(57)【要約】【課題】高媒体ＳＮ比、高記録分解能及び優れた熱揺らぎ耐性を有する磁気記録媒体を提供する。【解決手段】軟磁性層と垂直磁気記録層との間に、主に非晶質部を含む配向制御層と、粒径制御層と、六方細密充填構造及び面心立方格子構造のうち１つを有する下地層とを設けた垂直二層媒体。【選択図】　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された軟磁性層と、該軟磁性層上に形成された主に非晶質部を含む配向制御層と、該配向制御層上に形成された粒径制御層と、該粒径制御層上に設けられた六方細密充填構造及び面心立方格子構造のうち１つを有する下地層と、垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記粒径制御層は、銀、アルミニウム、タンタル、銅、及びガドリニウムからなる群から選択される少なくとも１つの元素を主に含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記粒径制御層は、０．１ｎｍないし２ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記配向制御層は、ニッケル合金を主に含み、該ニッケル合金は、ニッケル３０ないし８０ａｔ％のニッケルと、タンタル、ニオブ、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、及びハフニウムからなる群から選択される少なくとも１つの元素とを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記配向制御層は、１ないし１０ｎｍの厚さを有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記下地層は、コバルトクロムプラチナ合金を含みクロムを２５ａｔ％以上含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記下地層は、１ないし１５ｎｍの厚さを有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
基板と軟磁性層との間に、基板側から順に面内硬磁性層、及び中間層をさらに有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う単磁極記録ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置として使用される磁気記録再生装置特に、垂直方向磁化を利用する垂直磁気記録再生装置、及びこれに用いられる垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、市販されている磁気記録再生装置は、磁気記録層の磁化方向が面内を向いた、面内磁気記録方式である。しかし、この面内磁気記録方式では、さらに記録密度を向上させようとした場合、媒体ＳＮ比を向上させるために磁気記録層の磁性粒子を小さくすることが考えられるけれども、これにより、熱揺らぎが発生しやすくなり、記録した情報が消える傾向があることが問題となっていた。このため、これまでは、磁気記録層の磁気異方性を高める方法で対応してきたが、記録ヘッドによる記録のしやすさの点から見ると、これ以上磁気異方性を高めることは不適当であった。このように、媒体ノイズの低減による媒体ＳＮＲの向上と、熱揺らぎ耐性の向上とを両立させることは困難であった。
【０００３】
これに対して、磁気記録層の磁化方向が垂直向いた垂直磁気記録方式では、磁化の遷移領域で、磁化を安定化させるような磁界が互いに働くため、急峻な遷移領域が形成され、高密度化が実現できる。また、このため、面内媒体と比較して、同じ記録分解能を得るために記録層の厚さを厚くできる。このことは、磁気記録層の磁性粒子体積を大きく出来ることから、熱揺らぎに対しても有利となる。記録密度が非常に低い場合は、記録ビット中央での反磁界が大きく、この際に、熱揺らぎの影響が見られるが、面内磁気記録層と異なり、高密度では垂直磁気記録媒体が安定である。さらに、磁気記録層の下に、軟磁性膜を形成した垂直２層膜媒体の場合、面内記録と比較して、ヘッド磁界を大きくすることができるため、より大きな異方性材料を磁性記録層として用いることができる。このような点から、最近、垂直磁気記録方式に対して、注目が集まっている。
