(57)【要約】【課題】接合樹脂の収縮による透明基板の歪みが光学特性に及ぼす影響を低減することのできるマイクロレンズアレイ基板を提供する。【解決手段】光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを光学面７５の深さ以下に設定することにより、接合樹脂７３の熱収縮によって発生する内部応力の勾配を抑制する。その結果として、接合樹脂７３に熱収縮が発生した際にも、マイクロレンズアレイ基板７０（対向基板２０）の外周部に沿って設定されたシール領域７７の板厚を、その内周に設定された表示領域７６と略同一の板厚に保持することができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板のうちの何れか一方の透明基板の対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凹曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、
上記光学面の非形成領域の上記接合樹脂の厚さを、上記凹曲面状の光学面の深さ以下に設定したことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項２】
接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板のうちの何れか一方の透明基板の対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凸曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、
上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凸曲面状の光学面の高さの２倍以下に設定したことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項３】
接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板のうちの一方の透明基板の対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凹曲面状の光学面と、他方の上記透明基板の対向面上に上記凹曲面状の光学面に対応して配列された複数の凸曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、
上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凸曲面上の光学面の高さの２倍以下に設定したことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項４】
接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板の各対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凹曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、
上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凹曲面状の光学面の深さ以下に設定したことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項５】
接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板の各対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凸曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、
上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凸曲面状の光学面の高さの３倍以下に設定したことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
【請求項６】
上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さは、７μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載のマイクロレンズアレイ基板。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れかに記載のマイクロレンズアレイ基板を対向基板として用いて構成したことを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画素に対応した光学面が少なくとも何れか一方の対向面にアレイ状に配列された一対の透明基板が接合樹脂を介して互いに接合されたマイクロレンズアレイ基板、及び、これを用いた液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置では、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶相の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能とする。
【０００３】
ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に張り合わされた後、液晶が封入される。
【０００４】
パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶相と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶が封入される。
【０００５】
ところで、この種の液晶装置の対向基板等においては、開口率の向上等による光学特性の向上を目的として、基板上に設定された表示領域内の各画素に対応してマイクロレンズが作り込まれたマイクロレンスアレイ基板が用いられる場合がある。
【０００６】
例えば特許文献１には一対の透明基板を用いたマイクロレンズアレイ基板に関する技術が開示されており、このマイクロレンズアレイ基板は、一方の透明基板（レンズ形成基板）上の表示領域内に各画素に対応する凹曲面状若しくは凸曲面状の光学面をエッチング等を用いて形成し、このレンズ形成基板に、屈折率の異なる接合樹脂を介して他方の透明基板（カバーガラス基板）を接合することにより構成される。
【０００７】
