(57)【要約】【課題】半導体ウエハ上に形成した半導体素子を効率的に切り分けることのできる切断方法及び切断装置を提供する。【解決手段】複数の半導体素子１６１，１６１‥が形成された半導体ウエハ１６を、その半導体ウエハ１６のスクライブライン１６２に沿ってブレード１２で切削して切断する切断方法であって、切断する半導体ウエハ１６を没入液Ｗ１中に没入させると共に、ブレード１２の表面に冷却液Ｗ２を供給してそのブレード１２を冷却しつつ、上記半導体ウエハ１６のスクライブライン１６２のうちブレード１２が切削している部分に、ブレード１２の切削の進行方向Ｄ又はその反対方向に沿って洗浄液Ｗ３を供給しながら切削して切断を行なう。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを、その半導体ウエハのスクライブラインに沿ってブレードで切削して切断する切断方法であって、
切断する半導体ウエハを液体中に没入させると共に、ブレードの表面に冷却液を供給してそのブレードを冷却しつつ、上記半導体ウエハのスクライブラインのうちブレードが切削している部分に、そのブレードの切削の進行方向又はその反対方向に沿って洗浄液を供給しながら切削して切断を行なうことを特徴とする半導体ウエハの切断方法。
【請求項２】
複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを、その半導体ウエハのスクライブラインに沿って切断する半導体ウエハの切断装置であって、
半導体ウエハを没入させる液体を収容する液槽と、
上記液槽内に収容した液体中に半導体ウエハの全体が没入するよう、当該半導体ウエハを保持する保持手段と、
半導体ウエハをそのスクライブラインに沿って切削して切断するブレードと、
上記ブレードの表面に冷却液を供給して、当該ブレードを冷却する冷却液供給手段と、
上記半導体ウエハのスクライブラインのうち上記ブレードが切削している部分に、上記ブレードの切削の進行方向又はその反対方向に沿わせて、洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えてなることを特徴とする半導体ウエハの切断装置。
【請求項３】
上記洗浄液供給手段による洗浄液の供給方向に沿う方向に、上記液槽の端部から上記液槽内に、上記半導体ウエハを没入させる液体を供給する没入液供給手段をも備えることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウエハの切断装置。
【請求項４】
上記液槽は、底部とその底部に立設された周壁とを有して縦断面略凹形状であると共に、その周壁の上部の少なくとも一部が傾斜状に形成され、液槽の内側から外側に向かって、その開口幅が漸次拡大することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体ウエハの切断装置。
【請求項５】
上記液槽は、底部とその底部に立設した周壁とを有すると共に、その周壁の一部に、その周壁の厚み方向の全長を貫通する排出流路を有してなることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の半導体ウエハの切断装置。
【請求項６】
上記保持手段は、上記半導体ウエハを上記排出流路より高い位置に保持することを特徴とする請求項５に記載の半導体ウエハの切断装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ上に形成した半導体素子を切り出すときに用いる半導体ウエハの切断方法及びその切断装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、家電製品等の民生機器や娯楽商品など様々な分野の電子機器には、半導体素子を搭載させてその動作を制御させている。この半導体素子には、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の固体撮像素子がある。このような半導体素子は、通常生産性を高めるため、シリコンからなる半導体ウエハ上に、格子状に複数個形成するようにしている。そのため、個々の半導体素子を機器に搭載する際には、その半導体ウエハから切り出すことが必要となる。このような半導体ウエハから半導体素子を切り出す際には、例えば図５に示すような切断装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この切断装置は、半導体ウエハ１６をセットする凹所９１と、半導体ウエハ１６を切削して切断するブレード１２と、このブレード１２の刃先に向かって冷却液Ｗ２を噴射してブレード１２を冷却する冷却液ノズル１７とを備え、凹所９１内に貯留した液体中に半導体ウエハ１６を沈めた後、冷却液ノズル１７からの冷却液Ｗ２でブレード１２を冷却しつつ、そのブレード１２で半導体ウエハ１６を切削して切断する。