(57)【要約】【課題】ワイヤの振れを効果的かつ安全に制止できる単結晶製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】ルツボと、種ホルダを付けたワイヤにより単結晶を引上げる単結晶引上手段と、ワイヤの振れを制止する振れ止め手段と、振れ止め手段と種ホルダの相対位置を認識する認識手段と、認識手段の情報により振れ止め手段を制御する制御手段を具備し、制御手段は認識手段により振れ止め手段に種ホルダが接近したことを感知したときは両者が接触しないように振れ止め手段を自動的に後退させる単結晶製造装置。種ホルダを付けたワイヤにより単結晶を引上げる際にワイヤの振れを振れ止め手段により制止しつつ引上げ、振れ止め手段と種ホルダの相対位置を認識する認識手段の情報により振れ止め手段の進退動を制御し、認識手段により振れ止め手段と種ホルダが接近したことを感知したときは両者が接触しないように振れ止め手段を自動的に後退させる単結晶の製造方法。【選択図】        図１
2004256340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、少なくとも、原料融液を収容するルツボと、該ルツボ内の原料融液から先端に種結晶を保持する種ホルダを取り付けたワイヤにより単結晶を引上げる単結晶引上手段と、前記単結晶を引上げるワイヤに対して側面より進退動可能とされワイヤの振れを機械的に制止する少なくとも１つの振れ止め手段と、該振れ止め手段の内の少なくとも１つと種ホルダとの相対位置を認識する認識手段と、該認識手段からの情報により前記振れ止め手段の進退動を制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記認識手段からの情報により、前記少なくとも１つの振れ止め手段に下方から引上げられる前記種ホルダが接近したことを感知したときは、種ホルダと振れ止め手段とが接触しないように、振れ止め手段をワイヤから自動的に後退させるように制御するものであることを特徴とする単結晶製造装置。
【請求項２】
前記振れ止め手段を、ワイヤの上下方向に離間した位置に少なくとも２対具備していることを特徴とする請求項１に記載の単結晶製造装置。
【請求項３】
前記認識手段はワイヤの巻き取り量に応じて種ホルダの位置を認識するエンコーダ、カメラ、近接センサ、またはレーザセンサであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の単結晶製造装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の単結晶製造装置により単結晶を製造することを特徴とする単結晶の製造方法。
【請求項５】
チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、ルツボ内の原料融液から先端に種結晶を保持する種ホルダを取り付けたワイヤにより単結晶を引上げる際に、前記単結晶を引上げるワイヤの振れを、ワイヤの側面に配置された少なくとも１つの振れ止め手段により機械的に制止しつつ単結晶を引上げ、前記振れ止め手段の内の少なくとも１つと種ホルダとの相対位置を認識する認識手段からの情報により振れ止め手段の進退動を制御できるようにし、前記認識手段により、前記振れ止め手段と下方から引上げられる前記種ホルダが接近したことを感知したときは、種ホルダと振れ止め手段とが接触しないように、振れ止め手段をワイヤから自動的に後退させるようにすることを特徴とする単結晶の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載した単結晶の製造方法であって、前記振れ止め手段をワイヤの上下方向に離間した位置に少なくとも２対配置し、前記振れ止め手段と前記種ホルダが接近したときに、種ホルダと振れ止め手段が接触しないように、下方の振れ止め手段から順次ワイヤから自動的に後退させつつ単結晶の引上げを行なうことを特徴とする単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＺ法を用いた単結晶製造装置及び単結晶の製造方法に関し、更に詳しくは、単結晶を引き上げるワイヤの振れを機械的に制止して引上げる単結晶製造装置及び単結晶の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
