(57)【要約】【課題】高価なパラジウムを使用することなく耐半田喰われ性（半田耐熱性）に優れ、良好な導電性を有する導体膜を形成し得る、銀粉末を主体とする導体ペースト及びその製造方法を提供すること。【解決手段】上記導体ペーストは、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種の球状銀粉末と、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種のフレーク状銀粉末とが混合されて成る銀粉末を主体とする導電性粉末を有機媒質中に分散させることによって製造することができる。好ましくは、平均粒径０．１〜０．８μｍの球状銀粉末及び平均粒径１．０〜２．０μｍの球状銀粉末が用いられ、平均粒径５〜１５μｍのフレーク状銀粉末及び平均粒径１〜４μｍのフレーク状銀粉末が用いられる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀粉末を主体とする導体ペーストの製造方法であって、
相互に平均粒径が異なる少なくとも２種の球状銀粉末と、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種のフレーク状銀粉末とが混合されて成る導電性粉末を用意する工程と、
前記導電性粉末を有機媒質中に分散させる工程と、
を包含する製造方法。
【請求項２】
少なくとも平均粒径０．１〜０．８μｍの球状銀粉末及び平均粒径１．０〜２．０μｍの球状銀粉末が用いられる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
少なくとも平均粒径５〜１５μｍのフレーク状銀粉末が用いられる、請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
さらに平均粒径１〜４μｍのフレーク状銀粉末が用いられる、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記導電性粉末は、その全体を１００質量％として、
４０〜８０質量％の平均粒径０．１〜０．８μｍの球状銀粉末と、
３〜４０質量％の平均粒径１．０〜２．０μｍの球状銀粉末と、
３〜３０質量％の平均粒径１〜４μｍのフレーク状銀粉末と、
５〜４０質量％の平均粒径５〜１５μｍのフレーク状銀粉末と、
から実質的に構成される、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記導電性粉末の含有率は、ペースト全体の８５質量％以上となるように設定される、請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
球状銀粉末とフレーク状銀粉末とから実質的に構成される導電性粉末と、有機媒質とを含む導電ペーストであって、
その導電性粉末は、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種の球状銀粉末と、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種のフレーク状銀粉末とが混合されて形成されている、導電ペースト。
【請求項８】
前記導電性粉末を構成する球状銀粉末は、粒径０．１〜０．８μｍの範囲及び１．０〜２．０μｍの範囲にそれぞれ粒度分布のピークを有する、請求項７に記載の導体ペースト。
【請求項９】
前記導電性粉末を構成するフレーク状銀粉末は、粒径１〜４μｍの範囲及び５〜１５μｍの範囲にそれぞれ粒度分布のピークを有する、請求項７又は８に記載の導体ペースト。
【請求項１０】
前記導電性粉末の含有率がペースト全体の８５質量％以上である、請求項７〜９のいずれかに記載の導体ペースト。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック基板その他の基材に電極、回路等の膜状導体（以下「導体膜」という。）を形成する用途に用いられる導体ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック基板に電極を形成する導体ペーストとして典型的なものに、導電性粉末（金属粉末）として銀（Ａｇ）を主体に構成されたもの（以下「Ａｇペースト」と略称する場合がある。）が知られている（例えば特許文献１〜１６参照）。銀粉末は金（Ａｕ）粉末、白金（Ｐｔ）粉末等と比較して安価に入手できるものであり、さらに電気的抵抗度も低い。このため、Ａｇペーストはセラミック基板等の各種電子部品に電極その他の導体膜を形成する用途に広く使用されている。
【０００３】
