(57)【要約】【課題】マルチ電子ビーム装置において、高いビーム計測精度と高速計測の両立するビーム計測センサーおよびそれを用いた計測方法を提供する。【解決手段】電子ビーム計測用ファラディカップ（２）において、タンタルもしくはタンタル以上の原子番号の大きな重金属材料を用い、かつアスペクト比の高いファラディカップ構造をとることにより微細でも高加速電子ビーム（１）に対してもビーム漏えいの少ない電子ビーム計測が可能となる。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム特性を計測するための電子ビーム収集部を備えたファラディカップを有し、かつ、前記電子ビーム収集部の部材を、タンタルもしくはタンタルよりも原子番号の大きな重金属、またはそれらの重金属のうち少なくとも一つを主成分とする複合物で構成したことを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【請求項２】
前記電子ビーム収集部は、開口を有する凹み形状をなし、前記凹み形状の底面および側壁の厚さが計測する電子ビームに対する飛程よりも厚く、かつ前記凹み形状の深さを前記開口の寸法の４倍以上あるよう構成したことを特徴とする請求項１項記載の電子ビーム計測用センサー。
【請求項３】
前記凹み形状の前記開口の寸法を上部ほど小さく構成したことを特徴とする請求項２記載の電子ビーム計測用センサー。
【請求項４】
前記電子ビーム収集部の部材を、タンタル、タングステン、金のうちいずれか一つの重金属で構成したことを特徴とする請求項１記載の電子ビーム計測用センサー。
【請求項５】
前記ファラディカップが、マルチ電子ビームに対応して、所定の間隔で二次元的に配列された複数個のファラディカップで構成されていることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム計測用センサー。
【請求項６】
前記ファラディカップの配列ピッチが、前記電子ビーム収集部の電子ビームに対する飛程の２倍より大きく、かつ計測する複数の電子ビーム間隔と同じかもしくはその整数倍であることを特徴とする請求項５記載の電子ビーム計測用センサー。
【請求項７】
前記複数個のファラディカップが、絶縁膜層を挟んだ同一基板上に形成されていることを特徴とする請求項５記載の電子ビーム計測用センサー。
【請求項８】
前記複数個のファラディカップが、それぞれ電子ビームの電流を計測するための電流計と個別の配線で結線されており、かつ前記配線が前記基板内に多層構造で形成されていることを特徴とする請求項７記載の電子ビーム計測用センサー。
【請求項９】
マルチ電子ビームのビーム間隔の整数倍の配列ピッチで二次元的に配置され、タンタルもしくはタンタルよりも原子番号の大きな重金属で構成された複数個のファラディカップに前記マルチ電子ビームを照射して、個々の電子ビームのビーム電流量を計測する工程を有し、かつ、前記複数の電子ビームのうち、前記ファラディカップに対向していない電子ビームの照射を停止し、前記ファラディカップに対向した電子ビームのみを選択的に前記ファラディカップに照射するようにして、個々のファラディカップの吸収電流値により前記ビーム電流量を計測するよう構成したことを特徴とする電子ビーム計測方法。
【請求項１０】
マルチ電子ビームのビーム間隔の整数倍の配列ピッチで二次元的に配置され、タンタルもしくはタンタルよりも原子番号の大きな重金属で構成された複数個のファラディカップに前記マルチ電子ビームを照射して、個々の電子ビームのビーム電流量を計測する工程を有し、かつ、前記複数個のファラディカップのうち、電子ビームが照射された第１のファラディカップの吸収電流値に、前記第１のファラディカップに隣接する第２のファラディカップの吸収電流値の一部を加え合わせることにより、前記個々のビーム電流量を計測するよう構成したことを特徴とする電子ビーム計測方法。
【請求項１１】
前記ファラディカップに負の電圧を印加しながら、前記ファラディカップに対向した位置に電子ビームを照射させるよう構成したことを特徴とする請求項９記載の電子ビーム計測方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームの電流値等の特性を計測する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子ビーム計測には、ステージ上に設けた数ミリメータ程度の大きな開口を有したファディカップが用いられてきた。
【０００３】
この場合、入射した電子ビームを効率的に吸収させるためにファディカップの材料は、反射電子係数の小さな比較的軽い金属、あるいは特開平３−４８１９０号公報に記載されているようにシリコン（Ｓｉ）基板が最適であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
