(57)【要約】【課題】本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置及びそれに用いる液晶表示装置用基板に関し、製造プロセスを簡略化でき、良好な表示品質の得られる液晶表示装置及びそれに用いる液晶表示装置用基板を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４と、誘電体層を介して、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の少なくとも一方を覆うように配置され、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４との間に寄生容量を形成する画素電極１６とを有するように構成する。【選択図】　　図２
2004093826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
前記基板上に絶縁膜を介して互いに交差して形成された第１及び第２のバスラインと、
誘電体層を介して、前記第１又は第２のバスラインの少なくとも一方を覆うように配置され、前記第１又は第２のバスラインとの間に寄生容量を形成する画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置用基板において、
前記液晶を配向規制する配向規制用構造物をさらに有し、
前記配向規制用構造物は、基板面に垂直方向に見て、前記第１又は第２のバスラインのいずれか一方上に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、光透過性材料で形成されて前記基板裏面側から入射する光を前記基板表面側に透過させる透明電極と、前記透明電極に電気的に接続され、光反射性材料で形成されて前記基板表面側から入射する光を反射させる反射電極とを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記第１及び第２のバスラインの交差位置近傍に形成され、前記第１のバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記第２のバスラインに電気的に接続されたドレイン電極と、前記画素電極に電気的に接続されたソース電極とを備えた薄膜トランジスタをさらに有し、
前記ゲート電極は、隣接する前記第１のバスラインの一方に電気的に接続され、
前記ソース電極は、隣接する前記第１のバスラインの他方を覆うように配置された前記画素電極に電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項５】
一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記基板の一方に、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置及びそれに用いる液晶表示装置用基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、一般に、画素毎にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ　Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成された対向基板とを有している。
【０００３】
ＴＦＴ基板は、絶縁膜を介して互いに交差するゲートバスラインとドレインバスラインとを有している。両バスラインの交差位置近傍には、ＴＦＴが形成されている。マトリクス状に配置された複数の画素領域には、画素電極がそれぞれ形成されている。
【０００４】
ＴＦＴ基板は、ステッパを用いて例えば分割露光方式によりパターニングされる。分割露光方式では、例えばＴＦＴアレイ等の繰り返しパターンが形成される表示領域は、複数の露光領域に分割され、同一のマスクを用いて各露光領域毎に順次露光される。２つの露光領域が隣接する境界部では、各露光領域の端部が互いに重なり合うようになっている。しかし、分割露光の際にショット毎の位置ずれ（Ｘ−Ｙ方向のずれ又は回転方向のずれ）が生じると、境界部では各ショットのいずれか一方で露光される領域が増加してしまう。これにより、感光部分が現像により溶解するポジ型レジストをフォトレジストとして用いた場合には、境界部に形成される配線や電極等の幅が狭くなる。逆に、感光部分が現像により残存するネガ型レジストを用いた場合には、境界部に形成される配線や電極等の幅が広くなる。
【０００５】
図２２は、従来のＴＦＴ基板の構成を示している。図２３は、図２２のＸ−Ｘ線で切断したＴＦＴ基板の断面図である。図２２及び図２３に示すように、ＴＦＴ基板１０２のガラス基板１１０上には、互いに並列して図２２の左右方向に延びる複数のゲートバスライン１１２が形成されている。ゲートバスライン１１２上の基板全面には、絶縁膜１３０が形成されている。絶縁膜１３０を介してゲートバスライン１１２に交差し、互いに並列して図２２の上下方向に延びる複数のドレインバスライン１１４が形成されている。ドレインバスライン１１４上には、保護膜１３２が形成されている。保護膜１３２上には、透明な感光性樹脂等からなるオーバーコート層（平坦化膜）１３４が形成されている。
【０００６】
オーバーコート層１３４上であって、ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４で囲まれた領域には、画素電極１１６が形成されている。画素電極１１６の形成された領域は、画素領域となる。ゲートバスライン１１２及びドレインバスライン１１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１２０が形成されている。ＴＦＴ１２０のゲート電極は、ゲートバスライン１１２に電気的に接続されている。ＴＦＴ１２０のドレイン電極１２１は、ドレインバスライン１１４に電気的に接続されている。ＴＦＴ１２０のソース電極１２２は、コンタクトホール１２４を介して画素電極１１６に電気的に接続されている。
