(57)【要約】【課題】はんだ濡れ性が劣化するのを回避して良好な実装性を有するめっき皮膜を形成することのできるようにする。【解決手段】前処理工程１１、自己触媒Ｎｉめっき工程１２、及び置換Ａｕめっき工程１３により、セラミック素体の表面に形成されたＣｕ電極上にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を順次形成する。そして、後処理工程１３では、ｐＨ４．０以下及び錯化剤を含有した溶液のうちの少なくともいずれか一方を含む溶液をＮｉ除去液として使用し、Ａｕ皮膜の形成されたセラミック素体を前記Ｎｉ除去液に浸漬し、Ａｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を除去する。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板素体の表面に形成された導電部にめっき処理を施し、Ｎｉを主成分とするＮｉ皮膜及びＡｕを主成分とするＡｕ皮膜を順次形成し、その後、前記Ａｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を除去する後処理を行なうことを特徴とする電子部品のめっき方法。
【請求項２】
前記後処理は、前記Ｎｉ化合物をＮｉ除去液と接触させる接触処理を施し、前記Ｎｉ化合物を前記Ａｕ皮膜上から除去することを特徴とする請求項１記載の電子部品のめっき方法。
【請求項３】
前記Ｎｉ除去液は、Ｎｉの溶解度が純水よりも大きい溶液であることを特徴とする請求項２記載の電子部品のめっき方法。
【請求項４】
前記Ｎｉ除去液は、水素イオン指数ｐＨが４．０以下の酸性溶液及び錯化剤を含有した溶液のうちの少なくともいずれか一方の溶液を含むことを特徴とする請求項３記載の電子部品のめっき方法。
【請求項５】
前記接触処理は、前記Ａｕ皮膜が形成されている基板素体を前記Ｎｉ除去液に浸漬することにより行うことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品のめっき方法。
【請求項６】
前記接触処理は、前記Ｎｉ除去液を前記Ｎｉ化合物に撒布することにより行うことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の電子部品のめっき方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のめっき方法を使用して製造されていることを特徴とする電子部品。
【請求項８】
外部電子部品がはんだを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項７記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品のめっき方法、及び電子部品に関し、より詳しくは半導体素子やコンデンサ、抵抗器等の外部電子部品がはんだを介して接合されたセラミック多層基板等の電子部品のめっき方法、及び該めっき方法を使用して製造された電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、セラミック多層基板等の電子部品は、一般に高分子系材料やセラミック系材料で形成された絶縁基体に内部導体が埋設されると共に、該絶縁基体の表面に外部導体が形成され、外部導体と内部導体とが電気的に接続されている。そして、前記外部導体のうち、少なくともはんだを介して外部電子部品に接続される外部導体については、電極部を構成するＣｕ等の導電性材料がはんだ中に拡散して消失するのを回避するために前記電極部の表面にＮｉ皮膜が形成され、またＮｉ皮膜の酸化を防止し且つはんだ濡れ性の向上を図るべくＮｉ皮膜の表面にＡｕ皮膜が形成されている。
【０００３】
尚、外部電子部品とは、セラミック多層基板等の電子部品に搭載される半導体素子やコンデンサ、抵抗器等の電子部品をいう。
【０００４】
また、Ｎｉ皮膜やＡｕ皮膜等のめっき皮膜を形成する方法としては、電解めっき法と無電解めっき法とがあるが、セラミック多層基板のような微細で複雑な導電パターンが要求されるものについては、電流分布の影響を受けることがない無電解めっきが多用されている。
