(57)【要約】【課題】発振トランジスタの数を減らすことでコスト低減を図り、また、集積回路化する場合に対しても小型化が図れるようにする。【解決手段】互いのエミッタ同士が接続された第一及び第二の発振トランジスタ２、３と、第一の共振回路１１と、第二の共振回路１２を備え、第一の共振回路１１の一端を第一の発振トランジスタ２のベースと第二の発振トランジスタ３のコレクタとに結合すると共に他端を接地し、第二の共振回路１２の一端を第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとに結合すると共に他端を接地し、第一の共振回路１１の一端とグランドとの間に第一のスイッチ手段９を接続し、第二の共振回路１２の一端とグランドとの間に第二のスイッチ手段を接続し、第一のスイッチ手段９と第二のスイッチ手段１０とのオン／オフを互いに逆にした。【選択図】        図１
2004172933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いのエミッタ同士が接続された第一及び第二の発振トランジスタと、第一の共振回路と、第二の共振回路を備え、前記第一の共振回路の一端を前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとに結合すると共に他端を接地し、前記第二の共振回路の一端を前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとに結合すると共に他端を接地し、前記第一の共振回路の一端とグランドとの間に第一のスイッチ手段を接続し、前記第二の共振回路の一端とグランドとの間に第二のスイッチ手段を接続し、前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段とのオン／オフを互いに逆にしたことを特徴とするテレビジョンチューナの発振回路。
【請求項２】
前記第一及び第二の発振トランジスタと前記第一及び第二のスイッチトランジスタとを集積回路内に構成し、前記集積回路には第一及び第二の端子を設け、前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ前記集積回路内に構成された結合コンデンサを介して前記第一の端子に結合し、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ前記集積回路内に構成された結合コンデンサを介して前記第二の端子に結合したことを特徴とする請求項１に記載のテレビジョンチューナの発振回路。
【請求項３】
前記第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれスイッチトランジスタで構成し、前記第一及び第二のスイッチトランジスタを前記集積回路内に構成したことを特徴とする請求項２に記載のテレビジョンチューナの発振回路。
【請求項４】
前記第一及び第二の発振トランジスタと前記第一の共振回路とによってＶＨＦテレビジョンチューナの発振回路を構成し、前記第一及び第二の発振トランジスタと前記第二の共振回路とによってＵＨＦテレビジョンチューナの発振回路を構成したことを特徴とする請求項１又は２又は３に記載のテレビジョンチューナの発振回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はテレビジョンチューナの発振回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のテレビジョンチューナの発振回路を図２に示す。ＶＨＦテレビジョンチューナ用の第一の発振回路３１は集積回路３０内に構成された第一及び第二の発振トランジスタ３２、３３と、集積回路３０外に設けられた第一の共振回路３４とによって構成される。
【０００３】
第一の発振トランジスタ３２と第二の発振トランジスタ３３との各エミッタは互いに接続されて定電流源３５に接続される。第二の発振トランジスタ３３のベースは高周波的に接地される。集積回路３０には第一及び第二の端子３０ａ、３０ｂが設けられ、第一の発振トランジスタ３２のベースは第一の端子３０ａに接続され、第二の発振トランジスタ３３のコレクタは第二の端子３０ｂに接続される。第一の共振回路３４はインダクタンス素子３４ａ、バラクタダイオード３４ｂ等を有し、その一端が二つの結合コンデンサ３６、３７を介してそれぞれ第一の端子３０ａ、第二の端子３０ｂに結合される。第一の共振回路３４の他端は接地される。
【０００４】
ＵＨＦテレビジョンチューナ用の第二の発振回路４１は集積回路３０内に構成された第三及び第四の発振トランジスタ４２、４３と、集積回路３０外に設けられた第二の共振回路４４とによって構成される。
【０００５】
第三の発振トランジスタ４２と第四の発振トランジスタ４３との各エミッタは互いに接続されて定電流源４５に接続される。集積回路３０には第三乃至第六の端子３０ｃ〜３０ｆが設けられる。第三の発振トランジスタ４２のベースは第四の端子３０ｄに接続され、第四の発振トランジスタ４３のコレクタは第三の端子３０ｃに接続され、第三の発振トランジスタ４２のコレクタは第六の端子３０ｆに接続され、第四の発振トランジスタ４３のベースは第五の端子３０ｅに接続される。
