(57)【要約】【課題】基板上に配置された発光材料を乾燥させて発光層を形成させる際に、発光層の乾燥速度を略同一にして、膜厚が均一な発光層を形成するとともに、発光層の劣化を防止することができる乾燥装置等を提供することを目的とする。【解決手段】基板Ｐに形成された材料層を乾燥させる乾燥装置３０において、ガスＧを噴射させるノズル４２が複数個形成されたガス噴射部４０と、噴射部４０から噴射されたガスＧの流量或いは流速が基板Ｐの中心部から外周部にかけて減少するようにガスＧの噴射を制御する調整弁４６とを備えるようにした。【選択図】  図４
2004311206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥装置であって、
ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、前記噴射部から噴射されたガスの流量或いは流速が前記基板の中心部から外周部にかけて減少するように前記ガスの噴射を制御する調整弁とを備えること特徴とする乾燥装置。
【請求項２】
基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥装置であって、
ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、前記噴射部から噴射されたガスの温度が前記基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するように前記ガスの温度を制御する温度調整部とを備えること特徴とする乾燥装置。
【請求項３】
基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥装置であって、
ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、前記噴射部から噴射されたガスの流量或いは流速が前記基板の中心部から外周部にかけて減少するように前記ガスの噴射を制御する調整弁と、前記噴射部から噴射されたガスの温度が前記基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するように前記ガスの温度を制御する温度調整部と、を備えること特徴とする乾燥装置。
【請求項４】
前記ガスは、酸素濃度２０ｐｐｍ以下、及び／又は水分濃度２０ｐｐｍ以下のガスであることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の乾燥装置。
【請求項５】
基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥方法において、
前記材料層に対してガスを複数のノズルから吹き付ける工程と、前記ガスの流量或いは流速が前記基板の中心部から外周部にかけて減少するように前記ガスの噴射を制御する工程、及び／又は前記ガスの温度が前記基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するように前記ガスの温度を制御する工程と、を有することを特徴とする乾燥方法。
【請求項６】
発光材料を供給して基板上に発光層を形成する工程を有するＥＬ表示デバイスの製造装置において、
前記発光材料を前記基板上に配置する成膜装置と、ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、前記噴射部から噴射されたガスの流量或いは流速が前記基板の中心部から外周部にかけて減少するように前記ガスの噴射を制御する調整弁、及び／又は前記噴射部から噴射されたガスの温度が前記基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するように前記ガスの温度を制御する温度調整部と、を備えるＥＬ表示デバイスの製造装置。
【請求項７】
前記成膜装置は、前記発光材料を定量的に滴出する液滴吐出装置であることを特徴とする請求項６に記載のＥＬ表示デバイスの製造装置。
【請求項８】
発光材料を供給して基板上に発光層を形成することによりＥＬ表示デバイスを製造する方法において、
前記発光材料を前記基板上に配置する工程と、前記材料層に対してガスを複数のノズルから吹き付ける工程と、前記ガスの流量或いは流速が前記基板の中心部から外周部にかけて減少するように前記ガスの噴射を制御する工程、及び／又は前記ガスの温度が前記基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するように前記ガスの温度を制御する工程と、を有することを特徴とするＥＬ表示デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項６又は請求項７に記載のＥＬ表示デバイスの製造装置、或いは請求項８に記載のＥＬ表示デバイスの製造方法により製造されることを特徴とするＥＬ表示デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のＥＬ表示デバイスが搭載されることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に配置された液状材料の乾燥装置及び方法等に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレーよりさらに薄い表示装置を作れる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が次世代技術として注目されている。生産コストの低減と製品寿命の延長や、テレビなど大型表示装置への応用や、フルカラー化を目指した開発競争が盛んである。
有機ＥＬ素子の製造工程では、低分子系材料を用いる場合、所定パターンのマスク越しに異なる発光色の発光材料を所望の画素対応部分に蒸着し形成する方法が行われている。また、高分子系材料を用いる場合、微細かつ容易にパターニングができることから、特開２０００−３２３２７６号公報に開示されるように、液状材料をインクジェット法により塗布して発光層等の材料層を形成する技術が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３２３２７６号公報（第９頁、第４図）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、インクジェット塗布法による技術では、未だ形成する薄膜の膜厚を十分均一にし得ないといった問題がある。すなわち、一般にインクジェット法で塗布される塗布液は、固形分である膜材料が溶剤に溶解又は分散させられて形成されて、基板上に塗布（吐出）される。そして、薄膜が塗布された基板をヒートプレート上で加熱して溶剤を蒸発させる乾燥処理が施される。この際、基板の中央部の直上では、外周部の直上に比べて、薄膜から蒸発した溶剤蒸気の濃度が高なるため、溶剤の蒸発が起こりにくくなる。その結果、基板の中央部と外周部との乾燥速度が異なり、膜厚が不均一になってしまう。また、基板の大型化に伴い、膜厚が不均一であることにより生ずる問題が顕著となり、特に、有機ＥＬ表示装置の発光層が不均一の場合には、色むらの発生原因となってしまう。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基板上に配置された液状材料を乾燥させて材料層を形成させる際に、材料層の乾燥速度を略同一にして、膜厚が均一な材料層を形成するとともに、発光層の劣化を防止することができる乾燥装置及び方法、ＥＬ表示デバイスの製造装置及び方法、ＥＬ表示デバイス並びに電気機器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る乾燥装置及び方法、ＥＬ表示デバイスの製造装置及び製造方法、ＥＬ表示デバイス並びに電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥装置において、ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、噴射部から噴射されたガスの流量或いは流速が基板の中心部から外周部にかけて減少するようにガスの噴射を制御する調整弁とを備えるようにした。この発明によれば、基板上に配置した材料層に対して吹き付けられるガスの流量或いは流速が、基板の中心部から外周部にかけて減少するので、基板の中心部における材料層の乾燥を周辺部に比べて促進される。したがって、基板の中心部の材料層が外周部に比べて乾燥しづらい状態を解消して、均一な膜厚を確保することができる。
