(57)【要約】【課題】Ｌ１０  規則合金化温度の低減と磁気異方性エネルギーを制御したＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体及びその製造方法を提供する。【解決手段】めっき法により得られたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体において、該合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が合わせて１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれている磁性体。めっき液からＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれる磁性体を析出させる工程、該磁性体を５００℃以下のアニール処理によりＬ１０  規則合金化させる工程を有する磁性体の製造方法。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき法により得られたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体において、該合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が合わせて１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれることを特徴とする磁性体。
【請求項２】
めっき法により得られたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体はＮｉを含み、かつＣｕまたはＢの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜３０ａｔ％以下で含まれることを特徴とする請求項１に記載の磁性体。
【請求項３】
前記磁性体は、Ｌ１０  規則合金であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁性体。
【請求項４】
前記磁性体は、３ｋＯｅ以上の保磁力を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の磁性体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の磁性体が直径１００ｎｍ以下の細孔に充填されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置。
【請求項７】
請求項５に記載の磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置が接続されている情報処理装置。
【請求項８】
ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が含まれる磁性体の製造方法において、めっき液からＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれる磁性体を析出させる工程、該磁性体を５００℃以下のアニール処理によりＬ１０  規則合金化させる工程を有することを特徴とする磁性体の製造方法。
【請求項９】
前記めっき液からＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれる磁性体を析出させる工程は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体はＮｉを含み、かつＣｕまたはＢの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜３０ａｔ％以下で含まれる磁性体を析出させる工程であることを特徴とする請求項８に記載の磁性体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき法により得られた磁性体、それを用いた磁気記録媒体、磁気記録再生装置、情報処理装置及び前記磁性体の製造方法に関する。
【０００２】
【背景の技術】
近年の情報処理の飛躍的な増大に伴って、磁気ディスク装置などの情報記録技術も大幅な大容量化が求められている。特にハードディスクにおいては現在単位面積当たりの記録情報量が年率６０％を超える勢いで増加している。今後も情報記録量の増大が望まれており、また携帯用などの記録装置としても小型化、高密度化が望まれている。
【０００３】
