(57)【要約】【課題】部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力による転位の発生を抑制するＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板１０の内部に部分的に形成される埋め込みシリコン酸化膜１２の端部１２ａの厚さを、埋め込み絶縁膜１２の端に向かうほど徐々に薄くした。これにより、高温熱処理時における埋め込みシリコン酸化膜１２の体積膨張を減少させることができる。その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。【選択図】        図１
2004207387.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶基板に注入物を部分的にイオン注入してから熱処理し、平面的なシリコン単結晶基板の一部分に、表面シリコン層とバルク層との間に埋め込み絶縁膜が形成された部分ＳＯＩ構造を有するＳＩＭＯＸ基板において、
前記埋め込み絶縁膜の端部の厚さが、該埋め込み絶縁膜の端に向かうほど薄くなったＳＩＭＯＸ基板。
【請求項２】
前記埋め込み絶縁膜の減厚された端部の減厚方向の長さは、該埋め込み絶縁膜の端から１０〜１０００ｎｍである請求項１に記載のＳＩＭＯＸ基板。
【請求項３】
前記注入物が酸素である請求項１または請求項２に記載のＳＩＭＯＸ基板。
【請求項４】
シリコン単結晶基板に注入物を部分的にイオン注入してから熱処理することで、前記シリコン単結晶基板の平面的な一部分に、表面シリコン層とバルク層との間に埋め込み絶縁膜が形成された部分ＳＯＩ構造を作製するＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、
内壁部分の厚さが開口側に向かうほど薄くなった開口部を有し、前記注入物のイオンを部分的に遮蔽するマスキング膜を、前記シリコン単結晶基板の表面に設けるマスキング工程と、
前記シリコン単結晶基板の表面から、前記マスキング膜を介して注入物をイオン注入し、所定の深さでこの注入物をシリコンと結合させるイオン注入工程と、
該イオン注入後、前記シリコン単結晶基板を熱処理し、前記注入物とシリコンとの結合部分に埋め込み絶縁膜を形成するとともに、前記シリコン単結晶基板の表面側の一部分に表面シリコン層を形成する一方、前記シリコン単結晶基板の裏面側の一部分にバルク層を形成して、前記シリコン単結晶基板内に部分ＳＯＩ構造を作製する熱処理工程とを備えたＳＩＭＯＸ基板の製造方法。
【請求項５】
前記マスキング膜の減厚された内壁部分の減厚方向の長さは、該内壁部分の開口側の端から１０〜１０００ｎｍである請求項４に記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。
【請求項６】
前記注入物が酸素である請求項４または請求項５に記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法、詳しくは表面シリコン層とバルク層との間に部分的に埋め込み絶縁膜が形成され、この部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に発生した歪み応力による転位を低減するＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
デバイスの低コスト化、高速化を目指して、ワンチップ上に論理回路とメモリ回路とを混載する（Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ：ＳｏＣ）技術が提案されている。論理回路は低電力化、高速化のためにＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板上に作成するのが好ましい。一方、メモリ回路は結晶の完全性などの観点から、バルク結晶上に作成するのが好ましい。そこで、考案されたものが、ＳＯＩ基板の一部にバルク領域を残存させた部分ＳＯＩ（パターンＳＯＩ）構造である。
従来、部分ＳＯＩ構造を有する基板の作製方法として、例えば特開平５−８２５２５号公報が知られている。
【０００３】
【特開平５−８２５２５号】
【０００４】
これは、シリコン単結晶基板の表面をシリコン酸化膜などで部分的にマスキングし、その後、通常のＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）基板の作製時と同様に酸素イオンを注入し、高温熱処理を施す。これにより、平面的なシリコン単結晶基板の一部分において、表面シリコン層とバルク層との間に埋め込みシリコン酸化膜を形成した部分ＳＯＩ構造を作製する方法である。これは、薄膜の表面シリコン層を有するＳＩＭＯＸ基板を作製する場合に、特に有利となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のＳＩＭＯＸ基板の製造方法によれば、高温熱処理時に埋め込みシリコン酸化膜が体積膨張するため、埋め込みシリコン酸化膜とバルク層との界面で歪み応力が発生し、この界面から数μｍの領域まで転位が伝播するおそれがあった（ＩＢＭ，Ｈａｎｎｏｎ，ｅｔ  ａｌ．，２０００Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  ＶＬＳＩ  Ｔｅｃｈ．Ｄｉｇｅｓｔ）。
