(57)【要約】【課題】磁気ヘッドに関し、磁気記録媒体に対向する側に窪みが発生せず、帯電に強く、且つ磁極幅の精度を高くすること。【解決手段】ウェハ１の上に形成された下部磁極７と、下部磁極７の上に形成された非磁性ギャップ層８と、非磁性ギャップ層８の上に形成されて先端が細いポールティップ１５ａを有する上部磁極１５と、ポールティップ１５ａの側面の直下から横方向に形成され、且つポールティップ１５と同じ幅を有する領域を挟む２つの凹部７ａと、凹部７ａを充填するとともに、上部磁極１５及び下部磁極７を覆う非磁性絶縁材よりなる保護層１６とを有する磁気ヘッド。【選択図】　　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの上に形成された下部磁極と、
前記下部磁極の上に形成された非磁性ギャップ層と、
前記非磁性ギャップ層の上に形成されて先端が細いポールティップを有する上部磁極と、
前記ポールティップの側面の直下から横方向に形成され、且つ前記ポールティップと同じ幅を有する領域を挟む２つの凹部と、
前記凹部を充填するとともに、前記上部磁極及び前記下部磁極を覆う非磁性絶縁材よりなる保護層と、
前記上部磁極と前記下部磁極の間で非磁性絶縁層によって挟まれたコイルと
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記凹部は、前記ポールティップの側面寄りの部分で最も深いことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記上部磁極の前記ポールティップに対向する領域における前記下部磁極の上層部は、前記下部磁極の他の領域に比べて飽和磁束密度が大きいことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部磁極の前記ポールティップに対向する領域における前記下部磁極の上層部は、前記下部の磁極の他の領域に比べて電気抵抗が大きいことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記ポールティップは、先端に向かってステップ状に狭くなっていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッドに関し、より詳しくは、磁気ディスク装置や磁気テープ装置に用いられる磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置や磁気テープ装置においては、装置の高記録密度化にともなうトラック密度の向上が著しく、狭いコア幅で且つ記録滲みの少ない磁気ヘッドが要求されている。また、特に使用量が増加しているＭＲヘッド（磁気抵抗効果ヘッド）を使用する場合には、記録ギャップ層を挟んで隣合う２つの記録磁極の片側としては、幅の広い、ＭＲヘッド用磁気シールドとなる磁性層を共用することが一般的であるため、さらに記録滲みが大きくなりやすく、記録滲みが少なくてオフトラック特性の良好な磁気ヘッドが望まれている。
【０００３】
このような狭いコア幅で、記録滲みの少ない磁気ヘッドの実現には、上下の記録磁極幅をそろえることが有効であることが知られており、各種製造方法が提案されている。
【０００４】
例えば、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ：　ＦＩＢ）で浮上面（媒体対向面）から磁極トリミングを行うものがある。例えば特開平３−２９６９０７号公報に記載された磁気ヘッドでは、磁気ヘッドの浮上面からＦＩＢで上下の磁極をトリミングしてオフトラック特性の良好な磁気ヘッドを得るというものである。
【０００５】
即ち、図１３（ａ）に示すように、レール面（浮上面）１０２を有するスライダ１０１を形成した後に、図１３（ｂ），（ｃ）に示すように、スライダ１０１に形成された磁気ヘッド１０３の上部磁極１０４の側部に集束イオンビームを照射して上部磁極１０４の側部をトリミングするとともに、下部磁極１０５の上層部を同時にトリミングして下部磁極１０５と上部磁極１０４の幅を揃えるようにする。
【０００６】
