(57)【要約】　　　（修正有）【課題】相関移動触媒として有用な、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を、短縮された工程で、より高純度かつ高収率で得ることのできる製造方法ならびにその方法に使用される中間体を提供する。【解決手段】Ｎ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法と、この方法に使用される３，３’−置換−２，２’−ビスアルコキシカルボニル−１，１’−ビナフチルとが開示されている。本発明の軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法は、式（Ｉ）：2004131447.tif 000036で表されるビナフチル化合物（代表例Ｘ１＝Ｘ２＝Ｂｒ，Ｒ１＝Ｒ２＝ｉ−Ｐｒ）に、ＡｒＢ（ＯＨ）２　（代表例Ａｒ＝３，５−ジメチルフェニル基）で示される化合物を反応させ、得られた化合物を還元してアルコキシカルボニル基をハロゲノメチル基に置換し、次いで、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンを反応させることを包含する。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2004131447.tif 000026
ここで、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立して、ボロン酸誘導体と反応し得る基であり、かつＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である、
で表される、ビナフチル化合物。
【請求項２】
前記式（Ｉ）で表される化合物が、式（ＩＩ）：
【化２】
2004131447.tif 000027
で示される立体配置を有する、請求項１に記載のビナフチル化合物。
【請求項３】
軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法であって、
式（Ｉ）：
【化３】
2004131447.tif 000028
（ここで、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、ボロン酸誘導体と反応し得る基であり、かつＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表されるビナフチル化合物に、式（ＩＩＩ）：
【化４】
2004131447.tif 000029
（ここで、Ａｒは、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；である）で示される化合物の少なくとも１種を反応させて、アルコキシカルボニル基を有する中間体を得る工程；
該アルコキシカルボニル基を有する中間体のアルコキシカルボニル基をハロゲノメチル基に置換する工程；および
該ハロゲノメチル基を有する中間体を、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンと反応させる工程；
を包含する、方法。
【請求項４】
軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法であって、式（Ｉ’）：
【化５】
2004131447.tif 000030
（ここで、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表されるビナフチル化合物に、式（ＩＩＩ’）：
【化６】
2004131447.tif 000031
（ここで、Ａｒは、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；であり、そしてＸは、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子またはトリフルオロメタンスルホニルオキシである）で示される化合物の少なくとも１種を反応させて、アルコキシカルボニル基を有する中間体を得る工程；
該アルコキシカルボニル基を有する中間体のアルコキシカルボニル基をハロゲノメチル基に置換する工程；および
該ハロゲノメチル基を有する中間体を、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンと反応させる工程；
を包含する、方法。
【請求項５】
式（ＩＶ）：
【化７】
2004131447.tif 000032
ここで、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立して、
ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくは
ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；であり、そして
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である、
で表される、化合物。
【請求項６】
Ａｒ１およびＡｒ２が同一の基である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
前記式（ＩＶ）で表される化合物が、式（ＩＶ−１）：
【化８】
2004131447.tif 000033
で表される立体配置を有する、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
式（Ｖ）：
【化９】
2004131447.tif 000034
ここで、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立して、
ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくは
ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基である、
で表される、化合物。
【請求項９】
Ａｒ１およびＡｒ２が同一の基である、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
前記式（Ｖ）で表される化合物が、式（ＶＩ）：
【化１０】
2004131447.tif 000035
で表される立体配置を有する、請求項９に記載の化合物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、３，３’−置換−２，２’−ビスアルコキシカルボニル−１，１’−ビナフチルおよびそれを用いたＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法に関する。より詳細には、本発明は、有機化合物を立体特異的に合成するために用いられる触媒化合物の原料として重要な、３，３’−置換−２，２’−ビスアルコキシカルボニル−１，１’−ビナフチル、およびこれを用いた相関移動触媒（すなわち、軸不斉Ｎ−スピロ４級アンモニウム塩）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば、医薬品、農薬、または液晶材料の分野に使用される有機化合物（例えば、天然または非天然のアミノ酸およびβ−ヒドロキシケトン化合物、ならびにオリゴペプチドおよびβ−ヒドロキシアミン）を立体特異的に合成するために、いくつかの触媒化合物が使用されている。
【０００３】
このような触媒化合物の一例として、シンコナアルカロイド誘導体を用いることが知られている（非特許文献１）。
【０００４】
しかし、上記触媒化合物を用いて所望の有機化合物を合成する場合、ハロゲン系溶媒を使用する必要があり、かつ不斉収率を向上させるためには低温条件をも必要とする。その結果、反応に長時間を要して、工業的生産性に欠けるという問題があった。さらに、上記触媒化合物は、シンコナアルカロイドを原料として調製されるため、触媒構造を自由に改変して所望の立体選択性を発揮することもしばしば困難であった。
【０００５】
他方、上記問題を克服するために、触媒化合物として、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を用いることが知られている。特開２００１−４８８６６号公報は、２，２’−ジヒドロキシ−１，１’−ビナフチルまたは３，３’−ジブロモ−２，２’−ジヒドロキシ−１，１’−ビナフチルを出発原料として、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を製造し、そして得られた当該光学活性な４級アンモニウム塩を相関移動触媒として使用することを開示している（特許文献１）。
【０００６】
特開２００１−４８８６６号公報に相関移動触媒は、種々のアミノ酸およびヒドロキシケトンを立体配置を制御して合成するために適切な触媒である。しかし、触媒化合物の工業的生産性を高めるためのバリエーションを考慮すれば、特開２００１−４８８６６号公報に記載される製造工程のみが、必ずしも適切な方法であるとは言えない。
【０００７】
【非特許文献１】コーリー，イー．ジェイ．（Ｃｏｒｅｙ，Ｅ．Ｊ．）ら、ジャーナルオブアメリカンケミカルソサイエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆＡｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ），（米国）、１９９７年，第１１９巻，ｐ．１２４１４−１２４１５
【特許文献１】特開２００１−４８８６６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題の解決を課題とするものであり、その目的とするところは、相関移動触媒として有用な、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を、短縮された工程で、より高純度かつ高収率で得ることのできる製造方法ならびにその方法に使用される中間体を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、式（Ｉ）：
【００１０】
【化１１】
2004131447.tif 000002
【００１１】
（ここで、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立して、ボロン酸誘導体と反応し得る基であり、かつＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表される、ビナフチル化合物である。
【００１２】
