(57)【要約】【課題】優れた密着性、破損防止性、及び非汚染性を有する半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを提供する。【解決手段】基材フィルムの片面に粘着剤層が形成され、該粘着剤層が、架橋剤と反応し得る官能基を有し、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度が−５０〜５℃である重合体（Ａ）１００重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有し、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度が５℃を超え、５０℃以下である重合体（Ｂ）１０〜１００重量部、並びに前記重合体（Ａ）及び（Ｂ）の合計量１００重量部に対し１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤（Ｃ）０．１〜１０重量部を含み、粘着剤層の厚みが５〜５０μｍである半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。【選択図】　なし。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、該粘着剤層が、架橋剤と反応し得る官能基を有し動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（Ｔａ）が−５０〜５℃である重合体（Ａ）１００重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有し動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（Ｔｂ）が５℃を超え５０℃以下である重合体（Ｂ）１０〜１００重量部、並びに前記（Ａ）及び（Ｂ）の合計量１００重量部に対し１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤（Ｃ）０．１〜１０重量部を含み、粘着剤層の厚みが５〜５０μｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
【請求項２】
基材フィルムの少なくとも１層の２５℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０８〜１０１０Ｐａであり、厚みが１０〜１２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
【請求項３】
重合体（Ａ）および（Ｂ）がアクリル酸アルキルエステル系共重合体であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
【請求項４】
請求項１〜３いずれかに記載の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウェハの回路形成表面に貼着して、該半導体ウェハの回路非形成面に対して研削加工を施し、次いで、該半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体ウェハの保護方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法に関する。詳しくは、半導体集積回路の製造工程において、半導体ウェハの回路非形成面（以下、ウェハの裏面という）を研削加工して該半導体ウェハを薄層化する際に、半導体ウェハの破損、汚染を防止するために、半導体ウェハの回路形成表面（以下、ウェハの表面という）に粘着剤層を介して貼着される半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハの保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体装置は、高純度シリコン単結晶等をスライスしてウェハとした後、イオン注入、エッチング等により集積回路を組み込み、さらに、集積回路が組み込まれた後のウェハの裏面をグラインディング、ラッピング、ポリッシング等の手段により機械的に研削してウェハの厚みを薄くする裏面研削工程を経た後、ダイシングしてチップ化する方法により製造されている。従来、これらの工程の中で、ウェハの裏面を研削加工する際に、ウェハの破損、汚染を防止するために半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムが用いられている。
【０００３】
具体的には、半導体ウェハの表面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して貼着してウェハ表面を保護した後、該ウェハの裏面を機械的に研削する。研削した後、必要に応じて、引き続きウェハ裏面の薬液処理が実施されることがある。これらの裏面処理工程が完了した後、該粘着フィルムはウェハ表面から剥離される。
【０００４】
このような半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムに要求される性能の一つとして、半導体ウェハの裏面を研削する際に使用する冷却水（以下、研削水という）の浸入防止性能が挙げられる。ウェハ表面には、ポリイミド等のコーティング層、酸化珪素膜、窒化珪素膜等の蒸着膜、スクライブライン（ダイシングストリート）等に起因するウェハ最外周部から溝状に窪んだ凹部が存在する。通常、溝状に窪んだ凹部の深さは２〜２０μｍ程度である。このようなウェハ表面に存在する凹部がウェハの最外周部まで到達している半導体ウェハの裏面を研削する場合には、粘着剤層の凹部に対する密着が不十分であると、凹部を通じて研削水が浸入することがあった。ひとたび凹部を通して研削水がウェハ表面と粘着フィルムの間に浸入すると、浸入した研削水によりウェハ表面から粘着剤層の剥離が進行し、ウェハ表面と粘着剤層の間への研削水のしみ込みが加速され、集積回路表面全体が研削水と共に浸入した研削屑により汚染される傾向がある。最悪の場合、浸入した研削水の影響で裏面研削中に表面保護用粘着フィルムが剥がれ、ウェハの破損を招くこともあった。
【０００５】
こうした問題を防止するために、粘着フィルムの粘着剤層の厚みを厚くし、ウェハ表面の凹部と粘着剤層の密着性を向上させる手段がとられている。しかしながら、この手段を用いた場合には、粘着フィルムのウェハ表面に対する粘着力がウェハの強度以上に大きくなり、ウェハの厚み、表面形状等の諸条件によっては、裏面研削後にウェハ表面から粘着フィルムを剥離する際に、自動剥がし機で剥離トラブルが発生して作業性を悪化させたり、時にはウェハを完全に破損してしまうことがあった。また、ウェハの種類によっては、凹部の深さが２０μｍを超えるものも存在しており、このようなウェハに対応するために、粘着剤層の厚みをさらに厚くした場合には、粘着フィルムの生産性が悪化して製造コストが上昇するため、安価な粘着フィルムを提供することが困難であり、現実的な解決策とはなっていなかった。
【０００６】
このような裏面研削時の研削水の浸入の問題を解決する手段として、例えば特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体ウェハの裏面を研磨するにあたり、このウェハの表面に感圧性接着フィルムを貼り付け、ウェハ裏面を研磨した後、接着フィルムを剥離する半導体ウェハの保護方法において、上記の感圧性接着フィルムが光透過性の支持体とこの支持体上に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層とからなり、研磨後、接着フィルムを剥離する前に接着フィルムに光照射する半導体ウェハの保護方法が開示されている。
【０００７】
上記発明に開示されている半導体ウェハの保護方法は、剥離前に光照射することによって粘着フィルムのウェハ表面に対する粘着力を低下させることができるため、剥離時の作業性、ウェハ破損の問題を考慮せずに裏面研削時のウェハ表面に対する密着性を十分に大きくすることができるため、前述のウェハ表面と粘着剤層との間への研削水及び研削屑の浸入の問題は解決される。
【０００８】
しかしながら、該粘着フィルムは、光照射により硬化し、三次元網状化する性質を感圧接着剤（粘着剤）層に付与するために、粘着剤層中に光開始剤、及び、光重合性オリゴマー等の低分子量化合物を含有する。ウェハの表面形状や光照射強度、時間等の諸条件によっては、粘着剤層の硬化が不十分となることがあり、剥離後のウェハ表面に、未反応の状態で残留したこれらの低分子量化合物に起因する糊残りの問題が発生することがあった。その問題を防止するためには光照射装置内を窒素等の不活性ガスで充填する必要があり、製造コストが上昇すると共に、工程の大型化、複雑化を招くという問題があった。
【０００９】
また、特開平５−３３５２８８号公報には、支持シートに感圧接着層を設けてなり、その感圧接着層がゲル分率４０％以上であり、かつ水溶性ポリマーを含有することを特徴とする半導体ウェハの保護部材が開示されている。この発明に開示されている半導体ウェハの保護部材（粘着フィルム）は、その感圧接着層に水溶性ポリマーを含有することによって、該保護部材を回路パターン形成面等から剥離した後に、有機溶剤による前洗浄をすることなく直接水洗しても充分に清澄に洗浄処理でき、従って有機溶剤による前洗浄を省略できるとするものである。さらに、ウェハの裏面研磨時等における接着界面への水の浸入防止、研磨屑による回路パターン形成面等への汚染防止、剥がれによるウェハ損傷の防止等の保護機能、及び剥離時における研磨ウェハ等の割れ防止の剥離容易性も満足し、且つ、ブリードで半導体ウェハに付着した水溶性ポリマーも水洗で容易に洗浄することができるとも記載されている。
