(57)【要約】【課題】半導体処理システムのガス注入装置を提供する。【解決手段】反応チャンバの壁の内面に接触するように設置されて反応チャンバの内部に反応ガスを注入する多数のノズルが貫通形成されたインジェクタと、反応チャンバの壁を貫通して設置されるガス流入口と、反応チャンバの壁とインジェクターの間に設けられてガス流入口を通じて流入される反応ガスを多数のノズルのそれぞれに供給するマニホールドを備え、マニホールドはガス流入口から多数のノズルのそれぞれにつながるガス経路の長さが全て同じであるように複数のレベルに配列されたガスチャンネルで構成され、多数のノズルのそれぞれを通じて反応チャンバの内部に注入される反応ガスの流量が均一になる。【選択図】図３Ａ
2004172622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムの反応チャンバの内部に反応ガスを注入するためのガス注入装置において、
前記反応チャンバの壁の内面に接触されるように設置され、前記反応チャンバの内部に反応ガスを注入する多数のノズルが貫通形成されたインジェクターと、
前記反応チャンバの壁を貫通するガス流入口と、
前記反応チャンバの壁と前記インジェクターの間に設けられ、前記ガス流入口を通じて流入された反応ガスを前記多数のノズルのそれぞれに供給するマニホールドと、を備え、
前記マニホールドは、前記ガス流入口から前記多数のノズルのそれぞれにつながるガス経路長が全て同じであるように複数のレベルに配列されたガスチャンネルで構成され、前記多数のノズルのそれぞれを通じて前記反応チャンバの内部に注入される反応ガスの流量が均一になるようにすることを特徴とする半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項２】
前記複数レベルのガスチャンネルのうち下位レベルのガスチャンネルは、次の上位レベルの
ガスチャンネルの両端から両側に同長で分枝されて形成され、最上位レベルのガスチャンネルは、前記ガス流入口と連結される部位から両側に同長で分枝されて形成され、最下位レベルのガスチャンネルの両端のそれぞれに前記ノズルが連結されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項３】
前記ガスチャンネルは、４つのレベルに配列されることを特徴とする請求項２に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項４】
前記反応チャンバの壁の内面に溝が形成され、前記インジェクターは前記溝の内部に挿し込まれることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項５】
前記ガスチャンネルは、前記インジェクターの前記反応チャンバの壁の内面と接触される面に所定の深さを有する溝状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項６】
前記ガスチャンネルは、前記反応チャンバの壁の内面に所定深さを有する溝状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項７】
前記インジェクターは、誘電体ライナで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項８】
前記誘電体ライナは、セラミックからなることを特徴とする特徴とする請求項７に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項９】
前記ノズルの出口は、前記インジェクターの前記反応チャンバの内面の反対側の面に円周方向に沿って等間隔に配列されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１０】
前記インジェクターは、平板リング状を有し、前記反応チャンバの上部の壁の底面に接触されるように設置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１１】
前記ガスチャンネルは、前記インジェクターの外部から内部に向けて上位レベルから下位レベルに配列されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１２】
前記インジェクターは、円筒状を有し、前記反応チャンバの側壁の内面に接触されるように設置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１３】
前記ガスチャンネルは、前記インジェクターの下部から上部に向けて上位レベルから下位レベルに配列されることを特徴とする請求項１２に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１４】
