(57)【要約】【課題】  簡便な製造工程でかつ低コストで作製し得る磁気光学体およびそれを含む光アイソレータを提供する。【解決手段】  磁気光学体は、第１と第２の主面を有する透光性基板（１）と、その基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる透光性磁性薄膜（２）と、基板および磁性薄膜を挟み込むように基板の第２主面と磁性薄膜の表面との各々上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された誘電体多層膜（３ａ，３ｂ）を含むことを特徴としている。【選択図】        図１
2004302407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１と第２の主面を有する透光性基板と、
前記基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる透光性磁性薄膜と、
前記基板と前記磁性薄膜を挟み込むように前記基板の第２主面と前記磁性薄膜の表面との各々上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された誘電体多層膜を含むことを特徴とする磁気光学体。
【請求項２】
第１と第２の主面を有する第１の透光性基板と、前記第１基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる第１の透光性磁性薄膜と、前記第１基板と前記第１磁性薄膜を挟み込むように前記第１基板の第２主面と前記第１磁性薄膜の表面とのそれぞれ上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第１と第２の誘電体多層膜を含む第１の磁気光学体、および
第１と第２の主面を有する第２の透光性基板と、前記第２基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる第２の透光性磁性薄膜と、前記第２基板と前記第２磁性薄膜を挟み込むように前記第２基板の第２主面と前記第２磁性薄膜の表面とのそれぞれ上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第３と第４の誘電体多層膜を含む第２の磁気光学体を含み、
前記第１と第２の磁気光学体が光の透過方向に重なるように付加的な透光性誘電体層を介して一体に接合されていることを特徴とする磁気光学体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の磁気光学体を含む光アイソレータであって、前記磁気光学体を挟み込むように外側の前記誘電体多層膜の各々上において屈折率変調分布を有する偏光子膜を含むことを特徴とする光アイソレータ。
【請求項４】
第１と第２の主面を有する透光性基板と、
前記基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる透光性磁性薄膜と、
前記基板と前記磁性薄膜を挟み込むように前記基板の第２主面と前記磁性薄膜の表面との各々上において屈折率変調分布を有する偏光子膜を含むことを特徴とする光アイソレータ。
【請求項５】
前記偏光子膜はＤＬＣ膜で形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の光アイソレータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気光学体とそれを含む光アイソレータの改善に関し、そのような光アイソレータはたとえば光通信などに利用され得るものである。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバやその他の光学部品を含んで構成される光通信システムにおいて、光コネクタや光回路部品などからの反射光が戻り光として光源に再入射することがある。光通信システムにおける光源としては、一般に半導体レーザが使用されている。レーザ光源に戻り光が入射すれば、それがレーザの共振作用に影響を及ぼし、出射レーザ光にノイズが含まれることになる。そこで、レーザ光源へ戻り光が入射することを防止するために、光アイソレータが利用されている。
【０００３】
