(57)【要約】【課題】２００ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ溶剤溶解性、ストリエーションの発生、塗布均一性、ラインエッジラフネス等の改良されたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】主鎖にシアノ基を有する特定の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2004334135.tif 000052
一般式（Ａ１）中、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。
Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ３は、水素原子、又は極性基もしくは酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。
【請求項２】
Ｒ３が極性基を有する基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
Ｒ３が酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
（Ａ）成分の樹脂が、更に、下記一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2004334135.tif 000053
【化３】
2004334135.tif 000054
【化４】
2004334135.tif 000055
一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）中、
Ｘ１〜Ｘ５及びＲｄは、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ２１〜Ｒ２６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ２１〜Ｒ２６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ１１〜Ｒ１６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ１１〜Ｒ１６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ４１〜Ｒ４６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ４１〜Ｒ４６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ１ａは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。
【請求項５】
（Ａ）成分の樹脂が、更に、ビニルエーテルに由来する繰り返し単位を少なくとも１つ含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超ＬＳＩ、高容量マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物に関するものである。更に詳しくは、２００ｎｍ以下の真空紫外光を使用して高精細化したパターンを形成し得るポジ型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路はその集積度を益々高めており、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては、クオーターミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要とされるようになってきた。パターンの微細化を図る手段の一つとして、レジストのパターン形成の際に使用される露光光源の短波長化が知られている。
【０００３】
例えば６４Ｍビットまでの集積度の半導体素子の製造には、現在まで高圧水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）が光源として使用されてきた。この光源に対応するポジ型レジストとしては、ノボラック樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合物を含む組成物が、数多く開発され、０．３μｍ程度までの線幅の加工においては十分な成果をおさめてきた。また２５６Ｍビット以上の集積度の半導体素子の製造には、ｉ線に代わりＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）が露光光源として採用されてきた。
更に１Ｇビット以上の集積度の半導体製造を目的として、近年より短波長の光源であるＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）の使用、更には０．１μｍ以下のパターンを形成する為にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の使用が検討されている。
【０００４】
これら光源の短波長化に合わせ、レジスト材料の構成成分及びその化合物構造も大きく変化している。
ＫｒＦエキシマレーザー光による露光用のレジスト組成物として、２４８ｎｍ領域での吸収の小さいポリ（ヒドロキシスチレン）を基本骨格とし酸分解性基で保護した樹脂を主成分として用い、遠紫外光の照射で酸を発生する化合物（光酸発生剤）を組み合わせた組成物、所謂化学増幅型レジストが開発されてきた。
【０００５】
また、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）露光用のレジスト組成物として、１９３ｎｍに吸収を持たない脂環式構造をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した酸分解性樹脂を使用した化学増幅型レジストが開発されてきている。
【０００６】
Ｆ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）に対しては、上記脂環型樹脂においても１５７ｎｍ領域の吸収が大きく、目的とする０．１μｍ以下のパターンを得るには不十分であることが判明し、これに対し、フッ素原子（パーフルオロ構造）を導入した樹脂が１５７ｎｍに十分な透明性を有することが非特許文献１（Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ．  Ｖｏｌ．３６７８．  １３頁（１９９９））にて報告され、有効なフッ素樹脂の構造が、特許文献１（ＷＯ００／６７０７２号）等に提案され、フッ素含有樹脂を含有するレジスト組成物の検討がなされてきている。
また、特許文献２（ＷＯ０１／３７０３７号）や特許文献３（特開２００２−１９６４９５号）及び特許文献４（米国特許公開第２００２／８１５２４号）には、アクリロニトリルとノルボルネンを共重合したＦ２エキシマレーザー光露光用樹脂が開示されている。
【０００７】
しかしながら、樹脂中にフッ素原子を導入した従来のレジスト組成物は、溶剤溶解性、ストリエーションの発生、塗布均一性、ラインエッジラフネス等に問題があり、これらの改良が望まれていた。
ストリエーションとは、ウエハ中心より放射状に筋状の模様が現れる現象をいい、塗布膜厚の薄い部分と厚い部分とが放射状の筋に交互に分布している現象である。塗布性の悪いレジストで観察され易い。
ラインエッジラフネスとは、レジストの特性に起因して、レジストのラインパターンと基板界面のエッジが、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動した形状を呈することを言う。このパターンを真上から観察するとエッジが凸凹（±数ｎｍ〜数十ｎｍ程度）に見える。この凸凹は、エッチング工程により基板に転写されるため、凸凹が大きいと電気特性不良を引き起こし、歩留まりを低下させることになる。
【０００８】
【非特許文献１】
プロス・エスピィアイイー（Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ．）、１９９９年、第３６７８巻、第１３頁
【特許文献１】
国際公開第００／６７０７２号パンフレット
【特許文献２】
国際公開第０１／３７０４７号パンフレット
【特許文献３】
特開２００２−１９６４９５号公報
【特許文献４】
米国特許出願公開第２００２／８１５２４号明細書
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、２００ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ溶剤溶解性、ストリエーションの発生、塗布均一性、ラインエッジラフネス等の改良されたポジ型レジスト組成物を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記諸特性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特定の組成物によって達成されることを見出し、本発明に到達した。
即ち、本発明は下記構成である。
【００１１】
（１）（Ａ）下記一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【００１２】
【化５】
2004334135.tif 000002
【００１３】
一般式（Ａ１）中、
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。
Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ３は、水素原子、又は極性基もしくは酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。
【００１４】
（２）Ｒ３が極性基を有する基であることを特徴とする上記（１）に記載のポジ型レジスト組成物。
（３）Ｒ３が酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基であることを特徴とする上記（１）に記載のポジ型レジスト組成物。
【００１５】
（４）（Ａ）成分の樹脂が、更に、下記一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有することを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【００１６】
【化６】
2004334135.tif 000003
【００１７】
【化７】
2004334135.tif 000004
【００１８】
【化８】
2004334135.tif 000005
【００１９】
一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）中、
Ｘ１〜Ｘ５及びＲｄは、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃは、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。
ＡＲは、脂環式炭化水素構造を表す。
Ｑは、水素原子又は水酸基を表す。
Ｒ２１〜Ｒ２６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ２１〜Ｒ２６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ１１〜Ｒ１６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ１１〜Ｒ１６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ４１〜Ｒ４６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ４１〜Ｒ４６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
Ｒ１ａは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒｆは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’、Ｒｄ’は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’、Ｒｄ’の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
ｍは、０又は１を表す。
ｎは、０又は１を表す。
ｎａは、１〜５の整数を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。
ｎｃは、１〜５の整数を表す。
【００２０】
（５）（Ａ）成分の樹脂が、更に、ビニルエーテルに由来する繰り返し単位を少なくとも１つ含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【００２１】
更に好ましい態様として、以下の構成を挙げることができる。
（６）（Ａ）成分の樹脂が、重量平均分子量が２０００〜３００００で、且つ分散度が１．１〜１．６であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【００２２】
（７）（Ａ）成分の樹脂が、ラジカル重合開始剤の存在下でモノマーをラジカル重合させている際に、更にモノマーを連続的若しくは断続的に加えることによって得られたものであることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【００２３】
（８）（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物として、活性光線又は放射線の照射により、有機スルホン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする上記（１）〜（７）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【００２４】
（９）（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物として、更に、活性光線又は放射線の照射により、カルボン酸を発生する化合物を含有することを特徴とする上記（８）に記載のポジ型レジスト組成物。
【００２５】
（１０）更に、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類と、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類又は乳酸アルキル類との混合溶剤を含有することを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（１１）更に、（Ｘ）非ポリマー型溶解抑止剤を含有することを特徴とする、前記（１）〜（１０）のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
〔１〕（Ａ）一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂
本発明のポジ型レジスト組成物は、前記一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂（「（Ａ）成分の樹脂」又は「樹脂（Ａ）」ともいう）を含有する。
【００２７】
樹脂（Ａ）は、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂であり、一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位におけるＲ３が水素原子又は極性基を有する基であるとき、後述の一般式（Ｉ）のＸ１として述べるような酸の作用により分解して、アルカリ現像液に可溶化する基（酸分解性基）を有する基を有する繰り返し単位を含有する。尚、Ｒ３が、酸の作用により分解して、アルカリ現像液に可溶化する基（酸分解性基）を有する基であっても、酸分解性基を有する他の繰り返し単位を含有していてもい。
【００２８】
一般式（Ａ１）中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。Ｌは、単結合又は２価の連結基を表す。Ｒ３は、水素原子、又は極性基もしくは酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基（酸分解性基）を有する基を表す。
Ｒ２とＲ３は、連結基を介して連結していてもよい。
【００２９】
Ｒ１及びＲ２のフルオロアルキル基とは、少なくとも１つの水素原子がフルオロ化されたアルキル基をいい、炭素数１〜６個のものが好ましく、炭素数１〜３個のものが更に好ましい。フルオロアルキル基の具体例としては、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、３−フルオロプロピル基等を挙げることができる。特に好ましいものはトリフルオロメチル基である。
Ｒ１及びＲ２のフルオロアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができる。
【００３０】
Ｌとしての２価の連結基は、好ましくは炭素数２０以下であり、例えば、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＯＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｓ−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基（好ましくは炭素数５〜１５）、またはこれらの基の２つ以上の組み合わせを挙げることができる。
【００３１】
Ｌのアルキレン基は、炭素数１〜８個のものが好ましく、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｉ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｉ−ブチレン基、ｔ−ブチレン基、アミレン基、ｉ−アミレン基、ｔ−アミレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−オクチレン基、２−エチルヘキシレン基等が挙げられる。好ましくはメチレン基、エチレン基である。シクロアルキレン基としては、炭素数５〜１５個のものが好ましく、ヒドロキシル基、フッ素原子、トリフルオロメチル基、アルコキシ基、シアノ基等が置換していてもよい。シクロアルキレン基としては、例えば、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、ノルボルナン残基、アダマンタン残基、トリシクロデカン残基、テトラシクロドデカン残基を挙げることができる。
【００３２】
