(57)【要約】【課題】より厳密な面積密度補正法によって近接効果補正を行う電子ビーム露光方法を提供する。【解決手段】本方法は、ステップＳ１　で、パターン及び補正領域を確定する。ステップＳ２　で、補正領域を正方形メッシュで分割してメッシュ幅Ｄを求める。ステップＳ３　で、メッシュ幅がＤ／２である小メッシュに補正領域を分割し、各小メッシュの面積密度情報を格納するテーブルを作成する。ステップＳ４　で、メッシュ幅Ｄの正方形メッシュを格子状に配列し、縦方向及び横方向のメッシュの数が補正領域のメッシュ数より１個多いメッシュ・テーブルを形成する。ステップＳ５　で、補正領域の右上隅をメッシュ・テーブルの対応する右上隅に合わせ、メッシュ・テーブルのメッシュ毎に第１の面積密度を算出する。ステップＳ６　で、メッシュ・テーブル上で補正領域をＤの１／２だけ下方及び左方に移動させ、メッシュ・テーブルのメッシュ毎に第２の面積密度を算出する。ステップＳ７　で、小メッシュ毎に第１及び第２の面積密度の平均値を算出する。ステップＳ８　で、各小メッシュ毎の面積密度に基づいて、補正露光量を算出する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームにより被描画体に描画する電子ビーム露光方法において、面積密度補正法によって近接効果を補正して補正露光量を算出するに当たり、前記近接効果を補正する対象領域（以下、補正領域と言う）を正方形のメッシュで格子状に分割し、前記各メッシュのパターン面積密度を計算する際、
メッシュ分割位置をメッシュ幅ＤのＤ／ｎ（ｎは２以上の任意の整数）だけ順次シフトさせて、シフトさせた都度、前記補正領域の各メッシュ毎のパターン面積密度を算出し、ｎ回補正露光量を計算することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項２】
ｎ回の各補正露光量の計算値を平均化することにより、メッシュ幅がＤ／ｎの補正メッシュ単位の面積密度テーブルを得ることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項３】
電子ビームにより被描画体に描画する電子ビーム露光方法において、面積密度補正法によって近接効果を補正して補正露光量を算出するに当たり、前記近接効果を補正する対象領域（以下、補正領域と言う）を正方形のメッシュで格子状に分割し、各メッシュのパターン面積密度を計算する際、
前記補正領域を正方形メッシュで格子状に分割して前記正方形メッシュのメッシュ幅Ｄを求める分割ステップと、
縦方向及び横方向のメッシュの数が前記補正領域のメッシュの数よりそれぞれ１個多い、メッシュ幅をＤとする正方形メッシュを格子状に配列したメッシュ・テーブルを形成するステップと、
前記補正領域の一つの隅を前記メッシュ・テーブルの対応する隅に合わせ、前記メッシュ・テーブルのメッシュ毎に前記補正領域のパターン面積密度（以下、第１の面積密度と言う）を算出し、記憶させる第１の算出ステップと、
次いで、前記メッシュ・テーブル内で前記補正領域をＤの１／ｎ（ｎは２以上の任意の整数）ずつ縦方向及び横方向に移動させ、前記メッシュ・テーブルのメッシュ毎に前記補正領域のパターン面積密度（以下、第２の面積密度と言う）を算出し、記憶させる第２の算出ステップと、
前記第１の算出ステップの位置から前記補正領域をＤの１／ｎずつ第１の算出ステップの縦方向及び横方向の同じ向きに移動させて、前記メッシュ・テーブルのメッシュ毎に前記補正領域のパターン面積密度（以下、第３の面積密度と言う）を算出し、記憶させる第３の算出ステップと、
以下、順次、前記補正領域をＤの１／ｎずつ前記第１の算出ステップの縦方向及び横方向の同じ向きに移動させて、全部でＤの（ｎ−１）／ｎだけ移動させ、それぞれの移動毎に、前記メッシュ・テーブルのメッシュ毎に前記補正領域のパターン面積密度（以下、第４・・・第ｎ−１の面積密度と言う）を算出し、記憶させる、後続算出ステップと、
メッシュ幅がＤ／ｎの小メッシュで格子状に分割した前記補正領域の各小メッシュのパターン面積密度を、前記第１から第３の算出ステップ、及び後続算出ステップで求めた各小メッシュに対応する第１、第２、第３、・・・及び第ｎ−１の面積密度を平均して、算出するステップと
を有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項４】
