(57)【要約】【課題】凹凸パターンが転写される複数のクラッド材又はコア材相互間において、凹凸パターンが転写される領域の位置がそろうように、屈曲性スタンパの位置合わせ（アライメント）を精度良く行なえるようにする。【解決手段】クラッド層及びコア層を積層してなる光メモリ素子２３２（３２）を製造する光メモリ素子の製造方法であって、コア材３又はクラッド材を塗布する塗布工程と、塗布されたコア材３又はクラッド材上に、表面に凹凸パターンを有する屈曲性スタンパ１３をラミネートするラミネート工程と、コア材３又はクラッド材を硬化させる硬化工程とを含み、ラミネート工程において屈曲性スタンパ１３をラミネートした後であって、硬化工程においてコア材３又はクラッド材を硬化させる前に、屈曲性スタンパ１３の位置合わせを行なうようにする。【選択図】　　　　図１
2004071032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッド層及びコア層を積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、
コア材又はクラッド材を塗布する塗布工程と、
塗布された前記コア材又は前記クラッド材上に、表面に凹凸パターンを有する屈曲性スタンパをラミネートするラミネート工程と、
前記コア材又は前記クラッド材を硬化させる硬化工程とを含み、
前記ラミネート工程において前記屈曲性スタンパをラミネートした後であって、前記硬化工程において前記コア材又は前記クラッド材を硬化させる前に、前記屈曲性スタンパの位置合わせを行なうことを特徴とする、光メモリ素子の製造方法。
【請求項２】
前記クラッド材及び前記コア材が、光硬化性樹脂からなり、
前記屈曲性スタンパが、前記光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパにより構成されることを特徴とする、請求項１記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項３】
前記硬化工程が、
前記光透過性スタンパをラミネートした状態で、前記光透過性スタンパの裏面側から光を照射して前記コア材又は前記クラッド材を一部不完全硬化させる工程と、
一部不完全硬化された前記コア材又は前記クラッド材から前記光透過性スタンパを剥離した後、凹凸パターンを転写された前記コア材又は前記クラッド材を完全硬化させる工程とを含むことを特徴とする、請求項２記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項４】
前記ラミネート工程において前記屈曲性スタンパをラミネートする前に、前記屈曲性スタンパをラミネートした後に行なう位置合わせよりも粗い位置合わせを行なうことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項５】
前記屈曲性スタンパが、第１アライメントマークを備え、
前記クラッド層及び前記コア層を積層してなる積層体を構成する基体又は基板が、第２アライメントマークを備え、
前記ラミネート工程において、前記第１アライメントマークと前記第２アライメントマークを用いて前記屈曲性スタンパの位置合わせを行なうことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光メモリ素子の製造方法。
【請求項６】
コア層と、前記コア層の両面に積層されたクラッド層とからなり、前記コア層と前記クラッド層との界面の少なくとも一方に情報用凹凸部を有する光導波部材を複数個有してなり、再生光を前記コア層に導いて前記情報用凹凸部で散乱させ、散乱光をその表面から外部へ出射させて再生像を得る光メモリ素子であって、
前記複数個の光導波部材のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量が、±０．２ｍｍ以内であることを特徴とする、光メモリ素子。
【請求項７】
前記情報用凹凸部を有する情報記録領域が複数の小領域に区分され、前記複数の小領域から出射される散乱光がいずれも一の領域に結像して再生像が形成されるように構成されることを特徴とする、請求項６記載の光メモリ素子。
【請求項８】
請求項７記載の光メモリ素子に記録されている情報の再生に用いられ、前記光メモリ素子に入射光を入射させ、前記光メモリ素子の前記複数の小領域からそれぞれ出射される散乱光を選択的に通過させ、前記一の領域に結像する散乱光を検出して、前記光メモリ素子に記録されている情報を再生する光メモリ素子の再生方法であって、
前記光メモリ素子に記録されている情報の再生開始前にのみ前記光メモリ素子と前記マスクの相対位置を調整することを特徴とする、光メモリ素子の再生方法。
【請求項９】
請求項７記載の光メモリ素子に記録されている情報の再生に用いられ、前記光メモリ素子に入射光を入射させ、前記光メモリ素子の前記複数の小領域からそれぞれ出射される散乱光を選択的に通過させ、前記一の領域に結像する散乱光を検出して、前記光メモリ素子に記録されている情報を再生する光メモリ素子の再生装置であって、
前記光メモリ素子から出射され、前記一の領域に結像する散乱光を検出する光検出器と、
前記光検出器に対応する位置に配設され、前記光メモリ素子の前記複数の小領域からそれぞれ出射される散乱光を選択的に通過させるべく部分的に開口させうるマスクと、
前記光メモリ素子に記録されている情報の再生開始前にのみ前記光メモリ素子と前記マスクの相対位置を調整する位置調整部とを備えることを特徴とする、光メモリ素子の再生装置。
【請求項１０】
樹脂材を塗布する塗布工程と、
塗布された前記樹脂材上にフィルム状部材をラミネートするラミネート工程と、
前記樹脂材を硬化させる硬化工程とを含み、
前記ラミネート工程において前記フィルム状部材をラミネートした後であって、前記硬化工程において前記樹脂材を硬化させる前に、前記フィルム状部材の位置合わせを行なうことを特徴とする、フィルム状部材のラミネート方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路デバイスを用いて構成される光メモリ素子の製造方法及び光メモリ素子、並びに、光メモリ素子の再生方法及び再生装置、並びに、このような光メモリ素子を製造するのに用いて好適のフィルム状部材のラミネート方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、予め所定の散乱光を生じるようにパターンが刻まれた平面型（カード型）の光導波路中に光を導入し、光導波面の外部に画像を結像させる技術が提案されている（ＩＥＥＥ　Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．９，ｐｐ．９５８−９６０，ＪＵＬＹ１９９７　等参照）。即ち、例えば図２２に模式的に示すように、光導波路として機能するように屈折率や膜厚を調整されたコア（層）１０１と、このコア層１０１を挟む形でその両側（両面部）に設けられた（第１，第２の）クラッド（層）１０２とをそなえて成るカード型のスラブ型光導波路デバイス１００において、コア層１０１とクラッド層１０２との界面に微細な凹凸が存在していた場合、コア層（光導波路）１０１にレンズ１０３を介して光（入射光，再生光，レーザ光）を導入すると、導入光の一部がその凹凸部分で散乱し、散乱光がクラッド層１０２を通じて外部に出てくる。
【０００３】
従って、光導波面（光導波路１０１）から所定距離に特定の画像が結像するような光の散乱強度と位相とを計算し、その計算に応じた微細な凹凸パターン（情報用凹凸部，情報記録用凹凸）を予めコア層１０１に刻み込んでおけば、光導波面の外部に所望の画像を結像させることができる。つまり、コア層１０１は情報の記録層として機能することになる。
【０００４】
そして、例えば、光導波面の外部に出てきた散乱光を上記所定距離に設置したＣＣＤ受像機１０４により受光して、結像画像を２次元のディジタルパターン〔例えば、明暗の２値のパターン、もしくは、明度（グレイスケール）による多値のパターン等〕化してディジタル信号化すれば、既存のディジタル画像処理装置（図示省略）で結像画像に対し所望の画像処理を実施することができる。
【０００５】
また、例えば図２２に模式的に示すように、上記のクラッド層１０２とコア層１０１とを繰り返し積層して、光導波路（記録層）１０１を複数個積層した場合、或る光導波路１０１で散乱した光は、別の光導波路１０１を横切ることになるが、通常、コア層１０１とクラッド層１０２の屈折率差が極めて小さいので、その散乱光が別の光導波路１０１に形成された凹凸で再散乱することは殆ど無く、結像画像が乱れることは無い。従って、積層数に比例して数多くの画像やパターンを結像できることになる。
【０００６】
つまり、光導波路デバイス１００はその積層数に比例した容量を有する光メモリ素子（ＲＯＭ等の記録媒体）として使用できるのである。なお、この光メモリ素子１００は、理論上では、１層で約１ギガバイト程度の容量をもたせることができ、１００層程度まで積層することが可能であるといわれており、将来的には、動画像の記録等に十分対応できる大容量ＲＯＭとして使用されることが有望視されている。
【０００７】
また、コア層及びクラッド層を樹脂製にすることで、上記の凹凸パターンを簡易に形成できるようにして、限られた体積でより大容量の情報を保持できる光メモリ素子を容易、且つ、安価に実現できるようにすることも提案されている（特願平１１−１３１５１２号、特願平１１−１３１５１３号）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、本発明者らは、樹脂製の光メモリ素子を作製する際に、光透過性スタンパ（屈曲性スタンパ）を用いることを提案している（例えば特開２００２−１２０２８６号公報等）。
このような屈曲性のある光透過性スタンパを用いる場合、光透過性スタンパの凹凸パターンの転写は、以下のようにして行なわれる。
【０００９】
まず、光硬化性樹脂からなるクラッド材又はコア材を塗布し、塗布されたクラッド材又はコア材上に光透過性スタンパをラミネートする。そして、光を照射してクラッド材又はコア材を硬化させた後に、光透過性スタンパを剥離する。この結果、光透過性スタンパの凹凸パターンがクラッド層又はコア層に転写されることになる。
【００１０】
このようなプロセスによって、コア層及びクラッド層を積層させる際に、コア層とクラッド層との各界面に光透過性スタンパの凹凸パターンを転写することで、多層構造の光メモリ素子を作製できることになる。
上述のように、光透過性スタンパのような屈曲性のあるスタンパを用いて凹凸パターンを転写するには、基板上にクラッド層やコア層を積層してなる積層体の表面に塗布されたクラッド材又はコア材上に光透過性スタンパをラミネート（貼着）することになるが、光透過性スタンパの位置合わせ（アライメント）を正確に行なうのは困難である。
【００１１】
ここで、光透過性スタンパのような屈曲性のあるスタンパをラミネートするには、例えば、塗布されたクラッド材又はコア材の表面から若干離した位置に光透過性スタンパを保持した状態で、光透過性スタンパと積層体（基板）との間の位置合わせを行なった後、光透過性スタンパを塗布されたクラッド材又はコア材上にラミネートすることが考えられる。
【００１２】
この場合、光透過性スタンパのような屈曲性のあるスタンパは撓みやすいため、位置合わせ中に積層体の表面に塗布されたクラッド材又はコア材に接触しないように、光透過性スタンパと積層体との間の距離（ギャップ）を比較的大きく（例えば１ｍｍ〜２ｍｍ程度）とる必要がある。
一方、光透過性スタンパの位置測定精度は、光透過性スタンパと積層体との間の距離に依存する。例えば±０．２ｍｍの測定精度を得るためには、通常、その距離を０．１ｍｍ以下にすることが必要である。
【００１３】
このため、上述のように光透過性スタンパと積層体との間の距離を大きくとったのでは、光透過性スタンパがどの程度ずれているかを正確に測定することができないため、光透過性スタンパの位置合わせを精度良く行なうのは困難である。
また、気泡の巻き込みを防ぐために、例えば貼合ロール（ラミネートロール）によって押圧することで光透過性スタンパを撓ませながら、光透過性スタンパと積層体の表面に塗布されたクラッド材又はコア材とが貼着している領域（貼着領域）の面積が徐々に広くなっていくようにラミネートするのが一般的である。
【００１４】
一方、上述のように、光透過性スタンパの位置合わせは、光透過性スタンパを撓ませない状態で行なうため、たとえ光透過性スタンパの位置合わせを正確に行なえたとしても、ラミネートの際に光透過性スタンパを撓ませるのが原因となって、正確に位置合わせした位置に対してずれた位置に光透過性スタンパがラミネートされてしまう場合がある。また、ラミネートの際に光透過性スタンパが押圧されると、光透過性スタンパが水平方向へ動いてしまい、正確に位置合わせした位置に対してずれた位置に光透過性スタンパがラミネートされてしまう場合もある。このように、光透過性スタンパの位置合わせを正確に行なえたとしても、結局はラミネートの際に位置がずれてしまうため、結果的には、光透過性スタンパの位置合わせを精度良く行なうのは難しいということになる。
【００１５】
このように、光透過性スタンパの位置合わせを精度良く行なえないと、光透過性スタンパから転写される各層の凹凸パターンによって出力される再生像の位置ずれ量（設計値からの位置ずれ量）が大きくなってしまう場合があり、この場合には、例えばＣＣＤ受像機による再生像の読み取りに支障をきたすことになる。
したがって、凹凸パターンが転写される複数のクラッド材又はコア材相互間において、凹凸パターンが転写される領域（凹凸パターン転写領域，データ領域，記録領域）の位置がそろうように、塗布されたクラッド材又はコア材に対する光透過性スタンパの位置合わせ（アライメント）を精度良く行なえるようにしたい。
【００１６】
ところで、本発明者は、導波路型の光メモリ素子において、光メモリ素子のデータ領域を細分化して複数の小領域とし、これらの小領域のそれぞれに別々の情報を記録しておく一方、ドライブにマスクを設け、マスクの開口部の位置を変えてマスクの一部分のみを開口させることで、光メモリ素子のそれぞれの小領域に記録されている情報を別々に再生（多重再生）できるようにすることを提案している。（例えば特願２００１−１９０１０４号参照）。
【００１７】
この場合、光メモリ素子の特定の小領域に記録されている情報を再生するには、マスクの一部分、即ち再生しようとする小領域に対応する部分を開口させる必要がある。このため、光メモリ素子の小領域の位置とマスクの開口部の位置とが合うように、ドライブ内において、光メモリ素子とマスクとの相対位置を調整しておくことが必要となる。
【００１８】
また、光メモリ素子の各層に記録されている情報を再生する際の制御を簡単化し、光メモリ素子に記録されている情報を再生するのにかかる時間を短くして、データ転送速度が遅くならないようにするためには、凹凸パターンが転写される複数のクラッド材又はコア材相互間において、凹凸パターン転写領域の位置がそろうように、クラッド材又はコア材を塗布された積層体（基板）と光透過性スタンパとの間の位置合わせ（アライメント）をより精度良く行なうことが要求される。
【００１９】
また、上述のような光メモリ素子を作製する場合以外の場合であっても、例えば樹脂フィルム等のフィルム状部材をラミネートするラミネート工程を含む場合に、フィルム状部材の位置決めを精度良く行なえるようにしたい場合もある。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、凹凸パターンが転写される複数のクラッド材又はコア材相互間において、凹凸パターンが転写される領域（凹凸パターン転写領域，データ領域，記録領域）の位置がそろうように、屈曲性スタンパの位置合わせ（アライメント）を精度良く行なえるようにした、光メモリ素子の製造方法及びこの方法によって製造される光メモリ素子を提供することを目的とする。