単結晶を製造する方法としてチョクラルスキー（ＣＺ）法が広く用いられている。チョクラルスキー法においては、例えば図４に示すような単結晶製造装置が用いられる。この単結晶製造装置３０は、チャンバ１３内に、ヒータ１２により溶融された原料融液２を収容するルツボ１を具備している。また、この製造装置３０は、ルツボ１内の原料融液２から、先端に種結晶４を保持する種ホルダ５を取り付けたワイヤ６により単結晶３を引上げる単結晶引上手段７を具備している。
【０００３】
単結晶製造時には、チャンバ内に不活性ガスを導入した後、単結晶引上手段７からワイヤ６を伸ばし、種ホルダ５に保持された種結晶４をルツボ１内の原料融液２に浸漬する。そして、種結晶４を原料融液２になじませた後、単結晶引上手段７で所定の速度でワイヤ６を巻き取り、種結晶４の下に単結晶３を成長させることにより所定の直径の単結晶インゴットを製造する。
【０００４】
このような装置３０においては、チャンバ１３内に導入されたガス流等の影響により、単結晶３を引上げるワイヤ６に振れが生じる場合があった。ワイヤ６に振れが生じると、引上げる単結晶３が有転位化する恐れがある。そこで、図４に示すように、ワイヤ６の側面にワイヤに対してステッピングモーター（不図示）により進退動可能とされた振れ止め手段８を配置して、ワイヤ６の側面を囲うようにして、機械的にワイヤ６の振れを制止していた。
【０００５】
この装置３０においては、２つで一対の振れ止め手段８を目視により直接監視できる高さに設置し、振れ止め手段８の状態は監視窓９から目視により監視する。そして、単結晶３の引上げ時には、振れ止め手段を監視窓９から監視しつつワイヤ６に対する接触状況を確認しながら、振れ止め手段８を前進させ、ワイヤ６の振れを制止する。また、引上げが進行して振れ止め手段８に下方から引上げられる種ホルダ５が接近したときは、監視窓９から監視しつつ種ホルダ５が振れ止め手段８に接触する前に、振れ止め手段８を後退させていた（以下、このような作業者が確認しながら振れ止め手段の進退を操作する作業を手動と称する）。
【０００６】
このような装置の例としては、例えば、成長させる単結晶と原料融液との湯面をＣＣＤカメラにより監視し、単結晶の揺動に対応して振れ止め手段を動作させ、ワイヤの振れを防止する装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。
また、製造する単結晶の高重量化に伴い、成長させる単結晶を複数のワイヤを用いて引上げを行なう場合においても、その複数のワイヤの振れを制止できるように、振れ止め手段の配置や振れ止め手段の先端の形状を工夫した装置が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【０００７】
一方、このような単結晶製造装置においては、結晶引上げの初期（絞り部形成〜肩部形成前半）には、特に振幅の小さなワイヤ振れが起こりやすく、結晶引上げの初期以降、特に後半においては、振幅の大きなワイヤ振れが起こりやすい傾向がある。これは、引上げの初期は、結晶と湯面の接触面積が少ないため小さな振れが起こり易く、初期以降は結晶の成長により湯面との接触面積が大きくなり、湯面の表面張力による力が加わり、結晶重量も増えるため、小さな振れは少なくなるためと考えられる。このように、ワイヤの振れの振幅は結晶成長の初期および初期以降で異なる。さらに振れ止め手段が後退した後はワイヤの振れを制止することはできない。このため、図４に示すような１対の振れ止め手段８では、結晶成長の初期および初期以降の全体を通して、効果的にワイヤの振れを制止して、引上げる単結晶３の有転位化を防ぐということが難しかった。
【０００８】
また、図４に示すように従来の装置３０では、振れ止め手段８の状態を監視窓９から直接目視により監視して、振れ止め手段８の操作をおこなっていた。そのため、チャンバ１３の上側には、目視による監視ができないことにより振れ止め手段８の設置ができなかった。
【０００９】
さらに、結晶引上げが進行して振れ止め手段８と種ホルダ５とが接近したときの振れ止め手段８の後退時期の決定と後退操作は手動で行なっていた。そのため、作業者の監視漏れ等により振れ止め手段８の後退操作時期を誤ると、種ホルダ５と振れ止め手段８とが接触する危険があった。振れ止め手段８の先端は、湯面への不純物混入を考慮して石英等で作られているため、種ホルダ５が接触して過度の力がかかると破損してルツボ１内湯面に落下して、結晶を有転位化させる恐れがあった。これを防止するため、後退時期と後退操作を厳密に管理しようとすると、特に長時間の引上げの場合、作業者の作業負担が増大した。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭６３−１７０２９７号公報
【特許文献２】
