(57)【要約】【課題】従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子に接続されたリード導体とは別にバイアス導体が必要であり、作製プロセスの複雑化、ヘッド駆動回路の複雑化などの問題があった。【解決手段】ヨーク型薄膜磁気ヘッドは、ヘッドギャップを挟んで上下に形成された上部ヨーク及び下部ヨークと、上部ヨークの間隙付近に形成された磁気抵抗効果素子とが信号磁界に対して概ね閉磁路を形成している。磁気抵抗効果素子の一端に接続されたリード導体を二つに分岐し、分岐した一方のリード導体を上記閉磁路に鎖交するように形成し、分岐したもう一方のリード導体を直流電流に接続して磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加する。【選択図】　　　図１
2004030772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体で形成された下部ヨーク、
前記下部ヨーク上に、ヘッドギャップ材を間に挟んで形成され、所定の間隙をもって配置された複数の上部ヨーク、及び
前記上部ヨーク上の間隙近傍に形成された磁気抵抗効果素子、
を備え信号磁界に対して閉磁路を形成するヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子の一端に接続されたリード導体を２つの導体に分岐し、分岐した一方の導体を上記閉磁路に鎖交するように形成し、前記リード導体と、前記磁気抵抗効果素子の他端との間に直流電流を流して前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加することを特徴とするヨーク型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
磁性体で形成された下部ヨーク、
前記下部ヨーク上に、ヘッドギャップ材を間に挟んで形成され、所定の間隙をもって配置された複数の上部ヨーク、及び
前記上部ヨーク上の間隙近傍に形成された磁気抵抗効果素子
を備え信号磁界に対して閉磁路を形成するヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子の一端に接続されたリード導体が前記上部ヨークに電気的に接続された状態で前記閉磁路に鎖交するように配設され、前記リード導体と、前記磁気抵抗効果素子の他端との間に直流電流を流して前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加することを特徴とするヨーク型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記下部ヨークは、非磁性絶縁物が充填された溝を有する強磁性酸化物基板であることを特徴とする請求項１または２に記載のヨーク型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果素子がピンド層とフリー層を有するスピンバルブ型ＧＭＲ素子であり、ピンド層の磁化とフリー層の磁化との層間結合磁界によって定まるフリー層の磁化の方向が前記磁気抵抗効果素子を流れる電流によるセルフバイアス磁界の方向と実質的に逆向きであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のヨーク型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のヨーク型薄膜磁気ヘッドを組み込んだ磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体に記録された信号を磁気抵抗効果を利用して検出するヨーク型薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気抵抗効果を用いた従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドについて以下に説明する。図９は従来のヨーク型薄膜磁気ヘッド平面図であり、図１０はそのＸ−Ｘ断面図である。