(57)【要約】【課題】高温化で長時間保持するというアニ−ル処理を行なった場合でも使用時に抵抗値や抵抗温度係数が経時的に変化しない薄膜抵抗体を提供する。【解決手段】例えば、基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成した後、得られた窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を減圧条件下に保ったまま当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を形成することにより得られる、窒化アルミニウムからなる表面を有する基板の当該表面上に白金等の金属層が２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上の密着強度で直接接合した積層体を薄膜抵抗体として使用する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウムからなる表面を有する基板の当該表面上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層が２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上の密着強度で直接接合されてなることを特徴とする積層体。
【請求項２】
基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成した後、得られた窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を減圧条件下に保ったまま当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を形成することを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項３】
窒化アルミニウムからなる表面を有する基板の当該表面上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層が直接接合された積層構造を有することを特徴とする薄膜抵抗素子。
【請求項４】
基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成した後、得られた窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を減圧条件下に保ったまま当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を形成する工程及び該工程で得られた積層体にアニール処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の薄膜抵抗素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度センサやフローセンサに用いられる薄膜抵抗素子として好適に使用できる積層体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
抵抗体素子は電気抵抗の変化から周辺温度を測定する感温素子として幅広い分野で利用されている。特に抵抗体を薄膜化した薄膜抵抗体素子は、ガスの流量測定に用いられるフローセンサやサーミスタとして使用されている。
【０００３】
薄膜抵抗素子はセラミック等の絶縁性基板の表面上に抵抗温度係数（ＴＣＲ、温度変化に対する抵抗値の変動の大きさの指標である。）が大きいニッケルや白金等の金属薄膜からなる抵抗薄膜層が形成された積層構造を有しているが、上記のような金属薄膜の絶縁基板に対する密着性が低いため、両者の密着性を向上させるために、Ｔｉからなる薄膜を接着層として両者の間に介在させることが行われている（特許文献１参照）。
【０００４】
特に、薄膜抵抗体素子をマスフロー用熱式質量センサ等の傍熱型流量センサの発熱素子として使用する場合、該素子の絶縁基板としては窒化アルミニウム基板等の熱伝導率の高い材料を用いるのが有利であるが、窒化アルミニウム基板は白金等の金属に対する密着力特に低く、窒化アルミニウム基板に上に白金等の金属を例えば２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上を越えるような高い密着力で接合するためには、Ｔｉ等の活性金属からなる接着層を設けることが不可欠であった（特許文献２）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１１−３５４３０２号公報
【特許文献２】
特許第２５６３８０９号明細書
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような薄膜抵抗素子においては、使用時におけるＴＣＲの経時変化を少なくすることを目的に、製造過程において薄膜抵抗層を形成後に３００〜４００℃程度、場合によっては１０００℃を越える温度に加熱して保持するというアニ−ル処理が一般に行なわれている。ところが、Ｔｉからなる接着層を介在させた場合には、このようなアニール処理により抵抗薄膜層中にＴｉが拡散することが原因であると思われるが、特に素子温度が１００℃を越えるような条件下で長期間使用した場合には抵抗値や抵抗温度係数が経時的に変化するという問題が起こることが明らかとなった。
