(57)【要約】【課題】リソグラフィー投影組立体の処理量を増大させること。【解決手段】物体、特に基板を第１環境と、好ましくはこの第１環境よりも低い圧力を有する第２環境との間で移送するための少なくとも１つのロード・ロックと、第２環境が及ぶハンドラ・チャンバを含む物体ハンドラと、投影チャンバを含むリソグラフィー投影装置とを備えるリソグラフィー投影組立体。ハンドラ・チャンバおよび投影チャンバは物体を移送するために連通可能である。ロード・ロックは、ロード・ロック・チャンバと、このロード・ロック・チャンバを排気する排気手段と、排気時にロード・ロック・チャンバを閉鎖し、かつロード・ロック・チャンバの中へ物体を送り、またはそれから物体を取り出すためにロード・ロック・チャンバを開放するドア手段とを備える。ロード・ロック・チャンバには少なくとも２つの相互に別個の物体支持位置が設けてある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体、特に基板を第１環境と第２環境の間で移送するための少なくとも１つのロード・ロックと、物体ハンドラであって、第２環境が及ぶハンドラ・チャンバを含み、前記物体ハンドラおよび前記ロード・ロックがそれらの間で物体を移送するように構成されかつ配置されている物体ハンドラと、投影チャンバを含むリソグラフィー投影装置とを備え、前記ハンドラ・チャンバおよび投影チャンバがそれらの間で物体を移送するために連通可能であり、さらに前記ロード・ロックが、少なくとも２つの相互に別個の物体支持位置が設けてあるロード・ロック・チャンバを含む、リソグラフィー投影組立体。
【請求項２】
前記第２環境が前記第１環境よりも低い圧力を有する、請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
前記ロード・ロックが前記ロード・ロック・チャンバを排気する排気手段をさらに備える、請求項２に記載の組立体。
【請求項４】
前記ロード・ロックが、排気時に前記ロード・ロック・チャンバを閉鎖し、かつ物体をそれぞれ前記ロード・ロック・チャンバの中へ送ったりまたはそれから物体を取り出したりするために前記ロード・ロック・チャンバを開放するドア手段をさらに備える、請求項２または３に記載の組立体。
【請求項５】
前記ロード・ロックが気体容積を減少させる容積減少手段を備える、請求項１に記載の組立体。
【請求項６】
前記容積減少手段が、前記物体支持位置の少なくとも１つの上に位置決めされた物体の表面付近の気体容積を減少させるようになされている、請求項５に記載の組立体。
【請求項７】
前記少なくとも１つの物体支持位置が、支持すべき物体とほぼ等しいかまたはそれよりも大きな寸法の支持板を備え、前記物体とほぼ等しいかまたはそれよりも大きい天井板が前記少なくとも１つの物体支持位置の上方に設けてあり、さらに前記容積減少手段が、前記ロード・ロック・チャンバの排気前および／または排気時に、前記支持板と前記少なくとも１つの物体支持位置の前記天井板との間の間隔を狭め、かつ前記少なくとも１つの物体支持位置から取り出したり、またはそれへ送り出したりする前に、前記支持板と前記天井板の間の間隔を広げる位置決め手段を備える、請求項５または６に記載の組立体。
【請求項８】
前記位置決め手段が、前記支持板または前記天井板に対してそれぞれ作用するようになされ、他方ではそれぞれ前記対応する天井板または前記対応する支持板が前記ロード・ロック・チャンバ内に固定式に配置されているのが好ましい、請求項７に記載の組立体。
【請求項９】
前記位置決め手段が、前記ロード・ロック・チャンバの側部および／または前記ロード・ロック・チャンバの上部および／または前記ロード・ロック・チャンバの下部に設けてある、請求項７または８に記載の組立体。
【請求項１０】
前記ロード・ロックが、好ましくは前記ロード・ロックの前記少なくとも２つの支持位置の１つまたは複数が、物体を所定の温度にし、かつ／または前記物体全体の温度を均等化する熱処理手段を備える、請求項１から９までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項１１】
前記少なくとも２つの物体支持位置の１つまたは複数の支持位置の支持板に、熱処理手段が設けてある、請求項１０に記載の組立体。
【請求項１２】
前記少なくとも２つの物体支持位置の２つが上下に配置され、さらに熱処理手段が前記２つの物体支持位置の間に位置決めされている、請求項１から１１までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項１３】
前記熱処理手段が、管または溝穴などの配管と、このような前記配管を介して流体を圧送するための流体圧送システムとを備え、前記配管が前記対応する支持板と適切に熱接触している、請求項１０から１２までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項１４】
前記配管が、前記ロード・ロック・チャンバの支持板の内部および／または１つもしくは複数の壁の内部に設けてある、請求項１３に記載の組立体。
【請求項１５】
前記ロード・ロック・チャンバが上壁および下壁を備え、前記排気手段が前記ロード・ロック・チャンバの前記下壁中に設けられた排気開口を備え、さらに前記ロード・ロックが前記ロード・ロック・チャンバの前記上壁中に設けられた通気開口を備える、請求項１から１４までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項１６】
前記通気開口および前記排気開口が、前記物体支持位置に対して実質的に中央に配置され、前記物体支持位置が上下に配置されている、請求項１５に記載の組立体。
【請求項１７】
前記投影チャンバが真空チャンバであり、前記リソグラフィー投影装置が前記真空チャンバ内で真空を確立しかつ維持する真空手段を備える、請求項１から１６までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項１８】
前記投影装置が、
放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
望ましいパターンにしたがって前記投影ビームをパターン形成する役割を果たすパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン形成されたビームを前記基板の標的部分上に投影するための投影システムと、を備える、請求項１から１７までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項１９】
前記物体が半導体ウェーハである、請求項１から１８までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項２０】
前記ドア手段が、前記第１環境に向かう第１ドアと前記第２環境に向かう第２ドアを備える、請求項１から１９までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項２１】
前記ロード・ロックの２つ以上を備える、請求項１から２０までのいずれか一項に記載の組立体。
【請求項２２】
物体、特に基板を第１環境と第２環境の間で移送するための少なくとも１つのロード・ロックと、物体ハンドラであって、前記第２環境が及ぶハンドラ・チャンバを含み、前記物体ハンドラおよび前記ロード・ロックがそれらの間で物体を移送するように構成されかつ配置されている物体ハンドラと、投影チャンバを含むリソグラフィー投影装置とを備え、前記ハンドラ・チャンバおよび投影チャンバがそれらの間で物体を移送するために連通可能であり、前記ロード・ロックが、少なくとも２つの相互に別個の物体支持位置が設けてあるロード・ロック・チャンバを含み、さらに前記ハンドラ・チャンバおよび前記ロード・ロックが同じであるように、前記物体ハンドラが前記ロード・ロックの中に組み込まれている、リソグラフィー投影組立体。
【請求項２３】
物体、特に基板を第１環境と第２環境の間で移送するためのロード・ロックであって、少なくとも２つの相互に別個の物体支持位置が設けられているロード・ロック・チャンバを備えるロード・ロック。
【請求項２４】
前記第２環境が前記第１環境よりも低い圧力を有し、前記ロード・ロック・チャンバが、前記ロード・ロック・チャンバを排気する排気手段と、排気時に前記ロード・ロック・チャンバを閉鎖し、かつ物体を前記ロード・ロック・チャンバの中へ送りまたはそれから移動するために前記ロード・ロックを開放するドア手段とをさらに備える、請求項２３に記載のロード・ロック。
【請求項２５】
請求項２４に記載のロード・ロックとウェーハ・トラック・システムの組立体であって、前記第１環境に面する前記ドア手段が前記ウェーハ・トラック・システムで開口する組立体。
【請求項２６】
ロード・ロックを、好ましくは請求項２３または２４に記載の、ロード・ロック・チャンバを有するロード・ロックを使用して物体、特に基板を第１環境と第２環境の間で移送するための方法であって、
前記第１環境から送られてくる第１物体を前記ロード・ロック内部の第１物体支持位置上に位置決めする工程と、
前記第１物体を封入するために前記ロード・ロックを閉鎖する工程と、
排気手段によって前記ロード・ロックを排気する工程と、
前記ロード・ロックを前記第２環境に連結するために前記ロード・ロックを開放する工程と、
第２物体を前記ロード・ロック内部の第２物体支持位置上に位置決めし、かつ前記第１物体を前記第１物体支持位置から取り出す工程と、を含む方法。
【請求項２７】
前記方法が、引き続いて、
前記第２物体を封入するために前記ロード・ロックを閉鎖する工程と、
前記ロード・ロックを通気する工程と、
前記ロード・ロックを前記第１環境に連結するために前記ロード・ロックを開放する工程と、
前記第２物体を前記ロード・ロックから取り出す工程とを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記第２物体を位置決めする工程が、前記第１物体を取り出す工程の前に実行され、前記位置決めする工程と前記取り出す工程が同じ把持部を使って実行される、請求項２６または請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記ロード・ロックを排気する前に、前記第１物体支持位置上に位置決めした前記第１物体付近の気体容積を減少させる工程をさらに含む、請求項２６から２８までのいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハンドラ・チャンバを含む物体ハンドラと投影チャンバを含むリソグラフィー投影装置とを備えるリソグラフィー投影組立体に関し、投影チャンバとハンドラ・チャンバは、処理すべき物体をハンドラ・チャンバから投影チャンバへ、またその逆へ移送するために連通可能である。前記物体とは、具体的にはマスクまたはレチクルなどのシリコン・ウェーハまたはパターン形成手段などの基板である。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィー投影装置は典型的には、
放射の投影ビームを供給する放射システム、