【００１０】
しかしながら、この保護部材を半導体ウェハの裏面研削時の表面保護用に用いた場合、ブリードした水溶性ポリマーにより粘着剤層の凝集力が低下し、ウェハの表面形状、裏面研削条件、剥離条件等の諸条件によっては、ウェハから保護部材を剥離する際に、凝集破壊による糊残りが発生し、ウェハ表面を汚染することがあった。この凝集破壊による糊残りは、水洗によっても完全には除去できないことがあり、後工程においてパッケージング不良等の問題を引き起こすことがあった。
【００１１】
近年、携帯情報端末用途、及び、ＩＣカード用途など、半導体集積回路チップに対する薄層化の要求が益々高まっている。上記のような用途に用いられる半導体ウェハは、裏面研削により厚みが２００μｍ以下になるまで薄層化されるのが一般的であり、場合によっては厚みが５０μｍ程度まで裏面研削されることもある。研削後の厚みが薄くなればなるほど、研削に必要な時間、すなわち、研削の際に冷却水にさらされる時間が増加する。そのため、２００μｍ以下になるまでウェハを薄層化する研削条件下では、前述した研削中の水の浸入によるウェハの汚染や破損の危険性が一層高まっていると言える。また、チップの高性能化や半導体製造プロセスの技術革新に伴い、集積回路表面の形状は複雑化する傾向にあり、ウェハ表面に存在する凹部には、深さが２０μｍを超えるものも登場してきている。中には５０μｍ程度にまで達するものもある。
【００１２】
また、特開平５−３３５４１１号公報には、ウェハの表面側から所定深さの溝を形成した後、これを裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示されている。このような半導体チップの製造方法において用いられるウェハに形成されている溝の深さは、チップの厚みにより様々であるが、浅いものでも３０μｍ程度であり、深いものでは２００μｍ以上のものも存在する。このような半導体チップの製造方法に対して用いられる、表面側から所定深さの溝が形成されたウェハにおいても、研削中の水の浸入によるウェハの汚染や破損の問題なく使用できる半導体ウェハ保護用粘着フィルムが必要とされている。
【００１３】
かかる状況下、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムには、ウェハ表面に存在する凹部が深く、凹部を通して研削水が浸入しやすいウェハや、研削後の厚みが薄く、長時間研削水にさらされるため水が浸入する恐れが高い研削条件下であっても、回路表面への水の浸入を効果的に防止することができる、従来より高いレベルでの水の浸入防止性能を満足することが求められている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウェハ表面に対する優れた密着性と適度の粘着力を有し、研削水の浸入によるウェハ表面の汚染、破損を防止することができ、しかも剥離する際にウェハを破損することがなく、剥離した後にはウェハ表面に糊残りしてウェハを汚染することのない半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム、及びそれを用いる半導体ウェハの保護方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、研削水の浸入を効果的に防止するためには、粘着フィルムをウェハ表面の凹部に対してよく密着させるのみならず、例え凹部を通じて研削水が浸入を開始した場合にも、粘着剤層とウェハ表面との剥離を進行させないことが重要と考え、鋭意検討を行った。その結果、基材フィルムの片表面に、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度がそれぞれ特定の温度範囲にある少なくとも２種類の重合体と架橋剤とを特定の組成で含む粘着剤層を特定の厚みで設けることによって、前記課題が解決できることを見出し、本発明を完成した。
【００１６】
すなわち、本発明は、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成され、該粘着剤層が、架橋剤と反応し得る官能基を有し動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（Ｔａ）が−５０〜５℃である重合体（Ａ）１００重量部、架橋剤と反応し得る官能基を有し動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（Ｔｂ）が５℃を超え５０℃以下である重合体（Ｂ）１０〜１００重量部、並びに前記（Ａ）及び（Ｂ）の合計量１００重量部に対し１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤（Ｃ）０．１〜１０重量部を含み、粘着剤層の厚みが５〜５０μｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムである。
発明において基材フィルムの少なくとも１層の２５℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０８〜１０１０Ｐａであり、厚みが１０〜１２０μｍであることは好ましい態様である。
また、本発明において、前記の重合体（Ａ）および（Ｂ）がアクリル酸アルキルエステル系共重合体であることは好ましい態様である。
【００１７】
本発明の他の発明は、前記半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウェハの回路形成表面に貼着して、該半導体ウェハの回路非形成面に対して研削加工を施し、次いで、該半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体ウェハの保護方法である。
【００１８】
本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの特徴は、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度が、各々−５０〜５℃および５℃を超える温度〜５０℃である２種の重合体（Ａ）及び（Ｂ）、好ましくはアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）及び（Ｂ）と、前記重合体中の官能基と反応し得る架橋反応性官能基を１分子中に少なくとも２個以上有する架橋剤（Ｃ）とを特定の組成で主成分として含有する粘着剤層が、基材フィルムの片表面に特定の厚みで設けられている点にある。
【００１９】
かかる構成を採用することにより、半導体ウェハ表面の凹部に粘着フィルムがよく密着すると同時に、例え研削水が凹部を通じて浸入を開始したとしても、粘着剤層とウェハ表面との剥離の進行を抑制することができる。そのため、研削水、研削屑の浸入によるウェハ表面の汚染、ウェハの破損を極めて効果的に防止することができる。また、粘着フィルムを剥離する際には、適度な粘着力で剥離でき、しかも剥離後のウェハ表面に糊残りすることがない。
【００２０】
本発明の上記構成、及びそれらを採用することによって奏される効果との関係については定かではないが、以下のように推定する。粘着剤層中に含まれる少なくとも２種の重合体のうち、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度を−５０〜５℃という比較的低い側に有する（Ａ）は、粘着剤層に対して適度な柔軟性を与え、粘着フィルムを半導体ウェハ表面に貼り付ける際に、粘着フィルムの粘着剤層を、ウェハの表面に存在する凹部に対してよく密着させる効果を発揮する。
【００２１】
また、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度が５℃を超える温度〜５０℃と比較的高い側にある（Ｂ）を、（Ａ）１００重量部に対して１０〜１００重量部含有することにより、上記の凹部に対する優れた密着性を保ったまま、研削水が粘着フィルムを剥離させようとする負荷に対して耐えうるだけの適度な強靭さを与え、粘着剤層とウェハ表面との剥離を進行させず、水浸入を防止することができるのである。また、前記構成に加えて、これらの重合体（Ａ）及び（Ｂ）の合計量１００重量部に対して、架橋剤０．１〜１０重量部を含み、粘着剤層の厚みを５〜５０μｍとすることにより、ウェハを破損することなく剥離することが可能な適度な粘着力と、剥離後のウェハに糊残りしない非汚染性も同時に達成されるものである。
【００２２】
加えて、本願発明の構成を採用した半導体ウェハ保護用粘着フィルムは、研削水の浸入防止効果、非汚染性に優れるため、ウェハの表面側から所定深さの溝を形成した後、これを裏面側から研削する半導体チップの製造方法においても好ましく用いられる。
また、粘着剤層を形成する基材フィルムの貯蔵弾性率（Ｅ’）を１×１０８〜１×１０１０Ｐａという比較的高い範囲にし、その厚みを１０〜１２０μｍの範囲とすることは、粘着フィルムとウェハ表面との界面に浸入しようとする研削水が、粘着フィルムを剥離させようとする方向に加える負荷に対して、粘着フィルムが耐えることができる強度を有し、粘着フィルムのウェハ表面との剥離の進行を防止する効果を奏することができるので好ましい態様である。
