(57)【要約】【課題】段差（リセス）を極力抑え、歩留まり及び研磨処理効率を向上させ得るヘッドピース集合体の研磨方法を提供する。【解決手段】ヘッドピース集合体５２は、複数の磁気ヘッドピースＱ１１〜Ｑｎｍを一方向に整列してある。磁気ヘッドピースＱ１１〜Ｑｎｍのそれぞれは、ＧＭＲ素子１２１を用いた読み取り素子を含んでいる。砥粒Ｐを埋め込んだ回転定盤３に、ヘッドピース集合体５２の媒体対向面を接触させながら研磨する。ＧＭＲ素子１２１の読み取りトラック幅をＴＷとし、研磨用砥粒Ｐの平均砥粒径Ｒとしたとき、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たす。【選択図】      図１２
2004306146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドピース集合体を研磨する研磨方法であって、
前記ヘッドピース集合体は、複数の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整列してあり、
前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、磁気抵抗効果素子を用いた読み取り素子を含んでおり、前記読み取り素子は膜面に垂直な方向にセンス電流を流すタイプであり、
砥粒を埋め込んだ定盤に、前記ヘッドピース集合体の媒体対向面を接触させながら研磨する工程を含み、前記読み取り素子の読み取りトラック幅をＴＷとし、研磨用砥粒の平均砥粒径Ｒとしたとき、
（ＴＷ／Ｒ）＞１
を満たす
ヘッドピース集合体の研磨方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたヘッドピース集合体の研磨方法であって、Ｒ≧０．０８μｍを満たすヘッドピース集合体の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘッドピース集合体の研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッドの製造に当たっては、セラミック構造体でなるウエハー上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を格子状に配列して形成した後、ウエハーからバー状のヘッドピース集合体を取り出し、取り出されたヘッドピース集合体を、接着剤等を用いてジグに接着し、媒体対向面を、所望のヘッド特性が得られるように研磨する。研磨に当たっては、砥粒を埋め込んだ定盤に、ヘッドピース集合体の媒体対向面を接触させ、かつ、圧力をかけながら、媒体対向面の研磨処理を行う。研磨の後、媒体対向面に、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）等の保護膜形成工程、浮上特性調節のための幾何学的形状付与工程等を施し、これらの工程の終了後に薄膜磁気ヘッドの単品を取り出す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
薄膜磁気ヘッドでは、時代とともに急速に進展するハードディスク（ＨＤＤ）の高密度記録化に追従すべく、絶え間ない研究開発の努力がなされてきた。読取素子として用いられるＭＲ素子は、スピンバルブ膜を用いたＳＶ素子が現在の主流であるが、強磁性トンネル接合膜を用いたＴＭＲ素子やＳＶ素子を用い、膜面に垂直な方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  ａ  Ｐｌａｎｅ）タイプへと移行しつつある（例えば特許文献１、２）。
【０００４】
しかし、ＴＭＲ素子や、ＣＰＰタイプのＳＶ素子（以下ＣＰＰ−ＳＶ素子と称する）は、研磨に対して非常に敏感で、研磨加工時の加工条件によっては、特性が劣化し、歩留まりを著しく低下させてしまうということがわかった。その原因は明らかではないが、研磨によって素子を構成する膜の特性が変質してしまうこと、研磨加工時に不可避的に発生するスメアが、センス電流を供給する上下の電極間に残存し、電極間短絡を招いてしまうこと等が、特性劣化の原因ではないかと推測される。
【０００５】
特許文献３には、加工条件の１つとして、砥粒径０．１μｍ以下の砥粒を埋め込んだ定盤で、薄膜磁気ヘッドの浮上面の研磨を行うことにより、浮上面の粗さを低減し、浮上面のＭＲ素子の電気的ショートを防止する技術が開示されている。
【０００６】
しかし、砥粒径を小さくするだけでは、薄膜磁気ヘッドの歩留まり向上とは必ずしも結びつかないことがわかった。その原因の１つは、ＭＲ素子の研磨面となる媒体対向面に露出している端部が、異なる物質からなる極薄層を積層した構造となっていて、各物質の研磨速度が互いに大きく異なるため、砥粒径が小さくなると、過剰に研磨される部分が生じ、これによって段差（リセス）が生じ、それがマグネティックスペースを増やす原因となり、読み取り性能を劣化させ、歩留まりを低下させてしまうことにあると考えられる。
