(57)【要約】【課題】多数の微細な電極が狭ピッチサイズで配列する半導体素子と回路配線基板とを、充分な接合信頼性を維持し、はんだバンプによりフリップチップ接合する半導体装置の製造方法。【解決手段】本発明の一実施例によれば、主表面に共に電極を有する半導体素子と回路配線基板を、はんだバンプによりフリップチップ接合する際に、少なくともいずれか一方の主表面の電極上に開口部を有するレジスト膜を形成し、開口部内にレジストの膜厚以下の高さの金属バンプを形成し、しかる後、レジスト膜を除去し、金属バンプを他方の主表面の電極に整合当接し、両主表面間の間隙に熱硬化性接着剤を充填し、加熱により、熱硬化性接着剤を硬化させると共に、金属バンプを溶融し両主表面の電極間を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面に共に電極を有する半導体素子と回路配線基板の、少なくともいずれか一方の主表面の該電極上に開口部を有する耐熱性膜を形成する工程と、該開口部内に該耐熱性膜の膜厚以下の高さの金属バンプを形成する工程と、しかる後、該耐熱性膜を除去する工程と、該金属バンプを他方の主表面の該電極に整合当接する工程と、両主表面間の間隙に熱硬化性接着剤を充填する工程と、加熱により、該熱硬化性接着剤を硬化させると共に、該金属バンプによって両主表面の該電極間を接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属バンプの頂上部に平坦部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記耐熱性膜は、多層膜又は複数回の工程により形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記加熱において、初め前記金属バンプの融点以下の温度で前記熱硬化性接着剤を硬化させ、しかる後、該金属バンプを溶融と冷却固化させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記両主表面基板間の前記金属バンプを除く間隙に前記熱硬化性接着剤を充填する工程において、前記金属バンプが既に形成された前記半導体素子或いは前記回路配線基板の、少なくともいずれか一方の主表面の主表面に前記熱硬化性接着剤を塗布した後、該金属バンプを他方の主表面の該電極に整合当接することにより、該両主表面間に該熱硬化性接着剤を充填することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、はんだバンプを用いて半導体素子を回路配線基板に実装するための方法に係わるものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子部品の高密度実装化への要求が強くなっており、ベアチップ実装方式が注目されている。このベアチップ実装における接続構造は、ワイヤボンディング法によるフェイスアップ実装から、はんだバンプを用いたフリップチップ接合等のフェイスダウン実装へと変化してきている。このはんだバンプを用いた接合では、半導体素子の表面の電極上にはんだバンプを形成する。この形成方法としては電解めっき法や蒸着法あるいは、レジスト膜形成・はんだペースト充填等の工程を経て形成する印刷法等がある。バンプ形成後は、回路配線基板に対する接合のためフラックスを塗布した後位置合わせを行いリフロー加熱して接合を行う。さらに長期接合信頼性を確保するために半導体素子と回路配線基板間の隙間に対し接着剤を注入して硬化することを行っている。
【０００３】
従来のバンプ形成・接合プロセスでは、半導体素子上に形成した絶縁膜の電極形成領域に開口を設け、電極パターンを形成し、感光性ポジ型レジスト膜を塗布し、フォトプロセスにより、電極パターン領域以外を感光させ、現像により、電極パターン領域上に開口を有するレジスト膜を残し、レジスト膜の開口に、はんだペーストを充填し、レジスト膜を除去してから加熱・冷却により、はんだを溶融（ウエットバック）して、電極パターン上にはんだバンプが固着する。次に、はんだバンプが形成された半導体素子をフリップチップ方式により、回路配線基板の電極に整合し再加熱により、接合体を作成し、続いて、はんだバンプ間の半導体素子と回路配線基板の間隙にアンダーフィル剤を注入・硬化させ双方を固着する。
【０００４】
（３）  発明が解決しようとする問題点