好ましい実施態様では、上記式（Ｉ）で表される化合物は、式（ＩＩ）：
【００１３】
【化１２】
2004131447.tif 000003
【００１４】
で示される立体配置を有する。
【００１５】
本発明はまた、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法であって、式（Ｉ）：
【００１６】
【化１３】
2004131447.tif 000004
【００１７】
（ここで、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、ボロン酸誘導体と反応し得る基であり、かつＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表されるビナフチル化合物に、式（ＩＩＩ）：
【００１８】
【化１４】
2004131447.tif 000005
【００１９】
（ここで、Ａｒは、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；である）で示される化合物の少なくとも１種を反応させて、アルコキシカルボニル基を有する中間体を得る工程；該アルコキシカルボニル基を有する中間体のアルコキシカルボニル基をハロゲノメチル基に置換する工程；および該ハロゲノメチル基を有する中間体を、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンと反応させる工程；を包含する、方法である。
【００２０】
本発明はまた、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法であって、式（Ｉ’）：
【００２１】
【化１５】
2004131447.tif 000006
【００２２】
（ここで、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表されるビナフチル化合物に、式（ＩＩＩ’）：
【００２３】
【化１６】
2004131447.tif 000007
【００２４】
（ここで、Ａｒは、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；であり、そしてＸは、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子またはトリフルオロメタンスルホニルオキシである）で示される化合物の少なくとも１種を反応させて、アルコキシカルボニル基を有する中間体を得る工程；該アルコキシカルボニル基を有する中間体のアルコキシカルボニル基をハロゲノメチル基に置換する工程；および該ハロゲノメチル基を有する中間体を、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンと反応させる工程；を包含する、方法である。
【００２５】
本発明はまた、式（ＩＶ）：
【００２６】
【化１７】
2004131447.tif 000008
【００２７】
（ここで、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；であり、そしてＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表される、化合物である。
【００２８】
好ましい実施態様では、Ａｒ１およびＡｒ２が同一の基である。
【００２９】
さらに好ましい実施態様では、上記式（ＩＶ）で表される化合物が、式（ＩＶ−１）：
【００３０】
【化１８】
2004131447.tif 000009
【００３１】
で表される立体配置を有する。
【００３２】
本発明はまた、式（Ｖ）：
【００３３】
【化１９】
2004131447.tif 000010
【００３４】
（ここで、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基である）で表される、化合物である。
【００３５】
好ましい実施態様では、Ａｒ１およびＡｒ２が同一の基である。
【００３６】
さらに好ましい実施態様では、上記式（Ｖ）で表される化合物が、式（ＶＩ）：
【００３７】
【化２０】
2004131447.tif 000011
【００３８】
で表される立体配置を有する。
【００３９】
以下、本明細書中に用いられる用語を定義する。
【００４０】
用語「Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基」は、任意の炭素数１個〜４個を有する、直鎖、分岐鎖および環状アルキル基を包含していい、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルおよびシクロブチルが挙げられる。さらに、用語「ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１からＣ４のアルキル基」は、未置換の上記Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基、および上記Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基を構成する少なくとも１個の水素原子が後述するハロゲン原子に置換された、アルキル基を包含していう。
【００４１】
用語「Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基」は、任意の炭素数１個〜４個を有する、直鎖、分岐鎖および環状アルコキシ基を包含していい、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシを包含していう。さらに、用語「ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１からＣ４のアルコキシ基」は、未置換の上記Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基、および上記Ｃ１〜Ｃ４のアルコキシ基を構成する少なくとも１個の水素原子が後述するハロゲン原子に置換された、アルコキシ基を包含していう。
【００４２】
本発明における「ハロゲン原子」の例としては、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素が挙げられる。
【００４３】
本発明に用いられる「芳香族炭化水素」の例としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル、およびアントラセニルが挙げられる。さらに、用語「ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１からＣ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１からＣ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素」は、未置換の上記芳香族炭化水素、および上記芳香族炭化水素を構成する少なくとも１個の水素原子が上記ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１からＣ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１からＣ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換された、芳香族炭化水素を包含していう。
【００４４】
本発明における「アリール基」の例としては、フェニル、およびナフチルが挙げられる。また、本発明における「ヘテロアリール基」の例としては、ピリジル、ピロリル、イミダゾリル、フリル、インドリル、チエニル、オキサゾリル、チアゾリル、およびテトラゾリルが挙げられる。
【００４５】
本発明者は、種々の構造を有する軸不斉Ｎ−スピロ４級アンモニウム塩の合成を効率よく行うための最適な方法の探索を重ね本発明に到達したものであって、簡便にして、且つ、効率のよい合成ルートの確立に必要不可欠な中間体化合物の創製とこれを使用した合成ルートを見出したものである。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳述する。
【００４７】
本発明のビナフチル化合物は、式（Ｉ）：
【００４８】
【化２１】
2004131447.tif 000012
【００４９】
（ここで、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立して、ボロン酸誘導体と反応し得る基であり、かつＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）により表される化合物である。
【００５０】
本明細書中に用いられる用語「ボロン誘導体と反応し得る基」とは、後述するボロン酸誘導体との反応性を有する基であって、例えば、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、およびトリフルオロメタンスルホニルオキシが挙げられる。本発明において、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物のＸ１およびＸ２は、同一の基であっても互いに異なる基であってもよいが、同一の基であることが好ましく、特に両者がともに臭素原子であることが好ましい。他方、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物のＲ１およびＲ２は、同一の基であっても互いに異なる基であってもよいが、特に両者が同一の基でありかつ上記に定義されるもののうち、イソプロピルがさらに好ましい。
【００５１】
本発明においては、上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物は、Ｓ体およびＲ体のいずれの立体配置を有する化合物も包含する。なお、本発明においては、例えば、相関移動触媒の１種である式（ＶＩＩ）：
【００５２】
【化２２】
2004131447.tif 000013
【００５３】
で表される化合物のようなＳ体の軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造に使用することを考慮すれば、Ｓ体、すなわち、式（ＩＩ）：
【００５４】
【化２３】
2004131447.tif 000014
【００５５】
で表される立体配置（ここで、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１およびＲ２は上記定義と同様である）を有していることが好ましい。
【００５６】