【０００７】
本発明の課題は、段差を極力抑え、歩留まり及び研磨処理効率を向上させ得るヘッドピース集合体の研磨方法を提供することである。
【０００８】
【特許文献１】
特開２００２−７４６２６号公報（図１〜図６）
【特許文献２】
特開２００１−６１２７号公報（６頁、９欄〜１０欄、図１）
【特許文献３】
特開平１０−２９６６２０号公報（請求項４など）
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題解決のため、本発明に係る研磨方法では、砥粒を埋め込んだ定盤に、ヘッドピース集合体の媒体対向面を接触させながら研磨するにあたり、読み取り素子の読み取りトラック幅をＴＷとし、研磨用砥粒の平均砥粒径Ｒとしたとき、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たす。ヘッドピース集合体は、複数の薄膜磁気ヘッド要素を一方向に整列してあり、前記薄膜磁気ヘッド要素のそれぞれは、磁気抵抗効果素子を用いた読み取り素子を含んでいる。前記読み取り素子は膜面に垂直な方向にセンス電流を流すタイプである。本発明において、読み取りトラック幅ＴＷとは、読み取り素子に含まれるフリー層のトラック方向の幅をいう。
【００１０】
上述のように、ヘッドピース集合体の研磨にあたり、読み取り素子の読み取りトラック幅ＴＷと、研磨用砥粒の平均砥粒径Ｒとの関係を、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たすように設定すると、読み取り素子として、ＴＭＲ素子や、ＣＰＰ−ＳＶ素子を用いた場合、素子がダメージを受けるのを回避し、歩留まりを向上させ得ることが分かった。
【００１１】
しかも、研磨条件は、トラック幅ＴＷと、研磨用砥粒の平均砥粒径Ｒとの相対比で決定されるものであって、砥粒径のみを小さくするものではないから、砥粒径を小さくしたときに発生するいわゆる「段差」を回避し、歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
平均砥粒径Ｒは、好ましくは、Ｒ≧０．０８μｍを満たすように設定する。平均砥粒径Ｒの上限値は、トラック幅ＴＷとの関係から定まる。Ｒ≧０．０８μｍの技術的意義は、段差を小さくしながら、研磨速度を維持し、工程の効率をあげることができる点にある。
【００１３】
本発明の他の目的、構成、及び、効果については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単なる例示に過ぎない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を示すフローチャート、図２乃至図６は本発明に係るヘッドピース集合体の研磨方法の各工程を示す図である。まず、図２に示すように、基体１の底面４０１と向き合う一面４０２上に多数（ｎ行ｍ列）の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍを格子状に配列したウエハー１を製造する。薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、通常、その形成領域が４角状となるように、ウエハー１上に形成される。
【００１５】
ウエハー１は、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ等のセラミック構造体で構成されていて、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁膜を介して、ウエハー１の１面側に形成されている。
【００１６】
次に、図１のウエハー切断では、図３に示すように、ウエハー１内の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍの形成領域の外側に生じる円弧部分（耳）を切断によって除去し、四角形状のウエハー１を得た後、この四角形状ウエハー１から、図４に示す単列のヘッドピース集合体Ｈを、切断加工によって取り出す。図４において、単列のヘッドピース集合体Ｈの側面４０３、４０４が切断面であり、たとえば、切断面４０４が媒体対向面となる。媒体対向面４０４には薄膜磁気ヘッド要素Ｑｎ１〜Ｑｎｍに備えられた電磁変換素子の書き込み端及び読み取り端が位置する。
【００１７】
