(57)【要約】【課題】本人照合精度が高く、小型・薄型化が実現可能な光学式センサを提供する。【解決手段】基板１１上に発光素子５１と、操作者を介して発光素子５１の照射光を検出する光学式撮像素子４０とが設けられる。光学式撮像素子４０は、製造基板上に分離層を介して形成され、且つ分離層に光が照射されることで製造基板から剥離して基板１１に接合されてなる。【選択図】      図５
2004173827.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に発光素子と、操作者を介して前記発光素子の照射光を検出する光学式撮像素子とが設けられ、
前記光学式撮像素子は、製造基板上に分離層を介して形成され、且つ前記分離層に光が照射されることで前記製造基板から剥離して前記基板に接合されてなることを特徴とする本人照合装置。
【請求項２】
請求項１記載の本人照合装置において、
前記光学式撮像素子は、ＣＭＯＳ構造素子または電荷結合素子であることを特徴とする本人照合装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の本人照合装置において、
前記光はレーザ光であることを特徴とする本人照合装置。
【請求項４】
基板上に発光素子と、操作者を介して前記発光素子の照射光を検出する光学式撮像素子とが設けられ、
前記発光素子は、半導体基板に形成され、且つフィルムに貼付された状態で前記半導体基板から切り離されて前記基板に接合された半導体素子からなることを特徴とする本人照合装置。
【請求項５】
請求項４記載の本人照合装置において、
前記発光素子は、化合物半導体デバイスであって、面発光レーザ及び発光ダイオードの少なくとも一つを有することを特徴とする本人照合装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の本人照合装置において、
前記光学式撮像素子の検出結果に基づいて、前記操作者の脈波情報を検出する脈波検出装置を有することを特徴とする本人照合装置。
【請求項７】
請求項６記載の本人照合装置において、
前記脈波検出装置は、前記光学式撮像素子の受光量の時間変化に基づいて、前記操作者の脈波情報を検出することを特徴とする本人照合装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の本人照合装置において、
前記基板は、可撓性を有するシート材であることを特徴とする本人照合装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の本人照合装置を有することを特徴とするカード型情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項９に記載のカード型情報記録媒体と、
前記カード型情報記録媒体の情報に基づいて所定の処理を行う情報処理装置とを有することを特徴とする情報処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、本人照合装置、カード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本人照合のために、指紋検出センサを用いる技術が提案されている。特許文献１には抵抗感知型指紋検出センサが、特許文献２には光電式指紋検出センサが、特許文献３には圧電式指紋検出センサが、特許文献４には静電容量式指紋検出センサがそれぞれ開示されている。
【０００３】
しかし、本人照合を指紋だけに頼ると、その本人が生存していない場合にも指紋を採取できるので、犯罪に悪用される懸念がある。そこで、特許文献５には、読み取りローラ上を走査される指の指紋を光学的に読み取ると共に、その近傍に設けた脈拍センサにより脈拍を検出する技術が開示されている。また、特許文献６には、圧力センサを用いて脈拍をモニターする技術や赤外線センサで生体から放出される熱（体温）をモニターする技術が開示されており、特許文献７には血液の酸素濃度や脈拍等の血液情報を光学的に検出する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】
特開平３−６７９１号公報
【特許文献２】
特開平４−２７１４７７号公報
【特許文献３】
特開平５−６１９６５号公報
【特許文献４】
特開平１１−１１８４１５号公報
【特許文献５】
特開２００１−１８４４９０号公報
【特許文献６】
特開平６−１８７４３０号公報
【特許文献７】
特開平７−３０８３０８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上記特許文献で開示されている光学式センサには、ローラやプリズムが用いられているため、例えば携帯用カード等にセンサ機能を搭載させるための小型・薄型化を実現することが困難である。また、指紋照合以外の本人照合手段として、脈拍を検出する場合、脈拍はパルスであるので偽造がた易いという問題があった。さらに、上記の技術では指紋検出センサに加えて、脈拍や酸素濃度等の血液情報を検出するセンサを別途設ける必要があるため、装置の大型化、高価格化を招くという問題もあった。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、小型・薄型化が実現可能な本人照合装置、カード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムを提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、さらに本人照合精度が高い本人照合装置、カード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の本人照合装置は、基板上に発光素子と、操作者を介して前記発光素子の照射光を検出する光学式撮像素子とが設けられ、前記光学式撮像素子は、製造基板上に分離層を介して形成され、且つ前記分離層に光が照射されることで前記製造基板から剥離して前記基板に接合されてなることを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明では、製造における信頼性が高い製造基板上に、例えば、光を吸収する特性をもつ分離層を設けておき、その製造基板上にＴＦＴ等を有する光学式撮像素子を形成する。次に、特に限定されないが、例えば接着層を介して光学式撮像素子を所望の転写体に接合し、その後に分離層に光を照射し、これによって、その分離層において剥離現象を生じせしめて、その分離層と前記製造基板との間の密着性を低下させて、光学式撮像素子を製造基板から離脱させる。これにより、小型・薄型の基板等、どのような転写体にでも、所望の、信頼性の高い光学式撮像素子を転写（形成）できることになる。この本人照合装置では、光学式撮像素子に操作者が指を載せた状態で発光素子を発光させることで、操作者を介した照射光、例えば指内部で散乱した光を光学式撮像素子で受光し、操作者の指紋を撮像することができる。
【０００９】
光学式撮像素子としては、ＣＭＯＳ構造素子または電荷結合素子であることが好ましい。また、光としてはレーザー光を採用できる。レーザー光はコヒーレント光であり、分離層内において剥離（アブレーション）を生じさせるのに適する。
【００１０】
また、本発明の本人照合装置は、基板上に発光素子と、操作者を介して前記発光素子の照射光を検出する光学式撮像素子とが設けられ、前記発光素子は、半導体基板に形成され、且つフィルムに貼付された状態で前記半導体基板から切り離されて前記基板に接合された半導体素子からなることを特徴とするものである。
【００１１】
従って、本発明では、半導体素子を微小タイル形状に切り離し、フィルムにマウントしてハンドリングできるので、ハンドリングできる半導体素子のサイズを従来の実装技術のものより小さくすることが可能になり、小型且つ薄型の本人照合装置を得ることができる。発光素子としては、化合物半導体デバイスであって、面発光レーザ及び発光ダイオードの少なくとも一つを有することが好ましい。
【００１２】
また、本発明では、光学式撮像素子の検出結果に基づいて、前記操作者の脈波情報を検出する脈波検出装置を有することが好ましい。これにより、本発明では光学式撮像素子を用いて操作者の指紋を検出できることに加えて、操作者の脈波も検出することが可能になる。脈波の形状は生存する人間固有のものであり、脈波から抽出される指標もまた、生存する人間固有のものである。この点、脈波自体でなく、その一成分である例えば脈拍等のパルスを直接検出しようとした場合、そのようなパルスは人為的に生成可能である。一方、脈波の波形を偽造することは極めて困難であり、かつ、その脈波中のいずれかの指標をも偽造することは不可能に近い。よって、本発明の一態様によれば、本人照合精度が極めて向上し、本人照合結果の信頼性が向上する。なお、脈波としては、光学式撮像素子の受光量の時間変化に基づいて検出することが可能である。
【００１３】
また、基板としては、可撓性を有するシート材を採用することができる。この場合、携帯用カード等、薄型で柔軟性を要するカードに対しても本人照合装置を組み込むことが可能になる。
【００１４】
一方、本発明のカード型情報記録媒体は、上記の本人照合装置を有することを特徴としている。従って、本発明では本人照合精度が高く、小型・薄型化のカード型情報記録媒体を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の情報処理システムは、上記のカード型情報記録媒体と、前記カード型情報記録媒体の情報に基づいて所定の処理を行う情報処理装置とを有することを特徴としている。従って、本発明では、小型・薄型化のカード型情報記録媒体を用いた本人照合精度の高い情報処理システムを構築することが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の本人照合装置、カード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムの実施の形態を、図１ないし図４４を参照して説明する。ここでは、本発明を、本人照合装置を内蔵したカード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムに適用した例を用いて説明する。
