(57)【要約】      （修正有）【課題】ヘテロエピタキシ用のコンプライアント基板と、ヘテロエピタキシャル構造と、ヘテロエピタキシ用のコンプライアント基板を製造する方法を提供する。【解決手段】コンプライアント基板１は、キャリア基板２と、埋込層３と、単結晶の最上層４とを含み、埋込層３は上記キャリア基板２と最上層４との間にあり、最上層の領域及び／又は上記埋込層と上記最上層との間の界面の又はその近傍の領域５が弱められる。【選択図】  図１
2004343046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロエピタキシのためのコンプライアント基板（１）であって、
キャリア基板（２）と、
埋込層（３）と、
単結晶の最上層（４）と
を備え、
前記埋込層（３）が前記キャリア基板（２）と前記最上層（４）との間にあり、前記埋込層（３）と前記最上層（４）との間の界面（６）での又はその近傍での領域（５）、及び／又は、前記最上層（４）の領域（１３）が脆弱化されている、基板。
【請求項２】
前記脆弱化された領域が注入された種（１１）を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記注入された種（１１）が水素又は希ガスを含むグループから選択されることを特徴とする請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記埋込層（３）がアモルファス及び／又は多孔質の層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記埋込層（３）が二酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記最上層（４）が約２０ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
ヘテロエピタキシャル構造（７）であって、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のコンプライアント基板（１）と、
前記最上層（４）上に設けられた第２の単結晶のエピタキシャル層（８）と
を備え、
前記第２の層（８）の格子定数が上記最上層（４）の格子定数と異なる、ヘテロエピタキシャル構造。
【請求項８】
ヘテロエピタキシのためのコンプライアント基板（１）を製造する方法であって、
キャリア基板（２）と単結晶の最上層（４）との間に埋込層（３）を有する基本構造を製造するステップと、
前記埋込層（３）と前記最上層（４）との間の界面（６）での又はその近傍の領域（５）、及び／又は、前記最上層（４）の領域（１３）を脆弱化するステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記脆弱化するステップが前記領域（５）及び／又は前記領域（１３）に種（１１）を注入するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記注入された種（１１）の最大濃度が前記埋込層（３）と前記最上層（４）との間の前記界面（６）に又はその近傍に実質的にあるよう、前記注入するステップで注入される前記種のエネルギー及び／又は深さが調整されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記注入された種（１１）のドーズが約３×１０１６ｃｍ−２であることを特徴とする請求項９〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記注入するステップが厚い最上層（４ａ）を貫通して行われ、当該方法が前記最上層（４ａ）を薄くするステップを更に含むことを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記薄くするステップが前記最上層（４）の酸化及び／又はエッチングを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記脆弱化するステップに先立ち少なくとも１つの補助の層（９）が前記最上層（４）に設けられることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記補助の層（９）を設けるステップが二酸化ケイ素層を堆積するステップを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基本構造を製造するステップが絶縁体上シリコン構造（１０、１０ａ）を製造するステップを含むことを特徴とする請求項８〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記最上層（４）に第２の単結晶のエピタキシャル層（８）を設けるステップを更に含み、