前記インジェクターは、円錐状を有し、前記反応チャンバの上部の壁の傾斜した内面に接触されるように設置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１５】
前記ガスチャンネルは、前記インジェクターの下部から上部に向けて上位レベルから下位レベルに配列されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１６】
前記インジェクターは、前記反応チャンバの壁に固定設置される支持部材によって支持されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１７】
前記反応チャンバの上部に設置され、前記反応チャンバの中心部側へ向けて前記反応ガスを注入するシャワヘッド型のインジェクターをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１８】
前記マニホールドを通過しつつ少なくとも２種の反応ガスが混合され、混合された反応ガスが前記ノズルを通じて前記反応チャンバの内部に注入されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【請求項１９】
前記ガス注入装置は、プラズマ処理システムまたはマグネトロンスパッタリングシステムに適用されることを特徴とする請求項１に記載の半導体処理システムのガス注入装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体処理システムに係り、より詳細には反応チャンバの内部に半導体基板の処理のための反応ガスを注入するガス注入装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体素子や平板ディスプレイ装置の製造のための半導体基板の微細加工工程では、プラズマ処理システムまたはマグネトロンスパッタリングシステムのような半導体処理システムが多く使われている。例えば、化学気相蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって基板上に所定物質層を蒸着するためのシステムとして、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）システムまたは高密度プラズマ化学気相蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ：Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）システムが多く使われており、物理的な気相蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって基板上に所定の物質層を蒸着するためのシステムとして、マグネトロンスパッタリングシステムが広く使われている。
【０００３】
このような半導体処理システムは、多様な半導体処理工程の特性に適合するものが開発されている。特に、基板直径の増大に伴って、最近の半導体処理システムの開発における最大の主眼点は、収率の向上のための基板の大面積化の趨勢に応じることである。すなわち、既存の２００ｍｍウェーハから最近の３００ｍｍウェーハへの大面積化に伴って、大面積のウェーハ上の均一度の向上は、ウェーハ処理工程において最も先に解決しなければならない要素技術となっている。所望の均質度を得るために、まず半導体処理システムのガス注入装置を通じて反応チャンバの内部に注入される反応ガスを反応チャンバの内部に均一に分布させることが重要である。
【０００４】
したがって、ガス分配における均一性を確保するために多様な形態のガス注入装置が開発されてきた。その一例として、特許文献１には、基板に対して垂直方向に多数のレベルに配置された多数のノズルを備えるガス注入装置が開示されている。高いレベルに配置されたガス供給ノズルは、低いレベルに配置されたガス供給ノズルに比べて、反応チャンバの中心側にさらに長く延設されている。このようなガス注入装置は、均一なガス分配を行うのに有効である一方、多数のノズルの反応チャンバの内部側に延設された部分によって基板側へのイオンフラックスが妨害される問題点を有する。
【０００５】
