(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエハが厚み１００μｍ以下程度に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、半導体ウエハの反りを矯正し、ウエハ搬送時の破損を防止し得る半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法を提供する。【解決手段】基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０７〜１×１０１０Ｐａの範囲にある樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層からなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０７〜１×１０１０Ｐａの範囲にある樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層からなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
【請求項２】
１２０℃における３０秒後の残留応力が０．５（％）以下である樹脂層のＪＩＳ  Ｋ６７３０に規定される１９０℃におけるメルトフローレート（以下、ＭＦＲ）の値が１５〜２００（単位  ｇ／１０分）であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム。
【請求項３】
半導体ウエハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体ウエハの回路非形成面を加工する第二工程を順次実施し、次いで、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに、半導体ウエハの回路非形成面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する第三工程を具備する半導体ウエハの製造工程における半導体ウエハ保護方法であって、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムとして、請求項１または２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることを特徴とする半導体ウエハ保護方法。
【請求項４】
前記第二工程が、裏面研削工程、ウェットエッチング工程及びポリッシング工程から選ばれた少なくとも一工程を具備することを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ保護方法。
【請求項５】
前記第二工程を経た後の半導体ウエハの厚みが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体ウエハ保護方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハ保護方法に関する。詳しくは、半導体ウエハを薄層化加工する工程における半導体ウエハの反り矯正、及び破損防止に有用であり、生産性の向上を図り得る半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハ保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハを加工する工程は、半導体ウエハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する工程、半導体ウエハの回路非形成面を加工する工程、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウエハを分割切断するダイシング工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程、等により構成されている。
【０００３】
従来、ダイボンディング工程では、リードフレーム上にダイボンディング材料である樹脂ペーストを供給し、その上に半導体チップを載せて接着する方法が最も多く用いられている。しかし、樹脂ペーストを用いた場合、リードフレーム上に均一に塗布することが困難である為、接着層の硬化時にボイドが発生したり、チップクラックが生じる等の問題がある。
【０００４】
ダイボンディング材料である樹脂ペーストの欠点である不均一な塗布性を改善すること、及び工程全般の合理化を目的として、特開平６−３０２６２９号公報には、ダイボンディング工程において、ダイボンディング用接着フィルムを用いる方法が開示されている。この方法は、半導体ウエハの回路非形成面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する工程、ダイボンディング用接着フィルムを貼着した状態の半導体ウエハをダイシングテープに固着した後、分割切断するダイシング工程、及びダイシングテープを剥離する工程を経た後、半導体チップをリードフレームにダイボンディングする工程を実施する方法である。
【０００５】
しかしながら、この方法は、半導体ウエハの回路非形成面を加工して、半導体ウエハを更に薄くした場合、特に１００μｍ以下にした場合には、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが貼着していない状態では、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際に、ロールの圧力、ウエハを薄層化した為に生じたウエハの反り等により半導体ウエハが破損する等の重大な問題が発生する。
【０００６】
近年益々、半導体チップの薄層化の要求が高まっており、厚みが３０〜１００μｍ程度のチップも望まれている。従って、このように薄層化された半導体ウエハであっても破損することなく、ダイボンディング用粘着フィルムを貼着できる半導体ウエハの保護方法が望まれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題に鑑み、半導体ウエハが厚み１００μｍ以下程度に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、半導体ウエハの反りを矯正し、ウエハ搬送時の破損を防止し得る半導体ウエハの表面保護用粘着フィルム、及び該粘着フィルムを用いる半導体ウエハの保護方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルムに着目し、少なくとも特定の貯蔵弾性率の範囲にある耐熱樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が特定の値以下になる樹脂層から構成される基材フィルムを用いることにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明に到った。
