(57)【要約】【課題】少なくともセラミック絶縁基板表面に導体層が配設された多層配線基板においてブラスト処理で発生するセラミック絶縁基板表面のクラックあるいは脱粒による傷の発生のためにセラミック絶縁基板表面に設置する導体層の接続信頼性の低下することのない多層配線基板を得る。【解決手段】セラミック絶縁層２ａ〜２ｄを積層してなるセラミック絶縁基板２の少なくとも表面に導体層３を形成してなる多層配線基板２において、導体層３の外周部を一部覆う形で低温で焼結可能な、例えばガラス量がセラミック絶縁層２ａ〜２ｄにおけるガラス量よりも多い、ガラスの軟化点がセラミック絶縁層２ａ〜２ｄにおけるガラスの軟化点よりも低いセラミック層６を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック絶縁層を積層してなり、少なくとも表面に導体層を有するセラミック多層配線基板において、前記導体層の周囲が前記セラミック絶縁層よりも低温での焼結によって緻密化されたセラミック層によって被覆されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記セラミック絶縁層および低温で焼結されたセラミック層が、ガラス、またはガラスとセラミックフィラー成分と混合物からなることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記低温で焼結されたセラミック層におけるガラス量が、前記セラミック絶縁層におけるガラス量よりも多いことを特徴とする請求項２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記低温で焼結されたセラミック層におけるガラスの軟化点が、前記セラミック絶縁層におけるガラスの軟化点よりも低いことを特徴とする請求項２または請求項３記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記低温で焼結されたセラミック層におけるセラミックフィラーの平均粒径が、前記セラミック絶縁層におけるセラミックフィラーの平均粒径よりも大きいことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記導体層が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種の金属ペーストの焼結体または金属箔からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか記載の多層配線基板。
【請求項７】
少なくとも片側表面に導体層を有するセラミックグリーンシートを積層してなるセラミック絶縁基板未焼成体の表面に、前記セラミックスグリーンシートが焼結する温度で焼結しない非焼結性シートを積層し、セラミック絶縁基板を焼結した後に前記非焼結性シートを除去するセラミックス多層配線基板の製造方法において、前記非焼結性シートを除去した後に、表面に露出する前記導体層の外周部分にセラミックペーストを被覆し、焼付け処理したことを特徴とするセラミック多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記セラミックペーストが前記セラミックグリーンシートよりも低温で焼結するセラミックペーストあるいはセラミックグリーンシートを使用したことを特徴とする請求項７記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記セラミックグリーンシート中のセラミック成分、および低温で焼結するセラミックペーストあるいはセラミックグリーンシートのセラミック成分が、ガラス成分、またはガラス成分とセラミックフィラー成分との混合物からなることを特徴とする請求項８記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記低温で焼結するセラミックペーストあるいはセラミックグリーンシートのセラミック成分におけるガラス量が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラス量よりも多いことを特徴とする請求項９記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記低温で焼結するセラミックペーストあるいはセラミックグリーンシートのセラミック成分におけるガラスの軟化点が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラスの軟化点よりも低いことを特徴とする請求項９または請求項１０記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記低温で焼結するセラミックペーストあるいはセラミックグリーンシートのセラミック成分におけるセラミックフィラーの平均粒径が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるセラミックフィラーの平均粒径よりも大きいことを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記低温で焼結するセラミックペーストあるいはセラミックグリーンシートのセラミック成分におけるガラスの平均粒径が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラスの平均粒径よりも小さいことを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記導体層が、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種の金属ペーストまたは金属箔からなることを特徴とする請求項７乃至請求項１３のいずれか記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラスセラミックなどのセラミック絶縁基板表面の導体層の周囲が前記セラミック絶縁層よりも低温で焼結されたセラミック層によって被覆されていることを特徴とする多層配線基板とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、配線基板、例えば、半導体素子を収納するパッケージに使用される多層配線基板として、比較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミナやガラスセラミックなどの絶縁基板と、その表面に形成されたＷやＭｏ、Ｃｕ、Ａｇ等の金属からなる配線導体とから構成されるもので、この絶縁基板の一部にキャビティが形成され、このキャビティ内に半導体素子が収納され、蓋体によってキャビティを気密に封止されるものである。
【０００３】
近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線回路層としてＣｕ等の低抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が１０００℃以下のいわゆるガラスセラミック配線基板が一層注目されている。
【０００４】
また、寸法精度の高い基板を得る為、低温焼成セラミック絶縁基板の片面、あるいは両面に、前記低温焼成セラミック絶縁基板を焼成する温度では焼結しない非焼結性シートを積層、焼成し、平面方向にほとんど焼結収縮しない状態で基板を焼結した後、非焼結性シートを除去する方法が行われている（特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、セラミック絶縁基板表面に露出する導体層を設ける場合には、ブラスト処理等の未焼結の非焼結性シートを除去する工程で表面に露出する導体層際のセラミック絶縁基板表面が部分的に削り取られるため、クラックや脱粒による傷が発生し、セラミック絶縁基板表面に露出する導体層とセラミック絶縁基板との接合信頼性が低下する問題があった。
【０００６】
これに対し、非焼結性シートに使用する無機物の硬度をセラミック絶縁基板の硬度と同等以下とするとともに、ブラスト処理に用いる投射材の硬度を非焼結性シートの硬度と同等以上、なおかつ前記セラミック絶縁基板の硬度と同等以下とすることによりセラミック絶縁基板表面に露出する導体層とセラミック絶縁基板との接合信頼性の高い基板を得ることができると特許文献２では報告されている。
【０００７】
〔特許文献１〕
特許第２５５４１５号公報
〔特許文献２〕
特開平１０−２１８６７５号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、非焼結性シートのセラミック絶縁基板と接する面近傍の無機物粒子は、セラミック絶縁基板から浸透してくるガラス成分により覆われ、セラミック絶縁基板に強固に固着する為、特許文献２記載のブラスト処理に用いる投射材の硬度をセラミック絶縁基板の硬度と同等以下とする方法ではこの固着した無機物粒子を完全に取り除くことは不可能、あるいは時間がかかり、量産性の点でも困難である。
【０００９】
また、セラミック絶縁基板表面に非焼結性シートの無機物粒子が残ったままの状態では、基板に外力をかけた場合にこの無機物粒子を起点としてクラックが進行する為、基板自体の強度が低下する。
【００１０】
しかも、特許文献２の方法では、非焼結性シートに使用する無機物を硬度で限定する必要があるため、非焼結性シートの熱膨張係数とセラミック絶縁基板の熱膨張係数を合わせることが困難となる。しかし、非焼結性シートの熱膨張係数とセラミック絶縁基板の熱膨張係数が合わない場合、焼成あるいは冷却の工程でセラミック絶縁基板に変形やクラックが発生するという問題がある。
【００１１】
従って、本発明は、寸法精度が高く、なおかつ基板強度及びセラミック絶縁基板表面に露出する導体層とセラミック絶縁基板との接合信頼性の高いセラミック多層配線基板とその製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題に対して検討を重ねた結果、非焼結シートを未焼成体の表面に積層し、平面方向の収縮を抑制しつつ焼成し、非焼結シートをブラスト等によって除去した後に、その導体層の外周部分に前記焼成温度よりも低温で焼成可能なセラミックペーストを被覆し、焼き付け処理することによって、ブラスト処理によってクラックや傷が発生した表面を治癒することができる結果、セラミック絶縁基板表面に露出する導体層とセラミック絶縁基板との接合信頼性を高めることができることを見出した。
【００１３】
即ち、本発明の多層配線基板は、複数のセラミック絶縁層を積層してなり、少なくとも表面に導体層を有するセラミック多層配線基板において、前記導体層の周囲が前記セラミック絶縁層よりも低温での焼結によって緻密化されたセラミック層によって被覆されていることを特徴とするものである。
