(57)【要約】【課題】光磁気記録媒体を用いた情報の記録方法であって、磁界強度変調方式で情報のオーバーライトが可能な情報の記録方法を提供する。【解決手段】垂直磁化膜からなる記録層と自発磁化を有する補助磁性膜とを備え、昇温時にキュリー温度以下の温度でＭ−Ｈループの角形比が１の状態から１と０の中間状態に変化する磁気特性を有する光磁気記録媒体を用いる。この光磁気記録媒体を昇温しつつ、磁界強度変調方式で情報のオーバーライトを行う。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板上に垂直磁化膜からなる記録層を備えた光磁気記録媒体に対する情報の記録方法であって、
　該光磁気記録媒体は、少なくとも該記録層と、自発磁化を有する補助磁性膜とを備え、
　昇温時にキュリー温度以下の温度でＭ−Ｈループの角形比が１の状態から１と０の中間状態に変化する磁気特性を有し、
　該媒体を昇温しつつ磁界強度変調方式で情報のオーバーライトを行うことを特徴とする情報の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、情報の記録方法に係り、特に、光磁気記録媒体を用いた情報の記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　光磁気記録媒体を用いた情報記録システムが実用化の段階に入り、オーバーライト機能、すなわち情報が記録されたエリアに新たな情報を再書き込みする場合、先に記録された情報を一旦消去した後に新たな情報を書き込むのではなく、先に記録された情報を消去しつつ同時に新たな情報を記録し得る機能を有する光磁気記録媒体の開発がますます重要な技術的課題になっている。
【０００３】
　光磁気記録媒体のオーバーライト記録方式としては、現在のところ、光磁気記録媒体に一定強度の外部磁界を印加しつつ、２値化された情報信号の“０”又は“１”に対応してパルス状に強度変調された記録用光を走査し、情報を記録する光強度変調方式が最も注目されている。光強度変調方式のオーバーライト記録を可能にした光磁気記録媒体としては、例えば特開昭６２−１７５９４８号公報に記載されているもの、あるいは例えば国際公開番号ＷＯ９０／０２４００に記載されているものなどがある。
【０００４】
　なお、光磁気記録媒体は、基板上に担持された磁性層に情報信号に対応する反磁区（磁化ドメイン）を形成して情報の記録を行い、このようにして情報が記録された磁性層に直線偏光を照射したとき、磁性層の磁化の向きによって反射光のカー回転角が変化することを利用して情報の再生を行うものである。磁性層に反転磁区を形成する方式には、いわゆる光強度変調方式と磁界強度変調方式とがあるが、いずれの方式においても、磁性層をキュリー温度近傍あるいはそれ以上に昇温しなくてはならない。また、光磁気記録媒体は、情報の消去と再記録とを繰り返し行うことができるイレーザブルタイプの情報記録媒体であり、情報の消去を行う場合にも磁性層をキュリー温度近傍あるいはそれ以上に昇温しなくてはならない。従来より、磁性層の昇温は、磁性層にレーザビームを合焦することによって行われている。
【０００５】
　かように光磁気記録媒体は、磁性層を所定温度まで昇温することによって情報の記録と消去とを行うから、所望のデータ転送速度を得るためには、磁性層のキュリー温度と、磁性層に接する部分の熱伝導率と、磁性層に照射されるレーザビームの強度と、光磁気記録媒体上を走行するレーザビームスポットの線速度とをバランス良く設定しなくてはならない。
【０００６】
　従来より実用化されている５インチの光磁気ディスクは、３０〜４０ｍＷの半導体レーザが搭載された光磁気ディスク駆動装置に装着されて２４００ｒｐｍで回転駆動され（角速度一定）、レーザビームスポットの線速度が最も高くなる（１５０ｍ／ｓ）最外周記録領域において最適な状態で情報の記録及び消去が行えるように、磁性層のキュリー温度と磁性層に接する部分の熱伝導率とが設定されている。なお、これに関連する従来技術としては、例えば特開昭５６−４０９０号公報、特開昭５６−５４０７０号公報、特開昭５７−１２０２５３号公報、特開昭５７−１６９９９６号公報などを挙げることができる。
【０００７】
　また、従来より、例えば「わかりやすい光ディスク」、株式会社オプトロニクス、昭和６０年１２月１０日発行、第５２頁に記載されているように、２枚の光磁気記録単板の透明基板及び記録面同士を接着剤を介して貼り合わせてなるいわゆる密着貼り合わせ構造の光磁気記録媒体が知られている。また、２枚の光記録単板の透明基板の内周部及び外周部を接着剤が塗布されたスぺーサを介して貼り合わせ、相対向する記録面の間に空気層を介在させたいわゆるエアサンドイッチ構造の光磁気記録媒体が知られている。
【０００８】
　光記録単板は、基板のプリフォーマットパターン形成面に少なくとも記録層又は反射層を含む１層又は複数層の薄膜を被着したものであって、透明基板は、例えばガラスなどの透明セラミック材料や、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルペンテン、エポキシ、光硬化性樹脂などの透明プラスチック材料をもって形成される。一方、これらの光記録単板を接着する接着剤やエポキシ系接着剤などの高分子接着剤が賞用されている。
【０００９】
　さらに、この種の光情報記録媒体にあっては、従来より透明基板と光磁気記録膜との間に、酸化物ならびに窒化物などの透明薄層を設けて、光学多重干渉膜、保護膜として機能させる検討が種々行われている。
【特許文献１】特開昭６２−１７５９４８号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ９０／０２４００号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　ところで、情報のオーバーライトを実現するためには、光強度変調方式をとるか磁界強度変調方式をとるかに拘らず、光磁気記録膜の外部磁界感度が充分に高くなくてはならない。上記光変調方式のオーバーライト記録に適用される光磁気記録媒体の公知例のうちの前者は、垂直磁化膜である光磁気記録膜上に自発磁化を有する補助磁性膜を積層したので、垂直磁化膜単独の場合に比べて記録時又は消去時の外部磁界感度を高めることができる。
【００１１】
　しかるに、このようにしても記録又は消去時に２００（Ｏｅ）以上の外部磁界が必要であり、実用上充分に外部磁界感度が高くなっているとは言えない。また、光磁気記録膜と補助磁性膜とが直接積層されているので、両膜間に作用する交換結合力が期待される値よりもかなり大きくなり、光強度変調方式による場合には、少なくとも５〜６（ＫＯｅ）もの初期化磁石が必要となる。さらに、それに比例して記録磁区が消失しやすいという問題もある。
【００１２】
　また、光磁気記録媒体においては、データ転送速度の高速化が最も重要な技術的課題の１つになっている。データ転送速度を高速化するためには、光磁気記録媒体に対するレーザビームスポットの線速度（例えば、光磁気ディスクの回転速度）を高速化しなくてはならないが、レーザビームスポットの線速度を高速化するとレーザビームの照射時間が短縮化されて磁性層が昇温されにくくなるので、光磁気記録媒体の記録感度を向上するか、あるいは半導体レーザを大出力化するかといういずれかの技術的課題を解決する必要がある。
【００１３】
　また、貼り合わせ構造の光磁気記録媒体においては、媒体内部への水分の侵入を防止し、記録層又は反射層の腐食を防止するため、接着層中に無機フィラーを混入して接着層の透湿率を低減することが多いが、この場合にも無機フィラーと接着剤との反応性が乏しいために剥離を生じやすく、長期保存性が悪いという問題がある。
【００１４】
　さらに、酸化物層を蒸着法やスパッタリング法で形成タイプの光磁気記録媒体にあっては、前記酸化物層が化学的に不安定となり、酸素が遊離しやすく、その遊離した酸素が光磁気記録膜中に徐々に拡散し、その結果、光磁気記録膜を酸化して、情報の記録、再生、消去特性が劣化してしまう。
【００１５】
　一方、酸化物層はポリカーボネートなどの合成樹脂製透明基板に対する密着性が弱いため、光磁気記録膜の下地層とした場合、長い間には透明基板と下地層との間において剥離を生じ、データストレージとしての機能が低下する。このようなことから、従来の光磁気記録媒体では信頼性に問題があった。
【００１６】
　本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであって、その第１の目的は、安価にして簡単なヘッド装置で情報の記録、再生が可能な光磁気記録媒体を用いた情報の記録方法を提供することにある。
【００１７】
　第２の目的は、初期化磁石を小型化することができ、かつ安定な記録を実現可能な光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１８】
　第３の目的は、従来実用化されている３０〜４０ｍＷ程度の半導体レーザを用いてデータ転送速度をより高速化することができる光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１９】
　第４の目的は、ＲＯＭ領域と書換え領域とが混在することによる上述のような問題点を解決した新たな光ディスクを提供することにある。
【００２０】
　第５の目的は、光記録単板同士あるいは光記録単板と保護板とが接着層を介して強固に接着され、長期保存性に優れた光磁気記録媒体を提供することにある。
【００２１】
　第６の目的は、酸化物層から光磁気記録膜への酸素の侵入を防止し、もって信頼性及び耐久性に優れた光磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
　本発明は、前記の目的を達成するため、基板上に垂直磁化膜からなる記録層を備えた光磁気記録媒体に対する情報の記録方法であって、該光磁気記録媒体は、少なくとも該記録層と、自発磁化を有する補助磁性膜とを備え、昇温時にキュリー温度以下の温度でＭ−Ｈループの角形比が１の状態から１と０の中間状態に変化する磁気特性を有し、該媒体を昇温しつつ磁界強度変調方式で情報のオーバーライトを行うことを特徴とする。
【００２３】
　また、本発明は、前記第１及び第２の目的を達成するため、前記光磁気記録媒体として、１００（Ｏｅ）の外部磁界を印加することで情報の記録と再生とを行うことができる光磁気記録媒体を用いることを特徴とする。
【００２４】
　さらに、本発明は、前記第１及び第２の目的を達成するため、前記光磁気記録媒体として、５０（Ｏｅ）の外部磁界を記録方向に印加することで再生ＣＮ比が飽和値に達する光磁気記録媒体を用いることを特徴とする。
【００２５】
　希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなり、昇温時にキュリー温度以下の温度でＭ−Ｈループの角形比が１の状態から１と０の中間状態に変化する光磁気記録膜と、自発磁化を有する補助磁性膜とを備えた光磁気記録媒体は、昇温時にキュリー温度以下の温度でＭ−Ｈループの角形比が１の状態から１と０の中間状態に変化しない希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなる光磁気記録膜と、自発磁化を有する補助磁性膜とを備えた光磁気記録媒体に比べて、より小さな外部磁界で補助磁性膜の磁化の方向、ひいては光磁気記録膜の磁化の方向を上向き又は下向きにスイッチングできる。よって、従来実用化が困難であるとされていた磁界強度変調方式によるオーバーライト記録が可能になる。
【００２６】
　以下に、光磁気記録膜として、キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェリ磁性体を用いた場合と、キュリー温度近傍で希土類リッチのフェリ磁性体を用いた場合を例にとって、前記第１及び第２の目的を達成するために構成された手段の作用をより詳細に説明する。
【００２７】
　希土類−遷移金属系の非晶質合金は、その磁気的性質として、希土類（重希土類金属）と遷移金属の持つ部分磁化が反平行になるフェリ磁性を示す。すなわち、媒体全体の磁化の方向は、希土類の部分磁化と遷移金属の部分磁化との差として観察され、それらの部分磁化の大小関係によって、全体の磁化の向きが希土類の部分磁化方向になったり（ＲＥ−ｒｉｃｈ）、遷移金属の部分磁化方向になったり（ＴＭ−ｒｉｃｈ）する。また、希土類の部分磁化が遷移金属の部分磁化よりも温度に対する依存性が大きいために、合金の組成によっては、室温と磁化を失う特定の温度（キュリー温度）との間に磁化方向が逆転する補償温度を持ったり、この補償温度を持たないものになったりする。さらに、媒体の保磁力も部分磁化の大小関係に依存して変化し、室温でＴＭ−ｒｉｃｈの場合には、媒体の保磁力は室温から昇温するにしたがって漸減し、キユリー温度で保磁力を失う。一方、室温でＲＥ−ｒｉｃｈのものの中には、室温とキュリー温度との間に保磁力が無限大に発散する磁気補償点が現われ、磁気補償点よりも低い温度ではＲＥ−ｒｉｃｈ、磁気補償点よりも高い温度ではＴＭ−ｒｉｃｈとなるものがある。
【００２８】
　貴金属−遷移金属系の補助磁性膜は、外部磁界が印加される以前においては、磁化が面内方向（補助磁性膜の膜面と平行な方向）に向いており、キュリー温度近傍まで昇温された状態で外部磁界が印加されると、磁化の方向が面内方向より立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメント成分を生じる。また、外部磁界を取り除くと、再度磁化の方向が面内方向に復帰する。
【００２９】
　以下、図７３に基づいて、少なくともキュリー温度の近傍においてＴＭ−ｒｉｃｈのフェリ磁性体からなる光磁気記録膜上にこの補助磁性膜を積層してなる光磁気記録媒体における信号のオーバーライト原理について説明する。なお、この図において、符号４は光磁気記録膜を、また符号５は補助磁性膜を示し、光磁気記録膜４中の白抜き矢印は希土類の部分磁化を、実線矢印は遷移金属の部分磁化を示している。そして、各矢印の長さが、各部分磁化の大きさを表わしている。
【００３０】
　図７３（１）の状態を消去状態、図７３（２）の状態を記録状態とした場合、図７３（１）の消去状態にある部分に一定強度のレーザビームを照射して補助磁性層５及び光磁気記録膜４をキュリー温度近傍まで昇温しつつ上向き（正方向）に外部磁界Ｈを印加してゆくと、補助磁性層５の磁化の方向が面内方向より上向きに立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメント成分を生じる。そして、これによって光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化との間の交換結合エネルギーが徐々に大きくなり、ある特定の大きさの外部磁界を印加した段階で、光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化が上向きに反転し、全体の磁化Ｍが正となった図７３（３）の状態になる。この状態から外部磁界Ｈを取り除きかつ補助磁性膜５及び光磁気記録膜４を冷却すると、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向に復帰し、光磁気記録膜４の磁化の方向は、上向きに保存される（図７３（２）の状態）。また、図７３（２）の記録状態にある部分に一定強度のレーザビームを照射して補助磁性層５及び光磁気記録膜４をキュリー温度近傍まで昇温しつつ上向きに外部磁界Ｈを印加した場合には、もともと光磁気記録膜４の磁化が上向きになっているので、変化を生じない。かように、初期状態における光磁気記録膜４の磁化状態に拘りなく、前記の操作を行うことによって記録が行われる。
【００３１】
