(57)【要約】【課題】リモート型電極において、処理ガスの流量を均一にして対向電極間に供給する。【解決手段】処理ガス供給口１０に連結された第１容器１１と、この第１容器１１全体を内包するように設けられた第２容器１２と、この第２容器１２とガス連通路１４を介して隣設されるとともにリモート型電極の処理ガス導入口５６，５７に連結された第３容器１３　とからなり、第１容器１１は、処理ガス供給口１０の連結部分２２と反対側の端部２３が閉塞された中空の円筒体２１に形成されるとともに、この円筒体２１の長手方向に沿って所定の間隔Ｐ（Ｐ１〜Ｐ３）でガス吹き出し孔２４が形成されており、このガス吹き出し孔２４の間隔Ｐが、連結部２２側から端部２３側に向かって次第に短くなるように（Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐ３）形成されている。【選択図】　図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガス供給口から導入された処理ガスをリモート型電極の処理ガス導入口に導くリモート型ガス供給装置において、
前記処理ガス供給口に連結された第１容器と、この第１容器全体を内包するように設けられた第２容器と、この第２容器とガス連通路を介して隣設されるとともに前記リモート型電極の処理ガス導入口に連結された第３容器とからなり、
前記第１容器は、前記処理ガス供給口の連結部分と反対側の端部が閉塞された中空の円筒体に形成されるとともに、この円筒体の長手方向に沿って所定の間隔でガス吹き出し孔が形成されてなることを特徴とするリモート型ガス供給装置。
【請求項２】
前記ガス吹き出し孔の間隔が、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリモート型ガス供給装置。
【請求項３】
前記第２容器の容積が前記第１容器の容積の少なくとも５倍以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリモート型ガス供給装置。
【請求項４】
第２容器に形成された前記ガス連通路の幅が、前記リモート型電極の対向電極間の幅と同じかまたは幅広に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のリモート型ガス供給装置。
【請求項５】
前記第３容器は、前記第２容器の容積と同じかまたは小さい容積に設定されており、かつ、スリット状に形成されたリモート型電極の前記処理ガス導入口の幅が、第３容器内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するように形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のリモート型ガス供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、体気圧近傍の圧力下で発生させた放電プラズマを利用して被処理体を処理する放電プラズマ処理装置に係り、より詳細には、リモート型電極に処理ガスを均一に供給するためのリモート型ガス供給装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、低圧条件下でグロー放電プラズマを発生させて被処理体の表面改質または被処理体上に薄膜形成を行う方法が実用化されている。しかし、これらの低圧条件下における処理装置は、真空チャンバー、真空排気装置などが必要であるため、表面処理装置が高価なものとなり、大面積基板等を処理する際にはほとんど用いられていなかった。
【０００３】
そこで、大気圧近傍の圧力下で放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを利用して被処理体の処理を行う放電プラズマ処理装置が提案されている。
【０００４】
例えば特開平６−２１４９号公報、特開平７−８５９９７号公報等には、上部電極と下部電極からなる平行平板型電極（対向電極）を反応槽内に配置し、その平行平板型電極間に被処理体を配置し、反応槽内に処理ガスを導入した状態で、平行平板型電極間に電圧を印加することにより放電プラズマを発生させ、その放電プラズマで被処理体を処理するダイレクト方式のプラズマ処理装置が提案されている。
【０００５】
また、他の処理装置として、被処理体を放電空間中に配置するのではなく、被処理体を放電空間外に配置し、放電空間からのプラズマを被処理体に吹き付けるリモート方式のプラズマ処理装置が提案されている。
【０００６】
例えば、特開平１１−３３５８６８号公報には、平行平板型の対向電極間に電界を印加することにより放電プラズマを発生させるとともに、被処理体の表面付近を強制的に排気することにより、放電プラズマを被処理体表面に導いて処理を行うプラズマ処理装置が提案されている。
【０００７】
ところで、平行平板型の対向電極間に電界を印加することにより放電プラズマを発生させるリモート型電極を用いた放電プラズマ装置では、対向電極間から処理ガスが均一に吹き出すようにするために、処理ガス供給口とリモート型電極の処理ガス導入口との間にリモート型ガス供給装置が設けられている。
【０００８】
リモート型ガス供給装置は、処理ガス供給口から導入された処理ガスをリモート型電極の処理ガス導入口に安定的に導くためのものである。
【０００９】