【０００５】
そして、前記無電解めっき法には、めっき液に還元剤を添加し該還元剤の酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用する自己触媒型と、溶液中の金属イオンと素地金属間で生じる置換反応を利用した置換型とがあるが、Ｎｉ皮膜については、自己触媒型無電解めっき（以下、「自己触媒めっき」という）により形成し、Ａｕ皮膜については、置換型無電解めっき（以下、「置換めっき」という）により形成することが行われており、従来より、この種の関連技術が各種提案されている（特許文献１〜３参照）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−３３５８５９号公報
【特許文献２】
特開平８−３２５７４４号公報
【特許文献３】
特開２０００−２２３４４２号公報
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法で形成されためっき皮膜は、はんだ付け時の熱負荷や湿中放置によってはんだ濡れ性が劣化し、このため電子部品と外部電子部品との間で接合不良や接合強度の低下等、実装不良が生じる虞があるという問題点があった。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、はんだ濡れ性が劣化するのを回避して良好な実装性を有するめっき皮膜を形成することのできる電子部品のめっき方法、及び電子部品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、はんだ濡れ性を向上させるべく、めっき皮膜の表面性状について鋭意研究を行ったところ、置換Ａｕめっき処理を施した直後においても、Ａｕと置換したＮｉ２＋がＡｕめっき液中に存在し、このため、Ｎｉ２＋がＮｉ化合物となってＡｕ皮膜の表面に付着し、その結果前記Ｎｉ化合物がＡｕ皮膜の一部を被覆してはんだ濡れ性の劣化を招来することが判明した。
【０００９】
したがって、はんだ濡れ性を向上させるためには、Ａｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を除去する必要がある。
【００１０】
そこで、本発明に係る電子部品のめっき方法は、基板素体の表面に形成された導電部にめっき処理を施し、Ｎｉを主成分とするＮｉ皮膜及びＡｕを主成分とするＡｕ皮膜を順次形成し、その後、前記Ａｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を除去する後処理を行なうことを特徴としている。
【００１１】
また、上記Ｎｉ化合物は水に対する溶解度が小さいため、通常の水洗や湯洗では除去することができない。
【００１２】
そこで、本発明者が鋭意研究したところ、Ｎｉの溶解度が純水よりも大きな溶液、具体的には水素イオン指数ｐＨ（以下、単に「ｐＨ」という）が４．０以下に調製された酸性溶液及び錯化剤を含有した溶液のうちの少なくともいずれか一方の溶液をＮｉ除去液として使用し、前記Ｎｉ化合物を前記Ｎｉ除去液に接触させることにより、Ａｕ皮膜の表面からＮｉ化合物を除去することができるという知見を得た。
【００１３】
すなわち、本発明のめっき方法は、前記後処理は、前記Ｎｉ化合物をＮｉ除去液と接触させる接触処理を施し、前記Ｎｉ化合物を前記Ａｕ皮膜上から除去することを特徴とし、前記Ｎｉ除去液は、前記Ｎｉ除去液は、Ｎｉの溶解度が純水よりも大きい溶液、具体的には、ｐＨが４．０以下及び錯化剤を含有した溶液のうちの少なくともいずれか一方の溶液を含むことを特徴としている。
【００１４】
また、接触処理としては、Ａｕ皮膜がＮｉ化合物で被覆された基板素体をＮｉ除去液に浸漬させたり、Ｎｉ除去液をＮｉ化合物に撒布する方法がある。
【００１５】
そこで、本発明のめっき方法は、前記接触処理は、前記Ａｕ皮膜が形成されている基板素体を前記Ｎｉ除去液に浸漬することにより行うことを特徴とし、或いは前記Ｎｉ除去液を前記Ｎｉ化合物に撒布することにより行うことを特徴としている。
【００１６】
また、本発明に係る電子部品は、上記めっき方法を使用して製造されていることを特徴としている。
