(57)【要約】【課題】薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片端から扁平リード導体先端部に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くし得ると共にフィルムタイプや樹脂モールドタイプ薄型温度ヒューズに対しては、曲げ反力に基づく可溶合金片−リード導体間接続箇所の不安定化問題を良好に解決でき、基板タイプ薄型温度ヒューズに対しては、可溶合金片の一様な分断球状化を保証して円滑な作動を促す。【解決手段】可溶合金片２の端とフィルム封止箇所との間のリード導体部分に折り曲げ凸部１１が設けられ、この凸部１１が前記フラックス３の塗布に対する堰とされている。【選択図】図１
2004071552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で可溶合金片が扁平リード導体間に接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが被覆され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、可溶合金片端とフィルム封止箇所との間のリード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
【請求項２】
下側樹脂フィルムの下面に一対の扁平リード導体端部が固着されると共に各リード導体の先端から所定の距離を隔てた部分が膨出加工されて前記フィルムの上面に現出され、その現出部間に可溶合金片が接続され、前記の可溶合金片及び前記表出部の可溶合金片端近傍部分にフラックスが被覆され、上側樹脂フィルムが前記下側樹脂フィルムの周囲に封着されると共に上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、前記リード導体現出部の可溶合金片端近傍部分に凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
【請求項３】
下側樹脂フィルムの下面に一対の扁平リード導体端部が固着されると共に各リード導体の先端から所定の距離を隔てた部分が所定の巾をもつて前記フィルム上面にほぼ面一上面のランド部とこのランド部後方端側の折り曲げ凸部とに曲げ加工されて前記フィルム上面に現出され、その現出されたランド部間に可溶合金片が接続され、前記の可溶合金片及前記ランド部のほぼ全面にフラックスが前記折り曲げ凸部を堰としてフラックスが塗布され、上側樹脂フィルムが前記下側樹脂フィルムの周囲に封着されると共に上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲され、下側樹脂フィルムの下面に補助樹脂フィルムが貼着されていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
【請求項４】
上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされている請求項１〜３何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項５】
扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体箇所までフラックスが付着され、これらを包囲して樹脂層が被覆された温度ヒューズにおいて、可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
【請求項６】
折り曲げ凸部の両脇上端にアールが付されている請求項１〜５何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項７】
絶縁基体上に一対の電極が設けられ、各電極に扁平リード導体が接続され、これらの電極間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片端から扁平リード導体先端部にわたりフラックスが付着され、前記絶縁基体上に水密絶縁被覆体が設けられた温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端または可溶合金片から所定の距離を隔てた扁平リード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
【請求項８】
可溶合金片端が扁平リード導体にも接続されている請求項７記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項９】
絶縁基体上に一対の扁平リード導体が設けられ、これらの扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片端から扁平リード導体先端部にわたりフラックスが付着され、前記絶縁基体上に水密絶縁被覆体が設けられた温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端または可溶合金片から所定の距離を隔てた扁平リード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
【請求項１０】
水密絶縁被覆体が両扁平リード導体の折り曲げ凸部に当接されたカバープレートと、該カバープレート周囲を絶縁基体に封着した接着剤により構成されている請求項７〜９何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１１】
可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが付着され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部前面に可溶合金片端が接続され、同凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする薄型温度ヒューズ。
【請求項１２】
凸部の両脇上端にアールが付されている請求項７〜１１何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１３】
上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされている請求項１１または１２記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１４】
扁平リード導体として、温度ヒューズボディ内のリード導体部分の巾が可溶合金片の巾より広くされている導体が用いられている請求項１〜１３何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１５】
温度ヒューズボディ内のリード導体部分が圧延により形成されている請求項１４記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１６】
リード導体がＮｉ製とされ、少なくとも先端部にＳｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕの何れか、またはこれらを主成分とする合金が被覆されている請求項１〜１５何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１７】
可溶合金片を溶断させるための発熱体が付設されている請求項１〜１６何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１８】
可溶合金片がＩｎ−Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｓｂ系合金、Ｉｎ−Ｓｎ系合金、Ｉｎ−Ｂｉ系合金、Ｂｉ−Ｓｎ系合金、Ｉｎ系合金の何れかであり、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｂｉ系合金の組成が（１）４３％＜Ｓｎ≦７０％，０．５％≦Ｉｎ≦１０％，残Ｂｉ、（２）２５％≦Ｓｎ≦４０％，５０％≦Ｉｎ≦５５％，残Ｂｉ、（３）２５％＜Ｓｎ≦４４％，５５％＜Ｉｎ≦７４％，１％≦Ｂｉ＜２０％、（４）４６％＜Ｓｎ≦７０％，１８％≦Ｉｎ＜４８％，１％≦Ｂｉ≦１２％、（５）５％≦Ｓｎ≦２８％，１５％≦Ｉｎ＜３７％，残Ｂｉ（但し、Ｂｉ５７．５％，Ｉｎ２５．２％，Ｓｎ１７．３％とＢｉ５４％，Ｉｎ２９．７％，Ｓｎ１６．３％のそれぞれを基準にＢｉ±２％，Ｉｎ及びＳｎ±１％の範囲を除く）、（６）１０％≦Ｓｎ≦１８％，３７％≦Ｉｎ≦４３％，残Ｂｉ、（７）２５％＜Ｓｎ≦６０％，２０％≦Ｉｎ＜５０％，１２％＜Ｂｉ≦３３％、（８）（１）〜（７）の何れか１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（９）３３％≦Ｓｎ≦４３％，０．５％≦Ｉｎ≦１０％，残Ｂｉ、（１０）４７％≦Ｓｎ≦４９％，５１％≦Ｉｎ≦５３％の１００重量部にＢｉを３〜５重量部を添加、（１１）４０％≦Ｓｎ≦４６％，７％≦Ｂｉ≦１２％，残Ｉｎ、（１２）０．３％≦Ｓｎ≦１．５％，５１％≦Ｉｎ≦５４％，残Ｂｉ、（１３）２．５％≦Ｓｎ≦１０％，２５％≦Ｂｉ≦３５％，残Ｉｎ、（１４）（９）〜（１３）の何れか１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（１５）１０％≦Ｓｎ≦２５％，４８％≦Ｉｎ≦６０％，残Ｂｉを１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｓｂ系合金の組成が（１６）３０％≦Ｓｎ≦７０％，０．３％≦Ｓｂ≦２０％，残Ｂｉ、（１７）（１６）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｉｎ−Ｓｎ系合金の組成が（１８）５２％≦Ｉｎ≦８５％，残Ｓｎ、（１９）（１８）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｉｎ−Ｂｉ系合金の組成が（２０）４５％≦Ｂｉ≦５５％，残Ｉｎ、（２１）（２０）の組成の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｂｉ−Ｓｎ系合金の組成が（２２）５０％＜Ｂｉ≦５６％，残Ｓｎ、（２３）（２２）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｉｎ系合金の組成が（２４）Ｉｎの１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（２５）９０％≦Ｉｎ≦９９．９％，０．１％≦Ａｇ≦１０％の１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添��、（２６）９５％≦Ｉｎ≦９９．９％，０．１％≦Ｓｂ≦５％の１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加の何れかであることを特徴とする請求項１〜１７何れか記載の薄型温度ヒューズ。
