(57)【要約】【課題】基板と、これを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】本発明は少なくとも１つの表面上に少なくとも１つの不連続フォトレジストコーティング膜が形成された基板であって、前記フォトレジストコーティング膜によって高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域とが配列され、フォトレジストコーティング膜が形成されていない領域は高表面エネルギーを有することを特徴とする。これにより、安価に製造可能でき、従来技術の場合と比較してコーティング厚が減少するだけではなく、薄いコーティング厚でも表面エネルギーのコントラストに優れている。このような基板は伝導性ポリマーのインプリントに利用、またはインクジェットプリンティング法を利用した発光ポリマー溶液のインプリントの際に使われる。【選択図】　　　　　　図５
2004071547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に第１フォトレジストコーティング材料を塗布した後、これを露光及び現像する段階と、
前記第１フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して高表面エネルギーを有する第１フォトレジストコーティング膜を形成する段階と、
前記第１フォトレジストコーティング膜の上部の所定領域に第２フォトレジストコーティング材料を塗布し、これを露光及び現像して第２フォトレジストコーティング膜を前記第１フォトレジストコーティング膜の上部に部分的に重ねる段階と、
前記第２フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して基板の表面エネルギーを減少させる段階と、
前記第２フォトレジストコーティング膜を除去する段階と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１フォトレジストコーティング膜をＵＶ−オゾン処理または酸素プラズマ処理して前記第１フォトレジストコーティング膜が高表面エネルギーを有することを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記表面エネルギーの減少が、
フッ素含有ガスを利用したプラズマ処理によって行われることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記フッ素含有ガスがＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３よりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項３に記載の基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１フォトレジストコーティング材料がノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカー及びポリイミドラッカーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２フォトレジストコーティング材料がノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカー及びポリイミドラッカーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記表面エネルギーの減少が、
４：１混合体積比のテトラフルオロメタンと酸素よりなる混合ガスとを利用したプラズマ処理によって行われることを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２フォトレジストコーティング膜の除去の際に、アセトン及びテトラヒドロフランよりなる群から選択されたいずれか１つ以上を利用することを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
少なくとも１つの表面上に少なくとも１つの不連続フォトレジストコーティング膜が形成された基板であって、
前記フォトレジストコーティング膜によって高表面エネルギー領域及び低表面エネルギー領域が配列され、フォトレジストコーティング膜が形成されていない領域が高表面エネルギーを有することを特徴とする基板。
【請求項１０】
前記高表面エネルギー領域での表面エネルギーは６０−７０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、低表面エネルギー領域での表面エネルギーは２０−３５ｄｙｎｅ／ｃｍであることを特徴とする請求項９に記載の基板。
【請求項１１】
前記支持基板が硬質基板であることを特徴とする請求項９または１０に記載の基板。
【請求項１２】
前記支持基板が軟質基板であることを特徴とする請求項９または１０に記載の基板。
【請求項１３】
前記支持基板がガラス、プラスチックまたはシリシウムよりなることを特徴とする請求項９または１０に記載の基板。
【請求項１４】
前記フォトレジストコーティング膜が、
ノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカー及びポリイミドラッカーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項９または１０に記載の基板。
【請求項１５】
支持基板上に第１フォトレジストコーティング材料を塗布した後、これを露光及び現像する段階と、