【００２０】
また、本発明は、情報再生開始前に光メモリ素子とマスクとの相対位置を調整しておくだけで、各層毎にマスク位置を調整しなくても良くすることで、光メモリ素子の各層に記録されている情報を再生する際の制御を簡単化し、光メモリ素子に記録されている情報を再生する際にデータ転送速度が遅くならないようにして、情報を再生するのにかかる時間が短くなるようにした、光メモリ素子の再生方法及び再生装置を提供することも目的とする。
【００２１】
さらに、樹脂フィルム等のフィルム状部材をラミネートするラミネート工程を含む場合に、フィルム状部材の位置決めを精度良く行なえるようにした、フィルム状部材のラミネート方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明の光メモリ素子の製造方法は、クラッド層及びコア層を積層してなる光メモリ素子を製造する光メモリ素子の製造方法であって、コア材又はクラッド材を塗布する塗布工程と、塗布されたコア材又はクラッド材上に、表面に凹凸パターンを有する屈曲性スタンパをラミネートするラミネート工程と、コア材又はクラッド材を硬化させる硬化工程とを含み、ラミネート工程において屈曲性スタンパをラミネートした後であって、硬化工程においてコア材又はクラッド材を硬化させる前に、屈曲性スタンパの位置合わせを行なうことを特徴としている（請求項１）。
【００２３】
好ましくは、クラッド材及びコア材を、光硬化性樹脂により構成し、屈曲性スタンパを、光硬化性樹脂を硬化させるための光を透過しうる光透過性スタンパにより構成する（請求項２）。
また、硬化工程を、光透過性スタンパをラミネートした状態で、光透過性スタンパの裏面側から光を照射してコア材又はクラッド材を一部不完全硬化させる工程と、一部不完全硬化されたコア材又はクラッド材から光透過性スタンパを剥離した後、凹凸パターンを転写されたコア材又はクラッド材を完全硬化させる工程とを含むものとするのが好ましい（請求項３）。
【００２４】
さらに、ラミネート工程において屈曲性スタンパをラミネートする前に、屈曲性スタンパをラミネートした後に行なう位置合わせよりも粗い位置合わせを行なうようにするのが好ましい（請求項４）。
また、屈曲性スタンパを第１アライメントマークを備えるものとし、クラッド層及びコア層を積層してなる積層体を構成する基体又は基板を第２アライメントマークを備えるものとし、ラミネート工程において、第１アライメントマークと第２アライメントマークを用いて屈曲性スタンパの位置合わせを行なうように構成するのが好ましい（請求項５）。
【００２５】
本発明の光メモリ素子は、コア層と、コア層の両面に積層されたクラッド層とからなり、コア層とクラッド層との界面の少なくとも一方に情報用凹凸部を有する光導波部材を複数個有してなり、再生光をコア層に導いて情報用凹凸部で散乱させ、散乱光をその表面から外部へ出射させて再生像を得る光メモリ素子であって、複数個の光導波部材のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量が、±０．２ｍｍ以内であることを特徴としている（請求項６）。
【００２６】
好ましくは、情報用凹凸部を有する情報記録領域を複数の小領域に区分し、複数の小領域から出射される散乱光がいずれも一の領域に結像して再生像が形成されるように構成する（請求項７）。
本発明の光メモリ素子の再生方法は、請求項７記載の光メモリ素子に記録されている情報の再生に用いられ、光メモリ素子に入射光を入射させ、光メモリ素子の複数の小領域からそれぞれ出射される散乱光を選択的に通過させ、一の領域に結像する散乱光を検出して、光メモリ素子に記録されている情報を再生する光メモリ素子の再生方法であって、光メモリ素子に記録されている情報の再生開始前にのみ光メモリ素子とマスクの相対位置を調整することを特徴としている（請求項８）。
【００２７】
本発明の光メモリ素子の再生装置は、請求項７記載の光メモリ素子に記録されている情報の再生に用いられ、光メモリ素子に入射光を入射させ、光メモリ素子の複数の小領域からそれぞれ出射される散乱光を選択的に通過させ、一の領域に結像する散乱光を検出して、光メモリ素子に記録されている情報を再生する光メモリ素子の再生装置であって、光メモリ素子から出射され、一の領域に結像する散乱光を検出する光検出器と、光検出器に対応する位置に配設され、光メモリ素子の複数の小領域からそれぞれ出射される散乱光を選択的に通過させるべく部分的に開口させうるマスクと、光メモリ素子に記録されている情報の再生開始前にのみ光メモリ素子とマスクの相対位置を調整する位置調整部とを備えることを特徴としている（請求項９）。
【００２８】
本発明のフィルム状部材のラミネート方法は、樹脂材を塗布する塗布工程と、塗布された樹脂材上にフィルム状部材をラミネートするラミネート工程と、樹脂材を硬化させる硬化工程とを含み、ラミネート工程においてフィルム状部材をラミネートした後であって、硬化工程において樹脂材を硬化させる前に、フィルム状部材の位置合わせを行なうことを特徴としている（請求項１０）。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面により、本発明の実施の形態について説明する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子（光メモリ，多層光メモリ）及びその製造方法（フィルム状部材のラミネート方法）について、図１〜図１７を参照しながら説明する。
【００３０】
本実施形態では、光メモリ素子［積層型（平面型）の光メモリ素子；積層導波路型ホログラム素子，ＭＷＨ素子］４を、図８に示すように、樹脂製コア層３と、樹脂製コア層３の両面に積層された樹脂製クラッド層２とからなり、樹脂製コア層３と樹脂製クラッド層２との界面の少なくとも一方に再生像を得るための情報を含む情報用凹凸部６を有する光導波部材２３２を１個又は複数個（ここでは２個）有してなる積層体を、薄膜基体（基体）５，５′により挟み込んだサンドイッチ構造としている。
【００３１】
なお、ここでは、光メモリ素子４を、容易、かつ、安価に作製すべく、コア層３及びクラッド層２を樹脂（例えばアクリル系硬化性樹脂やエポキシ系硬化性樹脂のような硬化性樹脂）により構成しているが、これに限られるものではなく、他の材料によってコア層及びクラッド層を構成しても良い。
また、情報用凹凸部６は、強度，位相，角度などに関する情報を含むものとして構成される。情報用凹凸部６は、例えば強度情報と位相情報とを含むものである場合もあるし、強度情報と角度情報とを含むものである場合もあるし、強度情報のみを含むものである場合もある。また、再生像とは、このような情報用凹凸部６からの散乱光によって形成される光の濃淡であれば良く、どのような像であっても良い。
【００３２】
ここで、薄膜基体５，５′としては、樹脂フィルムを用いるのが好ましい。樹脂フィルムとしては、ポリカーボネート，アートン（ＪＳＲ社製；登録商標）などの非晶質ポリオレフィン，ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の光学特性に優れる（ＰＥＮはさらに耐熱性にも優れる）熱可塑性の樹脂フィルムを用いるのが好適（特に、上記のＰＥＴやＰＥＮはいずれも均一な厚みのフィルムを得られやすいので好適）である。また、薄膜基体５，５′としては、再生光波長に対して透明のものを用いる。
【００３３】
なお、薄膜基体５，５′は、樹脂フィルムに限られるものではなく、積層体（光メモリ素子１０）の反り（撓み）を抑えることができる（曲げを保持できる）基体として機能しうる材料によって構成されれば良く、例えばガラス，誘電体など各種の材料を用いることができる。
但し、製造工程上、貼着（ラミネート）を行うなど柔軟性（可撓性）が要求される場合は、樹脂製とするのが好ましい。各種の硬化性樹脂を塗布後硬化させたり、樹脂を溶剤に溶かして塗布し乾燥させたりして樹脂製薄膜基体としてもよいが、樹脂フィルムを用いると、スタンパに対する貼着、剥離を繰り返して行ないやすく、生産性、作業性の点で好ましい。
【００３４】
また、光メモリ素子４の全体の厚さを薄くし、携帯性の優れたものとするためには、基体５，５′の膜厚はできるだけ薄い方が好ましい。このため、基体５，５′の厚さは５００μｍ以下とするのが好ましく、より好ましくは２５０μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下である。ただし、光メモリ素子４の反りを抑えるような強度を確保するためには、１０μｍ以上（より好ましくは２０μｍ以上）の厚さが必要になると考えられる。要するに、基体５，５′の厚さは、１０μｍ〜５００μｍ（１０μｍ〜２５０μｍ，１０μｍ〜１００μｍ，２０μｍ〜５００μｍ，２０μｍ〜２５０μｍ，２０μｍ〜１００μｍ）の範囲内とするのが好ましい。
【００３５】
特に、基体５，５′を樹脂フィルムとする場合には、上述のようなポリカーボネート等の樹脂フィルムを熱延伸、或いは溶媒キャスト等の方法で、例えば１０μｍ以上（より好ましくは２０μｍ以上）５００μｍ以下の厚さにすれば良い。
さらに、基体５，５′の屈折率は、コア３やクラッド２の屈折率にできるだけ近い方が望ましい。これは、基体５，５′の屈折率と、積層体を構成するコア３やクラッド２の屈折率との間に大きな差があると、基体５，５′と積層体との界面で出力光（信号光）が反射等して、信号光（出力光）の光量が低下してしまうし、Ｓ／Ｎも低下してしまうからである。
【００３６】
このため、積層体を構成するコア３又はクラッド２の屈折率と、基体５，５′を構成する材料の屈折率との差は、いずれも０．２以下であることが望ましい。つまり、コア３と基体５，５′との屈折率差が０．２以下であり、かつ、クラッド２と基体５，５′との屈折率差が０．２以下であることが好ましい。
ところで、上述のような薄膜基体５，５′によって挟み込んだサンドイッチ構造の光メモリ素子４を作製するには、第１の薄膜基体５上に、樹脂製クラッド層２と樹脂製コア層３とを順に積層した後で、その上に第２の薄膜基体５′を設けることになる。
【００３７】
この場合、第２の薄膜基体５′を設ける前は、第１の薄膜基体５上に樹脂からなるコア層３やクラッド層２が積層されている非対称構造であるため、一方向に反り易い状態になっている。第２の薄膜基体５′を設ける前に反った状態になっていた場合に、反った状態のままで第２の薄膜基体５′を設けてしまうと、反った状態が保たれてしまい、たとえサンドイッチ構造にしたとしても、反った状態の光メモリ素子４になってしまう。
【００３８】
そこで、サンドイッチ構造の光メモリ素子４を作製する光メモリ素子作製プロセスを、例えば光透過性スタンパを用いた光メモリ素子作製プロセスとするのが好ましい。なお、光メモリ素子作製プロセスはこれに限られるものではない。
ここで、光透過性スタンパの構成及び作製方法について、図９及び図１０を参照しながら説明する。
【００３９】
光透過性スタンパ１３は、後述するように光メモリ素子４を製造する際にコア材又はクラッド材を硬化させるために照射する光（例えば紫外線）を透過しうるものとして構成される。
この光透過性スタンパ（光メモリ素子作製用スタンパ）１３は、例えば図９に示すように、表面に結像させたい画像（情報）に応じた所望の凹凸パターン（凹凸形状；ピット）を刻まれたスタンパ面を有するスタンパ層としてのクラッド層１０と、接着層としてのコア層１１と、ベース（基体，ベース層，基体層）としての樹脂フィルム（樹脂フィルム層，樹脂製基体層，ベースフィルム層）１２とを備える３層構造となっており、クラッド層１０にコア層１１を介して樹脂フィルム１２が接着されて構成される。
【００４０】
このように、本実施形態では、光透過性スタンパ１３を、クラッド層１０、コア層１１及び樹脂フィルム１２により構成し、屈曲性（可撓性）を有するフィルム状スタンパ（フィルムスタンパ；屈曲性スタンパ）として構成している。
ここでは、クラッド層１０，コア層１１及び樹脂フィルム１２は、いずれも、使用光波長域［光メモリ素子を製造する際にコア材やクラッド材を硬化させるために照射する光（例えば紫外線）の波長域］において透明のもの（即ち、光を透過できるもの）を用いている。このため、クラッド層１０を光透過性クラッド層（例えば紫外線透過性クラッド層）、コア層１１を光透過性コア層（例えば紫外線透過性コア層）、樹脂フィルム１２を光透過性樹脂フィルム（例えば紫外線透過性樹脂フィルム）という。
【００４１】
このうち、クラッド層１０を形成するクラッド材としては、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化する紫外線硬化性樹脂材（ＵＶ樹脂材，光硬化性樹脂材）を使用し、表面に結像させたい画像（情報）に応じた所望の凹凸パターン（凹凸形状；ピット）を形成された金属製スタンパ（例えばニッケル製スタンパ）１のスタンパ面（凹凸パターン，凹凸形状）上に、この紫外線硬化性樹脂材を塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のクラッド層１０を形成する。
【００４２】
樹脂フィルム（ベースフィルム）１２としては、例えば、ポリカーボネート，アートン（ＪＳＲ株式会社製，登録商標）などの非晶質ポリオレフィンや、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の光学特性に優れる（ＰＥＮはさらに耐熱性にも優れる）熱可塑性の樹脂フィルム１２が好適（特に、上記のＰＥＴやＰＥＮはいずれも均一な厚みのフィルムを得られやすいので好適）である。特に、アートンよりも剛性のあるＰＥＴやポリカーボネートが好ましい。
【００４３】
また、ここでは、樹脂フィルム１２として、枚葉のフィルムを用いているが、連続フィルムを用いても良い。つまり、フィルム上へのクラッド材、コア材のダイコータ，マイクログラビア，バーコータ等による塗布、スタンパを加圧した状態でのコア材，クラッド材の硬化等のプロセスを組み合わせることにより、基体としての樹脂フィルム上にコア層及びクラッド層を積層させて、光透過性スタンパ１３を作製しても良い。
【００４４】
コア層１１は、クラッド層１０と樹脂フィルム１２とを接着する接着剤として機能するものであり、紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂材）から成るコア材により形成される。このようにしているのは、コア材１１は後述の光メモリ素子の材料として用いられるものであるため、材料を共用化でき、また、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなるコア材１１は樹脂フィルム１２との接着性に優れており、好適であるからである。
【００４５】
なお、ここでは、コア層（コア材）１１やクラッド層（クラッド材）１０という用語を用いているが、これらは単に後述するような光メモリ素子を構成するコア層（コア材）やクラッド層（クラッド材）と同様の樹脂を用い、光メモリ素子を製造する場合と同様の方法で塗布したり、硬化させたりするようにして、材料や製造設備を共用しているため、便宜上、このような用語を用いているにすぎず、光メモリ素子のように所定の屈折率のコア層（コア材）及びクラッド層（クラッド材）を用いることを意味するものではない。
【００４６】
