(57)【要約】【課題】取り外すことができる品目と柔軟な部材との間に突起付きプレートを使用することにより、汚染物による変形を軽減すると同時に、また突起付きプレートの背面およびチャックの表面に対する平面要件の厳しさを軽減するリソグラフィ投影装置を提供する。【解決手段】放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望するパターンにより投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備え、さらに、リソグラフィ投影装置用の取り外すことができる品目を保持するための突起付きプレートを保持する少なくとも１つの柔軟な部材を備える少なくとも１つの保持構造を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置であって、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
所望するパターンにより前記投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターン化されたビームを投影するための投影システムとを備え、
さらに、
前記装置用の取り外すことができる品目を保持するための突起付きプレートを保持する少なくとも１つの柔軟な部材を備える少なくとも１つの保持構造を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの柔軟な部材が薄膜を含む、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの柔軟な部材が一対の平行なフラップを備える、請求項１または２に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
各フラップがその縦方向に沿って支持されている、請求項３に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記突起付きプレートが、前記少なくとも１つの柔軟な部材と比較した場合かなり剛性が高い、前記請求項の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
さらに、その面に対して垂直に前記品目の位置を画定するための複数の支持を備える、前記請求項の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
前記支持が、ベッセル点で前記突起付きプレートを支持するように配置されている、前記請求項の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
３つの固定支持を備える、請求項６または７に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
前記支持の中の少なくとも１つが、前記突起付きプレートとの電気接触を行う、請求項６、７または８に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
前記取り外すことができる品目、および前記少なくとも１つの柔軟な部材のうちの少なくとも一方に前記突起付きプレートをクランプするために１つの静電クランプ装置が設置されている、前記請求項の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
放射線の前記投影ビームがＥＵＶ放射線を含む、前記請求項の何れかに記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
前記支持構造および前記基板テーブルのうちの少なくとも一方が、前記少なくとも１つの保持構造を備え、前記取り外すことができる品目がパターニング手段および基板のうちの一方を備える、前記請求項の何れか１項に記載のリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
リソグラフィ投影装置を使用するデバイスの製造方法であって、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
所望するパターンにより前記投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターン化されたビームを投影するための投影システムとを備え、該方法が、
前記支持構造にパターニング手段を供給するステップと、
前記基板テーブルに放射線感知層を供給する基板を供給するステップと、
前記パターニング手段によりパターン化された前記投影ビームで前記基板の目標部分を照射するステップとを含み、
少なくとも１つの柔軟な部材を供給するステップと、
前記少なくとも１つの柔軟な部材上に突起付きプレートを保持するステップと、
前記装置の動作中、前記突起付きプレート上に前記装置用の取り外すことができる品目を保持するステップとを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法により製造したデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持するための支持構造と、基板を保持するための基板テーブルと、基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書において使用する「パターニング手段」という用語は、入射する放射線ビームに、基板の目標部分に形成されるパターンに対応するパターン化された断面を与えるために使用することができる手段を指すものとして広義に解釈されるべきである。「ライト・バルブ」という用語もこの意味で使用することができる。一般的に、上記パターンは、集積回路または他のデバイス（下記の説明を参照）などの目標部分に形成中のデバイスの特定の機能層に対応する。このようなパターニング手段としては下記のものがある。すなわち、
