(57)【要約】【課題】記録情報の長期保存安定性の極めて高い光情報記録媒体を提供する。【解決手段】透明基板上に分解温度の極めて高い堅牢なフラーレン系骨格を主成分とした記録膜を選択し、該記録層が、レーザー光照射により膜の発熱から記録層と隣接する界面に良好な物理変形及び／あるいは変性を伴った記録ピットを形成するような高密度光記録媒体が提供でき、波長３９０  〜７００ｎｍのレーザーを有する光学ヘッドを用いて高密度記録・再生が可能な光情報記録媒体となる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録・再生波長に対して透明な層に直接、もしくは別の層を介して少なくともフラーレン系化合物を含んでなる記録層が形成されており、その記録層はレーザー光照射により発熱して隣接する前記透明な層もしくは前記別の層に記録ピットを形成しうることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
該記録層の膜厚は６０ｎｍ以下である請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記記録ピットが熱変形または熱変性により形成されたものである請求項１または２記載の光記録媒体。
【請求項４】
記録層のフラーレン化合物がＣ６０フラーレンを少なくとも含有する請求項１乃至３記載の光記録媒体。
【請求項５】
記録および／または再生が、レーザー波長範囲３９０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で可能であることを特徴とする請求項１乃至４記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザー光により情報の記録・再生が可能な高密度光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、社会の高度情報化の進展は目覚しく、多くの情報が記録でき、またそれを移動、携帯できるような媒体が社会生活においても不可欠のものとなっている。現在、そのようなリムーバブルな大容量光記録媒体として、ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＷ等の追記型、書き換え型の光記録媒体が広く普及しており、非常に大きな市場を形成している。更に、昨今では青紫色レーザーを適用した更なる高密度光記録媒体が提案され、市場導入されようとしている。
【０００３】
この中で、記録が１度だけ可能な追記型光記録媒体の記録用材料は、その物性として変調度が大きくなるように記録前の反射率が高いことが要求され、このため再生のレーザー波長付近では吸光係数の大きな吸収ピークを持ち高屈折率（通常２．０以上）であることが望まれた。従来、そのような光学諸要件を満足する材料として有機色素が最適とされ各種最適化検討を経て実用化されてきている。更に、色素系材料は、加工性にも優れ媒体構造も簡易なため量産向きとされた。
【０００４】
ここで、加えてあくなき記録密度アップの要請は、良好な高精細記録ピットの形成を必要とし、主として６５０ｎｍ近傍での赤色半導体レーザーや４００ｎｍ前後の青紫色半導体レーザーによる微小領域での光学変化（反射率変化）部位の形状制御が極めて重要となった。
【０００５】
従来提案されてきている有機色素からなる記録層は、記録ピット間隔を詰め込んで高密度光記録を施す際に、記録時の必要以上の発熱と、その余熱により色素層自身が熱変性そして／または熱変形（総じて熱干渉と称す）を生じることが多く、このためピットエッジが鈍ったり、前後のピットが連結してしまったりで、良好な高密度ピット形状制御が困難な場合が多かった。そこで、かかる熱干渉低減を目的に、熱的に堅牢な色素種の選定そして／または色素記録層の膜厚を適正化することにより改善が図られたが、概して記録再生信号の振幅低減や記録感度低下等を来たし、高密度化に向けた改良には限界があった。    一方フラーレン系化合物を光記録媒体に適用した技術も開示されてきている。
【０００６】
特許文献１（特開平１１−２８３２７６号公報）に、フラーレン系化合物を用いた蛍光式情報記録媒体の開示がある。該公報の媒体は、フラーレンを光酸化させて蛍光特性を変化させることで情報を書き込んだ後に、光酸化防御物質を添加して情報を保護することからなるＲＯＭ型媒体である。また、特許文献２（特開２００１−４９２４５号公報）には、ポリマー分散したフラーレン膜から、レーザー光照射部位で強い発光を確認し、その発光部位の任意のパターニングを記録材料として利用した提案が記載されている。いずれも、フラーレン系薄膜の発光挙動に着目した応用である。
【０００７】
ところで、追記型光記録媒体はアーカイブ記録メディアとして記録された情報が長期にわたって保存されることが望まれる。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２８３２７６号公報
【０００９】
【特許文献２】特開２００１−４９２４５号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は耐光性および長期にわたる耐候性が極めて高く、記録した情報の長期保存性を向上することを可能とする光記録媒体を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、記録・再生波長に対して透明な層に直接、もしくは別の層を介して少なくともフラーレン系化合物を含んでなる記録層が形成されており、その記録層はレーザー光照射により発熱して隣接する前記透明な層もしくは前記別の層に記録ピットを形成しうる光記録媒体である。
【００１２】
本発明において、該記録層の膜厚は６０ｎｍ以下であることが好ましい。
また本発明は、前記記録ピットが熱変形または熱変性により形成されたものであることをが好ましい。
また記録層のフラーレン化合物がＣ６０フラーレンを少なくとも含有することが好ましい。  記録および／または再生が、レーザー波長範囲３９０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で可能であることが好ましい。
ここで記録・再生波長に対して透明な層とは通常の記録再生において信号品質を損なわない程度に光を透過できる層であればよい。さらには光を吸収してそれ自体の発熱で記録ピットが形成されることのない程度に透明な層である。
【００１３】
本発明者らは、当該フラーレン膜は、記録の過程で照射された光エネルギーを非常に効率良く熱に変換し、隣接する層を大きく熱的に変形させていることを界面ＳＥＭ観察等により見出し、さらにそのフラーレン記録部位からはフラーレン酸化物が特異的に多く検出されることをＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析等により確認した。それにより当該フローレン膜の記録過程は、酸化反応を伴った大きな発熱過程を経ていることも解明した。