望ましいパターンに従って投影ビームをパターン形成する役割を果たすパターン形成手段を支持するための支持構造、
基板を保持するための基板テーブル、および
パターン形成されたビームを基板の標的部分上に投影するための投影システムを備えるのが一般である。
【０００３】
本明細書で使用する「パターン形成手段」という用語は、基板の標的部分の中に作成すべきパターンに対応して、入射放射ビームにパターン形成した断面を与えるために使用可能な手段を指すものと広義に解釈すべきであり、「光弁」という用語もこのような文脈で使用することができる。一般には、前記パターンは、集積回路または他のデバイス（下記参照）など、標的部分中に作成されるデバイス中の特定の機能層に対応することになる。このようなパターン形成手段の実施例には次のものが含まれる。
マスク。マスクの概念はリソグラフィーではよく知られており、それにはバイナリ・マスク、交番位相シフト・マスク、および減衰位相シフト・マスクなどのマスクの種類ばかりでなく、様々なハイブリッド・マスクの種類が含まれる。このようなマスクを放射ビーム中に配置すると、マスク上のパターンに従って、マスク上に当たる放射を選択的に透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスクの場合）する。マスクの場合は、その支持構造がマスク・テーブルであり、それによって入射する放射ビーム中の望ましい位置に確実にマスクを保持でき、また望ましければビームに対して確実にマスクを移動することができる。
プログラマブル・ミラー・アレイ。このような装置の一実施例は、粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス駆動表面である。このような装置の背後にある基本原理は、（例えば、）反射表面のアドレス指定領域が、入射光を回折光として反射するのに対して、非アドレス指定領域は入射光を非回折光として反射するというものである。適切なフィルタを使用すると、前記の非回折光を反射ビームから取り除き、回折光のみを残すことが可能であり、このような方式で、ビームがマトリックス駆動表面のアドレス指定パターンに従ってパターン形成される。プログラマブル・ミラー・アレイの別法による一実施例は微小ミラーのマトリックス配置を用いるものであり、それぞれの微小ミラーを、適切な局在電界の印加によってまたは圧電駆動手段の使用によって、軸周りに個々に傾斜させることができる。この場合も、アドレス指定ミラーが入射する放射ビームを非アドレス指定ミラーとは異なる方向に反射するように、ミラーをマトリックス駆動可能であり、このような方式で、反射ビームをマトリックス駆動ミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン形成する。必要なマトリックス駆動は適切な電子手段を使用して実行可能である。以上に説明した２つの状況では、パターン形成手段は、１つまたは複数のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。本明細書に言及するミラー・アレイに関するさらなる情報は、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号明細書および第５，５２３，１９３号明細書、ならびにＰＣＴ特許出願国際公開第９８／３８５９７号パンフレットおよび第９８／３３０９６号パンフレットから収集可能である。プログラマブル・ミラー・アレイの場合では、前記支持構造を、例えば、必要に応じて固定式または可動式でもよい架台またはテーブルとして実施することができる。
プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構造の一実施例が米国特許第５，２２９，８７２号に見られる。上記と同様に、この場合も支持構造を、例えば、必要に応じて固定式または可動式でもよい架台またはテーブルとして実施することができる。
【０００４】
簡略化のために、本明細書の他の部分が、幾つかの箇所でマスクおよびマスク・テーブルを含む例に具体的に関することがあるが、そのような場合に論じる一般的な原理は、上述のパターン形成手段のより広義の文脈において理解されるべきである。
【０００５】
リソグラフィー投影装置を、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で用いることができる。このような場合に、パターン形成手段によって、ＩＣの個別層に対応する回路パターンが作成可能であり、さらにこのようなパターンを放射感光性材料（レジスト）の層を被覆した基板（シリコン・ウェーハ）上の標的部分（例えば、１つまたは複数のダイを含む）上に結像することができる。一般には、単一のウェーハが、投影システムによって１回に１つずつ連続的に照射される隣接標的部分の回路網全体を含む。現在の装置では、マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成を用いるが、２つの異なる種類の機械を区別することができる。リソグラフィー投影装置の一方の種類は、マスク・パターン全体を１回の試みで標的部分上に露光することによって、それぞれの標的部分を照射する。このような装置を一般にウェーハ・ステッパまたはステップ・アンド・リピート装置と呼ぶ。一般にステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる別法の装置は、投影ビーム下のマスク・パターンを所与の基準方向（「走査方向」）に漸進的に走査することによって各標的部分を照射しながら、同期してこの走査方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを走査する。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般には１よりも小さい）を有するので、基板テーブルを走査する速度Ｖは、マスク・テーブルを走査する速度の倍率Ｍ倍になる。本明細書に説明するリソグラフィー装置に関するさらなる情報は、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号明細書から収集可能である。
【０００６】
リソグラフィー投影装置を使用する製造工程では、放射感光性材料（レジスト）の層によって少なくとも一部が被覆されている基板上に（例えば、マスク中の）パターンを結像する。この結像工程の前に、基板に下塗り、レジスト塗布、および軟焼などの様々な処理を施すことができる。露光後に、基板に露光後焼成（ＰＥＢ）、現像、硬焼、および結像特徴の測定／検査などの他の処理を施すことができる。このような一連の手順を基本として行い、デバイス、例えば、ＩＣの個別層をパターン形成する。次いで、このようなパターン形成された層は、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属被覆、酸化、化学機械的研磨など、すべて個別層を仕上げるために様々な処理を施すことができる。幾つかの層が必要であれば、それぞれの新たな層ごとに、このような処理全体または別の処理を反復しなければならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハ）上に作成される。次いで、これらのデバイスをダイシングまたはソーイングなどの技法によって相互に分離し、それぞれの装置をキャリヤ上に装着してピンなどに接続することができる。このような工程に関するさらなる情報は、例えばＰｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：  Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、第３版、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．、１９９７年、から入手可能である。
【０００７】
簡略化のために、以降では投影システムを「レンズ」と呼ぶが、この用語は、例えば、屈折光学素子、反射光学素子、および反射屈折系を含めて、様々な種類の投影システムを包含するものと広義に解釈されるべきである。放射システムも、放射の投影ビームを誘導、成形、または制御するために、このような設計上の任意の種類に従って動作する構成要素を含むことが可能であり、以下では、このような構成要素も集合的または単独に「レンズ」と呼ぶことができる。さらには、リソグラフィー装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有する種類があり得る。このような「多ステージ式」装置では、追加的なテーブルを並行して使用可能であり、１つまたは複数のテーブル上で予備工程を実行しながら、他方で１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用することができる。例えば、２ステージ式リソグラフィー装置が、米国特許第５，９６９，４４１号明細書および国際公開第９８／４０７９１号パンフレットに説明されている。
【０００８】
典型的なリソグラフィー配置では、基板トラックおよび基板ハンドラによって、基板をリソグラフィー投影装置の基板テーブルに搬送する。基板トラックでは基板表面が予め処理される。基板の予備処理は、放射感光性材料（レジスト）の層によって基板の少なくとも一部を被覆することを含むのが典型である。さらには、結像工程前に、下塗りおよび軟焼などの他の様々な予備処理工程にかけることができる。基板の予備処理後に、基板ハンドラによって基板を基板トラックから基板ステージに搬送する。
【０００９】
基板ハンドラは、典型的には基板を正確に基板テーブル上に位置決めするようになされており、さらに基板の温度を制御することもできる。
【００１０】
極紫外線放射（短時間のＥＵＶ放射で）を使用する装置など、幾つかのリソグラフィー投影装置では、真空条件下でのみ基板上への投影を実現することができる。したがって、基板ハンドラは、予め処理した基板を真空中に移送するようになされるべきである。これは典型的には、少なくとも基板トラックにおいて基板を予備処理した後で、基板の取扱いおよび温度制御を真空中で実行しなければならないことを意味する。
【００１１】
例えば、１５７ナノメートルの放射線を使用して、窒素環境の中で動作する装置など、別の種類のリソグラフィー投影装置では、例えば、窒素環境などの特定の気体環境を維持することが必要である。したがって、基板ハンドラは、予め処理した基板を特定の気体環境に移送するようになされるべきである。これは典型的には、少なくとも基板トラックで基板を予備処理した後で、基板の取扱いおよび温度制御を特定の気体環境中で実行しなければならないことを意味する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的はリソグラフィー投影組立体の処理量を増大させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
