(57)【要約】【課題】  本発明は、面抵抗のばらつきが少なく、耐酸性、密着性の優れたスズ濃度の異なる酸化インジウム多層積層体及びその工業的製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の金属酸化物層が形成されている透明導電性積層体において、外界と接触する最外層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層または酸化スズ膜であり、該最外層と基板の間にスズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層を少なくとも１層有し、スズを含む酸化インジウム各層中のスズ濃度が、各層の深さ方向に一定であることを特徴とする透明導電性積層体。【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の金属酸化物層が形成されている透明導電性積層体において、外界と接触する最外層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層または酸化スズ膜であり、該最外層と基板の間にスズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層を少なくとも１層有し、スズを含む酸化インジウム各層中のスズ濃度が、各層の深さ方向に一定であることを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項２】
透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の金属酸化物層が形成されている透明導電性積層体において、外界と接触する最外層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層であり、該最外層と基板の間にスズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層を少なくとも１層有し、該酸化インジウム各層が、スプレー熱分解法で製造されていること特徴とする透明導電性積層体。
【請求項３】
最外層と基板にの間の層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層と、スズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層が交互に積層した層であることを特徴とする請求項１または２に記載の透明導電性積層体。
【請求項４】
スプレー熱分解法が、パイロゾルプロセスであることを特徴とする請求項２または３に記載の透明導電性積層体。
【請求項５】
透明な基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項６】
透明導電性積層体の仕事関数が５ｅＶ以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項７】
透明導電性積層体の比抵抗が、１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の透明導電性積層体。
【請求項８】
透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の金属酸化物層が形成されている透明導電性積層体において、外界と接触する最外層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層または酸化スズ膜であり、仕事関数が５ｅＶ以上であることを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項９】
透明導電性積層体の比抵抗が、１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の透明導電性積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性積層体に関し、より詳しくは有機ＥＬ用等の透明電極に好適に使用できる、低抵抗で耐薬品性に優れた透明導電性積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
低抵抗で耐薬品性に優れた透明導電性積層体として、例えば、透明高分子フィルム（Ａ）の一方の主面に、少なくとも、スズを３〜８重量％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層（Ｂ）と、スズを１０〜５０重量％含有するインジウム酸化物からなる透明導電層（Ｃ）とを、ＡＢＣなる構成で形成してなる透明導電性フィルムをスパッタリング法で成膜できることが知られている。（特許文献１を参照）
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１７４７４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、スパッタリング法で、スズ濃度の異なる多層積層体を工業的に製造するのは、技術的に困難であるという問題があった。また、スパッタリング法では、層内のスズ濃度が深さ方向に一定にならないため、多層構造とした場合に、面抵抗のばらつきが大きいという問題があった。さらに、表面に異常突起があったり、表面平滑性が高いため、層間で剥離しやすいという問題もあった。