【００１４】
なお、前記セラミック絶縁層および前記低温での焼結によって緻密化されたセラミック層は、ガラス、またはガラスとセラミックフィラー成分と混合物からなることが、セラミック絶縁基板の低誘電率化がはかれる点で望ましい。
【００１５】
また、前記低温での焼結によって緻密化されたセラミック層は、具体的には、そのガラス量が、前記セラミック絶縁層におけるガラス量よりも多いこと、そのガラスの軟化点が、前記セラミック絶縁層におけるガラスの軟化点よりも低いこと、そのセラミックフィラーの平均粒径が、前記セラミック絶縁層におけるセラミックフィラーの平均粒径よりも大きいことの少なくとも１つ以上の特徴を有することによって、配線基板の特性等に悪影響を及ぼすことなく、焼結性を高めることができる。
【００１６】
また、前記基板に用いられる導体層は、銅などの低抵抗金属箔を用いることが配線の低抵抗化がはかれる点で望ましい。
【００１７】
また、本発明は、少なくとも片側表面に導体層を有するセラミックグリーンシートを積層してなるセラミック絶縁基板未焼成体の表面に、前記セラミックスグリーンシートが焼結する温度で焼結しない非焼結性シートを積層し、セラミック絶縁基板を焼結した後に前記非焼結性シートを除去するセラミックス多層配線基板の製造方法において、前記非焼結性シートを除去した後に、表面に露出する前記導体層の外周部分にセラミックペーストを被覆し、焼付け処理したことを特徴とするものである。
【００１８】
なお、前記セラミックグリーンシート中のセラミック成分、および低温で焼結されたセラミック層のセラミック成分がガラス成分、またはガラス成分とセラミックフィラー成分との混合物からなることが、セラミック絶縁基板の低誘電率化および導体層の低抵抗化が可能であることから望ましい。
【００１９】
また、前記焼結性に優れたセラミック成分としては、そのガラス量が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラス量よりも多いこと、そのガラスの軟化点が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラスよりも低いこと、そのガラスの平均粒径が、前記セラミックグリーンシート中のセラミック成分におけるガラスの平均粒径よりも小さいこと、そのセラミックフィラーの平均粒径が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるセラミックフィラーの平均粒径よりも大きいこと、の少なくとも１つの特徴を有することによって、配線基板の特性等に悪影響を及ぼすことなく、焼結性を高めることができる。
【００２０】
また、前記金属箔としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種からなることが導体層の低抵抗化を図る上で望ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層配線基板について、図面に基づいて説明する。図１は本発明の多層配線基板の一例を示す概略断面図である。図１の多層配線基板１によれば、セラミック絶縁基板２は、複数のセラミック絶縁層２ａ〜２ｄを積層してなる積層体から構成され、その絶縁層２ａ〜２ｄ間およびセラミック絶縁基板２表面には導体層３が被着形成されている。さらに、各セラミック絶縁層２ａ〜２ｄには、厚み方向を貫くように形成された直径が８０〜２００μｍのビアホール導体４が形成され、これにより、導体層３間を接続し所定回路を達成するための回路網が形成される。また導体層３の表面には半導体素子５が実装搭載される。
【００２２】
本発明では、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄからなるセラミック絶縁基板２は、ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物を焼成してなるガラスセラミックスによって形成されたものであることが望ましく、特に、ガラス成分１０〜７０質量％と、セラミックフィラー成分３０〜９０質量％の割合からなる組成物を焼成したものであることが望ましい。このようなガラスセラミックスは、焼成温度が８００〜１０５０℃と低いために、後述する低抵抗導体との同時焼成が可能である点で有利であり、また、概して誘電率が低いために、高周波信号などの伝送損失を低減することができる。
【００２３】
ここで、用いられるガラス成分としては、少なくともＳｉＯ２を含み、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種を含有したものであって、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＢａまたはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２４】
これらのガラスは、焼成処理することによっても非晶質のままである非晶質ガラス、また焼成処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出する結晶化ガラスのいずれでも用いられる。
【００２５】
