(57)【要約】【課題】白傷及びブルーミングマージンなどの特性を悪化させずに、電荷読み出し用の電圧ＶＴを下げる。【解決手段】フォトダイオード（光電変換部）の電荷蓄積領域を形成するためのＮ型不純物イオンの注入作業に先立って、ゲート絶縁膜の薄膜化作業を行い、このゲート絶縁膜にフォトダイオードの受光領域の両側部に沿って段差を形成し、受光領域の両側部にその他の部分よりも厚膜に形成されてイオン注入エネルギを減衰させる厚膜部を設けておく。そして、この状態で、Ｎ型不純物イオンの注入作業を行うことにより、ゲート絶縁膜の厚膜部によって電荷蓄積領域となるＮ層の両側部をその他の部分に比して半導体基板の浅い位置に形成する。これにより、全体的な構造を損なうことなく、電荷読み出し部の近傍だけは基板表面のＰ層濃度を減少し、電荷の読み出しを容易化する。【選択図】        図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成した信号電荷を読み出す読み出し部とを形成し、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を含む上層膜を形成する固体撮像素子の製造方法であって、
前記半導体基板上に形成したゲート絶縁膜に対し、前記光電変換部の受光領域に対応する薄膜部を形成する薄膜部形成工程と、
前記ゲート絶縁膜の薄膜部を通して半導体基板中にイオン注入を行うことにより、前記光電変換部の第１導電型不純物領域を形成する第１導電型不純物領域形成工程と、
前記ゲート絶縁膜の薄膜部を通して半導体基板中にイオン注入を行うことにより、前記第１導電型不純物領域の上層部に前記光電変換部の第２導電型不純物領域を形成する第２導電型不純物領域形成工程とを有し、
前記薄膜部形成工程によってゲート絶縁膜に薄膜部を形成する際に、前記光電変換部の受光領域上のゲート絶縁膜のうち、少なくとも電荷読み出し部に近接する領域のゲート絶縁膜の膜厚を、前記受光領域の他の領域のゲート絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚に形成する、
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記薄膜部形成工程は、前記光電変換部の受光領域上のゲート絶縁膜のうち、大きい膜厚に形成した部分を前記第１導電型不純物領域のイオン注入後に除去し、受光領域全体でゲート絶縁膜の膜厚をそろえる工程を含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記受光領域全体でゲート絶縁膜の膜厚をそろえた後に、前記第２導電型不純物領域形成工程のイオン注入を行うことを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記薄膜部形成工程によってゲート絶縁膜に薄膜部を形成する際に、前記光電変換部の受光領域上のゲート絶縁膜のうち、電荷読み出し部に近接する領域のゲート絶縁膜の膜厚とチャネルストップ部に近接する領域のゲート絶縁膜の膜厚を、前記受光領域の他の領域のゲート絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚に形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜は、膜種の異なる複数の膜による積層構造を有し、前記複数の膜の内の上層の膜をエッチングで除去することにより前記薄膜部を形成することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記ゲート絶縁膜は、窒化珪素膜を上下の酸化珪素膜で挟んだ構造を有することを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
半導体基板に受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成した信号電荷を読み出す読み出し部とを有するとともに、前記光電変換部が半導体基板に形成された第１導電型不純物領域と、前記第１導電型不純物領域の上層に形成された第２導電型不純物領域とを有し、
前記第１導電型不純物領域は、前記光電変換部の受光領域の少なくとも電荷読み出し部に近接する領域の不純物分布が、前記受光領域の他の領域の不純物分布より半導体基板の浅い位置に形成されている、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項８】
前記第１導電型不純物領域は、前記光電変換部の受光領域の電荷読み出し部に近接する領域と前記光電変換部の受光領域のチャネルストップ部に近接する領域の不純物分布が、前記受光領域の他の部分の不純物分布より半導体基板の浅い位置に形成されていることを特徴とする請求項７記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサ等の各種の固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、この種の固体撮像素子として、例えば図１２に示すような構造のものが知られている。