すなわち、本発明は基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルムが、少なくとも２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０７〜１×１０１０Ｐａの範囲にある耐熱樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層からなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムである。
【０００９】
また、本発明の他の発明は、半導体ウエハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体ウエハの回路非形成面を加工する第二工程、及び半導体ウエハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィルムを貼着する第三工程を具備する半導体ウエハの製造工程における半導体ウエハ保護方法であって、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに第三工程を実施し、且つ、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムとして、前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることを特徴とする半導体ウエハ保護方法である。
本発明によれば、厚みが１００μｍ以下に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、上記一連の工程における半導体ウエハの反りを矯正し、破損、汚染などを防止できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
先ず、本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムについて説明する。本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムは、基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成することにより製造される。通常、粘着剤層を保護するために、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼着することを考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を図るためには、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フィルムの片面に転写する方法が好ましい。
基材フィルムは、少なくとも２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０７〜１×１０１０Ｐａ、更に好ましくは１×１０８〜１×１０１０Ｐａの耐熱樹脂層と１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層からなることを特徴としている。
【００１１】
耐熱樹脂層は、２００℃において２分間加熱したときの機械方向の収縮率が０．０１〜１％の範囲にあることが好ましい。耐熱樹脂層は、１０〜２００μｍ、さらには１０〜１００μｍの厚みを有することが好ましい。耐熱樹脂層の２３〜２００℃における貯蔵弾性率が１×１０７Ｐａ未満である場合は、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程において、熱により耐熱フィルム層が軟化し、チャックテーブルに接着することがあり、ウエハの搬送に問題が生じることがある。
【００１２】
前記の要件を満たす樹脂として、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン等、及びこれらの混合樹脂が挙げられる。代表的市販品として、ポリエチレンテレフタレート〔帝人（株）製、商品名：テオネックス〕、ポリイミド〔鐘淵化学（株）製  商品名  アピカル〕等が挙げられる。
１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層は、ＪＩＳ  Ｋ６７３０に規定される１９０℃におけるメルトフローレート（以下、ＭＦＲ）が１５〜２００（単位  ｇ／１０分）、更に好ましくは３０〜１００ｇ／１０分であることが好ましい。高いメルトフローレートの樹脂と低いメルトフローレートの樹脂を溶融混合し形成し、みかけ上のメルトフローレートが上記範囲を満たす樹脂でもよい。
１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂層は、耐熱樹脂層が加熱時及び加熱後に寸法変化する際に発生する応力をウエハに伝えなくすることにより、加熱後のウエハ反り変形量を最小限にする効果がある。１２０℃における３０秒後の残留応力率は、更に好ましくは、０．１（％）以下である。
【００１３】
該樹脂層は、裏面加工時のウエハ破損を防ぐ役割も有するため、ウエハの表面段差、バンプ電極の有無等により、適切な厚みを選択することが好ましい。該樹脂層の厚みは、２０μｍ〜３００μｍ程度が好ましい。更に好ましくは、５０μｍ〜３００μｍである。
１２０℃における３０秒後の残留応力率が０．５（％）以下である樹脂としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数１〜４）、エチレン−α−オレフィン共重合体、プロピレン−α−オレフィン共重合体等が挙げられる。
エチレン−酢酸ビニル共重合体として三井デュポン株式会社製  エバフレックス（登録商標）Ｅ４２０、同ＥＶ１５０、同Ｖ５７７３Ｗ、エチレンーエチレンアクリレート共重合体として三井デュポン株式会社製  ＥＶＡＦＬＥＸーＥＥＡ（登録商標）、エチレン−αオレフィン共重合体として三井化学株式会社製  タフマー（登録商標）等が市販品として例示できる。
Ｔダイ押出成形、インフレ押出成形等を用いて基材フィルムを製造できる。メルトフローレートが高い場合、樹脂と押出し装置の特性から、押出し成形する際の温度を最適化する。すなわち、樹脂のメルトフローレートの温度依存性を把握し、装置にあった押出し温度を選択すればよい。
【００１４】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層を形成する粘着剤は、ダイボンディング用接着フィルム貼着時の温度条件下、例えば１５０℃程度の温度でも、粘着剤として充分機能するものであることが好ましい。具体的には、アクリル系粘着剤、シリコン系粘着剤等が例示される。粘着剤層の厚みは３〜１００μｍ、更には１０〜８０μｍであることが好ましい。粘着剤層は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムをウエハの回路形成面（以下、表面という）から剥離した後、半導体ウエハの表面に糊残りなどによる汚染が生じないことが好ましい。
【００１５】
