(57)【要約】【課題】直接変調で半導体レーザを駆動し、静電潜像形成により濃度を表現する手段において、バイアス量をデータにより可変し、低濃度情報を広く確保する。【解決手段】入力データを半導体レーザの発光時間に変換する手段において、前記入力データにより前記半導体レーザの駆動を制御する手段と、前記駆動を制御する手段により前記半導体レーザに電流を注入する手段と、前記半導体レーザに直接電流を注入するバイアス電流出力手段と、前記半導体レーザの出力をモニタする手段と、前記モニタ手段により前記半導体レーザの光量を制御する手段と、前記入力データにより前記バイアス電流出力手段を制御する入力データ平均値化処理手段を備え、前記入力データ平均値化処理手段はデータのＨ期間に比例して前記バイアス電流を減少させる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力データを半導体レーザの発光時間に変換する手段において、前記入力データにより前記半導体レーザの駆動を制御する手段と、前記駆動を制御する手段により前記半導体レーザに電流を注入する手段と、
前記半導体レーザに直接電流を注入するバイアス電流出力手段と、前記半導体レーザの出力をモニタする手段と、前記モニタ手段により前記半導体レーザの光量を制御する手段と、前記入力データにより前記バイアス電流出力手段を制御する入力データ平均値化処理手段を備え、前記入力データ平均値化処理手段はデータのＨ期間に比例して前記バイアス電流を減少させること、
を特徴とする半導体レーザ駆動装置。
【請求項２】
前記半導体レーザ駆動装置において、前記入力データと前記半導体レーザの駆動を制御する手段との間に、前記入力データを遅延する遅延手段を備え、前記遅延回路の遅延時間は前記平均値化処理手段により生じる遅延時間と相関した時間であること、
を特徴とする請求項２記載の半導体レーザ駆動装置。
【請求項３】
前記半導体レーザ駆動装置において、前記半導体レーザからの出力光を所望の光量となる第１の光量Ｐ１を決定する第１の電流Ｉ１と、第２の光量Ｐ２を決定する第２の電流Ｉ２と、電流Ｉ１と電流Ｉ２から相関電流を決定する手段を備え、前記相関電流を第３の電流Ｉ３とし、前記光量Ｐ２は前記光量Ｐ１の１／ｎ（ｎ＞１）となるように前記第２の電流Ｉ２を決定し、前記電流Ｉ２から前記相関電流Ｉ３を減算する手段を備え、前記第３の電流Ｉ３は前記入力データ平均値化処理手段により制御されること、
を特徴とする請求項１、２記載の半導体レーザ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電潜像プロセスを形成する複写機及びレーザビームプリンタ（以下ＬＢＰと称する）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
（ＬＢＰ、複写機の説明）
図９に従来の半導体レーザ駆動装置Ａを用いた電子写真の静電潜像プロセスの１例を示したものである。図中のフォトダイオード２はレーザ光源としての半導体レーザ１の出力する光量のモニタリングを行う。光量制御部ＡＰＣ１７はモニタされた光量に基づいて半導体レーザ１への印可電流を制御し、フォトダイオードからの出力が所望の値になるように制御する。
【０００３】
ポリゴンミラー１０は半導体レーザ２から照射されたレーザビームを偏光するためのものであり、モータ軸に固定されて図中矢印方向へ回転を行い、感光ドラム１２上にレーザビームを走査する。ｆ−θレンズ１１は偏光されたレーザビームを感光ドラム１２上に集光するものである。
【０００４】
