(57)【要約】【課題】実装エリアの縮小、高周波設計技術を不要とした設計を可能とし、例えば半導体部品等と接続してモジュールを構成した場合に該モジュールの小型化並びにコストの低減を図る。【解決手段】第１及び第２の不平衡入出力端子４４及び５２が形成された誘電体基板１２と、該誘電体基板１２内に形成され、第１の不平衡入出力端子４４に接続されたフィルタ１４と、誘電体基板１２内に形成され、フィルタ１４と第２の不平衡入出力端子５２間に接続されたマッチング回路１６とを有する。マッチング回路１６は、第８の誘電体層Ｓ８の主面に形成され、インダクタンス成分を構成するコイル電極６０と、第７の誘電体層Ｓ７の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第１の容量電極６２と、第６の誘電体層Ｓ６の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第２の容量電極６４とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層が積層されて構成され、複数の不平衡入出力端子が形成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内に形成された受動回路と、
前記誘電体基板内に形成され、前記受動回路と少なくとも１つの不平衡入出力端子間に接続されたマッチング回路とを有することを特徴とする受動部品。
【請求項２】
請求項１記載の受動部品において、
前記誘電体基板に少なくとも２つの不平衡入出力端子が形成されている場合に、
前記受動回路と一方の不平衡入出力端子とが接続され、
前記受動回路と他方の不平衡入出力端子間に前記マッチング回路が接続されていることを特徴とする受動部品。
【請求項３】
請求項２記載の受動部品において、
前記受動回路と前記一方の不平衡入出力端子間にマッチング回路が接続されていることを特徴とする受動部品。
【請求項４】
請求項１記載の受動部品において、
前記誘電体基板に少なくとも１つの不平衡入出力端子と送信用の不平衡送信端子と受信用の不平衡受信端子が形成されている場合に、
前記受動回路と前記１つの不平衡入出力端子とが接続され、
前記受動回路と前記不平衡送信端子間に送信用のマッチング回路が接続され、
前記受動回路と前記不平衡受信端子間に受信用のマッチング回路が接続されていることを特徴とする受動部品。
【請求項５】
請求項４記載の受動部品において、
前記受動回路と前記１つの不平衡入出力端子間にマッチング回路が接続されていることを特徴とする受動部品。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の受動部品において、
前記受動回路は、分布定数回路にて構成され、
前記マッチング回路は、集中定数回路にて構成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の受動部品において、
前記受動回路は、前記誘電体基板の積層方向上部又は下部に形成され、
前記マッチング回路は、前記誘電体基板の積層方向下部又は上部に形成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の受動部品において、
前記受動回路は、前記誘電体基板の積層方向中央部に形成され、
前記マッチング回路は、前記誘電体基板の積層方向上部及び／又は下部に形成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項９】
請求項７又は８記載の受動部品において、
前記誘電体基板内であって、且つ、前記受動回路と前記マッチング回路間に内層アース電極が形成されていることを特徴とする受動部品。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の受動部品において、
前記マッチング回路は、インダクタ若しくは容量を少なくとも１つ使用したことを特徴とする受動部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚのマイクロ波帯において共振回路を構成する積層型誘電体フィルタ等を含む受動部品に関し、通信機器や電子機器の小型化を有効に図ることができる受動部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近時、ＩＣ等の半導体部品の高集積化が進み、半導体部品自体の小型化も急速に進んでいる。これに伴い、半導体部品の周辺に使用されるフィルタ等の高周波部品も小型化が進んでいる。また、高周波部品の小型化には、複数の誘電体層を積層した誘電体基板を使用することが有効である（例えば特許文献１及び２参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００２−２８０８０５号公報（図１、図９）