図５は、図４に示したヘッドピース集合体Ｈの一部を拡大して示す図である。ヘッドピース集合体Ｈは、面４０２の側に、薄膜電磁変換素子Ｍ１１、Ｍ１２のための取り出し電極（Ｅ１１、Ｅ１２）、（Ｅ２１、Ｅ２２）が設けられている。取り出し電極（Ｅ１１、Ｅ１２）は、薄膜電磁変換素子Ｍ１１に含まれる書き込み素子及び読み取り素子のために備えられたものであり、取り出し電極（Ｅ２１、Ｅ２２）は薄膜電磁変換素子Ｍ１２に含まれる書き込み素子及び読み取り素子のために備えられたものである。
【００１８】
この後、ヘッドピース集合体Ｈに対して、浮上特性制御などの幾何学形状付与のためのエッチング加工（図１参照）が施される。図６は図５に示したヘッドピース集合体Ｈの媒体対向面４０４に対してエッチング加工を施し、幾何学的形状４０５を付与した後の状態を示している。
【００１９】
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、周知のように、ＩＣ製造テクノロジーと同様の、フォトリソグラフィを主体とした高精度パターン形成技術によって形成される。
【００２０】
図７は薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍに含まれる薄膜電磁変換素子部分の拡大部分断面図、図８は同じく図７の８−８線上における拡大断面図、図９は図８に示した薄膜電磁変換素子部分の一部拡大断面図である。図７〜図９は、表示の単なる都合から異なるスケールで示されている。
【００２１】
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、スライダ基体５と、電磁変換素子３、４とを含む。スライダ基体５は、例えば、アルティック（Ａｌ２Ｏ３−Ｔｉｃ）等のセラミック材料からなる。スライダ基体５の端面には絶縁膜５０１が設けられている。絶縁膜５０１は、例えぱ、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＯ２等の絶縁材料からなり、１〜５μｍの厚みである。
【００２２】
電磁変換素子３、４は、再生素子を構成するＭＲ素子３と、記録素子４とを含む。再生素子を構成するＭＲ素子３は、膜面に垂直に電流を流すＣＰＰ−ＳＶ素子またはＴＭＲ素子を含んでいる。ＴＭＲ素子は、本来、膜面に垂直にセンス電流を流すものである。
【００２３】
記録素子４は、例えば、誘導型磁気変換素子あり、書込用磁極端がＡＢＳに面している。記録素子４は、再生素子を構成するＭＲ素子３と近接して配置され、保護膜４９によって覆われている。
【００２４】
記録素子４は、下部磁極層４１と、上部磁極層４５と、記録ギャップ層４２と、薄膜コイル４３、４７とを含む。下部磁極層４１は上部シールド層４１として兼用されている。
【００２５】
下部磁極層４１は、上部シールドギャップ層４６の上に形成され、上部磁極層４５と磁気的に連結されている。記録ギャップ層４２は下部磁極層４１の磁極部分と、上部磁極層４５の磁極部分との間に設けられている。薄膜コイル４３、４７は下部磁極層４１及び上部磁極層４５の間のインナーギャップ間の絶縁膜４８内に、絶縁された状態で配設されている。
【００２６】
再生素子を構成するＭＲ素子３は、ＧＭＲ膜３０と、電極膜２５、２６と、下部シールド層２８と、下部シールドギャップ層２０１と、上部シールドギャップ層４６とを含む。図示実施例のＭＲ素子３は、更に、磁区制御膜２１、２２と、絶縁膜（２３１、２３２）、（２４１、２４２）とを含む。
【００２７】
下部シールド層２８は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなり、絶縁膜５０１の上に、スパッタリング法またはめっき法等によって、例えば約３μｍの厚みとなるように形成されている。
【００２８】
下部シールドギャップ層２０１は、下部シールド層２８の上に備えられている。下部シールドギャップ層２０１は、酸化アルミニウム等の絶縁材料よりなり、スパッタ等によって、例えば１０〜２００ｎｍの厚みに形成されている。
【００２９】
下部電極膜２５は、例えば、数十ｎｍの厚みをもって、下部シールドギャップ層２０１の上に形成されている。下部電極膜２５は、ＧＭＲ膜３０と隣接すべき部分が、突出しており、その突出部分の両側に生じる凹部は絶縁膜２０２によって埋められている。絶縁膜２０２の表面は下部電極膜２５の表面と同一平面を構成している。絶縁膜２０２は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＯ２等の絶縁材料からなる。
【００３０】
図７を参照すると、ＧＭＲ膜３０は、フリー層３０１を含む。図示実施例のＭＲ素子は、フリー層３０１に隣接する非磁性層３０２を有し、非磁性層３０２の上に、ピンド層３０３が隣接している。ピンド層３０３の上には反強磁性層３０４が設けられている。ピンド層３０３は、反強磁性層３０４との交換結合により、磁化方向が固定される。
【００３１】