また、ここでは、クラッド層１０に金属性スタンパ１の凹凸パターンを転写し、接着剤としてのコア材１１を介して樹脂フィルム１２に接着しているが、これに限られるものではなく、クラッド層１０に金属性スタンパ１の凹凸パターンを転写し、接着剤としてのクラッド材を介して樹脂フィルム１２に接着しても良いし（この場合、クラッド層と樹脂フィルムとの２層構造となる）、また、コア層に金属性スタンパ１の凹凸パターンを転写し、接着剤としてのクラッド材を介して樹脂フィルムに接着しても良いし、さらに、コア層に金属性スタンパ１の凹凸パターンを転写し、接着剤としてのコア材を介して樹脂フィルムに接着しても良い（この場合、コア層と樹脂フィルムとの２層構造となる）。
【００４７】
また、コア材１１やクラッド材１０は、塗布時には液体で（流動性があり）、その後、硬化させることのできる樹脂であれば何でも良く、上述の紫外線硬化性樹脂以外の光硬化性樹脂や熱を加えることで硬化する熱硬化性樹脂等の所望の硬化性樹脂を適用してもよい。また、熱溶融性樹脂を用いても良い。
特に、金属製スタンパ１による転写を行なうクラッド材（クラッド層）１０は、屈折率が特定値のものを用いる必要はなく、上記の紫外線硬化性樹脂を適用するのが好ましく、例えば、アクリル系，エポキシ系，チオール系の各樹脂などがよい。
【００４８】
一方、接着剤（接着層）としてのコア材（コア層）１１は、屈折率が特定値のものを用いる必要はなく、使用光波長域で透明で、且つ、接着後に簡単に剥がれないものであれば、どのようなものを適用しても良い。例えば、光硬化型，熱硬化型，室温硬化型，ホットメルト型，２液混合型等の各種の型の接着剤が適用可能であり、材質としては、アクリル系，エポキシ系，シアノアクリレート系，ウレタン系，オレフィン系等がある。但し、樹脂フィルムやクラッド層との材質を考慮して接着相性の良い組み合わせを選定するのが好ましい。
【００４９】
さらに、光透過性スタンパ１３を保持する基体を樹脂フィルム１２により構成しているのは、金属製スタンパ１上への貼着、剥離を行ないやすく、生産性、作業性の点で好ましいからであるが、樹脂フィルム１２に限られるものではなく、例えば各種の硬化性樹脂を塗布後硬化させたり、樹脂を溶剤に溶かして塗布し、乾燥させたりして、樹脂製基体を構成しても良い。
【００５０】
また、ここでは、クラッド層１０、コア層１１及び樹脂フィルム１２により構成される光透過性スタンパ１３をフィルム状のものとして構成しているが、必ずしもフィルム状のものである必要はなく、例えばフィルム状のものよりも厚さが厚いプレート状のもの（プレート状スタンパ，プレートスタンパ）であっても良く、その厚さは特に問題とならない。
【００５１】
このように、光透過性スタンパ１３は、光メモリ素子を製造する際にコア材又はクラッド材を硬化させるために照射する光（例えば紫外線）を透過できるものであれば、その材料や厚さ等は上述のものに限られない。例えば、光メモリ素子を製造する際にコア材又はクラッド材を硬化させるために照射する紫外線（ＵＶ光）を透過するものとしては、樹脂のほか、ガラスや石英などもあり、これらを材料として光透過性スタンパ１３を構成しても良い。但し、光メモリ素子の製造工程上、光透過性スタンパ１３の貼着（ラミネート）を行なう必要がある等、光透過性スタンパ１３に柔軟性が要求される場合や光メモリ素子の製造工程と同様の工程により光透過性スタンパ１３を製造する場合には、光透過性スタンパ１３は樹脂製とするのが好ましい。
【００５２】
また、本実施形態では、後述するように、コア材１１及びクラッド材１０として紫外線硬化性樹脂を用いるため、光透過性スタンパ１３は少なくとも紫外線を透過しうる紫外線透過性スタンパであれば良い。
また、本実施形態では、光透過性スタンパ（フィルムスタンパ，プレートスタンパ）１３を平面状とした平面状スタンパとして用いているが、これに限られるものではなく、例えば可撓性のあるフィルム状の光透過性スタンパをロールに巻き付けることによりロール状としたロール状スタンパ（ロールスタンパ）として用いても良い。このようにロールスタンパとすれば、スタンパからの転写プロセスの生産性を向上させることができるようになる。
【００５３】
次に、このように構成される光透過性スタンパ１３の製造方法について説明する。
まず、図１０（Ａ）に示すように、結像させたい画像（情報）に応じた所望の凹凸パターン（凹凸形状；ピット）を転写しうるように、凹凸パターンを表面に刻まれた金属製スタンパ（例えばニッケル製スタンパ等，原盤，硬質スタンパ）１の凹凸パターンを有するスタンパ面上に、所定の膜厚（例えば約６μｍ）となるようにクラッド材（液状クラッド樹脂）１０を塗布して、完全に硬化させる。このようにしてクラッド材１０を完全硬化させると、表面に凹凸パターンを有する金属製スタンパ１から凹凸パターンが転写されて、凹凸パターンを有する樹脂製のクラッド層（スタンパ層）１０が形成される（転写工程）。なお、クラッド層１０として機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。また、この凹凸パターンは、実際には、例えばＣＤ（コンパクトディスク）におけるピットのように平面上に散在している。
【００５４】
その後、図１０（Ｂ）に示すように、その表面上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約１．８μｍ）となるように、接着剤として機能しうる紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂材）から成るコア材（液状コア樹脂，液状光硬化性樹脂）１１を塗布する。なお、コア層１１として機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００５５】
なお、コア材１１やクラッド材１０の塗布方法には、例えば、スピンコート法，ブレードコート法，グラビアコート法，ダイコート法等があるが、塗布膜厚と均一性を満足すればどのような塗布方法を用いてもよい。
次に、このコア層１１の表面上に、例えば図１０（Ｂ）に示すように、気泡が入らないようにベース（基体）としての樹脂フィルム（樹脂製フィルム部材，ベースフィルム）１２をロール等で加圧しながら載置する。つまり、クラッド材１０にコア材１１を介して樹脂フィルム１２を貼着（ラミネート）する。
【００５６】
なお、このように、コア層（樹脂層）１１上に樹脂フィルム（フィルム状部材）１２をラミネートする際には、例えばロール（貼着ロール，ラミネートロール）によって樹脂フィルム１２をコア層１１に対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置するようにしているが、ラミネート方法の詳細については後述する。
【００５７】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、上述のように樹脂フィルム１２を貼着した状態で、樹脂フィルム１２側（金属製スタンパ１の反対側）から紫外線を照射してコア材１１を完全に硬化させれば、樹脂製のコア層１１が形成されるとともに、樹脂フィルム１２とクラッド層１０とがコア層１１を介して接着される。このように、凹凸パターンを転写されたクラッド層１０に樹脂フィルム１２を接着する工程を、接着工程という。
【００５８】
そして、図１０（Ｃ）に示すように、金属製スタンパ１からコア層１１とクラッド層１０と樹脂フィルム１２とを一体として剥離（分離）し（分離工程）、図１０（Ｄ）に示すように、樹脂フィルム１２を樹脂製基体層とし、その上に樹脂製のコア層１１、さらにその上に金属製スタンパ１の凹凸パターン（以下、単に「凹凸」ともいう）を転写（形成）した樹脂製のクラッド層１０が積層された、光メモリ素子製造用の光透過性スタンパ（ここでは、フィルムスタンパ）１３が作製される。
【００５９】
本実施形態では、さらに、図１０（Ｄ）に示すように、金属製スタンパ１の凹凸パターンを転写した樹脂製のクラッド層１０の凹凸パターンを有する面に対して、紫外線を照射して、さらに硬化させることで、クラッド層２に形成される凹凸パターン（凹凸形状；ピット）の接着性をより低下させるようにしている（これをオーバキュア処理という）。好ましくは、例えば約１２０℃程度の高温処理を行なう。この高温処理時間は、約１時間程度とするのが好ましい。これにより、さらに接着性を低下させることができる（これもオーバキュア処理という）。このようなオーバキュア処理を行なうことで、光メモリ素子を構成するコア材又はクラッド材からの光透過性スタンパ１３の剥離性を向上させるようにしている。
【００６０】
次に、このようにして作製される光透過性スタンパ１３を用いて、薄膜基体として樹脂フィルム５を用いた場合の光メモリ素子の作製プロセス（光メモリ素子の製造方法）について説明する。
本光メモリ素子作製プロセスの概略を説明すると、本プロセスでは、まずガラス等の基板（≠基体）上に薄膜基体５を設け、その上に樹脂製コア層３と樹脂製クラッド層２を積層させていく。最後に、その上に薄膜基体５を設けて、サンドイッチ構造を完成した状態で、基板から薄膜基体５にサンドイッチされた構造の光メモリ素子４を剥離する。
【００６１】
以下、光メモリ素子作製プロセスについて、図１１（Ａ）〜（Ｅ）を参照しながら、さらに詳述する。
始めに、図１１（Ａ）に示すように、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約５μｍ）となるようにクラッド材（液状クラッド樹脂）２Ｘを塗布する。
【００６２】
このクラッド材２Ｘとしては、本実施形態では、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化する紫外線硬化性樹脂材（ＵＶ樹脂材，光硬化性樹脂材）から成るものを使用し、このように光メモリ素子作製用ベース基板２１の表面上へ塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のクラッド層２Ｘを形成する。なお、クラッド層２Ｘとして機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００６３】
ここでは、光メモリ素子作製用ベース基板２１として、例えば数ｍｍ厚のガラス基板，ポリカーボネートからなる基板，アートン（ＪＳＲ株式会社製）などの非晶質ポリオレフィンからなる基板等の硬質基板（例えば厚さ約０．１ｍｍ〜約３ｍｍ程度、好ましくは約１ｍｍ程度）を用いる。
このような硬質基板を用いているのは、以下の理由による。
【００６４】
つまり、後述するように、基板２１上に樹脂製コア層３や樹脂製クラッド層２を積層させていく間は、サンドイッチ構造が構成されないので、コア層３やクラッド層２を構成する樹脂中の内部応力が基板を一方向に反らせる方向に働くことになる。
この場合、基板２１の強度が十分でない場合には、基板２１に反りが生じてしまい、この反りが大きくなると、樹脂の塗布や樹脂フィルムの貼着等のプロセスが行なえなくなる。
【００６５】
また、基板２１が反った状態のまま薄膜基体５を設けてサンドイッチ構造を完成させ、これを基板２１から剥離させると、サンドイッチ構造の光メモリ素子４を作製できるものの、反りが保たれたままの状態となってしまう。
このため、樹脂製コア層３と樹脂製クラッド層２の積層を行っている間も基板２１の反りを抑えるべく、基板２１として硬質基板を用いているのである。
【００６６】
これにより、硬質基板２１の強度によって、樹脂製コア層３や樹脂製クラッド層２の積層を行っている間も、クラッド材やコア材としての紫外線硬化性樹脂材が硬化時に収縮し、基板２１の反り（反曲，カール）が生じるのを抑えることができる。
一方、上述のように硬質基板２１を用いることができるのは、以下の理由による。
【００６７】
つまり、基板は、最終的には光メモリ素子４から外されてしまうものであるため、基板の厚さや重さは、光メモリ素子４の厚みや重さに影響を与えることはない。従って、厚さや重さのある基板２１を用いたとしても、光メモリ素子４の実用性を失うことないため、基板として、反りが発生しないだけの十分な強度を持つものとすることが可能である。
【００６８】
また、金属性スタンパを用いる場合に、ベース基板を硬質基板とすると、金属性スタンパを曲げる（撓ませる）のが難しいため、金属製スタンパからクラッド層及びコア層からなる積層体を剥離（分離）させるのが困難である。このため、ベース基板として硬質基板を用いることはできなかったが、本実施形態では、柔軟性（可撓性）のある光透過性の樹脂スタンパ（フィルムスタンパ）１３を用いるため、積層体からのスタンパ１３の剥離（分離）は容易であるから、ベース基板として硬質基板を用いるのが可能になったのである。
【００６９】
なお、光メモリ素子作製用ベース基板２１は、クラッド材２やコア材３として用いられる紫外線硬化性樹脂材に紫外線を照射した際の紫外線硬化性樹脂の収縮に耐え、クラッド層２やコア層３が反らないだけの強度を備えるものであれば良い。
次に、このようにクラッド材２Ｘを完全硬化させた後、図１１（Ａ）に示すように、その表面上に、紫外線硬化性樹脂材（光硬化性樹脂材）から成るコア材（液状コア樹脂）３Ｘａを所定の膜厚（例えば完全硬化時に約２μｍ程度）になるように塗布する。なお、コア層３Ｘａとして機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００７０】
次いで、このようにしてコア材３Ｘａを塗布した後、図１１（Ａ）に示すように、コア材３Ｘａの表面上に、薄膜基体（ベース）となる樹脂フィルム（樹脂製フィルム部材，ベースフィルム）５を、気泡が入らないように例えばロール等を用いて加圧しながら載置する。つまり、クラッド層２Ｘにコア材３Ｘａを介して樹脂フィルム５を貼着（ラミネート）する。
【００７１】
なお、このように、コア材（樹脂材）３Ｘａ上に樹脂フィルム（フィルム状部材）５をラミネートする際には、例えばロール（貼着ロール，ラミネートロール）によって樹脂フィルム５をコア材３Ｘａに対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置するようにしているが、ラミネート方法の詳細については後述する。
【００７２】
かかる状態で、紫外線を照射してコア材３Ｘａを完全硬化させれば、樹脂製のコア層３Ｘａが形成されるとともに、樹脂フィルム５とコア層３Ｘａとが接着される。
ここで、樹脂フィルム５は、使用光波長域（コア層３を導波させるレーザ光の波長域）で透明で（散乱光を透過でき）、光学的な特性や膜厚の均一性，力学的な強度などが許す限り、できるだけ薄い方が良い。これは、上記の凹凸で散乱した散乱光を最終的に外部へ放出できるようにするためと、最終的に製造される光メモリ素子４′の厚さを薄くするためであるが、本実施形態では、それだけでなく、樹脂フィルム５とクラッド層２Ｘとの間にあるコア材３Ｘａ内に気泡が入りにくくするためでもある。
【００７３】
即ち、コア材３Ｘａの塗布されたクラッド層２Ｘ上に樹脂フィルム５を貼着する工程で、樹脂フィルム５の厚みが薄いと柔軟性（可撓性）に優れるため、樹脂フィルム５を曲げながら少しずつ接触させてゆくことによって、載置面積をゆっくりと増加させることが可能になり、クラッド材２Ｘ内に気泡が混入してその部分の屈折率や膜厚が変化してしまう等の影響を抑止することができるのである。
【００７４】
このため、樹脂フィルム５には、例えば、ポリカーボネート，アートン（ＪＳＲ株式会社製）などの非晶質ポリオレフィンや、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の光学特性に優れる（ＰＥＮはさらに耐熱性にも優れる）熱可塑性の樹脂フィルム５が好適（特に、上記のＰＥＴやＰＥＮはいずれも均一な厚みのフィルムを得られやすいので好適）で、これらのいずれかを熱延伸或いは溶媒キャスト等の方法で、例えば１００μｍ以下の厚さにしたものがよい。
【００７５】
