(57)【要約】【課題】  音声出力回路を有する表示装置において、小型で軽量の表示装置を提供する。【解決方法】本発明の表示装置はスピーカーを平面スピーカーとし、且つ音声信号処理装置を表示装置上に薄膜トランジスタで構成する。スピーカーの駆動はＢＴＬ駆動とすることによって、電源電圧を低減し、薄膜トランジスタの劣化を防止することができる。このように、スピーカの小型化、音声信号処理回路の表示装置への内蔵化を達成することにより、小型かつ軽量で、音声が出力可能な携帯情報機器を実現する。【選択図】  図１
2004173264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記表示装置は視覚以外の出力デバイスを駆動する電気的信号処理回路を有し、
前記電気的信号処理回路は前記薄膜半導体素子によって構成されることを特徴とした表示装置。
【請求項２】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記表示装置は音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路は前記薄膜半導体素子によって構成されることを特徴とした表示装置。
【請求項３】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記表示装置は音声信号処理回路を有し、
前記音声信号処理回路は前記薄膜半導体素子によって構成され、
前記音声信号処理回路の出力信号によって、スピーカーを駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記音声信号処理回路はデジタル信号処理回路を含むことを特徴とした表示装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記音声信号処理回路はＤ／Ａ変換回路を含むことを特徴とした表示装置。
【請求項６】
請求項２または請求項３において、
前記音声信号処理回路はアナログ信号処理回路を含むことを特徴とした表示装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記アナログ信号処理回路はオペアンプ回路によって構成されていることを特徴とした表示装置。
【請求項８】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路の出力信号によって、スピーカーを駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項９】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は非反転増幅回路と反転増幅回路を有し、
前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、
前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１０】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は非反転増幅回路と反転増幅回路を有し、
前記非反転増幅回路の入力端子と前記反転増幅回路の入力端子は接続され、
前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、
前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１１】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は非反転増幅回路と、反転増幅回路を有し、
前記非反転増幅回路の出力端子は、前記反転増幅回路の入力端子に接続され、
前記非反転増幅回路の出力信号によってスピーカーの第一の端子を駆動し、
前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１２】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は第一の反転増幅回路と、第二の反転増幅回路を有し、
前記第一の反転増幅回路の出力端子は、前記第二の反転増幅回路の入力端子に接続され、
前記第一の反転増幅回路の出力信号によってスピーカーの第一の端子を駆動し、
前記第二の反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１３】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は、前置増幅回路と、非反転増幅回路と、反転増幅回路を有し、
前記前置増幅回路の出力信号を、前記非反転増幅回路と前記反転増幅回路に入力し、
前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、
前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１４】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は、前置増幅回路と、非反転増幅回路と、反転増幅回路を有し、
前記前置増幅回路の出力信号を前記非反転増幅回路に入力し、
前記非反転増幅回路の出力信号を前記反転増幅回路に入力し、
前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、
前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１５】
基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、
前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は、前置増幅回路と、第一の反転増幅回路と、第二の反転増幅回路を有し、
前記前置増幅回路の出力信号を、前記第一の反転増幅回路に入力し、
前記第一の反転増幅回路の出力信号を、前記第二の反転増幅回路に入力し、
前記第一の反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、
前記第二の反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記非反転増幅回路もしくは前記反転増幅回路はバッファ回路を介して、スピーカーを駆動することを特徴とした表示装置。
【請求項１７】
