(57)【要約】【課題】窒素原料の供給量を著しく増大させることなく、発光波長１．３μｍ帯のＧａＩｎＮＡｓ系半導体を製造できる半導体製造方法及びその方法により製造された半導体素子を提供する。【解決手段】半導体基板Ａ上に少なくとも窒素、砒素、ガリウムおよびインジウムを含んだ少なくとも一層のＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を形成する半導体製造方法及びその方法により製造された半導体素子において、３箇所以上に原料導入口１〜３を有する反応炉を用い、窒素原料と、砒素原料と、ガリウムおよびインジウムを含むＩＩＩ族原料とを各原料導入口１〜３から独立に供給する有機金属気相成長法により、上記半導体基板Ａ上に上記ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を結晶成長させる。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に少なくとも窒素、砒素、ガリウムおよびインジウムを含んだ少なくとも一層のＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を形成する半導体製造方法において、３箇所以上に原料導入口を有する反応炉を用い、窒素原料と、砒素原料と、ガリウムおよびインジウムを含むＩＩＩ族原料とを各原料導入口から独立に供給する有機金属気相成長法により、上記半導体基板上に上記ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を結晶成長させることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項２】
上記窒素の原料導入口と上記半導体基板との距離を、上記砒素の原料導入口と上記半導体基板との距離より近くすると共に、各原料を上記半導体基板上に供給する請求項１記載の半導体製造方法。
【請求項３】
上記原料導入口と上記半導体基板との距離をそれぞれ異ならせると共に、上記窒素原料を上記半導体基板に最も近い原料導入口から供給する請求項１又は請求項２に記載の半導体製造方法。
【請求項４】
上記半導体基板を水平に配置すると共に、上記原料ガスを上記原料導入口から上記半導体基板に対して水平方向に供給する請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体製造方法。
【請求項５】
上記原料ガスを上記原料導入口から上記半導体基板に対して垂直方向に供給する請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体製造方法。
【請求項６】
上記窒素原料はモノメチルヒドラジン（ＣＨ３ＮＨＮＨ２）、１，１−ジメチルヒドラジン（（ＣＨ３）２ＮＮＨ２）、１，２−ジメチルヒドラジン（（ＣＨ３）ＮＨＮＨ（ＣＨ３））、ターシャリブチルアミン（（ＣＨ３）３ＣＮＨ２）、ターシャリブチルヒドラジン（（ＣＨ３）３ＣＮＨＮＨ２）、アンモニア（ＮＨ３）の少なくとも一つを含む請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体製造方法。
【請求項７】
上記砒素原料はアルシン（ＡｓＨ３）、ターシャリブチルアルシン（Ｃ４Ｈ１１Ａｓ）、トリメチル砒素（（ＣＨ３）３Ａｓ）の少なくとも一つを含む請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体製造方法により形成されたＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を少なくとも発光層として用いる半導体素子であって、該半導体素子は半導体レーザ又は発光ダイオードであることを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒素（Ｎ）および砒素（Ａｓ）およびガリウム（Ｇａ）およびインジンム（Ｉｎ）を同時に含んだＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体において窒素の組成を増加させる半導体製造方法及びその方法により製造された半導体素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＧａＩｎＮＡｓと呼ばれる、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓの四つの元素を主成分とする４元混晶半導体が注目を集めている。
【０００３】
ＧａＩｎＮＡｓ系半導体は、Ｉｎ組成とＮ組成を適当な値とすることで、石英系のシングルモード光ファイバにおいて波長分散値が最小となる波長１．３μｍ帯の発光素子へと応用することができ、次世代の大容量かつ高速な光通信を実現するためのデバイスとして期待されている。
【０００４】
発光波長１．３μｍを実現できる半導体としては、他にＩｎＰ（インジウム燐）系混晶半導体の研究が行われているが、格子整合の都合上、ＩｎＰ系半導体は高コストなＩｎＰ基板上に製造しなければならないという問題点を有する。
【０００５】