【００１７】
（カード型情報記録媒体）
例えば集積回路（ＩＣ）を含むＩＣカードとして、メモリカード、Ｉ／Ｏ（入出力回路）カード、ＩＳＯ準拠のカードなどが知られている。本実施形態は、これらのクレジットカード、キャッシュカード等として用いられる各種カードに本人照合装置を内蔵させたものである。
【００１８】
一例として、本実施形態のカード型情報記録媒体の例を、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）及び図２（Ａ）（Ｂ）に示す。図１（Ａ）に示すカードは基板１０上にメモリ１２を有し、図１（Ｂ）に示すカードはメモリ１２に加えさらにＣＰＵ１４を有し、図１（Ｃ）に示すカードはメモリ１２及びＣＰＵ１４に加えさらにＩ／Ｏ１６を有する。図２（Ａ）に示すカードは図１（Ｃ）に示すカードに表示部２０及び表示駆動部２２をさらに加えたものである。図２（Ｂ）に示すカードは図２（Ａ）に示すカードにさらに電源例えば太陽電池２４を付加したものである。この他、カードに内蔵される構成は種々変形でき、例えば図２（Ｂ）以外のカードにも電源例えば太陽電池２４を内蔵させても良い。ここで、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）及び図２（Ａ）（Ｂ）に示すいずれのカードにも本人照合装置３０が内蔵されている。
【００１９】
（情報処理システム）
図３は、カード型情報記録媒体１１００と情報処理装置１５０とから構成される情報処理システムを示している。本実施形態のカード型情報記録媒体１１００のセンシング領域に、カード所有者が指を触れると、カード型情報記録媒体１１００がカード所有者の指紋と脈波とを検出し、本人照合装置３０にて本人照合が実施される。この照合動作は、カード型情報記録媒体１１００が電源を内蔵していれば、情報処理装置１５０から電力の供給を受けずに実施できる。カード型情報記録媒体１１００が電源を内蔵していなければ、情報処理装置１５０の給電部１３２から電力の供給を受けて実施できる。
【００２０】
情報処理装置１５０は、カード型情報記録媒体１１００にてカード所有者が登録された本人であると認証された後に、カード型情報記録媒体１１００から、本人照合に用いた情報以外の各種情報を読み取って処理する。カード型情報記録媒体１１００からの認証結果の出力形態として、カード型情報記録媒体１１００が表示部２０（図２（Ａ）（Ｂ）参照）を有するのであれば、その表示部２０に「カード使用可能」などの使用許可情報を表示すればよい。情報処理装置１５０を操作するオペレータは、その表示を確認した後に情報処理を開始できる。あるいは、カード型情報記録媒体１１００にて本人であると認証された後に、カード型情報記録媒体１１００からパスワード等が出力されて、情報処理装置１５０に入力されるようにしても良い。こうすると、オペレータを介在させずに情報処理装置１５０での処理が開始される。情報処理装置１５０は、カード発行会社のホスト機器１１２０の端末機器として機能し、カード型情報記録媒体１１００からのパスワードを、ホスト機器１１２０からの情報に基づいて照合する機能を有するものでも良い。
【００２１】
いずれの場合も、カード型情報記録媒体１１００は真正なる本人以外は使用不能のとなるので、カードの紛失、盗難があっても、カードの盗用が防止される。しかも、指紋、脈波などの個人情報は、カード型情報記録媒体１１００から外部に読み出されることがないので、個人情報の流出も防止できる。
【００２２】
図４は、カード型情報記録媒体１１００に内蔵される本人照合装置３０のブロック図である。図４において、この本人照合装置３０には、カード所有者の固有情報及び脈波を検出するためのイメージセンサ（光学式撮像素子）４０が設けられている。このセンサ４０の詳細については後述する。イメージセンサ４０にカード所有者の指が接触されたことを感知して、本人照合装置３０を起動させる起動スイッチ４２を設けることもできる。特に、カード型情報記録媒体１１００が電源を内蔵している場合には、起動スイッチ４２を設ける意義がある。また、本人照合装置３０には、イメージセンサ４０にて検出された信号を処理して脈波を検出するとともに、少なくとも一つの指標を抽出する指標抽出部（脈波検出装置）６０が設けられている。
【００２３】
イメージセンサ４０からの指紋情報と、指標抽出部６０からの抽出情報とは、照合部７０に入力される。この照合部７０は、比較情報記憶部８０に記憶された比較情報と検出情報とを照合するものである。比較情報記憶部８０は、イメージセンサ４０からの指紋情報と比較される第１の比較情報が記憶される第１の比較情報記憶部８２と、指標抽出部６０からの指標と比較されると第２の比較情報が記憶される第２の比較情報記憶部８４とを有する。また、照合部７０からの照合結果に基づいて、カード所有者が真正であるからカードの使用を許可する信号、例えばパスワードを出力するパスワード出力部９０が設けられている。なお、照合部７０からの信号は、カード型情報記録媒体１１００のＣＰＵ１４にも入力され、例えば図２（Ａ）（Ｂ）に示す表示部２０にカードの使用を許可する旨の表示、例えば「カード使用可能」などのメッセージの表示、あるいはその旨の点灯または点滅表示などを制御する。
【００２４】
次に、本人照合装置３０を構成するイメージセンサ４０について説明する。図５に、イメージセンサ４０の構造例を示す。この図に示す本人照合装置３０は、シート状基板としてのプラスチックシート１１の一方の面（裏面）に光学式のイメージセンサ４０と、イメージセンサ４０を挟んだ両側に配置された発光素子５１、５１とが設けられた構成となっている。なお、図５では発光素子５１を２個図示しているが、実際にはイメージセンサ４０の周囲に３個以上配置してもよい。この場合も、イメージセンサ４０を挟んだ両側に発光素子を配置することで、操作者の指を均一に照射することができる。
【００２５】
プラスチックシート１１は、可撓性を有するとともに、後述する発光素子５１の発光波長に対して透過性を有しており、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリスチレン、スチレンアクリロニトリルコポリマー、塩化ビニール、ナイロン、スチレン系樹脂、アセタール樹脂、メチルペンテン樹脂、メタクリル樹脂、ＡＢＳ樹脂、フッ素系樹脂等で形成されている。なお、シート状基板としては、上記プラスチックに限られず、ガラスやＳｉ等で形成してもよい。
【００２６】
（イメージセンサ）
イメージセンサ４０としては、一つのセンサセルが一画素（画像を構成する最小単位）に相当するものが、例えば数百万個の２次元マトリクス状に配置され、各画素が一組のフォトダイオードとＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）スイッチで構成されるものを用いることができる。また、イメージセンサ４０の構造としては、ＣＭＯＳ構造やＣＣＤ構造（電荷結合素子）を採用できる。
【００２７】
（製造工程）
本実施形態のカード型情報記録媒体１１００は、上述のイメージセンサ４０が、柔軟性のあるプラスチックシート１１上に形成されるが、薄膜のイメージセンサ４０を直接にプラスチックシート１１上に形成することは困難である。そこで、イメージセンサ４０は、転写法によりプラスチックシート１１上に接合される。以下、図６乃至図１１を参照してその工程について詳述する。
【００２８】
［工程１］
図６に示すように、製造基板としての基板１００上に分離層（光吸収層）１２０を形成する。以下、基板１００および分離層１２０について説明する。
基板１００については、光が透過し得る透光性を有するものであるのが好ましい。この場合、光の透過率は１０％以上であるのが好ましく、５０％以上であるのがより好ましい。この透過率が低過ぎると、光の減衰（ロス）が大きくなり、分離層１２０を剥離するのにより大きな光量を必要とする。
【００２９】
また、基板１００は、信頼性の高い材料で構成されているのが好ましく、特に、耐熱性に優れた材料で構成されているのが好ましい。その理由は、例えば後述する被転写層１４０や中間層１４２を形成する際に、その種類や形成方法によってはプロセス温度が高くなる（例えば３５０〜１０００℃程度）ことがあるが、その場合でも、基板１００が耐熱性に優れていれば、基板１００上への被転写層１４０等の形成に際し、その温度条件等の成膜条件の設定の幅が広がるからである。従って、基板１００は、被転写層１４０の形成の際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点がＴｍａｘ以上の材料で構成されているのものが好ましい。具体的には、基板１００の構成材料は、歪点が３５０℃以上のものが好ましく、５００℃以上のものがより好ましい。このようなものとしては、例えば、石英ガラス、コーニング７０５９が挙げられる。
【００３０】
また、基板１００の厚さは、特に限定されないが、通常は、０．１〜５．０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１．５ｍｍ程度であるのがより好ましい。基板１００の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、厚すぎると、基板１００の透過率が低い場合に、光の減衰を生じ易くなる。なお、基板１００の光の透過率が高い場合には、その厚さは、前記上限値を超えるものであってもよい。なお、光を均一に照射できるように、基板１００の厚さは、均一であるのが好ましい。
【００３１】