【０００７】
また、基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥装置において、ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、噴射部から噴射されたガスの温度が基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するようにガスの温度を制御する温度調整部とを備えるようにした。この発明によれば、基板上に配置した材料層に対して吹き付けられるガスの温度が、基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するので、基板の中心部における材料層の乾燥を周辺部に比べて促進させることができる。したがって、基板の中心部の材料層が外周部に比べて乾燥しづらい状態を解消して、均一な膜厚を確保することができる。
【０００８】
また、基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥装置において、ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、噴射部から噴射されたガスの流量或いは流速が基板の中心部から外周部にかけて減少するようにガスの噴射を制御する調整弁と、噴射部から噴射されたガスの温度が基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するようにガスの温度を制御する温度調整部と、を備えるようにした。この発明によれば、基板上に配置した材料層に対して吹き付けられるガスの流量或いは流速が基板の中心部から外周部にかけて減少するとともに、ガスの温度が基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するので、基板の中心部における材料層の乾燥を周辺部に比べて促進させることができる。したがって、基板の中心部の材料層が外周部に比べて乾燥しづらい状態を解消して、均一な膜厚を確保することができる。
【０００９】
また、ガスが酸素濃度２０ｐｐｍ以下、及び／又は水分濃度２０ｐｐｍ以下のガスであるものでは、発光層の劣化の原因である酸素及び水分を排除しているので、発光層の劣化のない、鮮明な発光を実現できる。
【００１０】
第２の発明は、基板に形成された材料層を乾燥させる乾燥方法において、材料層に対してガスを複数のノズルから吹き付ける工程と、ガスの流量或いは流速が基板の中心部から外周部にかけて減少するようにガスの噴射を制御する工程、及び／又はガスの温度が基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するようにガスの温度を制御する工程とを有するようにした。この発明によれば、基板上に配置した材料層に対して吹き付けられるガスの流量或いは流速が基板の中心部から外周部にかけて減少するとともに、ガスの温度が基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するので、基板の中心部における材料層の乾燥を周辺部に比べて促進させることができる。したがって、基板の中心部の材料層が外周部に比べて乾燥しづらい状態を解消して、均一な膜厚を確保することができる。
【００１１】
第３の発明は、発光材料を供給して基板上に発光層を形成する工程を有するＥＬ表示デバイスの製造装置において、発光材料を基板上に配置する成膜装置と、ガスを噴射させるノズルが複数個形成されたガス噴射部と、噴射部から噴射されたガスの流量或いは流速が基板の中心部から外周部にかけて減少するようにガスの噴射を制御する調整弁、及び／又は噴射部から噴射されたガスの温度が基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するようにガスの温度を制御する温度調整部と、を備えるようにした。この発明によれば、発光層の膜厚が均一になるので、色むらの発生が抑えられ、滲み等がない、高品質のＥＬ表示デバイスを製造することができる。
また、成膜装置が、発光材料を定量的に滴出する液滴吐出装置であるものでは、発光材料の配置が高精度化されるので、微細なパターンを備えるＥＬ表示デバイスを製造することができ、また、ＥＬ表示デバイスの少量多種生産が可能となる。
【００１２】
第４の発明は、発光材料を供給して基板上に発光層を形成することによりＥＬ表示デバイスを製造する方法において、発光材料を基板上に配置する工程と、材料層に対してガスを複数のノズルから吹き付ける工程と、ガスの流量或いは流速が基板の中心部から外周部にかけて減少するようにガスの噴射を制御する工程、及び／又はガスの温度が基板の中心部から外周部にかけて上昇或いは下降するようにガスの温度を制御する工程と、を有するようにした。この発明によれば、乾燥むらのない、均一な膜厚の発光層が形成されたＥＬ表示デバイスが製造できる。
【００１３】
第５の発明は、ＥＬ表示デバイスが第３の発明に係るＥＬ表示デバイスの製造装置、或いは第４の発明に係るＥＬ表示デバイスの製造方法により製造されるようにした。この発明によれば、乾燥むらのない、均一な膜厚の発光層が形成されるので、生産性が向上し、高品質で低コストのＥＬ表示デバイスを提供することができる。
【００１４】
第６の発明は、電子機器に第５の発明に係るＥＬ表示デバイスが搭載されるようにした。この発明によれば、高品質で低コストの電子機器を提供することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のデバイス製造装置Ｓについて図を参照しながら説明する。
図１は本発明のデバイス製造装置（ＥＬ表示デバイス製造装置）Ｓを示す模式図である。デバイス製造装置Ｓは、成膜装置１０、乾燥装置３０、制御部６０とから構成され、成膜装置１０により基板Ｐ上に膜を配置し、その膜を乾燥装置３０により乾燥させることにより、多層の膜を形成させる。
なお、基板Ｐは、ガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの合成樹脂等の材料により形成される。
【００１６】
成膜装置（液滴吐出装置）１０は、インクジェット方式を利用して、液滴を吐出して、基板Ｐ上に材料層を配置させるものであり、吐出ヘッド１２、タンク１４、テーブル装置１６を備える。
図２は、吐出ヘッド１２の一構成例を説明する分解斜視図である。図３は、吐出ヘッド１２の主要部の斜視図一部断面図である。