【０００７】
またＴＦＴ基板１０２上には、画素領域を横切る複数の蓄積容量バスライン１１８が、ゲートバスライン１１２に並列して形成されている。蓄積容量バスライン１１８上には、画素領域毎に蓄積容量電極（中間電極）１１９が形成されている。蓄積容量電極１１９は、コンタクトホール１２６を介して画素電極１１６に電気的に接続されている。
【０００８】
ドレインバスライン１１４と、誘電体層である保護膜１３２及びオーバーコート層１３４を介してドレインバスライン１１４の両側端部近傍に形成される画素電極１１６との間には、所定の寄生容量が生じている。同様に、ドレインバスライン１１２と、誘電体層である絶縁膜１３０、保護膜１３２及びオーバーコート層１３４を介してゲートバスライン１１２の両側端部近傍に形成される画素電極１１６との間には、所定の寄生容量が生じている。
【０００９】
図２４は、ＴＦＴ基板１０２の他の領域での断面構成を示している。図２４（ａ）は、ドレインバスライン１１４と画素電極１１６との間に相対的な位置ずれ（重ね合わせずれ）が生じたＴＦＴ基板１０２を示している。図２４（ａ）に示すように、画素電極１１６は、ドレインバスライン１１４に対して相対的に図の右側にずれて形成されている。このため、図２３に示す断面と比較して、右側の画素電極１１６端部とドレインバスライン１１４端部との間の距離は長く、左側の画素電極１１６端部とドレインバスライン１１４端部との間の距離は短くなっている。
【００１０】
図２４（ｂ）、（ｃ）は、画素電極１１６のパターニングの際にショット毎の位置ずれが生じたＴＦＴ基板１０２の境界部の断面構成を示している。図２４（ｂ）に示すように、画素電極１１６は、ショット毎の位置ずれにより、図の左右方向の幅が広く形成されている。このため、画素電極１１６端部とドレインバスライン１１４端部との距離は短くなっている。また、図２４（ｃ）に示すように、画素電極１１６は、ショット毎の位置ずれにより、図の左右方向の幅が狭く形成されている。このため、画素電極１１６端部とドレインバスライン１１４端部との距離は長くなっている。
【００１１】
このように、画素電極１１６とドレインバスライン１１４との距離が異なると、画素電極１１６とドレインバスライン１１４との間に生じる寄生容量が異なってしまう。表示領域内で、寄生容量が他と異なる領域が生じてしまうと、その領域は表示特性が異なってしまう。例えば、左右方向に隣接する２つの露光領域の境界部で寄生容量が異なっていると、境界部は表示画面上の上下方向に延びる直線状の表示むらとして視認されてしまう。また、露光領域毎に寄生容量が異なっていると、露光領域毎に表示特性が異なる表示むらとして視認されてしまう。
【００１２】
上記の問題を解決するために、感光性樹脂からなるオーバーコート層１３４の膜厚をさらに厚く形成する方法がある。図２５は、オーバーコート層１３４の膜厚を厚く形成したＴＦＴ基板１０２の構成を示す断面図である。図２５に示すように、オーバーコート層１３４の膜厚を厚く形成すれば、画素電極１１６端部とドレインバスライン１１４端部との間の距離は長くなり、生じる寄生容量は小さくなる。生じる寄生容量が無視できるほど小さくなるようにオーバーコート層１３４の膜厚を厚く形成すれば、位置ずれ等が生じても、上記の表示むらは視認されなくなる。
【００１３】
この構成では、画素電極１１６をドレインバスライン１１４やゲートバスライン１１２にオーバーラップさせて形成できるため、開口率を向上させることができる（例えば、特許文献１及び２参照。）。また、ドレインバスライン１１４、ゲートバスライン１１２及びＴＦＴ１２０を覆うように画素電極１１６を形成することもできる（例えば、特許文献３参照。）。
【００１４】
図２６は、従来のＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置に用いられる液晶表示装置用基板の構成を示している。図２６に示すように、ＴＦＴ基板１０２は、負の誘電率異方性を有する液晶を配向規制する配向規制用構造物として、線状突起１４０、１４１を備えている。線状突起１４０は、蓄積容量バスライン１１８及び蓄積容量電極１１９上に、図の左右方向に延びて形成されている。線状突起１４１は、画素領域のほぼ中央部に図の上下方向に延びて形成されている。線状突起１４０、１４１は、レジスト等で形成されている。
【００１５】
【特許文献１】
特開平１１−１４８０７８号公報（第４−６頁、第１図）
【特許文献２】
特開平９−１５２６２５号公報（第８−１０頁、第１図）
【特許文献３】
特開平９−１３８４２３号公報（第２−４頁、第１図）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
一般的な樹脂の比誘電率は３〜４であるため、生じる寄生容量が無視できるほどに小さくなるには、オーバーコート層１３４を膜厚３〜５μｍ程度に厚く形成する必要がある。このため、オーバーコート層１３４を開口してコンタクトホールを形成する際に必要な露光エネルギーが大きくなり、露光時間が長くなる。したがって、ＴＦＴ基板１０２の製造プロセスが煩雑になり、生産性が低下してしまうという問題が生じる。また、パターニング時の解像度の低下や、現像残の発生等の問題が生じる。
【００１７】
一方、配向規制用構造物を備えた液晶表示装置では、画素領域内に形成された線状突起１４１により開口率が低下するため、液晶表示装置の表示輝度が低下してしまうという問題が生じる。また、表示輝度を維持するためにはバックライトの輝度を高める必要があり、液晶表示装置の消費電力が増加してしまうという問題が生じる。
【００１８】
