(57)【要約】【課題】　放射線像変換パネルを防湿性、耐久性に優れ、長期間良好な状態で使用することのできる高感度で良好な画質を与えるものとする。【解決手段】　支持体３上に輝尽性蛍光体層２を蒸着によって形成する。保護層４は、基材５上に基本無機層６、第一の上位無機層７、第二の上位無機層８をそれぞれ順に真空堆積法によって形成する。保護層の第二の上位無機層８側と蛍光体層２とを接着剤などで接着するかあるいは減圧ラミネートする。【選択図】　　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
　輝尽性蛍光体層と保護層とを有する放射線像変換パネルにおいて、前記保護層が基本無機層と該基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されていることを特徴とする放射線像変換パネル。
【請求項２】
　前記上位無機層のいずれかの層厚が、前記基本無機層の層厚よりも厚いことを特徴とする請求項１記載の放射線像変換パネル。
【請求項３】
　前記基本無機層の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層の層厚が２０〜１０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項２記載の放射線像変換パネル。
【請求項４】
　前記基本無機層及び前記上位無機層のうち、互いに隣りあう少なくとも１組の無機層同士が結晶構造を異にするものであることを特徴とする請求項１、２または３記載の放射線像変換パネル。
【請求項５】
　前記基本無機層及び前記上位無機層のいずれかが、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかからなるものであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線像変換パネル。
【請求項６】
　前記保護層の互いに隣りあう３つの無機層が、酸化アルミニウム層、酸化ケイ素層、酸化アルミニウム層をこの順に積層してなるものであることを特徴とする請求項５記載の放射線像変換パネル。
【請求項７】
　前記保護層の層厚が５０μｍ以下であって、該保護層の透湿度が、４０℃において０．０７ｇ／ｍ2／２４ｈ以下であることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の放射線像変換パネル。
【請求項８】
　前記保護層は前記基本無機層が直接敷設された基材を含むものであって、該基材のガラス転移温度（Ｔｇ）が８５℃以上であることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の放射線像変換パネル。
【請求項９】
　前記ガラス転移温度が１００℃以上であることを特徴とする請求項８記載の放射線像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　従来の放射線写真法に代わる方法として、たとえば特許文献１に記載されているような輝尽性蛍光体を用いる放射線像変換方法が知られている。この方法は、輝尽性蛍光体を含有する放射線像変換パネル（蓄積性蛍光体シート）を利用するもので、被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた放射線をパネルの輝尽性蛍光体に吸収させ、そののちに輝尽性蛍光体を可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）で時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（輝尽発光光）として放出させ、この蛍光を光電的に読み取って電気信号を得、次いで得られた電気信号に基づいて被写体あるいは被検体の放射線画像を可視像として再生するものである。読取りを終えたパネルは、残存する画像の消去が行なわれた後、次の撮影のために備えられる。すなわち、放射線像変換パネルは繰り返し使用される。
【０００３】
　この放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真フィルムと増感紙との組合せを用いる放射線写真法による場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情報量の豊富な放射線画像を得ることができるという利点がある。さらに、従来の放射線写真法では一回の撮影ごとに放射線写真フィルムを消費するのに対して、この放射線像変換方法では放射線像変換パネルを繰返し使用するので資源保護、経済効率の面からも有利である。
【０００４】
　このように、放射線像変換方法は非常に有利な画像形成方法であるが、この方法に用いられる放射線像変換パネルも従来の放射線写真法に用いられる増感紙と同様に、高感度で良好な画質を与えるものであって、放射線画像の画質を劣化させることなく長期間の使用に耐える性能を有するものであることが望ましい。
【０００５】
　しかし、放射線像変換パネルの製造に用いられる輝尽性蛍光体は一般に吸湿性が大きく、通常の気候条件の室内に放置すると空気中の水分を吸収し、吸収した水分の増大にともなって蛍光体の放射線感度が低下し、時間の経過とともに著しく劣化するという問題があった。
【０００６】
　また、一般に、輝尽性蛍光体に記録された放射線画像の潜像は、放射線照射後の時間の経過にともなって退行するため、再生される放射線画像信号の強度は放射線照射から励起光による走査までの時間が長いほど小さくなるという性質を有するが、輝尽性蛍光体が吸湿するとこの潜像退行の速さが速くなるため、吸湿した輝尽性蛍光体を有する放射線像変換パネルを用いると、放射線画像の読み取り時における再生信号の再現性が低下する傾向にあった。
【０００７】
　上記のような輝尽性蛍光体の吸湿による劣化現象を防止するために、透湿度の低い防湿性保護層として、例えば、三フッ化塩化エチレン等のフィルムで輝尽性蛍光体を被覆することにより蛍光体層に到達する水分を低減させる方法がとられてきた。しかし、上記三フッ化塩化エチレン等のフィルムは高価であり厚みも大きく、フロンを原料として作られるために環境負荷が大きいという問題がある。
【０００８】
　このような問題を解決すべく、例えば特許文献２には、吸湿性の異なる２種類の保護層のうち、より吸湿性の高い層を蛍光体層側に設けた構成が記載されている。また、特許文献３には、窒素と酸素を含むケイ素化合物を保護層に含有させた構成が記載されている。しかし、特許文献２及び特許文献３に記載されている構成によって達成される防湿度は必ずしも満足できるレベルのものではない。
【０００９】
　電界蛍光灯用として特許文献４には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に金属酸化物、窒化ケイ素などの薄膜を蒸着したフィルムを２〜８枚積層してなる積層フィルムを使用する方法が記載されている。
【００１０】
　一方、放射線像変換パネル用としては、特許文献５に、少なくとも１層以上の金属酸化物を蒸着した樹脂フィルムを含む複数の樹脂フィルムが層状に接着されてなる積層フィルムを蛍光体層面側に設けたものが記載されている。
【特許文献１】特開昭５５−１２１４５号公報
【特許文献２】特公平４−７６４４０号公報
【特許文献３】特許第１９２７５９７号公報
【特許文献４】特開平１０−１２３７６号公報
【特許文献５】特開平１１−３４４６９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
　しかし、特許文献４に記載の方法では、防湿性保護フィルムに起因する画像欠陥や、防湿性保護フィルムと蛍光体面との接着状態に起因する画像欠陥等の問題が生じ、専ら病気診断用に使用される放射線像変換パネル用の防湿性保護フィルムとしては採用することはできない。また、特許文献５に記載の放射線像変換パネルは、積層フィルムが接着層によって接着されているため、その接着状態によっては画像にムラが発生し、また防湿層全体が厚くなって画質が劣化してしまうという問題がある。
【００１２】
　本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、防湿性、耐久性に優れ、長期間良好な状態で使用することのできる高感度で良好な画質を与える放射線像変換パネルを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
