(57)【要約】【課題】ＴＦＴアレイ基板などの半導体基板を均一に加熱することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体基板１００をプロキシミティピン６を介して載置し、この基板を加熱する加熱プレートと、加熱プレート内に設けられ、半導体基板１００と対向するプレート面の温度を検出する２以上の温度センサ８，９と、検出された各温度に基づいて、加熱プレートの温度制御を行う加熱制御部１２と、加熱プレート内に設けられるヒータ２３，２４とを備え、加熱プレートが、第１のプレート２１と、この第１のプレート２１を内包する環状の第２のプレート２２からなり、温度センサが、第１のプレート２１及び第２のプレート２２にそれぞれ配置される。【選択図】          図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を載置し、この被処理基板を加熱する加熱プレートと、
加熱プレート内に設けられ、被処理基板と対向するプレート面の温度を検出する２以上の温度センサと、
検出された各温度に基づいて、加熱プレートの温度制御を行う加熱制御手段とを備え、
加熱プレートが、第１のプレートと、この第１のプレートを内包する環状の第２のプレートからなり、
温度センサが、第１のプレート及び第２のプレートにそれぞれ配置されることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
上記第２のプレートが、第１のプレートと隣接する２以上のプレート片からなり、
上記温度センサが、これらのプレート片にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
上記加熱制御手段は、第１のプレートの温度より第２のプレートの温度を高くすることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項４】
プレート間に間隙を設けたことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項５】
プレートの一部がオーバーラップして配置されることを特徴とする請求項４に記載の熱処理装置。
【請求項６】
上記第１のプレートを第２のプレートより下げて配置されることを特徴とする請求項５に記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置に係り、より詳しくは、ＴＦＴアレイ基板などの被処理基板を加熱する熱処理装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶ディスプレイに用いられるＴＦＴアレイ基板などの半導体基板は、写真製版（フォトリソグラフィ）により形成される。この写真製版のプロセスは、次の各工程からなる。金属が蒸着された半導体基板に対し、基板の主面を洗浄する洗浄工程、紫外線で感光するレジストを所望の膜厚で塗布するレジストコート工程、塗布されたレジストを硬化させるために高温にて焼くプリベーク工程、マスクを載せて紫外線を照射する露光工程、現像液を用いてレジストの軟化部分を除去する現像工程、そして、パターニングされたレジストを焼き締めるポストベーク工程である。
【０００３】
レジストの線幅精度に大きく影響するという観点では、これらの製版工程のうち、露光感度を左右するプリベーク工程が特に重要である。このプリベーク工程は、熱処理装置内で行われる。
【０００４】
図１０は、従来の熱処理装置の一例を示した断面図である。この熱処理装置５０は、液晶ディスプレイなどの製造装置における熱処理ユニットであり、半導体基板１００の加熱処理を行っている。
【０００５】
熱処理装置５０は、支持部材３、カバー４、プロキシミティピン６、加熱プレート５１、ヒータ５２、温度センサ５３により構成される。支持部材３は、加熱プレート５１を水平に支持するためのものであり、この支持部材３により加熱プレート５１が水平な状態で固定される。カバー４は、半導体基板１００の加熱処理が行われる被処理領域５を外気から隔離するための容器であり、このカバー４により被処理領域５が外部と断熱される。
【０００６】
プロキシミティピン６は、半導体基板１００と加熱プレート５１との間に間隙（０．２ｍｍ程度）を設けるための支柱であり、加熱プレート５１の半導体基板１００に対向する面上に多数配置されている。このプロキシミティピン６を介して、半導体基板１００が加熱プレート５１上に水平に載置される。
【０００７】
