(57)【要約】【課題】安価で信頼性の高い静電チャックを具備した半導体製造装置を提供する。【解決手段】絶縁体の基板６と、この表面に形成したアルミニウムからなる複数の導電性薄膜４ａ，４ｂと、導電性薄膜の表面を陽極酸化して形成したアルマイト膜２ａ，２ｂからなり、導電性薄膜４ａ，４ｂにそれぞれ異なる方向の直流電圧を印加してウエハ７を吸着する面が静電気的に双極をなすようにした静電チャック。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、その上面に被処理材であるウエハを保持する静電チャックを具備するプラズマ処理装置において、
前記静電チャックの前記ウエハを吸着する面はアルミニウムを陽極酸化して成るアルマイト膜からなり、かつ前記ウエハを吸着する面が静電気的に双極をなすことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載のプラズマ処理装置において、前記静電チャックの構造は、絶縁体である基材の上に導電体の層を形成し、さらにその上にアルミニウム層を形成して、該アルミニウム層を陽極酸化した構造であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記請求項１に記載のプラズマ処理装置において、前記静電チャックの構造は、セラミックからなる絶縁体の基材の上に導電体の層を形成し、さらにその上にアルミニウム層を形成して、該アルミニウム層を陽極酸化した構造であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記請求項１に記載のプラズマ処理装置において、前記アルマイト層の表面に、さらに絶縁性の薄膜を形成してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記請求項１に記載のプラズマ処理装置において、前記アルマイト層の表面に、さらにセラミックからなる絶縁性の薄膜を形成してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
上面に被処理材であるウエハを保持する静電チャックの製造方法において、
絶縁体の基体の表面に複数の導電性薄膜を形成する工程と、
前記複数の導電性薄膜の表面にアルミニウム層を形成する工程と、
前記アルミニウム層の表面を陽極酸化してアルマイト膜を形成する工程と
からなることを特徴とするウエハを吸着する面が静電気的に双極をなした静電チャックの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の静電チャックの製造方法において、前記アルマイト膜の表面にゼラミックからなる絶縁性の薄膜を形成する工程を行うことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置に関する。さらに、本発明は、ウエハを吸着する面に静電的に双極をなす電極が配置された静電チャックを具備したプラズマ装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
静電チャックの吸着膜としてアルマイト膜を利用した従来のプラズマ処理装置は、静電チャックの基材をアルミニウムで構成し、その表面を陽極酸化することによって吸着膜であるアルマイト膜を形成する構成を採用していた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
アルマイト膜を吸着膜とする静電チャックは、例えばセラミック焼結体を吸着膜とする静電チャックと比較して、構造が簡単でコストが安い、短期間で製作可能などの長所がある。しかしその反面、アルマイト膜を吸着膜とする従来の静電チャックには、大きく分けて２つの課題があった。そのひとつは、設計の自由度が低いため、単極型の静電チャックを形成することは容易であるが、双極型の静電チャックを形成することは困難という点であり、もうひとつの課題は、アルマイト膜の電気的または機械的な健全性が、しばしば低下する場合があるという点である。
【０００４】