これ以上厚さが厚いと、樹脂フィルム５の柔軟性（可撓性）が乏しくなり樹脂フィルム５をコア材３Ｘａ上に載置する際に気泡が混入しやすくなってしまう。逆に、樹脂フィルム５の厚みが極端に薄い場合、例えば１μｍよりも薄いような場合は、クラッド層２及びコア層３からなる積層体を光メモリ素子作製用ベース基板２１から剥離（分離）する際に、樹脂フィルム５が積層体を保持する機能を果たし得なくなることがあるので好ましくない。
【００７６】
なお、上述の工程では、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、クラッド層２Ｘを形成し、これにコア材３Ｘａを介して樹脂フィルム５を貼着しているが、これに限られるものではなく、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、クラッド層２Ｘを形成し、これに接着剤として機能するクラッド材を介して樹脂フィルム５を貼着しても良い。この場合、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、クラッド層を介して樹脂フィルム５が積層されることになる。
【００７７】
また、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、コア層を形成し、これに接着剤として機能するクラッド材を介して樹脂フィルム５を貼着しても良い。この場合、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、コア層、クラッド層を介して樹脂フィルム５が積層されることになる。
さらに、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、コア層を形成し、これに接着剤として機能するコア材を介して樹脂フィルム５を貼着しても良い。この場合、光メモリ素子作製用ベース基板上に、コア層を介して樹脂フィルム５が積層されることになる。
【００７８】
なお、これらは、いずれも光メモリ素子作製用ベース基板上に、基体としての樹脂フィルム５を接着するものであるため、これらを基体接着工程という。
ここで、接着剤（接着層）としてのコア材（コア層）又はクラッド材（クラッド層）は、屈折率が特定値のものを用いる必要はなく、樹脂フィルム５や光メモリ素子作製用ベース基板２１の材質を考慮して接着相性の良い組み合わせを選定すれば良い。このため、例えば、光硬化型，熱硬化型，室温硬化型，ホットメルト型，２液混合型等の各種の型の接着剤が適用可能であり、材質としては、アクリル系，エポキシ系，シアノアクリレート系，ウレタン系，オレフィン系等を用いることができる。
【００７９】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、上述の樹脂フィルム５上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約１．８μｍ）となるように、紫外線硬化性樹脂材からなるコア材（液状コア樹脂）３Ｘｂを塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のコア層３Ｘｂを形成する。
なお、上述の２つのコア層３Ｘａ，３Ｘｂは、後述するコア層３と異なり凹凸パターンが設けられておらず、専らクラッド層２Ｘと樹脂フィルム５との間の接着のために用いられ、情報再生層としては機能しない。また、上述のクラッド層２Ｘも、後述するクラッド層２と異なり光導波路デバイスを構成するものではなく、専ら光メモリ素子作製用ベース基板としてのガラス基板２１等とコア層３Ｘａとの接着のために用いられている。
【００８０】
次いで、図１１（Ｃ）に示すように、このコア層３Ｘｂの表面上に、所定の膜厚（例えば、完全硬化時に約１５〜約２０μｍ）となるようにクラッド材（液状クラッド樹脂）２を塗布する。このクラッド材２としては、本実施形態では、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化する紫外線硬化性樹脂材（ＵＶ樹脂材）から成るものを使用し、コア層３Ｘｂの表面上に塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のクラッド層２を形成する。なお、クラッド層２として機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００８１】
このようにクラッド材２を完全硬化させた後、図１１（Ｃ）に示すように、その表面上に、クラッド層２よりも屈折率の大きい紫外線硬化性樹脂材から成るコア材（液状コア樹脂）３を所定の膜厚（例えば完全硬化時に約２μｍ程度）になるように塗布する。なお、コア層３として機能する所望の樹脂材を溶媒に溶解したものを塗布・乾燥させる手法を採っても良い。
【００８２】
次いで、このようにしてコア材３を塗布した後、図１１（Ｃ）に示すように、その表面上に、結像させたい画像（情報）に応じた所望の凹凸パターン（凸形状；ピット）を表面に刻まれた光透過性スタンパ（フィルムスタンパ，樹脂製スタンパ）１３をラミネート（貼着）する。
なお、このように、コア材（樹脂材）３上に光透過性スタンパ（フィルム状部材）１３をラミネートする際には、例えばロール（貼着ロール）によって光透過性スタンパ１３をコア材３に対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置することになるが、ラミネート方法の詳細については後述する。
【００８３】
かかる状態で、図１１（Ｄ）に示すように、ラミネートされた光透過性の樹脂製スタンパ１３の裏面側（樹脂フィルム１２側，凹凸パターンを有する面の反対側）から紫外線を照射して、この光透過性スタンパ１３を透過した紫外線によってコア材３を一部不完全硬化させる。
ここで、一部不完全硬化とは、コア材の一部のみが完全には硬化せずに不完全に硬化することをいい、例えば空気に触れているために硬化の遅いコア層のエッジ部のみが完全には硬化せずに不完全に硬化する状態をいう。
【００８４】
このように、コア層３を完全硬化させずに一部不完全硬化としているのは、光透過性スタンパ１３をラミネートした状態でコア層３を完全に硬化させてしまうと、コア層３から光透過性スタンパ１３を剥離させることができなくなるからである。
次に、図１１（Ｅ）に示すように、光透過性の樹脂製スタンパ１３を光メモリ媒体用ベース基板２１上に積層された積層体のコア層３から剥離（分離）した後、光透過性の樹脂製スタンパ１３の凹凸パターン（以下、単に「凹凸」ともいう）が転写（形成）された樹脂製のコア層３に対して紫外線を照射して、コア層３を完全硬化させる。これにより、光メモリ媒体用ベース基板２１上に樹脂製のクラッド層２、さらにその上に光透過性の樹脂製スタンパ１３の凹凸パターンを転写された樹脂製のコア層（記録層，光導波路）３が積層される。なお、この凹凸パターンは、実際には、例えばＣＤ（コンパクトディスク）におけるピットのように平面上に散在している。
【００８５】
次に、コア層３の表面上に、所定の膜厚（例えば、完全硬化時に約１５〜約２０μｍ）となるように、コア層３よりも屈折率の小さい紫外線硬化性樹脂材からなるクラッド材（液状クラッド樹脂）２を塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることで樹脂製のクラッド層２を形成する。
以後、上述と同様の処理［図１１（Ｃ）〜（Ｅ）に示す処理］を繰り返すことで、光メモリ素子作製用ベース基板２１上に、例えば基体としての樹脂フィルム等を介在させることなく、コア層３及びクラッド層２を連続して所望の積層数（例えば１００層程度）になるまで積層する。
【００８６】
なお、上述のように、基体としての樹脂フィルム５上にクラッド層２及びコア層３を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成する工程を、積層体形成工程という。
ところで、本実施形態では、図１２（Ａ）に示すように、上述のようにして所望の積層数だけ積層させた後、最後に積層したクラッド層２（最上層のクラッド層２ｄ）の表面上に、所定の膜厚（例えば完全硬化時に約２μｍ程度）となるように、紫外線硬化性樹脂材からなるコア材（液状コア樹脂）３Ｘｃを塗布する。
【００８７】
次いで、このようにしてコア材３Ｘｃを塗布した後、図１２（Ａ）に示すように、コア材３Ｘｃの表面上に、基体（ベース）となる樹脂フィルム（樹脂製フィルム部材，ベースフィルム）５′を、気泡が入らないように例えばロール等を用いて加圧しながら貼着（ラミネート）する。
なお、このように、コア材（樹脂材）３Ｘｃ上に樹脂フィルム（フィルム状部材）５′をラミネートする際には、例えばロール（貼着ロール）によって樹脂フィルム５′をコア材３Ｘｃに対して押し付けて加圧しながら（押圧力を作用させながら）載置することになるが、ラミネート方法の詳細については後述する。
【００８８】
かかる状態で、紫外線をさらに照射してコア材３Ｘｃを完全硬化させれば、樹脂製のコア層３Ｘｃが形成されるとともに、樹脂フィルム５′とコア層３Ｘｃとが接着される。
その後、このようにして作製される光メモリ素子（即ち、紫外線硬化性樹脂層としてのクラッド層２及びコア層３を積層した積層体を樹脂フィルム５，５′で挟んだ構造体）は、図１２（Ｂ）に示すように、これらの樹脂フィルム５，５′によって支持しながら、積層体と樹脂フィルム５，５′を一体として光メモリ素子作製用ベース基板２１から剥離（分離）する。なお、このように、光メモリ素子作製用ベース基板２１から基体としての樹脂フィルム５，５′と積層体とを一体として分離する工程を、積層体分離工程という。
【００８９】
そして、このようにして光メモリ素子作製用ベース基板２１から剥離した光メモリ素子４′に入射端面を形成し、さらに保護フィルムを貼ったり、樹脂コートしたりする等の工程を経て、例えば光メモリカード等の光メモリ媒体が作製される。
以上の説明において、コア材３には、塗布時には液体で、その後、硬化させることのできる樹脂であればどのような樹脂を適用してもよいが、好適な物質としては、例えば紫外線硬化性樹脂などの光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂が挙げられる。ただし、上述のごとくスタンパによる転写を行なう場合には、光硬化性樹脂を適用するのが好ましく、例えば、アクリル系光硬化性樹脂（アクリル系硬化性樹脂），エポキシ系光硬化性樹脂（エポキシ系硬化性樹脂），チオール系光硬化性樹脂（チオール系硬化性樹脂）などが好ましい。
【００９０】
また、上記のクラッド材２は、透明で屈折率がコア材３よりも僅かに小さい物質（樹脂）であれば何でも良いが、各種樹脂製のクラッド材２を塗布すると簡便である。例えば紫外線硬化性樹脂などの光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等の硬化性樹脂から成るクラッド材２は樹脂フィルム５との接着性に優れ、好適である。特に、光硬化性樹脂を適用するのが好ましく、例えば、アクリル系光硬化性樹脂（アクリル系硬化性樹脂），エポキシ系光硬化性樹脂（エポキシ系硬化性樹脂），チオール系光硬化性樹脂（チオール系硬化性樹脂）などが好ましい。
【００９１】
また、コア材３、クラッド材２の塗布方法には、例えば、スピンコート法，ブレードコート法，グラビアコート法，ダイコート法等があるが、塗布膜厚と均一性を満足すればどのような塗布方法を用いてもよい。
なお、クラッド層２は上記説明のように１層として形成しても良いが、膜厚を安定させるために２層に分けて形成してもよい。
【００９２】
このように、本実施形態では、積層されたコア層３とクラッド層２とがいずれも樹脂製で、しかも、凹凸の形成されるコア層（コア材）３に光や熱等で硬化しうる硬化性樹脂を用いているので、従来のようにフォトレジストの露光，現像処理等を用いなくても、スタンパからの転写によって、コア層３とクラッド層２との界面に容易に所望形状の凹凸部６を形成することが可能になる。
【００９３】
ここで、このようにして作製される光メモリ素子４には、情報記録領域（即ち、樹脂製コア層３と樹脂製クラッド層２との両層の界面に設けられる情報用凹凸部６が形成されている領域）に記録されている情報を読み出すための入射光（再生光）を樹脂製コア層３へ導くための入射端面（入射光導入端面）が形成される。
【００９４】
ここでは、円形スタンパを用いて作製される光メモリ素子４から所望の大きさになるように切り出した個々の光メモリ素子４の９０度（光導波部材２３２の表面とのなす角度が９０度）の端面を入射端面（９０度入射端面）としている。
なお、入射光を樹脂製コア層３へ導くための入射端面は、これに限られるものではなく、種々のものが考えられる。例えば、光メモリ素子４の一方の端面を４５度（光導波部材の表面とのなす角度が４５度）に切断し、必要に応じて反射膜を形成してミラー端面（傾斜端面，マイクロミラー）とし、このミラー端面を入射端面（４５度入射端面）としても良い。この場合、光メモリ素子４の表面に対して垂直な方向から、この４５度入射端面に向かって光を入射させ、４５度入射端面で反射させて入射光を樹脂製コア層３へと導くことになる。
【００９５】
このようにして作製された光メモリ素子４では、例えば、光導波路としてのコア層３に入射端面を介して光を導入すると、その導入光が界面の凹凸部分で散乱しながら伝播する。このときの散乱光は導入光に対して上下方向（交差する方向）のそれぞれに伝搬（透過）していき、最終的に光メモリ素子の両面部から外部へ放出され、凹凸パターンに応じた画像が結像することになる。
【００９６】
なお、コア層３，クラッド層２の膜厚については、コア層３，クラッド層２が光導波路として機能するだけの膜厚であればよく、例えば、使用光波長域が可視光の波長域であれば、コア層３はおおよそ０．５〜３．０μｍ程度になると考えられる。この場合、クラッド層２の膜厚に関しては特に制限は無いが、全体の厚さを薄くすることを考慮すれば、１００μｍ以下にするのが好ましい。あえて下限を規定するなら、０．１μｍ以上になると思われる。
【００９７】
また、光メモリ素子４の厚さは、強度を得るために約０．３ｍｍ以上とするのが好ましい。より好ましくは約０．５ｍｍ以上とする。ただし、光カード等の光メモリ（情報記録媒体）としての携帯性を考慮すると約５ｍｍ以下とするのが好ましい。より好ましくは約３ｍｍ以下とする。
さらに、コア層３の積層数は、光メモリ素子４の記録容量を上げるためにはできるだけ多く積層するのが好ましく、例えば３層以上、より好ましくは１０層以上積層するのが好ましい。ただし、あまり多く積層すると厚くなりすぎ、素子も反りやすくなってしまうため、例えば２００層以下とするのが好ましい。
【００９８】
また、上述のものでは、薄膜基体としての樹脂フィルム５として、枚葉のフィルムを用いた方式を説明したが、連続フィルムによる実施も可能である。フィルム上へのコア、クラッド材のダイコータ、マイクログラビア、バーコータ等による塗布、スタンパを加圧した状態でのコア、クラッド材の硬化等のプロセスを組み合わせることにより、支持体上にクラッド／コア部材を積層した構造体を作製することができる。また、スタンパとしてロールに巻き取り可能な形に加工したロールスタンパを用いることにより、スタンパからの転写プロセスの生産性を向上させることも可能である。
【００９９】
なお、上述の実施形態では、コア層３に光透過性スタンパ１３をラミネートして凹凸パターンを転写（これをコア転写，コア層転写法という）しているが、これに限られるものではなく、クラッド層２に光透過性スタンパ（樹脂スタンパ，フィルムスタンパ）をラミネートして凹凸パターンを転写（これをクラッド転写，クラッド層転写法という）するようにしても良い。
【０１００】
