(57)【要約】【課題】バンプ形成の際、ウェハの裏面にめっきが形成されることがない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】バリアメタル４をスパッタリング等で形成後にウェハ１のバックグラインドを実施し、その後、半導体電極２上を開口したバンプレジスト５を形成し、めっき工程でバンプ６を形成する。バリアメタル４を形成後にウェハ１のバックグラインドを実施することで、ウェハ１裏面に発生した、廻り込みバリアメタル部分４−１を除去することができるため、その後のめっき工程で、ウェハ１裏面に電流が供給されることがなく、ウェハ１裏面にバンプ６と同材料のめっきが形成されるのを防ぐことができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの少なくとも電極上にバリアメタルを形成する工程と、前記バリアメタルを形成後に前記半導体ウェハの裏面を研削する工程と、前記半導体ウェハの裏面を研削後に前記電極の部分に形成された前記バリアメタル上にバンプをめっき形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
バリアメタルを形成する工程では、半導体ウェハの裏面に前記バリアメタルが回り込んで形成され、前記半導体ウェハの裏面を研削する工程では、前記半導体ウェハの裏面に回りこんで形成された前記バリアメタルが削り取られることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法、特にバンプ形成において用いられる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置の製造方法、特にバンプ形成について従来の方法（例えば、非特許文献１参照）について説明する。
【０００３】
図３は従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図であり、１は半導体ウェハ（以下「ウェハ」）、２は半導体電極、３は表面保護膜、４はバリアメタル、５はバンプレジスト、６はバンプである。
【０００４】
まず、ウエハ１に半導体装置の内部回路を形成するとともに、外部電極パッドである半導体電極２をＡＬ（アルミニウム）などで形成する。そして全面を表面保護膜３で覆った後、半導体電極２上を開口する（図３（Ａ））。通常、表面保護膜３は、窒化膜などを使用する。
【０００５】
その後、ウェハ１の厚みを調整する為、狙いの厚みまで、ウェハ１のバックグラインドを行う（図３（Ｂ））。
【０００６】
次に、ウェハ１上の全面にバリアメタル４をスパッタリング等で蒸着する（図３（Ｃ））。このバリアメタル４はバンプ６をめっき方式で形成する場合、電極として用いる。バリアメタル４は通常、２層に分けて蒸着され、１層目は半導体電極２に近い材質、２層目はバンプ６に近い材質が用いられる。
【０００７】
次に、このバリアメタル４の上にバンプレジスト５を塗布し、バンプ６を形成する部分のみ、露光工程で除く（図３（Ｄ））。通常、バンプレジスト５は、形成するバンプ高さより、５μｍ程度高めにして形成する。
【０００８】
次に、めっき工程で、バンプ６の形成を行う（図３（Ｅ））。めっき方式としては、通常、高膜厚のめっきを行う場合は、電解めっきで行う。また、電解をかけずに、めっきを行う無電解めっき方式もある。
【０００９】
次に、バンプレジスト５を除去する（図３（Ｆ））。
【００１０】
次に、エッチング工程で、バリアメタル４の不要な部分を除去する。エッチングはバリアメタル４が２層で形成された場合は、バリアメタル４の材質により、２回に分けて行う。最後にアニ−ル等を行い、バンプ形成が完了する（図３（Ｇ））。
【００１１】
【非特許文献１】
畑田賢造著「ＴＡＢ技術入門」工業調査会発行、ｐ．７７−８１
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の製造方法では、バリアメタル４を形成する際、ウェハ１裏面にバリアメタル４が廻り込んでしまい（図３（Ｃ））、その廻り込みバリアメタル部分４−１に、後のめっき工程で、廻り込んだめっき液により、めっきが形成されてしまう（廻り込みめっき部分６−１）恐れがある（図３（Ｅ））。
【００１３】
このことで、バンプ形成後の後工程であるダイシング工程に不具合を与えたり、チップ状態にした場合、チップ裏面に廻り込みめっき部分６−１があるため、平行度が取れずに、不具合が発生してしまう。
【００１４】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、バンプ形成の際、ウェハの裏面にめっきが形成されることがない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの少なくとも電極上にバリアメタルを形成する工程と、バリアメタルを形成後に半導体ウェハの裏面を研削する工程と、半導体ウェハの裏面を研削後に電極の部分に形成されたバリアメタル上にバンプをめっき形成する工程とを含んでいる。
【００１６】
また、請求項２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、バリアメタルを形成する工程では、半導体ウェハの裏面にバリアメタルが回り込んで形成され、半導体ウェハの裏面を研削する工程では、半導体ウェハの裏面に回りこんで形成されたバリアメタルが削り取られることを特徴とする。
【００１７】
