(57)【要約】【課題】高密度光ディスク用のスタンパの製造方法において、Ｓｉ基板からＮｉ剥離膜を剥離してスタンパを作製する際に、ピット脱落により欠陥が形成されることを防止できるようにする。【解決手段】基板１０１上に薄膜１０２を形成する。薄膜１０２上に電子ビーム用のレジスト膜を形成し、このレジスト膜上に電子ビームを照射してレジスト膜を露光し、現像液により現像する。現像されたレジスト膜をマスクとして薄膜１０２を反応性イオンエッチングして、薄膜１０２上に凹凸パターンを形成する。薄膜１０２を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜１０４を薄膜１０２上に形成する。液体窒素または液体ヘリウムなどの冷却材により薄膜１０２および剥離膜１０４を冷却し、基板１０１から剥離膜１０４を剥離してスタンパを作製する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一主面に積層された薄膜上に凹凸パターンを形成する工程と、
上記凹凸パターン上に、上記薄膜を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜を形成する工程と、
上記薄膜および上記剥離膜を少なくとも冷却し、上記薄膜から上記剥離膜を剥離してスタンパを作製する工程と
を備えることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】
上記薄膜および上記剥離膜を、液体窒素または液体ヘリウムにより冷却することを特徴とする請求項１記載のスタンパの製造方法。
【請求項３】
基板の一主面上に凹凸パターンを形成する工程と、
上記凹凸パターン上に、上記基板を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜を形成する工程と、
上記基板および上記剥離膜を冷却し、上記基板から上記剥離膜を剥離してスタンパを作製する工程と
を備えることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項４】
上記基板および上記剥離膜を、液体窒素または液体ヘリウムにより冷却することを特徴とする請求項３記載のスタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、光学記録媒体を製造する工程において用いるスタンパの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等の光ディスクに用いられる基板は、スタンパと称する成形用金型を用いて圧縮成形や射出成形によって量産されている。以下に、このスタンパの製造方法について説明する。
【０００３】
まず、スピンコート法により、紫外線感光性ポジ型フォトレジストを、厚さ数ｍｍのガラス原盤上に均一に塗布する。この際、ガラス原盤の回転を、フォトレジストの厚さが０．１μｍ程度となるように制御する。そして、ガラス原盤を回転させながら、このガラス原盤に塗布されたレジスト上に、対物レンズにより集光された青色または紫外域（波長３５０ｎｍ〜４６０ｎｍ）のレーザ光を照射する。この際、レーザ光を適宜オン／オフし、所望のパターンにレジストを露光する。なお、レーザとしては、Ａｒ、Ｋｒレーザなどのガスレーザが用いられる。
【０００４】
その後、現像液によりレジストを現像する。これにより、ピットまたはグルーブ状の微細凹凸パターンを有するレジスト原盤が形成される。なお、一般的にレジスト原盤の製造工程において用いられているポジ型フォトレジストでは、レーザ光が照射された部分が感光し、現像液に溶解するため、凹型のピット形状を得ることができる。そして、このレジスト原盤の凹凸を有する側の面に、厚さ数１００μｍのＮｉメッキを施す。その後、このＮｉメッキをレジスト原盤から剥離する。これにより、厚さ数１００μｍを有するＮｉ製マスタースタンパ（成形用金型）が作製される。
【０００５】