他の例として、特許文献２には、シャワヘッド型のガス注入装置が開示されている。このようなガス注入装置において、シャワヘッドへのガスの供給は、シャワヘッドの背面での均一なガス圧力の分布のためにバッフルおよび孔を通じて行われる。さらに他の例として、特許文献３にも、シャワヘッド型のガス注入装置が開示されている。このガス注入装置では、バッフルプレートに設けられる孔を多様なサイズに形成することによってシャワヘッドの背面での均一なガス圧力の分布が得られる。しかし、このようなシステムを広い範囲のガス圧力およびガス流量に適合するように最適化させることは非常に難しい。そして、シャワヘッド型のガス注入装置は、平行板プラズマ反応器にだけ適合し、マグネトロンスパッタリングシステムには適用できない問題点がある。
【０００６】
また、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ反応器に用いる場合、反応チャンバの上部に設置されるシャワヘッドは、マイクロウェーブの伝播を妨害する。したがって、このＥＣＲプラズマ反応器と他の実際的な場合において、リング状のガス注入装置が多く使われており、図１にはその一例が示されている。
【０００７】
図１に示されたリング状ガス注入装置１０は、その内部に反応ガスが通過するガスチャンネル１４が形成されており、その外周にはチャンネル１４と連通するガス流入口１２が設けられており、その内周には多数のノズル１６が設けられている。前記多数のノズル１６は、ガス注入装置１０の内周面に沿って等間隔に配置されている。
【０００８】
しかし、前記のようなガス注入装置１０において、ガス流入口１２からガスチャンネル１４を通じて各ノズル１６に連絡されるガス経路が形成され、各ガス経路は、各ノズル１６に対して異なる。このようなガス経路の差は、反応ガスとガスチャンネル１４の壁面との摩擦による圧力降下によって各ノズル１６での反応ガスの圧力差を生じさせ、これにより各ノズル１６を通じるガス流量が不均一となる。
【０００９】
図２は、図１に示されたガス注入装置において、各ノズルでのガス圧力およびガス流量を示すグラフである。図２のグラフで、ガス流入口１２には０の番号を付け、各ノズルにはガス注入装置の内周面に沿って配列され、順に１から１６までの番号を付けた。
【００１０】
そして、図２のグラフは、反応チャンバの内部圧力１０ｍＴｏｒｒ下で、Ｏ2ガスを１００  ＳＣＣＭ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒｓｐｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ）の流量で流入させた時のガス圧力および流量を計算した結果を示すものである。この時、ガスチャンネルは１×４ｍｍの四角形の断面を有し、各ノズルは０．５ｍｍの直径および２ｍｍの長さを有する。そして、ガスチャンネルは直径が２４１ｍｍのリング状に形成される。
【００１１】
図２のグラフから明らかなとおり、ガス圧力はガス流入口から遠ざかるほど、すなわちガス経路が長いほど低くなり、これによりガス流入口に最も近いノズルでのガス流量は、最も遠いノズルでのガス流量に比べて約４倍程度多いことが分かる。このように、従来のリング状のガス注入装置では、ガス流入口からガスチャンネルを通じて各ノズルまでつながるガス経路長の差によって、各ノズルでのガス圧力およびガス流量が非常に不均一になる。
【００１２】
ガス注入装置の設計および形態は、処理される基板上での均一性に大きい影響を及ぼし、ガス注入装置のサイズが大きくなるほど、あるいはガスチャンネルの断面積が小さくなるほど、ガス分配における不均一性が大きくなることがよく知られている。一方、イオンフラックスやマイクロウェーブの伝播を妨害しないためには、ガス注入装置は可能なかぎり薄くすることが望ましい。このように、構造的には狭い断面積のガスチャンネルが必要であるが、狭い断面積のガスチャンネルを有する大型のガス注入装置においては均一な圧力分布に関する問題がある。
【００１３】
したがって、最近のウェーハサイズの大型化の趨勢では、従来のガス注入装置では反応チャンバの内部へのガス分配の均一性を確保するのがさらに難しくなっており、これは半導体基板の処理工程の均一度を低下させて半導体素子の品質や収率の顕著な低下を招く。
【特許文献１】米国特許第５，５２２，９３１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，４３２，８３１号明細書
【特許文献３】米国特許第６，４１５，７３６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明が解決しようとする技術的課題は、反応チャンバの内部に注入される反応ガスの均一な分配のためにガス流入口から多数のノズルの各々までのガス経路長が同じであるように配列されたマニホールドを有する半導体処理システムのガス注入装置を提供することである。
【００１５】
そして、本発明の他の課題はＰＥＣＶＤ、ＨＤＰ−ＣＶＤおよびマグネトロンスパッタリングシステムのような多様な種類の半導体処理システムに採用することができるガス注入装置を提供することである。
【００１６】
また、本発明のさらに他の技術的課題は、反応チャンバのサイズ、ガス圧力および流量によって制限されず、反応ガスを均一に分配できて大型の反応チャンバを有する半導体処理システムに採用することができるガス注入装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記課題を達成するために本発明は、半導体処理システムの反応チャンバの内部に反応ガスを注入するためのガス注入装置において、前記反応チャンバの壁の内面に接触されるように設置され、前記反応チャンバの内部に反応ガスを分配して注入する多数のノズルが貫通形成されたインジェクタと、前記反応チャンバの壁を貫通するガス流入口と、前記反応チャンバの壁と前記インジェクタの間に設けられ、前記ガス流入口を通じて流入された反応ガスを前記多数のノズルに供給するマニホールドと、を備え、前記マニホールドは、前記ガス流入口から前記多数のノズルのそれぞれにつながるガス経路長がすべて同じであるように複数のレベルに配列されたガスチャンネルで構成され、前記多数のノズルのそれぞれを通じて前記反応チャンバの内部に注入される反応ガスの流量が均一になるようにすることを特徴とする半導体処理システムのガス注入装置を提供する。
【００１８】
ここで、前記複数レベルのガスチャンネルのうち下位レベルのガスチャンネルは、次の上位レベルのガスチャンネルの両端から両側に同長に分枝されて形成され、最上位レベルのガスチャンネルは、前記ガス流入口と連結される部位から両側に同長で分枝されて形成され、最下位レベルのガスチャンネルの両端のそれぞれに前記ノズルが連結されることが望ましい。
【００１９】
前記反応チャンバの壁の内面には溝が形成され、前記インジェクタは前記溝の内部に挿し込まれることが望ましい。
前記ガスチャンネルは、前記インジェクタの前記反応チャンバの壁の内面と接触される面に所定の深さを有する溝状に形成されることが望ましい。
【００２０】
一方、前記ガスチャンネルは、前記反応チャンバの壁の内面に所定の深さを有する溝状に形成されていてもよい。この場合、前記インジェクタはセラミック等の誘電体ライナで形成される。
【００２１】
前記複数のノズルの出口は、前記反応チャンバの内面に対して反対側の前記インジェクタの面に円周方向に沿って等間隔で配列されることが望ましい。
【００２２】
本発明の第１実施形態によれば、前記インジェクタは平板リング状を有し、前記反応チャンバの上部の壁の底面に接触されるように設置される。
【００２３】
前記第１実施形態において、前記ガスチャンネルは、異なるレベルに配置され、前記インジェクタの外部から内部へ行くにつれて上位レベルから下位レベルに配列されることが望ましい。
【００２４】
本発明の第２実施形態によれば、前記インジェクタは、円筒状であり、前記反応チャンバの側壁の内面に接触されるように設置される。
【００２５】
本発明の第３実施形態によれば、前記インジェクタは円錐状であり、前記反応チャンバの上部の壁の傾斜した内面に接触されるように設置される。
【００２６】
前記第２実施形態および第３実施形態において、前記ガスチャンネルは、前記インジェクタの下部から上部へ行くにつれて上位レベルから下位レベルに配列されることが望ましい。
【００２７】
そして、前記ガス注入装置は、前記反応チャンバの上部に設置されて前記反応チャンバの中心部に向けて前記反応ガスを注入するシャワヘッド型のインジェクタをさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明による半導体処理システムのガス注入装置によれば、次のような効果がある。
第一に、ガス流入口からマニホールドを経て多数のノズルの各々まで延びるガス経路の長さが全て等しく、各ノズルを通じて反応チャンバに注入されるガスの圧力および流量が均一になるので、半導体基板の処理工程の均一度が向上する。
【００２９】
第二に、反応チャンバのサイズ、ガス圧力および流量によって制限されず、反応ガスを均一に分配できて、大型の反応チャンバを有する半導体処理システムに適用することができる。
【００３０】
第三に、本発明によるガス注入装置は反応チャンバの壁の内面に密着または挿し込まれるように設置されて反応チャンバの内部側に向けて突出している部分がないので、イオンフラックスやマイクロウェーブの伝播を妨害せず、ＰＥＣＶＤ、ＨＤＰ−ＣＶＤおよびマグネトロンスパッタリングシステム等の多様な種類の半導体処理システムに適用することができる。
【００３１】
