(57)【要約】【課題】スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供するを提供する。【解決手段】真空容器２内に所定の間隔をおいて対向配置される一対のターゲット１，１ａのスパッタ面１’，１ａ’に対して垂直な方向に磁界を発生させるとともに、ターゲット１，１ａをスパッタリングし、該スパッタリングされたターゲットから飛散するスパッタ粒子を、空間５に臨設する基板１３の表面に被着させるスパッタ方法及び装置において、ターゲット１，１ａをスパッタ面１’，１ａ’がいずれも基板面１３’に向くように傾斜させて配置し、スパッタ面１’，１ａ’のなす角度を０°より大きく、且つ、４５°以下にする。【選択図】    図１
2004285445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれがスパッタ面を有する一対のターゲットであって真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させるとともに、該一対のターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた一対のターゲットから飛散するスパッタ粒子を、被成膜面が前記一対のターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ方法において、
前記一対のターゲットを、前記両スパッタ面がいずれも前記基板の被成膜面に向くように傾斜させて配置し、
前記両スパッタ面のなす角度を０°より大きく、且つ、４５°以下にすることを特徴とするスパッタ方法。
【請求項２】
それぞれがスパッタ面を有する一対のターゲットであって真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される一対のターゲットと、前記一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させる磁界発生手段と、前記一対のターゲットを支持するターゲットホルダーと、基板を支持するとともに前記基板の被成膜面が前記一対のターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設させる基板ホルダーとを備え、前記ターゲットホルダーに支持される前記一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に前記磁界発生手段にて磁界を発生させるとともに、該一対のターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた一対のターゲットから飛散するスパッタ粒子を、前記基板ホルダーに支持されるとともに被成膜面が前記空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ装置において、
前記一対のターゲットは、前記両スパッタ面がいずれも前記基板の被成膜面に向くように傾斜して配置され、
前記両スパッタ面のなす角度が０°より大きく、且つ、４５°以下であることを特徴とするスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に膜を形成するスパッタ方法及びスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に膜を形成する従来のスパッタ方法及びスパッタ装置の一例として、マグネトロンスパッタ方法及び装置を挙げることができる。
【０００３】
このマグネトロンスパッタ方法及び装置では、真空容器内に配置される一つのターゲットに磁界を発生させるとともに、該ターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされたターゲットから飛散するスパッタ粒子を基板の被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成する。
【０００４】
このようなマグネトロンスパッタ方法及び装置において、基板に対して特定の角度でスパッタ粒子が入射するように一つのターゲットを断面Ｖ字形状に傾斜させて配置し、基板上に膜を形成することがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
いずれにしても、マグネトロンスパッタ方法及び装置では、プラズマの影響、さらに言えば、ターゲット表面から叩き出された二次電子や負イオン等の荷電粒子の衝撃によって、基板が損傷したり、膜質が低下し易い。
