(57)【要約】【課題】余計な段差を形成することなく層厚調整層を形成することにより、透過表示領域および反射表示領域での電気光学物質層の層厚を適正化し、画像の品位を向上可能な電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００において、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２度、通過することに対応して、対向基板２０に層厚調整層２５を形成する一方、ＴＦＴアレイ基板１０では、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａを第２の層厚調整層として利用し、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄ１を透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄ２よりも薄くする。【選択図】      図６
2004302379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透明電極を備えた第１の透明基板と、該第１の透明基板に対向配置され、前記第１の透明基板と対向する面側に第２の透明電極が形成された第２の透明基板と、前記第１の透明基板と前期第２の透明基板との間に保持された電気光学物質とを有し、前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する面側には、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極とが対向する各画素に反射表示領域を構成し、当該画素の残りの領域を透過表示領域とする光反射層が形成された半透過反射型液晶装置において、
前記第１の透明基板の前記第２の透明基板と対向する面側には、前期第１の透明電極の下層側に前記反射表示領域における前記電気光学物質の層厚と前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚とを相違させる第１の層厚調整層が形成され、
前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する領域には、前期第２の透明電極の下層側に前記反射表示領域における前記電気光学物質の層厚と前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚とを相違させる第２の層厚調整層が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記電気光学物質は液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の層厚調整層、および前記第２の層厚調整層は、前記反射表示領域における前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚よりも薄くしていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の透明基板の前記第２の透明基板と対向する面側で前記第１の層厚調整層と平面的に重なる領域、および前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する面側で前記第２の層厚調整層と平面的に重なる領域のうちの少なくとも一方には、前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に介在して前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に隙間を確保する隙間形成用突起が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項３において、前記第１の透明基板の前記第２の透明基板と対向する面側で前記第１の層厚調整層と平面的に重なる領域、および前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する面側で前記第１の層厚調整層と対向する平坦領域のうちの少なくとも一方には、前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に介在して前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に隙間を確保する隙間形成用突起が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項４または５において、前記隙間形成用突起は、前記第１の透明基板の側に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項３ないし６のいずれかにおいて、前記第２の層厚調整層は、２層以上の透明材料層から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７において、前記第２の層厚調整層は、前記光反射膜の下層側に当該前記光反射膜の表面に対して凹凸を付すための凹凸形成膜として形成され、かつ、
前記第２の層厚調整層は、前記２層以上の透明材料層が前記反射表示領域に形成されている一方、前記透過表示領域には、前期透明材料層が前記反射表示領域よりも少ない層数で形成されていることにより、前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域よりも前記反射表示領域で薄くしていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項７において、前記第２の層厚調整層は、前記光反射膜表面に凹凸パターンを付すための凹凸形成膜として形成され、かつ、
前記第２の層厚調整層は、前記２層以上の透明材料層が前記反射表示領域に形成されている一方、前記透過表示領域には、前期透明材料層が形成されていないことにより、前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚よりも薄くしていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項３ないし６のいずれかにおいて、前記第２の層厚調整層は、一層の透明材料層から構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第２の層厚調整層は、前記光反射膜の下層側に当該前記光反射膜の表面に対して凹凸を付すための凹凸形成膜として形成され、かつ、
前記第２の層厚調整層は、前記透明材料層が前記反射表示領域に形成されている一方、前記透過表示領域に前記透明材料層が形成されていないことにより、前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚よりも薄くしていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項９または１１において、前記第２の層厚調整層の下層側には複数の薄膜が形成されているとともに、
前記透過表示領域では、前記複数の薄膜のうちの少なくとも１つの薄膜が除去されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかにおいて、前記第１の透明基板、および前記第２の透明基板のうちの一方には前記画素の各々において表示光を着色可能なカラーフィルタ層が形成され、かつ、
当該カラーフィルタ層は、前記反射表示領域に形成された反射表示用カラーフィルタ層と、前記透過表示領域に形成された透過表示用カラーフィルタ層とを備え、
当該透過表示用カラーフィルタ層は、前期反射表示用カラーフィルタ層よりも色度域が広い前記ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかにおいて、前記第２の透明基板は、前記第２の透明電極が画素スイッチング素子とともにマトリクス状に配置された素子基板であり、前記第２の透明基板は、当該素子基板に対向配置された対向基板であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかに規定する電気光学装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、１つの画素内に反射表示領域と透過表示領域とを備えた電気光学装置、およびそれを備えた電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種の電気光学装置のうち、透過モードおよび反射モードの双方で画像を表示可能なものは半透過反射型の電気光学装置と称せられ、あらゆるシーンで使用されている。
