(57)【要約】【課題】　特性の良い半導体装置を提供する。【解決手段】　絶縁表面上に形成された、一対の第一の不純物領域、前記一対の第一の不純物領域の間に形成された一対の第二の不純物領域、及び前記一対の第二の不純物領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、を有する半導体装置において、前記第一の不純物領域の濃度は、前記第二の不純物領域の濃度よりも高く、前記チャネル形成領域及び前記一対の第二の不純物領域の一部は、前記ゲイト絶縁膜を介して前記ゲイト電極の下に形成され、前記一対の第一の不純物領域の表面にシリサイドが形成され、前記シリサイドは、金属配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。【選択図】　図４
2004006976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
　絶縁表面上に珪素膜を形成し、
　前記珪素膜上に絶縁膜を形成し、
　前記絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
　前記絶縁膜を除去して前記珪素膜を露出させ、
　前記珪素膜及び前記ゲイト電極を覆って金属被膜を形成し、
　前記珪素膜に選択的に導電型の不純物イオンを基板に対して斜めに導入することによって不純物領域を形成し、
　アニールにより前記珪素膜と前記金属被膜を選択的に反応させることによって、前記珪素膜に選択的にシリサイド領域を形成し、
　前記金属被膜を除去し、
　前記不純物領域の一部は、ゲイト電極の下にオーバーラップしており、前記絶縁膜を介して前記不純物イオンが導入されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
　絶縁表面上に珪素膜を形成し、
　前記珪素膜上に絶縁膜を形成し、
　前記絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
　前記絶縁膜を除去して前記珪素膜を露出させ、
　前記珪素膜及び前記ゲイト電極を覆って金属被膜を形成し、
　アニールにより前記珪素膜と前記金属被膜を選択的に反応させることによって、前記珪素膜に選択的にシリサイド領域を形成し、
　前記珪素膜に選択的に導電型の不純物イオンを基板に対して斜めに導入することによって不純物領域を形成し、
　前記金属被膜を除去し、
　前記不純物領域の一部は、ゲイト電極の下にオーバーラップしており、前記絶縁膜を介して前記不純物イオンが導入されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
　絶縁表面上に珪素膜を形成し、
　前記珪素膜上に絶縁膜を形成し、
　前記絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
　前記絶縁膜を除去して前記珪素膜を露出させ、
　前記珪素膜及び前記ゲイト電極を覆って金属被膜を形成し、
　前記珪素膜に選択的に導電型の不純物イオンを基板に対して斜めに導入することによって、低濃度の不純物領域を形成し、
　前記珪素膜に、選択的に前記導電型の不純物イオンと同じ導電型の不純物イオンを基板に対して垂直に導入することによって、高濃度の不純物領域を形成し、
　アニールにより前記珪素膜と前記金属被膜を選択的に反応させることによって、前記珪素膜に選択的にシリサイド領域を形成し、
　前記金属被膜を除去し、
　前記低濃度の不純物領域の一部は、ゲイト電極の下にオーバーラップしており、前記絶縁膜を介して前記不純物イオンが導入されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
　絶縁表面上に珪素膜を形成し、
　前記珪素膜上に絶縁膜を形成し、
　前記絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
　前記絶縁膜を除去して前記珪素膜を露出させ、
　前記珪素膜及び前記ゲイト電極を覆って金属被膜を形成し、
　アニールにより前記珪素膜と前記金属被膜を選択的に反応させることによって、前記珪素膜に選択的にシリサイド領域を形成し、
　前記珪素膜に選択的に導電型の不純物イオンを基板に対して斜めに導入することによって、低濃度の不純物領域を形成し、
　前記珪素膜に選択的に前記導電型の不純物イオンと同じ導電型の不純物イオンを基板に対して垂直に導入することによって、高濃度の不純物領域を形成し、
　前記金属被膜を除去し、
　前記低濃度の不純物領域の一部は、ゲイト電極の下にオーバーラップしており、前記絶縁膜を介して前記不純物イオンが導入されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
　絶縁表面上にゲイト電極を形成し、
　前記ゲイト電極上に第１の絶縁膜を形成し、
　前記第１の絶縁膜上に珪素膜を形成し、
　前記珪素膜を選択的に除去することによって活性層を形成し、
　前記活性層及び前記第１の絶縁膜を覆って、第２の絶縁膜を形成し、
　前記第２の絶縁膜の一部を除去して前記活性層の一部を露出させ、
　前記活性層の一部、前記第１の絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜を覆って、金属被膜を形成し、
　前記珪素膜に選択的に導電型の不純物イオンを基板に対して斜めに導入することによって不純物領域を形成し、
　アニールにより前記珪素膜と前記金属被膜を選択的に反応させることによって、前記珪素膜に選択的にシリサイド領域を形成し、
　前記金属被膜を除去し、
　前記不純物領域の一部は、ゲイト電極の上にオーバーラップしており、前記第２の絶縁膜を介して前記不純物イオンが導入されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
　絶縁表面上にゲイト電極を形成し、
　前記ゲイト電極上に第１の絶縁膜を形成し、
　前記第１の絶縁膜上に珪素膜を形成し、
　前記珪素膜を選択的に除去することによって活性層を形成し、
　前記活性層及び前記第１の絶縁膜を覆って、第２の絶縁膜を形成し、
　前記第２の絶縁膜の一部を除去して前記活性層の一部を露出させ、
　前記活性層の一部、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を覆って、金属被膜を形成し、
　アニールにより前記珪素膜と前記金属被膜を選択的に反応させることによって、前記珪素膜に選択的にシリサイド領域を形成し、