このクラッド転写により製造された光メモリ素子によって出力される画像を、コア転写により製造された光メモリ素子によって出力される画像と比べると、クラッド転写により製造された光メモリ素子の出力画像ではホログラムの虚像が観察されず（例えば像が２重に見える現象がなくなる）、画質が優れたものとなる。
【０１０１】
ここで、コア層の方がクラッド層よりも薄いため、ラミネート時に膜厚変動しにくく、ラミネート条件を広く選べるという点では、上述の実施形態におけるコア転写の方が好ましい。
しかし、ラミネート条件を最適なものとすれば、クラッド層転写方法によっても、良好な転写を行なえるようになる。
【０１０２】
このため、このようにしてラミネート条件を設定すれば、クラッド層の厚さが厚くても薄くても（厚さにかかわらず）、良好な転写を行なえるため、クラッド層は厚いまま転写することもできるし、又は、まず所定の厚さのクラッド層を硬化させた上に、転写用に薄くクラッド材を塗布し、この薄く塗布されたクラッド材に転写することもできることになる。
【０１０３】
また、光メモリ素子の製造方法は、上述の実施形態のものに限られない。つまり、上述の実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法は、基板上に基体（樹脂フィルム）を接着した後に、基体（樹脂フィルム）上にクラッド層及びコア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成しているが、これに限られるものではなく、例えば、基板上に基体（樹脂フィルム）を接着することなく、基板上に、直接、クラッド層及びコア層を順次積層して所望の積層数を有する積層体を形成しても良い。
【０１０４】
ところで、上述のように、光メモリ素子４を作製するプロセス（光メモリ素子の製造方法）には、コア材又はクラッド材（樹脂材）上に基体としての樹脂フィルム（フィルム状部材）５，５′をラミネートする工程や、コア材又はクラッド材（樹脂材）上に光透過性スタンパ（フィルム状部材）１３をラミネートする工程が含まれる。また、本実施形態における光メモリ素子の製造方法において用いられる光透過性スタンパ１３を製造するプロセス（光透過性スタンパの製造方法）にも、コア材又はクラッド材（樹脂材）上に樹脂フィルム（フィルム状部材）１２をラミネートする工程が含まれる。
【０１０５】
ここで、樹脂フィルム５，５′，１２や光透過性スタンパ１３などのフィルム状部材をラミネートするラミネート工程において用いられるラミネート方法（フィルム状部材のラミネート方法）としては、種々の方法が考えられる。
特に、樹脂フィルム５，５′，１２や光透過性スタンパ１３などのフィルム状部材を、連続フィルムとして扱うか（フィルム状部材の貼着部前後に余裕がある場合）、枚葉フィルムとして扱うか（フィルム状部材の貼着部前後に余裕がない場合）によって、大きく２つの方法に分けることができる。
【０１０６】
まず、連続フィルムとして扱う場合には、例えば図１３に示すように、フィルム状部材３０を送りロール３１によって搬送させるとともに、フィルム状部材３０を貼着する対象としての被貼着部材［ここでは、クラッド層２やコア層３を積層させてなる積層体］３２が載せられているステージ３３をフィルム状部材３０と同期させて移動させるようにする。そして、予め被貼着部材３２又はフィルム状部材３０の表面に接着剤（樹脂材）を塗布して接着層（樹脂層）を形成しておき、フィルム状部材３０及び被貼着部材３２を移動させる際に、貼着ロール３４によって、フィルム状部材３０をその背面側から被貼着部材３２上に押し付けることで、フィルム状部材３０を被貼着部材３２上に貼着（ラミネート）していくようにする（ラミネート方法▲１▼）。
【０１０７】
ここで、貼着ロール（ラミネートロール）３４の材質は、金属，セラミック、樹脂，ゴム等のいずれでも良いが、中でもゴムが好ましい。
一方、枚葉フィルムとして扱う場合には、例えば図１４に示すように、フィルム状部材３０を、真空吸着手段等の保持手段によって、被貼着部材３２からある一定距離だけ離れた位置に保持する。また、被貼着部材３２又はフィルム状部材３０の表面に接着材（樹脂材）を塗布して接着層（樹脂層）を形成しておく。そして、貼着ロール３４を移動させながら、貼着ロール３４によって、フィルム状部材３０をその背面側から被貼着部材３２上に押し付けることで、フィルム状部材３０を被貼着部材３２上に貼着していくようにする。
【０１０８】
ここで、枚葉フィルムとしてのフィルム状部材３０の固定方法としては、例えば図１５（Ａ）に示すように、ボックス状部材３５の底部にメッシュシート３６を取り付け、ボックス状部材３５の内部の空気をポンプによって吸引し、フィルム状部材３０をメッシュシート３６に真空吸着させることで、フィルム状部材３０を固定する方法がある。この場合、図１５（Ｂ）に示すように、貼着ロール３４を移動させることで、貼着ロール３４によって、フィルム状部材３０がメッシュシート３６越しに被貼着部材３２上に押し付けられるようにして、フィルム状部材３０を被貼着部材３２上に貼着していくことになる（ラミネート方法▲２▼）。なお、ボックス状部材及びメッシュシート３６をスタンパ保持部材という。
【０１０９】
また、例えば図１６（Ａ）に示すように、フィルム固定用治具３７の端部に設けられる真空吸着ヘッド３８にフィルム状部材３０の端部を真空吸着させることで、フィルム状部材３０をフィルム固定用治具３７に固定する方法がある。この場合、図１６（Ｂ）に示すように、フィルム固定用治具３７を揺動させて、その傾きを変え、貼着ロール３４を移動させることで、フィルム状部材３０が、貼着ロール３４によって被貼着部材３２上に押し付けられるようにして、フィルム状部材３０を被貼着部材３２上に貼着していくことになる（ラミネート方法▲３▼）。なお、フィルム固定用治具３７及び真空吸着ヘッド３８をスタンパ保持部材という。
【０１１０】
ところで、このような積層時のラミネート工程においては、（１）気泡が入らないようにすること、（２）塗布されている樹脂材（樹脂層）に膜厚むらが生じないようにすること、（３）樹脂フィルム５，５′，１２や光透過性スタンパ１３をラミネートする際に樹脂材（樹脂層）を押し出さないようにすること、等の要求を満たす必要がある。
【０１１１】
このため、上述のように、ラミネート工程では、図１７に示すように、貼着ロール３４を樹脂フィルム５，５′，１２や光透過性スタンパ１３等のフィルム状部材３０の背面側から被貼着部材［ここでは、基板３９上にクラッド層２やコア層３を積層させた積層体２３２とし、この積層体２３２の表面に樹脂層（転写層，接着層）４０を形成している］３２上に押し付けて加圧した状態で（押圧力を作用させた状態で）、樹脂フィルム５，５′，１２や光透過性スタンパ１３等のフィルム状部材３０の一方の側から他方の側へ向けて貼着ロール３４を移動させていくことになる。
【０１１２】
特に、フィルム状部材３０としての光透過性スタンパ１３をラミネートする際には、上述の課題の欄で説明したように、凹凸パターンが転写される複数のコア材３（又はクラッド材）相互間において、凹凸パターンが転写される領域（凹凸パターン転写領域，データ領域，記録領域）の位置がそろうように、被貼着部材３２に対する光透過性スタンパ１３の位置合わせ（アライメント）を精度良く行なえるようにしたい。
【０１１３】
このため、本実施形態では、上述の光メモリ素子４の製造工程のラミネート工程（貼着工程）において、図１（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、被貼着部材３２を構成する積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上に、光透過性スタンパ（屈曲性スタンパ）１３を貼着（ラミネート）した後であって、コア材３（又はクラッド材）を硬化させる前に、光透過性スタンパ１３の位置合わせ（被貼着部材３２と光透過性スタンパ１３との間のアライメント調整）を行なうようにしている。
【０１１４】
つまり、まず、図１（Ａ）に示すように、被貼着部材３２を構成する積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上に、光透過性スタンパ（屈曲性スタンパ）１３を貼着（ラミネート）する（ラミネート工程）。
次いで、図１（Ｂ）に示すように、凹凸パターンが転写される複数のコア材３（又はクラッド材）相互間において、凹凸パターンが転写される領域（凹凸パターン転写領域，データ領域，記録領域）の位置がそろうように、光透過性スタンパ１３をラミネートした状態で、光透過性スタンパ１３を水平方向に動かして、光透過性スタンパ１３の位置合わせ（被貼着部材３２と光透過性スタンパ１３との間のアライメント調整）を行なう（アライメント工程，精密位置決め工程）。
【０１１５】
その後、図１（Ｃ）に示すように、光透過性スタンパ１３の裏面側から光を照射して、コア材３（又はクラッド材）を硬化させる（硬化工程）。つまり、光透過性スタンパ１３をラミネートした状態で、光透過性スタンパ１３の裏面側から光を照射してコア材３（又はクラッド材）を一部不完全硬化させる（一部不完全硬化工程）。次に、一部不完全硬化されたコア材３（又はクラッド材）から光透過性スタンパ１３を剥離した後、凹凸パターンを転写されたコア材３（又は前記クラッド材）を完全硬化させる（完全硬化工程）。
【０１１６】
これによれば、アライメント調整時に、光透過性スタンパ１３が被貼着部材３２を構成する積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上にラミネートされており、光透過性スタンパ１３と積層体２３２上に塗布されたコア材３（又はクラッド材）との間に距離がないため、光透過性スタンパ１３の位置がどの程度ずれているかを正確に測定することができ、被貼着部材３２に対する光透過性スタンパ１３の位置合わせ（アライメント）を精度良く行なうことができるようになる。また、アライメント調整を行なう際には、既にラミネートは終了しているので、ラミネート中に位置ずれが生じたとしても、これに影響されることはなく、アライメント精度が悪くなることもない。
【０１１７】
ここで、光透過性スタンパ１３のアライメント調整方法（光透過性スタンパ１３の動かし方）としては、種々の方法が考えられる。以下、具体例について、図２〜図５を参照しながら説明する。
（１）光透過性スタンパ１３をラミネートした後、図２に示すように、光透過性スタンパ１３を積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上にラミネートしたままの状態で、フィルム固定用治具３７の端部に設けられる真空吸着ヘッド（吸着部材）３８によって光透過性スタンパ１３の端部を真空吸着させ、光透過性スタンパ１３を吸着して保持するフィルム固定用治具３７及び真空吸着ヘッド３８（スタンパ保持部材）の全体を水平方向に動かして、光透過性スタンパ１３の位置の調整（微調整）を行なう。
【０１１８】
この場合、フィルム固定用治具３７，真空吸着ヘッド３８及びこれらを駆動する駆動手段（例えばモータ等）は、光透過性スタンパ１３の位置を調整する機能を有するため、スタンパ位置調整手段という。
なお、このアライメント調整方法において用いられるスタンパ保持部材は、ラミネート工程において、上述のラミネート方法▲３▼により光透過性スタンパ１３をラミネートするのに用いられるスタンパ保持部材と同じであるため、上述のラミネート方法▲３▼によってラミネートする場合に、このアライメント調整方法を適用するのが適している。
【０１１９】
また、同様に、ラミネート工程において、上述のラミネート方法▲２▼により光透過性スタンパ１３をラミネートする場合には、光透過性スタンパ１３を積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上にラミネートしたままの状態で、底部にメッシュシート３６を取り付けられたボックス状部材３５の内部の空気をポンプによって吸引して、光透過性スタンパ１３をメッシュシート３６に真空吸着させ、光透過性スタンパ１３を吸着して保持するボックス状部材３５及びメッシュシート３６（スタンパ保持部材）の全体を水平方向に動かして、光透過性スタンパ１３の位置の調整（微調整）を行なえば良い。
【０１２０】
この場合、ボックス状部材３５，メッシュシート３６及びこれらを駆動する駆動手段（例えばモータ等）は、光透過性スタンパ１３の位置を調整する機能を有するため、スタンパ位置調整手段という。
（２）光透過性スタンパ１３をラミネートした後、図３に示すように、光透過性スタンパ１３を積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上にラミネートしたままの状態で、光透過性スタンパ１３の全体を真空吸着盤（吸着部材，スタンパ保持部材）４５によって真空吸着し、光透過性スタンパ１３を吸着して保持する真空吸着盤４５の全体を水平方向へ動かして、光透過性スタンパ１３の位置の調整（微調整）を行なう。
【０１２１】
この場合、真空吸着盤４５及びこれを駆動する駆動手段（例えばモータ等）は、光透過性スタンパ１３の位置を調整する機能を有するため、スタンパ位置調整手段という。
（３）光透過性スタンパ１３をラミネートした後、図４に示すように、光透過性スタンパ１３を積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上にラミネートしたままの状態で、光透過性スタンパ１３の送り方向の上流側及び下流側にそれぞれ設けられる複数の位置調整用ロール（スタンパ保持部材）４６によって光透過性スタンパ１３を挟持し、これらの位置調整用ロール４６を回転させることで、光透過性スタンパ１３を送り出したり、巻き取ったりして光透過性スタンパ１３を水平方向へ動かして、光透過性スタンパ１３の位置の調整（微調整）を行なう。
【０１２２】
この場合、位置調整用ロール４６やこれを駆動する駆動手段（例えばモータ等）は、光透過性スタンパ１３の位置を調整する機能を有するため、スタンパ位置調整手段という。
なお、このアライメント調整方法は、ラミネート工程において、光透過性スタンパ１３を連続フィルムとして扱い、上述のラミネート方法▲１▼により光透過性スタンパ１３をラミネートする場合に適用するのが適している。この場合、ラミネート工程において光透過性スタンパ１３を搬送するのに用いる送りロール３１とは別に位置調整用ロール４６を設けずに、送りロール３１を位置調整用ロールとして機能させるようにしても良い。
【０１２３】
また、光透過性スタンパ１３を枚葉フィルムとして扱い、このアライメント調整方法を用いる場合には、ラミネート工程において、位置調整用ロール（スタンパ保持部材）４６によって光透過性スタンパ１３の端部（フィルム端）を挟持して固定した状態で、貼合ロールによって押圧しながら光透過性スタンパ１３をラミネートするように構成することもできる。
（４）光透過性スタンパ１３をラミネートした後、図５に示すように、予め光透過性スタンパ１３の端部（両端部）に開けられている複数の孔（ピン孔）４７にピン４８を挿通させ、これらのピン４８を水平方向へ動かして、光透過性スタンパ１３の位置の調整（微調整）を行なう。
【０１２４】
この場合、ピン４８及びこれらを駆動する駆動手段（例えばモータ等）は、光透過性スタンパ１３の位置を調整する機能を有するため、スタンパ位置調整手段という。
なお、ここでは、（１）〜（４）のアライメント調整方法について説明したが、これらのアライメント調整方法は、上述のラミネート方法▲１▼〜▲３▼だけでなく、他のラミネート方法による場合であっても適用することができる。また、これらのアライメント調整方法と種々のラミネート方法とを任意に組み合わせることもできる。
【０１２５】