吐出ヘッド１２は、同一の構造を備えた複数のヘッドからなり、インクジェット方式によりそれぞれ液滴を吐出可能である。図２に示すように、吐出ヘッド１２は、ノズル２１１の設けられたノズルプレート２１０および振動板２３０が設けられた圧力室基板２２０を筐体２５０に嵌め込んだ構成を備える。この吐出ヘッド１２の主要部構造は、図３に示すように、圧力室基板２２０をノズルプレート２１０と振動板２３０で挟み込んだ構造を備える。ノズルプレート２１０は、圧力室基板２２０と貼り合わせられたときにキャビティ２２１に対応することとなる位置にノズル２１１が形成される。圧力室基板２２０には、シリコン単結晶基板等をエッチングすることにより、各々が圧力室として機能可能にキャビティ２２１が複数設けられている。キャビティ２２１間は側壁（隔壁）２２２で分離されている。各キャビティ２２１は供給口２２４を介して共通の流路であるリザーバ２２３に繋がっている。振動板２３０は、例えば熱酸化層等により構成される。振動板２３０にはインクタンク口２３１が設けられ、タンク１４から任意の流動体２０を供給可能に構成されている。振動板２３０上のキャビティ２２１に相当する位置には、圧電体素子２４０が形成されている。圧電体素子２４０は、ＰＺＴ素子等の圧電性セラミックスの結晶を上部電極および下部電極（図示略）で挟んだ構造を備える。圧電体素子２４０は、制御部６０から供給される吐出信号Ｓｈに対応して体積変化を生ずる。
なお、上記吐出ヘッド１２は、圧電体素子２４０に体積変化を生じさせて液滴を吐出させる構成に限らず、発熱体により流動体に熱を加え、その膨張によって液滴を吐出させるようなヘッド構成であってもよい。
【００１７】
図１に戻り、タンク１４は、それぞれ流動体２０を貯蔵し、パイプを通して流動体２０を吐出ヘッド１２に供給する。流動体２０は液状材料として発光材料Ｋを含む。発光材料Ｋは、例えば、有機材料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）があり、高分子の有機材料としてポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）がある。いずれの場合でも、流動体２０は吐出ヘッド１２から液滴として吐出可能な流動性を呈するように溶媒等で粘度が調整される場合がある。
【００１８】
テーブル装置１６は、テーブル駆動部１７、位置計測部１８、テーブル１９から構成されて、基板Ｐを保持するとともに、Ｘ方向、Ｙ方向に移動させる。そして、テーブル装置１６は、制御部６０からの駆動信号Ｓｘに応じてテーブル駆動部１７により駆動されて、戴置した基板ＰをＸ方向に搬送する。同様に、駆動信号Ｓｙに応じて基板ＰをＹ方向に搬送する。また、位置計測部１８は、テーブル装置１６上に載置した基板Ｐの位置（Ｘ方向およびＹ方向）に対応した信号を制御部６０に送る。そして、その信号に応じて制御部６０が基板Ｐの位置を制御する。
【００１９】
次に、乾燥装置３０について説明する。図４は、乾燥装置３０を示す模式図である。図５は、ノズル４２の配置を示す図である。
乾燥装置３０は、チャンバ３２、ガス噴射部４０から構成される。チャンバ３２は、所定の雰囲気を維持する密閉容器であって、基板Ｐを搬送する基板搬送口３４、基板搬送口３４を開閉する開閉扉３６、チャンバ３２内の気圧調整を行う排気口３８を備える。また、ガス噴射部４０は、チャンバ３２に搬送される基板Ｐ上に配置された材料層に乾燥空気等を吹き掛けて乾燥を促進させる装置であり、複数のノズル４２、パイプ４４、調整弁４６、ボンベ４８、温度調整部５０を備える。ボンベ４８には、酸素濃度２０ｐｐｍ以下、水分濃度２０ｐｐｍ以下の乾燥ガス（ガス）Ｇが充填される。乾燥ガスＧには、例えば、窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスが好ましい。また、ノズル４２（４２−１〜４２−２５）は、図５に示すように、基板Ｐ上に格子状に配置される。そして、温度調整部５０は、ボンベ４８から送られる乾燥ガスＧを加熱或いは冷却して所定の温度に調整する。調整弁４６は、可変オリフィス弁等であって、乾燥ガスＧの流量や流速を調整する。
更に、チャンバ３２内には、基板Ｐを戴置するホルダ５２が設けられ、また、ガス噴射部４０には、基板Ｐに吹き付けられる乾燥ガスＧの温度を測定する温度センサ５４、羽根車等により乾燥ガスＧの流量、流速を測定する流体センサ５６が設置される。
そして、温度センサ５４、流体センサ５６の測定信号は、制御部６０に送られ、その信号に応じて制御部６０が温度調整部５０、調整弁４６に指令して、基板Ｐに吹き付けられる乾燥ガスＧの温度、流量、流速を制御する。
なお、ボンベ４８に代えて、水分や酸素を除去する乾燥ガス供給機やＮ２ガス供給機等を用いてもよい。
【００２０】
制御部６０は、例えばコンピュータ装置でありＣＰＵ、メモリ、インターフェース回路等（いずれも図示略）を備える。制御部６０は所定のプログラムを実行することにより成膜装置１０に発光材料Ｋを含むの流動体２０の吐出を実施させ、また、乾燥装置３０に基板Ｐ上に配置された材料層の乾燥を実施させる。すなわち、流動体２０を吐出させる場合には吐出ヘッド１２に吐出信号Ｓｈを送り、また、テーブル装置１６を移動させる場合にはテーブル駆動部１７に駆動信号ＳｘまたはＳｙを送る。そして、乾燥装置３０内の温度センサ５４、流体センサ５６からの情報に基づいて、温度調整部５０、調整弁４６に指令して、基板Ｐに吹き付ける乾燥ガスＧの温度、流量、流速を制御する。
【００２１】
以上のような構成を備えるデバイス製造装置Ｓは、以下のように作用する。
まず、予め電極（例えばＩＴＯ等からなる透明電極）３２３や正孔輸送層３７０（図８参照）が形成された基板Ｐが成膜装置１０に搬送される。なお、電子輸送層３５０を形成しておいてもよい。そして、テーブル装置１６上に基板Ｐが戴置されると、制御部６０は駆動信号ＳｘまたはＳｙを出力して、テーブル装置１６を動作させる。テーブル駆動部１７は、この駆動信号ＳｘまたはＳｙに対応して基板Ｐを吐出ヘッド１２に対して相対移動させて、吐出ヘッド１２を成膜領域上に移動させる。
次いで、形成すべき膜の種類に応じて流動体２０のいずれかを特定し、その流動体２０を吐出させるための吐出信号Ｓｈを送る。各流動体２０は対応する吐出ヘッド１２のキャビティ２２１に流入している。吐出信号Ｓｈが供給された吐出ヘッド１２では、圧電体素子２４０がその上部電極と下部電極との間に加えられた電圧に対応した体積変化を生ずる。この体積変化は振動板２３０を変形させ、キャビティ２２１の容積を変化させる。この結果、そのキャビティ２２１のノズル２１１から流動体２０の液滴が基板Ｐの上面に向けて吐出される。流動体２０が吐出されたキャビティ２２１には吐出によって減った流動体２０が新たにタンク１４から供給される。
このような作業を繰り返すことにより、基板Ｐ上に複数の発光層（材料層）３６０が配置される。
【００２２】
次に、発光層３６０が配置された基板Ｐを乾燥装置３０に搬送する。基板Ｐは、基板搬送口３４からチャンバ３２内に搬入され、ホルダ５２上に戴置される。そして、開閉扉３６を閉じてガス噴射部４０を動作させることにより、乾燥処理が開始される。なお、チャンバ３２内の圧力を所定の圧力にするために、排気口３８からチャンバ３２内のガスが適宜排気される。
ガス噴射部４０が動作すると、ボンベ４８から送り出される乾燥ガスＧがパイプ４４を介してノズル４２からチャンバ３２内に配置された基板Ｐに向けて吹き付けられる。
基板Ｐに吹き付けられる乾燥ガスＧは、各調整弁４６により、ノズル４２毎に流量或いは流速が調整される。すなわち、基板Ｐの中央部の流量を外周部に比べて多くしたり、中央部の流速を外周部に比べて速くしたりする。例えば、ノズル４２−１の流速、ノズル４２−２〜４２−９の流速、ノズル４２−１０〜４２−２５の流速の比を、３：２：１にしたり、或いは、ノズル４２−１の流量、ノズル４２−２〜４２−９の流量、ノズル４２−１０〜４２−２５の流量の比を、３：２：１にしたりする。このようにして、中央部にから外周部に向けて流量或いは流速が減少するように調整される。
