(57)【要約】【課題】半導体装置と回路基板との接合部内へのボイドの残留が防止される半導体装置の実装方法を提供すること。【解決手段】図２に示す半導体装置の実装方法は、上面３１に配線パターン４０が設けられたインターポーザー３０と、これを貫通して形成されたビア３３を介して、配線パターン４０の一部と電気的に接続され、下面３２から突出するバンプ７０とを有する半導体装置１０を、回路基板１に実装する方法であり、回路基板１の端子１２上に導電性ペースト２を供給する第１の工程［Ｓ１］と、半導体装置１０のバンプ７０と、これに対応する回路基板１の端子１２とを、導電性ペースト２を介して接触するよう位置決めする第２の工程［Ｓ２］と、半導体装置１０の上面３１を鉛直下方に向けた状態で、半導体装置１０のバンプ７０および導電性ペースト２を溶融して、対応するバンプ７０と端子１２とを接合する第３の工程［Ｓ３］とを有する。【選択図】　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に配線パターンが設けられた基板と、該基板を貫通して形成された貫通孔を介して、前記配線パターンの一部と電気的に接続され、前記基板の他方の面から突出する端子とを有する半導体装置を、回路基板に実装する半導体装置の実装方法であって、
前記回路基板の端子上に、導電性ペーストを供給する第１の工程と、
前記半導体装置の端子と、これに対応する前記回路基板の端子とを、前記導電性ペーストを介して接触するよう位置決めする第２の工程と、
前記半導体装置の前記一方の面を鉛直下方に向けた状態で、前記半導体装置の端子および前記導電性ペーストを溶融して、対応する前記端子同士を接合する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
前記半導体装置および前記回路基板の姿勢を、前記第２の工程と前記第３の工程とで変化させる請求項１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項３】
前記半導体装置および前記回路基板の姿勢を、前記第２の工程と前記第３の工程とで反転させる請求項２に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項４】
前記半導体装置の端子は、ろう材を主材料として構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【請求項５】
前記導電性ペーストは、粒状のろう材とフラックスとを含む材料で構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【請求項６】
前記ろう材は、半田または鉛フリー半田である請求項４または５に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項７】
前記第３の工程は、前記回路基板を治具により支持した状態で行われる請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【請求項８】
前記治具は、前記半導体装置を支持する支持部を有する請求項７に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項９】
前記支持部は、熱伝導率の低い材料で構成されている請求項８に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１０】
前記半導体装置と前記回路基板とは、それらがほぼ平行となるよう支持される請求項８または９に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１１】
前記第３の工程に先立って、前記半導体装置と前記回路基板とを接着剤により固定する工程を有する請求項１ないし１０のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１２】
前記接着剤は、熱硬化性のものである請求項１１に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１３】
前記接着剤は、２００℃以下の温度で、２０秒以内に硬化する性質を有するものである請求項１２に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１４】
前記半導体装置は、前記他方の面に設けられ、前記半導体装置と前記回路基板との電気的な接続に寄与しない偽端子を有する請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１５】
前記偽端子は、複数設けられている請求項１４に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１６】