前記堆積された第２の層（８）の格子定数が前記最上層（４）の格子定数とは異なり、結果としてヘテロエピタキシャル構造（７）がもたらされることを特徴とする請求項８〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記領域（５）及び／又は前記領域（１３）に対する前記脆弱化するステップの後に、前記最上層（４）に前記第２の単結晶のエピタキシャル層（８）が設けられることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ヘテロエピタキシャル構造（７）をアニーリング処理するステップを更に含むことを特徴とする請求項１７又は１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘテロエピタキシのためのコンプライアント基板（ｃｏｍｐｌｉａｎｔ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）、ヘテロエピタキシャル構造、及びヘテロエピタキシのためのコンプライアント基板を製造する方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンプライアント基板とは、基板と異なる格子定数の材料のヘテロエピタキシャル成長に起因するひずみに対応するように設計されたタイプの基板である。
【０００３】
国際公開第９９／３９３７７号パンフレットには、シリコンウェーハへの水素イオン注入により生成されている微小空洞（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｉｅｓ）の層をウェーハの深さの非常に浅いところに持つシリコンウェーハからなるコンプライアント基板が記載されている。注入された領域の上に形成された薄いシリコン層が、その上にヘテロエピタキシャル層を堆積可能なコンプライアント層として働く。
【０００４】
国際公開第９９／３９３７７号パンフレットは更に、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ−ｏｎ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：絶縁体上シリコン）構造を用いＳＯＩ構造の上部のヘテロエピタキシにコンプライアンス効果をもたらす先行技術にも言及している。ＳＯＩ基板の十分なコンプライアンスを達成するためには、高温での熱処理及び／又はＳＯＩ基板のＳｉＯ２層へのホウ素や燐光体の注入などの幾つかの更なる工程ステップが必要であるので、ＳＯＩ構造のコンプライアント基板としての利用が推奨されていないことは明らかである。特に、熱処理はエピタキシャル層とは相容れないことが多いので、十分なコンプライアンスが提供できない。
【発明の開示】
【０００５】
上記のアプローチは両方とも、応力の小さい高品質のヘテロエピタキシャル層を個々の基板に生産するに十分なコンプライアンスを提供できない。
【０００６】
従って本発明の目的は、欠陥率をかなり抑え高再生率かつ高効率でヘテロエピタキシャル層をコンプライアント基板の上に乗せることを可能にするコンプライアント基板とヘテロエピタキシャル構造とコンプライアント基板を提供する方法とを提供することである。
【０００７】
上記目的はヘテロエピタキシのためのコンプライアント基板により解決され、このコンプライアント基板は、キャリア基板と、埋込層と、単結晶の最上層とを含み、埋込層はキャリア基板と最上層との間にあり、埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の領域、及び／又は、最上層の領域が脆弱化されている。
【０００８】
本発明の基板は、前記界面での又はその近くの脆弱化された領域により、最上層と埋込層との間に非常に良好なすべり性と、その間に埋込層によるキャリア基板からの良好な分離性とを与える。これにより、コンプライアント基板上でのエピタキシャル層の応力の低い成長が高効率で可能になる。本発明の基板は、最上層の上部に比較的厚く、しかも緩和（リラクセーション化）されたヘテロエピタキシャル層を備えたヘテロエピタキシャル構造の生産を可能にする。
【０００９】
先行技術とは対照的に、本発明のコンプライアント基板は新しい特性の応力適合を提供する。特に、脆弱化された層が非常に高いコンプライアンス効果をもたらすことができるよう、埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の領域は非常に脆弱化され得ることが分かった。
【００１０】
上記効果は、最上層の領域を脆弱化するステップにより更に達成されたり改善されたりする。この脆弱化領域はコンプライアント基板の上部の非常に近くに設けられることができ、これによってコンプライアント基板の上部のヘテロエピタキシャル層の品質によりよい効果を与えることが可能になる。界面での又はその近傍の脆弱化領域に加えて最上層の脆弱化領域も作用する場合に、コンプライアント基板上でヘテロエピタキシャル層のほぼ完全な成長が達成できる。
