(57)【要約】【課題】精密外観と薄肉を要求される製品を１色成形および２色成形する場合、メッキが剥がれ難く、また表面にシボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目を形成する場合でもそのシボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目を再現することができるメッキ成形品の製造方法を提供する。【解決手段】成形品の表面に以下の工程によりメッキを処理するメッキ成形品の製造方法である。（ａ）成形品表面に、無電解メッキによって金属メッキ層を形成する工程、（ｂ）該無電解メッキ層の表面に電気メッキによって第１のニッケルメッキ層を形成する工程、（ｃ）該第１のニッケルメッキ層の表面に電気メッキによって第２のニッケルメッキ層を形成する工程、および（ｄ）該第２のニッケルメッキ層の表面に第３のニッケルメッキ層を形成する工程。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形品の表面に以下の工程によりメッキを処理するメッキ成形品の製造方法：
（ａ）成形品表面に、無電解メッキによって金属メッキ層を形成する工程、
（ｂ）該無電解メッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第１のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを１２０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第１のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４６〜５６℃、陰極電流密度１．０〜３．５Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、
（ｃ）該第１のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第２のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第２のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、および
（ｄ）該第２のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第３のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第３のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０ＶＡ／ｄｍ２にてメッキする工程。
【請求項２】
２色成形によって得られた薄肉部を有する成形品の表面に、メッキを処理するメッキ成形品の製造方法であって、
薄肉部を有する成形品の表面に以下の工程によりメッキを処理するメッキ成形品の製造方法：
（ａ）成形品表面に、無電解メッキによって金属メッキ層を形成する工程、
（ｂ）該無電解メッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第１のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを１２０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第１のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４６〜５６℃、陰極電流密度１．０〜３．５Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、
（ｃ）該第１のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第２のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第２のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、および
（ｄ）該第２のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第３のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第３のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０ＶＡ／ｄｍ２にてメッキする工程。
【請求項３】
前記第２のニッケルメッキ浴の中に、アセチレンアルコール誘導体が０．４〜１．２重量％添加される請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第３のメッキ浴の中に、ブチンジオール誘導体が０．４〜１．６重量％添加される請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第２のニッケルメッキ層を形成する工程から、第３のニッケルメッキ層を形成する工程へ、製品に電流を流しながら製品が移される請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記成形品の表面に、光沢面と凹凸面が形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの方法によって得られるメッキ成形品。
【請求項８】
