(57)【要約】【課題】成膜速度を落とさずに膜質の良い薄膜を成膜する。【解決手段】本発明の蒸着源３は磁力線形成手段７を有しており、アーク電流によって発生する磁界が弱まり、その磁界により正の微小下線粒子に及ぼす力が弱くなったとしても、磁力線形成手段７の磁力線によって正の微小荷電粒子の飛行方向が修正され、基板５２に到達するように構成されている。従って、本発明の蒸着源３を用いれば、アーク電流を小さくしても、微小荷電粒子の成膜対象物５２到達率が低くならず、従来技術の成膜装置のように成膜速度が低下することがない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極と、トリガー電極と、蒸着材料とを有し、
前記アノード電極と前記トリガー電極はそれぞれ前記蒸着材料の近傍に配置され、
前記アノード電極と前記蒸着材料との間に電圧を印加した状態で、前記蒸着材料と前記トリガー電極との間に電圧を印加すると、
前記トリガー電極と前記蒸着材料との間に生じたトリガー放電により、前記蒸着材料と前記アノード電極との間にアーク放電が誘起され、
前記アーク放電を維持するアーク電流は、前記蒸着材料を通って、前記蒸着材料から遠ざかる方向に流れ、
前記蒸着材料から放出された正の微小荷電粒子は、前記アーク電流が形成する磁界によって、前記アーク電流が流れる方向とは逆方向に飛行するように構成された蒸着源であって、
磁力線形成手段を有し、前記磁力線形成手段の一方の磁極は前記アーク電流の流れる方向に向けられ、他方の磁極は前記アーク電流の流れる方向とは逆方向に向けられた蒸着源。
【請求項２】
前記アノード電極は筒状にされた請求項１記載の蒸着源。
【請求項３】
前記磁力線形成手段は磁石で構成された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の蒸着源。
【請求項４】
前記磁力線形成手段はコイルで構成された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の蒸着源。
【請求項５】
真空槽と、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の蒸着源とを有し、
前記蒸着源から前記正の微小荷電粒子を前記真空槽内に放出させたときに、前記正の微小荷電粒子が到達可能な位置に成膜対象物を保持する保持装置が配置された成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜装置に関し、特に、同軸型真空アーク蒸着源を備えた成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の同軸型真空アーク蒸着源の実施例を図６に基づいて説明する。図６において、符号１０３は同軸型真空アーク蒸着源であり、符号１３６はカソード取付台であり、カソード電極１３１は取り付けフランジ１３７上に絶縁物１３５を介して電気的に絶縁を保って取り付けられている。
【０００３】
符号１３１は蒸着材料からなるカソード電極であり、大きさは直径１０ｍｍ、長さ１０ｍｍ〜２０ｍｍの円柱状である。符号１３４はトリガー電極であり、カソード電極１３１に密接された絶縁物１３３を介して、カソード電極１３１に隣接して取り付けられている。
【０００４】
符号１３２は円筒状のアノード電極であり、前記カソード電極１３１はアノード電極１３２の中心に設置されている。このカソード電極１３１はアノード電極１３２との間に約１０ｍｍの間隙を隔てて取り付けられている。
アノード電極１３２はステンレス製であり、その内径は約３０ｍｍである。符号１０２は真空チャンバ隔壁であり詳細には記載しないが、各電極（カソード電極１３１、トリガー電極１３４）に電圧を導入するための配線は、取付フランジ１３７の電流導入端子を介して各電極１３１、１３４に接続されている。
【０００５】
アノード電極１３２を接続している配線と、カソード電極１３１を接続している配線との間にアーク電源１３９が接続されている。またカソード電極１３１を接続している配線と、トリガー電極１３４を接続している配線との間にトリガー電源１３８が接続されている。
【０００６】