請求項６乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記アナログ信号処理回路は３０Ｖ未満の電源電圧で駆動されることを特徴とした表示装置。
【請求項１８】
請求項３乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記スピーカーは平面スピーカーであることを特徴とした表示装置。
【請求項１９】
請求項１８において、前記平面スピーカーは表示装置自体を振動媒体としてなすことを特徴とした表示装置。
【請求項２０】
基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、
前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は、差動回路と、カレントミラー回路と、定電流源と、ソース接地増幅器と、ソースフォロワとを有し、
前記定電流源は前記差動回路を構成する薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、
前記差動回路の第一の出力端子は前記カレントミラー回路の出力端子と前記ソース接地増幅器の入力端子に電気的に接続され、
前記差動回路の第二の出力端子は前記カレントミラー回路の入力端子に電気的に接続され、
前記ソース接地増幅器の出力端子は前記ソースフォロワの入力端子に電気的に接続され、
前記ソースフォロワの出力端子は前記アナログ信号処理回路の出力端子に電気的に接続されることを特徴とした表示装置。
【請求項２１】
基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、
前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路は、差動回路と、第一のカレントミラー回路と、第二のカレントミラー回路と、第三のカレントミラー回路と、定電流源とを有し、
前記定電流源は前記差動回路を構成する薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、
前記差動回路の第一の出力端子が前記第一のカレントミラー回路の入力端子に電気的に接続され、
前記差動回路の第二の出力端子が前記第二のカレントミラー回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第一のカレントミラー回路の出力端子が前記アナログ信号処理回路の出力端子と第三のカレントミラー回路の出力端子に電気的に接続され、
前記第二のカレントミラー回路の出力端子が前記第三のカレントミラー回路の入力端子に電気的に接続されることを特徴とした表示装置。
【請求項２２】
基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、
前記薄膜トランジスタは差動回路を有するアナログ信号処理回路を構成し、
前記差動回路はマルチゲート構造の薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とした表示装置。
【請求項２３】
基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、
前記薄膜トランジスタは差動回路を有するアナログ信号処理回路を構成し、
前記差動回路は複数の薄膜トランジスタを並列接続していることを特徴とした表示装置。
【請求項２４】
基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、
前記薄膜トランジスタは差動回路を有するアナログ信号処理回路を構成し、
前記差動回路は複数の薄膜トランジスタをたすきがけ配置していることを特徴とした表示装置。
【請求項２５】
基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、
前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路の出力薄膜トランジスタは、複数の半導体薄膜よりなることを特徴とした表示装置。
【請求項２６】
請求項２５において、前記複数の半導体薄膜の距離は前記半導体薄膜の長辺より大きいことを特徴とした表示装置。
【請求項２７】
基板上に薄膜トランジスタを形成した表示装置において、
前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ処理信号回路の出力薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を複数有し、ソース・ドレイン領域をそれぞれひとつ有する半導体薄膜より構成されることを特徴とした表示装置。
【請求項２８】
請求項２７において、半導体薄膜中の複数の前記チャネル形成領域の距離は、前記チャネル形成領域の幅より大きいことを特徴とした表示装置。
【請求項２９】
基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、
前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、
前記アナログ信号処理回路の出力段を構成する薄膜トランジスタは、複数の半導体薄膜よりなり、且つ、前記複数の半導体薄膜の間に導電膜を配置したことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜半導体素子で構成され、視覚以外の出力デバイスを駆動する電気的信号処理回路を有する表示装置に関し、特にスピーカーを駆動する音声信号処理回路を基板上に一体形成した表示装置に関する。尚、本明細書中で、スピーカーとは、ガラス基板、プラスチック基板、タッチパネルなどの表示装置の部材を振動させて音声を出力する振動子なども含み、電気信号を音声に変換する装置一般を言うこととする。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信技術の進歩に伴って、携帯電話が普及している。今後は更に動画の伝送やより多くの情報伝達が予想される。一方、パーソナルコンピュータもその軽量化によって、モバイル対応の製品が生産されている。電子手帳に始まったＰＤＡと呼ばれる情報端末も多数生産され普及しつつある。また、表示装置の発展により、それらの携帯情報機器のほとんどにはフラットパネルディスプレイが装備されている。
【０００３】