前記第１フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して高表面エネルギーを有する第１フォトレジストコーティング膜を形成する段階と、
前記第１フォトレジストコーティング膜の上部の所定領域に第２フォトレジストコーティング材料を塗布し、これを露光及び現像して第２フォトレジストコーティング膜を前記第１フォトレジストコーティング膜の上部に部分的に重ねる段階と、
前記第２フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して基板の表面エネルギーを減少させる段階と、
前記第２フォトレジストコーティング膜を除去する段階と、
前記第２フォトレジストコーティング膜を除去した基板上に有機膜形成材料を含むインク滴を供給して有機膜を形成する段階と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１６】
前記有機膜形成材料が伝導性ポリマー及び発光ポリマーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１７】
前記伝導性ポリマーはポリエチレンジオキソチオフェン−ポリスチレンスルホン酸、ポリアニリンまたはその混合物であることを特徴とする請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１８】
前記伝導性ポリマーの表面張力は界面活性剤及び低級アルコールよりなる群から選択されたいずれか１つ以上によって減少させることを特徴とする請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１９】
前記低級アルコールはブタノール及びプロパノールよりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２０】
前記発光ポリマーはポリフェニレンビニレン及びポリフルオレンよりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２１】
前記有機膜が発光部であることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２２】
前記第１フォトレジストコーティング膜を表面処理して高表面処理エネルギーを有する第１フォトレジストコーティング膜を形成する際に、前記表面処理はＵＶ−オゾン処理または酸素プラズマ処理によって行われることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２３】
前記第１フォトレジストコーティング膜または第２フォトレジストコーティング膜の表面エネルギーの減少が、
フッ素含有ガスを利用したプラズマ処理によって行われることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２４】
前記フッ素含有ガスがＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３よりなる群から選択されたいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２５】
前記第１フォトレジストコーティング材料はノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカー及びポリイミドラッカーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２６】
前記第２フォトレジストコーティング材料はノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカー及びポリイミドラッカーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２７】
前記表面エネルギーの減少が、
４：１混合体積比のテトラフルオロメタンと酸素よりなる混合ガスを利用したプラズマ処理によって行われることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２８】
前記第２フォトレジストコーティング膜の除去の際に、アセトン及びテトラヒドロフランよりなる群から選択されたいずれか１つ以上の有機溶媒を利用することを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２９】
請求項１５ないし請求項２８のうちいずれか１項に記載の方法によって製造された有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３０】
前記有機膜が、伝導性ポリマーのインプリントによって形成されるか及び／またはインクジェットプリンティング法を利用した発光ポリマー溶液のインプリントによって形成されたことを特徴とする請求項２９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板及びこれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に係り、より具体的には安価に製造され、薄いコーティング厚さでも表面エネルギーのコントラストに優れた基板と、これを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インクジェットプリンティング法は、発光ポリマー（Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｐｏｌｙｍｅｒ：ＬＥＰ）に基づいたフルカラーディスプレーを製造する最も重要な構造形成方法の１つである。この方法によれば、少量のポリマー溶液を適切な基板上に塗布できる。この場合に、空間解像度は基板の表面特性によって決定的に異なる。塗布されたポリマーインクを利用したウェッティングは、カラーミキシングを避けるように、発光ピクセル領域（いわゆる、ピクセル表面）だけに行われるべきである。
