(57)【要約】【課題】ウエハに対して絶縁膜の形成が行われる絶縁膜形成装置において、装置の占有面積を小さくすると共に、塗布ユニットと排液タンク、塗布液タンク、ポンプの位置関係の最適化を図ること。【解決手段】処理タワーＴに、塗布ユニット２６と温調ユニット２５と低温加熱ユニット２７とベークユニット２８とをこの順序で下段側から積層する。また塗布ユニット２６の下方側に排液タンク３３を設け、これらの間を略垂直な排液路にて接続する。排液タンク３３に隣接して塗布液タンク３２を設け、塗布液タンク３２の上方側であって塗布ユニット２６の側方側に塗布液タンク３２内の塗布液を供給ノズル４に送り出すポンプ３１を設ける。前記排液路には略水平部分がないので、液路内の詰まりが抑えられ、また供給路４１が最短長になるように塗布液タンク３２、ポンプ３１の位置が決定されているので塗布液の無駄が抑えられる。【選択図】    図５
2004172223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜の形成材料を含む塗布液を基板に塗布するための塗布ユニットと、前記塗布液を塗布する前の基板を所定の温度に調整するための温調ユニットと、前記塗布液を塗布した基板を加熱するための加熱ユニットと、を含む複数の処理ユニットを、前記塗布ユニット、温調ユニット、加熱ユニットの順序で下段側から上段側に向かって互いに積層して構成した処理タワーと、
前記塗布ユニットの下方側に設けられ、前記塗布ユニットから排出された排液を貯留するための排液タンクと、
外部から基板を搬入するための基板搬入部と、
基板搬入部と前記処理タワーの各処理ユニットとの間で基板を搬送するための基板搬送手段と、を備え、
前記塗布ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持部と、基板に塗布液を供給するノズルと、塗布液の飛散を抑えるために基板保持部に保持された基板の側方の周囲を囲むカップと、このカップに上端側が接続されると共に下端側が前記排液タンクと水平部分が存在しないように接続された排液路と、を有することを特徴とする絶縁膜形成装置。
【請求項２】
前記塗布ユニットの下方側に、塗布液を貯留するための塗布液タンクを設け、前記塗布ユニットの下方側であって、前記塗布液タンクの上方側に前記塗布液タンクから供給ノズルに塗布液を供給するためのポンプを設けたことを特徴とする請求項１記載の絶縁膜形成装置。
【請求項３】
前記塗布ユニットの下方側であって、前記排液タンクの側方側に塗布液を貯留するための塗布液タンクを設け、前記塗布ユニットの側方側に前記塗布液タンクから供給ノズルに塗布液を供給するためのポンプを設けたことを特徴とする請求項１記載の絶縁膜形成装置。
【請求項４】
前記塗布ユニットの下方側に、塗布液を貯留するための塗布液タンクを設け、前記塗布ユニットの下方側であって、前記塗布液タンクの側方側に前記塗布液タンクから供給ノズルに塗布液を供給するためのポンプを設けたことを特徴とする請求項１記載の絶縁膜形成装置。
【請求項５】
前記排液路は略垂直になるように設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の絶縁膜形成装置。
【請求項６】
前記処理タワーは複数の処理ユニットの各々の周囲を壁部にて区画するように設けられ、少なくとも温調ユニットと加熱ユニットとが設けられている領域の壁部の内部には通気路が形成され、当該通気路に温度を調整した気体を通流させることにより、各処理ユニット同士の間を断熱することを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の絶縁膜形成装置。
【請求項７】
前記塗布ユニットの内部に、温度が調整された空気を通流させて当該塗布ユニット内の温度を調整し、この塗布ユニットから排気された温度が調整された空気を前記処理タワーの通気路に通流させることを特徴とする請求項６記載の絶縁膜形成装置。
【請求項８】
前記加熱ユニットにて所定の加熱処理が行われて絶縁膜が形成された基板を加熱して、前記絶縁膜の硬化処理を行うキュアユニットを更に備えることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の絶縁膜形成装置。
【請求項９】
前記キュアユニットは、処理タワーの少なくとも１つの、前記加熱ユニットの上方側に設けられていることを特徴とする請求項８記載の絶縁膜形成装置。
【請求項１０】
前記一の処理タワー内の複数の処理ユニットにより基板に対して一連の処理を順次行うことにより、当該基板に一の絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項１ないし９の何れかに記載の絶縁膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハやＦＰＤ基板（フラットパネルディスプレイ用基板）等の基板に層間絶縁膜を形成するための絶縁膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程において、例えばＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）システムにより層間絶縁膜を形成する場合がある。このＳＯＤシステムでは、例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）上に塗布材料をスピンコートし、加熱等の物理的処理や化学的処理を施して層間絶縁膜を形成している。例えばシロキサン系ポリマーや有機ポリマーの層間絶縁膜を形成する場合、有機溶媒を混ぜ、液状にした塗布材料をウエハ表面に吐出し、スピンコータにより塗布する。次に、段階的に目的に応じた環境下にて熱処理等を行う。また、塗布材料によっては、塗布後にアンモニア雰囲気による処理や溶剤置換処理等の化学的処理を追加する必要がある。
【０００３】
このような処理を行うシステムとしては、例えば図１７に示す構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このシステムは、第１の処理ゾーン１Ａに、ウエハを所定の温度に調整するための温調ユニット、ウエハに塗布液を塗布するための塗布ユニット１１、塗布液が塗布されたウエハを加熱して前記塗布液の乾燥処理を行うための低温加熱ユニットを設け、第１の処理ゾーン１Ａに隣接する第２の処理ゾーン１Ｂに、塗布液が塗布されたウエハを加熱して所定のベーク処理を行うためのベークユニットと、塗布液が塗布されたウエハを加熱して塗布膜を硬化させる処理を行うためのキュアユニットと、を配設したものである。
【０００４】