　一方、図７３（２）の記録状態にある部分に一定強度のレーザビームを照射して補助磁性層５及び光磁気記録膜４をキュリー温度近傍まで昇温しつつ下向き（負方向）に外部磁界Ｈを印加してゆくと、補助磁性層５の磁化の方向が面内方向より下向きに立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメント成分を生じる。そして、これによって光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化との間の交換結合エネルギーが徐々に大きくなり、ある特定の大きさの外部磁界を印加した段階で、光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化が上向きに反転し、全体の磁化Ｍが負となった状態になる。この状態から外部磁界Ｈを取り除きかつ補助磁性膜５及び光磁気記録膜４を冷却すると、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向に復帰し、光磁気記録膜４の磁化の方向は、上向きに保存される（図７３（１）の状態）。また、図７３（１）の消去状態にある部分に一定強度のレーザビームを照射して補助磁性層５及び光磁気記録膜４をキュリー温度近傍まで昇温しつつ下向きに外部磁界Ｈを印加した場合には、もともと光磁気記録膜４の磁化が下向きになっているので、変化を生じない。かように、初期状態における光磁気記録膜４の磁化状態に拘りなく、前記の操作を行うことによって消去が行われる。
【００３２】
　図７３に示すように、補助磁性膜５と光磁気記録膜４とを積層してなる光磁気記録媒体は、両膜の間に作用する交換結合力によって、光磁気記録膜単層からなる光磁気記録媒体に比べて、磁化反転を生じる外部磁界Ｈの大きさが格段に小さくなる。よって、前記第１の手段に示した光磁気記録媒体は、小さな外部磁界を用いて磁界強度変調方式によるオーバーライト記録が可能になる。なお、前記においては、室温においてもＴＭ−ｒｉｃｈである光磁気記録媒体を例にとって説明したが、室温においてもＲＥ−ｒｉｃｈであり、室温とキュリー温度の間に補償点を有する光磁気記録媒体についても同様の原理で信号のオーバーライトを行うことができる。また前記においては、図７３（１）の状態を消去状態、図７３（２）の状態を記録状態としたが、逆に図７３（１）の状態を記録状態、図７３（２）の状態を消去状態としても、外部磁界Ｈの印加方向を逆向きとすることによって、前記と同様の原理のもとで信号のオーバーライトを行うことができる。
【００３３】
　次に、図７４〜図７６に基づいて、少なくともキュリー温度の近傍においてＲＥ−ｒｉｃｈのフェリ磁性体からなる光磁気記録膜上に補助磁性膜５を積層してなる光磁気記録媒体における信号のオーバーライト原理について説明する。なお、この図における符号の意味内容は、図７３と同じである。
【００３４】
　この光磁気記録媒体は、キュリー温度Ｔｃ以下のある温度Ｔｏまでは、図７４に示すようなＭ−Ｈループを示すが、その温度Ｔｏ以上、キュリー温度Ｔｃまでの温度範囲においては、図７５に示すようなＭ−Ｈループを示す。図７５（１）の状態を消去状態、図７５（２）の状態を記録状態とした場合、図７５（１）の消去状態にある部分に媒体温度がＴｏ＜Ｔ１＜Ｔｃとなるような強度のレーザビームを照射しつつ上向き（正方向）に外部磁界Ｈを印加してゆくと、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向より上向きに立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメント成分を生じる。そして、これによって光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化との間の交換結合エネルギーが徐々に大きくなり、ある特定の大きさの外部磁界Ｈｃ１を印加した段階で、光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化が上向きに反転し、希土類の部分磁化が下向きになって全体の磁化Ｍが下向きとなった図７５（３）の状態になる。この状態から補助磁性膜５及び光磁気記録膜４を冷却し、かつ外部磁界Ｈを取り除くと、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向に復帰し、光磁気記録膜４の磁化の方向は、下向きのまま保存される（図７５（２）の状態）。
【００３５】
　なお、図７５（３）の状態から、さらに強い外部磁界Ｈを上向きに印加すると、ある特定の大きさの外部磁界Ｈｃ２を印加した段階で、補助磁性層５と光磁気記録膜４との間の界面磁壁に蓄えられていた交換結合力に対応するエネルギーよりも外部磁界Ｈと光磁気記録膜４との相互作用がもつエネルギーの方が大きくなり、補助磁性層５の部分磁化が完全に外部磁界方向に向くと共に、光磁気記録膜４の希土類の部分磁化が上向きに反転し、図７５（４）の状態になる。この状態から補助磁性膜５及び光磁気記録膜４を冷却しかつ外部磁界Ｈを取り除くと、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向に復帰し、再度補助磁性層５と光磁気記録膜４との間の界面磁壁に蓄えられていた交換結合力に対応するエネルギーの方が外部磁界Ｈと光磁気記録膜４との相互作用がもつエネルギーよりも大きくなって、光磁気記録膜４の希土類の部分磁化が下向きに反転し、図７５（２）の状態になる。また、図７５（２）の記録状態にある部分に大きな外部磁界Ｈを印加した場合にも前記と同様にして一旦は図７５（４）の状態になるが、補助磁性膜５及び光磁気記録膜４を冷却しかつ外部磁界Ｈを取り除けば、またもとの図７５（２）の状態に復帰する。かように、初期状態における光磁気記録膜４の磁化状態に拘りなく、前記の操作を行うことによって記録が行われる。
【００３６】
　また、図７５（１’）の消去状態にある部分に媒体温度がＴ１＜Ｔ２＜Ｔｃとなるような強度のレーザビームを照射しつつ上向き（正方向）に外部磁界Ｈを印加してゆくと、補助磁性層５の磁化の方向が面内方向より上向きに立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメント成分を生じる。そして、これによって光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化との間の交換結合エネルギーが徐々に大きくなり、ある特定の大きさの外部磁界Ｈｃ１’を印加した段階で、光磁気記録膜４中の遷移金属の部分磁化が上向きに反転し、希土類の部分磁化が下向きになって全体の磁化Ｍが下向きとなった図７５（３’）の状態になる。この図７５（３’）の状態からさらに強い外部磁界Ｈを上向きに印加すると、ある特定の大きさの外部磁界Ｈｃ２’を印加した段階で、補助磁性層５と光磁気記録膜４との間の界面磁壁に蓄えられていた交換結合力に対応するエネルギーよりも外部磁界Ｈと光磁気記録膜４との相互作用がもつエネルギーの方が大きくなり、補助磁性層５の部分磁化が完全に外部磁界方向に向くと共に、光磁気記録膜４の希土類の部分磁化が上向きに反転し、図７５（４’）の状態になる。この状態から補助磁性膜５及び光磁気記録膜４を冷却しかつ外部磁界Ｈを取り除くと、補助磁性膜５の磁化の方向が面内方向に復帰すると共に、光磁気記録膜４の部分磁化は図７５（４’）の状態のままクエンチされ、図７５の破線部分をジャンプして図７５（１’）の消去状態に戻る。また、図７５（２’）の記録状態にある部分に大きな外部磁界Ｈを印加した場合にも前記と同様にして一旦図７５（４’）の状態になり、外部磁界Ｈを取り除きかつ補助磁性膜５及び光磁気記録膜４が冷却された段階で、図７５の破線部分をジャンプして図７５（１’）の消去状態に戻る。かように、初期状態における光磁気記録膜４の磁化状態に拘りなく、前記の操作を行うことによって消去が行われる。
【００３７】
　図７５に示すように、高温時（Ｔ２時）において光磁気記録膜４に磁化反転を生じる外部磁界の大きさＨｃ２’は、高温になることによって光磁気記録膜４の保磁力が低下していることから、低温時（Ｔ１時）において光磁気記録膜４に磁化反転を生じる外部磁界の大きさＨｃ２に比べて小さくなる。すなわち、Ｈｃ２’＜Ｈｃ２ の関係にあるので、外部磁界Ｈ１をＨｃ２’＜Ｈ１＜Ｈｃ２に調整すると共に、補助磁性層５及び光磁気記録膜４を温度Ｔ１まで昇温するようにレーザビームの低レベルのパワーを調整し、補助磁性層５及び光磁気記録膜４を温度Ｔ２まで昇温するようにレーザビームの高レベルのパワーを調整することによって、初期磁界を必要としない光強度変調方式によるオーバーライト記録が可能になる。
【００３８】
　上記のオーバーライト記録を実現するに必要な外部磁界Ｈ１、レーザビームの低レベルのパワー、それにレーザビームの高レベルのパワーは、以下のようにして求めることができる。まず、Ｔ０＜Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔｃとなるように、適当にレーザビームの低レベルのパワーと高レベルのパワーとを設定する。次に、外部磁界Ｈの大きさと印加方向とを種々変えて信号の記録を行う。この信号記録部から信号を読み出し、外部磁界Ｈと再生信号出力値との相関図を描くと、図７６（ａ）及び図７６（ｂ）のグラフ図が得られる。ここに、温度Ｔ１で信号の記録が行え、かつ温度Ｔ２では信号の記録が行えなくなるような外部磁界Ｈの大きさが、信号のオーバーライト記録を実現するに必要な外部磁界Ｈ１の大きさである。外部磁界Ｈ１の値は、温度Ｔ１，Ｔ２によって変動する。したがって、レーザビームの低レベルのパワー及び高レベルのパワーを種々変更し、温度Ｔ１，Ｔ２を種々変更しながら上記の試験を繰り返し、最適なレーザビームを選択する。
【００３９】
　なお、上記のようなオーバーライト記録を実現するためには、補助磁性膜５のキュリー温度と光磁気記録膜４のキュリー温度との差が１５０℃以内に規制されていることが好ましく、その差が小さいほど好ましい。また、前記においては、図７５（１），（１’）の状態を消去状態、図７５（２），（２’）の状態を記録状態としたが、逆に、図７５（１），（１’）の状態を記録状態、図７５（２），（２’）の状態を消去状態としても、外部磁界Ｈの印加方向を逆向きとすることによって、前記と同様の原理のもとで信号のオーバーライトを行うことができる。
【発明の効果】
【００４０】
　以上説明したように、本発明は、希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなり、昇温時にキュリー温度以下の温度でＭ−Ｈループの角形比が１の状態から１と０の中間状態に変化する光磁気記録膜と、自発磁化を有する補助磁性膜とを備えた光磁気記録媒体を用いるので、昇温時にキュリー温度以下の温度でＭ−Ｈループの角形比が１の状態から１と０の中間状態に変化しない希土類−遷移金属系の垂直磁化膜からなる光磁気記録膜と、自発磁化を有する補助磁性膜とを備えた光磁気記録媒体に比べて、より小さな外部磁界で補助磁性膜の磁化の方向、ひいては光磁気記録膜の磁化の方向を上向き又は下向きにスイッチングでき、従来実用化が困難であるとされていた磁界強度変調方式によるオーバーライト記録が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
　以下に、前記第１及び第２の目的を達成するための手段を具体化した実施例について説明する。
【実施例１】
【００４２】
　第１実施例に係る光磁気記録媒体を図１〜図５に基づいて説明する。図１は本例に係る光磁気記録媒体の要部断面図であって、この図に示すように本例の光磁気記録媒体は、透明基板１のプリフォーマットパターン２形成面に、透明基板１側より、透明基板１よりも高い屈折率を有する無機誘電体からなるエンハンス膜３と、光磁気記録膜４と、補助磁性膜５と、保護膜６とを順次積層してなる。
【００４３】
　透明基板１は、例えばポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィン、エポキシなどのプラスチック材料や、ガラスなどの透明基板をもって、ディスク状もしくはカード状など所望の形状に形成される。
【００４４】
　透明基板１の片面には、レーザスポットを案内するための案内溝や、この案内溝に沿つて画定される記録トラックのアドレスなどを表わすプリピット列からなるプリフォーマットパターン２が微細な凹凸状に形成され、トラッキングサーボ信号やプリフォーマット信号が光学的に読み出せるようになっている。なお、図１においては、透明基板１の片面にプリフォーマットパターン２が直接形成されているが、平板状に形成された透明基板の片面に当該透明基板と屈折率が近似した光硬化性樹脂層を設け、この光硬化性樹脂層の表面に前記プリフォーマットパターン２を転写することもできる。
【００４５】
　エンハンス膜３は、光磁気記録膜４と透明基板１との間で再生用光ビームを多重干渉させ、見掛け上のカー回転角を大きくするために設けられるものであって、シリコン、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、タンタルの窒化物や酸化物など、屈折率が前記透明基板１よりも大きな無機誘電体からなり、６００〜１０００Åの膜厚に形成される。該エンハンス膜３の成膜手段としては、スパッタリングが特に好適である。
【００４６】
　光磁気記録膜４は、フェリ磁性を有する希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜にて形成される。希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜としては、下記の一般式で表わされるものが特に好ましい。
【００４７】
　　一般式；ＴｂｘＦｅ（１００−ｘ−ｙ−ｚ）ＣｏＹＭＺ
　　　　但し、１５原子％≦ｘ≦３０原子％
　　　　　　　　５原子％≦ｙ≦１５原子％
　　　　　　　　０原子％≦ｘ≦１０原子％
　　　　　　Ｍは、Ｎｂ，Ｃｒ，Ｐｔから選択された少なくとも１種類の元素。
【００４８】
　この垂直磁化膜は、組成を種々変更することによって、少なくともキュリー温度直下でＴＭ−ｒｉｃｈのものとしたり、あるいはＲＥ−ｒｉｃｈのものにすることができる。この垂直磁化膜は、ＴｂとＦｅとＣｏと添加元素Ｍとの合金、又はこれらの元素を含む焼結体にて形成されたターゲツトをスパッタリングすることによって、２００〜５００Åの膜厚に形成される。
【００４９】
　補助磁性膜５は、再生用光に対する反射率が７０％以上で、かつ常温における熱伝導率が０．０５〜２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制された材料から形成される。その膜厚は、２００〜４００Åの範囲が適当である。すなわち、本例の光磁気記録媒体は、光磁気記録膜４を透過した再生用光を補助磁性膜５によって透明基板１側に戻し、入射光及び戻り光が光磁気記録膜４を透過する際に受けるファラデー効果によつて見掛け上のカー回転角を増大させ、もって再生ＣＮ比の改善を図ることを特徴の１つとするものであるので、再生用光に対する反射率は高いほど良好な結果を得ることができるのであって、少なくとも再生用光に対して７０％以上の反射率を有することがより好ましい。
【００５０】
　また、補助磁性膜５の熱伝導率が低すぎると、情報の記録又は消去の際に光磁気記録層４が過剰に加熱され、これが繰り返されることによって光磁気記録層４が変質（例えば、非晶質垂直磁化膜が結晶化する等）したり、透明基板１のプリフォーマットパターン２が変形したりしやすく、再生出力レベルが短期間のうちに低下するといった不都合を生じる。一方、補助磁性膜５の熱伝導率が高すぎると、光磁気記録層４を情報の記録又は消去に必要な温度まで昇温することが難しくなり、記録感度が低下したり、既記録信号の消え残りによる記録／再生エラーが増加するので、大パワーのレーザ光源を搭載しなくてはならなくなるといつた不都合を生じる。
【００５１】