例えば、ＤＶＤ−ＲＯＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ−Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）製造用のスタンパでは、最短ピット長０．４μｍを有する情報信号ピットが、トラックピッチ０．７４μｍでスパイラル状に形成されている。このスタンパを用いて直径１２ｃｍを有する基板を作製することにより、ＤＶＤ−ＲＯＭ（片面記録）では４．７ＧＢの記録容量を実現することができる。なお、レーザ描画（カッティング）には、例えば波長４１３ｎｍのレーザ光を出射するＫｒ（イオン）レーザが用いられる。
【０００６】
ところで、カッティング可能な最短ピット長Ｐ、すなわち解像力は、一般的に、レーザ光の波長λ、対物レンズのＮＡ（開口数）、およびプロセスファクタＫ（レジスト特性等に依存し、０．８〜０．９の値をとる）とを用いて、
Ｐ＝Ｋ・（λ／ＮＡ）      （１）
により近似的に表わされる。例えば、この式（１）に、波長λ＝４１３ｎｍ、開口数ＮＡ＝０．９、およびプロセスファクタＫ＝０．８を代入すると、最短ピット長Ｐ＝０．３７μｍが得られる。これは、上述したＤＶＤ−ＲＯＭにおける最短ピット長０．４μｍを満たす値である。
【０００７】
ところで、近年の情報通信および画像処理技術の急速な進歩に伴って、従来の数倍の記録容量を有する光ディスクを実現することが要求されるようになっている。例えば、ＤＶＤと同様の信号処理方式を維持したままで、直径１２ｃｍを有する光ディスクにおいて片面で記録容量２５ＧＢを達成するためには、最短ピット長を０．１５μｍ、トラックピッチを０．３２μｍ程度まで微細化する必要がある。また、ピット幅を、このトラックピッチの１／３程度、例えば０．１μｍ程度にする必要がある。
【０００８】
このような微細ピット形成のためには、上述の式（１）から分かるように、レーザ光の短波長化と対物レンズの高ＮＡ化とが要求される。ところが、対物レンズのＮＡ値は、レンズの製作精度の面から現状の０．９という値でほぼ限界である。したがって、レーザ光の短波長化により微細ピットを形成することが検討されている。
【０００９】
ところが、レーザ光の短波長化のみによって、上述の２５ＧＢ容量を可能とする最短ピット長およびピット幅を実現することは困難である。例えば、波長λ＝２５０ｎｍの遠紫外線レーザ光を用いたとしても、上述の式（１）によれば、最短ピット長Ｐは、０．２２μｍ（但し、Ｋ＝０．８、ＮＡ＝０．９）であり、目的とする最短ピット長０．１５μｍを実現することはできない。
【００１０】
以上のように、２５ＧＢ容量の高密度光ディスクを製造するためのレジスト原盤を、従来の紫外線レーザを光源とするレーザカッティング装置で製造することは非常に困難である。そこで、近年では、電子ビーム描画装置（ＥＢＲ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｒｅｃｏｒｄｅｒ）を用いて、レジストの感光を行う製造方法が提案されている。この電子ビーム描画装置では、光ビームより微細なビームを得ることができる。
【００１１】
この電子ビーム描画装置は、従来、半導体分野でフォトマスクのパターン描画やウェハー上の直接描画に用いられてきたが、近年の光ディスクの急速な高密度化に伴い、光ディスク用原盤に微細なピットまたはグルーブ等をパターン形成する場合にも用いられるようになっている。
【００１２】
実際、この電子ビーム描画装置を用いた製造方法により、良好な信号特性を有するガラス製ディスクを作製できることが報告されている。この報告による製造方法では、まず、電子ビーム描画装置を用いて、２５〜３０ＧＢ容量を有するＲＯＭ型ディスクのピットパターンを、原盤（シリコン基板）に塗布された電子ビーム用のレジスト上に描画する。そして、現像液によりレジストを現像し、レジスト原盤を作製する。その後、従来と同様のＮｉメッキプロセスにより、このレジスト原盤からＮｉ製マスタースタンパを作製する。最後に、フォトポリマーを用いたレプリケーションプロセスにより、このＮｉ製マスタースタンパからガラス製ディスクを作製する。なお、レジストには、従来の紫外線レーザによるカッティングと同様にポジ型レジストが用いられているため、電子ビームにより照射された部分が現像液に溶解して、凹型のピットパターンが形成される。すなわち、Ｎｉ製マスタースタンパでは、ピットパターンは凸型となる。
【００１３】