第１の処理ゾーン１Ａには、塗布ユニット１１が複数段に積層されていると共に、温調ユニット、受け渡しユニット、低温加熱ユニット等を多段に積層した棚ユニット１２ａ，１２ｂが設けられていて、搬送手段１３ａによりこれらの各ユニットに対してウエハの受け渡しが行われるようになっている。また、第２の処理ゾーン１Ｂには、ベークユニットやキュアユニットを多段に積層して構成された２個の加熱系の棚ユニット１４ａ，１４ｂが設けられており、搬送手段１３ｂにより、これらの各ユニットに対してウエハの受け渡しが行われるようになっている。図中１Ｃは多数枚のウエハＷを収納するキャリア１５の載置部１６と、キャリア１５と第１の処理ゾーン１Ａとの間でウエハを搬送するための受け渡しアーム１７とを備えたキャリアステーションである。
【０００５】
また、塗布ユニット１１では、スピンチャックに保持されたウエハのほぼ回転中心にノズルから塗布液を供給した後、スピンチャックを回転させることにより、前記塗布液をウエハ表面に広げ、こうして塗布液をウエハ表面に塗布する処理が行われる。
【０００６】
【特許文献１】
特願平２００１−２９７２７９号
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１の構成では、塗布ユニット１１や温調ユニット等と、ベークユニットやキュアユニットとは別の処理ゾーンに配設されており、また、１つの処理ゾーンにおいても、塗布ユニット１１や温調ユニットが分散して設けられているので、装置のフットプリントが大きくなってしまう。さらに、各ユニットが分散して設けられていることから、ウエハの搬送効率が悪化して、スループットが低下してしまう。
【０００８】
また、従来のＳＯＤシステムでは、スループットの向上を図るために、複数の塗布ユニット１１が同じ棚ユニットに多段に積層されて配列されている。このため、塗布ユニット１１のドレイン管１８は図１８に示すように、水平に引きまわされる箇所が存在するが、前記ドレイン管１８の水平部分では、塗布ユニット１１からのドレインが流れて行きにくく、溜まってしまいやすい。ここで、ＳＯＤの塗布液は固化しやすいので、既述のように塗布液のドレインが溜まる部分ではドレイン管１８が詰まりやすくなるという問題がある。
【０００９】
さらに、塗布ユニット１１が、左右、上下段に夫々配置されることから、夫々の塗布ユニット１１のドレイン管１８等の配管構成を変える必要があり、配管仕様が分散することにより装置製造が複雑化し、その結果生産効率も悪くなるという問題がある。
【００１０】
さらにまた、塗布液を貯留するための塗布液タンクが、塗布ユニット１１が設けられている領域とは別の領域に設けられているので、塗布液の供給路が長くなる。ここで、塗布ユニット１１は所定のロットの処理が終了した後、所定の洗浄処理を行うが、この処理の間、塗布液はノズルから吐出しないようになっており、供給路内に塗布液が残ったままの状態で洗浄処理が行われることになる。ところで、次のロットの処理を開始するときには、供給路内に残存する塗布液を供給ノズルから全て排出するというダミーディスペンスが行われるが、供給路が長いと当該供給路内に残存する塗布液の量が多いので、ダミーディスペンスの際に廃棄する塗布液が多くなり、無駄が多いという問題もある。
【００１１】
さらにまた、塗布液タンク内の塗布液が無くなり、塗布液タンクを交換する場合や、塗布液配管に接続されている薬液フィルタ等を交換する場合等、配管中に薬液の泡が発生するため、使用前にこの泡を抜く必要があり、配管が長いと泡抜きの際、多量の薬液を捨てなくてはならないという問題もある。
【００１２】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、一の絶縁膜を形成するための処理ユニットを一の処理タワー内に集約して設けることにより、装置の占有面積を小さくすると共に、塗布ユニットと、塗布ユニットからの排液を貯留する排液タンクと、塗布ユニットと排液タンクとを結ぶ排液路と、塗布液を貯留する塗布液タンクと、塗布液タンク内の塗布液を供給ノズルに送り出すポンプと、の配置位置の最適化を図ることにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の絶縁膜形成装置は、  絶縁膜の形成材料を含む塗布液を基板に塗布するための塗布ユニットと、前記塗布液を塗布する前の基板を所定の温度に調整するための温調ユニットと、前記塗布液を塗布した基板を加熱するための加熱ユニットと、を含む複数の処理ユニットを、前記塗布ユニット、温調ユニット、加熱ユニットの順序で下段側から上段側に向かって互いに積層して構成した処理タワーと、
前記塗布ユニットの下方側に設けられ、前記塗布ユニットから排出された排液を貯留するための排液タンクと、
外部から基板を搬入するための基板搬入部と、
基板搬入部と前記処理タワーの各処理ユニットとの間で基板を搬送するための基板搬送手段と、を備え、
前記塗布ユニットは、基板を略水平に保持する基板保持部と、基板に塗布液を供給するノズルと、塗布液の飛散を抑えるために基板保持部に保持された基板の側方の周囲を囲むカップと、このカップに上端側が接続されると共に下端側が前記排液タンクと水平部分が存在しないように接続された排液路と、を有することを特徴とする。
【００１４】
このような構成では、一の絶縁膜を形成するための処理ユニットが一の処理タワー内に集約して設けられているので、装置の占有面積を小さくすることができる。また、排液路に略水平部分を設けないように排液タンクに接続しているので、塗布ユニットからの排液が排液路内を通流しやすく、排液路内の詰まりを抑えることができる。
【００１５】
また、前記塗布ユニットの下方側に、塗布液を貯留するための塗布液タンクを設け、この塗布液タンクの上方側に前記塗布液タンクから供給ノズルに塗布液を供給するためのポンプを設けるようにしてもよい。さらに、前記塗布ユニットの下方側であって、前記排液タンクの側方側に塗布液を貯留するための塗布液タンクを設け、前記塗布ユニットの側方側に前記塗布液タンクから供給ノズルに塗布液を供給するためのポンプを設けるようにしてもよい。また、前記塗布ユニットの下方側に、塗布液を貯留するための塗布液タンクを設け、前記塗布ユニットの下方側であって、前記塗布液タンクの側方側に前記塗布液タンクから供給ノズルに塗布液を供給するためのポンプを設けるようにしてもよい。これらの場合には、塗布液タンクと供給ノズルとを結ぶ供給路の短縮化を図ることができるので、塗布液の無駄を抑えることができる。この際前記排液管は、略垂直に設けられることが好ましい。
【００１６】