本発明の目的は、製造プロセスを簡略化でき、良好な表示品質の得られる液晶表示装置及びそれに用いる液晶表示装置用基板を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、前記基板上に絶縁膜を介して互いに交差して形成された第１及び第２のバスラインと、誘電体層を介して、前記第１又は第２のバスラインの少なくとも一方を覆うように配置され、前記第１又は第２のバスラインとの間に寄生容量を形成する画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図７を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、液晶表示装置は、画素電極やＴＦＴ等が画素領域毎に形成されたＴＦＴ基板２と、共通電極等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封止した構造を有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜が形成されている。
【００２１】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。
【００２２】
ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の表面には、偏光板８７が貼り付けられている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側には、例えば線状の一次光源と面状導光板とからなるバックライトユニット８８が配置されている。一方、対向基板４の共通電極形成面と反対側の表面には、偏光板８６が貼り付けられている。
【００２３】
図２は、本実施の形態によるＴＦＴ基板の構成を示している。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ基板の断面図であり、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線で切断したＴＦＴ基板の断面図である。図２及び図３（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施の形態による液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２上にＣＦ層が形成されたＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造を有している。ＴＦＴ基板２のガラス基板１０上には、互いに並列して図２の左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２が形成されている。ゲートバスライン１２上の基板全面には、絶縁膜３０が形成されている。絶縁膜３０上には、絶縁膜３０を介してゲートバスライン１２に交差し、互いに並列して図２の上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４が形成されている。ドレインバスライン１４上の基板全面には、保護膜３２が形成されている。
【００２４】
保護膜３２上には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれか一色のＣＦ樹脂層が形成されている。ＣＦ樹脂層Ｒ、Ｇ、Ｂ上には、透明な感光性樹脂等からなる樹脂絶縁膜のオーバーコート層３４が形成されている。オーバーコート層３４上には、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４を覆うように、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の光透過性電極材料からなる画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、基板面に垂直方向に見て、ほぼ中心部がドレインバスライン１４に重なるように配置されている。画素電極１６の形成された領域は画素領域となる。画素電極１６とゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４との間には、所定の寄生容量が生じる。
【００２５】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０のゲート電極は、ゲートバスライン１２に電気的に接続されている。ＴＦＴ２０のドレイン電極２１は、ドレインバスライン１４に電気的に接続されている。ＴＦＴ２０のソース電極２２は、ソース電極２２上のオーバーコート層３４、ＣＦ層及び保護膜３２を開口して形成されたコンタクトホール２４を介して、画素電極１６に電気的に接続されている。
【００２６】
またＴＦＴ基板２上には、ゲートバスライン１２に並列して、複数の蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には、蓄積容量電極１９が形成されている。蓄積容量電極１９は、画素領域毎に２つ形成され、ドレインバスライン１４を挟んで両側に１つずつ配置されている。蓄積容量電極１９は、蓄積容量電極１９上のオーバーコート層３４、ＣＦ層及び保護膜３２を開口して形成されたコンタクトホール２６を介して、画素電極１６に電気的に接続されている。
【００２７】
本実施の形態では、画素電極１６がゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４を覆うように形成されている。このため、画素電極１６とドレインバスライン１４との間に相対的な位置ずれ等が生じても、画素電極１６とドレインバスライン１４との間の距離は変わることがない。したがって、寄生容量が変動してしまうことがない。また、ショット毎の位置ずれにより、露光領域の境界部で画素電極１６やドレインバスライン１４の幅が異なって形成されても、画素電極１６とドレインバスライン１４との間の距離が変わることがない。したがって、寄生容量の変動を抑制できる。
