(57)【要約】【課題】特許文献２に記載の技術の場合には、常温で比較的簡単な装置で水素ガスから水素ラジカルや原子状水素を生成することができるが、これらの水素ラジカルや原子状水素による還元能力については明らかでない。非特許文献１の技術の場合には、真空下で水素プラズマを用いて１５０℃以上の温度で銅金属表面の銅酸化物や水酸化物等を還元するため、特許文献１の場合と同様に真空雰囲気下の過酷な条件で還元を行わなくてならない。【解決手段】本発明の被処理体の還元方法は、銅ウエハに形成された銅薄膜層の銅酸化物を常圧下で還元する方法であって、銅ウエハを加熱する工程と、加熱後の銅ウエハの表面に室温のフォーミングガスを吹き付ける工程とを備えたことを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の電極にプローブピンを当てて被検査体の電気的特性検査を行なう際に、上記被処理体に形成された電極の酸化膜を常圧下で還元する方法であって、上記被処理体を加熱する工程と、上記加熱後の被処理体の表面に水素ガスを含む還元性ガスを吹き付ける工程と、上記被処理体を加熱するに先立って不活性ガス雰囲気を形成する工程を備えたことを特徴とする被処理体の還元方法。
【請求項２】
上記還元性ガスを常温で使用することを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の被処理体の還元方法。
【請求項３】
上記不活性ガスとして窒素ガスを用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の被処理体の還元方法。
【請求項４】
上記電極は、銅または銅合金からなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の被処理体の還元方法。
【請求項５】
上記還元性ガスとしてフォーミングガスを用いることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の被処理体の還元方法。
【請求項６】
上記被処理体の加熱温度を１５０〜２７０℃に設定することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の被処理体の還元方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理体の還元方法に関し、更に詳しくは、被処理体に形成された金属層の酸化膜を還元する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程には被処理体（例えば、ウエハ）に配線層等の各種の金属層を形成する成膜工程やウエハ状態やパッケージ状態のウエハを検査する種々の検査工程がある。そして、各種の成膜工程や検査工程でウエハを搬送する際にウエハの金属層に酸化膜が形成される。
【０００３】
成膜工程では酸化膜は金属層上に他の金属層を形成する際に障害となるため、クリーニング等により事前に酸化膜を還元して除去する必要がある。例えば特許文献１には、半導体製造プロセスにおける多層配線の、異なる配線層間を接続するビアホール形成プロセスにおいて、上層金属配線を成膜する前のクリーニングプロセスに、水素ラジカルに電子を供給して生成した水素負イオンを使用してシリコン基板表面のビアホール内に形成された自然酸化膜等を除去する技術が記載されている。この場合には真空容器内でマイクロ波放電により水素原子を含むガスから水素プラズマ発生させ、この水素ラジカルに電子供給装置を介して熱電子を供給して水素負イオンを生成させた後、水素負イオンをクリーニングに使用している。
【０００４】
また、検査工程では、例えばウエハ表面の電極パッドにプローブピンを電気的に接触させてプローブピンと電極パッドを電気的に接触させて検査を行なうが、この際酸化膜が絶縁体となって電気的導通を妨げるため、検査に先立って電極パッド表面の酸化膜を除去する必要がある。この場合に例えば特許文献１に記載の還元方法を用いて酸化膜を除去すれば、プラズマにより酸化膜を除去することができるが、ウエハを過酷な条件に曝すため、ウエハに形成された素子にダメージを与え、歩留まりが低下する虞がある。
【０００５】
