(57)【要約】【課題】ＭＬ集光器に替わるリトグラフ投影装置であって、ＭＬ集光器で放射光を集光する立体角と同等の立体角で放射光を集光し、放射ビームを形成することのできる集光器を備えたリトグラフ投影装置を提供する。【解決手段】本発明によるリトグラフ投影装置は、放射光を発生する放射源と、この放射源（５１）の近くに配置されて放射光を集め、放射ビーム（５２）を形成する少なくとも一つの集光器（５９；６３；７３）とを含む。この少なくとも一つの集光器は、凹面ミラー（５３）上の第一の反射器と、凸面ミラー（５５）上の第二の反射器とを含む。前記凹面ミラー（５３）は凸面ミラー（５５）を取囲んで配置され、凹面ミラー（５３）上の第一の反射器が放射源（５１）からの放射光を受ける。第一の反射器は受けた放射光を凸面ミラー（５５）上の第二の反射器へ向けて反射して、放射光（５２）のビームを形成する。このような構成および配置を特徴とする。【選択図】図５
2004343082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射光を発生する放射源と、前記放射源（５１）の近くに配置されて前記放射光を集め、放射ビーム（５２）を形成する少なくとも一つの集光器（５９；６３；７３）とを含むリトグラフ投影装置であって、前記少なくとも一つの集光器が凹面（５３）上の第一の反射器と、凸面（５５）上の第二の反射器とを含み、凹面（５３）は凸面（５５）を取囲み、凹面（５３）上の第一の反射器は前記放射源（５１）からの前記放射光を受け、その放射光を前記凸面（５５）上の第二の反射器へ向けて反射して、前記放射光（５２）のビームを形成するように、配置されていることを特徴とするリトグラフ投影装置。
【請求項２】
前記第二の反射器がフィールド・ファセット（６１）を含むことを特徴とする請求項１に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項３】
前記第一の反射器がフィールド・ファセット（６１）を含み、前記第二の反射器が瞳ファセット（７１）を含むことを特徴とする請求項１に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項４】
前記リトグラフ投影装置が汚濁減少装置（５６）をさらに含み、この汚濁減少装置は前記放射源（５１）と前記少なくとも一つの集光器（５９；６３；７３）との間に配置され、前記放射光（５２）を通過させるように構成されたことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項５】
前記放射光（５２）のビームを受け、そこからの放射投影ビーム（ＰＢ）を形成するように構成された光学系と、
パターン形成手段を保持し、投影ビームを照射されて前記投影ビーム（ＰＢ）をパターン化するように構成された支持構造（ＭＴ）と、
基板を保持するように構成された基板テーブル（ＷＴ）と、
パターン形成手段の照射部分を基板のターゲット箇所に結像させるように構成され配置された投影系（５）とを含む請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載されたリトグラフ投影装置によってリトグラフ処理することで集積構造を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射光を発生するための放射源と、前記放射光を集めて放射ビームを形成するために前記放射源の近くに配置された少なくとも一つの集光器とを含むリトグラフ投影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リトグラフ投影装置は放射源を有する。この放射源は照射パワーを形成する。この放射源はほとんど点形状であるので、この放射源から放射される放射光は広く拡散する特徴を有する。従って、その放射光をより集中した放射ビームに収束させるために集光器が使用される。集光されない放射光は照射光量の損失を意味する。従って、放射光をできるだけ大きな立体角となるように集光することが重要となる。多層（ＭＬ）集光器は、そのように小さな放射源からの放射光を２ｐｓｒを越える立体角（実際の角度は１．４ｐｒｓ〜１．６３ｐｓｒであるが）に集光して放射ビームを形成することを可能にする。しかしながら、現在のところＭＬ集光器に替わる大きな集光角度を可能にする適当手段は存在しない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って本発明の目的は、ＭＬ集光器が放射光を集光する立体角に対比できる立体角から放射光が集光されてＥＵＶ放射ビームを形成する集光器を備えたリトグラフ投影装置を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