複数の前記偽端子は、前記半導体装置の前記基板の外周部付近に設けられている請求項１５に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１７】
前記半導体装置の前記基板は、その平面視形状が四角形をなし、前記偽端子は、前記基板の少なくとも四隅に設けられている請求項１５または１６に記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１８】
前記半導体装置において、前記偽端子と前記端子とは、ほぼ等しい組成の材料で構成されている請求項１４ないし１７のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【請求項１９】
前記第２の工程に先立って、前記回路基板上の前記偽端子に対応する位置にペースト状の固定材を供給し、前記偽端子と前記固定材とを接触させることにより、前記第３の工程における前記回路基板による前記半導体装置の保持力を増大させる請求項１４ないし１８のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【請求項２０】
前記第１の工程において、前記固定材として前記導電性ペーストを供給する請求項１９に記載の半導体装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のパーソナルコンピュータや携帯型通信機器の小型化、高性能化の要求に伴い、それらに実装されるＣＰＵ（中央処理装置）、半導体メモリ、その他の半導体装置の小型化、高集積化の要求が高まっている。
【０００３】
半導体装置の高集積化に伴い、リードフレームを用いた半導体パッケージから、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）型やＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　ＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージへの移行が急速に進展している。
【０００４】
これらの半導体パッケージは、接続端子を増やすことが容易であり、また、内部配線の引き回し経路も短くなるので高速化の面でも優れたものである。
【０００５】
図９は、半導体パッケージの構成の一例、および、この半導体パッケージの従来の回路基板上への実装方法を説明するための図（拡大縦断面図）である。
【０００６】
図９に示すように、この半導体パッケージ１０Ｚは、一方の面（図９中上面）に配線パターン４０Ｚが設けられたインターポーザー３０Ｚと、このインターポーザー３０Ｚを貫通して形成されたビア３３Ｚを介して、配線パターン４０Ｚの一部と電気的に接続され、インターポーザー３０Ｚの他方の面（図９中、下面）から突出するバンプ７０Ｚとを有している。
【０００７】
また、半導体パッケージ１０Ｚは、インターポーザー３０Ｚの上側に、配線パターン４０Ｚと電気的に接続された半導体チップ（図示せず）が設置されている。
【０００８】
従来、このような構成の半導体パッケージ７０Ｚと回路基板１Ｚとを電気的に接続する場合、次のようにして行われていた。
【０００９】
ここで、回路基板１Ｚは、配線パターン（図示せず）が形成された平板状の基体１１Ｚと、配線パターンに接続された複数の端子１２Ｚとを有している。
【００１０】
＜１＞　まず、回路基板１Ｚの端子１２Ｚ上にペースト２Ｚを供給する。
＜２＞　次に、回路基板１Ｚ上に半導体パッケージ１０Ｚを搭載する（図９中上図）。
【００１１】
＜３＞　次に、バンプ７０Ｚとペースト２Ｚとを溶融して、バンプ７０Ｚと端子１２Ｚとを接合する。このとき、バンプ７０Ｚとペースト２Ｚとが一体化して接合部７２Ｚが形成され、接合部７２Ｚと端子１２Ｚとが接合される（図９中下図）。
【００１２】
ところが、前記工程＜３＞において、溶融状態の接合部７２Ｚ内にボイド（気泡）７１Ｚが発生すると、このボイド７１Ｚは、溶融状態の接合部７２Ｚ内を上方に向かって移動し、その一部は接合部７２Ｚ外に抜け出るが、一部はさらに上方に向かって移動して、凹部であるビア３３Ｚに到達する。ビア３３Ｚに到達したボイド７１Ｚは、接合部７２Ｚ外に抜け出ることができず、接合部７２Ｚが硬化すると、その内部に残留する。
【００１３】
かかるボイド７１Ｚが接合部７２Ｚ内に残留すると、半導体パッケージ（半導体装置）１０Ｚと回路基板１Ｚとの接続不良の原因や、経時的劣化が進み易くなる原因等となるという問題がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体装置と回路基板との接合部内へのボイドの残留が防止される半導体装置の実装方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（２０）の本発明により達成される。