分離層１２０は、照射される光を吸収し、その層内および／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、分離層１２０を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。さらに、光の照射により、分離層１２０から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、分離層１２０に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、分離層１２０が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。このような分離層１２０の組成としては、例えば、次のＡ〜Ｅに記載されるものが挙げられる。
【００３２】
Ａ．アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
このアモルファスシリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。この場合、Ｈの含有量は、２原子％以上程度であるのが好ましく、２〜２０原子％程度であるのがより好ましい。このように、水素（Ｈ）が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、分離層１２０に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。アモルファスシリコン中の水素（Ｈ）の含有量は、成膜条件、例えばＣＶＤにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。
【００３３】
Ｂ．酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムまたはジルコン酸化合物、酸化ランタンまたはランタン酸化化合物等の各種酸化物セラミックス、透電体（強誘電体）あるいは半導体酸化ケイ素としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｏ２が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばＫ２ＳｉＯ３、Ｌｉ２ＳｉＯ３、ＣａＳｉＯ３、ＺｒＳｉＯ４、Ｎａ２ＳｉＯ３が挙げられる。酸化チタンとしては、ＴｉＯ、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２が挙げられ、チタン酸化合物としては、例えば、ＢａＴｉＯ４、ＢａＴｉＯ３、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、ＢａＴｉ５Ｏ１１、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、ＺｒＴｉＯ２、ＳｎＴｉＯ４、Ａｌ２ＴｉＯ５、ＦｅＴｉＯ３が挙げられる。酸化ジルコニウムとしては、ＺｒＯ２が挙げられ、ジルコン酸化合物としては、例えばＢａＺｒＯ３、ＺｒＳｉＯ４、ＰｂＺｒＯ３、ＭｇＺｒＯ３、Ｋ２ＺｒＯ３が挙げられる。
【００３４】
Ｃ．ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体（強誘電体）
Ｄ．窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス
Ｅ．有機高分子材料有機高分子材料としては、−ＣＨ−、−ＣＯ−（ケトン）、−ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、ーＣＨ＝Ｎ−（シフ）等の結合（光の照射によりこれらの結合が切断される）を有するもの、特に、これらの結合を多く有するものであればいかなるものでもよい。また、有機高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素（１または２以上のベンゼン環またはその縮合環）を有するものであってもよい。
【００３５】
このような有機高分子材料の具体例としては、ポリエチレン，ポリプロピレンのようなポリオレフィン，ポリイミド，ポリアミド，ポリエステル，ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），エポキシ樹脂等があげられる。
Ｆ．金属としては、例えば、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。
【００３６】
また、分離層１２０の厚さは、剥離目的や分離層１２０の組成、層構成、形成方法等の諸条件により異なるが、通常は、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。分離層１２０の膜厚が小さすぎると、成膜の均一性が損なわれ、剥離にムラが生じることがあり、また、膜厚が厚すぎると、分離層１２０の良好な剥離性を確保するために、光のパワー（光量）を大きくする必要があるとともに、後に分離層１２０を除去する際に、その作業に時間がかかる。なお、分離層１２０の膜厚は、できるだけ均一であるのが好ましい。
【００３７】
分離層１２０の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤを含む）、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤ等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。
【００３８】
例えば、分離層１２０の組成がアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、分離層１２０をゾルーゲル法によるセラミックスで構成する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特に、スピンコートにより成膜するのが好ましい。
【００３９】
［工程２］
次に、図７に示すように、分離層１２０上に、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成する。
この薄膜デバイス層１４０のＫ部分（図７において１点線鎖線で囲んで示される部分）の拡大断面図を、図７の右側に示す。図示されるように、薄膜デバイス層１４０は、例えば、ＳｉＯ２膜（中間層）１４２上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含んで構成され、このＴＦＴは、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２とを具備する。
【００４０】
本実施の形態では、分離層１２０に接して設けられる中間層としてＳｉＯ２膜を使用しているが、Ｓｉ３Ｎ４などのその他の絶縁膜を使用することもできる。ＳｉＯ２膜（中間層）の厚みは、その形成目的や発揮し得る機能の程度に応じて適宜決定されるが、通常は、１０ｎｍ〜５μｍ程度であるのが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好ましい。中間層は、種々の目的で形成され、例えば、被転写層１４０を物理的または化学的に保護する保護層，絶縁層，導電層，レーザー光の遮光層，マイグレーション防止用のバリア層，反射層としての機能の内の少なくとも１つを発揮するものが挙げられる。なお、場合によっては、ＳｉＯ２膜等の中間層を形成せず、分離層１２０上に直接被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成してもよい。
【００４１】
被転写層１４０（薄膜デバイス層）は、図７の右側に示されるようなＴＦＴ等の薄膜素子を含む層である。薄膜素子としては、ＴＦＴの他に、例えば、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）やシリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。このような薄膜素子（薄膜デバイス）は、その形成方法との関係で、通常、比較的高いプロセス温度を経て形成される。したがって、この場合、前述したように、基板１００としては、そのプロセス温度に耐え得る信頼性の高いものが必要となる。
【００４２】
［工程３］
次に、図８に示すように、薄膜デバイス層１４０を、接着層１６０を介して転写体１８０に接合（接着）する。接着層１６０を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。このような接着層１６０の形成は、例えば、塗布法によりなされる。前記硬化型接着剤を用いる場合、例えば被転写層（薄膜デバイス層）１４０上に硬化型接着剤を塗布し、その上に転写体１８０を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じた硬化方法により前記硬化型接着剤を硬化させて、被転写層（薄膜デバイス層）１４０と転写体１８０とを接着し、固定する。接着剤が光硬化型の場合、光透過性の基板１００または光透過性の転写体１８０の一方の外側から（あるいは光透過性の基板及び転写体の両外側から）光を照射する。接着剤としては、薄膜デバイス層に影響を与えにくい紫外線硬化型などの光硬化型接着剤が好ましい。なお、図示と異なり、転写体１８０側に接着層１６０を形成し、その上に被転写層（薄膜デバイス層）１４０を接着してもよい。なお、例えば転写体１８０自体が接着機能を有する場合等には、接着層１６０の形成を省略してもよい。
【００４３】