この固体撮像素子は、ＣＣＤ型イメージセンサの例であり、半導体基板１０の上層領域に、フォトダイオード（光電変換部）２０、電荷読み出し部３０、垂直電荷転送部４０、チャネルストップ部５０が設けられている。
また、半導体基板１０の上面には、ゲート絶縁膜６０を介して垂直転送電極７０が設けられ、その上層に層間絶縁膜８０を介して遮光膜９０が設けられている。
【０００３】
フォトダイオード（光電変換部）２０は、上層の正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２２と下層の電荷蓄積領域（Ｎ層）２４とを含んで構成され、正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２２は入射光によって電子と分離された正孔を半導体基板１０の表面側に吸収する機能を有し、電荷蓄積領域（Ｎ層）２４は電子を下層の空乏層に蓄積する機能を有する。
これら正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２２と電荷蓄積領域（Ｎ層）２４は、それぞれ基板上からのイオン注入によってＰ型不純物イオンまたはＮ型不純物イオンを添加されることにより形成される。
【０００４】
電荷読み出し部（Ｐ層）３０は、フォトダイオード２０の電荷蓄積領域２４に蓄積された信号電荷をＰ−層３２を介して読み出すものである。なお、Ｐ−層３２は、イオン注入後の活性化アニール処理によって電荷読み出し部３０のＰ層中に電荷蓄積領域２４のＮ型不純物が横方向に拡散することにより形成されたものである。
垂直電荷転送部４０は、上層のＮ層４２と下層のＰ層４４よりなり、電荷読み出し部（Ｐ層）３０によって読み出した信号電荷を垂直方向（図１２の紙面方向）に転送するものである。
チャネルストップ部（Ｐ層）５０は、フォトダイオード２０と隣接画素の垂直電荷転送部４０との間を分離するものである。
【０００５】
また、ゲート絶縁膜６０は、例えば窒化珪素膜を上下の酸化珪素膜で挟んだＭＯＮＯＳ構造よりなり、フォトダイオード２０の受光領域に対応する部分が薄膜化され、下層の酸化珪素膜だけ残った状態となっている。
また、垂直転送電極７０は、多結晶珪素膜よりなり、ゲート絶縁膜６０を介して垂直電荷転送部４０を駆動する。
また、層間絶縁膜８０は、酸化珪素膜等であり、垂直転送電極７０からフォトダイオード２０の受光領域にわたる全体領域に配置されている。
さらに、遮光膜９０は、アルミ等の膜であり、層間絶縁膜８０の上面に沿って配置されるが、フォトダイオード２０の受光領域に対応する開口部９０Ａを有し、この開口部９０Ａを通してフォトダイオード２０の受光領域に光が入射され、垂直電荷転送部４０への入射を遮光する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のような構造を有する固体撮像素子において、フォトダイオード２０の電荷蓄積領域２４に蓄積された電子を読み出すのに必要な電圧（以下、ＶＴと略称する）は、消費電力の低減及び製造の歩留まり向上等の観点から低い方が望ましい。
そこで、このＶＴを下げるには、電荷読み出し部３０のＰ層の不純物濃度を下げ、電荷読み出し部３０のポテンシャルバリアを低くすれば良い。
しかし、一様にＰ層の不純物濃度を下げると、ブルーミングマージン（以下、ＶＡＢと略称する）も同時に下がるデメリットがある。
【０００７】
ここで、フォトダイオード２０から垂直電荷転送部４０に読み出す時の電荷の通り道は、ブルーミングが発生する時の電荷の通り道に比べて、半導体基板１０の表面側にあると考えられる。
ゆえに、ブルーミングを発生させずに読み出し易くするには、電荷読み出し部３０の基板表面近くのボロン（Ｂ）の濃度を下げれば良い。
例えば、フォトダイオード２０の電荷蓄積領域（ｎ層）２４を形成するためのイオン注入の打ち込みエネルギを低くすると、その後の熱処理工程を経てＮ型不純物が横方向に拡散し、基板１０の表面近くの電荷読み出し部３０のＰ層の不純物濃度を下げることができる。
しかし、この方法は、フォトダイオード２０の正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２２との距離が縮まり、フォトダイオード２０のＰ＋層２２とＮ層２４との間の電界が強まるので、白傷と呼ばれる点欠陥が増加するデメリットがある。
【０００８】