【００１６】
（１）　一方の面に配線パターンが設けられた基板と、該基板を貫通して形成された貫通孔を介して、前記配線パターンの一部と電気的に接続され、前記基板の他方の面から突出する端子とを有する半導体装置を、回路基板に実装する半導体装置の実装方法であって、
前記回路基板の端子上に、導電性ペーストを供給する第１の工程と、
前記半導体装置の端子と、これに対応する前記回路基板の端子とを、前記導電性ペーストを介して接触するよう位置決めする第２の工程と、
前記半導体装置の前記一方の面を鉛直下方に向けた状態で、前記半導体装置の端子および前記導電性ペーストを溶融して、対応する前記端子同士を接合する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【００１７】
（２）　前記半導体装置および前記回路基板の姿勢を、前記第２の工程と前記第３の工程とで変化させる上記（１）に記載の半導体装置の実装方法。
【００１８】
（３）　前記半導体装置および前記回路基板の姿勢を、前記第２の工程と前記第３の工程とで反転させる上記（２）に記載の半導体装置の実装方法。
【００１９】
（４）　前記半導体装置の端子は、ろう材を主材料として構成されている上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【００２０】
（５）　前記導電性ペーストは、粒状のろう材とフラックスとを含む材料で構成されている上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【００２１】
（６）　前記ろう材は、半田または鉛フリー半田である上記（４）または（５）に記載の半導体装置の実装方法。
【００２２】
（７）　前記第３の工程は、前記回路基板を治具により支持した状態で行われる上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【００２３】
（８）　前記治具は、前記半導体装置を支持する支持部を有する上記（７）に記載の半導体装置の実装方法。
【００２４】
（９）　前記支持部は、熱伝導率の低い材料で構成されている上記（８）に記載の半導体装置の実装方法。
【００２５】
（１０）　前記半導体装置と前記回路基板とは、それらがほぼ平行となるよう支持される上記（８）または（９）に記載の半導体装置の実装方法。
【００２６】
（１１）　前記第３の工程に先立って、前記半導体装置と前記回路基板とを接着剤により固定する工程を有する上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【００２７】
（１２）　前記接着剤は、熱硬化性のものである上記（１１）に記載の半導体装置の実装方法。
【００２８】
（１３）　前記接着剤は、２００℃以下の温度で、２０秒以内に硬化する性質を有するものである上記（１２）に記載の半導体装置の実装方法。
【００２９】
（１４）　前記半導体装置は、前記他方の面に設けられ、前記半導体装置と前記回路基板との電気的な接続に寄与しない偽端子を有する上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【００３０】
（１５）　前記偽端子は、複数設けられている上記（１４）に記載の半導体装置の実装方法。
【００３１】
（１６）　複数の前記偽端子は、前記半導体装置の前記基板の外周部付近に設けられている上記（１５）に記載の半導体装置の実装方法。
【００３２】
（１７）　前記半導体装置の前記基板は、その平面視形状が四角形をなし、前記偽端子は、前記基板の少なくとも四隅に設けられている上記（１５）または（１６）に記載の半導体装置の実装方法。
【００３３】
（１８）　前記半導体装置において、前記偽端子と前記端子とは、ほぼ等しい組成の材料で構成されている上記（１４）ないし（１７）のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【００３４】
（１９）　前記第２の工程に先立って、前記回路基板上の前記偽端子に対応する位置にペースト状の固定材を供給し、前記偽端子と前記固定材とを接触させることにより、前記第３の工程における前記回路基板による前記半導体装置の保持力を増大させる上記（１４）ないし（１８）のいずれかに記載の半導体装置の実装方法。
【００３５】
（２０）　前記第１の工程において、前記固定材として前記導電性ペーストを供給する上記（１９）に記載の半導体装置の実装方法。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置の実装方法の好適な実施形態について説明する。