前記処理タワーは複数の処理ユニットの各々の周囲を壁部にて区画するように設けられ、少なくとも温調ユニットと加熱ユニットとが設けられている領域の壁部の内部には通気路が形成され、当該通気路に温度を調整した気体を通流させることにより、各処理ユニット同士の間を断熱するようにしてもよい。この場合、前記塗布ユニットの内部に、温度が調整された空気を通流させて当該塗布ユニット内の温度を調整し、この塗布ユニットから排気された温度が調整された空気を前記処理タワーの通気路に通流させるようにしてもよい。
【００１７】
前記加熱ユニットにて所定の加熱処理が行われて絶縁膜が形成された基板を加熱して、前記絶縁膜の硬化処理を行うキュアユニットを更に備えるようにしてもよく、この場合、キュアユニットは、熱影響を考慮し、前記処理タワーの最上段に設置することが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の絶縁膜形成装置の一実施の形態について、層間絶縁膜をＳＯＤ法によって形成するシステムに適用し、例えば商品名「ＬＫＤ」よりなる塗布液を用いる場合を例にして説明する。ここで、図１は本発明の絶縁膜形成装置の一実施の形態に係る全体構成を示す平面図であって、図２はその概略斜視図、図３はその側部断面図である。
図中Ｂ１は、例えば２５枚の基板であるウエハＷが収納された基板キャリアＣ（以下［キャリア］という）を搬入出するためのキャリアブロックであり、このキャリアブロックＢ１は、前記キャリアＣを載置するキャリア載置部２１と、受け渡し手段２２と、を備えている。前記受け渡し手段２２は、キャリアＣからウエハＷを取り出し、この取り出したウエハＷをキャリアブロックＢ１に隣接して設けられている処理ブロックＢ２へと受け渡すように、左右、前後に移動自在、昇降自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。そしてこの受け渡し手段２２の搬送領域の上部側には、例えばフィルタユニット（ＦＦＵ）２３が設けられていて、当該搬送領域内に清浄な空気がダウンフロ−として供給されるようになっている。この例ではキャリアブロックＢ１と処理ブロックＢ２とにより絶縁膜形成装置１００が構成されている。
前記処理ブロックＢ２には、複数の処理タワー例えば４個の処理タワー（第１の処理タワーＴ１，第２の処理タワーＴ２，第３の処理タワーＴ３，第４の処理タワーＴ４）と、この処理ブロックＢ２とキャリアブロックＢ１との間でウエハの受け渡しを行うための受け渡しステージ２３と、前記受け渡しステージ２３と第１〜第４の処理タワーＴ１〜Ｔ４の後述する各処理ユニット同士の間でウエハの搬送を行うための基板搬送手段２４とが設けられている。
これらは前記受け渡しステージ２３に対して、例えばキャリアブロックＢ１の受け渡し手段２２と基板搬送手段２４とがアクセスでき、第１〜第４の処理タワーＴ１〜Ｔ４の各処理ユニットに対して基板搬送手段２４がアクセスできるように、夫々配置されている。前記受け渡しステージ２３は、受け渡し手段２２と前記基板搬送手段２４とがウエハの受け渡しを行うことができるウエハの受け渡し台２３ａを備えている。この例ではキャリアブロックＢ１と処理ブロックＢ２の受け渡しステージ２３とが基板搬入部を構成している。
【００１９】
前記処理タワーＴ（Ｔ１〜Ｔ４）は、複数の処理ユニットを上下方向に多段に積層して配列して構成したものであり、例えば各処理タワーＴ１〜Ｔ４にＳＯＤ法で絶縁膜を形成するために必要な全ての処理ユニットが設けられている。ここでＳＯＤ法で絶縁膜を形成するために必要な全ての処理ユニットの一例を挙げると、例えば絶縁膜の形成材料を含む塗布液の塗布前にウエハを所定温度に温調するための温調ユニット（ＣＰＬ）２５、ウエハ表面に前記塗布液を塗布する処理を行う塗布ユニット（ＳＣＴ）２６、ウエハ表面に塗布された前記塗布液の溶剤を熱により乾燥させる処理を行う低温加熱ユニット（ＬＨＰ）２７、ウエハを加熱して塗布膜（絶縁膜）の化学反応を進行させる処理を行うベークユニット（ＤＬＢ）２８であり、前記低温加熱ユニット２７、ベークユニット２８が本発明の加熱ユニットに相当する。本発明では、塗布液が塗布されたウエハに対して所定の温度でベーク処理を行うことにより、一連の処理が終了する。
【００２０】
続いて前記処理タワーＴ１〜Ｔ４について説明するが、この例では４個の処理タワーＴ１〜Ｔ４は全て同様に構成されているので、第１の処理タワーＴ１を例にとって説明する。先ず処理タワーＴ１には、既述のように１個の塗布ユニット２６、１個の温調ユニット２５、１個の低温加熱ユニット２７、２個のベークユニット２８が、下側から上側に向けてこの順序で互いに積層されて配列されている。また前記塗布ユニット２６の下方側は、後述するように塗布液を貯留するための塗布液タンクや、塗布ユニット２６からの排液を貯留するための排液タンクなどを配置するタンクエリア（ＴＡ）２９として利用されており、ベークユニット２８の上部側は、用力系の装置例えばモータや電気系統等を収納するスペースや、排気管などを収納する排気エリアとして利用されている。
【００２１】
ここで処理タワーＴは図４に示すように、塗布ユニット２６を備えた第１のエリアＡ１と、タンクエリア２９よりなる第２のエリアＡ２とからなる塗布エリアＣＡと、この塗布エリアＣＡの上方側に設けられ、温調ユニット２５と低温加熱ユニット２７とベークユニット２８とをこの順序で下段側から上段側に向けて配列してなる加熱温調エリアＨＡとに、割り当てられている。
【００２２】
続いて前記塗布エリアＣＡについて図５により説明する。前記第１のエリアＡ１には、既述のように塗布ユニット２６と、ポンプ３１とが配置され、第２のエリアＡ２には、塗布液を貯留するための塗布液タンク３２と、塗布ユニット２６からの排液を貯留するための排液タンク３３と、塗布ユニット２６からの排液を回収するための回収部３４と、が設けられている。
【００２３】
先ず塗布ユニット２６について説明すると、当該ユニット２６はウエハの表面に前記塗布液を塗布する処理を行なうものである。図５中３５は基板保持部であるスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを略水平に保持するように構成されている。スピンチャック３５の周囲にはウエハＷからスピンチャック３５に跨る側方部分を囲い、飛散した塗布液を回収するためのカップ３６が設けられている。このカップ３６の下面には略垂直に下方側に伸びるドレイン管３７が接続されており、ドレイン管３７の下端側は第１のエリアＡ１の底壁１００に接続され、第２のエリアＡ２に向けて開口している。前記スピンチャック３５はモータ及び昇降部を含む駆動部３８により駆動軸を介して鉛直軸まわりに回転でき、且つ昇降できるようになっている。図中３９はベースプレートである。
【００２４】