【請求項１９】
請求項１〜１６何れかまたは１８記載の薄型温度ヒューズを電流ヒューズとして使用することを特徴とする薄型電流ヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は薄型温度ヒューズに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　近来、携帯電話、ノート型パソコン等の携帯電子機器の二次電源として、リチウムイオン２次電池やリチウムポリマー二次電池等のエネルギー密度の大きい二次電池が使用されている。
　これらの二次電池においては、異常時に生じる発熱温度がその大なるエネルギー密度のために高温である。
　そこで、薄型温度ヒューズを装着し、その高温に達するまえに電池の通電回路を遮断して重大な事故に至るのを未然に防止することが知られている。
　例えば、図１６に示す電池パックのように、二次電池を収納する扁平ケース８の側面に薄型温度ヒューズＰ’を装着し、温度ヒューズの作動で二次電池を負荷から遮断させ得るように所定の回路板８１を介して二次電池に回路接続している。
　図１６において、１’，１’は薄型温度ヒューズの扁平リード導体、８２ａ，８２ｂは電池パックの外部電極であり、リード導体と電極との間をスポット抵抗溶接等により接続してある。
　この薄型温度ヒューズとしては、フィルムタイプ、基板タイプ、樹脂モールドタイプ等が知られている。
　図１７の（イ）は従来公知のフィルムタイプの一例を一部を断面で示す平面図、図１７の（ロ）は図１７の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
　図１７において、４１’は下側樹脂フィルム、１’，１’は下側樹脂フィルム上に配設された一対の扁平リード導体、２’はリード導体１’，１’間に接続された可溶合金片、３’は可溶合金片上及び可溶合金片近傍のリード導体部分に塗布されたフラックスである。４２’は上側樹脂フィルムであり、出っ張った被覆フラックス３’上に湾曲された状態で周囲が下側樹脂フィルム及４１’び扁平リード導体１’に封着されている。
【０００３】
　図１８の（イ）は従来公知のフィルムタイプの別例を一部を断面で示す平面図、図１８の（ロ）は図１８の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
　図１８において、４１’は下側樹脂フィルム、１’，１’は一対の扁平リード導体であり、前記フィルム４１’の下面に前半部が固着されると共に先端部１０１’が絞り出されて前記フィルムの上面に現出されている。２’はリード導体現出部１０１’，１０１’間に接続された可溶合金片、３’は可溶合金片２’及び導体現出部１０１’の可溶合金片端近傍部分に塗布されたフラックスである。４２’は上側樹脂フィルムであり、出っ張った被覆フラックス３’上に湾曲された状態で周囲が下側樹脂フィルム４１’及び扁平リード導体１’に封着されている。
【０００４】
　図１９の（イ）は従来公知の樹脂モールドタイプを示す平面図、図１９の（ロ）は図１９の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
　図１９において、１’，１’は扁平リード導体、２’は扁平リード導体間に接続された可溶合金片、３’は可溶合金片及び可溶合金片端近傍のリード導体部分に塗布されたフラックスである。４０’は樹脂モールド被覆であり、エポキシ樹脂等の硬化型樹脂液の浸漬塗装により設けられている。
【０００５】
　図２０の（イ）は従来公知の基板タイプの一例を一部を断面で示す平面図、図２０の（ロ）は図２０の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
　図２０において、５１’はセラミックス板のような絶縁基体、６’，６’は絶縁基体上に設けられた一対の電極、１’，１’は各電極６’，６’に接続された扁平リード導体、２’は電極６’，６’間に接続された可溶合金片、３’は可溶合金片及び可溶合金片端からリード導体先端部にわたり塗布されたフラックスである。５２’はセラミックス板のようなカバープレート、７’はカバープレート５２’の周囲を絶縁基体５１’及び扁平リード導体１’に封着するための接着剤であり、出っ張った被覆フラックス３’上にカバープレート５２’が載置され、そのプレート周囲にエポキシ樹脂等の二液型接着剤７’が塗着されている。
【０００６】
　上記温度ヒューズの作動機構は次ぎの通りである。
　上記二次電池の異常発熱に対し異常発熱温度よりも充分に低い温度で可溶合金片を溶断させ得るように可溶合金片２’の融点を設定してある。
　而して、可溶合金片が溶融されると、溶融合金が既溶融のフラックスとの共存下、電極やリード導体端部に濡れて引っ張られ、その濡れが球状化により拡大されて溶融合金の分断が促進され、その分断により通電が遮断されて前記電池の発熱が停止されると、分断溶融合金が凝固されて非復帰のカットオフが終結される。
　前記フラックスは、易酸化性の可溶合金片の酸化を防止すること、可溶合金片に不可避的に含有されている酸化物を加熱によるフラックスの活性化で溶解すること等により、可溶合金片を所定の融点で正確に溶融させると共に表面エネルギー面から溶融合金の前記電極やリード導体端部に対する濡れを促進させる作用を奏し、更に、溶融合金を球状化させる際の空間の確保に不可欠であり、電極やリード導体端部にも充分な量のフラックスを存在させることが必要である。
【０００７】
　上記温度ヒューズのフラックスの塗布においては、通常、加熱溶融させた液状フラックスを所定の外郭で付着させ、図２１の（イ）に示すように冷却凝固させている。この場合、塗布フラックスの縦断面形状を考察すると、図２１の（ロ）に示すように、電極等の表面張力をｒｍ、凝固直前のフラックスの表面張力をｒＬ、同フラックスと電極等表面との間の界面張力をｒｍＬ、接触角をαとすると、
【０００８】
　ｒｍ＝ｒＬcosα＋ｒｍＬ
【０００９】
の関係があり、接触端から中央に至るほど角度が次第に小さくなっていき、中央で角度０となり、中央から接触端までの距離ｘが大きくなるほど、中央の高さｙが大となる。従って、前記フラックスをリード導体端部にまで被覆させるには、中央高さｙを相当に高くする必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　上記フィルムタイプの薄型温度ヒューズでは、上側樹脂フィルムが出っ張った被覆フラックス上にかなり湾曲されて封着されるために、温度ヒューズボディが反り曲げられ、可溶合金片と扁平リード導体との接続箇所の損傷が問題となる。
　すなわち、出っ張り被覆フラックスに湾曲状態で当接された当初の上側樹脂フィルムの曲げ半径をｒ’、上側樹脂フィルムの曲げ剛性を（ＥＩ）’、上側樹脂フィルムを除く温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性を（ＥＩ）とすれば、その温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力ｍが
【００１１】
　ｍ＝１／｛ｒ’〔１＋（ＥＩ）’／（ＥＩ）〕｝
【００１２】
で与えられ、この曲げ反力ｍがリード導体の大なる曲げ剛性のために大となり、扁平リード導体と可溶合金片との接続界面にそれだけ大きな剥離力が作用し、接続界面の安全性が阻害される。
【００１３】
　上記樹脂モールドタイプの薄型温度ヒューズでは、可溶合金片の上面側にフラックスが多量に塗布されているために、曲げ中立面が扁平リード導体の厚み中心面より外れることが避けられず、樹脂とリード導体との線膨張係数や断面積やヤング率の差に基づき温度変化のために温度ヒューズボディが曲げ変形されるが、曲げ剛性の大なるリード導体に作用する曲げ反力が大きくなり、この場合も、扁平リード導体と可溶合金片との接続界面に剥離力が作用し、接続界面の安全性が阻害される。
【００１４】
　これらのフィルムタイプ薄型温度ヒューズや樹脂モールドタイプ薄型温度ヒューズに対し、基板型薄型温度ヒューズでは、全体の曲げ剛性（ＥＩ）が大であるために、例え曲げモーメント（Ｍ）が作用しても、その曲げの曲率半径（ｒ＝ＥＩ／Ｍ）を充分に大きく保持でき、実質的に曲げ変形を排除でき、前記した可溶合金片−リード導体間接続箇所の不安定化を回避できる。
　しかしながら、温度ヒューズのフラックス塗布では、冷却凝固後のフラックスの立体形状が背の高いドーム状曲面になるため、図２２の（イ）に示すように、かかるドーム状曲面の被覆フラックス３’上にカバープレート５２’を載置する以上、曲面と平面との接触のためにカバープレート５２’の支持状態が不安定性が避けられず、カバープレート５２’が長軸中心線に対し振れてバランスを崩し傾動を免れ得ない。而して、可溶合金片の前記した分断球状化が図２２の（ロ）に示すように、可溶合金片が両側に分断球状化する際の分断溶融合金２３ａ’、２３ｂ’に対するフラックス量に異同を来し、フラックス量の少ない側の溶融合金の球状化が他側の溶融合金の球状化よりも鈍化されれて分断作動に遅れが生じるようになる。この際、前記絶縁カバープレート５２’の傾き角が製品ごとに異なるために分断作動のバラツキが惹起される。
【００１５】
　上記した通り、温度ヒューズにおける電極乃至はリード導体端部にも充分な量のフラックスを存在させることが必要である。
従来、可溶合金片端近傍の扁平リード導体部分をポンチにより突出させ、この突出部を塗布フラックスに対する堰として用い、可溶合金片端近傍のリード導体部分のフラックス被覆厚みを厚くすることが公知である（特許文献１参照）。
【００１６】
【特許文献１】特開２００１−５２５８２号
【００１７】
　しかしながら、ポンチ加工では亀裂防止のために扁平リード導体の厚みをある程度厚くする必要があり、これでは扁平リード導体の曲げ剛性を低くし難く、前記したフィルムタイプや樹脂モールドタイプでの曲げ反力に基づく可溶合金片−リード導体間接続箇所の不安定化回避に適合しない。