一方、特許文献２には、自由原子またはラジカル状の粒子を生成する装置について記載されている。この装置は、例えば水素ガスやハロゲンガス等のガスを通すチューブと、このチューブに沿って配列され且つ電源に接続されたワイヤとを備え、印加電流によってワイヤを加熱し、その輻射熱でチューブ内を通るガスを１５００〜２５００Ｋに加熱することによりガスを熱分解して原子状物あるいはラジカルを製造し、これらのガスの原子状物質あるいはラジカルと他の物質との還元反応に供する。この装置は特許文献１の場合と比較して装置的にもコンパクトで、コスト的にも低廉であるが、チューブを高温に加熱する必要がある。
【０００６】
また、非特許文献１には、真空下で１５０℃以上の温度でこれらの銅酸化物、水酸化銅等を熱処理によって水等と銅酸化物として熱分解して水等を金属表面から除去すると共に、残留する銅酸化物を水素プラズマにより還元除去する技術が報告されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−３１１８６８号公報（特許請求の範囲の請求項１４及び段落
【００４１】）
【特許文献２】
米国特許第６１９１４１６Ｂ１号明細書（特許請求の範囲及び第４欄第４行〜第１６行）
【非特許文献１】
“Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｃｕ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｃｌｅａｎｉｎｇｂｙ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｌａｓｍａ”，Ｍ．Ｒ．Ｂａｋｌａｎｏｖ，Ｄ．Ｇ．Ｓｈａｍｉｒｙａｎ，Ｚｓ．Ｔｏｋｅｉ，Ｇ．Ｐ．Ｂｅｙｅｒ，Ｔ．Ｃｏｎａｒｄ，Ｓ．Ｖａｎｈａｅｌｅｍｅｅｒｓｃｈ，  ａｎｄＫ．Ｍａｅｘ  Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ  １９（４），Ｊｕｌ／Ａｕｇ  ２００１（第１２０１頁の緒言）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２に記載の技術の場合には、比較的簡便な装置で水素ガスから水素ラジカルや原子状水素を生成することができるが、これらの水素ラジカルや原子状水素による還元能力については明らかでない。また、非特許文献１の技術の場合には、真空下で水素プラズマを用いて１５０℃以上の温度で銅金属表面の銅酸化物や水酸化物等を還元するため、特許文献１の場合と同様に真空雰囲気下で還元を行わなくてならないという課題があった。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、常圧下でしかも比較的低い加熱温度で被処理体の金属層表面あるいは電極層の表面の酸化物等を還元することができ、被処理体のダメージを軽減することができる被処理体の還元方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の被処理体の還元方法は、被処理体の電極にプローブピンを当てて被検査体の電気的特性検査を行なう際に、上記被処理体に形成された電極の酸化膜を常圧下で還元する方法であって、上記被処理体を加熱する工程と、上記加熱後の被処理体の表面に水素ガスを含む還元性ガスを吹き付ける工程と、上記被処理体を加熱するに先立って不活性ガス雰囲気を形成する工程を備えたことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項２に記載の被処理体の還元方法は、請求項１に記載の発明において、上記還元性ガスを常温で使用することを特徴とすることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項３に記載の被処理体の還元方法は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記不活性ガスとして窒素ガスを用いることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項４に記載の被処理体の還元方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記電極は、銅または銅合金からなることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