ところで、この種のマイクロレンズアレイ基板は、更なる光学特性の向上等を目的として、カバーガラス基板に切削、研磨加工が施されることが一般的である。この場合、カバーガラス基板は、例えば、レンズ形成基板の板厚１（ｍｍ）に対し、７（μｍ）程度の薄板となるまで加工される。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００１−２４６５９９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のように板厚が薄く加工された透明基板（カバーガラス基板）を用いてマイクロレンズアレイ基板を構成した場合、熱処理による接合樹脂の収縮によって、カバーガラス基板側の縁辺部に歪みが発生する場合がある。
【００１０】
例えば、マイクロレンズアレイ基板を液晶装置の対向基板として用いた場合、特に、パネル組立工程時の配向膜に対する熱処理等によって内部の接合樹脂が収縮されてカバー基板側の縁辺部に歪みが生じる。この場合、一般に、液晶装置においては対向基板のＴＦＴ基板に対する接合部がカバー基板側の縁辺部に設定されているため、対向基板がこの縁辺部がシール材を介して所定のアライメントでＴＦＴ基板に貼り合わされた際に、マイクロレンズアレイ基板に発生するカバー基板（透明基板）の歪みによって液晶装置のセルギャップが狂わされる結果となる。そして、このような透明基板の歪みによって液晶装置のセルギャップが狂わされると、液晶装置の光学特性に悪影響を及ぼす虞がある。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、接合樹脂の収縮による透明基板の歪みが光学特性に及ぼす影響を低減することのできるマイクロレンズアレイ基板、及び、これを用いた液晶装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板のうちの何れか一方の透明基板の対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凹曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、上記光学面の非形成領域の上記接合樹脂の厚さを、上記凹曲面状の光学面の深さ以下に設定したことを特徴とする。
【００１３】
このような構成によれば、接合樹脂が熱収縮される際に発生する内部応力の勾配を抑制することができ、マイクロレンズアレイ基板を板厚方向に略均一に収縮させることができる。
【００１４】
本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板のうちの何れか一方の透明基板の対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凸曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凸曲面状の光学面の高さの２倍以下に設定したことを特徴とする。
【００１５】
このような構成によれば、接合樹脂が熱収縮される際に発生する内部応力の勾配を抑制することができ、マイクロレンズアレイ基板を板厚方向に略均一に収縮させることができる。
【００１６】
本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板のうちの一方の透明基板の対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凹曲面状の光学面と、他方の上記透明基板の対向面上に上記凹曲面状の光学面に対応して配列された複数の凸曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凸曲面状の光学面の高さの２倍以下に設定したことを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、接合樹脂が熱収縮される際に発生する内部応力の勾配を抑制することができ、マイクロレンズアレイ基板を板厚方向に略均一に収縮させることができる。
【００１８】
本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板の各対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凹曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凹曲面状の光学面の深さ以下に設定したことを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、接合樹脂が熱収縮される際に発生する内部応力の勾配を抑制することができ、マイクロレンズアレイ基板を板厚方向に略均一に収縮させることができる。
【００２０】
本発明に係るマイクロレンズアレイ基板は、接合樹脂を介して互いに接合される一対の透明基板と、上記一対の透明基板の各対向面上に少なくとも画素に対応して配列された複数の凸曲面状の光学面とを備えたマイクロレンズアレイ基板において、上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さを、上記凸曲面状の光学面の高さの３倍以下に設定したことを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、接合樹脂が熱収縮される際に発生する内部応力の勾配を抑制することができ、マイクロレンズアレイ基板を板厚方向に略均一に収縮させることができる。
【００２２】
上記光学面の非形成領域に対応する上記接合樹脂の厚さは、７μｍ以下であることを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、接合樹脂が熱収縮される際に発生する内部応力の勾配を抑制することができ、マイクロレンズアレイ基板を板厚方向に略均一に収縮させることができる。
【００２４】
本発明に係る液晶装置は、請求項１乃至請求項６の何れかに記載のマイクロレンズアレイ基板を対向基板として用いて構成したことを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、良好な設ギャップを実現することができ、良好な光学特性を実現することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図面は本発明の第１の実施の形態に係わり、図１はマイクロレンズアレイ基板の要部断面図、図２は液晶装置の概略構成を示す平面図、図３は図２のＨ−Ｈ’断面図、図４はマイクロレンズアレイ基板の製造工程を示すフローチャート、図５は液晶装置のパネル組立工程を示すフローチャートである。
