(57)【要約】【課題】質を低下させることなく、製造ラインの大型化およびこれに伴うコストの上昇を防止し得る表示装置、電子機器、並びに表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板５０１上に、電極５１１および光機能層５１０を有する素子層２０が形成された表示装置１０であって、基板５０１は、非可逆性の伸張性材料で構成されており、素子層２０は、伸縮性材料で構成されていると共に、基板５０１に対する接着性を有しているものである。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、
前記基板は、非可逆性の伸張性材料で構成されており、
前記素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、前記基板に対する接着性を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、
前記基板は、熱エネルギーにより収縮性を発揮する熱収縮性材料、または光エネルギーにより収縮性を発揮する光収縮性材料で構成されており、
前記素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、前記基板に対する接着性を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、
前記基板および前記素子層は、いずれも伸縮性材料で構成されており、
前記素子層は、前記基板に対する接着性を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記基板は、自己収縮可能な弾性材料で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板は、熱エネルギーまたは光エネルギーにより非可逆性を発揮する伸縮性材料で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記電極に接続される配線は、導電性ポリマーに金属微粒子を分散させて成ることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１に記載の表示装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１に記載の表示装置と、
当該表示装置を駆動制御する駆動制御手段と、を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、前記基板は、非可逆性の伸張性材料で構成されており、前記素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、前記基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、
前記基板上に前記素子層を形成する素子層形成工程と、
前記素子層を形成した後、前記表示装置が目的とする大きさとなるように前記基板を伸張する伸張工程と、を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記伸張工程は、前記基板をＸ軸方向に伸張するＸ軸伸張機構と前記基板をＹ軸方向に伸張するＹ軸伸張機構とから成り、当該Ｘ軸伸張機構と当該Ｙ軸伸張機構とが相互に連結された伸張機構を用いて、前記基板を二次元方向に同時に伸張することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記表示装置は、液晶表示装置であって、前記素子層形成工程の後、前記素子層間に液晶を注入する液晶注入工程を更に備え、
前記伸張工程では、前記液晶注入工程の後、前記基板を伸張することを特徴とする請求項８または９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
熱エネルギーによって硬化する熱硬化性材料、または光エネルギーによって硬化する光硬化性材料によって構成されると共に、前記基板を封止する封止層を、前記収縮工程に先行して形成する封止層形成工程と、
前記伸張工程の後、前記封止層を硬化させる封止層硬化工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項８、９または１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、前記基板は、熱エネルギーにより収縮性を発揮する熱収縮性材料で構成されており、
前記素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、前記基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、
前記基板上に前記素子層を形成する素子層形成工程と、
前記素子層を形成した後、前記熱エネルギーによって前記基板を収縮する収縮工程と、を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、前記基板は、光エネルギーにより収縮性を発揮する光収縮性材料で構成されており、
前記素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、前記基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、
前記基板上に前記素子層を形成する素子層形成工程と、
前記素子層を形成した後、前記光エネルギーによって前記基板を収縮する収縮工程と、を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、前記基板および前記素子層は、いずれも伸縮性材料で構成されており、前記素子層は、前記基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、
前記素子層の形成に先行して前記基板を伸張する前伸張工程と、
前記基板を伸張した後、前記基板上に前記素子層を形成する素子層形成工程と、
前記素子層を形成した後、前記表示装置が目的とする大きさとなるように前記基板を収縮する収縮工程と、を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基板は、自己収縮可能な弾性材料で構成されており、
前記前伸張工程では、前記基板をＸ軸方向および／またはＹ軸方向に伸張する伸張機構によって伸張させた状態で固定し、
前記収縮工程では、前記伸張機構を解除することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記基板は、熱エネルギーにより非可逆性を発揮する伸縮性材料で構成されており、
前記収縮工程では、前記基板を収縮すると共に、前記基板に前記熱エネルギーを付与することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記収縮工程の後、熱エネルギーによって、前記基板を硬化させる熱硬化工程を更に備えたことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記収縮工程の後、光エネルギーによって前記基板を硬化させる光硬化工程を更に備えたことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
熱エネルギーによって硬化する熱硬化性材料、または光エネルギーによって硬化する光硬化性材料によって構成されると共に、前記基板を封止する封止層を、前記収縮工程に先行して形成する封止層形成工程と、
前記収縮工程の後、前記封止層を硬化させる封止層硬化工程と、を更に備えたことを特徴とする請求項１２ないし１８のいずれか１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記表示装置は、アクティブパネルであって、伸縮性材料で構成されたアクティブ素子を有しており、
前記基板上に、前記アクティブ素子を形成するアクティブ素子形成工程を更に備えたことを特徴とする請求項１１または１９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記電極、前記光機能層、前記封止層および前記アクティブ素子のいずれか、または２以上が、インクジェット方式を用いて形成されることを特徴とする請求項２０に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置、電子機器、並びに表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光材料等の機能液を吐出するインクジェット方式により、発光材料のパターニングを行う方法を採用して、各画素の発光層および正孔注入層が形成されたカラー表示装置、特に発光材料として有機発光材料を用いた有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１０−１２３７７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
この種の有機ＥＬ表示装置は、目的とする大きさ、すなわち最終的に製品として利用される大きさの基板の上に素子層（スイッチング素子、電極、正孔注入／輸送層および発光層など）を形成している。したがって、表示パネルの大型化が求められる近年では、これら有機ＥＬ表示装置を製造する製造装置の大型化が避けられず、製造ラインに要するコスト高が問題となっていた。また、インクジェット方式を採用しているため、基板が大型化すると、基板全体に機能液を吐出する時間も増加してしまい、吐出ノズルの乾燥や、基板に着弾した機能液の乾燥むらが発生し、有機ＥＬ表示装置の製造が困難になるといった問題もあった。
【０００５】
一方、有機ＥＬ表示装置には、発光むらを無くすために機能液の膜厚の均一化が求められるなど、製品としての質の向上に対する要求も高まっている。そのため、製造装置側において、吐出位置や機能液の吐出量などの制御をより高精度に行う必要があるが、上記の基板の大型化の問題との兼ね合いもあり、大きな課題となっている。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑み、伸張または収縮可能な基板を用いることにより、質を低下させることなく、製造ラインの大型化およびこれに伴うコストの上昇を防止し得る表示装置、電子機器、並びに表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の表示装置は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、基板は、非可逆性の伸張性材料で構成されており、素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、基板に対する接着性を有していることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項８に記載の表示装置の製造方法は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、基板は、非可逆性の伸張性材料で構成されており、素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、基板上に素子層を形成する素子層形成工程と、素子層を形成した後、表示装置が目的とする大きさとなるように基板を伸張する伸張工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
これらの構成によれば、基板は、非可逆性の伸張性材料で構成されており、この基板上に形成される素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に基板に対する接着性を有しているため、素子層形成後に基板を伸張させることで、最初の基板よりも大きなサイズの表示装置を製造することができる。したがって、大きな表示装置を製造する場合であっても、製造ラインを大型化することなくこれに伴うコストの上昇を防止することができる。また、基板が小さい状態で素子層を形成するため、例えばインクジェット方式を用いる場合は、１枚の基板に対し素早く塗布を行うことができ、ノズルの乾燥を防止することができる。
【００１０】
