(57)【要約】【課題】レーザー光線を被加工物に照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。【解決手段】被加工物にレーザー光線照射手段からレーザー光線を照射しつつ該被加工物と該レーザー光線照射手段とを相対移動せしめて該被加工物を加工するレーザー加工方法であって、レーザー光線照射時にレーザー光線によって加工された側からレーザー光線の照射位置に向けてガスを噴出せしめる。【選択図】        図３
2004223542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物にレーザー光線照射手段からレーザー光線を照射しつつ該被加工物と該レーザー光線照射手段とを相対移動せしめて該被加工物を加工するレーザー加工方法であって、
レーザー光線照射時に該レーザー光線によって加工された側から該レーザー光線の照射位置に向けてガスを噴出せしめる、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項２】
レーザー光線照射時に該被加工物を該レーザー光線照射手段に対して移動せしめ、該照射位置より該被加工物の移動方向下流側から該照射位置に向けてガスを噴出せしめる、請求項１記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された該被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対移動せしめる加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
レーザー光線照射時に該レーザー光線によって加工された側から該レーザー光線の照射位置に向けてガスを噴出せしめるガス噴出手段を備えている、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項４】
該加工送り手段は該被加工物保持手段を該レーザー光線照射手段に対して移動せしめるように構成されており、該ガス噴出手段はレーザー光線照射時に該照射位置より該被加工物保持手段の移動方向下流側から該照射位置に向けてガスを噴出せしめるガス噴出ノズルを備えている、請求項３記載のレーザー加工装置。
【請求項５】
該加工送り手段は該被加工物保持手段を該レーザー光線照射手段に対して移動せしめるように構成されており、該ガス噴出手段は該照射位置の該被加工物保持手段の移動方向両側からそれぞれ該照射位置に向けてガスを噴出せしめる一対のガス噴出ノズル備え、レーザー光線照射時には該照射位置より該被加工物保持手段の移動方向下流側に位置する一方の該ガス噴出ノズルからガスを噴出せしめる、請求項３記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被加工物の所定の加工領域にレーザー光線を照射して被加工物を加工するレーザー加工方法およびレーザー加工装置に関する。
【０００２】
当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリート（切断ライン）によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成されている半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによって回路毎に分割して個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切断手段と、チャックテーブルと切断手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。切断手段は、高速回転せしめられる回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。このような切削ブレードによって半導体ウエーハを切削すると、切断された半導体チップの切断面に欠けやクラックが発生するため、この欠けやクラックの影響を見込んでストリートの幅は５０μｍ程度に形成されている。しかるに、半導体チップのサイズが小型化されると、半導体チップに占めるストリートの割合が大きくなり、生産性が低下する原因となる。また、切削ブレードによる切削においては、送り速度に限界があるとともに、切削屑の発生により半導体チップが汚染されるという問題がある。
【０００３】
また、近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路をより微細に形成するために、シリコンウエーハの如き半導体ウエーハ本体の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層せしめた形態の半導体ウエーハや、テスト  エレメント  グループ（Ｔｅｇ）と称する金属パターンが施された半導体ウエーハが実用化されている。低誘電率絶縁体（Ｌｏｗ−ｋ膜）を積層せしめた形態の半導体ウエーハを切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、低誘電率絶縁体が剥離するという問題がある。また、テスト  エレメント  グループ（Ｔｅｇ）と称する金属パターンが施された半導体ウエーハを切削ブレードによりストリートに沿って切削すると、金属パターンが銅等の粘りのある金属によって形成されているためにバリが発生するという問題がある。
【０００４】
一方、半導体ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射して切断する加工方法も試みられている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−１２０３３４号公報
【０００６】
このレーザー光線を照射して切断する方法は、半導体ウエーハのストリートをレーザー光線によって分割する形態であるので、低誘電率絶縁体層が剥離する問題を解消することができるとともに、バリが発生するという問題も解消することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
