(57)【要約】【課題】通常時はＰＩＤ制御、ランピング処理時はＰＤ制御を行い、かつ息継ぎ現象が生じない熱処理装置およびその温度制御方法を提供する。【解決手段】温度制御部２０は、ロジックコントロール部２３と、測定温度Ｐｖの変化率に基づき測定温度が目標温度に到達する予想時間を算出して延長時間を算出する延長時間算出部２２と、ランピング動作終了時から目標温度Ｓｖの変化率を維持するように延長時間の間補正目標温度Ｓｖ’を出力する目標値延長部２１と、補正目標温度Ｓｖ’と測定温度Ｐｖとの偏差ｅを出力する加算器２５と、この偏差ｅを０に近づけるようにＰＩＤ演算を行うＰＩＤコントローラ２６と、ランピング動作開始時にはＰＩＤコントローラ２６の積分量を示す値を保存させて積分動作を停止させ、ランピング動作終了時には積分量を示す値を初期値として積分動作を再開させる積分制御部２４とを備える。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に導入される対象物に加熱処理を行う熱処理装置であって、
前記対象物が内部に導入される格納手段と、
前記対象物を加熱する加熱手段と、
前記対象物近傍の温度を測定温度として検出する温度検出手段と、
前記測定温度と所定の目標温度との偏差に対して、ランピング動作時以外では比例・積分・微分演算すなわちＰＩＤ演算を行い、ランピング動作時には比例・微分演算すなわちＰＤ演算を行うことにより、前記加熱手段の発熱量を制御するための出力操作量を算出する温度制御手段と
を備え、
前記加熱手段は、前記出力操作量に応じた発熱量で前記対象物を加熱し、
前記温度制御手段は、ランピング動作終了時以前に、前記測定温度が前記目標温度に到達するまでの予想時間を前記測定温度の温度変化率に基づいて算出して当該予想時間から制御遅れ時間を減算することにより延長時間を算出し、ランピング動作終了後も当該延長時間だけ前記目標温度を増加させ続け、当該延長時間経過後はランピング動作終了時の目標温度に戻すことを特徴とする、熱処理装置。
【請求項２】
前記温度制御手段は、ランピング動作開始前の前記積分演算のための積分量を保存するとともに、ランピング動作終了後に当該積分量を初期値として積分演算動作を開始することを特徴とする、請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
内部に導入される対象物に加熱処理を行う熱処理装置の温度制御方法であって、
ランピング動作終了時以前に、前記対象物近傍の測定温度が所定の目標温度に到達するまでの予想時間を当該測定温度の温度変化率に基づいて算出して当該予想時間から制御遅れ時間を減算することにより延長時間を算出する延長時間算出ステップと、
ランピング動作終了後も前記延長時間だけ前記目標温度を増加させ続け、前記延長時間経過後はランピング動作終了時の目標温度に戻す延長ステップと、
前記測定温度と前記目標温度との偏差に対して、ランピング動作時以外では比例・積分・微分演算すなわちＰＩＤ演算を行い、ランピング動作時には比例・微分演算すなわちＰＤ演算を行うことにより、前記対象物を加熱するための出力操作量を算出する操作量出力ステップと
を含むことを特徴とする、温度制御方法。
【請求項４】
前記操作量出力ステップは、ランピング動作開始前の前記積分演算のための積分量を保存するとともに、ランピング動作終了後に当該積分量を初期値として積分演算動作を開始することを特徴とする、請求項３に記載の温度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内部に導入されたウェーハなどの対象物に対して、酸化、拡散、アニール等の熱処理を行う熱処理装置およびそれに用いられる温度制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェーハを熱処理するための熱処理装置においては、炉内の温度がほぼ一定に保たれた状態で炉内にウェーハが導入される。導入される多くのウェーハおよびそれらのウェーハを搭載するボートは常温であり比較的大きな熱容量を有する。そのため、これらが炉内に導入されると炉内の温度は急激に低下する。ここで、炉内の温度の整定（目標温度に対し微少な温度差内で安定させること）を行うため、従来の熱処理装置ではＰＩＤ（比例・積分・微分）制御を行うものがある。しかし、このＰＩＤ制御のみを行う構成では、炉内の温度が整定された後に炉内の温度を所定の温度まで上昇させる処理（ランピング処理と呼ばれる）が行われる場合、その処理終了後所定の温度を所定期間だけ維持する運転動作に移行する時点近傍で、時定数が大きい炉の内部温度が所定の温度をオーバーシュートしやすく、温度の整定が困難となることがある。
