(57)【要約】【課題】希土類系磁性粉末の耐食性の改善を図ること、また、耐食性に優れた希土類系磁性粉末を用いるボンド磁石の提供を図ることを目的とする。【解決手段】希土類系磁性粉末の表面を赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法を用いて測定し、該ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、３１００〜２８００ｃｍ−１：１２００〜１０００ｃｍ−１のピークトップ比が、１：１００〜１：１の結合状態であるシロキサン結合が形成されている希土類系磁性粉末。また、樹脂バインダーに、該表面処理された希土類系磁性粉末を結合させたボンド磁石。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類系磁性粉末の表面を赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法を用いて測定し、
該ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、３１００〜２８００ｃｍ−１：１２００〜１０００ｃｍ−１のピークトップ比が、１：１００〜１：１の結合状態であるシロキサン結合が形成されている希土類系磁性粉末。
【請求項２】
前記希土類系磁性粉末は、Ｒ２Ｍ１７窒化物系磁性粉末（ＲはＳｍを必須とする少なくとも１種以上の希土類元素、ＭはＦｅを必須とする少なくとも１種以上の金属元素。）であることを特徴とする請求項１に記載の希土類系磁性粉末。
【請求項３】
原料の希土類系磁性粉末と、ＳｉｎＯ（ｎ−１）（ＯＣｍＨ２ｍ＋１）（２ｎ＋２）（ｎ＝１〜１０、ｍ＝１〜４である。）で表されるアルキルシリケート誘導体と、塩基性触媒と、を混合し、乾燥させることにより、該希土類系磁性粉末の表面の少なくとも一部にシロキサン結合が形成されていることを特徴とする希土類系磁性粉末の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の製造方法により製造されていることを特徴とする希土類系磁性粉末。
【請求項５】
請求項１、２及び４の少なくともいずれか一項に記載の希土類系磁性粉末が樹脂バインダーで結合されていることを特徴とするボンド磁石。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐食性の優れた希土類系磁性粉末、及びその製造方法に関する。特に、該希土類系磁性粉末を用いたボンド磁石に関する。該ボンド磁石は、コンピューターのハードディスク、レーザープリンター、モーター、ＭＲＩ（磁気共鳴診断装置）、自動車関連部品等に用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、希土類系磁性粉末を樹脂バインダーで結合して所定の形状に成形したボンド磁石が知られている。このボンド磁石は、比較的安価で、高い磁気特性を有している。このボンド磁石は、薄肉で複雑な形状の磁石に容易に成形することができるため、電気電子機器に広く使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の希土類系磁性粉末は、非常に活性であるため酸化されやすい。酸化されることにより、希土類系磁性粉末の磁気特性の低下が生じる。この酸化された希土類系磁性粉末の磁気特性は、酸化されていない希土類系磁性粉末の磁気特性と比べて、磁気特性の低下が極めて顕著である。磁気特性の低下を起こさせることなく希土類系磁性粉末を、空気中で保存することは、困難である。同様に、希土類系磁性粉末を、多湿高温下で、保存することも困難である。また、希土類系磁性粉末を樹脂バインダーで結合したボンド磁石を多湿高温下で製造する工程においても、磁気特性の低下を生じている。
【０００４】
従って、磁気特性に優れた希土類系磁性粉末の耐食性の改善を図ることを目的とする。また、耐食性に優れた希土類系磁性粉末を用いるボンド磁石の提供を図ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は、かかる課題を解決すべく研究を行った結果、下記の知見を得た。
【０００６】
本発明は、希土類系磁性粉末の表面を赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法を用いて測定し、該ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、３１００〜２８００ｃｍ−１：１２００〜１０００ｃｍ−１のピークトップ比が、１：１００〜１：１の結合状態であるシロキサン結合が形成されている希土類系磁性粉末に関する。シロキサン結合が形成されている希土類系磁性粉末のうち、ＦＴ−ＩＲスペクトルが上記範囲にある結合状態で希土類系磁性粉末の表面を形成することにより、耐食性に優れた希土類系磁性粉末を提供することができる。