符号１５１は基板ステージであり、該基板ステージ１５１はアノード電極１３２開口先端部から１０ｃｍ〜２０ｃｍ離して設置され、基板ステージ１５１の蒸着源１０３側の面に試料基板１５０が取付けられている。符号４は、本装置の真空排気システムであり、符号１４１は主バルブ、符号１４２は高真空排気ポンプであり、この場合高真空排気ポンプとしてターボ分子ポンプが用いられる。
【０００７】
符号１４３はフォアバルブであり、高真空排気ポンプ１４２の下流側に取り付けられる。低真空用排気ポンプ１４４であり、この場合、低真空用排気ポンプ１４４として油回転ポンプを用いている。
この成膜装置１０１は、主バルブ１４１から低真空用排気ポンプ１４４までの真空排気システムとは別の系統の排気システムを有しており、超高真空に排気するためのポンプ１４５が搭載され、この場合イオンポンプが搭載されている。
【０００８】
符号１０５はガス導入系であり、符号１５１、１５３は仕切バルブ、符号１５２はガス流量調整器（以下、マスフローコントローラと呼称）、符号１５４は圧力調整器、符号１５５はガスボンベであり、この場合ガスボンベ１５５には窒素が充填されている。またガス系統５は一連の機器が金属の配管で直列に接続されている。
【０００９】
次に、上述した同軸型真空アーク蒸着源を用いた鉄膜の成膜方法の工程について説明する。トリガー電源１３８より３．４ｋＶの正の電圧をトリガー電極１３４に印加することによってトリガー電極１３４とカソード電極１３１との間に電位差が生じ、絶縁物１３３の断面を介して沿面放電が発生し、電子とイオンが発生する。
【００１０】
次にアーク電源１３９から負の電圧を１００Ｖ程度カソード電極１３１に印加することによって、前記のトリガー電極１３４とカソード電極１３１間でトリガー放電が発生し、そのトリガー放電による、イオン、電子等が火花（トリガー）となってアノード電極１３２とカソード電極１３１との間の大きなアーク放電を誘起する。
【００１１】
アーク電源１３９内には８８００μＦのコンデンサが装備され、コンデンサには予め電荷が蓄積されており、この電荷が約１ｍｓの間に放電され、尖塔電流値が約１２００〜１４００Ａ程度の電流（アーク電流）がパルス状にアノード電極１３２からカソード電極１３１間で流れる。このことによりカソード電極１３１の周りに磁場が発生し、電子は前記磁場と電子による電流で発生するローレンツ力で偏向され、試料基板１５０側に飛行する。
【００１２】
カソード（蒸着材料）１３１が溶融し、放射されたプラズマ化したイオンや、クラスターのような荷電粒子は、前記電子に吸い寄せられて電子同様に試料基板１５０方向に偏向される。この時、中性粒子（電荷を持たない粒子や塊）はローレンツ力の作用を受けないために、アノード電極１３２内壁に付着する。
【００１３】
また荷電粒子でもクラスターのような非常に重い粒子（巨大荷電粒子）はあまり偏向されないために試料基板１５０には到達できない。その結果、試料基板１５０にはイオン化した非常に質量の小さい、いわば微小荷電粒子のみが到達するので、試料基板１５０上に膜質の良い薄膜が形成される。
【００１４】
しかし、上述した同軸型真空アーク蒸着源では、トリガー電極とカソード電極との間で発生する放電によって蒸着材料１３１が突沸し、蒸着材料の液滴が飛散することがあり、この液滴が試料基板１５０に付着すると形成される薄膜の膜質が悪化する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、液滴が少なく、膜質の良い薄膜を成膜できる蒸着源を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は薄膜に液滴が付着する原因を調べるために、コンデンサの容量を変えることで、アーク電流の最大電流値、即ち、アーク電流の尖頭電流値を変化させて、毎秒１回の放電パルスを複数回与えて、ガラス基板からなる成膜対象物表面に鉄からなる薄膜を成膜した。
【００１７】
図３〜図５はそれらの電子顕微鏡写真を示しており、図３はコンデンサ容量が２２００μＦ、アーク電流の尖頭電流値が３００Ａ、放電パルスが１８００回の場合であり、図４はコンデンサ容量が４４００μＦ、アーク電流の尖頭電流値が６００Ａ以上７００Ａ以下の範囲、放電パルスが１８００回の場合であり、図５はコンデンサ容量が８８００μＦ、アーク電流の尖頭電流値が１２００Ａ以上１４００Ａ以下の範囲、放電パルスが３６００回の場合である。
