を生成するが、これは揮発性なので容易に除去可能であるからである。また、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃを例えばインジウム（Ｉｎ）を含む材料により構成した場合には、メタンはインジウム（Ｉｎ）と反応してメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ３  ）３  ）を生成し、これも揮発性なので容易に除去可能であるという利点もある。これに対して、例えば、フッ素（Ｆ）あるいは塩素（Ｃｌ）などのハロゲンのように、銀と不揮発性化合物を形成する成分を含むエッチングガスを用いると、この不揮発性の反応生成物が側壁面１４Ｅに堆積してしまい、除去が困難となるので好ましくない。
【００６１】
側壁面１４Ｅを順テーパ状に形成するためのエッチング条件の制御については、いろいろの方法が考えられる。一つの方法としては、例えば、バリア層１４Ｃおよび反射層１４Ａがエッチングされて密着層１４Ｂの表面が露出したことを図示しないプラズマ発光モニタにより検出したのち、エッチング条件を変更して、図１０に示したように、密着層１４Ｂのエッチングの進行に伴いバリア層１４Ｃおよび反射層１４Ａの露出した側壁面１４Ｅに堆積性保護膜４２を形成するような条件とする。この堆積性保護膜４２は、メタンなどに由来する有機物系の物質がバリア層１４Ｃおよび反射層１４Ａの側壁面１４Ｅに堆積することにより形成されるものである。堆積性保護膜４２により、既に形成された順テーパ状の側壁面１４Ｅを保護しながら密着層１４Ｂをエッチングしていくことができる。
【００６２】
また別の方法としては、密着層１４Ｂの表面が露出したことを検出したのち、エッチング条件を変更して、例えばＩＴＯのエッチングレートを上げるなどにより、密着層１４Ｂと基板１１上の平坦化層１３とのエッチング選択比を向上させるような条件とする。
【００６３】
更に、両者をどちらも満たすようなエッチング条件、すなわち、堆積性保護膜４２を形成すると共に密着層１４Ｂと基板１１上の平坦化層１３とのエッチング選択比を向上させるような条件としてもよい。
【００６４】
変更後の具体的なエッチング条件としては、例えば、メタンの流量を増大させて堆積性保護膜４２の堆積を促す、あるいは圧力を高真空側から低真空側に変更してエッチングガスの垂直成分を和らげる、あるいはバイアスパワーを下げてエッチングガスの垂直成分を和らげるなどの手法が考えられる。
【００６５】
本実施の形態では、例えば、テーパ角θが３０°の積層構造１４を形成する場合、変更前のエッチング条件は、メタンの流量を２０ＳＣＣＭ、アルゴン（Ａｒ）の流量を２０ＳＣＣＭ、圧力１．５Ｐａ、バイアスパワー１０００Ｗとし、変更後のエッチング条件は、メタンの流量を４０ＳＣＣＭ、アルゴンの流量を２０ＳＣＣＭ、圧力３Ｐａ、バイアスパワー７５０Ｗとする。なお、この例は、堆積性保護膜４２を形成しながら側壁面１４Ｅを順テーパ状に形成する場合である。
【００６６】
そののち、図１１（Ａ）に示したようにマスク４１を除去したのち、図１１（Ｂ）に示したように、基板１１の全面にわたり、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ；化学的気相成長）法により絶縁膜１５を上述した膜厚で成膜し、例えばリソグラフィ技術を用いて絶縁膜１５のうち発光領域に対応する部分を選択的に除去し開口部１５Ａを形成する。
【００６７】
次に、図１２に示したように、絶縁膜１５の上に、基板１１の全面にわたり補助電極１７Ａを形成し、例えばリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングし、所定の形状にパターニングする。
【００６８】
続いて、図１３に示したように、例えば蒸着法により、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１６Ａ，有機発光素子１０Ｒの発光層１６Ｂおよび有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｒの有機層１６を形成する。その際、形成予定領域に対応して開口５１Ａを有する金属性の蒸着マスク５１を用い、発光領域、すなわち絶縁膜１５の開口部１５Ａに対応して成膜するようにすることが好ましい。但し、開口部１５Ａにのみ高精度に蒸着することは難しいので、開口部１５Ａ全体を覆い、絶縁膜１５の縁に少しかかるようにしてもよい。
【００６９】
そののち、蒸着マスク５１をずらして、図１４に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１６Ａおよび発光層１６Ｂを順次成膜し、有機発光素子１０Ｇの有機層１６を形成する。続いて、蒸着マスク５１を再びずらして、同じく図１４に示したように、有機発光素子１０Ｒの有機層１６と同様にして、上述した膜厚および材料よりなる有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１６Ａ，発光層１６Ｂおよび電子輸送層１６Ｃを順次成膜し、有機発光素子１０Ｂの有機層１６を形成する。なお、図１４には、蒸着マスク５１の開口５１Ａが有機発光素子１０Ｂの有機層１６に対向している状態を表している。