そこで本発明の目的は、白傷及びブルーミングマージンなどの特性を悪化させずに、電荷読み出し用の電圧ＶＴを下げることができる固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するため、半導体基板に受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成した信号電荷を読み出す読み出し部とを形成し、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を含む上層膜を形成する固体撮像素子の製造方法であって、前記半導体基板上に形成したゲート絶縁膜に対し、前記光電変換部の受光領域に対応する薄膜部を形成する薄膜部形成工程と、前記ゲート絶縁膜の薄膜部を通して半導体基板中にイオン注入を行うことにより、前記光電変換部の第１導電型不純物領域を形成する第１導電型不純物領域形成工程と、前記ゲート絶縁膜の薄膜部を通して半導体基板中にイオン注入を行うことにより、前記第１導電型不純物領域の上層部に前記光電変換部の第２導電型不純物領域を形成する第２導電型不純物領域形成工程とを有し、前記薄膜部形成工程によってゲート絶縁膜に薄膜部を形成する際に、前記光電変換部の受光領域上のゲート絶縁膜のうち、少なくとも電荷読み出し部に近接する領域のゲート絶縁膜の膜厚を、前記受光領域の他の領域のゲート絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚に形成することを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、半導体基板に受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成した信号電荷を読み出す読み出し部とを有するとともに、前記光電変換部が半導体基板に形成された第１導電型不純物領域と、前記第１導電型不純物領域の上層に形成された第２導電型不純物領域とを有し、前記第１導電型不純物領域は、前記光電変換部の受光領域の少なくとも電荷読み出し部に近接する領域の不純物分布が、前記受光領域の他の領域の不純物分布より半導体基板の浅い位置に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の固体撮像素子の製造方法では、光電変換部の受光領域上のゲート絶縁膜のうち、少なくとも電荷読み出し部に近接する領域のゲート絶縁膜の膜厚を、受光領域の他の領域のゲート絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚に形成することにより、その後の第１導電型不純物領域形成工程において、電荷読み出し部の近傍では第１導電型不純物領域が基板表面近くに形成されることになる。したがって、活性化アニール時に第１導電型不純物は横方向に拡散し、従来構造より基板表面側の電荷読み出し部の第２導電型不純物濃度が減ることになり、電荷の読み出しが容易になる。
一方、光電変換部の中央部では、第１導電型不純物領域が深い位置に形成されるので、光電変換部表面の第２導電型不純物領域との距離が拡がるため、第１導電型と第２導電型の接合部の間の電界が弱まり、白傷が発生しにくくなる。
この結果、白傷及びブルーミングマージンなどの特性を悪化させずに、電荷読み出し用の電圧ＶＴを下げることができる。
【００１２】
また、本発明の固体撮像素子では、光電変換部の第１導電型不純物領域が電荷読み出し部に近接する領域で基板表面近くに形成されている。したがって、活性化アニール時に第１導電型不純物は横方向に拡散し、従来構造より基板表面側の電荷読み出し部の第２導電型不純物濃度が減ることになり、電荷の読み出しが容易になる。
一方、光電変換部の中央部では、第１導電型不純物領域が深い位置に形成されるので、光電変換部表面の第２導電型不純物領域との距離が拡がるため、第１導電型と第２導電型の接合部の間の電界が弱まり、白傷が発生しにくくなる。
この結果、白傷及びブルーミングマージンなどの特性を悪化させずに、電荷読み出し用の電圧ＶＴを下げることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固体撮像素子及びその製造方法の実施の形態例について詳細に説明する。
図１〜図１１は、本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を用いた各工程における固体撮像素子の積層状態を示す断面図及び平面図である。なお、本実施の形態例では、Ｎ型が第１導電型に相当し、Ｐ型が第２導電型に相当している。
本実施の形態例による製造方法は、フォトダイオード（光電変換部）の電荷蓄積領域を形成するためのＮ型不純物イオンの注入作業に先立って、ゲート絶縁膜の薄膜化作業を行い、このゲート絶縁膜にフォトダイオードの受光領域の両側部に沿って段差を形成し、受光領域の両側部（すなわち、電荷読み出し部及びチャネルストップ部に近接する領域）にその他の部分よりも厚膜に形成されてイオン注入エネルギを減衰させる厚膜部を設けておく。
そして、この状態で、Ｎ型不純物イオンの注入作業を行うことにより、ゲート絶縁膜の厚膜部によって電荷蓄積領域となるＮ層の両側部をその他の部分に比して半導体基板の浅い位置に形成する。
【００１４】
このような方法を用いることにより、電荷読み出し部の近傍ではゲート絶縁膜が厚い分、Ｎ層が基板表面近くに形成されることになる。したがって、活性化アニール時にＮ型不純物は横方向に拡散し、従来構造より基板表面側の読み出し部のＰ層濃度が減ることになり、電荷の読み出しが容易になる。