粘着剤層は、特に、ダイボンディング用接着フィルムを加熱貼着するダイボンディング工程において１５０℃程度の高温に曝された際に、粘着力が大きくなり過ぎないように、また、半導体ウエハ表面の汚染が増加しないように、反応性官能基を有する架橋剤、過酸化物、放射線等により高密度に架橋されたものであることが好ましい。更に、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際に、温度１５０℃以上の条件下で加熱処理された場合であっても、粘着力が上昇して剥離不良を起こさないこと、及び糊残りが発生しないことが好ましい。その為、粘着剤層は、１５０℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０５Ｐａであることが好ましい。貯蔵弾性率は、高ければ高いほどよいが、通常、その上限は１×１０８Ｐａ程度である。
【００１６】
上記特性を有する粘着剤層を形成する方法として、アクリル系粘着剤を用いる方法を例示する。粘着剤層は、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位、架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位、２官能性モノマー単位をそれぞれ特定量含む乳化重合共重合体であるアクリル系粘着剤、並びに、凝集力を上げたり粘着力を調整するための、官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤を含む溶液またはエマルション液を用いることにより形成される。溶液で使用する場合は、乳化重合で得られたエマルション液からアクリル系粘着剤を塩析等で分離した後、溶剤等で再溶解して使用する。アクリル系粘着剤は、分子量が充分に大きく、溶剤への溶解性が低く、若しくは溶解しない場合が多いので、コスト的な観点から鑑みても、エマルション液のまま使用することが好ましい。
【００１７】
本発明に用いるアクリル系粘着剤としては、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、モノマー（Ａ）〕として、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られたものが挙げられる。
モノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル、又はメタクリル酸アルキルエステル〔以下、これらの総称して（メタ）アクリル酸アルキルエステルという〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルである。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用しても、また、２種以上を混合して使用してもよい。モノマー（Ａ）の使用量は粘着剤の原料となる全モノマーの総量中に、通常、１０〜９８．９重量％の範囲で含ませることが好ましい。更に好ましくは８５〜９５重量％である。モノマー（Ａ）の使用量をかかる範囲とすることにより、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）１０〜９８．９重量％、好ましくは８５〜９５重量％を含むポリマーが得られる。
【００１８】
架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等である。これらの一種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）の使用量は、粘着剤の原料となる全モノマーの総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。更に好ましくは、１〜１０重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位（Ｂ）を有するポリマーが得られる。
【００１９】
更に、粘着剤層は、半導体ウエハの裏面加工、及びダイボンディング用接着フィルムの貼着時等における温度条件下でも、粘着剤として充分機能するように、粘着力や剥離性を調整することが好ましい。その方策として、エマルション粒子の凝集力を維持する為に粒子バルクの架橋方式も考慮することが好ましい。
【００２０】
エマルション粒子に対しては、１５０〜２００℃の温度条件下でも貯蔵弾性率が１×１０５Ｐａ以上を有する為に、２官能モノマー（Ｃ）を共重合することによって凝集力を維持するよう架橋方式を改良することが好ましい。良好に共重合するモノマーとして、メタクリル酸アリル、アクリル酸アリル、ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、アクリル酸ビニルや、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ−４００〕、テトラメチレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐８５０〕及びこれらの混合型〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ‐１８００、同ＡＤＰＴ−４０００〕であるもの等が挙げられる。
２官能モノマー（Ｃ）を乳化共重合する場合、その使用量は、全モノマー中に０．１〜３０重量％含むことが好ましい。更に好ましくは０．１〜５重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位（Ｃ）を有するポリマーが得られる。
【００２１】
上記粘着剤を構成する主モノマー、及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳化重合したアクリル系粘着剤を用いた場合には、通常、界面活性剤による半導体ウエハ表面に対する汚染が生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場合においても、半導体ウエハ表面を水洗することにより容易に除去することが可能となる。
【００２２】
このような重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。更に必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合してもよい。
【００２３】
アクリル系粘着剤の重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及び半導体ウエハ表面へのイオンの影響等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。
【００２４】
乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好ましい。
【００２５】
本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤が有する官能基と反応させ、粘着力及び凝集力を調整するために用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサンの４官能性エポキシ系化合物及びヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用してもよい。
【００２６】