【特許文献２】
特開２００２−２６１６４３号公報（図１、段落［００２１］）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の高周波部品２００は、例えば図８に示すように、２つの不平衡入出力端子２０２及び２０４を有し、特に、特性インピーダンスが５０オームに整合することを基準に設計される。
【０００５】
しかし、高周波部品２００の一方の不平衡入出力端子２０４に接続される半導体部品等の外部回路２０６の入出力インピーダンスが５０オームでなく、虚数部（リアクタンス成分）が含まれている場合においては、高周波部品２００の一方の不平衡入出力端子２０４と外部回路２０６との間には、例えばインダクタとコンデンサ等で構成されたマッチング回路２０８が外付けで挿入接続される。
【０００６】
また、従来の送受信タイプの高周波部品２１０は、図９に示すように、１つの不平衡入出力端子２１２と送信用の不平衡送信端子２１４と受信用の不平衡受信端子２１６とを有する。そして、外部回路２０６の入出力インピーダンスに虚数部（リアクタンス成分）が含まれている場合においては、高周波部品２１０の不平衡送信端子２１４と外部回路２０６との間に、例えばインダクタとコンデンサ等で構成された第１のマッチング回路２１８が外付けで挿入接続され、さらに、高周波部品２１０の不平衡受信端子２１６と外部回路２０６との間に、例えばインダクタ等で構成された第２のマッチング回路２２０が外付けで挿入接続される。
【０００７】
このように、従来においては、マッチング回路２０８や第１及び第２のマッチング回路２１８及び２２０を外付けで挿入接続する必要があるため、高周波部品２００や送受信用の高周波部品２１０と外部回路２０６を含むモジュール全体の実装エリアが大きくなる。しかも、これらマッチング回路２０８や第１及び第２のマッチング回路２１８及び２２０を作製する場合、予め回路定数が決められた数種のインダクタやキャパシタから必要なインダクタやキャパシタを選んで設計する必要がある。すなわち、高周波設計技術が必要になり、設計製造にかかるコストが高くなる。
【０００８】
このようなことから、従来の高周波部品２００及び２１０においては、外部回路２０６等と接続してモジュールを構成した場合に該モジュールの小型化やコストの低減に限界が生じるという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、実装エリアの縮小、高周波設計技術を不要とした設計が可能で、例えば半導体部品等と接続してモジュールを構成した場合に該モジュールの小型化並びにコストの低減を図ることができる受動部品を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る受動部品は、複数の誘電体層が積層されて構成され、複数の不平衡入出力端子が形成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成された受動回路と、前記誘電体基板内に形成され、前記受動回路と少なくとも１つの不平衡入出力端子間に接続されたマッチング回路とを有することを特徴とする。
【００１１】
ここで、不平衡入出力端子とは、受動回路に対して信号を入力するための入力端子、あるいは受動回路から信号を出力するための出力端子、あるいは受動回路に対して信号を入力及び出力するための入出力端子を含む。
【００１２】
これにより、本発明に係る受動部品を例えば半導体部品等の外部回路に接続してモジュールを構成する場合に、受動部品と外部回路との間に別途マッチング回路を挿入接続する必要がない。
【００１３】
その結果、受動部品を含むモジュールの実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波設計技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように本発明に係る受動部品を外部回路に接続してモジュールを構成した場合に該モジュールの小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【００１４】
しかも、本発明に係る受動部品に含まれるマッチング回路は、５０オームや１００オーム等のレジスタンス成分のみを含むインピーダンスとの整合の他、レジスタンス成分とリアクタンス成分を含むインピーダンスとの整合も行うことができる。
【００１５】
そして、前記構成において、前記誘電体基板に少なくとも２つの不平衡入出力端子が形成されている場合に、前記受動回路と一方の不平衡入出力端子とが接続され、前記受動回路と他方の不平衡入出力端子間に前記マッチング回路が接続されていてもよい。この場合、前記受動回路と前記一方の不平衡入出力端子間にマッチング回路が接続されていてもよい。
【００１６】