第四に、多数のノズルのそれぞれまでにつながるガス経路間に均一な圧力の分布が行われ、各々のガス経路内でガス成分が均一に混合できるので、一つのガス注入装置を通じて２種またはそれ以上のガス混合物を反応チャンバ内に均一に分配して注入できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、添付された図面を参照しつつ本発明による半導体処理システムのガス注入装置の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００３３】
図３Ａおよび図３Ｂを共に参照して説明すれば、本発明によるガス注入装置は、外部から反応ガスが流入される通路であるガス流入口１１０と、反応チャンバの内部に反応ガスを注入する多数のノズル１３０と、前記ガス流入口１１０から前記多数のノズル１３０の各々に反応ガスを供給するマニホールド１２０とを備える。そして、前記マニホールド１２０は、ガス流入口１１０から多数のノズル１３０のそれぞれにつながるガス経路長が全て同じであるように構成される。このために、前記マニホールド１２０は複数のレベルに配置されたガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４を備える。
【００３４】
前記ガス流入口１１０は、反応チャンバの壁を貫通して形成され、前記多数のノズル１３０は、反応チャンバの壁の内面に密着されるように設置されるリング状のインジェクタ１４０に形成される。前記マニホールド１２０のガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４は、インジェクタ１４０と反応チャンバの壁との間に形成される。具体的に、ガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４は、インジェクタ１４０の一側面、すなわち反応チャンバの壁の内面と接触する面に所定の深さを有する溝状に形成される。一方、後述するように、ガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４は、反応チャンバの壁の内面に所定の深さを有する溝状に形成されていてもよい。
【００３５】
前記多数のノズル１３０は、最下位レベルのガスチャンネル１２４のそれぞれの両端から反応チャンバの内部側に向けてインジェクタ１４０を貫通して形成される。すなわち、前記多数のノズル１３０のそれぞれの入口は、最下位レベルのガスチャンネル１２４に連通され、それぞれの出口は反応チャンバの内部に向けて開いている。そして、前記多数のノズル１３０のそれぞれの出口は、インジェクタ１４０の他側面、すなわち反応チャンバの内面に対して反対側の面に円周方向に沿って等間隔で配列される。
【００３６】
前記ガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４は、前述したように複数のレベルに配置され、望ましくは図３Ａに示されるように４つのレベルに配置される。最上位レベルである第１レベルに配置された第１ガスチャンネル１２１は、ガス流入口１１０から両側に分枝され、分枝された二つのブランチは各々前記インジェクタ１４０の円周方向に同長に延設される。第２レベルに配置された第２ガスチャンネル１２２は、第１ガスチャンネル１２１の両端のそれぞれから再び両側に分枝され、分枝された二つのブランチのそれぞれは、インジェクタ１４０の円周方向に同長に延設される。第３レベルに配置された第３ガスチャンネル１２３は、第２ガスチャンネル１２２の両端のそれぞれから再び両側に分枝され、分枝された二つのブランチのそれぞれはインジェクタ１４０の円周方向に同長に延設される。最下位レベルである第４レベルに配置された第４ガスチャンネル１２４も前記と同様に配置される。そして、前記第４ガスチャンネル１２４のそれぞれの両端に前記のようにノズル１３０が配置される。前記のように、ガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４のレベルの数が４である場合に、ノズル１３０の数は２4、すなわち１６となり、レベルの数がｎである場合にはノズル１３０の数は２nとなる。このように複数のレベルに配置されたガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４によってガス流入口１１０から多数のノズル１３０のそれぞれにつながるガス経路長が全て同じになる。
【００３７】