なお、本発明における重合体（Ａ）及び（Ｂ）の動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（Ｔａ）及び（Ｔｂ）は、後述する実施例に記載した方法に従って測定した値を意味する。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
先ず、本発明に係わる半導体ウェハ保護用粘着フィルムについて説明する。本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムは、基材フィルムを作成した後、その片表面上に粘着剤層を形成することにより製造される。通常、粘着剤層の表面には、汚染防止の観点から、製造された直後から使用されるまでの間、セパレータと称される剥離フィルムが貼着される。粘着フィルムが、剥離フィルムを剥離した後に露出する粘着剤層の表面を介して、半導体ウェハの表面に貼着されることを考慮すれば、粘着剤層による半導体ウェハ表面の汚染防止を図るためには、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フィルムの片面に転写する方法が好ましい。
【００２４】
本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルムとしては、合成樹脂をフィルム状に成形加工したフィルムを用いる。基材フィルムは単層体であっても、又、二層以上のフィルムの積層体であってもよい。又、基材フィルムは熱可塑性樹脂を成形加工したものであっても、硬化性樹脂を製膜後、硬化したものであってもよい。基材フィルムは、薄くなると粘着フィルムの形態を維持する性質が劣ってくる傾向があり、それに伴い粘着フィルムを取り扱う際の作業性が悪化することがある。厚くなると、基材フィルムの生産性に影響を与え、製造コストの増加につながる。かかる観点から、基材フィルムの厚みは１０〜１２０μｍが好ましい。より好ましくは１０〜１１０μｍである。
【００２５】
基材フィルムに用いられる原料樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−アクリル酸エステル−無水マレイン酸共重合体、エチレン−メタクリル酸グリシジル共重合体、エチレン−メタクリル酸共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−プロピレン共重合体、ブタジェン系エラストマー、スチレン−イソプレン系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、セルロース系樹脂などが挙げられる。
【００２６】
基材フィルムは、２５℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０８〜１×１０１０Ｐａ、更には５×１０８〜１×１０１０Ｐａであり、厚みが１０〜１２０μｍ、更には１０〜１１０μｍのものが好ましい。
合成樹脂をフィルム状に成型加工する方法としては、カレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法、キャスト法等、公知の技術により製造されるものの中から、生産性や得られるフィルムの厚み精度等を考慮して適宜選択することができる。基材フィルムの粘着剤層が設けられる側の面には、基材フィルムと粘着剤層との接着力を向上させるため、予め、コロナ放電処理又は化学処理を施すことが好ましい。又、同様の目的で、基材フィルムと粘着剤層との間に下塗剤層を形成してもよい。
【００２７】
本発明に用いられる基材フィルムの更に好ましい態様は、２５℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）が上記範囲にある基材フィルムの粘着剤層が設けられる側の面と反対側の面に、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０８Ｐａ未満の比較的柔軟な合成樹脂をフィルム状に成型したものを積層したものである。このような比較的柔軟な合成樹脂の例としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数が１〜４のもの）、低密度ポリエチレン、エチレン−α−オレフィン共重合体（α−オレフィンの炭素数３〜８）等を挙げることができる。これらの内、エチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましい。更に好ましくは、酢酸ビニル単位の含有量が５〜５０重量％程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体である。また、これらの比較的柔軟な合成樹脂フィルム層の厚みは、１０〜２００μｍであることが好ましい。
【００２８】
基材フィルムが二層以上のフィルムの積層体である場合の、合成樹脂をフィルム状に成型したものを積層する際の代表的な方法としては、合成樹脂をＴダイ押出機で押出成型しながら、予め用意しておいた合成樹脂フィルムの片表面とラミネートする方法が挙げられる。これらの合成樹脂フィルムの各層間の接着力を高めるために、各合成樹脂フィルムの積層される側の片表面にコロナ放電処理や化学処理等の易接着処理を施したり、両層の間に接着層を設けてもよい。
剥離フィルムとしては、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴフィルムという）等の合成樹脂フィルムが挙げられる。必要に応じてその表面にシリコーン処理等の離型処理が施されたものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常、１０〜１０００μｍ程度である。
本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層は、その基本成分として、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度が各々異なる特定の範囲に存在し、架橋剤と反応し得る官能基を有する二種の重合体（Ａ）及び（Ｂ）、凝集力や粘着力を制御するための、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤（Ｃ）を含む粘着剤で形成する。
【００２９】
架橋剤と反応し得る官能基を有する二種の重合体（Ａ）および（Ｂ）としては、天然ゴム系、合成ゴム系、シリコーンゴム系、アクリルゴム系（アクリル酸アルキルエステル系）が例示できる。
これらの中で、アクリル酸アルキルエステル系共重合体を代表例として詳述する。これら二種のアクリル酸アルキルエステル系共重合体のうち、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（Ｔａ）が−５０〜５℃と比較的低い範囲に存在するアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）は、粘着剤層に対して適度な柔軟性を与え、粘着フィルムを半導体ウェハ表面に貼り付ける際に、粘着フィルムの粘着剤層を、ウェハ表面に存在する凹部に対してよく密着させる効果を発揮する。一方、動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（Ｔｂ）が５℃を超える温度〜５０℃と比較的高い範囲にあるアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ｂ）は、研削水が粘着フィルムを剥離させようとする負荷に対して耐えうるだけの適度な強靭さを粘着剤層に与え、粘着剤層とウェハ表面との剥離を進行させず、水浸入を防止するのである。
これら（Ａ）及び（Ｂ）の特徴を考慮し、粘着剤層をウェハ表面の凹部に対してよく密着させるのみならず、例え凹部を通じて研削水が浸入を開始した場合でも、粘着剤層とウェハ表面との剥離を進行させないという本願発明の目的を達成するためには、（Ｂ）は、（Ａ）１００重量部に対して１０〜１００重量部含有されていることが好ましい。（Ｂ）の含有量が多くなると、粘着剤層のウェハ表面に対する密着性が低下し、研削水がウェハ表面の凹部に浸入し易くなり、ウェハの汚染、破損を招くことがある。（Ｂ）の含有量が少ない場合には、粘着剤層の強靭さが不足し、研削水が粘着剤層に及ぼす粘着フィルムを剥離させようとする負荷に対して、粘着剤層が耐え切れず、粘着剤層とウェハ表面との剥離が進行して、やはりウェハの汚染、破損を引き起こすことがある。
【００３０】
これらのアクリル酸アルキルエステル系共重合体は、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、及びこれらの混合物を主モノマーとして含むものが好ましい。アクリル酸アルキルエステル及びメタクリル酸アルキルエステルとしては、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチル等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上を混合して使用してもよい。主モノマーの使用量は、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の原料となる全モノマーの総量中に、６０〜９９重量％の範囲で含まれていることが好ましい。かかる組成のモノマー混合物を用いることにより、ほぼ同組成のアクリル酸アルキルエステル単位、メタクリル酸アルキルエステル単位、又はこれらの混合単位を含むアクリル酸アルキルエステル系共重合体が得られる。
