(57)【要約】【課題】構造が簡単な過熱しない真空プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】高周波電界発生部材（３０）はＳＵＳ３１６Ｌの中空パイプで形成され、反応容器（１０）の内部に渦巻き部（３１）を有し、その両端に取り付けられた第１、２垂直部（３２、３３）は反応容器の上壁（１１）を貫通して外部に達し、高周波電源（４０）により高周波電圧が印加される。そして高周波電界発生部材の第１垂直部の上端は冷却水導入管（５１）に、第２垂直部の上端は冷却水排水管（５２）に接続され、冷却水導入管５１の他端は冷却水ポンプ５０に接続されている。酸素ガスが４本の原料ガス導入管（６３〜６６）により高周波電界が生成される高周波電界発生部材の渦巻き部の直ぐ下方に供給されプラズマ化され、プラズマは被処理部材載置台（２０）上に載置された被処理物体Ｔに当たる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空化可能な反応容器と、
反応容器内にプラズマ化される原料ガスを導入するガス導入装置と、
反応容器内に渦巻き部を有し、両端が反応容器外において高周波電源に接続され高周波電源により高周波電圧が印加されると高周波電界を発生し、原料ガスをプラズマ化する高周波電界発生部材と、
被処理物体をプラズマが当たるように載置可能な被処理物体載置部材とを具備し、
高周波電界発生部材が中空の金属管で形成され、内部に冷媒が流通せしめられるようにされている、ことを特徴とする真空プラズマ処理装置。
【請求項２】
原料ガスがヘリカルコイル配設領域内に複数箇所より噴出されるようにされていることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項３】
高周波電界発生部材がステンレス鋼で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項４】
高周波電界発生部材がＳＵＳ３１６Ｌで形成されていることを特徴とする請求項３に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項５】
冷媒が水であることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項６】
高周波電界発生部材の渦巻き部が半球形であることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項７】
高周波電界発生部材は高周波電源に接続される端部と渦巻き部を結ぶ部分を絶縁部材を介して反応容器で取り付けることにより支持されていることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項８】
高周波電界発生部材の渦巻き部と反応容器の距離が、渦巻き部と被処理物体載置台との距離よりも大きくされていることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項９】
高周波電界発生部材の渦巻き部の放射方向の間隔が均等にされていることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項１０】
１つの反応容器に、複数の高周波電界発生部材が付設されていることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項１１】
複数の高周波電界発生部材の各一方の端部に共通電極から高周波電圧を印加することを特徴とする請求項１０に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項１２】
複数の高周波電界発生部材の隣接する各渦巻き部の最外部の間隔が、各渦巻き部の放射方向の間隔に等しくされていることを特徴とする請求項１０に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項１３】
酸素を原料ガスとすることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項１４】
処理時間の前半は酸素を原料ガスとし、処理時間の後半は不活性ガスを原料ガスとすることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項１５】