【００２８】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について図４乃至図７を用いて説明する。図４及び図６は、ＴＦＴ基板の製造方法を示している。図５及び図７は、ＴＦＴ基板の製造方法を示す工程断面図であり、図３（ａ）に対応する断面を示している。まず、図４及び図５に示すように、ガラス基板１０上に、ゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８とを形成する。ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８は、例えばクロム（Ｃｒ）の単層、又はアルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）、Ａｌ／モリブデン（Ｍｏ）／窒化モリブデン（ＭｏＮ）、若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層等で形成される。
【００２９】
次に、ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８上の基板全面に例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を成膜し、絶縁膜３０を形成する。次に、絶縁膜３０上に、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる動作半導体層３１を形成する。次に、動作半導体層３１上に、例えばＳｉＮ膜からなるチャネル保護膜２３を形成する。チャネル保護膜２３は、ゲートバスライン１２をマスクとして用いた背面露光により自己整合的に形成される。次に、チャネル保護膜２３上の基板全面にｎ＋ａ−Ｓｉ及び金属層をこの順に成膜してパターニングし、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２を形成する。同時に、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極１９を形成する。この金属層としては、例えばＣｒの単層、又はＡｌ／Ｔｉ、Ａｌ／Ｍｏ／ＭｏＮ、若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層等が用いられる。次に、ドレイン電極２１、ソース電極２２、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極１９上の基板全面に例えばＳｉＮ膜を成膜し、保護膜３２を形成する。次に、ソース電極２２上の保護膜３２を開口してコンタクトホール２４’を形成し、蓄積容量電極１９上の保護膜３２を開口してコンタクトホール２６’を形成する。
【００３０】
次に、図６及び図７に示すように、保護膜３２上にＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを順次形成する。次に、ＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂ上の基板全面に、オーバーコート層３４を形成する。次に、コンタクトホール２４’上のオーバーコート層３４及びＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを開口してコンタクトホール２４を形成し、コンタクトホール２６’上のオーバーコート層３４及びＣＦ層Ｒ、Ｇ、Ｂを開口してコンタクトホール２６を形成する。次に、ＩＴＯ等の光透過性電極材料をオーバーコート層３４上の基板全面に成膜してパターニングし、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４上を覆うように画素電極１６を形成する。画素電極１６は、コンタクトホール２４を介してソース電極２２に電気的に接続され、コンタクトホール２６を介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。以上の工程を経て、図２及び図３（ａ）、（ｂ）に示すＴＦＴ基板２が完成する。このように、本実施の形態による液晶表示装置用基板では、従来の液晶表示装置用基板と比較して製造工程が増加することがなく、製造コストが増加することもない。
【００３１】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板について図８乃至図１０を用いて説明する。図８は、本実施の形態によるＴＦＴ基板の構成を示している。図８に示すように、ＴＦＴ基板２は、配向規制用構造物となる複数の突起４０を有し、例えばＭＶＡモードでノーマリブラックモードの液晶表示装置の一方の基板を構成する。突起４０は、例えばレジストにより形成され、基板面に垂直方向に見ると略円形状である。突起４０は、例えばゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との交差位置上と、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との交差位置上に配置されている。
【００３２】
本実施の形態では、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との交差位置上や、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との交差位置上等の開口率に寄与しない領域に突起４０が形成されている。このため、第１の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、開口率を低下させずに高視野角の液晶表示装置を実現できる。なお、突起４０は対向基板４側に形成されていてもよい。