光アイソレータは、第１と第２の偏光子にはさまれたファラデー回転子を含んでいる。第１の偏光子は、光源から射出された光のうちで特定の第１の偏光面を有する光のみを通過させる。ファラデー回転子は、第１の偏光子を通過した光の偏光面を４５度回転させる。第２の偏光子は、ファラデー回転子によって偏光面が４５度回転させられた光のみを通過させるように、第１の偏光面から４５度回転させられた第２の偏光面を有している。
【０００４】
このような光アイソレータに戻り光が逆方向に入射する場合、第２の偏光子は第２の偏光面を有する戻り光のみを通過させる。次に、戻り光がファラデー回転子を逆方向に通過するとき、その戻り光の第２の偏光面は、第１の偏光面へ回転し戻されるのではなくて、さらに４５度だけ追加回転させられる。これは、ファラデー効果の非相反性として知られている。すなわち、ファラデー回転子を通過した戻り光は、第１の偏光面に対して９０度回転させられた第３の偏光面を有している。したがって、第３の偏光面を有する戻り光は第１の偏光子を通過することができず、光源へ入射することが防止されることになる。
【０００５】
ここで、ファラデー効果とは、磁場中に置かれた透明物質中で磁場に平行に直線偏光を伝播させた場合に、その偏光面が回転する現象を意味する。透明物質がガラスなどの非磁性体の場合、ファラデー効果による偏光面の回転角（ファラデー回転角）は、その物質によって定まる比例定数の下で、磁場の強さと磁場に平行な光の伝播距離とに比例する。透明物質が強磁性体の場合、ファラデー回転角は磁化に関係する量であり、飽和磁場下では一定となり、また非磁性体の場合と同様に、光の伝播距離に比例する。一般に、非磁性透明物質よりも強磁性透明物質を利用することによって、大きなファラデー回転角が得られる。
【０００６】
他方、上述のファラデー効果の非相反性から理解されるように、ファラデー回転子内で光を複数回往復させて合計の伝播距離を大きくすることによって、ファラデー回転角を大きくすることができる。このことを利用するために、透明磁性膜の両主面の各々上に低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜を含むファラデー回転子が知られている。すなわち、それら２つの誘電体多層膜は干渉フィルタまたは干渉反射膜として作用し、一種のファブリ・ペロー共振器を構成する。したがって、透明磁性膜の両主面上に設けられた２つの誘電体多層膜間で透明磁性膜中を光が複数回往復することができ、大きなファラデー回転角が得られることになる。
【０００７】
図８の模式的な断面図は特許文献１の特開２００１−１１０６３５号公報に開示された磁気光学体を示しており、これはファラデー回転子に利用し得るものである。この磁気光学体２００は、第１の誘電体多層膜２１０と第２の誘電体多層膜２１１にはさまれた透光性磁性薄膜２０７を含んでいる。第１と第２の誘電体多層膜２１０と２１１の各々において、高屈折率のＴａ2Ｏ5層と低屈折率のＳｉＯ2層が交互に積層されている。透光性磁性薄膜２０７としては、良好な磁気光学特性を有する希土類鉄ガーネットである結晶質のＢｉＹＩＧ（ビスマス置換イットリウム鉄ガーネット）膜が用いられる。
【０００８】
図９は、図８の磁気光学体を作製する過程において利用される赤外線加熱装置を模式的なブロック図で図解している。この赤外線加熱装置２２０においては、水冷される基板ホルダ２０１上にインジュウムシート２０２を介して基板２０３が載置される。基板２０３上には、第１の誘電体多層膜２１０が形成されている。そのような誘電体多層膜は、たとえばＥＢ（電子ビーム）蒸着などによって形成され得る。また、この第１の誘電体多層膜２１０上にはＢｉＹＩＧ膜２０７が形成されている。そのようなＢｉＹＩＧ膜２０７は、たとえばスパッタリングによって形成され得る。ただし、スパッタリングによって成膜されたままのＢｉＹＩＧ膜２０７は非晶質である。この非晶質ＢｉＹＩＧ膜２０７上に、吸光板としてのグラッシーカーボン板２０４がセットされる。
【０００９】
赤外線発生部２２１は赤外線２２１ａを放射し、グラッシーカーボン板２０４がその赤外線２２１ａを吸収することによって加熱される。他方、基板ホルダ２０１は冷却機構２２２によって冷却される。そして、カーボン板２０４の温度は、熱電対２２３によってモニタされる。すなわち、赤外線加熱装置２２０は、誘電体多層膜２１０に悪影響を及ぼすことなく、ＢｉＹＩＧ膜２０７を結晶化するために用いられる。
【００１０】