項５に記載の被処理体の還元方法は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記還元性ガスとしてフォーミングガスを用いることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項６に記載の被処理体の還元方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記被処理体の加熱温度を１５０〜２７０℃に設定することを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図７に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
まず、本発明の還元方法を実施するための還元処理装置の一例を図１に基づいて説明する。本実施形態では還元処理装置を検査装置内に設けた場合について説明する。本検査装置は、被処理体（例えば、ウエハ）を搬送するローダ室と、このローダ室に隣接し且つウエハの電気的特性検査を行なうプローバ室とを備えている。プローバ室にはプローブピンが配置され、ウエハを載置する載置台を介してウエハの電極パッドとプローブピンとを電気的に接触させてウエハの電気的特性検査を行う。
【００１７】
本実施形態で用いられる還元処理装置１０は、図１に示すように、検査装置のローダ室２０内に設置され、ウエハＷの電気的特性検査に先立って、ウエハＷの電極パッドに形成された酸化膜を還元するために用いられる。ウエハＷの電極パッドは例えば銅または銅合金によって形成されている。
【００１８】
而して、上記還元処理装置１０は、図１に示すように、処理室１１と、この処理室１１内に配置され且つウエハＷを載置する載置台１２と、この載置台１２の上方で処理室１１及びローダ室２０それぞれの上面を貫通して配置され且つ載置台１２上のウエハＷに向けて水素を含む還元性ガスを供給するガス供給体１３とを備え、ウエハＷ表面に形成された電極パッドの酸化膜（銅酸化物）を還元する。処理室１１の一側面にはローダ室２０を貫通する排気管１４が接続され、排気管１４を介して処理室１１内からローダ室２０の外側へ処理室１１内のガスを排気する。また、処理室１１の他側面には開閉扉１５が設けられ、開閉扉１５を介して処理室１１の出入口を開閉する。更に、載置台１２は、温度調節機構１２Ａ、複数の昇降ピン１２Ｂ及び真空吸着機構を内蔵し、後述の搬送機構から昇降ピン１２Ｂを介して載置台１２上にウエハＷを載置し、真空吸着機構を介してウエハＷを固定した後、温度調節機構１２Ａを介してウエハＷを所定温度まで加熱し、冷却できるようになっている。
【００１９】
還元性ガスとしては、例えば水素ガスとキャリアガスを含む混合ガスを使用することができる。還元性ガスは、キャリアガスによって水素ガス濃度が防爆範囲内（例えば、５容量％以下、具体的には３％程度）に調整されている。キャリアガスとしては窒素ガスの他に、例えば、アルゴン、ヘリウム等の希ガスを用いることができる。本実施形態では、還元性ガスとして例えば水素ガスと窒素ガスを含むフォーミングガスを用いる。
【００２０】
而して、上記ガス供給体１３は、例えば図２に示すように、白金族金属（例えば、パラジウム）によってガス流路として形成されたパラジウム箔を含むパラジウム管（例えば、直径が３〜１００ｍｍ）１３Ａが用いられる。
【００２１】
パラジウム管１３Ａの上端にはガス供給源（図示せず）が接続され、ガス供給源からパラジウム管１３Ａ内にフォーミングガスをマスフローコントローラで流量制御しながら供給する。
【００２２】
ローダ室２０は、図１に示すように、ウエハＷを搬送する搬送機構２１と、ウエハＷを収納するカセットＣを昇降する昇降機構（図示せず）と、還元処理用の処理室１１とを備え、搬送機構２１を介してカセットＣ内のウエハＷを処理室１１内に搬送し、還元処理後のウエハＷをローダ室２０からプローバ室（図示せず）へ搬送し、プローバ室内において電気的特性検査を行なう。また、電気的特性検査は、ローダ室２０に隣接するプローバ室（図示せず）において行われる。
【００２３】
