(57)【要約】【課題】本発明の課題は、放熱部材の放熱面が外部に露出し、十分な放熱性を有する樹脂モールド半導体装置を提供することにある。【解決手段】上記課題を解決するため、本発明の半導体装置１では、一方の主面側に第一電極１０ｅ及び制御用電極１０ｇ、他方の主面側に第二電極１０ｃが露出した半導体スイッチング素子１０と、半導体スイッチング素子１０を挟む形で配置され、第一電極と第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材２、３と、一対の放熱部材２、３の間を充填するモールド樹脂部４と、を備える半導体装置１であって、一対の放熱部材２、３のうち少なくともいずれか一方が、第一部材３ａ及び第二部材３ｂの２種類の部材にて構成され、第一部材３ａは、接続に供されるとともに、モールド樹脂部４の外周面から突出し、且つ、モールド樹脂部４の外側にある第二部材３ｂに設けられた嵌合孔３７に嵌合する突出部３９を有し、第一部材３ａと第二部材３ｂとが嵌合してなり、少なくとも第二部材３ｂに設けられた放熱面３５において放熱が行われることを特徴とする。【選択図】        図１
2004311533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面側に第一電極及び制御用電極、他方の主面側に第二電極が露出した半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を挟む形で配置され、前記第一電極と前記第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材と、前記一対の放熱部材の間を充填するモールド樹脂部と、を備える半導体装置であって、
前記一対の放熱部材のうち少なくともいずれか一方が、第一部材及び第二部材の２種類の部材にて構成され、
前記第一部材は、前記接続に供されるとともに、前記モールド樹脂部の外周面から突出し、且つ、前記モールド樹脂部の外側にある前記第二部材に設けられた嵌合孔に嵌合する突出部を有し、
前記第一部材と前記第二部材とが嵌合してなり、少なくとも前記第二部材に設けられた放熱面において放熱が行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも前記第一電極に接続される前記放熱部材が、前記２種類の部材にて構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一方の主面側に第一電極及び制御用電極、他方の主面側に第二電極が露出した半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を挟む形で配置され、前記第一電極と前記第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材と、前記一対の放熱部材の間を充填するモールド樹脂部と、を備える半導体装置であって、
前記一対の放熱部材のうち少なくともいずれか一方が、前記モールド樹脂部の外周面から突出し、且つ、外部の放熱部材に設けられた嵌合孔に嵌合することが可能な突出部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
少なくとも前記第一電極に接続される前記放熱部材が、前記突出部を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突出部は、円柱形状に構成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体スイッチング素子の両主面にそれぞれ電気的かつ熱的に接続された一対の放熱部材を備えてなり、当該両主面から放熱を行う半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体スイッチング素子の両主面から放熱を行う半導体装置には、例えば、一対の放熱部材（ヒートシンク）を、素子を挟む形で配置し、放熱部材間を樹脂でモールドしたものがある（下記特許文献１参照）。このような半導体装置は、代表的な半導体スイッチング素子（半導体パワー素子ともいう）であるＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を例にすると、素子の２つの主面にそれぞれ露出するエミッタ電極及びコレクタ電極に、それぞれヒートシンクを直接、またはスペーサを介してそれぞれハンダ接続する。この場合のヒートシンクは、大電流経路としての機能も有する。一方、素子のゲート電極（制御用電極）と、モールド樹脂部の外部に延出する制御信号用リードとは、ボンディングワイヤにより導通接続される。