(57)【要約】【課題】高精細化、高輝度化により、デュアル駆動化が必要となるプラズマディスプレイに速やかに対応することができ、しかも、構造の簡単化、製造工程の短縮化、製造設備のコスト低減、製品のコスト削減等を図ることができるプラズマディスプレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】対向配置した一方のガラス基板の内表面に電極を互いに平行に形成し、他方のガラス基板２の内表面に上記電極と直交する複数の隔壁８及び凹部７ａを形成し、この凹部７ａに２つの領域に画成する突部１０を設け、この突部１０により画成される２つの領域それぞれに、導電性粒子と水とを含むスラリーを所定時間静置して沈殿させた導電性粒子を熱処理し互いに接合させてなるアドレス電極１１ａ、１１ｂを形成し、これら２分割されたアドレス電極１１ａ、１１ｂ上に誘電体層１２及び蛍光体１３を積層したことを特徴とする。【選択図】　図２
2004071249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の透明基板が互いに対向配置され、これらの透明基板のうち一方の透明基板の一主面に複数のストライプ状の第１の電極が互いに平行に形成されるとともに、他方の透明基板の対向する側の一主面に前記第１の電極に直交する複数のストライプ状の第２の電極が互いに平行に形成され、これら第２の電極それぞれの間には隔壁が形成され、これら隔壁により画成されたそれぞれの凹部が放電セルとされたプラズマディスプレイにおいて、
前記凹部に、この凹部を複数の領域に画成する突部を１つ以上設け、
該突部により画成される領域それぞれに、導電性粒子を含む導電性液状物質を静置することにより沈降した導電性粒子同士を熱処理により互いに接合してなる第２の電極を形成してなることを特徴とするプラズマディスプレイ。
【請求項２】
前記突部の高さは、前記凹部の深さの２０％〜１００％であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ。
【請求項３】
透明基板の一主面に、凹部形成用の開口の一部が前記凹部を複数の領域に画成する１つ以上の突部を形成するための狭窄部または遮蔽部を１つ以上有するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を用いて前記透明基板の一主面に前記凹部及び前記突部を形成する凹部形成工程と、この凹部に導電性粒子を含む導電性液状物質を供給する導電性液状物質供給工程と、この導電性液状物質を静置させてその中に含まれる導電性粒子を沈降させ、この導電性粒子を熱処理し、前記突部により画成される前記凹部の複数の領域それぞれに第２の電極を形成する電極形成工程とを備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項４】
前記レジスト膜形成工程の前に、透明基板の一主面に前記導電性液状物質に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程を備えることを特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項５】
前記導電性液状物質供給工程は、前記透明基板の一主面に前記導電性液状物質を塗布することにより、前記凹部に前記導電性液状物質を充填する工程であることを特徴とする請求項３または４記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【請求項６】
前記導電性液状物質供給工程は、前記導電性液状物質を供給する供給手段を用いて、前記凹部に前記導電性液状物質を充填する工程であることを特徴とする請求項３または４記載のプラズマディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイ及びその製造方法に係り、特に、高精細化、高輝度化により、デュアル駆動化が必要となるプラズマディスプレイに好適に用いられ、しかも、表示面の高品質化、構造の簡単化、製造工程の短縮化、製造設備のコスト低減、製品のコスト削減等が可能な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハイビジョン用の大画面、高画質の表示デバイスとしてプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）が注目されている。
このプラズマディスプレイは、１対の透明基板を対向配置し、一方の透明基板の内表面に複数のストライプ状の第１の電極を形成するとともに、他方の透明基板の内表面に前記第１の電極に直交する複数のストライプ状の第２の電極を形成し、これら第２の電極間に隔壁を形成し、これら隔壁により画成された凹部を放電セルとした構造のもので、自然な階調表示が得られ、色再現性、応答性がよく、比較的安価に大型化ができるという様々な特徴を有する。
【０００３】
一方、近年におけるプラズマディスプレイの高精細化、高輝度化により、デュアル駆動化が必要となってきている。そこで、アドレス電極を２分割し、分割されたアドレス電極それぞれに全く別のデータ信号を入力する方式のプラズマディスプレイが提案されている。
