(57)【要約】【課題】比誘電率が低く、かつ耐熱性に優れた絶縁膜を製造し得る絶縁膜形成用塗布液を提供する。【解決手段】式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を重合して得られる樹脂と、式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を含有してなる絶縁膜形成用塗布液。2004204008.tif 000009（Ｔは、直接結合、アルキレン基、アルケニレン基又はアルキニレン基を表わし、Ａｒ１は三価以上の芳香族環を表わし、Ａｒ２はアリール基を表わし、Ｙ１はアルケニル基又はアルキニル基を表わし、Ｙ２はアルケニレン基又はアルキニレン基を表わし、ａ及びｂは、各々０〜５の整数を表わすが、ａ＋ｂは２以上５以下である。）【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を重合して得られる樹脂と、式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を含有してなることを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。
2004204008.tif 000006
（式中、Ｔは、直接結合、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基又は炭素数２〜６のアルキニレン基を表わし、Ａｒ１は、置換されていてもよい三価以上の芳香族環を表わし、Ａｒ２は、置換されていてもよいアリール基を表わし、Ｙ１は、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数２〜６のアルキニル基を表わし、Ｙ２は、炭素数２〜６のアルケニレン基又は炭素数２〜６のアルキニレン基を表わし、ａ及びｂは、各々０〜５の整数を表わすが、ａ＋ｂは２以上５以下である。）
【請求項２】
Ｔが直接結合である請求項１に記載の塗布液。
【請求項３】
2004204008.tif 000007
式（１）で示される化合物が、式（２）で示される化合物である請求項１または２記載の塗布液。
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｙ１、Ｙ２、ａ及びｂは、前記と同じ意味を表わす。）
【請求項４】
Ｙ１が、炭素数２〜６のアルキニル基であり、Ｙ２が炭素数２〜６のアルキニレン基である請求項１〜３のいずれかに記載の塗布液。
【請求項５】
Ｙ１がエチニル基であり、Ｙ２がエチニレン基である請求項１〜４のいずれかに記載の塗布液。
【請求項６】
2004204008.tif 000008
式（１）で示される化合物が、式（３）で示される化合物である請求項１〜５のいずれかに記載の塗布液。
（式中、ａ及びｂは、前記と同じ意味を表わす。）
【請求項７】
ａ＋ｂが、２又は３である請求項１〜６のいずれかに記載の塗布液。
【請求項８】
請求項７に記載の塗布液を基板に塗布し、熱処理することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
熱処理後、さらに３次元架橋する請求項８記載の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁膜形成用塗布液に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスは配線微細化に伴い、電子信号の伝達速度が遅くなる配線遅延が問題となっている。配線遅延の問題を解決するためには、配線自体の性能向上、配線間の干渉を低減する等の方策が挙げられる。配線間の干渉を低減する方法としては、絶縁膜の絶縁性能の向上が挙げられる。絶縁性能の向上のために、より比誘電率が低い絶縁膜の開発が望まれている。
【０００３】
また、半導体チップを製造する際には熱プロセシング工程が含まれることから絶縁膜にも耐熱性が要求される。絶縁膜の耐熱性が低いと熱プロセシングに耐えることができず、素子の信頼性が損なわれるという問題があった。
絶縁膜形成用塗布液としては、ポリイミド樹脂を含む塗布液が知られているが（特許文献１参照）、絶縁膜とした場合、比誘電率がなお十分でないという問題があった。
よって、比誘電率が低く、かつ耐熱性に優れた絶縁膜を製造し得る絶縁膜形成用塗布液の開発が望まれていた。
【０００４】
【特許文献１】
特開平５−１２１３９６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、比誘電率が低く、かつ耐熱性に優れた絶縁膜を製造し得る絶縁膜形成用塗布液を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記したような問題が少ない絶縁膜を製造し得る絶縁膜形成用塗布液を見出すべく、鋭意検討を重ねた結果、下記式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を重合して得られる樹脂と、下記式（１）で示されるアダマンタン化合物とを含有する絶縁膜形成用塗布液が、比誘電率が低く、かつ耐熱性に優れた絶縁膜を与えることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】
即ち、本発明は、式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を重合して得られる樹脂と、式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を含有してなることを特徴とする絶縁膜形成用塗布液を提供するものである。