このようなガス供給装置の例として、特開平８−２７９４６８号公報には、平面形状が先端に向かう程幅狭な縦長の台形状でかつ長手方向と直交する横断面が四角形状の角筒体よりなる石英製の中空部材と、この中空部材の両側壁面に中空部材の長さ方向に沿って形成された複数のガス吹き出し孔とにより構成されたガス供給装置が提案されている。
【００１０】
また、特開平９−１２９６１５号公報には、上部電極の下側に処理ガス拡散室が設けられ、この処理ガス拡散室から処理室に処理ガスを導入するための処理ガス供給路を、中心から上部電極の外周方向に向かってその長さが所定の割合で短くなるように構成することにより、各処理ガス供給路ごとの流量を均一にしたガス供給装置（処理ガス拡散室）が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上記ガス供給装置はいずれも、中空部材の形状や処理ガス供給路の長さを工夫することで、処理ガスを処理室内に均一に供給するようになっており、処理ガス吹き出し孔や処理ガス供給路自体については、一定のピッチで形成されている。また、これらのガス供給装置は、ダイレクト方式のプラズマ処理装置に適用されるものであり、リモート方式のプラズマ処理装置、すなわちリモート型電極に適用できる構造とはなっていない。
【００１２】
本発明はそのような実情に鑑みてなされたもので、リモート型電極において、処理ガスの流量を均一にして対向電極間に供給することのできるリモート型ガス供給装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のリモート型ガス供給装置は、処理ガス供給口から導入された処理ガスをリモート型電極の処理ガス導入口に導くものであって、前記処理ガス供給口に連結された第１容器と、この第１容器全体を内包するように設けられた第２容器と、この第２容器とガス連通路を介して隣設されるとともに前記リモート型電極の処理ガス導入口に連結された第３容器とからなり、前記第１容器は、前記処理ガス供給口の連結部分と反対側の端部が閉塞された中空の円筒体に形成されるとともに、この円筒体の長手方向に沿って所定の間隔でガス吹き出し孔が形成されていることを特徴としている。また、前記ガス吹き出し孔の間隔が、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成されている。
【００１４】
このような特徴を有する本発明によれば、第２容器は、第１容器から吹き出される処理ガスの圧力を低下させるためのバッファとしての機能を有する。すなわち、処理ガスが容器内に広がることによって動圧が低下し、処理ガスの流れによる影響を少なくしている。ここで、中空の円筒体である第１容器の周側面に形成されたガス吹き出し孔の長手方向の間隔が、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成されている。円筒形状に形成された第１容器では、一般的に、処理ガス供給源から処理ガスが供給される連結部側から先端部に向かうに従って圧力は高くなる。そこで、第１容器内でのこのような圧力分布を考慮し、ガス吹き出し孔を設ける間隔を、連結部側を疎、端部側を密となるように形成している。これにより、第１容器の各ガス吹き出し孔からは、均一な流量の処理ガスが第２容器内に吹き込まれる。
【００１５】
ここで、第２容器の容積を、第１容器の容積の少なくとも５倍以上、例えば５〜２０倍程度とする。このようにすることにより、第２容器のバッファとしての機能を充分に発現させることができる。
【００１６】
また、第２容器に形成されたガス連通路の幅を、リモート型電極の対向電極間の幅と同じか幅広に形成する。このように幅を設定することで、第２容器から第３容器への処理ガスの導入をスムーズに行うことができる。
【００１７】
さらに、第３容器は、第２容器の容積と同じかまたは小さい容積に設定し、かつ、スリット状に形成されたリモート型電極の処理ガス導入口の幅を、第３容器内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するように形成する。これにより、第３容器からリモート型電極の対向電極間に導入される処理ガスの流れをよりスムーズに、かつ流速を均一にすることができる。
【００１８】
リモート型電極は、所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極を有し、その一対の電極の少なくとも一方の電極対向面に固有誘電体が設けられてなる対向電極間に、電界を印加することによりグロー放電プラズマを発生する構造となっている。
【００１９】
ここで、対向電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等などが挙げられる。対向電極を構成する一対の電極の形状は、特に限定されないが、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、対向電極間の距離が一定となる構造であることが好ましい。より好ましくは一対の電極の間が平行平坦部を有する形状であり、特に、一対の電極がともに略平面形状であることが好ましい。
【００２０】
本発明において、対向電極の各電極の端部を曲面化加工することにより、ストリーマーの発生を抑制することができる。曲面化加工を行う場合の曲率半径は、特に限定されないが、好ましくは０．５ｍｍ以上で電極板厚み未満が好ましい。０．５ｍｍ未満では、ストリーマーの発生の抑制効果が不十分である。
【００２１】