図１２は、従来のアドレス電極を２分割した電極２分割方式のＡＣ型プラズマディスプレイ（ＡＣ−ＰＤＰ）を示す分解斜視図、図１３はこのプラズマディスプレイの電極パターンの一例を示す平面図である。
【０００４】
このプラズマディスプレイ１００は、２枚のガラス基板（透明基板）１０１、１０２が互いに対向配置され、前面側のガラス基板１０２の内表面（ガラス基板１０１に対向する側の一主面）には、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２等の透明導電材料からなるストライプ状の複数の走査電極（透明電極）１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂが互いに平行に形成され、これら走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂは透明な誘電体層１０３により覆われ、さらにこの誘電体層１０３は、ＭｇＯ等からなる透明な保護膜（図示略）により覆われている。上記の走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂは、交互に配置されている。
【０００５】
一方、背面側のガラス基板１０１の内表面（ガラス基板１０２に対向する側の一主面）には、ガス放電を行う空間である放電セル１０７を形成するために、上述した走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂと交差する方向に、所定の高さを有する複数の隔壁１０８がストライプ状に形成され、これらの隔壁１０８、１０８、…により凹部１０７ａが形成され、これら隔壁１０８、１０８及び凹部１０７ａにより囲まれた領域がガス放電を行う空間である溝状の放電セル１０７とされている。また、隔壁１０８はガラス基板１０１と一体形成されている。
それぞれの凹部１０７ａには、上述した走査電極１０４Ａ及び維持電極１０４Ｂに直交しかつ中央部で２つに分割されたストライプ状のアドレス電極１０６ａ、１０６ｂが形成され、これら２つに分割されたアドレス電極１０６ａ、１０６ｂは反射率の高い誘電体層１０５で覆われ、この誘電体層１０５上には、３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色を発光する蛍光体１０９が積層されている。
【０００６】
そして、これらガラス基板１０１、１０２を互いに対向させて、各放電セル１０７、１０７、…の内部に１４７ｎｍのＸｅ共鳴放射光を利用するＮｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅ等の混合ガスを封入した状態で、周囲をシールガラス等により封着した構成になっている。
なお、アドレス電極１０６ａ、１０６ｂとしては、従来、Ａｇペースト、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ積層膜等の導電材料が用いられてきたが、近年、Ａｇペーストに替わりＡｇシートを用いたプラズマディスプレイが提案されている。
【０００７】
次に、このプラズマディスプレイの製造方法について説明する。
まず、蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術を用いて、平板状のガラス基板１０２の内表面全面にＩＴＯ、ＳｎＯ２等の導電材料を成膜し、この導電材料をフォトリソグラフィによりパターン化してストライプ状の走査電極１０４Ａ、…及び維持電極１０４Ｂ、…とする。
次いで、これら走査電極１０４Ａ、…及び維持電極１０４Ｂ、…が形成されたガラス基板１０２上に誘電体材料を塗布し、その後所定の温度で焼成して透明な誘電体層１０３とする。さらに、この誘電体層１０３上にＭｇＯ等を主成分とする保護膜材料を塗布し、その後所定の温度で焼成して透明な保護膜（図示略）とする。
【０００８】
また、図１４（ａ）に示すように、放電セル１０７を形成するために、平板状のガラス基板１０１の内表面に、サンドブラスト法等により所定の深さの凹部１０７ａを切削する。この凹部１０７ａの両側は切削されずに残り、所定の高さを有する隔壁１０８、１０８となる。これにより、隔壁１０８、１０８及び凹部１０７ａにより放電セル１０７となる領域が画成される。
次いで、図１４（ｂ）に示すように、このガラス基板１０１の内表面全面に、加圧ローラ等を用いて、銀（Ａｇ）シート（電極シート）１１１を減圧下で押圧し、このＡｇシート１１１を凹部１０７ａ及び隔壁１０８に沿うように塑性変形させる。
【０００９】
次いで、図１４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィにより、所定のパターンを有するフォトマスク１１２を用いてＡｇシート１１１をパターニングし、図１４（ｄ）に示すストライプ状のアドレス電極１０６ａ（１０６ｂ）とする。次いで、スクリーン印刷法あるいはロールコータ法等により、放電セル１０７、１０７、…の内側、すなわち隔壁１０８、１０８及び凹部１０７ａの内側に、反射率の高い誘電体材料を塗布し、その後所定の温度にて焼成し、誘電体層１０５とする。