Ａｇペーストに求められる性能の一つに、該ペーストから形成される導体膜の緻密性を向上させるとともに、所謂「半田喰われ（典型的には導体膜に含まれる銀の半田への溶解）」を防止することが挙げられる。顕著な半田喰われの発生は、導体膜から成る回路（電極）と各種素子との接合性を劣化させ、延いては断線その他の導通不良の原因ともなるため好ましくない。
かかる要求を満足させるべく、従来、半田喰われ防止能力、換言すれば半田耐熱性に優れるパラジウム（Ｐｄ）が添加されたことを特徴とするＡｇペーストが使用されている。例えば特許文献６や特許文献１１には、銀粉末を主体としつつ所定の割合でパラジウム粉末を含有する導体ペーストが記載されている。
【０００４】
しかしながら、パラジウムは銀に比べて高価であるため、パラジウムの含有量が多くなるほどコスト高になってしまう。そこで、パラジウムを使用せずに耐半田喰われ性（半田耐熱性）に優れるＡｇペーストの開発が望まれている。
なお、ペーストを塗布して形成された膜の焼成時の焼結収縮防止を向上させるために、球状の銀粉末とフレーク状の銀粉末とを併用した導体ペーストが知られている（例えば特許文献１７〜２２参照）。しかしながら、これら導体ペーストでも耐半田喰われ性（半田耐熱性）は充分ではなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１２８９０８号公報
【特許文献２】特開平５−１４４３１７号公報
【特許文献３】特開平５−２１９１９号公報
【特許文献４】特開平５−８９７１８号公報
【特許文献５】特開２００１−２６６６４１号公報
【特許文献６】特開２００１−４３７３３号公報
【特許文献７】特開平１１−１１１０５２号公報
【特許文献８】特開平１１−３０６８６２号公報
【特許文献９】特開平９−１７２３２号公報
【特許文献１０】特開平１０−３４０６２２号公報
【特許文献１１】特開平８−２９８０１８号公報
【特許文献１２】特開平７−１７６４４８号公報
【特許文献１３】特開平５−２２１６８６号公報
【特許文献１４】特開平６−２３５００６号公報
【特許文献１５】特開平５−１８２５１４号公報
【特許文献１６】特開平５−１５１８１８号公報
【特許文献１７】特開平７−３０２５１０号公報
【特許文献１８】特許第３０６３５４９号公報
【特許文献１９】特開平８−９７５２７号公報
【特許文献２０】特開平１１−６６９５６号公報
【特許文献２１】特開２００２−２９８６４９号公報
【特許文献２２】特開２００１−３３８８３０号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、Ａｇペーストに関する上記従来の課題を解決すべく創出されたものであり、その目的とするところは、高価なパラジウムを使用することなく耐半田喰われ性（半田耐熱性）に優れ、良好な導電性を有する導体膜を形成し得るＡｇペースト及びその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用および効果】本発明者は、導電性粉末として、粒径及び形態の異なる球状銀粉末及びフレーク状銀粉末を合計４種以上併用することによって、パラジウムを使用せずに耐半田喰われ性（半田耐熱性）に優れるＡｇペーストを製造し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明によって提供される銀粉末を主体とする導体ペーストの製造方法は、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種の球状銀粉末と、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種のフレーク状銀粉末とが混合されて成る導電性粉末を用意する工程と、上記導電性粉末を有機媒質中に分散させる工程とを包含する方法である。
【０００８】
また、本発明によって提供される導体ペーストは、球状銀粉末とフレーク状銀粉末とから実質的に構成される導電性粉末と、有機媒質とを含む導電ペースト（Ａｇペースト）であって、その導電性粉末は相互に平均粒径が異なる少なくとも２種の球状銀粉末と、相互に平均粒径が異なる少なくとも２種のフレーク状銀粉末とが混合されて形成されている。
本発明によると、上記４種以上の粒径及び形態の異なる銀粉末を併用することによって、セラミック基板等の基材上に半田喰われの少ない（従って導電性と成形性に優れた）緻密な導体膜（電極等）を形成し得るＡｇペーストを製造することができる。本発明の導体ペーストによれば、パラジウムを含有しなくても、顕著な半田喰われが生じない実用上充分なレベルの半田耐熱性を備えた導体膜を基材上に形成する（焼き付ける）ことができる。かかる導体膜は、良好な形状（外観及び緻密性）と導電性を有する。このため、本発明の導体ペーストを用いると、電極等の導体膜形成に係るコストを抑えつつ、良好な性能の導体膜（電極等）が形成された基板その他の電子部品を製造することができる。
【０００９】
