(57)【要約】【課題】マスクパターンの補正方法に関し、従来よりも広範な線幅のパターンにおけるコーナーラウンディングを簡単な手法により抑制するとともに、括れを低減する。【解決手段】マスクパターンの少なくともコーナー内部に組み込まれる形で補正する第１のブロック２と、前記マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロック５の２つのブロックによって補正する。【選択図】　　　　　図１
2004093705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンの少なくともコーナー内部に組み込まれる形で補正する第１のブロックと、前記マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロックの２つのブロックによって補正することを特徴とするマスクパターンの補正方法。
【請求項２】
上記マスクパターンのコーナー内部に組み込まれる形で補正する際に、上記第１のブロックを用いて排他処理するとともに、上記マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する際に、上記第２のブロックを用いて排他処理し、次いで、前記の両者のマスクパターンエリアの共通部分を統合処理することを特徴とする請求項１のマスクパターンの補正方法。
【請求項３】
少なくとも先端部が長辺状の矩形部を有するマスクパターンの先端コーナー部に組み込まれる第１のブロックと、先端コーナー部のコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロックによって補正することを特徴とするマスクパターンの補正方法。
【請求項４】
相対的に大きな第１のブロックと相対的に小さな第２のブロックを重ね合わせた複合補正用ブロックを用いてマスクパターンの少なくともコーナー内部を補正することを特徴とするマスクパターンの補正方法。
【請求項５】
上記マスクパターンのコーナー内部を補正する際に、上記複合補正用ブロックを用いて排他処理することを特徴とする請求項４記載のマスクパターンの補正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマスクパターンの補正方法に関するものであり、特に、ルールベース近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔ）に基づいて露光用マスクに設けるマスクパターンを簡便に且つ精度良く補正するためのセリフ（ｓｅｒｉｆ）に特徴のあるマスクパターンの補正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の微細化の進展に伴い半導体製造装置に対する微細化対応への要求は絶え間なく続いており、近年では半導体装置の製造プロセスで用いる露光用光源の波長以下となる線幅のパターンが要求されるようになった。
【０００３】
これに伴い、露光プロセスで用いる露光用マスクとこの露光用マスクを使用して得られる転写パターン、即ち、レジストパターンの形状の差異が顕著化するようになったので、この形状の差異を図１３を用いて説明する。
【０００４】
図１３（ａ）及び（ｂ）参照
図１３（ａ）は設計パターンを示しており、Ａ２１，Ａ２２は、線幅が１４０ｎｍ、Ａ２３，Ａ２４は、線幅が１１０ｎｍの場合を示している。
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示した設計パターン通りの露光用マスクを用いて露光・現像した場合のレジストの転写パターンであり、コーナラウンディングが顕著に生じている。
例えば、内角即ち凹部では脹らみが生じ、外角即ち凸部では丸みが生ずる。
【０００５】
この様な形状の差異は近接効果による影響であり、これを補正する方法の１つに近接効果補正（ＯＰＣ）があり、とりわけパターンの凸部及び凹部の形状の差異には主にセリフと呼ばれる補正パターンを導入し適当な論理処理を経て、補正されたマスクパターンを製作し、それを露光プロセスに用いていたので、ここで、図１４を参照して従来の補正パターン露光による転写パターンを説明する（必要ならば、特開２００１−１００３８９号公報参照）。
【０００６】
図１４（ａ）参照
