(57)【要約】【課題】有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素を提供する。【解決手段】有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、ａ）　ドナー支持体要素；ｂ）　該ドナー支持体要素の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；ｃ）　該吸光層の上に配置されたホスト材料層；並びにｄ）　該ホスト材料層の上に配置されたドーパント層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に該吸光層から該ホスト材料及びドーパント材料の気化転写を引き起こす熱が発生することにより該有機発光ダイオードデバイスにおいて少なくとも部分的な混合を引き起こすように配置されたドーパント層を含んで成るドナー要素。【選択図】　　　図１
2004071550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、
ａ）　ドナー支持体要素；
ｂ）　該ドナー支持体要素の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；
ｃ）　該吸光層の上に配置されたホスト材料層；並びに
ｄ）　該ホスト材料層の上に配置されたドーパント層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に該吸光層から該ホスト材料及びドーパント材料の気化転写を引き起こす熱が発生することにより該有機発光ダイオードデバイスにおいて少なくとも部分的な混合を引き起こすように配置されたドーパント層
を含んで成るドナー要素。
【請求項２】
さらに該ホスト材料層又は別の層に２種以上のホスト材料を含む、請求項１に記載のドナー要素。
【請求項３】
該ドーパント層が該ホスト材料の上に直接配置されている、請求項１に記載のドナー要素。
【請求項４】
有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、
ａ）　ドナー支持体要素；
ｂ）　該ドナー支持体要素の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；
ｃ）　該吸光層の上に配置された１又は２以上のホスト材料層；並びに
ｄ）　該ホスト材料層の上に配置されたドーパント層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に該吸光層から該ホスト材料及びドーパント材料の気化転写を引き起こす熱が発生することにより該有機発光ダイオードデバイスにおいて少なくとも部分的な混合を引き起こすように配置されたドーパント層
を含んで成るドナー要素。
【請求項５】
有機発光ダイオードデバイスの製造工程における請求項１に記載のドナー要素の使用方法であって、
ａ）　該ドナー要素を、有機発光ダイオード基板と転写関係をなすように、かつ、該基板から間隙により一定の間隔を置いて配置し、そして
ｂ）　該ドーパントと該ホスト材料との界面において該ドーパント材料が該ホスト材料に混入しつつ該基板上に該ドーパント材料と該ホスト材料とをそれぞれ付着せしめるに十分な熱を発生させるに十分な光を該ドナー要素に当てる
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
有機発光ダイオードデバイスの製造工程における請求項４に記載のドナー要素の使用方法であって、
ａ）　該ドナー要素を、有機発光ダイオード基板と転写関係をなすように、かつ、該基板から間隙により一定の間隔を置いて配置し、そして
ｂ）　該ドーパントと該ホスト材料との界面において該ドーパント材料が該ホスト材料に混入しつつ該基板上に該ドーパント材料と該ホスト材料とをそれぞれ付着せしめるに十分な熱を発生させるに十分な光を該ドナー要素に当てる
ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）としても知られる有機電場発光（ＥＬ）デバイスを製造するためのドナー要素及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
赤、緑及び青の色画素のような着色画素（通常ＲＧＢ画素という。）を配列したカラー又はフルカラー有機電場発光（ＥＬ）ディスプレイ（有機発光ダイオードデバイス又はＯＬＥＤデバイスとしても知られている）においては、ＲＧＢ画素を形成するため発色性有機ＥＬ媒体を精密にパターン化する必要がある。基本的なＯＬＥＤデバイスは、共通要素として、アノード、カソード、及び該アノードと該カソードとに挟まれた有機ＥＬ媒体を含む。有機ＥＬ媒体は１又は２層以上の有機薄膜からなることができ、その層の一つが主として発光、すなわち電場発光を担う。この特定の層を、一般に有機ＥＬ媒体の発光層と称する。有機ＥＬ媒体中に存在する他の有機層は、主として電子輸送機能を提供することができ、（正孔輸送のための）正孔輸送層又は（電子輸送のための）電子輸送層と呼ばれる。フルカラーＯＬＥＤディスプレイパネルのＲＧＢ画素を形成する際には、有機ＥＬ媒体の発光層又は有機ＥＬ媒体全体を精密にパターン化する方法を工夫する必要がある。
【０００３】
典型的には、電場発光画素は、米国特許第５７４２１２９号に記載されているようなシャドーマスク技法によりディスプレイ上に形成される。この技法は有効であるが、いくつかの欠点がある。シャドーマスク技法では、解像度の高い画素サイズを達成することが困難である。さらに、基板とシャドーマスクとの間のアラインメントの問題があり、画素を適当な位置に形成させることに慎重にならなければならない。基板を大きくする場合には、シャドーマスクを操作して適切な位置に画素を形成させることが困難となる。
【０００４】
米国特許第４７７２５８２号明細書及びその中の引用文献に教示されているように、従前より、画像をレーザー感熱式色素転写するためのドナー材料が知られている。この方式では、ドナーシートを使用し、レーザービームによりドナーから受容体へ色素を熱転写させることにより各色を転写する。この方式は、高画質化のために用いられているが、ＥＬ材料の転写を教示するものではない。
【０００５】
高解像度有機ＯＬＥＤディスプレイをパターン化するのに好適な方法が、米国特許第５８５１７０９号（Ｇｒａｎｄｅら）に記載されている。この方法は、（１）対向する第１表面及び第２表面を有する基板を用意し、（２）該基板の第１表面の上に透光性断熱層を形成し、（３）該断熱層の上に吸光層を形成し、（４）該基板に、該第２表面から該断熱層にまで延在する開口部の配列を設け、（５）該吸光層の上に転写可能な発色性有機ドナー層を形成し、（６）該基板の開口部とデバイス上の対応するカラー画素とが配向するように該ドナー基板をディスプレイ基板に対して精密にアラインし、そして（７）該ドナー基板上の有機層を該ディスプレイ基板に転写させるに十分な熱を該開口部上の吸光層に発生させるための輻射線源を使用する、という工程序列を含む。Ｇｒａｎｄｅらの方法にまつわる問題は、ドナー基板上の開口部の配列をパターン化しなければならないことにある。別の問題として、ドナー基板とディスプレイ基板との間で精密に機械的にアラインメントしなければならないことがある。さらに、ドナーのパターンが固定され、容易に変更できないという問題もある。
【０００６】