また、将来、部分ＳＯＩ構造のパターン作成が微細化された場合、この転位がデバイスの歩留りに悪影響をおよぼすことも懸念される。
【０００６】
そこで、発明者らは、鋭意研究の結果、部分的に形成される埋め込みシリコン酸化膜の端部を、埋め込み絶縁膜の端に向かうほど薄くすれば、高温熱処理時における埋め込みシリコン酸化膜の体積膨張を減少させることができ、これにより埋め込みシリコン酸化膜とバルク層との界面に生じる歪み応力が低減し、前記転位の発生を抑制することができることを知見し、この発明を完成させた。
【０００７】
【発明の目的】
この発明は、部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力に起因した転位の発生を抑制することができるＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を提供することを、その目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、シリコン単結晶基板に注入物を部分的にイオン注入してから熱処理し、平面的なシリコン単結晶基板の一部分に、表面シリコン層とバルク層との間に埋め込み絶縁膜が形成された部分ＳＯＩ構造を有するＳＩＭＯＸ基板において、前記埋め込み絶縁膜の端部の厚さが、該埋め込み絶縁膜の端に向かうほど薄くなったＳＩＭＯＸ基板である。
注入物の種類は限定されない。例えば、酸素、窒素などを採用することができる。
埋め込み絶縁膜の端部の厚さが、埋め込み絶縁膜の端に向かうほど薄くなるとは、埋め込み絶縁膜の端部が先細り化している状態をいう。
埋め込み絶縁膜の形成数、言い換えれば部分ＳＯＩ構造の形成数は１つでもよいし、複数でもよい。
【０００９】
表面シリコン層の厚さは、例えば０．０１〜０．３μｍである。埋め込み絶縁膜のうち、減厚された端部を除く部分の厚さは、例えば０．１〜０．５μｍである。部分ＳＯＩ構造が複数形成されている場合において、埋め込み絶縁膜の厚さは均一でもよいし、異なる厚さでもよい。
埋め込み絶縁膜の形状は、例えば表面を上方に向けたＳＩＭＯＸ基板を平面視した場合において、円形、楕円形、多角形を採用することができる。埋め込み絶縁膜の大きさは限定されない。部分ＳＯＩ構造が複数の場合、全ての埋め込み絶縁膜の大きさは均一でもよい。また、各埋め込み絶縁膜を異なる大きさとしてもよい。
各埋め込み絶縁膜の端部において、厚さを減じた領域は、例えば直線的に減じてもよいし、または曲線的に減じてもよい。さらには、減じている途中に厚さが一定の部分が存在してもよい。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、前記埋め込み絶縁膜の減厚された端部の減厚方向の長さは、該埋め込み絶縁膜の端から１０〜１０００ｎｍである請求項１に記載のＳＩＭＯＸ基板である。
減厚方向とは、表面を上方に向けたＳＩＭＯＸ基板を平面視したとき、埋め込み絶縁膜の端部の厚さが、この埋め込み絶縁膜の端に向かうほど薄くなる方向である。具体的には、埋め込み絶縁膜の減厚された端部において、その減厚の基端と接する接線に対して直交する方向をいう。
埋め込み絶縁膜の減厚された端部の好ましい長さは２０〜５００ｎｍである。１０ｎｍ未満では転位の抑制効果がない。また、１０００ｎｍを超えるとほとんど転位は発生しなくなるが、埋め込み絶縁膜の減圧された領域がデバイス形成領域に達するため、デバイスの信頼性を劣化させる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記注入物が酸素である請求項１または請求項２に記載のＳＩＭＯＸ基板である。
イオン注入された酸素は、シリコン単結晶基板の熱処理後、埋め込みシリコン酸化膜を形成する。
【００１２】
請求項４に記載の発明はシリコン単結晶基板に注入物を部分的にイオン注入してから熱処理することで、前記シリコン単結晶基板の平面的な一部分に、表面シリコン層とバルク層との間に埋め込み絶縁膜が形成された部分ＳＯＩ構造を作製するＳＩＭＯＸ基板の製造方法において、内壁部分の厚さが開口側に向かうほど薄くなった開口部を有し、前記注入物のイオンを部分的に遮蔽するマスキング膜を、前記シリコン単結晶基板の表面に設けるマスキング工程と、前記シリコン単結晶基板の表面から、前記マスキング膜を介して注入物をイオン注入し、所定の深さでこの注入物をシリコンと結合させるイオン注入工程と、該イオン注入後、前記シリコン単結晶基板を熱処理し、前記注入物とシリコンとの結合部分に埋め込み絶縁膜を形成するとともに、前記シリコン単結晶基板の表面側の一部分に表面シリコン層を形成する一方、前記シリコン単結晶基板の裏面側の一部分にバルク層を形成して、前記シリコン単結晶基板内に部分ＳＯＩ構造を作製する熱処理工程とを備えたＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。