前述のように、成膜されたままの状態のＢｉＹＩＧ膜２０７は、非晶質であって十分な磁化特性を有しておらず、大きなファラデー回転角を生じさせることができない。したがって、ＢｉＹＩＧ膜に大きなファラデー回転角を持たせるために、６００℃以上の熱処理によってＢｉＹＩＧ膜を結晶化させる必要がある。他方、誘電体多層膜２１０が６００℃以上の温度にさらされれば、それに含まれるＴａ2Ｏ5層とＳｉＯ2層との間において相互拡散を生じ、その誘電体多層膜の光学的特性を損なってしまう。このような理由から、誘電体多層膜２１０を冷却しつつ、ＢｉＹＩＧ膜２０７を赤外線で加熱して結晶化させるのである。そして、ＢｉＹＩＧ膜２０７が結晶化された後には、そのＢｉＹＩＧ膜２０７上に第２の誘電体多層膜２１１がＥＢ蒸着などによって形成される。
【特許文献１】特開２００１−１１０６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特開２００１−１１０６３５号に開示された磁気光学体は、図９に関連して説明されたように、その製造工程が非常に煩雑であって製造コストも高くなる。
【００１２】
そこで、本発明は簡便な製造工程でかつ低コストで作製し得る磁気光学体およびそれを含む光アイソレータを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一つの態様による磁気光学体は、第１と第２の主面を有する透光性基板と、その基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる透光性磁性薄膜と、基板と磁性薄膜を挟み込むように基板の第２主面と磁性薄膜の表面との各々上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された誘電体多層膜を含むことを特徴としている。
【００１４】
本発明の他の態様による磁気光学体は、第１と第２の主面を有する第１の透光性基板と、その第１基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる第１の透光性磁性薄膜と、第１基板と第１磁性薄膜を挟み込むように第１基板の第２主面と第１磁性薄膜の表面とのそれぞれ上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第１と第２の誘電体多層膜を含む第１の磁気光学体、および第１と第２の主面を有する第２の透光性基板と、その第２基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる第２の透光性磁性薄膜と、第２基板と第２磁性薄膜を挟み込むように第２基板の第２主面と第２磁性薄膜の表面とのそれぞれ上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第３と第４の誘電体多層膜を含む第２の磁気光学体を含み、第１と第２の磁気光学体が光の透過方向に重なるように付加的な透光性誘電体層を介して一体に接合されていることを特徴としている。
【００１５】
本発明の他の態様による光アイソレータは、上述のいずれかの態様の磁気光学体を含み、さらにその磁気光学体を挟み込むように外側の誘電体多層膜の各々上において屈折率変調分布を有する偏光子膜を含むことを特徴としている。
【００１６】
本発明のさらに他の態様による光アイソレータは、第１と第２の主面を有する透光性基板と、その基板の第１主面上に形成されていて入射光の偏光面を回転させる透光性磁性薄膜と、基板と磁性薄膜を挟み込むように基板の第２主面と磁性薄膜の表面との各々上において屈折率変調分布を有する偏光子膜を含むことを特徴としている。
【００１７】
なお、上述のいずれの態様による光アイソレータにおいても、偏光子膜はＤＬＣ膜で形成され得る。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、簡便な製造工程でかつ低コストで作製し得る磁気光学体およびそれを含む光アイソレータを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１による磁気光学体を模式的な断面図で示している。なお、本願の図面において、同一の参照符号は同一部分または相当部分を示している。この図１の磁気光学体の作製においては、まず透光性基板１の上側主面上に透光性磁性薄膜２が形成される。このとき、透光性磁性薄膜２のファラデー効果を向上させるために、たとえば５００℃以上の温度で熱処理することも可能である。
【００２０】
