(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、可能な限り従来の製造ラインや既存の技術を利用して、設備の負担や特殊技術の開発負担を軽減しつつ、製造工程におけるリードの曲がりを低減し、チップサイズのパッケージを高い信頼性の下に製造すると共に、歩留まりを向上させることにある。【解決手段】  ＴＡＢのリード５４ａ，５４ｂの先端部はフレーム５９に接続することなく、パターン形成のときから自由端としておき、最後のボンディング工程に至るまで、一切、加工を加えない。一方、半導体チップの実装領域において複数の連結部５７ａ〜５７ｊを配置し、１つのＩＣチップの実装面の内側において多数のリードを連結し、その連結部を介して電気的にフレームに接続する。【選択図】      図１６
2004282097.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルムに導体箔を形成する工程と、
一端が自由端として形成され前記自由端に半導体チップとの電気的接続部を有する複数のリード、前記半導体チップの実装領域に設けられ前記複数のリードを相互に連結する連結部、前記連結部を介してすべての前記リードに電気的に接続される枠体、を有する導体パターンを前記導体箔から形成する工程と、
前記導体パターンにメッキを施す工程と、
前記連結部を打ち抜いて、前記複数のリードの各々を電気的に独立のリードとする工程と、
を有するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記導体パターンを形成する工程にて、前記リードと前記連結部との間に外部接続用端子を形成するためのパッド部を、さらに形成するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記導体箔を形成する工程の前に、前記絶縁性フィルムの所定位置に孔を形成するための打ち抜き工程を、さらに有するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記半導体チップは、前記電気的接続部を避けて位置する電極を有し、
前記リードにおける前記一端の端部とは異なる箇所であって、前記電極が位置するべき箇所に導電性突起を形成する工程を、さらに有するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記導体パターンの前記電気的接続部を除く領域で、且つ前記半導体チップが実装される領域に突起を形成する工程を、さらに有するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記導体パターンを形成する工程の前に、前記絶縁性フィルムに開口部を設け、前記開口部領域に前記自由端の端部を位置させるように形成するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記絶縁性フィルムの前記開口部に隣接する位置であって、前記リードの自由端の延長線上に、前記リードの曲がり検出用マークを形成するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記曲がり検出用マークは、前記導体パターンの形成工程にて前記導体パターンと同じ工程で形成されるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項９】
請求項７記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記曲がり検出用マークの位置と前記リードの終端した前記一端との位置の比較によって前記リードの曲がりを検出する工程を、さらに具備するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記導体パターンの形成工程において、前記絶縁性フィルム上から前記開口部上へと突出する一対の突出部と、前記一対の突出部を接続する接続部と、を具備するように、前記複数のリードのうちの一部が形成されるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記突出部及び接続部は、直角に形成されるフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載のフィルムキャリアテープの製造方法において、
前記一方の突出部と他方の突出部とは離間して設けられ、他のリードが間に介在するフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法おいて、
前記導体パターンの形成工程において、前記リードの前記半導体チップとの電気的接続部が突出した形状となるようにリードの厚み方向に加工を施すフィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１２のいずれかに記載のフィルムキャリアテープの製造方法により製造されたフィルムキャリアテープ。
【請求項１５】
リードホールが形成された絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上において、一端が前記リードホールの領域内に延設されて自由端となるリードと、
前記自由端の延長線上に位置する前記絶縁性フィルム上に形成された前記リードの曲がり検出用マークと、
を有するフィルムキャリアテープ。
【請求項１６】
請求項１５記載のフィルムキャリアテープにおいて、
前記リードの他端側には外部接続端子を形成するためのパッド部が形成されているフィルムキャリアテープ。
【請求項１７】
リードホールが形成された絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上において、半導体チップとの接続に用いる複数のリード、前記半導体チップの実装領域に設けられ前記複数のリードを相互に連結する連結部、前記連結部を介してすべての前記リードに電気的に接続される枠体、を有する導体パターンを形成し、
前記導体パターンの前記連結部に孔を形成して得られるフィルムキャリアテープ。
【請求項１８】
絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上に並列して形成された複数のリードと、
前記複数のリードの隣に位置し、所定距離を隔てるとともに相互に接続される一対のリードと、
前記一対のリードの間に形成される他のリードと、
を有するフィルムキャリアテープ。
【請求項１９】
