(57)【要約】【課題】電子源となるナノチューブ電子放出素子の発光ポイント密度を向上させ画質の良好な画像表示装置及びその製造方法を実現する。【解決手段】電子源４０３を構成するナノチューブ電子放出素子は、ナノチューブ１０２と電気導電体からなる粒状支持体１０３とが混じり合い、少なくともナノチューブ１０２の一端と支持体１０３とが溶融された金属接着剤１０４により基板に固着され、支持体１０３の支持作用によってナノチューブ１０２の他端が自由端として基板に対して垂直方向に配向されている。これにより、電子源の発光ポイント密度を、従来の１０００ポイント／平方センチメートル以下から、１０００００ポイント／平方センチメートル以上にすることができ、自発光型平面表示装置を実用化するに十分な面内均一な発光パターンが実現できた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノチューブ電子放出素子を電子源とし、前記電子源が走査線と信号線との交差部においてマトリックス状に形成された電子源基板と、
前記電子源基板に対向して所定間隔の隙間を形成して配置される蛍光膜とアノード電極とを有する蛍光表示板とを備えた画像表示パネルと、
前記画像表示パネルに画像情報を伝送し画像を表示する制御部とを有する画像表示装置であって、
前記電子源を構成するナノチューブ電子放出素子は、ナノチューブと電気導電体からなる粒状支持体とが混じり合い、少なくともナノチューブの一端と支持体とが溶融された金属接着剤により前記基板に固着され、前記支持体の支持作用により前記ナノチューブの他端が自由端として基板に対して垂直方向に配向されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記粒状支持体は、前記金属接着剤の溶融接着温度では溶解しない粒状電気伝導体で構成されていることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記金属接着剤は、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ及びＡｌからなる金属群から選択される少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記粒状支持体は、Ｃ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ及びＣｏからなる群から選択される少なくとも１種の粒状電気伝導体で構成されていることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記ナノチューブは、炭素、ボロン及び窒素の少なくとも１種の元素で構成された単層の筒状構造よりなるシングルウォールナノチューブを含むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記ナノチューブは、炭素、ボロン及び窒素の少なくとも１種の元素で構成された入れ子状の多層の筒状構造よりなるマルチウォールナノチューブを含むことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記シングルウォールナノチューブは、平均長さが０．５〜２．０ミクロンのナノチューブであることを特徴とする請求項５記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記マルチウォールナノチューブは、平均長さが０．５〜５．０ミクロンのナノチューブであることを特徴とする請求項６記載の画像表示装置。
【請求項９】
ナノチューブ電子放出素子を電子源とし、前記電子源が走査線と信号線との交差部においてマトリックス状に形成された電子源基板を製造する工程と、
前記電子源基板に対向して所定間隔の隙間を形成して配置される蛍光膜とアノード電極とを有する蛍光表示板を製造する工程と、
前記電子源基板と蛍光表示板とを枠体介して固定する組立工程とを有する画像表示装置の製造方法であって、
前記電子源を構成するナノチューブ電子放出素子の製造工程においては、
ナノチューブ、電気導電体からなる粒状支持体、金属接着剤及びペースト化する有機化合物を含んだペーストを調製する工程と、前記ペーストを基板に印刷もしくは塗布することによりナノチューブ電子放出素子パターンを形成する工程と、熱処理する工程とを含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記金属接着剤は、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ及びＡｌからなる金属群から選択される少なくとも１種の金属を含み、