図１４（ａ）は、正方形のセリフ、即ち、補正用ブロック２１，２２を用いて設計パターンを補正したマスクパターンを示しており、設計パターンの凹部に補正用ブロック２１を用いて重なり部を除去し、一方、設計パターンの凸部においては、補正用ブロック２２を用いて補正用ブロック２２の非重なり部を補填する。
【０００７】
図１４（ｂ）参照
図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示した設計パターン通りの露光用マスクを用いて露光・現像した場合のレジストの転写パターンであり、マスクパターンのコーナーの除去或いは補填によりコーナーラウンディングを改善している。
【０００８】
この従来の補正方法は、予め指定されたルールに従い、マスクパターン上の凸部もしくは凹部の適切な位置に２つ以上の補正矩形（セリフ）を導入し、所望のレジスト形状を得る為に必要なマスクパターンを高速に且つ忠実に実現することを目的としているルールベースＯＰＣによるものであり、予め決められた値や法則に則り、補正されたマスクパターン図形を取得する手法である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この従来の補正技術に用いる補正用ブロック２１，２２には、補正量のサイズ依存性があり、その範疇に無いものに対しては不具合が生じる。
即ち、フォトリソグラフィーにおける近接効果がもたらすラウンディングや先端後退の影響を抑制もしくは低減する目的で、補正用ブロック２１，２２のような四角形を種々のパターン線幅に対して適用すると、場合によっては抑制もしくは低減の効果が期待以上のものとなり、対象となるパターン形状のコーナー部における括れ、断線、短絡を招くという問題を生じる。
【００１０】
例えば、補正量が過少な場合は、忠実に補正の目的を達成できず、また補正量が過多の場合には、マスクパターンや延いてはレジストパターンに括れ、断線等の不具合が発生していた。
【００１１】
再び、図１４（ｂ）参照
補正用ブロック２１，２２のサイズを固定して種々の線幅のパターンに適用することを考慮すると、Ａ３１，Ａ３２に示すように補正量が有効なマスクパターン線幅と比較して、Ａ３３，Ａ３４に示すように相対的に細いマスクパターンに対し、同じ大きさの補正用ブロック２１，２２を適用すると、近接効果抑制の程度が過大となり、線幅が設計値よりも細くなり括れやパターンショートを招いていた。
【００１２】
これは、Ａ３１，Ａ３２に示す線幅が１４０ｎｍ世代にパターンに最適化された大きさの補正用ブロック２１，２２を、それより細い１１０ｎｍ世代にＡ３３，Ａ３４にもそのまま適用した結果である。
【００１３】
図７参照
図７を借用して説明すると、補正なしの場合に比べてラウンディング量は大幅に改善されるものの、線幅がパターンＡ３３，Ａ３４のように１１０ｎｍになると、マイナスになり、補正が過大になり配線抵抗の増大等の問題が発生する。
【００１４】
図８参照
また、図８を借用して説明すると、設計値からの最大減少量、即ち、最大括れ量が、−１０ｎｍ程度になっており、図から明らかなように、１８０ｎｍ世代やや１４０ｎｍ世代と比較して１１０ｎｍ世代において大きな括れが発生しており、補正が過大であることが明らかである。
なお、ここでは、便宜上、当世代の線幅を１４０ｎｍ、次世代、次々世代の線幅を１１０ｎｍ、そして旧世代の線幅を１８０ｎｍとする。
【００１５】
当世代の製造技術においても、旧世代が混在していることは常であると共に、次世代、次々世代の開発要素やモニターを目的とする直近世代の最小線幅よりさらに微細なパターンを含むことがあるが、従来、補正用ブロック２１，２２の最適値は一番の律則となる当世代のルールを基に設計されており、今日の世代で最適化された補正形状は、次世代、次々世代のルールに対しては過剰な補正をもたらし、結果として括れを発生させることになる。
【００１６】
また、この様な補正用ブロック２１，２２の適用により相互に近接したパターンが存在した場合に、不所望な接続部が形成される場合があるので、その様子を図１５を参照して説明する。
図１５（ａ）及び（ｂ）参照
図１５（ａ）は設計パターンであり、また、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示した設計パターン通りの露光用マスクを用いて露光した場合の転写パターンである。
パターンＢ２５，Ｂ２６に示すように、半導体装置の微細化に伴い、近接効果に伴う先端後退は無視できない状況になっている。
【００１７】