そのような方法の他に、ウェハプロセスの段階で、上部磁極形成後に、該上部磁極自身をエッチングマスクとしてイオンミリング等で下部磁極のトリミングを行う方法も知られている。この方法ではトリミングによって上部磁極の幅を調整しないので、上部磁極の幅の精度は、上部磁極を形成するためのメッキパターン精度に依存することになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図１３に示すような上部磁極１０４及び下部磁極１０５のトリミングを行う方法では、以下のような問題があった。
【０００８】
まず、集束イオンビームの照射は、ウェハをブロックに切断し、そのブロックにレール面１０２を形成した後に行われているので、取扱いや集束イオンビームの位置合わせなどが面倒である。また、図１１（ｃ）に示すように、レール面１０２に窪み１０６が形成されるので、ＣＳＳ（ｃｏｎｔａｃｔ　ｓｔａｒｔ　ａｎｄ　ｓｔｏｐ）領域で記録媒体面に接触する際に、窪み１０６内にゴミや潤滑剤がたまることになり、信頼性の点で問題が多い。
【０００９】
これに対して、特開平３−２９６９０７号公報には、窪みに非磁性材料を充填するとが記載されているが、レール面の加工時には既にウェハではなくそれよりも小さなブロックとなっているために、充填自体が非常に困難である。
【００１０】
さらに、集束イオンビームによって形成される窪みの縁は、０．１〜０．２μｍ程度のＲ形状が付きやすい。このため、コア幅が１μｍ程度になると、そのＲ形状の大きさが無視できなくなる。
【００１１】
その上に、ＦＩＢはイオンビームを照射する技術であるため、加工されるレール面１０２がきちんと電気的に中性になる処理がされない限り、照射部分が帯電して、静電気に弱いＭＲ素子が破壊されてしまう等の問題がある。
【００１２】
これに対して、ウェハプロセスの段階で上部磁極をエッチングマスクとして使用して磁気シールド層をイオンミリングする方法も知られており、この方法によればウェハ単位で取扱が容易ではあるが、磁極以外の部分もエッチングされてしまったり、エッチング部分の再付着膜が磁極側面に付き、コア幅精度を高くし難いという問題があった。
【００１３】
本発明の目的は、磁気記録媒体に対向する側に窪みが発生せず、帯電に強く、かつ、磁極幅の精度を高くすることができる磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
（手段）
上記した課題は、図２（ｃ）、図４（ｃ）、図７に例示するように、ウェハ１の上に形成された下部磁極７と、前記下部磁極７の上に形成された非磁性ギャップ層８と、前記非磁性ギャップ層８の上に形成されて先端が細いポールティップ１５ａを有する上部磁極１５と、前記ポールティップ１５ａの側面の直下から横方向に形成され、且つ前記ポールティップ１５と同じ幅を有する領域を挟む２つの凹部７ａと、前記凹部７ａを充填するとともに、前記上部磁極１５及び前記下部磁極７を覆う非磁性絶縁材よりなる保護層１６とを有することを特徴とする磁気ヘッドによって解決する。
【００１５】
その磁気ヘッドにおいて、前記凹部７ａは、前記ポールティップ１５ａの側面寄りの部分で最も深いことを特徴とする。
【００１６】
上記した磁気ヘッドにおいて、前記上部磁極１５の前記ポールティップ１５ａに対向する領域における前記下部磁極７の上層部は、前記下部磁極の他の領域に比べて飽和磁束密度が大きいことを特徴とする。
【００１７】
上記した磁気ヘッドにおいて、前記上部磁極１５の前記ポールティップ１５ａに対向する領域における前記下部磁極７の上層部は、前記下部磁極の他の領域に比べて電気抵抗が大きいことを特徴とする。
【００１８】
上記した磁気ヘッドにおいて、図８に例示するように、前記ポールティップ１５ａは、先端に向かってステップ状に狭くなっていることを特徴とする。
【００１９】
次に、本発明の作用について説明する。
【００２０】
本発明によれば、ウェハに上部磁極が形成された状態で、集束イオンビームを膜厚方向に照射することによって上部磁極のポールティップの両側部をトリミングするとともに、その直下の下部磁極の上層に凹部を形成するようにし、その凹部内に非磁性保護層を充填するようにしている。
【００２１】
したがって、ウェハを分割してポールティップの先端を露出した状態では、ポールティップの先端とその周囲、即ち磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面には凹部が存在することはなく、その磁気記録媒体対向面にゴミなどが付着しにくくなる。