上記の方法では、はんだバンプが溶融時に、表面張力によって球形になるため、電極及び電極間隔の微細化が進むと、ウエットバックの際に、隣接バンプ間にブリッジが発生する。図５のＫ、Ｌ、Ｍは、電極パターン上にはんだバンプを形成する工程を示すための半導体素子の断面構造である。図５のＫで、半導体素子１上に絶縁膜２と電極パターン３とが形成され、絶縁膜２上には感光性ポジ型レジスト膜４が現像され、電極パターン領域のレジスト膜４の開口には、はんだペースト６が充填される。図５のＬで、レジスト膜を除去し、電極パターン上に柱状のはんだペースト６を残し、図５のＭで、加熱・冷却により、はんだを溶融（ウエットバック）すると、はんだバンプ７は球形になり、隣同士で接触する恐れが生じる。また、はんだバンプ７が球形になるため、微細化により、はんだバンプの高さも減少するので、半導体素子と回路配線基板の間隙が狭くなり、アンダーフィル剤の迅速かつ均一な注入のためには、粘性を減少させる必要が生じ、接着剤組成物の熱膨張率の調整のためのフィラー添加量を減らさざるを得なくなり、結果的に接着強度の低下を招いてしまう。ブリッジの発生を防止するために、レジスト膜を残したままバンプを形成し、且つ、充分なバンプ高さを得るために、電気メッキ法を用いることによりレジスト膜よりバンプを突出させる構造が提案されているが、この方法では、はんだバンプの頂上が球面になり、双方の整合の際に、位置合わせ精度の低下を招き、また、必然的に、バンプの突出部がマッシュルーム状になり、貼付タイプのシート状レジスト膜の剥離が困難になるなどの問題が生じる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−１３３８２号広報（Ａ）（第６頁、第６図）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するためのものであり、その目的は、電極間隔の微細化において、隣接バンプ間ブリッジの発生を防止し、且つ、充分なバンプ高さを確保することにより、接着剤強度の高く、比較的高い粘性を有するアンダーフィル剤でも迅速かつ均一な注入を可能にする技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本願において開示される第一の手段は、一実施例の図１のＡから図３Ｈの工程断面図に示されるように、レジスト膜に形成した開口内に、はんだバンプ７を電解めっき法によって供給するか、またはこれまでの粒度分布（平均粒径約３４μｍ、２０〜４０μｍ）よりさらに微細なはんだ粉末（平均粒径約１０μｍ、５〜２０μｍ）を用いて、はんだペーストを充填した。次に、レジスト膜を残したまま、ウエットバックし、その後、レジスト膜を剥離除去することにより、設計寸法通りのバンプ径が得られ、隣接バンプ間のブリッジが防止できた。
【０００８】
さらに第二の手段は、はんだバンプの高さをレジスト膜の膜厚以下に調節することにより、バンプは柱状かつ頂上部に平坦な面を有する形状を実現した。これにより、半導体素子と回路配線基板同士の整合・位置合わせ精度が向上した。
第三の手段は、多層膜又は複数回の工程により、レジスト膜の膜厚を２倍以上に形成し、バンプ高さを高くし、図４のＩ及びＪに示すように、ピッチサイズＰに対して隣接バンプと接触しないパッド径Ｄ（最大ピッチサイズの８０％、Ｍａｘ．Ｄ＝０．８Ｐ）の開口をパターニングし、その電極に対して電解めっき法によりはんだバンプを形成した。次に、ウエットバック処理した後、レジスト膜を剥離除去した。そして、はんだバンプを有する半導体素子をフリップチップ方式により、対応する回路配線基板の電極に位置合わせし、その間の間隙がフラックス成分および熱膨張係数調整用の無機物（アルミナまたはＡｌＮ粉末）フィラーを充填した接着剤で満たされた構造を形成する。
【０００９】
このとき半導体素子の電極は以下のような効果からピッチサイズの約８０％の範囲まで許容される。レジスト膜を除去してウエットバックする従来の方法では、はんだ溶融時には金属の表面張力によって球体化するため、パッド径ではピッチサイズの６０％程度以上となると隣接バンプと接触しウエットバック終了時にはブリッジによるショートが発生するが、レジスト膜を残したままウエットバックすることによってバンプ形状は柱状となって接合後は接着剤によって覆われるために隣接バンプとのショートは生じない。
【００１０】