【０００４】
磁気記録方式に適した垂直磁気記録媒体では、低記録密度のビットや隣接トラック記録時の出力低下を軽減するため、磁化と逆方向のある程度の磁界に対しても磁化反転しない磁気特性と、適度な出力を得るための膜厚と、高媒体ＳＮ比で高記録分解能が可能な微細構造を持つ垂直記録層が必要である。
【０００５】
このような垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体として、例えば特開平２００１−６１５８に記載されているように、磁気記録層に磁気異方性が適度に大きいＣｏＰｔ合金を用い、その下に、結晶粒子の磁気的分離を起こさせるＣｒや酸素が添加された非磁性Ｃｏ合金、その下に磁気記録層を垂直配向させる下地層例えば非磁性ＣｏＣｒ合金及びＲｕ合金膜等、さらにその下に下地膜の薄膜化により結晶粒の微細化を目的としたシード層例えばＴｉ合金、ＮｉＮｂ合金、及びＮｉＴａ合金等を用いたものが知られている。しかし、高記録密度の要求は止まらず、さらに高ＳＮｍで特性のよいものが求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、高媒体ＳＮ比、高記録分解能及び優れた熱揺らぎ耐性を有する磁気記録媒体を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の第２の目的は、高媒体ＳＮ比及び高記録分解能で、熱揺らぎ抑制して磁気記録再生が可能な磁気記録再生装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板と、該基板上に形成された軟磁性層と、該軟磁性層上に形成された主に非晶質部を含む配向制御層と、該配向制御層上に形成された粒径制御層と、該粒径制御層上に設けられた六方細密充填構造及び面心立方格子構造のうち１つを有する下地層と、垂直磁気記録層とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明の磁気記録再生装置は、上記垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の記録を行う単磁極記録ヘッドとを具備することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基本的に、基板上に、軟磁性層、シード層、下地層、及び垂直磁気記録層を順に積層した構成を有する。
【００１１】
本発明では、このシード層が、軟磁性層上に設けられた配向制御層及びこれに積層された粒径制御層を含み、配向制御層が、非晶質部を主に含み、かつ下地層は、六方細密充填構造（ＨＣＰ）及び面心立方格子構造（ＦＣＣ）のうち１つの構造を有する。粒径制御層は、下地層含まれる材料を実質的に含まない。
【００１２】
配向制御層は、非晶質部を主に含み、部分的に微結晶部を含み得る。微結晶部は好ましくは粒径５ｎｍ以下の微細な結晶からなる。
【００１３】
この配向制御層は、その上に形成される下地層の結晶配向を制御する機能を有し、その上に形成される垂直磁気記録層の垂直配向性を向上し得る。通常、下地層の厚さが薄いと、磁気記録層の垂直配向性が低下する傾向があるけれども、本発明によれば、配向制御層を設けることにより、例え下地層の厚さが比較的薄い場合でも垂直磁気記録媒体の垂直配向性を改善することができる。
【００１４】
配向制御層の材料として、好ましくは３０ないし８０ａｔ％のＮｉとＴａ、Ｎｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択される少なくとも１種の金属を含むＮｉ合金を用いることができる。
【００１５】
配向制御層の好ましい厚さは、１ないし２０ｎｍ、さらに好ましくは２ないし１０ｎｍである。１ｎｍ未満であると、垂直配向性が劣化し、１２ｎｍを超えると、下地層の粒径を制御する効果が低下する傾向がある。
【００１６】
粒径制御層は、下地層の結晶粒子の粒径をより小さくする作用を有する。
【００１７】
粒径制御層には、下地層に実質的に含まれない材料が使用される。配向制御層や下地層に含まれる材料例えばＣｏ、Ｃｒ、Ｂ、及びＮｉ等を使用すると、粒径制御特性を低下させる。粒径制御層に好適な材料として、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｇｄ、及びＣｕからなる群から選択される少なくとも１種を使用することができる。