本発明の上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物は、以下のようにして製造される。
【００５７】
まず、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸がエステル化物に誘導される。
【００５８】
１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸は、通常、その立体配置において、Ｓ体とＲ体との混合物であるラセミ体として存在する。本発明の式（Ｉ）で表される化合物を合成する際、後述する相関移動触媒自体に所望される立体配置（Ｓ体またはＲ体）に応じて、Ｓ体またはＲ体のいずれかを使用することが好ましい。そのため、この１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸のラセミ体を、当該分野において通常使用される分割剤（例えば、キニン、ブルシン、または１−シクロヘキシルアミン）を用いて、予め当業者に公知の手段により光学分割しておくことが好ましい。
【００５９】
当該ジカルボン酸へのエステル化物への誘導にあたっては、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸を、例えば、酸ハロゲン化物に変換させた後、アルコールと反応させる；あるいは縮合剤（例えばＤＣＣ）の存在下でアルコールと反応させる；ことにより達成することができる。
【００６０】
酸ハロゲン化物を経由する反応の場合は、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸に、塩化チオニル、三塩化リン、三臭化リンなどの物質を反応させて、酸ハロゲン化物が生成される。次いで、得られた酸ハロゲン化物を、ピリジン、ジメチルアニリン、またはトリエチルアミンのような塩基の存在下にて、適切なアルコール（例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、および／またはイソブチルアルコール）と反応させることにより、所望のエステル化物を得ることができる。このようなエステル化物を得る手法は当業者に公知である。
【００６１】
あるいは、縮合剤を使用する場合は、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸を、ＤＣＣのような縮合剤の存在下にて、適切なアルコール（例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、および／またはイソブチルアルコール）と直接反応させることにより、所望のエステル化物をより少ない工程で得ることができる。このようなエステル化物を得る手法もまた当業者に公知である。
【００６２】
次いで、上記より得られた１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステルのうち、式（Ｉ）のＸ１およびＸ２に相当する部分に、ボロン酸誘導体と反応し得る基が例えば、以下のようにして導入される。
【００６３】
まず、上記１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステルを、マグネシウムビス−２，２，６，６−テトラメチルピペラミドと反応させ、その反応生成物が生成される。
【００６４】
具体的には、別途、マグネシウムビス−２，２，６，６−テトラメチルピペラミドの溶液を以下のようにして製造する：すなわち、削状マグネシウムを、適切な溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテルおよびジオキサン）中にて１，２−ジブロモエタンと反応させて、臭化マグネシウムの懸濁液を製造する。次いで、この懸濁液に、同様の溶媒中、２，２，６，６−テトラメチルピペリジンとブチルリチウムとから得られるリチウム２，２，６，６−テトラメチルピペラミド溶液を加え、さらに撹拌して得ることができる。
【００６５】
その後、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１１，８０１６（１９８９）に記載の方法に基づいて、マグネシウムビス−２，２，６，６−テトラメチルピペラミドの溶液に、上記１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステルの溶液が添加され、反応が行われる。この反応における条件は特に限定されず、通常は、適切な溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびジイソプロピルエーテル）中、室温または冷却下にて数時間撹拌することにより行われる。このようにして、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステルと、マグネシウムビス−２，２，６，６−テトラメチルピペラミドとの反応生成物が生成される。
【００６６】
その後、得られた反応生成物に対して、式（Ｉ）のＸ１およびＸ２に相当する部分に、ボロン酸誘導体と反応し得る基を導入する工程が行われる。
【００６７】
この工程を説明するために、まず第一の手法として、式（Ｉ）のＸ１およびＸ２に相当する部分に、ボロン酸誘導体と反応し得る基としてヨウ素原子、臭素原子または塩素原子を導入する場合について説明する。
【００６８】
上記より得られた反応生成物は、単離されることなく、そのまま、ヨウ素、臭素、または塩素のような導入物質との反応に供される。なお、上記反応における導入物質の使用量は、特に限定されないが、例えば、上記式（Ｉ）のＸ１およびＸ２を同一の基として一度に導入する場合は、上記反応生成物を得るために使用した１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステル１モルに対し、好ましくは２モル〜５モルである。
【００６９】
この反応における反応条件もまた特に限定されないが、好ましくは−８０℃付近の低温で行われ、その後、室温で数時間撹拌することにより反応は完了する。さらに反応終了後、当業者に周知の手段により精製されることが好ましい。
【００７０】
このようにして、Ｘ１およびＸ２の部分に、ヨウ素原子、臭素原子または塩素原子でなるボロン酸誘導体と反応し得る基が導入された、本発明の式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物が製造される。
【００７１】
次に、第二の手法として、式（Ｉ）のＸ１およびＸ２に相当する部分に、ボロン酸誘導体と反応し得る基としてトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を導入する場合について説明する。
【００７２】
まず、上記で得られた反応生成物を、適切な溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ジクロロメタン、ジクロロエタン、およびエチレングリコールジメチルエーテル）中にて、式（ＶＩＩＩ）：
【００７３】
【化２４】
2004131447.tif 000015
【００７４】
（ここで、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基またはフェニル基である）で表される化合物と反応させ、当該反応生成物の対応する部分に−Ｂ（ＯＲ）２基が導入される。式（ＶＩＩＩ）で表される化合物の例としては、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル等が挙げられる。この反応における式（ＶＩＩＩ）で表される化合物の使用量は、特に限定されないが、好ましくは上記反応生成物を得るために使用した１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステル１モルに対し、好ましくは２モル〜１０モルである。
【００７５】
この後、反応物は、所定量（好ましくは２当量〜１０当量）の過酸化水素と反応させて、導入された−Ｂ（ＯＲ）２基を水酸基に変換し、適切な溶媒（例えば、ジクロロメタンまたはトルエン）中、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン等の塩基の存在下にて、さらにトリフルオロメタンスルホン酸無水物および／またはトリフルオロメタンスルホン酸クロリドとの反応に供される。なお、この反応におけるトリフルオロメタンスルホン酸無水物および／またはトリフルオロメタンスルホン酸クロリドの使用量は、特に限定されないが、好ましくは上記反応生成物を得るために使用した１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステル１モルに対し、好ましくは２モル〜５モルである。
【００７６】
この反応における反応条件もまた特に限定されないが、好ましくは室温または冷却下にて撹拌することにより反応は完了する。さらに反応終了後、当業者に周知の手段により精製されることが好ましい。
【００７７】
このようにして、Ｘ１およびＸ２の部分に、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基でなるボロン酸誘導体と反応し得る基が導入された、本発明の式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物が製造される。
【００７８】
なお、この式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物に関連し、上記式（ＶＩＩ）で表される軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩は、以下の式（Ｉ’）：
【００７９】
【化２５】
2004131447.tif 000016
【００８０】
（ここで、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表されるビナフチル化合物を用いて製造することができる。
【００８１】
上記式（Ｉ’）で表される化合物は、例えば、以下のようにして製造される。
【００８２】
まず、上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物を製造する場合と同様にして、１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸エステルと別途調製されるマグネシウムビス−２，２，６，６−テトラメチルピペラミドとの反応により得られる反応生成物が合成される。
【００８３】