【００１７】
上記電子部品によれば、Ａｕ皮膜上のＮｉ化合物が除去されているので、はんだ濡れ性が劣化することもなく、良好なはんだ付け性を有する電子部品を得ることができる。
【００１８】
また、本発明に係る電子部品は、外部電子部品がはんだを介して電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１９】
上記電子部品によれば、Ａｕ皮膜上のＮｉ化合物が除去されているので、はんだ濡れ性に起因した実装不良が生じることのない電子部品を得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。
【００２１】
図１は本発明に係るめっき方法を使用して製造された電子部品としてのセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図であって、該セラミック多層基板は、複数のセラミックシート（第１〜第４のセラミックシート１ａ〜１ｄ）が積層されてセラミック素体２を形成している。
【００２２】
また、セラミック素体２の表面には外部導体４ａ〜４ｇが形成されると共に、該セラミック素体２の内部には所定パターンの内部導体３ａ〜３ｅが埋設され、ビアホール５ａ〜５ｇを介して各内部導体間３ａ〜３ｅ、又は内部導体３ａ〜３ｅと外部導体４ａ〜４ｇとが電気的に接続されている。
【００２３】
さらに、外部導体４ｂ〜４ｅ上には外部電子部品としての半導体素子６及びコンデンサ７がはんだを介して接続されている。
【００２４】
また、外部導体４（４ａ〜４ｇ）は、図２に示すように、Ｃｕを主成分とした電極部（以下、「Ｃｕ電極」という）８の表面にＮｉ−Ｐ皮膜９が形成され、さらにＮｉ−Ｐ皮膜９の表面にＡｕ皮膜１０が形成されている。
【００２５】
次に、上記セラミック多層基板の製造方法を説明する。
【００２６】
まず、所定形状に成形された第１〜第４のセラミックシート１ａ〜１ｄに対しビアホール５ａ〜５ｇを形成し、次いで、導電性ペーストを使用し、所定の配線パターンを第１〜第３のセラミックシート１ａ〜１ｃ上にスクリーン印刷して内部導体３ａ〜３ｅを形成し、その後、第１〜第４のセラミックシート１ａ〜１ｄを積層し、所定温度で焼成処理してセラミック素体２を形成する。
【００２７】
次いで、セラミック素体２の表面にＣｕを主成分とする導電性ペーストを塗布した後、焼付処理を行なって所定パターンのＣｕ電極８が形成された被めっき物を作製し、該被めっき物に一連の前処理を行なった後、無電解めっき処理を行なう。
【００２８】
図２は無電解めっきの処理手順を示す工程図である。
【００２９】
まず、前処理工程１１では、被めっき物から有機物質や無機物質による汚染を除去すると共に、めっき液とＣｕ電極８との濡れ性を向上させるべく、被めっき物に脱脂処理を施す、尚、脱脂処理はアセトン等の非水系溶液で実施することが望ましいが、ｐＨ４〜１０のエマルジョン系脱脂液や水を使用してもよい。
【００３０】
次いで、被めっき物を硫酸塩やクエン酸等の酸性水溶液に浸漬してＣｕ電極８の表面に固着している酸化物をエッチング除去し、さらにＣｕ電極８の表面に形成されたスマットを酸性処理液で除去する。
【００３１】
次に、自己触媒Ｎｉめっき工程１２では、被めっき物をＰｄ触媒液に浸漬し、Ｃｕ電極８にＰｄ触媒を付与する。そして、還元剤として、Ｎｉに対し優れた還元性を有するホスフィン酸塩を使用し、浴温６０〜９０℃の無電解Ｎｉめっき液に被めっき物を浸漬して無電解Ｎｉめっきを施し、Ｃｕ電極８上にＮｉ−Ｐ皮膜９を形成する。
【００３２】
尚、ホスフィン酸塩としては、ホスフィン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２）、ホスフィン酸カリウム（ＫＨ２ＰＯ２）、ホスフィン酸カルシウム（Ｃａ（Ｈ２ＰＯ２）２）等の可溶性塩を使用することができる。
【００３３】