これに対し、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体は、ＧａＡｓの格子に対して比較的格子歪みが小さい２０％〜３０％程度のＩｎ組成で発光波長１．３μｍを得ることができるため、ＩｎＰ基板に比べ低コストなＧａＡｓ基板を用いることができ、ＩｎＰ混晶半導体系に比べ安価にデバイスを供給することが可能である。
【０００６】
また、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体は、面発光レーザへの応用も期待されている。
【０００７】
ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を用いた面発光レーザは、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体で構成される活性層の上下にＧａＡｓおよびＡｌＡｓで構成される多層反射膜を配置し、垂直共振器を構成することで実現される。しかし、ＩｎＰ系半導体ではこのような多層反射膜を形成する適当な材料が無く、面発光レーザの実現はほぼ不可能といってよい。
【０００８】
また、近藤らのバンドラインナップの計算（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３５（１９９６）ｐ１２７３−１２７５に掲載）では、ＧａＡｓ基板上で、ＧａＡｓよりバンドギャップの大きいクラッド層を用いることで、伝導帯のバンド不連続が大きくなり、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体を用いた発光素子は、温度変化に対する特性の揺らぎが小さく、通常の使用においてはペルチェ素子等の冷却器を必要としないため、デバイス全体としての低コスト化が可能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、ＩｎＰ系半導体に比べ利点が多いＧａＩｎＮＡｓ系半導体ではあるが、現状では以下に述べるような問題点を有している。
【００１０】
ＧａＩｎＮＡｓ系半導体は、Ｉｎ組成が２０％〜４０％、Ｎ組成が１％〜２％程度で波長１．３μｍの発光が得られ、Ｉｎ組成およびＮ組成が増加するほど長波長化することが明らかにされている。
【００１１】
しかしながら、Ｉｎが増えすぎると格子歪みが増大し、ＧａＡｓ基板上への成長が困難となる。そのため、わずかな量で長波長化できるＮを増やすことが試みられているが、ＧａＩｎＮＡｓ系半導体は非平衡系で成長するため、窒素の取込効率が低く、窒素組成を増加させることが困難であるという問題点を有する。
【００１２】
この問題を解決する方法として、窒素原料の供給量を砒素原料の供給量に対して著しく増加させて低い取込効率を補う方法が一般的であるが、砒素原料の供給量を保ったままで窒素原料の供給量を増やす方法は窒素原料の供給量が大きすぎて非現実的である。逆に、砒素原料の供給量を減らすと、砒素原料の供給量が窒素原料の百分の１以下となり、ごく僅かな原料供給量の変化により成長雰囲気での原料比率が著しく変化し、正確な組成制御ができなくなる上にスループットの低下も引き起こすことになる。
【００１３】
また、Ｅ．Ｂｏｕｒｒｅｔ−Ｃｏｕｒｃｈｅｓｎｅらの報告（Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　２１７（２０００）ｐ４７−５４に掲載）では、ＧａＩｎＮＡｓの窒素原料の一つであるジメチルヒドラジンは４００℃以上の温度で熱分解し始め、７２５℃に至ると概ね熱分解する。一方、ジメチルヒドラジンとガリウム原料の一つであるトリメチルガリウムが共存する雰囲気においては、８０℃から４００℃に掛けてジメチルヒドラジンとトリメチルガリウムのアダクトが生成され、６００℃以上の温度において窒素ガリウムが反応炉内に析出し、７２５℃においてその析出量が最大となることが示されている。
【００１４】
つまり、６００℃以下の温度では、窒素原料の一つであるジメチルヒドラジンとガリウム原料の一つであるトリメチルガリウムが共存している雰囲気においてアダクトが生成し、アダクトが分解し窒素化合物が発生する温度に達していないため、窒素原料の利用効率低下を引き起こすことになる。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、上記問題点を鑑み、窒素原料の供給量を著しく増大させることなく、発光波長１．３μｍ帯のＧａＩｎＮＡｓ系半導体を製造できる半導体製造方法及びその方法により製造された半導体素子を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項１の発明は、半導体基板上に少なくとも窒素、砒素、ガリウムおよびインジウムを含んだ少なくとも一層のＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を形成する半導体製造方法において、３箇所以上に原料導入口を有する反応炉を用い、窒素原料と、砒素原料と、ガリウムおよびインジウムを含むＩＩＩ族原料とを各原料導入口から独立に供給する有機金属気相成長法により、上記半導体基板上に上記ＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を結晶成長させる方法である。