尚、第四の手段として、柱状バンプの口径を電極間隔のピッチサイズの４０〜８０％に限定した理由として４０％以下では接合面積の低下によって所望の接合信頼性が確保できないことおよび８０％以上とすると感光性レジストの剛性が劣化してプロセス中に破損する可能性があるとともに配線基板との接合時に接着剤が全面に広がらないことによるブリッジ等のショートが生じて接合信頼性が確保できないことによる。
【００１１】
また、第五の手段として、接合時に接着剤組成物として添加する熱膨張係数調整用のフィラーは従来の方法ではピッチサイズに見合った半導体素子と回路配線基板のギャップが小さく接着剤の流動性の点から添加量は最大７０％程度と制約されたが、本発明ではバンプ形状を柱状とし、且つ、はんだ量（高さ）を２倍以上としているため半導体素子と回路配線基板間ギャップ量は２倍以上となって粘度の高い接着剤でも注入可能となる。  本発明にて検討した結果最大８０％程度の添加量でも注入できて接合が可能となっている。したがって、回路配線基板の選択に伴う熱膨張係数の調整範囲（無機物の添加量）も大きいことから接合信頼性向上が期待される。回路配線基板との接合に際してはフラックス成分を有する接着剤を塗布して、接着剤の硬化により半導体素子と回路配線基板間同士を接着すると共に、はんだの溶融個化により電極間接合とを行うことによってさらに応力緩和効果を高めた。
【００１２】
さらに、第六の手段として、半導体素子或いは回路配線基板の、少なくともいずれか一方の主表面に熱硬化性接着剤を塗布した後、金属バンプを他方の主表面の電極に整合当接することにより、両主表面間が熱硬化性接着剤で満たされた構造を形成することも可能である。これにより、両主表面間のギャップによらず、熱硬化性接着剤の最適なフィラー量と粘度を先に選択することが可能になる。
【００１３】
尚、本発明に用いるはんだバンプのめっき組成、及び、はんだ粉末の組成は多種多様の組成を用いることができるが、  例えば、  Ｓｎ、  Ｐｂ、  Ａｇ、  Ｃｕ、  Ｉｎ、  Ｂｉ、  Ｚｎ、  Ｓｂなどのめっき液、或いは、これら組成の材料を適宜混合・合金化したはんだ粉末を用いる方法が好ましい。
本発明での耐熱性膜の開口部への、はんだバンプの供給方法としては、はんだ合金の電解めっき、及び、はんだペースト充填の両者のいずれでも良い。これらの方法の選択尺度としては、比較的ピッチサイズが大きく、はんだバンプ高さを必要としない場合は、低コストで形成できるはんだペーストによる印刷法を、又、はんだ高さを稼ぐことによる応力緩和を期待し、狭ピッチサイズが要求される実装方式においては、電解めっき法を各々選択して、はんだバンプを形成することが望ましいと考える。
【００１４】
以上により、本発明では５０μｍ以下の狭ピッチで微細な電極に接合用のバンプと樹脂による接着を高精度に行うことが可能であり、微細な接続部における接合信頼性を向上できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施例において共通に使用される材料を以下に一括例示するが、これらによって限定されるものではない。
金属材料−１（はんだめっき膜）
Ｓｎ−Ｂｉ電解めっき液、組成Ｓｎ−５７ｗｔ％Ｂｉとなるように、ＳｎとＢｉのめっき液を混合建浴したものゝ膜厚ばらつき：レジスト厚さ±１０％以内の高さの範囲内に収まるよう電流値および攪拌条件を設定した。
金属材料−２（はんだペースト）
はんだ粉末は、組成がＳｎ−３．５ｗｔ％Ａｇ、平均粒径１４μｍ粒度分布１０〜２０μｍの形状を使用した。
ロジンとしてポリペールを４７ｇ、安息香酸ベンジル５３ｇ、無水こはく酸２ｇを混合したものをフラックスビフィクルとし、はんだ粉末と１：９の割合で混合してはんだペーストとした。
金属材料−３（はんだペースト）
はんだ粉末は、組成がＳｎ−５７ｗｔ％Ｂｉ−１ｗｔ％Ａｇ、平均粒径１４μｍ粒度分布１０〜２０μｍの形状を使用した。
ロジンとしてポリペールを４７ｇ、安息香酸ベンジル５３ｇ、無水こはく酸２ｇを混合したものをフラックスビフィクルとし、はんだ粉末と１：９の割合で混合してはんだペーストとした。
金属材料−４（はんだペースト）
はんだ粉末は、組成がＳｎ−３．５ｗｔ％Ａｇ、平均粒径３５μｍ、粒度分布２０〜４０μｍの形状を使用した。
ロジンとしてポリペールを４７ｇ、安息香酸ベンジル５３ｇ、無水こはく酸２ｇを混合したものをフラックスビフィクルとし、はんだ粉末と１：９の割合で混合してはんだペーストとした。