ところが、上述した電子ビーム描画装置を用いた製造方法では、良好な信号特性を有するガラス製ディスクを実験的に作製することは容易であるが、良好な信号特性を有する、プラスチック樹脂からなる基板を射出成形により量産することは困難である。これは、実際にプラスチック樹脂を用いて基板を射出成形した場合には、射出成形工程におけるピットの転写性が劣化するためである。一般に、電子ビーム描画により形成されたピットは、従来の紫外レーザ描画により形成されたピットと比較して、非常に切り立った垂直に近いエッジ形状を有している。このような切り立ちの非常に鋭いピットを射出成形により基板に転写するのことは非常に困難である。また、ピットが微細化されて、極めて高密度になることも射出成形のピット転写性の劣化を招く原因となっている。
【００１４】
このような状況を鑑みて、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いたスタンパの製造方法が提案されている。この製造方法では、まず、Ｓｉ原盤に均一に塗布された電子ビーム用のレジストを電子ビームにより描画し、現像液により現像する。そして、現像されたレジストをマスクとして、Ｓｉ原盤を反応性イオンエッチングする。その後、このエッチンッグされたＳｉ原盤にＮｉメッキを施し、このＮｉメッキを剥離してＮｉ製マスタースタンパを作製する。この製造方法では、反応性イオンエッチングをする際のエッチングガス、エッチング条件（ＲＦパワー、圧力等）を調整することにより、エッチングにより得られるピット形状、すなわち、エッジ角度を容易にコントロールすることができる。すなわち、後の射出成形工程におけるスタンパの転写性を考慮して、適正なピット形状のスタンパを作製することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、本発明者が、反応性イオンエッチングによりピットが形成された原盤を用いて、厚さ０．３ｍｍ程度のＮｉ製マスタースタンパを作製したところ、Ｓｉ原盤からＮｉ製マスタースタンパを剥離する際に、微細なピット部分が崩れ、Ｎｉ製マスタースタンパ表面から分離してしまう、とういう問題を知見するにいった。これは、硬度の高いＳｉからなる凹型のピット部分から比較的硬度の低いＮｉからなる凸型のピット部分を剥がす時に、瞬間的、局所的に大きな応力が加わり、凸型のピット部分が折れてしまうためと考えられる。
【００１６】
なお、従来の紫外線によるレーザカッティングでは、フォトレジストからなるピットを有する原盤からＮｉ製マスタースタンパを剥離する際には、Ｎｉ製マスタースタンパ側にレジストが付着するため、このような現象が問題とされることはなかった。これは、フォトレジストがＮｉに比較すると柔らかいため、局所的に大きな応力が加わることが無く、また剥離時にはレジストの方がスタンパ側に持っていかれ、Ｓｉ原盤のように剥離時に大きな力を要しないためである。
【００１７】
したがって、この発明の目的は、次世代の高密度光ディスク用のスタンパの製造方法において、Ｓｉ原盤からＮｉ製マスタースタンパを剥離する際に、ピット脱落により欠陥が形成されることを防止することができるスタンパの製造方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本願第１の発明は、基板の一主面に積層された薄膜上に凹凸パターンを形成する工程と、
凹凸パターン上に、薄膜を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜を形成する工程と、
薄膜および剥離膜を少なくとも冷却し、薄膜から剥離膜を剥離してスタンパを作製する工程と
を備えることを特徴とするスタンパの製造方法である。
【００１９】
本願第１の発明によれば、基板の一主面上に積層された薄膜上に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターン上に薄膜を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜を形成し、薄膜および剥離膜を少なくとも冷却し、薄膜から剥離膜を剥離するため、薄膜と剥離膜との間に隙間を生じさせた後に、薄膜から剥離膜を剥離することができる。
【００２０】
本願第２の発明は、基板の一主面上に凹凸パターンを形成する工程と、
凹凸パターン上に、基板を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜を形成する工程と、