【００１８】
粒径制御層の好ましい厚さは、０．１ｎｍないし２ｎｍ、さらに好ましくは０．２ないし１ｎｍである。０．１ｎｍ未満であると、粒径を小さくする効果が少なくなり、２ｎｍを超えると、下地層の結晶粒子の粒径が逆に粗大化するとともに、下地層の配向が乱れる傾向がある。
【００１９】
下地層は、ＨＣＰかＦＣＣ構造の最密面で構成され、垂直磁気記録層の垂直配向性を改善する役目をもつ。
【００２０】
しかしながら、下地層が厚すぎると、粒径制御層の粒径をより小さくする作用が低下する傾向がある。このことから、本発明では、下地層の下に、粒径制御層及び配向制御層の両方を設ける。粒径制御層と配向制御層を設けることにより、下地層上に設けられる垂直磁気記録層の垂直配向性を低下することなく、下地層の厚さを低減し、かつ下地層の粒径を小さくせしめる。
【００２１】
本発明では、粒径制御層は垂直磁気記録層側に、配向制御層は基板側に設けられる。これらの位置が反対であると、記録層の垂直配向性が劣化する。
【００２２】
本発明に用いられる下地層の好ましい厚さは、１ないし１５ｎｍ、さらに好ましくは５ないし１０ｎｍである。１ｎｍ未満であると、磁気記録層の保磁力が低下し、記録分解能が劣化し、１５ｎｍを超えると、その結晶粒径が大きくなり、ノイズが増大する傾向がある。
【００２３】
下地層としては、例えばＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＲｕ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＷ，ＣｏＣｒＰｔＣ，ＲｕＲｅ，ＲｕＣｏ，ＲｕＣｒ，ＲｕＴｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ−ＳｉＯ２，Ｐｄ−ＳｉＯ２を使用することができる。
【００２４】
また、垂直磁性記録層の材料としては、ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＣｕ，ＣｏＣｒＰｔＣｕＢ，ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ，ＣｏＣｒＰｔＢＮｄ，ＣｏＣｒＰｔＷＢ，ＣｏＣｒＰｔＷＣ，ＣｏＰｔ，ＣｏＰｔＯ，ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２，ＣｏＣｒＭｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＲｕＣ，ＣｏＣｒＰｔＴａＷ、ＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＯ、及びＣｏＰｔ−ＳｉＯを使用することができる。
【００２５】
また、本発明の垂直磁気記録媒体の好ましい一例として、垂直磁気記録層がＣｏＣｒＰｔ合金を主に含み、配向制御層の材料として、３０ないし８０ａｔ％のＮｉとＴａ、Ｎｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択される少なくとも１種の金属を含むＮｉ合金を用い、粒径制御層の材料として、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｄ、及びＣｕからなる群から選択される少なくとも１種を使用し、粒径制御層の厚さを０．１ｎｍないし２ｎｍとすることにより、ＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ　ｓａｍｐｌｅ　ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）測定で逆磁化の発生磁界が３９５００　Ａ／ｍ以上となる磁気特性が得られる。このような磁気特性を有すると、通常の磁気記録再生装置において、隣接トラックにおける記録等の外部からの磁界により逆磁化がかけられても、記録情報が消え難くなる。
【００２６】
