(57)【要約】【課題】小径な貫通めっきスルーホールや非貫通穴（ブラインドバイアホール）であっても、ソフトエッチング後の酸化皮膜を除去し得、しかも酸による悪影響のないプリント配線板の表面処理方法の提供。【解決手段】プリント配線板全面にソフトエッチング処理した後、酸電解水処理する；前記酸電解水処理した後、更にアルカリ電解水処理する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
最外層の導体回路を形成後、ソルダーレジストを形成したプリント配線板の表面処理方法であって、プリント配線板全面にソフトエッチング処理する工程と、当該ソフトエッチング処理後酸電解水処理する工程とを有することを特徴とするプリント配線板の表面処理方法。
【請求項２】
前記酸電解水処理工程後、更に防錆処理工程を有することを特徴とする請求項１記載のプリント配線板の表面処理方法。
【請求項３】
前記酸電解水処理工程後、更にアルカリ電解水処理工程を有することを特徴とする請求項１記載のプリント配線板の表面処理方法。
【請求項４】
前記アルカリ電解水処理工程後、更に防錆処理工程を有することを特徴とする請求項３記載のプリント配線板の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプリント配線板の表面処理方法、更に詳細には、小径な貫通めっきスルーホール及び非貫通穴（ブラインドバイアホール）の表面処理剤の残渣物による貫通めっきスルーホール及び非貫通穴（ブラインドバイアホール）の腐食を防止するプリント配線板の表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プリント配線板の表面は、プリント配線板の導体回路、貫通めっきスルーホールあるいは非貫通穴（ブラインドバイアホール）を洗浄する目的で、一般にソフトエッチングにより表面処理を行っていたが、導体回路表面、貫通めっきスルーホールあるいは非貫通穴（ブラインドバイアホール）が当該ソフトエッチングで活性化されて薄い被膜が付着するため、更に稀硫酸等で導体回路面、貫通めっきスルーホールあるいは非貫通穴（ブラインドバイアホール）を洗浄してから防錆処理をしていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−６１４６７号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
最近、貫通めっきスルーホールや非貫通穴（ブラインドバイアホール）が、小径化される製品が多くなり、例えば、貫通めっきスルーホール径がφ０．２５ｍｍ以下になると、図３に示す如く、前工程でのソルダーレジスト形成時に小径の貫通めっきスルーホールにインキが充填されて穴の中で完全に現像されず、一部穴の途中で残るケースがある。また、図４に示す如く、小径の非貫通穴（ブラインドバイアホール）の場合も、穴の中にインキが詰まった前記貫通めっきスルーホールと同様の状態となる。
【０００５】
而して、貫通めっきスルーホールや非貫通穴（ブラインドバイアホール）が小径になると、前記の如き表面処理をした場合、ソフトエッチング後の稀硫酸が穴の中に残留して、部品実装時のリフローによる部品のはんだ付けの熱による影響でめっきスルーホール及び非貫通穴（ブラインドバイアホール）の銅めっき部分の腐食が進行し抵抗値が上昇する（後記試験例参照）。
仮に稀硫酸が、残留していた場合、高温多湿条件で使用されることを想定して、高温多湿の環境条件を設定し、例えば温度８５℃、湿度８５％の条件で確認試験を行うと、貫通めっきスルーホール及び非貫通穴（ブラインドバイアホール）の穴径にもよるが、２００時間放置で断線するものも確認される（後記試験例参照）。
【０００６】
本発明者は、上記問題点を分析し、小径な貫通めっきスルーホールや非貫通穴（ブラインドバイアホール）に酸の残留がなくなり、加速試験での貫通めっきスルーホール及び非貫通穴（ブラインドバイアホール）の断線がないプリント配線板を得ることができるプリント配線板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、最外層の導体回路を形成後、ソルダーレジストを形成したプリント配線板の表面処理方法であって、プリント配線板全面にソフトエッチング処理する工程と、当該ソフトエッチング処理後酸電解水処理する工程とを有することを特徴とする。