基板および剥離膜を冷却し、基板から剥離膜を剥離してスタンパを作製する工程と
を備えることを特徴とするスタンパの製造方法である。
【００２１】
本願第２の発明によれば、基板の一主面上に形成された凹凸パターン上に、基板を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜を形成し、基板および剥離膜を冷却し、基板から剥離膜を剥離するため、基板と剥離膜との間に隙間を生じさせた後に、基板から剥離膜を剥離することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。まず、この発明の第１の実施形態によるスタンパの製造方法に用いる電子ビーム描画装置について説明する。
【００２３】
図１に、電子ビーム描画装置の構成の一例を示す。図１に示すように、この電子ビーム描画装置は、主として、電子ビームカラム１と、真空槽３内に設置された機構部２とからなる。この電子ビーム描画装置は、設置場所における外部振動を除去するために、除振台４上に載置されている。なお、電子ビームのオン／オフおよび集束ビームサイズの調整などを行うビーム関連制御と、機構部２の制御とを行うコンピュータ制御装置の図示は省略されている。
【００２４】
電子ビームカラム１は円筒形状を有し、この電子ビームカラム１内には、電子銃１１、コンデンサレンズ１２、ブランキング電極（ビーム変調部）１３、アパーチャ１４、ビーム偏向電極１５、フォーカス調整レンズ１６および対物レンズ１７が備えられている。
【００２５】
電子銃１１には、材質ＺｒＯ／Ｗからなる熱電界放出方式の電子線源および、この電子線源から放出された電子を数１０ｋＶで加速する陽極などが備えられている。電子銃１１から放出された電子は、静電レンズであるコンデンサレンズ１２により集束され、ブランキング電極１３の間を通過する。ブランキング電極１３は、図示を省略したコンピュータ制御装置の制御により、電子ビームカラム１から出射される電子ビームをオン／オフする。具体的には、ブランキング電極１３の間に電圧が印加されると、照射電子ビームが大きく偏向され、アパーチャ１４から外れて、電子ビームカラム１から出射される電子ビームはオフ状態となる。
【００２６】
ブランキング電極１３の間を通過した電子ビームは、アパーチャ１４により絞られ、ビーム偏向電極１５の間を通過する。ビーム偏向電極１５は、図示を省略したコンピュータ制御装置の制御により、ビーム偏向電極１５の間を通過する電子ビームを偏向する。ビーム偏向電極１５の間を通過した電子ビームは、静電または電磁型レンズである対物レンズ１７により集光される。これにより、基板１０１に形成されたレジスト膜１０３が、数１０ｎｍ程度の径を有するスポットにより照射される。
【００２７】
また、機構部２は、基板１０１を上部にチャッキング可能に構成されたスピンドルモータ２１と、このスピンドルモータ２１を積載したエアスライド２２とを備える。スピンドルモータ２１は、高精度で高速回転可能に構成され、その回転スピードは、光学式ロータリーエンコーダを用いたサーボ機構により制御される。また、エアスライド２２は、基板１０１の半径方向に数ｎｍの送り精度で駆動可能に構成されている。
【００２８】
次に、この発明の第１の実施形態によるスタンパの製造方法について説明する。図２および３に、この第１の実施形態によるスタンパの製造方法の各製造工程を示す。以下、図２および３を参照しながら、この第１の実施形態によるスタンパの製造方法について説明する。
【００２９】
まず、図２Ａに示すように、例えば熱酸化法により、基板１０１上に薄膜１０２を形成する。ここで、基板１０１は、例えばＳｉからなる。また、薄膜１０２は、例えば厚さ数１００ｎｍを有する酸化膜であり、この酸化膜の材料としては、例えばＳｉＯ２を挙げることができる。
【００３０】
次に、図２Ｂに示すように、例えばスピンコート法により、薄膜１０２上に電子ビーム用のレジストを均一に塗布する。これにより、例えば厚さ８０ｎｍを有するレジスト膜１０３が、薄膜１０２上に形成される。電子ビーム用のレジストとしては、ポジ型レジストが選ばれる。ここでは、ポジ型レジストを用いる場合を例として説明するが、ネガ型レジストを用いることも可能であることは言うまでもない。