加熱プレート５１は、半導体基板１００を加熱するホットプレートもしくはオーブンプレートであり、熱源としてヒータ５２が埋設されている。ヒータ５２は、一様に張り巡らされた電熱線などの発熱体であり、加熱プレート５１の半導体基板１００と対向する領域を加熱する。また、加熱プレート５１の中央部には、基板対向面の温度を検出する温度センサ５３が設けられている。温度センサ５３は、熱電対などからなり、この温度センサ５３により検出された温度に基づいて、加熱プレート５１の温度制御が行われる。
【０００８】
半導体基板１００に形成されるレジストパターンにおけるレジストの断面形状は、写真製版後のエッチングを高精度に行うために、基板面内において均一であることが求められる。そのためには、半導体基板１００全体を均一な温度で加熱処理する必要がある。しかし、上述した従来の熱処理装置５０などでは、加熱プレート５１の中央部と端部との間で温度差が生じるため、基板全体を均一な温度で処理することが容易ではなかった。
【０００９】
基板全体を均一な温度で加熱処理することができない場合、基板面の中央部と端部とでレジストの断面形状に差が生じてしまう。このため、エッチング後のレジストの断面形状を所望のものとするために、製版工程の終了後に再度、ベーク処理を行う必要があった。ここでいうベーク処理とは、ポストベーク工程後に行われる基板の加熱処理のことであり、高温で行われるホットプレート方式のポストベーク処理に対し、相対的に低温で行われ、処理速度の遅いコンベクション方式のものである。
【００１０】
図１１は、従来の熱処理装置により加熱処理された半導体基板の一例を示した要部断面図であり、図１１（ａ）は、基板面の中央部に形成されたレジストの断面形状を表し、図１１（ｂ）は、基板面の端部に形成されたレジストの断面形状を表している。写真製版された半導体基板１００において、基板面の中央部に形成されたレジストＡは、エッジ部Ａ１，Ａ２の断面形状がなだらかであり、緩やかな傾斜角を有している。一方、基板面の端部に形成されたレジストＢのエッジ部Ｂ１，Ｂ２の断面形状は、垂直に近い傾斜角を有している。
【００１１】
相対的に高温で処理されたレジストは、内部の溶剤が蒸発することにより収縮するので、レジストＡのようになる。一方、相対的に低温で処理されたレジストは、あまり収縮せずにレジストＢのようになる。このことから、基板面の中央部と比較して、基板面の端部が低い温度で処理されたことがわかる。
【００１２】
図１２は、従来の熱処理装置において加熱処理される半導体基板の一例を示した説明図である。加熱プレート５１に載置される半導体基板１００は、プロキシミティピン６により支持されている。このため、半導体基板１００に反りがある場合には、基板面の中央部及び端部で加熱プレート５１との間隙（ギャップ）に差が生じてしまう。例えば、基板の重みもしくは加熱などにより、基板面の中央部が加熱プレート５１側に向かって反った場合、中央部のギャップが端部のギャップに比べて小さくなり、基板中央部が加熱プレート５１に近づくことになる。
【００１３】
この様な場合では、たとえ加熱プレート５１を均一に加熱できたとしても、半導体基板１００の中央部と端部とでギャップに差があるので、基板全体を均一な温度にすることが困難であった。
【００１４】
従来の熱処理装置の他の例としては、特許文献１〜３に記載のものがある。これらに記載された熱処理装置は、加熱プレートに複数の直線状もしくはリング状の発熱体を設けることにより、加熱プレートを均一に加熱するものである。従って、上述した様に、半導体基板の中央部及び端部で加熱プレートとのギャップに差が生じる場合に、基板全体を均一な温度で処理できるものではない。
【００１５】
【特許文献１】
特開２００１−２３７１５６号公報
【特許文献２】
特開２００１−２３７１５７号公報
【特許文献３】
特開２００１−２３７１７１号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、被処理基板の加熱を均一化することができる熱処理装置を提供することを目的としている。また、本発明は、被処理基板に形成されるレジストの断面形状を基板面内において均一化することができる熱処理装置を提供することを目的としている。
【００１７】
また、本発明は、写真製版後の低温でのベーク処理を削減することができる熱処理装置を提供することを目的としている。また、本発明は、加熱プレートの中央部及び端部を異なる温度で加熱することができる熱処理装置を提供することを目的としている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明による熱処理装置は、被処理基板を載置し、この被処理基板を加熱する加熱プレートと、加熱プレート内に設けられ、被処理基板と対向するプレート面の温度を検出する２以上の温度センサと、検出された各温度に基づいて、加熱プレートの温度制御を行う加熱制御手段とを備え、加熱プレートが、第１のプレートと、この第１のプレートを内包する環状の第２のプレートからなり、温度センサが、第１のプレート及び第２のプレートにそれぞれ配置されるように構成される。
