(57)【要約】      （修正有）【課題】光半導体素子の光軸と光ファイバの光軸とのずれを防止し、光結合効率の優れた光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に光半導体素子８を載置するための載置部１ａを有する四角平板状の金属製の基体１と、この基体１の上面に載置部１ａを囲繞するように接合され、一側部に貫通孔２ａが形成された長方形状の金属製の枠体２と、この枠体２の一側部の外側面の貫通孔２ａの周囲に一端が接合された筒状の光ファイバ固定部材７とを具備しており、枠体２は、光ファイバ固定部材７が接合された一側部に隣接する両側部の外側面に、幅がそれぞれ両側部の外側面の横幅の５乃至２０％である突出部がその下端面を枠体２の下面と面一とされて複数形成されており、この複数の突出部２ｂの上端面が貫通孔２ａの中心と枠体２の上面との間の高さに位置している。【選択図】  図２
2004259861.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に光半導体素子を載置するための載置部を有する四角平板状の金属製の基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように接合され、一側部に貫通孔が形成された長方形状の金属製の枠体と、該枠体の前記一側部の外側面の前記貫通孔の周囲に一端が接合された筒状の光ファイバ固定部材とを具備しており、前記枠体は、前記一側部に隣接する両側部の外側面に、幅がそれぞれ前記両側部の外側面の横幅の５乃至２０％である突出部がその下端面を前記枠体の下面と面一とされて複数形成されており、該複数の突出部の上端面が前記貫通孔の中心と前記枠体の上面との間の高さに位置していることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の光半導体素子収納用パッケージと、前記光ファイバ固定部材に挿入され固定された光ファイバと、該光ファイバに光学的に結合するように前記載置部に載置固定された光半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体素子を収容するための光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置に関し、特に金属製の枠体の形状を改良し、光伝送特性を向上させたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光半導体素子を気密封止して収納するための光半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）の例を図３に断面図で示す。同図において、２１は直方体の基体、２２は枠体、２４は透光性部材、２５は金属製保持部材、２６は光ファイバ、２８は光半導体素子である。
【０００３】
基体２１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）焼結材等の金属やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体等のセラミックスから成り、その上面の中央部には、半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子２８が載置される載置部２１ａが形成されている。
【０００４】
基体２１の上面の外周部には、載置部２１ａを囲繞するように接合され、一側部に光信号の入出力部となる貫通孔２２ａを有する、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料やＡｌ２Ｏ３質焼結体、ＡｌＮ質焼結体、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質焼結体等のセラミックスから成る枠体２２が立設されている。この枠体２２は、基体２１と一体成形される、または基体２１に銀（Ａｇ）ロウなどのロウ材を介してロウ付けされる、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体２１の上面の外周部に立設される。
【０００５】
さらに、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属から成り、中央部に貫通孔２５ａが形成された、透光性部材２４を保持するための円板状の金属製保持部材２５が、貫通孔２２ａの外側面側の周囲にロウ材を介して接合される。金属製保持部材２５には貫通孔２５ａを塞ぐように貫通孔２５ａの周囲で透光性部材２４が接合される。
【０００６】