本発明は、面抵抗のばらつきが少なく、耐酸性、密着性の優れたスズ濃度の異なる酸化インジウム多層積層体及びその工業的製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、パイロゾルプロセスに代表されるスプレー熱分解法を用いた成膜すれば、溶液中のスズ濃度を適宜変更するだけ、スズ濃度の異なる酸化インジウム多層積層体を、容易にしかも大量に製造でき、しかも、面抵抗のばらつきも少なく、耐酸性にも優れていいることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明は、
（１）透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の金属酸化物層が形成されている透明導電性積層体において、外界と接触する最外層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層または酸化スズ膜であり、該最外層と基板の間にスズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層を少なくとも１層有し、スズを含む酸化インジウム各層中のスズ濃度が、各層の深さ方向に一定であることを特徴とする透明導電性積層体に関し
、（２）透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の金属酸化物層が形成されている透明導電性積層体において、外界と接触する最外層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層であり、該最外層と基板の間にスズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層を少なくとも１層有し、該酸化インジウム各層が、スプレー熱分解法で製造されていること特徴とする透明導電性積層体に関し、
（３）最外層と基板にの間の層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層と、スズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層が交互に積層した層であることを特徴とする（１）または（２）に記載の透明導電性積層体、
（４）スプレー熱分解法が、パイロゾルプロセスであることを特徴とする（２）または（３）に記載の透明導電性積層体、
（５）透明な基板が、ガラス基板であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の透明導電性積層体、
（６）透明導電性積層体の仕事関数が５ｅＶ以上であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の透明導電性積層体、
（７）透明導電性積層体の比抵抗が、１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の透明導電性積層体に関する。
【０００７】
さらに
（８）透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の金属酸化物層が形成されている透明導電性積層体において、外界と接触する最外層が、スズをインジウムに対して２０重量％以上含む酸化インジウム層または酸化スズ膜であり、仕事関数が５ｅＶ以上であることを特徴とする透明導電性積層体に関し、
（９）透明導電性積層体の比抵抗が、１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする（８）に記載の透明導電性積層体に関する。
【発明の効果】
【０００８】
パイロゾルプロセス等を用いて本発明の透明導電性積層体を製造することにより、
（ｉ）ドープするスズの含有量を、用いる溶液の組成比を変化させることにより、容易に設定できる、
（ｉｉ）ドープするスズの含有量の異なるＩＴＯ層を任意にその順番を設定して積層することができ、シート抵抗値等の物性を任意に制御することができる、
（ｉｉｉ）層中の深さ方向のスズ濃度を一定に保てることにより、面内のシート抵抗値のばらつきを小さくすることができる、
（ｉｖ）層間の密着性を向上させることができる、
等の利点があり、所望の物性、及び耐酸性を有する透明導電性積層体を、工業的に大量に製造することができる。耐酸性を有する透明導電性積層体は、有機ＥＬ素子等の電極として有用であり、本発明の産業上の利用価値は高いといえる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の透明導電性積層体は、透明な基板の少なくとも一方の面に、少なくとも二層の金属酸化物層が形成され、外界と接触する最外層が、インジウムに対してスズを２０重量％以上含む酸化インジウム層または酸化スズ層であり、該最外層と基板の間にインジウムに対してスズを３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層を少なくとも一層有し、スズを含む酸化インジウム各層中のスズ濃度が、各層の深さ方向に一定であることを特徴とする。
【００１０】
最外層のスズ含有量は、インジウムに対して２０重量％以上であれば、特に限定されず酸化スズ層であってもよい。２０重量％未満では、充分な耐酸性が得られない。また、層の厚みは、特に限定はされないが、２０〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
