(57)【要約】【課題】  電子部品保管時における端子部の酸化を抑制し、あるいは既に形成されている酸化皮膜は除去し、実装時に鉛フリー半田を用いて半田付けを行う際に、優れた半田濡れ性を与える処理剤と、これを用いた処理法を提供すること。【解決手段】  (A)有機酸アミン塩、(B)一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種、(C)非イオン界面活性剤を含有する水溶性の半田濡れ性向上処理剤と、これを用いて電子部品端子の酸化を防止し、もしくは既に形成されている酸化皮膜は除去し、半田濡れ性を高めて確実且つ強固に半田接合する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
(A)有機酸アミン塩と、(B)一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種と、(C)非イオン界面活性剤を含有することを特徴とする水溶性半田濡れ性向上処理剤。
【請求項２】
前記有機酸アミン塩の有機酸は、下記一般式(I)で表される有機酸の少なくとも１種であり、有機酸アミン塩のアミンは、下記一般式(II),(III)で表されるアミンの少なくとも１種である請求項１に記載の処理剤。
Ｒ−ＣＯＯＨ……(I)
［式中、Ｒは炭素数６〜２２の直鎖状または分岐状の飽和または不飽和の脂肪族、脂環
族、もしくは芳香族の炭化水素基を表わす］
Ｒ１・Ｒ２・Ｒ３Ｎ……(II)
［式中、Ｒ１,Ｒ２,Ｒ３は、同一もしくは異なってもよく、水素または炭素数１〜２２の
直鎖状または分枝状の飽和もしくは不飽和の脂肪族、脂環族または芳香族の炭化水素
基を表わす］
Ｒ４・Ｒ５Ｎ-Ｒ６-ＮＲ７・Ｒ８……(III)
［式中、Ｒ４,Ｒ５,Ｒ７,Ｒ８は、水素または炭素数１〜２２の直鎖状または分枝状の飽和
もしくは不飽和の脂肪族、脂環族または芳香族の炭化水素、Ｒ６は炭素数２〜８のア
ルキレン基を表わす］。
【請求項３】
前記一価アルコール類は、下記一般式(IV)で示されるアルコールであり、前記グリコール類は、下記一般式(V)で示されるグリコールまたはそのハーフエーテルである請求項１または２に記載の処理剤。
Ｒ９-ＯＨ……(IV)
［式中、Ｒ９は、炭素数１〜８の直鎖状または分岐状の脂肪族、脂環族もしくは芳香族
の炭化水素基を表わす］
Ｒ10Ｏ-（Ｒ11-Ｏ）ｎＨ……(V)
［式中、Ｒ10は水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ11は炭素数２〜４のアルキレ
ン基、ｎは、１以上の整数を表わす］。
【請求項４】
電子部品を製造するに当たり、電子部品の端子にめっきを施した後、該めっき表面を前記請求項１〜３のいずれかに記載の半田濡れ性向上処理剤で処理し、めっき表面の酸化を抑制することを特徴とする電子部品端子の表面処理法。
【請求項５】
電子部品実装において電子部品端子上に施しためっき皮膜に半田付けを行うに当たり、被半田付け面を、前記請求項１〜３のいずれかに記載の処理剤で処理することにより、電子部品端子上のめっき皮膜表面に形成された酸化皮膜を除去することを特徴とする電子部品端子の表面処理法。
【請求項６】
電子部品端子上に施されためっきが、ニッケルまたは錫合金めっきである請求項４，５に記載の処理法。
【請求項７】
前記ニッケルまたは錫合金めっきは、その上に更に貴金属めっきされていてもよい請求項６に記載の処理法。
【請求項８】
前記錫合金めっきが、錫を主体とし銅、銀、ビスマス、亜鉛、インジウムよりなる群から選択されるいずれかの金属を含む合金めっきである請求項６または７に記載の処理法。
【請求項９】
前記半田付けを、鉛フリー半田によって行う請求項４〜８のいずれかに記載の処理法。
【請求項１０】
