(57)【要約】【課題】ライン反転駆動方式により液晶を駆動させても横電界による影響を回避し、開口率を低下させることなく、液晶の配向不良の発生を抑制することができる液晶表示装置とその製造方法を提供する。【解決手段】画素電極を有する素子基板１０と、それに対向する基板２０の各内面をシール材を介して対向配置させ、内部空間内に液晶５０を介在させてライン反転駆動方式により該液晶を駆動させる液晶表示装置において、上記ライン反転駆動方式により上記画素電極間に発生する横電界の影響を回避するために、上記素子基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを、上記それに対向する基板２０側の液晶５０ｂのプレチルト角βよりも大きくしたことを特徴とする。【選択図】  図１
2004287064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を有する素子基板と、それに対向する基板の各内面をシール材を介して対向配置させ、内部空間内に液晶を介在させてライン反転駆動方式により該液晶を駆動させる液晶表示装置において、
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
上記素子基板側の液晶のプレチルト角は、５°〜１５°の角度範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
上記素子基板に対向する基板側の液晶のプレチルト角は、１°〜５°の角度範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
上記素子基板側の液晶のプレチルト角及び上記素子基板に対向する基板側の液晶のプレチルト角は、ＴＮモードの実用域で前記液晶のプレチルト角の均一性が確保できる角度であることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
素子基板と、それに対向する基板の各内面をシール材を介して対向配置させ、内部空間内に液晶を介在させた液晶表示装置の製造方法において、
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
画素電極を有する素子基板と、それに対向する基板の各内面をシール材を介して対向配置させ、内部空間内に液晶を介在させてライン反転駆動方式により該液晶を駆動させる液晶表示装置の製造方法において、
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程を設けたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、
上記素子基板に有機配向膜を形成する工程と、
上記素子基板に形成された上記有機配向膜に上記液晶のプレチルト角を規定するラビング処理を行う工程と、
上記それに対向する基板に有機配向膜を形成する工程と、
上記それに対向する基板に形成された上記有機配向膜に上記液晶のプレチルト角を規定するラビング処理を行う工程と、
からなり、
上記ラビング処理工程において、上記素子基板側の有機配向膜に施すラビング強度を、上記それに対向する基板側の有機配向膜に施すラビング強度よりも弱くしたことを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、
上記素子基板に配向膜を形成する工程と、
上記それに対向する基板に配向膜を形成する工程と、
からなり、
上記配向膜形成工程において、上記素子基板側の配向膜を、上記それに対向する基板側の配向膜よりも表面エネルギの低い材料で形成したことを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、
上記素子基板に所定の角度を以て無機配向膜を形成する工程と、
上記それに対向する基板に所定の角度を以て無機配向膜を形成する工程と、
からなり、
上記無機配向膜形成工程において、上記素子基板側の所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角よりも大きくしたことを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、
上記素子基板に有機配向膜または所定の角度を以て無機配向膜を形成する工程と、
上記それに対向する基板に有機配向膜または所定の角度を以て無機配向膜を形成する工程と、
からなり、
上記配向膜形成工程において、上記素子基板側の有機配向膜または所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の有機配向膜または所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角よりも大きくしたことを特徴とする請求項５または６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
上記所定の角度は、上記プレチルト角と同角度であることを特徴とする請求項９または１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を５°〜１５°の角度範囲に、上記素子基板に対向する基板側の液晶のプレチルト角を１°〜５°の角度範囲に規定する工程であり、前記両プレチルト角は、ＴＮモードの実用域で前記液晶のプレチルト角の均一性が確保できる角度であることを特徴とする請求項５乃至１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置とその製造方法に関し、特にライン反転駆動方式により液晶を駆動させる液晶表示装置とその製造方法並びにそれを用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、液晶表示装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶を封入して構成されており、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ等の画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
また、画素電極を配置した、例えばＴＦＴ基板等の素子基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される基板（以下、対向基板と称す）とは、別々に製造され、その後、パネル組立工程において高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされた後、液晶が封入されるようになっている。
【０００４】
このパネル組立工程は、先ず、夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板の、液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成する。この配向膜には、有機配向膜と無機配向膜があり、有機配向膜であれば、例えばポリイミドを約数十ナノメータの厚さで印刷することにより形成される。その後、焼成を行い、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるための既知である液晶のプレチルト角を規定するためのラビング処理を施す。一方、無機配向膜であれば、液晶のプレチルト角を規定するためにプレチルト角に相当する所定の角度を以て、例えばＳｉＯ２等の無機配向膜を蒸着させることにより形成される。
