(57)【要約】【課題】ＨＴＰが極めて大きいカイラルドーパントを提供する。【解決手段】６，６’−位にも置換基を持つ下記一般式（１）  で表される１，１’−ビ−２−ナフトールである光学活性化合物。【化１】2004250341.tif 000013（式中、ｎは  １〜１０の整数であり、Ｙは炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜５のアルキルフェニル基または炭素数１〜４のアルコキシフェニル基である。Ｘは単結合（−），  −ＯＯＣ−または−ＯＣＨ２−である。ＡおよびＢはシクロヘキサン、ベンゼン、ピリミジン、ナフタリン、ジオキサンなどから選択した環を環数の合計で２〜４個有するように環相互の結合形式を含んで特定の組み合わせで選択した置換基である。）【効果】ＨＴＰが７０以上と極めて大きいという特徴を有するカイラルドーパントが得られた。本カイラルドーパントは、少量添加するだけでらせんのピッチを調節することができるため、母液晶の性能劣化を抑制できる。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）  で表される光学活性化合物。
【化１】
2004250341.tif 000011
（式中、ｎは  １〜１０の整数であり、Ｙは炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜５のアルキルフェニル基または炭素数１〜４のアルコキシフェニル基であり、Ｘは単結合（−），  −ＯＯＣ−または−ＯＣＨ２−である。ここで、Ｘが単結合の時、Ａは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−，  −Ｐｙ−または−Ｎｐ−であり、Ａが−Ｃｙ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−  または−Ｐｙｒ−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｙ−の時、Ｂは−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−の時、Ｂは単結合または−ＯＯＣ−  である。また、Ｘが−ＯＯＣ−  の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，  −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｃｙ−  または−Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｐｈ−Ｚ−  であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である。更に、Ｘが−ＯＣＨ２−の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，  −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｄｉ−  または−Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である。（なお、Ｚは単結合（−）  または−Ｏ−  であり、また、−Ｐｈ−，  −Ｃｙ−，  −ＯＯＣ−，  −Ｐｙ−，  −Ｐｙｒ−，  −Ｄｉ−または−Ｎｐ−は下記構造を示し、−Ｐｈ−基はその水素の一つがメチル基、フッ素または塩素で置換されていてもよい。））
【化２】
2004250341.tif 000012
【請求項２】
該一般式（１）  において、Ｙが炭素数１〜３である低級アルキル基またはフェニル基である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項３】
該一般式（１）  において、ｎが  ３〜８  の整数である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項４】
該一般式（１）  において、Ｘが単結合である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項５】
該一般式（１）  において、Ｘが−ＯＯＣ−  である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項６】
ねじり力（ＨＴＰ）が７０以上である請求項１記載の光学活性化合物。
【請求項７】
該一般式（１）  で表されるネマチック液晶用カイラルドーパント。
【請求項８】
該一般式（１）  で表される光学活性化合物を、少なくとも一種以上含有するネマチック液晶組成物。
【請求項９】
電極を有する基板間に請求項８記載のネマチック液晶組成物を狭持してなる液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はカイラルドーパントとして有用な新規な光学活性化合物およびそれを含む液晶組成物ならびにその液晶組成物を用いた液晶表示素子に関する。更に詳しくは、ねじり力（以下ＨＴＰと記す）が７０以上であるカイラルドーパントおよびその利用に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開昭６２−８１３５４  号公報
【特許文献２】特願２００２−１８４２７３号公報
【特許文献３】特開２００２−１７９６６９号公報
【特許文献４】国際出願０２３４７３９  号
【非特許文献１】Ｈ．Ｊ．ＤＥＵＳＳＥＮ  ら  ＬＩＱＵＩＤ  ＣＲＹＳＴＡＬＳ，Ｖｏｌ．２１，Ｎｏ．３，ｐ３２７、１９９６年
【０００３】
液晶表示素子の表示モードとして種々のものが知られているが、その多くの表示モードにおいて液晶の螺旋ピッチの制御が必要である。液晶の螺旋ピッチの制御が必要なモードとして、以下のようなものがある。
現在実用化され多用されているモードは、ネマチック液晶を用いたツイスティッドネマチックモード  （ＴＮモード）  ならびにスーパーツイステッドネマチックモード（ＳＴＮモード）  である。