【００３１】
これらのアクリル酸アルキルエステル系共重合体は、架橋剤と反応し得る官能基を有している必要がある。架橋剤と反応し得る官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等が挙げられる。共重合体中にこれらの架橋剤と反応し得る官能基を導入する方法としては、アクリル酸アルキルエステル系共重合体を重合する際にこれらの官能基を有するコモノマーを共重合させる方法が一般に用いられる。
【００３２】
例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ｔ−ブチルアミノエチルアクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。
これらのコモノマーのうちの１種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、又２種以上を共重合させてもよい。上記の架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの使用量（共重合量）は、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の原料となる全モノマーの総量中に１〜４０重量％の範囲内で含まれていることが好ましい。かかる組成のモノマー混合物を用いることにより、ほぼ同組成のコモノマー単位を含むポリマーが得られる。
【００３３】
本発明においては、上記アクリル酸アルキルエステル系共重合体を構成する主モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳化重合した粘着剤ポリマーを用いた場合には、通常、界面活性剤によるウェハ表面に対する汚染が生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場合においても、ウェハ表面を水洗することにより容易に除去することが可能となる。
【００３４】
このような重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系のもの〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。
【００３５】
さらに必要に応じて、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、イソシアネートエチルアクリレート、イソシアネートエチルメタクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルアクリレート、２−（１−アジリジニル）エチルメタクリレート等の自己架橋性の官能基を持ったモノマー、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性二重結合を持ったモノマー、ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニル、メタクリル酸ビニル、アクリル酸アリル、メタクリル酸アリル、その他、代表的市販品としては、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ−４００〕、テトラメチレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐８５０〕及びこれらの混合型〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ‐１８００、同ＡＤＰＴ−４０００〕等が挙げられる多官能性のモノマー等を共重合してもよい。このような自己架橋性を持ったモノマー、重合性二重結合を持ったモノマー、多官能性のモノマーを共重合する場合には、その使用量は、全モノマー中に０．１〜３０重量％含むことが好ましい。更に好ましくは０．１〜５重量％である。
【００３６】
アクリル酸アルキルエステル系共重合体を重合する際の重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及び半導体ウェハ表面へのイオンの影響、等を考慮すれば、ラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。
【００３７】
また、アクリル酸アルキルエステル系共重合体をラジカル重合反応によって重合する場合に、粘着剤ポリマーの分子量を調整する等の目的で、必要に応じて連鎖移動剤を添加してよい。連鎖移動剤としては、慣用の連鎖移動剤、例えば、ターシャル−ドデシルメルカプタン、ノルマル−ドデシルメルカプタン等のメルカプタン類等が例示できる。連鎖移動剤の使用量は、モノマーの総量１００重量部に対して、０．００１〜０．５重量部程度である。
アクリル酸アルキルエステル系共重合体の重合法としては、乳化重合法、懸濁重合法、溶液重合法等の公知の重合法の中から適宜選択して用いることができる。特に、粘着剤層のウェハ表面に対する汚染防止を考慮すれば、高分子量の共重合体が得られる乳化重合法を採用することが好ましい。
アクリル酸アルキルエステル系共重合体を乳化重合法により重合する場合には、前述のラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウェハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が特に好ましい。
【００３８】
上記２種のアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）及び（Ｂ）は共に、以上のようにして重合することができるが、引き続き、これらの共重合体の動的粘弾性のｔａｎδ（以下、単にｔａｎδという）が最高となる温度（Ｔａ）及び（Ｔｂ）の制御方法について説明する。ｔａｎδが最高となる温度（Ｔａ）及び（Ｔｂ）は、（イ）アクリル酸アルキルエステル系共重合体を構成する主モノマーの種類及び使用量、（ロ）架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの種類及び使用量によって左右される。
【００３９】
まず、（イ）アクリル酸アルキルエステル系共重合体を構成する主モノマーの種類及び使用量については、主モノマーとしてアクリル酸アルキルエステルを用いる場合には、主モノマーとして、アルキル基の炭素数が３〜８であれば、アルキル基の炭素数が多くなればなるほど、ｔａｎδが最高となる温度が低くなる傾向があり、アルキル基の炭素数が９以上であれば、アルキル基の炭素数が多くなればなるほど、ｔａｎδが最高となる温度が高くなる傾向がある。また、主モノマーとしてメタクリル酸エステル類を用いると、ｔａｎδが最高となる温度が高くなる傾向がある。いずれの場合においても、これらの主モノマーの使用量が多くなればなるほど、ｔａｎδが最高となる温度に対して、より大きな影響を及ぼす。
【００４０】
従って、通常、ｔａｎδが最高となる温度（Ｔａ）が−５０〜５℃と比較的低い範囲にあるアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）を得るためには、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸オクチルのような、アルキル基の炭素数が４〜８のアクリル酸アルキルエステルを多く用いることが好ましい。また、ｔａｎδが最高となる温度（Ｔｂ）が５℃を超える温度〜５０℃と、比較的高い範囲にあるアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ｂ）を得るためには、主としてアクリル酸メチル、アクリル酸エチルのような、アルキル基の炭素数が２〜３のアクリル酸アルキルエステルや、メタクリル酸アルキルエステル類を多く用いることが好ましい。
【００４１】
（ロ）架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの種類及び使用量（共重合量）については、通常、コモノマーとして用いられるものの中では、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸のようなカルボキシル基を有するもの、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミドのようなアミド基を有するもの、及び、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチルのようなメタクリル酸エステル類を用いる場合には、一般にｔａｎδが最高となる温度を高温側へシフトさせる傾向があり、使用量（共重合量）が多いほどその傾向が大きくなる。
【００４２】
従って、通常、ｔａｎδが最高となる温度（Ｔａ）が−５０〜５℃と比較的低い範囲にあるアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）を得るためには、ｔａｎδが最高となる温度を高温側へシフトさせる傾向があるコモノマーの添加量を上記範囲内において比較的少なくすることが好ましい。また、ｔａｎδが最高となる温度（Ｔｂ）が５℃を超える温度〜５０℃と、比較的高い範囲にあるアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ｂ）を得るためには、コモノマーの添加量を上記範囲内において比較的多くすることが好ましい。
【００４３】