請求項１４に記載のフィルムキャリアテープにおける、前記複数のリードの各々の前記終端した一端に、半導体チップの電極を接続して、前記絶縁性フィルム上に複数の半導体チップが搭載されたテープキャリア半導体装置アッセンブリを製造するテープキャリア半導体装置アッセンブリの製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載のテープキャリア半導体装置アッセンブリの製造方法において、
前記半導体チップと前記絶縁性フィルムとの間に封止材を充填する工程を、さらに有するテープキャリア半導体装置アッセンブリの製造方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載のテープキャリア半導体装置アッセンブリの製造方法によって製造されたテープキャリア半導体装置アッセンブリの最終的な型抜きを行い、これによって半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載の半導体装置の外部接続端子が実装基板上の導電体層に接続されてなる実装基板。
【請求項２４】
請求項２３に記載の実装基板が組み込まれた電子機器。
【請求項２５】
絶縁性フィルムに導体箔を形成する工程と、
一端が自由端として形成され前記自由端を半導体チップとの接続に用いる複数のリード、前記半導体チップの実装領域に設けられ前記複数のリードを相互に連結する連結部、前記連結部を介してすべての前記リードに電気的に接続される枠体、を有する導体パターンを前記導体箔から形成する工程と、
前記導体パターンにメッキを施す工程と、
前記連結部を打ち抜いて、前記複数のリードの各々を電気的に独立のリードとする工程と、
前記リードの一部を半導体チップの電極に接続する工程と、
前記枠体と前記複数のリードとを最終的に分離して、半導体装置を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の半導体装置の製造方法において、
前記電極に接続する工程と、前記分離して半導体装置を形成する工程と間において、
前記半導体チップと前記絶縁性フィルムとの間に樹脂を充填する工程をさらに有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムキャリアテープの製造方法，テープキャリア半導体装置アッセンブリの製造方法，半導体装置の製造方法，フィルムキャリアテープ，半導体装置，実装基板および電子機器に関し、特に、チップ・サイズ／スケール・パッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）の製造技術ならびにＣＳＰの実装技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ・サイズ／スケール・パッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ；以下、ＣＳＰという）については正式な定義はないが、一般に、パッケージサイズがチップサイズと同じか、わずかに大きい半導体パッケージ（ＩＣパッケージ）と解されている。高密度実装を推進するためには、ＣＳＰ技術の開発が重要である。
【０００３】
ＣＳＰに関する従来例としては、国際公開ＷＯ９５／０８８５６号公報がある。同公報では、リードフレーム支持体（専用治具）上にリードフレームを載置し、特殊なツールによりリードを個別（一本毎）に切断すると同時に切断されたリードを下側に折り曲げ、ＩＣチップのボンディングパッドに接続するという方式を採用している。
【０００４】
この方法では、特殊な治具や機械設備が必要であり、また、リードの切断によるＩＣチップへのボンディング時にリード曲がりが生じやすい。
【特許文献１】実開昭６３−９７２３５号公報
【特許文献２】特開平７−３２１１５７号公報
【特許文献３】特開昭５２−３７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、可能な限り従来の製造ラインや既存の技術を利用して、設備の負担や特殊技術の開発負担を軽減しつつ、製造工程におけるリードの曲がりを低減し、チップサイズのパッケージを高い信頼性の下に製造すると共に、歩留まりを向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るフィルムキャリアテープの製造方法は、絶縁性フィルムに導体箔を形成する工程と、
一端が自由端として形成され前記自由端に半導体チップとの電気的接続部を有する複数のリード、前記半導体チップの実装領域に設けられ前記複数のリードを相互に連結する連結部、前記連結部を介してすべての前記リードに電気的に接続される枠体、を有する導体パターンを前記導体箔から形成する工程と、
前記導体パターンにメッキを施す工程と、
前記連結部を打ち抜いて、前記複数のリードの各々を電気的に独立のリードとする工程と、
を有する
本発明では、可能な限り従来のＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）の製造ラインや既存の技術を利用して、設備の負担や特殊技術の開発負担を軽減する。
【０００７】
そして、最も重要なリードの先端部（半導体チップとの接続部，いわゆるフィンガー）はフレーム（枠体）に接続することなく、パターン形成のときから切り離しておき（つまり、終端させておき）、ボンディング工程に至るまで、一切、加工を加えない。また、ボンディング工程では、すでにフィンガーは終端しているために切断する必要がなく、切断応力が加わる心配もない。つまり、パターン形成時以降、リードには外的負荷がかからないため、リードの曲がりが防止される。したがって、リードと半導体チップのボンディングパッドとの位置合わせが正確に行われる。
【０００８】
但し、ポリイミド等の絶縁性フィルム上に形成された多数のリード群に、例えば、一括して電気メッキを施すためには、すべてのリードが結局は、電気的にフレーム（枠体）に接続されている必要がある。
【０００９】
このため、本請求項の発明では、半導体チップの実装領域内において複数の連結部を配置し、１つのＩＣチップの実装面の内側において多数のリードを連結し、そして、その連結部を介して電気的にフレーム（枠体）に接続する構成としている。これにより、フレームに電圧を印加する。例えば、フレームに片極（一般的には一極）を接続して、リードを含む導体パターンへの一括した電気メッキを行える。
【００１０】
そして、不要になった連結部を、絶縁性フィルムともども型抜きして除去し、各リードを電気的に独立化させる。この型抜きは一括して行うことができ、工程の複雑化を招かない。また、「連結部」は１つのＩＣチップの実装面の内側に配置されるもので、チップ実装面の境界に位置するリードの先端部（フィンガー）とは離れている。したがって、連結部の切断は、何らリードの先端部（フィンガー）に影響を与えない。
【００１１】
このようにして、工程を複雑化させることなく、リード曲がりを防止し、的確なボンディングを実現できる。
