(57)【要約】【課題】磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体に対する記録再生においてトラッキングオフセットを精度良く解消し、記録再生性能を向上させる。【解決手段】記録媒体に対してのテスト記録再生を、トラッキングエラー信号に直流成分を付加することで、或いはトラッキングエラー信号を生成する前の差分をとる第１，第２の信号に対し、増幅率を非対称にすることで、トラッキングエラー信号に所定のオフセットを与えながら実行する。特に、或るオフセット値を設定した状態でテストパターンの記録を行うと共に、そのオフセット付加状態のままテストパターンの再生を行う。そして再生したテストパターンから信号品質を評価する。この動作を、オフセット値を変化させながら複数回実行して、最適な信号品質が得られるオフセット値を判別する。【選択図】        図３
2004334983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも移動層、切断層、記録層がこの順に積層されてなり、上記移動層は上記記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記切断層は上記移動層及び記録層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体に対して記録再生を行う記録再生装置において、
情報の記録再生のために光磁気記録媒体にレーザ光を照射し、また記録媒体からの反射光情報を検出するヘッド手段と、
上記ヘッド手段に対して記録データを供給し、記録データに基づいたレーザ光照射を実行させる記録処理手段と、
上記ヘッド手段で検出される反射光情報に基づいて再生情報を得る再生処理手段と、
上記ヘッド手段で検出される反射光情報から生成されるトラッキングエラー信号に基づいてトラッキングサーボ動作を行うトラッキングサーボ手段と、
上記トラッキングエラー信号にオフセットを与えるオフセット手段と、
上記オフセット手段によるオフセット値を或る値に設定した状態で、上記記録処理手段及び上記ヘッド手段により光磁気記録媒体に対してテストパターンの記録を実行させ、さらに上記オフセット値の設定状態を変更せずに上記ヘッド手段及び上記再生処理手段により上記テストパターンの再生を実行させて再生信号品質を検出するテスト動作を、上記オフセット値を段階的に変化させながら実行して最適なオフセット値を判別し、上記オフセット手段のオフセット値を上記最適なオフセット値に設定する制御手段と、
を備えたことを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
上記オフセット手段は、上記トラッキングエラー信号に対して直流成分を付加する直流成分付加回路とされることを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
上記オフセット手段は、上記トラッキングエラー信号を生成するために差分回路に入力される第１，第２の信号に、異なる増幅率を与える構成とされていることを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項４】
少なくとも移動層、切断層、記録層がこの順に積層されてなり、上記移動層は上記記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記切断層は上記移動層及び記録層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体に対して記録再生を行う記録再生装置の記録再生方法として、
トラッキングエラー信号に対して或る値のオフセットを設定した状態で、光磁気記録媒体に対してテストパターンの記録を実行し、さらに上記オフセット値の設定状態を変更せずに上記テストパターンの再生を実行させて再生信号品質を検出するテスト動作を、上記オフセット値を段階的に変化させながら実行して最適なオフセット値を判別し、
上記最適なオフセット値を設定したトラッキングエラー信号に基づくトラッキングサーボ状態において、記録又は再生を行うことを特徴とする記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体にレーザ光を照射して光磁気情報の記録再生を行う記録再生装置および記録再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号
【特許文献２】特開２００２−２９８３９６号
【特許文献３】特開平８−１２９７６３号
【０００３】
近年、書き換え可能な高密度記録媒体として光磁気ディスクが注目されており、その中で、上記特許文献１に開示されているように、少なくとも移動層、切断層、記録層の磁性３層膜からなり、信号の再生時に、磁性膜温度が切断層のキュリー温度以上となった領域で移動層の磁壁移動を利用することにより、実効的に記録された磁区の大きさを拡大し、再生キャリア信号を大きくする光磁気再生方式が注目されている。
ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）  と呼ばれるこの再生方式では、再生光の光学的な限界分解能以下の周期の微小記録磁区からも非常に大きな信号を再生することが可能であり、光の波長、対物レンズの開口数（ＮＡ）等を変更することなく高密度化が行える有力な方式の１つである。
【０００４】
ＤＷＤＤ再生における磁壁移動の駆動力は、温度勾配による磁壁エネルギーの変化の割合である。これを図９により簡単に説明する。
図９（ａ）はＤＷＤＤ再生に用いられる光磁気記録媒体の断面図であり、図示するように移動層１１、切断層１２、記録層１３が形成される。
再生レーザ光が照射されていない状態では、各層は交換結合力が働いており、移動層１１および切断層１２の原子スピンの向き（矢印で示す）は記録層１３のそれに倣っている。
【０００５】
再生用光ビームスポット１６を、この光磁気記録媒体に照射すると、例えば図９（ｂ）に示すような磁性層の温度Ｔの分布が得られる。Ｔｓは切断層１２のキュリー温度である。
このような温度分布に伴って、磁壁エネルギー密度σ１の分布が図９（ｃ）に示したように形成される。磁壁エネルギー密度σは一般的に温度が上昇するほど低下するので、最大温度の位置で磁壁エネルギー密度σが最も低くなるような分布になる。この結果、磁壁１５を磁壁エネルギー密度σの低い高温側へ移動させようとする磁壁駆動力Ｆ（ｘ）が図９（ｄ）に示すように発生する。
このように図中ｘ方向に磁壁エネルギー密度σ１の勾配があると、各層の磁壁１５に対して、次の（式１）で表される磁壁駆動力Ｆ１が作用する。
Ｆ１＝−∂σ１／∂ｘ        ・・・（式１）
となる。
この磁壁駆動力Ｆ１が、磁壁エネルギーの低いほうへ磁壁１５を移動させるように作用する。
【０００６】