而して、半導体ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがボンディングパッド等に付着して半導体チップの品質を低下させるという新たな問題が生じる。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、レーザー光線を被加工物に照射することにより発生するデブリの影響を防止することができるレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物にレーザー光線照射手段からレーザー光線を照射しつつ該被加工物と該レーザー光線照射手段とを相対移動せしめて該被加工物を加工するレーザー加工方法であって、
レーザー光線照射時に該レーザー光線によって加工された側から該レーザー光線の照射位置に向けてガスを噴出せしめる、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
【００１０】
上記レーザー光線照射時に被加工物を上記レーザー光線照射手段に対して移動せしめ、上記照射位置より被加工物の移動方向下流側から照射位置に向けてガスを噴出せしめることが望ましい。
【００１１】
また、本発明においては、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された該被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該被加工物保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対移動せしめる加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
レーザー光線照射時に該レーザー光線によって加工された側から該レーザー光線の照射位置に向けてガスを噴出せしめるガス噴出手段を備えている、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【００１２】
上記加工送り手段は上記被加工物保持手段を上記レーザー光線照射手段に対して移動せしめるように構成されており、上記ガス噴出手段はレーザー光線照射時に上記照射位置より被加工物保持手段の移動方向下流側から照射位置に向けてガスを噴出せしめるガス噴出ノズルを備えていることが望ましい。また、上記加工送り手段は上記被加工物保持手段を上記レーザー光線照射手段に対して移動せしめるように構成されており、上記ガス噴出手段は上記照射位置の被加工物保持手段の移動方向両側からそれぞれ照射位置に向けてガスを噴出せしめる一対のガス噴出ノズル備え、レーザー光線照射時には照射位置より被加工物保持手段の移動方向下流側に位置する一方のガス噴出ノズルからガスを噴出せしめるように構成することが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるレーザー加工方法およびレーザー加工装置について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明によるレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示されたレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１５】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
【００１６】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。
【００１７】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための割り出し送り手段３８を具備している。割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１８】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って割り出し送り方向である矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための割り出し送り手段４３を具備している。割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ねじロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１９】
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
【００２０】
図示のレーザー光線照射手段５２は、上記ユニットホルダ５１に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図２に示すようにレーザー光線発振手段５２２とレーザー光線変調手段５２３とが配設されている。レーザー光線発振手段５２２としてはＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器を用いることができる。レーザー光線変調手段５２３は繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂ、およびレーザー光線波長設定手段５２３ｃを含んでいる。レーザー光線変調手段５２３を構成する繰り返し周波数設定手段５２３ａ、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂおよびレーザー光線波長設定手段５２３ｃは当業者には周知の形態のものでよく、それ故にこれらの構成についての詳細な説明は本明細書においては省略する。上記ケーシング５２１の先端には、それ自体は周知の形態でよい集光器５２４が装着されている。
【００２１】
上記レーザー光線発振手段５２２が発振するレーザー光線はレーザー光線変調手段５２３を介して集光器５２４に到達する。レーザー光線変調手段５２３における繰り返し周波数設定手段５２３ａはレーザー光線を所定繰り返し周波数のパルスレーザー光線にし、レーザー光線パルス幅設定手段５２３ｂはパルスレーザー光線のパルス幅を所定幅に設定し、そしてレーザー光線波長設定手段５２３ｃはパルスレーザー光線の波長を所定値に設定する。