また、無電解Ｎｉめっき液のＮｉ２＋の供給源としては、各種ニッケル塩を使用することができ、例えば水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）２）、炭酸ニッケル（ＮｉＣＯ３）、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２）、スルファミン酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＨ２ＳＯ３）２）、硫酸ニッケルアンモニウム（（ＮＨ４）２Ｎｉ（ＳＯ４）２・６Ｈ２Ｏ）等を使用することができ、また無電解Ｎｉめっき液には、クエン酸やグルタミン酸等の錯化剤、その他の添加剤が含有され、ｐＨが４〜１０に調製されている。
【００３４】
次いで、置換Ａｕめっき工程１３では、Ａｕ＋或いはＡｕ３＋を含有した浴温５５〜９０℃のめっき液（Ａｕめっき液）に被めっき物を浸漬してＮｉ−Ｐ皮膜９上にＡｕめっきを施す。
【００３５】
すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜９が形成された被めっき物をＡｕめっき液に浸漬すると、電気化学的に卑な金属であるＮｉが溶出して電子（ｅ−）を放出し、該放出された電子（ｅ−）によって貴なＡｕ＋或いはＡｕ３＋が還元され、ＡｕがＮｉ−Ｐ皮膜９上に析出し、これによりＡｕ皮膜１０が形成される。
【００３６】
尚、Ａｕめっき液のＡｕ＋或いはＡｕ３＋の供給源としては、塩化金ナトリウムや亜硫酸金ナトリウムなどの金塩を使用することができ、またＡｕめっき液には、前記金塩の他、シアン化ナトリウムや亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸などの錯化剤、その他の添加剤が含有され、ｐＨが５〜９に調製されている。
【００３７】
次に、後処理工程１４では、Ａｕ皮膜１０が形成されたセラミック素体２をＮｉ除去液に浸漬し、Ａｕ皮膜１０の表面に付着しているＮｉ化合物を除去する。
【００３８】
すなわち、従来より、Ａｕ皮膜１０におけるはんだ濡れ性の低下は下地皮膜であるＮｉ−Ｐ皮膜９が経時的にＡｕ皮膜１０に拡散し、Ａｕ皮膜１０の表面にＮｉ化合物が形成するためと考えられていたが、本発明者の研究結果により、置換Ａｕめっき工程１３が終了した直後においてもＡｕ皮膜１０の表面にＮｉ化合物が存在し、該Ｎｉ化合物がはんだ濡れ性を劣化させていることが判明した。すなわち、置換Ａｕめっき工程１３では、Ａｕと置換したＮｉ２＋がＡｕめっき液中に存在し、該Ａｕ皮膜１０の表面に付着することによりＡｕ皮膜１０の一部がＮｉ（ＯＨ）２やＮｉＯなどのＮｉ化合物によって被覆され、しかもこれらＮｉ化合物は水への溶解度が小さいため水洗や湯洗では除去できず、厚みが数ｎｍであってもはんだ濡れ性を低下させることが判明した。
【００３９】
そこで、本実施の形態では、後処理工程１４で被めっき物を水洗した後、Ｎｉ除去液に浸漬し、Ｎｉ化合物を除去している。
【００４０】
そして、Ｎｉ化合物は純水に対して難溶性を示すことから、Ｎｉ除去液としては、少なくともＮｉ溶解度が純水よりも大きい溶液を使用する必要がある。
【００４１】
このような条件を充足するＮｉ除去液としては、純水（ｐＨが５〜８）よりもｐＨが小さい酸性溶液及び錯化剤を含有した溶液のうちの少なくともいずれか一方を含む溶液を使用することができる。
【００４２】
ここで、酸性溶液としては、ｐＨが４．０以下に調製された塩酸、硫酸、硝酸等を使用することができ、錯化剤としては、クエン酸、グリシン、酢酸、グルコン酸、グルタミン酸、酒石酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＰＴＡ）、りんご酸、マロン酸、亜硫酸、アンモニア、スルファミン酸等を使用することができる。
【００４３】
また、Ｎｉ化合物の溶解量は溶解速度と処理時間とによって決定されるが、溶解速度が過度に速いとＮｉ−Ｐ皮膜９やセラミック素体２を浸食する。したがって、Ｎｉ−Ｐ皮膜９やセラミック素体２の浸食を防止するためにはＮｉ化合物の溶解速度を極力遅くするのが望ましい。
【００４４】
しかしながら、Ａｕ皮膜１０の表面に付着しているＮｉ化合物の厚みは約２０ｎｍであり、Ｎｉ除去液に浸漬された多数の電子部品の全数にＮｉ除去液が浸透するためには数秒は要する。
【００４５】
すなわち、Ｎｉ−Ｐ皮膜９やセラミック素体２の浸食を防止しつつ、Ｎｉ化合物を除去するためには、Ｎｉの溶解速度は０．３μｍ／ｍｉｎ以下に調整するのが好ましい。