【００１７】
請求項２の発明は、上記窒素の原料導入口と上記半導体基板との距離を、上記砒素の原料導入口と上記半導体基板との距離より近くすると共に、各原料を上記半導体基板上に供給する方法である。
【００１８】
請求項３の発明は、上記原料導入口と上記半導体基板との距離をそれぞれ異ならせると共に、上記窒素原料を上記半導体基板に最も近い原料導入口から供給する方法である。
【００１９】
請求項４の発明は、上記半導体基板を水平に配置すると共に、上記原料ガスを上記原料導入口から上記半導体基板に対して水平方向に供給する方法である。
【００２０】
請求項５の発明は、上記原料ガスを上記原料導入口から上記半導体基板に対して垂直方向に供給する方法である。
【００２１】
請求項６の発明は、上記窒素原料はモノメチルヒドラジン（ＣＨ３ＮＨＮＨ２）、１，１−ジメチルヒドラジン（（ＣＨ３）２ＮＮＨ２）、１，２−ジメチルヒドラジン（（ＣＨ３）ＮＨＮＨ（ＣＨ３））、ターシャリブチルアミン（（ＣＨ３）３ＣＮＨ２）、ターシャリブチルヒドラジン（（ＣＨ３）３ＣＮＨＮＨ２）、アンモニア（ＮＨ３）の少なくとも一つを含む方法である。
【００２２】
請求項７の発明は、上記砒素原料はアルシン（ＡｓＨ３）、ターシャリブチルアルシン（Ｃ４Ｈ１１Ａｓ）、トリメチル砒素（（ＣＨ３）３Ａｓ）の少なくとも一つを含む方法である。
【００２３】
請求項８の発明は、請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体製造方法により形成されたＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体層を少なくとも発光層として用いる半導体素子であって、この半導体素子は半導体レーザ又は発光ダイオードからなるものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２５】
本発明者らは、窒素原料、砒素原料、ガリウムおよびインジウムなどのＩＩＩ族原料を独立に反応炉へ供給することで、原料ガスの混合を抑制し、窒素原料の利用効率を上げることが有効であることを見出した。
【００２６】
また、独立に供給される原料ガスの供給方法として、窒素原料ガス供給口を砒素原料ガス供給口よりも半導体基板に近い位置に配置することが適していることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２７】
図１に本発明に用いる反応炉の模式的な横断面図を示す。
【００２８】
図１に示すように、この反応炉は、窒素原料、砒素原料、ガリウムおよびインジウムなどのＩＩＩ族原料ガスを独立に供給できるように、原料導入口１〜３を３ヶ所に具備しており、さらに各原料ガスが相互に混合することなく半導体基板Ａの結晶成長面に供給されるように、反応炉内に設けられた仕切板６〜９で各原料ガスの通路が仕切られている。
【００２９】
原料導入口１〜３は、半導体基板Ａの近傍に設置されており、その開口部は水平方向に向けられている。さらに、半導体基板Ａの下流側には、原料導入口１〜３とほぼ同じ高さに原料ガスの排気口４が形成されている。
【００３０】
そして、半導体基板Ａは、水平に設置され、背面から加熱されるように背面側にヒータ５が設けられている。
【００３１】
また、本実施の形態にあっては、第１の原料導入口１が半導体基板Ａに最も近い位置に配置されており、次に近い位置に第２の原料導入口２、次に近い位置に第３の原料導入口３が配置されている。
【００３２】
これら第１から第３の原料導入口１〜３より導入される原料は、それぞれ順に、窒素原料、ＩＩＩ族原料、砒素原料、または窒素原料、砒素原料、ＩＩＩ族原料、またはＩＩＩ族原料、窒素原料、砒素原料である。すなわち、砒素原料に対して半導体基板に近い原料導入口から窒素原料を供給することで、窒素原料を砒素原料より加熱されやすい雰囲気へ供給する。
【００３３】
その結果、窒素原料の熱分解が促進され、窒素の取込効率が上がる。
【００３４】
さらに、第１の原料導入口１から窒素原料、第２の原料導入口２からＩＩＩ族原料、第３の原料導入口３から砒素原料、または第１の原料導入口１から窒素原料、第２の原料導入口２から砒素原料、第３の原料導入口３からＩＩＩ族原料のように、半導体基板Ａへ最も近い原料導入口から窒素原料を供給することで、アダクト生成前に加熱される窒素原料の比率が増加し、窒素原料とＩＩＩ族原料のアダクト生成が抑制され、窒素原料の利用効率が上がる。
【００３５】
以上説明した半導体製造方法に用いられる窒素原料としては、モノメチルヒドラジン（分子式：ＣＨ３ＮＨＮＨ２）、１，１−ジメチルヒドラジン（分子式：（ＣＨ３）２ＮＮＨ２）、１，２−ジメチルヒドラジン（分子式：（ＣＨ３）ＮＨＮＨ（ＣＨ３））、ターシャリブチルアミン（分子式：（ＣＨ３）３ＣＮＨ２）、ターシャリブチルヒドラジン（分子式：（ＣＨ３）３ＣＮＨＮＨ２）、アンモニア（分子式：ＮＨ３）から選ばれる１種類以上のガスを利用できる。
【００３６】