前記カップ３５の上方側には、例えばウエハＷのほぼ回転中心に塗布液を供給するための供給ノズル４が設けられている。前記供給ノズル４は、供給路４１により塗布液タンク３２とポンプ３１を介して接続されている。また供給ノズル４は、ウエハに塗布液を供給する供給位置とカップ３６の外側のダミーディスペンス位置との間で移動できるように構成されており、前記ダミーディスペンス位置には、供給ノズル４のダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンスポート４２が設けられている。
【００２５】
このダミーディスペンスポート４２は、図６に示すように、供給ノズル４から吐出される塗布液を受けるための液受け部４２ａと、この液受け部４２ａに続く排出管４２ｂと、を備え、ダミーディスペンス時には供給ノズル４の先端が液受け部４２ａの上部側に入り込んだ状態で保持されるようになっている。また前記排出管４２ｂの他端側は第１のエリアＡ１の底壁１００に接続され、第２のエリアＡ２に向けて開口している。さらにダミーディスペンスポート４２は、液受け部４２ａに供給ノズル４の先端が入り込むように保持されたときに、当該ノズル４の先端に塗布液の溶剤であるシンナー液を吹きかけ、これによりノズル４先端に付着した塗布液を洗浄するように、シンナー液吐出部４２ｃが設けられている。
【００２６】
さらにカップ３６の外側のダミーディスペンスポート４２の近傍には、ソルベントバス４３が設けられている。このソルベントバス４３は、図７に示すように、塗布液の供給を停止しているときに、供給ノズル４の先端が乾燥しないように当該ノズル４先端を溶剤雰囲気にさらすためのものである。ソルベントバス４３では、例えば密閉容器４３ａの内部に塗布液の溶剤であるシンナー液の揮発成分を満たして、前記密閉容器４３ａ内を所定の溶剤雰囲気に設定し、この密閉容器４３ａの内部にノズル４の先端が突入する状態で当該ノズル４が保持されるようになっている。図中４３ｂは前記溶剤など液体成分の排出管であり、この排出管４３ｂの他端側は第１のエリアＡ１の底壁１００に接続され、第２のエリアＡ２に向けて開口している。また、図中４３ｃはシンナー液の貯留部である。
【００２７】
このように構成された塗布ユニット２６においては、前記基板搬送手段２４によりウエハＷが搬入されてスピンチャック３５に受け渡される。そして供給ノズル４からウエハＷ表面のほぼ中央部に絶縁膜の塗布液を供給すると共に、予め設定された回転数でスピンチャック３５を回転させる。これにより塗布液はその遠心力によりウエハＷの径方向に広がっていき、こうしてウエハＷ表面に絶縁膜の液膜が形成される。そして供給ノズル４は、塗布液の吐出を行わないときにはソルベントバス４３にノズル先端を突入した状態で保持され、ダミーディスペンス時には、ダミーディスペンスポート４２に移動して液受け部４２ａにノズル４先端を突入させて所定のダミーディスペンスを行う。
【００２８】
前記第２のエリアＡ２には、カップ３６のドレイン管３７やダミーディスペンスポート４２やソルベントバス４３の排出管４２ｂ，４３ｂの開口部を覆うように回収部３４が設けられている。この回収部３４の底部には、略垂直に伸びる配管４４が接続されており、回収部３４は、配管４４が接続された部分が最も下方側に位置し、当該回収部３４の内面が回収部３４の外周側から配管４４に向けて徐々に下向きに傾斜するように形成されている。
【００２９】
前記配管４４は、当該配管４４の下端側近傍領域を覆うカバー体４６ａと、このカバー体４６ａに続く排液部４６ｂと、を組み合わせて構成されており、前記配管４４から排出される排液がカバー体４６ａの内面を伝わって排液部４６ｂに向かって流れ、排液部４６ｂから下方側に排出されるようになっている。前記カバー体４６ａは昇降機構４５にて昇降され、これにより排液部４６ｂの先端が前記排液タンク３３の供給口３３ａ近傍に位置する前記排液を供給する供給位置と、前記供給口３３ａの上方側に位置する位置との間で昇降自在に移動されるように構成されている。排液タンク３３を第２のエリアＡ２に対して搬入出するときには、排液部４６ｂは前記供給口３３ａの上方側の位置に保持される。この際排液部４６ｂは略水平部分がない状態で排液タンク３３に接続されるように、排液タンク３３や供給口３３ａの位置と、回収部３４の配管４４や排液部４６ｂの取り付け位置とが決定されている。こうして塗布ユニット２６からの排液を排液タンク３３に排出する排液路は、ドレイン管３７と配管４４、排液部４６ｂとにより構成され、これらは略水平部分がない状態、例えばドレイン管３７と配管４４、排液部４６ｂとが共に略垂直な状態で排液タンク３３に接続される。
【００３０】
また、第２のエリアＡ２には、排液タンク３３に隣接して塗布液タンク３２が設けられており、さらに、第１のエリアＡ１には、塗布ユニット２６に隣接すると共に、塗布液タンク３２の上段側に塗布液タンク３２からの塗布液を供給ノズル４に送り出すための供給ポンプ３１が設けられている。このように配置することにより、前記供給路４１が余計な経路を通ることなく、塗布液タンク３２と供給ポンプ３１と供給ノズル４とを接続することになり、供給路４１が最短長になるように供給路４１の短縮化を図ることができる。このような塗布エリアＣＡには、図８に示すように、温湿度調整部４７により所定の温度及び湿度に調整された空気が供給部４８を介して供給され、これによりこれらのエリアは所定の温度及び湿度に調整されている。
【００３１】
前記塗布ユニット２６では第１のエリアＡ１にポンプ３１を配置したが、第２のエリアＡ２に配置した塗布液タンク３２と排液タンク３３の配置場所を変えることにより、塗布液タンク３２の側方である第２のエリアＡ２内にポンプ３１を設けるようにしてもよい。
【００３２】
続いて加熱温調エリアＨＡについて説明する。先ず低温加熱ユニット２７は、絶縁膜の液膜（塗布膜）が塗布された基板を加熱して、塗布膜に残った溶剤を熱により乾燥させるための、低温の加熱処理が行われる処理ユニットである。このユニット２７は、図９に示すように、基板載置台を兼ねる加熱プレート５１上に、図示しないウエハ搬送口を介して基板搬送手段２４と昇降ピン５２との協働作業によりウエハが受け渡され、加熱プレート５１と蓋体５３とにより形成される処理容器内に、不活性ガス供給機構５４から不活性ガス例えば窒素ガスを供給する。
【００３３】
この状態で加熱プレート５１にて、ウエハＷを所定温度例えば１００℃程度に加熱することにより、前記塗布膜に含まれる溶剤の乾燥が行われる。一方、蓋体５３の排気機構５３ａを介して不活性ガスを排気させることにより前記処理容器内で発生した昇華物を排出する。図中５１ａは加熱手段をなすヒータであり、５２ａは昇降ピン５２の昇降機構である。
【００３４】
また、ベークユニット２８は、低酸素雰囲気にてウエハを加熱して縮重合反応を起こさせ、化学的に塗布膜を硬化させるための低酸素加熱処理（ベーク処理）が行われる処理ユニットである。図１０中５５はウエハを加熱するための、例えば加熱手段をなすヒータ５５ａにより５０℃〜３５０℃に設定可能な加熱プレートであり、この加熱プレート５５はケーシング５６内に設けられている。
