(57)【要約】【課題】絶縁物、あるいは、半導体試料に一次荷電粒子ビームを照射して試料から得られる信号を検出する走査荷電粒子ビーム装置において、試料の帯電現象を著しく少なくすることができる走査荷電粒子ビーム装置を実現する。【解決手段】試料に向けて電子ビームを照射する補助電子照射器１５が一次電子ビームＥＢが照射される電子光学系の光軸Ｏ１に対して角度θ傾けられて設けられている。補助電子照射器１５の電子銃１６から発生し加速された電子ビームＥＢ２は、対物レンズ１７によって試料２上に集束される。この対物レンズ１７による電子ビームＥＢ２の集束の度合いは、対物レンズ制御器２０によって制御されている。また、電子銃１６から放射される電子ビームＥＢ２は、ブランキング電極１８によって必要時に偏向され、制限絞り１９によって試料２への照射が遮蔽される。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次荷電粒子ビームを発生し加速して試料上に照射し、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を走査して試料から発生した情報を検出し、検出信号に基づいて試料の走査像を得るようにした走査荷電粒子ビーム装置において、一次荷電粒子ビームの光軸と６０°以上の角度で電子ビームを試料に照射する電子照射器を設け、一次荷電粒子ビームの試料上の照射範囲を内包するように電子照射器からの電子ビームを試料上に照射するように構成した走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
一次荷電粒子ビームを走査する走査信号に同期して、電子照射器からの電子ビームの照射をオンオフし、走査信号のブランキング期間に電子ビームの試料への照射を行うようにした請求項１記載の走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
一次荷電粒子ビームを走査する走査信号に同期して、電子照射器からの電子ビームの照射をオンオフし、走査信号のブランキング期間は電子ビームの照射をオンとし電子ビームの試料への照射を行うようにした請求項２記載の走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
一次荷電粒子ビームを走査する走査信号に同期して、電子照射器からの電子ビームの照射をオンオフし、電子照射器からの電子ビームの照射がオフのときに一次荷電粒子ビームによって試料上を走査するようにした請求項２記載の走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
一次荷電粒子ビームを走査する走査信号に同期して、電子照射器からの電子ビームの照射をオンオフし、電子照射器からの電子ビームの照射がオフのときに一次荷電粒子ビームによって試料を加工するようにした請求項２記載の走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
試料が特定方向に傾斜されるように構成され、試料の傾斜方向に直交する方向に電子照射器を設けるようにした請求項１および２記載の走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
一次荷電粒子ビームの照射密度をＳ、電子照射器からの電子ビームの照射密度をＡとした場合、Ｓ／Ａ＜１とした請求項１〜６の何れかに記載の走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
一次荷電粒子ビームは電子ビームである請求項１〜７の何れかに記載の走査荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
一次荷電粒子ビームを発生し加速して試料上に照射し、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を走査して試料から発生した情報を検出し、検出信号に基づいて試料の走査像を得るようにした走査荷電粒子ビーム装置において、一次荷電粒子ビームの光軸と特定角度θ以上の角度で電子ビームを試料に照射する電子照射器を設け、一次荷電粒子ビームの試料上の照射範囲を内包するように電子照射器からの電子ビームを試料上に照射するように構成すると共に、Ｓを一次荷電粒子ビームの試料上の走査領域の面積、Ａを電子照射器からの電子ビームの試料上の照射領域の面積とした場合、θ＞６０°、Ｓ／Ａ＜０．９８とした走査荷電粒子ビーム装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビームの照射によって試料表面に帯電した電荷を中和させることができる走査電子顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】