【００１０】
次いで、この誘電体層１０５上に、３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するペースト状の蛍光体材料を塗布し、その後乾燥・焼成し、蛍光体１０９とする。
その後、これらのガラス基板１０１、１０２を対向配置してガラス基板１０１、１０２同士を貼り合わせ、各放電セル１０７、１０７、…の内部にＮｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅ等の混合ガスを封入し、周囲をシールガラス等により封着する。
以上により、プラズマディスプレイ１００を得ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の電極２分割方式のプラズマディスプレイ１００においては、フォトリソグラフィ法により、Ａｇシート、Ａｇペースト、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ積層膜等の導電材料をパターニングすることでアドレス電極１０６ａ、１０６ｂを形成していたために、導電材料のコストが高い分、製造コストが高くなり、得られた製品のコストも高くなり、したがって、高精細化、高輝度化によりデュアル駆動化が必要となるプラズマディスプレイに速やかに対応することが難しいという問題点があった。
また、フォトリソグラフィ法を用いた場合、設備が高価なものとなり、製造工程も長くなるという問題点があった。
【００１２】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、高精細化、高輝度化により、デュアル駆動化が必要となるプラズマディスプレイに速やかに対応することができ、しかも、構造の簡単化、製造工程の短縮化、製造設備のコスト低減、製品のコスト削減等を図ることができるプラズマディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は次のようなプラズマディスプレイ及びその製造方法を採用した。
すなわち、本発明の請求項１記載のプラズマディスプレイは、１対の透明基板が互いに対向配置され、これらの透明基板のうち一方の透明基板の一主面に複数のストライプ状の第１の電極が互いに平行に形成されるとともに、他方の透明基板の対向する側の一主面に前記第１の電極に直交する複数のストライプ状の第２の電極が互いに平行に形成され、これら第２の電極それぞれの間には隔壁が形成され、これら隔壁により画成されたそれぞれの凹部が放電セルとされたプラズマディスプレイにおいて、前記凹部に、この凹部を複数の領域に画成する突部を１つ以上設け、該突部により画成される領域それぞれに、導電性粒子を含む導電性液状物質を静置することにより沈降した導電性粒子同士を熱処理により互いに接合してなる第２の電極を形成してなることを特徴とする。
【００１４】
このプラズマディスプレイでは、放電セルとされる凹部に、この凹部を複数の領域に画成する突部を１つ以上設け、この突部により画成される領域それぞれに、導電性粒子を含む導電性液状物質を静置することにより沈降した導電性粒子同士を熱処理により互いに接合してなる第２の電極を形成したことにより、複数に分割された第２の電極それぞれの領域における放電のばらつきが小さくなり、画素領域の表示むらが小さくなり、表示面における表示品質が向上する。
【００１５】
請求項２記載のプラズマディスプレイは、請求項１記載のプラズマディスプレイにおいて、前記突部の高さは、前記凹部の深さの２０％〜１００％であることを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載のプラズマディスプレイの製造方法は、透明基板の一主面に、凹部形成用の開口の一部が前記凹部を複数の領域に画成する１つ以上の突部を形成するための狭窄部または遮蔽部を１つ以上有するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を用いて前記透明基板の一主面に前記凹部及び前記突部を形成する凹部形成工程と、この凹部に導電性粒子を含む導電性液状物質を供給する導電性液状物質供給工程と、この導電性液状物質を静置させてその中に含まれる導電性粒子を沈降させ、この導電性粒子を熱処理し、前記突部により画成される前記凹部の複数の領域それぞれに第２の電極を形成する電極形成工程とを備えてなることを特徴とする。
【００１７】
この製造方法では、透明基板の一主面に、凹部形成用の開口の一部が前記凹部を複数の領域に画成する１つ以上の突部を形成するための狭窄部を１つ以上有するレジスト膜を形成し、前記レジスト膜を用いて前記透明基板の一主面に前記凹部、及び該凹部を複数の領域に画成する１つ以上の突部をそれぞれ形成する。この凹部形成工程では、前記狭窄部をマスクとして触刻される部分の深さは、この狭窄部以外の部分をマスクとして触刻される部分の深さより浅いものとなり、その結果、凹部内に、該凹部より浅いストライプ状の部分、すなわち突部が形成されることとなる。
【００１８】
