(57)【要約】【課題】データ記憶システム制御方法及び装置を提供する。【解決手段】低温環境で記録初期に発生するエラー発生率を改善するために記録前に記録ヘッドに一定のウォーミング電流を供給して記録ヘッドポールチップを十分に熱膨脹させて記録初期の信号の記録特性低下を防止するための温度によるデータ記憶システム制御方法及び装置。これにより，データ記憶システムで記録モード実行前にデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行することにより，記録前に記録ヘッドのポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させて記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下してエラーが発生する品質問題を改善する。【選択図】　図３
2004030898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶システム制御方法において：
（ａ）前記データ記憶システムの周囲温度を検出して，検出された温度が臨界温度未満であるかどうかを判断する段階と，
（ｂ）前記段階（ａ）の判断結果，検出された温度が前記臨界温度未満である場合に，リード／ライト電流がイネーブルされているかどうかを判断する段階と，
（ｃ）前記リード及びライト電流がイネーブルされていない間に所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせて記録ヘッドに印加させる段階とを含むことを特徴とする，温度によるデータ記憶システム制御方法。
【請求項２】
前記所定のウォーミングライト電流の値は記録媒体に記録されているデータが消去されない値に設定することを特徴とする，請求項１に記載の温度によるデータ記憶システム制御方法。
【請求項３】
前記所定のウォーミングライト電流を設定するプロセスは，
（ａ）所定のテスト領域でのビットエラー率ＢＥＲＯを測定する段階と，
（ｂ）記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復回転させる段階と，
（ｃ）前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷを測定する段階と，
（ｄ）前記段階（ｃ）で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷと前記段階（ａ）で測定されたビットエラー率ＢＥＲＯとの差Ｂを演算する段階と，
（ｅ）前記段階（ｄ）で演算された差Ｂ値と所定の臨界値とを比較して，前記演算された差Ｂ値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と，
を含むことを特徴とする，請求項１又は２に記載の温度によるデータ記憶システム制御方法。
【請求項４】
エラー訂正ブロックをオンさせて所定の回数リトライを設定した後，前記所定のテスト領域でリードプロセスを所定回数反復して実行しながらエラー発生有無を判断して，エラーが発生しない場合，前記段階（ｅ）のウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項３に記載の温度によるデータ記憶システム制御方法。
【請求項５】
データ記憶システム制御装置において：
前記データ記憶システムの温度を感知するための温度センサーと，
前記温度センサーで感知された温度が所定の臨界温度未満である場合に，所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせるためのコントローラと，
前記所定のウォーミングライト電流を記録ヘッドに供給するためのライトドライバと，
を含むことを特徴とする，温度によるデータ記憶システム制御装置。
【請求項６】
前記コントローラはリード及びライト電流がイネーブルされていない間にのみ前記所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせるように制御することを特徴とする，請求項５に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
【請求項７】
前記所定のウォーミングライト電流の値は，記録媒体に記録されているデータが消去されない値に設定することを特徴とする，請求項５又は６に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
【請求項８】
前記所定のウォーミングライト電流を設定するプロセスは，
（ａ）所定のテスト領域でのビットエラー率ＢＥＲＯを測定する段階と，