前記成形品が携帯電話の操作用ボタンである請求項７に記載のメッキ成形品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄肉部を有するメッキ成形品の製造方法に関し、詳しくは、例えば、スイッチ、パソコン操作用キー・トップ等の電気、電子部品、パソコン、電話等のＯＡ機器、ＤＶＤ、ＭＤ等の通信機器表面のメッキ方法に関し、さらに詳しくは携帯電話の操作ボタン（キー）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、折り畳みタイプ（フラップ型）の携帯電話においては、その厚みが薄いことが益々要望されている。このような携帯電話に取り付けられる操作ボタン（キー）も極力厚みの薄いものが要求されている。
【０００３】
ところで、操作ボタンは、一般に、メッキの容易なＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン）樹脂で成形されることが多いが、ＡＢＳ樹脂は携帯電話本体側への接着性が悪いという性質があり、また装飾のためメッキされない部分を形成する場合もあるので、ＡＢＳ樹脂以外の樹脂、例えば、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂を用いて二色成形することがある。さらに、装飾のため操作ボタンのメッキされた表面に、光沢面（鏡面）とつや消し面（微細な凹凸面）とを形成する場合もある。
【０００４】
従来、このような携帯電話の操作ボタンを製造する場合には、インモールド成形すると、シャープ感、光沢感がでないので、上記したように、２色成形した後に、成形品表面にメッキ処理することが行われている。
【０００５】
そして、薄型の成形品を２色成形するときに、従来では、射出速度を高速にしてキャビテイ内に樹脂を射出成形していた。樹脂の速度が遅いと、キャビティ内に樹脂が入らず、薄型の成形品が得られないからである。しかし、樹脂速度が速いと、得られた成形品のメッキが剥がれ易いという問題がある。この理由は、成形の際の樹脂の流れ性あるいは配向に起因しているものと思われ、成形品の表面にメッキのアンカー効果がないためと思われる。
【０００６】
そこで、メッキの剥がれを防止するために、無電解メッキにて金属メッキ層を形成した後に、銅メッキを電気メッキするという方法も考えられたが、従来の銅メッキは、レベリング作用が強いので、以下のような問題点がある。
【０００７】
梨地のように操作ボタン表面に微細な凹凸が形成されているときに、従来のものではダレが発生し、光沢ができ、その結果、梨地が再現されない。
【０００８】
すなわち、▲１▼高精密の外観を必要とする製品（例えば、携帯電話操作釦や家電関係操作釦等）の様に１つの製品に鏡面部分とブラスト（シボ目）、ヘアーライン等の機械加工が混在してる製品や、▲２▼精密機械加工製品（例えば、内面にバイト目（鋭い傷）等を付けた電鋳金型を用いて成形した製品、デジタルビデオ等電子家電）等の様に、精密な外観を必要とし、かつコントラストを強調する製品にメッキを施す場合は、電解銅メッキでは皮膜の性質上表面を平らにしようとする性質（平滑性）が有るため、精密金型で成形された成形品の表面状態を再現出来ないという問題がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の実状に着目してなされたものであって、その目的とするところは、高速で射出成形して得られた薄肉部を有する成形品においても、メッキが剥がれ難く、また表面に梨地面を有する場合でもその梨地を再現することができるメッキ成形品の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載のメッキ成形品の製造方法は、成形品の表面に以下の工程によりメッキを処理する方法であり、そのことにより上記目的が達成される：
（ａ）成形品表面に、無電解メッキによって金属メッキ層を形成する工程、
（ｂ）該無電解メッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第１のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを１２０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第１のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４６〜５６℃、陰極電流密度１．０〜３．５Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、
（ｃ）該第１のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第２のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第２のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、および
（ｄ）該第２のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第３のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第３のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０ＶＡ／ｄｍ２にてメッキする工程。
【００１１】
請求項２に記載のメッキ成形品の製造方法は、２色成形によって得られた薄肉部を有する成形品の表面に、メッキを処理するメッキ成形品の製造方法であって、
薄肉部を有する成形品の表面に以下の工程によりメッキを処理する方法であり、そのことにより上記目的が達成される：
（ａ）成形品表面に、無電解メッキによって金属メッキ層を形成する工程、
（ｂ）該無電解メッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第１のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを１２０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第１のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４６〜５６℃、陰極電流密度１．０〜３．５Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、