即ち媒体温度が切断層１２のキュリー温度Ｔｓよりも低い場所では、各磁性層は互いに交換結合しているため、上述の温度勾配による磁壁駆動力Ｆ（ｘ）が作用しても、記録層１３の大きな磁壁抗磁力に阻止されて磁壁１５の移動はおこらない。ところが、記録媒体の温度がキュリー温度Ｔｓよりも高い場所では移動層１１と記録層１３との間の交換結合が切断されるため、磁壁抗磁力の小さな移動層１１の磁壁は、温度勾配による磁壁駆動力Ｆ（ｘ）で移動可能になる。そのため、光ビーム１６による記録媒体への走査に伴って、磁壁がキュリー温度Ｔｓの位置を越えて結合切断領域に侵入した瞬間に、移動層１２の磁壁１５の高温側への移動が起こる。
このような原理により、記録媒体に記録信号に対応した間隔で形成されている磁壁１５が光ビーム１６による媒体の走査に伴ってキュリー温度Ｔｓの位置を通過するたびに、移動層１１の磁壁１５の移動が発生する。
そしてこの駆動力により、実効的に記録された磁区の大きさを再生層において拡大し、再生キャリア信号を大きくでき、光学限界を超えた再生が可能となる。この結果、図９（ｅ）に示すような再生波形が得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記ＤＷＤＤ媒体に限らず、光情報記録記録媒体は、たとえばポリカーボネイト等からなる透明基板上に膜が形成されてなる。該透明基板には、光スポットガイド用の溝があらかじめ形成されており、これが記録再生トラックとなり、情報は、該トラックにマークとして形成されることにより記録される。
【０００８】
図１０に、磁界変調記録により記録された磁区と、それをＤＷＤＤで再生するときの様子を模式的に示す。記録は、光スポットにより記録膜の温度をキュリー点以上に上昇させ、同時に情報に応じた変調磁界を媒体に印加することによって行う。
磁区が決定されるタイミングは、記録膜の保磁力が印加磁界よりも大きくなる温度で決まる。すなわち、図１０（ａ）に示すように、記録光スポットによる等温線Ｔｗの後端（太線で示す部分）に沿って、順次磁化方向が決定されることになるので、磁区の形は図示のような媒体の進行方向側に膨らんだ三日月形状となる。
【０００９】
このようにＤＷＤＤ媒体に記録されたマークを再生する時は、上記図９で説明したように、光ビーム１６による媒体の走査に伴ってキュリー温度Ｔｓの位置を通過するたびに、移動層１１の磁壁１５の移動が発生する。このため図１０（ａ）の再生光スポットによる等温線Ｔｐの前端（太線で示す部分）にそって磁壁が移動する。
【００１０】
ここで図１０（ａ）は、記録トラックに対し、磁区がちょうど真中に記録されたときの記録再生の様子を示したものである。つまり記録光スポットが記録トラックのセンタにトラッキング制御されて記録が行われた場合である。
一方図１０（ｂ）には、記録トラックに対し、レーザ光のトラッキング制御位置がオフセットされたデトラック状態で磁区が記録された場合を示している。
この場合、記録光スポットの等温線Ｔｗが図示のようにトラッキング方向にずれるため、記録される磁区の三日月形状が図１０（ａ）の場合と異なるものとなる。
すると再生時においては、磁壁の傾きと、再生時の光スポットによる等温線Ｔｐの前端のなす角度が、図１０（ａ）の場合に対して大きくなってしまう。
この場合、移動層の磁壁に対して発生する磁壁駆動力Ｆ１が、時間的に分散して発生することになり、積分値としての駆動力が小さくなってしまい、スムーズな磁壁移動が行われなくなる。
【００１１】
光スポットが、あらかじめ形成された記録トラックに対し、真中にトレースするためのトラッキング技術として、プッシュプル方式がある。これは、記録トラックによる光スポットの回折光の強度を、記録トラックの長手方向に対し左右対称に配された光検出器により検出し、それぞれの差分をエラー信号として用いる方法である。光スポットが記録トラックに対し真中にトレースされている場合、左右対称に配された光検出器それぞれによって検出される強度は等しくなるので、差分信号がゼロとなるようにレンズアクチュエーターにフィードバックする方法である。
このトラッキング方法を用いる場合、あらかじめ形成されたトラックが左右対称な形状になっていない場合、トラックの真中を光スポットがトレースしていても、左右対称に配された光検出器それぞれによって検出される強度が異なってしまうので、オフセットされた位置にトレースされることになる（デトラックトラッキング）。また、ディスクが光ビームの光軸に対して傾いた場合でも同様のことが生じ、オフセットする。トラッキング方法として、プッシュプルを用いた場合を説明したが、ほかの方法でも、同様のことが生じる。
このようにデトラックトラッキングが発生すると、上記図１０（ｂ）で説明した状況が発生し、結果的にはエラーレートが悪化するなど、再生性能を低下させてしまう。
【００１２】
一方、デトラックトラッキングを補正する技術が、上記特許文献２，３等により開示されている。
しかしながら、ＤＷＤＤ等の磁壁移動検出方式の記録媒体に対する記録再生装置については、高精度でデトラックトラッキングを補正する技術については提案されていない。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、ＤＷＤＤ等の磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体に対する記録再生装置、記録再生方法として、デトラックトラッキングを精度良く解消し、光磁気ディスクに対する記録再生性能を向上させることを目的とする。
【００１４】
本発明の記録再生装置は、少なくとも移動層、切断層、記録層がこの順に積層されてなり、上記移動層は上記記録層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、上記切断層は上記移動層及び記録層よりもキュリー温度の低い磁性層からなる光磁気記録媒体に対して記録再生を行う記録再生装置である。
そして、情報の記録再生のために光磁気記録媒体にレーザ光を照射し、また記録媒体からの反射光情報を検出するヘッド手段と、上記ヘッド手段に対して記録データを供給し、記録データに基づいたレーザ光照射を実行させる記録処理手段と、上記ヘッド手段で検出される反射光情報に基づいて再生情報を得る再生処理手段と、上記ヘッド手段で検出される反射光情報から生成されるトラッキングエラー信号に基づいてトラッキングサーボ動作を行うトラッキングサーボ手段と、上記トラッキングエラー信号にオフセットを与えるオフセット手段と、上記オフセット手段によるオフセット値を或る値に設定した状態で、上記記録処理手段及び上記ヘッド手段により光磁気記録媒体に対してテストパターンの記録を実行させ、さらに上記オフセット値の設定状態を変更せずに上記ヘッド手段及び上記再生処理手段により上記テストパターンの再生を実行させて再生信号品質を検出するテスト動作を、上記オフセット値を段階的に変化させながら実行して最適なオフセット値を判別し、上記オフセット手段のオフセット値を上記最適なオフセット値に設定する制御手段とを備える。