従来利用されてきたハードディスク用磁気記録媒体は水平磁気記録方式であり、磁化はディスク表面に平行に記録されている。この水平磁気記録方式では高密度化に伴い磁区内の反磁界を抑え、且つ磁化状態を検出させるため媒体上方に磁界を出すために磁気記録層を薄くしていく必要がある。そのため磁性微粒子１つ当たりの体積が極度に小さくなり、超常磁性効果が発生しやすい傾向にある。すなわち磁化方向を安定させているエネルギーが熱エネルギーより小さくなり、記録された磁化が時間とともに変化し、記録を消してしまうことが起こる。このため近年では水平磁気記録に代わって記録層の膜厚を大きくとれる垂直磁気記録方式へ移行する研究が盛んに行われている。
【０００４】
垂直磁気記録用の媒体としては、記録層２４としては一般にＣｏ−Ｃｒ合金が用いられており、スパッタリング法で作製すると図２（ｂ）に示す様にＣｏ組成が多いコア部２６とその周りのＣｒ組成が比較的多いシェル部２７に分離された状態で成長する。コア部２６は円柱に近い形状であり六方稠密格子構造（以下、ｈｃｐ構造という）を有する硬磁性となり、記録部分となる。シェル部２７はＣｒ組成が多く軟磁性、もしくは非磁性的な特性になり隣接するコア部同士の相互作用を弱める役割も果たす。コア部２６ではｃ軸が基板面に垂直方向を向いており、結晶磁気異方性の作用により磁化は基板面に垂直方向を向くようになる。上記記録層２４にはＣｏ−Ｃｒ以外にＴａ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｈｆなど添加することが行われている。
【０００５】
しかし、今後さらなる高記録密度化に対しては、Ｃｏ−Ｃｒ系ではコア部分２６の微細化が困難であることが予想される。また、微細化に伴い超常磁性効果が顕著になることから、近年注目されているＣｏＰｔ，ＦｅＰｔ，ＦｅＰｄのＬ１０  規則合金が今後有力な材料であると考えられている。特に、前記規則合金を微粒子化して、それらを非磁性母体中に分散させた膜（グラニュラー膜）にし、Ｃｏ−Ｃｒ系の磁性粒子の微細化に伴う超常磁性効果に耐えうる媒体も提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかし、その他に微細化された磁性体の体積分布の制御が重要となっている。
【０００６】
また、現行のガラス基板を用いる等の観点から上記ＣｏＰｔ，ＦｅＰｔ，ＦｅＰｄのＬ１０  規則合金における規則合金化温度の低減が必要とされ、検討されている。特に、ＦｅＰｔへの第三元素の添加による温度低減がスパッタリング法による成膜では有力な手段とされている。しかし、めっき液から析出させるＣｏＰｔまたはＦｅＰｔの検討はほとんど行われておらず、添加元素の検討も未だ行われていないのが現状である。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００１−２７３６２２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記磁気記録媒体では、ＣｏＰｔ，ＦｅＰｔ，ＦｅＰｄのＬ１０  規則合金における規則合金化温度の低減が課題である。
【０００９】
本発明の目的は、めっき液から析出させたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体に新たな元素を添加することによってＬ１０  規則合金化温度の低減と磁気異方性エネルギーを制御したＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体およびその製造方法を提供することである。
【００１０】
また、本発明の別の目的は、上記磁性体を有する磁気記録媒体を提供することである。
また、磁性体を有する磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置を提供することである。
さらに、磁性体を有する磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置と接続されている情報処理装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第一の発明は、めっき法により得られたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体において、該合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が合わせて１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれることを特徴とする磁性体である。
【００１２】
また、めっき法により得られたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体はＮｉを含み、かつＣｕまたはＢの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜３０ａｔ％以下で含まれることを特徴とする。