請求項８に記載の表示装置の製造方法において、伸張工程は、基板をＸ軸方向に伸張するＸ軸伸張機構と基板をＹ軸方向に伸張するＹ軸伸張機構とから成り、当該Ｘ軸伸張機構と当該Ｙ軸伸張機構とが相互に連結された伸張機構を用いて、基板を二次元方向に同時に伸張することが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、基板を二次元方向に伸張するため、最初の基板よりも二次元的に大型化した表示装置を得ることができる。また、基板を伸張する伸張機構はＸ軸伸張機構とＹ軸伸張機構とから成り、これらは相互に連結されているため、基板を二次元方向に同時且つ円滑に伸張させることができる。
【００１２】
請求項８または９に記載の表示装置の製造方法において、表示装置は、液晶表示装置であって、素子層形成工程の後、素子層間に液晶を注入する液晶注入工程を更に備え、伸張工程では、液晶注入工程の後、基板を伸張することが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、液晶表示において、液晶注入の後、基板を伸張するため、伸張方向に従って液晶をその方向に配向させることができる。したがって、液晶を配向させるための液晶配向処理（ラビング処理など）を省略することができる。
【００１４】
請求項８、９または１０に記載の表示装置の製造方法において、熱エネルギーによって硬化する熱硬化性材料、または光エネルギーによって硬化する光硬化性材料によって構成されると共に、基板を封止する封止層を、収縮工程に先行して形成する封止層形成工程と、伸張工程の後、封止層を硬化させる封止層硬化工程と、を更に備えたことが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、封止層を形成することで、ガスバリア性を高めることができる。また、基板を伸張させた後、封止層を硬化させるため、封止層により伸張を妨げることがない。
【００１６】
請求項２に記載の表示装置は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、基板は、熱エネルギーにより収縮性を発揮する熱収縮性材料、または光エネルギーにより収縮性を発揮する光収縮性材料で構成されており、素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、基板に対する接着性を有していることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１２に記載の表示装置の製造方法は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、基板は、熱エネルギーにより収縮性を発揮する熱収縮性材料で構成されており、素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、基板上に素子層を形成する素子層形成工程と、素子層を形成した後、熱エネルギーによって基板を収縮する収縮工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１３に記載の表示装置の製造方法は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、基板は、光エネルギーにより収縮性を発揮する光収縮性材料で構成されており、素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に、基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、基板上に素子層を形成する素子層形成工程と、素子層を形成した後、光エネルギーによって基板を収縮する収縮工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】
これらの構成によれば、基板は、熱エネルギーにより収縮性を発揮する熱収縮性材料、または光エネルギーにより収縮性を発揮する光収縮性材料で構成されており、この基板上に形成される素子層は、伸縮性材料で構成されていると共に基板に対する接着性を有しているため、素子層形成後に基板を収縮させることで、最初の基板よりも小さなサイズの表示装置を製造することができる。したがって、素子層形成時は、製造装置の精度を、それ程高くしなくとも、容易に良質の表示装置を製造することができる。例えば、インクジェット方式により素子層を形成する場合、微小な画素領域内に所定量（所定回数）の機能液を精度良く吐出する必要があるが、画素領域が広い状態で機能液を吐出することができるため、その分の吐出精度の誤差をカバーすることができる。
【００２０】
請求項３に記載の表示装置は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、基板および素子層は、いずれも伸縮性材料で構成されており、素子層は、基板に対する接着性を有していることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１４に記載の表示装置の製造方法は、基板上に、電極および光機能層を有する素子層が形成された表示装置であって、基板および素子層は、いずれも伸縮性材料で構成されており、素子層は、基板に対する接着性を有している表示装置の製造方法において、素子層の形成に先行して基板を伸張する前伸張工程と、基板を伸張した後、基板上に素子層を形成する素子層形成工程と、素子層を形成した後、表示装置が目的とする大きさとなるように基板を収縮する収縮工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２２】
これらの構成によれば、基板および素子層は、いずれも伸縮性材料で構成されており、この基板上に形成される素子層は、基板に対する接着性を有しているため、素子層形成後に基板を伸張若しくは収縮させることで、最初の基板よりも大きな、若しくは小さなサイズの表示装置を製造することができる。したがって、表示装置の質を低下させることなく、製造ラインの大型化およびこれに伴うコストの上昇を防止することができる。
【００２３】
請求項３に記載の表示装置において、基板は、自己収縮可能な弾性材料で構成されていることが好ましい。
【００２４】
請求項１４に記載の表示装置の製造方法において、基板は、自己収縮可能な弾性材料で構成されており、前伸張工程では、基板をＸ軸方向および／またはＹ軸方向に伸張する伸張機構によって伸張させた状態で固定し、収縮工程では、伸張機構を解除することが好ましい。
【００２５】
これらの構成によれば、基板は、自己収縮可能な弾性材料で構成されているため、予め基板をＸ軸方向および／またはＹ軸方向に伸張する伸張機構で伸張させた状態で固定して素子層を形成し、その後伸張機構を解除すれば、元の基板サイズに戻すことができる。すなわち、基板材料に化学変化を起こさせるなどの処理を必要とすることなく、且つ製造ラインの大型化を必要としない表示装置を製造することができる。
【００２６】
請求項３に記載の表示装置において、基板は、熱エネルギーまたは光エネルギーにより非可逆性を発揮する伸縮性材料で構成されていることが好ましい。
【００２７】
また、請求項１４に記載の表示装置の製造方法において、基板は、熱エネルギーにより非可逆性を発揮する伸縮性材料で構成されており、収縮工程では、基板を収縮すると共に、基板に熱エネルギーを付与することが好ましい。
【００２８】
また、請求項１４に記載の表示装置の製造方法において、収縮工程の後、熱エネルギーによって、基板を硬化させる熱硬化工程を更に備えたことが好ましい。
【００２９】
また、請求項１４に記載の表示装置の製造方法において、収縮工程の後、光エネルギーによって基板を硬化させる光硬化工程を更に備えたことが好ましい。
【００３０】
これらの構成によれば、基板は、熱エネルギーまたは光エネルギーにより非可逆性を発揮する（硬化する）伸縮性材料で構成されているため、これらのエネルギーを付与することによって、最終的に安定した状態の表示装置を得ることができる。
【００３１】
請求項１ないし５のいずれか１に記載の表示装置において、電極に接続される配線は、導電性ポリマーに金属微粒子を分散させて成ることが好ましい。
【００３２】
この構成によれば、電極に接続される配線は、導電性ポリマーに金属微粒子を分散させて成るため、導電率を確保しながら伸張による断線を防ぐことができる。
【００３３】
請求項７に記載の電子機器は、請求項１ないし６のいずれか１に記載の表示装置と、当該表示装置を駆動制御する駆動制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００３４】
この構成によれば、表示装置の質を低下させることなく、製造ラインの大型化を必要としない電子機器を提供することができる。
【００３５】
請求項１２ないし１８のいずれか１に記載の表示装置の製造方法において、熱エネルギーによって硬化する熱硬化性材料、または光エネルギーによって硬化する光硬化性材料によって構成されると共に、基板を封止する封止層を、収縮工程に先行して形成する封止層形成工程と、収縮工程の後、封止層を硬化させる封止層硬化工程と、を更に備えたことが好ましい。
【００３６】
この構成によれば、封止層を形成することで、ガスバリア性を高めることができる。また、基板を収縮させた後、封止層を硬化させるため、封止層により収縮を妨げることがない。
【００３７】
請求項１１または１９に記載の表示装置の製造方法において、表示装置は、アクティブパネルであって、伸縮性材料で構成されたアクティブ素子を有しており、基板上に、アクティブ素子を形成するアクティブ素子形成工程を更に備えたことが好ましい。
【００３８】
この構成によれば、アクティブ素子が伸縮性材料で構成されているため、アクティブパネルを製造する場合であっても、基板を伸張または収縮させることができる。したがって、この場合も、表示装置の質を低下させることなく、製造ラインの大型化によるコスト高を防止することができる。
【００３９】
請求項２０に記載の表示装置の製造方法において、電極、光機能層、封止層およびアクティブ素子のいずれか、または２以上が、インクジェット方式を用いて形成されることが好ましい。
【００４０】
この構成によれば、インクジェット方式を用いて電極等を形成することで、基板を多様な材料で構成することが可能となる。また、安価且つ容易に高品質の表示装置を製造することができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して、本発明の表示装置、電子機器、並びに表示装置の製造方法について説明する。インクジェットプリンタ（機能液滴吐出装置）のインクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）は、微小なインク滴（機能液滴）をドット状に精度良く吐出することができることから、例えば機能液（吐出対象液）に特殊なインクや、発光性或いは感光性の樹脂等を用いることにより、各種部品の製造分野への応用が期待されている。本実施形態では、例えば有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置等の、いわゆるフラットディスプレイの製造方法において、機能液滴吐出装置の機能液滴吐出ヘッドからフィルタ材料や発光材料等の機能液を吐出して（インクジェット方式）、有機ＥＬ表示装置における各画素のＥＬ発光層および正孔注入層等の形成や、液晶表示装置におけるＲ．Ｇ．Ｂのフィルタエレメント等の形成を行う場合を例に挙げて説明する。なお、表示装置としては、各画素がマトリクス状に配置され、且つアクティブ素子を有する、いわゆるアクティブマトリクス型を例示するものとする。
【００４２】
また、本実施形態に示す表示装置は、これを構成する構成要素を全て伸張または収縮可能な材質とすることで、目的とする大きさよりも小さいサイズの基板上にスイッチング素子や素子層（電極、正孔注入／輸送層および発光層など）を形成したり、逆に目的とする大きさよりも大きいサイズの基板上にこれらを形成したりすることが可能である。そしてこの構成により、製造ラインの大型化およびこれに伴うコストの上昇を防止すると共に、表示装置の質を向上させ得るといった効果を奏するものである。
【００４３】
そこで、まず第１の実施形態では、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法であって、目的とする大きさよりも小さいサイズの基板上に素子層２０を形成する場合について説明する。図１に示すように、本実施形態の表示装置１０は、外部から入力されたデータ信号（映像信号）を編集すると共に、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを有するデータ側駆動回路１０４と、当該データ側駆動回路１０４に接続された複数の信号線１０２と、シフトレジスタおよびレベルシフタを有する走査側駆動回路１０５と、当該走査側駆動回路１０５に接続されると共に、信号線１０２に対して直交する方向に延びる複数の走査線１０１と、信号線１０２および走査線１０１の各交点付近に設けられた複数の画素領域Ａとを、備えている。