　前記珪素膜に選択的に導電型の不純物イオンを基板に対して斜めに導入することによって不純物領域を形成し、
　前記金属被膜を除去し、
　前記不純物領域の一部は、ゲイト電極の上にオーバーラップしており、前記第２の絶縁膜を介して前記不純物イオンが導入されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
　請求項１乃至６のいずれか一において、前記導電型はＮ型またはＰ型であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
　請求項１乃至７のいずれか一において、前記アニールは、熱アニール、光アニール、ランプアニールのいずれか一つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
　請求項１乃至８のいずれか一において、前記不純物領域を光アニールまたは熱アニールによって活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
　請求項１乃至９のいずれか一において、前記不純物イオンを基板に対して斜めに導入する際の入射角は、３０度以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
　絶縁表面上に形成された、一対の第一の不純物領域、前記一対の第一の不純物領域の間に形成された一対の第二の不純物領域、及び前記一対の第二の不純物領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
　前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
を有する半導体装置において、
　前記第一の不純物領域の濃度は、前記第二の不純物領域の濃度よりも高く、
　前記チャネル形成領域及び前記一対の第二の不純物領域の一部は、前記ゲイト絶縁膜を介して前記ゲイト電極の下に形成され、
　前記一対の第一の不純物領域の表面にシリサイドが形成され、
　前記シリサイドは、金属配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
　絶縁表面上に形成された、一対の第一の不純物領域、前記一対の第一の不純物領域の間に形成された一対の第二の不純物領域、及び前記一対の第二の不純物領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体膜と、
　前記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、
　前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
を有する半導体装置において、
　前記第一の不純物領域の濃度は、前記第二の不純物領域の濃度よりも高く、
　前記チャネル形成領域及び前記一対の第二の不純物領域の一部は、前記ゲイト絶縁膜を介して前記ゲイト電極の下に形成され、
　前記一対の第一の不純物領域の表面に、厚さ１０〜１０００ｎｍのシリサイドが形成され、
　前記シリサイドは、金属配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
　請求項１１または１２において、前記シリサイドは、チタン、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、白金、パラジウムのうち、いずれか一を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
　請求項１１乃至１３のいずれか一において、前記シリサイドのシート抵抗は、１０〜１００Ω／□であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
　請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記シリサイドの比抵抗は、０．１〜１ｍΩ・ｃｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
　請求項１１乃至１５のいずれか一において、前記シリサイドは、バリアメタルを介して前記金属配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
　請求項１６において、前記バリアメタルは窒化チタンであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ガラス等の絶縁材料、あるいは珪素ウェハー上に酸化珪素等の絶縁被膜を形成した材料等の絶縁表面上に形成される絶縁ゲイト型トランジスタ（ＴＦＴ）およびその作製方法に関する。本発明は、特にガラス転移点（歪み温度、歪み点とも言う）が７５０℃以下のガラス基板上に形成されるＴＦＴに有効である。本発明による半導体装置は、液晶ディスプレー等のアクティブマトリクスやイメージセンサー等の駆動回路、あるいは３次元集積回路に使用されるものである。
【背景技術】
【０００２】
　従来より、アクティブマトリクス型の液晶表示装置やイメージセンサー等の駆動の目的で、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成することが広く知られている。特に、最近は、高速動作の必要から、非晶質珪素を活性層に用いた非晶質珪素ＴＦＴにかわって、より電界移動度の高い結晶珪素ＴＦＴが開発されている。しかしながら、より高度な特性が必要とされるようになると、半導体集積回路技術で利用されるようなソース／ドレインをシリサイドによって構成することによって、当該部分のシート抵抗を低下させる構造（サリサイド構造、例えば、Ｈ．Ｋａｎｅｋｏ他、ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，ＥＤ−３３，１７０２（１９８６））が必要とされた。
【０００３】
　しかしながら、公知の半導体集積回路技術とは異なって、ＴＦＴには解決すべき問題が多くあった。特に、素子が絶縁表面上に形成され、反応性イオン異方性エッチングが十分できないため、微細なパターンができないという大きな制約があった。
　図６には、現在まで用いられているサリサイドを作製する代表的なプロセスの断面図を示す。まず、基板（ガラスでも珪素ウェハーでもよい）６０１上に下地膜６０２を形成し、活性層を結晶珪素６０３によって形成する。そして、この活性層上に酸化珪素等の材料によって絶縁被膜６０４を形成する。（図６（Ａ））
【０００４】
