(57)【要約】　　　（修正有）【課題】新たな研磨ヘッドのデザインを用いることによる費用、複雑さ、および制御の問題が生ずることがなく、ウエハの中心部の除去プロファイルを高めることができるパッドドレッシングおよび化学的機械研磨方法を提供する。【解決手段】回転する研磨パッドに対してパッドドレッサ１００を回転させることによって研磨パッドをドレッシングし、研磨パッドにスラリーを供給し、回転する研磨パッドに対してウエハを回転させることによってウエハを化学的機械的に研磨し、パッドドレッサ１００、研磨パッドおよびウエハの回転方向は、所定の回転方向の組み合わせからなる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　回転する研磨パッドに対してパッドドレッサを回転させることによって研磨パッドをドレッシングし、
　研磨パッドにスラリーを供給し、
　回転する研磨パッドに対してウエハを回転させることによってウエハを化学的機械的に研磨し、
　前記パッドドレッサ、研磨パッドおよびウエハの回転方向は、回転の組み合わせＩからXIVの中から選択され、
　前記回転の組み合わせＩからXIVは
【表１】
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のように定義されることを特徴とする化学的機械研磨およびパッドドレッシング方法。
【請求項２】
　回転の組み合わせはＩであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
　回転の組み合わせはIIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
　回転の組み合わせはIIIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
　回転の組み合わせはIVであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
　回転の組み合わせはＶであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
　回転の組み合わせはVIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
　回転の組み合わせはVIIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
　回転の組み合わせはVIIIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
　回転の組み合わせはIXであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
　回転の組み合わせはＸであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
　回転の組み合わせはXIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
　回転の組み合わせはXIIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
　回転の組み合わせはXIIIであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】
　回転の組み合わせはXIVであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１６】
　ドレッシングは約１秒から約６００秒までの間行なうことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１７】
　ドレッシングは約１０秒の間行なうことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１８】
　研磨は約５秒から約６００秒までの間行なうことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】
　研磨は約１０秒の間行なうことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２０】
　研磨はエクスサイチュー（ex-situ）で行なうことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２１】
　研磨はインサイチュー（in-situ）で行なうことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２２】
　研磨パッドは、研磨中、約５ｒｐｍから約２５０ｒｐｍの範囲内で回転することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２３】
　ウエハは、研磨中、約１０ｒｐｍから約２５０ｒｐｍの範囲内で回転することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】
　ウエハおよび研磨パッドの両方は、研磨中、約６０ｒｐｍの速度で回転することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２５】
　パッドドレッサは、ドレッシング中、約５ｒｐｍから約３００ｒｐｍの範囲内で回転することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２６】
　研磨パッドは、ドレッシング中、約５ｒｐｍから約１００ｒｐｍの範囲内で回転することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２７】