【００１３】
イオン注入時、注入物は、例えば酸素イオンの場合で３０〜２００ｋｅＶに加速される。その場合、イオン注入の密度は１０18ａｔｍｓ／ｃｍ3 程度である。熱処理時の温度は、例えば１１００℃以上、好ましくは１２００〜１４００℃である。この高温の熱処理により、酸素などの注入物とシリコンとが十分に反応し、シリコン酸化膜などの埋め込み絶縁膜が形成される。
マスキング膜の素材は限定されない。例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、フォトレジスト、金属薄膜などを採用することができる。
マスキング膜に形成された開口部の大きさ、形状は、埋め込み絶縁膜の大きさ、形状に応じて変更される。
マスキング膜の開口部の内壁部分において、減厚された領域は、例えば直線的に減厚してもよいし、または曲線的に減厚してもよい。さらには、減厚している途中に厚さが一定の部分が存在してもよい。
マスキング膜の開口部の内壁部分を減厚する方法は限定されない。例えば、マスキング膜の素材に適応したエッチング液によるウエットエッチングを採用することができる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記マスキング膜の減厚された内壁部分の減厚方向の長さは、該内壁部分の開口側の端から１０〜１０００ｎｍである請求項４に記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。
マスキング膜の減厚された内壁部分の好ましい長さは２０〜５００ｎｍである。１０ｎｍ未満では、転位を抑制するために十分な幅の絶縁膜が形成できない。また、１０００ｎｍを超えると絶縁膜の減圧された領域がデバイス形成領域に達するため、デバイスの信頼性を劣化させる。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、前記注入物が酸素である請求項４または請求項５に記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法である。
【００１６】
【作用】
請求項１に記載のＳＩＭＯＸ基板および請求項４に記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法によれば、シリコン単結晶基板の表面から、マスキング膜の開口部を通して、注入物をイオン注入する。このとき、マスキング膜の開口部は、内壁部分の厚さが内壁面に向かうほど薄い。そのため、前記イオン注入領域の端部における注入物のイオン注入量は、端に向かうほど減少する。
続く熱処理時には、イオン注入された注入物とシリコンとの溶融および結合が促進される。こうして、シリコン単結晶基板内に部分的に埋め込み絶縁膜が形成される。よって、シリコン単結晶基板の内部に、表面シリコン層、埋め込み絶縁膜およびバルク層からなる部分ＳＯＩ構造が作製される。この熱処理による埋め込み絶縁膜の形成時、埋め込み絶縁膜の体積が膨張し、埋め込みシリコン酸化膜とバルク層との界面には歪み応力が発生する。しかしながら、イオン注入領域の端部における注入物の注入量は、前述したように端に向かうほど少なくなっている。その結果、発生した歪み応力は、埋め込み絶縁膜の減厚した端部において緩和される。よって、埋め込みシリコン酸化膜とバルク層との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例に係るＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法を説明する。
この実施例によれば、単結晶シリコンインゴットをＣＺ法により引き上げる。その後、得られた単結晶シリコンインゴットに、ブロック切断、スライス、面取り、ラッピング、鏡面研磨などを施し、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍの鏡面仕上げされたシリコン単結晶基板１０を用意する（図１（ａ））。
次に、シリコン単結晶基板１０の表面をマスキング膜１１により被覆する。すなわち、シリコン単結晶基板１０を熱酸化炉に挿入し、１０００℃、１００分間、酸化ガス雰囲気下で酸化熱処理する。これにより、シリコン単結晶基板１０の露出面に厚さ０．０８μｍの酸化シリコンからなるマスキング膜１１が形成される（図１（ｂ））。マスキング膜１１の厚さは、イオン注入される酸素の注入深さを考慮し、マスキング膜１１により充分な酸素の遮蔽効果が得られる０．０５μｍとしている。