架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能基数がアクリル系粘着剤中の官能基数よりも多くならない程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリル系粘着剤１００重量部に対し、架橋剤０．１〜１５重量部である。含有量が少なすぎると、粘着剤層の凝集力が不十分となり、１５０〜２００℃において、弾性率が１×１０５Ｐａ未満となり、耐熱特性が低下する。そのため、粘着剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、粘着力が高くなり、表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブルが発生したり、半導体ウエハを完全に破損したりすることがある。含有量が多すぎると、粘着剤層と半導体ウエハ表面との密着力が弱くなり、半導体ウエハ裏面研削工程において、半導体ウエハ表面と粘着剤層の間に研磨屑が浸入して半導体ウエハを破損したり、半導体ウエハ表面を汚染することがある。
【００２７】
本発明に用いる粘着剤塗布液には、上記の特定の２官能モノマーを共重合したアクリル系粘着剤及び架橋剤の他に、粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本発明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に存在した場合、洗浄が不可能となる程度に半導体ウエハ表面を汚染することがある。そのため、粘着剤塗布液の乾燥温度において揮発する性質を有するものを使用し、粘着剤層中の残存量を極力低くすることが好ましい。
【００２８】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの粘着力は、半導体ウエハの加工条件、半導体ウエハの直径、裏面研削後の半導体ウエハの厚み、ダイボンディング用接着フィルム貼着温度等を勘案して適宜調整できる。粘着力が低すぎると、半導体ウエハ表面への表面保護用粘着フィルムの貼着が困難となったり、表面保護用粘着フィルムによる保護性能が不十分となり、半導体ウエハが破損したり、半導体ウエハ表面に研削屑等による汚染が生じることがある。また、粘着力が高すぎると、半導体ウエハの裏面加工を実施した後、表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハ表面から剥離する際に、自動剥がし機で剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が低下したり、半導体ウエハを破損したりすることがある。通常、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算して５〜５００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜３００ｇ／２５ｍｍである。
【００２９】
基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、表面保護粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
【００３０】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウエハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
【００３１】
本発明に係わる半導体ウエハ保護方法を適用した半導体ウエハの製造方法は、先ず、前記の如く、半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、及び半導体ウエハの回路非形成面（以下、裏面という）を加工する第二工程を順次実施し、引き続き、該表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに半導体ウエハの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する第三工程を実施する。以後の工程には特に制限はないが、例えば、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウエハを分割切断するダイシング工程、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等を順次実施することができる。
【００３２】
本発明の半導体ウエハ保護方法について詳細に説明する。本発明の半導体ウエハ保護方法は、半導体ウエハの表面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、及び半導体ウエハの裏面を加工する第二工程を順次実施し、引き続き、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する第三工程を実施する。この際、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムとして、前記半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いる。
【００３３】
本発明に係わる半導体ウエハ保護方法の詳細は、先ず、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム（以下、表面保護用粘着フィルムと略称する）の粘着剤層側から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を介して、半導体ウエハの表面に表面保護用粘着フィルムを貼着する（第一工程）。次いで、裏面加工機のチャックテーブル等に表面保護用粘着フィルムの基材フィルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面を加工する（第二工程）。第二工程は、半導体ウエハの裏面研削工程、ウェットエッチング工程、及びポリッシング工程を全て実施してもよいし、又は、これらの工程のいずれか一工程を実施してもよい。次いで、表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程に搬送され、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する（第三工程）。その後、表面保護用粘着フィルムは剥離される。また、必要に応じて表面保護用粘着フィルムを剥離した後に、半導体ウエハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の処理が施される。
【００３４】
裏面加工工程において、研削前の厚みが５００〜１０００μｍであった半導体ウエハを本発明の保護方法を適用することにより、１００μｍ以下の厚みまで薄層化することができる。その場合、半導体ウエハの最低厚みは２０μｍ程度である。１００μｍ以下まで薄くする場合は、裏面研削に引き続いて、ウェットエッチング工程やポリッシング工程を実施することもできる。裏面を研削する前の半導体ウエハの厚みは、半導体ウエハの直径、種類等により適宜決められ、裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等により適宜決められる。
