(57)【要約】【課題】温度調節付きロード・ロック、ロード・ロックを備えたリソグラフィ装置、およびロード・ロックを用いて基板を製造する方法を提供すること。【解決手段】基板Ｗなどの物体をリソグラフィ装置の中へ移送し、リソグラフィ装置から移送するように配置されたリソグラフィ装置用ロード・ロック。物体Ｗが前記ロード・ロックの中にあるときに物体Ｗを支持する支持ユニット３３；１４１を収容するロード・ロック容積の少なくとも一部分を画定するロード・ロック外壁３８；４０。ロード・ロックはさらに、少なくともロード・ロックからリソグラフィ投影装置に向けて物体を移送する前に物体の温度を所望の温度に制御する温度調節付き構造を有する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置用のロード・ロックであって、前記リソグラフィ装置内へ物体（Ｗ）を移送し、前記リソグラフィ装置から前記物体（Ｗ）を移送するように配置され、前記物体（Ｗ）が前記ロード・ロック（ＬＬ）の中にあるときに前記物体（Ｗ）を支持する支持ユニット（３３；１４１）を収容するロード・ロック容積を少なくとも部分的に画定する外壁（３８、４０）を備え、少なくとも前記ロード・ロックから前記リソグラフィ投影装置に向けて前記物体を移送する前に前記物体の温度を所望の温度に制御する温度調節付き構造を備えたロード・ロック。
【請求項２】
前記温度調節付き構造が、前記外壁（３８、４０）と前記支持ユニット（３３；１４１）のうちの少なくとも一方を含む、請求項１に記載のロード・ロック。
【請求項３】
前記温度調節付き構造が、温度制御された流体をその中に流すことができる管路を備えた、請求項１または２に記載のロード・ロック。
【請求項４】
前記支持ユニット（３３）が供給管路（１２７）と排出管路（１５０）とを備え、前記供給管路（１２７）が、前記支持ユニット（３３）と前記物体（Ｗ）の間にガスを供給して、前記支持ユニット（３３）と前記物体（Ｗ）の間に熱ブリッジを提供するように構成されている、請求項１から３までのいずれかに記載のロード・ロック。
【請求項５】
前記支持ユニット（１４１）が、前記ロード・ロック容積が減圧されるときに前記物体の表面に当たるガス流から前記物体（Ｗ）を実質的に保護するように設計されている、請求項１から４までのいずれかに記載のロード・ロック。
【請求項６】
前記ロード・ロックが、前記ロード・ロック容積を減圧するポンプ（１０３）を備えた、請求項１から５までのいずれかに記載のロード・ロック。
【請求項７】
前記ポンプ（１０３）が、前記ロード・ロック容積を前記ポンプ（１０３）によって所定の第１の圧力まで減圧し、所定の時間間隔のあいだ待機し、次いで前記ロード・ロック容積を所定の第２の圧力まで減圧するように配置されたプロセッサ（１０５）に接続されている、請求項６に記載のロード・ロック。
【請求項８】
前記ポンプ（１０３）が、前記ロード・ロック容積を前記ポンプ（１０３）によって第１の圧力から第２の圧力まで減圧するように配置されたプロセッサ（１０５）に接続されており、前記プロセッサ（１０５）がさらに、前記プロセッサが前記ロード・ロック容積の減圧を開始するときに前記物体の温度が前記所望の温度よりも高い所定の温度であるように前記温度調節付き構造を制御するように配置されている、請求項６または７に記載のロード・ロック。
【請求項９】
前記ポンプ（１０３）が、前記支持ユニット（３３）の中心の下方に配置された開口（３９）に接続されており、前記物体が基板（Ｗ）であり、前記支持ユニットが、前記開口（３９）のほぼ真上に前記基板（Ｗ）を支持するように配置されている、請求項６から８までのいずれか一項に記載のロード・ロック。
【請求項１０】
リソグラフィ装置内の支持構造であって、基板（Ｗ）を支持するボディ（３３；１５５）と、前記基板（Ｗ）と前記支持体（３３；１５５）の間の容積にガスを供給する供給管路（１２７；１５９）とを備え、前記容積内の前記ガスによって前記基板（Ｗ）の温度を制御するように配置された支持構造。
【請求項１１】
使用時に、前記容積内の前記ガスが、５０から１．５×１０７Ｐａ、特に２００から１０４Ｐａの範囲の圧力を有する、請求項１０に記載の支持構造。
【請求項１２】
前記ボディ（３３；１５５）に対して前記基板（Ｗ）を固定するクランプ（１３０；１６９）を備えた、請求項１０または１１に記載の支持構造。
【請求項１３】
前記ボディ（３３；１５５）が、前記容積を密閉するリム（１３８；１７３）を備えた、請求項１０から１２までのいずれか一項に記載の支持構造。
【請求項１４】
前記ボディ（３３）が、温度制御された流体をその中に流すことができる管路（６０）を備えた、請求項１０から１３までのいずれか一項に記載の支持構造。
【請求項１５】
静止ボディ（１６５）を備え、使用時に、前記静止ボディ（１６５）の中で前記ボディ（１５５）が回転するように配置され、前記ボディ（１５５）と前記静止ボディ（１６５）が、前記容積と連絡したそれらの間のすき間（１６７）を画定し、前記静止ボディ（１６５）が、温度制御された流体をその中に流すことができる管路を有する、請求項１０から１３までのいずれか一項に記載の支持構造。
【請求項１６】
前記すき間が前記支持構造の環境よりも高い圧力のガスを含むことができるように、前記すき間がシール（１７１）で密閉されている、請求項１５に記載の支持構造。
【請求項１７】
前記静止ボディ（１６５）が、前記すき間（１６７）の中に存在するガスを排出し、前記シール（１７１）を通したガス漏れを減らす開口（１７２）を備えた、請求項１６に記載の支持構造。
【請求項１８】
前記供給管路（１５９）が、基板が存在しないときに前記供給管路（１５９）を閉じる弁（１７５）を備えた、請求項１５、１６または１７に記載の支持構造。
【請求項１９】
前記支持ユニット（１４１）が、使用時に前記物体を実質的に覆うように設計されており、前記支持ユニット（１４１）が、前記支持ユニットを前記外壁（３８、４０）に接続する接続構造（１４３）を備えた、請求項５に記載のロード・ロック。
【請求項２０】
前記支持ユニット（１４１）が半円形の上面を有する、請求項１９に記載のロード・ロック。
【請求項２１】
前記支持ユニット（１４１）が半円形の下面を有する、請求項１９または２０に記載のロード・ロック。
【請求項２２】
前記支持ユニット上に配置された前記物体の表面に隣接したガスの体積を減らす体積低減手段を備えた、請求項１に記載のロード・ロック。
【請求項２３】
前記支持ユニットが、その上で支持する前記物体のサイズにほぼ等しいか、またはそれよりも大きいサイズの支持板を備え、
前記支持ユニットの上方に、前記物体のサイズにほぼ等しいか、またはそれよりも大きなサイズのシーリング板が提供されており、
前記体積低減手段が位置決めユニットを備え、前記位置決めユニットが、
前記ロード・ロック室の減圧の前および／または最中に、前記支持ユニットの前記支持板と前記シーリング板の間の距離を小さくし、
前記支持ユニットから前記物体を除去する前、または前記支持ユニットに前記物体を送達する前に、前記支持板と前記シーリング板の間の距離を大きくする
ためのものである、
請求項２２に記載のロード・ロック。
【請求項２４】
前記位置決めユニットが、前記支持板に対して作用するように適合されており、対応する前記シーリング板が、前記ロード・ロック室の中で動かないように配置されている、請求項２３に記載のロード・ロック。
【請求項２５】
請求項１から９までまたは請求項１９から２４までのいずれか一項に記載のロード・ロックと、請求項１０から１８までのいずれか一項に記載の支持構造のうち、少なくとも一方を備えたリソグラフィ投影アセンブリ。
【請求項２６】
第１の環境と第２の環境の間で物体を移送するための少なくとも１つのロード・ロックと、
前記第２の環境が支配するハンドラ室を備えた物体ハンドラと、
投影室を備えたリソグラフィ投影装置と
を備え、
物体を交換するために前記ハンドラ室と前記投影室が連絡する、
請求項２５に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
【請求項２７】
前記投影装置が、
放射投影ビームを供給する放射系と、
所望のパターンに従って前記投影ビームにパターンを付与する働きをするパターン形成手段を支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターンが付与された前記投影ビームを前記基板の標的部分に投影する投影系と
を備えた、請求項２６に記載のリソグラフィ投影アセンブリ。
【請求項２８】
放射感受性材料層によって少なくとも部分的に覆われた基板を用意する段階と、
放射系を使用して放射投影ビームを供給する段階と、
パターン形成手段を使用して、前記投影ビームに断面パターンを付与する段階と、
パターンが付与された前記放射ビームを前記放射感受性材料層の標的部分に投影する段階と
を含み、
請求項１から９までまたは請求項１９から２４までのいずれか一項に記載のロード・ロックと、請求項１０から１８までのいずれか一項に記載の支持構造のうち、少なくとも一方の中に前記基板を供給するすることを特徴とする
デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置用ロード・ロック（ｌｏａｄ  ｌｏｃｋ）の温度制御に関する。「ロード・ロック」は、第１の環境から第２の環境への基板などの物体の移送を容易にする装置である。この場合、一方の環境は他方の環境よりも低い圧力を有することができる。この第１の環境から第２の環境への物体の移送の間に、ロード・ロックの内部はより低い圧力に減圧され、またはより高い圧力に増圧される。このほか、この２つの環境が異なる温度または異なる雰囲気、例えば異なるガス組成を有する可能性がある。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の標的部分に所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）製造で使用することができる。この状況では、マスクなどのパターン形成手段を使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、放射感受性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）の標的部分（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイを含む部分）に結像させることができる。一般に単一の基板は、連続して露光された隣接する標的部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、１つの標的部分にパターン全体を一度に露光することによってそれぞれの標的部分に照射するいわゆるステッパ、投影ビームのパターンを与えられた方向（「走査」方向）に走査し、同時にこの方向に平行にまたは非平行に基板を同期走査することによってそれぞれの標的部分に照射するいわゆるスキャナなどがある。光源は、ＵＶ、ＤＵＶ、ＥＵＶ光またはまたは電子ビームとすることができる。