また、金属製保持部材２５には、透光性部材２４との接合部よりも外周側に断面が略Ｕ字状の湾曲部２５ｂが形成されている。
【０００７】
透光性部材２４はガラスやサファイア等から成る円板状、球状、半球状または円柱状の部材であり、ガラス接合や半田付け等により金属製保持部材２５と気密に接合される。
【０００８】
そして、光ファイバ２６固定用の筒状の金属製固定部材２７が金属製保持部材２５の外周部に溶接されることによってパッケージとなる。
【０００９】
このようなパッケージの載置部２１ａに、光半導体素子２８が回路基板やサブキャリア等の載置用基台２９を介して載置固定され、しかる後、枠体２２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属からなる蓋体２３がロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で取着される。これによって、基体２１、枠体２２、蓋体２３、透光性部材２４及び金属製保持部材２５から主に構成される容器内部で光半導体素子２８を収容し気密に封止することができる。
【００１０】
最後に、光ファイバ２６が金属製固定部材２７に外部から挿通固定されて枠体２２の一側部に固定されることによって、製品としての光半導体装置となる。
【００１１】
この光半導体装置は、外部電気回路から供給される電気信号によって光半導体素子２８に光を励起させ、この光を透光性部材２４、光ファイバ２６を介して外部に伝送することによって、高速光通信等に使用される光半導体装置として機能する。もしくは、外部から光ファイバ２６を介して伝送してくる光信号を、透光性部材２４に透過させ、光半導体素子２８に受光させて光信号を電気信号に変換することによって、高速光通信等に使用される光半導体装置として機能する（例えば、下記の特許文献１参照）。
【００１２】
このような光半導体装置は、光半導体素子２８の作動により生じた熱が金属製保持部材２５に伝わり、金属製保持部材２５が熱膨張により変形した場合においても、金属製保持部材２５に形成した湾曲部２５ｂが熱膨張による変形を吸収できることから、光ファイバ２６と光半導体素子２８との光伝送効率が低下するのを有効に抑制することができる。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００２−２７０９４４号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１に示されるパッケージにおいては、枠体２２の上面に蓋体２３をロウ付けまたはシームウェルド法等の溶接法で取着すると、枠体２２と接合部材との熱膨張差や、溶接法を用いた場合の局所的な加熱による枠体２２の局所的な熱膨張によって歪みが生じ、枠体２２に反り等の変形が生じて光ファイバ２６と光半導体素子２８との光軸がずれ、光半導体素子２８からの光信号を光ファイバ２６に効率良く伝送できなくなるという問題点を有していた。
また、近年の光半導体素子２８の使用周波数の高周波化により光半導体素子２８の作動により発生する熱量が非常に大きくなり、従来の特許文献１に示されるパッケージではこの熱を効率よく発散できず、光半導体素子２８の温度が上昇し、光半導体素子２８が誤作動を起こすという問題点も有していた。
【００１５】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、熱応力に対する枠体の歪みを有効に抑制すると同時に、光半導体素子から発生する熱を速やかに光半導体素子収納用パッケージの外部に放熱させることにより、光結合効率に優れるとともに光半導体素子を長期にわたり安定に作動させることのできる光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に光半導体素子を載置するための載置部を有する四角平板状の金属製の基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように接合され、一側部に貫通孔が形成された長方形状の金属製の枠体と、該枠体の前記一側部の外側面の前記貫通孔の周囲に一端が接合された筒状の光ファイバ固定部材とを具備しており、前記枠体は、前記一側部に隣接する両側部の外側面に、幅がそれぞれ前記両側部の外側面の横幅の５乃至２０％である突出部がその下端面を前記枠体の下面と面一とされて複数形成されており、該複数の突出部の上端面が前記貫通孔の中心と前記枠体の上面との間の高さに位置していることを特徴とする。