−  マスク。マスクの概念は、リソグラフィにおいて周知のものであり、バイナリ・マスク・タイプ、レベンソン・マスク・タイプ、減衰位相シフト・マスク・タイプおよび種々のハイブリッド・マスク・タイプ等がある。放射線ビーム内にこのようなマスクを置くと、マスク上のパターンにより、マスク上に入射する放射線が選択的に透過（透過性マスクの場合）または選択的に反射（反射性マスクの場合）される。あるマスクの場合には、支持構造は、一般的に、確実にマスクを入射放射線ビーム内の所望する位置に保持することができ、必要に応じて、ビームに対してマスクが移動することができるようなマスク・テーブルである。
−  プログラマブル・ミラー・アレイ。このようなデバイスの一例としては、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス・アドレス可能面がある。このような装置の基本的原理は、（例えば）反射面のアドレスされた領域が入射光を回折光として反射し、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するという原理である。適当なフィルタを使用することにより、反射ビームから上記の非回折光をろ過して回折光だけを後に残すことができる。このようにして、ビームは、マトリックス・アドレス可能面のアドレス・パターンに従ってパターン形成される。プログラマブル・ミラー・アレイの他の実施形態は、それぞれが、適当な集中した電界を加えることにより、または圧電作動手段を使用することにより、軸を中心にして個々に傾斜することができる小さなミラーのマトリックス配置を使用する。ここでもまた、アドレスされるミラーが、アドレスされないミラーとは異なる方向に入力放射線ビームを反射するように、ミラーは、マトリックス・アドレス指定することができる。このようにして、反射したビームは、マトリックス・アドレス指定することができるミラーのアドレス・パターンに従ってパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適当な電子手段により行うことができる。上記両方の状況において、パターニング手段は、１つまたはそれ以上のプログラマブル・ミラー・アレイを備えることができる。本明細書に記載したミラー・アレイのより詳細な情報については、例えば、米国特許第５，２９６，８９１号、および米国特許第５，５２３，１９３号およびＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号およびＷＯ９８／３３０９６号を参照されたい。プログラマブル・ミラー・アレイの場合には、上記支持構造を、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
−  プログラマブルＬＣＤアレイ。このような構造の一例は、米国特許第５，２２９，８７２号に記載されている。すでに説明したように、この場合の支持構造は、例えば、必要に応じて固定式にも移動式にもすることができるフレームまたはテーブルの形で実施することができる。
【０００３】
説明を簡単にするために、本明細書の残りの部分のいくつかの箇所では、マスクまたはマスク・テーブルを含む例について集中的に説明する。しかし、このような例において説明する一般的原理は、すでに説明したように、パターニング手段の広義な意味で理解されたい。
【０００４】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。このような場合、パターニング手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成することができ、このパターンを、放射線感光材料（レジスト）の層でコーティングされた基板（シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、１つまたはそれ以上のダイを含む）に画像として形成することができる。一般的に、１つのウェハは、１回に１つずつ、投影システムにより連続的に照射される隣接目標部分の全ネットワークを含む。１つのマスク・テーブル上に１つのマスクによりパターン形成を行う現在の装置の場合、２つの異なるタイプの機械を区別することができる。リソグラフィ投影装置の１つのタイプの場合には、１回の動作で目標部分上に全マスク・パターンを露光することにより各目標部分を照射することができる。このような装置は、通常、ウェハ・ステッパと呼ばれる。通常、ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる別の装置の場合には、所与の基準方向（「走査」方向）の投影ビームの下で、マスク・パターンを順次走査し、一方この方向に平行または非平行に基板テーブルを同期状態で走査することにより、各目標部分が照射される。一般的に、投影システムは、倍率計数Ｍ（一般的に、１より小さい）を有しているので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度に計数Ｍを掛けたものになる。本明細書に記載するリソグラフィ・デバイスについてのより詳細な情報は、例えば、引用によって本明細書の記載に援用する米国特許第６，０４６，７９２号から入手することができる。