前者の課題に関して、単極型の静電チャックは、プラズマ中で使用する場合にはプラズマが導体として作用することで吸着力を発生しているため、プラズマ処理中に何らかの理由でプラズマが消失した場合、直ちに吸着力も消失し、ウエハを保持することができなくなる。ところが、静電チャックとウエハの間の熱伝達を促進することを目的に、ウエハと静電チャックの微小な空隙にはヘリウム等の気体が充填される場合が多く、この場合、ウエハの裏面にガス圧が負荷された状態で吸着力が消失すると、ウエハはガス圧に押されて静電チャックから脱離し、ウエハの位置ずれを生じることや、さらにはウエハが破損することなどがあり得る。この問題は、プラズマの有無にかかわらず吸着力を発生できる双極型の静電チャックでは起こり得ない。したがって、設計の自由度を上げて双極型の電極を製作可能とすることは非常に重要な課題である。
【０００５】
一方、後者の課題に関して、静電チャックの吸着膜内にき裂やはく離等の欠陥が存在する場合、耐電圧の低下や吸着膜の脱離などの問題を生じるおそれがある。特にアルマイト膜には成膜時に微小なき裂が内在している場合が多く、このき裂を基点として、比較的低応力でき裂が進展する可能性があるため、アルマイト膜に引張応力が負荷される構造は極力避けるべきである。ところが、熱膨張率が比較的大きいアルミニウムを基材とし、熱膨張率が比較的小さいアルマイト膜を吸着膜とした場合、基材と吸着膜の熱膨張率が大きく異なるために、温度変化の際に基材と吸着膜の界面近傍に大きな熱応力が生じる。特に昇温時には吸着膜側に引張応力が負荷されるため、吸着膜にき裂が発生し、進展するおそれが生じる。したがって、この熱応力によるき裂の発生と進展を抑制することも、非常に重要な課題である。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−１６００７６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような課題を考慮してなされた。本発明は、安価で使い勝手がよく、あるいは信頼性が高いプラズマ処理装置、および、安価で使い勝手がよく、あるいは信頼性が高い静電チャックの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、真空処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段と、その上面に被処理材であるウエハを保持する静電チャックを具備するプラズマ処理装置において、前記静電チャックの前記ウエハを吸着する面はアルミニウムを陽極酸化して成るアルマイト膜からなり、かつ前記ウエハを吸着する面が静電気的に双極をなすことを特徴とするプラズマ処理装置により達成される。
【０００９】
また、上記課題は、前記静電チャックの構造は、絶縁体である基材の上に導電体の層を形成し、さらにその上にアルミニウム層を形成して、該アルミニウム層を陽極酸化した構造であることにより達成される。
【００１０】
さらに、上記課題は、前記静電チャックの前記基材の材質がセラミックであることで達成される。
【００１１】
さらに、上記課題は、前記アルマイト層の表面に、さらに絶縁性の薄膜が形成されたことにより達成される。
【００１２】
さらにまた、上記課題は、前記絶縁性の薄膜がセラミックであることで達成される。
【００１３】
上記課題は、絶縁体の基体の表面に複数の導電性薄膜を形成する工程と、前記複数の導電性薄膜の表面にアルミニウム層を形成する工程と、前記アルミニウム層の表面を陽極酸化してアルマイト膜を形成する工程とから静電チャックを製造することで達成される。
【００１４】
また。上記課題は、前記アルマイト膜の表面にゼラミックからなる絶縁性の薄膜を形成する工程を行うことによって達成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
上記の通り、プラズマが消失すると吸着力も消失してしまう点は、静電チャックを双極型にすることで解決できる。なぜなら、双極型の静電チャックはプラズマの存在の如何に拘わらず吸着力を発生するため、プラズマが消失しても吸着力は保持されるからである。しかしながら、従来の方法、すなわち単一のアルミニウム基材に陽極酸化処理を施す方法では双極型の静電チャックを形成することはできない。これは、吸着面に双極を形成しようとしても吸着面直下のアルミニウム基材が単極となっているからである。そこで、本発明の実施の形態では、絶縁性基材上に、それぞれ電気的に絶縁された複数のアルミニウム膜を形成し、それらのアルミニウム膜を陽極酸化することで双極型の静電チャックを形成する。