【０００３】
このような電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型の電気光学装置では、図１４に示すように、対向電極２１（第１の透明電極）およびカラーフィルタ層２７が形成された対向基板２０（第１の透明基板）と、表面に透明な画素電極９ａ（第２の透明電極）および画素スイッチングのＴＦＴ（薄膜トランジスタ／Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３０が形成されたＴＦＴアレイ基板１０（第２の透明基板）と、これらの基板１０、２０の間に保持された液晶層５０とを有している。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との基板間隔は、いずれか一方の基板表面に所定粒径のギャップ材（図示せず）を散布した後、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とをシール材（図示せず）を介して貼り合わせることにより規定されている。
【０００４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａと対向電極２１とが対向する画素１００ａに反射表示領域１００ｂを構成する光反射層８ａが形成され、この光反射層８ａには、透過表示領域１００ｃを構成する光透過穴８ｄが形成されている。従って、ＴＦＴアレイ基板１０の背面側に配置されたバックライト装置（図示せず）から出射された光のうち、透過表示領域１００ｃに入射した光は、矢印Ｌ２で示すように、ＴＦＴアレイ基板１０１の側から液晶層５０に入射し、液晶層５０で光変調された後、対向基板２０の側から透過表示光として出射されて透過モードで画像を表示する。また、対向基板２０の側から入射した外光のうち、反射表示領域１００ｂに入射した光は、矢印Ｌ１で示すように、液晶層５０を通って光反射層８ａに届き、この光反射層８ａで反射されて再び、液晶層５０を通って対向基板２０の側から反射表示光として出射されて反射モードで画像を表示する（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
なお、光反射層８ａの下層側には、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａが形成されており、これらの凹凸形成膜によって、光反射層８ａの表面には光散乱用の凹凸パターン８ｇが付されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開平１１−０４４８１４号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような電気光学装置において、液晶層５０で光変調が行われる際、液晶のツイスト角を小さく設定した場合には、偏光状態の変化が屈折率差Δｎと液晶層５０の層厚ｄの積（リターデーションΔｎ・ｄ）の関数になるため、この値を適正化しておけば視認性のよい表示を行うことができる。
【０００８】
しかしながら、半透過反射型の電気光学装置において、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２度、通過することになるため、透過表示光および反射表示光の双方において、リターデーションΔｎ・ｄを最適化することは困難である。従って、反射モードでの表示が視認性のよいものとなるように液晶層５０の層厚を設定すると、透過モードでの表示が犠牲となる。逆に、透過モードでの表示が視認性のよいものとなるように液晶層５０の層厚を設定すると、反射モードでの表示が犠牲となる。
【０００９】
そこで、対向基板２０の側において、対向電極２１の下層側に層厚調整層２５を形成し、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄ１を透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄ２よりも薄くすることが考えられる。
【００１０】
しかしながら、対向基板２０の側に層厚調整層２５を形成して液晶層５０の層厚を調整した場合、対向基板２０の表面には、層厚調整層２５によって大きな段差が形成される。このため、配向膜２２に対するラビング処理を行う際、層厚調整層２５の影になった部分２５０でラビングが適正に行われず、表示品位が低下するという問題点がある。
【００１１】
また、対向基板２０の側において層厚調整層２５によって大きな段差が発生していると、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に隙間を確保するために対向基板２０に散布したギャップ材が凹部内にたまってしまい、隙間の制御を行えなくなるという問題点がある。
【００１２】
一方、ギャップ材に代えて、ＴＦＴアレイ基板１０あるいは対向基板２０に柱状の隙間形成用突起を形成して、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との隙間を確保するための方法が提案されているが、あまりに高い隙間形成用突起を形成すると、配向膜に対するラビング処理を行う際、隙間形成用突起の影になった部分でラビングが適正に行われず、表示品位が低下するという問題点がある。
【００１３】
以上の問題点に鑑みて、本発明では、余計な段差を形成することなく層厚調整層を形成することにより、透過表示領域および反射表示領域での電気光学物質層の層厚を適正化し、画像の品位を向上可能な電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、第１の透明電極を備えた第１の透明基板と、該第１の透明基板に対向配置され、前記第１の透明基板と対向する面側に第２の透明電極が形成された第２の透明基板と、前記第１の透明基板と前期第２の透明基板との間に保持された電気光学物質とを有し、前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する面側には、前記第１の透明電極と前記第２の透明電極とが対向する各画素に反射表示領域を構成し、当該画素の残りの領域を透過表示領域とする光反射層が形成された電気光学装置において、前記第１の透明基板の前記第２の透明基板と対向する面側には、前期第１の透明電極の下層側に前記反射表示領域における前記電気光学物質の層厚と前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚とを相違させる第１の層厚調整層が形成され、前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する領域には、前期第２の透明電極の下層側に前記反射表示領域における前記電気光学物質の層厚と前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚とを相違させる第２の層厚調整層が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、前記電気光学物質は、例えば液晶である。
【００１６】
本発明において、前記第１の層厚調整層、および前記第２の層厚調整層は、例えば、前記反射表示領域における前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚よりも薄くする。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置において、透過表示光は、電気光学物質の層を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、電気光学物質の層を２度、通過することになるが、反射表示領域における電気光学物質の層厚は、透過表示領域における電気光学物質の層厚よりもかなり薄い。このため、透過表示光および反射表示光の双方に対して変調を好適に行うことができるので、品位の高い画像を表示することができる。すなわち、電気光学物質として液晶を用いた場合には、表示光の偏光状態は、屈折率差Δｎと液晶層の層厚ｄの積（リターデーションΔｎ・ｄ）で規定されるため、この値を適正化しておけば視認性のよい表示を行うことができる。また、本発明では、第１の透明基板および第２の透明基板の双方に層厚調整層を形成するため、第１の透明基板および第２の透明基板の双方において層厚調整層によって生成する段差が低くて済む。このため、透明基板にラビング処理を施す際、層厚調整層の影になってラビング処理が好適に行えない部分が発生するということがない。それ故、第１の透明基板および第２の透明基板の双方においてラビング処理を好適に行うことができるので、ドメインが発生せず、品位の高い画像を表示することができる。