　次に、ゲイト電極６０５が多結晶珪素（燐等の不純物がンドーピングされている）やタンタル、チタン、アルミニウム等で形成される。さらに、このゲイト電極をマスクとして、イオンドーピング等の手段によって不純物元素（リンやホウ素）を導入し、自己整合的に不純物領域６０６が活性層６０３に形成される。不純物が導入されなかったゲイト電極の下の活性層領域はチャネル形成領域となる。（図６（Ｂ））
【０００５】
　次に、プラズマＣＶＤ、ＡＰＣＶＤ等の手段によって酸化珪素等の絶縁膜６０７を形成（図６（Ｃ））し、これを異方性エッチングすることによって、ゲイト電極の側面に隣接して側壁６０８を形成する。（図６（Ｄ））
　そして、全面にチタン、クロム、タングステン、モリブテン等のシリサイドを形成するための金属被膜を成膜し（図６（Ｅ））、これを不純物領域６０６と反応させて、シリサイド領域６１０を形成する。側壁の下部（幅ｘ）の不純物領域６０６はシリサイドが形成されないので、通常のソース／ドレイン６１１となる。（図６（Ｆ））
　最後に、層間絶縁物６１２を形成し、さらに、層間絶縁物を通して、ソース／ドレイン領域にコンタクトホールを形成し、アルミニウム等の金属材料によって、ソース／ドレインに接続する配線・電極６１３を形成する。（図６（Ｇ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　以上の方法は従来の半導体集積回路におけるサリサイド作製プロセスをそのまま踏襲したものであって、ガラス基板上のＴＦＴ作製プロセスにはそのまま適用することの困難な工程や、あるいは生産性の面で好ましくない工程がある。
　第１にはドーピング後に活性層表面をエッチングしなければならないことである。ＴＦＴの活性層は薄い方が良好な特性が得られることが知られている。したがって、図６の工程（Ｄ）において側壁６０８を形成する場合には活性層のオーバーエッチングには留意する必要がある。
【０００７】
　しかしながら、活性層の厚さが１５０ｎｍ以下、好ましくは、８０ｎｍ以下であるのに対し、側壁を形成するための絶縁膜６０７の厚さはゲイト電極６０５と同程度の厚さが必要であるため、３００〜８００ｎｍであり、若干のオーバーエッチングは避けられない。加えて、活性層に不純物がドーピングされたもの（ドープド珪素）は、真性の珪素に比較するとはるかにエッチングされやすいのである。そのため、通常の条件では側壁の形成の際に活性層も大きくエッチングされる、あるいは、再現性よくエッチングできない、という問題があった。
【０００８】
　第２は、側壁の形成の困難さである。絶縁膜６０７の厚さは５００〜２０００ｎｍもある。通常、基板上に設けられる下地膜６０２の厚さは１００〜３００ｎｍであるので、このエッチング工程において誤って、下地膜をエッチングしてしまって、基板が露出することがよくあり、歩留りが低下した。特に、ＴＦＴの作製に用いられるガラス基板は珪素半導体にとって有害な元素が多く含まれているので、このようなオーバーエッチングは避けることが必要とされた。
　また、側壁の幅を均一に仕上げることも難しいことであった。これは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のプラズマドライエッチングの際に、半導体集積回路で用いられる珪素基板とは異なって、基板表面が絶縁性であるためにプラズマの微妙な制御が困難であったからである。
　本発明は、上記のような問題を解決し、よりプロセスを簡略化して、サリサイド構造を形成する方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本発明では、従来に用いられたような側壁を用いずにシリサイドを形成することを特徴とする。すなわち、本発明では、シリサイドを形成するための金属被膜を成膜したのち、ソース／ドレインのドーピングをおこなうことを基本とする。
　本発明の第１は
　（Ａ）絶縁表面上に半導体活性層と、前記活性層上に第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に陽極酸化可能な材料によってゲイト電極材料の被膜をそれぞれ形成する工程
　（Ｂ）前記ゲイト電極材料上に選択的にマスク膜を設け、該マスク膜を用いて、前記ゲイト電極材料をエッチングし、ゲイト電極を形成する工程
　（Ｃ）前記ゲイト電極に電解溶液中で電流を印加することによって、主として該ゲイト電極の側面に多孔質の第１の陽極酸化物を形成する工程と
　（Ｄ）前記マスク膜を除去する工程
　（Ｅ）前記ゲイト電極に電解溶液中で電流を印加することによって、該ゲイト電極の側面および上面にバリヤ型の第２の陽極酸化物を形成する工程
　（Ｆ）前記第１の陽極酸化物をマスクとして、前記第１の絶縁膜をエッチング除去することによって活性層の表面を露出せしめ、同時にゲイト絶縁膜を形成する工程
　（Ｇ）前記第１の陽極酸化物を選択的に除去する工程
　（Ｈ）前記ゲイト電極およびゲイト絶縁膜を覆って、シリサイドを形成するための金属被膜を形成する工程
　（Ｉ）前記ゲイト電極およびゲイト絶縁膜をマスクとし、前記金属被膜を通して、前記活性層に選択的にＮ型もしくはＰ型の不純物元素を導入する工程と
　（Ｊ）前記金属被膜を活性層と選択的に反応させることによって、活性層中に選択的にシリサイド領域を形成する工程
　（Ｋ）前記工程（Ｊ）で反応しなかった金属被膜を除去する工程
を有する。
【００１０】
　このうち、工程（Ａ）〜（Ｈ）までは順序の入替えは不可能であるが、工程（Ｉ）〜（Ｋ）は、入替え可能で、組み合わせることによって以下の２種類の構成が可能である。すなわち、
　第１の構成　　　工程Ｉ→工程Ｊ→工程Ｋ
　第２の構成　　　工程Ｊ→工程Ｉ→工程Ｋ
である。ここで、第１の構成では、工程Ｊにおいて、工程ＩでドーピングされたＮ型もしくはＰ型の不純物を活性化することも可能であるが、第２の構成では、工程Ｉと工程Ｋの間、もしくは工程Ｋの後に別に活性化の工程を設けることが望ましい。
　上記の工程（Ｊ）において、もしくは、その工程の後においては、レーザーもしくは同等な強光を照射することによって、Ｎ型もしくはＰ型の不純物の活性化をおこなってもよい。また、上記工程（Ｊ）は、３００〜５００℃の熱アニールによっておこなってもよい。
【００１１】
　本発明の第１において、バリヤ型陽極酸化物は、一般には、概略中性の電解液において印加電圧を漸増させることにより得られる陽極酸化物のことで、緻密で耐圧が高い。一方、多孔質陽極酸化物は陽極酸化物の形成とその局所的なエッチングを並行しておこなうことによって得られる陽極酸化物で、一般には、水素イオン濃度ｐＨが２未満の酸性の電解液において、一定低電圧を印加することによって得られる。