その後、この突部が形成された凹部に導電性粒子を含む導電性液状物質を供給し、この導電性液状物質を静置させてその中に含まれる導電性粒子を沈降させれば、この導電性粒子は突部には堆積されず、この突部により画成される複数の領域のみに堆積されることとなる。これにより、従来のフォトリソグラフィ法と比べて簡単な工程で、前記凹部の画成された複数の領域それぞれに第２の電極を形成することができ、製造工程の短縮化、製品のコスト削減を図ることができる。また、上記の工程は、製造設備が簡単なものであるから、従来のフォトリソグラフィ装置に比べて安価であり、製造設備のコスト低減を図ることが可能である。
【００１９】
請求項４記載のプラズマディスプレイの製造方法は、請求項３記載のプラズマディスプレイの製造方法において、前記レジスト膜形成工程の前に、透明基板の一主面に前記導電性液状物質に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程を備えることを特徴とする。
【００２０】
この製造方法では、前記レジスト膜形成工程の前に、透明基板の一主面に前記導電性液状物質に対して撥液性を有する撥液層を形成することにより、前記凹部を形成した後には、この凹部の側壁部分の上端部のみに撥液層が残ることとなる。この撥液層は、前記導電性液状物質に対して撥液性を有するので、前記導電性液状物質が前記凹部の上端部に残ることがない。
【００２１】
請求項５記載のプラズマディスプレイの製造方法は、請求項３または４記載のプラズマディスプレイの製造方法において、前記導電性液状物質供給工程は、前記透明基板の一主面に前記導電性液状物質を塗布することにより、前記凹部に前記導電性液状物質を充填する工程であることを特徴とする。
【００２２】
請求項６記載のプラズマディスプレイの製造方法は、請求項３または４記載のプラズマディスプレイの製造方法において、前記導電性液状物質供給工程は、前記導電性液状物質を供給する供給手段を用いて、前記凹部に前記導電性液状物質を充填する工程であることを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明のプラズマディスプレイ及びその製造方法の一実施の形態について図面に基づき説明する。
図１は、本実施形態のプラズマディスプレイを示す部分分解斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は本実施形態のプラズマディスプレイの背面側のガラス基板の上面を示す平面図である。なお、図１〜図３に示すプラズマディスプレイは一例であり、本発明はこのプラズマディスプレイに限定されるものではない。
【００２４】
このプラズマディスプレイ１は、１対のガラス基板（透明基板）２、３が互いに対向配置され、前面側のガラス基板３の内表面（ガラス基板２に対向する側の一主面）には、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２等の透明導電材料からなるストライプ状の走査電極（第１の電極）４Ａ及び維持電極４Ｂが互いに平行に形成され、これら走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂは透明な誘電体層５により覆われ、さらにこの誘電体層５は、ＭｇＯ等からなる透明な保護膜（図示略）により覆われている。
なお、このガラス基板３の内表面においては、走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂは、互いに平行にかつ交互に形成されている。
【００２５】
一方、背面側のガラス基板２の内表面（ガラス基板３に対向する側の一主面）には、ガス放電を行う空間である放電セル７を形成するために、上述した走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂの延在方向と交差する方向に、所定の高さを有する複数の隔壁８がストライプ状に形成され、これらの隔壁８、８、…により挟まれる領域が凹部７ａとされ、これら隔壁８、８及び凹部７ａにより囲まれた空間領域がガス放電を行う空間である溝状の放電セル７とされている。
隔壁８、８、…は、ガラス基板２とは異なる別部材により構成されていてもよいが、プラズマディスプレイ１の製造工程を簡略化するために、図１に示すように、ガラス基板２と一体形成されていることが望ましい。
【００２６】
各放電セル７内、すなわち凹部７ａの中央部の底面には、この凹部７ａを２つの領域に画成する断面三角形状のストライプ状の突部１０が、この凹部７ａを横断するように形成され、この突部１０により画成される２つの領域それぞれには、上述した走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂに直交しかつ凹部７ａの底面に沿う帯状のアドレス電極（第２の電極）１１ａ及び１１ｂが形成され、これらアドレス電極１１ａ、１１ｂは反射率の高い誘電体層１２で覆われ、各誘電体層１２上には、３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちいずれかの色を発光する蛍光体１３が積層されている。