最外層と基板間に形成される層は、その内の少なくとも１層が、スズをインジウムに対して３〜１０重量％の範囲で含む酸化インジウム層であれば、全体として一定の比抵抗値と透明性を有する膜を形成できる層であれば特に制限されず、金属層、フッ素をドープした酸化スズ層、アンチモンをドープした酸化スズ層、ガリウムをドープした酸化亜鉛層、アルミニウムをドープした酸化亜鉛層、インジウムをドープした酸化亜鉛層等であってもよい。
【００１１】
また、スズをドープした酸化インジウム層を複数層積層する場合には、各層は上記条件を満たせば、各層のスズの含有量は特に制限されず、徐々にスズの含有量を増やした、または減らした酸化インジウム層を基板から最外層に向けて積層する、異なるスズ含有量の酸化インジウム層をランダムに積層する、または２種の異なるスズ含有量の酸化インジウム層を交互に積層する、いずれの態様であっても構わない。また、層の厚みは、特に限定はされないが、２０〜２００ｎｍの範囲が好ましい。
【００１２】
本発明の積層体を構成するスズがドープされた各層は、スズ原子が、層の深さ方向に一定の値で分布することを特徴とする。この場合、一定とは、インジウム・スズ原子比が、深さ方向に傾斜せず、各深さにおけるインジウム・スズ原子比が１０％以内の誤差範囲に納まっている状態を表す。スズ原子濃度が一定となることにより、比抵抗値のばらつきが減り、層間の密着性が向上する。
【００１３】
本発明の積層体の製造方法としては、基板上に薄膜を成膜する方法であれば特に制限されず、具体的には、スパッター法、電子ビーム法、イオンプレーテイング法または化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、スプレー熱分解法等を例示することができるが、特にスプレー熱分解法を好ましく、なかでもパイロゾルプロセスを特に好ましく例示することができる。
【００１４】
スプレー熱分解法等に用いるインジウム化合物としては、熱分解して酸化インジウムになる物質が好ましく、具体的には、インジウムトリスアセチルアセトナート（Ｉｎ（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）3）、インジウムトリスベンゾイルメタネート（Ｉｎ（Ｃ6Ｈ5ＣＯＣＨＣＯＣ6Ｈ5）3）、三塩化インジウム（ＩｎＣｌ3）、硝酸インジウム（Ｉｎ（ＮＯ3）3）、インジウムトリイソプロポキシド（Ｉｎ（ＯＰｒ−ｉ）3）等を例示することができる。これらのうち、特にインジウムトリスアセチルアセトナートを好ましく使用することができる。
【００１５】
また、スズ化合物としては、熱分解して酸化第２スズになるものを好ましく用いることができ、具体的には、塩化第２スズ、ジメチルスズジクロライド、ジブチルスズジクロライド、テトラブチルスズ、スタニアスオクトエート（Ｓｎ（ＯＣＯＣ7Ｈ15）2）、ジブチルスズマレエート、ジブチルズズジアセテート、ジブチルスズビスアセチルアセトナート等を挙げることができる。
【００１６】
なお、前記インジウム化合物及びスズ化合物に加えて、第３成分として、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の周期律表第２族元素、Ｓｃ、Ｙ等の第３族元素、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ等のランタノイド、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の第４族元素、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ等の第５族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の第６族元素、Ｍｎ等の第７族元素、Ｃｏ等の第９族元素、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ等の第１０族元素、Ｃｕ、Ａｇ等の第１１族元素、Ｚｎ、Ｃｄ等の第１２族元素、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ等の第１３族元素、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の第１４族元素、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等の第１５族元素、Ｓｅ、Ｔｅ等の第１６族元素等の単体若しくはこれらの化合物を添加してＩＴＯ膜を形成することも好ましい。
【００１７】
これらの元素の添加割合は、インジウムに対して、０．０５〜２０原子％程度が好ましく、添加元素によって添加割合は異なり、目的とする抵抗値にあった元素及び添加量を適宜選定することができる。
【００１８】
スプレー熱分解法によりガラス基板上にＩＴＯ膜を成膜する方法としては、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルブチルケトン、アセチルアセトン等ケトン類等の有機溶媒に上位例示したインジウム化合物及びスズ化合物を溶解させて混合溶液とした後、該混合溶液をキャリアガス中に微粒子化して分散させ、予め４００〜７５０℃、好ましくは、４００〜５５０℃に加熱したガラス基板と常圧下接触させる方法により製造することができる。該混合溶液の微粒子化は、超音波霧化法、スプレー法等によって行うことができ、均一な粒径の微粒子を安定して発生させることができる超音波霧化法が好ましい。キャリアガスとしては、酸化性ガス、通常、空気が使用される。
