(57)【要約】【課題】可視波長域での応答性が比較的均一であり、かつ、電子注入性を与える、有機発光ダイオードデバイスのカソード構造体を提供すること。【解決手段】（ａ）基板、（ｂ）該基板の上に設けられた、導電性材料でできたアノード層、（ｃ）該アノード層の上に設けられた、電場発光材料を含む発光層、（ｄ）該発光層の上に設けられた、アルカリ金属化合物又はその熱分解生成物を含むバッファ層、及び（ｅ）該バッファ層の上に設けられた、該バッファ層と共に電子注入機能を果たすように選ばれた金属又は合金のスパッタ層を含んで成る有機発光ダイオードデバイス。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板、
（ｂ）該基板の上に設けられた、導電性材料でできたアノード層、
（ｃ）該アノード層の上に設けられた、電場発光材料を含む発光層、
（ｄ）該発光層の上に設けられた、アルカリ金属化合物又はその熱分解生成物を含むバッファ層、及び
（ｅ）該バッファ層の上に設けられた、該バッファ層と共に電子注入機能を果たすように選ばれた金属又は合金のスパッタ層
を含んで成る有機発光ダイオードデバイス。
【請求項２】
該アルカリ金属化合物がＲｂＮＯ３、ＣｓＮＯ３、Ｃｓ２ＳＯ４、ＫＩＯ３もしくはＣｓＯＯＣＣＨ３、もしくはそれらの熱分解生成物又はそれらの組合せを含む、請求項１に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項３】
該バッファ層の厚さが０ｎｍより厚く、かつ、１０ｎｍより薄い、請求項２に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項４】
該バッファ層の厚さが０．５ｎｍより厚く、かつ、５ｎｍより薄い、請求項２に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項５】
該金属又は合金がアルミニウムもしくはマグネシウム又はそれらの合金もしくは組合せを含む、請求項１に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項６】
該金属がさらに珪素、スカンジウム、チタン、クロム、マンガン、亜鉛、イットリウム、ジルコニウムもしくはハフニウム又はそれらの合金もしくは組合せを含む、請求項１に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項７】
（ａ）基板、
（ｂ）該基板の上に設けられた、導電性材料でできたアノード層、
（ｃ）該アノード層の上に設けられた正孔注入層、
（ｄ）該正孔注入層の上に設けられた正孔輸送層、
（ｅ）該正孔輸送層の上に設けられた、電場発光材料を含む発光層、
（ｆ）該発光層の上に設けられた電子輸送層、
（ｇ）該電子輸送層の上に設けられた、アルカリ金属化合物又はその熱分解生成物を含むバッファ層、及び
（ｈ）該バッファ層の上に設けられた、該バッファ層と共に電子注入機能を果たすように選ばれた金属又は合金のスパッタ層
を含んで成る有機発光ダイオードデバイス。
【請求項８】
該バッファ層の厚さが０ｎｍより厚く、かつ、１０ｎｍより薄い、請求項７に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項９】
該バッファ層の厚さが０．５ｎｍより厚く、かつ、５ｎｍより薄い、請求項７に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項１０】
該アルカリ金属化合物がＲｂＮＯ３、ＣｓＮＯ３、Ｃｓ２ＳＯ４、ＫＩＯ３もしくはＣｓＯＯＣＣＨ３、もしくはそれらの熱分解生成物又はそれらの組合せを含む、請求項７に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項１１】
該金属又は合金がアルミニウムもしくはマグネシウム又はそれらの合金もしくは組合せを含む、請求項７に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【請求項１２】
該金属がさらに珪素、スカンジウム、チタン、クロム、マンガン、亜鉛、イットリウム、ジルコニウムもしくはハフニウム又はそれらの合金もしくは組合せを含む、請求項７に記載の有機発光ダイオードデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無機バッファ層と、該無機バッファ層の上にスパッタされた金属又は合金の層とを使用する有機発光ダイオードデバイス、及びそのようなデバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機電場発光（ＯＥＬ）デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）とも称され、フラットパネル型表示用途に有用である。この発光デバイスが魅力的である理由は、輝度効率の高い赤色、緑色及び青色が得られるように設計することができ、２〜３ボルトというオーダーの低駆動電圧で動作可能であり、しかも斜めの角度から見ることができることにある。このようにユニークな特性は、アノードとカソードの間に低分子有機材料の薄膜を挟み込んだ多層スタックを含んで成る基本ＯＬＥＤ構造に由来する。Ｔａｎｇらは、譲受人共通の米国特許第４７６９２９２号及び同第４８８５２１１号に、このような構造体を開示している。一般的な電場発光（ＥＬ）媒体は、正孔輸送層（ＨＴＬ）と電子輸送層（ＥＴＬ）との２層構造からなり、各層の厚さは２０〜３０ナノメートル（ｎｍ）程度であることが典型的である。通常、アノード材料は透光性のインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）薄膜担持ガラスであり、これはＯＬＥＤの基板としても働く。カソードは反射性薄膜であることが典型的である。電極材料は、仕事関数を基準に選定される。アノードにはＩＴＯが最もよく使用されるが、これはその仕事関数が高いからである。電子注入用接点には、仕事関数が比較的低いという理由で、Ｍｇ：Ａｇ合金が一般に採用されている。Ａｌ：ＬｉやＬｉＦ／Ａｌのようなリチウム含有合金系接点も、効率的な電子注入性を提供する。このデバイスは、ＥＬ媒体を差し渡して印加される電位差に応じて可視光を放出する。電極間に電位差が印加されると、注入されたキャリヤ（アノード側から正孔、カソード側から電子）がＥＬ媒体中を互いに向けて移動し、それらの一部が再結合することにより発光が起こる。