次に、上記還元処理装置１０を用いた本発明の還元方法の一実施形態について図２〜図６を参照しながら説明する。まず、図３の（ａ）に示すように、ローダ室内の搬送機構を介してウエハＷを搬送すると共に処理室１１の開閉扉１５を開き、処理室１１内にウエハＷを搬送する。この間に載置台１２の昇降ピンを介して搬送機構から載置台１２上にウエハＷを載置し、真空吸着機構を介して固定すると共に開閉扉１５を閉じる（図３の（ｂ）参照）。次いで、不活性ガスとして窒素ガスを収納管１３Ｄから処理室１１内へ例えば１〜２Ｌ／分の流量で供給して処理室１１内の空気を窒素ガスで置換して不活性ガス雰囲気を形成する。
【００２４】
然る後、図３の（ｃ）に示すように不活性ガス雰囲気下でガス供給体１３から処理室１１内に載置台１２上のウエハＷに向けて還元性ガスとして例えば常温のフォーミングガスを１〜２Ｌ／分の流量で供給する。そして、同図の（ｄ）に示すように温度調節機構１２Ａを介して載置台１２を加熱して載置台１２上のウエハＷを例えば１５０〜２７０℃まで短時間（例えば５分）で急速加熱した後、この温度で同図の（ｅ）に示すようにウエハＷの銅、銅合金等によって形成された電極パッドを所定時間（例えば、５〜２０分間）フォーミングガスによって還元する。還元処理後、同図の（ｆ）に示すように引き続きフォーミングガスを供給しながら温度調節機構１２Ａを介してウエハＷを常温まで短時間（例えば５分）で急速冷却する。次いで、同図の（ｇ）に示すようにフォーミングガスの供給を停止した後、窒素ガスを収納管１３Ｄから処理室１１内へ供給して処理室１１内の空気を窒素ガスで置換して不活性ガス雰囲気を形成した後、開閉扉１５を開き、搬送機構を介して還元処理後のウエハＷを処理室１１からローダ室２０を経由してプローバ室内に搬送し、所定の電気的特性検査に供する。また、温度調節機構１２Ａに関し、冷却手段を持たない場合でも載置台１２を加熱した状態でウエハＷを吸着する前に開閉扉１５を閉じ、処理室１１内をフォーミングガスで置換した後にウエハＷを吸着し加熱還元処理することができる。
【００２５】
また、温度調節機構１２Ａとは別に、例えば図４（ａ）、（ｂ）に示す冷却装置を設けることもできる。この冷却装置は、同図の（ａ）、（ｂ）に示すように、拡縮移動可能な一対の冷却プレート１２Ｃを有している。この冷却装置を使用する場合には、処理室１１内の載置台１２上で上述のようにウエハＷを加熱、還元し、フォーミングガスを流した状態で昇降ピン１２ＢがウエハＷを載置台１２から持ち上げた後、この状態で冷却プレート１２Ｃが昇降ピン１２Ｂを挟むようにウエハＷと載置台１２間に進出する。そして、昇降ピン１２ＢがウエハＷを冷却プレート１２Ｃ上に載置した後あるいは僅かに離間した状態で、冷却プレート１２ＣでウエハＷを冷却する。冷却後には一対の冷却プレート１２Ｃが載置台１２上から退避した後、搬送機構２１が載置台１２へ進出し、昇降ピン１２Ｂで支持されたウエハＷを搬送し、プローバ室へ搬送する。また、冷却プレート１２Ｃを用いずにフォーミングガスを流した状態で昇降ピン１２ＢがウエハＷを載置台１２から持ち上げた状態で冷却することもできる。ウエハＷを持ち上げた後にフォーミングガスを流すようにしても良い。
【００２６】
【実施例】
次に、図５〜図７を参照しながらフォーミングガスを常温で使用する場合と加熱して使用する場合を例に挙げて銅ウエハ（銅薄膜＝１μｍ、ＴｉＮ下地＝１５ｎｍ）の酸化膜の還元について具体的に説明する。尚、還元処理前後の工程は上記各実施形態に準じて実施する。
【００２７】
実施例１
本実施例では室温の水素ガスと加熱（活性化）水素ガスの還元性能を観察した。即ち、処理室１１内を窒素雰囲気にした後、銅ウエハの酸化膜をフォーミングガス雰囲気下で還元処理し、銅薄膜層内の酸素原子の濃度分布（以下、単に「酸素濃度分布」と称す。）について観察した。具体的には、銅ウエハを載置台１２上に載置し、３５０℃に温度設定された載置台１２で銅ウエハを２７０℃に加熱した状態で室温のフォーミングガス（水素ガス濃度＝３容量％）を１〜２Ｌ／分の流量で銅ウエハに向けて供給して２０分間還元処理した後、その銅薄膜層内の酸素濃度分布をＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって観察し、この結果を図５に■印でプロットして示した。また、同様にして銅ウエハを３３５℃に加熱した状態でフォーミングガスを５５０℃に加熱し、水素ガスを活性化した後、銅ウエハに向けて供給して２０分間還元処理した後、その銅薄膜層内の酸素濃度分布をＸＰＳによって観察し、この結果を図５に▲印でプロットして示した。尚、還元処理前の銅ウエハの酸素濃度分布は図５に◆印でプロットして示した。