また、アクティブマトリクス型の表示装置の中でも、近年、低温ポリシリコン薄膜トランジスタ（以下薄膜トランジスタをＴＦＴと表記する）を用いた表示装置の製品化が進められている。低温ポリシリコンＴＦＴでは画素だけでなく、画素部の周囲に信号線駆動回路を一体形成することが可能であるため、表示装置の小型化や、高精細化が可能であり、今後はさらに普及が見込まれる。
【０００４】
一方、情報携帯機器には視覚的表示機能だけでなく、その他の出力機能も求められ、特に音声出力機能も求められている。映像表示をおこなうときに、音声が得られているとより効果的に、その映像を見ることができ、より映像を楽しむことなどが可能になる。
【０００５】
ところが、通常の音声出力装置は電気信号をコーンスピーカーなどで音声に変えて出力している。これらのコーンスピーカーは携帯情報機器の中で多くの面積を必要とし、携帯情報機器の小型軽量化の妨げとなっていた。
図２は従来の音声出力機能を備えた携帯情報機器の表示装置周辺の外形図である。基板２０９上に画素部２０４、ソース信号線駆動回路２０２、ゲート信号線駆動回路２０３を一体形成した表示装置に、コーンスピーカー２０７、ＦＰＣ２０５、対向基板２０８、プリント基板２０６上に実装した音声信号処理回路２１０をあわせて、装着している。ここで、上側の図は上面図を示しており、下側の図は側面図を示している。また、下側の図においてソース信号線駆動回路２０２、ゲート信号線駆動回路２０３、画素部２０４は表示の簡略化のために省略している。
【０００６】
コーンスピーカー２０７は外形が大きく、携帯上機器の小型軽量化には向いていなかった。このため、図３に示すような平面スピーカーが開発されつつある。図３は平面スピーカーを備えた携帯情報機器３０１の表示装置周辺の外形図である。基板３０９上に画素部３０４、ソース信号線駆動回路３０２、ゲート信号線駆動回路３０３を一体形成した表示装置に、平面スピーカー３０６、ＦＰＣ３０５、３０８、対向基板３１０、プリント基板３１１上に実装した音声信号処理回路３０７をあわせて、装着している。ここで、上側の図は上面図を示しており、下側の図は側面図を示している。また、下側の図においてソース信号線駆動回路３０２、ゲート信号線駆動回路３０３、画素部３０４は表示の簡略化のために省略している。
【０００７】
このスピーカーは電気信号を振動に変化させ、音声を出力するのは従来のスピーカーと同じであるが、振動させるのはコーンではなく、表示装置などのガラス基板、プラスチック基板、タッチパネルなどである。このような平面スピーカーを用いることによって、従来のコーンスピーカーを用いた携帯情報機器より、小型軽量化を実現することが可能である。
【０００８】
また、図１７は平面スピーカー例である。この例では、筐体１７０１に設置されたタッチパネル１７０２、下側基板１７０５、接着剤１７０６、液晶パネル１７０４をスピーカー１７０３で振動させて音声を出力している。（非特許文献１参照）
【０００９】
【非特許文献１】日経エレクトロニクス、２００２年８月２６日号  ｐ．５２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したような、平面スピーカーは携帯情報機器の小型軽量化には非常に有効な手段であるが、以下のような課題が残っていた。
図３に示すように、平面スピーカー３０６を用いて、スピーカーの駆動をおこなう音声信号処理回路３０７は、従来と同様に、表示装置の外部にプリント基板３１１を配置し、その上にＬＳＩを実装配置していた。そのため、携帯情報機器の小型軽量化を図るためには、まだ不完全なものであった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以上のような問題を解決するため、本発明者らは、表示装置の基板上の薄膜半導体素子、特にポリシリコンＴＦＴを用いて平面スピーカーなどの視覚以外の出力デバイスを駆動することを考えた。ポリシリコンＴＦＴは、アモルファスＴＦＴと異なり、高い駆動能力を有しているため、スピーカーなどを駆動することが可能である。
【００１２】
以下に本発明の構成を示す。
【００１３】
本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記表示装置は視覚以外の出力デバイスを駆動する電気的信号処理回路を有し、前記電気的信号処理回路は前記薄膜半導体素子によって構成されることを特徴としている。
【００１４】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記表示装置は音声信号処理回路を有し、前記音声信号処理回路は前記薄膜半導体素子によって構成されることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記表示装置は音声信号処理回路を有し、前記音声信号処理回路は前記薄膜半導体素子によって構成され、前記音声信号処理回路の出力信号によって、スピーカーを駆動することを特徴としている。
【００１６】
また、上記構成において、前記音声信号処理回路はデジタル信号処理回路を含むことを特徴とている。
【００１７】
また、上記構成において、前記音声信号処理回路はＤ／Ａ変換回路を含むことを特徴としている。
【００１８】
また、上記構成において、前記音声信号処理回路はアナログ信号処理回路を含むことを特徴としている。
【００１９】
また、上記構成において、前記アナログ信号処理回路はオペアンプ回路によって構成されていることを特徴としている。
【００２０】
本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路の出力信号によって、スピーカーを駆動することを特徴としている。
【００２１】
本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は非反転増幅回路と反転増幅回路を有し、前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴としている。
【００２２】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は非反転増幅回路と反転増幅回路を有し、前記非反転増幅回路の入力端子と前記反転増幅回路の入力端子は接続され、前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴としている。
【００２３】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は非反転増幅回路と、反転増幅回路を有し、前記非反転増幅回路の出力端子は、前記反転増幅回路の入力端子に接続され、前記非反転増幅回路の出力信号によってスピーカーの第一の端子を駆動し、前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴としている。
