(57)【要約】【課題】走査速度を低下させることなく走査方向の解像度を向上させることが可能な描画ヘッド、描画装置及び描画方向を得る。【解決手段】ＤＭＤ５０を構成するマイクロミラー６２を、走査方向の各列ごとに、順に先頭列から最終行まで連続な自然数Ｓで番号付けを行い、この番号を、２以上の所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行ごとに、マイクロミラー６２のグループを構成する。同一グループに対応するＳＲＡＭについては、実質的に同時に、次の傾斜状態を示す信号への変化（書き換え）が行われるようにする。【選択図】        図８
2004212471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画面に対し、この描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動される描画ヘッドであって、
描画面と実質的に平行な面内で複数の描画素子を二次元に配列して構成された描画素子群と、
画像情報に応じて前記描画素子の変調状態をあらかじめ記憶し描画素子に出力可能な記憶手段と、
前記描画素子を走査方向に沿って先頭行から最終行まで連続的な自然数で番号付けを行った場合に、この番号を２以上の所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行で描画素子グループを構成し、前記記憶手段に記憶された前記変調状態を次の変調状態へと描画素子グループ内で実質的に同時に変化させる変化手段と、
を有することを特徴とする描画ヘッド。
【請求項２】
前記変化手段による変調状態の変化タイミングが、描画素子グループごとに異なるタイミングとされていることを特徴とする請求項１に記載の描画ヘッド。
【請求項３】
１つの前記描画素子での１回の描画から次の描画までの時間間隔をＴ０とした場合、前記変化手段による変調状態の変化タイミングが、描画素子グループごとにＴ０／Ｎづつずれたタイミングとされていることを特徴とする請求項２に記載の描画ヘッド。
【請求項４】
前記描画素子群が、画像情報に対応して各画素ごとに変調された光を、描画面としての露光面に照射する変調光照射装置、
であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の描画ヘッド。
【請求項５】
前記変調光照射装置が、
レーザ光を照射するレーザ装置と、
各々制御信号に応じて光変調状態が変化する多数の描画素子部が２次元状に配列され、前記レーザ装置から照射されたレーザ光を変調する空間光変調素子と、
前記描画素子部を露光情報に応じて生成した制御信号によって制御する制御手段と、
を含んで構成されていることを特徴とする請求項４に記載の描画ヘッド。
【請求項６】
前記空間光変調素子を、各々制御信号に応じて反射面の角度が変更可能な多数のマイクロミラーが２次元状に配列されて構成されたマイクロミラーデバイスで構成したことを特徴とする請求項５に記載の描画ヘッド。
【請求項７】
前記空間光変調素子を、各々制御信号に応じて透過光を遮断することが可能な多数の液晶セルが２次元状に配列されて構成された液晶シャッターアレイで構成したことを特徴とする請求項５に記載の描画ヘッド。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の描画ヘッドと、
前記描画ヘッドを少なくとも前記所定方向へ相対移動させる移動手段と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の描画ヘッドを使用し、この描画ヘッドを描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動させて描画する描画方法であって、
前記描画素子を走査方向に沿って先頭行から最終行まで連続的な自然数で番号付けを行った場合に、この番号を所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行で描画素子グループを構成し、前記記憶手段に記憶された前記変調状態を次の変調状態へと描画素子グループごとに異なるタイミングで変化させることを特徴とする描画方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、描画ヘッド、描画装置及び描画方法に関し、特に、描画面に対し、この描画面に沿った所定方向へ相対移動される描画ヘッドと、この描画ヘッドを備えた描画装置、及びこの描画ヘッドを使用した描画方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、画像記録装置の一例として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）等の二次元空間光変調素子を利用して、画像データに応じて変調された光ビームで画像露光を行う露光装置が種々提案されている（たとえば、非特許文献１参照）。このＤＭＤは、たとえばＳＲＡＭの各メモリセル上に多数の微小なマイクロミラーが設けられて構成されており、各メモリセルに蓄えた電荷による静電気力でマイクロミラーの反射面の角度を変化させるようになっている。実際に描画を行うときには、各ＳＲＡＭに画像データを書き込んだ状態で各マイクロミラーをリセットして所定角度とし、光の反射方向を所望の方向とする。