軟磁性層としては、例えばＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ，ＦｅＺｒＮ，ＦｅＳｉ合金，ＦｅＡｌ合金，パーマロイなどのＦｅＮｉ合金，パーメンジュールなどのＦｅＣｏ系合金，パーミンバーなどのＦｅＣｏＮｉ合金，ＮｉＣｏ合金，センダスト，ＭｎＺｎ系フェライト，ＮｉＺｎ系フェライト，ＭｇＺｎ系フェライト，ＭｇＭｎ系フェライト，ＦｅＡｌＧａ，ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ，ＦｅＧａＧｅ，ＦｅＧｅＳｉ，ＦｅＮｉＰｂ，ＦｅＲｕＧａＳｉ，ＦｅＳｉＢ，ＦｅＳｉＣ，ＦｅＺｒＢ，ＦｅＺｒＢＣｕ，ＣｏＦｅＳｉＢ，ＣｏＴｉ，及びＣｏＺｒＴａ等の高透磁率を有する軟磁性材料があげられる。
【００２７】
高透磁率な軟磁性層を設けることにより、軟磁性層上に垂直磁気記録層を有する垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性層は，垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を水平方向に通して磁気ヘッド側へ還流させる磁気ヘッドの機能の一部を担っており，記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
【００２８】
以下、図面を参照し、本発明の垂直磁気記録媒体をより詳細に説明する。
【００２９】
図１に、本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図を示す。
【００３０】
図示するように、この垂直磁気記録媒体１００は、例えば２．５インチ径のハードディスク用ガラス基板１上に、例えば１２０ｎｍの厚さを有し、ＣｏＺｒＮｂからなる軟磁性層２、例えば５ｎｍの厚さを有し、Ｎｉ２０Ｔａ３０からなる配向制御層３、例えば０．５ｎｍの厚さを有し、Ａｇからなる粒径制御層４、例えばＣｏＣｒＰｔＢからなる下地層５、例えば２０ｎｍの厚さを有し、Ｃｏ−ＣｒＰｔ−Ｂからなる垂直磁気記録層６、及び例えばカーボンからなる保護層７を各々積層した構成を有する。
【００３１】
軟磁性層２、配向制御層３、粒径制御層４、下地層５、及び垂直磁気記録層６の各層は、例えばスパッタにより形成することができる。また、保護層７は、ＣＶＤ法により形成することができる。
【００３２】
図２は、本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例を表す概略断面図を示す。
【００３３】
図示するように、この垂直磁気記録媒体２００は、例えば２．５インチ径のハードディスク用ガラス基板１と軟磁性層２との間に、例えば５ｎｍの厚さを有し、ＣｒＷからなる面内硬磁性層用下地層８、及び例えば２０ｎｍの厚さを有し、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕからなる面内硬磁性層９を設ける以外は同様の構成を有する。
【００３４】
図２に示す垂直磁気記録媒体では、この面内硬磁性層９に半径方向の一方向の磁界を印可し、軟磁性層２にバイアス磁界をかけて、その残留磁化の方向を半径方向の一方向に向けることにより、垂直磁気記録媒体における磁壁の発生を抑制し得る。また、面内硬磁性層用下地層８は、面内硬磁性層の磁化容易軸を面内に向けるために設けられる。
【００３５】
図３は、本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例を表す概略断面図を示す。
【００３６】
図示するように、この垂直磁気記録媒体３００は、面内硬磁性層９と軟磁性層２との間に、例えばＣｏＣｒＲｕからなり、０．２ｎｍないし１０ｎｍの厚さを有する弱磁性層１１と、基板１と面内硬磁性層用下地層８との間に、例えばＮｉＡｌからなり、２ｎｍの厚さを有する面内硬磁性層用シード層１０を設ける以外は、図２と同様の構成を有する。
【００３７】
弱磁性層１１を設けることにより、外部磁界による磁化方向の反転を抑制することができる。
【００３８】
また、任意に、面内硬磁性層用シード層１０を設けることにより、硬磁性層の磁化容易軸の面内配向を良好にすることができる。
【００３９】
また、図４に、本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【００４０】