【０００７】
前記希土類系磁性粉末は、Ｒ２Ｍ１７窒化物系磁性粉末（ＲはＳｍを必須とする少なくとも１種以上の希土類元素、ＭはＦｅを必須とする少なくとも１種以上の金属元素。）であることが好ましい。Ｒ２Ｍ１７窒化物系磁性粉末は、希土類系磁性粉末の中でも、特に磁気特性に優れているからである。その一方、Ｒ２Ｍ１７窒化物系磁性粉末は、極めて酸化され易いため、耐食性の改善が求められていたからである。
【０００８】
本発明は、原料の希土類系磁性粉末と、ＳｉｎＯ（ｎ−１）（ＯＣｍＨ２ｍ＋１）（２ｎ＋２）（ｎ＝１〜１０、ｍ＝１〜４である。）で表されるアルキルシリケート誘導体と、塩基性触媒と、を混合し、乾燥させることにより、該希土類系磁性粉末の表面の少なくとも一部にシロキサン結合が形成されていることを特徴とする希土類系磁性粉末の製造方法に関する。また、該製造方法により製造されていることを特徴とする希土類系磁性粉末に関する。原料の希土類系磁性粉末を、上記一般式で表されるアルキルシリケート誘導体と塩基性触媒とを混合して、若しくは、該混合溶液を原料の希土類系磁性粉末に塗布し、所定の圧力、温度をかけて、乾燥する。これにより、アルコール成分が除去されて、希土類系磁性粉末の表面に、ほぼ均一に、シロキサン結合が形成される。これにより、耐食性に優れた希土類系磁性粉末を提供することができる。また、従来の表面処理方法よりも簡便な方法で、耐食性に優れた希土類系磁性粉末を提供することができる。
【０００９】
本発明は、前記希土類系磁性粉末が樹脂バインダーで結合されていることを特徴とするボンド磁石に関する。これにより、希土類系磁性粉末を用いるボンド磁石の製造工程において、多湿高温下、空気中で処理することが可能となるため、簡便な設備で製造することができる。また、長期間、高い磁気特性を有しているボンド磁石を提供することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る希土類系磁性粉末及びその製造方法を、実施の形態及び実施例を用いて説明する。だたし、本発明は、この実施の形態及び実施例に限定されない。
【００１１】
表面処理されている希土類系磁性粉末の表面を赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法を用いて測定する。図１は、ＦＴ−ＩＲスペクトルを示す図である。以下、図１を用いて説明する。
【００１２】
ＦＴ−ＩＲスペクトルにおいて、３１００〜２８００ｃｍ−１の領域は、−ＣＨ結合の官能基の存在を示す。１２００〜１０００ｃｍ−１の領域は、Ｓｉ−Ｏ結合の官能基の存在を示す。従って、３１００〜２８００ｃｍ−１：１２００〜１０００ｃｍ−１のピークトップ比が、１：１００〜１：１の結合状態であるシロキサン結合を形成することによって、耐食性に優れた希土類系磁性粉末を提供することができる。特に、３１００〜２８００ｃｍ−１：１２００〜１０００ｃｍ−１のピークトップ比が、１：１００〜１：３の結合状態が好ましい。さらに、より好ましいのは、１：１００〜１：２０である。該ピークトップ比が、１：１よりも１：２０、さらには、１：１００にする方が、シロキサン結合が多くなり、より気密な膜が成形できるからである。
【００１３】
表面処理された希土類系磁性粉末の製造方法について詳述する。
【００１４】
（１）所定の容器内に原料となる希土類系磁性粉末を投入する。
【００１５】
（２）ＳｉｎＯ（ｎ−１）（ＯＣｍＨ２ｍ＋１）（２ｎ＋２）で表されるアルキルシリケート誘導体と、塩基性触媒とを、該容器内に投入し、混合する。
【００１６】
（３）原料の希土類系磁性粉末と、アルキルシリケート誘導体と、塩基性触媒とを均一に混合する。
【００１７】
（４）ほぼ均一に混合した後、乾燥する。
【００１８】
（１）〜（４）により、希土類系磁性粉末が得られる。
【００１９】
（５）（１）〜（４）の結果得られた希土類系磁性粉末に、アミノ系シランカップリング剤と触媒を添加して混合する。
【００２０】
（６）ほぼ均一に混合した後、乾燥する。
【００２１】
（７）（１）〜（６）の結果、表面処理された希土類系磁性粉末を得ることができる。
【００２２】
さらに、ボンド磁石の製造方法を詳述する。（１）〜（７）の製造方法により得られた希土類系磁性粉末を使用するため、（８）から続ける。
【００２３】
（８）表面処理された希土類系磁性粉末に、樹脂バインダーと、酸化防止剤を所定の割合で混合する。
【００２４】
（９）その後、混合物を混練し、ペレットを製造する。
【００２５】
（１０）該ペレットを用いて、所定の形状のボンド磁石を製造する。
【００２６】
以上の製造工程を経ることにより、表面処理された希土類系磁性粉末、及び、該表面処理された希土類系磁性粉末を用いたボンド磁石を提供することができる。
【００２７】
以下、各工程において、使用する原料、使用条件について詳述する。
【００２８】
上記（１）の工程について
