(57)【要約】  【課題】  ＣＭＰ研磨剤用に好適なＮ−ビニルアミド系系ポリマーを提供する。さらに詳しくは保存安定性に優れ研磨傷が発生しにくいＣＭＰ研磨剤を与えるＣＭＰ研磨剤用Ｎ-ビニルアミド系ポリマーを提供する。    【解決手段】  Ｎ-ビニルアミド系ポリマー中に含まれる微量のＮ-ビニルアミド系モノマー及び/またはＮ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の含有量をＮ−ビニルアミド系ポリマーに対して１０，０００ｐｐｍ以下に押さえること、またＮ−ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の含有量が、Ｎ−ビニルアミド系ポリマーに対して５％以下に抑える事によりＣＭＰ用研磨剤として用いた時砥粒の分散安定性が改良され、研磨傷が低減される。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ−ビニルアミド系ポリマーであって、Ｎ−ビニルアミド系モノマーの含有量が、Ｎ−ビニルアミド系ポリマーに対して１０，０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＣＭＰ研磨剤用ポリマー。
【請求項２】
Ｎ−ビニルアミド系ポリマーであって、Ｎ−ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の含有量が、Ｎ−ビニルアミド系ポリマーに対して５０，０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＣＭＰ研磨剤用ポリマー。
【請求項３】
請求項１または２のポリマーを含むＣＭＰ研磨剤用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＭＰ研磨剤に好適なポリマーに関するものであり、残存モノマーの含有量が、ポリマーに対して１００００ｐｐｍ以下であるＮ−ビニルアミド系ポリマーに関する物である。また、本発明はモノマーの加水分解物である含窒素化合物がポリマーに対して５００００ｐｐｍ以下のＮ−ビニルアミド系ポリマーに関する物である。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化、高性能化に伴って種々の微細加工技術が開発されている。ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）もそうした微細加工技術の一つであり、半導体集積回路の製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成において利用されている。ＣＭＰ技術において、研磨速度の向上やより高いレベルの平坦化のためにどのようなＣＭＰ研磨剤を用いるかが重要となっている。
【０００３】
ＣＭＰ研磨剤にさまざまな目的で水溶性ポリマーを添加することは公知であり、
水溶性ポリマーとしてポリビニルピロリドン等のＮ-ビニルアミド系ポリマーを用いることも公知である。（たとえば特許文献１、２）
ＣＭＰ研磨剤にポリビニルピロリドン等のＮ-ビニルアミド系ポリマーを絶縁膜保護剤として加えることで金属と層間絶縁膜の選択性が高められ、より平坦性の優れた研磨が行えることが知られているが、Ｎ-ビニルアミド系ポリマーを用いたＣＭＰ研磨剤は砥粒の安定性が十分ではなく、長時間保存すると沈降物が生じたりや研磨傷が発生しやすい等の課題があった。そうした課題を解決するために砥粒スラリーと、Ｎ-ビニルアミド系ポリマー水溶液を別々に研磨定盤上に供給する方法が開示されているが十分満足するものではなかった。（特許文献２）
【特許文献１】特開２０００−１２９２４３号明細書(第１頁)
【特許文献２】特開２００２−１３４４４４号明細書(第１頁)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上述した従来技術の課題に鑑み発明されたものであって、その目的とするところは、ＣＭＰ研磨剤用に好適なＮ−ビニルピロリドン系ポリマーを提供することにある。さらに詳しくは保存安定性に優れ研磨傷が発生しにくいＣＭＰ研磨剤を与えるＣＭＰ研磨剤用Ｎ-ビニルアミド系ポリマーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は上記従来の課題を解決すべく鋭意検討した結果、Ｎ-ビニルアミド系ポリマー中に含まれる微量のＮ-ビニルアミド系モノマー及び/またはＮ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物が砥粒の分散安定性、ひいては研磨傷の発生に影響していることを見出し本発明に至った。
【０００６】