次いで、この反応生成物を、適切な溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ジクロロメタン、ジクロロエタン、およびエチレングリコールジメチルエーテル）中にて、式（ＶＩＩＩ）：
【００８４】
【化２６】
2004131447.tif 000017
【００８５】
ここで、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基またはフェニル基である）と反応させ、当該反応生成物の対応する部分に−Ｂ（ＯＲ）２基が導入される。式（ＶＩＩＩ）で表される化合物の例としては、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピル等が挙げられる。その後、−Ｂ（ＯＲ）２基を導入した当該反応生成物を、塩酸、硫酸、塩化アンモニウム水のような酸を用いて加水分解が行われる。なお、上記反応における酸の使用量は、特に限定されない。反応条件も特に限定されず、当業者に公知の手段を用いて行うことができる。さらに反応終了後、当業者に周知の手段により精製されることが好ましい。
【００８６】
このようにして、式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物を製造することができる。
【００８７】
本発明に用いられる上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物、および式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物はいずれも、後述するような、有機化合物を立体特異的に合成するために用いられる相関移動触媒（例えば、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩）の製造に有用である。
【００８８】
次に、相関移動触媒の１種として重要な、本発明の、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を製造する方法について説明する。
【００８９】
本発明の、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法を説明するために、まず、本発明の上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物を使用する場合の方法（本発明の第一の方法）について説明する。
【００９０】
本発明の第一の方法においては、まず、上記式（Ｉ）：
【００９１】
【化２７】
2004131447.tif 000018
【００９２】
（ここで、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、ボロン酸誘導体と反応し得る基であり、かつＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表されるビナフチル化合物に、式（ＩＩＩ）：
【００９３】
【化２８】
2004131447.tif 000019
【００９４】
（ここで、Ａｒは、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；である）で示される化合物（ボロン酸誘導体）の少なくとも１種を反応させて、アルコキシカルボニル基を有する中間体が合成される。
【００９５】
上記式（ＩＩＩ）で表されるボロン酸誘導体において、Ａｒのより具体的な例としては、フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、アントリル、フェナントリル、ピリジル、３，４，５−トリフルオロフェニル、３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル、３，５−ジフェニルフェニル、３，５−ビス（３’，５’−ジトリフルオロメチルフェニル）フェニル、３，５−ビス（３’，４’，５’−トリフルオロフェニル）フェニル、３，５−ビス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フェニル、ｐ−ビフェニル、ｐ−メシチルフェニル、およびｐ−（２−ナフチル）フェニルが挙げられる。また、上記式（ＩＩＩ）で表されるボロン酸誘導体のさらに具体的な例としては、３，５−ジメチルフェニルボロン酸、３，４，５−トリフルオロフェニルボロン酸が挙げられる。本発明において式（ＩＩＩ）で表されるボロン誘導体は、単独種類が用いられてもよく、複数種類を混合して用いてもよい。
【００９６】
この反応工程において、上記式（ＩＩＩ）で表されるボロン酸誘導体は、一例として、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、好ましくは２モル〜４モルが使用される。単独種類の当該ボロン酸誘導体をこのような範囲で使用することにより、上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物中の置換基Ｘ１およびＸ２はいずれも、同一の置換基Ａｒに置換され得る。
【００９７】
あるいは、他の例として、上記式（ＩＩＩ）で表されるボロン酸誘導体を、必要に応じて、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、好ましくは２モル未満の量で使用することもできる。この場合は、上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物中の基Ｘ１およびＸ２の少なくともいずれか一方のみを、基Ａｒに置換することができる。次いで、先と構造の異なるボロン酸誘導体を再度、同様に反応させることにより、上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物のうち、未反応のまま残存する基Ｘ１またはＸ２が新たなＡｒによって置換される。これにより、互いに異なるＡｒによって置換された化合物をも生成することができる。
【００９８】
本発明の第一の方法において、上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物と、式（ＩＩＩ）で表されるボロン酸誘導体との反応は、好ましくは適切な溶媒中、塩基およびパラジウム触媒の存在下にて行われる。
【００９９】
上記溶媒の例としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタンおよびジエトキシメタンが挙げられる。
【０１００】
上記塩基の例としては、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、燐酸ナトリウム、リン酸カリウムおよび水酸化バリウムが挙げられる。このような塩基は、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、好ましくは２モル〜５モルが使用される。
【０１０１】
上記パラジウム触媒は、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム単独（好ましくは、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、０．００５モル〜０．２モル）が使用されるか、あるいは酢酸パラジウム（好ましくは、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、０．００５モル〜０．２モル）とトリフェニルホスフィン（好ましくは、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、０．０２モル〜１モル）との混合物を上記反応系内に仕込んで使用される。
【０１０２】
上記式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物と、式（ＩＩＩ）で表されるボロン酸誘導体との反応における他の反応条件は、当業者に任意に設定され得る。この反応は好ましくは還流下にて行われ、反応時間は好ましくは０．５時間〜４０時間である。
【０１０３】
上記のようにして、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物と、式（ＩＩＩ）で表されるボロン酸誘導体とが反応し、以下の式（ＩＶ）：
【０１０４】
【化２９】
2004131447.tif 000020
【０１０５】
（ここで、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；であり、そしてＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表される、
アルコキシカルボニル基を有する化合物を得ることができる。
【０１０６】
本発明の第一の方法においては、次いで、上記アルコキシカルボニル基を有する化合物のアルコキシカルボニル基がハロゲノメチル基に置換される。
【０１０７】
この工程は、通常、上記式（ＩＶ）で表されるアルコキシカルボニル基を有する化合物内のアルコキシカルボニル基を一旦ヒロドキシメチル基に置換し、その後、置換されたヒロドキシメチル基をハロゲノメチル基にさらに置換することにより達成される。
【０１０８】
この式（ＩＶ）の化合物におけるアルコキシカルボニル基からヒロドキシメチル基への置換は、還元剤の存在下、適切な溶媒中にて行われることが好ましい。
【０１０９】
使用され得る還元剤は、エステルをアルコールに還元可能な金属ヒドリド化合物であれば、当業者に任意に選択され得る。使用され得る還元剤の例としては、水素化ジイソブチルアルミニウム、ボラン、ナトリウム水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウム、水素化リチウムアルミニウム、および水素化ホウ素ナトリウムが挙げられる。還元剤は、式（ＩＶ）で表される化合物１モルに対して、好ましくは１モル〜８モルが使用される。
【０１１０】
使用され得る溶媒は、使用する上記還元剤の種類に応じて当業者に任意に選択される。還元剤として水素化ジイソブチルアルミニウムを使用する場合の溶媒の例には、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、およびこれらの組合せが挙げられる。還元剤としてナトリウム水素化ビス（２−メトキシエトキシ）アルミニウムを使用する場合の溶媒の例には、トルエンおよびテトラヒドロフランが挙げられる。還元剤として水素化リチウムアルミニウムを使用する場合の溶媒の例には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテルおよびジオキサンが挙げられる。還元剤として水素化ホウ素ナトリウムを使用する場合の溶媒の例には、低級アルコール（例えば、メチルアルコール、エチルアルコールおよびイソプロピルアルコール）および水、ならびにこれらの組合せが挙げられる。