本発明において、個体誘電体は、対向電極の電極対向面の一方または双方に設置される。この際、個体誘電体と設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにする。個体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすい。
【００２２】
上記個体誘電体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００２３】
特に、２５℃環境下における比誘電率が１０以上のものである個体誘電体を用いれば、低電圧で高密度の放電プラズマを発生させることができ、処理効率が向上する。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８，５００程度のものが入手可能である。特に好ましくは比誘電率が１０〜１００の個体誘電体である。上記比誘電率が１０以上である個体誘電体の具体例としては、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物を挙げることができる。
【００２４】
上記個体誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００２５】
対向電極の距離は、個体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、０．１〜５ｍｍであることが好ましい。０．１ｍｍ未満では、電極間の間隔を置いて設置するのに充分でないことがあり、一方、５ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましくは、放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍの間隔である。
【００２６】
このような対向電極間に、高周波、パルス波、マイクロ波等の電界が印加され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加することが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が、１０μｓ以下である電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。より好ましくは５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００２７】
上記電界の電界強度は、１０〜１０００ｋＶ／ｃｍとなるようにするのが好ましい。電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００２８】
上記電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５０ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合のとり易さや取り扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。
【００２９】
本発明のリモート型ガス供給装置を用いたリモート型電極によるプラズマ処理装置は、どのような圧力下でも用いることができるが、常圧放電プラズマ処理に用いるとその効果を十分に発揮でき、特に、大気圧近傍下の圧力下で用いるとその効果が十分に発揮される。
【００３０】
上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０４　〜１０．６６４×１０４　Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０４　〜１０．３９７×１０４　Ｐａの範囲が好ましい。
【００３１】
本発明において処理できる被処理体としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アクリル樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミック、金属、シリコンウェハ等が挙げられる。被処理体の形状としては、板状、フィルム状等のものが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明によれば、様々な形状を有する被処理体の処理に容易に対応することができる。
【００３２】
本発明に用いる処理ガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、処理目的に応じて種々のガスを使用できる。
【００３３】
上記処理ガスとして、ＣＦ４　、Ｃ２　Ｆ６　、ＣＣｌＦ３　、ＳＦ６　等のフッ素含有化合物ガスを用いることによって、撥水性表面を得ることができる。
【００３４】
また、処理ガスとして、Ｏ２　、Ｏ３　、水、空気等の酸素元素含有化合物、Ｎ２　ＮＨ３　等の窒素元素含有化合物、ＳＯ２　、ＳＯ３　等の硫黄元素含有化合物を用いて、被処理体の表面にカルボニル基、水酸基、アミノ基等の親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸等の親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積することもできる。
【００３５】