また、前記構成において、前記誘電体基板に少なくとも１つの不平衡入出力端子と送信用の不平衡送信端子と受信用の不平衡受信端子が形成されている場合に、前記受動回路と前記１つの不平衡入出力端子とが接続され、前記受動回路と前記不平衡送信端子間に送信用のマッチング回路が接続され、前記受動回路と前記不平衡受信端子間に受信用のマッチング回路が接続されていてもよい。この場合、前記受動回路と前記１つの不平衡入出力端子間にマッチング回路が接続されていてもよい。
【００１７】
そして、前記構成において、前記受動回路を分布定数回路にて構成し、前記マッチング回路を集中定数回路にて構成するようにしてもよい。
【００１８】
また、前記受動回路を、前記誘電体基板の積層方向上部又は下部に形成し、前記マッチング回路を、前記誘電体基板の積層方向下部又は上部に形成するようにしてもよい。つまり、受動回路を誘電体基板の積層方向上部に形成し、マッチング回路を誘電体基板の積層方向下部に形成する、あるいは、受動回路を誘電体基板の積層方向下部に形成し、マッチング回路を誘電体基板の積層方向上部に形成する等である。
【００１９】
また、前記受動回路を、前記誘電体基板の積層方向中央部に形成し、前記マッチング回路を、前記誘電体基板の積層方向上部及び／又は下部に形成してもよい。
【００２０】
これらの場合において、前記誘電体基板内であって、且つ、前記受動回路と前記マッチング回路間に内層アース電極を形成することが好ましい。これにより、受動回路とマッチング回路の双方の不要な結合を回避することができる。
【００２１】
また、前記構成において、前記マッチング回路は、インダクタ若しくは容量を少なくとも１つ使用するようにしてもよい。この場合、インダクタを構成する電極の長さや引き回し状態によってマッチング回路のインダクタンス成分を調整することができる。また、容量を構成する電極の面積や電極間の誘電率の変更等によってマッチング回路のキャパシタンス成分を調整することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る受動部品の実施の形態例を図１〜図７を参照しながら説明する。
【００２３】
第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａは、図１に示すように、複数の誘電体層（Ｓ１〜Ｓ９：図２参照）が積層、焼成一体化されて構成された誘電体基板１２を有する。
【００２４】
誘電体基板１２は、図２に示すように、上から順に、第１の誘電体層Ｓ１〜第９の誘電体層Ｓ９が積み重ねられて構成されている。これら第１〜第９の誘電体層Ｓ１〜Ｓ９は１枚あるいは複数枚の層にて構成される。
【００２５】
誘電体基板１２内には、フィルタ１４とマッチング回路１６とが形成されている。
【００２６】
フィルタ１４は、ストリップライン電極による分布定数回路にて構成され、具体的には、２つの１／４波長の共振器（第１及び第２の共振器１８及び２０）を有する。第１の共振器１８は、第３の誘電体層Ｓ３の主面に形成された第１の共振電極２２にて構成され、第２の共振器２０は、同じく第３の誘電体層Ｓ３の主面に形成された第２の共振電極２４にて構成される。
【００２７】
また、第２の誘電体層Ｓ２の主面には、第１の共振電極２２及び第２の共振電極２４の各開放端と対向する内層アース電極２６と、第１の共振器１８と第２の共振器２０間の結合度を調整するための第１の結合調整電極２８とが形成されている。
【００２８】
同様に、第４の誘電体層Ｓ４の主面には、第１の共振電極２２及び第２の共振電極２４の各開放端と対向する内層アース電極３０と、第１の共振器１８と第２の共振器２０間の結合度を調整するための第２の結合調整電極３２とが形成されている。
【００２９】
この受動部品１０Ａは、第１の誘電体層Ｓ１の主面にアース電極３４が形成され、第５の誘電体層Ｓ５、第９の誘電体層Ｓ９の各主面にそれぞれ内層アース電極３６及び３８が形成されている。
【００３０】
また、この受動部品１０Ａは、図１に示すように、誘電体基板１２の外周面のうち、第１の側面１２ａに、それぞれ前記アース電極３４、並びに内層アース電極２６、３０、３６及び３８が接続されるアース電極４０が形成されている。前記第１の側面１２ａと反対側の第２の側面１２ｂには、それぞれ前記アース電極３４、前記内層アース電極３６及び３８並びに第１の共振電極２２及び第２の共振電極２４の各一端（短絡端）が接続されるアース電極４２が形成されている。
【００３１】
誘電体基板１２の第３の側面１２ｃの略中央には、第１の不平衡入出力端子４４が形成されている。この第１の不平衡入出力端子４４は、図２に示すように、リード電極４６を介して第１の共振電極２２に電気的に接続される。また、第３の誘電体層Ｓ３の主面には、第２の共振電極２４に対してリード電極４８を介して電気的に接続された接続電極５０が形成されている。この接続電極５０はリード電極４８よりも幅広に形成されている。
【００３２】