【０００６】
第二の共振回路４４はインダクタンス素子４４ａ、バラクタダイオード４４ｂ等を有し、その一端が二つの結合コンデンサ４６、４７を介してそれぞれ第三の端子３０ｃ、第四の端子３０ｄに結合され、第二の共振回路４４の他端は二つの結合コンデンサ４８、４９を介してそれぞれ第五の端子３０ｅ、第六の端子３０ｆに接地される。
【０００７】
よって、第一の発振回路３１は不平衡型の発振回路を構成し、第二の発振回路４１は平衡型の発振回路を構成する。そして、各バラクタダイオード３４ｂ、４４ｂに印加される同調電圧によって発振周波数が設定される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−２５７９５４号公報（図１）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記の構成では、それぞれの発振回路に二つの発振トランジスタを使用している。これらの発振回路は高い周波数で発振するため、各発振トランジスタにはトランジション周波数ｆＴの大きいものが要求され、コスト高となる。また、このようなトランジスタはチップサイズが大きくなるため、集積回路内に構成すると集積回路が大型化する。さらに、各トランジスタのコレクタ、ベースに接続される端子を集積回路に設けて、共振回路を端子に接続するので集積回路の端子数が多くなり、此によっても集積回路が大型化する。
【００１０】
本発明は、発振トランジスタの数を減らすことでコスト低減を図り、また、集積回路化する場合に対しても小型化が図れるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明では、互いのエミッタ同士が接続された第一及び第二の発振トランジスタと、第一の共振回路と、第二の共振回路を備え、前記第一の共振回路の一端を前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとに結合すると共に他端を接地し、前記第二の共振回路の一端を前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとに結合すると共に他端を接地し、前記第一の共振回路の一端とグランドとの間に第一のスイッチ手段を接続し、前記第二の共振回路の一端とグランドとの間に第二のスイッチ手段を接続し、前記第一のスイッチ手段と前記第二のスイッチ手段とのオン／オフを互いに逆にした。
【００１２】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと前記第一及び第二のスイッチトランジスタとを集積回路内に構成し、前記集積回路には第一及び第二の端子を設け、前記第一の発振トランジスタのベースと前記第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ前記集積回路内に構成された結合コンデンサを介して前記第一の端子に結合し、前記第一の発振トランジスタのコレクタと前記第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ前記集積回路内に構成された結合コンデンサを介して前記第二の端子に結合した。
【００１３】
また、前記第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれスイッチトランジスタで構成し、前記第一及び第二のスイッチトランジスタを前記集積回路内に構成した。
【００１４】
また、前記第一及び第二の発振トランジスタと前記第一の共振回路とによってＶＨＦテレビジョンチューナの発振回路を構成し、前記第一及び第二の発振トランジスタと前記第二の共振回路とによってＵＨＦテレビジョンチューナの発振回路を構成した。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明のテレビジョンチューナの発振回路を図１に示す。集積回路１内には第一及び第二の発振トランジスタ２、３が構成される。二つの発振トランジスタ２、３のエミッタは互いに接続されて定電流源４に接続される。集積回路１には第一及び第二の端子１ａ、１ｂが設けられる。そして、第一の発振トランジスタ２のベースと第二の発振トランジスタ３のコレクタとがそれぞれ集積回路１内に構成された結合コンデンサ５、６を介して第一の端子１ａに接続される。また、第一の発振トランジスタ２のコレクタと第二の発振トランジスタ３のベースとがそれぞれ集積回路１内に構成された結合コンデンサ７、８を介して第二の端子１ｂに接続される。
【００１６】
また、集積回路１内には第一及び第二のスイッチ手段９、１０が構成され、第一のスイッチ手段９は第一の端子１ａとグランドとの間に接続され、第二のスイッチ手段１０は第二の端子１ｂとグランドとの間に接続される。第一及び第二のスイッチ手段９、１０はスイッチトランジスタで構成され、各スイッチトランジスタのコレクタにはバイアス電圧が印加され、エミッタは接地される。そして、ベースへのバイアス電圧の有無によってオン又はオフとなる。スイッチトランジスタは直流的なオン／オフ動作をするだけであるので、安価なものでよい。また、チップサイズも小さくできる。
【００１７】