（ｂ）記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復して回転させる段階と，
（ｃ）前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷを測定する段階と，
（ｄ）前記段階（ｃ）で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷと前記段階（ａ）で測定されたビットエラー率ＢＥＲＯとの差Ｂを演算する段階と，
（ｅ）前記段階（ｄ）で演算された差Ｂ値と所定の臨界値とを比較して，前記演算された差Ｂ値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と，
を含むことを特徴とする，請求項５，６，または７項のうちいずれか１項に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
【請求項９】
エラー訂正ブロックをオンさせて所定回数のリトライを設定した後，前記所定のテスト領域で所定回数反復してリードプロセスを実行しながらエラー発生有無を判断して，エラーが発生しない場合，前記段階（ｅ）のウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項５，６，７，または８項のうちいずれか１項に記載の温度によるデータ記憶システム制御装置。
【請求項１０】
データ記憶システムのウォーミングライト電流設定方法において：
（ａ）所定のテスト領域でのビットエラー率ＢＥＲＯを測定する段階と，
（ｂ）記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復して回転させる段階と，
（ｃ）前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷを測定する段階と，
（ｄ）前記段階（ｃ）で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷと前記段階（ａ）で測定されたビットエラー率ＢＥＲＯとの差Ｂを演算する段階と，
（ｅ）前記段階（ｄ）で演算された差Ｂ値と所定の臨界値とを比較して，前記演算された差Ｂ値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と，
を含むことを特徴とする，データ記憶システムでのウォーミングライト電流決定方法。
【請求項１１】
エラー訂正ブロックをオンさせて所定回数のリトライを設定した後，前記所定のテスト領域でリードプロセスを所定回数反復して実行しながらエラー発生有無を判断して，エラーが発生しない場合，前記段階（ｅ）のウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項１０に記載のデータ記憶システムでのウォーミングライト電流決定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はデータ記憶システム制御方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクドライブ（以下，ＨＤＤ）はコンピュータの補助記憶装置のうち一つであって，磁気ヘッドによってディスクに記録されたデータを再生（読取り）するか，またはディスクにホストコンピュータから送信されたデータを記録する装置である。
【０００３】
このようなＨＤＤは順次高容量化，高密度化及び小型化されつつディスクの回転方向の密度であるＢＰＩ（Ｂｉｔ　Ｐｅｒ　Ｉｎｃｈ）および厚さ密度であるＴＰＩ（Ｔｒａｃｋｓ　Ｐｅｒ　Ｉｎｃｈ）が増大し，これによりさらに精密でかつ迅速なヘッドの位置制御方法及び精巧なメカニズムが要求されている。
【０００４】
一般的に，低温でＨＤＤはメディアのマグネチック物理的特性のために保磁力Ｈｃが増加してメディアにデータを記録することが常温や高温より難しくなる特性がある。
【０００５】
そして，ヘッドを構成するポールチップは温度によって熱膨脹する特性がある。これにより，記録初期にはポールチップが収縮していて，記録電流によってポールチップが熱膨脹しながら一定時間記録電流が印加された後で初めて飽和状態まで熱膨脹する。
【０００６】
特に，低温ではポールチップが図１（ａ）のように収縮している。記録命令によって記録電流が流れれば，記録初期には図１（ｂ）のようにポールチップの収縮した状態を維持する。それから，一定時間記録電流によって十分に温度が上昇すれば，図１（ｃ）のようにポールチップが飽和状態まで熱膨脹する。
【０００７】
このような現象によって，ヘッドのディスク表面からのフライング高さが変化する。したがって，記録初期のフライング高さが，ポールチップが熱膨脹するまで，一時的に高まって記録初期に記録された信号を再生（読取り）すれば，読取する信号のレベルが縮少する現象が発生する。