【００４４】
また、各画素領域Ａは、スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、当該スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐ（コンデンサ）１１３と、当該保持容量ｃａｐ１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、当該駆動用の薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に接続したときに、電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極５１１と、当該画素電極５１１の対向電極となる陰極５０３と、画素電極５１１と陰極５０３との間に挟み込まれる光機能層５１０とを、備えている。また、画素電極５１１、陰極５０３および光機能層５１０により、表示素子５０４が構成され、スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２、保持容量ｃａｐ（コンデンサ）１１３および駆動用の薄膜トランジスタ１２３により、アクティブ素子が構成されている。
【００４５】
係る構成の表示装置１０は、走査線１０１が駆動されて、スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐ１１３に保持されると共に、保持容量ｃａｐ１１３に保持された電位に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフが決定する。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極５１１に電流が流れ、光機能層５１０を介して陰極５０３に電流が流れる。すなわち、光機能層５１０に電流が流れている間、発光層５１０ｂ（図２参照）が発光し続けることになる。
【００４６】
次に、図２を参照し、表示装置１０の装置構成について説明する。同図（ａ）は、表示装置１０の平面図、同図（ｂ）は、表示装置１０の断面図である。これらの図に示すように、表示装置１０は、ガスバリア性の高い透明樹脂から成る基板５０１と、電極５０３，５１１および光機能層５１０等を有する素子層２０と、基板５０１を封止する封止層３０とが積層されて構成されている。
【００４７】
基板５０１は、伸張性且つ非可逆性を有する透明樹脂（ＰＣ樹脂、ＰＥＴ樹脂、ＰＡＲ樹脂、ＰＡＮ樹脂、ＰＥＳ樹脂、α―ＰＯ（ノルボルネン系）樹脂、ＰＣＴＥＥ他透明フッ素樹脂、その他ＰＶＡ系押出品など）をフィルム状に形成したものであり、中央に位置する表示領域２０ａと、これを囲む非表示領域２０ｂとに区画されている。
【００４８】
この場合、表示領域２０ａは、マトリクス状に配置された表示素子５０４によって形成され、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の画素が、所定の法則に従って配列されている。なお、図示では、同色の画素が一列に（ストライプ状に）配列されたストライプ配列を示したが、この他同色の画素が斜めに配列されるモザイク配列など、配列の形態は問わない。また、表示領域２０ａの同図（ａ）上側には、製造途中や出荷時において、表示装置１０の品質、欠陥の検査を行うための検査回路１０６が配置されている。
【００４９】
一方、非表示領域２０ｂには、表示領域２０ａに隣接するダミー表示領域２０ｄが設けられ、当該ダミー表示領域２０ｄでは、回路素子部５０２内に前述の走査側駆動回路１０５が配置されている。また、非表示領域２０ｂの回路素子部５０２内には、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されると共に、走査側駆動回路１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａ、駆動回路用電源配線１０５ｂが設けられている。
【００５０】
同図（ｂ）に示すように、素子層２０は、回路素子層５０２と表示素子層５０４とに大別される。回路素子層５０２は、基板５０１上にシリコン酸化膜から成る下地保護膜５０２ａが形成され、さらにこの上に多結晶シリコンから成る半導体膜５０２ｂが形成されている。また、回路素子層５０２には、前述の走査線１０１、信号線１０２、保持容量ｃａｐ１１３、スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられている。また、表示素子層５０４には、画素電極５１１および光機能層５１０により構成される発光素子１４０と、陰極５０３が備えられている。
【００５１】
陰極５０３は、その一端が基板５０１上に形成された陰極用配線５０３ａに接続され、当該陰極用配線５０３ａの一端がフレキシブル基板５０上の配線５０ａに接続されている（同図（ａ）参照）。また、配線５０ａは、同じくフレキシブル基板５０上に備えられた駆動ＩＣ（駆動回路）５１に接続されている。
【００５２】
封止層３０は、光エネルギーによって硬化する光硬化性材料（紫外線硬化樹脂など）によって構成され、水または酸素の進入を防ぎ、陰極５０３または光機能層５１０に形成される発光層５１０ｂの酸化を防止する。また、封止層３０は、インクジェット方式により形成され、基板５０１を伸張させた後、光エネルギー（紫外線ランプ９８：図４参照）により硬化される。
【００５３】
なお、封止層３０は、熱エネルギーによって硬化する熱硬化性材料（エポキシ樹脂などの熱硬化樹脂）によって構成しても良い。この場合、熱エネルギー（加熱）によって封止層３０が硬化される。また、必要に応じて、封止層３０の下側（陰極５０３の上側）にガスバリアのための薄膜を形成しても良い。なお、薄膜としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の無機材料で構成されることが好ましい。
【００５４】
次に、図３を参照し、上記の封止層３０の他、画素電極５１１、光機能層５１０等を、インクジェット方式により形成するための機能液滴吐出装置１について説明する。本実施形態の機能液滴吐出装置１は、機台上に設置した移動機構３であるＸ軸テーブル５およびこれに直交するＹ軸テーブル４と、Ｙ軸テーブル４に移動自在に取り付けたメインキャリッジ６と、メインキャリッジ６に搭載したヘッドユニット７とを備えている。ヘッドユニット７には、サブキャリッジ９を介して、２つのノズル列１５ａ，１５ｂを配列した機能液滴吐出ヘッドＨが搭載されている。また、ワークであるマザー基板Ｗは、Ｘ軸テーブル５に搭載されている。マザー基板Ｗ上には、複数の基板５０１（チップ）が配置され（図示では９つ）、１チップの領域が、１つの表示装置１０の表示領域２０ａに相当する。なお、複数のチップの配置は、この形態に限定されるものではない。
【００５５】
さらに、機能液滴吐出装置１には、機能液滴吐出ヘッドＨに機能液を供給する機能液供給機構１２が組み込まれると共に、上記の移動機構３および機能液滴吐出ヘッドＨ等の駆動を制御する制御手段１３が組み込まれている。そして、制御手段１３には、機能液滴吐出ヘッドＨの駆動波形データや吐出パターンデータを生成するためのホストコンピュータ１４が接続されている。
【００５６】
制御手段１３は、機能液滴吐出装置１を統括制御すると共にホストコンピュータ１４に接続された制御部３１を有しており、Ｘ軸モータ１９を制御してＸ軸テーブル５を駆動し、Ｙ軸モータ１７を制御してＹ軸テーブル４を駆動する。また、インタフェース３２を介して、クロック信号、吐出信号、ラッチ信号および駆動信号を機能液滴吐出ヘッドＨに入力し、機能液滴吐出ヘッドＨを駆動制御する。
【００５７】
さらに、図示では省略したが、機能液滴吐出装置１には、機能液滴吐出ヘッドＨの定期的なフラッシング（機能回復のための、全吐出ノズルからの機能液の捨て吐出）を受けるフラッシングユニットや、機能液滴吐出ヘッドＨのノズル面をワイピングするワイピングユニットの他、機能液滴吐出ヘッドＨの機能液吸引および保管を行うクリーニングユニット等が、組み込まれている。
【００５８】
Ｙ軸テーブル４は、Ｙ軸方向の駆動系を構成するモータ１７駆動のＹ軸スライダ１６を有し、これに上記のメインキャリッジ６を移動自在に搭載して、構成されている。同様に、Ｘ軸テーブル５は、Ｘ軸方向の駆動系が構成するモータ１９駆動のＸ軸スライダ１８を有し、これに吸着テーブル等から成るセットテーブル２１を移動自在に搭載して、構成されている。そして、セットテーブル２１上にマザー基板Ｗが位置決め状態でセットされるようになっている。
【００５９】
本実施形態の機能液滴吐出装置１では、Ｘ軸テーブル５による各機能液滴吐出ヘッド１０の移動に同期して各機能液滴吐出ヘッド１０が駆動（機能液滴の選択的吐出）する構成であり、機能液滴吐出ヘッド１０のいわゆる主走査は、Ｘ軸テーブル５のＸ軸方向への往復動動作により行われる。また、これに対応して、いわゆる副走査は、Ｙ軸テーブル４によるマザー基板ＷのＹ軸方向への往動動作により行われる。そして、上記走査における各機能液滴吐出ヘッドＨの駆動は、上記のホストコンピュータ１４で作成された駆動波形データおよび吐出パターンデータに基づいて行われる。
【００６０】
一方、機能液供給機構１２は、機能液滴吐出ヘッドＨ（各ノズル列１５ａ，１５ｂ）に機能液を供給するサブタンク２３を備えると共に、図示では省略したが、サブタンク２３に接続されたメインタンク、およびメインタンクの機能液をサブタンク２３に送液する圧力送液装置を備えている。メインタンクの機能液は、サブタンクに圧力送液され、サブタンク２３で圧力的に縁切りされた機能液は、機能液滴吐出ヘッドＨのポンプ作用により、機能液滴吐出ヘッドＨに送液される。なお、図示では省略したが、上記の圧力送液装置も上記の制御手段１３により制御される。
【００６１】
ヘッドユニット７は、ステンレス等の厚板で構成したサブキャリッジ９と、サブキャリッジ９に精度良く位置決め固定した機能液滴吐出ヘッドＨとで、構成されている。また、サブキャリッジ９の左右中間位置には、ヘッドユニット７の位置決め基準として、一対の基準ピン（マーク）２６，２６が設けられている。各機能液滴吐出ヘッドＨには、列状に１８０個のノズルが配列され、当該ノズル列が平行に２列（１５ａ，１５ｂ）配置されている。また、機能液滴吐出ヘッドＨは、主走査方向（Ｘ軸方向）に対して所定角度傾斜した状態で配置され、図示θ軸方向に傾斜角度を調節することによって、ノズルピッチを画素ピッチに対応させることができるようになっている。
【００６２】
次に、図４および図５を参照し、マザー基板Ｗ（基板５０１）を伸張させるための伸張装置６０について説明する。これらの図に示すように、伸張装置６０は、それぞれ台板６１上に対向するように配置した一対のＸ軸伸張機構６２ａ，６２ｂと一対のＹ軸伸張機構６３ａ，６３ｂとで構成されている。台板６１の中央部は、マザー基板Ｗが臨む方形のセットステージ６４となっており、セットステージ６４の一方の対向辺にそれぞれ各Ｘ軸伸張機構６２ａ，６２ｂが臨み、他方の対向辺にそれぞれ各Ｙ軸伸張機構６３ａ，６３ｂが臨んでいる。なお、Ｘ軸伸張機構６２ａ，６２ｂとＹ軸伸張機構６３ａ，６３ｂとは、全く同一の形態を有しているため、ここでは、主にＸ軸伸張機構６２ａ，６２ｂについて説明し、Ｙ軸伸張機構６３ａ，６３ｂの説明は省略する。
【００６３】
各Ｘ軸伸張機構６２ａ，６２ｂは、マザー基板Ｗの１つの辺を把持する多数のチャック機構６５と、多数のチャック機構６５をＹ軸方向にスライド自在に支持する一対のガイドレール６７と、チャック機構６５を保持するチャックホルダ６６をＸ軸方向に進退させるギヤードモータ６８と、ギヤードモータ６８の回転を進退動に変換してチャックホルダ６６に伝達するボールねじ（リードねじ）６９と、を備えている。多数のチャック機構６５は、間隔を詰めるようにして横並び且つ等間隔に配設されている。
【００６４】
図５に示すように、各チャック機構６５は、チャックホルダ６６に保持される基端ブロック７１と、基端ブロック７１から先方に延びる下把持片７３と、下把持片７３に対向すると共に下把持片７３に回動自在に取り付けられた上把持片７２と、下把持片７３に対し上把持片７２を回動させるソレノイド７４とを有している。また、基端ブロック７１には、チャックホルダ６６にスライド自在に転接する上下各一対、計４個のローラ７５，７６が設けられている。