第１の態様では、本発明はリソグラフィー投影組立体の一部を構成するロード・ロックに関する。ロード・ロックは、例えば、基板などの物体を第１環境から第２環境へ移送する装置であり、それによって、例えば、これらの環境の一方が他方の環境よりも低い圧力を有する。圧力が両環境で同じ場合もあり得る。その本質は、ロード・ロックが異なる条件、例えば、異なる圧力、異なる温度、異なる気体組成または雰囲気等々を有する２つ以上の環境間に介在する空間であることである。
【００１４】
従来技術から知られているように、ロード・ロックには単一の支持位置が備えられている。この支持位置は、移送のために第１環境から送られてくる物体を第２環境へ移送するばかりでなく、移送のために第２環境から送られてくる物体を第１環境へ移送するために使用される。
【００１５】
物体を第１環境から第２環境へ移送する間に、ロード・ロックの内部が排気される。この排気にはある一定量の時間がかかる。第１環境から第２環境へ移送すべき物体の数を増やすために、排気工程の速度を高めることは１つの可能性である。しかし、従来技術によるロード・ロックの排気は依然として最低限の時間量が必要である。
【００１６】
本発明の第１態様の一目的は、リソグラフィー投影組立体の構成要素を収容するために必要な空間が相対的に小さいことを前提として、リソグラフィー投影組立体の処理量を増大させることである。
【００１７】
この目的は、物体、特に基板を第１環境と第２環境の間で移送するための少なくとも１つのロード・ロックと、物体ハンドラであって、第２環境が及ぶハンドラ・チャンバを含み、この物体ハンドラおよびロード・ロックがそれらの間で物体を移送するように構成されかつ配置されている物体ハンドラと、投影チャンバを含むリソグラフィー投影装置とを備え、ハンドラ・チャンバおよび投影チャンバがそれらの間で物体を移送するために連通可能であり、さらにロード・ロックが少なくとも２つの相互に別個の物体支持位置が設けてあるロード・ロック・チャンバを含む、リソグラフィー投影組立体を提供することによって本発明の第１態様にしたがって実現される。
【００１８】
ロード・ロック内部に、第１および第２支持位置などの少なくとも２つの物体支持位置が存在する利点は、ロード・ロックのサイクルにおいて、第１物体を１つの物体支持位置上に位置決めし、かつ第２物体を別の物体支持位置から取り出すことができることである。例えば、ロード・ロック・チャンバの内部を第２環境と連結するためにロード・ロックを開放するとき、処理済みの基板を１つの物体支持位置上に最初に位置決めし、別の物体支持位置上に既に位置決めした処理すべき物体をその後で取り出すことができる。引き続いて、ロード・ロック・チャンバを閉鎖しかつ第１環境に向かって通気した後で、その内部を第１環境と連結して処理済みの物体を取り出し、かつ新たな処理すべき物体を挿入することができる。次いでロード・ロックを排気して先の工程を反復することなどができる。このような工程は、基板などの物体を第１環境と第２環境の間で時間的に効率よく移送可能にする。さらには、第１環境と第２環境の間で移送すべき基板などの物体を把持しかつ操作するためのマニピュレータなど（例えば、ロボット・アーム）の機器を動作させるために必要な時間を最小限に留めることができる。
【００１９】
両環境間で両環境の圧力に相違がある場合は、ロード・ロックの内部を排気すると、圧力差によってロード・ロック・チャンバ内部の温度が影響を受けることになる。そのためにロード・ロック・チャンバ内の基板などの物体の温度も影響を受けることになる。リソグラフィー投影組立体において処理すべき物体に関して、物体の温度は制御下におく必要がある要素の１つである。これは、基板がリソグラフィー投影装置自体の中にあるときに特に該当するが、リソグラフィー投影装置に向かって移送する過程でも基板の温度に注意を払うべきであることを意味する。
【００２０】
ロード・ロックを介して物体を移送する間にその温度制御を改善するために、本発明の一実施例にしたがって、ロード・ロックが、物体支持位置の少なくとも１つの上に位置決めされた物体の特に表面付近の気体容積を減少させる容積減少手段を備えるようになされている。このような方策のために、物体表面付近の気体容積が最小になる。これは、物体移送時に圧力差によって生じる温度差を最小限に留める意味をもつ。
【００２１】
本発明のこのような態様の一実施例によれば、少なくとも１つの物体支持位置が、支持すべき物体とほぼ等しいかまたはそれよりも大きな寸法の支持板を備え、前記少なくとも１つの物体支持位置の上方に、物体とほぼ等しいかまたはそれよりも大きい天井板が設けてあり、さらに容積減少手段が、
ロード・ロック・チャンバの排気前および／または排気時に、支持板と少なくとも１つの物体支持位置の天井板との間の間隔を狭め、かつ
少なくとも１つの物体支持位置から取り出したり、またはそれへ送り出したりする前に、支持板と天井板の間の間隔を広げる位置決め手段を備える。
支持すべき物体とほぼ等しいかまたはそれよりも大きい寸法の支持板は、基板の場合では、基板の被支持面が基板付近の気体容積に接触するのを防止したり、または支持板が従来技術などから知られているピンプル板であるとき、基板の被支持面が、この被支持面と、支持板および支持板のピンプルとの間に存在する気体容積との接触を制限したりする意味をもつ。ロード・ロック・チャンバの壁またはロード・ロック・チャンバ内に存在する要素の任意の平坦表面と同様にロード・ロック・チャンバ内に配置された別体の板要素であり得る天井板も、基板の上表面付近の気体容積を最小限にできるように、基板とほぼ等しいかまたはそれよりも大きい寸法を有することが必要である。
【００２２】
本発明のこのような態様の別の一実施例によれば、位置決め手段が支持板に対して作用するようになされ、他方では対応する天井板がロード・ロック・チャンバ内で固定式に配置されているのが好ましい。このような配置は、基板を把持部から基板支持位置へ、または逆に基板を基板支持位置から把持部へ受け渡すために必要な時間を削減する点で利点になる。
【００２３】
本発明のこのような態様の別の一実施例によれば、位置決め手段が、ロード・ロック・チャンバの側部および／またはロード・ロック・チャンバの上部および／またはロード・ロック・チャンバの下部に設けられている。このような配置によって、前面からばかりでなく背面からもロード・ロック・チャンバへ自由に進入可能になる。
【００２４】
ロード・ロック・チャンバを介して移送する間に物体に対して作用する温度の影響を補償し、かつ／または初期段階で物体を温度処理にかけるために、本発明の一実施例にしたがって、ロード・ロックが、好ましくは、ロード・ロックの少なくとも２つの支持位置の１つまたは複数の支持位置が、物体を所定温度にし、かつ／または物体全体の温度を均等化する熱処理手段を備える。
【００２５】
このような点において、本発明の一実施例によれば、少なくとも２つの支持位置の１つまたは複数の支持位置の支持板に熱処理手段を設けることができる。このような熱処理手段は、それぞれの支持板の内部に設けられた、例えば、管または溝穴などの配管の形態であり得るが、これらの配管を介して、支持板および物体（支持板を介して）の温度を制御するために流体を圧送する。
【００２６】
本発明のこのような態様の別の一実施例によれば、前記少なくとも２つの支持位置の２つを上下に配置する。このような状態では、熱処理手段を前記２つの支持位置の間に位置決めすることが有利である。このような熱処理手段は、前に説明したように流体を圧送する内部配管を有する板であり得る。このような構成の利点は、前記熱処理手段の上方の支持位置ばかりでなく前記熱手段の下方の支持位置も同様に熱処理するために使用可能な熱処理手段を設けることによって、空間ばかりでなく構成要素の節約にもなることである。１つの同じロード・ロックを使用してリソグラフィー投影装置中で処理すべき物体を移送し、かつ前記リソグラフィー投影装置中で物体を処理する場合では、一般に、これから処理すべき物体に関して熱処理が特に重要であり、既に処理済みの物体に関しては、その重要性はより小さいが、処理後の工程によっては依然としてかなり重要であることは留意に値する。これは、２つの支持位置間に配置された熱処理手段が両方の支持位置に関して同程度に有効である必要がないことを意味するが、それは支持位置の一方をこれから処理すべき物体用に使用し、かつ他方の支持位置を既に処理済みの物体用に使用することが少なくとも前提である。
【００２７】
既に指摘したように、本発明の一実施例によれば、熱処理手段が、管または溝穴などの配管と、前記配管を介して流体を圧送するための流体圧送システムとを備え、これらの配管はロード・ロック・チャンバの支持板および／または１つもしくは複数の壁の内部に設けられている。
【００２８】
本発明のこのような態様の別の好ましい一実施例によれば、ロード・ロック・チャンバが上壁および下壁を備え、排気手段がロード・ロック・チャンバの下壁中に設けられた排気開口を備え、さらにロード・ロックがロード・ロック・チャンバの上壁中に設けられた通気開口を備える。下部から排気しかつ上壁から通気することによって、装置内の気体の流れが上から下になる。これは、微粒子が存在していれば、それらを気体によってロード・ロック・チャンバの上部分から下部分へ搬送する意味をもつ。これらの微粒子はロード・ロック・チャンバの下部に堆積するか、またはロード・ロック・チャンバから除去されることになる。この点では、通気開口および排気開口を支持位置に対して中央に配置し、かつ支持位置を上下に配置することが好ましい。これによって、排気および／または通気時にロード・ロック・チャンバの内部に生じる気体の流れを利用して、ロード・ロック・チャンバ内に配置されている基板上に堆積したりまたは付着したりする恐れがある微粒子を除去することができる。上壁および／または下壁を固定できるが、固定する必要はなく、上壁および／または下壁を保守目的のために取外し可能であることが有利である。
【００２９】
このような態様の別の一実施例によれば、投影チャンバが真空チャンバであり、リソグラフィー投影装置が真空チャンバ内の真空を確立しまたは維持する真空手段を備える。真空とは、０．１バール以下の絶対圧力を指す。
【００３０】
本発明のこのような態様の別の一実施例によれば、投影装置は、
放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
望ましいパターンにしたがって投影ブームをパターン形成する役割を果たすパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン形成されたビームを基板の標的部分上に投影するための投影システムと、を備える。
【００３１】
本発明のこのような態様の別の一実施例によれば、物体は半導体ウェーハである。
【００３２】
本発明のこのような態様の別の実施例によれば、ドア手段が、第１環境に向かう第１ドアと第２環境に向かう第２ドアを備える。２つのドアを有すると、これらの環境の一方に向かうそれぞれのドアによって、ロード・ロック・チャンバ自体を操作する必要がなくなる。ロード・ロック・チャンバは固定位置に装着可能である。これによってロード・ロックの投入速度が高まる。
【００３３】