図４は、本発明によるガス注入装置における各ノズルでのガス圧力およびガス流量を示すグラフである。図４のグラフで、ガス流入口には０の番号を付け、第１レベルのガスチャンネルの両端部にはａ１とａ２、第２レベルのガスチャンネルの各々の両端部にはｂ１からｂ４まで、第３レベルのガスチャンネルのそれぞれの両端にはｃ１からｃ８までの番号を付け、各ノズルには、インジェクタの内側面に円周方向に沿って配列された順に１から１６までの番号を付けた。
【００３８】
そして、図４のグラフは、図２に示されたグラフとの比較のためにこれと同じ条件、すなわち反応チャンバの内部圧力１０ｍＴｏｒｒ下でＯ2ガスを１００ＳＣＣＭの流量で流入させた時の本発明によるガス注入装置でのガス圧力および流量を計算した結果を示す。そして、各ガスチャンネルは１×４ｍｍの四角形断面を有し、各ノズルは０．５ｍｍの直径および２ｍｍの長さを有し、各レベルのガスチャンネルの直径は、それぞれ２８２ｍｍ、２６８ｍｍ、２５５ｍｍ、２４１ｍｍに設定されている。
【００３９】
図４のグラフから明らかなとおり、ガスとガスチャンネルの内側の壁面との衝突による圧力降下によって、ガス経路に沿ってガス流入口から遠ざかるほどガス圧力は低くなるが、ガス流入口から各レベルのガスチャンネルの両端部までのガス経路長が全て同じであるので、各ガス経路での圧力降下も等しい。したがって、多数のノズルのそれぞれにおけるガス圧力は全て同じになる。これにより、多数のノズルのそれぞれを通じて反応チャンバの内部に注入されるガス流量も全て同じであることが分かる。図４に示されたように、ガス流入口を通じて供給されるガスの流量が１００ＳＣＣＭである場合には、１６のノズルのそれぞれを通じて反応チャンバの内部に注入されるガス流量は１００／１６、すなわち６．２５ＳＣＣＭとなる。
【００４０】
そして、ガス流入口を通じて注入されるガス流量を１００ＳＣＣＭに、反応チャンバの内部圧力を１０ｍＴｏｒｒとする前記仮定は、ＨＤＰ−ＣＶＤシステムにおいて典型的なものである。しかし、ガス流量や反応チャンバの内部圧力が変わっても、本発明によるガス注入装置を通じて反応チャンバの内部に注入される反応ガスの分配は均一に維持できる。また、ガス注入装置の各レベルのガスチャンネルの直径が変わっても、前記のようなガスチャンネルの配列構造によって反応ガスの均一な分配は維持される。したがって、本発明によるガス注入装置は、反応チャンバのサイズ、ガス圧力および流量によって制限されず、反応ガスを均一に分配できて、大型の反応チャンバを有する半導体処理システムにも容易に採用することができる。
【００４１】
そして、多数のノズルのそれぞれにつながるガス経路間に均一に圧力が分布し、各々のガス経路内でガス成分が均一に混合されるので、一つのガス注入装置を通じて２種またはそれ以上のガス成分の混合物を反応チャンバ内に均一に分配して注入できる。
【００４２】
以下では、図５ないし図９を参照して、本発明によるガス注入装置の望ましい実施形態を説明する。異なる図面において、同じ参照符号は同じ構成要素を表す。
【００４３】
図５は、本発明の第１実施形態によるガス注入装置を示す。図５に示された第１実施形態は、図３Ａに示されたガス注入装置を変形なしにそのままプラズマ処理システムに適用した例である。
【００４４】
このプラズマ処理システムは、その内部にプラズマ形成空間が設けられた反応チャンバ１８０を備える。反応チャンバ１８０の内部は、真空状態に維持され、このために、反応チャンバ１８０の底壁１８１には、真空ポンプ（図示せず）に連結される真空吸入口１８８が形成される。反応チャンバ１８０の下部には、基板、例えば、ウェーハＷを支持する静電チャック１８４が設けられ、反応チャンバ１８０の上部には、反応チャンバ１８０の内部に注入された反応ガスをイオン化してプラズマを生成させるプラズマ源１８６が設けられる。一方、マグネトロンスパッタリングシステムの場合には、前記プラズマ源１８６は、マグネトロン・ガンに代えられる。
【００４５】
本発明の第１実施形態によるガス注入装置は、反応チャンバ１８０の上部壁１８２を貫通して設置されるガス流入口１１０と、上部壁１８２の底面に装着される平板リング状のインジェクタ１４０とを備える。前記インジェクタ１４０には、複数のレベルに配列されたガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４よりなるマニホールド１２０および多数のノズル１３０が設けられる。前記ガスチャンネル１２１，１２２，１２３，１２４は、インジェクタ１４０の外側の部位から内側部位へ向かって上位レベルから下位レベルに配列される。前記ガス注入装置の詳細な構成、その作用および効果は、前記したとおりである。
【００４６】
そして、本発明によるガス注入装置のインジェクタ１４０は、図示されたように反応チャンバ１８０の上部壁１８２の底面に形成された溝１８２ａの内部に挿入されて設置される。したがって、反応チャンバ１８０の内部に突出している部分がないので、プラズマ源１８６からウェーハＷ側に向かうイオン流を妨害しない。