【０００３】
特許文献１には、基本的な溶液接近方法が記述されている。適切に選択された基板表面形成用材料を利用すれば、基板表面で表面エネルギーのコントラストが形成される。プリント用インクは高表面エネルギー領域だけに流れる一方、低表面エネルギー領域はバリアとして作用する。また、均一なコーティング厚さを有する膜を得るためには、発光ダイオードのピクセル表面の境界領域越に高表面エネルギーを有することが有利である。このように形成された膜は境界領域までは均一に形成され、コーティング厚さはバリア近くの活性領域の外部側で著しく減少する。
【０００４】
所望の表面エネルギーのコントラストは種々の方式及び方法によって行われる。
【０００５】
特許文献１には、表面の２つのコーティング膜が記述されている。プラズマ表面処理によって、上部コーティング膜が低表面エネルギーを有する一方、下部コーティング膜は同じ処理をする場合、化学的特性によって高表面エネルギーを有する。下部コーティング膜は、一般的に、シリシウムオキシド／ナイトライドのような無機材料を利用して形成される。
【０００６】
ここで、無機コーティング膜は高表面エネルギーを有する境界領域に作用し、インクジェットプリンティング法によって均一なポリマー膜が容易に形成できるように作用する。しかし、コーティング作業及び構造の形成過程の際に、半導体産業で一般的に利用される工程を必ず経るべきである。
【０００７】
前記コーティングの際に、分離、スパッタリング法及びＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のようなガス相工程を利用するのが適切である。前記工程は費用がかかり、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）技術の使用において、費用的なメリットを減少させる。その上、第２コーティング膜は基板表面から所定高さ離れた低表面エネルギー領域（ここでは“セパレーター”）を意味する表面トポロジ
（ｓｕｒｆａｃｅ　ｔｏｐｏｌｏｇｙ）を含む。このような高さプロファイルの結果、前記分離されたポリマー膜は望ましくない厚さプロファイルを形成する。
【０００８】
特許文献２では、上部にフォトレジスト膜が予め形成された基板表面を化学的に処理する方法を記述する。その後、前記フォトレジスト膜はマスクを利用して露光及び現像処理する。このように形成された構造物では、フォトレジスト膜が形成された領域は低表面エネルギーを有するのに対し、フォトレジスト膜が形成されていない領域は高表面エネルギーを有する。フォトレジスト膜の側面（ｆｌａｎｋｓ）は平均表面エネルギーを有するので、ある程度までは表面エネルギーの突然転移を避けることができる。しかし、この領域が表面エネルギーと形状を自由に調節できる境界領域を表すのではない。インクジェットプリンティング工程の空間解像度は、平均表面エネルギーを有する領域を経て減少する短所を持っている。
【０００９】
特許文献３では、表面を２段階処理する方法を開示する。基板面積ははじめに低表面エネルギーを有する。表面の所定領域を短波長光で処理することによって、この領域での表面エネルギーが再び増加する。しかし、この方法では、表面エネルギーのコントラストは制限的で露光時間が長く、大量生産を難しくする。
【００１０】
【特許文献１】
ＥＰ　０９８９７７８　Ａ１（Ｓｅｉｋｏ−Ｅｐｓｏｎ）
【特許文献２】
特開平９−２０３８０３号公報
【特許文献３】
特開平９−２３０１２９公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする技術的な課題は、安価に製造でき、従来技術の場合と比較してコーティング厚さが減少し、インクジェットプリンティング用の空間解像度に優れた基板、その製造方法そして前記基板を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題のために本発明では、支持基板上に第１フォトレジストコーティング材料を塗布した後、これを露光及び現像する段階と、前記第１フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して高表面エネルギーを有する第１フォトレジストコーティング膜を形成する段階と、前記第１フォトレジストコーティング膜上部の所定領域に第２フォトレジストコーティング材料を塗布して、これを露光及び現像して第２フォトレジストコーティング膜を前記第１フォトレジストコーティング膜上部に部分的に重ねる段階と、前記第２フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して基板の表面エネルギーを減少させる段階と、前記第２フォトレジストコーティング膜を除去する段階とを含むことを特徴とする基板の製造方法を提供する。
【００１３】
前記技術的な課題を解決するために、前記第１フォトレジストコーティング膜はＵＶ−オゾン処理または酸素プラズマ処理によって高表面エネルギーを有する。前記表面エネルギーの減少は、フッ素含有ガスを利用したプラズマ処理によって行われ、前記フッ素含有ガスがＣＦ４、ＳＦ６及びＮＦ３よりなる群から選択されたいずれか１つ以上である。
【００１４】