これを補正するため、矩形パターンの先端部のコーナに矩形状の補正パターンを用いて、設計データをＡ３５，Ａ３６の形状へと補正した場合、単純矩形パターンＡ３５の場合には、先端後退が抑制された転写パターンＢ３５が得られる。
【００１８】
しかし、パターンＡ３６のように矩形パターンの長辺に対して直角に対向する近接パターンが存在する場合、補正パターンによる補正形状が負の効果をもたらし、Ｂ３６に示すように、矩形パターンと近接パターンとの間に接続部が残存し、両パターンの分離が行われないという問題が発生する。
【００１９】
また、フォトマスクの製造時の歪み・変形を考慮してさらに微細補正を行うことも提案されているので、図１６を参照して説明する（必要ならば、特開２００１−３２４７９４号公報参照）。
図１６（ａ）参照
矩形の設計パターン４１に対して、４つのコーナーに従来の補正パターンと同様の一次補正用ブロック４２による補填処理を行うとともに、フォトマスクの製造時の歪みを補正するために、一次補正用ブロック４２の３つのコーナーに微小な二次補正用ブロック４３を補填処理したものであり、これによって、コーナーにおけるラウンディングの発生がより抑制される。
【００２０】
図１６（ｂ）参照
図１６（ｂ）の場合には、パターンの粗密により、粗の部分の幅が細くなることを補償するために、中央の矩形の設計パターン５１の上部、即ち、近接パターンの存在しない部分に大きな一次補正用ブロック５４による補填処理を施すとともに、この大きな一次補正用ブロック５４のフォトマスクの製造時の歪み・変形を補償するために、コーナーに二次補正用ブロック５５を設け、且つ、外周部にも二次補正用ブロック５６を補填処理する。
【００２１】
なお、設計パターン５１の底辺部においても若干の一次補正用ブロック５４及び二次補正用ブロック５５による補填処理を行うとともに、隣接する矩形状の設計パターン５２，５３に対しても一次補正用ブロック５４及び二次補正用ブロック５５による補填処理を行う。
【００２２】
しかし、この様なモデルベース的なＯＰＣはシミュレーション技術に基づき忠実なマスクパターン図形を取得することが可能であるが、適切な計算用パラメーターの設定が必要と同時に、補正されたマスクパターン図形を得るにはかなり長い計算時間が必要であるという問題がある。
【００２３】
したがって、本発明は、従来よりも広範な線幅のパターンにおけるコーナーラウンディングを簡単な手法により抑制するとともに、括れを低減することを目的とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
上記の目的を達成するため、本発明は、マスクパターンの補正方法において、マスクパターンの少なくともコーナー内部に組み込まれる形で補正する第１のブロック２と、前記マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロック５の２つのブロックによって補正することを特徴とする。
【００２５】
この様に各世代のパターンに対して共通のルールを適用するルールベースＯＰＣに基づいて、マスクパターンのコーナー内部に組み込まれる形で補正する第１のブロック２と、マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロック５の２つのブロックを用いることによって、過度の補正を防止してラウンディング量がマイナスになることなく、且つ、最大括れ量を極力低減することができる。
【００２６】
上述の補正をする場合、マスクパターンのコーナー内部に組み込まれる形で補正する際に、第１のブロック２を用いて設計パターン１との排他処理して第１の補正パターン４を形成するとともに、マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する際に、第２のブロック５を用いて設計パターン１との排他処理して第２の補正パターン６を形成し、次いで、両者のマスクパターン４，６の共通部分を統合処理することによって補正マスクパターン７を形成すれば良い。
【００２７】
また、コーナー外部に組み込まれる第３のブロック３を用いてコーナー外部も補正することが望ましく、その場合にもコーナー外部の輪郭部分は第２のブロック５によって補正する。
この場合、コーナー内部に組み込まれる第１のブロック２の面積を、コーナー外部に組み込まれる第３のブロック３の面積より大きくすることが望ましい。
【００２８】