この突部１０の凹部７ａの底面からの高さは、隔壁８の上面から凹部７ａの底面までの深さの２０〜１００％である。
【００２７】
これらのアドレス電極１１ａ、１１ｂは、凹部７ａ内に、少なくとも導電性粒子と、ガラスフリットと、水と、バインダー樹脂と、分散剤を含有するスラリー（導電性液状物質）を充填し、次いで、所定時間静置することにより、凹部７ａ内の突部１０により画成される２つの領域それぞれに、上記の導電性粒子を沈降させ、次いで、所定の温度で所定時間熱処理し、この沈降した導電性粒子同士を互いに接合させることにより得られる。
【００２８】
導電性粒子としては、例えば、平均粒径が０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、Ａｇ粒子あるいはＡｇ合金粒子が好適に用いられる。
また、ガラスフリットとしては、電極の特性に影響を及ぼさないものであれば良く、例えば、平均粒径が０．１〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、硼珪酸鉛ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラス等が好適に用いられる。
【００２９】
そして、これらガラス基板２、３を互いに対向させて、各放電セル７、７、…の内部に１４７ｎｍのＸｅ共鳴放射光を利用するＮｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅ等の混合ガスを封入した状態で、周囲をシールガラス等により封着した構成になっている。
【００３０】
このプラズマディスプレイ１では、走査電極４Ａ、…、維持電極４Ｂ、…およびアドレス電極１１ａ、１１ｂの一方の端部は、それぞれ外部に引き出されており、これらに接続された端子に選択的に電圧を印加することで、選択的に放電セル７、７、…内の走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂとアドレス電極１１ａ、１１ｂとの間に放電を発生させ、この放電により放電セル７内の蛍光体１３からの励起光を外部（観察者側）に表示するようになっている。なお、このときの発光面は、放電セル７に面した蛍光体１３の表面部分となる。
【００３１】
次に、本実施形態のプラズマディスプレイ１の製造方法について図４〜図９に基づき説明する。
なお、図４〜図６は、本実施形態のプラズマディスプレイ１の製造方法を示す過程図であり、図１中のＢ−Ｂ線に沿う部分概略断面図により説明している。　また、以下に記載の製造方法は、本発明の製造方法の一例であって、本発明は以下に記載のものに限定されるものではない。
【００３２】
まず、図４（ａ）に示すように、ソーダライムガラス等からなるガラス基板（透明基板）２１を有機溶剤を用いて洗浄し、乾燥させた後、このガラス基板２１の全面に、後述するスラリー（導電性液状物質）に対して撥水性（撥液性）を有する酸化ケイ素膜（撥液層）２２を形成する。
この酸化ケイ素膜２２は、シリコンテトラエトキシド（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）等のアルコキシドを塗布し、その後、所定の温度で熱処理することにより形成することができる。
【００３３】
次いで、図４（ｂ）に示すように、この酸化ケイ素膜２２の全面にフォトレジスト（レジスト膜）２３を形成する。フォトレジスト２３としては、サンドブラスト法では切削され難い材料が良く、例えば、圧着等により簡単に形成することができるドライフィルムレジスト等が好適である。
次いで、図４（ｃ）に示すように、このフォトレジスト２３上に、隔壁８の上面の位置及び形状、及びストライプ状の突部１０の位置及び形状に対応したパターン、すなわち後述する開口部２６の位置及び形状及び狭窄部２７の位置及び形状に対応したパターンを有するフォトマスク２５を配置し、このフォトマスク２５を介してフォトレジスト２３を露光する。
【００３４】
その後、フォトレジスト２３を現像し、図４（ｄ）及び図７に示すように、凹部７ａを形成するための開口部２６と、凹部７ａを２つの領域に画成する突部１０を形成するための前記開口部２６より幅の狭い狭窄部２７とを有するフォトレジスト（レジスト膜）２８とする。
このフォトレジスト２８では、開口部２６の幅Ｗ１１及び狭窄部２７の幅Ｗ１２は、形成すべき凹部７ａの幅（Ｗ１）及び深さ（ｄ）、及び突部１０の幅（Ｗ２）及び高さ（ｈ）と、サンドブラスト法によるエッチング条件から一義的に決定される。
【００３５】
サンドブラスト法によるエッチングでは、開口部２６の幅（Ｗ１１）が決まると、凹部７ａの幅（Ｗ１）も一義的に決まる。また、狭窄部２７の幅（Ｗ１２）が決まると、突部１０の幅（Ｗ２）も一義的に決まる。
また、サンドブラスト法のエッチング条件が設定されれば、この条件と開口部２６の幅（Ｗ１１）により凹部７ａの幅（Ｗ１）及び深さ（ｄ）が一義的に決まり、上記の条件と狭窄部２７の幅（Ｗ１２）により、突部１０の幅（Ｗ２）及び高さ（ｈ）が一義的に決まる。