前記表面エネルギーの減少は、４：１混合体積比のテトラフルオロメタンと酸素よりなる混合ガスを用いたプラズマ処理によって行われる。
【００１５】
前記第１フォトレジストコーティング材料及び前記第２フォトレジストコーティング材料は、各々ノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカー及びポリイミドラッカーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上である。
【００１６】
前記第２フォトレジストコーティング膜の除去の際に、アセトン及びテトラヒドロフランよりなる群から選択されたいずれか１つ以上を利用する。
【００１７】
本発明の他の技術的課題のために本発明では、少なくとも１つの表面上に少なくとも１つの不連続フォトレジストコーティング膜が形成された基板であって、前記フォトレジストコーティング膜によって高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が配列され、フォトレジストコーティング膜が形成されていない領域が高表面エネルギーを有することを特徴とする基板を提供する。
【００１８】
前記高表面エネルギー領域での表面エネルギーは６０−７０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、低表面エネルギー領域での表面エネルギーは２０−３５ｄｙｎｅ／ｃｍである。
【００１９】
前記基板が硬質基板または軟質基板である。
【００２０】
前記基板は、ガラス、プラスチックまたはシリシウム（ｓｉｌｉｃｉｕｍ）よりなる。
【００２１】
前記フォトレジストコーティング膜は、ノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカー及びポリイミドラッカーの中から選択されたいずれか１つ以上よりなる。
【００２２】
他の技術的課題のために本発明ではまた、支持基板上に第１フォトレジストコーティング材料を塗布した後、これを露光及び現像する段階と、前記第１フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して高表面エネルギーを有する第１フォトレジストコーティング膜を形成する段階と、前記第１フォトレジストコーティング膜の上部の所定領域に第２フォトレジストコーティング材料を塗布し、これを露光及び現像して第２フォトレジストコーティング膜を前記第１フォトレジストコーティング膜の上部に部分的に重ねる段階と、前記第２フォトレジストコーティング材料を塗布し、露光及び現像した基板を表面処理して基板の表面エネルギーを減少させる段階と、前記第２フォトレジストコーティング膜を除去する段階と、前記前記第２フォトレジストコーティング膜を除去した基板上に有機膜形成材料を含むインク滴を供給して有機膜を形成する段階とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【００２３】
前記有機膜形成材料は伝導性ポリマー及び発光ポリマーよりなる群から選択されたいずれか１つ以上である。そして、前記伝導性ポリマーはポリエチレンジオキソチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ−ＰＳＳ）及びポリアニリンの中から選択されたいずれか１つ以上である。
【００２４】
前記伝導性ポリマーの表面張力は界面活性剤及び低級アルコールよりなる群から選択されたいずれか１つ以上によって減少される。ここで、低級アルコールはブタノール及びプロパノールよりなる群から選択されたいずれか１つ以上を使用する。
【００２５】
前記有機膜は特に発光部である。
【００２６】
さらに他の技術的課題のために本発明では、前述した方法によって製造された有機膜を採用した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。前記有機膜は、伝導性ポリマーのインプリントによって形成され、及び／またはインクジェットプリンティング法を利用した発光ポリマー溶液のインプリントによって形成される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき、本発明を詳細に説明する。
【００２８】
本発明のメリットは、商業的に入手可能な材料を使用しつつ、製造コストを低減する方法を使用し、ランダムな構造の表面コントラストを有する１つのコーティング膜だけが形成された基板を提供することにある。
【００２９】
前記目的を達成するために、支持基板上に第１フォトレジストコーティング材料を塗布して、第１フォトレジストコーティング膜を形成する。前記第１フォトレジストコーティング材料は商業的に入手可能な材料であり、具体例として、ノボラック系フォトレジスト、アクリルラッカー、エポキシラッカーまたはポリイミドラッカーが挙げられる。次いで、前記塗布された結果物を、フォトマスクを利用して露光及び現像した後、熱的に架橋し、ＵＶ−オゾン処理または酸素プラズマ処理のような表面処理を施すことによって、第１フォトレジストコーティング膜は高表面エネルギーを有するようになる。
【００３０】
その後、例えば商業的に入手可能なフォトレジストを利用して、第２フォトレジストコーティング膜を形成する。次いで、フォトマスクを利用した露光を再び実施した後、現像処理する。この場合に、第２フォトレジストコーティング膜は第１フォトレジストコーティング膜の上部に部分的に重なる。その後、基板の表面エネルギーは、例えばＣＦ４、ＳＦ６またはＮＦ３のようなフッ素ガスを利用した表面処理によって減少する。
【００３１】
