(57)【要約】【課題】電解めっきにより配線を形成するにあたって、配線の最表層をシアン化合物を含むめっき液を使用して形成する場合に、当該最表層の配線端面への回り込みによる弊害を防止する。【解決手段】半導体基板１０の一面上にシード層３１を成膜し、シード層３１の表面のうち配線３０を形成する予定の部位に開口部を有するレジストを形成し、レジストの開口部から露出するシード層３１の表面に電解めっき法により導電層３２、３３を形成し、その上にシアン化合物を含むめっき液を使用した電解めっき法によって金属層３４を形成した後、レジストを除去し、レジストが除去された部分におけるシード層３１をエッチングして除去する。このような形成方法において、金属層３４のめっき液中のシアン化合物濃度を制御することにより、配線３０の端面への金属層３４の回り込み量を制御する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解めっきを用いた配線（３０）の形成方法であって、
基板（１０）の一面上に、シード層（３１）を成膜する工程と、
前記シード層の表面のうち前記配線を形成する予定の部位に開口部を有するレジスト（６０）を形成する工程と、
前記レジストの開口部から露出する前記シード層の表面に電解めっき法により導電層（３２、３３）を形成する工程と、
前記導電層の上にシアン化合物を含むめっき液を使用した電解めっき法によって前記配線の最表層となる金属層（３４）を形成する工程と、
その後、前記レジストを除去する工程と、
前記レジストが除去された部分における前記シード層をエッチングして除去する工程とを備え、
前記金属層の前記めっき液中のシアン化合物濃度を制御することにより、前記配線の端面への前記金属層の回り込み量を制御するようにしたことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
前記金属層（３４）を形成するための前記めっき液中のシアン化合物濃度を７．９４ｇ／リットル以下となるように制御することを特徴とする請求項１に記載の配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電解めっきを用いた配線の形成方法に関し、例えばＣＳＰ（チップサイズパッケージ）の再配線などの形成に適用することができる。
【０００２】
【従来の技術】
従来の一般的な配線の形成方法についてＣＳＰを例にとって示す。図８はＣＳＰの要部概略断面図である。半導体基板１０の取出電極１２とはんだバンプ４０との間が再配線３０によって電気的に接続されている。再配線３０の形成方法は次のようである。
【０００３】
まず、半導体基板１０に、半導体プロセスにてトランジスタなどの半導体素子やアルミニウムなどからなる配線１１や取出電極１２などを形成し、この半導体基板１０の上に、半導体素子や配線１１を保護するとともに取出電極１２を露出させたパッシベーション膜１３を形成する。
【０００４】
このパッシベーション膜１３の上にポリイミドなどからなる層間膜２０を形成し、続いて、基板１０上の取出電極１２の上部にて層間膜２０をエッチングなどにより除去して開口部２１を形成する（層間膜形成工程）。
【０００５】
次に、この開口部２１から露出する取出電極１２を含む層間膜２０の全面に、ＣｒやＣｕなどのスパッタなどにより成膜されたシード層３１を形成する（シード層形成工程）。
【０００６】
次に、シード層３１の表面のうち再配線３０を形成する予定の部位以外の部位にレジストを形成する（レジスト形成工程）。すなわち、再配線を形成しない部位にレジストを形成し、当該部位をレジストにて被覆する。なお、レジストについては後述の図１０に図示されている。
【０００７】
次に、レジストの開口部から露出するシード層３１すなわち再配線３０の一番下の層となるシード層３１の表面に、電解めっき法により導電層３２、３３を形成する（導電層形成工程）。例えば、下から順にＣｕ層３２、Ｎｉ層３３を形成する。
【０００８】
次に、導電層３２、３３の上に電解めっき法によって再配線３０の最表層となる金属層３４を形成する（金属層形成工程）。この金属層３４としては、例えば、Ｎｉ層３３の酸化を防止してはんだバンプ４０に対するはんだ濡れ性を確保するためにＡｕ層３４が形成される。