【００１２】
前記導体パターンを形成する工程にて、前記リードと前記連結部との間に外部接続用端子を形成するためのパッド部を、さらに形成してもよい。
【００１３】
前記導体箔を形成する工程の前に、前記絶縁性フィルムの所定位置に孔を形成するための打ち抜き工程を、さらに有してもよい。
【００１４】
前記半導体チップは、前記電気的接続部を避けて位置する電極を有し、
前記リードにおける前記一端の端部とは異なる箇所であって、前記電極が位置するべき箇所に導電性突起を形成する工程を、さらに有してもよい。
【００１５】
プリント配線基板等の実装基板との接続のために、導電性突起を形成するものである。
【００１６】
前記導体パターンの前記電気的接続部を除く領域で、且つ前記半導体チップが実装される領域に突起を形成する工程を、さらに有してもよい。
【００１７】
なお、フィルムキャリアテープ側に突起を形成する場合、その突起の形成を、フィルムキャリアテープの製造時ではなく、ＣＳＰパッケージの製造時に行うこともできる。
【００１８】
前記導体パターンを形成する工程の前に、前記絶縁性フィルムに開口部を設け、前記開口部領域に前記自由端の端部を位置させるように形成してもよい。
【００１９】
的確なボンディングを行うべく、開口部を設けて、リードの先端を自由端としておくものである。
【００２０】
前記絶縁性フィルムの前記開口部に隣接する位置であって、前記リードの自由端の延長線上に、前記リードの曲がり検出用マークを形成してもよい。
【００２１】
万が一、リード（フィンガー）の曲がりが生じた場合は、その曲がりを検出し、不良品と判別しなければならない。そこで、リード曲がり判別のための基準として、リード曲がり検出用マークを形成したものである。
【００２２】
リード曲がり検出用マークとしては、例えば、リードの延長線上に設けられた「ダミーリード」や、同じくリードの延長線上の所定箇所において絶縁性フィルムに型抜きを行うことにより形成される「スリット」が考えられる。
【００２３】
前記曲がり検出用マークは、前記導体パターンの形成工程にて前記導体パターンと同じ工程で形成されてもよい。
【００２４】
導体箔の選択エッチングにより、所望の導体パターンと共に曲がり検出用マーク（ダミーリード）も形成するものである。本製造方法によれば、曲がり検出用マークを形成するための独立した工程が不要であり、よって、製造工程が複雑化しない。
【００２５】
前記曲がり検出用マークの位置と前記リードの終端した前記一端との位置の比較によって前記リードの曲がりを検出する工程を、さらに具備してもよい。
【００２６】
これにより、不良品の選別が可能となる。
【００２７】
前記導体パターンの形成工程において、前記絶縁性フィルム上から前記開口部上へと突出する一対の突出部と、前記一対の突出部を接続する接続部と、を具備するように、前記複数のリードのうちの一部が形成されてもよい。
【００２８】
本発明におけるリードの先端（フィンガー）は終端して自由端になっているのが原則である。
【００２９】
しかし、ＩＣチップのボンディングパッド位置に対応するべく、例えば、複数のリードの先端（フィンガー）が同一線上に位置しなければならない場合があり、このような場合には、リードの先端（フィンガー）形状を屈曲した形状とせざるを得ない。しかし、一本のリードの先端が屈曲していると、重力によって不要なモーメントが働き、リードのねじれが生じやすい。そこで、このような場合には、
「コの字型」の形状のリードを用い、ＩＣチップとの接続点を２本のリード部分で支持してもよい。
【００３０】
これにより、ねじれのモーメントが働かなくなる。特に、左右のバランスを良くするために、左右対称の形状とするのが望ましい。
【００３１】
前記突出部及び接続部は、直角に形成されることが好ましい。
【００３２】
リード形状を、ＴＡＢ製造ラインで採用されている直交座標系に適合したパターン（具体的には、例えば、放射線状や円弧状のパターンを除く、直交するパターン）のみで構成される形状とすることにより、リード曲がり等の判別が容易であり、センサによる自動識別も可能となる。
【００３３】
前記一方の突出部と他方の突出部とは離間して設けられ、他のリードが間に介在してもよい。
【００３４】
前記導体パターンの形成工程において、前記リードの前記半導体チップとの電気的接続部が突出した形状となるようにリードの厚み方向に加工を施してもよい。
【００３５】
通常のＴＡＢ工程では、ＴＡＢのリードと半導体チップとの接続には、半導体チップ上に金属のバンプ（突起）を形成するが、このバンプ形成はかなり面倒である。そこで、半導体チップ上にバンプを形成する代わりに、ＴＡＢのリード側にバンプ（突起）を形成するものである。例えば、リードの先端を除く所定の箇所をハーフエッチングして厚みをへらし、その分だけリードの先端（フィンガー）を突出させる。このリード先端を加工する技術は、本願出願人がすでに開発済みの実績ある技術であり、既存のＴＡＢ製造ラインを利用して実現可能である。また、この場合、半導体チップ側ではアルミニュウムのパッドを露出するだけでよく、金属バンプが不要となって工程が簡略化される。
【００３６】
本発明に係るフィルムキャリアテープは、上述した製造方法により製造される。
【００３７】
ＣＳＰ製造に適したフィルムキャリアテープが得られる。
【００３８】
本発明に係るフィルムキャリアテープは、リードホールが形成された絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上において、一端が前記リードホールの領域内に延設されて自由端となるリードと、
前記自由端の延長線上に位置する前記絶縁性フィルム上に形成された前記リードの曲がり検出用マークと、
を有する。
【００３９】
前記リードの他端側には外部接続端子を形成するためのパッド部が形成されてもよい。
【００４０】
本発明に係るフィルムキャリアテープは、リードホールが形成された絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上において、半導体チップとの接続に用いる複数のリード、前記半導体チップの実装領域に設けられ前記複数のリードを相互に連結する連結部、前記連結部を介してすべての前記リードに電気的に接続される枠体、を有する導体パターンを形成し、
前記導体パターンの前記連結部に孔を形成して得られる。
【００４１】
本発明に係るフィルムキャリアテープは、絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上に並列して形成された複数のリードと、
前記複数のリードの隣に位置し、所定距離を隔てるとともに相互に接続される一対のリードと、
前記一対のリードの間に形成される他のリードと、
を有する。