アルキルシリケート誘導体は、一般式：ＳｉｎＯ（ｎ−１）（ＯＣｍＨ２ｍ＋１）（２ｎ＋２）（ｎ＝１〜１０、ｍ＝１〜４である。）で表される。具体的には、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｓｉ（ＣＨ３）４、Ｓｉ（ＯＣ３Ｈ７）４、Ｓｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、Ｓｉ５Ｏ４（ＯＣ２Ｈ５）１２などがある。このうち、Ｓｉ４Ｏ３（ＯＣ２Ｈ５）１０、Ｓｉ５Ｏ４（ＯＣ２Ｈ５）１２が好ましく、該組成のアルキルシリケート誘導体を中心に説明するが、これに限定されない。
【００２９】
塩基性触媒は、アンモニア、ジエチルアミン、ジメチルエチレンジアミン、ジメチルホルムアミド等を使用することができる。このうち、安価で、取り扱いやすいため、アンモニアが好ましい。
【００３０】
所定の容器は、ヘンシャルタイプのミキサーが好ましい。このミキサーは、混合速度の調整及び所定の温度への加熱等、混合条件を変更することができるためである。但し、該ミキサーに限定されず、攪拌機が備わっていない容器と、攪拌機とを用いて、混合を行ってもよい。
【００３１】
上記（２）の工程について
原料となる希土類系の磁性粉末は、Ｒ２Ｍ１７窒化物系磁性粉末（ＲはＳｍを必須とする少なくとも１種以上の希土類元素、ＭはＦｅを必須とする少なくとも１種以上の金属元素。）であることことが好ましい。例えば、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系であることが好ましい。Ｓｍを含有することで磁気異方性、飽和磁化が大きくなり、永久磁石材料として優れた磁気特性が得られる。但し、Ｓｍの一部をＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ，Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕの少なくとも１種以上で置換してもよい。また、Ｆｅの一部を、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｇａ、Ａｌの少なくとも１種以上で置換してもよい。
【００３２】
希土類金属の含有量は３〜３０原子％が好ましい。３原子％未満ではα−Ｆｅ相が生成し、特に保磁力が低下する。３０原子％よりも多い場合、希土類金属が析出し、残留磁化が低下してしまう。またＮの含有量は５〜１５原子％が好ましい。５原子％未満ではほとんど保磁力が発現せず、また１５原子％よりも多いと希土類金属、鉄自体の窒化物からなる不純相が生成し、磁気特性が顕著に低下してしまう。
【００３３】
（希土類系磁性粉末の製造方法）
希土類系磁性粉末は、以下の製造方法で製造することができるが、これに限定されるものではない。
【００３４】
（原料混合物の調整）
希土類系酸化物を含有する原料粉末を用いる。還元剤として金属カルシウムを添加して原料混合物とする。
【００３５】
（還元拡散）
前記原料混合物を不活性ガス雰囲気中にて焼成して還元拡散し、原料混合物中の希土類系酸化物などを還元する。
【００３６】
（窒化）
引き続き炉内を真空引きした後に、窒素ガスを含有した雰囲気中にて焼成することにより窒化処理を行い、窒化物ブロックとする。
【００３７】
（水洗）
前記窒化物ブロックを水洗し、カルシウムを主成分とする副生成物を除去する。
【００３８】
上記製造方法により製造された希土類系磁性粉末を用いる。上記製造方法により製造された希土類系磁性粉末は、粒度が均一で、比表面積が１〜２ｍ２／ｇ、ほぼ球状である。また、該磁性粉末は、保磁力、角形比に優れ、耐熱性に優れている。
【００３９】
上記（３）の工程について
原料の希土類系磁性粉末と、アルキルシリケート誘導体と、塩基性触媒とを均一になるように混合する。原料の希土類系磁性粉末を１００重量部とするとき、アルキルシリケート誘導体を１．０〜４．０重量部使用し、塩基性触媒を０．１〜２．０重量部使用することが好ましい。より好ましくはアルキルシリケート誘導体を１．５〜２．５重量部使用し、塩基性触媒を０．１〜０．８重量部使用する。さらに好ましくは、アルキルシリケート誘導体を１．８〜２．２重量部使用し、塩基性触媒を０．３〜０．６重量部使用する。
【００４０】
上記（１）から（３）の工程と異なる方法として、原料の希土類系磁性粉末の表面に、アルキルシリケート誘導体と塩基性触媒との混合物を、塗布する方法も採ることができる。
【００４１】
上記（４）の工程について
ほぼ均一に混合した後、乾燥を始める。該乾燥は、１５０〜２８０℃、２〜１０時間、減圧下の条件で行うことが好ましい。該乾燥は、希土類系磁性粉末等を混合しながら、乾燥させることが好ましい。乾燥条件は、上記に限定されず、室温から４００℃程度、０．５〜２０時間で行っても良い。但し、乾燥させる温度が低いと、乾燥に長時間を要する。一方、乾燥させる温度が高いと、希土類系磁性粉末の磁気特性が低下するためである。また、加熱時間が短いと、希土類系磁性粉末の表面に保護膜が十分に形成されず、希土類系磁性粉末の磁気特性が低下するためである。一方、加熱時間が長いと、希土類系磁性粉末の磁気特性が低下するためである。