【００２７】
先ず、図２，３を参照して液晶装置の概略構成について説明する。
【００２８】
図３に示すように、液晶装置２００は、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に、液晶層５０を挟持して構成されている。ＴＦＴ基板１０は、例えば石英基板６０上にＴＦＴ３０が形成されて要部が構成され、対向基板２０は、マイクロレンズアレイ基板７０（後述する）上に対向電極２１が形成されて要部が構成されている。さらに、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０それぞれの液晶層５０と接する面には、ポリイミド等からなる塗布膜としての配向膜１６，２２がそれぞれ形成されている。液晶層５０としては、例えばＴＮ（ツイステッドネマティック）液晶が用いられ、電圧無印加の状態で９０度捩られた状態に液晶分子は配列されている。
【００２９】
図２，３に示すように、液晶装置２００には、基板の外周部に沿って液晶注入口５２ａを除く矩形状に形成されたシール材５２が設けられており、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２により接着固定されている。対向基板２０上には、シール材５２に沿って囲まれた領域内に、シール材５２に沿って、額縁状の額縁遮光層５３が設けられている。さらに、額縁遮光層５３に囲まれた領域には、額縁遮光層５３と同一工程で形成された格子状の遮光層（図示せず）が配置されている。液晶は、液晶注入口５２ａを介して注入され、その後、液晶注入口５２ａは封止材５４により封止される。これにより、液晶層５０は、ＴＦＴ基板１０、対向基板２０、シール材５２及び封止材５４に囲まれた領域内に保持される。
【００３０】
シール材５２の内側の領域において、ＴＦＴ基板１０には、互いに交差してなる複数の走査線（図示せず）及び複数のデータ線（図示せず）が形成されており、これら配線の交差部毎にＴＦＴ３０及びＴＦＴ３０に接続された画素電極が形成されている。
【００３１】
また、シール材５２の外側の領域にはデータ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４がこの一辺に隣接する辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１は、引き出し配線を介して外部回路接続端子１０２と電気的に接続されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気導通をとるための導通材１０６が設けられている。
【００３２】
次に、上述した液晶装置２００の対向基板２０に用いられるマイクロレンズアレイ基板７０の構成について説明する。
【００３３】
図１に示すように、マイクロレンズアレイ基板７０は、石英やガラス等からなる一対の透明基板７１，７２と、これらの対向面７１ａ，７２ａに塗布されて両透明基板７１，７２を互いに接合する接合樹脂７３とを有して構成されている。
【００３４】
本実施の形態において、一方の透明基板７１は、レンズ形成基板として用いられるもので、例えば板厚が１（ｍｍ）の基板で構成されている。この透明基板７１には、他方の透明基板７２との対向面７１ａ上において、液晶装置２００に規定される表示領域７６（例えば、額縁遮光層５３に対応する領域）内の各画素に対応した凹曲面状の光学面７５がアレイ状に配列されている。各光学面７５は例えばウェットエッチング等のエッチング処理によって形成されるもので、その深さが、例えば７（μｍ）に設定されている。さらに、透明基板７１の対向面７１ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。ここで、図３に示すように、本実施の形態の液晶装置２００において、対向基板２０はＴＦＴ基板１０に対するシール領域７７が外周部に沿って設定されている。
【００３５】
また、他方の透明基板７２は、カバー基板として用いられるもので、例えば板厚が７（μｍ）の薄板基板で構成されている。
【００３６】
また、接合樹脂７３は、透明基板７１，７２とは異なる屈折率の透明樹脂で構成され、両透明基板７１，７２の対向面７１ａ，７２ａ全面に介装されてこれらを互いに接合する。
【００３７】
その際、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが、光学面７５の深さ以下となるよう設定される。この接合樹脂７３の厚さの設定は、マイクロレンズアレイ基板７０に熱処理が施された際に、接合樹脂７３の熱収縮によってマイクロレンズアレイ基板７０が板厚方向に不均一に収縮されることを防止するためのものである。
【００３８】
すなわち、本実施の形態によるマイクロレンズアレイ基板７０において、透明基板７１には表示領域７６に対応する領域内に凹曲面状の光学面７５が形成されているため、この領域内の接合樹脂７３の平均的な厚さは光学面非形成領域７８のものよりも相対的に厚くなる。この相対的な厚さの差異によって、接合樹脂には熱収縮の際に内部応力の局所的な勾配が発生し、薄く形成した側の接合樹脂が厚く形成した側の接合樹脂に引き寄せられる。そして、このような熱収縮による内部応力の勾配が、熱処理を施した際にマイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に不均一に収縮させる要因であると考えられる。このような点に鑑み、実験等に基づく精査研究を行った結果、本出願人らは、光学面非形成領域７８における透明基板７１の対向面７１ａから透明基板７２の対向面７２ａまでの厚さを、光学面７５の深さ以下となるよう設定した場合には、内部応力の影響を効果的に低減でき、熱処理時にマイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に略均一に収縮させることが可能であることを知見した。そこで、このような研究結果に基づき、凹曲面状の光学面７５の深さが例えば７（μｍ）に設定されている本実施の形態においては、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さは、７（μｍ）以下に設定されている。
【００３９】
なお、本実施の形態において、透明基板７１，７２の屈折率が例えば１．４６に設定されているとともに、接合樹脂７３の屈折率が例えば１．６に設定されており、これにより、透明基板７１側から入射された光を各光学面７５で屈折させて集光するマイクロレンズアレイ基板７０としての機能が実現される。