特開２００１−５８８９７号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、ワイヤの振れを効果的かつ安全に制止できる単結晶製造装置および単結晶の製造方法を提供することを主たる目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、チョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、少なくとも、原料融液を収容するルツボと、該ルツボ内の原料融液から先端に種結晶を保持する種ホルダを取り付けたワイヤにより単結晶を引上げる単結晶引上手段と、前記単結晶を引上げるワイヤに対して側面より進退動可能とされワイヤの振れを機械的に制止する少なくとも１つの振れ止め手段と、該振れ止め手段の内の少なくとも１つと種ホルダとの相対位置を認識する認識手段と、該認識手段からの情報により前記振れ止め手段の進退動を制御する制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記認識手段からの情報により、前記少なくとも１つの振れ止め手段に下方から引上げられる前記種ホルダが接近したことを感知したときは、種ホルダと振れ止め手段とが接触しないように、振れ止め手段をワイヤから自動的に後退させるように制御するものであることを特徴とする単結晶製造装置である（請求項１）。
【００１３】
このように認識手段と制御手段を具備し、制御手段が、認識手段からの情報により種ホルダと振れ止め手段とが接触しないように、振れ止め手段をワイヤから自動的に後退させるように制御するものであれば、監視漏れ等により種ホルダと振れ止め手段とが接触するようなことがなく、安全にワイヤの振れを制止して、製造する単結晶の有転位化を防ぐことができる。そのため、作業者の作業負担も軽減される。
【００１４】
この場合、前記振れ止め手段を、ワイヤの上下方向に離間した位置に少なくとも２対具備していることが好ましい（請求項２）。
このように振れ止め手段をワイヤの上下方向に離間した位置に少なくとも２対具備していることにより、例えば、上下２対の振れ止め手段を用いて、結晶引上げの初期と初期以降に各々役割を分担して、より効果的にワイヤ振れを抑制することができる。また、このように２対以上の振れ止め手段がある場合に、前記認識手段、制御手段により各々の振れ止め手段を自動的に後退させるようにすれば、監視漏れ等の弊害を防止する効果が大きい。
【００１５】
この場合、前記認識手段はワイヤの巻き取り量に応じて種ホルダの位置を認識するエンコーダ、カメラ、近接センサ、またはレーザセンサであることが好ましい（請求項３）。
認識手段をワイヤの巻き取り量に応じて種ホルダの位置を認識するエンコーダ、カメラ、近接センサ、またはレーザセンサにすることにより、従来直接監視できないチャンバ上部の位置等も認識することができるようになり、このような場所にも振れ止め手段を設置することができる。
【００１６】
そして、前記本発明の単結晶製造装置により単結晶を製造する単結晶の製造方法は（請求項４）、例えば、チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法であって、ルツボ内の原料融液から先端に種結晶を保持する種ホルダを取り付けたワイヤにより単結晶を引上げる際に、前記単結晶を引上げるワイヤの振れを、ワイヤの側面に配置された少なくとも１つの振れ止め手段により機械的に制止しつつ単結晶を引上げ、前記振れ止め手段の内の少なくとも１つと種ホルダとの相対位置を認識する認識手段からの情報により振れ止め手段の進退動を制御できるようにし、前記認識手段により、前記振れ止め手段と下方から引上げられる前記種ホルダが接近したことを感知したときは、種ホルダと振れ止め手段とが接触しないように、振れ止め手段をワイヤから自動的に後退させるようにすることを特徴とする単結晶の製造方法である（請求項５）。
【００１７】
このように単結晶の製造方法において、振れ止め手段と種ホルダとの相対位置を認識する認識手段からの情報により振れ止め手段の進退動を制御できるようにし、認識手段により、振れ止め手段と下方から引上げられる種ホルダが接近したことを感知したときは、種ホルダと振れ止め手段とが接触しないように、振れ止め手段をワイヤから自動的に後退させるようにすれば、監視漏れ等による種ホルダと振れ止め手段との接触が避けられ、振れ止め手段の破損を防止し、単結晶を安全に製造することができる。
【００１８】