本発明に用いる１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤（Ｃ）としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系架橋剤、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤等が挙げられる。これらの架橋剤は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
また、粘着剤が、水溶液、水を媒体とするエマルション等の水系粘着剤である場合には、イソシアネート系架橋剤は水との副反応による失活速度が速いため、粘着剤ポリマーとの架橋反応が十分に進行しない場合がある。従って、この場合には上記の架橋剤の中でアジリジン系もしくはエポキシ系の架橋剤を用いることが好ましい。
【００４５】
本発明における１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤（Ｃ）の含有量は、前記した２種のアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）と（Ｂ）の和１００重量部に対し、０．１〜１０重量部である。架橋剤の含有量が少ないと、粘着剤層の凝集力が不十分となり、ウェハ表面に汚染を生じることがある。多過ぎると、粘着剤層とウェハ表面との密着力が弱くなり、ウェハ表面の凹部に対する粘着剤層の密着性が不足し、ウェハの裏面研削加工中に水や研削屑が浸入し、ウェハを破損したり、研削屑によるウェハ表面の汚染が生じることがある。
【００４６】
本発明における粘着剤層を構成する粘着剤には、前記の２種のアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）及び（Ｂ）、１分子中に２個以上の架橋反応性官能基を有する架橋剤（Ｃ）の他に、粘着特性を調整するために、ロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を適宜含有してもよい。又、粘着剤ポリマーがエマルション液である場合は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の増膜助剤を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してよい。
【００４７】
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層の厚みは、ウェハ表面の凹部に対する密着性、粘着力等に影響を及ぼす。粘着剤層の厚みが薄くなると、ウェハ表面の凹部に対する密着性が不足し、研削水が凹部を通じて浸入し、ウェハ表面を汚染することがある。厚みが厚くなると、ウェハ表面の凹部に対する密着性が向上する反面、粘着力が高くなり、剥離の際の作業性を低下させることがある。かかる観点から、粘着剤層の厚みは５〜５０μｍであることが好ましい。さらに好ましくは１０〜４０μｍである。
【００４８】
本発明において、基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成する際には、上記粘着剤を溶液又はエマルション液（以下、これらを総称して粘着剤塗布液と称する）として、ロールコーター、コンマコーター、ダイコーター、メイヤーバーコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター等の公知の方法に従って順次塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法を用いることができる。この際、塗布した粘着剤層を環境に起因する汚染等から保護するために、塗布した粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼着することが好ましい。あるいは、剥離フィルムの片表面に、上記した公知の方法に従って粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、ドライラミネート法等の慣用の方法を用いて粘着剤層を２５℃における貯蔵弾性率が上記範囲にある基材フィルムに転写させる方法（以下、転写法という）をとってもよい。
【００４９】
粘着剤塗布液を乾燥する際の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜３００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。さらに好ましくは、８０〜２００℃の温度範囲において１５秒〜８分間乾燥する。本発明においては、架橋剤と、アクリル酸アルキルエステル系共重合体との間の架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
【００５０】
本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着力は、ウェハ裏面の研削加工時等におけるウェハの保護性（研削水、研削屑等の浸入防止）、及びウェハから剥離する際の剥離作業性を考慮すれば、ＪＩＳ　Ｚ０２３７に規定される方法に準拠して、被着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角度１８０度の条件下で測定した粘着力が、１〜１５Ｎ／２５ｍｍの範囲にあることが好ましい。粘着力が低いと、ウェハ裏面の研削加工中に研削水等が浸入してウェハを破損したり、ウェハ表面に研削屑等に起因する汚染を生じたりすることがある。粘着力が高くなると、ウェハから剥離する際の剥離作業性が悪化し、時には剥離の際にウェハを破損することがある。より好ましくは１．５〜１２Ｎ／２５ｍｍである。
【００５１】
次に、本発明における半導体ウェハの保護方法について説明する。本発明の半導体ウェハの保護方法は、半導体ウェハの裏面に対して研削加工を行う際の半導体ウェハの保護方法であって、その際に上記の半導体ウェハ保護用粘着フィルムを用い、それを半導体ウェハの表面に貼着して保護することに特徴がある。
【００５２】
その詳細は、まず、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）の粘着剤層から剥離フィルムを剥離して粘着剤層の表面を露出させ、粘着フィルムをその粘着剤層を介して半導体ウェハの表面に貼着する。次いで、研削機のチャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウェハを固定し、半導体ウェハの裏面を研削する。研削が終了した後、粘着フィルムは剥離される。ウェハ裏面の研削が完了した後、粘着フィルムを剥離する前にウェハ裏面に対して、ケミカルエッチング、ポリッシング等の薬液処理を施すこともある。また、必要に応じて、粘着フィルムを剥離した後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。
【００５３】
この様な一連の工程における半導体ウェハ裏面の研削加工、薬液処理等の操作において、半導体ウェハは、裏面研削前の厚みが、通常、５００〜１０００μｍであるのに対して、半導体チップの種類等に応じ、通常、２００〜６００μｍ程度の厚みまで、時には、２０μｍ程度の厚みまで研削により薄化される。ウェハの厚みが２００μｍ以下になるまで薄くする場合には、機械的研削によりウェハの裏面に生じる破砕層を除去してウェハの強度を向上させるために、裏面を薬液処理する工程が裏面研削工程に引き続いて実施される場合もある。研削する前の半導体ウェハの厚みは、半導体ウェハの口径、種類等により適宜決められ、研削後の厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、等により適宜決められる。
【００５４】
粘着フィルムを半導体ウェハに貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には、ロール状に巻かれた粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置を用いいて行われる。この様な自動貼り機として、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ、日東精機（株）製、形式：ＤＲ−８５００ＩＩ等が挙げられる。
【００５５】
通常、半導体ウェハ表面に粘着フィルムを貼着する際の温度は、２５℃前後の室温において実施される。しかし、ウェハを昇温する機能が備わっている自動貼り機を用いて、半導体ウェハ表面に粘着フィルムを貼着する場合には、粘着フィルムを貼着する前にウェハを所定の温度（通常、４０〜９０℃程度）まで昇温する方法が用いられる。
【００５６】
半導体ウェハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。研削の際には、半導体ウェハと砥石に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウェハ裏面を研削加工する研削機としては、例えば、（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ−８６０、（株）岡本工作機械製作所製、形式：ＳＶＧ−５０２ＭＫＩＩ８、（株）東京精密製、形式：ポリッシュグラインダＰＧ２００等が挙げられる。
【００５７】