　また、ポンチ加工では突出巾が扁平リード導体巾に較べて狭く、しかも突出外面の角にアールが付き易く、而して、前記基板タイプでのカバープレートの支持状態の不安定性を解消し難いために、カバープレートの傾き固定に起因する前記した分断作動性の低下の問題も解決できない。
【００１８】
　本発明の目的は、薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片端から扁平リード導体先端部に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くし得ると共にフィルムタイプや樹脂モールドタイプ薄型温度ヒューズに対しては、曲げ反力に基づく可溶合金片−リード導体間接続箇所の不安定化問題を良好に解決でき、基板タイプ薄型温度ヒューズに対しては、可溶合金片の一様な分断球状化を保証して円滑な作動を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
　請求項１に係る薄型温度ヒューズは、可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが付着され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上に湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、可溶合金片端とフィルム封止箇所との間のリード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
【００２０】
　請求項２に係る薄型温度ヒューズは、下側樹脂フィルムの下面に一対の扁平リード導体端部が固着されると共に各リード導体の先端から所定の距離を隔てた部分が膨出加工されて前記フィルムの上面に現出され、その現出部間に可溶合金片が接続され、前記の可溶合金片及前記表出部のび可溶合金片端近傍部分にフラックスが付着され、上側樹脂フィルムが前記下側樹脂フィルムの周囲に封着されると共に上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、前記リード導体現出部の可溶合金片端近傍部分に凸部が設けられ、この凸部が前記フラックス塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
【００２１】
　請求項３に係る薄型温度ヒューズは、下側樹脂フィルムの下面に一対の扁平リード導体端部が固着されると共に各リード導体の先端から所定の距離を隔てた部分が所定の巾をもって前記フィルム上面にほぼ面一上面のランド部とこのランド部後方端側の折り曲げ凸部とに曲げ加工されて前記フィルム上面に現出され、その現出されたランド部間に可溶合金片が接続され、前記の可溶合金片及前記ランド部のほぼ全面にフラックスが前記折り曲げ凸部を堰としてフラックスが付着され、上側樹脂フィルムが前記下側樹脂フィルムの周囲に封着されると共に上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上に湾曲され、下側樹脂フィルムの下面に補助樹脂フィルムが貼着されていることを特徴とする。
【００２２】
　請求項４では、請求項１〜３何れかの薄型温度ヒューズにおいて、上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされている。
【００２３】
　請求項５に係る薄型温度ヒューズは、扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片から所定の距離を隔てたリード導体箇所までフラックスが付着され、これらを包囲して樹脂層が被覆された温度ヒューズにおいて、可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
【００２４】
　請求項６では、請求項１〜５何れかの薄型温度ヒューズにおいて、折り曲げ凸部の両脇上端にアールが付されている。
【００２５】
　請求項７に係る薄型温度ヒューズは、絶縁基体上に一対の電極が設けられ、各電極に扁平リード導体が接続され、これら電極間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片端から扁平リード導体先端部にわたりフラックスが付着され、前記絶縁基体上に水密絶縁被覆体が設けられた温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端または可溶合金片から所定の距離を隔てた扁平リード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
【００２６】
　請求項９に係る薄型温度ヒューズは、絶縁基体上に一対の扁平リード導体が設けられ、これら扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及び可溶合金片端から扁平リード導体先端部にわたりフラックスが付着され、前記絶縁基体上に水密絶縁被覆体が設けられた温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端または可溶合金片端から所定の距離を隔てたリード導体部分に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
【００２７】
　請求項８では、請求項７の薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片端が扁平リード導体にも接続されており、請求項１０では、請求項７〜９何れかの薄型温度ヒューズにおいて、水密絶縁被覆体が両扁平リード導体先端の折り曲げ凸部に当接されたカバープレートと、該カバープレート周囲を絶縁基体に封着した接着剤により構成されている。
【００２８】
　請求項１１に係る薄型温度ヒューズは、可溶合金片の厚み中心が扁平リード導体の厚み中心よりも上側に位置された状態で扁平リード導体間に可溶合金片が接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックスが付着され、これらが下側樹脂フィルムと上側樹脂フィルムとにより前記リード導体を気密に導出して封止され、上側樹脂フィルムがその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されてなる温度ヒューズにおいて、扁平リード導体の先端に折り曲げ凸部が設けられ、この凸部前面に可溶合金片端が接続され、同凸部が前記フラックスの塗布に対する堰とされていることを特徴とする。
【００２９】
　請求項１２では、請求項７〜１１何れかの薄型温度ヒューズにおいて、凸部の両脇上端にアールが付されており、請求項１３では請求項１１または１２の薄型温度ヒューズにおいて、上側樹脂フィルムが下側樹脂フィルムよりも薄くされており、請求項１４では、請求項１〜１３何れかの薄型温度ヒューズにおいて、温度ヒューズボディ内のリード導体部分の巾が可溶合金片の巾より広くされ、請求項１５では、請求項１４の薄型温度ヒューズにおいて、温度ヒューズボディ内のリード導体部分が圧延により形成されている。
【００３０】
　請求項１６では、請求項１〜１５何れかの薄型温度ヒューズにおいて、リード導体がＮｉ製とされ、少なくとも先端部にＳｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕの何れか、またはこれらを主成分とする合金が被覆されており、請求項１７では、請求項１〜１６何れかの薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片を溶断させるための発熱体が付設されている。
【００３１】
請求項１８では、請求項１〜１７何れかの薄型温度ヒューズにおいて、可溶合金片にＩｎ−Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｓｂ系合金、Ｉｎ−Ｓｎ系合金、Ｉｎ−Ｂｉ系合金、Ｂｉ−Ｓｎ系合金、Ｉｎ系合金の何れかであり、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｂｉ系合金の組成が（１）４３％＜Ｓｎ≦７０％，０．５％≦Ｉｎ≦１０％，残Ｂｉ、（２）２５％≦Ｓｎ≦４０％，５０％≦Ｉｎ≦５５％，残Ｂｉ、（３）２５％＜Ｓｎ≦４４％，５５％＜Ｉｎ≦７４％，１％≦Ｂｉ＜２０％、（４）４６％＜Ｓｎ≦７０％，１８％≦Ｉｎ＜４８％，１％≦Ｂｉ≦１２％、（５）５％≦Ｓｎ≦２８％，１５％≦Ｉｎ＜３７％，残Ｂｉ（但し、Ｂｉ５７．５％，Ｉｎ２５．２％，Ｓｎ１７．３％とＢｉ５４％，Ｉｎ２９．７％，Ｓｎ１６．３％のそれぞれを基準にＢｉ±２％，Ｉｎ及びＳｎ±１％の範囲を除く）、（６）１０％≦Ｓｎ≦１８％，３７％≦Ｉｎ≦４３％，残Ｂｉ、（７）２５％＜Ｓｎ≦６０％，２０％≦Ｉｎ＜５０％，１２％＜Ｂｉ≦３３％、（８）（１）〜（７）の何れか１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（９）３３％≦Ｓｎ≦４３％，０．５％≦Ｉｎ≦１０％，残Ｂｉ、（１０）４７％≦Ｓｎ≦４９％，５１％≦Ｉｎ≦５３％の１００重量部にＢｉを３〜５重量部を添加、（１１）４０％≦Ｓｎ≦４６％，７％≦Ｂｉ≦１２％，残Ｉｎ、（１２）０．３％≦Ｓｎ≦１．５％，５１％≦Ｉｎ≦５４％，残Ｂｉ、（１３）２．５％≦Ｓｎ≦１０％，２５％≦Ｂｉ≦３５％，残Ｉｎ、（１４）（９）〜（１３）の何れか１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（１５）１０％≦Ｓｎ≦２５％，４８％≦Ｉｎ≦６０％，残Ｂｉを１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｓｂ系合金の組成が（１６）３０％≦Ｓｎ≦７０％，０．３％≦Ｓｂ≦２０％，残Ｂｉ、（１７）（１６）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｉｎ−Ｓｎ系合金の組成が（１８）５２％≦Ｉｎ≦８５％，残Ｓｎ、（１９）（１８）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｉｎ−Ｂｉ系合金の組成が（２０）４５％≦Ｂｉ≦５５％，残Ｉｎ、（２１）（２０）の組成の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｂｉ−Ｓｎ系合金の組成が（２２）５０％＜Ｂｉ≦５６％，残Ｓｎ、（２３）（２２）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、Ｉｎ系合金の組成が（２４）Ｉｎの１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（２５）９０％≦Ｉｎ≦９９．９％，０．１％≦Ａｇ≦１０％の１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ��、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（２６）９５％≦Ｉｎ≦９９．９％，０．１％≦Ｓｂ≦５％の１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加の何れかを使用している。