この場合、前記振れ止め手段をワイヤの上下方向に離間した位置に少なくとも２対配置し、前記振れ止め手段と前記種ホルダが接近したときに、種ホルダと振れ止め手段が接触しないように、下方の振れ止め手段から順次ワイヤから自動的に後退させつつ単結晶の引上げを行なうことが好ましい（請求項６）。
【００１９】
このように、振れ止め手段をワイヤの上下方向に離間した位置に少なくとも２対配置し、振れ止め手段と種ホルダが接近したときに、種ホルダと振れ止め手段が接触しないように、下方の振れ止め手段から順次ワイヤから後退させつつ単結晶の引上げを行なうことにより、例えば、それぞれの振れ止め手段に、結晶引上げの初期と初期以降に各々役割を分担させて、より効果的にワイヤの振れを防止することができるし、振れ止め手段の数が多くても、適切な時期に後退させることができ、監視漏れ等が生じることもない。
【００２０】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明は、従来、振れ止め手段を目視により監視して、手動により後退操作を行なっていたのを、エンコーダ、カメラ、近接センサ、レーザセンサ等の認識手段により振れ止め手段と種ホルダとの位置を認識して後退操作を自動的に行なうことにより、引上げられる種ホルダと振れ止め手段との接触・破損を防止し、長時間の引上げにおいても作業者の作業負担の低減を図ったものである。
【００２１】
さらに、振れ止め手段と種ホルダとの位置をエンコーダ、カメラ、近接センサやレーザセンサ等の認識手段により認識することにより、従来の装置では設置不可能であった、チャンバの上部にも振れ止め手段を設置することができるものとなった。このため、例えば、ワイヤの上下方向に離間した位置に２対以上の振れ止め手段を配置して、結晶引上げの進行段階毎にその役割を分担して、より効果的にワイヤの振れを抑制することが可能となる。
【００２２】
すなわち、結晶引き上げ初期の振幅の小さなワイヤの振れは、チャンバ下部に配置した振れ止め手段により制止し、結晶引き上げ初期以降の振幅の大きなワイヤの振れは、チャンバ上部に配置した振れ止め手段により制止して、結晶引き上げの全過程を通じて効果的にワイヤの振れを抑制することが可能となった。そして、引上げられる種ホルダと振れ止め手段とが接近したときは、下方の振れ止め手段から順次ワイヤから後退させることにより、種ホルダと振れ止め手段の接触を防止して、ワイヤの振れを安全かつ効果的に抑制することができる。また、振れ止め手段の数を増やしてワイヤの振れをより確実に抑制することもできる。
本発明は上記発想に基づき、諸条件を精査して完成したものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は本発明の単結晶製造装置を模式的に表した図である。この単結晶製造装置２０では、図４に示した従来型の単結晶製造装置３０に設置されていた振れ止め手段８の位置に加えて、ワイヤ６の上方向に離間した位置に、さらにもう一対のワイヤに対して進退動が可能な振れ止め手段８’が設けられている。また、チャンバ１３の上部には、この振れ止め手段８’と種ホルダ５との相対位置を認識するためのカメラによる認識手段１０が設けられている。そして、振れ止め手段８’と振れ止め手段８”と認識手段１０は共に制御手段１１に接続され、制御手段１１は認識手段１０からの情報により、振れ止め手段８’と振れ止め手段８”の後退動を独立して制御することができるようにされている。
【００２４】
本実施形態において、直接目視により監視ができない上側の振れ止め手段８’は、このように認識手段１０に接続された制御手段１１により、その後退動を自動的に制御されるようにされている。また、下側の振れ止め手段８”は、単結晶引上手段７からの信号により自動的に後退操作をするようにされている。もちろん、下方の振れ止め手段８”に対しても認識手段１０を設け、制御手段１１により自動的に制御してもよい。なお、直接監視ができる下方の振れ止め手段８”は、監視窓９より状態を監視して手動により進退動を行なっても良い。
【００２５】
図３は、振れ止め手段８’，８”の一例を示した図であり、図３（ａ）はワイヤの上方から見た図であり、図３（ｂ）はワイヤの側面から見た図である。図３（ａ）（ｂ）に示すように、上下に短い間隔を空けて配置された２つで一対の振れ止め手段８’，８”がワイヤ６を挟んで対向配置され、双方からワイヤ６の側面を覆うようにして、ワイヤ６の振れを機械的に制止できるようにされている。このように振れ止め手段は２つ１組で用いるのが効果的であるが、必ずしも対とする必要はなく、片側の１つの振れ止め手段のみが設置される場合もあり、振れ止め手段がない場合に比べて、ワイヤの振れを防止する効果を発揮することができる。
【００２６】