【０００３】
このような二次元空間光変調素子を用いて画像を記録する画像記録装置としては、たとえば、非特許文献２に示されたものがある。この画像記録装置では、１つのウインドウ領域が４つに分割されており、それぞれの分割領域へのデータ転送に約２４μｓｅｃ、ミラーリセットに約２５μｓｅｃを要している。この画像記録装置では、４つの領域毎にデータ転送とミラーリセットとを順次行う構成となっているため、全体として、１つのウインドウ領域を露光するために、約２００μｓｅｃ（（２４μｓｅｃ＋２５μｓｅｃ）×４）を要している。
【０００４】
これに対し、特許文献１には、感光記録媒体を２次元空間光変調素子の画素列に対して傾いた方向に副走査移動させる画像記録装置が記載されている。このように傾斜させることで、走査方向に垂直な方向（副走査方向）の解像度を向上させることができる。
【０００５】
ところで、特許文献１の画像記録装置において、走査方向の解像度は走査速度に依存する。したがって、走査方向の解像度を向上させるためには、たとえば、走査速度を低下させればよいが、この場合には、画像記録に多くの時間を要する。
【０００６】
したがって、走査速度を低下させることなく走査方向の解像度を向上させるためには、２次元空間光変調素子の更新周波数（単位時間当たりにリセットできる回数）を上げる必要がある。ところが、上記の非特許文献２にも示されているように、すべてのＳＲＡＭの各メモリセルにデータを転送した後、各マイクロミラーのリセットを行う必要があるため、更新周波数には限界がある。結果的に、データ転送時間及びリセット時間が障害となり、走査速度を低下させることなく走査方向の解像度を向上させることには限界が生じている。
【０００７】
【非特許文献１】
Larry J. Hornbeck,  Digital Light Processing and MEMS: reflecting the digital display needs of the networked society,  THE INTERNATIONAL SOCIETYFOR OPTICAL ENGINEERING,  Proceedings of SPIE Volume: 2783,  8/1996,  P.2-13
【非特許文献２】
W.E.Nelson and Robit L Bhuva,.  Digital micromirror device imaging bar for hard copy,  THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING,  Proceedings of SPIE Volume: 2413,  4/1995,  P.58-65
【特許文献１】
特表２００１−７１５６３号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事実を考慮し、走査速度を低下させることなく走査方向の解像度を向上させることが可能な描画ヘッド、描画装置及び描画方法を得ることを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明では、描画面に対し、この描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動される描画ヘッドであって、描画面と実質的に平行な面内で複数の描画素子を二次元に配列して構成された描画素子群と、画像情報に応じて前記描画素子の変調状態をあらかじめ記憶し描画素子に出力可能な記憶手段と、前記描画素子を走査方向に沿って先頭行から最終行まで連続的な自然数で番号付けを行った場合に、この番号を２以上の所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行で描画素子グループを構成し、前記記憶手段に記憶された前記変調状態を次の変調状態へと描画素子グループ内で実質的に同時に変化させる変化手段と、を有することを特徴とする。
【００１０】
この描画ヘッドでは、描画素子の変調状態が記憶手段に記憶されており、記憶手段からの出力に基づいて、描画素子は、１つの変調状態から次の変調状態へと変化される。また、描画ヘッドの複数の描画素子は描画面と実質的に平行な面内で二次元的に配列されており、描画ヘッドは描画面に沿った所定の走査方向へと相対移動される。これにより、描画素子群を構成している複数の描画素子によって描画面に描画（画像記録）される。
【００１１】