転写体１８０としては、特に限定されないが、基板（板材）、特に透明基板が挙げられる。なお、このような基板は平板であっても、湾曲板であってもよい。また、転写体１８０は、前記基板１００に比べ、耐熱性、耐食性等の特性が劣るものであってもよい。その理由は、本発明では、基板１００側に被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成し、その後、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を転写体１８０に転写するため、転写体１８０に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層（薄膜デバイス層）１４０の形成の際の温度条件等に依存しないからである。
【００４４】
したがって、被転写層１４０の形成の際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、転写体０の構成材料として、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点がＴｍａｘ以下のものを用いることができる。例えば、転写体１８０は、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点が好ましくは８００℃以下、より好ましくは５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以下の材料で構成することができる。また、転写体１８０の機械的特性としては、ある程度の剛性（強度）を有するものが好ましいが、可撓性、弾性を有するものであってもよい。このような転写体１８０の構成材料としては、各種合成樹脂または各種ガラス材が挙げられ、特に、各種合成樹脂や通常の（低融点の）安価なガラス材が好ましい。
【００４５】
合成樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポロプロピレン、エチレン−プレピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エボキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。
【００４６】
ガラス材としては、例えば、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラス等が挙げられる。このうち、ケイ酸ガラス以外のものは、ケイ酸ガラスに比べて融点が低く、また、成形、加工も比較的容易であり、しかも安価であり、好ましい。
【００４７】
転写体１８０として合成樹脂で構成されたものを用いる場合には、大型の転写体１８０を一体的に成形することができるとともに、湾曲面や凹凸を有するもの等の複雑な形状であっても容易に製造することができ、また、材料コスト、製造コストも安価であるという種々の利点が享受できる。したがって、合成樹脂の使用は、大型で安価なデバイス（例えば、液晶ディスプレイ）を製造する上で有利である。なお、転写体１８０は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。さらに、転写体１８０は、金属、セラミックス、石材、木材紙等の物質であってもよいし、ある品物を構成する任意の面上（時計の面上、エアコンの表面上、プリント基板の上等）、さらには壁、柱、天井、窓ガラス等の構造物の表面上であってもよい。
【００４８】
［工程４］
次に、図４に示すように、基板１００の裏面側から光を照射する。
この光は、基板１００を透過した後に分離層１２０に照射される。これにより、分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅する。分離層１２０の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、分離層１２０の構成材料にアブレーションが生じること、また、分離層１２０に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであることが推定される。
【００４９】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（分離層１２０の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、分離層１２０の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発砲状態となり、結合力が低下することもある。分離層１２０が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、分離層１２０の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００５０】
照射する光としては、分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。そのなかでも、分離層１２０の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。
【００５１】
エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で分離層２にアブレーションを生じさせることができ、よって隣接する転写体１８０や基板１００等に温度上昇をほとんど生じさせることなく、すなわち劣化、損傷を生じさせることなく、分離層１２０を剥離することができる。また、分離層１２０にアブレーションを生じさせるに際して、光の波長依存性がある場合、照射されるレーザ光の波長は、１００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００５２】
図１２に、基板１００の、光の波長に対する透過率の一例を示す。図示されるように、３００ｎｍの波長に対して透過率が急峻に増大する特性をもつ。このような場合には、３００ｎｍ以上の波長の光（例えば、波長３０８ｎｍのＸｅ−Ｃｌエキシマレーザー光）を照射する。また、分離層１２０に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザ光の波長は、３５０から１２００ｎｍ程度であるのが好ましい。また、照射されるレーザ光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度は、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２程度とするのが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度が低いかまたは照射時間が短いと、十分なアブレーション等が生じず、また、エネルギー密度が高いかまたは照射時間が長いと、分離層１２０を透過した照射光により被転写層１４０に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００５３】
なお、分離層１２０を透過した照射光が被転写層１４０にまで達して悪影響を及ぼす場合の対策としては、例えば、分離層（レーザー吸収層）１２０上にタンタル（Ｔａ）等の金属膜を形成する方法がある。これにより、分離層１２０を透過したレーザー光は、金属膜の界面で完全に反射され、それよりの上の薄膜素子に悪影響を与えない。
【００５４】
レーザ光に代表される照射光は、その強度が均一となるように照射されるのが好ましい。照射光の照射方向は、分離層１２０に対し垂直な方向に限らず、分離層１２０に対し所定角度傾斜した方向であってもよい。また、分離層１２０の面積が照射光の１回の照射面積より大きい場合には、分離層１２０の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射することもできる。また、同一箇所に２回以上照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長域）の照射光（レーザ光）を同一領域または異なる領域に２回以上照射してもよい。
【００５５】
次に、図１０に示すように、基板１００に力を加えて、この基板１００を分離層１２０から離脱させる。図１０では図示されないが、この離脱後、基板１００上に分離層が付着することもある。次に、図１１に示すように、残存している分離層１２０を、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法またはこれらを組み合わせた方法により除去する。これにより、被転写層（薄膜デバイス層）１４０が、転写体１８０に転写されたことになる。なお、離脱した基板１００にも分離層の一部が付着している場合には同様に除去する。なお、基板１００が石英ガラスのような高価な材料、希少な材料で構成されている場合等には、基板１００は、好ましくは再利用（リサイクル）に供される。すなわち、再利用したい基板１００に対し、本発明を適用することができ、有用性が高い。
【００５６】
以上のような各工程を経て、被転写層（薄膜デバイス層）１４０の転写体１８０への転写が完了する。その後、被転写層（薄膜デバイス層）１４０に隣接するＳｉＯ２膜の除去や、被転写層１４０上への配線等の導電層や所望の保護膜の形成等を行うこともできる。本実施の形態では、被剥離物である被転写層（薄膜デバイス層）１４０自体を直接に剥離するのではなく、被転写層（薄膜デバイス層）１４０に接合された分離層において剥離するため、被剥離物（被転写層１４０）の特性、条件等にかかわらず、容易かつ確実に、しかも均一に剥離（転写）することができ、剥離操作に伴う被剥離物（被転写層１４０）へのダメージもなく、被転写層１４０の高い信頼性を維持することができる。
【００５７】
続いて、基板上にＣＭＯＳ構造のＴＦＴを形成し、これを転写体に転写する場合の具体的な製造プロセスの例を図１３〜図２３を用いて説明する。