【００２２】
また、ウェハの状態で上部磁極及び下部磁極に同時に集束イオンビームを照射するようにしているので、ウェハ上の下部磁極と上部磁極とメッキ用導電膜のうち少なくとも１つを接地することが容易になる。この接地によれば、下部磁極の下方に磁気抵抗効果素子が存在しても、その磁気抵抗効果素子の静電破壊は未然に防止される。
【００２３】
さらに、集束イオンビームを外側からポールティップの側部に移動させるようにしたので、集束イオンビーム照射によって飛散した磁性材料がポールティップの側部に付着しにくくなるので、ポールティップの幅の精度が低下することがない。
【００２４】
また、上部磁極のポールティップの直下にある下部磁極の表面に、他の領域よりも高飽和磁束密度又は高電気抵抗の層を形成すると、下部磁極が磁気飽和して信号の変化を阻害したり、あるいは渦電流による周波数特性の劣化を防止することができる。
【００２５】
集束イオンビームの照射によって形成される下部磁極の凹部を平坦にするためには、下部磁極の上面のうち上部磁極に対向する領域とその周辺に突起を形成しておけば、ポールティップに最も近い部分で凹部が最も深くなることを防止できる。また、上部磁極のポールティップ側面のさらに側方の下部磁極に予め凹部を形成しておけば、その凹部の中央の深さを増やすことができ、ポールティップに最も近い部分で凹部が最も深くなることを防止できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
そこで、以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２７】
図１〜図４は、本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す断面図であり、図１及び図２は、磁気ディスクに対向するようになる部分から見た断面図、図３及び図４は、誘導型磁気ヘッドの渦巻きコイルが表れる側からみた断面図である。
【００２８】
まず、図１（ａ）に示すまでの工程を簡単に説明する。
【００２９】
アルミナチタンカーバイド（Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）、フェライト、或いはチタン酸カルシウムなどの材料からなる略円盤状のウェハ１上に、Ａｌ２Ｏ３よりなる基板保護膜２、ＮｉＦｅよりなる下側の磁気シールド層３、Ａｌ２Ｏ３よりなる第一の非磁性絶縁層４を形成する。
【００３０】
続いて、第一の非磁性絶縁層４の上に磁気トランスジューサ５を形成する。この磁気トランスジューサ５は、第一の非磁性絶縁層４の上面に縦横に複数個並べて形成されている。
【００３１】
磁気トランスジューサ５としては、異方性磁気抵抗効果素子、スピンバルブ磁気抵抗効果素子などがある。磁気トランスジューサ５の両端には、一対のリード５ａが接続され、それらのリード５ａは第一の非磁性絶縁層４の上に引き出される。
【００３２】
さらに、第一の非磁性絶縁層４の上には、磁気トランスジューサ５及びリード５ａを覆うＡｌ２Ｏ３よりなる第二の非磁性絶縁層６が形成され、その上にはＮｉＦｅよりなる上側の磁気シールド層７が形成されている。
【００３３】
このような状態から、膜厚０．２〜０．６μｍ程度のＡｌ２Ｏ３よりなる記録ギャップ層８を上側の磁気シールド層７の上に形成する。記録ギャップ層８は、磁気ディスク対向部分において、記録を行うための磁界を発生させる機能を有する。なお、誘導コイル型ヘッドでは、上側の磁気シールド層７は下部磁極層として機能させてもよいので、以下に下部磁極層と表現することもある。
【００３４】
そして、記録ギャップ層８の上には、図３（ａ）に示すように、第三及び第四の非磁性絶縁層９、１０に挟まれた渦巻コイル１１が形成されている。第三及び第四の非磁性絶縁層９、１０は、例えば熱硬化されたフォトレジストより形成されている。そして、第三及び第四の非磁性絶縁層９、１０と記録ギャップ層８には、渦巻コイル１１の中央を貫通する孔１２が形成されている。第三及び第四の非磁性絶縁層９、１０と渦巻コイル１１は、磁気記録媒体（磁気ディスク、磁気テープなど）に対向しない位置に配置される。なお、図３（ａ）のＩーＩ線から見た断面図が図１（ａ）となる。