図９及び図１０において、Ｎｉ−ＺｎフェライトやＭｎ−Ｚｎフェライトなどの強磁性酸化物からなる下部ヨーク１上に、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２などの絶縁物による台形の絶縁層２が形成されている。絶縁層２の中にＣｕなどによるバイアス導体３が埋め込まれている。絶縁層２の上に、Ｎｉ−Ｆｅ合金又はＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂのアモルファス合金などによる上部ヨーク４ａ及び４ｂが所定の間隙９を保って形成されている。絶縁層２の上部には、間隙９の部分にＮｉ−Ｆｅ合金などによる磁気抵抗効果素子５が形成されている。図９に示すように磁気抵抗効果素子５の両端５ａ、５ｂには、銅（Ｃｕ）などによるリード導体６ａ、６ｂがそれぞれ接続されている。またバイアス導体３の両端３ｄ、３ｅには、Ｃｕなどによるリード導体３ａ、３ｂがそれぞれ接続されている。
【０００３】
図１０において、この磁気ヘッドのテープ摺動面７の近傍では上部ヨーク４ａと下部ヨーク１との間に絶縁層２が存在し、これによりヘッドギャップ８が形成される。上部ヨーク４ａ、４ｂと磁気抵抗効果素子５との間には絶縁層２が存在し、上部ヨーク４ａ、４ｂと磁気抵抗効果素子５とは電気的には絶縁された状態で、磁気的には結合されている。磁気テープ１０に記録された情報である磁化による信号磁束は、図１０に破線で示すように、ヘッドキャップ８を含み、上部ヨーク４ａ、磁気抵抗効果素子５、上部ヨーク４ｂ、下部ヨーク１を経由する閉磁路Ｌを通る。この信号磁束により磁気抵抗効果素子５の抵抗値が変化する。バイアス導体３には図示を省略した直流電源からリード導体３ａ、３ｂを経てバイアス電流が流され、閉磁路Ｌに沿って磁気抵抗効果素子５にバイアス磁界が印加される。磁気抵抗効果素子５に図示を省略した直流電源からリード導体６ａ、６ｂを経て直流のセンス電流を流すと、磁気抵抗効果素子５の抵抗値の変化に応じて磁気抵抗効果素子５の両端子５ａ、５ｂ間の電圧が変化する。この電圧変化を読み取ることにより磁気テープ１０の情報が再生される。バイアス磁界を印加することにより磁気抵抗効果素子５の磁束密度に対する抵抗変化量が大きく、かつ直線性が良好な出力が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいては、独立したバイアス導体３にバイアス電流を流して出力特性を改善しているので、バイアス導体３を磁気抵抗効果素子５の下部に配設し、バイアス導体３にバイアス電流を流すためのリード導体３ａ、３ｂを設けていた。従って従来の構成では、バイアス導体３を形成するための薄膜形成工程、リード導体３ａ、３ｂを形成するパターン形成工程およびバイアス導体３と磁気抵抗効果素子５との間を絶縁するための絶縁層２の形成工程が必要であった。また、絶縁膜２の中の磁気抵抗効果素子５の下方にバイアス導体層３を形成しているため、磁気抵抗効果素子５を形成するときの下地層となる絶縁層２の平面度が悪い。そのため磁気抵抗効果素子５の特性が劣化することがある。
このヨーク型磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子５にセンス電流を供給するリード導体６ａ、６ｂと、バイアス導体層３にバイアス電流を供給するリード導体３ａ、３ｂが必要であり、構成が複雑である。また直流電源もセンス電流用とバイアス電流用の２つが必要であり、導体３ａ、３ｂのバイアス電流による消費電力も無視できない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
ヨーク型薄膜磁気ヘッドの前記の問題を解決するために、本発明では、磁気抵抗効果素子に接続されているリード導体を用いて、センス電流を供給するとともにバイアス磁界をも発生させる。