【０００６】
そこで、一対のターゲットを用いて基板上に膜を形成する対向ターゲット式スパッタ方法及び装置が採用されることがある。この一対のターゲットを用いて基板上に膜を形成するスパッタ方法及び装置では、それぞれがスパッタ面を有する一対のターゲットであって真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて平行に配置される一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させるとともに、該一対のターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた一対のターゲットから飛散するスパッタ粒子を、被成膜面が前記一対のターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成する。
【０００７】
さらに説明すると、このスパッタ方法及び装置では、例えば、図２に示すように、真空容器５０内にアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスからなる放電用ガスを導入し、接地電位にある基板ホルダーを陽極とし、真空容器５０内に所定の間隔をおいて平行に対向配置される一対のターゲット５１，５１ａを陰極として電源５６からスパッタ電力を供給するとともに磁界発生手段５３，５３ａにより該ターゲット５１，５１ａ間に形成される空間５４に磁界を発生させると、スパッタリングが行われ、このとき一対のターゲット５１，５１ａから放出されるスパッタ粒子は飛散して被成膜面５５ａが空間５４に面するように臨設する基板５５の該被成膜面５５ａに付着し、該基板５５上に膜が形成される。これにより、プラズマの影響、さらに言えば、ターゲット表面から叩き出された二次電子や負イオン等の荷電粒子の衝撃を殆ど受けない状態、いわゆるプラズマフリーな状態で成膜できる。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−１２９３１９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような一対のターゲットを用いたスパッタ方法及び装置では、ターゲット表面から叩き出された二次電子や負イオン等の荷電粒子の衝撃を殆ど受けない状態、いわゆるプラズマフリーな状態で成膜できるものの、スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し易く、前記のような従来のマグネトロンスパッタ方法及び装置に比べると、成膜レイト（すなわち成膜速度）が小さく、ひいては成膜のためのコストが高くつく。また、基板以外の真空容器内面にもスパッタリングされることがあり、ターゲット材の利用効率が低下し易い。このため、真空容器内面へのスパッタリング防止用の防着手段（例えば、図２の防着板５４，５４ａのようなもの）等が設けられることがあるが、この場合、防着手段の交換頻度が多くなり、ひいてはメンテナンスコストが大きくなる。
【００１０】
本発明は、前記問題に鑑みてなされたもので、一対のターゲットを用いて基板上に膜を形成するスパッタ方法及びスパッタ装置であって、スパッタ粒子の基板以外の領域への発散を抑制でき、これにより基板への成膜速度を向上させることができ、それだけ成膜のためのコストを低く抑えることができるとともに、ターゲット材の利用効率を向上させることができ、例えば、真空容器内面へのスパッタリング防止用の防着手段等が設けられる場合には、該防着手段の交換頻度を少なくすることができ、それだけメンテナンスコストを低く抑えることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は前記課題を解決するため鋭意研究を重ねたところ、次のことを見出した。
【００１２】
すなわち、それぞれがスパッタ面を有する一対のターゲットであって真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させるとともに、該一対のターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた一対のターゲットから飛散するスパッタ粒子を、被成膜面が前記一対のターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ方法及びスパッタ装置においては、前記一対のターゲットを、前記両スパッタ面がいずれも前記基板の被成膜面に向くように傾斜させることによって、具体的には、前記両スパッタ面のなす角度（さらに言えば、前記両スパッタ面に沿う方向に延びる面のなす角度）を０°より大きく、且つ、４５°以下にすることによって、スパッタ粒子の基板側への飛行の指向性が高まり、換言すれば基板以外の領域への発散が抑制され、これにより基板上への成膜速度（成膜レイト）を上げることが可能になる。