【００１２】
　特に、いわゆるバリヤ型の陽極酸化物はエッチングが難しいのに対し、多孔質型の陽極酸化物は燐酸等のエッチャントによって選択的にエッチングされる。このため、ＴＦＴを構成する他の材料、例えば、珪素、酸化珪素には何らダメージ（損傷）を与えることなく、処理することができるのが特徴である。また、バリヤ型、多孔質型とも陽極酸化物はドライエッチングでは極めてエッチングされにくい。特に、酸化珪素とのエッチングにおいては選択比が十分に大きいことも特徴である。
【００１３】
　本発明の第２は、
　（ａ）絶縁表面上に半導体活性層を形成する工程
　（ｂ）前記活性層上に選択的にドーピングマスクを設ける工程
　（ｃ）前記活性層およびドーピングマスクを覆って、シリサイドを形成するための金属被膜を形成する工程
　（ｄ）前記金属被膜を通して、前記活性層に選択的にＮ型もしくはＰ型の不純物元素を導入する工程
　（ｅ）前記金属被膜を活性層と選択的に反応させることによって、活性層中に選択的にシリサイド領域を形成する工程
　（ｆ）前記工程（ｅ）で反応しなかった金属被膜を除去する工程
を有する。
【００１４】
　このうち、工程（ａ）〜（ｃ）までは順序の入替えは不可能であるが、工程（ｄ）〜（ｆ）は、入替え可能で、組み合わせることによって以下の２種類の構成が可能である。すなわち、
　第３の構成　　　工程ｄ→工程ｅ→工程ｆ
　第４の構成　　　工程ｅ→工程ｄ→工程ｆ
である。
　より、一般的には、本発明において、工程（ｃ）は工程（ｄ）および（ｆ）の前にあり、かつ、工程（ｄ）は工程（ｅ）の前にあることが条件とされる。
　ここで、上記第３の構成では、工程ｅにおいて、工程ｄでドーピングされたＮ型もしくはＰ型の不純物を活性化することも可能であるが、第４の構成では、工程ｄと工程ｆの間、もしくは工程ｆの後に別に活性化の工程を設けることが望ましい。
【００１５】
　上記工程（ｅ）において、もしくは、その工程の後においては、レーザーもしくは同等な強光を照射することによって、Ｎ型もしくはＰ型の不純物の活性化をおこなってもよい。また、上記工程（ｅ）は、３００〜５００℃の熱アニールによっておこなってもよい。
【００１６】
　また、本発明の第２はボトムゲイト型ＴＦＴでもトップゲイト型ＴＦＴでもよいが、特にトップゲイト型ＴＦＴでは、上記のドーピングマスクとして、ゲイト電極およびゲイト絶縁膜とするとよい。一方、ボトムゲイト型ＴＦＴでは、ドーピングマスクはソース／ドレインのドーピングのためのマスクを用いると良い。
　本発明の第２の工程（ｄ）は、Ｎ型もしくはＰ型の不純物元素を含むイオンを基板に対して３０°以上の傾きを有せしめて照射することによって、ドーピングマスクの下部の一部にまでドーピングさせるとよい。
【発明の効果】
【００１７】
　このように本発明の第１および第２においては、異方性エッチングによって得られる側壁を用いないでサリサイド構造を得ることができる。本発明で特徴的なことは、金属被膜を形成したのち、その金属被膜を通して、不純物イオンを注入し、ソース／ドレインを形成することである。すなわち、酸化珪素等とのエッチングの選択比の高い真性珪素の状態で酸化珪素を主成分とするゲイト絶縁膜のエッチングをおこなうため、活性層のオーバーエッチングがない。また、シリサイド領域にＮ型／Ｐ型の不純物が注入され、より低濃度でもシリサイド領域と金属電極とのオーミックコンタクトを得ることができる。
【００１８】
　本発明は、酸化珪素との選択比の低いドーピングされた珪素表面の酸化珪素をエッチングする工程がないので、歩留り良くＴＦＴを作製することができる。本発明によって得られるＴＦＴの特性はもちろん、従来のサリサイド構造のＴＦＴとなんら遜色のないものである。
　また、本発明では、陽極酸化、回転斜めイオン注入等の手段により、ソース／ドレイン（図１の領域１１３や図３の領域３１０）の幅が極めて精度良く形成されるので、均一性の優れたＴＦＴ回路が得られる。
【００１９】
　実施例ではガラス基板上のＴＦＴを中心に説明したが、本発明のＴＦＴは、半導体集積回路が形成された基板上に３次元集積回路を形成する場合でも、ガラスまたは有機樹脂等の上に形成される場合でも同様に形成されることはいうまでもないが、いずれの場合にも絶縁表面上に形成されることを特徴とする。
【実施例１】
【００２０】
　図１に本実施例を示す。まず、基板（コーニング７０５９、３００ｍｍ×４００ｍｍもしくは１００ｍｍ×１００ｍｍ）１０１上に下地酸化膜１０２として厚さ１００〜３００ｎｍの酸化珪素膜を形成した。この酸化膜の形成方法としては、酸素雰囲気中でのスパッタ法を使用した。しかし、より量産性を高めるには、ＴＥＯＳをプラズマＣＶＤ法で分解・堆積した膜を用いてもよい。
【００２１】
　その後、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法によって非晶質珪素膜を３０〜５００ｎｍ、好ましくは５０〜１００ｎｍ堆積し、これを、５５０〜６００℃の還元雰囲気に２４時間放置して、結晶化せしめた。この工程は、レーザー照射によっておこなってもよい。そして、このようにして結晶化させた珪素膜をパターニングして島状領域１０３を形成した。さらに、この上にスパッタ法によって厚さ７０〜１５０ｎｍの酸化珪素膜１０４を形成した。
【００２２】
　その後、厚さ１００〜３０００ｎｍのアルミニウム（１〜５ｗｔ％のＺｒ（ジルコニウム）、もしくは０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃ（スカンジウム）を含む）膜を電子ビーム蒸着法もしくはスパッタ法によって形成した。そして、フォトレジスト（例えば、東京応化製、ＯＦＰＲ８００／３０ｃｐ）をスピンコート法によって形成した。このマスク膜の材料としては他に、感光性ポリイミドや通常のポリイミドでエッチングの可能なものを使用してもよい。
【００２３】
　フォトレジストの形成前に、陽極酸化法によって厚さ１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウム膜を表面に形成しておくと、フォトレジストとの密着性が良く、また、フォトレジストからの電流のリークを抑制することにより、後の陽極酸化工程において、多孔質陽極酸化物を側面のみに形成するうえで有効であった。
　その後、フォトレジストとアルミニウム膜をパターニングして、マスク１０６を形成し、これを用いて、アルミニウム膜をエッチングし、ゲイト電極１０５を形成した。マスク１０６はそのまま残して、次の工程に移行した。（図１（Ａ））