【００３５】
表面保護用粘着フィルムを半導体ウエハの表面に貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の表面保護用粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。このような自動貼り機として、例えばタカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同ＴＥＡＭ−１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられる。
【００３６】
裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。通常、いずれの方法においても、半導体ウエハと砥石に水を供給して冷却しながら裏面研削が行われる。裏面研削終了後、必要に応じて、ウェットエッチング、ポリッシングが行われる。ウェットエッチング工程及びポリッシング工程は、半導体ウエハ裏面に生じた歪の除去、半導体ウエハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
【００３７】
ダイボンディング用接着フィルムを貼着する工程で用いる装置としては、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＤＭ−８００等が挙げられる。ダイボンディング用接着フィルムとしては、ポリエステル系、ポリプロピレン系フィルムの表面に、ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物からなるワニスを塗布して、接着剤層を形成したダイボンディング用接着フィルムが挙げられる。この時、必要に応じてポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物に添加剤を混合することもある。ロールを用いて、ダイボンディング用接着フィルムを半導体ウエハ裏面に加熱貼着することにより、接着剤付半導体ウエハとされる。
【００３８】
通常、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する際には、上記の如きダイボンディング用接着フィルム貼着装置が用いられる。１５０℃程度に加熱し、該装置に内蔵するロールによって押圧して、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する。この際、薄層化されたウエハに大きな反りがあると、ロールの押圧によってウエハが破損し易い。また、ウエハが破損することなしに、ダイボンディング用接着フィルムを半導体ウエハ裏面に貼着できても、ウエハに大きな反りがある場合、ウエハ搬送時に吸着不良などの問題が生じてしまう。ウエハ表面に本発明に係わる粘着フィルムを貼着してウエハを薄層化し、且つ、粘着フィルムを剥離することなしにダイボンディング用接着フィルム貼着することにより、ウエハの反りが矯正され、その破損及び搬送不良を防止することができるのである。
【００３９】
裏面研削工程、エッチング工程、及びダイボンディング用接着フィルムの貼着工程がそれぞれ終了した後、半導体ウエハ表面から表面保護用粘着フィルムが剥離される。これらの一連の操作は、人手により行われる場合もあるが、一般的に自動剥がし機と称される装置を用いて行われる。このような自動剥がし機としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ等が挙げられる。また、剥離性の向上を目的として、必要に応じて加熱剥離することが好ましい。
【００４０】
表面保護用粘着フィルムを剥離した後の半導体ウエハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、半導体ウエハ表面の汚染状況により適宜選択される。
本発明の半導体ウエハ保護方法が適用できる半導体ウエハとして、シリコンウエハに限らず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム等のウエハが挙げられる。
【００４１】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着剤塗布液の調製及び塗布、半導体シリコンウエハの裏面研削、並びにダイボンディング用接着フィルム貼着等の製造を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。
【００４２】
１．各種特性の測定方法
１−１．粘着力測定（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ  Ｚ０２３７−１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、２０ｃｍ×５ｃｍの長方形のＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ  Ｇ４３０５−１９９１規定）の表面に貼着し、同サイズに粘着フィルムをカットし、６０分放置する。但し、粘着フィルムは機械方向（以下、ＭＤ方向という）がＳＵＳ３０４−ＢＡ板の２０ｃｍの辺に、機械方向と直交する方向（以下、ＴＤ方向という）がＳＵＳ３０４−ＢＡ板の５ｃｍの辺に対するように粘着フィルムを貼着する。試料のＭＤ方向の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定し、２５ｍｍ幅に換算する。
【００４３】
１−２．貯蔵弾性率（Ｐａ）
耐熱樹脂層
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム層部分を切断し、長方形（ＭＤ方向：３０ｍｍ、ＴＤ方向：１０ｍｍ）の耐熱樹脂層の試料を作製する。動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて、０〜３００℃までの貯蔵弾性率（機械方向）を測定する。測定周波数は、１Ｈｚとし、歪みは０．０１〜０．１％とする。
【００４４】
１−３．残留応力（％）
正方形（ＭＤ方向：２０ｍｍ、ＴＤ方向：２０ｍｍ）の試料を作製し、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＭＳ−８００、コーンプレート）を用いて、１２０℃での応力緩和を測定する。３０秒後の残留応力率（％）をもとめる。
【００４５】
１−４．メルトフローレート（ｇ／１０分）
ＪＩＳ  Ｋ６７３０に規定される方法に準拠し行った。測定温度は、１９０℃で行った。
【００４６】
１−５．    半導体ウエハ反り量の評価