また、前記磁性体は、Ｌ１０  規則合金であることを特徴とする。
また、前記磁性体は、３ｋＯｅ以上の保磁力を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第二の発明は、上記合金磁性体が直径１００ｎｍ以下の細孔に充填されていることを特徴とする磁気記録媒体である。
本発明の第三の発明は、上記磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置である。
本発明の第四の発明は、上記磁気記録再生装置が接続されている情報処理装置である。
【００１４】
本発明の第五の発明は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が含まれる磁性体の製造方法において、めっき液からＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれる磁性体を析出させる工程、該磁性体を５００℃以下のアニール処理によりＬ１０  規則合金化させる工程を有する磁性体の製造方法である。
【００１５】
また、前記めっき液からＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれる磁性体を析出させる工程は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体はＮｉを含み、かつＣｕまたはＢの少なくとも一つ以上の元素が１ａｔ％以上〜３０ａｔ％以下で含まれる磁性体を析出させる工程であることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の磁性体は、めっき法により得られたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体において、該合金磁性体にＣｕ、Ｎｉ、Ｂの少なくとも一つ以上の元素が合わせて１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以下で含まれることを特徴とする。
【００１７】
以下に本発明のめっき法により析出したＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金析出物に他の元素を添加することによる規則合金化温度の低温化や磁気異方性エネルギーの制御に関して説明する。
【００１８】
Ｌ１０  規則合金化の低温化においては、ＣｕまたはＢなど一種類以上の元素の添加が効果的である。添加量に関しては１ａｔ％以上〜４０ａｔ％以内、特に３ａｔ％〜２０ａｔ％の範囲であることが好ましい。また、効果的にＢを析出させるためにはＮｉとの共析を利用することが効果的であり、この場合Ｎｉを除く添加元素の濃度は１ａｔ％以上〜３０ａｔ％以内、、特に３ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲であることが好ましい。
【００１９】
このとき、添加によるＬ１０  規則化温度の低下は、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金のＬ１０  規則化温度が６００℃〜７００℃であるために、その温度よりも１５０℃以上の低下を達成することも可能である。
また、磁気記録媒体として用いるときは、磁気ヘッドとの兼ね合いにより磁気異方性エネルギーを制御することが可能である。
【００２０】
また、本発明において原材料の純度に関連して目的の元素以外の添加物が微量混入している場合を排除するものではない。以下、組成の記入のないものはめっき条件等により組成制御が可能であるため析出する元素をのみを記している。
【００２１】
ＢはＮｉとの共析が可能であるので、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金にＮｉを加えて、ＣｏＮｉＰｔまたはＦｅＰｔＮｉ合金にＢを添加した磁性体を形成可能である。とくに、Ｂ源としてはトリメチルアミンボラン（ＴＭＡＢ）が好ましく、その他のＢを含む還元剤を添加しても良い。
【００２２】
還元剤には、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４  ）、水素化ナトリウム（ＮａＨ）、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、トリメチルアミンボラン（ＴＭＡＢ）、ピリジンボラン（ＰｙＢ）、カリウムボロハイドライド（ＫＢＨ）等の誘導体、ホウ酸トリメチル（ＴＭＢ）などを用いても良い。
【００２３】