また、上述のアライメント調整方法では、上述のような方法で光透過性スタンパ１３を保持した状態で、機械的な方法で光透過性スタンパ１３を動かすようにしているが、これに限られるものではなく、上述のような方法で光透過性スタンパ１３を保持した状態で、手動で動かすようにしても良い。
次に、アライメント調整時の位置の合わせ方について説明する。
【０１２６】
本実施形態では、光透過性スタンパ１３のアライメント調整を精度良く行なえるように、図６に示すように、クラッド層２及びコア層３を積層してなる積層体２３２を構成する基板２１にアライメントマーク（位置決め部，位置決めマーク；例えば画像認識可能なアライメントマーク）４９を設けている。同様に、本実施形態では、光透過性スタンパ１３にもアライメントマーク（位置決め部，位置決めマーク；例えば画像認識可能なアライメントマーク）を設けている。
【０１２７】
なお、ここでは、被貼着部材３２側のアライメントマーク４９を基板２１に設けているが、これに限られるものではなく、クラッド層２及びコア層３を積層してなる積層体２３２を構成する例えば樹脂フィルム等の基体５にアライメントマークを設けても良い。
ここで、基板２１（又は基体５）や光透過性スタンパ１３の両端部には、２つのアライメントマーク（例えば十字マーク）を設けるのが好ましい（図６参照）。
【０１２８】
そして、光メモリ素子４を製造する際に、光透過性スタンパ１３のアライメントマーク（第１アライメントマーク）と、基板２１（又は基体）に形成されるアライメントマーク（第２アライメントマーク）４９とが重ね合わさるようにすることで（例えばＣＣＤカメラ等の受像機を用いた画像認識的な手法によって、光学的にアライメントマークを検出して重ね合わせを行なう）、基板２１（積層体２３２，被貼着部材３２）に対する光透過性スタンパ１３の位置合わせを行なう。これにより、光透過性スタンパ１３の位置合わせを、簡単に、かつ、正確に行なえる。
【０１２９】
なお、ここでは、例えばＣＣＤカメラなどによって光学的にアライメントマークを検出し、基板のアライメントマークと光透過性スタンパのアライメントマークとの間の位置ずれ量を測定して、測定された位置ずれ量がなくなるように光透過性スタンパ１３を移動させることで、光透過性スタンパ１３の位置合わせを行なうようになっているが、これに限られるものではない。
【０１３０】
なお、例えばＣＣＤカメラ等の検出器によって光学的にアライメントマークを検出する場合、積層体２３２の厚さが厚くなると、光透過性スタンパ１３上のアライメントマークと、基板２１上のアライメントマークの双方に同時に焦点を合わせることが困難となるが、このような場合には、光透過性スタンパ１３の背面側と積層体２３２の基板２１側との双方にそれぞれ検出器（例えばＣＣＤカメラ等）を設け、それぞれの検出器（例えばＣＣＤカメラ）によって、光透過性スタンパ１３のアライメントマークと基板２１上のアライメントマークとをそれぞれ検出するようにすれば良い。
【０１３１】
したがって、本実施形態にかかる光メモリ素子４の製造方法によれば、凹凸パターンが転写される複数のコア材３（又はクラッド材２）相互間において、凹凸パターンが転写される領域（凹凸パターン転写領域，データ領域，記録領域）の位置がそろうように、塗布されたコア材３（又はクラッド材２）に対する光透過性スタンパ１３の位置合わせ（アライメント）を精度良く行なえるという利点がある。
【０１３２】
また、上述のような光メモリ素子４の製造方法によれば、光透過性スタンパ１３の位置合わせを精度良く行なえるため、各層（複数個の光導波部材）のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量（設計値からの位置ずれ量）が所定範囲内［例えば±０．２ｍｍ以内（好ましくは±０．１ｍｍ以内）］の光メモリ素子４を作製できることになる。なお、位置ずれ量は小さいほど好ましい（もちろん０ｍｍが最も好ましい）が、位置ずれ量を小さくするといっても、おのずと限界があるため、通常±０．１μｍ以上となる。このように、本実施形態にかかる光メモリ素子４は、再生像の位置ずれ量が小さいため、例えばＣＣＤ受像機による再生像の読み取りに支障をきたすことがない。
【０１３３】
ところで、上述の実施形態では、光透過性スタンパ１３をラミネートした後であって、コア材３（又はクラッド材２）を硬化させる前に、光透過性スタンパ１３の位置合わせを行なうようにしているが、これに限られるものではない。
例えば、光透過性スタンパ１３をラミネートした後に光透過性スタンパ１３を動かす量が大きすぎると（アライメント調整量が大きすぎると）、塗布されたコア材３（又はクラッド材）の膜厚が変動してしまうおそれがあるため、これを考慮すると、例えば図７（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、ラミネート工程において、光透過性スタンパ１３をラミネートする前に、光透過性スタンパ１３をラミネートした後に行なう位置合わせよりも粗い位置合わせを行なうように構成するのが好ましい。
【０１３４】
この場合、光メモリ素子の製造方法は、以下のような手順［図７（Ａ）〜（Ｄ）参照］とすれば良い。
例えば、図７（Ａ）に示すように、光透過性スタンパ１３をラミネートする前に、積層体２３２（基板）に対する光透過性スタンパ１３の位置を大まかに調整して、光透過性スタンパの粗位置決めを行なう（アライメント工程，粗位置決め工程）。
【０１３５】
このようにして粗位置決めを行なった後、図７（Ｂ）に示すように、光透過性スタンパ１３を積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上にラミネートする（ラミネート工程）。なお、このラミネート工程は、上述の実施形態と同じである。
次いで、図７（Ｃ）に示すように、光透過性スタンパ１３が積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）上にラミネートされたままの状態で、光透過性スタンパ１３と積層体２３２（基板）との間の位置合わせを行なうべく、光透過性スタンパ１３を水平方向に動かして、光透過性スタンパ１３の位置を微調整することで、光透過性スタンパの精密位置決めを行なう（アライメント工程，精密位置決め工程）。
【０１３６】
このようにして精密位置決めを行なった後、図７（Ｄ）に示すように、積層体２３２の表面に塗布されたコア材３（又はクラッド材）を硬化させる（硬化工程）。なお、この硬化工程は、上述の実施形態と同じである。
このように、光透過性スタンパ１３の位置決めを粗位置決めと精密位置決めとの２段階とし、光透過性スタンパ１３をラミネートする前に粗位置決めを行なって大まかな位置合わせを行なっておくことで、ラミネート後のアライメント調整において光透過性スタンパ１３を動かす量を少なくし、コア材３（又はクラッド材）の膜厚変動を抑えるようにしている。
【０１３７】
ここで、ラミネート後に光透過性スタンパ１３の位置を微調整できるようにするためには、好ましくは、硬化前のコア材３（又はクラッド材）が十分な流動性を有していることが必要となる。このため、光透過性スタンパ１３の凹凸パターンを転写する層（ここではコア層３）を構成する材料としては、例えば紫外線硬化樹脂等を用いるのが適している。
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる光メモリ素子（光メモリ，多層光メモリ）及びその製造方法（フィルム状部材のラミネート方法）、並びに、光メモリ素子の再生装置（再生方法）について、図１８〜図２１を参照しながら説明する。
【０１３８】
本実施形態は、上述の第１実施形態のものと、光メモリ素子の構成及びその再生装置（再生方法）が異なる。なお、その他の構成等［特に、光メモリ素子の製造方法（フィルム状部材のラミネート方法）］については、上述の第１実施形態と同様である。また、本実施形態では、上述の第１実施形態と同一のものには同一の符号を付している。
【０１３９】
つまり、本実施形態では、図１８に示すように、１以上の光導波部材２３２を積層させてなる光メモリ素子５０の情報用凹凸部５が形成されている領域（情報が記録されている領域；データ領域，情報記録領域）５０Ａを、複数の小領域５０ａに分割し［光メモリ素子５０を構成する各光導波部材（各層）２３２のデータ領域５０Ａをそれぞれ複数の小領域５０ａに分割し］、それぞれの小領域５０ａから出射される散乱光が一の領域（光メモリ素子５０から所定距離に位置する領域であって、この領域にＣＣＤ受像機５１が設けられる）に結像するようにし、これにより、複数の小領域５０ａからそれぞれ異なる再生像が形成されるようにしている。
【０１４０】
そして、一の領域に結像する再生像を、ドライブに備えられるＣＣＤ受像機５１によって読み取ることで、光メモリ素子５０に記録されている情報が再生されることになる。
ここで、複数の小領域５０ａには、それぞれ異なる再生像が得られるように情報用凹凸部５が形成されており、複数の小領域５０ａから出射される散乱光によってＣＣＤ受像機５１の受光領域である一の領域に複数の異なる再生像が形成されるようになっている。なお、所定の複数の小領域５０ａから出射される散乱光によって、一の再生像が形成されるようにしても良い。
【０１４１】
なお、ドライブに備えられるＣＣＤ受像機等の光検出器のサイズ（受光面積）の影響を受けることなく、そのサイズ（媒体サイズ；データ領域のサイズ）を大きくして、大容量化を図れるようにするためには、図１８に示すように、１以上の光導波部材２３２を積層させてなる光メモリ素子５０の情報用凹凸部５が形成されている領域（情報が記録されている領域；データ領域，情報記録領域）５０Ａが、ドライブに備えられるＣＣＤ受像機（ＣＣＤセンサ，光検出器，受光部）５１の受光領域（受光面積）よりも広くなるようにし、かつ、ＣＣＤ受像機５１と光メモリ素子（メディア，媒体）５０との相対的な位置関係（相対位置）を変えないで、光メモリ素子５０に記録されている情報を再生することができるようにすれば良い。
【０１４２】
この場合、それぞれの小領域５０ａから出射される散乱光がいずれもデータ領域５０Ａよりも小さい一の領域（光メモリ素子５０から所定距離に位置する領域であって、この領域にＣＣＤ受像機５１が設けられる）に結像するようにすれば良い。
本実施形態では、通常どおり、光メモリ素子５０の情報用凹凸部５は、光導波方向に対して直交する方向へ出射される散乱光の強度が最も大きくなるように設計している。
【０１４３】
このため、図１８に示すように、ドライブ５２内に光メモリ素子５０が挿入・保持された状態で、ＣＣＤ受像機５１の受光領域である一の領域に対向する（即ち、直下にある）光メモリ素子５０の領域（第１の領域）内にある小領域（第１小領域）５０Ｘからの散乱光は、入射光の光導波方向に対して直交する方向へ出射され、散乱光の強度は大きいため、ＣＣＤ受像機５１によって確実に検出することができ、この結果、光メモリ素子５０の第１小領域５０Ｘに記録されている情報を確実に読み取ることができる。
【０１４４】
なお、光メモリ素子５０の第１小領域５０Ｘは、ＣＣＤ受像機５１に対向する領域としているが、これはＣＣＤ受像機５１によって確実に検出しうる程度の強度を有する散乱光を出射しうる領域をいう。つまり、例えば図１８，図１９に示すように、ドライブ５２に備えられるＣＣＤ受像機５１が、このＣＣＤ受像機５１内に挿入・保持される光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍に対向する位置に配設されている場合には、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍の小領域５０ａが第１小領域５０Ｘとなる。この第１小領域５０Ｘは、１以上の小領域５０ａにより構成される。
【０１４５】
一方、光メモリ素子５０の情報記録領域を構成する第１小領域５０Ｘ以外の領域（第２の領域）に含まれる小領域（第２小領域）５０Ｙから出射される散乱光のうちＣＣＤ受像機２１によって検出される（読み取られる）のは、入射光の光導波方向に対して斜めの方向（入射光の光導波方向に直交する方向に対して斜めの方向）へ出射される散乱光であり、散乱光の強度が小さいため、ＣＣＤ受像機５１によって検出するのが難しく、この結果、光メモリ素子５０の第２小領域５０Ｙに記録されている情報を読み取るのは難しくなる。
【０１４６】
つまり、光メモリ素子５０とＣＣＤ受像機５１との間の間隔（垂直距離）によっても変わるが、再生しようとする情報が記録されている小領域（再生領域）５０ａの位置とＣＣＤ受像機５１の配設位置とが水平方向へ離れすぎていると（マスク５３を通過してＣＣＤ受像機５１によって受光される散乱光の出射角度が急角度になると）、散乱光の強度（パワー）が足りず、ＣＣＤ受像機５１によって読み取られる再生像が暗くなってしまい、再生が困難になる。なお、光メモリ素子５０とＣＣＤ受像機５１との間の間隔（垂直距離）は例えば４〜５ｍｍ程度である。
【０１４７】
例えば、図１８、図１９に示すように、ドライブ５２に備えられるＣＣＤ受像機５１が、このＣＣＤ受像機５１内に挿入・保持される光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍に対向する位置に配設されている場合には、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍以外の部分［データ領域５０Ａの外側部分（外縁側部分）］の小領域５０ａが第２小領域５０Ｙとなる。
【０１４８】
このように、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａを構成する各小領域５０ａから出射される散乱光の強度が中央部又はその近傍と外側部分とで大きく異なる場合には、たとえＣＣＤ受像機５１側で調整を行なったとしても、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａを構成する全ての小領域５０ａから出射される散乱光を確実に検出できるようにするのは難しい。
【０１４９】
そこで、本実施形態では、一の領域（即ち、この領域に設けられるＣＣＤ受像機５１）に対向する第１小領域５０Ｘ以外の第２小領域５０Ｙから出射される散乱光の強度が、第１小領域５０Ｘから出射される散乱光の強度とほぼ同一になるように、光メモリ素子５０の情報用凹凸部５を形成している。
ここでは、第２小領域５０Ｙに形成される情報用凹凸部５の周期と第１小領域５０Ｘに形成される情報用凹凸部５の周期とが異なるように形成することで（情報用凹凸部５を構成する凹凸のピッチをずらすことで）、上記一の領域（ＣＣＤ受像機５１）での第１小領域５０Ｘからの散乱光の強度と第２小領域５０Ｙからの散乱光の強度とがほぼ同一になるようにしている。
【０１５０】
具体的には、第２小領域５０Ｙに含まれる小領域５０ａが第１小領域５０Ｘに対して入射光の光導波方向の上流側に位置する場合には、第２小領域５０Ｙに形成される情報用凹凸部５の周期が、第１小領域５０Ｘに形成される情報用凹凸部５の周期よりも長くなるようにする一方、第２小領域５０Ｙに含まれる小領域５０ａが第１小領域５０Ｘに対して入射光の光導波方向の下流側に位置する場合には、第２小領域５０Ｙに形成される情報用凹凸部５の周期が、第１小領域５０Ｘに形成される情報用凹凸部５の周期よりも短くなるようにする。
【０１５１】
通常、小領域５０ａからの散乱光は光導波方向に対して直交する方向へ所定距離だけ離れた直上の領域（小領域５０ａに対向する領域）で最大の強度となるように構成するが、情報用凹凸部５の周期を変えることで散乱光の出射角度を変えることができるため、これにより、小領域５０ａからの散乱光が直上の領域以外の領域で最大の強度となるようにすることができる。
【０１５２】