【０００８】
これにより記録初期のセクタに記録されたデータの読取時にエラーが発生する問題点があった。特に周囲の温度が低温である場合には記録初期セクタでエラーが発生する確率がさらに高まる問題点があった。
【０００９】
このような問題点を解決するために開発された技術がダミーライト技術である。
【００１０】
すなわち，図２に示したように，目標セクタ（一例としてセクタ１００）にヘッドが到達する前にセクタ間に存在するギャップにダミーライトを実行して記録ヘッドのポールチップを膨脹させた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の技術によるダミーライトはヘッドの位置によりダミーライトされるバイト数が変わるが，平均的に約１．５トラック＊データセクタ数＊６バイトのダミーライトを実行する。これにより，ヘッドの位置によりダミーライトされるバイト数が少ない場合には記録初期に性能が落ちる問題点があった。
【００１２】
もちろん，ダミーライトするバイト数を十分に増加させればこのような問題点を解決できるが，この場合には記録時間が延びる問題点が発生する。
【００１３】
本発明は，上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，記録開始前に記録ヘッドにデータが消去されない程のウォーミング電流を持続的に印加して，記録ヘッドのポールチップを飽和状態まで十分に熱膨脹させた後で記録モードを実行することが可能な，新規かつ改良された温度によるデータ記憶システム制御方法及び装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，データ記憶システム制御方法が提供される。上記データ記憶システム制御方法は，（ａ）前記データ記憶システムの周囲温度を検出して，検出された温度が臨界温度未満であるかどうかを判断する段階と，（ｂ）前記段階（ａ）の判断結果，検出された温度が前記臨界温度未満である場合に，リード／ライト（以下，Ｒ／Ｗ）電流がイネーブルされているかどうかを判断する段階と，（ｃ）前記リード及びライト電流がイネーブルされていない間に所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせて記録ヘッドに印加させる段階とを含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば，記録モード実行前にデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行する。かかる構成により，記録前に記録ヘッドのポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させて記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下してエラーが発生する品質問題が，改善される。
【００１６】
ウォーミングライト電流を設定するプロセスは，（ａ）所定のテスト領域でのビットエラー率ＢＥＲＯを測定する段階と，（ｂ）記録ヘッドに印加されるウォーミング電流値を可変させながら前記所定のテスト領域を所定回数反復回転させる段階と，（ｃ）前記所定のテスト領域での前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷを測定する段階と，（ｄ）前記段階（ｃ）で測定された前記ウォーミング電流値によるビットエラー率ＢＥＲＷと前記段階（ａ）で測定されたビットエラー率ＢＥＲＯとの差Ｂを演算する段階と，（ｅ）前記段階（ｄ）で演算された差Ｂ値と所定の臨界値とを比較して，前記演算された差Ｂ値が所定の臨界値未満の値を有する条件でウォーミング電流値をウォーミングライト電流と決定する段階と，を含むことを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決するため，本発明の第２の観点によれば，温度によるデータ記憶システム制御装置が提供される。上記温度によるデータ記憶システム制御装置は，データ記憶システムの温度を感知するための温度センサーと，温度センサーで感知された温度が所定の臨界温度未満である場合に，所定のウォーミングライト電流をイネーブルさせるためのコントローラと，前記所定のウォーミングライト電流を記録ヘッドに供給するためのライトドライバとを含むことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好適な実施の形態について，添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお，以下の説明及び添付図面において，略同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００１９】