そして、このような半導体装置（素子パッケージ）を複数組付けることにより、インバータ回路モジュールが作製され、モータ駆動等の用途に供される。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−１５６２２５号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記放熱部材は、素子が発した熱を受ける受熱面と、その熱を外部に放出する放熱面とを有し、該放熱面はその役割から外部に露出していることが求められる。モールド樹脂部を形成する際（放熱部材間を樹脂でモールドする際）において、放熱部材をはじめ全ての部材は金型のキャビティ内に納められるため、放熱部材の放熱面も当然キャビティ内にあり、キャビティの内周面と接するように配されるが、そのようにキャビティ内に納められた放熱部材には、部材の配置や設計の誤差等の要因によりガタつきが生じることがあり、そのため放熱部材の放熱面とキャビティの内周面との間に隙間が生じ、モールドされた樹脂がその隙間に入り込み放熱面を覆ってしまうことがある。その結果、半導体装置における放熱性が著しく低下してしまい、素子が発した熱を十分に放熱できなくなる。
【０００５】
したがって、本発明の課題は、放熱部材の放熱面が外部に露出し、十分な放熱性を有する樹脂モールド半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用・発明の効果】
上記課題を解決するため、本発明の半導体装置では、
一方の主面側に第一電極及び制御用電極、他方の主面側に第二電極が露出した半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を挟む形で配置され、前記第一電極と前記第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材と、前記一対の放熱部材の間を充填するモールド樹脂部と、を備える半導体装置であって、
前記一対の放熱部材のうち少なくともいずれか一方が、第一部材及び第二部材の２種類の部材にて構成され、
前記第一部材は、前記接続に供されるとともに、前記モールド樹脂部の外周面から突出し、且つ、前記モールド樹脂部の外側にある前記第二部材に設けられた嵌合孔に嵌合する突出部を有し、
前記第一部材と前記第二部材とが嵌合してなり、少なくとも前記第二部材に設けられた放熱面において放熱が行われることを特徴とする。
なお、当該本発明を以下「第一発明」とする。
【０００７】
上記第一発明によると、一対の放熱部材のうち少なくともいずれか一方が、第一部材及び第二部材の２種類の部材にて構成されている。この２種類の部材は、大まかには、第一部材が素子へ接続する役割を担い、第二部材が主に外部への放熱を行う役割を担う。第一部材は、モールド樹脂部の外周面から突出した突出部を有し、それ以外の部位はモールド樹脂部内で素子への接続に供されている。また突出部は、モールド樹脂部外にある第二部材に設けられた嵌合孔に嵌合する形状となっており、第一部材と第二部材は、突出部と嵌合孔において嵌合することにより放熱部材とされ、半導体装置を構成する。このように構成することで、第二部材は、モールド樹脂部を形成した後に、モールド樹脂部の外周面から突出する第一部材の突出部に嵌合させることができるので、モールド時に金型のキャビティ内に配する必要がなく、放熱面に樹脂が付着してしまうことがない。そのため、第二部材の放熱面において良好に放熱を行うことができる。
【０００８】
２種類の部材にて構成される放熱部材を「一対の放熱部材のうち少なくともいずれか一方」とした理由について、従来の半導体装置１´及び製造過程を表す図７及び図８を例に、以下に説明する。半導体装置１´は、製造過程において（図７参照）、一方の放熱部材２上に半導体スイッチング素子１０を接合し、その上にさらに放熱部材３（図ではスペーサ１０３を介している）を接合するといった順序で積層構造Ｗを形成した後、金型１００のキャビティ１００ｃ内にて放熱部材２、３間に樹脂を充填する。その際、上側に位置する放熱部材３はガタつきが生じやすく、放熱面３１とキャビティ１００ｃの内周面との間に隙間１００ｓが生まれ、モールド樹脂４形成後（図８参照）に放熱面３１を覆う樹脂バリ４ｂが付着してしまう。一方、下側に位置する放熱部材２は重力（外部から力を加える場合もある）によりキャビティ１００ｃの内周面に密着しやすく、隙間１００ｓが生じて放熱面２１に樹脂バリ４ｂが付着する可能性が少ない。そのため、一対の放熱部材２、３のうち少なくともいずれか一方（この場合では金型内で上側に位置する放熱部材３）を、上記のような２種類の部材にて構成すれば、放熱面が露出し、良好な放熱を行えるという効果が十分に得られる。