【００２４】
　さらにこれに電解液中で電流を通じて陽極酸化し、厚さ３００〜６００ｎｍ、例えば、厚さ５００ｎｍの陽極酸化物１０７を形成した。陽極酸化は、３〜２０％のクエン酸もしくはショウ酸、燐酸、クロム酸、硫酸等の酸性水溶液を用いておこない、１０〜３０Ｖの一定電流をゲイト電極に印加すればよい。溶液の水素イオン濃度ｐＨは２未満であることが望ましい。最適なｐＨは電解溶液の種類に依存するが、シュウ酸の場合には０．９〜１．０である。この場合には、１０〜３０Ｖ程度の低電圧で５００ｎｍ以上の厚い陽極酸化物を形成することができる。本実施例ではｐＨ＝０．９〜１．０のシュウ酸溶液（３０℃）中で電圧を１０Ｖとし、２０〜４０分、陽極酸化した。陽極酸化物の厚さは陽極酸化時間によって制御した。（図１（Ｂ））
【００２５】
　次に、マスク１０６を除去し、再び電解溶液中において、電圧が１〜１０Ｖ／分で上昇するようにゲイト電極に電流を印加した。今回は、３〜１０％の酒石液、硼酸、硝酸の少なくとも１つが含まれたｐＨ＝６．９〜７．１のエチレングルコールアンモニア溶液を用いた。溶液の温度は１０℃前後の室温より低い方が良好な酸化膜が得られた。このため、ゲイト電極の上面および側面にバリヤ型の陽極酸化物１０８が形成された。陽極酸化物１０８の厚さは印加電圧に比例し、印加電圧が１５０Ｖで２００ｎｍの陽極酸化物が形成された。（図１（Ｃ））
【００２６】
　注目すべきは、バリヤ型の陽極酸化が後の工程であるにもかかわらず、多孔質の陽極酸化物の外側にバリヤ型の陽極酸化物ができるのではなく、バリヤ型の陽極酸化物１０８は多孔質陽極酸化物１０７とゲイト電極１０５の間に形成されることである。燐酸系のエッチャントに対しては、多孔質陽極酸化物のエッチングレートはバリヤ型陽極酸化物のエッチングレートの１０倍以上である。このため、後に燐酸系のエッチャントよって、多孔質陽極酸化物をエッチングする際に、バリヤ型の陽極酸化物１０８によって内側のゲイト電極を守ることができる。
【００２７】
　その後、ドライエッチング法によって酸化珪素膜１０４をエッチングした。このエッチングにおいては、等方性エッチングのプラズマモードでも、あるいは異方性エッチングの反応性イオンエッチングモードでもよい。ただし、珪素と酸化珪素の選択比を十分に大きくすることによって、活性層を深くエッチングしないようにすることが重要である。本発明では、活性層が真性珪素であるため酸化珪素とのエッチングの選択比は十分に大きい。例えば、エッチングガスとしてＣＦ4 を使用すれば陽極酸化物はエッチングされず、酸化珪素膜１０４のみがエッチングされる。また、多孔質陽極酸化物１０７の下の酸化珪素膜（ゲイト絶縁膜）１１０はエッチングされずに残った。（図１（Ｄ））
【００２８】
　本実施例では、ゲイト電極がアルミニウムであるが、その他の材料（例えば、タンタル、チタンを主成分とる場合）であっても、絶縁膜１０４が酸化珪素を主成分とする場合においては、フッ素系（例えばＮＦ3 、ＳＦ6 ）のエッチングガスを用いて、ドライエッチングをおこなえば、酸化珪素である絶縁膜１０４は素早くエッチングされるが、酸化タンタル、酸化チタンのエッチングレートは十分に小さいので絶縁膜１０４を選択的にエッチングできる。
【００２９】
　また、ウェットエッチングを用いることも可能であり、１／１００フッ酸等のフッ酸系のエッチャントを用いればよい。この場合にも酸化珪素である絶縁膜１０４は素早くエッチングされるが、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン等のエッチングレートは十分に小さいので絶縁膜１０４を選択的にエッチングできる。
　その後、燐酸、酢酸、硝酸の混酸を用いて多孔質陽極酸化物１０７をエッチングした。このエッチングでは陽極酸化物１０７のみがエッチングされ、エッチングレートは約６０ｎｍ／分であった。その下のゲイト絶縁膜１１０はそのまま残存した。
【００３０】
　さらに、全面に適当な金属、例えば、チタン、クロム、ニッケル、モリブテン、タングステン、白金、パラジウム等の被膜、例えば、厚さ２０〜２００ｎｍのチタン膜１１１をスパッタ法によって全面に形成した。（図１（Ｅ））
　そして、イオンドーピング法によって、ＴＦＴの活性層１０３に、ゲイト電極部（すなわちゲイト電極とその周囲の陽極酸化膜）およびゲイト絶縁膜１１０をマスクとして自己整合的に不純物を注入した。
【００３１】
　本実施例では、ドーピングガスとしてはフォスフィン（ＰＨ3 ）を用いた。ドーズ量は５×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 、加速電圧は６０〜１２０ｋＶとした。このため、ドーピング不純物は主として幅ｙの領域１１３に注入され、該領域はＮ型の不純物領域となった。一方、領域１１２は多くの不純物が通過して、かえって不純物濃度は低くなった。Ｐ型の不純物領域を形成するにはジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）をドーピングガスとして用いればよい。（図１（Ｆ））
【００３２】
　本実施例では、ドーピングは１回のみとしたが、領域１１２にもドーピングされるように、電圧を加減して、２回のドーピングをおこなってもよい。また、領域１１３の不純物濃度が領域１１２の不純物濃度よりも１〜３桁低くなるようにドーピングをおこなってもよい。
　この後、４５０℃の熱アニールを１〜５時間おこなった。この結果、ドーピング不純物が活性化されるとともに、チタン膜１１１と領域１１２の珪素が反応してシリサイド領域１１４が形成された。ドーピングされた珪素は反応性が高いため、４５０℃というような低温でも十分にシリサイド化をおこなうことができた。一方、チタン膜と接していない領域１１３はソース／ドレインとなった。
【００３３】
　この工程は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（Ｑスイッチパルス発振が望ましい）のごとき赤外光レーザーやその第２高調波のごとき可視光レーザー、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＡｒＦ等のエキシマーを使用する各種紫外光レーザーを照射する、いわゆる光アニール法も使用できるが、金属膜の上面からレーザー照射をおこなう場合には金属膜に反射されないような波長のレーザーを選択する必要がある。もっとも、金属膜が極めて薄い場合にはほとんど問題がない。また、レーザー光は、基板側から照射してもよい。この場合には下に存在するシリコン半導体膜を透過するレーザー光を選択する必要がある。