　本発明の放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光体層と保護層とを有する放射線像変換パネルにおいて、前記保護層が基本無機層と該基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されていることを特徴とするものである。
【００１４】
　直接とは、無機層同士がスパッタリング、ＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition、物理蒸着法）、ＣＶＤ法等のドライプロセス法や、ゾルーゲル法などの湿式プロセスによって形成されて互いに密着しており、接着層等によって接着されていないことを意味する。
【００１５】
　前記上位無機層は少なくとも１層であって、２層以上であることがより好ましい。上位無機層のいずれかの層厚は、前記基本無機層の層厚よりも厚いことが好ましい。この場合、前記基本無機層の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層の層厚は、２０〜１０００ｎｍの範囲、さらには３０〜５００ｎｍの範囲であることがより好ましい。
【００１６】
　前記基本無機層及び前記上位無機層のうち、互いに隣りあう少なくとも１組の無機層同士は結晶構造を異にするものであることが好ましい。互いに隣りあう少なくとも１組の無機層は、基本無機層の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層とその無機層の下に位置する無機層であることが好ましいが、保護層を構成する基本無機層及び上位無機層の全てが結晶構造を異にしていてもよい。ここで、結晶構造が異なる場合とは、互いに隣りあう無機層同士が異なる組成からなる場合や、同じ組成からなる無機層であるが、形成方法の相違や形成条件によって異なる場合等を挙げられる。
【００１７】
　前記基本無機層及び前記上位無機層のいずれかが、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかからなるものであることが好ましい。基本無機層及び上位無機層の全てが金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかからなっていれば、その他の無機層を含んでいても差し支えない。また、基本無機層及び上位無機層が、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物のいずれかのみからなっていてもよいし、金属酸化物と金属窒化物、金属窒化物と金属酸窒化物、金属酸化物と金属酸窒化物の２種類からなっていてもよいし、金属酸化物、金属窒化物および金属酸窒化物の３種類からなっていてもよい。
【００１８】
　前記保護層の互いに隣りあう３つの無機層は、酸化アルミニウム層、酸化ケイ素層、酸化アルミニウム層をこの順に積層してなるものであることが好ましい。
【００１９】
　前記保護層の層厚が５０μｍ以下であって、該保護層の透湿度が、４０℃において０．０７ｇ／ｍ2／２４ｈ以下であることが好ましい。
【００２０】
　前記保護層は前記基本無機層が直接敷設された基材を含むものにあっては、該基材のガラス転移温度（Ｔｇ）が８５℃以上であること、より好ましくは１００℃以上であることが望ましい。前記保護層が基材を複数枚含む場合にあっては、
その複数枚の基材の少なくとも１枚の基材のガラス転移温度が８５℃以上、好ましくは１００℃以上であることが望ましく、さらに好ましくは複数枚の基材の全てのガラス転移温度が８５℃以上、好ましくは１００℃以上であることが望ましい。
【発明の効果】
【００２１】
　本発明の放射線像変換パネルは、輝尽性蛍光体層と保護層とを有する放射線像変換パネルにおいて、保護層が基本無機層と基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設したので、極めて高い防湿性と耐久性を有するパネルとすることができる。また、無機層同士を接着剤によって貼り合わせると、接着状態に起因する画像ムラが発生するが、本発明の放射線像変換パネルは接着剤で無機層同士を貼り合わせる必要がないため、高感度で良好な画質を得ることができる。さらに、無機層を直接敷設することによって、保護層全体をより薄く形成することが可能であるため、高画質を実現することができる。
【００２２】
　なお、上位無機層のいずれかの層厚を基本無機層の層厚よりも厚いものとすることによって、あるいは基本無機層及び上位無機層のうち、互いに隣りあう少なくとも１組の無機層同士の結晶構造を異なるものとすることによって、基本無機層に発生した結晶欠陥を上位無機層がより効果的に補うことができるのでさらなる防湿性の向上が期待できる。
【００２３】
　また、基本無機層が直接敷設された基材を含む保護層の場合に、基材としてガラス転移温度が８５℃以上、さらには１００℃以上のものを選択することによって、基材に無機層を直接敷設させた場合における基材の変質による防湿性の低下をより抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の第一の実施の形態を示す放射線像変換パネルの一部概略断面図である。
【００２５】
　図１に示すように、第一の実施の形態による放射線像変換パネル１は、支持体３上に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層２と保護層４とを有し、保護層４は、基材５上に基本無機層６と、この基本無機層６上に第一の上位無機層７と第二の上位無機層８とを備えてなり、放射線像変換パネル１は保護層４の第二の上位無機層８側と蛍光体層２とが接着剤などで接着あるいは減圧ラミネートされてなるものである。図１では上位無機層を２層としたものを示しているが、上位無機層は１層であっても、あるいはこれ以上の多層であってもよい。但し、製造コストとの関係からすれば、１０層程度までで作製することが好ましい。
【００２６】
　なお、図１では基材５上に基本無機層６、第一の上位無機層７および第二の上位無機層８とを直接敷設して保護層を別に作製し、これを蛍光体層上接着剤などで接着あるいは減圧ラミネートする場合を示しているが、基材５を用いることなく、蛍光体層２上に基本無機層６、第一の上位無機層７および第二の上位無機層８を直接敷設した構成としてもよい。
【００２７】
　第一の上位無機層７または第二の上位無機層８のいずれか、あるいは第一の上位無機層７および第二の上位無機層８の双方の層厚は、基本無機層６の層厚よりも厚いことが好ましい。また、基本無機層６の層厚よりも厚い層厚を有する上位無機層７および／または８の層厚は２０〜１０００ｎｍの範囲、より好ましくは３０〜５００ｎｍの範囲であることが望ましい。なお、各無機層の厚みのばらつきは小さいことが好ましい。さらに、基本無機層６と第一の上位無機層７または第一の上位無機層７と第二の上位無機層８は、互いに結晶構造を異にするものであることが好ましい。
【００２８】
　図２〜図４は保護層のより詳しい実施の形態を示す概略断面図である。図中の数値はそれぞれの層厚を示している。なお、ここでは、結晶構造を異にする例として、層の組成が異なるものを例として挙げている。図２に示す保護層は、基材であるＰＥＴ上に酸化アルミニウム層（基本無機層）と、酸化ケイ素層（第一の上位無機層）と酸化アルミニウム層（第二の上位無機層）が直接敷設されたものであって、基材の下（放射線像変換パネルの最上面となる側）には、耐傷性を高めるためのフッ素系ハードコート層が設けられてなるものである。酸化ケイ素層および第二の上位無機層である酸化アルミニウム層の層厚はともに基本無機層の酸化アルミニウム層の層厚よりも厚く形成されている。なお、図２ではハードコート層を設けた構成を示しているが、防汚性を向上させるための汚れ防止層が設けられていてもよい。また、保護層表面はＡＲコートされていてもよく、図２を例にとると、基材側の表面や第二の上位無機層である酸化アルミニウム層表面は不要な反射光を減ずるためＡＲコートされていてもよい。図２に示す保護層は、蛍光体層と第二の上位無機層である酸化アルミニウム層面側を向かい合わせに減圧でラミネートされる。