【０００９】
また、上記のような積層構造Ｗを形成する際において、半導体スイッチング素子１０では一方の主面側に第一電極１０ｅ及び制御用電極１０ｇ、他方の主面側に第二電極１０ｃが露出しており（図６参照）、制御用電極１０ｇには、外部からの制御信号を入力するためのリード５を接続する必要があるので、第一電極１０ｅ側の主面を上側にして積層構造Ｗを形成した方が、接続の利便性を得られやすい。その場合、上側に位置する第一電極１０ｅに接続される放熱部材３の放熱面３１に、上記のような樹脂バリ４ｂが付着しやすい。そこで、少なくとも第一電極に接続される放熱部材を、上記のような２種類の部材にて構成することで、リードの接続の利便性を確保しつつ、そのような問題を解決できる。
【００１０】
次に、本発明の半導体装置では、
一方の主面側に第一電極及び制御用電極、他方の主面側に第二電極が露出した半導体スイッチング素子と、前記半導体スイッチング素子を挟む形で配置され、前記第一電極と前記第二電極とにそれぞれ電気的かつ熱的に接続される一対の放熱部材と、前記一対の放熱部材の間を充填するモールド樹脂部と、を備える半導体装置であって、
前記一対の放熱部材のうち少なくともいずれか一方が、前記モールド樹脂部の外周面から突出し、且つ、外部の放熱部材に設けられた嵌合孔に嵌合することが可能な突出部を有することを特徴とする。
なお、当該本発明を以下「第二発明」とする。
【００１１】
上記第二発明によると、一対の放熱部材のうち少なくともいずれか一方が、モールド樹脂部の外周面から突出した突出部を有する。そして、この突出部は、外部の放熱部材（以下、外部放熱部材ともいう）に設けられた嵌合孔に嵌合することが可能な形状であり、突出部を有する放熱部材が外部放熱部材に嵌合された場合、突出部から外部放熱部材に熱が伝わり、放熱効果を促進できる。なお、この突出部を有する放熱材は、上述の第一発明における２種類の部材にて構成される放熱部材の第一部材と同様の構成である。しかし、第二発明では突出部を有する部材のみを放熱部材として半導体装置を構成している点で、上述の第一発明とは異なる。
【００１２】
また、第二発明においても、上述の第一発明の場合と同様に、少なくとも第一電極に接続される放熱部材を、突出部を有する構成とすることで、リードの接続の利便性を確保しつつ、第一電極に接続される放熱部材の放熱面への樹脂バリの付着という問題を解決できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（第一発明の実施形態）
図１に示すのは、本発明の第一発明の実施形態であるパワーモジュール（半導体装置）１の断面模式図である。パワーモジュール１は、半導体スイッチング素子１０（以下、単に半導体チップともいう）、一対の放熱部材２、３、モールド樹脂部４、制御信号入力用リード５が一体化したものである。このようなパワーモジュール１は、例えばブラシレスモータ用の三相インバータ回路の一部を構成する。半導体チップ１０の種類は、例えばＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴとすることができる。ＩＧＢＴには、通常、フリーホイールダイオードが逆並列に接続されるが、図１中には表していない。また、ＩＧＢＴとフリーホイールダイオードとを個別にパッケージ（モールド）してもよい。
【００１４】
図６の拡大断面図に示すように、薄板状の半導体チップ１０は、一方の主面側に上記第一電極であるエミッタ電極１０ｅ（またはソース電極）及び制御用電極であるゲート電極１０ｇが露出し、他方の主面側に上記第二電極であるコレクタ電極１０ｃ（またはドレイン電極）が露出するように設計されている。ゲート電極１０ｇ、エミッタ電極１０ｅ及びコレクタ電極１０ｃには、Ｎｉ−Ａｕめっきなど、半田との濡れ性向上のための表面処理が施されている。エミッタ電極１０ｅ及びゲート電極１０ｇが露出形成されている主面側において、ゲート電極１０ｇ及びエミッタ電極１０ｅの非露出領域は、ポリイミド樹脂等などの絶縁保護膜１０ａに被覆されている。他方、反対側の主面では、全面にコレクタ電極１０ｃが露出している。
【００１５】
そして、半導体チップ１０において、コレクタ電極１０ｃにはコレクタ側放熱部材２が、エミッタ電極１０ｅにはエミッタ側放熱部材３が、例えばハンダからなる接合部材６により、それぞれ電気的かつ熱的に接続されている。また、各放熱部材２、３には、モールド樹脂部４の外側に延出する大電流用のリード端子がそれぞれ形成されている（図示せず）。なお、各放熱部材２、３は、熱伝導性および電気伝導性の観点から、たとえばＣｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｌのグループから選択される１種の金属材料、もしくはそれらの金属材料を主体とする合金により構成されることが好ましい。