【００１８】
続いて、通常のリソグラフィ技術により、マスキング膜１１の表面に、格子状に配列された多数の開口部を有する図示しないフォトレジスト膜を形成する。シコン単結晶基板１０の各開口部との対向領域が、後に埋め込みシリコン酸化膜１２の形成領域となる。その後、シリコン単結晶基板１０を２５℃、１０ｗｔ％のフッ酸溶液に２分間浸漬し、マスキング膜１１に、内壁部分１１ａの厚さが開口側に向かうほど徐々に薄くなった多数の開口部を形成する。各開口部において、マスキング膜１１の減厚された内壁部分１１ａの減厚方向の長さは３００ｎｍである。その後、フォトレジスト膜を所定の剥離剤により除去する。
【００１９】
次に、中電流イオン注入装置を用いて、１００ｋｅＶの加速電圧により、シリコン単結晶基板１０の内部に、マスキング膜１１の各開口部を通して１００ｋｅＶの加速電圧により、酸素イオンを１０18ａｔｍｓ／ｃｍ3 で注入する（図１（ｃ））。酸素イオンの注入深さは約０．５μｍである。これにより、シリコン単結晶基板１０内に、所定間隔ごと離間した多数のイオン注入領域ａが形成される。イオン注入時、マスキング膜１１の各開口部は、内壁部分１１ａの厚さが開口側に向かうほどそれぞれ薄くなっている。そのため、シリコン単結晶基板１０内のイオン注入領域ａの端部における酸素の注入量は、イオン注入領域ａの端に向かうほど徐々に減少する。
【００２０】
続いて、このシリコン単結晶基板１０をあらかじめ７００℃に保持した熱処理炉に投入し、１３２０℃で１０時間、高温アニールする（図１（ｄ））。これにより、イオン注入された酸素とシリコンとの溶融および結合が促進され、酸化物が析出したイオン注入領域ａに、部分的に厚さ０．３μｍ程度の多数の埋め込みシリコン酸化膜１２が形成される。しかも、各埋め込みシリコン酸化膜１２の端部１２ａの厚さは、埋め込みシリコン酸化膜１２の端に向かうほど徐々に薄くなっている。これは、前述したように各イオン注入領域ａの端部における酸素のイオン注入量が、イオン注入領域ａの端に向かうほど減少していることによる。
【００２１】
また、前記高温アニール時、埋め込みシリコン酸化膜１２の体積の膨張に伴い、各埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面には歪み応力が発生する。しかしながら、前述したように各埋め込みシリコン酸化膜１２の端部１２ａの厚さが、埋め込みシリコン酸化膜１２の端に向かうほど徐々に薄くなっていることから、歪み応力は各埋め込みシリコン酸化膜１２の減厚された端部１２ａにおいて緩和される。これにより、歪み応力を原因とした転位の発生を抑制することができる。
このように、シリコン単結晶基板１０の内部に各埋め込みシリコン酸化膜１２が形成されることで、シリコン単結晶基板１０の各埋め込みシリコン酸化膜１２の形成領域一帯に多数の論理回路用のＳＯＩ領域（部分ＳＯＩ構造の領域）が形成される。また、隣接するＳＯＩ領域とＳＯＩ領域との間に、メモリ回路用のバルク領域が形成される（同じく図１（ｄ））。
図１〜図６中、１３は表面シリコン層、２０は作製されたＳＩＭＯＸ基板である。
【００２２】
ここで、図２〜図６に基づき、本発明の歪み応力低減に対する有効性を、計算機シュミレーションと実際の試験とを行い、その両面から確認した。
まず、従来のＳＩＭＯＸ基板の埋め込みシリコン酸化膜とバルク層との界面における応力を計算した。埋め込みシリコン酸化膜の形成には、一般的に１２００〜１４００℃の高温アニールが施される。埋め込みシリコン酸化膜は、高温アニール処理時に体積が膨張し、図２に示すように埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面の領域で段差を生じる。この界面領域において、例えば１２ｎｍの段差が発生したときの歪み応力分布の計算結果を図３に示す。ＳＩＭＯＸ基板の表面において、Ｍｉｓｅｓ応力が４．９−６．５×１０2ＭＰａとなる領域Ｍの長さは、界面領域の近傍で８８６ｎｍであった。
【００２３】
次に、本発明の一例として、埋め込みシリコン酸化膜１２の端から約５０ｎｍの領域（端部１２ａ）で厚さを減じたときの歪み応力を計算した。同様にＳＩＭＯＸ基板の表面で、Ｍｉｓｅｓ応力が４．９−６．５×１０2ＭＰａとなる界面領域Ｍの長さを計測すると６１４ｎｍであった（図４）。この結果から、図３に示す埋め込みシリコン酸化膜１２と比較して、応力の高い領域が狭くなることがわかった。特に、ここに示す応力の値自体は意味はない。しかしながら、転位を発生する臨界応力の領域もこれと同様に狭くなっていると考えられる。