好ましくは、上記導電性粉末を構成する球状銀粉末として、少なくとも平均粒径０．１〜０．８μｍの球状銀粉末及び平均粒径１．０〜２．０μｍの球状銀粉末が用いられる。これらの粉末を用いることによって、上記導電性粉末を構成する球状銀粉末であって、粒径０．１〜０．８μｍの範囲及び１．０〜２．０μｍの範囲にそれぞれ粒度分布のピークがある球状銀粉末を含むことを特徴とする導体ペースト（Ａｇペースト）を製造することができる。
このような組成（粒度分布）の球状銀粉末を含有する導体ペーストによると、特に半田喰われ防止効果を向上させることができる。
【００１０】
また、好ましくは、少なくとも平均粒径５〜１５μｍのフレーク状銀粉末が用いられる。さらに好ましくは、平均粒径１〜４μｍのフレーク状銀粉末が用いられる。これらの粉末を用いることによって、半田喰われ防止効果を向上させ得るとともに、優れた成形性を実現する導体ペースト（Ａｇペースト）を製造することができる。
【００１１】
特に好ましい方法では、使用する導電性粉末が、その全体を１００質量％として、４０〜８０質量％の平均粒径０．１〜０．８μｍの球状銀粉末と、３〜４０質量％の平均粒径１．０〜２．０μｍの球状銀粉末と、３〜３０質量％の平均粒径１〜４μｍのフレーク状銀粉末と、５〜４０質量％の平均粒径５〜１５μｍのフレーク状銀粉末とから実質的に構成されていることを特徴とする。このような組成の導電性粉末を使用することにより、特に耐半田喰われ性能に優れる導体ペースト（Ａｇペースト）を製造することができる。
【００１２】
好ましくは、本発明の製造方法において、上記導電性粉末の含有率はペースト全体の８５質量％以上となるように設定される。このような含有率で導電性粉末を含むＡｇペーストは、緻密性が向上して特に高温での耐半田喰われ性能の高い導体膜を形成するのに好適である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、いずれも従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書及び図面によって開示されている事項と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
【００１４】
本発明の導体ペーストは、銀粉末を主体とする導体ペースト（Ａｇペースト）であり、相互に粒径の異なる２種以上の球状銀粉末と、相互に粒径の異なる２種以上のフレーク状銀粉末とから構成され、上記目的を達成し得る限りにおいて他の副成分の内容や組成に特に制限はない。
本明細書において銀粉末とは、銀（Ａｇ）を主体とする粒子の集合体をいい、典型的にはＡｇ単体から成る粒子の集合体であるが、Ａｇ以外の不純物やＡｇ主体の合金を若干量含むものも、全体としてＡｇ主体の粒子の集合体である限り、ここでいう「銀粉末」に包含され得る。なお、銀粉末自体は、従来公知の製造方法によって製造されたものでよく、特別な製造手段を要求するものではない。例えば、周知の還元析出法、気相反応法、ガス還元法等によって製造された球状銀粉末及びフレーク状銀粉末を使用することができる。
また、本明細書において「銀粉末の平均粒径」は、当該粉末の粒度分布におけるＤ５０（メジアン径）をいう。かかるＤ５０は、例えばレーザー回折方式、光散乱方式等に基づく粒度分布測定装置によって容易に測定することができる。同様に、導電性粉末の粒度分布におけるピークの位置（典型的には含有率が際だって高い粒径範囲として把握される）を容易に同定することができる。
【００１５】
使用する球状銀粉末を構成する粒子は、いわゆる真球状のものに限られず、顕微鏡下で球と判断し得る程度であればよい。典型的には、当該粉末を構成する粒子（一次粒子）の７０質量％以上が球又はそれに類似する形状を有していることをいう。例えば銀粉末を構成する粒子の７０質量％以上がアスペクト比（即ち長径／短径比）１〜１．３であるものは本明細書における「球状銀粉末」に包含される典型例である。
球状銀粉末として相互に平均粒径が異なる少なくとも２種の粉末を混合する場合、特に限定するものではないが、平均粒径が０．１〜２．０μｍの範囲にあるものを使用することが好ましい。平均粒径０．１μｍ未満の球状粉末は凝集を起こし易く、ペーストに含まれる粉末の分散性を低下させる虞がある。一方、平均粒径が２．０μｍよりも大きすぎる球状粉末を使用し過ぎると、製造されたＡｇペーストから形成される導体膜の緻密性を低下させる虞があり好ましくない。
【００１６】
２種の球状銀粉末を混合する場合、平均粒径が概ね０．１〜０．８μｍの範囲にある球状銀粉末と、平均粒径が概ね１．０〜２．０μｍの範囲にある球状銀粉末とを少なくとも混合することが好ましい。