【００３５】
この後に、図１（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように、ＮｉＦｅよりなるメッキベース層１３を形成して記録ギャップ層８及び第四の非磁性絶縁層１０を覆うとともに、第四の非磁性絶縁層１０の孔１２を閉塞する。
【００３６】
続いて、図１（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように、メッキベース層１３の上にフォトレジスト１４を塗布し、これを露光、現像して上部磁極形成領域を開口する窓１４ａをフォトレジスト１４に形成する。
【００３７】
その後に、図１（ｃ）及び図３（ｃ）に示すように、電解メッキ法によってフォトレジスト１４の窓１４ａの中にＮｉＦｅよりなる上部磁極層１５を数μｍの厚さに形成する。その窓１４ａ内に形成された上部磁極層１５は、図５（ａ）に示すように磁気記録媒体に対向する領域とその近傍では細いポールティップ（ｐｏｌｅ　ｔｉｐ）１５ａが存在するとともに孔１２を通して下部磁極７に接続する形状になっている。なお、磁気シールド層３，７や上部磁極１５の膜厚は２〜４μｍ程度であり、また、それらを構成する材料としては、上記したようなＮｉＦｅ合金の他に、ＣｏＮｉＦｅ、等のＣｏ系合金などを用いてもよい。また、メッキ法ではなく、スパッタリング等で成膜するのであれば、ＦｅＮ、ＦｅＮＺｒ等のＦｅ系合金、又は、ＣｏＺｒ等のＣｏ系合金などを用いてもよい。
【００３８】
なお、上部磁極１５がメッキ法でなく、スパッタリング法などで成膜される場合にはメッキベース層は不要であり、この場合には、上部磁極１５をフォトリソグラフィーによってパターニングする工程が必要となってくる。
【００３９】
次に、フォトレジスト１４を溶剤によって除去した後に、図２（ａ）、図５（ｂ）に示すように、ウェハ１を分割せずに、上部磁極１５のうちの記録ギャップ層８に接しているポールティップ１５ａの両側部と下部磁極７の上層部を集束イオンビーム（ＦＩＢ）の照射によってトリミングする。
【００４０】
このトリミングによって、上部磁極１５のポールティップ１５ａの幅を所望の大きさに調整するとともに、ポールティップ１５ａの両側にある下部磁極７の上層部に凹部７ａを形成する。
【００４１】
その集束イオンビームの照射は、図５（ｂ）に示すように、集束イオンビームＦＩＢをポールティップ１５ａの突出方向に往復走査しながら、ポールティップ１５ａの外側からポールティップ１５ａの側面に向けて移動させて行われる。なお、集束イオンビームＦＩＢの走査は、往復だけでなく図５（ｃ），（ｄ）に示すように、一方向であっても同様な効果は得られる。
【００４２】
このように、集束イオンビームＦＩＢをポールティップ１５ａの外側方から移動させるようにした理由は、集束イオンビームＦＩＢの照射によって飛散する磁極材料などがポールティップ１５ａの側面に付着してポールティップ１５ａの幅の精度が低下することを防止するためである。即ち、ポールティップ１５ａの側面から外方に向けて集束イオンビームＦＩＢを移動させると、飛散した磁極材料がポールティップ１５ａの側面に付着してしまい、ポールティップ１５ａの幅を実質的に増加させることになる。
【００４３】
そのようなポールティップ１５ａの幅の調整を終えた後に、図２（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、上部磁極層１５ａ以外の領域で露出しているメッキベース層１３をイオンミリングによって除去する。この場合、メッキベース層１３の厚さだけ上部磁極層１５が薄くなるが、メッキベース層１３を上部磁極１５と同じ材料から形成しているので、上部磁極層１５は、実質的に成膜当初の上部磁極層１５の厚さになる。
【００４４】
この後に、トランジューサ５やコイル１１に接続される電極パッド（不図示）等を形成し、図２（ｃ）、図４（ｃ）に示すように、全体にＡｌ２Ｏ３よりなる保護層１６を形成すると、ポールティップ１５ａの両側に存在する下部磁極層（上側の磁気シールド層）７の凹部７ａは、その保護層１６によって完全に埋め込まれる。
【００４５】
