(57)【要約】【課題】高電圧電源端子または高電圧駆動端子と、他の端子と、の間が導電性異物等により短絡されたとしても、破壊を防止するような半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】高電圧電源端子ＶＤＨ１，ＶＤＨ２による端子群の両側を未接続端子ＮＣで挟む配置とする。半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物により高電圧電源端子ＶＤＨ１，ＶＤＨ２と隣接する未接続端子ＮＣとが短絡する隣接間短絡が発生しても破壊に至る過電流が流れる事態の発生を防ぐ。半田ブリッジや金属製異物による３端子短絡が発生する確率はほとんどないため、実質的に短絡による破壊を防ぐ半導対集積回路装置とすることができる。【選択図】  図３
2004311536.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧で入出力を行う一の端子を、または、高電圧で入出力を行う二以上の端子が隣接する端子群を、備える半導体集積回路装置であって、
全ての端子または端子群の両側を未接続端子で挟む配置とすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
高電圧で入出力を行う一の端子を、または、高電圧で入出力を行う二以上の端子が隣接する端子群を、備える半導体集積回路装置であって、
全ての端子または端子群の両側の一方を空間部で、他方を未接続端子で挟む配置とすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
高電圧で入出力を行う一の端子を、または、高電圧で入出力を行う二以上の端子が隣接する端子群を、備える半導体集積回路装置であって、
ある端子または端子群の両側は未接続端子で挟む配置とし、残りの端子または端子群の両側の一方を空間部で、他方を未接続端子で挟む配置とすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の半導体集積回路装置において、
前記高電圧で入出力を行う端子とは、高電圧電源端子または高電圧駆動端子であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の半導体集積回路装置において、
二辺または四辺のそれぞれの辺で多数の端子が突出する樹脂封止パッケージとすることを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高電圧で入出力を行う端子を多数含む半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高電圧で入出力を行う端子（以下、本明細書中では単に高電圧端子という）を含む半導体集積回路装置の一例として、例えば、近年普及が著しいＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）のドライバＩＣを挙げることができる。このＰＤＰ用ドライバＩＣは多出力・小型実装が要求され、例えば、挟ピッチ（０．５ｍｍピッチ）のＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージが一般的となっている。
【０００３】
図４は従来技術のＰＤＰ用ドライバＩＣのＱＦＰ端子配置図である。なお、この端子配置は、現状ではディファクトスタンダードとなっている。
このＰＤＰ用ドライバＩＣの端子として、ＶＤＨ１，ＶＤＨ２は高電圧電源端子（５０Ｖ〜１５０Ｖ）であり、ＶＤＬは制御用電源端子（３〜５Ｖ）であり、ＧＮＤは接地端子（０Ｖ）であり、ＤＯ０１〜ＤＯ６４は高電圧駆動端子（５０Ｖ〜１５０Ｖ）であり、ＣＬＲ，ＤＡ，ＯＣ１，ＯＣ２，ＬＥ，ＣＬＫ，ＤＢ，Ａ／Ｂ（３Ｖ〜５Ｖ）は制御用入力端子であり、ＮＣは未接続端子である。このＰＤＰ用ドライバＩＣにおける高電圧端子は、高電圧電源端子および高電圧駆動端子が該当する。
【０００４】
また、他のＰＤＰ用ドライバＩＣのＱＦＰの端子配置が、例えば非特許文献１などにより開示されている
【０００５】
【非特許文献１】
“ＳＴＶ７６１７，ＳＴＶ７６１７Ｄ，ＳＴＶ７６１７Ｕ／ＰＬＡＳＭＡ  ＤＩＳＰＬＡＹ  ＰＡＮＥＬ  ＳＣＡＮ  ＤＲＩＶＥＲ”、（第３頁，第４頁，第５頁）、［ＯＮＬＩＮＥ］、ＳＴマイクロエレクトロニクス株式会社、［平成１５年３月１１日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｔ−ｊａｐａｎ．ｃｏ．ｊｐ／ｄａｔａ／ａｄｖ／２００００４０６＿ｐｒｏｄ１＿ｐｄｐ／ｐｄｆ／ｓｔｖ７６１７．ｐｄｆ＞