本発明の一実施例によるリソグラフィー投影組立体の処理量を増大させるためには、リソグラフィー投影組立体が前記ロード・ロックを２つ以上備えるときに有利である。ロード・ロックの処理量を制約する要因は、通気および排気に必要な時間である。２つ以上のロード・ロックを有することによって、ある一定の時間内により多くの物体を第２環境へ供給することができる。例えば、他方のロード・ロックが後で第２環境へ移送すべき物体を既に収容している間に、一方のロード・ロックを第２環境に向かって開放することができる。
【００３４】
第１の態様によれば、本発明はさらに、物体、特に基板を第１環境と第２環境の間で移送するための少なくとも１つのロード・ロックと、物体ハンドラであって、第２環境が及ぶハンドラ・チャンバを含み、物体ハンドラおよびロード・ロックがそれらの間で物体を移送するように構成されかつ配置されている物体ハンドラと、投影チャンバを含むリソグラフィー投影装置とを備え、ハンドラ・チャンバおよび投影チャンバがそれらの間で物体を移送するために連通可能であり、ロード・ロックが、少なくとも２つの相互に別個の物体支持位置が設けてあるロード・ロック・チャンバを含み、さらにハンドラ・チャンバおよびロード・ロックが同じであるように、物体ハンドラがロード・ロックの中に組み込まれている、リソグラフィー投影組立体に関する。これによってさらにコンパクトな組立体が得られる。
【００３５】
本発明のこのような態様によれば、本発明はまた、上に論じたようなロード・ロックに関する。したがって、換言すれば、本発明はまた、物体、特に基板を第１環境と第２環境の間で移送するためのロード・ロックであって、少なくとも２つの相互に別個の物体支持位置が設けられているロード・ロック・チャンバを備えるロード・ロックに関する。特に、本発明はまた、基板などの物体を第１環境と第２環境の間で移送するためのロード・ロックに関し、第２環境が第１環境よりも低い圧力を有し、ロード・ロックが、ロード・ロック・チャンバと、ロード・ロック・チャンバを排気する排気手段と、排気時にロード・ロック・チャンバを閉鎖し、かつ物体をロード・ロック・チャンバの中に送るかまたはそれから移動するためにロード・ロックを開放するドア手段とを備え、さらにロード・ロック・チャンバには少なくとも２つの物体支持位置が設けられている。
【００３６】
リソグラフィー投影組立体に関する従属請求項は、このようなロード・ロックの請求項の従属請求項と見なすことも可能であり、ロード・ロックの好ましい実施例を構成する。
【００３７】
本発明のこのような態様によれば、本発明はまた、本発明によるロード・ロックとウェーハ・トラック・システムの組立体に関し、第１環境に面するドア手段がウェーハ・トラック・システムで開口する。
【００３８】
このような態様によれば、本発明はまた、ロード・ロックを、好ましくは上に説明した、ロード・ロック・チャンバを有するロード・ロックを使用して基板などの物体を第１環境と第２環境の間で移送するための方法に関し、その方法が、
第１物体をロード・ロック内部の第１物体支持位置上に位置決めする工程と、
物体を封入するためにロード・ロックを閉鎖する工程と、
排気手段によってロード・ロックを排気する工程と、
ロード・ロックを第２環境に連結するためにロード・ロックを開放する工程と、
第２物体をロード・ロック内部の第２物体支持位置上に位置決めし、かつ第１物体を第１物体支持位置から取り出す工程と、を含む。この方法の利点は、リソグラフィー投影組立体に関する先の説明から明らかである。
【００３９】
本発明のこのような態様の一実施例によれば、この方法が、引き続いて、
第２物体を封入するためにロード・ロックを閉鎖する工程と、
ロード・ロックを通気する工程と、
ロード・ロックを第１環境に連結するためにロード・ロックを開放する工程と、
第２物体をロード・ロックから取り出す工程と、を含むときに有利である。
【００４０】
本発明の一実施例による方法の処理量は、第１物体を取り出す前に第２物体の位置決めをするとき、または前記位置決めする工程と取り出す工程を同じ把持部を使って実行するとき、増大が可能である。
【００４１】
先に説明した理由のために、本発明の一実施例による本方法は、有利なことに、ロード・ロックを排気する前に、第１物体支持位置上に位置決めした第１物体付近の気体容積を減少させる工程を含む。
【００４２】
本発明の別の一目的は、基板トラックなどの第１環境と、一般には基板ステージを含む投影チャンバとの間で基板を効果的に移送するために、限られた数量の移送手段を使用可能にする配置を有するリソグラフィー投影組立体を提供することである。
【００４３】
この目的は、本発明にしたがって、
基板を第１環境と、この第１環境よりも低い圧力を有する第２環境との間で移送するための少なくとも２つのロード・ロックと、
第２環境が及ぶハンドラ・チャンバを含む基板ハンドラと、
投影チャンバを含むリソグラフィー投影装置とを備え、
ハンドラ・チャンバと投影チャンバが、一方では基板をハンドラ・チャンバから投影チャンバの中に送るためにロード位置を介して、他方では基板を投影チャンバからハンドラ・チャンバの中へ移動するためにアンロード位置を介して連通し（この点に関して、ロード位置とアンロード位置は、１つの同じ位置であり得るばかりでなく、異なる位置でもあり得ることに留意されたい）、
ハンドラ・チャンバには、
基板を予め処理するための、予備位置合わせ手段および／または熱処理手段などの予備処理手段と、
基板をロード・ロックから予備処理手段へ、さらに予備処理手段からロード位置へ移送するばかりでなく、基板をアンロード位置からロード・ロックへ移送するための搬送手段とが設けてある、リソグラフィー投影組立体において実現される。
【００４４】
ロード・ロックは、基板が、例えば、大気圧条件下にある第１環境から、この第１環境よりも低い圧力、例えば、真空またはほぼ真空を有する第２環境へ進入可能にする。第２環境はハンドラ・チャンバ内に及ぶ。ハンドラ・チャンバは、基板をロード・ロックから投影チャンバへ、またその逆へ移送する搬送手段を備える。ハンドラ・チャンバはまた、後に投影チャンバにおいて基板を極限的な精度で処理できるように、基板を正確に位置決めするための予備位置合わせ手段などの予備処理手段、および／または基板を所定の温度にし、かつ／または基板全体の温度を均等化し、かつ／または基板の温度を調節するために、基板を熱処理する熱処理手段を備える。一般に予備位置合わせ手段は、ある一定の基準点に対して基板の位置を決定しかつ／または修正する手段を含む。少なくとも２つのロード・ロックを設けることによって、投影装置において処理すべき基板ばかりでなく、投影装置において処理済みの基板の処理量も増大させるが、それによって、必然的にロボットの数などの搬送手段の数が増えたり、または搬送手段の搬送処理の速度が高まったりすることになる。
【００４５】
一実施例によれば、投影チャンバが真空チャンバであり、さらにリソグラフィー投影装置が真空チャンバ内の真空を確立しかつ維持する真空手段を備える。このようなリソグラフィー投影組立体は、特に、真空下で基板を処理する必要があるＥＵＶ放射を利用するようになされている。真空とは０．１バールよりも低い絶対圧力であると理解されたい。
【００４６】
一実施例によれば、搬送手段が把持部を有する単一の、特に唯一のマニピュレータを備え、かつリソグラフィー投影組立体が、
基板をロード・ロックの１つから選択しかつ前記基板を予備処理手段へ移送し、
基板を予備処理手段から選択しかつ前記基板をロード位置に移送し、さらに
基板をアンロード位置から選択しかつ前記基板をロード・ロックの１つに移送するためのマニピュレータを制御するようになされた制御手段を備える。
この実施例は、最小限の数のマニピュレータの使用を可能にし、その結果として空間とコストを節約する。
【００４７】
別の一実施例によれば、リソグラフィー投影組立体は、搬送手段が第１把持部を有する第１マニピュレータと、第２把持部を有する第２マニピュレータを備えることを特徴とし、さらにリソグラフィー投影組立体が、
第１把持部を使って基板をロード・ロックの１つから選択しかつ前記基板を予備処理手段へ移送し、
第２把持部を使って基板を予備処理手段から選択しかつ前記基板をロード位置へ移送し、
第１把持部を使って基板をアンロード位置から選択しかつ前記基板をロード・ロックの１つへ移送するために、第１および第２マニピュレータを制御するようになされた制御手段を備えることを特徴とする。
【００４８】
第１および第２マニピュレータと、それに応じて適合された制御手段を設けることによって、第２把持部のみが、処理すべき基板を投影チャンバの中に移送することが実現する。
【００４９】
これは、予備処理手段での予備処理後に、非常に正確に動作する第２把持部によって基板を処理し、他方で第１把持部の動作精度は比較的低くてもよく、そのために第１把持部およびマニピュレータに対する要求が軽減されることを意味する。随意選択的には、予備処理手段が、基板の位置精度を高めるために基板を予め位置合わせする予備位置合わせ手段を備えることができる。第１把持部のみによって、処理済みの基板をロード・ロックに向けて移送するばかりでなく、処理すべき基板もロード・ロックから取り出す。したがって、基板をロード・ロックに向けて移送しかつそれから取り出すために１基のマニピュレータを使用することによって、頻繁に基板が出入りする領域において省空間構成が実現する。さらには、基板を投影チャンバ中に送出するために第２マニピュレータを使用しかつ基板を投影チャンバから取り出すために第１マニピュレータを使用することによって、投影チャンバとハンドラ・チャンバの間の基板交換率が増大する。
【００５０】
処理量を増大させるためには、本発明の一実施例にしたがって、第１および／または第２把持部に、基板を所定の温度にし、かつ／または基板全体の温度を均等化し、かつ／または基板の温度を調節する熱処理手段が備えられているときに有利である。これによって基板移送に消費される時間が、同時に基板を熱処理するために使用される。基板の温度調節は、前記基板温度の乱れを最小限することになる。
【００５１】
必要なマニピュレータの数を最小限にするために、本発明の一実施例にしたがって、少なくとも２つのロード・ロックが第１および第２ロード・ロックを含み、単一のマニピュレータまたは第１マニピュレータが、前記第１および第２ロード・ロックと協働するために位置決めされているときに有利である。したがって、基板ハンドラの側から、両ロード・ロックに１つの同じマニピュレータが従事する。さらには、このような構成によって基板の処理量が増大する。基板を第１ロード・ロックの内部に位置決めしたり、または基板を第１ロード・ロックから回収したりするために、これらのロード・ロックに従事するマニピュレータを使用する間に、同時に第２ロード・ロックを使用して基板を第１環境と第２環境の間で移送することができる。
【００５２】
別の一実施例によれば、第１および／または第２ロード・ロックなどの少なくとも一方のロード・ロックには、第１および第２基板支持位置が設けてある。これによって少なくとも一方のロード・ロックの使用上の融通性が増大する。例えば、ロード・ロックが処理すべき基板を基板ハンドラに供給するとき、マニピュレータは最初に処理済みの基板をロード・ロック内の空いている支持位置上に送り出し、次いで供給された処理すべき基板を取り出す。これによってマニピュレータが行う移動回数が減少する。
【００５３】