描画素子は、走査方向に沿って先頭行から最終行まで連続的な自然数で番号付けを行った場合に、この番号を２以上の所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行で描画素子グループを構成している。そして、記憶手段に記憶された変調状態は、変化手段によって、次の変調状態へと描画素子グループ内で実質的に同時に変化させることができる。換言すれば、異なるグループの描画素子に対応する記憶手段では、記憶された変調状態を異なるタイミングで変化させることができる。これにより、走査方向への描画ヘッドの相対移動速度（走査速度）を低下させることなく、走査方向の解像度を向上させることが可能となる。
【００１２】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明において、前記変化手段による変調状態の変化タイミングが、描画素子グループごとに異なるタイミングとされていることを特徴とする。
【００１３】
すなわち、請求項１に記載の発明において、実質的に請求項２に記載のようにすることで、走査方向の解像度を向上させることが可能となる。
【００１４】
請求項３に記載の発明では、請求項２に記載の発明において、１つの前記描画素子での１回の描画から次の描画までの時間間隔をＴ０とした場合、前記変化手段による変調状態の変化タイミングが、描画素子グループごとにＴ０／Ｎづつずれたタイミングとされていることを特徴とする。
【００１５】
これにより、描画素子グループごとの変調状態のタイミングのずれが一定（Ｔ０／Ｎ）となるので、走査方向に見て均一な画素間隔で描画することが可能となる。
【００１６】
本発明の描画ヘッドとしては、画像情報に応じてインク滴を描画面に吐出するインクジェット記録ヘッドであってもよいが、請求項４に記載のように、前記描画素子群が、画像情報に対応して各画素ごとに変調された光を、描画面としての露光面に照射する変調光照射装置、である描画ヘッドでもよい。この描画ヘッドでは、変調光照射装置から、画像情報に対応して各画素ごとに変調された光が描画面である露光面に照射される。そして、描画ヘッド（露光ヘッド）が露光面に対し、露光面に沿った方向へと相対移動されることで、露光面に二次元像が描画される。
【００１７】
この変調光照射装置としては、たとえば、多数の点光源が二次元状に配列された二次元配列光源を挙げることができる。この構成では、それそれの点光源が、画像情報に応じて光を射出する。この光が、必要に応じて高輝度ファイバなどの導光部材で所定位置まで導かれ、さらに必要に応じてレンズやミラーなどの光学系で整形などが行われ、露光面に照射される。
【００１８】
また、変調光照射装置として、請求項５に記載のように、レーザ光を照射するレーザ装置と、各々制御信号に応じて光変調状態が変化する多数の描画素子部が２次元状に配列され、前記レーザ装置から照射されたレーザ光を変調する空間光変調素子と、前記描画素子部を露光情報に応じて生成した制御信号によって制御する制御手段と、を含む構成とすることができる。この構成では、制御手段により、空間光変調素子の各描画素子部の光変調状態が変化され、空間光変調素子に照射されたレーザ光が、変調されて、露光面に照射される。もちろん、必要に応じて、高輝度ファイバなどの導光部材や、レンズ、ミラーなどの光学系を用いてもよい。
【００１９】
空間光変調素子としては、請求項６に記載のように、各々制御信号に応じて反射面の角度が変更可能な多数のマイクロミラーが２次元状に配列されて構成されたマイクロミラーデバイスや、請求項７に記載のように、各々制御信号に応じて透過光を遮断することが可能な多数の液晶セルが２次元状に配列されて構成された液晶シャッターアレイを用いることができる。
【００２０】
請求項８に記載の発明では、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の描画ヘッドと、前記描画ヘッドを少なくとも前記走査方向へ相対移動させる移動手段と、を有することを特徴とする。
【００２１】
したがって、描画ヘッドによって描画面に対し露光やインク吐出などの処理がなされつつ、描画ヘッドが描画面と相対移動し、描画面上に描画される。この描画装置では、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の描画ヘッドを有しているので、走査速度を低下させることなく、走査方向の解像度を向上させることが可能となる。
【００２２】
請求項９に記載の発明では、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の描画ヘッドを使用し、この描画ヘッドを描画面に沿った所定の走査方向へ相対移動させて描画する描画方法であって、前記描画素子を走査方向に沿って先頭行から最終行まで連続的な自然数で番号付けを行った場合に、この番号を所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行で描画素子グループを構成し、前記記憶手段に記憶された前記変調状態を次の変調状態へと描画素子グループごとに異なるタイミングで変化させることを特徴とする。
【００２３】
したがって、描画素子の変調状態が記憶された記憶手段からの出力に基づいて、描画素子が１つ変調状態から次の変調状態へと変化され、さらに、描画ヘッドが描画面に沿った所定の走査方向へと相対移動されことで、描画素子群を構成している複数の描画素子によって描画面に描画（画像記録）される。