【００４０】
次に、図４を参照して、上述のマイクロレンズアレイ基板７０の製造工程について説明する。
【００４１】
ステップＳ１では、用意された透明基板７１に対して凹曲面状の光学面７５を形成する。本実施の形態において、用意される透明基板７１は例えば１（ｍｍ）以上の板厚を有し、光学面７５は例えばウェットエッチングによって形成される。この光学面形成工程では、先ず、透明基板７１の全面に対し、ＣＶＤ法やスパッタリング法等によってマスク層８０を形成する。その後、形成されたマスク層８０上に、周知のフォトリソグラフィ法等によって、光学面７５の配列に対応する所望のピンホール８１を形成する。そして、透明基板７１を例えば弗化水素と硝酸の混合水溶液中に浸漬して各ピンホール８１に対応するエッチングを行った後、透明基板７１を例えば弗酸と弗化アンモニウムの混合水溶液中に浸漬してマスク層８０の除去を行う。これにより、透明基板７２との対向面７１ａに光学面７５がアレイ状に配列された透明基板７１を得る。
【００４２】
続くステップＳ２では、透明基板７１に対し、接合樹脂７３を塗布する。すなわち、ステップＳ２において、透明基板７１には、透明基板７２との対向面７１ａ全面に、所定量の接合樹脂７３が均一に塗布される。ここで、塗布される接合樹脂７３の量は、予め実験等によって規定されるものであり、後述するステップＳ３の処理で透明基板７１，７２を接合する際に、光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７２ａの間隔を例えば７（μｍ）以下とするに適切な量に規定されている。
【００４３】
続くステップＳ３では、塗布された接合樹脂７３を介して、透明基板７１に透明基板７２を貼付し、アライメントを施しながら接合樹脂７３を硬化させる。これにより、透明基板７１，７２は、一体に固着される。その際、光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７２ａ間隔が例えば７（μｍ）以下に的確に制御される。ここで、本実施の形態において、用意される透明基板７２は、透明基板７１と同様、例えば１（ｍｍ）以上の板厚を有する。
【００４４】
続くステップＳ４では、透明基板７１，７２を夫々所望の板厚（透明基板７１を例えば１（ｍｍ）、透明基板７２を例えば７（μｍ））まで研磨する。これにより、図１のマイクロレンズアレイ基板７０が構成される。
【００４５】
次に、図５を参照してパネル組立工程について説明する。素子基板（ＴＦＴ基板）１０と対向基板２０とは、別々に製造される。なお、上述のように、対向基板２０は、マイクロレンズアレイ基板７０を用いて構成されている。ステップＳ１１，Ｓ１４では、夫々用意されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０に対して、配向膜１６，２２となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。
【００４６】
次に、ステップＳ１２，１５において、各基板１０，２０に塗布した配向膜１６，２２を例えば１００〜２００℃の温度で焼成する。その際、対向基板２０を構成するマイクロレンズアレイ基板７０は、板厚方向に略均一に熱収縮される。すなわち、マイクロレンズアレイ基板７０は、接合樹脂７３による層を有して構成されているため、配向膜２２の焼成時には接合樹脂７３の熱収縮によって板厚方向に熱収縮されるが、上述したように、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さが光学面７５の深さ以下に設定されているため、接合樹脂７３の熱収縮によって発生する内部応力の勾配を抑制することができる。その結果として、接合樹脂７３に熱収縮が発生した際にも、マイクロレンズアレイ基板７０（対向基板２０）の外周部に沿って設定されたシール領域７７の板厚を、その内周に設定された表示領域７６と略同一の板厚に保持することができる。換言すれば、熱工程におけるシール領域７７の板厚方向への収縮を、表示領域７６の収縮と略同様なものとすることができる。
【００４７】
次に、ステップＳ１３，１６において、焼成された各配向膜１６，２２に対して、ラビング処理を施す。次に、ステップＳ１７で、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着し、シール材５２を硬化させる。その際、上述のように、シール領域７７の板厚は、表示領域７６と略同一の板厚に保持されているので、両基板１０，２０間のセルギャップを精度良く形成することができる。
【００４８】
そして、ステップＳ１８において、シール材５２の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止した後、ステップＳ１９で等方処理を行う。
【００４９】
このような実施の形態によれば、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、接合樹脂７３の熱収縮によってマイクロレンズアレイ基板７０が板厚方向に収縮された際にも、シール領域７７の板厚を表示領域７６と略同一の板厚に保持することができる。
【００５０】
従って、マイクロレンズアレイ基板７０を対向基板２０に用いた際にも、液晶装置２００の良好なセルギャップを実現することができ、良好な光学特性を実現することができる。
【００５１】
次に、図６は本発明の第２の実施の形態に係わり、図６はマイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図である。なお、本実施の形態においては、透明基板７１の対向面７１ａに代えて、透明基板７２の対向面７２ａ上に光学面７５を設けた点が上述の第１の実施の形態と主として異なる。その他、同様の構成については同符号を付して説明を省略する。
【００５２】
図６に示すように、透明基板７２の対向面７２ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凹曲面状の光学面７５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７２の対向面７２ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００５３】
また、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが光学面７５の深さ以下となるよう設定されている。
【００５４】