本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドは、磁性体で形成された下部ヨーク、前記下部ヨークに、ヘッドギャップ材を挟んで形成され、所定の間隙をもって配置された複数の上部ヨーク、及び前記上部ヨークの間隙近傍に形成された磁気抵抗効果素子を備える。信号磁界に対して閉磁路を形成するヨーク型薄膜磁気ヘッドの前記磁気抵抗効果素子の一端に接続されたリード導体を２つの導体に分岐し、分岐した一方の導体を上記閉磁路に鎖交するように形成し、前記リード導体と、前記磁気抵抗効果素子の他端との間に直流電流を流して前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加することを特徴とする。
【０００６】
本発明の他の観点のヨーク型薄膜磁気ヘッドは、磁性体で形成された下部ヨーク、前記下部ヨークに、ヘッドギャップ材を挟んで形成され、所定の間隙をもって配置された複数の上部ヨーク、及び前記上部ヨークの間隙近傍に形成された磁気抵抗効果素子を備える。信号磁界に対して閉磁路をなすヨーク型薄膜磁気ヘッドの、上記磁気抵抗効果素子の一端に接続されたリード導体が前記上部ヨークに電気的に接続された状態で前記閉磁路に鎖交するように配設され、前記リード導体と、前記磁気抵抗効果素子の他端との間に直流電流を流して前記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加することを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の観点のヨーク型薄膜磁気ヘッドは、前記下部ヨークが非磁性絶縁物が充填された溝を有する強磁性酸化物基板であることを特徴とする。
本発明の他の観点のヨーク型薄膜磁気ヘッドは、前記磁気抵抗効果素子がピンド層とフリー層を有するスピンバルブ型ＧＭＲ素子であり、ピンド層の磁化とフリー層の磁化との層間結合磁界によって定まるフリー層の磁化の方向が前記磁気抵抗効果素子を流れる電流によるセルフバイアス磁界の方向と実質的に逆向きであることを特徴とする。
本発明の磁気記録再生装置は前記のヨーク型薄膜磁気ヘッドを組み込んだことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッド及び磁気記録再生装置の好適な実施例について図１から図８を用いて説明する。
≪第１実施例≫
本発明の第１実施例を図１から図４を参照して説明する。
図１は、本発明の第１実施例のヨーク型薄膜磁気ヘッドの平面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。図１及び図２において、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライトなどの強磁性酸化物の基板１１に溝１２を形成し、溝１２内にＡｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁１３をスパッタリングにより充填する。非磁性絶縁物１３の表面を含む基板１１の表面１４を研磨し平坦にする。基板１１が下部ヨークとなるので以降基板１１を下部ヨーク１１という。非磁性絶縁物１３の面上にＮｉ−Ｆｅ合金薄膜又はスピンバルブ型ＧＭＲ膜による磁気抵抗効果素子１５をフォトリソグラフィ技術によってパターン形成する。
【０００９】
次に磁気抵抗効果素子１５の両端部１５ａ、１５ｂにそれぞれの端部がつながったリード導体１６を、銅（Ｃｕ）を用いたリフトオフ法でパターン形成する。リード導体１６は、分岐部２０、２１で並列に接続された、第１の経路１６ｄと、第２の経路１６ｆ、１６ｅ、１６ｃとを有する。経路１６ｃの部分の導体２８は磁路（Ｍ）と鎮交し、バイアス導体として働く。流入端２３から流入した電流は、分岐部２０で分れ、第１の経路１６ｄと、第２の経路１６ｆ、１６ｅ、１６ｃとを、それぞれの直流抵抗の比の逆数で定まる電流比で分流する。第１の経路１６ｄと、第２の経路１６ｆ、１６ｅ、１６ｃとを分流した電流は、分岐部２１で合流して磁気抵抗効果素子１５を通り、経路１６ｂを経て流出端２４から流出する。磁気抵抗効果素子１５を流れる電流と導体２８を流れる電流とは磁路Ｍ内での流れ方向が逆である。磁気抵抗効果素子１５及びリード導体１６を含む非磁性絶縁物１３の上にＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの絶縁層１７を形成する。最後に、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂアモルファス合金の薄膜からなる上部ヨーク１８ａ、１８ｂをリフトオフ法で間隙９を保ってパターン形成する。