【００１８】
本発明において、前記第１の透明基板の前記第２の透明基板と対向する面側で前記第１の層厚調整層と平面的に重なる領域、および前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する面側で前記第２の層厚調整層と平面的に重なる領域のうちの少なくとも一方には、前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に介在して前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に隙間を確保する隙間形成用突起が形成されていることが好ましい。このように構成すると、第１の層厚調整層と第２の層厚調整層との間で隙間形成用突起が第１の透明基板と第２の透明基板との間の隙間を制御するので、隙間形成用突起の高さを低くできる。従って、隙間形成用突起を形成した方の透明基板にラビング処理を施す際、このラビング処理を好適に行うことを隙間形成用突起が妨げることがない。それ故、品位の高い画像を表示することができる。
【００１９】
本発明において、前記第１の透明基板の前記第２の透明基板と対向する面側で前記第１の層厚調整層と平面的に重なる領域、および前記第２の透明基板の前記第１の透明基板と対向する面側で前記第１の層厚調整層と対向する平坦領域のうちの少なくとも一方には、前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に介在して前記第１の透明基板と前記第２の透明基板との間に隙間を確保する隙間形成用突起が形成されていることが好ましい。このように構成すると、第１の層厚調整層と第２の透明基板との間で隙間形成用突起が第１の透明基板と第２の透明基板との間の隙間を制御するので、隙間形成用突起の高さを低くできる。従って、隙間形成用突起を形成した方の透明基板にラビング処理を施す際、このラビング処理を好適に行うことを隙間形成用突起が妨げることがない。また、隙間形成用突起は、第２の透明基板の平坦領域に位置するので、隙間寸法を高い精度で制御できる。それ故、電気光学物質の層厚を高い精度で制御できるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００２０】
本発明において、前記隙間形成用突起は、例えば、前記第１の透明基板の側に形成される。
【００２１】
本発明において、前記第２の層厚調整層は、例えば、２層以上の透明材料層から構成される。
【００２２】
この場合、前記第２の層厚調整層は、例えば、前記光反射膜の下層側に当該前記光反射膜の表面に対して凹凸を付すための凹凸形成膜として形成される。ここで、前記第２の層厚調整層は、前記２層以上の透明材料層が前記反射表示領域に形成されている一方、前記透過表示領域には、前期透明材料層が前記反射表示領域よりも少ない層数で形成されていることにより、前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域よりも前記反射表示領域で薄くする。また、前記第２の層厚調整層は、前記２層以上の透明材料層が前記反射表示領域に形成されている一方、前記透過表示領域には、前期透明材料層が形成されていないことにより、前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚よりも薄くする構成であってもよい。このように構成すると、光反射膜の下層側に形成される凹凸形成膜を第２の層厚調整層として利用するため、第２の透明基板に対して第２の層厚調整層を形成するための工程を追加する必要がない。
【００２３】
本発明において、前記第２の層厚調整層は、一層の透明材料層から構成されている場合もある。
【００２４】
この場合も、前記第２の層厚調整層は、前記光反射膜の下層側に当該前記光反射膜の表面に対して凹凸を付すための凹凸形成膜として形成することができる。ここで、前記第２の層厚調整層は、前記透明材料層が前記反射表示領域に形成されている一方、前記透過表示領域に前記透明材料層が形成されていないことにより、前記電気光学物質の層厚を前記透過表示領域における前記電気光学物質の層厚よりも薄くする。このように構成した場合も、光反射膜の下層側に形成される凹凸形成膜を第２の層厚調整層として利用するため、第２の透明基板に対して第２の層厚調整層を形成するための工程を追加する必要がない。
【００２５】
本発明において、前記第２の層厚調整層の下層側には複数の薄膜が形成されているとともに、前記透過表示領域では、前記複数の薄膜のうちの少なくとも１つの薄膜が除去されていることが好ましい。このように構成すると、第２の層厚調整層の下層側を薄くした分、第２の層厚調整層、あるいは第１の層厚調整層を低く済む。また、透過表示領域の透過率を向上することができる。
【００２６】
本発明において、前記第１の透明基板、および前記第２の透明基板のうちの一方には前記画素の各々において表示光を着色可能なカラーフィルタ層が形成され、かつ、当該カラーフィルタ層は、前記反射表示領域に形成された反射表示用カラーフィルタ層と、前記透過表示領域に形成された透過表示用カラーフィルタ層とを備え、当該透過表示用カラーフィルタ層は、前期反射表示用カラーフィルタ層よりも色度域が広いことが好ましい。透過表示光は、カラーフィルタ層を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、カラーフィルタ層を２度、通過することになるため、透過表示用カラーフィルタ層を反射表示用カラーフィルタ層と比較して色度域を広くしておけば、透過表示光および反射表示光の双方において同一の色相で画像を表示できる。本願明細書における「色度域が広い」とは、例えばＣＩＥ１９３１ｒｇｂ表色系色度図で表される色三角形の面積が大きいことを指しており、色合いが濃いということに対応している。
【００２７】
この場合、反射表示用カラーフィルタ層と、透過表示用カラーフィルタ層の厚さは同等、例えば、厚さの差としては１０％以内であることが好ましい。
【００２８】
本発明において、前記第１の層厚調整層および前記第２の層厚調整層は、例えば、透明な感光性樹脂層により形成することができる。
【００２９】
本発明において、前記第２の基板は、例えば、前記第２の透明電極が画素スイッチング素子とともにマトリクス状に配置された素子基板である。この場合、第１の基板は、この素子基板に対向配置される対向基板である。
【００３０】
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなといった電子機器の表示装置として用いることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明に用いる各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３２】
［実施の形態１］
（電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置を各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ′断面図である。図３は、電気光学装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３３】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１００（液晶装置）は、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても表示可能な半透過・反射型液晶装置である。この電気光学装置１００では、対向基板２０（第１の透明基板）とＴＦＴアレイ基板１０（第２の透明基板）とがシール材５２によって所定の間隔をあけて貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学物質としての液晶の層（液晶層５０）が保持されている。シール材５２の形成領域の内側領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１、および実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切り５３の下などを利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が形成されている。