このような実施の形態においても、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００５５】
次に、図７は本発明の第３の実施の形態に係わり、図７はマイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図である。なお、本実施の形態においては、透明基板７１の対向面７１ａに加え、透明基板７２の対向面７２ａ上にも同様の光学面７５を設けた点が上述の第１の実施の形態と主として異なる。その他、同様の構成については、同符号を付して説明を省略する。
【００５６】
図７に示すように、透明基板７２の対向面７２ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凹曲面状の光学面７５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７２の対向面７２ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００５７】
また、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが凹曲面状の光学面７５の深さ以下となるよう設定されている。
【００５８】
ここで、上記光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７１ａ間の接合樹脂７３の厚さは、接合樹脂７３が熱収縮される際の内部応力の勾配を抑制して、マイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に略均一に収縮させるに適切な厚さであり、実験等により導き出されるものである。
【００５９】
このような実施の形態においても、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００６０】
次に、図８は本発明の第４の実施の形態に係わり、図８はマイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図である。なお、本実施の形態においては、透明基板７１の対向面７１ａ上に代えて、透明基板７２の対向面７２ａ上に凸曲面状の光学面８５を設けた点が上述の第１の実施の形態と主として異なる。その他、同様の構成については同符号を付して説明を省略する。
【００６１】
図８に示すように、透明基板７２の対向面７２ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凸曲面状の光学面８５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７２の対向面７２ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００６２】
また、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが、光学面８５の高さの２倍以下となるよう設定されている。
【００６３】
ここで、上記光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７１ａ間の接合樹脂７３の厚さは、接合樹脂７３が熱収縮される際の内部応力の勾配を抑制して、マイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に略均一に収縮させるに適切な厚さであり、実験等により導き出されるものである。
【００６４】
このような実施の形態においても、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００６５】
次に、図９は本発明の第５の実施の形態に係わり、図９はマイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図である。なお、本実施の形態においては、透明基板７１の対向面７１ａ上に、凹曲面状の光学面７５に代えて凸曲面状の光学面８５を設けた点が上述の第１の実施の形態と主として異なる。その他、同様の構成については、同符号を付して説明を省略する。
【００６６】
図９に示すように、透明基板７１の対向面７１ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凸曲面状の光学面８５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７１の対向面７１ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００６７】
また、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが、光学面８５の高さの２倍以下となるよう設定されている。
【００６８】
ここで、上記光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７１ａ間の接合樹脂７３の厚さは、接合樹脂７３が熱収縮される際の内部応力の勾配を抑制して、マイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に略均一に収縮させるに適切な厚さであり、実験等により導き出されるものである。
【００６９】
このような実施の形態においても、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７０】
次に、図１０は本発明の第６の実施の形態に係わり、図１０はマイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図である。なお、本実施の形態においては、透明基板７１の対向面７１ａに設けた光学面７５に代えて、透明基板７１及び７２の対向面７１ａ及び７２ａ上に凸曲面状の光学面８５を設けた点が上述の第１の実施の形態と主として異なる。その他、同様の構成については同符号を付して説明を省略する。
【００７１】
図１０に示すように、透明基板７１，７２の各対向面７１ａ，７２ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凸曲面状の光学面８５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７１，７２の対向面７１ａ，７２ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００７２】
また、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが凸曲面状の光学面８５の高さの３倍以下となるよう設定されている。