（ｃ）該第１のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第２のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第２のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０Ａ／ｄｍ２にてメッキする工程、および
（ｄ）該第２のニッケルメッキ層の表面に、以下の条件で電気メッキによって第３のニッケルメッキ層を形成する工程、
硫酸ニッケルを２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ、硼酸を２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌ含有し、ｐＨが３．７〜４．６である第３のニッケルメッキ浴を使用し、浴温４２〜５６℃、陰極電流密度１．５〜６．０ＶＡ／ｄｍ２にてメッキする工程。
【００１２】
一つの実施態様では、前記第２のニッケルメッキ浴の中に、アセチレンアルコール誘導体が０．４〜１．２重量％添加される。
【００１３】
一つの実施態様では、前記第３のメッキ浴の中に、ブチンジオール誘導体が０．４〜１．６重量％添加される。
【００１４】
一つの実施態様では、前記第２のニッケルメッキ層を形成する工程から、第３のニッケルメッキ層を形成する工程へ、製品に電流を流しながら製品が移される。
【００１５】
一つの実施態様では、前記成形品の表面に、光沢面と凹凸面が形成されている。
【００１６】
請求項７記載のメッキ成形品は、上記いずれかの方法によって得られる。
【００１７】
一つの実施態様では、前記成形品が携帯電話の操作ボタンである。
【００１８】
本発明の作用は次の通りである。
【００１９】
ニッケルメッキ皮膜の特徴としては形に沿って析出する（追従性）があるので、精密金型で成形された成形品表面状態を再現出来る。また、無電解ニッケルを施した後に、薄く無光沢の電解ニッケル（ストライクニッケル）を施す事により、電気給電部の無電解ニッケル皮膜の溶解を防止できる。
【００２０】
さらに、２重に光沢ニッケル（半光沢・光沢）を施す場合に、特殊な方法で製品に電気を流しながら、一方の第２のニッケルメッキ浴から第３のニッケルメッキ浴へ製品を移すことにより半光沢・光沢間での層間剥離（密着不足）を防止できる。
【００２１】
つまり、浴組成およびメッキ条件が異なる第２ニッケルメッキから第３ニッケルメッキ浴へ製品を移動する場合に、製品を空中へ引き上げて移動するとニッケル皮膜が空気中で酸化されて酸化皮膜が形成されるため、第３ニッケルメッキ浴でメッキ処理によって形成したニッケル膜が剥離し易いのであるが、本発明のように、製品を保持して移動する冶具に電流を流しながら、製品を第２のニッケルメッキ浴から第３のニッケルメッキ浴へ移動することにより、第２のニッケルメッキ層の表面に酸化皮膜が形成されることを防止して第３のニッケルメッキ層の剥離を防止することができる。
【００２２】
その後、第３のニッケルメッキ層の表面に電気メッキによってクロム層またはクロム合金層を形成することにより、薄肉部を有する成形品においても、その生地表面に金属メッキ層が強固に接着して剥がれることが難しく、また表面に光沢面と梨地とが形成される成形品表面へのメッキ処理が、再現性良く実施される。
【００２３】
なお、メッキ被覆成形品の剥がれ性は以下の条件で実施される。
【００２４】
碁盤目試験：これはクロスカット試験（１ｍｍ碁盤目）にて測定される。
【００２５】
ヒートショック試験：８５℃・１時間と、−３５℃・１時間の繰り返しサイクル試験であり、６サイクル以上で変化しないということが要求されるが、従来のものは３サイクルで破壊した。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２７】
本発明の成形品４は、図１に示すように、２色成形によって得られた薄肉部３を有するものであり、ＡＢＳ樹脂にて形成された一次成形品１と、該一次成形品１の内側に二色成形によって成形された二次成形品２とを有する。二次成形品２は、必要に応じてＰＣ等の透明な樹脂にて形成することができる。
【００２８】
この皿状に高速で射出成形された成形品４は薄肉部３（ゲート口）を有し、その薄肉部の厚さは、通常０．３５ｍｍ以下であり、好ましくは０．１５〜０．３０ｍｍである。このような成形品は、従来の金型構造の物より複雑な形状で、難易度の高い形状の物にはキャビティとコアと逆構造にした二色成形によって成形することができる。また、薄肉部を有することにより、射出速度を従来に比べて早くした状態で成形される。なお、樹脂を高速で射出成形するとは、例えば、ＡＢＳ樹脂中のブタジエン分子の配向が変化する程度の速度を意味する。すなわち、ブタジエン分子は、従来の射出速度では、ほぼ球形となっているが、一定速度以上では楕円形となり、従来のメッキ処理では成形品表面からメッキが剥がれ易いのである。
【００２９】
このようにして得られた薄肉部を有する成形品の表面に以下の工程によりメッキ処理が行われる。
（ａ）成形品を水洗し、その表面に無電解ニッケルメッキ（化学メッキ）によって金属メッキ層を形成する。
【００３０】
無電解メッキは、以下のように行うことができる。
【００３１】
エッチング工程：無水クロム酸と硫酸の水溶液に成形品を所定温度にて浸漬後、水洗し、表面を粗面化する。
【００３２】
キャタリスト（キャタライザー）工程：塩化パラジウムと塩化第１スズと塩酸の水溶液に、成形品を浸漬後、水洗し、成形品表面にパラジウムを吸着させる。
【００３３】