樹脂材料 −１（感光性ポジレジスト膜）
アクリレート系フィルム、膜厚２５μｍ
樹脂材料−２（接着組成物）
エポキシ系フラックスフィルにシリカ粉末（平均粒径４μｍ）を５０〜８０ｗｔ％の割合で混合したものを樹脂材料−２とした。
【００１６】
以下に、図１のＡから図３のＨまでと、図４のＩとＪの各工程断面図に沿って、本発明の半導体装置の製造方法を具体的に示す。
実施例１：半導体素子１の表面に形成された絶縁膜２と、ピッチサイズが２００μｍ、電極パッド径が１００μｍ（電極数２０００個）の電極パターン３の上に、樹脂材料−１からなるフォトレジスト膜４を１００℃で貼り付け、フォトマスク５を用い、フォトレジスト膜４を露光／現像し、電極パターン３上に１００μｍφの開口部を形成した。現像はｎメチル２−ピロリドンを用いた。形成した開口部に金属材料−１からなるはんだめっき膜６を電解めっきにより膜厚約２０±２μｍとなるように成膜した。次にフラックス（図示せず）を塗布した後、溶融・固化（ウエットバック）した。その後、５％モノエタノールアミン水溶液で、フィルム状のアクリレート樹脂を除去することにより、電極パターン３上に、フォトレジスト膜４の開口部と同じ口径の柱状のはんだバンプ７を得た。この半導体素子１を搭載する回路配線基板（ＢＴレジン製）８に電極を位置合わせして搭載し、樹脂材料−２を塗布した後、２０ｇの荷重を加えながらＭａｘ．２３０℃（融点１３８℃）以上約５分の温度プロファイルにてリフロー接合を行った。その結果良好な接合部９を形成できていることを確認した。接続信頼性については、−５５〜１２５℃の温度サイクル試験を２０００サイクル行った結果、  抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００１７】
実施例２：ピッチサイズが１００μｍ、電極パッド径が５０μｍ（電極数２０００個）の半導体素子の表面に、樹脂材料−１を１００℃で貼り付け、露光／現像で電極上部に５０μｍφの開口部を形成した。現像はｎメチル２−ピロリドンを用いた。形成した開口部に金属材料−１を電解めっきにより膜厚約２０±２μｍとなるように成膜した。次にフラックスを塗布した後、ウエットバックした。その後、５％モノエタノールアミン水溶液で、フィルム状のアクリレート樹脂を除去した。この半導体素子を搭載する配線基板（ＢＴレジン製）に電極を位置合わせして搭載し樹脂材料−２を塗布した後、２０ｇの荷重を加えながらＭａｘ．２３０℃（融点１３８℃）以上約５分の温度プロファイルにてリフロー接合を行った。その結果良好な接合部を形成できていることを確認した。接続信頼性については、−５５〜１２５℃の温度サイクル試験を２０００サイクル行った結果、  抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００１８】
実施例３：ピッチサイズが５０μｍ、電極パッド径が２５μｍ（電極数２０００個）の半導体素子の表面に樹脂材料−１を１００℃で貼り付け、露光／現像で電極上部に２５μｍφの開口部を形成した。現像はｎメチル２−ピロリドンを用いた。形成した開口部に金属材料−１を電解めっきにより膜厚約２０±２μｍとなるように成膜した。次にフラックスを塗布した後、ウエットバックした。その後、５％モノエタノールアミン水溶液で、フィルム状のアクリレート樹脂を除去した。この半導体素子を搭載する配線基板（ＢＴレジン製）に電極を位置合わせして搭載し樹脂材料−２を塗布した後、２０ｇの荷重を加えながらＭａｘ．２３０℃（融点１３８℃）以上約５分の温度プロファイルにてリフロー接合を行った。その結果良好な接合部を形成できていることを確認した。接続信頼性については、−５５〜１２５℃の温度サイクル試験を２０００サイクル行った結果、  抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００１９】
実施例４：ピッチサイズが５０μｍ、電極パッド径が４０μｍ（電極数２０００個）の半導体素子の表面に樹脂材料−１を２枚重ねて１００℃で貼り付け、露光／現像で電極上部に４０μｍφの開口部を形成した。現像はｎメチル２−ピロリドンを用いた。形成した開口部に金属材料−１を電解めっきにより膜厚約４０±４μｍとなるように成膜した。次にフラックスを塗布した後、ウエットバックした。その後、５％モノエタノールアミン水溶液で、フィルム状のアクリレート樹脂を除去した。この半導体素子を搭載する配線基板（ＢＴレジン製）に電極を位置合わせして搭載し、樹脂材料−２を塗布した後、２０ｇ荷重を加えながらＭａｘ．２３０℃（融点１３８℃）以上約５分の温度プロファイルにてリフロー接合を行った。その結果、良好な接合部を形成できていることを確認した。接続信頼性については、−５５〜１２５℃の温度サイクル試験を２０００サイクル行った結果、  抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００２０】