【００１８】
図３〜図５から明かなように、アーク電流の尖頭電流値が低い程、液滴が少なくなることがわかる。
しかしながら、各薄膜の膜厚を測定したところ、図３では成膜対象物表面に薄膜が殆ど成長しておらず（膜厚約０ｎｍ）、図４では薄膜の膜厚が２７ｎｍ、図５では薄膜の膜厚が１４４ｎｍであり、アーク電流の尖頭電流値が小さくなると、成膜速度も低下することが分かる。
【００１９】
その原因は、尖頭電流値が低くなることでアーク電流で形成される磁場が弱くなり、結果として、荷電粒子にかかるローレンツ力も小さくなり、荷電粒子が充分に偏向されず、荷電粒子の成膜対象物に到達する割合が少なくなるためと推測される。
従って、そのローレンツ力を補助するような磁力線形成手段を設ければ、アーク電流の尖頭電流値が小さくても成膜速度が遅くならないと考えられる。
【００２０】
かかる知見に基いてなされた請求項１記載の発明は、アノード電極と、トリガー電極と、蒸着材料とを有し、前記アノード電極と前記トリガー電極はそれぞれ前記蒸着材料の近傍に配置され、前記アノード電極と前記蒸着材料との間に電圧を印加した状態で、前記蒸着材料と前記トリガー電極との間に電圧を印加すると、前記トリガー電極と前記蒸着材料との間に生じたトリガー放電により、前記蒸着材料と前記アノード電極との間にアーク放電が誘起され、前記アーク放電を維持するアーク電流は、前記蒸着材料を通って、前記蒸着材料から遠ざかる方向に流れ、前記蒸着材料から放出された正の微小荷電粒子は、前記アーク電流が形成する磁界によって、前記アーク電流が流れる方向とは逆方向に飛行するように構成された蒸着源であって、磁力線形成手段を有し、前記磁力線形成手段の一方の磁極は前記アーク電流の流れる方向に向けられ、他方の磁極は前記アーク電流の流れる方向とは逆方向に向けられた蒸着源である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の蒸着源であって、前記アノード電極は筒状にされた蒸着源である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の蒸着源であって、前記磁力線形成手段は磁石で構成された蒸着源である。
請求項４記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の蒸着源であって、前記磁力線形成手段はコイルで構成された蒸着源である。
請求項５記載の発明は、真空槽と、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の蒸着源とを有し、前記蒸着源から前記正の微小荷電粒子を前記真空槽内に放出させたときに、前記正の微小荷電粒子が到達可能な位置に成膜対象物を保持する保持装置が配置された成膜装置である。
【００２１】
本発明は上記のように構成されており、磁力線形成手段の一方の磁極がアーク電流の流れる方向に向けられ、他方の磁極がアーク電流の流れる方向に向けられることで、アーク電流が流れる方向と平行な磁力線が形成され、荷電粒子はその磁力線に巻き付いて移動し、成膜対象物に到達する。
従って、微小荷電粒子の飛行方向が曲げられるときに、アーク電流の流れる方向から逸れたとしても、微小荷電粒子はアーク電流と平行な磁力線に巻き付いて移動することで、その飛行方向が修正される。
【００２２】
アノード電極を円筒や角筒等の筒状にし、蒸着材料をその内部であって、筒の開口よりも内側に配置すれば、中性粒子や、電荷に対して質量の大きい荷電粒子はアノード電極の内周面に付着し、開口からは放出されない。従って、成膜対象物表面には電荷に対して質量の小さい微小荷電粒子のみが到達することになり、膜質の良い薄膜が得られる。
【００２３】
本発明の磁力線形成手段は、永久磁石であってもコイルであってもよく、永久磁石の場合はＳ極とＮ極を有し、コイルの場合は通電されるとＳ極とＮ極が生じるようになっており、いずれの場合もＳ極とＮ極はアノード電極の中心軸線に沿って配置されている。
【００２４】
従って、Ｓ極をアノード電極の一端に向けＮ極を他端に向けた場合と、Ｎ極をアノード電極の一端に向けＳ極を他端に向けた場合の、いずれの場合もアノード電極の中心軸線と平行な磁力線が形成され、その磁力線によって微小荷電粒子の飛行方向が修正される。