【００３７】
まず、本発明の半導体装置の実装方法を説明する前に、本発明の半導体装置の実装方法により回路基板へ実装される半導体装置の一例について説明する。
【００３８】
図１は、半導体装置の一例を示す縦断面図である。
図１に示す半導体装置１０は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）型またはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージであり、半導体チップ２０と、インターポーザー（基板）３０と、配線パターン４０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０とを有している。
【００３９】
インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００４０】
インターポーザー３０の上面（一方の面）３１には、例えば銅等の導電性金属材料で構成される配線パターン４０が、所定形状で設けられている。
【００４１】
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、複数のビア（スルーホール：貫通孔）３３が形成されている。
【００４２】
各バンプ７０は、それぞれ、各ビア３３を介して、一端（上端）が配線パターン４０の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）３２から突出している。
【００４３】
バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。
【００４４】
このバンプ７０は、ろう材を主材料として構成されているのが好ましい。これにより、バンプ７０と後述する回路基板１の端子１２とを、より容易に接合することができる。
【００４５】
ろう材の具体例としては、例えば、半田、鉛フリー半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
これらの中でも、バンプ７０を構成するろう材としては、半田または鉛フリー半田が好適に用いられる。半田または鉛フリー半田は、導電性に優れかつ比較的低温で溶融する。また、半田または鉛フリー半田は、取り扱いが容易である。なお、鉛フリー半田とは、実質的に鉛を含まないか、または、鉛を含む場合でも、その含有量が極めて少ない半田のことを言う。このように、鉛フリー半田は、鉛を含有しないか、または、その含有量が極めて少ないものであるので、環境上有利である。
【００４７】
また、インターポーザー３０上には、配線パターン４０の一部を覆うように、例えばエポキシ系樹脂等の各種樹脂材料で構成される接合層６０が設けられ、この接合層６０を介して半導体チップ２０がインターポーザー３０上に設置されている。
【００４８】
この半導体チップ２０は、これが有する電極パッド２１と配線パターン４０のうち接合層６０で覆われていない部分が、導電性ワイヤー２２で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ２０と各バンプ７０とが電気的に接続されている。
【００４９】
そして、インターポーザー３０の上面３１側に設けられた各部材は、例えばエポキシ系樹脂等の各種樹脂材料で構成されるモールド部５０により封止されている。
【００５０】
次に、本発明の半導体装置の実装方法について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の半導体装置の実装方法の第１実施形態について説明する。
【００５１】
図２は、本発明の半導体装置の実装方法の第１実施形態を説明するための工程図（縦断面図）であり、図３は、工程［Ｓ３］（第３の工程）における状態の変化を拡大して示す図であり、図４は、工程［Ｓ３］（第３の工程）で使用される加熱炉の一例を示す概略図であり、図５は、工程［Ｓ３］（第３の工程）における加熱のパターンの一例を示す図である。
【００５２】
第１実施形態の半導体装置の実装方法は、導電性ペースト２を回路基板１上に供給する工程（第１の工程）と、半導体装置１０を回路基板１上に搭載する工程（第２の工程）と、半導体装置１０と回路基板１とを接合する工程（第３の工程）とを有している。
【００５３】
［Ｓ１］　回路基板１上への導電性ペースト２の供給
回路基板１は、配線パターン（図示せず）が形成された平板状の基体１１と、配線パターンに接続された複数の端子１２とを有している。
【００５４】
まず、例えば印刷装置（図示せず）等を用いて、スキージＳで導電性ペースト２を掃くことで、メタルマスクＭの開口部により導電性ペースト２を端子１２に選択的に供給する。