実施例５：ピッチサイズが１００μｍ、電極パッド径が５０μｍ（電極数２０００個）の半導体素子の表面に樹脂材料−１を１００℃で貼り付け、露光／現像で電極上部に５０μｍφの開口部を形成する。現像はｎメチル２−ピロリドンを用いた。金属材料−２を形成した開口部にウレタンゴムスキージを用いて充填した。次にフラックスを塗布した後、ウエットバックした。その後、５％モノエタノールアミン水溶液で、フィルム状のアクリレート樹脂を除去した。この半導体素子を搭載する配線基板（ＢＴレジン製）表面に樹脂材料−２を塗布した後、両主表面の電極を位置合わせして搭載し、２０ｇの荷重を加えながらＭａｘ．２３０℃（融点２２１℃）以上約２分の温度プロファイルにてリフロー接合を行った。その結果、良好な接合部を形成できていることを確認した。接続信頼性については、−５５〜１２５℃の温度サイクル試験を２０００サイクル行った結果、  抵抗上昇は１０％以下と良好である。また、１２１℃／８５％の環境下に１０００ｈｒ放置後においても、  サイクル試験と同様に抵抗上昇は１０％以下と良好であることを確認した。改善されることは明らかである。
【００２１】
実施例６：ピッチサイズが１００μｍ、電極パッド径が５０μｍ（電極数２０００個）の半導体素子の表面に樹脂材料−１を１００℃で貼り付け、露光／現像で電極上部に５０μｍφの開口部を形成する。現像はｎメチル２−ピロリドンを用いた。金属材料−３を形成した開口部にウレタンゴムスキージを用いて充填した。次にフラックスを塗布した後、ウエットバックした。その後、５％モノエタノールアミン水溶液で、フィルム状のアクリレート樹脂を除去した。この半導体素子を搭載する配線基板（ＢＴレジン製）表面に樹脂材料−２を塗布した後、双方の電極を位置合わせして搭載し、２０ｇの荷重を加えながらＭａｘ．２３０℃（融点１３８℃）以上約５分の温度プロファイルにてリフロー接合を行った。その結果、良好な接合部を形成できていることを確認した。接続信頼性については、−５５〜１２５℃の温度サイクル試験を２０００サイクル行った結果、  抵抗上昇は１０％以下と良好である。また、１２１℃／８５％の環境下に１０００ｈｒ放置後においても、  サイクル試験と同様に抵抗上昇は１０％以下と良好であることを確認した。
【００２２】
実施例７：ピッチサイズが５０μｍ、電極パッド径が３０μｍ（電極数２０００個）の半導体素子の表面に樹脂材料−１を２枚重ねて１００℃で貼り付け、露光／現像で電極上部に４０μｍφの開口部を形成した。現像はｎメチル２−ピロリドンを用いた。形成した開口部に金属材料−１を電解めっきにより膜厚約４０±４μｍとなるように製膜した。次にフラックスを塗布した後、ウエットバックした。その後、５％モノエタノールアミン水溶液で、フィルム状のアクリレート樹脂を除去した。この半導体素子を搭載する回路配線基板（ＢＴレジン製）に電極を位置合わせして搭載し樹脂材料−２を塗布した後、２０ｇ荷重を加えながらＭａｘ．２３０℃（融点１３８℃）以上約５分の温度プロファイルにてリフロー接合を行った。その際、初めの３分間は１２０℃に維持し樹脂材料−２を硬化させ、次の２分間は２００℃に維持しはんだバンプを再溶融した。その結果良好な接合部を形成できていることを確認した。接続信頼性については、−５５〜１２５℃の温度サイクル試験を２０００サイクル行った結果、  抵抗上昇は１０％以下と良好であった。
【００２３】
（付記１）主表面に共に電極を有する半導体素子と回路配線基板の、少なくともいずれか一方の主表面の該電極上に開口部を有する耐熱性膜を形成する工程と、該開口部内に該耐熱性の膜厚以下の高さの金属バンプを形成する工程と、しかる後、該耐熱性膜を除去する工程と、該金属バンプを他方の主表面の該電極に整合当接する工程と、両主表面間の間隙に熱硬化性接着剤を充填する工程と、加熱により、該熱硬化性接着剤を硬化させると共に、該金属バンプによって両主表面の該電極間を接続する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００２４】
