(57)【要約】【課題】本発明は、誘電体の開放面に対するチューニング工程において発生するパターン同士のショート不良を防止できる誘電体フィルター、デュプレクサフィルター及びその製造方法に関する。【解決手段】相互対向する第１面及び第２面とその間の側面とを含む誘電体ブロックを形成する段階と、前記誘電体ブロックの側面と第２面に導体を塗布する段階と、次いで前記誘電体ブロックの前記第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体の塗布された共振ホールから成る複数個の共振器を形成する段階と、前記誘電体ブロックの側面に入出力端子を形成し、前記第１面の少なくとも一部の領域に前記共振器または共振器間のキャパシタンスを変化させ所定の共振周波数を呈すよう導体パターンを形成する段階と、前記導体パターンの形成された第１面に硬化性樹脂を塗布し硬化させる段階と、から成る誘電体フィルターの製造方法。【選択図】      図３
2004173222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の共振周波数を呈す一体型誘電体フィルターにおいて、相互対向する第１面及び第２面とその間の側面を含み、前記側面と第２面には導電物質が塗布される誘電体ブロックと、
前記誘電体ブロックの第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体が塗布される共振ホールから成る複数個の共振器と、
前記誘電体ブロックの両側面に形成され、該側面に塗布される導電物質とは分離される入出力端子と、
前記共振器及び／または該共振器間のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう、前記第１面の少なくとも一部領域に形成される導体パターンと、前記導体パターンが形成された第１面に硬化性樹脂を塗布して形成される保護層を含む誘電体フィルター。
【請求項２】
前記共振器及び／または該共振器間のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう、前記第２面の少なくとも一部領域に形成されるオープン領域をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の誘電体フィルター。
【請求項３】
前記保護層は熱硬化性ソルダレジストインクから成ることを特徴とする請求項１に記載のデュプレクサ誘電体フィルター。
【請求項４】
夫々所定の共振周波数を呈す送信領域と受信領域を具備したデュプレクサ誘電体フィルターにおいて、
相互対向する第１面及び第２面とその間の側面を含み、前記側面と第２面には導電物質が塗布される誘電体ブロックと、
前記誘電体ブロックの第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体が塗布される少なくとも１つの共振ホールから成り、受信領域と送信領域とに区分される複数個の共振器と、
前記誘電体ブロックの第１面に隣接する側面に連結され、前記側面に塗布される導電物質とは分離される入出力端子及びアンテナ端子と、
前記送信領域及び／または受信領域の共振器及び／または該共振器同士のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう、前記第１面の少なくとも一部領域に形成される導体パターンと、
前記導体パターンが形成された第１面に硬化性樹脂を塗布して形成される保護層を含むデュプレクサ誘電体フィルター。
【請求項５】
前記保護層は、前記入出力端子及びアンテナ端子が形成される側面に隣接する領域中前記デュプレクサ誘電体フィルターの実装時ハンダ付けされる領域を除く第１面領域に限って形成されることを特徴とする請求項４に記載のデュプレクサ誘電体フィルター。
【請求項６】
前記送信領域及び／または受信領域の共振器及び／または該共振器同士のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう、前記第２面の少なくとも一部領域に形成されるオープン領域をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のデュプレクサ誘電体フィルター。
【請求項７】
前記保護層は熱硬化性ソルダレジストインクから成ることを特徴とする請求項４に記載のデュプレクサ誘電体フィルター。
【請求項８】
所定の共振周波数を呈す一体型誘電体フィルターの製造方法において、
相互対向する第１面及び第２面とその間に側面を含む誘電体ブロックを形成する段階と、
前記誘電体ブロックの側面と第２面に導体を塗布し、前記誘電体ブロックの前記第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体が塗布される共振ホールから成る複数個の共振器を形成する段階と、