【０００９】
その後、剥離液などを用いて上記レジストを除去し（レジスト除去工程）、レジストが除去された部分におけるシード層３１を酸などのエッチング液を用いてエッチングし除去する（シード層エッチング工程）。こうして、残ったシード層３１、導電層３２、３３および金属層３４よりなる再配線３０が形成される。
【００１０】
その後、半導体基板１０の上に、ポリイミドなどからなる保護膜５０を形成する（保護膜形成工程）。この保護膜５０は、再配線３０におけるはんだバンプ４０との接続部を開口させた状態で形成する。
【００１１】
そして、印刷、はんだボールなどの手法を用いてはんだバンプ４０を形成し、保護膜５０の開口部５１を介して再配線３０とはんだバンプ４０とを電気的・機械的に接続する（はんだバンプ形成工程）。こうして、図８に示すＣＳＰ構造ができあがる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記配線の形成方法について本発明者らが検討を行ったところ、次のような問題が生じることがわかった。図９は、上記したＣＳＰにおける従来の再配線３０の概略断面図であり、上記シード層やはんだバンプは省略し、さらに半導体基板１０のパッシベーション膜なども省略してある。
【００１３】
図９に示すように、再配線３０における最表層のＡｕ層３４が、再配線３０の端面に回り込んで形成されており、当該端面においてすだれ状のＡｕ層３４’となっている。また、再配線３０において、すだれ状のＡｕ層３４’の内側では大きくえぐられた部分が形成されており、その部分では保護膜５０が形成されずに、気泡が残留しボイドＢとなっている。
【００１４】
このようなすだれ状のＡｕ層３４’が発生し、図９に示すように、外側に広がった形状となる場合、このすだれ状のＡｕ層３４’は隣接する再配線（図示せず）に近づくため、再配線間の絶縁抵抗の低下、さらには短絡の誘発を招く。また、ボイドＢの発生は同じく絶縁性の低下などの信頼性低下につながる。
【００１５】
さらに本発明者らが検討を行ったところ、上記再配線における最表層の再配線の端面への回り込みは、Ａｕめっき以外にもシアン化合物を含むめっき液を使用するＡｇめっきや亜鉛めっきなどの電解めっきにて生じることがわかった。通常、ＡｕめっきではＫＡｕ（ＣＮ）２を用い、ＡｇめっきではＫＡｇ（ＣＮ）２を用い、亜鉛めっきではＺｎ（ＣＮ）２を用いる。
【００１６】
このシアン化合物を含むめっき液を使用した場合における、最表層の再配線の端面への回り込みのメカニズムは、次のように考えられる。図１０は、Ａｕめっきを例にとって、この推定メカニズムを示す概略断面図である。
【００１７】
図１０（ａ）では、Ｃｕからなるシード層３１の表面のうち再配線３０を形成する予定の部位以外の部位にレジスト６０が形成され、レジスト６０の開口部から露出するシード層３１の表面に、電解めっき法により導電層としてのＣｕ層３２、Ｎｉ層３３が形成されている。
【００１８】
そして、このＮｉ層３３の上にＫＡｕ（ＣＮ）２水溶液を用いてＡｕ層３４の電解めっきを行う。図１０（ａ）に示すように、Ｎｉ層３３の上にＡｕが析出するが、このＡｕの析出時にシアンイオン（ＣＮ−）が生成する。この反応は次の化学式１に示される。
【００１９】
【化１】
ＫＡｕ（ＣＮ）２　⇔　Ｋ＋　＋　Ａｕ（ＣＮ）２−
Ａｕ（ＣＮ）２−　＋　ｅ−　⇔　２ＣＮ−　＋　Ａｕ
そして、このシアンイオンがレジスト６０と配線（導電層３２、３３）の間に浸透し、アルカリであるシアンイオンがレジスト６０を劣化させてレジスト６０と配線との隙間を助長する。
【００２０】
すると、図１０（ｂ）に示すように、レジスト６０と配線との隙間にめっき液が侵入する。その結果、図１０（ｃ）に示すように、当該隙間にしみ込んだめっき液によって導電層３２、３３の端面にもＡｕが析出し、これがすだれ状のＡｕ層３４’となる。
【００２１】