【０００７】
そこで、本発明は、基板と抵抗体薄膜の密着性を確保し、使用時における抵抗体の特性劣化が少ない薄膜抵抗素子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意検討を行なった。その結果、窒化アルミニウム基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成した後、同一のスッパタリング装置を用いて窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を装置外に取出すことなく減圧条件下に保ったまま引き続いて当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上にスッパタ法により白金薄膜層を形成した場合には、白金薄膜層の密着力が非常に高く、窒化アルミニウム層と白金層が２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上の密着強度で直接接合した新規な積層体を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
即ち、第一の本発明は、窒化アルミニウムからなる表面を有する基板の当該表面上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層が２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上の密着強度で直接接合されてなることを特徴とする積層体である。
【００１０】
前記本発明の積層体は、基板に金属層が強固に密着しているばかりでなく高温で長時間保持しても金属層の組成が変化せずそのＴＣＲが安定しているという特徴を有する。窒化アルミニウムに白金等の金属を直接高強度で接合する技術はこれまで知られておらず、減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム層を形成した後、得られた窒化アルミニウム層を減圧条件下に保ったまま当該層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム又は銅かなる金属層を形成することによって初めて実現されたものである。本発明の積層体においては、上記方法に由来して窒化アルミニウム層と金属層との界面の状態が従来の方法で製造した窒化アルミニウムに白金等の金属を直接接合した積層体と異なっているものと推定されるが、現在のところその違いは密着強度の違い或いは製法上の違いとして捉えられるに留まり、両者の構造的又は物理的或いは化学的な相違を特定するには至っていない。
【００１１】
また、第二の本発明は、基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成した後、得られた窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を減圧条件下に保ったまま当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を形成することを特徴とする上記本発明の積層体の製造方法である。
【００１２】
更に第三の本発明は、窒化アルミニウムからなる表面を有する基板の当該表面上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層が直接接合された積層構造を有することを特徴とする薄膜抵抗素子である。該本発明の薄膜抵抗素子は、絶縁性基板の表面上に抵抗薄膜層が接着層を介さずに直接接合されているためアニーリング処理を行なってもＴｉ等の異種金属が抵抗薄膜層に拡散することがない。また、絶縁性基板と抵抗薄膜層との密着力は例えば２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上と接着剤層を設けた場合と同等以上である。したがって、１００℃を越えるような条件下でも長期間安定に使用することができる。
【００１３】
また、第四の本発明は、基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成した後、得られた窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を減圧条件下に保ったまま当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を形成する工程及び該工程で得られた積層体にアニール処理を施す工程を含むことを特徴とする上記本発明の薄膜抵抗素子の製造方法である。当該製造方法によれば、上記のような優れた特徴を有する本発明の薄膜抵抗素子を効率よく製造することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の積層体は、窒化アルミニウムからなる表面を有する基板の当該表面上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層が２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上の密着強度で直接接合されていることを特徴とする積層体である。