前記誘電体ブロックの側面に入出力端子を形成し、前記第１面の少なくとも一部領域に前記共振器または共振器同士のキャパシタンスを変化させ所定の共振周波数を呈すよう導体パターンを形成する段階と、
前記導体パターンが形成される第１面に硬化性樹脂を塗布して硬化させる段階を含む誘電体フィルターの製造方法。
【請求項９】
前記第１面に硬化性樹脂を塗布して硬化させた後、前記誘電体ブロックの第１面に形成された導体パターンをトリミングして前記誘電体フィルターの共振周波数を調整する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の誘電体フィルターの製造方法。
【請求項１０】
前記第１面の少なくとも一部領域に導体パターンを形成する段階は、前記第２面の少なくとも一部領域にオープン領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の誘電体フィルターの製造方法。
【請求項１１】
前記硬化性樹脂は熱硬化性ソルダレジストインクであることを特徴とする請求項８に記載の誘電体フィルターの製造方法。
【請求項１２】
夫々所定の共振周波数を呈す送信領域と受信領域を具備したデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法において、
相互対向する第１面及び第２面とその間に側面を含む誘電体ブロックを形成する段階と、
前記誘電体ブロックの側面と第２面に導体を塗布し、前記誘電体ブロックの前記第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体が塗布される複数個の共振器を形成する段階（ここで、前記複数個の共振器は送信領域と受信領域とに区分される）と、
前記誘電体ブロックの第１面に隣接する側面に連結される入出力端子及びアンテナ端子を形成し、前記第１面の少なくとも一部領域に、送信領域及び／または受信領域の共振器及び／またはその共振器同士のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう導体パターンを形成する段階と、
前記導体パターンが形成される第１面に硬化性樹脂を塗布して硬化させる段階を含むデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法。
【請求項１３】
前記第１面中硬化性樹脂が塗布される領域は、前記入出力端子及びアンテナ端子の形成される側面に隣接する領域中前記デュプレクサ誘電体フィルターの実装時ハンダ付けされる領域を除いた第１面領域に定義されることを特徴とする請求項１２に記載のデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法。
【請求項１４】
前記第１面に硬化性樹脂を塗布して硬化させた後、前記誘電体ブロックの第１面に形成された導体パターンをトリミングして前記誘電体フィルターの共振周波数を調整する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法。
【請求項１５】
前記第１面の少なくとも一部領域に導体パターンを形成する段階は、前記第２面の少なくとも一部領域にオープン領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載のデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法。
【請求項１６】
前記硬化性樹脂は熱硬化性ソルダレジストインクであることを特徴とする請求項１２に記載のデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体フィルター及びその製造方法に関するもので、とりわけ誘電体ブロックの開放面に電極を形成してから硬化性樹脂を塗布することによって、後のチューニング工程で発生するバリ（ｂｕｒｒ）によるショート欠陥を防止することのできる誘電体フィルター及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
最近、移動通信端末機の小型化及び軽量化の流れに伴って該移動通信端末機に搭載する部品の小型化も強く望まれてきている。
移動通信端末機の核心部品中代表といえるデュプレクサの場合、誘電体フィルターが一般に用いられたが、最近は小型化に有利なＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルターやＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）に漸次入れ替わる実状である。しかし、誘電体フィルターは他の形態の高周波フィルターに比して温度安定性と耐電力性に優れ、その損失率も低いばかりか、価格競争にも有利なことがわかっている。かかる誘電体フィルター固有の利点のため、誘電体フィルターの小型軽量化に対する研究がなおも続いている。