集積回路１の外部には第一の共振回路１１と第二の共振回路１２とが設けられる。第一の共振回路１１はインダクタンス素子１１ａと、インダクタンス素子１ａに並列接続されたバラクタダイオード１１ｂ等を有し、その一端がＤＣカットコンデンサ１３を介して第一の端子１ａに接続され、他端は接地される。バラクタダイオード１１ｂのアノードは直流的に接地される。
【００１８】
また、第二の共振回路１２は互いに直列接続されたインダクタンス素子１２ａ及びバラクタダイオード１２ｂと、その直列回路に並列接続されたバラクタダイオード１２ｃ等を有し、その一端がＤＣカットコンデンサ１４を介して第二の端子１ｂに接続され、他端は接地される。二つのバラクタダイオード１２ｂ、１２ｃのアノードも直流的に接地される。三つのバラクタダイオード１１ｂ、１２ｂ、１２ｃのカソードには同調電圧が印加される。
【００１９】
以上の構成において、二つのスイッチ手段９、１０は互いのオン／オフの動作が逆となるように制御される。
【００２０】
第一のスイッチ手段９がオフのときは第二のスイッチ手段１０がオンとなる。この結果、第二の共振回路１２は両端が接地されるため、二つの発振トランジスタ２、３と第一の共振回路１１とによって不平衡型の発振回路が構成される。この発振回路はＶＨＦチューナ用として使用される。
【００２１】
第一のスイッチ手段９がオンのときは第二のスイッチ手段１０がオフとなる。この結果、第一の共振回路１１は両端が接地されるため、二つの発振トランジスタ２、３と第二の共振回路１２とによって不平衡型の発振回路が構成される。この発振回路はＵＨＦチューナ用として使用される。
【００２２】
よって、二つの発振トランジスタ２、３が二つの共振回路１１、１２に共用されることになり、二つの周波数帯で別個に発振させる場合の発振トランジスタの数を半減できる。
【００２３】
また、二つの発振トランジスタ２、３を集積回路１内に構成した場合、各発振トランジスタ２、３のコレクタ及びベースをそれぞれの結合コンデンサ５乃至８をを介して第一の端子１ａ、１ｂに接続するので端子の数が少なくて済む。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、第一の共振回路の一端を第一の発振トランジスタのベースと第二の発振トランジスタのコレクタとに結合すると共に他端を接地し、第二の共振回路の一端を第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとに結合すると共に他端を接地し、第一の共振回路の一端とグランドとの間に第一のスイッチ手段を接続し、第二の共振回路の一端とグランドとの間に第二のスイッチ手段を接続し、第一のスイッチ手段と第二のスイッチ手段とのオン／オフを互いに逆にしたので、二つの発振トランジスタが二つの共振回路に共用されることになり、二つの周波数帯で別個に発振させる場合の発振トランジスタの数を半減できる。よって、コスト低減が図れる。
【００２５】
また、第一及び第二の発振トランジスタと第一及び第二のスイッチトランジスタとを集積回路内に構成し、集積回路には第一及び第二の端子を設け、第一の発振トランジスタのベースと第二の発振トランジスタのコレクタとをそれぞれ集積回路内に構成された結合コンデンサを介して第一の端子に結合し、第一の発振トランジスタのコレクタと第二の発振トランジスタのベースとをそれぞれ集積回路内に構成された結合コンデンサを介して第二の端子に結合したので、二つの発振トランジスタ２、３を集積回路１内に構成した場合、各発振トランジスタ２、３のコレクタ及びベースをそれぞれの結合コンデンサ５乃至８をを介して第一の端子１ａ、１ｂに接続するので端子の数が少なくて済む。よって、集積回路の小型化が図れる。
【００２６】
また、第一及び第二のスイッチ手段をそれぞれスイッチトランジスタで構成し、第一及び第二のスイッチトランジスタを集積回路内に構成したので、集積回路の小型化とコスト低減が図れる。
【００２７】
また、第一及び第二の発振トランジスタと第一の共振回路とによってＶＨＦテレビジョンチューナの発振回路を構成し、第一及び第二の発振トランジスタと第二の共振回路とによってＵＨＦテレビジョンチューナの発振回路を構成したので、二つの発振トランジスタを使用してＵＨＦテレビジョンチューナとＶＨＦテレビジョンチューナとを構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のテレビジョンチューナの発振回路の構成を示す回路図である。
【図２】従来のテレビジョンチューナの発振回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１  集積回路
１ａ  第一の端子
１ｂ  第二の端子
２  第一の発振トランジスタ
３  第二の発振トランジスタ
４  定電流源
５、６、７、８  結合コンデンサ
９  第一のスイッチ手段
１０  第二のスイッチ手段
１１  第一の共振回路
１１ａ  インダクタンス素子
１１ｂ  バラクタダイオード
１２  第二の共振回路
１２ａ  インダクタンス素子
１２ｂ、１２ｃ  バラクタダイオード
１３、１４  ＤＣカットコンデンサ
【図１】
2004172933.tif 000003
【図２】
2004172933.tif 000004