【０００５】
次いで、ＴＦＴ基板と対向基板とを対向させ、一方の基板上の周縁に接着剤となるシール材を描画し、このシール材を用いて内部空間が形成されるように、ＴＦＴ基板と対向基板を貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させ、その後、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して内部空間内に、液晶を封入するといった手法が用いられている。
【０００６】
ところで、液晶表示装置では、液晶に対する直流電圧の印加によって、例えば、液晶成分の分解、液晶セル中に発生した不純物による汚染、表示画像の焼き付き等の液晶の劣化が生じる。そこで、一般的には、ＴＦＴ基板の各画素電極の駆動電圧の極性を、例えば画像信号における１フレームや１フィールド等の一定周期で反転させる反転駆動が行われる。
【０００７】
この反転駆動には、ＴＦＴ基板の画像表示領域を構成する全画素電極の駆動電圧の極性を単純に一定周期で反転させる、所謂ビデオ反転駆動方式と、特に画素数が多い場合に発生する一定周期のフリッカやクロストークを防止するために、例えば、一定周期で駆動電圧の極性を画素電極の行毎に反転させる１Ｈ反転駆動方式と、画素電極の列毎に反転させる１Ｓ反転駆動方式等のライン反転駆動方式があり、更に、一定周期で駆動電圧の極性を、ドット毎（即ち、行毎且つ列毎）に反転させるドット反転駆動方式がある。
【０００８】
ところが、上記ライン反転駆動方式の場合には、極性が相異なる電圧が印加される列方向又は行方向において、同一ＴＦＴ基板上の相隣接する画素電極間で電界（以下、横電界という）が発生してしまう。また、ドット反転駆動方式の場合には、極性が相異なる電圧を印加させる行方向及び列方向にＴＦＴ基板の相隣接する画素電極間で横電界が発生する。
【０００９】
相隣接する画素電極間で横電界が生じると、ＴＦＴ基板の画素電極と対向基板の対向電極との間で発生する電界（以下、縦電界という）で液晶の配向状態を制御する液晶装置においては、液晶の配向不良が発生してしまう。このような液晶の配向不良が生じると、配向不良個所の光抜けによってコントラスト比が低下してしまう。
【００１０】
そこで、横電界が生じる領域の配向不良個所を対向基板の遮光膜（以下、ＢＭと称す）によって覆い隠す方法が採用されることがある。しかしながら、この方法では、全領域中の表示に寄与する光が出力される領域の面積の比率（以下、開口率という）が、横電界の影響を避けるためにＢＭの範囲を広げるほど低下し、表示画像が暗くなってしまうといった問題があった。
【００１１】
上記問題に鑑みて、横電界の影響を軽減するために、ＴＦＴ基板及び対向基板側の液晶のプレチルト角を大きくする手法が一般的に知られている。ＴＦＴ基板及び対向基板側のプレチルト角を大きく規定すれば、液晶の配列を一方向に規定するエネルギが大きくなるため、液晶が横電界の影響を受けたとしても液晶の配向不良を低減することができる。また、ＢＭの範囲を広げる必要がないため、開口率の低下を防ぐことができる。
【００１２】
さらに、特許文献１には、ＴＦＴ基板の配線部に突出部を設け、該ＴＦＴ基板の画素電極の面の一部を前記突出部により対向基板側に盛り上げることによって両基板間の縦電界の影響を強め、その結果、横電界による影響を弱めることにより液晶の配向不良を防止する提案が開示されている。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００１−３３０８６１号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プレチルト角は、その角度を大きく規定するほど、上述した縦電界で液晶の配向状態を制御することが難しくなって、液晶のプレチルト角のバラツキが大きくなってしまい、その結果、液晶表示装置にスジ及び表示ムラを発生させてしまうといった問題があった。
【００１５】
また、上記特許文献１に開示された提案では、横電界を弱めることにすぎず、横電界による液晶の配向不良の発生を完全に抑制するには至らない。
【００１６】
本発明は、上記事情に着目してなされたものであり、その目的は、ライン反転駆動方式により液晶を駆動させても横電界による影響を回避し、開口率を低下させることなく、液晶の配向不良の発生を抑制することができる液晶表示装置とその製造方法を提供するにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段、及び作用】
本発明の液晶表示装置の一つの態様としては、画素電極を有する素子基板と、それに対向する基板の各内面をシール材を介して対向配置させ、内部空間内に液晶を介在させてライン反転駆動方式により該液晶を駆動させる液晶表示装置において、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくしたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の液晶表示装置によれば、素子基板側の液晶のプレチルト角を、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくすることにより、ライン反転駆動方式により画素電極間に発生する横電界の影響を、基板の開口率を下げずに回避することができ、また、横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角のみを大きくしたため、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なく、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００１９】
また、本発明の液晶表示装置は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角は、５°〜１５°の角度範囲であることを特徴とする。
【００２０】
さらに、本発明の液晶表示装置は、上記素子基板に対向する基板側の液晶のプレチルト角は、１°〜５°の角度範囲であることを特徴とする。
【００２１】
また、上記素子基板側の液晶のプレチルト角及び上記素子基板に対向する基板側の液晶のプレチルト角は、ＴＮモードの実用域で前記液晶のプレチルト角の均一性が確保できる角度であることを特徴とする。
【００２２】
この液晶表示装置によれば、横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角を５°〜１５°の角度範囲とし、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角を１°〜５°の角度範囲とすることで、前記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なくＴＮモードの実用域で均一性を確保することができるため、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００２３】