半導体ウエハの表面に厚み１５μｍのポリイミド膜が付設されている８インチシリコンウエハ（以下、ＰＩウエハと略称する、直径約２００ｍｍ、厚み７４０μｍ）の表面に、表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介してハンドローラを用いて貼付けた後、裏面研削機（（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて厚みが７５μｍになるまでウエハ裏面を研削し薄層化する。薄層化後、ＰＩウエハの表面に表面保護用粘着フィルムが貼り付けられている状態で、表面保護用粘着フィルムが貼付けられた薄層化後のＰＩウエハをホットプレート（アドバンテック社製、形式：ＴＰ−３２０）を用い、１８０℃で２分間加熱する。冷却後、表面保護用粘着フィルム貼付け面を上にしてＰＩウエハを定板上に乗せ、定板とウエハ裏面との最大距離を測定しウエハ反り量とする。１０枚のＰＩウエハについて評価し、その平均値で示す。
【００４７】
１−６．半導体ウエハの破損（枚数）
半導体ウエハ裏面研削工程、ダイボンディング用接着フィルム貼着工程、及び表面保護用粘着フィルム剥離工程における半導体ウエハの破損枚数を示す。１０枚のＰＩウエハについて評価し、破損した枚数を示す。
【００４８】
２．表面保護用粘着フィルムの製造例
２−１．基材フィルムの製造例１
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製  テオネックス、５０℃の貯蔵弾性率２．８ＧＰａ、２００℃の貯蔵弾性率０．１９ＧＰａ）を選定し、これとメルトフローレートが１５０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム１を作成した。メルトフローレートが１５０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）の残留応力率は、０．０２％であった。
【００４９】
２−２．基材フィルムの製造例２
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製  テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートを６０（ｇ／１０分）に調整したエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム２を作成した。メルトフローレートを６０（ｇ／１０分）に調整したエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製）の残留応力率は、０．０３％であった。
【００５０】
２−３．基材フィルムの製造例３
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製  テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートが３０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製  ＥＶ１５０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム２を作成した。メルトフローレートを３０（ｇ／１０分）に調整したエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製）の残留応力率は、０．０４％であった。
【００５１】
２−４．基材フィルムの製造例４
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製  テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートを１５（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製  ＥＶ２５０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム４を作成した。メルトフローレートを１５（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製  ＥＶ２５０）の残留応力率は、０．２２％であった。
【００５２】
２−５．基材フィルムの製造例５
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製  テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートを３（ｇ／１０分）のエチレン−αオレフィン共重合体（三井化学株式会社製  タフマー  （登録商標）Ａ−４０７０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−αオレフィン共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム５を作成した。メルトフローレート３（ｇ／１０分）のエチレン−αオレフィン共重合体の残留応力率は、０．０２％であった。
【００５３】
２−６．基材フィルムの比較製造例１
耐熱フィルム層として７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製  テオネックス）を選定し、これとメルトフローレートが２．５（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４６０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２７０μｍであるフィルム６を作成した。エチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４６０）の残留応力率は、８％であった。
【００５４】
２−７．基材フィルムの比較製造例２
７５μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン株式会社製  テオネックス）を選定した。粘着剤層を形成する側の表面にコロナ放電処理を施し、フィルム７とした。
【００５５】
２−８．基材フィルムの比較製造例３
耐熱フィルム層として５０μｍの２軸延伸ポリプロピレンフィルム（５０℃の貯蔵弾性率１．３ＧＰａ、１７０℃の貯蔵弾性率１．０ＭＰａ）を選定し、これとメルトフローレートが１５０（ｇ／１０分）のエチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）フィルム（厚み１９５μｍ）を、コロナ放電処理を施すことで積層した。粘着剤層を形成するエチレン−酢酸ビニル共重合体側にもコロナ放電処理を施した。基材フィルム全体の厚みが２４５μｍであるフィルム８を作成した。エチレン−酢酸ビニル共重合体（三井デュポン株式会社製、ＥＶ４２０）の残留応力率は、０．０２％であった。
【００５６】
２−９．粘着剤主剤の製造例
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチルヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３重量部、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１重量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリコールジアクリレート〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＴ−２５０〕１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重量％のアクリル系粘着剤（粘着剤主剤１）とした。