また、セラミックフィラーとしては、クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ２や、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウム、珪酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、等が好適に用いられる。
【００２６】
導体層３は、特にＣｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、ＰｔおよびＰｄの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属ペーストの焼結体、あるいは金属箔をパターンの形状に加工して積層して形成したものである。またビアホール導体４は、絶縁層に形成された貫通孔内に上記の導体層３と同様の成分からなる導体が充填されていることが望ましい。
【００２７】
また、本発明の多層配線基板において、表面の導体層は、ＩＣチップなどの各種電子部品５を搭載するためのパッドとして、シールド用導体膜として、さらには、外部回路と接続する端子電極として用いられ、各種電子部品５が導体層３に半田や導電性接着剤などを介して接合される。尚、図示していないが、必要に応じて、配線基板の表面には、さらに珪化タンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護膜などを形成しても構わない。
【００２８】
本発明の多層配線基板においては、導体層３のうち、セラミック絶縁基板２表面に配設された導体層３ａの周囲を覆うように、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄよりも低温での焼結によって緻密化されたセラミック層６を配設してなる。
【００２９】
本発明においては、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄ自体は、所定の焼成温度で実質的には気孔率が０．５％以下、特に０．１％以下の緻密質となるように組成等が決定されるものであり、それ自体焼結性に優れたものであるが、本発明において、この導体層３ａの周囲を覆うセラミック層６もセラミック絶縁基板２よりも低温での焼結によって０．５％以下、特に０．１％以下に緻密化されたものである。
【００３０】
本発明によれば、セラミック絶縁基板を焼成し、非焼結性シートをブラスト処理等で完全に取り除いた後、導体層３ａの周囲を覆うように配設されたセラミック層６は、ブラスト処理により発生する導体層３ａ際のセラミック絶縁基板表面の荒れを治癒する、具体的にはクラックや脱粒による傷を塞ぐことができる。
【００３１】
このセラミック層６は、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄと同様に、ガラス、またはガラスとセラミックフィラー成分と混合物からなることが低温で焼成できる点で望ましく、また焼結温度の調整もセラミック絶縁基板の特性に悪影響を及ぼすことなく、容易に行うことができる点で有利である。
【００３２】
本発明においては、このセラミック層６をセラミック絶縁層２ａ〜２ｄよりも低温での焼結によって緻密化させるために以下のようにする。
【００３３】
第１には、セラミック層６とセラミック絶縁層２ａ〜２ｄとを同一種あるいは類似種のガラス種とフィラー種との組み合わせによって形成し、そのセラミック層６におけるガラス量を、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄにおけるガラス量よりも多くする。ガラス量が増加すると焼成開始温度を低くすることができる。より具体的には、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄ中のガラス量に対して１０体積％以上多く含ませることが効果的である。（例えば、ガラス量が全量５０体積％であった場合、セラミック層中のガラス量を全量中５５体積％以上とする。）なお、ガラス量を多くするとは、セラミックフィラー量を少なくすると同じ意味である。
【００３４】
第２に、セラミック層６中のガラスとして、前記セラミック絶縁層２ａ〜２ｄにおけるガラスの軟化点よりも低い軟化点を有するガラスを選択して用いる。この軟化点は、ガラスの組成によって決定される。軟化点を低下させる成分としては、特に、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯなどのアルカリ土類金属酸化物や、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏなどのアルカリ金属酸化物、Ｂ２Ｏ３等が挙げられ、これらの成分量が相対的に多くなると軟化点が低下する傾向がある。
【００３５】
第３に、セラミック層６に分散含有されたセラミックフィラーの平均粒径が、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄに含まれるセラミックフィラーの平均粒径よりも大きくすることによっても焼結性を高めることができる。通常、セラミックフィラーの平均粒径は、取り扱いおよび焼結性の点で、０．５〜５μｍが適当であるが、この平均粒径が上記の範囲内でかつセラミック絶縁層２ａ〜２ｄのセラミックフィラーの平均粒径よりも１０％以上大きいことが適当である。
【００３６】