本発明の液晶表示装置の製造方法の一つの態様としては、素子基板と、それに対向する基板の各内面をシール材を介して対向配置させ、内部空間内に液晶を介在させた液晶表示装置の製造方法において、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程を有することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法の一つの態様としては、画素電極を有する素子基板と、それに対向する基板の各内面をシール材を介して対向配置させ、内部空間内に液晶を介在させてライン反転駆動方式により該液晶を駆動させる液晶表示装置の製造方法において、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程を設けたことを特徴とする。
【００２５】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、素子基板側の液晶のプレチルト角を、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程を有することにより、ライン反転駆動方式により画素電極間に発生する横電界の影響を基板の開口率を下げずに回避することができ、また、横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角のみを大きくする工程を設けたため、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なく、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００２６】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、上記素子基板に有機配向膜を形成する工程と、上記素子基板に形成された上記有機配向膜に上記液晶のプレチルト角を規定するラビング処理を行う工程と、上記それに対向する基板に有機配向膜を形成する工程と、上記それに対向する基板に形成された上記有機配向膜に上記液晶のプレチルト角を規定するラビング処理を行う工程と、からなり、上記ラビング処理工程において、上記素子基板側の有機配向膜に施すラビング強度を、上記それに対向する基板側の有機配向膜に施すラビング強度よりも弱くしたことを特徴とする。
【００２７】
この製造方法によれば、配向膜に有機配向膜を用いた場合、素子基板側の有機配向膜に施すラビング強度を、それに対向する基板側の有機配向膜に施すラビング強度よりも弱くした工程を設けたことにより、素子基板側の液晶のプレチルト角を、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくすることができるため、ライン反転駆動方式により画素電極間に発生する横電界の影響を開口率を下げずに回避することができ、また、ラビング強度を弱くして横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角のみを大きくする工程を設けたため、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なく、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００２８】
さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、上記素子基板に配向膜を形成する工程と、上記それに対向する基板に配向膜を形成する工程と、からなり、上記配向膜形成工程において、上記素子基板側の配向膜を、上記それに対向する基板側の配向膜よりも表面エネルギの低い材料で形成したことを特徴とする。
【００２９】
この製造方法によれば、配向膜を、素子基板側は表面エネルギの低い配向膜で、それに対向する基板側は表面エネルギの高い配向膜で形成する工程を設けたことにより、素子基板側の液晶のプレチルト角を、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも配向膜のエネルギにより大きくすることができるため、ライン反転駆動方式により画素電極間に発生する横電界の影響を基板の開口率を下げずに回避することができ、また、配向膜を表面エネルギの低い材料で形成して横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角のみを大きくする工程を設けため、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なく、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００３０】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも高くする工程は、上記素子基板に所定の角度を以して無機配向膜を形成する工程と、上記それに対向する基板に所定の角度を以して無機配向膜を形成する工程とを具備し、上記素子基板側の所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角よりも高くした工程であることを特徴とする。
【００３１】
この製造方法によれば、配向膜に無機配向膜を用いた場合、素子基板側の無機配向膜の蒸着角度を、それに対向する基板側の無機配向膜の蒸着角度よりも大きくする工程を設けたことにより、素子基板側の液晶のプレチルト角を、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくすることができるため、ライン反転駆動方式により画素電極間に発生する横電界の影響を、基板の開口率を下げずに回避することができ、また、素子基板側の無機配向膜の蒸着角度を高くして、横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角のみを大きくする工程を設けたため、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なく、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００３２】
さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、上記素子基板に所定の角度を以て無機配向膜を形成する工程と、上記それに対向する基板に所定の角度を以て無機配向膜を形成する工程と、からなり、上記無機配向膜形成工程において、上記素子基板側の所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の所定の角度を以た無機配向膜で規定する液晶のプレチルト角よりも大きくしたことを特徴とする。
【００３３】