【００３５】
前記ケーシング５６は、上面に開口部５６ａが形成され、側面に当該ユニットの排気を行うための排気口５６ｂが形成されており、開口部５６ａを塞ぐための昇降可能な蓋体５７が設けられている。また蓋体５７の周縁部には、不活性ガス例えば窒素ガスが内周面から吐出可能な不活性ガス供給機構５８が設けられている。５７ａは蓋体５７に設けられた排気機構である。
【００３６】
このようなベークユニット２８では、ケーシング５６の図示しないウエハ搬送口を介して基板搬送手段２４と昇降ピン５９との協働作業により加熱プレート５５に対してウエハが受け渡される。そして、ケーシング５６と蓋体５７とにより形成される加熱処理室内に、不活性ガス供給機構５８から不活性ガスを供給する一方、蓋体５７の排気機構５７ａ及びケーシング５６の排気口５６ｂから不活性ガスを排気させることにより、加熱処理室内を低酸素状態にして、加熱プレート５５にてウエハを所定温度に加熱し、こうして所定のベーク処理が行われる。図中５５ａは加熱手段をなすヒータ、図中５９ａは昇降ピン５９の昇降機構である。
【００３７】
また前記温調ユニット２５は、基板載置台の内部に、ヒータ５１ａに替えて冷却手段が設けられたことを除いて、概ね前記低温加熱ユニット２７と同様に構成されており、基板載置部（冷却プレート）の表面にウエハを所定時間載置することにより、ウエハを所定温度に調整する処理が行われる。
【００３８】
そして処理タワーＴでは、図８に示すように断熱機構となっている。つまり処理タワーＴは、各処理ユニットの周囲を壁部６により囲むと共に、各処理ユニット同士の間を壁部６にて区画するようになっているが、これら壁部６の内部に通気路６１を形成し、この通気路６１に塗布エリアＣＡの温湿度調整された空気が通流されるようになっている。この通気路６１内の空気は、例えば処理タワーＴの上部に接続される排気路６２を介して排気手段６３により排気され、これにより通気路６１内に温湿度調整された空気が通流される。こうして、処理タワーＴが断熱機構を有し、処理ユニット同士の間が断熱されることになる。
【００３９】
以上のように、本発明では処理タワーＴが標準化されている。ここで標準化とは、塗布エリアＣＡの上方側に加熱温調エリアＨＡを配列し、さらに加熱温調エリアＨＡにおいて、温調ユニット２５と、加熱ユニットとを、処理温度が低いユニットを下段側に、処理温度が高いユニットを上段側に、処理温度の順序に沿って多段に積層すると共に、塗布エリアＣＡでは、塗布ユニット２６からの排液路が略水平部分がないように排液タンクに接続され、塗布液タンクとポンプと供給ノズルとを結ぶ供給路ができるだけ短縮されるように、これらの位置が決定されているということである。
続いて、基板搬送手段２４について図１１に基づいて簡単に説明する。基板搬送手段２４は、ウエハＷを保持するための夫々ウエハを保持し得るように３段に構成されたアーム６４と、このアーム６４を進退自在に支持する基台６５と、この基台６５を昇降自在に支持する一対の案内レール６６ａ，６６ｂと、これら案内レール６６ａ，６６ｂの上端及び下端を夫々連結する連結部材６７ａ，６７ｂと、案内レール６６ａ，６６ｂ及び連結部材６７ａ，６７ｂよりなる枠体を鉛直軸周りに回転自在に駆動するために案内レール下端の連結部材６７ｂに一体的に取り付けられた回転駆動部６８と、を備えている。これにより基板搬送手段２４の３本のアーム６４は、夫々独立して昇降自在、略鉛直軸まわりに回動自在、進退自在に構成されることとなる。
前記回転駆動部６８は支持台６９に取り付けられており、前記支持台６９はキャリアステーションのキャリアＣの配列方向と略直交する方向に設けられたレールＲに沿って、前記キャリアＣの配列方向と略直交する方向に移動でき（図１参照）、これにより受け渡しステージ２３と、４個の処理タワー１〜Ｔ４の各処理ユニットに対してウエハの受け渡しを行うことができるように構成される。
【００４０】
ここで前記処理ブロックＢ２は図示しない筐体内に収納されており、例えば処理ブロックＢ２の上部側には図示しないフィルタユニットが設けられていて、当該領域内に清浄な空気がダウンフロ−として供給されるようになっている。また例えば各処理ユニット２５〜２９は、例えば図１２に示すように、処理容器１０１〜１０６内に収納され、これら処理容器１０１〜１０６が多段に積層されるようになっており、処理容器１０２〜１０６には、基板搬送手段２４と対向する面に、ウエハの搬送口１０２ａ〜１０６ａが夫々形成されている。
【００４１】
このような絶縁膜形成装置におけるウエハの流れについて説明すると、自動搬送ロボット（あるいは作業者）により例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリアＣ１〜Ｃ４が、外部からキャリアブロックＢ１のキャリア載置部２１に搬入される。次いで受け渡し手段２２によりこれらキャリアＣ１〜Ｃ４内からウエハＷが取り出され、処理ブロックＢ２の受け渡しステージ２３を介して基板搬送手段２４に受け渡される。
【００４２】
そして例えばキャリアＣ１内のウエハＷは第１の処理タワーＴ１の各処理ユニットに、キャリアＣ２内のウエハＷは第２の処理タワーＴ２の各処理ユニットに、キャリアＣ３内のウエハＷは第３の処理タワーＴ３の各処理ユニットに、キャリアＣ４内のウエハＷは第４の処理タワーＴ４の各処理ユニットに、基板搬送手段２４により夫々搬送される。具体的に第１の処理タワーＴ１を例にして説明すると、ウエハＷは基板搬送手段２４により温調ユニット２５に搬送され、ここで所定の温度例えば２３℃に調整された後、塗布ユニット２６に搬送され、当該ユニット２６にて例えば商品名「ＬＫＤ」よりなる塗布液の塗布処理が行われる。
【００４３】
続いてウエハＷは基板搬送手段２４により低温加熱ユニット２７に搬送され、ここで約１００℃程度に加熱されることにより、塗布液に含まれる溶媒を熱により揮発させて乾燥させる低温加熱処理が行われる。次いでウエハＷは基板搬送手段３Ｂによりベークユニット２８に搬送されて、ここで窒素ガスの導入により、所定の低酸素状態例えば許容酸素濃度１００ｐｐｍ以下の雰囲気に設定され、約２００℃の下、所定のベーク処理が行われる。ベーク処理が行われたウエハＷは、基板搬送手段２４により受け渡しステージ２３に搬送され、受け渡し手段２２を介して例えば元のキャリアＣ１内に戻される。この後例えば絶縁膜形成装置の外部に設けられたキュア装置にて所定のキュア処理が施され、所定の絶縁膜が形成される。前記キュア処理とは塗布膜を焼成するための加熱処理であり、塗布膜が加熱されることにより、架橋またはポロジェンの離脱を行ない塗布膜の硬化を図る処理である。