酸電解水を使用することで、ソフトエッチング処理後の導体回路、貫通めっきスルーホールあるいは非貫通穴（ブラインドバイアホール）の被膜を除去でき、かつ仮に小径の貫通めっきスルーホール及び非貫通穴（ブラインドバイアホール）に酸電解水が残留しても元が水のため、小径の貫通めっきスルーホールや非貫通穴（ブラインドバイアホール）が腐食することを低減できる。
【０００８】
また本発明は、前記記載の表面処理方法において、酸電解水処理工程後、更にアルカリ電解水処理することを特徴とする。
小径の貫通めっきスルーホールや非貫通穴（ブラインドバイアホール）に酸電解水が残留した場合でもアルカリ電解水で酸の残留物が完全に中和され、より腐食が防止される。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１を用いて本発明の第１の実施形態を説明する。
【００１０】
図１は、最外層に導体回路を形成後、ソルダーレジストを形成したプリント配線板の導体回路、貫通めっきスルーホール、非貫通穴（ブラインドバイアホール）を表面処理する概略工程説明図で、ソフトエッチングを施す工程１０と、次いで水洗処理する工程２０と、次いで酸電解水処理する工程３０と、次いで水洗処理する工程４０と、次いで防錆処理を施す工程７０とから成る。
【００１１】
ソフトエッチング剤としては、例えば過酸化水素系、過硫酸ナトリウム系、過硫酸カリウム系、過硫酸アンモニウム系等が使用される。
【００１２】
酸電解水は、水を電極と隔膜からなる電解槽で電気分解することにより得られる。電気分解は、水にエネルギーを与えてイオンに分解することであり、直流の電流を流すと＋イオンは−の電極へ、−イオンは＋の電極へ引かれる性質がある。これによって、水素イオンにも偏りが出てプラス電極が入っている容器の水は酸性の電解水を、マイナスの電極が入っている容器の水はアルカリ性の電解水ができる。
【００１３】
防錆処理剤としては、大きく分類すると、水溶性プレフラックスと溶剤タイプのプレフラックスがあり、何れも使用し得る。
【００１４】
図２を用いて本発明の第２の実施形態を説明する。
【００１５】
図２は、図１と同様プリント配線板の導体回路、貫通めっきスルーホール、非貫通穴（ブラインドバイアホール）を表面処理する概略工程説明図で、第１の実施形態における酸電解水処理する工程３０に引き続く水洗処理する工程４０の後に、アルカリ電解水処理する工程５０と、次いで水洗処理する工程６０とを、防錆処理工程７０の前に追加することから成る。尚、酸電解水処理工程３０後の水洗処理工程４０は、必ずしも必要としない。
【００１６】
アルカリ電解水は、水を電気分解した時に、酸電解水とアルカリ電解水の両方が精製されるため、そのアルカリ電解水を使用する。
【００１７】
因に、第１の実施形態の酸電解水処理工程３０において、電解水が残留すると、長い時間では貫通めっきスルーホール、非貫通穴（ブラインドバイアホール）のめっき膜の腐食を促進させる可能性が理論上ないわけではない。
そのために、アルカリ電解水処理工程５０を追加することで、前工程での電解水の残留物が中和され、めっき膜の腐食が完全になくなる。
【００１８】
【実施例】
以下実施例を挙げて本発明を更に説明する。
【００１９】
◎貫通めっきスルーホール用テスト基板
厚さ１．６ｍｍのガラスエポキシ基材に、ドリル加工にてφ０．２、０．２５、０．３、０．３５ｍｍの貫通穴をそれぞれあけ、パネルめっきにより貫通穴にめっき膜を付与して貫通めっきスルーホールを形成し、貫通めっきスルーホール用テスト基板とした。因に、そのときのめっきスルーホールの径は、穴径に対してめっき膜を付与した分φ０．０５ｍｍ小さくなっている。また、貫通スルーホールの数は、各穴径に対して２０００個あり各スルーホールが表層の導体回路で接続されているため、スルーホールの１箇所でも腐食すれば断線することになる。