【００３３】
また、本実施の形態による液晶表示装置はノーマリブラックモードであるので、隣接する画素領域間を遮光する必要がない。したがって、対向基板４側に遮光膜を形成しなくてもよいため、さらに開口率を向上できる。また、両基板２、４を貼り合わせる際に高い位置合わせ精度が要求されないため、製造プロセスが簡略化する。
【００３４】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の変形例について図９及び図１０を用いて説明する。図９は本変形例によるＴＦＴ基板の構成を示し、図１０は図９のＣ−Ｃ線で切断したＴＦＴ基板の断面構成を示している。図９及び図１０に示すように、ＴＦＴ基板２は、図中左右方向に延びる複数の線状突起４１と、図中上下方向に延びる複数の線状突起４２を配向規制用構造物として有している。線状突起４１は、ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８上に形成されている。線状突起４２は、ドレインバスライン１４上に形成されている。本変形例では、線状突起４１、４２が、ゲートバスライン１２、ドレインバスライン１４及び蓄積容量バスライン１８上の開口率に寄与しない領域に形成されている。このため、上記実施の形態と同様の効果が得られる。なお、線状突起４１、４２は対向基板４側に形成されていてもよい。
【００３５】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板について図１１乃至図１８を用いて説明する。図１１は本実施の形態によるＴＦＴ基板の構成を示し、図１２は図１１のＤ−Ｄ線で切断したＴＦＴ基板の断面構成を示している。図１１及び図１２に示すように、ＴＦＴ基板２は、光透過性電極材料からなる透明電極１５と、光反射性電極材料からなる反射電極１７とを１画素内に有し、半透過型の液晶表示装置の一方の基板を構成する。１画素内の透明電極１５と反射電極１７は、互いに電気的に接続されている。透明電極１５は、ＴＦＴ基板２の裏面側に設けられたバックライトユニット８８から入射する光を表面側に透過させ、反射電極１７は、ＴＦＴ基板２の表面側（対向基板４側）から入射する外光を反射させる。
【００３６】
画素領域のうち図１１の上方には反射電極１７が配置され、下方には透明電極１５が配置されている。反射電極１７は、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８、ドレインバスライン１４及びＴＦＴ２０を覆うように形成されている。反射電極１７は、コンタクトホール２５を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。また反射電極１７は、コンタクトホール２６を介して蓄積容量電極１９（図１１及び図１２では図示せず）に電気的に接続されている。
【００３７】
透明電極１５は、ドレインバスライン１４を覆うように形成されている。透明電極１５は、コンタクトホール２５を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。
【００３８】
本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及びＴＦＴ２０を覆うように反射電極１７を形成することにより、透明電極１５と反射電極１７とを効率良く配置でき、開口率を向上できる。
【００３９】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について図１３乃至図１６を用いて説明する。図１３及び図１５は、ＴＦＴ基板の製造方法を示している。図１４及び図１６は、ＴＦＴ基板の製造方法を示す工程断面図であり、図１２に対応する断面を示している。まず、図１３及び図１４に示すように、ガラス基板１０上に、ゲートバスライン１２と蓄積容量バスライン１８とを形成する。
【００４０】
次に、ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８上の基板全面に例えばＳｉＮ膜を成膜し、絶縁膜３０を形成する。次に、絶縁膜３０上に、例えばａ−Ｓｉからなる動作半導体層３１を形成する。次に、動作半導体層３１上に、例えばＳｉＮ膜からなるチャネル保護膜２３を形成する。次に、チャネル保護膜２３上の基板全面にｎ＋ａ−Ｓｉ及び金属層をこの順に成膜してパターニングし、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２を形成する。同時に、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極１９を形成する。次に、ドレイン電極２１、ソース電極２２、ドレインバスライン１４及び蓄積容量電極１９上の基板全面に例えばＳｉＮ膜を成膜し、保護膜３２を形成する。次に、保護膜３２上の基板全面に例えば感光性樹脂を塗布し、オーバーコート層３４を形成する。次に、ソース電極２２上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口してコンタクトホール２５を形成し、蓄積容量電極１９上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口してコンタクトホール２６を形成する。
【００４１】
次に、図１５及び図１６に示すように、ＩＴＯ等の光透過性電極材料をオーバーコート層３４上の基板全面に成膜してパターニングし、ドレインバスライン１４を覆うように透明電極１５を形成する。透明電極１５は、コンタクトホール２５を介してソース電極２２に電気的に接続される。
【００４２】