また、切削により生じたシリコンなどの切削屑は、凹所９１内に貯留した液体中を浮遊させて、半導体ウエハの表面に付着しないようにすると共に、オーバーフローとして凹所９１内から溢れ出る液体と一緒に凹所９１内から排出していた。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−１１１６４７号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の切断装置では、冷却液ノズル１７の噴射する冷却液Ｗ２は、ブレード１２に接触してそのブレード１２を冷却することはできるものの、ブレード１２との接触により、その噴射の勢いを失ってしまい、接触後に凹所９１内に貯溜される際には、略静止状態となってしまうため、ブレード１２の切削により生じた切削屑を浮遊させることはできても、その切削屑を半導体ウエハ１６上から洗い流して除去することは困難であった。そのため、切削により生じた切削屑は、切削の間、半導体ウエハ１６上に浮遊してしまうことがあった。このように、切削屑が、ブレード１２の切削しようとする部分に浮遊していると、ブレード１２の切削の際に、その切削屑を巻き込んだ状態で切削を行なってしまい、精度よく切削するときに障害となるなど、半導体素子の切り出しを効率的に行えなくさせることがあった。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導体ウエハ上に形成した半導体素子を効率的に切り出すことのできる切断方法及び切断装置に関する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る半導体ウエハの切断方法は、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを、その半導体ウエハのスクライブラインに沿ってブレードで切削して切断する切断方法であって、切断する半導体ウエハを液体中に没入させると共に、ブレードの表面に冷却液を供給してそのブレードを冷却しつつ、上記半導体ウエハのスクライブラインのうちブレードが切削している部分に、そのブレードの切削の進行方向又はその反対方向に沿って洗浄液を供給しながら切削して切断を行なうことを特徴とする。
【０００８】
本発明の請求項２に係る半導体ウエハの切断装置は、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを、その半導体ウエハのスクライブラインに沿って切断する半導体ウエハの切断装置であって、半導体ウエハを没入させる液体を収容する液槽と、上記液槽内に収容した液体中に半導体ウエハの全体が没入するよう、当該半導体ウエハを保持する保持手段と、半導体ウエハをそのスクライブラインに沿って切削して切断するブレードと、上記ブレードの表面に冷却液を供給して、当該ブレードを冷却する冷却液供給手段と、上記半導体ウエハのスクライブラインのうち上記ブレードが切削している部分に、上記ブレードの切削の進行方向又はその反対方向に沿わせて、洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えてなることを特徴とする。
【０００９】
請求項３の発明では、請求項２の発明において、上記洗浄液供給手段による洗浄液の供給方向に沿う方向に、上記液槽の端部から上記液槽内に、上記半導体ウエハを没入させる液体を供給する没入液供給手段をも備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項４の発明では、請求項２又は請求項３の発明において、上記液槽は、底部とその底部に立設された周壁とを有して縦断面略凹形状であると共に、その周壁の上部の少なくとも一部が傾斜状に形成され、液槽の内側から外側に向かって、その開口幅が漸次拡大することを特徴とする。
【００１１】
請求項５の発明では、請求項２乃至請求項４のいずれかの発明において、上記液槽は、底部とその底部に立設した周壁とを有すると共に、その周壁の一部に、その周壁の厚み方向の全長を貫通する排出流路を有してなることを特徴とする。
【００１２】