【００１９】
この様な構成によれば、第１及び第２のプレートを互いに異なる温度で加熱制御することができる。つまり、加熱プレートの中央部及び端部を互いに異なる温度で加熱することができる。従って、被処理基板の中央部及び端部で加熱プレートとのギャップに差が生じるような場合であっても、基板全体を均一な温度で加熱処理することができる。
【００２０】
また、上記第２のプレートが、第１のプレートと隣接する２以上のプレート片からなり、上記温度センサが、これらのプレート片にそれぞれ配置されるように構成される。この様な構成によれば、これらのプレート片を互いに異なる温度で加熱制御することができる。従って、加熱プレートに対する被処理基板の中央部及び端部間のギャップ差が、基板面内の方向ごとに異なるような場合であっても、基板全体を均一に加熱処理することができる。
【００２１】
また、上記加熱制御手段は、第１のプレートの温度より第２のプレートの温度を高くするように構成される。この様な構成によれば、加熱プレートに対する被処理基板の中央部のギャップが、基板面の端部のギャップに比べて小さいような場合に、基板全体を均一な温度で加熱処理することができる。
【００２２】
また、プレート間に間隙を設けるように構成される。この様な構成によれば、プレート間の熱伝導を抑制することができ、プレートごとに異なる温度で加熱制御することが可能となる。
【００２３】
このとき、プレートの一部がオーバーラップして配置されるように構成すれば、プレート間の温度を連続的に変化させることができ、半導体基板にプレート間の継ぎ目が転写されるようなことを抑制することができる。
【００２４】
更に、上記第１のプレートを第２のプレートより下げて配置されるように構成すれば、被処理基板の中央部が加熱プレート側に向けて反っているような場合に、効果的に加熱処理を行うことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による熱処理装置の一構成例を示した断面図であり、図２は、図１の熱処理装置における加熱プレートの一例を示した平面図である。本実施の形態の熱処理装置１は、液晶ディスプレイなどの製造装置における熱処理ユニットであり、被処理基板としての半導体基板１００の加熱処理を行っている。ここでいう半導体基板１００とは、レジストが塗布されたガラス基板のことであり、基板面が矩形のものであるとする。
【００２６】
この熱処理装置１は、加熱プレート２、支持部材３、カバー４、プロキシミティピン６、ヒータ７及び温度センサ８，９により構成される。支持部材３は、加熱プレート２を水平に支持するためのものであり、この支持部材３により加熱プレート２が水平な状態で固定される。カバー４は、半導体基板１００の加熱処理が行われる被処理領域５を外気から隔離するための容器であり、このカバー４により被処理領域５が外部と断熱される。
【００２７】
プロキシミティピン６は、半導体基板１００と加熱プレート２との間に間隙（０．２ｍｍ程度）を設けるための支柱であり、加熱プレート２の半導体基板１００に対向する面上に多数配置されている。このプロキシミティピン６を介して、半導体基板１００が加熱プレート２上に水平に載置される。
【００２８】
加熱プレート２は、半導体基板１００を加熱するホットプレートもしくはオーブンプレートであり、半導体基板１００の基板面全体を加熱可能な矩形の平板からなる。この加熱プレート２には、熱源としてヒータ７が埋設されている。ヒータ７は、一様に張り巡らされた電熱線などの発熱体であり、加熱プレート２の半導体基板１００と対向する領域を加熱する。
【００２９】
また、加熱プレート２の中央部及び端部には、基板対向面の温度を検出する温度センサ８，９がそれぞれ設けられている。各温度センサ８，９は、熱電対などからなり、これらの温度センサ８，９により検出された温度に基づいて、加熱プレート２の温度制御が行われる。
【００３０】
温度センサ８は、加熱プレート２の中央部に配置され、加熱プレート２に載置された半導体基板１００の基板面の中央部に対向している。また、温度センサ９は、加熱プレート２の端部に配置され、半導体基板１００の基板面の端部に対向している。この温度センサ９は、例えば、加熱プレート２のプレート面の四隅にそれぞれ取り付けられる。