【００７０】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１６を形成したのち、図１５に示したように、基板１１の全面にわたり、例えば蒸着法により、上述した膜厚および材料よりなる共通電極１７を形成する。これにより、共通電極１７は、既に形成されている補助電極１７Ａおよび図示しない母線となる幹状補助電極に電気的に接続される。以上により、図１、図５および図６に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００７１】
次に、図１６に示したように、共通電極１７の上に、上述した膜厚および材料よりなる保護膜１８を形成する。これにより、図１に示した駆動パネル１０が形成される。
【００７２】
また、図１７（Ａ）に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２１の上に、赤色フィルタ２２Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２２Ｒを形成する。続いて、図１７（Ｂ）に示したように、赤色フィルタ２２Ｒと同様にして、青色フィルタ２２Ｂおよび緑色フィルタ２２Ｇを順次形成する。これにより、封止パネル２０が形成される。
【００７３】
封止パネル２０および駆動パネル１０を形成したのち、図１８に示したように、基板１１の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成した側に、熱硬化型樹脂よりなる接着層３０を塗布形成する。塗布は、例えば、スリットノズル型ディスペンサーから樹脂を吐出させて行うようにしてもよく、ロールコートあるいはスクリーン印刷などにより行うようにしてもよい。次いで、図１に示したように、駆動パネル１０と封止パネル２０とを接着層３０を介して貼り合わせる。その際、封止パネル２０のうちカラーフィルタ２２を形成した側の面を、駆動パネル１０と対向させて配置することが好ましい。また、接着層３０に気泡などが混入しないようにすることが好ましい。そののち、封止パネル２０のカラーフィルタ２２と駆動パネル１０の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの相対位置を整合させてから所定温度で所定時間加熱処理を行い、接着層３０の熱硬化性樹脂を硬化させる。以上により、図１、図５および図６に示した表示装置が完成する。
【００７４】
この表示装置では、例えば、積層構造１４と共通電極１７との間に所定の電圧が印加されると、有機層１６の発光層１６Ｂに電流が注入され、正孔と電子とが再結合することにより、主として発光層１６Ｂの正孔輸送層１６Ａ側の界面において発光が起こる。この光は、第１端部Ｐ１と第２端部Ｐ２との間で多重反射し、共通電極１７を透過して取り出される。ここでは、積層構造１４が、積層方向の断面が順テーパ状とされているので、側壁面１４Ｅが絶縁膜１５により良好に覆われている。よって、絶縁膜１５の成膜不良あるいは空孔から反射層１４Ａの変質などが生じることが防止され、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの欠陥が低減する。
【００７５】
このように、本実施の形態では、積層構造１４を、積層方向の断面が順テーパ状となるようにしたので、絶縁膜１５の成膜不良あるいは空孔を防止することができ、反射層１４Ａの変質を確実に防止して有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの欠陥を低減することができる。よって、積層構造１４が銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された反射層１４Ａを含む場合に特に好適であり、積層構造１４の反射率を高めて光取り出し効率を向上させることができる。
【００７６】
また、本実施の形態では、基板１１の平坦面１１Ａに、密着層１４Ｂ、反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃをすべて形成したのちに、一括してエッチングするようにしたので、側壁面１４Ｅを容易に上述のような順テーパ状に形成することができる。
【００７７】
〔第２の実施の形態〕
図１９は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の断面構造を表すものである。この表示装置は、透過型・反射型併用（半透過型）の液晶ディスプレイとして用いられるものであり、駆動パネル６０と対向パネル７０とが対向配置され、その間に液晶８０が設けられている。
【００７８】
駆動パネル６０は、例えばガラスよりなる基板６１に、画素電極６２がマトリクス状に設けられている。基板６１には、画素電極６２に電気的に接続された駆動素子としてのＴＦＴ６３および配線６３Ａなどを含むアクティブ型の駆動回路が形成されている。基板６１の液晶８０に対向する側には、配向膜６４が全面に設けられ、反対側には偏光板６５が設けられている。また、基板６１の表面とＴＦＴ６３および配線６３Ａとの間には、第１の実施の形態と同様の積層構造１４が設けられている。積層構造１４とＴＦＴ６３および配線６３Ａとの間には、例えば絶縁膜６６が設けられている。