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術のＰＤＰ用ドライバＩＣにおいて、ＱＦＰ実装時に半田ブリッジ（半田が隣接する２本の端子にまたがる）が発生したり、または、半田ブリッジが発生しなくともその後に金属性異物など何らかの導電性異物が付着することにより２個の端子間が短絡される場合がある。特に高電圧端子と他の端子が短絡するような場合には問題がある。
【０００７】
例えば、図４で示す従来技術のＰＤＰ用ドライバＩＣについて、高電圧電源端子の配置に着目すると以下のような配置となっている。
図４の矢印Ａは高電圧電源端子ＶＤＨ１を指し、高電圧駆動端子ＤＯ１および未接続端子ＮＣと隣接する端子配置となっている。
図４の矢印Ｂは高電圧電源端子ＶＤＨ１を指し、高電圧駆動端子ＤＯ３１および未接続端子ＮＣと隣接する端子配置となっている。
図４の矢印Ｃは高電圧電源端子ＶＤＨ２を指し、２個の未接続端子ＮＣと隣接する端子配置となっている。
図４の矢印Ｄは高電圧電源端子ＶＤＨ２を指し、高電圧駆動端子ＤＯ３５および未接続端子ＮＣと隣接する端子配置となっている。
【０００８】
例えば、図４で示した従来技術のＰＤＰ用ドライバＩＣにおいて、高電圧電源端子ＶＤＨ１，ＶＤＨ２と、隣接する高電圧駆動端子ＤＯｎと、が短絡され、このような状態で高電圧駆動端子ＤＯｎの電位が０Ｖになったとき、５０〜１５０Ｖでの電源短絡状態となり、ＰＤＰ用ドライバＩＣに過大な電流が流れて破壊に至るおそれがあるという問題点があった。
同様に、ＰＤＰ用ドライバＩＣの高電圧端子（高電圧電源端子または高電圧駆動端子）と、隣接する端子（接地端子，制御用入力端子など）と、が短絡するような場合にも、破壊に至るような問題が発生するおそれがある。
【０００９】
そこで、本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、高電圧電源端子または高電圧駆動端子と、他の端子と、の間が導電性異物等により短絡されたとしても、破壊を防止するような半導体集積回路装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の請求項１に係る発明の半導体集積回路装置は、
高電圧で入出力を行う一の端子を、または、高電圧で入出力を行う二以上の端子が隣接する端子群を、備える半導体集積回路装置であって、
全ての端子または端子群の両側を未接続端子で挟む配置とすることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項２に係る発明の半導体集積回路装置は、
高電圧で入出力を行う一の端子を、または、高電圧で入出力を行う二以上の端子が隣接する端子群を、備える半導体集積回路装置であって、
全ての端子または端子群の両側の一方を空間部で、他方を未接続端子で挟む配置とすることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項３に係る発明の半導体集積回路装置は、
高電圧で入出力を行う一の端子を、または、高電圧で入出力を行う二以上の端子が隣接する端子群を、備える半導体集積回路装置であって、
ある端子または端子群の両側は未接続端子で挟む配置とし、残りの端子または端子群の両側の一方を空間部で、他方を未接続端子で挟む配置とすることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項４に係る発明の半導体集積回路装置は、
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の半導体集積回路装置において、
前記高電圧で入出力を行う端子とは、高電圧電源端子または高電圧駆動端子であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項５に係る発明の半導体集積回路装置は、
請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の半導体集積回路装置において、
二辺または四辺のそれぞれの辺で多数の端子が突出する樹脂封止パッケージとすることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
続いて、本発明の実施形態に係る半導体集積回路装置について、図を参照しつつ以下に説明する。図１，図２は本実施形態の半導体集積回路装置の一部の構成図である。
【００１６】
本実施形態の半導体集積回路装置は、図１（ａ）で示すように、高電圧で入出力を行う２個の高電圧電源端子ＶＤＨ１が隣接する端子群を備え、この端子群の両側に隣接して２個の未接続端子ＮＣが配置される。
半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物による隣接間短絡（２端子短絡）は経験的に発生が確認されており、例えば、高電圧電源端子ＶＤＨ１と未接続端子ＮＣとの隣接間短絡、または、２個の高電圧電源端子ＶＤＨ１の隣接間短絡は発生するおそれがある。