【００２４】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は第一の反転増幅回路と、第二の反転増幅回路を有し、前記第一の反転増幅回路の出力端子は、前記第二の反転増幅回路の入力端子に接続され、前記第一の反転増幅回路の出力信号によってスピーカーの第一の端子を駆動し、前記第二の反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴としている。
【００２５】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は、前置増幅回路と、非反転増幅回路と、反転増幅回路を有し、前記前置増幅回路の出力信号を、前記非反転増幅回路と前記反転増幅回路に入力し、前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴としている。
【００２６】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は、前置増幅回路と、非反転増幅回路と、反転増幅回路を有し、前記前置増幅回路の出力信号を前記非反転増幅回路に入力し、前記非反転増幅回路の出力信号を前記反転増幅回路に入力し、前記非反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、前記反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴としている。
【００２７】
また、本発明は、基板上に薄膜半導体素子を有する表示装置において、前記薄膜半導体素子はアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は、前置増幅回路と、第一の反転増幅回路と、第二の反転増幅回路を有し、前記前置増幅回路の出力信号を、前記第一の反転増幅回路に入力し、前記第一の反転増幅回路の出力信号を、前記第二の反転増幅回路に入力し、前記第一の反転増幅回路の出力信号によって、スピーカーの第一の端子を駆動し、前記第二の反転増幅回路の出力信号によって前記スピーカーの第二の端子を駆動することを特徴としている。
【００２８】
上記構成において、前記非反転増幅回路もしくは前記反転増幅回路はバッファ回路を介して、スピーカーを駆動することを特徴としている。
【００２９】
また、上記構成において、前記アナログ信号処理回路は３０Ｖ未満の電源電圧で駆動されることを特徴としている。
【００３０】
また、上記構成において、前記スピーカーは平面スピーカーであることを特徴としている。
【００３１】
また、上記構成において、前記平面スピーカーは表示装置自体を振動媒体としてなすことを特徴としている。
【００３２】
本発明は、基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は、差動回路と、カレントミラー回路と、定電流源と、ソース接地増幅器と、ソースフォロワとを有し、前記定電流源は前記差動回路を構成する薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、前記差動回路の第一の出力端子は前記カレントミラー回路の出力端子と前記ソース接地増幅器の入力端子に電気的に接続され、前記差動回路の第二の出力端子は前記カレントミラー回路の入力端子に電気的に接続され、前記ソース接地増幅器の出力端子は前記ソースフォロワの入力端子に電気的に接続され、前記ソースフォロワの出力端子は前記アナログ信号処理回路の出力端子に電気的に接続されることを特徴としている。
【００３３】
また、本発明は、基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路は、差動回路と、第一のカレントミラー回路と、第二のカレントミラー回路と、第三のカレントミラー回路と、定電流源とを有し、前記定電流源は前記差動回路を構成する薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続され、前記差動回路の第一の出力端子が前記第一のカレントミラー回路の入力端子に電気的に接続され、前記差動回路の第二の出力端子が前記第二のカレントミラー回路の入力端子に電気的に接続され、前記第一のカレントミラー回路の出力端子が前記アナログ信号処理回路の出力端子と第三のカレントミラー回路の出力端子に電気的に接続され、前記第二のカレントミラー回路の出力端子が前記第三のカレントミラー回路の入力端子に電気的に接続されることを特徴としている。
【００３４】
また、本発明は、基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、前記薄膜トランジスタは差動回路を有するアナログ信号処理回路を構成し、前記差動回路はマルチゲート構造の薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴としている。
【００３５】
また、本発明は基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、前記薄膜トランジスタは差動回路を有するアナログ信号処理回路を構成し、前記差動回路は複数の薄膜トランジスタを並列接続していることを特徴としている。
【００３６】
また、本発明は、基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、前記薄膜トランジスタは差動回路を有するアナログ信号処理回路を構成し、前記差動回路は複数の薄膜トランジスタをたすきがけ配置していることを特徴としている。
【００３７】
また、本発明は、基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路の出力薄膜トランジスタは、複数の半導体薄膜よりなることを特徴としている。
【００３８】
また、上記構成において、前記複数の半導体薄膜の距離は前記半導体薄膜の長辺より大きいことを特徴としている。
【００３９】
本発明は、基板上に薄膜トランジスタを形成した表示装置において、前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ処理信号回路の出力薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を複数有し、ソース・ドレイン領域をそれぞれひとつ有する半導体薄膜より構成されることを特徴としている。