この製造方法によれば、配向膜に有機配向膜または無機配向膜を用いた場合、素子基板側の有機配向膜に施すラビング強度を、それに対向する基板側の有機配向膜に施すラビング強度よりも弱くした工程または素子基板側の無機配向膜の蒸着角度をそれに対向する基板側の無機配向膜の蒸着角度よりも大きくした工程を設けたことにより、素子基板側の液晶のプレチルト角を、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくすることができるため、ライン反転駆動方式により画素電極間に発生する横電界の影響を、基板の開口率を下げずに回避することができ、また、ラビング強度を弱くしてまたは素子基板側の無機配向膜の蒸着角度を大きくして横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角のみを大きくする工程を設けたため、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なく、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００３４】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記所定の角度は、上記プレチルト角と同角度であることを特徴とする。
【００３５】
この製造方法によれば、配向膜に無機配向膜を用いた場合でも、有機配向膜にラビング処理を行って液晶のプレチルト角を規定する手法と同角度に液晶のプレチルト角を規定することができるという効果を有する。
【００３６】
さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を、上記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角よりも大きくする工程は、上記素子基板側の液晶のプレチルト角を５°〜１５°の角度範囲に、上記素子基板に対向する基板側の液晶のプレチルト角を１°〜５°の角度範囲に規定する工程であり、前記両プレチルト角は、ＴＮモードの実用域で前記液晶のプレチルト角の均一性が確保できる角度であることを特徴とする。
【００３７】
この製造方法によれば、横電界が発生する素子基板側の液晶のプレチルト角を５°〜１５°の角度範囲とする工程を設け、それに対向する基板側の液晶のプレチルト角を１°〜５°の角度範囲とする工程を設けたことで、前記それに対向する基板側の液晶のプレチルト角にはバラツキが少なく、両基板間の縦電界で制御する液晶の配向不良の発生を抑制することができるという効果を有する。
【００３８】
また、本発明の電子機器は、上述した液晶表示装置を備えると良い。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。尚、本実施の形態は、ＴＦＴを用いたＴＮモードの液晶表示装置を例に挙げて説明するので、液晶表示装置に用いる素子基板は、ＴＦＴ基板となる。
【００４０】
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図、図２は、液晶表示装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図、図３は、液晶表示装置のＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図４は、素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶表示装置を、図３中のＨ−Ｈ’線に沿って切断した断面図、図５は、液晶表示装置を詳細に示す断面図である。
【００４１】
先ず、図１乃至図５を参照して、液晶表示装置の構成について説明する。
液晶表示装置１００は、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ基板１０とそれに対向して設けられる対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。
【００４２】
図２は画素を構成するＴＦＴ基板１０上の素子の等価回路を示している。
図２に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００４３】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた、後述する対向電極２１（図５参照）との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも、例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４４】
図５は、一つの画素に着目した液晶表示装置の模式的断面拡大図である。
ガラスや石英等のＴＦＴ基板１０には、溝１１が形成されている。この溝１１上に遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０（図２参照）が形成されている。溝１１によって、ＴＦＴ基板１０の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００４５】
ＴＦＴ３０は、チャンネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。なお、遮光膜１２は、ＴＦＴ３０の形成領域に対応する領域、後述するデータ線６ａ及び走査線３ａ等の形成領域、即ち各画素の非表示領域に対応した領域に形成されている。この遮光膜１２によって、入射光がＴＦＴ３０のチャンネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。
【００４６】
ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４上には中間導電層１５が形成されている。中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。容量線１８は、容量層と遮光層とからなり、中間導電層１５との間で蓄積容量を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。
【００４７】
容量線１８上には第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にはデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３及び第２層間絶縁膜１９，１４を貫通するコンタクトホール２４ａ，２４ｂを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第４〜第２層間絶縁膜２５，１９，１４を貫通するコンタクトホール２６ａ，２６ｂにより容量線１８を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる有機配向膜１６が積層され、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるための、図１に示すＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲に規定するためのラビング処理が施されている。
【００４８】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャンネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００４９】