図３は，第１の実施の形態にかかるＨＤＤの構成を示す。図３に示すように，ＨＤＤ　１０はスピンドルモータ１４によって回転される少なくとも一つの磁気ディスク１２を含んでいる。ＨＤＤ　１０はディスク表面１８に隣接して位置した変換器（図示せず。）も含んでいる。
【００２０】
変換器はそれぞれのディスク１２の磁界を感知して磁化することによって回転するディスク１２から情報を再生（読取り）または記録できる。典型的に変換器は各ディスク表面１８に結合されている。たとえ単一の変換器と説明されているが，これはディスク１２を磁化するための記録用変換器とディスク１２の磁界を感知するための分離された読取用変換器とよりなっていると理解されねばならない。読取用変換器は磁気抵抗（ＭＲ：Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子より構成される。
【００２１】
変換器はヘッド２０に統合されうる。ヘッド２０は変換器とディスク表面１８間に空気ベアリングを生成させる構造になっている。ヘッド２０はヘッドスタックアセンブリ（以下，ＨＳＡ）２２に結合されている。ＨＳＡ２２はボイスコイル２６を有するアクチュエータアーム２４に付着されている。ボイスコイル２６はボイスコイルモータ（ＶＣＭ；ＶｏｉｃｅＣｏｉｌ　Ｍｏｔｏｒ）３０を特定するマグネチックアセンブリ２８に隣接して位置している。
【００２２】
ボイスコイル２６に供給される電流はベアリングアセンブリ３２に対してアクチュエータアーム２４を回転させるトルクを発生させる。アクチュエータアーム２４の回転はディスク表面１８を横切って変換器を移動させる。
【００２３】
情報は，典型的にディスク１２の環状トラック内に記憶される。図２に示したように各トラック３４は一般的に複数のセクタ（９７，９８，９９，１００，１０１，…）を含んでいる。各セクタはデータフィールドおよび識別フィールドを含むデータセクタおよびサーボセクタから構成されており，各データセクタ間にはインターセクタギャップ（ＩＳＧ；Ｉｎｔｅｒ
Ｓｅｃｔｏｒ　Ｇａｐ）領域が存在する。
【００２４】
上記識別フィールドはセクタ及びトラック（シリンダ）を識別するグレーコードを含んでいる。変換器は他のトラックにある情報を読取／記録するためにディスク表面１８を横切って移動する。
【００２５】
図４は，第１の実施の形態にかかるＨＤＤ　１０を制御するための電気システム４０を示す。図４に示すように，第１の実施の形態にかかる電気システム４０は，Ｒ／Ｗチャンネル回路４４及びリードプリアンプ＆ライトドライバ回路４６によってヘッド２０に結合されたコントローラ４２を含んでいる。
【００２６】
上記コントローラ４２は，デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：ＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ），マイクロプロセッサ，マイクロコントローラなどがある。
【００２７】
コントローラ４２は，ディスク１２における情報を再生する（読取る），またはディスク１２に情報を記録するためにＲ／Ｗチャンネル４４に制御信号を供給し，特に低温でウォーミングライト電流（ｗａｒｍｉｎｇ　ｗｒｉｔｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ）をイネーブルさせる（ｅｎａｂｌｅｄ）ように制御する。
【００２８】
情報は，典型的にＲ／Ｗチャンネル４４からホストインターフェース回路４７に伝送される。ホストインターフェース回路４７はパソコンのようなシステムに対し，インターフェースを有するためにディスクドライブを許容するバッファメモリ及び制御回路を含んでいる。
【００２９】
Ｒ／Ｗチャンネル回路４４は，読取モードではヘッド２０により読取されてリードプリアンプ回路４６で増幅されたアナログ信号をホストコンピュータ（図示せず。）が判読できるデジタル信号に変調してホストインターフェース回路４７に出力する。また，ホストコンピュータからホストインターフェース回路４７を通じて使用者データを受信してディスクに記録できるように記録電流に変換してライトドライバ回路４６に出力するように信号処理を実行する。
【００３０】
コントローラ４２はボイスコイル２６に駆動電流を供給するＶＣＭ駆動回路４８にも結合されている。コントローラ４２はＶＣＭの励起及び変換器の動きを制御するために駆動回路４８に制御信号を供給する。
【００３１】
コントローラ４２は読取専用メモリ（ＲＯＭ：Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）またはフラッシュメモリ素子５０のような非揮発性メモリ及びランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ：ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）素子５２に結合されている。
