(57)【要約】【課題】Ｎ型有機半導体の原料となりうる高分子、該高分子からなる電子輸送性材料及び該電子輸送性材料を用いた有機発光素子の提供。【解決手段】フェナントロリン構造を有する新規な高分子、該高分子からなる電子輸送性材料及び該電子輸送性材料を用いた有機発光素子、並びにこれらの製造方法の提供。【選択図】　無し【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子。
一般式（１）
【化１】
2004107614.tif 000033
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【請求項２】
一般式（２）で表される構造を有する化合物を、Ｎｉ（０価）錯体の存在下に重合することを特徴とする一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子の製造方法。
一般式（２）
【化２】
2004107614.tif 000034
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。Ｘはハロゲンを表す。）
一般式（１）
【化３】
2004107614.tif 000035
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。Ｘはハロゲンを表す。）
【請求項３】
一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料。
一般式（１）
【化４】
2004107614.tif 000036
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数を表す。）
【請求項４】
一般式（２）で表される構造を有する化合物を、Ｎｉ（０価）錯体の存在下に重合することを特徴とする一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料の製造方法。
一般式（２）
【化５】
2004107614.tif 000037
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。Ｘはハロゲンを表す。）
一般式（１）
【化６】
2004107614.tif 000038
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数を表す。）
【請求項５】
一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料。
一般式（１）
【化７】
2004107614.tif 000039
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【請求項６】
一般式（２）で表される構造を有する化合物を、Ｎｉ（０価）錯体の存在下に重合することを特徴とする一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料の製造方法。
一般式（２）
【化８】
2004107614.tif 000040
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。Ｘはハロゲンを表す。）
一般式（１）
【化９】
2004107614.tif 000041
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【請求項７】
請求項３及び／又は請求項５に記載の電子輸送性材料を用いた有機発光素子。
【請求項８】
請求項３及び／又は請求項５に記載の電子輸送性材料を用いた有機光導電体材料。
【請求項９】
請求項３及び／又は請求項５に記載の電子輸送性材料の溶液を電極またはホール輸送層上に塗布成膜後、溶媒を除去することを特徴とする請求項７に記載の有機発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフェナントロリン構造を有する高分子、該高分子の製造方法、該高分子からなる電子輸送性材料、該電子輸送性材料の製造方法、該電子輸送性材料を含む有機発光素子及び該発光素子の製造方法に関する。
【０００２】
さらに詳しくは、特定のフェナントロリン構造を有する新規な高分子、該高分子からなるＮ型半導体特性に優れた電子輸送性材料、該材料を含む有機発光素子、及びそれらの製造方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】
主鎖にπ電子共役二重結合を有するπ電子共役系高分子には、電子供与性物質添加により酸化され正孔が電気伝導の主役を演じるＰ型有機半導体と、電子受容性物質添加により還元され電子が電気伝導の主役を演じるＮ型有機半導体とがある。前者の例としては、ポリ（２，５−チエニレン）、ポリ（２，５−ピロリレン）、ポリパラフェニレンビニレン等数多くあるが、後者の例は極めて少ない。
【０００４】
電子伝導体となりうるＮ型有機半導体は、有機ＥＬ素子や有機光導電体電極等の電子輸送層やその他広範な用途として利用でき、近年その開発が切望されている。
【０００５】
シンセティックメタルズ、２５巻、１０３〜１０７頁（１９８８年）に記載されているポリ（２，５−ピリジンジイル）は、π電子共役系高分子として電子吸引性のピリジン構造を繰り返しとする数少ないＮ型有機半導体のひとつである。しかしながら、ピリジン構造は電子吸引性が弱く安定なＮ型有機半導体としては不十分であった。
【０００６】
これに対してフェナントロリン構造は、ピリジン構造に比べてその共役構造から電子吸引性が高いことが期待される。従って、フェナントロリン構造を有する高分子はピリジン構造を有する高分子に比べて安定なＮ型有機半導体の原料となりうることが考えられる。
【０００７】
最近のフェナントロリン構造を有する高分子に関する報告として挙げられるものとしては、２００１年　春期第７９回日本化学会大会　要旨集　１　Ｄ２　１３が挙げられる。当該要旨集にはアルコキシ置換ポリフェナントロリン誘導体のＲｕ錯体の合成及びその分光学的性質が報告されている。
【０００８】
しかしながら、この高分子を電子輸送性材料として応用することについては、当該要旨集ではふれられていない。また、アルコキシ基は、フェナントロリン構造を有する高分子の有機溶媒への溶解性の向上に繋がり、ひいてはその加工性を改善する効果が考えられる。しかしながら、アルコキシ基の電子供与性という特徴から、フェナントロリン構造の有する電子吸引性を低下させ、Ｎ型有機半導体としての特性を低下させることが懸念される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来報告例の少ないＮ型有機半導体の原料となりうる高分子の提供をその目的の一つとする。さらに、当該高分子からなる電子輸送性材料、及びその簡便な製造方法の提供を目的の一つとする。さらに、該電子輸送性材料を用いた有機発光素子、及びその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題に鑑み鋭意検討した結果、フェナントロリン構造を有する新規な高分子が、電子吸引性が高く、Ｎ型半導体としての電子輸送性材料として好適であることを見いだし本発明を完成させた。
【００１１】
特にフェナントロリン構造に結合した置換基として、少なくともその一つがアルキル基であるフェナントロリン構造を有する高分子が、フェナントロリン構造の有する電子吸引性を損ねることなく溶媒への可溶性が増し、加工性、安定性に優れた工業的実用性の高い電子輸送性材料となりうることを見いだし本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明（Ｉ）は、一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子である。