走査電子顕微鏡では、電子銃から発生し加速された電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズによって試料上に細く集束している。そして電子ビームを走査コイルによって試料上で２次元的に走査し、電子ビームの走査部分から発生した２次電子等を検出している。
【０００３】
検出された２次電子信号は、映像信号として電子ビームの２次元走査に同期したディスプレイに供給される。その結果、高い倍率で試料の表面構造の状態の観察を行なうことができ、広い産業分野で研究や検査目的で使用されている。
【０００４】
このような走査電子顕微鏡において、試料が導電性の物質である場合には、２次電子の発生に貢献した入射電子ビームは、試料を通ってアースに流れ、試料表面は常に電荷が帯電していない状態を保つことができる。その一方、試料が絶縁物や表面が半導体である場合には、例えば、試料に照射される電子ビームの加速電圧によって、入射電子より少ない２次電子が発生する試料の場合には、試料表面が負の電荷によって帯電する。逆に、電子ビームの加速電圧によって、入射電子より多い２次電子が発生する試料の場合には、試料表面は正の電荷によって帯電する。
【０００５】
例えば、負の電荷によって帯電した試料上で一次電子ビームを走査し、試料からの２次電子を検出して２次電子像を得ても、試料の帯電部分は明るく光ってしまい、試料表面の状態の観察が不可能となる。逆に、正の電荷によって帯電した試料上で一次電子ビームを走査し、試料からの２次電子を検出して２次電子像を得ても、試料の帯電部分は暗く表示され、この場合でも試料表面の状態の観察が不可能となる。
【０００６】
上記した例は走査電子顕微鏡のケースであるが、集束イオンビームを絶縁物試料に照射し、試料上の特定箇所を精度良く加工したい場合、イオンビームの照射に伴って試料上が正の電荷によって帯電する。このようなケースでは、試料に照射される集束イオンビームが試料上の帯電による電界によって試料上の照射径が太くなり、精密な試料の加工が不可能となる。
【０００７】
このような現象から、試料の帯電を中和し、帯電のない状態で試料の観察を行なう試みがなされている。その一例としては、試料表面が負に帯電した場合、電子光学系のほかにイオン銃を試料近傍に配置し、電子光学系の光軸の斜めの方向から、電子ビームが照射され帯電している試料表面領域にイオンビームを照射するようにしている。この場合、帯電している負の電荷量に相当する電流量のイオンビームを試料に照射すれば、試料表面の電荷は中和され、帯電のない状態で試料の観察を行なうことができる。
【０００８】
図１は上記した帯電の中和を行うようにした走査電子顕微鏡の一例を示している。図において、図示していない電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ（図示せず）と対物レンズ１によって試料２上に細く集束される。更に、一次電子ビームＥＢは、例えば２段の偏向コイルより成る走査器３によって偏向され、試料２上の所定領域で２次元的に走査される。
【０００９】
偏向器３の上部には、一次電子ビームのブランキングを行うためのブランキング電極４と、ブランキング電極４によって偏向された一次電子ビームを遮蔽する制限絞り５が設けられている。前記走査器３には、一次電子ビームの走査で行なうための走査信号を発生する走査制御器６が接続されている。また、ブランキング電極４には、電子ビームをブランキングするためのブランキング信号を発生するブランキング制御器７が接続されている。
【００１０】
走査制御器６とブランキング制御器７とは同期して動作し、走査制御器６から偏向器３に供給される走査信号のブランキング期間、ブランキング制御器７からブランキング電極４にブランキング信号を供給する。この結果、一次電子ビームＥＢは、試料上の一水平走査が終了した後、次の水平走査を開始するまでの帰線期間、ブランキング電極４によって偏向され、制限絞り５によって試料２への電子ビームの照射が制限される。
【００１１】
試料２への一次電子ビームＥＢの照射によって試料から２次電子８が発生する。この２次電子８は、２次電子検出器９に導かれて検出される。２次電子検出器９の検出信号は、輝度やコントラストの調整を施された後、走査制御器６からの走査信号と同期して動作する陰極線管等の表示装置（図示せず）に供給されることから、表示装置には、試料の一次電子ビームの走査領域の２次電子像が表示される。なお、ディジタル化した走査電子顕微鏡では、２次電子検出信号は、ＡＤ変換され、フレームメモリーに供給されて記憶される。