本発明に係る剛構成の磁気ディスク１２１はスピンドル１２２に装着されており、図示しないスピンドルモーターによって一定回転数で回転駆動される。磁気ディスク１２１にアクセスして情報の記録行う単磁極型記録ヘッド及び情報の再生を行うためのＭＲヘッドを搭載したスライダー１２３は、薄板状の板ばねからなるサスペンション１２４の先端に取付けられている。サスペンション１２４は図示しない駆動コイルを保持するボビン部等を有するアーム１２５の一端側に接続されている。
【００４１】
アーム１２５の他端側には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１２６が設けられている。ボイスコイルモータ１２６は、アーム１２５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、それを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークにより構成される磁気回路とから構成されている。
【００４２】
アーム１２５は、固定軸１２７の上下２カ所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１２６によって回転揺動駆動される。すなわち、磁気ディスク１２１上におけるスライダー１２３の位置は、ボイスコイルモータ１２６によって制御される。なお、図４中、１２８は蓋体を示している。
【００４３】
【実施例】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
【００４４】
実施例１ないし３
３つの２．５インチ径ハードディスク用結晶化ガラス基板を用意し、この結晶化ガラス基板上に、各々、スパッタにより１２０ｎｍ厚のＣｏ８７Ｚｒ８Ｎｂ５軟磁性層を形成し、この上に、配向制御層として、５ｎｍ厚のＮｉ６０Ｎｂ４０層を形成し、その後、この上に粒径制御層として、各々、０．５ｎｍ、１ｎｍ、及び２ｎｍの厚さを有するＡｌ９０Ｓｉ１０層を形成した。この上に、各々、Ｃｏ５０Ｃｒ３７Ｐｔ８Ｂ５非磁性下地層を７．５ｎｍ形成した。この上に垂直磁気記録層として、各々、Ｃｏ６６Ｃｒ１８Ｐｔ１５Ｂ１膜を２７ｎｍ形成した。最後に、保護膜として、各々、カーボン膜をＣＶＤ法により６ｎｍ形成し、実施例１ないし３にかかる垂直磁気記録媒体を得た。その後、各保護膜上に、ディップ法によりパープロロポリエーテルを塗布し、潤滑層を形成した。
【００４５】
断面ＴＥＭ観察により、得られた配向制御層は、多少の微結晶部が存在するけれども、その大部分が非晶質部であることが確認された。また、下地層は、最密面が基板面に平行に成長したＨＣＰ層またはＦＣＣ層であることが確認された。
【００４６】
この垂直磁気記録媒体について、トラック幅０．４μｍの単磁極記録ポールと、トラック幅０．３μｍのＧＭＲ再生素子とを持つ記録再生ヘッドを用い、記録再生特性として、媒体ＳＮ比、記録分解能、及び熱揺らぎ耐性を測定、評価した。得られた結果を下記表１に示す。
【００４７】
尚、上記媒体ＳＮ比（Ｓ／Ｎｍ）は、微分波形における、９２ｋＦＣＩの出力と５５２ｋＦＣＩでの積分ノイズ（Ｖｒｍｓ）から求め、下記表では比較例との差を示した。
【００４８】
記録分解能は、微分孤立波の半値幅で示した。
【００４９】
また、熱揺らぎ耐性は、５０℃、５０ｋＦＣＩにおける出力の低下率で示した。
【００５０】
比較例１
比較例として、粒径制御層を形成しないこと以外は実施例１ないし３と同様にして、磁気記録媒体を得た。
【００５１】
断面ＴＥＭ観察により、得られた配向制御層は、ほぼ非晶質であるが、数ｎｍの格子が所々見られるので、微結晶を含む非晶質であることが確認された。また、下地層は、ＨＣＰ構造かＦＣＣ構造の結晶で最密面が垂直に配向することが確認された。
【００５２】
得られた磁気記録媒体について、同様の測定、評価を行った。結果を下記表１に示す。
【００５３】
【表１】
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【００５４】
上記表１から明らかなように、比較例１の磁気記録媒体に対し、実施例１ないし３の磁気記録媒体は、その熱揺らぎ耐性が低下することなく、媒体ＳＮ比及び記録分解能が向上していることがわかった。
【００５５】
実施例４ないし６