【００２９】
　図３に示す保護層は、基材であるＰＥＴ上に酸化ケイ素層（基本無機層）と、酸化窒化ケイ素層（第一の上位無機層）と酸化アルミニウム層（第二の上位無機層）が直接敷設されてなるものである。このように、基本無機層と上位無機層は全て組成が異なる無機層から構成されていてもよい。また、図３に示すように、最上位の酸化アルミニウム層は、ラミネート層とＰＥＴ層を介して蛍光体層とラミネートされてもよい。
【００３０】
　図４に示す保護層は、基材であるＰＥＴ上に酸化アルミニウム層（基本無機層）と、酸化ケイ素層（第一の上位無機層）と酸化アルミニウム層（第二の上位無機層）が直接敷設されたものであって、第一の上位無機層である酸化ケイ素層の層厚のみが基本無機層である酸化アルミニウム層の層厚よりも厚く形成されてなるものである。このように、複数の上位無機層のうちのいずれかが基本無機層の層厚よりも厚い構成としてもよい。また、図４に示すように、第二の上位無機層である酸化アルミニウム層上には、適当なヘイズを付与するためのフィラー添加剤などを添加したキャスティングポリプロピレン（ＣＰＰ）層が設けられていてもよい。この場合、保護層のヘイズ値は３〜７０％の範囲で調整されることが好ましい。
【００３１】
　なお、図２〜図４に示す保護層は、いずれも第二の上位無機層側を蛍光体層とラミネートする場合を示しているが、図５に示すように、基材側を蛍光体層とラミネートする構成としても差し支えない。
【００３２】
　図６は本発明の第二の実施の形態を示す放射線像変換パネルの一部概略断面図である。図６に示すように、第二の実施の形態による放射線像変換パネル１０は、支持体１３上に輝尽性蛍光体からなる蛍光体層１２と保護層１４とを有し、保護層１４は、基材１５ａ上に基本無機層１６ａ、第一の上位無機層１７ａおよび第二の上位無機層１８ａが直接敷設されてなる積層体ａと、基材１５ｂ上に基本無機層１６ｂ、第一の上位無機層１７ｂおよび第二の上位無機層１８ｂが直接敷設されてなる積層体ｂとからなり、蛍光体層１２と積層体ａの第二の上位無機層１８ａ、積層体ａの基材１５ａと積層体ｂの第二の上位無機層１８ｂとをそれぞれ接着剤などで接着あるいは減圧ラミネートされてなるものである。図６では重ね合わせる積層体はそれぞれ同じ積層順になるように積層されているが、逆に、すなわち、積層体ａの基材１５ａと積層体ｂの基材１５ｂを重ねて、第二の上位無機層１８ｂが放射線像変換パネル１０の最上面となるように積層されていてもよい。なお、図６では同じ構成の積層体を使用しているが、積層体の構成は異なるものであってもよい。
【００３３】
　図７〜図９は図６に示す保護層のより詳しい実施の形態を示す概略断面図である。図７に示す保護層は、基材であるＰＥＴ上に酸化アルミニウム層（基本無機層）、酸化ケイ素層（第一の上位無機層）および酸化アルミニウム層（第二の上位無機層）が直接敷設されてなる積層体を２枚、ラミネート層を介して接着したものである。図７に示す保護層は、２つの積層体の第一の上位無機層である酸化ケイ素層の層厚が、基本無機層である酸化アルミニウム層の層厚よりもともに厚い構成となっているが、片方の積層体の第一の上位無機層の層厚のみが基本無機層である酸化アルミニウム層の層厚よりも厚い構成としてもよい。なお、図７に示すラミネート層は、図８に示すようにフィラーが添加されていたり、輝尽性発光光の波長に影響が少ない着色剤が添加されているものであってもよい。
【００３４】
　なお、基材−酸化アルミニウム層−酸化ケイ素層−酸化アルミニウム層の順は、図９に示すように基材−酸化ケイ素層−酸化アルミニウム層−酸化ケイ素層の順であってもよい。
【００３５】
　図１０に示す保護層は、基材であるＰＥＴ上に有機プライマー層を設け、その上に酸化アルミニウム層（基本無機層）、酸化窒化ケイ素層（第一の上位無機層）が直接敷設されてなる積層体を２枚、ラミネート層を介して接着したものである。このように、基材と基本無機層との間に有機プライマー層を設けた構成としてもよい。ここでいう有機プライマー層は、基材に塗布や蒸着されることによって初めて層として敷設されるものである。この点、上記のラミネート層とは異なる。有機プライマー層を設けることによって、防湿性をより向上させることが可能となる。なお、図１０では有機プライマー層を基材と基本無機層との間に設けているが、その他の位置に設けてもよく、また、図２〜図６に示す保護層の場合にも設けることができる。
【００３６】
　以下、さらに各層について詳細に説明する。  
　基本無機層及び上位無機層は、金属酸化物、金属窒化物または金属酸窒化物などからなることが好ましい。より具体的には、無機層は波長３００ｎｍから１０００ｎｍで光吸収がなくかつガスバリア性を有する無機物質を蒸着した透明な蒸着層であることが好ましい。波長３００ｎｍから１０００ｎｍで光吸収がない無機物質としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化窒化ケイ素、酸化窒化アルミニウム等を好ましくあげることができる。酸化アルミニウムと酸化ケイ素は単独で蒸着しても良いが、両方を共に蒸着するとガスバリア性をより高くすることができるので、酸化アルミニウムと酸化ケイ素を用いる場合には、両方を蒸着することがより好ましい。これらのうち特に酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素は光透過率が高くかつガスバリア性が高い、すなわちクラックやマイクロポアが少なく緻密な膜を形成することができるのでより好ましく用いることができる。
【００３７】
　上位無機層はそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設される。一方、基本無機層は必ずしも直接である必要はないが、基材等に直接敷設されることが好ましい。無機層は、上述のようにスパッタリング、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等のドライプロセス、あるいはゾルーゲル法などの湿式プロセスによって形成されて、それそれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設される。いずれの方法によっても、無機層の透明性、バリヤー性は大きく変わらないので、適宜選択することが可能であるが、形成上の容易性、簡便性の観点からはＣＶＤ法、中でもＰＥ−ＣＶＤ（Plasma enhanced CVD ）、ＥＣＲ−ＰＥ−ＣＶＤ法等の方法が好ましい。
【００３８】
　基材には、ＰＥＴ、ポリシクロオレフィン、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＴとＰＥＩ（ポリエーテルイミド）のナノアロイポリマー、透明アラミド等の材料からなるものが好適に用いられる。特に、ガラス転移温度（Ｔｇ）が８５℃以上、好ましくは１００℃以上の基材であることが望ましく、８５℃以上のガラス転移温度を有するポリシクロオレフィン、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＴとＰＥＩ（ポリエーテルイミド）のナノアロイポリマー、透明アラミド等の材料からなるものが好ましい。さらに、１００℃以上のガラス転移温度を有するポリシクロオレフィン、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＴとＰＥＩ（ポリエーテルイミド）のナノアロイポリマー、透明アラミド等の材料からなるものがより好ましい。
【００３９】
　以下に、ＰＥＴ及び基材として好適に用いられる材料及びそのガラス転移温度を示す。
【表１】
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【００４０】
　図６に示すように基本無機層が直接敷設された基材を２枚含む保護層の場合には、少なくとも１枚の基材のガラス転移温度が８５℃以上、好ましくは１００℃以上であることが望ましく、より好ましくは２枚の基材が共にガラス転移温度が８５℃以上、さらには１００℃以上であることが望ましい。
【００４１】