したがって、このフォトレジスト２８の開口部２６の幅（Ｗ１１）と狭窄部２７の幅（Ｗ１２）は、凹部７ａの幅（Ｗ１）及び深さ（ｄ）と、突部１０の幅（Ｗ２）及び高さ（ｈ）と、サンドブラスト法のエッチング条件を基に決定されることとなる。
【００３６】
次いで、サンドブラスト法を用いて、フォトレジスト２８の開口部２６及び狭窄部２７に露出している酸化ケイ素膜２２及びガラス基板２１をエッチングする。
これにより、図４（ｅ）に示すように、凹部７ａ及び隔壁８、８で囲まれた領域である放電セル７が形成されるとともに、凹部７ａを２つの領域に画成する突部１０も形成される。
なお、酸化ケイ素膜２２は、フォトレジスト２８の開口部２６及び狭窄部２７に露出している部分がエッチングされるので、隔壁８、８上のみに残ることとなる。これら隔壁８、８は、狭窄部２７に対応する箇所が拡幅されたストライプ状となる。
【００３７】
このサンドブラスト法においては、ガラス基板２１の材質がソーダライムガラス等であるから、切削用粉末としては、充分な切削力を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末、あるいはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末を使用することが好ましい。
この場合、切削力の強い炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末、あるいはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末に対応するために、フォトレジスト２８としては、固化した後も弾性を有する材質のものを採用するのが好ましく、さらには、酸化ケイ素膜２２に対する接着力およびサンドブラスト法に対する耐切削性の高さを基に、ドライフィルムレジストを選択するのが好ましい。
【００３８】
次いで、フォトレジスト２８を剥離し、その後乾燥させることにより、図４（ｆ）、図８及び図９に示すように、内表面に、凹部７ａ及び隔壁８、８で囲まれた放電セル７領域が形成されるとともに、凹部７ａを２つの領域に画成する突部１０が形成され、さらに隔壁８、８、…の狭窄部２７に対応する箇所が拡幅されたガラス基板２１を得ることができる。
【００３９】
次いで、図５（ｇ）に示すように、ディスペンサー（供給手段）３１を用いて、凹部７ａに水系のスラリー（導電性液状物質）３２を充填する。
ディスペンサー３１の替わりに、インクジェットノズル、噴霧ノズル、等を用いてもよく、ディップ法を用いてもよい。
充填方法としては、ディスペンサー３１あるいはインクジェットノズルを用いて、凹部７ａ１つ１つに対して逐一充填する方法が好適である。
ここでは、隔壁８、８の上面に酸化ケイ素膜２２が形成されているので、スラリー３２は、隔壁８、８の上端部に付着したとしても、酸化ケイ素膜２２の撥水性により弾かれ、隔壁８、８の上端部に残ることはない。
【００４０】
このスラリー３２は、少なくとも導電性粒子と、ガラスフリットと、水と、バインダー樹脂と、分散剤を含有する液状の物質である。
導電性粒子としては、所定の温度で熱処理することによりガラスフリットと接合一体化するものが好ましく、例えば、平均粒径が０．０５〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、Ａｇ粒子あるいはＡｇ合金粒子が好適に用いられる。
【００４１】
また、ガラスフリットとしては、上記の導電性粒子と濡れ性が良く、しかも４２０〜４９０℃で溶融するものが好ましく、例えば、平均粒径が０．１〜５．０μｍ、好ましくは０．１〜２．０μｍの、硼珪酸鉛ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス、硼珪酸ビスマスガラス等が好適に用いられる。
【００４２】
次いで、図５（ｈ）に示すように、スラリー３２を所定時間静置し、スラリー３２中の導電性粒子及びガラスフリットを沈降させる。これにより、凹部７ａの底部に、導電性粒子及びガラスフリットの混合物である導電体混合粉３３が沈殿する。
この場合、凹部７ａは突部１０により２つの領域に画成されているので、この突部１０上に沈降した導電体混合粉３３は、突部１０の両側に流れ落ちて凹部７ａの画成された２つの領域に沈降することとなり、突部１０上に残留することはない。
【００４３】
その後、図５（ｉ）に示すように、導電体混合粉３３を所定の温度で所定時間熱処理することにより、導電性粒子とガラスフリットが強固に接合した導電材料からなるアドレス電極１１ａ（１１ｂ）が得られる。
熱処理条件としては、大気中で、３００〜６００℃、５〜６０分が好ましい。
【００４４】
次いで、図６（ｊ）に示すように、このアドレス電極１１ａ（１１ｂ）を含む凹部７ａ及び隔壁８、８の全面に、誘電体層１２を形成する。
この誘電体層１２は、スパッタ法、ＣＶＤ法等の成膜方法により形成してもよく、誘電体シートを用いて形成してもよい。誘電体シートを用いた場合、工程が簡略化されるため、製造コストの低減を図ることができる。
次いで、図６（ｋ）に示すように、凹部７ａ及び隔壁８、８の内面、すなわち放電セル７の内面の誘電体層１２上に、３原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するペースト状の蛍光体材料を塗布し、その後乾燥・焼成し、蛍光体１３とする。