フリー層３０１、非磁性層３０２、ピンド層３０３及び反強磁性層３０４の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリー層３０１及びピンド層３０３は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層３０４はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔなどによって構成される。
【００３２】
非磁性層３０２は、ＣＰＰ−ＳＶ素子の場合はＣｕ等を主成分とする導電性材料層で構成され、ＴＭＲ素子の場合は、酸化アルミニウム層などの酸化絶縁物で構成される。
【００３３】
上部電極膜２６は反強磁性層３０４に隣接し、下部電極膜２５はフリー層３０１に隣接している。
【００３４】
磁区制御膜２１、２２は、ＧＭＲ膜３０の幅方向の両側部に、絶縁膜（２３１、２３２）、（２４１、２４２）による間隔を隔てて配置されている。磁区制御膜２１、２２は、フリー層３０１の磁区を制御する。
【００３５】
絶縁膜（２３１、２３２）、（２４１、２４２）は、磁区制御膜２１、２２と、電極膜２５、２６及びＧＭＲ膜３０との間を埋めている。具体的には、絶縁膜（２３１、２３２）、（２４１、２４２）は、磁区制御膜２１、２２と電極膜２５、２６との間では、層状に配置され、磁区制御膜２１、２２とＧＭＲ膜３０との間では、両者間に生じる間隔を埋めるように形成されている。
【００３６】
上部電極膜２６は上部シールドギャップ層４６によって覆われている。上部シールドギャップ層４６は、酸化アルミニウム等の絶縁材料からなり、スパッタ等によって、例えば１０〜２００ｎｍの厚み（最小厚み）に形成されている。
【００３７】
上部シールド層４１は、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料よりなり、上部シールドギャップ層４６の上に、スパッタリング法またはめっき法等によって、例えぱ約３μｍの厚みとなるように形成されている。実施例では、上部シールド層４１は、記録素子４の下部磁性層として兼用されている。
【００３８】
上述した薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｎｍは、ＧＭＲ膜３０と、電極膜２５、２６とを含んでおり、電極膜２５、２６のそれぞれは、ＧＭＲ膜３０の両面に隣接している。したがって、図示のＭＲ素子３は、ＧＭＲ膜３０の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すタイプであり、ＣＰＰ−ＳＶ素子またはＴＭＲ素子が含まれる。
【００３９】
ＣＰＰ−ＳＶ素子またはＴＭＲ素子は、少なくとも１つのフリー層３０１を含んでおり、フリー層３０１に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制しなければならない。図示実施例のＭＲ素子は、磁区制御膜２１、２２を含んでおり、磁区制御膜２１、２２は、ＧＭＲ膜３０の幅方向の両側部に配置され、フリー層３０１の磁区を制御する。したがって、バルクハウゼンノイズを抑制することができる。
【００４０】
絶縁膜（２３１、２３２）、（２４１、２４２）は、磁区制御膜２１、２２と、電極膜２５、２６との間に層状に介在し、ＧＭＲ膜３０との間では、両者間に生じる間隔を埋めている。この構造によれば、電極膜２５、２６及びＧＭＲ膜３０から磁区制御膜２１、２２へのセンス電流の漏洩を、絶縁膜（２３１、２３２）、（２４１、２４２）によって、確実に防止することができる。
【００４１】
ヘッドピース集合体Ｈは、次に、研磨加工に付される。図１０及び図１１は研磨処理の具体例を示している。図において、ヘッドピース集合体Ｈは、図１のジグ貼り付け工程において、ジグ５１に貼り付けられる。貼り付けジグ５１を用いたヘッドピース集合体の研磨は、特開平１−１５３２６４号公報、特開平１−１５３２６５号公報等に開示された技術を適用して実行できる。
【００４２】
回転定盤５４は図示しないモータ等により、矢印Ａ１の方向に回転駆動される。この回転定盤５４は、例えば錫等の軟質金属部材を用いて円板状に形成された研磨部材５４１の背面に、例えばステンレス等の金属材料によって円板状に形成された支持部材５４２を、接着剤５４３によって一体的に面接合させてある。支持部材５４２は、スズ等の軟質金属材料で構成されていて機械的強度の不充分な研磨部材５４１を支持するために設けられたものである。
【００４３】
研磨に当っては、回転定盤５４を矢印Ａ１の方向に面回転させ、ダイヤモンド粒子等を含む研磨材を埋め込んだ研磨部材５４１の表面にヘッドピース集合体Ｈの下面を接触させる。ジグ５１は矢印Ｃ１またはＣ２で示す回転半径方向に平行移動させ、研磨部材５４１の表面の全面で研磨が行なわれるようにする。矢印Ｂ１はジグ５１及びヘッドピース集合体Ｈの自転の方向を示している。