【００５５】
この導電性ペースト２としては、種々のものを用いることができるが、粒状のろう材とフラックスとを含むものが好適である。
【００５６】
ろう材を含むことにより、後述する工程［３］において、前記バンプ７０と導電性ペースト２とを、より容易に一体化させて接合部７２を形成することができる。かかる観点からは、特に、粒状のろう材と、バンプ７０を構成するろう材とは同様のもの（ほぼ同一の組成のもの）を用いるのが好ましい。これにより、前記効果がより向上する。
【００５７】
一方、フラックスを含むことにより、端子１２の表面に形成された酸化膜を除去することができるとともに、端子１２の表面を活性化させることもできる。このため、バンプ７０と導電性ペースト２との溶融により形成される接合部７２と端子１２との、すなわち、バンプ７０と端子１２との電気的な接続（導通）を優れたものとすることができる。
【００５８】
導電性ペースト２中のフラックスの含有量は、特に限定されないが、５〜１５ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜１２ｗｔ％程度であるのがより好ましい。フラックスの含有量を前記範囲とすることにより、酸化膜の除去能（除去効率）がより向上するとともに、端子１２の表面の活性化がより確実に生じるようになる。なお、フラックスの含有量が少なすぎると、前記効果が十分に得られない場合があり、一方、前記上限値を超えて多くしても、それ以上の前記効果の向上が期待できないばかりか、フラックスの種類等によっては、導電性ペースト２の粘度が極端に低下する場合がある。
【００５９】
導電性ペースト２は、比較的高粘度なものであるので、半導体装置１０のバンプ７０と、これに対応する回路基板１の端子１２とを、導電性ペースト２を介して位置決めした後、後述する工程［Ｓ３］において、インターポーザー３０の上面３１を鉛直下方に向けた場合でも、一定の時間、回路基板１から半導体装置１０が脱落するのを防止することができる。
【００６０】
［Ｓ２］　回路基板１上への半導体装置１０の搭載
次に、半導体装置１０のバンプ７０と、これに対応する回路基板１の端子１２とを、導電性ペースト２を介して位置決めする。これにより、回路基板１上に半導体装置１０を搭載する。
【００６１】
なお、前記工程［Ｓ１］および［Ｓ２］において、必要に応じて、回路基板１上に半導体装置１０の他、任意の目的の半導体装置を搭載する。
【００６２】
［Ｓ３］　半導体装置１０と回路基板１との接合
次に、半導体装置１０のインターポーザー３０の上面３１を鉛直下方に向けた状態で、回路基板１をパレット（治具）４に設置して、この状態で、以下に説明する本工程［Ｓ３］を行う。
【００６３】
すなわち、前記工程［Ｓ２］の状態から、半導体装置１０および回路基板１０を反転させて（半導体装置１０および回路基板１の姿勢を変えて）、本工程［Ｓ３］を行う。
【００６４】
本工程［Ｓ３］で用いられるパレット４には、回路基板１を支持する回路基板用支持部４１が一体的に形成されており、これにより、回路基板１がパレット４に支持される。
【００６５】
また、このパレット４は、半導体装置１０を支持する半導体装置用支持部４２を有している。これにより、半導体装置１０は、パレット４に支持され、本工程［Ｓ３］（特に、本加熱）を行っている間に、回路基板１から半導体装置１０が脱落するのを確実に防止することができる。
【００６６】
この半導体装置用支持部４２は、その高さが調整可能となっており、また、パレット４には、図示しないが、複数の半導体装置用支持部４２が設けられており、任意の半導体装置に対応が可能とされている。
【００６７】
回路基板用支持部４１および半導体装置用支持部４２の形状は、それぞれ、例えば、ピン状（棒状）、板状、ブロック状（塊状）等とすることができる。
【００６８】
また、パレット４および半導体装置用支持部４２は、それぞれ、熱伝導率の低い材料で構成されているのが好ましい。通常、本工程［Ｓ３］での加熱は、上方（図２中、上側）および／または側方（図２中、図面手前および紙面奥側）から行われるので、パレット４および半導体装置用支持部４２を、熱伝導率の低い材料で構成することにより、この際の熱が半導体装置用支持部４２およびパレット４を介して放熱されるのを抑制することができ、よって、本工程［Ｓ３］の時間の短縮に有利である。
【００６９】
また、このとき、半導体装置１０と回路基板１とは、それらがほぼ平行となるよう支持されるようにするのが好ましい。これにより、後述するバンプ７０と端子１２との接続の際に、形成される各接合部７２と各端子１２との接合状態を均一なものとすることができる。
【００７０】
そして、この状態で、パレット４を、例えば図４に示すような加熱炉５のベルト５１上に設置（載置）する（図２中、最下図参照）。