【００３２】
上記フラッシュメモリ素子５０，ランダムアクセスメモリ素子５２はソフトウェアルーチンを実行するためにコントローラ４２により使用される命令語及びデータを含んでいる。
【００３３】
ソフトウェアルーチンの一つとして，一トラックから他のトラックに変換器を移動させるシークルーチン及びトラック内で目標セクタを捜し出す追従ルーチンがある。シークルーチンは変換器を正確なトラックに移動させることを保証するためのサーボ制御ルーチンを含んでいる。
【００３４】
また，フラッシュメモリメモリ素子５０，ランダムアクセスメモリ素子５２には，図７に示したような本実施の形態にかかるウォーミングライト電流をイネーブルさせるためのプログラム及びウォーミングライト電流値が記憶されている。それだけでなく，場合によってはウォーミングライト電流値を決定するための図５及び図６に示したフローチャートによったプログラムが記憶される。
【００３５】
これにより，コントローラ４２は電源が供給された状態で温度センサー５４で感知された温度が臨界温度未満であると判読される場合に，リードモード及びライトモードによるＲ／Ｗ電流がイネーブルされない間にウォーミングライト電流をイネーブルさせるように制御する。ここで，臨界温度はヘッドポールチップの収縮率及び記録媒体の保磁力などの値を考慮して記録初期性能が低下し始める温度と決定する。
【００３６】
次に，本実施の形態にかかるウォーミングライト電流を設定する第１実施形態による方法について図５のフローチャートを中心に説明する。
【００３７】
図５に示すように，まず，特定のテストゾーン区間でウォーミングライト電流を印加しない状態でビットエラー率ＢＥＲＯを測定する（段階５０１）。
【００３８】
そして，テストゾーンで記録ヘッドに印加されるウォーミングライト電流ＷＣを最小ウォーミング電流Ｉｍｉｎと決定してウォーミングライトをイネーブルさせる（段階５０２）。
【００３９】
次に，ウォーミングライトがイネーブルされた状態でテストゾーンでＮ回回転させる（段階５０３）。例えば，一実施形態として，Ｎを１０００などに設定できる。
【００４０】
テストゾーンでウォーミングライトイネーブルされた状態でＮ回回転させた後，ビットエラー率ＢＥＲＷを測定する（段階５０４）。
【００４１】
次に，ウォーミングライト電流を印加した後で測定されたビットエラー率ＢＥＲＷとウォーミングライト電流を印加しない状態測定されたビットエラー率ＢＥＲＯとの差Ｂを演算する（段階５０５）。
【００４２】
段階５０５で演算されたウォーミングライト電流供給前後の上記ビットエラー率差Ｂと第１臨界値Ｂｔｈ１とを比較する（段階５０６）。
【００４３】
段階５０６の比較結果，ビットエラー率差Ｂが第１臨界値Ｂｔｈ１より小さいか，あるいは同じ場合にはウォーミングライト電流によってビットエラー率が許容値以上増加しないケースに該当するので，ウォーミングライト電流ＷＣをΔＩだけ増加させた後で段階５０３にフィードバックさせる（段階５０７）。ここで，ΔＩはウォーミングライト電流の変化に対するビットエラー率変化の推移を判断するのに容易な程度の大きさに決定する。
【００４４】
もし，段階５０６の比較結果，ビットエラー率差Ｂが第１臨界値Ｂｔｈ１より大きい場合にはエラー率差Ｂと第２臨界値Ｂｔｈ２とを比較する（段階５０８）。ここで，第２臨界値Ｂｔｈ２は第１臨界値Ｂｔｈ１より大きい値に設定され，ビットエラー率が変化し始めるウォーミングライト電流値近くでのビットエラー率の変化度を把握するために第１，２臨界値Ｓを分けて設定した。
【００４５】
段階５０８の比較結果，ビットエラー率差Ｂが第２臨界値Ｂｔｈ２より小さいか，あるいは同じ場合にはウォーミングライト電流ＷＣを現在設定されている電流値からαΔＩを引いた値としてウォーミングライト電流を決定する（段階５１０）。この場合にはウォーミングライト電流によってビットエラー率が一定値以上増加し始める付近でウォーミングライト電流の増加によってビットエラー率が急激に変化しないケースに該当するので，ウォーミングライト電流のマージンを比較的少なく設定できる。ここで，αはマージンの程度を意味し，一例としてαを“１”に設定した場合にはビットエラー率が第１臨界値Ｂｔｈ１以上増加するウォーミング電流よりΔＩだけ小さな値にウォーミングライト電流は決定される。
【００４６】