【００３４】
電気光学装置１００に対しては、ＴＦＴアレイ基板１０の側には偏光板２１０およびバックライト装置２００が配置され、対向基板２０の側には偏光板２２０が配置されている。
【００３５】
なお、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、たとえば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド、ボンディング）基板をＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群に対して異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【００３６】
このような構造を有する電気光学装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されている。これらの画素１００ａの各々には、画素電極９ａ、およびこの画素電極９ａを駆動するための画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２・・・Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００３７】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大していく。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００３８】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０を付加することがある。例えば、画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００が実現できる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に例示するように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線３ａとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
【００３９】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本形態の電気光学装置に用いたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、電気光学装置の画素の一部を図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの断面図である。
【００４０】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、複数の透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜からなる画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、これら各画素電極９ａに対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ接続している。また、画素電極９ａの縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、および容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａおよび走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極４１に、走査線３ｂと同層の容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００４１】
このように構成した各画素１００ａには、後述するように、画素電極９ａの下層側に、この画素電極９ａと略重なる領域に光反射膜８ａが形成されている。
【００４２】
画素１００ａのＡ−Ａ′線における断面は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基体たる透明基板１０′の表面（第１の面側）に、厚さが３００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが５０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１ａが形成されている。半導体膜１ａの表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２ａが形成され、このゲート絶縁膜２ａの表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１ａのうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２ａを介して対峙する領域がチャネル領域１ａ′になっている。このチャネル領域１ａ′に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂおよび高濃度ソース領域１ｄを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃおよび高濃度ドレイン領域１ｅを備えるドレイン領域が形成されている。
【００４３】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、および厚さが１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）が形成されている。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【００４４】
第２層間絶縁膜５の上層には、透明の感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａ、および透明の感光性樹脂からなる上層側凹凸形成膜７ａがこの順に形成され、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、アルミニウム膜などからなる光反射膜８ａが形成されている。この光透過膜８ａは、透過モードでの表示を行うための光透過穴８ｄが形成された部分反射膜である。
【００４５】
光反射膜８ａの上層には、ＩＴＯ膜からなる透明な画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、光反射膜８ａの表面に直接、積層され、画素電極９ａと光反射膜８ａとは電気的に接続されている。画素電極９ａは、上層側凹凸形成膜７ａおよび第２層間絶縁膜５に形成されたコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。ここで、光反射膜８ａは、コンタクトホール５ｂ内には形成されていないが、画素電極９ａに接しており、実質、画素電極９ａおよびコンタクトホール５ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している状態にある。
【００４６】
画素電極９ａの表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００４７】
また、高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２ａと同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０が構成されている。
【００４８】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、および低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００４９】