【００３１】
次に、電子ビーム描画装置のスピンドルモータ２１上部に備えられたターンテーブル上に、基板１０１を載置する。そして、基板１０１を高速回転させながら、基板１０１上に塗布された電子ビーム用のレジスト膜１０３上に、集束電子ビームを同心円状またはスパイラル状にスポット照射する。
【００３２】
次に、例えばアルカリ水溶液または専用現像液により、レジスト膜１０３を現像する。これにより、図２Ｃに示すように、電子ビームで照射された部分が溶解され、所望のレジストパターンを有するマスクが薄膜１０２上に形成される。
【００３３】
次に、図２Ｄに示すように、例えばＣＦ４もしくはＣＨＦ３などのフロン系ガス、またはＣｌ２などの塩素系ガスにより、レジスト膜１０３をマスクとして薄膜１０２を例えば反応性イオンエッチングする。このエッチングにより、例えば深さ８０ｎｍ程度の凹部が薄膜１０２に形成される。エッチングガス、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パワーおよび圧力等のエッチング条件は、ピットの傾斜角度を考慮して、適切に調整することが好ましい。このようにエッチング条件を適切に調整することにより、レジストパターンが９０度近く切り立っていても、ピットの傾斜角度を緩めることができる。以後の工程を考慮した場合、エッチング後のピットの傾斜角度を７０度程度に緩めことが好ましい。
【００３４】
次に、レジスト膜１０３を除去する。これにより、図３Ａに示すように、薄膜１０２上にピットパターンを有する基板１０１を得ることができる。ポジ型レジストを用いた場合には、薄膜１０２上に凹型のピットパターンを有する基板１０１を得ることができる。
【００３５】
次に、図３Ｂに示すように、例えば電鋳法により、薄膜１０２上に金属を堆積させる。これにより、例えば約３００μｍの厚さを有する剥離膜１０４が、薄膜１０２上に形成される。なお、剥離膜１０４を形成する材料としては、薄膜１０２を構成する材料より膨張率が大きいものが選ばれ、例えばＮｉが選ばれる。
【００３６】
次に、例えば液体窒素または液体ヘリウムなどの冷却材により、基板１０１および剥離膜１０４を冷却する。これにより、基板１０１と剥離膜１０４との間に隙間が形成される。冷却によって剥離膜１０４のピット部（凸部）が基板１０１のピット部（凹部）よりどの程度大きく収縮するかを、熱膨張率を用いて計算から容易に求めることができる。例えば、ピット幅が１００ｎｍである場合、Ｓｉからなる基板１０１とＮｉからなる剥離膜１０４とを液体窒素により室温２２℃（２９５Ｋ）から低温−１９６℃（７７Ｋ）まで冷却したとき、剥離膜１０４におけるピット部（凸部）の幅が、基板１０１のピット部（凹部）の幅より１．２ｎｍ程度大きく収縮する。なお、Ｎｉ、ＳｉＯ２の膨張率は、それぞれ、５．３×１０−５／Ｋ、５．５×１０−７／Ｋである。
【００３７】
次に、図３Ｃに示すように、基板１０１から剥離膜１０４を剥離する。これにより、マスタースタンパが形成される。そして、例えば電鋳法により、マスタースタンパの凹凸が形成された面に、例えばＮｉなどの金属を積層させる。これにより、マスタースタンパ上に金属膜が形成される。その後、この金属膜をマスタースタンパから剥離する。これにより、マスタースタンパとは反対の凹凸を有するマザースタンパが形成される。
【００３８】
次に、例えば電鋳法により、マザースタンパの凹凸が形成された面に、例えばＮｉなどの金属を積層させる。これにより、マザースタンパ上に金属膜が形成される。その後、この金属膜をマザースタンパから剥離する。これにより、マザースタンパとは反対の凹凸を有する、目的とするスタンパが形成される。
【００３９】
上述したこの発明の第１の実施形態に依れば、以下の効果を得ることができる。
基板１０１の一主面上に積層された薄膜１０２上に凹凸パターンを形成し、この凹凸パターン上に薄膜１０２を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜１０４を形成し、薄膜１０２および剥離膜１０４を少なくとも冷却し、薄膜１０２から剥離膜１０４を剥離するため、薄膜１０２と剥離膜１０４との間に隙間を生じさせたの後に、薄膜１０２から剥離膜１０４を剥離することができる。これにより、高密度光ディスク用のスタンパを製造する際に、薄膜１０２のピット部（凹部）が剥離膜１０４のピット部（凸部）に食いつき、剥離膜１０４のピット部が脱落することを防止することができる。すなわち、剥離膜１０４の剥離時に生じる欠陥を防ぐことができる。また、薄膜１０２から剥離膜１０４をスムーズに引き離すことができる。また、高密度光ディスク用のスタンパを歩留り良く製造することができる。