上記オフセット手段は、上記トラッキングエラー信号に対して直流成分を付加する直流成分付加回路とされる。
或いは、上記オフセット手段は、上記トラッキングエラー信号を生成するために差分回路に入力される第１，第２の信号に、異なる増幅率を与える構成とされる。
【００１５】
本発明の記録再生方法は、磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体に対する記録再生方法である。そして、トラッキング制御位置について或る値のオフセットを設定した状態で、光磁気記録媒体に対してテストパターンの記録を実行し、さらに上記オフセット値の設定状態を変更せずに上記テストパターンの再生を実行させて再生信号品質を検出するテスト動作を、上記オフセット値を段階的に変化させながら実行して最適なオフセット値を判別し、上記最適なオフセット値を設定したトラッキングエラー信号に基づくトラッキングサーボ状態において記録又は再生を行う。
【００１６】
このような本発明では、記録媒体に対してのテスト記録再生を、トラッキングエラー信号に直流成分を付加することで、或いはトラッキングエラー信号を生成する前の差分をとる第１，第２の信号に対し、増幅率を非対称にすることで、トラッキングエラー信号に所定のオフセットを与えながら実行する。
特に、或るオフセット値を設定した状態でテストパターンの記録を行うと共に、そのオフセット状態のままテストパターンの再生を行う。そして再生したテストパターンから信号品質を評価する。この動作を、オフセット値を変化させながら複数回実行して、最適な信号品質が得られるオフセット値を判別する。
ここで、上記図１０（ｂ）の説明から理解されるように、トラッキングオフセットした状態で記録を行い、さらにそのオフセット状態で再生する場合、つまり同様のデトラック状態で記録と再生を行うと、再生信号品質は、磁壁駆動力の低下によって、比較的大きく低下する。換言すれば、オフセットを与えることで発生させるデトラック状態と信号品質の特性カーブは、急峻な特性となる。そして急峻な特性となることは、最適なポイント（例えば実際にトラック上でデトラック０となるオフセットポイント）を精度良く判別できることを意味する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明していく。
図１は、本発明を適用した光磁気ディスク記録再生装置１００の概要を示すブロック図である。この記録再生装置１００で取り扱う光磁気ディスク１１１は、ガラスやプラスチック等からなる透明基板上に、図９（ａ）に示したような光磁気記録膜を成膜し、さらに保護膜を形成してなるものであり、記録再生装置１００はＤＷＤＤ方式で再生を行う。
【００１８】
記録再生装置１００は、光磁気ディスク１１１を回転駆動するためのスピンドルモータ１１３を有している。光磁気ディスク１１１は、記録時および再生時には角速度一定で回転駆動される。スピンドルモータ１１３の回転軸には、その回転速度を検出するための周波数発電機１１４が取り付けられている。
【００１９】
また、記録再生装置１００は、外部磁界発生用の磁気ヘッド１１５と、この磁気ヘッド１１５の磁界発生を制御する磁気ヘッドドライバ１１６と、半導体レーザ、対物レンズ、対物レンズをフォーカス方向及びトラッキング方向に駆動する二軸機構、光検出器（フォトディテクタ）、マトリクスアンプ等から構成される光学ヘッド１１７と、この光学ヘッド１１７の半導体レーザの発光駆動を行うレーザドライバ１１８と、レーザドライバ１１８に対してレーザ発光駆動レベルの制御を行うレーザパワー制御部１１９を備えている。
磁気ヘッド１１５と光学ヘッド１１７は光磁気ディスク１１１を挟むように対向して配設される。
レーザドライバ１１８は、光学ヘッド１１７内の半導体レーザに対して駆動信号を印加する。これによって半導体レーザからレーザ光が出力される。レーザパワー制御部１１９は、システムコントローラ１５１からの制御信号に基づいて、レーザドライバ１１８によるレーザ駆動が、記録時には記録パワーとなり、再生時には記録パワーより低い再生パワーとなるように制御する。また、記録パワー及び再生パワーとしてのレーザパワーレベルは、システムコントローラ１５１によって設定される。
またレーザパワー制御部１１９は、光学ヘッド１１７内のモニタ用ディテクタによってレーザ出力レベルを監視し、レーザ出力が設定されたレーザパワーとして一定となるように、いわゆるＡＰＣ制御を行う。
【００２０】
データ書き込み時（記録時）には、後述するように磁気ヘッドドライバ１１６にＮＲＺＩデータとしての記録データＤｒが供給され、磁気ヘッド１１５よりその記録データＤｒに対応した磁界が発生され、光学ヘッド１１７からの光ビーム（レーザビーム）との共働により光磁気ディスク１１１に記録データＤｒが記録される。
【００２１】
また、記録再生装置１００は、例えばＤＳＰ等によるサーボコントローラ１４１を有している。
サーボコントローラ１４１には、トラッキングサーボ部１４１ａ、フォーカスサーボ部１４１ｂ、スピンドルサーボ部１４１ｃ、スレッドサーボ部１４１ｄ等が形成されている。
このサーボコントローラ１４１には、光学ヘッド１１７内で、フォトディテクタによって得られた反射光情報からマトリクス回路で形成されたフォーカスエラー信号ＳＦＥおよびトラッキングエラー信号ＳＴＥ、さらに上述した周波数発電機１１４より出力される周波数信号ＳＦＧが供給される。
【００２２】
サーボコントローラ１４１の動作は、後述するシステムコントローラ１５１によって制御される。このサーボコントローラ１４１におけるトラッキングサーボ部１４１ａ、フォーカスサーボ部１４１ｂによって、光学ヘッド１１７内の二軸機構が駆動され、トラッキングサーボ制御及びフォーカスサーボ制御が行われる。
即ちトラッキングサーボ部１４１ａはトラッキングエラー信号ＴＥに基づいてトラッキングドライブ信号ＴＤを発生させ、二軸機構のトラッキングコイルに駆動電流を印加する。これによって対物レンズがトラッキング方向にサーボ制御される。
なお、トラッキングサーボ系については図２で後述する。
またフォーカスサーボ部１４１ｂはフォーカスエラー信号ＦＥに基づいてフォーカスドライブ信号ＦＤを発生させ、二軸機構のフォーカスコイルに駆動電流を印加する。これによって対物レンズがフォーカス方向にサーボ制御される。
また、スレッドサーボ部１４１ｄは、例えばトラッキングエラー信号ＴＥの低域成分を用いてスレッド駆動信号を生成し、光学ヘッド１１７をラジアル方向（ディスク半径方向）に移動させるためのリニアモータを含むアクチュエータ１４５を制御する。
また、スピンドルサーボ部１４１ｃによって周波数信号ＳＦＧに基づいてスピンドルモータ１１３が制御され、上述したように記録時や再生時に光磁気ディスク１１１が角速度一定で回転するように制御される。
【００２３】
また記録再生装置１００は、ＣＰＵを備えるシステムコントローラ１５１と、データバッファ１５２と、ホストコンピュータとの間でデータやコマンドの送受を行うためのインターフェース１５３と、メモリ１６３を備える。