【００２５】
アノード電極の中心軸線上、又は、中心軸線近傍にアーク電流が流れる電極を配置し、かつ、蒸着材料をその中心軸線上に配置すれば、蒸着材料を中心とする磁界が形成され、それによって微小荷電粒子の飛行方向がアーク電流が流れる方向とは逆向きに曲げられる。
また、コンデンサ容量を小さくすることで、微小荷電粒子の飛行方向を曲げる磁界が弱くなったとしても、上述したように、磁力線形成手段により発生する磁力線で飛行方向が修正されるので、成膜速度が遅くならない。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の蒸着源を用いた成膜装置について詳細に説明する。
【００２７】
図１の符号１は本発明の蒸着源を用いた成膜装置を示している。この成膜装置１は、真空槽２と、蒸着源３と、保持装置５０とを有している。
蒸着源３は真空槽２の底壁側に配置され、保持装置５０は天井側に配置されている。
蒸着源３は、アノード電極３２と、蒸着材料３１と、トリガー電極３４と、アーク電極３９と、磁力線形成手段７とを有している。
【００２８】
磁力線形成手段７はフェライト等の磁性材料がリング状に成形された永久磁石で構成されている。ここでは、その磁力線形成部材７の大きさは、内径３３ｍｍ、外径５３ｍｍ、厚み約５ｍｍであり、その中心の磁場を測定したところ、約４５０ガウス（４５０×１０−４Ｗｂ）であった。
【００２９】
アノード電極３２は円筒形状に成形された導電性材料（ここではステンレス）で構成されている。磁力形成手段７のリング形状は平板状であり、アノード電極３２はその平板の位置する平面に対して、中心軸線８を垂直に向けた状態で、磁力線形成手段７に挿通されている。
【００３０】
真空槽２の底壁には孔が形成され、その孔は水平に設置された取り付け板３７で塞がれており、アノード電極３２は磁力形成手段７に挿通された状態で取り付け板３７の真空槽２の内部側に立設されている。
図１の符号３８はアノード電極３２の両端部のうち、取り付け板３７とは反対側の端部である開口を示している。
【００３１】
磁力線形成手段７のリング形状は、平板状であり、その平板の一方の面がＮ極に着磁され、他方の面がＳ極に着磁されている。ここでは、Ｓ極がアノード電極３２の開口３８側へ向けられ、Ｎ極が真空槽２の底壁側へ向けられることで、アノード電極３２内に後述する磁力線を形成するようになっている。
【００３２】
アノード電極３２内部には棒状の取り付け部材３６が挿通されており、その下端部は取り付け板３７上に固定されている。トリガー電極３４は取り付け部材３６の上部に第一の絶縁部材３５を介して取り付けられている。
蒸着材料３１はトリガー電極３４の上部に配置された第二の絶縁部材３３を介して、取り付け部材３６の先端位置に取り付けられている。この蒸着材料３１は、アノード電極３２の上端部分の開口３８よりも下側の位置、即ち、アノード電極３２内部に位置している。
【００３３】
蒸着材料３１はアノード電極３２の内径よりも小径に形成され、かつ、アノード電極３２の中心軸線８上に置かれている。従って、アノード電極３２の内周面と、蒸着材料３１の側面との間には隙間５１がある。
アーク電極３９は棒状であり、隙間５１に挿通されている。アーク電極３９の上端は蒸着材料３１に接続され、また、下端は取り付け板３７の絶縁材料４１を介して真空槽２の外部に気密に導出され、真空槽２外に配置された電源装置４０に電気的に接続されている。
【００３４】
トリガー電極３４も、真空槽２の外部に電気的に導出されており、同じ電源装置４０に接続されている。他方、アノード電極３２と真空槽２はそれぞれ接地電位に接続されている。
真空槽２と、トリガー電極３４と、蒸着材料３１と、アノード電極３２は、第一、第二の絶縁部材３３、３５によって互いに絶縁されており、真空排気系６２によって真空槽２内に所定圧力の真空雰囲気を形成した状態で、電源装置４０を起動し、蒸着材料３１に所定の大きさの負電圧を印加し、トリガー電極３４に蒸着材料３１よりも大きい負電圧をパルス状に印加すると、トリガー放電が生じ、蒸着材料３１の側面から、蒸着材料３１の粒子が放出されるようになっている。
【００３５】