なお、ＦＩＢによるトリミング処理を行うタイミングとしては、上部磁極成膜後から保護層１６成膜前のどの工程であってもかまわない。例えば、上部磁極１５を形成し、メッキベース層１３を除去した後に、さらに、電極パッド用メッキベース層を上部磁極層１５の上とその周辺に形成し、電極パッドを電解メッキによって形成した後に、ポールティップ１５ａにＦＩＢを照射する。
【００４６】
これまでの工程は、ウェハ１を分割する前に行われるので、図６（ａ）に示されるように、誘導型磁気ヘッド１７は、ウェハ１の上に縦横に複数個形成された状態となっている。そこで、その後に、図６（ｂ）に示すように、ウェハ１を複数の棒状体１ａに分割した後に、さらに棒状体１ａにレール面１ｂ、１ｃを形成し、ついで、棒状体１ａを分割してスライダ１８の形状にする。
【００４７】
なお、誘導型磁気ヘッド１７とトランスジューサ５の配置関係を示す斜視図は、図７のようになる。図７において、符号１５ｂはポールティップ１５ａのＦＩＢトリミング部分を示し、１９は磁気記録媒体を示している。
【００４８】
ところで、凹部７ａ形成前の状態において、下部磁極７の上面が平坦な場合に収束イオンビーム照射によって下部磁極７の凹部７ａは、図２（ａ）に示すようにポールティップ１５ａの側面直下で最も深く、ポールティップ１５ａから側方に離れるほど浅くなるように形成される。もちろん、凹部７ａの堀り込み形状は、ＦＩＢの照射方法で変化するので、本形状に限定されるものではない。
【００４９】
図８に他の例を示す。本例では、上部磁極１５のポールティップ１５ａのトラック幅方向が磁気記録媒体対向面（ＡＢＳ　（ａｉｒ　ｂｅａｒｉｎｇ　ｓｕｒｆａｃｅ）面ともいう）から遠ざかるにつれてステップ状に広く形成されている。これは、ＦＩＢ照射の位置を少しずつずらしながら加工することで容易に形成できる。これによれば、ＡＢＳ面より奥の部分で不要な磁極飽和の発生を抑制する効果が得られる。
【００５０】
図９（ａ），（ｂ）に、他の実施形態を示す。本実施形態では、まず、下部磁極７のうち上部磁極１５のポールティップ１５ａから例えば０．２〜１μｍ程度に少しずれた側方の位置にＦＩＢ照射を行って浅い凹部７ｄを堀り込んだ後に、上部磁極１５のポールティップ１５ａの側部と下部磁極７にＦＩＢ照射してそれらをトリミングする例である。本例では、下部磁極７の凹部７ａ底面の傾斜が緩やかになるので、ウェハプロセスの最終段階であるアルミナ等の保護層１６を形成する際のステップカバレッジがさらに良好になる。
【００５１】
図１０（ａ），（ｂ）に他の実施形態を示す。本例では、電解メッキで形成した８２ＮｉＦｅ膜（飽和磁束密度１テスラ、比抵抗１８μΩｃｍ）からなる下部磁極７の上にメッキで形成した５０ＮｉＦｅ（飽和磁束密度１．５テスラ、比抵抗４０μΩｃｍ）からなる高飽和磁束密度パターン２０を、ポールティップ１５ａの直下とその周辺（例えばポールティップ５ａより片側で０．２〜１．０μｍ程度の範囲）に形成した後に、ＦＩＢ照射によりポールティップ１５ａとその下の下部磁極７の凸部の幅を略等しく加工したものである。本例によれば、アルミナ等の保護層１６を形成する際のステップカバレッジが良好になるという効果とともに、下部磁極７の表面に高飽和磁束密度材料を用いることで磁極飽和が少なく、しかも高電気抵抗材料を用いることで高周波での渦電流の発生の少ない磁気ヘッドが得られる。なお、この際、上部磁極１５の少なくとも一部も併せて高飽和、高比抵抗材料を用いた方がよいことはいうまでもない。また、下部磁極７の凸部７ｂを構成する高飽和密度パターン又は高電気抵抗パターンをポールティップ１５ａより片側で０．２〜１．０μｍ程度広くすることにより、トリミング時間短縮効果も得られる。このトリミング短縮時間だけを考慮すれば、高飽和磁束密度パターン２０の代わりに下部磁極の他の部分と同一材料よりなるパターンを用いてもかまわない。
【００５２】
上記した誘導型磁気ヘッド１７は、記録専用だけでなく、記録及び再生を行うものであってもよい。
【００５３】
なお、下部磁極７の凹部の断面を半円形状にすると、下部磁極の凸部の断面が実質的に底が広い台形状になるので、記録磁界の分布が大きくなってしまい、磁気情報の書込みにとって好ましくない。
【００５４】