【０００３】
そこで、従来の熱処理装置には、ランピング処理時以外の通常の処理時にはＰＩＤ制御を行い、ランピング処理時には積分制御動作を停止させて、ＰＤ（比例・微分）制御を行う構成がある。この構成によれば、ランピング処理中に積分量が過大となることによる影響がないため上記オーバーシュートを抑えることができる。
【０００４】
【特許文献１】
特開平９−１３４８８６号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の熱処理装置では、ランピング処理時に積分制御動作が停止されているため、ランピング処理終了直後に積分制御動作が開始される場合であっても、所定の目標温度に対して生じる偏差を解消するには時間がかかる。その結果、ランピング処理終了直後から所定の上記目標温度で整定されるまでに炉内の温度が緩やかに変動する現象（息継ぎ現象と呼ばれる）が生じることになり、温度の整定が困難となる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、通常の処理時にはＰＩＤ制御を行い、ランピング処理時にはＰＤ制御を行う構成であって、かつ上記息継ぎ現象が生じない熱処理装置およびそれに用いられる温度制御方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第１の発明は、内部に導入される対象物に加熱処理を行う熱処理装置であって、
前記対象物が内部に導入される格納手段と、
前記対象物を加熱する加熱手段と、
前記対象物近傍の温度を測定温度として検出する温度検出手段と、
前記測定温度と所定の目標温度との偏差に対して、ランピング動作時以外では比例・積分・微分演算すなわちＰＩＤ演算を行い、ランピング動作時には比例・微分演算すなわちＰＤ演算を行うことにより、前記加熱手段の発熱量を制御するための出力操作量を算出する温度制御手段と
を備え、
前記加熱手段は、前記出力操作量に応じた発熱量で前記対象物を加熱し、
前記温度制御手段は、ランピング動作終了時以前に、前記測定温度が前記目標温度に到達するまでの予想時間を前記測定温度の温度変化率に基づいて算出して当該予想時間から制御遅れ時間を減算することにより延長時間を算出し、ランピング動作終了後も当該延長時間だけ前記目標温度を増加させ続け、当該延長時間経過後はランピング動作終了時の目標温度に戻すことを特徴とする。
【０００８】
このような第１の発明によれば、ランピング動作が終了しても目標温度が延長時間の間同じ変化率で上昇し続ける構成により、測定温度がさらに上昇するため、息継ぎ現象を生じることがなく、温度の整定を容易にすることができる。また、ランピング動作終了直後から延長時間の間も積分動作が行われる構成となっている。この構成により、所定の目標温度に対して生じる偏差を解消するための十分な積分量を確保することができるため、温度の整定を速やかにすることができる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明において、
前記温度制御手段は、ランピング動作開始前の前記積分演算のための積分量を保存するとともに、ランピング動作終了後に当該積分量を初期値として積分演算動作を開始することを特徴とする。
【００１０】
このような第２の発明によれば、ランピング動作開始時に保存された積分量をランピング動作終了時に復帰させる構成により、ランピング動作終了後に所定の目標温度に対して生じる偏差を速やかに解消することができる。その結果、温度の整定をさらに速やかにすることができる。
【００１１】
第３の発明は、内部に導入される対象物に加熱処理を行う熱処理装置の温度制御方法であって、