一方、対向基板２０には、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる有機配向膜２２が積層され、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるための、図１に示す対向基板２０側の液晶５０ｂのプレチルト角βを１°〜５°の角度範囲に規定するためのラビング処理が施されている。
【００５０】
そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。尚、この液晶５０は、電圧印加時に、ＴＦＴ基板１０の画素電極と対向基板２０の対向電極２１との間で発生する電界（以下、縦電界という）で配向状態を制御されている。これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００５１】
ここで、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０の間に液晶５０を封入後の液晶５０の配向状態を図１を用いて説明する。
【００５２】
本実施の形態におけるＴＮモードの液晶表示装置は、上述したように、ＴＦＴ基板１０の上面（以下、内面と称す）には、後述するＴＦＴ１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲に規定するためのラビング処理が施された有機配向膜１６が形成されており、また、対向基板２０の下面（以下、内面と称す）には、後述する対向基板側の液晶５０ｂのプレチルト角βを１°〜５°の角度範囲に規定するためのラビング処理が施された有機配向膜２２が形成されている。
【００５３】
よって、液晶表示装置１００に封入された液晶５０は、電圧無印加時においては、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向され、また、ＴＮモードの場合には、液晶５０ａとは９０°の角度を以て対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向される。
【００５４】
尚、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを、対向基板２０側のプレチルト角βよりも大きくなるよう配設するのは、電圧印加時（液晶駆動時）にＴＦＴ基板１０に形成された画素電極９ａ間に発生する横電界によるＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが受ける影響を少なくするためである。
【００５５】
また、対向基板側のプレチルト角βがＴＦＴ基板側のプレチルト角αよりも小さいのは、プレチルト角は、その角度を上げると縦電界で液晶５０の配向状態を制御することが難しくなるためであり、ＴＦＴ基板側のプレチルト角αを大きくした分、対向基板側のプレチルト角βを小さくしたのである。
【００５６】
図３及び図４に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜（ＢＭ）４２が設けられている。遮光膜（ＢＭ）４２は、例えば遮光膜（ＢＭ）２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００５７】
遮光膜（ＢＭ）４２の外側の領域に液晶を封入するシール材４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール材４１は、ＴＦＴ基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００５８】
ＴＦＴ基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。ＴＦＴ基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００５９】
次に、このように構成された液晶表示装置１００の製造方法について、図６を用いて説明する。図６は、図３及び図４に示す液晶表示装置１００の製造方法の概略を示した工程図（部分縦断面図）である。
【００６０】
図６に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０（いずれも図１参照）とは、前述したように別々に製造される。先ず、ＴＦＴ基板１０は、ステップＳ１で既知の成膜工程を経て画素電極９ａ（図５参照）が形成されたＴＦＴ基板１０に、続くステップＳ２で、該ＴＦＴ基板１０の内面に、例えばポリイミド（ＰＩ）等の有機配向膜１６（図５参照）を約数十ナノメータの厚さで形成してステップＳ３に移行する。
【００６１】
ステップＳ３では、ステップＳ２で形成された配向膜１６に、液晶表示装置１００の電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を、既知のラビング装置を用いて、後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入されるＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向されるように、有機配向膜１６に対するラビング強度を、例えばラビング擦り回数を、例えば２回、押し込み量を０．２ｍｍに設定してラビングを行いステップＳ４に移行し、さらにステップＳ４では、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行ってステップＳ５に移行する。
【００６２】
ステップＳ５では、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための接着剤の役割をするシール材４１（図４参照）を、ＴＦＴ基板１０の内面に形成（描画）してステップＳ１０に移行する。
【００６３】
一方、対向基板２０は、ステップＳ６で既知の成膜工程を経て対向電極２１（図５参照）が形成された対向基板２０に、続くステップＳ７で、該対向基板２０の内面に、例えばポリイミド（ＰＩ）等の有機配向膜２２を約数十ナノメータの厚さで形成してステップＳ８に移行する。
【００６４】
ステップＳ８では、ステップＳ７で形成された配向膜２２に、液晶表示装置１００の電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を、既知のラビング装置を用いて、後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入される対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向されるように、有機配向膜２２に対するラビング強度を、例えばラビング擦り回数を例えば３回、押し込み量を０．３ｍｍに設定してラビングを行い、ステップＳ９に移行し、さらにステップＳ９では、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行ってステップＳ１０に移行する。
【００６５】
ステップＳ１０では、上述したように形成されたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０を貼り合わせて、ステップＳ１１に移行し、ステップＳ１１では、ＴＦＴ基板１０に貼り合わせた対向基板２０の内面をアライメントを保ちながら（例えばアライメント誤差１μ以内）圧着して、さらに、ＵＶ光を照射して硬化させて、ステップＳ１２に移行し、最後にステップＳ１２では、シール材４１の一部に設けられた液晶封入口７８を介して液晶５０を封入して、封止材７９（いずれも図３参照）で封止して表示装置１００の組立は完了する。