　パッドドレッサは、ドレッシング中、約４０ｒｐｍで回転し、研磨パッドは、ドレッシング中、約３８ｒｐｍで回転することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２８】
　ドレッシングの間、第一方向に回転し、かつＣＭＰの間、第二方向に回転するようになっている研磨パッドと、
　第三方向に回転するようになっているドレッサと、
　第四方向に回転するようになっているキャリアとを備え、
　前記第一、第二、第三および第四方向のうち少なくとも１つの方向は異なることを特徴とする化学的機械研磨システム。
【請求項２９】
　回転する研磨パッドに対してパッドドレッサを回転させることによって研磨パッドを第１の時間の間ドレッシングし、
　研磨パッドにスラリーを供給し、
　回転する研磨パッドに対してウエハを回転させることによってウエハを第２の時間の間化学的機械的に研磨し、
　第１の時間は第２の時間より短いことを特徴とするインサイチュー（in-situ）化学的機械研磨およびパッドドレッシング方法。
【発明の詳細な説明】
【先の出願との優先権関係】
【０００１】
　本件出願は、発明者ジェラルド　スティーブン　モロニー、ヒューイ−ミン　ワン、およびピーター　ラオにより２００２年７月３１日に出願された米国特許出願番号６０／４００，４５７、発明の名称「研磨パッドのドレッシング工程の間、研磨パッドおよび研磨パッドのドレッシング用ホイールを所定の方向に回転させ、かつウエハの研磨工程の間、研磨パッドとウエハを反対方向に回転させることによって、ウエハの除去プロファイルを制御する化学的機械研磨の方法およびプロセス」の利益を要求するとともに、ここに参照によって組み入れる。
【技術分野】
【０００２】
　本発明は、一般的に化学的機械研磨（ＣＭＰ）に係り、特に、ウエハの除去プロファイルを改良する化学的機械研磨およびパッドドレッシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
　ＣＭＰは化学的反応と機械的なバフィング（バフ研磨）の組み合わせである。従来のＣＭＰシステムは、リテーナリングを有した研磨ヘッドを備えており、該研磨ヘッドは基板（ウエハとして言及してもよい）と同一方向に回転する研磨パッド面に対して基板を保持し回転させる。研磨パッドは充填材を有し成型され薄く切られたポリウレタン（又は他の重合体）又はウレタン被覆フェルトからなり得る。
【０００４】
　研磨パッドに対して基板を回転させている間、水酸化カリウム又は水酸化アンモニウム等の反応性が穏やかなエッチング液に懸濁されたシリカ（及び／又は他の砥粒）のスラリーが研磨パッドに供給される。スラリーによる化学反応と研磨パッドによる機械的なバフィング（バフ研磨）の組み合わせによって、基板表面の垂直方向の不整合性（凹凸）が取り除かれ、これによって非常に平坦な表面が形成される。
【０００５】
　しかしながら、従来のＣＭＰおよびパッドドレッシング方法は、ＣＭＰの間、プラテン１１０上への均質でないスラリーの分布によってウエハの中心部における研磨速度がウエハのエッジ部における研磨速度より遅いために、一様（均質）でない除去プロファイルになるという大きな欠点がある。
【０００６】
　図１Ａに示すように、プラテン１１０上のＣＭＰ用の研磨パッドを調製するパッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００は、研磨パッドを保持するプラテン１１０と同一方向、例えば時計回りに回転する。同様に、図１Ｂに示すように、ＣＭＰの間、ウエハ（図示せず）を保持する研磨ヘッド１２０はプラテン１１０と同一方向、同様に時計回りに回転する。このことが、ＣＭＰの間、ウエハの下でかつプラテン１１０の表面上の不均質なスラリーの分布の故に、ウエハのエッジ部での除去プロファイルよりウエハの中心部での除去プロファイルが低くなる。特に、ウエハの中心部よりウエハのエッジ部でより多くの量のスラリーが分布されるため、ウエハの中心部よりウエハのエッジ部でより化学的機械研磨（ＣＭＰ）が生ずることとなる。このスラリーの不均質な分布は、研磨パッドのトポグラフィ（topography）によって引き起こされているかもしれない。研磨パッドのトポグラフィ（topography）は、ウエハの下にスラリーの粒子を容易に取り込まずかつ輸送しない傾向にある。さらに、ＣＭＰの技術が２００ｍｍウエハから３００ｍｍウエハに移行するにつれて、不均質なスラリーの分布はより顕著になり、スラリーがウエハの中心領域に到達するには追加的な距離移動しなければならず、この結果、ウエハの中心部における低い除去プロファイルを更に悪化させることになる。
【０００７】
　この欠点を修正する従来のシステムおよび方法は、一般的に改良された研磨ヘッドのデザインを含んでいる。しかしながら、これらの改良された研磨ヘッドのデザインは高価でかつ複雑であり、また研磨ヘッドを制御することが難しい。
　それ故、改良された研磨ヘッドのデザインに関係する費用や複雑さや制御の問題が生ずることなく、上述の欠点を解消することができる方法が必要とされている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　本発明の目的は、新たな研磨ヘッドのデザインを用いることによる費用、複雑さ、および制御の問題が生ずることがなく、ウエハの中心部の除去プロファイルを高めることができるパッドドレッシングおよび化学的機械研磨方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本発明の１態様によれば、化学的機械研磨およびパッドドレッシング方法は、回転する研磨パッドに対してパッドドレッサを回転させることによって研磨パッドをドレッシングし、研磨パッドにスラリーを供給し、回転する研磨パッドに対してウエハを回転させることによってウエハを化学的機械的に研磨することからなる。研磨及び／又はパッドドレッシングの間、ヘッド、研磨パッド、またはパッドドレッサは他の回転要素とは反対方向に回転する。