また、コーナー外部を補正する場合には、コーナー外部においては、第１の補正パターン４を形成する際に、第３のブロック３を用いて付加処理を行い、また、第２の補正パターン６を形成する際に、第２のブロックを用いて付加処理を行い、両者のマスクパターン４，６の共通部分を統合処理することによって補正マスクパターン７を形成すれば良い。
【００２９】
また、少なくとも先端部が長辺状の矩形部を有するマスクパターンの先端コーナー部を補正する場合には、先端コーナー部に組み込まれる第１のブロック２と、先端コーナー部のコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロック５によって補正すれば良く、それによって、コーナー先端部の後退或いは隣接するパターンとの間の短絡を防止することができる。
【００３０】
或いは、相対的に大きな第１のブロック２と相対的に小さな第２のブロック５を重ね合わせた複合補正用ブロックを予め形成し、この複合補正用ブロックを用いてマスクパターンのコーナー内部及び外部を補正しても良いものである。
【００３１】
この場合の論理処理は、マスクパターンのコーナー内部を補正する際に、複合補正用ブロックを用いて排他処理する一度の論理処理で良くなり、工程が簡素化される。
【００３２】
また、この様な複合補正用ブロックを用いて、少なくとも先端部が長辺状の矩形部を有するマスクパターンの先端コーナー部を補正しても良いものである。
【００３３】
また、以上の処理における第１のブロック２と第２のブロック５との位置関係は、第１のブロック２の対角線と第２のブロック５の対角線とが一部において互いに重なるようにすることが望ましく、それによって、コーナー部の形状を過度に補正することなく、適切に補正することが可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施の形態のマスクパターンの補正方法を説明する。
図２参照
図２は、本発明の第１の実施の形態のマスクパターンの補正方法のフロー図であり、ルールベースＯＰＣに基づいて、まず、設計データ原図に対して線幅補正を目的としたＯＰＣを施した第１ステップの後に、大補正用ブロック１２を用いて内角の場合は排他処理し外角の場合は付加処理する第２ステップを経て、次いで、小補正用ブロック１３を用い、内角の場合は排他処理し外角の場合は付加処理する第３ステップによってマスク描画データを作製する。
【００３５】
図３参照
図３は、本発明の第１の実施の形態に用いる補正パターン及び重なり量の説明図であり、１４０ｎｍの当世代の露光条件を考慮すると、小補正用ブロック１３と大補正用ブロック１２とを重ね合わせた補正用ブロック１１の１辺の長さｄ１　は、内角用の場合には８０〜１２０ｎｍが適当であり、外角用には４０〜６０ｎｍが適当である。
【００３６】
なお、この場合の補正用ブロック１１のサイズは、従来の補正用パターン２１，２２のサイズと同等になるように設定するものであり、設計パターンとの重なり量としては内角用の場合には１５〜３５ｎｍが適当であり、外角用の場合には３０〜４０ｎｍが適当である。
【００３７】
例えば、半導体装置用ＭＡＳＫ製造技術を考慮する必要があるが、小補正用ブロック１３に関しては、シミュレーションの結果、その大きさはｄ３　＝２０〜３０ｎｍ、例えば３０□ｎｍ（ｄ３　＝３０ｎｍ）とし、一方、大補正用ブロック１２のサイズとしては、内角用が８５□ｎｍ（ｄ２　＝８５ｎｍ）、外角用として４５ｎｍ（ｄ２　＝４５ｎｍ）とする。
【００３８】
図４参照
図４は、本発明の第１の実施の形態に用いる補正パターンにおける補正パターンの重合わせ量の説明図である。
大補正用ブロック１２に関しては、設計パターンと重なることに対して２つの要素があり、それらはコーナー部に対して水平方向及び垂直方向の重なり量であるが、同様にシミュレーションにて効果を確認すると垂直方向の重なり量Ｈとしては、Ｈ＝１５〜２０ｎｍ、水平方向の重なり量Ｗとしては、Ｗ＝７５〜９５ｎｍが適当と考えられる。
【００３９】
上述の１１０ｎｍ〜１８０ｎｍまでの３つの３世代に対しての内角用の最適値は、３０ｎｍ□の小補正用ブロック１３をコーナー部に埋め込み、８５ｎｍ□の大補正用ブロック１２を互いに１５ｎｍ重なるように配置して、全体として１００ｎｍになるようにすることが最適と判断した。
【００４０】
また外角用の補正パターンの最適値としては、３０ｎｍ□の小補正用ブロック１３をコーナー部に埋め込み、４５ｎｍ□の大補正用ブロック１２を互いに１５ｎｍ重なるように配置して全体として６０ｎｍとなるようにすることが最適と判断した。
【００４１】