第４に、セラミック層を形成する場合のガラス粉末の平均粒径が、セラミック絶縁層２ａ〜２ｄを形成する場合のガラス粉末の平均粒径よりも小さいことが望ましい。ガラス粉末の平均粒径が小さくなるほど焼結性が高くなる傾向にある。ガラス粉末の平均粒径は、取り扱いおよびシート化の容易性などの点で１〜５μｍが適当であるが、この平均粒径が上記の範囲内でかつセラミック絶縁層２ａ〜２ｄを形成する場合のガラス粉末の平均粒径よりも小さい１０％以上小さいことが適当である。
【００３７】
また、このセラミック層６の厚みは５μｍ以上とすることによって、効果的にブラスト処理で基板表面に発生するクラックや脱粒による傷をふさぐことができる。
【００３８】
次に、本発明の配線基板を作製する方法について図２をもとに説明する。まず、上述したような結晶化ガラス又は非結晶ガラスと前記のセラミックフィラー成分を混合してセラミック組成物を調製し、その混合物に有機バインダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して厚さ約５０〜５００μｍのグリーンシート１１を作製する（図２（ａ））。
【００３９】
そして、このグリーンシート１１にレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペーストを充填してビアホール導体１２を形成する（図２（ｂ））。導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ等の金属成分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダーとトルエン、イソプロピルアルコール、アセトンなどの有機溶剤とを均質混合して形成される。有機バインダーは、金属成分１００質量部に対して、０．５〜１５．０質量部、有機溶剤は、固形成分及び有機バインダー１００質量部に対して、５〜１００質量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。
【００４０】
次に、このグリーンシート１１の表面に高純度金属導体、特に金属箔からなる導体層１３を形成する（図２（ｃ））。導体層１３の形成方法としては、まず、高分子材料等からなる転写フィルム上に高純度金属導体、特に金属箔を接着した後、この金属導体の表面にレジストを回路パターン状に被着した後、エッチング処理およびレジスト除去を行って導体層を形成する。この時、セラミック絶縁基板表面に露出する導体層を所望の寸法よりやや大きめに作製しておく。
【００４１】
そして、鏡像の導体層を形成した転写フィルムをビアホール導体１２が形成されたグリーンシート１１の表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィルムを剥がすことにより、導体層１３をグリーンシート１１表面に形成することができる。この時、金属箔からなる導体層１３の転写性を高めるために、金属箔からなる導体層のグリーンシート１１と接触する側の表面粗さＲｚを３〜６μｍとすることによって、導体層１３のグリーンシート１１への密着性を高めることができる。
【００４２】
次に、上記と同様にして作製された複数のグリーンシートを積層圧着して積層体１５を形成する（図２（ｄ））。グリーンシートの積層には、積み重ねられたグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００４３】
また、非焼結性シート１６は、焼結温度の高いセラミック材料を主成分とするセラミック成分に、有機バインダー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形して得られる。難焼結性セラミック材料としては、具体的には１１００℃以下の温度で緻密化しないようなセラミック組成物から構成され、具体的にはＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、ＢＮ、ＴｉＯ２の少なくとも１種又はその化合物（フォルステライト、エンスタタイト等）の粉末が挙げられる。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはガラスセラミックグリーンシートで使用したのと同様の材料が使用可能である。また、この非焼結性シート中には、ガラス成分を０．５〜１５体積％加えることによって、グリーンシートとの密着性が高くなり、収縮を抑制する作用が大きくなり、またグリーンシート表面のガラス成分の拡散によるボイドの発生を抑制できるなどの利点を有する。この様にして得られた非焼結性シート１６を前記積層体１５にグリーンシートの積層と同様の方法で積層する（図２（ｅ））。なお、積層体１５への非焼結性シートの積層は同時に行っても何ら問題はない。また、非焼結性シートに使用する無機粉末はセラミック絶縁基板の熱膨張係数と近似したものでが望ましい。
【００４４】
焼成は、１００〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の窒素雰囲気中で加熱処理してグリーンシート内やビアホール導体ペースト中の有機成分を分解除去した後、８００〜１１００℃の窒素雰囲気中で焼成する。また、導体層としてＡｇ導体を用いる場合、焼成雰囲気は大気中で行うことができる。
【００４５】