また、図１に示すように単結晶引上手段７のワイヤ６を巻上げるドラムには、エンコーダが設けられており、ワイヤ６の巻き取り量に応じた信号を種ホルダ５の位置信号として検出できるようにされている。この種ホルダ５の位置信号は、制御手段１１に送られ、振れ止め手段８’および振れ止め手段８”の制御に利用される。なお、種ホルダ５の位置検出手段（認識手段）としては、他に、カメラ画像処理、近接センサ、レーザセンサなどによる方法でも良い。
【００２７】
このような製造装置２０による単結晶製造は以下のように行われる。
まず、下側および上側の２対の振れ止め手段８’，８”に対して、種ホルダ５が接触しないように、振れ止め手段８’，８”をワイヤから後退させ始める位置をあらかじめ決めておく。例えば、振れ止め手段８’，８”の下側約１００ｍｍの位置とすることができる。この基準位置は、ワイヤ６の巻上げ速さ、振れ止め手段８’，８”の後退の速さにより、変わってくる。
【００２８】
単結晶製造時において、ルツボ１内の原料融液２に種ホルダ５に保持した種結晶４を浸漬させるところから、下方の振れ止め手段８”をワイヤ６に前進させて、結晶成長初期のワイヤ６の振れを抑制する。同時に上方の振れ止め手段８’もワイヤ６に前進させておいても良い。この下側の振れ止め手段８”により、ガス流等が起因と考えられる種付け、種絞り時等の引き上げ初期の振幅の小さなワイヤ６の振れを抑制して、単結晶３の有転位化を防ぐことができる。
【００２９】
振れ止め手段８’，８”の前進に際しては、下側の振れ止め手段８”は、監視窓９から直接監視して、ワイヤ６との近接状況を確認しながら前進させる。また、上側の振れ止め手段８’は認識手段１０のカメラの画像を監視して、ワイヤ６との近接状況を確認しながら前進させる。ここでは振れ止め手段８’，８”を同時に前進させ、ワイヤ６に接触しないように１ｍｍ程度の隙間ができるようにすることが好ましい。
【００３０】
単結晶３の成長が進むにつれて、図２（ａ）に示すように、例えば、種ホルダ５の位置が下側の振れ止め手段８”の下側１００ｍｍの位置に来たことを単結晶引上手段７のエンコーダにより検出した時に、振れ止め手段８”が決められた速さで自動的に後退を始める。また、この後退は監視窓９より目視により監視して、手動により振れ止め手段８”を操作することにより行なうこともできる。なお、下側の振れ止め手段８”が後退した後も、ワイヤ６の振れは上側の振れ止め手段８’により制止することができる。そのため、単結晶引き上げ初期以降、特に後半の外乱起因と考えられる共振を伴う振幅の大きいワイヤの振れを効果的に制止することができる。
【００３１】
さらに、図２（ｂ）に示すように、単結晶３の成長が進むに従い、例えば種ホルダ５の位置が上側の振れ止め手段８’の下側１００ｍｍの位置に来た時に、振れ止め手段８’が決められた速さで後退を始める。この後退は、制御手段１１が、カメラ等の認識手段１０からの情報により振れ止め手段８’に種ホルダ５が接近したことを感知し、振れ止め手段８’を自動的に後退させるように制御することにより行なう。後退時期の決定および後退動作は自動的に行われるため、結晶の引き上げ時間が長時間に及ぶ場合でも、作業者の監視漏れ等が生じるおそれがない。なお、振れ止め手段の後退時期の決定には、カメラ等の画像処理により判断してもよいが、前述の単結晶引上手段７のエンコーダ等からの情報を利用しても良い。
【００３２】
このような振れ止め手段８’の前進／後退端には、停止リミットスイッチがついていて、振れ止め手段が前進あるいは後退し過ぎて、装置が破損する危険のない構造をとっている。このため、自動的に後退を始めても、自動的に後退が停止する。
【００３３】
なお、本発明の単結晶製造装置においては、振れ止め手段８’，８”は、図３のように必ずしも２つで１対をなす配置とする必要はない。例えば、振れ止め手段の先端形状が一つの振れ止め手段でワイヤを保持して振れを制止できるリング形状であるような場合は、振れ止め手段を１つだけ設けても良い。
【００３４】
また、この実施形態における上方の振れ止め手段８’はワイヤ６に対して進退動可能とされているが、必ずしもワイヤ６に前進するときと後退するときの両方とも自動的に行なうものでなくとも良い。例えば、ワイヤ６に対して前進させるときは、手動により正確にワイヤ６に対して位置決めをし、後退させるときのみ自動的に行なうものでも良い。
【００３５】
さらに、この実施形態においては、例えば図５に示す単結晶製造装置４０のように、下方の振れ止め手段８”も、上方の振れ止め手段８’と同様に認識手段１０により認識して、制御手段１１により自動的に制御することが好ましい。振れ止め手段の数も２対に限られず、３対以上の振れ止め手段を設けても良い。