【０００３】
ＯＬＥＤの製作には蒸着法が採用される。この方法を採用すると、真空室内でＩＴＯガラス基板の上に有機層が薄膜状に蒸着され、次いでカソード層が蒸着される。カソードを蒸着する方法としては、有機層への損傷がないことから、抵抗加熱法又は電子ビーム加熱法による真空蒸着法が最も適当であることが知られている。しかしながら、カソード層の製作にはこうした方法を採用しないことが非常に望ましいであろう。なぜなら、該方法は非効率的であるからである。低コスト製造を実現するためには、ＯＬＥＤ製造に特に適した信頼性があり処理能力の高いことが確立されている方法を採用・開発する必要がある。多くの産業で、薄膜蒸着法の選択肢としてスパッタ法が採用されている。スパッタ法の利点には、コーティングのコンフォーマル性、高密度性及び密着性、サイクル時間の短さ、被覆室の低メンテナンス性、材料使用効率の良さ、等がある。
【０００４】
ＯＬＥＤのカソード層の製作に、スパッタ法のような高エネルギー堆積法は、通常は採用されない。その理由は、有機層に損傷を与え、ひいてはデバイス性能を低下させる虞があるからである。スパッタ法は、高エネルギーの中性子、電子、陽イオン及び陰イオン並びに励起状態からの放出を含む高エネルギーかつ複雑な環境において起こり、その上にカソード層が堆積される有機層を劣化させる可能性がある。
【０００５】
Ｌｉａｏら（Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　Ｌｅｔｔ．　７５，　１６１９　［１９９９］）は、Ｘ線及び紫外光電子分光光度計を使用し、１００　ｅＶのＡｒ＋照射によってＡｌｑ表面に誘発される損傷を調査した。コアレベル電子密度曲線から、Ａｌｑ分子のＮ−Ａｌ結合及びＣ−Ｏ−Ａｌ結合の一部が破壊されたことが示された。価電子帯構造も非常に変化し、金属様導電性表面の形成が示唆されている。このことは、ＯＬＥＤにおいてカソードからＡｌｑ層に電子が注入されたときに無放射消光を引き起こし、さらには電気的短絡をもたらすであろうことを示唆していた。
【０００６】
カソードのスパッタ堆積中、Ａｌｑ表面は、数百ボルトのＡｒ＋衝突を大量に受ける。Ｈｕｎｇら（Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　８６，　４６０７　［１９９９］）が示したように、価電子帯構造はわずか９×１０１４／ｃｍ２の線量で変化する。したがって、Ａｒ雰囲気中でＡｌｑ表面にカソードをスパッタすると、デバイス性能を劣化させることが予想される。
【０００７】
スパッタによる損傷は、堆積変数を適切に選定することにより、ある程度は抑制することができる。ＴＤＫ社のＮａｋａｙａらの欧州特許出願公開第０　８７６　０８６　Ａ２号、同第０　８８０　３０５　Ａ１号及び同第０　８８０　３０７　Ａ２号に、カソードをスパッタ法で堆積する方法が記載されている。複数の有機層を蒸着した後、真空状態をそのまま保ちながら、デバイスを蒸発系からスパッタ室へ移し、そこでカソード層を電子輸送層の上に直接堆積している。カソードは０．１〜２０原子％のＬｉを含むＡｌ合金にＣｕ、Ｍｇ及びＺｒの少なくとも１種を少量追加したものとし、また、場合によっては保護オーバーコートを設けている。このようにバッファ層を設けずに製作されたＯＬＥＤデバイスが、有機層／カソード界面の密着性が良好で、駆動電圧が低く、効率が高く、そしてダークスポットの発生速度が遅いということで、特許請求されている。Ｇｒｏｔｈｅらの西独国特許出願第ＤＥ　１９８　０７　３７０　Ｃ１号に、Ｌｉ含有量の比較的高いＡｌ：Ｌｉ合金であってＭｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｃｕ及びＳｉＣから選ばれた１種以上の追加元素を有するものをスパッタしたカソードが記載されている。いずれの例においてもバッファ層は一切使用されていないが、電場発光が比較的低電圧で得られている。低堆積速度を採用することにより、スパッタによる損傷が抑えられたのかもしれない。スパッタ出力を低下させることにより、有機層が受ける損傷が軽減され得ることは、容易に予測される。しかしながら、出力を低くすると、堆積速度が実用上不可能なほど低くなることがあり、さらにスパッタの利点が減り、或いは、それがなくなることさえある。
【０００８】
カソードを高速スパッタする際の損傷を極力軽減するため、電子輸送層の上に保護コーティングを設けることが有益となり得る。この保護層、別名バッファ層は、有効であるためには強健である必要がある。しかしながら、該バッファ層は、耐プラズマ性を有するだけでなく、デバイスの動作を妨害してはならず、かつ、デバイス性能を維持しなければならない。Ｐａｒｔｈａｓａｒａｔｈｙら（Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　７２，　２１３８　［１９９８］）は、金属を含まないカソードをスパッタ堆積する際に、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）と亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）とからなるバッファ層を適用することについて報告している。該バッファ層は、スパッタ処理中の下部の有機層への損傷を防止した。Ｈｕｎｇら（Ｊ．　Ａｐｐｌ．　Ｐｈｙｓ．　８６，　４６０７　［１９９９］）は、合金系カソードの高エネルギー堆積を可能ならしめるＣｕＰｃバッファ層の適用について開示している。該カソードは低仕事関数成分のＬｉを含有しており、これが該バッファ層中で拡散して、電子輸送層と該バッファ層との間に電子注入層を提供していると考えられている。欧州特許出願第０　９８２　７８３　Ａ２号（Ｎａｋａｙａ　ｅｔ　ａｌ．）に、Ａｌ：Ｌｉ合金のカソードが記載されている。該カソードは、ポルフィリン又はナフタセン系化合物から構築されたバッファ層を電子輸送層とカソードとの間に配置してスパッタすることにより製作された。スパッタ電極を含むデバイスは、駆動電圧が低く、効率が高く、そしてダークスポットの成長が遅くなった。これらどの文献においても高効率デバイスが製造されたことについて述べられているが、スパッタによる損傷をなくしたことについて特許請求しているものはまったくない。
【０００９】