【０００３】
本明細書で使用する用語「パターン形成手段」は、基板の標的部分に形成するパターンに対応した断面パターンを入射放射ビームに付与する目的に使用することができる手段を指すものと広く解釈しなければならない。この文脈では用語「光弁（ｌｉｇｈｔ  ｖａｌｖｅ）」を使用することもできる。一般に、前記パターンは、標的部分に製造中の集積回路などのデバイスの特定の機能層に対応する（下記参照）。このようなパターン形成手段の例には以下のようなものがある。
【０００４】
−マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいてよく知られており、これには、バイナリ、交番位相シフト、減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、ならびにさまざまなハイブリッド・マスク・タイプが含まれる。このようなマスクを放射ビーム中に配置すると、マスク上のパターンに従って、マスクに入射した放射の選択的な透過（透過マスクの場合）または反射（反射マスクの場合）が起こる。マスクの場合には支持構造が一般に、マスクを入射放射ビーム中の所望の位置に保持できること、そして希望する場合に放射ビームに対してマスクを動かすことができることを保証するマスク・テーブルである。
【０００５】
−プログラム可能ミラー・アレイ。このような装置の一例は、粘弾性制御層および反射面を有する、マトリックス式のアドレス指定が可能な表面である。このような装置の基本原理は、（例えば）反射面のアドレス指定された領域は入射光を回折光として反射し、アドレス指定されていない領域は入射光を非回折光として反射するというものである。適当なフィルタを使用して前記非回折光を反射ビームから除き、回折光だけを残すことができる。このようにして反射ビームには、マトリックス式アドレス指定可能面のアドレス指定パターンに従ったパターンが付与される。プログラム可能ミラー・アレイの代替例では、適当な局所電界を適用することによって、または圧電作動手段を使用することによって軸を中心にそれぞれを個別に傾けることができる小さなミラーのマトリックス配置が使用される。この場合も、ミラーはマトリックス式のアドレス指定が可能であり、アドレス指定されたミラーは入射放射ビームを、アドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにして、反射ビームに、マトリックス式アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに従ったパターンが付与される。必要なマトリックス式アドレス指定は適当な電子手段を使用して実施することができる。上で説明したどちらの例でも、パターン形成手段は、１つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えることができる。ここで述べたミラー・アレイの詳細な情報は、例えば米国特許第５２９６８９１号および５５２３１９３号、ならびにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６から得ることができる。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は例えばフレームまたはテーブルとして具体化することができ、これらは必要に応じて固定または可動とすることができる。
【０００６】
−プログラム可能ＬＣＤアレイ。このような構造の例が米国特許第５２２９８７２号に出ている。プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様に、支持構造はこの場合も、例えばフレームまたはテーブルとして具体化することができ、これらは必要に応じて固定または可動とすることができる。
【０００７】
分かりやすくするため、本明細書の残りの部分は、特定の位置で、マスクおよびマスク・テーブルを含む例を特に対象とするが、このような事例で論じられる一般原理は、先に記載したパターン形成手段のより幅広い文脈で理解しなければならない。
【０００８】
リソグラフィ投影装置は例えば集積回路（ＩＣ）製造で使用することができる。このような場合には、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生み出し、このパターンを、放射感受性材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコン・ウェハ）の標的部分（例えば１つまたは複数のダイを含む部分）に結像させることができる。一般に単一の基板は、投影系によって１度に１つずつ連続して照射された隣接する標的部分の全ネットワークを含む。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成を使用する現行の装置には、異なる２つのタイプの機械がある。一方のタイプのリソグラフィ投影装置では、１つの標的部分にマスク・パターン全体を一度に露光することによってそれぞれの標的部分に照射する。このような装置は普通、ウェハ・ステッパまたはステップ・アンド・リピート装置と呼ばれている。走査ステップ式（ｓｔｅｐ−ａｎｄ−ｓｃａｎ）装置と一般に呼ばれている代替装置では、投影ビームの下のマスク・パターンを与えられた基準方向（「走査」方向）に漸進走査し、同時にこの方向に平行にまたは非平行に基板を同期走査することによってそれぞれの標的部分に照射する。投影系は一般に倍率Ｍ（一般に＜１）を有するので、基板テーブルを走査する速度Ｖは、倍率Ｍにマスク・テーブルを走査する速度を掛けたものになる。ここで説明したリソグラフィ装置に関する詳細な情報は、例えば米国特許第６０４６７９２号から得ることができる。
【０００９】
リソグラフィ投影装置を使用した製造プロセスでは、放射感受性材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に覆われた基板上にパターン（例えばマスク上のパターン）を結像させる。この結像段階の前に、基板は、例えばプライマーの塗布、レジストの塗布、ソフト・ベークなど、さまざまな手順を経験する。露光後に、基板は、例えば露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、結像させたフィーチャの測定／検査など、他の手順を経験する。この一連の手順は、デバイス、例えばＩＣの個々の層にパターンを形成するベースとして使用される。パターン形成されたこのような層は次いで、例えばエッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研摩など、さまざまなプロセスを経験する。これらのプロセスは全て、個々の層の完成を意図したものである。複数の層が必要な場合には、この手順全体またはその変形手順をそれぞれの新しい層に対して繰り返さなければならない。最終的に、基板（ウェハ）上にずらりと並んだデバイスが得られる。これらのデバイスは次いで、ダイシング、ソーイング（ｓａｗｉｎｇ）などの技法によって互いから分離され、個々のデバイスはその後、キャリヤ上に取り付けたり、ピンに接続したりすることができる。このようなプロセスに関する詳細情報は、例えばＰｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ」、第３版、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ  Ｃｏ．、１９９７年、ＩＳＢＮ  ０−０７−０６７２５０−４から得ることができる。
【００１０】
分かりやすくするため、今後、投影系を「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、用語「レンズ」は、例えば屈折光学系、反射光学系および反射屈折光学系を含む、さまざまなタイプの投影系を包含するものと広く解釈しなければならない。放射系も、上記の任意の設計タイプに従って動作して放射投影ビームを誘導し、成形し、制御する構成要素を含むことができ、以下、このような構成要素を集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ぶ場合がある。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプの装置とすることができる。このような「多ステージ」機械では、これらの追加のテーブルを並行して同時に使用することができ、あるいは、１つまたは複数のテーブルを露光に使用している間に他の１つまたは複数のテーブル上で準備段階を実施することができる。デュアル・ステージ・リソグラフィ装置は例えば、米国特許第５９６９４４１号およびＷＯ９８／４０７９１に記載されている。
【００１１】
一般的なリソグラフィ配置では、基板が、基板トラックおよび基板ハンドラによってリソグラフィ投影装置の基板テーブルへ搬送される。基板トラックでは基板の表面が前処理される。基板の前処理は一般に、放射感受性材料（レジスト）の層によって基板を少なくとも部分的に覆うことを含む。結像段階の前に、基板はさらに、例えばプライマーの塗布、ソフト・ベークなど、他のさまざまな前処理手順を経験する。前処理の後、基板は、基板ハンドラによって基板トラックから基板ステージへ搬送される。