（工程１）図１３に示すように、基板（例えば石英基板）１００上に、分離層（例えば、ＬＰＣＶＤ法により形成されたアモルファスシリコン層））１２０と、中間層（例えば、ＳｉＯ２膜）１４２と、アモルファスシリコン層（例えばＬＰＣＶＤ法により形成される）１４３とを順次に積層形成し、続いて、アモルファスシリコン層１４３の全面に上方からレーザー光を照射し、アニールを施す。これにより、アモルファスシリコン層１４３は再結晶化してポリシリコン層となる。
【００５８】
（工程２）続いて、図１４に示すように、レーザーアニールにより得られたポリシリコン層をパターニングして、アイランド１４４ａ，１４４ｂを形成する。
（工程３）図１５に示されるように、アイランド１４４ａ，１４４ｂを覆うゲート絶縁膜１４８ａ，１４８ｂを、例えば、ＣＶＤ法により形成する。
（工程４）図１６に示されるように、ポリシリコンあるいはメタル等からなるゲート電極１５０ａ，１５０ｂを形成する。
（工程５）図１７に示すように、ポリイミド等からなるマスク層１７０を形成し、ゲート電極１５０ｂおよびマスク層１７０をマスクとして用い、セルフアラインで、例えばボロン（Ｂ）のイオン注入を行う。これによって、ｐ＋層１７２ａ，１７２ｂが形成される。
【００５９】
（工程６）  図１８に示すように、ポリイミド等からなるマスク層１７４を形成し、ゲート電極１５０ａおよびマスク層１７４をマスクとして用い、セルフアラインで、例えばリン（Ｐ）のイオン注入を行う。これによって、ｎ＋層１４６ａ，１４６ｂが形成される。
（工程７）  図１９に示すように、層間絶縁膜１５４を形成し、選択的にコンタクトホール形成後、電極１５２ａ〜１５２ｄを形成する。このようにして形成されたＣＭＯＳ構造のＴＦＴが、図７〜図１１における被転写層（薄膜デバイス層）１４０に該当する。なお、層間絶縁膜１５４上に保護膜を形成してもよい。
【００６０】
（工程８）図２０に示すように、ＣＭＯＳ構成のＴＦＴ上に接着層としてのエポキシ樹脂層１６０を形成し、次に、そのエポキシ樹脂層１６０を介して、ＴＦＴを転写体（例えば、ソーダガラス基板）１８０に貼り付ける。続いて、熱を加えてエポキシ樹脂を硬化させ、転写体１８０とＴＦＴとを接着（接合）する。なお、接着層１６０は紫外線硬化型接着剤であるフォトポリマー樹脂でもよい。この場合は、熱ではなく転写体１８０側から紫外線を照射してポリマーを硬化させる。
【００６１】
（工程９）図２１に示すように、基板１００の裏面から、例えば、Ｘｅ−Ｃｌエキシマレーザー光を照射する。これにより、分離層１２０の層内および／または界面において剥離を生じせしめる。
（工程１０）図２２に示すように、基板１００を引き剥がす。
（工程１１）最後に、分離層１２０をエッチングにより除去する。これにより、図２３に示すように、ＣＭＯＳ構成のＴＦＴが、転写体１８０に転写されたことになる。
【００６２】
なお、上記薄膜ディバイスをプラスチックシート１１に転写する技術の詳細は、本願出願人による転写技術（特開平１０−１２５９３１、特開平１０−１７７１８７、特開平１１−２０３６０、特開平１１−２６７３３、特開平１１−２６７３４、特開平１１−７４５３３、特開平１１−３１２８１１）に詳述されている。
【００６３】
（発光素子及び指標抽出部）
発光素子５１は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、有機ＥＬなどを用いて構成することができる。ここでは、発光素子５１として面発光レーザを用いる場合の例で説明する。
【００６４】
発光素子からの発光波長は、血液中のヘモグロビンの吸収波長ピーク付近に選定されることが好ましい。受光レベルが血流量に応じて変化するので、脈波（例えば容積脈波）波形を検出することができる。このような発光素子としては、面発光レーザの他に、ＩｎＧａＮ系（インジウム−ガリウム−窒素系）の青色ＬＥＤなどを用いることができ、発光波長は３５０〜６００ｎｍ（ピーク波長は４５０ｎｍ付近）である。受光素子としては、例えばＧａＡｓＰ系（ガリウム−砒素−リン系）のフォトトランジスタなどを用いることができ、主要感度領域は３００〜６００ｎｍである。
この構成により、血液量の変動に対する受光レベルの変化が大きくなるため脳波の検出精度が高まる（すなわち、Ｓ／ＮのＳを高めることができる）。
一方、プラスチックシート１１に、外光（可視光）を吸収し赤外光を透過する光学特性を持たせ、発光素子の発光波長を赤外光にする構成も好適である。
この構成により、外光（可視光）は受光素子へ到達しないので、外光に起因するノイズ等の外乱を排除（遮断）することができる。すなわち、Ｓ／ＮのＮを下げることで、Ｓ／Ｎを高めて脈波の検出精度を向上させることができる（ただし、この場合、前述の３００〜６００ｎｍの発光波長の光は透過しないため、使うことはできない）。
【００６５】
発光素子５１は、微小タイル状素子であり、接着剤等によりプラスチックシート１１の片面に接着されている。微小タイル状素子とは、微小なタイル形状（板形状）の半導体デバイスであり、例えば、厚さ１μｍから２０μｍ、縦横の大きさ数十μｍから数百μｍの四角形板状部材である。この微小タイル状素子の製造方法については後で説明する。なお、微小タイル状素子の形状は四角形に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。
【００６６】
図２４（ａ）に示すように、微小タイル状素子１は、接着剤３を介してプラスチックシート１１の片面に接着されている。なお、この図においては、図５に対して上下を逆にして図示している。そして、微小タイル状素子１のデバイスと基板１１に設けられている電子回路とはメタル配線４で接続されている。接着剤３は、例えば、樹脂からなり、絶縁性及び透明性を有していることが好ましい。
【００６７】
なお、メタル配線４（及び後述するメタル配線５）は、図示しないインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）から金属を含む液滴を吐出することで金属パターン等を形成する液滴吐出方式で形成することが好ましい。これにより、フォトリソグラフィ、エッチング等で金属パターンを形成する場合に比較して、構成材料の量を軽減でき、設計変更などにも容易に対応できるため、製造コストを低減することが可能になる。
【００６８】
なお、発光素子５１としては、上記図２４（ａ）に示した構成の他に、自動出力制御（ＡＰＣ：Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路付きの構成を採ることも可能である。以下、半導体集積回路を用いたＡＰＣ回路付き面発光レーザ（発光素子）の構成例について図２４（ｂ）乃至図２６を参照して詳述する。図１４（ｂ）は、発光素子５１の概略断面図である。なお、この図においても、図５に対して上下を逆にして図示している。
【００６９】
この発光素子５１は、プラスチックシート１１上に微小タイル状素子１及び微小タイル状素子２とを有して構成されている。そして、微小タイル状素子２のデバイスと基板１１に設けられている電子回路とはメタル配線５で接続されている。なお、接着剤３が絶縁性を持つものとすることで、メタル配線４、５におけるショートを確実に回避することができる。
【００７０】
次に、図２５を参照してより具体的に説明する。
すなわち、発光素子５１は、透明なプラスチックシート１１と、面発光レーザ２１が形成されている微小タイル状素子１と、フォトダイオード２３が形成されている微小タイル状素子２とを有して構成されている。プラスチックシート１１と微小タイル状素子１及び微小タイル状素子２とを接着する接着剤３は、透明性及び絶縁性を有している。ここで、微小タイル状素子１と微小タイル状素子２とは、互いに逆の配置にしてもよい。
【００７１】
微小タイル状素子１の面発光レーザ２１からは、プラスチックシート１１に向かってレーザ光（波長λ０）が放射されるとともに、微小タイル状素子２に向かってもレーザ光（波長λ０）が放射される。そして、微小タイル状素子２のフォトダイオード２３は、面発光レーザ２１の発光軸上に配置されている。したがって、微小タイル状素子２に向けて放射されたレーザ光（波長λ０）はフォトダイオード２３に入射し、面発光レーザ２１から放射されたレーザ光（波長λ０）の出力（発光量）がフォトダイオード２３によって検出される。プラスチックシート１１に向かって放射されたレーザ光（波長λ０）は、脈波検出に用いられる。
【００７２】
図２６は自動出力制御回路付き面発光レーザの自動出力制御回路を示す回路図である。
微小タイル状素子１の面発光レーザ２１から放射されたレーザ光の一部は、微小タイル状素子２のフォトダイオード２３に入射する。そこで、フォトダイオード２３には面発光レーザ２１のレーザ出力に対応した電流が流れる。光モニター回路（制御装置）３１は、フォトダイオード２３を流れる電流の大きさに応じた出力制御信号をドライバ回路３２へ出力する。ここで、光モニター回路３１は、所定の基準値とフォトダイオード２３を流れる電流の大きさとを比較して、その電流が所望の一定値となるように、即ち面発光レーザ２１のレーザ出力が所望の一定値となるように、出力制御信号を生成する。この出力制御信号に応じたレーザ出力となるようにドライバ回路３２は面発光レーザ２１を駆動させる。
【００７３】
これらにより、面発光レーザ２１のレーザ出力は、周囲温度の変化及び経時変化などにかかわらず所望の一定値に保たれる。そして、光モニター回路３１及びドライバ回路３２をプラスチックシート１１、微小タイル状素子１又は微小タイル状素子２に設けることで、１つの基板に面発光レーザと自動出力制御回路（ＡＰＣ）を設けることができるので、面発光レーザ装置を大幅に小型化することが可能となるとともに、製造工程が簡素となって製造コストを低減することが可能となる。
【００７４】
次に、上記発光素子５１におけるフォトダイオード２３を有する微小タイル状素子２からの反射光（戻り光）による雑音を低減する構成例について図２７乃び図２８を参照して説明する。図２７は図２５に示す発光素子５１における微小タイル状素子２の変形例を示す概略断面図である。