処理時間の前半は酸素を原料ガスとし、処理時間の後半は酸素と不活性ガスを原料ガスとすることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【請求項１６】
処理時間の全域に亘って酸素と不活性ガスを原料ガスとすることを特徴とする請求項１に記載の真空プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空下でプラズマを発生し、被処理物体を処理する真空プラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空下でプラズマを発生し、ＩＣ等の基板の表面に所定の穴等を刻設したり、あるいは基板の表面の不純物を除去するための真空プラズマ処理装置が公知であり、例えば、特開平７−３０２７８７号公報に記載の装置がある。
従来は、上記公報の装置に示されているように、半球形等にされ真空にされる反応容器の外側にヘリカルにアンテナコイルを配設し、このアンテナコイルに高周波電圧を印加してプラズマを発生している。そのために、アンテナコイルおよびアンテナコイルが付設されている反応容器の壁部材が過熱するのを防止するために反応容器の壁には冷却装置が組み込まれるのが普通である。したがって、装置が複雑になるという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題に鑑み、構造が簡単な過熱しない真空プラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば、真空化可能な反応容器と、
反応容器内にプラズマ化される原料ガスを導入するガス導入装置と、
反応容器内に渦巻き部を有し、両端が反応容器外において高周波電源に接続され高周波電源により高周波電圧が印加されると高周波電界を発生し、原料ガスをプラズマ化する高周波電界発生部材と、
被処理物体をプラズマが当たるように載置可能な被処理物体載置台とを具備し、
高周波電界発生部材が中空の金属管で形成され、内部に冷媒が流通せしめられるようにされている、真空プラズマ処理装置が提供される。
【０００５】
このように構成される真空プラズマ処理装置では、高周波電圧発生部材の両端に反応容器外で高周波電圧が印加されると真空容器内にある高周波電界発生部材の渦巻き部のまわりに高周波電界が生成され、この高周波電界により反応容器内に導入される原料ガスがプラズマ化され、プラズマは被処理物体載置台に載置された被処理物体に当たる。
【０００６】
請求項２の発明によれば原料ガスがヘリカルコイル配設領域内に複数箇所より噴出されるようにされている。
請求項３の発明によれば高周波電界発生部材がステンレス鋼で形成され、請求項４の発明では特にＳＵＳ３１６Ｌで形成されている。
請求項５の発明では冷媒が水とされている。
請求項６の発明では高周波電界発生部材の渦巻き部が半球形にされている。
【０００７】
請求項７の発明では高周波電界発生部材は高周波電源に接続される端部と渦巻き部を結ぶ部分を絶縁部材を介して反応容器で取り付けることにより支持されている。
請求項８の発明では高周波電界発生部材の渦巻き部と反応容器の距離が、渦巻き部と被処理物体載置台との距離よりも大きくされている。
請求項９の発明では高周波電界発生部材の渦巻き部の放射方向の間隔が均等にされている。
【０００８】
請求項１０の発明では１つの反応容器に、複数の高周波電界発生部材が付設されており、請求項１１の発明では複数の高周波電界発生部材の各一方の端部に共通電極から高周波電圧を印加され、請求項１２の発明では複数の高周波電界発生部材の隣接する各渦巻き部の最外部の間隔が、各渦巻き部の放射方向の間隔に等しくされている。
【０００９】
請求項１３の発明では酸素が原料ガスとされ、請求項１４の発明では処理時間の前半は酸素が原料ガスとされ、処理時間の後半は不活性ガスが原料ガスされ、請求項１５の発明では処理時間の前半は酸素が原料ガスとされし、処理時間の後半は酸素と不活性ガスが原料ガスとされる。請求項１６の発明では処理時間の全域に亘って酸素と不活性ガスが原料ガスとされる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は本発明の第１の実施の形態の真空プラズマ処理装置の構成を示す側面図であって、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って見た断面図である。反応容器１０は上壁１１と底壁１２と側壁１３を有する直方体であって金属、例えば、アルミニウムで形成されている。