【００１４】
そこで、これを利用してフラーレンを高密度光記録媒体の記録層として用いることにより記録層と隣接する隣接層にも記録ピットを形成できることを見出した。
【００１５】
記録・再生波長に対して透明な層は、記録層等をその上に形成する支持基板であってもよい。
【００１６】
ポリカーボネートなどの透明基板に直接フラーレン膜を形成した場合、フラーレン膜に記録レーザ光を照射すると発熱により、フラーレン膜に隣接するポリカーボネート基板にも記録ピットを形成することができる。この場合は記録・再生波長に対して透明な層は、支持基板であるポリカーボネート基板が該当する。
【００１７】
従来の追記型光記録媒体は記録層に色素を用いることが一般的だが、色素はその性質から耐光性がポリカーボネートなどに比べると劣る。したがって色素を用いた光記録媒体の寿命は実用的には長いといえども有限である。本発明の光記録媒体は記録層にフラーレンを用いさらに耐光性の高い透明層（基板を含む）にも記録ピットが形成されるので、その耐光性および耐候性は飛躍的に向上する。
【００１８】
また記録ピットを形成して良好な記録特性を得るためには、フラーレンを含む記録層の厚さはかなり薄い方が好ましいことを見出した。それによると厚さは６０ｎｍ以下であることが望ましい。下限は記録特性を維持するために決められ記録条件などから一概に決められないが、少なくとも連続膜となるため５ｎｍが好ましい。より好ましくは１０ｎｍである。更に好ましくは２０ｎｍである。
【００１９】
次ぎに、Ｃ６０フラーレン薄膜で波長３５０ｎｍから７００ｎｍの広範囲にわたり屈折率が２以上で極めて良好な光学特性を有していることを確認し、この波長域においては一様に良好な光記録が可能であることを見出した。従来の有機色素膜では、このような広範囲な波長域にわたり高屈折率を保持しえているものは無い。
【００２０】
さらに本発明者らは、本発明によるフラーレンを記録材料に用いて優れた光記録特性が得られる理由を追求して次の知見を得た。
【００２１】
ＴＧＡ熱減量分析により、エアー／窒素雰囲気下で、ともに５００℃以上の高温まで熔融や熱分解等による熱減量が観測されないことを見出し、高密度ピット形状時の阻害因子の一つである分解ガス発生等のないことを証明した。また、昇温条件下のＣ６０バルクの粘弾性分析からは、少なくとも３００℃以下での膜の粘性変化が一切無いことを確認し、高密度ピット形成時の阻害因子の一つである低温での膜溶融起因のピットエッジの鈍りが起き難いことも証明した。これらは、従来、適用されてきた記録用有機色素材料にはない良好な熱物性であり、Ｃ６０フラーレン系化合物が高密度記録材料として熱設計上も極めて有望であることを示している。
【００２２】
さらに高い光・熱変換効率を有し良好な記録感度が保持できることをみいだした。そのうえ熱変化の閾値が急峻であり、高温範囲まで熔融、気化等の熱変化を受けないような高い耐熱性を併せ持つこともわかった。
【００２３】
フラーレン系化合物を用いた記録層は、フラーレンの非常に効率良い光・熱変換に伴う相当量の発熱が予測され、更にフラーレン骨格の酸化反応を伴って進行することが確認された。かかる高効率の光・熱変換は、現在、詳細は解明中であるが、本発明者らは、フラーレン分子固有の光励起状態、即ち、高励起状態からの熱緩和過程に起因していると考えている。いずれにしても、この非常に効率の良い光・熱変換は、従来の記録用色素材料をはるかに凌ぐものであり、この原理に基づく光記録挙動は、フラーレン系で従来開示されている発光を利用した記録モードとは明らかに異なるものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
ここでは、適例として基板上に記録層、反射層を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。なお、以下の説明では、光記録媒体として光ディスクであって、支持基板上に例えば案内溝と、この案内溝上に反射膜と有機色素を主成分とする記録層を有し、波長３９０ｎｍ〜７００ｎｍの集光レーザー光を照射して信号の記録再生を行う媒体に関して説明するが、本発明の光記録媒体は、このような形状や構成に限定されるものではなく、カード状、シート状、ドラム状等その他各種の形状のもの、また、反射層を有さないもの、更に、将来開発されるであろうより短波長のレーザーでの記録再生にも適用し得るものである。
【００２５】
本発明の光記録媒体は、例えば、図１に示すような基板１、記録層２、反射層３、及び保護層４  が順次積層している４層構造を有しているもの、あるいは図２に示すような反射層のない構造、すなわち基板１、記録層２、及び保護層３が順次積層している３層構造を有しているもの、あるいは図３に示すような記録層開放型構造、すなわち基板１、記録層２のみが順次積層し、スペーサー７を介しダミー基板８が積層しているエアーサンドイッチ構造を有しているもの、あるいは図４に示すような貼り合わせ構造を有しているもの、即ち、基板１上に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層３が設けられており、さらにその上に接着層５を介してダミー基板８が貼り合わされている構造いずれを取っても良い。これらはいずれも記録層２の下または上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても構わない。また、図５に示すように基板１、反射層３、記録層２、透明保護層６、光透過層（またはシート）９の順に積層し、透明保護層側から記録再生する構造であっても良い。ここで、透明保護層６は光透過層（またはシート）９を兼ねても良い。また、特開平１０−３２６４３５号公報記載のように光透過層の厚みが、光学系のＮ．Ａ．及びレーザー波長λにより規定された媒体構造であっても構わない。また、本発明の光情報記録媒体は、必要に応じて特開平１１−２０３７２９  号公報記載のように記録層を２種以上有する構造であっても構わない。
【００２６】
また、本発明を光ディスクに適用した例として、図６に示すような、案内溝付き基板１１、記録層１２、反射層１３及び保護層１４がこの順で積層され、更に接着層を兼ねる保護層１４上にダミー基板１５  を貼り合わせたものが挙げられる。もちろん、基板１５の無い構成であっても良く、基板１１と記録層１２の間、記録層１２と反射層１３の間、反射層１３と保護層１４との間、保護層１４とダミー基板１５との間に、他の層が存在していても良い。図６の光ディスクにおいては、基板１１側から記録再生が行われる。