　図２に、補助磁性膜５の熱伝導率と、記録／消去動作を１０４ 回繰り返した後の再生出力の低下、及び情報の記録／消去動作に要するレーザパワーとの関係を示す。この図から明らかなように、補助磁性膜５として熱伝導率が０．０５Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以下のものを用いると、記録／消去動作を１０４ 回繰り返した後の再生出力が急激に低下し、実用性がないことがわかる。また、補助磁性膜５として熱伝導率が２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上のものを用いると、情報の記録／消去に１０ｍＷ（膜面）以上のレーザパワーが必要となり、やはり実用化が難しくなることがわかる。これらのデータから、補助磁性膜５の熱伝導率が前記の範囲に決められる。
【００５２】
　補助磁性膜５の具体例としては、Ｐｔ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｈなどの貴金属元素群から選択された少なくとも１種類の元素と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの遷移金属元素群から選択された少なくとも１種類の元素との合金薄膜を挙げることができる。なお、貴金属−遷移金属系の補助磁性膜は、組成を調整することによって、外部磁界が印加される以前においては磁化が面内方向（補助磁性膜の膜面と平行な方向）に向いており、キュリー温度近傍まで昇温された状態で外部磁界が印加されると磁化の方向が面内方向より立ち上がって外部磁界方向の磁気モーメント成分を生じ、外部磁界を取り除くと再度磁化の方向が面内方向に復帰するものを作製できる。したがって、この種の補助磁性膜５は、構成元素が同一であっても、その含有比率によって、既記録信号を完全に消去するに要する外部磁界の大きさが変動する。
【００５３】
　図３に、ＣｏＰｔ合金薄膜を例にとって、薄膜中のＰｔ含有率と消去方向磁界との関係を示す（膜厚は、２００Å）。ここに、消去方向磁界とは、消去方向に外部磁界を印加しつつ情報の記録を行つたときに、記録が行えなくなる最小の磁界であり、およそ既記録信号を完全に消去するに要する外部磁界の大きさを表わす。図３から明らかなように、ＣｏＰｔ合金薄膜においては、消去方向磁界が最小となるＰｔ含有率がある。ドライブ側からの要請により、ドライブに搭載可能な外部磁界はせいぜい３００［Ｏｅ］であり、この外部磁界によって既記録信号を完全に消去するためには、ＣｏＰｔ合金薄膜のＰｔ含有率を６０〜９５原子％に調整する必要があることがわかる。
【００５４】
　保護層６は、前記エンハンス層３と同様の無機誘電体、又は光硬化性樹脂などの有機材料をもって形成される。保護層材料として無機誘電体を用いる場合には、５００〜２０００Åの膜厚に形成される。
【００５５】
　以下に、本第１実施例に係る光磁気記録媒体の実験例と比較例とを示し、両者の記録・消去特性を比較する。
【００５６】
＜実験例１＞
　射出成形されたポリカーボネート基板のプリフォーマットパターン形成面に、８００ÅのＳｉＯＮエンハンス層と、５００ÅのＴｂ１８Ｆｅ６７Ｃｏ１０Ｃｒ５非晶質垂直磁化膜と、２００ÅのＰｔ８０Ｃｏ２０補助磁性膜と、１０００ÅのＳｉＯＮ保護層とを順次スパッタリングして、図４（ａ）の光磁気記録媒体を作成した。ここに、前記Ｐｔ８０Ｃｏ２０補助磁性膜は、当該補助磁性膜のキュリー温度直下で膜面に垂直な方向の成分を有して印加された外部磁界により磁気モーメントが回転して外部磁界方向の成分を生じ、かつ前記光磁気記録膜に対して交換結合力を及ぼすものとなり、再生用光に対する反射率が７０％以上となつている。さらに、膜厚を２００Åに調整したので、常温における熱伝導率が０．０５〜２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇになっている。一方、前記Ｔｂ１８Ｆｅ６７Ｃｏ１０Ｃｒ５非晶質垂直磁化膜は、当該光磁気記録膜のキュリー温度直下においてＴＭ−ｒｉｃｈであって、外部磁界を印加して前記補助磁性膜の磁気モーメントが外部磁界方向の成分を有した際に両膜の遷移金属がもつ部分磁化の磁気モーメントとの間に交換結合力が作用して、光磁気記録膜の磁化の方向が外部磁界の方向に向けられるものになっている。
【００５７】
＜比較例１＞
　射出成形されたポリカーボネート基板のプリフォーマットパターン形成面に、８００ÅのＳｉＯＮエンハンス層と、５００ÅのＴｂ１８Ｆｅ６７Ｃｏ１０Ｃｒ５非晶質垂直磁化膜と、１０００ÅのＳｉＯＮ保護層とを順次スパッタリングして、図４（ｂ）の光磁気記録媒体を作成した。
【００５８】
　図５に、実験例１に係る光磁気記録媒体の記録・消去特性と、比較例１に係る光磁気記録媒体の記録・消去特性とを示す。ここにいう記録・消去特性とは、記録時に印加する外部磁界の大きさ及び方向を変化させたときの再生ＣＮ比の変化をいい、図５の横軸には記録時に印加する外部磁界の大きさ及び方向が目盛られ、縦軸には再生ＣＮ比が目盛られている。
【００５９】
　この図から明らかなように、比較例１の光磁気記録媒体は、約５００［Ｏｅ］の外部磁界を記録方向に印加しなければ再生ＣＮ比が飽和値に達しないのに対し、実験例１の光磁気記録媒体は、約５０［Ｏｅ］の外部磁界を記録方向に印加するだけで再生ＣＮ比が飽和値に達する。このことから、実験例１の光磁気記録媒体は、より小さな外部磁界で完全な記録を行えることがわかる。また、比較例１の光磁気記録媒体は、消去方向に約６２０［Ｏｅ］の外部磁界を印加しなければ再生ＣＮ比をゼロにすることができないのに対し、実験例１の光磁気記録媒体は、約８０［Ｏｅ］の外部磁界を消去方向に印加するだけで再生ＣＮ比をゼロにすることができる。このことから、実験例１の光磁気記録媒体は、より小さな外部磁界で完全な消去を行えることがわかる。かように、実験例１の光磁気記録媒体は、１００［Ｏｅ］程度の小さな外部磁界で情報の記録と再生とを行うことができるので、作用の欄に示した原理に基づいて、磁界変調方式によるオーバーライトが可能である。また、再生ＣＮ比の飽和値は、実験例１の光磁気記録媒体及び比較例１の光磁気記録媒体ともにほぼ同じ値になっており、充分な高ＣＮ比を帯有していることがわかる。
【００６０】
　なお、前記第１実施例においては、透明基板１と光磁気記録膜４との間にエンハンス膜３を介設したが、補助磁性膜５の反射率が高く、充分な再生ＣＮ比を得られる場合には、これを省略することもできる。
【００６１】
　また、前記第１実施例においては、媒体の最外面に保護膜６を配設したが、補助磁性膜５として耐食性に優れたものを用いる場合には、これを省略することもできる。
【００６２】
　さらに、前記第１実施例においては、光磁気記録膜４の背面側に補助磁性膜５を直接積膜したが、これら光磁気記録膜４と補助磁性膜５との間に、エンハンス膜３と同様の無機誘電体からなる第２エンハンス膜を設けることもできる。
【実施例２】
【００６３】
　第２実施例に係る光磁気記録媒体を図６〜図１７に基づいて説明する。図６に示すように、本例の光磁気記録媒体は、補助磁性膜５の表面に、前記第１実施例における保護層６に代えて、反射膜及び保護膜を兼ねる熱制御層８を積層したことを特徴とする。その他については、前記第１実施例の光磁気記録媒体と同じであるので、対応する部分に同一符号を表示して説明を省略する。
【００６４】
　熱制御層８は、［Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｂｅ］元素群から選択された１種類以上の金属元素と、［Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｒｂ，Ｐｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｗ，Ｚｒ］元素群から選択された１種類以上の金属元素との合金で構成されている。特に、Ｔｉを６〜１０原子％含有したＡｌＴｉ合金からなり、膜厚が５００〜１０００Åの範囲に規制されたものは好適である。
【００６５】
　光磁気記録膜４の材料としてＴｂＦｅＣｏ合金を用いた場合、前記組成の合金のキユリー点が約２００℃であることから、情報の記録又は消去時、レーザ光照射領域における膜内温度を２００℃以上に昇温させる必要がある。記録レーザ光により光磁気記録膜４がその熱的状態に到達した際、レーザ光照射の中心部は膜内で最高の温度となる。すなわち、例えば図７に示すように、一定サイズ（例えば直径が０．８μｍ）の記録ピツトを形成しようとする場合、その径の内部を２００℃以上に昇温させる必要がある。すなわち、直径０．８μｍの円周の線が２００℃の等温線となり、それより内側は必然的に２００℃以上になる。
【００６６】
　このとき、熱制御層８の熱伝導性によつてレーザ光照射の中央部の温度に差が生じる。同図の曲線は温度分布を模式的に示す曲線で、点線の曲線Ｂは熱伝導性が比較的よい熱制御層８を使用した場合、実線の曲線Ａは熱伝導性が比較的悪い熱制御層８を使用した場合の特性曲線である。この図から明らかなように、熱制御層８の熱伝導性の違いにより、レーザ光照射部分における中央部の温度に差が生じる。換言すれば、光磁気記録膜４の最高温度は、熱制御層８の熱伝導性（熱伝導率、膜厚など）によつてコントロールすることができる。
【００６７】
　前述のように光磁気記録膜としてＴｂＦｅＣｏ合金を用い、金属保護膜としてＡｌＴｉ合金を使用して、光磁気記録膜の最高温度に対する熱制御層中のＴｉ含有率の依存性について検討した結果を図８に示す。
【００６８】
　図中の横軸にＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ含有率を、縦軸にレーザ光照射部分における中央部温度を、それぞれ示している。なお、この中央部温度は、膜面温度が２００℃以上の領域を直径１μｍとした時の中央部温度である。
【００６９】
　前述のように、ＴｂＸＦｅ（１００−Ｘ−Ｙ−Ｚ）ＣｏＹＭＺ系の光磁気記録膜においては、レーザ光照射部分が３００℃以上になると結晶化が進行して記録、再生特性に悪影響を及ぼすことから、３００℃以上にならないように温度コントロールをする必要がある。そのためには、図８から明らかなように、ＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ含有率を１０原子％以下に規制する必要がある。
【００７０】
　図９は、ＡｌＴｉ合金中のＴｉ含有率をその合金の常温における熱伝導率Ｋとの関係を示す図である。この図から明らかなように、Ｔｉ含有率によってＡｌＴｉ合金の熱伝導率Ｋが変化し、Ｔｉ含有率が１０原子％ということは、熱伝導率Ｋが０．１３Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ以上となる。
【００７１】
　本発明者らの種々の実験結果から、この熱制御層の常温における熱伝導率Ｋが２．０≧Ｋ≧０．１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制する必要があることを発見した。熱制御層の常温における熱伝導率Ｋが２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇを越えると、熱拡散が早すぎて、記録、消去に際して高いレーザパワーが必要となり、不経済である。一方、熱制御層の常温における熱伝導率Ｋが０．１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ未満になると、反対に熱拡散が遅すぎて、記録、再生を繰り返しているうちに記録膜の非晶質構造の緩和が生じ、結晶化してしまう。したがって熱制御層の常温における熱伝導率Ｋは、２．０≧Ｋ≧０．１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制する必要があり、特に０．２５≧Ｋ≧０．１４Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの範囲に規制されたものは好適である。
【００７２】
　図１０は、ＡｌＴｉ合金中のＴｉ含有率と、記録、消去サイクル後における搬送波レベルの低下との関係を示す図である。なお、前記ＡｌＴｉ合金の膜厚は７５０Åとし、記録と消去を１０，０００回繰り返した後、記録、再生した信号の搬送波レベルの低下状態を示したものである。
【００７３】
　この図からも明らかなように、ＡｌＴｉ合金中のＴｉ含有率が１０原子％を少し越えると搬送波レベルの低下が生じており、これは記録膜の非晶質構造の緩和が生じ、結晶化が進行したものであると推測される。
【００７４】
　この光磁気記録媒体においては、基板上の各膜の厚みは通常下記のとおりである。　　　
　　第１エンハンス膜……６００〜１０００Å
　　光磁気記録膜　　……２００〜　５００Å
　　第２エンハンス膜……　　０〜　４００Å。
【００７５】
　このように構成された光磁気記録媒体の場合、記録、消去過程で必要とするレーザパワーの制御は、前記熱制御層の調整で行うことができる。
【００７６】
　膜面到達パワーで５〜１０ｍＷのレーザパワー｛５インチの光磁気ディスクを２４００ｒｐｍ（線速７．５〜１５ｍ／秒）で回転｝により記録、消去が行われ、１〜３ｍＷのレーザパワーで再生が行えるためには、熱制御層の膜厚とＡｌＴｉ合金中のＴｉ含有率は図１５のＡ領域にある必要がある。このＡ領域の上限以上では、線速１５ｍ／秒で消去を行う場合（トラックオフセットマージンまでを考慮すると）１０ｍＷ以上のレーザパワーを必要とする。また、Ａ領域の下限以下では、１〜３ｍＷのレーザパワーで信号を再生した際にデータ破壊が起こる危険性がある。
【００７７】
　またこの熱制御層は、記録膜を保護する機能も担っており、その効果は熱制御層の組成と膜厚とによつて異なる。ＡｌＴｉ合金においては、８０℃、９０％ＲＨの環境下で１０００時間でエラーレートが１×１０ ６以下のままである組成、ならびに膜厚は図１５のＣ領域である。ＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ含有率が６原子％以上の領域では、熱制御層の膜厚が５００Å以上あれば安定した保護効果を有することが確認されている。これはＴｉによる防蝕効果の現われであり、Ｔｉの含有率が６原子％未満であると防蝕効果が必ずしも充分でない。よつて、ＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ含有率は６原子％以上、膜厚が５００Å以上に規制する必要がある。
【００７８】
　以上のことから、熱制御層のＡｌＴｉ合金中におけるＴｉ含有率は６〜１０原子％、膜厚を５００Å以上に規制することにより、記録、消去サイクルに対する耐久性、記録、消去、再生パワー特性、ならびに記録膜の保護効果に優れた光磁気記録媒体を得ることができる。
【００７９】
　図１１ならびに図１２は、本発明の具体例を示す図で、図１１はエアサンドイッチ形の光磁気記録媒体、図１２は密着貼り合わせ形の光磁気記録媒体を示し、図中の１１，１２は記録ディスク単板、１３は図６に示す各膜３〜６の積層膜、１４は空隙、１５は内周スぺーサ、１６は外周スぺーサ、１７は接着剤層を表示している。
【００８０】
　前記実施例では、熱制御層としてＡｌＴｉ合金の場合について説明したが、［Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｂｅ］元素群から選択された少なくとも１種類の金属元素と、［Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｒｂ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｍｇ，Ｗ，Ｚｒ］元素群から選択された少なくとも１種類の金属元素との合金において、熱伝導率Ｋを２．０≧Ｋ≧０．１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇとした熱制御層であれば、前記実施例と同様の効果が得られる。
【００８１】
　図１６は、本発明が適用できるＡｌＡｇ合金組成とその合金の熱伝導率との関係を示す特性図、図１７は、ＣｕＴｉ合金組成とその合金の熱伝導率との関係を示す特性図である。これらＡｌＡｇ合金ならびにＣｕＴｉ合金を熱制御層として使用し、その熱伝導率の範囲を規制することにより、同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００８２】