　有機プライマー層は、たとえば、酢酸セルロース、ニトロセルロースなどのセルロース誘導体；あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマー、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、アクリル、ポリパラキシリレン、ＰＥＴ、塩酸ゴム、塩化ビニリデン共重合体等の合成高分子物質のような透明な高分子物質を用いることができる。有機プライマー層を形成するこれらの合成高分子物質はポリマーとして用いても、モノマーとして用いてもかまわないが、熱、可視光、ＵＶ光、電子線などの照射によって架橋するものであることが好ましい。
【００４２】
　また、有機プライマー層を基材上に設ける場合、基材との密着性を向上させるためにシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤等のカップリング剤を添加することが好ましい。さらに、有機プライマー層組成物の塗布性、蒸着性および硬化後の薄膜の物性の改善や、塗膜に対する感光性の付与等を目的として、例えば水酸基を有する種々のポリマーやモノマー、顔料または染料等の着色剤、黄変防止剤、老化防止剤や紫外線吸収剤等の安定化剤、熱酸発生剤、感光性酸発生剤、界面活性剤、溶剤、架橋剤、硬膜剤、重合禁止剤等の各種の添加剤を目的に応じて含有させることができる。
【００４３】
　また、有機プライマー層には、耐久性の向上、ニジムラを防止するため、有機、または無機の粉末が含まれていても良い。含有させる場合は、有機プライマー層重量当り０．５〜６０重量％程度であることがより好ましい。粉末は特定の帯域に吸収を有するもの、例えば群青等や、概して３００〜９００ｎｍの波長域で特異な吸収を示さない白色粉末が好ましい。これら粉末の平均粒径は０．０１〜１０μｍ程度が好ましく、０．３〜３μｍ程度がより好ましい。一般に、これら粒子の粒子サイズには分布があるが、分布が狭い方が好ましい。なお、ラミネート層に有機、または無機の粉末が含まれている場合も同様である。
【００４４】
　有機プライマー層の形成は、塗布法、蒸着法のいずれを用いてもよいが、蒸着法の方がより表面を平滑に形成できるため好ましい。
【００４５】
　保護層は、乾燥雰囲気下で、蛍光体層上に基材側または上位無機層側を接着剤で接着することにより、または減圧ラミネートによって形成することができる。いずれの場合も、減圧封止によって行うことがより好ましい。このようにすることにより、特に気圧の低い状態における、蛍光体層と基材あるいは上位無機層との間の剥離を抑制することができる。
【００４６】
　蛍光体層と保護層との間の接着、積層体同士の接着に使用できる接着剤としては、特に限定されるものではなく、ドライラミネーション等で頻繁に使用される、ビニル系、アクリル系、ポリアミド系、エポキシ系、ゴム系、ウレタン系等の各種の接着剤を使用することができる。
【００４７】
　また、蛍光体層の側面からの吸湿を充分に防止するため、ガラス、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化樹脂あるいは金属（ソルダー）等で放射線像変換パネルの側面を封止することが好ましい。なお、蛍光体層の吸湿による性能劣化を防ぐため、蒸着槽（蒸着機）からの取り出しから端面の封止までは、真空あるいは乾燥した空気または不活性ガスや疎水性の不活性ガス中で行うことが好ましい。
【００４８】
　本発明の放射線像変換パネルに用いられる輝尽性蛍光体の例としては、
　特公平7-84588号等に記載されている一般式 (M1-f・MfI)X・bMIIIX3″:cA（Ｉ）で表される輝尽性蛍光体が好ましい。輝尽発光輝度の点から一般式（Ｉ）における ＭＩとしては、Rb，Csおよび／またはCsを含有したNa、同Ｋが好ましく、特にRbおよびCsから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属が好ましい。ＭIII としてはＹ，La，Lu，Al，GaおよびInから選ばれる少なくとも一種の三価金属が好ましい。Ｘ″としては、Ｆ，ClおよびBrから選ばれる少なくとも一種のハロゲンが好ましい。MIIIX3″の含有率を表すｂ値は０≦ｂ≦10-2の範囲から選ばれるのが好ましい。
【００４９】
　一般式（Ｉ）において、賦活剤ＡとしてはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Ho，Gd，Sm，TlおよびNaから選ばれる少なくとも一種の金属が好ましく、特にEu，Ce，Sm，TlおよびNaから選ばれる少なくとも一種の金属が好ましい。また、賦活剤の量を表すＣ値は10-6＜Ｃ＜0.1の範囲から選ばれるのが輝尽発光輝度の点から好ましい。
【００５０】
　また、さらに以下の輝尽性蛍光体も用いることができる。  
　米国特許第3,859,527号明細書に記載されているSrS:Ce,Sm、SrS:Eu,Sm、ThO2:Er、およびLa2O2S:Eu,Sm、
【００５１】
　特開昭55-12142号に記載されている ZnS:Cu,Pb、BaO・xAl2O3:Eu（ただし、0.8≦ｘ≦10）、および、MIIO・xSiO2 :A（ただし、MIIはMg，Ca，Sr，Zn，Cd、またはBaであり、ＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，Tl，BiまたはMnであり、ｘは0.5≦x≦2.5である）、
【００５２】
　特開昭55-12143号に記載されている (Ba1-X-y ,MgX ,Cay )FX:aEu2+（ただし、X はClおよびBrのうちの少なくとも一種であり、ｘおよびｙは、０＜x+y≦0.6、かつxy≠０であり、ａは、10-6≦ａ≦5×10-2である）、
【００５３】
　特開昭55-12144号に記載されている LnOX:xA（ただし、LnはLa，Ｙ，Gd、およびLuのうちの少なくとも一種、XはClおよびBrのうちの少なくとも一種、AはCeおよびTbのうちの少なくとも一種、そして、ｘは、０＜ｘ＜0.1である）、
【００５４】
　特開昭55-12145号に記載されている(Ba1-X,M2+X)FX:yA（ただし、M2+はMg，Ca，Sr，Zn、およびCdのうちの少なくとも一種、ＸはCl，BrおよびＩのうちの少なくとも一種、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，YbおよびErのうちの少なくとも一種、そしてｘは０≦ｘ≦0.6、ｙは０≦ｙ≦0.2である）、
【００５５】
　特開昭55-160078号に記載されているMIIFX・xA:yLn（ただし、MIIはBa，Ca，Sr，Mg，ZnおよびCdのうちの少なくとも一種、AはBeO，MgO，CaO，SrO，BaO，ZnO，Al2O3，Y2O3，La2O3，In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nb2O5，Ta2O5 およびThO2 のうちの少なくとも一種、LnはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，SmおよびGdのうちの少なくとも一種、ＸはCl，BrおよびＩのうちの少なくとも一種であり、xおよびyはそれぞれ 5×10-5≦x≦0.5、および０＜y≦0.2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５６】
　特開昭56-116777号に記載されている(Ba1-X,MIIX)F2・aBaX2:yEu,zA（ただし、MIIはベリリウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素，臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種、Ａはジルコニウムおよびスカンジウムのうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ 0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10-6≦ｙ≦2×10-1、および０＜ｚ≦10-2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５７】