【００４２】
該乾燥は、ミキサー内を加熱して、乾燥させることもできるが、ミキサーから混合物を取り出し、別の容器に移してから、乾燥させることが好ましい。乾燥の際に抽出されるアルコール成分を回収し、該アルコールを再利用することで、資源を有効活用することができる。
【００４３】
上記（５）の工程について
（１）〜（４）の結果得られた希土類系磁性粉末をボンド磁石に使用しても良い。耐食性及び機械的強度の向上を図るため、更に、（５）及び（６）の工程を経ることがより好ましい。
【００４４】
アミノ系シランカップリング剤は、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ―フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等を使用することができる。特に、γ−アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。
【００４５】
触媒は、アンモニア、ジエチルアミン、ジメチルエチレンジアミン、ジメチルホルムアミド等を使用することができる。特に、アンモニアが好ましい。
【００４６】
（１）〜（４）の結果得られた希土類系磁性粉末を１００重量部とするとき、アミノ系シランカップリング剤は０．０１〜２．５重量部、より好ましくは、０．１〜１．０、特に好ましくは、０．３〜０．５重量部使用する。触媒は、０．０１〜０．４重量部、より好ましくは、０．１〜０．３重量部使用する。
【００４７】
上記（６）の工程について
（１）〜（４）の結果得られた希土類系磁性粉末と、アミノ系シランカップリング剤と、触媒との混合物を、５０〜１５０℃、０．５〜５時間の条件下で乾燥させる。より好ましくは、該混合物を、６０〜１５０℃、１．５〜２．５時間で乾燥させる。
【００４８】
上記（７）の工程について
以上の工程により、表面処理された希土類系磁性粉末を得ることができる。
【００４９】
上記（８）の工程について
表面処理された希土類系磁性粉末は、樹脂バインダーと、酸化防止剤等と共に混合する。
【００５０】
樹脂バインダーは、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性エラストマーを用いることが好ましい。具体的には、１２−ナイロン、１１−ナイロン、６−ナイロン、６・６−ナイロン、４・６−ナイロン、共重合ナイロン、６・１２−ナイロン、６・１０−ナイロン、ナイロンＭＸＤ６、ナイロン６Ｔ、ナイロン９Ｔ、非晶質ナイロン等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ポリプロピレン等のオレフィン系樹脂、エチレン系イオノマー樹脂等のイオノマー樹脂、エチレン・アクリル酸エチル共重合体等のＥＥＡ（エチレン−エチル−アクリル）樹脂、アクリロニトリル・アクリルゴム・スチレン共重合体、アクリロニトリル・スチレン共重合体、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、アクリロニトリル・塩素化ポリエチレン・スチレン共重合体等のアクリロニトリル系樹脂、エチレン酢酸ビニルコポリマー、エチレンビニルアルコール共重合体等のポリビニル系樹脂、酢酸繊維素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン・ヘキシルフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン・エチレン重合体、ポリビニリデンフルオライド、ポリビニルフルオライド等のフッ素系樹脂、ポリメタクリル酸メチル、エチレン・エチルアクリレート樹脂等のアクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアリレート、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニルスルフィド、ポリオキシペンジレン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリフェニレンエーテル、ポリイミド、ポリアリルエーテルニトリル、ポリベンゾイミダゾール、ポリアラミド、ポリエステルアミド、全芳香族アミド、半芳香族アミド等のエンジニアリングプラスチックス、スーパーエンジニアリングプラスチックス等が挙げられる。ゴムとしては天然ゴム、ニトリル・ブチルゴム、ポリイソプレンゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム、ウレタン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、スチレン系熱可塑性エラストマー、スチレン・ブタジエン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ニトリル系熱可塑性エラストマー、水素添加ＳＢＳ（スチレン・ブタジエン・スチレン）系熱可塑性エラストマー、フッ素系熱可塑性エラストマーといった熱可塑性エラストマーが挙げられる。このうち、加工性、耐熱性、靱性などに優れている１２−ナイロン、６−ナイロン、６，６−ナイロン、ポリプロピレン、ポリフェニレンスルフィドを使用することが好ましい。