【００３４】
　また、非コヒーレントな可視光線もしくは近赤外光の照射によるランプアニールによるものでもよい。ランプアニールをおこなう場合には、被照射面表面が６００〜１０００℃程度になるように、６００℃の場合は数分間、１０００℃の場合は数１０秒間のランプ照射を行うようにする。近赤外線（例えば１２００ｎｍの赤外線）によるアニールは、近赤外線が珪素半導体に選択的に吸収され、ガラス基板をそれ程加熱せず、しかも一回の照射時間を短くすることで、ガラス基板に対する加熱を抑えることができ、極めて有用である。
【００３５】
　上記のようにして、シリサイド領域１１４を形成した後、過酸化水素とアンモニアと水とを５：２：２で混合したエッチング液で未反応のチタン膜のエッチングした。露出した活性層と接触した部分以外のチタン膜（例えば、ゲイト絶縁膜１１０や陽極酸化膜１０８上に存在したチタン膜）はそのまま金属状態で残っていたが、このエッチングで除去できた。一方、シリサイド領域１１２の珪化チタンはエッチングされないので、残存させることができた。
【００３６】
　最後に、全面に層間絶縁物１１５として、ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３００ｎｍ形成した。そして、ＴＦＴのソース／ドレインにコンタクトホールを形成し、アルミニウム配線・電極１１６、１１７を形成した。以上によって、Ｎチャネル型ＴＦＴが完成された。アルミニウム配線がコンタクトする部分は珪化チタンであり、アルミニウムとの界面の安定性が珪素の場合よりも良好であるので、信頼性の高いコンタクトが得られた。
【００３７】
　また、このアルミニウム電極１１６、１１７と珪化物領域１１４の間にバリヤメタルとして、例えば窒化チタンを形成するとより一層、信頼性を向上させることができる。本実施例では、シリサイド領域のシート抵抗は１０〜５０Ω／□となった。この結果、周波数特性が良く、かつ、高いドレイン電圧でもホットキャリヤ劣化の少ないＴＦＴを作製することができた。（図１（Ｇ））
　本実施例で開示した方法によって、同様にＰチャネル型ＴＦＴやＣＭＯＳ回路も作製できる。
【実施例２】
【００３８】
　図３を用いて本実施例を説明する。まず、ガラス基板３０１上に下地の酸化珪素膜３０２を堆積し、さらに、結晶性珪素によって、厚さ５０ｎｍの非晶質珪素膜を成膜した。この後、これを５５０〜６００℃の還元雰囲気に８〜２４時間放置して、結晶化せしめた。この際には、ニッケル等の結晶化を助長する触媒元素を微量添加しても構わない。このようにして結晶化せしめたシリコン膜にＫｒＦエキシマーレーザー（波長２４８ｎｍ）を照射して、さらに結晶性を改善した。レーザーのエネルギー密度はシリコン膜の結晶化度に依存するが、２００〜３５０ｍＪ／ｃｍ2 で好ましい結果が得られた。また、最適なエネルギー密度はレーザー照射時の基板温度にも依存した。このようにして得られた結晶性珪素膜をエッチングして、活性層３０３を形成した。
【００３９】
　さらに、活性層３０３を覆って、厚さ１５０ｎｍの酸化珪素のゲイト絶縁膜３０４を成膜した。そして、０．１〜０．３ｗｔ％のＳｃを有する厚さ５００ｎｍのアルミニウム膜をスパッタ法によって成膜し、これをエッチングしてゲイト電極３０５を形成した。その後、これを陽極酸化して、その上面および側面に陽極酸化物３０６を形成した。
　陽極酸化は、アンモニアによってｐＨ≒７に調整した１〜３％の酒石酸エチレングリコール溶液に基板を浸し、白金を陰極、アルミニウムのゲイト電極３０５を陽極としておこなった。陽極酸化は、最初一定電流で特定の電圧まで電圧を上げ、その状態で１時間保持して終了させた。陽極酸化物３０６の厚さは２００ｎｍとした。（図３（Ａ）））
【００４０】
　次に、酸化珪素膜３０４をゲイト電極と陽極酸化物をマスクとしてエッチングした。エッチングにはドライエッチング法を用い、その際のエッチングガスとしてはＣＨＦ3 を用いた。陽極酸化物である酸化アルミニウムはドライエッチング法ではほとんどエッチングされず、酸化珪素膜のみが選択的にエッチングされるので好ましい。もちろん、ウェットエッチング法を用いてもよい。このようにして、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層を露出させた。そして、厚さ２０〜２００ｎｍの白金（プラチナ）膜３０８をスパッタ法によって形成した。（図３（Ｂ））
【００４１】
　次に、斜めより不純物イオンを照射して、不純物領域１０７を形成した。その結果、不純物領域は陽極酸化物３０６の下にも回り込むこととなる。上記の各工程において不純物領域を形成するには、加速した不純物イオンを基板に対して斜めから照射することによっておこなうことを特徴とする。その際には、基板をイオン源の方向に対して傾けつつ、回転させることによっておこなう方法（回転斜めイオン注入法）を用いた。
【００４２】
　回転斜めイオン注入法は、図２に示す装置を用いた。図２に示す装置は、チャンバー２０１とその内部に配置されたサンプルホルダー（基板ホルダー）２０２、アノード電極２０３、アノード電極２０３に高電圧を供給するための電源２０４、グリッド電極２０５を有している。サンプルホルダー２０２は斜方向からのイオン注入が可能となるように、角度θが自在に変化できる。また、サンプルホルダーには回転機構が備わっており、イオン注入の際に回転できるようになっている。（図２）
【００４３】
　また、アノード電極２０３には高電圧が印加できるような構造となっている。最大電圧としては、例えば、１２０ｋＶもしくはそれ以上の電圧が印加される。アノードに印加された電圧によって、グリッド電極２０５の近傍においてＲＦ放電等によってイオン化された不純物イオン２０６は、サンプルホルダー２０２上に配置された基板２０７（サンプル）の方向に加速される。その結果、基板には加速された不純物イオンが打ち込まれることになる。（図２）
【００４４】
　本実施例では、ドーズ量は１×１０13〜５×１０14原子／ｃｍ2 、加速電圧は６０〜１２０ｋＶ、例えば、ドーズ量を４×１０13原子／ｃｍ2 、加速電圧を１１０ｋＶとした。この結果、Ｎ型不純物領域３０９が形成され、この領域はゲイト電極３０５にオーバーラップするように形成された。（図３（Ｃ））
【００４５】