【００２７】
また、別の実施形態として、特開平１０−３０２３１０号公報に開示の構成、例えば、図７に示すように、案内溝の形成された支持基板１１  ’上に、反射層１３’、有機色素を主成分とする記録層１２  ’がこの順で成膜され、この記録層１２’上に任意に形成される透明保護層１４  ’を介して光透過層１５  ’が形成され、情報の記録及び再生は、光透過層１５  ’側から実施される。尚、逆に光透過層１５  ’側に案内溝を形成し、その上に透明保護層１４  ’、記録層１２  ’、反射層１３  ’を積層し、支持基板１１  ’と貼り合わせる構成としても良い。
【００２８】
通常、光ディスクとして用いる場合の支持基板は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８０  ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であり、中央に直径１５ｍｍ  程度の穴が開いていることが好ましい。
【００２９】
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、置換基を全く持たないフラーレン、あるいは一般式（１）で示される置換基を有する化合物を少なくとも１  種含有するものである。そして波長３９０ｎｍ  〜７００ｎｍ  から選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好な記録・再生が可能である。すなわち、波長３９０ｎｍ  〜７００ｎｍ  の範囲から選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好なＣ  ／Ｎ比を得ることができ、また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られる光情報記録媒体である。
【００３０】
本発明記載の置換基を全く持たないフラーレン、あるいは（化式１）で表される化合物は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することができる。
【００３１】
【化式１】
2004259406.tif 000002
【００３２】
〔式中、Ｒ  １  、Ｒ  ２  はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルケニルオキシ基、アシル基、アミノ基、アミノカルボニル基、シリル基、ホスフィノ基、複素環基を表し、Ｒ  １  、Ｒ  ２  は連結基を介して、それぞれ併せて環を形成してもよく、また、Ｒ  １  、Ｒ  ２  あるいはフラーレン骨格のいずれか１  つ以上が金属錯体化していてもよい。ｎ  は、１  乃至３  の整数を表す。また、熱分解促進剤としてメタロセニル基をＲ１，Ｒ２の置換基に用いても良い。〕
本発明に用いられる一般式（１）で示されるフラーレン系化合物は、限定されないが、例えば季刊化学総説ＮＯ．４３（１９９９）等に記載の方法に準じて製造することができる。
【００３３】
なお本発明のフラーレン系化合物には、多量体のフラーレン系化合物も含まれる。具体的には、式（１）のフラーレン系化合物２個以上が、少なくとも１種以上の連結基を介して結合、或いは直接単結合し、連結していてもよい。連結基の例としては、置換しても良いメチレン基、置換しても良いメチン基、置換しても良いエチニレン基、置換しても良いフェニレン基、アミノ基、イミノ基、酸素原子または硫黄原子等が挙げられる。これらの連結基により表される連結基群１〜４個を介して式（１）で表されるフラーレン系化合物が連結していても良い。なお、これら高次フラーレンについての含有量は特に限定しない。
【００３４】
用いるフラーレン系色素としては、Ｃ６０，Ｃ７０，Ｃ８２，Ｃ１２０等、特に限定されるものではないが、大量合成が可能なＣ６０フラーレン系化合物が最も好ましい。
【００３５】
記録層に使用されるフラーレン系化合物を同定する方法として、記録膜を単離した後、ＵＶスペクトル、ＦＤ−ＭＳ、ＮＭＲ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ、ＳＮＯＭ、ラマン分光、ＦＴ−ＩＲ等の方法を用いることが可能であるが、フラーレン単体であれば、ベンゼン、トルエンに微量溶解することから、ＴＬＣ分取後、液体クロマトグラフィーによる同定も簡便で確実な方法として有効である。
【００３６】
本発明の光記録媒体を構成している記録層は、実質的に１種またはそれ以上のフラーレン系化合物、特にＣ６０単体あるいは式（１）の化合物からなるものであり、さらに、所望に応じて波長２９０ｎｍ  〜６９０ｎｍ  に吸収極大を持ち、３００ｎｍ  〜７００ｎｍ  での屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物、オキサゾール系、アザポルフィリン系、ポルフィリン系、ポルフィセン系などがあり、複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の混合割合は、０  ．１  質量％〜３０  質量％程度である。
【００３７】
記録層に用いられるフラーレン単体、あるいは一般式（１  ）に示されるフラーレン系化合物の含有量は、記録・再生が可能な任意の量を選択することができるが、通常、３０  ％以上、好ましくは６０  ％以上である。尚、実質的に１００  ％であることも好ましい。
【００３８】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、ＥＢ蒸着法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。
【００３９】
一般に、Ｃ６０等フラーレン化合物単体の場合には、それ自身溶剤に極めて溶解しにくいことが多いため、スパッタ法、ＥＢ蒸着法、化学蒸着法や真空蒸着法等がむしろ適する。また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合も、スパッタ法、ＥＢ蒸着法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効であった。
【００４０】
ここで、Ｃ６０フラーレン薄膜の形成には、とりわけ蒸着法が好ましく、Ｍｏ、Ｗボートの加熱電流精密制御により，０．０１ｎｍ〜０．１ｎｍ／秒範囲で蒸着製膜速度を達成することで均質な膜形成が実現された。
【００４１】
記録層を基板の上に成膜する際に、隣接して用いる基板の材質としては、図６に示すような基板１１を通じてレーザー照射が行われることも加味すれば、基本的には記録光および再生光の波長で透明であって、支持基板としての機械強度を有しており、且つ、融点・分解点が３００℃以上、ガラス転移温度が１００℃以上ものから適用されることが望ましい。このため具体的な材質としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料が利用される。