電子ビーム装置の処理高速化のためには、同時に複数のビームを用いて描画あるいは測長を行うマルチビームシステム（マルチ電子ビーム装置）が必要である。このようなマルチビームシステムでは小さな領域に微細な電子ビームが高密度に配列され、それぞれが個別の電子光学系を通るために、ビーム計測はそれぞれのビーム毎に個別に行う必要がある。このようなマルチビームをひとつのファラディカップを用いて計測すると１本づつ計測を行うために時間がかかる。
【０００５】
一方、特開平１１−１７６３６５号公報では、複数本の鏡筒とこれに対向したファラディカップを並べたシステムが示されているが、従来の比較的軽い金属あるいはシリコン基板によるファラディカップで微細かつ高密度に配置したものを用いると、入射した電子ビームの大部分がファラディカップを通過してしまい、正確な計測ができない問題がある。
【０００６】
また、特開平８−１７９０４６号公報では、イオンビーム測定用に金（Ａｕ）のファラディカップを用いた例があげられているが、これは酸素イオンビームが照射される場合の酸化による帯電という課題に対応するもので、不活性の材料として金が用いられている。
【０００７】
本発明の目的は、マルチ電子ビーム装置において、高いビーム計測精度と高速計測の両立するビーム計測センサーおよびそれを用いた計測方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を解決するため、本発明では、電子ビーム特性を計測するファラディカップを構成する電子ビーム収集部の部材として、タンタル（Ｔａ）もしくはＴａよりも原子番号の大きな重金属（例えば、Ｗ（タングステン）、Ａｕ等）、またはそれらを主成分とする複合物を用いる。
【０００９】
この場合、ファラディカップ底面からの反射電子が多くなるので、ファラディカップをアスペクト比４以上の深穴とすることにより、吸収効率の良い微細ファラディカップが可能となる。さらに、ファラディカップ開口寸法を上部ほど小さくすることにより、反射電子の閉じ込めがより確実にできるので、正確な計測が実現できる。
【００１０】
このようなファラディカップを複数かつ高密度に配置することでマルチビームに対応し、複数のファラディカップの配列ピッチを、測定する電子ビームの配列と同じかもしくはその整数倍とすることで、複数のビームを同時に正確に測定できる。この場合、複数のファラディカップの配列ピッチの最小値は、測定する電子ビームの加速電圧と材料元素によるが、電子ビームの配列ピッチより大きい場合には、ファラディカップ配列に対向するビームのみをＯＮにして計測を行い、ビーム偏向もしくはステージ移動により、測定していないビームをファラディカップ配列に合わせて随時測定を行うことにより、高速処理が可能となる。
【００１１】
また、完全にビーム透過を阻止できないほどファラディカップ配列の高密度化が要求される場合には、予めファラディカップからの漏えい率を求めておくことにより、隣接のファラディカップでの測定値への寄与が推定される。そこで、ビームの電流量は、照射したファラディカップでの吸収電流に、隣接するファラディカップの電流値に上記寄与分を足し合わせたもので測定ができる。あるいはファラディカップの下層に電極層を設け、これに負の電圧を印加することにより入射電子に負の加速度を生じさせ、ファラディカップからの漏えいを防ぐことができる。これにより、それぞれのファラディカップでそれぞれに入射する電子ビームの正確な電流値計測が可能となる。
【００１２】
以下に、本発明の代表的な構成例を挙げる。
【００１３】
（１）電子ビーム特性を計測するための電子ビーム収集部を備えたファラディカップを有し、かつ、前記電子ビーム収集部の部材を、タンタルもしくはタンタルよりも原子番号の大きな重金属、またはそれらの重金属のうち少なくとも一つを主成分とする複合物で構成したことを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【００１４】
（２）前記構成において、前記電子ビーム収集部は、開口を有する凹み形状をなし、前記凹み形状の底面および側壁の厚さが計測する電子ビームに対する飛程よりも厚く、かつ前記凹み形状の深さを前記開口の寸法の４倍以上あるよう構成したことを特徴とするの電子ビーム計測用センサー。
【００１５】
（３）前記構成において、前記凹み形状の前記開口の寸法を上部ほど小さく構成したことを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【００１６】
（４）前記構成において、前記電子ビーム収集部の部材を、タンタル、タングステン、金のうちいずれか一つの重金属で構成したことを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【００１７】