請求項６の発明では、請求項５の発明において、上記保持手段は、上記半導体ウエハを上記排出流路より高い位置に保持することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の半導体ウエハの切断方法及び切断装置の一実施の形態における概略図であり、１６は半導体ウエハ、１１は半導体ウエハ１６を載置するテーブル、１２は半導体ウエハ１６を切断するブレード、１３はドーナツ形状のフレーム、１４は筒体、１５はダイシングテープ、１７は冷却液ノズル、Ｗ２は冷却液ノズルの供給する冷却液、１８は洗浄液ノズル、Ｗ３は洗浄液ノズルの供給する洗浄液、１９は没入液ノズル、Ｗ１は没入液ノズルの供給する没入液、１６１は半導体素子、１６２はスクライブライン、Ｄはブレード１２の切削の進行方向、Ｒはブレード１２の回転方向、をそれぞれ示している。なお、図１（ａ）は切断装置の上面を示す上面概略図、図１（ｂ）は切断装置の正断面を示す正断面概略図、図１（ｃ）は切断装置の側断面を示す側断面概略図である。
【００１４】
冷却液供給手段としての冷却液ノズル１７は、ブレード１２の厚み方向からブレード１２の表面に、そのブレード１２の温度よりも低い温度の冷却液Ｗ２を噴射して供給する。この冷却液Ｗ２は、ブレード１２の表面に接触して、このブレード１２と熱交換することにより、ブレード１２の熱を奪って冷却する。冷却後は、液槽内の没入液Ｗ１と混ざり、半導体ウエハ１６を没入させる液体となる。また、このブレード１２は、ブレード１２の支持体（図示せず）と一体に設けている。このようにすることで、ブレード１２がスクライブライン１６２に沿って切削を行なうときに、冷却液ノズル１７がブレード１２と一体となって移動できるので、冷却液Ｗ２をブレード１２に安定して供給し、冷却することが可能となる。なお、ブレード１２が半導体ウエハ１６を切削するときには、そのブレード１２の少なくとも一部が没入液Ｗ１中に浸ることになるが、このとき冷却液ノズル１７も没入液Ｗ１に浸っていると、供給する冷却液Ｗ２が没入液Ｗ１中で拡散されてしまい、ブレード１２の冷却効率が低下することがある。そこで、より冷却効率を向上させるためには、冷却液ノズル１７からの冷却液Ｗ２を、ブレード１２の表面のうち、没入液Ｗ１に浸っていない部分に供給するようにすることがより好ましい。また、冷却液Ｗ２は、ブレード１２に対する温度差が大きいほどブレード１２をより効率的に冷却することができるので、ブレード１２の温度に対して、十分に低い温度のものを供給することが好ましい。
【００１５】
洗浄液供給手段としての洗浄液ノズル１８は、ブレード１２が切削している部分に、そのブレード１２の切削の進行方向Ｄに沿う方向に、洗浄液Ｗ３を供給するように設けている。この洗浄液ノズル１８も、冷却液ノズル１７と同じくブレード１２の支持体（図示せず）に一体に設けるようにしている。このようにすることで、洗浄液ノズル１８からの洗浄液Ｗ３を、ブレード１２の切削部分に安定して供給することができ、切削により生じた切削屑を、迅速に切削部分から除去することが可能となり、切削部分を常時クリーンな状態に保つことが可能となる。また、この洗浄液Ｗ３は、ブレード１２の切削部分に供給するので、冷却液Ｗ２とあわせてブレード１２を冷却する作用も奏する。なお、洗浄液Ｗ３の供給方向は、ブレード１２の切削の進行方向Ｄと反対方向であってもよい。また、この洗浄液Ｗ３は、切削部分に噴射された後は、液槽内に貯溜されて、半導体ウエハ１６を没入させる液体となり、半導体ウエハ１６やブレード１２を冷却するので、この洗浄液Ｗ３の温度も、冷却液Ｗ２と同様に、ブレード１２の温度に対し十分に低い温度のものを供給することが好ましい。
【００１６】
没入液供給手段としての没入液ノズル１９，１９‥は、液槽の端部に複数並設してあり、この複数の没入液ノズル１９，１９‥から、洗浄液Ｗ３の供給方向、すなわち、ブレード１２の切削の進行方向Ｄに沿う方向に、没入液Ｗ１を供給するように設けている。この没入液ノズル１９の供給する没入液Ｗ１により、液槽内には、ブレード１２の進行方向Ｄに沿った液体の流れが生じ、ブレード１２の切削により生じた切削屑を液槽の一端側に集めることが可能となり、洗浄液ノズル１８からの洗浄液Ｗ３の供給とあわせてより効率的に切削屑を、半導体ウエハ１６上から除去することができると共に、除去した切削屑を再び半導体ウエハ１６上に戻りにくくさせることが可能となる。また、この没入液Ｗ１中に半導体ウエハ１６の全体を没入させているので、冷却液ノズル１７からの冷却液Ｗ２や洗浄液ノズル１８からの洗浄液Ｗ３が、半導体ウエハ１６に衝突した場合にも、その冷却液Ｗ２や洗浄液Ｗ３は、没入液Ｗ１により拡散されてその勢いが低減するので、半導体素子１６１に過負荷を与えにくくなる。さらに、液槽内に収容しきれなくなった没入液Ｗ１は、オーバーフローとして液槽内から溢れ出るので、この溢れ出る没入液Ｗ１と一緒に切削屑も液槽内から排出することができる。なお、この没入液Ｗ１の温度も、冷却液Ｗ２や洗浄液Ｗ３と同様に、ブレード１２の温度に対し十分に低い温度のものを用いて、ブレード１２や半導体ウエハ１６をより効率的に冷却するようにすることが好ましい。また、ブレード１２による切削中は、この没入液ノズル１９から連続的に没入液Ｗ１を供給させるようにすれば、液槽内に安定して没入液Ｗ１を貯めておくことが可能となり、半導体ウエハ１６が没入液Ｗ１から露出してしまうことを防止できる。