【００６５】
上下に対峙した上把持片７２および下把持片７３は、相互の対向面の先端側半部にマザー基板Ｗを把持するための滑り止め部７２ａ，７３ａを有しており、また上把持片７２および下把持片７３の対向面の基端側半部には一対の圧縮ばね８２が介設されている。上把持片７２は、「Ｌ」字状に屈曲しており、この屈曲部に下把持片７３が挿通する挿通開口８３が形成され、この部分で下把持片７３に回動自在に軸支されている。また、屈曲部の下端部位には、基端ブロック７１に取り付けたソレノイド７４のブランジャ８４が連結されている。
【００６６】
ソレノイド７４を励磁すると、上把持片７２が圧縮ばね８２に抗して下向きに回動し、下把持片７３の滑り止め部７３ａに縁部を臨ませたマザー基板Ｗを強く把持する。この状態から、ソレノイド７４を消磁すると、圧縮ばね８２のばね力によって上把持片７２が上向きに回動し、マザー基板Ｗの把持状態を解除する。
【００６７】
基端ブロック７１は、フランジ部８５とリブ部８６とで横「Ｔ」字状に形成されており、リブ部８６の上下両面に、それぞれ一対のローラ７５，７６が回転自在に取り付けられている。上下各一対のローラ７５，７６は、それぞれ鉛直軸廻りに回転自在に構成され、フランジ部８５の内面との間に後述するチャックホルダ６６の上下のガイド片８７を挟んで、チャックホルダ６６にスライド自在に転接し且つ保持されている。
【００６８】
なお、図中の符号８８は、引っ張りばねであり、多数のチャック機構６５は、それぞれの基端ブロック７１部分でこの引っ張りばね８８により、相互に連結されている。そして、最外端に位置する２つのチャック機構６５から外側に延びる２本の引っ張りばね８８は、一対のＹ軸伸張機構６３ａ，６３ｂにそれぞれ連結されている。すなわち、一対のＹ軸伸張機構６３ａ，６３ｂがそれぞれ後退して、マザー基板ＷがＹ軸方向に伸張してゆくと、これに引かれて各チャック機構６５は外側に移動するが、同時にこの引っ張りばね８８に引かれることにより、各チャック機構６５は、チャックホルダ６６に保持された状態でＹ軸方向に円滑にスライドする。
【００６９】
チャックホルダ６６は、多数のチャック機構６５をスライド自在に保持するホルダ本体９１と、ホルダ本体９１の両外端部から屈曲して外側に延びる一対のスライド部９２と、一対のスライド部９２の内側に位置してホルダ本体９１から外側に延びる「Ｕ」字状のアーム部９３と、アーム部９３の中央に設けた雌ねじブロック９４とを有している。そして、一対のスライド部９２の下面は、台板６１上においてＸ軸方向に延びる一対のガイドレール９０に、スライド自在に係合している。
【００７０】
ホルダ本体９１は、断面「Ｃ」字状に形成されており、そのスリット状の開口部に基端ブロックのリブ部が挿入されると共に、開口部９６を構成する上下のガイド片８７に、各チャック機構６５のフランジ部８５および上下のローラ７５，７６が挟持するように係合している（図５の仮想線参照）。これにより、各チャック機構６５は、Ｘ軸方向に引っ張り力を受けた状態で、Ｙ軸方向に自在にスライドするようになっている。
【００７１】
ギヤードモータ６８は、カップリング９７を介してボールねじ６９に連結されており、このボールねじ６９がチャックホルダ６６の雌ねじブロック９４に螺合している。ギヤードモータ６８の正逆回転によりボールねじ６９が正逆回転すると、アーム部９３を介してチャックホルダ６６が、一対のガイドレール９０に案内されて進退する。すなわち、チャックホルダ６６が後退することにより、多数のチャック機構６５に把持されたマザー基板Ｗが外側に向かって引かれ、伸張する。
【００７２】
一方、セットステージ６４には、十字状の隔壁により区画された４つに凸部９７が形成されている。４つの凸部９７は、セットステージ６４にセットしたマザー基板Ｗのほぼ下面全域に面するように大きく形成されており、この各凸部９７には、紫外線ランプ９８がそれぞれ収容されている。この紫外線ランプ９８による紫外線照射により、紫外線硬化樹脂から成る封止層３０を硬化させることができる。
【００７３】
図６（ａ）は、伸張装置６０によって伸張されるマザー基板Ｗの状態を示し、同図（ｂ）は、これによって伸張される表示装置１０（チップ）の状態を示したものである。上記の通り、表示装置１０は、Ｘ軸伸張機構６２ａ，６２ｂおよびＹ軸伸張機構６３ａ，６３ｂにより、Ｘ軸方向およびＹ軸方向（二次元方向）に同時に伸張される。この場合、同図（ｂ）に示すとおり、基板５０１上に形成された走査線１０１、信号線１０２、電源線１０３、光機能層５１０および画素電極５１１等も、基板５０１と共に同じ配置を保持しながら伸張される。このため、処理前の基板５０１のサイズよりも二次元的に大型化した、すなわち縦方向および横方向に同倍率で拡大された表示装置１０を迅速に得ることができる。
【００７４】
このように、本実施形態の伸張装置６０によれば、マザー基板Ｗを伸張する伸張機構はＸ軸伸張機構とＹ軸伸張機構とから成り、これらは相互に連結されているため、マザー基板Ｗを円滑に伸張させることができ、最初のマザー基板Ｗよりも二次元的に大型化した表示装置１０を迅速に得ることができる。また、各表示装置１０を切り出す前のマザー基板Ｗを伸張するため、各表示装置１０に、チャック機構６５で把持するための把持領域を設ける必要がない。また、複数枚の表示装置１０を同時に伸張・収縮させることができるため、個々にそれらの処理を行う手間を省くことができる。
【００７５】
なお、マザー基板Ｗを二次元方向に同時且つ円滑に伸張させるのではなく、図７に示すように一次元方向のみ（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）に伸張させることも可能である。この場合、Ｘ軸方向の最外端に位置する２つのチャック機構６５から延びる引っ張りばね８８は、一対のＹ軸伸張機構６３ａ，６３ｂには連結されずチャックホルダ６６に固定された状態とすることが好ましい。そして、一対のＸ軸方向伸張機構６２ａ，６２ｂ、若しくは一対のＹ軸方向伸張機構６３ａ，６３ｂのいずれかのみの伸張機構を用いて伸張させれば良い。
【００７６】
また、同図に示すように、Ｘ軸方向に一次元伸張させた後、Ｙ軸方向に二次元伸張させる構成とすれば、図６に示す場合と同様に、二次元的に大型化した表示装置１０を得ることができる。このように、マザー基板Ｗを一次元方向に伸張した後、二次元方向に伸張する（２段階に分けて伸張する）ことにより、容易且つ確実にマザー基板Ｗ（基板５０１）を伸張させることができる。
【００７７】
また、上記の例では、切り出し前のマザー基板Ｗを伸張させるものとしたが、切り出した個々の基板５０１（チップ）を伸張させるようにしても良い。この構成によれば、伸張装置６０を大型化することなく、且つ歩留まりを向上させることができる。
【００７８】
また、上記の伸張装置６０を、図３に示す機能液滴吐出装置１に組み込んだ構成とすることも可能である。この構成によれば、伸張装置６０を別に設ける必要が無く、また、各装置１，６０へのマザー基板Ｗ（基板５０１）の装着および脱着の手間を省くことができる。
【００７９】
次に、図８ないし図２１を参照し、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法について説明する。図８は、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法を示すフローチャートであり、図９ないし図２１は、有機ＥＬ表示装置１０の製造プロセスを示すと共にその構造を表している。上記の通り、本実施形態では、目的とする大きさよりも小さいサイズの基板５０１上に素子層２０を形成し、素子層２０の形成後、基板５０１を伸張させることにより、有機ＥＬ表示装置１０を製造するものである。その製造工程は、図８に示すように、まず基板５０１に表面処理（プラズマ処理）を行うことから始まる（Ｓ１１）。なお、基板５０１は伸張性且つ非可逆性を有する透明樹脂で構成されている。
【００８０】
表面処理工程は、予備加熱工程と、表面が親インク性を有するように加工する親インク化工程と、冷却工程とに大別される。まず、予備加熱工程では、基板５０１を所定の温度まで加熱する。加熱は、例えば基板５０１を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基板５０１を加熱することにより行う。具体的には、基板５０１の予備加熱温度を、例えば７０〜８０℃の範囲とすることが好ましい。
【００８１】
次に、親インク化工程では、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。このＯ２プラズマ処理により、基板５０１の表面に水酸基が導入されて親インク性が付与される。次に、冷却工程では、プラズマ処理のために加熱された基板５０１を室温、またはインクジェット工程（機能液滴吐出工程）の管理温度まで冷却する。プラズマ処理後の基板５０１を室温、または所定の温度（例えば機能液滴吐出工程を行う管理温度）まで冷却することにより、下記に示す工程を一定の温度で行うことができる。以上の通り、表面処理（プラズマ処理）を行うことにより、基板５０１と、下記に示す素子層２０との接着性を向上させることができる。
【００８２】
次に、素子層２０を形成する（Ｓ１２〜Ｓ１７）。なお、素子層２０は、基板５０１の伸張・収縮に伴って伸張・収縮可能な伸縮性材料で全て構成されている。そこで、まず前述の電源線１０３および信号線１０２等を形成する（Ｓ１２）。これらの配線は、導電性ポリマー（導電性高分子）に金属微粒子を分散させた機能液をインクジェット方式によって塗布する。このような機能液を用いることにより、導電率を確保しながら伸張による断線を防ぐことができる。続いて、アクティブ素子（スイッチング用の薄膜トランジスタ１１２、保持容量ｃａｐ（コンデンサ）１１３および駆動用の薄膜トランジスタ１２３等）を形成するが、有機ＥＬ表示装置１０がパッシブパネルの場合、本工程は不要である（Ｓ１３）。なお、アクティブ素子の形成も、インクジェット方式、すなわち機能液滴吐出装置（図３参照）による、機能液の吐出（塗布）によって形成される。
【００８３】
続いて、画素電極５１１を形成する（Ｓ１４）。ここでは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）微粒子が分散した機能液を、蒸着法等により塗布・乾燥させることによって画素電極５１１を形成する。続いて、基板５０１の伸張率および機能液滴吐出装置１の吐出精度に応じて、基板５０１の端部付近若しくは全面にバンク部５１２（図９および図１０参照）の形成を行う（Ｓ１５：伸張率が高い場合や吐出精度が高い場合はバンク部の形成は不要である）。この場合、バンク部５１２は撥インク処理される。また、必要に応じて表面処理を行う。
【００８４】
更に、光機能層（正孔注入／輸送層５１０ａおよび発光層５１０ｂ）５１０をインクジェット方式により形成し（Ｓ１６）、その後、対向電極（陰極）５０３を形成する（Ｓ１７：図２０等参照）。当該対向電極５０３は、複数の材料を積層することにより形成する。なお、画素電極５１１と同様に、ＩＴＯ微粒子が分散した機能液を、蒸着法等により塗布・乾燥させることによって形成しても良い。このように、Ｓ１２ないしＳ１７により、基板５０１上に素子層２０を形成する。
【００８５】
次に、基板５０１および素子層２０を覆うように、封止層３０を形成する（Ｓ１８）。この場合、封止層３０は光エネルギー（紫外線）によって硬化する紫外線硬化樹脂を塗布することによって形成される。その後、伸張装置６０（図４および図５参照）により目的とする大きさまで基板５０１（有機ＥＬ表示装置１０）の伸張を行う（Ｓ１９）。そして、伸張の後、有機ＥＬ表示装置１０に紫外線を照射することによって、封止層３０を硬化する（Ｓ２０）。その後、マザー基板Ｗを切り出し（ダイシング）、ボンディング、仕上げ、特性検査等を経て、有機ＥＬ表示装置１０が完成する。
【００８６】
以下、上記の製造プロセスに従い、構造図を参照しながら説明する。図９および図１０は、画素電極５１１形成後、バンク部５１２を形成する工程を示したものである。バンク部形成工程では、基板５０１に予め形成した回路素子層５０２上および画素電極５１１上の所定の位置に、無機物バンク層５１２ａと有機物バンク層５１２ｂを積層することにより、開口部５１２ｇを有するバンク部５１２を形成する。
【００８７】
まず、無機物バンク層５１２ａを形成する工程では、図９に示すように、回路素子部５０２の第２層間絶縁膜５４４ｂ上および画素電極５１１上に、無機物バンク層５１２ａを形成する。この場合、無機物バンク層５１２ａは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物膜によって構成され、ＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。