【００１１】
底壁１２には排気管１４が四隅に、均等に、取り付けられ、４本の排気管１４は外部で集合排気管１４´に集合されている。集合排気管１４´にはコンダクタンスバルブ１７を介して、真空ポンプ１５が取り付けられている。コンダクタンスバルブ１７は後述するように酸素ガスを反応容器１０内に導入した時に、反応容器１０内の圧力を所定値に調整する。また、集合排気管１４´の開閉バルブ１６よりも上流側のところに排出管１８が接続され排出管１８は排出調節バルブ１８ａを介して、図示しない工場排気管に接続されている。
また、側壁１３には処理終了後に反応容器１０内の圧力を大気圧に戻すために外気を導入する外気導入管１９が取りつけられ、外気導入管１９にはリークバルブ１９ａが設けられている。
【００１２】
反応容器１０の内部には、反応容器１０の底壁１２に絶縁材２２を介して立設される支柱２１に支持される被処理物体支持台２０が配設されていて、被処理物体支持台２０の上には被処理物体Ｔが載置される。
【００１３】
次に高周波電界発生部材３０について説明する。高周波電界発生部材３０はＳＵＳ３１６Ｌ（ＪＩＳ規格）の中空パイプで形成され、反応容器１０の内部で渦巻き状にされた（図２参照）渦巻き部３１と、渦巻き部３１の一方の端部３１ａから上方に延伸し反応容器１０の上壁１１を貫通して反応容器１０の外部に達する第１垂直部３２と、渦巻き部３１の他方の端部３１ｂから上方に延伸し反応容器１０の上壁１１を貫通して反応容器１０の外部に達する第２垂直部３３とを有している。
渦巻き部３１は被処理物体支持台２０の数十ｍｍ上方に位置するように配設されているが、渦巻き部３１と反応容器１０の上壁１１の間の距離は渦巻き部３１と被処理物体支持台２０に載置される被処理物体Ｔの間の距離よりも大きくされ、渦巻き部３１と反応容器１０の上壁１１の間での放電の発生を抑制し、渦巻き部３１と被処理物体Ｔの間に強いプラズマが発生するようにしてある。
第１垂直部３２と第２垂直部３３は反応容器１０の上壁１１に取り付けられた絶縁材３４を通って反応容器１０の外側上方に延伸しており、高周波電界発生部材３０は絶縁材３４でのみ反応容器１０に対して支持されている。
【００１４】
なお、この実施の形態では、渦巻き部３１は角張った渦巻きにされているが、高周波電界を発生できるものであればどのような形状でもよい。
図３は、その一例であって、中心部の高さが外側の高さよりも高い、半球形の渦巻き部３１の例を示す図である。
【００１５】
高周波電界発生部材３０の第１垂直部３２および第２垂直部３３の反応容器１０の上壁１１の直ぐ外側の部分に電線４２が接続され、電線４２の他端は整合器４１を介して高周波電源４０に接続されている。なお、反応容器１０は接地されている。
【００１６】
そして、高周波電界発生部材３０の第１垂直部３２の上端は絶縁管５３を介して冷却水導入管５１に接続され、第２垂直部３３の上端は絶縁管５３を介して冷却水排水管５２に接続され、冷却水導入管５１の他端は冷却水ポンプ５０に接続されている。
なお、冷却水のかわりに空気で冷却するようにしてもよい。
【００１７】
一方、酸素ガスボンベ６０に酸素ガス調節バルブ６１が介装された酸素ガス供給管６２が接続され、酸素ガス供給管６２には、４本の原料ガス導入管６３、６４、６５、６６が接続されている。原料ガス導入管６３、６４、６５、６６は反応容器１０の上壁１１を絶縁部材６７を介して貫通して反応容器１０の内部に延伸し、高周波電界発生部材３０の渦巻き部３１の直下方に出口を有する。そして、４本の原料ガス導入管６３、６４、６５、６６は、上面から見ると、図２に示されているように、高周波電界発生部材３０の渦巻き部３１の領域内に略均等に配置されている。
【００１８】
制御装置７０は簡単なマイクロコンピュータから成り、真空ポンプ１５、開閉バルブ１６、コンダクタンスバルブ１７、排気調節バルブ１８ａ、リークバルブ１９ａ、高周波電源４０、整合器４１、冷却水ポンプ５０、酸素調節バルブ６１を、指示にしたがって、制御する。
【００１９】
以下、上記のように構成された真空プラズマ処理装置の運転方法について説明する。
先ず、被処理物体Ｔを被処理物体載置台２０の上に載置する。これは、図示しないが反応容器１０の例えば側壁に設けられている扉を開閉しておこなう。次に、排出調節バルブ１８ａを閉じ、開閉バルブ１６を開き、真空ポンプ１５を作動させて反応容器１０の内部を減圧して、略真空状態にする、具体的には数十Ｐａになるまで減圧する。
【００２０】