【００１０】
本実施例では、非磁性絶縁物１３を充填した溝１２を形成することにより、上部ヨーク１８ａ、１８ｂ及び磁気抵抗効果素子１５を通る信号磁束が短絡的に下部ヨーク１１へ漏れることはなく、漏れによる磁気検出出力の低下を避けることができる。また、非磁性絶縁物１３の表面を平坦にすることで磁気抵抗効果素子１５の特性劣化が避けられるとともに、リード導体１６の断線を防止できる効果が得られる。
次に磁気抵抗効果素子１５に印加するバイアス磁界について詳細に説明する。良好な出力特性の磁気抵抗効果素子を得るためにはバイアス磁界を最適なバイアス状態に調整することが必要である。良好な出力特性が得られるバイアス状態は、磁気抵抗効果素子１５がＮｉ−Ｆｅ合金の薄膜などのような異方性磁気抵抗効果膜の場合は、図３の（ａ）に示すように、矢印３１で示す磁気抵抗効果素子１５のセンス電流の方向に対して、磁気抵抗効果素子１５の矢印３２で示す磁化の方向を４５°傾斜させることで得られる。また、磁気抵抗効果素子がピンド層とフリー層を有するスピンバルブ型のＧＭＲ膜の場合は、図３の（ｂ）に示すように、スピンバルブＧＭＲ膜３４のピンド層３５の矢印３３で示す磁化の方向とフリー層３６の矢印３７で示す磁化の方向（以下、磁化方向３７）が９０°になるようにすると良好なバイアス状態が得られる。
【００１１】
本実施例のヨーク型薄膜磁気ヘッドにおいては図２に示すように、磁気抵抗効果素子１５が上部ヨーク１８ａ、１８ｂの下方に配設されている。従って磁気抵抗効果素子１５を流れるセンス電流によって、上部ヨーク１８ａ、磁気抵抗効果素子１５、上部ヨーク１８ｂ及び下部ヨーク１１を経る閉磁路Ｍを磁束が通り、それによる磁界が発生する。この磁界は磁気抵抗効果素子１５にバイアス磁界（以下、セルフバイアス磁界と称する）として作用する。磁気抵抗効果素子１５がスピンバルブ型ＧＭＲ素子の場合（スピンバルブ型ＧＭＲ膜を所望の形状に形成したものをスピンバルブ型ＧＭＲ素子という）、図３の（ｂ）に示すように、セルフバイアス磁界中でフリー層３６の磁化方向３７とピンド層３５の磁化方向３３とが直交する状態を実現するためには、図４に示すように、スピンバルブ型ＧＭＲ膜３４のピンド層３５の磁化とフリー層３６の磁化との間の層間結合磁界によって決まるフリー層３６の磁化方向３７をセルフバイアス磁界の矢印２５で示す方向と逆向きにしておく必要がある。磁気抵抗効果素子１５が異方性磁気抵抗効果素子あるいはスピンバルブ型ＧＭＲ素子の場合には、通常使用時の電流である１０ｍＡ程度のセンス電流を流すと、セルフバイアス磁界によって磁気抵抗効果素子１５は過剰なバイアス状態になる。そこで、セルフバイアス磁界の大きさを調節して良好な出力特性が得られるバイアス状態にするためには、磁気抵抗効果素子１５に流すセンス電流の大きさを加減する必要がある。しかしセルフバイアス磁界の調節をするためにセンス電流を加減すると磁気ヘッドの出力が変化するという問題が生じる。本実施例では以下に詳細に説明するように、磁気ヘッドの出力を変化させずに磁気抵抗効果素子１５に印加されるバイアス磁界の大きさを調節できる。
【００１２】
図１に示すように、磁気抵抗効果素子１５にセンス電流を流すリード導体１６を前記のように２つに分岐し、分岐したリード導体１６の一部分の導体２８を、上部ヨーク１８ａ、磁気抵抗効果素子１５、上部ヨーク１８ｂ、下部ヨーク１１を通る磁路Ｍと鎖交するように配置している。導体２８を流れるバイアス電流の向きは磁気抵抗効果素子１５を流れる電流の向きとは逆である。従って、導体２８による磁界はセルフバイアス磁界とは逆向きの磁界であり、セルフバイアス磁界の強さを減少させる。そのため磁気抵抗効果素子１５に印加されるバイアス磁界が小さくなる。第１の経路１６ｄの抵抗値と、第２の経路１６ｆ、１６ｅ、１６ｃの抵抗値をそれぞれ所定の大きさに調節することにより、第１の経路１６ｄと第２の経路１６ｆ、１６ｅ、１６ｃに流れる電流の大きさを所望の値に調節することができる。本実施例ではこの電流の調節によって磁気抵抗効果素子１５のバイアスを最適な状態にする。これにより、出力特性における感度が向上し、直線性が改善されたヨーク型薄膜磁気ヘッドが得られる。また１つの直流電源でセンス電流とバイアス電流を流すことができるので、電源が１つでよくコストの低減が可能となる。