【００５７】
２−１０．粘着フィルムの製造例１〜５
粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに上記基材フィルム１〜５のコロナ放電処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１〜５を製造した。粘着力はそれぞれ１２０ｇ／２５ｍｍ、１２５ｇ／２５ｍｍ、１２５ｇ／２５ｍｍ、１２５ｇ／２５ｍｍおよび１２０ｇ／２５ｍｍであった。
【００５８】
２−１１．粘着フィルムの比較製造例
粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに上記基材フィルム６、７及び８のコロナ放電処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム６〜８を製造した。粘着力は、それぞれ１２０ｇ／２５ｍｍ、１００ｇ／２５ｍｍ及び１００ｇ／２５ｍｍであった。
【００５９】
３−１．保護方法の実施例１
半導体ウエハ（ＰＩウエハ）に対する、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１の保護性能を評価した。半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を集積回路が組み込まれた１０枚のＰＩウエハ（直径：８インチ、厚み：７５０μｍ）の全表面に貼着した状態で、裏面研削機（（株）ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて、厚みが７５μｍになるまでウエハ裏面を研削した。次いで、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を貼着したままの状態で、１８０℃においてダイボンディング用接着フィルム貼着機（タカトリ（株）製、形式：ＤＭ−８００）を用いて、半導体ウエハ裏面にダイボンディング用接着フィルム（日立化成（株）製、商品名：ハイアタッチ）を貼着した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼着機に内蔵するロールによってウエハに押圧がかかったにもかかわらず、１０枚全ての半導体ウエハに対して接着フィルム貼着時においてＰＩウエハの反りが原因である割れは発生しなかった。また、ダイボンディング用接着フィルム貼付け後、チャックテーブルからアームによるウエハの搬送に問題が生じなかった。表１には、この現象をＯＫと記載した。更に、剥離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００ＩＩ）を用いて、ＰＩウエハ表面から半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を剥離した。剥離の際においてもＰＩウエハの割れは発生しなかった。また、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を剥離した後のＰＩウエハ表面に糊残り等の汚染は観察されなかった。
別途、他のＰＩウエハ（直径：８インチ、厚み：７４０μｍ）１０枚について上記と同様にして、厚みが７５μｍになるまでウエハ裏面を研削した後、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム１を貼着したままの状態で、１８０℃で２分間加熱し、加熱後の反り量を測定した。その結果、ウエハの反り量は３ｍｍであった。得られた結果を表１に示す。
【００６０】
３−２．保護方法の実施例２〜５
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム２〜５を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。得られた結果を表１に示す。
【００６１】
３−３．保護方法の比較例１
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム６を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼付け時の熱によりウエハが大きく反ってしまい、チャックテーブルからアームによる搬送が吸着不良のため、１０枚全てのＰＩウエハに於いて搬送することが出来なかった。表１には、この現象をエラーと記載した。裏面研削後に１８０℃で２分間加熱後のウエハ反り量は、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ２５ｍｍであった。得られた結果を表１に示す。
【００６２】
３−４．保護方法の比較例２
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム７を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼付け時の熱によりウエハが大きく反ってしまい、チャックテーブルからアームによる搬送が吸着不良のため、１０枚全てのＰＩウエハに於いて搬送することが出来なかった。表１には、この現象をエラーと記載した。ウエハ反り量の評価結果は、１８０℃で２分間加熱後の反り量は半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム貼付け面方向へ２０ｍｍであった。得られた結果を表１に示す。
【００６３】
３−５．保護方法の比較例３
半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム８を用いた以外、保護方法の実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボンディング用接着フィルム貼付け時の熱により、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムが、チャックテーブルに融着してしまい、チャックテーブルからアームによる搬送が不良のため、１０枚全てのＰＩウエハに於いて搬送することが出来なかった。表１にはこの現象をエラーと記載した。ウエハ反り量の評価は、１８０℃で加熱中、基材フィルムが融解してしまいウエハ反り量の測定が出来なかった。
【００６４】
【表１】
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【００６５】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを用いることにより、半導体ウエハが厚み１００μｍ以下程度に薄層化され、且つ、ダイボンディング工程において高温に晒された場合であっても、半導体ウエハの反りを矯正し、ウエハ搬送時の破損を防止しすることができる。