ランピング動作終了時以前に、前記対象物近傍の測定温度が所定の目標温度に到達するまでの予想時間を当該測定温度の温度変化率に基づいて算出して当該予想時間から制御遅れ時間を減算することにより延長時間を算出する延長時間算出ステップと、
ランピング動作終了後も前記延長時間だけ前記目標温度を増加させ続け、前記延長時間経過後はランピング動作終了時の目標温度に戻す延長ステップと、
前記測定温度と前記目標温度との偏差に対して、ランピング動作時以外では比例・積分・微分演算すなわちＰＩＤ演算を行い、ランピング動作時には比例・微分演算すなわちＰＤ演算を行うことにより、前記対象物を加熱するための出力操作量を算出する操作量出力ステップと
を含むことを特徴とする。
【００１２】
第４の発明は、第３の発明において、
前記操作量出力ステップは、ランピング動作開始前の前記積分演算のための積分量を保存するとともに、ランピング動作終了後に当該積分量を初期値として積分演算動作を開始することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
＜１．熱処理装置全体の構成および動作＞
まず、本発明に係る熱処理装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る熱処理装置の構成を示す模式図である。この熱処理装置は、熱処理を行う熱処理炉１０と、その内部の温度を制御する温度制御部２０と、温度制御部２０からの制御信号に基づき熱処理炉１０に供給される電力を調整する出力調整器１５と、各種処理の進行制御を行い上記温度制御部２０に対して目標温度を与える制御用コンピュータ３０とを備える。
【００１４】
上記熱処理炉１０の詳細な構造は図示されていないが、本熱処理炉１０は、石英または炭化珪素から成る反応管と、反応管の内部へ各種処理に用いられるガスを導入するガス導入口およびガスを排出するガス排出口と、温度を検出するための例えば熱電対で構成される温度センサ１２と、出力調整器１５により供給すべき電力が調整されて反応管を加熱するヒータ１３とを含む。
【００１５】
なお、反応管の内部には熱処理の対象物である複数の半導体ウェーハと、これらのウェーハを搭載するボートとが格納されている。これらのウェーハおよびボートは、熱処理炉１０の下方から反応管の内部に導入され、内部に密閉された状態で格納される。さらに炉内の温度が整定された後に、炉内の温度を所定の温度まで上昇させる動作（以下「ランピング動作」という。なお、ランピング動作期間の正確な定義は後述する）が行われる。ランピング動作終了後、反応管内部には処理用ガスが導入され、上記所定の温度を所定期間だけ維持する運転動作（以下「定値運転動作」という）が行われる。さらに定値運転動作終了後、排気しつつ所定の温度まで炉内の温度を下降させる動作が行われる。
【００１６】
熱処理炉１０内のヒータ１３は、出力調整器１５により調整された電力で炉内を加熱することにより、格納されるウェーハに対して熱処理を行う。なお、出力調整器１５は、後述する温度制御部２０からのヒータ制御信号Ｓｃが与えられ、当該ヒータ制御信号Ｓｃが示すヒータ１３内部の発熱体へ供給すべき電力を調整する。この動作により、ウェーハに対する加熱量（すなわちヒータ１３の発熱量）が制御される。また、温度センサ１２は、反応管内において管内壁とボートに搭載されたウェーハ周縁との間の空間部の温度を測る熱電対（モニターＴＣと呼ばれる）であり、当該温度を測定することにより得られる測定温度Ｐｖを示す測定温度信号Ｓｔを温度制御部２０に与える。なお、ヒータ１３の温度を測定するための温度センサがさらに備えられ、当該温度および上記測定温度Ｐｖに基づく公知のカスケード制御が行われてもよい。
【００１７】
制御用コンピュータ３０は、上記各種処理が所定の手順で行われるように制御するための制御信号Ｓｓｃと、温度制御部２０に与えられるべき目標温度Ｓｖを示す目標温度信号Ｓｓｖとを出力する。制御信号Ｓｓｃは、例えばランピング動作の開始および終了を示す信号を含む。目標温度信号Ｓｓｖは、上記所定の手順で行われる各動作に対応する所定の目標温度Ｓｖを順次に示すパルス列からなる時系列信号である。なお、目標温度信号Ｓｓｖは、例えばランピング動作中のように目標温度Ｓｖが順次に変化する場合には変化する目標温度Ｓｖを順次に示し、定値運転動作中のように目標温度Ｓｖが変化しない場合には出力されないように構成されていてもよい。ここで、本明細書中のランピング動作時とは、炉内にウェーハが導入された後、目標温度Ｓｖの上昇が開始された時点を始点とし、目標温度Ｓｖが予め定められた一定の温度となる時点（すなわち定値運転動作が開始された時点）を終点とする期間をさすものとする。