（５）前記構成において、前記ファラディカップが、マルチ電子ビームに対応して、所定の間隔で二次元的に配列された複数個のファラディカップで構成されていることを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【００１８】
（６）前記構成において、前記ファラディカップの配列ピッチが、前記電子ビーム収集部の電子ビームに対する飛程の２倍より大きく、かつ計測する複数の電子ビーム間隔と同じかもしくはその整数倍であることを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【００１９】
（７）前記構成において、前記複数個のファラディカップが、絶縁膜層を挟んだ同一基板上に形成されていることを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【００２０】
（８）前記構成において、前記複数個のファラディカップが、それぞれ電子ビームの電流を計測するための電流計と個別の配線で結線されており、かつ前記配線が前記基板内に多層構造で形成されていることを特徴とする電子ビーム計測用センサー。
【００２１】
（９）マルチ電子ビームのビーム間隔の整数倍の配列ピッチで二次元的に配置され、タンタルもしくはタンタルよりも原子番号の大きな重金属で構成された複数個のファラディカップに前記マルチ電子ビームを照射して、個々の電子ビームのビーム電流量を計測する工程を有し、かつ、前記複数の電子ビームのうち、前記ファラディカップに対向していない電子ビームの照射を停止し、前記ファラディカップに対向した電子ビームのみを選択的に前記ファラディカップに照射するようにして、個々のファラディカップの吸収電流値により前記ビーム電流量を計測するよう構成したことを特徴とする電子ビーム計測方法。
【００２２】
（１０）マルチ電子ビームのビーム間隔の整数倍の配列ピッチで二次元的に配置され、タンタルもしくはタンタルよりも原子番号の大きな重金属で構成された複数個のファラディカップに前記マルチ電子ビームを照射して、個々の電子ビームのビーム電流量を計測する工程を有し、かつ、前記複数個のファラディカップのうち、電子ビームが照射された第１のファラディカップの吸収電流値に、前記第１のファラディカップに隣接する第２のファラディカップの吸収電流値の一部を加え合わせることにより、前記個々のビーム電流量を計測するよう構成したことを特徴とする電子ビーム計測方法。
【００２３】
（１１）前記構成の電子ビーム計測方法において、前記ファラディカップに負の電圧を印加しながら、前記ファラディカップに対向した位置に電子ビームを照射させるよう構成したことを特徴とする電子ビーム計測方法。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【００２５】
図１は、本発明の一実施例の基本的構成を説明する図で、（ａ）はその上面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ’断面図である。図１の（ａ）は、複数個のファラディカップ２を二次元的に配列した構成例で、ファラディカップ２の凹部（凹状の窪み）１３に電子ビーム１を照射した状態を示す。ファラディカップ２はそれぞれの電流計（図示せず）と個別の配線３で結線されている。
【００２６】
図２は、従来のファラディカップによる測定法を示す。従来は、図２に示すように、絶縁膜１０および導電性保護膜９を有するシリコン基板７に凹状の窪み８を作り、そこに電子ビーム１を照射してビーム電流を電流計１１にて測定していた。しかしながら、電子ビームが物質中に入射した場合には、その加速電圧に応じて材料中に透過・散乱して行く。
【００２７】
この透過深さは、飛程（Ｒ）と呼ばれ、図３に示すように、電子ビームの加速電圧（Ｅ）と材料組成の密度によって決定される。描画装置に用いられる加速電圧５０ｋＶの電子ビームがシリコン基板に入射した場合の飛程は約２０μｍある。
【００２８】
これに対して、タンタルおよびそれより原子番号の大きな重金属（Ｗ、Ａｕ等）では、その飛程は約２μｍと小さい。従って、これらの材料を用いて電流計測用のファラディカップを作製する場合、入射電子ビームをファラディカップ内に完全に閉じ込める場合には、凹状の窪み８の側壁および底部の厚みが、シリコン基板の場合は約２０μｍ以上であり、タンタルおよびそれより原子番号の大きな重金属では約２μｍ以上必要となる。
【００２９】
加速電圧５０ｋＶの電子ビームの場合、図２に示した従来のファラディカップによる測定法では、シリコン基板７中での電子散乱１２が半径約２０μｍで散乱停止する。従って、ファラディカップの大きさは、少なくとも約４０μｍの縦、横、高さが必要となる。
【００３０】