即ち、本発明は、Ｎ−ビニルアミド系モノマーの含有量が、Ｎ−ビニルアミド系ポリマーに対して１０，０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＣＭＰ研磨剤用ポリマーに関する。また、本発明はＮ−ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の含有量が、Ｎ−ビニルアミド系ポリマーに対して５００００ｐｐｍ以下であることを特徴とするＣＭＰ研磨剤用ポリマーに関する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のＣＭＰ研磨剤用ポリマーを用いると保存安定性に優れ、研磨傷の少ないＣＭＰ研磨剤を与えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明に使用されるＮ−ビニルアミド系ポリマーとしてはＮ−ビニルアミド系モノマーを重合して得られる単独重合体または共重合体であり、Ｎ−ビニルアミド系モノマーとしては、代表的には下記一般式（１）で示されるモノマーである。
【０００９】
【化１】
2004311967.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒ１は、水素又はメチル基を示す。Ｒ２及びＲ３は、同一又は異なって、水素、メチル基、又は、エチル基、或いは、Ｒ２とＲ３が結合して炭素数３〜５の環を形成したものを示す。）で表される化合物である。
【００１１】
具体的には、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルプロピオンアミド及び、環式のＮ−ビニルアミドであるＮ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム等のＮ−ビニルラクタム等が挙げられ、一種又は必要により二種以上を用いることができる。好ましくは、Ｎ−ビニルピロリドンである。
【００１２】
Ｎ−ビニルアミド系ポリマーは単独重合体でも良いし、共重合成分を任意に含むこともできる。それら共重合成分としては例えば、（１）（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸グリシジル等の（メタ）アクリル酸エステル類；（２）（メタ）アクリルアミド、Ｎ−モノメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−モノエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド誘導体類；（３）（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリルアミド、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の塩基性不飽和単量体及びその塩又は第４級化物；（４）ビニルホルムアミド、ビニルアセトアミド、ビニルオキサゾリン、イソプロペニルオキサゾリン等のビニルアミド類；（５）（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸等のカルボキシル基含有不飽和単量体及びその塩；（６）無水マレイン酸、無水イタコン酸等の不飽和無水物類；（７）酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル等のビニルエステル類；（８）ビニルエチレンカーボネート及びその誘導体；（９）（メタ）アクリル酸−２−スルホン酸エチル及びその誘導体；（１０）ビニルスルホン酸及びその誘導体；（１１）メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル等のビニルエーテル類；（１２）エチレン、プロピレン、オクテン、ブタジエン等のオレフィン類等が挙げられる。
【００１３】
これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。Ｎ−ビニルアミド系ポリマー鎖におけるＮ−ビニルアミド成分の共重合量としては５０質量％であることが好ましく、更に好ましくは８０質量％以上である。Ｎ−ビニルアミド成分の含有量が５０質量％を下回ると十分な充填剤の分散性や帯電防止性能が得られない場合がある。また、共重合体はその形態に特に制限はなくランダム共重合であってもよく、グラフト共重合体、或いはブロック共重合体であっても良い。
【００１４】
Ｎ−ビニルアミド系ポリマーの重合方法に特に制限はないが、一般的には有機過酸化物やアゾ系化合物、過酸化水素等のラジカル発生剤を用いて水溶液や有機溶剤中でラジカル重合して得られる。
【００１５】
本発明のＮ-ビニルアミド系ポリマーは含有するＮ-ビニルアミド系モノマーがＮ-ビニルアミド系ポリマーに対して１００００ｐｐｍ以下であることが重要である。Ｎ-ビニルアミド系モノマーの量としては好ましくはＮ-ビニルアミド系ポリマーに対して１０００ｐｐｍ以下であること、さらに好ましくは１００ｐｐｍ以下であること、最も好ましくは１０ｐｐｍ以下である。Ｎ-ビニルアミド系モノマーの量が１００００ｐｐｍを超えて多く含まれるとＣＭＰ研磨剤に添加した際、砥粒の分散安定性が低下し、研磨傷が発生しやすくなる。
【００１６】