Ｒ３の極性基としては、例えば、水酸基、メルカプト基、エーテル基、チオエーテル基、シアノ基、アミノ基、エステル基、ラクトン基、エポキシ基、カルボキシル基、カルボン酸基等を挙げることができる。
【００３３】
極性基を有する基は、好ましくは炭素数１〜２０、更に好ましくは炭素数１〜１２である。
極性基を有する基の好ましい具体例としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、２，３−ジヒドロキシプロピル基、５，６−ヒドロキシノルボルニル基、４−（ヘキサフルオロプロパン−２−オール）シクロヘキシル基、５−トリフルオロメチル−５−カルボキシノルボルニル基、５，６−ジシアノノルボルニル基、３，５−ヒドロキシアダマンチル基、７−オキシノルボルニル基、１１，１２−ジオキシテトラシクロドデシル基、５−ヒドロキシ−５−トリフルオロノルボルニル基、ノルボルニルラクトン基、ヘキサフルオロプロパノール基、デカフルオロペンタノール基、２−ヒドロキシエチルヘキサフルオロプロパノール基等が好ましく挙げられる。
【００３４】
Ｒ３の酸分解性基を有する基としては、例えば、−Ｃ（ＣＦ３）２ＯＣ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ５０）、−Ｃ（ＣＦ３）２Ｏ−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ５１）（Ｒ５２）（Ｒ５３）、−ＣＯＯ（Ｒ５１）（Ｒ５２）（Ｒ５３）、−ＣＯＯ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ５０）等が挙げられる。
Ｒ５０〜Ｒ５３は、各々独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。
Ｒ０１及びＲ０２は、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。Ｒ０１とＲ５０及びＲ５２とＲ５３とは、互いに結合して環を形成してもよい。
【００３５】
Ｒ５０〜Ｒ５３、Ｒ０１及びＲ０２のアルキル基としては、炭素数１〜８個のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、２−ヘキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
Ｒ５０〜Ｒ５３、Ｒ０１及びＲ０２のシクロアルキル基としては、単環型でもよく、多環型でもよい。単環型としては、炭素数３〜８個のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭化水素の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ５０〜Ｒ５３、Ｒ０１及びＲ０２のアリール基としては、炭素数６〜１０個のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、９，１０−ジメトキシアントリル基等を挙げることができる。
Ｒ５０〜Ｒ５３、Ｒ０１及びＲ０２のアラルキル基としては、炭素数７〜１２個のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
Ｒ５０〜Ｒ５３、Ｒ０１及びＲ０２のアルケニル基としては、炭素数２〜８個のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基等を挙げることができる。
Ｒ５０〜Ｒ５３、Ｒ０１及びＲ０２が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チエエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシアルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。
【００３６】
以下、Ｒ３が水素原子又は極性基である場合の、一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位に相当するモノマーを挙げるが、これらに限定するものではない。
【００３７】
【化９】
2004334135.tif 000006
【００３８】
以下に、Ｒ３が酸分解性基を有する基である場合の、一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位に相当するモノマーを挙げるが、これらに限定するものではない。
【００３９】
【化１０】
2004334135.tif 000007
【００４０】
樹脂（Ａ）は、更に、一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を有することが好ましい。
【００４１】
一般式（Ｉ）中、Ｘ１は、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。ＡＲは脂環式炭化水素構造を表す。Ｑは水素原子又は水酸基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ２１〜Ｒ２６の少なくとも１つは水素原子ではない。ｎｂは０又は１を表す。
【００４２】
Ｘ１の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基（以下、「酸分解性基」ともいう）を有する基としては、例えば−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（ＯＲ３９）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、−Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ３９）、−Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）等が挙げられる。
Ｒ３６〜Ｒ３９は、各々独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。Ｒ３６とＲ３９とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ０１、Ｒ０２は、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。
【００４３】
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２のアルキル基としては、炭素数１〜８個のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２のシクロアルキル基としては、単環型でもよく、多環型でのよい。単環型としては、炭素数３〜８個のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロブチル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数６〜２０個のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデシル基、アンドロスタニル基等を挙げることができる。尚、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２のアリール基としては、炭素数６〜１０個のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、９，１０−ジメトキシアントリル基等を挙げることができる。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２のアラルキル基としては、炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２のアルケニル基としては、炭素数２〜８個のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基等を挙げることができる。
Ｒ３６〜Ｒ３９、Ｒ０１及びＲ０２が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。
【００４４】
酸分解性基の好ましい具体例としては、１−アルコキシ−１−エトキシ基、１−アルコキシ−１−メトキシ基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基、ｔ−アルキルオキシカルボニル基、エトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、ｔ−アルキルカルボニルメチル基等が好ましく挙げられる。
【００４５】
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒ２１〜Ｒ２６のフルオロアルキル基は、一般式（Ａ１）に於けるＲ１のフルオロアルキル基と同様のものである。
【００４６】
Ｒｃは、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好ましい。
【００４７】
ＡＲの脂環式炭化水素構造は、単環でも、多環でもよい。具体的には、炭素数５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ等の脂環式炭化水素構造を挙げることができる。その炭素数は６〜３０個が好ましく、特に炭素数７〜２５個が好ましい。