システムコントローラ１５１はシステム全体を制御する。
メモリ１６３は、システムコントローラ１５１のワーク領域としてのＲＡＭ、動作プログラム等を記憶するＲＯＭ、或いは設定係数その他を記憶するフラッシュメモリなどを包括的に示しており、システムコントローラ１５１によって利用される。
ホストコンピュータ等との間でデータ等の通信を行うインターフェース１５３は、例えばＳＣＳＩ（Ｓｍａｌｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＩＥＥＥ１３９４、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）等の規格によるインターフェース回路として実現される。
【００２４】
また、記録再生装置１００は、ホストコンピュータからインターフェース１５３を通じて供給される書き込みデータに対して誤り訂正符号の付加を行うと共に、後述するデータ復調器１５９の出力データに対して誤り訂正を行うためのＥＣＣ（ｅｒｒｏｒ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ｃｏｄｅ）回路１５４と、このＥＣＣ回路１５４で誤り訂正符号が付加された書き込みデータのデータビット列を例えばＲＬＬ変調ビットに変換し、その後にＮＲＺＩデータに変換して記録データＤｒを得るデータ変調器１５５とを有している。
【００２５】
また、記録再生装置１００は、光学ヘッド１１７より得られる再生信号を再生データとするための再生信号処理回路１５６、データ検出回路１５９、クロック同期回路（ＰＬＬ回路）１５８、データ復調器１６０を有する。
再生信号処理回路１５６には、周波数特性を補償するための等化回路と、この等化回路で周波数特性が補償された再生信号より磁壁移動の発生を検出する磁壁移動検出回路が設けられ、磁壁移動の発生の検出信号（パルスデータ信号）ＰＤＳを出力する。
クロック同期回路１５８は、検出信号ＰＤＳの立ち上がりエッジに同期したクロック信号をＰＬＬ処理により得る。
データ検出回路１５９は、クロック同期回路１５８によるクロック信号を使用して、検出信号ＰＤＳより再生データＤＰ（例えばＲＬＬ変調データ）を得る。
データ復調器１６０は、この再生データに対して復調処理をして読み出し再生データを得る。
【００２６】
また、後述するが記録再生時には、それに先だって記録再生準備処理として、ディスク１１１にテストパターンの記録再生を行い、トラッキングエラー信号ＴＥに与えるオフセット電圧Ｄｏｆとしての最適値の検出及び設定が行われるが、その際にテストパターンの再生信号を検出するテストデータ検出回路１６１が設けられる。テストデータ検出回路１６１による検出情報はシステムコントローラ１５１に供給される。
システムコントローラ１５１は、テストパターンの記録再生時には、制御信号ＳＯＦにより、サーボコントローラ１４１に、発生させるオフセット値を指示する。
またシステムコントローラ１５１はテストデータ検出回路１６１からの再生データに基づいてオフセット電圧Ｄｏｆの最適値を検出し、その最適なオフセット値をサーボコントローラ１４１に指示する。
【００２７】
このような記録再生装置１００の再生手順は、以下のようになる。
光磁気ディスク１１１が装着されると、システムコントローラ１５１からサーボコントローラ１４１に所定の回転数が伝達される。サーボコントローラ１４１内のスピンドルサーボ制御回路は該所定の回転数で光磁気ディスク１１１が回転するようスピンドルモータ１１３を制御する。
次に、システムコントローラ１４１からリニアアクチュエータ１４５に情報が伝達され、光学ヘッド１１７を所定の位置に移動させる。
【００２８】
次に、システムコントローラ１４１からレーザーパワー制御部１１９に情報が伝達され、所定のパワーで半導体レーザが発光するようにレーザードライバを制御させる。
半導体レーザから発せられた光は、光学ヘッド１１７に搭載されている図示せぬパワー監視用光検出器（モニタ用ディテクタ）においてパワーを検出され、レーザーパワー制御部１１９において所望のパワーとのずれ量を検出し補正制御されることにより所望のパワーに制御される。
【００２９】
また光学ヘッド１１７において、半導体レーザから発せられた光は、図示せぬ対物レンズにより、光磁気ディスク１１１の膜面に集光される。
このときレーザ光は、焦点が膜面に合うように、また、光磁気ディスクに形成されているトラックをトレースするように、サーボコントローラ１４１によりフォーカス制御、及びトラッキング制御される。
光磁気ディスク１の膜面で反射されたレーザ光は、記録されている磁区の方向によりそれぞれ偏光面が回転され、光学ヘッド１１７に搭載されている検光子により偏光面の回転情報が強度情報に変換され、光検出器（フォトディテクタ）において電気信号に変換される。この変換された電気信号からマトリクス回路の演算処理によって再生信号ＳＭＯが生成され、出力される。
【００３０】
再生信号ＳＭＯは、再生信号処理回路１５６により波形整形及び磁壁移動検出が行われて２値化信号、即ちパルスデータ信号ＰＤＳとされる。そして、クロック同期回路１５８においてパルスデータ信号ＰＤＳに同期した再生クロックＣＬＫが生成され、このクロックＣＬＫを使用して、データ検出回路１５９において再生データＤｐを得る。この再生データＤｐは、例えば、ＲＬＬ変調データであり、これがデータ復調器１６０でデコード処理されることで、読出データを得ることができる。
読出データは、データバッファ１６２に格納され、ＥＣＣ回路１５４で誤り訂正された後、インターフェース１６３を介してホストコンピュータ等に出力される。
【００３１】
記録動作は次のようになる。
光磁気ディスク１１１が装着され、レーザ光が光磁気ディスクの所定の位置にトレースされるまでの手順は、上述の再生手順と同様である。
記録時にはシステムコントローラ１５１の制御に基づいて、次の動作が行われる。即ち、インターフェース１５３を介してホストコンピュータ等から供給されたデータがデータバッファ１６２に格納される。そしてエラー訂正符号化、データ変調等の必要な処理が施されてから記録データＤｒが磁気ヘッドドライバに供給され、磁気ヘッド１１５からデータに応じた磁界が発生される。
同時に再生時のパワーよりも大きいパワーで半導体レーザが発光するように、レーザドライバ１１８およびレーザーパワー制御部１１９が動作する。
レーザ光により昇温された光磁気ディスク１１１の記録用磁性膜は、磁気ヘッドから発せられるデータに応じた磁界に、磁区の方向がそろう。これにより記録が行われる。
なお、記録動作におけるレーザ光は、一定強度でも良いし、記録クロックに同期したパルス状に強度変調してもよい。
【００３２】
このような本例の記録再生装置１００では、ディスク１１１に照射される光スポットの、記録トラック中心からのずれを補正するために、トラッキングバイアス（オフセット）設定が行われる。
【００３３】