従って本発明は、第一の実施例において、前記少なくとも一つの集光器が凹面上の第一の反射器と凸面上の第二の反射器とを含み、その凹面はその凸面を取囲み、凹面上の第一の反射器が前記放射源からの前記放射光を受入れて前記凸面上の前記第二の反射器へ向けて反射して前記放射ビームを形成することを特徴とする。ＭＬ集光器に対比できる放射光量の集光がこの方法で可能となる。
【０００５】
他の実施例で本発明は、前記第二の反射器がフィールド・ファセット（ｆｉｅｌｄ  ｆａｃｅｔｓ）を含むことを特徴とする。これは、光学系の下流側の照射系に通常存在する一つのミラーを省略できることを意味する。ＥＵＶ放射光がミラーにあたると、約３０％の放射光量が吸収されてしまう。この結果、一つのミラーまたは複数のミラーを省略することで本発明のこの実施例のリトグラフ投影装置はかなりの量の損失光量を減らすことができる。
【０００６】
他の実施例で本発明は、前記第一の反射器がフィールド・ファセットを含み、前記第二の反射器が瞳ファセット（ｐｕｐｉｌ  ｆａｃｅｔｓ）を含むことを特徴とする。再び述べるが、結局のところリトグラフ投影装置における放射光量の損失の更なる減少が達成できることを意味する光学系の下流側の（照射）系での一つ以上のミラーの削減が、必要とされるのである。
【０００７】
さらに他の実施例で本発明は、前記放射源と前記少なくとも一つの集光器との間に配置されて前記放射光を通過させるように構成された汚濁減少装汚濁減少装置置を前記リトグラフ投影装置がさらに含むことを特徴とする。不整（デブリス）が最小限のリトグラフ投影を達成するためには、クリーンな放射ビームが特に重要である。汚濁減少装置（例えば箔トラップ）はその装置の下流側での放射光中のデブリス量を減少する。
【０００８】
本発明は、
前記放射ビームを受入れてそれから投影放射ビームを形成するように構成された光学系と、
パターン形成手段を保持し、前記投影ビームを照射されてその投影ビームをパターン化するように構成された支持構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成手段の照射された部分を基板のターゲット箇所に結像するように構成されて配置された投影系とを含む上述したようなリトグラフ投影装置にも関する。
【０００９】
本発明ははまた上述したようなリトグラフ投影装置によるリトグラフ処理することで集積構造を製造する方法にも関する。
【００１０】
上述で使用した「パターン形成手段」という用語は、基板のターゲット箇所に形成されるべきパターンに対応するパターン化された横断面を有する入射放射ビームを与えるために使用できることを意味するものと広く解釈されるべきであり、「光弁」もこれに関連して使用できる一般に、前記パターンはターゲット箇所に形成される集積回路のような素子または他の素子（以下を参照）における特に機能的な層に一致する。そのようなパターン形成手段の例には以下のものが含まれる。
【００１１】
マスク。マスクの概念はリトグラフの分野で良く知られており、それには二値、交番位相変位および減衰位相変位のマスク形式、ならびに各種のハイブリッドマスク形式が含まれる。放射ビーム内のそれらのマスクの配置は、マスクのパターンに応じたマスクに当たる放射光の選択的な伝達（伝達式マスクの場合）または反射（反射式マスクの場合）を生じる。マスクの場合、支持構造は一般にマスク・テーブルとされ、マスクが入射放射ビーム内の所望位置に保持できること、および望まれるならばそのビームに対して移動できることを保証する。
【００１２】