次に、図５を参照して、本発明の補正方法の評価基準となるラウンディング量の定義について説明するが、ここでは、説明を簡単にするために、内角用、即ち、インナーセリフの場合について説明する。
図５参照
図に示すように、転写パターン１５の内角及び外角において設計パターン１４から膨らんだラウンディング部１６，１７が発生するが、内角のラウンディング部１６のラウンディング量Ｒは、設計パターン１４の内角コーナーから５０ｎｍ離れた位置における設計値からの変化量で定義する。
【００４２】
図６（ａ）及び（ｂ）参照
図６（ａ）は設計パターンを示しており、Ａ１１，Ａ１２は、線幅が１４０ｎｍ、Ａ１３，Ａ１４は、線幅が１１０ｎｍの場合を示している。
図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した設計パターン通りの露光用マスクを用いて露光・現像した場合のレジストの転写パターンであり、設計パターンＡ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ１４に対応する転写パターンＢ１１，Ｂ１２，Ｂ１３，Ｂ１４を示している。
【００４３】
図７参照
図７は、本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法におけるラウンディング量の説明図であり、補正形状を採用していない補正なしのラウンデイング量と比較すると、ラウンディング量が低減していることが分かる。
また、方形の補正パターンのみを用いる従来例と比べてマイナスのラウンディング量が発生することなく、旧世代の１８０ｎｍルールに対しては補正程度が緩やかな感があった。
【００４４】
図８参照
図８は、本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法における最大括れ量の説明図であり、補正形状を採用していない補正なしの場合の最大括れ量と同様に殆ど括れが発生せず、大きな括れ量が発生する従来例に比べて大幅な改善が見られた。
【００４５】
以上、説明したように、大補正用ブロック１２及び小補正用ブロック１３とを組み合わせて、予め決めたルールに従って設計パターンに適用することによって、ラウンディング低減という主たる目的に加えて、過剰補正がもたらす括れ問題も抑制することが可能であり、加えて幅広い線幅に対して適用することが可能となった。
【００４６】
また、大補正用ブロック１２及び小補正用ブロック１３自体のサイズ、更には、大補正用ブロック１２及び小補正用ブロック１３の重なりのサイズを調整することが可能であり、従来の補正用ブロック２１，２２よりも所望のパターンに容易に、高速に、且つ、忠実に近づけることが可能になる。
【００４７】
また、上述の図１６において説明したように、半導体装置の微細化に伴い、近接効果に伴う先端後退は無視できない状況になってきており、図１６のＢ３６に示すように長辺に対して直角に対向するパターンが存在する場合、補正形状が負の効果をもたらし、パターン同士が接続し、配線の場合には短絡が生ずることになる。
【００４８】
図９（ａ）及び（ｂ）参照
図９は、矩形パターンＡ１５に対して本発明の第１の実施の形態のマスクパターンの補正方法を適用した場合であり、図９（ａ）は設計パターンを示しており、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示した設計パターン通りの露光用マスクを用いて露光・現像した場合のレジストの転写パターンを示している。
【００４９】
図１５のＢ２５に示すように、補正前のパターンではリソグラフィーがもたらす近接効果によりレジストパターンの先端後退を生じていたが、図９（ｂ）に示すように、矩形パターンＢ１５の先端部の後退は大幅に抑制されており、本発明による複数の補正用ブロックを用いる手法は外角のみに対しても有効である。
【００５０】
図１０（ａ）及び（ｂ）参照
図１０は、矩形パターンＡ１５に対して直角に対向するパターンＡ１６が存在する場合に、本発明の第１の実施の形態のマスクパターンの補正方法を矩形パターンＡ１５に対して適用したものであり、図１０（ａ）は設計パターンを示しており、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示した設計パターン通りの露光用マスクを用いて露光・現像した場合のレジストの転写パターンを示している。
【００５１】