【００１３】
≪第２実施例≫
本発明の第２実施例を図５及び図６を参照して説明する。第２実施例のヨーク型薄膜磁気ヘッドの平面図を図５に示し、図５のＶＩ−ＶＩ断面図を図６に示す。図５及び図６において、下部ヨーク１１、溝１２、非磁性絶縁物１３、上部ヨーク１８ａ、１８ｂ及び磁気抵抗効果素子１５の構成は前記第１実施例のものと同じである。本実施例では、磁気抵抗効果素子１５にセンス電流を流すためのリード導体２６の構成が第１実施例のものと異なっている。本構成では図５、図６に示すように、磁気抵抗効果素子１５の端部１５ａに接続されたリード導体２６の鎖交部２６ａが、上部ヨーク１８ａ、磁気抵抗効果素子１５、上部ヨーク１８ｂ及び下部ヨーク１１を通る磁路Ｍと鎖交するように配設されている。鎖交部２６ａの上には絶縁層が設けられておらず、鎖交部２６ａは上部ヨーク１８ｂと電気的に接続されている。電気的に接続された鎖交部２６ａと上部ヨーク１８ｂとのそれぞれの抵抗値はそれぞれのパターン形状、膜厚、材質を変化させることで所望の値に設定することができる。リード導体２６の両端部２６ｂ、２６ｄを直流電源（図示省略）につなぎ矢印で示すようにセンス電流を流すと、電流は電気的に接続された鎖交部２６ａと上部ヨーク１８ｂを分流する。従って鎖交部２６ａと上部ヨーク１８のそれぞれの抵抗値を調節することにより鎖交部２６ａを流れる電流を所望の値に設定することができる。磁路Ｍ内において、鎖交部２６ａを流れる電流と磁気抵抗効果素子１５を流れる電流とは方向が互いに逆であるので、鎖交部２６ａを流れる電流による磁界は磁気抵抗効果素子１５に印加されるセルフバイアス磁界とは逆向きのバイアス磁界となる。従って鎖交部２６ａの電流を所望の値に調節することによって、磁気抵抗効果素子１５に印加されるバイアス磁界を最適な値に設定することが可能となる。
本実施例によれば、リード導体２６は、第１実施例のリード導体１６のような分岐部を有しないので、その構造が更に簡単になり、製造コストの更なる削減が実現される。
【００１４】
本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置の例について図７及び図８を参照しつつ説明する。図７は磁気記録再生装置に用いる、ヨーク型薄膜磁気ヘッドを搭載した回転ドラム装置の一例の斜視図であり、図８は磁気記録再生装置の走行系の一例の平面図である。図７に示した回転ドラム装置５３は、下ドラム５６および上回転ドラム５２を有し、上回転ドラム５２の外周面に磁気ヘッド５５が設けられている。図示を省略した磁気テープは、リード５４に沿って上回転ドラム５２の回転軸に対して傾斜して走行する。磁気ヘッド５５は、磁気テープをその走行方向に対して斜めに摺動する。上回転ドラム５２と磁気テープとが密着しつつ安定して摺動かつ走行するように、上回転ドラム５２の外周面には複数の溝５１が設けられている。磁気テープと上回転ドラム５２との間に巻き込まれた空気はこの溝５１から排出される。
【００１５】
磁気記録再生装置の走行系は図８に示すように、回転ドラム装置６３、供給リール５７、巻き取りリール７２、複数の回転ポスト５８、６０、６１、６６、６７、６９、傾斜ポスト６２、６５、キャプスタン６８、ピンチローラ７０、テンションアーム５９を備えている。回転ドラム装置６３の外周面には、記録用ヘッド７３と本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドである再生用磁気ヘッド６４が配置されている。
供給リール５７に巻かれた磁気テープ７１はピンチローラ７０とキャプスタン６８との間を通って巻き取りリール７２に巻き取られていく。この回転ドラム装置６３は、上回転ドラム方式であって２個の再生用磁気ヘッド６４が回転ドラム外周面から２０μｍ程度突き出すように取り付けられている。
【００１６】