また、基板Ｐに吹き付けられる乾燥ガスＧは、各温度調整部５０により、ノズル４２毎に温度が調整される。すなわち、中央部に吹き付ける乾燥ガスＧの温度を外周部に比べて高くしたり、或いは、逆に中央部の温度を低したりする。例えば、ノズル４２−１の温度、ノズル４２−２〜４２−９の温度、ノズル４２−１０〜４２−２５の温度を、それぞれ５０℃、４０℃、３０℃にしたり、或いは、それぞれ３０℃、４０℃、５０℃にしたりする。このようにして、中央部にから外周部に向けて温度が下降したり上昇したりするように調整される。
そして、ノズル４２の直前に設けられた温度センサ５４及び流体センサ５６により、ノズル４２毎に乾燥ガスＧの温度及び流量、流速が測定される。この測定情報は、制御部６０に送られて、各ノズル４２から噴出される乾燥ガスＧの温度及び流量、流速が制御される。なお、温度及び流量、流速とを同時に調整、制御してもよい。
要するに、基板Ｐに配置される発光材料Ｋの特性に合わせて、発光層３６０の乾燥速度が基板Ｐの中央部と外周部で略同一になるように調整、制御される。なお、温度、流量、流速の相違による発光層３６０の乾燥速度は、予め実験等により測定しておき、その情報を制御部６０のメモリに入力しておく。
また、基板Ｐに吹き付ける乾燥ガスＧを、酸素濃度２０ｐｐｍ以下、及び／又は水分濃度２０ｐｐｍ以下の乾燥ガスＧにすることにより、発光材料Ｋの劣化を防止することができる。すなわち、発光層３６０の乾燥の際に、酸素濃度及び水分濃度が発光層３６０の劣化に大きく関与することが判明したため、酸素濃度及び水分濃度の著しく低い乾燥ガスＧを用いることにより、発光層３６０の劣化を防止するものである。
このような作業により、基板Ｐ上に配置された発光層３６０が均一に乾燥される。
【００２３】
以上の工程により、基板Ｐ上に発光層３６０が形成される。その際、ガス噴射部４０により基板Ｐに吹き付けられる乾燥ガスＧの流量、流速、温度が調整されるので、発光層３６０から蒸発する溶媒の濃度の相違に起因して乾燥速度がばらつく事態が回避できる。これにより、発光層３６０の乾燥むらが抑えられ、基板Ｐ全体において均一な膜厚を有する発光層３６０が形成される。
また、発光層３６０の劣化に関与する酸素及び水分を著しく低減した乾燥ガスＧを用いることにより、発光層３６０の劣化が防止されるので、鮮やかに発光する発光層３６０が基板Ｐの全面に形成される。したがって、色むらがなく、高彩度の表示デバイスを作製することができる。
【００２４】
本実施形態では、成膜装置１０としてインクジェット方式について説明したが、これに限らず、例えば、ディスペンサにより、発光材料Ｋを塗布してもよい。
また、基板Ｐ上に形成する薄膜は、発光層３６０に限らず、他の材料層（例えば、導電層）であってもよい。
また、酸素濃度２０ｐｐｍ以下、水分濃度２０ｐｐｍ以下の乾燥ガスＧを発光層３６０に吹き付ける場合について説明したが、他の材料層の場合には、水分濃度のみ抑えた乾燥ガスを用いて乾燥させればよい。
更に、乾燥ガスＧを基板Ｐに吹き付ける場合に限らず、例えば、チャンバ３２内を１６６分の１気圧（水銀柱４．５９７ｍｍ）以下まで圧力を下げた状態にして水分を昇華させる、いわゆるフリーズドドライ技術により、発光層３６０を乾燥させてもよい。
また、ノズル４２の数及び配置は、任意に変更可能である。発光材料Ｋの特性に合わせて決定すればよい。したがって、格子状に配置する場合に限らず、渦巻き状等に配置してもよい。
【００２５】
次に、上述した構成を有するデバイス製造装置Ｓを用いて、基板Ｐに対して成膜装置１０から発光材料Ｋを吐出し、乾燥装置３０により乾燥処理することにより、基板Ｐ上に発光層３６０等を積層して、基板Ｐに積層配線パターンを形成する方法の一例について詳述する。
以下の説明では有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスＤＳ及びこれを駆動するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を製造する手順を示す。
【００２６】
ＥＬ表示デバイスＤＳは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
【００２７】
ここで、上述したように、成膜装置１０は、吐出ヘッドを複数備えており、各吐出ヘッドからはそれぞれ異なる材料を含む発光材料Ｋが吐出されるようになっている。発光材料Ｋは、材料を微粒子状にし溶媒及びバインダーを用いてペースト化したものであって、吐出ヘッドが吐出可能な粘度（例えば５０ｃｐｓ以下）に設定されている。そして、基板Ｐに対してこれら複数の吐出ヘッドのうち、第１の吐出ヘッドから第１の材料を含む液状材料を吐出した後これを乾燥（焼成）し、次いで第２の吐出ヘッドから第２の材料を含む液状材料を第１の材料層に対して吐出した後これを乾燥（焼成）し、以下、複数の吐出ヘッドを用いて同様の処理を行うことにより、基板Ｐ上に複数の材料層が積層され、多層配線パターンが形成されるようになっている。
【００２８】
図６，図７，図８は、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置の一例を示す図であって、図６は有機ＥＬ表示デバイスＤＳの回路図、図７は対向電極や有機エレクトロルミネッセンス素子を取り除いた状態での画素部の拡大平面図である。
【００２９】
図６に示す回路図のように、この有機ＥＬ表示デバイスＤＳは、基板上に、複数の走査線３１１と、これら走査線３１１に対して交差する方向に延びる複数の信号線３１２と、これら信号線３１２に並列に延びる複数の共通給電線３１３とがそれぞれ配線されたもので、走査線３１１及び信号線３１２の各交点毎に、画素ＡＲが設けられて構成されたものである。
【００３０】
信号線３１２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路３０２が設けられている。
一方、走査線３１１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路３０４が設けられている。また、画素領域ＡＲの各々には、走査線３１１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１の薄膜トランジスタ３２２と、この第１の薄膜トランジスタ３２２を介して信号線３１２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２の薄膜トランジスタ３２４と、この第２の薄膜トランジスタ３２４を介して共通給電線３１３に電気的に接続したときに共通給電線３１３から駆動電流が流れ込む画素電極３２３と、この画素電極（陽極）３２３と対向電極（陰極）５２２との間に挟み込まれる発光部（発光層）３６０とが設けられている。
【００３１】
このような構成のもとに、走査線３１１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ３２２がオンとなると、そのときの信号線３１２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ３２４の導通状態が決まる。そして、第２の薄膜トランジスタ３２４のチャネルを介して共通給電線３１３から画素電極３２３に電流が流れ、さらに発光層３６０を通じて対向電極５２２に電流が流れることにより、発光層３６０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
【００３２】