この状態で、レジスト６０を除去し、シード層３１のエッチングを行う。このとき、図１０（ｄ）に示すように、導電層３２、３３のうちシード層３１と同じ材料であるＣｕ層３２もサイドエッチングされるが、端面に析出したＡｕ層３４’がマスクとなってＣｕ層３２が局所的にサイドエッチングされ、また、当該端面のＡｕ層３４’はすだれ状に残る。
【００２２】
そのため、この後保護膜を形成した場合、上記図９に示したように、すだれ状のＡｕ層３４’が存在するとともに、ボイドＢが存在した形となる。以上が本発明者らの考えた推定メカニズムである。
【００２３】
本発明は上記問題に鑑み、電解めっきにより配線を形成するにあたって、配線の最表層をシアン化合物を含むめっき液を使用して形成する場合に、当該最表層の配線端面への回り込みによる弊害を防止することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、配線端面への最表層の回り込みを抑制してすだれ状の最表層を形成させないこと、あるいは、最表層が配線端面の全体を覆ってしまえば、シード層のエッチングにおける当該端面のサイドエッチングを防止できることに着目した。
【００２５】
そして、鋭意実験検討した結果、図３に示すように、最表層のめっき液中のシアン化合物濃度と配線端面への最表層の回り込み量との間に相関があることを見出した。本発明は、この知見に基づいてなされたものである。
【００２６】
すなわち、請求項１に記載の発明では、電解めっきを用いた配線（３０）の形成方法であって、基板（１０）の一面上に、シード層（３１）を成膜する工程と、シード層の表面のうち配線を形成する予定の部位に開口部を有するレジスト（６０）を形成する工程と、レジストの開口部から露出するシード層の表面に電解めっき法により導電層（３２、３３）を形成する工程と、導電層の上にシアン化合物を含むめっき液を使用した電解めっき法によって配線の最表層となる金属層（３４）を形成する工程と、その後、レジストを除去する工程と、レジストが除去された部分におけるシード層をエッチングして除去する工程とを備え、金属層のめっき液中のシアン化合物濃度を制御することにより、配線の端面への金属層の回り込み量を制御するようにしたことを特徴とする。
【００２７】
それによれば、最表層である金属層のめっき液中のシアン化合物濃度を制御することにより、配線の端面への金属層の回り込み量を制御することができる。そのため、最表層の配線端面への回り込みによる配線間の絶縁抵抗の低下、短絡の誘発、ボイドの発生などの弊害を防止することができる。
【００２８】
また、請求項２に記載の発明では、金属層（３４）を形成するためのめっき液中のシアン化合物濃度を７．９４ｇ／リットル以下となるように制御することを特徴としている。
【００２９】
それによれば、配線端面への最表層の回り込みを抑制することができ、すだれ状の最表層の発生、さらにはボイドの発生を防止することができる。
【００３０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。本実施形態では、電解めっきで形成される配線としてＣＳＰの再配線に適用した例を説明する。
【００３２】
本実施形態に係るＣＳＰの全体構成は上記図８に示した構成と同様である。多少重複する部分もあるが、本実施形態のＣＳＰについて図８を参照して説明する。
【００３３】
半導体基板１０は、シリコン基板などから構成されており、この半導体基板１０には、図示しないトランジスタなどの半導体素子が形成されている。また、半導体基板１０の一面側には上記半導体素子と導通するアルミなどからなる配線１１や取出電極（パッド）１２が形成されている。
【００３４】
半導体基板１０の一面上には、半導体素子や配線１１を被覆して保護するシリコン窒化膜などからなるパッシベーション膜１３が形成されている。ここで、パッシベーション膜１３は取出電極１２上には開口している。なお、これら半導体素子、配線１１、取出電極１２、パッシベーション膜１３は周知の半導体プロセスにより形成することができる。
【００３５】