Ｌｉｔｔｍａｎ及びＴａｎｇは、パターン化されていないドナーシートからＥＬ基板へ有機ＥＬ材料をパターン様式で転写する方法を教示している（米国特許第５６８８５５１号）。Ｗｏｌｋらの一連の特許（米国特許第６１１４０８８号、同第６１４０００９号、同第６２１４５２０号及び同第６２２１５５３号）は、ドナー要素の選ばれた部分をレーザービームで加熱することによりドナー要素から基板へＥＬデバイスの発光層を転写することができる方法を教示している。各層は、当該デバイスの機能において利用される作用層又は非作用層である。
【０００７】
これらのプロセスでは、電場発光材料を含有するドナーを輻射線によって加熱して、既に能動デバイスの一部を含有している場合もある受容体へ転写する。その後、さらに層を適用することによりデバイスが完成する。このプロセスにより、電子又は正孔伝導体ホスト及びドーパントを含有する適当なドナーの使用による色のパターン化が可能となる。完成した発光デバイスは、良好な放出が得られるように、ドーパント同士が混合されていなければならない。２種以上の材料を同時に共蒸発させて制御比を一定に維持することは困難である。これらの輻射線転写型デバイスから得られる放出の効率を高める必要もある。
【０００８】
【特許文献１】
米国特許第３１８０７３０号明細書
【特許文献２】
米国特許第３５６７４５０号明細書
【特許文献３】
米国特許第３６５８５２０号明細書
【特許文献４】
米国特許第４３５６４２９号明細書
【特許文献５】
米国特許第４５３９５０７号明細書
【特許文献６】
米国特許第４７２０４３２号明細書
【特許文献７】
米国特許第４７６８２９２号明細書
【特許文献８】
米国特許第４７６９２９２号明細書
【特許文献９】
米国特許第４８８５２２１号明細書
【特許文献１０】
米国特許第５０５９８６１号明細書
【特許文献１１】
米国特許第５０５９８６２号明細書
【特許文献１２】
米国特許第５０６１５６９号明細書
【特許文献１３】
米国特許第５１４１６７１号明細書
【特許文献１４】
米国特許第５１５０００６号明細書
【特許文献１５】
米国特許第５１５１６２９号明細書
【特許文献１６】
米国特許第５２９４８７０号明細書
【特許文献１７】
米国特許第５４０５７０９号明細書
【特許文献１８】
米国特許第５４８４９２２号明細書
【特許文献１９】
米国特許第５５７８４１６号明細書
【特許文献２０】
米国特許第５５９３７８８号明細書
【特許文献２１】
米国特許第５６４５９４８号明細書
【特許文献２２】
米国特許第５６７７５７２号明細書
【特許文献２３】
米国特許第５６８３８２３号明細書
【特許文献２４】
米国特許第５６８８５５１号明細書
【特許文献２５】
米国特許第５７４２１２９号明細書
【特許文献２６】
米国特許第５７５５９９９号明細書
【特許文献２７】
米国特許第５７７６６２３号明細書
【特許文献２８】
米国特許第５８５１７０９号明細書
【特許文献２９】
米国特許第５９２８８０２号明細書
【特許文献３０】
米国特許第５９３５７２０号明細書
【特許文献３１】
米国特許第５９３５７２１号明細書
【特許文献３２】
米国特許第６０２００７８号明細書
【特許文献３３】
米国特許第６１１４０８８号明細書
【特許文献３４】
米国特許第６１４０００９号明細書
【特許文献３５】
米国特許第６１４０７６３号明細書
【特許文献３６】
米国特許第６１９４１１９号明細書
【特許文献３７】
米国特許第６２０８０７５号明細書
【特許文献３８】
米国特許第６２１４５２０号明細書
【特許文献３９】
米国特許第６２２１５５３号明細書
【特許文献４０】
国際公開第９８／５５５６１号パンフレット
【特許文献４１】
国際公開第００／１８８５１号パンフレット
【特許文献４２】
国際公開第００／５７６７６号パンフレット
【特許文献４３】
国際公開第００／７０６５５号パンフレット
【特許文献４４】
欧州特許出願公開第０７３２８６８号明細書
【特許文献４５】
欧州特許出願公開第０８９１１２１号明細書
【特許文献４６】
欧州特許出願公開第１００９０４１号明細書
【特許文献４７】
欧州特許出願公開第１０２９９０９号明細書
【非特許文献１】
Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ　ａｎｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ，　Ｖｏｌｓ．　１−４，　Ｈ．Ｓ．Ｎａｌｗａ，　ｅｄ．，　Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　ａｎｄ　Ｓｏｎｓ，　Ｃｈｉｃｈｅｓｔｅｒ　（１９７７）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ドナー製造のため、ドーパント／ホスト比率の良好な制御を可能にすることである。さらに、本発明の使用により製造されるデバイスに良好な色及び効率を付与することも本発明の目的である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、有機発光ダイオードデバイス製造用のドナー要素であって、
ａ）　ドナー支持体要素；
ｂ）　該ドナー支持体要素の上に配置された、光に応答して発熱する吸光層；
ｃ）　該吸光層の上に配置されたホスト材料層；並びに
ｄ）　該ホスト材料層の上に配置されたドーパント層であって、該ドナー要素を該有機発光ダイオードデバイスと転写関係をなすように配置して該吸光層が光を吸収した時に該吸光層から該ホスト材料及びドーパント材料の気化転写を引き起こす熱が発生することにより該有機発光ダイオードデバイスにおいて少なくとも部分的な混合を引き起こすように配置されたドーパント層
を含んで成るドナー要素によって達成される。
【００１１】
レーザー感熱ＯＬＥＤ転写用のドナーであって、吸収体／基板の上の当該ホストとは別の独立した層に当該ドーパントを有するものが構築される。各層は、それ自体別個に使用したならば、デバイス完成体において非作用層となる。転写の際に当該ドーパントが十分に混合されて活性化されることにより、単一の作用層（発光層）においてクリーンで効率的な色を発生させることができる。このため、ドナーを混合層ではなく複数層として製造することができ、製造が簡略化される。
【００１２】
ドーパントとホストの絶対被覆量（ｌａｙｄｏｗｎ）を独立に、かつ、蒸着速度とは無関係に、制御することができるので、ドナー材料の製造が容易かつ簡便になる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
デバイスの構成要素の寸法、例えば層の厚さは、マイクロメートル以下の領域にある場合が多く、このため、図面の拡大割合は、寸法的な正確さよりも、むしろ見やすさを優先してなされていることに留意されたい。
【００１４】
用語「ディスプレイ」又は「ディスプレイパネル」は、ビデオ画像又はテキストを電子的に表示することができるスクリーンをさす。用語「画素」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、ディスプレイパネルの一領域であって、他の領域とは独立に発光するように刺激され得る領域をさす。用語「ＯＬＥＤ」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、有機発光ダイオードを画素として含む表示装置をさす。カラーＯＬＥＤデバイスは、少なくとも２色の光を発する。用語「多色」は、異なる領域で異なる色相の光を発することができるディスプレイパネルをさし、具体的には、異なる色の画像を表示することができるディスプレイパネルをさす。これらの領域は必ずしも隣接しなくてもよい。用語「フルカラー」は、可視スペクトルの赤、緑及び青の各色域で発光し、任意の組合せの色相で画像を表示することができる多色ディスプレイパネルをさす。赤、緑及び青の各色は三原色を構成し、この三原色を適宜混合することにより他のすべての色を発生させることができる。用語「色相」は、可視スペクトル内の発光強度プロファイルをさし、異なる色相は視覚的に識別できる色差を示す。画素又は二次画素とは、一般に、ディスプレイパネルにおいてアドレス可能な最小単位をさす。モノクロディスプレイの場合、画素又は二次画素の間に区別はない。用語「二次画素」は、多色ディスプレイパネルにおいて使用され、特定の色を発光するために独立にアドレスすることができる画素の部分をさす。例えば、青色二次画素は、青光を発するためにアドレスすることができる画素の当該部分である。フルカラーディスプレイの場合、一つの画素が、三原色の二次画素、すなわち青、緑及び赤で構成されることが一般的である。用語「ピッチ」は、ディスプレイパネルにおける２つの画素又は二次画素を隔てる距離をさす。したがって、二次画素ピッチは、２つの二次画素間の分離を意味する。