ここで、各画素ＡＲの平面構造は、図７に示すように、平面形状が長方形の画素電極３２３の四辺が、信号線３１２、共通給電線３１３、走査線３１１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。
【００３３】
図８は図６のＡ−Ａ矢視断面図である。ここで、図８に示す有機ＥＬ表示デバイスＤＳは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が配置された基板Ｐ側とは反対側から光を取り出す形態、いわゆるトップエミッション型である。
【００３４】
なお、上述したが、基板Ｐの形成材料としては、ガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの合成樹脂などが挙げられる。ここで、有機ＥＬ表示デバイスＤＳがトップエミッション型である場合、基板Ｐは不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
【００３５】
一方、ＴＦＴが配置された基板側から光を取り出す形態、いわゆるバックエミッション型においては、基板としては透明なものが用いられ、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
【００３６】
図８に示すように、トップエミッション型の有機ＥＬ表示デバイスＤＳは、基板Ｐと、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極材料からなる陽極（画素電極）３２３と、陽極３２３から正孔を輸送可能な正孔輸送層３７０と、電気光学物質の１つである有機ＥＬ物質を含む発光層（有機ＥＬ層、電気光学素子）３６０と、発光層３６０の上面に設けられている電子輸送層３５０と、電子輸送層３５０の上面に設けられているアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）等からなる陰極（対向電極）５２２と、基板Ｐ上に形成され、画素電極３２３にデータ信号を書き込むか否かを制御する通電制御部としての薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する）３２４とを有している。ＴＦＴ３２４は、走査線駆動回路３０４及びデータ線駆動回路３０２からの作動指令信号に基づいて作動し、画素電極３２３への通電制御を行う。
【００３７】
ＴＦＴ３２４は、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層５８１を介して基板Ｐの表面に設けられている。このＴＦＴ３２４は、下地保護層５８１の上層に形成されたシリコン層５４１と、シリコン層５４１を覆うように下地保護層５８１の上層に設けられたゲート絶縁層５８２と、ゲート絶縁層５８２の上面のうちシリコン層５４１に対向する部分に設けられたゲート電極５４２と、ゲート電極５４２を覆うようにゲート絶縁層５８２の上層に設けられた第１層間絶縁層５８３と、ゲート絶縁層５８２及び第１層間絶縁層５８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層５４１と接続するソース電極５４３と、ゲート電極５４２を挟んでソース電極５４３と対向する位置に設けられ、ゲート絶縁層５８２及び第１層間絶縁層５８３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層５４１と接続するドレイン電極５４４と、ソース電極５４３及びドレイン電極５４４を覆うように第１層間絶縁層５８３の上層に設けられた第２層間絶縁層５８４とを備えている。
【００３８】
そして、第２層間絶縁層５８４の上面に画素電極３２３が配置され、画素電極３２３とドレイン電極５４４とは、第２層間絶縁層５８４に設けられたコンタクトホール３２３ａを介して接続されている。また、第２層間絶縁層５８４の表面のうち有機ＥＬ素子が設けられている以外の部分と陰極５２２との間には、合成樹脂などからなる第３絶縁層（バンク層）５２１が設けられている。
【００３９】
なお、シリコン層５４１のうち、ゲート絶縁層５８２を挟んでゲート電極５４２と重なる領域がチャネル領域とされている。また、シリコン層５４１のうち、チャネル領域のソース側にはソース領域が設けられている一方、チャネル領域のドレイン側にはドレイン領域が設けられている。このうち、ソース領域が、ゲート絶縁層５８２と第１層間絶縁層５８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極５４３に接続されている。一方、ドレイン領域が、ゲート絶縁層５８２と第１層間絶縁層５８３とにわたって開孔するコンタクトホールを介して、ソース電極５４３と同一層からなるドレイン電極５４４に接続されている。画素電極３２３は、ドレイン電極５４４を介して、シリコン層５４１のドレイン領域に接続されている。
【００４０】
次に、図９及び図１０を参照しながら図８に示した有機ＥＬ表示デバイスＤＳの製造プロセスについて説明する。
はじめに、基板Ｐ上にシリコン層５４１を形成する。シリコン層５４１を形成する際には、まず、図９（ａ）に示すように、基板Ｐの表面にＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約２００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜からなる下地保護層５８１を形成する。
【００４１】
次に、図９（ｂ）に示すように、基板Ｐの温度を約３５０℃に設定して、下地保護層５８１の表面にプラズマＣＶＤ法あるいはＩＣＶＤ法により厚さ約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコン膜からなる半導体層５４１Ａを形成する。次いで、この半導体層５４１Ａに対してレーザアニール法、急速加熱法、または固相成長法などによって結晶化工程を行い、半導体層５４１Ａをポリシリコン層に結晶化する。レーザアニール法では、例えばエキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は例えば２００ｍＪ／ｃｍ２  とする。ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００４２】
次いで、図９（ｃ）に示すように、半導体層（ポリシリコン層）５４１Ａをパターニングして島状のシリコン層５４１とした後、その表面に対して、ＴＥＯＳや酸化ガスなどを原料としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜又は窒化膜からなるゲート絶縁層５８２を形成する。なお、シリコン層５４１は、図６に示した第２の薄膜トランジスタ３２４のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となるものであるが、異なる断面位置においては第１の薄膜トランジスタ３２２のチャネル領域及びソース・ドレイン領域となる半導体膜も形成されている。つまり、二種類のトランジスタ３２２、３２４は同時に形成されるが、同じ手順で作られるため、以下の説明において、トランジスタに関しては、第２の薄膜トランジスタ３２４についてのみ説明し、第１の薄膜トランジスタ３２２についてはその説明を省略する。
【００４３】