一方、フォトダイオードの中央部のゲート絶縁膜が薄い領域では、Ｎ層が深い位置に形成されるので、フォトダイオード表面のＰ＋層との距離が拡がるため、Ｐ−Ｎ接合間の電界が弱まり、白傷が発生しにくくなる。
また、チャネルストップ部側のゲート絶縁膜を厚くしておくことにより、基板の表面近傍で光電変換した電子が電荷転送部へ入り込む成分（スミア）を減らすことができる。
【００１５】
具体的には、受光領域の両側部とその他の部分とでゲート絶縁膜につける段差は、２０ｎｍから１００ｎｍ程度とし、Ｎ型不純物イオンの注入は、０．４から１．５ＭｅＶのエネルギで、１ｅ１２ｃｍ−２から５ｅ１２ｃｍ−２の濃度でイオン注入を行うことにより、白傷やブルーミングマージンなどの特性を悪化させずに、電荷読み出し用の電圧ＶＴを有効に下げることが可能となる。
【００１６】
以下、図１〜図１１に沿って本例の製造方法を具体的に説明する。
まず、図１は、半導体基板の上面にゲート絶縁膜を形成する工程を示している。この時点で、半導体基板（シリコン基板）１１０には、既に電荷読み出し部（Ｐ層）１３０、垂直電荷転送部（Ｎ層１４２及びＰ層１４４）１４０、チャネルストップ部（Ｐ層）１５０が設けられているものとする。そして、この半導体基板１１０上にゲート絶縁膜１６０を形成する。
本例のゲート絶縁膜１６０は、図１２に示した従来例と同様に、窒化珪素膜を上下の酸化珪素膜で挟んだＭＯＮＯＳ構造を有している。なお、ゲート絶縁膜１６０の作成は、最初に半導体基板１１０上に熱酸化または減圧ＣＶＤ等によって下層の酸化珪素膜を形成し、次に、その上に減圧ＣＶＤ等によって窒化珪素膜を形成し、さらにその上に熱酸化または減圧ＣＶＤ等によって下層の酸化珪素膜を形成するものとする。
そして、上層の酸化珪素膜と中層の窒化珪素膜を順次エッチングによって除去していくことにより、上述した両側部とその他の部分の間の段差（両側部の厚膜部）の形成、及び、両側部に残した厚膜部の除去を行うようになっている。
【００１７】
次に、図２は、ゲート絶縁膜１６０に段差を形成するためのエッチングマスク用のフォトレジスト膜１７０をパターニングし、ゲート絶縁膜１６０の上層の酸化珪素膜をエッチングによって除去する工程を示している。
フォトレジスト膜１７０は、フォトダイオードの受光領域（図６以降に示す）の中央部だけを開口し、受光領域の両側部をマスクした状態で形成されている。そして、このフォトレジスト膜１７０をマスクとしてウエットエッチングまたはドライエッチングを行うことにより、ゲート絶縁膜１６０の上層の酸化珪素膜を除去する。
【００１８】
次に、図３では、図２で形成したフォトレジスト膜１７０をマスクとしてウエットエッチングまたはドライエッチングを行い、ゲート絶縁膜１６０の中層の窒化珪素膜を除去する。
このようなエッチングにより、ゲート絶縁膜１６０のにおける受光領域の中央部（両側部を除く部分）を薄膜化する。
この結果、受光領域の両側部だけ厚膜部１６２を残し、その他の部分では下層の酸化珪素膜よりなる薄膜部１６４を形成する。
【００１９】
図４は、図３で実行したエッチング後におけるゲート絶縁膜１６０のパターンを受光領域及び転送電極のパターンとともに示す説明図である。なお、図３は図４のＡ−Ａ’線の断面に対応している。
図中の細かい斜線で示す領域１８０Ａが下層に配置される転送電極のパターンを示し、太枠で示す領域１８０Ｂが上層の転送電極のパターンを示している。
そして、これらの転送電極の間隙部分２００Ａがフォトダイオードの受光領域となる部分であり、中央の薄膜部１６４の両側にストライプ状に厚膜部１６２が形成されている。
【００２０】
次に、図５では、図４で示したフォトレジスト膜１７０を除去した後、ゲート絶縁膜１６０上に垂直転送電極１８０を形成する。これは、例えばＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ）法などによって電極材をで成膜後、フォトレジスト法によって窓開けし、所望のパターンを形成する。そして、この垂直転送電極１８０の上にフォトレジスト膜１９０を形成する。
次に、図６では、Ｎ型不純物のイオン注入を行い、フォトダイオード２００の電荷蓄積領域（Ｎ層）２０４を形成する。
この際、ゲート絶縁膜１６０の厚膜部１６２と薄膜部１６４の膜厚差により、厚膜部１６２を設けた領域の方がイオン注入エネルギを大きく減衰させることになり、電荷蓄積領域（Ｎ層）２０４の中央部のＮ型不純物領域２０４Ａに比較して両側部のＮ型不純物領域２０４Ｂの方が半導体基板１１０の浅い位置に形成される。
【００２１】
次に、図７では、ゲート絶縁膜１６０の厚膜部１６２をエッチングで除去し、薄膜部１６４の膜厚にそろえる。その後、図８では、Ｐ型不純物のイオン注入を行い、フォトダイオード２００の正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２０２を形成する。