プログラム可能なミラー配列。この装置の一例は粘弾性制御層と反射面とを有するマトリックス−アドレス指定可能面である。そのような装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された面積部分が入射光を回折光として反射し、これに対してアドレス指定されない面積部分が入射光を非回折光として反射することである。適当なフィルタを使用することで、前記非回折光がフィルタにより反射ビームから除外されて回折光のみを残すことができ、ビームはマトリックス−アドレス指定可能面のアドレス指定したパターンにしたがってパターン化されることになる。プログラム可能なミラー配列の他の実施例は、複数の小さなミラーによるマトリックス配列を使用するもので、各々のミラーは適当な局所電界を付与することで、または圧電作動手段を使用することで軸線のまわりに個別に傾動することができる。再び述べるが、ミラーはマトリックス−アドレス指定可能なもので、アドレス指定されたミラーが入射放射ビームをアドレス指定されないミラーと異なる方向へ反射し、これにより反射ビームがマトリックス−アドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに応じてパターン化することができる。要求されるマトリックスのアドレス指定は適当な電子手段を使用して実行できる。上述した状況のいずれにおいても、パターン形成手段は一つ以上のプログラム可能なミラー配列を含むことができる。ここで参照したようなミラー配列に関する更なる情報は、例えば米国特許第５２９６８９１号および米国特許第５５２３１９３号、およびＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７６９およびＷＯ９８／３３０９６から得られ、これらは本明細書にその記載内容全体が援用される。プログラム可能なミラー配列の場合には、前記支持構造はフレームまたはテーブルとして具現することができ、例えばそれらは必要に応じて固定されまたは移動可能とされる。
【００１３】
プログラム可能なＬＣＤ配列。この構造の例は米国特許第５２２９８７２号に与えられており、本明細書にその記載内容全体が援用される。上述したように、この場合の支持構造は例えばフレームまたはテーブルとして具現でき、それらは要求に応じて固定されたり移動可能とされることができる。
【００１４】
簡明化のためにこの説明の残りの部分は、幾つかの箇所で特にマスクおよびマスク・テーブルを備えた例に向けられる。しかしながらそれらの例で説明される一般的な基本は、上述のようなパターン形成手段の広い範囲で理解されるべきである。
【００１５】
リトグラフ投影装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。この場合、パターン形成手段はそのＩＣの個々の層に位置する回路パターンを形成し、このパターンは放射光感応材料（レジスト）の層を被覆されている基板（シリコン・ウェーハ）のターゲット箇所（例えば一つ以上のダイを含む）上に結像されることができる。一般に、一つのウェーハは投影系によって一度に一つずつ連続して照射される隣接したターゲット箇所のネットワークの全体を含む。マスク・テーブル上のマスクによりパターン化する現在の装置では、二つの異なる形式の機械の間で区別ができる。或る一つの形式のリトグラフ投影装置では、一回の行程でターゲット箇所にマスク・パターン全体を露光することで各ターゲット箇所が照射され、このような装置は一般にウェーハ・ステッパまたはステップ−繰返しの装置と称される。一般にステップおよび走査の装置と称される他の装置では、与えられた基準方向（「走査」方向）に投影ビームでマスク・パターンを順次走査することで各ターゲット箇所が照射され、この間基板テーブルが同期してその方向と平行または非平行に走査される。一般に投影系は倍率係数Ｍ（一般に１より小さい）を有するので、基板テーブルが走査される速度Ｖはマスク・テーブルが走査される速度のＭ倍になる。本明細書に記載するリトグラフ投影装置に関するさらなる情報は、例えば米国特許第６０４６７９２号から得ることができ、本明細書にその記載内容全体が援用される。
【００１６】