微小タイル状素子２は、タイル状部材における一方面側（上面側）に設けられたフォトダイオード受光部２３ａと、フォトダイオード受光部２３ａの上面の周端部に設けられた第１電極２３ｂと、タイル状部材におけるフォトダイオード受光部２３ａと同一面に設けられた第２電極２３ｃと、タイル状部材における他方面側（下面側）に設けらた回折格子型反射層（ＤＢＲ  ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）２３ｄとで構成されている。
【００７５】
回折格子型反射層２３ｄは、回折格子を反射器として集積したものであり、波長選択性があり、微小タイル状素子１の面発光レーザ２１から放射されたレーザ光（波長λ０）に対する反射率が１０パーセント以下であり、そのレーザ光（波長λ０）に対して非反射（Ａｎｔｉ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）層として作用する。したがって、微小タイル状素子２に回折格子型反射層２３ｄを設けることにより、微小タイル状素子２からのレーザ光（波長λ０）の反射が抑えられ、雑音を低減することができる。なお、回折格子型反射層２３ｄは、タイル状部材における下面側ではなく上面側に設けてもよい。
【００７６】
図２８は図２７に示す微小タイル状素子２を改良した概略断面図である。これらの微小タイル状素子２の相違点は、回折格子型反射層２３ｅが設けられている点である。回折格子型反射層２３ｅは、フォトダイオード受光部２３ａの上面に設けられている。この構成により、微小タイル状素子２は、微小タイル状素子１から放射されたレーザ光（波長λ０）に対して、下面のみならず上面でも反射を抑えることができ、さらに雑音を低減することができる。
【００７７】
（微小タイル状素子の製造方法）
次に、上記微小タイル状素子の製造方法について図２９乃至図３７を参照して説明する。本製造方法では、微小タイル状素子としての化合物半導体デバイス（化合物半導体素子）をシート状基板となるプラスチックシート１１上に接合する場合について説明するが、半導体デバイスの種類及びシート状基板の種類に関係なく本方法を適用することができる。なお、本実施形態における「半導体基板」とは、半導体物資から成る物体をいうが、板形状の基板に限らず、どのような形状であっても半導体物資であれば「半導体基板」に含まれる。
【００７８】
＜第１工程＞
図２９は、微小タイル状素子の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。図２９において、基板１１０は、半導体基板であり、例えばガリウム・ヒ素化合物半導体基板とする。基板１１０における最下位層には、犠牲層１１１を設けておく。犠牲層１１１は、アルミニウム・ヒ素（ＡｌＡｓ）からなり、厚さが例えば数百ｎｍの層である。
【００７９】
例えば、犠牲層１１１の上層には機能層１１２を設ける。機能層１１２の厚さは、例えば１μｍから１０（２０）μｍ程度とする。そして、機能層１１２において半導体デバイス（半導体素子）１１３を作成する。半導体デバイス１１３としては、例えば上述した発光ダイオード（ＬＥＤ）、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、フォトダイオード（ＰＤ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などが挙げられる。これらの半導体デバイス１１３は、何れも基板１１０上に多層のエピタキシャル層を積層して素子が形成されたものである。また、各半導体デバイス１１３には、電極も形成し、動作テストも行う。
【００８０】
＜第２工程＞
図３０は、微小タイル状素子の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。本工程においては、各半導体デバイス１１３を分割するように分離溝１２１を形成する。分離溝１２１は、少なくとも犠牲層１１１に到達する深さをもつ溝とする。例えば、分離溝１２１の幅及び深さともに、１０μｍから数百μｍとする。また、分離溝１２１は、後述するところの選択エッチング液が当該分離溝１２１を流れるように、行き止まりなく繋がっている溝とする。さらに、分離溝１２１は、碁盤のごとく格子状に形成することが好ましい。
また、分離溝１２１相互の間隔を数十μｍから数百μｍとすることで、分離溝１２１によって分割・形成される各半導体デバイス１１３のサイズを、数十μｍから数百μｍ四方の面積をもつものとする。分離溝１２１の形成方法としては、フォトリソグラフィとウェットエッチングによる方法、またはドライエッチングによる方法を用いる。また、クラックが基板に生じない範囲でＵ字形溝のダイシングで分離溝１２１を形成してもよい。
【００８１】
＜第３工程＞
図３１は、微小タイル状素子の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１を基板１１０の表面（半導体デバイス１１３側）に貼り付ける。中間転写フィルム１３１は、表面に粘着剤が塗られたフレキシブルな帯形状のフィルムである。
【００８２】
＜第４工程＞
図３２は、微小タイル状素子の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。本工程においては、分離溝１２１に選択エッチング液１４１を注入する。本工程では、犠牲層１１１のみを選択的にエッチングするために、選択エッチング液１４１として、アルミニウム・ヒ素に対して選択性が高い低濃度の塩酸を用いる。
【００８３】
＜第５工程＞
図３３は、微小タイル状素子の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。本工程においては、第４工程での分離溝１２１への選択エッチング液１４１の注入後、所定時間の経過により、犠牲層１１１のすべてを選択的にエッチングして基板１１０から取り除く。
【００８４】
＜第６工程＞
図３４は、微小タイル状素子の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。第５工程で犠牲層１１１が全てエッチングされると、基板１１０から機能層１１２が切り離される。そして、本工程において、中間転写フィルム１３１を基板１１０から引き離すことにより、中間転写フィルム１３１に貼り付けられている機能層１１２を基板１１０から引き離す。
これらにより、半導体デバイス１１３が形成された機能層１１２は、分離溝１２１の形成及び犠牲層１１１のエッチングによって分割されて、所定の形状（例えば、微小タイル形状）の半導体素子（上記実施形態の「微小タイル状素子」）とされ、中間転写フィルム１３１に貼り付け保持されることとなる。ここで、機能層の厚さが例えば１μｍから８μｍ、大きさ（縦横）が例えば数十μｍから数百μｍであるのが好ましい。
【００８５】
＜第７工程＞
図３５は、微小タイル状素子の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。本工程においては、（微小タイル状素子１６１が貼り付けられた）中間転写フィルム１３１を移動させることで、プラスチックシート１１の所望の位置に微小タイル状素子１６１をアライメントする。ここで、最終基板１７１の所望の位置には、微小タイル状素子１６１を接着するための接着剤１７３を塗布しておく。
【００８６】
＜第８工程＞
図３６は、微小タイル状素子の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。本工程においては、プラスチックシート１１の所望の位置にアライメントされた微小タイル状素子１６１を、中間転写フィルム１３１越しに裏押しピン１８１で押しつけてプラスチックシート１１に接合する。ここで、所望の位置には接着剤１７３が塗布されているので、そのプラスチックシート１１の所望の位置に微小タイル状素子１６１が接着される。
【００８７】
＜第９工程＞
図３７は、微小タイル状素子の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させて、微小タイル状素子１６１から中間転写フィルム１３１を剥がす。
中間転写フィルム１３１の粘着剤は、ＵＶ硬化性又は熱硬化性のものにしておく。ＵＶ硬化性の粘着剤とした場合は、裏押しピン１８１を透明な材質にしておき、裏押しピン１８１の先端から紫外線（ＵＶ）を照射することで中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させる。熱硬化性の接着剤とした場合は、裏押しピン１８１を加熱すればよい。あるいは第６工程の後で、中間転写フィルム１３１を全面紫外線照射するなどして粘着力を全面消失させておいてもよい。粘着力が消失したとはいえ実際には僅かに粘着性が残っており、微小タイル状素子１６１は非常に薄く軽いので中間転写フィルム１３１に保持される。
【００８８】
＜第１０工程＞
本工程は、図示していない。本工程においては、加熱処理などを施して、微小タイル状素子１６１をプラスチックシート１１に本接合する。
【００８９】
＜第１１工程＞
本工程においては、図２４に示すように、微小タイル状素子１６１の電極とプラスチックシート１１上の回路を配線１９１により電気的に繋ぎ、一つのＬＳＩチップなどの半導体集積回路を完成させる。なお、プラスチックシート１１上には、イメージセンサ４０、発光素子５１に接続されるドライバー、受光アンプやＣＰＵ等の素子を、ＴＦＴやＳｉ−ＩＣで設けることも可能である。この場合、センサ４０、発光素子５１と各素子とを接続する配線を、上述したインクジェットヘッドから金属を含む液滴を吐出して形成することで、構成材料の量を軽減でき、設計変更などにも容易に対応できるため、製造コストを低減することが可能になる。また、配線１９１もインクジェット方式で形成することが好ましい。
なお、シート状基板としては、プラスチックシートのみならず、シリコン半導体、または石英基板を適用してもよい。