別の一実施例によれば、第１および第２ロード・ロックが、これらの第１および第２ロード・ロックと基板をやりとりする基板トラックに連結されている。
【００５４】
別の一実施例によれば、リソグラフィー投影組立体はさらに、基板などの物体を第３環境から第２環境へ移送するための第３ロード・ロックを備え、この第３ロード・ロックは、第３環境に面する側から自由に出入り可能である。このような自由に出入り可能な第３ロード・ロックによって、一方では、何らかの理由のためにリソグラフィー投影組立体中に導入する必要がある、交換部品、工具等々の特別な物体をリソグラフィー投影組立体中に導入可能にする。第３ロード・ロックを介してこれを行うことによって、ハンドラ・チャンバおよび／または投影チャンバ内の真空またはほぼ真空状態を維持することができる。第３ロード・ロックを一時的な緩衝部または格納場所として使用可能にするために、本発明の一実施例にしたがって、制御手段が、前記搬送手段を使用して基板を第３ロード・ロックの中に配置し、前記配置された基板が第３ロード・ロックの中に収容されている間、第３ロード・ロックの外部ドアを閉じた状態に維持し、さらに、前記搬送手段を使用して他の基板を移送した後で、同じ搬送手段の把持部を使用して前記配置された基板を選択しかつ移送するようになされているときに有利である。
【００５５】
本発明の一実施例によるリソグラフィー投影組立体の融通性を増大させるためには、制御手段が、相互に別々にロード・ロックを制御するようになされているときに有利である。これは、制御手段がロード・ロックに対してある一定の位相差を課していなければ、ロード・ロックは相互に対して位相が結合されていないことを意味する。実際にロード・ロックを事象駆動することが可能であり、これらの事象は制御手段の制御下にある。
【００５６】
本発明の別の一実施例によれば、少なくとも２つのロード・ロックの１つまたは複数が、基板などの物体を第４環境から第２環境へ移送するための追加的なドアを備え、この追加的なドアは第４環境に面しかつ自由に出入り可能である。このような自由に出入り可能なドアによって、何らかの理由のためにリソグラフィー投影組立体中に導入する必要がある、交換部品、工具等々の特別な物体をリソグラフィー投影組立体中に導入することができる。追加的なドアを介してこれを行うことによって、ハンド・チャンバおよび／または投影チャンバ内の第２環境の真空を維持し、他方でロード・ロックの第１環境側のステーションが、ロード・ロックから分断されていない状態に留まることができる。ここでは、操作者が大部分の機器を除去せずに自由に出し入れ可能な手段を出し入れでき、このようなロード・ロックまたはその追加的なドアは随意選択的に蓋によって封止可能である。
【００５７】
別の一実施例によれば、予備処理手段が、基板を所定の温度にし、かつ／または基板全体の温度を均等化する熱処理手段を備える。予備処理手段に熱処理手段を設けることによって、ロード・ロック内の熱処理を不要にしたり、またはロード・ロックでの熱処理の程度を緩和したりできる。これによってロード・ロックの処理量が増大可能であり、その処理量は、全体的に見てリソグラフィー投影組立体の全処理量を決定する要素の１つである。他の利点として、予備位置合わせは相対的に多くの時間量を消費し得るので、予備処理手段が予備位置合わせ手段も含むとき、熱処理手段と予備位置合わせ手段の組合せによって、熱処理を予備位置合わせと同時に効果的に行えることになる。
【００５８】
別の一実施例によれば、基板が半導体ウェーハである。
【００５９】
本発明の本態様の１つの副次的な態様によれば、本発明はまた、本発明による組立体を備えるが投影装置を含まない、基板を搬送処理するための搬送処理装置に関する。このような装置は、基板ハンドラ組立体と呼ばれ、
基板を第１環境から、この第１環境よりも低い圧力を有する第２環境へ移送するための少なくとも２つのロード・ロックと、
第２環境が及ぶハンドラ・チャンバを含む基板ハンドラとを備えるものとしてさらに明確に定義し得るが、
ハンドラ・チャンバは、一方で基板をハンドラ・チャンバから次ステーションの中に送るためのロード位置と、他方で基板をこの次ステーションからハンドラ・チャンバの中へ移動するためのアンロード位置とを介して連通し、
ハンドラ・チャンバには、
基板を処理する予備処理手段と、
基板をロード・ロックから予備処理手段へ、さらに予備処理手段からロード位置へ移送するばかりでなく、基板をアンロード位置からロード・ロックへ移送するようになされた搬送手段とが設けられている。
【００６０】
本発明によるリソグラフィー投影組立体としての基板ハンドラ組立体と同様の搬送処理装置では、それがトラックをさらに備え、少なくとも２つのロード・ロックがこのトラックと基板ハンドラの間に配置されているときに有利である。
【００６１】
本発明の本態様の１つの副次的な態様によれば、
ａ）基板を第１環境から少なくとも２つのロード・ロックの１つの中へ、前記ロード・ロックの外部ドアを介して移送する工程と、
ｂ）前記外部ドアを閉鎖しかつ前記１つのロード・ロックを排気する行程と、
ｃ）前記ロード・ロックの内部ドアを開放する工程と、
ｄ）第１マニピュレータを使って基板を前記ロード・ロックから選択し、かつ前記第１マニピュレータを使って基板を予備処理手段へ移送する工程と、
ｅ）基板を予備処理手段で処理する工程と、
ｆ）前記第１マニピュレータまたは第２マニピュレータを使って基板を予備処理手段から選択する工程と、
ｇ）前記第１または第２マニピュレータを使って予備処理手段から選択した基板をロード位置へ移送する工程と、
ｈ）基板を処理し、かつ基板をアンロード位置へ送出する工程と、
ｉ）前記第１マニピュレータを使って基板をアンロード位置から選択し、かつ前記内部ドアを介して基板を前記ロード・ロックの中へ、または内部ドアを介して別のロード・ロックの中へ移送する工程と、
ｊ）それぞれの内部ドアを閉鎖し、かつそれぞれのロード・ロックを通気する工程と、
ｋ）前記それぞれのロード・ロックを開放し、かつ基板を前記それぞれのロード・ロックから取り出す工程と、
を含む、基板を搬送処理する方法が提供されている。
【００６２】
この方法は、最小限のマニピュレータを使って時間的に効率よく実行可能である。他の利点は本開示の前述部分から明らかである。
【００６３】
投影チャンバ内の処理すべき基板をある一定の温度にするために、ｃ）工程の前、ｂ）工程の排気工程の間および／または後で、基板を熱処理することが有利である。これによって、例えば、排気に要する時間を利用して、基板が受けるべき熱処理の少なくとも一部を基板に施すことができる。
【００６４】
別の一実施例によれば、基板が予備処理手段にあるときに、基板を熱処理することができる。これによって、予備位置合わせに必要な時間（この時間は相対的に長い）を有利に利用して、必要な熱処理の一部またはすべてを基板に施すことができる。
【００６５】
第１環境と第２環境の間の交換率を増大させるためには、本発明の一実施例にしたがって、ａ）工程および／またはｂ）工程および／またはｃ）工程および／またはｊ）工程および／またはｋ）工程を同時に別のロード・ロックにおいて実行している間に、ｄ）工程を１つのロード・ロックに対して実行するときに有利である。
【００６６】
別の一実施例によれば、基板は半導体ウェーハである。
【００６７】
本態様の別の副次的な一態様によれば、本発明は、本発明の本態様によるリソグラフィー投影組立体を動作させる方法であって、始動モード、通常動作モード、および作業終了モードを含み、少なくとも２つのロード・ロックのそれぞれが、ロード・ロック内の圧力をそれぞれに減少させる減圧サイクルと、ロード・ロック内の圧力をそれぞれに増加させる通気サイクルとを有し、
始動モードでは、前記少なくとも２つのロード・ロックの少なくとも１つが、それぞれのロード・ロック内に基板を収容していない状態で通気サイクルを実行し、他方でそれぞれのロード・ロックが、それぞれのロード・ロック内に基板を収容している状態で減圧サイクルを実行し、
通常動作モードでは、前記少なくとも２つのロード・ロックの少なくとも１つが、ぞれぞれのロード・ロック内に基板を収容している状態で減圧サイクルと通気サイクルを実行し、
作業終了モードでは、前記少なくとも２つのロード・ロックの少なくとも１つが、それぞれのロード・ロック内に基板を収容していない状態で減圧サイクルを実行し、他方でそれぞれのロード・ロックが、それぞれのロード・ロック内に基板を収容している状態で通気サイクルを実行する、方法を提供する。
【００６８】
この方法は、少なくとも２つのロード・ロックまたは別法として少なくとも１つのロード・ロック（この点に関して数行下の段落を参照されたい）と、例えば、数日間連続動作する搬送手段と、相対的に大きな処理量にある本発明によるリソグラフィー投影組立体とを時間的に効率よく利用する。例えば、リソグラフィー投影装置内で基板の滞りが発生したりまたは処理すべき基板をロード・ロックへ供給する際に滞りが発生したりする場合は、制御手段が通常動作モードから作業終了モードへ切り換えることになる。状況に応じて、比較的長時間または非常に短い時間（１つのロード・ロックの１通気サイクルのみなど）、このような作業終了モードを動作させることができる。このような滞りが解消すると、制御手段は、状況に応じて、直接に通常動作モードに切り換えるか、または始動モードに切り変え、状況によっては、作業終了モードに再び切り換える場合もあり得るが、大抵はその後で通常動作モードへの切変えが続く。したがって、始動モードおよび作業終了モードは、基板製造の開始時点や基板製造の終了時点ばかりでなく、製造中にも生じる。したがって、好ましい一実施例によれば、リソグラフィー投影組立体では、基板製造時に発生する事象に応じて、始動モード、通常動作モード、および作業終了モードが、ランダムな順序で１回または複数回反復される。
【００６９】
本発明のこの方法によれば、単一のロード・ロックのみの場合では、このロード・ロックに第１および第２基板支持位置が設けられるときに、高い効率が得られる。当然のことであるが、これは２つ以上のロード・ロックにも該当し、それらのロード・ロックの、有利にはすべてに、または幾つかのみに、第１および第２基板支持位置が設けられることになる。しかし、２つ以上のロード・ロックの場合は、すべてのロード・ロックまたは幾つかのロード・ロックが１つのみの基板支持位置を有するときに同じく効率が高まることになる。
【００７０】
本発明のこのような態様によるリソグラフィー投影組立体は１つのみのロード・ロックでも同様に動作可能である。すなわち、特許請求の範囲では、「少なくとも２つのロード・ロック」という文言を「少なくとも１つのロード・ロック」に置き換えることができる。「少なくとも２つのロード・ロック」の利点の幾つかがこの置き換えによって失われるが、他の利点の多くは「１つのロード・ロック」の場合にも同様に該当する。
【００７１】
さらには、本発明のこのような態様によれば、単一マニピュレータおよび／または第１マニピュレータおよび／または第２マニピュレータなどのマニピュレータには、１つのみの把持部を設けるばかりでなく（これが好ましい）、２つ以上の把持部も設け得ることを理解されたい。
【００７２】