本形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。この際、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造或いはオフセット構造にすれば、さらにオフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００５０】
（凹凸パターン８ｇの構成）
図４および図５において、ＴＦＴアレイ基板１０では、各画素１００ａの反射領域には、光反射膜８ａの表面に凸部８ｂおよび凹部８ｃを備えた凹凸パターン８ｇが形成されている。
【００５１】
このような凹凸パターン８ｇを構成するにあたって、本形態のＴＦＴアレイ基板１０では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域には、感光性樹脂からなる下層側凹凸形成膜１３ａが第２層間絶縁膜５の表面に複数の柱状突起（凹凸）として所定の分布をもって形成され、この下層側凹凸形成膜１３ａの上層には、流動性の高い感光性樹脂を硬化してなる上層側凹凸形成膜７ａが積層されている。このため、反射膜８ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸に対応する凹凸パターン８ｇが形成され、この凹凸パターン８ｇでは、上層側凹凸形成膜７ａによって、下層側凹凸形成膜１３ａのエッジなどが出ないようになっている。
【００５２】
（対向基板の構成）
図５において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている画素電極９ａの縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、あるいはブラックストライプなどと称せられる遮光膜２３が形成されている。また、遮光膜２３で区画された領域内には、カラーフィルタ層２７が形成されている。遮光膜２３およびカラーフィルタ層２７の上層側には、平坦化膜（図示せず）を介してＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成され、この配向膜２２は、ポリイミド膜に対してラビング処理が施された膜である。
【００５３】
（各画素の詳細説明）
このように構成した電気光学装置１００において、各画素１００ａは、光反射膜８ａによって反射表示領域１００ｂが形成されているとともに、光反射膜８ａの光透過穴８ｄによって透過表示領域１００ｃが形成されている。
【００５４】
本形態では、対向基板２０において、反射表示領域１００ｂに相当する領域には、カラーフィルタ層２７および対向電極２１の下層側に、厚さが１μｍ〜３μｍの透明な感光性樹脂からなる層厚調整層２５（第１の層厚調整層）が形成され、この層厚調整層２５は、透過表示領域１００ｃには形成されていない。
【００５５】
また、本形態では、カラーフィルタ層２７として、反射表示領域１００ｂには反射表示用カラーフィルタ層２７ｂが形成されている一方、透過表示領域１００ｃには透過表示用カラーフィルタ層２７ｃが形成されており、透過表示用カラーフィルタ層２７ｃは、反射表示用カラーフィルタ層２７ｂよりも色度域が広い。ここで、「色度域が広い」とは、例えばＣＩＥ１９３１ｒｇｂ表色系色度図で表される色三角形の面積が大きいことを指しており、透過表示用カラーフィルタ層２７ｃは、反射表示用カラーフィルタ層２７ｂよりも色合いが濃い。
【００５６】
本形態において、反射表示用カラーフィルタ層２７ｂと、透過表示用カラーフィルタ層２７ｃの厚さは同等、例えば、厚さの差としては１０％以内である。
【００５７】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０においては、光反射膜８ａの表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成するための下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａを第２の層厚調整層として利用している。すなわち、本形態では、凹凸形成膜として、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａの２層を形成しており、反射表示領域１００ｂには、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａの双方が形成されているのに対して、透過表示領域１００ｃには、上層側凹凸形成膜７ａのみが形成され、下層側凹凸形成膜１３ａは形成されていない。
【００５８】
このように本形態では、対向基板２０の側において、反射表示領域１００ｂでは、対向電極２１の下層側に層厚調整層２５（第１の層厚調整層）が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の側においては、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａを第２の層厚調整層として利用することを目的に、下層側凹凸形成膜１３ａを反射表示領域１００ｂのみに形成してある。このため、本形態の電気光学装置１００では、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄ１は、透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄ２よりも薄い。例えば、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄ１は２．５μｍであるのに対して、透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄ２は５．０μｍである。
【００５９】
また、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との隙間寸法を制御するにあたって、ギャップ材が使用されておらず、対向基板２０において、層厚調整層２５と平面的に重なる領域には、柱状の隙間形成用突起２８が形成され、この隙間形成用突起２８の先端面は、ＴＦＴアレイ基板１０において、第２の層厚調整層としての、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａが形成されている領域に当接し、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の隙間寸法を制御している。しかも、柱状の隙間形成用突起２８の先端面は、ＴＦＴアレイ基板１０において、第２の層厚調整層としての、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａが形成されている領域のうち、容量線３ｂと平面的に重なる平坦領域に対して当接している。
【００６０】
（本形態の動作および作用・効果）
このように構成した電気光学装置１００では、図５に矢印Ｌ２で示すように、バックライト装置（図２を参照）から出射された光のうち、光反射膜８ａが形成されていない光透過穴８ｄに向かう光は、光透過穴８ｄを介して対向基板２０側に透過し、表示に寄与する（透過モード）。
【００６１】
また、画素電極９ａの下層側には光反射膜８ａが形成されているため、図５に矢印Ｌ１で示すように、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射された光によって画像を表示する（反射モード）。
【００６２】
また、本形態では、光反射膜８ａの下層側のうち、光反射膜８ａと平面的に重なる領域に下層側凹凸形成膜１３ａを形成し、この下層側凹凸形成膜１３ａに対応する凹凸を利用して、光反射膜８ａの表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを形成している。また、凹凸パターン８ｇでは、上層側凹凸形成膜７ａによって、下層側凹凸形成膜１３ａのエッジなどが出ないようになっている。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。
【００６３】