一方、図７に示す構成のように、基板１１  ’とは逆の光透過層１５  ’側からレーザー照射が行われる場合、基板の材質としては光学的諸要件を満たす必要はなく、より広範な材料から選択することができる。基板に要求される機械的特性、また基板生産性の観点からは、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の射出成型或いはキャスト成型可能な材料が好ましい。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形してもよい。
【００４２】
通常、これらの基板の表層には、サブミクロンオーダーの案内溝及び／又はプレピットが螺旋状又は同心円上に形成される。これら案内溝及びプレピットは、基板形成時に付与されているのが好ましく、スタンパー原盤を用いての射出成型や、フォトポリマーを用いた熱転写法により付与することができる。尚、図７における光透過層１５  ’に案内溝及び／又はプレピットを形成しても良く、付与する場合も同様の方法を適用できる。案内溝のピッチ及び深さは、ＤＶＤ  よりも高密度記録を行うＨＤ  −ＤＶＤＲ  の場合、ピッチとして０．２５  〜０．８０μｍ  、深さとして２０  〜１５０ｎｍの範囲から、より好ましくは３０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲から選択するのが好ましい。この記録時の変形量制御を目的に、基板の上には無機物やポリマーからなる層を設けても良い。本発明者らの詳細検討に拠れば、当該隣接層は適度な熱硬度及び粘弾性を有し、変形緩衝しうる隣接界面（層）の形成が好ましい。
【００４３】
尤も、フラーレン化合物を上述の適正な膜厚設定で適正な溝形状を有すポリカーボネート基板上に直接成膜し、記録時の変形痕跡をその基板表層に直接形成してやることでも良好な高密度記録は十分に確認できた。
【００４４】
フラーレン化合物を含む記録層に隣接する層としては有機膜が好ましい。記録ピットが形成されやすいからである。更に、フラーレン化合物を含む記録層と隣接して、例えば明確な温度閾値を有して熱変性するような有機色素膜やポリマーを積層して用いることがより好ましい。記録光の入射側にある基板と記録層との間に形成すれば、フラーレン化合物からの発熱を当該色素・ポリマー層に熱転写し、その色素、ポリマーを変性させることによる記録も可能となった。用いる色素の光学定数の設計次第では良好な信号振幅で高密度信号の獲得が可能となった。またポリマー層は透明であってもよい。これ自体がフラーレンを含む記録層からの熱で記録ピットが形成されて、長期保存性を高められる。
【００４５】
適用可能な色素種として具体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物、オキサゾール系、アザポルフィリン系、ポルフィリン系、ポルフィセン系などがあり、複数の化合物の混合であっても良い。
【００４６】
これら色素種はフラーレン系薄膜と相溶しないよう溶媒極性を変えた溶液系からスピンコートするか、あるいは真空系の成膜方法により積層された。積層膜厚は、記録波長に合わせた光学デザイン（反射率、変調度）が考慮され最適化された。
【００４７】
記録層色素膜厚の定量的な測定に関しては、最近ガリウムイオンビーム等で端面のエッチングを施した後、ＳＥＭ、あるいはＴＥＭで観察するといった精度の良い方法が利用され始めた。（ＦＩＢ−ＳＥＭ，ＦＩＢ−ＴＥＭ）  この手法のメリットとして、凍結破断等で対象物の切片を出して色素膜厚を測定する従来の方法と比較して、硬度が極めて低く端面の正確な厚みを測定することができなかったものまで、正確な層構造を反映させて色素膜厚を測定することが可能となる。
【００４８】
記録層がレーザー光照射により膜の熱モード物理変形を伴って記録されているか否かに関しては、記録層界面を丁寧に剥離させた後、ピット形成部を  ＳＥＭ、あるいはＴＥＭ、あるいはＡＦＭによって形態観察するのが一般的である。特に基板の物理変形痕を観察するためには、記録層剥離後にヘプタン、あるいはジメチルシクロヘキサン等の有機溶剤に約１時間浸して記録層を概略除去した後に、ＳＥＭ観察，あるいはＡＦＭ観察を行うことが有効である。さらに、記録後の記録層からの酸化物検出には、ピット形成微小部位の、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ、ＳＮＯＭ、顕微ラマン等の極微小領域での分析が有効である。
【００４９】
次に記録層とは隣接して反射層を形成しても良い。該反射層を形成する場合の膜厚は、通常１０ｎｍ  〜２００ｎｍ  の厚さにするのが好ましい。反射率を高めるためや密着性をよくするために、そして信号品位の改善を目的に、記録層と反射層の間には反射増幅層や接着層、変形緩衝層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｒｈ  およびＰｄ  の金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈは反射率が高く反射層の材料として適している。青色レーザーでの記録・再生を行う場合には、Ａｌ  またはＡｇ  が好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属および半金属を挙げることができる。また、Ａｇ  またはＡｌ  を主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【００５０】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【００５１】
さらに、記録層そして反射層は、通常、保護層により保護される。該保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ２  、Ｓ３Ｎ４  、ＭｇＦ２  、ＡｌＮ  、ＳｎＯ２  などが挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【００５２】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ  〜１００μｍ  の範囲であるが、本発明においては、３μｍ  〜３０μｍ  であり、より好ましくは、５μｍ  〜２０μｍ  である。
【００５３】
保護層の上にさらにレーベル、バーコードなどの印刷を行うこともできる。