なお、ゲート絶縁層５８２を多孔性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）としてもよい。多孔性を有するＳｉＯ２膜からなるゲート絶縁層５８２は、反応ガスとしてＳｉ２Ｈ６とＯ３とを用いて、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により形成される。これらの反応ガスを用いると、気相中に粒子の大きいＳｉＯ２が形成され、この粒子の大きいＳｉＯ２がシリコン層５４１や下地保護層５８１の上に堆積する。そのため、ゲート絶縁層５８２は、層中に多くの空隙を有し、多孔質体となる。そして、ゲート絶縁層５８２は多孔質体となることによって低誘電率を有するようになる。
【００４４】
なお、ゲート絶縁層５８２の表面にＨ（水素）プラズマ処理をしてもよい。これにより、空隙の表面のＳｉ−Ｏ結合中のダングリングボンドがＳｉ−Ｈ結合に置き換えられ、膜の耐吸湿性が良くなる。そして、このプラズマ処理されたゲート絶縁層５８２の表面に別のＳｉＯ２層を設けてもよい。こうすることにより、低誘電率な絶縁層が形成できる。
また、ゲート絶縁層５８２をＣＶＤ法で形成する際の反応ガスは、Ｓｉ２Ｈ６＋Ｏ３の他に、Ｓｉ２Ｈ６＋Ｏ２、Ｓｉ３Ｈ８＋Ｏ３、Ｓｉ３Ｈ８＋Ｏ２としてもよい。更に、上記の反応ガスに加えて、Ｂ（ホウ素）含有の反応ガス、Ｆ（フッ素）含有の反応ガスを用いてもよい。
【００４５】
更に、ゲート絶縁層５８２をインクジェット法を用いて形成してもよい。ゲート絶縁層５８２を形成するための吐出ヘッド１２から吐出させる液状材料としては、上述したＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。インクジェット法によって形成されたゲート絶縁層５８２は、この後、予備乾燥される。
【００４６】
インクジェット法によってゲート絶縁層５８２を形成する際には、ゲート絶縁層５８２を形成するための吐出動作をする前に、下地保護層５８１やシリコン層５４１に対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、ＵＶ、プラズマ処理等の親液処理である。こうすることにより、ゲート絶縁層５８２を形成するための液状材料は下地保護層５８１などに密着するとともに、平坦化される。
【００４７】
次いで、図９（ｄ）に示すように、ゲート絶縁層５８２上にアルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を含む導電膜をスパッタ法により形成した後、これをパターニングし、ゲート電極５４２を形成する。次いで、この状態で高濃度のリンイオンを打ち込み、シリコン層５４１に、ゲート電極５４２に対して自己整合的にソース領域５４１ｓ及びドレイン領域５４１ｄを形成する。この場合、ゲート電極５４２はパターニング用マスクとして用いられる。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５４１ｃとなる。
【００４８】
次いで、図９（ｅ）に示すように、第１層間絶縁層５８３を形成する。第１層間絶縁層５８３は、ゲート絶縁層５８２同様、シリコン酸化膜または窒化膜、多孔性を有するシリコン酸化膜などによって構成され、ゲート絶縁層５８２の形成方法と同様の手順でゲート絶縁層５８２の上層に形成される。
更に、第１層間絶縁層５８３の形成工程を、ゲート絶縁層５８２の形成工程と同様、インクジェット法によって行ってもよい。第１層間絶縁層５８３を形成するための吐出ヘッド１２から吐出させる液状材料としては、ゲート絶縁層５８２同様、ＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。インクジェット法によって形成された第１層間絶縁層５８３は、この後、予備乾燥される。
【００４９】
インクジェット法によって第１層間絶縁層５８３を形成する際には、第１層間絶縁層５８３を形成するための吐出動作をする前に、ゲート絶縁層５８２上面に対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、ＵＶ、プラズマ処理等の親液処理である。こうすることにより、第１層間絶縁層５８３を形成するための液状材料はゲート絶縁層５８２に密着するとともに、平坦化される。
【００５０】
そして、この第１層間絶縁層５８３及びゲート絶縁層５８２にフォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、ソース電極及びドレイン電極に対応するコンタクトホールを形成する。次いで、第１層間絶縁層５８３を覆うように、アルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなる導電層を形成した後、この導電層のうち、ソース電極及びドレイン電極が形成されるべき領域を覆うようにパターニング用マスクを設けるとともに、導電層をパターニングすることにより、ソース電極５４３及びドレイン電極５４４を形成する。
【００５１】
次に、図示はしないが、第１層間絶縁層５８３上に、信号線、共通給電線、走査線を形成する。このとき、これらに囲まれる箇所は後述するように発光層等を形成する画素となることから、例えばバックエミッション型とする場合には、ＴＦＴ３２４が前記各配線に囲まれた箇所の直下に位置しないよう、各配線を形成する。
【００５２】
次いで、図１０（ａ）に示すように、第２層間絶縁層５８４を、第１層間絶縁層５８３、各電極５４３、５４４、前記不図示の各配線を覆うように形成する。
第１層間絶縁層５８３はインクジェット法によって形成される。ここで、デバイス製造装置Ｓの制御部６０は、図１０（ａ）に示すように、ドレイン電極５４４の上面に非吐出領域（非滴下領域）Ｈを設定し、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分、ソース電極５４３及び第１層間絶縁層５８３を覆うように、第２層間絶縁層５８４を形成するための液状材料を吐出し、第２層間絶縁層５８４を形成する。こうすることによって、コンタクトホール３２３ａが形成される。あるいは、コンタクトホール３２３ａをフォトリソグラフィ法で形成してもよい。
【００５３】
ここで、第２層間絶縁層５８４を形成するための吐出ヘッド１２から吐出させる液状材料としては、第１層間絶縁層５８３同様、ＳｉＯ２等の材料を適当な溶媒に分散してペースト化したものや、絶縁性材料含有ゾルなどが挙げられる。絶縁性材料含有ゾルとしては、テトラエトキシシラン等のシラン化合物をエタノール等の適当な溶媒に溶かしたものや、アルミニウムのキレート塩、有機アルカリ金属塩または有機アルカリ土類金属塩等を含有する組成物で、焼成すると無機酸化物のみになるように調合したものでもよい。インクジェット法によって形成された第２層間絶縁層５８４は、この後、予備乾燥される。
【００５４】
インクジェット法によって第２層間絶縁層５８４を形成する際には、第２層間絶縁層５８４を形成するための吐出動作をする前に、ドレイン電極５４４の非吐出領域Ｈに対して液状材料の親和性を制御する表面処理をしておいてもよい。この場合の表面処理は、撥液処理である。こうすることにより、非吐出領域Ｈには液状材料が配置されず、コンタクトホール３２３ａを安定して形成できる。また、非吐出領域Ｈ以外のドレイン電極５４４上面、ソース電極５４３上面、第１層間絶縁層５８３上面には、予め親液処理を施しておくことにより、第２層間絶縁層５８４を形成するための液状材料は第１層間絶縁層５８３やソース電極５４３、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外に部分に密着するとともに、平坦化される。
【００５５】