【００７３】
ここで、上記光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７１ａ間の接合樹脂７３の厚さは、接合樹脂７３が熱収縮される際の内部応力の勾配を抑制して、マイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に略均一に収縮させるに適切な厚さであり、実験等により導き出されるものである。
【００７４】
このような実施の形態においても、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７５】
次に、図１１は本発明の第７の実施の形態に係わり、図１１はマイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図である。なお、本実施の形態においては、透明基板７１の対向面７１ａ上に、凹曲面状の光学面７５に代えて凸曲面状の光学面８５を設けるとともに、透明基板７２の対向面７２ａ上に凹曲面状の光学面７５を設けた点が上述の第１の実施の形態と主として異なる。その他、同様の構成については、同符号を付して説明を省略する。
【００７６】
図１１に示すように、透明基板７１の対向面７１ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凸曲面状の光学面８５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７１の対向面７１ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００７７】
一方、透明基板７２の対向面７２ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凹曲面状の光学面７５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７２の対向面７２ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００７８】
また、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが凸曲面状の光学面８５の高さの２倍以下となるよう設定されている。
【００７９】
ここで、上記光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７１ａ間の接合樹脂７３の厚さは、接合樹脂７３が熱収縮される際の内部応力の勾配を抑制して、マイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に略均一に収縮させるに適切な厚さであり、実験等により導き出されるものである。
【００８０】
このような実施の形態においても、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００８１】
次に、図１２は本発明の第８の実施の形態に係わり、図１２はマイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図である。なお、本実施の形態においては、透明基板７１の対向面７１ａ上に凹曲面状の光学面７５を設けたことに加え、透明基板７２の対向面７２ａ上に凸曲面状の光学面８５を設けた点が上述の第１の実施の形態と異なる。その他、同様の構成については、同符号を付して説明を省略する。図１２に示すように、透明基板７１の対向面７１ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凹曲面状の光学面７５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７１の対向面７１ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００８２】
一方、透明基板７２の対向面７２ａ上には、液晶装置２００に規定される表示領域７６内の各画素に対応した凸曲面状の光学面８５がアレイ状に配列されている。さらに、透明基板７２の対向面７２ａ上において、表示領域７６外の領域は、光学面非形成領域７８として設定されている。
【００８３】
また、接合樹脂７３は、光学面非形成領域７８において、対向面７１ａ，７２ａ間の厚さが凸曲面状の光学面８５の高さの２倍以下となるよう設定されている。
【００８４】
ここで、上記光学面非形成領域７８における対向面７１ａ，７１ａ間の接合樹脂７３の厚さは、接合樹脂７３が熱収縮される際の内部応力の勾配を抑制して、マイクロレンズアレイ基板７０を板厚方向に略均一に収縮させるに適切な厚さであり、実験等により導き出されるものである。
【００８５】
このような実施の形態においても、光学面非形成領域７８における接合樹脂７３の厚さを適切に制御することにより、上述の第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板の要部断面図
【図２】同上、液晶装置の概略構成を示す平面図
【図３】同上、図２のＨ−Ｈ’断面図
【図４】同上、マイクロレンズアレイ基板の製造工程を示すフローチャート
【図５】同上、液晶装置のパネル組立工程を示すフローチャート
【図６】本発明の第２の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図
【図７】本発明の第３の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図
【図８】本発明の第４の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図
【図９】本発明の第５の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図
【図１１】本発明の第７の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図
【図１２】本発明の第８の実施の形態に係わり、マイクロレンズアレイ基板を示す要部断面図
【符号の説明】
７０…マイクロレンズアレイ基板
７１…透明基板
７１ａ…対向面
７２…透明基板
７２ａ…対向面
７３…接合樹脂
７５…光学面
７８…光学面非形成領域
８５…光学面
２００…液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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