また、反射層面に保護シートまたは基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。
【００５４】
ここで、本発明で言う波長３９０ｎｍ  〜７００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや、波長４００  〜４１０ｎｍのＧａＮ系レーザー、ＣｒドープしたＬｉＳｎＡｌＦ６  を用いた波長８６０ｎｍ  の赤外線レーザーの第２高調波４３０ｎｍ  を発振するレーザー他、波長４０５ｎｍ、４１５ｎｍ、４２５ｎｍ  等の可視半導体レーザー等の半導体レーザー等があげられる。本発明では、上述の半導体レーザー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応じて適宜選択することができる。高密度記録および再生は各々、上述の該半導体レーザーから選択される１波長または複数波長において可能となる。
【００５５】
このように記録層がフラーレンを含み、記録時の発熱で隣接する層あるいは透明層に記録ピットを形成しうる光記録媒体は、高い耐光性から従来に比べてさらに記録情報の長期保存性が高くなる。次に、その記録特性を高めるための媒体設計の例のいくつかを以下に示す。
【００５６】
（実施例１）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ、溝幅：０．３３μｍ、溝深さ：５０ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ０．６ｍｍ  の円盤状の基板上に、真空蒸着法で下記（化式２）で示されるフラーレン  Ｃ６０（東京化成工業社製  ＞９９．９％）を蒸着して、厚さ４０ｎｍとなるように記録層を成膜した。
【００５７】
【化式２】
2004259406.tif 000003
【００５８】
この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ  −９００  ）を用いて銀をスパッタし、厚さ１５０ｎｍ  の反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２  ．５ｋＷ  、スパッタガス圧１．３３Ｐａ  （１  ．０  ×１０−２Ｔｏｒｒ  ）で行った。
【００５９】
さらに、反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ５μｍ  の保護層を形成した。更に、保護層の上に紫外線硬化樹脂デソライトＫＺ−８６８１（ＪＳＲ製）をスピンコートした後、前記基板と同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【００６０】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、以下のように評価試験を行った。  波長４０５ｎｍ、開口数０．６５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速５．３ｍ／ｓにて１−７ＲＬＬの２Ｔ相当（最小ピット長＝０．２３μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にてグルーブ（溝中）へ記録を実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１４ｍＷで、２ＴＣＮＲ＝５６ｄＢ、変調度＝０．２８と極めて良好な結果が観測された。
【００６１】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、１−７ＲＬＬの８Ｔ相当（ピット長＝０．９２μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１４ｍＷで、８ＴＣＮＲ＝６０ｄＢ、変調度＝０．８１と良好な結果が観測された。
【００６２】
当該媒体を対象に１−７ＲＬＬランダム信号を記録ストラテジーの最適化により実施し、非常に良好なジッター６．６％を測定した。その際、採取のアイパターンを図８に示す。
【００６３】
一方、フラーレン  Ｃ６０単体の窒素雰囲気下での熱重量分析（ＴＧＡ）を行った結果、該記録層化合物の２０ｗｔ％減量時における熱分解温度は、６００℃以上を有し、極めて熱的に安定な堅牢な化合物であることが確認された。
【００６４】
また、当該光記録媒体を記録界面にて剥離して、界面をＳＥＭで観察した結果、記録ピット部位で物理変形を起こして、物理ピットが形成されていることを確認した。
図９には、その際のポリカーポネート基板上に形成された記録ピットの痕跡を示す。
【００６５】
また、当該光記録媒体を記録界面にて剥離して、界面記録ピット部位のＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析を行った結果、Ｃ６０の酸化物に帰属されるピークが確認された。  信号評価結果を表１にまとめる。
【００６６】
（実施例２）
フラーレンＣ６０の記録層を膜厚２５ｎｍに成膜する以外は、実施例１と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１４ｍＷの時の信号品位は、２ＴＣＮＲ＝５４ｄＢと良好なものであった。
【００６７】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの８Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１４ｍＷの時の信号品位は、８ＴＣＮＲ＝５５ｄＢと良好なものであった。結果を表１にまとめる。
【００６８】
当該媒体を対象に１−７ＲＬＬランダム信号を記録ストラテジーの最適化により実施し、非常に良好なジッター７．４％を測定した。
【００６９】
（実施例３）
フラーレンＣ６０の記録層を膜厚６０ｎｍに成膜する以外は、実施例１と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、２ＴＣＮＲ＝４７ｄＢと良好なものであった。
【００７０】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの８Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、８ＴＣＮＲ＝６０ｄＢと良好なものであった。結果を表１にまとめる。
【００７１】
当該媒体を対象に１−７ＲＬＬランダム信号を記録ストラテジーの最適化により実施し、良好なジッター８．３％を測定した。
【００７２】
（参考例１）