【００１７】
しかしながら、高電圧電源端子ＶＤＨ１と未接続端子ＮＣとが短絡しても電気的な回路が構成されないためＰＤＰ用ドライバＩＣに影響を与えるような電流等は流れない。
また、２個の高電圧電源端子ＶＤＨ１同士が短絡しても、同電位なためＰＤＰ用ドライバＩＣに影響を与えるような電流等は流れない。
さらに、隣接する３個の端子にまたがる短絡（３端子短絡）が発生する確率は極めて低い。
【００１８】
このように本実施形態の半導体集積回路装置では、２個の高電圧電源端子ＶＤＨ１が隣接する端子群を備え、この端子群の両側に隣接して２個の未接続端子ＮＣで挟む配置としたため、半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物により高電圧電源端子と隣接する端子が短絡したしても、破壊を防ぐことが可能となる。
【００１９】
また、このような端子の配置は各種の変形が可能である。例えば、図１（ｂ）で示す半導体集積回路装置では、高電圧で入出力を行う２個の高電圧電源端子ＶＤＨ１が隣接する端子群は、その一方を四隅の空間部で、また、他方を未接続端子ＮＣで挟む配置としている。
このような端子の配置とすることによっても、半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物により高電圧電源端子と隣接する端子とが短絡（２端子短絡）しても破壊を防ぐことが可能となる。
【００２０】
なお、半導体集積回路装置では、端子群は原則的に全てが図１（ａ）で示すように２個の未接続端子ＮＣで挟まれて配置される。
しかしながら、ある端子群は例外的に図１（ｂ）で示すように一方が四隅の空間部で、また、他方が未接続端子ＮＣで挟まれて配置され、残りの端子群は図１（ａ）で示すように２個の未接続端子ＮＣで挟まれて配置されるような形態としても良い。
【００２１】
また、他の変形形態として、例えば、図２（ａ）で示す半導体集積回路装置では、高電圧で入出力を行う１個の高電圧電源端子ＶＤＨ１の両隣に２個の未接続端子ＮＣで挟む配置としている。
このような端子の配置とすることによっても、半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物により高電圧電源端子と隣接する端子とが短絡（２端子短絡）したとしても、破壊を防ぐことが可能となる。
【００２２】
また、例えば、図２（ｂ）で示す半導体集積回路装置では、高電圧で入出力を行う１個の高電圧電源端子ＶＤＨ１の一方を四隅の空間部で、また、他方を未接続端子ＮＣで挟む配置としている。
このような端子の配置とすることによっても、半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物により高電圧電源端子と隣接する端子とが短絡（２端子短絡）したとしても、破壊を防ぐことが可能となる。
【００２３】
なお、半導体集積回路装置では、端子は原則的に全てが図２（ａ）で示すように２個の未接続端子ＮＣで挟まれて配置される。
しかしながら、一部の端子が例外的に図２（ｂ）で示すように一方が四隅の空間部で、また、他方が未接続端子ＮＣで挟まれて配置され、残りの端子が図２（ａ）で示すように２個の未接続端子ＮＣで挟まれて配置されるような形態としても良い。
【００２４】
さらにまた、半導体集積回路装置では、図１（ａ），図１（ｂ），図２（ａ），図２（ｂ）で示すような端子および端子群による配置を全て含み、つまり、ある端子または端子群の両側は未接続端子で挟む配置とし、残りの端子または端子群の両側の一方を空間部で、他方を未接続端子で挟む配置であっても良い。
【００２５】
続いて、本実施形態の半導体集積回路装置の一具体例として、ＰＤＰ用ドライバＩＣを例に挙げて説明する。図３は本実施形態の一具体例であるＰＤＰ用ドライバＩＣのＱＦＰの端子配置図である。
図４で示した従来技術例のＰＤＰ用ドライバＩＣと、図３で示すＰＤＰ用ドライバＩＣとの相違点は、高電圧出力端子Ｄ０１〜ＤＯ３２，ＤＯ３３〜ＤＯ６４を左右に均等に分割し、接地端子ＧＮＤの一部を端子Ｎｏ３５〜Ｎｏ４１にまとめることにより全ての高電圧電源端子ＶＤＨ１，ＶＤＨ２が、未接続端子ＮＣと隣接するようにした点である。なお、図４で示す従来技術例のＰＤＰ用ドライバの端子配置と比較し、高電圧駆動出力端子ＶＤＨ１，ＶＤＨ２の数を８本、接地端子ＧＮＤの数を１１本とし、数が一致するようにした。
【００２６】
さらに、図３の矢印ａと矢印ｂとの間では、高電圧電源端子ＶＤＨ１の両隣にそれぞれ未接続端子ＮＣが隣接する端子配置となっている。
図３の矢印ｃと矢印ｄとの間は、高電圧電源端子ＶＤＨ１の両隣にそれぞれ未接続端子ＮＣが隣接する端子配置となっている。
図３の矢印ｅと矢印ｆとの間は、高電圧電源端子ＶＤＨ２の両隣にそれぞれ未接続端子ＮＣが隣接する端子配置となっている。