【００１６】
一方、アルマイト膜の電気的または機械的な健全性が低下するという点は、上記の絶縁性基材の材質を、例えばセラミックとすることにより解決できる。これは、基材の熱膨張率をアルマイトの熱膨張率と同等とした場合、温度変化の際に体積膨張および収縮が静電チャック全体で均一化されるため、アルマイトとアルミニウムとの界面近傍に大きな熱応力が発生することを抑制できるからである。また、アルマイト膜の表面に、さらに絶縁性の被膜、例えばセラミック性の皮膜を形成することにより、吸着膜の信頼性はさらに向上する。
【００１７】
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１８】
〔実施例１〕
図１は、本発明の半導体処理装置の第一の実施例に係るウエハが載置される試料台の構成の概略を示す断面図である。図１にその切断モデルを示す静電チャック１は、主としてウエハ７を吸着してこれに加工等を行うことを目的として使用される。以下に、本発明に係る静電チャックの構造および使用法について説明する。
【００１９】
本発明に係る静電チャック１の基本的な構成部分は、基材６、導電性薄膜４ａ並びに４ｂ、アルマイト膜２ａ並びに２ｂ、および給電配線５ａ並びに５ｂである。基材６は絶縁体であり、その上面に導電性薄膜４ａ並びに４ｂをはさんでアルマイト膜２ａ並びに２ｂが形成されている。基材６の内部には、基材６を貫通して導電性の給電配線５ａ並びに５ｂが形成されており、給電配線５ａおよび５ｂの一端はそれぞれ導電性薄膜４ａおよび４ｂと接続されている。さらに、給電配線５ａおよび５ｂのもう一端には静電吸着用の直流電源が接続されており、導電性薄膜４ａ並びに４ｂに独立した電位を与えることができる。
【００２０】
次に、本実施例において静電チャック１にウエハ７を吸着する手順を述べる。まず、図示しないウエハ搬送手段を用いて運搬したウエハ７を、その外周が静電チャック１の外周とほぼ一致するように位置決定したあと静電チャック１上に載置する。次に、図１（ｂ）に示すように、給電配線５ａおよび５ｂを通じてそれぞれ導電性薄膜４ａおよび４ｂに逆極性の電位を与える。例えば、導電性薄膜４ａに正電荷、４ｂに負電荷をそれぞれ与えると、図１（ｂ）に示すように、ウエハ７の表面の電荷は移動し、導電性薄膜４ａ並びに４ｂと、ウエハ７の表面の正負の電荷がそれぞれ引き合う力、すなわちクーロン力でウエハ７は静電チャック１に吸着される。
【００２１】
以上の手順でウエハ７を静電チャック１に吸着した状態で、ウエハ７に所望のプラズマ処理を施す。プラズマ処理の終了後にウエハ７を静電チャック１から除去する際には、導電性薄膜４ａおよび４ｂに印加した電位を０付近に戻し、ウエハ表面の電荷の分布を平準化すればよい。
【００２２】
なお、導電性薄膜４ａおよび４ｂに同極性で同等の大きさの電位を与えた場合、このままでは吸着力は発生しないが、ウエハの電位と導電性薄膜４ａおよび４ｂの電位との差を大きくすることによってクーロン力を発生させ、吸着させることが可能である。
【００２３】
次にプラズマ処理の一例として、半導体製造における重要な工程のひとつであるエッチング工程を例として、本発明のプラズマ処理装置の実施例の説明を行う。
【００２４】
本実施例で使用したエッチング装置の概要を図２に示す。図２において、処理室Ｒは１００００分の１Ｐａ程度の圧力の真空を達成できる真空容器であり、その上部に電磁波を放射するアンテナ１１０を、下部にはウエハなどの試料７００を載置する静電チャック１００を備えている。アンテナ１１０と静電チャック１００は、平行して対向する形で設置される。処理室Ｒの周囲には、たとえば電磁コイルとヨークよりなる磁場形成手段１０１が設置されている。そして、アンテナ１１０から放射される電磁波と磁場形成手段１０１で形成される磁場との相互作用により、処理室内部に導入された処理ガスをプラズマ化して、プラズマＰを発生させ、試料７００を処理する。
【００２５】