フラーレンＣ６０の記録層を膜厚１５ｎｍに成膜する以外は、実施例１と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、未記録状態で信号にノイズが乗っており、そこに記録を施しても良好な信号は確認できなかった。１５ｎｍまで薄くなると均一な連続膜ができなかったためと思われる。
結果を表１にまとめる。
【００７３】
（参考例２）
フラーレンＣ６０の記録層を膜厚６５ｎｍに成膜する以外は、実施例１と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、ピット間の熱干渉の影響が大きく良好なピットが形成されなかった。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、２ＴＣＮＲ＝３８ｄＢであり、短ピットの熱干渉によるピットの潰れを確認した。２Ｔ変調度も０．１５以下であった。
【００７４】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの８Ｔ相当の評価試験を行ったところ、短ピット挙動とは異なり、良好にピットが形成された。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、８ＴＣＮＲ＝６０ｄＢ、変調度＝０．８５であった。結果を表１にまとめる。
【００７５】
（実施例４）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ、溝幅：０．３３μｍ、溝深さ：５０ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ０．６ｍｍ  の円盤状の基板上に真空蒸着法で直接、実施例１で使用されたものと同様のフラーレンＣ６０を蒸着して、厚さ４０ｎｍ  となるように記録層を成膜した。この記録層の上には特に反射層、保護層等は設けずにエアーオープン系とし、エアーギャップ５００μｍのスペーサーリングで内外周に挟み同一基板をダミー板として用いたエアーサンドイッチ構造の光記録媒体を作成した。
【００７６】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、実施例１と同様に評価試験を行った。波長４０５ｎｍ、開口数０．６５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速５．３ｍ／ｓにて１−７ＲＬＬの２Ｔ相当（最小ピット長＝０．２３μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にてグルーブ（溝中）へ記録を実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１２ｍＷで、２ＴＣＮＲ＝５０ｄＢ、変調度＝０．２３と極めて良好な結果が観測された。
【００７７】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、１−７ＲＬＬの８Ｔ相当（ピット長＝０．９２μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１０ｍＷで、８ＴＣＮＲ＝５９ｄＢ、変調度＝０．７６と非常に良好な結果が観測された。
【００７８】
（実施例５）
フラーレンＣ６０の記録層を膜厚２５ｎｍに成膜する以外は、実施例４と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例４と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝９ｍＷの時の信号品位は、２ＴＣＮＲ＝５２ｄＢと良好なものであった。
【００７９】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの８Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝９ｍＷの時の信号品位は、８ＴＣＮＲ＝５９ｄＢと良好なものであった。結果を表１にまとめる。
【００８０】
（参考例３）
フラーレンＣ６０の記録層を膜厚６５ｎｍに成膜する以外は、実施例４と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例４と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、厚膜のためにピット間の熱干渉の影響が大きくでてしまい、良好なピットが形成されなかった。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１０ｍＷの時の信号品位は、２ＴＣＮＲは４０ｄＢ以下であった。これは短ピットの熱干渉により正常な測定が出来なかったためと思われる。
【００８１】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの８Ｔ相当の評価試験を行ったところ、厚膜のためにピット間の熱干渉の影響が大きくでてしまい、良好なピットが形成されなかった。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１０ｍＷの時の信号品位は、８ＴＣＮＲ＝４５ｄＢであった。結果を表１にまとめる。
【００８２】
（実施例６）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４  μｍ、溝幅：０．３３μｍ、溝深さ：１００ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ０．６ｍｍ  の円盤状の基板上に、実施例１と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、２ＴＣＮＲ＝４９ｄＢと良好なものであった。
【００８３】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの８Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、８ＴＣＮＲ＝５１ｄＢと良好なものであった。結果を表１にまとめる。
【００８４】
（参考例４）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４  μｍ、溝幅：０．３３μｍ、溝深さ：１７０ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ０．６ｍｍ  の円盤状の基板上に、実施例７と同様の方法で光記録媒体を作成した。以上のようにして作成された光記録媒体について、実施例１と同様に１−７ＲＬＬの２Ｔ相当の評価試験を行ったところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、２ＴＣＮＲ＝３９ｄＢと振幅が減少した。