【００２８】
図５に示す結果によれば、室温のフォーミングガスを供給した場合には同図に■印で示すように銅薄膜層表面から深さが２０ｎｍに達する前に酸素濃度が０ａｔ％になっていることが判った。一方、加熱後のフォーミングガスを供給した場合には同図に▲印で示すように銅薄膜層表面から深さが２０ｎｍでは７〜８ａｔ％の酸素濃度を示し、室温のフォーミングガスを使用した場合よりも水素による還元性能が低下していることが判った。従って、室温のフォーミングガス、つまり室温の水素ガスは加熱水素ガスよりも還元能力が高いことが判った。この結果から、室温の水素を使用する場合には、銅ウエハの表面に水素が吸着してウエハ温度によって活性化して酸化銅を還元し、銅薄膜層の表面とその内側との間に酸素濃度の勾配ができ、内部から表面側への酸素原子の拡散が促進される。また、これと同時に室温の水素ガスによって温度低下した銅薄膜層表面とその内側との温度差による温度勾配により銅薄膜層内で酸素原子の表面側への拡散が促進され、水素による還元反応が更に進むものと推察される。これに対して、加熱水素を使用する場合には銅ウエハの銅薄膜層内の温度が表面の温度よりも高く、銅薄膜層内の酸素原子の拡散が遅れ、水素による還元反応が遅れるものと推察される。つまり、銅膜層内における酸素原子の拡散が還元反応の律速段階を形成していることが推察される。
【００２９】
実施例２
本実施例では窒素ガス雰囲気下で室温水素ガスを供給した場合と供給しない場合の銅ウエハの酸膜層内の酸素濃度分布を観察した。即ち、実施例１の場合と同様に、３５０℃に温度設定された載置台１２で銅ウエハを２７０℃に加熱した状態で室温のフォーミングガスを１〜２Ｌ／分の流量で銅ウエハに向けて供給して２０分間還元処理した後、その銅薄膜層内の酸素濃度分布をＸ線光電子分光器（ＸＰＳ）によって観察し、この結果を図６に●印で示す酸素濃度分布が得られた。また、窒素ガス雰囲気下で銅ウエハを３３５℃で２０分間加熱した後、その銅薄膜層内の酸素濃度分布をＸＰＳによって観察し、この結果を同図に■印で示す酸素濃度分布が得られた。尚、還元処理前の銅ウエハの酸素濃度分布は同図に◆印でプロットして示した。
【００３０】
図６に示す結果によれば、室温のフォーミングガスを実施例１と同一の条件で供給した場合には、同図に●印で示すように銅薄膜層での還元が促進され、実施例１と同様の結果が得られた。これに対し、窒素ガス雰囲気下で銅ウエハを加熱処理した場合には、同図に■印で示すように窒素ガス中に不純物として含まれる酸素による酸化反応が進み、同図に◆印で示す未処理の銅ウエハよりも酸素濃度が高くなることが判った。
【００３１】
実施例３
本実施例では還元反応に対する銅ウエハの温度の影響について観察した。本実施例では実施例２の場合よりも銅ウエハの温度を上げて還元及び熱処理を行った。即ち、銅ウエハを還元する場合には銅ウエハの温度を３４０℃に高めた以外は実施例１、２と同様の条件で銅薄膜層の還元処理を行い、その結果、図７に●印で示す酸素濃度分布が得られた。また、銅ウエハを熱処理する場合には銅ウエハの温度を４００℃に高めた以外には実施例２と同一の条件で銅薄膜層の熱処理を行い、その結果、同図に■印で示す酸素濃度分布が得られた。尚、還元処理前の銅ウエハの酸素濃度分布は同図に◆印でプロットして示した。
【００３２】
図７に示す結果によれば、室温のフォーミングガスで還元処理を行った場合には、同図に●印で示すように実施例１、２と同様の結果が得られた。従って、室温の水素ガスによって銅ウエハを還元する場合には同図に●印で示すように銅ウエハの温度を精々２７０℃まで加熱すれば良いことが判った。これに対し、窒素ガス雰囲気下で銅ウエハを加熱処理した場合には、同図に■印で示すように銅ウエハの温度が高くなるほど酸化反応が進み、銅酸化物の膜厚が厚くなることが判った。
【００３３】
尚、上記各実施例には２７０℃以下での還元反応についての説明を省略したが、銅ウエハの温度が１５０〜２７０℃の範囲では上記各実施形態に準じた還元結果が得られた。この温度範囲よりも高い温度にウエハＷを加熱しても還元能力が向上しないことが判った。
【００３４】