なお、図１に示すように、第３の側面１２ｃと反対側の第４の側面１２ｄの略中央には、第２の不平衡入出力端子５２が形成されている。
【００３３】
一方、マッチング回路１６は、集中定数回路にて構成される。具体的には、第８の誘電体層Ｓ８の主面に形成され、インダクタンス成分を構成するコイル電極６０と、第７の誘電体層Ｓ７の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第１の容量電極６２と、第６の誘電体層Ｓ６の主面に形成され、キャパシタンス成分を構成する第２の容量電極６４とを有する。
【００３４】
コイル電極６０は、第８の誘電体層Ｓ８の略中央部分に位置する一端６６から第２の不平衡入出力端子５２に向かって略渦巻状あるいは略蛇行状に形成された形状を有する。このコイル電極６０の前記一端６６は、第８の誘電体層Ｓ８を貫通するビアホール６８を通じて下層の内層アース電極３８に電気的に接続されている。
【００３５】
第１の容量電極６２と第２の容量電極６４は、第６の誘電体層Ｓ６を間に挟んで互いに対向する位置に形成されている。第１の容量電極６２の一端は、第２の不平衡入出力端子５２に接続され、第２の容量電極６４の一端７０は、第３〜第５の誘電体層Ｓ３〜Ｓ５を貫通するビアホール７２を通じて前記接続電極５０に電気的に接続されている。
【００３６】
このように、第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａは、誘電体基板１２内であって、且つ、図３に示すように、フィルタ１４と第２の不平衡入出力端子５２との間に、一端が接地とされたコイル電極６０によるインダクタンス成分Ｌと、第１の容量電極６２と第２の容量電極６４によるキャパシタンス成分Ｃとを有するマッチング回路１６が接続された形となる。
【００３７】
これにより、図３に示すように、第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａを例えば半導体部品等の外部回路７４に接続してモジュール８０を構成する場合に、受動部品１０Ａと外部回路７４との間に別途マッチング回路を挿入接続する必要がない。
【００３８】
その結果、受動部品１０Ａを含むモジュール８０の実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波設計技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように受動部品１０Ａを外部回路７４に接続してモジュール８０を構成した場合に該モジュール８０の小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【００３９】
また、通常、従来の外付けによるマッチング回路は、５０オームや１００オームのレジスタンス成分に対するインピーダンス整合を念頭に構成されている。
【００４０】
しかし、図３に示すような半導体部品等の外部回路７４においては、レジスタンス成分のみだけではなく、リアクタンス成分が含まれた特性のものがある。
【００４１】
このような外部回路７４に対しては、レジスタンス成分の整合のみを考慮した従来の外付けによるマッチング回路では、インピーダンス整合させることができない。
【００４２】
これに対して、第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａに内蔵させたマッチング回路１６では、コイル電極６０の長さや引き回し状態によってマッチング回路１６のインダクタンス成分Ｌを調整することができ、第１の容量電極６２及び／又は第２の容量電極６４の面積や、これら第１の容量電極６２と第２の容量電極６４間の誘電率（第６の誘電体層Ｓ６の誘電率）の変更等によってマッチング回路１６のキャパシタンス成分Ｃを調整することができる。
【００４３】
従って、本実施の形態に係る受動部品１０Ａのマッチング回路１６は、外部回路７４のインピーダンスに対して複素共役となるインピーダンスを簡単に得ることができる。つまり、５０オームや１００オーム等のレジスタンス成分のみを含むインピーダンスとの整合の他、レジスタンス成分とリアクタンス成分を含むインピーダンスとの整合も行うことができる。
【００４４】
特に、フィルタ１４の第２の共振器２０側の入出力インピーダンス（図３において点Ｐ２で示すインピーダンス）は、図２に示すように、第１の共振電極２２や第２の共振電極２４の幅、リード電極４８の一端や他端の接続位置の変更、あるいはリード電極４８による直接接続ではなく、容量結合とすること等によって任意のインピーダンスに設定することができる。
【００４５】
その結果、フィルタ１４とマッチング回路１６間の特性インピーダンスを特定の値（例えば５０Ω）に設定する必要がなくなり、両者間の特性インピーダンスを任意に決定することができる。そのため、それぞれの設計の自由度を増すことができる。また、両者間の特性インピーダンスを低く設定することができることから、フィルタ１４を形成し易くなり、しかも、マッチング回路１６を構成する各種電極の線幅を広げることもできる。これは、マッチング回路１６による損失を低減できることにつながり、良質な特性を得られることになる。