このパッシベーション膜１３の上には、絶縁性の膜材料からなる層間膜２０が形成されている。この層間膜２０は上部の再配線３０と半導体基板１０との応力緩和などの役割をなすもので、例えば、ポリイミドなどを塗布して硬化させることで形成できる。また、取出電極１２の上部にて層間膜２０はエッチングなどにより除去されて開口部２１が形成されている。
【００３６】
そして、層間膜２０の上には再配線３０が所定のパターンにて形成されている。この再配線３０は、ＣＳＰにおいて所定のピッチで整列配置されるはんだバンプ４０と取出電極１２とを電気的に接続するために必要なものである。
【００３７】
再配線３０は、層間膜２０の開口部２１を介して取出電極１２と電気的に導通しており、層間膜２０の開口部２１からはんだバンプ４０の配置部分まで所定の配線パターンを有して延びている。
【００３８】
この再配線３０は電解めっきを用いて形成される配線であり、半導体基板１０側からシード層３１、導電層３２、３３、および最表層の金属層３４が順次積層されてなる積層配線である。これら各層３１〜３４のうちシード層３１以外は電解めっきにより形成される。
【００３９】
再配線３０においてシード層３１は、ＣｒやＣｕなどを用いてスパッタなどにより成膜された導電性膜である。本例では、シード層３１は半導体基板１０側から順にＣｒ、Ｃｕの膜が積層されたＣｕ／Ｃｒ積層構造のものである。
【００４０】
シード層３１の上の導電層３２、３３は、ＣｕやＮｉなどの電解めっきにより形成されためっき膜である。本例では、導電層はシード層３１側から順に、膜厚１０μｍ程度のＣｕ層３２、はんだバンプ４０のはんだ拡散防止層としての膜厚１μｍ〜５μｍ程度のＮｉ層３３が積層された構造である。
【００４１】
導電層３２、３３の上の層すなわち再配線３０の最表層である金属層３４は、シアン化合物を含むめっき液を使用した電解めっき法によって成膜されためっき膜である。具体的には、ＫＡｕ（ＣＮ）２を用いたＡｕめっき膜、ＫＡｇ（ＣＮ）２を用いたＡｇめっき膜、Ｚｎ（ＣＮ）２を用いた亜鉛めっき膜などにできる。本例では、金属層３４はＡｕめっき膜としてのＡｕ層３４であり、その膜厚は０．０１μｍ〜０．５μｍ程度である。
【００４２】
なお、上記例では導電層はＣｕ層３２とＮｉ層３３との２層であったが３層以上でも良く、また、１層で良い。例えば、導電層としてＣｕ層のみとし、その上に金属層としてＡｕ層を設けた構成でも良い。
【００４３】
このように構成された再配線３０および層間膜２０の上には、ポリイミドなどの絶縁性膜からなる保護膜５０が形成されている。保護膜５０のうち再配線３０上の所定部位には、開口部５１が形成されており、この開口部５１を介して再配線３０とはんだバンプ４０とが電気的・機械的に接続されている。
【００４４】
このようなＣＳＰは、プリント基板やセラミック基板などの配線基板上にはんだバンプ４０側にて搭載され、はんだバンプ４０をリフローさせることにより上記配線基板に実装される。
【００４５】
また、図８に示すＣＳＰは、「従来技術」の欄にて述べたように、パッシベーション膜１３まで形成された半導体基板１０に対し、層間膜形成、シード層形成、レジスト形成、導電層形成、金属層形成、レジスト除去、シード層エッチングの各工程を行うことにより製造することができる。
【００４６】
ここにおいて、本実施形態のＣＳＰでは、再配線３０の最表層である金属層３４を形成する金属層形成工程において、金属層３４を形成するためのめっき液中のシアン化合物濃度を制御することにより、再配線３０の端面への金属層３４の回り込み量を制御するようにしたことを主たる特徴としている。
【００４７】
ここで、金属層３４のめっき液中、金属層３４を構成する金属のシアン化合物以外のシアン化合物が含まれる場合は、それらすべてのシアン化合物の総計としての濃度を制御する。
【００４８】
本例では、金属層としてのＡｕ層３４のめっき液はＫＡｕ（ＣＮ）２水溶液であり、この水溶液におけるシアン化合物濃度であるＫＡｕ（ＣＮ）２の濃度（以下、単にシアン濃度という）を７．９４ｇ／リットル以下となるように制御している。
【００４９】
ここで、このようにシアン濃度を制御しためっき液においては、緩衝塩としてクエン酸およびその塩などを用いてｐＨを４程度に調整する。なお、本例では、Ａｕ層３４のめっき液はＫＡｕ（ＣＮ）２以外のシアン化合物はあらかじめ除去してある。