【００３１】
ここで、加熱プレート２の中央部とは、プレート面上の中心領域のことであり、この中心領域は、半導体基板１００面の短辺の長さの１／３倍程度の広がり、すなわち、前後左右の幅を有するものとする。この中心領域内に少なくとも１つの温度センサ８が設けられる。また、加熱プレート２の端部とは、プレート面上の環状の周縁領域のことであり、この周縁領域は、半導体基板１００面の短辺の長さの１／３倍程度の幅を有するものとする。この周縁領域内に少なくとも１つの温度センサ９が設けられる。
【００３２】
図３は、図１の熱処理装置における加熱制御系の構成例を示したブロック図である。熱処理装置１において半導体基板１００の加熱処理の制御を行う加熱制御系は、温度調節部１１、加熱制御部１２、ヒータ用電源１３、ヒータ７及び温度センサ８，９により構成される。
【００３３】
温度調節部１１は、半導体基板１００の処理温度の設定を行う操作入力手段であり、この温度調節部１１により所望の処理温度が目標値として設定される。加熱制御部１２は、温度調節部１１により設定された処理温度と、加熱プレート２の中央部及び端部にそれぞれ設けられた温度センサ８，９からの検出信号とに基づいて、加熱プレート２の温度制御を行っている。
【００３４】
この温度制御は、加熱プレート２の中央部と端部との間で温度差が生じる場合に、半導体基板１００の中央部における処理温度と設定温度とのずれと、半導体基板１００の端部における処理温度と設定温度とのずれがともに小さくなるように行われる。
【００３５】
例えば、加熱プレート２の中央部に配置された温度センサ８により検出された温度と、加熱プレート２の四隅に配置された各温度センサ９により検出された温度とを加重平均したものを温度の検出値とし、この検出値が設定温度と一致するように、ヒータ用電源１３を制御するための制御信号が出力される。ヒータ用電源１３は、加熱制御部１２からの制御信号に基づいて、ヒータ７に対し電源のオンオフもしくは通電量、例えば、供給する電流値または通電時間などの調整を行っている。
【００３６】
本実施の形態によれば、加熱プレート２の中央部及び端部で検出された温度を加重平均し、この検出値に基づいて加熱プレート２の温度を制御することにより、半導体基板１００の中央部における処理温度と設定温度とのずれと、半導体基板１００の端部における処理温度と設定温度とのずれをともに小さくすることができる。従って、基板各部を目標とする処理温度に近い温度で処理することができ、基板面に形成されるレジストの断面形状差を抑制することができる。
【００３７】
図４は、加熱プレートに対する温度センサの配置の他の例を示した平面図である。図２の加熱プレート２では、温度センサ８，９がプレート面の中央部及び端部にそれぞれ設けられていたが、ここでは、加熱プレート２の平均的な温度が検出されると見込まれる位置が予め特定されるような場合に、温度センサ１０がその様な位置に１つ設けられる。
【００３８】
例えば、加熱プレート２のプレート面において、中央Ｃと周端とを２等分する境界線Ｄ上の１点に温度センサ１０が設けられる。このようにしても、加熱プレート２の中央部と端部との間で温度差が生じる場合に、加熱プレート２の平均温度を１つの温度センサ１０によって検出することができる。そこで、検出された平均温度に基づいて、加熱プレート２の温度制御を行うことにより、半導体基板１００の中央部（例えば、境界線Ｄより内側の領域）における処理温度と設定温度とのずれと、半導体基板１００の端部（境界線Ｄより外側の領域）における処理温度と設定温度とのずれをともに小さくすることができる。
【００３９】
実施の形態２．
図５は、本発明の実施の形態２による熱処理装置の構成例を示した断面図であり、図６は、図５の熱処理装置における加熱プレートの一例を示した平面図である。本実施の形態の熱処理装置２０では、加熱プレートが第１のプレート２１と、この第１のプレート２１を内包する第２のプレート２２からなり、これらのプレートごとに加熱制御が行われる。
【００４０】
第１のプレート２１は、半導体基板１００の中央部を加熱する矩形の加熱プレートであり、支持部材３に設けられた支持部３ａにより支持されている。第２のプレート２２は、半導体基板１００の端部を加熱する環状の加熱プレートであり、第１のプレート２１を内包した状態で支持部材３により支持されている。
【００４１】