【００１５】
図１（ａ）に、ドナー１０の構造の一態様を横断面図にて示す。ドナー１０は、最低限、軟質のドナー支持体要素１４を含み、それがドナー要素１０の非転写面３２を構成する。ドナー支持体要素１４は、少なくとも以下の要件を満たす数種の材料のいずれでできていてもよい。ドナー支持体要素１４は、片面が加圧された状態での光熱誘導式転写工程に際して、また水蒸気のような揮発性成分を除去するために企図されるいかなる予備加熱工程に際しても、構造的団結性を維持できることが必要である。さらに、ドナー支持体要素１４は、片面上に比較的薄い有機ドナー材料のコーティングを受容し、このコーティングを、被覆された支持体の予想される保存期間内に劣化させることなく保持することができる必要もある。これらの要件を満たす支持体材料の例として、金属箔、当該支持体上のコーティングの転写性有機ドナー材料を転写させるために予測される支持体温度値よりも高いガラス転移温度を示す特定のプラスチック箔、及び繊維強化プラスチック箔が挙げられる。好適な支持体材料の選定は既知の工学的手法によることができるが、本発明の実施に有用なドナー支持体として構成されるときに、選ばれた支持体材料の特定の側面がさらなる検討に値することが認識されている。例えば、当該支持体が、転写性有機材料による予備コーティングの前に、多段階洗浄及び表面調製工程を必要とすることもあり得る。当該支持体材料が輻射線透過性材料である場合には、当該支持体の内部又は表面に輻射線吸収材料を含めると、適当なフラッシュランプからの輻射線フラッシュ又は適当なレーザーからのレーザー光を使用する時の当該ドナー支持体の加熱効果が高くなり、これに応じて転写性有機ドナー材料の当該支持体から基板への転写性が向上することとなり有利となり得る。
【００１６】
ドナー支持体要素１４の上に吸光層１６が配置される。吸光層１６は、ドナー支持体１４の上に直接配置されてもよいし、これらの間に層が介在していてもよい。吸光層１６は、スペクトルの所定の部分の光を吸収することができ、かつ、そのような光に応答して発熱することができる。吸光層１６は、米国特許第５５７８４１６号明細書に記載されている色素のような色素、カーボンのような顔料又はニッケル、クロム、チタン、等のような金属を含むことができる。
【００１７】
ドナー要素１０は、さらに、ホスト材料層１８にホスト材料を含む。ホスト材料層１８は、吸光層１６の上に直接配置されてもよいし、これらの間に層が介在していてもよい。ホスト材料は、正孔輸送性材料又は電子輸送性材料を含むことができる。ＯＬＥＤデバイスにおいて、ホスト材料は、ドーパント材料を希釈することにより自己消光（ｓｅｌｆ−ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）を防止する働きをする。ホストは、ドーパントの発光特性を変化させることにより種々の色相を達成することもできる。
【００１８】
ホスト材料として有用な正孔輸送性材料は、芳香族第三アミンのような化合物を含むことがよく知られている。芳香族第三アミンとは、その少なくとも一つが芳香族環の環員である炭素原子にのみ結合している３価窒素原子を１個以上含有する化合物であると解される。一つの形態として、芳香族第三アミンはアリールアミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであることができる。トリアリールアミン単量体の例が、米国特許第３１８０７３０号（Ｋｌｕｐｆｅｌら）に示されている。１以上のビニル基で置換された、及び／又は少なくとも一つの活性水素含有基を含む、その他の好適なトリアリールアミンが、米国特許第３５６７４５０号及び同第３６５８５２０号（Ｂｒａｎｔｌｅｙら）に記載されている。
【００１９】
より好ましい種類の芳香族第三アミンは、米国特許第４７２０４３２号及び同第５０６１５６９号に記載されているような芳香族第三アミン部分を２個以上含有するものである。このような化合物には、下記構造式（Ａ）で表わされるものが含まれる。
【００２０】
【化１】
2004071550.tif 000003
【００２１】
上式中、Ｑ１及びＱ２は各々独立に選ばれた芳香族第三アミン部分であり、そしてＧは、アリーレン、シクロアルキレン又は炭素−炭素結合のアルキレン基のような結合基である。一つの実施態様において、Ｑ１及びＱ２の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）を含有する。Ｇがアリール基である場合、それはフェニレン部分、ビフェニレン部分又はナフタレン部分であることが便利である。
構造式（Ａ）を満たし、かつ、２つのトリアリールアミン部分を含有する有用な種類のトリアリールアミンは、下記構造式（Ｂ）で表わされる。
【００２２】
【化２】
2004071550.tif 000004
【００２３】
上式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子、アリール基もしくはアルキル基を表わすか、又は、Ｒ１及びＲ２は一緒にシクロアルキル基を完成する原子群を表わし、そして
Ｒ３及びＲ４は、各々独立に、アリール基であってそれ自体が下記構造式（Ｃ）で示されるようなジアリール置換型アミノ基で置換されているものを表わす。
【００２４】
【化３】
2004071550.tif 000005
【００２５】
上式中、Ｒ５及びＲ６は各々独立に選ばれたアリール基である。一つの実施態様において、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方は、多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）を含有する。
別の種類の芳香族第三アミンはテトラアリールジアミンである。望ましいテトラアリールジアミンは、構造式（Ｃ）で示したようなジアリールアミノ基を２個含む。有用なテトラアリールジアミンには、下記構造式（Ｄ）で表わされるものが含まれる。
【００２６】
【化４】
2004071550.tif 000006
【００２７】
上式中、Ａｒｅは各々独立に選ばれたアリーレン基、例えば、フェニレン又はアントラセン部分であり、
ｎは１〜４の整数であり、そして
Ａｒ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は各々独立に選ばれたアリール基である。
典型的な実施態様では、Ａｒ、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９の少なくとも一つが多環式縮合環構造体（例、ナフタレン）である。
【００２８】