一方、処理室Ｒは、真空排気系１０６により真空排気され、圧力制御手段１０７により圧力が制御される。処理圧力は、０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下の範囲に調整される。アンテナ１１０は、真空容器の一部としてのハウジング１１４に保持される。試料のエッチング、成膜等の処理を行なう処理ガスは、図示しないガス供給手段から所定の流量と混合比をもって供給され、所定の分布に制御されて、処理室Ｒに供給される。
【００２６】
アンテナ１１０には、アンテナ電源１２０として、アンテナ電源１２１、アンテナバイアス電源１２２が、それぞれマッチング回路・フィルタ系１２３、１２４を介して接続され、またフィルタ１２５を通してアースに接続される。アンテナ電源１２１は、３００ＭＨｚから１ＧＨｚのＵＨＦ帯周波数の電力を供給する。本実施例では、アンテナ電源１２１の周波数を４５０ＭＨｚとしている。一方、アンテナバイアス電源１２２は、アンテナ１１０に数十ｋＨｚから数十ＭＨｚの範囲の周波数のバイアス電力を印加する。本実施例では、この周波数を１３．５６ＭＨｚとしている。
【００２７】
処理室Ｒの下部には、アンテナ１１０に対向して静電チャック１００が設けられている。静電チャック１００には、たとえば２００ｋＨｚから１３．５６ＭＨｚの範囲のバイアス電力を供給するバイアス電源１４１がマッチング回路・フィルタ系１４２を介して接続されて試料７００に印加するバイアスを制御するとともに、フィルタ１４３を介してアースに接続される。本実施例では、バイアス電源１４１の周波数を４００ｋＨｚとしている。
【００２８】
静電チャック１００には、前述の通りその上面、すなわち試料載置面にウエハなどの試料７００を載置保持する。本実施例に示すプラズマエッチング装置を用いてウエハ７００にエッチングを施す際には、静電吸着用の直流電源１４４とフィルタ１４５から数１００Ｖ〜数ｋＶの直流電圧を印加することで、クーロン力を発生する。また、静電チャック１００は、図示しない温度制御手段によりその表面が所定の温度に制御される。そして、静電チャック１００の表面とウエハ７００の裏面の間隙には、不活性ガス、たとえばヘリウムガスが所定の流量と圧力に設定されて供給されており、試料７００との間の熱伝達性を高めている。これにより、試料７００の表面温度を、たとえばおよそ２０℃〜１１０℃の範囲に精度よく制御することが可能となる。
【００２９】
本実施例によるプラズマエッチング装置は以上のように構成されており、このプラズマエッチング装置を用いて、たとえばシリコンのエッチングを行う場合の具体的なプロセスを説明する。
【００３０】
図２において、まず処理の対象物であるウエハ７００は、図示しない試料搬入機構から処理室Ｒに搬入された後、静電チャック１００の上に載置・吸着され、必要に応じて静電チャック１００の高さが調整されて所定のギャップに設定される。ついで、試料７００のエッチング処理に必要なガス、たとえば塩素と臭化水素と酸素が図示しないガス供給手段から供給され、所定の流量と混合比をもって処理室Ｒ内に供給される。同時に、処理室Ｒは、真空排気系１０６および圧力制御手段１０７により、所定の処理圧力に調整される。次に、アンテナ電源１２１からの４５０ＭＨｚの電力供給により、アンテナ１１０から電磁波が放射される。そして、磁場形成手段１０１により処理室Ｒの内部に形成される１６０ガウス（４５０ＭＨｚに対する電子サイクロトロン共鳴磁場強度）の概略水平な磁場との相互作用により、処理室Ｒ内にプラズマＰが生成され、処理ガスが解離されてイオンやラジカルが発生する。さらにアンテナバイアス電源１２２からのアンテナバイアス電力や下部電極のバイアス電源１４１からのバイアス電力により、プラズマ中のイオンやラジカルの組成比やエネルギーを制御して、ウェハ７００にエッチング処理を行う。そして、エッチング処理の終了にともない、電力・磁場および処理ガスの供給を停止してエッチングを終了する。
【００３１】
エッチング終了後のウエハ７００の搬出方法を以下に述べる。前述の通り、ウエハと静電チャックの間の吸着力を小さくするためには、図１における導電性薄膜４ａおよび４ｂに印加されていた直流電圧を遮断し、導電性薄膜４ａと４ｂの間の電位差を小さくすればよい。すなわち、導電性薄膜４ａと４ｂの間の電位差を実質上ゼロとすることにより、ウエハ７００をアルマイト層２ａおよび２ｂからはく離する。その後、はく離したウエハ７００は図示しない搬送機構を用いて次のプロセスに送る。