また、２種の球状銀粉末を混合する場合、一方の粉末の平均粒径が他方の粉末の平均粒径の概ね２〜５倍であることが好ましく、粒径の組み合わせにもよるが、３〜４倍であることが特に好ましい。例えば、一方の球状銀粉末の平均粒径が０．２〜０．７μｍ（特に０．３〜０．５μｍ）の範囲にある場合、他方の球状銀粉末の平均粒径は１．０〜２．０μｍ（特に１．２〜１．５μｍ）の範囲にあることが好ましい。このような平均粒径の球状銀粉末を組み合わせることによって、緻密な導体膜を形成し得るＡｇペースト（典型的には、粒度分布曲線において、混合した球状銀粉末の各平均粒径に対応した位置にそれぞれピークを有することで特徴付けられる。）を製造することができる。
なお、球状銀粉末は上述した２種に限定されず、相互に平均粒径の異なる３種又はそれ以上を用いることもできる。この場合にも平均粒径の範囲が０．１〜２．０μｍの範囲にある球状銀粉末を採用することが好ましい。
【００１７】
一方、使用するフレーク状銀粉末は、それを構成する粒子の過半数が顕微鏡下で薄片状と認められるものであればよく、典型的には、当該粉末を構成する粒子（一次粒子）の７０質量％以上がフレーク（薄片）又はそれに類似する形状を有していることをいう。例えば銀粉末を構成する粒子の７０質量％以上がアスペクト比（長径／短径比）１．５以上（例えば１．５〜２０）であるものは本明細書における「フレーク状銀粉末」に包含される典型例である。
【００１８】
使用するフレーク状銀粉末の平均厚さは０．１〜１．５μｍであることが望ましく、０．１〜１．０μｍであることがより好ましい。また、平均粒径が１〜２０μｍの範囲にあるものの使用が好ましい。平均粒径が上記範囲よりも大きすぎるものの使用は、導体膜の成形性が損なわれる虞があり好ましくない。また、平均粒径が上記範囲よりも小さすぎるものの使用は、フレーク状銀粉末を添加する効果が薄らぐため好ましくない。
【００１９】
フレーク状銀粉末として相互に平均粒径（典型的には長径における平均粒径をいう。以下同じ。）が異なる少なくとも２種の粉末を混合する場合、特に限定するものではないが、そのうちの一つは平均粒径が概ね５〜１５μｍの範囲にあるものの使用が好ましく、平均粒径が５〜１０μｍ（例えば６〜８μｍ）の範囲にあるフレーク状銀粉末の使用が特に好ましい。平均粒径５μｍ以上の比較的大きなフレーク状銀粉末を用いることによって、従来のＡｇペーストに比べて耐半田喰われ性能が向上したＡｇペーストを作成することができる。また、成形性及び導電性に優れた導体膜を形成することができる。
また、上記平均粒径が５〜１５μｍ（好ましくは５〜１０μｍ、特には６〜９μｍ）の範囲にあるフレーク状銀粉末とともに、平均粒径が１〜４μｍ（特に２〜３μｍ）の範囲にあるフレーク状銀粉末を使用することが好ましい。これら平均粒径（Ｄ５０）の異なる（換言すれば粒度分布の異なる）２種のフレーク状銀粉末を上述した２種又はそれ以上の球状銀粉末と組み合わせて用いることにより、緻密性及び耐半田喰われ性がより向上し、成形性に優れる導体膜を形成し得るＡｇペーストを製造することができる。なお、フレーク状銀粉末は上記２種に限定されず、平均粒径の異なる３種以上を用いることもできる。この場合にも平均粒径が１〜２０μｍの範囲にあるフレーク状銀粉末を採用することが好ましい。
【００２０】
また、２種のフレーク状銀粉末を混合する場合、一方の粉末の平均粒径が他方の粉末の平均粒径の概ね２〜５倍であることが好ましく、粒径の組み合わせにもよるが、３〜４倍であることが特に好ましい。例えば、一方のフレーク状銀粉末の平均粒径が１〜４μｍ（特に２〜３μｍ）である場合、他方のフレーク状銀粉末の平均粒径は５〜１５μｍ（特に８〜１２μｍ）であることが好ましい。このような平均粒径のフレーク状銀粉末を組み合わせることによって、緻密な導体膜を形成し得るＡｇペースト（典型的には、粒度分布曲線において、混合したフレーク状銀粉末の各平均粒径に対応した位置にそれぞれピークを有することで特徴付けられる。）を製造することができる。
【００２１】
導電性粉末を構成する球状銀粉末、フレーク状銀粉末の配合割合は、製造した導体ペーストをどのような用途に用いるか或いはどのような形状の導体膜を形成するか等に応じて適宜変更し得るものであり特に限定されない。例えば積層型セラミック基板における端子電極（側面電極）を形成する場合には、半田喰われを防止して所定の電極厚みや所望する導電性を確保すべく、好ましくは、導電性粉末の全量を１００質量％として、平均粒径０．１〜０．８μｍの球状銀粉末４０〜８０質量％、平均粒径１．０〜２．０μｍの球状銀粉末３〜４０質量％、平均粒径１〜４μｍのフレーク状銀粉末３〜３０質量％及び平均粒径５〜１５μｍのフレーク状銀粉末５〜４０質量％、となるように各粉末を混合するとよい。さらに好ましくは、導電性粉末の全量を１００質量％として、平均粒径０．１〜０．８μｍの球状銀粉末５０〜７０質量％、平均粒径１．０〜２．０μｍの球状銀粉末１０〜２０質量％、平均粒径１〜４μｍのフレーク状銀粉末５〜２０質量％及び平均粒径５〜１５μｍのフレーク状銀粉末１０〜２５質量％、となるように各粉末を混合する。このような組成の導電性粉末を含むＡｇペースト（例えば端子電極形成用Ａｇペースト）によれば、緻密性が高く半田喰われの生じ難い、導電性と成形性に優れた導体膜（例えば端子電極）を形成することができる。