【００８８】
次に、この無機物膜をエッチング等によりパターニングして、電極５１１の電極面５１１ａの形成位置に対応する下部開口部５１２ｃを設ける。このとき、無機物バンク層５１２ａを電極５１１の周縁部と重なるように形成しておく必要がある。このように、電極５１１の周縁部（一部）と無機物バンク層５１２ａとが重なるように無機物バンク層５１２ａを形成することにより、発光層５１０ｂの発光領域を制御することができる。
【００８９】
次に、有機物バンク層５１２ｂを形成する工程では、図１０に示すように、無機物バンク層５１２ａ上に有機物バンク層５１２ｂを形成する。有機物バンク層５１２ｂをフォトリソグラフィー法等によりエッチングして、有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄを形成する。上部開口部５１２ｄは、電極面５１１ａおよび下部開口部５１２ｃに対応する位置に設けられる。
【００９０】
上部開口部５１２ｄは、図１０に示すように、下部開口部５１２ｃより広く、電極面５１１ａより狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バンク層５１２ａの下部開口部５１２ｃを囲む第１積層部５１２ｅが、有機物バンク層５１２ｂよりも電極５１１の中央側に延出された形になる。このようにして、上部開口部５１２ｄ、下部開口部５１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層５１２ａおよび有機物バンク層５１２ｂを貫通する開口部５１２ｇが形成される。
【００９１】
なお、ここで必要であれば、表面処理を行っても良い。ここでは、表面処理工程として、予備加熱工程と、バンク部５１２の上面（５１２ｆ）および開口部５１２ｇの壁面並びに画素電極５１１の電極面５１１ａを、親インク性を有するように加工する親インク化工程と、有機物バンク層５１２ｂの上面５１２ｆおよび上部開口部５１２ｄの壁面を、撥インク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工程が含まれる。そして、親インク化工程では、図１１に示すように、画素電極５１１の電極面５１１ａ、無機物バンク層５１２ａの第１積層部５１２ｅおよび有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄの壁面ならびに上面５１２ｆが親インク処理される。
【００９２】
また、撥インク化工程では、大気雰囲気中で４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行う。ＣＦ４プラズマ処理により、図１２に示すように、上部開口部５１２ｄ壁面および有機物バンク層の上面５１２ｆが撥インク処理される。この撥インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥インク性が付与される。図１２では、撥インク性を示す領域を一点鎖線で示している。なお、ここに示す、バンク部形成工程および表面処理工程は、省略しても良い。
【００９３】
次に、光機能層形成工程では、インクジェット方式により、画素電極５１１上に正孔注入／輸送層５１０ａおよび発光層５１０ｂを形成する。そして、画素電極５１１、正孔注入／輸送層５１０ａおよび発光層５１０ｂにより発光素子１４０が形成される。光機能層形成工程には、４つの工程が含まれる。すなわち、正孔注入／輸送層５１０ａを形成するための第１組成物を各画素電極５１１上に吐出する第１機能液滴吐出工程と、吐出された第１組成物を乾燥させて画素電極５１１上に正孔注入／輸送層５１０ａを形成する正孔注入／輸送層形成工程と、発光層５１０ｂを形成するための第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａの上に吐出する第２機能液滴吐出工程と、吐出された第２組成物を乾燥させて正孔注入／輸送層５１０ａ上に発光層５１０ｂを形成する発光層形成工程とが含まれる。
【００９４】
まず、第１機能液滴吐出工程では、インクジェット方式（機能液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面５１１ａ上に吐出する。
【００９５】
図１３に示すように、機能液滴吐出ヘッドＨに正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を充填し、機能液滴吐出ヘッドＨの吐出ノズルを下部開口部５１２ｃ内に位置する電極面５１１ａに対向させ、機能液滴吐出ヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴５１０ｃを電極面５１１ａ上に吐出する。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、Ｒ・Ｇ・Ｂの各発光層５１０ｂに対して同じ材料を用いても良く、発光層５１０ｂ毎に変えても良い。
【００９６】
図１３に示すように、吐出された第１組成物滴５１０ｃは、電極面５１１ａおよび第１積層部５１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。電極面５１１ａ上に吐出する第１組成物量は、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層５１０ａの厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第１組成物滴５１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面５１１ａ上に吐出しても良い。
【００９７】
次に、正孔注入／輸送層形成工程では、図１４に示すように、吐出後の第１組成物を乾燥処理および熱処理して第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層５１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、第１組成物滴５１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層５１２ａおよび有機物バンク層５１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
【００９８】
これにより図１４に示すように、乾燥処理によって電極面５１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部５１０ａが形成される。電極面５１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面５１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部５１０ａが形成される。
【００９９】
次に、第２機能液滴吐出工程では、インクジェット方式（機能液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。この第２機能液滴吐出工程では、正孔注入／輸送層５１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
【０１００】
しかしその一方で正孔注入／輸送層５１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層５１０ａと発光層５１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層５１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層５１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層５１０ｂを形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【０１０１】
そこで、表面改質工程について説明する。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質用溶媒を、インクジェット方式（機能液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層５１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【０１０２】
例えば、インクジェット方式による塗布は、図１５に示すように、機能液滴吐出ヘッドＨに、表面改質用溶媒を充填し、機能液滴吐出ヘッドＨの吐出ノズルを基板５０１（すなわち、正孔注入／輸送層５１０ａが形成された基板）に対向させ、機能液滴吐出ヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから表面改質用溶媒５１０ｄを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出することにより行う。そして、図１６に示すように、表面改質用溶媒５１０ｄを乾燥させる。
【０１０３】
次に、第２機能液滴吐出工程では、インクジェット方式（機能液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。図１７に示すように、機能液滴吐出ヘッドＨに、青色（Ｂ）発光層形成材料を含有する第２組成物を充填し、機能液滴吐出ヘッドＨの吐出ノズルを下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層５１０ａに対向させ、機能液滴吐出ヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第２組成物滴５１０ｅとして吐出し、この第２組成物滴５１０ｅを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。なお、非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶なものが好まし。これにより、正孔注入／輸送層５１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１０４】
図１７に示すように、吐出された第２組成物５１０ｅは、正孔注入／輸送層５１０ａ上に広がって下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。第２組成物５１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回で第２組成物量を変えても良い。
【０１０５】
次に、発光層形成工程では、第２組成物を吐出した後に乾燥処理および熱処理を施して、正孔注入／輸送層５１０ａ上に発光層５１０ｂを形成する。乾燥処理は、吐出後の第２組成物を乾燥処理することにより第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図１８に示すような青色（Ｂ）発光層５１０ｂを形成する。
【０１０６】
続けて、図１９に示すように、青色（Ｂ）発光層５１０ｂの場合と同様にして、赤色（Ｒ）発光層５１０ｂを形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層５１０ｂを形成する。なお、発光層５１０ｂの形成順序は、この順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。
【０１０７】
次に、対向電極形成工程では、図２０に示すように、発光層５１０ｂおよび有機物バンク層５１２ｂの全面に陰極（対向電極）５０３を形成する。なお、陰極５０３は、ＩＴＯを塗布しても良いが、複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層５１０ｂに近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ（フッ化リチウム）等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これらの陰極（陰極層）５０３は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、発光層５１０ｂの熱による損傷を防止できる点で好ましい。
【０１０８】