【００１０】
　本発明の他の態様によれば、化学的機械研磨システムは、ドレッシングの間、第一方向に回転し、かつＣＭＰの間、第二方向に回転するようになっている研磨パッドと、第三方向に回転するようになっているドレッサと、第四方向に回転するようになっているキャリアとを備え、前記第一、第二、第三および第四方向のうち少なくとも１つの方向は異なる。
【００１１】
　本発明の他の態様によれば、インサイチュー（in-situ）化学的機械研磨およびパッドドレッシング方法は、回転する研磨パッドに対してパッドドレッサを回転させることによって研磨パッドを第１の時間の間ドレッシングし、研磨パッドにスラリーを供給し、回転する研磨パッドに対してウエハを回転させることによってウエハを第２の時間の間化学的機械的に研磨し、第１の時間は第２の時間より短い。
【発明の効果】
【００１２】
　本発明によれば、新たな研磨ヘッドのデザインを用いることによる費用、複雑さ、および制御の問題が生ずることがなく、ウエハの中心部の除去プロファイルを高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　次の説明は、当業者が発明を生産し使用することを可能とするためになされ、本件出願およびその必須要件に関連してなされる。実施形態に対する種々の変更は当業者には明らかであり、ここに定義された原理は、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく、他の実施形態および用途に適用可能である。これゆえ、本発明は、図示された実施形態に限定する意図ではなく、ここに開示された原理、特徴および教示と矛盾のない最も広い範囲と一致する。
【００１４】
　図２Ａおよび図２Ｂは、本発明の実施形態に係るパッドドレッシングおよびＣＭＰの間、パッドドレッサ１００、プラテン１１０およびヘッド（キャリア）１２０を示す模式図である。パッドドレッシングの間、図２Ａに示すように、パッドドレッサ１００および研磨パッドを保持するプラテン１１０は、両方とも反時計回りに回転している。パッドドレッサ１００は約−５ｒｐｍ（ｍｉｎ−１）から約−２００ｒｐｍの範囲の速度で回転することができる。本発明の一つの実施形態においては、パッドドレッサ１００は約−４０ｒｐｍの速度で回転する。プラテン１１０は約−５ｒｐｍから約−３００ｒｐｍの速度で回転することができる。本発明の一実施形態においては、プラテンは約−３８ｒｐｍの速度で回転する。パッドドレッサ１００およびプラテン１１０の回転は約１秒から約６００秒の間継続することができる。本発明の一実施形態においては、パッドドレッサ１００およびプラテン１１０の回転は約１０秒間継続する。
【００１５】
　パッドドレッシングの後、ウエハを保持するヘッド１２０およびプラテン１１０は、図２Ｂに示すように、保持したウエハを化学的機械研磨するように時計回りに回転する。ＣＭＰプロセスの間、ヘッド１２０は約５ｒｐｍから約２５０ｒｐｍの速度で回転することができる。本発明の一実施形態においては、ヘッド１２０は約６０ｒｐｍの速度で回転する。ＣＭＰプロセスの間、プラテン１１０は約５ｒｐｍから約２５０ｒｐｍの範囲の速度で回転する。本発明の一実施形態においては、プラテン１１０は約６０ｒｐｍの速度で回転する。研磨中、プラテン１１０およびヘッド１２０は、両方とも約５秒から約６００秒の間回転することができる。本発明の一実施形態においては、プラテン１１０およびヘッド１２０は、研磨中、約２分間回転する。
【００１６】
　パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００とプラテン１１０とを、研磨中のプラテン１１０とヘッド１２０とは反対方向に回転させることによって、プラテン１１０上の研磨パッドのトポグラフィ（topography）は、ウエハの中心の下の研磨パッドの表面にスラリー粒子を取り込み、かつスラリー粒子のより容易な輸送を可能とし得る傾向にあり、これによって、中心の除去速度を実質的に改善するようにしている。
【００１７】
　図３は、本発明のそれぞれ異なった実施形態に係るパッドドレッシングおよびＣＭＰの間、プラテン１１０、ヘッド１２０およびパッドドレッサ１００の回転方向を図示する表３００である。従来のパッドドレッシングおよびＣＭＰにおいては、パッドドレッシングおよびＣＭＰの間、プラテン１１０、ヘッド１２０およびパッドドレッサ１００は、全て同一方向に回転する。しかしながら、本発明の一実施形態においては、パッドドレッシング又はＣＭＰの間、少なくともプラテン１１０またはパッドドレッサ１００またはヘッド１２０は、他の要素とは反対方向に回転する。パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００は、プラテン１１０における研磨パッドに対して回転するということに注意すべきである。研磨中、ヘッド１２０は、プラテン１１０における研磨パッドに対してウエハを回転させる。
【００１８】
　図２Ａおよび図２Ｂに示すように、「リバースＩ」と表題を付けている第１の実施形態において、パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００およびプラテン１１０は、反時計回りに回転する。ＣＭＰの間、プラテン１１０およびヘッド１２０は時計回りに回転する。
【００１９】
　「リバースII」と表題を付けている第２の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０およびヘッド１２０は時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００は反時計回りに回転するが、プラテン１１０は時計回りに回転する。
【００２０】