【００４６】
このようなことから、フィルタ１４の第１の共振器１８側の入出力インピーダンス（図３において点Ｐ１で示すインピーダンス）を例えば５０オーム、フィルタの第２の共振器２０側の入出力インピーダンスを任意のインピーダンスとした不平衡型のフィルタも実現できる。
【００４７】
さらに、この第１の実施の形態では、フィルタ１４とマッチング回路１６との間に内層アース電極３６を介在させるようにしたので、フィルタ１４とマッチング回路１６の双方の不要な結合を回避することができる。
【００４８】
上述の例では、第１の不平衡入出力端子４４と第１の共振電極２２との接続は、リード電極４６による直接接続（タップ結合）にしたが、容量を介して接続するようにしてもよい。また、第２の容量電極６４と第２の共振電極２４との接続は、ビアホール７２、接続電極５０及びリード電極４８による直接接続（タップ結合）にしたが、容量を介して接続するようにしてもよい。
【００４９】
次に、第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂについて図４及び図５を参照しながら説明する。
【００５０】
この第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂは、上述した第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａと略同様の構成を有するが、図４に示すように、誘電体基板１２の第４の側面１２ｄに送信用の不平衡送信端子９０と、アース端子１４０と、受信用の不平衡受信端子９２が形成されている点と、誘電体基板１２の第３の側面１２ｃにおける不平衡入出力端子４４の両側にそれぞれアース端子１４２及び１４４が形成されている点と、図５に示すように、誘電体基板１２内に、送信用マッチング回路９４と受信用マッチング回路９６とを有する点で異なる。
【００５１】
具体的には、図５に示すように、第８の誘電体層Ｓ８の主面に、送信用マッチング回路９４のインダクタンス成分を構成する第１のコイル電極９８と、受信用マッチング回路９６のインダクタンス成分を構成する第２のコイル電極１００とが形成されている。
【００５２】
第１のコイル電極９８は、一端１０２から不平衡送信端子９０に向かって略渦巻状あるいは略蛇行状に形成された形状を有し、第２のコイル電極１００は、一端１０４から不平衡受信端子９２に向かって略渦巻状あるいは略蛇行状に形成された形状を有する。
【００５３】
第７の誘電体層Ｓ７の主面に形成された第１の容量電極６２の一端は、不平衡送信端子９０に接続され、第６の誘電体層Ｓ６の主面に形成された第２の容量電極６４の他端１０６は、第６及び第７の誘電体層Ｓ６及びＳ７を貫通するビアホール１０８を通じて第２のコイル電極１００の一端１０４に電気的に接続されている。なお、第１のコイル電極９８の一端１０２は、第８の誘電体層Ｓ８を貫通するビアホール１１０を通じて下層の内層アース電極３８に電気的に接続されている。
【００５４】
このように、第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂにおいては、誘電体基板１２内であって、且つ、図６に示すように、フィルタ１４と不平衡送信端子９０との間に、一端が接地とされた第１のコイル電極９８によるインダクタンス成分Ｌ１と、第１の容量電極６２と第２の容量電極６４によるキャパシタンス成分Ｃ１とを有する送信用マッチング回路９４が接続され、フィルタ１４と不平衡受信端子９２との間に、第２のコイル電極１００によるインダクタンス成分Ｌ２を有する受信用マッチング回路９６が接続された形となる。
【００５５】
これにより、図６に示すように、第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂを例えば半導体部品等の外部回路７４に接続してモジュール１１２を構成する場合に、受動部品１０Ｂと外部回路７４との間に、送信用マッチング回路９４と受信用マッチング回路９６をそれぞれ外付けで挿入接続する必要がない。
【００５６】
その結果、受動部品１０Ｂを含むモジュール１１２の実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波設計技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように受動部品１０Ｂを外部回路７４に接続してモジュール１１２を構成した場合に該モジュール１１２の小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【００５７】