【００１３】
一般式（１）
【化１０】
2004107614.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００１４】
また、本発明（ＩＩ）は、本発明（Ｉ）のフェナントロリン構造含有高分子の製造方法である。
【００１５】
また、本発明（ＩＩＩ）は、一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料である。
【００１６】
一般式（１）
【化１１】
2004107614.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数を表す。）
【００１７】
また、本発明（ＩＶ）は、本発明（ＩＩＩ）の電子輸送性材料の製造方法である。
【００１８】
さらに、本発明（Ｖ）は、一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料である。
【００１９】
一般式（１）
【化１２】
2004107614.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００２０】
またさらに、本発明（ＶＩ）は、本発明（Ｖ）の電子輸送性材料の製造方法である。
【００２１】
さらにまた、本発明（ＶＩＩ）は、本発明（ＩＩＩ）及び／又は本発明（Ｖ）の電子輸送性材料を用いた有機発光素子である。
【００２２】
さらに、本発明（ＶＩＩＩ）は、本発明（ＶＩＩ）の有機発光素子の製造方法である。
【００２３】
さらに本発明は例えば以下の事項からなる。
〔１〕　一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子。
一般式（１）
【化１３】
2004107614.tif 000005
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００２４】
〔２〕　一般式（２）で表される構造を有する化合物を、Ｎｉ（０価）錯体の存在下に重合することを特徴とする一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子の製造方法。
一般式（２）
【化１４】
2004107614.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。Ｘはハロゲンを表す。）
一般式（１）
【化１５】
2004107614.tif 000007
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。Ｘはハロゲンを表す。）
【００２５】
〔３〕　一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料。
一般式（１）
【化１６】
2004107614.tif 000008
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数を表す。）
【００２６】
〔４〕　一般式（２）で表される構造を有する化合物を、Ｎｉ（０価）錯体の存在下に重合することを特徴とする一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料の製造方法。
一般式（２）
【化１７】
2004107614.tif 000009
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。Ｘはハロゲンを表す。）
一般式（１）
【化１８】
2004107614.tif 000010
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数を表す。）
【００２７】
〔５〕　一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料。
一般式（１）
【化１９】
2004107614.tif 000011
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００２８】
〔６〕　一般式（２）で表される構造を有する化合物を、Ｎｉ（０価）錯体の存在下に重合することを特徴とする一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料の製造方法。
一般式（２）
【化２０】
2004107614.tif 000012
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。Ｘはハロゲンを表す。）
一般式（１）
【化２１】
2004107614.tif 000013
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００２９】
〔７〕　〔３〕及び／又は〔５〕に記載の電子輸送性材料を用いた有機発光素子。
【００３０】
〔８〕　〔３〕及び／又は〔５〕に記載の電子輸送性材料を用いた有機光導電体材料。
【００３１】
〔９〕　〔３〕及び／又は〔５〕に記載の電子輸送性材料の溶液を電極またはホール輸送層上に塗布成膜後、溶媒を除去することを特徴とする〔７〕に記載の有機発光素子の製造方法。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてより詳細に説明する。
本発明（Ｉ）は、一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子である。
【００３３】
一般式（１）
【化２２】
2004107614.tif 000014
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００３４】
本発明（Ｉ）の「フェナントロリン構造含有高分子」とは、高分子の少なくとも一部に、そのフェナントロリン環の置換基の少なくとも一つにアルキル基を有するフェナントロリン構造を含むものであれば、いかなる構造のものも使用することができる。
【００３５】
本発明（Ｉ）の一般式（１）のＲ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。
【００３６】
ここでいう「それぞれ独立に」とは、Ｒ１〜Ｒ６のいずれもが独立であると言うことのみならず、それぞれ独立したフェナントロリン構造においても独立であることを示している。すなわち、例えば高分子中の任意のフェナントロリン構造の任意のＲα（αは１〜６の整数）がメチル基である場合、他のフェナントロリン構造の相似の位置であるＲαではメチル基でも良いしメチル基以外の他の置換基であっても良いことを示している。従って、一つの高分子にｍ個のフェナントロリン構造が存在する場合、任意のＲαはｍ個のフェナントロリン構造において各々独立の置換基であることを示している。
【００３７】
一般式（１）におけるＲ１〜Ｒ６として、炭素数１以上のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。その他の置換基の具体例としては、水素、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基等のアルキル基、エテニル基、２−プロペニル基、１，３−ブタジエニル基、４−メトキシー２−ブテニル基等のアルケニル基、エチニル基、２−プロピニル基等のアルキニル基、フェニル基、チエニル基、ピロリル基、４−メトキシフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル基、３−メチルチエニル基等のアリール基、フッ素、塩素等のハロゲン、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基メチル基等を挙げることができる。好ましくは水素、ニトロ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、３−トリフリオロメチルフェニル基、ナフチル基、フッ素、カルボン酸基、カルボン酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基であり、より好ましくは水素、ニトロ基、トリフルオロメチル基、フェニル基、ナフチル基、フッ素、スルホン酸基、スルホン酸エステル基である。特に、ニトロ基、トリフルオロメチル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基等の電子吸引性置換基を導入すると、高分子のＮ型半導体性がさらに増加するので好ましい。