前記粒状支持体は、Ｃ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ及びＣｏからなる群から選択される少なくとも１種の粒状電気伝導体を含むことを特徴とする請求項９記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示装置及びその製造方法に係り、特にナノチューブ電子放出素子を電子源として蛍光膜を発光させ画像情報をパネルに表示する機能を有する画像表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子源としてのナノチューブ電子放出素子は、カーボン、ボロン、窒素などを構成成分とするものが知られているが、ここではカーボンを構成成分とするカーボンナノチューブ電子放出素子を代表例として説明する。
【０００３】
従来、カーボンナノチューブ電子放出素子、およびそれを電子源として用いた自発光型平面表示装置が数多く報告されている。たとえば、４．５インチの自発光型平面表示装置を作製した例が、ＳＩＤ　９９　Ｄｉｇｅｓｔのｐｐ．１１３４−１１３７に記載されている。なお、自発光型平面表示装置の自発光型とは、画像表示パネルに設けられた蛍光膜に電子線や紫外線等の励起光を照射して発光させ画像を表示するものであり、自らは発光を伴わないＬＣＤ（液晶表示装置）とは区別されるものである。
【０００４】
上記文献に記載された従来の方法では、カーボンナノチューブ電子放出素子を形成するためのペーストに接着剤としてガラス成分が含まれていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この接着剤としてのガラス成分は、ペーストを熱処理した段階で、電気絶縁物質であるガラスとして残留するため、ミクロレベルでは電気的につながったカーボンナノチューブの割合は、多くて全体の数十％であった。そのため、発光ポイント密度が１０００ポイント／平方センチメートル以下であり、発光の面内均一性が非常に低いという問題があった。
【０００６】
この発光ポイント密度が低いということは、蛍光膜を励起するための電子源の電子線放出密度が低く、かつ、むらがあるということであり、画面が暗く、しかも表示される画像にむらが生じ、画質が著しく低下するという問題点があった。特に画像表示パネルが大型化し表示面積が大きくなるほど、この問題は深刻である。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消することにあり、電子源となるナノチューブ電子放出素子の発光ポイント密度を向上させ、画質の良好な画像表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明者等は、画像表示装置の電子源となるナノチューブ電子放出素子の特性向上と、信頼性の高い電子源を容易に得る製造方法について種々実験検討を行った。その結果、高性能のナノチューブ電子放出素子が工業的に容易な製造方法で得られ、優れた画像表示装置が実現できると云う知見を得た。
【０００９】
本発明は、かかる重要な知見に基づいてなされたものであり、その要旨はナノチューブを含有するペースト中の接着剤として、ガラスではなく低融点の金属材料を用いることにより、ミクロレベルでも完全な電気伝導を確保することにより、ナノチューブと電極母剤との電気伝導を確実に確保する構造としたものである。
【００１０】
これにより、発光ポイント密度を１０００００ポイント／平方センチメートル以上にすることができ、面内均一に発光パターンを実現することができた。
【００１１】
本発明が対象とするナノチューブは、カーボン、ボロン及び窒素の少なくとも一つの元素で構成された一層の筒状構造よりなるシングルウォールナノチューブ、もしくは入れ子状の多層の筒状構造よりなるマルチウォールナノチューブである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の特徴点をさらに具体的に説明する。
本願の第一の発明は、ナノチューブ電子放出素子を電子源とし、前記電子源が走査線と信号線との交差部においてマトリックス状に形成された電子源基板と、前記電子源基板に対向して所定間隔の隙間を形成して配置される蛍光膜とアノード電極とを有する蛍光表示板とを備えた画像表示パネルと、
前記画像表示パネルに画像情報を伝送し画像を表示する制御部とを有する画像表示装置であって、
前記電子源を構成するナノチューブ電子放出素子は、ナノチューブと電気導電体からなる粒状支持体とが混じり合い、少なくともナノチューブの一端と支持体とが溶融された金属接着剤により前記基板に固着され、前記支持体の支持作用により前記ナノチューブの他端が自由端として基板に対して垂直方向に配向されていることを特徴とする。
【００１３】
第二の発明において、前記粒状支持体は、前記金属接着剤の溶融接着温度では溶解しない粒状電気伝導体で構成されていることを特徴とする。この粒状電気伝導体の好ましいものとして、Ｃ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ及びＣｏからなる群から選択される少なくとも１種の粒状電気伝導体が挙げられる。