その後に、それらの基板１と磁性膜２とを挟み込むように、基板１の下側主面上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第１の誘電体多層膜３ａが形成されるとともに、磁性薄膜２の上面上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第２の誘電体多層膜３ｂが形成される。なお、図面の簡略化のために各誘電体多層膜が低屈折率層と高屈折率層とを一層ずつ含んで示されているが、さらに多くの複数層を含んでいることは言うまでもない。
【００２１】
図１に示されているような磁気光学体では、ファブリ・ペロー共振器の両端面における干渉フィルタまたは干渉反射膜として作用し得る第１と第２の誘電体多層膜３ａ，３ｂの間で入射光が透光性磁性薄膜２中を多数回往復することができるので、透光性磁性薄膜２が極めて薄い場合でも、大きなファラデー回転角を得ることができる。ここで、本発明による磁気光学体においては、いずれの誘電体多層膜も磁性薄膜の形成および熱処理が完了した後に形成されるので、その磁性薄膜のファラデー効果を向上させるための熱処理によって誘電体多層膜の特性が劣化することがなく、いずれの誘電体多層膜も優れた干渉膜として作用し得る。
【００２２】
透光性基板１の材料としては、利用される光の波長域において高い透過率を有する透光性材料が用いられる。たとえば、透光性基板１は、石英ガラス、シリコン、またはガドリニウムガリウムガーネット（ＧＧＧ）などによって形成され得る。磁気光学体の厚さの主要部を占める基板１の厚さは、磁気光学体の全体厚さを薄くするために、できるだけ薄いことが好ましく、５０μｍ以下であることが望まれる。そのように薄い透光性基板１としては、たとえばアトック社製の厚さ１５μｍの石英基板を用いることができる。
【００２３】
透光性磁性薄膜２には、ファラデー効果を示す透光性磁性材料が用いられる。そのような透光性磁性材料としては、ガーネット、フェライト、ペロブスカイトなどの酸化物材料；ＣｄＭｎＴｅなどの半導体材料；アモルファス酸化物材料；または３ｄ遷移金属をＺｎＯなどに添加した酸化物材料などが用いられ得る。そのような透光性磁性薄膜２が有する特性としては、利用される光の波長域においてファラデー回転係数が大きくかつ透過率が高く（吸収係数が小さく）、さらにファラデー回転性能指数が１００ｄｅｇ／ｄＢ以上であることが好ましい。ここで、ファラデー回転性能指数とは、（ファラデー回転係数（ｄｅｇ／ｃｍ）の絶対値÷吸収損失（ｄＢ／ｃｍ））を意味する。たとえば、光通信に利用される波長１．５５μｍの光に関してファラデー回転性能指数の大きな材料としてガーネットが存在し、希土類鉄ガーネットを好ましく用いることができ、Ｂｉ置換イットリウム鉄ガーネットがより好ましく用いられ得る。
【００２４】
誘電体多層膜３ａ，３ｂにおいては、ＴｉＯ2またはＴａ2Ｏ5などからなる高屈折率層１ａとＳｉＯ2などからなる低屈折率層１ｂが交互に積層されている。これらの誘電体多層膜は、たとえばＥＢ蒸着やＣＶＤ（化学気相堆積）などのような公知の気相堆積法を利用して形成することができる。
【００２５】
ここで、誘電体多層膜中の各誘電体層の厚さｄ1は、その誘電体層の屈折率がｎ1で入射光の波長がλである場合に、たとえばｄ1＝λ／４ｎ1に設定し得る。このように各誘電体層の厚さを設定することによって、それらの誘電体層を含む誘電体多層膜が干渉フィルタまたは干渉反射膜として作用し得る。また、透光性磁性薄膜の厚さｄ2は、その透光性磁性薄膜の屈折率がｎ2で入射光の波長がλである場合に、たとえばｄ2＝λ／２ｎ2またはｄ2＝λ／ｎ2に設定し得る。
【００２６】
（実施形態２）
図２は、実施形態２による光アイソレータを模式的な断面図で示している。この光アイソレータにおいては、図１の磁気光学体の下面上と上面上に、第１の偏光子膜４ａと第２の偏光子膜４ｂがそれぞれ形成されている。そして、第１偏光子膜４ａと第２偏光子膜４ｂとは、それらの偏光面が互いに４５度をなすように調整されている。なお、透光性磁性薄膜２単独では偏光面を４５度だけ回転させるだけのファラデー効果を生じ得ない場合には、偏光面に平行な補助的外部磁場を印加するように、永久磁石、電磁石、またはコイルが図２の光アイソレータに近接配置されてもよい。
【００２７】
偏光子膜４ａ，４ｂは屈折率を変調し得る透光性材料を用いて形成することができ、たとえばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を利用して形成し得る。なお、ＤＬＣ膜が約３００℃以上に加熱されれば変質し、ＤＬＣ膜製の偏光子膜の特性が劣化し得る。しかし、本発明では、透光性磁性薄膜が基板上に形成されて熱処理された後にＤＬＣ膜が形成されるので、ＤＬＣ膜製の偏光子膜が熱によって劣化することがない。