【００３８】
本発明（Ｉ）の一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子の具体例としては、ポリ（２−メチル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）、ポリ（２−ヘキシル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）、ポリ（２，９−ｎ−ジブチル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）、ポリ（２−ノニル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）、ポリ（２−メチル−５−ニトロ−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）、ポリ（２−メチル−９−トリフルオロメチル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）、ポリ（２−メチル−５，６−ジペンチルオキシ−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）等を挙げることができるが、これらに限定されるわけではない。
【００３９】
側鎖にメチル等のアルキル基を導入すると、フェナントロリン構造含有高分子の電子吸引性は若干低下するが、溶媒への可溶性が増し、加工性が改善される。また側鎖にニトロ基、トリフルオロメチル等のフルオロアルキル基を導入すると、フェナントロリン構造を主鎖に含む高分子の電子吸引性及び溶媒への可溶性が増し、加工性、特性共に改善される。
【００４０】
本発明（Ｉ）の一般式（１）で表されるフェナントロリン構造を主鎖に含む高分子のフェナントロリン構造は、２００１年　春期第７９回日本化学会大会　要旨集　１　Ｄ２　１３　で報告されているように、核磁気共鳴スペクトル（以下、「ＮＭＲ」と略す。）、赤外スペクトル（以下、「ＩＲ」と略す。）、元素分析、質量分析法（以下、「ＭＳ」と略す。）等の方法で分析、同定することが可能である。
【００４１】
具体的には本発明（Ｉ）のフェナントロリン構造含有高分子を含む有機発光素子より、洗浄等の方法により一般式（１）で表されるフェナントロリン構造含有高分子を分離し、さらに熱重量分析−質量分析法（以下、「ＴＧ−ＭＳ」と略す）で分解物の構造からフェナントロリン構造を同定、元素分析で元素の組成比を定量、ＮＭＲ、ＩＲで結合状態を同定等の方法でフェナントロリン構造を同定することが可能である。例えば、Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｊｏｕｒｎａｌ，Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．１１，９９１〜９９４頁、２０００年　に記載のポリ−ニトロピリジンでの測定と同様の方法で行うことができる。
【００４２】
本発明（Ｉ）のフェナントロリン構造含有高分子の分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と略す。）等の液体クロマトグラフィーにより測定することができる。具体的には例えば、ＰｏｌｙｍｅｒＪｏｕｒｎａｌ，Ｖｏｌ．３２，Ｎｏ．１１，９９１〜９９４頁、２０００年に記載のポリ−ニトロピリジンでの測定と同様に、ジメチルホルムアミド、ヘキサイソプロパノール等の溶媒に溶解し、ＧＰＣにより測定することができる。
【００４３】
本発明（Ｉ）の一般式（１）で表されるフェナントロリン構造含有高分子の分子量としては、特に制限はない。一般式（１）におけるフェナントロリン環の繰り返し数を表すｎが１以上であればよい。好ましくはｎは２以上である。
【００４４】
本発明の一般式（１）で表されるフェナントロリン構造含有高分子を後述する発光素子等の電子輸送層として使用するために成膜する場合に、溶媒に溶解して塗布する方法や真空蒸着により塗布する方法を行うが、その際、フェナントロリン構造含有高分子の分子量が高すぎると溶媒に溶けにくくなったり、蒸着できなくなる恐れがあり好ましくない。一方、分子量が高いほど、成膜後の膜強度や均一性に優れた膜を得ることができる。従って、フェナントロリン構造含有高分子の分子量はその加工性、用途等によって最適値が異なり、それぞれに使い分けることが好ましい。一般的にはＧＰＣによる分子量測定での重量平均分子量で１０００以上のものが好ましい。
【００４５】
次に本発明（ＩＩ）について説明する。本発明（ＩＩ）は、本発明（Ｉ）のフェナントロリン構造含有高分子の製造方法である。
【００４６】
本発明の一般式（１）で表されるフェナントロリン構造含有高分子の製造方法に特に限定はない。一般的なフェナントロリン構造含有高分子の製造方法で製造することができる。例えば、Ｃｈｅｍ．　Ｌｅｔｔ．　７８５頁（１９９５年）に記載がある。
【００４７】
好ましくは本発明（ＩＩ）の製造方法である。すなわち、本発明（ＩＩ）のフェナントロリン構造含有高分子の製造方法とは、一般式（２）で表される構造を有する化合物を、Ｎｉ（０価）錯体の存在下に重合することを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子の製造方法である。
【００４８】
一般式（２）
【化２３】
2004107614.tif 000015
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。Ｘはハロゲンを表す。）
【００４９】
一般式（２）で表される構造を有する化合物としては、フェナントロリン環の置換基の少なくとも一つにアルキル基を有するフェナントロリン構造を有し、且つ２つのＸが臭素等のハロゲンである化合物を挙げることができる。このようなフェナントロリン構造を有する化合物としては、具体的には例えば２−メチル−３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン、２−ヘキシル−３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン、２，９−ｎ−ジブチル−３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン、２−ノニル−３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン、２−メチル−５−ニトロ−３，８−ジイオド−１，１０−フェナントロリン、２−メチル−９−トリフルオロメチル−３，８−ジイオド−１，１０−フェナントロリン、２−メチル−５，６−ジペンチルオキシ−３，８−ジブロモ−１，１０−フェナントロリン等が挙げられる。もちろんこれらに限定されるわけではない。
【００５０】
これらのフェナントロリン構造を有する化合物のうち少なくとも一種以上を単独で、又は二種以上を混合物として、或いはその他の２つ以上のハロゲンを有する芳香族系化合物と混ぜ合わせた後にＣｕやＮｉ等の元素を含む触媒の存在下に重合もしくは共重合する方法が挙げられる。