　「リバースIII」と表題を付けている第３の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０およびヘッド１２０は時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００は時計回りに回転し、プラテン１１０は反時計回りに回転する。
　「リバースIV」と表題を付けている第４の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は時計回りに回転するが、ヘッド１２０は反時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００およびプラテン１１０は時計回りに回転する。
【００２１】
　「リバースＶ」と表題を付けている第５の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は時計回りに回転するが、ヘッド１２０は反時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００およびプラテン１１０は反時計回りに回転する。
　「リバースVI」と表題を付けている第６の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は時計回りに回転するが、ヘッド１２０は反時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０は時計回りに回転するが、パッドドレッサ１００は反時計回りに回転する。
【００２２】
　「リバースVII」と表題を付けている第７の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は時計回りに回転するが、ヘッド１２０は反時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０は反時計回りに回転するが、パッドドレッサ１００は時計回りに回転する。
　「リバースVIII」と表題を付けている第８の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は反時計回りに回転するが、ヘッド１２０は時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０およびパッドドレッサ１００は時計回りに回転する。
【００２３】
　「リバースIX」と表題を付けている第９の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は反時計回りに回転するが、ヘッド１２０は時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０およびパッドドレッサ１００は反時計回りに回転する。
　「リバースＸ」と表題を付けている第１０の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は反時計回りに回転するが、ヘッド１２０は時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０は時計回りに回転するが、パッドドレッサ１００は反時計回りに回転する。
【００２４】
　「リバースXI」と表題を付けている第１１の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０は反時計回りに回転するが、ヘッド１２０は時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０は反時計回りに回転し、パッドドレッサ１００は時計回りに回転する。
　「リバースXII」と表題を付けている第１２の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０およびヘッド１２０は反時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０およびパッドドレッサ１００は時計回りに回転する。
【００２５】
　「リバースXIII」と表題を付けている第１３の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０およびヘッド１２０は反時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０は時計回りに回転し、パッドドレッサ１００は反時計回りに回転する。
　「リバースXIV」と表題を付けている第１４の実施形態において、ＣＭＰの間、プラテン１１０およびヘッド１２０は反時計回りに回転する。パッドドレッシングの間、プラテン１１０は反時計回りに回転し、パッドドレッサ１００は時計回りに回転する。
【００２６】
　表３００で説明した実施例において、パッドドレッシングの間、パッドドレッサ１００は約５ｒｐｍ（ｍｉｎ−１）から約２００ｒｐｍの範囲の速度、例えば４０ｒｐｍの速度で回転することができる。プラテン１１０は約５ｒｐｍから約３００ｒｐｍの速度、例えば約３８ｒｐｍの速度で回転することができる。パッドドレッサ１００およびプラテン１１０の両方の回転は約１秒から６００秒継続することができ、例えば約１０秒継続することができる。
【００２７】
　表３００で説明した実施例において、ＣＭＰプロセスの間、ヘッド１２０は約５ｒｐｍから約２５０ｒｐｍの範囲の速度、例えば約６０ｒｐｍの速度で回転することができる。ＣＭＰプロセスの間、プラテン１１０は約５ｒｐｍから約２５０ｒｐｍの範囲の速度、例えば約６０ｒｐｍの速度で回転する。研磨中、プラテン１１０およびヘッド１２０の両方の回転は約５秒から約６００秒継続することができ、例えば約２分継続することができる。
【００２８】