【００６６】
このように、本発明の第１実施の形態の液晶表示装置においては、ＴＦＴ基板１０の有機配向膜１６には、ＴＦＴ１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲に規定するために、ラビング処理が、ラビング強度を、例えばラビング擦り回数を、例えば２回、押し込み量を０．２ｍｍに設定して施され、また、対向基板２０の有機配向膜２２には、対向基板２０側の液晶５０ｂのプレチルト角βを１°〜５°の角度範囲に規定するために、ラビング処理が、ラビング強度を、例えばラビング擦り回数を、例えば３回、押し込み量を０．３ｍｍに設定して施されていることにより、液晶表示装置１００に封入された液晶５０は、電圧無印加時においては、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向されており、また、ＴＮモードの場合には、液晶５０ａとは９０°の角度を以て対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向される。
【００６７】
よって、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを、対向基板２０側のプレチルト角βよりも大きくなるよう配向したため、電圧印加時（液晶駆動時）にＴＦＴ基板１０に形成された画素電極９ａ間に発生する横電界によるＴＦＴ基板側の液晶５０ａが受ける影響を少なくすることができる。よって、対向基板２０の遮光膜２３（図５参照）または遮光膜４２（ＢＭ）（図３、４参照）を狭くすることができるため、基板の開口率を下げることがない。
【００６８】
また、対向基板２０側のプレチルト角βがＴＦＴ基板１０側のプレチルト角αよりも小さく配向されているため、縦電界で液晶５０の配向状態を安定して制御することができる。
【００６９】
尚、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αが、対向基板２０側のプレチルト角βよりも大きくなるように、ＴＦＴ基板１０側の有機配向膜１６に施すラビング擦り回数を、例えば２回、押し込み量を０．２ｍｍに設定し、また、対向基板２０の有機配向膜２２に施すラビング擦り回数を、例えば３回、押し込み量を０．３ｍｍに設定したが、これに限らず、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αが５°〜１５°、対向基板２０側のプレチルト角βが１°〜５°の角度になるのであれば、ラビング処理を施すラビングローラのローラ径、ラビングクロスの材質等によって、ラビング擦り回数及び押し込み量をどのように設定しても構わない。
【００７０】
また、本実施の形態においては、ＴＮモードの液晶表示装置に関して説明したが、ＳＴＮモードの液晶表示装置に適用しても良いし、また、液晶を反転駆動させるものであれば、どのようなものに適用しても良いことは云うまでもない。
【００７１】
さらに、ＴＦＴ基板を用いた液晶表示装置とその製造方法について示したが、これに限らずＴＦＤ基板に対向して形成される基板に適用しても良い。
【００７２】
図７は、本発明の第２実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図であり、図８は、図７の液晶表示装置の製造方法の概略を示した工程図（部分縦断面図）である。
【００７３】
この第２実施の形態の液晶表示装置とその製造方法は、前記図１乃至図６に示した第１実施形態の液晶表示装置の構成とその製造方法と殆ど同じであるが、前記ＴＦＴ基板１０の内面に形成した有機配向膜を表面エネルギの低い配向膜に、前記対向基板２０の内面に形成した有機配向膜を表面エネルギの高い配向膜に変更した点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施形態の液晶表示装置とその製造方法と同様の構成及び製造方法については、同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００７４】
図７に示すように、本実施の形態におけるＴＮモードの液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０の内面に、後述するＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲に規定するために表面エネルギの低い配向膜２１６が形成されており、また、対向基板２０の内面には、後述する対向基板側の液晶５０ｂのプレチルト角βを１°〜５°の角度範囲に規定するために表面エネルギの高い配向膜２２２が形成されている。
【００７５】
よって、液晶表示装置に封入された液晶５０は、電圧無印加時においては、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、配向膜の表面エネルギによりプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向され、また、ＴＮモードの場合には、液晶５０ａとは９０°の角度を以て対向基板２０側の液晶５０ｂが、配向膜の表面エネルギによりプレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向される。
【００７６】
次に、このように構成された液晶表示装置の製造方法について、図８を用いて説明する。
図８に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０（いずれも図７参照）とは、前述したように別々に製造される。先ず、ＴＦＴ基板１０は、ステップＳ１で既知の成膜工程を経て画素電極９ａ（図５参照）が形成されたＴＦＴ基板１０に、続くステップＳ２２で、該ＴＦＴ基板１０の内面に、後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入されるＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向されるように、表面エネルギ（表面張力）の低い配向膜２１６を約数十ナノメータの厚さで形成してステップＳ５に移行する。
【００７７】
一方、対向基板２０は、ステップＳ６で既知の成膜工程を経て対向電極２１（図５参照）が形成された対向基板２０に、続くステップＳ２７で、該対向基板２０の内面に、後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入される対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向されるように、表面エネルギ（表面張力）の高い配向膜２２２を約数十ナノメータの厚さで形成してステップＳ１０に移行する。
【００７８】
これ以下の製造工程は、上述の図６の製造工程と同じである。
【００７９】