微粒子化した溶液をガラス基板に接触させる工程を複数連続させ、各工程において、ドープするスズの含有量を変化させることにより、異なるスズ含有量の酸化インジウム層を連続して大量に製造することができる。
【００１９】
上記スプレー熱分解法を用いた場合、該混合溶液の微粒子と加熱されたガラス基板との接触により、ガラス基板上にＩＴＯ膜組成を有する結晶核が生成し、その核が成長するにつれて隣接する核と接触し、その接触核は相互に拘束されるため成長は基板面に対して垂直方向が主流となり、その結果配向した柱状単結晶の複合体であるＩＴＯ膜が得られやすくなる。
【００２０】
膜成膜後に所望により加熱処理を行うことができる。加熱処理の温度としては、好ましくは１００〜５５０℃、より好ましくは１５０〜３００℃の範囲が好ましく、その処理時間は、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．３〜１時間が好ましい。処理雰囲気としては、大気、窒素、酸素、水素添加窒素雰囲気、有機溶媒添加大気もしくは窒素雰囲気等が好ましい。
【００２１】
また、本発明の積層体は、θ／２θ法によるＸ線回折で（４００）／（２２２）の回折強度比が１．０以上である結晶質導電膜であるのが好ましい。
本発明の結晶質導電膜からなる積層体は、Ｘ線回折で主配向面として（４００）が検出されればよく、この他の配向として（２２２）、（２１１）、（４１１）等が前記主配向より少ないレベルで検出されてもよい。主配向率をθ／２θ法によるＸ線回折強度で（４００）／（２２２）比で表すと、その比が１．０以上のものが好ましい。１．０未満では、１．０以上の本発明のＥＬ素子に比して駆動電圧が高くなり、同じ駆動電圧において輝度が低くなる。１．０以上であれば、特に制限されず、（２２２）面の回折強度は０でも構わない。
【００２２】
また、本発明の積層体を構成する各層の表面は、微細な凹凸がある方が好ましく、さらに凹凸が均一に分布している表面であるのが好ましい。表面凹凸の均一性を評価する指標として、例えば表面の突起数を用いた場合、１μｍ角領域内に存在する５〜３０ｎｍの突起数が１００個以上であることが好ましい。この場合の突起数は、１μｍ角領域内に存在する５〜３０ｎｍの突起の数の平均値を意味する。尚、この場合、突起とは、ＡＦＣ（原子間力顕微鏡）、ＳＴＭ（走査型透過方顕微鏡）、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）等を用いて表面を測定した場合にその得られる画像上で明らかに隆起して突起と認められるものを突起といい、突起の長さは、結晶質導電膜表面の表面粗さの断面曲線の谷における最も低い標高の所から測定した値のことである。突起の形状は、特に限定されないが、突起最上部が鋭角でない形状が好ましい。
膜の透過率は、光全線透過率で８０％以上、さらに、光直線透過率で８０％以上であるのが好ましい。
【００２３】
基板材料としては、ガラスや石英、樹脂、セラミック、金属等の材料を用いることが好ましい。なかでも、安価で、入手しやすく、光透過性やその他の物性面で優れたガラス基板、または樹脂基板が好ましく、特にガラス基板が好ましい。
【００２４】
ガラス基板は、アルカリガラスと、無アルカリガラスとに大別できる。アルカリガラスは、安価であり、入手が容易なためコスト的メリットが大きいが、アルカリ金属酸化物を１３〜１４％程度含有し、これらのアルカリ金属からの汚染を防止する対策が必要であること、耐熱性に劣る等の欠点を有する。一方、無アルカリガラスは、アルカリ金属の汚染の心配がなく、ある程度の耐熱性を有するが、比較的高価である。
【００２５】
アルカリガラスとしては、例えばＳｉＯ2：７２重量％、Ａｌ2Ｏ3：２重量％、ＣａＯ：８重量％、ＭｇＯ：４重量％、Ｎａ2Ｏ：１３．５重量％の組成のソーダ石灰ガラス等を例示でき、無アルカリガラスとしては、例えばＳｉＯ2：４９重量％、Ａｌ2Ｏ3：１０重量％、Ｂ2Ｏ3：１５重量％、ＢａＯ：２５重量％の組成のホウケイ酸（７０５９）ガラスや、ＳｉＯ2：５３重量％、Ａｌ2Ｏ3：１１重量％、Ｂ2Ｏ3：１１重量％、ＣａＯ：２重量％、ＭｇＯ：２重量％、ＢａＯ：１５重量％、ＺｎＯ：６重量％の組成のホウケイ酸（ＡＮ）ガラス、ＳｉＯ2：５４重量％、Ａｌ2Ｏ3：１４重量％、Ｂ2Ｏ3：１５重量％、ＭｇＯ：２５重量％の組成のホウケイ酸（ＮＡ−４０）ガラス等を例示することができる。
【００２６】
これらのガラス等の基板の表面粗さとしては、平均表面粗さＲａ≦１０ｎｍ、最大表面粗さＲｍａｘ≦５０ｎｍが好ましい。特に、アルカリガラスを用いた基板では、平均表面粗さＲａ≦１０ｎｍ、最大表面粗さＲｍａｘ≦５０ｎｍ、無アルカリガラスを用いた基板では、平均表面粗さＲａ≦５、最大表面粗さＲｍａｘ≦２０ｎｍが好ましい。その下限値としては特に規制されるものではないが、通常、平均表面粗さＲａ≧０．１ｎｍ、最大表面粗さＲｍａｘ≧０．５ｎｍ程度である。
【００２７】
ガラス基板の表面粗さを上記範囲内に調整する方法としては、ダイヤモンド、酸化セリウム等を用いた鏡面研磨等すればよい。
【００２８】
なお、アルカリガラスを用いる場合、基板からのアルカリ金属成分等による汚染を防止するため、基板上にＳｉＯ2等のバリア層を形成した後、ＩＴＯ等の導電膜を形成するようにするとよい。バリア層は蒸着法、スパッタ法等で形成することができ、その膜厚としては、５〜５０ｎｍ程度が好ましい。なお、バリア層を形成する場合、アルカリガラスは、平均表面粗さＲａ≦１０ｎｍ、最大表面粗さＲｍａｘ≦５０ｎｍ程度でよい。