前記分割ステップの後に、メッシュ幅をＤ／ｎとする正方形の小メッシュで前記補正領域を格子状に分割し、前記小メッシュ毎の面積密度を表示するテーブルを作成するステップを有することを特徴とする請求項３に記載の電子ビーム露光方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム露光方法に関し、更に詳細には、従来に比べて、短い計算時間でより厳密な近接効果補正を可能とする面積密度補正法により近接効果補正を行う電子ビーム露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路を備えた半導体デバイスの小型化の要求に応えて、半導体デバイスを構成する配線、コンタクト、電極、拡散領域等は、益々、微細化されている。近年、微細化の要求は、更に、厳しくなり、例えば配線幅は、フォトリソグラフィの露光波長１／２以下に達している。
そこで、今後の半導体デバイスに対する更なる厳しい微細化要求に応えるリソグラフィ技術として、フォトリソグラフィで用いる光の波長より短い電子ビームを用いた電子ビームリソグラフィ技術が注目されている。
【０００３】
電子ビームリソグラフィを使った露光方法、つまり電子ビーム露光方法は、細く絞った電子ビームで、配線パターン等の設計データに基づいて、電子線に感度を有するレジスト膜を走査し、レジスト膜にパターンを描画し、これを現像して微細パターンを形成する。
【０００４】
ところで、電子ビーム露光方法では、照射電子の基板中での散乱により、近接した描画パターン同士のパターン線幅が孤立パターンに比べて太くなるという、いわゆる近接効果の問題がある。
つまり、近接効果によりレジストパターンが設計パターンに対して異なることが生じる。例えば、電子線のレジスト内散乱により、細いパターンやパターンのコーナーが露光不足になって、寸法精度が低下したり、矩形パターンが丸くなったりする。また、微細な線状パターンが互いに近くに配置されているときには、両パターンから散乱される電子により、線状パターンの線幅が太くなったり、パターン外の部分が露光されてレジストパターンが歪んだりする。
【０００５】
この近接効果を補正して所望の正確な形状、線幅のパターンを得るために、種々の近接効果補正方法が提示されているが、特に、高加速電圧の電子線描画装置を用いた電子ビーム露光方法では、面積密度補正法が主流となっている。
面積密度補正法とは、パターンを含む近接効果補正の対象領域（以下、補正領域という）を任意の大きさの補正メッシュ単位に分割し、各補正メッシュ単位毎のパターン面積密度（一つの補正メッシュ単位内でのビーム照射領域の割合）を計算して、パターン面積密度に応じてビーム照射量を調整、設定することにより、近接効果を補正するという方法である。
【０００６】
従来の面積密度補正法では、図８に示すように、例えば線幅（Ｗ）及び間隔（Ｓ）がそれぞれ１μｍのＬ／Ｓパターン１２を有する補正領域１４を例えばメッシュ幅Ｄが２μｍの正方形の補正メッシュ１６に格子状に分割する。
次いで、各補正メッシュ１６毎にパターン面積密度を計算し、各補正メッシュ単位内に存在するパターン部分の割合をパターン面積密度として数字（％）で表し、パターン面積密度に応じて各補正メッシュ単位毎のビーム照射量を算出する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の面積密度補正法には、補正メッシュ１６の大きさとその分割方法により、微細Ｌ／Ｓパターンの線幅に誤差が生ずるという問題があった。
つまり、上述の例では、微細Ｌ／Ｓパターン１２のｐ１とｐ２の２個の点に着目すると、パターン配置の対称性から電子ビーム照射によるｐ１とｐ２の点での蓄積エネルギーは、本来、等しくなる筈であるが、従来の面積密度補正法によれば、ｐ１及びｐ２の電子ビームの露光量が異なる。
それは、図８から判る通り、ｐ１及びｐ２が位置する２個のメッシュのパターン面積密度は、ｐ１が位置する補正メッシュＭ１の方が、ｐ２が位置する補正メッシュＭ２より大きいからである。
【０００８】
そのため、各補正メッシュ毎でのパターン面積密度からビーム照射量を決定する、従来の面積密度補正法では、パターン面積密度の相違から、補正メッシュＭ１の方が補正メッシュＭ２の方のビーム照射量より多くなり、両点での蓄積エネルギー結果が異なることになる。つまり、ｐ２よりもｐ１の方が蓄積エネルギーが高いメッシュ内に存在すると計算される。