　特開昭57-23673号に記載されている(Ba1-X,MIIX)F2・aBaX2:yEu,zB（ただし、MII はベリリウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素，臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10-6≦ｙ≦2×10-1、および０＜ｚ≦10-2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５８】
　特開昭57-23675号に記載されている(Ba1-X,MIIX)F2・aBaX2:yEu,zA（ただし、MIIはベリリウム，マグネシウム，カルシウム，ストロンチウム，亜鉛およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素，臭素およびヨウ素のうちの少なくとも一種、Ａは砒素および硅素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、およびｚはそれぞれ0.5≦ａ≦1.25、０≦ｘ≦１、10-6≦ｙ≦2×10-1、および０＜ｚ≦5×10-1である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００５９】
　特開昭58-69281号に記載されている MIIIOX:xCe（ただし、MIIIはPr，Nd，Pm，Sm，Eu，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，YbおよびBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、ＸはClおよびBrのうちのいずれか一方あるいはその両方であり、ｘは０＜ｘ＜0.1である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００６０】
　特開昭58-206678号に記載されているBa1-XMX/2ＬX/2FX:yEu2+（ただし、ＭはLi，Na，Ｋ，RbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属を表わし；Lは、Sc，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu，Al，Ga，InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属を表わし；X は、Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わし;そして、ｘは10-2≦ｘ≦0.5、ｙは０＜ｙ≦0.1である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００６１】
　特開昭59-27980号に記載のBaFX・xA:yEu2+（ただし、Ｘは、Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；Ａはテトラフルオロホウ酸化合物の焼成物であり；そして、ｘは10-6 ≦ｘ≦0.1、ｙは０＜ｙ≦0.1 である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００６２】
　特開昭59-47289号に記載されているBaFX・xA:yEu2+（ただし、Ｘは、Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、ヘキサフルオロケイ酸，ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフルオロジルコニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からなるヘキサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種の化合物の焼成物であり；そして、ｘは10-6≦ｘ≦0.1、ｙは０＜ｙ≦0.1 である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００６３】
　特開昭59-56479号に記載されているBaFX・xNaX′:aEu2+（ただし、XおよびX′は、それぞれCl、Br、およびＩのうちの少なくとも一種であり、ｘおよびａはそれぞれ０＜ｘ≦２、および０＜ａ≦0.2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００６４】
　特開昭59-56480号に記載されているMIIFX・xNaX′:yEu2+:zA（ただし、MIIは、Ba，SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；X およびX′は、それぞれCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり;Aは、Ｖ，Cr，Mn，Fe，CoおよびNiより選ばれる少なくとも一種の遷移金属であり;そして、ｘは０＜ｘ≦２、ｙは０＜ｙ≦0.2、およびｚは０＜ｚ≦10-2である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００６５】
　特開昭59-75200号に記載されている MIIFX・aMIX′・bM′IIX″2・cMIIIX3・xA:yEu2+（ただし、MIIはBa，SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；MI はLi，Na，Ｋ，RbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;M′IIはBeおよびMgからなる群より選ばれる少なくとも一種の二価金属であり;MIII はAl，Ga，InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり；Aは金属酸化物であり；XはCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；X′，X″および Xは、Ｆ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そして、ａは０≦ａ≦２、ｂは０≦ｂ≦10-2、ｃは０≦ｃ≦10-2、かつa+b+c≧10-6　であり；x は０＜ｘ≦0.5、ｙは０＜ｙ≦0.2 である）の組成式で表わされる蛍光体、
【００６６】
　特開昭60-84381号に記載されている MII X2・aMIIX′2:xEu2+（ただし、MII はBa，Srおよび Caからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；XおよびX′はCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであって、かつ X≠X′であり；そしてａは0.1≦ａ≦10.0、ｘは０＜ｘ≦0.2である）の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、
【００６７】
　特開昭60-101173号に記載されているMIIFX・aMI X′:xEu2+（ただし、MII　はBa，SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属であり；MI はRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり;XはCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；X′はＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そしてａおよびｘはそれぞれ０≦ａ≦4.0および０＜ｘ≦0.2である）の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、
【００６８】
　特開昭62-25189号に記載されているMI X:xBi（ ただし、MI はRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり；X はCl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そしてxは0＜x≦0.2の範囲の数値である）の組成式で表わされる輝尽性蛍光体、