従来技術のデバイス構造の一部の欠点は、異なる色で発光するフルカラーデバイスについて理想的には適さないことである。ＣｕＰｃは、青緑色の波長域での透明性は十分であるが、特に赤色波長域での透明性が実質的に低くなる。フルカラーデバイスにおいて有用となるためには、バッファ層は、相当に均一な透明性を可視波長の全域で示す必要がある。別の望ましくない特徴として、フタロシアニン層のような有機系バッファ層は厚くなりがちで、長い堆積時間が必要となる点もある。
【００１０】
【特許文献１】
米国特許第４７２０４３２号明細書
【特許文献２】
米国特許第４７６９２９２号明細書
【特許文献３】
米国特許第４８８５２１１号明細書
【特許文献４】
米国特許第５６４５９４８号明細書
【特許文献５】
米国特許第５９３５７２１号明細書
【特許文献６】
米国特許第６０２００７８号明細書
【特許文献７】
米国特許第６２０８０７７号明細書
【特許文献８】
欧州特許出願公開第０８７６０８６号明細書
【特許文献９】
欧州特許出願公開第０８８０３０５号明細書
【特許文献１０】
欧州特許出願公開第０８８０３０７号明細書
【特許文献１１】
欧州特許出願公開第０９８２７８３号明細書
【特許文献１２】
西独国特許出願第１９８０７３７０号明細書
【非特許文献１】
Ｌ．Ｓ．　Ｌｉａｏ他，「Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ」，第７５巻，第１１号，　１９９　　　　　９年９月１３日，　ｐ．　１６１９−１６２１
【非特許文献２】
Ｌ．Ｓ．　Ｈｕｎｇ他，「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ」，第８６巻，第８号，　　　　　１９９９年１０月１５日，　ｐ．　４６０７−４６１２
【非特許文献３】
Ｇ．　Ｐａｒｔｈａｓａｒａｔｈｙ他，「Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ」，第７２巻，第１７　　　　　号，　１９９８年４月２７日，　ｐ．　２１３８−２１４０
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、可視波長域での応答性が比較的均一であり、かつ、電子注入性を与える、ＯＬＥＤデバイスにおけるカソード構造体を提供することにある。
本発明の別の目的は、カソード層をスパッタ堆積する際の損傷に対して顕著な保護を与える、ＯＬＥＤデバイスのためのカソード構造体を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、
（ａ）基板、
（ｂ）該基板の上に設けられた、導電性材料でできたアノード層、
（ｃ）該アノード層の上に設けられた、電場発光材料を含む発光層、
（ｄ）該発光層の上に設けられた、アルカリ金属化合物又はその熱分解生成物を含むバッファ層、及び
（ｅ）該バッファ層の上に設けられた、該バッファ層と共に電子注入機能を果たすように選ばれた金属又は合金のスパッタ層
を含んで成る有機発光ダイオードデバイス
において達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下の説明では、有機発光ダイオードデバイスの動作特徴及び各種層の名称を示すものとして頭字語を使用する。参考のためそれらを表１に列挙する。
表１
ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード
ＩＴＯ：インジウム錫酸化物
ＨＩＬ：正孔注入層
ＨＴＬ：正孔輸送層
ＥＭＬ：発光層
ＥＴＬ：電子輸送層
ＮＰＢ：４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
Ａｌｑ：トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム
ＬｉＦ：フッ化リチウム
ＲｂＮＯ３：硝酸ルビジウム
ＣｓＮＯ３：硝酸セシウム
Ｃｓ２ＳＯ４：硫酸セシウム
ＣｓＯＯＣＣＨ３：酢酸セシウム
ＫＩＯ３：ヨウ素酸カリウム
Ａｌ：アルミニウム
Ｍｇ：マグネシウム
【００１４】
ここで図１を参照する。本発明のＯＬＥＤデバイス１００は、基板１０１と、アノード１０２と、正孔注入層（ＨＩＬ）１０３と、正孔輸送層（ＨＴＬ）１０４と、発光層（ＥＭＬ）１０５と、電子輸送層（ＥＴＬ）１０６と、バッファ層１０７と、スパッタされたカソード１０８とを含む。動作させるにあたり、アノード１０２とスパッタ型カソード１０８を導体１１０を介して電源１０９に接続して電流を有機層中に通すと、ＯＬＥＤデバイス１００から発光又はエレクトロルミネセンスが生じる。アノード１０２及びスパッタ型カソード１０８の透光性によって、エレクトロルミネセンスはアノード側からもカソード側からも見ることができる。エレクトロルミネセンスの強度は、ＯＬＥＤデバイス１００を通過する電流の大きさに依存するが、それ自体は、当該有機層の発光特性及び電気特性並びにアノード１０２及びスパッタ型カソード１０８の電荷注入特性に依存する。
【００１５】
以下、ＯＬＥＤデバイス１００を構成する各種層の組成及び機能について説明する。基板１０１は、ガラス、セラミック又はプラスチックであることができる。ＯＬＥＤデバイスの製作には高温プロセスは必要とされないので、１００℃程度の処理温度に耐え得るものであればどのような基板でも有用であり、これにはほとんどの耐熱プラスチックが含まれる。基板１０１は、硬質プレート、軟質シート又は曲面といった形態をとることができる。基板１０１は、電子的バックプレイン（ｂａｃｋｐｌａｎｅ）を具備した支持体であることができ、電子的アドレス素子及びスイッチング素子を含むアクティブマトリクス基板であることができる。このようなアクティブマトリクス基板の例として、ＣＭＯＳ回路素子を具備した単結晶シリコンウェハ、高温ポリシリコン薄膜トランジスタを具備した基板、低温ポリシリコン薄膜トランジスタを具備した基板、等が挙げられる。当業者であれば、ＯＬＥＤデバイスのアドレス及び駆動に、他の回路素子が使用できることを認識するであろう。
【００１６】