【００５１】
ここでいう「その他の２つ以上のハロゲンを有する芳香族系化合物」とは、芳香環の任意の位置の２つ以上の水素がハロゲンに置換された物であれば特に制限はない。具体的には、例えばｐ−ジブロモベンゼン、２，５−ジブロモチオフェン、２，５−ジブロモピリジン、２，６−ジブロモピリジン等が挙げられる。
【００５２】
また、触媒としては銅粉、Ｃｕ１価錯体、Ｎｉ（０価）錯体等の還元触媒が挙げられる。この中でＮｉ（０）ビスシクロオクタジエニル等のＮｉ（０価）錯体はハロゲン化フェナントロリン系化合物の重合能力が高く好ましい。
【００５３】
重合を行う際の温度には特に制限はないが、好ましくは２０℃〜１００℃の範囲であり、より好ましくは４０℃〜８０℃の範囲である。
【００５４】
次に、本発明（ＩＩＩ）及び本発明（Ｖ）について説明する。
【００５５】
本発明（ＩＩＩ）は、一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料である。
【００５６】
一般式（１）
【化２４】
2004107614.tif 000016
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数を表す。）
【００５７】
また、本発明（Ｖ）は一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料である。
【００５８】
一般式（１）
【化２５】
2004107614.tif 000017
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００５９】
本発明の電子輸送性材料としては、一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子を含んでいれば、他に特に制限はない。好ましくは一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料である。すなわち、フェナントロリン環の置換基のうち少なくともその一つが炭素数１以上のアルキル基であるフェナントロリン構造含有高分子の方が、電子吸引性が高く、Ｎ型半導体になりやすく、且つ一般に有機溶剤への可溶性及びその加工性に優れているなどの点から好ましい。
【００６０】
本発明の電子輸送性材料は、その用途の一つとして後述する発光素子の電子輸送層に好適である。その場合、当該電子輸送性材料を成膜して用いることが好ましく、この際に前述した有機溶剤への可溶性及びその加工性に優れているなどの物性が好ましい点として現れる。発光素子の電子輸送層として用いる際の詳細は発光素子の項にて説明する。
【００６１】
本発明の電子輸送性材料は、それのみ単独でも電子輸送層の材料として十分に作用するが、他の電子輸送材料と混合及び／又は積層して使用することも可能である。用いることのできる他の電子輸送材料としては、トリスアルミニウムキノリノール（以下、「Ａｌｑ３」と略す。）などのキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体などの既知の電子輸送材料が使用できるが、特にこれらに限定されることはない。
【００６２】
次に本発明（ＩＶ）及び本発明（ＶＩ）について説明する。
本発明（ＩＶ）は、本発明（ＩＩＩ）の電子輸送性材料の製造方法である。また、本発明（ＶＩ）は、本発明（Ｖ）の電子輸送性材料の製造方法である。
【００６３】
本発明（ＩＩＩ）の電子輸送性材料の製造方法及び本発明（Ｖ）の電子輸送性材料の製造方法は、いずれも本発明（Ｉ）のフェナントロリン構造含有高分子の製造方法と同様である。すなわち、本発明（ＩＶ）の製造方法及び本発明（ＶＩ）の製造方法は、前述した本発明（ＩＩ）の製造方法と同様である。
【００６４】
ただし、本発明（ＩＩＩ）の電子輸送性材料は、本発明（Ｉ）のフェナントロリン構造含有高分子と構造の一部が異なり、従って、用いるべき原料化合物であるフェナントロリン構造を有し、且つ２つのＸが臭素等のハロゲンである化合物が異なることはいうまでもない。
【００６５】
次に本発明（ＶＩＩ）について説明する。本発明（ＶＩＩ）は、本発明（ＩＩＩ）及び／又は本発明（Ｖ）の電子輸送性材料を用いた有機発光素子である。
【００６６】
まず、電子輸送材料について説明する。本発明（ＶＩＩ）の有機発光素子は、当該素子の電子輸送層に本発明の電子輸送性材料を用いた物であれば、他に特に制限はない。
【００６７】
例えば、図１は本発明の発光素子構成の一例を示す断面図であり、透明基板上に設けた陽極と陰極の間にホール輸送層、発光層、電子輸送層を順次設けたものである。また、本発明の有機発光素子構成は図１の例のみに限定されず、陽極と陰極の間に順次、１）ホール輸送層／発光層、２）発光層／電子輸送層、のいずれかを設けたものでもよく、更には３）ホール輸送材料、発光材料、電子輸送材料を含む層、４）ホール輸送材料、発光材料を含む層、５）発光材料、電子輸送材料を含む層、６）発光材料の単独層、のいずれかの層を一層設けるだけでもよい。また、図１に示した発光層は１層であるが、２つ以上の層が積層されていてもよい。
【００６８】
本発明（ＶＩＩ）の有機発光素子においては、電子輸送層に本発明（ＩＩＩ）及び／又は本発明（Ｖ）の電子輸送性材料を用いることを特徴とする。中でも、本発明（Ｖ）の電子輸送材料、すなわち一般式（１）で表される構造を繰り返し単位として含むことを特徴とするフェナントロリン構造含有高分子からなる電子輸送性材料を用いることが、該材料が電子吸引性が高く、Ｎ型半導体となりやすく、また溶媒に可溶で加工性に優れている為、好ましい。
【００６９】
一般式（１）
【化２６】
2004107614.tif 000018
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、ニトロ基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、シアノ基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基、ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエステル基、炭素数２以上２０以下のアルケニル基、炭素数２以上２０以下のアルキニル基、置換基を有してもよいアリール基又は炭素数１以上２０以下のカルボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも一つは炭素数１以上のアルキル基である。ｎは１以上の整数を表す。）
【００７０】
本発明（ＩＩＩ）及び／又は本発明（Ｖ）の電子輸送性材料を本発明（ＶＩＩ）の有機発光素子に用いる場合には、成膜して用いることが適当である。当該電子輸送材料を成膜する方法には特に制限はない。既に公知の方法で成膜することができる。例えば、（Ａ）発光体層の上にフェナントロリン構造を含む高分子の溶液を塗布し溶媒を揮発除去する方法や、（Ｂ）発光体層の上にフェナントロリン構造を主鎖に含む高分子を抵抗加熱等による真空蒸着で成膜する方法、（Ｃ）発光体層の上にフェナントロリン構造を主鎖に含む高分子のモノマーを塗布、成膜後に、モノマーを重合する方法が挙げられる。これらの方法は多層構造素子を作成する場合に好適である。
【００７１】