【０００５】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスの場合には、パターン（例えば、マスクにおける）は、放射線感光材料（レジスト）の層で少なくとも一部が覆われている基板上に像形成される。この像形成ステップを行う前に、プライミング、レジスト・コーティングおよびソフト・ベークなどの種々の処理を基板に対して行うことができる。露光後、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよび像形成特性の測定／検査などの他の種々の処理を基板に対して行うことができる。このような一連の処理は、例えば、ＩＣのようなデバイスの個々の層をパターン形成する際の基準として使用される。次に、このようにパターン化された層に対して、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨などの種々のプロセスを行うことができる。これらすべてのプロセスは、個々の層を仕上げるためのものである。いくつかの層が必要な場合には、これらの処理または類似の処理を修正したものを新しい各層に対して行わなければならない。最終的に、デバイスのアレイが基板（ウェハ）上に形成される。次に、これらのデバイスは、ダイシングまたはソーイングのような技術により相互に切り離され、それにより、個々のデバイスをキャリヤ上に装着することもできるし、ピン等に接続することもできる。このようなプロセスに関するより詳細な情報は、１９９７年にマグローヒル出版社より刊行された、Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ著、「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」という名称の書籍（“Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ”）の第３版、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４を参照されたい。
【０００６】
説明を簡単にするために、今後は投影システムを「レンズ」と呼ぶことにする。しかし、この用語は、例えば、屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系を含む種々のタイプの投影システムを含むものと広義に解釈されるべきである。放射線システムは、また、放射線の投影ビームの誘導、成形または制御のためのこれらの設計タイプのうちのどれかにより動作する構成要素を含むこともできる。これらの構成要素も、以下の説明においては、集合的にまたは単独で「レンズ」と呼ぶことにする。さらに、リソグラフィ装置は、２つまたはそれ以上の基板テーブル（および／または２つまたはそれ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものであってもよい。このような「多段」デバイスの場合には、追加テーブルを並列に使用することもできるし、または１つまたはそれ以上のテーブルを露光のために使用している間に、１つまたはそれ以上のテーブル上で準備ステップを実行することもできる。二段リソグラフィ装置については、米国特許第５，９６９，４４１号および国際特許出願第ＷＯ９８／４０７９１号に開示されている。
【０００７】
上記装置においては、マスクおよび基板を、Ｘ、ＹおよびＺ方向およびＸ、ＹおよびＺ軸を中心とする回転方向（Ｒｘ、ＲｙおよびＲｚ方向と呼ぶ）に正確に位置決めすることができるように、マスクおよび基板をそれぞれしっかりと保持（「クランプ」）しなければならない。Ｚ方向は、対象となるマスクまたは基板の面（ＸＹ面を形成する）にほぼ垂直な方向であると定義される。マスクおよび基板に対しては、特にステップアンドスキャン装置においては、その面において非常に大きな加速を行うことができる。また、マスクまたは基板の正確な位置決めを行うためにも、Ｚ方向の比較的高い剛性を必要とする。クランプ装置は、上記加速に耐えるため、また必要剛性を供給するために十分丈夫なものでなければならない。
【０００８】
剛性真空クランプのような従来のクランプ装置は、マスクを変形させる恐れがあるという問題を抱えている。この問題は、マスクおよび真空クランプの一方または両方が完全には平らでないため、またはマスクとクランプとの間に汚染粒子が入り込んでいるために発生する場合がある。マスクまたは基板が変形すると、露光した画像がひずむことになり、このひずみによりオーバーレイ誤差を生じる恐れがある。
【０００９】
変形の問題を軽減するための従来の試みは、例えば、米国特許第５，５３２，９０３号に開示されているようなマスクを支持するために、Ｚ方向に柔軟である薄膜を使用するという方法である。しかし、この方法も薄膜とマスクとの間の汚染粒子の問題および硬度および剛性に欠けているという問題がある。
【００１０】
マスクまたは基板と、チャックと呼ばれる支持構造またはテーブルとの間の汚染の影響を軽減するために、従来はマスクとチャックとの間に突起付きプレートが使用された。突起の先端は、マスクまたは基板が支持される面を形成し、突起間の空間は、マスクまたは基板の面を変形しないで汚染物を収容することができる。しかし、突起付きプレートを使用すると、３つの面、すなわち、突起付きプレートの頂面および底面および、突起付きプレートの底面が保持されるチャックの表面を正確に形成しなければならないという問題が発生する。別の方法としては、チャック上に突起を直接設置するという方法があるが、清掃により突起が損傷する恐れがあり、その場合チャック全体が破損し、突起を交換するのは高いものにつく。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の１つの目的は、上記の問題の少なくとも一部を軽減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