【００４４】
このような構成では、ウエハ表面に絶縁膜を形成するにあたり、１個の処理タワーＴに、絶縁膜を形成するために必要な全ての処理ユニットを多段に配列しているので、１つの処理タワーＴ内の各処理ユニットにウエハを搬送することにより絶縁膜を形成することができる。このため処理ユニットが処理ブロックＢ２内に分散して配列されている場合に比べて、処理ブロックＢ２の占有面積を小さくすることができる。これによりこの絶縁膜形成装置が配設されるクリーンルームや、処理ブロックＢ２の上部に設けられるフィルタユニットが小型化され、コスト的に有利となる。
【００４５】
また１つの処理タワーＴ１（Ｔ２）に絶縁膜を形成するための複数の処理ユニットが集約して設けられているので、搬送エリアが集約される。このためウエハの搬送効率が高まって搬送のスループットが向上し、処理全体として高いスループットを得ることができる。さらにこの例では処理ブロックＢ２内に所定の絶縁膜を形成する４個の処理タワーＴ１〜Ｔ４を設け、これらタワーＴ１〜Ｔ４に共通の基板搬送手段２４によりウエハＷの搬送を行うようにしたので、フットプリントの増大を抑えながら、処理効率を高めることができる。
【００４６】
さらに処理タワーＴは既述のように標準化されている。このため４個の処理タワーＴ１〜Ｔ４にてウエハ表面に夫々同じ絶縁膜を形成する場合、処理タワーＴ１〜Ｔ４間の膜質のバラツキが抑えられ、処理タワーＴ１〜Ｔ４の間差を低減して、安定した膜質の絶縁膜を得ることができ、膜質を安定して管理することができる。また処理タワーＴを標準化することにより、１つの処理タワーＴが故障したときに、他の処理タワーＴと速やかに交換することができ、有効である。
【００４７】
さらにまた塗布エリアＣＡにおいて、塗布ユニット２６と排液タンクとの間を略垂直な排液路にて接続するようにしているので、排液路に略水平部分がなく、排液が速やかに排液タンク３２に通流していく。これにより固化しやすいという特徴を有するＳＯＤ液を排出する場合でも、排液路内部で液が流れにくくなって液詰まりが発生するという状態が抑えられ、排液路の洗浄やメンテナンスが容易となる。
【００４８】
さらにまた塗布液タンク３２と、ポンプ３１と、排液タンク３３と、塗布ユニット２６との配置位置の最適化を図ることにより、供給路４２を出来る範囲で短くすることができる。これにより塗布液タンク３２を装置の外部に設けている場合に比べて、大幅に供給路４１を短縮することができるので、塗布液の無駄を抑えることができる。つまり塗布液タンク内の塗布液が無くなり、塗布液タンクを交換する場合や塗布液の供給路に接続されている薬液フィルタ等を交換する場合には、供給路４１に溜まっている前回の塗布液を全て排出しなくてはならないが、供給路４１が短ければ当該供給路４１中の塗布液が少なくなるので、その分塗布液の無駄を抑えることができる。
【００４９】
さらに塗布液タンク３２の交換後、新に供給路４１に塗布液を供給する際、供給路４１内の塗布液に泡が入ってしまい、この泡が塗布処理の均一性を悪化させてしまうため、ダミーディスペンスを行って塗布液中の泡を除去する必要があるが、供給路４２が短いと、このときに排出される塗布液が少なくなるので、この場合も塗布液の無駄を抑えることができる。
【００５０】
さらにまた処理タワーＴでは塗布ユニット２６の上方側に温調ユニット２５を配設し、この温調ユニット２５の上方側に加熱ユニット（低温加熱ユニット２７、ベークユニット２８）を設けるように標準化されているので、加熱ユニットと塗布ユニット２６とが熱的に分離され、加熱ユニットからの放熱による塗布ユニット２６への熱影響を抑えることができる。このため塗布ユニット２６では温度変化による塗布膜の膜質のバラツキが抑えられ、安定した膜質の塗布膜を得ることができる。
【００５１】
さらにまた加熱温調エリアＨＡにおいて、処理タワーＴを構成する壁部６の内部に通気路６１を形成し、この通気路６１に塗布エリアＣＡから排気される温湿度調整した空気を通流させるようにしているので、高温で処理が行われる加熱ユニットからの放熱をさらに緩和できる。このため隣接するユニット同士の間での熱影響を抑えることができて有効である。この際処理タワーＴの壁部６の通気路６１内に前記塗布ユニット２６からの空気を供給する一方、他方では前記通気路６１から空気を排気させているので、前記通気路６１では常に温湿度調整された空気が通流していることになり、高い断熱効果を確保することができる。
【００５２】
以上において、処理タワーＴの標準化とは既述の通りであるが、ＳＯＤ法では、塗布液の種類が多く、これに対応して処理工程や処理雰囲気などプロセスが異なるので、目的とするプロセスに応じて、加熱ユニットとして低温加熱ユニット２７とベークユニット２８の両方を設けてもよいし、ベークユニット２８のみを設けてもよい。
【００５３】
具体的に、上述の商品名「ＬＫＤ」という塗布液以外の塗布液を用いる場合のプロセスの一例を挙げると、例えば商品名「シルク」という塗布液を用いる場合、先ず温調ユニット２５にてウエハの温度を所定温度に調整する→塗布ユニット２６にて前記塗布液を塗布する→ベークユニット２８にて、約３００℃の下、ベーク処理を行うという手順で絶縁膜を形成する。また、商品名「ＡｌＣａｐ」という塗布液を用いる場合、先ず温調ユニット２５にてウエハの温度を所定温度に調整する→塗布ユニット２６にて前記塗布液を塗布する→低温加熱２７ユニットにてウエハを所定温度に加熱して加熱処理を行う→ベークユニット２８にて、約２４０℃の下、ベーク処理を行うという手順で絶縁膜を形成する。
【００５４】
さらに上述の実施の形態においては、第１の処理タワーＴ１と第２の処理タワーＴ２と第３の処理タワーＴ３と第４の処理タワーＴ４とにて同じ絶縁膜を形成しても、異なる絶縁膜を形成してもよく、各処理タワーＴ１〜Ｔ４には夫々の絶縁膜を形成するための適切な処理ユニットが配列される。
【００５５】
また先ず第１の処理タワーＴ１で第１の絶縁膜を形成し、次いで第２の処理タワーＴ２において、この第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成し、続いて第３の処理タワーＴ３において、この第２の絶縁膜の上に第３の絶縁膜を形成し、この後、第４の処理タワーＴ４において、この第３の絶縁膜の上に第４の絶縁膜を形成することにより、４層の絶縁膜を連続して形成するようにしてもよい。この場合には、先ず第１の処理タワーＴ１の各処理ユニットに基板搬送手段２４より順次ウエハＷを搬送して、ウエハＷの表面に第１の絶縁膜を形成し、次いで第２の処理タワーＴ２の各処理ユニットに順次ウエハＷを搬送して、ウエハ表面の第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成し、さらに第３の処理タワーＴ３の各処理ユニットに順次ウエハＷを搬送して、ウエハＷの表面に第３の絶縁膜を形成し、次いで第４の処理タワーＴ４の各処理ユニットに順次ウエハＷを搬送して、ウエハ表面の第３の絶縁膜の上に第４の絶縁膜を形成する。