以上説明したように本実施形態によれば、銅ウエハに形成された銅薄膜層の酸化膜を常圧下で還元する際に、予め窒素ガス雰囲気を形成した後、銅ウエハを１５０〜２７０℃の範囲で加熱し、加熱後の銅ウエハの表面に室温のフォーミングガスを吹き付けるようにしたため、常圧下であっても比較的低い加熱温度で銅ウエハの銅薄膜層表面の銅酸化物を還元することができ、しかも銅ウエハの損傷を防止することができる。
【００３５】
また、本実施形態によれば、ウエハの銅または銅合金からなる電極パッドにプローブピンを接触させてウエハの電気的特性検査を行なうに先立って電極パッドの酸化膜を常圧下で還元する際に、ローダ室２０の処理室１１内において予め窒素ガス雰囲気を形成した後、ウエハを１５０〜２７０℃の範囲で加熱し、加熱後のウエハの表面に室温のフォーミングガスを吹き付けるようにしたため、常圧下でも比較的低い加熱温度でウエハの電極パッド表面の銅酸化物を還元することができ、ウエハの電気的特性検査を行なう際にプローブピンと電極パッドとを極めて低い針圧（例えば、０．２ｍＮ以下）で接触させるだけでこれら両者間の電気的導通を取ることができ、従来と比べてプローブピンと電極パッド間の針圧を格段に抑制し、電極パッド等の損傷を防止することができる。従って、電極パッドやその下地層等の成膜層が薄膜化してもプローブピンからの針圧で成膜層を損傷させることなく安定した信頼性の高い検査を行なうことができる。
【００３６】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば水素ガスを含むガスはフォーミングガスに限定されるものではなく、必要に応じてキャリアガスを不活性ガスの中から適宜選択して使用することができる。また、ウエハの還元処理はカセット内のウエハを一括して行なうこともできる。また、上記実施形態では被処理体としてウエハを用いたが、ウエハ以外のパッケージ品にも本発明を適用することができる。また、還元処理装置は検査装置の外側に設置しても良い。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の請求項１〜請求項６に記載の発明によれば、常圧下でしかも比較的低い加熱温度で被処理体の金属層表面あるいは電極層の表面の酸化物等を還元することができ、被処理体のダメージを軽減することができる被処理体の還元方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の被処理体の還元方法を実施する際に好適に用いられる検査装置のローダ室を還元処理装置と一緒に示す断面図である。
【図２】図１の検査装置に用いられるガス供給体の一例を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｈ）はそれぞれ本発明の被処理体の還元方法の一実施形態の各工程を示す概念図である。
【図４】図１の検査装置に組み込まれた還元処理装置の他の例を示す図で、（ａ）はその断面図、（ｂ）はその平面図である。
【図５】本発明の被処理体の還元方法の第１の実施例の実験結果を示す銅薄膜層の表面からの深さと酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図６】本発明の被処理体の還元方法の第２の実施例の実験結果を示す銅薄膜層の表面からの深さと酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の被処理体の還元方法の第３の実施例の実験結果を示す銅薄膜層の表面からの深さと酸素濃度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１０    還元処理装置
１１    処理室
１３    ガス供給体
１４    プローブカード
２０    ローダ室（検査装置）
Ｗ    ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004172401.tif 000005
【図４】
2004172401.tif 000006
【図５】
2004172401.tif 000007
【図６】
2004172401.tif 000008
【図７】
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