半導体ウェハ裏面の研削加工、薬液処理等が終了した後、粘着フィルムはウェハ表面から剥離される。粘着フィルムをウェハ表面から剥離する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には、自動剥がし機と称される装置を用いて行われる。この様な、自動剥がし機としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ、日東精機（株）製、形式：ＨＲ−８５００ＩＩ等がある。また、前記の自動剥がし機により半導体ウェハ表面から半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際に用いられる剥がしテープと呼ばれる粘着テープとしては、例えば、住友スリーエム（株）製、ハイランド印フィラメントテープＮｏ．８９７等を用いることができる。
【００５８】
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを半導体ウェハ表面から剥離する際の温度は、通常、２５℃前後の室温において行われるが、前記した自動剥がし機にウェハを昇温する機能が備わっている場合には、ウェハを所定の温度（通常、４０〜９０℃程度）まで昇温した状態で粘着フィルムを剥離してもよい。
粘着フィルムを剥離した後のウェハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、ウェハ表面の汚染状況により適宜選択される。
本発明に係わる半導体ウェハの保護方法が適用できる半導体ウェハとして、シリコンウェハに限らず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウムなどのウェハが挙げられる。
【００５９】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において、粘着剤塗布液の調製、塗布、及び半導体シリコンウェハの裏面研削を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値の測定方法、実用評価の方法は、下記に示す方法にて行った。
【００６０】
１．粘着力測定（Ｎ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ　Ｚ０２３７−１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、５ｃｍ×２０ｃｍのＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ　Ｇ４３０５−１９９１規定）の表面に貼着し、６０分間放置する。放置後、試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応力を測定し、Ｎ／２５ｍｍに換算する。
【００６１】
２．基材フィルムの貯蔵弾性率（Ｅ’）（Ｐａ）
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムに用いる基材フィルムを、機械方向３０ｍｍ、機械方向と直交する方向１０ｍｍの短冊状にカットし、動的粘弾性測定装置｛レオメトリックス社製、形式；ＲＳＡ−ＩＩ、フィルム引っ張り試験用アタッチメントを使用｝を用いて、測定周波数１Ｈｚにて、１０〜１００℃の温度範囲でフィルムの機械方向について貯蔵弾性率（Ｅ’）を測定する。具体的には、試料を上記アタッチメントを介して動的粘弾性測定装置にセットし、１０℃から１００℃まで３℃／分の昇温速度で昇温しながら貯蔵弾性率を測定する。測定終了後、得られた１０〜１００℃における貯蔵弾性率−温度曲線の中から、２５℃における貯蔵弾性率（Ｅ’）の値（Ｐａ）を、本発明における基材フィルムの貯蔵弾性率（Ｅ’）として採用する。
【００６２】
３．重合体の動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度（℃）
実施例、及び比較例における各粘着剤層を作製するときの塗工条件（乾燥温度、乾燥時間等）と同条件において、片表面にシリコーン処理が施されたＰＥＴフィルム［帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：ピューレックス］の離型処理面側に調製例に示した各々の重合体のエマルション液を、塗布、乾燥し、乾燥後の厚みが３０μｍの重合体層を形成する。得られた重合体層同士を順次重ね合わせ、厚み約１ｍｍ程度の重合体のフィルム状サンプルを得る。このフィルム状サンプルから、直径約８ｍｍ、厚み約１ｍｍ程度の円盤型形状の粘着剤層を形成して試料とする。得られた試料を、動的粘弾性測定装置［レオメトリックス社製、形式；ＲＭＳ−８００、直径８ｍｍのパラレルプレート（平行円盤）型アタッチメントを使用］を用いて、周波数１ｒａｄ／ｓｅｃ．において、−７０〜７０℃の温度範囲で貯蔵弾性率を測定する。具体的には、サンプルを２５℃にて、上記パラレルプレート型アタッチメントを介して動的粘弾性測定装置にセットし、２５℃から−５０℃までの温度領域では３℃／分の降温速度で降温しながら、２５℃から７０℃までの温度範囲では３℃／分の昇温速度で昇温しながら、動的粘弾性のｔａｎδを測定する。測定終了後、得られた−７０℃〜７０℃におけるｔａｎδ−温度曲線から、ｔａｎδが最大となる温度を読み取る。
【００６３】
４．実用評価
＜評価用半導体ウェハ＞
表面に半導体集積回路が形成された半導体シリコンウェハ〔直径：２００ｍｍ，厚み：７２５μｍ、溝状に窪んだダイシングストリート（溝の幅：４０μｍ，溝の深さ：５０μｍ）が縦横それぞれ１０ｍｍ間隔で格子状に設けられ、ウェハの外周部まで到達している〕を用いる。
＜評価方法＞
上記半導体シリコンウェハの表面に、実施例又は比較例で得られた半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して貼着し、研削装置［（株）ディスコ製、形式；ＤＦＧ８６０］を用いて、水をかけて冷却しながら上記シリコンウェハの裏面を研削加工して、研削後のウェハの厚みを１５０μｍとする。各粘着フィルム毎に、１０枚の半導体シリコンウェハについて研削加工を行う。研削加工が終了した後、各半導体シリコンウェハについて、研削加工後のウェハ裏面を観察し、割れやクラックの有無を観察する。
次いで、割れやクラックが発生しなかったシリコンウェハの表面から、表面保護テープ剥がし機｛日東精機（株）製、形式：ＨＲ−８５００ＩＩ；使用剥がしテープ：ハイランド印フィラメントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）製〕、チャックテーブル温度：５０℃｝を用いて該粘着フィルムを剥離する。粘着フィルムを剥離した後のシリコンウェハの表面を、光学顕微鏡｛（株）ニコン製：ＯＰＴＩＰＨＯＴ２｝を用いて５０〜１０００倍の範囲に拡大して、シリコンウェハ表面の全てのチップに対して、研削水の浸入による汚染、及び、糊残りによる汚染の有無を観察する。視認される汚染が１点以上発見された場合には、そのチップを“汚染チップ”として計数し、研削水の浸入による汚染、糊残りによる汚染各々について、下記数式に従って汚染発生率Ｃｒを算出する。
Ｃｒ＝（Ｃ２／Ｃ１）×１００
ここで、Ｃｒ：汚染発生率（％）、Ｃ１：観察したチップ数、Ｃ２：汚染チップ数である。
また、表面保護テープ剥がし機を用いて粘着フィルムを剥離する際に剥離性を観察し、剥がし機での一連の自動剥離動作中に何らエラーが発生することなく剥離できたものを合格とする。一方、表面保護用粘着フィルムが剥離されずにウェハ表面上に残ったままであったり、表面保護用粘着フィルムが部分的に引き伸ばされて破れてしまったり、剥離動作中にウェハがチャックテーブルから外れて破損してしまったりするなど、自動剥がし機で剥離トラブルが発生して作業性を悪化させた場合には、剥離不良と判定する。
【００６４】
＜基材フィルムの調製＞
基材フィルムの調製例１
厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴという）［帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テトロン］の片表面（粘着剤層を形成する側の表面）にコロナ放電処理を施した。このＰＥＴフィルムの貯蔵弾性率Ｅ’は５．０×１０９Ｐａであった。
【００６５】
基材フィルムの調製例２
厚み７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（以下、ＰＥＮという）［帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テオネックス］の片表面（粘着剤層を形成する側の面）にコロナ放電処理を施した。このＰＥＮフィルムの貯蔵弾性率Ｅ’は６．１×１０９Ｐａであった。
【００６６】
基材フィルムの調製例３
ショアーＤ型硬度が３５のエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂（以下、ＥＶＡという）（三井・デュポンポリケミカル（株）製、商品名：エバフレックスＰ−１９０５（ＥＶ４６０）、酢酸ビニル単位含有量：１９重量％）をＴ−ダイ押出機を用いて、厚み７０μｍのフィルムとして押出成形しながら、予め用意しておいた厚み５０μｍのＰＥＴフィルム［帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テトロン］のコロナ放電処理が施された面と圧着積層し、総厚み１２０μｍのＥＶＡ／ＰＥＴ積層フィルムを得た。次いで、得られた積層フィルムのＰＥＴフィルム側の表面（粘着剤層を形成する側の面）にコロナ放電処理を施した。なお、ここで用いたＰＥＴフィルムの貯蔵弾性率Ｅ’は５．０×１０９Ｐａであった。