【０１１１】
式（ＩＶ）の化合物におけるアルコキシカルボニル基からヒロドキシメチル基への置換はまた、好ましくは室温または冷却下にて、撹拌混合することにより行われる。
【０１１２】
上記のようにして、式（ＩＶ）で表される化合物のアルコキシカルボニル基がヒドロキシメチル基に置換され、以下の式（Ｖ）：
【０１１３】
【化３０】
2004131447.tif 000021
【０１１４】
（ここで、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基である）で表される化合物を得ることができる。
【０１１５】
この式（Ｖ）の化合物におけるヒロドキシメチル基からハロゲノメチル基への置換は、適切な溶媒（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテルおよびジイソプロピルエーテル）中、式（Ｖ）で表される化合物をハロゲン化剤と反応させることにより達成される。
【０１１６】
使用され得るハロゲン化剤の例としては、塩化水素、塩化チオニル、三塩化リン、五塩化リンまたはオキシ塩化リンのような塩素化剤；および臭化水素、三臭化リン、五臭化リンまたはオキシ臭化リンのような臭素化剤；が挙げられる。ハロゲン化剤は、式（Ｖ）で表される化合物１モルに対して、好ましくは２モル〜５モルが使用される。
【０１１７】
上記式（Ｖ）の化合物におけるヒロドキシメチル基からハロゲノメチル基への置換にかかる他の条件は、特に限定されず、当業者によって適切に選択され得る。
【０１１８】
上記のようにして、上記式（ＩＶ）で表される、アルコキシカルボニル基を有する化合物のアルコキシカルボニル基がハロゲノメチル基に置換される。
【０１１９】
さらに、本発明の第一の方法においては、上記より得られる当該ハロゲノメチル基を有する化合物を、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンと反応させることにより、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を得ることができる。この反応工程は当業者に公知であり、例えば、特開平２００１−４８８６６号公報に記載されている。
【０１２０】
具体的には、上記ハロゲノメチル基を有する化合物を、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンとともに、適切な溶媒中、酸補足剤の存在下にて加温または還流することにより行われる。使用され得る溶媒の例としては、アセトニトリル、ジメチルホルムアミドおよびジメチルスルホキシドが挙げられる。また、使用され得る酸補足剤の例としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ピリジンおよびトリエチルアミンが挙げられる。酸補足剤は、当該ハロゲノメチル基を有する化合物１モルに対して、好ましくは２モル〜４モルが使用される。この反応は、撹拌下にて好ましくは３０分〜１２時間をかけて行われる。
【０１２１】
上記のようにして軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩が製造される。本発明の第一の方法では、使用する式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物（より具体的には、式（Ｉ）の化合物を得るために使用される原料としての１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸）の立体配置を利用して、（Ｓ，Ｓ体）、（Ｓ，Ｒ体）、（Ｒ，Ｓ）体、および（Ｒ，Ｒ）体の任意の立体配置を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を製造することができる。このことにより、当業者は所望するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の立体配置に応じて、任意の立体配置を有する原料を容易に選択することができる。
【０１２２】
さらに、本発明の第一の方法により、得ることのできるＮ−スピロ４級アンモニウム塩は、軸不斉に関して純粋な形態を有し、天然または非天然のアミノ酸およびβ−ヒドロキシケトン化合物、ならびにオリゴペプチドおよびβ−ヒドロキシアミンのような有機化合物を立体特異的に合成するための相関移動触媒として有用である。ここで、「軸不斉に関して純粋な形態」とは、軸不斉に基づいて考えられる各種立体異性体のうち、１つの特定の異性体の存在率が他の異性体の存在率よりも大きいことをいう。本発明の第一の方法用いて得られたＮ−スピロ４級アンモニウム塩における当該１つの特定の異性体の存在率は、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上であり、さらにより好ましくは９８％以上である。
【０１２３】
次に、本発明の、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の製造方法を説明するために、上記式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物を使用する場合の方法（本発明の第二の方法）について説明する。
【０１２４】
本発明の第二の方法においては、まず、式（Ｉ’）：
【０１２５】
【化３１】
2004131447.tif 000022
【０１２６】
（ここで、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表されるビナフチル化合物に、式（ＩＩＩ’）：
【０１２７】
【化３２】
2004131447.tif 000023
【０１２８】
（ここで、Ａｒは、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；であり、そしてＸは、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子またはトリフルオロメタンスルホニルオキシである）で示される化合物の少なくとも１種を反応させて、アルコキシカルボニル基を有する中間体が合成される。
【０１２９】
上記式（ＩＩＩ’）で表される化合物において、Ａｒのより具体的な例としては、フェニル、トリル、キシリル、ビフェニル、α−ナフチル、β−ナフチル、アントリル、フェナントリル、ピリジル、３，４，５−トリフルオロフェニル、３，５−ジメチルフェニル、３，５−ジ−トリフルオロメチルフェニル、３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル、３，５−ジフェニルフェニル、３，５−ビス（３’，５’−ジトリフルオロメチルフェニル）フェニル、３，５−ビス（３’，４’，５’−トリフルオロフェニル）フェニル、３，５−ビス（３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フェニル、ｐ−ビフェニル、ｐ−メシチルフェニル、およびｐ−（２−ナフチル）フェニルが挙げられる。また、上記式（ＩＩＩ’）で表される化合物のさらに具体的な例としては、１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼン、１−ブロモ−４−フェニルベンゼン、１−ブロモ−４−メシチルベンゼン、１−ブロモ−４−（２−ナフチル）ベンゼンが挙げられる。本発明において式（ＩＩＩ’）で表される化合物は、単独種類が用いられてもよく、複数種類を混合して用いてもよい。
【０１３０】
この反応工程において、上記式（ＩＩＩ’）で表される化合物は、一例として、式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、好ましくは２モル〜５モルが使用される。単独種類の当該ボロン酸誘導体をこのような範囲で使用することにより、上記式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物中の２つの置換基−Ｂ（ＯＨ）２はいずれも、同一の置換基Ａｒに置換され得る。
【０１３１】
あるいは、他の例として、上記式（ＩＩＩ’）で表される化合物を、必要に応じて、式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、好ましくは２モル未満の量で使用することもできる。この場合は、上記式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物中の２つの−Ｂ（ＯＨ）２基の少なくともいずれか一方のみを、基Ａｒに置換することができる。次いで、先とは構造の異なる式（ＩＩＩ’）で表される化合物を再度、同様に反応させることにより、上記式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物のうち、未反応のまま残存する他方の−Ｂ（ＯＨ）２基が新たなＡｒによって置換される。これにより、互いに異なるＡｒによって置換された化合物をも生成することができる。
【０１３２】
本発明の第二の方法において、上記式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物と、式（ＩＩＩ’）で表される化合物との反応は、好ましくは適切な溶媒中、塩基およびパラジウム触媒の存在下にて行われる。
【０１３３】
上記溶媒の例としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタンおよびジエトキシエタンが挙げられる。
【０１３４】
上記塩基の例としては、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、燐酸ナトリウム、リン酸カリウムおよび水酸化バリウムが挙げられる。このような塩基は、式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、好ましくは２モル〜５モルが使用される。
【０１３５】