次に、光反射性電極材料を透明電極１５上の基板全面に成膜してパターニングし、ゲートバスライン１２、蓄積容量バスライン１８及びドレインバスライン１４を覆うように反射電極１７を形成する。反射電極１７の一部は、透明電極１５の一部に積層して形成され、１画素内の両電極１６、１７が互いに電気的に接続される。また反射電極１７は、コンタクトホール２５を介してソース電極２２に電気的に接続され、コンタクトホール２６を介して蓄積容量電極１９に電気的に接続される。以上の工程を経て、図１１及び図１２に示すＴＦＴ基板２が完成する。このように、本実施の形態による液晶表示装置用基板では、従来の液晶表示装置用基板と比較して製造工程が増加することがなく、製造コストが増加することもない。
【００４３】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例について図１７及び図１８を用いて説明する。図１７は、本変形例によるＴＦＴ基板の構成を示している。図１８（ａ）は図１７のＥ−Ｅ線で切断したＴＦＴ基板の断面構成を示し、図１８（ｂ）は図１７のＦ−Ｆ線で切断したＴＦＴ基板の断面構成を示している。図１７及び図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板２は、２つの反射電極１７ａ、１７ｂと、２つの透明電極１５ａ、１５ｂとを１画素内に有し、半透過型の液晶表示装置の一方の基板を構成する。
【００４４】
反射電極１７ａ、１７ｂは、基板面に垂直方向に見ると、ドレインバスライン１４を所定の間隙を介して挟むように配置されている。また反射電極１７ａ、１７ｂは、蓄積容量バスライン１８を覆うように形成されている。反射電極１７ａ、１７ｂは、接続電極６１を介して、互いに電気的に接続されている。接続電極６１は、反射電極１７ａ、１７ｂと同一の形成材料で形成されている。反射電極１７ｂは、反射電極１７ｂ上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口して形成されたコンタクトホール２４を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。
【００４５】
図示していないが、蓄積容量バスライン１８上には、ドレインバスライン１４を所定の間隙を介して挟むように配置された２つの蓄積容量電極１９が画素領域毎に形成されている。反射電極１７ａは、一方の蓄積容量電極１９上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口して形成されたコンタクトホール５４を介して、蓄積容量電極１９に電気的に接続されている。反射電極１７ｂは、他方の蓄積容量電極１９上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口して形成されたコンタクトホール５５を介して、蓄積容量電極１９に電気的に接続されている。
【００４６】
透明電極１５ａは、蓄積容量バスライン１８を覆うように形成され、蓄積容量バスライン１８上で反射電極１７ａに接続されている。透明電極１５ｂは、接続電極６０を介して透明電極１５ａに電気的に接続されている。本変形例によっても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４７】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板について図１９及び図２０を用いて説明する。図１９は、本実施の形態によるＴＦＴ基板の構成を示している。図１９に示すように、ＴＦＴ基板２は、２つの透明電極１５ａ、１５ｂと、２つの反射電極１７ａ、１７ｂとを１画素内に有し、半透過型の液晶表示装置の一方の基板を構成する。
【００４８】
透明電極１５ａは、ドレインバスライン１４を覆うように形成され、コンタクトホール２４を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。反射電極１７ａは、蓄積容量バスライン１８を覆うように形成され、コンタクトホール５０を介して透明電極１５ａに電気的に接続されている。反射電極１７ｂは、蓄積容量バスライン１８を覆うように形成され、コンタクトホール５１を介して透明電極１５ａに電気的に接続されている。透明電極１５ｂは、ドレインバスライン１４を覆うように形成されている。また透明電極１５ｂは、コンタクトホール５２を介して反射電極１７ａに電気的に接続され、コンタクトホール５３を介して反射電極１７ｂに電気的に接続されている。
【００４９】
反射電極１７ａ、１７ｂは、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成され、ドレインバスライン１４を所定の間隙を介して挟むように配置されている。また、反射電極１７ａ、１７ｂは、誘電体層となる絶縁膜３０を介して蓄積容量バスライン１８に対向して配置され、画素領域毎に形成される蓄積容量の電極としての機能を有している。
【００５０】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法について図２０を用いて説明する。ＴＦＴ２０のチャネル保護膜２３を形成するまでの工程は、第１及び第３の実施の形態と同様であるため説明を省略する。チャネル保護膜２３上の基板全面にｎ＋ａ−Ｓｉ及び金属層をこの順に成膜してパターニングし、ＴＦＴ２０のドレイン電極２１及びソース電極２２を形成する。同時に、ドレインバスライン１４及び反射電極１７ａ、１７ｂを形成する。次に、ドレイン電極２１、ソース電極２２、ドレインバスライン１４及び反射電極１７ａ、１７ｂ上の基板全面に例えばＳｉＮ膜を成膜し、保護膜３２（図２０では図示せず）を形成する。次に、保護膜３２上の基板全面に例えば感光性樹脂を塗布し、オーバーコート層３４（図２０では図示せず）を形成する。次に、ソース電極２２上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口してコンタクトホール２４を形成する。同時に、反射電極１７ａ上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口してコンタクトホール５０、５２を形成し、反射電極１７ｂ上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口してコンタクトホール５１、５３を形成する。