【００１４】
第三の発明において、前記金属接着剤は、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ及びＡｌからなる金属群から選択される少なくとも１種の金属を含むことを特徴とする。
【００１５】
第四の発明において、前記ナノチューブは、炭素、ボロン及び窒素の少なくとも１種の元素で構成された単層の筒状構造よりなるシングルウォールナノチューブを含むことを特徴とする。このシングルウォールナノチューブは、平均長さが０．５〜２．０ミクロンであることが好ましい。
【００１６】
第五の発明において、前記ナノチューブは、炭素、ボロン及び窒素の少なくとも１種の元素で構成された入れ子状の多層の筒状構造よりなるマルチウォールナノチューブを含むことを特徴とする。
【００１７】
第六の発明において、前記シングルウォールナノチューブは、平均長さが０．５〜２．０ミクロンのナノチューブであることを特徴とする。このマルチウォールナノチューブは、平均長さが０．５〜５．０ミクロンであることが好ましい。
【００１８】
第七の発明は、ナノチューブ電子放出素子を電子源とし、前記電子源が走査線と信号線との交差部においてマトリックス状に形成された電子源基板を製造する工程と、
前記電子源基板に対向して所定間隔の隙間を形成して配置される蛍光膜とアノード電極とを有する蛍光表示板を製造する工程と、
前記電子源基板と蛍光表示板とを枠体介して固定する組立工程とを有する画像表示装置の製造方法であって、
前記電子源を構成するナノチューブ電子放出素子の製造工程においては、
ナノチューブ、電気導電体からなる粒状支持体、金属接着剤及びペースト化する有機化合物を含んだペーストを調製する工程と、前記ペーストを基板に印刷もしくは塗布することによりナノチューブ電子放出素子パターンを形成する工程と、熱処理する工程とを含むことを特徴とする。
【００１９】
【実施例】
以下、図面にしたがい本発明の実施例を具体的に説明する。
＜実施例１＞
まず、本発明の第１の実施例を図１および表１を用いて説明する。図１（ａ）には、ガラス基板１０１に印刷あるいは塗布した後のナノチューブペーストの様子を模式的に示した。ナノチューブペーストには、ナノチューブ１０２、支持体１０３、金属接着剤１０４、および有機化合物１０５が含まれている。
【００２０】
ナノチューブ１０２は、電子源として用いる。ナノチューブの直径は０．７〜５０ｎｍ程度で、長さは０．５〜数十ミクロンである。非常に細長い構造であることから、電界がその先端に集中するため、数Ｖ／ミクロンの非常に低い電界で、数十ｍＡ／平方センチメートルという自発光平面表示装置を実現するために十分な放出電流密度を得ることができる。
【００２１】
ナノチューブのうち、単層のものをシングルウォールナノチューブと呼んでいる。また、シングルウォールが同心円状の入れ子構造になった多層のものをマルチウォールナノチューブと呼んでいる。
【００２２】
本発明では、シングルウォールナノチューブ、マルチウォールナノチューブのどちらも用いることができる。また、その混合物を用いることも可能である。また、ナノチューブが炭素原子から構成されているものをカーボンナノチューブと呼んでいる。カーボンナノチューブ以外に、ボロンと窒素元素から構成されたナノチューブも知られている。
【００２３】
さらに、炭素、ボロンおよび窒素の３元素によりナノチューブを構成することも可能である。本発明では、あらゆる元素から構成されたナノチューブを用いることも可能である。
【００２４】
支持体１０３は、電気導電体である粒状物質からなり、ナノチューブ１０２を基板１０１に対して垂直方向に配向させるために使用する。そのため後述する金属接着剤１０４を溶融してナノチューブ１０２を固着する際には、溶解せずに粒状の形状を保持している必要がある。ナノチューブ１０２の長さが１ミクロン程度である場合、支持体１０３の大きさも１ミクロン程度であることが望ましい。
【００２５】
支持体１０３の材質としては、表面に酸化物を作りにくいもの、あるいは酸化物を作ったとしてもその酸化物が伝導性を持つものが望ましく、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏなどの金属あるいはそれらの合金を用いることができる。また、グラファイトや球状グラファイトを用いることも可能である。
【００２６】
金属接着剤１０４は、ナノチューブペーストを熱処理した場合に、基板１０１に固着させるとともに、ナノチューブ１０２と支持体１０３の電気伝導を確保するために用いる。金属接着剤１０４には、低融点の金属微粒子を用いることができる。低融点金属および合金の例を表１に示す。
【００２７】
【表１】