一方、高速描画が実現できるマルチ電子ビームシステムの場合、図４に示すように、電子銃２０１から放出される電子ビーム２０２をコンデンサーレンズ２０３で平行ビームとし、アパーチャレンズ２０４、レンズアレイ２０５により複数のビーム２０６に分離される。分離されたビーム２０６のそれぞれは、ブランキングアレイ２０７、ブランキング絞り２０８により個別にＯＮ／ＯＦＦされ、ＯＮしたビーム２０９のみが第１投影レンズ２１０、第２投影レンズ２１４にて縮小され、主偏向器２１３、副偏向器２１５を用いて、試料ステージ２１８に搭載された試料２１７上に一斉に走査される。図では、電子ビーム計測のため、ファラディカップ２２７上に照射された状態を示している。
【００３１】
なお、図中、２１１は動的焦点補正器、２１２は動的非点補正器であり、また、２２０はフォーカス制御回路、２２１は照射量制御回路、２２２はレンズ制御回路、２２３は偏向制御回路、２２４は信号処理回路、２２５はステージ制御回路、２２６はＣＰＵを示す。
【００３２】
このときの処理速度は、ビーム本数とビーム電流によって決定されるために、より高速な描画を行うためには、複数電子ビーム間のピッチ寸法は試料上で５μｍ以下の高密度の電子ビーム配列が不可欠である。
【００３３】
このために、このマルチ電子ビームシステムに対応した複数のファラディカップ材料としてシリコン基板を用いて、図５のように、５μｍピッチでファラディカップ２を配列させた場合、５０ｋＶの電子ビーム１４を入射させると、電子ビームは隣接するファラディカップから１２に示すような円の範囲でさらに外周へと透過していってしまうために、入射した電子ビームの正確な電流を測定することは困難であった。
【００３４】
これに対して、本発明では、金を材料として複数のファラディカップ２を形成した。図１の（ｂ）に示すように、凹状の窪み１３の側壁および底部の厚みを２μｍ以上とすることで、５μｍピッチでファラディカップを配列させた場合でも、散乱範囲４に示すように、電子がファラディカップ２内で停止させることができる。これにより、５０ｋＶの電子ビーム１を透過させないことが可能となった。
【００３５】
ただし、タンタルおよびそれよりも原子番号の大きな重金属では後方に散乱する電子５が多くなるので、ファラディカップの深さを穴の径の４倍以上にすることで、散乱電子ビーム５を逃すことなくファラディカップ内に閉じ込めて吸収することが出来た。これらのファラディカップ内に吸収された電子は各ファラディカップ毎に接続された配線３を通り電流計に導かれることにより各々のファラディカップで独立にビーム電流を同時に計測することが出来た。
【００３６】
上記の実施例では、縦横４×４個のファラディカップについて述べたが、次に、このファラディカップをより高集積化させた例について述べる。
【００３７】
縦横共に３２×３２個を５μｍピッチで配列したファラディカップを、図６〜図１３に示すプロセスにより作製した。図６〜図１３では、３２×３２個の内の一部断面を示してある。このように高密度でファラディカップを配列させると、内部のファラディカップから電流計までの配線を設置する場所が他のファラディカップ配列の邪魔になる。そこで、これらの配線を基板内に多層配線化することで集積化が可能になった。さらに、内部配線の上下に導電膜を配置させることで各層配線からのノイズを低減でき、より正確な電流計測が可能となった。
【００３８】
まず、図６に示すように、シリコン基板１０３上に金薄膜１０２および金配線１０４を内在させた酸化膜１０１を形成し、次に、図７に示すように、リソグラフィ工程によりレジスト１０５に５μｍピッチでメッキ用パターンを形成する。図８に示すように、金メッキ工程により高さ２μｍ以上のファラディカップ台座１０６を形成する。
【００３９】
その後、図９に示すリソグラフィ工程でレジスト１０７の第２層金メッキ用パターンを形成し、図１０に示すような金メッキ工程によりファラディカップ開口部を形成する。
【００４０】
また同様に、次の図１１に示すリソグラフィ工程と図１２に示すメッキ工程により、ファラディカップ開口部に開口の狭い層（メッキ金属）１１０および各ファラディカップ毎に電気的に分離して表面を保護する金薄膜（メッキ金属）１１１を形成する。最後に、図１３に示すように、レジスト１０９を剥離して、ファラディカップ１１２が完成する。
【００４１】
図１４に示す完成したファラディカップを、図４に示すマルチ電子ビーム描画装置に搭載して各ファラディカップからの配線３、１８に電流計を接続して電子ビーム電流計測を行った。電子ビーム１は縦横共に３２×３２個が各々５μｍピッチで配列されている。図１４および図４にはその一部を示した。
【００４２】