【００２２】
本発明の実施に際し、導電性粉末（各種銀粉末の混合体）の含有量は特に制限されないが、ペースト全体を１００質量％として、その８５質量％以上（特に８６質量％以上、更には８７質量％以上、例えば８５〜９５質量％あるいは８６〜９３質量％あるいは８７〜９０質量％）が導電性粉末となるように含有率を調整することが好ましい。製造されたＡｇペースト中の導電性粉末含有量が上記のような場合には緻密性がより向上し、特に高温条件下における耐半田喰われ性能がより向上した導体膜を形成することができる。
【００２３】
次に、本発明の導体ペースト（Ａｇペースト）を製造する場合に使用する導電性粉末以外の材料について説明する。
【００２４】
本発明のＡｇペーストの副成分として、導電性粉末を分散させておく有機媒質（ビヒクル）が挙げられる。かかるビヒクルは、導電性粉末を良好に分散させ得るものであればよく、従来の導体ペーストに用いられているものを特に制限なく使用することができる。例えば、ミネラルスピリット等の石油系炭化水素（特に脂肪族炭化水素）、エチルセルロース等のセルロース系高分子、エチレングリコール及びジエチレングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ブチルカルビトール（ＢＣ）、ターピネオール等の高沸点有機溶媒を一種類又は複数種組み合わせて使用することができる。特に限定しないが、ビヒクルの含有量はペースト全体のほぼ１〜１５質量％となる量が適当であり、ペースト全体の５〜１０質量％となる量が好ましい。
【００２５】
また、Ａｇペースト本来の導電性や本発明の効果、即ち耐半田喰われ性等を著しく損なわない限りにおいて種々の無機添加剤を副成分として含ませることができる。例えば、かかる無機添加剤としては、ガラスフリット、その他種々のフィラー等が挙げられる。そのようなガラスフリットとして、鉛系、亜鉛系、ホウケイ酸系ガラス、及び酸化ビスマス等、又はこれら２種以上の組み合わせが挙げられ、特に酸化ビスマスが好適である。
【００２６】
上述したような無機添加剤は、基板上に付着したペースト成分を安定的に焼き付き・固着させること（即ち接着強度の向上）に寄与する無機成分（無機結合材）となり得る。また、使用する無機添加剤（ガラスフリット等）としては、その比表面積が概ね０．５〜５０ｍ２／ｇであるものが好ましく、平均粒径が２μｍ以下（特に１μｍ程度又はそれ以下）のものが良好な導電性を損なわないため特に好適である。
【００２７】
無機添加剤としてガラスフリットや酸化ビスマス等の酸化物を加える場合には、それらの含有率がＡｇペースト全体のほぼ０．０１〜５質量％となる量が適当であり、０．０５〜５質量％、特に０．１〜１．０質量％となる量が好ましい。かかる低率の添加量によると、Ａｇペーストの良好な導電率を実質的に損なうことなく、Ａｇペーストから得られる焼成物（電極等の導体）の基材に対する接着強度の向上を実現することができる。
【００２８】
また、ペーストには、有機バインダーとして種々の樹脂成分を含ませることができる。本発明の実施にあたっては、かかる樹脂成分はＡｇペーストに良好な粘性及び塗膜（基材に対する付着膜）形成能を付与し得るものであればよく、従来の導体ペーストに用いられているものを特に制限なく使用することができる。例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、セルロース系高分子、ポリビニルアルコール、ロジン樹脂等を主体とするものが挙げられる。このうち、特にエチルセルロース等のセルロース系高分子、ロジン樹脂、アルキド樹脂又はこれらの２種以上の組み合わせが好ましい。特に限定しないが、樹脂成分の含有量はペースト全体のほぼ０．５〜５質量％となる量が適当である。
【００２９】
なお、上記の他にも本発明のＡｇペーストには、必要に応じて界面活性剤、消泡剤、可塑剤（例えばフタル酸ジオクチル（ＤＯＰ）等のフタル酸エステル）、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、重合禁止剤等を適宜添加することができる。これら添加剤は、従来の導体ペーストの調製に用いられ得るものであればよく、詳細な説明は省略する。また、Ａｇペーストに光硬化性（感光性）を付与したい場合には、種々の光重合性化合物及び光重合開始剤を適宜添加してもよい。
【００３０】