2004204008.tif 000002
（式中、Ｔは、直接結合、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基又は炭素数２〜６のアルキニレン基を表わし、Ａｒ１は、置換されていてもよい三価以上の芳香族環を表わし、Ａｒ２は、置換されていてもよいアリール基を表わし、Ｙ１は、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数２〜６のアルキニル基を表わし、Ｙ２は、炭素数２〜６のアルケニレン基又は炭素数２〜６のアルキニレン基を表わし、ａ及びｂは、各々０〜５の整数を表わすが、ａ＋ｂは２以上５以下である。）
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の絶縁膜形成用塗布液は、上記式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を重合して得られる樹脂と、上記式（１）で示されるアダマンタン化合物の少なくとも１種を含有してなる。
式（１）中、Ｔは、直接結合、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基、又は炭素数２〜６のアルキニレン基を表わすが、直接結合であることが好ましい。
炭素数１〜６のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基等が挙げられる。
炭素数２〜６のアルケニレン基としては、例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等が挙げられる。
炭素数２〜６のアルキニレン基としては、エチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基、ブタジニレン基等が挙げられる。
アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基は、直鎖状でも分岐状でもよく、二重結合や三重結合を有する場合、その位置も特に限定されるものではない。
【０００９】
Ａｒ１は、置換されていてもよい三価以上の芳香族環を表わす。三価以上の芳香族環としては、例えば、以下に示すもの等が挙げられる。
なお、下記式において、ナフタレン環、アントラセン環における結合手は、任意の位置をとり得ることを表わす。
2004204008.tif 000003
上記の芳香族環は、メチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フルオロ基、クロロ基、ブロモ基等のハロゲノ基；アセチル基、プロピオニル基等のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；ヒドロキシ基；フェノキシ基；ニトロ基；シアノ基；カルボキシ基；アミノ基の群から選ばれる少なくとも１種の置換基によって置換されていてもよい。
【００１０】
Ａｒ２は、置換されていてもよいアリール基を表わす。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基又はビフェニル基等が挙げられる。
これらの基は、メチル基、エチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フルオロ基、クロロ基、ブロモ基等のハロゲノ基；アセチル基、プロピオニル基等のアシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；ヒドロキシ基；フェノキシ基；ニトロ基；シアノ基；カルボキシ基；アミノ基の群から選ばれる少なくとも１種の置換基によって置換されていてもよい。
具体例としては、フェニル基、メチルフェニル基、ジメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリメチルフェニル基、テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、フルオロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、ヨードフェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、カルボキシフェニル基、メチルオキシカルボニルフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、エチルナフチル基、ジエチルナフチル基、トリメチルナフチル基、テトラメチルナフチル基、ペンタメチルナフチル基、ヒドロキシナフチル基、メトキシナフチル基、エトキシナフチル基、フェノキシナフチル基、フルオロナフチル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、ヨードナフチル基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、カルボキシナフチル基、メチルオキシカルボニルナフチル基、アミノナフチル基、ビフェニル基、アントラセニル基等が挙げられる。
【００１１】
Ｙ１は、炭素数２〜６のアルケニル基又は炭素数２〜６のアルキニル基を表わす。
炭素数２〜６のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ブタジニル基、ヘキセニル基等が挙げられる。