従って、本発明は、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
所望するパターンにより投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備え、
さらに、
装置用の取り外すことができる品目を保持するための突起付きプレートを保持する少なくとも１つの柔軟な部材を備える少なくとも１つの保持構造を備えることを特徴とするリソグラフィ投影装置を提供する。
【００１３】
取り外すことができる品目（パターニング手段または基板のような）と柔軟な部材との間に突起付きプレートを使用すると、汚染物による変形し易さが軽減すると同時に、また突起付きプレートの背面およびチャックの表面に対する平面要件の厳しさが軽減する。
【００１４】
本発明のもう１つの態様は、
放射線の投影ビームを供給するための放射線システムと、
所望するパターンにより投影ビームをパターン化する働きをするパターニング手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置を使用するデバイスの製造方法を提供する。該方法は、
上記支持構造にパターニング手段を供給するステップと、
上記基板テーブルに放射線感知層を供給する基板を供給するステップと、
上記パターニング手段によりパターン化された投影ビームで上記基板の目標部分を照射するステップとを含み、
少なくとも１つの柔軟な部材を供給するステップと、
上記少なくとも１つの柔軟な部材上に突起付きプレートを保持するステップと、
上記装置の動作中、上記突起付きプレート上に装置用の取り外すことができる品目を保持するステップとを特徴とする。
【００１５】
ＩＣ製造時に本発明による装置を使用する場合を、本明細書において具体的にするが、このような装置は、多くの他の可能な用途を有することをはっきりと理解されたい。例えば、本発明の装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造の際に使用することができる。当業者であれば、このような別の用途の場合には、「レチクル」、「ウェハ」または「ダイ」のような用語の代わりに、それぞれ、もっと一般的な用語である「マスク」、「基板」および「目標部分」を使用することができることを理解することができるだろう。
【００１６】
本明細書においては、「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長の）、およびＥＵＶ（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する極紫外線）、およびイオン・ビームまたは電子ビームのような粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射線を含む。
【００１７】
添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。図において、同様の部品は、同様の参照番号を付す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施形態１）
図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ投影装置の略図である。この装置は、
この特定の実施形態の場合には、放射線源ＬＡも含む放射線（例えば、ＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＥｘ、ｉＬと、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダーを備え、品目ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続している第１の対象物テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えば、レジストでコーティングされたシリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダーを備え、品目ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続している第２の対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたはそれ以上のダイを備える）上にマスクＭＡの照射部分を画像形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、ミラー・グループ）を備える。
【００１９】
本明細書で説明するように、上記装置は反射タイプのものである（例えば、反射性マスクを有している）。しかし、一般的にいって、上記装置は、例えば、透過性タイプのもの（例えば、透過性マスクを含む）であってもよい。別の方法としては、上記装置は、上記のようなあるタイプのプログラマブル・ミラー・アレイのような他のタイプのパターニング手段を使用することもできる。
【００２０】