【００４６】
尚、溶解速度の制御は、Ｎｉ除去液の浴温や撹拌状態の他、Ｎｉ除去液に酸性溶液を使用する場合はＮｉ除去液のｐＨ、Ｎｉ除去液に錯化剤を含有した溶液を使用する場合は錯化剤濃度を調整することにより行うことができる。
【００４７】
そしてこのようにＮｉ除去液でＡｕ皮膜上のＮｉ化合物を除去した後、水洗処理を施し、その後乾燥処理を行う。
【００４８】
尚、水洗処理は脱気水を使用するのが好ましい。これは水洗水の溶存酸素濃度が高いとＮｉ−Ｐ皮膜９が溶出し易くなるためである。また、乾燥処理では３０℃以下でブロワー乾燥することが好ましい。これは加熱乾燥するとＮｉ−Ｐ皮膜９がＡｕ皮膜１０の表面にまで熱拡散してはんだ濡れ性が低下するためである。
【００４９】
このように本実施の形態では、ｐＨが４．０以下の酸性溶液及び錯化剤を含有した溶液のうちの少なくともいずれか一方を含む溶液をＮｉ除去液として使用し、Ａｕ皮膜１０の表面に付着しているＮｉ化合物を前記Ｎｉ除去液で除去しているので、はんだ濡れ性の劣化を防止することができ、電子部品上に半導体素子６やコンデンサ７等の電子部品をはんだ付けして実装した場合であっても接合不良や接合強度の低下を招くのを回避することができる。
【００５０】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、セラミック素体２をＮｉ除去液に浸漬してＮｉ化合物を除去しているが、Ｎｉ除去液をＮｉ化合物上に撒布することにより、Ｎｉ化合物を除去するのも好ましい。
【００５１】
また、上記実施の形態では、電極部としてＣｕ電極８を使用しているが、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、或いはＡｕを使用しても同様である。
【００５２】
また、上記実施の形態ではセラミック多層基板を例示して説明したが、チップ型のコンデンサやインダクタについても同様に適用できるのはいうまでもない。
【００５３】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５４】
（第１の実施例）
本発明者は、まず、縦１０ｍｍ、横３０ｍｍ、板厚０．３ｍｍの無酸素Ｃｕ板を水洗処理した後、温度２５℃のペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液に１分間浸漬し、エッチング処理をした後、水洗処理した。
【００５５】
次いで、水温２５℃のＰｄ触媒液に、２分間浸漬して無酸素Ｃｕ板上にＰｄ触媒を付与し、浴温８０℃、ｐＨが４．７の無電解Ｎｉめっき液に２０分間、浸漬し、膜厚４μｍのＮｉ−Ｐ皮膜を形成した。
【００５６】
次に、純水で洗浄した後、浴温６５℃のＡｕめっき液に被めっき物を１０分間浸漬し、厚さ０．０５μｍのＡｕ皮膜を形成した。
【００５７】
そして、水洗処理を行なった後、ｐＨ１．３の希硝酸、ｐＨ２．０の希硫酸、ｐＨ２．５のペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液（１０ｋｇ／ｍ３）、錯化剤として１０ｍｏｌ／ｍ３のクエン酸水溶液にそれぞれ１０秒間浸漬した。
【００５８】
また、上述と同様、無酸素Ｃｕ板にＮｉ−Ｐ皮膜を形成した後、Ａｕ皮膜を形成し、次いで、温度２５℃の純水、及び温度８０℃の純水に１０秒間浸漬した。
【００５９】
次に、本発明者は、ＳＡＴ−５０００（レスカ社製）を使用し、メニスコグラフ法によりはんだの引張力とはんだの排斥力とが等しくなるゼロクロス時間を測定した。すなわち、浸漬速度２０ｍｍ／ｍｉｎ、浸漬深さ５ｍｍ、浸漬時間１５ｓｅｃで浴温２３５℃のはんだ溶融槽（６０％Ｓｎ−４０％Ｐｂ）に浸漬し、前記ゼロクロス時間を測定し、はんだ濡れ性を評価した。
【００６０】
表１はゼロクロス時間の測定結果を示している。
【００６１】
【表１】
2004107734.tif 000003
この表１から明らかなように比較例１及び２は、純水に浸漬しているに過ぎないため、Ａｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を除去することができず、ゼロクロス時間が２．５ｓｅｃ、２．３ｓｅｃと長く、はんだ濡れ性に劣っている。