アクセレーター工程：塩酸の水溶液に成形品を浸漬し、水洗し、キャタリスト工程でパラジウムと一緒に吸着したスズを塩酸で、溶解・脱落させる。この場合に２色成形品のＡＢＳ樹脂側のパラジウムを残し、ＰＣ等側おり脱落させるため、槽底部よりエアーバブリングを特殊な条件で行うことによりＰＣ等部へのメッキ回り込みを防止する。
【００３４】
無電解ニッケルメッキまたは無電解銅メッキ（化学メッキ）：
ニッケルまたは銅、ホルマリン、ロッセル塩、苛性ソーダ、次亜リン酸ソーダ、アンモニア、水等の混合液に浸漬し、水洗する。これによって、ホルマリン、次亜リン酸ソーダの還元反応により、ニッケル（銅）をパラジウム上に析出させる。
（ｂ）次に、無電解メッキ層上に、以下のようにして電気メッキを行う。
【００３５】
本発明では、電解ニッケルメッキ工程は、▲１▼硫酸活性工程、▲２▼水洗工程、▲３▼回収工程、▲４▼ストライクニッケルメッキ工程、▲５▼半光沢ニッケルメッキ工程、および▲６▼光沢ニッケルメッキ工程を包含する。
【００３６】
なお、▲６▼光沢ニッケルメッキ工程後は水洗を２回行い、その後クロムメッキ工程へ移る。
【００３７】
上記各工程の目的は次の通りである。
▲１▼硫酸活性工程：前処理工程（無電解ニッケル）上がりの製品表面を覆っている酸化皮膜を除去し、および酸により無電解ニッケル表面を活性化させ電解ニッケルメッキの析出を良くする。
▲２▼水洗工程：硫酸活性で付着している硫酸水溶液を洗い流しストライクニッケルのｐＨ上昇を防止する。
▲３▼回収工程：空の槽に一定時間製品を静止させ水洗水を製品より流れ落ちるようにする。
▲４▼ストライクニッケル工程：半光沢・光沢ニッケルメッキを施すために、無電解ニッケル皮膜上に無光沢ニッケル皮膜を施す。（その厚みは１〜２μｍ程度が好ましい。）
その目的は、（ｉ）次工程の半光沢ニッケルの析出を良くする、および（ｉｉ）無電解ニッケル上に直接半光沢ニッケルで高電流（４〜６Ｖ）を流した場合には、無電解ニッケル皮膜が溶解され電気接点が確保されないからであり、そのためストライクニッケルメッキを施す。
▲５▼半光沢ニッケル工程：つきまわり性（延性）の良い半光沢（光沢度合の弱い）ニッケル皮膜を施す。（その厚みは３〜７μ程度が好ましい。）
その目的は、次工程の光沢ニッケルの析出を良くするためである。（光沢感を出し易くする。）
▲６▼光沢ニッケル工程：光沢感のある光沢ニッケル（光沢度の強い）を施す。（その厚みは３〜７μが好ましい。）
その目的はユーザーニーズに見合った光沢感を再現させるためである。
【００３８】
このように、本発明では３層またはそれ以上のニッケルメッキ工程にてメッキするものであり、このニッケルメッキは追従性が優れているので、成形品の生地のブラスト処理（シボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目）の部分はそのままブラスト処理（シボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目）の凹凸が得られる。また、平面の部分（光沢面）は従来通り光沢感が得られる。
【００３９】
その後、ニッケルメッキ層の表面に、電気メッキによってクロム層またはクロム合金層を形成する。
【００４０】
なお、上記各工程におけるメッキ条件は以下のとおりである。
（１）ストライクニッケル工程（第１のニッケルメッキ層を形成する工程）におけるメッキ条件：
硫酸ニッケルの濃度は１２０ｇ／Ｌ〜２００ｇ／Ｌであり、好ましくは１５０ｇ／Ｌ〜１９０ｇ／Ｌである。硫酸ニッケルの濃度が１２０ｇ／Ｌを下回ると、メッキ皮膜のつきまわり性が低下し、２００ｇ／Ｌを上回ると、メッキ皮膜が粗雑になる。
【００４１】
塩化ニッケルの濃度は４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌであり、好ましくは５０ｇ／Ｌ〜８０ｇ／Ｌである。塩化ニッケルの濃度が４５ｇ／Ｌを下回ると、メッキ皮膜のつきまわり性が低下し、９０ｇ／Ｌを上回ると、メッキ皮膜が脆くなる。
【００４２】
硼酸の濃度は２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌであり、好ましくは３５ｇ／Ｌ〜４５ｇ／Ｌである。硼酸の濃度が２５ｇ／Ｌを下回ると、ｐＨ変動が大きくなり、５０ｇ／Ｌを上回ると、メッキ皮膜が粗雑になる。
【００４３】
ニッケルメッキ浴のｐＨは３．７〜４．６であり、好ましくは３．８〜４．３である。浴のｐＨが３．７を下回ると、メッキ皮膜のつきまわり性が悪くなり、４．６を上回ると、ビット（電解反応の水素ガス跡）が発生しやすい。
【００４４】
浴温は、４６〜５６℃であり、好ましくは４８℃〜５６℃である。浴温が４６℃を下回ると、メッキ皮膜のつきまわり性が悪くなり、５６℃を上回ると、角部を中心にコゲ（異常析出）不良が発生する。
【００４５】
陰極電流密度は１．０〜３．５Ａ／ｄｍ２であり、好ましくは２〜３Ａ／ｄｍ２である。陰極電流密度が１．０Ａ／ｄｍ２を下回ると、メッキ皮膜のつきまわり性が低下し、３．５Ａ／ｄｍ２を上回ると、角部を中心にコゲ（異常析出）不良が発生する。
（２）半光沢ニッケル工程（第２のニッケルメッキ層を形成する工程）におけるメッキ条件：
硫酸ニッケルの濃度は２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌであり、好ましくは２２０ｇ／Ｌ〜２６０ｇ／Ｌである。硫酸ニッケルの濃度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００４６】
塩化ニッケルの濃度は４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌであり、好ましくは５０ｇ／Ｌ〜７０ｇ／Ｌである。塩化ニッケルの濃度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００４７】