そして、第１のコイル電極９８の長さや引き回し状態によって送信用マッチング回路９４のインダクタンス成分Ｌ１を調整することができ、第１の容量電極６２及び／又は第２の容量電極６４の面積や、これら第１の容量電極６２と第２の容量電極６４間の誘電率（第６の誘電体層Ｓ６の誘電率）の変更等によって送信用マッチング回路９４のキャパシタンス成分Ｃ１を調整することができる。また、第２のコイル電極１００の長さや引き回し状態によって受信用マッチング回路９６のインダクタンス成分Ｌ２を調整することができる。
【００５８】
この第２の実施の形態では、フィルタ１４と送信用マッチング回路９４及び受信用マッチング回路９６との間に内層アース電極３６を介在させるようにしているため、フィルタ１４と送信用マッチング回路９４の双方の不要な結合、並びにフィルタ１４と受信用マッチング回路９６の双方の不要な結合を共に回避することができる。
【００５９】
次に、第３の実施の形態に係る受動部品１０Ｃについて図４、図７を参照しながら説明する。
【００６０】
この第３の実施の形態に係る受動部品１０Ｃは、図７に示すように、上述した第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａや第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂと略同様の構成を有するが、誘電体基板１２の積層方向中央部分にフィルタ１４が形成され、誘電体基板１２の積層方向下部分に送信用マッチング回路９４が形成され、誘電体基板１２の積層方向上部分に受信用マッチング回路９６が形成されている点で異なる。もちろん、誘電体基板１２の積層方向上部分に送信用マッチング回路９４を形成し、誘電体基板１２の積層方向下部分に受信用マッチング回路９６を形成するようにしてもよい。
【００６１】
この第３の実施の形態では、上述した第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａにおける第２の誘電体層Ｓ２から第９の誘電体層Ｓ９にかけて形成された各種電極が、第５の誘電体層Ｓ５から第１２の誘電体層Ｓ１２にかけて形成されている。従って、第５の誘電体層Ｓ５から第１２の誘電体層Ｓ１２にかけて形成された各種電極の詳細な説明は省略する。
【００６２】
なお、図７において、第１１の誘電体層Ｓ１１の主面には、送信用マッチング回路９４のインダクタンス成分Ｌ１を構成する第１のコイル電極９８が形成されている。該第１のコイル電極９８は、第１１の誘電体層Ｓ１１の略中央部分に位置する一端１０２から不平衡送信端子９０に向かって略渦巻状あるいは略蛇行状に形成された形状を有する。
【００６３】
そして、第２の誘電体層Ｓ２の主面には、受信用マッチング回路９６のインダクタンス成分Ｌ２を構成する第２のコイル電極１００が形成されている。この第２のコイル電極１００は、第２の誘電体層Ｓ２の略中央部分に位置する一端１０４から不平衡受信端子９２に向かって略渦巻状あるいは略蛇行状に形成された形状を有する。
【００６４】
第３の誘電体層Ｓ３の主面には接続電極１２０が形成されている。この接続電極１２０の一端１２２は、第２の誘電体層Ｓ２を貫通するビアホール１２４を通じて第２のコイル電極１００の一端１０４と電気的に接続され、接続電極１２０の他端１２６は、第３〜第５の誘電体層Ｓ３〜Ｓ５を貫通するビアホール１２８を通じて接続電極５０（第２の共振電極２４と接続された接続電極）と電気的に接続されている。第４の誘電体層Ｓ４の主面には、内層アース電極１３０が形成されている。
【００６５】
このように、第３の実施の形態に係る受動部品１０Ｃにおいても、図６に示すように、上述した第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂと同様に、フィルタ１４と不平衡送信端子９０との間に、一端が接地とされた第１のコイル電極９８によるインダクタンス成分Ｌ１と、第１の容量電極６２と第２の容量電極６４によるキャパシタンス成分Ｃ１とを有する送信用マッチング回路９４が接続され、フィルタ１４と不平衡受信端子９２との間に、第２のコイル電極１００によるインダクタンス成分Ｌ２を有する受信用マッチング回路９６が接続された形となる。
【００６６】
これにより、図６に示すように、第３の実施の形態に係る受動部品１０Ｃを外部回路７４に接続してモジュール１１２を構成する場合に、受動部品１０Ｃと外部回路７４との間に、送信用マッチング回路９４と受信用マッチング回路９６をそれぞれ外付けで挿入接続する必要がない。
【００６７】
その結果、受動部品１０Ｃを含むモジュール１１２の実装エリアの縮小を図ることができ、しかも、高周波設計技術を不要とした設計が可能となる。従って、上述のように受動部品１０Ｃを外部回路７４に接続してモジュール１１２を構成した場合に該モジュール１１２の小型化並びにコストの低減を有効に図ることができる。
【００６８】