【００３２】
　請求項１９では上記請求項１〜１６の何れかまたは１８の薄型温度ヒューズを電流ヒューズとして使用している。
【発明の効果】
【００３３】
　本発明に係る温度ヒューズでは、リード導体の先端部に設けた折り曲げ凸部またはリード導体先端に設けた折り曲げ凸部を堰とし可溶合金片端近傍にもフラックスを充分な厚みで付着させることができるから、溶融合金の両側への分断球状化を迅速に生じさせ得、迅速な作動を保証できる。
　この場合、リード導体を薄くしても前記の堰を良好に設けることができ、特に、フィルムタイプ薄型温度ヒューズに対しては、上側樹脂フィルムの湾曲封着に基づき発生する曲げ反力のリード導体負担分をリード導体の薄肉化・曲げ剛性の低減により軽減できるので、リード導体と可溶合金片との接合界面を安定に保持でき、安定な作動性を保証できる。
　また、樹脂モールドタイプ薄型温度ヒューズに対しては、ヒートサイクルに基づき発生する曲げモーメントのリード導体作用分をリード導体の薄肉化・曲げ剛性の低減により軽減できるので、リード導体と可溶合金片との接合界面を安定に保持でき、安定な作動性を保証できる。
　更にまた、絶縁カバープレートを使用する薄型温度ヒューズに対しては、リード導体の先端部に設けた折り曲げ凸部またはリード導体先端に設けた折り曲げ凸部により絶縁カバープレートを安定に支持でき、絶縁基体に対し絶縁カバープレートの傾きのない平行な保持を保証でき、溶融された可溶合金片の分断球状化に対する両側の空間スペースを同等に確保でき、分断球状化のバラツキをよく低減できるから、分断作動性を充分に向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
　以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
　図１の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒューズの一実施例の一部を断面で示す平面図、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるローロ断面図である。
　図１において、１，１は一対の扁平リード導体であり、先端から所定の距離を隔てた箇所に折り曲げにより凸部１１を設けてある。２は両扁平リード導体１，１の先端部の上面間に溶接等により接合した可溶合金片であり、溶接にはスポット抵抗溶接、レーザ溶接等を使用できる。３はフラックスであり、可溶合金片２及び可溶合金片端からリード導体の折り曲げ凸部１１に至る部分に付着してあり、凸部１１をフラックスの塗布に対する堰として使用し可溶合金片１２からリード導体の折り曲げ凸部１１に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。４１は下側樹脂フィルム、４２は上側樹脂フィルムであり、前記両扁平リード導体１，１の前半部と可溶合金片２とをこれらの樹脂フィルム４１，４２で挾み、上側樹脂フィルム４２を出っ張った被覆フラックス３上で湾曲させた状態で周囲部を水平保持の下側樹脂フィルム４１に封着してある。
【００３５】
　図２の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例の一部を断面で示す平面図、図２の（ロ）は図２の（イ）におけるローロ断面図である。
　図２において、４１は下側樹脂フィルムである。１，１は一対の扁平リード導体であり、前半部を下側樹脂フィルム４１の下面に固着すると共にリード導体先端から所定の距離を隔てた位置において上面が下側樹脂フィルム面にほぼ面一の凸部１０１に、この凸部１０１の後端部を凸部１１に一挙に膨出加工して下側樹脂フィルム４１の上面側に現出させ、下側樹脂フィルム４１と扁平リード導体１との全界面を融着や接着剤により接合してある。２は可溶合金片であり、リード導体現出部のうちの下側樹脂フィルム上面と実質的に面一の部分１０１に溶接、例えばスポット抵抗溶接、レーザ溶接等により接続してある。３はフラックスであり、可溶合金片２及び可溶合金片からリード導体の凸部１１に至る部分に付着してあり、凸部１１をフラックスの堰として使用し、可溶合金片２からリード導体の凸部１１に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。４２は上側樹脂フィルムであり、出っ張った被覆フラックス２上に湾曲させた状態で周囲部を水平保持の下側樹脂フィルム４１に封着してある。
【００３６】
　図２に示した実施例では、リード導体１の下側樹脂フィルム上面への部分的な現出を膨出加工ににより行い、その現出箇所の両サイドを不加工としているが、図３の（イ）（平面図）及び（ロ）〔図３の（イ）におけるロ−ロ断面図〕に示すように、リード導体先端の近傍位置から所定の距離を隔てた位置までを上面が下側樹脂フィルム４１の上面とほぼ面一のランド部１０１ａに、この後方側を凸部１１ａに一挙に膨出加工し、水密性確保のために下側樹脂フィルム４１の裏面に補助樹脂フィルム４３を融着や接着剤により貼着することもできる。あるいは、図４の（イ）（平面図）及び（ロ）〔図４の（イ）におけるロ−ロ断面図〕に示すように、リード導体先端から所定の距離を隔てた位置までを上面が下側樹脂フィルム４１の上面とほぼ面一のリード導体全巾にわたるランド部１０１ｂに、この後方側をリード導体全巾にわたる折り曲げ凸部１１ｂに一挙に曲げ加工し、水密性確保のために下側樹脂フィルム４１の裏面に補助樹脂フィルム４３を融着や接着剤により貼着することもできる。
【００３７】
　この補助樹脂フィルム４３は、図２における補助樹脂フィルムが存在しない場合のリード導体先端間の絶縁強度の不足を補完する効果も奏する。
【００３８】
　図１〜図４に示したフィルムタイプの薄型温度ヒューズにおいては、可溶合金片２の厚み中心が扁平リード導体１の厚み中心よりも上側に位置された状態で扁平リード導体１，１間に可溶合金片２が接続され、可溶合金片及びその近傍のリード導体部分にフラックス３が付着され、上側樹脂フィルム４２がその内面側の出っ張り内容物上で湾曲されるから、反りが発生する。この場合、出っ張り被覆フラックスに湾曲状態で当接された当初の上側樹脂フィルム４２の曲げ半径をｒ’、上側樹脂フィルム４２の曲げ剛性を（ＥＩ）’、上側樹脂フィルムを除く温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性を（ＥＩ）とすれば、その温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力ｍは、前記したとおり
【００３９】
　ｍ＝１／｛ｒ’〔１＋（ＥＩ）’／（ＥＩ）〕｝
【００４０】
で与えられる。
　而るに、上記フラックス３の塗布に対する堰を扁平リード導体の折り曲げ凸部１１，１１ａまたは１１ｂにより設けてあり、扁平リード導体１の厚みを１００μｍといった薄肉にしても、単純な曲げ加工で凸部１１，１１ａまたは１１ｂを形成でき、亀裂の発生を排除できる。尤も、図２に示した実施例の凸部１１においては、リード導体１を下側樹脂フィルム４１の上面にほぼ面一の凸部１０１に膨出加工する際に同時に加工するが、凸部１１が小さく膨出加工代の増加を少にとどめることができるから、この場合も、リード導体の厚みを薄くしても、亀裂の発生を充分に防止できる。
　従って、温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性（ＥＩ）を小にしてその温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力ｍを低減でき、曲げ反力ｍに基づき扁平リード導体と可溶合金片との接合界面に作用する剥離力を軽減でき、その接合界面の安定性を高めることができる。
【００４１】
　図１および図２に示したフィルムタイプの薄型温度ヒューズにおいて、上側樹脂フィルム４２の厚みを下側樹脂フィルム４１の厚みよりも薄くして（ＥＩ）’を小さくし、上記曲げ反力ｍの軽減を図り、その接合界面の安定性を一層に高めることができる。
【００４２】
　また、図３および図４に示したフィルムタイプの薄型温度ヒューズにおいては、上側樹脂フィルム４２の厚みを下側樹脂フィルム４１と補助樹脂フィルム４３の総厚みよりも薄くすることにより（ＥＩ）’を小さくし、上記曲げ反力ｍの軽減を図り、その接合界面の安定性を一層に高めることができる。
【００４３】
　上記何れの実施例においても、樹脂フィルム同士の封着は、高周波溶着、超音波溶着、接着剤により行うことができ、リード導体と樹脂フィルムとの封着は、フィルム外面加圧下でのリード導体の電磁誘導加熱やヒートプレート接触加熱等により行うことができる。
【００４４】
　図５の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す平面図、図５の（ロ）は図５の（イ）におけるローロ断面図である。
　図５において、１，１は一対の扁平リード導体であり、先端から所定の距離を隔てた位置に折り曲げ凸部１１を設けてある。２は可溶合金片であり、リード導体先端部の間に溶接、例えばスポット抵抗溶接、レーザ溶接等により接続してある。３はフラックスであり、可溶合金片２及び可溶合金片２からリード導体の折り曲げ凸部１１に至る部分に付着してあり、凸部１１をフラックスの堰として使用し可溶合金片２の端からリード導体の折り曲げ凸部１１に至る部分のフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。４０は可溶合金片及びフラックス並びにリード導体端部を包囲して設けた樹脂被覆層であり、例えばエポキシ樹脂液等の二液型硬化性樹脂液への浸漬塗装により被覆してある。
【００４５】