ついで、冷却水ポンプ５０を作動せしめて冷却水が冷却水導入管５１から高周波電界発生部材３０の内部を通って冷却水排水管５２を通って出て行くようにする。それから、酸素ガス調節バルブ６１を開いて酸素ガスを反納容器１０内に原料ガス導入管６３、６４、６５、６６から高周波電界発生部材３０の渦巻き部３１の直ぐ下方に複数箇所から導入し、コンダクタンスバルブ１７により反応容器１０内の圧力が所定の値になるように調整する。その後、高周波電源４０をＯＮにし、整合器４１を作動せしめて、反応容器１０内に高周波電界を発生せしめる。
【００２１】
すると、渦巻き部３１の下の領域に、図に梨地状に示されるようにプラズマが発生し、このプラズマにより被処理物体Ｔが処理、例えば、異物を除去する清浄化処理等がおこなわれる。そして、処理が終了したら、真空ポンプ１５を停止し、開閉バルブ１６を閉じ、リークバルブ１９ａを開き反応容器１０内の圧力を大気圧にもどし、大気圧になったら排気調節バルブ１８ａを開弁して除去された異物等を排出管１８から排出する。上記の一連の処理は、制御装置７０により自動的におこなうことができる。
【００２２】
本発明の実施の形態は、上記のように構成され、作用するが、従来技術のものに比べて、高周波電界発生部材の高周波電界を実際に発生する渦巻き部が反応容器の内部に配設され、直接その高周波電界の領域内に酸素ガスが導入されるので、プラズマの発生が効率よくおこなわれる。しかも、高周波電界発生部材が冷却水の通路を兼ているので構造を簡素にできる。
【００２３】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。この第２の実施の形態は１つの反応容器１３に対して４個の高周波電界発生装置を有するもので、図４が第２の実施の形態の構成を上面図で示したものであり、図５は側面図で示したものである。第１の実施の形態に対して拡大された反応容器１０内には４つの高周波電界発生装置３０Ａ〜３０Ｄの渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄが配設されている。各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄの放射方向の間隔Ｄは第１の実施の形態と同様に均等にされているが、隣接する各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄの間隔、すなわち、渦巻き部３１Ａの図中最も右側で図の上下方向に延伸する部分と渦巻き部３１Ｂの図中最も左側で図の上下方向に延伸する部分との間隔ＤＡＢ、渦巻き部３１Ｂの図中最も下側で図の左右方向に延伸する部分と渦巻き部３１Ｃの図中最も上側で図の左右方向に延伸する部分との間隔ＤＢＣ、渦巻き部３１Ｃの図中最も左側で図の上下方向に延伸する部分と渦巻き部３１Ｄの図中最も右側で図の上下方向に延伸する部分との間隔ＤＣＤ、渦巻き部３１Ｄの図中最も上側で図の左右方向に延伸する部分と渦巻き部３１Ａの図中最も下側で図の左右方向に延伸する部分との間隔ＤＤＡ、も、各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄの放射方向の間隔Ｄと等しくされている。
このようにすることにより高周波電界が均等に発生し、プラズマも均等になる。
【００２４】
第１の実施の形態と同様に、各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄの一方の端部には第１垂直部３２Ａ〜３２Ｄが接続され、他方の端部には第２垂直部３３Ａ〜３３Ｄが接続され、それぞれ上方に延伸し、反応容器１０の上壁１１に取り付けられた絶縁材３４を通って反応容器１０の外側上方に延伸しており、高周波電界発生部材３０は絶縁材３４でのみ反応容器１０に対して支持されている。
ここで第２垂直部３３Ａ〜３３Ｄはすべて中心部分に集中配置されている。
【００２５】
各高周波電界発生部材３０Ａ〜３０Ｄの第１垂直部３２Ａ〜３２Ｄの反応容器１０の上壁１１の直ぐ外側の部分には、高周波電源４０に接続された整合器４１から延伸する電線４２が接続されている。一方、一端が電線４２に結合された共通電極４３が反応容器１０の上壁１１の中心部を絶縁部材４４を介して貫通して反応容器１０の内部に延伸し、その下方の端部から十字状に延伸する導電材４５が各高周波電界発生部材３０Ａ〜３０Ｄの第２垂直部３３Ａ〜３３Ｄの下端部に結合されている。この導電材４５を剛性のあるものにすれば共通電極４３と導電材４５を介して絶縁材４４でも反応容器１０は支持される。