【０００３】
通常、誘電体フィルターの小型軽量化を実現するためには、誘電体ブロックを厚薄にさせ共振ホール同士の間隔を狭くさせなければならない。しかし、そうすることで誘電体フィルターの面積も小さくなり、結果として誘電体フィルターの電気的特性を決定する導体パターンの線幅と間隔も狭くならざるを得ない。
かかる誘電体の小型化に伴う導体パターン線幅と間隔のため、共振周波数を調整するチューニング工程において導体パターンのトリミング工程に大変困難があった。
【０００４】
とりわけ、誘電体フィルターの開放面の場合には、導体パターンをトリミングする際発生する微細金属片（以下、バリ（ｂｕｒｒ）という）が導体パターン間オープン領域に位置してしまい願わない電気的影響（ショートなど）を起こすことがある。かかる電気的影響は共振周波数を変化させ製品の欠陥を引き起こしかねない。かかるバリの発生は誘電体フィルターの小型化を妨げるばかりでなく、従来の小型化した誘電体フィルターにおいても製造業者やユーザーのトリミング工程で多くの欠陥を招く問題とされてきた。
【０００５】
以下、図１に基づき、導体パターンのトリミング工程で惹起されるバリの発生についてより詳しく説明する。
図１に示すデュプレクサ誘電体フィルター１０は、対向する２つの断面を貫通する共振ホール１５が形成された誘電体ブロック１１を含む。前記誘電体ブロックの開放面１３には、隣接する側面まで延長されながら該側面上の導電物質と分離される入出力端子２１、２３及びアンテナ端子２２と多様な形態の導体パターン２５、２９が形成され、その大きさと間隔によって誘電体フィルターに所望の共振周波数を与える。例えば、共振ホール周囲の開放面１３に形成され共振ホール内部に塗布された導電物質と連結される導体パターン２５は、誘電体ブロック１１の側面導電物質間と隣接する共振器間に夫々負荷キャパシタンスと結合キャパシタンスを形成させることができる。
【０００６】
導体パターンの印刷工程後、前記誘電体ブロック１１を焼成する工程を行うが、この際誘電体の誘電率が変化し共振周波数が変更されることがあるので、かかる変更を補正すべくチューニングが必要となる。一方、ユーザーの必要によって共振周波数を意図的に変更する場合もある。
このように、最終的な製品完成後に、製造業者や使用者は開放面の導体パターンをトリミングして所望の共振周波数を呈させるチューニング作業を実行する。
【０００７】
しかし、図１のように、トリミング工程で共振ホール１５周囲の導体パターン２５の一部２５ａを除去する際、微細金属片２５ａ’が発生し、該金属片２５ａ’がオープン領域中任意の領域に位置して電気的に願わぬ影響を与えかねない。特に、図示のように金属片２５ａ’が相互分離されるべきパターン２５、２９の間に配置され短絡させることがある。これは結局、製品の致命的な欠陥を引き起こしかねない。
【０００８】
かかる問題は先に述べたように、誘電体フィルターが小型化されるほど深刻になる。また、こうした金属片による欠陥はパターンが狭小になるほど、即ち誘電体ブロックが小型化されるほど、その欠陥発生率がずっと高くなるので、実際誘電体フィルターの小型化に大きな制約となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記問題を解決すべく案出されたもので、その目的は、誘電体フィルターの開放面に形成された導体パターンをトリミングする際、その副産物の金属片が前記開放面の導体パターン間に位置しても、ショートなどの望まぬ電気的影響をもとから防止できるよう前記開放面に硬化性樹脂から成る保護層を形成した誘電体フィルター及びその製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を成し遂げるべく本発明は、所定の共振周波数を呈す一体型誘電体フィルターにおいて、相互対向する第１面及び第２面とその間の側面を含み、前記側面と第２面には導電物質が塗布される誘電体ブロックと、前記誘電体ブロックの第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体が塗布される共振ホールから成る複数個の共振器と、前記誘電体ブロックの両側面に形成され該側面に塗布された導電物質とは分離される入出力端子と、前記共振器及び／または該共振器間のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう前記第１面の少なくとも一部の領域に形成される導体パターンと、前記導体パターンが形成された第１面に硬化性樹脂を塗布して形成する保護層とを含む誘電体フィルターを提供する。
【００１１】