その結果、最終的な近接効果補正では、補正メッシュＭ１のｐ１の方が、補正メッシュＭ２のｐ２に比べて、より照射エネルギーを落としてパターン描画されることになり、線幅Ｗは設計値より細くなってしまう。
このように、従来の面積密度補正法では、補正メッシュの大きさとその分割方法により、微細Ｌ／Ｓパターン、Ｌ字状パターン等のパターンの寸法に誤差が生ずることになる。
【０００９】
そこで、面積密度補正法による近接効果補正の精度をより高めることが求められている。
よって、本発明の目的は、より厳密な面積密度補正法によって近接効果補正を行う電子ビーム露光方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
ところで、面積密度補正法により近接効果を補正する場合、補正メッシュ単位のメッシュ幅を小さくすることにより、補正精度を上げることができるものの、補正メッシュ単位を小さくすれば、それだけ、計算に時間を要することになるので、電子ビーム露光工程のスループットの低下を招く。
そこで、本発明者は、補正メッシュの大きさは、従来と同じ大きさに維持し、メッシュ分割位置をシフトさせて複数回パターン面積密度を計算して平均化し、面積密度テーブルを取得することにより、計算時間の増大を押さえながら、近接効果の補正精度を向上させることを考え、実際に試行した末に、本発明を発明するに到った。
【００１１】
上記目的を達成するために、上述の知見に基づいて、本発明に係る電子ビーム露光方法は、電子ビームにより被描画体に描画する電子ビーム露光方法において、面積密度補正法によって近接効果を補正して補正露光量を算出するに当たり、近接効果を補正する対象領域（以下、補正領域と言う）を正方形のメッシュで格子状に分割し、各メッシュのパターン面積密度を計算する際、
メッシュ分割位置をメッシュ幅ＤのＤ／ｎ（ｎは２以上の任意の整数）だけ順次シフトさせて、シフトさせた都度、補正領域の各メッシュ毎のパターン面積密度を算出し、ｎ回補正露光量を計算することを特徴としている。
【００１２】
更には、ｎ回の各補正露光量の計算値を平均化することにより、メッシュ幅がＤ／ｎの補正メッシュ単位の面積密度テーブルを得ることができる。
【００１３】
更に具体的に特定すると、上記目的を達成するために、本発明に係る電子ビーム露光方法は、電子ビームにより被描画体に描画する電子ビーム露光方法において、面積密度補正法によって近接効果を補正して補正露光量を算出するに当たり、近接効果を補正する対象領域（以下、補正領域と言う）を正方形のメッシュで格子状に分割し、各メッシュのパターン面積密度を計算する際、
補正領域を正方形メッシュで格子状に分割して正方形メッシュのメッシュ幅Ｄを求める分割ステップと、
縦方向及び横方向のメッシュの数が補正領域のメッシュの数よりそれぞれ１個多い、メッシュ幅をＤとする正方形メッシュを格子状に配列したメッシュ・テーブルを形成するステップと、
補正領域の一つの隅をメッシュ・テーブルの対応する隅に合わせ、メッシュ・テーブルのメッシュ毎に補正領域のパターン面積密度（以下、第１の面積密度と言う）を算出し、記憶させる第１の算出ステップと、
次いで、メッシュ・テーブル内で補正領域をＤの１／ｎ（ｎは２以上の任意の整数）ずつ縦方向及び横方向に移動させ、メッシュ・テーブルのメッシュ毎に補正領域のパターン面積密度（以下、第２の面積密度と言う）を算出し、記憶させる第２の算出ステップと、
第１の算出ステップの位置から補正領域をＤの１／ｎずつ第１の算出ステップの縦方向及び横方向の同じ向きに移動させて、メッシュ・テーブルのメッシュ毎に補正領域のパターン面積密度（以下、第３の面積密度と言う）を算出し、記憶させる第３の算出ステップと、
以下、順次、補正領域をＤの１／ｎずつ第１の算出ステップの縦方向及び横方向の同じ向きに移動させて、全部でＤの（ｎ−１）／ｎだけ移動させ、それぞれの移動毎に、メッシュ・テーブルのメッシュ毎に補正領域のパターン面積密度（以下、第４・・・第ｎ−１の面積密度と言う）を算出し、記憶させる、後続算出ステップと、
メッシュ幅がＤ／ｎの小メッシュで格子状に分割した補正領域の各小メッシュのパターン面積密度を、第１から第３の算出ステップ、及び後続算出ステップで求めた各小メッシュに対応する第１、第２、第３、・・・及び第ｎ−１の面積密度を平均して、算出するステップと
を有することを特徴としている。
【００１４】
尚、メッシュ・テーブルを形成する際、メッシュの数は、縦横１個多ければ良いが、メッシュの数が補正領域のメッシュの数よりそれぞれ少なくとも１個以上多くても、本発明方法の適用に際し、問題はない。