【００７９】
画素電極６２は、例えば透明電極６２Ａと反射電極６２Ｂとを有している。透明電極６２Ａは、例えばＩＴＯにより構成され、反射電極６２Ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）により構成されている。反射電極６２Ｂは、透明電極６２Ａの一部領域に重ねるように形成されている。反射電極６２Ｂが形成された領域は、反射型表示領域となり、透明電極６２Ａの反射電極６２Ｂが重ねられていない領域が、透過型表示領域となる。
【００８０】
ＴＦＴ６３のゲート電極（図示せず）は、図示しない走査回路に接続され、ソース（図示せず）は信号線としての配線６３Ａに接続され、ドレイン（図示せず）は、画素電極６２に接続されている。配線６３Ａの材料は、第１の実施の形態の配線１３Ｂと同様である。また、ＴＦＴ６３の構成は、第１の実施の形態のＴＦＴ１２と同様、特に限定されない。ＴＦＴ６３および配線６３Ａは、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）あるいは窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる保護膜６３Ｂにより被覆されている。
【００８１】
積層構造１４は、本実施の形態では、透明電極６２Ａに入射しなかった入射光を反射させて図示しないバックライトの側へ戻すための反射膜としての役割を有している。密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃの材料および膜厚、側壁面１４Ｅの形状、側壁面１４Ｅと基板６１の平坦面６１Ａとのなすテーパ角θの範囲などについては第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
配向膜６４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）などの斜め蒸着膜により構成されている。この場合、斜め蒸着時の蒸着角度を変えることにより、後述する液晶８０のプレティルト角が制御される。配向膜６４としては、また、ポリイミドなどの有機化合物をラビング（配向）処理した膜を用いることも可能である。この場合、ラビング条件を変更することによりプレティルト角が制御される。
【００８３】
偏光板６５は、図示しないバックライトからの光を一定方向の直線偏光に変える光学素子であり、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルムなどを含んで構成されている。
【００８４】
絶縁膜６６は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２  ）により構成されている。なお、絶縁膜６６は、プロセスによってはポリイミド膜を用いることも可能である。
【００８５】
対向パネル７０は、駆動パネル６０の画素電極６２の側に位置しており、ガラスなどよりなる対向基板７１を有している。対向基板７１には、例えば、画素電極６２に対向して、透明電極７２およびカラーフィルタ７３が対向基板７１側から順に積層されて設けられている。また、対向基板７１には、カラーフィルタ７３の境界に沿って、ブラックマトリクスとしての光吸収膜７４が設けられている。対向基板７１の液晶８０に対向する側には、配向膜７５が全面に設けられ、反対側には偏光板７６が設けられている。
【００８６】
透明電極７２は、例えばＩＴＯにより構成されている。カラーフィルタ７３は、第１の実施の形態のカラーフィルタ２２と同様に構成されている。光吸収膜７４は、対向基板７１に入射した外光あるいは配線６４により反射された外光の反射光などを吸収してコントラストを向上させるものであり、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルターにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２  Ｏ３  ）とを交互に積層したものが挙げられる。配向膜７５および偏光板７６は、駆動パネル６０の配向膜６４および偏光板６５と同様に構成されている。
【００８７】
液晶８０は、電圧を印加することにより配向状態が変化して透過率を変化させるものである。駆動時に液晶分子の傾斜する方向が一様でないと明暗のむらが生じるため、これを避けるために、あらかじめ液晶８０にはわずかなプレティルト角が一定方向に与えられている。
【００８８】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００８９】
まず、基板６１の平坦面６１Ａに、第１の実施の形態と同様にして、密着層１４Ｂ，反射層１４Ａおよびバリア層１４Ｃをすべて積層したのち一括してエッチングすることにより、側壁面１４Ｅが順テーパ状の積層構造１４を形成する。次に、この積層構造１４を覆うように、例えばＣＶＤ法により上述した材料よりなる絶縁膜６６を形成し、更に、透明電極６２Ａおよび反射電極６２Ｂを形成して画素電極６２を形成する。続いて、積層構造１４および絶縁膜６６の上に、ＴＦＴ６３および配線６３Ａを形成し、例えばＣＶＤ法により保護膜６３を形成する。そののち、基板６１の全面に配向膜６４を形成し、ラビング処理を行う。これにより、駆動パネル６０が形成される。