めっき液の原料としては、コバルトは硫酸コバルト、塩化コバルト、スルファミン酸コバルト等が使用可能である。また鉄においては硫酸鉄、塩化鉄、スルファミン酸鉄など、白金においては６塩化白金酸、塩化白金、ジアミノジニトリル白金などを組み合わせて使用することが可能である。また、ニッケルにおいては硫酸ニッケル、塩化ニッケル、スルファミン酸ニッケルなどが好ましい。銅は硫酸銅、塩化銅、スルファミン酸銅などが好ましい。
【００２４】
また、ｐＨ調整等にその他の電着物に関与しない材料を使用しても良い。とくにホウ酸、ホウ酸塩、クエン酸ナトリウム、クエン酸アンモニウム等のクエン酸塩、酒石酸アンモニウムのような酒石酸塩などが挙げられる。
【００２５】
めっき液の一例をあげると、ＣｏＰｔ系では、硫酸コバルト０．３ｍｏｌ／ｌ、６塩化白金酸０．０１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸３０ｇ／ｌを使用し、ＦｅＰｔ系では硫酸鉄０．３ｍｏｌ／ｌ、６塩化白金酸０．０１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸３０ｇ／ｌを使用する。
【００２６】
これらのめっき液に硫酸銅や硫酸ニッケルを加えて添加元素を混入させることが可能である。
また、４元系の析出物を得るには、上記のＦｅＰｔ系めっき液に硫酸ニッケル０．１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、トリメチルアミンボラン１ｇ／ｌを添加することが好ましい。もちろん、この例以外の条件であってもよい。
【００２７】
めっき液に関しては水溶液に限らず、有機系溶媒を用いためっきも可能である。例えば、イソプロピルアルコールへ塩化コバルトと６塩化白金酸を溶解して得られる液から電着を行ってもＣｏＰｔ合金を析出させることが可能である。
【００２８】
また本発明は、めっき液から電着により析出したＣｏＰｔまたはＦｅＰｔに添加する元素に特徴を有しており、析出元であるめっき液の原料は上記の範疇に制限するものでない。
次に、本発明の磁性体を直径１００ｎｍ以下の細孔に充填した磁気記録媒体について説明する。
【００２９】
＜磁気記録媒体の構成＞
図１は本発明の磁性体を細孔に充填した磁気記録媒体の構成を示す模式図である。
図１において、１０は基体、１１は下地電極層、１２は記録層、１３は保護層、１４は潤滑層、１５は磁性体である。
【００３０】
また、本発明に用いる基体１０は、ガラス基板、石英基板、シリコン基板など、平滑なものであれば用いることが可能である。
ここで、記録層１２は以下に説明する微細なホールを有する構造体に本発明の磁性体１５を充填したものであり、充填した磁性体はＬ１０  規則合金であり、そのｃ軸は基板垂直方向に配向していることが好ましい。
【００３１】
次に、図３に示すような記録層の母体となる微細なホールを有する構造体としては、アルミニウムの陽極酸化によるホールの形成法と、円柱状アルミニウムの周りを取り囲むように配置されるシリコンからなるＡｌＳｉ構造体を用いたホールの形成法がある。以下これらの詳細を説明する。また、ブロックコポリマー等の構造体を用いても良い。
【００３２】
これら構造体の特徴は、図３におけるホールの直径３２とホール間の間隔３３で特徴付けられる。ホールの直径によって以下にアルミナからなるホールとシリコンやシリコンゲルマニウムを母体とするホールについて説明する。
【００３３】
まず、アルミニウムの陽極酸化で得られる微細なホールを有する構造体についての特徴を記載する。
基板上に配置されたアルミニウム膜において、微細なホール３０を形成したい部分をリン酸、蓚酸、硫酸等の水溶液中に浸漬し、それを陽極として電圧を印加することで自己組織的にホールが形成される。このとき形成されるホール間の間隔３３は、印加した電圧で決まり、２．５ｎｍｘ電圧（Ｖ）の関係が知られている。しかし、ホール間の間隔３３は１０ｎｍ程度が最小の周期である。同時に、ホールの直径３２も最小で８ｎｍ程度となっている。
【００３４】
また、アルミニウム膜の表面に規則的な窪みをつけることで、そこを基点に規則的なホールがハニカム状や正方状に形成されることも特徴であり、特にパターンドメディアに対して大きな可能性を有していることが特徴である。
上記のアルミニウムの陽極酸化で得られる微細なホールを有する構造体の具体例は、例えば特開平１１−２０００９０号公報等に記載されている。
【００３５】
次に、基板垂直方向に立ったアルミニウムを成分とする柱状アルミニウム部分と柱状アルミニウム部分の側面を囲むように配置されるＳｉまたはＳｉＧｅを成分とする構造体について説明する。
【００３６】