上記パラジウム触媒は、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム単独（好ましくは、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、０．００５モル〜０．２モル）が使用されるか、あるいは酢酸パラジウム（好ましくは、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、０．００５モル〜０．２モル）とトリフェニルホスフィン（好ましくは、式（Ｉ）で表されるビナフチル化合物１モルに対して、０．０２モル〜１モル）との混合物を上記反応系内に仕込んで使用される。
【０１３６】
上記式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物と、式（ＩＩＩ’）で表される化合物との反応における他の反応条件は、当業者に任意に設定され得る。この反応は好ましくは還流下にて行われ、反応時間は好ましくは０．５時間〜４０時間である。
【０１３７】
上記のようにして、式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物と、式（ＩＩＩ’）で表される化合物とが反応し、以下の式（ＩＶ）：
【０１３８】
【化３３】
2004131447.tif 000024
【０１３９】
（ここで、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、アリール基；もしくはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基か、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基か、ハロゲン原子か、あるいはハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４のアルコキシ基、またはハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族炭化水素か、で置換されていてもよい、ヘテロアリール基；であり、そしてＲ１およびＲ２はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４の分岐していてもよいアルキル基である）で表される、
アルコキシカルボニル基を有する化合物を得ることができる。
【０１４０】
本発明の第二の方法においては、上記のようにして式（ＩＶ）で表される、アルコキシカルボニル基を有する化合物を得た後、これを上記本発明の第一の方法と同様にして、当該化合物中のアルコキシカルボニル基をハロゲノメチル基に置換される。さらに、その後、ハロゲノメチル基に置換された当該化合物を、本発明の第一の方法と同様にして、Ｓ体またはＲ体の１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］アゼピンと反応させることにより、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を得ることができる。
【０１４１】
本発明の第二の方法では、使用する式（Ｉ’）で表されるビナフチル化合物（より具体的には、式（Ｉ’）の化合物を得るために使用される原料としての１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸）の立体配置を利用して、（Ｓ，Ｓ体）、（Ｓ，Ｒ体）、（Ｒ，Ｓ）体、および（Ｒ，Ｒ）体の任意の立体配置を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を製造することができる。このことにより、当業者は所望するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の立体配置に応じて、任意の立体配置を有する原料を容易に選択することができる。
【０１４２】
さらに、本発明の第二の方法により、得ることのできるＮ−スピロ４級アンモニウム塩もまた、軸不斉に関して純粋な形態を有し、天然または非天然のアミノ酸およびβ−ヒドロキシケトン化合物、ならびにオリゴペプチドおよびβ−ヒドロキシアミンのような有機化合物を立体特異的に合成するための相関移動触媒として有用である。本発明の第二の方法を用いて得られたＮ−スピロ４級アンモニウム塩における当該１つの特定の異性体の存在率は、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上であり、さらにより好ましくは９８％以上である。
【０１４３】
【実施例】
以下、本発明を具体的に記述するために実施例を記載する。しかし、これによって本発明は特に限定されない。
【０１４４】
＜製造例１：（Ｓ）−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−１，１’−ビナフチルの合成＞
（Ｓ）−１，１’−ビナフチル−２，２’−ジカルボン酸（［α］２５５４６＝−１２７．０（ｃ＝１．０，１Ｎ　ＮａＯＨ）１．７１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）をフラスコに仕込み、アルゴン雰囲気下にて撹拌しながら、塩化チオニル５ｍＬを添加した。混合物を４時間撹拌し、過剰の塩化チオニルを減圧下にて取り除いた。次いで、この混合物に、イソプロピルアルコール５ｍＬおよびピリジン１ｍＬを添加し、１時間加熱還流した。
【０１４５】
得られた溶液を水洗し、酢酸エチルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、そして濃縮して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液として、酢酸エチル／ヘキサン１：４を使用）にかけ、白色結晶でなる標題化合物を得た（収量２．０５ｇ、収率９４％）。
【０１４６】
本製造例にて得られた白色結晶についての分析結果は以下の通りであった。
【０１４７】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．１７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），８．０１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．１Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ）７．９２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．５０（２Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１．２，６．７，７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．２４（２Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１．２，６．７，７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．１３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），４．７５（２Ｈ，ｓｅｐｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＯＣＨ），０．７６（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ３），０．４４（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ３）ｐｐｍ。
【０１４８】
ＩＲ（ＫＢｒ）２９８０，２３６１，１６９７，１４５８，１３７１，１３１７，１２８１，１１０９，７７０ｃｍ−１。
【０１４９】
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）Ｃ２８Ｈ２６Ｏ４Ｎａ（［Ｍ＋Ｎａ］＋）に対する計算値４４９．１７２３、実測値４４９．１７２３。
【０１５０】
＜実施例１：（Ｓ）−３，３’−ジブロモ−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−１，１’−ビナフチルの合成＞
テトラヒドロフラン中の削状マグネシウム５５．０ｍｇ（２．２５ｍｍｏｌ）に１，２−ジブロモエタンを添加して、臭化マグネシウムの懸濁液を作製した。他方、テトラヒドロフラン２．２５ｍＬ中に、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン７５９μＬ（４．５ｍｍｏｌ）と１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムｎ−ヘキサン溶液２．８ｍＬ（４．５ｍｍｏｌ）とを添加してリチウム２，２，６，６−テトラメチルピペラミド溶液を調製した。
【０１５１】
次いで、上記臭化マグネシウムの懸濁液と、このリチウム２，２，６，６−テトラメチルピペラミド溶液とを合わせ、０℃で２時間撹拌して、マグネシウムビス−２，２，６，６、−テトラメチルピペラミドの透明褐色溶液（０．３１Ｍ）を得た。
【０１５２】
得られた溶液に、アルゴン気流中、製造例１で得た（Ｓ）−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−１，１’−ビナフチル２１３ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２．０ｍＬ溶液を０℃で添加し、室温で３時間撹拌した。次いで、この溶液を−７８℃まで冷却した後、臭素２６４μＬ（５．０ｍｍｏｌ）を添加し、室温でさらに１時間撹拌した。
【０１５３】
上記混合物を、冷却した１規定塩酸に添加し、亜硫酸ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、そして酢酸エチルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液として、酢酸エチル／ヘキサン１：２０〜１：１０を使用）で精製して、白色結晶でなる標題化合物を得た（収量２６０ｍｇ、収率８９％）。
【０１５４】
本実施例にて得られた白色結晶についての分析結果は以下の通りであった。