なお、反応容器１０は第１の実施の形態と同様に接地されている。
【００２６】
そして、高周波電界発生部材３０Ａ〜３０Ｄの第１垂直部３２Ａ〜３２Ｄの上端は絶縁管５３を介して冷却水導入管５１に接続され、第２垂直部３３Ａ〜３３Ｄの上端は絶縁管５３を介して冷却水排水管５２に接続されている。
【００２７】
一方、酸素ガスボンベ６０と酸素ガス調節バルブ６１を介して結合された酸素ガス供給管６２には、各高周波電界発生部材３０Ａ〜３０Ｄ毎に、４本の原料ガス導入管６３Ａ〜６６Ａ、６３Ｂ〜６６Ｂ、６３Ｃ〜６６Ｃ、６３Ｄ〜６６Ｄが接続されている。
原料ガス導入管６３Ａ〜６６Ａ、６３Ｂ〜６６Ｂ、６３Ｃ〜６６Ｃ、６３Ｄ〜６６Ｄは、それぞれ、反応容器１０の上壁１１を絶縁部材６７を介して貫通して反応容器１０の内部に延伸し、各高周波電界発生部材３０Ａ〜３０Ｄの各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄの直下方に出口を有する。そして、各４本の原料ガス導入管６３Ａ〜６６Ａ、６３Ｂ〜６６Ｂ、６３Ｃ〜６６Ｃ、６３Ｄ〜６６Ｄは、上面から見ると、図４に示されているように、各高周波電界発生部材３０Ａ〜３０Ｄの各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄの領域内に略均等に配置されている。
【００２８】
この第２の実施の形態では、被処理物体Ｔは反応容器１０の底壁１２に直接、すなわち、絶縁せずに、立設されたアルミニウム製の複数の被処理物体支持棒２３の上に載置されるが、第１の実施の形態と同様に各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄと反応容器１０の上壁１１の間の距離は各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄと被処理物体支持棒２３に載置される被処理物体Ｔの間の距離よりも大きくされ、各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄと反応容器１０の上壁１１の間での放電の発生を抑制し、各渦巻き部３１Ａ〜３１Ｄと被処理物体Ｔの間に強いプラズマが発生するようにしてある。
【００２９】
その他、第１の実施の形態と同じ、制御装置７０、真空ポンプ１５、開閉バルブ１６、コンダクタンスバルブ１７、排気調節バルブ１８ａ、リークバルブ１９ａ、高周波電源４０、整合器４１、冷却水ポンプ５０、酸素調節バルブ６１を有し、第１の実施の形態と同様に運転される。
【００３０】
第２の実施の形態は、上記のように構成され、一つの反応容器１０に対して４個の高周波電界発生部材３０Ａ〜３０Ｄを有するので一度に大きな面積の処理をおこなうことができる。例えば、一つの高周波電界発生部材３０の渦巻き部３１の大きさを約３００ｍｍ×４００ｍｍとした場合に、１３００ｍｍ×１６５０ｍｍの大きさの被処理物体を処理することができる。
【００３１】
次に、第３の実施の形態について説明する。この第３の実施の形態は処理時間の前半に原料ガスに酸素を使用し、処理時間の後半には原料ガスに不活性ガスであるアルゴンを使用するようにした点が第１の実施の形態と異なる。図６がこの第３の実施の形態の装置であって図１に比してアルゴンガスのボンベ６０’、その供給流量を調整するアルゴンガス調節バルブ６１’、アルゴンガス供給管６２’が追加されている。
【００３２】
図７が第３の実施の形態の酸素とアルゴンガスの供給時間を示すグラフであって、全体の処理時間（約６分）の前半（約３分）には酸素ガスを供給し、後半（約３分）にはアルゴンガスを供給するようにされている。このようにすることにより酸素だけで処理する場合に比べてより良好な処理が実現でき、例えば、本発明は液晶基板の製造工程における不要な有機膜の除去に使用されるが、酸素だけで処理する場合よりも除去率を向上させることができる。
【００３３】
図８は、第３の実施の形態の第１の変形例における酸素とアルゴンガスの供給時間を示すグラフであって、全体の処理時間（約６分）に亘って酸素ガスを供給し、後半（約３分）にはアルゴンガスも供給するようにされている。このようにすることにより、第３の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００３４】