ここで開示されるＡｇペーストは、従来の導体ペーストと同様、典型的には導電性粉末（球状銀粉末及びフレーク状銀粉末）、有機媒質（ビヒクル）及びその他の添加物（必要に応じて添加すればよい。）を混合することによって容易に調製することができる。ここで、導電性粉末は、相互に平均粒径の異なる少なくとも２種の球状銀粉末と少なくとも２種のフレーク状銀粉末とを混合して有機媒質中に分散させる。例えば、三本ロールミルその他の混練機を用いて、所定の混合割合の導電性粉末及び各種の添加剤を有機媒質とともに所定の配合比で混合・撹拌するとよい。
【００３１】
得られたＡｇペーストは、基板上に配線、電極等の導体膜を形成するのに従来用いられてきた導体ペーストと同様に取り扱うことができ、従来公知の方法を特に制限なく採用することができる。典型的には、ディップ塗布法、スクリーン印刷法やディスペンサー塗布法等によって、所望する形状・厚みとなるようにしてＡｇペーストを基板に塗りつける。本発明のＡｇペーストは、ディップ塗布法に基づいて基板上に導体膜（例えば積層セラミック基板の側面電極）を形成する、所謂ディップタイプＡｇペーストとして特に好ましく使用することができる。
次いで、好ましくは乾燥後、加熱器中で適当な加熱条件で所定時間加熱することによって、その塗りつけられたペースト成分を焼成（焼き付け）し、硬化させる。この一連の処理を行うことによって、目的の導体膜（端子電極、配線等）が形成された電子部品（ＭＬＣＣ等）が得られる。而して、当該電子部品を組み立て材料として用いつつ従来公知の構築方法を適用することによってさらに高度な電子部品を得ることができる。なお、かかる構築方法自体は、特に本発明を特徴付けるものではないため、詳細な説明は省略する。
【００３２】
【実施例】以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。
【００３３】
＜材料＞
以下の実施例及び比較例において使用した各成分を以下に列挙する。
（１）銀粉末
▲１▼球状銀粉末１：平均粒径（Ｄ５０）０．４μｍ
▲２▼球状銀粉末２：平均粒径（Ｄ５０）０．７μｍ
▲３▼球状銀粉末３：平均粒径（Ｄ５０）１．２μｍ
▲４▼フレーク状銀粉末１：平均粒径（Ｄ５０）２〜３μｍ
▲５▼フレーク状銀粉末２：平均粒径（Ｄ５０）５〜１０μｍ
（２）樹脂成分
▲１▼エチルセルロース
▲２▼ロジン系樹脂
（３）溶剤成分
▲１▼石油系溶剤（ミネラルスピリット）
▲２▼ＢＣ
▲３▼ターピネオール
（４）無機添加剤
▲１▼酸化ビスマス粉末（平均粒径：１〜５μｍ）
（５）添加剤
▲１▼可塑剤（ＤＯＰ）
【００３４】
＜実施例１：Ａｇペーストの調製（１）＞
５６部の球状銀粉末１と、１５部の球状銀粉末３と、９部のフレーク状銀粉末１と、２０部のフレーク状銀粉末２とを混合した。
次いで、得られた導電性粉末８６部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには４．５部の石油系溶剤、４．０部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本実施例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８６質量％）を調製した。
【００３５】
＜実施例２：Ａｇペーストの調製（２）＞
実施例１で得られた導電性粉末８０部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには７．５部の石油系溶剤、７．０部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本実施例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８０質量％）を調製した。
【００３６】
＜実施例３：Ａｇペーストの調製（３）＞
実施例１で得られた導電性粉末８７部に、７．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには４．０部の石油系溶剤、３．５部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本実施例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８７質量％）を調製した。
【００３７】
＜実施例４：Ａｇペーストの調製（４）＞
６３部の球状銀粉末２と、１５部の球状銀粉末３と、９部のフレーク状銀粉末１と、１３部のフレーク状銀粉末２とを混合した。
次いで、得られた導電性粉末８７部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには４．０部の石油系溶剤、３．５部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本実施例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８７質量％）を調製した。