【００７１】
図４に示す加熱炉５は、コンベア型の加熱炉であり、金属製のベルト５１が、トンネル５２内に収納された加熱部５３の中を移動することにより、パレット４に設置された各部材をパレット４毎、加熱部５３内に移送することができる。
【００７２】
加熱部５３の内壁には、例えば、図示しないヒーターや赤外線照射装置等の加熱手段が設けられており、加熱部５３内の温度を調節することにより、半導体装置１０および回路基板１の加熱が可能となっている。
【００７３】
次に、このような加熱炉５を用いて、図５に示すような加熱パターンで、加熱処理を行う。
【００７４】
Ｉ：まず、加熱部５３に設けられた加熱手段を作動させ、加熱部５３内の温度が予め設定された所定温度±５℃の温度範囲内となるように安定させる。
ＩＩ：次いで、パレット４を載置したベルト５１を移動させることにより、パレット４を加熱部５３内に移送し、前述したろう材が溶融しない程度の温度で一定時間、予備加熱を行う。
【００７５】
この予備加熱を行うことにより、パレット４に設置された各部材の温度を均一にすることができる。
【００７６】
なお、パレット４および半導体装置用支持部４２は、いずれも、前述したように熱伝導率の低い材料で構成され、放熱が抑制されているので、パレット４に設置された各部材の加熱を効率よく行うことができる。
【００７７】
加熱時の昇温速度は、例えば、１００〜１２０℃／分程度とされる。
また、予備加熱における条件は、例えば、１５０〜１７０℃×１〜２分程度とされる。
【００７８】
ＩＩＩ：次いで、加熱部５３内の温度を上昇させ、前述したろう材が溶融する程度の温度で、一定時間、本加熱を行う。
【００７９】
このとき、加熱部５３内の温度の上昇にともない、図３に示すように、バンプ７０および導電性ペースト２は徐々に溶融し、一体化して、溶融状態の接合部７２が形成される。
【００８０】
また、このとき、バンプ７０および導電性ペースト２の溶融により、溶融状態の接合部７２内には、ボイド（気泡）７１が生じる。そして、このボイド７１は、上方（図３中、上側）に向かって移動するが、回路基板１側には、このボイド７１が捕捉される領域（凹部）が存在しないため、効率よく接合部７２から抜け出る。
【００８１】
この本加熱における条件は、例えば、２１０〜２５０℃×２０秒〜１分程度とされる。
【００８２】
ＩＶ：次いで、半導体装置１０および回路基板１の温度を徐々に低下させると、溶融状態の接合部７２は硬化して、各接合部７２と各端子１２とが接合される。すなわち、各バンプ７０と各端子１２とが接合される。なお、このとき、前述のようなことから、各接合部７２内にボイド７１が残留することが防止される。
【００８３】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の実装方法の第２実施形態について説明する。
【００８４】
図６は、本発明の半導体装置の実装方法の第２実施形態を説明するための工程図（縦断面図）である。
【００８５】
以下、第２実施形態の半導体装置の実装方法について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００８６】
第２実施形態の半導体装置の実装方法は、前記工程［Ｓ２］と工程［Ｓ３］との間に、すなわち、前記工程［Ｓ３］に先立って、半導体装置１０と回路基板１とを接着剤により固定する工程［Ｓ２．５］を有しており、それ以外は、前記第１実施形態とほぼ同様である。
【００８７】
［Ｓ１］　回路基板１上への導電性ペースト２の供給
前記実施形態１と同様にして行う。
【００８８】
［Ｓ２］　回路基板１上への半導体装置１０の搭載
前記実施形態１と同様にして行う。
【００８９】
［Ｓ２．５］　半導体装置１０と回路基板１との接着剤による固定
前記工程［Ｓ２］に続き、例えば分注装置（図示せず）等を用いて、ノズルＮから接着剤６を排出して、接着剤６を半導体基板１０と回路基板１との双方に接触するように、回路基板１の所定位置に供給する。
【００９０】
この接着剤６の供給位置は、特に限定されず、半導体装置１０の外周部を囲むようにしてもよいし、半導体装置１０を介して対向する少なくとも２箇所としてもよい。
【００９１】
このように半導体装置１０と回路基板１とを、次工程［Ｓ３］に先立って、接着剤６により固定しておくことにより、次工程［Ｓ３］を行っている間に、回路基板１から半導体装置１０が脱落するのを防止することができる。
【００９２】
このような接着剤は、次工程［Ｓ３］において硬化するもの、すなわち、熱硬化性のものであるのが好ましい。これにより、次工程［Ｓ３］を行っている間に、回路基板１から半導体装置１０が脱落するのをより確実に防止することができる。
【００９３】