前記鉛フリー半田が、錫を主体とし銅、銀、ビスマス、亜鉛、インジウムよりなる群から選択されるいずれかの金属を含む錫合金である請求項９に記載の処理法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造や電子部品実装において該部品端子を半田接合する際に、半田の濡れ性を高めて確実な半田接合を可能にする水溶性の半田濡れ性向上処理剤と、該処理剤を用いた半田付け面の表面処理法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品端子に半田付けを行う際には、半田めっき表面の酸化物などを除去して半田の濡れ性を高めるため、所謂フラックス（またはペースト）で表面処理する方法が採用されており、また、これらの表面処理剤で半田めっき表面を予め被覆しておくことによって化成皮膜を形成し、酸化防止を図ることも行なわれている（特許文献１，２など）。
【０００３】
他方、最近では、環境汚染防止の意識が高まってくるにつれて、鉛主体の半田に代わって、鉛フリー半田の使用比率が急速に増大してきており、該鉛フリー半田としては、ニッケル合金や、錫−銅、錫−銀、錫−ビスマス、錫−亜鉛、錫−インジウムなどの錫合金が開発されている。ところが鉛を含有する従来の半田に比べると、電子部品保管時および電子部品実装におけるリフロー時に半田付け面に酸化皮膜が形成され易く、半田濡れ性が低下するという問題がある。
【０００４】
そこで、こうした問題に対する解決策として例えば特許文献３には、鉛フリー半田を用いて半田付けを行う際に、ロジン系などの樹脂成分に活性剤と共に有機酸金属塩を添加したフラックスを使用することにより、鉛フリー半田の濡れ性を高め、半田付け性や接合強度を高める技術が開示されている。
【０００５】
しかしこれらのフラックスでも、鉛フリー半田を使用する際の接合性改善効果については必ずしも満足し得るものとは言えず、特に鉛フリー半田の濡れ性向上対策については一層の改善が求められる。
【特許文献１】特開平７−１６７８７号公報
【特許文献２】特開平７−３３０７３８号公報
【特許文献３】特開平１１−２５４１８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記の様な問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子部品保管時における端子に形成されるめっき部の酸化皮膜形成を抑制することによって、実装時に鉛フリー半田を用いた場合でも接合時の半田濡れ性を高めることができ、或いは、既に端子部に酸化皮膜が形成された電子部品に適用する場合は、当該酸化皮膜を簡単に除去することができ、実装に際して半田濡れ性を高めることのできる処理剤を提供し、更には、当該処理剤を使用することによって半田付けをより確実に実施し得るような処理法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決することのできた本発明に係る半田濡れ性向上処理剤とは、
(A)有機酸アミン塩、
(B)一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種、および
(C)非イオン界面活性剤
を必須成分として含有するところに特徴を有している。
【０００８】
上記有機酸アミン塩の有機酸として特に好ましいのは、下記一般式(I)で表される有機酸の少なくとも１種であり、また該有機酸アミン塩を構成する好ましいアミンは、下記一般式(II),(III)で表される少なくとも１種のアミンである。
【０００９】
Ｒ−ＣＯＯＨ……(I)
［式中、Ｒは炭素数６〜２２の直鎖状または分岐状の飽和または不飽和の脂肪
族、脂環族、もしくは芳香族の炭化水素基を表わす］
Ｒ１・Ｒ２・Ｒ３Ｎ……(II)
［式中、Ｒ１,Ｒ２,Ｒ３は、同一もしくは異なってもよく、水素または炭素数１
〜２２の直鎖状または分枝状の飽和もしくは不飽和の脂肪族、脂環族または
芳香族の炭化水素基を表わす］
Ｒ４・Ｒ５Ｎ-Ｒ６-ＮＲ７・Ｒ８……(III)
［式中、Ｒ４,Ｒ５,Ｒ７,Ｒ８は、水素または炭素数１〜２２の直鎖状または分枝
状の飽和もしくは不飽和の脂肪族、脂環族または芳香族の炭化水素、Ｒ６は
炭素数２〜８のアルキレン基を表わす］。
【００１０】
また、前記一価アルコール類として好ましく使用されるのは、下記一般式(IV)で示されるアルコールであり、また前記グリコール類として好ましいのは、下記一般式(V)で示されるグリコールまたはそのハーフエーテルである。
【００１１】
Ｒ９-ＯＨ……(IV)