図１０（ｂ）に示すように、矩形パターンＢ１５の先端部の後退は大幅に抑制されるとともに、近接するパターンＢ１６における膨張部は小さくなっているので、両者の間の接続・短絡が防止されることが理解され、本発明の補正パターンの適用により隣接するパターンＢ１６との短絡を意図的に抑えることが可能になる。
【００５２】
次に、図１１を参照して、本発明の第２の実施の形態を説明する。
図１１参照
図１１は、本発明の第２の実施の形態のマスクパターンの補正方法のフロー図であり、ルールベースＯＰＣに基づいて、まず、設計データ原図に対して線幅補正を目的としたＯＰＣを施した第１ステップの後に、大補正用ブロック１２と小補正用ブロック１３を用いて形成した複合補正用ブロック１８を用いて、内角の場合は排他処理し外角の場合は付加処理する第２ステップによってマスク描画データを作製する。
【００５３】
図１２参照
図１２は、本発明の第２の実施の形態に用いる複合補正用ブロックの説明図であり、大補正用ブロック１２と小補正用ブロック１３とを互いの対角線が一部において重なるように重ね合わせて複合補正用ブロック１８を形成したものである。
【００５４】
本発明の第２の実施の形態においては、予め形成した複合補正用ブロック１８を用いているので、補正の際の論理処理は一度で良くなり、補正処理がより簡素化される。
【００５５】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１の実施の形態の説明においては、大補正用ブロックを用いて論理処理を行って補正マスクパターンを作製し、この補正マスクパターンに対して小補正用ブロックを用いて論理処理を行って最終補正マスクパターンを作製しているが、必ずしも、この様な手順に限られるものではない。
【００５６】
例えば、設計パターンに対する大補正用ブロックを用いた論理処理と、小補正用ブロックを用いた論理処理とを別個に並列に行ったのち、両方の補正マスクパターンどうしの共通エリアを内角部においては排他処理し、外角部においては付加処理して、最終補正マスクパターンとして発生させても良いものである。
【００５７】
また、上記の各実施の形態においては、一つの大補正用ブロックに対して一つの小補正用ブロックを重ね合わせているが、一つの大補正用ブロックに対して複数の小補正用ブロックを重ね合わせても良いものである。
【００５８】
また、上記の各実施の形態においては、小補正用ブロックの大きさを内角に対しても外角に対しても同じにしていたが、互いに異なる大きさの小補正用ブロックを用いても良いものである。
【００５９】
また、上記の各実施の形態においては、大補正用ブロック及び小補正用ブロックを正方形としているが、正方形に限られるものではなく、長方形を用いても良いものであり、さらには、設計パターンのコーナー部の形状に応じて平行四辺形状のパターンを用いても良いものである。
【００６０】
ここで、再び、図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）　マスクパターンの少なくともコーナー内部に組み込まれる形で補正する第１のブロック２と、前記マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロック５の２つのブロックによって補正することを特徴とするマスクパターンの補正方法。
（付記２）　上記マスクパターンのコーナー内部に組み込まれる形で補正する際に、上記第１のブロック２を用いて排他処理するとともに、上記マスクパターンのコーナー輪郭部分の形状を補正する際に、上記第２のブロック５を用いて排他処理し、次いで、前記の両者のマスクパターンエリアの共通部分を統合処理することを特徴とする付記１記載のマスクパターンの補正方法。
（付記３）　上記マスクパターンのコーナー外部に組み込まれる第３のブロック３によってコーナー外部を補正することを特徴とする付記１または２に記載のマスクパターンの補正方法。
（付記４）　上記第１の補正ブロックの面積が、上記の第３のブロックの面積より大きいことを特徴とする付記３記載のマスクパターンの補正方法。
（付記５）　少なくとも先端部が長辺状の矩形部を有するマスクパターンの先端コーナー部に組み込まれる第１のブロック２と、先端コーナー部のコーナー輪郭部分の形状を補正する第２のブロック５によって補正することを特徴とするマスクパターンの補正方法。
（付記６）　相対的に大きな第１のブロック２と相対的に小さな第２のブロック５を重ね合わせた複合補正用ブロックを用いてマスクパターンの少なくともコーナー内部を補正することを特徴とするマスクパターンの補正方法。