【００３６】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
図１に示した本発明のチョクラルスキー法による単結晶製造装置により、直径８インチ（２００ｍｍ）のシリコン単結晶を育成した。図１に示すように、下側の振れ止め手段は単結晶引上手段７からのエンコーダの信号により自動的に操作し、上側の振れ止め手段は認識手段１０のカメラからの信号により自動的に動作するようにした。そして、引上げられた種ホルダが各振れ止め手段の下側１００ｍｍの位置に接近した時に、振れ止め手段を後退させるものとした。
【００３７】
原料融液に種結晶を浸漬して種付けを行なったときのワイヤの種ホルダ位置における振れは、振れを抑制しない場合は約１０ｍｍ幅の振れが生じるところを、下側の振れ止め手段を用いてワイヤの振れを制止したため、約３ｍｍ以下の振れに抑制できた。さらに単結晶の引き上げが進行し、下側の振れ止め手段を後退させた後も、上側の振れ止め手段によりワイヤの振れを制止したため、２〜３ｍｍ前後の振れに抑制できた。さらに引上げが進行して、上側の振れ止め手段が自動的に後退し、所定の直胴長さの単結晶となったところで単結晶の製造を終了した。このような方法で単結晶を１００本製造したところ、製造された単結晶にワイヤの振れに起因して発生した転位は見られなかった。
【００３８】
（比較例）
図４に示した従来型のチョクラルスキー法による単結晶製造装置により、直径８インチ（２００ｍｍ）のシリコン単結晶を育成した。図４に示すように、振れ止め手段は監視窓から目視によって手動により操作した。そして、引上げられた種ホルダが振れ止め手段の下側１００ｍｍの位置に接近した時に、作業者が振れ止め手段を後退させるものとした。
【００３９】
原料融液に種結晶を浸漬して種付けを行なったときのワイヤの種ホルダ位置における振れは、実施例同様に、約３ｍｍ以下の振れに抑制できた。しかし、単結晶の引き上げが進行し、振れ止め手段を後退させた後は、ワイヤの振れを抑制することができず、引上げが進行するにしたがって振幅１０ｍｍ以上の大きな振れが生じた。このような方法で単結晶を１００本製造したところ、製造された単結晶の８本にワイヤの振れに起因すると思われる転位が発生していた。また、振れ止め手段の後退を手動で行なわなくてはならないため、作業者の作業負担が大きく、監視漏れによる種ホルダと振れ止め手段の接触が生じるおそれがある。
【００４０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、振れ止め手段を自動的に後退させるため、監視漏れによる振れ止め手段の破損が回避でき、単結晶の有転位化、装置停止時間の短縮が可能である。また、２箇所以上に振れ止め手段を設置できることにより、ワイヤの振れ止めを分担して行なうことができ、振れ止め効果を増強させ、ワイヤ振れによる結晶成長時の有転位化を抑える事が出来る。さらに、振れ止め手段の後退時期と、後退操作が自動で行えるので、作業者の作業負担低減に繋がる。
【００４２】
そのため、単結晶保持引上げにおいて懸案の課題とされていたワイヤの振れを、保持ワイヤによる結晶引上げを阻害することなく効果的に制止でき、これにより生産性を著しく高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の単結晶製造装置を模式的に表した図である。
【図２】本発明の単結晶製造装置により単結晶を引上げる様子を示した図であり、（ａ）は下側の振れ止め手段を後退させた場合を示し、（ｂ）は上側の振れ止め手段も後退させた場合を示す。
【図３】振れ止め手段８’，８”の一例を示した図であり、（ａ）はワイヤの上方から見た図であり、（ｂ）はワイヤの側面から見た図である。
【図４】従来の単結晶製造装置を模式的に表した図である。
【図５】本発明の単結晶製造装置の別の１例を模式的に表した図である。
【符号の説明】
１…ルツボ、  ２…原料融液、  ３…単結晶、  ４…種結晶、  ５…種ホルダ、  ６…ワイヤ、  ７…単結晶引上手段、  ８，８’，８”…振れ止め手段、  ９…監視窓、  １０…認識手段、  １１…制御手段、  １２…ヒータ、  １３…チャンバ、  ２０，３０，４０…単結晶製造装置。
【図１】
2004256340.tif 000003
【図２】
2004256340.tif 000004
【図３】
2004256340.tif 000005
【図４】
2004256340.tif 000006
【図５】
2004256340.tif 000007