［式中、Ｒ９は、炭素数１〜８の直鎖状または分岐状の脂肪族、脂環族もしく
は芳香族の炭化水素基を表わす］
Ｒ10Ｏ-（Ｒ11-Ｏ）ｎＨ……(V)
［式中、Ｒ10は水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ11は炭素数２〜４の
アルキレン基、ｎは、１以上の整数を表わす］。
【００１２】
また、前記極性非プロトン溶媒として好ましいのは、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、アセトンなどが例示される。
【００１３】
本発明に係る電子部品端子の表面処理法は、上記処理材を用いた表面処理法に関するもので、電子部品を製造するに当たり、電子部品の端子にめっきを施した後、該めっき表面を前記半田濡れ性向上処理剤で処理し、めっき表面の酸化を抑制し、或いは、電子部品実装において電子部品端子上に施しためっき皮膜に半田付けを行うに当たり、被半田付け面を、前記半田濡れ性向上処理剤で処理することにより、電子部品端子上に施しためっき表面に形成された酸化皮膜を除去するところに特徴を有している。
【００１４】
上記本発明の処理法を実施するに当たり、電子部品端子上に施される鉛フリーのめっきとしては、ニッケルまたは錫合金めっきが好ましく、これらのめっき表面には更に酸化防止などを目的として金、銀、白金などの貴金属めっきが施されていてもよい。また該錫合金めっきとして特に好ましいのは、錫を主体とし銅、銀、ビスマス、亜鉛、インジウムよりなる群から選択されるいずれかの金属を含む錫合金である。
【００１５】
また本発明の処理法が適用される半田付けは、前述した如く公害防止の観点から鉛フリー半田を使用することが望ましく、該鉛フリー半田としても、錫を主体とし銅、銀、ビスマス、亜鉛、インジウムよりなる群から選択されるいずれかの金属を含む錫合金が好ましく使用される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半田濡れ性向上技術を採用すれば、保存時の電子部品端子部の酸化を抑制し、或いは既に酸化皮膜が形成されている場合は、電子部品実装時の半田付け工程のリフロー時に酸化皮膜を除去することができるので、半田濡れ性を大幅に高めることができ、半田による接合性と信頼性を著しく向上させることができる。殊に本発明によれば、最近環境汚染防止の観点から急増してきている鉛フリー半田に対しても卓越した濡れ性を与えるので、その需要は今後益々増大していくものと期待される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の半田濡れ性向上処理剤は、上記の様に(A)有機酸アミン塩、(B)一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種、(C)非イオン界面活性剤を必須成分として含有するもので、電子部品を製造する際に、該部品の端子部にめっきを施して水洗を行った後、上記処理剤を脱イオン水で例えば１０〜１００質量％に希釈した溶液を上記部品端子部に接触させ、該端子のめっき表面に緻密な撥水性の有機皮膜を形成させることにより、その撥水性によって端子部からの水切り性を向上させると共に、水洗後の酸化皮膜形成を抑制し、且つ緻密な有機皮膜によって保管時の酸化皮膜形成を防止する。こうした作用によって、電子部品実装時における半田付け工程における半田濡れ性を大幅に高めると共に、半田による接合を強固且つ確実にすることができる。
【００１８】
また電子部品実装を行う際に、部品端子部に既に酸化皮膜が形成されている場合は、当該部品端子部を本発明の処理剤で処理し、該端子部上に緻密な有機皮膜を形成させてから半田付けを行えば、該端子部上に形成された上記有機皮膜が、半田付けを行う際のリフロー時の加熱によりフラックスとして作用し、酸化皮膜を溶解除去することによって半田濡れ性を大幅に高める。
【００１９】
以下、本発明に係る水溶性半田濡れ性向上処理剤の構成成分を主体にして詳細に説明していく。
【００２０】
本発明の半田濡れ性向上処理剤は、上記の様に(A)有機酸アミン塩と(B)一価アルコール、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種、並びに(C)非イオン界面活性剤を必須成分として含有する。