【００２８】
図３の模式的な断面図において、ＤＬＣ膜を用いて偏光子膜を形成する方法の一例が図解されている。この方法によれば、まずＤＬＣ膜４上に、ラインアンドスペース状のマスク１０が形成される。そのようなマスク１０は、ＡｕやＷのような重金属で形成されることが好ましい。そして、そのマスク１０を介して、エネルギビーム１１がＤＬＣ膜に対して傾斜方向に照射される。その結果、マスク１０の開口を介してエネルギビーム１１によって照射されたＤＬＣ膜領域４Ｈは屈折率が高められ、マスク１０によって遮蔽されてエネルギビーム１１が照射されなかったＤＬＣ膜領域４Ｌはもとの低い屈折率にとどまる。このように平行格子状に屈折率変調されたＤＬＣ膜４は、偏光子膜として作用し得る。なお、エネルギビーム１１としては、シンクロトロン放射光のようなＸ線、電子線、またはイオンビームなどを用いることができる。
【００２９】
（実施形態３）
図４は、実施形態３による光アイソレータを模式的な断面図で示している。図４の光アイソレータは、図２のものに比べて、第１と第２の誘電体多層膜３ａ，３ｂが省略されていることのみにおいて異なっている。ただし、図４の光アイソレータに含まれる透光性磁性薄膜２には、ファブリ・ペロー共振器構造を含む図２の場合に比べて、遥かに大きなファラデー回転角を生じ得る材料が用いられなければならない。
【００３０】
より具体的には、透光性磁性薄膜２の厚さが例えば４５μｍ以下にされる場合には、ファラデー回転角の絶対値が１×１０4ｄｅｇ／ｃｍ以上の材料を使用することを要する。そのような磁性材料として、ＣｏフェライトまたはＣｏを添加したＢｉ鉄ガーネットを利用することができる（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．２７（１９８８）ｐｐ．３６１−３６５およびＪ．Ｍａｇｎ．Ｍａｇｎ．Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．１４８（１９９５）ｐｐ．２７５−２７６参照）。しかし、透光性磁性薄膜２単独のファラデー回転角が十分でない場合には、実施形態２の場合と同様に、図４の光アイソレータに補助的な外部磁界を印加してもよい。
【００３１】
さらに、透光性磁性薄膜として、日本セラミック協会学術論文誌第９９巻（１９９１）第８５２−８６１頁および電子情報通信学会ＣＰＭ８８−９４（１９８８）第３５−４０頁に述べられているようなＣｅ置換イットリウム鉄ガーネット薄膜を用いることもできる。Ｃｅ置換イットリウム鉄ガーネットは、波長１．１５μｍの光に対し、絶対値で１．３×１０4ｄｅｇ／ｃｍのファラデー回転角を示す材料である。Ｃｅ置換イットリウム鉄ガーネットのファラデー回転角は、波長１．５５μｍでは小さくなるが、Ｂｉ置換イットリウム鉄ガーネットに比べれば大きく、数１０μｍ〜１００μｍ程度の膜厚にすることによってその回転角を４５度にすることができる。
【００３２】
（実施形態４）
図５は、実施形態４による磁気光学体を模式的な断面図で示している。図５の磁気光学体においては、図１の磁気光学体の２つが光の透過方向に重ねられて透光性誘電体層５を介して一体に接合されている。なお、そのような透光性誘電体層５として、たとえばＳｉＯ2層を利用することができる。
【００３３】
図６は、図５の磁気光学体の作製方法を模式的な断面図で図解している。すなわち、第１の透光性基板１ａの上側主面上に第１の透光性磁性薄膜２ａが形成される。その後に、それらの第１基板１ａと第１磁性膜２ａとを挟み込むように、第１基板１ａの下側主面上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第１の誘電体多層膜３ａ１が形成されるとともに、第１磁性薄膜２ａの上面上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第２の誘電体多層膜３ｂ１が形成される。これに類似して、第２の透光性基板１ｂの下側主面上に第２の透光性磁性薄膜２ｂが形成される。その後に、それらの第２基板１ｂと第２磁性膜２ｂとを挟み込むように、第２磁性薄膜２ｂの下面上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第３の誘電体多層膜３ａ２が形成されるとともに、第２基板１ｂの上側主面上において低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層された第４の誘電体多層膜３ｂ２が形成される。