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表１にはそれぞれの金属の組成と、その融解温度を示した。Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｌなどの金属あるいはその合金を用いることができる。
【００２８】
有機化合物１０５は、ぺースト化するための溶剤として用いる。印刷性あるいは塗布性を考えて、各種の有機化合物１０５を用いることが可能である。
【００２９】
ナノチューブペースト組成の一例としてここでは、ナノチューブ１０２として、平均直径が２０ｎｍ、平均長さが１ミクロンのマルチウォールナノチューブを、支持体１０３として、平均直径が１ミクロンの銀微粒子を、金属接着剤１０４として、平均直径０．１ミクロンの亜鉛微粒子を、有機化合物１０５として、テルピネオールとエチルセルロースの混合物を用いて、ナノチューブペーストを作製した。
【００３０】
熱処理後のナノチューブペーストの様子を模式的に図１（ｂ）に示す。４５０℃で３０分間の熱処理により、有機化合物１０５は燃焼により消失する。金属接着剤１０４は熱処理により溶融し、支持体１０３とナノチューブ１０２を基板に固着させると共に、支持体１０３とナノチューブ１０２の電気伝導を確保する働きがある。
【００３１】
このようにしてガラス基板１０１上に作製した電子源に電界を印加し、その放出電子を対向させた蛍光板に照射させることにより、発光パターンを観察した。その結果、非常に均一な発光パターンを得ることができた。さらにミクロに観察すると、発光ポイント密度は１０００００個／平方センチメートル以上であり、従来のガラス接着剤を用いたペーストにより形成した電子源に比べ、発光ポイント密度を二桁以上向上させることができた。
【００３２】
＜実施例２＞
次に、本発明の第２の実施例を図２、図３、図４、図５および図６〜図９を用いて説明する。
【００３３】
まず、図２の組み立て分解図を用いて、本発明の自発光平面表示装置（画像表示パネル）の全体構成を説明する。図２（ａ）は斜め上方から見下ろした斜視図であり、図２（ｂ）は逆に斜め下方から見上げた斜視図を示している。本自発光平面表示装置は、電子源アレイを作製した電子源基板３０１、電子源の位置に合わせて蛍光体ストライプあるいはドットを作製した蛍光表示板３０３、電子源基板３０１と蛍光表示板３０３とを一定間隔に保って固定するための枠ガラス３０２より構成される。
【００３４】
また、図中には示さなかったが、画面サイズが大きくなると、枠ガラス内部にも電子源板３０１と蛍光表示板３０３とを一定間隔に保つためのスペーサが必要となる。
【００３５】
次に図３を用いて、電子源基板３０１の構造を説明する。横方向に複数本のカソード電極ストライプ４０１を、垂直方向に複数本のゲート電極ストライプ４０２を形成する。カソード電極ストライプ４０１とゲート電極ストライプ４０２は、絶縁膜６０５を挿んで交差し、それぞれの交差点に電子源４０３を形成する。
【００３６】
なお、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）はカソード電極ストライプ４０１とゲート電極ストライプ４０２の交差点に形成された電子源４０３の部分拡大図、図３（ｃ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ´断面部分拡大図をそれぞれ示している。
【００３７】
この電子源４０３は、ゲート電極ストライプ４０２とその下の絶縁膜６０５を貫いた穴４０３ａの底部のカソード電極ストライプ４０１の表面に形成する。なお、ナノチューブを用いた電子源４０３の形成方法は、後述するように実施例１に記載の方法により形成した。
【００３８】
次に図４を用いて、蛍光表示板３０３の構造を説明する。図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は部分拡大図である。電子源４０３の位置に合わせて、赤５０１、緑５０２、青５０３の蛍光体ストライプを形成した構造になっている。
【００３９】
まず、電子源基板３０１に設けられた電子源４０３の横方向のピッチに合わせて、電子源間の中央の位置に対応する領域にブラックマトリックスのストライプをリフトオフ法により作製する。次にスラリー法により赤５０１、緑５０２、青５０３の蛍光体ストライプによる繰り返しストライプパターンを形成する。
【００４０】
各々の蛍光体ストライプが、両側のブラックストライプの中央に配置する。また、図には示さなかったが、蛍光体ストライプを作製した後、全面にアルミニウムを５０ｎｍ蒸着し、アノード電極を形成した。
【００４１】
以上のようにして作製した、電子源基板３０１と蛍光表示板３０３を枠ガラス３０２を用いて一定間隔で対峙するように配置し、電子源と蛍光体ストライプの位置を合わせた後、内部を真空にして封止することにより、表示装置（画像表示パネル）が完成する（先の図３を参照）。
【００４２】