ＡＲの脂環式炭化水素構造の好ましいものとしては、アダマンタン、ノルアダマンタン、デカリン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン、ノルボルナン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、シクロドデカン等を挙げることができる。より好ましくは、アダマンタン、ノルボルナン、シクロヘキサンを挙げることができる。
ＡＲの脂環式炭化水素構造は、更に、アルキル基、アルコキシ基等を置換基として有していてもよい。
【００４８】
以下、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
【化１１】
2004334135.tif 000008
【００５０】
【化１２】
2004334135.tif 000009
【００５１】
一般式（ＩＩ）中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。Ｒ１１〜Ｒ１６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ１１〜Ｒ１６の少なくともひとつは水素原子ではない。Ｒ２１〜Ｒ２６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ２１〜Ｒ２６の少なくともひとつは水素原子ではない。Ｘ２は、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。Ｑは水素原子又は水酸基を表す。ＡＲは脂環式炭化水素構造を表す。ｎは０又は１を表す。ｎｂは０又は１を表す。
【００５２】
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは、一般式（Ｉ）におけるＲａ、Ｒｂ及びＲｃと同義である。
ＡＲは、一般式（Ｉ）におけるＡＲと同義である。
Ｘ２は、一般式（Ｉ）におけるＸ１と同義である。
Ｒ１１〜Ｒ１６及びＲ２１〜Ｒ２６は、一般式（Ｉ）におけるＲ２１〜Ｒ２６と同義である。
【００５３】
以下、一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００５４】
【化１３】
2004334135.tif 000010
【００５５】
【化１４】
2004334135.tif 000011
【００５６】
一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１１〜Ｒ１６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ１１〜Ｒ１６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。Ｘ３は、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。ｍは０又は１を示す。
【００５７】
Ｒ１１〜Ｒ１６は、一般式（Ｉ）に於けるＲ２１〜Ｒ２６と同様のものである。
Ｘ３の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基は、一般式（Ｉ）におけるＸ１の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基と同様である。
【００５８】
以下、一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００５９】
【化１５】
2004334135.tif 000012
【００６０】
一般式（ＩＶ）中、Ｘ４は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。ｍは０又は１を示す。
【００６１】
Ｘ４の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基は、一般式（Ｉ）におけるＸ１の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基と同様である。
【００６２】
以下、一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００６３】
【化１６】
2004334135.tif 000013
【００６４】
一般式（Ｖ）中、Ｒｄは、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。
【００６５】
Ｒｄの酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基は、一般式（Ｉ）におけるＸ１の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基と同様のものを挙げることができる。
【００６６】
以下、一般式（Ｖ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００６７】
【化１７】
2004334135.tif 000014
【００６８】
一般式（ＶＩ）中、Ｒ１ａは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ４１〜Ｒ４６は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒ４１〜Ｒ４６の内の少なくとも１つは水素原子ではない。Ｘ５は、水素原子又は酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基を表す。ｎａは、１〜５の整数を示す。ｎａが２以上である場合に、２つ以上あるＲ４１〜Ｒ４６及びＸ５は、同じでも異なっていてもよい。
【００６９】
Ｒ４１〜Ｒ４６は、一般式（Ｉ）に於けるＲ４１〜Ｒ４６と同様である。
Ｘ５の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基は、一般式（Ｉ）に於けるＸ１の酸の作用により分解してアルカリ現像液に可溶化する基を有する基と同様のものを挙げることができる。
【００７０】
以下、一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００７１】
【化１８】
2004334135.tif 000015
【００７２】
一般式（ＶＩＩ）中、Ｒａ及びＲｂは、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。Ｒｆはフッ素原子又はトリフルオロメチル基を表す。ＡＲは脂環式炭化水素構造を表す。ｎｃは１〜５の整数を表す。
【００７３】
Ｒａ及びＲｂは、一般式（Ｉ）におけるＲａ及びＲｂと同義である。
ＡＲは、一般式（Ｉ）におけるＡＲと同義である。
【００７４】
以下、一般式（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７５】
【化１９】
2004334135.tif 000016
【００７６】
【化２０】
2004334135.tif 000017
【００７７】
【化２１】
2004334135.tif 000018
【００７８】
一般式（ＶＩＩＩ）中、Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はフルオロアルキル基を表す。但し、Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’の内の少なくとも１つは水素原子ではない。
【００７９】
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’のフルオロアルキル基は、一般式（Ｉ）におけるＲ２１〜Ｒ２６としてのフルオロアルキル基と同様のものを挙げることができる。
【００８０】
Ｒａ’、Ｒｂ’、Ｒｃ’及びＲｄ’は、フッ素原子及びフルオロアルキル基が好ましく、フッ素原子及びトリフルオロメチル基がより好ましい。
【００８１】
以下、一般式（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【００８２】
【化２２】
2004334135.tif 000019
【００８３】
樹脂（Ａ）は、更に、ビニルエーテル化合物によって形成される少なくとも１種の繰り返し単位を有することが好ましい。
ビニルエーテル化合物によって形成される繰り返し単位の好ましい具体例として、下記一般式（ＶＥ−Ｉ）で表される繰り返し単位を挙げることができる。
【００８４】
【化２３】
2004334135.tif 000020
【００８５】
一般式（ＶＥ−Ｉ）中、Ｌｖは、置換基を有していてもよい、直鎖、分岐、環状若しくは脂環のアルキル基、これらの基を更に結合した基又はこれらの基をエーテル基、エステル基、カーボネート基等を連結基として更に結合した基を表す。置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、シアノ基、ニトロ基等が挙げられるが、好ましくは水酸基、フッ素原子、トリフルオロメチル基である。
【００８６】
ビニルエーテル化合物は、特に限定されないが、置換基（水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基が好ましい例として挙げられる）を有していてもよい、アルキル基や環状炭素構造を有するものが好ましい。また、酸の作用により分解して水酸基又はカルボン酸を発生する基を含む構造を有するものが好ましい。
アルキル基としては、炭素数１〜８個の直鎖状、分岐状アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等を挙げることができる。