さらに、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属アルコール等の処理ガスを用いて、ＳｉＯ２　、ＴｉＯ２　、ＳｎＯ２　等の金属酸化物薄膜を形成させることができる。
【００３６】
さらに、被処理体の表面に電気的・光学的機能を与えたり、被処理体の表面から有機物除去、レジスト除去、高分子フィルムの接着性向上、ガラス系基板・プリント配線基板（ＦＰＣ）の洗浄、成膜、金属除去、デスミア、アッシング、エッチング、デスカム、滅菌洗浄などに利用できる。
【００３７】
経済性及び安全性の観点から、上記処理ガス単独雰囲気よりも、以下に挙げるような希釈ガスによって希釈された雰囲気中で処理を行うことが好ましい。希釈ガスとしては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガス、窒素気体等が挙げられる。これらは単独でも２種類以上を混合して用いてもよい。
【００３８】
なお、このような放電プラズマ処理によれば、プラズマ発生空間中に存在する気体の種類を問わずグロー放電プラズマを発生させることが可能である。公知の低圧条件下におけるプラズマ処理はもちろん、特定のガス雰囲気下の大気圧プラズマ処理においても、外気から遮断された密閉容器内で処理を行うことが必須であったが、本発明に係わるプラズマ処理においては、開放系、あるいは、気体の自由な流失を防ぐ程度の低機密系での処理が可能となる。
【００３９】
本発明によると、対向電極間において直接大気圧下で放電を発生させることが可能であり、より単純化された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。また、印加電界の周波数、電圧、電極間隔等のパラメータにより処理に関するパラメータも調整できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００４１】
図１ないし図４は、本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極の構造を示しており、図１は一部断面で示す平面図、図２は一部断面で示す側面図、図３は底面図、図４は側面より見た断面図である。また、図５は、第１容器の外観を示す側面図である。
【００４２】
まず、リモート型電極について説明する。
【００４３】
リモート型電極は、主に図４に示すように、筐体４０内に電圧印加電極５２と、その両側にそれぞれ配置された接地電極５１，５３とからなる平行平板型の対向電極が設けられており、この対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固定誘電体で被覆されている。そして、接地電極５１と電圧印加電極５２の間に形成される放電空間５４、及び電圧印加電極５２と接地電極５３との間に形成される放電空間５５に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外（この例では、対向電極の下部）に配置された被処理体である基材（二点鎖線により示す）６０の表面に導いて処理（例えば表面濡れ性付与など）を施すようになっている。
【００４４】
すなわち、処理ガスは、放電空間５４及び５５の上部の筐体４０に形成されたスリット状の処理ガス導入口５６，５７から放電空間５４，５５に導入され、放電空間５４，５５内で図示しない電源から電極に電界を印加することによりプラズマ化され、スリット状のプラズマ吹き出し口５４ａ，５５ａから基材６０に向かって吹き出されるようになっている。
【００４５】
また、電圧印加電極５２及び接地電極５１，５３にはそれぞれ冷却水流路５８ａ，５８ｂが形成されており、本実施の形態では、冷却水流路５８ａから冷却水を導入し、冷却水流路５８ｂから排出するようになっている。
【００４６】
なお、本実施の形態では、電圧印加電極５２の左右両側に接地電極５１，５３を対向配置しているが、もちろん一対の対向電極構造（例えば、電圧印加電極５２と接地電極５１、または電圧印加電極５２と接地電極５３の組み合わせ）であってもよい。
【００４７】
次に、本実施の形態のリモート型ガス供給装置について説明する。
【００４８】
本実施の形態のリモート型ガス供給装置１は、図示しないガス供給源から供給される処理ガスを、処理ガス供給口１０から導入し、リモート型電極の処理ガス導入口５６，５７に導く構造となっている。
【００４９】
すなわち、処理ガス供給口１０に連結された第１容器１１と、この第１容器１１全体を内包するように設けられた第２容器１２と、この第２容器１２とスリット状のガス連通路１４，１４を介して隣設された第３容器１３とからなり、この第３容器１３内に、リモート型電極の処理ガス導入口５６，５７が臨むように構成されている。
【００５０】
第１容器１１は、主に図５に示すように、中空の円筒体２１に形成されており、この円筒体２１の基端部側が処理ガス供給口１０に連結されている。また、この連結部２２と反対側の端部２３は閉塞されている。この円筒体２１の外周面には、周方向に沿って４箇所（または８箇所）にガス吹き出し孔２４，２４・・・が均等に形成されており、このように均等に形成されたガス吹き出し孔２４，２４・・・が、長手方向に沿って所定の間隔（ピッチ）Ｐで形成されている。本実施の形態では、この長手方向に沿って形成されたガス吹き出し孔２４，２４・・・の間隔（ピッチ）Ｐが、連結部２２側から端部２３側に向かって次第に短くなるように形成されている。　具体的には、円筒体２１の長さを２５０ｍｍ、外径をφ１６ｍｍ、内径をφ１３ｍｍ、ガス吹き出し孔２４の径をφ０．５ｍｍとした場合、例えば、連結部２２寄りではピッチＰ１が１２ｍｍ、中央部ではピッチＰ２が１０ｍｍ、端部２３寄りではピッチＰ３が８ｍｍとなるように、ピッチＰをリニアに短くしている。ただし、リニアではなく、段階的に短くなるように（すなわち、間隔が段階的に疎から密になるように）形成してもよい。