まず、基板７、導電膜１９、絶縁膜６の順に積層した表面に形成された導電層１７および導電薄膜１９は、接地状態にしておく。次に、図４に示したブランキングアパーチャ２０７、２０８により３２×３２個のうち試料上面から見て一番左下のビーム以外を全てＯＦＦにして、一本のビームのみをファラディカップ配列上で偏向器２１３、２１５により走査し、ファラディカップとビームの相対位置を検出器２１６により検出して、このビームを左下のファラディカップに照射するように偏向器２１３、２１５の調整を行う。
【００４３】
このビーム位置調整において、ファラディカップ１６以外の所にもビーム走査がなされるが、各ファラディカップ間には金の保護膜１７が形成されているので、試料帯電が起こらず正確なビーム位置調整が可能であった。
【００４４】
次に、ブランキングアパーチャ２０７、２０８により全てのビームをＯＮとすることで、全てのビームが対向している各ファラディカップに入射される。全てのファラディカップの配線３、１８に電流計を接続することにより全ての電子ビームの電流を同時に測定することができた。また、この際導電薄膜１９は接地してあるので、外部からのノイズ除去はもちろん配線３の信号が配線１８に影響を及ぼすこともなく、それぞれ正確な電流計測ができた。
【００４５】
本ファラディカップでは、ファラディカップ上層１５を設けて開口が狭くしてあるのでビームからの後方散乱電子５を効率的にファラディカップ内に閉じ込められ、より正確な電流測定が実現できた。
【００４６】
測定時間に関しても、従来は一本一本のビームを切り替えて一本あたり２秒以上かかって測定したために、全体で１０２４本のビームでは２０００秒以上の計測が必要であった。これに対して、本発明によるファラディカップでは、１０２４本のビームを同時に測定できるのでビーム位置調整も含めて１分以内で測定が完了した。
【００４７】
次に、電子ビームの集積度がさらに上がった場合の実施例について説明する。マルチ電子ビームのピッチ間隔が２μｍ以下になった場合には、ファラディカップ材料として、タンタル以上の原子番号の材料、すなわちあらゆる材料を用いても、ピッチ間隔が２μｍ以下のファラディカップでは加速電圧５０ｋＶ以上の電子ビームが入射した場合、隣接するファラディカップにビームが漏れてしまう。しかしながら、タンタル以上の原子番号の材料ではその距離は２μｍ程度であるので、側壁を１μｍ以下にした場合でも隣接するファラディカップでビームが停止する。
【００４８】
このような場合、漏えいする割合は、入射する電子ビームの加速電圧のみによって決定される。このため、予め単独のビームのみをＯＮにして測定を行い、隣接するファラディカップへのビーム漏えい量を求めることができた。全てのファラディカップに対してこの漏えい率を求めた。この漏えい率は加速電圧が同じであれば再現性があるので一度求めておけば良い。
【００４９】
次に、全てのビームをＯＮした際に、特定のビームの電流値はその対向したファラディカップでの電流値から隣接するビームからの漏えい分を差し引いて、かつ特定ビームから隣接するファラディカップへ漏えい分を加えることによって特定ビームの電流を正確に求めることができた。
【００５０】
また、マルチ電子ビームのピッチ間隔が２μｍ以下になった場合の別の対応策について述べる。上記と同様に加速電圧５０ｋＶ以上の電子ビームが入射した場合、隣接するファラディカップにビームが漏れてしまう。
【００５１】
そこで、図１５に示すように、ファラディカップ表面の導電膜１７に負の電圧としてマイナス１０ｋＶを印加した。ファラディカップ入射時は４０ｋＶになった。すると、入射電子はファラディカップ直前で減速されて、散乱する電子の領域４はファラディカップ内に閉じ込められる。このためにファラディカップ側壁を金メッキで０．９μｍ以下にしたところでも隣接ファラディカップに漏えいすることなく、全てのビームを対向するファラディカップに吸収することができ、正確な電流測定が可能であった。
【００５２】
さらにマルチ電子ビームのピッチ間隔が狭くなった場合の対応策について述べる。上記対策でも対応ができないくらいマルチ電子ビームのピッチ間隔が狭くなった場合には、ファラディカップセンサー配列のピッチ寸法を電子ビーム間隔の整数倍の間隔で配置させる。
【００５３】
個々のビーム電流を算出するにあたっては、複数の電子ビームの内、上記ファラディカップに対向していない電子ビームをブランキングアパーチャ２０７、２０８により停止し、上記ファラディカップに対向した電子ビームのみを選択的にファラディカップに照射して、個々のファラディカップの吸収電流値によりビーム電流量を計測することができる。
【００５４】
実際に、ビームピッチが１．５μｍの場合は、ファラディカップセンサー配列のピッチ寸法を３μｍとし、ビーム電流測定時には複数の電子ビームの内、ファラディカップに対向していない電子ビーム、例えば、ビーム配列一つおきにビームをブランキングアパーチャ２０７、２０８により停止し、上記ファラディカップに対向した電子ビームのみを選択的にファラディカップに照射した。
【００５５】