【００１７】
液槽は、筒体１４及びリングフレーム１３及びダイシングテープ１５で構成しており、これら筒体１４及びリングフレーム１３及びダイシングテープ１５の囲む領域に半導体ウエハ１６を没入させる没入液Ｗ１を収容する。筒体１４は、軸方向の両端が開口した金属材料よりなる略筒形状のもので、液槽の周壁として用いている。また、半導体ウエハ１６をダイシングテープ１５に接着したときに、半導体ウエハ１６の全体が没入するように、半導体ウエハ１６の厚みに対して十分大きな軸方向の長さを有するものを用いている。ダイシングテープ１５は、その表面に接着性を有するテープであり、液槽の構成部材としてだけでなく、半導体ウエハ１６に接着し、その接着した半導体ウエハ１６を、没入液Ｗ１中に没入状態に保持する保持手段としても機能する。リングフレーム１３は、軸方向の両端が開口した金属材料よりなる略筒形状のもので、ダイシングテープ１５と共に、液槽の底部として用いている。これらのもので液槽を構成する際には、リングフレーム１３と筒体１４とを接合すると共に、リングフレーム１３とダイシングテープ１５とを接着させて構成している。また、リングフレーム１３は、テーブル１１にも固定しており、液槽及び半導体ウエハ１６を、テーブル１１に固定している。
【００１８】
ブレード１２は、略円板形状を有し、半導体ウエハ１６を切削する刃先の部分にはダイヤモンドコーティングが施してある。このブレード１２を、回転軸（図示せず）を中心にして、図１（ｃ）に示すように回転方向Ｒの向きに回転させ、半導体ウエハ１６のスクライブライン１６２を切削させる。
【００１９】
半導体ウエハ１６は、センサやアクチュエータなどの半導体素子１６１を複数行列状に有しており、その複数の半導体素子１６１，１６１‥間には、スクライブライン１６２をそれぞれ有している。切断する際には、ブレード１２によりこのスクライブライン１６２を切削することで、個々の半導体素子１６１に切り分けている。なお、図１（ａ）で示している半導体ウエハ１６は、略円板形状を有しているが、この形状に限定するものではなく、多角形の形状のものなど、いかなる形状の半導体ウエハ１６であってもよい。また、その厚みも特に限定するものではないが、例えば、４００μｍ程度の厚みの半導体ウエハ１６は、良好に切断することができる。
【００２０】
次に、本実施の形態において、半導体ウエハを切断する工程を以下に説明する。
【００２１】
まず、ダイシングテープ１５上に、半導体ウエハ１６を配置して接着保持させる。次に、半導体ウエハ１６をダイシングテープ１５上に保持させた状態で、没入液ノズル１９から没入液Ｗ１を液槽内に供給させる。供給した没入液Ｗ１で、半導体ウエハ１６の全体を浸すことができたら、ブレード１２による切削を開始する。なおこのとき、没入液Ｗ１が、液槽内から溢れ出るまで待ってから切削を開始するようにしてもよい。
【００２２】
次に、ブレード１２を、その下端がダイシングテープ１５より若干、例えば１０〜３０μｍ程度低い位置になるように調整すると共に、半導体ウエハ１６の端部に位置させる。次いで、ブレード１２を回転させると共に、冷却液ノズル１７からブレード１２の表面に向けて冷却液Ｗ２を噴射させ、ブレード１２を冷却する。さらに、洗浄液ノズル１８から洗浄液Ｗ３を、ブレード１２が切削しようとする部分に向かって噴射させる。また、没入液ノズル１９からは没入液Ｗ１を、液槽の端部から液槽内に供給させる。このとき、冷却液ノズル１７からの冷却液Ｗ２や、洗浄液ノズル１８からの洗浄液Ｗ３は、液槽内の没入液Ｗ１により拡散されるので、冷却液Ｗ２や洗浄液Ｗ３が半導体ウエハ１６上の半導体素子１６１に当たる際の衝撃は低減されている。
【００２３】