リトグラフ投影装置を使用した製造処理において、パターン（例えばマスクの）が少なくとも部分的に放射光感応材料（レジスト）の層を被覆されている基板に結像される。この結像段階に先立ち、基板は各種の処理、例えばプライミング処理、レジスト被覆および軽い焼成が行われ得る。露光後に基板は他の処理、例えば露光後焼成（ＰＥＢ）、現像、強い焼成および結像状態の測定／検査を行われる。この処理の配列は素子例えばＩＣの個々の層をパターン形成するための基本として使用される。このようなパターン形成された層はその後に各種の処理、例えばエッチング、イオン移入（ドーピング）、金属化処理、酸化処理、化学機械研磨などを行われる。これらの処理の全ては個々の層を仕上げるために行われる。幾つかの層が必要とされるならば、各々の新たな層に対してこの手順の全てまたはその変形手順を繰返して行わなければならない。最終的に、素子の配列が基板（ウェーハ）に与えられる。これらの素子はその後ダイシングまたはソーイングのような技法でに互いに分離され、そこから個々の素子はキャリヤに対する取付け、ピンに対する連結などを行うことができる。このような処理に関するさらなる情報は、例えば「マイクロチップの製造：半導体の処理への実際的な案内」第三版、ピーター・ファン・ツァント、マグロー・ヒル出版社、１９９７年の本にから得られる。
【００１７】
簡明化のためにこの投影系は以下に「レンズ」とされる。しかしながら、この用語はさまざまな形式の投影系を包含するものとして広く解釈されるべきであり、そのような投影系には例えば屈折光学装置、反射光学装置、カタディオプトリック（反射屈折）系が含まれる。放射系は放射ビームの方向定め、成形、または制御を行うためにそれらのいずれかの設計によって作動される部材も含む。それらの部材は以下に集合的に、または単独で「レンズ」と称されることもある。さらに、リトグラフ装置は二つ以上の基板テーブル（および（または）二つ以上のマスク・テーブル）を有する形式のものとすることができる。そのような「多段ステージ装置」では、付加テーブルは平行して使用することができ、または準備段階が一つ以上のテーブルで実行されている間に一つ以上の他のテーブルを露光に使用することができる。二段階リトグラフ装置は、例えば米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１に記載されており、本明細書にその記載内容全体が援用される。
【００１８】
ＩＣ製造に本発明の装置を使用するために本明細書では特定の例が引用されるが、それらの装置は他に多くの可能な適用例を有することを明確に理解しなければならない。例えば、一体型光学系の製造、磁気定義域メモリ、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどのガイドおよび検出に使用できる。当業者は、そのような他の応用例に関して本明細書での「焦点板」、「ウェーハ」または「ダイ」という用語のどのような使用も、それぞれより一般的な用語「マスク」、「基板」および「ターゲット箇所」で置き換えられると考えねばならない。
【００１９】
本明細書では、「放射光」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）線（例えば３６５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長を有する）および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば５〜２０ｎｍの波長を有する）、並びにイオン・ビームや電子ビームのような粒子ビームを含む全ての形式の電磁放射を包含するために使用されている。
【００２０】
本発明は添付図面に関連して説明される。添付図面は単に例示を意図したもので、保護の範囲を限定するものではない。
【実施例】
【００２１】
図１は本発明の特定の実施例によるリトグラフ投影装置１模式的に示している。
【００２２】
この装置は、以下のものを含む。
【００２３】
放射投影ビームＰＢを供給する放射系Ｅｘ，ＩＬであって、放射投影ビームには紫外（ＵＶ）線（例えば３６５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長を有する）および極紫外（ＥＵＶ）線（例えば５〜２０ｎｍの波長を有する）を含めて全ての種類の電磁放射が含まれる。この特定例では放射系は放射源ＬＡも含む。
【００２４】
マスクＭＡ（例えば焦点板）を保持するためにマスク・ホルダーを備え、部材ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするために第一の位置決め手段ＰＭに連結された第一の物品テーブルＭＴ（マスク・テーブル）。
【００２５】
基板Ｗ（例えばレジストを被覆したシリコン・ウェーハ）を保持するために基板ホルダーを備え、部材ＰＬに対して基板を正確に位置決めするために第二の位置決め手段ＰＷに連結された第二の物品テーブルＭＴ（基板テーブル）。