また、ＬｉＦは、発光層５１０ｂ上のみに形成しても良く、更に青色（Ｂ）発光層５１０ｂ上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層５１０ｂおよび緑色（Ｇ）発光層５１０ｂには、ＬｉＦからなる上部陰極層５０３ｂが接することとなる。また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、陰極５０３上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１０９】
最後に、図２１に示す封止層形成工程では、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、表示素子５０４上に、紫外線硬化樹脂から成る封止層３０を積層する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極５０３にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極５０３に侵入して陰極５０３が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【０１１０】
そして最後に、フレキシブル基板５０の配線に陰極５０３を接続するとともに、駆動ＩＣ５１に回路素子部５０２の配線を接続する。その後、伸張装置６０によりマザー基板Ｗの伸張を行い、紫外線ランプ９８により紫外線を照射して封止層３０を硬化させることにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０が得られる。このように、封止層３０を形成することで、ガスバリア性を高めることができる。また、マザー基板Ｗを収縮させた後、封止層３０を硬化させるため、封止層３０により基板５０１の伸張を妨げることがない。
【０１１１】
なお、画素電極５１１、陰極（対向電極）５０３、バンク部５１２（無機物バンク層５１２ａおよび有機物バンク層５１２ｂ）を、インクジェット方式により形成しても良い。すなわち、所定の機能液を機能液滴吐出ヘッドＨにそれぞれ導入し、これを機能液滴吐出ヘッドＨから吐出して、画素電極５１１等をそれぞれ形成する（乾燥工程を含む）。このように、インクジェット方式によって各層を形成することにより、フォトリソグラフィー法を用いる場合のような複雑な工程を経る必要も無く、また、材料を浪費すること無く、効率的に有機ＥＬ表示装置１０を製造することができる。
【０１１２】
また、基板５０１としては、紫外線等の光エネルギーで非可逆性を発揮する伸縮性材料や、熱エネルギーで非可逆性を発揮する伸縮性材料を用いても良い。この場合、マザー基板Ｗを伸張させた後、光エネルギーや熱エネルギーを付与することが好ましい。
【０１１３】
また、封止層３０は、紫外線硬化樹脂に代えて、熱エネルギーにより硬化する熱硬化樹脂（熱硬化フィルム）を用いても良い。この場合は、マザー基板Ｗを伸張させた後、紫外線に代えて、ヒータ等で封止層３０を加熱することとなる。
【０１１４】
また、画素電極５１１は、ＩＴＯを用いるものとしたが、伸縮性材料にカーボンナノチューブを３０体積％以上混合したものを用いても良い。この構成によれば、導電性を確保することができると共に、透明電極としても用いることができる。
【０１１５】
以上の通り、本実施形態によれば、基板５０１は、非可逆性の伸張性材料で構成されており、この基板５０１上に形成される素子層２０は、伸縮性材料で構成されていると共に基板５０１に対する接着性を有しているため、素子層２０形成後に基板５０１を伸張させることで、最初の基板５０１よりも大きなサイズの有機ＥＬ表示装置１０を製造することができる。したがって、大きな有機ＥＬ表示装置１０を製造する場合であっても、製造ラインや製造装置（機能液滴吐出装置１）を大型化することなくこれに伴うコストの上昇を防止することができる。また、基板５０１が小さい状態で素子層２０を形成するため、例えばインクジェット方式を用いる場合は、１枚の基板５０１に対し素早く塗布を行うことができ、ノズルの乾燥を防止することができる。さらに、伸張により光機能層１１０を構成するポリマーの配列を揃えることができるため、電子や正孔の移動度を改善することができる。
【０１１６】
次に、図２２ないし図２５を参照し、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態では、液晶表示装置（液晶パネル）６００の製造方法であって、第１実施形態と同様に、目的とする大きさよりも小さいサイズの基板５０１上に素子層２０を形成し、これを伸張することによって目的とする大きさの表示装置を製造する場合について説明する。なお、本実施形態では、単純マトリクス方式でフルカラー表示を行う半透過反射方式の液晶表示装置６００を例示する。また、本実施形態では、表示装置６００の製造プロセスと詳細な構造についての説明は省略する。
【０１１７】
図２２は、液晶表示装置６００の製造方法を示すフローチャートであり、図２３は、液晶表示装置６００の分解斜視図、図２４は、図２２におけるＡ−Ｂ線に従った液晶表示装置６００の断面構造を示している。図２２に示すように、液晶表示装置６００は、第１パネル６０７ａと第２パネル６０７ｂとをそれぞれ形成し、これらを貼り合わせることによって製造される。そこで、まず第１パネル形成工程から説明する。第１パネル形成工程では、初めに紫外線硬化樹脂から成る第１パネル６０７ａ用のマザー基板Ｗの基板表面処理（プラズマ処理）を行う（Ｓ３１）。表面処理については、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。次に、フォトリソグラフィー法等を用いて反射膜６１２を形成すると共に、周知の成膜法を用いて絶縁膜６１３を形成し（Ｓ３２）、アクティブパネルの場合はインクジェット法等を用いてアクティブ素子（図示省略）を形成する（Ｓ３３）。次に、フォトリソグラフィー法等を用いて第１電極および各種配線（引出し配線６１４ｃおよび配線６１４ｅ，６１４ｆ等）を形成し（Ｓ３４）、第１電極６１４ａの上に塗布、印刷等によって配向膜６１６ａを形成する（Ｓ３５）。
【０１１８】
次に、例えばスクリーン印刷等によってシール材６０８を環状に形成し（Ｓ３６）、さらにその上に球状のスペーサ１１９を分散する（Ｓ３７）。以上により、液晶パネル６０２の第１パネル６０７ａ上のパネルパターンを複数個分有する大面積の第１パネル用マザー基板Ｗが形成される。
【０１１９】
次に、第２パネル６０７ｂを形成する。第２パネル形成工程では、まず紫外線硬化樹脂から成る第２パネル６０７ｂ用のマザー基板Ｗ上に液晶表示装置６００の複数個分のカラーフィルタ６１８を形成する（Ｓ３８）。カラーフィルタ６１８は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色フィルタエレメントを、機能液滴吐出装置１を用いて形成するが、当該インクジェット方式によるカラーフィルタ６１８の形成方法は、従来開示されている技術を用いることができるため、詳細な説明を省略する。
【０１２０】
次に、フォトリソグラフィー法等によって第２電極６１４ｂが形成され（Ｓ３９）、さらに塗布、印刷等によって配向膜６１６ｂが形成される（Ｓ４０）。以上により、液晶パネル６０２の第２パネル６０７ｂ上のパネルパターンを複数個分有する大面積の第２パネル用マザー基板Ｗが形成される。なお、第１パネル、第２パネルはここに示す順序ではなく、同時進行によって形成されても良い。
【０１２１】
以上の工程により、大面積の第１パネル６０７ａ用および第２パネル６０７ｂ用のマザー基板Ｗが形成された後、これらマザー基板Ｗを、シール材６０８を間に挟んでアライメント、すなわち位置合わせした上で互いに貼り合わせる（Ｓ４１）。これにより、液晶パネル複数個分のパネル部分を含んでいて未だ液晶が封入されていない状態の空のパネル構造体が形成される。
【０１２２】
次に、完成した空のパネル構造体の所定位置にスクライブ溝、すなわち切断用溝を形成し、さらにそのスクライブ溝を基準にしてパネル構造体をブレイク、すなわち切断する（Ｓ４２：１次ブレイク）。これにより、各液晶パネル部分のシール材６０８の液晶注入用開口１１０（図２３参照）が外部へ露出する状態の、いわゆる短冊状の空のパネル構造体が形成される。
【０１２３】
その後、露出した液晶注入用開口１１０を通して各液晶パネル部分の内部に液晶Ｌを注入し、さらに各液晶注入口１１０を樹脂等によって封止する（Ｓ４３）。通常の液晶注入処理は、例えば、貯留容器の中に液晶を貯留し、その液晶が貯留された貯留容器と短冊状の空パネルをチャンバー等に入れ、そのチャンバー等を真空状態にしてからそのチャンバーの内部において液晶の中に短冊状の空パネルを浸漬し、その後、チャンバーを大気圧に開放することによって行われる。このとき、空パネルの内部は真空状態なので、大気圧によって加圧される液晶が液晶注入用開口を通してパネルの内部へ導入される。液晶注入後の液晶パネル構造体の周囲には液晶が付着するので、液晶注入処理後の短冊状パネルは洗浄処理を受ける（Ｓ４４）。
【０１２４】
その後、液晶注入および洗浄が終わった後の短冊状のマザー基板Ｗに対して再び所定位置にスクライブ溝を形成し、さらにそのスクライブ溝を基準にして短冊状パネルを切断することにより、複数個の液晶パネルが個々に切り出される（Ｓ４５：２次ブレイク）。次に、製造された個々の液晶パネル６０２を、伸張装置６０を用いて伸張させる（Ｓ４６）。この伸張処理により、液晶分子の初期配向が決定される。その後、紫外線を照射することによって、第１パネル６０７ａおよび第２パネル６０７ｂの基板６１１ａ，６１１ｂを硬化させる（Ｓ４７）。
【０１２５】
そして、紫外線照射後の液晶パネル６０２に対して液晶駆動用ＩＣ６０３ａ，６０３ｂを実装し、照明装置６０６をバックライトとして装着し、さらにＦＰＣ６０４を接続することにより、液晶表示装置６００（電子機器）が完成する。
【０１２６】
次に、上記の製造プロセスによって製造される液晶表示装置６００の構造について説明する。図２３に示すように、液晶表示装置６００は、液晶パネル６０２に半導体チップとしての液晶駆動用ＩＣ６０３ａおよび６０３ｂを実装し、配線接続要素としてのＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）６０４を液晶パネル６０２に接続し、さらに液晶パネル６０２の裏面側に照明装置６０６をバックライトとして設けることによって形成される。
【０１２７】
また、液晶パネル６０２は、第１パネル６０７ａと第２パネル６０７ｂとをシール材６０８によって貼り合わせることによって形成される。シール材６０８は、例えば、スクリーン印刷等によってエポキシ系樹脂を第１パネル６０７ａ又は第２パネル６０７ｂの内側表面に環状に付着させることによって形成される。また、シール材６０８の内部には図２４に示すように、導電性材料によって球状又は円筒状に形成された導通材６０９が分散状態で含まれる。
【０１２８】
第１パネル６０７ａは、伸張性を有し、且つ紫外線により非可逆性を発揮する紫外線硬化樹脂によって構成される。第１パネル６０７ａの内側表面（図２４の上側表面）には反射膜６１２が形成され、その上に絶縁膜６１３が積層される。さらに、その上に第１電極６１４ａが矢印Ｃ方向から見てストライプ状（図２３参照）に形成され、その上に配向膜６１６ａが形成される。また、基板６１１ａの外側表面（図２４の下側表面）には偏光板６１７ａが貼着等によって装着される。
【０１２９】
なお、第１パネル６０７ａでは、反射膜６１２、絶縁膜６１３、第１電極６１４ａ、配向膜６１６ａ、液晶Ｌ等によって、素子層６４１ａが形成され、当該素子層６４１ａは基板６１１ａに対して十分な接着性を有している。また、これら素子層６４１ａを構成する構成要素は、全て伸縮性材料で構成されており、基板６１１ａの伸張に伴って同じ配置を保持したまま伸張する。
【０１３０】
第２パネル６０７ｂは、第１パネル６０７ａと同様に紫外線硬化樹脂によって構成され、基板６１１ｂの内側表面（図２４の下側表面）には、機能液滴吐出装置１を用いてカラーフィルタ６１８が形成される。また、その上に上記第１電極６１４ａと直交する方向、且つ矢印Ｄ方向から見てストライプ状（図２３参照）に第２電極６１４ｂが形成され、さらにその上に配向膜６１６ｂが形成される。また、基板６１１ｂの外側表面（図２４の上側表面）には偏光板６１７ｂが貼着等によって装着される。
【０１３１】
なお、第２パネル６０７ｂでは、カラーフィルタ６１８、第２電極６１４ｂ、配向膜６１６ｂ、液晶Ｌ等によって、素子層６４１ｂが形成され、当該素子層６４１ｂは基板６１１ｂに対して十分な接着性を有している。また、これら素子層６４１ｂを構成する構成要素は、全て伸縮性材料で構成されており、基板６１１ａの伸張に伴って同じ配置を保持したまま伸張する。