【００５１】
次に、ＩＴＯ等の光透過性電極材料をオーバーコート層３４上の基板全面に成膜してパターニングし、ドレインバスライン１４を覆うように透明電極１５ａ、１５ｂを形成する。透明電極１５ａは、コンタクトホール５０を介して反射電極１７ａに電気的に接続され、コンタクトホール５１を介して反射電極１７ｂに電気的に接続される。透明電極１５ｂは、コンタクトホール５２を介して反射電極１７ａに電気的に接続され、コンタクトホール５３を介して反射電極１７ｂに電気的に接続される。以上の工程を経て、図１９に示すＴＦＴ基板２が完成する。
【００５２】
本実施の形態では、反射電極１７ａ、１７ｂをドレインバスライン１４等と同一の形成材料で同時に形成している。このため本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、一般の透過型液晶表示装置に用いられるＴＦＴ基板２と同じ枚数のフォトマスクを用いて、半透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板２を製造できる。
【００５３】
〔第５の実施の形態〕
次に、本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置用基板について図２１を用いて説明する。図２１は、本実施の形態によるＴＦＴ基板の構成を示している。図２１に示すように、ＴＦＴ基板２は、２つの画素電極１６ａ、１６ｂと、両画素電極１６ａ、１６ｂ間を電気的に接続する接続電極６０とを１画素内に有している。
【００５４】
画素電極１６ａ、１６ｂは、ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８を覆うように形成されている。画素電極１６ａ、１６ｂは、基板面に垂直方向に見ると、ドレインバスライン１４を所定の間隙を介して挟むように配置されている。画素電極１６ａ、１６ｂは、２つの接続電極６０を介して、互いに電気的に接続されている。接続電極６０は、画素電極１６ａ、１６ｂと同一の形成材料で形成されている。
【００５５】
蓄積容量バスライン１８上には、画素領域毎に２つの蓄積容量電極１９ａ、１９ｂが形成されている。蓄積容量電極１９ａ、１９ｂは、ドレインバスライン１４を挟んで両側にそれぞれ配置されている。蓄積容量電極１９ａは、蓄積容量電極１９ａ上のオーバーコート層３４及び保護膜３２（共に図２１では図示せず）を開口して形成されたコンタクトホール２６ａを介して、画素電極１６ａに電気的に接続されている。蓄積容量電極１９ｂは、蓄積容量電極１９ｂ上のオーバーコート層３４及び保護膜３２を開口して形成されたコンタクトホール２６ｂを介して、画素電極１６ｂに電気的に接続されている。
【００５６】
ＴＦＴ２０のソース電極２２は、同一画素内ではなく図の下方に隣接する画素内の蓄積容量電極１９ｂに、接続配線６２を介して接続されている。すなわち、ＴＦＴ２０のゲート電極は、隣接する２本のゲートバスライン１２のうち図の上方側に電気的に接続され、同一のＴＦＴ２０のソース電極２２は、隣接する２本のゲートバスライン１２のうち図の下方側を覆うように配置された画素電極１６ａ、１６ｂに電気的に接続されている。接続配線６２は、ドレインバスライン１４、ドレイン電極２１、ソース電極２２及び蓄積容量電極１９ａ、１９ｂと同一の形成材料で形成されている。
【００５７】
本実施の形態では、画素電極１６ａ、１６ｂが、図の下方に隣接する画素を駆動するＴＦＴ２０やゲートバスライン１２を覆うように形成されている。このため、第１の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、画素電極１６ａ、１６ｂに所定の電位が書き込まれる際には、画素電極１６ａ、１６ｂの下層のゲートバスライン１２に電圧が印加されず、その上方に隣接するゲートバスライン１２に電圧が印加されていることになる。したがって、画素電位がゲートバスライン１２の電界の影響を受けないため、表示画面上でのフリッカや輝度傾斜等の発生を防止できる。
【００５８】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態ではボトムゲート型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、トップゲート型の液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００５９】
また、上記実施の形態ではチャネル保護膜型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、チャネルエッチ型の液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００６０】
なお、上記実施の形態では、寄生容量を低減するために、保護膜３２上にオーバーコート層３４を形成している。しかし本発明によれば、表示領域内の全ての画素においてゲートバスライン１２又はドレインバスライン１４と画素電極１６（透明電極１５及び反射電極１７を含む）との間にはほぼ一定の寄生容量が生じ、位置ずれ等による寄生容量の変動が生じない。このため、オーバーコート層３４を形成しなくても表示むらは視認されない。