さらに、本発明の他の実施形態によると、夫々所定の共振周波数を呈す送信領域と受信領域を具備したデュプレクサ誘電体フィルターにおいて、相互対向する第１面及び第２面とその間の側面を含み、前記側面と第２面には導電物質が塗布される誘電体ブロックと、前記誘電体ブロックの第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体が塗布される少なくとも１つの共振ホールから成り受信領域と送信領域とに区分される複数個の共振器と、前記誘電体ブロックの第１面で隣接する側面に連結されながら前記側面に塗布される導電物質とは分離される入出力端子及びアンテナ端子と、前記送信領域及び／または受信領域の共振器及び／またはその共振器同士のキャパシタンスを変化させて所望の共振周波数を呈すよう前記第１面の少なくとも一部の領域に形成される導体パターンと、前記導体パターンの形成された第１面に硬化性樹脂を塗布して形成される保護層とを含むデュプレクサ誘電体フィルターを提供する。
【００１２】
本発明の一実施態様によると、前記のいずれの誘電体フィルターにおいて、前記共振器及び／または該共振器間のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう、前記第２面の少なくとも一部領域に形成されるオープン領域をさらに含むことと、前記保護層は、前記入出力端子及びアンテナ端子が形成される側面に隣接する領域中前記デュプレクサ誘電体フィルターの実装時ハンダ付けされる領域を除く第１面領域に限って形成されることと、前記送信領域及び／または受信領域の共振器及び／または該共振器同士のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう、前記第２面の少なくとも一部領域に形成されるオープン領域をさらに含むことと、前記保護層は熱硬化性ソルダレジストインクから成ることと、のいずれか１つ以上を特徴とする誘電体フィルターを提供する。
【００１３】
さらに、本発明は新たな誘電体フィルターの製造方法を提供する。前記方法は、相互対向する第１面及び第２面とその間の側面を含む誘電体ブロックを形成する段階と、前記誘電体ブロックの側面と第２面に導体を塗布し、前記誘電体ブロックの前記第１面及び第２面の間を略平行に貫通して該内部面に導体が塗布される共振ホールから成る複数個の共振器を形成する段階と、前記誘電体ブロックの側面に入出力端子を形成し、前記第１面の少なくとも一部の領域に前記共振器または共振器間のキャパシタンスを変化させ所定の共振周波数を呈すよう導体パターンを形成する段階と、前記導体パターンが形成された第１面に硬化性樹脂を塗布して硬化させる段階とを含む誘電体フィルターの製造方法を提供する。
【００１４】
さらに、本発明の他の実施形態によると、新たなデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法を提供することもできる。前記方法は、夫々所定の共振周波数を呈す送信領域と受信領域を具備したデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法において、相互対向する第１面及び第２面とその間の側面を含む誘電体ブロックを形成する段階と、前記誘電体ブロックの側面と第２面に導体を塗布し、前記誘電体ブロックの前記第１面及び第２面の間を略平行に貫通し該内部面に導体が塗布される複数個の共振器を形成する段階（ここで、前記複数個の共振器は送信領域と受信領域とに区分される）と、前記誘電体ブロックの第１面で隣接する側面に連結される入出力端子及びアンテナ端子を形成し、前記第１面の少なくとも一部の領域に送信領域及び／または受信領域の共振器及び／またはその共振器同士のキャパシタンスを変化させ所望の共振周波数を呈すよう導体パターンを形成する段階と、前記導体パターンの形成された第１面に硬化性樹脂を塗布して硬化させる段階とを含む。
【００１５】
さらに、本発明の一実施形態によると、前記いずれの製造方法においては、前記第１面に硬化性樹脂を塗布して硬化させた後、前記誘電体ブロックの第１面に形成された導体パターンをトリミングして前記誘電体フィルターの共振周波数を調整する段階をさらに含むことができ、前記第１面の少なくとも一部の領域に導体パターンを形成する段階は、前記第２面の少なくとも一部の領域にオープン領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１６】
好ましくは、前記硬化性樹脂は熱硬化性ソルダレジストインクでもよく、またデュプレクサ誘電体フィルターに適用する場合に、前記第１面中硬化性樹脂が塗布される領域を、前記入出力端子及びアンテナ端子が形成される側面と隣接する領域において前記デュプレクサ誘電体フィルターの実装時ハンダ付けされる領域を除く第１面領域に限定することが好ましい。
【００１７】
以下、図面に基づき、本発明をより詳しく説明する。