また、４：１混合体積比の４フッ化メタンと酸素の混合ガスを利用したプラズマ処理によって、表面エネルギーが減少する。最終的に、第２フォトレジストコーティング膜は除去される。第２フォトレジストコーティング膜の除去の際に、アセトン、テトラヒドロフラン、その混合物のような有機溶媒を利用する。残留する第１フォトレジストコーティング膜は、フォトマスクと表面処理法を適切に選択して、所定形状と、所定表面エネルギーのコントラストとを有し得る。
【００３２】
さらに他のメリットは、必須の基板特性を得るために、最終的に１つのコーティング膜だけが必要であって、コーティング膜の形成の際に、有機材料だけが使われることにある。このような方法によれば、薄いコーティング厚さでも表面エネルギーのコントラストに優れている。
【００３３】
支持基板はガラス、プラスチック、シリシウムまたはその他の軟質または硬質材料よりなる。前記コーティング膜はフォトレジストよりなり、フォトマスクを利用して露光及び現像される。この場合、フォトレジストとして、商業的に入手可能なフォトレジストが利用される。また、同じ方法によって、フォトマスクを利用したエッチングを実施してポリマー膜の構造が形成できる。表面エネルギーは、ＵＶ−オゾンまたは酸素プラズマ処理によって低減できる。
【００３４】
本発明の基板は、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機膜形成の際に利用できる。この際に、有機膜の形成材料が特に制限されることはないが、伝導性ポリマー、発光材料（特に発光ポリマー）、その混合物が例示される。さらに詳細に説明すれば、本発明の基板は、伝導性ポリマーのインプリンティング及び／またはインクジェットプリンティングシステムを利用した発光ポリマー溶液のインプリンティングに利用できる。
【００３５】
前記伝導性ポリマーは、ポリエチレンジオキソチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ−ＰＳＳ）、ポリアニリン及びその混合物よりなる。前記伝導性ポリマーの表面張力は、界面活性剤などの添加剤またはブタノール、プロパノールなどの低級アルコールを利用して低減できる。このような方式で分離されたポリマーコーティング膜は熱処理によって乾燥する。
【００３６】
前記発光ポリマーとしては、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン及びその混合物を使用する。
【００３７】
後述するインクジェットプリンティング工程において、第１段階は、伝導性ポリマーを含有する溶液のインプリンティング過程である。一方、伝導性ポリマーのコーティング膜は欠陥電子（正孔）を発光材料に注入する能力を向上させるために役立つ。
【００３８】
一方、前記コーティング膜はまたアノードコーティング膜（インジウム−スズ−オキシド）を平坦化させてアノードコーティング膜の不規則に基づくＯＬＥＤ寿命の短縮を防止する。
【００３９】
最後に、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）及びポリフルオレン（ＰＦＯ）の中から選択されたいずれか１つ以上の発光ポリマー溶液は、インクジェットプリンティング法でインプリントされる。その後、金属カソードコーティング膜を真空蒸着／スパッタリングによって形成し、最後にカプセル化する。
【００４０】
図１に示されるように、ガラス、シリシウムまたは他の材料よりなる硬質または軟質の支持基板１は表面処理の前に利用可能である。後ほど、発光ポリマー（ＬＥＰ）は所定領域、すなわち活性ピクセル表面２上にインプリンティングされる。
【００４１】
一方、相異なるカラーのポリマーの混合（いわゆるカラー混合）を防ぐために、他方では、画像図解のためにポリマーを各々活性化させるために、ポリマーを所定領域に正確に塗布することが要求される。
【００４２】
第１フォトレジストコーティング材料を支持基板１上にスピンコーティングした後、フォトマスクを利用した露光処理を経て、基板１上にフォトレジストコーティング膜が形成される。このような過程後、ＵＶ−オゾン及び／または酸素−プラズマ処理だけでなく、現像及び熱的後処理過程を経る。このように処理された基板は図２に図示されている。ＵＶ−オゾン及び／または酸素−プラズマ処理によって、高表面エネルギーを有する第１フォトレジストコーティング膜３を形成する。
【００４３】
その後、図３に示されるように、第２フォトレジストコーティング材料をスピンコーティング法によって塗布する。次いで、フォトマスクを利用して露光及び現像を実施して、第２フォトレジストコーティング膜４を形成する。第２フォトレジストコーティング膜４は第１フォトレジストコーティング膜３の境界領域で重なる。その後、前記支持基板１はフッ素含有ガスを利用したプラズマで処理する。特に、前記フッ素ガスとしてはＣＦ４、ＳＦ６またはＮＦ３が適当である。その結果、前記第２フォトレジストコーティング膜４によってカバーされていない第１フォトレジストコーティング膜３の特定領域は、低表面エネルギーを有するようになる。しかし、第２フォトレジストコーティング膜４によって重なった第１フォトレジストコーティング膜３の一部は、比較的高表面エネルギーを有する。
【００４４】
その後、第２フォトレジストコーティング膜４は、例えばアセトン、テトラヒドロフラン、その混合物のような適切な溶媒によって除去される。このようにして得られた基板の表面は図４に示される通りである。
【００４５】