トラッキングサーボ系を図２（ａ）に示す。
例えばプッシュプル方式によるトラッキングエラー信号ＴＥを生成する場合を例に採ると、光学ヘッド１１６内のフォトディテクタ１１６ａには、図２（ｂ）に示すように、トラック線方向に対して左右対称に配された２分割の受光面を備えたフォトディテクタ１１６ａ−１が設けられ、その各受光面での光検出信号Ｓ１，Ｓ２がマトリクス回路１１６ｂで演算処理される。即ちマトリクス回路１１６ｂにおけるＳ１−Ｓ２の減算処理により、左右対称の受光面のそれぞれによって検出される強度の差分がとられ、これがトラッキングエラー信号ＴＥとされる。
【００３４】
サーボコントローラ１４１におけるトラッキングサーボ部１４１ａには、位相補償回路２２、加算回路２１、トラッキングドライブ回路２３、直流電圧付加回路２０が設けられる。
トラッキングエラー信号ＴＥは、位相補償回路２２で位相補償された後、加算回路２１を介してトラッキングドライブ回路２３に供給される。トラッキングドライブ回路２３は、加算回路２１から入力された信号に基づいて、トラッキングドライブ信号ＴＤを生成し、光学ヘッド１１６内の二軸機構１１６ｃにおけるトラッキングコイルに電流を印加する。これによって二軸機構１１６ｃに保持された対物レンズ１１６ｄがトラッキング方向に駆動され、この駆動が、トラッキングエラー信号ＴＥをゼロとする方向に行われることで、光スポットが記録トラックのセンタをトレースする状態とされる。
ここで、直流電圧付加回路２０は、システムコントローラ１５１から指示された直流電圧を発生させる。この直流電圧はオフセット電圧Ｄｏｆとして加算回路２１に供給されるため、トラッキングエラー信号ＴＥに対してオフセット電圧が付加されることになる。
このオフセット電圧Ｄｏｆとしては、ディスク１１１の傾きや、基板の形状の非対称性にかかわらず、適切なトラッキング状態でデータ記録再生を可能とするため、後述する記録再生準備処理において最適値が設定される。
【００３５】
なお、記録再生準備処理の際には、オフセット電圧Ｄｏｆの値を変更しながらテストパターンを記録し、そのテストパターンを再生するという動作を繰り返す。
そのテストパターンの再生時には、マトリクス回路１１６ｂによって再生データ（テストパターン）に応じた再生信号ＳＭＯが出力され、再生信号処理回路１５６，データ検出回路１５９を介してテストデータ検出回路１６１によってテストパターンデータが検出される。システムコントローラ１５１は検出されたテストパターンデータにより信号品質を検査する。
【００３６】
以下、記録再生準備処理を説明する。本例の記録再生装置１００では、所望の情報を記録再生する準備段階として、光磁気ディスクの所定の場所に所定のテストパターンを記録する。例えば記録時には記録動作に先立って記録レーザパワーの調整が行われるが、その際に書き込むデータパターンを、そのまま以下説明する記録再生準備処理で用いるテストパターンとしても良いし、記録レーザパワーの調整のために書き込むデータとは別に、記録再生準備処理用のテストパターンを記録させるようにしても良い。
システムコントローラ１５１は、例えばメモリ１６３にテストパターンとしてのデータパターンを記憶している。
【００３７】
図３は、記録再生準備処理の手順（システムコントローラの処理）を示している。
図３の処理は、概略的に述べると、トラッキングエラー信号ＴＥに付加させる直流成分（オフセット電圧Ｄｏｆ）を数段階に変化させ、それぞれテストパターンの記録及び再生を行い、その再生データ品質を検出することで、最適なオフセット電圧Ｄｏｆの値を求める処理である。特には、テストパターンデータの記録時とその再生時には、同じオフセット電圧を付加した状態とする。
【００３８】
記録再生準備処理において、システムコントローラ１５１は、図３のステップＦ１０１で、変数「Ｍ」を０にセットする。変数Ｍは、オフセット電圧Ｄｏｆの値を設定する変数である。例えばオフセット電圧Ｄｏｆの値をＤｏｆ（０）〜Ｄｏｆ（ｍ）まで段階的に変化させるとしたときに、そのＤｏｆ（０）〜Ｄｏｆ（ｍ）を指定する変数となる。
Ｄｏｆ（０）〜Ｄｏｆ（ｍ）は、オフセット電圧Ｄｏｆとして、例えば負の値から正の値へ一定の間隔で異なるものとされた値である。
【００３９】
ステップＦ１０２では、システムコントローラ１５１は直流電圧付加回路２０に対する制御信号ＳＯＦにより、電圧Ｄｏｆ（Ｍ）のオフセット電圧Ｄｏｆを指示する。従って、最初は直流電圧付加回路２０からオフセット電圧Ｄｏｆ（０）が発生される状態となる。
この状態でシステムコントローラ１５１はステップＦ１０３に進み、ディスク１１１に対してテストパターンの記録を実行させる。即ち記録データとしてテストパターンをデータ変調器１５５に供給し、上述した記録動作によりテストパターンデータをディスク１１１に記録させる。この場合、オフセット電圧Ｄｏｆ（０）がトラッキングエラー信号ＴＥに付加されたトラッキングサーボ制御状態で光スポットが記録トラックをトレースする記録動作となる。
【００４０】
続いてシステムコントローラ１５１は、ステップＦ１０４でテストパターンの再生処理を実行させる。このときも、直流電圧付加回路２０からオフセット電圧Ｄｏｆ（０）が発生されている状態で、再生を実行させることになる。
再生されたテストパターンのデータはテストデータ検出回路１６１によって検出される。この場合、テストパターンとしてのデータパターンはシステムコントローラが把握しているため、テストパターンデータを同定できる。そして、データ品質をチェックし、その品質の程度を示す検査値Ｘ（Ｍ）を生成する。
データ品質は、ジッターレベル、或いはエラーレートなどとして判定できる。従って、ジッターレベル或いはエラーレートの値を検出して、それを検査値Ｘとすればよい。
もちろん品質評価の手法は他にも考えられ、どのような手法が採られても良い。例えばビタビ復号等の最尤復号において正しいパスメトリックと、再生されたパスメトリックの差を数値化したＳＡＭ値が知られているが、このＳＡＭ値を検査値Ｘとしてもよい。
検査値Ｘ（Ｍ）が生成されたら、システムコントローラ１５１はステップＦ１０５で、当該検査値Ｘ（Ｍ）を、今回のオフセット電圧Ｄｏｆ（Ｍ）に対応させてメモリ１６３に記憶する。
従って、最初にオフセット電圧Ｄｏｆ（０）の状態で検査値Ｘ（０）が得られたとすると、Ｄｏｆ（０）に対応して検査値Ｘ（０）が記憶される。
【００４１】
次にシステムコントローラはステップＦ１０６で、変数Ｍがｍに達しているか否かを判断する。Ｍがｍに達していなければ、ステップＦ１０７で変数ＭをインクリメントしてステップＦ１０２に戻り、電圧付加回路２０に対する制御信号ＳＯＦにより、電圧Ｄｏｆ（Ｍ）のオフセット電圧Ｄｏｆを指示する。
従って次のステップＦ１０３では、オフセット電圧が電圧Ｄｏｆ（１）に変更されてテストパターンの記録が行われる。
そしてステップＦ１０４，Ｆ１０５で上記同様にテストパターンの再生と、再生されたデータの品質チェック及び記憶が行われる。
【００４２】