本明細書では、ＩＣの製造における本発明による装置の使用に特定的に言及する場合があるが、このような装置には他に数多くの応用例があることを明確に理解されたい。この装置は、例えば、集積光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、液晶表示板、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用可能である。このような別の応用例の文脈では、本明細書における「レチクル」、「ウェーハ」、または「ダイ」という用語はいずれも、より一般的な用語「マスク」、「基板」、および「標的部分」にそれぞれ置き換えられるものと考えるべきであることを当業者は理解しよう。
【００７３】
本明細書では、「放射」および「ビーム」という用語を使用して、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ナノメートルの波長を有する）および極紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５から２０ナノメートルまでの範囲内の波長を有する）ばかりでなく、イオン・ビームまたは電子ビームなどの粒子ビームも含めて、すべての種類の電磁放射を包含する。
【００７４】
明らかなように、本発明は幾つかの態様を含む。それぞれの態様は、本発明のその他の態様から分離しているが、１つまたは複数の態様、またはこれらの態様の一部は、有利なことに本発明にしたがって相互に組み合わせることが可能である。
【００７５】
ここで参照記号または数字が対応する部品を示す添付の概略的な図面を参照して、例示によってのみ本発明の実施例を説明する。
【実施例】
【００７６】
以下の説明では、図面全体を通じて同じ記号または数字は同じ部品を指す。
【００７７】
図１は、本発明の特定の一実施例によるリソグラフィー投影装置（ＬＰ）を模式的に示す。この図面の説明は、リソグラフィー投影装置の様々な部品を例示しようとするものである。本装置は以下のものを備える。すなわち、
放射（例えば、ＥＵＶ放射）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬ。この特定の事例では、放射システムが放射源ＬＡも含む。
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク保持器が備わり、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１位置決め手段ＰＭに連結されている第１物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ。
基板Ｗ（例えば、レジストが塗布されているシリコン・ウェーハ）を保持するための基板保持器が備わり、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２位置決め手段ＰＷに連結されている第２物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ。
マスクＭＡの照射された部分を基板Ｗの標的部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）の上に結像するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、反射ミラー・システム）。
【００７８】
この図に示すように、この装置は反射型である（すなわち、反射マスクを有する）。しかし、一般には、例えば、それが透過型であってもよい（屈折レンズ・システムを備える透過マスクを有する）。別法として、この装置は、上で参照した種類のプログラマブル・ミラー・アレイなどの、別の種類のパターン形成手段を用いることもできる。
【００７９】
放射源ＬＡ（例えば、プラズマ源）は放射のビームを発生する。このビームは、直接または、例えば、ビーム拡大器Ｅｘなどの調節手段を横切った後で、照射システム（照射器）ＩＬに送出される。照射器ＩＬは、ビーム中の強度分布の外半径範囲および／または内半径範囲（通常、それぞれσ外半径およびσ内半径と呼ぶ）を設定するための調整手段ＡＭを備えることができる。この照射器は、積分器ＩＮおよび集光器ＣＯなどの他の様々な構成要素をさらに備えるのが一般である。このように、マスクＭＡの上に当たるビームＰＢは、その断面中に望ましい均一性と強度分布を有する。
【００８０】
図１に関して、放射源ＬＡは、リソグラフィー投影装置の箱体内部にあってもよいが（例えば、放射源ＬＡが水銀ランプである場合にしばしばそうであるように）、リソグラフィー投影装置から遠隔にあってもよく、それが発生する放射ビームを装置の中に導入する（例えば、適切な誘導ミラーの助けによって）ことに留意されたい。後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマー・レーザの場合にしばしばそうである。本発明および特許請求の範囲は、これらの２つのシナリオを包含する。
【００８１】
次いで、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを横切ってから、ビームＰＢは、基板Ｗの標的部分Ｃ上にビームＰＢを合焦するレンズＰＬを通過する。第２位置決め手段ＰＷ（および干渉測定手段ＩＦ）の助けによって、例えば、異なる標的部分ＣをビームＰＢの経路中に位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、第１位置決め手段ＰＭを使用して、例えば、マスクＭＡをマスク・ライブラリーから機械的に取り出した後にまたは走査時に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）および短行程モジュール（微細な位置決め）の助けによって実現するが、これらは図１に明示されていない。しかし、ウェーハ・ステッパ（ステップ・アンド・スキャン装置とは異なり）の場合は、マスク・テーブルＭＴを短行程アクチュエータに単に連結するか、または固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク位置合わせ標識Ｍ１、Ｍ２および基板位置合わせ標識Ｐ１、Ｐ２を使用して位置合わせ可能である。
【００８２】
図示の装置は２つの異なる方式で使用することができる。すなわち、
１．ステップ方式では、マスク・テーブルＭＴを基本的に静止状態に維持し、マスク像全体を１回の試み（すなわち、単一「閃光」）で標的部分Ｃに投影する。次いでビームＰＢが異なる標的部分Ｃを照射できるように、基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動する。
２．スキャン方式では、所与の標的部分Ｃを単一「閃光」で露光しないこと以外は、基本的に同じシナリオが該当する。ただし、投影ビームＰＢにマスク像全体にわたって走査させるように、マスク・テーブルＭＴが所与の方向（いわゆる「走査方向」であり、例えば、ｙ方向）に速度Ｖで移動可能であり、同時に、基板テーブルＷＴを速度Ｖ＝Ｍｖで同方向または逆方向に同期移動する。前式でＭはレンズＰＬの倍率（典型的にはＭ＝１／４または１／５）である。このようにして、分解能を損なわずに済むように、相対的に大きな標的部分Ｃを露光することができる。
【００８３】
図２は、本発明の一実施例によるリソグラフィー投影組立体ＬＰＡの別体モジュールの配置を模式的に示す。この図面は、本開示に使用するモジュールを例示しようとするものである。
【００８４】
この配置には次のものが含まれる。すなわち、
第１環境と第２環境の間で基板を移送するための２つのロード・ロックＬＬ。モジュールＨＣとＬＰに及ぶ第２環境は、第１環境よりも低い圧力を有する。
予備位置合わせ手段および／または温度処理手段など、基板を予め処理するための予備処理手段と、ロード・ロックＬＬから予備処理手段まで、さらには予備処理手段からリソグラフィー投影装置ＬＰのロード位置まで、また逆の方向にリソグラフィー投影装置ＬＰのアンロード位置からロード・ロックＬＬまで、基板を移送するための搬送手段とが備わるハンドラ・チャンバＨＣ。
上でより詳細に説明したリソグラフィー投影装置ＬＰ。
【００８５】
ハンドラ・チャンバと一体のロード・ロックは共に、通常基板ハンドラＳＨ、またはウェーハが処理されている場合はウェーハ・ハンドラと呼ぶ。
【００８６】
リソグラフィー投影装置は、とりわけ基板テーブルＷＴおよび典型的には図１の第２の位置決め手段ＰＷを含む投影チャンバと、投影チャンバを排気するための排気手段とを備える。ロード・ロックとハンドラ・チャンバの働きを以下にさらに詳細に説明する。
【００８７】
図３および図４は、本発明の第１および第２実施例にそれぞれにしたがうリソグラフィー投影装置を示す。両図では次のモジュールが認められる。すなわち、
２つのロード・ロックＬＬ。
基板ハンドラＳＨまたはウェーハ・ハンドラと呼ぶ、２つのロード・ロックＬＬと組み合わせたハンドラ・チャンバＨＣ。
投影チャンバを備えるリソグラフィー投影装置ＬＰ。
【００８８】
後者のモジュールＬＰでは、その配置を詳細に図示しないが、図１および２の実施例から理解することができる。
【００８９】
ハンドラ・チャンバＨＣに対向するロード・ロックＬＬに隣接して、基板トラックＳＴ（図２参照）などの別のモジュールが存在するが、それは基板をロード・ロックＬＬに供給し、かつそれから取り出すために備えられている。
【００９０】
それぞれのロード・ロックＬＬにはドア１０、１１が備えられており、このドアは、第１環境とロード・ロックＬＬの間の基板移送を可能にするものである。その対向側には、それぞれのロード・ロックにロード・ロックＬＬとハンドラ・チャンバＨＣの間の基板移送を可能にするためのドア１２、１３がある。第２環境は、投影工程時にハンドラ・チャンバＨＣとリソグラフィー投影装置ＬＰに及ぶことになる。各ドア１０、１１、１２、１３は、それぞれのロード・ロックの内部を気密方式で閉鎖するために備わる。
【００９１】
それぞれのロード・ロックは、基板またはウェーハを支持するための基板支持位置１４ａ、１５ａを有する。第２基板支持位置１４ｂ、１５ｂは図４には示されていない。第１および第２基板支持位置は図５および６に例示されているので、以後に説明する。
【００９２】
第２環境は第１環境よりも低い圧力を有する。リソグラフィー投影装置ＬＰは、例えば、極紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するとき、第２環境は真空環境である。この場合、投影チャンバは真空チャンバである。真空雰囲気を確立するために、両実施例のリソグラフィー投影組立体には真空を確立または維持する真空手段が備えられている（図示せず）。
【００９３】
別法として、第２環境を窒素環境などの特殊な気体環境にすることもできる。
【００９４】
制御不能な激しい気流によって重要部品を損傷せずに基板を第１環境とより低圧の第２環境の間で移送するために、ロード・ロックＬＬのドアは、１度に１つのドアのみを開放することになる。基板支持位置１４ａ、１５ａから第１環境まで移送するとき、それぞれのドア１０、１１を開放する前に最初にロード・ロックＬＬを通気し、他方で基板支持位置１４ｂ、１５ｂから第２環境まで移送するとき、それぞれのドア１２、１３を開放する前に最初にロード・ロックを必要な真空水準まで減圧する。