【００２０】
◎非貫通穴（ブラインドバイアホール）用テスト基板
厚さ０．１ｍｍガラスエポキシ基材に、レーザ加工にて底部導体回路までの樹脂を除去し、穴径φ０．１２５、０．１５、０．２ｍｍでそれぞれ穴あけし、銅めっき膜を付与してブラインドバイアホールを形成し、非貫通穴（ブラインドバイアホール）用テスト基板とした。因に、そのときの非貫通穴（ブラインドバイアホール）の径は、穴径に対してめっき膜を付与した分φ０．０３ｍｍ小さくなっている。また、各穴径の非貫通穴（ブラインドバイアホール）の数は、各穴径に対して２０００個あり、非貫通穴（ブラインドバイアホール）は、表層の導体回路で接続され、１箇所でも腐食すれば断線することになる。
【００２１】
実施例１
上記記載の各テスト基板に、ソフトエッチングとして過硫酸ナトリウム水溶液処理し、次いで水洗し、次いで酸電解処理し、更に、水洗後、防錆剤処理を施した。尚、酸の電解水としては、イオン交換水（伝導度１μＳ／ｍ）を用い、電解質として０．１１７ｇ／ＬのＮａＣｌを加え、酸電解水生成装置の生成時電流を２４Ａ掛けて得たｐＨ２．７０のものを使用した。
【００２２】
実施例２
上記記載の各テスト基板に、ソフトエッチングとして過硫酸ナトリウム水溶液処理後水洗し、次いで酸電解水処理後、アルカリ電解水に浸漬させ、更に水洗後、防錆処理を施した。
尚、酸の電解水として、イオン交換水（伝導度１μＳ／ｍ）を用い、電解質として０．１１７ｇ／ＬのＮａＣｌを加え、酸電解水生成装置の生成時電流を２４Ａ掛けて酸電解水は、ｐＨ２．７０のものを使用し、アルカリ電解水は、ｐＨ１１．４９のものを使用した。
【００２３】
比較例１
上記記載の各テスト基板に、ソフトエッチングとして過硫酸アンモニウム水溶液に２〜３秒浸漬させた後水洗し、５％の硫酸（ｐＨ１〜２）で酸処理し、次いで水洗後、防錆処理を施した。
【００２４】
試験例１
実施例１、実施例２、比較例１で得られた表面処理済み各テスト基板に、リフロー工程による熱処理を表裏２回行い（リフロー条件、予備加熱１５５℃１００秒、本加熱２６０℃をピークに２０秒）その後、温度８５℃、湿度８５％に放置し、各穴径による導通抵抗値の変化を測定し、初期抵抗値の１０倍以上のものをＮＧ基板として除き、良好基板数をそれぞれ下記表１〜４にまとめた。
【００２５】
【表１】
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【００２６】
【表２】
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【００２７】
【表３】
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【００２８】
【表４】
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【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、酸電解水でソフトエッチング後の導体回路貫通めっきスルーホール、非貫通穴（ブラインドバイアホール）の酸化被膜を除去することができ、しかも酸による悪影響がないので、部品を実装しても導通抵抗値に影響のないプリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法による表面処理例を示す概略工程説明図。
【図２】本発明方法による他の表面処理例を示す概略工程説明図。
【図３】従来表面処理方法による貫通めっきスルーホール拡大断面説明図。
【図４】従来表面処理方法による非貫通穴（ブラインドバイアホール）拡大断面説明図。
【符号の説明】
１０：ソフトエッチング処理工程
２０：水洗処理工程
３０：酸電解水処理工程
４０：水洗処理工程
５０：アルカリ電解水処理工程
６０：水洗処理工程
７０：防錆処理工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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