放射線源ＬＡ（例えば、レーザ生成源または放電プラズマ源）は、放射線ビームを生成する。このビームは、直接、または、例えば、ビーム・エクスパンダＥｘのようなコンディショニング手段を通過した後で、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビーム内の輝度分布の（通常、それぞれσアウタおよびσインナと呼ばれる）外部および／または内部の半径方向の広がりを設定するための、調整手段ＡＭを備えることができる。さらに、照明装置は、通常、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯのような種々の他の構成部材を備える。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その横断面内に必要な均一性と輝度分布を有する。
【００２１】
図１の場合、放射線源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に収容することができるが（例えば、放射線源ＬＡが水銀ランプの場合、多くの場合そうであるように）、リソグラフィ投影装置から離れたところに設置することもでき、放射線源ＬＡが発生する放射線ビームは装置内に導入される（例えば、適当な方向づけミラーにより）。この後者のシナリオは、多くの場合、放射線源ＬＡがエキシマ・レーザの場合に使用される。本発明および特許請求の範囲はこれらのシナリオの両方を含む。
【００２２】
その後で、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡを照射する。マスクＭＡを通過した後で、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、レンズＰＬは基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を結ぶ。第２の位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦの助けにより）、例えば、ビームＰＢの経路内の異なる目標部分Ｃに位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために、第１の位置決め手段を使用することができる。通常、対象物テーブルＭＴ、ＷＴの運動は、図１には明示していないロング・ストローク・モジュール（粗位置決め用）、およびショート・ストローク・モジュール（微細位置決め用）の助けを借りて行われる。しかし、ウェハ・ステッパ（ステップ・アンド・スキャン装置とは対照的な）の場合には、マスク・テーブルＭＴは、ショート・ストローク・アクチュエータに単に接続することもできるし、固定することもできる。
【００２３】
図の装置は、下記の２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードの場合には、マスク・テーブルＭＴは、本質的に固定状態に維持され、全マスク画像は、１回で（すなわち、１回の「照射」で）目標部分Ｃ上に投影される。次に、異なる目標部分ＣをビームＰＢで照射することができるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向にシフトされる。
２．走査モードの場合には、所与の目標部分Ｃが１回の「照射」で露光されない点を除けば、本質的には同じシナリオが適用される。代わりに、マスク・テーブルＭＴを、速度ｖで所与の方向（例えば、ｙ方向のような、いわゆる「走査方向」）に移動することができ、その結果、投影ビームＰＢはマスク画像上を走査する。同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、Ｍは、レンズＰＬの（通常、Ｍ＝１／４または１／５である）倍率である。このようにして、解像度を犠牲にしないで比較的広い目標部分Ｃを露光することができる。
【００２４】
図２は、テーブル１２に対してレチクル１０を保持するための、本発明の好ましい実施形態の支持およびクランプ装置の断面図である。レチクル１０は、汚染粒子によるレチクル１０の変形し易さを最低限度に低減する突起付きプレート１４上に保持される。突起付きプレート１４は、例えば、極度に膨張係数が低いガラスまたはガラス・セラミック（例えば、ｚｅｒｏｄｕｒ（商標）、ＵＬＥ）、極度に膨張係数が低いセラミック（例えば、Ｃｏｒｄｉｅｒｉｔｅ）、または膨張係数が低いセラミック（例えば、ＳｉＳｉｃ）から作られ、通常、３ｍｍ〜３０ｍｍの範囲内の厚さを有する。レチクル１０は、任意の適当な手段により突起付きプレート１４に対して保持することができるが、本発明の好ましい実施形態によれば、ＥＵＶ放射線と一緒に使用する場合には、全放射線経路は真空状態であり、そのため、好適には、レチクル１０を一方の電極とし突起付きプレート１４を他方の電極として静電クランプを使用することが好ましい。電圧差が２つの電極間に供給され、均一な静電力が２つの電極を相互に引き寄せる。冷却ガスをレチクル１０の下を通して循環させることもできる。
【００２５】