また、第１のプレート２１及び第２のプレート２２間には、プレート間の熱伝導を抑制するために、間隙２５が設けられている。この間隙２５は、半導体基板１００の基板面に平行な方向のギャップである。ヒータ２３，２４は、プレートごとに設けられ、第１のプレート２１には、ヒータ２３が埋設され、第２のプレート２２には、環状のヒータ２４が埋設されている。
【００４２】
また、温度センサ８，９も、プレートごとに配置され、第１のプレート２１の中央部には、温度センサ８が取り付けられ、第２のプレート２２の四隅には、温度センサ９がそれぞれ取り付けられている。
【００４３】
図７は、図５の熱処理装置における加熱制御系の構成例を示したブロック図である。この熱処理装置２０における加熱制御系は、プレートごとにヒータ用電源２６，２７を有し、第１のプレート２１及び第２のプレート２２がそれぞれ独立して加熱制御される。
【００４４】
ヒータ用電源２６は、加熱制御部１２からの制御信号に基づいて、第１のプレート２１に設けられたヒータ２３に対し電源のオンオフもしくは通電量の調整を行っている。同様に、ヒータ用電源２７は、第２のプレート２２に設けられたヒータ２４に対して電源のオンオフもしくは通電量の調整を行っている。なお、その他の構成は、図１の熱処理装置１（実施の形態１）と同様である。
【００４５】
ここで、第１及び第２のプレート２１，２２の温度制御については、温度センサ８，９により検出される加熱プレートの各温度と、加熱プレートに載置される半導体基板１００の処理温度との対応関係を予め計測しておき、計測結果に基づいて処理温度が設定温度と一致するように調節されているものとする。この温度調節は、素ガラス（未加工の半導体基板）に熱電対を複数埋め込んでおき、この素ガラスを試し焼きして処理温度を計測することにより行われる。
【００４６】
本実施の形態によれば、第１のプレート２１及び第２のプレート２２を互いに異なる温度で加熱制御することができる。つまり、加熱プレートの中央部及び端部を互いに異なる温度で加熱することができる。従って、半導体基板１００の中央部及び端部で加熱プレートとのギャップに差が生じるような場合であっても、基板全体を均一な温度で加熱処理することができる。
【００４７】
特に、第１のプレート２１の温度より第２のプレート２２の温度を高くすれば、中央部の加熱プレートの温度が相対的に低くなり、端部の加熱プレートの温度が相対的に高くなる。このため、半導体基板１００の反りによって、加熱プレートに対する半導体基板１００の中央部のギャップが、基板面の端部のギャップに比べて小さいような場合に、基板全体を均一な温度で加熱処理することができる。
【００４８】
従って、基板面内におけるレジストの断面形状を均一にすることができ、写真製版後のエッチングを高精度に行うことができる。また、写真製版工程において所望のレジスト断面形状が得られるので、製版工程後のベーク処理を省略することができる。
【００４９】
実施の形態３．
図８は、本発明の実施の形態３による熱処理装置における加熱プレートの一例を示した平面図である。本実施の形態では、図６の加熱プレート（実施の形態２）と比較して、第２のプレートが第１のプレートと隣接する２以上のプレート片３２〜３５からなり、各プレート片ごとに加熱制御が行われる。各プレート片は、それぞれ矩形の平板からなる。
【００５０】
中央部に配置された第１のプレート３１に対し、この第１のプレート３１を取り囲んで４つのプレート片３２〜３５が設けられている。これらの４つのプレート片のうち、プレート片３２及び３３は、第１のプレート３１の各長辺にそれぞれ隣接して配置されている。また、プレート片３４及び３５は、第１のプレート３１の各短辺にそれぞれ隣接して配置されている。
【００５１】
プレート片３２及び３３の長辺の長さは、第１のプレート３１の長辺の長さと同程度となっている。また、各プレート片間には、半導体基板１００の基板面に平行な方向に間隙が設けられている。ヒータ３７〜４０は、プレート片ごとに設けられ、温度センサ９ａ〜９ｄも、プレート片ごとに取り付けられている。
【００５２】
ここで、温度センサ８は、第１のプレート３１の中央に配置され、温度センサ９ａ及び９ｂも、プレート片３２及び３３の中央にそれぞれ配置されるものとする。一方、温度センサ９ｃ及び９ｄについては、半導体基板１００の基板面の４隅に対向して、プレート片３４及び３５の長手方向の両端部にそれぞれ配置されるものとする。つまり、半導体基板１００の基板面の中央部に対向する１か所と、基板面の周端部に対向する６か所に温度センサが取り付けられる。その他の構成は、図５の熱処理装置と同様である。
【００５３】