【００１７】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、光ファイバ固定部材が接合された枠体の一側部に隣接する両側部の外側面に、幅がそれぞれ両側部の外側面の横幅の５乃至２０％である突出部がその下端面を枠体の下面と面一とされて複数形成されており、この複数の突出部の上端面が貫通孔の中心と枠体の上面との間の高さに位置していることから、枠体の表面の外気との接触面積が大きくなり、光半導体素子から発生した熱を効率よく発散させて光半導体素子収納用パッケージ内部の温度が上昇するのを有効に抑制することができ、その結果、光半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させることができる。
【００１８】
また、突出部の下端面を枠体の下面と面一にしていることから、枠体と基体との接触面積が大きくなり基体の載置部に載置される光半導体素子からの放射熱が枠体に伝わったとしても、基体に効率よく熱を伝達して基体から外部電気回路基板等へ放熱させることができ、放熱性をより向上させることができる。さらに、基体の上面と枠体の下面との接合強度も向上させることができ、光半導体素子収納用パッケージの気密性をより向上させることができる。
【００１９】
さらに、突出部は、上端面が貫通孔の中心と枠体の上面との間の高さに位置していることから、枠体の強度を高めて枠体の歪を有効に抑制し、貫通孔に固定される光ファイバの位置精度を良好に維持することができる。また、枠体の上面に蓋体を溶接により接合する際、枠体と蓋体との接合強度を全周にわたって均一に強固なものとすることができる。即ち、突出部が枠体の上面と面一であると熱が突出部へ移動し易くなり、突出部が有る部分と無い部分とで温度条件が異なって接合強度にばらつきが生じ易くなるが、突出部の上端面を枠体の上面よりも下側にすることで枠体の上面の温度を全周にわたってほぼ均一にすることができる。
【００２０】
本発明の光半導体装置は、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージと、前記光ファイバ固定部材に挿入され固定された光ファイバと、該光ファイバに光学的に結合するように前記載置部に載置固定された光半導体素子と、前記枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００２１】
本発明の光半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージを用いた、光結合効率に優れるとともに光半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させることのできる光半導体装置とすることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の光半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明のパッケージについて実施の形態の一例を示す斜視図、図２はパッケージの中心線における断面図である。これらの図において、１は基体、２は枠体、４は透光性部材、５は金属製保持部材、６は光ファイバ、８は光半導体素子である。
【００２３】
本発明の基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ焼結材等の金属から成り、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。
【００２４】
基体１の上側主面には、ＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子８が載置される載置部１ａが形成されるとともに、載置部１ａには、光半導体素子８が載置固定される、または、回路基板やサブキャリア等の載置用基台９を介して載置固定される。
【００２５】
また、基体１の上側主面の外周部には載置部１ａを囲繞するように接合されるとともに、一側部に貫通孔２ａが形成された長方形状の金属製の枠体２が立設接合されており、枠体２は、基体１とともにその内側（内部空間）に光半導体素子８を収容する空所を形成するとともに、光ファイバ６を支持する作用をなす。
【００２６】
なお、光信号の入出力部となる貫通孔２ａは、光半導体素子８から離れた側部（短辺側の側部）にあるのがよい。これにより、光半導体素子８からの熱をより伝わり難くして枠体２の貫通孔２ａが形成された側部を歪み難くし、光結合効率が低下するのを有効に抑制することができる。
【００２７】
また、枠体２は、光ファイバ固定部材７が接合された一側部に隣接する両側部の外側面に、幅がそれぞれ両側部の外側面の横幅の５乃至２０％である突出部２ｂがその下端面を枠体２の下面と面一とされて複数形成されており、この複数の突出部２ｂの上端面が貫通孔２ｂの中心と枠体２の上面との間の高さに位置している。
【００２８】