（付記２）前記金属バンプの頂上部に平坦部を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）前記耐熱性膜は、多層膜又は複数回の工程により形成されることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）前記加熱において、初め前記金属バンプの融点以下の温度で前記熱硬化性接着剤を硬化させ、しかる後、該金属バンプを溶融と冷却固化することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００２５】
（付記５）前記両主表面間の間隙に前記熱硬化性接着剤を充填する工程において、前記金属バンプが既に形成された前記半導体素子或いは前記回路配線基板の、少なくともいずれか一方の主表面の主表面に前記熱硬化性接着剤を塗布した後、該金属バンプを他方の主表面の該電極に整合当接することにより、該両主表面間に該熱硬化性接着剤を充填することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００２６】
（付記６）前記金属バンプは、はんだ金属であることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）前記開口部内の前記金属バンプは、該開口部へ、電解めっき法による金属の充填、或いは印刷法による金属ペーストの充填の少なくともいずれか一方の工程の後、加熱溶融と冷却固化とにより形成されることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００２７】
（付記８）前記耐熱性膜は、樹脂膜であることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）前記金属バンプの径は、前記電極のピッチサイズの４０〜８０％であることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）前記熱硬化性接着剤のフィラー添加量は、該熱硬化性接着剤の６０〜８０ｗｔ％範囲内にあることを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００２８】
（付記１１）前記金属バンプを他方の主表面の該電極に整合当接した後、該金属バンプの融点以下の温度で加熱し、該金属バンプと該電極とを固着させ、しかる後、両主表面間の間隙に前記熱硬化性接着剤を注入することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）前記金属バンプは、前記基板主表面に対し、垂直な側壁を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
【００２９】
（付記１３）前記熱硬化性接着剤は、フラックスを含有することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記１４）前記金属バンプの径は、前記電極の径より大であることを特徴とする付記９記載の半導体装置の製造方法。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、５０μｍの狭ピッチサイズの電極を有する半導体素子と回路配線基板の接合において、はんだバンプ径がピッチサイズの８０％でも十分な接合信頼性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造工程断面図（その１）
【図２】本発明の半導体装置の製造工程断面図（その２）
【図３】本発明の半導体装置の製造工程断面図（その３）
【図４】本発明の半導体装置の製造工程断面図（その４）
【図５】従来のはんだバンプの形成工程断面図
【符号の説明】
１、半導体素子
２、絶縁膜
３、電極パターン
４、フォトレジスト膜
５、フォトマスク
６、はんだめっき膜、又は、はんだペースト
７、はんだバンプ
８、回路配線基板
９、熱硬化性接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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