かかる観点からは、接着剤としては、比較的低温で容易に固化するのもの、具体的には、２００℃以下の温度で、２０秒以内に（特に、５〜１５秒程度で）硬化する性質を有するものが好ましく、１５０〜１７０℃程度で、２０秒以内に（特に、５〜１５秒程度で）硬化する性質を有するものがより好ましい。次工程［Ｓ３］では、前述したような条件で、予備加熱および本加熱が行われるが、このような性質を有する接着剤は、本加熱に先立って硬化するので、前記効果がより顕著となる。
【００９４】
［Ｓ３］　半導体装置１０と回路基板１との接合
前記第１実施形態と同様にして行う。
【００９５】
なお、本工程［Ｓ３］において、前記第１実施形態のパレット（治具）４を用いることもできるが、本実施形態では、半導体装置１０と回路基板１とが接着剤６により固定されているので、図６に示すように、半導体装置用支持部４２は省略されていてもよい。
【００９６】
このような第２実施形態の半導体装置の実装方法によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００９７】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の半導体装置の実装方法の第３実施形態について説明する。
【００９８】
図７は、本発明の半導体装置の実装方法の第３実施形態を説明するための工程図（縦断面図）であり、図８は、第３実施形態の半導体装置の実装方法に適用される半導体装置の一例を示す平面図である。
【００９９】
以下、第３実施形態の半導体装置の実装方法について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１００】
第３実施形態の半導体装置の実装方法に適用される半導体装置１０は、インターポーザー３０の下面（他方の面）３２に、複数（図８の構成では４つ）のダミー端子（偽端子）Ｄが設けられている。
【０１０１】
これらのダミー端子Ｄは、いずれも、半導体装置１０と回路基板１との電気的な接続に寄与しない端子である。
【０１０２】
各ダミー端子Ｄは、図８に示すように、インターポーザー３０の外周部付近、特に、平面視形状が四角形（正方形または長方形）をなすインターポーザー３０の四隅に設けられている。
【０１０３】
また、ダミー端子Ｄとバンプ７０とは、ほぼ等しい組成の材料で構成されているのが好ましい。これにより、ダミー端子Ｄを半導体装置１０に設けるのに際し、部品点数の削減と製造コストの低減を図ることができる。
【０１０４】
このような構成の半導体装置１０を回路基板１に実装する場合に、第３実施形態の半導体装置の実装方法が適用される。
【０１０５】
［Ｓ１］　回路基板１上への導電性ペースト２の供給
本実施形態では、図７に示すように、回路基板１の端子１２上に導電性ペースト２を供給するとともに、次工程［Ｓ２］において、各バンプ７０と各端子１２とを位置決めした際に、ダミー端子Ｄに対応する位置の回路基板１（基体１１）上に、ダミー端子Ｄの固定材として機能する導電性ペースト２を供給する。
【０１０６】
［Ｓ２］　回路基板１上への半導体装置１０の搭載
次に、半導体装置１０のバンプ７０と、これに対応する回路基板１の端子１２とを、導電性ペースト２を介して位置決めする。これにより、回路基板１上に半導体装置１０を搭載する。
このとき、各ダミー端子Ｄも、導電性ペースト２に接触するようになる。
【０１０７】
本実施形態では、半導体装置１０と回路基板１とが、各バンプ７０および各ダミー端子Ｄと、導電性ペースト２との接触により、位置決めされる。このため、インターポーザー３０の上面３１を鉛直下方に向けた状態における回路基板１による半導体装置１０の保持力が増大する。これにより、次工程［Ｓ３］を行っている間に、回路基板１から半導体装置１０が脱落するのをより確実に防止することができる。
【０１０８】
また、本実施形態の半導体装置１０では、ダミー端子Ｄがインターポーザー３０の外周部付近に設けられていることにより、前記保持力がより向上する。
【０１０９】
特に、４つのダミー端子Ｄが、インターポーザー３０の四隅に設けられているので、半導体装置１０の周方向における前記保持力を均等にすることができ、その結果、前記効果がより効果的に発揮される。
【０１１０】
［Ｓ３］　半導体装置１０と回路基板１との接合
前記第１実施形態と同様にして行う。
【０１１１】
なお、本工程［Ｓ３］において、前記第１実施形態のパレット（治具）４を用いることもできるが、本実施形態では、回路基板１による半導体装置１０の保持力が向上しているので、図７に示すように、半導体装置用支持部４２は省略されていてもよい。
【０１１２】
なお、本実施形態では、ダミー端子Ｄの固定材（ペースト状の固定材）として導電性ペースト２を用いたが、ペースト状の固定材としては、導電性ペースト２に代わり、例えば、前記第２実施形態で挙げたのと同様の接着剤を用いることもできる。