また、分割ステップの後に、メッシュ幅をＤ／ｎとする正方形の小メッシュで補正領域を格子状に分割し、小メッシュ毎の面積密度を表示するテーブルを作成するステップを有する。
【００１５】
本発明方法は、直接、ウエハに電子ビーム描画する際にも、また、フォトリソグラフィ用のマスクを形成する際にも適用できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、実施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説明する。
実施形態例
本発明に係る電子ビーム露光方法の実施形態例として、図１を参照し、本発明に係る電子ビーム露光方法で使用する面積密度補正法の具体的なステップを説明する。図１は本実施形態例の方法を示すフローチャートである。図２（ａ）から（ｄ）及び図３（ｅ）から（ｇ）は、それぞれ、本実施形態例の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
本実施形態例では、パターン及び補正領域は、それぞれ、図８に示す微細Ｌ／Ｓパターン１２及び補正領域１４である。ここでは、補正露光量の計算回数は、ｎ＝２の場合を示す。
先ず、ステップＳ１　で、図２（ａ）に示すように、補正対象となるパターン１２及び補正領域１４を確定する。
次に、ステップＳ２　で、図２（ｂ）に示すように、補正領域１４を正方形メッシュで格子状に分割して正方形メッシュ１６のメッシュ幅Ｄを求める。
【００１７】
ステップＳ３　で、図２（ｃ）に示すように、メッシュ幅がＤ／２である小メッシュ１８に補正領域１４を分割し、各小メッシュ１８の面積密度情報を格納するテーブル２１を作成する。尚、補正領域のパターンの面積密度は、最終的には、図２（ｃ）に示す小メッシュ１８毎に算出される。テーブル２１の作成は、必ずしもこの段階で作成する必要はない。
次に、ステップＳ４　で、図２（ｄ）に示すように、メッシュ幅をＤとする正方形メッシュ１６を格子状に配列し、縦方向及び横方向のメッシュの数が補正領域のメッシュの数より１個多いメッシュ・テーブル２０を形成する。
【００１８】
ステップＳ５　で、図３（ｅ）に示すように、補正領域１４の右上隅をメッシュ・テーブル２０の対応する右上隅に合わせ、メッシュ・テーブル２０のメッシュ１６毎にパターン面積密度（以下、第１の面積密度と言う）を算出し、テーブル２２に記憶させる。
次いで、ステップＳ６　で、図３（ｆ）に示すように、メッシュ・テーブル２０上で補正領域１４をＤの１／２だけ下方及び左方に移動させ、メッシュ・テーブル２０のメッシュ１６毎にパターン面積密度（以下、第２の面積密度と言う）を算出し、テーブル２３に記憶させる。
【００１９】
次いで、ステップＳ７　で、テーブル２１の小メッシュ１８毎にテーブル２２とテーブル２３とを照合して、第１及び第２の面積密度の平均値を算出し、テーブル２１に面積密度情報を格納して、図３（ｇ）に示すように、最終的なテーブル２４を得る。
このとき、テーブル２１の該当する各小メッシュ１８には、テーブル２２およびテーブル２３で得た第１及び第２の面積密度の平均値を格納する。
ステップＳ８　で、テーブル２４の各小メッシュ１８毎の面積密度に基づいて、補正露光量を算出する。
【００２０】
以上、本実施形態例の手順を説明したが、本発明方法でのポイントは、面積密度補正法による近接効果補正を行う際、補正領域の全域をカバーする面積密度テーブルを取得することと、その取得方法にある。
本発明方法では、この面積密度テーブルを取得する場合に、メッシュ幅Ｄのメッシュ単位の計算をｎ回行うことで、Ｄ／ｎの大きさの小メッシュ単位の面積密度テーブルを取得することができる。
本発明方法は、補正領域をＤ／ｎの小さいなメッシュに分割して計算を行う場合に比較して、ｎ／（ｎ×ｎ）＝１／ｎの計算回数で、Ｄ／ｎのメッシュ幅の小メッシュ単位の面積密度テーブルを取得できることを特徴としている。
【００２１】
以下に、実施例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施を具体的かつ詳細に説明する。
実施例１
本実施例では、Ｌ字状パターン及び微細Ｌ／Ｓパターンを有する補正領域に２回の補正メッシュ計算を行って、面積密度法により近接効果補正を行う例を上げて、本発明方法の実施を説明する。図４（ａ）から（ｃ）及び図５（ｄ）と（ｅ）は、それぞれ、本実施例の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