【００２１】
上記(A)有機酸アミン塩は、本発明における半田濡れ性向上処理剤の主成分となるもので、特に部品端子保管時の酸化防止と、熱処理時における酸化皮膜の溶解性を高める機能を果たす。該有機酸アミン塩を構成する好ましい有機酸としては、前記一般式(I)で示される有機酸が挙げられ、具体的にはカプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、イソステアリン酸、エライジン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エルカ酸、アゼライン酸、ドデカン二酸、安息香酸、フタル酸などが例示される。これらの有機酸は単独で使用し得るほか、必要により２種以上を適宜組合せて使用することができる。これら有機酸の中でも特に好ましいのは、オレイン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸などである。
【００２２】
また該有機酸のアミン塩におけるアミンとしては、前記一般式(II),(III)で表されるアミンが挙げられ、好ましい具体例としては、モノプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、モノ−２−エチルヘキシルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ベンジルアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ピペリジン、Ｎ−メチルピペリジン、２−ピペコリン、ピロリジン、３−メトキシプロピルアミン、モルホリン、ジメチルエタノールアミン、ジエチルエタノールアミンなどが例示される。
【００２３】
また、上記アミン(III)の好ましい具体例としては、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、１，４−ジアミノブタン、ジメチルアミノプロピルアミン、Ｎ−アミノプロピルモルホリン、ヒドロキシエチルアミノプロピルアミン、メタキシリレンジアミン、アミノエチルピペラジン、２−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリンなどが例示される。
【００２４】
これら一般式(II),(III)で表されるアミンも、単独で使用し得るほか、必要により２種以上を適宜組合せて使用できる。
【００２５】
上記アミンの中でも特に好ましいのは、ジシクロへキシルアミン、モルホリン、ジメチルアミノプロピルアミン等である。
【００２６】
上記有機酸と上記アミンの好ましいモル比は０．９：１〜１：０．９である。本発明の処理剤は、上記有機酸アミン塩を任意の比率で含むことができるが、半田濡れ性向上処理剤中に占める該有機酸アミン塩の好ましい含有量は５質量％以上、９０質量％以下である。該有機酸アミン塩の含有率が５質量％未満では、部品端子保管時の酸化防止作用や熱処理時の酸化皮膜の溶解性が不足気味となり、逆に９０質量％を超えると、(B)一価アルコール類、グリコール類、極性非プロトン溶媒や(C)非イオン界面活性剤の含有率が相対的に不足気味となって、処理液の安定性や水に対する溶解性が悪くなる。処理液の安定性や水に対する溶解性を低下させることなく、部品端子保管時の酸化防止作用や熱処理時の酸化皮膜の溶解性を確保する上で特に好ましい有機酸アミン塩の配合量は、１０質量％以上、８０質量％以下である。
【００２７】
本発明で使用する一価アルコール類およびグリコール類とは、前記一般式(IV)で示される一価アルコール類および一般式(V)で示されるグリコール類であり、一価アルコール類の具体例としては、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどが例示され、またグリコール類の具体例としては、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、３−メチル−１，３−ブタンジオール等のグリコール；メチルセロソルブ、ブチルカルビトール、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール(ソルフィット)等のグリコールハーフエーテルが例示される。また極性非プロトン溶媒類としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、アセトンなどが例示される。