【００６２】
これに対して実施例１〜３はｐＨが４．０以下の溶液に浸漬しており、また実施例４は錯化剤水溶液に浸漬しているので、Ａｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を除去することができ、ゼロクロス時間が０．７〜０．８ｓｅｃと短く、はんだ濡れ性が大幅に向上することが確認された。
【００６３】
（第２の実施例）
本発明者は、第１の実施例と同様の方法・手順で無酸素Ｃｕ板にＮｉ−Ｐ皮膜及びＡｕ皮膜を形成した後、ｐＨ２．０の希塩酸に所定時間浸漬し、Ｎｉ化合物の被覆率（以下、「Ｎｉ被覆率」という）とゼロクロス時間との関係を測定し、はんだ濡れ性を評価した。
【００６４】
尚、Ｎｉ被覆率（ａｔｍ％）はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定し、ゼロクロス時間は第１の実施例と同様の方法で測定した。
【００６５】
また、Ａｕ皮膜を形成した直後のＮｉ被覆率は２０％であった。
【００６６】
図４はその測定結果を示している。
【００６７】
この図４から明らかなように、はんだ濡れ性とＮｉ被覆率との間には相関関係があり、Ｎｉ被覆率が低下するに伴い、ゼロクロス時間が短くなってはんだ濡れ性が向上することが分かる。
【００６８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る電子部品のめっき方法は、基板素体の表面に形成された導電部にめっき処理を施し、Ｎｉを主成分とするＮｉ皮膜及びＡｕを主成分とするＡｕ皮膜を順次形成し、その後、前記Ａｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を除去する後処理を行なうので、はんだ濡れ性を大幅に向上させることが可能となる。
【００６９】
また、本発明のめっき方法は、前記後処理は、前記Ｎｉ化合物をＮｉの溶解度が純水よりも大きいＮｉ除去液、具体的にはｐＨが４．０以下の酸性溶液及び錯化剤を含有した溶液のうちの少なくともいずれか一方を含む溶液と接触させる接触処理を施し、前記Ｎｉ化合物を前記Ａｕ皮膜上から除去するので、はんだ濡れ性の劣化原因であるＡｕ皮膜の表面に付着しているＮｉ化合物を簡便に除去することができる。
【００７０】
また、前記接触処理は、前記Ａｕ皮膜が形成されている基板素体を前記Ｎｉ除去液に浸漬することにより行うか、或いは前記Ｎｉ除去液を前記Ｎｉ化合物に撒布することにより行うことにより、Ｎｉ化合物をＡｕ皮膜から容易に除去することができる。
【００７１】
また、本発明に係る電子部品は、上記めっき方法を使用して製造されているので、Ａｕ皮膜上のＮｉ化合物が除去されており、はんだ濡れ性が劣化することもなく、良好なはんだ付け性を有する実装性に優れた電子部品を得ることができる。
【００７２】
さらに、本発明の電子部品は、外部電子部品がはんだを介して電気的に接続されているので、電子部品を搭載してもはんだ濡れ性に起因した接合不良や接合強度の低下を回避することのできる電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のめっき方法を使用して製造された電子部品としてのセラミック多層基板の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】本発明に係る電子部品としてのセラミック多層基板のめっき方法を示すめっき工程図である。
【図４】第２の実施例におけるＮｉ被覆率とゼロクロス時間との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
２　　セラミック素体（基板素体）
６　　半導体素子（電子部品）
７　　コンデンサ（電子部品）
８　　Ｃｕ電極（導電部）
９　　Ｎｉ皮膜
１０　Ａｕ皮膜
【図１】
2004107734.tif 000004
【図２】
2004107734.tif 000005
【図３】
2004107734.tif 000006
【図４】
2004107734.tif 000007