【００５０】
図１は、それにより形成された本例の再配線３０の概略断面図である。図１においては、上記はんだバンプ４０は省略し、さらに半導体基板１０の配線１１なども省略してある。
【００５１】
図１に示すように、本例の再配線３０は、再配線３０の端面（側面）へのＡｕ層３４の回り込みは、シード層３１のエッチングによってサイドエッチングされないＮｉ層３３の厚さ以下の回り込み量に抑えられている。そのため、シード層３１のエッチングによって従来発生していた、すだれ状のＡｕ層やそれに伴う保護膜５０中のボイドの発生が防止されている。
【００５２】
この図１に示すような配線端面への回り込みが抑制された金属層３４が形成されることは、上記図１０に示したメカニズムに基づいて説明できる。
【００５３】
すなわち、めっき液中のシアン化合物濃度を７．９４ｇ／リットル以下と低減したことにより、シアンイオンのレジストへの攻撃が抑制され、結果、レジストと配線との隙間へのめっき液の染みだしが抑制される。そのため、図１に示す金属層３４が形成されると考えられる。
【００５４】
金属層３４のめっき液中のシアン化合物濃度を制御することにより、再配線３０の端面への金属層３４の回り込み量を制御することは、次の検証により確認できる。図２は、この検証実験の方法を示す図である。
【００５５】
図２（ａ）はこの検証実験に用いる治具Ｋ１の斜視図である。治具Ｋ１は、絶縁性の樹脂などからなる２枚のプレートＫ２をわずかな隙間を空けて対面させ固定したものである。
【００５６】
そして、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、この治具Ｋ１における２枚のプレートＫ２の隙間に金属板Ｋ３を挿入配置し、これをめっき槽Ｋ１０に入ったＫＡｕ（ＣＮ）２水溶液からなるめっき液中に浸漬させる。図２（ｂ）は治具Ｋ１の上方から見た図、図２（ｃ）は治具Ｋ１の側面からプレートＫ２を透過して金属板Ｋ３を見た図である。
【００５７】
そして、金属板Ｋ３を陰極とし、他方に陽極Ｋ４を配置して電解めっきを行う。このとき、金属板Ｋ３と治具Ｋ１のプレートＫ２とのわずかな隙間からめっき液がしみ込み、図２（ｃ）中の斜線ハッチングに示すように、金属板Ｋ３の側面にＡｕ層Ｋ５が析出する。
【００５８】
このとき金属板Ｋ３の中央部におけるＡｕ層Ｋ５のしみ込み長さＬを測定する。そして、めっき液中のシアン濃度を変えていき、このしみ込み長さＬを測定した。このしみ込み長さＬが大きいことは、配線端面への金属層３４の回り込み量が多いことになる。
【００５９】
図３はシアン濃度としみ込み長さＬとの関係を示す図である。なお、図３では、シアン濃度はＫＡｕ（ＣＮ）２ではなくＡｕ単体の濃度に換算した濃度（Ａｕ濃度）として示してある。この結果から、最表層である金属層３４のめっき液中のシアン化合物濃度と配線端面への金属層３４の回り込み量との間に相関があり、当該シアン化合物濃度が低いほど当該回り込み量が小さいことがわかる。
【００６０】
実際に本例のＡｕ層３４について、めっき液のシアン濃度を変えて、再配線３０の端面をＳＥＭ観察した。図４は、そのＳＥＭ写真に基づいて再配線３０の端面近傍を模式的に示す図である。
【００６１】
図４において、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれシアン濃度が１．５９ｇ／リットル（１ｇ／リットル）、７．９４ｇ／リットル（５ｇ／リットル）、２３．８１ｇ／リットル（１５ｇ／リットル）の場合を示す。なお、かっこ内の濃度は、上記図３に使用したＡｕ濃度である。
【００６２】
図４から実際に、金属層３４のめっき液中のシアン濃度を７．９４ｇ／リットル以下となるように制御することで、配線端面への金属層３４の回り込みを抑制し、すだれ状の金属層（最表層）３４’の発生さらにはボイドの発生を防止できることが確認された。
【００６３】
さらに、シアン濃度を０．２６ｇ／リットルと制御しためっき液を用いてＡｕ層３４を形成するときに、その膜厚を０．１μｍ、０．３μｍ、０．５μｍと変えていったが、どの膜厚においても、上記図４（ａ）に示したものと同様に、Ａｕ層３４の配線端面への回り込みは０であった。