　図５に示した実施例では、力学的にフラックスのヤング率が極めて小さいので、被覆樹脂４０と可溶合金片２−リード導体１，１との複合体として取扱うことができ、被覆樹脂側の曲げ剛性を（ＥＩ）’、可溶合金片−リード導体側の曲げ剛性を（ＥＩ）とし、両者のヤング率や断面積や熱膨張係数の差異のために温度変化時に発生する曲げモーメントをＭとすれば、可溶合金片−リード導体側が負担する曲げモーメントｍは
【００４６】
　ｍ＝Ｍ／｛１＋〔（ＥＩ）’／（ＥＩ）〕｝
【００４７】
で与えられる。
　而るに、上記フラックス３に対する堰を扁平リード導体の折り曲げ凸部１１により設けてあり、扁平リード導体１の厚みを１００μｍといった薄肉にしても凸部の折り曲げが単純な曲げ加工であるために亀裂の発生を排除でき、従って、可溶合金片−リード導体側の曲げ剛性（ＥＩ）を小にしてそのリード導体に作用する曲げモーメントｍを低減でき、曲げモーメントｍに基づき扁平リード導体と可溶合金片との接合界面に作用する剥離力を軽減でき、その接合界面の安定性を高めることができる。
【００４８】
　上記において、折り曲げ凸部１１の両脇上端にアールを付すると、その上端がエッジである場合の上側樹脂フィルムの局所的損傷、被覆樹脂の表面張力減少による局所的薄肉化の懸念を払拭できる。
【００４９】
　図６の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例を一部断面で示す平面図、図６の（ロ）は図６の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
　図６において、５１は耐熱性、熱伝導性に優れた絶縁基体、例えばアルミナセラミックスのようなセラミックス板である。６，６は絶縁基体５１の片面の長手方向両側に設けた一対の電極であり、導電ペーストの塗布・焼き付けにより設けることができる。１，１は各電極６，６に溶接等例えばスポット抵抗溶接やレーザ溶接やはんだ付けにより接続した扁平リード導体であり、先端全巾にわたり上向き折り曲げ凸部１１０を設けてある。２は電極６，６間に溶接等により接続した可溶合金片であり、溶接にはスポット抵抗溶接やレーザ溶接等を用いることができる。３は可溶合金片２の全体及び可溶合金片端からリード導体先端凸部１１０にわたり被覆したフラックスであり、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０を堰として塗布してある。
　５２はセラミックスプレート等の絶縁カバープレートであり、絶縁基体５１より小さい外郭としてある。７は接着剤、例えばエポキシ樹脂等の二液常温硬化型接着剤であり、前記絶縁カバープレート５２をリード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０，１１０で支持した状態で絶縁カバープレート５２の周囲と絶縁基体５１との間を接着剤７で封着してある。
【００５０】
　図６に示した実施例においては、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０をリード導体先端にある所定の巾をもって設けてるために、絶縁基体５１に対し絶縁カバープレート５２の傾きのない平行な保持を保証でき、溶融合金（溶融された可溶合金片）の分断球状化に対する空間スペースを一定にできる結果、バラツキのない円滑な分断作動を促すことができる。
【００５１】
　図６の実施例において、接着剤７の使用量を少なくして接着剤の内側への拡がりを防止するために、図７の（イ）及び図７の（ロ）〔図７の（イ）におげるロ−ロ断面図〕に示すように、絶縁カバープレート５２の裏面の周囲に凸条５２１を設け、凸条５２１とリード導体１との間のギャップ及び凸条５２１と絶縁基体５１との間のギャップを接着剤７で封着することができる。
　この場合、凸条５２１の高さをリード導体先端凸部１１０の高さよりも小として絶縁カバー５２を両リード導体先端の折り曲げ凸部１１０，１１０で支持しても、前記と同様に絶縁基体５１に対し絶縁カバー５２の傾きのない平行な保持を保証でき、溶融合金（溶融された可溶合金片）の分断球状化に対する空間スペースを一定にできる結果、バラツキのない円滑な分断作動を促すことができる。従って、温度ヒューズ本体部の厚みを充分に薄く保持しつつバラツキのない円滑な分断作動を保証できる。
【００５２】
　図８の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例を一部断面で示す平面図、図８の（ロ）は図８の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
　図８において、５１は絶縁基体である。１，１は一対の扁平リード導体であり、先端から所定の距離を隔てた箇所に折り曲げ凸部１１を設け、この凸部１１を含む先端部を絶縁基体５１に固着してある。２はリード導体１，１間に溶接等により接続した可溶合金片であり、溶接にはスポット抵抗溶接やレーザ溶接等を用いることができる。３は可溶合金片２の全体及び可溶合金片端からリード導体凸部１１にわたり被覆したフラックスであり、折り曲げ凸部１１を堰として塗布してある。
　５２はセラミックスプレート等の絶縁カバープレートであり、図６に示す実施例と同様、絶縁基体５１より小さい外郭としてある。７は接着剤、例えばエポキシ樹脂等の二液常温硬化型接着剤であり、前記絶縁カバープレート５２をリード導体１，１の折り曲げ凸部１１，１１で支持した状態で絶縁カバープレート５２の周囲と絶縁基体５１との間を接着剤７で封着してある。
【００５３】
　図８に示した実施例においても、接着剤７の使用量を少なくして接着剤の内側への拡がりを防止するために、図９の（イ）及び図９の（ロ）〔図９の（イ）におげるロ−ロ断面図〕に示すように、絶縁カバープレート５２の裏面の周囲に凸条５２１を設け、凸条５２１とリード導体１との間のギャップ及び凸条５２１と絶縁基体５１との間のギャップを接着剤７で封着することができ、この場合も、凸条５２１の高さをリード導体１の先端部の折り曲げ凸部１１の高さよりも小として絶縁カバープレート５２を両リード導体１，１の折り曲げ凸部１１，１１で支持するようにしても、前記と同様に絶縁基体５１に対し絶縁カバープレート５２の傾きのない平行な保持を保証でき、溶融合金（溶融された可溶合金片）の分断球状化に対する空間スペースを一定にできる結果、バラツキのない円滑な分断作動を促すことができ、従って、温度ヒューズ本体部の厚みを充分に薄く保持しつつバラツキのない円滑な分断作動を保証できる。
【００５４】
　図６〜図９に示す実施例においても、折り曲げ凸部１１や１１０の両脇上端にアールを付すると、その上端がエッジである場合の絶縁カバープレートの局所的損傷の懸念を排除できる。
【００５５】
　図８や図９に示す薄型温度ヒューズを製造する場合、通常、絶縁基体５１にリード導体１，１の先端部を固着し、リード導体１，１間に可溶合金片２を接続し、フラックス３を塗布し、両リード導体１，１の折り曲げ凸部１１，１１上に絶縁カバープレート５２を載置し、絶縁基体５１と絶縁カバープレート５２との周囲を接着剤７で封着するようにし、絶縁基体５１へのリード導体１，１の折り曲げ凸部を有する先端部の固着には、接着剤や熱融着を使用できる。
　熱融着による場合、絶縁基体５１に熱可塑性樹脂製基体を使用し、扁平リード導体１の先端部をその厚みの深さで絶縁基体５１に食い込ませても絶縁を充分に保証できるように、熱可塑性樹脂絶縁基体５１の厚みを扁平リード１の厚みの２〜３倍程度とすることが望ましい。
　また、扁平リード導体１の先端部を嵌合するための溝を絶縁基体５１の上面に設けておき、扁平リード導体１の先端部を嵌着することも可能である。
【００５６】
　図１０の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例の一部を断面で示す平面図、図１０の（ロ）は図１０の（イ）におけるローロ断面図である。
　図１０において、５１は前記した絶縁基体、６，６は前記と同様に絶縁基体５１の片面の長手方向両側に設けた一対の電極である。１，１は前記と同様に各電極６，６に溶接等例えばスポット抵抗溶接やレーザ溶接やはんだ付けにより接続した扁平リード導体であり、先端全巾にわたり上向き折り曲げ凸部１１０を設けてある。２は前記と同様に電極６，６間に溶接等により接続した可溶合金片である。３は前記と同様に可溶合金片２の全体及び可溶合金片端からリード導体先端凸部１１０にわたり被覆したフラックスであり、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０を堰として塗布してある。
　５３は水密な樹脂モールド層であり、例えばエポキシ樹脂等の二液常温硬化樹脂液への浸漬塗装により設けることができる。
【００５７】
　図６、図７、図１０に示す実施例では、電極前端と導体先端との間隔の調整により、電極の所望の位置にフラックスに対する堰を設けることができ、溶融合金を電極６によく濡らさせて分断球状化を効果的に促進できる。
【００５８】
　図６、図７、図１０に示す実施例に対し、図１１や図１２に示すように、可溶合金片２の端をリード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０の前面にも溶接等により接続したり、上向き折り曲げ凸部１１０の前面のみに接続したりすることができる。
　図６、図７、図１０に示す実施例においては、折り曲げ凸部１１０を図８、９に示されている折り曲げ凸部１１とすることもできる。また、図８、９に示す実施例においては、折り曲げ凸部１１を図６、図７、図１０に示されている折り曲げ凸部１１０とすることもできる。
【００５９】
　図１３の（イ）は本発明に係る薄型温度ヒューズの上記とは別の実施例の一部を断面で示す平面図、図１３の（ロ）は図１３の（イ）におけるローロ断面図である。
　図１３において、１，１は一対の扁平リード導体であり、先端を上向き折り曲げ凸部１１０に加工してある。２は両扁平リード導体１，１先端の上向き折り曲げ凸部１１０の前面間に溶接等により接合したヒューズエレメントであり、レーザ溶接等を使用できる。３はフラックスであり、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０をフラックスの堰として使用しフラックス被覆厚みを充分に厚くしてある。４１は下側樹脂フィルム、４２は上側樹脂フィルムであり、前記両扁平リード導体１，１の前半部とヒューズエレメント２とをこれらの樹脂フィルム４１，４２で挾み、上側樹脂フィルム４２を出っ張った被覆フラックス３上に湾曲させた状態で周囲部を水平保持の下側樹脂フィルム４１に封着してある。