【００２９】
以下、本発明を実施例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明の範囲は実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００３０】
パイロゾル法によりガラス基板にＩＴＯ膜を作成した。重量比でインジウムに対して５％、２５％、及び３５％のスズ原子を含む塩化第２スズ−インジウムアセチルアセトンのアセチルアセトン溶液をインジウム化合物の濃度が０．２モル／ｌになるようにぞれぞれ調製した（５％：溶液（Ｉ）、２５％：溶液（ＩＩ）、３５％：溶液（ＩＩＩ））。また、塩化第２スズの０．０５モル／ｌの溶液を調製した（溶液（ＩＶ））。膜を形成する基板として、表１に示す所定の膜厚を有するＳｉＯ2膜（膜厚５０ｎｍ）をプレコートしたアルカリガラス基板（４００×４００×１．１ｍｍ）を用いた。５００℃に加熱したコンベアー炉を５基（炉（Ｉ）〜（Ｖ））連結し、該基板をその中にベルトコンベアーで投入し、各調製した溶液を表１示す各炉に用い、超音波で霧滴状にして空気をキャリアガスとしてコンベアー炉の中に吹き込み、ガラス基板の表面に接触させて熱分解させることにより、濃度の異なるインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）層の積層体を連続的に形成した。（サンプル１〜５）
サンプル１〜４につき、ＥＳＣＡを用いて積層体中のスズ濃度を測定した。その結果を図１に示す。
各サンプル１〜５を、５Ｎ塩酸溶液、または５Ｎ硫酸溶液に浸漬し、表面が導通しなくなるまでの時間を測定した。その結果をまとめて表１に示す。
【００３１】
（比較例１）
溶液（Ｉ）のみを用い、実施例１と同様に積層体を形成し、同様に耐酸性を測定した。その結果を表１に示す。
尚、シート抵抗値は、４端子法により、面内の２５点を測定しその平均値より求めた。また、可視光透過率（５５０ｎｍ）は、Ｕ４０００（日立社製）を用い、膜厚は、エリプソメータ（アイメックス社製ＳＥ８００）を用いてそれぞれ測定した。
【００３２】
【表１】
2004322628.tif 000002
表１より、本発明のサンプル１〜４は、比較例に比して、耐酸性が向上してし
ていることがわかった。
【実施例２】
【００３３】
パイロゾル法によりガラス基板にＩＴＯ膜を作成した。重量比でインジウムに対して５％のスズ原子を含む塩化第２スズ−インジウムアセチルアセトンのアセチルアセトン溶液をインジウム化合物の濃度が０．２モル／ｌになるように調製した。また、塩化第２スズの０．０５モル／ｌの溶液を調製した。膜を形成する基板として、ＳｉＯ2膜（膜厚５０ｎｍ）をプレコートしたアルカリガラス基板（４００×４００×１．１ｍｍ）を用いた。５００℃に加熱したコンベアー炉５基を連結し、該基板をその中に５０ｃｍ／分の速度のベルトコンベアーで投入し、第１基〜第４基において、塩化第２スズ−インジウムアセチルアセトンのアセチルアセトン溶液を、第５基において塩化第２スズ溶液を、超音波で霧滴状にして空気をキャリアガスとしてコンベアー炉の中に吹き込み、ガラス基板の表面に接触させて熱分解させることにより、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）層及び酸化スズの積層体を形成した。
【００３４】
シート抵抗値、可視光透過率、膜厚は、実施例１と同様にして測定した。また、仕事関数は、大気中紫外光表面分析装置（理研計器社製、ＡＣ−２）を用いて測定し、ホール移動度、キャリア密度は、ホール効果測定装置を用いて測定し、表面の最大高低差（Ｒｍａｘ）は、ＡＦＭ（セイコーインスツルメント社製Ｎｏｎｐｉｃｓ）を用いて測定した。その結果をまとめて表２に示す。尚、仕事関数測定において、積層体成膜後、表面処理を行わずに測定した。
【００３５】
【表２】
2004322628.tif 000003
【００３６】
また、得られた積層体に、５０℃の水：塩酸：硝酸＝１：１：００８（容量）の溶液を滴下し、エッチングを行おうとしたが、エッチングすることができなかった。積層体上に亜鉛粉末を塗布した後に同様の処理を行うことでエッチングすることができた。
【００３７】
また、得られた上記積層体を、ＰＥＤＯＴ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン））とＰＳＳ（ポリ（スルホン酸スチレン））をモル比１：６で含む固形分１．５重量％の溶液（Ｂａｙｔｏｒｏｎ  ＡＩ４０８３）に、４時間、室温で浸漬したのち、溶液中のインジウム金属をＩＣＰ−ＡＥＳで分析したところ、インジウム原子は、検出限界以下であった。このことより、本発明の積層体は、酸性度の高い層を上層に設けたとしても、インジウム金属が溶出しない特徴を有していることが判った。
【００３８】
＜耐熱試験＞
上記得られた積層体を、１５０℃で２４０時間加熱した前後、及び３００℃で１時間加熱した前後で比抵抗値を測定したところ、ほとんど変化は見られなかった。また、３５０℃で１時間加熱した前後で可視光透過率を測定したところ、変化は見られなかった。
【００３９】
＜耐湿熱試験＞
上記得られた積層体を、１２０℃、湿度１００％の環境下に７２時間放置した前後で比抵抗値を測定したところ、ほとんど変化は見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例１におけるサンプル１〜４のＥＳＣＡスペクトルを表す。
【図１】
2004322628.tif 000004