【００９０】
また、対向基板７１の表面に透明電極７２、光吸収膜７４およびカラーフィルタ７３を形成する。次に、対向基板７１の全面に配向膜７５を形成し、ラビング処理を行う。これにより、対向パネル７０が形成される。
【００９１】
次に、駆動パネル６０または対向パネル７０の周辺部分に例えばエポキシ樹脂などよりなるシール材（図示せず）を設け、球状あるいは柱状のスペーサ（図示せず）を設ける。続いて、駆動パネル６０および対向パネル７０を、画素電極６２と透明電極７２とが対向するように位置合わせし、シール材を硬化させることにより貼り合わせ、液晶８０を内部に注入して密封する。そののち、駆動パネル６０に偏光板６５を、対向パネル７０に偏光板７６をそれぞれ貼付する。以上により、図１９に示した表示装置が完成する。
【００９２】
この表示装置では、例えば、画素電極６２と透明電極７２との間に所定の電圧が印加されると、液晶８０の配向状態が変化して透過率が変化する。図示しないバックライトから透明電極６２Ａに入射した入射光Ｒ１は、液晶８０を透過し、透過光Ｒ２として取り出される。また、バックライトから反射電極６２Ｂまたは積層構造１４に入射した入射光Ｒ３は、反射電極６２Ｂあるいは積層構造１４の反射層１４Ａによって反射され、その反射光Ｒ４がバックライトの側へ戻るが、反射光Ｒ４は、バックライトに設けられた図示しない反射鏡などにより再び画素電極６２に入射する。更に、対向パネル７０側から入射した外光Ｈ１は、反射電極６２Ｂによって反射され、その反射光Ｈ２が取り出される。ここでは、積層構造１４を、積層方向の断面が順テーパ状となるようにしたので、側壁面１４Ｅが絶縁膜６６あるいは配向膜６４などにより良好に覆われている。よって、絶縁膜６６あるいは配向膜６４などの成膜不良あるいは空孔から反射層１４Ａの変質などが生じることが防止される。
【００９３】
このように、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、積層構造１４を、積層方向の断面が順テーパ状となるようにしたので、絶縁膜６６あるいは配向膜６４などの成膜不良あるいは空孔を防止することができ、反射層１４Ａの変質あるいは腐食などを確実に防止することができる。よって、積層構造１４が銀（Ａｇ）または銀を含む合金により構成された反射層１４Ａを含む場合に特に好適であり、積層構造１４の反射率を高めてバックライト光の利用効率を高めると共に表示装置の電力消費量を低減することができる。
【００９４】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および膜厚、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および膜厚としてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００９５】
また、例えば、上記実施の形態では、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃが、インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の元素を含む金属化合物または導電性酸化物により構成され、特に、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化インジウム（Ｉｎ２  Ｏ３  ），酸化スズ（ＳｎＯ２  ），酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる群のうちの少なくとも１種により構成されている場合について説明したが、密着層１４Ｂおよびバリア層１４Ｃの一方が上記以外の材料により構成されていてもよい。例えば、バリア層１４Ｃは、透明で光吸収が小さく、反射層１４Ａおよび密着層１４Ｂと一括してエッチング可能な材料であれば、上記の材料に限られない。
【００９６】
更に、例えば、密着層１４Ｂは、スパッタ法のほか、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ；有機金属気相成長）法、レーザーアブレーション法、あるいはメッキ法などを用いることが可能である。反射層１４Ａについても、同様に、スパッタ法のほか、蒸着法、ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、レーザーアブレーション法、あるいはメッキ法などを用いることが可能である。
【００９７】
加えて、上記第１の実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、絶縁膜１５，補助電極１７Ａあるいは保護膜１８などの全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。なお、共通電極１７を半透過性電極でなく透明電極とし、共振器構造を備えない場合についても本発明を適用することができるが、本発明は、積層構造１４での反射率を高めるものであるので、積層構造１４の反射層１４Ａとバリア層１４Ｃとの界面を第１端部Ｐ１、共通電極１７の発光層１６Ｂ側の界面を第２端部Ｐ２とし、有機層１６およびバリア層１４Ｃを共振部として共振器構造を構成する場合の方が、より高い効果を得ることができる。