【００３４】
これら第１基板１ａを含む磁気光学体と第２基板１ｂを含む磁気光学体とが、透光性誘電体層５を介して一体に接合されることによって、図５の磁気光学体が作製され得る。なお、この透光性誘電体層５は、第２誘電体多層膜３ｂ１と第３誘電体多層膜３ａ２とを機能的に分離するために挿入される。また、この場合の接合には、たとえばエポキシ樹脂などの接着剤を利用することができる。このように接着剤を使用し得るのは、熱処理される透光性磁性薄膜２ａ，２ｂの形成が既に終了しているからである。さらに、接着剤による接合の代わりに、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．４０（２００１）ｐｐ．３４６３−３４６７に開示されているウエハ間のダイレクトボンディング法のように半導体プロセスなどで用いられている各種の接合法を利用することもできる。
【００３５】
なお、図５の磁気光学体において、それに含まれる透光性基板と透光性磁性薄膜との積層順序は、自由に相互変更することが可能である。ただし、透光性磁性薄膜が透光性基板の一主面上に形成されることは言うまでもない。また、図５の磁気光学体において、最外層の誘電体多層膜３ａ１，３ｂ２は、他の全ての部分の形成および接合が終了した後の最後に形成されてもよい。
【００３６】
（実施形態５）
図７は、実施形態５による光アイソレータを模式的な断面図で示している。この光アイソレータにおいては、図５の磁気光学体の下面上と上面上に、第１の偏光子膜４ａと第２の偏光子膜４ｂがそれぞれ形成されている。そして、第１偏光子膜４ａと第２偏光子膜４ｂとは、それらの偏光面が互いに４５度をなすように調整されている。なお、図５の磁気光学体だけでは偏光面を４５度だけ回転させるだけのファラデー効果を生じ得ない場合には、実施形態２の場合と同様に、偏光面に平行な補助的外部磁場を印加するように、永久磁石、電磁石、またはコイルが図７の光アイソレータに近接配置されてもよい。
【００３７】
なお、本実施形態５においても、実施形態２の場合と同様に、偏光子膜４ａ，４ｂは屈折率を変調し得る透光性材料を用いて形成することができ、たとえばＤＬＣ膜を利用して形成し得る。また、図７の光アイソレータにおいて、誘電体多層膜３ａ１，３ｂ２と偏光子膜４ａ，４ｂとは、他の全ての部分の形成と接合が終了した後に形成されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明によって得られる磁気光学体は光アイソレータに使用することができ、そのような光アイソレータは例えば光通信において好ましく利用され得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明による磁気光学体の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】図１の磁気光学体を含む光アイソレータの一例を示す模式的な断面図である。
【図３】図２の光アイソレータに含まれる偏光子膜の形成方法の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明による光アイソレータの他の例を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明による磁気光学体の他の例を示す模式的な断面図である。
【図６】図５の磁気光学体の形成方法を図解する模式的な断面図である。
【図７】図５の磁気光学体を含む光アイソレータの一例を示す模式的な断面図である。
【図８】先行技術による磁気光学体の一例を示す模式的な断面図である。
【図９】図８の磁気光学体に含まれれる希土類鉄ガーネット膜を結晶化する方法を示す模式的なブロック図である。
【符号の説明】
【００４０】
１，１ａ，１ｂ  透光性基板、２，２ａ，２ｂ  透光性磁性薄膜、３ａ，３ｂ，３ａ１，３ｂ１，３ａ２，３ｂ２  誘電体多層膜、４  ＤＬＣ膜、４ａ，４ｂ  偏光子膜、４Ｌ  低屈折率領域、４Ｈ  高屈折率領域、５  透光性誘電体層、１０  マスク、１１  エネルギビーム。
【図１】
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【図２】
2004302407.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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