また、砒素原料としては、アルシン（分子式：ＡｓＨ３）、ターシャリブチルアルシン（分子式：Ｃ４Ｈ１１Ａｓ）、トリメチル砒素（分子式：（ＣＨ３）３Ａｓ）から選ばれる１種類以上のガスを利用できる。
【００３７】
本発明にかかる半導体製造方法において、水平に設置された半導体基板Ａの結晶成長面の向きは、上向きか下向きかは問わない。しかし反応炉内でのゴミ降りによる半導体基板Ａ表面の汚染を考慮すると、結晶成長面を下へ向けて設置する構成が好ましい。
【００３８】
また、原料導入口の数量は必ずしも３箇所設けられる必要はなく、３箇所以上であれば何箇所設けても良い。しかし、４箇所以上に増やすと反応炉の大きさの制限から、各原料導入口が狭くなり、原料を層流で供給できなくなるため、３箇所から原料を供給することが好ましい。
【００３９】
本発明にかかる半導体製造方法に採用する気相成長装置の基本構成は、上述した原料ガスの供給方法を実施するための反応炉の構成を除いて、通常の有機金属気相成長装置で良い。
【００４０】
また、各原料ラインへは窒素原料、砒素原料、ＩＩＩ族原料に加えて、水素などのキャリアガス、シランなどのドーパントガスを添加しても良い。
【００４１】
本発明にあっては、全ての結晶成長において上述した原料供給方法（気相成長装置の原料導入口）を採用する必要はなく、結晶成長の一部過程においてのみ上記構成に変更しても良い。
【００４２】
このように構成することで、発光素子に必要となる光閉込層や多層反射膜を、従来のＧａＡｓ系成長技術を用いて容易に形成することができる。
【００４３】
また、図２に本発明の他の実施の形態としての反応炉の模式的な横断面図を示す。
【００４４】
図２に示すように、この反応炉１０は、内部に設置された半導体基板Ａの上方から、窒素原料、砒素原料、ＩＩＩ族原料ガスを独立に供給できるように、それぞれ原料導入口を有する第１から第３の配管１１〜１３を具備しており、第１の配管１１は、半導体基板の結晶成長面から最も近い位置に原料導入口が配置されるように設けられており、第２の配管１２は、次に近い位置に原料導入口が配置されるように設けられており、第３の配管１３は最も遠い距離に原料導入口が配置されるように設けられている。
【００４５】
さらに、半導体基板Ａの下方には、原料排気口１４が形成されている。また、半導体基板Ａの背面（成長面の反対側の面）から加熱できるように、背面にヒータ１５が設けられている。
【００４６】
このように構成することにより、３種類の原料ガスは、それぞれの配管１１〜１３を通してお互いに混合することなく反応炉１０内へ導入され、半導体基板Ａに対して垂直に向いている原料導入口から半導体基板Ａの結晶成長面へ供給された後、原料排気口１４から排気される。
【００４７】
各原料導入口から導入される原料ガスは、上述した実施の形態と同様に、砒素原料の原料導入口よりも半導体基板Ａに近い原料導入口から窒素原料が供給され、さらに半導体基板Ａへ最も近い原料導入口から窒素原料が供給される。
【００４８】
これにより、同様に、窒素原料の熱分解が促進され、窒素の取込効率が上がると共に、アダクト生成前に加熱される窒素原料の比率が増加して窒素原料とＩＩＩ族原料のアダクト生成が抑制され、窒素原料の利用効率が上がる。
【００４９】
【実施例】
次に、本発明のより具体的な実施例について貼付図面に基づいて詳述する。
【００５０】
図３に上述した半導体製造方法により製造された発光素子である面発光レーザの構造の模式的な断面図を示す。
【００５１】
図３に示すように、この面発光レーザは、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、厚さ約９５ｎｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓ層と厚さ約１０８ｎｍのＳｉドープｎ型ＡｌＡｓ層を交互に例えば３０周期積層した下部多層反射膜２２、厚さ約１９０ｎｍのＳｉドープｎ型ＧａＡｓキャビティ層２３、厚さ約１０ｎｍのＧａＩｎＮＡｓ活性層２４、厚さ約１９０ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＡｓキャビティ層２５、厚さ約９５ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＡｓ層と厚さ約１０８ｎｍのＭｇドープｐ型ＡｌＡｓ層を交互に例えば２５周期積層した上部多層反射膜２６、Ｍｇドープｐ型ＧａＡｓコンタクト層２７を順に有機金属気相成長法により成長させて形成されている。
【００５２】
各半導体結晶を成長させるに際しては、ＧａＩｎＮＡｓ活性層２４を除く下部多層反射膜２２、下部キャビティ層２３、上部キャビティ層２５、上部多層反射膜２６、コンタクト層２７については、ガリウム原料のトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）と、アルミニウム原料のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）を上述した第２の原料供給口２から供給し、砒素原料のアルシン（ＡｓＨ３）を上述した第１の原料供給口１から供給し、第３の原料供給口３へは水素ガスを供給した。
【００５３】