【００２２】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記レーザー光線照射手段５２によって照射されるレーザー光線の照射位置に向けてガスを噴出せしめるガス噴出手段６を具備している。ガス噴出手段６は、集光器５２４のケースに取り付けられた支持部材６１に装着された一対の第１のガス噴出ノズル６２と第２のガス噴出ノズル６３を備えている。この第１のガス噴出ノズル６２と第２のガス噴出ノズル６３は、矢印Ｘで示す加工送り方向両側に配設されており、それぞれ図３に示すようにレーザー光線照射位置（Ｐ）の両側からそれぞれ照射位置（Ｐ）に向けてガスを噴出せしめる。第１のガス噴出ノズル６２と第２のガス噴出ノズル６３のガス噴出角度、即ち図３に示すように被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６の被加工物保持面とのなす角度（θ）が図示の実施形態においては１５度に設定されている。なお、このガス噴出角度（θ）は、５〜４５度の範囲に設定することが望ましい。また、第１のガス噴出ノズル６２と第２のガス噴出ノズル６３の噴出口とレーザー光線照射位置（Ｐ）との間隔（Ｌ）は、図示の実施形態においては２０ｍｍに設定されている。なお、この間隔（Ｌ）は、１〜５０ｍｍの範囲に設定することが望ましい。
【００２３】
上述した第１のガス噴出ノズル６２と第２のガス噴出ノズル６３は、ガス供給パイプ６４、６５および６６を介してガス供給源６７に接続されている。ガス供給パイプ６４、６５には、それぞれ電磁制御弁６８、６９が配設されている。この電磁制御弁６８、６９は、除勢（ＯＦＦ）されているときには連通を遮断しており、付勢（ＯＮ）されると連通するように構成されており、図示しない制御手段によって制御される。なお、ガス供給源６７のガスとしては、窒素ガス、炭酸ガス、アルゴンガス等不活性ガスが好ましく、また空気を用いてもよい。また、ガス供給源６７の圧力は、０．２ＭＰａ以上であることが望ましい。
【００２４】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の前端部に配設された撮像手段７を備えている。この撮像手段７は、照明手段や光学手段および撮像素子（ＣＣＤ）等を具備しており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２５】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、上記各移動手段と同様に一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向に移動せしめる。
【００２６】
次に、上述したレーザー加工装置を用いて被加工物としての半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する加工方法について説明する。
図４には本発明によるレーザー加工方法によって個々の半導体チップに分割される半導体ウエーハが示されている。図４に示す半導体ウエーハ１０は、表面１０ａに格子状に配列された複数のストリート（切断ライン）１０１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路１０２が形成されている。この半導体ウエーハ１０は環状のフレーム１１に装着された保護テープ１２に表面１０ａを上側にして裏面が貼着される。このように環状のフレーム１１に保護テープ１２を介して支持された半導体ウエーハ１０は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル機構３を構成するチャックテーブル３６の吸着チャック３６１の上面である被加工物保持面上に表面１０ａを上側にして搬送され、該吸着チャック３６１に吸引保持される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７の作動により案内レール３１、３１に沿って移動せしめられレーザー光線照射ユニット５に配設された撮像手段６の直下に位置付けられる。
【００２７】
チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０に所定方向に形成されているストリート１０１と、ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が実行され、レーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。また、半導体ウエーハ１０に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００２８】
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図３の（ａ）に示すようにチャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ１０を矢印Ｘ１で示す加工送り方向に例えば、１００ｍ〜３００ｍ／秒の移動速度で加工送りしつつ半導体ウエーハ１０のストリート１０１に沿ってレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４からレーザー光線を照射する。このとき、ガス噴出手段６の電磁制御弁６８を付勢（ＯＮ）する。この結果、ガス供給源６７からガス供給パイプ６６、電磁制御弁６８、ガス供給パイプ６４、第１のガス噴出ノズル６２を通してガスがレーザー光線照射位置（Ｐ）に向けて噴出される。このように、第１のガス噴出ノズル６２から噴出されるガスは、チャックテーブル３６の矢印Ｘ１で示す移動方向下流側、即ち半導体ウエーハ１０がレーザー光線によって加工された側からレーザー光線照射位置（Ｐ）に向け噴出されることになる。
【００２９】
なお、レーザー光線照射ユニット５によって照射されるレーザー光線としては、以下に示す紫外レーザー光線を用いることができる。
光源          ；ＹＡＧレーザーまたはＹＶＯ４レーザー
波長          ；３５５ｎｍ
出力          ；４〜１０Ｗ
繰り返し周波数：１０〜１００ｋＨｚ
パルス幅      ；１０〜５０ｎｓ
集光スポット径；φ１０〜５０μｍ
【００３０】