また、本発明のＮ-ビニルアミド系ポリマーは含有するＮ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物がＮ-ビニルアミド系ポリマーに対して５００００ｐｐｍ以下であることが重要である。Ｎ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の量としては好ましくはＮ-ビニルアミド系ポリマーに対して３００００ｐｐｍ以下であること、さらに好ましくは２００００ｐｐｍ以下である。る。Ｎ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物の量が５００００ｐｐｍを超えて多く含まれるとＣＭＰ研磨剤に添加した際、砥粒の分散安定性が低下し、研磨傷が発生しやすくなる。
【００１７】
また、Ｎ-ビニルアミド系モノマーがＮ-ビニルアミド系ポリマーに対して１００００ｐｐｍ以下であり、かつＮ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物がＮ-ビニルアミド系ポリマーに対して５００００ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。
【００１８】
Ｎ-ビニルアミド系モノマーの加水分解物である含窒素化合物とは具体的には、Ｎ-ビニルアミド系モノマーがＮ-ビニルピロリドンである場合は２−ピロリドン、Ｎ−ビニルアセトアミドである場合はアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミドである場合はＮ-メチルアセトアミド、Ｎ−ビニルホルムアミドの場合はホルムアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルホルムアミドの場合はＮ−メチル−ホルムアミドである。
【００１９】
本発明は残存モノマーの低減方法や、モノマー加水分解物の低減方法によって制約を受けるものではないが、残存モノマーを低減するためには反応時間を十分に取ることや重合時に反応率が９０％を超えてから更に有機過酸化物やアゾ系化合物、過酸化水素等のラジカル発生剤を反応系中に添加すること等により達成することができる。また、モノマーの加水分解物を低減するためには重合時に系中のｐＨを８以上に調整しながら重合を行うことや、有機溶剤中で重合を行うこと等により達成することができる。
【００２０】
本発明のＮ-ビニルアミド系ポリマーの分子量は重量平均分子量として１０００〜２００００００であることが好ましい。下限としては５０００以上であることが更に好ましく、
１００００以上であることが特に好ましい。上限としては１５０００００以下であることが更に好ましく１００００００以下であることが特に好ましい。重量平均分子量が１０００未満ではエッチングの抑制が十分でなくなる傾向があり、２００００００を超えると研磨速度が低下する傾向がある。
【００２１】
ＣＭＰ研磨剤は一般的に酸化剤、微粒子、水溶性ポリマー、絶縁膜溶解剤等を含む組成物である。本発明のＣＭＰ研磨剤用組成物は、本発明のＮ-ビニルアミド系ポリマーを含んでいればその他の成分に関して特に制限は無いが、酸化剤、微粒子、水溶性ポリマー、絶縁膜溶解剤等の成分を含んでいても構わない。
【００２２】
酸化剤としては、過酸化水素、過酢酸、過安息香酸、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物、過マンガン酸カリウム等の過マンガン酸化合物、重クロム酸カリウム等の重クロム酸化合物、ヨウ素酸カリウム等のハロゲン酸化合物、硝酸及び硝酸鉄等の硝酸化合物、過塩素酸等の過ハロゲン酸化合物、フェリシアン化カリウム等の遷移金属塩、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩、並びにへテロポリ酸等が拳げられる。これらの酸化剤のうちでは、金属元素を含有せず、分解生成物が無害である過酸化水素及び有機過酸化物が特に好ましい。これらの酸化剤を含有させることにより、研磨速度をより大きく向上させることができる。
【００２３】
微粒子としては、重合体微粒子、無機微粒子等を用いることができる。上記重合体粒子としては、（１）ポリスチレン及びスチレン系共重合体、（２）ポリメチルメタクリレート等の（メタ）アクリル樹脂及びアクリル系共重合体、（３）ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、不飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、フェノキシ樹脂、並びに（４）ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、ポリ−４−メチル−１−ペンテン等のポリオレフィン及びオレフィン系共重合体などの熱可塑性樹脂からなる重合体粒子を使用することができる。更に、この重合体粒子として、スチレン、メチルメタクリレート等と、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジメタクリレート等とを共重合させて得られる、架橋構造を有する重合体からなるものを使用することもできる。この架橋の程度によって重合体粒子の硬度を調整することができる。また、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる重合体粒子を用いることもできる。