【００３２】
しかしながら、導電性薄膜４ａと４ｂの間の電位差を実質上ゼロとした際にウエハ吸着力が残留し、容易にははく離しない場合がある。ウエハ７００が十分に導電性を持つ場合、この原因はアルマイト層２ａおよび２ｂに蓄積された電荷が中和されていないためである。ウエハ７００と静電チャックの間の吸着力を十分低減せずにウエハはく離機構でウエハの強制的にはく離した場合、ウエハがはく離した瞬間に跳ね上がるおそれがある。この場合、導電性薄膜４ａおよび４ｂに吸着時とは逆極性の電圧を印加することにより、蓄積された電荷を中和することができるので、その後にウエハはく離機構を使用することでこのリスクは回避できる。
【００３３】
〔実施例２〕
以後、本発明に係る静電チャックの製造方法の実施例を詳細に説明する。本実施例においては、まず図３（ａ）に示すように、基材６の所定位置に給電配線５ａおよび５ｂが基材６を貫通するように設置・固定し、基材６の貫通孔の開口部との間に隙間ができないように加工した後で、基材６の表面と給電配線５ａおよび５ｂの端部とを面一化した。本実施例では、この基材６の材質をアルミナとしたが、その他の絶縁性材料、例えば窒化アルミニウムや炭化ケイ素などのセラミックス、石英などでも本発明の目的は達せられる。一方、給電配線５ａおよび５ｂの材質をタングステンとしたが、その他の導電性材料でも本発明の目的は達せられる。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示すように、基材６上に導電性薄膜４ａおよび４ｂを所望の形状に形成した。本実施例では、導電性薄膜４ａおよび４ｂの材質をモリブデン−マンガン合金の焼き付けとしたが、その他の導電性薄膜、例えば、各種金属のスパッタ膜やめっき膜としても本発明の目的は達せられる。導電性薄膜４ａおよび４ｂには、それぞれ給電配線５ａおよび５ｂが電気的に接触するように配置した。
【００３５】
次に図３（ｃ）に示すように、導電性薄膜４ａと４ｂの上に、アルミニウム層９ａおよび９ｂを形成し、面一化した。本実施例では、このアルミニウム層の形成方法にろう接を適用したが、その他の方法、例えばスパッタリング、めっき、ろう接、圧接等の方法でも本発明の目的は達せられる。
【００３６】
アルミニウム層９ａおよび９ｂは、厚さ約１００マイクロメートルとした。アルミニウム層９ａおよび９ｂの平面形状は、それぞれ図１に示すような同心の円とリングでも良いし、２個の半円であっても良い。さらに、いわゆる『櫛歯型』とすることにより、素ガラスのような絶縁体に対する吸着力も発生させることができる。さらに、アルミニウム層９ａおよび９ｂの表面を、中心線平均粗さ０．２マイクロメートル以下に仕上げた。さらに、アルミニウム層の角部に面取りを行った。この面取りは、後のアルマイト処理の後に、アルマイト膜の角部にき裂が発生することを防止するために非常に重要である。アルミニウム層の角部の形状は、このような面取り以外でも、例えば円弧であってもよい。
【００３７】
次に、図３（ｄ）に示すように、アルミニウム層９ａおよび９ｂの表面に、アルマイト処理を施した。アルマイト膜は、シュウ酸溶液中でアルミニウム層９ａ、９ｂに給電配線５ａおよび５ｂを通して電圧を印加することによって成長させた。図３（ｄ）におけるアルマイト膜１０ａおよび１０ｂの厚さが５０マイクロメータに達した時点で成膜を完了した。ただし、このままでは成膜したアルマイト膜１０ａおよび１０ｂの内部に膜厚方向の微細なき裂が残存するため、成膜したアルマイト膜を高温の水蒸気中に暴露することにより、アルマイト膜１０ａおよび１０ｂの内部に形成された微細なき裂を封止した。
【００３８】
以上の方法で作製した静電チャックの断面の概略を図４に示す。この方法で作製した静電チャック１にシリコンウエハ７を載置して、給電配線５ａおよび５ｂにそれぞれ＋５００Ｖおよび−５００Ｖの直流電圧を印加したところ、ウエハ７は静電チャックに吸着された。ウエハ７を静電チャック１の吸着面に対して垂直に引っ張る荷重を与えた結果、４ｋＰａ以上の吸着力が発生していることを確認した。以上から、本実施例に記載した方法で、十分な吸着性能を有する双極型の静電チャックを製作できることが確認された。