環状炭素構造としては、好ましくは炭素数３〜３０個の脂環構造、芳香環構造等が挙げられる。具体的にはアダマンタン環、ノルアダマンタン環、デカリン残基、トリシクロデカン環、ノルボルナン環、セドロール環、シクロプロパン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロデカン環、シクロドデカン環、ベンゼン環、ナフタレン環等が挙げられるが、好ましくはアダマンタン環、ノルボルナン環、シクロヘキサン環等である。Ｌｖをアルキル基又は環状炭素構造とすることにより、一般式（ＶＥ−Ｉ）で表される繰り返し単位にアルキル基、環状炭素構造をもたせることができる。
酸の作用により分解して水酸基又はカルボン酸を発生する基としては、例えば、一般式（ＩＩ）に於ける−ＯＸ２基（但し、Ｘ２は、酸の作用により分解する基を表す）、一般式（ＩＩＩ）に於ける−ＣＯ２Ｘ４基（但し、Ｘ４は、酸の作用により分解する基を表す）を挙げることができる。一般式（ＶＥ−Ｉ）に於いて、酸の作用により分解して水酸基又はカルボン酸を発生する基をＬｖの置換基とすることができる。
【００８７】
以下、ビニルエーテル化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００８８】
【化２４】
2004334135.tif 000021
【００８９】
【化２５】
2004334135.tif 000022
【００９０】
樹脂（Ａ）は、上記の繰り返し単位以外に、他の重合性モノマーを重合させてもよい。
併用することができる共重合モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類、マレイン酸あるいはフマール酸のジアルキルエステル類、ノルボルネン類、無水マレイン酸、マレイミド類、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル、Ｃ（Ｒ１０１ａ）（Ｒ１０２ａ）＝Ｃ（Ｒ１０３ａ）（Ｒ１０４ａ）（式中、Ｒ１０１ａ〜Ｒ１０４ａは、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０個）を表す）等を挙げることができ、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、ノルボルネン類、無水マレイン酸、マレイミド、Ｎ−ヒドロキシマレイミド、Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）−マレイミド、Ｃ（Ｒ１０１ａ）（Ｒ１０２ａ）＝Ｃ（Ｒ１０３ａ）（Ｒ１０４ａ）が特に好ましい。その他、一般的には共重合可能である付加重合性不飽和化合物であればよい。
【００９１】
以下、樹脂（Ａ）の好ましい具体例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００９２】
【化２６】
2004334135.tif 000023
【００９３】
【化２７】
2004334135.tif 000024
【００９４】
樹脂（Ａ）に於いて、一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位の含量は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対し、１０〜１００モル％とすることが好ましく、５０〜１００モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）に於いて、一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩＩ）で表される繰り返し単位の含量は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対し、０〜９０モル％とすることが好ましく、０〜５０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）に於いて、ビニルエーテル化合物に由来する繰り返し単位の含量は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対し、０〜６０モル％とすることが好ましく、０〜４０モル％とすることがより好ましい。
【００９５】
樹脂（Ａ）に於いて、酸分解性基を有する繰り返し単位の含量は、樹脂を構成する全繰り返し単位に対し、５〜７０モル％とすることが好ましく、１０〜５０モル％とすることがより好ましい。
樹脂（Ａ）は、酸分解性基が酸の作用により分解してヒドロキシル基、カルボキシル基等の親水性基が形成されることにより、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する。
【００９６】
樹脂（Ａ）の分子量は、重量平均で１０００〜５００００が好ましく、さらに好ましくは２０００〜３００００である。分子量が低すぎるとレジストの耐熱性が低下し、高すぎると現像液への溶解性が悪くなり、感度、解像力の悪化をもたらす傾向がある。
樹脂（Ａ）の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜３．０とすることが好ましく、さらに好ましくは１．１〜２．０であり、特に好ましくは１．１〜１．６である。分散度を下げる方法としては、通常のラジカル重合で得られたポリマーを、良溶剤に溶かしたのち、貧溶剤を添加して分子量の低い成分を除去する方法がある。
またパターンのラフネスが良化するという観点から、上記通常のラジカル重合法においては、ラジカル重合開始剤の存在下でモノマーをラジカル重合させている際に、さらにモノマーを連続的または断続的に加えることが好ましい。その際に、最初に反応容器に仕込むモノマーの種類および組成と、ラジカル重合進行中に後から添加するモノマーの種類および組成は同じであっても、異なっていても良い。また重合開始剤についても後から添加するモノマーとともに更に追加していく方法を利用すると、未反応で残存するモノマーを低減できるので好ましい。
【００９７】
樹脂（Ａ）の添加量は、組成物の全固形分を基準として、一般的に５０〜９９．５質量％、好ましくは８０〜９９質量％、更に好ましくは９０〜９８質量％の範囲で使用される。
【００９８】
〔２〕（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
本発明のポジ型レジスト組成物に用いられる、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、「酸発生剤」と呼ぶ場合がある。）について以下に説明する。
本発明に於いて使用される酸発生剤としては、一般に酸発生剤として使用されている化合物の中から選択することができる。
即ち、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、Ｆ２エキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオンビームなどの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及びそれらの混合物から適宜選択して使用することができる。
【００９９】
たとえば、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、ｏ−ニトロベンジル型保護基を有する酸発生剤、イミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができる。
【０１００】
また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８  号、特開昭６３−１６３４５２  号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号等に記載の化合物を用いることができる。
【０１０１】
さらに米国特許第３，７７９，７７８号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【０１０２】
上記使用可能な活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられるものについて以下に説明する。
【０１０３】
（１）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表されるヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表されるスルホニウム塩。
【０１０４】
【化２８】
2004334135.tif 000025
【０１０５】
ここで式Ａｒ１、Ａｒ２は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカプト基及びハロゲン原子が挙げられる。
【０１０６】
Ｒ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。
好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
【０１０７】
Ｚ−は対アニオンを示し、例えばＢＦ４−、ＡｓＦ６−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＳｉＦ６２−、ＣｌＯ４−、ＣＦ３ＳＯ３−等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【０１０８】