【００６７】
基材フィルムの調製例４
ショアーＤ型硬度が３５のＥＶＡ樹脂（三井・デュポンポリケミカル（株）製、銘柄：エバフレックスＰ−１９０５（ＥＶ４６０）、酢酸ビニル単位含有量：１９重量％）をＴ−ダイ押出機を用いて、厚み１００μｍのフィルムとして押出成形しながら、予め用意しておいた厚み１５μｍのＰＥＴフィルム［帝人デュポンフィルム（株）製、商品名：テトロン］のコロナ放電処理が施された面と圧着積層し、総厚み１１５μｍのＥＶＡ／ＰＥＴ積層フィルムを得た。次いで、得られた積層フィルムのＰＥＴフィルム側の表面（粘着剤層を形成する側の面）にコロナ放電処理を施した。なお、ここで用いたＰＥＴフィルムの貯蔵弾性率Ｅ’は５．０×１０９Ｐａであった。
【００６８】
＜アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製＞
アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例１
重合反応機に脱イオン水１３５重量部、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを０．５重量部、アクリル酸ブチル７３．２５重量部、メタクリル酸メチル１１重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミド１重量部、自己架橋性（粒子内架橋性）のコモノマーとしてメタクリル酸グリシジル３重量部、界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイド２０モル）のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を付加させた化合物〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−２０〕２重量部を添加し、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、得られた水エマルション液を１４重量％アンモニア水で中和し、アクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂を固形分４０重量％含有するエマルション液（粘着剤主剤）を得た。このアクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂の動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度は−１０℃であった。
【００６９】
アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２
重合反応機に脱イオン水１３５重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．５重量部、アクリル酸ブチル５７．２５重量部、メタクリル酸メチル３０重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミド１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均値；約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製：商品名：アクアロンＨＳ−２０〕０．７５重量部を添加し、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、得られた水エマルション液を１４重量％アンモニア水で中和し、アクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂を固形分４０重量％含有するエマルション液（粘着剤主剤）を得た。このアクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂の動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度は、１２℃であった。
【００７０】
アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例３
重合反応機に脱イオン水１３５重量部、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを０．５重量部、アクリル酸２−エチルヘキシル９１重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミド１重量部、ノルマル−ドデシルメルカプタン０．１重量部、自己架橋性（粒子内架橋性）のコモノマーとしてメタクリル酸グリシジル３重量部、界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイド２０モル）のベンゼン環にアリル基を付加させた化合物ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイド２０モル）のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を付加させた化合物〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−２０〕２重量部を添加し、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、得られた水エマルション液を１４重量％アンモニア水で中和し、アクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂を固形分４０重量％含有するエマルション液（粘着剤主剤）を得た。このアクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂の動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度は−３９℃であった。
【００７１】
アクリル酸アルキルエステル系共重合体の比較調製例１
重合反応機に脱イオン水１３５重量部、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを０．５重量部、アクリル酸エチル４２重量部、メタクリル酸メチル３０重量部、アクリル酸ブチル１６重量部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メタクリル酸２重量部、アクリルアミド１重量部、界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイド２０モル）のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を付加させた化合物〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−２０〕２重量部を添加し、攪拌下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、得られた水エマルション液を１４重量％アンモニア水で中和し、アクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂を固形分４０重量％含有するエマルション液（粘着剤主剤）を得た。このアクリル酸アルキルエステル系共重合樹脂の動的粘弾性のｔａｎδが最大となる温度は５８℃であった。
【００７２】
実施例１
アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例１で調製したエマルション液１００重量部に、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２で調製したエマルション液５０重量部を加え、次いで、エポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１４〕１．２重量部、及びジエチレングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して、粘着剤塗布液を得た。厚み５０μｍのポリプロピレンフィルム（剥離フィルム）の片表面に、ロールコーターを用いてこの粘着剤塗布液を塗布し、１２０℃で３分間乾燥して、厚み１５μｍの粘着剤層を得た。これに、基材フィルムの調製例１で調製した基材フィルムのコロナ放電処理が施された側の面を、ドライラミネーターにより貼り合せて押圧して粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は７．８Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、研削水の浸入による汚染や、糊残りによる汚染は発見されなかった。結果を表１に示す。
【００７３】
実施例２
基材フィルムとして基材フィルムの調製例２で調製したフィルムを用い、実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２で調製したエマルション液の添加量を８０重量部とし、架橋剤の添加量を０．３６重量部とし、粘着剤層の厚みを２０μｍとした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は１０．１Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、研削水の浸入による汚染や、糊残りによる汚染は発見されなかった。結果を表１に示す。