炭素数２〜６のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、イソプロピニル基、ブチニル基、ヘキシニル基等が挙げられる。
アルケニル基、アルキニル基は、直鎖状でも分岐状でもよく、二重結合及び三重結合の位置も特に限定されるものではない。
【００１２】
Ｙ２は炭素数２〜６のアルケニレン基又は炭素数２〜６のアルキニレン基を表わす。炭素数２〜６のアルケニレン基、炭素数２〜６のアルキニレン基としては、それぞれ前記と同じものが挙げられる。
【００１３】
式（１）で示されるアダマンタン化合物は、出発原料の工業的な入手しやすさ、製造の容易さなどから、式（２）で示される化合物であることが好ましい。
2004204008.tif 000004
式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｙ１、Ｙ２、ａ及びｂは、前記と同じ意味を表わす。
【００１４】
式（１）で示されるアダマンタン化合物は、重合時の反応性が高くなるため、少なくとも１つの炭素−炭素三重結合を含むことが好ましく、Ｙ１が炭素数２〜６のアルキニル基であり、Ｙ３が炭素数２〜６のアルキニレン基であることがより好ましい。
【００１５】
また、式（１）で示されるアダマンタン化合物は、重合して芳香族環、ポリビニレン骨格又はポリアセチレン骨格を形成し、得られる絶縁膜の機械的強度が高くなるため、Ｙ１がエチニル基であり、Ｙ３がエチニレン基であることがさらに好ましい。
【００１６】
さらに、式（１）で示されるアダマンタン化合物は、分極性が低く、比誘電率が低い絶縁膜が得られるため、式（３）で示される化合物であることが特に好ましい。
2004204008.tif 000005
式中、ａ及びｂは、前記と同じ意味を表わす。
【００１７】
中でも、式（１）で示されるアダマンタン化合物は、原料であるアセチレン、エチニルベンゼン、ジエチニルベンゼン等の入手が容易であるため、ａ＋ｂが２又は３であることが特に好ましい。
【００１８】
式（１）で示されるアダマンタン化合物としては、例えば、ジエチニルフェニルアダマンタン、トリエチニルフェニルアダマンタン、テトラエチニルフェニルアダマンタン、ペンタエチニルフェニルアダマンタン、エチニル−フェニルエチニルフェニルアダマンタン、ジエチニル−フェニルエチニルフェニルアダマンタン、トリエチニル−フェニルエチニルフェニルアダマンタン、テトラエチニル−フェニルエチニルフェニルアダマンタン、エチニル−ビス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、エチニル−トリス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、エチニル−テトラキス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、ジエチニル−ビス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、トリエチニル−ビス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、ジエチニル−トリス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、ビス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、トリス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、テトラキス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン、ペンタキス（フェニルエチニル）フェニルアダマンタン等が挙げられる。
【００１９】
式（１）で示されるアダマンタン化合物のうち、アダマンタンのメチレン基に置換基を有する化合物は、例えば、２−ハロゲノアダマンタンと、当該置換基に対応する水素化物をリチウム等で活性化させたものを反応させることにより製造することができる。
原料の２−ハロゲノアダマンタンは、例えば、アダマンタンのメチレン基を硫酸、硝酸、発煙硫酸等の強酸で酸化してカルボニル基とし、これを水素化して水酸基とし、更に、この水酸基を塩素、臭素、ヨウ素等によりハロゲン化することにより製造することができる。
【００２０】
また、式（１）で示されるアダマンタン化合物のうち、アダマンタンの橋かけメチン基に置換基を有する化合物は、例えば、１−ハロゲノアダマンタンと、当該置換基に対応する水素化物とをカップリングさせることにより、製造することができる。かかるアダマンタンに係るカップリング反応に際しては、塩化アルミニウム、塩化スズ、塩化アンチモン、塩化チタン、臭化アルミニウム、臭化スズ、臭化アンチモン、臭化チタン等のルイス酸を触媒として用いてもよく、該触媒に加えてｔ−ブチルクロリド、ｔ−ブチルブロミド、ｔ−ブチルヨージド等を共存させてもよい。
原料の１−ハロゲノアダマンタンは、例えば、アダマンタンの橋かけメチン基を塩素、臭素、ヨウ素等を用いて定法によりハロゲン化することにより製造することができる。
【００２１】
本発明の絶縁膜形成用塗布液は、式（１）で示されるアダマンタン化合物の１種又は２種以上を重合して得られる樹脂と、式（１）で示されるアダマンタン化合物の１種又は２種以上を有機溶剤に溶解することによって得ることができる。
また、式（１）で示されるアダマンタン化合物の１種又は２種以上を有機溶媒に溶解して得られた溶液を部分重合することにより、即ち、式（１）で示されるアダマンタン化合物モノマーが残存し、結果としてアダマンタン樹脂とアダマンタン化合物モノマーが共存するように重合することにより、本発明の絶縁膜形成用塗布液を得ることも可能である。