【００５６】
さらにまた４個の処理タワーＴの内の２個の処理タワーＴ、例えば第１の処理タワーＴ１と第２の処理タワーＴ２とで第１の絶縁膜を形成し、次いで残りの処理タワーＴ例えば第３の処理タワーＴ３と第４の処理タワーＴ４とにおいて前記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成することにより、２層の絶縁膜を２枚のウエハに形成するようにしてもよい。この場合には、先ず第１の処理タワーＴ１，第２の処理タワーＴ２の各処理ユニットに夫々順次ウエハＷを搬送して、ウエハＷの表面に第１の絶縁膜を形成し、次いで第３の処理タワーＴ３，第４の処理タワーＴ４の各処理ユニットに夫々順次ウエハＷを搬送して、ウエハ表面の第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する。
【００５７】
このようにこの実施の形態の絶縁膜形成装置では、１台の絶縁膜形成装置において、４枚のウエハに１層の絶縁膜を形成する処理と、２枚のウエハに２層の絶縁膜を形成する処理と、１枚のウエハに４層の絶縁膜を形成する処理とを行うことができ、多様な処理に対応することができる。
【００５８】
以上において上述の実施の形態では、図１３，図１４に示すように、各処理タワーＴ１〜Ｔ４に、ウエハの表面に絶縁膜を形成するための最終工程であるキュア処理を行うキュアユニット７をさらに設けるようにしてもよい。この例の処理タワーＴ１〜Ｔ４の加熱温調エリアＨＡには、処理温度の順番に下段側から上段側に向けて各ユニットが多段に積層され、例えば１個の低温加熱ユニット２７、１個のベークユニット２８、１個のキュアユニット７がこの順序で下段側から上段側に向けて夫々積層して設けられている。
【００５９】
前記キュアユニット７について、図１５に基づいて簡単に説明すると、図中７１はウエハを加熱するための、例えば２００℃〜４５０℃に設定可能な加熱プレート７０を備えた加熱室であり、加熱プレート７０は加熱手段をなすヒータ７０ａにより所定の温度に加熱されるようになっている。この加熱室７１には、不活性ガス供給機構７２により不活性ガス例えば窒素ガスが供給されるようになっている一方、当該加熱室７１の内部雰囲気は図示しない真空ポンプより排気されるようになっている。
【００６０】
図中７３は加熱室７１に隣接して設けられたロードロック室を兼用する温調処理室であって、加熱室７１と温調処理室７３との間にはウエハの受け渡しを行うための密閉可能なゲートバルブ７４が設けられている。この温調処理室７３にはウエハを載置してウエハの温度を調整するための例えば２０℃〜３５℃に設定可能な移送温調プレート７５がガイドレール７６ａに沿って移動機構７６ｂにより加熱室７１に対して進退自在に設けられている。このような温調処理室７３にも、加熱室７１と同様の雰囲気にするために、不活性ガス供給機構７２により当該処理室７３内に不活性ガス例えば窒素ガスが供給されるようになっている一方、当該処理室７３の内部雰囲気は図示しない真空ポンプより排気されるようになっている。
【００６１】
このようなキュアユニット７では、先ず加熱室７１内に、不活性ガス供給機構７２から不活性ガスを供給する一方、加熱室７１内の雰囲気を排気することにより、当該加熱室７１内を低酸素状態及び所定の減圧状態に設定する。そして温調処理室７３のウエハ搬送口７３ａ（図１３参照）を介して基板搬送手段２４と、昇降機構７７ａにより昇降可能な昇降ピン７７との協働作業により移送温調プレート７５に対してウエハを受け渡す。この後温調処理室７３に不活性ガス供給機構７２から不活性ガスを供給する一方、当該処理室７３内の雰囲気を排気することにより、当該処理室７３内を加熱室７１と同じ低酸素状態及び所定の減圧状態に設定する。
【００６２】
しかる後ゲートバルブ７４を開き、ウエハを移送温調プレート７５により加熱室７１内に搬送して、当該ウエハを移送温調プレート７５と昇降機構７８ａより昇降可能な昇降ピン７８との協働作業により加熱プレート７０上に受け渡す。そして加熱室７１内を所定の低酸素状態及び所定の減圧状態にして、加熱プレート７０にてウエハを所定温度に加熱して所定のキュア処理を行う。こうしてキュア処理が行われたウエハは、ゲートバルブ７４を介して、当該加熱室７１内に進入してきた移送温調プレート７５に受け渡され、ゲートバルブ７４を閉じて、ここで所定の温度に温調される。次いで温調処理室７３内を処理ブロックＢ２内の搬送領域と同じ雰囲気に設定した後、ウエハ搬送口７３ａを開いて基板搬送手段２４にキュア処理後のウエハを受け渡す。
【００６３】
このような構成では、４個の処理タワーＴ１〜Ｔ４では、夫々の処理タワーＴ１〜Ｔ４に設けられた各処理ユニットに基板搬送手段２４により順次ウエハＷを搬送することにより、絶縁膜を形成するための最終処理であるキュア処理も完了するようになっている。なおキュアユニット７に対しては、基板搬送手段２４と温調処理室７３の移送プレート７５との間でウエハの受け渡しが行われるようになっている。
【００６４】
このように本実施の形態では、処理タワーＴ１〜Ｔ４に真空雰囲気で処理を行うキュアユニットを設けることができ、レイアウトの自由度が大きい。また処理タワーＴにキュアユニット７を設けることで、キュア装置を装置外部に設ける場合に比べてトータルの装置の占有面積を小さくすることができる。さらにベークユニット２８とキュアユニット７との間のウエハの搬送距離が短くなるので、搬送スループットを高めることができて有効である。この実施の形態においては、例えば既述の２層の絶縁膜や４層の絶縁膜を形成する場合などに、所定の処理タワーＴのみにキュアユニット７を設け、最後にキュア処理を行うようにしてもよい。
【００６５】
さらに処理タワーＴに設けられる処理ユニットのレイアウトは、既述のように、処理タワーＴが標準化される構成であれば、上述の例に限らない。例えば図１６に示すように、第１のエリアＡ１と、第１のエリアＡ１の下方側の第２のエリアＡ２と、第２のエリアＡ２の下方側の第３のエリアＡ３の３段のエリアから塗布エリアＣＡを構成し、第１のエリアＡ１に塗布ユニット２６、第２のエリアＡ２の塗布ユニット２６の下方側に排液タンク３２を設けると共に、この排液タンク３２の側方側にポンプ３１を設け、第３のエリアＡ３に塗布液タンク３３を設けるようにしてもよい。
【００６６】
この例においても、塗布ユニット２６の下方側に排液タンク３２が設けられ、塗布ユニット２６の排液路は略水平部分がないように排液タンク３２に接続されるので、排液路の詰まりが抑えられる。また塗布液タンク３３の上方側にポンプ３１が設けられているので、供給路４１の短縮化が図られ、塗布液の無駄を抑えることができる。