【００１２】
さて、一次電子ビームＥＢが照射される試料２が絶縁体試料の場合、一次電子ビームの照射によって徐々に負の電荷が蓄積し、電子ビームの走査領域を主として帯電現象が発生する。この帯電を防止するため、試料表面に斜めからイオンビームＩＢを照射するためのイオン銃１０が設けられている。この結果、負に帯電した試料表面は、イオン銃１０からの正のイオンビームＩＢの照射によって中和され、帯電が防止されて、試料表面の明瞭な像を得ることができる。
【００１３】
上記したように、試料表面の帯電をイオンビームの照射によって防止する方式以外に、特許文献１に記載されているように、低加速の電子ビームを試料に照射する電子光学系にプラスして、高加速の電子ビームを試料に照射する電子光学系を設け、低加速の電子ビームが走査される試料上の範囲に、高加速の電子ビームを同時にまたは前もって照射する方式が提案されている。
【００１４】
このように、試料の表面から基板へ電子・正孔対を生成させるエネルギーを有した高加速の電子ビームを試料に照射すると、低加速の電子ビームが走査される範囲の試料の絶縁体膜に導電性が生じる。この結果、低加速の電子ビームを試料に照射することによって絶縁体膜に生じた電荷は、導電性を有する基板側に流れて、試料の帯電が防止される。なお、この際、高加速電子ビームの照射により、低加速電子ビームの走査範囲内の試料から電子が放出されることもあるが、走査範囲内に一様に高加速電子ビームが照射されているので、高加速電子ビームによる放出電子の量は一定であり、一様なバックグラウンドとして処理できる。
【００１５】
【特許文献１】
特開平７―１５３４１１号公報（図１）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記した第１の方式、すなわち、イオンビームを試料に照射して、イオンビームの正の電荷により、負に帯電した試料上の電荷を中和する方式では、イオンビームの照射によって試料が汚染されたり、破壊されたりする問題点があった。この試料の破壊を防ぐためにイオンビームの電流量を少なくすれば、イオンビームの電荷量が小さすぎて、帯電を充分に中和できないという問題も生じている。
【００１７】
特許文献１に記載された第２の方式では、絶縁物試料に高加速の電子ビームを照射して試料の観察領域部分に導電性を持たせるようにしている。しかしながら、絶縁物試料の材質や厚さによっては、導電性基板に達する部分まで試料を導電性にすることができなかったり、試料に照射される電流量が多くなりすぎて負に帯電してしまう恐れも生じる。そのため、導電性を持たせるための加速電圧や照射する電子ビームの電流量を調整しなければ、試料によっては充分に帯電を防止することが困難と成る。
【００１８】
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、その目的は、絶縁物、あるいは、半導体試料に一次荷電粒子ビームを照射して試料から得られる信号を検出する走査荷電粒子ビーム装置において、試料の帯電現象を著しく少なくすることができる走査荷電粒子ビーム装置を実現するにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明に基づく走査荷電粒子ビーム装置は、一次荷電粒子ビームを発生し加速して試料上に照射し、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を走査して試料から発生した情報を検出し、検出信号に基づいて試料の走査像を得るようにした走査荷電粒子ビーム装置において、一次荷電粒子ビームの光軸と６０°以上の角度で電子ビームを試料に照射する電子照射器を設け、一次荷電粒子ビームの試料上の照射範囲を内包するように電子照射器からの電子ビームを試料上に照射するように構成し、絶縁体や半導体試料の観察を試料上の帯電を著しく少なくした状態で行なう。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図を参照して詳述する。図２は本発明に基づく走査電子顕微鏡を示す図であり、図１に示した走査電子顕微鏡の構成要素と同一あるいは類似の構成要素には同一番号を付してある。図２において、図示していない電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ（図示せず）と対物レンズ１によって試料２上に細く集束される。更に、一次電子ビームＥＢは、例えば２段の偏向コイルより成る走査器３によって偏向され、試料２上の所定領域で２次元的に走査される。