さらに所望により、上記の式（１）で示されるアダマンタン化合物の１種又は２種以上から得られた部分重合液に、式（１）で示されるアダマンタン化合物の１種又は２種以上を添加することによっても、本発明の絶縁膜形成用塗布液を得ることも可能である。
【００２２】
重合方法としては、公知の重合方法を適用することが可能であり、例えば、過酸化ベンゾイル、t-ブチルパーオキシド、アゾビスイソブチロニトリル等のラジカル開始剤によるラジカル重合、硫酸、リン酸、トリエチルアルミニウム等の触媒によるカチオン重合、リチウムナフタレン等の触媒によるアニオン重合、光照射等の光ラジカル重合、加熱することによる熱重合、パラジウム、ニッケル、鉄、コバルト等の金属又は金属錯体等による触媒重合等を挙げることができる。
【００２３】
塗布液を得るために用いられる有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−ブタノール、２−エトキシメタノール、３−メトキシプロパノール等のアルコール系溶剤；アセチルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、γブチロラクトン等のエステル系溶剤；ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、アニソール、フェネトール、ベラトロール等のエーテル系溶剤；メシチレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、プロピルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤等が挙げられる。これらの有機溶剤は、単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００２４】
更に、絶縁膜形成用塗布液には、式（１）で示されるアダマンタン化合物の反応性、塗布性等を損なわない範囲で、ラジカル発生剤、非イオン界面活性剤、フッ素系非イオン界面活性剤、シランカップリング剤等の添加剤を添加してもよい。
ラジカル発生剤としては、例えば、ｔ−ブチルパーオキシド、ペンチルパーオキシド、ヘキシルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、過酸化ベンゾイル、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。
非イオン界面活性剤としては、例えば、オクチルポリエチレンオキシド、デシルポリエチレンオキシド、ドデシルポリエチレンオキシド、オクチルポリプロピレンオキシド、デシルポリプロピレンオキシド、ドデシルポリプロピレンオキシド等が挙げられる。
フッ素系非イオン界面活性剤としては、例えば、パーフルオルオクチルポリエチレンオキシド、パーフルオルデシルポリエチレンオキシド、パーフルオルドデシルポリエチレンオキシド等が挙げられる。
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ジビニルジエトキシシラン、トリビニルエトキシシラン等が挙げられる。
【００２５】
絶縁膜は、該塗布液を、スピンコーティング法、ローラーコーティング法、ディップコーティング法、スキャン法等の任意の方法により、基板に塗布した後、有機溶剤を加熱処理で除去することにより形成することができる。
加熱処理の方法は、特に限定されないが、一般的に使用されているホットプレート加熱、ファーネス炉を使用した方法、ＲＴＰ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等によるキセノンランプを使用した光照射加熱等を適用することができる。
【００２６】
加熱処理によって、樹脂中のＹ１同士、Ｙ２同士、又はＹ１とＹ２とがカップリングして３次元構造を形成することにより、機械的強度、耐熱性に優れた絶縁膜を形成することができる。
また、本発明の絶縁膜形成用塗布液に予め発泡剤を添加して多孔質膜を形成することもできる。
多孔質膜を形成するために添加する発泡剤としては、例えば、該塗布液の溶媒よりも高沸点の有機化合物や、式（１）で示されるアダマンタン化合物の１種又は２種以上を重合して得られる樹脂よりも熱分解温度の低い樹脂等が挙げられる。
加熱処理の温度は、２００〜４５０℃が好ましく、より好ましくは２５０〜４００℃であり、加熱時間は通常、１分〜１０時間である。
このようにして得られる絶縁膜の比誘電率は、通常、２．５以下であり、高速演算デバイス用途などに特に有用である。
【００２７】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明が実施例により限定されるものではないことは言うまでもない。
【００２８】
製造例１
３００ｍＬ四つ口フラスコに、１−ブロモアダマンタン２０．０ｇ、臭化アルミニウム４．６ｇ、及び、１，３−ジブロモベンゼン１００ｍＬを仕込み、氷浴で０℃を保ちながら、一晩攪拌した。その後１Ｎ塩酸１００ｍＬを仕込み、よく攪拌してから有機層を取り出し、水１００ｍＬで洗浄した。有機層にメタノール約４００ｍＬを加え、析出した結晶を濾別、乾燥し、１−（３，５−ジブロモフェニル）アダマンタン２２.４ｇを得た。
【００２９】
製造例２