【００１１】
本発明の一実施形態によれば、脆弱化領域は注入された種（ｓｐｅｃｉｅｓ）を含んでいる。これらの種は、簡単な方法で、埋込層と最上層との間に良好なすべり特性を与える損傷や微小空洞を当該領域にもたらすことができる。種は特に界面での又はその近傍の領域で十分にゲッターで除かれ、かかる種を含む領域を非常に薄くすることができ、その結果としてコンプライアント基板と、この基板の上部のヘテロエピタキシャル層との間のコンプライアンス効果を向上させることができる。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態では、注入された種が水素又は希ガスを含むグループから選択される。希ガスは元素の周期表の第８主族元素の元素であり、例えばヘリウムを含む。これらの種は高効率かつ高精度で注入可能であり、よって埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の損傷及び／又は最上層の損傷の深さ及び量を予め決定することが可能となる。
【００１３】
本発明の望ましい実施の形態によれば、埋込層はアモルファス及び／又は多孔質の層であり、かかる層は埋込層と最上層との間の粘着力を低下させ、結果としてその間のすべり性を高める。
【００１４】
本発明の変形態様として、埋込層は二酸化ケイ素を含むものがある。この材料は、キャリア基板上に効率的に設けられることができ、更に、例えばシリコンを含む最上層に対する良好な分離特性として設けられることができる。
【００１５】
任意であるが、最上層は約２０ｎｍ未満の厚さを持つ。この薄い層は、最上層の上部でのヘテロエピタキシャル層の緩和された成長に特に適している。
【００１６】
本発明の課題は、更に、ヘテロエピタキシャル構造により解決される。このヘテロエピタキシャル構造は、請求項１乃至６のうち少なくとも１つのコンプライアント基板と、最上層の上部の第２の単結晶のエピタキシャル層とを備え、第２の層の格子定数が最上層及び／又は最上層の領域の格子定数と異なる。
【００１７】
ヘテロエピタキシャル構造は最上層の上に均一で小さい応力のエピタキシャル層を提供するものであり、ヘテロエピタキシャル層は最上層に対し比較的厚くされる。第３の層と最上層との間の脆弱化領域により、埋込層と最上層との間の界面に良好なすべり性がもたらされ、第２のエピタキシャル層を殆ど欠陥無く成長させることができる。これにより、ヘテロエピタキシャル構造が非常に良好な電子特性を備えることになり、当該構造は比較的簡単でしかも効率的な方法で生産できる。
【００１８】
更に、本発明の目的は、ヘテロエピタキシのためのコンプライアント基板を製造する方法により達成され、この方法は、キャリア基板と単結晶の最上層との間に埋込層を持つ基本構造を製造するステップと、埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の領域、及び／又は、最上層の領域を脆弱化するステップとを含む。
【００１９】
本発明の方法により、埋込層と最上層との間の界面に又はその近傍に及び／又は最上層の脆弱化領域に良好なすべり性を提供可能なコンプライアント基板が生産可能であり、結果として最上層の上にヘテロエピタキシャル層が小さい応力で成長することになる。本方法は次の利点を有する。すなわち、キャリア基板と埋込層と単結晶の最上層とを有する単純な構造が使用可能で、容易な脆弱化ステップが続き、結果として、ヘテロエピタキシャルに利用するための高品質のコンプライアント基板を高生産率で製造することかできるのである。
【００２０】
特定の実施の形態によれば、脆弱化ステップが埋込層と最上層との間の界面に又はその近くに、及び／又は、最上層の領域に種を注入するステップを含む。この方法では、上記の領域（単数又は複数）は非常に正確に効率よく脆弱化することができる。特に、微小空洞が予め画成可能な方法で上記ステップにより生成されることができ、特に良好に脆弱化の効果がもたらされる。この方法の非常に良好な効果として、特に、埋込層と最上層との間の界面の近くの領域に注入された種は上記界面の又はその近傍の比較的薄い領域でゲッターにより除かれ、結果として、製造されるコンプライアント基板のコンプライアンスが改善される。
【００２１】
本発明の更なる好ましい実施形態では、上記注入された種の最大濃度が埋込層と最上層との間の界面に又はその近傍に実質的にあるよう、上記注入ステップで注入された上記種のエネルギー及び／又は深さが調整される。この方法により、特に埋込層と最上層との間の界面が弱められ、結果として、埋込層と最上層との間のすべり効果が高められる。
【００２２】
本発明の特定の実施の形態では、上記注入された種のドーズ量が約３×１０１６ｃｍ−２である。かかるドーズ量は良好に脆弱化を行う効果を備えながらも注入構造のふくれを防止する。
【００２３】