【００１６】
ゲート電極１０ｇには、ボンディングワイヤ７により制御信号入力用リード５が接続されている。制御信号入力用リード５は、外部に引き出された部位が外部機器に接続され、外部機器からの制御信号をゲート電極１０ｇに伝える役割を担っている。なお、制御信号用リード端子５は、ＣｕやＣｕ合金など良導性の金属材料により構成された帯状または線状の部材とされる。
【００１７】
また、半導体チップ１０の周側面を被覆するとともに、放熱部材２、３により形成される隙間を充填するようにモールド樹脂部４が設けられている。モールド樹脂部４は、たとえばエポキシ樹脂により構成される。
【００１８】
放熱部材２、３は、接合部材６を介して半導体チップ１０に接続される受熱面２２、３２、外部に露出した放熱面２１、３１及び３５（後述）を有する。これらの面はそれぞれ略平面であり、互いに略平行となっている。半導体チップ１０の下側に位置している放熱部材２は、扁平状または板状の形態を有し、受熱面２２に半導体チップ１０のコレクタ電極１０ｃに接続されており、また放熱面２１は外部に露出している。一方、半導体チップ１０の上側に位置している放熱部材３は、受熱面３２を有し、該受熱面３２がモールド樹脂部４内で半導体チップ１０のエミッタ電極１０ｅに接続される第一部材３ａと、放熱面３５を有し、モールド樹脂部４外にある第二部材３ｂと、の２種類の部材からなる。
【００１９】
第一部材３ａは、モールド樹脂４内に埋設される埋設部３８と、モールド樹脂４の外周面から突出した突出部３９とを備える。そして、突出部３９は、第二部材３ｂに設けられた嵌合孔３７に嵌合する形状となっており、突出部３９と嵌合孔３７とにおいて、第一部材３ａと第二部材３ｂが嵌合することで放熱部材３とされている。なお、上述のモールド樹脂部４の外側に延出する大電流用のリード端子（図示しない）は、第二部材３ｂ側に形成される。
【００２０】
放熱は、半導体チップ１０が発した熱を、第一部材３ａの受熱面３２が受け、突出部３９の側面（接合面）３３から、第二部材３ｂの嵌合孔３７の内周面に伝え、そして放熱面３５において行う。また、第二部材３ｂの嵌合孔３７は貫通孔として形成されているため、第一部材３ａの突出部３９の上面３１は外部に露出しており、該上面３１も放熱面として働く。なお、嵌合孔３７の形状は貫通孔に限られることはなく、上側の端面が塞がれていてもよい（その場合、突出部３９の上面３１は放熱面とされない）。
【００２１】
図５は、第一部材３ａのみを表す図であるが、第一部材３ａは、第二部材３ｂの嵌合孔３７の内周面に接合される接合面３３を有する突出部３９と、受熱面３２を有しモールド樹脂部４内に埋設される埋設部３８とを有する。第一部材３ａの突出部３９は円柱形状で構成されている。円柱形状で構成されることにより、第二部材３ｂの嵌合孔３７の寸法との間に多少の誤差があっても容易に嵌合させることができる。また、埋設部３８において、受熱面３２は、半導体チップ１０が発した熱をより多く取り込めるよう、エミッタ電極１０ｅと略同形状とされている。受熱面３２の形状をエミッタ電極１０ｅより大きくしてもその効果は飽和する。また、エミッタ電極１０ｅの近辺にはゲート電極１０ｇが形成されており、短絡（ショート）の危険性があるため、受熱面３２はエミッタ電極１０ｅと略同形状であることが好ましい。本実施形態では、エミッタ電極１０ｅは長方形であるため、受熱面３２もそれと略同形状の長方形であり、そして埋設部３８は受熱面３２を底面とした柱状とされている。
【００２２】
突出部３６は、径が例えば５〜２０ｍｍ程度で、突出高さＨが例えば１〜５ｍｍ程度の円柱形状で構成されている。また、埋設部３８の底面である受熱面３２は、縦１０ｍｍ×横９ｍｍの長方形である。なお、本実施形態では図１のように、突出部３６の突出高さＨと、第二部材３ｂの高さ（厚さ）とが同程度であるがこれに限られることはない。
【００２３】
第一部材３ａと第二部材３ｂとを嵌合させるための突出部３９と嵌合孔３７とは、例えばハンダからなる接合材８を介して接合（嵌合）されている。この他にも、突出部３９を嵌合孔３７に差し込んだ後に、突出部３９及び第二部材３ｂ（特に嵌合孔３７の周辺）の少なくともいずれかを変形させる、いわゆる「かしめ」等の手段によっても接合（嵌合）させることができる。変形の手段としては、衝撃を与える方法や、熱による膨張・収縮を利用する方法（いわゆる、熱かしめ）などがある。
【００２４】