【００４０】
また、薄膜１０２を構成する材料と、剥離膜１０４を構成する材料との熱膨張率（収縮率）の差異により、薄膜１０２と剥離膜１０４との間に隙間が形成されるため、薄膜１０２から剥離膜１０４を剥離する際に、ピットに加わる局所的応力を低減し、ピット脱落等による欠陥が殆ど無いマスタースタンパを製造することができる。
【００４１】
また、ピットのアスペクト比が高い場合にも、薄膜１０２から剥離膜１０４を剥離する際に、剥離膜１０４のピット部（凸部）が著しく崩れたり、分離したりして欠陥が発生することを防止することができる。すなわち、所望とするピットなどの凹凸が形成されたスタンパを作成することができる。
【００４２】
次に、この発明の第２の実施形態について説明する。この第２の実施形態では、まず、基板上に電子ビーム用のレジスト膜を形成し、このレジスト膜上に電子ビームを照射してレジスト膜を露光する。次に、専用の現像液などを用いてレジスト膜を現像する。現像されたレジスト膜をマスクとして基板をエッチングして、基板の一主面に凹凸パターンを形成する。この凹凸パターン上に、基板を構成する材料より膨張率が大きい材料からなる剥離膜を形成する。次に、この剥離膜と基板とを液体窒素または液体ヘリウムなどの冷却材により冷却し、基板から剥離膜を剥離してマスタースタンパを作製する。その後、上述した第１の実施形態による製造方法と同様にしてスタンパを作製する。
【００４３】
以上、この発明の第１および第２の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述した第１および第２の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００４４】
例えば、上述した第１および第２の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００４５】
なお、上述した第１のおよび第２の実施形態では、ピットパターンを有するスタンパの製造方法に対して、この発明を適用した例について示したが、ウォブリングした案内溝などを有するスタンパの製造方法に対しても、この発明を適用可能であることは言うまでもない。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、基板および剥離膜を冷却し、基板から剥離膜を剥離するため、基板と剥離膜との間に隙間を生じさせて、基板から剥離膜を剥離することができる。これにより、剥離膜の剥離時に欠陥が発生することを防ぐことができる。したがって、スタンパを歩留り良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態による電子ビーム描画装置の構成の一例を示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるスタンパの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態によるスタンパの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１・・・電子ビームカラム、２・・・機構部、３・・・真空槽、４・・・除振台、１１・・・電子銃、１２・・・コンデンサレンズ、１３・・・ブランキング電極、１４・・・アパーチャ、１５・・・ビーム偏向電極、１６・・・フォーカス調整レンズ、１７・・・対物レンズ、２１・・・スピンドル、２２・・・エアスライド、１０１・・・基板、１０２・・・酸化シリコン膜、１０３・・・電子線レジスト膜、１０４・・・金属膜
【図１】
2004334939.tif 000003
【図２】
2004334939.tif 000004
【図３】
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