【０１５５】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ８．２４（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．８２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．５３（２Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１．２，７．１，８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．３４（２Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１．２，７．１，８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），４．７８（２Ｈ，ｓｅｐｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＯＣＨ），０．７８（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ３），０．６７（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ３）ｐｐｍ。
【０１５６】
ＩＲ（ＫＢｒ）２９８２，１７２６，１５８２，１４４３，１３７３，１２７９，１１６３，１１４２，１１０３，９８６，９０１，８３７，７４８ｃｍ−１。
【０１５７】
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）Ｃ２８Ｈ２４Ｂｒ２Ｏ４Ｎａ（［Ｍ＋Ｎａ］＋）に対する計算値６０４．９９３４、実測値６０４．９９３２。
【０１５８】
＜実施例２：（Ｓ）−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−１，１’−ビナフチルの合成＞
実施例１で得られた化合物（（Ｓ）−３，３’−ジブロモ−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−１，１’−ビナフチル）６３５ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、３，５−ジメチルフェニルボロン酸３３０ｍｇ（２．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム１．１６ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン５．３５ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、炭酸水素ナトリウム２５５ｍｇ（３．０ｍｍｏｌ）を、９．０ｍＬのＤＭＥと水１．０ｍＬとでなる混合溶媒中で、アルゴン気流中、２０時間還流した。
【０１５９】
次いで、反応混合物を室温まで冷却し、塩化アンモニウム飽和水溶液に注いで、酢酸エチルで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液として、酢酸エチル／ヘキサン１：２０〜１：１０を使用）で精製して、白色結晶でなる標題化合物を得た（収量５９７ｍｇ、収率９４％）。
【０１６０】
本実施例にて得られた白色結晶についての分析結果は以下の通りであった。
【０１６１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．９４（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．９０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．５２−７．４８（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．３４−７．２９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．１６（４Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），６．９９（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），４．５０（２Ｈ，ｓｅｐｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＯＣＨ），２．３４（１２Ｈ，ｓ，Ａｒ−ＣＨ３），０．５７（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＯＣ−ＣＨ３），０．５５（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＯＣ−ＣＨ３）ｐｐｍ。
【０１６２】
ＩＲ（ＫＢｒ）３０３９，２９７８，１７２２，１６０３，１４５２，１３７３，１２７７，１２５２，１１０５，８５１，７５２ｃｍ−１。
【０１６３】
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）Ｃ４４Ｈ４２Ｏ４Ｎａ（［Ｍ＋Ｎａ］＋）に対する計算値６５７．２９７５、実測値６５７．３００３。
【０１６４】
＜実施例３：（Ｓ）−２，２’−ビス（ジブロモメチル）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−１，１’−ビナフチルの合成＞
水素化リチウムアルミニウム１４２ｍｇ（３．０ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３．０ｍｌに添加し、さらに実施例２で得られた化合物（（Ｓ）−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−１，１’−ビナフチル）６３５ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を、０℃で分割添加し、混合物を室温で４時間撹拌した。次いで、この混合物に、ジエチルエーテル３ｍｌを添加し、水１４２μＬ、１５％ＮａＯＨ１４２μＬ、水２８４μＬをこの順に添加して、反応を停止させた。さらに、反応混合物を、室温で１時間撹拌した後、濾過し、濾液を濃縮して、粗生成物を得た。
【０１６５】
得られた粗生成物の一部を採取して、テトラヒドロフラン／ヘキサンで再結晶し、得られた結晶の物性測定を行った。得られた結晶についての分析結果は以下の通りであった。
【０１６６】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．９２（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．９１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．４９−７．４５（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．３０（４Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．２７−７．２３（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．０７（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．０４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），４．４５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），４．１３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），２．４１（１２Ｈ，ｓ，ＣＨ３）ｐｐｍ。
【０１６７】
ＩＲ（ＫＢｒ）３２５９，３０５８，２９４８，１６０２，１４５６，１２０９，１０２６，８９１，８５１，７５４，７１０ｃｍ−１。
【０１６８】
ＭＳ：ｍ／ｚ５２２（Ｍ＋），５０４，４８７，４６０。
【０１６９】
ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）Ｃ３８Ｈ３４Ｏ２（Ｍ＋）に対する計算値５２２．２５５９、実測値５２２．２５４５。
【０１７０】
これらの結果より、上記にて得られた粗生成物は、（Ｓ）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−２，２’−ビス（ヒドロキシメチル）−１，１’−ビナフチルであると同定された。
【０１７１】
次いで、上記にて得られた粗生成物（（Ｓ）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−２，２’−ビス（ヒドロキシメチル）−１，１’−ビナフチル）５２３ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を精製することなく、テトラヒドロフラン３ｍｌに溶解させ、これに、０℃にて三臭化リン５２．８μＬ（０．５ｍｍｏｌ）を滴下した。混合物を、室温で１時間撹拌した後、水に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、抽出液を合わせ、硫酸ナトリウムで乾燥した。揮発物を取り除いた後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液として、酢酸エチル／ヘキサン１：１０を使用）にかけて精製し、白色の標題化合物を得た（収量５９０ｍｇ（０．９１ｍｍｏｌ）、収率９１％（二工程の合算））。
【０１７２】
上記にて得られた白色化合物についての分析結果は以下の通りであった。
【０１７３】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．９０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．８９（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．５０（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．２８（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．２４（４Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．０８（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），４．３０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），４．２７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１０．１Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），２．４１（１２Ｈ，ｓ，ＣＨ３）ｐｐｍ。