【００４０】
また、上記構成において、半導体薄膜中の複数の前記チャネル形成領域の距離は、前記チャネル形成領域の幅より大きいことを特徴としている。
【００４１】
本発明は、基板上に薄膜トランジスタを有する表示装置において、前記薄膜トランジスタはアナログ信号処理回路を構成し、前記アナログ信号処理回路の出力段を構成する薄膜トランジスタは、複数の半導体薄膜よりなり、且つ、前記複数の半導体薄膜の間に導電膜を配置したことを特徴としている。
【００４２】
以上によって、スピーカーの小型化、音声信号処理回路の表示装置への内蔵化が達成でき、小型かつ軽量で、音声が出力可能な携帯情報機器を実現することができる。
【発明の効果】
【００４３】
従来の音声出力機能を有する携帯情報機器では、コーンスピーカーやそれを駆動する駆動回路の縮小が困難であり、携帯情報機器の大きさを小さくすることができていなかった。
【００４４】
本発明は、スピーカーを平面スピーカーとし、かつスピーカーを駆動する駆動回路を基板上に、薄膜半導体素子、特にＴＦＴを用いて一体形成することによって、体積の小さな音声出力機能を有する表示装置を実現した。本発明によって、音声出力機能を有する携帯情報機器の小型軽量化が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
図１に本発明の表示装置の外形図を示す。本発明の表示装置１０１は、図１に示すように、基板１０９上に、画素部１０４、ソース信号線駆動回路１０２、ゲート信号線駆動回路１０３、音声信号処理回路１０５をＴＦＴで一体形成し、その上に、対向基板１１０を設置している。ここで、図１の上側の図は上面図を示しており、下側の図は側面図を示している。また、下側の図においてソース信号線駆動回路１０２、ゲート信号線駆動回路１０３、画素部１０４、音声信号処理回路１０５は表示の簡略化のために省略している。また、基板１０９上には、平面スピーカー１０６を装着している。平面スピーカー１０６はそれ自体が音声を出さなくとも、基板などを振動させ、音声を出力するものであってもよい。この平面スピーカー１０６はＦＰＣ１０８を介して、音声信号処理回路１０５と電気的に接続されている。外部の音声信号はＦＰＣ１０７を介して、音声信号処理回路１０５に入力され、ＦＰＣ１０８を介して、平面スピーカー１０６に出力される。ここで、基板はガラス基板、プラスチック基板、ステンレス基板、シリコン基板などを使用することができる。
【００４６】
このように、表示装置上に、薄膜トランジスタ、薄膜抵抗、薄膜コンデンサなどの薄膜半導体素子を用いて、電気的信号処理回路、特に音声信号処理回路を一体形成することによって、従来の携帯情報装置において、課題であった視覚以外の出力機能、特に音声出力機能を装着したときの、携帯情報装置の小型軽量化という問題を解決することが可能になる。
【実施例１】
【００４７】
図６に音声信号処理回路のブロック図を示す。図６に示した音声信号処理回路は３つのブロックから構成される。デジタル信号入力端子６０１に入力されたデジタル信号はデジタル信号処理回路６０３によって、演算処理される。ここでの処理は圧縮されたデジタル信号のデコードなどであるが、デコードに限らず、フィルタリングなど他の演算処理を行ってもよい。つぎに、処理の終了したデジタル信号はＤ／Ａ変換回路６０４に入力され、ここでデジタル信号はアナログ信号に変換される。そして、変換されたアナログ信号、もしくは外部から直接アナログ信号入力端子６０２に入力されたアナログ信号はアナログ信号処理回路６０５で増幅され、出力端子６０６より出力され、スピーカーによって、音声出力される。アナログ信号処理回路はオペアンプ回路を用いて、非反転増幅回路、反転増幅回路などを構成するが、オペアンプ回路に限定するものではなく、他の回路であっても良い。
また、デジタル信号処理回路６０３、Ｄ／Ａ変換回路６０４はＬＳＩチップを実装し、アナログ信号処理回路を薄膜半導体素子で基板上に形成してもよい。
【実施例２】
【００４８】
上述したように、アナログ信号処理回路においては、オペアンプ回路でアナログ音声信号の増幅を行うことが多い。図４は薄膜半導体素子、特にＴＦＴを用いて、オペアンプ回路を作製した場合の等価回路図である。このオペアンプは、ＴＦＴ４０１、ＴＦＴ４０２で構成される差動回路、ＴＦＴ４０３、ＴＦＴ４０４で構成されるカレントミラー回路、ＴＦＴ４０５、ＴＦＴ４０９で構成される定電流源、ＴＦＴ４０６で構成されるソース接地回路、ＴＦＴ４０７、ＴＦＴ４０８で構成されるアイドリング回路、ＴＦＴ４１０、ＴＦＴ４１１で構成されるソースフォロワ回路、位相補償コンデンサ４１２より成り立っている。
【００４９】
以下に、図４のオペアンプ回路の動作を説明する。非反転端子に＋信号が入力されると、差動回路を構成するＴＦＴのソースにはＴＦＴ４０５で構成される定電流源が接続されているため、ＴＦＴ４０１のドレイン電流がＴＦＴ４０２のドレイン電流より大きくなり、ＴＦＴ４０３のドレイン電流は、ＴＦＴ４０４とＴＦＴ４０３がカレントミラー回路を構成するため、ＴＦＴ４０２のドレイン電流と同じになり、ＴＦＴ４０３のドレイン電流とＴＦＴ４０１のドレイン電流の差電流によって、ＴＦＴ４０６のゲート電位は低下する方向に変化する。ＴＦＴ４０６はＰ型ＴＦＴであるので、ＴＦＴ４０６のゲート電位が下がると、ＴＦＴ４０６はよりオンする方向に動作し、ドレイン電流が増加する。よって、ＴＦＴ４１０のゲート電位は上昇し、それに伴い、ＴＦＴ４１０のソース電位すなわち、出力端子も上昇する。
【００５０】
また、非反転入力端子に−信号が入力されると、ＴＦＴ４０１のドレイン電流がＴＦＴ４０２のドレイン電流より小さくなり、ＴＦＴ４０３のドレイン電流は、ＴＦＴ４０２のドレイン電流と同じであるため、ＴＦＴ４０３のドレイ電流とＴＦＴ４０１の差電流によって、ＴＦＴ４０６のゲート電位は上昇する方向に変化する。ＴＦＴ４０６はＰ型ＴＦＴであるので、ＴＦＴ４０６のゲート電位が上がると、ＴＦＴ４０６はオフする方向に動作し、ドレイン電流が減少する。よって、ＴＦＴ４１０のゲート電位は低下し、それに伴い、ＴＦＴ４１０のソース電位すなわち、出力端子も低下する。このように非反転入力端子の信号と同相の信号が、出力端子より出力される。
【００５１】