【００１８】
＜２．温度制御部の構成および動作＞
次に、温度制御部２０の詳細な構成およびその温度制御動作について説明する。図２は、温度制御部２０の詳細な構成を示すブロック図である。この温度制御部２０は、目標値延長部２１と、延長時間算出部２２と、ロジックコントロール部２３と、積分制御部２４と、加算器２５と、ＰＩＤコントローラ２６とを含む。
【００１９】
ロジックコントロール部２３は、制御用コンピュータ３０からの制御信号Ｓｓｃに基づいて、ランピング動作終了時に延長時間算出部２２を動作させるための制御信号Ｓｌｅと、ランピング動作開始時からその終了時まで積分制御部２４を停止させるための制御信号Ｓｌｉとを出力する。
【００２０】
延長時間算出部２２は、温度センサ１２からの測定温度Ｐｖを示す測定温度信号Ｓｔが入力されて、測定温度Ｐｖの変化率を算出する。さらに、ランピング動作終了時にロジックコントロール部２３から制御信号Ｓｌｅが入力される場合、ランピング動作終了時点の目標温度Ｓｖと測定温度Ｐｖとの偏差ｅを上記測定温度Ｐｖの変化率で除算することにより、炉内の温度が当該目標温度に到達するまでの予想時間を算出する。さらに、この予想時間から所定の制御遅れ時間を減算することにより、ランピング動作が延長すべき延長時間Ｔａを算出する。ここで、制御遅れ時間とは、目標温度が変化してから測定温度が変化するまでの時間を指すものとする。
【００２１】
目標値延長部２１は、制御用コンピュータ３０からの目標温度信号Ｓｓｖに示される目標温度Ｓｖの変化率を算出するとともに、通常の場合には当該目標温度Ｓｖをそのまま補正目標温度Ｓｖとして出力する。また、延長時間算出部２２により算出された延長時間Ｔａが入力された場合には、温度信号Ｓｓｖに示される目標温度Ｓｖに対して、目標温度Ｓｖの上記変化率を維持するように単位時間（例えば制御周期）毎に増加すべき温度を目標温度Ｓｖに対して積算することにより得られる補正目標温度Ｓｖ’を上記延長時間Ｔａの間だけ出力する。この動作により、ランピング動作が終了することにより目標温度Ｓｖが一定値となっても補正目標温度Ｓｖ’は延長時間Ｔａの間上記変化率で上昇し続けるため、ランピング動作が延長されると同様の状態が得られる。
【００２２】
加算器２５は、目標値延長部２１からの補正目標温度Ｓｖ’と、符号が反転された温度センサ１２からの測定温度Ｐｖとを加算し、偏差ｅとして出力する。すなわち、ｅ＝Ｓｖ’−Ｐｖとなる。
【００２３】
ＰＩＤコントローラ２６は、この偏差ｅを０に近づけるようにＰＩＤ演算を行い、ヒータ１３の電力を操作するための操作量を示すヒータ制御信号Ｓｃを出力する。このＰＩＤコントローラ２６の伝達関数Ｃ（ｓ）は、比例ゲインをＫｐ、積分時間をＴｉ、微分時間をＴｄ、微分演算子をｓとするとき次式（１）のように示される。
Ｃ（ｓ）＝（１＋（１／（Ｔｉ・ｓ））＋Ｔｄ・ｓ）・Ｋｐ  …（１）
図３は、この制御系を示すブロック線図であり、図４は、図３に示すブロック線図に対応するＰＩＤコントローラ２６の詳細な構成を示すブロック図である。ここで、図４に示す積分器２６１は上式（１）の（１／（Ｔｉ・ｓ））に対応する積分演算を行い、微分器２６２は上式（１）のＴｄ・ｓに対応する微分演算を行い、比例器２６４はＫｐを乗じる比例演算を行う。なお、ＰＩＤコントローラ２６は、上記積分演算の演算結果を一時的に保存し、保存された演算結果を読み出す機能を備えているものとする。
【００２４】