【００９０】
＜第１２工程＞
本工程においては、図２４に示すように上記工程によってプラスチックシート１１の上に形成された微小タイル状素子１６１の上面に、図２４に示すようにさらに微小タイル状素子を重ねて貼り付ける。この微小タイル状素子の更なる貼付は、上記第１工程から第１１工程を繰り返すことで行う。これらにより、簡易かつ迅速に、所定の基板上に複数枚の微小タイル状素子を重ねて貼り付けることができる。この後、各素子が接合されたプラスチックシート１１の表面に絶縁コーティングを施す。
【００９１】
（指紋検出動作）
指紋検出は、イメージセンサ４０に指を接触させることで実施される。このとき、イメージセンサ４０の起動スイッチ（例えば感圧スイッチ）４２が作動し（図４参照）、カード型情報記録媒体１１００内の電源が作動して、自動的に、イメージセンサ４０及び発光素子５１に電源が供給される。あるいは、カード型情報記録媒体１１００を図２の情報処理装置１５０にセットし、情報処理装置１５０の給電部１３２より電源が供給されても良い。
【００９２】
図５に示すように、イメージセンサ４０に指を接触させ発光素子５１が発光すると、その照射光により指が照射されると、指内部で散乱した散乱光をイメージセンサ４０で撮像（受光）する。そして、撮像した画像イメージから指紋パターンを検出する。一方、指標抽出部６０においては、イメージセンサ４０の特定エリアまたは全体における平均受光量の時間変化から脈波情報を検出する。
【００９３】
図３８は、上記の指標抽出部６０にて検出された脈波の１拍分の波形を示している。図３８に示すように、この脈波には下記の特徴がある。
（１）１拍分の脈波に順次変極点Ｐ１〜Ｐ５が現われる。
（２）変極点Ｐ１〜Ｐ５は、波高ｙ１〜ｙ５を有する。
（３）脈波開始時刻ｔ０を基準として、各変極点Ｐ１〜Ｐ５が出現するまでの時間はＴ１〜Ｔ５であり、次の１拍の脈波が開始するまでの経過時間（周期）はＴ６である。
本実施形態では、このような変極点Ｐ１〜Ｐ５の波高ｙ１〜ｙ５の少なくとも一つか、あるいは時刻ｔ０から変極点Ｐ１〜Ｐ５のいずれかが生ずるまでの時間Ｔ１〜Ｔ５または周期Ｔ６の少なくとも一つを、指標抽出部６０が抽出することができる。
【００９４】
このような脈波は、生体から発せられる生体信号であり、それを処理して抽出した指標も生体独自のものである。よって、このような指標を抽出できれば、偽造された指型などをモニタしたものでなく、確かに生存するカード所有者の指をモニタしたものであることが判明する。この点、脈波自体でなく、その一成分である例えば脈拍等のパルスを直接検出しようとした場合、そのようなパルスは人為的に生成可能である。本実施形態では、人為的に偽造が困難な脈波を検出し、それを処理して抽出される指標を比較しているので、カードの盗用は確実に防止される。
【００９５】
上述した指標は、図３９に示す指標抽出部６０にて抽出できる。低域遮断フィルタ６１は、指標抽出部６０にて検出された脈波のうち、所定のカットオフ周波数よりも低域の周波数を遮断し、高域周波数のみを取り出す。遮断された低周波数帯域には、副交感神経系機能である例えば呼吸性の変動（例えば０．１５Ｈｚ）や、交感神経系機能である例えば筋ポンプ作用のマイヤーウェーブ（例えば０．１Ｈｚ）など、自律神経機能を反映する成分が含まれている。さらにこの低周波数帯域には、体動に伴う周波数成分も含まれている。低域遮断フィルタ６１は、心臓の拍動に基づく脈波波形を阻害する不要な低周波数帯域を除去できる。
低域遮断フィルタ６１は、低域遮断周波数を０．４〜０．５Ｈｚの範囲中の値とすることが好ましい。０．４〜０．５Ｈｚを越える周波数を遮断すると、心臓の拍動に基づく脈波波形の特徴が失われてしまうからである。
【００９６】
ＲＡＭ６２はワーキングメモリとして機能し、低域遮断フィルタ６１の出力が記憶される。微分回路６３は、低域遮断フィルタ６１の出力波形を時間微分する。微分値として０が出力された点が変極点Ｐ１〜Ｐ５となる。波高抽出部６４Ａは、ＲＡＭ６２内の波形の中から、微分回路６３からの微分値０に対応する変極点Ｐ１〜Ｐ５の波高ｙ１〜ｙ５の少なくとも一つを、指標として抽出する。時間抽出部６４Ｂは、時刻ｔ０から変極点Ｐ１〜Ｐ５に至るまでの時間Ｔ１〜Ｔ５の少なくとも一つを、指標として抽出する。なお、波高抽出部６４Ａ及び時間抽出部６４Ｂのいずれか一方のみを設けるものでも良い。
【００９７】
また、図３９に代えて、図４０に示す指標抽出部６０を用いても良い。図４０では、波高抽出部６４Ａに代えて波高比率抽出部６５Ａが、時間抽出部６４Ｂに代えて時間比率抽出部６５Ｂが設けられている。波高比率抽出部６５Ａは、波高ｙ１〜ｙ５のうちの任意の２つの波高比率、例えばｙ２／ｙ１，ｙ３／ｙ１，ｙ４／ｙ１，ｙ５／ｙ１などのうち少なくとも一つの波高比率を指標として求める。時間比率抽出部６５Ｂは、時間Ｔ１〜Ｔ６のうちの任意の２つの時間比率、例えばＴ１／Ｔ６，Ｔ２／Ｔ６，Ｔ３／Ｔ６，Ｔ４／Ｔ６，Ｔ５／Ｔ６などのうち少なくとも一つの時間比率を指標として求める。特に、時間Ｔ２あるいは時間Ｔ４は駆出時間と称されるもので、時間比率Ｔ２／Ｔ６またはＴ４／Ｔ６が生体を現す指標として好適である。なお、本来の駆出時間Ｔ２に相当するピークＰ２は個人差または同一人でも体調によって現れない場合があり、その場合にはピークＰ４が早めに現われるので、ピークＰ４に達する時間Ｔ４を駆出時間としても差し支えない。また、波高比率抽出部６５Ａ及び時間抽出部６５Ｂのいずれか一方のみを設けるものでも良い。このような比率を指標とすれば、波高そのもの、あるいは時間そのものを指標とする場合と比較して、脈波波形中の相対値が求められるので、精度が高まる。
【００９８】
図４１（Ａ）は検出された脈波の原波形、図４１（Ｂ）は図４１（Ａ）の速度波形（一次微分波形）、図４１（Ｃ）は図４１（Ａ）の加速度波形（二次微分波形）をそれぞれ示す波形図である。図４１（Ｃ）の加速度波形は、図４２に示すように、より明確な変極点ａ〜ｅを有する。そこで、加速度波形の変極点ａ〜ｅのうちの任意の２つの変極点の波高比率もまた、指標として利用することができる。
【００９９】
このような波高比率として、例えばｂ／ａ，ｃ／ａ，ｄ／ａ，ｅ／ａなどは、年齢に依存して変化する指標である。この中でも特に、波高比率ｂ／ａ，ｄ／ａが年齢依存率が顕著であるので、各種年齢のカード所有者の生体指標として好適であり、照合精度が高まる。また、これらの指標の中には男女の性別を反映するものもあり、性別チェックにも利用できる。
【０１００】
このような波高比率は、図４３に示す指標抽出部６０にて抽出可能である。図４３に示すように、指標抽出部６０にて検出された脈波は低域遮断フィルタ６１を通過し、一次微分回路６６で一次微分され、さらに二次微分回路６７にて二次微分され、ＲＡＭ６２に記憶される。波高比率抽出部６８は、ＲＡＭ６２に記憶された二次微分波形（図４２に示す加速度波形）から、例えば波高比率ｂ／ａを抽出する。
【０１０１】
（本人照合装置での動作）
図４４は、本人照合装置３０の動作フローチャートである。本実施形態では、まずイメージセンサ４０による撮像にて指紋情報を検出している（ステップ１）。この指紋情報の検出動作は、カード型情報記録媒体１１００が電源を内蔵している場合には、図３の情報処理装置１５０とは非接続で、カード型情報記録媒体１１００単体で実施してもよい。カード型情報記録媒体１１００が電源を内蔵しているかいないかに拘わらず、カード型情報記録媒体１１００を図３の情報処理装置１５０にセットして、情報処理装置１５０内の給電部１３２よりカード型情報記録媒体１１００に電源を供給して、指紋検出を行っても良い。
【０１０２】
検出された指紋情報は照合部７０に入力される。この照合部７０には、指紋情報と比較される第１の比較情報が、比較情報記憶部８０の第１の比較情報記憶部８２より入力される。そして、照合部７０にて指紋情報と第１の比較情報とが比較される。第１の比較情報は、登録された本人固有の指紋情報である。よって、カード所有者がカードに登録された本人であれば、照合部７０にて両者が一致した判断できる（ステップ２がＹＥＳ）。
【０１０３】
ここで、ステップ２の判断がＮＯであれば、真正なるカード所有者が操作していないことになる。そこで、照合部７０は不一致信号を出力する。カード型情報記録媒体１１００が表示部２０（図２（Ａ）（Ｂ）参照）を備えている場合には、この不一致信号は図２（Ａ）（Ｂ）に示すＣＰＵ１４に入力される。ＣＰＵ１４は、表示駆動部２２を制御して、表示部２０にカードが使用できない旨の表示、例えば「使用不能」の文字などを表示する（ステップ３）。この不一致信号はパスワード出力部９０にも入力され、パスワード出力部９０はパスワードに代えて、カード所有者が真正でないのでカードが使用不能である旨の信号を出力する（ステップ４）。これにより、カード型情報記録媒体１１００の使用が禁止される。なお、指紋情報が不一致であると、以降の照合動作は実施されない。
【０１０４】
ステップ２の判断がＹＥＳであると、照合部７０からの一致信号に基づいて、指標抽出部６０により脈波が検出される（ステップ５）。次に、指標抽出部６０にて、上述した各種指標のうちの少なくとも一つが抽出される（ステップ６）。この照合部７０には、抽出された指標と、比較情報記憶部８０の第２の比較情報記憶部８４からの第２の比較情報とが入力される。そして、照合部７０にて指標と第２の比較情報とが比較される（ステップ７）。第２の比較情報は、登録された本人の脈波の指標である。よって、抽出された指標が登録された本人のものであれば、照合部７０にて両者が一致した判断できる（ステップ７がＹＥＳ）。なお、第２の比較情報は許容幅をもって記憶されており、抽出された指標がその許容幅内であれば一致と判断される。
【０１０５】
このように、脈波は生体から発せられる生体信号であり、それを処理して抽出した指標も生体独自のものである。よって、このような指標が記憶情報と一致していれば、確かに生存するカード所有者の指をモニタしたものであることが判明する。また、指標によっては、登録された本人の年齢、性別などを反映するため、年齢チェック及び／または性別チェックも実施することができる。