【００５１】
なお、端部２３の圧力が高いので、端部２３近傍の間隔を再び疎となるように構成してもよい。すなわち、連結部２２から端部２３に向かって、間隔が疎、密、疎となるように形成しても、各ガス吹き出し孔２４，２４・・・から処理ガスを均一に吹き出させることが可能である。
【００５２】
第２容器１２は、このような円筒体２１の第１容器１１全体を内包するように設けられた断面四角形状の箱状中空体に形成されており、その容積は、第１容器１１の少なくとも５倍以上、例えば５〜２０倍程度としている。第２容器１２は、第１容器１１から吹き出される処理ガスの圧力を低下させるためのバッファとしての機能を有し、処理ガスが容器内に広がることによって動圧が低下し、処理ガスの流れによる影響を少なくする役目を果たしている。従って、バッファとしての機能を十分に果たすためには、第１容器１１の容積の少なくとも５倍以上の容積が必要となる。一方、２０倍以上にしても、バッファとしての機能はほとんど変わらないため、装置の小型化を考慮すれば、２０倍程度までで十分である。
【００５３】
また、第２容器１２の底面であり、かつ第３容器１３の上面でもある仕切板１５には、その左右両側に平行にスリット状のガス連通路１４，１４が形成されている。第２容器１２内でほぼ静圧状態となった処理ガスは、このガス連通路１４，１４を通って第３容器１３に導入される。この場合、ガス連通路１４のスリット幅ｔ２は、リモート型電極の放電空間５４，５５の幅ｔ１と同じか多少幅広に形成されている。このように幅を設定することで、第２容器１２から第３容器１３への処理ガスの導入がスムーズに行われることになる。
【００５４】
第３容器１３は、第２容器１２と同様、断面四角形状の箱状中空体に形成されており、かつ、第２容器１２の容積と同じかそれよりも小さい容積に設定されている。また、第２容器１２の底面に開口するリモート型電極の処理ガス導入口５６，５７の幅は、第３容器１３内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するようなロート状に形成されている。これにより、第３容器１３からリモート型電極の対向電極間である放電空間５４，５５に導入される処理ガスの流れがよりスムーズとなり、流速を均一にすることができる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第１容器を、処理ガス供給口の連結部分と反対側の端部が閉塞された中空の円筒体に形成するとともに、この円筒体の長手方向に沿って所定の間隔でガス吹き出し孔を形成している。また、このガス吹き出し孔の間隔を、連結部側から端部側に向かって次第に短くなるように形成している。これにより、第１容器の各ガス吹き出し孔から、均一な流量の処理ガスを第２容器内に吹き込むことができる。また、第２容器の容積を、第１容器の容積の少なくとも５倍以上としたので、第２容器は第１容器から吹き出される処理ガスの圧力を低下させるためのバッファとしての機能を充分に発現することができる。すなわち、処理ガスが容器内に広がることによって動圧が低下し、処理ガスの流れによる影響を少なくすることができる。また、第２容器に形成したスリットの幅を、リモート型電極の対向電極間の幅と同じか広い幅に形成したので、第２容器から第３容器への処理ガスの導入をスムーズに行うことができる。さらに、第３容器を第２容器の容積と同じかまたは小さい容積に設定し、かつ、スリット状に形成されたリモート型電極の処理ガス導入口の幅を、第３容器内に開口する上部側から、リモート型電極の対向電極間に至る下部側に向かって漸次縮小するように形成したので、第３容器からリモート型電極の対向電極間に導入される処理ガスの流れをよりスムーズに、かつ流速を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を一部断面で示す平面図である。
【図２】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を一部断面で示す側面図である。
【図３】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を一部断面で示す底面図である。
【図４】本発明のリモート型ガス供給装置を含むリモート型電極全体を側面より見た断面図である。
【図５】本発明に係わる第１容器の外観を示す側面図である。
【符号の説明】
１　リモート型ガス供給装置
１０　処理ガス供給口
１１　第１容器
１２　第２容器
１３　第３容器
１４　ガス連通路
１５　仕切板
２１　円筒体
２２　連結部
２３　端部
２４　ガス吹き出し孔
４０　筐体
５１，５３　接地電極
５２　電圧印加電極
５４，５５　放電空間
５４ａ，５５ｂ　プラズマ吹き出し口
５６，５７　処理ガス導入口
５８ａ，５８ｂ　冷却水流路
６０　基材
【図１】
2004018904.tif 000003
【図２】
2004018904.tif 000004
【図３】
2004018904.tif 000005
【図４】
2004018904.tif 000006
【図５】
2004018904.tif 000007