上述したレーザー分割加工を実施することによって、半導体ウエーハ１０はストリート１０１に沿って幅が１０μｍ程度の切断溝または分離溝が形成され分割される。このとき、レーザー光線の照射によりデブリが発生するが、このデブリはレーザー光線によって加工された側からレーザー光線照射位置（Ｐ）に向け噴出されるガスによって直ちに冷却され吹き飛ばされて塵となるため、半導体ウエーハ１０の表面に強固に付着することはない。また、ガスはレーザー光線によって加工された側からレーザー光線照射位置（Ｐ）に向け噴出されるので、デブリがガスによって冷却され吹き飛ばされた塵が切断溝に入り込むことはない。従って、レーザー分割加工後に半導体ウエーハ１０の表面をこの種の加工分野で実施されている２流体ノズルによるスピンナー洗浄（例えば、洗浄水の圧力：０．２ＭＰａ，洗浄水の水量：１００〜２００ｃｃ／分，エアーの圧力：０．４ＭＰａ，スピンナーテーブルの回転速度：４００ｒｐｍ）を実施することにより、半導体ウエーハ１０の表面に堆積している塵、即ちデブリがガスによって冷却され吹き飛ばされた塵は、容易に除去することができる。なお、上述した本発明とは逆にレーザー光線によって加工されていない側、即ち被加工物である半導体ウエーハの移動方向上流側からレーザー光線照射位置にガスを噴出しても、ガスを全く噴出しないときと略同様にデブリが半導体ウエーハの表面に付着し、スピンナー洗浄によっても除去できないことが本発明者の実験によって確認されている。
【００３１】
上述したように所定のストリートに沿ってレーザー分割加工を実行したら、チャックテーブル３６、従ってこれに保持されている半導体ウエーハ１０を矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し送り、上記レーザー分割加工を遂行する。なおチャックテーブル３６の往復移動時にそれぞれレーザー分割加工を遂行する場合には、図３の（ｂ）に示すようにチャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ１０を矢印Ｘ２で示す加工送り方向に移動しつつ半導体ウエーハ１０のストリート１０１に沿ってレーザー光線照射ユニット５の集光器５２４からレーザー光線を照射する。このとき、ガス噴出手段６の電磁制御弁６９を付勢（ＯＮ）する。この結果、ガス供給源６７からガス供給パイプ６６、電磁制御弁６９、ガス供給パイプ６５、第２のガス噴出ノズル６３を通してガスがレーザー光線照射位置（Ｐ）に向けて噴出される。このように、第２のガス噴出ノズル６２から噴出されるガスは、チャックテーブル３６の矢印Ｘ２で示す移動方向下流側、即ち半導体ウエーハ１０がレーザー光線によって加工された側からレーザー光線照射位置（Ｐ）に向け噴出されることになる。従って、図３の（ｂ）に示すチャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ１０を矢印Ｘ２で示す方向に加工送りする場合も、上述した図３の（ａ）に示すチャックテーブル３６即ち半導体ウエーハ１０を矢印Ｘ１で示す方向に加工送りする場合と同様の作用効果を奏する。
【００３２】
このようにして所定方向に延在する全てのストリートについてレーザー光線照射工程と割り出し工程を遂行したならば、チャックテーブル３６、従ってこれに保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリートに沿って上記レーザー分割加工と割り出し送りを実行することにより、半導体ウエーハ１０は個々の半導体チップに分割または分離される。このようにして、半導体ウエーハ１０を個々の半導体チップに分割または分離したら、半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３６は、最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、半導体ウエーハ１０は、図示しない搬送手段によって次工程である洗浄工程に搬送される。
【００３３】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態にのみに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態においてはチャックテーブル即ち被加工物をレーザー光線照射手段に対して移動せしめるようにした例を示したが、レーザー光線照射手段をチャックテーブル即ち被加工物に対して移動するようにしてもよい。また、上述した実施形態においてはガス噴出手段として一対のガス噴出ノズルを備えた例を示したが、加工送りが一方向のみである場合にはガス噴出ノズルは１個でよい。
【００３４】
【発明の効果】
本発明においては、レーザー光線照射時にレーザー光線によって加工された側からレーザー光線の照射位置に向けてガスを噴出せしめるようにしたので、レーザー光線の照射に発生するデブリはガスによって直ちに冷却され吹き飛ばされて塵となるため、被加工物の表面に強固に付着することはなく、またデブリがガスによって冷却され吹き飛ばされた塵が切断溝に入り込むこともない。従って、デブリがガスによって冷却され吹き飛ばされた被加工物の表面に堆積している塵は、レーザー分割加工後に被加工物の表面を洗浄することにより、容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段レーザの構成を簡略に示すブロック図。
【図３】図１に示すレーザー加工装置による加工状態を示す説明図。
【図４】本発明によるレーザー加工方法によって加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。
【符号の説明】
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４１：案内レール
４２：可動支持基台
５：レーザー光線照射ユニット
５１：ユニットホルダ
５２：レーザー光線加工手段
５２２：レーザー光線発振手段
５２３：レーザー光線変調手段
５２４：集光器
６：ガス噴出手段
６１：支持部材
６２：第１のガス噴出ノズル
６３：第２のガス噴出ノズル
６７：ガス供給源
６８、６９：電磁制御弁
７：撮像手段
１０：半導体ウエーハ
１０１：ストリート
１０２：回路
１１：環状のフレーム
１２：保護テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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