また、ＦＩＢを照射する場合に、上部磁極をレジストマスクで覆うことも考えられるが、位置合わせ精度の点ではマスクを用いない上記実施形態に比べると同じかそれよりも低いので、レジストマスクパターンを形成する工程が増える分だけ磁気ヘッド製造にとって好ましくない。
【００５５】
ところで、上記したＦＩＢ照射装置での作業時間を短縮するために、図１（ｃ）に示す状態から次のような工程を採用してもよい。
【００５６】
まず、図１１（ａ）に示すように、上部磁極１５に覆われていない領域のメッキベース層１３をイオンミリングによって選択的に除去する。この場合、上部磁極１５もエッチングされて僅かに薄くなる。
【００５７】
なお、上部磁極１５がスパッタリングによって形成される場合には、メッキベース層１３の除去は不要である。
【００５８】
次に、図１１（ｂ）に示すように、上部磁極１５に覆われない領域の記録ギャップ層８を選択的に除去する。ここで、記録ギャップ層８がＡｌ２Ｏ３から構成されている場合には、記録ギャップ層８の除去にはイオンミリング法を採用する。また、記録ギャップ層８がＳｉＯ２から構成されている場合には、例えばフッ酸溶液を用いるウェットエッチング、又はフッ素化合物ガスを使用する反応性イオンエッチング法を採用し、これにより記録ギャップ層８を選択的に除去する。それらの反応液と反応ガスによっては下部磁極層７はエッチングされない。
【００５９】
それらの層の除去処理の後には、メッキベース層１３と記録ギャップ層１８は、ポールティップ１５ａと下部磁極７の間にのみ存在することになる。
【００６０】
その後に、図１１（ｃ）に示すように、ポールティップ１５ａ側部と下部磁極７にＦＩＢを照射することによりポールティップ１５ａの側部の幅を狭くするとともにポールティップ１５ａの両側の下の下部磁極７に凹部７ａを形成する。その後に、保護層によって上部磁極１５と下部磁極７を覆う。
【００６１】
以上のような図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示すような工程によれば、メッキベース層１３と記録ギャップ層８をＦＩＢ照射によって除去する時間が省略されるのでＦＩＢ照射装置でのウェハ１枚当たりの作業時間が短縮され、ひいてはＦＩＢ照射装置の処理枚数を増やすことができる。
【００６２】
また、メッキベース層１３をイオンミリングで除去した後にＦＩＢ照射により下部磁極７に凹部７ａを形成する工程、即ち図２（ａ），（ｂ）に示す場合と逆の工程を採用しているので、凹部７ａの深さがメッキベース層１３のイオンミリングによって増すことはなくなる。
【００６３】
なお、上部磁極１５をメッキ法でなくスパッタ法などで形成した場合には、メッキベース層１３が存在しないので、上部磁極１５を整形した後に、記録ギャップ層８を除去することになる。
【００６４】
上記した磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置の平面は、例えば図１２のようになる。
【００６５】
その磁気ディスク装置４０のハウジング内では、アーム４１の先端に上述した構造の磁気ヘッド４２が取付けられ、そのアーム４１は、その先端が磁気ディスク４３の上で移動する状態に取り付けられている。
【００６６】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、ウェハに上部磁極が形成された状態で、集束イオンビームを膜厚方向に照射することによって上部磁極のポールティップの両側部をトリミングするとともに、その直下の下部磁極の上層に凹部を形成するようにし、その凹部内に非磁性保護層を充填するようにしているので、ウェハを分割してポールティップの先端を露出した状態では、ポールティップの先端とその周囲、即ち磁気記録媒体対向面では凹部が存在することはなく、その磁気記録媒体対向面にゴミなどが付着することを防止できる。
【００６７】
また、ウェハの状態で上部磁極及び下部磁極をトリミングするようにしているので、下部磁極、上部磁極又は上部磁極メッキ用導電膜を接地することにより、それらの下に存在する磁気抵抗効果素子の静電破壊を防止できる。
【００６８】
さらに、集束イオンビームを外側からポールティップの側部に移動させるようにしたので、集束イオンビーム照射によって飛散した磁性材料がポールティップの側部に付着しにくくなるので、ポールティップの幅の精度が低下することがない。