上記の構成により、第２小領域５０Ｙからの散乱光の強度が、直上の領域よりも斜め方向に位置する領域の方が大きくなるようにして、第１小領域５０Ｘからの散乱光の強度と第２小領域５０Ｙからの散乱光の強度とがＣＣＤ受像機５１上でほぼ同一になるようにしている。
この場合、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの外側（外縁側）になるほど、ＣＣＤ受像機５１によって読み取ることのできる散乱光は急角度に出射されたものとなり、散乱光の強度が小さくなるため、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部側よりも外側（外縁側）の方が、より急角度で出射された散乱光が最大強度となるように、情報用凹凸部５の周期を段階的に変えるのが好ましい。これにより、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａのどの位置から出射される散乱光の強度もＣＣＤ受像機５１では等しくなるようにすることができ、適正な強度（パワー）の散乱光により形成される再生像をＣＣＤ受像機５１によって確実に読み取ることができるようになる。
【０１５３】
なお、ここでは、第１小領域５０Ｘからの散乱光の強度と第２小領域５０Ｙからの散乱光の強度とがほぼ同一になるようにしているが、これに限られるものではなく、ＣＣＤ受像機５１によって再生像を確実に読み取ることができる程度に第２小領域５０Ｙからの散乱光の強度が大きくなるように、ＣＣＤ受像機５１によって検出される散乱光の出射角度に応じて第２小領域５０Ｙに形成される情報用凹凸部５の周期を異なるものとすれば良い（周期を長く又は短くすれば良い）。
【０１５４】
つまり、一の領域（即ち、この領域に設けられるＣＣＤ受像機５１）に対向する第１小領域５０Ｘ以外の第２小領域５０Ｙから出射される散乱光の強度が、一の領域において所定強度以上になるように第２小領域５０Ｙの情報用凹凸部５を形成すれば良い。ここで、所定強度は、ＣＣＤ受像機５１によって検出可能な強度として設定される。
【０１５５】
ところで、上述のように構成される光メモリ素子５０において、各コア層３（各光導波部材２３２）のデータ領域５０Ａが各コア層３間でずれていると、各コア層３に記録されている情報を再生する際に、各層毎に光メモリ素子５０と、ドライブ５２に設けられるマスク５３の相対位置を調整（微調整）することが必要となり、この結果、データ転送速度が遅くなり、情報を再生するのに時間がかかってしまうことになる。
【０１５６】
このため、光メモリ素子５０に対して一度マスク５３を位置決めしたら、各コア層３に記録されている情報を再生する際にはマスク５３を動かさなくていいように、光メモリ素子５０を作製する際に各コア層３間のアライメントをより精度良く行なっておくのが望ましい。
特に、上述のように構成される光メモリ素子５０において、複数の小領域５０ａの数を増やして多重度を上げる場合には、マスク５３の開口部５３Ａの面積を小さくすることになるため、アライメント精度をより良くすることが重要になる。
【０１５７】
この場合、一つの解決手段として、液晶パネルにより構成されるマスク５３のＯＮ／ＯＦＦできる単位（画素）を小さくして（即ち、解像度を上げて）、この画素単位のＯＮ／ＯＦＦ（開／閉）によって、マスク５３の開口部５３Ａと光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａとのアライメントを調整する方法が考えられる。この方法によれば、マスク５３本体と光メモリ素子５０との相対位置の位置合わせはそれほど精度良く行なわなくても良くなる。
【０１５８】
しかし、液晶パネル５３は、その構造上、画素の周辺領域にＯＮ／ＯＦＦ（開／閉）できない領域（トランジスタなどの駆動部が設けられている領域）がある場合がある。この場合、この領域はアライメント調整に用いることができないため、実際には、この方法によってマスク５３と光メモリ素子５０との相対位置を精度良く調整できるようにするのは困難である。
【０１５９】
そこで、本実施形態では、各コア層３間（特にデータ領域５０Ａ）のアライメントの精度をより良くするために、光メモリ素子５０の製造工程において、光透過性スタンパ１３と積層体２３２との間の位置合わせを精度良く行なえるようにしている。
つまり、本実施形態では、上述の第１実施形態の場合と同様の光メモリ素子の製造方法（フィルム状部材のラミネート方法）によって光メモリ素子５０を作製することで、凹凸パターンが転写される複数のコア材３（又はクラッド材）相互間において、凹凸パターンが転写される領域（凹凸パターン転写領域，データ領域，記録領域）の位置がそろうように、塗布されたコア材３（又はクラッド材）に対する光透過性スタンパ１３の位置合わせ（アライメント）を精度良く行なえるようにしている。
【０１６０】
このため、上述の第１実施形態の場合と同様に、光透過性スタンパ１３の位置合わせを精度良く行なえるため、複数個の光導波部材２３２のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量（設計値からの位置ずれ量）が所定範囲内［例えば±０．２ｍｍ以内（より好ましくは±０．１ｍｍ以内）］の光メモリ素子５０を作製できることになる。このように、本実施形態にかかる光メモリ素子５０は、再生像の位置ずれ量が小さいため、例えばＣＣＤ受像機による再生像の読み取りに支障をきたすことがない。
【０１６１】
次に、上述のように構成される光メモリ素子５０に記録されている情報を再生するドライブ（光メモリ素子用再生装置，光メモリ素子用読取装置）５２について、図１９を参照しながら説明する。なお、図１９ではドライブ５２の主要な構成要素のみを示している。
本実施形態にかかるドライブ５２は、光導波部材２３２に入射光を入射させ、外部へ出射される散乱光を検出することで、光メモリ素子５０に記録されている情報を再生するものであり、図１９に示すように、光メモリ素子５０から出射され、一の領域に結像する散乱光を検出するＣＣＤ受像機（ＣＣＤセンサ，光検出器，受光部）５１と、このＣＣＤ受像機５１に対向する位置に配設され、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａを構成する複数の小領域５０ａのそれぞれから出射される散乱光を選択的に通過（透過）させうるように部分的に開口されるマスク５３とを備えるものとして構成される。
【０１６２】
なお、ドライブ５２は、当然のことながら、光源（再生光源）、この光源からの光（入射光）を光メモリ素子５０を構成する光導波部材２３２のコア層３に入射させるための集光部（集光レンズ）、ＣＣＤ受像機５１により検出された信号を処理する信号処理部（画像処理部）等も備えられている。
そして、光メモリ素子５０に記録されている情報を再生する際には、光源からの入射光を、光メモリ素子５０を構成する光導波部材２３２のコア層３の幅方向の全長にわたって延びるように成形し、集光部によって入射端面（例えば９０度入射端面や４５度入射端面）の再生しようとする情報が記録されている光導波部材（再生光導波部材）２３２のコア層部分に集光させて入射させて、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの全面から散乱光を出射させ、再生しようとする情報が記録されている小領域（再生小領域）５０ａの位置に応じてマスク５３を部分的に開口させて開口部５３Ａとし、この開口部５３Ａを通過した散乱光のみをＣＣＤ受像機５１によって検出することで、再生しようとする小領域５０ａに記録されている情報を再生するようになっている。
【０１６３】
ここでは、ＣＣＤ受像機５１は、光メモリ素子５０の所望のデータ（情報）を記録するデータ領域５０Ａの面積（例えば１ｃｍ角〜２ｃｍ角程度）よりも小さい面積（例えば５ｍｍ角〜１ｃｍ角程度）の受光領域（受光面積）を有するものとしている。
このＣＣＤ受像機５１は、図１８，図１９に示すように、ドライブ５２内に挿入・保持される光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍に対向する位置に配設される。このため、第１小領域５０Ｘは、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍に位置する小領域５０ａにより構成され、第２小領域５０Ｙは、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍以外に位置する小領域［中央部又はその近傍の外側部分（外縁側部分）に位置する小領域］５０ａによって構成される。
【０１６４】
なお、ここではＣＣＤセンサ５１を用いているが、これに限られるものではなく、例えばＣＭＯＳセンサ等を用いても良い。
マスク５３は、ドライブ５２内に挿入・保持された光メモリ素子５０とＣＣＤ受像機５１との間に位置する。このマスク５３のサイズは、光メモリ素子５０（光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａ）の略全域をカバーしうるものとされる。
【０１６５】
ここでは、マスク５３は例えば液晶パネル等により構成される。このようにマスク５３を液晶パネルにより構成すれば、一般に、液晶パネルの一画素の大きさは光メモリ素子５０の小領域５０ａの大きさよりも十分に小さいため、例えば再生しようとする小領域５０ａの大きさ、マスク５３と光メモリ素子５０との間の間隔、アライメント等を考慮して、マスク５３の開口部５３Ａの大きさを任意に調整できることになる。
【０１６６】
本実施形態では、複数の小領域５０ａのいずれか一の領域から出射される散乱光のみを通過させうるように、マスク５３を部分的に開口させて開口部５３Ａとするようになっている。
このため、ドライブ５２には、再生しようとする小領域５０ａの位置に応じてマスク５３と部分的に開口させて開口部５３Ａとする制御（開口制御）を行なう制御部が備えられている。
【０１６７】
ここでは、図１９に示すように、再生しようとする情報が記録されている小領域５０ａに対向する位置（小領域５０ａの真上又は真下の位置）でマスク５３を部分的に開口させて開口部５３Ａとする。
ところで、本実施形態にかかる光メモリ素子５０は、上述の第１実施形態における光メモリ素子の製造方法と同じ方法によって作製されるため、光メモリ素子５０を構成する複数個の光導波部材２３２のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量を小さく（例えば±０．２ｍｍ以内）することができる。
【０１６８】
このため、上述のように構成される本実施形態にかかる光メモリ素子５０の再生装置としてのドライブ５２は、光メモリ素子５０に記録されている情報の再生開始前にのみ、光メモリ素子５０とマスク５３の相対位置を調整するようになっている。この場合、マスク５３に対して光メモリ素子５０の位置を動かして、これらの相対位置を調整するようにしても良いし、光メモリ素子５０に対してマスク５３の位置を動かして、これらの相対位置を調整するようにしても良い。なお、このように光メモリ素子５０やマスク５３の位置を動かして、これらの相対位置を調整するドライブ５２の機能（例えば位置調整機構，制御部等からなる）を位置調整部という。
【０１６９】
次に、上述のように構成される光メモリ素子５０の再生方法、即ち、光メモリ素子用再生装置の再生動作について説明する。
まず、例えば図２０（Ａ）に示すように、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍に位置する一の小領域５０ａａ（第１小領域５０Ｘに含まれる小領域５０ａ）に記録されている情報を再生する場合、この一の小領域５０ａａに対向する位置（ここでは真上の位置）でマスク５３が開口されるように、マスク５３の中央部又はその近傍に位置する一の領域が開口部５３Ａとされる。
【０１７０】
また、例えば図２０（Ｂ）に示すように、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍に位置する他の小領域５０ａｂ（第１小領域５０Ｘに含まれる小領域５０ａ）に記録されている情報を再生する場合、この他の小領域５０ａｂに対向する位置（ここでは真上の位置）でマスク５３が開口されるように、マスク５３の中央部又はその近傍に位置する他の領域が開口部５３Ａとされる。なお、図２０（Ａ），（Ｂ）では、光メモリ素子５０に記録されている情報を拡大再生する場合を示している。
【０１７１】
これにより、光メモリ素子５０の情報用凹凸部５で散乱した散乱光のうち、主に入射光の光導波方向に対して直交する方向へ出射される光がマスク５３の開口部５３Ａを通過するため、この散乱光が結像して形成される再生像がＣＣＤ受像機５１によって確実に読み取られることになる。
一方、例えば図２１に示すように、光メモリ素子５０のデータ領域５０Ａの中央部又はその近傍以外の外側部分（外縁側部分）に位置する小領域５０ａｃ（第２小領域５０Ｙに含まれる小領域５０ａ）に記録されている情報を再生する場合、この小領域５０ａｃに対向する位置（ここでは真上の位置）でマスク５３が開口され、マスク５３の中央部又はその近傍以外の外側部分（外縁側部分）に位置する領域が開口部５３Ａとされる。
【０１７２】
これにより、光メモリ素子５０の情報用凹凸部５で散乱した散乱光のうち光導波方向に対して斜めの方向へ出射される光のみがマスク５３の開口部５３Ａを通過し、この散乱光が結像して形成される再生像がＣＣＤ受像機５１によって読み取られる。
ところで、本実施形態にかかる光メモリ素子５０は、上述の第１実施形態における光メモリ素子の製造方法と同じ方法によって作製されるため、光メモリ素子５０を構成する複数個の光導波部材２３２のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量を小さく（例えば±０．２ｍｍ以内）することができる。
【０１７３】
このため、本実施形態にかかる光メモリ素子５０の再生方法では、光メモリ素子５０に記録されている情報の再生開始前にのみ、光メモリ素子５０とマスク５３の相対位置を調整するようになっている。この場合、マスク５３に対して光メモリ素子５０の位置を動かして、これらの相対位置を調整するようにしても良いし、光メモリ素子５０に対してマスク５３の位置を動かして、これらの相対位置を調整するようにしても良い。
【０１７４】
したがって、本実施形態にかかる光メモリ素子の再生装置（方法）によれば、光メモリ素子５０を構成する複数個の光導波部材２３２のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量が小さい多重再生用の光メモリ素子５０に記録されている情報を再生するのに、情報再生開始前に光メモリ素子５０に対して一度マスク５３を位置決めしたら、各コア層３に記録されている情報を再生する際にはマスク５３を動かさなくて良くなる。
【０１７５】
つまり、本実施形態にかかる光メモリ素子の再生装置（方法）によれば、情報再生開始前にアライメントマークを用いて１回だけ光メモリ素子５０とマスク５３との相対的な位置を合わせておけば、各層に記録されている情報を再生する際に、各層毎に光メモリ素子５０とマスク５３との相対位置を調整する必要がなくなり、光メモリ素子５０の各層に記録されている情報を再生する際の制御を簡単化することができる。この結果、光メモリ素子５０に記録されている情報を再生する際に、データ転送速度が遅くならないようにすることができ、情報を再生するのにかかる時間を短くすることができるという利点がある。
（その他）