【００２１】
走査器３の上部には、一次電子ビームのブランキングを行うためのブランキング電極４と、ブランキング電極４によって偏向された一次電子ビームを遮蔽する制限絞り５が設けられている。前記走査器３には、一次電子ビームの走査で行なうための走査信号を発生する走査制御器６が接続されている。また、ブランキング電極４には、電子ビームをブランキングするためのブランキング信号を発生するブランキング制御器７が接続されている。
【００２２】
走査制御器６とブランキング制御器７とは同期して動作し、走査制御器６から走査器３に供給される走査信号のブランキング期間、ブランキング制御器７からブランキング電極４にブランキング信号を供給する。この結果、一次電子ビームＥＢは、試料上の一水平走査が終了した後、次の水平走査を開始するまでの帰線期間、ブランキング電極４によって偏向され、制限絞り５によって試料２への電子ビームの照射が制限される。
【００２３】
試料２への一次電子ビームＥＢの照射によって試料から２次電子８が発生する。この２次電子８は、２次電子検出器９に導かれて検出される。２次電子検出器９の検出信号は、輝度やコントラストの調整を施された後、走査制御器６からの走査信号と同期して動作する陰極線管等の表示装置（図示せず）に供給されることから、表示装置には、試料の一次電子ビームの走査領域の２次電子像が表示される。なお、ディジタル化した走査電子顕微鏡では、２次電子検出信号は、ＡＤ変換され、フレームメモリーに供給されて記憶される。
【００２４】
この図２に示した実施の形態では、試料に向けて電子ビームを照射する補助電子照射器１５が一次電子ビームＥＢが照射される電子光学系の光軸Ｏ１に対して角度θ傾けられて設けられている。補助電子照射器１５は、電子を発生させて加速する電子銃１６、電子銃から発生し加速された電子ビームＥＢ２を適宜集束させる対物レンズ１７と、電子銃１６からの電子ビームをブランキングするためのブランキング電極１８と制限絞り１９とより構成されている。
【００２５】
この補助電子照射器１５の対物レンズ１７には、対物レンズの励磁を適宜制御するための対物レンズ制御器２０が接続されており、また、ブランキング電極１８には、ブランキング信号を発生するブランキング制御器２１が接続されている。この対物レンズ制御器２０とブランキング制御器２１は、試料２への一次電子ビームＥＢ１のブランキング制御器７と共に、電子照射制御器２２によって制御される。
【００２６】
この補助電子照射器１５の電子銃１６から発生し加速された電子ビームＥＢ２は、対物レンズ１７によって試料２上に集束される。この対物レンズ１７による電子ビームＥＢ２の集束の度合いは、対物レンズ制御器２０によって制御されている。また、電子銃１６から放射される電子ビームＥＢ２は、ブランキング電極１８によって必要時に偏向され、制限絞り１９によって試料２への照射が遮蔽される。なお、補助電子照射器１５は、試料２が傾斜させられる構成の走査電子顕微鏡においては、試料の傾斜方向と直交する方向に配置され、試料２と電子照射器とが衝突しないような工夫が必要である。
【００２７】
図３は、一次電子ビームＥＢ１の試料２上の照射領域２５と、補助電子照射器１５からの電子ビームＥＢ２の照射領域２６の位置関係を示している。図に示すように、一次電子ビームＥＢ１の走査領域２５の中心と電子ビームＥＢ２の照射領域２６の中心とは一致させられている。また、一次電子ビームＥＢ１の走査領域２５を包含するように、補助電子照射器１５からの電子ビームＥＢ２の照射領域の大きさは、対物レンズ制御器２０により対物レンズ１７を制御することによって決められる。なお、一次電子ビームＥＢ１の光学系の光軸Ｏ１と、補助電子照射器１５の光軸Ｏ２との間の角度は、６０°以上となるように構成されている。
【００２８】
図４は各制御器への制御信号のタイミングチャートを示しており、図４（ａ）は走査制御器６の制御信号であり、図４（ｂ）はブランキング制御器７の制御信号であり、図４（ｃ）はブランキング制御器２１の制御信号を示している。なお、走査制御器６からの走査信号には、水平走査信号と垂直走査信号とがあるが、この後の動作においては、そのどちらの信号であっても良い。
【００２９】