【００１２】
基板ハンドラは一般に、基板テーブル上に基板を正確に配置するようになっており、さらに基板の温度を制御することができる。
【００１３】
極紫外放射（ＥＵＶ放射）を使用する装置など、ある種のリソグラフィ投影装置では、真空条件下でないと基板への投影をうまく実施することができない。したがって、基板ハンドラは、前処理された基板を真空中へ移送するように適合されていなければならない。このことは一般に、少なくとも基板トラックでの基板の前処理の後に、基板のハンドリングおよび温度制御を真空中で実施しなければならないことを意味する。
【００１４】
他のタイプのリソグラフィ投影装置、例えば１５７ｎｍ放射を使用してＮ２環境中で操作する装置では、Ｎ２環境などの特定のガス環境を維持することがきわめて重要である。したがって、基板ハンドラは、前処理された基板を特定のガス環境中へ移送するようになっていなければならない。このことは一般に、少なくとも基板トラックでの基板の前処理の後に、基板のハンドリングおよび温度制御を特定のガス環境中で実施しなければならないことを意味する。
【００１５】
ロード・ロックは一般に、基板トラックとハンドリング室の間に配置することができる。
【００１６】
ロード・ロックの内部の圧力を下げると、その圧力差が、ロード・ロック室の内部の温度に影響を及ぼす。これによって、基板など、ロード・ロック室内の物体の温度も影響を受ける。断熱過程のため、ロード・ロックの内部の圧力が低下すると物体の温度も低下する。リソグラフィ投影アセンブリ内で処理する物体に関して、物体の温度は制御しなければならない特性の１つである。このことは特に、物体がリソグラフィ投影装置の中にあるときにあてはまる。しかし、このことはさらに、リソグラフィ投影装置に向けての移送およびリソグラフィ投影装置からの移送においても、基板の温度に注意を払わなければならないことを意味している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、このようなロード・ロックの内部の温度制御を対象とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
そのため、本発明は、リソグラフィ投影装置内への物体の移送およびリソグラフィ投影装置からの物体の移送を容易にするリソグラフィ投影装置用ロード・ロックを提供する。このロード・ロックは、物体がロード・ロックの中にあるときに物体を支持する支持ユニットを収容するロード・ロック容積を少なくとも部分的に画定する外壁を備え、さらに、少なくともロード・ロックからリソグラフィ投影装置に向けて物体を移送する前に物体の温度を所望の温度に制御する温度調節付き構造を備える。
【００１９】
ロード・ロック内のこの温度調節構造は、放射、対流および伝導を含む当技術分野で周知の熱伝達によって物体の温度を制御する。
【００２０】
この温度調節構造は、外壁と支持ユニットのうちの少なくとも一方を含むことができる。
【００２１】
温度調節構造の温度を制御するため、温度調節構造は、温度制御された流体をその中に流すことができる管路を備えることができる。
【００２２】
一実施例では、支持ユニットが供給管路と排出管路を備えることができ、供給管路は、支持ユニットと物体の間にガスを供給して、支持ユニットと物体の間に熱ブリッジを提供するように構成されている。そのガスの局所圧力は２００から１０４Ｐａとすることができる。
【００２３】
他の実施例では、支持ユニットを、ロード・ロック容積が減圧されるときに物体の表面に当たるガス流から物体を実質的に保護するように設計することができる。
【００２４】
他の実施例では、ロード・ロックが、ロード・ロック容積を減圧するポンプを備えることができる。ポンプは、ロード・ロック容積をポンプによって所定の第１の圧力まで排気し、所定の時間間隔のあいだ待機し、次いでロード・ロック容積を所定の第２の圧力まで減圧するように配置されたプロセッサに接続することができる。ポンピングされていない、または実質的にポンピングされていない間は、ロード・ロックの中にはまだ、温度調節付き構造と物体の間の熱交換を良好に保つだけの十分なガスがある。しかしガスがもはや存在しなくなると、対流または伝導は起こり得ず、したがって熱交換は大幅に減速する。
【００２５】
他の実施例では、ポンプが、ロード・ロック容積をポンプによって第１の圧力から第２の圧力まで排気するように配置されたプロセッサに接続されており、プロセッサはさらに、プロセッサがロード・ロック容積の減圧を開始するときに物体の温度が所望の温度よりも高い所定の温度であるように温度調節付き構造を制御するように配置されている。
【００２６】
ロード・ロックの減圧の間、物体の温度は断熱過程によって低下する。しかし、この温度低下は予め推定することができる。したがって、所望の温度よりも高い温度を物体に与えることによって、物体の温度低下を実質的に、減圧プロセスの終わりに所望の温度となるために必要な推定温度低下とすることができる。
【００２７】
ロード・ロックの減圧に起因した温度低下を低減する他の方法は、支持ユニット上に配置された物体の表面に隣接したガスの体積を減らす方法である。
【００２８】
本発明はさらに、以上に定義したロード・ロックを備えたリソグラフィ投影アセンブリ（組立体）を対象とする。このリソグラフィ投影アセンブリは、
−放射投影ビームを供給する放射系と、
−所望のパターンに従って投影ビームにパターンを付与する働きをするパターン形成手段を支持する支持構造と、
−基板を保持する基板テーブルと、
−パターンが付与された投影ビームを基板の標的部分に投影する投影系と
を一般に備えたリソグラフィ装置を含むことができる。
【００２９】
本発明はさらに、リソグラフィ装置内の支持構造に関する。この支持構造は、基板を支持するボディと、基板と支持構造の間の容積にガスを供給する供給管路とを備え、容積内のガスによって基板の温度を制御するように配置されている。
【００３０】
最後に、本発明はデバイス製造方法に関する。この方法は、
−放射感受性材料層によって少なくとも部分的に覆われた基板を用意する段階と、
−放射系を使用して放射投影ビームを供給する段階と、
−パターン形成手段を使用して、投影ビームに断面パターンを付与する段階と、
−パターンが付与された放射ビームを放射感受性材料層の標的部分に投影する段階と
を含み、これまでに定義されたロード・ロックまたは支持構造の中に基板を供給することを特徴とする。
【００３１】
本発明の他の実施例によれば、ロード・ロック室は上壁および下壁を備え、ロード・ロック室の下壁には減圧開口が開いており、ロード・ロック室の上壁には通気開口が開いている。下壁から減圧し上壁から通気することによって、ガスは装置内を上から下へ流れる。このことは、粒子が存在する場合に、その粒子が、ガスによってロード・ロック室の上部から下部へ輸送されることを意味する。これらの粒子は、ロード・ロック室の下壁に堆積し、またはロード・ロック室から除去される。この点で、通気および減圧開口は、ロード・ロックの１つまたは複数の支持ユニットに関して中央に配置することができる。複数の支持ユニットがある場合、それらは互いに上下に配置されることが好ましい。これによって、ロード・ロック室に置かれた基板の上に落ち、または基板に付着する可能性がある粒子を、減圧および／または通気中にロード・ロック室内に生み出されるガス流を使用して除去することができる。上壁および／または下壁は固定することができるが、固定されていなければならないわけではない。保守のために上壁および／または下壁が取外し可能であると有利である。
【００３２】
この態様の他の実施例によれば、投影室が真空室であり、リソグラフィ投影装置は、真空室内に真空を確立しまたはこれを維持する真空手段を備える。真空とは、１０５Ｐａ（または１バール）未満の絶対圧力を意味する。
【００３３】
本明細書ではＩＣ製造での本発明のリソグラフィ装置の使用を特に参照するが、該装置は他の多くの可能な応用を有することをはっきりと理解されたい。本発明の装置は例えば、集積光学系、磁区メモリの誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造で使用することができる。このような代替応用の文脈において、本明細書で使用される用語「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」はそれぞれ、より一般的な用語「マスク」、「基板」および「標的部分」によって置き換えられると考えなければならないことを当業者は理解されたい。
【００３４】
本明細書で使用する用語「放射」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（例えば波長３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの放射）、極紫外（ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）放射（例えば波長５〜２０ｎｍの放射）、およびイオン・ビーム、電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。
【００３５】
すでに明らかなとおり、本発明はいくつかの態様を含む。それらの態様は互いに独立しているが、１つまたは複数の態様、または態様の部分を本発明にしたがって有利に組み合わせることができる。
【００３６】
次に、添付図面を参照して本発明の実施例を例示する。図中、同じ参照符号または番号は同じ部分を指示する。
【実施例】
【００３７】
図１に、本発明の特定の実施例に基づくリソグラフィ投影装置（ＬＰ）を概略的に示す。この図の以下の説明は、リソグラフィ投影装置のさまざまな部分を説明するためのものである。この装置は、
−放射（例えばＥＵＶ放射）投影ビームＰＢを供給する放射系Ｅｘ、ＩＬ、およびこの特定のケースではさらに放射源ＬＡと、
−マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するマスク・ホルダを備え、アイテムＰＬに対してマスクを正確に配置する第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
−基板Ｗ（例えばレジストでコーティングされたシリコン・ウェハ）を保持する基板ホルダを備え、アイテムＰＬに対して基板を正確に配置する第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
−マスクＭＡの照射された部分を、基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）標的部分Ｃの表面に結像させる投影系（「レンズ」）ＰＬ（例えば反射ミラー系）と
を備えている。
【００３８】
図示のとおり、この装置は（例えば反射マスクを有する）反射型装置である。しかし一般に、例えば（例えば屈折レンズ系を用いた透過マスクを有する）透過型装置とすることもできる。この装置はあるいは、先に述べたタイプのプログラム可能ミラー・アレイなど、他の種類のパターン形成手段を使用することもできる。
【００３９】
放射源ＬＡ（例えばプラズマ源）は放射ビームを生み出す。このビームは直接に、または例えばビーム・エキスパンダＥｘなどの調整手段を通過させた後に、照明系（照明装置）ＩＬに供給される。照明装置ＩＬは、放射ビームの角強度分布の半径方向外側および／または半径方向内側の広がり（普通はσインナーおよびσアウターと呼ばれる）を設定する調整手段ＡＭを備えることができる。さらに照明装置は一般に、インテグレータＩＮ、コンデンサＣＯなど、他のさまざまな構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、所望の均一性および断面強度分布を有する。
【００４０】
図１に関して、放射源ＬＡは、（例えば放射源ＬＡが水銀ランプであるときにしばしばそうであるように）リソグラフィ投影装置のハウジングの中に収容することができるが、放射源をリソグラフィ投影装置から離して配置し、放射源が生み出した放射ビームを（例えば適当な誘導ミラーの助けを借りて）装置に供給するようにすることもできることに留意されたい。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザであるときにしばしば用いられる。本発明および請求項はこれらの両方のシナリオを包含する。
【００４１】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡを横切る。マスクＭＡを横切った後、投影ビームＰＢはレンズＰＬを通過する。レンズＰＬは投影ビームＰＢを、基板Ｗの標的部分Ｃの表面に集束させる。第２の位置決め手段ＰＷ（および干渉計測定手段ＩＦ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの通り道に別の標的部分Ｃが配置されるように正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭを使用して、例えばマスクＭＡをマスク・ライブラリから機械的に取り出した後に、または走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に配置することができる。物体テーブルＭＴの移動は一般に、図１には明示されていない長ストローク・モジュール（おおまかな位置決め）および短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現される。しかし、ウェハ・ステッパの場合には（走査ステップ式装置とは対照的に）、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータにだけ接続し、またはマスク・テーブルＭＴを固定することができる。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２および基板アライメント・マークＰｌ、Ｐ２を使用して位置合せすることができる。
【００４２】
図示の装置は異なる２つのモードで使用することができる。
【００４３】
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、マスクの像全体を１つの標的部分Ｃの表面に一度に（すなわち１回の「閃光」で）投影する。次いで、ビームＰＢによって別の標的部分Ｃを照射できるように、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動させる。
【００４４】
２．走査モードでは、本質的に同じシナリオが適用されるが、与えられた標的部分Ｃが１回の「閃光」では露光されない点が異なる。その代わりに、マスク・テーブルＭＴが、与えられた方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に速度ｖで移動することができ、そのため投影ビームＰＢはマスクの像の上を走査する。同時に、基板テーブルＷＴを、同じ方向または反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで同期移動させる。ただし、ＭはレンズＰＬの倍率である（一般にＭ＝／４または１／５）。このようにすると、解像度を犠牲にすることなく、比較的に大きな標的部分Ｃを露光することができる。
【００４５】
図２に、本発明の一実施例に基づくリソグラフィ投影アセンブリＬＰＡの個別モジュールの例示的な配置を概略的に示す。
【００４６】
この配置は以下のものを含む。
−第１の環境と第２の環境の間の基板の移送を容易にする複数のロード・ロックＬＬ。モジュールＨＣおよびＬＰを支配する第２の環境は第１の環境よりも低い圧力を有する。
−ハンドラ室ＨＣ。ハンドラ室ＨＣは、プリアライメント（予整合）・ユニットおよび／または熱処理ユニットなどの基板を前処理する前処理装置と、ロード・ロックＬＬから前処理装置へ、さらに前処理装置からリソグラフィ投影装置ＬＰのロード位置へ基板を移送し、また、リソグラフィ投影装置ＬＰのアンロード位置からロード・ロックＬＬへ逆方向に基板を移送する搬送手段とを備えている。
−すでに詳細に説明したリソグラフィ投影装置ＬＰ。
【００４７】
一般に、ロード・ロックとハンドラ室とを合わせて基板ハンドラＳＨと呼び、あるいは、処理対象がウェハである場合にはこれをウェハ・ハンドラと呼ぶ。
【００４８】
リソグラフィ投影装置は投影室を備え、投影室は特に、図１の基板テーブルＷＴおよび一般に第２の位置決め手段ＰＷと、投影室の排気を実施し、または投影室の圧力を下げる（本明細書ではこれらをともに減圧するという）ための排気配置とを備える。ロード・ロックおよびハンドラ室の機能については以下で詳細に説明する。
【００４９】
図３および図４にそれぞれ、本発明の第１および第２の実施例に基づくリソグラフィ投影アセンブリを示す。どちらの図にも以下のモジュールが示されている。
−２つのロード・ロックＬＬ。
−ハンドラ室ＨＣ。これは、２つのロード・ロックＬＬと合わせて基板ハンドラＳＨまたはウェハ・ハンドラと呼ばれる。
−投影室を備えたリソグラフィ投影装置ＬＰ。
【００５０】
最後のモジュールＬＰの配置は詳細には示されていないが、図１および２の例によって理解することができる。
【００５１】
一般に、ロード・ロックＬＬのハンドラ室ＨＣとは反対の側には、ロード・ロックＬＬに隣接して、ロード・ロックＬＬへ基板を供給しロード・ロックＬＬから基板を取り出すために装置された基板トラックＳＴ（図２参照）などの別のモジュールがある。
【００５２】
それぞれのロード・ロックＬＬには、第１の環境とロード・ロックＬＬの間の基板の移送を可能にするドア１０、１１がある。その反対側には、ロード・ロックＬＬとハンドラ室ＨＣの間の基板の移送を可能にするドア１２、１３がある。投影プロセスの間、ハンドラ室ＨＣおよびリソグラフィ投影装置ＬＰは第２の環境が支配する。ドア１０、１１、１２、１３はそれぞれ、対応するロード・ロックの内部を気密式に閉めきるために備えられたものである。
【００５３】
ロード・ロックはそれぞれ、基板を支持する基板支持ユニット１４ａ、１５ａを有する。図４に、第２の基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂは示されていない。第１および第２の基板支持ユニットは図５および６に示されており、したがってこれらは後に説明する。
【００５４】
第２の環境は第１の環境よりも低い圧力を有する。リソグラフィ投影装置ＬＰが例えばＥＵＶ放射を使用する装置のとき、第２の環境は真空環境となる。この場合、投影室は真空室である。真空雰囲気を確立するため、両方の実施例のリソグラフィ投影アセンブリは、真空を確立しまたは維持するための真空配置（図示せず）を備えることができる。
【００５５】
あるいは、第２の環境を、窒素環境などの特殊なガス環境とすることもできる。
【００５６】
潜在的に損傷を与えうる無制御のガス流によって重要な部分を傷つけることなく第１の環境とそれよりも低圧の第２の環境との間で基板を移送するために、１つのロード・ロックＬＬのドアは１度に片方ずつしか開かない。基板支持ユニット１４ａ、１５ａから第１の環境に基板を移送するときには、まず最初にロード・ロックＬＬに通気してからそれぞれのドア１０、１１を開け、基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂから第２の環境に基板を移送するときには、まず最初にポンプまたは他の方法でロード・ロックの圧力を必要なレベルまで下げてからそれぞれのドア１２、１３を開ける。
【００５７】
ハンドラ室ＨＣには、プリアライメント・ユニットおよび／または熱処理ユニット（図示せず）が配置された前処理位置１６がある。前処理位置１６でのプリアライメントは、基板テーブルＷＴ上での基板の位置決めの際に必要なレベルの正確さを達成するのに重要である。次の位置は、リソグラフィ投影装置ＬＰ内のロードおよびアンロード位置１７、１８である。この位置で、基板は、図１の基板テーブルＷＴの上に置かれ、またはそこから取り除かれる。ウェハを処理している場合にはこのテーブルはウェハ・ステージとみなされる。位置１６で熱処理ユニットを適用することは、基板全体にわたって制御された温度を維持するために有利である。