また、この第３の実施の形態では、フィルタ１４と送信用マッチング回路９４との間に内層アース電極３６を介在させるようにしているため、フィルタ１４と送信用マッチング回路９４の双方の不要な結合を回避することができる。同様に、フィルタ１４と受信用マッチング回路９６との間に内層アース電極１３０を介在させるようにしているため、フィルタ１４と受信用マッチング回路９６の双方の不要な結合も回避することができる。
【００６９】
特に、この第３の実施の形態では、インダクタンス成分Ｌ１を構成する第１のコイル電極９８を第１１の誘電体層Ｓ１１の主面に形成し、インダクタンス成分Ｌ２を構成する第２のコイル電極１００を第２の誘電体層Ｓ２の主面に形成して、それぞれ遠い位置に形成するようにしたので、これら第１及び第２のコイル電極９８及び１００の不要な誘導結合による影響を回避することができる。
【００７０】
上述の第２及び第３の実施の形態に係る受動部品１０Ｂ及び１０Ｃにおいては、送信用マッチング回路９４を一端が接地とされたインダクタンス成分Ｌ１と、キャパシタンス成分Ｃ１とで構成された回路とし、受信用マッチング回路９６をインダクタンス成分Ｌ２で構成された回路としたが、その他、これらの逆の回路でもよいし、任意の回路を用いることができる。つまり、外部回路７４との送信に関する特性インピーダンスと受信に関する特性インピーダンスが調整し易い回路に適宜設定すればよい。
【００７１】
もちろん、上述した第１〜第３の実施の形態に係る受動部品１０Ａ〜１０Ｃにおいては、誘電体基板１２内であって、且つ、フィルタ１４と第１の不平衡入出力端子４４との間に、インダクタンス成分やキャパシタンス成分等によるマッチング回路を形成するようにしてもよい。
【００７２】
この場合、前記マッチング回路（フィルタ１４と第１の不平衡入出力端子４４との間に接続されたマッチング回路）とフィルタ１４間の特性インピーダンスを特定の値に設定する必要がなくなり、両者間の特性インピーダンスを任意に決定することができる。そのため、それぞれの設計の自由度を増すことができる。
【００７３】
また、上述の各実施の形態では、フィルタ１４として２つの共振電極２２及び２４を形成した場合を示したが、その他、１つの共振電極でもよいし、３つ以上の共振電極を形成してフィルタ１４を構成するようにしてもよい。
【００７４】
なお、本発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、実装エリアの縮小、高周波設計技術を不要とした設計が可能で、例えば半導体部品等と接続してモジュールを構成した場合に該モジュールの小型化並びにコストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る受動部品を示す透視斜視図である。
【図２】第１の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。
【図３】第１の実施の形態に係る受動部品をモジュールと共に示す等価回路図である。
【図４】第２及び第３の実施の形態に係る受動部品を示す透視斜視図である。
【図５】第２の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。
【図６】第２及び第３の実施の形態に係る受動部品をモジュールと共に示す等価回路図である。
【図７】第３の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。
【図８】従来例に係る高周波部品を示す等価回路図である。
【図９】他の従来例に係る高周波部品を示す等価回路図である。
【符号の説明】
１０Ａ〜１０Ｃ…受動部品                １２…誘電体基板
１４…フィルタ                          １６…マッチング回路
１８…第１の共振器                      ２０…第２の共振器
２２…第１の共振電極                    ２４…第２の共振電極
３６、１３０…内層アース電極            ４４…第１の不平衡入出力端子
５２…第２の不平衡入出力端子            ６０…コイル電極
６２…第１の容量電極                    ６４…第２の容量電極
７４…外部回路                          ８０、１１２…モジュール
９０…不平衡送信端子                    ９２…不平衡受信端子
９４…送信用マッチング回路              ９６…受信用マッチング回路
９８…第１のコイル電極                  １００…第２のコイル電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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