【００１３】
また、スパッタ粒子の基板側への飛行の指向性が高まることにより、換言すれば基板以外の領域への発散が抑制されることにより、真空容器内面へのスパッタリングが少なくなり、それだけターゲット材の利用効率が上がる。従って、真空容器内面へのスパッタリング防止用防着手段が設けられる場合には、防着手段の交換頻度を少なくすることが可能になる。また、成膜にあたり基板を該基板面に沿う方向に旋回させると、さらに成膜速度が向上するとともに略均一な膜を形成することが可能となる。
【００１４】
本発明はかかる知見に基づくものであり、前記課題を解決するため、それぞれがスパッタ面を有する一対のターゲットであって真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させるとともに、該一対のターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた一対のターゲットから飛散するスパッタ粒子を、被成膜面が前記一対のターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ方法において、
前記一対のターゲットを、前記両スパッタ面がいずれも前記基板の被成膜面に向くように傾斜させて配置し、
前記両スパッタ面のなす角度（さらに言えば、前記両スパッタ面に沿う方向に延びる面のなす角度）を０°より大きく、且つ、４５°以下にすることを特徴とするスパッタ方法、及び
それぞれがスパッタ面を有する一対のターゲットであって真空容器内に前記両スパッタ面が互いに対向するように所定の間隔をおいて配置される一対のターゲットと、前記一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に磁界を発生させる磁界発生手段と、前記一対のターゲットを支持するターゲットホルダーと、基板を支持するとともに前記基板の被成膜面が前記一対のターゲットにより前記両スパッタ面間に形成される空間に面するように臨設させる基板ホルダーとを備え、前記ターゲットホルダーに支持される前記一対のターゲットの前記それぞれのスパッタ面に対して垂直な方向に前記磁界発生手段にて磁界を発生させるとともに、該一対のターゲットをスパッタリングし、該スパッタリングされた一対のターゲットから飛散するスパッタ粒子を、前記基板ホルダーに支持されるとともに被成膜面が前記空間に面するように臨設される基板の該被成膜面に付着させて該基板上に膜を形成するスパッタ装置において、
前記一対のターゲットは、前記両スパッタ面がいずれも前記基板の被成膜面に向くように傾斜して配置され、
前記両スパッタ面のなす角度（さらに言えば、前記両スパッタ面に沿う方向に延びる面のなす角度）が０°より大きく、且つ、４５°以下であることを特徴とするスパッタ装置を提供する。
【００１５】
本発明にいう“基板面に向くように”とは、前記一対のターゲットのうち一方のスパッタ面と前記基板の被成膜面とのなす角度（さらに言えば、一方のスパッタ面に沿う方向に延びる面と前記基板の被成膜面に沿う方向に延びる面とのなす角度）と、他方のスパッタ面と前記基板の被成膜面とのなす角度（さらに言えば、他方のスパッタ面に沿う方向に延びる面と前記基板の被成膜面に沿う方向に延びる面とのなす角度）とが、いずれも小さくなるようすることをいう。
【００１６】