以上により、背面側のガラス基板２を作製することができる。
【００４５】
一方、ガラス基板の内表面（ガラス基板２に対向する側の一主面）に、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２等の透明導電材料からなるストライプ状の複数の走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂ、透明な誘電体層５、透明な保護膜（図示略）を順次積層し、前面側のガラス基板３を作製する。
ここで、走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂ、誘電体層５は、上述したアドレス電極１１及び誘電体層１２の形成方法と同様の方法により形成しても良く、その他の公知の方法を用いて形成してもよい。
【００４６】
その後、これらのガラス基板２、３を対向配置してガラス基板２、３同士を貼り合わせ、各放電セル７、７、…の内部にＮｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅ等の混合ガスを封入し、周囲をシールガラス等により封着する。
以上により、プラズマディスプレイ１を作製することができる。
【００４７】
図１０は、本実施形態のプラズマディスプレイ１の製造方法にて用いられるフォトレジスト（レジスト膜）のパターンの変形例を示す平面図であり、このフォトレジスト（レジスト膜）４１は、凹部７ａを形成するための開口部２６と、凹部７ａを２つの領域に画成する突部を形成するための前記開口部２６より幅の狭い一対の狭窄部４２、４２とを有している。
このフォトレジスト３１においても、開口部２６の幅Ｗ１１及び狭窄部４２、４２の幅Ｗ１３は、形成すべき凹部７ａの幅（Ｗ１）及び深さ（ｄ）、及び突部１０の幅（Ｗ２）及び高さ（ｈ）と、サンドブラスト法によるエッチング条件から一義的に決定される。
【００４８】
図１１は、本実施形態のプラズマディスプレイ１の製造方法にて用いられるフォトレジスト（レジスト膜）のパターンの他の変形例を示す平面図であり、このフォトレジスト（レジスト膜）５１は、凹部７ａを形成するための開口部２６が、凹部７ａを２つの領域に画成する突部を形成するための幅の狭い帯状の遮蔽部５２により２つの領域に分割されている。
このフォトレジスト４１においても、開口部２６の幅Ｗ１１及び遮蔽部５２の幅Ｗ１４は、形成すべき凹部７ａの幅（Ｗ１）及び深さ（ｄ）、及び突部１０の幅（Ｗ２）及び高さ（ｈ）と、サンドブラスト法によるエッチング条件から一義的に決定される。
【００４９】
このフォトレジスト４１を用いれば、突部１０の凹部７ａの底面からの高さを、隔壁８の上面から凹部７ａの底面までの深さと等しくすることができ、凹部７ａを、それと同じ高さの突部１０により複数の領域に完全に分割することができる。
【００５０】
本実施形態のプラズマディスプレイ１によれば、ガラス基板２の内表面に形成された凹部７ａ内に、走査電極４Ａ及び維持電極４Ｂに直交しかつ凹部７ａの底面に沿う２分割された帯状のアドレス電極１１ａ、１１ｂを形成し、これらのアドレス電極１１ａ、１１ｂを、凹部７ａ内に少なくとも導電性粒子と、ガラスフリットと、水と、バインダー樹脂と、分散剤を含有するスラリー３２を充填し、導電性粒子及びガラスフリットからなる導電体混合粉３３を沈降させ、所定の温度で所定時間熱処理することで導電体混合粉３３同士を互いに接合させることとしたので、アドレス電極１１ａ、１１ｂそれぞれの領域における放電のばらつきを小さくすることができ、画素領域の表示むらを小さくすることができ、表示面における表示品質を向上させることができる。
【００５１】
本実施形態のプラズマディスプレイ１の製造方法によれば、ガラス基板２１上に、凹部７ａを形成するための開口部２６と、凹部７ａを２つの領域に画成する突部１０を形成するための狭窄部２７とを有するフォトレジスト２８を形成し、このフォトレジスト２８を用いて凹部７ａ及び隔壁８、８で囲まれた放電セル７領域及び凹部７ａを２つの領域に画成する突部１０を有するガラス基板２１を作製し、この凹部７ａに水系のスラリー３２を充填し、このスラリー３２を所定時間静置して、スラリー３２中の導電性粒子及びガラスフリットを沈降させて導電体混合粉３３とし、この導電体混合粉３３を熱処理して２分割されたアドレス電極１１ａ、１１ｂとするので、簡単な工程で、凹部７ａの画成された２つの領域にアドレス電極１１ａ、１１ｂを形成することができ、製造工程の短縮化、製品のコスト削減を図ることができる。
また、この製造方法は、製造設備が簡単かつ安価であるから、製造設備のコスト低減を図ることができる。
【００５２】
以上、本発明の一実施の形態について図面に基づき説明してきたが、具体的な構成は上述した一実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能である。