受光ダイオードからなるビームディテクタ１３はレーザビームにより感光ドラム１２上の情報書き込み開始位置を検出し、水平同期信号発生回路１４はビームディテクタの出力に基づいて水平同期信号Ｈｓｙｎｃを発生する。
【０００５】
ブランキング回路１５は、水平同期信号に基づいて、次にビームディテクタ１３がレーザビームを検出すべきタイミングで半導体レーザ２をオンさせるアンブランキング信号ＵＮＢＬを発生し、これをオア回路１２に供給する。
【０００６】
光量制御信号発生源１７は画素変調データ発生源１６より発生する画素変調データに基づいて、水平同期信号Ｈｓｙｎｃに同期して発生された画素クロックに同期してパルス幅変調された信号を発生する。
【０００７】
オア回路１２には画素変調回路から供給されるパルス幅変調された画像信号も入力される。オア回路１２からの出力がレーザドライバ４１に与えられ、これにより前記光量制御ＡＰＣ１７によって設定された印可電流が半導体レーザ１に供給される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体レーザ駆動装置は以下に示す課題をもっている。
（レーザダイオードの応答特性）
発光遅延特性
レーザダイオードの光出力は、注入電流を変化させると追随して変化する特性を持っている。しかし、発光ダイオードとはその振る舞いが違い、発光ダイオードでは活性層内にたまる注入キャリア密度の変化に応じて光出力は変化するが、レーザダイオードでは、しきい注入キャリア密度に達しなければレーザ光は発生しない。このためレーザ光の発生には遅れ時間が存在する。
【０００９】
図１０は半導体レーザーに入力する注入電流と、半導体レーザ内の活性層内のキャリアと光子の密度の時間的変化を示したものである。
【００１０】
レーザダイオードに時間的に変化する電流（電流密度Ｊ）が加えられた時の光出力Ｐの時間的変化は、注入キャリア密度ｎと光子密度ｎｐｈの時間的変化により求めることができる。最も単純で理想的なレーザダイオードの注入キャリア密度と光子密度の時間的変化は、次式のレート方程式で与えられることが分かっている。
【外１】
2004014754.tif 000003
【００１１】
注入キャリアの時間的変化は、注入によって増加する割合Ｊ／ｑｄと、誘導放出で失われる割合Ｇ（ｎ）ｎｐｈ及び自然放出で失われる割合ｎ／τｎとで定められる。
【００１２】
光子密度の時間的変化は、誘導放出で増加する割合Ｇ（ｎ）ｎｐｈと、光子のライフタイムτｐｈで失われる割合ｎｐｈ／τｐｈ及び自然放出光の中でレーザ発振モードへ入り込む割合βｓｐ＊ｎ／τｎとで定められる。Ｇ（ｎ）ｎｐｈ項がレーザ放出で使われるキャリアと光子の割合であり、この項がなければ、発光ダイオードのレート方程式と等価である。
【００１３】
▲１▼式より、ｔ＝０で、ｎ＝ｎｂ＝τｎ＊Ｊｂ／ｑｄ及びｎ＝ｎｔｈ＝τｎＪｔｈ／ｑｄの初期条件をもとに発光遅延時間ｔｄを求めると、▲４▼式が得られる。
【外２】
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【００１４】
▲４▼式よりレーザ駆動電流がいかに理想的であったとしても発光遅延は必ず存在する。
【００１５】
残留キャリア特性
定常状態（レーザ発光状態）の後、瞬時にパルス電流を遮断した時は、立ち上り時と同様▲２▼、▲３▼式を解くことによって注入キャリアと光子密度の時間的変化を求めることができる。Ｊｂ＜Ｊｔｈでは、Ｇ（ｎ）ｎｐｈが大きい時は、ｎは急速に低下し、その結果ｎｐｈも急速に低下する。ｎｐｈ＝０すなわち、誘導放出状態から自然発光状態に遷移してからは、ｅｘｐ（−ｔ／τｎ）の減衰曲線でキャリア密度ｎはｎｂにむかう。このため、レーザ光がなくなってからも、注入キャリア密度ｎは時定数τｎをもって、発光ダイオードのように緩やかに減衰する。また、Ｊｂ＞Ｊｔｈの時はｎ、ｎｐｈは減衰振動しながらＪｂで定まるｎｂ（＝ｎｔｈ）、ｎｐｈｂに近づく。