　第３実施例に係る光磁気記録媒体を図１８〜図２４に基づいて説明する。本例の光磁気記録媒体は、前記第１及び第２実施例における光磁気記録膜の組成を変更することによって、光磁気記録膜の外部磁界感度を向上したことを特徴とするものである。したがって、光磁気記録膜以外の部分については、前記第１及び第２実施例と同じであるので、説明を省略する。
【００８３】
　本例の光磁気記録膜は、膜中に窒素（Ｎ）又は酸素（Ｏ）のいずれか一方、もしくはＮとＯの双方が総量で０．１〜５．０原子％混入された希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜からなり、２００〜５００Åの膜厚に形成される。すなわち従来は、光磁気記録膜内に混入したＮ及びＯは不純物であると認識されており、光磁気記録膜内へのＮ及びＯの混入を防止する方向で技術的な検討が行われていたが、本願発明者らは、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜中に混入されるＮあるいはＯの混入率と残留カー回転角との関係、前記混入率と垂直磁気異方性定数との関係、前記混入率とＣＮ比との関係等について研究した結果、カー回転角を低下することなく、垂直磁気異方性エネルギーのみを低下できるＮ，Ｏの適正混入率範囲があるという事実を知得した。本願発明者らの研究によると、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜中に、Ｎ又はＯもしくはＮ及びＯを０．１〜５．０原子％の範囲で混入すると、カー回転角を低下することなく、垂直磁気異方性エネルギーのみを低下することができ、光磁気記録膜の外部磁界感度を高めることができる。本例における光磁気記録膜中のＮ，Ｏ混入率は、このような知見に基づいて決定されたものである。希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜としては、公知に属する任意の組成のものを用いることができるが、希土類（例えば、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｎｂ，Ｄｙ）と、遷移金属（例えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）と、添加元素（例えば、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）とを含む３元合金系が特に好ましい。
【００８４】
　以下に、この光磁気記録膜の形成方法を列挙する。
【００８５】
　（ａ）透明基板上に第１エンハンス膜を成膜した後、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を適宜の方法で成膜した後、前記非晶質垂直磁化膜を、真空度が１．０×１０５〜１．０×１０３Ｐａに調整された真空容器中で、５〜９０分間、２０〜１２０℃に加熱し、非晶質垂直磁化膜を窒化又は酸化して所望の光磁気記録膜とする。
【００８６】
　（ｂ）透明基板上に第１エンハンス膜を成膜した後、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を０．１〜５．０％の分圧のＮ又はＯもしくはＮとＯの混合ガスを含む雰囲気中で成膜し、この成膜過程で希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を窒化又は酸化して所望の光磁気記録膜とする。
【００８７】
　前記（ｂ）に挙げた０．１〜５．０％の分圧のＮ又はＯもしくはＮとＯの混合ガスを含む雰囲気を作る方法としては、以下のような方法がある。
【００８８】
（１）真空容器を１０５Ｐａオーダーの高真空度まで真空引きした後、当該真空容器中にＮ又はＯもしくはＮとＯの混合ガスを供給し、成膜工程中の真空容器内のＮ又はＯもしくはＮとＯの混合ガスの分圧を０．１〜５．０％に調整する。
【００８９】
（２）希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜の成膜に先立って行われる真空引きで、真空容器中の真空度を１．０×１０４〜５．０×１０４Ｐａに調整し、真空容器中に０．１〜５．０％の分圧の空気を残留させる。
【００９０】
　なお、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を成膜する方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着など、任意の真空成膜法を適用することができる。
【００９１】
　図１８に光磁気記録膜４中のＮ混入率及びＯ混入率と垂直磁気異方性定数との関係を、また図１９に光磁気記録膜４中のＮ混入率及びＯ混入率と残留カー回転角との関係を示す。
【００９２】
　図１８に示すように、光磁気記録膜の垂直磁気異方性定数Ｋｕは、Ｎ又はＯの混入によって敏感に減少し、Ｎ又はＯの混入率が大きくなるに従って漸次減少する。そして、Ｎ又はＯの混入率が５．０原子％を越えると、反磁界以下となり、磁気モーメントが面内に傾くようになる。
【００９３】
　一方、図１９に示すように、残留カー回転角は窒素及び酸素の混入に対して比較的安定であり、混入率が０〜５．０原子％の範囲では、ほとんど低下しないので実用的に優れている。
【００９４】
　図２１、図２２、図２３に、光磁気記録膜４中のＮ混入率及びＯ混入率と、再生ＣＮ比、飽和記録磁界、消去比が−４０ｄＢとなる外部磁界の大きさ、すなわち消去磁界との関係を示す。ただし、試料としては、図２０の膜構造を有するディスク状磁気記録媒体を用いた。
【００９５】
　かように、図２１、図２２、図２３のデータは、図１８、図１９に示したデータと対応しており、Ｎ混入率、Ｏ混入率が０〜５％の範囲で最も特徴的な効果が得られる。
【００９６】
　図２４に、第３実施例及び比較例に係る光磁気記録媒体の製造方法の概略と、各方法によって製造された光磁気記録媒体の再生ＣＮ比、飽和記録磁界、消去磁界、それに光磁気記録膜中のＮ混入率及びＯ混入率を示す。但し、試料としては、ポリカーボネート基板のプリフォーマットパターン形成面に、膜厚が８００ÅのＡｌＳｉＯＮエンハンス膜と、膜厚が２５０ÅのＴｂＦｅＣｏ光磁気記録膜が夫々スパツタリングされた光磁気ディスクを用いた。
【００９７】
　この図から明らかなように、第３実施例に係る光磁気記録媒体は、再生ＣＮ比が比較例（従来例）の光磁気記録媒体と同程度であるのに対し、飽和記録磁界は従来例の５０％程度に低下し、消去磁界は従来例の４０％に低下している。したがって、情報の記録及び消去に必要な外部磁界の小型化、軽量化を図ることができ、マグネット電源部の簡素化、消費電力の低減、記録／再生装置の小型化、それに記録、消去動作の高速化などを図ることができる。また、媒体側から見れば、外部磁界と光磁気記録媒体との距離変動や発熱による磁場の変動に対して大きな余裕をもたせることができ、信頼性に優れた光磁気記録媒体とすることができる。
【００９８】
　なお、前記第３実施例においては、基板のプリフォーマットパターン形成面に第１エンハンス膜（多重干渉膜）と、光磁気記録膜（記録膜）と、第２エンハンス膜（多重干渉膜）と、熱拡散膜とが積層された光磁気記録媒体を例にとって説明したが、本発明の要旨がこれに限定されるものではなく、少なくとも光磁気記録膜を有するものであれば、任意の膜構造を有する光磁気記録媒体に応用することができる。
【実施例４】
【００９９】
　第４実施例に係る光磁気記録媒体を図２５〜図３１に基づいて説明する。本例の光磁気記録媒体も、前記第１及び第２実施例における光磁気記録膜の組成を変更することによって、光磁気記録膜の外部磁界感度を向上したことを特徴とするものである。図２５は本例に係る光磁気記録媒体の要部断面図であつて、この図に示すように本例の光磁気記録媒体は、透明基板１のプリフォーマットパターン２形成面に、透明基板１側より、エンハンス膜３と、光磁気記録膜４と、補助磁性膜５と、保護膜１０とを順次積層してなる。なお、透明基板１、プリフォーマットパターン２、エンハンス膜３、光磁気記録膜４については、前記第１実施例と同じであるので、説明を省略する。また、必要に応じて、保護膜１０上に反射膜を積層することもできる。
【０１００】
　前記補助磁性膜５としては、例えば貴金属（Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｈ，Ｐｄなど）と遷移金属（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｒなど）との合金、具体的にはＰｔＣｏ合金、ＡｇＣｏ合金、ＰｄＣｏ合金、ＲｈＣｏ合金、ＲｈＦｅ合金、ＡｇＦｅ合金などの合金、あるいはＡｌＣｏ合金、ＡｌＦｅ合金などの強磁性体、あるいはＦｅ３ Ｏ４ などの各種フェライト、鉄ガーネット、クロマイト、希土類−遷移金属合金などのフェリ磁性体あるいはこれら磁性金属とそれの酸化物又は窒化物との混合体からなり、そのキュリー温度と前記光磁気記録膜４のキュリー温度との差が１５０℃以内に調整されたものが用いられる。なお、補助磁性膜５の膜厚は２０〜１０００Å、より好ましくは３００〜５００Åである。また、この補助磁性膜５は、前記光磁気記録膜４に対して基板側に設けることもできるし、その反対側に設けることもできる。さらには、前記光磁気記録膜４の中間に設けることもできる。
【０１０１】
　前記光磁気記録膜４のキュリー温度との差が１５０℃以内であるキュリー温度を有する補助磁性膜５を前記光磁気記録膜４と接触するように形成すれば、光磁気記録膜４と補助磁性膜５との間に磁気的な相互作用が生じ、磁界強度変調方式による信号のオーバーライトが実現可能となる。
【０１０２】
　図２６は、補助磁性膜５のキュリー温度と必要消去磁界との関係を示す特性図である。すなわち、光磁気記録膜４として膜厚が３００ÅのＴｂＦｅＣｏ合金膜を形成し、その上に補助磁性膜５として膜厚が５００ÅのＣｏＰｔ合金膜を形成した。そして、補助磁性膜５の合金組成比を変えることにより、それのキュリー温度を１０〜６００℃の範囲で変化させた。このとき、光磁気記録膜４のキュリー温度は２００℃とした。
【０１０３】
　図２７は、ＣｏＰｔ合金膜中におけるＰｔの含有率とその合金膜のキュリー温度（Ｔｃ ）との関係を示す特性図である。この図に示すように、Ｐｔの含有率を調整することにより、その合金膜のキュリー温度Ｔｃを任意に変更することが可能である。
【０１０４】
　このような光磁気記録媒体を使用して、消去方向に外部磁界を印加しつつ情報の記録を行い、記録が行える最小限の磁界強度を測定し、それを必要消去磁界とした。この必要消去磁界は、既記録信号を完全に消去するに必要な外部磁界の大きさに相当する。
【０１０５】
　磁界強度変調方式によるオーバーライトを行う場合、記録再生装置側からの要請により、その装置に搭載可能な外部磁界はせいぜい２００［Ｏｅ］程度である。この図２６の結果から明らかなように、キュリー温度が３６０℃を越えると外部磁界遮蔽を生じ、またキュリー温度が５０℃未満であると光磁気記録膜４と補助磁性膜９との磁気的相互作用がほとんど生じない。その結果、必要消去磁界は２００［Ｏｅ］を越えてしまい、実用的でない。
【０１０６】
　これに対して、光磁気記録膜４と直接接触し、そのキュリー温度が５０〜３５０℃の範囲である補助磁性膜９を形成すれば、２００［Ｏｅ］以下の小さな外部磁界で完全な情報の消去が可能となる。特に、補助磁性層９のキュリー温度を１００〜３００℃の範囲に規制すれば、１００［Ｏｅ］以下の外部磁界で完全な情報の消去が可能であることがわかる。
【０１０７】
　光磁気記録膜４としてＴｂの含有率が２３重量％、Ｆｅの含有率が６６重量％、Ｃｏの含有率が１１重量％の組成を有するＴｂＦｅＣｏ系合金を使用し、補助磁性膜９としてＰｔの含有率が８０重量％、Ｃｏの含有率が２０重量％の組成を有するＰｔＣｏ系合金を使用した場合、光磁気記録膜４のキュリー温度は２００℃で補助磁性膜９のキュリー温度は１８０℃となり、光磁気記録膜４と補助磁性膜９とのキュリー温度差は２０℃である。
【０１０８】
　図２８に、図２５に示した本発明の実施例に係る光磁気記録媒体と、補助磁性膜５を有しない従来の光磁気記録媒体の記録、消去特性を比較して示す。ここでいう記録、消去特性とは、記録時に印加する外部磁界の大きさ及び方向を変化させたときの再生ＣＮの変化をいう。なお、図中の曲線Ａが本発明の実施例に係る光磁気記録媒体の特性曲線で、曲線Ｂが従来の光磁気記録媒体の特性曲線である。
【０１０９】
　この図から明らかなように、従来の光磁気記録媒体（曲線Ｂ）は約３３０［Ｏｅ］以上の外部磁界を記録方向に印加しなければ再生ＣＮ比が飽和値に達しないのに対して、実施例に係る光磁気記録媒体（曲線Ａ）は約１００［Ｏｅ］の外部磁界を記録方向に印加するだけで再生ＣＮ比が飽和値に達する。このことからも実施例に係る光磁気記録媒体は、より小さな外部磁界で完全な記録が行えることがわかる。また、従来の光磁気記録媒体（曲線Ｂ）は約６００［Ｏｅ］以上の外部磁界を消去方向に印加しなければ再生ＣＮ比をゼロにすることができないのに対して、実施例に係る光磁気記録媒体（曲線Ａ）は約５０［Ｏｅ］の外部磁界を消去方向に印加するだけで再生ＣＮ比をゼロにすることができる。このことからも実施例に係る光磁気記録媒体は、より小さな外部磁界で完全な消去が行えることがわかる。従って、実施例に係る光磁気記録媒体は、外部磁界変調方式による情報のオーバーライトが確実に行える記録、消去特性を有していることが立証できる。
【０１１０】
　図２９ならびに図３０は、本実施例の変形例を示す要部拡大断面図である。これらの図において、１は透明基板、３はエンハンス膜、４は光磁気記録膜、１２は保護膜、７は反射膜、９は補助磁性膜である。図２９の実施例の場合、補助磁性膜９がエンハンス膜３と光磁気記録膜４との間に形成されている。一方、図３０の実施例の場合、補助磁性膜９が光磁気記録膜４の両面に形成されている。
【０１１１】
　また、光磁気記録膜４の組成を調整し、少なくともキュリー温度直下でＲＥ−ｒｉｃｈとなる光磁気記録膜４を用いれば、光強度変調方式によるダイレクトオーバーライトも可能となる。すなわち、前記したように、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜は、組成を種々変更することによって、少なくともキュリー温度直下でＴＭ−ｒｉｃｈのものとしたり、あるいはＲＥ−ｒｉｃｈのものにすることができる。そして、少なくともキュリー温度直下においてＲＥ−ｒｉｃｈである光磁気記録膜に接して前記第１実施例又は第４実施例に示した補助磁性膜５を積層し、外部磁界の大きさ及びレーザパワーを適宜選択することによって、作用の欄に示した原理に基づいて、光強度変調方式によるダイレクトオーバーライトを行うことができる。図３１に、光強度変調方式によるダイレクトオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の構成の一例を示す。
【実施例５】
【０１１２】
　本実施例の光磁気記録媒体は、膜面と垂直な方向に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分を有し、かつ当該磁性膜をそのキュリー温度近傍まで加熱したとき、前記傾斜した磁気モーメント成分と膜面に対して垂直な方向の磁気モーメント成分が共に消失する希土類−遷移金属合金系の磁性膜を前記光磁気記録膜４として設けたことを特徴とする。
【０１１３】
　図３７（ａ）〜（ｊ）に、膜面と垂直な方向に対して傾斜した方向の磁気モーメント成分を有する光磁気記録膜を例示する。この図において、矩形で示すのは光磁気記録膜たる磁性膜であり、磁性膜中の矢印は各部分における磁気モーメントの向きを示している。磁性膜を示す矩形の下辺は透明基板側の界面であり、上辺は反射膜側の界面である。