本発明の磁気記録再生装置においては、再生ヘッドに、従来用いられているインダクティブ型の再生ヘッドより高い出力を有するヨーク型薄膜磁気ヘッドを用いている。本実施例のヨーク型薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子１５へセンス電流を供給するリード導体１６がバイアス導体を兼ねているので、ヘッド駆動用の端子数が少なくなり、高密度に記録された媒体からの信号を良好なＳＮ比で検出できる磁気記録再生装置を低コストで製造することができる。
【００１７】
【発明の効果】
各実施例で詳細に説明したように、本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体を独立して設けない。このため磁気ヘッド作製工程が簡単になるとともに、端子数が少なくなる。また駆動用の回路が簡略化でき、バイアス電流による消費電力が低減できる。磁気抵抗効果素子を形成する非磁性絶縁膜の表面を平坦にすることにより、磁気抵抗効果素子の特性の劣化が防止できる。
本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置では、従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドとは異なり、磁気抵抗効果素子へのセンス電流供給用のリード導体がバイアス導体を兼ねている。このためにヘッド駆動用の端子数が少なくなる。その結果、高密度に記録された媒体からの信号を良好なＳＮ比で検出しなければならない磁気記録装置を安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例のヨーク型薄膜磁気ヘッドの平面図
【図２】図１のヨーク型薄膜磁気ヘッドのＩＩ−ＩＩ断面図
【図３】（ａ）は異方性磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果素子の、最適バイアス状態を示す平面図（ｂ）はスピンバルブ型ＧＭＲ膜を用いた磁気抵抗効果素子の、最適バイアス状態を示す平面図
【図４】スピンバルブ型ＧＭＲ膜を用いた磁気抵抗効果素子の、フリー層磁化方向とセルフバイアス磁界の方向を示す平面図
【図５】本発明の第２実施例のヨーク型薄膜磁気ヘッドの平面図
【図６】図５のヨーク型薄膜磁気ヘッドのＶＩ−ＶＩ断面図
【図７】本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置のドラムの斜視図
【図８】本発明のヨーク型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録再生装置の走行系を示す平面図
【図９】従来のヨーク型薄膜磁気ヘッドの平面図
【図１０】図９のヨーク型薄膜磁気ヘッドのＸ−Ｘ断面図
【符号の説明】
１　　　下部ヨーク
２　　　絶縁層
３　　　バイアス導体
３ａ、３ｂ　リード導体
４ａ、４ｂ　上部ヨーク
５　　　磁気抵抗効果素子
６ａ、６ｂ　リード導体
７　　　テープ摺動面
８　　　ヘッドギャップ
９　　　間隙
１０　　テープ
１１　　下部ヨーク
１２　　溝
１３　　絶縁物
１４　　表面
１５　　磁気抵抗効果素子
１５ａ、１５ｂ　端部
１６、２６　　　リード導体
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ、１６ｆ　　経路
１７　　絶縁層
１８ａ、１８ｂ　上部ヨーク
２０、２１　　　分岐部
２８　　導体
５１　　溝
５２　　上回転ドラム
５３、６３　　　回転ドラム装置
５４　　リード
５５　　磁気ヘッド
５６　　下ドラム
５７　　供給リール
５８、６０、６１、６６、６７、６９　　　回転ポスト
５９　　テンションアーム
７２　　巻き取りリール
６２、６５　　　傾斜ポスト
６４　　再生用ヘッド
６８　　キャプスタン
７０　　ピンチローラ
７１　　磁気テープ
Ｌ、Ｍ　　　　　磁路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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