上記のようなパワーモジュール１は、以下のような方法で得ることができる。図４に示すように、まず、モールド樹脂部４を除く部材で積層体Ｗを形成する。なお、ここでは積層体Ｗに放熱部材３の第二部材３ｂは含まれない（後述）。積層体Ｗは次の順序で作製される。▲１▼放熱部材２の放熱面２１を下にし、受熱面２２上に半導体チップ１０を、受熱面２２とコレクタ電極１０ｃが接続するよう、接合部材（ハンダ）６を介して接合する。▲２▼半導体チップ１０のゲート電極１０ｇに、制御信号入力用リード５を、ボンディングワイヤ７を介して接続する。▲３▼放熱部材３のうち第一部材３ａのみを、半導体チップ１０上に、受熱面３２とエミッタ電極１０ｅが接続するよう、接合部材（ハンダ）８を介して接続する。そして、このようにして得られた積層体Ｗを、金型１００のキャビティ１００ｃ内にセットして、樹脂注入孔１００ｉより樹脂を注入することで、積層体Ｗの周辺部にモールド樹脂部４を形成するわけであるが、この際、金型１００には第一部材３ａの突出部３９を収納して表面を保護するための凹部１００ｄが、また、凹部１００ｄの開口にはＯリング１００ｒが設けられており、隙間から樹脂が入り込まないような構成になっている。そのため、突出部３９の表面（接合面３３及び上面３１）に樹脂バリを付着させずにモールド樹脂４を形成できる。突出部３９の表面に樹脂バリが付着した場合、後に嵌合される第二部材３ｂへ熱を伝えることが困難となり、放熱部材３の放熱性を低下させてしまうので、突出部３９の表面に樹脂バリを付着させないことが重要である。
【００２５】
なお、従来のような長方形の板状の放熱部材において、上記のようにＯリングを用いて放熱面に樹脂バリを付着させないようにするには、例えば、図７を参照して説明すると（Ｏリングは示していない）、金型１００のキャビティ１００ｃの内周面と、放熱面３１との間にＯリングを配し、金型１００に型締め荷重を加えることにより、これらを密着させてＯリングの内周部に樹脂が入り込まないようにして放熱面３１を保護するといった方法が考えられる。しかし、この場合、型締め荷重は放熱面３１に対して鉛直方向に加わるため、素子１０に荷重が伝わってしまい、素子１０の割れや特性劣化を引き起こす惧れが生じる。しかし、本発明では、第一部材３ａが全体的に柱状（本実施形態においては突出部３９が円柱状、埋設部３８が角柱状）で構成されており、Ｏリング１００ｒは柱状に形成された第一部材３ａの側面（本実施形態では突出部３９の接合面３３）を取り囲むよう配され、上面３１には配されないため、金型１００の型締め荷重がＯリング１００ｒを介して素子１０に加わることがない。また、Ｏリング１００ｒ自身の内周側への締めの力も、柱状に形成された第一部材３ａの軸方向に向かって加わるため、素子１０へは伝わらない。したがって、素子１０の割れや特性劣化の惧れなく、上記のようにＯリング１００ｒを用いることができる。
【００２６】
そして、上記の方法により得られたモールド樹脂部４形成後の積層体Ｗにおいて、モールド樹脂部４の外周面から突出した第一部材３ａの突出部３９を、用意された第二部材３ｂの嵌合孔３７に嵌合させることで、放熱部材３とし、パワーモジュール１が完成する。このように、第二部材３ｂを除いた状態でモールド樹脂部４の形成までを行い、その後第二部材３ｂを、モールド樹脂部４から突出した第一部材３ａの突出部３９に嵌合させるので、第二部材３ｂの放熱面３５には樹脂バリが付着することがなく、また第一部材３ａの突出部３９の表面も樹脂バリが付着していないので、良好な放熱性を有するパワーモジュール１を得ることができる。なお、第二部材３ｂは後から嵌合されるので、放熱面３５の反対側の面３６はモールド樹脂部４に接しているだけである。
【００２７】
本実施形態においては、上記のごとく、エミッタ電極１０ｅに接続される放熱部材３が２種類の部材（第一部材３ａ及び第二部材３ｂ）にて構成されているが、この形態に限らず、放熱部材２を２種類の部材にて構成しても良いし、または両方の放熱部材２及び３をそれぞれ２種類の部材にて構成することもできる。
【００２８】
（第二発明の実施形態）
図２に示すのは、本発明の第二発明の実施形態であるパワーモジュール（半導体装置）１の断面模式図である。以下、主として図１と異なるところを述べ、同一部分は図２中に同一符号を付して説明を簡略化する。図２に示すように、放熱部材３は、上記第一発明の実施形態に示した第一部材３ａと同様の形状を有するものである。つまり、放熱部材３は、モールド樹脂４内に埋設される埋設部３８と、モールド樹脂４の外周面から突出した突出部３９とを備えるものである。そして、本実施形態のパワーモジュール１においては、当該突出部３９を、外部の放熱部材（外部放熱部材）２００に設けられた嵌合孔２０１に嵌合させることができる。その場合、半導体チップ１０が発する熱を、放熱部材３が受け、その熱を突出部３９の接合面３３から外部放熱部材２００に伝えることで、放熱を促進させることができる。