また、発光材料や電子輸送材料、ホール輸送材料の混合単層素子を作成する方法もプロセス上有利である。例えば、（Ｄ）フェナントロリン構造を主鎖に含む高分子からなる電子輸送材料と発光材料やホール輸送材料を混合した溶液を調製し、電極上に塗布後、溶媒を揮発除去する方法や、（Ｅ）フェナントロリン構造を主鎖に含む高分子のモノマーと発光材料やホール輸送材料を混合した溶液を調製し、電極上に塗布後、モノマーを重合し、溶媒を揮発除去する方法が挙げられる。上記、重合体溶液やモノマー溶液を塗布する方法も特に限定しない。例えば、印刷法やインクジェット、スピンコート等、種々の方法が挙げられる。電子輸送層の厚さは、電子輸送層の導電率にもよるので一概に限定はできないが、５ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１０ｎｍ〜３μｍが更に好ましく、２０ｎｍ〜１μｍが特に好ましい。
【００７２】
本発明（ＩＩＩ）及び／又は本発明（Ｖ）の電子輸送性材料は、それぞれ単独で電子輸送層を形成するほかに、高分子材料をバインダとして各層を形成することもできる。これに使用できる高分子材料の具体例としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００７３】
次に発光材料について説明する。
発光材料としてはスチルベン構造等の共役系構造を有する化合物、アルミニウムキノリウム錯体等の軽金属錯体や遷移金属錯体構造等があげられるが、安定性、設計自由性等の面で金属錯体構造が好ましい。
【００７４】
本発明の有機発光素子に用いられる発光材料においては、さらに励起三重項状態からの発光あるいは励起三重項状態を経由する発光、いわゆる燐光発光物質を発光部位に有する化合物が好ましい。燐光発光物質は、励起三重項状態の量子効率の値として０．１以上が好ましく、更に好ましくは０．３以上であり、より一層好ましくは０．５以上である。尚、これらの励起三重項状態の量子効率が高い化合物は、例えば“Ｈａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ（Ｓｔｅｖｅｎ　Ｌ．　Ｍｕｒｏｖほか著，Ｍａｒｃｅｌ　Ｄｅｋｋｅｒ　Ｉｎｃ．，１９９３）などから選ぶことができる。本発明の好ましい発光材料の励起三重項状態からの発光あるいは励起三重項状態を経由する燐光発光部位としてはイリジウムや白金等の金属錯体構造及びこれらの誘導体があげられる。燐光性金属錯体構造は励起三重項状態が高温でも比較的安定であり好ましい。
【００７５】
上記の燐光性金属錯体構造に使用される遷移金属としては、周期表において第１遷移元素系列は原子番号２１のＳｃから原子番号３０のＺｎまでを、第２遷移元素系列は原子番号３９のＹから原子番号４８のＣｄまでを、第３遷移元素系列は原子番号７２のＨｆから原子番号８０のＨｇまでを含める。また上記の励起三重項状態を経由して発光する燐光性金属錯体構造の他の具体的な例としては希土類金属錯体構造を例示することができるが、何らこれに限定されるものではない。この希土類金属錯体構造に使用される希土類金属としては、周期表において原子番号５７のＬａから原子番号７１のＬｕまでを含める。
【００７６】
上述した金属錯体構造に使用される配位子の構造としては、アセチルアセトナート、２，２’−ビピリジン、４，４’−ジメチル−２，２’−ビピリジン、１，１０−フェナントロリン、２−フェニルピリジン、ポルフィリン、フタロシアニン、ピリミジン、キノリン及び／またはこれらの誘導体などを例示することができるが、何らこれらに限定されるものではない。これらの配位子は、１つの錯体について１種類または複数種類が配位される。また、上記の錯体化合物として二核錯体構造あるいは多核錯体構造や、２種類以上の錯体の複錯体構造を使用することもできる。
【００７７】
上記の発光体層に用いられる発光材料はそれぞれ単独で各層を形成するほかに、高分子材料をバインダとして各層を形成することもできる。これに使用される高分子材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００７８】
発光体層の厚さは一概に限定はできないが、５ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１０ｎｍ〜３μｍが更に好ましく、２０ｎｍ〜１μｍが特に好ましい。
【００７９】
上記の発光層に用いられる発光材料の成膜方法は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、コーティング法などを用いることが可能で、これらに特に限定されることはないが、低分子化合物に場合は主として抵抗加熱蒸着および電子ビーム蒸着が用いられ、高分子材料の場合は主に溶液塗布法が用いられる。
【００８０】
次にホール輸送材料について説明する。
本発明の有機発光素子にはホール輸送材料も用いることもできる。発光材料にホール輸送機能がない場合は特にホール輸送材料を用いることにより、発光効率の向上、駆動電圧の低下等、素子の性能向上を計ることができる。
【００８１】
用いるホール輸送材料に特に制限はなく、発光材料やキノキサリン構造を有する重合体からなる電子輸送材料との組み合わせで適したものを選べばよい。
【００８２】
ホール輸送材料としては、低分子化合物として、フタロシアニン類、金属フタロシアニン類、ナフタロシアニン類、金属ナフタロシアニン類、ビスアゾ化合物類、トリスアゾ化合物類、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン（以下、「ＴＰＤ」と略す。）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下、「α−ＮＰＤ」と略す。）、４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下、「ｍ−ＭＴＤＡＴＡ」と略す。）等のトリフェニルアミン誘導体類、ジフェニル類、ナフタレン類、アントラセン類の多環芳香族類、ベンゾキノン、アントラキノン等の芳香族キノン類が挙げられる。
【００８３】
また高分子化合物として、上記低分子化合物の重合体以外にポリアニリン、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレンビニレン及びこれらの誘導体に代表されるＰ型導電性高分子、ポリカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリシロキサン及びその誘導体等が挙げられる。
【００８４】
これらのホール輸送材料は単独でも用いられるが、異なるホール輸送材料と混合または積層して用いてもよい。ホール輸送層の厚さは、ホール輸送層の導電率にもよるので一概に限定はできないが、５ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１０ｎｍ〜３μｍが更に好ましく、２０ｎｍ〜１μｍが特に好ましい。
【００８５】
またこれらのホール輸送材料はそれぞれ単独で各層を形成するほかに、高分子材料をバインダとして各層を形成することもできる。これに使用される高分子材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定されるものではない。
【００８６】
上記のホール輸送材料の成膜方法は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、コーティング法などを用いることが可能で、これらに特に限定されることはないが、低分子化合物に場合は主として抵抗加熱蒸着および電子ビーム蒸着が用いられ、高分子材料の場合は主に溶液塗布法が用いられる。
【００８７】
次に、陽極材料について説明する。
本発明に係る有機発光素子の陽極材料としては、酸化インジウムスズ（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、酸化錫、酸化亜鉛、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性高分子などの既知の透明導電材料が使用できるが、特にこれらに限定されることはない。この透明導電材料による電極の表面抵抗は１Ω／□（オーム／スクエアー）〜５０Ω／□（オーム／スクエアー）であることが好ましい。これらの陽極材料の成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学反応法、コーティング法などを用いることができるが、これらに特に限定されることはない。陽極の厚さは５０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。