【００５８】
図４では、リソグラフィ投影装置ＬＰの中に、ロード位置１７とは別にアンロード位置１８が配置されている。これは、位置１７と１８が同じ位置にある図３の実施例とは対照的である。
【００５９】
ハンドラ室ＨＣからリソグラフィ投影装置ＬＰへ基板を移送する際、そしてこれとは逆方向に基板を移送する際に、基板は、互いに離れて配置された入口および出口２３、２４を通過する。前の段落で述べた差異と同様に、図３のハンドラ室とロード／アンロード位置の間の入口および出口２３、２４は同じ位置にある。
【００６０】
図３の第１の実施例と図４の第２の実施例の他の違いは搬送配置に関係する。図３の第１の実施例は、グリッパ２０を有するマニピュレータ１９を備え、図４に示した第２の実施例は、第１のマニプレータ１９の隣りに、やはりグリッパ２２を有する第２のマニプレータ２１を備える。これらの実施例のマニピュレータはともにスカラ・ロボットだが、他のロボットまたは他のマニピュレータも考えられる。
【００６１】
これらのロボットは以下の移送操作に適合している。
１．一方のロード・ロックＬＬから基板を取り出し、前処理装置１６に移送し、かつ／または、
２．前処理装置１６から基板を取り出し、ロード位置１７に移送し、かつ／または、
３．アンロード位置１８から基板を取り出し、ロード・ロックＬＬの基板搬送位置１４、１５に移送する。
【００６２】
図３の実施例の基板スループットの向上は、一方のロード・ロックＬＬに通気し、または一方のロード・ロックＬＬを減圧する前に、上で述べた３つの操作のうちの２つ以上の操作を組み合わせることによって達成することができる。
【００６３】
上で述べた操作の組合せの可能性は、１台のロボットを使用するのではなしに図４の実施例の場合のように２台のロボットを使用することによって大幅に増大することは容易に理解される。
【００６４】
最も論理的な移送操作シーケンスは、リソグラフィ投影アセンブリＬＰＡの動作モードに依存したものである。
−スタートアップ・フェーズ。アンロード位置１８からロード・ロックＬＬへ基板を移送する必要はなく、１枚または数枚の基板がハンドラ室およびリソグラフィ投影装置に移送される。
−定常状態動作。ロード位置１７への移送とアンロード位置１８からの移送が対等に実施される。
−ラン・エンプティ・フェーズ。ロード・ロックＬＬから前処理位置１６またはロード位置１７への移送は行われず、ハンドラ室およびリソグラフィ投影装置から１枚または数枚の基板が移送される。
【００６５】
本発明の一実施例によれば、ロード・ロックＬＬはそれぞれ、第１の基板支持ユニット１４ａ、１５ａおよび第２の基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂを備える（これらの詳細は図３および４には示されておらず、図５および６に示されている）。支持ユニットを追加すれば、先に述べた移送操作の組合せの可能性は向上する。追加の支持ユニットは、出入りする基板の一種の緩衝装置の働きをすることができるからである。
【００６６】
第１および第２の実施例ではともに、両方のロード・ロックＬＬと対応するロボット１９、２１が、いわゆる双方向ロード・ロックとして形成されている。これは、ハンドラ室のロボットと、例えば基板トラックＳＴのロボットの両方がそれぞれのロード・ロックに接近でき、ドア１０、１１、１２、１３を通して基板を両方向に移送することができることを意味している。これが、図３および４の矢印の付いた線Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇによって指示されている。この構成によって基板のスループットを向上させることができる。一方のロード・ロックＬＬが入ってくる基板用であり、もう一方のロード・ロックＬＬが出ていく基板用である本発明に基づくリソグラフィ投影アセンブリＬＰＡの実施例も実現可能である。このような実施例は移送操作の組合せの柔軟性を低下させるが、ロボットの到達範囲に関する要件は緩和される。
【００６７】
両方の実施例の基板ハンドラＳＨは、任意選択で、第３の環境と第２の環境の間で基板を移送するための第３のロード・ロック２５を備える。第３のロード・ロック２５の両側にはドア２７、２８が設けられている。ドア２７は、第３のロード・ロック２５の内部をハンドラ室ＨＣに接続する。外ドア２８は、第３のロード・ロックの内部を基板ハンドラＳＨの外部環境に接続する。
【００６８】
この第３のロード・ロック２５はハンドラ室の自由に接近可能な面に配置されており、例えば、基板を取り出さなければならない場合、または第１および第２のロード・ロックの基板支持ユニット１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂがすでに埋まっている場合にこの第３のロード・ロックを緩衝装置として使用することによって、リソグラフィ投影アセンブリＬＰＡの柔軟性および応用可能性は強化される。さらに、第３のロード・ロック２５を使用して、ハンドラ室ＨＣおよび／またはリソグラフィ投影装置ＬＰの修理および保守を容易にすることができる。なお、第３の環境は第１の環境と同じとすることができるが、第１の環境とは異なるものとすることもできる。
【００６９】
図３および４では、一方のロード・ロックＬＬが、自由に接近可能な面に配置された任意選択の外ドア２６を備える。このドア２６は、第３の環境（第１の環境と同じものとすることができる）からロード・ロックへ基板または他の物体を直接に移送するためのものである。このドアを、対応するロード・ロックの修理および保守に使用することもできる。両方のロード・ロックに外ドア２６を配置すること、またはもう一方のロード・ロックＬＬに外ドア２６を配置することも可能である。
【００７０】
図５に、本発明の一実施例に基づくロード・ロックの断面図を示す。
【００７１】
図５の以下の部分は以前の２つの図にも示されていたものである。
−第１の環境と接続するためのロード・ロック・ドア１０、１１
−第２の環境と接続するためのロード・ロック・ドア１２、１３
−ロード・ロックの上部にある第１の基板支持ユニット１４ａ、１５ａ
−ロード・ロックの下部にある第２の基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂ
−ハンドラ室ＨＣのロボットのグリッパ２０
【００７２】
図５の左側には、ロード・ロックＬＬと第１の環境、例えば基板トラック・システムの環境との間で基板を移送するために装置されたグリッパ３０が示されている。このグリッパ３０は、グリッパ２０と同様に、基板を取り上げて、さまざまな基板支持ユニットへ／から基板を送達することができる。図５では、グリッパ３０によって基板３１が第１の基板支持ユニット１４ａ上に置かれたところであり、第２の基板３２は第２の基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂによって支持されている。
【００７３】
基板支持ユニット１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂはともに、支持板３３、３５および突出しピン３４、３６を備えている。突出しピン３４、３６は、基板と支持板３３、３５の間の変位（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を容易にする。そのため、基板を基板支持ユニットに送達し、または基板を基板支持ユニットから除去する際に、グリッパの一部を基板と支持板の間に挿入することができる。グリッパ３０が基板３１を基板支持ユニットに送達し、グリッパ自体がロード・ロックの外に移動した後、突出しピン３４、３６および／または支持板３３、３５が互いに対して移動して、図５の下側の基板３２に関して示されているように支持板３３、３５が基板を支持できるようになる。同様に、グリッパが基板をつかみ、ロード・ロックから基板を搬出するためグリッパ３０、２０の一部分を基板と支持板の間に挿入できるように、突出しピン３４、３６および／または支持板３３、３５は互いに対して移動することができる。
【００７４】
図５には、支持板１枚につき１本の突出しピン３４、３６が示されているが、たいていの場合、支持板は３本以上の突出しピンを有する。
【００７５】
支持板３３と３５の間には中板５５が配置されている。その働きについては後に説明する。
【００７６】
図５を用いて、２つの基板支持ユニットを使用する利点を説明する。図５に示す状況ではロード・ロックＬＬは第１の環境と通じている。第１の基板３１は第１の基板支持ユニット１４ａ、１５ａに送達されたばかりであり、ハンドラ室ＨＣから来た第２の基板、したがってロード・ロックに通気したときにはすでに存在していた第２の基板は、第２の基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂ上に支持されている。この状況から以下の操作を実施することができる。
−ロード・ロックＬＬの外にグリッパ３０を移動させる。
−支持板３３および／または突出しピン３４を互いに対して移動させて、支持板３３が基板３１を十分に支持するようにする。
−支持板３５および／または突出しピン３６を互いに対して移動させて、第２の基板３２を支持板３５から変位させる。
−グリッパ３０あるいは第２のグリッパ（図示せず）を第２の基板３２まで移動させ、続いてそのグリッパで第２の基板３２をつかむ。
−グリッパ３０あるいは第２のグリッパ（図示せず）を第２の基板３２とともにロード・ロックの外へ移動させる。
−ドア１０、１１を閉じ、ロード・ロックを減圧する。
【００７７】
このようにする利点は、連続する通気操作と減圧操作の間に、両方の基板をロード・ロックＬＬへ／から移送できる点である。
【００７８】