これらの原料をキャリアガスである水素ガスと同時に成長炉内に送り込み、水素雰囲気中で成長させた。成長炉内の圧力は５０Ｔｏｒｒであり、成長温度は６５０℃であった。
【００５４】
ＧａＩｎＮＡｓ活性層２４については、ガリウム原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、インジウム原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を第２の原料供給口２から供給し、砒素原料としてターシャリブチルアルシン（ＴＢＡｓ）を第３の原料供給口３から供給し、窒素原料としてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙ）を第１の原料供給口１から供給した。
【００５５】
このときのＴＭＧａ、ＴＭＩｎ、ＴＢＡｓ、ＤＭＨｙの流量はそれぞれ毎分２．３×１０−３ｍｏｌ、毎分２．８×１０−４ｍｏｌ、毎分４．２×１０−３ｍｏｌ、毎分２．３×１０−２ｍｏｌとし、キャリアガスである毎分３リットルの水素ガスを成長炉内に供給した。成長炉内の圧力は５０Ｔｏｒｒであり、成長温度は５１５℃であった。
【００５６】
このようにして成長させたエピウエハを３００μｍ角のチップへと加工し、金・ゲルマニウム・ニッケル合金（ＡｕＧｅＮｉ）からなる下部電極２８、および金・亜鉛合金（ＡｕＺｎ）からなる上部電極２９を形成した。上部電極２９は直径１０μｍの円状の窓を持つリング電極である。また、上部電極２９の形成部の下に位置する上部多層反射膜２６の一部を予め選択酸化し、電流狭搾が行われるように形成した。さらに上部電極２９には金（Ａｕ）ワイヤ３０をボンディングし、垂直共振器を有する面発光レーザを得た。
【００５７】
この面発光レーザに直流電流を通電し、発光出力５ｍＷの時の発光スペクトルを光スペクトルアナライザで測定したところ、図４に示すような発光スペクトルが得られた。
【００５８】
図４の発光スペクトルから、本実施例で得られたレーザが波長１．３１μｍで発振していることが分かる。
【００５９】
次に、本実施例で得た面発光レーザのＧａＩｎＮＡｓ活性層２４と全く同様の条件で、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓ基板上に１００ｎｍのＧａＩｎＮＡｓ層を成長させ、ＳＩＭＳ分析を行った。
【００６０】
その結果、Ｎ濃度は約２．９×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３と求められた。
【００６１】
これはＮ組成約１．５％に対応する。この値とＸ線回折法で求めたＩｎＧａＮＡｓ層の格子定数から、Ｉｎ組成は約２５％と求められた。
【００６２】
したがって、本実施例で得た面発光レーザのＧａＩｎＮＡｓ活性層２４はＧａ０．７５Ｉｎ０．２５Ｎ０．０１５Ａｓ０．９８５であることが判明した。
【００６３】
すなわち、本実施例によって、Ｇａ０．７５Ｉｎ０．２５Ｎ０．０１５Ａｓ０．９８５活性層を有する波長１．３μｍ帯の面発光レーザを得ることができた。
【００６４】
尚、本発明にかかる発光素子は必ずしもレーザである必要はなく、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）等へと応用しても良い。
【００６５】
また、レーザは必ずしも単独のチップで用いる必要はなく、必要に応じてレーザダイオードアレイとしても良い。
【００６６】
さらに、レーザ共振器の構造は、必ずしも多層膜反射鏡による垂直共振器や、へき壊面を反射鏡とする共振器でなくても良く、例えば、半導体素子内に設けた周期構造（グレーティング）を共振器としたり、フォトニック結晶を共振器として用いても良い。
【００６７】
さらに、本発明にかかる発光素子は、例えば石英系のシングルモード光ファイバを用いた光通信用のレーザダイオードへと応用することが可能である。
【００６８】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、窒素原料の供給量を砒素原料の供給量に対して著しく増加させることなく、結晶中への窒素の取り込みを促進し、高いＮ組成を持ちかつ発光波長１．３μｍ帯に相当するＧａＩｎＮＡｓ系混晶半導体を得ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に関わる反応炉の模式的な横断面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態に関わる反応炉の模式的な横断面図である。
【図３】本発明により製造された半導体素子の模式的な横断面図である。
【図４】図３の半導体素子の発光スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
１　第１の原料導入口
２　第２の原料導入口
３　第３の原料導入口
４　排気口
５　ヒータ
Ａ　半導体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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