図２ａ及び図２ｂは夫々本発明による一体型誘電体フィルターの一形態を示す概略斜視図及び正面図である。
図２ａに例示する一体型誘電体フィルター５０は、相互対向する第１面５３と第２面、及びその間の側面を有す誘電体ブロック５１を含む。また、前記誘電体ブロック５１には、第１面５３と第２面を平行に貫通し内部面が導電物質で塗布される共振ホール５５ａ、５５ｂが形成され、前記第２面と側面とには実質的に全体に導電物質が塗布され、入出力端子５０ａ、５０ｂは夫々側面に形成され該側面上の導電物質とは分離形成されている。
【００１８】
かかる構造の誘電体フィルター５０では、大方開放面とされる第１面５３に所定の導体パターンを形成して所望の共振周波数を得ることができる。
図２ａには、誘電体ブロック５１の第１面５３に形成された導体パターン６５ａ、６５ｂ、６６、６９ａ、６９ｂを示してある。共振ホール５５ａ、５５ｂの周囲に形成されて夫々共振ホール５５ａ、５５ｂの内部導体に連結された第１導体パターン６５ａ、６５ｂは、誘電体ブロック５１の側面導電物質間と隣接する共振器間に夫々負荷キャパシタンスと結合キャパシタンスを形成し、第２導体パターン６６は、前記共振ホール５５ａ、５５ｂの上部にその配列方向に沿ってストリップライン形状に配置され共振器間に結合キャパシタンスを形成する。
【００１９】
さらに、第３導体パターン６９ａ、６９ｂは共振ホール５５ａ、５５ｂから誘電体ブロック５１の側面方向へと配置される。前記第３導体パターン６９ａ、６９ｂは多様な形態で具現することができる。即ち、共振ホール５５ａ、５５ｂの上部に配置された第３導体パターン６９ａ、６９ｂのように、第２導体パターン６６と一体に形成してもよく、共振ホール５５ａ、５５ｂの下部に配置された第３導体パターン６９ａ、６９ｂのように誘電体ブロック５１の側面に塗布された導電物質に接続してもよい。このように、誘電体ブロック５１の開放面５３に諸形態の導体パターンを形成することにより、より小型化された条件で所望の共振周波数を得られるようになる。
【００２０】
しかし、先に述べたように、誘電体フィルターの製造工程中、誘電体ブロック焼成段階での外部的影響（熱、圧力）による誘電体ブロックの誘電率変化により予め設計された共振周波数が変更されたり、またはユーザーの要求に応じて共振周波数を適切に調節したりする必要が生じる。そのために、誘電体フィルターの製造工程及び／またはユーザーの製品適用過程で、共振周波数を調整すべく導体パターンを適切に選択し、その一部領域を除去することができる。かかる過程をトリミング工程というが、トリミング工程で発生する副産物である金属片（バリ（ｂｕｒｒ）ともいう）が開放面上に位置するのが好ましく、さもなければ両導体パターンの間に位置して願わぬショートを起こすことがある。
【００２１】
かかる欠陥を防止すべく、本発明の誘電体フィルター５０は、導体パターン６５ａ、６５ｂ、６６、６９ａ、６９ｂの形成される開放面に追加的に非導電物質である硬化性樹脂を塗布して形成される保護層７０を含む。前記保護層７０は、開放面全体に塗布され、トリミング工程で発生した金属片が任意に位置し誘電体フィルター５０に願わない電気的影響を及ぼすことを防止することができる。かかる保護層７０として通常の熱硬化性ソルダレジストインクを用いることができる。
【００２２】
より具体的に、図２ｂを基に説明すると、共振ホール５９ａ、５９ｂの下部に形成される第３導体パターン６９ａ、６９ｂを、共振器の共振周波数を調整する共振周波数調整用導体パターンとして別途に設けることができる。該共振周波数調整用導体パターン６９ａ、６９ｂは他の導体パターンと同じく所定の大きさの導体パターンを形成し、その一部領域６９ａ’、６９ｂ’を除去してトリミング工程を行う。
【００２３】
この際、前記導体パターン領域６９ａ’、６９ｂ’から除去される金属片は開放面５３上の任意の箇所に位置されても、絶縁性保護層７０のため接続されないので、従来のトリミング過程で発生しかねなく願わぬ電気的影響を防ぐことができる。
本発明に開示する開放面のための保護層は、デュプレクサ誘電体フィルターにも有効に適用することができる。図３はデュプレクサ誘電体フィルター１００に適用された形態を示す。
【００２４】
図３には、夫々固有の共振周波数を呈す受信領域と送信領域を含むデュプレクサ誘電体フィルターを示してある。前記デュプレクサ誘電体フィルター１００は受信領域を成す共振ホール１０５ａ〜１０５ｃ及び送信領域を成す共振ホール１０５ｄ〜１０５ｇが形成された誘電体ブロック１０１から成り、入出力端子１２１、１２３とアンテナ端子１２２は第１面１０３から下部側面まで延長され、該側面に塗布された導電物質とは分離形成される。
【００２５】