【０００４】
ＴＮモードでは、上基板と下基板の間で液晶分子が９０度ねじれる様に配向しており、セル中でらせんの１／４  ピッチが形成されている。
ＳＴＮ  モードでは、上基板と下基板の間で液晶分子が  ２２０度前後ねじれる様に配向しており、セル中でおよそ  ３／５ピッチのらせんが形成されている。
ＴＮモードは単純マトリックス駆動液晶表示素子およびアクティブマトリックス駆動液晶表示素子において、ＳＴＮ  モードは単純マトリックス駆動液晶表示素子において使用されている。
【０００５】
また、前記したＴＮモードおよび  ＳＴＮモードとは別のモードとして、カイラルネマチック液晶の選択反射  （以下、ＳＲと記す）  モードがある。
図１および図２に示されている様に、ＳＲモードでは液晶はらせん軸が基板に垂直なプレーナー状態（図１）とらせん軸の方向がランダムなフォーカルコニック状態（図２）をとり、これらの２状態は電圧パルスで切り替えることができる。プレーナー状態では螺旋ピッチに対応した波長の光を反射するが、フォーカルコニック状態では光は素子を透過する。反射状態を明、透過状態を暗とすることで表示が可能となる。
【０００６】
らせん構造を誘起する光学活性化合物は通常カイラルドーパントと呼ばれている。これまで数多くのカイラルドーパントが合成されているが、その代表的な化合物が下記構造の化合物である。
【０００７】
【化３】
2004250341.tif 000002
【０００８】
カイラルドーパントに求められる最も重要な性能は、大きなＨＴＰを有することである。なお、ＨＴＰは下式で定義される物理量である。
2004250341.tif 000003
カイラルドーパントは通常それ自体液晶性を示さず、しかも、分子量の大きなものが多く、母液晶に対して多量に添加した場合には、種々の性能を劣化させることが多い。性能劣化としては、等方相からネマチック相への相転移温度の低下、液晶の粘性増加、結晶化を引き起こしやすいなどがある。大きなＨＴＰを有するカイラルドーパントは、母液晶に対して少量の添加で所望のらせんピッチを得ることができるため、諸性能の劣化を抑えることができる。上記カイラルドーパントはＨＴＰが小さく、より大きなＨＴＰを示す化合物が求められた。
【０００９】
なお、本明細書において、“液晶”とは、特に特定の化合物であると断らない限り、複数の液晶化合物よりなる組成物を意味する。“カイラルドーパント”とはらせん構造を誘起する光学活性化合物またはその化合物の混合物を意味する。“母液晶”とは、カイラルドーパントを含まないネマチック液晶を意味する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＨＴＰが  ７０  以上と極めて大きいという特徴を有するカイラルドーパントを提供することにある。
ヘプケらは特許文献１にて、光学活性部に１，１’−ビ−２−ナフトールを使用したカイラルドーパント化合物９種を開示しており、この内の５種が大きなＨＴＰを示す。また、本発明者らはこれまで新規カイラルドーパントの開発検討を種々行い、光学活性部に１，１’−ビ−２−ナフトールを使用したカイラルドーパント化合物で、ＨＴＰが５０以上ある化合物を見出した（特許文献２等）。
【００１１】
これら特許文献記載の化合物は、等方相からネマチック相への相転移温度の低下、液晶の粘性増加、結晶化を引き起こしやすい等といった性能劣化を抑制する効果が認められた。
しかしながら、添加量を更に減らすことにより性能劣化を更に抑えたい、という強い要望が出てきた。また、カイラルドーパントは高価であるため、添加量を減らす事により経済的メリットを出したい、という強い要望もあり、更に大きなＨＴＰを示す化合物が求められた。
【００１２】
上記化合物の他、ＨＴＰ５０以上を示しているカイラルドーパント化合物として、光学活性部に、１，１’−ビ−２−ナフトールの２，２’−位にある水酸基部分を架橋した化合物がある。この中で、非特許文献１に開示している化合物６種の内の３種、湯本らが特許文献３に開示している化合物２５種の内の２種、ＨＥＣＫＭＥＩＥＲ  らが特許文献４に開示している化合物６種の内の２種といったカイラルドーパント化合物がＨＴＰ７０以上を示している。しかしながら、その数は非常に少ない。
また、架橋していない化合物の中で、本発明者らの化合物やヘプケらの化合物よりも大きなＨＴＰを示す化合物は知られていない。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らが種々の検討を重ねた結果、１，１’−ビ−２−ナフトールの６，６’−位に置換基を導入するだけと言う簡便な方法により、ＨＴＰが向上することを見出した。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）  で表される光学活性化合物である。
【００１４】
【化４】
2004250341.tif 000004
（式中、ｎは  １〜１０の整数であり、Ｙは炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜５のアルキルフェニル基または炭素数１〜４のアルコキシフェニル基であり、Ｘは単結合（−），  −ＯＯＣ−または−ＯＣＨ２−である。ここで、Ｘが単結合の時、Ａは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−，  −Ｐｙ−または−Ｎｐ−であり、Ａが−Ｃｙ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−  または−Ｐｙｒ−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｐｙ−の時、Ｂは−Ｐｈ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−の時、Ｂは単結合または−ＯＯＣ−  である。