これにより、枠体２の表面の外気との接触面積が大きくなり、光半導体素子８から発生した熱を効率よく発散させてパッケージ内部の温度が上昇するのを有効に抑制することができ、その結果、光半導体素子８を長期にわたり正常かつ安定に作動させることができる。
【００２９】
また、突出部２ｂの下端面を枠体２の下面と面一にしていることから、枠体２と基体１との接触面積が大きくなり基体１の載置部１ａに載置される光半導体素子８からの放射熱が枠体２に伝わったとしても、基体１に効率よく熱を伝達して基体１から外部電気回路基板等へ放熱させることができ、放熱性をより向上させることができる。さらに、基体１の上面と枠体２の下面との接合強度も向上させることができ、パッケージの気密性をより向上させることができる。
【００３０】
さらに、突出部２ｂは、上端面が貫通孔２ｂの中心と枠体２の上面との間の高さに位置していることから、枠体２の強度を高めて枠体２の歪を有効に抑制し、貫通孔２ｂに固定される光ファイバ６の位置精度を良好に維持することができる。また、枠体２の上面に蓋体３を溶接により接合する際、枠体２と蓋体３との接合強度を全周にわたって均一に強固なものとすることができる。即ち、突出部２ｂが枠体２の上面と面一であると熱が突出部２ｂへ移動し易くなり、突出部２ｂが有る部分と無い部分とで温度条件が異なって接合強度にばらつきが生じ易くなるが、突出部２ｂの上端面を枠体２の上面よりも下側にすることで枠体２の上面の温度を全周にわたってほぼ均一にすることができる。
【００３１】
突出部２ｂは、長方形状の枠体２の長辺側の外側面に形成されるのがよい。この場合、枠体２の長辺側の側部は光半導体素子８とより接近しているために半導体素子８からの熱が伝わり易いので、長辺側の外側面に突出部２ｂを形成して熱を効率よく放散させることにより、パッケージ内部の温度の上昇をより抑制することができる。
【００３２】
なお、突出部２ｂは、長辺側の外側面だけでなく、短辺側の外側面に形成されていてもよい。これにより、枠体２の外側面側の表面積をより大きくして放熱性に優れたものとできるとともに、補強効果を高めることにより枠体２をより歪み難いものとすることができる。
【００３３】
突出部２ｂは、その一つ当たりの幅が枠体２の外側面の横幅の５乃至２０％である。５％未満であると、枠体２を補強する効果が小さくなり、蓋体３がロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で枠体２の上面に取着された時に加わる熱応力によって枠体２が歪み易くなる。一方、２０％以上であると、枠体２の外側面に形成することのできる突出部２ｂが少なくなるため、外側面の外気との接触面積が小さくなって熱を放散する効果が小さくなり易い。
【００３４】
また、突出部２ｂの上下方向の長さは、枠体２の高さの３／５倍以上であることが好ましい。３／５倍未満であると、光半導体素子８が高周波化により作動時の発熱量が多くなった場合、枠体２の外側面の外気との接触面積が小さくなって熱を放散する効果が小さくなり易い。さらに、枠体２を補強する効果が小さくなり、蓋体３がロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で取着された時に加わる熱応力により枠体２の貫通孔２ａの周囲の部位が歪み易くなって光ファイバ６の位置がずれ易くなり、その結果、光半導体素子８の光軸と光ファイバ６の光軸がずれ、光信号を効率よく伝送することが困難になる。
【００３５】
さらに、突出部２ｂの上端面と枠体２の上面との間の距離が０．５〜５ｍｍであるのがよい。これにより、枠体２の上面に蓋体３を溶接により接合する際、枠体２の上面の温度を突出部２ｂへの熱の移動を有効に抑制することにより、枠体２と蓋体３との接合強度を全周にわたって均一に強固なものとすることができる。０．５ｍｍ未満であると、枠体２の上面に温度差が生じ易くなって枠体２と蓋体３との接合強度にばらつきが生じ易くなる。また、５ｍｍを超えると、枠体２全体を放熱する効果が小さくなり易い。
【００３６】
枠体２は、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ焼結材等の金属から成り、従来周知の切削加工や金属射出成型等の方法により加工することができる。
【００３７】
そして、枠体２は、基体１と一体成形される、または基体１にＡｇロウ等のロウ材でロウ付けされる、またはシームウエルド等の溶接法により接合されることによって、基体１の上側主面の外周部に立設される。
【００３８】
さらに、枠体２の一側部の外側面の貫通孔２ａの周囲に外周部が接合され、中央に透光性部材４を保持するための貫通孔５ａが形成された円板状の金属製保持部材５が設けられる。この金属製保持部材５には、貫通孔５ａを塞ぐように透光性部材４が貫通孔５ａの周囲に、ガラス接合や半田付け等により気密に接合される。