このようにして、あるレーザパワーの状態で、オフセット電圧が電圧Ｄｏｆ（０）〜Ｄｏｆ（ｍ）に順次変更されてテストパターンの記録と再生が行われ、検査値が記憶されていく。
このような処理が繰り返されてオフセット電圧Ｄｏｆ（０）〜Ｄｏｆ（ｍ）の状態でのテストパターン記録再生が行われて、各検査値Ｘが記憶されていくため、例えばステップＦ１０６で変数Ｍがｍに達したと判断された時点では、メモリ１６３には図４のように検査値Ｘ（０）〜Ｘ（ｍ）が記憶されたものとなる。即ち各検査値Ｘ（０）〜Ｘ（ｍ）が、それぞれその検査値を得た際のオフセット電圧Ｄｏｆ（０）〜Ｄｏｆ（ｍ）に対応して記憶されている。
【００４３】
システムコントローラ１５１は、このように各オフセット電圧Ｄｏｆに対応するテストパターン記録再生を完了したら、ステップＦ１０８に進み、検査値Ｘに基づいて最適なオフセット電圧Ｄｏｆを判別する。
最適なオフセット電圧Ｄｏｆは、例えば最良の検査値Ｘとなるオフセット電圧Ｄｏｆと決定してもよいし、或いは、図４のように記憶された各オフセット電圧Ｄｏｆとその前後のオフセット電圧数個において収集された検査値の平均値や合計値等を求め、その値が最良となるオフセット電圧Ｄｏｆを最適なオフセット電圧と決定すればよい。
このようにして最適なオフセット電圧Ｄｏｆが判別されたら、システムコントローラ１５１は、直流電圧付加回路２０に対して当該最適なオフセット電圧Ｄｏｆを発生するように制御することになる。
【００４４】
以上により記録再生準備処理を終え、実際のデータの記録再生処理に移る。或いは記録再生指示を待機する。
このような記録再生準備処理によってトラッキングエラー信号ＴＥに付加する直流オフセット電圧が最適化されため、記録される磁区は、あらかじめ形成されたトラックの真中を中心として左右対称なマークを形成できることになる。
【００４５】
特に本例の場合、オフセット電圧Ｄｏｆの値を変化させながらテストパターンの記録再生を行う際に、その記録時と再生時で同じオフセット電圧Ｄｏｆを発生させている。例えばオフセット電圧Ｄｏｆ（１）でテストパターンを記録した直後は、そのオフセット電圧Ｄｏｆ（１）を発生させたままテストパターンの再生を行う。次にオフセット電圧Ｄｏｆ（２）でテストパターンを記録した直後は、そのオフセット電圧Ｄｏｆ（２）を発生させたままテストパターンの再生を行う。
このように１回のテストパターンの記録再生において同じオフセット電圧Ｄｏｆを発生させることで、ＤＷＤＤ記録媒体としてのディスク１１１に対して、非常に精度の高い最適オフセット設定が可能となる。この理由を説明する。
【００４６】
上述した図１０（ａ）（ｂ）において、デトラック状態では、記録光スポットの等温線Ｔｗの後端によって形成される磁区と、再生光スポットの等温線Ｔｐの前端との角度が大きくなるため、移動層の磁壁に対して発生する磁壁駆動力Ｆ１が時間的に分散して、積分値としての駆動力が小さくなり、スムーズな磁壁移動が行われなくなることを述べた。
つまりこれは、記録時と再生時で同じ方向にデトラックしていると、再生特性（エラーレート等）が悪化することを意味する。
【００４７】
ここで、図１０（ｃ）のように、記録時と再生時で逆方向にデトラックしている場合を考えてみる。例えば記録時に＋方向にデトラックさせて記録を行い、再生時に−方向にデトラックさせて再生を行う。
すると、磁区に対して、再生光スポットの等温線Ｔｐの前端が影響する時間的なズレが小さくなるため、積分値としての駆動力は小さくならない。従って、図１０（ａ）の場合とほぼ同様にスムーズな磁壁移動が行われる。
【００４８】
このような事情を踏まえて、図５の記録再生特性を考える。
図５（ａ）において、▲１▼のカーブは、記録時に−方向のデトラック状態でデータ記録を行い、そのデータを、再生時にデトラック量を−方向及び＋方向に段階的に変化させながら再生した場合のビットエラーレートを示している。
また▲２▼のカーブは、記録時にデトラック０、つまり光スポットをトラックセンタに制御してデータ記録を行い、そのデータを、再生時にデトラック量を−方向及び＋方向に段階的に変化させながら再生した場合のビットエラーレートを示している。
さらに▲３▼のカーブは、記録時に＋方向のデトラック状態でデータ記録を行い、そのデータを、再生時にデトラック量を−方向及び＋方向に段階的に変化させながら再生した場合のビットエラーレートを示している。
この図５から理解されることは、記録時にデトラックされた場合は、再生時にほぼ同量のデトラック量で逆方向にデトラックさせると、エラーレートが低下、つまりエラーレートが向上されるということであり、つまり図１０（ｃ）で述べたことが裏付けられている。
そして、逆に見れば、記録時にデトラックされた場合は、再生時に同じ方向に同じ量だけデトラックされると、エラーレートは比較的大きく悪化することが導かれる。
【００４９】
上記した本例の記録再生準備処理では、１回のテストパターンの記録の際に、その記録時と再生時で、同じデトラック状態（オフセット電圧Ｄｏｆが同じ）とされる。そしてそのようなテストパターンの記録再生を、オフセット電圧Ｄｏｆを変化させながら複数回実行する。
これは、デトラック量とビットエラーレートの特性で見ると、図５（ｂ）に破線で示す特性となるものである。つまり、記録トラックに対してデトラック状態で記録再生を行うと、エラーレートは大きく悪化するため、デトラック量とビットエラーレートの特性を示すカーブは、図示するように急峻なカーブとなる。
急峻なカーブとなることは、最適なデトラック状態（図５（ｂ）ではデトラック量０）のポイントを、精度良く検出できることを意味する。
【００５０】
本例の記録再生準備処理では、本来、トラッキングサーボ動作によりトラッキングセンタに光スポットが制御される状態にありながら、ディスクの傾き（ラジアルチルト）やディスク基板やトラック形状の非対称性などにより、実際にはデトラックが発生するような場合にも、良好にトラックセンタに制御されるようにするためにトラッキングエラー信号ＴＥに付加するオフセット電圧Ｄｏｆとして、最適なオフセット電圧Ｄｏｆを検出するものである。
この場合に、上記処理によれば、図５（ｂ）の破線のような急峻な特性となる検査値Ｘに基づいて、最適なオフセット電圧Ｄｏｆ、つまり図５（ｂ）でデトラック量０となるようにするオフセット電圧Ｄｏｆを探索する。
従って、本例の再生準備処理の動作において、最適なオフセット電圧Ｄｏｆが非常に精度良く判別できることが理解される。
そして、実際の記録再生動作時には、その最適なオフセット電圧Ｄｏｆが設定されていることで、記録再生動作は、ラジアルチルト等によらずに、良好に光スポットがトラックセンタに制御されて行われることになる。
【００５１】
磁壁移動検出タイプのディスクを用いて、本例によるトラッキングオフセット調整を行った場合の効果を、行わなかった場合と比較したものを、図６に示す。図６は、デトラックトラッキングが発生する原因の一つである、半径方向のディスク傾きに対するビットエラーレートの変化を測定したものである。