こうして、第２層間絶縁層５８４のうちドレイン電極５４４に対応する部分にコンタクトホール３２３ａを形成しつつ、ドレイン電極５４４の上層に第２層間絶縁層５８４を形成したら、図１０（ｂ）に示すように、コンタクトホール３２３ａにＩＴＯ等の導電性材料を充填するように、すなわち、コンタクトホール３２３ａを介してドレイン電極５４４に連続するように導電性材料をパターニングし、画素電極（陽極）３２３を形成する。
【００５６】
有機ＥＬ素子に接続する陽極３２３は、ＩＴＯやフッ素をドープしてなるＳｎＯ２、更にＺｎＯやポリアミン等の透明電極材料からなり、コンタクトホール３２３ａを介してＴＦＴ３２４のドレイン電極５４４に接続されている。陽極３２３を形成するには、前記透明電極材料からなる膜を第２層間絶縁層５８４上面に形成し、この膜をパターニングすることにより形成される。
【００５７】
陽極３２３を形成したら、図１０（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層５８４の所定位置及び陽極３２３の一部を覆うように、第３絶縁層５２１である有機バンク層を形成する。第３絶縁層５２１はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの合成樹脂によって構成されている。具体的な第３絶縁層５２１の形成方法としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に融かしたものを、スピンコート、ディップコート等により塗布して絶縁層を形成する。なお、絶縁層の構成材料は、後述する液状材料の溶媒に溶解せず、しかもエッチング等によってパターニングしやすいものであればどのようなものでもよい。更に、絶縁層をフォトリソグラフィ技術等により同時にエッチングして、開口部５２１ａを形成することにより、開口部５２１ａを備えた第３絶縁層５２１が形成される。
【００５８】
ここで、第３絶縁層５２１の表面には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とが形成される。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的にプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、開口部５２１ａの壁面並びに画素電極３２３の電極面を親液性にする親液化工程と、第３絶縁層５２１の上面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とを有している。
すなわち、基材（第３絶縁層等を含む基板Ｐ）を所定温度（例えば７０〜８０度程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。なお、画素電極３２３の電極面についても、このＣＦ４プラズマ処理の影響を多少受けるが、画素電極３２３の材料であるＩＴＯ等はフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００５９】
次いで、図１０（ｄ）に示すように、陽極３２３の上面に正孔輸送層３７０を形成する。ここで、正孔輸送層３７０の形成材料としては、特に限定されることなく公知のものが使用可能であり、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等からなる。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
【００６０】
なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
【００６１】
正孔注入／輸送層３７０を形成する際には、インクジェット法が用いられる。すなわち、上述した正孔注入／輸送層材料を含む組成物液状材料を陽極３２３の電極面上に吐出した後に、予備乾燥処理を行うことにより、陽極３２３上に正孔注入／輸送層３７０が形成される。なお、この正孔注入／輸送層形成工程以降は、正孔注入／輸送層３７０及び発光層（有機ＥＬ層）３６０の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。例えば、吐出ヘッド（不図示）に正孔注入／輸送層材料を含む組成物液状材料を充填し、吐出ヘッドの吐出ノズルを陽極３２３の電極面に対向させ、吐出ヘッドと基材（基板Ｐ）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御されたインキ滴を電極面に吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理して組成物液状材料に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、正孔注入／輸送層３７０が形成される。
【００６２】
なお、組成物液状材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸等との混合物を、イソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものを用いることができる。ここで、吐出された液滴は、親液処理された陽極３２３の電極面上に広がり、開口部５２１ａの底部近傍に満たされる。その一方で、撥液処理された第３絶縁層５２１の上面には液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からはずれて第３絶縁層５２１の上面に吐出されたとしても、該上面が液滴で濡れることがなく、はじかれた液滴が第３絶縁層５２１の開口部５２１ａ内に転がり込むものとされている。
【００６３】
次いで、正孔注入／輸送層３７０上面に発光層３６０を形成する。発光層３６０の形成材料としては、特に限定されることなく、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質からなる発光物質が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン構造を含むものが特に好ましい。低分子蛍光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。
【００６４】
発光層３６０は、正孔注入／輸送層３７０の形成方法と同様の手順で形成される。すなわち、インクジェット法によって発光層材料を含む組成物液状材料を正孔注入／輸送層３７０の上面に吐出した後に、予備乾燥処理を行うことにより、第３絶縁層５２１に形成された開口部５２１ａ内部の正孔注入／輸送層３７０上に発光層３６０が形成される。この発光層形成工程も上述したように不活性ガス雰囲気下で行われる。吐出された組成物液状材料は撥液処理された領域ではじかれるので、液滴が所定の吐出位置からはずれたとしても、はじかれた液滴が第３絶縁層５２１の開口部５２１ａ内に転がり込む。
【００６５】
次いで、発光層３６０の上面に電子輸送層３５０を形成する。電子輸送層３５０も発光層３６０の形成方法と同様、インクジェット法により形成される。電子輸送層３５０の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。インクジェット法により組成物液状材料を吐出した後、予備乾燥処理が行われる。
【００６６】
なお、前述した正孔注入／輸送層３７０の形成材料や電子輸送層３５０の形成材料を発光層３６０の形成材料に混合し、発光層形成材料として使用してもよく、その場合に、正孔注入／輸送層形成材料や電子輸送層形成材料の使用量については、使用する化合物の種類等によっても異なるものの、十分な成膜性と発光特性を阻害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決定される。通常は、発光層形成材料に対して１〜４０重量％とされ、さらに好ましくは２〜３０重量％とされる。