以上、述べたように、この第２実施形態においても、液晶５０のプレチルト角を配向膜の表面エネルギにより、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを、対向基板２０側のプレチルト角βよりも大きくなるよう配向したため、電圧印加時（液晶駆動時）にＴＦＴ基板１０に形成された画素電極９ａ間に発生する横電界によるＴＦＴ基板側の液晶５０ａが受ける影響を少なくすることができる。よって、対向基板２０の遮光膜２３（図５参照）または遮光膜４２（ＢＭ）（図３、４参照）を狭くすることができるため、基板の開口率を下げることがない。
【００８０】
また、対向基板２０側のプレチルト角βがＴＦＴ基板側のプレチルト角αよりも小さく配向されているため、縦電界で液晶５０の配向状態を安定して制御することができる。
【００８１】
尚、本実施の形態においても、ＴＮモードの液晶表示装置に関して説明したが、ＳＴＮモードの液晶表示装置など、液晶を反転駆動させるものであれば、どのようなものに適用しても良いことは云うまでもない。
【００８２】
さらに、ＴＦＴ基板を用いた液晶表示装置とその製造方法について示したが、これに限らずＴＦＤ基板に対向して形成される基板に適用しても良い。
【００８３】
図９は、本発明の第３実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図であり、図１０は、図９の液晶表示装置の製造方法を示した工程図（部分縦断面図）である。
【００８４】
この第３実施の形態の液晶表示装置とその製造方法は、前記図１乃至図６に示した第１実施形態の液晶表示装置の構成とその製造方法と殆ど同じであるが、前記ＴＦＴ基板１０及び前記対向基板２０の内面に形成した有機配向膜をＳｉＯ２等の無機配向膜に変更した点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施形態の液晶表示装置とその製造方法と同様の構成及び製造方法には、同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００８５】
図９に示すように、本実施の形態におけるＴＮモードの液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０の内面に、後述するＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲に規定するためにＳｉＯ２等の無機配向膜３１６が５°〜１５°の角度を以て蒸着されており、また、対向基板２０の内面には、後述する対向基板側の液晶５０ｂのプレチルト角βを１°〜５°の角度範囲に規定するためにＳｉＯ２等の無機配向膜３２２が１°〜５°の角度を以て蒸着されている。
【００８６】
よって、液晶表示装置に封入された液晶５０は、電圧無印加時においては、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向され、また、ＴＮモードの場合には、液晶５０ａとは９０°の角度を以て対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向される。
【００８７】
次に、このように構成された液晶表示装置の製造方法について、図１０を用いて説明する。
図１０に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０（いずれも図９参照）とは、前述したように別々に製造される。先ず、ＴＦＴ基板１０は、ステップＳ１で既知の成膜工程を経て画素電極９ａ（図５参照）が形成されたＴＦＴ基板１０に、続くステップＳ３２で、該ＴＦＴ基板１０の内面に、後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入されるＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向されるように、ＳｉＯ２等の無機配向膜３１６を５°〜１５°の角度を以て蒸着してステップＳ５に移行する。
【００８８】
一方、対向基板２０は、ステップＳ６で既知の成膜工程を経て対向電極２１（図５参照）が形成された対向基板２０に、続くステップＳ２７で、該対向基板２の内面に、後にＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入される対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向されるように、ＳｉＯ２等の無機配向膜３２２を１°〜５°の角度を以て蒸着してステップＳ１０に移行する。
【００８９】
これ以下の製造工程は、上述の図６の製造工程と同じである。
【００９０】
以上、述べたように、この第３実施形態においても、液晶５０のプレチルト角を無機配向膜の蒸着角度により、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを、対向基板２０側のプレチルト角βよりも大きくなるよう配向したため、電圧印加時（液晶駆動時）にＴＦＴ基板１０に形成された画素電極９ａ間に発生する横電界によるＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが受ける影響を少なくすることができる。よって、対向基板２０の遮光膜２３（図５参照）または遮光膜４２（ＢＭ）（図３、４参照）を狭くすることができるため、基板の開口率を下げることがない。
【００９１】
また、対向基板２０側のプレチルト角βがＴＦＴ基板側のプレチルト角αよりも小さく配向されているため、縦電界で液晶５０の配向状態を安定して制御することができる。
【００９２】
尚、本実施の形態においても、ＴＮモードの液晶表示装置に関して説明したが、ＳＴＮモードの液晶表示装置など、液晶を反転駆動させるものであれば、どのようなものに適用しても良いことは云うまでもない。
【００９３】
さらに、ＴＦＴ基板を用いた液晶表示装置とその製造方法について示したが、これに限らずＴＦＤ基板に対向して形成される基板に適用しても良い。
【００９４】
図１１は、本発明の第４実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図であり、図１２は、図１１の液晶表示装置の製造方法を示した工程図（部分縦断面図）である。
【００９５】
この第４実施の形態の液晶表示装置とその製造方法は、前記図１乃至図６に示した第１実施形態の液晶表示装置の構成とその製造方法と殆ど同じであるが、前記ＴＦＴ基板１０及び前記対向基板２０の内面に形成した有機配向膜を、対向基板のみＳｉＯ２等の無機配向膜に変更した点のみが異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施形態の液晶表示装置とその製造方法と同様の構成及び製造方法には、同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００９６】
図１１に示すように、本実施の形態におけるＴＮモードの液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０の内面には、後述するＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲に規定するためのラビング処理が施された有機配向膜１６が形成されており、また、対向基板２０の内面には、後述する対向基板２０側の液晶５０ｂのプレチルト角βを１°〜５°の角度範囲に規定するために無機配向膜３２２が１°〜５°の角度を以て蒸着されている。