【０１０６】
ステップ７の判断がＮＯであれば、ステップ３及び／またはステップ４が実施されるので、カードの盗用が防止される。
ステップ７の判断がＹＥＳであれば、真正でかつ生存しているカード所有者が操作したことになる。そこで、照合部７０は一致信号を出力する。カード型情報記録媒体１１００が表示部２０を備えている場合には、この一致信号は図２（Ａ）（Ｂ）に示すＣＰＵ１４に入力される。ＣＰＵ１４は、表示駆動部２２を制御して、表示部２０にカードが使用できる旨の表示、例えば「使用可能」の文字などを表示する（ステップ８）。この一致信号はパスワード出力部９０にも入力され、パスワード出力部９０はパスワードを出力する（ステップ９）。これにより、カード型情報記録媒体１１００での照合動作が完了する。
【０１０７】
（履歴情報記憶部及び情報更新部）
図４に示すように、本人照合装置３０には、指標抽出部６０にて抽出された指標の履歴情報を記憶する履歴情報記憶部１３０と、その履歴情報に基づいて、比較情報記憶部８０の第２の比較情報記憶部８２に記憶されている第２の比較情報を更新する情報更新部１１４０とをさらに設けることができる。
【０１０８】
脈波から抽出される指標の中には、上述した通り、年齢依存性などのように経時的に変化する指標がある。このため、常に一定の指標を第２の比較情報として記憶していると、時の経過により本人の指標とは異なるものとなってしまう。そこで、イメージセンサ４０及び指標抽出部６０にて脈波を検出する度に、抽出された指標を履歴情報として履歴情報記憶部１３０に記憶させる。この履歴情報記憶部１３０には、例えば過去複数回に検出された複数の指標が履歴情報として記憶される。情報更新部１１４０は、その履歴情報に基づいて、例えば過去複数回に検出された指標の移動平均を演算し、その移動平均値を第２の比較情報として更新する。こうして、指標と比較される第２の比較情報は最新の情報に更新される。よって、照合エラーを低減できる。
【０１０９】
このように本実施の形態では、指紋情報及び脈波情報の双方で本人照合を実施しているので、本人照合精度をより高くすることができることに加えて、イメージセンサ４０の撮像結果からこれら指紋情報及び脈波情報を得ているので、各情報を検出するセンサを個別に設ける必要がなく、装置の大型化、高価格化を防ぐことが可能である。また、本実施の形態では、レーザ光を用いた転写法によりイメージセンサ４０をプラスチックシート１１上に接合するとともに、半導体基板から切り離された微小タイル状素子をプラスチックシート１１上に接合して発光素子５１を形成しているので、ハンドリング性が向上してプラスチックシート１１上に容易、且つ迅速に半導体素子を実装できるとともに、本人照合装置３０及びカード型情報記録媒体を得ることが可能になる。
【０１１０】
また、本実施の形態では、光学式のイメージセンサ４０で指紋を検出するため、静電容量式を用いた場合のように、静電気によりセンサが損傷することもなく、信頼性を向上させることができる。特に、本実施の形態では、指をイメージセンサ４０に直接当接させるのではなく、イメージセンサ４０とは逆側のプラスチックシート１１の面に当接させるので、指が直接接触することによる物理的損傷や静電気損傷等、接触によるイメージセンサ４０の破損や汚れを防止して、信頼性を大幅に向上させるを防止することができる。
さらに、本実施の形態では、自動出力制御により面発光レーザの出力を制御しているので、本人照合対象である検知対象者に向けて出射されるレーザ光の強度を調整（抑制）することができるため、いわゆるアイセーフ対策として安全性を向上させることも可能である。
【０１１１】
なお、上記実施の形態では、指をイメージセンサ４０に当接させないで指紋情報及び脈波情報を検出する構成で説明したが、イメージセンサ４０に当接させる構成としてもよい。この場合、プラスチックシート１１は、必ずしも発光素子５１の照射光に対して透明である必要はなく、プラスチックシート１１の選択幅を拡げることができる。また、発光素子５１は、イメージセンサ４０を挟んだ両側に設けることが好ましいが、少なくとも一つあれば指紋情報及び脈波情報を得ることができる。
【０１１２】
また、上記実施の形態では、レーザーアブレーションにより剥離させたイメージセンサ４０をプラスチックシート１１に転写するとともに、微小タイル素子をプラスチックシート１１に接合して発光素子５１を形成する構成としたが、これに限定されるものではなく、イメージセンサ４０をプラスチックシート１１に転写し、発光素子としての有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）装置をプラスチックシート１１上に直接形成してもよい。この有機ＥＬ装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。一方、微小タイル素子をプラスチックシート１１に接合して発光素子５１を形成し、上記転写法とは異なる製造方法でイメージセンサ４０を形成する構成としてもよい。
【０１１３】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明の本人照合装置は必ずしもカード型情報記録媒体に限らず、他の携帯型電子機器、設置型電子機器などに搭載しても良い。また、例えば指紋検出を行わないモードを付加し、このモードを選択したときは現在の脈波情報のみを検出し、検出した脈波情報と記憶部８４に記憶されている健康時の脈波情報と照合することで、現在の健康状態を管理することも可能である。このように、指紋検出を選択的に実施することで、本発明の本人照合装置を健康管理装置として機能させることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体の概略説明図である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１とは異なる本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体の概略説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体及び情報処理装置から構成される情報処理システムのブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体に内蔵される本人照合装置のブロック図である。
【図５】イメージセンサ、脈波検出センサが形成されたプラスチックシートの正面図である。
【図６】イメージセンサ製造の第１の工程を示す断面図である。
【図７】イメージセンサ製造の第２の工程を示す断面図である。
【図８】イメージセンサ製造の第３の工程を示す断面図である。
【図９】イメージセンサ製造の第４の工程を示す断面図である。
【図１０】イメージセンサ製造の第５の工程を示す断面図である。
【図１１】イメージセンサ製造の第６の工程を示す断面図である。
【図１２】基板のレーザー光の波長に対する透過率の変化を示す図である。
【図１３】ＴＦＴ製造における第１の工程を示す断面図である。
【図１４】ＴＦＴ製造における第２の工程を示す断面図である。
【図１５】ＴＦＴ製造における第３の工程を示す断面図である。
【図１６】ＴＦＴ製造における第４の工程を示す断面図である。
【図１７】ＴＦＴ製造における第５の工程を示す断面図である。
【図１８】ＴＦＴ製造における第６の工程を示す断面図である。
【図１９】ＴＦＴ製造における第７の工程を示す断面図である。
【図２０】ＴＦＴ製造における第８の工程を示す断面図である。
【図２１】ＴＦＴ製造における第９の工程を示す断面図である。
【図２２】ＴＦＴ製造における第１０の工程を示す断面図である。
【図２３】ＴＦＴ製造における第１１の工程を示す断面図である。
【図２４】発光素子の概略断面図である。
【図２５】発光素子の具体例を示す概略断面図である。
【図２６】面発光レーザの自動出力制御回路を示す回路図である。
【図２７】微小タイル状素子の変形例を示す概略断面図である。
【図２８】微小タイル状素子の変形例を示す概略断面図である。
【図２９】微小タイル状素子の製造方法の第１工程を示す図である。
【図３０】微小タイル状素子の製造方法の第２工程を示す図である。
【図３１】微小タイル状素子の製造方法の第３工程を示す図である。
【図３２】微小タイル状素子の製造方法の第４工程を示す図である。
【図３３】微小タイル状素子の製造方法の第５工程を示す図である。
【図３４】微小タイル状素子の製造方法の第６工程を示す図である。
【図３５】微小タイル状素子の製造方法の第７工程を示す図である。
【図３６】微小タイル状素子の製造方法の第８工程を示す図である。
【図３７】微小タイル状素子の製造方法の第９工程を示す図である。
【図３８】脈波の波形の特徴を説明するための波形図である。
【図３９】指標を抽出する指標抽出部の一例を示すブロック図である。
【図４０】指標を抽出する指標抽出部の他の例を示すブロック図である。
【図４１】（Ａ）〜（Ｃ）は検出された脈波の波形図である。
【図４２】加速度波形の特徴を説明するための概略説明図である。
【図４３】波高比率を抽出する指標抽出部のブロック図である。
【図４４】図３に示す本人照合装置の動作タイミングチャートである。
す図である。
【符号の説明】
１１  プラスチックシート（基板）、３１  光モニター回路（制御装置）、４０  イメージセンサ（光学式撮像素子）、５１  発光素子、６０  指標抽出部（脈波検出装置）、１００  基板（製造基板）、１１０  半導体基板、１２０  分離層、１１００  カード型情報記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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