【００４２】
本発明に係るテープキャリア半導体装置アッセンブリの製造方法は、前記フィルムキャリアテープにおける、前記複数のリードの各々の前記終端した一端に、半導体チップの電極を接続して、前記絶縁性フィルム上に複数の半導体チップが搭載されたテープキャリア半導体装置アッセンブリを製造する方法である。
【００４３】
ＴＡＢ方式の特徴を活かし、フィルムキャリアテープを単位として、連続した一括処理を行って、多数の半導体装置の集合体（アッセンブリ）を製造するものである。このアッセブリ単位で顧客に出荷することも可能である。
【００４４】
本発明は、前記半導体チップと前記絶縁性フィルムとの間に封止材を充填する工程を、さらに有してもよい。
【００４５】
封止材は、半導体チップの保護ならびにチップと絶縁性フィルムとの熱膨張係数の差を吸収する働きをする。封止材としては、エポキシレジンやシリコーン樹脂，エラストマー等を採用できる。
【００４６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、前記テープキャリア半導体装置アッセンブリの製造方法によって製造されたテープキャリア半導体装置アッセンブリの最終的な型抜きを行い、これによって半導体装置を製造する。
【００４７】
最終的に型抜きして個別化し、最終製品である半導体装置（ＣＳＰパッケージ）を得るものである。なお、この段階において導電性突起を形成することもできる。
【００４８】
本発明に係る半導体装置は、上述した半導体装置の製造方法により製造される。
【００４９】
信頼性の高い半導体装置が得られる。パッケージ形態をとるので、バーイン等の処理を行うこともできる。
【００５０】
本発明に係る実装基板は、上述した半導体装置の前記外部接続端子が実装基板上の導電体層に接続されてなる。
【００５１】
チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の半導体装置を搭載した、高密度の実装基板である。
【００５２】
例えば、封止材と半導体チップとの界面に気泡が発生した場合でも、「連結部」の型抜きにより絶縁性フィルムに生じた穴がガス抜き用の穴として作用して、例えば、パッケージの加熱時に生じる水蒸気等のガスを外に逃がす。よって、パッケージの信頼性が低下しない。
【００５３】
本発明に係る電子機器は、上述した実装基板が組み込まれてなる。
【００５４】
特に、携帯用電子機器などの小型，軽量化が宿命づけられている電子機器の、信頼性向上が図れる。
【００５５】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁性フィルムに導体箔を形成する工程と、
一端が自由端として形成され前記自由端を半導体チップとの接続に用いる複数のリード、前記半導体チップの実装領域に設けられ前記複数のリードを相互に連結する連結部、前記連結部を介してすべての前記リードに電気的に接続される枠体、を有する導体パターンを前記導体箔から形成する工程と、
前記導体パターンにメッキを施す工程と、
前記連結部を打ち抜いて、前記複数のリードの各々を電気的に独立のリードとする工程と、
前記リードの一部を半導体チップの電極に接続する工程と、
前記枠体と前記複数のリードとを最終的に分離して、半導体装置を形成する工程と、を有する。
【００５６】
本発明では、半導体チップの接続終了後に、ＴＡＢのリードをフレーム（枠体）から切り離すため、リード曲がりによる半導体チップのボンディング不良の心配がない。パッケージサイズの要求が比較的ゆるやかな場合に適する方法である。
【００５７】
前記電極に接続する工程と、前記分離して半導体装置を形成する工程と間において、
前記半導体チップと前記絶縁性フィルムとの間に樹脂を充填する工程をさらに有してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００５９】
（１）第１の実施の形態
本実施の形態では、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を活用して、チップサイズの半導体装置の製造を実現する。本実施の形態にかかる方法によれば、可能な限り従来のＴＡＢの製造ラインや既存の技術を利用して、設備の負担や特殊技術の開発負担を軽減し、一方、チップサイズのパッケージを高い信頼性の下に製造すると共に、その歩留まりを向上させることが可能となる。
【００６０】
（本実施の形態の主要な特徴）
具体例について説明する前に、本実施の形態の主要な特徴を図１９〜図２１（Ｄ）を用いて説明する。
【００６１】
（ａ）図１９に示すように、所定の開口部（リードホール４０ａ〜４０ｃ，樹脂注入用ホール４２等）が設けられたポリイミドフィルム１０上に、銅等の導体材料を箔状に形成したものを設け、その導体材料に対し例えばエッチング等を行うことで導体パターンを形成している。この導体パターンは、ポリイミドフィルムの表面，裏面のいずれに形成しても良い。または、両面に形成することも可能である。この場合には図示はしないが、ポリイミドフィルムにスルーホールを形成し、そのスルーホールを利用して両面の電気的導通を図っても良い。
【００６２】
この導体パターンは、フレーム（枠体）５９ａ，５９ｂ，５９ｃと、リード（５４ａ〜５４ｘ，５４ｙ等）と、例えば導電性突起が一体形成もしくは別体形成されるパッド部５５と、各リード（および各パッド）を相互に連結するための複数の連結部（５７ａ〜５７ｘ，５７ｙ等）と、フレーム（枠体）とリード群とを電気的に接続するための吊りリード（ＴＲ１〜ＴＲ３等）とを具備する。
【００６３】
なお、パッド部に導電性突起が必須であるということはなく、必要に応じ実装される側、例えばマザーボード側に突起を設けてもよい。また、たとえパッド部に導電性突起を設けるとした場合にも、テープ形成時に予め設けるか、それともその後の工程、例えばパッケージ形成時およびそれ以降に設けるかは制限されない。
【００６４】
リード（５４ａ〜５４ｘ，５４ｙ等）の先端部はＩＣチップに接続される部分でありフィンガーと呼ばれる。各フィンガーは、リードホール（４０ａ〜４０ｃ）上（すなわち、リードホール内）で終端しており、自由端となっている。つまり、リードホール内に位置する側のフィンガーはパターン形成時から予め終端させており、最終的にＩＣチップのボンディングパッドへの接続（ボンディング）に至るまで何らの加工を受けない。また、ＩＣチップのボンディングパッドに対するボンディングのときも、フィンガーは自由端となっているため切断の必要がなく、したがって、切断応力によるフィンガーの曲がりも生じない。したがって、リードとＩＣチップとの正確な位置合わせ及びボンディングが可能である。
【００６５】