図４（ａ）の走査信号には、水平方向または垂直方向の走査の折り返しで、試料を走査しない期間［ｔａ，ｔｂ］がある。この期間ブランキング制御器６の制御信号はオンとなり、一次電子ビームＥＢ１はブランキング電極４によって偏向される。また、この期間、ブランキング制御器２１の制御信号はオフとなり、補助電子照射器１５からは電子ビームＥＢ２が発生し、試料２に照射される。このタイミングは、電子照射制御器２２によって制御されている。
【００３０】
ここで、図５に電子ビームの加速電圧に対する試料が水平に配置されているときの２次電子発生効率を示す。この図５で横軸は電子ビームの加速電圧であり、縦軸は２次電子の発生効率である。電子ビームの加速電圧の変化に伴う２次電子の発生効率は、試料の材質により相違するものの、おおよそ図５に示すような曲線を描く。
【００３１】
すなわち、２次電子発生効率が１とになるときが、試料表面電位が中立となるときであるが、単位面積あたりの注入電子量をｎ１、単位面積あたりの出射電子量をｎ２としたとき、ｎ２／ｎ１＝１のときに２次電子発生効率が１となる。２次電子発生効率が１より小さいと、注入電子の寄与の方が多くなり、試料表面は負に帯電する。逆に、２次電子発生効率が１より大きいと、出射電子の方が多くなり、試料表面は正に帯電する。この図５に示すように、２次電子発生効率が１となる加速電圧は通常２点（Ｅ１，Ｅ２）あり、その２点における電子ビームの加速電圧はおおよそ１０ｋＶ以下である。
【００３２】
次に、図６に試料２に一次電子ビームＥＢ１を照射した場合の試料２内の２次電子発生領域３１を示す。図６（ａ）は、試料２を水平に保った状態であり、図６（ｂ）は、試料２を傾斜させた状態を示している。この図６に示すように、試料２を傾斜させた方が、試料面３２が２次電子発生領域３１に近づき、２次電子発生量が増加する。
【００３３】
非特許文献である（‘Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｉｎ  ｔｈｅ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｐｅ’，Ｊ．Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ５４（１１），  Ｎｏｖｅｍｂｅｒ  １９８３）に述べられているように、試料傾斜による２次電子発生量の変化は、次の式（１）のように表される。
【００３４】
δ（θ）＝δ０・（ｃｏｓθ）−ｎ，    δ０＝δ（θ＝０）  ……  （１）
ここで、θは、一次電子ビームＥＢ１に対する角度で、δ（θ）は試料の傾斜角がθ時の２次電子量、δ０は傾斜角が０の時の２次電子量である。ｎは試料の材質による２次電子発生効率を表すパラメータであるが、通常は‘１’とみなして良い。時間的なダイナミックスを無視した電子注入量と射出電子量との関係が、次に示す式（２）を満たしていれば、試料表面の負電荷が解消されたことになる。
【００３５】
（単位面積あたりの注入電子量）＜（単位面積あたりの射出電子量）…（２）
すなわち、次の式（３）が得られる。なお、試料は水平に配置されているとする。
【００３６】
Ｉ０／Ｓ＋Ｉ１／Ａ＜｛（ｋＩ０）／Ｓ＋（ｋＩ１）／Ａ」｝ｃｏｓ−１θ…（３）
上式において、
Ｉ０は一次電子ビームＥＢ１による注入電子量
Ｉ１は電子照射器１５による注入電子量
Ｓは一次電子ビームＥＢ１の走査領域の面積
Ａは電子照射器１５からの電子ビームＥＢ２の照射領域の面積
ｋは一次電子ビームＥＢ１に対する２次電子の発生割合（効率）
θはＥＢ１に対する電子照射器１５の電子ビームＥＢ２照射の角度
である。式（３）における両辺の第２項は、電子照射器１５からの電子ビームＥＢ２が寄与する項で、これを省くと、左辺と右辺は次のようになる。
【００３７】
左辺＝Ｉ０／Ｓ，      右辺＝ｋ・（Ｉ０／Ｓ）
上記式から、ｋ≦１であると、式（３）の不等式が成立しない。今、電子照射器１５を動作させないで試料２が負に帯電している状況を考えるために、ｋ＝０．５とする。この時、式（３）は次の式（４）となる。
【００３８】
ＣＯＳθ＜１／（Ｒ＋２）  …  （４）
ただし、
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上記したＲの定義から、Ｒ＞０である。例えば、Ｒ＝０とすると、式（４）からθ＞６０°であることが少なくとも必要であることが分かる。ここで、Ｒ＝０の状態とは、Ｒの定義から電子照射器１５からの注入電子ビームの照射密度を限りなく大きくすることになり、現実的ではない。
【００３９】
また、電子照射器１５を取りつけるためには、取りつけるための空間を確保する必要があり、θは７０°以下が実現できる角度である。このθ＝７０°のとき、式（４）から、Ｒ＜０．９８となり、この条件はＲの定義から実現できる値である。したがって、式（４）から現実的に実現できる条件として、θとＲの範囲は次の通りであることが分かる。