まず、柱状Ａｌ部分が基板垂直方向に真直ぐ立っており、その円柱の側面を囲むようにＳｉまたはＳｉＧｅ部分が構造体の母材３１として配置された構造を有することが特徴である。なお、Ａｌ部分にはＳｉまたはＳｉＧｅが、ＳｉまたはＳｉＧｅ部分にはＡｌが僅かに混入している。また、この構造体を形成するには、ＡｌとＳｉまたはＳｉＧｅの非平衡状態における同時成膜を行うことが好ましい。また、柱状Ａｌ部分は基板垂直方向に真直ぐ立っており、リン酸等のＳｉまたはＳｉＧｅが溶解せず、柱状Ａｌ部分が溶解するような酸やアルカリに浸漬することで柱状Ａｌ部分のみ溶解、除去できることが特徴である。それには、リン酸、硫酸、アンモニア水など複数の酸またはアルカリが該当する。
【００３７】
また、このＡｌＳｉまたはＡｌＳｉＧｅの構造体を硫酸等の水溶液中で陽極酸化することでも柱状Ａｌ部分を除去することが可能である。このとき、ＳｉまたはＳｉＧｅ部分は陽極酸化中に酸化され、（Ａｌｘ  （Ｓｉｙ  Ｇｅ１−ｙ  ）１−ｘ  ）ｚ  Ｏ１−ｚ  となる。そこで、ｘの範囲は０＜ｘ≦０．２で好ましくは、０＜ｘ≦０．１である。また、ｙの範囲は０≦ｙ≦１の範囲であればよく、Ｓｉのみ、Ｇｅのみの場合も含む。また、酸化状態は０．３３４≦ｚ≦１の範囲であり、酸化していない状態も含まれる。また、酸化する場合には、陽極酸化等を行えばよく、
その陽極酸化の終了は、下地層へ細孔が到達した時点から３０ｓｅｃ〜６０ｓｅｃの間に終了することが好ましい。または、陽極酸化の電流値が極小値に達した時点まで陽極酸化を行っても良い。さらに、酸化は酸素雰囲気中でのアニールでも良い。
【００３８】
このＡｌを除去したＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＧｅの構造体は、組成にも依存するがホールの直径３２の範囲が１ｎｍ〜１５ｎｍで、ホール間の間隔３３の範囲が３ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする。以上からＡｌ部分の除去の手段によっては、微細なホール３０を取り囲む壁はＳｉやＳｉＧｅかまたはその酸化物で構成されることが特徴である。
【００３９】
上記のＳｉまたはＳｉＧｅを成分とする構造体の具体例は、例えば特願２００２−３４０９４４号公報等に記載されている。
【００４０】
次に、上記下地電極層１１は、抵抗率（Ωｃｍ）／膜厚（ｃｍ）≦１００（Ω）を満たす材料が好ましい。さらに、下地電極層１１の配向制御のために（００１）配向したＭｇＯを挿入しても良い。特に、ホールに充填する磁性材料の配向を制御するために下地電極層１１の配向を（１１１）または（００１）を適宜選択することが好ましい。本発明の磁性体におけるＬ１０  規則合金層のｃ軸を基板垂直方向に配向させるためには下地電極層１１が基板面に対して平行に正方状の結晶配列を有していることが好ましい。特に、ｆｃｃ構造の（００１）配向を利用することが好ましい。
【００４１】
上記の基体１０としては、ガラス、Ａｌ、カーボン、プラスティック、Ｓｉなどを基体１０として使用することが好ましい。また、Ａｌ基板の場合は硬度を確保するためにＮｉＰ膜をめっき法などにより下地層として形成しておくことが望ましい。
【００４２】
また、基体１０と下地電極層１１の間に軟磁性層を裏打ち層として形成することが有効である。また、その裏打ち層としては、Ｎｉｔ  Ｆｅ１−ｔ  を主成分とする膜が使用可能であり、ｔの範囲は０．６５から０．９１であることが望ましく、さらに一部Ａｇ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｐ，Ｂなどを含んでも良い。その他のＦｅＣｏ、ＦｅＴａＣやアモルファス材料の軟磁性体も採用可能である。
【００４３】
また、磁気記録媒体の上部表面は、ダイヤモンドスラリー等を用いた精密研磨を施しており、その凹凸のＲｍｓ（凹凸の２乗平均の平方根）は１ｎｍ以下である。さらに表面には保護層１３を形成することが好ましく、ヘッドとの摩擦に対して耐磨耗性を持たせるために、カーボンの他カーバイト、窒化物等の高硬度の非磁性材料を用いることが有効である。
【００４４】
また、潤滑層１４は、ＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）を塗布することが好ましい。
微細なホールに磁性体を充填する方法は、ホール底部に電極を配置することで電着法により行うことができる。
【００４５】
また、充填した磁性体をＬ１０  規則合金化する方法は、５００℃以下、好ましくは３００〜４５０℃の温度でアニール処理することにより行うことができる。
【００４６】
本発明の磁気記録媒体は垂直磁気記録媒体として有効であり、磁気記録再生装置として用いるには、図４にあるように上記磁気記録媒体４１以外に読み取り書き込み用磁気ヘッド４３、モーターなどの磁気ヘッド駆動部４４、信号処理部４５、防塵ケース等を組み込むことが必要である。しかし、磁気記録再生装置において、磁気記録媒体４１の駆動は回転のみ、磁気ヘッド４３の駆動は円周上のスライドのみに限定されるものではない。