【００２８】
これら一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒類も各々単独で使用し得るほか、必要により２種以上を適宜組合せて使用することができる。
【００２９】
上記一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種の使用量は、半田濡れ性向上処理剤全量中に占める比率で１質量％以上、４０質量％以下の範囲とするのがよい。それらの配合量が１質量％未満では、処理液の安定性や水に対する溶解性、更には補助的な熱処理時の酸化皮膜の溶解性が不足気味となり、また５０質量％を超えて過度に多くなると、前記有機酸アミン塩の含有量が相対的に少なくなって、部品端子保管時の酸化防止作用や、熱処理時における酸化皮膜の溶解性が悪くなる傾向が生じてくる。処理剤の安定性と熱処理時における酸化皮膜の溶解性を最大限有効に発揮させる上でより好ましい使用量は、２質量％以上、４０質量％以下である。
【００３０】
本発明に係る半田濡れ性向上処理剤における更に他の必須成分である非イオン界面活性剤は、一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種と共同して、液状処理剤としての安定性や水に対する溶解性を高める作用を有しており、上記成分（A），(B)と共に混合溶解して水に可溶化するものであれば全ての非イオン界面活性剤を使用できるが、好ましい具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキルエーテル、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックポリマー、ポリオキシ脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステルなどが挙げられる。
【００３１】
半田濡れ性向上処理剤中に占める該非イオン界面活性剤の好ましい含有量は、１質量％以上、５０質量％以下であり、１質量％未満では処理剤の安定性や水に対する溶解性が悪くなり、５０質量％を超えて過度に多くなると、前記有機酸アミン塩の含有量が相対的に少なくなって、部品端子保管時の酸化防止作用や熱処理時における酸化皮膜の溶解性が低下傾向を示す様になる。これら非イオン界面活性剤の作用を最大限有効に発揮させる上でより好ましい非イオン界面活性剤の含有量は、２質量％以上、４０質量％以下である。
【００３２】
本発明の処理剤は、上記の如く(A)有機酸アミン塩と、(B)一価アルコール類、グリコール類および極性非プロトン溶媒から選択される少なくとも１種、並びに(C)非イオン界面活性剤を必須成分として含有するが、上記以外の成分として、部品端子保管時の酸化防止効果を高める作用を有するアクリル系樹脂やポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂などの水分散性あるいは水溶性有機樹脂や、熱処理時における酸化皮膜の溶解性改善効果を有する天然ロジン、ロジンエステル、ロジン変性マレイン酸系樹脂などを、必要に応じて適量配合することも勿論可能である。
【００３３】
なお本発明の上記処理剤は、前記(A),(B),(C)各成分の種類や配合率を適正に制御することで水溶性としたものであることを必須とする。その理由は、部品端子にめっきした後、水洗後、乾燥なしでそのまま本発明の処理剤で処理することができ、乾燥時の酸化を防止できるからである。また、処理後に保管し、または熱処理時の酸化防止後に皮膜を除去する際にも、水洗によって容易に除去できるからである。
【００３４】