また、Ｘが−ＯＯＣ−  の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，  −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｄｉ−，  −Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｃｙ−  または−Ｐｈ−ＯＯＣ−Ｐｈ−Ｚ−  であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である。更に、Ｘが−ＯＣＨ２−の時、Ａは−Ｐｈ−，  −Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  であり、Ａが−Ｐｈ−の時、Ｂは−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｎｐ−Ｚ−，  −Ｃｙ−Ｃｙ−，  −Ｐｙ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｃｙ−，  −Ｐｈ−Ｐｈ−Ｚ−，  −Ｐｈ−Ｄｉ−  または−Ｐｈ−Ｐｙｒ−Ｚ−であり、Ａが−Ｎｐ−または−Ｐｈ−Ｐｈ−  の時、Ｂは−Ｃｙ−または−Ｐｈ−Ｚ−である。（なお、Ｚは単結合（−）  または−Ｏ−  であり、また、−Ｐｈ−，  −Ｃｙ−，  −ＯＯＣ−，  −Ｐｙ−，  −Ｐｙｒ−，  −Ｄｉ−または−Ｎｐ−は下記構造を示し、−Ｐｈ−基はその水素の一つがメチル基、フッ素または塩素で置換されていてもよい。））
【００１５】
【化５】
2004250341.tif 000005
【００１６】
そして、本発明では、該一般式（１）  において、Ｙが炭素数１〜３である低級アルキル基またはフェニル基である光学活性化合物、ｎが  ３〜８  の整数である光学活性化合物、または、Ｘが単結合（−）  または−ＯＯＣ−  である光学活性化合物が望ましい。また、ねじり力（ＨＴＰ）が７０以上である光学活性化合物が寄り望ましい。そして、本化合物は、ネマチック液晶用カイラルドーパントとして好適に使用され、該一般式（１）  で表される光学活性化合物を少なくとも１種以上含有するネマチック液晶組成物として好適に使用され、このネマチック液晶組成物を、電極を有する基板間に狭持してなる液晶素子とされる。
【００１７】
光学活性体にはＲ体とＳ体とがあるが、いずれも好適に使用できる。すなわち、Ｒ体とＳ体との性質の違いは、誘起するらせん構造の掌性（右らせん、左らせん）  が異なる点である。そこで、使用にあたっては、併用するカイラルドーパントの掌性を考慮し、いずれかを選択する。
本発明の化合物は、母液晶であるネマチック液晶との相溶性が良く、結晶化も起こしにくいが、本発明の光学活性化合物を単独で多量にネマチック液晶へ添加した場合、その組み合わせによっては得られた組成物が常温で結晶化する場合があり得る。しかし、この場合、他のカイラルドーパントを併用することによって容易に結晶化が回避できる。
【００１８】
本発明の光学活性化合物をカイラルドーパントとして使用する場合、光学活性化合物は、それを添加したネマチック液晶に基づいて、通常  ０．１〜２０重量％、好ましくは  ０．１〜１０重量％の範囲で添加される。この添加割合は、光学活性化合物のＨＴＰの値、結晶性およびネマチック液晶の種類などにより、この好適範囲が決定される。
【００１９】
【発明の効果】
本発明は、ＨＴＰが７０以上と極めて大きいという特徴を有するカイラルドーパントを提供する。従って、ＴＮモード、ＳＴＮ  モード及びＳＲモードで使用する液晶において、本発明のカイラルドーパントを少量添加するだけでらせんのピッチを調節することができるため、母液晶の性能劣化を抑制できる。
【００２０】
【実施例】
次に実施例および比較例を掲げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はもちろんこれに限定されるものではない。
【００２１】
実施例１      （式（１）  ：  ｎ＝４，  Ｘ＝−，  Ｙ＝−Ｃ３Ｈ７，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−    （Ｅ１））
４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジプロピル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの合成。
５０ミリリットルナス型フラスコに  Ｒ−（−）−６，６’−ジプロピル−１，１’−ビ−２−ナフトール  ０．５０ｇおよび  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸  ０．７９ｇを入れ、ジクロロメタン    ２５ミリリットルに溶かした。そこに、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）  ０．６０ｇ  およびジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）  ０．２６ｇを加え、室温で一昼夜攪拌を行った。
【００２２】
析出した固体をろ別し、有機層を  ２Ｎ  塩酸および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。減圧下に溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフにより精製を行なう事により目的化合物  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジプロピル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルを無色ガラス状物質として    ０．８５ｇ（収率７０％）得た。
【００２３】
実施例２    （式（１）  ：  ｎ＝６，  Ｘ＝−，  Ｙ＝−Ｃ３Ｈ７，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−    （Ｅ２））