但し、ポリイミド等の絶縁性フィルム上に形成された多数のリード（５４ａ等）に一括して電気メッキを施すためには、すべてのリードが結局は、電気的にフレーム（枠体）５９ａ，５９ｂ，５９ｃに接続されている必要がある。そこで、本実施の形態では、半導体チップの実装領域内において複数の連結部（５７ａ〜５７ｘ，５７ｙ等）を配置し、１つのＩＣチップの実装面の内側において多数のリードを連結し、そして、その連結部（５７ａ〜５７ｘ，５７ｙ等）を介して電気的にフレーム５９ａ，５９ｂ，５９ｃに接続する構成としている。これにより、フレーム５９ａ，５９ｂ，５９ｃに電池８００の一極を接続して、リード（５４ａ等）を含む導体パターンへの一括した電気メッキを行える。なお、「半導体チップの実装領域」ならびに「１つのＩＣチップの実装面」は共に、図１９中の一点鎖線で囲んで示されるＣＳＰ端７００とほぼ一致する。
【００６６】
そして、不要になった連結部（５７ａ〜５７ｘ，５７ｙ等）は、絶縁性フィルムともども型抜きして除去し、各リード（５４ａ〜５４ｘ，５４ｙ等）を電気的に独立化させる。この型抜きは一括して行うことができ、工程の複雑化を招かない。なお、作業としては複雑化するが、絶縁性フィルム部分は必ずしも打ち抜かなくとも良く、少なくとも各リードが電気的に独立するようにリード部分を打ち抜けば良い。また、連結部（５７ａ〜５７ｘ，５７ｙ等）は、１つのＩＣチップの実装面の内側に配置されるもので、チップ実装面の境界に位置するリードの先端部（フィンガー）とは離れている。よって、連結部（５７ａ〜５７ｘ，５７ｙ等）の切断は、何らリードの先端部（フィンガー）に影響を与えない。
【００６７】
また、本実施形態では、複数の連結部５７ａ、…が設けられているが、その数をできるだけ減らすことで、型抜きの工程を簡単にすることができる。
【００６８】
なお、連結部５７ａ、…を型抜きしたことにより形成された孔は、例えばエポキシレジンの注入孔としても利用することができ（図１２参照）、特に、平面視において中央に孔が位置するとエポキシレジンの注入を効率的に行うことができる。
【００６９】
さらに、ポリイミドフィルム１０の強度を考慮すると、複数の連結部５７ａの位置は、分散させることが好ましい。その場合には、連結部５７ａを型抜きして形成された孔は、エポキシレジンを注入するときの空気抜きや、完成した半導体装置における水蒸気抜きの孔として利用することができる。
【００７０】
このようにして、工程を複雑化させることなく、リード曲がりを防止し、的確なボンディングを実現できる。また、電気メッキも一括して行える。
【００７１】
また、図１９では回路パターンの１部のみを示しているが、実際には同様の回路パターンがフィルムに連続して形成されている。
【００７２】
（ｂ）本実施の形態では、従来のＴＡＢ技術を利用し、既存の製造ラインや既存の技術の活用をめざす。つまり、図２０に示すように、一つのＩＣチップの実装領域における絶縁性フィルム１０は、サポートバー８００ａ，８００ｂ，８００ｃ，８００ｄによりサポートされ、絶縁性フィルムの他の部分と一体化している。よって、絶縁性フィルムを処理単位として、連続した一括の処理が可能である。なお、図２０では、４つのサポートバー８００ａ〜８００ｄが設けられているが、少なくとも２つのサポートバーが設けられていればよい。２つのサポートバーは、相対向する位置に設けられる、例えば平行な２辺から設けられることが好ましい。
【００７３】
但し、従来のフィルムキャリアテープの場合、リード５４ａの先端部（フィンガー）の曲がりに対する目印がないため、本実施の形態では、新たに、リード曲がり検出用マーク（具体例として、ダミーリード）を形成する。つまり、ダミーリード（５２ａ等）を設けて、フィンガー曲がり判定の基準とするものである。
【００７４】
ダミーリード（５２ａ等）は、フィンガーの延長線上に設けられる。これにより、フィンガー曲がりを検査できるようになり、不良品の選別が可能となる。特に、図２０に示すダミーリード５２ａは、先端が細くなっており、リード５４ａの曲りの検出が容易になり、検査に要する作業工数を低減することができる。ただし、先端を細くしなくても、ダミーリード５２ａはフィンガー曲がりの検査に役立てることは可能である。
【００７５】
ダミーリード（５２ａ等）は、導体パターンの形成時に同時に形成するのが望ましい。但し、これに限定されるものではなく、例えば、ソルダーレジスト等の別の材料でダミーリードを別個に形成してもよい。なお、この場合には、ダミーリードは周知の印刷技術を用いて形成する。
【００７６】
なお、以上説明した「ダミーリード」は、リード曲がり検出用マークの一例であり、その他のマークも使用可能である。例えば、絶縁性フィルムの該当個所に型抜きを行ってスリットを形成することで、そのスリットを曲がり検出用マークとするようにしてもよい。
【００７７】
（ｃ）本発明におけるリードの先端（フィンガー）は終端して自由端になっているのが原則である。
【００７８】
しかし、図２１（Ａ）〜図２１（Ｄ）に示すように、ＩＣチップのボンディングパッド位置に対応するべく、例えば、複数のリードの先端（フィンガー）を同一線上に配置しなければならない場合がある。例えば、図２１（Ａ）に示すようにＩＣチップ（ＣＰ）のボンディングパッド２４０ｃ，２４０ｄとは同一線上にある。
【００７９】
このような場合、図２１（Ｂ）に示すようにリード５４を放射線形状としたり、図２１（Ｃ）に示すように屈曲した形状としたりする必要がある。
【００８０】
しかし、放射線形状のリードは直交座標系に合致せず、フィルムキャリアテープの製造上問題があり、また、リードの先端が屈曲し自由端となっていると、重力によって不要なモーメントが働き、リードのねじれが生じやすい。
【００８１】
そこで、このような場合には、図２１（Ｄ）に示すようなリード形状とする。つまり、リードＬＲ１の周囲を取り囲むようにリードＬＲ２を設ける。このリードＬＲ２は、直交座標系に適合する方位に伸びるリード部分Ａ，Ｂ，Ｃからなっている。つまり、リードＬＲ２は自由端ではなく、「コの字型」の形状となっている。
【００８２】
図２１（Ａ）のＩＣチップ（ＣＰ）のボンディングパッド２４０ｄにはリードＬＲ１のＹ部分が接続され、ボンディングパッド２４０ｃにはリードＬＲ２のｘ部分が接続される。すなわち、ＩＣチップとの接続点（ｘ点）を２本のリード部分（Ａ，Ｃ）で支持することにした。これにより、ねじれのモーメントが働かなくなる。リードＬＲ２の形状は、左右のバランスを良くするために、左右対称の形状とするのが望ましい。
【００８３】
（半導体装置の製造方法の具体例）
次に、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法の具体例を、図１〜図１２（断面図）および図１４〜図１８（平面図）を用いて説明する。図１４は図２に対応し、図１５は図５に対応し、図１６は図１０に対応し、図１７は図１１に対応する。特に、図１〜図１０までがいわゆるフレキシブル基板を形成する工程であり、図１１がボンディング工程、図１２が樹脂注入工程である。