【００９８】
更にまた、上記第２の実施の形態では、透過型・反射型併用の液晶ディスプレイの場合を例として説明したが、本発明は、他のタイプの液晶ディスプレイにも適用可能である。例えば、図２０に示したように、透過型の液晶ディスプレイにおいて反射膜としての積層構造１４を設けるようにしてもよい。あるいは、図２１に示したように、積層構造１４を反射型の画素電極として用いてもよい。あるいは、第２の実施の形態において、反射電極６２Ｂあるいは配線６３Ａに代えて積層構造１４を設けることも可能である。
【００９９】
加えてまた、上記第２の実施の形態では、液晶表示素子の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層あるいは部材を備える必要はなく、また、他の層あるいは部材を更に備えていてもよい。
【０１００】
更にまた、上記実施の形態では、本発明を有機発光表示装置あるいは液晶表示装置などの表示装置に適用した場合について説明したが、本発明の積層構造は、反射電極あるいは反射膜としての適用に限られず、例えば反射層１４Ａの抵抗が低いという利点を活かして金属配線として用いることも可能である。これにより、銀の腐食を防ぎ、優れた性能を有する金属配線を実現することができる。
【０１０１】
加えてまた、本発明の表示素子、特に有機発光素子の用途は、必ずしも表示装置に限定されるものではなく、例えば、表示を目的としない単なる照明などの用途にも適用可能である。
【０１０２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の積層構造、表示素子および表示装置によれば、積層方向の断面を順テーパ状としたので、側壁面におけるカバレッジ性が向上し、側壁面を覆う絶縁膜などの成膜不良あるいは空孔を防止することができる。
【０１０３】
本発明の積層構造の製造方法によれば、基板の表面に、複数の層をすべて形成したのちに、一括してエッチングすることにより側壁面を順テーパ状にするようにしたので、順テーパ状の積層構造を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した積層構造の形状の他の例を表す断面図である。
【図３】図１に示した積層構造の形状の更に他の例を表す断面図である。
【図４】図１に示した積層構造の形状の更に他の例を表す断面図である。
【図５】図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。
【図６】図１に示した有機発光素子の構成を拡大して表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を表す断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を表す断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を表す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を表す断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を表す断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２０】本発明の変形例に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２１】本発明の他の変形例に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【符号の説明】
１０，６０…駆動パネル、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１，６１…基板、１１Ａ，６１Ａ…平坦面、１２，６３…ＴＦＴ、１２Ａ…層間絶縁膜、１２Ｂ，６３Ａ…配線、１３…平坦化層、１３Ａ…接続孔、１４…積層構造（陽極）、１４Ａ…反射層、１４Ｂ…密着層、１４Ｃ…バリア層、１４Ｄ…最上端面、１４Ｅ…側壁面、１５…絶縁膜、１５Ａ…開口部、１６…有機層、１６Ａ…正孔輸送層、１６Ｂ…発光層、１６Ｃ…電子輸送層、１７…共通電極（陰極）、１７Ａ…補助電極、１８，６３Ｂ…保護膜、２０…封止パネル、２１…封止用基板、２２，７３…カラーフィルタ、２２Ｒ…赤色フィルタ、２２Ｇ…緑色フィルタ、２２Ｂ…青色フィルタ、３０…接着層、４１…マスク、５１…蒸着マスク、６２…画素電極、６２Ａ，７２…透明電極、６２Ｂ…反射電極、６４，７５…配向膜、６５，７６…偏光板、６６…絶縁膜、７１…対向基板、７４…光吸収膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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