アノード１０２は、スパッタ型カソード１０８に対して正の電位をＯＬＥＤデバイス１００に印加したときに当該有機層に正孔（ホール）を注入する機能を提供する。例えば、譲受人共通の米国特許第４，７２０，４３２号に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が、仕事関数が比較的高いので、効率的アノードを形成することが記載されている。ＩＴＯ薄膜自体が透明であるので、ＩＴＯ被覆ガラスはＯＬＥＤデバイスの製作にとって優れた支持体となる。その他の適当なアノード材料として、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ又はこれら金属の合金のような高仕事関数金属が挙げられる。
【００１７】
正孔注入層（ＨＩＬ）１０３は、アノード１０２から有機層へ正孔を注入する効率を高める機能を提供する。例えば、譲受人共通の米国特許第４，８８５，２１１号に、正孔注入層１０３として、ポルフォリン系又はフタロシアニン系化合物が有用であり、輝度効率及び動作安定性が向上することが記載されている。他の好適なＨＩＬ材料に、プラズマ式蒸着法により蒸着されたフッ素化ポリマーであるＣＦｘ（０＜ｘ≦２）がある。ＣＦｘの調製法及び特性については、譲受人共通の米国特許第６，２０８，０７７号に記載されている。
【００１８】
正孔輸送層（ＨＴＬ）１０４は、正孔を発光層（ＥＭＬ）１０５へ輸送する機能を提供する。ＨＴＬ材料には、譲受人共通の米国特許第４，７２０，４３２号に記載されているように、各種の芳香族アミンが含まれる。ＨＴＬ材料の好適な種類には下式（Ｉ）のテトラアリールジアミンが含まれる。
【００１９】
【化１】
2004014512.tif 000003
【００２０】
上式中、Ａｒ、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、各々独立に、フェニル部分、ビフェニル部分及びナフチル部分の中から選ばれ、Ｌは２価のナフチレン部分又はｄｎを表し、ｄはフェニレン部分を表し、ｎは１〜４の整数であり、そしてＡｒ、Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３の少なくとも一つはナフチル部分である。
【００２１】
以下、有用な特定の（縮合芳香環を含有する）芳香族第三アミンを例示する。
４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）
４，４”−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
４，４’−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル
２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン
２，６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン
【００２２】
図１の発光層１０５は、該層内で正孔と電子が再結合する結果として発光する機能を提供する。発光層１０５の好適な実施態様には、１種以上の蛍光色素をドープしたホスト材料が含まれる。このホスト／ドーパント系組成を採用することにより、高効率ＯＬＥＤデバイスを構築することができる。同時に、ＥＬデバイスの色を、共通のホスト材料において発光波長の異なる複数の蛍光色素を使用することにより、調節することもできる。Ｔａｎｇらは、このドーパント計画を、譲受人共通の米国特許第４，７６９，２９２号において、Ａｌｑをホスト材料とするＯＬＥＤデバイスについて詳細に説明している。Ｔａｎｇらの米国特許第４，７６９，２９２号に記載されているように、発光層は、緑色発光性ドープ型材料、青色発光性ドープ型材料又は赤色発光性ドープ型材料を含有することができる。
【００２３】
好適なホスト材料として、キレート化金属を、例えばＡｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｚｎとする８‐キノリノール系金属キレート化合物が挙げられる。別の好適な種類のホスト材料として、譲受人共通の米国特許第５，９３５，７２１号（Ｓｈｉら）に記載されているようなアントラセン誘導体、例えば９，１０−ジナフチルアントラセン、９，１０−ジアントリルアントラセン、アルキル置換型９，１０−ジナフチルアントラセン、が挙げられる。
【００２４】
ドーパント材料には、蛍光性及びリン光性の色素及び顔料のほとんどが含まれる。好適なドーパント材料として、譲受人共通の米国特許第４，７６９，２９２号（Ｔａｎｇら）及び同第６，０２０，０７８号（Ｃｈｅｎら）に記載されているような、クマリン６のようなクマリン類、４−ジシアノメチレン−４Ｈピランのようなジシアノメチレンピラン類が挙げられる。
【００２５】
図１の電子輸送層１０６は、カソードから注入された電子を図１の発光層１０５へ送り込む機能を提供する。有用な材料として、譲受人共通の米国特許第５，６４５，９４８号（Ｓｈｉら）に記載されているように、Ａｌｑ、ベンズアゾールが挙げられる。
【００２６】
図１のバッファ層１０７は、スパッタ型カソード１０８を堆積する際のスパッタによる損傷を抑える機能を提供することにより、当該デバイスの活性層の一体性を維持する。本発明によると、アルカリ金属化合物又はその熱分解生成物を含むバッファ層１０７と、スパッタされた反応性金属又は合金層とを組み合わせることにより、ＥＴＬ層１０６に対する接点として電子注入効率が高くなることが見出された。厚さ数ナノメートルにすぎない単層バッファを使用し、多種多様な材料を含むことから得られるこの有利な効果は、まったく意外なものである。バッファ層１０７は、このグループから、可視波長域において透明性が高く、かつ、均一になるように選ぶことができる。発光のうちカソード面に当たる部分は、まずバッファ層１０７を通過しなければならない。標準的な（ボトム発光型）デバイスの場合、発光はスパッタ型カソード１０８で反射されてアノード側に向けられる。トップ発光型デバイスの場合には、発光はスパッタ型カソード１０８を通過する。いずれの場合も、可視波長域での選択的な光減衰を有意に伴うことなく、発光が得られる。したがって、これらのバッファ層は、フルカラー装置の製造に適している。特に有用なアルカリ金属化合物としてＲｂＮＯ３、ＣｓＮＯ３、Ｃｓ２ＳＯ４、ＫＩＯ３もしくはＣｓＯＯＣＣＨ３、もしくはそれらの熱分解生成物又はそれらの組合せが含まれる。これらの材料は、常用の蒸着法によって薄膜状に堆積させることができる。アルカリ金属化合物の中には、熱蒸発に際して分解し得るものがあり、ＥＴＬ上に堆積した層の組成が当該蒸発装填材料とは異なる場合がある。図１のバッファ層１０７は、一般に電気絶縁体であるため、これを薄くする必要がある一方、スパッタによる損傷に対する保護が十分に得られるような厚さを確保する必要もある。一般に、バッファ層１０７の有用な厚さは、０ｎｍより大きいが、１０ｎｍよりは小さい範囲にある。その好適な厚さは、０．５ｎｍより大きく５ｎｍより小さい範囲にある。
