(57)【要約】【課題】ダイシングシートより、半導体素子をコレットにより搬送し、リードフレーム上に形成された所望の載置部に載置する工程において、搬送前に前記半導体素子と前記載置部の位置を認識するため、搬送中に設備の振動等、真空吸着の不具合等で載置に位置ずれが生じるという課題があった。【解決手段】半導体素子をコレットにより搬送した後、前記半導体素子と所望の載置部を認識装置にて同時に認識し、その情報を制御装置にて制御し、コレットにより、微調整をして載置することにより、位置ずれをなくすことができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングシートに載置された半導体素子をコレットで吸着し、前記コレットを移動し、リードフレーム上の所望の位置に載置する半導体装置の製造装置において、反射素子と、前記半導体素子の画像を取り込む第１の画像認識部と、前記載置部の画像を取り込む第２の画像認識部とからなる認識部を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記認識部は、コレットに保持された前記半導体素子と、前記リードフレームとの間に、同軸上に配設されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
ダイシングシートに載置された半導体素子をコレットで吸着し、前記コレットを移動し、リードフレーム上の所望の位置に載置する半導体装置の製造方法において、前記コレットが、前記リードフレーム上に形成された前記半導体素子が載置される載置部の上面にきた際、上記コレットに吸着された前記半導体素子と、前記載置部の位置情報を記憶し、前記位置情報を基に、前記半導体素子を前記載置部に載置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に、半導体素子を吸着し、リードフレーム上に載置する半導体装置の製造装置及びそれを用いた製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化が進み、それに伴い内部に使用される半導体装置も超小型化されてきている。超小型の半導体装置を製造する際に従来よりも更に精度が必要となってきており、製造装置の認識精度においても更なる高精度化が要求されている。
【０００３】
以下、従来の半導体装置の認識装置及びそれを用いた認識方法について説明する。
【０００４】
図５は、従来の半導体装置の認識の工程を表したものである。
【０００５】
まず、図５（ａ）に示されるように、ダイシングシート１上に載置された半導体素子２の位置を認識部３ａにて認識する。また、同時にリードフレーム５上の半導体素子２の載置部６の位置を認識部３ｂにて認識する。
【０００６】
次に、図５（ｂ）に示されるように、認識したダイシングシート１上の半導体素子２をコレット７により真空吸着して、図５（ｃ）に示されるように、リードフレーム５上の載置部６の上方までコレット７により搬送する。
【０００７】
そして、図５（ｄ）に示されるように、図５（ａ）で認識された載置部６の位置情報に基づき、載置部６に半導体素子２を載置する（例えば、特許文献１参照。）
【０００８】
【特許文献１】
特開平０３−９７２５１号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、ダイシングシート上の半導体素子を認識したものの、リードフレーム上の載置部までのコレットによる搬送中に、設備自体の振動等により、載置位置がずれるという問題があった。
【００１０】
本発明は、前記問題に鑑み、従来の半導体装置の認識装置のような位置ずれを防止できる半導体装置の製造装置及びそれを用いた製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造装置及びそれを用いた製造方法は、半導体素子を真空吸着して保持するコレットと、前記コレットにて保持された前記半導体素子の位置と、準備されたリードフレーム上の前記半導体素子が載置される位置を認識する認識部と、前記コレットと前記認識部を制御する制御装置を具備し、前記認識部は、前記半導体素子と、前記リードフレームとの中間にかつ同軸上に配設される。そして、相反する同軸方向に同時に認識光を照射し、反射素子を介し、前記半導体素子の位置と、前記リードフレーム上の前記半導体素子の載置部の位置を瞬時に把握し、前記制御装置にて制御することができる。
【００１２】
このような構成とすることにより、従来のような半導体素子を搬送し、載置部へ載置する際、設備の振動、真空吸着等による位置ずれをなくすことが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
図１は、本発明の半導体装置の認識装置の構成図を示したものである。
【００１５】
図１に示されるように、本発明の半導体装置の認識装置３０は、半導体素子２１を真空吸着するコレット２２と、載置部２３が形成されたリードフレーム２４との間に認識部２５を具備し、認識部２５から得られた情報を処理する制御装置２０からなる。
【００１６】
ここで、認識部２５は、図３に示されるように、半導体素子を認識するための第１の画像認識部３２と、半導体素子を載置する載置部を認識するための第２の画像認識部３４と、反射素子３１とを備え、コレット２２に吸着された半導体素子の位置と、半導体素子を載置する載置部の位置は、反射素子３１を介し、伝達され、位置情報として制御装置２０に記憶される。
【００１７】
次に、本発明の認識装置を用いた認識方法について、図２の工程図を基に説明する。
【００１８】
図２（ａ）は、半導体素子２１を真空吸着したコレット２２をリードフレーム２４の半導体素子２１を載置する載置部２３の上部に移動させ、その後、認識部２５をコレット２２と載置部２３の間に設定する。
【００１９】
ここで、認識装置３０は、認識部２５を介し、コレット２２に吸着された半導体素子２１の位置情報と、載置部２３の位置情報が制御装置２０に記憶される。
【００２０】
次に、図２（ｂ）に示されるように、認識部２５がコレット２２が下降する際、妨げにならない位置まで水平方向に移動する。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示されるように、図２（ａ）にて制御装置２０が記憶した位置情報に基づきコレット２２が微調整を行う。具体的には、微調整は、図４（ａ）に示されるコレット２２の矢印１０の方向から見た場合、図４（ｂ）に示されるように、コレット２２の中心軸２２ａに対してＸ方向、Ｙ方向、θ方向の微移動させることにより行う。
【００２２】
次に、図２（ｄ）に示されるように微調整を終了したコレット２２が下降して、載置部２３に半導体素子２１を載置する。
【００２３】
【発明の効果】
以上、詳述しましたように、本発明の半導体装置の認識装置によれば、半導体装置をコレットで吸着し、リードフレームに載置する際、コレットがリードフレームの載置部の上方にきたときに、コレットに吸着された半導体素子の位置と、リードフレームの載置部の位置を同時に認識し、その後、微調整を行うことにより、コレットの移動中の振動による位置ずれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の認識装置の構成を表す図
【図２】本発明の半導体装置の載置時の認識方法を表す工程図
【図３】本発明の認識部の構造を表す図
【図４】本発明の半導体装置の認識装置のコレット部の微調整動作を表す図
【図５】従来の半導体装置の認識の工程を表す工程図
【符号の説明】
１  ダイシングシート
２、２１  半導体素子
３ａ、３ｂ、２５  認識部
５、２４  リードフレーム
６、２３  載置部
７、２２  コレット
２０  制御装置
３１  反射素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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