本実施例では、近接効果補正の対象となるパターン２５及び補正領域２６は、図４（ａ）に示すように、それぞれ、Ｌ字状パターンと微細Ｌ／Ｓパターン及びそれららパターンを包含する領域である。補正領域２６を正方形メッシュで格子状に分割して正方形のメッシュのメッシュ幅Ｄ（図４（ｂ）参照）を求める。
まず、図４（ｂ）に示すように、小メッシュ２７で補正領域２６を分割し、各小メッシュ２７毎のパターン面積密度の情報を格納するテーブル３１を用意する。小メッシュ２７のメッシュ幅は、補正領域２６を分割したメッシュのメッシュ幅Ｄの１／２である。
【００２２】
次に、メッシュ幅をＤとする正方形メッシュ２８を格子状に配列し、縦方向及び横方向のメッシュの数が補正領域のメッシュの数より１個多いメッシュ・テーブル２９（図４（ｃ）参照）を形成する。
続いて、図４（ｃ）に示すように、補正領域２６の右上隅をメッシュ・テーブル２９の対応する右上隅に合わせ、メッシュ・テーブル２９のメッシュ２８毎に補正領域２６のパターン面積密度（以下、第１の面積密度と言う）を算出し、テーブル３２に記憶させる。
テーブル３２内の各メッシュ２８に示す数字は、各メッシュ２８毎に計算されたパターン面積密度を％で示している。
【００２３】
続いて、図５（ｄ）に示すように、メッシュ・テーブル２９に対して補正領域２６をＤの１／２だけ下方及び左方に移動させ、メッシュ・テーブル２９のメッシュ２８毎に補正領域２６のパターン面積密度（以下、第２の面積密度と言う）を算出し、テーブル３３に記憶させる。
テーブル３３内の各メッシュ２８に示す数字は、各メッシュ２８毎に計算されたパターン面積密度を％で示している。
【００２４】
最後に、テーブル３１の小メッシュ２７毎にテーブル３２とテーブル３３とを照合して、第１及び第２の面積密度の平均値を算出し、テーブル３１に面積密度情報を格納して、図５（ｅ）に示すように、最終的なテーブル３４を得る。
以上の作業により、補正領域２６をメッシュ幅Ｄ／／２の小メッシュ２７で分割し、各小メッシュ２７毎に面積密度情報を格納したテーブル３４を得ることができる。
テーブル３４内の各小メッシュ２７の数字は、各小メッシュ２７毎に計算された面積密度を％で示している。
【００２５】
このテーブル３４を用いて面積密度補正法による近接効果補正を行えば、面積密度補正テーブルを作成する上で、大きさＤ／２のメッシュで計算した場合に比較して、計算時間は１／２で、従来に較べて、より精度の高い近接効果補正を行うことができる。
【００２６】
実施例２
本実施例では、Ｌ字状パターンを有する補正領域に３回の補正メッシュ計算を行って、面積密度法により近接効果補正を行う例を上げて、本発明方法の実施を説明する。図６（ａ）から（ｄ）及び図７（ｅ）と（ｆ）は、それぞれ、本実施例の方法を実施する際の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
本実施例で、近接効果補正の対象となるパターン３５及び補正領域３６は、図６（ａ）に示すように、それぞれ、Ｌ字状パターン及びＬ字状パターンを包含する領域である。補正領域３６を正方形メッシュで格子状に分割して正方形のメッシュのメッシュ幅Ｄ（図６（ｂ）参照）を求める。
まず、図６（ｂ）に示すように、小メッシュ３７で補正領域３６を分割し、各小メッシュ３７毎のパターンの面積密度の情報を格納するテーブル４１を用意する。小メッシュ３７のメッシュ幅は、補正領域３６を分割したメッシュのメッシュ幅Ｄの１／３である。
【００２７】
次に、メッシュ幅をＤとする正方形メッシュ３８を格子状に配列し、縦方向及び横方向のメッシュの数が補正領域のメッシュの数より１個多いメッシュ・テーブル３９（図６（ｄ）参照）を形成する。
続いて、図６（ｃ）に示すように、補正領域３６の右上隅をメッシュ・テーブル（図示せず）の対応する右上隅に合わせ、メッシュ・テーブルのメッシュ３８毎に補正領域３６のパターン面積密度（以下、第１の面積密度と言う）を算出し、テーブル４２に記憶させる。
テーブル４２内の各メッシュ３８に示す数字は、各メッシュ３８毎に計算されたパターン面積密度を％で示している。
【００２８】
続いて、図６（ｄ）に示すように、メッシュ・テーブル３９に対して補正領域３６をＤの１／３だけ下方及び左方に移動させ、メッシュ・テーブル３９のメッシュ３８毎に補正領域３６のパターン面積密度（以下、第２の面積密度と言う）を算出し、テーブル４３に記憶させる。