図６において、ビット長は８５ｎｍ／ｂｉｔ、トラックピッチは０．５４μｍである。図から、本例により、半径方向のディスク傾きに対するマージンが広がることが理解される。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態として、特に記録再生準備処理の一例を説明した。しかしながら本発明の記録再生準備処理の手順や、オフセット付加方式については、もちろん別の例も各種考えられる。以下、例を挙げる。
【００５３】
まず、図３の処理例では、オフセット電圧Ｄｏｆの可変範囲において、全ての検査値Ｘ（Ｘ（０）〜Ｘ（ｍ））をサンプルし、サンプルした検査値から最適なポイントを判別した。しかしながら、オフセット電圧Ｄｏｆの可変範囲において、全ての検査値Ｘをサンプルしていくのではなく、所要数のみのサンプルを行って二次曲線近似などの手法で最適ポイントを探すことも考えられる。
二次曲線近似等を用いることで、テストパターンの記録再生を実行する回数を減らすことができ、記録再生準備処理の迅速化が可能となる。
【００５４】
また、図４のように検査値Ｘを記憶していくことは行わない処理も可能である。その処理例を図７で説明する。
図７の処理例は、テストパターンの記録再生により得られた検査値（Ｔ２）を、直前のテストパターンの記録再生で得られた検査値（Ｔ１）と比較しながら、テストパターンの記録再生を繰り返していく。そして最適オフセット値を見出せたら記録再生準備手順を終了する処理方式である。
【００５５】
システムコントローラ１５１は、ステップＦ２０１で変数Ｍを０にセットし、ステップＦ２０２で直流電圧付加回路２０に対してオフセット電圧Ｄｏｆ（Ｍ）を指示した上で、ステップＦ２０３でテストパターンの記録を実行制御する。
なお、変数Ｍはオフセット電圧Ｄｏｆの値を設定する変数であるが、この場合は、例えばオフセット電圧Ｄｏｆの値としてＤｏｆ（−ｍ）〜Ｄｏｆ（ｍ）までを可変できるとする。
そして、最初に変数Ｍ＝０とするのは、例えばオフセット電圧Ｄｏｆ（０）＝０Ｖなど、−方向から＋方向にかけてのオフセット可変範囲の中心のオフセットを指示するものとなる。
【００５６】
システムコントローラ１５１はステップＦ２０４で、テストパターンの再生を実行させ、検査値を得る。ここまでは、図３の処理の開始当初のステップＦ１０１〜Ｆ１０４と同様である。
図７の場合、システムコントローラ１５１は、ステップＦ２０５で、まず最初に得られた検査値を検査値Ｔ１として、オフセット電圧Ｄｏｆ（Ｍ）に対応させて内部レジスタ等に記憶する。
最初は変数Ｍ＝０であったため、オフセット電圧Ｄｏｆ（０）に対応する検査値が検査値Ｔ１として記憶されることになる。
【００５７】
次にステップＦ２０６では、変数Ｎを「１」にセットする。
そしてステップＦ２０７で、変数Ｍをインクリメントし、ステップＦ２０８で直流電圧付加回路２０に対してオフセット電圧Ｄｏｆ（Ｍ）を指示した上で、ステップＦ２０９でテストパターンの記録を実行制御する。そしてステップＦ２１０で、テストパターンの再生を実行させ、検査値を得る。
つまり今度は、オフセット電圧Ｄｏｆ（１）に対応する検査値が得られる。ステップＦ２１１では、オフセット電圧Ｄｏｆ（１）に対応させて、得られた検査値を検査値Ｔ２として記憶させる。
【００５８】
システムコントローラ１５１はステップＦ２１２で、検査値Ｔ１，Ｔ２を比較する。
検査値Ｔ２の方が良好な値であった場合は、ステップＦ２１３で、検査値Ｔ２を新たな検査値Ｔ１として記憶し（検査値Ｔ１を更新）、ステップＦ２１４で変数ＮをインクリメントしてステップＦ２０７に戻る。
そして上記同様に変数ＭをインクリメントしてステップＦ２０８〜Ｆ２１１の処理を行い、ステップＦ２１２で検査値Ｔ１，Ｔ２を比較する。
【００５９】
ステップＦ２１２で検査値Ｔ２が良好とされる場合とは、今回のテストパターンの記録再生でのオフセット電圧Ｄｏｆが、その直前のテストパターンの記録再生でのオフセット電圧Ｄｏｆより適していると判断される場合である。
つまりステップＦ２０７で変数Ｍをインクリメントしながらテストパターンの記録再生を行うこと、即ちオフセット電圧Ｄｏｆを例えば＋方向に変化させていくことが、最適なオフセット電圧Ｄｏｆに近づく方向であった場合である。
このため、ステップＦ２０７〜Ｆ２１２、Ｆ２１３，Ｆ２１４を繰り返していく。そしてある時点でステップＦ２１４で、検査値Ｔ１の方が良好であったら、それは、その時点の、検査値Ｔ２を得た際のオフセット電圧Ｄｏｆが、最適なオフセット電圧を通り過ぎたと見ることができる。
そしてその場合は、変数ＮはステップＦ２１４で少なくとも１回以上インクリメントされているため、ステップＦ２１５からＦ２１６に進み、その際の検査値Ｔ１に対応されているオフセット電圧Ｄｏｆ、つまりオフセット電圧Ｄｏｆ（Ｍ−１）が、最適なオフセット電圧Ｄｏｆと判断し、これを直流電圧付加回路２０に設定して記録再生準備処理を終える。
【００６０】
一方、ステップＦ２０１〜Ｆ２１１の処理が行われ、最初にステップＦ２１２でＴ１とＴ２が比較された際に、検査値Ｔ１が良好と判断された場合は、ステップＦ２０７で変数Ｍをインクリメントしてテストパターンの記録再生を行うこと、即ちオフセット電圧Ｄｏｆを例えば＋方向に変化させていくことが、最適なオフセット電圧Ｄｏｆから遠ざかる方向であると判断できる。
その場合、変数Ｎ＝１のままであるため、処理はステップＦ２１５からＦ２１７に進む。
ステップＦ２１７では、変数Ｍとして「−１」をセットする。
そしてステップＦ２１８で直流電圧付加回路２０に対してオフセット電圧Ｄｏｆ（Ｍ）を指示した上で、ステップＦ２１９でテストパターンの記録を実行制御する。そしてステップＦ２２０で、テストパターンの再生を実行させ、検査値を得る。
つまり今度は、オフセット電圧Ｄｏｆ（−１）に対応する検査値が得られる。
ステップＦ２２１では、オフセット電圧Ｄｏｆ（−１）に対応させて、得られた検査値を検査値Ｔ２として記憶させる。
【００６１】
システムコントローラ１５１はステップＦ２２２で、検査値Ｔ１，Ｔ２を比較する。
検査値Ｔ２の方が良好な値であった場合は、ステップＦ２２３で変数Ｍをデクリメントし、またステップＦ２２４で検査値Ｔ２を新たな検査値Ｔ１として記憶し（検査値Ｔ１を更新）、ステップＦ２１８に戻る。
そして上記同様にステップＦ２１８〜Ｆ２２１の処理を行い、ステップＦ２２２で検査値Ｔ１，Ｔ２を比較する。
【００６２】
ステップＦ２２２で検査値Ｔ２が良好とされる場合とは、今回のテストパターンの記録再生でのオフセット電圧Ｄｏｆが、その直前のテストパターンの記録再生でのオフセット電圧Ｄｏｆより適していると判断される場合である。
つまりステップＦ２２３で変数Ｍをデクリメントしながらテストパターンの記録再生を行うこと、即ちオフセット電圧Ｄｏｆを例えば−方向に変化させていくことが、最適なオフセット電圧Ｄｏｆに近づく方向であった場合である。