【００４７】
また、前記磁気記録再生装置を情報処理装置として用いるには、図５に示すように、磁気記録再生装置部５２以外にメモリ部分５４と演算部５３と外部入出力部５６と電源５５とそれらを接続する配線５７を格納容器５１に収めた情報処理装置を形成することが必要である。情報処理装置において、配線は有線、無線のどちらでも可能である。
【００４８】
【実施例】
以下に実施例をあげて、本発明を説明する。
【００４９】
実施例１
本実施例においては、めっきされたＣｏＰｔとＦｅＰｔ合金磁性体が３元系の場合に関する。
【００５０】
まず、ＣｏＰｔの基本めっき液を硫酸コバルト０．３ｍｏｌ／ｌ、６塩化白金酸０．０１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸３０ｇ／ｌとして調製した。また、同様に、ＦｅＰｔ基本めっき液を硫酸鉄０．３ｍｏｌ／ｌ、６塩化白金酸０．０１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸３０ｇ／ｌとして調製した。これらのめっき液からは、ＣｏＰｔまたはＦｅＰｔが析出し、それぞれ真空中で７００℃、６００℃のアニール温度でＬ１０  規則合金化することを確認した。ただし、ここで使用しためっき液以外でも本発明の磁性体は析出可能であり、ここでのめっき液の成分以外を排除するものではない。もちろん、原料においても様々な組み合わせで用いることが可能である。
【００５１】
以上の２種の基本めっき液に硫酸銅０．００５ｍｏｌ／ｌの濃度で添加するとＣｏ４０Ｃｕ１０Ｐｔ５０とＦｅ３５Ｃｕ１５Ｐｔ５０の析出物を得ることができた。
基板は、シリコン基板に成膜したＰｔ２０ｎｍ膜を使用し、浴温６０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ２  で電着を行った。
【００５２】
以上より電着で得られたものを５００℃でアニールするとＣｕが添加されたものはＬ１０  規則合金化し、その保磁力が添加していないときと比べて、Ｃｏ４０Ｃｕ１０Ｐｔ５０の場合はおよそ４０％、Ｆｅ３５Ｃｕ１５Ｐｔ５０の場合はおよそ７０％大きくなり、３ｋＯｅ以上の保磁力を有していた。また、磁気異方性エネルギーも１０６  ｅｒｇ／ｃｃ以上を有することが判明した。
【００５３】
従って、めっき法で析出させたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔに第三元素のＣｕを添加することにより、規則合金化の低温化が達成できることが確認できる。また、その他の元素で低温化や保磁力、磁気異方性エネルギーの値を調整することも可能である。
【００５４】
実施例２
本実施例においては、めっきされたＣｏＰｔとＦｅＰｔ合金磁性体が４元系の場合に関する。
実施例１と同様のＣｏＰｔ、ＦｅＰｔの基本めっき液に硫酸ニッケル０．１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、トリメチルアミンボラン１ｇ／ｌを添加して新規めっき液とした。
【００５５】
その結果、組成分析によりＣｏＰｔとＦｅＰｔにはＮｉとＢが添加されており、それぞれ４元合金が形成されていることが判明した。また、効果的にＢを添加するためにはＮｉとの共析を利用するのが有効である。電着に用いた基板はシリコン基板にＰｔを２０ｎｍ成膜したものを使用し、浴温６０℃で電流密度１Ａ／ｄｍ２  で電着を行った。
【００５６】
以上より電着で得られたものを５００℃でアニールするとＬ１０  規則合金化し、その保磁力が添加していないときと比べて、Ｃｏ３０Ｎｉ２０Ｐｔ４６Ｂ４  の場合はおよそ３５％、Ｆｅ２８Ｎｉ２２Ｐｔ４５Ｂ５  の場合はおよそ７０％大きく、３ｋＯｅ以上の保磁力を有していた。また、磁気異方性エネルギーも１０６  ｅｒｇ／ｃｃ以上を有することが判明した。従って、めっき法で析出させたＣｏＰｔまたはＦｅＰｔを４元系にすることでも規則合金化の低温化が達成できることが確認できる。また、その他の元素で低温化や保磁力、磁気異方性エネルギーの値を調整することも可能である。また、共析の効果を利用できる点が重要である。
【００５７】
実施例３
本実施例では、本発明の磁性体を用いた磁気記録媒体に関する。
ドーナツ型のガラス基板を準備し、スパッタリング法により基板垂直方向に（００１）配向したＭｇＯ１０ｎｍと、下地電極層として（００１）配向したＰｔ２０ｎｍと、Ａｌ５６Ｓｉ４４組成のスパッタリングターゲットから成膜されたＡｌＳｉ構造体３０ｎｍを順次成膜した。ここで用いたＡｌＳｉ構造体は、円柱状のアルミニウム部分とそれを取り囲むＳｉ部分から形成されることが特徴である。
【００５８】