支持位置を２つ有するロード・ロックを使用する他の利点は、ロード・ロックの外側に緩衝装置を配置する必要なしに基板を交換できる点である。
【００７９】
グリッパ２０を使用してハンドラ室ＨＣとロード・ロックＬＬの間で２枚の基板を移送する同様の操作シーケンスが可能であることは容易に理解される。
【００８０】
図５にはさらに、通気開口３７を備えた上壁３８、および減圧開口３９を備えた下壁４０が示されている。通気開口３７はガス供給源１０１に接続されており、減圧開口３９はポンプ１０３（または他の適当な減圧機構）に接続されている。ガス供給源１０１とポンプ１０３はともに、それらの動作を制御するように配置されたプロセッサ１０５に接続されている。図５（および他図）ではプロセッサ１０５が単一のユニットとして示されている。しかしプロセッサ１０５は、一緒に動作する、例えばマスタ・スレーブ構成のいくつかのプロセッサ・ユニットによって実装することができる。プロセッサ１０５は、適当なソフトウェアを使用することができるが、アナログおよび／またはディジタル技術に（部分的に）基づくこともできる。
【００８１】
図５に示した通気開口３７と減圧開口３９の構成の利点は、ロード・ロックＬＬの中をガスが常に上から下へ流れることであり、このことは、浮遊微粒子がロード・ロックＬＬの下壁４０へ輸送されるときに、この粒子が基板の非支持面に着地するのを防ぐのに役立つ。
【００８２】
図５にはさらに、基板の温度に影響を及ぼし、特に基板の温度を安定させる、支持板３３、３５と一体の温度制御配置が示されている。この配置は例えば、支持板３３、３５の中に配置されたチャネル、トンネル、チューブなどの管路６０、６１と、温度制御された流体を管路にポンピングする流体ポンピング系とを備える。支持板３３、３５はさまざまな温度処理を受けることができる。図５には、支持板３３、３５と一体の管路６０、６１が示されている。ただしこれは必須条件ではない。その本質は、管路６０、６１が、それぞれの支持板３３、３５と良好に熱接触していることである。
【００８３】
図５に示すように、温度制御流体ポンプ１０７が提供される。このポンプは、ポンプ１０７の動作を制御するように配置されたプロセッサ１０５に接続されている。図を単純にするため、図５では、温度制御流体ポンプ１０７を概略的にしか示さない。温度制御された流体を支持板３３、３５に供給し、次いでその流体を温度制御流体ポンプ１０７に排出するため、温度制御流体ポンプ１０７は、供給管路１１３および排出管路１１５を備えた管路６０、ならびに供給管路１０９および排出管路１１１を備えた管路６１に接続されている。温度制御流体ポンプ１０７は、供給管路１０９、１１３に供給されているときに、所定の所望の温度を有する流体を供給するように配置されている。この所定の所望の温度はプロセッサ１０５から受け取ることができる。
【００８４】
代替の方法は、ロード・ロック室の１つまたは複数の壁、例えば壁３８、４０、５０、５１および／またはドア１０、１１、１２、１３の中に温度制御配置を配置する方法である。この方法は、基板温度を安定させる点では効果に劣るが、構造がより単純になる。図５にこの配置は示されていない。しかし後に論じる図７には外壁３８、４０の中の管路１２５が示されており、この中を、温度制御された流体は管路６０、６１と同様の方法で流れることができる。管路１２５はチャネルまたはチューブを含むことができる。
【００８５】
図６に、図５の線ＶＩ−ＶＩに沿った本発明の一実施例に基づくロード・ロックＬＬの断面図を示す。
【００８６】
この断面図には、ロード・ロック・ドアの代わりに側壁５０および５１が示されている。これらの壁は、下壁４０および上壁３８とともにロード・ロック室５２を画定する。突出しピン３４、３６、支持板３３、３５、通気開口３７および減圧開口３９に加えて、この実施例は、変位配置（ｄｉｓｐｌａｃｉｎｇ  ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）５３および／または５４を備える。ベローズ５６、５７はシールとして使用される。変位配置は、プロセッサ１０５に接続されたアクチュエータ１１７によって操作される２本のシャフトを備える。プロセッサ１０５はアクチュエータの動作を制御する。もちろん、シャフト１本に対して１つ、合計２つの別個のアクチュエータを使用することもできる。
【００８７】
これらの変位配置はそれぞれ、まず最初に、ロード・ロック室５２の減圧の前に、基板３１と上壁３８の間の距離Ａおよび基板３２と中板５５の間の距離Ｂを小さく（または大きく）するように機能する。次に、これらの配置は、基板を送達する前、または基板を支持板から持ち上げる前に、支持板３３と上壁３８の間の距離および支持板３５と中板５５の間の距離を大きく（または小さく）するように機能する。この意味において、中板５５は、ロード・ロック室５２の減圧中に基板の表面に沿って流れるガスから基板をできるだけ保護する保護ユニットの働きをする。基板の表面に沿って流れるガスが少ないほど、断熱冷却による基板温度の低下も小さい。
【００８８】
先に論じたとおり、距離ＡおよびＢを小さくする利点は、基板の周囲に存在するガスの体積が減る点にある。ガスの体積が減ると、ロード・ロック室５２の減圧中の断熱効果、および基板に対する温度の効果も低減する。
【００８９】
基板と上壁または基板と中板の接触を防ぐため、距離ＡおよびＢは少なくとも１００μｍとする。このようにする追加の理由は、ポンピング時間の増大を防ぐためである。ポンピング時間の増大は、ロード・ロック室内に過小なすき間が存在する場合に生じる可能性がある。
【００９０】
グリッパ２０が基板をつかんで搬出し、または基板を送達するための十分な空間を確立するため、ロード・ロック室５２を減圧し、ドア１２、１３を開けた後に、距離Ａ、Ｂを増大させる。
【００９１】
固定された上壁３８または中板５５に向かって支持板３３、３５または基板３１、３２を移動させる方法に代わる代替の方法は、固定された支持板または基板、あるいは可動式の支持板または基板に向かって移動する可動（シーリング）板（図示せず）を設ける方法である。基板３１を有する第１の支持板３３では、このようなシーリング板が上壁３８に配置され、例えば前記上壁３８に配置された適当な移動配置が提供される。一方、基板３２を有する第２の支持板３５では中板５５がシーリング板の働きをする。後者の場合には、例えば側壁５０、５１に適当な移動配置を配置することができる。
【００９２】
図６では、両方の基板支持ユニット１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂが可動である。ただし、一方の基板支持ユニットだけが可動である実施例も実現可能である。このような実施例は、一方の基板支持ユニットを、厳密な温度制御がそれほど重要でない出ていくウェハに対して確保するときに特に有利である。この点に関する一実施例によれば、上側基板支持ユニット１４ａ、１５ａが可動であり、下側基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂが固定である（すなわち例えばベローズ５６が不要であり、変位配置５４の代わりに固定された棒を使用することができる）。しかし、上側基板支持ユニット１４ａ、１５ａを固定とし、下側基板支持ユニット１４ｂ、１５ｂを可動とすることも実現可能である。
【００９３】
代替実施例では、壁５０、５１の中に変位配置５３、５４を埋め込むことも実現可能である。
【００９４】
図６の実施例では、排気開口３９が変位配置５４の形状と一体化されている。
【００９５】
図７に、本発明の他の実施例に基づく代替ロード・ロックＬＬの断面図を示す。以前の図には２枚の支持板３３、３５が示されていたが、図７には、支持板３３が１枚だけの実施例が示されている。ロード・ロックの上壁３８および下壁４０は、管路、例えばチューブ、チャネルまたはパイプ１２５を含むように示されている。管路１２５は、供給管路１２１および排出管路１２３によって温度制御流体ポンプ１１９に接続されている。もちろん、２本以上の供給管路および／または排出管路を使用することもできる。温度制御流体ポンプ１１９はプロセッサ１０５に接続されている。プロセッサ１０５は、温度制御流体ポンプ１１９の動作を制御するように配置されている。動作時、温度制御流体ポンプ１１９は、温度制御された流体を供給管路１２１を通して１本または数本の管路１２５に供給する。さらに、管路１２５を通過した後、この流体は、排出管路１２３を通して温度制御流体ポンプ１１９に戻される。プロセッサ１０５は、温度制御流体ポンプ１１９が所望の温度の流体を供給するように配置されている。もちろん、プロセッサ１０５以外の他のプロセッサによって温度制御流体ポンプ１１９を制御することもできる。温度制御流体ポンプ１１９を、温度制御流体ポンプ１１９の外部の別個のプロセッサに接続されていないスタンドアロン型のユニットとすることもできる。
【００９６】
図示のとおり、減圧開口３９は下壁４０のほぼ中心に配置されており、支持板３３は、その中心が減圧開口３９のほぼ真上に位置している。したがって、ポンプ１０３がロード・ロックＬＬの内部を減圧しているとき、ロード・ロックの内部の基板Ｗの表面に存在するガスは半径方向の流れの形を示す。すなわち、図７の矢印によって指示されているように基板Ｗの中心から縁に向かって流れる。基板Ｗの表面（上面）を横切って半径方向外側へ導かれたガス流によって、その領域に存在する汚染が除去され、少なくとも、基板の上面に汚染が落下することが防止される。このような流れの形が生じると、減圧中に汚染粒子が基板Ｗに付着する可能性は小さくなる。
【００９７】
図８ａおよび８ｂに代替支持板３３を示す。支持板３３は、支持板３３の表面から基板Ｗを支持する支持構造１６１（ピンプル（ｐｉｍｐｌｅ）、同心バーブ（ｂａｒｂ）など）を備えている。支持構造１６１は、支持板３３と基板Ｗの間の容積を画定する。支持板３３は図５と同様の管路６０を備える。支持板３３はさらに、供給みぞ１２７および排出みぞ１２９を備える。供給みぞ１２７は、基板Ｗの下面と支持板３３の間にガスを供給するように配置されている。そのため、供給みぞ１２７は供給管路１３５に接続されている。排出みぞ１２９は、後に説明するように、供給されたガスの全てまたは一部を排出するように配置されている。そのため、排出みぞ１２９は排出管路１３７に接続されている。支持構造１６１は、供給みぞ１２７から排出みぞ１２９へ比較的に容易にガスが流れるように構成されていなければならない。