【００２４】
重合体粒子としては、各種の重合体にアルコキシシラン及び金属アルコキシドを重縮合させて得られる変性重合体からなるものを使用することもできる。このアルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等を使用することができる。これら重合体粒子は、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用することもできる。
【００２５】
また、無機粒子としては、アルミナ、チタニア、セリア、シリカ、ジルコニア、酸化鉄及び酸マンガン等、ケイ素或いは金属元素の酸化物からなる無機粒子を使用することができる。これら無機粒子は、１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用することもできる。
【００２６】
水溶性ポリマーとして本発明のＮ-ビニルアミド系ポリマー以外に他のポリマーを併用してもよく、他の水溶性ポリマーとしてはポリアクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアクリル酸カリウム塩、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール等が挙げられる。
【００２７】
絶縁膜溶解剤としては水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム等の強アルカリ、硫酸、硝酸、塩酸等の強酸、フッ化水素酸、Ｆ-酪酸、トリフルオロ酢酸等の含フッ素酸、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、蓚酸、乳酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の有機酸が挙げられる。
【００２８】
本発明を用いたＣＭＰ研磨剤はこれら酸化剤、微粒子、水溶性ポリマー、絶縁膜溶解剤の全てを含んでいる必要はないし、これら以外の添加剤を目的に応じて加えても良い。
【００２９】
本発明のＮ-ビニルアミド系ポリマーのＣＭＰ研磨剤用組成物中の含有量としては０．００１質量％〜１０質量％とすることが好ましく、０．０１質量％〜１質量％であることが更に好ましい。０．００１質量％未満ではエッチングの抑制が困難となる傾向があり、１０質量％を超えると研磨速度が低下する傾向があるため好ましくない。
【００３０】
本発明のＣＭＰ研磨剤用組成物は酸化剤を含んでもよく、その含有量としては全量に対して下限は少なくとも０．０１ｍｏｌ％以上が好ましく０．０５ｍｏｌ％以上が更に好ましい。上限は１０ｍｏｌ％以下が好ましく、５ｍｏｌ％以下が更に好ましい。０．０１ｍｏｌ％未満では研磨速度が低下する傾向があり、１０ｍｏｌ％を超えるとエッチングの抑制が困難となる傾向がある。
【００３１】
本発明のＣＭＰ研磨剤用組成物は微粒子を含んでもよく、その含有量としては全量に対して下限は０．１質量％以上が好ましく０．５質量％以上が更に好ましい。上限は１０質量％以下が好ましく、５質量％以下が更に好ましい。０．１質量％未満では研磨速度が低下する傾向があり１０質量％を超えても研磨速度の改善効果は上がらない傾向がある。
【００３２】
本発明のＣＭＰ研磨剤用組成物はＮ-ビニルアミド系ポリマー以外の水溶性ポリマーを含んでもよく、その含有量としては全量に対して下限は少なくとも０．００１質量％以上が好ましく０．０１質量％以上が更に好ましい。上限は１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％であることが更に好ましい。０．００１質量％未満ではエッチング抑制や微粒子の分散安定化の効果が得られず、１質量％を超えると研磨速度が低下する傾向がある。
【００３３】
本発明のＣＭＰ研磨剤用組成物は絶縁膜溶解剤を含んでもよく、その含有量としては全量に対して下限は０．００１ｍｏｌ％以上であることが好ましく０．０１ｍｏｌ％以上であることが更に好ましい。上限は０．５ｍｏｌ％以下であることが好ましく、０．２ｍｏｌ％以下であることが更に好ましい。０．００１ｍｏｌ％未満では研磨速度が低下する傾向があり、０．５ｍｏｌ％を超えるとエッチングの抑制が困難になる傾向がある。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【００３５】
―合成例１―
撹拌式耐圧オートクレーブにイソプロパノ−ル１１０部、ビニルピリロドン３５０部及びジ−ｔ−ブチルパーオキシド１部を予め装入し、そして1２０℃に加熱して約２．５×１０５Ｐａの圧力になった後、イソプロパノ−ル４０部、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド１部の混合物を４時間かけて滴下混合し、滴下終了からさらに４時間加熱を行い反応を終了する。放圧により８０℃に冷却しその際イソプロパノ−ル１００部を留去する。水２００部で希釈し、そして水蒸気の吹込みによりイソプロパノールを残らず留去し、ポリビニルピロリドン水溶液を得た。（ポリマー１）