【００４７】
図６は、本発明の第２実施形態によるガス注入装置を示す。図６に示された第２実施形態は、図３Ａに示されたガス注入装置のインジェクタが円筒状の形状に変形されてプラズマ処理システムに適用された例である。
【００４８】
本発明の第２実施形態によるガス注入装置は、反応チャンバ１８０の側壁１８３を貫通して設置されるガス流入口２１０と、側壁１８３の内面に装着された円筒状のインジェクタ２４０とを備える。前記インジェクタ２４０には、複数のレベルに配列されたガスチャンネル２２１，２２２，２２３，２２４よりなるマニホールド２２０および多数のノズル２３０が設けられている。前記インジェクタ２４０は、反応チャンバ１８０の側壁１８３の内面に形成された溝１８３ａの内部に挿入されて設置されていてもよい。
【００４９】
前記ガスチャンネル２２１，２２２，２２３，２２４は、インジェクタ２４０の外周面に所定の深さを有する溝状に形成される。ガスチャンネル２２１，２２２，２２３，２２４は、シリンダ状のインジェクタ２４０の外周面に下側から上側に向かって上位レベルから下位レベルに配列される。ガスチャンネル２２１，２２２，２２３，２２４の具体的な配列構造は、図３Ａに示された配列構造と同じである。
【００５０】
多数のノズル２３０は、最下位レベルのガスチャンネル２２４のそれぞれの両端から反応チャンバ１８０の内部側にインジェクタ２４０を貫通して形成される。そして、前記多数のノズル２３０のそれぞれの出口は、インジェクタ２４０の内周面に円周方向に沿って等間隔に配列される。
【００５１】
図７は、本発明の第３実施形態によるガス注入装置を示す。図７に示された第３実施形態は、図３Ａに示されたガス注入装置のインジェクタが円錐状に変形されてプラズマ処理システムに適用された例である。
【００５２】
本発明の第３実施形態によるガス注入装置は、反応チャンバ２８０の上部壁２８２を貫通して設置されたガス流入口３１０と、反応チャンバ２８０の円錐状に傾斜した上部壁２８２の内面に適合した円錐状のインジェクタ３４０とを備える。前記インジェクタ３４０には、複数のレベルに配列されたガスチャンネル３２１，３２２，３２３，３２４よりなるマニホールド３２０および多数のノズル３３０が設けられる。前記インジェクタ３４０は、反応チャンバ２８０の上部壁２８２の傾斜した内面に密着され、支持部材３５０によって支持される。支持部材３５０は、ねじ３５２によって上部壁２８２に固定される。一方、２８４はウェーハＷを支持する静電チャックを示し、２８６はプラズマ源を示し、２８８は真空吸入口を示す。
【００５３】
前記ガスチャンネル３２１，３２２，３２３，３２４は、インジェクタ３４０の外側面に所定の深さを有する溝状に形成される。ガスチャンネル３２１，３２２，３２３，３２４は、円錐状のインジェクタ３４０の傾斜した外側面に下側から上側に向かって上位レベルから下位レベルに配列される。ガスチャンネル３２１，３２２，３２３，３２４の具体的な配列構造は、図３Ａに示された構造と同じである。
【００５４】
多数のノズル３３０は、最下位レベルのガスチャンネル３２４の両端から反応チャンバ２８０の内部側にインジェクタ３４０を貫通して形成される。そして、前記多数のノズル３３０のそれぞれの出口は、インジェクタ３４０の内側面に円周方向に沿って等間隔に配列される。
【００５５】
図８には、本発明の第４実施形態によるガス注入装置が示されている。図８に示されたガス注入装置は、図７に示されたガス注入装置およびマニホールドが形成される位置を除いて、残りの構成は全て同じである。
【００５６】
本発明の第４実施形態によるガス注入装置は、反応チャンバ２８０の上部壁２８２を貫通して設置されるガス流入口４１０と、反応チャンバ２８０の上部壁２８２の傾斜した内面に密着して設置される円錐状のインジェクタ４４０とを備える。前記インジェクタ４４０は、ねじ４５２によって上部壁２８２に固定された支持部材４５０によって支持される。そして、本実施形態でマニホールド４２０を構成する複数レベルのガスチャンネル４２１，４２２，４２３，４２４は、インジェクタ４４０の外側面ではなく、反応チャンバ２８０の上部壁２８２の傾斜した内面に所定の深さを有する溝状に形成される。ガスチャンネル４２１，４２２，４２３，４２４の具体的な配列構造は、第３実施形態によるガスチャンネル３２１，３２２，３２３，３２４と同じである。このようなインジェクタ４４０は、スパッタリングに対して抵抗性を有するセラミックのような誘電体ライナよりなる。このようなインジェクタ４４０は、最小限のスパッタリングも半導体処理工程に深刻な悪影響を及ぼす場合に有用である。