また、上述の各実施形態では、本発明のラミネート方法を、光メモリ素子４，５０を作製する場合に適用しているが、これに限られるものではなく、本発明は、樹脂フィルムなどのフィルム状部材を被貼着部材上にラミネートする場合であって、正確に位置合わせを行なう必要がある場合に一般的に適用することができる。この場合、フィルム状部材のラミネート方法は、樹脂材を塗布する塗布工程と、塗布された樹脂材上にフィルム状部材をラミネートするラミネート工程と、樹脂材を硬化させる硬化工程とを含み、ラミネート工程においてフィルム状部材をラミネートした後であって、硬化工程において樹脂材を硬化させる前に、フィルム状部材の位置合わせを行なうようにする。
【０１７６】
なお、上述の各実施形態では、ラミネート工程において、貼着ロール３４を用いてフィルム状部材３０をラミネートするようにしているが、これに限られるものではなく、例えば、エアバッグを用いてフィルム状部材３０をラミネートすることもできる。この場合、エアバッグを徐々に膨らませていくことで、フィルム状部材３０と被貼着部材３２の表面上に塗布されたコア材３Ｘａ，３，３Ｘｃ（又はクラッド材）とが貼着している部分（貼着領域）を徐々に増やしていくことで、気泡が入らないようにしながら、フィルム状部材３０をラミネートすることになる。
【０１７７】
【実施例】
［実施例１］
（ａ）工程
表面に画像情報に応じた凹凸形状を有する、金属ニッケルからなるスタンパ上に、クラッド材であるアクリル系紫外線硬化樹脂（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、５μｍ厚のクラッド層を形成した。
【０１７８】
このクラッド層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなるコア材（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、アライメントマーク（ここでは十字マーク；図６参照）を２箇所に印刷した厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ＪＳＲ社製，屈折率ｎ＝１．５１）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着（ラミネート）した。
【０１７９】
この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成し、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。
そして、スタンパからクラッド層とコア層とアートンフィルムとを一体に分離し、アライメントマークを有する光透過性スタンパを作製した。
（ｂ）工程
次に、ガラス基板上にクラッド材であるアクリル系紫外線硬化樹脂（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、５μｍ厚のクラッド層を形成した。
【０１８０】
このクラッド層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなるコア材（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、アライメントマークを２箇所に印刷した厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ジェイエスアール社製）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。そして、この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ２照射して、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。
【０１８１】
なお、アライメントマークは、光透過性スタンパに印刷されたアライメントマークと合わせることで、光透過性スタンパの位置合わせに用いるマークであり、ここでは十字マーク（図６参照）を用い、基体としてのアートンフィルム部材の両端側の２箇所に設けた。
（ｃ）工程
このフィルム部材上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなるコア材（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、紫外線を２４００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成した。
【０１８２】
その上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなるクラッド材（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布し、光透過性スタンパを、フィルム部材上にてクラッド材に触れないように保持しながら、光透過性スタンパに印刷されたアライメントマークと、ガラス基板上のフィルム部材に印刷されたアライメントマークとが合わさるように位置を調整した後、転写面がクラッド材に接する向きに、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。
【０１８３】
このようにして貼着した後、再び、アライメントマーク同士がずれていることが観察されたため、これらを合わせるように、光透過性スタンパの位置を調整した。
この上から、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射して、クラッド層を部分的に不完全に硬化（一部不完全硬化）させた後、光透過性スタンパのみを剥離した。その後、さらに紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ２照射して、クラッド層を完全に硬化させた。この結果、１５μｍ厚のクラッド層が形成された。
【０１８４】
このクラッド層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなるコア材（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、紫外線を２４００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、１．８μｍ厚のコア層を形成した。なお、形成したコア層，クラッド層の屈折率はそれぞれ１．５２，１．５１であった。
以後、この（ｃ）工程を２０回繰り返すことにより、コア／クラッド部材（光導波部材）が２０個積層された多層構造の積層体を作製した。
（ｄ）工程
次に、クラッド材であるアクリル系紫外線硬化樹脂（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させ、１５μｍ厚のクラッド層を形成した。このクラッド層上に、アクリル系紫外線硬化樹脂からなるコア材（屈折率ｎ＝１．４９）を塗布した後、厚さ１００μｍのアートンフィルム部材（ジェイエスアール社製）を、ゴムローラで圧着しながら、ゆっくりと貼着した。
【０１８５】
この上から紫外線を８００ｍＪ／ｃｍ２照射して、フィルム部材をコア／クラッド層と接着した。
最後に、ガラス基板から、アートンフィルムに挟まれた２０層構造の多層積層体を剥離し、光メモリ素子を作製した。
（ｅ）工程
これを、ダイシングソーを用いて、縦約２ｃｍ、横約３ｃｍの大きさに切断し、このサンプルの所定の方向からレーザ光を導入して評価を行った。レーザ光は、波長が６８０ｎｍ、強度が約５ｍＷの半導体レーザとし、レンズを組み合わせて、光束を縦５μｍ、横約１ｃｍに絞って、この光束がコア層に入るように調整を行った。
【０１８６】
そして、各層の出力位置を測定したところ、全部の層の出力位置のずれは±０．１ｍｍの範囲内に入っていることが分かった。
［比較例］
上述の（ｃ）工程において、光透過性スタンパを貼着した後に位置の微調整を行なわなかったこと以外は上述の実施例１と同じ条件で、光メモリ素子を作製した。
【０１８７】
このサンプルを実施例１と同様に評価したところ、各層の出力位置のずれは±０．３ｍｍの範囲内に入ってはいるものの、±０．２ｍｍの範囲よりも大きいことが分かった。
【０１８８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の光メモリ素子の製造方法によれば、凹凸パターンが転写される複数のクラッド材又はコア材相互間において、凹凸パターンが転写される領域（凹凸パターン転写領域，データ領域，記録領域）の位置がそろうように、塗布されたクラッド材又はコア材に対する屈曲性スタンパの位置合わせ（アライメント）を精度良く行なえるという利点がある。
【０１８９】
また、本発明の光メモリ素子によれば、再生像の位置ずれ量が±０．２ｍｍ以内となり、再生像の位置ずれ量を小さくすることができるため、例えばＣＣＤ受像機による再生像の読み取りに支障をきたさないようにすることができるという利点がある。
さらに、本発明の光メモリ素子の再生装置（方法）によれば、光メモリ素子を構成する複数個の光導波部材のそれぞれから出射される再生像の位置ずれ量が小さい多重再生用の光メモリ素子に記録されている情報を再生するのに、情報再生開始前に光メモリ素子とマスクとの相対位置を調整しておくだけで、各層毎に光メモリ素子とマスクとの位置合わせを行なう必要がないため、光メモリ素子の各層に記録されている情報を再生する際の制御を簡単化することができ、この結果、光メモリ素子に記録されている情報を再生する際に、データ転送速度が遅くならないようにし、情報を再生するのにかかる時間を短くすることができるという利点がある。
【０１９０】
また、本発明のフィルム状部材のラミネート方法によれば、樹脂フィルム等のフィルム状部材をラミネートするラミネート工程を含む場合に、フィルム状部材の位置決めを精度良く行なえるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるアライメント工程を説明するための模式図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるアライメント工程の一例を説明するための模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるアライメント工程の他の例を説明するための模式図である。
【図４】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるアライメント工程の他の例を説明するための模式図である。
【図５】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるアライメント工程の他の例を説明するための模式図である。
【図６】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法において用いられるアライメントマークの一例を説明するための模式図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の第１実施形態の変形例にかかる光メモリ素子の製造方法におけるアライメント工程を説明するための模式図である。
【図８】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の全体構成を説明するための模式図である。
【図９】本発明の第１実施形態にかかる光透過性スタンパの全体構成を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態にかかる光透過性スタンパの製造方法を示す模式的断面図であって、（Ａ）はクラッド層及びコア層を形成する工程、（Ｂ）は樹脂フィルムを接着する工程、（Ｃ）は光透過性スタンパを剥離（分離）する工程、（Ｄ）はオーバキュア処理を行なう工程をそれぞれ示している。
【図１１】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法を示す模式的断面図であって、（Ａ）は光メモリ素子作製用ベース基板上に樹脂フィルムを接着する工程、（Ｂ）は樹脂フィルム上にコア層を形成する工程、（Ｃ）はコア層上にクラッド層及びコア層を形成する工程、（Ｄ）は光透過性スタンパから凹凸パターンを転写する工程、（Ｅ）は光透過性スタンパを剥離（分離）する工程をそれぞれ示している。
【図１２】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法により製造される光メモリ素子の全体構成を示す模式的断面図であって、（Ａ）は光メモリ素子作製用ベース基板上に形成した状態、（Ｂ）は光メモリ素子作製用ベース基板から剥離（分離）した状態をそれぞれ示している。
【図１３】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるラミネート工程の一例を説明するための模式図である。
【図１４】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるラミネート工程の他の例を説明するための模式図である。
【図１５】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるラミネート工程の他の例を説明するための模式図である。
【図１６】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるラミネート工程の他の例を説明するための模式図である。
【図１７】本発明の第１実施形態にかかる光メモリ素子の製造方法におけるラミネート工程を説明するための模式図である。
【図１８】本発明の第２実施形態にかかる光メモリ素子の全体構成を示す模式的斜視図である。
【図１９】本発明の第２実施形態にかかる光メモリ素子用再生装置の構成を説明するための模式的斜視図である。
【図２０】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２実施形態にかかる光メモリ素子の再生方法を説明するための模式図である。
【図２１】本発明の第２実施形態にかかる光メモリ素子の再生方法を説明するための模式図である。
【図２２】従来の光メモリ素子の動作原理を説明するための模式的斜視図である。
【符号の説明】
１　金属製スタンパ（硬質スタンパ）
２　クラッド層（クラッド材）
２Ｘ　クラッド層（接着層）
３　コア層（コア材，記録層，光導波路）
３Ｘａ，３Ｘｂ，３Ｘｃ　コア層（接着層）
２３２　光導波部材（１層分の光メモリ素子，積層体）
４，４′，５０　光メモリ素子（スラブ型光導波路デバイス）
５，５′　樹脂フィルム（基体、薄膜基体）
６　情報用凹凸部
７　入射端面
１０　クラッド層（クラッド材，スタンパ層）
１１　コア層（コア材，接着層，接着剤）
１２　樹脂フィルム（基体，基体層）
１３　光透過性スタンパ（光メモリ素子作製用スタンパ，屈曲性スタンパ）
２１　光メモリ素子作製用ベース基板（ベース材）
３０　フィルム状部材
３１　送りロール
３２　被貼着部材
３３　ステージ
３４　貼着ロール
３５　ボックス状部材
３６　メッシュシート
３７　フィルム固定用治具
３８　真空吸着ヘッド
３９　基板
４０　樹脂層（樹脂材，接着層，接着材）
４５　真空吸着盤
４６　位置調整用ロール
４７　孔
４８　ピン
４９　アライメントマーク
５０Ａ　データ領域（情報記録領域）
５０ａ，５０ａａ，５０ａｂ，５０ａｃ　小領域
５０Ｘ　第１小領域
５０Ｙ　第２小領域
５１　ＣＣＤ受像機
５２　ドライブ（光メモリ素子用再生装置）
５３　マスク（液晶パネル）
５３Ａ　開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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