【００８４】
工程１
図１に示すように、絶縁性フィルム（具体的にはポリイミドフィルム）１０を用意し、その絶縁性フィルム１０の裏面に接着剤１２を塗布する。なお、絶縁性フィルムとしては、ポリイミド系の他にポリエステル系やＢＴレジン系、ガラスエポキシ系等、各種フィルム材料を適用することが可能である。いずれにしても絶縁性フィルムは、可撓性を有する材料である。なお、以下は、絶縁性のフィルムの例としてポリイミドフィルムを用いることとする。
【００８５】
工程２
例えば、プレスの打ち抜きやレーザー加工やケミカルエッチング加工等、所望の穴あけ手段により、図２，図１４に示すように、ポリイミドフィルム１０を選択的に開口し、ビアホール３０（３０ａ〜３０ｘ等），リードホール４０（４０ａ，４０ｂ等），レジン注入用ホール（４２），レジン止めホール（４４ａ，４４ｂ）を設ける。ここで、リードホール４０ａ、４０ｂは、図１１に示すように、ボンディングツール５０００を挿入できる大きさで形成されている。
【００８６】
なお、ビアホール３０は、配線がポリイミドフィルムの何れの面に形成されるかにより、その必要性がきまる。また、レジン止めホール（４４ａ，４４ｂ）は付加的な要素であり、なくてもよい。レジン注入用ホール４２も、例えばリードホール４０を利用することで省略することも可能である。但し、レジンの注入速度や注入における信頼性を考慮すれば、レジン注入用ホール（４２）を積極的に利用した方がよい。
【００８７】
工程３
図３に示すように、ポリイミドフィルム１０の裏面（同図における下面）に銅箔５０を貼り付ける。なお、銅箔側に接着剤を設けておけば、工程１にて示したように予めポリイミドフィルム１０に接着剤１２を設けなくても良い。
【００８８】
工程４
図４に示すように、基板の両面において、銅箔５０上を含むようにフォトレジスト６０、６２を形成する。同図において表面（同図における上面）側は全面にフォトレジストを設ける一方、裏面側はパターン形成されるようにフォトレジストが設けられていない領域も存在する。
【００８９】
工程５
図５に示すように、銅箔５０をエッチングして所定の導体パターンを形成し、その後、フォトレジスト６２を除去する。この状態の平面図が図１５である。
【００９０】
図１５に示されるように、例えば銅からなる導体パターンは、フレーム５９ａ，５９ｂ，５９ｃと、リード（５４ａ，５４ｂ，ＬＲ１，ＬＲ２等）と、導電性突起を形成するためのパッド部（５５ａ〜５５ｘ等）と、連結部（５７ａ〜５７ｊ）と、ダミーリード（５２ａ，５２ｂ等）とを有する。図１５では、先に説明した図１９，図２０，図２１（Ｄ）と同一の部分には同一の参照番号を付している。図１５中、点線で囲まれるＱ部分が、図２１（Ｄ）に相当する部分である。
【００９１】
この状態では、ダミーリード（５２ａ，５２ｂ等）を除く各構成要素、すなわち、フレーム５９ａ，５９ｂ，５９ｃと、リード（５４ａ，５４ｂ，ＬＲ１，ＬＲ２等）と、導電性突起を形成するためのパッド部（５５ａ〜５５ｘ等）と、連結部（５７ａ〜５７ｊ）と、が電気的に導通した状態になっている。
【００９２】
工程６
リード５４ａ等の先端部分（ＩＣチップと接続される部分，フィンガー）を突出させて接続用のバンプを形成するべく（図８）、まず、図６に示すように裏面の導体パターン所定位置上にフォトレジスト７０，７２，７４を形成する。なお、リード５４ａ、５４ｂ、ＬＲ１、ＬＲ２の長さは、ＩＣチップ２００のＡｌ電極２４０ａ〜２４０ｄの位置に関係する。また、本実施形態のように、ポリイミドフィルム１０におけるＩＣチップ２００と相対向する側にリード５４ａ、５４ｂ、ＬＲ１、ＬＲ２が形成されている場合には、これらのリードは屈曲させずにＡｌ電極２４０ａ〜２４０ｄにボンディング可能である。したがって、これらはフォーミング量を考慮する必要がないため、最短長さにて足りる。逆に、ポリイミドフィルム１０におけるＩＣチップ２００と相対向する面とは反対側にリード５４ａ、５４ｂ、ＬＲ１、ＬＲ２が形成されている場合には、これらを屈曲させてＡｌ電極２４０ａ〜２４０ｄにボンディングする必要があることから、屈曲量を考慮し、これらリードを長くすることが好ましい。
【００９３】
工程７
図７に示すように、裏面側において、導体パターンを厚み方向にハーフエッチングする。
【００９４】
工程８
図８に示すように、フォトレジスト６０，７０，７２，７４を除去する。図示されるとおり、リード５４ａ等の先端部分（ＩＣチップと接続される部分，フィンガー）に突起５６ａが形成されている。この突起５６ａが後のボンディング工程において半導体チップのＡｌ電極に接続される。
【００９５】
なお、このときに、フィンガー以外の部分においても、突起５６ｂを適宜に形成してもよい。例えば、この突起５６ｂは、導体パターンとＩＣチップとの間の樹脂充填用のすきまを確保する働きをさせればよい。
【００９６】
なお、ＴＡＢ工程では、ＴＡＢのリードと半導体チップとの接続には、半導体チップ上に金属のバンプ（突起）を形成する場合もある。この場合、バンプは半導体チップの電極上に形成される。材質は通常、金または半田等が利用される。また、この場合、リード５４ａ側に突起５６ａは不要である。従って、この場合には図６〜図８における各工程は不要である。
【００９７】
一方、本実施の形態では、半導体チップ上にバンプを形成する代わりに、ＴＡＢのリード側にバンプ（突起）を形成する例をあげて説明するものである。このリード先端を加工する技術は、本願出願人がすでに開発済みの実績ある技術であり、既存のＴＡＢ製造ラインを利用して実現可能である。また、この場合、半導体チップ側ではアルミニュウムのパッドを露出するだけでよく、金属バンプが不要となって工程が簡略化される。
【００９８】
工程９
図９に示すように、導体パターンの表面にレジスト８０ａ，８０ｂを形成した後、導体パターンの裏面に電気メッキを施し、Ｎｉ／Ａｕからなるメッキ層（９０ａ〜９０ｂ）を形成する。ニッケル（Ｎｉ）はバリアメタルとして機能する。この電気メッキは、図１９でも説明したように、フレーム５９ａ〜５９ｃに電圧を印加することにより行われる。例えば、フレームに片極（一般的には一極）を接続して一括して行われる。
【００９９】
なお、電気メッキに限定されるものではない。例えば、無電解メッキ法を用いて導体パターンにメッキを施してもよい。メッキ処理終了後にレジスト８０ａ，８０ｂは除去する。
【０１００】
工程１０
まず、図１６に示されるように、連結部５７ａ〜５７ｊの型抜きを行う。型抜きは一括で行う方が作業効率を考えれば好ましいが、別々に分けて行ってもよい。これにより、各リード５４ａ等が電気的に独立となる。
【０１０１】