上述したように、アノード電極３２は接地電位に接続されており、蒸着材料３１に電圧を印加すると、アノード電極３２と蒸着材料３１との間に電位差が生じるから、蒸着材料３１の粒子が放出されアノード電極３２内の絶縁耐性が低下すると、蒸着材料３１とアノード電極３２との間にアーク放電が誘起される。
電源装置４０にはコンデンサが装備されており、コンデンサは予め充電され、アーク放電が誘起されるとコンデンサが放電し、蒸着材料３１にアーク電流が供給される。アーク電流はアーク放電直後に最大値となり、その最大値を尖頭電流値とすると、ここでは、コンデンサの容量は４４００μＦであり、尖頭電流値は６００Ａ以上７００Ａ以下であり、この尖頭電流値では蒸着材料３１の突沸は起こらず、液滴が真空槽２内に飛散することがなかった。
【００３６】
アーク電極３９はアノード電極３２の中心軸線８に平行に、且つ中心軸線８の近傍に配置されており、アーク電流はアーク電極３９を蒸着材料３１から真空槽２の底面方向に向けて流れ、中心軸線８を中心とした磁界を形成する。
ここでは蒸着材料３１は鉄で構成されており、アーク放電が発生すると蒸着材料３１の側面が溶融し、その部分から蒸着材料を構成する粒子が放出され、放出された粒子はアノード電極３２の内周面に向かう方向、即ち、蒸着材料３１から見て放射方向に飛び出す。
【００３７】
放出された粒子には、正又は負の荷電粒子と中性粒子がある。図２の符号８１は中性粒子を示し、符号８４は荷電粒子のうち、質量に比べ電荷の小さい巨大荷電粒子を示している。
中性粒子８１と巨大荷電粒子８４は、アノード電極３２と蒸着材料３１との間の電界の影響を受けず、蒸着材料３１から放出されると、放射方向に飛行し、アノード電極３２の内周面に衝突するとそこに付着する。
【００３８】
電子や、負電荷を有する微小荷電粒子８２は、蒸着材料３１と反発し、且つ、正電圧のアノード電極３２に引きつけられ、蒸着材料３１からアノード電極３２に向かって飛行する。このとき、アーク電流が形成する磁界によって開口３８方向に向う力を受け、その飛行方向が開口３８方向に曲げられる。
他方、質量が小さく（電荷質量比が大きい粒子）、正電荷を有する微小荷電粒子８３は、蒸着材料３１から放出され、アノード電極３２に向う途中で正電圧のアノード電極３２によって押し戻され、負電圧の蒸着材料３１に引き寄せられて、蒸着材料３１の方向に向って逆向きに飛行する。
【００３９】
この逆向きの飛行のとき、正の微小荷電粒子８３は、アーク電流が形成する磁界から開口３８方向に向う力を受けるとともに前記開口３８の方向にベクトルを持った電子流に吸引され、飛行方向が開口３８方向に曲げられる。
上述したように磁力線形成手段７は、一方の磁極をアノード電極３２の開口３８側に向け、他方の磁極を真空槽２の底壁に向けており、アノード電極３２の内部にアーク電流の流れる方向に対して平行な磁力線、即ち、アノード電極３２の中心軸線８に対して平行な磁力線を形成するようになっている。
【００４０】
開口３８方向に曲げられた微小荷電粒子８３は、その磁力線に巻き付いて移動し、アノード電極３２の中心軸線８に沿って開口３８から真空槽２内に放出される。
保持装置５０は、アノード電極３２の開口３８と対向するように位置し、保持装置５０の開口３８と対向する面には成膜対象物５２が保持されており、開口３８から放出された微小荷電粒子８３は成膜対象物５２に到達するとそこに付着し、その表面に薄膜が成長する。ここでは成膜対象物５２としてガラス基板を用いた。
【００４１】
薄膜成長中は、不図示の移動手段により保持装置５０がアノード電極３２の開口３８に対して相対的に回転しており、保持装置５０と共に成膜対象物５２も回転し、成膜対象物５２の表面に均一に薄膜が成長するようになっている。
アーク電流を流し続けると、コンデンサの放電が進み、アーク電流が小さくなり、アーク電流によって発生する磁界が弱くなるので、微小荷電粒子に及ぼす力も弱くなる。その結果、従来の蒸着源では、開口から放出される正の微小荷電粒子の飛行方向はアノード電極の中心軸線からずれる。
【００４２】
それに対し、本発明の蒸着源３では、磁力線形成手段７が中心軸線８と平行な磁力線をアノード電極３２内に形成しており、微小荷電粒子８３はその磁力線に巻き付きながら、アノード電極３２内を飛行するため、開口３８から放出されるときの飛行方向は、アノード電極３２の中心軸線８と平行な方向に修正されている。