【００６０】
　図１３に示した実施例では、上記フラックス３に対する堰１１０を扁平リード導体先端の上向き折り曲げにより設けてあり、扁平リード導体の厚みを１００μｍといった薄肉にしても単純な曲げ加工であるために亀裂の発生を排除できる。従って、図１に示した実施例と同様に、温度ヒューズボディ部分の曲げ剛性（ＥＩ）を小にしてその温度ヒューズボディ部分に作用する曲げ反力ｍを低減でき、曲げ反力ｍに基づき扁平リード導体と可溶合金片との接合界面に作用する剥離力を軽減でき、その接合界面の安定性を高めることができる。
【００６１】
　図１３に示す実施例においても、上側樹脂フィルム４２の厚みを下側樹脂フィルム４１の厚みよりも薄くすることができる。
【００６２】
　上記において、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０の両脇上端にアールを付すると、その上端がエッジである場合の上側樹脂フィルムの局所的損傷、被覆樹脂の表面張力減少による局所的薄肉化の懸念を払拭できる。
【００６３】
　本発明に係る樹脂モールドタイプの温度ヒューズは、図５に示したもの以外に、図１１や図１２に示すように、可溶合金片端をリード導体先端の上向き折り曲げ凸部の前面に溶接等により接続し、可溶合金片及びフラックス並びにリード導体端部を包囲する樹脂被覆層、例えばエポキシ樹脂被覆層を設けることによって実施することもできる。
【００６４】
　本発明において、温度ヒューズボディの巾を温度ヒューズボディ外部のリード導体部分の巾以下とすることができる。また、温度ヒューズボディの巾両端側では樹脂フィルム同士の封着代や絶縁カバープレートの絶縁基体への封着代を可及的に大きくすることが望ましい。この場合、図１４の（イ）に示すように、温度ヒューズボディ内部のリード導体部分の巾ｗ１を温度ヒューズボディ外部のリード導体部分の巾ｗ２よりも狭くすることができる。
【００６５】
　本発明において、フラックスを付着するには、フラックスを加熱溶融して可溶合金片を包含する外郭で付着させ、この付着フラックスを表面張力と界面張力との作用下、堰に至るまで流延させて自然冷却により凝固させる。この場合、温度ヒューズボディ内部のリード導体部分の巾を可溶合金片の巾よりも広くすることによりフラックスに対する堰としての凸部の巾を可溶合金片の巾よりも広くし、可溶合金片巾を包含する巾のフラックスを凸部で良好に堰止めるようにしてある。
【００６６】
　上記扁平リード導体は、温度ヒューズボディ内部のリード導体部分が扁平であればよく、全体が扁平で、図１４の（イ）に示すように内側の導体部分の巾をｗ１、外部の導体部分の巾をｗ２として、ｗ１＜ｗ２としたもの、図１４の（ロ）に示すように、ｗ１＝ｗ２としたもの、図１４の（ハ）に示すように、ｗ１＞ｗ２としたものの外、図１４の（ニ）に示すように、丸線材の前半部を圧延し、この圧延部分を内側リード導体部分とするものも使用できる。折り曲げにより凸部１１を設けるものについても同様である。
　扁平リード導体先端の上向き折り曲げ凸部１１０は、可溶合金片端を接続でき、かつフラックスに対する堰となし得るものであれば、付随的な加工が施されていてもよく、例えば、図１４の（ホ）に示すような水平かぎ部１１０１や図１４の（ヘ）に示すような折り返し部１１０２を付加することもできる。
　また、折り曲げ凸部１１は、通常図１４の（ト）に示すような三角形凸部とされるが、図１４の（チ）に示すような方形凸部、図１４の（リ）に示すような台形凸部とすることもできる。
　また、図１４の(ヌ)に示すように、切出し曲げにより凸部１１００を設けたものの使用も可能である。
【００６７】
　本発明において、前記被覆フラックスの最大高さが前記折り曲げ凸部や扁平リード導体先端の上向き折り曲げ凸部の高さより高い場合は、絶縁カバープレートを押圧して被覆フラックスを圧潰した状態で前記接着剤による封着を行うことができる。あるいは、封着作業中、絶縁カバープレートを押圧しつづけ、絶縁カバープレートを押圧しつつ前記接着剤による封着を行うことができる。
　上記絶縁基体とリード導体との界面の封止は、その界面を接着剤で接着するか、絶縁基体端面とリード導体上面との境界のコーナを接着剤で充填することにより行うことができる。
【００６８】
　上記リード導体には、Ｃｕ、Ｆｅ等の使用も可能であるが、溶接、特にスポット抵抗溶接が容易なＮｉを使用することが好ましい。また、リード導体の少なくとも先端部には、可溶合金片との溶接の容易化、電極との溶接の容易化のために、Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕの何れか、またはこれらの金属を主成分とする合金を被覆しておくことが好ましい。特に、Ｎｉリード導体の場合、電極への固着をスポット抵抗溶接により行うとき、Ｓｎ皮膜がナゲットでの熱的衝撃を熱的、応力的に緩和するから、セラミックス製絶縁基体のクラック防止の保証に有効である。
【００６９】
　上記の上側樹脂フィルム、下側樹脂フィルムや補助樹脂フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレ−トが好適であるが、ポリエチレンナフタレ−ト、ポリアミド、ポリイミド、ポリブチレンテレフタレ−ト、ポリフェニレンオキシド、ポリエチレンサルファイド、ポリサルホン等のエンジニアリングプラスチック、ポリアセタ−ル、ポリカ−ボネ−ト、ポリフェニレンスルフィド、ポリオキシベンゾイル、ポリエ−テルエ−テルケトン、ポリエ−テルイミド等のエンジニアリングプラスチックやポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリメチルメタクリレ−ト、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンポリテトラフルオロエチレン共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、アイオノマ−、ＡＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂等の熱可塑性樹脂のフィルムも使用できる。
【００７０】
　上記の絶縁基体や絶縁カバープレートとしては、セラミックス、特にアルミナセラミックス板が好適であるが、前記した熱可塑性樹脂の板、繊維強化エポキシ樹脂板、繊維強化フエノール樹脂板、絶縁被覆金属板等の使用も可能である。
　図８〜図９に示した温度ヒューズの絶縁基体や絶縁カバープレートとしては、前記したポリエチレンテレフタレ−トをはじめとする熱可塑性樹脂の板を好適に使用できる。
【００７１】
　上記電極は、Ａｇペースト、Ｃｕペースト、Ａｕペースト、Ｐｔペースト、Ａｇ−Ｐｔペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト等の導電ペーストの塗布・焼き付けの外、金属箔積層絶縁基板の金属箔の印刷・エッチング等により形成することもできる。
【００７２】
　上記可溶合金片には、丸線材または圧延線材を使用でき、圧延線材の巾は扁平リード導体の先端の巾にほぼ等しくすることができる。
　可溶合金片の融点は機器の保護温度に応じて選定されるが、電池用の場合、固相線温度が８０℃〜１２０℃、液相線温度が９０℃〜１２０℃である合金が使用される。例えばＩｎ５０〜５５％、Ｓｎ２５〜４０％、残部Ｂｉの合金、Ｉｎ３０〜７５％、Ｓｎ５〜５０％、Ｃｄ０．５〜２５％の合金、更にこの合金組成にＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｂｉのうちの１種または２種以上を合計０．１〜５％添加した合金、Ｂｉ４８〜５３％、Ｐｂ２８〜３３％、Ｓｎ１３〜１９％の合金、Ｉｎ０．５〜４％、Ｂｉ５０〜５４％、Ｐｂ３０〜３４％、Ｓｎ１４〜１８％の合金等を例示できる。
　可溶合金片は母材の鋳造または押し出しによりロッドを得、このロッドを線引きし、更には圧延する線引き法乃至は線引き圧延法により製造できる。また、ドラム内の冷却液をドラムの回転により層状になし、ノズルからの溶融合金のジェットをこの回転液層中にその回転周速と同速で入射させて冷却凝固させる回転液紡糸法を使用することもできる。
【００７３】
　近来、可溶合金片としては環境衛生上、ＰｂやＣｄ等の生体系に有害金属を含まない組成を使用することが要請されており、この要請を満たして前記線引き法乃至線引き圧延法や回転紡糸法により製線可能な組成としては、[Ａ]（１）４３％＜Ｓｎ≦７０％，０．５％≦Ｉｎ≦１０％，残Ｂｉ、（２）２５％≦Ｓｎ≦４０％，５０％≦Ｉｎ≦５５％，残Ｂｉ、（３）２５％＜Ｓｎ≦４４％，５５％＜Ｉｎ≦７４％，１％≦Ｂｉ＜２０％、（４）４６％＜Ｓｎ≦７０％，１８％≦Ｉｎ＜４８％，１％≦Ｂｉ≦１２％、（５）５％≦Ｓｎ≦２８％，１５％≦Ｉｎ＜３７％，残Ｂｉ（但し、Ｂｉ５７．５％，Ｉｎ２５．２％，Ｓｎ１７．３％とＢｉ５４％，Ｉｎ２９．７％，Ｓｎ１６．３％のそれぞれを基準にＢｉ±２％，Ｉｎ及びＳｎ±１％の範囲を除く）、（６）１０％≦Ｓｎ≦１８％，３７％≦Ｉｎ≦４３％，残Ｂｉ、（７）２５％＜Ｓｎ≦６０％，２０％≦Ｉｎ＜５０％，１２％＜Ｂｉ≦３３％、（８）（１）〜（７）の何れか１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（９）３３％≦Ｓｎ≦４３％，０．５％≦Ｉｎ≦１０％，残Ｂｉ、（１０）４７％≦Ｓｎ≦４９％，５１％≦Ｉｎ≦５３％の１００重量部にＢｉを３〜５重量部を添加、（１１）４０％≦Ｓｎ≦４６％，７％≦Ｂｉ≦１２％，残Ｉｎ、（１２）０．３％≦Ｓｎ≦１．５％，５１％≦Ｉｎ≦５４％，残Ｂｉ、（１３）２．５％≦Ｓｎ≦１０％，２５％≦Ｂｉ≦３５％，残Ｉｎ、（１４）（９）〜（１３）の何れか１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（１５）１０％≦Ｓｎ≦２５％，４８％≦Ｉｎ≦６０％，残Ｂｉを１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、等のＩｎ−Ｓｎ−Ｂｉ系合金の組成[Ｂ]（１６）３０％≦Ｓｎ≦７０％，０．３％≦Ｓｂ≦２０％，残Ｂｉ、（１７）（１６）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、等のＢｉ−Ｓｎ−Ｓｂ系合金の組成[Ｃ]（１８）５２％≦Ｉｎ≦８５％，残Ｓｎ、（１９）（１８）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、等のＩｎ−Ｓｎ系合金の組成[Ｄ]（２０）４５％≦Ｂｉ≦５５％，残Ｉｎ、（２１）（２０）の組成の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、等のＩｎ−Ｂｉ系合金の組成、[Ｅ]（２２）５０％＜Ｂｉ≦５６％，残Ｓｎ、（２３）（２２）の１００重量部にＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、等のＢｉ−Ｓｎ系合金の組成[Ｆ]（２４）Ｉｎの１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（２５）９０％≦Ｉｎ≦９９．９％，０．１％≦Ａｇ≦１０％の１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ��Ｐｄ、Ｐｔ、、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加、（２６）９５％≦Ｉｎ≦９９．９％，０．１％≦Ｓｂ≦５％の１００重量部にＡｕ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｐの１種または２種以上を合計０．０１〜７重量部添加等のＩｎ系合金の組成等を挙げることができ、これらのうちから温度ヒューズの動作温度に適合した融点の組成を選定することが好ましい。