【００４０】
６０°＜θ＜７０°、    ０＜Ｒ＜０．９４
ここで、θの上限は特に限定する必要はなく、かつＲは正の値であることは自明であるため、
６０°＜θ、    Ｒ（＜０．９４）＞１
として差し支えない。このとき、式（４）は０．５＜２／（Ｒ＋２）、すなわち、Ｒ＝２となる。
【００４１】
説明から、次の式（５）を満たすことによって、試料２上の帯電を中和することができる。
【００４２】
（Ａ／Ｓ）（Ｉ０／Ｉ１）＝２  …  （５）
この式（５）から帯電の中和条件は、一次電子ビームＥＢ１の走査領域２５と電子照射器１５からの電子ビームＥＢ２の照射面積２６との面積比、および、両電子ビームの注入電子量比による。
【００４３】
今、Ａ／Ｓ＝１となるように、対物レンズ制御器１５によって電子照射器１５からの電子ビームＥＢ２による試料上の電子照射領域の大きさを制御する。このとき、式（５）の不等式が成立するためには、Ｉ１＞０．５＞Ｉ０であれば良い。この条件は、電子照射系１５の電子銃１６のフィラメント温度を調整することによって実現することができる。もちろん、電子照射器１５内にコンデンサレンズと絞りを設け、コンデンサレンズの強度に応じて絞りを通過する電子の量を調整するようにしても良い。
【００４４】
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されず幾多の変形が可能である。例えば、走査電子顕微鏡を例に説明したが、電子プローブマイクロアナライザーやオージェスペクトロメーター等の電子ビームを走査する電子ビーム応用装置や、イオンビームを試料上で走査し、２次イオンや２次電子を検出する走査イオンビーム装置で絶縁物試料や半導体試料を観察や分析する場合にも使用することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に基づく走査荷電粒子ビーム装置は、一次荷電粒子ビームを発生し加速して試料上に照射し、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を走査して試料から発生した情報を検出し、検出信号に基づいて試料の走査像を得るようにした走査荷電粒子ビーム装置において、一次荷電粒子ビームの光軸と６０°以上の角度で電子ビームを試料に照射する電子照射器を設け、一次荷電粒子ビームの試料上の照射範囲を内包するように電子照射器からの電子ビームを試料上に照射するように構成した。
【００４６】
その結果、絶縁体や半導体試料の観察を試料上の帯電を著しく少なくした状態で行なうことができ、帯電現象によって像が明るく光って観察されたり、逆に暗くなって試料の表面状態が観察できなくなることが防止される。また、一次荷電粒子ビームによって試料の微細な加工を行う場合でも、イオンビームが帯電現象によってそのスポット径が太くなったり、加工状態を試料からの２次イオンや２次電子を検出し、その検出信号で観察する場合でも、試料の帯電がほとんどなくなるので、加工状態を詳細に観察することができる。
【００４７】
更に、帯電を中和するためにイオンビームを試料に照射しないので、試料がイオンビームによって破壊されたりしてその表面状態が変化することも防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の試料の帯電を中和するためにイオンビームを用いるようにした走査電子顕微鏡を示す図である。
【図２】本発明に基づく走査電子顕微鏡の一例を示す図である。
【図３】試料上に照射される２種の電子ビームの照射状態を示す図である。
【図４】一次電子ビームの走査信号と２種の電子ビームのブランキング信号のタイミング図である。
【図５】電子ビームの加速電圧に対する試料の２次電子発生効率を示す図である。
【図６】試料２に一次電子ビームを照射した場合の試料内の２次電子発生領域を示す図である。
【符号の説明】
１  対物レンズ
２  試料
３  走査器
４  ブランキング電極
５  制限絞り
６  走査制御器
７  ブランキング制御器
８  ２次電子
９  ２次電子検出器
１５  電子照射器
１６  電子銃
１７  制限絞り
１８  ブランキング電極
１９  対物レンズ
２０  対物レンズ制御器
２１  ブランキング制御器
２２  電子照射制御器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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