【００６９】
　特開平2-229882号に記載のLnOX:xCe（但し、LnはLa，Ｙ，GdおよびLuのうちの少なくとも一つ、ＸはCl，BrおよびＩのうちの少なくとも一つ、ｘは0＜x≦0.2 であり、LnとＸとの比率が原子比で0.500＜X/Ln≦0.998であり、かつ輝尽性励起スペクトルの極大波長λが550nm＜λ＜700nm）で表わされるセリウム賦活希土類オキシハロゲン化物蛍光体、
などをあげることができる。
【００７０】
　また、上記特開昭60-84381号に記載されているMIIX2・aMIIX′2:xEu2+輝尽性蛍光体には、以下に示すような添加物がMIIX2・aMIIX′2 1モル当り以下の割合で含まれていてもよい。
【００７１】
　特開昭60−166379号に記載されているbMIX″（ただし、MIはRbおよびCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、X″はＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂは０＜ｂ≦10.0である）；特開昭60-221483号に記載されているbKX″・cMgX2・dMIII X′3（ただし、MIII はSc，Ｙ，La，Gdおよび Luからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、X″、X およびX′はいずれもＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、０≦ｂ≦2.0、０≦ｃ≦2.0、０≦ｄ≦2.0であって、かつ2×10-5≦b+c+dである）;特開昭60-228592号に記載されている yB（ただし、yは2×10-4≦ｙ≦2×10-1である）;特開昭60-228593号に記載されている bA（ただし、AはSiO2 およびP2O5からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、そしてbは10-4 ≦b≦2×10-1 である）;特開昭61−120883号に記載されているbSiO（ただし、bは0＜b≦3×10-2　である）;特開昭61−120885号に記載されているbSnX″2 （ただし、X″はＦ，Cl，BrおよびIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてbは０＜ｂ≦10-3である）；特開昭61-235486号に記載されているbCsX″・cSnX2 （ただし、X″およびX はそれぞれＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そしてｂおよびｃはそれぞれ、０＜ｂ≦10.0 および10-6≦ｃ≦2×10-2である）；および特開昭61-235487号に記載されているbCsX″・yLn3+（ただし、X″はＦ，Cl，BrおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、LnはSc，Ｙ，Ce，Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，YbおよびLuからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素であり、そしてｂおよびｙはそれぞれ、０＜ｂ≦10.0および10-6≦ｙ≦1.8×10-1である）。
【００７２】
　上記の輝尽性蛍光体のうちで、二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体（例えばBaFI:Eu）ユーロピウム賦活アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体（例えばCsBr:Eu）、ヨウ素を含有する二価ユーロピウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体、ヨウ素を含有する希土類元素賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体、およびヨウ素を含有するビスマス賦活アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体は高輝度の輝尽発光を示すことから好ましく用いることができ、またこれらの蛍光体は針状結晶とすることができるので、特に吸湿性が問題となりやすいため、本発明の保護層を用いることによって効果的な防湿を図ることができる。
【００７３】
　蛍光体層は、蒸着法、スパッタ法、塗布法など公知の方法により支持体上に形成することができる。蒸着法においては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後、装置内を排気して１０-4　Pa程度の真空度とする。次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。蒸着工程を複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することもできる。蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００７４】
　スパッタ法においては、蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後装置内を一旦排気して１０-4　Pa程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ，Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタ装置内に導入して１０-1　Pa程度のガス圧とする。次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、保護層表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。スパッタ工程においても蒸着法と同様に、複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、また、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からなる複数のターゲットを用いて、同時あるいは順次、ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ法においては、必要に応じてＯ2 、Ｈ2 やハロゲン等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよい。スパッタ終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００７５】
　塗布法においては、蛍光体を溶剤とともに充分に混合して結合剤溶液中に輝尽性蛍光体が均一に分散した塗布液を調製し、この塗布液を支持体の表面に均一に塗布することにより塗膜を形成する。この塗布操作は、通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレード、ロールコーター、ナイフコーターなどを用いることにより行なうことができる。
【００７６】
　蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体の種類、結合剤と蛍光体との混合比などによって異なり、２０μｍ〜１ｍｍ程度とするのが一般的であるが、５０μｍ〜５００μｍとすることがより好ましい。
【００７７】
　支持体としては、従来の放射線像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができる。また、支持体と蛍光体層の結合を強化するため、あるいは放射線像変換パネルとしての感度もしくは画質（鮮鋭度、粒状性）を向上させるために、蛍光体層が設けられる側の支持体表面にゼラチンなどの高分子物質を塗布して接着性付与層としたり、あるいは二酸化チタンなどの光反射性物質からなる光反射層、もしくはカーボンブラックなどの光吸収性物質からなる光吸収層などを設けることが知られているが、本発明において用いられる支持体についても、これらの各種の層を設けることができる。それらの構成は所望の放射線像変換パネルの目的、用途などに応じて任意に選択することができる。