４−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジプロピル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの合成。
実施例１において、  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸の替わりに  ４−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）安息香酸を用いた以外は実施例１と同様にして  ４−（トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジプロピル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルを得た。
【００２４】
実施例３    （式（１）  ：  ｎ＝３，  Ｘ＝−，  Ｙ＝−Ｃ３Ｈ７，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−    （Ｅ３））
４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジプロピル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの合成。
実施例１において、  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸の替わりに  ４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）安息香酸を用いた以外は実施例１と同様にして  ４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジプロピル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルを合成した。
【００２５】
実施例４    （式（１）  ：  ｎ＝４，  Ｘ＝−，  Ｙ＝−Ｃ６Ｈ５，  Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−    （Ｅ４））
４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｓ）−６，６’−ジフェニル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの合成。
５０ミリリットルナス型フラスコに  Ｓ−（＋）−６，６’−ジフェニル−１，１’−ビ−２−ナフトール  ０．５０ｇおよび  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸  ０．６２ｇを入れ、ジクロロメタン    ２５ミリリットルに溶かした。そこに、ＤＣＣ    ０．４９ｇおよびＤＭＡＰ  ０．１１ｇ  を加え、室温で一昼夜攪拌を行った。
【００２６】
析出した固体をろ別し、有機層を  ２Ｎ  塩酸および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。減圧下に溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフにより精製を行なう事により目的化合物  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｓ）−６，６’−ジフェニル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルを無色ガラス状物質として  ０．９０ｇ  （収率８６％）得た。
【００２７】
実施例５    （式（１）  ：  ｎ＝４，  Ｘ＝−，  Ｙ＝−ＣＨ３，    Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−    （Ｅ５））
４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの合成。
５０ミリリットルナス型フラスコに  Ｒ−（−）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビ−２−ナフトール  ０．５０ｇおよび  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸  ０．８７ｇを入れ、ジクロロメタン    ２５ミリリットルに溶かした。そこに、ＤＣＣ    ０．７１ｇおよび  ＤＭＡＰ    ０．１５ｇを加え、室温で一昼夜攪拌を行った。
【００２８】
析出した固体をろ別し、有機層を  ２Ｎ  塩酸および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。減圧下に溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフにより精製を行なう事により目的化合物  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルを無色ガラス状物質として  １．０６ｇ  （収率８５％）得た。
【００２９】
上記した実施例１〜５で合成した化合物  （Ｅ１〜Ｅ５）  の熱物性をＤＳＣ  により測定した結果は下記であった。
Ｅ１（４８）、Ｅ２（３３）、Ｅ３（６０）、Ｅ４（９６）、Ｅ５（７４）
なお、（）内の数値は融点またはガラス転移温度（℃）である。化合物Ｅ１〜Ｅ５が室温で結晶状態になっているのか、或いは、ガラス状態になっているのか、明確には確認できなかった。
また、化合物Ｅ１〜Ｅ５について、その構造式を化６、７に、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を表１、２に示した。
【００３０】
［共通部分］
【化６】
2004250341.tif 000006
【００３１】
［Ｙ部分］