【００７４】
　上記フラックスには、天然ロジン、変性ロジン（水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン等）及びこれらの精製ロジンにジエチルアミンの塩酸塩、ジエチルアミンの臭化水素酸塩、アジピン酸等の有機酸等を添加したものを使用できる。
【００７５】
　上記接着剤には、通常エポキシ樹脂が使用されるが、フエノール樹脂やポリウレタン等の硬化性樹脂も使用可能である。
【００７６】
　上記絶縁基体の寸法は、通常長辺が５．０〜１５．０ｍｍ，短辺が２．０〜４．０ｍｍ，厚みが０．２〜０．５ｍｍとされる。
　上記絶縁カバープレートの寸法は、通常長辺が３．０〜１２．０ｍｍ，短辺が１．５〜３．０ｍｍ，厚みが０．２〜０．５ｍｍとされる。
　上記下側樹脂フィルム、上側樹脂フィルムや補助樹脂フィルムの寸法は、通常長辺が５．０〜１５．０ｍｍ，短辺が３．０〜５．０ｍｍとされる。下側樹脂フィルムの厚みは０．２〜０．４ｍｍとされ、上側樹脂フィルムの厚みは下側樹脂フィルムの厚みに等しいか、５０μｍ〜８０μｍ薄くされる。
　上記リード導体の寸法は、通常外側部分の巾が２．０〜４．０ｍｍ，内側部分の巾が１．０〜３．０ｍｍとされる。リード導体の厚みは、基板タイプに対しては０．１５〜０．３ｍｍとされ、フィルムタイプや樹脂モールドタイプに対しては、０．０７〜０．１５ｍｍとされる。
【００７７】
　本発明に係る温度ヒューズは二次電池用として使用できる。例えば、図１６に示すように、二次電池パックの扁平ケースの側面に装着して電池と負荷との間に直列に挿入させることができる。従って、電池に異常が生じ、電池の発熱により温度ヒューズの可溶合金片がその融点温度、例えば８０℃〜１００℃内の所定温度に達すると、可溶合金片が溶断されて電池と負荷との間が電気的に遮断され、以後の電池の温度上昇が停止される。従って、電池の異常発熱を未然に防止できる。
【００７８】
　上記において、可溶合金片のジュール発熱を無視できるときは、電池が許容温度Ｔｍに達したときの可溶合金片の温度ＴｘはＴｍより２℃〜３℃低くなり、可溶合金片の融点を〔Ｔｍ−（２℃〜３℃）〕に設定すればよい。
　しかしながら、可溶合金片のジュール発熱を無視できないときは、可溶合金片の電気抵抗をＲ、通電電流をＩ、機器とヒューズエレメント間の熱抵抗をＨとすれば、
【００７９】
　Ｔｘ＝Ｔｍ−（２℃〜３℃）＋ＨＲＩ２
【００８０】
が成立し、可溶合金片の融点を上式に基づき設定することが有効である。
【００８１】
　本発明に係る温度ヒューズにおいては、通電発熱体を付設し、例えば抵抗ペースト（例えば、酸化ルテニウム等の酸化金属粉のペースト）の塗布・焼き付けにより膜抵抗を付設し、電池の異常発熱の原因となる前兆、例えば過充電時の電池電圧の異常上昇を検出し、この検出信号で膜抵抗を通電して発熱させ、この発熱で可溶合金片を溶断させることもできる。
　例えば、上記膜抵抗を絶縁基体の上面に設け、この上に耐熱性・熱伝導性の絶縁膜、例えばガラス焼き付け膜を形成し、更に一対の電極を設け、先端に上向き折り曲げ凸部を設けた扁平リード導体を各電極に接続し、両電極間に可溶合金片を接続し、可溶合金片から前記リード導体の先端凸部にわたってフラックスを被覆し、絶縁カバープレートを前記の絶縁基体上に配設し、該絶縁カバープレート周囲を絶縁基体に接着剤により封着することができる。
【００８２】
　図１５は発熱体付き温度ヒューズの使用状態を示す回路図であり、Ｐは温度ヒューズを、２は可溶合金片を、Ｒは抵抗体を、ＩＣは異常電圧検出通電回路を、Ｄはツエナダイオードを、Ｔｒはトランジスターを、Ｅは電池を、Ｓは充電機をそれぞれ示し、過充電により電池電圧が上昇すると、ツエナダイオードＤが降伏導通され、トランジスターＴｒが導通して抵抗体Ｒに電流が流され、その抵抗体Ｒの通電発熱で可溶合金片２が溶断される。前記異常電圧検出通電回路は電池パックに装着した回路板に形成してある。
【実施例１】
【００８３】
　図１に示す構成のフィルムタイプ薄型ヒューズである。下側樹脂フィルム４１及び上側樹脂フィルム４２には、長辺７．３ｍｍ，短辺３．４ｍｍ，厚み１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。扁平リード導体１には、厚み１００μｍ、リード導体先端から折り曲げ凸部１１までの距離２．３ｍｍ，凸部１１の高さ０．５０ｍｍ，内側部巾２．６ｍｍ，外側部巾３．５ｍｍで、先端部にＣｕ膜を被覆したＮｉ導体を使用し、リード導体間の間隔を０．８ｍｍとした。可溶合金片２には組成がＩｎ５２％−Ｓｎ３６％−Ｂｉ１２％で、直径０．３ｍｍ，長さ４．４ｍｍの丸線材を使用し、フラックス３には、ロジンを主成分とするものを使用し、加熱溶融させたものを両リード導体１，１の凸部１１，１１間に流延し、冷却凝固させた。
　フィルム同士の封着は超音波溶着により行い、リード導体とフィルム間の融着はセラミックチップ加圧下での電磁誘導加熱により行った。
【００８４】
　〔比較例１〕
　実施例１に対しリード導体の凸部折り曲げに代えポンチ加工により凸部を形成することを試みたが、厚み１００μｍのリード導体では亀裂が発生したので、リード導体厚みを３００μｍにしてポンチ加工により凸部（高さは、実施例１の折り曲げ凸部高さに同じとした）を設けた。これ以外は実施例１と同じとした。
【００８５】
　実施例１及び比較例１の各試料数を５０箇としてリード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例１の抵抗値のバラツキが比較例１に較べて著しく小さいことが明かになった。
　この結果から、実施例、比較例ともフラックス厚みを高くするために堰を設けた点では共通しているが、実施例ではリード導体の厚みを薄くでき、上側樹脂フィルムの湾曲封着に基づき発生する曲げ反力のリード導体負担分を軽減できるので、リード導体と可溶合金片との接合界面を安定に保持でき、その界面の抵抗値を安定に維持できることが確認できる。
【実施例２】
【００８６】
　実施例１に対し上側樹脂フィルムの厚みを１２５μｍにして薄くした以外、実施例１に同じとした。
【００８７】
　実施例２の各試料数を５０箇としてリード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例１の抵抗値のバラツキに対して同等以上であることが判明した。
　この結果は、上側樹脂フィルムの湾曲封着に基づき発生する反りを実施例１より小さくできたためであり、リード導体と可溶合金片との接合界面の安定化による界面抵抗値のより一層の安定維持が期待できる。
【実施例３】
【００８８】
　図２に示す構成のフィルムタイプ薄型ヒューズである。下側樹脂フィルム４１には、長辺７．３ｍｍ，短辺３．４ｍｍ，厚み１８８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用し、上側樹脂フィルム４２には外郭が下側樹脂フィルムと同じで厚みが１２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。扁平リード導体１には、厚み１００μｍ、下側樹脂フィルム表面に面一の表出部１０１とリード導体先端から折り曲げ凸部１１までの距離２．３ｍｍ，凸部１１の高さ０．６ｍｍ，内側部巾２．６ｍｍ，外側部巾３．５ｍｍで、表出部を包含する先端部にＣｕ膜を被覆したＮｉ導体を使用し、両リード導体先端間の間隔を０．８ｍｍとした。可溶合金片２には組成がＩｎ５２％−Ｓｎ３６％−Ｂｉ１２％で、直径０．３ｍｍ，長さ４．４ｍｍの丸線材を使用し、フラックス３には、ロジンを主成分とするものを使用し、加熱溶融させたフラックスを両リード導体の凸部１１，１１間に流延し、冷却凝固させた。
　リード導体と下側樹脂フィルムとの界面は熱溶着し、フィルム同士の封着は超音波溶着により行った。
【００８９】
　実施例３の試料数を５０箇としてリード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例２の抵抗値のバラツキに対して同等であることが判明した。
【実施例４】
【００９０】
　図５に示す構成の樹脂モールドタイプ薄型ヒューズである。扁平リード導体１には、厚み１００μｍ、リード導体先端から折り曲げ凸部１１までの距離２．３ｍｍ，凸部１１の高さ０．５０ｍｍ，内側部巾２．６ｍｍ，外側部巾３．５ｍｍで、先端部にＣｕ膜を被覆したＮｉ導体を使用し、リード導体間の間隔を０．８ｍｍとした。可溶合金片２には組成がＩｎ５２％−Ｓｎ３６％−Ｂｉ１２％で、直径０．３ｍｍ，長さ４．４ｍｍの丸線材を使用し、フラックス３には、ロジンを主成分とするｍのを使用し、加熱溶融させたフラックスを両リード導体の凸部１１，１１間に流延し、冷却凝固させた。
　樹脂モールド被覆層４０は、常温硬化エポキシ樹脂液の浸漬塗装により設けた。
【００９１】
　〔比較例２〕
　実施例４に対しリード導体の凸部折り曲げに代えポンチ加工により凸部を形成することを試みたが、厚み１００μｍのリード導体では亀裂が発生したので、リード導体厚みを３００μｍにしてポンチ加工により凸部（高さは、実施例４の折り曲げ凸部高さに同じとした）を設けた。これ以外は実施例４と同じとした。
【００９２】