　そして、４００〜５５０℃、例えば、４５０℃で１時間アニールをおこなった。この結果、白金膜とシリコン膜が密着していた部分においてはシリサイドが形成され、同時に、ドーピングされた不純物の活性化もおこなわれた。また、白金膜と酸化珪素、酸化アルミニウムは反応しなかったので、酸化珪素、陽極酸化物上の白金膜は未反応のまま残存した。これは簡単に除去できた。このようにして、ソース／ドレインに相当する部分にシリサイド領域３１１を形成した。また、Ｎ型不純物領域３０９のうち、シリサイドにならなかった幅ｘの部分がゲイト電極部にソース／ドレイン領域３１０として残った。（図３（Ｄ））
【００４６】
　次に、層間絶縁膜３１２として，プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３００ｎｍに成膜した。そして、層間絶縁膜３１２をエッチングして、ＴＦＴのソース／ドレインにコンタクトホール形成した。そして、アルミニウム膜をスパッタリング法によって成膜し、パターニング・エッチングをおこなってソース／ドレイン電極３１３、３１４を形成した。（図３（Ｅ））
【００４７】
　上記のシリサイド化の工程において、シリサイド反応の進め方によって、図３（Ｄ）および（Ｅ）のように、活性層の底までシリサイドが形成される場合や、図３（Ｆ）のように活性層の表面のみにシリサイドが形成される場合がある。当然のことながら、前者の方が、ソース／ドレインに該当する部分のシート抵抗は小さいのであるが、後者の場合でも十分に抵抗は低い。したがって、いずれの場合においても、ソース／ドレインのシート抵抗は、不純物領域３１０の幅ｘによってほぼ決定される。
【００４８】
　上記のことと関連するが、シリサイドの厚さは、ソース／ドレインに該当する領域に必要とされるシート抵抗によって選択される。シート抵抗として１０〜１００Ω／□を達成せんとすれば、シリサイドの比抵抗は、０．１〜１ｍΩ・ｃｍであるので、シリサイドの厚さは１０〜１０００ｎｍが適当である。
　また、シリサイドを形成する際、熱アニール以外にレーザー等の強光を金属膜に照射し、下に存在するシリコン半導体膜と反応させてシリサイドとしてもよい。また、レーザー光は、基板側から照射してもよい。レーザーを使用するのであれば、パルス状のレーザーが好ましい。連続発振レーザーでは照射時間が長いので、熱によって被照射物が熱によって膨張することによって剥離するような危険がある上、基板への熱的なダメージもある。
【実施例３】
【００４９】
　図４を用いて本実施例を説明する。ガラス基板４０１上に、下地膜４０２、活性層４０３、ゲイト絶縁膜として機能する酸化珪素膜４０４、陽極酸化可能なゲイト電極４０５を形成し、ゲイト電極の上面および側面の陽極酸化をおこない、陽極酸化物４０６を得た。
　さらに、酸化珪素膜４０４をエッチングして、ゲイト絶縁膜４０７を得た。そして、スパッタ法によって、厚さ１００ｎｍのパラジウム膜４０８を全面的に成膜した。（図４（Ｂ））
【００５０】
　そして、ゲイト電極および陽極酸化物をマスクとして、図２の装置を用い、斜めから不純物イオンを照射して不純物領域４０９を活性層に設けた。このときの不樹物濃度は通常の場合に比較して低くした。例えば、ドーズ量は１×１０12〜５×１０14原子／ｃｍ2 とした。（図４（Ｃ））
　次に、今度はほぼ垂直方向から同じ導電型のイオンを照射し、さらに、不純物濃度を、先に形成された不純物領域４０９のものより高くした。この際のドーズ量は１×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 が適当であった。この結果、陽極酸化物の下には幅ｘの低濃度の不純物領域が残り、その他の領域は高濃度不純物領域４１０となった。（図４（Ｄ））
【００５１】
　その後、パラジウム膜と不純物領域を反応させ、シリサイド領域４１２を形成した。しかし、陽極酸化物の下の領域の不純物領域４０９まではシリサイド反応が及ばず、不純物領域のまま残った。また、陽極酸化物上に形成された金属被膜はほとんど反応しない状態で残存するので、パラジウム膜４０８のうち、未反応のものは容易にエッチングできた。（図４（Ｅ））
　その後、層間絶縁物４１３を堆積し、シリサイド領域にコンタクトホールを形成して、金属配線・電極４１４、４１５を形成してＴＦＴが完成した。（図４（Ｆ））
【００５２】
　本実施例では、ソース／ドレイン領域として、低濃度の不純物をドーピングした。通常のＴＦＴにおいて、このように低濃度の不純物をドーピングすると、ドレイン近傍での電界が緩和され、ホットキャリヤ注入による劣化が低下し、また、ソース／ドレイン間のリーク電流も低下するのであるが、例えば、図３の不純物領域３１０を低濃度にしたものでは、不純物濃度が低濃度であるがため、ＮＩ接合（Ｐチャネル型ＴＦＴの場合はＰＩ接合）が浅く、また、シリサイド領域間の距離が短いために、ドレイン電圧が高い場合には、ソース／ドレイン間のリーク電流が増加しやすい。それを防ぐためには、図４のように高濃度のドーピングをおこなうと効果的である。
【実施例４】
【００５３】
　図５に本実施例を示す。まず、基板（コーニング７０５９、１００ｍｍ×１００ｍｍ）５０１上にゲイト配線・電極５０２、５０３を形成した。ゲイト配線・電極は、厚さ３００ｎｍのタンタルを用いた。ゲイト電極の表面は陽極酸化によって処理することにより、絶縁性を高めてもよい。
　その後、プラズマＣＶＤ法によって厚さ３００〜６００ｎｍ、例えば、４００ｎｍの窒化珪素膜５０４を堆積した。これはゲイト絶縁膜としても機能する。そして、厚さ３０〜１００ｎｍ、例えば、５０ｎｍの非晶質珪素膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した。そして、これをエッチングして、活性層５０５を形成した。（図５（Ａ））
【００５４】
　さらに、プラズマＣＶＤ法によって厚さ３００〜６００ｎｍ、例えば、２００ｎｍの酸化珪素膜を堆積した。そして、全面にフォトレジストを塗布し、基板裏面から露光することにより、ゲイト電極・配線５０２、５０３をマスクとしてパターニングをおこなった。そして、このパターンを用いて、酸化珪素膜をエッチングし、ドーピングマスク５０６、５０７を形成した。（図５（Ｂ））
　その後、厚さ５０ｎｍのチタン膜５０８をスパッタ法によって形成した。（図５（Ｃ））
【００５５】
　次に、図２の装置を用いた回転斜めイオンドーピング法によって、活性層５０５に、Ｎ型の不純物を注入し、Ｎ型不純物領域（ソース／ドレイン領域）５０９を形成した。ドーピングガスとしては、フォスフィン（ＰＨ3 ）を用いた。ドーズ量は５×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 、加速電圧は６０〜９０ｋＶとした。（図５（Ｄ））
【００５６】