またＲ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５のうちの２つ及びＡｒ１、Ａｒ２はそれぞれの単結合又は置換基を介して結合してもよい。
【０１０９】
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１０】
ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホネート。
【０１１１】
トリフェニルスルホニウムドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−２，４，６−トリメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロオクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロノナンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム−３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート。
【０１１２】
一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示される上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第２，８０７，６４８  号及び同４，２４７，４７３号、特開昭５３−１０１，３３１号等に記載の方法により合成することができる。
【０１１３】
（２）下記一般式（ＰＡＧ５）で表されるジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイミノスルホネート誘導体。
【０１１４】
【化２９】
2004334135.tif 000026
【０１１５】
式中、Ａｒ３、Ａｒ４は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
Ｒ２０６は置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１６】
ビス（トリル）ジスルホン、ビス（４−メトキシフェニル）ジスルホン、ビス（４−トリフルオロメチルフェニル）ジスルホン、フェニル−４−イソプロピルフェニルジスルホン。
【０１１７】
【化３０】
2004334135.tif 000027
【０１１８】
（３）下記一般式（ＰＡＧ７）で表されるジアゾジスルホン誘導体。
【０１１９】
【化３１】
2004334135.tif 000028
【０１２０】
ここでＲは、直鎖状、分岐状又は環状アルキル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２１】
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン。
【０１２２】
（４）また、酸発生剤（Ｂ）として、下記一般式（Ｉ）で表されるフェナシルスルホニウム誘導体も使用することができる。
【０１２３】
【化３２】
2004334135.tif 000029
【０１２４】
一般式（Ｉ）中、
Ｒ１〜Ｒ５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキルオキシカルボニル基又はアリール基を表し、Ｒ１〜Ｒ５のうち少なくとも２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ６及びＲ７は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はアリール基を表す。
Ｙ１及びＹ２は、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表し、Ｙ１とＹ２とが結合して環を形成してもよい。
Ｙ３は、単結合または２価の連結基を表す。
Ｘ−は、非求核性アニオンを表す。
Ｒ１からＲ５の少なくとも１つとＹ１又はＹ２の少なくとも一つが結合して環を形成してもよいし、Ｒ１からＲ５の少なくとも１つとＲ６又はＲ７の少なくとも１つが結合して環を形成してもよい。
Ｒ１からＲ７のいずれか、若しくは、Ｙ１又はＹ２のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構造を２つ以上有していてもよい。
【０１２５】
以下に、上記式（Ｉ）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２６】
【化３３】
2004334135.tif 000030
【０１２７】
【化３４】
2004334135.tif 000031
【０１２８】
【化３５】
2004334135.tif 000032
【０１２９】
【化３６】
2004334135.tif 000033
【０１３０】
【化３７】
2004334135.tif 000034
【０１３１】
【化３８】
2004334135.tif 000035
【０１３２】
【化３９】
2004334135.tif 000036
【０１３３】
活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する上記化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。
【０１３４】
【化４０】
2004334135.tif 000037
【０１３５】
【化４１】
2004334135.tif 000038
【０１３６】
【化４２】
2004334135.tif 000039
【０１３７】
【化４３】
2004334135.tif 000040
【０１３８】
【化４４】
2004334135.tif 000041
【０１３９】
【化４５】
2004334135.tif 000042
【０１４０】
（Ｂ）成分の化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１４１】
（Ｂ）成分の化合物の本発明のポジ型レジスト組成物中の含量は、組成物の固形分を基準として、０．１〜２０質量％が好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、更に好ましくは１〜７質量％である。
【０１４２】
〔３〕有機塩基性化合物
本発明の組成物には、活性光線又は放射線の照射後、加熱処理までの経時による性能変動（パターンのＴ−ｔｏｐ形状形成、感度変動、パターン線幅変動等）や塗布後の経時による性能変動、更には活性光線又は放射線の照射後、加熱処理時の酸の過剰な拡散（解像度の劣化）を防止する目的で、有機塩基性化合物を添加することが好ましい。有機塩基性化合物としては、例えば塩基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共役酸のｐＫａ値で４以上の化合物が好ましく使用される。
具体的には下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を挙げることができる。
【０１４３】
【化４６】
2004334135.tif 000043
【０１４４】
ここで、Ｒ２５０  、Ｒ２５１  及びＲ２５２  は、同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数１〜２０個のアルキル基、炭素数１〜２０個のアミノアルキル基、炭素数１〜２０個のヒドロキシアルキル基又は炭素数６〜２０個の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで、Ｒ２５１とＲ２５２は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ２５３  、Ｒ２５４  、Ｒ２５５  及びＲ２５６  は、同一でも異なってもよく、炭素数１〜２０個のアルキル基を表す。
更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基を有する化合物である。
【０１４５】
好ましい具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダゾール、置換もしくは未置換のイミダゾール、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【０１４６】
特に好ましい化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、
【０１４７】
３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるものではない。
これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは２種以上一緒に用いられる。
【０１４８】
酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の使用割合は、（酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モル比）＝２．５〜３００であることが好ましい。該モル比が２．５未満では低感度となり、解像力が低下する場合があり、また、３００を越えると露光後加熱処理までの経時でレジストパターンの太りが大きくなり、解像力も低下する場合がある。（酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モル比）は、好ましくは５．０〜２００、更に好ましくは７．０〜１５０である。