また、本形態の電気光学装置１００において、透過表示光は、液晶層５０を一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、液晶層５０を２度、通過することになるが、本形態では、対向基板２０に形成された層厚調整層２５（第１の層厚調整層）と、ＴＦＴアレイ基板１０において第２の層厚調整層としても利用された凹凸形成膜（下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａ）とによって、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄ１を透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄ２よりも薄くしてある。このため、透過表示光および反射表示光の双方において、リターデーションΔｎ・ｄを最適化することができるので、品位の高い表示を行うことができる。
【００６４】
しかも本形態では、対向基板２０の側、およびＴＦＴアレイ基板１０の側の双方に層厚調整層を形成して層厚調整する役目を対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とで分担している。このため、対向基板２０において層厚調整層２５によって形成される段差、およびＴＦＴアレイ基板１０において第２の層厚調整層としても利用された凹凸形成膜（下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａ）によって形成される段差が低い。それ故、対向基板２０の配向膜２２、およびＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１２に対してラビング処理を行う際、段差の影になってラビング処理が好適に行えない部分が発生するということがない。それ故、対向基板２０およびＴＦＴアレイ基板１０の双方においてラビング処理を好適に行うことができるので、品位の高い画像を表示することができる。
【００６５】
また、本形態において、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との隙間寸法を制御する隙間形成用突起２８が、対向基板２０の層厚調整層２５と、ＴＦＴアレイ基板１０の凹凸形成膜（下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａ）との間に介在しているので、その分、隙間形成用突起２８が低くてよい。従って、隙間形成用突起２８を形成する際、その高さ寸法がばらつかないので、液晶隙間形成用突起２８を形成した方の透明基板、すなわち、対向基板２０の配向膜２２にラビング処理を施す際、このラビング処理を好適に行うことを隙間形成用突起２８が妨げることがない。それ故、品位の高い画像を表示することができる。
【００６６】
また、柱状の隙間形成用突起２８は、先端面がＴＦＴアレイ基板１０において、容量線３ｂと平面的に重なる平坦領域に対して当接しているので、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間の隙間寸法を高い精度で制御している。それ故、品位の高い画像を表示することができる。
【００６７】
さらにまた、本形態では、カラーフィルタ層２７として、反射表示領域１００ｂには反射表示用カラーフィルタ層２７ｂが形成され、透過表示領域１００ｃには、反射表示用カラーフィルタ層２７ｂよりも色合いが濃い透過表示用カラーフィルタ層２７ｃが形成されている。このため、透過表示光は、透過表示用カラーフィルタ層２７ｃを一度だけ通過して出射されるのに対して、反射表示光は、反射表示用カラーフィルタ層２７ｂ２度、通過するとしても、透過表示光および反射表示光の双方において同一の色相で画像を表示できる。
【００６８】
（ＴＦＴアレイ基板の製造方法）
本形態に係るＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図６および図７を参照して説明する。但し、本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたって、ＴＦＴ３０などの製造工程は、いわゆる低温プロセスと称せられる方法が採用され、このような方法については、すでに周知であるため、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の特徴と関連する工程のみを説明する。
【００６９】
図６および図７はいずれも、本形態のＴＦＴアレイ基板１１の製造方法を示す工程断面図である。なお、図６および図７には、ＴＦＴ形成領域、および光反射膜形成領域の断面を示してある。
【００７０】
本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたっては、図６（Ａ）に示すように、ガラス製等の透明基板１０′の表面にＴＦＴ３０を形成した以降、第２層間絶縁膜５の表面に感光性樹脂１３を厚めに塗布した後、感光性樹脂１３を露光マスク５１０を介して露光する。ここで、感光性樹脂１３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図６（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を除去したい部分に対して、露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。
【００７１】
次に、露光した感光性樹脂１３を現像して、図６（Ｂ）に示すように、図５を参照して説明した柱状突起を備えた下層側凹凸形成膜１３ａを形成する。
【００７２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、第２層間絶縁膜５および下層側凹凸形成膜１３ａの表面側に感光性樹脂からなる流動性材料７を塗布した後、図６（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してのパターニング、あるいは露光、現像により、コンタクトホール５ｂを備えた上層側凹凸形成膜７ａを形成する。
【００７３】
ここで、上層側凹凸形成膜７ａは、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、上層側凹凸形成膜７ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａの凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、なだらかな形状の凹凸パターン８ｇが形成される。
【００７４】
次に、上層側凹凸形成膜７ａのコンタクトホール５ｂを介して第２層間絶縁膜５をエッチングして、コンタクトホール５ｂをドレイン電極６ｂにまで到達させる。
【００７５】
次に、図７（Ａ）に示すように、スパッタ法などによって、上層側凹凸形成膜７ａの表面にアルミニウム膜などといった反射性を備えた金属膜８を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて、ポジタイプの感光性樹脂からなるレジストマスク５５７を形成する。
【００７６】
次に、レジストマスク５５７を介して金属膜８にエッチングを行い、図７（Ｂ）に示すように、所定領域に光透過穴８ｄを備えた光反射膜８ａを残す。このようにして形成した光反射膜８ａの表面には、下層側凹凸形成膜１３ａによって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン８ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン８ｇは、上層側凹凸形成膜７ａによって、エッジのない、なだらかな形状になっている。
【００７７】
次に、図７（Ｃ）に示すように、光反射膜８ａの表面側に、厚さが４０ｎｍ〜２００ｎｍのＩＴＯ膜９をスパッタ法などで形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５８を形成する。
【００７８】
次に、レジストマスク５５８を介してＩＴＯ膜９にエッチングを行って、図７（Ｄ）に示すように、ドレイン電極６ｂに電気的に接続する画素電極９ａを形成する。
【００７９】
しかる後には、図５に示すように、画素電極９ａの表面側にポリイミド膜（配向膜１２）を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドンなどの溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる（ラビング処理）。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【００８０】