【００２４】
描画素子は、走査方向に沿って先頭行から最終行まで連続的な自然数で番号付けを行った場合に、この番号を所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行で描画素子グループを構成している。そして、記憶手段に記憶された変調状態は、変化手段によって、次の変調状態へと描画素子グループごとに異なるタイミングで変化される。これにより、走査方向への描画ヘッドの相対移動速度（走査速度）を低下させることなく、走査方向の解像度を向上させることが可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に係る描画装置は、いわゆるフラッドベッドタイプの露光装置とされており、図１に示すように、シート状の感光材料１５０を表面に吸着して保持する平板状のステージ１５２を備えている。４本の脚部１５４に支持された厚い板状の設置台１５６の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド１５８が設置されている。ステージ１５２は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド１５８によって往復移動可能に支持されている。なお、この露光装置には、ステージ１５２をガイド１５８に沿って駆動するための図示しない駆動装置が設けられている。
【００２６】
設置台１５６の中央部には、ステージ１５２の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート１６０が設けられている。コ字状のゲート１６０の端部の各々は、設置台１５６の両側面に固定されている。このゲート１６０を挟んで一方の側にはスキャナ１６２が設けられ、他方の側には感光材料１５０の先端及び後端を検知する複数（例えば、２個）の検知センサ１６４が設けられている。スキャナ１６２及び検知センサ１６４はゲート１６０に各々取り付けられて、ステージ１５２の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ１６２及び検知センサ１６４は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されており、後述するように、露光ヘッド１６６によって露光する際に所定のタイミングで露光するように制御される。
【００２７】
スキャナ１６２は、図２及び図３（Ｂ）に示すように、ｍ行ｎ列（例えば、３行５列）の略マトリックス状に配列された複数の露光ヘッド１６６を備えている。この例では、感光材料１５０の幅との関係で、３行目には４個の露光ヘッド１６６を配置し、全体で、１４個とした。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド１６６mnと表記する。
【００２８】
露光ヘッド１６６による露光エリア１６８は、図２では、走査方向を短辺とする矩形状で、且つ、走査方向に対し、所定の傾斜角θで傾斜している。そして、ステージ１５２の移動に伴い、感光材料１５０には露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア１６８mnと表記する。
【００２９】
また、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、帯状の露光済み領域１７０びそれぞれが、隣接する露光済み領域１７０と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッドの各々は、配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍、本実施の形態では２倍）ずらして配置されている。このため、１行目の露光エリア１６８11と露光エリア１６８12との間の露光できない部分は、２行目の露光エリア１６８21と３行目の露光エリア１６８31とにより露光することができる。
【００３０】
露光ヘッド１６６11〜１６６mn各々は、図４、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、入射された光ビームを画像データに応じて各画素毎に変調する空間光変調素子として、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）５０を備えている。このＤＭＤ５０は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた図示しないコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。
【００３１】
また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御に付いては後述する。
【００３２】