【０１４９】
〔４〕界面活性剤
本発明の組成物は、界面活性剤、特にフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することが好ましい。すなわち、本発明の組成物には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは２種以上を含有することが好ましい。これらフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤の添加は、現像欠陥の抑制及び塗布性の向上に効果を有する。
【０１５０】
これらのフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、特開２００２−２７７８６２号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同  ５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、（新秋田化成（株）製）、フロラードＦＣ４３０、４３１（住友スリーエム（株）製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大日本インキ化学工業（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
【０１５１】
また、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）もしくはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート及び／又は（ポリ（オキシアルキレン））メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ（オキシアルキレン）基としては、ポリ（オキシエチレン）基、ポリ（オキシプロピレン）基、ポリ（オキシブチレン）基などが挙げられ、また、ポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体）やポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体）など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体は２元共重合体ばかりでなく、異なる２種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる２種以上の（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）などを同時に共重合した３元系以上の共重合体でもよい。
例えば、市販のフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤として、メガファックＦ１７８、Ｆ−４７０、Ｆ−４７３、Ｆ−４７５、Ｆ−４７６、Ｆ−４７２（大日本インキ化学工業（株）製）を挙げることができる。さらに、Ｃ６Ｆ１３基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ６Ｆ１３基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ８Ｆ１７基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ８Ｆ１７基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、などを挙げることができる。
【０１５２】
フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤の使用量は、ポジ型レジスト組成物全量（溶剤を除く）に対して、好ましくは０．０００１〜２質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％、特に好ましくは０．０１質量％〜１質量％である。
【０１５３】
〔５〕溶剤
本発明の組成物は、上記各成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
本発明に於いては、溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類と、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類又は乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸アルキル類とを混合した混合溶剤を使用することが好ましい。
【０１５４】
上記各成分を溶剤に溶解させた際の固形分濃度は、３〜１５質量％とすることが好ましく、５〜１０質量％とすることがより好ましい。
【０１５５】
精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上へのパターン形成工程は、基板（例：シリコン／二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明基板等）上に、本発明の組成物を塗布し、次に活性光線又は放射線描画装置を用いて照射を行い、加熱、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを形成することができる。
【０１５６】
本発明の組成物のアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
これらの現像液の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常０．１〜２０質量％、ｐＨは、通常１０．０〜１５．０である。
【０１５７】
〔６〕非ポリマー型溶解抑止剤
本発明のポジ型レジスト組成物は、感度、コントラストの点から、更に溶解抑止剤を含有することが特に好ましい。ここで、非ポリマー型溶解抑止剤とは、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する、少なくとも一つの酸分解性基を有する分子量５０００以下の化合物、好ましくは分子量２０００〜４０００の化合物である。ここで酸分解性基としては、例えば樹脂（Ａ）におけるもの挙げることができる。
Ｆ２エキシマレーザーへの透明性の点からは、母核（酸分解性基以外の部位）中にフッ素原子が置換しているのが好ましい。
添加量は、組成物中の樹脂に対して３〜５０質量％が好ましく、より好ましくは５〜４０質量％、更に好ましくは７〜３０質量％である。
【０１５８】
非ポリマー型溶解抑止剤の具体例を以下に挙げるが、これらに限定するものではない。
【０１５９】
【化４７】
2004334135.tif 000044
【０１６０】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
【０１６１】
〔モノマー（Ａ１−１）の合成〕
一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位に相当するモノマーとして前記したモノマー（Ａ１−１）を下記のとおり合成した。
アクリロニトリル３００ｇとホルムアルデヒド４６０ｇ、及びテトラヒドロフラン５００ｇを窒素雰囲気下、０℃にて攪拌しているところに、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン６３．５ｇを加え、室温で５日間攪拌する。反応液を、濃縮し、減圧蒸留にて、モノマー（Ａ１−１）５０．７ｇを得た。
【０１６２】
〔樹脂（Ｆ−１）の合成〕
樹脂（Ａ）の好ましい具体例として前記した樹脂（Ｆ−１）を下記のとおり合成した。
下記式（１）で示されるモノマー１１．０ｇを窒素下で攪拌しているところに、アゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業社製）２．４８ｇを添加し、そのまま６５℃にて、３０分間攪拌した。これとは別に、式（２）で示されるモノマー１１．５ｇ、モノマー（Ａ１−１）１．７ｇ及びアゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業社製）４．９６ｇを混合し、先の反応容器に２時間かけて滴下した。反応液にヘキサン５００ｍｌを加えてポリマーを沈殿させたのち、上層をデカンテーションにて除去した。残った粘調なポリマーをアセトン５０ｍｌに溶かし、再度ヘキサン１Ｌを加えることで、ポリマーを分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。  得られたポリマーをＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は８７００、分散度は１．４であった。
【０１６３】
【化４８】
2004334135.tif 000045
【０１６４】
〔比較樹脂（Ｃ−１）の合成〕
上記一般式（１）で示されるモノマー１１．０ｇに、上記一般式（２）で示されるモノマー１７．３ｇを窒素下で攪拌しているところに、アゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業社製）２．４８ｇを添加し、そのまま６５℃にて１時間攪拌して反応させた。反応液にヘキサン５００ｍｌを加えてポリマーを沈殿させたのち、上層をデカンテーションにて除去した。残った粘調なポリマーをアセトン５０ｍｌに溶かし、再度ヘキサン１Ｌを加えることで、ポリマーを分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。得られたポリマーをＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は８０００、分散度は１．９であった。