【００１５】
ここで、窒化アルミニウムからなる表面を有する基板は、その上に金属層が形成される表面が窒化アルミニウムからなる基板であれば特に限定されず、基板全体が窒化アルミニウムで構成される窒化アルミニウム単結晶基板、窒化アルミニウム焼結基板のほか、アルミナ等のセラミック、ガラス、Ｓｉ等の半金属あるいは金属基板の表面に窒化アルミニウム薄膜層が形成された基板が使用できる。これら基板の中でも、効率よく本発明の積層体が製造できるという観点から、表面に窒化アルミニウム薄膜層、特にスパッタ法により形成された窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を使用するのが好適である。このとき、窒化アルミニウム薄膜層の厚さは特に限定されないが、金属層との密着強度との観点から０．０１μｍ以上、特に０．０３μｍ以上とするのが好適であり、更に薄膜形成に要する時間のバランスから、０．０１〜１μｍ、特に０．０３〜０．０７μｍとするのが好適である。本発明の積層体を薄膜抵抗素子として使用する場合には、製造上の理由に加えて熱伝導率が高いという理由から、図１に示すように、窒化アルミニウム焼結体等の窒化アルミニウムを主成分とする基板の表面に窒化アルミニウム薄膜が積層された基板を使用するのが好適である。
【００１６】
本発明の積層体は、前記基板の窒化アルミニウムからなる表面上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層が２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上の密着強度で直接接合されていることに最大の特徴を有する。従来、上記のような金属からなる金属層を窒化アルミニウムに高強度で直接接合することはできなかったが、本発明では、本発明の製造方法を採用することにより、２．５ｋｇｆ／ｍｍ２以上、さらには３．０ｋｇｆ／ｍｍ２以上、特に４．０ｋｇｆ／ｍｍ２以上といった非常に高い接合強度（このような接合強度は、Ｔｉ層のような接着層を設けなければ実現できなかった強度である）で上記金属層を窒化アルミニウム表面に直接接合することに成功したものである。なお、上記密着強度とは、積層体の金属層に金属棒をハンダ付けし、積層体の基板部分を固定して上記金属棒を鉛直上方に引っ張るという引張り試験を行なった際において、金属層が基板から剥離するときの強度を意味する。
【００１７】
本発明の積層体における前記金属層は抵抗温度係数（ＴＣＲ）が大きな金属で構成されているため、薄膜抵抗素子の抵抗薄膜層として好適である。また、該金属層はＴｉ層等の活性金属層（接着層）を介さずに窒化アルミニウムからなる表面上に直接接合されているため、アニーリング処理の様に高温下で長時間保持しても（Ｔｉ層を介して接合したものをアニーリング処理した場合にはＴｉの熱拡散が避けられないのに対し、）金属層の組成が変わることがなく抵抗温度係数（ＴＣＲ）の安定性が高い。
【００１８】
本発明の積層体における前記金属層の厚さは特に限定されないが、薄膜抵抗素子の抵抗薄膜層として使用する場合には、０．１〜１．０μｍとするのが好適である。また、前記金属層は白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる１種（単一金属）或いは２種以上の合金からなる単層であっても、これら金属から選ばれるそれぞれ金属で構成される２層以上の積層構造であってもよいが、薄膜抵抗素子の抵抗薄膜層として使用する場合にはＴＣＲの安定性の観点から、白金、ニッケル、金かなる群より選ばれる１種（単一金属）或いは２種以上の合金からなる単一層であるのが好適である。
【００１９】
図１に薄膜抵抗素子として好適な本発明の積層体１の断面図を示す。該積層体１は、窒化アルミニウム焼結体基板等の窒化アルミニウムを主成分とする基板２の表面に窒化アルミニウム薄膜３が積層された基板４の表面に白金薄膜層５が直接積層された構造を有している。なお、図には示していないが、本発明の積層体においては金属層上に他の金属層或いは金属酸化物からなる保護層を設けてもよい。
【００２０】
本発明の積層体を製造する方法は特に限定されないが、本発明の積層体を確実且つ効率的に製造できるという理由から、基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成した後、得られた窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を減圧条件下に保ったまま当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を形成することにより製造するのが好適である。
【００２１】