続いて、図１０に示すように、ビアホール３０内に金属（ニッケル等）９８を充填し、続いて、外部接続用端子（半田ボール）１００を形成する。なお、高さ精度を得るためにビアホール内にアルミニュウム等の半田とは異なる金属を充填したが、製造工程を減らすといった点では半田をビアホール内に充填し、そのまま外部接続用端子の形成を図り、一括（一体）で形成することも可能である。これにより、ＣＳＰ用のフィルムキャリアテープが完成する（図１６）。
【０１０２】
なお、無電解メッキの場合には型抜きを行わなくてもよい。
【０１０３】
この段階で、ダミーリード等のリード曲がり検出用マークを基準としてフィンガー曲がりの検査を行い、不良品と良品の選別を行う。
【０１０４】
また本実施形態においては、この外部接続用端子を形成する工程をフレキシブル基板を形成する工程内にて行っているが、この限りではない。例えば、半導体チップとのボンディングが行われた後以降のいずれのタイミングにおいても形成可能である。またその際に、ビアホール内のみフレキシブル基板形成工程にて先に形成し、その後に別工程にて外部接続用端子（半田ボール）１００を形成してもよい。適宜選択可能である。特に、外部接続用端子として半田を用いる場合には、ボンディング時のツールによる熱の影響を考慮すると、ボンディング後に外部接続用端子は形成した方が好ましい。
【０１０５】
工程１１
次に、図１１，図１７に示すように、ＩＣチップ２００のＡｌ電極（ボンディングパッド）２０４（２０４ａ〜２４０ｄ等）を各リードの先端部に接続する（ボンディング）。この接続は、ボンディングツール５０００によりリード先端の突起５６ａを押圧しながら加熱し、Ａｕ／Ａｌの合金をつくることにより行われる。図１７において、太い実線で示されるのがＩＣチップ２００である。なお、パターンの自由端側の端部は、半導体チップ領域内に位置させている。
【０１０６】
工程１２
次に、エポキシ系等のレジン（樹脂）を注入する。例えば、図１２に示すように、レジン注入用ホール（図１７の参照番号４２）から注入する。なお、レジン注入用ホール以外に、例えばリードホール４０を利用してレジン注入ができるので、必ずしもレジン注入用ホールを設けなければならないわけではない。但し、注入速度や注入の信頼性等を考慮すると、利用した方が良い結果が得られる。
【０１０７】
レジンは、ＩＣチップのＡｌ電極が形成された面（能動面）全体を覆う。特にＩＣチップ２００とリード（５４ａ等）との接続部は、完全に覆われる。一方、レジン止めホール４４ａ，４４ｂを設けておけば、その存在により、横方向への広がりは規制される。図１２において、参照番号３００ａ，３００ｂ，３００ｃはレジンコート層を示す。フィンガーの先端部を半導体チップの領域内に位置させた結果、先端部の側面もレジン３００ａにて封止される。また、フィンガーにおける突起５６の設けられていない側にもレジンを充填し、フィンガ全体をレジン内に埋め込んでしまうことも可能である。但し、この場合、レジンの最高位置を絶縁フィルム１０の外面位置よりも低い位置に設定する必要がある。そうしないと、外部接続用端子１００の接続の妨げになる。
【０１０８】
次に、注入したレジンを熱硬化させる。このとき、工程１０において連結部（５７ａ〜５７ｊ）を型抜きしたときに絶縁性フィルム１０に形成された穴は、例えば、パッケージの加熱時に生じる水蒸気等のガス抜き穴として作用し、パッケージの信頼性向上に役立つ。また、この連結部（５７ａ〜５７ｊ）を型抜きしたときに形成された穴のいくつかを利用してレジン注入を行うことも可能である。但し、全ての穴を同時にレジン注入用の穴として利用することは好ましくない。
【０１０９】
以上の工程により、多数のＩＣチップが接続されたテープキャリア半導体装置アッセンブリが製造される。
【０１１０】
なお、以上の例では、図１０に示すように外部接続端子１００を形成した後に、図１１，図１２の工程を経てテープキャリア半導体装置アッセンブリを製造しているが、これに限定されるものではない。
【０１１１】
先にも一部記載したが、例えば、図１２のレジン封止工程の後に、外部接続用端子１００を形成してもよい。この場合、ＩＣチップ２００およびリード５４とＩＣチップ２００との接続部がレジンで覆われてから外部接続端子を設ければ、外部接続端子の形成時にチップ領域を汚す心配がなく、したがって信頼性が向上するという利点がある。
【０１１２】
工程１３
図１７の一点鎖線で囲んで示されるＣＳＰ端７００に沿って絶縁性フィルム１０を型抜きする。これにより、図１８に示すようなチップサイズの半導体装置（ＣＳＰ）１０００が完成する。図１８において、斜線が施されている領域がレジンで覆われている領域である。
【０１１３】
図示されるように、吊りリードＴＲ１，ＴＲ２の切断面が露出するのみであり、耐湿性にも優れている。また、パッケージの形態をとるため、バーンイン等の検査も可能である。
【０１１４】
なお、以上の例では、導体パターンを絶縁性フィルム１０の裏面に形成しているが、これに限定されるものではなく、絶縁性フィルム１０の表面に形成しても適用でき、また、同様の効果が得られる。
【０１１５】
（２）第２の実施の形態
図１３に示すように、ＩＣチップ２００の内側のみならず、外側にも外部接続用端子（半田ボール）１００ｂを形成することもできる。
【０１１６】
本実施の形態では、ＩＣチップ２００を凹部の形成されたキャン容器３００の凹部内に納め、そのキャン容器３００上にまでリード５０を延在させる。そして、ビアホール内に金属電極９８ｂを形成し、この金属電極９８ｂに半田ボール１００ｂを接続する。
【０１１７】
本実施の形態によれば、半導体チップ２００のサイズによる制限をうけることなく、外部接続用端子（半田ボール）の数を自由に増やすことが可能となる。
【０１１８】
（３）第３の実施の形態
パッケージサイズの要求が比較的ゆるやかな場合には、図２２に示すように、半導体チップ２００とリード５４との接続（ボンディング）終了後に、チップとの接続点の外側において型抜きし（図２２中、二点鎖線で示されるＣＳＰ端９００で型抜きし）、リード５４をフレーム（枠体）５９から切り離すという製造方法も採用できる。
【０１１９】
本製造方法によれば、最終工程においてリードをフレームから分離するため、リード曲がりによるボンディング不良の心配がない。
【０１２０】
（４）第４の実施の形態
図２３は、本発明のチップサイズの半導体装置（ＣＳＰ）１０００をプリント配線基板２０００に実装した状態を示す。
【０１２１】
チップサイズの半導体装置（ＣＳＰ）１０００の外部接続用端子（半田ボール）１００ａ，１００ｂが、プリント配線基板（実装基板）２０００上の導体パターン２１００ａ，２１００ｂに接続されている。パッケージサイズがチップサイズであるために、きわめて高密度の実装が可能となる。なお、図２３中、参照番号２０２は、プリント配線基板２０００上に実装された他のＩＣである。