そして、カソード電極ストライプ４０１に走査信号を、ゲート電極ストライプ４０２に画像信号を印加し、さらに蛍光表示板３０３のアノード電極（不図示）に、カソード電極４０１に対してプラスの加速電圧を印加することにより、均一に発光する画像を表示させることができた。
【００４３】
次に、電子源基板３０１上の詳細構造を、図５を用いて説明する。図５（ａ）が、上面図であり、図５（ｂ）がＡ−Ａ’断面図、図５（ｃ）がＢ−Ｂ’断面図である。
【００４４】
まず、ガラス基板１０１表面に、厚さが０．２〜１０ｕｍで、幅が３００ｕｍ、間隔が６０ｕｍのカソード電極ストライプ４０１を６００本形成する。次に、絶縁層６０５を形成する。この絶縁層６０５は、後述するように感光性誘電体ペーストを印刷し、フォトリソグラフィープロセスで電子源穴４０３を形成してから焼成して得られる。
【００４５】
絶縁層６０５の厚みは１〜５０ｕｍであり、カソード電極ストライプ４０１とゲート電極ストライプ４０２の交差部分に直径１〜５０ｕｍの電子源穴４０３ａがあいた構造になっている。この絶縁層６０５を焼成後、その上に厚さが０．２〜１０ｕｍで、幅が９０ｕｍ、間隔が３０ｕｍのゲート電極ストライプ４０２を２４００本形成する。
【００４６】
なお、ゲート電極ストライプ４０２も、カソード電極ストライプ４０１とゲート電極ストライプ４０２の交差部分に絶縁層６０５と同じ電子源穴４０３ａがあいた構造になっている。
【００４７】
このようにして作製した配線構造を用いて、カソード電極ストライプ４０１に走査信号を、ゲート電極ストライプ構造４０２に画像信号をインプットし、さらにカソード電極ストライプ４０１と図４の蛍光表示板３０３に設けた不図示のアノード電極の間に、加速電圧を印加することにより、均一に発光する画像を表示させることができた。
【００４８】
次に、電子源基板３０１の作製プロセスの詳細を図６〜図９にしたがって説明する。ガラス基板１０１上に、図６（ａ）に示すように、幅が３００ｕｍで間隔が６０ｕｍのカソード電極ストライプ４０１を６００本形成する。カソード電極ストライプ４０１は、第１の実施例で示したペーストをスクリーン印刷することにより形成した。その厚みは１ｕｍである。図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示している。
【００４９】
次に、図７（ａ）に示すように、感光性誘電体ペースト７０２を全面にスクリーン印刷した後、通常のフォトリソグラフィープロセスにより、電子源穴４０３ａを形成する。これを大気中、５５０℃で３０分間の焼成を行うことにより、絶縁層６０５を形成する。絶縁層６０５の厚みは１０ｕｍである。
【００５０】
次に図８（ａ）に示すように、感光性銀ペースト７０２を全面にスクリーン印刷する。図８（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示している。
【００５１】
そして、通常のフォトリソグラフィー法により、図９（ａ）に示すようにゲート電極ストライプ４０２を形成し、大気中５００℃で３０分間の焼成を行った。図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ´断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ´断面図を示している。ゲート電極ストライプ４０２は、幅が９０ｕｍ、間隔が３０ｕｍであり、これを２４００本形成した。またゲート電極ストライプの厚みは５ｕｍであり、絶縁層６０５と同じ部分に同じ大きさあるいは、やや大きめの穴構造を形成した。
【００５２】
このようにしてカソード電極ストライプ４０１、絶縁層６０５、ゲート電極ストライプ４０２が形成された電子源基板３０１の電子源穴４０３ａ内に、印刷法によりナノチューブペーストを充填し、実施例１記載の製造方法により電子源４０３を形成した。
【００５３】
＜実施例３＞
次に、本発明の第３の実施例を図１０および図１１〜図１４にしたがって説明する。本実施例では、電子源基板３０１上の構造が第２の実施例と異なる。まず、電子源板３０１の構造を図１０にしたがって説明する。
【００５４】
図１０（ａ）が、上面図であり、図１０（ｂ）が図１０（ａ）のＡ−Ａ’断面図、図１０（ｃ）が図１０（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。まず、ガラス基板１０１表面に、厚さが０．２〜１０ｕｍで、幅が３００ｕｍ、間隔が６０ｕｍのカソード電極ストライプ４０１を６００本形成する。
【００５５】
次に、絶縁層６０５を形成する。絶縁層６０５の厚みは１〜５０ｕｍであり、カソード電極ストライプ４０１とゲート電極ストライプ４０２の交差部分に直径１〜５０ｕｍの電子源穴４０３ａがあいた構造になっている。
【００５６】
この絶縁層６０５を焼成後、その上に厚さが０．２〜１０ｕｍで、幅が９０ｕｍ、間隔が３０ｕｍのゲート電極ストライプ４０２を２４００本形成する。なお、ゲート電極ストライプ４０２も、カソード電極ストライプ４０１とゲート電極ストライプ４０２の交差部分に絶縁層６０５と同じ電子源穴４０３ａがあいた構造になっている。