【００６９】
また、上部磁極のポールティップの直下にある下部磁極の表面に、他の領域よりも高飽和密度又は高抵抗の層を形成すると、下部磁極が飽和して信号の変化を阻害したり、あるいは渦電流による周波数特性劣化を防止することができる。
【００７０】
集束イオンビームの照射によって形成される下部磁極の凹部を平坦にするためには、下部磁極の上面うち上部磁極に対向する領域とその周辺に突起を形成しておけば、ポールティップに最も近い部分で凹部が最も深くなることを防止できる。また、予め、上部磁極のポールティップから離れた下部磁極に凹部を形成しておけば、その凹部の中央の深さを増やすことができ、ポールティップに最も近い部分で凹部が最も深くなることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、磁気ヘッド先端からみた本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す断面図である（その１）。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、磁気ヘッド先端からみた本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す断面図である（その２）。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、磁気ヘッドのコイル形成部分の側部からみた本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す断面図である（その１）。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、磁気ヘッドのコイル形成部分の側部からみた本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す断面図である（その２）。
【図５】図５（ａ）は、磁気ヘッドの上部磁極及び渦巻コイルを示す平面図、図５（ｂ），（ｃ），（ｄ）は、上部磁極のトリミングの際のＦＩＢの走査方向を示す平面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、ウェハに磁気ヘッドを形成する工程から、棒状に分割し、さらにスライダ形状にするまでを示す図である。
【図７】図７は、本発明の磁気ヘッドの腰部を示す分解斜視断面図である。
【図８】図８は、本発明の磁気ヘッドの上部磁極の他のトリミング例を示す平面図である。
【図９】図９（ａ），（ｂ）は、本発明の磁気ヘッドの上部磁極の別のトリミング例を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は、本発明の磁気ヘッドの上部磁極のさらに別のトリミング例を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の磁気ヘッドの上部磁極のさらに別のトリミング例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の磁気ヘッドを採用した磁気ディスク装置の一例を示す平面図である。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｃ）は、従来の磁気ヘッドの上部磁極のトリミング例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１　　ウェハ
２　　基板保護膜
３　　下側の磁気シールド層
４　　第一の非磁性絶縁層
５　　磁気トランスジューサ
６　　第二の非磁性絶縁層
７　　上側の磁気シールド層
８　　記録ギャップ層
９　　第三の非磁性絶縁層
１０　第四の非磁性絶縁層
１１　渦巻コイル
１２　孔
１３　メッキベース層
１４　レジスト
１５　上部磁極
１６　保護層
１７　誘導型磁気ヘッド
１８　スライダ
１９　磁気記録媒体
２０　高飽和磁束密度パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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