ＤＭＤ５０の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）が露光エリア１６８の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源６６、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系６７、レンズ系６７を透過したレーザ光をＤＭＤ５０に向けて反射するミラー６９がこの順に配置されている。
【００３３】
レンズ系６７は、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光を平行光化する１対の組合せレンズ７１、平行光化されたレーザ光の光量分布が均一になるように補正する１対の組合せレンズ７３、及び光量分布が補正されたレーザ光をＤＭＤ上に集光する集光レンズ７５で構成されている。組合せレンズ７３は、レーザ出射端の配列方向に対しては、レンズの光軸に近い部分は光束を広げ且つ光軸から離れた部分は光束を縮め、且つこの配列方向と直交する方向に対しては光をそのまま通過させる機能を備えており、光量分布が均一となるようにレーザ光を補正する。
【００３４】
また、ＤＭＤ５０の光反射側には、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光を感光材料１５０の走査面（被露光面）５６上に結像するレンズ系５４、５８が配置されている。レンズ系５４及び５８は、ＤＭＤ５０と被露光面５６とが共役な関係となるように配置されている。
【００３５】
本実施形態では、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光は、実質的に５倍に拡大された後、各画素がこれらのレンズ系５４、５８によって約５μｍに絞られるように設定されている。
【００３６】
ＤＭＤ５０は、図６に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）６０上に、微小ミラー（マイクロミラー）６２が支柱により支持されて配置されたものであり、画素（ピクセル）を構成する多数の（例えば、ピッチ１３．６８μｍ、１０２４個×７６８個）の微小ミラーを格子状に配列して構成されたミラーデバイスである。各ピクセルには、最上部に支柱に支えられたマイクロミラー６２が設けられており、マイクロミラー６２の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー６２の反射率は９０％以上である。また、マイクロミラー６２の直下には、ヒンジ及びヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのＳＲＡＭセル６０が配置されており、全体はモノリシック（一体型）に構成されている。
【００３７】
ＤＭＤ５０のＳＲＡＭセル６０に、マイクロミラー６０の傾斜状態（変調状態）を示すデジタル信号が書き込まれ、さらにＳＲＡＭセル６０からマイクロミラー６２にデジタル信号が出力されると、支柱に支えられたマイクロミラー６２が、対角線を中心としてＤＭＤ５０が配置された基板側に対して±α度（例えば±１０度）の範囲で傾けられる。図７（Ａ）は、マイクロミラー６２がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図７（Ｂ）は、マイクロミラー６２がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。従って、画像信号に応じて、ＤＭＤ５０の各ピクセルにおけるマイクロミラー６２の傾きを、図６に示すように制御することによって、ＤＭＤ５０に入射された光はそれぞれのマイクロミラー６２の傾き方向へ反射される。
【００３８】
なお、図６には、ＤＭＤ５０の一部を拡大し、マイクロミラー６２が＋α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー６２のオンオフ制御は、ＤＭＤ５０に接続された図示しないコントローラによって行われる。なお、オフ状態のマイクロミラー６２により光ビームが反射される方向には、光吸収体（図示せず）が配置されている。
【００３９】
ここで、本実施形態では、ＤＭＤ５０を構成するマイクロミラー６２に対し、走査方向の各列ごとに、順に先頭列から最終行まで連続な自然数Ｓで番号付けを行い、この番号を、２以上の所定の自然数Ｎで割った余りが等しい行ごとに、マイクロミラー６２のグループを構成している。そして、同一グループに対応するＳＲＡＭについては、実質的に同時に、次の傾斜状態を示す信号への変化（書き換え）が行われるようにしている。この点につき、図８を参照して説明する。なお、以下において、上記の余りをｒとしたときに、このｒを使用して各グループを区別することとする。たとえば、ｒ＝１のグループを第１グループ、ｒ＝２のグループを第２グループ、ｒ＝０のグループを第０グループとする。
【００４０】