【００８８】
また、陽極とホール輸送層または陽極に隣接して積層される有機層の間に、ホール注入に対する注入障壁を緩和する目的でバッファ層が挿入されていてもよい。これには銅フタロシアニンなどの既知の材料が用いられるが、特にこれに限定されることはない。
【００８９】
次に陰極材料について説明する。
本発明に係る有機発光素子の陰極材料としては、Ａｌ、ＭｇＡｇ合金、Ｃａなどのアルカリ金属、ＡｌＣａなどのＡｌとアルカリ金属の合金などの既知の陰極材料が使用できるが、特にこれらに限定されることはない。これらの陰極材料の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いることができるが、これらに特に限定されることはない。陰極の厚さは１０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍが更に好ましい。
【００９０】
また、陰極と、電子輸送層または陰極に隣接して積層される有機層との間に、電子注入効率を向上させる目的で、厚さ０．１ｎｍ〜１０ｎｍの絶縁層が挿入されていてもよい。この絶縁層としては、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、アルミナなどの既知の陰極材料が使用できるが、特にこれらに限定されることはない。
【００９１】
本発明（ＶＩＩ）の有機発光素子の基板としては、発光材料の発光波長に対して透明な絶縁性基板であれば特に制限はない。具体的には例えば、ガラスのほかにポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」と略す。）やポリカーボネートを始めとする透明プラスチックなどの既知の材料が使用できるが、特にこれらに限定されることはない。
【００９２】
さらに、本発明（ＶＩＩ）の有機発光素子は、既知の方法でマトリックス方式またはセグメント方式による画素を構成することができ、また、画素を形成せずにバックライトとして用いることもできる。
【００９３】
【実施例】
以下に本発明について代表的な例を示し具体的に説明する。尚これらは説明のための単なる例示であって、本発明はこれらに何ら制限されるものではない。
＜測定装置等＞
１）１Ｈ−ＮＭＲ
日本電子（ＪＥＯＬ）製　ＪＮＭ　ＥＸ２７０
２７０Ｍｚ　溶媒：重クロロホルムまたは重ジメチルスルホシキド
２）ＧＰＣ測定（分子量測定）
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ　ＫＦ−Ｇ＋ＫＦ８０４Ｌ＋ＫＦ８０２＋ＫＦ８０１
溶離液：ヘキサフルオロイソプロパノール
温度　：４０℃
検出器：ＲＩ（Ｓｈｏｄｅｘ　ＲＩ−７１）
３）元素分析装置
ＲＥＣ０社製　ＣＨＮＳ−９３２型
【００９４】
実施例１：各種フェナントロリンの合成
（ａ）３，８−ジブロモ−２−メチル−１，１０−フェナントロリン（３，８−ｄｉｂｒｏｍｏ−２−ｍｅｔｈｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（以下、「Ｂｒ２ＭｅＰｈｅｎ」と略す。））の合成
反応は窒素雰囲気下で行った。５００ｍＬシュレンクに３，８−ジブロモー１，１０−フェナントロリン（以下、「Ｂｒ２ｐｈｅｎ」と略す。）３．３８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）及び無水テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」と略す。）２００ｍＬを加え０℃まで氷浴により冷却した。次いで３．０ＭメチルマグネシウムクロリドＴＨＦ溶液８．０ｍＬ（２４．０ｍｍｏｌ）を加えた。これを徐々に室温に戻しながら１６時間撹拌した。希塩酸を加え撹拌することで反応を終了し、クロロホルムで３回抽出、次いで１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液で１回、水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。クロロホルムを減圧留去後、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム）により単離精製した。目的物であるＢｒ２ＭｅＰｈｅｎを淡黄色粉末固体として１．２０ｇ（３．４１ｍｍｏｌ，収率３４．１％）得た。
【００９５】
得たＢｒ２ＭｅＰｈｅｎのＩＲ、ＮＭＲ及び元素分析データを表１に示す。
【００９６】
【表１】
2004107614.tif 000019
【００９７】
（ｂ）３，８−ジブロモ−２−ヘキシル−１，１０−フェナントロリン（３，８−ｄｉｂｒｏｍｏ−２−ｈｅｘｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（以下、「Ｂｒ２ＨｅｘＰｈｅｎ」と略す。））の合成
反応は２．０Ｍヘキシルマグネシウムブロミドエーテル溶液を用いてＢｒ２ＭｅＰｈｅｎの場合と同様に行った。カラムクロマトグラフィーは２回目（中性アルミナ、展開溶媒：クロロホルム）をさらに行い、その後ヘキサンに微量のクロロホルムを加えた溶液で洗浄した。目的物であるＢｒ２ＨｅｘＰｈｅｎを白色粉末固体として０．５１７ｇ（１．２２ｍｍｏｌ，収率１２．２％）得た。
【００９８】
得たＢｒ２ＨｅｘＰｈｅｎのＩＲ、ＮＭＲ及び元素分析データを表２に示す。
【００９９】
【表２】
2004107614.tif 000020
【０１００】
（ｃ）３，８−ジブロモ−２−ノニル−１，１０−フェナントロリン（３，８−ｄｉｂｒｏｍｏ−２−ｎｏｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）（以下、「Ｂｒ２ＮｏｎＰｈｅｎ」と略す。）の合成
窒素雰囲気下５０ｍＬシュレンクに金属マグネシウム１．０８ｇ（４５．０ｍｍｏｌ）、無水ＴＨＦ１０ｍＬを加え、これに１−ブロモノナン５．７ｍＬ（３０ｍｍｏｌ）に無水ＴＨＦ１０ｍＬ加えた溶液をゆっくりと滴下し、そのまま１０時間撹拌しｎ−ノニルマグネシウムブロミドを調製した。
【０１０１】
以降はＢｒ２ＨｅｘＰｈｅｎの場合と同様に行った。目的物であるＢｒ２ＮｏｎＰｈｅｎを白色粉末固体として０．３９５ｇ（０．８５ｍｍｏｌ，収率８．５％）得た。
【０１０２】
得たＢｒ２ＮｏｎＰｈｅｎのＩＲ、ＮＭＲ及び元素分析データを表３に示す。
【０１０３】
【表３】
2004107614.tif 000021
【０１０４】
実施例２：ポリマーの合成
（ｄ）ポリ（２−メチル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）（Ｐｏｌｙ（２−ｍｅｔｈｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ−３，８−ｄｉｙｌ）（以下、「Ｐ（ＭｅＰｈｅｎ）」と略す。））の合成
反応は窒素気流雰囲気下で行った。５０ｍＬシュレンクにニッケル（０）ビスシクロオクタジエニル（以下、「Ｎｉ（ｃｏｄ）２」と略す。）０．３３０ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）及び無水ＤＭＦ１０ｍＬを加え、次いで２，２’−ビピリジル０．１８７ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）及び１，５−シクロオクタジエン０．６０ｍＬ（５．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌した。すると溶液は暗紫色となった。