【００１６】
図４は上述の半導体レーザに起因する問題点を解決した従来例である。
【００１７】
図４において入力データはＡＣ変調回路２７に入力し、ピーク変調電流Ｉｐで半導体レーザ１を変調する。半導体レーザ１の光出力の１部はモニタ光としてフォトダイオード２に入力され光強度に応じた電流を出力し、電流−電圧変換器２６に入力され、電圧信号に変換される。その出力はＡＣモニタ３４、ならびにＤＣモニタ３７に同時に入力する。ＡＣモニタ３７は電流−電圧変換器２６の電圧変動成分を出力し、レベル識別回路３３に入力される。ＤＣモニタは同じく電流−電圧変換器２６の平均値を出力し差動増幅回路３８に入力される。レベル識別回路３３入力信号を２値化し論理レベルとして出力する回路である。レベル識別回路３３の出力は入力データと共に立上り遅延検出回路３２及び立下がり遅延検出回路３５に入力される。立上り遅延検出回路３２及び立下がり遅延検出回路３５は入力データを基準にレベル識別回路３３の出力信号の反転タイミングの遅延を検出し、遅延量に比例した電圧信号を出力する。立上り置換検出回路３２の出力は加算器３１において直流のオフセット電圧Ｖｂを加えられる。この目的は半導体レーザ１の光出力の立上りに一定の遅延時間を与える為である。両方の遅延検出回路３２，３５の出力は差動増幅器３０に入力する。この差動増幅器３０は半導体レーザ１の発光時間と入力データの発光時間との時間的な長さの差を出力する。差動増幅器３０の出力はフィルタ２９を通してバイアス電流源２８に入力されバイアス電流Ｉｐの値を制御する。具体的には差動増幅器の出力が大きくなるとバイアス電流Ｉｐの値を大きくするように制御する。
【００１８】
一方、ＤＣモニタ回路３７の平均値出力は入力データをＬＰＦ３６により平均値化された値とともに差動増幅器３８に入力される。この差動増幅器３８では入力データの直流あるいはそれに近い成分と、ＤＣモニタ３７によって得られた平均値出力成分とが比較され、比較結果がフィルタ３９を通してバイアス電流源４０に入力され電流値Ｉｂを制御する。このバイアス電流源４０ではＤＣモニタ３７の出力がＬＰＦ３６を上回ると、ＡＣ変調回路２７に入力するバイアス電流を抑制する。
【００１９】
この方式においては光出力のピーク値を一定にするＡＰＣ回路と光モニタ波形のレベル識別出力の立上り遅延時間と立下がり遅延時間の差を一定にするように直流バイアス電流Ｉｂ及び変調電流Ｉｐを制御することにより半導体レーザの微分効率の変動及びしきい値の変動に対して常に消光比劣化の少なく、光出力のピーク値の変動や波形劣化の少なくすることができる。
【００２０】
（画像における問題）
図１１は図９に示した感光ドラム６上の表面電位を示したものである。半導体レーザから発せられる光子エネルギーは感光ドラム上にそのエネルギーの積分で帯電されるが、表面電位は図１０に示すようにローパス性が高く非常に緩やかな山状の分布になる。後に帯電されたトナーが付着するが、レーザを照射した部分以外にも電位が生じ、トナーの付着する確率が少なからず存在する。この電位分布はレーザを照射しない場合においてもバイアス電流を半導体レーザのしきい値以下に設定した状態における自然発光状態による影響も寄与される。
【００２１】