段階５０８の比較結果，ビットエラー率差Ｂが第２臨界値Ｂｔｈ２より大きい場合にはウォーミングライト電流ＷＣを現在設定されている電流値からβΔＩを引いた値としてウォーミングライト電流を決定する（段階５０９）。この場合にはウォーミングライト電流によってビットエラー率が増加し始める付近でウォーミングライト電流の増加によってビットエラー率が急激に変化するケースに該当するのでウォーミングライト電流のマージンを比較的大きく設定せねばならない。ここで，βはマージンの程度を意味し，αより大きい値に決定する。例えば，一例として，βを“２”に設定した場合にはビットエラー率が第２臨界値Ｂｔｈ１以上急激に増加するウォーミング電流より２×ΔＩだけ小さな値などにウォーミングライト電流は決定される。
【００４７】
このような段階を経つつ，ビットエラー率が設計許容値を超過するウォーミング電流でビットエラー率の変化度を勘案して一定のマージン値を引いた値にウォーミングライト電流値を決定することができる。
【００４８】
図８（ｂ）はウォーミングライト電流の値による記録信号のレベル減衰量を測定した図面であり，図８（ａ）は図８（ｂ）を拡大して示す図面である。
【００４９】
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように，ウォーミングライト電流値が０〜９ｍＡまでは記録信号にほとんど影響を与えず，１０ｍＡを超過しながら記録信号を急激に減衰させることが分かる。したがって，ウォーミングライト電流は９ｍＡ以下で決定されることが効果的であることが分かる。
【００５０】
次に，本実施の形態にかかるウォーミングライト電流を設定するための第２実施形態にかかるデータ記憶システム制御方法について，図６に示すフローチャートを中心に説明する。
【００５１】
なお，第２の実施の形態にかかるデータ記憶システム制御方法は，図３，図４，および図５についても，ほぼ同様の構成であるため詳細な説明は省略する。
【００５２】
図６に示すフローチャートの段階５０１〜段階５１０は，図５に示すように，段階５０１〜段階５１０とほぼ同一の構成のため，詳細な説明は省略する。
【００５３】
ビットエラー率の変化率によって各々段階５０９及び段階５１０で１次的にウォーミングライト電流Ｗ値を決定した後，エラー訂正ブロック（以下，ＥＣＣ）をオンさせて所定回数（ＸＯ）のリトライを設定した後，テストゾーンで所定回数（Ｍ）反復してリードプロセスを実行する（段階５１１）。例えば，一例として，ＸＯは２回，Ｍは１００回等に設定できる。
【００５４】
次に，リードプロセスを実行しながらエラーが発生するかどうかを判断して（段階５１２），エラーが発生した場合には段階５０２にフィードバックして前記の段階５０２〜段階５１１を反復する。なお，上記の場合にマージン率αおよびβ値をフィードバックされる回数によって段階的に増加させることが効果的である。
【００５５】
もし，段階５１２の判断結果，エラーが発生しない場合には段階５０９及び段階５１０で決定されたウォーミングライト電流値を最終的に確定する（段階５１３）。
【００５６】
これにより，図６のフローチャートによれば，図５のフローチャートによってビットエラー率を考慮してウォーミングライト電流値を１次的に決定し，ＥＣＣをオンさせた後でリードプロセスを実行してエラーが発生しないことを確認した後で最終的にウォーミングライト電流を確定できる。
【００５７】
次に，図５に示す第１の実施の形態にかかる決定されたウォーミングライト電流値，または図６に示す第２の実施の形態にかかる決定されたウォーミングライト電流値を利用して記録ヘッドにウォーミングライト電流を印加するプロセスについて図７に示すフローチャートを参照しながら，説明する。
【００５８】
まず，コントローラ４２は温度センサー５４から検出されたＨＤＤの温度Ｔが臨界温度Ｔｔｈより低いかどうかを判断する（段階７０１）。ここで，臨界温度Ｔｔｈはヘッドポールチップ（ｈｅａｄ　ｐｏｌｅ　ｔｉｐ）の収縮率及び記録媒体の保磁力などの値が低下して記録初期に品質に影響を与え始める温度に決定する。
【００５９】
段階７０１の判断結果，温度センサー５４から検出された温度Ｔが臨界温度Ｔｔｈより低い場合には，リードモードまたはライトモードの実行によってＲ／Ｗ電流がイネーブルされているかどうかを判断する（段階７０２）。
【００６０】
段階７０２の判断結果，Ｒ／Ｗ電流がイネーブルされていない場合には図５または図６に示すフローチャートによって決定されたウォーミングライト電流をイネーブルさせてライトヘッドに印加するように制御する（段階７０３）。
【００６１】
このようなプロセスによって記録モード実行前に既に記録されたデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行して記録ヘッドポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させうる。これによって記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下して品質が落ちる問題点を解決できる。