本発明の変形態様として、注入ステップが厚い最上層を貫通して行われ、上記方法が最上層を薄くするステップを更に含む。厚い最上層を貫通して注入を行うステップは、注入ステップで特に埋込層と最上層との間の界面が種を供給されるよう、規定された領域内に対象が設定されてもよい。注入ステップの後に行われる薄くするステップにより、埋込層上でより良好に滑ることのできる薄い最上層がもたらされ、結果として、最上層とヘテロエピタキシャル層との間の格子不整合がより良好に吸収される。
【００２４】
薄くするステップが上記最上層の酸化及び／又はエッチングを含むことが有効である。この方法により、埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の脆弱化領域への影響が小さな状態で、最上層の厚みを薄くすることができる。
【００２５】
望ましくは、上記脆弱化ステップに先立ち、少なくとも１つの補助の層が最上層に設けられる。このことにより、最上層の厚みが少なくても埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の領域を精密に脆弱化するステップが達成できる。補助の層には、最上層から容易に除去できるよう選択できるという利点がある。
【００２６】
本発明の特定の実施の形態によれば、補助の層を設けるステップが二酸化ケイ素層を堆積するステップを含む。二酸化ケイ素層は容易に最上層へともたらされることが可能で且つ容易に除去されることも可能である。特にこの層を貫通して注入を行うステップは容易に行われ、埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の領域を精密に脆弱化するステップが可能とされる。
【００２７】
上記基本構造を製造する上記ステップが絶縁体上シリコン構造を製造するステップを含んでもよい。この構造にはシリコンと絶縁体層との間に界面があり、この界面は、絶縁体上にシリコン構造を基礎としてコンプライアント基板が非常に効率的な方法で製造できるよう、例えば注入ステップにより容易に弱められうる。
【００２８】
本発明の有利な実施形態では、本方法は最上層に第２の単結晶のエピタキシャル層を設けるステップを更に含むもので、堆積された第２の層の格子定数が最上層の格子定数とは異なり、結果としてヘテロエピタキシャル構造がもたらされる。かかるヘテロエピタキシャル構造は、最上層の上に殆ど欠陥の無い第２のエピタキシャル層を備えた状態で製造可能であり、第２の層は効率的で容易に再生される方法で相対的に大きい厚みを備えて生産可能である。
【００２９】
また、埋込層と最上層との間の界面での又はその近傍の領域、及び／又は、最上層の領域への上記脆弱化ステップの後に、最上層に第２の単結晶のエピタキシャル層が設けられることが更に有効である。この工程の順序を用いることで、第２の単結晶のエピタキシャル層は殆ど欠陥なく形成され、結果として、高品質のヘテロエピタキシャル構造がもたらされる。
【００３０】
本発明の更なる実施の形態では、上記方法がヘテロエピタキシャル構造をアニール処理するステップを更に含む。これにより、第２の結晶のエピタキシャル層はコンプライアント基板の上で良好に緩和される。
【００３１】
本発明の好ましい実施の形態が、図面の図に示されており、以下に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
図１は、本発明の実施の形態に係るコンプライアント基板１の側面図を概略的に示す。コンプライアント基板１にはキャリア基板２があり、このキャリア基板２は、例えばシリコンからなり、数マイクロメートル〜数百マイクロメートルの厚さがある。シリコンの代わりに、当該分野で既知の他の任意の材料がキャリア基板材料として使用されてもよい。
【００３３】
キャリア基板２は埋込層３で覆われている。望ましくは、埋込層３は、絶縁体層などのアモルファス及び／又は多孔質の層である。図示の実施の形態では、埋込層３は、二酸化ケイ素からなり、およそ数十ナノメートル〜数百ナノメートルの厚さがある。本発明の図示しない更なる実施の形態では、埋込層３は、ＳｉＯ２に加えて又はその代わりに、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＨＦＯ２若しくはＳｒＴｉＯ３、又は、これらの材料のうち少なくとも２種類の組み合わせからなっていてもよい。
【００３４】
埋込層３の上には、単結晶の最上層４がある。図１では、単結晶の最上層４は薄いシリコンの層である。本発明の他の図示しない例では、最上層４は、シリコンに加えて又はその代わりに、ＧｅＳｉや、サファイアや、ＧａＡｓやＩｎＰやＧａＮのようなＡＩＩＩＢＶ‐材料や、上記の材料のうち少なくとも２種類の組み合わせなどの、別の材料からなっていてもよい。望ましくは、シリコン層４は厚みがおよそ数十ナノメートル以下の超薄型の層である。図１を参照すると、シリコン層４の厚みは２０ｎｍ未満である。シリコンの代わりに、埋込層３の材料とは異なる他の任意の材料が単結晶の最上層４として用いられてよい。