上記本発明の製造方法において、基板上に減圧条件下でスパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成する工程（以下、該工程を「ＡｌＮ薄膜形成工程」ともいう。）におけるスパッタ法としては、ターゲットとして窒化アルミニウムターゲット又はアルミニウムターゲットを用いる他は通常のスパッタ法と特に変わることはなく、イオンビームスパッタ法、プラズマスパッタ法の何れも採用することができるが、金属膜の密着性の観点からマグネトロンスパッタリングスパッタリング法を採用するのが好適である。また、スパッタリングを行なう際の圧力は通常のスパッタ法における圧力と特に変わることはないが、５Ｐａ以下、特に３Ｐａ以下とするのが好適である。なお、マグネトロンスパッタリングスパッタリング法を採用する場合には、放電ガスとしてはＡｒガスに窒素ガスを混入させるのが好適である。また、放電ガスに窒素ガスを混入させることによりターゲットとしてアルミニウムを用いること（所謂反応性スッパッタリング法を採用すること）も可能である。なお、スパッタ法により窒化アルミニウム薄膜層を形成するに際して、高い密着強度を得るためには、基板は１００℃以上、特に２００℃以上に加熱しておくのが好適である。この場合、加熱温度の上限は特に限定されないが、基板加熱温度を高くすることによりＡｌＮ薄膜の結晶性は向上し、良質なＡｌＮ薄膜が得られる。したがって、加熱温度の上限は使用する装置に応じて適宜決定すればよい。
【００２２】
上記ＡｌＮ薄膜形成工程で使用する（表面に窒化アルミニウム薄膜層が形成される）基板は特に限定されず、セラミック基板、ガラス基板、金属基板、半金属基板等が使用できるが、薄膜抵抗素子として使用する場合には窒化アルミニウム焼結体基板等の窒化アルミニウムを主成分とする基板を使用するのが好適である。なお、基板の大きさは特に限定されず、本発明の積層体の用途及び用いるスパッタ装置等に応じて適宜決定すればよい。なお、窒化アルミニウム焼結体は、酸化カルシウム、酸化イットリウム等の焼結助剤を含むのが一般的である。
【００２３】
本発明の製造方法では、上記ＡｌＮ薄膜形成工程に引き続き該工程で得られた窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を減圧条件下に保ったまま当該基板の窒化アルミニウム薄膜層上に白金、ニッケル、金、アルミニウム及び銅かなる群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を形成する（以下、該工程を「金属膜形成工程」ともいう。）。窒化アルミニウム薄膜層を形成した後に窒化アルミニウム薄膜層を有する基板を大気圧の外気（空気）或いはその他ガスを接触させた場合には高強度で密着した金属層を形成することが非常に困難となる。ＡｌＮ薄膜形成工程終金属膜形成工程を開始するまでの間、基板は５０Ｐａ以下、特に１０Ｐａ以下、最も好適には５Ｐａ以下の圧力下で保持するのが好適である。
【００２４】
上記金属膜形成工程において金属層を形成する方法は、基板を上記のような圧力下に保持しながら膜成形をできる方法であれば特に限定されないが、操作の簡便性及び歩留まりの高さの観点から、ＡｌＮ薄膜形成工程で用いたのと同じスパッタリング装置を用いて、真空状態を破ることなくターゲットを窒化アルミニウムまたはアルミニウムターゲットから形成しようとする金属膜の原料となる金属からなるターゲットに変えて引き続きスパッタ法により成膜を行なうのが好適である。また、ＡｌＮ薄膜形成工程で得られた基板を例えば１０Ｐａ以下、特に５Ｐａ以下の減圧条件を保ったまま移送可能な移送システムを採用すればＡｌＮ薄膜形成工程で用いた装置とは別の装置で、例えば真空蒸着法等の方法により金属層を形成することも勿論可能である。これらの方法により金属膜を製造する場合の製造条件は従来のスッパッタ法或いは真空蒸着法による金属膜の形成方法と特に変わる点はなく、使用する装置、金属の材質、得ようとする金属膜の厚さ等に応じて適宜決定すればよい。金属膜形成工程終了後に得られる本発明の積層体は、大気中に取出しても金属膜と基板との密着性には何ら影響を与えない。
【００２５】
本発明の積層体は、前記したような優れた特徴を有するため薄膜抵抗素子として好適に使用できる。本発明の積層体を薄膜抵抗素子として使用する場合には、上記金属膜形成工程終了後に、イオンミリング法或いはエッチング法等によって金属層のパターニングを行えばよい。図２に代表的な本発明の薄膜抵抗素子６の平面図を示すが、配線パターンは、例えば図２に示すようにミヤンダ状にすることで抵抗値を大きくした抵抗体として機能させることが可能である。なお、図２に示す本薄膜抵抗素子６では基板の窒化アルミニウムからなる表面７上に白金薄膜からなる配線パターン８が形成されており、図には示さないが該薄膜抵抗素子６の断面構造は基本的には図１に示される本発明の積層体の断面構造と同様であり、上記表面７上に上記配線パターンが直接（接着層を介さずに）接合されている。
【００２６】
また、金属膜形成後或いはそのパターンニング終了後には、ＴＣＲの経時変化を少なくすることを目的に、アニール処理を行なうのが好適である。アニール条件としては金属膜形成後或いはそのパターンニング終了後の基板を大気中で８００〜１１００℃に加熱して１〜５時間保持するのが好適である。更に、金属層のパターニングにより配線パターンを形成した後、当該配線パターンを保護する目的で、基板の配線パターンが形成された側の表面にＳｉＯ２等の薄膜からなる保護膜を形成してもよい。
【００２７】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００２８】
実施例１