ＬＣ法により測定したビニルピロリドンの含有量はポリビニルピロリドンに対して８ｐｐｍであった。また、ＬＣ法により測定した２−ピロリドンの含有量はポリビニルピロリドンに対して２０ｐｐｍであった。
【００３６】
―合成例２―
合成例１で得られたポリビニルピロリドン水溶液に水を加えてポリマー濃度３０％に調整した溶液を１８００部を撹拌式容器中で弱い窒素気流下、８５℃に加熱し、アンモニアで中和したアクリル酸水溶液４５部、２０％過硫酸アンモニウム水溶液３部をそれぞれ２時間かけて滴下する。２，２‘−アゾビス(２−メチルプロピオンアミジン)ジハイドロクロライド１０％水溶液３ｇを添加し反応を更に４時間反応させた。こうしてポリビニルピロリドン―ポリアクリル酸グラフト共重合体(アンモニウム塩)水溶液を得た。（ポリマー２）
ＬＣ法により測定したビニルピロリドンの含有量は共重合体に対して４ｐｐｍ、２−ピロリドンの含有量は１８ｐｐｍだった。
【００３７】
―合成例３―
晶析精製法により得られ、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンを１０ｐｐｍ含有するビニルピロリドン（株式会社日本触媒製）４００部に空気（酸素濃度＝２１％）を１００ｍｌ／分で１２０分間吹き込んだ後、水１５００部に溶解し、撹拌式容器中に仕込み、弱い窒素気流下で７０℃に昇温する。そこに５％過酸化水素水５０部と、５％アンモニア水５０部をそれぞれ1時間かけて滴下し、滴下終了から更に４時間反応させてポリビニルピロリドンの２０質量％水溶液を得た後、該ポリビニルピロリドン水溶液を酸素濃度１０Ｖｏｌ％の雰囲気ガスで保存した。（ポリマー３）
ＬＣ法により測定したビニルピロリドンの含有量はポリビニルピロリドンに対して１０ｐｐｍ、２−ピロリドンの含有量はポリビニルピロリドンに対して１．５０００ｐｐｍであった。
【００３８】
―合成例４―
晶析精製法により得られ、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンを１０ｐｐｍ含有するビニルピロリドン（株式会社日本触媒製）４００部を水１５００部に溶解し、撹拌式容器中に仕込み、弱い窒素気流下で９０℃に昇温した。そこに３％過酸化水素水５０部と、５％アンモニア水５０部をそれぞれ1時間かけて滴下し、滴下終了から更に１時間反応させてポリビニルピロリドンの２０％水溶液を得た後、該ポリビニルピロリドン水溶液に酸素を１０Ｖｏｌ％含有する窒素ガスを５３０ｍｌ／分で１２０分間吹き込んだ後、酸素濃度５Ｖｏｌ％の雰囲気ガスで保存した。（ポリマー４）
ＬＣ法により測定したビニルピロリドンの含有量はポリビニルピロリドンに対して１２０００ｐｐｍ、２−ピロリドンの含有量はポリビニルピロリドンに対して５２０００ｐｐｍであった。
【００３９】
（実施例1）
イオン交換水に、コロイダルアルミナ（シーアイ化成株式会社製、商品名（ナノテックA12O3）をアルミナ分として３質量％、合成例1の（ポリマー１）を樹脂分として２質量％、過酸化水素を１質量％、サリチルアルドキシムを０．３質量％、及び乳酸アンモニウムを１質量％となるように配合した後、２５％アンモニア水溶液によりｐHを６に調整してＣＰＭ用水系分散体を得た。
【００４０】
このＣＭＰ用水系分散体を使用し、８インチ熱酸化膜付きシリコンウェハ上の銅膜（膜厚；１５０００Å）を、ＣＭＰ装置（ラップマスターＳＦＴ社製、型式「ＬＰＧ５１０」）にセットし、多孔質ポリウレタン製の研磨パッド（ロデール・ニッタ社製、品番「ＩＣ１０００」）を用い、加重３００ｇ／ｃｍ2になるようにして１分間研磨を行った。研磨後の銅膜の厚さを電気伝導式膜厚測定器によって測定し、研磨速度を算出した結果、５５００Å／分であった。また、シリコン基板上に形成されたシリカ製の膜を同一条件で研磨し、洗浄し、乾燥した後、ＫＬＡ（ＫＬＡテンコール社製、型式「サーフスキャンＳＰ−１」）により研磨傷を確認した。また、密閉容器に保存したスラリーを５０℃で１０日間保存して同様の試験を行い結果を表1に記載した。
【００４１】
（実施例２、３）
ポリマー１をポリマー２、ポリマー３に変更した以外は全て実施例１と同様にして実験を行った。結果は、表１にまとめた通りとなった。
【００４２】
(実施例４)
実施例１におけるポリマー１の２質量％を１．５質量％とし、重量平均分子量５５００のポリアクリル酸アンモニウム塩を０．５質量％加える以外は実施例１と同様にして実験を行った。結果は表１にまとめた通りとなった。
【００４３】
（比較例１）
ポリマー１をポリマー４に変更した以外は全て実施例１と同様にして実験を行った。結果は、表１にまとめた通りとなった。
【００４４】
【表１】
2004311967.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明によって、保存安定性に優れ研磨傷が発生しにくいＣＭＰ研磨剤が得られることとなる。