【００９５】
ハンドラ・チャンバＨＣには、予備位置合わせ手段および熱処理手段が配置（図示せず）されている予備処理位置１６がある。予備処理位置１６での予備位置合わせは、基板をウェーハ・テーブルＷＴの上に位置決めする際の要求精度水準に達するために重要である。次の位置は、リソグラフィー投影装置ＬＰの中のロード位置１７である。基板はこの位置で図１の基板テーブルＷＴの上に配置される。ウェーハが処理されている場合は、このテーブルをウェーハ・ステージと見なす。熱処理手段をこの位置１６で適用することは、基板全体の制御温度を維持するために有利である。
【００９６】
図４に示す本発明の第２実施例では、追加的なアンロード位置１８がリソグラフィー投影装置ＬＰの中に配置されている。これは、両方の位置１７および１８がたまたま同じである図３の第１実施例とは異なる。
【００９７】
ハンドラ・チャンバＨＣとリソグラフィー投影装置ＬＰの間およびその逆の間で基板を移送するとき、基板は入口２３または２４を通過する。先の段落で述べた相違と同様に、図３の第１実施例では、ハンドラ・チャンバとロードおよびアンロード位置との間の入口２３、２４がたまたま同じである。
【００９８】
図３と図４の第１および第２実施例の間の別の相違は、搬送手段に関する。図３の第１実施例は把持部２０を有する１基のマニピュレータ１９を備え、他方で図４に示す第２実施例は、第１マニピュレータの隣に、同様に把持部２２を有する第２マニピュレータを備える。両マニピュレータは、これらの実施例ではロボット、すなわち、スカラ・ロボットであるが、他のロボットまたは他のマニピュレータも考えられる。
【００９９】
これらのロボットは、次の動作を行うようになされている。すなわち、
１．ロード・ロックＬＬの一方から基板を選択して前記基板を予備処理手段１６に移送し、かつ／または
２．予備処理手段１６から基板を選択して前記基板をロード位置１７に移送し、かつ／または
３．アンロード位置１８から基板を選択して前記基板をロード・ロックＬＬの一方の基板搬送位置１４、１５に移動する。
【０１００】
第１実施例での大きな基板処理量は、ロード・ロックＬＬの一方を通気または減圧する前に、上で述べた３つの動作の２つ以上を組み合わせることによって達成可能である。
【０１０１】
上に述べた動作の組合せの可能性を、第２実施例の場合と同様に１基のロボットではなく２基のロボットの使用によって飛躍的に増大させることが容易に分かる
【０１０２】
当然のことであるが、他の有利な組合せも可能である。
【０１０３】
移送動作の最も論理的な順序は、リソグラフィー投影組立体ＬＰＡの動作モードに依存する。すなわち、
始動段階では、基板をアンロード位置１８からロード・ロックＬＬまで移送する必要がなく、１個または複数の基板がハンドラ・チャンバとリソグラフィー投影装置の中に移送される。
定常状態の動作。ロード位置１７およびアンロード位置１８へ、ならびにこれらの位置からそれぞれ規則正しい移送が行われる。
作業終了段階では、ロード・ロックＬＬから予備処理位置１６またはロード位置への移送は行われず、１個または複数の基板がハンドラ・チャンバとリソグラフィー投影装置から外に移送される。
【０１０４】
本発明の一実施例によれば、それぞれのロード・ロックＬＬには第１基板支持位置１４ａ、１５ａと第２基板支持位置１４ｂ、１５ｂ（図３および４に図示しないが、図５および６に図示してある）が備えられている。この第２位置は受入れ基板と受出し基板のための一種の緩衝部として働くので、追加的な支持位置によって上で述べた３つの移送動作の組合せの可能性が増大する。
【０１０５】
第１および第２実施例では、両方ともロード・ロックが、対応するロボットと共にいわゆる２方向ロード・ロックとして構成されている。つまり、それぞれのロード・ロックには、ドア１０、１１、１２、１３を通過して基板を両方向に移送できるような方式で、ハンドラ・チャンバ内の１基または複数のロボットと、例えば、基板トラックからの１基または複数のロボットとの両方が出入り可能である。これを図３および４の矢印を付けた線Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇで示す。このような構成によって基板の処理量を増大させることができる。一方のロード・ロックを受入れ基板用にしかつ他方のロード・ロックを受出し基板用にする、本発明によるリソグラフィー投影組立体の実施例も実現可能である。このような実施例では、３つの移送動作を組み合わせる融通性が低下するが、同時にロボットの動作範囲に関する要件が緩和される。
【０１０６】
両方の実施例では、基板ハンドラＳＨに、第３環境と第２環境の間で基板を移送するための第３ロード・ロック２５が随意選択的に備えられている。第３ロード・ロック２５の両側には２つのドア２７、２８が備わる。ドア２７は、第３ロード・ロックの内部をハンドラ・チャンバに連結する。外部ドア２８は、第３ロード・ロックの内部を基板ハンドラの外部環境に連結する。
【０１０７】
この第３ロード・ロックは、自由に出入り可能なハンドラ・チャンバの側面に配置され、それによって、例えば、基板を除去する場合、または第１および第２ロード・ロックの両方の基板支持位置１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂが既に占有されている場合に、この第３ロード・ロックを緩衝部として使用することによってリソグラフィー投影組立体ＬＰＡの融通性と応用可能性を増大させる。さらには、それを使用してハンドラ・チャンバＨＣおよび／またはリソグラフィー投影装置ＬＰの修理と保守を容易にすることができる。第３環境は第１環境と同じであり得るが、第１環境と異なる場合もあり得ることに留意されたい。
【０１０８】
図３および４では、ロード・ロックＬＬの一方は、自由に出入り可能な側面に配置されている随意選択的な外部ドア２６を備える。このドア２６は、基板または他の物体を第３環境（第１環境と同じであり得る）からロード・ロックへ直接移送するためのものである。さらには、それを使用して対応するロード・ロックの修理と保守を行うことができる。外部ドア２６を両方のロード・ロックに設けることもできるし、あるいはこの外部ドア２６を他方のロード・ロックＬＬに配置することもできる。
【０１０９】
図５は、本発明の一実施例によるロード・ロックの断面を示す。
【０１１０】
図５の幾つかの部品は、先の２つの図面から識別可能である。すなわち、
第１環境と連結するためのロード・ロック・ドア１０、１１。
第２環境と連結するためのロード・ロック・ドア１２、１３。
ロード・ロックの上部の第１基板支持位置１４ａ、１５ａ。
ロード・ロックの下部の第２基板支持位置１４ｂ、１５ｂ。
ハンドラ・チャンバＨＣ内のロボットからの把持部２０。
【０１１１】
基板をロード・ロックと、例えば、基板トラック・システム中の第１環境の間で基板を移送するために備えられている把持部３０を左側に図示する。この把持部３０は、把持部２０と同様に様々な基板支持位置へおよびそれらから基板を選択かつ送出することができる。図５では、基板３１が把持部３０によって第１基板支持位置１４ａの上にちょうど配置されたところであり、他方で第２基板３２が第２基板支持位置１４ｂ、１５ｂによって支持されている。
【０１１２】
両方の基板支持位置１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂは、支持板３３、３５および突出しピン３４、３６を備える。これらの突出しピン３４、３６は、基板を基板支持位置に送出する際にまたは基板を基板支持位置から取り出す際に、把持部の一部を基板と支持板の間に挿入できるように、基板と支持板３３、３５の間の変位を容易にするためにある。把持部３０が基板３１を送出し、かつそれ自体がロード・ロックの外側に移動した後で、図５の下部基板３２の場合と同様に、突出しピン３４、３６および／または支持板３３、３５は、支持板３３、３５に基板を支持させるために相互間で移動する。同様に、突出しピン３４、３６および／または支持板３３、３５も、把持部がロード・ロックから基板を選択かつ移送するように把持部３０、２０の一部を基板と支持板の間に挿入させるために相互間で移動することができる。
【０１１３】
図５では、各支持板にちょうど１つずつ突出しピン３４、３６が図示されているが、ほとんどの場合に支持板は３つ以上の突出しピンを有することになる。
【０１１４】
支持板３３、３５の間に中間板５５が配置されているが、その働きを後で説明する。
【０１１５】
図５によって２つの基板支持位置の利点が容易に明らかになる。ロード・ロックＬＬを第１環境に通気し、第１基板３１を第１基板支持位置１４ａ、１５ａにちょうど送出したところであり、他方では第２基板（ハンドラ・チャンバＨＣから受け出されて、ロード・ロックを通気する前に既に存在している）が第２基板支持位置１４ｂ、１５ｂ上に支持されている。このような状態から次の動作を行うことができる。すなわち、
把持部３０をロード・ロックの外側に移動する。
支持板３３に基板３１を完全に支持させるように支持板３３および／または突出しピン３４が相互間で移動する。
第２基板３２を支持板３５から持ち上げるために支持板３５および／または突出しピン３６が相互間で移動する。
把持部３０あるいは第２把持部（図示せず）を第２基板３２に移動し、次いで把持部に第２基板３２を把持させる。
第２基板３２を有する把持部３０あるいは第２把持部（図示せず）をロード・ロックの外側（第１環境）に移動する。
ドア１０、１１を閉じてロード・ロックを減圧する。
この利点は、２つの連続的な通気動作と排気動作の間にロード・ロックへおよびそこから基板を移送できることである。
【０１１６】
把持部２０を使用してハンドラ・チャンバＨＣとロード・ロックＬＬの間で２つの基板を移送するためには、類似の動作順序が可能であることが容易に分かる。
【０１１７】
さらに図５では、一方には通気開口３７を備える上壁３８が示され、他方には排気開口３９を備える下壁４０が示されている。開口３７、３９を使用して通気および排気手段によって気体を供給または排出する。このような通気開口と排気開口の構成の利点は、ロード・ロックの中で気体が常に上から下へ流れ、それは浮遊粒子が基板の非支持表面の上に付着するのを防止する助けになることである。
【０１１８】
図５で詳細に示さないが、本発明の別の態様は、基板の温度を安定化するために１つまたは複数の支持板と一体になった随意選択的な温度制御手段である。このような手段は、実施例として溝穴、トンネル、または管などの支持板内部に配置された配管６０、６１と、これらの管を介して温度制御した流体を圧送するための流体圧送システムとを備える。支持板３３、３５を異なる温度処理にかけることができる。
【０１１９】
１つの別法は、壁、例えば、３８、４０、５０、５１の１つまたは複数の壁の中に、および／またはロード・ロック・チャンバのドア１０、１１、１２、１３の中に温度制御手段を配置するものであり、それは基板温度を安定化する点では効率が劣るが、はるかに簡素な構造を設ける。