反転入力端子に＋信号が入力されると、ＴＦＴ４０１のドレイン電流がＴＦＴ４０２のドレイン電流より小さくなり、ＴＦＴ４０３のドレイン電流は、ＴＦＴ４０２のドレイン電流と同じであるため、ＴＦＴ４０３のドレイン電流とＴＦＴ４０１の差電流によって、ＴＦＴ４０６のゲート電位は上昇する方向に変化する。ＴＦＴ４０６はＰ型ＴＦＴであるので、ＴＦＴ４０６のゲート電位が上がると、ＴＦＴ４０６はオフする方向に動作し、ドレイン電流が減少する。よって、ＴＦＴ４１０のゲート電位は低下し、それに伴い、ＴＦＴ４１０のソース電位すなわち、出力端子も低下する。
【００５２】
また、反転入力端子に−信号が入力されると、ＴＦＴ４０１のドレイン電流がＴＦＴ４０２のドレイン電流より大きくなり、ＴＦＴ４０３のドレイン電流は、ＴＦＴ４０２のドレイン電流と同じであるため、ＴＦＴ４０３のドレイン電流とＴＦＴ４０１のドレイン電流の差電流によって、ＴＦＴ４０６のゲート電位は低下する方向に変化する。ＴＦＴ４０６はＰ型ＴＦＴであるので、ＴＦＴ４０６のゲート電位が下がると、ＴＦＴ４０６はよりオンする方向に動作し、ドレイン電流が増加する。よって、ＴＦＴ４１０のゲート電位は上昇し、それに伴い、ＴＦＴ４１０のソース電位すなわち、出力端子も上昇する。このようにして、反転入力端子の信号と逆相の信号が出力端子より出力される。
【００５３】
この例では、差動回路をＮｃｈＴＦＴ、カレントミラー回路をＰｃｈＴＦＴで作製しているが、本発明では、それには限定されず逆であっても良い。また、回路形式もこのような回路接続には限定されることはなく、オペアンプ回路としての機能を満たすものであれば使用可能である。
また、本実施例は前述した実施例１と組み合わせて使用することが可能である。
【実施例３】
【００５４】
図５は図４と異なる構成でオペアンプ回路を実現した例である。この例では
オペアンプ回路は、ＴＦＴ５０１、ＴＦＴ５０２で構成される差動回路、ＴＦＴ５０３、ＴＦＴ５０４で構成される第１のカレントミラー回路、ＴＦＴ５０５、ＴＦＴ５０６で構成される第２のカレントミラー回路、ＴＦＴ５０７、ＴＦＴ５０８で構成される第３のカレントミラー回路、ＴＦＴ５０９によって構成される定電流源、位相補償コンデンサ５１０を構成要素として、有している。
【００５５】
以下に動作を説明する。非反転入力端子に＋信号が入力されると、差動回路の共通ソースにはＴＦＴ５０９で構成される定電流源が接続されているため、ＴＦＴ５０１のドレイン電流はＴＦＴ５０２のドレイン電流より大きくなる。ＴＦＴ５０１のドレインは前記第１のカレントミラー回路に接続されているため、ＴＦＴ５０４にはＴＦＴ５０１に比例した電流が流れ、ＴＦＴ５０１のドレイン電流が増加すれば、ＴＦＴ５０４のドレイン電流も増加する。また、ＴＦＴ５０２の電流は減少すると、ＴＦＴ５０２のドレインは第２のカレントミラー回路に接続されているため、ＴＦＴ５０６のドレイン電流も減少する。ＴＦＴ５０６のドレインは第３のカレントミラー回路に接続されているため、ＴＦＴ５０６のドレイン電流が減少すれば、ＴＦＴ５０８のドレイン電流も減少する。以上によって、出力端子の電位は上昇する。
【００５６】
反転入力端子に＋信号が入力されると、ＴＦＴ５０１のドレイン電流はＴＦＴ５０２のドレイン電流より少なくなる。ＴＦＴ５０１のドレインは前記第１のカレントミラー回路に接続されているため、ＴＦＴ５０４にはＴＦＴ５０１に比例した電流が流れ、ＴＦＴ５０１のドレイン電流が減少すれば、ＴＦＴ５０４のドレイン電流も減少する。また、ＴＦＴ５０２の電流が増加すると、ＴＦＴ５０２のドレインは第２のカレントミラー回路に接続されているため、ＴＦＴ５０６のドレイン電流も増加する。ＴＦＴ５０６のドレインは第３のカレントミラー回路に接続されているため、ＴＦＴ５０６のドレイン電流が増加すれば、ＴＦＴ５０８のドレイン電流も増加する。以上によって、出力端子の電位は低下する。
【００５７】
このようにして、非反転端子の信号入力に対して、出力端子には同相の出力信号が、反転入力端子の信号入力には対しては逆相の出力信号が出力される。この例では、出力信号振幅が前述した実施例２で示したオペアンプ回路より大きく取れるという長所がある。ＴＦＴの極性は逆であっても良い。
また、本実施例は前述した実施例１と組み合わせて使用することが可能である。
【実施例４】
【００５８】
図７にアナログ信号処理回路でのスピーカー駆動方法について、説明する。従来の接続においては、図７（Ａ）に示すように、平面スピーカー７０３の２端子のうち、一方の端子を非反転増幅回路７０２に接続し、他方の端子を接地して駆動する場合が多かった。従来のコーンスピーカーを用いて音声を出力する場合には、このような駆動方法を用いても、駆動をすることは可能であったが、平面スピーカーに多く利用される圧電素子を用いたものは素子構成がコーンスピーカーと異なり、高電圧を必要とするという課題があった。すなわち、コーンスピーカーでは１Ｖｒｍｓの振幅でも携帯情報機器に必要な音圧は得られたが、平面スピーカーでは、１０Ｖｒｍｓ程度の電圧振幅が必要となっていた。
【００５９】
そのため、図７（Ａ）の駆動方法ではアナログ信号処理回路７０２の電源電圧は３０Ｖ以上の電圧が必要であった。ところが、駆動デバイスとして、ポリシリコンＴＦＴを使用する場合、このような電圧で回路を駆動するには大きな課題があった。それはポリシリコンＴＦＴ、特にＮｃｈのＴＦＴではドレイン電圧を高く設定すると、ホットキャリアの発生によって、特性が劣化、特に線形領域でのｇｍ（相互コンダクタンス）が著しく劣化するという問題である。そのため、ＴＦＴの構造上工夫がこらされているが、ＴＦＴをあまり劣化させずに駆動できる電圧は、ＬＤＤ構造を使用した場合で１５Ｖ程度、ＧＯＬＤ（ゲートオーバーラップＬＤＤ）を用いた場合でも２５Ｖ程度である。このような問題があるため、図７（Ａ）に示したような駆動方法を前提とした場合、３０Ｖ以上の駆動が必要なため、ポリシリコンＴＦＴではアナログ信号処理回路の実現ができなかった。
【００６０】
よって、発明者らは図７（Ｂ）のようなＢＴＬ（Ｂｒｉｄｇｅｄ  Ｔｒａｎｃｅｆｏｒｍｅｒ  Ｌｅｓｓ）駆動を用いて平面スピーカーを駆動することを考えた。図７（Ｂ）に示すＢＴＬ駆動ではアナログ信号処理回路を非反転増幅回路７０５と反転増幅回路７０６の２つの回路で構成し、平面スピーカー７０７の一方の端子を非反転増幅回路７０５の出力に、他方の端子を反転増幅回路７０６の出力に接続している。このような駆動をすることによって、実質的に２倍の振幅が得られるため、平面スピーカーの駆動振幅は１つの回路でいえば５Ｖｒｍｓで駆動することが可能になる。
【００６１】
したがって、図７（Ｂ）の場合は３０Ｖという電源電圧は必要がなくなり、２０Ｖ以下の電圧で回路を駆動することができ、ポリシリコンＴＦＴを用いてアナログ信号処理回路を構成することが可能になる。