本発明に係るスパッタ方法及びスパッタ装置では、前記一対のターゲットは、前記両スパッタ面がいずれも前記基板の被成膜面に向くように傾斜するので、具体的には、前記両スパッタ面のなす角度を０°より大きく、且つ、４５°以下にするので、スパッタ粒子の基板側への飛行の指向性を高めることができ、換言すればスパッタ粒子の基板以外の領域への発散を抑制でき、これにより基板上への成膜速度を向上させることができ、それだけ成膜のためのコストを低く抑えることができる。また、スパッタ粒子の基板側への飛行の指向性を高めることができることにより、換言すれば基板以外の領域への発散を抑制できることにより、真空容器内面へのスパッタリングを抑えることができ、それだけターゲット材の利用効率を向上させることができる。例えば、真空容器内面へのスパッタリング防止用防着手段が設けられる場合には、真空容器内面へのスパッタリングを抑えることができるので、前記防着手段の交換頻度を少なくすることができ、それだけメンテナンスコストを低く抑えることができる。また、成膜にあたり基板を該基板の被成膜面に沿う方向に旋回させることによって、さらに成膜速度を向上させることができるとともに略均一な膜を得ることができる。この場合、本発明に係るスパッタ装置は、基板を該基板の被成膜面に沿う方向に旋回させることができるように、前記基板ホルダーを回転可能なものにするとともに該基板ホルダーを回転させるための回転駆動装置をさらに備えているような構成としてもよい。
【００１７】
このように本発明に係るスパッタ方法及びスパッタ装置によると、スパッタ粒子の基板以外の領域への発散を抑制でき、これにより基板への成膜速度を向上させることができ、それだけ成膜のためのコストを低く抑えることができるとともに、ターゲット材の利用効率を向上させることができ、例えば、真空容器内面へのスパッタリング防止用の防着手段等が設けられる場合には、該防着手段の交換頻度を少なくすることができ、それだけメンテナンスコストを低く抑えることができる。
【００１８】
さらに、本発明に係るスパッタ方法及びスパッタ装置では、スパッタ粒子の飛行の指向性が高まることで、膜形成にあたって飛散粒子の方向性が揃い易くなる。これにより、粒子の規則性があり、且つ、結晶化の進んだ膜、例えばガスバリア性に優れる膜を得ることができる。
【００１９】
前記一対のターゲットの両スパッタ面のなす角度は、０°より大きければ、スパッタ粒子の基板側への飛行の指向性を高めることができるが、４５°より大きくなると、磁界によるプラズマの制御をうまく行えなくなり、ひいてはターゲット表面から叩き出された二次電子や負イオン等の荷電粒子の衝撃を受け易くなり、基板が損傷したり、膜質が低下し易くなる。前記両スパッタ面のなす角度としては、より好ましくは１０°〜３０°程度を例示できる。
【００２０】
本発明に係るスパッタ方法及びスパッタ装置では、前記一対のターゲットを、前記両スパッタ面がいずれも前記基板の被成膜面に向くように傾斜させて配置するが、このとき、前記両スパッタ面の前記基板被成膜面に対する角度がいずれも略同角度になるように傾斜させて配置することが望ましい。
【００２１】
本発明に係るスパッタ方法及びスパッタ装置により形成することができる膜としては、特に限定されないが、例えば、金属膜、合金膜、半導体膜、金属酸化物膜、金属窒化物膜等を挙げることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明に係るスパッタ方法を実施するスパッタ装置の一例Ａを示す概略構成図である。
【００２３】
図１に示すスパッタ装置Ａは、一対のターゲット１，１ａ、真空容器２、ターゲットホルダー３，３ａ、スパッタ電力供給用電源６、磁界発生手段１０，１０ａ、基板ホルダー１４、排気装置１５、ガス供給装置１６及び防着板１７，１７ａを備えており、真空容器２内にターゲット１，１ａ、基板ホルダー１４、防着板１７，１７ａ等が設けられている。
【００２４】
一対のターゲット１，１ａは、ここではいずれもインジウム錫合金（ＩＴ）からなるものであり、それぞれスパッタ面１’，１ａ’を有している。このターゲット１，１ａは、真空容器２内に両スパッタ面１’，１ａ’が互いに対向するように所定の間隔（ここでは、スパッタ面１’，１ａ’中心部Ｐ，Ｐａ間、図中ｄ＝１６０ｍｍの間隔）をおいて配置されている。ターゲットホルダー３，３ａは、それぞれターゲット１，１ａを支持するもので、絶縁板（図示省略）を介して真空容器２に取付けられている。
【００２５】
また、一対のターゲット１，１ａは、ターゲットホルダー３，３ａにて、両スパッタ面１’，１ａ’がいずれも基板１３の被成膜面１３’に向くように傾斜して配置されている。具体的には、両スパッタ面１’，１ａ’のなす角度α、さらに言えば、両スパッタ面１’，１ａ’に沿う方向に延びる面のなす角度αが０°より大きく、且つ、４５°以下（本例では２０°）である。このとき、本例では、スパッタ面１’，１ａ’の基板被成膜面１３’に対する角度がいずれも略同角度β（本例では８０°）になるように傾斜して配置されている。
【００２６】