例えば、本実施形態では、凹部７ａの中央部の底面に、この凹部７ａを２つの領域に画成する突部１０を形成したが、凹部７ａの複数箇所の底面に突部１０を形成し、この凹部７ａを複数の領域に画成する構成としてもよい。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明のプラズマディスプレイによれば、隔壁により画成された凹部に、この凹部を複数の領域に画成する突部を１つ以上設け、該突部により画成される領域それぞれに、導電性粒子を含む導電性液状物質を静置することにより沈降した導電性粒子同士を熱処理により互いに接合してなる第２の電極を形成したので、複数に分割された第２の電極それぞれの領域における放電のばらつきを小さくすることができ、画素領域の表示むらを小さくすることができ、表示面における表示品質を向上させることができる。したがって、高精細化、高輝度化によりデュアル駆動化が必要となるプラズマディスプレイに速やかに対応することができる。
【００５４】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法によれば、透明基板の一主面に、凹部形成用の開口の一部が前記凹部を複数の領域に画成する１つ以上の突部を形成するための狭窄部または遮蔽部を１つ以上有するレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を用いて前記透明基板の一主面に前記凹部及び前記突部を形成する凹部形成工程と、この凹部に導電性粒子を含む導電性液状物質を供給する導電性液状物質供給工程と、この導電性液状物質を静置させてその中に含まれる導電性粒子を沈降させ、この導電性粒子を熱処理し、前記突部により画成される前記凹部の複数の領域それぞれに第２の電極を形成する電極形成工程とを備えたので、簡単な工程で、前記凹部の画成された複数の領域それぞれに第２の電極を形成することができ、製造工程の短縮化、製品のコスト削減を図ることができる。
また、この製造方法は、製造設備が簡単なものであるから、製造設備のコスト低減を図ることができる。
【００５５】
また、前記凹部形成工程の前に、透明基板の一主面に前記導電性液状物質に対して撥液性を有する撥液層を形成する撥液層形成工程を備えることとすれば、この凹部の側壁部分の上端部のみに残った撥液層が前記導電性液状物質を弾くので、導電性液状物質が前記凹部の上端部に残る虞がなくなり、信頼性の高い電極を作製することができ、高品質のプラズマディスプレイを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイを示す部分分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの背面側のガラス基板の上面を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの製造方法を示す過程図である。
【図５】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの製造方法を示す過程図である。
【図６】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの製造方法を示す過程図である。
【図７】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの製造方法にて用いられるフォトレジストのパターンを示す平面図である。
【図８】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの製造方法にて得られたガラス基板を示す平面図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの製造方法にて用いられるフォトレジストのパターンの変形例を示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態のプラズマディスプレイの製造方法にて用いられるフォトレジストのパターンの他の変形例を示す平面図である。
【図１２】従来のプラズマディスプレイを示す部分分解斜視図である。
【図１３】従来のプラズマディスプレイの電極パターンの一例を示す平面図である。
【図１４】従来のプラズマディスプレイの製造方法を示す過程図である。
【符号の説明】
１　プラズマディスプレイ
２、３　ガラス基板（透明基板）
４Ａ　走査電極（第１の電極）
４Ｂ　維持電極
５　誘電体層
７　放電セル
７ａ　凹部
８　隔壁
１０　突部
１１ａ、１１ｂ　アドレス電極（第２の電極）
１２　誘電体層
１３　蛍光体
２１　ガラス基板（透明基板）
２２　酸化ケイ素膜（撥液層）
２３、２８　フォトレジスト
２５　フォトマスク
２６　開口部
２７　狭窄部
３１　ディスペンサー（供給手段）
３２　スラリー（導電性液状物質）
３３　導電体混合粉
４１　フォトレジスト（レジスト膜）
４２　狭窄部
５１　フォトレジスト（レジスト膜）
５２　遮蔽部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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