【００５１】
酸化防止剤は、ラジカル捕捉剤として作用するヒンダードフェノール類と芳香族アミン類、過酸化物分解剤として作用するチオエーテル系、リン系の酸化防止剤を用いることができるが、これらの複数種を混合して使用することが好ましい。
【００５２】
酸化防止剤の他に、重金属賦活剤、安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、耐電防止剤、滑剤、加工性改良材、分散剤、中和剤、発泡剤、気泡防止剤、着色剤、架橋助剤等を添加してもよい。
【００５３】
滑剤として、炭化水素系、脂肪酸系、高級アルコール系、アミド系、エステル系、金属石けん系等のものを使用することができる。
【００５４】
表面処理された希土類系磁性粉末と、樹脂バインダーと、酸化防止剤等とを所定の割合で混合する。特に、表面処理された希土類系磁性粉末を３０〜７０体積％、樹脂バインダーを２７〜７０体積％、酸化防止剤を０〜３体積％用いることが好ましいが、この範囲に限定されない。
【００５５】
これらの混合物は、混練機を用いて混練することが好ましい。（１）〜（８）の工程後、混合物を混練機に投入する。
【００５６】
該混練機を用いて混練を行いながら、混合物に熱を加える。この加熱は、混練機に設けられた加熱装置により行うことが好ましいが、混練機と別に加熱装置を用意し、混練機を加熱することもできる。加熱は、１００〜３５０℃が好ましい。混練機を用いて行う混練は、混合物がほぼ均一に混合されることが好ましい。
【００５７】
上記（９）の工程について
混合物がほぼ均一に混合された後、ペレットを製造する。
【００５８】
ペレットは、所望の大きさに成形することができる。好ましくは、直径１〜５ｍｍ、高さ１〜５ｍｍの円柱状である。
【００５９】
上記（１０）の工程について
混練後、ペレット化された混合物を、射出成形を行い、目的とするボンド磁石とする。希土類系磁性粉末は、磁気異方性を有しており、磁場成形し、着磁することで優れた磁気特性が得られる。射出成形の他、押出形成、圧縮成形、圧延成形等も使用できる。
【００６０】
ボンド磁石は、所定の厚さ、大きさに成形することができる。例えば、シート状、円柱状、コイル状等である。
【００６１】
原料の希土類系磁性粉末の表面に、アルキルシリケート誘導体と、塩基性触媒とを塗布し、乾燥することにより、シロキサン結合が形成される。化１を用いて説明する。
【００６２】
【化１】
2004172381.tif 000003
【００６３】
Ｓｉに結合しているエチルエーテルとＳｉに結合している水酸基とが縮重合反応し、または、Ｓｉに結合している水酸基と水酸基とが縮重合反応し、シロキサン結合を形成する。これにより、希土類系磁性粉末の表面に三次元架橋構造を形成する。また、縮重合反応の際、エチルエーテル等のアルコール、水が、反応系から除去される。このアルコール成分の除去を促進することにより、シロキサン結合の形成を促進することができる。
【００６４】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これに限定されるものではない。
【００６５】
（実施例１）
原料の希土類系磁性粉末に、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末（日亜化学工業株式会社製）を用いる。アルキルシリケート誘導体に、Ｓｉ５Ｏ４（ＯＣ２Ｈ５）１２（日亜化学工業株式会社製）を用いる。塩基性触媒に、アンモニア水（和光純薬工業株式会社製  商品名；０１３−１７５０５）を用いる。
【００６６】
まず、１００重量部のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末をヘンシャルタイプのミキサー中に投入する。
【００６７】
次に、該ミキサーに、３重量部のＳｉ５Ｏ４（ＯＣ２Ｈ５）１２と、０．５重量部のアンモニア水とを投入する。
【００６８】
該溶液投入後、投入後、数十回〜数千回、ミキサーを回転し、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末の表面が、上記溶液に濡れるようにする。
【００６９】
Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末の表面が、上記溶液にほぼ均一に濡れた後、該Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末を、該ミキサーから取り出す。取り出したＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末を乾燥機に投入し、減圧下、１８０〜２００℃で、約６時間、乾燥する。該Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末を、均一に乾燥する。乾燥の際、抽出されるエタノールを別の容器に集める。この集められたエタノールは、再利用することができる。
【００７０】
以上の工程により、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末が得られた。該Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末の表面は、シロキサン結合が形成されている。上記製造方法により得られたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末を赤外分光（ＦＴ−ＩＲ）法を用いて測定した。その測定結果は、図１に示す。図１を参照すると、３１００〜２８００ｃｍ−１と、１２００〜１０００ｃｍ−１の位置に、ピークトップがある。この３１００〜２８００ｃｍ−１：１２００〜１０００ｃｍ−１のピークトップ比が、約１：７の結合状態であるシロキサン結合が形成されている。但し、上記製造方法により得られた希土類系磁性粉末に限られない。他の製造方法により、３１００〜２８００ｃｍ−１：１２００〜１０００ｃｍ−１のピークトップ比が、１：１００〜１：１の結合状態であるシロキサン結合が形成されていれば、耐食性の改善を図ることができる。
【００７１】
次に、該Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末を、乾燥機から取り出し、ヘンシャルタイプのミキサーに投入する。該Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末は、さらに、アミノ系シランカップリング剤と、触媒とを投入し、ミキサーで混合する。アミノ系シランカップリング剤は、０．３重量部のγ−アミノプロピルトリメトキシシラン（日本コニカー株式会社製  商品名：Ａ１１００）を用いる。触媒は、０．１重量部のアンモニア水（和光純薬工業株式会社製  商品名；０１３−１７５０５）を用いる。これらアミノ系シランカップリング剤と触媒とを投入後、７０〜９０℃、約２時間、混合し、乾燥する。
【００７２】
次に、上記表面処理されたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末を約６０体積％使用する。１２−ナイロン（宇部興産株式会社製  商品名；Ｐ３０１２Ｕ）を３９体積％、酸化防止剤（旭電化株式会社製  商品名；Ａ０３３０）を１体積％使用する。この表面処理されたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末と、１２−ナイロンと、酸化防止剤とを、混練機に投入する。混練機を用いて、２００〜２５０℃で混練する。
【００７３】
混練後、混合物のペレット化を行う。ペレットは、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状のものを製作する。
【００７４】
最後に、得られたペレットを用いて、２３０〜２５０℃で射出形成を行い。直径１０ｍｍ、高さ７ｍｍの円柱状のボンド磁石が得られた。
【００７５】
（実施例２）
原料の希土類系磁性粉末に、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末（日亜化学工業株式会社製）を用いる。アルキルシリケート誘導体に、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４（日亜化学工業株式会社製）を用いる。塩基性触媒に、ジエチルアミン（和光純薬工業株式会社製  商品名；０４７−０１７７３）を用いる。
【００７６】
まず、１００重量部のＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末をヘンシャルタイプのミキサー中に投入する。
【００７７】
次に、該ミキサーに、１．８重量部のＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４と、０．４重量部のアンモニア水とを投入する。該溶液投入後、数十回、ミキサーを回転し、攪拌を行う。
【００７８】
次に、ミキサーから上記混合物を取り出し、昇温可能な乾燥機に入れる。
【００７９】
次に、該乾燥機を加温する。該乾燥機を加温することにより、上記混合物の温度が上昇し、反応により生じたエタノールを抽出することができる。２００〜２５０℃で、約３時間乾燥する。乾燥の際、抽出されるエタノールを別の容器に集める。この集められたエタノールは、再利用される。
【００８０】