【０１３２】
図２４に示すように、第１パネル６０７ａ、第２パネル６０７ｂおよびシール材６０８によって囲まれる間隙、いわゆるセルギャップ内には液晶、例えばＳＴＮ（ＳｕｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶Ｌが封入されている。第１パネル６０７ａ又は第２パネル６０７ｂの内側表面には微小で球形のスペーサ６１９（直径３ミクロン程度の球形樹脂ビーズ）が多数分散され、これらのスペーサ６１９がセルギャップ内に存在することによりそのセルギャップの厚さが均一に維持される。
【０１３３】
第１電極６１４ａと第２電極６１４ｂは互いに直交関係に配置され、それらの交差点は矢印Ｃ方向から見てドット・マトリクス状に配列する。そして、そのドット・マトリクス状の各交差点が１つの画素ピクセルを構成する。カラーフィルタ６１８は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色要素を矢印Ｃ方向から見て所定のパターン、例えば、ストライプ配列、デルタ配列等のパターンで配列させることによって形成されている。上記の１つの画素ピクセルはそれらＲ，Ｇ，Ｂの各１つずつに対応しており、そしてＲ，Ｇ，Ｂの３色画素ピクセルが１つのユニットになって１画素が構成される。
【０１３４】
そして、ドット・マトリクス状に配列される複数の画素を選択的に発光させることにより、液晶パネル６０２の第２パネル６０７ｂの外側に文字、数字等といった像が表示される。このようにして像が表示される領域が有効画素領域であり、矢印Ｄによって示される平面的な矩形領域が有効表示領域となっている。
【０１３５】
反射膜６１２はＡＰＣ合金、Ａｌ（アルミニウム）等といった光反射性材料によって形成され、第１電極６１４ａと第２電極６１４ｂとの交差点である各画素ピクセルに対応する位置に開口６２１が形成されている。そして、開口６２１は矢印Ｃ方向から見て、画素ピクセルと同じドット・マトリクス状に配列されている。
【０１３６】
第１電極６１４ａおよび第２電極６１４ｂは、例えば、透明導電材であるＩＴＯによって形成される。また、配向膜６１６ａ，６１６ｂは、ポリイミド系樹脂を一様な厚さの膜状に付着させることによって形成される。これらの配向膜６１６ａおよび６１６ｂは、伸張方向により、第１パネル６０７ａおよび第２パネル６０７ｂの表面上における液晶分子の初期配向が決定される。したがって、本実施形態においては、図６に示すように２次元方向に同時に伸張させるのではなく、図７に示すように一次元方向のみ、若しくはこれを２段階に分けて伸張させることが好ましい。この構成によれば、確実に液晶分子を配向させることができる。
【０１３７】
第１パネル６０７ａは、第２パネル６０７ｂよりも広い面積に形成されており、これらの基板をシール材６０８によって貼り合わせたとき、第１パネル６０７ａは第２パネル６０７ｂの外側へ張り出す基板張出し部６０７ｃを有する。そして、この基板張出し部６０７ｃには、第１電極６１４ａから延び出る引出し配線６１４ｃ、シール材６０８の内部に存在する導通材６０９を介して第２パネル６０７ｂ上の第２電極６１４ｂと導通する引出し配線６１４ｄ、液晶駆動用ＩＣ６０３ａの入力用バンプ、すなわち入力用端子に接続される配線６１４ｅ、そして液晶駆動用ＩＣ６０３ｂの入力用バンプに接続される配線６１４ｆ等といった各種の配線が適切なパターンで形成される。なお、引出し配線６１４ｃ、配線６１４ｅ、配線６１４ｆは、導電性ポリマーに金属微粒子を分散させて成り、これにより導電率を確保しながら伸張による断線を防ぐことができる。
【０１３８】
液晶駆動用ＩＣ６０３ａおよび液晶駆動用ＩＣ６０３ｂは、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）６２２によって基板張出し部６０７ｃの表面に接着されて実装される。すなわち、ＡＣＦ６２２の内部に含まれる導電粒子によって、液晶駆動用ＩＣ６０３ａおよび６０３ｂの入力側バンプと配線６１４ｅおよび６１４ｆとが導電接続され、液晶駆動用ＩＣ６０３ａおよび６０３ｂの出力側バンプと引出し配線６１４ｃおよび６１４ｄとが導電接続される。
【０１３９】
ＦＰＣ６０４は、伸縮性の樹脂フィルム６２３と、チップ部品６２４を含んで構成された回路６２６と、配線端子６２７とを有する（図２３参照）。回路６２６は樹脂フィルム６２３の表面に半田付けその他の導電接続手法によって直接に搭載される。ＦＰＣ６０４のうち配線端子６２７が形成された部分は、第１パネル６０７ａのうち配線６１４ｅおよび配線６１４ｆが形成された部分にＡＣＦ６２２によって接続される。そして、ＡＣＦ６２２の内部に含まれる導電粒子の働きにより、基板側の配線６１４ｅおよび６１４ｆとＦＰＣ側の配線端子６２７とが導通する。
【０１４０】
ＦＰＣ６０４の反対側の辺端部には外部接続端子６３１が形成され、この外部接続端子６３１が図示しない外部回路に接続される。そして、この外部回路から伝送される信号に基づいて液晶駆動用ＩＣ６０３ａおよび６０３ｂが駆動され、第１電極６１４ａおよび第２電極６１４ｂの一方に走査信号が供給され、他方にデータ信号が供給される。これにより、有効表示領域Ｖ内に配列されたドット・マトリクス状の画素ピクセルが個々のピクセルごとに電圧制御され、その結果、液晶Ｌの配向が個々の画素ピクセルごとに制御される。
【０１４１】
照明装置６０６は、バックライトとして機能し、アクリル樹脂等によって構成された導光体６３２と、その導光体６３２の光出射面６３２ｂに設けられた拡散シート６３３と、導光体６３２の光出射面６３２ｂの反対面に設けられた反射シート６３４と、発光源としてのＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）６３６とを有する。
【０１４２】
ＬＥＤ６３６はＬＥＤ基板６３７に支持され、そのＬＥＤ基板６３７は、例えば導光体６３２と一体に形成された支持部（図示省略）に装着される。ＬＥＤ基板６３７が支持部の所定位置に装着されることにより、ＬＥＤ６３６が導光体６３２の側辺端面である光取込み面６３２ａに対向する位置に置かれる。なお、符号６３８は液晶パネル６０２に加わる衝撃を緩衝するための緩衝材を示している。
【０１４３】
ＬＥＤ６３６が発光すると、その光は光取込み面６３２ａから取り込まれて導光体６３２の内部へ導かれ、反射シート６３４や導光体６３２の壁面で反射しながら伝播する間に光出射面６３２ｂから拡散シート６３３を通して外部へ平面光として出射する。
【０１４４】
本実施形態の液晶表示装置６００は、以上の構成により、太陽光、室内光等といった外部光が十分に明るい場合には、第２パネル６０７ｂ側から外部光が液晶パネル６０２の内部へ取り込まれ、その光が液晶Ｌを通過した後に反射膜６１２で反射して再び液晶Ｌへ供給される。これにより、反射型の表示が行われる。一方、外部光の光量が十分に得られない場合には、ＬＥＤ６３６が発光して導光体６３２の光出射面６３２ｂから平面光が出射され、その光が反射膜６１２に形成された開口６２１を通して液晶Ｌへ供給される。これにより、透過型の表示が行われる。
【０１４５】
以上の通り、液晶表示装置６００においても、第１パネル６０７ａおよび第２パネル６０７ｂは、非可逆性の伸張性材料（紫外線硬化樹脂）で構成されており、これらの基板６１１ａ，６１１ｂ上に形成される素子層６４１ａ，６４１ｂは、いずれも伸縮性材料で構成されていると共に、それぞれ基板６１１ａ，６１１ｂに対する接着性を有しているため、第１パネル６０７ａおよび第２パネル６０７ｂ形成後にこれらを貼り合わせて伸張させることで、最初の基板６１１ａ，６１１ｂよりも大きなサイズの液晶パネル６０２を製造することができる。したがって、大きな液晶パネル６０２（液晶表示装置６００）を製造する場合であっても、製造ラインを大型化することなくこれに伴うコストの上昇を防止することができる。
【０１４６】
また、各チップに切り出した後の第１パネル６０７ａと第２パネル６０７ｂとを貼り合わせ、液晶を注入した後、表示装置６００を伸張することによって、液晶分子を配向させることができる。したがって、第１パネル６０７ａおよび第２パネル６９７ｂ形成時において、それぞれ配向膜６１６ａおよび６１６ｂ形成後に個別のラビング処理を行う必要が無く、まとめて配向させることができる。
【０１４７】
なお、第１電極６１４ａ、第２電極６１４ｂ、引出し配線６１４ｃ、配線６１４ｅ，６１４ｆ等を、インクジェット方式により形成しても良い。すなわち、所定の機能液を機能液滴吐出ヘッドＨにそれぞれ導入し、これを機能液滴吐出ヘッドＨから吐出して、第１電極６１４ａ等をそれぞれ形成しても良い（乾燥工程を含む）。
【０１４８】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。上記の実施形態では、目的とする大きさよりも小さいサイズの基板５０１，６１１ａ，６１１ｂ（以下、参照番号５０１だけ示す）上に素子層２０，６４１ａ，６４１ｂ（以下、参照番号２０だけ示す）を形成する場合について説明したが、本実施形態では、目的とする大きさよりも大きいサイズの基板５０１上に素子層２０を形成する場合、すなわち収縮によって、元の基板５０１よりも小さなサイズの表示装置１０，６００（以下、参照番号１０だけ示す）を製造する場合について説明する。なお、本実施形態は、有機ＥＬ表示装置１０および液晶表示装置６００のいずれにも適用可能である。
【０１４９】
この場合、基板５０１は、熱エネルギーにより収縮性を発揮する熱収縮性材料、または光エネルギーにより収縮性を発揮する光収縮性材料で構成されている。また、この基板５０１上に形成される素子層２０は、上記の実施形態の場合と同様に、伸縮性材料で構成され、基板５０１に対する十分な接着性を有している。したがって、素子層２０形成後に基板５０１を収縮させることで、最初の基板５０１よりも小さなサイズの表示装置１０を製造することができる。
【０１５０】
図２５は、表示装置１０の収縮状態を示したものであるが、同図に示すように、二次元方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に同じ縮尺で収縮される。なお、一次元方向のみに収縮する構成としても良いし、２段階に分けて二次元方向に収縮する構成としても良い。このように、素子層２０形成後に基板５０１を収縮させることで、素子層２０形成時は、製造装置（機能液滴吐出装置１）の精度を、それ程高くしなくとも、容易に良質の表示装置１０を製造することができる。すなわち、インクジェット方式により素子層２０における構成要素（例えば、光機能層５１０など）を形成する場合、微小な画素領域内に所定量（所定回数）の機能液を精度良く吐出する必要があるが、本実施形態によれば、画素領域が広い状態で機能液を吐出することができるため、その分の吐出位置（吐出精度）の誤差をカバーすることができる。
【０１５１】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。第３実施形態では、収縮によって、元の基板５０１よりも小さなサイズの表示装置１０を製造する場合について説明したが、本実施形態では、基板５０１を自己収縮可能な弾性材料（ウレタンゴム、シリコンゴムなどのゴム膜）で構成し、基板５０１を一旦伸張機構（Ｘ軸方向および／またはＹ軸方向に伸張可能：図４の伸張装置参照）により伸張させた状態で固定して（前伸張工程）、素子層２０を形成するものである。そして、素子層２０形成後に、伸張機構を解除して基板５０１を元の大きさに戻すものである。なお、本実施形態は、有機ＥＬ表示装置１０および液晶表示装置６００のいずれにも適用可能である。また、本実施形態においても、素子層２０を構成する構成要素は、全て伸縮性材料で構成されており、当該素子層２０は、基板５０１に対する接着性を有している。
【０１５２】
この場合、伸張機構は、図４に示す伸張装置を図３に示す機能液滴吐出装置に組み込んだものを用いることができ、例えば有機ＥＬ表示装置１０において、マザー基板Ｗまたは基板５０１の上部および下部、若しくは周囲をクリップ等でセットテーブル２１に固定する。そして、マザー基板Ｗまたは基板５０１が不動の状態で、素子層２０を形成し、更にその上に紫外線硬化樹脂から成る封止層３０を形成した後、伸張機構を解除して収縮させる。そして、最後に紫外線を照射させることによって封止層３０を硬化させる。
【０１５３】
なお、素子層２０をインクジェット方式で形成する場合は、基板５０１を伸張させた状態で機能液の乾燥を行い、その後収縮させることが好ましい。この構成によれば、より早く機能液を乾燥させることができ、乾燥むらを防ぐことができる。