【００９８】
図８ａにはさらに、クランプ１３０を適用できることが示されている。クランプ１３０は、支持板３３の支持構造１６１に対して基板Ｗを固定するように配置されている。これは特に、ロード・ロックＬＬの減圧時に、ロード・ロックＬＬ内のガス流によって基板Ｗが動いてしまうときに有利である。実際には、このクランプ１３０はプロセッサ１０５（または別のプロセッサ）に接続され、プロセッサ１０５がクランプ１３０の動作を制御する。この接続は図示されていない。クランプ１３０は静電クランプとして実装することもできる。
【００９９】
図８ｂに、図８ａに示した支持板３３の上面図を示す。供給みぞ１２７は支持板３３の中心に位置している。排出みぞ１２９は、供給みぞ１２７から離れ、供給みぞ１２７を取り囲む円の形状を有するように示されている。しかし、本発明はこの特定の形状または位置に限定されない。供給みぞ１２７は管路１３５を介してガス供給源１３１に接続されており、排出みぞ１２９は管路１３７を介してポンプ１３３に接続されている。ガス供給源１３１およびポンプ１３３はプロセッサ１０５に接続されている。プロセッサ１０５は、ガス供給源１３１およびポンプ１３３の動作を制御するように配置されている。そのため使用時には、供給みぞ１２７および排出みぞ１２９を介して基板Ｗと支持板３３の間の空間に、この空間の圧力が制御されるようにガスが供給され、維持され、除去される。ガスは、ロード・ロック容積に入る前に排出みぞ１２９を通してこの空間から排出される。一般に、基板Ｗ上のほとんどの汚染は基板の縁に位置する。供給みぞ１２７によって供給されたガスがロード・ロック容積に入らないようにすることによって、基板の縁の汚染がこのようなガス流によって運ばれ、ロード・ロック容積に入り、基板Ｗの上面に付着する可能性がなくなる。また、供給みぞ１２７を介したガスの供給によって基板Ｗと支持板３３の間に蓄積したガスの圧力は一般に、２００から１０，０００Ｐａ（すなわち２〜１０ミリバール）となる。
【０１００】
供給みぞ１２７を介したガスの供給は、一実施例では、ロード・ロックＬＬの減圧の始めに始まり、ハンドリング室ＨＣに通じるドア１２、１３が開く前に停止する。
【０１０１】
基板Ｗと支持板３３の間のガスの供給は、ロード・ロックＬＬの減圧中に、支持板３３と基板Ｗの間の熱ブリッジを提供する。したがって、ロード・ロックＬＬの内部の圧力がすでに非常に低くなっているときでも、支持板３３と基板Ｗの間の熱接触は依然として良好であり、基板Ｗの表面の断熱過程にもかかわらず、基板Ｗは支持板３３の温度に実質的に保たれる。
【０１０２】
図８ｃに、図８ａおよび８ｂの配置の代替実施例を示す。図８ｃの実施例と図８ａ、８ｂとの違いは、好ましくは円形の直立したリム１３８があることである。このリムは、基板Ｗと支持板３３の間の容積を閉めきり、基板Ｗと係合して基板Ｗの支持をより良好にするだけの高さを有することができる。
【０１０３】
図８ａから図８ｃの原理を、リソグラフィ装置のロード・ロック以外の環境に適用することもできる。前処理位置１６にあるものなどの回転式プリアライナ（ｐｒｅ−ａｌｉｇｎｅｒ）１５１にこれらの原理を応用したものを図８ｄに示す。回転式プリアライナ１５１は回転ボディ１５５を備え、回転ボディ１５５は、ボディ１５５の表面から基板Ｗを支持する（ピンプルなどの）支持構造１６１を備えている。ボディ１５５の上部外縁には、基板Ｗを支持し、基板Ｗとボディ１５５の間の容積を密閉するためのリム１７３がある。図８ａのようにリム１７３を省くこともできる。ボディ１５５は、支持構造１６１に対して基板Ｗを固定するクランプ１６９、例えば静電クランプを有する。ボディ１５５には、基板Ｗとボディ１５５の間の容積に対して開いたみぞ１５８がある。
【０１０４】
ボディ１５５はシャフト１５３に接続されており、シャフト１５３は、ボディ１５５を回転させるように配置された適当な駆動ユニット（図示せず）に接続されている。
【０１０５】
ボディ１５５は、温度制御されたボディ（温度制御ボディ）１６５に囲まれている。温度制御ボディ１６５は、温度制御された流体を搬送するための管路１６３を備える。そのため、管路１６３は適当な温度制御流体ポンプ（図示せず）に接続される。温度制御ボディ１６５とボディ１５５は、両者の間にすき間１６７を画定されるように設計されている。すき間１６７は穴１５９を介してみぞ１５８と連絡している。温度制御ボディ１６５は開口１７４を含む。すき間１６７にガスを供給し、穴１５９およびみぞ１５８を通して基板Ｗとボディ１５５の間の容積にガスを供給するために、開口１７４は適当なガス供給源（図示せず）に接続されている。
【０１０６】
すき間１６７は、回転ボディ１５５と温度制御ボディ１６５の間のシール１７１によって外部環境から密閉されている。リム１７３と基板Ｗの間のシールよりも良好に密封できさえすればよいので、このシール１７１に対する要件は厳しいものではない。任意選択で温度制御ボディ１６５に、すき間１６７に通じる追加の開口１７２を設けることができる。この追加の開口１７２を排出管路（図示せず）に接続して、すき間１６７からガスを排出し、それによって、真空の可能性がある外部環境へのシール１７１を通したガス漏れを低減することができる。
【０１０７】
シャフト１５３と温度制御ボディ１６５の間にシールを提供し、そこからガスが流出することを防ぐため、温度制御ボディ１６５は、シャフト１５３の位置で、シャフト１５３と（ほぼ）係合することができる。
【０１０８】
穴１５９および開口１７４を除けば図８ｄの配置は回転対称であることが分かる。他の特定の設計に依拠して他の配置を設計できることは明らかである。
【０１０９】
使用時、管路１６３を流れる（液体などの）流体によって温度制御ボディ１６５は所定の温度に保たれる。温度制御ボディ１６５とボディ１５５の間のすき間１６７にはガスが存在するので、すき間１６７内での対流および伝導によってボディ１５５も温度制御されている。また、ボディ１５５と基板Ｗの間の容積にもガスは存在する。この容積の中のガスは、２００から１０４Ｐａの圧力を有することができる。この容積の中のガスは、対流および伝導によるボディ１５５と基板Ｗの間の熱交換を提供する。したがって、ボディ１５５と基板Ｗの間の放射による温度制御を除けば、基板Ｗは、対流および伝導によって温度制御される。
【０１１０】
図８ｄは、静止した温度制御ボディ１６５の中でボディ１５５が回転する配置を示している。温度制御された流体を供給するホースをボディ１５５に取り付ける必要はない。このようなホースは、この配置を複雑かつ信頼性の低いものにすると考えられる。液体の供給は静止した温度制御ボディ１６５に対してなされ、これは、静止した単純なホースによって信頼性の高い方法で実施することができる。
【０１１１】
一実施例では、穴１５９が、穴１５９を閉じるための弁１７５を備える。この弁１７５は、プロセッサ１０５（図示せず）に接続され、これによって制御される。これによって、例えば基板Ｗの交換の間など基板Ｗが存在しない場合でも、すき間１６７にガスを保持することができ、ボディ１５５の温度制御が可能になる。基板Ｗ自体によって弁１７５を制御することも可能である。すなわち、例えば基板Ｗの重量を使用して弁１７５の開きを制御する。さらに、基板温度の直接または間接測定（例えば基板Ｗ上のある特徴のサイズを測定する）と組み合わせて別個のプロセッサを使用する場合には、弁１７５を制御してガス（分子）の流入を制御し、それによって基板の温度を間接的に制御することができる。
【０１１２】
図９ａに、本発明の一実施例に基づく他の代替ロード・ロックＬＬを示す。このロード・ロックＬＬも、図７の実施例と同様に管路１２５を備える。見やすくするため、図９ａでは、温度制御流体ポンプ１１９、ならびにその供給管路１２１および排出管路１２３を繰り返さない。図９ａには、２つの機能、すなわち基板Ｗを支持する第１の機能と、ロード・ロック室の減圧中に基板Ｗの上面を横切るガス流から基板Ｗをできるだけ保護する第２の機能とを本質的に有する支持ユニット１４１の特殊な実施例が示されている。そのため、支持ユニット１４１は、実質的に基板Ｗ全体を覆うように設計されている。支持ユニット１４１は、ロード・ロックＬＬの上壁３８に板１４３によって接続されているように示されている。しかし、支持ユニット１４１は、ロード・ロックＬＬの任意の部分に任意の手段によって接続することができる。
【０１１３】
基板Ｗは、アクチュエータ１３９によって作動する２本のピン１４０によって支持されているように示されている。もちろん、これとは異なる本数のピン１４０を使用することもできる。図５、図８ａの実施例と同様に、支持ユニット１４１は管路６０を備えることができる。これらの管路６０と温度制御流体ポンプ１０７の間の接続は示されていない。
【０１１４】
支持ユニット１４１は、ロード・ロック室の減圧中に基板Ｗをガス流からできる限り保護するので、減圧開口３９は、適当な任意の位置に配置することができる。そのうえ、この減圧開口３９は他の配置の減圧開口よりも大きくすることができ、基板Ｗの温度低下に過大な影響を与えることなく、単位時間に除去されるガスの量を増やすことができる。図９ａに示した実施例の代替実施例では、基板Ｗの周囲のガスの量を必要に応じてさらに減らすため、基板Ｗの上面および下面に面した支持ユニット１４１の壁を互いに対して可動とする。
【０１１５】
図９ｂに、本発明の一実施例に基づく支持ユニット１４１とその温度制御流体ポンプ１０７への接続の一実施例の３次元図を示す。支持ユニット１４１は下側半円形板および上側半円形板を備えることが好ましい。これらの２枚の半円形板の間には基板Ｗを収容するための空間がある。
【０１１６】
図９ａおよび９ｂの矢印は、ロード・ロック室を減圧するときに、基板Ｗの近くでガスがどのように流れるかを示している。本質的に、半円形板と半円形板の間の空間に存在するガスだけが基板Ｗに沿って流れる。