テーブル４３内の各補正メッシュに書かれた数字は、各メッシュ毎に計算された面積密度を％で示している。
【００２９】
次に、図７（ｅ）に示すように、メッシュ・テーブル３９上で第２の面積密度を算出した位置から補正領域３６を更にＤ／３ずつ上述の移動と同じ下方及び左方に移動させて、メッシュ・テーブル３９のメッシュ３８毎に補正領域３６のパターン面積密度（以下、第３の面積密度と言う）を算出し、テーブル４４に記憶させる。
テーブル４４の各メッシュ３８に示す数字は、各メッシュ３８毎に計算された面積密度を％で示している。
【００３０】
最後に、テーブル４１に面積密度情報を格納する。テーブル４１に格納する情報は、テーブル４２、テーブル４３およびテーブル４４で求めた第１、第２及び第３の面積密度の平均値である。
以上の作業により、図７（ｆ）に示すように、補正領域３６の小メッシュ３７で分割された各小メッシュ３７毎に面積密度情報を格納したテーブル４５を得ることができる。テーブル４５内の各小メッシュ３７の数字は、各小メッシュ３７毎のパターンの面積密度（％）で示している。
【００３１】
このテーブル４５を用いて、面積密度補正法による近接効果補正を行えば、面積密度補正テーブルを作成する上でメッシュ幅Ｄ／３の補正メッシュで計算した場合に比較して、計算時間は１／３で、より精度の高い近接効果補正を実施することができる。
【００３２】
以上、実施例に基づいて本発明方法を説明したが、本発明の範囲は、実施例に限定されるものではなく、補正計算の回数、補正メッシュの大きさ等は、実施例以外の数値を設定することも当然に可能である。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、近接効果を補正する対象領域（以下、補正領域と言う）を正方形のメッシュで格子状に分割し、各メッシュのパターン面積密度を計算する際、メッシュ分割位置をメッシュ幅ＤのＤ／ｎ（ｎは任意の整数）だけ順次シフトさせて、シフトさせた都度、補正領域の各メッシュ毎のパターン面積密度を算出し、ｎ回補正露光量を計算することにより、計算時間の増大を押さえながら厳密な面積密度を算出し、近接効果補正の補正精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例の方法を示すフローチャートである。
【図２】図２（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、実施形態例の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
【図３】図３（ｅ）から（ｇ）は、それぞれ、図２（ｄ）に続いて、実施形態例の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施例１の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
【図５】図５（ｄ）と（ｅ）は、それぞれ、図４（ｃ）に続いて、実施例１の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
【図６】図６（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、実施例２の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
【図７】図７（ｅ）と（ｆ）は、それぞれ、図６（ｄ）に続いて、実施例２の方法を実施する際のステップ毎の補正領域、パターン、及びメッシュ・テーブルの位置関係を示す平面図である。
【図８】
パターン及び補正領域を示す図である。
【符号の説明】
１２……パターン、１４……補正領域、１６……メッシュ、１８……小メッシュ、２０……メッシュ・テーブル、２１、２２、２３、２４……テーブル、２５……パターン、２６……補正領域、２７……小メッシュ、２８……メッシュ、２９……メッシュ・テーブル、３１、３２、３３、３４……テーブル、３５……パターン、３６……補正領域、３７……小メッシュ、３８……メッシュ、３９……メッシュ・テーブル、４１、４２、４３、４４、４５……テーブル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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