上述した感光ドラム上における問題は、図４に示す従来例では入力データパルスに対し光出力の駆動時間が等しくなるようにバイアス電流は制御されているので、図１１のようにある間隔を隔てて半導体レーザをＯＮ、ＯＦＦし、濃度を表現しようとすると、図１１の（Ａ）（Ｂ）におけるエネルギー差ΔＥ１及びΔＥ２の濃度データに対する変化率は低濃度領域において高くなってしまう。故に、低濃度情報を広く確保することができないことを意味する。人間の視覚における濃度の識別能力は濃い濃度より薄い方向に対し敏感であり、薄い濃度をいかに細かく再現できるかにより画像の良し悪しが左右されてしまう。
【００２２】
上記の問題は数画素を単位に濃度を表現するディザ法において、画素数を大きくし、その結果ドットを大きくすることによって細かい階調を再現させることは画像処理上広く実施されている。しかしながら、ドットを大きくする行為は画像の解像度を劣化させることを意味し、解像度と階調とのバランスを保つような画像処理技術をソフト的に処理するには限界がある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を下記に示す手段をもって解決したものである。
【００２４】
（手段１）
入力データを半導体レーザの発光時間に変換する手段において、前記入力データにより前記半導体レーザの駆動を制御する手段と、前記駆動を制御する手段により前記半導体レーザに電流を注入する手段と、前記半導体レーザに直接電流を注入するバイアス電流手段と、前記半導体レーザの出力をモニタする手段と、前記モニタ手段により前記半導体レーザの光量を制御する手段と、前記入力データにより前記バイアス電流手段と前記半導体レーザに電流を注入する手段を制御する入力データ平均値化処理手段を備える。
【００２５】
入力データのＨ期間に比例して前記バイアス電流を減少させ、薄い濃度から濃い濃度にかけてバイアス電流を減少させることで、低濃度情報を広範囲のデータで確保することができる。
【００２６】
−実施例１
（手段２）
前記（手段１）の半導体レーザ駆動装置において、前記入力データと前記半導体レーザの駆動を制御する手段との間に、前記入力データを遅延する遅延手段を備える。
【００２７】
これにより半導体レーザを駆動するデータは、データにより平均値化処理された出力値に対して時間差を生じさせることができる。
【００２８】
−実施例２
（手段３）
前記（手段１）の半導体レーザ駆動装置において、前記半導体レーザからの出力光を所望の光量となる第１の光量Ｐ１を決定する第１の電流Ｉ１と、第２の光量Ｐ２を決定する第２の電流Ｉ２と、電流Ｉ１と電流Ｉ２から相関電流を決定する手段を備え、前記相関電流を第３の電流Ｉ３とし、前記光量Ｐ２は前記光量Ｐ１の１／ｎ（ｎ＞１）となるように前記第２の電流Ｉ２を決定し、前記電流Ｉ２から前記相関電流Ｉ３を減算する手段を備え、前記第３の電流Ｉ３は前記入力データ平均値化処理手段により制御される。
【００２９】
温度特性や経時劣化に対する発光量ずれを補正し安定に制御する。
【００３０】
−実施例３
（実施例１）
図１は、本発明を使用した半導体レーザ駆動装置の第１の実施例を示すものである。入力された画像データは、スイッチ１３及び平均値化処理回路１４に入力される。スイッチ１３の両端はそれぞれ半導体レーザ１および電流源１５，１６に接続される。平均値化処理回路１４の出力は電流源１５に入力され、電流値を制御する。電流源１５は半導体レーザ１にバイアス電流として駆動し、かつ電流源１６からバイアス電流を差分した電流がスイッチ１３がＯＮ状態の時に半導体レーザ１の駆動電流となる。
【００３１】
つまりバイアス電流をＩｂとし、駆動電流をＩｄｒｖとし、半導体レーザ１に流れる電流をＩｍａｘとすると
スイッチ１３がオープンの時：Ｉｍａｘ＝Ｉｂ
スイッチ１３がクローズの時：Ｉｍａｘ＝Ｉｄｒｖ
という式が成り立つ。
【００３２】
半導体レーザ１の光出力の一方はフォトダイオード２に入力された光強度に応じた電流を出力する。