【０１１４】
　同図に示すように、本発明の光磁気記録媒体は、光磁気記録膜が単層にて形成されている。そして、図３７（ａ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面から膜厚方向の略中央部分までは磁気モーメントが垂直上向きに向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが斜め上向きに向き、反射膜側の界面では磁気モーメントが面内方向に向いている。図３７（ｂ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モーメントが面内方向に向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが斜め上向きに向き、膜厚方向の略中央部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いている。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが逆方向に傾斜し、反射膜側の界面では磁気モーメントが面内方向に向いている。図３７（ｃ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが斜め上向きになり、膜厚方向の略中央部分では磁気モーメントが面内方向に向いている。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが再度同一方向に傾斜し、反射膜側の界面では磁気モーメントが垂直上向きに向いている。図３７（ｄ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面部分から反射膜側の界面部分まで、磁気モーメントが一律に斜め上向きに向いている。図３７（ｅ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面部分から反射膜側の界面部分まで、磁気モーメントが螺旋状に回転している。図３７（ｆ）の光磁気記録膜は、斜め右上向きの磁気モーメントと斜め左上向きの磁気モーメントとが、膜厚方向に交互に形成されている。図３７（ｇ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面に極く近い部分では磁気モーメントが面内方向に向いており、そこから上の部分では磁気モーメントが順次右回りに旋回して遂には垂直上向きになる。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが同一方向に旋回し、膜厚方向の略中央部分では磁気モーメントが面内方向に向いている。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが逆向きに旋回し、遂には垂直上向きになる。さらにそこから上の部分では磁気モーメントが逆向きに旋回し、反射膜側の界面では磁気モーメントが面内方向に向いている。図３７（ｈ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面から略中央部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いており、反射膜側の界面近傍では磁気モーメントが斜め上向きに傾斜している。図３７（ｉ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面付近では磁気モーメントが斜め上向きに傾斜しており、略中央部から反射膜側の界面までの部分では磁気モーメントが垂直上向きに向いている。図３７（ｊ）の光磁気記録膜は、透明基板側の界面から略中央部までは磁気モーメントが垂直上向きに向いており、それより反射膜側の界面までの部分では磁気モーメントが斜め下向きに傾斜している。
【０１１５】
　これらの図から明らかなように、本発明の磁性膜は単層構造になっており、その中で磁化モーメントが垂直又は斜めもしくは面内方向に向く部分を有するのであつて、垂直磁化膜と面内磁化膜とを積層したものとは根本的に異なっている。　図３７（ａ）〜（ｊ）に掲げた各光磁気記録膜のうち、膜厚方向に磁気モーメントが膜面と垂直でない方向に向く部分と膜面と垂直に向く部分とを有する光磁気記録膜にあっては、光磁気記録膜をキユリー温度近傍まで加熱したときに、膜面と垂直でない方向に向く磁気モーメントが、前記膜面と垂直に向く磁気モーメントと共に消失するように調整される。膜面と垂直でない方向に向く磁気モーメントが消失する温度と、膜面と垂直に向く磁気モーメントが消失する温度とは、接近している方が好ましく、特に、膜面と垂直に向く磁気モーメントが消失する温度（キユリー温度）をＴｃとしたときに、膜面と垂直でない方向に向く磁気モーメントがＴｃ±５０℃の範囲で消失することが好ましい。
【０１１６】
　本実施例の光磁気記録媒体は、磁気トルク計にかけて磁気トルクを測定したとき、いずれも図３８に示すようなトルクカーブを示す。すなわち、外部磁場の大きさをＨｅｘ、測定温度における磁壁抗磁力をＨｃ、測定温度における垂直異方性磁界をＨｋ、膜面に垂直な方向を０°、膜面に垂直な方向からの外部磁場Ｈｅｘの回転角度をθとし、Ｈｃ＜Ｈｅｘ＜Ｈｋなる大きさの外部磁場を試料の支持軸回りに回転しつつ、試料の支持軸に働く磁気トルクＴを磁気トルク計にて測定したとき、０°≦θ≦９０°の範囲及び１８０°≦θ≦２７０°の範囲に、∂２Ｔ／∂θ２＜０なる領域が存在するか（但し、∂Ｔ(θ０)／∂θ＝０なるθ０ が存在する場合には、Ｔ(θ０)＜Ｔｍａｘなる領域が存在すること）、３６０°≧θ≧２７０°の範囲及び１８０°≧θ≧９０°の範囲に、∂２Ｔ／∂θ２＞０なる領域が存在し（但し、∂Ｔ(θ０)／∂θ＝０なるθ０が存在する場合Ｔ(θ０)＞Ｔｍｉｎなる領域が存在すること）する。但し、上記の各式を満たす条件が、磁壁移動に伴う微分不可能点でないことはもちろんである。
【０１１７】
　比較例として、垂直磁化膜単層の光磁気記録膜を有する光磁気記録媒体のトルクカーブを図３９に示す。このトルクカーブには、図３８のＢに相当するピークが現われない。
【０１１８】
　また、本実施例の光磁気記録媒体は、異なる試料温度のもとで前記のトルクカーブを測定し、試料温度と図３８に示すＡ及びＢのピーク値との相関をグラフにプロツトしたとき、いずれも図４０に示すような特性を示す。すなわち、試料温度が上昇するにしたがってＡのピーク値及びＢのピーク値が順次低下し、ほぼ同一の温度（図４０の例では同一温度）で共にゼロとなる。なお、Ａのピーク値がゼロになる温度とＢのピーク値がゼロになる温度とは、必ずしも一致する必要はなく、Ａのピーク値がゼロになる温度（キュリー温度）をＴｃとしたときに、Ｂのピーク値がゼロになる温度がＴｃ±５０℃の範囲にあればよい。
【０１１９】
　図４１に本実施例に係る光磁気記録媒体の外部磁界特性を、図４２に本実施例に係る光磁気記録媒体のビットエラー発生特性を示す。但し、試料としては、膜構造が図４３に示すように構成された光磁気記録媒体を用いた。図４１に示すように、本発明の光磁気記録媒体は、記録方向又は消去方向に５０（Ｏｅ）以上の外部磁界を印加することによつて飽和磁化に達することができ、また、図４２に示すように、記録方向に５０（Ｏｅ）以上の外部磁界を印加することによつてビットエラー発生率を最低レベルにすることができる。
【０１２０】
　本実施例の光磁気記録媒体は、垂直磁化膜を光磁気記録膜として用いた従来の光磁気記録媒体（図４１及び図４２に破線で表示）に比べて、１５０（Ｏｅ）以上も情報の記録消去に必要な外部磁界強度を低下できる。
【０１２１】
　以下に、本発明に係る光磁気記録媒体の製造方法例と、各製造方法によって作製される磁性膜の構造とを列挙する。
【０１２２】
　（１）透明基板上に、第１無機誘電体層と、希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜と、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて順次積層し、図９の膜構造を有する光磁気記録媒体を作製した後、この光磁気記録媒体を６０℃〜１５０℃の温度で、２〜１０分間加熱する。これによつて、図３７（ｄ）に示したような磁性膜を形成できる。
【０１２３】
　（２）透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、スパッタガスの組成を適宜切り替えつつ希土類−遷移金属系の非晶質合金を所望の膜厚に達するまでスパッタリングする。例えば、磁性層の膜厚が全膜厚の１／２〜１／１０に達する毎に、スパッタガスを純Ａｒから１〜２０体積％のＮ２ガスを混入したＡｒガス又は０．５〜１０体積％のＯ２ガスを混入したＡｒガスに切り替える。これによつて、図３７（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｇ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【０１２４】
　（３）透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、垂直磁気異方性が異なる磁性膜を交互に形成する。垂直磁気異方性が異なる磁性膜の組み合わせには、例えば希土類−遷移金属系の非晶質合金と、Ｃｏを主成分とし、これに（Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｐｔ，Ａｇ）のグループから選択された少なくとも１種類の金属の合金などを挙げることができる。これによつて、図３７（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｇ）に示したような磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【０１２５】
　（４）透明基板上に第２無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第２無機誘電体層上に、（Ｇｄ，Ｃｅ，Ｄｙ，Ｎｄ）のグループから選択される希土類元素の添加量、又は（Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ）のグループから選択される遷移金属の添加量が異なるＴｂＦｅＣｏ系合金を順次積層する。これによって、原子間の交換相互作用及び異方性エネルギーの相関により、図３７（ｅ）のようなヘリカルスピン構造をとる磁性膜、あるいは図３７（ｆ）のようなキャントスピン構造をとる磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【０１２６】
　（５）透明基板上に第１無機誘電体層をスパッタリングした後、当該第１無機誘電体層上に、（Ｎｂ，Ｔｉ，Ｗ，Ｂｉ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｒｈ）のグループから選択される非磁性元素の添加量が異なるＴｂＦｅＣｏ系合金を順次積層する。これによって、異方性エネルギーが低下し、図３７（ｄ）のような構造の磁性膜を形成できる。以下、当該磁性膜上に、第２無機誘電体層と、反射膜とを連続スパッタ法にて積層する。
【０１２７】
　本第５実施例の光磁気記録媒体は、前記光磁気記録膜４上にこれと交換結合力を及ぼしあう補助磁性膜を積層することによって、さらに外部磁界感度を高めることができる。補助磁性膜としては、記録温度における飽和磁化をＭｓ（ＴＷＲ）、記録温度における垂直磁気異方性エネルギーをＫｕ（ＴＷＲ）としたときに、下式にて表わされる磁気特性を有する希土類−遷移金属−添加元素系の合金薄膜を用いることができる。
【０１２８】
　　　２πＭｓ２（ＴＷＲ）≧Ｋｕ（ＴＷＲ）
　希土類としては、元素記号がＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ，Ｈｏで表わされるものを挙げることができ、遷移金属としては、元素記号がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉで表わされるものを挙げることができ、添加元素系としては、元素記号がＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｂ，Ｃｒで表わされるものを挙げることができる。これらのうちでは、ＧｄＦｅＣｕ合金、ＴｂＦｅＰｔ合金などが特に好適である。
【０１２９】
　図４４に、補助磁性膜が設けられた本実施例の光磁気記録媒体の磁界変調記録特性を示す。ただし、試料としては図４５に示す膜構造を有する光磁気ディスクを用い、図４４に表記した条件のもとで信号の記録を行った。図４４から明らかなように、本実施例の光磁気記録媒体は、飽和記録磁界が５０（Ｏｅ）以下になる。
【０１３０】
　以下の第６〜第９実施例に、本発明を例えば特開平１−１４３０４２号公報などに記載されている超解像方式の光磁気記録媒体に適用した場合の実施例を示す。
【実施例６】
【０１３１】
　第６実施例に係る光磁気記録媒体を図４６及び図４７に基づいて説明する。図４６は本例に係る光磁気記録媒体の要部断面図であり、図４７は本実施例の効果を示すグラフ図である。
【０１３２】
　図４６に示すように、本例の光磁気記録媒体は、透明基板１のプリフォーマットパターン形成面２に、見掛け上のカー回転角を大きくし、再生信号のＣＮ比を改善するためのエンハンス膜３と、フェリ磁性を有する希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜からなる第１〜第３の磁性膜４ａ，４ｂ，４ｃと、保護層６とを順次積層してなる。透明基板１としては、いわゆる２Ｐ法によつて片面にプリフォーマットパターン２が転写されたガラス基板を用いた。このガラス基板１のプリフォーマットパターン２上に、膜厚が約８５０ÅのＳｉＮエンハンス膜３と、膜厚が約３００ÅのＧｄＦｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜からなる第１の磁性膜４ａと、膜厚が約１００ÅのＴｂＦｅＮｂ系非晶質垂直磁化膜からなる第２の磁性膜４ｂと、膜厚が約４００ÅのＴｂＦｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜からなる第３の磁性膜４ｃと、膜厚が約８００ÅのＳｉＮ保護層１４とを連続スパッタリングして、第６実施例の光磁気記録媒体とした。前記第３の磁性膜４ｃは、室温においてＴｂ副格子磁化が優勢な組成に調整されている。
【０１３３】
　図４７に、前記第６実施例に係る光磁気記録媒体と、当該光磁気記録媒体における第３の磁性膜４ｃに代えてＦｅＣｏ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜が設けられた比較例に係る光磁気記録媒体との外部磁界特性を示す。このグラフ図の縦軸には再生信号のＣＮ比が目盛られ、横軸には印加される外部磁界の大きさが目盛られている。なお、外部磁界の正値は記録方向の磁界を示し、負値は消去方向の磁界を示す。このグラフ図から明らかなように、第３の磁性膜４ｃとしてＦｅＣｏ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜が設けられた比較例に係る光磁気記録媒体は、記録方向に約３００［Ｏｅ］以上、消去方向に約６００［Ｏｅ］以上の外部磁界を印加しなくては飽和磁界に達しないのに対し、第３の磁性膜４ｃとしてＴｂ副格子磁化が優勢な組成のＴｂＦｅＣｏ系非晶質垂直磁化膜が設けられた第１実施例に係る光磁気記録媒体は、記録方向及び消去方向に夫々約２００［Ｏｅ］以上の外部磁界を印加するだけで飽和磁界に達することができる。よって、外部磁界ひいてはドライブ装置の小型化、軽量化、省電力化を図ることができると共に、磁界変調方式による情報のオーバーライトが実現可能になった。
【０１３４】