【００３５】
最上層４と埋込層３との間には界面６がある。界面６での領域５又はその近傍の領域５では、材料が脆弱化されている。図１に一点鎖線同士の間の領域１３で示されているように、領域５に加えて又はその代わりに領域１３が、上記領域に種を注入されることで脆弱化されてもよい。
【００３６】
図示の実施の形態においては、脆弱化された領域５には、好ましくは、当該領域５に含まれる注入された種（図示せず）により生成された損傷又は微小空洞の層を含む。注入された種は水素からなるものでもよいしヘリウムなどの希ガスからなるものでもよい。
【００３７】
明確には示していないが、領域５及び／又は領域１３は、この領域（又はこれらの領域）の安定性に影響を及ぼすに適した利用可能な種類の方法ならば、どのような方法で脆弱化されてもよい。
【００３８】
最上層４は、当該最上層４と埋込層４との異なる材料特性のために、加えて、最上層４と埋込層３との間のすべり効果を高める脆弱化領域５のために、埋込層３上ですべり又は摺動を起こすことができる。
【００３９】
図２は、本発明の実施の形態に係るヘテロエピタキシャル構造７の側面図を概略的に示す。ヘテロエピタキシャル構造７は、図１のコンプライアント基板１のようなコンプライアント基板１を含んでいる。図１に関して詳細に述べたように、コンプライアント基板１には、キャリア基板２と、埋込層３と、単結晶の最上層４とがあり、最上層４と埋込層３との間には埋込層３と最上層４との間の界面６での又はその近傍の脆弱化領域５を備える。これらの層や領域の特徴は図１を参照して説明したものと同様である。
【００４０】
図２では、最上層４の上部に第２の単結晶のエピタキシャル層８がある。第２の単結晶のエピタキシャル層８は最上層４の格子定数とは異なる格子定数を持つ。例えば、第２の層８は、ゲルマニウム濃度がおよそ２０％から６０％のＧｅＳｉ層などのＧｅＳｉ層であってもよいし、ＧａＡｓやＩｎＰやＧａＮのようなＡＩＩＩＢＶ半導体層であってもよい。第２の層８の厚みは数百ナノメートルでよい。
【００４１】
図３〜図５は、本発明の方法の第１の実施の形態による当該発明の方法の典型的な処理の流れを概略的に示す。図３に示される第１のステップによれば、絶縁体上シリコン構造１０すなわちＳＯＩ構造が製造される。絶縁体上シリコン構造１０の製造は、例えばＳＩＭＯＸによりなされてもＳｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術によりなされてもよく、その結果、例えばシリコンのキャリア基板２で構成される基板がもたらされ、キャリア基板２は、上部にシリコンの単結晶の最上層４を持つ二酸化ケイ素からなる埋込層３により覆われる。図１に示されるように、最上層４と埋込層３とはその間に界面６を形成する。
【００４２】
図４は、二酸化ケイ素の層などの補助の層９が最上層４上に堆積される更なるステップの後の図３の絶縁体上シリコン構造を示す。補助の層９として、二酸化ケイ素の代わりに、容易に堆積可能でその後に最上層４から除去可能な当該分野で既知の他の任意の材料が用いられてもよい。
【００４３】
図５は本発明の方法の更なるステップ中の図４の構造を示する。このステップでは、加速された水素イオンなどの種１１が、補助の層９及び最上層４を通って、最上層４と埋込層３との間の界面６での又はその近傍の領域５へと注入される。領域５に損傷又は微小空洞の層を形成可能な種１１は、領域５の脆弱化をもたらす。
【００４４】
前記ステップでは、注入された種の最高値、すなわちピークが最上層４と埋込層３との間の界面にある又はその近傍にあるよう、注入エネルギー及び／又は注入深さが調整される。
【００４５】
例えば後の熱処理中に、注入された表面にふくれが発生しないよう、注入ドーズが約３×１０１６個のＨ＋原子／ｃｍ２以下の範囲にあることが望ましい。
【００４６】
注入は注入される構造の熱処理と一緒に、例えば、約３００℃〜約１１００℃の温度でほぼ１時間に渡りなされてもよい。
【００４７】
図６〜図８は本発明の方法の第２の実施の形態の典型的な処理の流れを概略的に示す。
【００４８】
図６は、第１のステップで製造された絶縁体上シリコン構造１０ａの側面図を概略的に示す。絶縁体上シリコン構造の製造は、例えばＳＩＭＯＸによりなされてもＳｍａｒｔ  Ｃｕｔ（商標）技術によりなされてもよく、その結果、厚さが約５００ｎｍの厚いシリコン単結晶の最上層４ａを上部に持つ二酸化ケイ素の埋込層３により覆われた、シリコン基板などのキャリア基板２からなる構造がもたらされる。好ましくは、厚い単結晶の最上層４にはおよそ数百ナノメートルの厚みがある。最上層４ａと埋込層３との間には界面６が形成されている。
【００４９】