【０１６５】
〔モノマー（Ａ１−１９）の合成〕
一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位に相当するモノマーとして前記したモノマー（Ａ１−１９）を下記のとおり合成した。
アクリロニトリル３００ｇとホルムアルデヒド４６０ｇ、及びテトラヒドロフラン５００ｇを窒素雰囲気下、０℃にて攪拌しているところに、１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン６３．５ｇを加え、室温で５日間攪拌する。反応液を、濃縮し、減圧蒸留にて、下記式（３）で示される化合物（３）５０．７ｇを得た。
次に、化合物（３）を出発物とし、Ｔｅｔｏｒａｈｅｄｒｏｎ，  ２９，  １９９６，  ｐｐ．９７５９−９７７６  にしたがって、下記化合物（４）を合成した。下記化合物（５）７０．１ｇ（０．２ｍｏｌ）、乾燥テトラヒドロフラン１００ｍｌ及びトリエチルアミン２０．２ｇ（０．２ｍｏｌ）を混合し、攪拌しながら、０度まで冷却する。化合物（４）２９．４ｇ（０．２ｍｏｌ）を混合液にゆっくりと滴下し、室温で３時間反応させた。反応液を酢酸エチルにて抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製して、下記モノマー（Ａ１−１９）２０．２ｇを得た。
【０１６６】
【化４９】
2004334135.tif 000046
【０１６７】
【化５０】
2004334135.tif 000047
【０１６８】
〔例示樹脂（Ｆ−９）の合成〕
樹脂（Ａ）の好ましい具体例として前記した樹脂（Ｆ−９）を下記のとおり合成した。
下記式（６）で示されるモノマー１１．０ｇを窒素下で攪拌しているところに、アゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業社製）２．４８ｇを添加し、そのまま６５℃にて１時間攪拌して反応させた。これとは別に、モノマー（Ａ１−１９）２５．０ｇ及びアゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業社製）４．９６ｇを混合し、先の反応容器に２時間かけて滴下した。
反応液にヘキサン５００ｍｌを加えてポリマーを沈殿させたのち、上層をデカンテーションにて除去した。残った粘調なポリマーをアセトン５０ｍｌに溶かし、再度ヘキサン１Ｌを加えることで、ポリマーを分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。  得られたポリマーをＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は８０００、分散度は１．５であった。
【０１６９】
【化５１】
2004334135.tif 000048
【０１７０】
〔比較樹脂（Ｃ−２）の合成〕
上記一般式（６）で示されるモノマー１１．０ｇに、アクリロニトリル３．１ｇを窒素下で攪拌しているところに、アゾ系重合開始剤Ｖ−６５（和光純薬工業社製）２．４８ｇを添加し、そのまま６５℃にて１時間攪拌して反応させた。反応液にヘキサン５００ｍｌを加えてポリマーを沈殿させたのち、上層をデカンテーションにて除去した。残った粘調なポリマーをアセトン５０ｍｌに溶かし、再度ヘキサン１Ｌを加えることで、ポリマーを分別処理し、未反応モノマーおよびオリゴマー成分を除去した。得られたポリマーをＧＰＣにて分子量測定を行ったところ、重量平均分子量は１５０００、分散度は１．２であった。
【０１７１】
樹脂（Ｆ−１）及び（Ｆ−９）の合成と同様にして、先に例示した樹脂（Ｆ−２）〜（Ｆ−１２）を得た。繰り返し単位の比率、重量平均分子量、分散度を表１に示す。
【０１７２】
【表１】
2004334135.tif 000049
【０１７３】
実施例１〜１４及び比較例１及び２
下記表２に示すとおり、樹脂：１．２ｇ、酸発生剤：０．０３０ｇ、界面活性剤：ポリマー溶液に対し１００ｐｐｍ、有機塩基性化合物：０．００１２ｇを溶剤１９．６ｇに溶解したポリマー溶液を０．１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターで濾過しポジ型レジスト液を調製した。尚、樹脂は上記表１、酸発生剤、溶解抑制剤は前記したものを使用した。
【０１７４】
【表２】
2004334135.tif 000050
【０１７５】
表２における記号の内容は以下のとおりである。
Ｎ−１：ヘキサメチレンテトラミン
Ｎ−２：１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン
Ｎ−３：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン
Ｗ−１：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製）（フッ素系）
Ｗ−２：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製）
（フッ素及びシリコン系）
Ｓ−１：乳酸エチル
Ｓ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｓ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテル
【０１７６】
上記のように調製したポジ型レジスト液をスピンコータを利用して反射防止膜（ＤＵＶ４２−６  ＢｒｅｗｅｒＳｃｉｅｎｃｅ．  Ｉｎｃ．  製）を塗布したシリコンウエハー上に均一に塗布し、１２０℃６０秒間加熱乾燥を行い、膜厚０．１μｍのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ＡｒＦマイクロステッパーを用いラインアンドスペース用マスク（ライン幅１５０ｎｍ、ライン／スペース＝１：１）を使用してパターン露光し、露光後すぐに１１０℃９０秒間ホットプレート上で加熱した。更に２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２３℃にて３０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハー上のパターンを下記の方法でレジスト性能を評価した。
【０１７７】
〔溶剤溶解性〕
溶剤への溶解性の評価は、全ての構成素材が、室温下で溶液が入った容器を振ることによって５分以内に溶解した場合を○、５分以内で溶解しなかった場合を△、難溶であった場合を×とした。
【０１７８】
上記のように調製したポジ型レジスト液をキャノン社製塗布機ＣＤＲ−６５０を用いて６インチシリコンウエハー上に塗布し、真空吸着式ホットプレートにて１２０℃、９０秒乾燥して膜厚０．１００μｍのレジスト膜を得、下記の方法で性能を評価した。
〔ストリエーション〕
このレジスト膜表面を光学顕微鏡によって観察し、濡れ残り及びストリエーションの発生を目視にて観察し、非常に顕著であった場合を×、若干観察された場合を△、観察されなかった場合を○とした。
〔基板面内の塗布均一性〕
レジストの膜厚値をアルファーステップ−１００（ＴＥＮＶＣＯＲ社製）で１０ポイントを測定した。その測定値のターゲットの膜厚に対する分散を塗布均一性の指標とした。
【０１７９】
上記のように調製したポジ型レジスト液をスピンコータを利用して反射防止膜（ＤＵＶ４２−６  ＢｒｅｗｅｒＳｃｉｅｎｃｅ．Ｉｎｃ．製）を塗布したシリコンウエハー上に均一に塗布し、１２０℃６０秒間加熱乾燥を行い、膜厚０．１５μｍのポジ型レジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、ＡｒＦエキシマレーザーステッパー（Ｃａｎｏｎ社製ＦＰＡ−３０００ＥＸ５：ＮＡ０．６０）を用いラインアンドスペース用マスクを使用してパターンを露光し、露光後すぐに１１０℃９０秒間ホットプレート上で加熱した。更に２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド水溶液で２３℃にて６０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥した。このようにして得られたシリコンウエハー上の０．１５μｍのパターンを下記の方法で性能評価した。
〔ラインエッジラフネス〕
ラインパターンの長手方向のエッジ５μｍの範囲について、エッジがあるべき基準線からの距離を測長ＳＥＭ（（株）日立製作所製Ｓ−９２２０）により５０ポイント測定し、標準偏差を求め、３σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
性能評価結果を表３に示した。
【０１８０】
【表３】
2004334135.tif 000051
【０１８１】
表３の結果より、本発明のポジ型レジスト組成物は、ストリエーションが発生し難く、溶剤溶解性、塗布均一性及びラインエッジラフネスが良好であることが判る。
【０１８２】
【発明の効果】
本発明により、２００ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源使用時に十分な透過性を示し、且つ溶剤溶解性、ストリエーションの発生、塗布均一性、ラインエッジラフネス等が改良されたポジ型レジスト組成物を提供することができる。