本発明に係る上記水溶性半田濡れ性向上処理剤を、各種電子部品の端子部分に適用すると、該端子部分を構成する銅、銅合金、半田、無電解半田、ニッケル、銀、亜鉛、錫合金などの表面に耐食性、耐水性、耐薬品性などに優れた化成皮膜が形成され、当該端子部に設けられるめっき表面の発錆や耐久劣化を長期的に防止できる。
【００３５】
また、既に酸化皮膜が形成された電子部品端子部に、例えば、錫−銅、錫−銀、錫−ビスマス、錫−亜鉛、錫−インジウムなどに代表される鉛フリー半田を用いて半田付けを行う際に、接合対象面を該処理剤で処理すると、その表面に形成されている酸化皮膜は速やかに溶解して端子表面が清浄化されると共に、その表面の鉛フリー半田等に対する濡れ性が著しく高められ、確実且つ安定した半田接合を実現できると共に、接合部の信頼性を大幅に高めることができる。
【００３６】
この様に本発明の処理剤および処理法によれば、電子部品用端子部に汎用されているニッケルめっき等に対して優れた酸化防止効果を享受できると共に、既に形成されていることのある酸化膜は効率よく溶解除去することができ、鉛フリー半田に対しても卓越した濡れ性を与えることができる。よって、電子部品端子部に例えばニッケルめっきを施す際に、該ニッケルめっき表面の酸化防止用等として行われることのある金めっき処理なども省略可能となる。また、その様な金めっき処理（あるいは銀、白金などの貴金属めっき処理）が既に施されている場合は、その表面に本発明の処理法をそのまま適用すればよく、更には、それら貴金属めっきが極薄で部分的にニッケルめっき等が露出している様な場合でも、本発明の処理法を適用することで支障なく確実な半田接合を行うことができる。
【００３７】
本発明が適用される上記電子部品の種類には特に制限がなく、要は半田接合される端子部、特に鉛フリー半田により接合される端子部を有するものであれば全て有効に適用することができ、代表的なものとしてはプリント基板のリードフレームなどが例示される。
【００３８】
また本発明は、特に鉛フリー半田を用いた電子部材のロウ付けに有効に活用されるが、依然として一部で実用化されている鉛含有半田に適用した場合でも、同様に優れた濡れ性向上作用や酸化防止作用を発揮し得るものであり、これらへの適用を排除するものではない。
【００３９】
本発明の半田濡れ性向上処理剤を金属表面に施すには、金属と処理液とを接触させればよく、接触させる方法としては、浸漬、噴霧、塗布などを採用すればよい。接触させる際の処理液の温度は、０〜１００℃の範囲が適当であり、浸漬時間は数秒〜数十分が適当である。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００４１】
実施例１［水溶性半田濡れ性向上処理剤(a)の製造］
有機酸として、オレイン酸３９４ｇと、アミンとしてジシクロヘキシルアミン２５６ｇを撹拌混合し、４０〜６０℃の温度で３０分間反応させた。次いで可溶化剤としてモノエチレングリコール２５０ｇと、非イオン界面活性剤として「ノイゲンEA-102」(第一工業製薬社製のポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル)１００ｇを加え、均一になるまで混合して水溶性半田濡れ性向上処理剤(a)１ｋｇを得た。この半田濡れ性向上処理剤(a)を脱イオン水で９０質量％に希釈し、処理液とした。
【００４２】
この処理液にニッケルめっき直後の電子部品端子部を浸漬し、乾燥させた後２５℃で５００時間放置し、めっき皮膜の酸化抑制を確認するための試料とした。
【００４３】
実施例２
後述する対照例１で用いたのと同じ電子部品用の試験片を、上記実施例１で得た処理液に浸漬し、乾燥した後、電子部品実装におけるリフロー時の加熱条件を想定して２５０℃まで加熱し乾燥した。
【００４４】
実施例３［水溶性半田濡れ性向上処理剤(b)の製造］
有機酸としてミリスチン酸４５０ｇ、アミンとしてジブチルアミン２５５ｇを使用し、これらを均一に撹拌混合した後、４０〜６０℃の温度で３０分間反応させた。次いでこれに、可溶化剤としてブチルアルコール１００ｇと、非イオン界面活性剤として「ノイゲンＳＤ−８０」（第一工業製薬社製のポリオキシエチレンデシルエーテル）１９５ｇを加え、均一になるまで混合することにより、水溶性半田濡れ性向上処理剤(b)１ｋｇを得た。得られた半田濡れ性向上処理剤(b)を脱イオン水で９０質量％に希釈して処理液とした。この処理液にニッケルめっき直後の電子部品端子部を浸漬し、乾燥させた後２５℃で５００時間放置し、めっき皮膜の酸化抑制効果を確認するための試料とした。