【００２６】
マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗのターゲット箇所Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に結像させるための投影系（「レンズ」）ＰＬ。
【００２７】
本明細書に記載するように、この装置は反射式（すなわち反射マスクを有する）である。しかしながら一般に、例えば伝達式（伝達マスクを有する）とすることもできる。これに代えてこの装置は他の形式のパターン形成手段、例えば上述した形式のプログラム可能なミラー配列を使用することもできる。
【００２８】
放射源ＬＡ（例えばレーザー発生プラズマまたは放電プラズマのＥＵＶ放射源）が放射ビームを発生する。このビームは直接に、または例えばビーム拡張機Ｅｘのような調整手段を経た後に放射系ＩＬへ送られる。放射系ＩＬはビームの強度分配の外側および（または）内側範囲（一般にそれぞれσアウターおよびσインナーと称される）を設定する調整手段ＡＭを含むことができる。さらに、一般に、例えば集積光学装置ＩＮおよびコンデンサーＣＯのような他のさまざまな要素を含む。このようにしてマスクＭＡに当たるビームＰＢは横断面において所望の均等性および強度分配を有する。
【００２９】
図１に関して、放射源ＬＡはリトグラフ投影装置のハウジングの内部に位置されるが（しばしばそうであるように放射源ＬＡが例えば水銀ランプとされた場合）、リトグラフ投影装置から離れて位置されて、その放射ビームが装置内へ導かれるようになされる（例えば適当な方向決めミラーによる）ことに留意しなければならない。後者の方法は、放射源ＬＡが励起レーザーの場合にしばしば採用される。本発明および特許請求の範囲はそれらの両方の方法を包含する。
【００３０】
ビームＰＢは実質的にマスクＭＡに遮断される。マスクＭＡはマスク・ホルダーＭＴに保持されている。マスクＭＡを横断したビームＰＢはレンズＰＬを通る。このレンズＰＬはビームＰＢを基板Ｗのターゲット箇所Ｃに焦点合わせする。第二の位置決め手段ＰＷ（および干渉式測定手段ＩＦ）によって基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路内にターゲット箇所Ｃを位置決めすように、正確に移動することができる。同様に第一の位置決め手段ＰＭは、例えばマスク保管部からマスクＭＡを機械的に取出した後、または走査の間にマスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めするために使用できる。一般に物品テーブルＭＴ，ＷＴの動きは長ストロークのモジュール（粗い位置決め）と、短ストロークのモジュール（微細な位置決め）とで実現され、それらは図１に明確に示されている。しかしながらウェーハ・ステッパの場合には（ステップ走査装置とは逆に）、マスク・テーブルＭＴは短ストロークのアクチュエータに連結されるか、固定されることができる。マスクＭＡおよび基板Ｗはマスク整合マークＭ１，Ｍ２および基板整合マークＰ１，Ｐ２使用して整合することができる。
【００３１】
記載した装置は二つの異なる方法で使用できる。
【００３２】
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止され、マスク像の全体が１行程（すなわち一回の「フラッシュ」）でターゲット箇所Ｃに投影される。その後に基板テーブルＷＴはＸ方向および（または）Ｙ方向へ変位され、別のターゲット箇所ＣがビームＰＢで照射されるようになされる。
【００３３】
２．走査モードでは、所定のターゲット箇所Ｃが一回の「フラッシュ」で露光される以外は、基本的に同じ手順が適用される。これに代えてマスク・テーブルＭＴは、ビームＰＢがマスク像を走査するように速度ｖで所定の方向（いわゆる「走査方向」、例えばＹ方向）へ移動させることができる。同時に、マスク・テーブルＭＴは速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向へ移動される。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率（典型的にＭ＝１／４または１／５）である。このようにして比較的大きなターゲット箇所Ｃを解像度を落とさずに露出することができる。