上記構造式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の各種アルキル、アルキレン、アリール及びアリーレン部分も、各々それ自体が置換されていてもよい。典型的な置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、並びにフッ化物、塩化物及び臭化物のようなハロゲンが挙げられる。各種アルキル及びアルキレン部分は、典型的には約１〜６個の炭素原子を含有する。シクロアルキル部分は３〜約１０個の炭素原子を含有し得るが、典型的には、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロヘプチルの環構造体のように、５個、６個又は７個の環炭素原子を含有する。アリール部分及びアリーレン部分は、通常はフェニル部分及びフェニレン部分である。
【００２９】
正孔輸送層は、芳香族第三アミン化合物の単体又は混合物で形成することができる。具体的には、構造式（Ｂ）を満たすトリアリールアミンのようなトリアリールアミンを、構造式（Ｄ）が示すようなテトラアリールジアミンと組み合わせて使用することができる。トリアリールアミンをテトラアリールジアミンと組み合わせて使用する場合、後者を、トリアリールアミンと電子注入及び輸送層との間に挿入された層として配置する。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン
１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン
４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリフェニル
ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニルメタン
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン
４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミノ）−スチリル］スチルベン
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル
Ｎ−フェニルカルバゾール
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）
Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフタレニル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４”−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（３−アセナフテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン
４，４’−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４”−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（８−フルオルアンテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフタセニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン
２，６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン
２，６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（２−ナフチル）−４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニル
４，４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）−フェニル］アミノ｝ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミノ］ビフェニル
２，６−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミン］フルオレン
１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン
【００３０】
別の種類の有用な正孔輸送性材料として、欧州特許第１００９０４１号に記載されているような多環式芳香族化合物が挙げられる。さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも呼ばれているポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）のようなコポリマー、といった高分子正孔輸送性材料を使用することもできる。
【００３１】
ホスト材料として有用な電子輸送性材料には、８−ヒドロキシキノリン及び類似の誘導体の金属錯体（下記構造式Ｅ）が含まれ、これは、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、５００　ｎｍよりも長い波長の光（例、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００３２】
【化５】
2004071550.tif 000007
【００３３】
上式中、Ｍは金属を表わし、ｎは１〜３の整数であり、そしてＺは、各々独立に、縮合芳香族環を２個以上有する核を完成する原子群を表わす。
上記より、当該金属は１価、２価又は３価になり得ることが明白である。当該金属は、例えば、リチウム、ナトリウムもしくはカリウムのようなアルカリ金属、マグネシウムもしくはカルシウムのようなアルカリ土類金属、又はホウ素もしくはアルミニウムのような土類金属であることができる。一般に、有用なキレート化金属であることが知られているものであれば、１価、２価又は３価のいずれの金属でも使用することができる。
【００３４】
Ｚは、その少なくとも一つがアゾール環又はアジン環である２個以上の縮合芳香族環を含有する複素環式核を完成する。必要であれば、当該２個の必須環に、脂肪族環及び芳香族環の双方を含む追加の環を縮合させてもよい。分子の嵩高さが機能向上を伴うことなく増大することを避けるため、通常は環原子の数を１８以下に維持する。
【００３５】
以下、有用なキレート化オキシノイド系化合物の例を示す。
ＣＯ−１：アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）〕
ＣＯ−２：マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム（ＩＩ）〕
ＣＯ−３：ビス［ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト］亜鉛（ＩＩ）
ＣＯ−４：ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
ＣＯ−５：インジウムトリスオキシン〔別名、トリス（８−キノリノラト）インジウム〕
ＣＯ−６：アルミニウムトリス（５−メチルオキシン）〔別名、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）〕
ＣＯ−７：リチウムオキシン〔別名、（８−キノリノラト）リチウム（Ｉ）〕
【００３６】