窒化アルミニウム焼結体からなる基板（５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．５ｍｍｔ）を芝浦エレクトロニクス社製ＲＦマグネトロンスパッタリング装置にセットし、ターゲット材としてＡｌＮを用いたスッパッタ法により、前記基板の表面上に厚さ０．５μｍの窒化アルミニウム層を形成した。なお、上記スッパッタリング装置では、複数のターゲット材が設置でき、第一のターゲット材を用いてスパッタリングにより成膜をした後、ターゲット材を第二のターゲット材に変えることにより試料を装置から出すことなく引き続き第二の成膜、さらには同様にして第三の成膜を行なうことができるようになっている。
【００２９】
窒化アルミニウム薄膜成膜時の条件を以下に示す。
【００３０】
導入ガス：Ａｒガス及びＮ２ガスをそれぞれ１５ｃｃ／分及び１０ｃｃ／分の流速で供給
基板温度：２００℃
スパッタリング圧力：１．０Ｐａ
ＲＦ出力：１ｋＷ。
【００３１】
次いで、ターゲット材を白金に変えて、窒化アルミニウム薄膜上に厚さ０．５μｍの白金薄膜層を形成した。なお、窒化アルミニウム薄膜形成後、白金薄膜形成を開始するまでの間に要した時間は２分であり、その間装置内の圧力は２Ｐａ以下に保った。白金薄膜製膜時の条件を以下に示す。
【００３２】
導入ガス：Ａｒガスを２５ｃｃ／分の流速で供給
基板温度：２００℃
スパッタリング圧力：１．０Ｐａ
ＲＦ出力：０．５ｋＷ
白金薄膜形成後、イオンミリング法により白金薄膜のパターニングを行い、図２に示すような配線パターンを形成し、大気中で１０００℃に加熱し２時間保持することでアニール処理を行ない、本発明の薄膜抵抗素子を製造した。
【００３３】
上記と全く同じ方法により、本発明の薄膜抵抗素子を更に１００個製造し、その性能評価を行なった。評価は、製造直後、−５５℃に１０分間保持した後に１２５℃で１０分間保持するというヒートサイクル所定の回数繰り返すというヒートサイクル試験を行なった後の試料各５個について、白金薄膜層のＴＣＲ及び密着力を測定することにより行なった。その結果を図３及び図４に示す。なお、上記ＴＣＲの測定は、試料を恒温層中に保持し、恒温層内の温度変化と試料の抵抗値変化を測定することにより行なった。また、上記密着力の測定は、金属層にはんだ付けした金属棒を垂直方向に引っ張った際に、金属層が基板から剥離する強度を測定することにより行なった。また、図３において、各サイクル数におけるバーは測定結果のばらつきの範囲を示し、バー中の点は平均値を示す。
【００３４】
図３に示されるように本発明の薄膜抵抗素子（本発明の積層体でもある）の白金薄膜の密着強度は４．５〜１０ｋｇｆ／ｍｍ２と高く、サイクル処理を１０００回繰り返しても低下しないことが分かる。また、図４に示されるように、薄膜抵抗素子の白金薄膜のＴＣＲはサイクル処理を１０００回繰り返しても殆ど低下しないことが分かる。
【００３５】
比較例１
ＲＦマグネトロンスパッタリング装置内に予めセットしておくターゲット材にＴｉを追加し、窒化アルミニウム薄膜の成膜に代えて基板上に厚さ０．０１μｍのＴｉを形成する他は実施例１と同様にして、Ｔｉ接着層を有する薄膜抵抗素子（ＡｌＮ焼結体基板／Ｔｉ層／白金層の３層構造を有する）を１００個製造した。評価は、製造直後、−５５℃に１０分間保持した後に１２５℃で１０分間保持するというヒートサイクル所定の回数繰り返すというヒートサイクル試験を行なった後の試料各５個について、白金薄膜層のＴＣＲを測定することにより行なった。その結果を図５に示す。図５に示されるように、該比較例の薄膜抵抗素子は、白金薄膜のＴＣＲはサイクル試験を繰り返すにつれて低下することが分かる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明の積層体は、基板に白金等の金属層がＴｉ等の密着層を介さずに強固に密着している。そして、高温で長時間保持しても金属層の組成が変化せずその抵抗温度係数（ＴＣＲ）が安定しているという特徴を有する。したがって、本発明の積層体を用いて薄膜抵抗素子とした場合、その薄膜抵抗素子はアニ−ル処理を施し、更に１００℃を越えるような条件下で長期間使用しても薄膜抵抗層の抵抗値や抵抗温度係数（ＴＣＲ）が経時的に変化しない信頼性の高い薄膜抵抗素子となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本図は、代表的な本発明の積層体の断面図である。
【図２】本図は、代表的な本発明の薄膜抵抗素子の平面図である。
【図３】本図は、実施例１の本発明の薄膜抵抗素子におけるサイクル試験前後の白金薄膜層の密着力をグラフである。
【図４】本図は、実施例１の本発明の薄膜抵抗素子におけるサイクル試験前後の白金薄膜層のＴＣＲをグラフである。
【図５】本図は、比較例１の本発明の薄膜抵抗素子におけるサイクル試験前後の白金薄膜層のＴＣＲをグラフである。
【符号の説明】
１：積層体
２：窒化アルミニウムを主成分とする基板
３：窒化アルミニウム薄膜
４：基板
５：白金薄膜層
６：薄膜抵抗素子
７：窒化アルミニウムからなる表面
８：白金薄膜からなる配線パターン
【図１】
2004311624.tif 000003
【図２】
2004311624.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004311624.tif 000006
【図５】
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