次に、回転させたブレード１２に対しテーブル１１をスクライブライン１６２に沿う方向に縦横に移動させて、ブレード１２でスクライブライン１６２を切削する。切削により生じたシリコン等の切削屑は、洗浄液ノズル１８からの洗浄液Ｗ３や没入液Ｗ１により、切削部分から流れ出ていく。また、没入液Ｗ１よりも比重の小さい屑は、オーバーフローとして液槽内から溢れ出る没入液Ｗ１と一緒に、液槽内から流れ出ていく。このような工程により、半導体ウエハ１６を切断することで、切削により生じた切削屑を効率的に除去することができ、半導体素子１６１を破損させずに安定して切り出すことが可能となる。
【００２４】
上記のように、ブレード１２を冷却する冷却液Ｗ２を噴射する冷却液ノズル１７と切削屑を除去する洗浄液Ｗ３を噴射する洗浄液ノズル１８と液槽内に没入液Ｗ１を供給する没入液ノズル１９とを備え、各ノズルから液を噴射させつつ、半導体ウエハ１６を没入液Ｗ１に没入させた状態で切削を行なうので、半導体ウエハ１６から半導体素子１６１を切り出す際に、切削屑を効率的に除去することができ、半導体素子１６１を破損させずに安定して切り出すことが可能となる。
【００２５】
なお、上記では、液槽内に収容した液体のうち、液槽内から排出される液体は、筒体１４を越えた分だけにしていたが、この液槽内からの液体の排出をより効率的に行ない、液槽内の屑をより効率的に排出するようにすることも好ましい。それは例えば、図２に示すように、液槽の底部方向から周壁の上端方向に向かって、その開口幅が漸次拡大するよう、筒体１４の上部壁面に傾斜壁面１４３を形成することで行なえばよい。このようにすれば、液槽内に浮遊する屑を、傾斜壁面１４３に沿わせて移動させ、液槽外に排出することが容易となる。なお、この傾斜壁面１４３を形成することに限定せず、液槽の底部方向から周壁の上端方向に向かって、その開口幅が漸次拡大するような形状に形成してあれば、どのようなものでもよい。
【００２６】
また、没入液Ｗ１より比重が大きく没入液Ｗ１中で沈下して、液槽底部に滞留するような屑についても、液槽内から効率的に排出できるよう、図３に示すように、筒体１４の一部に、その厚み方向の全長を貫通する排出流路１４１を形成することも好ましい。このような排出流路１４１を形成することで、液槽内にある屑をこの排出流路１４１を通して液槽内から効率的に排出することが可能となる。なお、この排出流路１４１は、筒体１４の下部、特にダイシングテープ１５の近傍に形成すると、さらに効率的に屑を排出でき、好ましい。
【００２７】
さらに、半導体ウエハ１６の表面上から洗い流したもので、液槽内の底部に沈下するような比重の大きな屑が、再び半導体ウエハ１６の表面上に付着しないよう、図４に示すように、ダイシングテープ１５を断面凸形状になるようにし、そのダイシングテープ１５の頂上部に半導体ウエハ１６を保持させることも好ましい。これは例えば、テーブル１１とダイシングテープ１５との間に板体２２を挟んだ状態で液槽を形成し、ダイシングテープ１５が断面凸形状になるようにしてもよく、また、ダイシングテープ１５の中央部の厚みを、その周辺部よりも厚く形成することで断面凸形状になるようにしてもよく、その他のいかなる方法で行なうようにしてもよい。このようにして、半導体ウエハ１６を液槽の底部から一段高い所に位置させることで、液槽の底部に沈下する屑が半導体ウエハ１６上に付着するのを防止することが可能となる。
【００２８】
また、液槽とは別に、没入液Ｗ１を流通させる流路を設け、この流路と液槽とで没入液Ｗ１を環状に循環させる、すなわち、液槽の一端と他端とを連通させる流路を別途設け、一端側から流れ出た没入液Ｗ１を流路内に流すと共に、その流路内の没入液Ｗ１を、液槽の他端側から再度液槽内に供給するように形成することも好ましい。さらに、この流路の途中に、水流ポンプ等の液体の流れを増加させる手段や、屑を回収するフィルタ等を設け、流路内を流れる没入液Ｗ１をより効率的に液槽内に還流させたり、没入液Ｗ１中に含まれる屑を回収して屑を含まないクリーンな没入液Ｗ１を環流させるようにすることも好ましい。
【００２９】
また、没入液Ｗ１、冷却液Ｗ２、洗浄液Ｗ３の液種は、特に限定するものではないが、例えば、不純物を含まない純水や、その純水に炭酸ガスを溶かして静電気を発生しにくくさせた液体等を用いることが好ましい。また、各液体の温度は、同じであっても異なっていてもどちらでもよいが、要はブレード１２を冷却できる温度であればよい。
【００３０】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこの実施の形態に限らず、種々の形態で実施することができる。