【００３８】
＜比較例１：パラジウム含有Ａｇペーストの調製＞
８５部の球状銀粉末１と、１５部の球状パラジウム粉末とを混合して導電性粉末（Ａｇ／Ｐｄ粉末）を得た。
次いで、得られたＡｇ／Ｐｄ粉末８０部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、１３．０部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、２．０部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本比較例に係るＡｇ／Ｐｄペースト（導電性粉末の含有率：８０質量％）を調製した。
【００３９】
＜比較例２：２種の銀粉末を用いたＡｇペーストの調製（１）＞
５０部の球状銀粉末２と、５０部のフレーク状銀粉末２とを混合した。
次いで、得られた導電性粉末８０部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには７．５部の石油系溶剤、７．０部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本比較例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８０質量％）を調製した。
【００４０】
＜比較例３：２種の銀粉末を用いたＡｇペーストの調製（２）＞
６６部の球状銀粉末１と、３４部のフレーク状銀粉末１とを混合した。
次いで、得られた導電性粉末８５部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには５．０部の石油系溶剤、４．５部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本比較例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８５質量％）を調製した。
【００４１】
＜比較例４：３種の銀粉末を用いたＡｇペーストの調製（１）＞
６７部の球状銀粉末１と、１８部のフレーク状銀粉末１と、１５部のフレーク状銀粉末２とを混合した。
次いで、得られた導電性粉末８５部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには５．０部の石油系溶剤、４．５部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本比較例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８５質量％）を調製した。
【００４２】
＜比較例５：３種の銀粉末を用いたＡｇペーストの調製（２）＞
６９部の球状銀粉末１と、１８部のフレーク状銀粉末１と、１３部のフレーク状銀粉末２とを混合した。
次いで、得られた導電性粉末８７部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには４．０部の石油系溶剤、３．５部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本比較例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８７質量％）を調製した。
【００４３】
＜比較例６：３種の銀粉末を用いたＡｇペーストの調製（３）＞
７０部の球状銀粉末１と、１５部の球状銀粉末２と、１５部のフレーク状銀粉末１とを混合した。
次いで、得られた導電性粉末８７部に、２．０部のエチルセルロース及び２．０部のロジン系樹脂、さらには４．０部の石油系溶剤、３．５部のＢＣ及び／又はターピネオールを加え、三本ロールミルを用いて混練した。さらに、０．５部の酸化ビスマス粉末及び１部の可塑剤を添加して混練した。これにより、本比較例に係るＡｇペースト（導電性粉末の含有率：８７質量％）を調製した。
【００４４】
＜端子電極の形成＞
次に、実施例３〜４に係る導体ペースト及び比較例２〜６に係る導体ペーストを用いて、それぞれ、積層型セラミック基板の表面（端面）に電極（端子電極）を形成した。すなわち、アルミナ製の積層セラミック基板（サイズ：５．０ｍｍ×５．０ｍｍ×０．８ｍｍ）の端面に、各実施例及び比較例の導体ペーストをディップ塗布し、所定の厚み（平均厚み：１０〜３０μｍ）の端子電極を形成した。
次に、この端子電極をセラミック基板ごと焼成した。すなわち、電気炉中で８５０℃で１時間の焼成処理を行った。この焼成処理によって、所定の膜厚の導体膜（電極）を積層セラミック基板の端面に焼き付けた。以下、単に導体膜というときは当該焼成後のものを指す。