　なお、前記実施例及び比較例では、透明基板１としてガラス基板を用いたが、これに代えて樹脂基板を用いた場合にも前記と同様の結果が得られた。前記実施例及び比較例では、エンハンス膜３及び保護膜６としてＳｉＮを用いたが、ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ，Ｓｉ２ Ｎ３ ，ＡｌＮ等、他の無機誘電体を用いた場合にも前記と同様の結果が得られた。また、無機保護膜６に代えて、ＵＶ樹脂保護膜を形成した場合にも前記と同様の結果が得られた。また、各膜の膜厚を種々変更した場合にも、前記と同様の結果が得られた。さらに、第１の磁性膜４ａとしてＧｄＦｅ又はＧｄＣｏ系の非晶質垂直磁化膜を用い、第２の磁性膜４ｂとしてＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＦｅＣｏＰｔ系の非晶質垂直磁化膜を用いた場合にも、前記と同様の結果が得られた。
【実施例７】
【０１３５】
　以下、第７実施例に係る光磁気記録媒体を図４８及び図４９に基づいて説明する。図４８は本例に係る光磁気記録媒体の要部断面図であり、図４９は本実施例の効果を示すグラフ図である。
【０１３６】
　図４８に示すように、本例の光磁気記録媒体は、第３の磁性膜４ｃの表面に、酸化層９を形成したことを特徴とする。酸化層９は、ガラス基板１上に、エンハンス膜３と、第１〜第３の磁性膜４ａ，４ｂ，４ｃとを連続スパッタリングした後、成膜を一旦中止してスパッタチャンバー内の酸素量を調整し、第３の磁性膜４ｃを加熱することによつて形成される。その後、スパッタチャンバー内の真空度を再度調整し、所定の膜厚の保護層６をスパッタリングすることによって、第７実施例の光磁気記録媒体を形成できる。酸化層９以外の部分については、第６実施例の光磁気記録媒体と同様に形成される。
【０１３７】
　図４９に、本第７実施例に係る光磁気記録媒体と、前記第６実施例に係る光磁気記録媒体との外部磁界特性を示す。このグラフ図から明らかなように、本例の光磁気記録媒体は、記録方向及び消去方向に夫々約１００［Ｏｅ］以上の外部磁界を印加するだけで飽和磁界に達することができ、第６実施例の光磁気記録媒体に比べて、さらに約±１００［Ｏｅ］も外部記録感度が向上している。
【０１３８】
　なお、本第７実施例では、第３の磁性膜４ｃの表面に加熱酸化層を形成したが、第１の磁性膜４ａ又は第２の磁性膜４ｂの表面に前記と同様の加熱酸化層９を形成しても、前記と同様の結果が得られた。また、前記加熱酸化層９に代えて、加熱窒化層を形成した場合にも前記と同様の結果が得られた。加熱窒化層は、窒化しようとする磁性膜をスパッタリングした後、スパッタチャンバー内の窒素量を調整し、当該窒化しようとする磁性膜を加熱することによって形成される。その他、透明基板１の材料や保護膜６の材料、それに加熱酸化層９又は加熱窒化層の形成位置を第６実施例の説明欄に表記したように変更しても、前記と同様の結果が得られた。
【実施例８】
【０１３９】
　以下、第８実施例に係る光磁気記録媒体を図５０及び図５１に基づいて説明する。図５０は本例に係る光磁気記録媒体の要部断面図であり、図５１は本実施例の効果を示すグラフ図である。
【０１４０】
　図５０に示すように、本例の光磁気記録媒体は、第３の磁性膜４ｃに接して、補助磁性膜５に設けたことを特徴とする。補助磁性膜５としては、第３の磁性層４ｃに記録磁区が形成される温度（第３の磁性層４ｃのキユリー温度近傍又は補償温度近傍）で、遷移金属副格子磁化が優勢な希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜が用いられる。その他、エンハンス膜３、第１〜第３の磁性膜４ａ，４ｂ，４ｃ、保護層６については、第６実施例の場合と同じである。補助磁性膜５は、他の薄膜と共に連続スパッタリングされる。
【０１４１】
　図５１に、前記補助磁性膜５として、膜厚が５０Åの上記組成のＴｂＦｅＣｏ膜が設けられた本第８実施例に係る光磁気記録媒体と、前記第６実施例に係る光磁気記録媒体との外部磁界特性を示す。このグラフ図から明らかなように、本例の光磁気記録媒体は、記録方向及び消去方向に夫々約１００［Ｏｅ］以上の外部磁界を印加するだけで飽和磁界に達することができ、第６実施例の光磁気記録媒体に比べて約±１００［Ｏｅ］も外部記録感度が向上している。これは、前記補助磁性膜５を形成することによって、記録磁区を形成しようとする領域又は消去しようとする領域に作用するその周囲領域からの浮遊磁界が減少されるためであると考えられる。
【０１４２】
　なお、本第８実施例においては、第３の磁性膜４ａの表面側（保護膜６側）にのみ補助磁性膜５を形成したが、第３の磁性膜４ｃの背面側（透明基板１側）に補助磁性膜５を形成しても同様の結果が得られた。また、第１の磁性膜４ａ又は第２の磁性膜４ｂの表面に前記と同様の補助磁性膜５を形成しても、前記と同様の結果が得られた。その他、透明基板１の材料や保護膜６の材料を第６実施例の説明欄に表記したように変更しても、前記と同様の結果が得られた。
【実施例９】
【０１４３】
　以下、第９実施例に係る光磁気記録媒体を図５２〜図５５に基づいて説明する。図５２は補助磁性膜中のＰｔ添加量と垂直磁気異方性定数との関係を示すグラフ図、図５３は補助磁性膜中のＰｔ添加量と残留カー回転角との関係を示すグラフ図、図５４は補助磁性膜中のＰｔ添加量と再生ＣＮ比との関係を示すグラフ図、図５５は補助磁性膜中のＰｔ添加量と記録信号を消去するに要する最小消去磁界との関係を示すグラフ図である。
【０１４４】
　本例の光磁気記録媒体は、前記第８実施例に係る光磁気記録媒体の補助磁性膜５をＡｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｎｂ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｃｒから選択された少なくとも１種類の元素が添加された希土類−遷移金属系非晶質合金にて形成したことを特徴とする。その他、エンハンス膜３、第１〜第３の磁性膜４ａ，４ｂ，４ｃ、保護層６については、第８実施例の場合と同じである。補助磁性膜は、他の薄膜と共に連続スパッタリングされる。したがつて、本例の光磁気記録媒体の断面構造は、前記第８実施例の光磁気記録媒体と同じになる（図５０参照）。　　図５２に、本第９実施例に係る光磁気記録媒体にける補助磁性膜中のＰｔ添加量と垂直磁気異方性定数との関係を示す。この図から明らかなように、本例の光磁気記録媒体の垂直磁気異方性エネルギーは、補助磁性膜中のＰｔ添加量を増加するにしたがって低下し、補助磁性膜中のＰｔ添加量が約１３ａｔ％を越えると磁化容易軸が膜面に垂直な方向に向く。一方、図５３に、この光磁気記録媒体における補助磁性膜中のＰｔ添加量と残留カー回転角との関係を示す。この図から明らかなように、本例の光磁気記録媒体の残留カー回転角は、補助磁性膜中のＰｔ添加量が約１０ａｔ％まではほぼ一定であるが、１０ａｔ％を越えると急激に低下する。これら図５２及び図５３の結果から、補助磁性膜中に約１０原子％までのＰｔを添加することによって、カー回転角を低下させることなく垂直磁気異方性エネルギーを低下させることができること、すなわち光磁気記録媒体の再生ＣＮ比を低下することなく外部磁界感度を高めることがわかる。
【０１４５】
　図５４に、Ｐｔを添加したＴｂＦｅＣｏ膜が補助磁性膜として設けられた光磁気記録媒体の再生ＣＮ比とＰｔ添加量との関係を示す。但し、補助磁性膜の膜厚を約５０Å、記録信号のパルス幅を６０ｎＳ、記録磁区間のピツチを１．５３μｍ、媒体に対する光ビームの線速を７．５４ｍ／ｓとし、最大出力時のＣＮ比を測定した。この図から明らかなように、本例の光磁気記録媒体の再生ＣＮ比は、補助磁性膜中のＰｔ添加量が約１０〜１２ａｔ％まではほぼ一定であるが、その値を越えると急激に低下する。図５５に、図５４のデータをとるに使用した光磁気記録媒体の消去磁界の大きさと補助磁性膜中のＰｔ添加量との関係を示す。ただし、本例では、記録時の搬送波レベルに対する消去後のノイズレベルが−４０ｄＢとなるために必要な外部磁界の大きさをもつて消去磁界の大きさとした。この図から明らかなように、補助磁性膜中にＰｔを添加すると、添加量が増加するにしたがつて必要な消去磁界が小さくなる。しかし、１０ａｔ％を越えるＰｔを添加しても消去磁界の低下度がきわめて小さくなる。このことから、第３の磁性層４ｃに記録磁区が形成される温度で遷移金属副格子磁化が優勢な希土類−遷移金属系非晶質垂直磁化膜からなる補助磁性膜に約１０ａｔ％のＰｔを添加することによつて、消去磁界感度を極限まで高められることがわかる。
【０１４６】
　なお、本第９実施例では、補助磁性膜の添加元素としてＰｔを用いたが、これに代えてＡｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｃｒなどを用いても、前記と同様の結果が得られた。その他、透明基板１の材料や保護膜６の材料、それに補助磁性膜５の形成位置を第３実施例の説明欄に表記したように変更しても、前記と同様の結果が得られた。
【０１４７】
　なお、前記第１及び第２の目的を達成するための手段を具体化した実施例においては、光磁気記録膜としてキュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェリ磁性体（図３２）を用いた場合、及びキュリー温度近傍で希土類リッチのフェリ磁性体（図３３）を用いた場合についてのみ説明したが、その他、キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェロ磁性体（図３４）、及びキュリー温度近傍で希土類リッチのフェロ磁性体（図３５）を用いることもできる。本実施例においては、キュリー温度近傍における光磁気記録膜の磁気モーメントの大きさのみを問題にしており、室温における光磁気記録膜の磁気モーメントの大きさについては、何ら問題にならない。例えば、図３６に示すように、室温においては希土類リッチのフェリ磁性体であっても、キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェリ磁性体となるものは、遷移金属リッチのフェリ磁性体として取り扱うことができる。これらの図３２〜図３６において、黒矢印は遷移金属の磁気モーメントを、白矢印は希土類金属の磁気モーメントを示している。
【０１４８】
　次に、前記第２の目的を達成するための手段を具体化した実施例について説明する。
【実施例１０】
【０１４９】
　図５６に示すように、所謂２Ｐ法にて、プリフォーマットパターン（図示せず）が転写された紫外線硬化樹脂層２１をガラス円板２２の片面に密着し、プリフォーマットパターン付きの透明基板１を作製した。
【０１５０】
　次いで、この透明基板１の前記プリフォーマットパターン上に、透明基板１側より、膜厚が約８５０Åの窒化珪素誘電体製エンハンス層３と、膜厚が約３００Åのテルビウム−鉄−コバルト非晶質合金製記録層４と、膜厚が約２００Åの不定比な組成の鉄酸化物製中間層２３と、膜厚が約１２００Åのテルビウム−デイスプロシウム−鉄−コバルト非晶質合金製補助層５と、膜厚が約１０００Åの窒化珪素製保護層６とを順次積層し、図５６に示すディスク単板２４を作製した。　最後に、前記のようにして作製された２枚のディスク単板２４を、各層を内側にして同心に貼り合わせ、図１１に示すエアサンドイッチ構造の光磁気ディスクを作製した。
【実施例１１】
【０１５１】
　射出成形法にて、片面にプリフォーマットパターン（図示せず）が形成されたポリカーボネート製の透明基板１を作製した。
【０１５２】
　次いで、この透明基板１の前記プリフォーマットパターン上に、透明基板側１より、膜厚が約８５０Åの窒化珪素誘電体製のエンハンス層３と、膜厚が約２５０Åのテルビウム−鉄−コバルト非晶質合金製記録層４と、膜厚が約１５０Åの不定比な組成のコバルト酸化物製中間層２３と、膜厚が約１２００Åのガドリニウム−テルビウム非晶質合金製補助層８５、膜厚が約１０００Åの窒化珪素誘電体製保護層６とを順次積層し、図５７に示すディスク単板２８を作製した。
【０１５３】
　最後に、前記のようにして作製された２枚のディスク単板２８を、各層を内側にして同心に貼り合わせ、図１２に示す密着貼り合わせ構造の光磁気ディスクを作製した。
【０１５４】
　第１０及び第１１実施例の各光磁気ディスクに形成された記録層と補助層の保磁力−温度特性、それに飽和磁化−温度特性を調べたところ、いずれも図５８に示す特性をもつていることが判った。すなわち、記録層４は補助層５に比べて室温での保磁力が高く、補助層５よりも低いキュリー点をもつ。また、記録層４は補助層５に比べて室温での飽和磁化が低くなつている。
【０１５５】
　また、第１０及び第１１実施例の各光磁気ディスクについて、記録磁区の消去に必要なＬレベルのレーザパワーと、情報の記録に必要なＨレベルのレーザパワーを調べたところ、いずれも図５９に示すように、約４ｍＷ以下のＬレベルのレーザパワーをかけることによつて先に記録された信号を再生することができ、約１４ｍＷ以上のＨレベルのレーザパワーをかけることによつて情報の記録を行うことができることが判った。
【０１５６】
　さらに、初期化磁界の大きさを種々変更しながら、４．９３［ＭＨｚ］の信号が記録されたトラック上に、１．８５［ＭＨｚ］の信号をオーバーライトし、４．９３［ＭＨｚ］の信号が完全に消去され、１．８５［ＭＨｚ］の信号がオーバーライトされる初期化磁界の大きさを調べた。第１０及び第１１実施例の各光磁気ディスクは、いずれも図６０に示すように、約１［ＫＯｅ］の初期化磁界をかけるだけで先に記録された４．９３［ＭＨｚ］の信号が完全に消去され、かつ後に記録された１．８５［ＭＨｚ］の信号は飽和レベルに達しており、５〜６［ＫＯｅ］の初期化磁界をかけなくてはならない従来技術に比べて、初期化磁石を格段に小型化できることが判った。
【０１５７】
　ただし、第１０実施例の光磁気ディスクについては、１．８５［ＭＨｚ］の信号をＬレベルが６［ｍＷ］、Ｈレベルが１４［ｍＷ］に強度変調してオーバーライトし、第１１実施例の光磁気ディスクについては、１．８５［ＭＨｚ］の信号をＬレベルが５．５［ｍＷ］、Ｈレベルが１２［ｍＷ］に強度変調してオーバーライトしてオーバーライトした。また、再生用レーザビームのパワーは１．５［ｍＷ］であった。
【０１５８】
　なお、第１０及び第１１実施例の光磁気ディスクのみならず、前記第２の目的を達成するための手段として挙げた全ての発明に係る光磁気記録媒体は、いずれも前記と同様の効果が確認された。
【０１５９】
　次に、前記第３の目的を達成するための手段を具体化した実施例について説明する。
【実施例１２】
【０１６０】
　図６１に示すように、直径１０インチのガラス板３１の片面に、いわゆる２Ｐ法にて、プリフォーマットパターン２が転写された紫外線硬化樹脂層３２を形成し、プリフォーマットパターン付きの透明基板１を作製した。
【０１６１】
　次いで、この透明基板１の前記プリフォーマットパターン２上に、透明基板１側より、膜厚が約８０ｎｍの窒化珪素製エンハンス層３と、膜厚が約２０ｎｍで、キュリー温度が１９０℃であり、補償温度が１００℃のテルビウム−鉄−コバルト非晶質合金製磁性層４と、膜厚が約５ｎｍの白金−コバルト合金製補助磁化層５と、膜厚が約２５ｎｍの窒化珪素製熱制御層８と、膜厚が約５０ｎｍのアルミニウム−チタン合金製反射層７とを順次積層し、ディスク単板を作製した。しかる後に、このようにして作製された２枚のディスク単板を貼り合わせて、図１１に示すエアサンドイッチ構造の光磁気ディスクを作製した。
【０１６２】
　この光磁気ディスクをドライブ装置に装着し、３６００ｒｐｍで回転して最外周の線速度が４５ｍ／ｓとなる部分にレーザビームスポットを位置付け、記録周波数が３２ＭＨｚ、記録レーザパワーが約１０ｍＷ、外部磁界が３０００ｅの条件下で信号の記録を行い、４．０ｍＷの再生用レーザビームを照射して信号の再生を行つたところ、４９ｄＢの再生Ｃ／Ｎを得ることができた。図６２に、本例の光磁気ディスクの再生Ｃ／Ｎ−記録レーザパワー特性を示す。
【実施例１３】
【０１６３】