　そして、３００〜４５０℃、例えば、３５０℃で１０〜６０分、熱アニールすることによって、チタンとシリコンを反応させ、シリサイド領域５１０を形成した。この後、残ったチタン膜をエッチングした。（図５（Ｅ））
　さらに、全面にスパッタ法で厚さ５００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、これをエッチングして、配線５１１、５１２を形成した。配線５１１、５１２は先に形成されたシリサイド領域を接触する。以上によって、ＴＦＴが完成された。（図５（Ｆ））
【実施例５】
【００５７】
　図７に本実施例を示す。実施例１と同様に、ガラス基板７０１上に下地酸化膜７０２と、結晶性珪素膜の島状領域７０３、厚さ１５０ｎｍの酸化珪素のゲイト絶縁膜７０４、アルミニウム（１〜５ｗｔ％のＺｒ（ジルコニウム）を含む）のゲイト電極７０５、バリヤ型の陽極酸化物７０６、多孔質の陽極酸化物７０７を形成した。（図７（Ａ）、図１（Ｄ）に相当）
その後、燐酸、酢酸、硝酸の混酸を用いて多孔質陽極酸化物７０７をエッチングした。さらに、全面に厚さ２０〜２００ｎｍのクロムの被膜をスパッタ法によって形成した。スパッタ成膜時にクロムは活性層の珪素と反応し、活性層の表面の２〜１０ｎｍはシリサイド（図示せず）となった。（図７（Ｂ））
【００５８】
　この後、４５０℃の熱アニールを１〜５時間おこなった。この結果、クロム膜７０８と活性層７０３の珪素が反応してシリサイド領域７０９が形成された。一方、活性層のうちクロム膜と接していない領域ではシリサイドは形成されなかった。（図７（Ｃ））
　この工程は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー（Ｑスイッチパルス発振が望ましい）のごとき赤外光レーザーやその第２高調波のごとき可視光レーザー、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ、ＡｒＦ等のエキシマーを使用する各種紫外光レーザーを照射する、いわゆる光アニール法も使用できるが、金属膜の上面からレーザー照射をおこなう場合には金属膜に反射されないような波長のレーザーを選択する必要がある。もっとも、金属膜が極めて薄い場合にはほとんど問題がない。また、レーザー光は、基板側から照射してもよい。この場合には下に存在するシリコン半導体膜を透過するレーザー光を選択する必要がある。
【００５９】
　また、非コヒーレントな可視光線もしくは近赤外光の照射によるランプアニールによるものでもよい。ランプアニールをおこなう場合には、被照射面表面が６００〜１０００℃程度になるように、６００℃の場合は数分間、１０００℃の場合は数１０秒間のランプ照射を行うようにする。近赤外線（例えば１２００ｎｍの赤外線）によるアニールは、近赤外線が珪素半導体に選択的に吸収され、ガラス基板をそれ程加熱せず、しかも一回の照射時間を短くすることで、ガラス基板に対する加熱を抑えることができ、極めて有用である。
【００６０】
　そして、イオンドーピング法によって、ＴＦＴの活性層７０３に、ゲイト電極部（すなわちゲイト電極とその周囲の陽極酸化膜）およびゲイト絶縁膜７０４をマスクとして自己整合的に不純物を注入した。
　本実施例では、ドーピングガスとしてはフォスフィン（ＰＨ3 ）を用いた。ドーズ量は５×１０14〜５×１０15原子／ｃｍ2 、加速電圧は６０〜１２０ｋＶとした。このため、ドーピング不純物は主としてゲイト絶縁膜７０４の下の活性層領域７１０に注入され、該領域はＮ型の不純物領域となった。（図７（Ｄ））
【００６１】
　本実施例では、ドーピングは１回のみとしたが、領域７０９にもドーピングされるように、電圧を加減して、２回のドーピングをおこなってもよい。また、領域７１０の不純物濃度が領域７０９の不純物濃度よりも１〜３桁低くなるようにドーピングをおこなってもよい。
　そして、ドーピングされた不純物の活性化をおこなった。本実施例では３００〜５００℃、例えば、４５０℃の熱アニールを０．１〜２時間、例えば、１時間おこなった。この工程は、上記のようなレーザーやＲＴＡ法を用いておこなってもよい。このように、クロム膜を設けたまま活性化をおこなったために、さらに、シリサイドの形成を促進することができた。
【００６２】
　その後、未反応のクロム膜をエッチングし、全面に層間絶縁物７１１として、ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３００ｎｍ形成した。そして、ＴＦＴのソース／ドレインにコンタクトホールを形成し、アルミニウム配線・電極７１２、７１３を形成した。以上によって、Ｎチャネル型ＴＦＴが完成された。
　本実施例では、ドーピングされた不純物の活性化を、クロム膜を除去する前におこなったが、クロム膜を除去した後におこなってもよい。この場合には、特に、レーザーやＲＴＡ法を用いる際には、クロム膜による光の反射を考慮しなくても良いので、効果的に活性化をおこなうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】実施例１によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図２】実施例２〜４に用いたドーピング装置の概念図を示す。
【図３】実施例２によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図４】実施例３によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図５】実施例４によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図６】従来法によるＴＦＴの作製方法を示す。
【図７】実施例５によるＴＦＴの作製方法を示す。
【符号の説明】
【００６４】
１０１　　　　　絶縁基板
１０２　　　　　下地酸化膜（酸化珪素）　
１０３　　　　　活性層
１０４　　　　　絶縁膜（酸化珪素）
１０５　　　　　ゲイト電極（アルミニウム）
１０６　　　　　マスク膜（フォトレジスト）
１０７　　　　　陽極酸化物（多孔質）
１０８　　　　　陽極酸化物（バリヤ型）
１０９　　　　　ゲイト絶縁膜の端部
１１０　　　　　ゲイト絶縁膜
１１１　　　　　金属被膜（チタン）
１１２、１１３　Ｎ型不純物領域
１１４　　　　　シリサイド領域
１１５　　　　　層間絶縁物
１１６、１１７　金属配線・電極（アルミニウム）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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