【００２７】
図１のスパッタ型カソード１０８は、厚さ数十ｎｍの全反射性薄膜であって、図１のＥＴＬ（１０６）に電子を効率的に注入することができる合金をはじめとする材料を含むものであることが典型的である。表面発光型デバイスの場合、カソード層を、その厚さを極力薄くすることにより実質的に透明にすればよい。一般に、Ｍｇ及びＬｉを含有する合金を、図１のＥＴＬ（１０６）の上に直接堆積する。これは、それらは仕事関数が低く、図１のＥＴＬ（１０６）に対する効率的な電子注入接点となるからである。二層構造体ＬｉＦ／Ａｌもまた、ＥＴＬ（１０６）に対する効率的な電子注入性を付与する。アルミニウムは、高仕事関数金属であり、Ａｌｑ電子輸送層１０６上に直接堆積すると、電子注入効率が非常に低くなる。本発明においては、図１のＥＴＬ（１０６）上に蒸着されたアルカリ金属化合物の薄いバッファ層の上にＡｌ又はＭｇをスパッタすることにより、効率的なカソードを製作できることがわかった。Ｍｇ及びＡｌ以外の金属も、当該バッファ層との組合せで効率的な電子注入接点となり得、そのような金属として珪素、スカンジウム、チタン、クロム、マンガン、亜鉛、イットリウム、ジルコニウム、ハフニウム又はこれらの合金を挙げることができる。
【００２８】
図１の態様が好適であると考えられるが、当業者であれば、正孔注入層１０３、正孔輸送層１０４及び電子輸送層１０６を使用しないデバイスも作製し得ることを認識することができる。また、当業者であれば、発光層１０５が正孔輸送機能及び電子輸送機能を有するように選定され得ること、そしてアノード層が正孔注入層１０３として機能し得ることも認識することができる。このような場合、デバイスは層１０５を必要とするが、層１０３、１０４及び１０６を必要としない。
【００２９】
【実施例】
以下の実施例では、列挙した頭字語に対応する適当な構造及び動作変数については表１を参照すべきである。
特に断らない限り、基本有機ＥＬ媒体は、ガラス基板上に厚さ４２　ｎｍのＩＴＯアノード層を設け、その上に、厚さ７５　ｎｍのＮＰＢ正孔輸送層（ＨＴＬ）及び厚さ６０　ｎｍのＡｌｑ発光性電子輸送層（ＥＭＬ／ＥＴＬ）を堆積させたものとする。ＮＰＢ層とＡｌｑ層は、真空コーター内で、１回のポンプダウン運転で被覆した。次いで、試料をバッチ毎に多機能型コーターに移し、そこで残りの層を適当な序列で堆積させて各種デバイス配置を製作した。
【００３０】
多機能型コーターは蒸発ボート及びるつぼ、並びに口径２インチのスパッタガンを装備した。アルカリ金属化合物を抵抗加熱ボートから蒸発させ、対照用デバイス（標準又は標準カソードセルともいう。）のためのＡｌを高真空下電子ビーム加熱法でるつぼから蒸発させた。スパッタリングのため、堆積室に高純度Ａｒを３０ＳＣＣＭの流量で埋め戻し、一定の圧力（典型的には１６ミリトル（ｍＴ））を維持した。スパッタ法を、高純度Ｍｇ又はＡｌのターゲットにＤＣ電力を適用することにより実施した。Ｍｇの堆積速度は８０　Ｗにおいて１．２　ｎｍ／ｓとし、Ａｌの堆積速度は１００　Ｗにおいて１．０　ｎｍ／ｓとした。堆積速度がスパッタリング変数の選定により容易に制御し得ることは認識されている。単一ターゲットからのスパッタリングを採用したが、複数のターゲットによる同時スパッタリングを採用して処理量を高めることもできる。別の電源として、ＤＣの代わりにＲＦを採用してもよい。金属層に代えて、特性の高い合金層を利用し得ることが考えられる。また、合金層の組成を調整するために、単一合金ターゲットからのスパッタリングに代えて、複数のターゲットによる同時スパッタリングを採用し得ることも理解できる。完成したデバイスは、窒素雰囲気下のグローブボックス内で封入し、場合によって、約７０℃で数時間任意の熱処理を施した。その後、ＰＲ６５０ラジオメーターを用いて、駆動電流の関数として輝度を測定した。表中の駆動電圧Ｖ（ボルト）及び輝度（ｃｄ／ｍ２）は、２０　ｍＡ／ｃｍ２に相当する電流が当該デバイスを通過する時に測定された値である。
【００３１】
例１
表２に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。デバイス２０〜２４のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス２０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍのＡｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものであるが、輝度６００　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧６．２ボルトを示した。このデバイスを、カソード堆積時に損傷の無いものと仮定する。デバイス２１は厚さ０．５　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層を有し、そのバッファ層の上に厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をスパッタリングした。このデバイスは、対照用デバイス２０と比較して動作電圧が高く、かつ、効率が低いことから明らかなように、劣化した性能を示した。この劣化の原因は、Ｍｇのスパッタリング中に誘発される損傷にあるだろう。というのも、熱蒸発したＭｇはＡｌｑ層に対して効率的な電子注入接点となることが知られているからである。したがって、厚さ０．５　ｎｍのＲｂＮＯ３では、スパッタによる損傷に対する完全な保護は得られなかった。対照用デバイス２０に対するデバイス２１の動作電圧上昇幅及び輝度効率低下率は、それぞれ１．６　Ｖ及び３３％であった。デバイス２２は厚さ１　ｎｍのＲｂＮＯ３層を備え、その上に、デバイス２１の場合と同一条件下で厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をスパッタリングした。デバイス２２は輝度４５６　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧７．