　図４は本発明の実施形態に係るエクスサイチュー（ex-situ）パッドドレッシングおよびＣＭＰの方法４００を示すフローチャートである。第１に、パッドドレッシング又はパッドの調製が行われる（４１０−４３０）。パッドドレッシングは、研磨パッドを保持しているプラテン１１０を回転させ（４１０）、パッドドレッサ１００がプラテン１１０の研磨パッドに対して回転するようにパッドドレッサ１００をほぼ同時に回転させる（４２０）ことからなっている。所定のドレッシング時間の後、プラテン１１０およびパッドドレッサ１００の回転が停止される（４３０）。ドレッシング時間は約１秒から６００秒の範囲であることができ、例えば１０秒であることができる。
【００２９】
　回転が停止（４３０）された後、スラリーがプラテン１１０上の研磨パッドに供給される（４４０）。次に、ウエハは、ヘッド１２０によって保持され、プラテン１１０上の研磨パッド上に置かれる（４５０）。
【００３０】
　ウエハを載置した（４５０）後、研磨（４６０−４８０）が開始される。研磨（４６０−４８０）は、研磨パッドを保持しているプラテン１１０を回転させ（４６０）、ウエハが研磨パッドに対して回転するようにウエハを保持しているヘッド１２０をほぼ同時に回転させる（４７０）ことからなる。所定の研磨時間の後、プラテン１１０の回転（４６０）およびヘッド１２０の回転（４７０）が停止される（４８０）。研磨時間は約５秒から約６００秒の範囲であることができ、例えば１０秒であることができる。
【００３１】
　パッドドレッシングの間のパッドドレッサ１００およびプラテン１１０の回転方向、およびＣＭＰの間のヘッド１２０およびプラテン１１０の回転方向は、表３００で特定された方向のいずれであってもよい。回転が停止（４８０）された後、ウエハはヘッド１２０から取り除かれ（４９０）、方法４００は終了する。
【００３２】
　本発明の別の実施形態においては、パッドのドレッシングおよび研磨はインサイチュー（in-situ）で行なうことができ、すなわちパッドドレッシングと化学的機械研磨は同時に行なうことができる。それ故、プラテン１１０は、研磨およびドレッシングの両方のために同一方向に回転しなければならない。インサイチュー（in-situ）ドレッシングと研磨とを用いてウエハの除去プロファイルを改善するために、パッドドレッサ１００は総研磨時間のうちある時間だけ回転する。
【００３３】
　図５は従来のパッドのコンディショニングに対して逆にしたパッドコンディショニングを用いた正規化された除去速度を図示するチャートである。従来のパッドコンディショニング（黒塗りの記号（◆））を用いると、逆のパッドコンディショニング（白抜きの記号（◇））を用いる場合より、より低い正規化された除去速度になることを示している。パッドドレッシング（コンディショニング）方法（すなわち下方への力および線速度）は従来のパッドコンディショニングと逆にしたパッドコンディショニングとで同一であるので、パッドの研磨の寿命（回転方向のみが変わるので）は減少しない。また、逆にしたパッドコンディショニングが従来のパッドコンディショニングよりもより効率的であるので、研磨パッドの寿命は増加する。さらに、逆にしたパッドコンディショニング（すなわち、ＣＭＰとは反対方向のコンディショニング）を用いることによって、パッドのトポグラフィ（topography）を制御することが可能となり、これ故、ウエハの全体の研磨プロファイルを制御することが可能となり、ゾーンコントロール（領域の制御）の必要性がなく、または他のプロファイル制御ヘッドの必要性がない。
【００３４】
　本発明の図示の実施形態の前述の説明は例示のみであって、上述の実施形態および方法について他の変更および修正が前述の教示に照らして可能である。例えば、方法は、直線研磨方法および回転研磨方法のいずれにも適用することができる。また、パッドコンディショニング（ドレッシング）はインサイチュー（in-situ）またはエクスサイチュー（ex-situ）またはインサイチュー（in-situ）とエクスサイチュー（ex-situ）との組み合わせとすることができる。上述した実施形態は網羅的であることを意図しているわけではなく、また限定することを意図しているわけでもない。本発明は特許請求の範囲のみによって限定される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
　非限定的かつ網羅的でない本発明の実施形態を図面を参照して説明する。同様な参照符号は、何ら特別な記載がなければ以下の図面を通して同様な部材に関するものである。
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは、従来のパッドドレッシングおよび従来のＣＭＰの間、パッドドレッサ、プラテンおよびヘッドを図示する模式図である。
【図２】図２Ａおよび図２Ｂは、本発明の実施形態におけるパッドドレッシングおよびＣＭＰの間、パッドドレッサ、プラテンおよびヘッドを図示する模式図である。
【図３】図３は本発明の異なった実施形態におけるパッドドレッシングおよびＣＭＰの間、プラテン、ヘッド、およびパッドドレッサの回転方向を示す表である。
【図４】本発明の実施形態に係るエクスサイチュー（ex-situ）のパッドドレッシングおよびＣＭＰの方法を図示するフローチャートである。
【図５】図５は従来のパッドのコンディショニングに対して逆にしたパッドコンディショニングを用いた正規化された除去速度を図示するチャートである。
【符号の説明】
【００３６】
１００　　パッドドレッサ
１１０　　プラテン
１２０　　研磨ヘッド
３００　　表
４００　　方法
【図１】
2004066450.tif 000004
【図２】
2004066450.tif 000005
【図３】
2004066450.tif 000006
【図４】
2004066450.tif 000007
【図５】
2004066450.tif 000008