【００６４】
次に、本実施形態の変形例を図５〜図７に示す。なお、これら図５〜図７においても、上記図１と同様、場合によって、はんだバンプ４０は省略し、さらに半導体基板１０の配線１１なども省略してある。
【００６５】
図５に示す第１の変形例は、上記図１において保護膜５０の開口部５１形状を変形したものである。すなわち、再配線３０の端面へのＡｕ層３４の回り込みがＮｉ層３３にとどまる場合、保護膜５０の開口部５１を上記図１よりも広くして、この端面に回り込んだＡｕ層３４もはんだバンプ４０との接合面とするものである。
【００６６】
それにより、本第１の変形例では、上記図１に比べてはんだバンプ４０の接合面積が増大するとともに、平面ではなく立体面で接合することができるので、接合強度の向上ひいては接合信頼性の向上が図れる。本例は保護膜５０の開口部５１の形成パターンを変えるのみで容易に作ることができる。
【００６７】
図６に示す第２の変形例は、最表層である金属層３４が再配線３０のうちのシード層３１よりも上側の端面全体を覆うようにしたものである。本例は、めっき液のシアン濃度を高くすることでむしろ金属層３４の回り込み量を多くすることで実現可能である。
【００６８】
それにより、シード層３１のエッチングにおいては、再配線３０のうちのシード層３１よりも上側の端面全体が金属層３４でマスクされるので当該端面のサイドエッチングを防止できる。そのため、従来発生していたすだれ状のＡｕ層やそれに伴う保護膜５０中のボイドの発生が防止されている。
【００６９】
図７に示す第３の変形例では、再配線３０をＡｕバンプの代替部材として用いるものである。すなわち、導電層をＣｕまたはＮｉからなる突起部３２ａとして形成し、その表面にＡｕ層３４を形成する場合に、めっき液のシアン濃度を高くすることで突起部３２ａの端面（側面）全体に金属層３４を回り込んで形成する。
【００７０】
以上のように、本実施形態によれば、最表層である金属層３４のめっき液中のシアン化合物濃度を制御することにより、配線３０の端面への金属層３４の回り込み量を制御することができる。そのため、最表層である金属層３４の配線端面への回り込みによる配線間の絶縁抵抗の低下、短絡の誘発、ボイドの発生などの弊害を防止することができる。
【００７１】
なお、上述したように、本実施形態は、配線の最表層である金属層がＡｕめっき膜であるもの以外にも、Ａｇめっき膜や亜鉛めっき膜などのシアン化合物を含むめっき液を使用した電解めっき法によって成膜されためっき膜であれば、適用できる。
【００７２】
また、本発明は、電解めっきを用いた配線であって最表層がシアン化合物を含むめっき液を使用した配線の形成方法であれば、適用できるものであり、上記ＣＳＰの再配線に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るＣＳＰにおける再配線の概略断面図である。
【図２】めっき液中のシアン化合物濃度の制御により配線端面への金属層の回り込み量を制御することを検証する実験の方法を示す図である。
【図３】シアン化合物濃度としみ込み長さＬとの関係を示す図である。
【図４】めっき液のシアン化合物濃度を変えたときの再配線の端面近傍を模式的に示す図である。
【図５】上記実施形態の第１の変形例を示す概略断面図である。
【図６】上記実施形態の第２の変形例を示す概略断面図である。
【図７】上記実施形態の第３の変形例を示す概略断面図である。
【図８】ＣＳＰの概略断面図である。
【図９】上記図８に示すＣＳＰにおける再配線の従来構成を示す概略断面図である。
【図１０】再配線における最表層が再配線の端面へ回り込むことの推定メカニズムを示す図である。
【符号の説明】
１０…半導体基板、３０…再配線、３１…シード層、３２、３３…導電層、
３４…金属層、６０…レジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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