【００３４】
照射系ＩＬは図２に非常に詳細に示されており、図２は米国特許第６４３８１９９Ｂ１号の図７０に基づく。この系は米国特許第６４３８１９９号に詳細に記載されているものに似ており、本明細書にその記載内容全体が援用される。従ってこの照射系ＩＬの概略のみ本明細書で説明する。
【００３５】
図２に示された構成は放射ビーム２０２を発生する放射源２０１を含む。放射源２０１の後方には凹面ミラー２０３が配置される。放射源の前方には小さな別個の凸面ミラー２０９、いわゆるフィールド・ファセットが配置される。凸面ミラー２０９の各々は入射放射ビーム２０２を対応するミラー２１５へ向けて反射する。ミラー２１５は瞳ファセットとも称される。従って、放射ビーム２０２は凹面ミラーのミラー２２３、および斜入射となるように配置されたミラー２２７へ向けて反射される。別個の放射ビーム２０２は符号２３１に位置するパターン形成手段で反射された後に放射源２０１の別個の像２３５形成する。
【００３６】
放射源２０１から出た後の放射ビーム２０２は楕円形の凹面ミラー２０３によって集光される。ミラー２０３は放射ビーム２０２を凸面ミラー２０９へ向けて伝える。ここで放射ビームは存在する凸面ミラー２０９と同じ数の別個の放射ビーム２０２に分割される。凸面ミラー２０９は各放射ビームを特定の瞳ファセット２１５へ向けて反射する。瞳ファセット２１５は放射ビーム２０２の焦点に配置されており、これにより点状（二次）放射源を形成する。これらの放射源は図２に符号２０７で示されている。放射ビーム２０２の焦点に配置されているので、瞳ファセットは小さな平面ミラーとして設計される。これに代えて、焦点における放射ビーム２０２の強さは非常に強いので、瞳ファセット２１５は焦点から外して配置することもできる。
【００３７】
しかしながら大雑把にみて二次放射源２０７とそれぞれの平面ミラーとの間隔距離は凸面ミラー２０９と放射ビーム２０２の瞳ファセット２１５との間隔距離の２０％を超えてはならない。特定の凸面ミラー２０９は放射ビームを使用者が定めた瞳ファセット２１５へ反射する。このために凸面ミラー２０９および瞳ファセット２１５は個別に傾斜されている。凸面ミラー２２３および斜入射ミラー２２７はコリメート・レンズとして機能する。個々の放射ビーム２０２はパターン形成手段２３１で重ねられ、反射の後に拡散する。
【００３８】
図３にはそれなりに知られている光学系３９が示されており、これは焦点３７で高強度放射ビーム３５を得るために使用できる。この光学系はＭＬ集光器３３および放射源３１含む。
【００３９】
放射源３１からの放射光はＭＬ集光器３３を経て焦点３７へ向けて反射される。この放射光は大きく拡散する特徴を有するが、放射源３１の位置および図３では半球形のＭＬ集光器３３の形状に応じて、約２ｐｓｒの立体角からの放射光は焦点３７に集まる。
【００４０】
図４には高強度放射ビーム４７得るために他のそれなりに知られた光学系４９が示されている。この光学系４９は放射源４１を含む。放射源４１の近くに斜入射（ＧＩ）集光器４３が配置される。ＧＩ集光器４３は幾つかの反射層４５含む。
【００４１】
放射源４１からの放射光は層４５にで反射され、焦点位置（図示せず）に焦点を合わされる。この光学系４９では、２ｐｓｒ未満の立体角からの放射光は焦点位置に集められる。斜入射（ＧＩ）集光器４３は汚濁緩和システムと組合わせることができる。しかしながらＧＩ集光器の主なる欠点は、それらの放射光集光角度が限られ（１．１ｐｓｒ〜１．２ｐｓｒ）、結果として放射光の発生量が限られる。
【００４２】
例１
図５に、本発明による集光器５９を含む光学系が示されている。この光学系は放射光５２を放射する放射源５１と、シュバルツシルト・レンズに似た集光器とを含む。しかしながらこの集光器はシュバルツシルト・レンズと非常に異なる。この集光器は、凹面ミラー５３（この特許明細書を通じて凹面上の第一の反射器とも称する）で囲まれた凸面ミラー５５（この特許明細書を通じて凸面上の第二の反射器とも称する）を含む。凹面ミラー５３には穴５７が形成されている。
【００４３】
放射源５１からの放射光５２はまず最初に凹面ミラー５３で反射され、その後で凸面ミラー５５で反射される。放射光５２は穴５７を通して光学系５９を出る。凹面ミラー５３はその特定の形状および放射源５１の位置によって約２ｐｓｒの立体角からの放射光を集光する。放射光５２は焦点３７に焦点を合わされる。