（対向基板の製造方法）
これに対して、対向基板２０を製造するには、図５に示すように、遮光膜２３を形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂からなる段差調整層２５を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術、フレキソ印刷法、あるいはインクジェット法を利用して、反射表示領域１００ｂおよび透過表示領域１００ｃに厚さが２μｍ〜３μｍのアクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなる反射表示用カラーフィルタ層２７ｂ、および透過表示用カラーフィルタ層２７ｃを形成する。次に、平坦化膜（図示せず）を形成した後、対向基板２０の全面にＩＴＯ膜からなる対向電極２１を形成する。
【００８１】
次に、対向電極２１の表面にフォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂からなる柱状の隙間形成用突起２８を形成する。
【００８２】
次に、対向基板２０の全面にポリイミド膜（配向膜２２）を形成した後、このポリイミド膜の表面でレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる（ラビング処理）。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【００８３】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の断面図である。なお、本形態および後述するいずれの形態も、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００８４】
実施の形態１では、ＴＦＴアレイ基板１０の側に第２の層厚調整層を形成するにあたって、下層側凹凸形成膜１３ａについては反射表示領域１００ｂのみに形成し、上層側凹凸形成膜７ａについては、反射表示領域１００ｂおよび透過表示領域１００ｃの双方に形成したが、本形態では、図８に示すように、反射表示領域１００ｂには下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａの双方を形成する一方、透過表示領域１００ｃには、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａのいずれをも形成しない。このため、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａは、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄ１を透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄ２よりも薄くする層厚調整層として機能する。
【００８５】
この場合には、図６（Ｄ）を参照して説明した工程において、流動性材料７を露光、現像する際、上層側凹凸形成膜７ａを透過表示領域１００ｃには形成しない。
【００８６】
このように構成した場合も、対向基板２０の側、およびＴＦＴアレイ基板１０の側の双方に層厚調整層を形成して層厚調整する役目を対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とで分担しているため、対向基板２０において層厚調整層２５によって形成される段差、およびＴＦＴアレイ基板１０において第２の層厚調整層としても利用された凹凸形成膜（下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａ）によって形成される段差が低い。それ故、対向基板２０の配向膜２２、およびＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１２に対してラビング処理を行う際、段差の影になってラビング処理が好適に行えない部分が発生するということがないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。また、透過表示領域１００ｃの透過率を向上することができるという利点がある。
【００８７】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の断面図である。
【００８８】
実施の形態２では、ＴＦＴアレイ基板１０の側に第２の層厚調整層を形成するにあたって、透過表示領域１００ｃには、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａのいずれをも形成しないが、その下層側には、下地膜１１、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４、および第２層間絶縁膜５が残っている。これに対して、本形態では、透過表示領域１００ｃでは、下地膜１１、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４、および第２層間絶縁膜５が全て除去されている。
【００８９】
この場合には、図６（Ｄ）を参照して説明した工程に行った後、上層側凹凸形成膜７ａのコンタクトホール５ｂを介してエッチングを行ってコンタクトホール５ｂをドレイン電極６ｂにまで到達させる際、透過表示領域１００ｃに形成されている第２層間絶縁膜５、第１層間絶縁膜４、ゲート絶縁膜２、および下地膜１１を除去すればよい。
【００９０】
このように構成した場合も、対向基板２０の側、およびＴＦＴアレイ基板１０の側の双方に層厚調整層を形成して層厚調整する役目を対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とで分担しているため、対向基板２０において層厚調整層２５によって形成される段差、およびＴＦＴアレイ基板１０において第２の層厚調整層としても利用された凹凸形成膜（下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａ）によって形成される段差が低い。それ故、対向基板２０の配向膜２２、およびＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１２に対してラビング処理を行う際、段差の影になってラビング処理が好適に行えない部分が発生するということがないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。また、透過表示領域１００ｃの透過率を向上することができるという利点がある。
【００９１】
［実施の形態４］
図１０は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の断面図である。図１１は、本形態のＴＦＴアレイ基板１０の製造方法を示す工程断面図である。
【００９２】
実施の形態１、２、３では、光反射膜８ａの表面に光散乱用の凹凸パターン８ｇを付すにあたって、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａを用いるとともに、下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａを第２の層厚調整層として利用したが、本形態では、図１０に示すように、１層の凹凸形成膜１３ｂによって、光反射膜８ａの表面にエッジのない光散乱用の凹凸パターン８ｇを付してある。
【００９３】
また、本形態では、ＴＦＴアレイ基板１０の側に第２の層厚調整層を形成するにあたって、反射表示領域１００ｂには凹凸形成膜１３ｂを形成するが、透過表示領域１００ｃでは、凹凸形成膜１３ｂが除去されている。このため、凹凸形成膜１３ｂは、反射表示領域１００ｂにおける液晶層５０の層厚ｄ１を透過表示領域１００ｃにおける液晶層５０の層厚ｄ２よりも薄くする層厚調整層として機能する。
【００９４】