９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセンの誘導体（下記構造式Ｆ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、４００　ｎｍよりも長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００３７】
【化６】
2004071550.tif 000008
【００３８】
上式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、各環上の１又は２以上の置換基であってそれぞれ下記のグループから独立に選ばれるものを表わす。
第１グループ：水素、又は炭素原子数１〜２４のアルキル；
第２グループ：炭素原子数５〜２０のアリール又は置換アリール；
第３グループ：アントラセニル、ピレニルまたはペリレニルの縮合芳香族環の完成に必要な４〜２４個の炭素原子；
第４グループ：フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系の縮合芳香族環の完成に必要な炭素原子数５〜２４のヘテロアリール又は置換ヘテロアリール；
第５グループ：炭素原子数１〜２４のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ；及び
第６グループ：フッ素、塩素、臭素又はシアノ
【００３９】
ベンズアゾール誘導体（下記構造式Ｇ）は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、４００　ｎｍよりも長い波長の光（例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色）を放出させるのに適している。
【００４０】
【化７】
2004071550.tif 000009
【００４１】
上式中、ｎは３〜８の整数であり、
ＺはＯ、ＮＲ又はＳであり、
Ｒ’は、水素、炭素原子数１〜２４のアルキル（例えば、プロピル、ｔ−ブチル、ヘプチル、等）、炭素原子数５〜２０のアリールもしくはヘテロ原子置換型アリール（例えば、フェニル及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系）、ハロ（例、クロロ、フルオロ）、又は縮合芳香族環の完成に必要な原子群、であり、
Ｌは、アルキル、アリール、置換アルキル又は置換アリールからなる結合ユニットであって、当該複数のベンズアゾール同士を共役的又は非共役的に連結させるものである。
有用なベンズアゾールの一例として２，２’，２”−（１，３，５−フェニレン）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］が挙げられる。
【００４２】
望ましい蛍光性ドーパントには、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチアピリリウムの各化合物の誘導体並びにカルボスチリル化合物が包含される。以下、有用なドーパントの具体例を挙げるが、これらに限定はされない。
【００４３】
【化８】
2004071550.tif 000010
【化９】
2004071550.tif 000011
【化１０】
2004071550.tif 000012
【化１１】
2004071550.tif 000013
【００４４】
その他の有機発光性材料として、高分子物質、例えば、譲受人共通の米国特許第６１９４１１９号Ｂ１（Ｗｏｌｋら）及びその中の文献に記載されているポリフェニレンビニレン誘導体、ジアルコキシ−ポリフェニレンビニレン、ポリ−パラ−フェニレン誘導体及びポリフルオレン誘導体、を使用することもできる。
【００４５】
別の態様では、ホスト材料層１８が２種以上のホスト材料を含むこともできる。別法として、追加のホスト材料が、ホスト材料層１８の上に配置された別の層を構成することもできる。
【００４６】
ドナー要素１０は、さらに、ドーパント層２０を含むが、これはホスト材料層１８の上を被覆する層であり、そして１又は２種以上のドーパント材料を含む。ドーパント層２０は、ホスト材料層１８の上に介在する層の上に配置されてもよいし、ホスト材料層１８の上に直接配置されてもよい。ドーパント層２０がホスト材料層１８の上に直接配置される場合、両者の間に界面２１が形成される。このように、ドナー支持体要素１４が非転写面３２を構成し、そしてドーパント層２０がドナー要素１０の転写面３４を構成する。ドーパント層２０は、ホスト材料層１８の厚さの０．０１％〜１０％に相当する厚さを有することが好ましい。ホスト材料層１８の厚さは２．５ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。ドーパント材料は、通常は高蛍光性色素の中から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第９８／５５５６１号、同第００／１８８５１号、同第００／５７６７６号及び同第００／７０６５５号に記載されているような遷移金属錯体も有用である。ドーパント材料は、ホスト材料に対して０．０１〜１０質量％の範囲内で塗布されることが典型的である。
【００４７】
ドーパントとしての色素を選定するための重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道との間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポテンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へのエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さいことが必須条件となる。有用性が知られているホスト及び発光性分子として、米国特許第４７６９２９２号、同第５１４１６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９号、同第５２９４８７０号、同第５４０５７０９号、同第５４８４９２２号、同第５５９３７８８号、同第５６４５９４８号、同第５６８３８２３号、同第５７５５９９９号、同第５９２８８０２号、同第５９３５７２０号、同第５９３５７２１号及び同第６０２００７８号に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００４８】
図１（ｂ）に、ドナー要素１２の構造の別の態様を横断面図で示す。この態様では、ドナー支持体要素１４が、最初に、スペクトルの所定の部分の輻射線を吸収して発熱することができる輻射線吸収性パターン化層２２で被覆され、次いで、ホスト材料層１８で被覆され、最後に、ドーパント層２０で被覆されている。この場合、ドナー支持体要素１４が非転写面３２を構成し、そしてドーパント層２０が転写面３４を構成する。輻射線吸収性パターン化層２２は、スペクトルの所定の部分の輻射線を吸収して発熱することができる輻射線吸収性材料を含む。
【００４９】