したがって、正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２０２は、均等な深さに形成される。この結果、半導体基板１１０の浅い位置に形成された電荷蓄積領域（Ｎ層）２０４のＮ型不純物領域２０４Ｂの上部領域と正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２０２の両側の下部領域とが重なり合う領域には低濃度のＮ−領域２０６が形成されることになる。
次に、図９では、全面に層間絶縁膜２１０を形成し、図１０では、活性化アニール処理を行う。なお、この活性化アニール処理によって電荷読み出し部１３０のＰ層中に電荷蓄積領域２０４のＮ型不純物が横方向に拡散することにより、Ｐ−層１３２が形成される。
そして、図１１では、遮光膜２２０の形成を行い、この後は図示しないが、遮光膜２２０の上層に、各種の絶縁膜や配線層を形成し、さらにその上層に平坦化を設け、オンチップカラーフィルタやオンチップレンズを配置してイメージセンサを完成する。
【００２２】
以上のような方法により、電荷読み出し部１３０の近傍では、フォトダイオード２００の電荷蓄積領域（Ｎ層）２０４が基板の表面近くに形成されることになるので、活性化アニール時にＮ型不純物は横方向に拡散し、従来構造より基板表面側の読み出し部１３０のＰ層濃度が減ることになり、電荷の読み出しが容易になる一方、フォトダイオード２００の中央部では、電荷蓄積領域（Ｎ層）２０４が深い位置に形成されるので、正孔蓄積領域（Ｐ＋層）２０２との距離が拡がるため、Ｐ−Ｎ接合間の電界が弱まり、白傷が発生しにくくなる。
また、チャネルストップ部１５０を厚くしておくことにより、基板の表面近傍で光電変換した電子が垂直電荷転送部１４０へ入り込む成分（スミア）を減らすことができる。
【００２３】
なお、以上は本発明をＣＣＤイメージセンサに適用した例を説明したが、本発明を適用する固体撮像素子としては、半導体基板に光電変換部と電荷読み出し部を設けたものであれば、ＣＣＤイメージセンサ以外の固体撮像素子にも適用することが可能である。
また、ゲート絶縁膜の膜種やイオン注入条件等、具体的な構成については、上記の例に限定されるものではなく、適宜変形が可能なものである。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像素子の製造方法では、光電変換部の受光領域上のゲート絶縁膜のうち、少なくとも電荷読み出し部に近接する領域のゲート絶縁膜の膜厚を、受光領域の他の領域のゲート絶縁膜の膜厚よりも大きい膜厚に形成することにより、その後の第１導電型不純物領域形成工程において、電荷読み出し部の近傍では第１導電型不純物領域が基板表面近くに形成されることになる。
したがって、活性化アニール時に第１導電型不純物は横方向に拡散し、従来構造より基板表面側の電荷読み出し部の第２導電型不純物濃度が減ることになり、電荷の読み出しが容易になる一方、光電変換部の中央部では、第１導電型不純物領域が深い位置に形成されるので、光電変換部表面の第２導電型不純物領域との距離が拡がるため、第１導電型と第２導電型の接合部の間の電界が弱まり、白傷が発生しにくくなる。
この結果、白傷及びブルーミングマージンなどの特性を悪化させずに、電荷読み出し用の電圧ＶＴを下げることができる。
【００２５】
また、本発明の固体撮像素子では、光電変換部の第１導電型不純物領域が電荷読み出し部に近接する領域で基板表面近くに形成されている。
したがって、活性化アニール時に第１導電型不純物は横方向に拡散し、従来構造より基板表面側の電荷読み出し部の第２導電型不純物濃度が減ることになり、電荷の読み出しが容易になる一方、光電変換部の中央部では、第１導電型不純物領域が深い位置に形成されるので、光電変換部表面の第２導電型不純物領域との距離が拡がるため、第１導電型と第２導電型の接合部の間の電界が弱まり、白傷が発生しにくくなる。
この結果、白傷及びブルーミングマージンなどの特性を悪化させずに、電荷読み出し用の電圧ＶＴを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態例による固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【図１２】従来の固体撮像素子の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１１０……半導体基板、１３０……電荷読み出し部、１４０……垂直電荷転送部、１４３……Ｎ層、１４４……Ｐ層、１５０……チャネルストップ部、１６０……ゲート絶縁膜、１６２……厚膜部、１６４……薄膜部、１７０、１９０……フォトレジスト膜、１８０……垂直転送電極、２００……フォトダイオード、２０２……正孔蓄積領域（Ｐ＋層）、２０４……電荷蓄積領域（Ｎ層）、２０６……Ｎ−領域、２１０……層間絶縁膜、２２０……遮光膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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