その後、適宜、非焼結性シートを超音波洗浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウェットブラスト等によって完全に除去する（図２（ｆ））。この時ブラスト処理に用いる投射材はセラミック絶縁基板の機械的強度を保つ為、セラミック絶縁基板に固着した非焼結性シートの無機粒子を完全に除去できるものを選択することが望ましい。
【００４６】
次に、得られたセラミック絶縁基板表面の導体層１３の周囲を被覆するようにグリーンシート１１中のセラミック成分よりも低温で焼結可能なセラミック成分を含有するセラミック層１８を形成する（図２（ｇ））。
【００４７】
このセラミック層１８は、セラミック成分と、必要に応じて有機バインダーや有機溶媒等を添加したスラリーをスクリーン印刷等によって設置し、セラミック絶縁基板を焼成した温度より低温で焼成することにより形成することができる。なお、セラミック層１８をセラミック絶縁基板を焼成した温度より低温で焼成することにより、セラミック絶縁基板の電気特性あるいは機械的特性の劣化を防ぐことが可能となる。なお、表面に露出した導体層の周囲を前記セラミック絶縁層よりも低温で焼結するセラミック層で被覆する部分は、部品やピンまたはキャップを実装する端子あるいはＢＧＡの端子等、セラミック絶縁基板との接続信頼性を必要とされる部分だけに行うことも可能な他、セラミック絶縁基板表面を広く覆うことにより基板全体の平坦度を確保することも可能である。
【００４８】
本発明によれば、セラミック層１８におけるセラミック成分として、前述した第１〜第４の手法に従って、ガラス量、フィラー量、ガラスの軟化点、フィラーの平均粒径、ガラス粉末の平均粒径を調整することによって、グリーンシート１１中のセラミック成分よりも焼結性に優れたセラミック成分を含有するセラミック層１８を形成する。即ち、セラミック層１４を形成するセラミック成分において、１）ガラス量を、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラス量よりも多くする、２）軟化点が、前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラスよりも低いガラスを用いる、３）セラミックフィラーの平均粒径を前記グリーンシート中のセラミック成分におけるセラミックフィラーの平均粒径よりも小さくする、ガラスの平均粒径を前記グリーンシート中のセラミック成分におけるガラスの平均粒径よりも小さくする、のうち少なくとも１つの手法を用いてセラミック成分を構成し、これを用いてセラミック層１８を形成すればよい。
【００４９】
このセラミック層１８の焼成温度は、前記焼成温度よりも低く、特に３０℃以上低い温度であることが、すでに焼成した部分への影響を押さえることができる。
【００５０】
このようにして得られる多層配線基板１７は、焼成時の収縮が非焼結性シートによって厚さ方向だけに抑えられているので、その平面方向の収縮を０．５％以下に抑えることが可能となり、しかもガラスセラミックグリーンシートは拘束シートによって全面にわたって均一にかつ確実に結合されているので、拘束シートの一部剥離等によって反りや変形が起こるのを防止することができる。
【００５１】
【実施例】
ＳｉＯ２：３７質量％、Ａｌ２Ｏ３：２７質量％、ＣａＯ：１１質量％、ＺｎＯ：１２質量％、Ｂ２Ｏ３：１３質量％の組成を有する平均粒径３μｍの結晶性ガラスＡ粉末（軟化点８５０℃）７３質量％と、セラミックフィラーとして、平均粒径２μｍのシリカ２７質量％からなるガラスセラミック原料粉末１００質量部に対して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固形分で１１質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを５質量部添加し、トルエンを溶媒としてボールミルにより３６時間混合しスラリーを調整した。得られたスラリーをドクターブレード法により厚さ０．２ｍｍのグリーンシートを形成した。
【００５２】
また、非焼結性シートは前記ガラス粉末Ａ１０質量％と直径２μｍのアルミナ粉末９０質量％からなるガラスセラミック原料粉末１００質量部に対して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固形分で１１質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを５質量部添加し、先のグリーンシートと同様の方法で厚み０．４ｍｍのものを得た。
【００５３】
次に、ＰＥＴフィルム上に形成された厚み０．０２ｍｍの銅箔にフォトエッチング法により、図３（ａ）に示す形状の外部回路と接続する端子電極となる導体層２３を作製した。各端子の直径は０．５ｍｍ、配列ピッチ１ｍｍとした。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、前記で作製したグリーンシートの端子に対応する部分に貫通孔を形成し、この貫通孔内に銅ペーストを充填してビアホール導体２５を形成し、前記ＰＥＴフィルム上に形成した導体層２３を加熱圧着し、ＰＥＴフィルムを剥離して導体層をこのグリーンシート表面に転写させた。また、このグリーンシートの反対面には、隣り合うビアホール導体２５をつなぐ導体層２４を同様に加工、転写した。その後、グリーンシートの導体層２４側に、他のグリーンシートを焼成後の厚みが１．５ｍｍとなるように重ね合せて積層体を作製した。
【００５５】