【０１０５】
これにＢｒ２ＭｅＰｈｅｎ０．３５２ｇ（１．００ｍｏｌ）を加えて、６０℃で３６時間加熱撹拌した。その後室温まで冷却し、アンモニア水を加え撹拌して反応を終了させた。
【０１０６】
アンモニア水で３回洗浄した後、濃塩酸からアンモニア水に再沈殿を２回して、アンモニア水で１回、水で１回、メタノールで１回洗浄し、その後減圧加熱により乾燥を行った。目的物であるＰ（ＭｅＰｈｅｎ）を茶色粉末固体として０．０６９ｇ（収率３３％）得た。
【０１０７】
このポリマーのヘキサフルオロイソプロパノール（以下、「ＨＦＩＰ」と略す。）を溶離液としたＧＰＣからの重量平均分子量（重量平均）は２８０００であった。
【０１０８】
得たＰ（ＭｅＰｈｅｎ）のＩＲ及び元素分析データを表４に示す。
【０１０９】
【表４】
2004107614.tif 000022
【０１１０】
（ｅ）ポリ（２−ヘキシル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）（Ｐｏｌｙ（２−ｈｅｘｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ−３，８−ｄｉｙｌ）（以下、「Ｐ（ＨｅｘＰｈｅｎ）」と略す。））の合成
反応は窒素気流雰囲気下で行った。５０ｍＬシュレンクに、Ｎｉ（ｃｏｄ）２０．３３０ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）及び無水ＤＭＦ１０ｍＬを加え、次いで２，２’−ビピリジル０．１８７ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）及び１，５−シクロオクタジエン０．６０ｍＬ（５．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌した。すると溶液は暗紫色となった。
【０１１１】
これにＢｒ２ＨｅｘＰｈｅｎ０．４２２ｇ（１．００　ｍｏｌ）を加えて、６０℃で３６時間加熱撹拌した。その後室温まで冷却し、アンモニア水を加え撹拌して反応を終了させた。アンモニア水で３回洗浄した後アンモニア水懸濁液のままヘキサンで洗浄し、これを二層系のまま固体を濾別し、ＴＨＦに溶かしてこれをアンモニア水に再沈殿を２回して、ＴＨＦから約３Ｎ塩酸に再沈殿を２回、その後ＴＨＦからアンモニア水に再沈殿を２回、ＴＨＦから水に再沈殿を２回して、その後減圧加熱により乾燥を行った。目的物であるＰ（ＨｅｘＰｈｅｎ）を粉末固体として０．１５７ｇ（収率５９．８％）得た。
【０１１２】
このポリマーのＨＦＩＰを溶離液としたＧＰＣからの重量平均分子量（重量平均）は１８０００であった。
【０１１３】
得たＰ（ＨｅｘＰｈｅｎ）のＩＲ及び元素分析データを表５に示す。
【０１１４】
【表５】
2004107614.tif 000023
【０１１５】
（ｆ）ポリ（２−ノニル−１，１０−フェナントロリン−３，８−ジイル）（Ｐｏｌｙ（２−ｎｏｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ−３，８−ｄｉｙｌ）（以下、「Ｐ（ＮｏｎＰｈｅｎ）」と略す。））の合成
反応はＢｒ２ＮｏｎＰｈｅｎ０．４６４ｇ（１．００ｍｏｌ）を用いＰ（ＨｅｘＰｈｅｎ）と同様に行った。目的物であるＰ（ＮｏｎＰｈｅｎ）を粉末固体として０．１５４ｇ（収率５０．６％）得た。
【０１１６】
このポリマーのＨＦＩＰを溶離液としたＧＰＣからの重量平均分子量（重量平均）は３５０００であった。
【０１１７】
得たＰ（ＮｏｎＰｈｅｎ）のＩＲ及び元素分析データを表６に示す。
【０１１８】
【表６】
2004107614.tif 000024
【０１１９】
実施例３：ポリマー塗膜評価
実施例２で製造したポリマー（ｄ）ＰＭｅＰｈｅｎ、（ｅ）ＰＨｅｘＰｈｅｎ及び（ｆ）ＰＮｏｎＰｈｅｎの３ｗｔ％ＨＦＩＰ溶液をそれぞれ調整した。これらをスピンコータで１ｃｍ×１ｃｍの白金箔上に塗布後、ＨＦＩＰを蒸発除去させることにより、厚さ約２０００Åの各ポリマー塗膜を白金箔上に成膜した。これらポリマー／白金電極を作用極とし、対極を白金箔（２ｃｍ×２ｃｍ）、銀電極を参照極として、０．５Ｍテトラエチルアンモニウムテトラフルオロボレート（以下、「ＴＥＡＢＦ４」と略す。）／アセトニトリル溶液中で、１ｍＶ／ｓｅｃの走査速度で、サイクリックボルタモグラムを行った。表７に示すごとく、各ポリマーはＮ型ドーピングによる還元ピークがみられた。
【０１２０】
【表７】
2004107614.tif 000025
【０１２１】
実施例４：燐光高分子用重合性化合物：ビス（（２−（４−（２−メタクリロイルオキシ）フェニル）ピリジン）（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（以下、「Ｉｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）２（ＰＰｙ）」と略す。）の合成
常法に従い４−メトキシフェニルピリジン（以下、「４−ＭｅＯ−ＰＰｙ」と略す。）を合成した。即ち、スキーム１に示すように、常法によりアルゴン気流下において４−ブロモアニソール２２．４ｇ（１２０ｍｍｏｌ）から脱水ＴＨＦ中でマグネシウム（Ｍｇ）３．４ｇを用いて（４−メトキシフェニル）マグネシウムブロマイドを合成し、これを２−ブロモピリジン１５．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）と（１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）ジクロロニッケル（ＩＩ）（以下、「Ｎｉ（ｄｐｐｅ）Ｃｌ２」と略す。）１．８ｇの脱水ＴＨＦ溶液に徐々に添加し、１時間還流した。反応液に５％塩酸水溶液２５０ｍｌを加えた後、クロロホルムで洗浄した。
【０１２２】
水層を炭酸水素ナトリウムで中和した後、クロロホルムで目的物を抽出し、有機層を減圧下に蒸留した。蒸留物は室温で直ちに固化し、白色固体として４−ＭｅＯ−ＰＰｙを１５．１ｇ（８１．５ｍｍｏｌ）得た。同定はＣＨＮ元素分析、１Ｈ−ＮＭＲで行った。
【０１２３】
【化２７】
2004107614.tif 000026
【０１２４】
次いでこの４−ＭｅＯ−ＰＰｙのメトキシ基を常法に従い加水分解した。即ち、スキーム２に示すように、４−ＭｅＯ−ＰＰｙ１５．０ｇ（８０．１ｍｍｏｌ）を濃塩酸中に溶解させ密閉容器中１３０℃で４時間攪拌した。反応後、反応液を炭酸水素ナトリウム水溶液で中和し、目的物をクロロホルムで抽出し、抽出物をクロロホルム／ヘキサン溶液より結晶化させ、無色の結晶として２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン（以下、「４−ＨＯ−ＰＰｙ」と略す。）１０．０ｇ（５８．５ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元素分析、１Ｈ−ＮＭＲで行った。
【０１２５】
【化２８】
2004107614.tif 000027
【０１２６】
次いでこの４−ＨＯ−ＰＰｙを常法に従いヘキサクロロイリジウム酸ナトリウムｎ水和物（Ｎａ３ＩｒＣｌ６・ｎＨ２Ｏ）と反応させてビス（μ−クロロ）テトラキス（２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン）ジイリジウム（ＩＩＩ）（以下、「［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）２Ｃｌ］２」と略す。）を合成した。即ち、スキーム３に示すように、Ｎａ３ＩｒＣｌ６・ｎＨ２Ｏ１０．０ｇを２−エトキシエタノールと水の３：１の混合溶媒４００ｍｌ中に溶解させ、アルゴンガスを３０分間吹き込んだ後に、アルゴン気流下で４−ＨＯ−ＰＰｙ８．６ｇ（５０．２ｍｍｏｌ）を加えて溶解させ、５時間還流した。反応後、溶媒を留去し、エタノールより再結晶させ、赤橙色の結晶として［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）２Ｃｌ］２５．８８ｇ（５．１８ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元素分析、１Ｈ−ＮＭＲで行った。