次に、エタノール等の溶液分が除去されたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末に、アミノ系シランカップリング剤と、触媒とを投入する。アミノ系シランカップリング剤は、０．４重量部のγ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン（日本コニカー株式会社製  商品名；Ｙ９６６９）を用いる。触媒は、０．２重量部のジメチルホルムアミド（和光純薬工業株式会社製  商品名；０４２−０２９２６）を用いる。これらアミノ系シランカップリング剤と触媒とを投入後、８０〜１００℃、約１．５時間、混合し、乾燥する。
【００８１】
以上の工程により、表面処理されたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末が得られた。該Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末の表面は、シロキサン結合が形成されている。
【００８２】
次に、上記表面処理されたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末を約５０体積％使用する。ポリフェニレンスルフィド（株式会社トープレン製  商品名；Ｅ  Ｔ−１）を４９体積％、酸化防止剤（旭電化株式会社製  商品名；３２９Ｋ）を１体積％使用する。この表面処理されたＳｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末と、ポリフェニレンスルフィドと、酸化防止剤とを、混練機に投入する。混練機を用いて、２９０〜３２０℃で混練する。
【００８３】
混練後、混合物のペレット化を行う。ペレットは、直径３ｍｍ、高さ３ｍｍの円柱状のものを製作する。
【００８４】
最後に、得られたペレットを用いて、３００〜３３０℃で射出形成を行い。直径１０ｍｍ、高さ７ｍｍの円柱状のボンド磁石が得られた。
【００８５】
（ボンド磁石の評価）
得られたボンド磁石の磁気特性の評価を行った。
【００８６】
実施例１で得られたボンド磁石を、約４８００ｋＡ／ｍで着磁を行い、ＢＨカーブトレーサーで測定した。図２は、ＢＨカーブを示す図である。
【００８７】
この測定結果から、得られたボンド磁石の磁気特性は、Ｂｒ  ０．８３Ｔ、ｂＨｃ  ５２０ｋＡ／ｍ、ｉＨｃ  ７９０ｋＡ／ｍ、ＢＨｍａｘ  １１４ｋＪ／ｍ３であった。これにより、実施例１で得られたボンド磁石は、優れたＢｒ、ｉＨｃを有している。該ボンド磁石は、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末による樹脂の劣化を抑えることができる。これは、射出成形時、コンパウンドの溶融粘度が低くなり、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末が十分配向できたためであると考えられる。また、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系磁性粉末の酸化劣化が抑えられためであると考えられる。
【００８８】
ＢＨカーブから、所望のボンド磁石を得ることができた。
【００８９】
（ボンド磁石の耐食性試験）
得られたボンド磁石の耐食性について、試験を行った。
【００９０】
具体的には、約４８００ｋＡ／ｍで着磁されたΦ１０×７のボンド磁石を、約８５℃の温水中、約１０００時間、含浸させる。該ボンド磁石を含浸した後、所定の時間毎に温水中から取り出し、１時間室温で冷却した後、トータルフラックスを調べた。また、不可逆減磁率を調べた。図３は、不可逆減磁率を示す図である。
【００９１】
評価方法は、所定の時間に温水中からボンド磁石を取り出し、トータルフラックスを測定し、その後、ボンド磁石は、温水中に戻し、試験を継続した。不可逆減磁率は、｛［（０時間のトータルフラックス）−（所定の時間のトータルフラックス）］／（０時間のトータルフラックス）｝×１００で求めた。
【００９２】
この結果から、５００時間後は、４％であった。１０００時間後では、８％であった。これより、極めて長時間、保磁力を有するボンド磁石を製造することができた。
【００９３】
【発明の効果】
以上のことから、本発明によれば、耐食性に優れた希土類系磁性粉末及びボンド磁石を提供することができる。また、機械的強度及び磁気特性に優れたボンド磁石を提供することができる。以上のように、本発明は、重要な技術的意義を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＦＴ−ＩＲスペクトルを示す図である。
【図２】ＢＨカーブを示す図である。
【図３】不可逆減磁率を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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