【００３３】
その出力はＡＰＣ回路１７に入力され、光強度が一定になるように電流源１６の電流値を制御する。平均値化処理回路は図１３に１例として抵抗、コンデンサのローパスフィルタを挙げているが、入力されたデータに基づいて平均化された直流電圧値を出力するのが目的であり、この回路に限定されるものではない。また図１のＢにおける半導体レーザ駆動電流制御回路の１例を図５に示す。平均値化処理回路１４の出力Ｖ１はＱ１のトランジスタのベースに入力される。Ｑ１，Ｑ２，Ｒ１，Ｒ２からなる差動増幅器は基準電圧Ｖ２とＶ１とを比較し、可変ＧＭ回路２０の出力電流をＱ３，Ｑ４、抵抗Ｒ３，Ｒ４のカレントミラー回路で折り返された電流の分割比を決定する。その電流はＱ１１，Ｑ１２，Ｒ１０，Ｒ１２とＱ５，Ｑ６及びＲ５，Ｒ６で構成されるカレントミラー回路と、Ｑ１３，Ｑ１４，Ｒ１１，Ｒ１３とＱ７，Ｑ８及びＲ７，Ｒ８で構成されるカレントミラー回路により２分割された電流を折り返し、前者は半導体レーザ１のカソードにバイアス電流として入力され、後者はＱ９，Ｑ１０からなる作動増幅回路のエミッタに入力され、それぞれ入力ＤＡＴＡの作動信号によりスイッチングされ、半導体レーザ１または抵抗Ｒ１２に電流を流すかを決定する。Ｖ１とＶ２の電圧比で、バイアス電流と駆動電流の値を決定する。
【００３４】
ＡＰＣ回路１７はＯＰアンプ２４と基準電圧源ＶＲ１、サンプルホールド回路２５、コンデンサＣ１及び可変ＧＭアンプ２３により構成される。ＯＰアンプ２４の負極側はフォトダイオード２が半導体レーザ１の出力光を電流に変換し、抵抗Ｒ９により電圧値に変換されたものが入力される。正極側は基準電圧ＶＲ１が入力される。ＯＰアンプ２４の出力はサンプルホールド回路２５に入力され、その出力はコンデンサＣ１及び可変ＧＭ回路２３に入力される。
【００３５】
次にＡＰＣ動作について図８（Ａ）のタイミングチャートを用いて説明する。Ｓ／Ｈ信号がＨ、即ち、ＡＰＣサンプル期間中はＢＤＡＴＡの出力がＨの状態で、基準電圧源ＶＲ１とＶｍとを比較し、ＯＰアンプ２４の出力がＶＲ１になるようにサンプルホールド回路がコンデンサＣ１を充放電する。コンデンサＣ１の充放電電圧ＶｃによりＧＭ回路２３の電流を可変し、半導体レーザ１が所望の光量になるように制御する。Ｓ／Ｈ信号がＬ、ＡＰＣホールド期間中はサンプルホールド回路２５はホールド状態になり、コンデンサＣ１の電圧値Ｖｃにより半導体レーザ１に流れる電流は一定に保持される。可変ｇｍアンプ２３は、２つの電圧と１つの基準電流Ｉｏを入力とし、２つの入力電圧の電位差（Ｖｃ−Ｖｒ２）をΔｖｉとしたとき、出力電流Ｉｏｕｔは以下の式で表される。なお、説明を簡単にするために、可変ｇｍアンプのゲインは１とする。
【００３６】
Ｉｏｕｔ＝ｆ（Δｖｉ）・Ｉｏ＝ｋ・Ｉｏ　　　ｋ＝ｆ（Δｖｉ）
ここで、ｋは０≦ｋ≦１の値をとり、以下、制御関数ｋと呼ぶことにする。
【００３７】
電位差Δｖｉが−１〜＋１間で変化した時、制御関数ｋ、出力電流Ｉｏｕｔは、以下のように変化するものとする。なお、上記範囲では、制御関数ｋ、出力電流Ｉｏｕｔは線形に変化しているものとする。
【００３８】
Δｖｉ　＝−１〜０〜＋１
ｋ　＝０〜０．５〜１
Ｉｏｕｔ＝０〜Ｉｏ／２〜Ｉｏ
平均値化処理回路１４の１例を図７に示す。
【００３９】
ＡＰＣホールド期間中において入力データパルスが平均値化処理回路１４に入力されると、抵抗ＲａとコンデンサＣａの時定数により直流的な電圧Ｖ１が出力される。入力データパルスが短い場合出力電圧値は小さく、長い場合は大きくなる。この電圧値はアンプ回路２２ａに入力される。アンプ回路２２ａは図７（Ａ）に示すように入力電圧に比例して電圧Ｖｄまで直線的に変化させる機能を有している。この出力Ｖｏｕｔが図５のｖｉｎ端子に入力され、図１３に示すような電流ＩｂとＩｄｒｖの比を決定する。