以上の本発明の半導体装置の製造方法によれば、バリアメタルを形成後に半導体ウェハの裏面を研削することにより半導体ウェハの裏面に形成されたバリアメタルを削り取ることができ、その後でバリアメタル上にバンプをめっき形成するため、半導体ウェハの裏面にバンプと同材料のめっき部分が形成されるのを防ぐことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
図１は本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図であり、１は半導体ウェハ（以下「ウェハ」）、２は半導体電極、３は表面保護膜、４はバリアメタル、５はバンプレジスト、６はバンプである。また、図２は本発明の実施の形態で用いる噴流式めっき装置について示すものであり、７はめっきカップ、８はめっきポンプ、９はめっき液である。
【００２０】
まず、ウエハ１に半導体装置の内部回路を形成するとともに、外部電極パッドである半導体電極２を形成する。通常、この半導体電極２はＡＬで形成される。
また、マイグレーション対策の為、Ｃｕ等を混ぜる場合もある。その後、表面保護膜３でウエハ１上の全体を覆い、その後、エッチング等で、半導体電極２上を開口する（図１（Ａ））。表面保護膜３の材料としては、Ｐｌ（プラズマ）−ＳｉＮやポリイミド等の絶縁膜が用いられる。
【００２１】
その後、従来はここで実施していた、ウェハ１の厚み調整であるバックグラインド工程を省く。
【００２２】
そして、ウエハ１上の全面にバリアメタル４をスパッタリング等で形成する（図１（Ｂ））。バリアメタル４は半導体電極２の材質により、２層で形成される。半導体電極２の材質がＡＬの場合は、バリアメタル１層目としては、ＡＬに近い金属であるＴｉやＴｉＷ等が用いられる。また、バリアメタル２層目としては、バンプ６の材質がＡｕの場合は、Ａｕに近い金属であるＰｄやＣｕ、またはＡｕが使用される。この理由としては、半導体電極２のＡＬ上に直接ＰｄやＣｕやＡｕを形成すると、半導体電極２のＡＬとバリアメタル４との強度が非常に弱くなるからであり、また、ＴｉやＴｉＷ上にバンプ６を形成すると、バリアメタル４とバンプ６との強度が非常に弱くなるからである。この際、従来例でも述べた通り、スパッタリング装置の構造上、ウェハ１裏面にバリアメタル４が廻り込み、廻り込みバリアメタル部分４−１が形成される。
【００２３】
その後、バックグラインドで、ウェハ１の厚み調整を行う。通常、ウェハ１の表面が傷つかないように、拡散層や半導体電極２がある部分にバックグラインド保護シートを貼り、ウェハ１裏面を削る。この際、廻り込みバリアメタル部分４−１も同時に削る（図１（Ｃ））。
【００２４】
その後、ウエハ１上の全面にバンプレジスト５を塗布し、バンプ６を形成する部分をマスク工程で除去する（図１（Ｄ））。この際、バンプ６を１０μｍ形成する場合はバンプレジスト５の膜厚はバンプ６の高さより厚い、１５μｍ程度で形成する。その為、通常使用するレジストより、粘度の高いものを使用する。
【００２５】
その後、めっき工程でバンプ６を形成する（図１（Ｅ））。めっきは通常、電解めっき、すなわち、バリアメタル４に電流を供給し、バリアメタル４をマイナス帯電させ、めっき液中の金属イオンであるＡｕやＣｕなどをバリアメタル４上にめっきする方法を採っている。
【００２６】
このめっき工程は通常、図２に示す噴流式めっき装置を用いて行う。ウェハ１の表面が下になるようにしてめっきカップ７の上に置き、めっきポンプ８を用いて、めっき液９をウェハ１に噴出させる。また、同時に、ウェハ１に先に述べた電流供給を行う。この際、ウェハ１裏面にめっき液９が廻り込む場合があるが、前工程のバックグラインド工程で、廻り込みバリアメタル部分４−１を除去している為、ウェハ１表面側のバリアメタル４のみに電流が供給され、ウェハ１裏面には一切、電流は供給されない。すなわちウェハ１裏面にめっきが形成されることはない。
【００２７】
その後、バンプレジスト５を除去する（図１（Ｆ））。
【００２８】
その後、バリアメタル４の不要な部分をエッチングで除去し、アニール等を行いバンプ形成が完了する（図１（Ｇ））。
【００２９】
以上のように本実施の形態によれば、バリアメタル４をスパッタリング等で形成後にウェハ１のバックグラインドを実施することで、ウェハ１裏面に発生した、廻り込みバリアメタル部分４−１を除去することができるため、その後のめっき工程で、ウェハ１裏面に電流が供給されることがなく、ウェハ１裏面にバンプ６と同材料のめっきが形成されることを防ぐことができる。
【００３０】
【発明の効果】
以上のように本発明の半導体装置の製造方法によれば、バリアメタルを形成後に半導体ウェハの裏面を研削することにより半導体ウェハの裏面に形成されたバリアメタルを削り取ることができ、その後でバリアメタル上にバンプをめっき形成するため、半導体ウェハの裏面にバンプと同材料のめっき部分が形成されるのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】本発明の実施の形態で用いる噴流式めっき装置の概略図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１  半導体ウェハ
２  半導体電極
３  表面保護膜
４  バリアメタル
５  バンプレジスト
６  バンプ
７  めっきカップ
８  めっきポンプ
９  めっき液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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