まず、ＡｌＳｉ構造体のアルミニウム部分を除去して微細なホールを形成するために室温で２．８ｍｏｌ％のアンモニア水に１０ｍｉｎ浸漬した。このときホールの底部には（００１）配向したＰｔ面が露出していることが特徴である。また、アルミニウム部分の除去により図３に示されるような構造となる。ここでは、そのホールの直径は８ｎｍであり、ホール間の間隔は１０ｎｍであった。
【００５９】
次に、このホールに本発明の磁性体を充填する。溶液は、硫酸鉄０．３ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル０．０５ｍｏｌ／ｌ、６塩化白金酸０．０３ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸３０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、トリメチルアミンボラン１ｇ／ｌからなるものを用いた。このめっき液に上記基板を浸漬し、６０℃で１Ａ／ｄｍ２  の電流密度でめっきを行った。分析の結果、Ｆｅ２８Ｎｉ２２Ｐｔ４５Ｂ５  の４元素がめっき物に含まれていることを確認した。続いて、これを真空中４００℃で１時間アニールを行い、磁性体の規則合金化を行った。
【００６０】
最終的に、４元磁性体部分はホール内で基板垂直方向にｃ軸配向しており、Ｌ１０  規則合金化していた。また、その保磁力は基板垂直方向で４．５ｋＯｅであった。さらに、構造観察においては、４元磁性体部分は直径８ｎｍで磁性体間は平均１０ｎｍであり、磁性体はＳｉを成分とする非磁性体で分離されていることが確認できた。
従って、このような硬磁性体が均一に分散したものは要求される磁気記録媒体としての構造を満たすものであることが示せた。
【００６１】
実施例４
本実施例においては、おおまかに図４にあるような構成の磁気記録装置が構成可能である。
【００６２】
本発明の磁性体を用いた磁気記録媒体では、現状のガラス基板等における耐熱性の低い基板でも使用可能である。そこで、本発明の磁気記録媒体を図４のような磁気記録媒体駆動部４２と磁気ヘッド４３と磁気ヘッド駆動部４４と信号処理部４５からなる装置に組み立てることで、磁気記録装置を形成することが可能である。また、本実施例により磁気記録媒体４１の駆動は回転のみ、磁気ヘッド４３の駆動は円周上のスライドのみに限定されるものではない。
【００６３】
実施例５
本実施例は、情報処理装置に関するものである。
前記、実施例４に記載の磁気記録再生装置部５２は、情報の出し入れが可能であるため、図５に示すように、前記装置とメモリ部分５４と演算部５３と外部入出力部５６と電源５５とこれらをつなぐ配線５７を格納容器５１に収めた情報処理装置を形成することが可能である。
【００６４】
【発明の効果】
本発明では、めっき法により得られるＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金磁性体への新たな元素の添加によりＬ１０  規則合金化温度の低減を可能にした。こうして得られた磁性体を微細なホールを有する構造体と組み合わせることで高密度記録に有効な磁気記録媒体の提供を可能にした。
また、本発明は、上記磁性体を有する磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置、磁性体を有する磁気記録媒体を使用した磁気記録再生装置と接続されている情報処理装置の提供を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁性体を用いた磁気記録媒体の実施態様の一例を示す模式図である。
【図２】磁気記録媒体における従来技術の一例を示す模式図である。
【図３】微細なホールを有する構造体の模式図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を示す模式図である。
【図５】本発明の磁気記録再生装置を用いた情報処理装置の概念図である。
【符号の説明】
１０  基体
１１  下地電極層
１２  記録層
１３  保護層
１４  潤滑層
１５  磁性体
２１  基板
２２  Ｎｉ−Ｐ層
２３  裏打ち層
２４  記録層
２５  保護層
２６  コア部
２７  シェル部
３０  微細なホール
３１  構造体の母材
３２  ホールの直径
３３  ホール間の間隔
４１  磁気記録媒体
４２  磁気記録媒体駆動部
４３  磁気ヘッド
４４  磁気ヘッド駆動部
４５  信号処理部
５１  格納容器
５２  磁気記録再生装置部
５３  演算部
５４  メモリ部
５５  電源
５６  外部出力部
５７  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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