【００３９】
金属製保持部材５は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＳＵＳなどの金属材料からなっており、金属材料のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作され、Ａｇロウ等によるロウ付け、Ａｕ−Ｓｎ半田、Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田付けにより、その外周部が貫通孔２ａを塞ぐように接合され、透光性部材４とともに貫通孔２ａを気密に塞ぐこととなる。
【００４０】
透光性部材４は、ガラスやサファイア等からなる円板状、レンズ状、球状、半球状または円柱状の部材であり、球状の場合帯状部で、円板状やレンズ状の場合一主面の外周部で、半球状の場合平面部の外周部で金属製保持部材５とガラス接合や半田付け等により接合される。
【００４１】
また、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒状の光ファイバ固定部材７が、金属製保持部材５の外周部付近にレーザ溶接法等で溶接することにより、枠体２の一側部の外側面の貫通孔２ａの周囲に一端が接合される。光ファイバ固定部材７は、光ファイバ６を枠体２の一側部に接合するための支持部材として機能する。
【００４２】
光半導体装置は、上記のパッケージと、光ファイバ固定部材７に挿入され固定された光ファイバ６と、この光ファイバ６に光学的に結合するように載置部１ａに載置固定された光半導体素子８と、枠体２の上面に取着された蓋体３とを具備している。
【００４３】
光半導体素子８は、基体１の上面中央の載置部１ａに回路基板やサブキャリア等の載置用基台９を介して載置固定され、光半導体素子８の電極がセラミックス端子や同軸コネクタ等の入出力端子（図示せず）を通じて外部電気回路と電気的に接続される。
【００４４】
枠体２の上面には、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属やＡｌ２Ｏ３質焼結体等のセラミックスからなる蓋体３がロウ付け法やシームウエルド法等の溶接法で取着され、基体１、枠体２、蓋体３、透光性部材４及び金属製保持部材５から主に構成される容器内部に光半導体素子８を収容し気密に封止する。
【００４５】
そして、光ファイバ６は、光ファイバ固定部材７に外部から挿通固定されて枠体２の一側部に固定される。これにより、光ファイバ６を介して内部に収容する光半導体素子８と外部との光信号の授受が可能となり、製品としての光半導体装置となる。
【００４６】
この光半導体装置は、外部電気回路から供給される電気信号によって光半導体素子８で光を出力させ、この光を透光性部材４、光ファイバ６の順に透過させ、光ファイバ６を介して外部に伝送することによって、高速光通信等に使用される光半導体装置として機能する。もしくは、外部から光ファイバ６を伝送してくる光信号を、透光性部材４を透過させ、光半導体素子８に受光させて光信号を電気信号に変換することによって、高速光通信などに使用される光半導体装置として機能する。
【００４７】
【実施例】
本発明の光半導体素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。
【００４８】
図１のパッケージを以下のように構成した。Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなり、大きさが縦７．７ｍｍ×幅１０．７５ｍｍ×高さ０．５ｍｍの基体１の上面に、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなり、大きさが縦７．７ｍｍ×幅１０．７５ｍｍ×高さ２．５ｍｍで壁厚が１ｍｍの枠体２を、Ａｇロウにより接合することによりパッケージを作製した。なお、枠体２は光信号の入出力部となる貫通孔２ａと突出部２ｂとを有し、貫通孔２ａは枠体２の短辺側の側部の中央の高さ１．５ｍｍの位置に中心を設けた直径１ｍｍのものである。突出部２ｂとしては縦０．５ｍｍ×幅１．４ｍｍで上下方向の長さが表１に示す種々のもの（突出部２ｂの下端面が枠体２の下面と面一）をそれぞれ用意し、これらを長辺側の両外側面にそれぞれ６個ずつ等間隔（間隔０．５ｍｍ）に設けた。これらのパッケージ内部に光半導体素子８を収容し、枠体２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる蓋体３をシームウエルド法で取着することにより６種類のサンプルＰ１〜Ｐ７を作製した。
【００４９】
