(57)【要約】【課題】Ａｇ膜を用いる電磁遮蔽膜は、Ａｇ膜に異種金属をドーピングして耐湿性を向上させている。しかし、Ａｇ膜に異種金属をドーピングすると、Ａｇ膜の表面抵抗値の上昇、反射率の上昇等の不具合を生じ、ＰＤＰ等の表示装置の前面に用いることが困難であった。【解決手段】基体上にＡｇ膜と酸化物膜が交互に成膜されてなる電磁遮蔽膜において、Ａｇ膜と酸化物膜の間に、Ａｌを１〜１０原子％含有したＡｌ含有酸化亜鉛膜が成膜されてなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。また、前記電磁遮蔽膜において、最上層が酸化物膜でなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上にＡｇ膜と酸化物膜が交互に成膜されてなる電磁遮蔽膜において、Ａｇ膜と酸化物膜の間に、Ａｌを１〜１０原子％含有したＡｌ含有酸化亜鉛膜が成膜されてなることを特徴とする電磁遮蔽膜。
【請求項２】
最上層が酸化物膜でなることを特徴とする請求項１に記載電磁遮蔽膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置、特にプラズマディスプレイ（以後ＰＤＰと称す）等の前面に用いられる電磁遮蔽膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基体上に酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜を順に３層積層したもの、または酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜、Ａｇ膜、酸化物膜を順次５層積層したもの等、酸化物膜、Ａｇ膜が交互に積層され最上層膜が酸化物膜でなる（２ｎ＋１）層（ｎ≧１）積層されたものが、表示装置、特にＰＤＰから漏洩する電磁波を遮断するための電磁遮蔽膜として使用されている。
【０００３】
また、ＰＤＰ前面フィルター用電磁遮蔽膜として、透明基体／ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ（特許文献１）、あるいは、透明基体／ＴｉＯ２／Ａｇ／ＴｉＯ２という膜構成を有するものが挙げられる（特許文献２）。
【０００４】
しかし、このような膜では耐久性、特に耐湿性に問題があり、空気中の湿度により白色斑点や白濁を生じる。これらの白色斑点や白濁は空気中の水分によりＡｇの凝集が促進され、Ａｇの塊ができることにより生じると考えられている。
【０００５】
これを防ぐために従来技術ではＡｇ膜に種々の金属をドーピングすることにより、Ａｇの凝集を抑制し、これにより電磁遮蔽膜の耐湿性を向上させる方法が知られている。（特許文献３）
【０００６】
【特許文献１】
特許第３００４２７１号公報
【特許文献２】
特開２０００−２４６８３１号公報
【特許文献３】
特開平９−２９１３５５号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
Ａｇ膜に異種金属をドーピングすると、Ａｇ膜の表面抵抗値の上昇、反射率の上昇等の不具合を生じ、ＰＤＰ等の表示装置の前面に用いることが困難であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電磁遮蔽膜は、基体上にＡｇ膜と酸化物膜が交互に成膜されてなる電磁遮蔽膜において、Ａｇ膜と酸化物膜の間に、Ａｌを１〜１０原子％含有したＡｌ含有酸化亜鉛膜が成膜されてなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。
【０００９】
また、前記電磁遮蔽膜において、最上層が酸化物膜でなることを特徴とする電磁遮蔽膜である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の電磁遮蔽膜は、図１に示すように、基体１上に酸化物膜２とＡｇ膜３とが交互に２ｎ層（ｎ≧１）積層され、最上層が酸化物膜でなり、さらに、Ａｇ膜と酸化物膜の間に、Ａｌ含有酸化亜鉛膜を積層し、（４ｎ＋１）層でなる。
【００１１】
透明基体としては、ガラスの他に、樹脂フィルム、プラスチック板等の可視光に透明なものが使用できる。また、強化された強化ガラス（例えば、表面圧縮応力が１００ＭＮ／ｍ２程度）、或いは半強化ガラス（例えば、表面圧縮応力が４０〜８０ＭＮ／ｍ２程度）を用いると、ガラスが割れにくいのでより好ましい。
【００１２】
また、表示装置に用いられる前面板ガラス自体を透明基体として利用することもできる。
【００１３】
酸化物膜はＩＴＯ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ等である。
【００１４】
Ａｌ含有酸化亜鉛膜は、Ａｌを１〜４原子％ドープしたＺｎＯターゲット（以下ＡｌＺｎＯターゲットと呼ぶ）を用い、スパッタリング装置によって成膜することができる。スパッタリングを行うときの真空チャンバー内の圧力は、２×１０―4Ｐａ以下とすることが好ましい。
【００１５】
酸素ガスを多量に使用する反応性スパッタをもちいて、Ａｇ膜に酸化物膜を成膜すると、Ａｇが酸化されてしまい、目的の電磁遮蔽膜を作製することはできない。
【００１６】
本発明の電磁遮蔽膜は、前述するＡｌＺｎＯターゲットを用いて、Ａｇ膜にＡｌ含有酸化亜鉛膜を形成下後、酸化物膜を成膜するため、前述するＡｇ膜の酸化が防げるので、反応性スパッタで酸化物膜を成膜することができる。
【００１７】
本発明の電磁遮蔽膜は、Ａｌ含有酸化亜鉛膜をＡｇ膜と酸化物膜との間に設けるものであるが、酸化物層のないＡｇ膜をＡｌ含有酸化亜鉛膜で挟んだものも、金属層の耐湿性を向上させた電磁遮蔽膜として用いることが可能である。
【００１８】
【実施例】
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００１９】
実施例１
透明基体として、大きさが１０００ｍｍ×５８０ｍｍ×約３ｍｍ（厚さ）のフロートガラス基板（可視光線透過率：９０.４％、ガラスの周縁部の黒枠プリントおよびブスバー付き、半強化加工品）の表面上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて成膜した。
【００２０】
先ず、スパッタリング装置のカソードに予めＩＴＯターゲット、Ａｇターゲット、Ａｌを４原子％ドープしたＺｎＯターゲット(以下ＡＺＯターゲット)を取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を行った。成膜は以下の順で行った。
【００２１】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３とした後、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２２】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２３】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２４】
(4)成膜室の雰囲気を再びＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２５】
(5)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００２６】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＩＴＯ(４０ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／ＩＴＯ(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００２７】