２　Ｖを示し、デバイス２１の性能を顕著に改良したことがわかる。この改良は、Ｍｇ層のスパッタリング堆積に際し、より厚いＲｂＮＯ３層がより大きな保護を提供したことによるものであると考えられる。しかしながら、デバイス２２の性能は対照用デバイス２０の性能には及ばない。デバイス２３の構造には、厚さ２　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層を内蔵させた。バッファ層を厚くしたデバイス２３は、スパッタによる損傷に対する保護が一段と良好となり、動作電圧及び輝度についてデバイス２２を上回る改良を示した。ＲｂＮＯ３を厚くして３　ｎｍにすると、デバイス性能がさらに向上した。デバイス２３の動作電圧は、対照用デバイス２０のそれと同等であるが、対照用デバイス２０を基準とする発光効率の低下は６％である。このことは、Ｍｇ層のスパッタ堆積中の損傷をなくすためには、３　ｎｍよりも厚いバッファ層が必要であることを示唆している。ＲｂＮＯ３バッファ層の厚さを関数とするスパッタデバイス（デバイス２１〜２４）の性能を、対照デバイス２０の性能と共に、図２にも示す。Ｍｇスパッタリングの場合に最適なＲｂＮＯ３バッファ層厚が、３　ｎｍよりも厚いことがわかる。
【００３２】
表２：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表１】
2004014512.tif 000004
【００３３】
例２
表３に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。ＲｂＮＯ３バッファ層の厚さ範囲を、例１の場合よりも拡張した。デバイス３０〜３３のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス３０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍのＡｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものであるが、輝度６０８　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧５．７ボルトを示した。同様に、このデバイスを、カソード層を蒸発させたカソード堆積時に損傷の無いものと仮定する。デバイス３１は厚さ２　ｎｍのＲｂＮＯ３層を有し、その上に厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をスパッタリングした。デバイス３１は、輝度５４５　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧５．９　Ｖを示し、厚さ２　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層がスパッタ損傷に対して優れた保護を提供したことを示唆している。しかしながら、対照用デバイス３０を基準とする輝度損率は約１０％である。デバイス３２の構造には、厚さ４　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層を内蔵させた。バッファ層を厚くしたデバイス３２は、スパッタによる損傷に対する保護が一段と良好となり、動作電圧及び輝度についてデバイス３１を上回る改良を示した。デバイス３２と対照用デバイス３０は性能が同等であるように見える。当該データは、デバイス３２においてはスパッタによる損傷が実質的にないことを示唆するものである。ＲｂＮＯ３を厚くして８　ｎｍにすると、動作電圧の増大を引き起こす。したがって、厚さ約４　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層により、Ｍｇ層のスパッタ堆積による損傷がなくなった、或いは、極力抑えられた。ＲｂＮＯ３バッファ層の厚さを関数とするスパッタデバイス（デバイス３１〜３３）の性能を、対照デバイス３０の性能と共に、図３にも示す。
【００３４】
表３：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表２】
2004014512.tif 000005
【００３５】
例３
表４に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。デバイス４０〜４５のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス４０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍのＡｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものであるが、輝度５７１　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧６．５ボルトを示した。このデバイスを、カソード堆積時に損傷の無いものと仮定する。デバイス４１は厚さ０．５　ｎｍのＣｓＮＯ３層を有し、その上に厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をスパッタリングした。デバイス４１は、わずか４８５　ｃｄ／ｍ２の輝度及び動作電圧８．０Ｖを示し、厚さ０．５　ｎｍのＣｓＮＯ３バッファ層では、スパッタによるＥＬ媒体損傷に対する完全な保護は得られないことを示唆している。対照用デバイス４０に対するデバイス４１の動作電圧上昇幅及び輝度効率低下率は、それぞれ１．５　Ｖ及び１５％であった。ＣｓＮＯ３バッファ層を厚くして１．０　ｎｍにすると、動作電圧及び輝度効率が向上した。しかし、それ以上厚くすると、電圧は改良されたが、輝度は横ばい状態となった。ＣｓＮＯ３バッファ層の厚さが約４　ｎｍである場合、Ｍｇ層をスパッタ堆積する際の損傷が極小化又は排除されたようである。ＣｓＮＯ３バッファ層の厚さを関数とするスパッタデバイス（デバイス４１〜４５）の性能を、対照デバイス４０の性能と共に、図４にも示す。
【００３６】
表４：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表３】
2004014512.tif 000006
【００３７】
例４