【００３１】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に記載の半導体ウエハの切断方法は、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを、その半導体ウエハのスクライブラインに沿ってブレードで切削して切断する切断方法であって、切断する半導体ウエハを液体中に没入させると共に、ブレードの表面に冷却液を供給してそのブレードを冷却しつつ、上記半導体ウエハのスクライブラインのうちブレードが切削している部分に、そのブレードの切削の進行方向又はその反対方向に沿って洗浄液を供給しながら切削して切断を行なうので、効率的に半導体素子を切り出すことが可能になるという効果を奏する。
【００３２】
本発明の請求項２に記載の半導体ウエハの切断装置は、複数の半導体素子が形成された半導体ウエハを、その半導体ウエハのスクライブラインに沿って切断する半導体ウエハの切断装置であって、半導体ウエハを没入させる液体を収容する液槽と、上記液槽内に収容した液体中に半導体ウエハの全体が没入するよう、当該半導体ウエハを保持する保持手段と、半導体ウエハをそのスクライブラインに沿って切削して切断するブレードと、上記ブレードの表面に冷却液を供給して、当該ブレードを冷却する冷却液供給手段と、上記半導体ウエハのスクライブラインのうち上記ブレードが切削している部分に、上記ブレードの切削の進行方向又はその反対方向に沿わせて、洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備えてなるので、半導体素子を効率的に切り出すことが可能になる、という効果を奏する。
【００３３】
本発明の請求項３に記載の半導体ウエハの切断装置は、上記洗浄液供給手段による洗浄液の供給方向に沿う方向に、上記液槽の端部から上記液槽内に、上記半導体ウエハを没入させる液体を供給する没入液供給手段をも備えるので、切削により生じた切削屑を効率的に除去することができ、より効率的に半導体素子を切り出すことが可能になる、という効果を奏する。
【００３４】
本発明の請求項４に記載の半導体ウエハの切断装置は、上記液槽は、底部とその底部に立設された周壁とを有して縦断面略凹形状であると共に、その周壁の上部の少なくとも一部が傾斜状に形成され、液槽の内側から外側に向かって、その開口幅が漸次拡大するので、液槽内の屑を効率的に液槽内から排出することが可能になる、という効果を奏する。
【００３５】
本発明の請求項５に記載の半導体ウエハの切断装置は、上記液槽は、底部とその底部に立設した周壁とを有すると共に、その周壁の一部に、その周壁の厚み方向の全長を貫通する排出流路を有してなるので、この排出流路を通して浴槽内の屑を効率的に浴槽内から排出することが可能になる、という効果を奏する。
【００３６】
本発明の請求項６に記載の半導体ウエハの切断装置は、上記保持手段は、上記半導体ウエハを上記排出流路より高い位置に保持するので、切削により生じた切削屑を半導体ウエハ上から効率的に除去することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体ウエハの切断方法及び切断装置に係る一実施の形態における切断装置の概略を示す図である。
【図２】上記半導体ウエハの切断方法及び切断装置において、周壁の形状を変更した切断装置の正断面概略図である。
【図３】上記半導体ウエハの切断方法及び切断装置において、さらに周壁の形状を変更した切断装置の正断面概略図である。
【図４】上記半導体ウエハの切断方法及び切断装置において、半導体ウエハをその周囲より一段高く保持した切断装置の正断面概略図である。
【図５】従来の半導体ウエハの切断装置の概略を示す図である。
【符号の説明】
１２                ブレード
１３                リングフレーム
１４                筒体
１５                ダイシングテープ
１６                半導体ウエハ
１７                冷却液ノズル
１８                洗浄液ノズル
１９                没入液ノズル
２２                板体
１４１              排出流路
１６１              半導体素子
１６２              スクライブライン
Ｗ１                没入液
Ｗ２                冷却液
Ｗ３                洗浄液
【図１】
2004259840.tif 000003
【図２】
2004259840.tif 000004
【図３】
2004259840.tif 000005
【図４】
2004259840.tif 000006
【図５】
2004259840.tif 000007