【００７４】
実施例３
基材フィルムとして基材フィルムの調製例３で調製したフィルムを用い、実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２で調製したエマルション液の添加量を２０重量部とし、架橋剤の添加量を２．４重量部とし、粘着剤層の厚みを３５μｍとした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は４．９Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、研削水の浸入による汚染や、糊残りによる汚染は発見されなかった。結果を表１に示す。
【００７５】
実施例４
実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例１で調製したエマルション液の代わりに、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例３で調製したエマルション液を用い、添加量を５０重量部とした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は５．５Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、研削水の浸入による汚染や、糊残りによる汚染は発見されなかった。結果を表１に示す。
【００７６】
実施例５
基材フィルムとして、基材フィルムの調製例４で調製したフィルムを用いた以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は３．６Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、研削水の浸入による汚染や、糊残りによる汚染は発見されなかった。結果を表１に示す。
【００７７】
比較例１
実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２で調製したエマルション液の添加量を５重量部とし、架橋剤の添加量を０．８４重量部とした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は５．４Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、糊残りによる汚染は発見されなかったが、全観察チップ数に対して８％のチップに、研削水の浸入に起因する汚染が観察された。結果を表２に示す。
【００７８】
比較例２
実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２で調製したエマルション液の添加量を１２０重量部とし、架橋剤の添加量を１．７６重量部とした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は３．３Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後、１０枚中３枚のウェハに割れが発見された。残りの７枚のウェハについて、粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、糊残りによる汚染は発見されなかったが、全観察チップ数に対して３５％のチップに、研削水の浸入に起因する汚染が観察された。結果を表２に示す。
【００７９】
比較例３
粘着剤層の厚みを７０μｍとした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は１９．１Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。しかしながら、剥離機での剥離の際に１０枚のウェハ全てについて、剥離中にウェハが剥離機の真空チャックテーブルから外れて剥離動作がストップするという剥離不良が起こり、粘着フィルムを剥離することができなかった。結果を表２に示す。
【００８０】
比較例４
架橋剤の添加量を７．５重量部とした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は３．５Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、糊残りによる汚染は発見されなかったが、全観察チップ数に対して３８％のチップに、研削水の浸入に起因する汚染が観察された。結果を表２に示す。
【００８１】
比較例５
架橋剤の添加量を０．０３重量部とした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は４．９Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面に、研削水の浸入による汚染は存在しなかったが、全観察チップ数に対して２．６％のチップに、糊残りによる汚染が発見された。結果を表２に示す。
【００８２】
比較例６
実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調整例２で調製したアクリル酸アルキルエステル系共重合体の代わりに、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の比較調製例１で調整したアクリル酸アルキルエステル系共重合体を用い、その添加量を２０重量部とし、架橋剤の添加量を０．２４重量部とし、粘着剤層の厚みを３５μｍにした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は２．８Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後、１０枚中２枚のウェハに割れが発見された。残りの８枚のウェハについて、粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、糊残りによる汚染は発見されなかったが、全観察チップ数に対して３２％のチップに、研削水の浸入に起因する汚染が観察された。結果を表３に示す。
【００８３】
比較例７
実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２で調製したエマルション液を添加せず、架橋剤の添加量を０．８０重量部とした以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は４．７Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後のウェハ裏面に、割れやクラックは存在しなかった。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、糊残りによる汚染は発見されなかったが、全観察チップ数に対して１０％のチップに、研削水の浸入に起因する汚染が観察された。結果を表３に示す。
【００８４】
比較例８
実施例１の粘着剤塗布液の調製において、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例１で調製したエマルション液は使用せず、アクリル酸アルキルエステル系共重合体の調製例２で調製したエマルション液１００重量部に、エポキシ系架橋剤〔ナガセ化成工業（株）製、商品名：デナコールＥＸ−６１４〕０．８０重量部、及びジエチレングリコールモノブチルエーテル５重量部を添加して、粘着剤塗布液を得た以外は全て、実施例１と同様にして半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを得た。この粘着フィルムの粘着力は１．８Ｎ／２５ｍｍであった。得られた粘着フィルムを用いて、前記の方法に従って実用評価を行った。研削加工後、１０枚中５枚のウェハに割れが発見された。粘着フィルム剥離後のウェハ表面には、糊残りによる汚染は発見されなかったが、全観察チップ数に対して３８％のチップに、研削水の浸入に起因する汚染が観察された。結果を表３に示す。
【００８５】
【表１】
2004006746.tif 000002
【００８６】
【表２】
2004006746.tif 000003
【００８７】
＜表１〜２の記載の説明＞
＊１：粘着剤層が形成された基材フィルムの貯蔵弾性率、及び厚みを示す。＊２：アクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）１００重量部に対するアクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ｂ）の添加量を示す。＊３：アクリル酸アルキルエステル系共重合体（Ａ）及び（Ｂ）の合計量１００重量部に対する架橋剤の添加量を示す。
【００８８】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを用いることにより、研削水が浸入しやすい半導体ウェハの表面形状や、研削条件のもとでも、半導体ウェハ表面の凹部に対してよく密着して研削水の浸入によるウェハ表面の汚染、破損を防止することができる。また、剥離の際には適度な粘着力で剥離できるためウェハの破損や剥離作業性を悪化させることがなく、剥離後のウェハ表面に糊残りしてウェハを汚染することの無い優れた非汚染性を同時に達成できる。