硼酸の濃度は２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌであり、好ましくは３５ｇ／Ｌ〜４５ｇ／Ｌである。硼酸の濃度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００４８】
ニッケルメッキ浴のｐＨは３．７〜４．６であり、好ましくは３．８〜４．３である。ｐＨがこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００４９】
浴温は、４２〜５６℃であり、好ましくは４４℃〜５３℃である。浴温がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５０】
陰極電流密度は１．５〜６．０Ａ／ｄｍ２であり、好ましくは３．５〜５．５Ａ／ｄｍ２である。陰極電流密度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５１】
第２ニッケル浴には、添加剤として、アセチレンアルコール誘導体系のものを０．４〜１．２重量％添加するのがよく、好ましくは０．６〜１．０重量％である。添加剤の添加量が０．４重量％未満の場合には、均一電着性・光沢度付与という効果が小さく、１．２重量％を超えると、光沢度過剰・メッキ皮膜が脆くなる。アセチレンアルコール誘導体系の具定例としては、ノンレベリングＮｉメッキ用光沢剤がある。
（３）光沢ニッケル工程（第３のニッケルメッキ層を形成する工程）におけるメッキ条件：
硫酸ニッケルの濃度は２００ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌであり、好ましくは２２０ｇ／Ｌ〜２６０ｇ／Ｌである。硫酸ニッケルの濃度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５２】
塩化ニッケルの濃度は４５ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌであり、好ましくは５０ｇ／Ｌ〜７０ｇ／Ｌである。塩化ニッケルの濃度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５３】
硼酸の濃度は２５ｇ／Ｌ〜５０ｇ／Ｌであり、好ましくは３５ｇ／Ｌ〜４５ｇ／Ｌである。硼酸の濃度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５４】
ニッケルメッキ浴のｐＨは３．７〜４．６であり、好ましくは３．８〜４．３である。ｐＨがこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５５】
浴温は、４２〜５６℃であり、好ましくは４４℃〜５３℃である。浴温がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５６】
陰極電流密度は１．５〜６．０Ａ／ｄｍ２であり、好ましくは３．５〜５．５Ａ／ｄｍ２である。陰極電流密度がこの範囲を外れる場合は、上記第１のニッケルメッキ層を形成する工程と同様である。
【００５７】
第３ニッケル浴には、添加剤として、ブチンジオール誘導体系のものを０．４〜１．６重量％添加するのがよく、好ましくは０．６〜１．１重量％である。添加剤の添加量が０．４重量％未満の場合には、均一電着性・内部応力の減少・耐食性の向上という効果が小さく、１．６重量％を超えると、光沢度合の過剰・残渣による次工程（装飾メッキ）でのコゲ・シミ等の不具合の発生である。ブチンジオール誘導体系の具体例としては、光沢ニッケルメッキ用光沢剤がある。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、高速で射出成形して得られた薄肉部を有する成形品においても、メッキが剥がれ難く、また表面にシボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目を再現する場合でもそのシボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目を再現することができる。
【００５９】
すなわち、従来の銅メッキは、レベリング作用が強いので、以下の問題点がある。シボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目のように表面に微細な凹凸が形成されているときに、従来のものではダレが発生し、光沢が出すぎシボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目が再現されない。すなわち、電鋳キャビティの特徴をこわす。
【００６０】
これに対して、本発明によれば、特定のメッキ条件を用いることにより、薄肉部を有する成形品においても、その生地表面に金属メッキ層が強固に接着して剥がれることがなく、また表面に光沢面とシボ目・ヘアーライン・梨地・彫刻目とが形成される成形品表面へのメッキ処理が、再現性良く実施される。
【００６１】
また、本発明で生産した製品は、従来の下地銅メッキを施した製品に比べ、銅メッキ特有の不良（ムラ付き、異物付着（ブツ突状））等が一切発生しない。異種金属上にニッケルを析出させるのではなく、同種金属（ニッケル上にニッケル）を析出させるので、層間の相性も良く、層間密着性は良好であり、銅メッキ工程からのニッケル工程に移すときに行う特殊な中和、洗浄工程を省くことができる。このような総合的なメリットにより、下地に銅メッキを施す製品より、出来栄え品質（歩留まり）が３０％以上向上する事例もあり、平均でも２０％は向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法によって得られたメッキ成形品の一実施例の断面図である。
【符号の説明】
１  一次成形品
２  二次成形品
３  薄肉部
４  成形品
【図１】
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