【００２９】
また、外部放熱部材２００の嵌合孔２０１は貫通孔として形成されているため、放熱部材３の突出部３９の上面３１は外部に露出しており、放熱面とされている。なお、嵌合孔２０１の形状は貫通孔に限られることはなく、上側の端面が塞がれていてもよい。その場合、放熱部材３は、専ら外部放熱部材２００に熱を伝える役割を果たすことになる。また、放熱部材３は接合面３３において、外部放熱部材２００の嵌合孔２０１の内周面と接合されているが、この接合に関しても、上記第一発明の場合と同様に、接合材（ハンダ）８や、または「かしめ」等の手段を用いることができる。
【００３０】
上記のようなパワーモジュール１は、放熱部材３が上記第一発明における第一部材３ａと同様の構造を有するため、上述と同様の方法（図４参照）により得ることができる（但し、第二部材３ｂは接合されない）。外部放熱部材２００は、例えば、大電流用のバスバー（上記第一発明における大電流用のリード端子の先に接続されるものに相当する）に嵌合孔２０１を形成した構成とすることができる。なお、この場合は、バスバーごと冷却が行われる。また、外部放熱部材２００に複数の嵌合孔２０１を形成しておき、パワーモジュール１を複数個接続させることが可能である。これにより、外部放熱部材２００上で、例えばブラシレスモータ用の三相インバータ回路の一部を構成することも可能となる。
【００３１】
本実施形態においては、上記のごとく、エミッタ電極１０ｅに接続される放熱部材３が、モールド樹脂部４の外周面から突出する突出部３９を備えるよう構成されているが、この形態に限らず、放熱部材２が突出部３９を備えるよう構成しても良いし、または両方の放熱部材２及び３がそれぞれ突出部３９を備えるよう構成することもできる。
【００３２】
（変形例）
図３に示すのは、本発明の第一発明及び第二発明の変形例であるパワーモジュール（半導体装置）１の断面模式図である。以下、主として図１及び２と異なるところを述べ、同一部分は図３中に同一符号を付して説明を簡略化する。パワーモジュール１は、上記第一発明及び上記第二発明をそれぞれ備えたものとすることが可能である。すなわち、図３に示すように、エミッタ電極１０ｅに接続された放熱部材３が、上記第一発明のごとく２種類の部材（第一部材３ａ及び第二部材３ｂ）から構成され、一方、コレクタ電極１０ｃに接続された放熱部材２が、上記第二発明のごとくモールド樹脂部４の外周面から突出し、外部放熱部材２００の嵌合孔２０１に嵌合することができる突出部２９を備えた構成とすることができる。また、これとは逆に、放熱部材３に第二発明の構成、放熱部材２に第一発明の構成とすることも可能である。これにより、両方の放熱面が露出し、良好な放熱を行うことが可能なうえ、例えば、外部放熱部材２００上で上記のような回路の一部を構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一発明の半導体装置１の実施形態における断面構造を表す模式図
【図２】第二発明の半導体装置１の実施形態における断面構造を表す模式図
【図３】図１及び２の実施形態の半導体装置１の変形例における断面構造を表す模式図
【図４】半導体装置１のモールド樹脂部４の形成前を表す図（金型１００内における）
【図５】放熱部材（もしくは放熱部材の第一部材）を表す模式図
【図６】半導体スイッチング素子１０の断面構造を表す模式図
【図７】従来の半導体装置１´のモールド樹脂部４の形成前を表す図（金型１００内における）
【図８】従来の半導体装置１´の断面構造を表す模式図
【符号の説明】
１      半導体装置（パワーモジュール）
２      放熱部材（コレクタ電極１０ｃ側）
３      放熱部材（エミッタ電極１０ｅ側）
３ａ    放熱部材（エミッタ電極１０ｅ側）を構成する第一部材
３ｂ    放熱部材（エミッタ電極１０ｅ側）を構成する第二部材
３９    突出部
４      モールド樹脂部
５      制御信号入力用リード
６      接合部材（ハンダ）
７      ボンディングワイヤ
８      接合材（ハンダ）
１０    半導体スイッチング素子（半導体チップ）
１０ｃ  コレクタ電極
１０ｅ  エミッタ電極
１０ｇ  ゲート電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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