スパッタ電力供給用電源６は、ＤＣの定電力を印加可能であり、接地電位にある基板ホルダー１４を陽極とし、ターゲット１，１ａを陰極としてスパッタ電力を供給するものである。
【００２７】
磁界発生手段１０，１０ａは、ここではいずれも永久磁石であり、それぞれターゲット１，１ａの外面に配置されている。さらに言えば、磁界発生手段１０は、スパッタ面１’に対して垂直な方向に磁界を発生させるためにターゲット１の外面に対してＮ極が対向するように配置されており、磁界発生手段１０ａは、スパッタ面１ａ’に対して垂直な方向に磁界を発生させるためにターゲット１ａの外面に対してＳ極が対向するように配置されている。かくして、ターゲット１，１ａのスパッタ面１’  ，１ａ’間に磁界が形成される。
【００２８】
基板ホルダー１４は、基板１３を支持するとともに基板１３の被成膜面１３’がターゲット１，１ａにより両スパッタ面１’，１ａ’間に形成される空間５に面するように臨設させるものである。これにより、基板１３は基板ホルダー１４に支持されるとともに前記空間５に被成膜面１３’が面するように臨設され、且つ、基板ホルダー１４を介して真空容器２内に設けられる。なお、ターゲット１，１ａの両スパッタ面１’，１ａ’中心部Ｐ，Ｐａを結ぶ直線Ｌと基板被成膜面１３’との最短距離は、ここでは、図中ｅ＝１７５ｍｍとしている。
【００２９】
真空容器２には排気装置１５を接続してあるとともに、放電用ガスのガス供給装置１６が接続されている。ガス供給装置１６はターゲット１，１ａ近傍にそれぞれ配置される不活性ガス（ここではアルゴン（Ａｒ）ガス）を供給するための不活性ガス導入パイプ１６’，１６ａ’を含んでいる。
【００３０】
一対のターゲット１，１ａのそれぞれの図中下方には、真空容器２内面へのスパッタリング防止用の防着手段（本例では防着板１７，１７ａ）が設けられている。
【００３１】
以上説明したスパッタ装置Ａでは、基板１３の被成膜面１３’への薄膜形成にあたり、まず、排気装置１５により真空容器２内を所定の圧力（ここでは０．６８Ｐａ）にし、その後、ガス供給装置１６により不活性ガス導入パイプ１６’，１６ａ’からアルゴンガス（Ａｒ）を導入する。そして、スパッタ電力供給用電源６にて基板ホルダー１４とターゲット１，１ａとの間にスパッタ電力を供給するとともに磁界発生手段１０，１０ａにより該ターゲット１，１ａのスパッタ面１’，１ａ’間に形成される空間５に磁界を発生させると、空間５内には、ターゲット１，１ａがスパッタされてスパッタ粒子、二次電子及びアルゴンガスイオン等が飛散したプラズマが生成され、空間５内にプラズマが閉じ込められる。かくしてターゲット１，１ａから飛散するスパッタ粒子を、被成膜面１３’がターゲット１，１ａにより両スパッタ面１’，１ａ’間に形成される空間５に面するように臨設される基板１３の該被成膜面１３’に付着させて該基板１３上に薄膜を形成することができる。
【００３２】
このとき、ターゲット１，１ａは、両スパッタ面１’，１ａ’がいずれも基板１３の被成膜面１３’に向くように傾斜するので、具体的には、両スパッタ面１’，１ａ’のなす角度αが０°より大きく、且つ、４５°以下にするので、スパッタ粒子の基板１３側への飛行の指向性を高めることができ、換言すればスパッタ粒子の基板１３以外の領域への発散を抑制でき、これにより基板１３上への成膜速度を向上させることができ、それだけ成膜のためのコストを低く抑えることができる。また、スパッタ粒子の基板１３側への飛行の指向性を高めることができることにより、換言すれば基板１３以外の領域への発散を抑制できることにより、真空容器２内面へのスパッタリングを抑えることができ、それだけターゲット材の利用効率を向上させることができる。ここでは、真空容器２内面へのスパッタリング防止用防着手段として防着板１７，１７ａが設けられているが、真空容器２内面へのスパッタリングを抑えることができるので、防着板１７，１７ａの交換頻度を少なくすることができ、それだけメンテナンスコストを低く抑えることができる。なお、図１のスパッタ装置Ａは、基板１３を被成膜面１３’に沿う方向に旋回させることができるように、基板ホルダー１４を回転可能なものにするとともに該基板ホルダーを回転させるための回転駆動装置をさらに備えているような構成としてもよい。こうすることで、基板１３を被成膜面１３’に沿う方向に旋回させることができるので、さらに成膜速度を向上させることができるとともに略均一な薄膜を得ることができる。
【００３３】