【００６２】
ここで，本実施の形態にかかる温度によるデータ記憶システム制御方法の効果を示すために従来の技術によるダミーライト方式によってヘッドで発生する熱量と，本実施の形態にかかるウォーミングライト方式によってヘッドで発生する熱量を［表１］に示した。
【００６３】
【表１】
2004030898.tif 000003
【００６４】
上記［表１］に示すように，記録電流を３５ｍＡ，ウォーミングライト電流を９ｍＡに設定した場合，正常記録モードでの熱量を１００％と仮定すれば，従来の技術によるダミーライト方式での発生熱量は１．４５％であり，本実施の形態にかかるウォーミングライト方式による発生熱量は７．１８％であることが分かる。
【００６５】
したがって，本実施の形態にかかるウォーミングライト方式が従来の技術のダミーライト方式に比べて発生熱量が増加することによって，記録初期にヘッドチップが十分に熱膨脹して低温での記録初期の品質問題を改善させることができる。
【００６６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例を想定し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６７】
上記実施形態においては，データ記憶システム制御方法，装置，及びシステムの場合を例に挙げて説明したが，かかる例に限定されず，例えば，データ記憶システムを制御するソフトウェアなどの場合であっても実施可能である。上記の場合，本実施の形態にかかる構成手段は必ず必要な作業を実行するコードセグメントから構成される。なお，プログラムまたはコードセグメントはプロセッサ判読可能媒体に記憶されるか，あるいは伝送媒体または通信網で搬送波と結合されたコンピュータデータ信号によって伝送されうる。
【００６８】
本実施の形態にかかるプロセッサ判読可能媒体は，情報を記憶または伝送できるいかなる媒体の場合であってもよい。例えば，プロセッサ判読可能媒体の例には電子回路，半導体メモリ素子，ＲＯＭ，フラッシュメモリ，消去可能なＲＯＭ（ＥＲＯＭ：ＥｒａｓａｂｌｅＲＯＭ），フロッピー（登録商標）ディスク，光ディスク，ハードディスク，光繊維媒体，無線周波数（ＲＦ）網などを例示することができる。
【００６９】
本実施の形態にかかるコンピュータデータ信号は，電子網チャンネル，光繊維，空気，電界，ＲＦ網のような伝送媒体上に伝播できるいかなる信号も含む場合でもよい。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，データ記憶システムで記録モード実行前にデータが消去されない程の電流でウォーミングライトを実行することによって，記録前に記録ヘッドのポールチップを十分に飽和状態まで熱膨脹させて記録モード初期のセクタに記録される信号のレベルが低下してエラーが発生する品質問題を改善する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来における記録電流によるヘッドポールチップの熱膨脹状態を示す図面である。
【図２】従来の技術によるダミーライト方式を説明するための図面である。
【図３】第１の実施の形態に適用されるＨＤＤの構成の平面図である。
【図４】第１の実施の形態に適用されるＨＤＤを制御する電気システムの回路図である。
【図５】第１の実施の形態によるデータ記憶システムでの記録ヘッドに印加されるウォーミングライト電流決定方法のフローチャートである。
【図６】第２の実施の形態によるデータ記憶システムでの記録ヘッドに印加されるウォーミングライト電流決定方法のフローチャートである。
【図７】第１の実施の形態にかかる温度によるデータ記憶システム制御方法のフローチャートである。
【図８】ウォーミングライト電流の大きさによる記録された信号の減衰特性を示す説明図である。
【符号の説明】
１０：　ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）
１２：　磁気ディスク
１４：　スピンドルモータ
１８：　ディスク表面
２０：　ヘッド
２２：　ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）
２４：　アクチュエータアーム
２６：　ボイスコイル
２８：　マグネチックアセンブリ
３０：　ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
３２：　ベアリングアセンブリ
３４：　トラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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