本実施の形態によれば、各プレート片を互いに異なる温度で加熱制御することができる。従って、加熱プレートに対する半導体基板１００の中央部及び端部間のギャップ差が、基板面内の方向ごとに異なるような場合であっても、各方向に対応づけて各プレート片を温度制御することにより、基板全体を均一に加熱処理することができる。
【００５４】
実施の形態４．
図９は、本発明の実施の形態４による熱処理装置の構成例を示した要部断面図である。本実施の形態では、図５の熱処理装置２０（実施の形態２）と比較して、第１のプレートを第２のプレートより下げ、第１及び第２のプレートの一部がオーバーラップして配置される。
【００５５】
中央部の第１のプレート４１は、半導体基板１００から後退させて配置され、周端部の第２のプレート４２との間で端部がオーバーラップしている。つまり、この加熱プレートは、半導体基板１００の中央部に対向するプレート面の中央部分が凹んでおり、基板面と加熱プレートとの間のギャップが中央部において広く、周端部において狭くなっている。
【００５６】
ここで、基板面の方向には、プレート間の間隙はないが、基板面に垂直な方向には、熱伝導を抑制するためにプレート間に間隙４５が設けられているものとする。その他の構成は、図５の熱処理装置２０と同様である。
【００５７】
本実施の形態によれば、基板面内の方向においては、プレート間に間隙が存在しないので、プレートの境目で温度変化が不連続になるのを抑制することができる。このため、プレート間の温度を連続的に変化させることができ、半導体基板１００にプレート間の継ぎ目が転写されるのを防止することができる。
【００５８】
また、中央部の第１のプレート４１が周端部の第２のプレート４２より下げて配置されるので、半導体基板１００の中央部が加熱プレート側に向けて反っているような場合でも、半導体基板１００と加熱プレートとのギャップを中央部においても確保することができ、半導体基板１００が加熱プレートに当接してしまうのを防ぐことができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明による熱処理装置によれば、プレートごとに温度制御を行うので、第１及び第２のプレートを互いに異なる温度で加熱制御することができる。このため、被処理基板の中央部及び端部で加熱プレートとのギャップに差が生じるような場合であっても、基板の加熱処理を均一化することができる。従って、被処理基板に形成されるレジストの断面形状を基板面内において均一化することができるとともに、写真製版後の低温でのベーク処理を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による熱処理装置の一構成例を示した断面図である。
【図２】図１の熱処理装置における加熱プレートの一例を示した平面図である。
【図３】図１の熱処理装置における加熱制御系の構成例を示したブロック図である。
【図４】加熱プレートに対する温度センサの配置の他の例を示した平面図である。
【図５】本発明の実施の形態２による熱処理装置の構成例を示した断面図である。
【図６】図５の熱処理装置における加熱プレートの一例を示した平面図である。
【図７】図５の熱処理装置における加熱制御系の構成例を示したブロック図である。
【図８】本発明の実施の形態３による熱処理装置における加熱プレートの一例を示した平面図である。
【図９】本発明の実施の形態４による熱処理装置の構成例を示した要部断面図である。
【図１０】従来の熱処理装置の一例を示した断面図である。
【図１１】従来の熱処理装置により加熱処理された半導体基板の一例を示した要部断面図である。
【図１２】従来の熱処理装置において加熱処理される半導体基板の一例を示した説明図である。
【符号の説明】
１，２０  熱処理装置、２  加熱プレート、３  支持部材、４  カバー、
６  プロキシミティピン、７，２３，２４，３６〜４０，４３，４４  ヒータ、
８，９，９ａ〜９ｄ，１０  温度センサ、１１  温度調節部、
１２  加熱制御部、１３，２６，２７  ヒータ用電源、
２１，３１，４１  第１のプレート、２２，４２  第２のプレート、
２５，４５  間隙、３２〜３５  プレート片、１００  半導体基板
【図１】
2004311501.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2004311501.tif 000006
【図５】
2004311501.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004311501.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2004311501.tif 000014