また、本実施例は前述した実施例１〜３と組み合わせて使用することが可能である。
【実施例５】
【００６２】
図８（Ａ）に示すのは、非反転増幅回路８０２と反転増幅回路８０３を用いてＢＴＬ駆動を実現しているが、接続の方法が実施例４とは異なる。入力信号を非反転増幅回路８０２と反転増幅回路８０３の両方に入れるのではなく、非反転増幅回路８０２のみに入力している。反転増幅回路８０３の入力は非反転増幅回路８０２の出力に接続されている。非反転増幅回路８０２はスピーカー８０４の第一の端子と、反転増幅回路８０３の入力を駆動し、反転増幅回路８０３の出力はスピーカー８０４の第二の端子を駆動する。
【００６３】
図８（Ｂ）に示すのは、反転増幅回路８０６と反転増幅回路８０７を用いてＢＴＬ駆動を実現しているが、接続の方法が図７（Ｂ）、図８（Ａ）と異なる。
入力信号は反転増幅回路８０６に入力され、反転増幅回路８０７の入力は、反転増幅回路８０６の出力に接続されている。反転増幅器８０６の出力はスピーカー８０８の第一の端子と反転増幅回路８０７の入力を駆動し、反転増幅回路８０７はスピーカー８０８の第二の端子を駆動している。
また、本実施例は前述した実施例１〜３と組み合わせて使用することが可能である。
【実施例６】
【００６４】
図９は非反転増幅回路９０２と反転増幅回路９０３の後ろにそれぞれバッファ回路９０４、９０５を追加し、バッファ回路９０４の出力でスピーカー９０６の第一の端子を駆動し、バッファ回路９０５の出力でスピーカー９０６の第二の端子を駆動している。このように、バッファ回路を介して、スピーカーを駆動しても良い。図９には、図７（Ｂ）で示した例にバッファ回路を追加しているが、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示した回路にバッファ回路を追加しても良い。
また、本実施例は前述した実施例１〜３と組み合わせて使用することが可能である。
【実施例７】
【００６５】
図１０にアナログ信号処理回路の例をしめす。この回路では電圧増幅率を１００倍に設定したものである。入力信号は１００ｍＶｒｍｓ程度の信号を入力し前置増幅回路１００１でまず５倍に増幅を行う。その出力信号を非反転増幅回路１００２、および反転増幅回路１００３に入力し、それぞれ１０倍に増幅する、そしてそれらの出力端子の間にスピーカー１００４を接続している。
スピーカー１００４の両端には５０倍の信号が発生し、それぞれが逆相であるから、結果として１００倍となる。このように２段構成の増幅回路を用いることで安定な増幅が可能になる。ここで、各増幅回路は実施例２で説明したオペアンプ回路を用いる。ただし、回路構成はそれに限定されず他の回路構成を用いてもかまわない。また、増幅率や増幅率の配分も、上記の数値に限らず他の値であっても良い。
【００６６】
また、図１０の例では、前置増幅回路の出力信号を非反転増幅回路と反転増幅回路に入力したが、前置増幅回路の出力信号を非反転増幅回路に入力し、非反転増幅回路の出力信号を反転増幅回路に入力し、非反転増幅回路の出力端子と、反転増幅回路の出力端子との間にスピーカーを接続しても良い。
【００６７】
あるいは、前置増幅回路の出力信号を第一の反転増幅回路に入力し、第一の反転増幅回路の出力信号を第二の反転増幅回路に入力し、第一の反転増幅回路の出力端子と、第二の反転増幅回路の出力端子との間にスピーカーを接続しても良い。
また、本実施例は前述した実施例と組み合わせて使用することが可能である。
【００６８】
図１８、１９に試作したアンプの特性の測定した結果を示す。この結果は非反転のものを示しており、５０倍のアンプのものである。ここで、ひずみ率は図１８においてＴＨＤ（全高調波ひずみ率）として表されている。
図１８はアンプの入力電圧と出力電圧及び、ひずみ率の関連を示したものである。ここで入力電圧と出力電圧の電圧特性のグラフの傾きは測定器の利得（増幅度）を表しており、入出力間の関係が直線から外れると、出力にひずみを生じる。ここでは入力電圧の増加と共にひずみ率も上昇しているが、ひずみ率が１％となるのは入力電圧が０．０７Ｖｒｍｓの時であり、出力電圧がおよそ３．５Ｖｒｍｓつまり１０Vｐｐとなった時である。これは平面スピーカーの駆動においては実用可能な振幅を得ることができている。
また、図１９に入力周波数と出力電圧の関係を示している。縦軸は増幅器の入力の電圧に対する出力の電圧の比（利得）を表している。ここでは、ひずみがない周波数領域では利得がおよそ３４dB、つまり増幅度が５０倍となっているが、周波数が１０KＨｚから出力電圧が低下しており、約１５ＫＨｚで出力電圧は３０％低下している。これは音声信号の周波数帯域としては十分な帯域であることを示している。
【実施例８】
【００６９】
図１１に示すのは、オペアンプ回路を用いたアナログ信号処理回路の差動回路を構成するＴＦＴの平面図である。図１１（Ａ）は通常の差動回路の配置を示している。ＴＦＴ１１０１とＴＦＴ１１０２は隣接に配置され、共通ソース電極１１０７とドレイン電極１１０５、１１０６、ゲート電極１１０３，１１０４を引き出している。
【００７０】
オペアンプ回路を用いたアナログ信号処理回路では差動回路を構成するＴＦＴのバランスが重要になっている。特にポリシリコンを用いたＴＦＴでは単結晶トランジスタに比べてばらつきが大きいので、その対策は重要なものとなる。図１１（Ｂ）はばらつき対策として、差動回路を構成するＴＦＴを並列構成にしたものである。図１１（Ｂ）では、チャネル形成領域１１１１、１１１８を隣接して配置し、ひとつのＴＦＴとして使用している。また、チャネル形成領域１１１２、１１１９を隣接して配置し、ひとつのＴＦＴとして使用している。ソース電極はチャネル形成領域１１１１、１１１８を共通とし、チャネル形成領域１１１２、１１１９を共通とし、共通ソース１１１７で引き出している。また、チャネル形成領域１１１１、１１１８に対応するドレイン電極１１１５、ゲート電極１１１３を引き出している。チャネル形成領域１１１２、１１１９に対応するドレイン電極１１１６、ゲート電極１１１４を引き出している。このような並列構成にすることによって、ＴＦＴ特性が平均化され、ばらつきは減少する。
【００７１】
図１２（Ａ）に示すのは、差動回路を構成するＴＦＴをダブルゲートＴＦＴとしたものである。ダブルゲートＴＦＴでは、ドレイン電極１２０５、１２０６、ソース電極１２０７は図１１（Ａ）と同じであるが、ゲート電極１２０３、１２０４がそれぞれ二つのチャネル形成領域を有している。このようなダブルゲートＴＦＴにすることによって、ＴＦＴ特性の平均化効果と、１つのＴＦＴにかかるドレイン電圧を低減し、ドレイン電圧変調による電流のずれを低減することができる。ここではダブルゲートを示したが、トリプル以上のゲートを有してもかまわない。