表５に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。デバイス５０〜５５のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス５０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍのＡｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものであるが、輝度４９５　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧５．６ボルトを示した。デバイス５１は、バッファ層を一切含まず、厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をＡｌｑ　ＥＴＬ層の上に直接スパッタリングした。デバイス５１のデータは、カソード堆積時に損傷の無いものと仮定される対照用デバイス５０と比べて、動作電圧が高く（７．６　Ｖ）、輝度が低い（３３０　ｃｄ／ｍ２）ことから明らかなように、スパッタによりＥＬ媒体がひどく損傷を受けたことを示唆するものである。デバイス５２は厚さ１　ｎｍのＣｓ２ＳＯ４層を有し、その上に厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をスパッタリングした。デバイス５２は、輝度５５４　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧５．７　Ｖを示し、厚さ１　ｎｍのＣｓ２ＳＯ４バッファ層が、Ｍｇ層をスパッタ堆積する際の損傷を実質的に排除したことを示唆している。Ｃｓ２ＳＯ４バッファ層を１．０　ｎｍよりも厚くしていくと、動作電圧は単調増加し、輝度効率は単調減少した。Ｃｓ２ＳＯ４バッファ層の厚さを関数とするスパッタデバイス（デバイス５１〜５５）の性能を、対照デバイス５０の性能と共に、図５にも示す。
【００３８】
表５：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表４】
2004014512.tif 000007
【００３９】
例５
表６に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。デバイス６０〜６５のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス６０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍのＡｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものであるが、輝度５９０　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧５．８ボルトを示した。このデバイスを、カソード堆積時に損傷の無いものと仮定する。デバイス６１は厚さ０．５　ｎｍのＫＩＯ３バッファ層を有し、その上に厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をスパッタリングした。このデバイスは、対照用デバイス６０より若干高い動作電圧を示したが、輝度はほぼ同等であった。デバイス６２は、厚さ１．５　ｎｍのＫＩＯ３層を具備したことを除き、デバイス６１と同一の構造を有する。デバイス６２は、６３８　ｃｄ／ｍ２の輝度及び動作電圧６．７　Ｖを示し、デバイス６１の性能とほぼ同等であることを示唆している。デバイス６１及び６２のデータは、スパッタによる損傷が大幅に抑制されたことを示唆するものである。デバイス６３〜６５にあるように、ＫＩＯ３バッファ層を１．５　ｎｍより厚くすると、動作電圧が単調増加し、輝度は横ばい状態となった。ＫＩＯ３層の厚さを関数とするスパッタデバイス（デバイス６１〜６５）の性能を、対照デバイス６０の性能と共に、図６にも示す。
【００４０】
表６：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表５】
2004014512.tif 000008
【００４１】
例６
表７に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。デバイス７０〜７３のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、従前の例と同様に、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス７０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍのＡｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものであるが、輝度６１２　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧６．５ボルトを示した。デバイス７０を、当該カソードが蒸発法で堆積されているので、損傷の無いものと仮定する。デバイス７１は厚さ０．５　ｎｍのＣｓＯＯＣＣＨ３バッファ層を有し、その上に厚さ６０　ｎｍのＭｇ層をスパッタリングした。このデバイスは、対照用デバイス７０より高い動作電圧を示したが、輝度はほぼ同等であった。デバイス７２及び７３にあるように、ＣｓＯＯＣＣＨ３バッファ層を厚くして２　ｎｍ又は３　ｎｍにすると、動作電圧が単調低下し、輝度は横ばい状態となった。ＣｓＯＯＣＣＨ３層の厚さを関数とするスパッタデバイス（デバイス７１〜７３）の性能を、対照デバイス７０の性能と共に、図７にも示す。図７によると、厚さ約３　ｎｍのＣｓＯＯＣＣＨ３層を使用した時に、Ｍｇスパッタによる損傷が最も小さくなる。
【００４２】
表７：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表６】
2004014512.tif 000009
【００４３】
例７