【００４４】
研磨加工は、主として、媒体対向面研磨（図１参照）であり、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１１〜Ｑｌｍに備えられた電磁変換素子の書き込み端及び読み取り端が位置する媒体対向面４０４に対して実行される。
【００４５】
図１２は研磨部材５４１とヘッドピース集合体Ｈとの間の相対関係を示す図、図１３はヘッドピース集合体Ｈを媒体対向面４０４の側から見た状態における研磨部材５４１との相対関係を示す図である。媒体対向面研磨が終了した後、媒体対向面４０４に対するＤＬＣ膜などの保護膜形成（図１参照）を行う。
【００４６】
本発明の特徴は、図１２、図１３に示すように、砥粒Ｐを埋め込んだ回転定盤５４に、ヘッドピース集合体Ｈの媒体対向面４０４を接触させながら研磨するにあたり、読み取り素子となるＧＭＲ素子１２１の読み取りトラック幅をＴＷとし、研磨用砥粒Ｐの平均砥粒径Ｒとしたとき、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たすことである。ヘッドピース集合体Ｈに含まれるＧＭＲ素子１２１の読み取りトラック幅ＴＷは、予め、分かっているから、研磨工程においては、このトラック幅ＴＷよりも小さい平均砥粒径Ｒを持つ研磨用砥粒を選択し、使用することになる。研磨用砥粒は、一般には、ダイヤモンド粒子等を含む研磨材である。
【００４７】
上述のように、ヘッドピース集合体Ｈの研磨にあたり、ＧＭＲ素子１２１の読み取りトラック幅ＴＷと、研磨用砥粒の平均砥粒径Ｒとの関係を、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たすように設定すると、ＧＭＲ素子１２１として、ＣＰＰ−ＳＶ素子や、ＴＭＲ素子などを用いた場合でも、ＧＭＲ素子１２１がダメージを受けるのを回避し、歩留まりを向上させ得ることが分かった。
【００４８】
図１４は図７、図８、図９に示した構造をもつ薄膜磁気ヘッド要素を有するヘッドピース集合体Ｈに対して、図１０、図１１に示した研磨加工を施した場合の（ＴＷ／Ｒ）と歩留まりとの関係を示す測定データを示している。横軸に（ＴＷ／Ｒ）をとり、縦軸に歩留まり（％）をとってある。特性Ｌ１１は、Ｒ＝０．０８μｍとした場合の特性を、また、特性Ｌ１２はＲ＝０．１５μｍとした場合の特性を、それぞれ示している。データ採取にあたっては、特定の（ＴＷ／Ｒ）毎に１００個のサンプルを用意し、その平均歩留まりを求めた。
【００４９】
図１４に示すように、平均砥粒径Ｒが０．０８μｍの場合も、０．１５μｍの場合も、ほぼ（ＴＷ／Ｒ）＝１を境界にして、（ＴＷ／Ｒ）がそれよりも大きくなるにつれ、歩留まりが急激に高くなる。従って、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たすことにより、歩留まり向上の効果が得られることがわかる。
【００５０】
しかも、研磨条件は、トラック幅ＴＷと、平均砥粒径Ｒとの相対比で決定されるものであって、砥粒径のみを小さくするものではないから、砥粒径を小さくしたときに発生するいわゆる「段差」を回避し、歩留まりを向上させることができる。
【００５１】
図１５は平均砥粒径Ｒをパラメータとしたときのトラック幅ＴＷと歩留まりとの相対的な関係を示す測定データを示す図である。特性Ｌ２１は、Ｒ＝０．０８μｍとした場合の特性を、特性Ｌ２２はＲ＝０．１５μｍとした場合の特性を、それぞれ示している。
【００５２】
図１５のデータも、図１４のデータと同じ傾向を示している。即ち、平均砥粒径Ｒ＝０．０８μｍの特性Ｌ２１を検討すると、トラック幅ＴＷが、（ＴＷ／Ｒ）＝１満たすＴＷ＝０．０８μｍよりも大きくなるにつれ、歩留まりが急激に高くなる。平均砥粒径Ｒ＝０．１５μｍの特性Ｌ２２を検討すると、トラック幅ＴＷが、（ＴＷ／Ｒ）＝１満たすＴＷ＝０．１５μｍよりも大きくなるにつれ、歩留まりが急激に高くなる。従って、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たすことにより、歩留まり向上の効果が得られることがわかる。
【００５３】
平均砥粒径Ｒは、好ましくは、Ｒ≧０．０８μｍを満たすように設定する。平均砥粒径Ｒの上限値は、トラック幅ＴＷとの関係から定まる。Ｒ≧０．０８μｍの技術的意義は、段差を小さくしながら、研磨速度を維持し、研磨処理工程の効率をあげることができる点にある。
【００５４】
図１６は平均砥粒径Ｒと段差及び研磨速度との関係を示す測定データである横軸に平均砥粒径（μｍ）をとり、左縦軸に段差（ｎｍ）をとり、右縦軸に研磨速度（μｍ／ｍｉｎ）をとってある。特性Ｌ３１は段差特性を示し、特性Ｌ３２は研磨速度特性を示している。段差は、媒体対向面４０４を基準にしたＧＭＲ素子１２１の後退量である。