【０１１７】
図１０ａに、ロード・ロック室の減圧時間に対するロード・ロックＬＬ内の圧力Ｐの変化を示す。開始時の圧力ＰはＰｓｔａｒｔである。ロード・ロック室の減圧後、圧力Ｐは最終圧力Ｐｅｎｄとなる。圧力Ｐｅｎｄは一般に「真空」である図１０ａにはさらに、ロード・ロック室の排気時間に対する基板温度Ｔの変化が示されている。Ｔ１と指示された曲線は、追加の対策をとらなかった場合の基板温度の時間変化を示している。すなわち、減圧が始まったとき、基板（ウェハ）Ｗの温度は所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄに等しい。ロード・ロック室の減圧の間に基板温度Ｔは低下する。減圧が停止され、ロード・ロック室がその最終圧力Ｐｅｎｄに達すると、基板の温度は再び上昇する。しかし、ロード・ロック室の中にガスはもはやほとんど存在しないので、基板温度の上昇は非常にゆっくりと進行する。最終的に、温度Ｔ１は再び所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄに到達する。しかし、所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄに到達するまでに要する時間が非常に長くなる可能性があり、そのため、この温度に到達するまで待てずに、ハンドリング室ＨＣに通じるドア１２、１３を開けてしまうことがある。
【０１１８】
この問題を解決する１つの方法として、所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄに対するオフセット温度Ｔｏｆｆｓｅｔを基板Ｗに与える方法が考えられる。このオフセット温度Ｔｏｆｆｓｅｔは、ロード・ロック室の減圧に起因する基板Ｗの予想される温度降下に等しいことが好ましい。こうすれば、減圧完了後、基板Ｗの温度は所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄであるので、ハンドリング室ＨＣに通じるドア１２、１３をすぐに開くことができる。この代替実施例の温度曲線はＴ２と指示されている。
【０１１９】
Ｔ２’と指示された曲線は、基板がＴｄｅｓｉｒｅｄ＋Ｔｏｆｆｓｅｔよりも低い開始温度を有するときの基板温度の時間変化を示したものである。この場合でも基板温度は、オフセット温度を使用しない場合よりも早く所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄに到達する。
【０１２０】
図１０ｂに、この問題を解決する代替方法を示す。図１０ｂの実施例では、ロード・ロック室を減圧することによって、圧力Ｐを時刻ｔ１に所定の圧力まで低下させる。しかし時刻ｔ１にはまだ、支持板３３または壁３８、４０のようなロード・ロック内の温度制御された構造と基板Ｗとの間に適当な熱伝導および対流が起こるだけの十分なガスがロード・ロック室の中にはある。したがって、時刻ｔ１に、Ｔ３と指示された基板Ｗの温度は、所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄである出発温度に向かって急速に上昇することができる。
【０１２１】
時刻ｔ１の後、時刻ｔ２までの所定の時間間隔の間、ロード・ロック室の減圧を停止する。時刻ｔ２までに、基板Ｗの温度Ｔ３は相当に上昇し、所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄから所定の範囲内の温度に達している。次いで時刻ｔ２に、ロード・ロック室の排気プロセスを完了させることによって圧力を再び低下させる。図示のとおり、基板Ｗの温度Ｔ３は、圧力Ｐがその最終的な圧力Ｐｅｎｄに到達するまで再び低下する。次いで、温度Ｔ３は再び上昇し、最終的に所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄに達する。しかし、ロード・ロック室の中にガスはもはやほとんど存在しないので、この温度上昇には時間がかかる。しかし、ロード・ロック室の断続的な減圧のために、基板Ｗの温度Ｔ３は所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄにより近い温度に維持される。
【０１２２】
もちろん、ロード・ロック室の減圧プロセスの中断は数回にわたって繰り返して、温度Ｔ３を所望の温度Ｔｄｅｓｉｒｅｄに近い温度に維持することもできる。しかし、これによって時間の損失が生じ、スループットが犠牲になる可能性がある。
【０１２３】
所望ならば、Ｔ２によって指示される温度スキームとＴ３によって指示される温度スキームとを組み合わせることもできる。
【０１２４】
以上、本発明の特定の実施例を説明してきたが、本発明は、記載した方法とは異なる方法でも実施できることを理解されたい。以上の説明は本発明を限定することを意図したものではない。
【０１２５】
本発明は、ウェハの検査、真空中の任意の（移動）物体の温度制御などにも使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の一実施例に基づくリソグラフィ投影装置を概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施例に基づくリソグラフィ投影アセンブリの個別モジュールの全体配置を概略的に示す図である。
【図３】本発明の一実施例に基づくリソグラフィ投影アセンブリの中の基板ハンドラを示す図である。
【図４】本発明の他の実施例に基づくリソグラフィ投影アセンブリの中の基板ハンドラを示す図である。
【図５】本発明の一実施例に基づくロード・ロックの断面図である。
【図６】図５の断面に垂直な方向（線ＶＩ−ＶＩ）の、本発明の一実施例に基づくロード・ロックの断面図である。
【図７】本発明の一実施例に基づくロード・ロックの断面図である。
【図８ａ】本発明の一実施例に基づく基板支持ユニットの断面図である。
【図８ｂ】図８ａに示した支持ユニットの上面図である。
【図８ｃ】本発明の代替実施例による基板支持ユニットの断面図である。
【図８ｄ】図８ａから図８ｃの基板支持ユニットの原理を応用した回転式プリアライナの断面図である。
【図９ａ】本発明の一実施例に基づく代替基板支持ユニットを備えたロード・ロックの断面図である。
【図９ｂ】図９ａに示した支持ユニットの３次元図である。
【図１０ａ】本発明の一実施例に基づくロード・ロック内の基板の温度制御のグラフである。
【図１０ｂ】本発明の他の実施例に基づくロード・ロック内の基板の温度制御のグラフである。
【符号の説明】
【０１２７】
ＬＰ  リソグラフィ投影装置
ＬＡ  放射源
Ｅｘ  ビーム・エキスパンダ
ＩＬ  照明系
ＡＭ  調整手段
ＩＮ  インテグレータ
ＣＯ  コンデンサ
ＰＢ  投影ビーム
ＭＡ  マスク
Ｍ１  マスク・アライメント・マーク
Ｍ２  マスク・アライメント・マーク
Ｃ  標的部分
ＭＴ  マスク・テーブル
ＰＭ  第１の位置決め手段
ＩＦ  干渉計測定手段
ＰＬ  投影系（レンズ）
Ｗ  基板
Ｐ１  基板アライメント・マーク
Ｐ２  基板アライメント・マーク
ＷＴ  基板テーブル
ＰＷ  第２の位置決め手段
ＳＴ  基板トラック
ＬＬ  ロード・ロック
ＨＣ  ハンドリング室
ＳＨ  基板ハンドラ
ＬＰＡ  リソグラフィ投影アセンブリ
１０  ドア
１１  ドア
１２  ドア
１３  ドア
１４ａ  第１の基板支持ユニット
１４ｂ  第２の基板支持ユニット
１５ａ  第１の基板支持ユニット
１５ｂ  第２の基板支持ユニット
１６  前処理位置
１７  ロード位置
１８  アンロード位置
１９  マニピュレータ
２０  グリッパ
２１  マニピュレータ
２２  グリッパ
２３  入口
２４  出口
２５  第３のロード・ロック
２６  ドア
２７  ドア
２８  ドア
３０  グリッパ
３１  基板
３２  基板
３３  支持板
３４  突出しピン
３５  支持板
３６  突出しピン
３７  通気開口
３８  上壁
３９  減圧開口
４０  下壁
５０  側壁
５１  側壁
５２  ロード・ロック室
５３  変位配置
５４  変位配置
５５  中板
５６  ベローズ
５７  ベローズ
６０  管路
６１  管路
１０１  ガス供給源
１０３  ポンプ
１０５  プロセッサ
１０７  温度制御流体ポンプ
１０９  供給管路
１１１  排出管路
１１３  供給管路
１１５  排出管路
１１７  アクチュエータ
１１９  温度制御流体ポンプ
１２１  供給管路
１２３  排出管路
１２５  管路
１２７  供給みぞ
１２９  排出みぞ
１３０  クランプ
１３１  ガス供給源
１３３  ポンプ
１３５  管路
１３７  管路
１３９  アクチュエータ
１４０  ピン
１４１  支持ユニット
１４３  接続板
１５１  回転式プリアライナ
１５３  シャフト
１５５  回転ボディ
１５８  みぞ
１５９  穴
１６１  基板支持構造
１６３  管路
１６５  温度制御ボディ
１６７  すき間
１７１  シール
１７２  開口
１７３  リム
１７４  開口
１７５  弁
【図１】
2004343065.tif 000003
【図２】
2004343065.tif 000004
【図３】
2004343065.tif 000005
【図４】
2004343065.tif 000006
【図５】
2004343065.tif 000007
【図６】
2004343065.tif 000008
【図７】
2004343065.tif 000009
【図８ａ】
2004343065.tif 000010
【図８ｂ】
2004343065.tif 000011
【図８ｃ】
2004343065.tif 000012
【図８ｄ】
2004343065.tif 000013
【図９ａ】
2004343065.tif 000014
【図９ｂ】
2004343065.tif 000015
【図１０ａ】
2004343065.tif 000016
【図１０ｂ】
2004343065.tif 000017
【外国語明細書】
2004343065000001.pdf