（付記７）　上記マスクパターンのコーナー内部を補正する際に、上記複合補正用ブロックを用いて排他処理することを特徴とする付記６記載のマスクパターンの補正方法。
（付記８）　少なくとも先端部が長辺状の矩形部を有するマスクパターンの先端コーナー部を、相対的に大きな第１のブロック２と相対的に小さな第２のブロック５を重ね合わせた複合補正用ブロックを用いて補正することを特徴とするマスクパターンの補正方法。
（付記９）　上記第１のブロック２の対角線と、上記第２のブロック５の対角線とが一部において互いに重なることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１に記載のマスクパターンの補正方法。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、マスクパターンを補正する際に、コーナーの内外角部に組み込まれる形で補正する第１のブロックと、コーナーの輪郭部分の補正を行う第２のブロックを用いているので、リソグラフィーがもたらす近接効果によるパターンのコーナーラウンディングや先端後退の程度を抑制もしくは低減することができ、それによって、過度な抑制や低減がもたらす不具合を解決でき、且つ、従来よりも広範囲なパターンに対して適用できるので、露光工程の精度を向上することができ、ひいては、半導体装置の性能向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のマスクパターンの補正方法のフロー図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に用いる補正パターン及び重なり量の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法における補正パターンの重合わせ量の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法によるラウンディング量の定義の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態のマスクパターンの補正方法の説明図である。。
【図７】本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法におけるラウンディング量の説明図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法における最大括れ量の説明図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法による矩形パターンにおける先端部後退改善効果の説明図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態のマスクパターン補正方法による相互近接パターンの短絡改善効果の説明図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態のマスクパターンの補正方法のフロー図である。ある。
【図１２】本発明の第２の実施の形態のマスクパターンの補正方法に用いる複合補正用ブロックの説明図である。
【図１３】従来の補正なし露光による転写パターンの説明図である。
【図１４】従来の補正パターン露光による転写パターンの説明図である。
【図１５】従来の補正パターンによる露光における近接パターンの影響の説明図である。
【図１６】従来の他のマスクパターンの補正方法の説明図である。
【符号の説明】
１　設計パターン
２　第１のブロック
３　第３のブロック
４　第１の補正パターン
５　第２のブロック
６　第２の補正パターン
７　補正マスクパターン
１１　補正用ブロック
１２　大補正用ブロック
１３　小補正用ブロック
１４　設計パターン
１５　転写パターン
１６　ラウンディング部
１７　ラウンディング部
１８　複合補正用ブロック
２１　補正用ブロック
２２　補正用ブロック
４１　設計パターン
４２　一次補正用ブロック
４３　二次補正用ブロック
５１　設計パターン
５２　設計パターン
５３　設計パターン
５４　一次補正用ブロック
５５　二次補正用ブロック
５６　二次補正用ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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