【０１７４】
ＩＲ（ＫＢｒ）２９６２，２３６１，１６０３，１４３７，１２１７，１０２４，８９３，８５３，７５０，７０４ｃｍ−１。
【０１７５】
ＭＳ：ｍ／ｚ６４６（Ｍ＋），５６７，４８７，４６０。
【０１７６】
ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）Ｃ３８Ｈ３４Ｂｒ２（Ｍ＋）に対する計算値６４６．０８７１、実測値６４６．０８５０。
【０１７７】
＜実施例４：軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩の合成＞
【０１７８】
【化３４】
2004131447.tif 000025
【０１７９】
実施例３で得られた（Ｓ）−２，２’−ビス（ジブロモメチル）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−１，１’−ビナフチル（化合物１）３２４ｍｇ、（Ｓ）−１，２−ジヒドロ−７Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ，１’，２’−ｅ］アゼピン（化合物２）１４７ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム１３９ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を、アセトニトリル３．０ｍＬ中で、６時間加熱還流した。反応混合物を水に注ぎ、ジクロロメタンで抽出した。抽出液を硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液として、メタノール／ジクロロメタン１：１０を使用）にかけ、白色の化合物３を得た（収量４１４ｍｇ（０．４８ｍｍｏｌ）、収率９６％）。
【０１８０】
本実施例にて得られた白色化合物についての分析結果は以下の通りであった。
【０１８１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）δ８．３６（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），８．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．９３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．７０−７．２２（４Ｈ，ｂｒ，３，５−ジ−Ｍｅ−Ｐｈ−Ｈ），７．７０−７．６６（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．５７−７．５３（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．４５（２Ｈ，ｓ，３，５−ジ−Ｍｅ−Ｐｈ−Ｈ）７．４２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．３８−７．３４（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．２６−７．２２（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．１５（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），６．３７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ），４．９９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１３．９Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），４．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１３．９Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），３．９８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．９Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），３．６３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１２．９Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），２．８８−１．１８（１２Ｈ，ｂｒ，ＣＨ３）ｐｐｍ。
【０１８２】
ＩＲ（ＫＢｒ）３３９８，３３３５，１６１４，１５９９，１４５６，１３９８，８５３，７５２，７１４ｃｍ−１。
【０１８３】
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）Ｃ６０Ｈ４８Ｎ（Ｍ＋）に対する計算値７８２．３７８１、実測値７８２．３７７８。
【０１８４】
＜実施例５：（Ｓ）−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−３，３’−ビス（３，４，５−トリフルオロフェニル）−１，１’−ビナフチルの合成＞
実施例２において使用した３，５−ジメチルフェニルボロン酸の代わりに３，４，５−トリフルオロフェニルボロン酸を使用したこと以外は、実施例２と同様にして標題化合物を得た。
【０１８５】
本実施例で得られた化合物についての分析結果は以下の通りであった。
【０１８６】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．９３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．９２（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．５７（２Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１．２，６．７，７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．３８（２Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝１．２，６．７，７．９Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ）、７．２８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．１６−７．１３（４Ｈ，ｍ，Ｃ６Ｈ２Ｆ３），４．５５（２Ｈ，ｓｅｐｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＯＣＨ），０．６１（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ３），０．５４（６Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＣＨ３）ｐｐｍ。
【０１８７】
ＩＲ（ＫＢｒ）２９８０，１７２２，１６１６，１５３１，１４４８，１３７３，１５３１，１２７３，１０９６，１０５４，７５２ｃｍ−１。
【０１８８】
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）Ｃ４０Ｈ２８Ｆ６Ｏ４Ｎａ（［Ｍ＋Ｎａ］＋）に対する計算値７０９．１７８４、実測値７０９．１７８０。
【０１８９】
＜実施例６：（Ｓ）−２，２’−ビス（ヒドロキシメチル）−３，３’−ビス（３，４，５−トリフルオロフェニル）−１，１’−ビナフチルの合成＞
実施例３において使用した（Ｓ）−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−３，３’−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−１，１’−ビナフチルの代わりに、（Ｓ）−２，２’−ビス（イソプロポキシカルボニル）−３，３’−ビス（３，４，５−トリフルオロフェニル）−１，１’−ビナフチルを使用したこと以外は、実施例３と同様にして標題化合物を得た。
【０１９０】
本実施例で得られた化合物についての分析結果は以下の通りであった。
【０１９１】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．９４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．９３（２Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），７．５４−７．５１（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．４５−７．４２（４Ｈ，ｍ，Ｃ６Ｈ２Ｆ３），７．３１−７．２７（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），６，９７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），４．３２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），４．１５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．１Ｈｚ，Ａｒ−ＣＨ２），１．５９（２Ｈ，ｂｒ，ＯＨ）ｐｐｍ。
【０１９２】
ＩＲ（ＫＢｒ）３２８８，３０５７，２９５７，１６１６，１５２８，１４３７，１３６７，１２４２，１０４５，８９９，８６２，７５０ｃｍ−１。
【０１９３】
ＨＲＭＳ（ＥＳＩ−ＴＯＦ）Ｃ３４Ｈ２０Ｆ６Ｏ２Ｎａ（［Ｍ＋Ｎａ］＋）に対する計算値５９７．１２６０、実測値５９７．１２５４。
【０１９４】
【発明の効果】
本発明によれば、有用な軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩を短縮された工程で、より高純度かつ高収率で製造することができる。さらに本発明によれば、適切な立体配置を有する原料を使用することにより、製造される当該Ｎ−スピロ４級アンモニウム塩の立体配置を、（Ｓ，Ｓ体）、（Ｓ，Ｒ体）、（Ｒ，Ｓ）体、および（Ｒ，Ｒ）体のうちから任意に設計することができる。本発明により製造される、軸不斉を有するＮ−スピロ４級アンモニウム塩は、天然または非天然のアミノ酸およびβ−ヒドロキシケトン化合物、ならびにオリゴペプチドおよびβ−ヒドロキシアミンのような有機化合物を立体特異的に合成する際の相関移動触媒として有用である。