図３の矢印ｇと矢印ｈとの間は、高電圧電源端子ＶＤＨ２の両隣にそれぞれ未接続端子ＮＣが隣接する端子配置となっている。
【００２７】
また、図３の矢印ａと矢印ｉとの間では、高電圧駆動端子ＤＯ１の隣に未接続端子ＮＣが、また、高電圧駆動端子ＤＯ２の隣に四隅の空間部が隣接する端子配置ともなっている。
また、図３の矢印ｃと矢印ｊとの間では、高電圧駆動端子ＤＯ３２の隣に未接続端子ＮＣが、また、高電圧駆動端子ＤＯ２８の隣に四隅の空間部が隣接する端子配置ともなっている。
また、図３の矢印ｆと矢印ｋとの間では、高電圧駆動端子ＤＯ６４の隣に未接続端子ＮＣが、また、高電圧駆動端子ＤＯ６３の隣に四隅の空間部が隣接する端子配置ともなっている。
また、図３の矢印ｈと矢印ｌとの間では、高電圧駆動端子ＤＯ３３の隣に未接続端子ＮＣが、また、高電圧駆動端子ＤＯ３７の隣に四隅の空間部が隣接する端子配置ともなっている。
【００２８】
このように図３で示すＰＤＰ用ドライバＩＣでは、高電圧電源端子による端子群または高電圧駆動端子による端子群を備える半導体集積回路装置であるが、高電圧電源端子による端子群の両側は未接続端子で挟む配置とし、残りの高電圧駆動端子による端子群の両側の一方を空間部で、他方を未接続端子で挟む配置としている。
【００２９】
このような端子配置構造を採用することにより、半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物により高電圧電源端子または高圧駆動端子と隣接する端子が短絡する隣接間短絡（２端子短絡）が発生しても直ちに破壊される事態の発生を防ぐ。また、半田ブリッジや金属製異物などの導電性異物による３端子短絡が発生する確率は極めて低い。このように本発明のような半導体集積回路装置では短絡による破壊が発生するおそれを極めて低くすることが可能となる。
【００３０】
以上本発明の半導体集積回路装置について説明した。
本実施形態では多数の端子を有する樹脂封止パッケージであるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージを例に挙げて説明した。  ＱＦＰパッケージではＩＣの４辺から外側に向かって，細かい間隔で接続用の端子が出ているパッケージであり、広く用いられているが、本実施形態ではＱＦＰに限定する趣旨ではなく、例えば、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージに適用しても良い。
【００３１】
ＳＯＰパッケージでは平行な２辺から外向きの端子を有するが、このようなＳＯＰパッケージでも、全ての高電圧端子または高電圧端子による端子群が、２個の未接続端子ＮＣで挟まれて配置される構造、または一方を四隅の空間部で、また、他方を未接続端子で挟まれて配置される構造を採用するようにしても良い。
【００３２】
また、本発明は現状では高電圧電源端子を有するＰＤＰ用ドライバＩＣ等での採用が特に効果的である。
しかしながら、高電圧端子を有する半導体集積回路装置であれば、本発明の適用は可能である。今後登場する未知の装置のドライバ用ＩＣなど、各種適用が可能である。
【００３３】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、高電圧電源端子または高電圧駆動端子と、他の端子と、の間が導電性異物等により短絡されたとしても、破壊を防止するような半導体集積回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の半導体集積回路装置の一部の構成図である。
【図２】本発明の実施形態の半導体集積回路装置の一部の構成図である。
【図３】本発明の実施形態の一具体例であるＰＤＰ用ドライバＩＣのＱＦＰの端子配置図である。
【図４】従来技術のＰＤＰ用ドライバＩＣのＱＦＰの端子配置図である。
【符号の説明】
ＶＤＨ１，ＶＤＨ２：高電圧電源端子
ＶＤＬ            ：制御用電源端子
ＧＮＤ            ：接地端子
ＮＣ              ：未接続端子
ＤＯ１〜ＤＯ６４  ：高電圧駆動端子
ＣＬＲ            ：制御入力端子
ＤＡ              ：制御入力端子
ＯＣ１            ：制御入力端子
ＯＣ２            ：制御入力端子
ＬＥ              ：制御入力端子
ＣＬＫ            ：制御入力端子
ＤＢ              ：制御入力端子
Ａ／Ｂ            ：制御入力端子
【図１】
2004311536.tif 000003
【図２】
2004311536.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004311536.tif 000006