【００６７】
また前記塗布ユニット２６の下方側に排液タンク３３と塗布液タンク３２を設け、前記塗布ユニット２６の下方側であって、前記塗布液タンク３２の側方側にポンプ３１を設けるようにしてもよく、この例においても、排液路は略水平部分がないように排液タンク３２に接続されるので、排液路の詰まりが抑えられる。また供給路４１の短縮化が図られ、塗布液の無駄を抑えることができる。
【００６８】
以上において、本発明では上述の例に限らず、処理タワーＴは１個以上であればいくつでもよい。また本発明では所定の処理が行われるものであれば、塗布ユニットやキュアユニット、ベークユニットなどは上述の構成に限らない。さらに加熱温調エリアＨＡのみならず、塗布エリアＣＡにも壁部６の内部に通気路６１を形成し、この通気路６１内に温湿度調整された空気を通流させるようにしてもよいし、通気路６１内に通流させる空気として塗布ユニット２６からの排気を利用するのではなく、別に温湿度調整した空気を通流させるようにしてもよい。また通気路内６１に通流される気体や塗布ユニット２６に通流される気体は温度のみを調整したものであってもよい。さらに回収部３４や配管４４、排液部４６ｂ等は第１のエリアＡ１に設けるようにしてもよい。
【００６９】
さらにまた本発明はＳＯＤ法による低誘電率層間絶縁膜の形成のみならず、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜の形成や、レジスト膜、ポリイミド膜、強誘電体、他の絶縁膜等の形成に適用することができる。ここで前記ＳＯＧ膜とは、ＣＶＤで形成された膜は表面が凹凸状態であるので、これを平坦化するために、前記ＣＶＤ法により形成された膜の表面に形成されるＳｉＯ２膜であり、ＳＯＤ法と同様に、塗布液をウエハ表面にスピンコートした後、ウエハに対して加熱処理を施すことにより、塗布液に含まれる溶媒などを蒸発させ、膜を硬化させることにより形成される。
【００７０】
さらに上述の実施の形態では半導体ウエハを処理する装置について説明したが、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）やマスク等に使用されるガラス基板を処理する装置についても本発明は適用可能である。
【００７１】
【発明の効果】
本発明によれば、一の絶縁膜を形成するための処理ユニットが一の処理タワー内に集約して設けられるので、装置の占有面積を小さくすることができる。また塗布ユニットと、排液路と、排液タンクと、塗布液タンクと、ポンプとの位置の最適化を図ったので、排液路の詰まりや塗布液の無駄が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる絶縁膜形成装置の一実施の形態の全体構成を示す平面図である。
【図２】前記絶縁膜形成装置の全体構成を示す概略斜視図である。
【図３】前記絶縁膜形成装置に設けられる処理タワーとキャリアブロックとを示す側部断面図である。
【図４】前記キャリアブロックと前記処理タワーとの間の基板の搬送経路を示す側面図である。
【図５】前記処理タワーの塗布エリアを示す断面図である。
【図６】塗布ユニットに設けられるダミーディスペンスポートを示す断面図である。
【図７】塗布ユニットに設けられるソルベントバスを示す断面図である。
【図８】前記処理タワーに設けられる断熱機構を示す断面図である。
【図９】前記絶縁膜形成装置に設けられる低温加熱ユニットを示す断面図である。
【図１０】前記絶縁膜形成装置に設けられるベークユニットを示す断面図である。
【図１１】前記絶縁膜形成装置に設けられる基板搬送手段を示す断面図である。
【図１２】前記絶縁膜形成装置に設けられる処理タワーを示す斜視図である。
【図１３】本発明の絶縁膜形成装置の他の例を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す絶縁膜形成装置に設けられる処理タワーを示す側面図である。
【図１５】図１３に示す絶縁膜形成装置に設けられるキュアユニットを示す側部断面図である。
【図１６】絶縁膜形成装置に設けられる処理タワーのさらに他の例を示す側面図である。
【図１７】従来のＳＯＤ法による塗布膜形成システムを示す平面図である。
【図１８】従来の塗布膜形成システムに設けられる塗布ユニットを示す側面図である。
【符号の説明】
Ｗ            半導体ウエハ
Ｔ１〜Ｔ４    処理タワー
Ｃ            キャリア
Ｂ１          キャリアブロック
Ｂ２          処理ブロック
ＣＡ          塗布エリア
ＨＡ          加熱温調エリア
２１          キャリア載置部
２２          受け渡し手段
２３          受け渡しステージ
２４          基板搬送手段
２５          温調ユニット
２６          塗布ユニット
２７          低温加熱ユニット
２８          ベークユニット
３１          ポンプ
３２          塗布液タンク
３３          排液タンク
３４          回収部
３５          スピンチャック
３６          カップ
３７          ドレイン管
４            供給ノズル
６            壁部
６１          通気路
７            キュアユニット
【図１】
2004172223.tif 000003
【図２】
2004172223.tif 000004
【図３】
2004172223.tif 000005
【図４】
2004172223.tif 000006
【図５】
2004172223.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004172223.tif 000009
【図８】
2004172223.tif 000010
【図９】
2004172223.tif 000011
【図１０】
2004172223.tif 000012
【図１１】
2004172223.tif 000013
【図１２】
2004172223.tif 000014
【図１３】
2004172223.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2004172223.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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