【００５７】
最後に、実施例２と同様の方法で電子源層４０３を電子源穴４０３ａの底部に形成する。
【００５８】
このようにして作製した配線構造を用いて、カソード電極ストライプ４０１に走査信号を、ゲート電極ストライプ構造４０２に画像信号をインプットし、さらにカソード電極ストライプ４０１と図４の蛍光表示板３０３に設けた不図示のアノード電極の間に、加速電圧を印加することにより、均一に発光する画像を表示させることができた。
【００５９】
次に、電子源基板３０１の作製プロセスの詳細を図１１〜図１４を用いて説明する。ガラス基板１０１上に、図１１（ａ）に示すように、幅が３００ｕｍで間隔が６０ｕｍのカソード電極ストライプ４０１を６００本形成する。なお、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示している。カソード電極ストライプ４０１の材質はＡｇで、その厚みは１ｕｍである。
【００６０】
次に、図１２（ａ）に示すように、感光性誘電体ペースト７０２を全面にスクリーン印刷した後、通常のフォトリソグラフィープロセスにより、電子源穴４０３ａを形成する。これを大気中、５５０℃で３０分間の焼成を行うことにより、絶縁層６０５を形成する。絶縁層６０５の厚みは１０ｕｍである。
【００６１】
次に図１３（ａ）に示すように、感光性銀ペースト７０２を全面にスクリーン印刷する。図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ´断面図を示している。そして、通常のフォトリソグラフィー法により、図１４（ａ）に示すようにゲート電極ストライプ４０２を形成し、大気中５００℃で３０分間の焼成を行った。図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ´断面図、図１４（ｃ）は図１４（ａ）のＢ−Ｂ´断面図を示している。
【００６２】
ゲート電極ストライプ４０２は、幅が９０ｕｍ、間隔が３０ｕｍであり、これを２４００本形成した。またゲート電極ストライプ４０２の厚みは５ｕｍであり、絶縁層６０５と同じ部分に同じ大きさあるいは、やや大きめの穴構造４０３ａを形成した。
【００６３】
最後に、第１の実施例で示したナノチューブペーストをインクジェット法により、電子源穴４０３ａの底部に電子源層４０３を形成する。
【００６４】
なお、本実施例では、カソード電極ストライプ４０１およびゲート電極ストライプ４０２を特定の金属で形成したが、必要な電気伝導性を有するいかなる金属を用いることも可能である。また、合金や金属多層膜を用いることも可能である。
【００６５】
また、カーボンナノチューブをインクジェット法により、所望の位置に塗布する方法を用いたが、他のいかなる方法でカーボンナノチューブを電子源穴４０３ａの底部に配置することも可能である。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明により、電子源となるナノチューブ電子放出素子の発光ポイント密度を向上させ、画質の良好な画像表示装置及びその製造方法を実現するという所期の目的を達成することができた。具体的には発光ポイント密度を１０００００ポイント／平方センチメートル以上にすることができ、自発光型平面表示装置を実現するに十分な面内均一な発光パターンを実現することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の説明図。
【図２】本発明の第２の実施例の説明図。
【図３】本発明の第２の実施例の説明図。
【図４】本発明の第２の実施例の説明図。
【図５】本発明の第２の実施例の説明図。
【図６】本発明の第２の実施例の説明図。
【図７】本発明の第２の実施例の説明図。
【図８】本発明の第２の実施例の説明図。
【図９】本発明の第２の実施例の説明図。
【図１０】本発明の第３の実施例の説明図。
【図１１】本発明の第３の実施例の説明図。
【図１２】本発明の第３の実施例の説明図。
【図１３】本発明の第３の実施例の説明図。
【図１４】本発明の第３の実施例の説明図。
【符号の説明】
１０１…ガラス基板、
１０２…ナノチューブ、
１０３…支持体、
１０４…金属接着剤、
１０５…有機化合物、
３０１…電子源基板、
３０２…枠、
３０３蛍光表示板、
４０１…カソード電極ストライプ、
４０２…ゲート電極ストライプ、
４０３…電子源、
４０３ａ…電子源穴、
５０１…蛍光体（赤）、
５０２…蛍光体（緑）、
５０３…蛍光体（青）、
６０５…絶縁層、
７０２…感光性銀ペースト、
７０５…感光性誘電体ペースト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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