【００４５】
実施例４
後記対照例１で用いたのと同じ試験片を、上記実施例３で得た処理液に浸漬してから乾燥した後、電子部品実装におけるリフロー時の加熱条件を想定して２５０℃まで加熱し乾燥した。
【００４６】
実施例５［水溶性半田濡れ性向上処理剤(c)の製造］
有機酸としてパルミチン酸２５６ｇ、アミンとしてジベンジルアミン１９７ｇを使用し、これらを均一に撹拌混合した後、４０〜６０℃の温度で３０分間反応させた。次いでこれに、可溶化剤としてブチルアルコール１００ｇと、プロピレングリコール２００ｇ、および非イオン界面活性剤として「ノイゲンＳＤ−８０」(第一工業製薬社製のポリオキシエチレンデシルエーテル)２４７ｇを加え、均一になるまで混合することにより、水溶性半田濡れ性向上処理剤(c)１ｋｇを製造した。該半田濡れ性向上処理剤(c)を、脱イオン水で希釈することなくそのままで処理液とした。
【００４７】
この処理液にニッケルめっき直後の電子部品端子部を浸漬してから乾燥させ、２５℃で５００時間放置することにより、めっき皮膜の酸化抑制効果を確認するための試料とした。
【００４８】
実施例６
後記対照例１で用いたのと同じ試験片を、上記実施例５で得た処理液に浸漬してから乾燥した後、電子部品実装におけるリフロー時の加熱条件を想定して２５０℃まで加熱して乾燥した後、２５℃で５００時間放置した。
【００４９】
実施例７［水溶性半田濡れ性向上処理剤(d)の製造］
有機酸としてイソステアリン酸２８４ｇとオレイン酸１４１ｇ、アミンとしてメタキシリレンジアミン１０２ｇを使用し、これらを均一に撹拌混合した後、４０〜６０℃の温度で３０分間反応させた。次いでこれに、可溶化剤としてブチルアルコール１００ｇとトリエチレングリコール２００ｇ、および非イオン界面活性剤として「ノイゲンＳＤ−８０」(同前)１７３ｇ加え、均一になるまで混合することにより、水溶性半田濡れ性向上処理剤(d)１ｋｇを得た。
【００５０】
この半田濡れ性向上処理剤(d)を、脱イオン水で８０質量％に希釈して処理液とした。この処理液にニッケルめっき直後の電子部品端子部を浸漬してから乾燥させ、２５℃で５００時間放置し、めっき皮膜の酸化抑制効果を確認するための試料とした。
【００５１】
実施例８
後記対照例１で用いたのと同じ試験片を、上記実施例７で得た処理液に浸漬してから乾燥した後、電子部品実装におけるリフロー時の加熱条件を想定して２５０℃まで加熱し乾燥した。
【００５２】
対照例１
電子部品端子部にニッケルめっきを施した後、水洗してから乾燥し、大気中に２５℃で５００時間放置することにより、ニッケルめっき表面に酸化皮膜を形成させた。
【００５３】
対照例２
上記対照例１と同様の酸化皮膜処理を行った後、２５０℃で加熱した。
【００５４】
比較例１
上記対照例１の酸化皮膜処理を行った後、該酸化皮膜処理面に、ロジン；２０質量％、ジエチルアミン塩酸塩；０．２質量％、イソプロピルアルコール；７９．８質量％のロジン系フラックスを塗布した。
【００５５】
上記実施例１〜８の電子部品端子部と、対照例１，２および比較例１で得た酸化皮膜処理物について、夫々の半田濡れ性を調べた。なお半田としては、Ｓｎ；９６質量％、Ａｇ；３．５質量％、Ｃｕ；０．５質量％よりなる鉛フリーの錫合金を使用した。また、半田濡れ性の評価にはメニスコグラフ法を採用し、下記の条件により半田濡れ時間(秒)の平均値（ｎ＝５）で判断した。結果を表１に示す。
【００５６】
［半田濡れ性評価実験条件］
半田付け温度；２５０℃、浸漬速度；２５ｍｍ／ｓｅｃ、
浸漬深さ；８ｍｍ、浸漬時間；１０秒。
【００５７】
【表１】
2004176179.tif 000002
【００５８】
表１からも明らかな様に、本発明の半田濡れ性向上処理剤を使用すると、電子部品保管時における端子部の酸化を抑制し得ると共に、既に形成されている酸化皮膜は積極的に除去することができ、実装時における半田付け工程で、通常のロジン系フラックスより半田濡れ性を大幅に高め得ることが分る。