【００４５】
＜半田耐熱性の評価（１）＞
実施例３〜４に係る導体ペースト及び比較例２〜６に係る導体ペーストを使用して得られた上記端子電極（導体膜）のそれぞれについて以下のようにして半田耐熱性試験を行った。
すなわち、各積層セラミック基板の導体膜部分にロジンフラックスを塗布した後、当該基板を所定温度の半田（ここではＳｎ／Ｐｂ＝６０／４０（質量比）を用いたが、所謂Ｐｂフリー半田を適用しても同様の効果が得られ得る。）に所定時間浸漬した。ここでは、かかる半田温度条件及び浸漬時間を２３０℃×１５秒、及び２６０℃×１５秒の２通りとした。而して、浸漬後に「半田喰われ」されなかった部分、即ち浸漬前と比較して浸漬後にセラミック基板上に残存している導体膜の面積比率で半田耐熱性を評価した。結果を表１に示す。
具体的には、導体膜の略９５％以上が残存しているものは優れた耐半田喰われ性能即ち半田耐熱性を示すものと判断して表中において◎で示した。また、導体膜の略９０％以上９５％未満が残存しているものは良好な半田耐熱性を示すものと判断して表中において○で示した。また、導体膜の残存している部分が浸漬前の略７０％以上９０％未満のものは半田耐熱性がやや劣っているものと判断して表中において△で示した。また、導体膜の残存している部分が浸漬前の７０％未満のものは半田耐熱性を有していないものと判断して表中において×で示した。表１から明らかなように、各実施例の導体ペーストを使用して形成した導体膜は、各比較例の導体ペーストを使用して形成した導体膜よりも高い半田耐熱性を有していた。
【００４６】
【表１】
2004362950.tif 000003
【００４７】
＜半田耐熱性の評価（２）＞
実施例１〜２及び比較例１の導体ペーストを用いて、それぞれ、アルミナ製セラミック基材（厚み約０．８ｍｍ）の表面に概ね５ｍｍ×５ｍｍの導体膜を形成した。すなわち、一般的なディップ塗布法に基づいてセラミック基板の表面に導体ペーストを塗布し、所定の膜厚（１０〜３０μｍ）の塗膜を形成した。
続いて、遠赤外線乾燥機を用いて１００℃で１５分間の乾燥処理を施した。この乾燥処理により、上記塗膜から溶剤が揮発していき、セラミック基板上に未焼成の導体膜が形成された。
次に、この導体膜をセラミック基板ごと焼成した。すなわち、電気炉中で８５０℃で１時間の焼成処理を行った。この焼成処理によって、所定の膜厚の導体膜をセラミック基板上に焼き付けた。
【００４８】
次に、実施例３〜４及び比較例２〜６の導体ペーストを用いた場合と同様の半田耐熱性試験を行った。その結果として、半田浸漬後のセラミック基板の表面写真を図１に示す。
これら表面写真から明らかなように、実施例１の導体ペーストから形成された導体膜は、いずれの条件でもいわゆる「半田喰われ」が実質的に生じなかった。また、実施例２の導体ペーストから形成された導体膜も、２３０℃の条件では半田喰われが実質的に生じておらず、２６０℃の条件でも半田喰われの程度は僅かであった。他方、比較例１の導体ペースト（Ａｇ／Ｐｄペースト）から形成された導体膜は、２３０℃の条件で半田喰われが生じており、２６０℃の条件では半田喰われが顕著であった。以上の結果から、導電性粉末の含有率が８５質量％以上（実施例１の導体ペーストでは８６質量％）の導体ペーストから形成された導体膜は特に高い半田耐熱性を有していることが確かめられた。
【００４９】
＜乾燥外観の評価＞
実施例３〜４及び比較例２〜６に係る導体ペーストを使用して得られた端子電極の半田浸漬後の乾燥外観を目視にて評価した。すなわち、２３０℃で１５秒間の半田浸漬処理を行ったものについて、乾燥後の端子電極の外観が全体に亘って均質な穹窿形状に形成されているものを優良（表１中◎にて示す）とし、略均質な穹窿形状と認められるものを良好（表１中○にて示す）とし、表面の一部に角状突起が形成されていたり穹窿形状の一部が崩れているものを不良（表１中×にて示す）として評価した。結果を表１の該当欄に示す。
表１から明らかなように、比較例２〜６の導体ペーストにより得られた端子電極は、半田浸漬後の外観が悪化しており、半田耐熱性の低さを裏付ける結果となった。これに対して、実施例３及び４の導体ペーストから得られた端子電極は、上述した半田耐熱性と同様、良好な乾燥外観を保持していることが確認された。特に、実施例３の導体ペーストにより得られた端子電極は、半田耐熱性及び乾燥外観のいずれも優良であった。
【００５０】
以上の実施例において、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１、２及び比較例１に係る導体ペーストを使用してセラミック基板上にそれぞれ形成した導体膜の半田浸漬処理後の状態を示す写真である。
【図１】
2004362950.tif 000004