【００４３】
尚、上述した成膜装置１では、保持装置５０とアノード電極３２の開口３８との間であって、保持装置５０の近傍位置にはノズル６３が配置され、該ノズル６３は真空槽２外に配置された反応ガス供給系６１と気密に接続されており、反応ガス系６１のボンベに反応ガスを充填し、その反応ガスをノズル６３の噴出口から成膜対象物５２に向けて噴出するようにすれば、成膜対象物５２表面に、蒸着材料３１の粒子と反応ガスとの反応物からなる薄膜を形成することができる。
【００４４】
また、この成膜装置１では、真空槽２の外壁にヒータ６８と、冷水管６９が巻き回されており、このヒータ６８と冷水管６９によって、成膜中の真空槽２内の温度が所定温度に維持されるようになっている。
蒸着材料３１の構成材料は特に限定されるものではなく、ハフニウム、タングステン、タンタル、アルミニウム等種々の材料で蒸着材料を構成することができる。
【００４５】
蒸着材料３１の突沸を生じさせないためには、金属の種類によってアーク電流の尖頭電流値を変化させる必要がある。従来の蒸着源では、アーク電流が小さくなり、発生する磁界が弱くなると、成膜速度が落ちたが、本発明の蒸着源３では磁力線形成手段７によって荷電粒子の飛行方向が修正されるので、成膜速度が低下しない。
【００４６】
例えば、蒸着材料３１を鉄で構成した場合はコンデンサ容量を４４００μＦ、アーク電流の尖頭電流値を６００Ａ以上７００Ａ以下の条件では突沸が生じなかったが、鉄よりも融点が低いアルミニウムで構成した場合、アーク電流の尖頭電流値が６００Ａの場合であっても突沸が生じるが、コンデンサの容量を更に２２００μＦに下げ、アーク電流の尖頭電流値を更に小さくした場合は突沸が生じなかった。
【００４７】
上述した例では、保持装置５０を回転させたが、例えば、往復運動と回転運動とを組み合わせたり、回転と首振り運動とを組み合わせる等、結果として成膜対象物５２に蒸着材料３１の粒子が均等に付着するのであれば、保持装置５０をどのように移動させてもよい。
また、成膜対象物５２はガラス基板に限定されるものではなく、ガラス基板やウェハー等の基板のほか、針状の電子放出体等など種々の形状のものを成膜対象物として用いることができる。
【００４８】
以上は、磁力線形成手段７の形状がリング状の場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。微小荷電粒子８３の飛行方向を修正可能な磁力線を形成するものであれば、円筒形状など種々の形状の磁力線形成手段７を用いることが可能であり、また、複数の磁力線形成手段７をアノード電極３２の周囲に配置してもよい。
磁力形成手段７に用いる磁石は、フェライトからなるものに限定されず、種々の磁性材料からなる磁石を用いることができる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の蒸着源では、微小荷電粒子はその飛行方向は磁力線形成手段によって修正され、成膜対象物表面に到達するように構成されている。従って、本発明の蒸着源を用いれば、蒸着材料の突沸が起こらない程度にアーク電流を小さくしても、微小荷電粒子は成膜対象物に到達するので、従来に比べて成膜速度が落ちることがなく膜質の良い薄膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の成膜装置の一例を説明する断面図
【図２】本発明の蒸着源の原理を説明する図
【図３】コンデンサ容量が２２００μＦの条件で成膜された鉄膜の電子顕微鏡写真
【図４】コンデンサ容量が４４００μＦの条件で成膜された鉄膜の電子顕微鏡写真
【図５】コンデンサ容量が８８００μＦの条件で成膜された鉄膜の電子顕微鏡写真
【図６】従来技術の成膜装置の一例を説明する断面図
【符号の説明】
１……成膜装置　　２……真空槽　　３……蒸着源　　７……磁力線形成手段
３２……アノード電極　３８……開口　　３１……蒸着材料　　３４……トリガー電極　　８３……正の微小荷電粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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