図２（ａ）に、１つの光処理法でドナー要素１０から基板３６の一部へ有機材料３０を気化転写する方法の横断面図を示す。本明細書中、気化転写とは、昇華、アブレーション、揮発その他のプロセスであってこれにより材料が間隙を横断して転写されるものようなすべての機構として定義される。基板３６は、ドナーから発光材料を受容する表面を提供する有機固体、無機固体又は有機固体と無機固体の混合物であることができ、また、硬質であっても軟質であってもよい。典型的な基板材料として、ガラス、プラスチック、金属、セラミック、半導体、金属酸化物、半導体酸化物、半導体窒化物又はこれらの組合せが挙げられる。基板３６は、材料の均質混合物、材料の複合材、又は材料の多層であることができる。基板３６は、ＯＬＥＤ基板、すなわちＯＬＥＤデバイス製造用の一般的な基板、例えば、アクティブ型低温ポリシリコンＴＦＴ基板であることができる。基板３６は、所期の発光方向に依存して、透光性又は不透明であることができる。当該基板を通してＥＬ発光を観察する場合には、透光性が望まれる。このような場合には、一般に、透明なガラス又はプラスチックが用いられる。上部電極を通してＥＬ発光を観察する用途の場合には、底部支持体の透過性は問題とならないので、透光性であっても、吸光性であっても、また光反射性であってもよい。このような場合に用いられる基板として、ガラス、プラスチック、半導体材料、セラミックス、回路基板材料その他のＯＬＥＤデバイス（パッシブ型又はアクティブ型のいずれでもよい）の形成に汎用されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。本工程の前に、基板３６に他の層を被覆してもよい。
【００５０】
この態様では、ドナー要素１０は吸光層１６を具備して調製されている。吸光層１６は、ＯＬＥＤデバイスとなり得る基板３６と転写関係をなすように配置される。転写関係とは、ドナー要素１０を基板３６に接触するように配置すること、又はドナー要素１０と基板３６との間に一定の間隔を維持しながら両者を保持することを意味する。この態様では、ドナー要素１０は基板３６に接触した状態にあり、そして薄膜トランジスタ４０と介在する隆起表面部分４２との構造により間隙４４が維持されている。
【００５１】
レーザー源４９が提供するレーザー光４８のパターンが、ドナー要素１０の非転写面３２を照明する。レーザー源４９は、例えば、本明細書に記載した転写を引き起こすに十分な熱を発生させるのに十分な出力を有する赤外レーザーであることができる。レーザー光４８が吸光層１６に当たると熱５０が発生する。このため、レーザー光４８の近傍にある有機材料３０が加熱される。明瞭化のため、有機材料３０は単一層として図示されているが、それが本明細書に記載した多層コーティング、例えばホスト材料層１８の上に配置されたドーパント層２０、を代表していることを理解されたい。この態様では、ドナー要素１０に当たる光の大部分が熱に変換されるが、これは、ドナー要素１０の選択的に照射された部分においてのみ起こることである。光４８は吸光層１６に吸収され、熱５０が発生する。有機材料３０の加熱された部分の一部又は全部が昇華し、気化し又はアブレートされ、そして基板３６の受容面４６の上に転写された有機材料５２となり、パターン化転写をなす。このため、有機材料３０の各種層を構成するホスト材料及びドーパント材料の気化転写が起こる。ホスト材料とドーパント材料とが吸光層１６から転写される時に、両者は少なくとも部分的な混合を経て、ＯＬＥＤデバイスにおける転写有機材料５２となる。
【００５２】
図２（ｂ）に、別の光処理法により、ドナー要素１２から、ＯＬＥＤ基板となり得る基板３８の一部に有機材料３０を転写する方法の横断面図を示す。この態様では、ドナー要素１２は、パターン化層をなす輻射線吸収性材料２２を具備して調製されている。ドナー要素１２は、基板３８と転写関係をなすように、かつ、基板３８から間隙５４により一定の間隔を置いて配置される。フラッシュ光５６が非転写面３２を照射する。フラッシュ光５６が輻射線吸収性材料２２に当たると熱５０が発生する。このため、パターン化層をなしている輻射線吸収性材料２２の近傍にある有機材料３０が加熱される。明瞭化のため、有機材料３０は単一層として図示されているが、それが本明細書に記載した多層コーティング、例えばホスト材料層１８の上に配置されたドーパント層２０、を代表していることを理解されたい。この態様では、ドナー要素１２に当たる光の一部（すなわち、輻射線吸収性材料２２に直接当たる光）のみが熱に変換される。有機材料３０の加熱された部分の一部又は全部が昇華し、気化し又はアブレートされ、そして基板３８の受容面４６の上に転写された有機材料５２となり、パターン化転写をなす。
【００５３】
このプロセスは、ドナー要素１２と基板３８との間の間隙５４に減圧雰囲気を設けるような方式で行うことができる。減圧雰囲気とは、１トル以下の圧力を意味する。そのような圧力下では、平均自由行程、すなわち気体分子が他の気体分子と衝突する間に移動する平均距離、がドナー要素１２と基板３８との間の間隙よりも大きくなる。このことは、間隙５４を横断する材料が何らかの残留気体と衝突する確率が低くなることを意味する。
【００５４】
図３に、ドーパント材料とホスト材料が気化転写を経て基板上に堆積される時にドーパント材料がホスト材料中に混入される様子を横断面図で示す。ホスト材料層１８とドーパント層２０が転写されて基板上に堆積され、転写後のホスト材料層７２、転写後のドーパント層７６及び混合層７４が形成される。混合層７４は、ドーパント材料とホスト材料との界面２１におけるドーパント層２０及びホスト材料１８から形成される。ドーパント材料とホスト材料との混合は、部分混合であっても完全混合であってもよい。
【００５５】
図４に、ＯＬＥＤデバイスの発光部分の構造の一例を横断面図で示す。ＯＬＥＤデバイス５８は基板３６の上に形成されている。基板３６は、重要な領域において、アノード層６０で被覆されている。導電性アノード層は基板上に形成され、そしてＥＬ発光を当該アノードを介して観察する場合には、当該発光に対して透明又は実質的に透明であることが必要である。本発明に用いられる一般的な透明アノード材料はインジウム錫酸化物及び酸化錫であるが、例示としてアルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用することができる。これらの酸化物の他、アノード材料として、窒化ガリウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を使用することもできる。ＥＬ発光を上部電極を介して観察する用途の場合には、アノード材料の透過性は問題とならず、透明、不透明又は反射性を問わずいずれの導電性材料でも使用することができる。このような用途向けの導体の例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。典型的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくても、４．１　ｅＶ以上の仕事関数を有する。望ましいアノード材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法又は電気化学法のような適当な手段のいずれによっても付着することができる。アノードは、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。
【００５６】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、正孔注入層６２を含むことができる。常に必要であるものではないが、有機発光ディスプレイに正孔注入層を設けることが有用となる場合が多い。正孔注入層は、後続の有機層の薄膜形成特性を改良し、かつ、正孔を正孔輸送層に注入し易くするように機能し得る。正孔注入層に使用するのに適した材料として、米国特許第４７２０４３２号に記載されているようなポルフィリン系化合物や、米国特許第６２０８０７５号に記載されているようなプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマーが挙げられるが、これらに限定はされない。有機ＥＬデバイスにおいて有用であることが報告されている別の正孔注入性材料が、欧州特許出願公開第０８９１１２１号Ａ１及び同第１０２９９０９号Ａ１に記載されている。