図９は、第３の実施の形態の第２の変形例における酸素とアルゴンガスの供給時間を示すグラフであって、全体の処理時間（約６分）に亘って酸素ガスとアルゴンガスも供給するようにされている。このようにすることにより、第３の実施の形態と同様な効果を得ることができる。
【００３５】
第３の実施の形態、および、その第１、第２の変形例は、第２の実施の形態に適用することができる。また、アルゴンガスの代りに他のキセノン、クリプトン等の不活性ガスを使用することもできる。
【００３６】
【発明の効果】
各請求項に記載の発明は真空プラズマ処理装置であるが、真空化可能な反応容器と、反応容器内にプラズマ化される原料ガスを導入するガス導入装置と、反応容器内に渦巻き部を有し、両端が反応容器外において高周波電源に接続され高周波電源により高周波電圧が印加されると高周波電界を発生し、原料ガスをプラズマ化する高周波電界発生部材と、被処理物体をプラズマが当たるように載置可能な被処理物体載置台とを具備し、高周波電界発生部材が中空の金属管で形成され、内部に冷媒が流通せしめられるようにされている。
したがって、高周波電界発生部材の高周波を実際に発生する渦巻き部が反応容器の内部に配設され、しかも、その領域内に酸素ガスが導入されるので、プラズマの発生が効率よくおこなわれる。しかも、高周波電界発生部材が冷却水の通路を兼ているので構造が簡素である。
特に請求項１０のように１つの反応容器に対して複数の高周波電界発生部材を付設すれば一度に被処理物体の大きな面積を処理できる。
特に請求項１４のように処理時間の前半は酸素を原料ガスとし、処理時間の後半は不活性ガスが原料ガスとしたり、請求項１５のように処理時間の前半は酸素を原料ガスとし、処理時間の後半は酸素と不活性ガスを原料ガスとしたり、請求項１６のように処理時間の全域に亘って酸素と不活性ガスを原料ガスとすれば処理効果が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す側面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って見た断面図である。
【図３】半球形の高周波電界発生部材の渦巻き部を示す例である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の構成を図２と同じ見方で示した図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の構成を示す側面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の構成を示す側面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態の原料ガスの供給方法を示すグラフである。
【図８】本発明の第３の実施の形態の第１の変形例における原料ガスの供給方法を示すグラフである。
【図９】本発明の第３の実施の形態の第２の変形例における原料ガスの供給方法を示すグラフである。
【符号の説明】
１０…反応容器
１１…上壁
１２…底壁
１３…側壁
１４…排気管
１４´…集合排気管
１５…真空ポンプ
１６…開閉バルブ
１７…コンダクタンスバルブ
１８…排出管
１８ａ…排出調節バルブ
１９…外気導入管
１９ａ…リークバルブ
２０…被処理物体載置台
２２…絶縁部材
３０、３０Ａ〜３０Ｄ…高周波電界発生部材
３１、３１Ａ〜３１Ｄ…渦巻き部
３２、３２Ａ〜３２Ｄ…第１垂直部
３３、３３Ａ〜３３Ｄ…第２垂直部
３４…絶縁部材
４０…高周波電源
４１…整合器
４３…共通電極
４４…絶縁部材
４５…導電材
５０…冷却水ポンプ
５１…冷却水供給管
５２…冷却水排水管
５３…絶縁管
６０…酸素ガスボンベ
６０’…アルゴンガスボンベ
６１…酸素ガス調節バルブ
６１’…アルゴンガス調節バルブ
６２…酸素ガス供給管
６２’…アルゴンガス供給管
６３、６３Ａ〜６３Ｄ、６４、６４Ａ〜６４Ｄ、６５、６５Ａ〜６５Ｄ、６６、６６Ａ〜６６Ｄ…原料ガス導入管
６７…絶縁部材
７０…制御装置
【図１】
2004006569.tif 000003
【図２】
2004006569.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004006569.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004006569.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004006569.tif 000011