本形態のＴＦＴアレイ基板１０を製造するにあたっては、図１１（Ａ）に示すように、ガラス製等の透明基板１０′の表面にＴＦＴ３０を形成した以降、第２層間絶縁膜５の表面に感光性樹脂１３を厚めに塗布した後、感光性樹脂１３を露光マスク５１０を介してハーフ露光を行う。その結果、観光性樹脂１３は、厚さ方向の途中位置まで露光される。ここで、感光性樹脂１３としてはネガタイプおよびポジタイプのいずれを用いてもよいが、図１１（Ａ）には、感光性樹脂１３としてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３を薄くしたい部分に対して、露光マスク５１０の透光部分５１１を介して紫外線が照射される。
【００９５】
次に、露光した感光性樹脂１３を現像して、図１１（Ｂ）に示すように、図１０を参照して説明した凹凸形成膜１３ｂを形成する。
【００９６】
但し、この状態では、凸部が角張っているので、凹凸形成膜１３ｂを加熱、溶融させて、図１１（Ｃ）に示すように、エッジのない、なだらかな形状の凹凸形成膜１３ｂを形成する。
【００９７】
なお、図１１（Ａ）に示す工程、あるいは以上の工程が終わった後で、コンタクトホール５ｂを形成すべき部分、および透過表示領域１００ｂに相当する領域に完全露光を行い、しかる後に現像を行えば、露光した部分の凹凸形成膜１３ｂを完全に除去することができる。
【００９８】
このように構成した場合も、対向基板２０の側、およびＴＦＴアレイ基板１０の側の双方に層厚調整層を形成して層厚調整する役目を対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とで分担しているため、対向基板２０において層厚調整層２５によって形成される段差、およびＴＦＴアレイ基板１０において第２の層厚調整層としても利用された凹凸形成膜（下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａ）によって形成される段差が低い。それ故、対向基板２０の配向膜２２、およびＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１２に対してラビング処理を行う際、段差の影になってラビング処理が好適に行えない部分が発生するということがないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００９９】
［実施の形態５］
図１２は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の断面図である。
【０１００】
実施の形態４では、ＴＦＴアレイ基板１０の側に第２の層厚調整層を形成するにあたって、透過表示領域１００ｃからは凹凸形成膜１３ｂを除去したが、その下層側には、下地膜１１、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４、および第２層間絶縁膜５が残っている。これに対して、本形態では、透過表示領域１００ｃでは、下地膜１１、ゲート絶縁膜２、第１層間絶縁膜４、および第２層間絶縁膜５が全て除去されている。
【０１０１】
この場合には、図１１（Ｄ）を参照して説明した工程に行った後、上層側凹凸形成膜７ａのコンタクトホール５ｂを介してエッチングを行ってコンタクトホール５ｂをドレイン電極６ｂにまで到達させる際、透過表示領域１００ｃに形成されている第２層間絶縁膜５、第１層間絶縁膜４、ゲート絶縁膜２、および下地膜１１を除去すればよい。
【０１０２】
このように構成した場合も、対向基板２０の側、およびＴＦＴアレイ基板１０の側の双方に層厚調整層を形成して層厚調整する役目を対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０とで分担しているため、対向基板２０において層厚調整層２５によって形成される段差、およびＴＦＴアレイ基板１０において第２の層厚調整層としても利用された凹凸形成膜（下層側凹凸形成膜１３ａおよび上層側凹凸形成膜７ａ）によって形成される段差が低い。それ故、対向基板２０の配向膜２２、およびＴＦＴアレイ基板１０の配向膜１２に対してラビング処理を行う際、段差の影になってラビング処理が好適に行えない部分が発生するということがないなど、実施の形態１と同様な効果を奏する。また、透過表示領域１００ｃの透過率を向上することができるという利点がある。
【０１０３】
［その他の実施の形態］
上記形態では、対向基板２０において、層厚調整層２５の上層側にカラーフィルタ層２７を形成したが、層厚調整層２５の下層側、すなわち、層厚調整層２５を形成する前にカラーフィルタ層２７を形成してもよい。このように構成すると、対向基板２０のまだ平坦なうちにカラフィルタ２７を形成するので、スピンコート法などを利用しても、層厚調整層２５がカラーフィルタ層２４の膜厚ばらつきを発生させないという利点がある。
【０１０４】
また、実施の形態３、５において、透過表示領域１００ｃでは、第２層間絶縁膜５、第１層間絶縁膜４、ゲート絶縁膜２、および下地膜１１を全て除去したが、その一部のみを除去してもよい。
【０１０５】
さらに、上記形態では、画素スイッチング用のアクティブ素子としてＴＦＴを用いた例を説明したが、アクティブ素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）素子などの薄膜ダイオード素子（ＴＦＤ素子／ＴｈｉｎＦｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ素子）を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１０６】
［電気光学装置の電子機器への適用］
このように構成した電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１３を参照して説明する。
【０１０７】
図１３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータ、および携帯電話機の説明図である。
【０１０８】
図１３（Ａ）に示すように、パーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【０１０９】
図１３（Ｂ）に示すように、携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】電気光学装置を対向基板の側からみたときの平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ′線における断面図である。
【図３】電気光学装置において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で切断したときの画素の断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法において、図６に示す工程に続いて行う各工程の工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の断面図である。
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置のＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の断面図である。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータ、および携帯電話機の説明図である。
【図１４】従来の電気光学装置の断面図である。
【符号の説明】
１ａ  半導体膜、１ａ′  チャネル形成用領域、２  ゲート絶縁膜、３ａ  走査線、３ｂ  容量線、４  第１層間絶縁膜、５  第２層間絶縁膜、６ａ  データ線、６ｂ  ドレイン電極、７ａ  上層側凹凸形成膜、８ａ  光反射膜（部分反射膜）、８ｄ  光透過穴、８ｇ  凹凸パターン、９ａ  画素電極、１０  ＴＦＴアレイ基板、１２、２２  配向膜、１３ａ  下層側凹凸形成膜、１３ｂ  凹凸形成膜、２０  対向基板、２１  対向電極、２５  層厚調整層、２７  カラーフィルタ層、２７ｂ  反射表示用カラーフィルタ層、２７ｃ  透過表示用カラーフィルタ層、２８  隙間形成用突起、３０  画素スイッチング用のＴＦＴ、５０  液晶層、０  蓄積容量、１００  電気光学装置、１００ａ  画素、１００ｂ  反射表示領域、１００ｃ  透過表示領域、２００  バックライト装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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