【００５７】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、正孔輸送層６４を含む。正孔輸送層６４は、上述した正孔輸送性材料のいずれでも含むことができる。望ましい正孔輸送性材料は、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法又は電気化学法のような適当な手段のいずれによっても付着することができる。正孔輸送性材料は、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。
【００５８】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、本発明の技法により堆積させることができる発光層６６を含む。有用な発光性有機材料は周知である。米国特許第４７６９２９２号及び同第５９３５７２１号に詳述されているように、有機ＥＬ要素の発光層（ＬＥＬ）は発光材料又は蛍光材料を含み、その領域において電子−正孔対が再結合する結果として電場発光が生じる。発光層は、単一材料で構成することもできるが、より一般的には、ホスト材料に単一又は複数種のゲスト化合物をドーピングしてなり、そこで主として当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限はない。発光層に含まれるホスト材料は、上述した電子輸送性材料、上述した正孔輸送性材料、又は正孔−電子再結合を支援する別の材料、であることができる。ホスト材料に含まれるドーパント材料は上述したとおりである。
【００５９】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、電子輸送層６８を含む。望ましい電子輸送性材料は、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長（ＣＶＤ）法又は電気化学法のような適当な手段のいずれによっても付着することができる。電子輸送性材料は、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。本発明の有機ＥＬデバイスに使用するのに好ましい電子輸送性材料は、オキシン（通称８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）それ自体のキレートをはじめとする金属キレート化オキシノイド系化合物である。このような化合物は、電子の注入及び輸送を助長し、しかも高い性能レベルを示すと共に、薄膜への加工が容易である。企図されるオキシノイド系化合物の例は、既述の構造式（Ｅ）を満たす化合物である。
【００６０】
その他の電子輸送性材料として、米国特許第４３５６４２９号に記載されている各種ブタジエン誘導体、及び米国特許第４５３９５０７に記載されている各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。既述の構造式（Ｇ）を満たすベンズアゾールも有用な電子輸送性材料となる。
【００６１】
その他の電子輸送性材料として、高分子物質、例えば、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ−パラ−フェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン、ポリアセチレンその他の導電性高分子有機材料、例えば、Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ　ａｎｄ　Ｐｏｌｙｍｅｒｓ、第１〜４巻、Ｎａｌｗａ編、Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ　ａｎｄ　Ｓｏｎｓ，Ｃｈｉｃｈｅｓｔｅｒ　（１９９７）に記載されているもの、を使用することもできる。
【００６２】
ＯＬＥＤデバイス５８は、さらに、カソード７０を含む。アノードを介して発光させる場合には、カソード材料は、ほとんどすべての導電性材料を含んでなることができる。望ましい材料は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよう良好なフィルム形成性を示し、低電圧での電子注入を促進し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード材料は、低仕事関数金属（＜４．０ｅＶ）又は合金を含むことが多い。好適なカソード材料の１種に、米国特許第４８８５２２１号明細書に記載されているＭｇ：Ａｇ合金（銀含有率１〜２０％）を含むものがある。別の好適な種類のカソード材料として、低仕事関数金属又は金属塩の薄層に、これより厚い導電性金属の層をキャップしてなる二層形が挙げられる。このようなカソードの一つに、米国特許第５６７７５７２号明細書に記載されている、ＬｉＦ薄層にこれより厚いＡｌ層を載せてなるものがある。その他の有用なカソード材料として、米国特許第５０５９８６１号、同第５０５９８６２号及び同第６１４０７６３号明細書に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
【００６３】
カソードを介して発光を観察する場合には、当該カソードは透明又はほぼ透明でなければならない。このような用途の場合、金属が薄くなければならないか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合せを使用しなければならない。米国特許第５７７６６２３号明細書に透光性カソードが詳述されている。カソード材料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法により付着させることができる。必要な場合には、例えば、マスク介在蒸着法、米国特許第５２７６３８０号及び欧州特許出願公開第０７３２８６８号明細書に記載の一体型シャドーマスク法、レーザーアブレーション法及び選択的化学的気相成長法をはじめとする多くの周知の方法により、パターンを形成させてもよい。
【００６４】
図２を参照しながら図５について説明する。図５に、本発明により処理された後の基板８２の平面図を示す。有機材料３０の所定の部分が基板３６に転写されて転写パターン８０をなしている。転写パターン８０は処理後基板８２の最終用途に合致するように形成される（例えば、転写パターン８０は、基板３６上の薄膜トランジスタの存在位置に転写されたＯＬＥＤ発光材料のものとなる）。転写パターン８０は、それを調製するのに用いた方法を反映する（例えば、図２（ｂ）のパターン化層をなす輻射線吸収性材料２２又は図２（ａ）のレーザー光４８の照射パターン）。
【００６５】
【実施例】
本発明とその利点を以下の実施例で説明する。
ドナー要素例１
本発明の要件を満たすドナー要素を以下のように構築した。
１）高さ約２μｍのマイルドなテキスチャを有する厚さ１２５μｍのポリイミド系ドナー支持体の上に、厚さ３０ｎｍのクロムからなる吸収層を真空蒸着した。
２）そのクロム層の上に、厚さ２０ｎｍの２−ｔ−ブチル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）からなる層を真空蒸着し、次いで、厚さ０．２５ｎｍのテトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）からなる第２層を真空蒸着した。
【００６６】
ＯＬＥＤデバイス例１
本発明の要件を満たすＯＬＥＤデバイスを以下のように構築した。