同様にして厚さを減じた領域が埋め込みシリコン酸化膜１２の端から１８０ｎｍの場合（図５）と、３００ｎｍの場合（図６）とについて、Ｍｉｓｅｓ応力が４．９−６．５×１０2ＭＰａとなる界面領域Ｍの長さをそれぞれ計測した。その結果、厚さを減じた領域が１８０ｎｍの場合には、界面領域Ｍの長さは１７９ｎｍであった。一方、３００ｎｍの場合には、ＳＩＭＯＸ基板の内部で応力が緩和され、基板表面には界面領域Ｍが現出されなかった。
【００２４】
次に、本発明の歪み応力低減に対する有効性の試験について説明する。
まず、マスキング膜をシリコン単結晶基板の表面に形成し、その後、酸素イオンの注入および高温熱処理を施した。その結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
2004207387.tif 000003
【００２６】
このように、埋め込みシリコン酸化膜１２の減厚された端部１２ａが長いほど、埋め込みシリコン酸化膜１２とバルク層１４との界面から発生した転位の伝播距離は短くなることを確認できた。また、埋め込みシリコン酸化膜１２で、減厚された端部１２ａの長さがほとんどない場合（１０ｎｍ未満）は、転位の抑制効果がないことが確認できた。反対に、減厚された端部１２ａの長さが１０００ｎｍを超える場合は、ほとんど転位が発生しないことも確認できた。
【００２７】
次に、図７および図８のグラフを参照して、本発明のＳＩＭＯＸ基板の製造方法により、所望の酸素イオン注入プロファイル、すなわち高温熱処理後に埋め込みシリコン酸化膜１２となる酸素のイオン注入領域ａの幅が狭くなっている分布が達成されているかを、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認した。
図７に示すマスキング膜１１の形状と、このマスキング膜１１を利用してシリコン単結晶基板１０にイオン注入した際の酸素の濃度プロファイルを、図８のグラフに示す。図８のグラフにおける断面Ａ〜Ｅは、図７中の断面Ａ〜Ｅである。マスキング膜１１の厚さが増大するほど、注入される酸素イオンの注入幅ｗが小さくなることがわかる。
また、シリコン単結晶基板１０を高温熱処理し、得られた埋め込みシリコン酸化膜１２の厚さを透過電子顕微鏡により測定した。その結果、埋め込みシリコン酸化膜１２の端部において、酸素イオンの注入幅ｗに対応して埋め込みシリコン酸化膜１２が薄くなっていることを確認できた。
以上のことから、本発明のマスキング法を採用し、埋め込みシリコン酸化膜の形状を有した部分ＳＯＩ構造とすることで、埋め込みシリコン酸化膜とバルク層との界面領域に歪み応力に起因した転位の発生がない、高品質な部分ＳＯＩウェーハを得ることができた。
【００２８】
【発明の効果】
本発明のＳＩＭＯＸ基板およびその製造方法によれば、シリコン単結晶基板の内部に部分的に形成される埋め込み絶縁の端部の厚さを、埋め込み絶縁膜の端に向かうほど薄くしたので、高温熱処理時における埋め込み絶縁膜の体積膨張を減少させることができる。これにより、埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じる歪み応力が低減し、転位の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係るＳＩＭＯＸ基板の製造方法を示すフローシートである。
【図２】端部の厚さを減じない埋め込みシリコン酸化膜を有するＳＩＭＯＸ基板の表面段差を示す要部拡大図である。
【図３】図２の表面段差を有するＳＩＭＯＸ基板内の歪み応力分布を示す要部拡大図である。
【図４】埋め込みシリコン酸化膜の端から５０ｎｍの領域で厚さを減じたときの歪み応力分布を示すＳＩＭＯＸ基板の要部拡大図である。
【図５】埋め込みシリコン酸化膜の端から１８０ｎｍの領域で厚さを減じたときの歪み応力分布を示すＳＩＭＯＸ基板の要部拡大図である。
【図６】埋め込みシリコン酸化膜の端から３００ｎｍの領域で厚さを減じたときの歪み応力分布を示すＳＩＭＯＸ基板の要部拡大図である。
【図７】厚さを変化させたマスキング膜を用いて酸素イオン注入した際の酸素イオン注入プロファイルを示すＳＩＭＯＸ基板の要部拡大断面図である。
【図８】厚さを変化させたマスキング膜を用いて酸素イオン注入した際の酸素イオン注入プロファイルのＳＩＭＳ測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  シリコン単結晶基板、
１１  マスキング膜、
１１ａ  内壁部分、
１２  埋め込みシリコン酸化膜（埋め込み絶縁膜）、
１２ａ  端部、
１３  表面シリコン層、
１４  バルク層。
【図１】
2004207387.tif 000004
【図２】
2004207387.tif 000005
【図３】
2004207387.tif 000006
【図４】
2004207387.tif 000007
【図５】
2004207387.tif 000008
【図６】
2004207387.tif 000009
【図７】
2004207387.tif 000010
【図８】
2004207387.tif 000011