積分制御部２４は、ロジックコントロール部２３からの制御信号Ｓｌｉに基づき、ランピング動作開始時にはＰＩＤコントローラ２６により行われるＰＩＤ演算の積分量を示す値、例えば積分項（Ｋｐ／（Ｔｉ・ｓ））や（１／（Ｔｉ・ｓ））に対応する値を一時的に保存させるとともにＰＩＤコントローラ２６の積分動作を停止させ、ランピング動作終了時には一時的に保存されていた当該積分量を示す値を初期値としてＰＩＤコントローラ２６の積分動作を再開させる。具体的には、積分制御部２４は、ランピング動作開始時には、ＰＩＤコントローラ２６に含まれる積分器２６１の積分演算により算出された積分量を一時的に所定の記憶領域に保存させるとともに、積分器２６１の積分動作を停止させるように制御信号Ｓｉｐの出力を開始する。その後、ランピング動作終了時には、上記記憶領域に保存されている積分量を初期値として積分器２６１の積分動作を再開させるように制御信号Ｓｉｐの出力を停止する。なお、積分制御部２４は、ランピング動作終了後に所定の目標温度に対して生じる偏差を速やかに解消することが可能である場合には、ランピング動作開始前の所定の時点での上記積分量を示す値を一時的に保存させてもよいし、またランピング動作終了後の所定の時点で一時的に保存されていた当該積分量を示す値を初期値としてＰＩＤコントローラ２６の積分動作を再開させてもよい。
【００２５】
次に、温度制御部２０の動作について、図５および図６を参照して説明する。図５は、ランピング動作時近傍の温度制御部２０の処理手順を示すフローチャートである。また、図６は、ランピング動作の開始時点近傍から終了時点近傍までの目標温度Ｓｖ、補正目標温度Ｓｖ’、および測定温度Ｐｖの時間変化を示す図である。なお、図中では、目標温度Ｓｖは一点鎖線で示されており、補正目標温度Ｓｖ’は点線で示されており、測定温度Ｐｖは実線で示されている。
【００２６】
まず、制御用コンピュータ３０からの制御信号Ｓｓｃに基づいて、ランピング動作が開始されたか否かが判断される（ステップＳ１０）。開始されない場合（Ｎｏの場合）には当該ステップＳ１０の判断が繰り返される。ランピング動作が開始された場合（Ｙｅｓの場合）、積分制御部２４は、ＰＩＤコントローラ２６により行われるＰＩＤ演算の積分量を示す値を一時的に保存させるとともにＰＩＤコントローラ２６の積分動作を停止させることにより加算器２６３での積分量の加算を停止させる（ステップＳ２０）。図６では、ランピング動作の開始時点が時刻ｔ１で示されており、目標温度Ｓｖ（および補正目標温度Ｓｖ’）は時刻ｔ１から上昇を開始する。これに対し、測定温度Ｐｖは時間ｄだけ遅れて時刻ｔ２から上昇を開始する。この時間ｄは当該制御系が有する前述の制御遅れ時間にあたる。
【００２７】
次に、延長時間算出部２２は、測定温度Ｐｖの変化率を算出し、目標値延長部２１は、目標温度Ｓｖの変化率を算出する（ステップＳ３０）。例えば、図６に示す時刻ｔ２から時刻ｔ４までの任意の時刻ｔ３を起点として時間ｂが経過した場合に測定温度Ｐｖが温度ｃだけ上昇したとすると、測定温度Ｐｖの変化率はｃ／ｂとなる。
【００２８】
次に、制御用コンピュータ３０からの制御信号Ｓｓｃに基づいて、ランピング動作が終了されたか否かが判断される（ステップＳ４０）。終了されない場合（Ｎｏの場合）には当該ステップＳ４０の判断が繰り返される。ランピング動作が終了された場合（Ｙｅｓの場合）、積分制御部２４は、一時的に保存されていた上記積分量を示す値を復帰すなわち当該値を初期値としてＰＩＤコントローラ２６の積分動作を再開させることにより加算器２６３での積分量の加算を再開させる（ステップＳ５０）。この処理と同時にまたは直後に、延長時間算出部２２は、ランピング動作終了時点の目標温度Ｓｖと測定温度Ｐｖとの差分値ｅをステップＳ３０の処理により算出された測定温度Ｐｖの上記変化率で除算することにより、炉内の温度が当該目標温度に到達するまでの予想時間を算出する。さらに、この予想時間から所定の制御遅れ時間を減算することにより、延長時間Ｔａを算出する（ステップＳ６０）。図６では、ランピング動作の終了時点が時刻ｔ４で示されており、この時刻ｔ４での目標温度Ｓｖと測定温度Ｐｖとの差分値ｇと測定温度Ｐｖの上記変化率ｃ／ｂとに基づき予想時間ｆが算出される。図では炉内の温度が目標温度に到達する時点が時刻ｔ６で示されている。さらにこの予想時間ｆから制御遅れ時間ｄを差し引いた値が延長時間Ｔａとなる。
【００２９】