【００７８】
　さらに特開昭58−200200号に記載されているように、得られる画像の鮮鋭度を向上させる目的で、支持体の蛍光体層側の表面（支持体の蛍光体層側の表面に接着性付与層、光反射層または光吸収層などが設けられている場合には、その表面を意味する）に微小凹凸が形成されていてもよい。  
　以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
【実施例】
【００７９】
　（実施例１）
＜保護層の作製＞
　基材フィルムとして厚さ１２μｍのＰＥＴの長尺フィルムを真空蒸着装置の供給ロールに装着した後、基材フィルムを一定速度で搬送しながら、ＰＥＴ上に基本無機層として酸化アルミニウム層をプラズマＣＶＤ法により１０ｍｍ厚に真空堆積した。続いて、有機ケイ素化合物（ヘキサメチルジシロキサン）を用いたプラズマＣＶＤ法により酸素を供給しながら製膜することで第一の上位無機層の酸化ケイ素層（２４０ｎｍ厚）を形成した。さらにこの酸化ケイ素層上に、酸化アルミニウムをプラズマＣＶＤ法により１０ｍｍ厚に真空堆積し、第二の上位無機層として酸化アルミニウム層を形成し、酸化アルミニウム層−酸化ケイ素層−酸化アルミニウム層の無機層三層からなる透明な防湿フィルムを作製した。これらの無機層は長尺の基材フィルムを一定速度で１回搬送する過程で敷設された。各無機層の厚みのばらつきは±３０％以下で、ＥＳＣＡ分析ではその厚さ方向に均一に炭素が分布していた（原子数で約１８％）。その後、この防湿フィルム２枚を同方向に（一方の表面側が無機層面となるように）、２．５μｍ厚のポリエステル樹脂層を介して貼り合わせ、５３０ｍｍ角２７μ厚の透明な保護層（保護層の構成は図７に示すもの）を得た。
【００８０】
＜保護層とガラス封止枠との接着＞
　ソーダガラス製封止枠（縦、横４５０ｍｍ角、厚さ０．５ｍｍ、幅６ｍｍ、内角部Ｒ＝２ｍｍφ）と上記で作製した保護層の無機層面とを、２液硬化性エポキシ樹脂（ＸＢ５０４７、ＸＢ５０６７：バンティコ(株)製）を用いて接着した。この際、封止枠中心と保護層中心が合うように重ね合わせ、枠面と接触する保護層表面で接着し、４０℃で１日硬化させ、保護層とガラス封止枠との接合体とした。
【００８１】
＜輝尽性蛍光体層の作製＞
　基板として縦、横４５０ｍｍ角、５ｍｍφの減圧孔を隣りあう２辺から孔中心まで１１ｍｍの距離の角部に有する、片面に縁部（縁幅８ｍｍ）を除いてＡｌ蒸着反射層が敷設された８ｍｍ厚のソーダガラス板を準備した。反射層面上の周縁から８ｍｍまでの部分と減圧孔部にマスクを配置し、マスクが配置されていない反射層面上に蒸着されるように蒸着機中に設置した。次に所定の位置にＥｕＢｒm タブレットおよびＣｓＢｒタブレットを配置し、蒸着機を排気して１．０Ｐａの真空度とした。続いて、基板をヒーターで１００℃に加熱した。その後、白金ボート中のＥｕＢｒm タブレットおよびＣｓＢｒタブレットを加温して、マスク部分を除いた基板上一面に輝尽性蛍光体を（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を５００μｍ堆積させた。乾燥雰囲気下、蒸着機中を大気圧に戻して基板を取り出した。基板上には太さ約８μｍの針状輝尽性蛍光体が基板垂直方向に互いにやや隙間を空けて林立していた。
【００８２】
＜輝尽性蛍光体の封止＞
　上記のように作製された、接着部（周縁から８ｍｍ）と減圧孔を除いてＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体が蒸着形成された、Ａｌ蒸着反射層敷設ソーダガラス支持体と、封止枠が接合された透明保護層を接着剤（ＳＵ２１５３−９：サンコレック社製）を用いて圧力をかけながら接着し、常温（２５℃）で１２時間硬化させた。さらに減圧孔にＥＤＰＭゴムを埋め込み、接着剤（ＳＵ２１５３−９）で接着することで減圧孔を密閉した。これによって、蒸着輝尽性蛍光体層が支持体、封止枠、保護層によって密閉された構造が形成された。
【００８３】
＜減圧、ガラス栓封止＞
　上記密閉構造体の封止孔ＥＤＰＭゴムに注射針を刺し通し、真空ポンプにより内部の気体を抜き取り減圧状態とした。その後、減圧孔のＥＤＰＭゴム上に接着剤（ＳＵ２１５３−９）を付着されたガラス栓で栓をし、放射線像変換パネルを完全な密閉構造とした。
【００８４】
（実施例２）
　坩堝内の金属アルミニウムに電子線を照射し、加熱、蒸発させるとともに、ガス導入パイプを通じて酸素とヘリウムの混合ガスを導入し、これによって基材上に基本無機層として酸化アルミニウム層を厚さ１０ｎｍで敷設した。酸化アルミニウム層敷設後にＤＣマグネトロン法により、初期真空度３×１０-4Ｐａに引いて、ここに酸素／アルゴンガス９％の混合ガスを導入し、３×１０-1Ｐａの条件下において第一の上位無機層として酸化ケイ素層を２４０ｎｍ厚で敷設した。続いて、酸化ケイ素層敷設後に、第二の上位無機層として酸化アルミニウム層（厚さ１０ｎｍ）を、基本無機層と同様にして設けた。これ以外は実施例１に記載したように保護層を形成し、２７μｍ厚の透明保護層（保護層の構成は図７に示すもの）を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例１と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
【００８５】
（実施例３）
　厚さ１２μｍのＰＥＴ表面に有機プライマー層を１．５μｍ厚で敷設し、この上に実施例１と同様に基本無機層として酸化アルミニウム層を形成し、第一の上位無機層として酸化ケイ素層の代わりに酸化窒素化ケイ素層をＣＶＤ法により敷設し（第二の上位無機層は形成せず）、２９μｍ厚の透明保護層（保護層の構成は図１０に示すもの）を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例１と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
【００８６】
（実施例４）
　防湿フィルムを実施例１と同様に作製した。この防湿フィルムの無機層敷設側の面とフィラーが添加されたＣＰＰ３０μｍとをポリウレタン系接着剤によりドライラミネートし（接着厚３μｍ）、厚さ４５μｍの透明な保護層（保護層の構成は図４に示すもの）を得た。また、減圧孔のない４３ｃｍ×４３ｃｍ角で２ｍｍ厚の基板を用いて輝尽性蛍光体層の作製を行った以外は、実施例１と同様に作製した。蛍光体層を保護層と不透明封止フィルム（ＣＰＰ３０μｍ／アルミニウムフィルム９μ／ＰＥＴ１８８μｍの構成でドライラミネートしたフィルム）のＣＰＰ層側との間に、蛍光体層が保護層側となるように挟み、減圧下で周縁部をインパルスシーラー（ヒーターは３ｍｍ）を用いて融着し封止することで、放射線像変換パネルを作製した。
【００８７】
（実施例５）
　ＢａＩ水溶液（３．５Ｎ）２０００ｍｌとＥｕＢｒ3 水溶液（０．２Ｎ）１００ｍｌを反応容器に入れ、この母液を攪拌しながら８２℃で保温した。フッ化アンモニウム溶液（８Ｎ）２００ｍｌを反応母液中にポンプを用いて注入し、沈殿物を生成した。その後２時間熟成を行った後、沈殿物を濾過してメタノールで洗浄し乾燥させることでＢａＦＩ結晶を得た。これをアルミナの超微粒子粉体と均一に混合した後、石英ボードに充填してチューブ炉を用いて水素ガス雰囲気下８２５℃で１．５時間焼成してユーロピウム付活されたＢＦＩ蛍光体粒子を得た。続いてＢＦＩ蛍光体粒子を分級して平均粒径３μｍの粒子を得た。
【００８８】
　蛍光体層を上記で得たユーロピウム付活されたＢＦＩ蛍光体粒子３００ｇ、ポリウレタン樹脂１１ｇ、ビスフェノール型エポキシ樹脂１／４ｇのメチルエチルケトン−トルエン混合溶媒に添加し、プロペラミキサーによって分散することで粘度２５〜３０ｐｓの塗布液を調整した。この塗布液をドクターブレード法で下塗り層付きＰＥＴフィルム上に塗布した後、１００℃で１５分乾燥させて２８０μ厚の蛍光体層を形成した。この蛍光体層を４５ｃｍ×４５ｃｍの正方形に裁断して使用した以外は、実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００８９】
（実施例６）