図３に示すデュプレクサ誘電体フィルター１００は、図２と同様、各共振ホール１０５ａ〜１０５ｇの周囲に形成される第１導体パターン１１５ａ〜１１５ｇと、受信領域の共振ホール１０５ｄ〜１０５ｇの下部にその配列方向に沿って形成される第２導体パターン１１１と、共振ホール１０５ａの上部または下部に向かう第３導体パターン１３１、１３５とを含む。また、受信領域で送信領域より高い共振周波数を確保すべく、共振器１０５ａ〜１０５ｇ間の上下側面を連結する第４導体パターン１３７が形成される。
【００２６】
ここで、デュプレクサ誘電体フィルターの場合には、製造過程または製品適用段階で共振周波数特性を調整すべく負荷キャパシタンスを調節する際、第３導体パターン１３１、１３５及び第４導体パターン１３７の長さを調節するトリミング工程がほぼ必需的に行われる。
しかし、図３に示すように、第１ないし第４導体パターン１１５ａ〜１１５ｇ、１１１、１３１、１３５、１３７は開放面である第１面に限られ大変複雑な形態をして稠密に形成される。従って、導体パターンの幅とそれらの間隔が大変狭小になるしかない。最近小型化されたデュプレクサ誘電体フィルターでは、実際パターン同士の幅が０．０９ｍｍとかなり狭く形成される傾向が見える。
【００２７】
このように導体パターン間の幅が大変狭い複雑な状態では、そのパターンをトリミングする際発生する金属片が小さいとしても、狭小なパターン間の幅を連結するのに充分である為、場合によってその分離されるべきパターンが金属片によりショートされる欠陥がよく起こる。
従って、本発明においては、開放面に絶縁性物質の硬化性樹脂から成る保護層１３０を形成することによって、トリミング工程の副産物である金属片によるショートなどの電気的影響を根本的に遮断することができる。
【００２８】
とりわけ、本発明に用いる保護層１３０は、図２の一体型誘電体フィルター５０に適用される形態と異なり、入出力及びアンテナ端子１２１、１２２、１２３の形成された開放面１０３の下方一部分１０３ａを除く領域に限って形成することが好ましい。即ち、図３のように、デュプレクサ誘電体フィルター１００は下方の側面に入出力端１２１、１２３及びアンテナ端子１２２が形成されるが、前記デュプレクサ誘電体フィルター１００を印刷回路基板に実装するためには、接合用ハンダと接触する部位が開放面１０３の下方一部領域１０３ａまで必要となる。従って、印刷回路基板の実装に必要な開放面１０３の下方一部領域１０３ａを除いて保護層１３０を形成することが好ましい。
【００２９】
図４ａないし図４ｄは本発明による誘電体フィルター、とりわけデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法を説明するための概略工程図である。
先ず、図４ａのように、相互対向する第１面２０３と第２面及びその間の側面を含む誘電体ブロック２０１を用意し、第１面２０３と第２面を平行に貫通するよう共振ホール２０５を形成する。
前記誘電体ブロック２０１は、前記側面と第２面に導電物質をほぼ全体領域にかけて塗布し、第１面２０３のみ開放面とする。さらに、図面には詳しく図示されないが、前記共振ホール２０５の内部面にも導電物質が塗布され共振器を形成する。
【００３０】
次いで、図４ｂのように、所望の共振周波数を得るべく前記第１面２０３に導体パターンを多様な形態で形成する。図４ｂに示す導体パターン２１５、２１９によると、共振器または共振器間の負荷キャパシタンスと結合キャパシタンスを調整するために、第１導体パターン２１５を共振ホールの内部導電物質と連結すべく共振ホール２０５周囲に形成し、共振ホール２０５同士と共振ホール２０５と誘電体ブロック２０１側面との間のキャパシタンスを調整すべく第２導体パターン２１９を形成する。ここで、必要によっては、第１導体パターン２１５を、同一寸法の導体パターンと同一面積上でより大きい結合キャパシタンスを具現すべく、屈曲面を含むよう形成することもできる。
【００３１】
さらに、前記誘電体ブロックの開放面には、送受信端子及びアンテナ端子に連結されるパターン２１１、２１２、２１３が形成される。各パターンは隣接する共振器との電気的影響に鑑みて図示のように様々な形態に設計できる。このように、最近誘電体フィルターの開放面には、小型化され大変狭小になった面積に他の形態と機能のため導体パターンが多様な形で形成されることができる。
この他にも、必要に応じて、図４ｂには示さないが、第２面である短絡面にも同じくオープン領域を形成する工程を追加して、より多様な方法により負荷キャパシタンス及び結合キャパシタンスを調整することができる。
【００３２】
次に、図４ｃのように、開放面２０３に導体パターンを形成した後、焼成工程を施し開放面２０３を保護するための保護層２３０を形成する。前記保護層２３０は絶縁性を有す硬化性樹脂を塗布して硬化させる方法で形成できる。前記保護層２３０を成す物質には、一般に印刷回路基板製造工程に用いられる熱硬化性ソルダレジストインクを用いることができる。