　実施例４及び比較例２の各試料数を５０箇として所定のヒートサイクル試験ののち、リード導体間の抵抗値を測定し、標準偏差を算出して散布度を評価したところ、実施例４の抵抗値のバラツキが比較例２に較べて著しく小さいことが判明した。
　この結果から、実施例４、比較例２ともフラックス厚みを高くするために堰を設けた点では共通しているが、実施例４ではリード導体の厚みを薄くでき、ヒートサイクルに基づき発生する曲げモーメントのリード導体作用分を軽減できるので、リード導体と可溶合金片との接合界面を安定に保持でき、その界面の抵抗値を安定に維持できることが確認できる。
【実施例５】
【００９３】
　図６に示す構成の基板タイプ薄型ヒューズである。絶縁基体５１には、長辺７．０ｍｍ，短辺２．６ｍｍ，厚み０．３ｍｍの長方形アルミナセラミックス板を使用した。電極６はＡｇペーストの塗布焼き付けにより形成し、長辺２．８ｍｍ，短辺１．８ｍｍ，厚み３５μｍとし、電極間隔を０．９ｍｍとした。扁平リード導体１には、内側部分の巾１．２ｍｍ，外側部分の巾３．０ｍｍ，厚み０．２ｍｍでリード導体先端の折り曲げ凸部１１０の高さ０．５ｍｍの錫メッキＮｉリード導体を使用した。可溶合金片２には、組成がＩｎ５２％−Ｓｎ３６％−Ｂｉ１２％であり、長辺２．５ｍｍ，短辺０．８５ｍｍ，厚みが０．２３ｍｍの圧延線材を使用し、各電極前端とリード導体先端との間隔を１．２ｍｍにした。フラックス３には、ロジンを主成分とするものを使用し、加熱溶融させて可溶合金片全長及び電極並びにリード導体先端にわたり付着させた。絶縁カバープレート５２には、長辺４．５ｍｍ，短辺１．６ｍｍ，厚み０．２ｍｍの長方形アルミナセラミックス板を使用し、絶縁カバープレート５２の周囲を絶縁基体５１及び扁平リード導体１にエポキシ樹脂接着剤７で封着し、かつリード導体と絶縁基体端面との間を同じエポキシ樹脂接着剤で封止した。
【００９４】
　〔比較例３〕
　実施例５に対し、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部に代え、リード導体先端から０．６ｍｍ位置にポンチ加工により高さ０．５ｍｍの凸部を形成し、各電極前端とリード導体先端との間隔を０．６ｍｍにした。これ以外は実施例５に同じとした。
【００９５】
　実施例５及び比較例３のそれぞれの試料数を３０箇とし、０．１アンペア通電下でシリコンオイル中に浸漬し、シリコンオイルを１分間に１℃の割合で昇温し、試料が分断作動したときのシリコンオイル温度を測定したところ、実施例５では９３．０〜９５．９℃であったが、比較例３では９３．０〜９８．０℃であった。
　この結果は、比較例３では、絶縁基体に対し絶縁カバープレートの傾きが避けられず、溶融された可溶合金片の分断球状化に対する空間スペースが一定せず、分断球状化のバラツキが大きいのに対し、実施例５では、両リード導体先端のある所定の巾をもって上向き折り曲げ凸部により絶縁カバープレートを傾きなく保持でき、溶融された可溶合金片の分断球状化に対する空間スペースの一様性を保証でき、分断球状化のバラツキを充分に小さくし得るためと推定できる。
【実施例６】
【００９６】
　図９に示す構成の薄型ヒューズである。絶縁基体５１には、長辺７．０ｍｍ，短辺２．６ｍｍ，厚み０．５ｍｍのポリエチレンテレフタレート板を使用した。扁平リード導体１には、内側部分の巾１．２ｍｍ，外側部分の巾３．０ｍｍ，厚み０．２ｍｍ、リード導体先端から距離１．２ｍｍの位置に全巾にわたる高さ０．５ｍｍの折り曲げ凸部１１を設け、先端部にＡｇをめっきしたＮｉリード導体を使用し、リード導体１、１間の間隔を０．９ｍｍとするように絶縁基体５１の表面に加熱下で埋着した。可溶合金片２には、組成がＩｎ５２％−Ｓｎ３６％−Ｂｉ１２％であり、長辺２．５ｍｍ，短辺０．８５ｍｍ，厚みが０．２３ｍｍの圧延線材を使用した。フラックス３には、ロジンを主成分とするものを使用し、加熱溶融させて両リード導体の凸部１１，１１間に流延し、冷却凝固させた。絶縁カバープレート５２には、絶縁基体５１と同一の外郭寸法でで下面周囲に０．３ｍｍの凸条を設けた厚み０．５ｍｍのポリエチレンテレフタレート板を使用し、凸条と絶縁基体との間をエポキシ樹脂接着剤で封止した。
【００９７】
　〔比較例４〕
　実施例６に対し、高さ０．５ｍｍの折り曲げ凸部１１に代え、ポンチ加工により巾０．７ｍｍ、高さ０．５ｍｍの凸部を形成した。これ以外は実施例６に同じとした。
【００９８】
　実施例６及び比較例４のそれぞれの試料数を３０箇とし、０．１アンペア通電下でシリコンオイル中に浸漬し、シリコンオイルを１分間に１℃の割合で昇温し、試料が分断作動したときのシリコンオイル温度を測定したところ、実施例６では９３．０〜９５．９℃であったが、比較例４では９３．０〜９８．１℃であった。
　この結果は、比較例４では、絶縁基体に対し絶縁カバープレートの傾きが避けられず、溶融された可溶合金片の分断球状化に対する空間スペースが一定せず、分断球状化のバラツキが大きいのに対し、実施例６では、両リード導体のある所定の巾をもって曲げ凸部により絶縁カバープレートを傾きなく保持でき、溶融された可溶合金片の分断球状化に対する空間スペースの一様性を保証でき、分断球状化のバラツキを充分に小さくし得るためと推定できる。
【実施例７】
【００９９】
　図１０に示す構成の基板−樹脂モールドタイプ薄型ヒューズである。絶縁基体５１には、長辺７．０ｍｍ，短辺２．６ｍｍ，厚み０．３ｍｍの長方形アルミナセラミックス板を使用した。電極６は、Ａｇペーストの塗布焼き付けにより形成し、長辺２．８ｍｍ，短辺１．８ｍｍ，厚み３５μｍとし、電極間隔を０．９ｍｍとした。扁平リード導体１には、内側部分の巾１．２ｍｍ，外側部分の巾３．０ｍｍ，厚み０．２ｍｍで、リード導体先端の折り曲げ凸部１１０の高さ０．５ｍｍの錫メッキＮｉリード導体を使用した。可溶合金片２には、組成がＩｎ５２％−Ｓｎ３６％−Ｂｉ１２％であり、長辺２．５ｍｍ，短辺０．８５ｍｍ，厚み０．２３ｍｍの圧延線材を使用し、各電極前端とリード導体先端との間隔を１．２ｍｍにした。フラックス３には、ロジンを主成分とするものを使用し、加熱溶融させて可溶合金片全長及び電極並びにリード導体先端にわたり流延付着させた。
　樹脂モールド被覆層５３は、常温硬化エポキシ樹脂液の滴下塗装により設けた。
【０１００】
　〔比較例５〕
　実施例７に対し、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部を省略した以外、実施例７に同じとした。
【０１０１】
　実施例７及び比較例５のそれぞれの試料数を３０箇とし、０．１アンペア通電下でシリコンオイル中に浸漬し、シリコンオイルを１分間に１℃の割合で昇温し、試料が分断作動したときのシリコンオイル温度を測定したところ、実施例７に対し比較例５では相当の作動遅延が認められた。
　この結果は、実施例７では、リード導体先端の上向き折り曲げ凸部を堰としフラックスを可溶合金片近傍にも充分な量で付着させ得、溶融合金の両側への分断球状化を迅速に生じさせ得るのに対し、比較例５では溶融合金の両側への迅速な分断球状化がフラックス量の不足のために保証し難いためであると推定できる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
　上記した温度ヒューズは、通電による自己発熱で可溶合金片を溶断させて通電を遮断する薄型電流ヒューズとしても利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明に係る温度ヒューズの一実施例を示す図面である。
【図２】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図３】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図４】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図５】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図６】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図７】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図８】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図９】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図１０】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図１１】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例の要部を示す図面である。
【図１２】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例の要部を示す図面である。
【図１３】本発明に係る温度ヒューズの上記とは別の実施例を示す図面である。
【図１４】本発明において使用する扁平リード導体の異なる多数の例を示す図面である。
【図１５】本発明に係る温度ヒューズのうちの発熱体付きの実施例の作動機構を示す回路図である。
【図１６】本発明に係る温度ヒューズが装着される電池パックを示す図面である。
【図１７】従来の薄型温度ヒューズの一例を示す図面である。
【図１８】従来の薄型温度ヒューズの上記とは別の例を示す図面である。
【図１９】従来の薄型温度ヒューズの上記とは別の例を示す図面である。
【図２０】従来の薄型温度ヒューズの上記とは別の例を示す図面である。
【図２１】従来の薄型温度ヒューズのフラックスの形状を示す図面である。
【図２２】従来の温度ヒューズの問題点を説明するために使用した図面である。
【符号の説明】
【０１０４】
　１　　　　　　扁平リード導体
　１１　　　　　折り曲げ凸部
　１１０　　　　上向き折り曲げ凸部
　２　　　　　　可溶合金片
　３　　　　　　フラックス
　４１　　　　　下側樹脂フィルム
　４２　　　　　上側樹脂フィルム
　４３　　　　　補助フィルム
　５１　　　　　絶縁基体
　５２　　　　　絶縁カバー
　５３　　　　　水密樹脂被覆
　６　　　　　　電極
　７　　　　　　接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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