【００４４】
例２
重要な利点は、図５に示される構造では、放射源５１と凹面ミラー５３との間に汚濁減少装置５６を挿入できることである。この汚濁減少装置５６は箔トラップ、例えばＥＰ−Ａ−１２２３およびＥＰ−Ａ−１０５７０７９に記載のものに類似のトラップとされる。穴５７を出た後放射光５２は照射系ＩＬへ向けられ、すなわち、例えば図２に示される照射系ＩＬのフィールド・ファセット２０９に向けられる。
【００４５】
例３
図６で、図５の符号と同じ符号が同じ部分を示す。
【００４６】
図６で、フィールド・ファセット６１は集光器６３の凸面ミラー５５上に位置する。フィールド・ファセット６１は放射光５２をそれぞれのフィールド・ファセット６１から発する個別の放射源に分解する。現在、この構造が図２に関連して説明したような照射系（ＩＬ）で行われている。フィールド・ファセット６１を凸面ミラー５５に取付けることで集光器６３の下流側のフィールド・ファセット２０９は省略できる。これは特に有利である。何故なら放射ビームがミラーに当たる度に、放射光量の約３０％が吸収されてしまうからである。
【００４７】
図７において、図５および図６と同じ符号は同じ部分を示す。図７で、フィールド・ファセット６１は集光器７３の凹面ミラー５３に位置し、瞳ファセット７１は凸面ミラー５５に位置する。
【００４８】
この例では、図６に関連して説明した状態に比べて一つ以上少ないミラーが要求され、相応に放射光量の増大を生む。
【００４９】
上述のように集光器５９，６３，７３は既存のリトグラフ投影装置に使用できる付加的なさらに有利な特徴を有するのである。すなわち、図３に資され、それなりに知られている集光器３３は、当業者に明白となるように適当に設計されるならば、放射源３１の位置を変えることなく、また焦点３７の位置に影響を及ぼすことなく、本発明の集光器５９，６３，７３と交換することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】リトグラフ投影装置の模式的な全体図を示す。
【図２】図１の照射装置または照射系（ＩＬ）をさらに詳細に示す。
【図３】現在の技術で使用されているＭＬ集光器を示す。
【図４】現在の技術による斜入射（ＧＬ）集光器を示す。
【図５】本発明による集光器である。
【図６】凸面ミラー上のフィールド・ファセットを有する集光器である。
【図７】凹面ミラー上のフィールド・ファセットおよび凸面ミラー上の瞳ファセットを有する集光器である。
【符号の説明】
【００５１】
ＡＭ  調整手段
Ｃ  ターゲット箇所
Ｅｘ，ＩＬ  ビーム拡張機すなわち照射系
ＬＡ  放射源
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスク・テーブル
Ｍ１，Ｍ２  マスク整合マーク
ＰＢ  放射投影ビーム
ＰＬ  投影系
ＰＭ  第一の位置決め手段
ＰＷ  第二の位置決め手段
Ｐ１，Ｐ２  基板整合マーク
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
１  リトグラフ投影装置
３１  放射源
３３  ＭＬ集光器
３５  高強度放射ビーム
３７  焦点
３９  高強度放射ビーム
４１  放射源
４３  斜入射（ＧＩ）集光器
４５  反射層
４７  高強度放射ビーム
４９  光学系
５１  放射源
５２  放射光
５３  凹面ミラー
５５  凸面ミラー
５６  汚濁減少装置
５７  穴
５９  集光器
６１  フィールド・ファセット
６３  集光器
７１  瞳ファセット
７３  集光器
２０１  放射源
２０２  放射ビーム
２０３  凹面ミラー
２０７  二次放射源
２０９  凸面ミラー
２１５  瞳ファセット
２２３  ミラー
２２７  ミラー
２３１  パターン形成手段
２３５  像
【図１】
2004343082.tif 000003
【図２】
2004343082.tif 000004
【図３】
2004343082.tif 000005
【図４】
2004343082.tif 000006
【図５】
2004343082.tif 000007
【図６】
2004343082.tif 000008
【図７】
2004343082.tif 000009
【外国語明細書】
2004343082000001.pdf