【００７２】
図１２（Ｂ）に示すのは、差動回路を構成するＴＦＴを、たすきがけ配置にしたものである。たすきがけ配置とは、図１２（Ｂ）に示すように、チャネル形成領域１２１１、１２１９を斜向かいに配置し、ゲート配線１２１４、ソース配線１２１７、ドレイン配線１２１５で接続し、ひとつのＴＦＴとして使用している。また、チャネル形成領域１２１２、１２１８を斜向かいに配置し、ゲート配線１２１３、ソース配線１２１７、ドレイン配線１２１６で接続し、ひとつのＴＦＴとして使用している。さらに、チャネル形成領域１２１１とチャネル形成領域１２１９を結ぶ直線と、チャネル形成領域１２１２とチャネル形成領域１２１８を結ぶ直線がクロスするような配置にしている。このような配置にすることによって、不純物ドープの勾配や、レーザー結晶化などのような、位置によるばらつきを低減することが可能になる。これらのばらつき対策はそれぞれを組み合わせて使用することも可能である。
また、本実施例は前述した実施例と組み合わせて使用することが可能である。
【実施例９】
【００７３】
図１３に示すのは、オペアンプ回路を用いたアナログ信号処理回路の出力部分に使用するトランジスタの例である。オペアンプ回路の出力部分はスピーカーなどの負荷を駆動すると、大きな電流を流すため、ゲート幅の大きさを大きくとる必要がある。一般に半導体集積回路では、図１３に示すように、ゲート幅を大きくする場合、面積縮小のため、ソース領域１３０１、１３０３またはドレイン領域１３０２、１３０４を重ね合わせて、トランジスタを小さくする。このようにして、ゲート配線１３０５は変わらないが、ソース・ドレイン領域は縮小が可能である。
ところが、アナログ信号処理回路では、デジタル信号処理回路のように、立ち上がり、立下りだけでなく常時電流が流れている。このため、ＴＦＴは自己発熱によって、温度が上昇する。とくに、熱伝導率の小さいガラス基板などの上に形成したＴＦＴでは温度上昇が顕著であり、信頼性が悪化する。そのため、何らかの放熱対策が必要となる。
【００７４】
図１５に示すのは出力部分を構成するＴＦＴをゲート幅の小さな半導体薄膜１５０４、１５０５、１５０６，１５０７に分割し、且つ、それぞれの半導体薄膜間の距離をとることによって、温度上昇を防止した例である。
ＴＦＴはアイランド１５０４のサイズのものが距離を離して４つ配置されている。ゲート電極１５０２、ソース電極１５０１、ドレイン電極１５０３は各半導体薄膜をつないでいる。ここで、各半導体薄膜の間隔は半導体薄膜の長辺より大きくしたほうが、より効果的に放熱が可能であるため、望ましい。図１５において、半導体薄膜の長辺ａ（ａ＞ｂ）よりも間隔Ｘ、間隔Ｙを大きくとっている。
【００７５】
図１４に示すのは、各半導体薄膜内のチャネル形成領域を細かく分離したものである。ＴＦＴは半導体薄膜１４０４のサイズのものが距離を離して４つ配置されている。ゲート電極１４０２、ソース電極１４０１、ドレイン電極１４０３は各半導体薄膜をつないでいる。各半導体薄膜において、チャネル形成領域は分離されているが、ソース・ドレイン領域は１つずつとなっている。このようにして発熱源となるチャネル形成領域を細分化することによっても、温度上昇を抑えることは可能である。ここで隣接するチャネル形成領域までの距離ｄは細分化されたチャネル形成領域（たとえば１４０５）の幅Ｗより大きい方が、より効果的に放熱が可能であるため望ましい。
【００７６】
図１６に示すのは、図１４に示した実施例に加えて、各半導体薄膜の間にゲート電極１６０２で導電膜１６０４を設けた例である。各半導体薄膜のチャネルで発生した熱を逃がすため、導電膜１６０４を配置している。導電膜はゲート電極材料に限らず、ソース・ドレイン電極材料、またはその他の材料であっても良い。また、形状も図１６の形には限定されない。
このように、出力段のＴＦＴの形状を工夫することによって、放熱効果を高めることができ、ＴＦＴにて、消費電流の大きな回路も、表示装置上に作りこむことが可能になる。
また、本実施例は前述した実施例と組み合わせて使用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の表示装置の外形図。
【図２】従来の表示装置の外形図。
【図３】従来の表示装置の外形図。
【図４】本発明のオペアンプ回路の等価回路図。
【図５】本発明のオペアンプ回路の等価回路図。
【図６】本発明の音声信号処理回路のブロック図
【図７】本発明のアナログ信号処理回路とスピーカーの接続を示した図。
【図８】本発明のアナログ信号処理回路とスピーカーの接続を示した図。
【図９】本発明のアナログ信号処理回路とスピーカーの接続を示した図。
【図１０】本発明のアナログ信号処理回路の実施例を示した図。
【図１１】差動回路の配置を示す図
【図１２】差動回路の配置を示す図
【図１３】オペアンプ回路の出力ＴＦＴを示す図
【図１４】オペアンプ回路の出力ＴＦＴを示す図
【図１５】オペアンプ回路の出力ＴＦＴを示す図
【図１６】オペアンプ回路の出力ＴＦＴを示す図
【図１７】平面スピーカーの例
【図１８】アンプの特性の測定結果を示す図
【図１９】アンプの特性の測定結果を示す図
【図１】
2004173264.tif 000003
【図２】
2004173264.tif 000004
【図３】
2004173264.tif 000005
【図４】
2004173264.tif 000006
【図５】
2004173264.tif 000007
【図６】
2004173264.tif 000008
【図７】
2004173264.tif 000009
【図８】
2004173264.tif 000010
【図９】
2004173264.tif 000011
【図１０】
2004173264.tif 000012
【図１１】
2004173264.tif 000013
【図１２】
2004173264.tif 000014
【図１３】
2004173264.tif 000015
【図１４】
2004173264.tif 000016
【図１５】
2004173264.tif 000017
【図１６】
2004173264.tif 000018
【図１７】
2004173264.tif 000019
【図１８】
2004173264.tif 000020
【図１９】
2004173264.tif 000021