１）清浄なガラスＯＬＥＤ基板の上に、マスクを介してインジウム錫酸化物を真空蒸着させて厚さ４０〜８０ｎｍの透明電極のパターンを形成した。
２）得られた表面にプラズマ酸素エッチング処理を施し、次いで厚さ〜０．１ｎｍのＣＦｘをプラズマ蒸着した。
３）その表面の上に、厚さ１７０ｎｍのＮＰＢからなる正孔輸送層を真空蒸着した。
４）ドナー要素例１で調製したドナー要素を、該ＮＰＢ層の上に配置し、そして真空を適用して密接した状態で保持した。ドナー基板のテキスチャによって、約１μｍの小さな間隙が維持された。ＯＬＥＤ基板の発光させたい領域において、赤外レーザー光線をポリイミド基板を通して照射することにより、ドナー要素から発光材料を転写させた。レーザー光線の大きさは、強度点１／ｅ２に対して約２３μｍ×８０μｍとした。レーザー光線は、該光線の長手寸法に対して直交する方向において走査した。保持時間は、エネルギー密度０．６８Ｊ／ｃｍ２につき２９マイクロ秒とした。
５）その発光層の上に、厚さ３５ｎｍのトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡＬＱ）からなる電子輸送層を真空蒸着した。
６）その電子輸送層の上に、厚さ２０ｎｍの銀と厚さ２００ｎｍのマグネシウムを同時に真空蒸着して電極を形成した。
【００６７】
ドナー要素例２
第２工程において、クロム層の上に、厚さ２０ｎｍのＴＢＡＤＮと厚さ０．２５ｎｍのＴＢＰとを同時に真空蒸着して混合型ドナーを形成したことを除き、ドナー要素例１に記載したように比較例のドナー要素を構築した。
【００６８】
ＯＬＥＤデバイス例２
第４工程において、ドナー要素例２で調製したドナー要素を使用したことを除き、ＯＬＥＤデバイス例１に記載したように比較例のＯＬＥＤデバイスを構築した。
【００６９】
ＯＬＥＤデバイス例３
第４工程を以下のように実施したことを除き、ＯＬＥＤデバイス例１に記載したように比較例のＯＬＥＤデバイスを構築した。
４）ＮＰＢ層の上に厚さ０．２５ｎｍのＴＢＰからなる層を真空蒸着し、次いで厚さ２０ｎｍのＴＢＡＤＮからなる第２層を真空蒸着した。
【００７０】
ＯＬＥＤデバイス例４
第４工程において、ＮＰＢ層の上に、厚さ２０ｎｍのＴＢＡＤＮと厚さ０．２５ｎｍのＴＢＰとを同時に真空蒸着して混合層を形成したことを除き、ＯＬＥＤデバイス例３に記載したように比較例のＯＬＥＤデバイスを構築した。
【００７１】
デバイスの試験は、構築したＯＬＥＤデバイスに一定電流を流してその光出力をモニターすることからなるものとした。発光スペクトルにおいてＴＢＰ由来の特徴的な３本ピーク発光を観測することにより青色ドーパントの放出を検出した。その最強ピークは約４６４ｎｍに位置する。ＴＢＡＤＮの放出は、４５６ｎｍにおける単一ピークであり、〜ＣＩＥ（０．１６，　０．１２）である。結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
2004071550.tif 000014
【００７３】
ドナー要素例３
第２工程を以下のように実施したことを除き、ドナー要素例１に記載したように本発明の要件を満たすドナー要素を構築した。
２）そのクロム層の上に、厚さ２０ｎｍのＡＬＱからなる層を真空蒸着し、次いで、厚さ０．４ｎｍの４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）からなる第２層を真空蒸着した。
【００７４】
ＯＬＥＤデバイス例５
第４工程において、ドナー要素例３で調製したドナー要素を使用し、そしてドナー要素とＯＬＥＤ基板との間に金属製シムスペーサを使用して７５μｍの間隙を維持したことを除き、ＯＬＥＤデバイス例１に記載したように本発明の要件を満たすＯＬＥＤデバイスを構築した。
【００７５】
ドナー要素例４
第２工程において、クロム層の上に、厚さ２０ｎｍのＡＬＱと厚さ０．４ｎｍのＤＣＪＴＢとを同時に真空蒸着して混合型ドナーを形成したことを除き、ドナー要素例３に記載したように比較例のドナー要素を構築した。
【００７６】
ＯＬＥＤデバイス例６
第４工程において、ドナー要素例４で調製したドナー要素を使用したことを除き、ＯＬＥＤデバイス例５に記載したように比較例のＯＬＥＤデバイスを構築した。
【００７７】
ＯＬＥＤデバイス例７
第４工程を以下のように実施したことを除き、ＯＬＥＤデバイス例１に記載したように比較例のＯＬＥＤデバイスを構築した。
４）ＮＰＢ層の上に厚さ０．４ｎｍのＤＣＪＴＢからなる層を真空蒸着し、次いで厚さ２０ｎｍのＡＬＱからなる第２層を真空蒸着した。
【００７８】
ＯＬＥＤデバイス例８
第４工程において、ＮＰＢ層の上に、厚さ２０ｎｍのＡＬＱと厚さ０．４ｎｍのＤＣＪＴＢとを同時に真空蒸着して混合層を形成したことを除き、ＯＬＥＤデバイス例７に記載したように比較例のＯＬＥＤデバイスを構築した。
【００７９】
デバイスの試験は、構築したＯＬＥＤデバイスに一定電流を流してその光出力をモニターすることからなるものとした。赤色のＤＣＪＴＢドーパントの放出は、ホストＡＬＱの緑色発光から分離したピークとして容易に検出された。結果を表２に示す。
【００８０】
【表２】
2004071550.tif 000015
【００８１】
標準的なＯＬＥＤデバイスにおいてドーパントを独立層として蒸着すると、ドーパントは主放出源として機能せず、放出の大部分又は全部がホストに由来することが明白である（例３、例７）。発光部位として有効利用するためには、ドーパントをホスト中に効果的に混入する必要がある。意外にも、層状ドナーを用いると、輻射線転写時に、良好な色及び効率的な輝度を与えるに十分な混合が起こる。ドーパントを独立層として含むドナーから輻射線転写により付与された転写発光層（例１、例５）は、ドナーから転写された場合（例２、例６）又はＯＬＥＤデバイスに直接蒸着した場合（例４、例８）に関わらず、ホスト材料にドーパントを混入したドナーの場合と同等となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明により製造されたドナー要素の構造の一態様を示す略横断面図である。（ｂ）本発明により製造されたドナー要素の構造の別の態様を示す略横断面図である。
【図２】（ａ）１つの光処理法によりドナーから基板へ有機材料を転写することを示す略横断面図である。（ｂ）別の光処理法によりドナーから基板へ有機材料を転写することを示す略横断面図である。
【図３】ドーパント材料がホスト材料中に混入していく様子を示す略横断面図である。
【図４】一例としてのＯＬＥＤデバイスの構造を示す略横断面図である。
【図５】本発明により製造された基板を示す平面図である。
【符号の説明】
１０…ドナー要素
１４…ドナー支持体要素
１６…吸光層
１８…ホスト材料層
２０…ドーパント層
２１…界面
２２…輻射線吸収性パターン化層
３０…有機材料
３２…非転写面
３４…転写面
３６…基板
４０…薄膜トランジスタ
４２…隆起表面部分
４４…間隙
４６…受容面
４８…レーザー光
４９…レーザー源
５０…熱
５２…転写された有機材料
５４…間隙
５６…フラッシュ光
５８…ＯＬＥＤデバイス
６０…アノード層
６４…正孔輸送層
６６…発光層
６８…電子輸送層
７０…カソード
７２…転写されたホスト材料層
７４…混合層
７６…転写されたドーパント層
８０…転写パターン
８２…処理後基板
【図１】
2004071550.tif 000016
【図２】
2004071550.tif 000017
【図３】
2004071550.tif 000018
【図４】
2004071550.tif 000019
【図５】
2004071550.tif 000020