【００５７】
多数のノズル４３０は、最下位レベルのガスチャンネル４２４のそれぞれの両端部に対応して、インジェクタ４４０の外側面の所定位置から反応チャンバ２８０の内部側に向けてインジェクタ４４０を貫通して形成される。そして、前記多数のノズル４３０のそれぞれの出口は、インジェクタ４４０の内側面に円周方向に沿って等間隔に配列される。
【００５８】
図９は、本発明の第５実施形態によるガス注入装置を示す。
図９を参照すれば、本発明の第５実施形態によるガス注入装置は、図７に示されるものと同じ形状を有するガス流入口３１０および円錐状のインジェクタ３４０を備える。そして、円錐状のインジェクタ３４０には、複数レベルのガスチャンネル３２１，３２２，３２３，３２４で構成されたマニホールド３２０および多数のノズル３３０が形成される。これに関する詳細な説明は、第３実施形態と同じであるので、ここでは省略する。
【００５９】
そして、本発明の第５実施形態によるガス注入装置は、反応チャンバ２８０の上部に設置されて反応チャンバ２８０の中心部側に向けて反応ガスを注入するシャワヘッド型のインジェクタ５６０をさらに備える。このような構成によれば、反応チャンバ２８０の半径方向のガス分配の均一性がさらに向上できる。
【００６０】
一方、シャワヘッド型のインジェクタ５６０は、本発明の第５実施形態だけでなく、第１実施形態ないし第４実施形態にも追加することができる。
【００６１】
本発明は開示された実施形態を参考として説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者なら、これから多様な変形および均等な他の実施形態が可能であることが分かる。例えば、本発明によるガス注入装置は、半導体処理システムの種類、反応チャンバの形状およびサイズによって多様に変形して使用することができる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲によって決められなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明によるガス注入装置は、大面積の半導体基板を均一に処理できる半導体処理システムに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】半導体処理システムに使われる従来のリング状のガス注入装置の一例を示す部分切り欠き斜視図である。
【図２】図１に示されたガス注入装置において、各ノズルでのガス圧力およびガス流量を示すグラフである。
【図３Ａ】本発明による半導体処理システムのガス注入装置の基本的な構成を示す図面である。
【図３Ｂ】図３Ａに示されたＡ〜Ａ´線に沿う拡大断面図である。
【図４】本発明によるガス注入装置において、各ノズルでのガス圧力およびガス流量を示すグラフである。
【図５】本発明の第１実施形態によるガス注入装置およびこれを採用したプラズマ処理システムを示す垂直断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態によるガス注入装置およびこれを採用したプラズマ処理システムを示す垂直断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態によるガス注入装置およびこれを採用したプラズマ処理システムを示す垂直断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態によるガス注入装置およびこれを採用したプラズマ処理システムを示す垂直断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態によるガス注入装置およびこれを採用したプラズマ処理システムを示す垂直断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１１０    ガス流入口
１２０    マニホールド
１２１，１２２，１２３，１２４    ガスチャンネル
１３０    ノズル
１４０    インジェクタ
【図１】
2004172622.tif 000003
【図２】
2004172622.tif 000004
【図３Ａ】
2004172622.tif 000005
【図３Ｂ】
2004172622.tif 000006
【図４】
2004172622.tif 000007
【図５】
2004172622.tif 000008
【図６】
2004172622.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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