本発明に用いる保護層２３０は、通常の素子に適用される保護層のように完成品を外部影響から保護する機能ばかりでなく、誘電体フィルターのチューニング工程で発生する金属片による致命的な欠陥を防止するとの重要な役目を果たす。
【００３３】
前記保護層２３０は、図４ｃに示すように、下部側面に隣接する第１面２０３の一部領域２０３ａを除いて塗布されることが好ましい。これは前記誘電体フィルターを実装する場合に、第１面２０３から延長され下部側面に形成された送受信端子とアンテナ端子２１１、２１３、２１２が印刷回路基板に載置された状態でリフロー工程によりハンダ付けされるが、この際、第１面２０３において端子の形成された側面に隣接する領域２０３ａの一部も一緒にハンダ付けされてこそ強固な電気的、機械的連結を確保しながら実装されることができる。
【００３４】
こうした理由から、開放面とその隣接する側面部に端子の形成されたデュプレクサ誘電体フィルターにおいては、開放面２０３の全体領域にかけて保護層２３０を形成すると、かえってハンダ付けが妨げられ実装工程以降欠陥が発生しかねない。従って、前記保護層２３０の形成領域を、誘電体フィルターの実装時ハンダ付け接合に必要な側面端子に隣接する第１面領域２０３ａを除く部分に限らせることが好ましい。
【００３５】
本発明に用いる保護層の役目は図４ｄを参照するとより完全に理解できるであろう。
先に図４ｂの工程により製造された誘電体ブロックは、銀（Ａｇ）ペーストなどの物質で塗布された導体パターンと共に焼成工程にかけられる。この過程で、熱と圧力により誘電体ブロック２０１の誘電率と大きさなどが影響を受け、共振周波数がやや変化することがある。従って、誘電体フィルターの製造工程においては、最終工程で正確な共振周波数を提供すべく、精密なチューニング工程が必需である。かかる共振周波数の調整のために、先に形成された導体パターンを一部除去するトリミング過程を施すが、除去された導体パターンの金属片が第１面２０３のオープン領域に位置してしまい、予期しなかった電気的影響を引き起こし、さらに分離された２つのパターンを短絡させ致命的な欠陥を招きかねない。
【００３６】
しかし、図４ｄに示すように、共振ホールの周囲に配置された第１導体パターン２１５の一部領域２１５ａを除去して共振周波数を調整する場合、そうすることで発生する金属片２１５ａ’が隣接するオープン領域に位置し、分離された導体パターン同士を連結する位置に置かれても、前記保護層２３０によりパターンに直接接触しないので、前記のような欠陥を防止することができる。このように、保護層２３０により開放面２０３のトリミング工程をより安定して行え、誘電体フィルターの小型化に寄与することができる。
【００３７】
本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の請求範囲により限定されるもので、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において多様な形態の置換、変形及び変更が可能なことは当技術分野において通常の知識を有する者にとっては明らかである。
【００３８】
【発明の効果】
上述のように、本発明による誘電体フィルター及びデュプレクサ誘電体フィルターは、開放面領域に硬化性樹脂を塗布することによって、形成された導体パターンを外部の物理的な影響から保護するばかりでなく、最近小型化の流れに伴い更に狭小になってきた導体パターンの幅とパターン同士の間隔の為引き起こされる代表的な欠陥形態である、トリミング工程で派生する金属片による影響を根本的に遮断することができる。
【００３９】
従って、従来は、開放面に形成されるパターン同士の間隔を一般に０．０９ｍｍ未満のレベルに縮減させると、該トリミング工程段階でショート欠陥が頻繁に発生し実際誘電体フィルターの小型化に差支えとなったが、本発明によると、保護層を形成することで前記パターン同士の間隔を０．０４ｍｍレベルに減少させても従来のような欠陥がほぼ生じることがなく、誘電体フィルターの小型化に大いに寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のデュプレクサ誘電体フィルターを示す概略斜視図である。
【図２】ａ及びｂは夫々本発明による一体型誘電体フィルターを示す概略斜視図及び正面図である。
【図３】本発明によるデュプレクサ誘電体フィルターを示す概略斜視図である。
【図４】ａないしｄは本発明によるデュプレクサ誘電体フィルターの製造方法を説明するための工程概略図である。
【符号の説明】
２０１  誘電体ブロック
２０３  開放面
２０５  共振ホール
２１５  第１導体パターン
２１９  第２導体パターン
２３０  保護層
【図１】
2004173222.tif 000003
【図２】
2004173222.tif 000004
【図３】
2004173222.tif 000005
【図４】
2004173222.tif 000006