耐湿性は、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿性試験を行い、評価した。評価基準は、直径１ｍｍ以上の白色斑点が現れなければ○（実用上問題なし）とした。
【００２８】
作製した電磁遮蔽膜について、耐湿試験後の外観は、ごく微少の斑点は見られたものの、１ｍｍ以上の目立った白色斑点および白濁は観察されず良好であった。
【００２９】
実施例２
実施例１と同じ成膜基板を用い、スパッタ装置のカソードに予めＤＣスパッタリングが可能になるように、ＴｉＯ2の化学量論組成よりも酸素の少ないターゲット組成に設計して導電性を持たせたＴｉＯｘターゲット(１＜ｘ＜２)、Ａｇターゲット、ＡＺＯターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を充分に行った。
【００３０】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９８：２としたのち、ＴｉＯｘターゲットに所定の電力を印加しＴｉＯ2の膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３１】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３２】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３３】
(4)成膜室の雰囲気を再びＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加し、ＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３４】
(5)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９８：２としたのち、ＴｉＯｘターゲットに所定の電力を印加しＴｉＯ2の膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００３５】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＴｉＯ2(４０ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／ＴｉＯ2(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００３６】
上記電磁遮蔽膜について、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を行った。耐湿試験後の外観は、ごく微少の斑点は見られたものの、１ｍｍ以上の目立った白色斑点および白濁は観察されず良好であった。
【００３７】
実施例３
実施例１と同じ成膜基板を用い、スパッタ装置のカソードに予めＺｎターゲット、Ａｇターゲット、ＡＺＯターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を充分に行っい、次の手順で電磁遮蔽膜を作製した。
【００３８】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝１０：９０としたのち、Ｚｎターゲットに所定の電力を印加しＺｎＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。ここでは成膜時の雰囲気ガスとして酸素を導入し金属のＺｎターゲットからＺｎＯ膜を成膜する反応性スパッタリングを行っている。
【００３９】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４０】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４１】
(4)成膜室の雰囲気を再びＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＡＺＯターゲットに所定の電力を印加しＡＺＯの膜厚が５ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４２】
(5)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝１０：９０としたのち、Ｚｎターゲットに所定の電力を印加しＺｎＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４３】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＺｎＯ(４０ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＡＺＯ(５ｎｍ)／ＺｎＯ(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００４４】
上記電磁遮蔽膜について、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を行った。耐湿試験後の外観は、ごく微少の斑点は見られたものの、１ｍｍ以上の目立った白色斑点および白濁は観察されず良好であった。
【００４５】
比較例１
実施例１と同じ成膜基板を用い、スパッタ装置のカソードに予めＩＴＯターゲット、Ａｇターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が２×１０―4Ｐａ以下となるように真空チャンバー内の排気を充分に行った。
【００４６】
(1)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４７】
(2)成膜室の雰囲気をＡｒ１００％としたのち、Ａｇターゲットに所定の電力を印加し、金属層の膜厚が１２ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４８】
(3)成膜室の雰囲気をＡｒ：Ｏ2＝９７：３としたのち、ＩＴＯターゲットに所定の電力を印加しＩＴＯの膜厚が４０ｎｍとなるようにガラス基板の搬送速度を調節して成膜を行った。
【００４９】
以上のようにガラス基板上にＧ／ＩＴＯ(４０ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＩＴＯ(４０ｎｍ)という膜構成が形成された電磁遮蔽膜を作製した。
【００５０】
上記電磁遮蔽膜について、６０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に６日間放置するという耐湿試験を行った。耐湿試験後の外観は、１ｍｍ以上の白色斑点が無数に現れ、また全面に白濁が観察された、実用不可能な電磁遮蔽膜であった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の電磁遮蔽膜は、ＰＤＰ等の表示装置に用いるための耐湿性に優れた電磁遮蔽膜を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電磁遮蔽膜の構成を示す概念図である。
【符号の説明】
１      基体
２      Ａｇ膜
３      酸化物膜
４      Ａｌ含有酸化亜鉛膜
【図１】
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