次に、目標値延長部２１はステップＳ６０の処理で算出された延長時間Ｔａの間、ステップＳ６０の処理で算出された目標温度Ｓｖの上記変化率を維持するように単位時間毎に対応する増加温度を目標温度Ｓｖに対して積算することにより補正目標温度Ｓｖ’を出力する延長処理を行う（ステップＳ７０）。図６では、時刻ｔ４から延長時間Ｔａが経過した時点である時刻ｔ５までの間、補正目標温度Ｓｖ’は目標温度Ｓｖの変化率と同じ変化率で上昇し続けるので測定温度Ｐｖも上昇し続けるため、上述のような結果的にランピング動作が延長されると同様の状態となることがわかる。時刻ｔ５で上記処理は終了し、補正目標温度Ｓｖ’は目標温度Ｓｖと一致し一定値となる。その後、時刻ｔ５から制御遅れ時間ｄが経過した時刻ｔ６近傍で、測定温度Ｐｖは目標温度Ｓｖと略一致し最終的に一定値となるため温度が整定される。
【００３０】
＜３．効果＞
上記一実施形態によれば、目標温度Ｓｖが一定値となっても補正目標温度Ｓｖ’は延長時間Ｔａの間目標温度Ｓｖと同じ変化率で上昇し続ける構成となっている。この構成により、炉内の温度すなわち測定温度Ｐｖが補正目標温度Ｓｖ’との偏差をなくすようにさらに上昇するため、息継ぎ現象を生じることがなく、温度の整定を容易にすることができる。
【００３１】
上記一実施形態によれば、ランピング動作開始時に保存された積分量を示す値をランピング動作終了時に復帰させる構成により、ランピング動作終了後に所定の目標温度に対して生じる偏差を速やかに解消することができる。その結果、温度の整定を速やかにすることができる。
【００３２】
上記一実施形態によれば、ランピング動作終了直後から延長時間Ｔａの間も積分動作が行われる構成となっている。この構成により、所定の目標温度に対して生じる偏差を解消するための十分な積分量を確保することができるため、温度の整定をさらに速やかにすることができる。
【００３３】
＜４．変形例＞
上記一実施形態では、補正目標温度Ｓｖ’は延長時間Ｔａの間ランピング動作時の目標温度Ｓｖと同じ変化率で上昇し続ける構成であるが、この補正目標温度Ｓｖ’の変化率は必ずしもランピング動作時の目標温度Ｓｖの変化率と同じでなくてもよい。ただし、その場合には測定温度Ｐｖが定値である目標温度Ｓｖに到達する予想時間を上述とは異なる方法（例えば予め作成された変化率と予想時間との対応テーブルを参照する方法など）で算出する必要がある。
【００３４】
上記実施形態では、ランピング動作開始時に保存された積分量を示す値をランピング動作終了時に復帰させる構成であるが、積分量を示す値を保存しない構成であってもよい。この構成であっても、ランピング動作終了直後から延長時間Ｔａの間も積分動作が行われる構成となっているため、所定の目標温度に対して生じる偏差を解消するための積分量を或る程度確保することができる。よって、息継ぎ現象を抑制して温度の整定を容易にすることができる。また、上記積分量を確保するため、ランピング動作終了時に上記偏差を解消するための予め定められた積分量を温度制御部に与える構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る熱処理装置の構成を示す模式図である。
【図２】上記一実施形態に係る温度制御部の詳細な構成を示すブロック図である。
【図３】上記一実施形態の制御系を示すブロック線図である。
【図４】上記一実施形態に係るＰＩＤコントローラの詳細な構成を示すブロック図である。
【図５】上記一実施形態に係る温度制御部の処理手順を示すフローチャートである。
【図６】上記一実施形態におけるランピング動作の開始時点近傍から終了時点近傍までの目標温度、補正目標温度、および測定温度の時間変化を示す図である。
【符号の説明】
１０  …熱処理炉
１２  …温度センサ
１３  …ヒータ
１５  …出力調整器
２０  …温度制御部
２１  …目標値延長部
２２  …延長時間算出部
２３  …ロジックコントロール部
２４  …積分制御部
２５  …加算器
２６  …ＰＩＤコントローラ
３０  …制御用コンピュータ
Ｔａ  …延長時間
Ｐｖ  …測定温度
Ｓｔ  …測定温度信号
Ｓｖ  …目標温度
Ｓｓｖ…目標温度信号
Ｓｖ’…補正目標温度
Ｓｃ  …ヒータ制御信号
Ｓｓｃ，Ｓｌｅ，Ｓｌｉ，Ｓｉｐ，  …制御信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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