【００８５】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、実施例７と同様に１−７ＲＬＬの８Ｔ相当の評価試験を行ったところ、信号波形に大きな歪みが顕在化した。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷの時の信号品位は、８ＴＣＮＲ＝４６ｄＢと良好なものではなかった。結果を表１にまとめる。
【００８６】
（実施例７）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ、溝幅：０．３３μｍ、溝深さ：５０ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ０．６ｍｍ  の円盤状の基板上に、真空蒸着法で直接、実施例１で使用されたものと同様のフラーレンＣ６０を蒸着して、厚さ４０ｎｍ  となるように記録層を成膜した。その後、該記録層上に無機ＳｉＯ２膜を徳田製作所製スパッタ装置（ＣＦＳ−８ＥＰ）を用いて膜厚２５ｎｍで成膜して光記録媒体を作製した。その上に実施例１と同様に反射層保護層は設けた媒体構造とした。
【００８７】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、実施例１と同様に評価試験を行った。波長４０５ｎｍ、開口数０．６５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速５．３ｍ／ｓにて１−７ＲＬＬの２Ｔ相当（最小ピット長＝０．２３μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にてグルーブ（溝中）へ記録を実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷで、２ＴＣＮＲ＝４５ｄＢとぎりぎりではあるが、どうにか媒体に耐えうる評価結果が観得られた。
【００８８】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、１−７ＲＬＬの８Ｔ相当（ピット長＝０．９２μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１５ｍＷで、８ＴＣＮＲ＝５８ｄＢと良好な結果が観測された。信号評価結果を表１にまとめる。
【００８９】
（参考例５）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ、溝幅：０．３３μｍ、溝深さ：５０ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ０．６ｍｍ  の円盤状の基板上に、無機ＳｉＯ２膜を徳田製作所製スパッタ装置（ＣＦＳ−８ＥＰ）を用いて膜厚２５ｎｍで成膜した後、真空蒸着法で、実施例１で使用されたものと同様のフラーレンＣ６０を蒸着して、厚さ４０ｎｍ  となるように記録層を成膜した。その後、該記録層上に無機ＳｉＯ２膜を徳田製作所製スパッタ装置（ＣＦＳ−８ＥＰ）を用いて膜厚２５ｎｍで成膜し、フラーレン記録膜をサンドイッチ構造で挟みこんだ。更に、その上に実施例１と同様に反射層保護層を設けた光記録媒体を作製した。
【００９０】
実施例１と同様に評価試験を行った。波長４０５ｎｍ、開口数０．６５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速５．３ｍ／ｓにて１−７ＲＬＬの２Ｔ相当（最小ピット長＝０．２３μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にてグルーブ（溝中）へ記録を実施したところ、変調度が小さくなり波形も大きく歪んだ。
【００９１】
さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１２ｍＷで、２ＴＣＮＲ＝３９ｄＢ、変調度も０．１５以下と大きく特性が悪化した。
【００９２】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、１−７ＲＬＬの８Ｔ相当（ピット長＝０．９２μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝１２ｍＷで、８ＴＣＮＲ＝４０ｄＢ、変調度も０．６以下と出力が不充分であった。信号評価結果を表１にまとめる。
【００９３】
（実施例８）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１５μｍ、溝深さ：３５ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ１．１ｍｍ  の円盤状の基板上に、バルザス製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いて銀をスパッタし、厚さ７０ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴンガスを用いた。さらに反射層の上には、
真空蒸着法で、実施例１で使用されたものと同様のフラーレンＣ６０を蒸着して、厚さ３０ｎｍ  となるように記録層を成膜した。その後、該記録層上に無機ＳｉＯ２膜を徳田製作所製スパッタ装置（ＣＦＳ−８ＥＰ）を用いて膜厚２５ｎｍで成膜し、その上に、三井化学製エポキシ系ＵＶ硬化樹脂ＸＴ−２０００を膜厚１００μｍに制御して塗工しＵＶ硬化させた光記録媒体を作製した。
【００９４】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、波長４０５ｎｍ、開口数０．８５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速５．３ｍ／ｓにて１−７ＲＬＬの２Ｔ相当（最小ピット長＝０．１７μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて、上記のＵＶ硬化樹脂側からオングルーブへの記録を実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．３ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝６ｍＷで、２ＴＣＮＲ＝４７ｄＢ、変調度＝０．２０が得られた。
【００９５】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、１−７ＲＬＬの８Ｔ相当（ピット長＝０．６８μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝６ｍＷで、８ＴＣＮＲ＝５５ｄＢ、変調度＝０．７８と良好な結果が観測された。信号評価結果を表１にまとめる。