　厚さ１２μｍのＰＥＴ上に基本無機層として酸化ケイ素層を電子線蒸着法により１０ｎｍの厚さで敷設した。酸化ケイ素層敷設後に、第一の上位無機層として同じく電子線蒸着法により酸化アルミニウム層を２００ｎｍの厚さで敷設した。さらに、酸化アルミニウム層敷設後に、第二の上位無機層として同じく電子線蒸着法により酸化ケイ素層を１０ｎｍの厚さで敷設した。あとは実施例１と同様にして２７μｍ厚の透明保護層（保護層の構成は図９に示すもの）を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例１と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
【００９０】
（実施例７）
　厚さ１２μｍのＰＥＴ上に基本無機層として酸化アルミニウム層をスパッタリング法により２０ｎｍの厚さで敷設した。酸化アルミニウム層敷設後に、第一の上位無機層として同じくスパッタリング法により酸化ケイ素層を２２０ｎｍの厚さで敷設した。さらに、酸化ケイ素敷設後に、第二の上位無機層として同じくスパッタリング法により酸化アルミニウム層を３０ｎｍの厚さで敷設した。あとは実施例１と同様にして２９μｍ厚の透明保護層（保護層の構成は図７に示すもの）を得た。これ以外の保護層とガラス封止枠との接着、輝尽性蛍光体層の作製、輝尽性蛍光体の封止、減圧、ガラス栓封止は全て実施例１と同様にして、放射線像変換パネルを作製した。
【００９１】
（実施例８）
　第一の上位無機層として、テトラアルコキシランを主成分とする溶液をワイヤーバーコーティング法により塗布・硬化することで３５０ｍｍ厚の酸化ケイ素層を形成した以外は、全て実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００９２】
（実施例９）
　基材フィルムとしてＰＥＴの換わりに厚さ２０μｍのポリシクロオレフィン（Ｔｇ＝１２０℃）を使用した以外は実施例８と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００９３】
（実施例１０）
　基材フィルムとしてＰＥＴの換わりにＰＥＴとＰＥＩのナノアロイポリマーからなる単一のガラス転移温度を有するフィルム（Ｔｇ＝１１５℃）を使用した以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００９４】
（実施例１１）
　基材フィルムとしてＰＥＴの換わりに厚さ１２μｍの透明アラミドフィルム（Ｔｇ＝２３０℃）を使用した以外は実施例８と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００９５】
（比較例１）
　１２μｍＰＥＴ上に透明無機層として酸化ケイ素層を電子線蒸着法で２００ｎｍ厚で形成し防湿フィルムとした。これを４枚同方向に、それぞれの間を３μｍの透明ポリウレタン樹脂でラミネートして保護層を作製した以外は、実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００９６】
（比較例２）
　１２μｍＰＥＴ上に透明無機層として酸化ケイ素層をプラズマＣＶＤ法により３００ｎｍ厚で形成し防湿フィルムとした。これを保護層として用いた以外は実施例１と同様にして放射線像変換パネルを作製した。
【００９７】
（評価方法）
　上記実施例１〜７、比較例１および２で作製した放射線像変換パネルの厚さ、室温４０℃湿度９０％における保護層の透湿度、及び鮮鋭度、輝尽発光光低下率において評価した結果を表１に示す。なお、鮮鋭度および輝尽発光光低下率は以下の方法により測定したものである。
【００９８】
＜鮮鋭度＞
　放射線像変換パネルに、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射したのち、波長６５０ｎｍで走査して蛍光体を励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を受光して電気信号に変換し、これを画像再生装置によって画像として再生して表示装置上に画像を得た。これをコンピュータで解析することにより、得られた画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）（空間周波数：２サイクル／ｍｍ）を得た。ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭度がよいことを示す。
【００９９】
＜輝尽発光光低下率＞
　放射線像変換パネルにＸ線を照射し、ラインセンサーにて保護層側から線状の励起光を照射し、その際に検出された輝尽発光光検出量を初期値とし、この放射線像変換パネルを５５℃９５％恒温槽中で３０日間経時し、再び輝尽発光光（サーモ後値）を測定し、以下の式により輝尽発光光低下率を算出した。  
　輝尽発光光低下率（％）＝｛（初期値−サーモ後値）／初期値｝×１００
　結果を表２に示す。
【表２】
2004093560.tif 000004
【０１００】
　表２から明らかなように、実施例１〜実施例１１に示す放射線像変換パネルは、保護層が基本無機層と基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層がそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されているので、このような構成をもたない比較例１および２に比して透湿度を低いものとすることができた。
【０１０１】
　また、実施例８の放射線像変換パネルよりも、実施例８における基材フィルムをガラス転移温度が１００℃以上の基材フィルムに換えた実施例９及び実施例１１の放射線像変換パネルの方が透湿度が低く、輝尽発光光の低下率が低かった。さらに、実施例１の放射線像変換パネルよりも、実施例１における基材フィルムをガラス転移温度が１００℃以上の基材フィルムに換えた実施例１０の放射線像変換パネルの方が透湿度が低く、輝尽発光光の低下率が低かった。これはガラス転移温度が高い基材を用いると、蒸着作業等で高温となっても基材の劣化が少なく、高い防湿性が保たれたため、鮮鋭度はより高く、輝尽発光光の低下はより抑えられたものと考えられる。
【０１０２】
　以上のように、本発明の放射線像変換パネルは、保護層が基本無機層と基本無機層上に位置する少なくとも一層の上位無機層とを備え、各上位無機層がそれぞれの無機層の下に位置する無機層に直接敷設されているので、透湿度を低いものとすることが可能となった。また保護層の無機層を支持する基材にガラス転移温度が高い基材を用いることによって、透湿度をより低くすることが可能となった。この結果、本発明の放射線像変換パネルは鮮鋭度が高く輝尽発光光の低下が抑えられた、高画質かつ高い耐久性をもつものとすることができた。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図
【図２】図１に示す放射線像変換パネルの保護層の実施の形態を示す概略断面図
【図３】保護層の別の実施の形態を示す概略断面図
【図４】保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図
【図５】保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図
【図６】本発明の第二の実施の形態を示す放射線像変換パネルの概略断面図
【図７】図６に示す放射線像変換パネルの保護層の実施の形態を示す概略断面図
【図８】保護層の別の実施の形態を示す概略断面図
【図９】保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図
【図１０】保護層のさらに別の実施の形態を示す概略断面図
【符号の説明】
【０１０４】
　　　１　　放射線像変換パネル
　　　２　　蛍光体層
　　　３　　支持体
　　　４　　保護層
　　　５　　基材
　　　６　　基本無機層
　　　７　　第一の上位無機層
　　　８　　第二の上位無機層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004093560.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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