【００３９】
〔実施例３〕
以後、本発明に係る静電チャックの別の実施例を詳細に説明する。図５は、本実施例による静電チャックを模式的に示したものである。本実施例においては、図５に示す通りアルマイト膜２ａおよび２ｂの表面に、さらに絶縁性薄膜１０を成膜した。この理由および効果は以下の通りである。すなわち、実施例２にも述べた通り、一般にアルマイト膜には宿命的に微細なき裂が存在する。したがって、アルマイト膜の成膜時にこの膜中のき裂を皆無にすることは非常に困難であると思われる。しかし、膜中に多数のき裂が存在したままでは、アルマイト膜つまり吸着膜の耐電圧は低くなり、静電チャックとしての性能が損なわれるおそれがある。
【００４０】
アルマイト膜の耐電圧を向上させるために、実施例２ではアルマイト膜２ａおよび２ｂの成膜後に水蒸気中に暴露する封孔処理を行った。この処理は簡易で、確かに効果があるが、場合によっては効果が不十分な場合もあり得る。そこで、本実施例に示したように、アルマイト膜の表面に絶縁性皮膜１０を成膜することにより、吸着膜の耐電圧をさらに向上させ、絶縁破壊による不具合の発生を格段に低下させ、あるいは給電配線５ａおよび５ｂに、より高い電圧を印加することで、より大きい吸着力を得ることが可能となる。あるいは、長期間使用した場合や、昇降温を繰り返した場合の信頼性が向上する。
【００４１】
なお、本実施例では、絶縁性薄膜としてアルミナのＣＶＤ（化学気相堆積）膜を用い、膜厚は５マイクロメートルとした。このＣＶＤ処理により、吸着膜の平均的な耐電圧は、約３ｋＶから約５ｋＶに向上した。一方、このＣＶＤ処理により、吸着力にはほとんど変化が見られなかった。以上の検討から、アルマイト膜の表面に絶縁性薄膜を成膜することは、本静電チャックの信頼性を向上させるために非常に効果が高いことが明らかとなった。
【００４２】
〔実施例４〕
ウエハと吸着膜との間の熱伝達率を上昇させてウエハの温度を調整する目的で、ウエハと吸着膜との間に所定の圧力のヘリウムなどの気体を充満させる必要がある場合がある。これに対応するためには、図６に示すように、吸着膜表面に溝Ｇを加工するとともに、吸着面上に所定の粗さを設けて、ウエハと吸着膜との間の気体の圧力ばらつきを低減することが有効である。この場合、静電チャックの最外周部にはウエハ裏面から真空容器内に気体が漏洩することを防止するための封止構造を設ける必要がある。本実施例では、図６に示したように、吸着膜表面の溝を外周端に貫通させない構造をとった。
【００４３】
これを実現するためには、アルミナ膜が最外周からの気体の漏洩を抑止できる所望の形状となるように、図３におけるアルミニウム９ａおよび９ｂの形状を、あらかじめ適切な形状とすればよい。
【００４４】
なお、上記に述べた実施例１ないし４は、あくまで本発明の実施の形態の例であって、述べるまでもなく本発明がかかる静電チャックおよび装置に限定されるものではない。
【００４５】
【発明の効果】
本発明によれば、耐電圧等の信頼性が高く、使い勝手が良好な双極型の静電チャックを安価に製造することができ、これにより使用の際の自由度が高いプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る静電チャックの斜視図および断面図。
【図２】本発明の一実施例に係るエッチング装置の断面図。
【図３】本発明の一実施例に係る静電チャックの製造法を説明する断面図。
【図４】本発明の別の一実施例に係る静電チャックの断面図。
【図５】本発明の別の一実施例に係る静電チャックの断面図。
【図６】本発明の一実施例に係る静電チャックの斜視図。
【符号の説明】
１…静電チャック、２ａ…アルマイト層、２ｂ…アルマイト層、４ａ…導電性薄膜、４ｂ…導電性薄膜、５ａ…給電配線、５ｂ…給電配線、６…基材、７…ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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