さらに、その両側に、厚さが６００μｍの非焼結性シートを片面３枚づつ重ね合せ、８０℃、１０ＭＰａで加熱圧着を行った。
【００５６】
その後、有機成分（バインダー、可塑剤等）を分解除去するために水蒸気を含んだ窒素雰囲気中で７５０℃、３時間の熱処理を行い残留炭素量を３００ｐｐｍ以下に低減せしめた後、９３０℃で１時間の焼成を行い、焼結を行った。
【００５７】
その後、アルミナ投射材によって非焼結性シートをブラスト処理によって除去し、導体層をセラミック絶縁基板表面に具備する配線基板を作製した。
【００５８】
次に、セラミック絶縁基板表面の導体層の外周部を幅０．０５ｍｍで覆うように、所定の組成物からなるセラミック成分１００質量部に対して、メタクリル系バインダーを６質量部、テルピネオールを４０質量部混合したセラミックペーストをスクリーン印刷法によって１５μｍの厚みで塗布し、セラミック層を形成した後、９００℃で３０分間の焼成を行った。
【００５９】
なお、セラミック層の形成にあたって、セラミック成分としては、グリーンシートの形成に用いたガラスと同一の組成からなる平均粒径０．６〜３．５μｍのガラスＡと、平均粒径が０．８〜３μｍのＳｉＯ２粉末を用いた。また、ガラスとして、さらに、ＳｉＯ２：３７質量％、Ａｌ２Ｏ３：２５質量％、ＣａＯ：１５質量％、ＺｎＯ：１０質量％、Ｂ２Ｏ３：１３質量％の軟化点が８３０℃のガラスＢや、ＳｉＯ２：３７質量％、Ａｌ２Ｏ３：２８質量％、ＣａＯ：１０質量％、ＺｎＯ：１３質量％、Ｂ２Ｏ３：１２質量％の軟化点が８７０℃のガラスＣを用いた。
【００６０】
また、この配線基板における表面の導体層に対して、厚み３μｍのＮｉメッキ層及び厚み１μｍのＡｕメッキ層を無電解めっき法により被着した。
【００６１】
次に、セラミック絶縁基板表面の端子を対応するガラス−エポキシ樹脂からなるプリント配線基板の表面に形成された端子電極に対して直径０．７ｍｍの高温半田ボールで実装した。
【００６２】
なお、このプリント配線基板表面の端子電極と、セラミック多層配線基板との間での端子電極となる導体層によってすべての端子電極が直列に接続された回路を形成した。
【００６３】
その後、この実装基板を、０〜１００℃の温度サイクル試験を行い、多層配線基板におけるセラミック絶縁基板とセラミック絶縁基板表面の導体層の接続を電気的に確認した。温度サイクル試験は４０００サイクルまで行い、セラミック絶縁基板とセラミック絶縁基板表面の導体層の接続は、前記直列回路の電気抵抗が温度サイクル試験前より２０％以上上昇した場合に不良と判断し、その不良のモードの確認をおこなった。
【００６４】
【表１】
2004259898.tif 000003
【００６５】
表１の結果によれば、セラミック多層配線基板側の端子電極の直径を０．６ｍｍ及び０．７ｍｍとし、表面に露出する導体層の外周部を覆うようにセラミック層を形成しなかった従来の配線基板資料Ｎｏ．１、２は、温度サイクル試験１０００サイクルで抵抗値が増加し、不良のモードは導体層がセラミック絶縁基板表面から剥離したものであった。
【００６６】
これに対して、セラミック層を形成するにあたり、セラミック絶縁層と同じ材料からなるセラミック層を形成した試料Ｎｏ．３では、セラミック層の緻密化が不足し、２０００温度サイクルで不良モード「導体層が基板から剥離」による電気抵抗の増加が発生した。
【００６７】
そこで、試料Ｎｏ．３〜６で、セラミック層におけるガラスの含有量を変化させた結果、ガラス量がセラミック絶縁層中のガラス量よりも少ないと緻密化が不足し全く効果がなかったが、ガラス量を多くすることによって、焼結不良が改善され、導体層１３のセラミック絶縁基板表面からの剥離が抑制され改善された。
【００６８】
また、試料Ｎｏ．３、７、１０から、ガラスとして軟化点の異なるガラスを用いた結果、軟化点の低いガラスＢを用いることによっても、低温での緻密化が可能となり、導体層のセラミック絶縁基板表面からの剥離を抑制することができた。
【００６９】
さらに、試料Ｎｏ．１２〜１５、１６〜２０の結果から、シリカの平均粒径をセラミック絶縁層におけるセラミックフィラーの平均粒径よりも小さくする、ガラス粉末の平均粒径を小さくすることによっても同様に改善効果が見られた。
【００７０】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の多層配線基板によれば、ブラスト処理によりセラミック絶縁基板表面に発生するクラックや脱粒による傷の発生のためにおこるセラミック絶縁基板表面に形成した導体層の絶縁基板との接続信頼性の低下を防止することができ、信頼性の高い多層配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の製造方法における製造工程図である。
【図３】評価用の配線基板を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は部分断面図を示す。
【符号の説明】
１  多層配線基板
２  セラミック絶縁基板
２ａ〜２ｄ  絶縁層
３  導体層
４  ビアホール導体
５  半導体素子
６  セラミック層
【図１】
2004259898.tif 000004
【図２】
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【図３】
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