【化７】
2004250341.tif 000007
【００３２】
2004250341.tif 000008
【００３３】
2004250341.tif 000009
【００３４】
実施例６
上記での合成した光学活性化合物（Ｅ１〜Ｅ５）について、ＨＴＰの測定をした。
メルク社製ネマチック液晶（ＺＬＩ−１５６５）に、実施例１〜５で得た光学活性化合物（Ｅ１〜Ｅ５）を所定量添加し、キラルネマチック（Ｎ＊）液晶組成物を調製した。
調製した液晶組成物のＮ＊相の上限温度を調べ、次に特性反射挙動よりＨＴＰを求めた。
Ｎ＊相の上限温度の決定は偏光顕微鏡観察により行った。
【００３５】
また、特性反射挙動は以下の手順で行った。
ＩＴＯ  電極付の液晶セル（セル厚１０μｍ）に、上記で調製した液晶組成物を等方相の状態で充填した。このセルを６０℃とし、±６０Ｖの矩形波電圧を１分程度印加した後、室温まで急冷しプレーナー配向を得た。
この液晶セルの２５℃における特性反射挙動を自記分光光度計を用いて調べた。ＨＴＰは下式より求めた。
ＨＴＰ  （μｍ−１）  ＝ｎ／（λ２５×Ｃ／１００）
ここで、ｎはカイラルネマチック液晶の屈折率、λ２５は２５℃における特性反射波長（μｍ）、Ｃは光学活性化合物の濃度（ｗｔ％）を表す。尚、屈折率ｎは母液晶ＺＬＩ−１５６５の値  １．６を採用した。結果を表３に示した。
【００３６】
比較例１
実施例６と同様に、公知化合物ＣＢ１５、ＣＮ、Ｓ−８１１  を用いて調製した液晶組成物のＮ＊相の上限温度を調べ、次に特性反射挙動よりＨＴＰを求めた。
Ｎ＊相の上限温度の決定は偏光顕微鏡観察により行った。
結果を表３に示した。
【００３７】
実施例１〜５で製造した光学活性化合物  （Ｅ１〜Ｅ５）  は比較例１にある公知化合物と比べ、いずれも非常に大きなＨＴＰを有している事が確認できた。
【００３８】
比較例２    （式（１）  ：  ｎ＝４，  Ｘ＝−，  Ｙ＝−Ｈ，    Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−    （ＣＥ１））
４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの合成。
５０ミリリットルナス型フラスコに  Ｒ−（＋）−１，１’−ビ−２−ナフトール  ０．５６ｇおよび  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸  １．０２ｇを入れ、ジクロロメタン    ２５ミリリットルに溶かした。そこに、ＤＣＣ  １．０９ｇ  およびＤＭＡＰ  ０．１９ｇ  を加え、室温で一昼夜攪拌を行った。
析出した固体をろ別し、有機層を  ２Ｎ  塩酸および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。
減圧下に溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフにより精製を行なう事により目的化合物  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルを無色ガラス状物質として  １．１０ｇ  （収率７３％）得た。
【００３９】
実施例６と同様に、光学活性化合物（ＣＥ１）を用いて調製した液晶組成物のＮ＊相の上限温度を調べ、次に特性反射挙動よりＨＴＰを求めた。
Ｎ＊相の上限温度の決定は偏光顕微鏡観察ならびにＤＳＣ測定により行った。
結果を表３に示した。
【００４０】
実施例１〜５の光学活性化合物  （Ｅ１〜Ｅ５）  と比較例２の光学活性化合物（ＣＥ１）  とを比較したところ、実施例１〜５の光学活性化合物  （Ｅ１〜Ｅ５）  の方がより大きなＨＴＰを有していた。
【００４１】
比較例３    （式（１）  ：  ｎ＝４，  Ｘ＝−，  Ｙ＝−Ｈ，    Ａ＝−Ｐｈ−，    Ｂ＝−Ｃｙ−，    ３，３’−位−ＣＨ３置換    （ＣＥ２））        ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルの合成。
５０ミリリットルナス型フラスコに  Ｒ−３，３’−ジメチル−１，１’−ビ−２−ナフトール  ０．７９ｇおよび  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸  １．４０ｇを入れ、ジクロロメタン    ２５ミリリットルに溶かした。そこにＤＣＣ  １．１０ｇ  およびＤＭＡＰ  ０．２４ｇを加え、室温で一昼夜攪拌を行った。
析出した固体をろ別し、有機層を２Ｎ塩酸および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。
減圧下に溶媒を留去した後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフにより精製を行なう事により目的化合物  ４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）安息香酸−（Ｒ）−１，１’−ビ−２−ナフトールジエステルを無色ガラス状物質として  １．６３ｇ  （収率８１％）得た。
【００４２】
比較例３で得られた  ３，３’−位にメチル基を持つ化合物（ＣＥ２）を用いてカイラルネマチック液晶組成物を調合しようとしたが、相溶性が悪く混ざらなかった。
【００４３】
2004250341.tif 000010
注）Ｉｓｏ  −Ｎ＊  は等方相からカイラルネマチック相への相転移温度（Ｎ＊相の上限温度）を示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】カイラルネマチック液晶のプレーナー分子配向
【図２】カイラルネマチック液晶のフォーカルコニック分子配向
【図１】
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【図２】
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