　図６１に示すように、直径５インチのガラス板３１の片面に、いわゆる２Ｐ法にて、プリフォーマットパターンが転写された紫外線硬化樹脂層３２を形成し、プリフォーマットパターン付きの透明基板１を作製した。
【０１６４】
　次いで、この透明基板１の前記プリフォーマットパターン２上に、透明基板１側より、膜厚が約８０ｎｍの窒化珪素製エンハンス層３と、膜厚が約２０ｎｍで、キュリー温度が１８５℃であり、補償温度が８０℃のテルビウム−鉄−コバルト−ニオブ非晶質合金製磁性層４と、膜厚が約２５ｎｍの窒化珪素製熱制御層８と、膜厚が約５０ｎｍのアルミニウム−チタン合金製反射層７とを順次積層し、図１２に示す密着貼り合わせ構造の光磁気ディスクを作製した。
【０１６５】
　この光磁気ディスクをドライブ装置に装着し、３６００ｒｐｍで回転して最外周の線速度が２２．５ｍ／ｓとなる部分にレーザビームスポットを位置付け、記録周波数が１４．８ＭＨｚ、記録レーザパワーが約６．５ｍＷ、外部磁界が３００Ｏｅの条件下で信号の記録を行い、４．０ｍＷの再生用レーザビームを照射して信号の再生を行ったところ、４８ｄＢの再生Ｃ／Ｎを得ることができた。
【０１６６】
　また、エンハンス層３の膜厚を７０〜８０ｎｍの範囲で変化させ、磁性層４の膜厚を１０〜３０ｎｍの範囲で変化させ、熱制御層８の膜厚を２０〜１００ｎｍの範囲で変化させ、反射層７の膜厚を７０ｎｍ以下、５０ｎｍ程度の範囲で変化させた場合にも、前記と同様の結果が得られた。
【実施例１４】
【０１６７】
　以下、前記第４の目的を達成するための手段を具体化する実施例について説明する。第１４実施例に係る光ディスクは、基板上に、カー回転角の増強用の窒化シリコン膜が８００ｎｍ形成され、この上に、光磁気記録膜としてＴｂＦｅＣｏ膜が２０ｎｍ、保護膜として窒化シリコン膜が３００ｎｍ、反射膜としてアルミニウム膜が５０ｎｍが積層された第１の光ディスク単板と、基板上に反射膜としてアルミニウム膜が３０ｎｍ形成された第２の光ディスク単板とを、接着剤を介して貼り合わせてなる。
【実施例１５】
【０１６８】
　以下に、前記第５の目的を達成するための手段を具体化する第１５実施例について説明する。この第１５実施例は、前出の図１１における透明基板１と内周スぺーサ１５及び外周スぺーサ１６とを接着する接着剤１７、それに図１２における記録ディスク１１，１２を接着する接着剤１７の改良に関する。
【０１６９】
　接着層１７としては、例えばホットメルト接着剤やエポキシ系接着剤などを主成分とし、これにシランカップリング剤又はチタンカップリング剤が添加された接着剤によつて形成される。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリトメキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フエニル−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどを挙げることができ、チタンカップリング剤としては、チタニウムステアレートなどを挙げることができる。接着剤に対するシランカップリング剤又はチタンカップリング剤の含有率は、０．１重量％〜１０重量％程度が良好である。接着剤の形成方法としては、用いる接着剤の種類に応じて、例えばロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法などを適用することができる。
【０１７０】
　また、他の例としては、シランカップリング剤あるいはチタンカップリング剤にて表面処理された無機フィラーが添加された接着層を用いることもできる。
【０１７１】
　無機フィラーとしては、例えばＳｉＯ２，ＳｉＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮなどの粒状体もしくは粉状体を用いることができる。表面処理に用いるシランカップリング剤又はチタンカップリング剤としては、前記のものを用いることができる。また、表面処理方法としては、無機フィラーの表面にシランカップリング剤又はチタンカップリング剤を塗布したり、無機フィラーに形成される微細な空間内にシランカップリング剤又はチタンカップリング剤を含浸させるといつた方法をとることができる。
【０１７２】
　以下に第１５実施例に係る光磁気記録媒体の実験例を挙げ、効果に言及する。
【０１７３】
＜実験例１〜１７＞
　内径が１５ｍｍ、外径が１３０ｍｍ、厚さが１．２ｍｍのガラス板の片面に、いわゆる２Ｐ法によつて所望のプリフォーマットパターンを転写し、レプリカ基板を作製した。次いで、このレプリカ基板のプリフォーマットパターン上に光磁気記録膜を積層し、光磁気記録単板を作製した。また、内径が１５ｍｍ、外径が２５ｍｍ、厚さが０．５ｍｍのアルミニウム製の内周スぺーサと、内径が１２５ｍｍ、外径が１３０ｍｍ、厚さが０．５ｍｍのアルミニウム製の外周スぺーサとを作製した。さらには、エポキシ接着剤（チバガイギー社製アラルダイト）を主剤とし、これに図６３に表示する組合わせのシランカップリング剤あるいはチタンカップリング剤が添加された各種の接着剤を用意した。
【０１７４】
　前記接着剤をもつて接着層が形成された内周スぺーサ及び外周スぺーサの表裏両面に、光磁気膜を内側にして光磁気記録単板を貼り合わせ、接着剤に添加されたシランカップリング剤又はチタンカップリング剤の種類及び組合せ、それに添加量が異なる１７種類の光情報記録媒体を作製した。ただし、接着層の厚さは、約３０μｍとした。
【０１７５】
　これらの光情報記録媒体を温度１２０℃、相対湿度１００％の環境下に１００時間放置後、取り出して観察したところ、実験例１〜１２の光情報記録媒体には接着部になんら異常が認められなかつた。これに対し、実験例１３、１５、１７の光情報記録媒体にはレプリカ基板と接着層との界面に剥離が発生した。また、実験例１４、１６の光情報記録媒体では接着層からフィラーが分離し、光磁気膜上まで拡散しているのが認められた。これらの結果より、接着剤に対するシランカップリング剤又はチタンカップリング剤の含有率は、およそ０．１重量％〜１０重量％が好適であることがわかる。
【０１７６】
＜実験例１８〜２７＞
　実験例１〜１７で用いたと同様の光磁気記録単板と、内周スぺーサと、外周スぺーサとを作製した。また、エポキシ接着剤（チバガイギー社製アラルダイト）を主剤とし、これに図６４に表示する組合せのフィラー及びシランカップリング剤が添加された各種の接着剤を用意した。
【０１７７】
　前記接着剤をもつて接着層が形成された内周スぺーサ及び外周スぺーサの表裏両面に、光磁気膜を内側にして光磁気記録単板を貼り合わせ、接着剤に添加されたフィラーの種類及び組合せ、それに添加量が異なる１７種類の光情報記録媒体を作製した。ただし、接着層の厚さは、約３０μｍとした。
【０１７８】
　これらの光情報記録媒体を温度１２０℃、相対湿度１００％の環境下に１００時間放置後、取り出して観察したところ、実験例１８〜２３の光情報記録媒体には接着部になんら異常が認められなかつた。これに対し、実験例２４〜２７の光情報記録媒体にはレプリカ基板と接着層との界面に剥離が発生した。この結果より、接着剤に対するフィラーの含有率は、６０重量％以下が好適であることがわかる。
【０１７９】
　なお、本第１５実施例においては、レプリカ基板同士あるいはレプリカ基板とスぺーサの接着についてのみ説明したが、その他、光記録単板の中心部にセンターハブを備えた光ディスクにおいては、レプリカ基板とセンターハブとの接着にも応用することができる。
【０１８０】
　また、本第１５実施例においては光ディスクを例にとつて説明したが、光カードなど他の形状の光情報記録媒体の製造にも応用することができる。
【実施例１６】
【０１８１】
　以下に、前記第６の目的を達成するための手段を具体化する第１６実施例について説明する。この第１６実施例は、エンハンス膜３を構成する無機誘電体層の改良に関する。
【０１８２】
　図６５は実施例１１に係る光磁気記録媒体の要部断面図であつて、透明基板１のプリフォーマットパターン２の形成面に、透明基板１側より酸化物層６１と、窒化物層６２と、光磁気記録膜４と、保護層６と、反射層７とが順次積層され、前記酸化物層６１と窒化物層６２とをもつてエンハンス膜３が構成されている。
【０１８３】
　前記酸化物層６１として、例えばＳｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｔａ２Ｏ５，ＭｇＯ，Ｙ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯなどの金属あるいは半金属の酸化物が使用される。この酸化物層１の膜厚は、前述のような理由から３０〜８００Åの範囲に規制されている。
【０１８４】
　前記窒化物層６２として、例えばＡｌＮ，ＢＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＴａＮ，ＴｉＮなどの金属あるいは半金属の窒化物が使用される。この窒化物層２の膜厚は、前述のような理由から５００〜２０００Åの範囲に規制されている。
【０１８５】
　その他については、前出の各実施例に係る光磁気記録媒体と同じであるので、説明を省略する。
【０１８６】
　次に、第１６実施例に係る光磁気記録媒体の実験例と比較例とについて説明する。第１６実施例に係る実験例１〜１０は、エンハンス膜３（酸化物層６１／窒化物層６２）がそれぞれＳｉＯ２／ＳｉＮ，ＳｉＭｇＯ／ＳｉＮ，ＺｒＯ２／ＳｉＮ，ＳｉＺｒＯ／ＳｉＮ，ＺｒＹＯ／ＳｉＮ，Ｔａ２Ｏ５／ＡｌＮ，ＡｌＴａＯ／ＳｉＡｌＮ，ＳｉＹＯ／ＳｉＴａＮ，Ｙ２Ｏ３／ＡｌＴａＮ，ＣａＳｉＯ／ＳｉＡｌＮをもって構成されている。一方、第１６実施例に係る比較例１，２は、エンハンス膜３がそれぞれＳｉＮ，ＳｉＯをもって構成されている。なお、透明基板１としてはポリカーボネート、光磁気記録膜４としてはＴｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、反射層７としてはＡｌを用い、エンハンス膜３の厚みを９００〜１１００Å、Ｔｂ−Ｔｅ−Ｃｏ記録膜の厚みを３００Å、Ａｌ反射膜の厚みを６００Åとした。
【０１８７】
　実験例１〜５に係る光ディスク単板と、比較例１，２に係る光ディスク単板とを８０℃、９０％ＲＨの環境下において加速試験を行った結果を図６６に示す。
【０１８８】
　この図から明らかなように、従来のもの、特に透明基板上にＳｉＯのみの下地層を形成し、その上に直接光記録膜を形成した比較例のものは、ビットエラーレートが非常に高い。これに比較して実験例１〜５に係るものは、いずれのものにおいてもビットエラーレートが非常に低く、長期間経過しても性能的に安定していること、即ち、信頼性の高い光情報記録媒体であることが立証できる。
【０１８９】
　最後に、光磁気記録膜の外部磁界感度を高めるに好適な光磁気記録媒体の製造方法に関する実施例を挙げる。
【０１９０】
　垂直磁気膜の表面に適当な膜厚の面内磁化膜を設けると光磁気記録媒体の外部磁界感度が向上でき、面内磁化膜は、垂直磁化膜の表面を酸化することによっても生成できる。透明基板上に垂直磁化膜を成膜すると、透明基板に含まれる水分によつて垂直磁化膜が酸化され、垂直磁化膜の表面に面内磁化膜が生成される。ここで、透明基板に含まれる水分量が過大であると、不必要に大きな面内磁化膜が生成されて外部磁界感度が低下し、透明基板に含まれる水分量が過少であると必要な膜厚の面内磁化膜が生成されず、やはり外部磁界感度が低下する。したがつて、透明基板に含まれる水分量を調整することによって、最適な膜厚の面内磁化膜を生成することができ、外部磁界感度の高い光磁気記録媒体を得ることができる。
【０１９１】
　実験によると、透明基板として高分子化合物からなるものを用いた場合には、前記の条件で透明基板の脱水処理を行った後、短時間のうちに垂直磁化膜を成膜した方が高い外部磁界感度を得ることができ、脱水処理後の保存時間が長くなるにしたがって外部磁界感度が低下する。特に、前記条件下での保存時間が５０分間を超えると、外部磁界感度が急激に低下する。一方、透明基板としてガラス板の片面に高分子化合物からなる転写層が設けられたものを用いた場合には、前記の条件で透明基板の脱水処理を行った後、ある程度の時間が経過してから垂直磁化膜を成膜した方が高い外部磁界感度を得ることができる。具体的には、前記の放置条件で４時間以上保存することによって、ほぼ最良の外部磁界感度を得ることができる。以下の第１７実施例〜第１９実施例は、かかる知見に基づいてなされたものである。
【実施例１７】
【０１９２】
　射出成形法によって、片面にプリフォーマットパターンを有するポリカーボネート製のディスク状透明基板（以下、これをＰＣ基板という）を作製した。
【０１９３】
　このＰＣ基板をベーク炉に入れ、大気圧下８０℃の温度で４時間以上加熱して脱水処理を行つた。
【０１９４】
　ＰＣ基板をベーク炉から取り出し、気温が２０℃で相対湿度が６０％の環境下に保存した。しかる後に、ベーク炉から取り出されたＰＣ基板を高周波（ＲＦ）スパッタリング装置に収納し、そのプリフォーマットパターン形成面上に、ＳｉＮエンハンス膜と、ＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜と、ＳｉＮ保護膜と、Ａｌ反射膜とをこの順に積層して、図６７に示す断面構造を有する光磁気記録媒体を作製した。図６７において、１はＰＣ基板、２はプリフォーマットパターン、３はＳｉＮエンハンス膜、４はＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜、９はＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜の酸化層（面内磁化膜）、６はＳｉＮ保護膜、７はＡｌ反射膜を示している。
【０１９５】
　図６８に、脱水処理済のＰＣ基板をベーク炉から取り出した後の保存時間と、当該ＰＣ基板を用いて作製された光磁気ディスクの記録特性との関係を示す。記録特性の測定は、記録済の光磁気ディスクに１８０（Ｏｅ）の消去磁界を印加しつつ消去レベルのレーザビームを照射し、当該消去動作が行われたトラックの残留磁界（ノイズ）をＰＩＮフォトダイオード差動検出器を備えた差動特性検出器にて測定することで行つた。同図に示すように、本例の光磁気ディスクは、ＰＣ基板１の脱水処理を行った後、短時間のうちに垂直磁化膜４等を成膜した方がより高い外部磁界感度を有しており、脱水処理後の保存時間が長くなるにしたがって外部磁界感度が低下している。このデータから、前記条件下では、脱水処理後５０分間以内に垂直磁化膜４等を成膜するのが好ましいことが判る。脱水処理後５０分以上経過したときに外部磁界感度が急激に低下するのは、一旦脱水されたＰＣ基板１が時間の経過とともに吸水し、垂直磁化膜４の表面が過剰に酸化されて、過大な膜厚の面内磁化膜が生成されるためであると推定される。
【０１９６】
　なお、前記実施例では、エンハンス膜３及び保護膜５としてＳｉＮを用いたが、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，Ｓｉ２Ｎ３，ＡｌＮ等、他の無機誘電体を用いた場合にも前記と同様の結果が得られた。また、無機保護膜に代えて、ＵＶ樹脂保護膜を形成した場合にも前記と同様の結果が得られた。また、各膜の膜厚を種々変更した場合にも、前記と同様の結果が得られた。さらに、垂直磁化膜４をＴｂＦｅＣｏ以外の他の希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化膜を用いた場合にも、前記と同様の結果が得られた。
【実施例１８】
【０１９７】
　ＰＣ基板の脱水処理を、２０（Ｐａ）以下の真空度に真空引きされた真空チャンバ内で８０℃に１時間以上加熱することで行つた。それ以外の諸条件については、前記第１実施例と同じにした。
【０１９８】