【００９７】
よって、液晶表示装置に封入された液晶５０は、電圧無印加時においては、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向され、また、ＴＮモードの場合には、液晶５０ａとは９０°の角度を以て対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向される。
【００９８】
次に、このように構成された液晶表示装置の製造方法について、図１２を用いて説明する。
図１２に示すように、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０（いずれも図１１参照）とは、前述したように別々に製造される。先ず、ＴＦＴ基板１０は、ステップＳ１で既知の成膜工程を経て画素電極９ａ（図５参照）が形成されたＴＦＴ基板１０に、続くステップＳ２で、該ＴＦＴ基板１０の内面に、例えばポリイミド（ＰＩ）等の有機配向膜１６（図５参照）を約数十ナノメータの厚さで形成してステップＳ３に移行する。
【００９９】
ステップＳ３では、ステップＳ２で形成された有機配向膜１６に、液晶表示装置の電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理を、既知のラビング装置を用いて、後に、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入されるＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａが、プレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲を以て配向されるように施してステップＳ４に移行し、さらにステップＳ４では、上記ラビング処理によって生じた塵埃を除去するための洗浄を行ってステップＳ５に移行する。
【０１００】
一方、対向基板２０は、ステップＳ６で既知の成膜工程を経て対向電極２１（図５参照）が形成された対向基板２０に、続くステップＳ３７で、該対向基板２０の内面に、後に、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間に封入される対向基板２０側の液晶５０ｂが、プレチルト角βを１°〜５°の角度範囲を以て配向されるように、無機配向膜３２２を１°〜５°の角度を以て蒸着してステップＳ１０に移行する。
【０１０１】
これ以下の製造工程は、上述の図６の製造工程と同じである。
【０１０２】
以上、述べたように、この第４実施形態においても、ＴＦＴ基板１０の有機配向膜１６には、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを５°〜１５°の角度範囲に規定するためにラビング処理が施され、対向基板２０側の液晶５０ｂのプレチルト角βを無機配向膜の蒸着角度により１°〜５°の角度範囲に規定して、ＴＦＴ基板１０側の液晶５０ａのプレチルト角αを、対向基板２０側のプレチルト角βよりも大きくなるよう配向したため、電圧印加時（液晶駆動時）にＴＦＴ基板１０に形成された画素電極９ａ間に発生する横電界によるＴＦＴ基板側の液晶５０ａが受ける影響を少なくすることができる。よって、対向基板２０の遮光膜２３（図５参照）または遮光膜４２（ＢＭ）（図３、４参照）を狭くすることができるため、基板の開口率を下げることがない。
【０１０３】
また、対向基板２０側のプレチルト角βがＴＦＴ基板側のプレチルト角αよりも小さく配向されているため、縦電界で液晶５０の配向状態を安定して制御することができる。
【０１０４】
尚、本実施の形態においては、ＴＦＴ基板１０側に有機配向膜１６を形成し、対向基板２０側には、無機配向膜３２２を蒸着するようにしたが、これに限らず、ＴＦＴ基板１０側に図９で示した無機配向膜３１６を蒸着し、対向基板側に図１で示した有機配向膜２２を形成しても、上述した本実施の形態と同様の効果が得られることは勿論である。
【０１０５】
また、本実施の形態においても、ＴＮモードの液晶表示装置に関して説明したが、ＳＴＮモードの液晶表示装置など、液晶を反転駆動させるものであれば、どのようなものに適用しても良いことは云うまでもない。
【０１０６】
さらに、ＴＦＴ基板を用いた液晶表示装置とその製造方法について述べたが、これに限らずＴＦＤ基板に対向して形成される基板に適用しても良い。
【０１０７】
また、前述した液晶表示装置を、液晶プロジェクタや、モニター付き電話機、パーソナルコンピュータ等の電子機器に用いられると好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図、
【図２】図１の液晶表示装置の複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図、
【図３】図１の液晶表示装置を対向基板側から見た平面図、
【図４】図３中のＨ−Ｈ’線に沿って切断した断面図、
【図５】図１の液晶表示装置の要部を詳細に示す断面拡大図、
【図６】図１の液晶表示装置の製造方法の概略を示した製造工程図、
【図７】本発明の第２実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図、
【図８】図７の液晶表示装置の製造方法の概略を示した製造工程図、
【図９】本発明の第３実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図、
【図１０】図９の液晶表示装置の製造方法の概略を示した製造工程図、
【図１１】本発明の第４実施の形態を示す液晶表示装置における液晶の配向状態を示した要部拡大斜視図、
【図１２】図１１の液晶表示装置の製造方法の概略を示した製造工程図。
【符号の説明】
α  ＴＦＴ基板側のプレチルト角
β  対向基板側のプレチルト角
９ａ  画素電極
１０  ＴＦＴ基板（素子基板）
１６  ＴＦＴ基板に形成した有機配向膜（ＰＩ）
２０  対向基板
２２  対向基板に形成した有機配向膜（ＰＩ）
４１  シール材（第２のシール材）
５０  液晶
５０ａ  ＴＦＴ基板側の液晶
５０ｂ  対向基板側の液晶
１００  液晶表示装置
２１６  表面エネルギ低配向膜
２２２  表面エネルギ高配向膜
３１６  ＴＦＴ基板に形成した無機配向膜（ＳｉＯ２）
３２２  対向基板に形成した無機配向膜（ＳｉＯ２）
【図１】
2004287064.tif 000003
【図２】
2004287064.tif 000004
【図３】
2004287064.tif 000005
【図４】
2004287064.tif 000006
【図５】
2004287064.tif 000007
【図６】
2004287064.tif 000008
【図７】
2004287064.tif 000009
【図８】
2004287064.tif 000010
【図９】
2004287064.tif 000011
【図１０】
2004287064.tif 000012
【図１１】
2004287064.tif 000013
【図１２】
2004287064.tif 000014