【０１５４】
このように、本実施形態によれば、基板５０１および素子層２０は、いずれも伸縮性材料で構成されており、この基板５０１上に形成される素子層２０は、基板５０１に対する接着性を有しているため、素子層２０形成後に基板５０１を収縮させることで、最初の基板５０１よりも小さなサイズの表示装置１０を製造することができる。したがって、例えばインクジェット方式により素子層２０を形成する場合、画素領域が広い状態で機能液を吐出することができるため、製造装置の精度を上げることなく、良質な表示装置１０を製造することができる。また、基板５０１が自己収縮可能な弾性材料で構成されているため、基板５０１材料に化学変化を起こさせるなどの処理を必要とすることがなく、容易に基板５０１を収縮させることができる。
【０１５５】
なお、本実施形態では、基板５０１を自己収縮可能な弾性材料で構成したが、これに代えて、熱エネルギーまたは光エネルギーにより収縮可能であり、且つこれらのエネルギーにより非可逆性を発揮する伸縮性材料で基板５０１を構成しても良い。この構成によれば、最終的に熱エネルギーまたは光エネルギーを付与することによって、収縮させることができると共に、最終的に安定した状態の表示装置１０を得ることができる。特に、基板５０１を封止層３０と同様の、収縮可能な紫外線硬化樹脂で構成した場合は、最終的に紫外線を照射することによって、基板５０１および封止層３０の両方を同時に硬化させることができるため、処理が容易である。また、基板５０１および封止層３０を、熱エネルギー（加熱）によって収縮および硬化する熱硬化樹脂によって構成しても良い。この場合も、加熱により基板５０１および封止層３０の両方を同時に硬化させることができるため、処理が容易である。
【０１５６】
また、この場合、熱エネルギーにより非可逆性を発揮する伸縮性材料としては、熱収縮フィルムなどを用いることが好ましい。この場合、伸縮性材料は、比較的低温で収縮し、しかも収縮率が高く、収縮または温度による強度の低下が小さいものが好ましい。この構成によれば、より製造が簡単で安定した表示装置１０を製造することができる。
【０１５７】
また、本実施形態では、図４および図５に示すような基板５０１全体を伸張可能な伸張装置６０（伸張機構）を用いるのではなく、基板５０１を部分的に伸張可能な伸張機構を用いても良い。この場合、例えばアクティブ素子部分は伸張させず、配線部分のみを伸張し、その伸張に応じて（場所に応じた変形率に応じて）機能液滴吐出装置１で、配線部分に対応する機能液を塗布するようにしても良い。
【０１５８】
また、この場合、図２６に示すような、伸張機構を用いることが好ましい。すなわち、それぞれ１カ所のチャック溝７０２ａ，７０２ｂを有するローラ７０１ａ，７０１ｂに、基板５０１の端部を係止して巻き付け、ローラ７０１ａ，７０１ｂを矢印方向に引っ張ることで、伸張対象領域を伸張させる。そして、伸張対象領域である平坦部に対し、機能液滴吐出ヘッドＨから機能液を吐出することによって配線等を塗布する。なお、この場合、基板５０１の係止および巻回によって伸張対象領域に凹凸が生じる場合は、当該凹凸を考慮して機能液滴吐出ヘッドＨからの機能液吐出タイミングを制御することが好ましい。この構成によれば、部分的に基板５０１を伸張可能であるため、機能液滴吐出装置１の精度をそれ程高くしなくとも良質の表示装置１０を得ることができると共に、装置の小型化を図ることができる。
【０１５９】
以上、第１実施形態ないし第４実施形態で説明したとおり、本発明の表示装置、電子機器、並びに表示装置の製造方法によれば、表示装置１０を構成する構成要素を全て伸張可能な材質とすることで、目的とする大きさよりも小さいサイズの基板５０１上に素子層２０（電極、正孔注入／輸送層５１０ａおよび発光層５１０ｂ）を形成することができる（第１実施形態および第２実施形態）。そしてこの構成により、製造ラインの大型化およびこれに伴うコストの上昇を防止することができる。
【０１６０】
また、この場合、電極に接続される各種配線は、導電性ポリマーに金属微粒子を分散させたものを用いるため、導電率を確保しながら伸張による断線を防ぐことができる。
【０１６１】
一方、表示装置１０を構成する構成要素を全て収縮可能な材質とすることで、目的とする大きさよりも大きいサイズの基板５０１上にこれらを形成したりすることもできる（第３実施形態および第４実施形態）。そしてこの構成により、例えばインクジェット方式により素子層２０を形成する場合は、製造装置の精度がそれ程高くなくとも吐出位置精度（着弾精度）を向上させることができるため、質の高い表示装置１０を製造することができる。
【０１６２】
また、この場合、インクジェット方式により吐出した機能液を乾燥させる際、基板５０１を伸張させた状態としておく（乾燥した後収縮する）ことで、より早く機能液を乾燥させることができ、乾燥むらを防ぐことができる。
【０１６３】
なお、上記の表示装置（有機ＥＬ表示装置１０、液晶表示装置６００）がアクティブパネルの場合、アクティブ素子をインクジェット方式で形成するものとしたが、フォトリソグラフィー法等で形成したアクティブ素子を、貼り付ける（マウントする）ようにしても良い。アクティブ素子の貼り付け方法については、特開２００１−５１２９６号等に開示されている。
【０１６４】
このとき、例えば１画素毎のアクティブ素子が分離している場合は、基板５０１の伸張処理または収縮処理の前に貼り付けることも可能である。また、複数画素のアクティブ素子が集結している場合であっても、例えば４画素のアクティブ素子が集結している場合は、それら４画素を仕切る仕切り線の交点にアクティブ素子を配置すれば、貼り付けたアクティブ素子によって伸張または収縮が妨げられることがないため、伸張処理または収縮処理の前に貼り付けることができる。但し、この場合、アクティブ素子は、伸縮性材料（有機薄膜トランジスタ）で構成され、且つ伸縮性を有する導電性材料で配線されることが好ましい。さらに、基板５０１との接着性を向上させるため、伸縮性の接着剤でアクティブ素子を基板５０１に接着することが好ましい。なお、アクティブ素子を、基板５０１の伸張処理または収縮処理の後に貼り付けることも当然可能である。この構成であれば、アクティブ素子の伸縮性を考慮する必要がないため、従来から利用されているアクティブ素子を用いることができる。
【０１６５】
また、上記の例において、インクジェット方式により形成した構成要素（例えば、有機ＥＬ表示装置１０の光機能層１１０など）も、フォトリソグラフィー等を用いて形成しても良い。すなわち、各構成要素は、伸縮性を有する材料を用いることができれば、その形成方法はいかなる方法であっても良い。
【０１６６】
また、第１実施形態および第２実施形態では、基板５０１を伸張させることによって目的とする大きさの表示装置１０を製造したが、この場合、伸張率が高いと無機薄膜（ＩＴＯで構成された画素電極５１１、陰極５０３のＣａ層、ガスバリアのための薄膜など）に亀裂が入る恐れがある。このため、このような不具合が生じる可能性がある場合は、無機薄膜を塗布する前に伸張させるか、伸縮性材料で構成されたフィルムを用いて伸ばした状態で成膜し、再び縮めてからこれを蒸着することが好ましい。また、これらの無機薄膜を有機薄膜に置き換えても良い。この構成によれば、上記のような不具合が発生することがない。
【０１６７】
また、本発明は、上記の有機ＥＬ表示装置１０や液晶表示装置６００に限らず、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）装置および電気泳動表示装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）装置等、種々の表示装置の製造方法に適用可能である。
【０１６８】
【発明の効果】
以上のように、本発明の表示装置、電子機器、並びに表示装置の製造方法によれば、表示装置を構成する構成要素を全て伸張または収縮可能な材質とすることで、目的とする大きさよりも小さいサイズの基板上に素子層２０（電極、正孔注入／輸送層および発光層）を形成したり、逆に目的とする大きさよりも大きいサイズの基板状にこれらを形成したりすることが可能となるため、質を低下させることなく、製造ラインの大型化およびこれに伴うコストの上昇を防止することができるなどの効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の要部を示す図である。
【図２】実施形態に係る表示装置の平面図および断面図である。
【図３】実施形態に係る機能液滴吐出装置の平面視模式図である。
【図４】実施形態に係る伸張装置の平面視模式図である。
【図５】実施形態に係るチャック機構の斜視図である。
【図６】実施形態に係る表示装置の伸張状態の一例を示す図である。
【図７】図６とは異なる表示装置の伸張状態の一例を示す図である。
【図８】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるバンク部形成工程（無機物バンク）の断面図である。
【図１０】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるバンク部形成工程（有機物バンク）の断面図である。
【図１１】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（親水化処理）の断面図である。
【図１２】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（撥水化処理）の断面図である。
【図１３】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における正孔注入層形成工程（機能液滴吐出）の断面図である。
【図１４】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における正孔注入層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図１５】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における表面改質工程（機能液滴吐出）の断面図である。
【図１６】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における表面改質工程（乾燥）の断面図である。
【図１７】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（機能液滴吐出）の断面図である。
【図１８】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図１９】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法におけるＲ・Ｇ・Ｂ発光層形成工程の断面図である。
【図２０】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における対向電極形成工程の断面図である。
【図２１】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における封止工程の断面図である。
【図２２】第２実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２３】第２実施形態に係る液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２４】第２実施形態に係る液晶表示装置の断面図である。
【図２５】第３実施形態に係る表示装置の収縮状態の一例を示す図である。
【図２６】第４実施形態に係る伸張機構の一例を示す図である。
【符号の説明】
１  機能液滴吐出装置
３  移動機構
４  Ｙ軸テーブル
５  Ｘ軸テーブル
７  ヘッドユニット
９  サブキャリッジ
１０  有機ＥＬ表示装置
１２  機能液供給機構
２０  素子層
３０  封止層
６０  伸張装置
６２ａ，ｂ  Ｘ軸伸張機構
６３ａ，ｂ  Ｙ軸伸張機構
６５  チャック機構
１１０  光機能層
５０１  基板
５０２  回路素子層
５０３  陰極（対向電極）
５０４  表示素子層
５１０ａ  正孔注入／輸送層
５１０ｂ  発光層
６００  液晶表示素位置
６１１ａ，ｂ  基板
６４１ａ，ｂ  素子層
Ａ  画素領域
Ｈ  機能液滴吐出ヘッド
Ｌ  液晶
Ｗ  マザー基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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