【０１２７】
【化２９】
2004107614.tif 000028
【０１２８】
次いでこの［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）２Ｃｌ］２を、常法に従いトリフルオロメチルスルホン酸銀（Ｉ）（ＡｇＣＦ３ＳＯ３）の存在下に２−フェニルピリジン（以下、「ＰＰｙ」と略す。）と反応させた。即ち、スキーム４に示すように、アルゴン気流下にて［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）２Ｃｌ］２３．９８ｇ（３．５ｍｍｏｌ）とＰＰｙ１５．５ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）の脱水トルエン懸濁液にＡｇＣＦ３ＳＯ３を１．９８ｇ加え、６時間還流した。反応液をシリカゲルカラムで精製した後、溶媒を留去し、黄色粉末としてビス（２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン）（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（以下、「Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）２（ＰＰｙ）」と略す。）２．２０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元素分析、１Ｈ−ＮＭＲで行った。
【０１２９】
【化３０】
2004107614.tif 000029
【０１３０】
次いで、スキーム５に示すように、アルゴン気流下にて、Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）２（ＰＰｙ）１．３７ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、脱酸剤としてのトリエチルアミン０．８１ｇ（８．０ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液にメタクリル酸クロライド０．５０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を加えて２０℃で５時間反応させた。反応液からトリエチルアミンの塩酸塩を濾別し、濾液をシリカゲルカラムで精製した後、溶媒を留去し、ビス（（２−（４−（２−メタクリロイルオキシ）フェニル）ピリジン）（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（以下、「Ｉｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）２（ＰＰｙ）」と略す。）１．５５ｇ（１．８８ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元素分析、１Ｈ−ＮＭＲで行った。
【０１３１】
【化３１】
2004107614.tif 000030
【０１３２】
実施例５〜実施例７、比較例１、比較例２：　発光素子の作製、評価
実施例４で合成した燐光高分子用重合性化合物、Ｉｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）２（ＰＰｙ）のＨＦＩＰの５質量％溶液を、ポリエチレンジオキシチオフェン（以下、「ＰＥＤＯＴ」と略す。）（バイエル社製）が５００Åの厚さで予め塗布成膜されたＩＴＯ陽極（ガラス基板上にＩＴＯが塗布されたもの）上にスピンコート法により５ｍｍ×５ｍｍの大きさに塗布後、窒素雰囲気で６０℃での加熱を２時間行い燐光高分子用重合性化合物を架橋重合し、次いで６０℃で３時間真空乾燥することにより、厚さ約１０００Åの燐光性高分子層（Ｉｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）２（ＰＰｙ）架橋重合体）をＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ陽極上に１０個成膜し、発光層を形成した。
【０１３３】
これらのうち６個の燐光性高分子／ＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極上に電子輸送材料として実施例２で合成した（ｄ）ＰＭｅＰｈｅｎ、（ｅ）ＰＨｅｘＰｈｅｎ、（ｆ）ＰＮｏｎＰｈｅｎの３ｗｔ％溶液をスピンコ−トにより成膜後、８０℃１０時間真空乾燥することにより、各厚さ約５００Åの電子輸送層を各２個ずつ形成させた。また残り４個の燐光性高分子／ＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極のうち、電子輸送層を形成させないものを２個、電子輸送層として（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（（２−（４−ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，３，４−ｏｘａｄｉａｚｏｌ）（以下、「ＰＢＤ」と略す。））を約５００Åの厚さに真空蒸着により成膜したものを２個作成した。
【０１３４】
ついでこれら１０個の電子輸送層／燐光性高分子／ＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極及び２個の燐光性高分子／ＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極の電子輸送層上（ない場合は燐光性高分子上）に陰極としてＡｇ／Ｍｇを重量比９／１で約１０００Åの厚さに成膜し、発光層、電子輸送層のことなる６種の発光素子を各２個ずつ作製した。これら素子をアルゴン雰囲気のグローブボックス中でリード線をつけガラス容器内にアルゴン雰囲気で密閉し、発光評価に用いた。
【０１３５】
発光輝度は電源として、（株）アドバンテスト社製　プログラマブル直流電圧／電流源　ＴＲ６１４３を用い、実施例において得られた有機発光素子に電圧を印加し、発光輝度を（株）トプコン社製　輝度計　ＢＭ−８を用いて測定した。
【０１３６】
上記発光素子に直流電源を引加したところ、発光開始電圧、１０Ｖでの初期輝度、その後１０Ｖで固定し連続発光させた場合の２４時間後の輝度は表８、表９の如くなった。いずれも、各素子２個の平均値である。
【０１３７】
【表８】
2004107614.tif 000031
【０１３８】
【表９】
2004107614.tif 000032
【０１３９】
【発明の効果】
本発明のフェナントロリン構造を有する高分子、及び該高分子からなる電子輸送性材料は、Ｎ型ドーピングでの還元ピーク電位が高くＮ型半導体として利用できることは明かである。又、該電子輸送材料を電子輸送層に使用した有機発光素子は、従来の発光素子より高輝度で耐久性のある発光素子であることは明かである。さらに、有機光伝導体においても同様の効果が期待できる。
【０１４０】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光素子の断面図の例である。
【符号の説明】
１　ガラス基板
２　陽極
３　ホール輸送層
４　発光層
５　電子輸送層
６　陰極
【図１】
2004107614.tif 000042