【００５５】
図１６を見ると明らかなように、研磨速度は、平均砥粒径Ｒが大きくなるにつれて高くなる。従って、工業的な研磨処理効率の向上という観点からは、平均砥粒径Ｒが大きい方が好ましいことになる。
【００５６】
ところが、他方、段差量は、平均砥粒径Ｒが小さくなるにつれて大きくなり、研磨速度とは逆の結果を示す。
【００５７】
これらの測定データからまず言い得ることは、平均砥粒径Ｒを小さくするだけでは、ＧＭＲ素子１２１が、研磨面となる媒体対向面４０４に露出している端部で、他の部分よりも過剰に研磨され、段差部分が生じ、それが読み取り性能を劣化させ、歩留まりを低下させてしまうことになるということである。
【００５８】
もう一点は、平均砥粒径Ｒを小さくすると、研磨速度が低下し、工業的研磨処理効率が低下してしまうと言うことである。
【００５９】
図１６のデータを検討すると、特性Ｌ３１及び特性Ｌ３２は、ほぼ、平均砥粒径Ｒ＝０．１μｍの位置で交差している。平均砥粒径Ｒが０．１μｍ以上の領域では、段差が減少し、研磨速度も高くなる。従って、Ｒ≧０．０８μｍを満たすように設定することにより、段差を小さくしながら、研磨速度を維持し、研磨処理工程の効率をあげることができることになる。平均砥粒径Ｒの上限値は、（ＴＷ／Ｒ）＞１を満たさなければならいという条件によって定まる。
【００６０】
以上具体的な実施例を参照して発明の内容を説明したが、当業者であれば、本発明の基本的技術思想、及び、教示に基づき、種々の変形をなしえることは明らかである。
【００６１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、段差を極力抑え、歩留まりを向上させるとともに、研磨処理効率を向上させ得るヘッドピース集合体Ｈの研磨方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るヘッドピース集合体Ｈの研磨工程を示すフローチャートである。
【図２】本発明に係るヘッドピース集合体Ｈの研磨方法の１工程を示す図である。
【図３】図２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図４】図３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図５】図４に示したヘッドピース集合体Ｈの部分拡大図である。
【図６】図５に示したヘッドピース集合体Ｈに対する加工工程を示す図である。
【図７】薄膜磁気ヘッド要素に含まれる薄膜電磁変換素子部分の拡大部分断面図である。
【図８】図７の８−８線上における断面図である。
【図９】図７、図８に示した薄膜電磁変換素子部分の一部拡大断面図である。
【図１０】研磨処理の具体例を示す図である。
【図１１】図１０に示した研磨処理を平面視した図である。
【図１２】研磨部材とヘッドピース集合体Ｈとの間の相対関係を示す図である。
【図１３】ヘッドピース集合体Ｈを媒体対向面の側から見た状態における研磨部材との相対関係を示す図である。
【図１４】図７及び図８に示した構造をもつ薄膜磁気ヘッド要素を有するヘッドピース集合体Ｈに対して、図１０、図１１に示した研磨加工を施した場合の（ＴＷ／Ｒ）と歩留まりとの関係を示す測定データである。
【図１５】平均砥粒径Ｒをパラメータとしたときのトラック幅ＴＷと歩留まりとの相対的な関係を示す測定データである。
【図１６】平均砥粒径Ｒと、段差及び研磨速度との関係を示す測定データである。
【符号の説明】
Ｈ                ヘッドピース集合体
Ｍ１１、Ｍ１２    薄膜電磁変換素子
４０４            媒体対向面または切断面
【図１】
2004306146.tif 000003
【図２】
2004306146.tif 000004
【図３】
2004306146.tif 000005
【図４】
2004306146.tif 000006
【図５】
2004306146.tif 000007
【図６】
2004306146.tif 000008
【図７】
2004306146.tif 000009
【図８】
2004306146.tif 000010
【図９】
2004306146.tif 000011
【図１０】
2004306146.tif 000012
【図１１】
2004306146.tif 000013
【図１２】
2004306146.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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