粒径制御層として、Ａｌ９０Ｓｉ１０層の代わりに、各々、０．５ｎｍ、１ｎｍ、及び２ｎｍの厚さを有するＡｇ層を形成し、この上に、Ｃｏ４０Ｃｒ２６Ｐｔ１２Ｂ４非磁性下地層を５ｎｍ形成する以外は、実施例１ないし３と同様にして、潤滑層が形成された実施例４ないし６の垂直磁気記録媒体を得た。得られた垂直磁気記録媒体上に、同様にして潤滑層を形成した。
【００５６】
断面ＴＥＭ観察により、得られた配向制御層は、多少の微結晶部が存在するけれども、その大部分が非晶質部であることが確認された。
【００５７】
また、下地層は、細密面が基板面に平行に成長したＨＣＰ相またはＦＣＣ相であることが確認された。
【００５８】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして測定、評価を行った。その結果を下記表２に示す。
【００５９】
比較例２
比較例２として、粒径制御層を形成しないこと以外は実施例４と同様にして比較例２の磁気記録媒体を得た。得られた垂直磁気記録媒体上に、同様にして潤滑層を形成した。
【００６０】
断面ＴＥＭ観察により、得られた配向制御層は、多少の微結晶部が存在するけれども、その大部分が非晶質部であることが確認された。また、下地層は、最密面が基板面に平行に成長したＨＣＰ相またはＦＣＣ相であることが確認された。
【００６１】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして測定、評価を行った。その結果を下記表２に示す。
【００６２】
【表２】
2004030767.tif 000004
【００６３】
上記表２から明らかなように、下地層の組成比を変更し、粒径制御層として銀を使用した場合、粒径制御層が比較的薄い実施例４及び実施例５の場合、粒径制御層を形成しない比較例２に対し、記録分解能及び熱揺らぎ耐性をほぼ低下させることなく、媒体ＳＮ比が向上することがわかった。また、実施例６のように、粒径制御層が若干厚い場合には、記録分解能及び熱揺らぎ耐性が若干低下するけれども、媒体ＳＮ比が向上できることがわかった。
【００６４】
実施例７ないし９
粒径制御層として、各Ａｌ９０Ｓｉ１０層の代わりに、各々、０．２ｎｍ、０．５ｎｍ、及び０．８ｎｍの厚さを有するＴａ層を形成し、この上に各々、Ｃｏ５０Ｃｒ３７Ｐｔ８Ｂ５非磁性下地層を１０ｎｍ形成すること以外は、実施例１ないし３と同様にして、垂直磁気記録媒体を得た。得られた垂直磁気記録媒体上に、同様にして潤滑層を形成した。
【００６５】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして測定、評価を行った。その結果を下記表３に示す。
【００６６】
実施例１０ないし１２
粒径制御層として、各Ｔａ層の代わりに、各々、０．２ｎｍ、０．５ｎｍ、及び１ｎｍの厚さを有するＣｕ層を形成すること以外は、実施例７ないし９と同様にして、垂直磁気記録媒体を得た。得られた垂直磁気記録媒体上に、同様にして潤滑層を形成した。
【００６７】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして測定、評価を行った。その結果を下記表３に示す。
【００６８】
実施例１３ないし１６
４つの２．５インチ径ハードディスク用結晶化ガラス基板を用意し、粒径制御層として、Ｔａ層の代わりに、各々、０．１ｎｍ、０．２ｎｍ、０．５ｎｍ、及び１ｎｍの厚さを有するＧｄ層を形成すること以外は、実施例７と同様にして、垂直磁気記録媒体を得た。得られた垂直磁気記録媒体上に、同様にして潤滑層を形成した。
【００６９】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして測定、評価を行った。その結果を下記表３に示す。
【００７０】
比較例３
比較例３として、粒径制御層を形成しないこと以外は実施例７と同様にして、磁気記録媒体を作成した。得られた垂直磁気記録媒体上に、同様にして潤滑層を形成した。
【００７１】
断面ＴＥＭ観察により、得られた配向制御層は、ほぼ非晶質であるが、数ｎｍの格子が所々見られるので、微結晶を含む非晶質であることが確認された。また、下地層は、ＨＣＰ構造かＦＣＣ構造で最密面が垂直に配向することが確認された。
【００７２】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして測定、評価を行った。その結果を下記表３に示す。
【００７３】
比較例４ないし７