表８に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。デバイス８０及び８１のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス８０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍの蒸発型Ａｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものである。デバイス８０は、輝度５１４　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧５．９ボルトを示した。デバイス８０の特性を、当該カソードが損傷のないプロセスで堆積されたデバイスの特性を代表するものと仮定する。デバイス８１には厚さ２　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層を設け、その上に厚さ７２　ｎｍのＡｌ層をスパッタリングした。デバイス８１は、輝度４９１　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧６．６ボルトを示し、厚さ２　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層が、Ａｌ層をスパッタ堆積する際の損傷を大幅に抑制したことを示唆している。
【００４４】
表８：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表７】
2004014512.tif 000010
【００４５】
例８
表９に、本発明によるデバイスと対照用デバイスの、有機ＥＬ媒体のバッファ及びカソード構造並びにその性能をまとめた。デバイス９０〜９２のＩＴＯ、ＨＩＬ、ＨＴＬ及びＥＭＬ／ＥＴＬの各層は同一であり、有機層は１回のポンプダウン運転で堆積させた。対照用デバイス９０は、厚さ０．５　ｎｍのＬｉＦ層の上に厚さ６０　ｎｍのＡｌ層を堆積してなる標準カソードを備えたものであるが、輝度６１２　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧６．４ボルトを示した。デバイス９０を、当該カソードが蒸発型であるので、損傷の無いものと仮定する。デバイス９１は厚さ２　ｎｍのＣｓＯＯＣＣＨ３バッファ層を有し、その上に厚さ７２ｎｍのＡｌ層をスパッタリングした。デバイス９１は、輝度４９９　ｃｄ／ｍ２及び動作電圧８．３ボルトを示し、厚さ２　ｎｍのＣｓＯＯＣＣＨ３バッファ層が、Ａｌ層をスパッタ堆積する際の損傷を大幅に抑制はしたが、完全には排除できなかったことを示唆している。デバイス９２は、厚さ２．５　ｎｍのＲｂＮＯ３バッファ層を設けたものであるが、優れた性能を示した。そのＥＬ効率は対照用セルと同等であったが、駆動電圧が若干高くなった。Ａｌスパッタ用のスパッタ出力が高いためデバイスに損傷が残存すること、そしてその損傷が、当該バッファ層の厚さとスパッタリング変数とを最適化することによって排除され得たことが考えられる。
【００４６】
表９：対照用デバイス及びスパッタ型カソードデバイスのバッファ、カソード構造及び性能
【表８】
2004014512.tif 000011
【００４７】
上記の例は、アルカリ金属化合物を含む薄層をＡｌｑ系ＥＴＬの上に堆積することにより、Ａｌ及びＭｇカソード層をスパッタ堆積する際にＥＬ媒体が顕著に保護されることを示すものである。本発明によると、カソード層をスパッタ堆積する際の損傷から有機ＥＬ媒体を保護する上で、ＲｂＮＯ３、ＣｓＮＯ３、Ｃｓ２ＳＯ４、ＫＩＯ３もしくはＣｓＯＯＣＣＨ３又はそれらの組合せを含むアルカリ金属化合物を含有するバッファ層が非常に有効となり得る。さらに本発明によると、マグネシウム、アルミニウム、珪素、スカンジウム、チタン、クロム、マンガン、亜鉛、イットリウム、ジルコニウムもしくはハフニウム又はそれらの合金もしくは組合せであって当該バッファ層と協同してＥＴＬへ電子を注入する金属又は合金が、有用となり得る。該金属又は合金がアルミニウムもしくはマグネシウム又はその合金もしくは組合せを含むことが好ましい。このようなバッファ層は、厚さ数ナノメートルであるが、スパッタによる損傷を実質的に排除し得るものと考えられる。バッファ層の有用な厚さは１０ｎｍ未満であるが、０ｎｍより大きい。バッファ層の好適な厚さは０．５〜５．０ｎｍの範囲内である。蒸発型ＬｉＦ／Ａｌ系カソードを有する対照用デバイスと本質的に性能が同等であるスパッタ型カソード含有デバイスを、層構造及びスパッタリング変数の最適化を通して製造することができる。
【００４８】
【発明の効果】
本発明の有利な効果は、スパッタリングの際の有機層への損傷が極力軽減されるため、カソード堆積の高速化が可能になることである。
本発明の別の有利な効果は、バッファ層／スパッタ層形カソードがフルカラーデバイスにとって理想的であることである。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＯＬＥＤデバイスの層構造を示す略図である。
【図２】ＲｂＮＯ３バッファ層厚に対するスパッタ型Ｍｇカソードデバイスの性能をプロットしたグラフである。
【図３】ＲｂＮＯ３バッファ層厚に対するスパッタ型Ｍｇカソードデバイスの性能を、範囲を拡張してプロットしたグラフである。
【図４】ＣｓＮＯ３バッファ層厚に対するスパッタ型Ｍｇカソードデバイスの性能をプロットしたグラフである。
【図５】Ｃｓ２ＳＯ４バッファ層厚に対するスパッタ型Ｍｇカソードデバイスの性能をプロットしたグラフである。
【図６】ＫＩＯ３バッファ層厚に対するスパッタ型Ｍｇカソードデバイスの性能をプロットしたグラフである。
【図７】ＣｓＯＯＣＣＨ３バッファ層厚に対するスパッタ型Ｍｇカソードデバイスの性能をプロットしたグラフである。
【符号の説明】
１００…有機発光ダイオードデバイス（ＯＬＥＤ）
１０１…基板
１０２…アノード
１０３…正孔注入層（ＨＩＬ）
１０４…正孔輸送層（ＨＴＬ）
１０５…発光層（ＥＭＬ）
１０６…電子輸送層（ＥＴＬ）
１０７…バッファ層
１０８…カソード
１０９…電源
１１０…導体
【図１】
2004014512.tif 000012
【図２】
2004014512.tif 000013
【図３】
2004014512.tif 000014
【図４】
2004014512.tif 000015
【図５】
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【図６】
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【図７】
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