また、比較サンプル用として枠体２の外側面に突出部２ｂを設けていないサンプルを作製した。これをサンプルＰ８とした。そして、サンプルＰ１〜Ｐ８で光半導体素子８を作動させ貫通孔２ａの中心の変位量を確認した。
【００５０】
作動時の変位量を測定した結果を表１に示す。表１より、サンプルＰ１〜Ｐ７の変位量がともに４５μｍ以下となり貫通孔２ａの変位量を低減できることが判った。特にサンプルＰ４〜Ｐ７の変位量がともに３０μｍ以下となり、貫通孔２ａの変位量を大幅に低減できることが判った。
【００５１】
【表１】
2004259861.tif 000003
【００５２】
次に、これらのサンプルＰ１〜Ｐ７について気密性の評価を以下の手順で行なった。各サンプルをフロリナート系の揮発性の高い液体中に浸漬しグロスリーク試験を行ない、液体中への気泡の発生の有無を評価した。
【００５３】
この結果、サンプルＰ７では蓋体３と枠体２との接合部から気泡が発生したのに対し、サンプルＰ１〜Ｐ６では気密性に問題はなく優れたものであった。
【００５４】
なお、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に光半導体素子を載置するための載置部を有する四角平板状の金属製の基体と、この基体の上面に載置部を囲繞するように接合され、一側部に貫通孔が形成された長方形状の金属製の枠体と、この枠体の一側部の外側面の貫通孔の周囲に一端が接合された筒状の光ファイバ固定部材とを具備しており、光ファイバ固定部材が接合された枠体の一側部に隣接する両側部の外側面に、幅がそれぞれ両側部の外側面の横幅の５乃至２０％である突出部がその下端面を枠体の下面と面一とされて複数形成されており、この複数の突出部の上端面が貫通孔の中心と枠体の上面との間の高さに位置していることから、枠体の表面の外気との接触面積が大きくなり、光半導体素子から発生した熱を効率よく発散させて光半導体素子収納用パッケージ内部の温度が上昇するのを有効に抑制することができ、その結果、光半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させることができる。
【００５６】
また、突出部の下端面を枠体の下面と面一にしていることから、枠体と基体との接触面積が大きくなり基体の載置部に載置される光半導体素子からの放射熱が枠体に伝わったとしても、基体に効率よく熱を伝達して基体から外部電気回路基板等へ放熱させることができ、放熱性をより向上させることができる。さらに、基体の上面と枠体の下面との接合強度も向上させることができ、光半導体素子収納用パッケージの気密性をより向上させることができる。
【００５７】
さらに、突出部は、上端面が貫通孔の中心と枠体の上面との間の高さに位置していることから、枠体の強度を高めて枠体の歪を有効に抑制し、貫通孔に固定される光ファイバの位置精度を良好に維持することができる。また、枠体の上面に蓋体を溶接により接合する際、枠体と蓋体との接合強度を全周にわたって均一に強固なものとすることができる。即ち、突出部が枠体の上面と面一であると熱が突出部へ移動し易くなり、突出部が有る部分と無い部分とで温度条件が異なって接合強度にばらつきが生じ易くなるが、突出部の上端面を枠体の上面よりも下側にすることで枠体の上面の温度を全周にわたってほぼ均一にすることができる。
【００５８】
本発明の光半導体装置は、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージと、光ファイバ固定部材に挿入され固定された光ファイバと、この光ファイバに光学的に結合するように載置部に載置固定された光半導体素子と、枠体の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージを用いた、光結合効率に優れるとともに光半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させることのできる光半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す斜視図である。
【図２】図１の光半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図３】従来の光半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【符号の説明】
１：基体
２：枠体
２ａ：貫通孔
２ｂ：突出部
３：蓋体
６：光ファイバ
７：光ファイバ固定部材
８：光半導体素子
【図１】
2004259861.tif 000004
【図２】
2004259861.tif 000005
【図３】
2004259861.tif 000006