【００６７】
次いで、図１０（ｅ）に示すように、電子輸送層３５０及び第３絶縁層５２１の上面に陰極５２２を形成する。陰極５２２は、電子輸送層３５０及び第３絶縁層５２１の表面全体、あるいはストライプ状に形成されている。陰極５２２については、もちろんＡｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの単体材料やＭｇ：Ａｇ（１０：１合金）の合金材料からなる１層で形成してもよいが、２層あるいは３層からなる金属（合金を含む。）層として形成してもよい。具体的には、Ｌｉ２  Ｏ（０．５ｎｍ程度）／ＡｌやＬｉＦ（０．５ｎｍ程度）／Ａｌ、ＭｇＦ２  ／Ａｌといった積層構造のものも使用可能である。陰極２２２は上述した金属からなる薄膜であり、光を透過可能である。
【００６８】
なお、上記実施形態では、各絶縁層を形成する際にインクジェット法を用いているが、ソース電極５４３やドレイン電極５４４、あるいは陽極３２３や陰極５２２を形成する際にインクジェット法を用いてもよい。予備乾燥処理は、組成物液状材料のそれぞれを吐出後、行われる。
【００６９】
なお、導電性材料層を構成する導電性材料（デバイス形成用材料）としては、所定の金属、あるいは導電性ポリマーが挙げられる。
金属としては、金属ペーストの用途によって銀、金、ニッケル、インジウム、錫、鉛、亜鉛、チタン、銅、クロム、タンタル、タングステン、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ホウ素、ケイ素、アルミニウム、マグネシウム、スカンジウム、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ルテニウム、オスミウム、ニオブ、ビスマス、バリウムなどのうち少なくとも１種の金属又はこれらの合金が挙げられる。また、酸化銀（ＡｇＯ又はＡｇ２Ｏ）や酸化銅なども挙げられる。
【００７０】
また、上記導電性材料を吐出ヘッドから吐出可能にペースト化する際の有機溶媒としては、炭素数５以上のアルコール類（例えばテルピネオール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、フェネチルアルコール）の１種以上を含有する溶媒、又は有機エステル類（例えば酢酸エチル、オレイン酸メチル、酢酸ブチル、グリセリド）の１種以上を含有する溶媒であればよく、使用する金属又は金属ペーストの用途によって適宜選択できる。更には、ミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼンもしくはそれらの混合物、又はそれらにα−テルピネオールを混合したもの、炭素数５以上の炭化水素（例えば、ピネン等）、アルコール（例えば、ｎ−ヘプタノール等）、エーテル（例えば、エチルベンジルエーテル等）、エステル（例えば、ｎ−ブチルステアレート等）、ケトン（例えば、ジイソブチルケトン等）、有機窒素化合物（例えば、トリイソプロパノールアミン等）、有機ケイ素化合物（シリコーン油等）、有機硫黄化合物もしくはそれらの混合物を用いることもできる。なお、有機溶媒中に必要に応じて適当な有機物を添加してもよい。そして、これら溶媒に応じて、予備乾燥処理の際のガス温度が設定される。
【００７１】
上記実施形態の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを備えた電子機器ＥＱの例について図１１を参照して説明する。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、携帯電話１０００（電子機器ＥＱ）は、上記の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを用いた表示部１００１を備える。
図１１（ｂ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、腕時計１１００（電子機器ＥＱ）は、上記の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを用いた表示部１１０１を備える。
図１１（ｃ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、情報処理装置１２００（電子機器ＥＱ）は、キーボードなどの入力部１２０２、情報処理装置本体１２０４、上記の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを用いた表示部１２０６を備える。
以上のように、図１１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器ＥＱは、上記実施の形態の有機ＥＬ表示デバイスＤＳを表示部として備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機ＥＬ表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７２】
上記実施形態は、本発明のデバイスの製造方法を、有機ＥＬ表示デバイスの駆動用ＴＦＴの配線パターン形成に適用したものであるが、有機ＥＬ表示デバイスに限らず、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）デバイスの配線パターンの製造、液晶表示デバイスの配線パターンの製造など、各種多層配線デバイスの製造に適用可能である。そして、各種多層配線デバイスを製造するに際し、導電性材料層及び絶縁性材料層のうちいずれの材料層を形成する際にもインクジェット法を適用できる。
【００７３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施の形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】デバイス製造装置を示す模式図である。
【図２】吐出ヘッドの分解斜視図である。
【図３】吐出ヘッドの主要部の斜視図一部断面図である。
【図４】乾燥装置を示す模式図である。
【図５】ノズルの配置図である。
【図６】アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を示す回路図である。
【図７】有機ＥＬ表示装置における画素部の平面構造を示す拡大図である。
【図８】有機ＥＬ表示装置の層構成を示す図である。
【図９】有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す説明図である。
【図１０】有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す説明図である。
【図１１】有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器を示す図である。
【符号の説明】
Ｓ  デバイス製造装置（ＥＬ表示デバイス製造装置）      １０  成膜装置（液滴吐出装置）      ３０  乾燥装置      ４０  ガス噴射部      ４２  ノズル
４６  調整弁      ５０  温度調整部      ３６０  発光層（材料層）      Ｐ  基板      Ｋ  発光材料      Ｇ  乾燥ガス（ガス）      ＤＳ  ＥＬ表示デバイス      ＥＱ  電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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