２００ｍＬ四つ口フラスコに、製造例１で得られた１−（３，５−ジブロモフェニル）アダマンタン１０．０ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２２０ｍｇ、トリフェニルホスフィン４２０ｍｇ、ヨウ化銅（Ｉ）１８０ｍｇ、及び、トリエチルアミン１００ｍＬを仕込み、８５℃を保ちながら、トリメチルシリルアセチレン３．２ｇとエチニルベンゼン３．３ｇの混合物を１時間かけて滴下した。その後４時間同温度で攪拌を続けた。放冷後、溶媒を減圧除去し、残渣にジエチルエーテル１５０ｍＬを加え、不溶物を濾別した。濾液を１Ｎ塩酸１００ｍＬ、水１００ｍＬ×２、飽和食塩水１００ｍＬで順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥剤を濾別し、溶媒を除去して粗生成物を得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、１−（３，５−ジ（トリメチルシリルエチニル）フェニル）アダマンタン、１−（３−（トリメチルシリルエチニル）−５−（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタン及び１−（３，５−ジ（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタンの混合物９．６ｇを得た。
【００３０】
製造例３
１−（３，５−ジブロモフェニル）アダマンタン５．０ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム８０ｍｇ、トリフェニルホスフィン１７０ｍｇ、ヨウ化銅（Ｉ）６０ｍｇ、トリエチルアミン１００ｍＬ、トリメチルシリルアセチレン１．２ｇ、及び、エチニルベンゼン１．８ｇを用い、製造例２と同様にして、１−（３，５−ジ（トリメチルシリルエチニル）フェニル）アダマンタン、１−（３−（トリメチルシリルエチニル）−５−（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタン及び１−（３，５−ジ（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタンの混合物３．４ｇを得た。
【００３１】
製造例４
５００ｍＬフラスコに、製造例２で得られた混合物９．６ｇを仕込み、メタノール２００ｍＬとＴＨＦ１００ｍＬ、及び、無水炭酸カリウム０．５ｇを仕込み、室温で約２時間攪拌した。溶媒をエバポレーターで完全に除去し、残渣を塩化メチレン２００ｍＬに溶解させ、１Ｎ塩酸１００ｍＬ及び水１００ｍＬで洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、乾燥剤を濾別後、溶媒を除去して、１−（３，５−ジエチニルフェニル）アダマンタン、１−（３−エチニル−５−（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタン及び１−（３，５−ジ（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタンの混合物７．６ｇを得た。これをモノマーＡとする。
【００３２】
製造例５
製造例３で得られた混合物３．４ｇを、メタノール３０ｍＬ、ＴＨＦ１５ｍＬ、及び、無水炭酸カリウム０．１ｇを用い、製造例４と同様にして、１−（３，５−ジエチニルフェニル）アダマンタン、１−（３−エチニル−５−（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタン及び１−（３，５−ジ（フェニルエチニル）フェニル）アダマンタンの混合物２．６ｇを得た。これをモノマーＢとする。
【００３３】
製造例６
１００ｍＬフラスコに、モノマーＡ４．０ｇ、及び、Ｎ−メチルピロリドン３６ｇを仕込み、２００℃に保ちながら５０時間加熱した。得られた溶液の２０ｇをメタノール２００ｍｌにチャージし、１時間攪拌した。析出した粉体を濾過して取り出し、減圧乾燥して、アダマンタン樹脂１．３ｇを得た。ＧＰＣ分析の結果、この樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量は約３０００であった。
【００３４】
製造例７
１００ｍＬフラスコに、モノマーＢ２．０ｇ、及び、アニソール１８ｇを仕込み、還流させながら１００時間加熱し、アダマンタン樹脂溶液を得た。ＧＰＣ分析の結果、この溶液はポリスチレン換算重量平均分子量が約２５００の樹脂を３３％、原料モノマーＢを６７％含有していた。
【００３５】
実施例１
製造例６で得られたアダマンタン樹脂０．５ｇ、及び、モノマーＡ１．０ｇをアニソールに溶解し、固形分を１０％とした。次いで、０．２μｍフィルターでろ過して塗布液を調整した。得られた塗布液を４インチシリコンウェハーに回転数２０００ｒｐｍでスピンコートした後、１５０℃で１分間プリベークを行い、更に４００℃で３０分間加熱処理し、絶縁膜を得た。この絶縁膜の耐熱性を４００℃×３０分の熱サイクル試験によって評価したところ、単位サイクルあたりの膜減少率が０．２％以下であり、耐熱性に優れたものであった。
【００３６】
実施例２
製造例７で得られたアダマンタン樹脂溶液にアニソールを加え、固形分を１０％とした。次いで、０．２μｍフィルターでろ過して塗布液を調整した。得られた塗布液を４インチシリコンウェハーに回転数２０００ｒｐｍでスピンコートした後、１５０℃で１分間プリベークを行い、更に４００℃で３０分間加熱処理した。得られた絶縁膜の比誘電率を水銀プローブ法（日本エス・エス・エム ＳＳＭ４９５）で測定したところ、２．２７であった。
【００３７】
【発明の効果】
本発明によれば、比誘電率が低く、耐熱性に優れた絶縁膜を製造し得る絶縁膜形成用塗布液を提供することが可能となる。