このため、ステップＦ２１８〜Ｆ２２２、Ｆ２２３，Ｆ２２４を繰り返していく。そしてある時点でステップＦ２２４で、検査値Ｔ１の方が良好であったら、それは、その時点の、検査値Ｔ２を得た際のオフセット電圧Ｄｏｆが、最適なオフセット電圧を通り過ぎたと見ることができる。
そしてその場合は、ステップＦ２２５に進み、その際の検査値Ｔ１に対応されているオフセット電圧Ｄｏｆ、つまりオフセット電圧Ｄｏｆ（Ｍ＋１）が、最適なオフセット電圧Ｄｏｆと判断し、これを直流電圧付加回路２０に設定して記録再生準備処理を終える。
【００６３】
例えばこのような処理によっても、最適なオフセット電圧Ｄｏｆを得ることができ、しかも、図３の場合と同様に、精度の良いオフセット設定が可能となる。
また、この例の場合は、例えばオフセット可変範囲の中央から＋方向又は−方向に順次オフセット電圧Ｄｏｆを変化させ、最適なオフセット電圧Ｄｏｆが見つけられた時点で処理を終了するため、テストパターンの記録再生の回数を少なくすることが可能である。特に最初に指示するオフセット電圧Ｄｏｆの値が、最適値に近い場合ほど、テストパターンの記録再生回数が減少される。
このことから、図３の処理例よりも短時間で記録再生準備処理が完了できる。
さらに、図３のように得られた検査値をすべて記録していくものではなく、システムコントローラ１５１の内部レジスタで検査値Ｔ１，Ｔ２及び対応するオフセット値を保持すればよいため、処理的にメモリ１６３へのアクセスを不要とできる。もちろん、処理時に使用する（必要な）メモリ容量の削減という効果もある。
【００６４】
ところで、上記図２の構成例では、直流電圧付加回路２０によってトラッキングエラー信号ＴＥにオフセット電圧を付加するようにした。
この別例としてトラッキングオフセットは図８のように与えることもできる。なお、図２と同一部分は同一符号を付し、説明を省略する。
上述したように、例えばプッシュプル方式によるトラッキングエラー信号ＴＥを生成する場合を例に採ると、光学ヘッド１１６内のフォトディテクタ１１６ａには、図８（ｂ）に示すように、トラック線方向に対して左右対称に配された２分割の受光面を備えたフォトディテクタ１１６ａ−１が設けられ、その各受光面での光検出信号Ｓ１，Ｓ２がマトリクス回路１１６ｂで演算処理される。
つまり図示するように光検出信号Ｓ１，Ｓ２が減算回路３１で差分演算され、トラッキングエラー信号ＴＥが生成される。
このとき、例えば一方の光検出信号Ｓ２については、可変ゲインアンプ３２を介して減算回路３１に供給されるようにする。
可変ゲインアンプ３２のゲインは、システムコントローラ１５１が制御信号ＳＧによって可変制御可能とする。
【００６５】
このように構成すると、例えば可変ゲインアンプ３２のゲイン＝１とされた場合は、光検出信号Ｓ１，Ｓ２は同じ増幅率で減算回路３１に入力される。一方、可変ゲインアンプ３２のゲインが１以外とされると、光検出信号Ｓ１，Ｓ２は異なる増幅率で減算回路３１に入力される。
即ちこの場合、可変ゲインアンプ３２のゲインを変化させることで、トラッキングエラー信号ＴＥに付加するオフセット成分を変化させることができる。
従って、システムコントローラ１５１は、例えば図３の処理においては、ステップＦ１０２では、可変ゲインアンプ３２のゲインを設定してテストパターンの記録再生を実行させればよい。そして最適なオフセット値（この場合可変ゲインアンプ３２のゲイン値）が判別できたら、ステップＦ１０８で、そのゲイン値を可変ゲインアンプ３２に指示し、通常の記録再生処理に移行すればよい。
図７の処理の場合においても、直流電圧付加回路２０に対するオフセット電圧Ｄｏｆの指示を行う処理を、可変ゲインアンプ３２のゲイン指示とすればよい。
【００６６】
なお、以上の実施の形態では、トラッキングエラー信号ＴＥをプッシュプル方式で得る場合について説明したが、その他の方式、すなわちサンプルサーボ方式等を用いて、トラッキングをかける場合にも本発明が有効である。
【００６７】
【発明の効果】
以上の説明からわかるように本発明によれば、トラッキングエラー信号にオフセットを与えた状態においてテストパターンの記録とその再生を行い、再生信号品質を検出する。そしてこの動作をオフセット値を変化させながら複数回実行して、最適な信号品質が得られるオフセット値を判別する。磁壁移動検出方式の記録媒体に対してこのようなテスト動作を行う場合、オフセット値と信号品質の特性カーブは、急峻な特性となり、結果的に、最適なオフセットポイントを非常に精度良く判別できる。
従って、トラッキングエラー信号に付加する最適なオフセットとして高精度の設定が可能となり、その結果、ディスクの傾きや、基板或いは記録トラックの形状の非対称性など、デトラックトラッキングを引き起こす要因にかかわらず、適切なトラッキング状態でデータ記録が可能となる。即ち、適切にトラックセンタに制御された状態で記録再生が実行でき、再生時のエラーレート等を向上させ、記録再生性能を向上できる。またこれによってディスク傾きや、基板製造に対する設計マージンを大きくすることもできる。
また安定してトラックセンタへの記録が行われることにより、クロストークやクロスライトの影響を極力少なくすることができる。そのため、記録レーザパワーに対するマージンも大きくできるという利点もある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の記録再生装置のブロック図である。
【図２】実施の形態のトラッキングサーボ系のブロック図である。
【図３】実施の形態の記録再生準備処理のフローチャートである。
【図４】実施の形態の記録再生準備処理における検査値の記憶状態の説明図である。
【図５】実施の形態の記録再生準備処理でのデトラック量とビットエラーレートの特性の説明図である。
【図６】実施の形態の記録再生準備処理による特性向上の説明図である。
【図７】実施の形態の他の記録再生準備処理のフローチャートである。
【図８】実施の形態の他のトラッキングサーボ系のブロック図である。
【図９】ＤＷＤＤ再生の説明図である。
【図１０】ＤＷＤＤ記録再生とトラッキングオフセットの説明図である。
【符号の説明】
２０  直流電圧付加回路、２１  加算器、２２  位相補償回路、２３  トラッキングドライブ回路、１１６  光学ヘッド、１４１  サーボコントローラ、１４１ａ  トラッキングサーボ部、１５１  システムコントローラ、１５９  データ検出回路、１６１  テストデータ検出回路、１６３  メモリ
【図１】
2004334983.tif 000003
【図２】
2004334983.tif 000004
【図３】
2004334983.tif 000005
【図４】
2004334983.tif 000006
【図５】
2004334983.tif 000007
【図６】
2004334983.tif 000008
【図７】
2004334983.tif 000009
【図８】
2004334983.tif 000010
【図９】
2004334983.tif 000011
【図１０】
2004334983.tif 000012