その測定が完了後、偏向器２１３、２１５によりファラディカップに対向していない電子ビーム、すなわちビーム配列一つおきのビームをファラディカップに対向した位置に移動させ、上記と同様にファラディカップに対向した電子ビームのみをブランキングアパーチャ２０７、２０８により選択的にファラディカップに照射し、前に測定できなかったビームの電流を測定でき、全てのビームを計測が完了した。
【００５６】
上記実施例においては、多重回の露光照射量を均等に行っているが、各露光毎におけるビーム照射量を変化させたり、より細かい位置シフト量の多重露光を追加させることにより、さらに精密な寸法制御が可能となる。
【００５７】
また、本実施例では、加速電圧５０ｋＶの電子ビームを用いた測定例を示したが、これより低い加速電圧の場合には同様に高精度測定が可能であり、これより高い加速電圧領域の場合でもファラディカップ間隔を調節するか、または上記実施例に示したように漏れた量を予め求めておくことで補正したり、もしくは基板内に負の電圧を印加することにより、同様の効果が得られる。
【００５８】
以上詳述したように、本発明によれば、電子ビーム計測用ファラディカップにおいて、ＴａもしくはＴａよりも原子番号の大きな重金属材料、またはそれらを主成分とする複合物を用いることにより、微細でビーム漏えいのないファラディカップが可能となり、集積度の高いマルチビームに対応した高精度電子ビーム計測が実現できる。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、高密度に配列されたマルチ電子ビーム装置において、高精度で高速な電子ビーム計測を可能とし、微細化に対応できるビーム計測センサーおよびそれを用いた計測方法を実現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップの基本的構成を説明する図。
【図２】従来の電子ビーム計測用ファラディカップを示す図。
【図３】電子ビーム加速電圧と飛程の関係を説明する図。
【図４】マルチ電子ビーム描画システムを示す概略図
【図５】従来の電子ビーム計測用ファラディカップアレイを説明する図。
【図６】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（１）を示す図。
【図７】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（２）を示す図。
【図８】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（３）を示す図。
【図９】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（４）を示す図。
【図１０】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（５）を示す図。
【図１１】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（６）を示す図。
【図１２】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（７）を示す図。
【図１３】本発明の電子ビーム計測用ファラディカップアレイの作製プロセス（８）を示す図。
【図１４】本発明による電子ビーム計測用ファラディカップの一例を説明する図。
【図１５】本発明による電子ビーム計測用ファラディカップの他の例を説明する図。
【符号の説明】
１、１４、２０２…電子ビーム、２、１６、１１２…ファラディ−カップ、３、１８、１０４…配線、４、１２…電子散乱範囲、５…散乱電子、６、１０、１０１…絶縁膜、７、１０３…基板、８、１３…ファラディカップ凹部、９、１７…導電性保護膜、１１…電流計、１９、１０２…導電膜、１０５、１０７、１０９…レジスト、１５、１０６、１０８、１１０、１１１…メッキ金属、２０１…電子銃、２０３…コンデンサーレンズ、２０４…アパーチャアレイ、２０５…レンズアレイ、２０６…分離された電子ビーム、２０７…ブランキングアレイ、２０８…ブランキング絞り、２０９…中間像、２１０…第１投影レンズ、２１１…動的焦点補正器、２１２…動的非点補正器、２１３…主偏向器、２１４…第２投影レンズ、２１５…副偏向器、２１６…電子検出器、２１７…試料、２１８…試料ステージ、２２０…フォーカス制御回路、２２１…照射量制御回路、２２２…レンズ制御回路、２２３…偏向制御回路、２２４…信号処理回路、２２５…ステージ制御回路、２２６…ＣＰＵ、２２７…複数のファラディカップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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