　図６９に、脱水処理済のＰＣ基板をベーク炉から取り出した後の保存時間と、当該ＰＣ基板を用いて作製された光磁気ディスクの記録特性との関係を示す。記録特性の測定条件は、前記第１実施例と同じにした。同図に示すように、本例の光磁気ディスクにおいても前記第１実施例の場合とほぼ同様の傾向を示すが、脱水処理後５０分間における外部磁界感度の安定性がより高められている。これは、本例の場合、第１実施例の場合よりもＰＣ基板がより高度に脱水される結果、ＰＣ基板が外部磁界感度に影響を及ぼすまで吸湿するのに時間がかかるためであると推定される。
【０１９９】
　なお、本例の光磁気ディスクにおいても、前記第１７実施例の場合と同様に、エンハンス膜材料及び保護膜材料、各膜の膜厚、垂直磁化膜材料を種々変更した場合にも、前記と同様の結果が得られた。
【実施例１９】
【０２００】
　所謂２Ｐ法によつて、片面にプリフォーマットパターン転写樹脂層（以下、樹脂層という）が設けられたガラス製のディスク状透明基板（以下、２Ｐ基板という）を作製した。
【０２０１】
　この２Ｐ基板をベーク炉に入れ、大気圧下８０℃の温度で４時間以上加熱して脱水処理を行った。
【０２０２】
　２Ｐ基板をベーク炉から取り出し、気温が２０℃で相対湿度が６０％の環境下に保存した。しかる後に、ベーク炉から取り出された２Ｐ基板をＲＦスパッタリング装置に収納し、そのプリフォーマットパターン形成面上に、ＳｉＮエンハンス膜と、ＴｂＦｅＣｏ垂直磁化膜と、ＳｉＮ保護膜と、Ａｌ反射膜とをこの順に積層して、図７０に示す断面構造を有する光磁気記録媒体を作製した。図７０において、１は２Ｐ基板、２２はガラス板、２１は樹脂層を示し、その他前出の図６７と対応する部分には、それと同一の符号が表示されている。
【０２０３】
　図７１に、脱水処理済の２Ｐ基板をベーク炉から取り出した後の保存時間と、当該２Ｐ基板を用いて作製された光磁気ディスクの記録特性との関係を示す。記録特性の測定方法は、前記各実施例の場合と同じである。同図に示すように、本例の場合には、前記各実施例の場合とは異なり、脱水処理後、ある程度の時間が経過してから垂直磁化膜を成膜した方が高い外部磁界感度を得ることができる。これは２Ｐ基板の場合、樹脂層の膜厚が薄いために前記の脱水条件で高高度に脱水処理がなされ、その結果、直ちに垂直磁化膜等を成膜すると外部磁界感度の改善に必要な酸化膜すなわち面内磁化膜ができないためであると推定される。図７１のデータから、前記条件下では、脱水処理後４時間以上、より好ましくは６時間以上経過してから垂直磁化膜４等を成膜するのが好ましいことが判る。
【０２０４】
　なお、本例の光磁気ディスクにおいても、前記第１実施例の場合と同様に、エンハンス膜材料及び保護膜材料、各膜の膜厚、垂直磁化膜材料を種々変更した場合にも、前記と同様の結果が得られた。
【実施例２０】
【０２０５】
　第２０実施例は、光磁気記録膜及び補助磁性膜の好適な組合せと、それら両膜の作製方法とに関する。
【０２０６】
　本実施例の光磁気記録媒体は、透明基板上に、第１エンハンス膜と、光磁気記録膜と、補助磁性膜と、第２エンハンス膜と、熱拡散膜とがこの順に積層されている。
【０２０７】
　光磁気記録膜は、下記の一般式で表わされる希土類−遷移金属−添加元素系の非晶質合金であって、補償温度がない、すなわちキュリー温度まで希土類モーメントが優勢な磁性膜にて形成され、補助磁性膜は、この合金に酸素又は窒素が添加されたものにて形成される。
【０２０８】
　　　一般式；（Ｔｂ１００−Ａ ＱＡ ）Ｘ Ｆｅ１００−Ｘ−Ｙ−Ｚ ＣｏＹ ＭＺ 
　　　　　　但し、２５原子％≦Ｘ≦４０原子％
　　　　　　　　　　５原子％≦Ｙ≦１５原子％
　　　　　　　　　　０原子％≦Ｚ≦１０原子％
　　　　　　　　　　０原子％≦Ａ≦２０原子％
　　　　　　　ＭはＮｂ，Ｃｒ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌから選択された少なくとも　　　　　　　　１種類の元素、
　　　　　　　ＱはＧｄ，Ｎｄ，Ｄｙから選択された少なくとも１種類の元素。　光磁気記録膜は１００〜５００Åの膜厚に形成され、補助磁性膜はその５〜４０％の膜厚に形成される。補助磁性膜は、定法にしたがって第１エンハンス膜と光磁気記録膜とのスパッタリングが終了した後、スパッタチャンバー内の真空度を１×１０６ 〜１×１０４ （Ｐａ）に調整し、この真空条件下で加熱するか、あるいはスパッタチャンバー内に酸素又は窒素とスパッタガス（例えば、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ等）の混合ガスを導入しながら加熱することによって形成できる。第２エンハンス膜及び熱拡散膜は、補助磁性膜の作製後、定法にしたがってスパッタリングされる。この方法によると、全ての膜を連続スパッタリングできるので、光磁気記録媒体を量産性よく製造できる。
【０２０９】
　図７２に、膜厚が４００ÅのＴｂ３１．７Ｆｅ５６．４Ｃｏ１１．９光磁気記録膜と、膜厚が１００Åの酸素を５％含有したＴｂＦｅＣｏ補助磁性膜を有する光磁気記録媒体（第２０実施例品）と、光磁気記録膜の組成が第２０実施例品と同じで、酸素を含まないＴｂＦｅＣｏ補助磁性膜が積層された光磁気記録媒体（比較例品）と、従来品の、Ｃ／Ｎの磁場依存性を示す。この図から明らかなように、第２０実施例品は、５０（Ｏｅ）の外部磁界で飽和磁化に達することができ、１００（Ｏｅ）以上の外部磁界を印加しなくては飽和磁化に達しない比較例品、及び２００（Ｏｅ）以上の外部磁界を印加しなくては飽和磁化に達しない従来品に比べて、格段に外部磁界感度が改善される。
【図面の簡単な説明】
【０２１０】
【図１】第１実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図２】第１実施例における強磁性反射膜の効果を示すグラフ図である。
【図３】第１実施例におけるＰｔＣｏ薄膜の組成と消去方向磁界との関係を示すグラフ図である。
【図４】実験例１及び比較例に係る光磁気記録媒体の説明図である。
【図５】第１実施例中の各実験例及び比較例に係る光磁気記録媒体の記録・消去特性を比較して示すグラフ図である。
【図６】第２実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図７】第２実施例にけるレーザビーム照射部の温度分布を示す説明図である。
【図８】第２実施例における熱制御層の組成とレーザビーム照射部の温度との関係を示すグラフ図である。
【図９】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導率の関係を示すグラフ図である。
【図１０】第２実施例における熱制御層の組成と繰返し記録、再生に対する耐久性との関係を示すグラフ図である。
【図１１】第２実施例における光磁気記録媒体の具体的構造を示す断面図である。
【図１２】第２実施例における光磁気記録媒体の具体的構造を示す断面図である。
【図１３】第２実施例中の各実験例に係る光磁気記録媒体の再生信号出力特性図である。
【図１４】第２実施例に係る光磁気記録媒体の繰返し記録、再生に対する耐久性を示すグラフ図である。
【図１５】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導率と膜厚との関係を示すグラフ図である。
【図１６】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導率の関係を示すグラフ図である。
【図１７】第２実施例における熱制御層の組成と熱伝導率の関係を示すグラフ図である。
【図１８】第３実施例における光磁気記録膜へのＮ混入率及びＯ混入率と垂直磁気異方性定数との関係を示すグラフ図である。
【図１９】第３実施例における光磁気記録膜へのＮ混入率及びＯ混入率と残留カー回転角との関係を示すグラフ図である。
【図２０】第３実施例における光磁気記録媒体に積層された各膜の組成と膜厚の一例を示す表図である。
【図２１】図２０の光磁気記録媒体を用いて測定したＮ混入率及びＯ混入率と再生ＣＮ比との関係を示すグラフ図である。
【図２２】図２０の光磁気記録媒体を用いて測定したＮ混入率及びＯ混入率と飽和記録磁界との関係を示すグラフ図である。
【図２３】図２０の光磁気記録媒体を用いて測定したＮ混入率及びＯ混入率と消去磁界との関係を示すグラフ図である。
【図２４】第３実施例中の各実験例及び比較例に係る光磁気記録媒体の製造方法と再生ＣＮ比と飽和記録磁界と消去磁界とＮ混入率とＯ混入率とを示す表図である。
【図２５】第４実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図２６】第４実施例における補助磁性膜のキュリー温度と必要消去磁界との関係を示すグラフ図である。
【図２７】第４実施例における補助磁性膜の組成とキュリー温度との関係を示すグラフ図である。
【図２８】第４実施例に係る光磁気記録媒体と従来の光磁気記録媒体の記録、消去特性を比較して示すグラフ図である。
【図２９】第４実施例に係る光磁気記録媒体の変形例を示す要部断面図である。
【図３０】第４実施例に係る光磁気記録媒体の他の変形例を示す要部断面図である。
【図３１】光強度変調方式によるオーバーライトが可能な光磁気記録媒体の構成の一例を示す説明図である。
【図３２】キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェリ磁性体の説明図である。
【図３３】キュリー温度近傍で希土類リッチのフェリ磁性体の説明図である。
【図３４】キュリー温度近傍で遷移金属リッチのフェロ磁性体の説明図である。
【図３５】キュリー温度近傍で希土類リッチのフェロ磁性体の説明図である。
【図３６】室温では希土類リッチで、キュリー温度近傍では遷移金属リッチとなるフェリ磁性体の説明図である。
【図３７】第５実施例に係る磁性膜の構造を模式的に示す説明図である。
【図３８】第５実施例に係る光磁気記録媒体のトルクカーブを例示するグラフ図である。
【図３９】従来例に係る光磁気記録媒体のトルクカーブを例示するグラフ図である。
【図４０】試料温度とトルフカーブのピーク値との相関を示すグラフ図である。
【図４１】第５実施例に係る光磁気記録媒体の外部磁界特性を示すグラフ図である。
【図４２】第５実施例に係る光磁気記録媒体のビットエラー発生特性を示すグラフ図である。
【図４３】第５実施例に係る光磁気記録媒体の膜構造を例示する断面図である。
【図４４】補助磁性膜を有する第５実施例の光磁気記録媒体の磁界変調記録特性を示すグラフ図である。
【図４５】補助磁性膜を有する第５実施例の光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図４６】第６実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図４７】第６実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示すグラフ図である。
【図４８】第７実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図４９】第７実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示すグラフ図である。
【図５０】第８実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図５１】第８実施例に係る光磁気記録媒体の効果を示すグラフ図である。
【図５２】第９実施例に係る光磁気記録媒体の垂直磁気異方性定数と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ図である。
【図５３】第９実施例に係る光磁気記録媒体の残留カー回転角と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ図である。
【図５４】第９実施例に係る光磁気記録媒体の再生ＣＮ比と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ図である。
【図５５】第９実施例に係る光磁気記録媒体の最小消去磁界と補助磁性膜への白金添加量との関係を示すグラフ図である。
【図５６】第１０実施例に係る媒体の膜構造を示す断面図である。
【図５７】第１１実施例に係る媒体の膜構造を示す断面図である。
【図５８】第１０，第１１実施例の記録層及び補助層の保磁力−温度特性と飽和磁化−温度特性を示すグラフ図である。
【図５９】情報のオーバーライトに必要なレーザパワーの大きさを示すグラフ図である。
【図６０】情報のオーバーライトに必要な初期化磁界の大きさを示すグラフ図である。
【図６１】第１３実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図６２】第１４実施例に係る光磁気ディスクの再生Ｃ／Ｎ−記録レーザパワー特性図である。
【図６３】接着剤中のカップリング剤組成を示す表図である。
【図６４】接着剤中のカップリング剤及びフィラーの組成を示す表図である。
【図６５】第１６実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図６６】第１６実施例に係る光磁気記録媒体の耐食性試験結果を示すグラフ図である。
【図６７】第１７実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図６８】放置時間と外部磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図６９】放置時間と外部磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図７０】第１９実施例に係る光磁気記録媒体の要部断面図である。
【図７１】放置時間と外部磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図７２】第２０実施例に係る光磁気記録媒体のＣＮ比の磁場依存性を示すグラフ図である。
【図７３】補助磁性膜を有する光磁気記録媒体の磁界強度変調方式によるオーバーライトの原理を示す説明図である。
【図７４】キュリー温度直下でＲＥ−ｒｉｃｈの光磁気記録膜の低温時の記録・消去特性を示す説明図である。
【図７５】補助磁性膜を有する光磁気記録媒体の光強度変調方式によるオーバーライトの原理を示す説明図である。
【図７６】外部磁界強度及びレーザパワーの選択方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【０２１１】
　１　透明基板
　２　プリフォーマットパターン
　３　エンハンス膜
　４　光磁気記録膜
　５　補助磁性膜
　６　保護層
　７　反射膜
　８　熱制御層
【図１】
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【図２】
2004006051.tif 000003
【図３】
2004006051.tif 000004
【図４】
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【図５】
2004006051.tif 000006
【図６】
2004006051.tif 000007
【図７】
2004006051.tif 000008
【図８】
2004006051.tif 000009
【図９】
2004006051.tif 000010
【図１０】
2004006051.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2004006051.tif 000020
【図２０】
2004006051.tif 000021
【図２１】
2004006051.tif 000022
【図２２】
2004006051.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
2004006051.tif 000040
【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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