図４には、高表面エネルギーを有する領域、すなわち、前記第１フォトレジストコーティング膜３の特定領域と、低表面エネルギーを有する領域５を有する部分的なフォトレジストコーティング膜が図示されている。このような領域での形状はフォトマスクの適切な選択によってランダムに配列される。また、高表面エネルギーを有する領域３の表面エネルギーと低表面エネルギーを有する領域５の表面エネルギーの比率は、ＵＶ−オゾン及び／または酸素−プラズマ処理によって有利に調節できる。
【００４６】
図５は、フォトレジストコーティング膜の上部に位置する、例えば発光半導体性ポリマー（ＬＥＰ）よりなるインク滴６で処理されたフォトレジストコーティング膜を図示する。インク滴６は、活性ピクセル表面２の領域と高表面エネルギーを有するフォトレジストコーティング膜３の境界領域に流れ込む。
【００４７】
活性ピクセル表面２の外部に、表面エネルギーが高い状態から低い状態に移るにつれて、活性ピクセル表面２上でコーティング厚さが均一に確保される。その理由は、コーティング厚の減少が低表面エネルギー領域５だけで起こるので、活性ピクセル表面２の境界領域でのコーティング厚の減少が起こらないためである。このような方式で、均一なパターンを有するポリマー膜が確保される。
【００４８】
図６は、インクジェットプリンティング後、有機発光要素用基板を示す平面図である。ここで、活性ピクセル表面２と高表面エネルギーとを有するフォトレジスト領域３はインクで濡れる。これと対照的に、低表面エネルギーを有するフォトレジスト領域５はインクによって濡れない。
【００４９】
【実施例】
以下、本発明の望ましい実施例について記述することにする。
【００５０】
支持基板として、予め形成されたインジウム−スズ−オキシドコーティング膜を有するガラスが利用される。第１フォトレジストコーティング材料のノボラック系フォトレジスト（例えば、Ｍｅｓｓｒｓ　ＪＲＳ（Ｊａｐａｎ　Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｒｕｂｂｅｒ）の商品名　ＪＥＭ　７５０）を厚さ５００ｎｍにスピンコーティングした後、適切なフォトマスクを利用して露光させる。露光処理後、前記結果物を２００℃で１時間熱処理する。
【００５１】
次いで、前記熱処理された結果物を酸素プラズマを利用して１２０秒間処理し、第１フォトレジストコーティング膜を形成する。その後、第２フォトレジストコーティング材料をスピンコーティングする。この際に、前記第２フォトレジストコーティング材料としては、ノボラック系フォトレジスト（例えば、Ｍｅｓｓｒｓ　Ｃｌａｒｉａｎｔの商品名ＡＺ６６１２）を利用する。前記第２フォトレジストコーティング材料を適切なフォトマスクを利用して露光処理した後、現像する。
【００５２】
基板に、４：１混合体積比の４フッ化メタンと酸素の混合ガスを利用してプラズマ処理を１２０秒間実施する。その直後、第２フォトレジストコーティング膜をアセトン、テトラヒドロフラン、その混合物のような適切な溶媒によって除去する。
【００５３】
基板に、酸素プラズマ処理で簡単な後処理を実施する。このような実施例のためには、セパレーター領域５の幅は約１０〜２０μｍである。ピクセル２の中間空間は約３０μｍであって、これは約１３０ＰＰＩの分解能に当たる。高表面エネルギーを有する領域の表面エネルギーは約６０−７０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、低表面エネルギーを有する領域の表面エネルギーは約２０−３５ｄｙｎｅ／ｃｍである。
【００５４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、本発明の基板は、安価に製造可能で、従来技術の場合と比較してコーティング厚が減少するだけではなく、薄いコーティング厚でも表面エネルギーのコントラストに優れている。かかる基板は伝導性ポリマーのインプリンティングに利用、及び／またはインクジェットプリンティング法を利用した発光ポリマー溶液のインプリント時に使われる。
【００５５】
本発明について前記実施例を参考して説明しているが、これは例示的なことに過ぎず、本発明に属する技術分野の当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施例が可能であることが理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により定められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】非処理基板表面を示す図面である。
【図２】第１フォトレジストコーティング膜が形成された基板表面を示す。
【図３】第１フォトレジストコーティング膜及び第２フォトレジストコーティング膜、部分的に重なったフォトレジストコーティング膜を有する基板表面を示す図面である（前記各コーティング膜は露光及び現像されている）。
【図４】表面エネルギーの減少処理過程及び第２フォトレジストコーティング膜の除去過程を経た後の基板表面を示す図面である。
【図５】表面処理された基板とインク滴を示す図面である。
【図６】予め供給されたインク滴を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用基板の平面図である。
【符号の説明】
１…軟質支持基板
２…ピクセル表面
３…第１フォトレジストコーティング膜
５…低表面エネルギー領域
【図１】
2004071547.tif 000003
【図２】
2004071547.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004071547.tif 000006
【図５】
2004071547.tif 000007
【図６】
2004071547.tif 000008