【００４０】
この構成にすることによりＶ１電圧が低い場合はバイアス電流は増加し、反対にｖ１電圧が大きい場合にはバイアス電流を減少させることができる。
【００４１】
▲４▼式から、バイアス電流を直線的に減少させた場合、発光遅延は▲４▼式より
バイアス電流Ｉｂ＝Ｉｔｈの時は発光遅延ｔｄ＝０、Ｉｂ＝０の時はｔｄ＝τｎ＊１ｎ（Ｉ／（Ｉ−Ｉｔｈ））までの値を自然対数カーブにより増加することを意味する。よって図１５に示すとおり本案を用いた光パルス幅特性は、バイアス電流をかけた状態Ｉからバイアス電流をかけない状態ＩＩに漸近していく特性が得られる。
【００４２】
（実施例２）
図２は、本発明を使用した半導体レーザ駆動装置の第２の実施例を示すものである。構成としては第１の実施例と同じで相違点についてのみ言及すると、入力データとスイッチ１３との間に遅延回路１８を設けたことである。遅延回路１８の１例として図６に示す。図６はｍ個のフリップフロップをデータと出力とを接続したシフトレジスタ構成になっている。フリップフロップに入力されるクロックは画素クロックである。
【００４３】
次に動作について述べると、入力データは平均値化処理回路１４と遅延回路１８に同時に入力される。双方の出力に関して、バイアス電流を駆動する出力に対し、半導体レーザ１を駆動するデータはＮ画素分遅れて入力される。
【００４４】
（実施例３）
図３は本発明を使用した半導体レーザ駆動装置の第４の実施例を示すものである。第１の実施例との相違点についてのみ言及すると、半導体レーザ１の出力をモニタするフォトダイオード２の出力をＡＰＣ１（１７）とＡＰＣ２（１９）に入力する。ＡＰＣ２（１９）の出力は電流源２１の制御端子に入力される。ＡＰＣ動作を制御するＳ／Ｈ２信号はＡＰＣ２回路に入力されると同時にスイッチ２０の制御端子に接続される。スイッチ１３，２０は制御信号がＨのときにオープンになるものとする。ＡＰＣ１（１７）とＡＰＣ２（１９）の回路構成は同じであるが、ＡＰＣ２（１９）回路はＡＰＣ１で決定される光量の１／ｎ（ｎ＞０）になるように図５に示される基準電圧Ｖｒ１を設定する。平均値化処理回路１８の１例を図７（Ｂ）に示す。
【００４５】
図７（Ａ）の実施例１、２で用いられる平均値化処理回路との相違点は、アンプ回路２２ｂの特性が電圧ｖ１が０の時にはｖｏｕｔは電圧０を出力し、電圧が増加するに従い直線的に増加する特性を持っていることである。この出力電圧ｖｏｕｔにより電流Ｉｂが決定される。動作的にはデータのＨの時間が多ければ多いほど、バイアス電流は増加する構成となっている。
【００４６】
次に半導体レーザ１に流れる電流について説明する。
【００４７】
バイアス電流Ｉｂ＋Ｉｈ、駆動電流Ｉｄｒｖとすると、
スイッチ１３がオープン、スイッチ２０がクローズの時
Ｉｍａｘ＝Ｉｄｒｖ−（Ｉｂ＋Ｉｈ）
スイッチ１３がオープン、スイッチ２０がクローズの時
Ｉｍａｘ＝Ｉｄｒｖ
となる。
【００４８】
次にＡＰＣ動作について図８の（Ｂ）におけるタイミングチャートを用いて説明する。
【００４９】
Ｓ／Ｈ１信号がＨの時、スイッチ１３はオープンの状態になるとする。
【００５０】
半導体レーザ１にはこの時電流Ｉｄｒｖが流れ、この状態においてサンプリングし、目標の光量Ｐ１になるように制御する。次にＳ／Ｈ１信号がＬでＳ／Ｈ２がＨの時に第２のＡＰＣ動作になる。スイッチ２０はこの時オープンの状態になる。半導体レーザ１に流れる電流はＩｍａｘ＝Ｉｄｒｖ−Ｉｈとなり、この時の光量がＡＰＣ１の光量の１／ｎ（ｎ＞０）＝Ｐ２になるように制御する。