【００９６】
（実施例９）
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１５μｍ、溝深さ：３５ｎｍ）を有する外径１２０ｍｍ  φ、厚さ１．１ｍｍ  の円盤状の基板上に、直接、真空蒸着法で、実施例１で使用されたものと同様のフラーレンＣ６０を蒸着して、厚さ３０ｎｍ  となるように記録層を成膜した。その後、該記録層上に無機ＳｉＯ２膜を徳田製作所製スパッタ装置（ＣＦＳ−８ＥＰ）を用いて膜厚２５ｎｍで成膜し、その上に、三井化学製エポキシ系ＵＶ硬化樹脂ＸＴ−２０００を膜厚１００μｍに制御して塗工しＵＶ硬化させた光記録媒体を作製した。
【００９７】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、波長４０５ｎｍ、開口数０．８５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速５．３ｍ／ｓにて１−７ＲＬＬの２Ｔ相当（最小ピット長＝０．１７μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて、上記のＵＶ硬化樹脂側からオングルーブへの記録を実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．３ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝６ｍＷで、２ＴＣＮＲ＝４５ｄＢが得られた。
【００９８】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、１−７ＲＬＬの８Ｔ相当（ピット長＝０．６８μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝６ｍＷで、８ＴＣＮＲ＝４８ｄＢと良好な結果が観測された。信号評価結果を表１にまとめる。
【００９９】
（実施例１０）
実施例１で作製した光記録媒体に対して、波長６５０ｎｍ、開口数０．６０の赤色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速３．５ｍ／ｓにてＥＦＭ＋の３Ｔ相当（最小ピット長＝０．４０μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて、上記のＵＶ硬化樹脂側からオングルーブへの記録を実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．３ｍＷ、線速３．５ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝２４ｍＷで、２ＴＣＮＲ＝５２ｄＢが得られた。
【０１００】
引き続いて、同じ光学ピックアップを用い、１−７ＲＬＬの８Ｔ相当（ピット長＝１．８７μｍ）でのＯＮ・ＯＦＦ繰り返し信号をパルストレーン型の記録ストラテジー条件にて実施したところ、良好にピットが形成され記録できた。さらに、その記録部位を同じ光学ピック（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速５．３ｍ／ｓ）で再生した結果、記録レーザーパワー＝２４ｍＷで、１４ＴＣＮＲ＝５８ｄＢと良好な結果が観測された。信号評価結果を表１にまとめる。
【０１０１】
（実施例１１）
実施例１０で記録した光記録媒体に対して、波長４０５ｎｍ、開口数０．６５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機（ＰＵＬＳＴＥＣ  ＤＤＵ１０００（Ｂｌｕｅ））により、線速３．５ｍ／ｓにて記録部位を再生トレースした（再生パワー＝０．７ｍＷ、線速３．５ｍ／ｓ）結果、３ＴＣＮＲ＝５５ｄＢ、１４ＴＣＮＲ＝６０ｄＢと十分に良好な結果が観測された。  信号評価結果を表１にまとめる。
【０１０２】
【発明の効果】
本発明によれば、レーザー光照射により、記録層と隣接する層または透明基板に熱変形及び／あるいは熱変性を伴った良好な記録ピットが形成されるため、信号振幅の獲得が容易であり、且つ、長期保存信頼性に優れた記録媒体の提供を可能とした。透明基板上に分解温度の極めて高い堅牢なフラーレン系骨格を主成分とした記録層を選択することにより、高密度光記録媒体として非常に注目されている波長３９０  〜７００ｎｍのレーザーを有する光学ヘッドを用いて、記録・再生可能な光情報記録媒体を提供することが可能となる。
【０１０３】
【表１】
2004259406.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【  図１  】本発明の光記録媒体の一構成例を示す模式図である。
【  図２  】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【  図３  】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【  図４  】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【  図５  】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【  図６  】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【  図７  】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【  図８  】本発明の光記録媒体の信号のアイパターンを示す図である。
【  図９  】記録後の基板ピットの物理変形痕を示す写真である。
【  符号の説明】
１  ：基板、              ２  ：記録層、            ３  ：反射層、      ４  ：保護層
５  ：接着層、          ６  ：透明保護層、            ７  ：スペーサー
８  ：ダミー基板、    ９  ：光透過層（シート）、        １１  ：基板
１２  ：記録層、        １３  ：反射層、                        １４  ：保護層
１５  ：ダミー基板層、    １１  ’：支持基板、              １２  ’：記録層
１３  ’：反射層、              １４  ’：透明保護層、          １５  ’：光透過層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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