次に、突起付きプレート１４は、柔軟な部材を構成している薄膜１６上に保持することができる。薄膜１６は、例えば、突起付きプレート１４と同じ範囲の材料から作ることができるが、その厚さは通常０．２ｍｍ〜３ｍｍの範囲内である。この実施形態の場合には、各薄膜１６は、その長さが突起付きプレート１４の一方の縁部の長さとほぼ同じフラップの形をしている。各薄膜１６の一方の縁部は、例えば、機械的クランプまたはボルトによりテーブル１２に固定されていて、他方の縁部は、テーブル１２からカンチレバー状に突き出ている。次に、突起付きプレート１４の２つの縁部は、薄膜１６のカンチレバー状に突き出ている部分と接触する。この場合も、ＥＵＶ放射線と一緒に使用するための好ましい実施形態の場合には、静電クランプが、薄膜１６に対して突起付きプレート１４を保持するために使用される。突起付きプレート１４は一方の電極を形成し、薄膜１６は他方の電極を形成する。その他の実施形態も可能であり、例えば、１つまたは複数の薄膜が突起付きプレートに機械的に接続し、テーブルに静電的にクランプするか、または薄膜を突起付きプレートおよびテーブルの両方に静電的にクランプするか、薄膜を突起付きプレートおよびテーブルの両方に機械的に固定しても良い。
【００２６】
薄膜１６はＺ方向に自由に曲がることができ、すなわち、柔軟であり、そのため、突起付きプレート１４の後面のプロファイルと一致することができ、薄膜１６と突起付きプレート１４とは接触し、そのため、突起付きプレート１４の後面に対する平面要件の厳格さが軽減される。突起付きプレートは、薄膜より大きな剛性を持っているので、薄膜は変形して他の方法ではなく突起付きプレートのプロファイルを収容する。突起付きプレートは、十分な剛性を持っているので、レチクルと接触している頂面は確実に平らになる。
【００２７】
突起付きプレートは動的に支持される。薄膜１６は、例えば、スキャナで加速された場合に、Ｘ、ＹおよびＲｚの位置決めを行い、走査中の加速時にレチクル１０を保持するために、ＸＹ面で必要なクランプ力を供給する。クランプ用のＺ方向に柔軟な薄膜の使用に関しての詳細は、例えば、欧州特許第１，１０７，０６６号を参照されたい。
【００２８】
レチクル１０は、突起付きプレート１４の後面と接触するために、テーブル１２上に設けられているピン１８の形をしている３つの支持でＺ方向に力を加えることにより垂直方向に支持される。３つの接触点は、１つの面を一意に形成し、それ故、突起付きプレート１４およびレチクル１０のＺ、ＲｘおよびＲｙの位置決めを決定する。３つの点は、突起付きプレート１４およびレチクル１０を特定の変形した形に無理に適応させないで両者を支持するために必要な最小の点の数である。好適には、ピン１８は、突起付きプレート１４およびレチクル１０の撓みを最小限度に抑えるベッセル点（Ｂｅｓｓｅｌｌ  ｐｏｉｎｔ）に位置させることが好ましい。そうしたい場合には、１つまたはそれ以上の支持ピン１８を設置することができるが、好適には、このような追加のピンは、Ｚ方向に自由に動くことはできるが、支持ピン１８が支持している全重量の一部を支持するための小さな力でバイアスさせることが好ましい。これらの追加の支持は、好適には、レチクル１０の振動を除去するために振動を抑制するものであることが好ましい。突起付きプレート１４およびレチクル１０の重量の一部も、ピン１８の他に薄膜１６により支持することができる。
【００２９】
突起付きプレート１４は、場合により裏返して使用することができる。その場合には、さらなる重力補正が必要になる。Ｚ方向のこの力は、例えば、突起付きプレートの全面積上、またはピン１８の位置のところだけというように種々の方法で加えることができる。
【００３０】
好ましい実施形態の場合には、１つまたはそれ以上のピン１８が、突起付きプレート１４に対してレチクル１０および薄膜１６を静電クランプする際に使用するための突起付きプレート１４への電気的接続を行うために使用される。突起付きプレート１４は、また、突起付きプレート１４の剛性が平らな状態を維持し、レチクル１０の変形を最小限度に抑えることができるように、ピン１８上に支持されていることによるおよび／または薄膜１６にクランプされていることによるそのすべてのひずみを最小限度に抑えるために比較的厚く作られる。突起付きプレート１４の剛性は、最終的にはピン１８上の力と結びつくレチクル１０内の張力による変形を抑制するために使用することもできる。
【００３１】
本発明の他の実施形態によれば、薄膜１６を図２に示す２つのフラップ以外の形にすることができる。例えば、突起付きプレートの下の連続しているシートのような１枚の薄膜を、薄膜と接触しているかまたは直接突起付きプレートに接触するために薄膜内のアパーチャを貫通しているピン１８と一緒に使用することができる。しかし、時間が経過すると薄膜は変形するので、１枚の薄膜は望ましくない。
【００３２】
今までレチクル１０を保持するための装置について説明してきたが、もちろん、レチクルは、別の形のマスクまたはパターニング手段、またはウェハまたは基板、またはミラーまたはレンズ等のようなリソグラフィ投影装置の任意の光学構成部品のような上記リソグラフィ投影装置の異なる品目であってもよいことを理解されたい。
【００３３】
以上、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は上記以外の方法でも実施することができることを理解することができるだろう。上記説明は本発明を制限するためのものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のある実施形態によるリソグラフィ投影装置である。
【図２】本発明の一実施形態によるマスクを支持し、クランプするための構造の断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  レチクル
１２  テーブル
１４  突起付きプレート
１６  薄膜
１８  支持ピン
【図１】
2004207734.tif 000003
【図２】
2004207734.tif 000004
【外国語明細書】
2004207734000001.pdf