【００５１】
Ｓ／Ｈ１、２がＬの時、実際のデータ変調区間になるが、動作は図１４に示すようにデータがＨの時には半導体レーザ１には電流Ｉｄｒｖが印可され、データがＬの時にはＩｄｒｖ−（Ｉｂ＋Ｉｈ）の電流が半導体レーザ１に印可される。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明を使用した場合、以下の効果がある。
【００５３】
（効果１）
図１２に示すように、データのＨ区間が少なければバイアス電流を増加させ、多ければ減少させることにより、図１１のエネルギー差を比較すると、ΔＥ１→ΔＥ１′、ΔＥ２→ΔＥ２′とエネルギー変化率は低濃度領域において緩やかな特性となり、低濃度情報を広く確保でき、良好な画質を得ることができる。
【００５４】
−実施例１
（効果２）
平均値化処理による遅延時間をデータのタイミングを遅延させることによりデータに応じたバイアス電流を正確に合わせられることで更に良好な画質を得ることができる。
【００５５】
−実施例２
（効果３）
２回のＡＰＣ動作により温度変化及び半導体レーザの経時劣化が起こっても光量値を正確に制御することができ、安定な画質を得ることができる。
【００５６】
−実施例３
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例を示した図。
【図２】第２の実施例を示した図。
【図３】第３の実施例を示した図。
【図４】従来例を示した図。
【図５】駆動回路の１例。
【図６】遅延回路の１例。
【図７】平均値化処理回路の１例。
【図８】実施例の動作を示したタイミングチャート。
【図９】ＬＢＰ、複写機の静電潜像部を示した１例。
【図１０】半導体レーザの特性。
【図１１】従来技術における感光体表面電位特性を示した図。
【図１２】本実施例における感光体表面電位特性を示した図。
【図１３】バイアス電流、ドライブ電流特性。
【図１４】第４の実施例の電流−光量特性を示した図。
【図１５】データ−濃度特性。
【符号の説明】
Ａ　半導体レーザ駆動装置
Ｂ　半導体レーザ駆動電流制御回路
１　半導体レーザ
２　フォトダイオード
３　光変調部
４　ポリゴンミラー
５　ｆ−θレンズ
６　感光ドラム
７　光ディテクタ
８　水平同期信号発生源
９　ブランキング回路
１０　画素変調データ発生源
１１　光量制御信号発生器
１２　加算回路
１３　スイッチ
１４　平均値化処理回路
１５　電流源
１６　電流源
１７　ＡＰＣ回路
１８　遅延回路
１９　ＡＰＣ回路
２０　スイッチ
２１　電流源
２２ａ，２２ｂ　アンプ回路
２３　可変ＧＭアンプ
２４　オペアンプ
２５　サンプルホールド回路
２６　電流−電圧変換回路
２７　ＡＣ変調回路
２８　バイアス電流源
２９　フィルタ回路
３０　差動増幅回路
３１　加算器
３２　立ち上り遅延検出回路
３３　レベル識別回路
３４　ＡＣモニタ回路
３５　立下がり遅延検出回路
３６　ＬＰＦ回路
３７　ＤＣモニタ回路
３８　差動増幅回路
３９　フィルタ回路
４０　バイアス電流源
【図１】
2004014754.tif 000005
【図２】
2004014754.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004014754.tif 000011
【図８】
2004014754.tif 000012
【図９】
2004014754.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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