４つの２．５インチ径ハードディスク用結晶化ガラス基板を用意し、各々、粒径制御層として、下地層に含まれる材料であるＣｏを０．５ｎｍ、１ｎｍ、下地層に含まれる他の材料であるＣｒを０．５ｎｍ、１ｎｍ形成する以外は実施例７と同様にして磁気記録媒体を作成した。得られた垂直磁気記録媒体上に、同様にして潤滑層を形成した。
【００７４】
断面ＴＥＭ観察により、得られた配向制御層は、各々、ほぼ非晶質であるが、数ｎｍの格子が所々見られるので、微結晶を含む非晶質であることが確認された。また、下地層は、ＨＣＰ構造かＦＣＣ構造で最密面が垂直に配向することが確認された。
【００７５】
得られた垂直磁気記録媒体について、実施例１と同様にして測定、評価を行った。その結果を下記表３に示す。
【００７６】
【表３】
2004030767.tif 000005
【００７７】
上記表３から、下地層の厚さを実施例１よりも厚くし、粒径制御層として、タンタル、銅、またはガドリニウムを使用した場合は、実施例７ないし１６に示すように、記録分解能は良好となるけれども、媒体ＳＮ比は若干低下し、熱揺らぎ耐性も同等あるいは若干低下することがわかった。
【００７８】
また、粒径制御層を設けない比較例３に対しては、実施例７ないし１５は全て良好であった。比較的厚いガドリニウム層を設けた実施例１６では、熱揺らぎ耐性が若干低下したけれども、媒体ＳＮ比及び記録分解能は向上することがわかった。
【００７９】
さらに、下地層に使用される材料を含む比較例４ないし７では、全てにおいて低下することがわかった。
【００８０】
なお、粒径制御層としてＴａを使用し、配向制御層としてＮｉＴａを用いたところ、媒体ＳＮ比、記録分解能、及び熱揺らぎ耐性の改善はみられなかったが、ＮｉＴａの代わりにＮｉＮｂを用いた場合には、効果がみられた。
【００８１】
なお、上記実施例では、基板上に直接ＣｏＺｒＮｂ軟磁性層を形成したが、この軟磁性層の下に、例えばＣｏＣｒＲｕからなる面内硬磁性層用下地層及びＣｏＣｒＰｔＣｕからなる面内硬磁性層を設け、媒体作成後、半径方向の一方向に磁界を印加して、軟磁性層にバイアス磁界をかけて磁壁の発生を防ぐことができる。さらに、面内硬磁性層と軟磁性層との間に弱磁性層を設けることにより、外部磁界に対して磁化の方向が反転しにくくすることもできる。このようにして得られた垂直磁気記録媒体は、スピンドルモーター及びヘッド位置決め機構を有するハードディスクドライブ中に組み込まれても、通常の使用に耐え得るエラーレートでの動作が可能である。
【００８２】
また、実施例では、配向制御層として、Ｎｉ６０Ｎｂ４０を用いたけれども、これ以外に、例えばＮｉＴａ合金やＮｉを３０ないし８０ａｔ％含み、他にＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆを含むＮｉ合金からなるような、非晶質部及び多少の微結晶部を含む構造を有するものを用いることができる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば、熱揺らぎを抑制し、高媒体ＳＮ比、高記録分解能で、磁気記録再生を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の一例を表す概略断面図
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の他の一例を表す概略断面図
【図３】本発明の垂直磁気記録媒体のさらに他の一例を表す概略断面図
【図４】本発明にかかる磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図
【符号の説明】
１…基板、２…軟磁性層、３…配向制御層、４…粒径制御層、５…下地層、６…垂直磁気記録層、７…保護層、８…面内硬磁性層用下地層、９…面内硬磁性層、１０…面内硬磁性層用シード層、１１…弱磁性層、１００，１２１，２００，３００…垂直磁気記録媒体、１２２…スピンドル、１２３…スライダー、１２４…サスペンション、１２５…アーム、１２６…ボイスコイルモータ、１２７…固定軸、１２８…蓋体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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