【０１２０】
図６は、本発明の一実施例によるロード・ロックの図５の線ＶＩ−ＶＩにしたがう断面を示す。
【０１２１】
ロード・ロック・ドアの代わりに、この断面では側壁５０および５１が図示されている。これらの壁は、下壁４０および上壁３８と共にロード・ロック・チャンバ５２を画定する。突出しピン３４、３６、支持板３３、３５、および通気および排気開口３７、３９に加えて、この実施例は持上げ手段５３および／または５４を備える。蛇腹５６、５７を封止として使用する。
【０１２２】
これらの持上げ手段は、第１に、ロード・ロック・チャンバを排気する前に、一方の基板３１または３２のそれぞれと、他方の上壁３８または中間板５５のそれぞれとの間の間隔Ａ、Ｂを狭める働きをする。第２に、これらの持上げ手段は、基板を送出または選択する前に、支持板３３、３５と上壁３８または中間板５５のそれぞれとの間の間隔を広げる働きをする。
【０１２３】
先に論じたように、間隔ＡおよびＢを狭める有利な効果は、基板周囲に存在する気体容積を減少させることである。気体容積の減少と共にロード・ロック・チャンバ５２の排気時における断熱効果も、このような基板に対する温度効果と一緒に減少する。
【０１２４】
基板と上壁または中間板との間の接触をいずれも回避するために、間隔ＡおよびＢは１００マクロメートルよりも大きい。この追加的な理由は、圧送時間が長引くのを回避するためであり、それはロード・ロック・チャンバ内に過剰に狭い間隙が存在するときに発生する恐れがある。
【０１２５】
ロード・ロック・チャンバ５２を排気しかつドア１２、１３を開放した後に、間隔Ａ、Ｂを広げて把持部２０が基板を選択しかつ取り出しまたは送出するのに適切な余地を作る。
【０１２６】
支持板３３、３５／基板３１、３２を固定された上壁３８／中間板５５に向かって移動させる代わりに、１つの別法では、固定式または可動式の支持板／基板に向かって移動する可動式の（天井）板（図示せず）を利用する。基板３１を支持する第１支持板３３には、このような天井板を適切な移動手段が配置されている上壁３８に配置し、他方で基板３２を支持する第２支持板３５には、中間板５５が天井板として働く。後者に関して、例えば、側壁５０の中に適切な移動手段を配置することができる。
【０１２７】
図６では、両方の基板支持位置１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂが可動式である。両方の基板支持位置の一方のみが可動式である実施例も実現可能である。このような実施例は、厳密な温度制御の重要性がより低い受出しウェーハ用に一方の基板支持位置を（より大きな部品に関して）割り当てるとき特に利点がある。好ましい一実施例によれば、このような態様では、上部基板支持位置１４ａ、１５ａが可動式であり、他方で下部基板支持位置１４ｂ、１５ｂが固定式である（すなわち、例えば、蛇腹５６が不要であり、かつ持上げ手段５４を固定ロッドと置き換えることができる）。しかし、上部基板支持位置１４ａ、１５ａを固定し、他方で下部基板支持位置１４ｂ、１５ｂを可動式にすることも実現可能である。
【０１２８】
別法による一実施例では、持上げ手段５３、５４を壁５０、５１と一体にすることも実現可能である。
【０１２９】
図６の実施例では、排気開口３９が持上げ手段５４の構成と一体になっている。
【０１３０】
混入微粒子は投影された光が基板Ｗの放射感光表面に達するのを妨害する恐れがあるので、リソグラフィー投影装置ＬＰの異物混入を最小限にしなければならないことが当業者に知られている。同様に、基板Ｗの背面上または基板テーブルＷＴの基板支持面上の混入微粒子も基板Ｗ上に投影されるパターンの位置合わせ不良を引き起こす恐れがある。したがって、ロード・ロックＬＬ内の１つまたは複数の表面、特に基板Ｗと接触するロード・ロックＬＬ内の表面を、有機材料などの混入微粒子に対して優れた親和性を有する材料から作製することが有利である。それによって混入微粒子を基板Ｗに付着させないでロード・ロックＬＬ内の表面に付着させることになる。混入微粒子の回収は、静電力を利用して行うこともできる。例えば、ロード・ロックＬＬの１つまたは複数の表面に電荷を印加しかつ混入微粒子に反対の電荷を印加して、これらの１つまたは複数の表面に混入微粒子を引き寄せるようにする。
【０１３１】
ロード・ロックＬＬに蓋を付けて微粒子が引き寄せられる表面に清掃口を設け、このような表面、特に接触表面は、それらを容易にロード・ロックＬＬから取り外して清掃が簡単にできるような方式で配置可能である。
【０１３２】
ロード・ロックＬＬ内の混入微粒子を回収すると、第１環境から第２環境へ、またはその逆への混入微粒子の移動が最小限になり、例えば、ハンドラ・チャンバＨＣ内の異物混入が最小限になる。しかも、ロード・ロックＬＬ内に多くの微粒子を集めることによって、このような微粒子が害を及ぼす恐れがあるリソグラフィー投影装置ＬＰ内の基板テーブルＷＴに達する混入微粒子を減少させることができる。
【０１３３】
さらには、ロード・ロックＬＬの清掃は、基板テーブルＷＴまたはハンドラ・チャンバＨＣを清掃するよりもはるかに容易でありかつ消費時間も少ない。ロード・ロックＬＬ内で微粒子を回収することによって、ハンドラ・チャンバＨＣまたはリソグラフィー投影装置ＬＰを開放する必要性が減少し、したがって真空を損なう必要性も減少する。この結果、真空の再確立は時間を消費するので、清掃工程による時間の損失が減少する。清掃のためにハンドラ・チャンバおよび／またはリソグラフィー投影装置を開放することが減少するので、清掃工程の結果としての汚染の危険性（例えば、指紋）も低下する。
【０１３４】
ロード・ロックＬＬを使用していわゆる粘着ウェーハをハンドラ・チャンバＨＣおよび／またはリソグラフィー投影装置ＬＰに搬送することができる。これらの粘着ウェーハは、混入微粒子（レジストの残部など）を回収するための特性を有するウェーハ様の物体である。これらの粘着ウェーハをリソグラフィー投影装置ＬＰ、ハンドラ・チャンバＨＣおよび／またはロード・ロックＬＬの全体に循環させて混入微粒子を回収する。このような粘着ウェーハの表面は、リソグラフィー投影装置ＬＰ、ハンドラ・チャンバＨＣおよび／またはロード・ロックＬＬ内の接触表面よりも混入微粒子に対する大きな親和性を有するべきである。微粒子を表面上に回収する粘着ウェーハは、機械の外に搬送されて洗浄され、次いで機械に再び挿入され、さらに循環可能である。
【０１３５】
粘着ウェーハの回収特性は幾つかのメカニズムに依拠し得る。例えば、１つのメカニズムは静電力である。混入微粒子を引き寄せるために粘着ウェーハに静電荷を印加することができる。このウェーハが循環するとき、低密度に帯電した微粒子（双極子を含む）を粘着ウェーハに引き寄せ、例えば、粘着ウェーハを機械の外に搬送することによって、機械の外に取り出す。混入微粒子に適切であれば磁力を粘着ウェーハに使用することもできる。
【０１３６】
回収メカニズムの別の実施例は接着および／または密着であり得る。接着ウェーハは、混入微粒子（レジスト微粒子など）に対して大きな親和性を有する。混入微粒子は粘着ウェーハに付着する傾向がある。密着性の粘着ウェーハの場合は、このような粘着ウェーハに密着する微粒子を粘着ウェーハ上に留めることになり、固締表面上などの他の表面上へ逃がすことがない。有利なことに、粘着ウェーハは、強力な接着力と強力な密着力を示す。様々な水準の接着力および／または密着力を応用例に合わせて適用することができる。このような接着力および／または密着力を、例えば、ウェーハ上に特殊な接着剤および／または密着剤を塗布することによって付与するか、またはウェーハ自体を接着材料および／または密着材料から作製することができる。
【０１３７】
清掃具として粘着ウェーハを使用することには、少なくとも幾つかの利点がある。例えば、粘着ウェーハは通常のウェーハよりも効果的である。さらには、粘着ウェーハが機械全体に循環している間、ハンドラ・チャンバＨＣおよび／またはリソグラフィー投影装置ＬＰ内の真空を損なわずに済ますことができる。真空の再確立は時間を消費する嫌いがある。さらに、ハンドラ・チャンバＨＣ、ロード・ロックＬＬ、および／またはリソグラフィー投影装置ＬＰを人手による清掃の必要性が減少するので、人手による清掃自体に起因する汚染の危険性を減らすことができる。以上に本発明の特定の実施例を説明したが、本発明を説明とは別様に実施可能なことは明らかである。本明細書は本発明を限定しようとするものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィー投影装置を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施例によるリソグラフィー投影組立体の別体モジュールの全体配置を示す模式図。
【図３】本発明の第１実施例によるリソグラフィー投影組立体を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例によるリソグラフィー投影組立体を示す図である。
【図５】本発明の一実施例によるロード・ロックを示す断面図である。
【図６】本発明の一実施例によるロード・ロックを示す図５（線ＶＩ−ＶＩ）の断面と直交する断面図である。
【符号の説明】
【０１３９】
ＡＭ  調整手段
Ｃ  標的部分
ＣＯ  集光器
Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ  出入り線
Ｅｘ  ビーム拡大器
ＩＦ  干渉測定手段
ＩＬ  照射システム（照射器）
ＩＮ  積分器
ＨＣ  ハンドラ・チャンバ
ＬＡ  放射源
ＬＬ  ロード・ロック
ＬＰ  リソグラフィー投影装置
ＬＰＡ  リソグラフィー投影組立体
Ｍ１、Ｍ２  マスク位置合わせ標識
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスク・テーブル
Ｐ１、Ｐ２  基板位置合わせ標識
ＰＢ  放射ビーム
ＰＬ  レンズ要素
ＰＭ  第１位置決め手段
ＰＷ  第２位置決め手段
ＳＨ  基板ハンドラ
ＳＴ  基板トラック
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
１０、１１、１２、１３、２６、２７、２８  ドア
１４ａ、１５ａ  基板支持位置
１６  予備処理位置
１７、１８  ロード位置
１９、２１  マニピュレータ
２０、２２  把持部
２３、２４  入口
２５  第３ロード・ロック
３０  把持部
３１  第１基板
３２  第２基板
３３、３５  支持板
３４、３６  突出しピン
３７  通気開口
３８  上壁
３９  排気開口
４０  下壁
５０、５１  壁
５２  ロード・ロック・チャンバ
５３、５４  持上げ手段
５５  中間板
５６、５７  蛇腹
６０、６１  配管
【図１】
2004343068.tif 000003
【図２】
2004343068.tif 000004
【図３】
2004343068.tif 000005
【図４】
2004343068.tif 000006
【図５】
2004343068.tif 000007
【図６】
2004343068.tif 000008
【外国語明細書】
2004343068000001.pdf