【０１１３】
この場合、前記工程［Ｓ２］に先立って、ペースト状の固定材を前述したような所定位置に供給するようにすればよい。なお、ペースト状の固定材として導電性ペースト２を用いれば、この固定材の供給を、工程［Ｓ１］において行うことができるので、工程数の増加とコストの増大とを防止することができる。
【０１１４】
また、ダミー端子Ｄも、ろう材を主材料として構成されるものに限らず、前記工程［Ｓ３］での加熱に耐え得るものであればよく、例えば、各種セラミックス材料、金属材料、プラスチック材料等を用いることができる。
【０１１５】
また、ダミー端子Ｄの設置数および設置位置も、前記のものに限定されず、例えば、１〜３つ、または、５つ以上であってもよい。なお、５つ以上のダミー端子Ｄを、平面視形状が四角形をなすインターポーザー３０に設ける場合には、少なくとも四隅に設けるようにするのが好ましい。これにより、回路基板１による半導体装置１０の保持力を好適なものとすることができる。
【０１１６】
このような第３実施形態の半導体装置の実装方法によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【０１１７】
以上のようにして、半導体装置１０を回路基板１に実装することにより、各接合部７２内にボイド７１が残留することが防止され、結果的に、半導体装置１０と回路基板１との接続不良や、経時的劣化の進行が防止される。
【０１１８】
以上、本発明の半導体装置の実装方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１１９】
例えば、本発明では、前記第１実施形態〜第３実施形態のうちの、任意の２以上を組み合わせることもできる。
【０１２０】
また、各前記実施形態では、第１の工程（前記工程［Ｓ１］）および第２の工程（前記工程［Ｓ２］）では、半導体装置の基板の一方の面および回路基板の端子を、鉛直上方に向けた状態で行われる場合を示したが、これに限定されず、必要に応じて、鉛直方向に対して所定角度傾斜させた状態で行うようにしてもよい。この場合においても、第３の工程（前記工程［Ｓ３］）では、半導体装置の基板の一方の面を鉛直下方に向けた状態で行われる。したがって、第２の工程と第３の工程とでは、半導体装置および回路基板の姿勢を変化させることになる。
【０１２１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、半導体装置と回路基板との接合部内へボイドが残留することが防止され、その結果、半導体装置と回路基板との接続不良や、経時的劣化の進行が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の実装方法の第１実施形態を説明するための工程図（縦断面図）である。
【図３】工程［Ｓ３］（第３の工程）における状態の変化を拡大して示す図である。
【図４】工程［Ｓ３］（第３の工程）で使用される加熱炉の一例を示す概略図である。
【図５】工程［Ｓ３］（第３の工程）における加熱のパターンの一例を示す図である。
【図６】本発明の半導体装置の実装方法の第２実施形態を説明するための工程図（縦断面図）である。
【図７】本発明の半導体装置の実装方法の第３実施形態を説明するための工程図（縦断面図）である。
【図８】第３実施形態の半導体装置の実装方法に適用される半導体装置の一例を示す平面図である。
【図９】半導体パッケージの構成の一例、および、この半導体パッケージの従来の回路基板上への実装方法を説明するための図（拡大縦断面図）である。
【符号の説明】
１‥‥回路基板　１１‥‥基体　１２‥‥端子　２‥‥導電性ペースト　４‥‥パレット　４１‥‥回路基板用支持部　４２‥‥半導体装置用支持部　５‥‥加熱炉　５１‥‥ベルト　５２‥‥トンネル　５３‥‥加熱部　６‥‥接着剤
１０‥‥半導体装置　２０‥‥半導体チップ　２１‥‥電極パッド　２２‥‥導電性ワイヤー　３０‥‥インターポーザー　３１‥‥上面　３２‥‥下面　３３‥‥ビア　４０‥‥配線パターン　５０‥‥モールド部　６０‥‥接合層　７０‥‥バンプ　７１‥‥ボイド　７２‥‥接合部　Ｄ‥‥ダミー端子　Ｓ・・・スキージ　　Ｍ・・・メタルマスク　　Ｎ・・・ノズル　１Ｚ‥‥回路基板　１１Ｚ‥‥基体　１２Ｚ‥‥端子　２Ｚ‥‥ペースト　１０Ｚ‥‥半導体パッケージ　３０Ｚ‥‥インターポーザー　３３Ｚ‥‥ビア　４０Ｚ‥‥配線パターン　７０Ｚ‥‥バンプ　７１Ｚ‥‥ボイド　７２Ｚ‥‥接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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