このようにスパッタ装置Ａによると、スパッタ粒子が基板１３以外の領域への発散を抑制でき、これにより基板１３への成膜速度を向上させることができ、それだけ成膜のためのコストを低く抑えることができるとともに、ターゲット材の利用効率を向上させることができ、本例のように、真空容器２内面へのスパッタリング防止用の防着手段１７，１７ａ等が設けられる場合には、該防着手段１７，１７ａの交換頻度を低下させることができ、それだけメンテナンスコストを低く抑えることができる。
【００３４】
さらに、スパッタ装置Ａでは、スパッタ粒子の飛行の指向性が高まることで、薄膜形成にあたって飛散粒子の方向性が揃い易くなる。これにより、粒子の規則性があり、且つ、結晶化の進んだ薄膜、例えばガスバリア性に優れる薄膜を得ることができる。
【００３５】
本発明は前記の実施形態に限定されるものではなく、スパッタ装置を構成する他の部材の具体的な構成は上記実施形態に限定されるものではない。
【００３６】
（実施例）
次に、図１に示すスパッタ装置Ａにおいて、実施例１，２としてターゲット１，１ａの両スパッタ面１’，１ａ’のなす角度αを２０°にするとともにスパッタ面１’，１ａ’の基板被成膜面１３’に対する角度をいずれも８０°にした場合と、比較例１，２としてターゲット１，１ａを両スパッタ面１’，１ａ’が平行になるように配置した場合、すなわち両スパッタ面１’，１ａ’のなす角度αを０°にするとともにスパッタ面１’，１ａ’の基板被成膜面１３’に対する角度をいずれも９０°にした場合との成膜レート（成膜速度）を調べたので、それについて以下に説明する。但し、本発明はそれらの各実施例に限定されるものではない。
【００３７】
実施例１及び比較例１は、いずれも成膜時間を６分３３秒、電源６から供給されるスパッタ電力を０．５ｋＷとし、実施例２及び比較例２は、いずれも成膜時間を３分３９秒、電源６から供給されるスパッタ電力を１．０ｋＷとして行った。
【００３８】
成膜条件及び測定結果を表１、表２に示す。
表２はＤＣ反応性スパッターによる成膜条件及び測定結果である。
【表１】
2004285445.tif 000003
【００３９】
【表２】
2004285445.tif 000004
【００４０】
表１に示すように、成膜時間６分３３秒、スパッタ電力０．５ｋＷで行った場合において、実施例１では成膜レートが１３０７Å／分であったのに対し、比較例１では成膜レートが８３１Å／分であり、実施例１での成膜レートは比較例１での成膜レートの約１．５７倍となった。
【００４１】
また、成膜時間３分３９秒、スパッタ電力１．０ｋＷで行った場合において、実施例２では成膜レートが１７０２Å／分であったのに対し、比較例２では成膜レートが１４１２Å／分であり、実施例２での成膜レートは比較例２での成膜レートの約１．２１倍となった。
表２に示すように、ＤＣ反応性スパッターの場合の実施例３では、成膜レートが８８３Å／ｍｉｎであったのに対し、比較例３では成膜レートが４２７になり実施例３での成膜レートは比較例３の約２．０７倍となった。
【００４２】
このように、ターゲット１，１ａの両スパッタ面１’，１ａ’をいずれも基板１３の被成膜面１３’に向くように傾斜させることで、基板１３への成膜速度が向上することが確認された。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によると、一対のターゲットを用いて基板上に膜を形成するスパッタ方法及びスパッタ装置であって、スパッタ粒子の基板以外の領域への発散を抑制でき、これにより基板への成膜速度を向上させることができ、それだけ成膜のためのコストを低く抑えることができるとともに、ターゲット材の利用効率を向上させることができ、例えば、真空容器内面へのスパッタリング防止用の防着手段等が設けられる場合には、該防着手段の交換頻度を少なくすることができ、それだけメンテナンスコストを低く抑えることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスパッタ方法を実施するスパッタ装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】従来の一対のターゲットを用いたスパッタ装置の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１，１ａ…ターゲット  １’，１ａ’…スパッタ面  ２…真空容器  ５…空間
１３…基板  １３’…被成膜面  α…両スパッタ面１’，１ａ’のなす角度
【図１】
2004285445.tif 000005
【図２】
2004285445.tif 000006