【０１２２】
（５）第５の実施の形態
図２４は、本発明のチップサイズの半導体装置（ＣＳＰ）が実装された実装基板を組み込んだカメラ一体型ＶＴＲの内部を示す図である。
【０１２３】
カメラ一体型ＶＴＲ３０００には、２つの実装基板２０００ａ，２０００ｂが組み込まれており、各実装基板には本発明のＣＳＰ１０００，１００２が搭載されている。
【０１２４】
図２４において、参照番号３１００はレンズを示し、参照番号３２００はレンズユニットを示し、参照番号３３００は電池ボックスを示し、参照番号３３１０は電池を示す。
【０１２５】
このように、発明の半導体装置（ＣＳＰ）は、チップサイズであるため、小型，軽量化が宿命づけられているカメラ一体型ＶＴＲ等の携帯機器への適用が可能である。また、本発明半導体装置（ＣＳＰ）は、耐湿性や耐熱性の面でも信頼性が高く、このことは、結果的に電子機器の信頼性向上にもつながる。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第１の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の第２の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の第３の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の第４の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の第５の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の第６の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の第７の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法の第８の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法の第９の工程を示すフィルムキャリアテープの断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法の第９の工程を示すフィルムキャリアテープおよび半導体チップの断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法の第１０の工程を示すフィルムキャリアテープおよび半導体チップの断面図である。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法の第１１の工程を示すフィルムキャリアテープおよび半導体チップの断面図である。
【図１３】本発明の半導体装置の変形例を示すデバイスの断面図である。
【図１４】図２の工程における、フィルムキャリアテープの平面図である。
【図１５】図６の工程における、フィルムキャリアテープの平面図である。
【図１６】図１０の工程におけるフィルムキャリアテープの平面図である。
【図１７】図１１の工程における、フィルムキャリアテープの平面図である。
【図１８】個別化された本発明の半導体装置の平面図である。
【図１９】本発明のフィルムキャリアテープの製造方法（半導体装置の製造方法）の特徴を説明するための図である。
【図２０】本発明のフィルムキャリアテープの製造方法（半導体装置の製造方法）の、他の特徴を説明するための図である。
【図２１】図２１（Ａ）〜図２１（Ｄ）は、本発明のフィルムキャリアテープの製造方法（半導体装置の製造方法）の、さらに他の特徴を説明するための図である。
【図２２】本発明のフィルムキャリアテープの製造方法（半導体装置の製造方法）の変形例を示す図である。
【図２３】本発明の実装基板の断面図である。
【図２４】本発明の電子機器の内部を示す図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１０…絶縁性フィルム  １２…接着剤  ３０…ビアホール  ４０…リードホール  ４２…レジン注入用ホール  ５０…銅箔  ５４…リード  ５５…パッド部  ５６…突起  ６２…フォトレジスト  １００…外部接続用端子  ２００…半導体チップ  ３００…キャン容器  ８００…電池
【図１】
2004282097.tif 000003
【図２】
2004282097.tif 000004
【図３】
2004282097.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2004282097.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2004282097.tif 000021
【図２０】
2004282097.tif 000022
【図２１】
2004282097.tif 000023
【図２２】
2004282097.tif 000024
【図２３】
2004282097.tif 000025
【図２４】
2004282097.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードホールが形成された絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上において、一端が前記リードホールの領域内に延設されて自由端となるリードと、
前記自由端の延長線上に位置する前記絶縁性フィルム上に形成された前記リードの曲がり検出用マークと、
を有するフィルムキャリアテープ。
【請求項２】
請求項１記載のフィルムキャリアテープにおいて、
前記リードの他端側には外部接続端子を形成するためのパッド部が形成されているフィルムキャリアテープ。
【請求項３】
請求項１記載のフィルムキャリアテープにおいて、
前記リード曲検出用マークの先端が細くなっているフィルムキャリアテープ。
【請求項４】
請求項１記載のフィルムキャリアテープにおいて、
前記リード曲検出用マークはダミーリードからなるフィルムキャリアテープ。
【請求項５】
請求項１記載のフィルムキャリアテープにおいて、
前記リード曲検出用マークは前記絶縁フィルムに形成されたスリットからなるフィルムキャリアテープ。
【請求項６】
絶縁性フィルムと、
前記絶縁性フィルム上に並列して形成された複数のリードと、
前記複数のリードの隣に位置し、所定距離を隔てるとともに相互に接続される一対のリードと、
前記一対のリードの間に形成される他のリードと、
を有するフィルムキャリアテープ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、フィルムキャリアテープに関する。