【００６１】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向して配置される対向基板とともに液晶を挟持する基板と、
前記基板上に絶縁膜を介して互いに交差して形成された第１及び第２のバスラインと、
誘電体層を介して、前記第１又は第２のバスラインの少なくとも一方を覆うように配置され、前記第１又は第２のバスラインとの間に寄生容量を形成する画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【００６２】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板において、
前記液晶を配向規制する配向規制用構造物をさらに有し、
前記配向規制用構造物は、基板面に垂直方向に見て、前記第１又は第２のバスラインのいずれか一方上に配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００６３】
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、光透過性材料で形成されて前記基板裏面側から入射する光を前記基板表面側に透過させる透明電極と、前記透明電極に電気的に接続され、光反射性材料で形成されて前記基板表面側から入射する光を反射させる反射電極とを有していること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００６４】
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置用基板において、
前記反射電極は、前記画素領域毎に形成される蓄積容量の電極としての機能を有すること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００６５】
（付記５）
付記３又は４に記載の液晶表示装置用基板において、
前記反射電極は、前記第１又は第２のバスラインと同一の形成材料で形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００６６】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記画素電極は、基板面に垂直方向に見て、ほぼ中心部が前記第１又は第２のバスラインに重なるように配置されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００６７】
（付記７）
付記１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板において、
前記第１及び第２のバスラインの交差位置近傍に形成され、前記第１のバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記第２のバスラインに電気的に接続されたドレイン電極と、前記画素電極に電気的に接続されたソース電極とを備えた薄膜トランジスタをさらに有し、
前記ゲート電極は、隣接する前記第１のバスラインの一方に電気的に接続され、
前記ソース電極は、隣接する前記第１のバスラインの他方を覆うように配置された前記画素電極に電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【００６８】
（付記８）
一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記基板の一方に、付記１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置。
【００６９】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、製造プロセスを簡略化でき、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成の変形例を示す断面図である。
【図１９】本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２０】本発明の第４の実施の形態による液晶表示装置用基板の製造方法を示す図である。
【図２１】本発明の第５の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２２】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図２３】従来の液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図２４】従来の液晶表示装置用基板の問題点を示す断面図である。
【図２５】従来の液晶表示装置用基板の他の構成を示す断面図である。
【図２６】従来の液晶表示装置用基板のさらに他の構成を示す図である。
【符号の説明】
２　ＴＦＴ基板
４　対向基板
１０　ガラス基板
１２　ゲートバスライン
１４　ドレインバスライン
１５、１５ａ、１５ｂ　透明電極
１６、１６ａ、１６ｂ　画素電極
１７、１７ａ、１７ｂ　反射電極
１８　蓄積容量バスライン
１９　蓄積容量電極
２０　ＴＦＴ
２１　ドレイン電極
２２　ソース電極
２３　チャネル保護膜
２４、２５、２６、５０、５１、５２、５３、５４、５５　コンタクトホール
３０　絶縁膜
３１　動作半導体層
３２　保護膜
３４　オーバーコート層
４０　突起
４１、４２　線状突起
６０、６１　接続電極
６２　接続配線
８０　ゲートバスライン駆動回路
８２　ドレインバスライン駆動回路
８４　制御回路
８６、８７　偏光板
８８　バックライトユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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