図７は、注入ステップ中の図６の絶縁体上シリコン構造１０ａを示し、このステップでは、種１１は厚い最上層４ａを通って厚い最上層４ａと埋込層３との間の界面６での又はその近傍の比較的薄い領域５へと注入される。注入された種１１は、例えば、約６４×１０−１９Ｊ（４０ｋｅＶ）のエネルギーで加速され約３×１０１６個のＨ＋／ｃｍ２のドーズを持つ水素イオンである。注入された種１１は前記薄い領域に集中して前記領域５に損傷又は微小空洞を生成させ、結果として領域５の材料を脆弱化する。
【００５０】
領域５、特に最上層４ａと埋込層３との間の界面６は、注入された種１１をゲッターで除くために用いられる。従って、傷つけられ注入された部分は領域５の薄い厚さ全体にわたり集中しており、このことは、結果として生じるコンプライアント基板のコンプライアンスを改善する。
【００５１】
図８は、薄くするステップの後の図７の構造を示している。薄くするステップでは、厚い最上層４ａは数十ナノメートルまで薄くされる。例えば、図７の厚い最上層４ａは酸化可能であり、厚い最上層４ａの酸化した部分は薄くするステップの間のエッチングステップで除去可能である。本発明の別の変形態様では、厚い最上層４ａは、化学的機械的研磨を用いて薄くされてもよいし、研磨方法とエッチング方法との組み合わせを用いて薄くされてもよい。
【００５２】
図５や図８の構造が見える図９を参照する。第２の単結晶のエピタキシャル層８が成長して、その結果、図２の構造７のようなヘテロエピタキシャル構造７がもたらされる。第２の層８の材料は最上層４や４ａの格子定数と異なる格子定数を持つ。例えば、第２の層、例えばＧｅ濃度が約２０〜６０％のＧｅＳｉ層は、ＧｅＳｉ層であってもよいし、ＡＩＩＩＢＶ半導体層であってもよい。最上層４及び４ａと埋込層３との間で、これらの層同士の間の界面６でのすべり効果が高まったために、第２の層８は最上層４及び４ａ上に小さい応力でエピタキシャル成長することができ、結果として第２のエピタキシャル層８は最上層４及び４ａ上に殆ど欠陥無く成長する。このようにして、第２の層８は高い品質で厚さ数百ナノメートルまで成長できる。
【００５３】
図９の矢印１２で示されるように、ヘテロエピタキシャル構造７は第２の単結晶の層８の成長後に熱的に処理され、結果として第２の層８は非常に良好に緩和される。
【００５４】
上記の例では、第２のエピタキシャル層８は領域５及び／又は領域１３の注入後にコンプライアント基板１上で成長する。本発明の更なる実施の形態では、第２のエピタキシャル層８の堆積や成長は非注入基板の上で、例えば図３に示される構造１０の上などで行われてもよく、これに第２のエピタキシャル層８を貫通して最上層４及び／又は界面６での又はその近傍の領域５への注入ステップが続く。この場合、注入は第２の層８の総合的な厚さを貫通して行われてもよいし第２の層８の成長中又は幾つかの成長ステップの間の中間ステップとして行われてもよい。
【００５５】
望ましくは、それぞれの構造は注入ステップ後にアニール処理される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態に従うコンプライアント基板の側面図を概略的に示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に従うヘテロエピタキシャル構造の側面図を概略的に示す図である。
【図３】図１に示されているコンプライアント基板を製造する本発明の方法の第１の実施の形態に係る典型的な処理の流れにおける一つの状態を概略的に示す図である。
【図４】図１に示されているコンプライアント基板を製造する本発明の方法の第１の実施の形態に係る典型的な処理の流れにおける一つの状態を概略的に示す図である。
【図５】図１に示されているコンプライアント基板を製造する本発明の方法の第１の実施の形態に係る典型的な処理の流れにおける一つの状態を概略的に示す図である。
【図６】図１に示されているコンプライアント基板を製造する本発明の方法の第２の実施の形態に係る典型的な処理の流れにおける一つの状態を概略的に示す図である。
【図７】図１に示されているコンプライアント基板を製造する本発明の方法の第２の実施の形態に係る典型的な処理の流れにおける一つの状態を概略的に示す図である。
【図８】図１に示されているコンプライアント基板を製造する本発明の方法の第２の実施の形態に係る典型的な処理の流れにおける一つの状態を概略的に示す図である。
【図９】図２に示されているヘテロエピタキシャル構造がもたらされる、コンプライアント基板での第２のヘテロエピタキシャル層の成長とアニール処理を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１    コンプライアント基板
２    キャリア基板
３    埋込層
４    単結晶の最上層
５    界面の又はその近傍の領域
６    界面
１３  最上層の領域
【図１】
2004343046.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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