図８には、ＤＭＤ５０を構成する複数のマイクロミラー６２の一部が、走査方向に４行、走査方向と直交する方向に４列取り出して模式的に示されている。行番号をここでは一例として２で割り、その余りが等しい行ごとにグループ化している。したがって、第１行目と第３行目とが同一グループ（余りｒ＝１なので第１グループ）となり、第２行目と第４行目とが同一グループ（余りｒ＝０なので第０グループ）となる。そして、同一のグループ内では、実質的に同時に、ＳＲＡＭに記憶された画像情報のデータを、次の画像情報のデータへと書き換えすることが可能となるように、ＳＲＡＭセル６０内が配線されている。これにより、それぞれのグループに対応するＳＲＡＭへの、図示しないコントローラからの画像データ（マイクロミラー６２の傾斜データ）の転送タイミングを、グループごとにずらすことが可能になる、例えば、図９には、第０のグループへの画像データの転送タイミングが、第１グループよりも遅れるようにずらされた例が示されている。本実施形態では、このようにマイクロミラー６２をグループ化し、ＳＲＡＭへの画像データの転送タイミングをグループごとにすらすことで、後述するように、走査方向での解像度を向上させることができるようになっている。なお、図９では、マイクロミラー６２での１回の描画から次の描画までの時間間隔をＴ０とし、タイミングのずれがＴ０／Ｎ（ここではＮ＝２なので、Ｔ０／２）となるように設定されている。
【００４１】
図１０（Ａ）には、ファイバアレイ光源６６の構成が示されている。ファイバアレイ光源６６は、複数（例えば、６個）のレーザモジュール６４を備えており、各レーザモジュール６４には、マルチモード光ファイバ３０の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ３０の他端には、コア径がマルチモード光ファイバ３０と同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバ３０より小さい光ファイバ３１が結合され、図１０（Ｃ）に示すように、光ファイバ３１の出射端部（発光点）が走査方向と直交する方向に沿って１列に配列されてレーザ出射部６８が構成されている。なお、図１０（Ｄ）に示すように、発光点を走査方向に沿って２列に配列することもできる。
【００４２】
光ファイバ３１の出射端部は、図１０（Ｂ）に示すように、表面が平坦な２枚の支持板６５に挟み込まれて固定されている。また、光ファイバ３１の光出射側には、光ファイバ３１の端面を保護するために、ガラス等の透明な保護板６３が配置されている。保護板６３は、光ファイバ３１の端面と密着させて配置してもよく、光ファイバ３１の端面が密封されるように配置してもよい。光ファイバ３１の出射端部は、光密度が高く集塵し易く劣化し易いが、保護板６３を配置することにより端面への塵埃の付着を防止することができると共に劣化を遅らせることができる。
【００４３】
マルチモード光ファイバ３０及び光ファイバ３１としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、及び複合型光ファイバの何れでもよい。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。
【００４４】
レーザモジュール６４は、図１１に示す合波レーザ光源（ファイバ光源）によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック１０上に配列固定された複数（例えば、７個）のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのＧａＮ系半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６，及びＬＤ７と、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々に対応して設けられたコリメータレンズ１１，１２，１３，１４，１５，１６，及び１７と、１つの集光レンズ２０と、１本のマルチモード光ファイバ３０と、から構成されている。なお、半導体レーザの個数は７個には限定されない。
【００４５】
ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、発振波長が総て共通（例えば、４０５ｎｍ）であり、最大出力も総て共通（例えば、マルチモードレーザでは１００ｍＷ、シングルモードレーザでは３０ｍＷ）である。なお、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲で、上記の４０５ｎｍ以外の発振波長を備えるレーザを用いてもよい。
【００４６】
上記の合波レーザ光源は、図１２及び図１３に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ４０内に収納されている。パッケージ４０は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋４１を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ４０の開口をパッケージ蓋４１で閉じることにより、パッケージ４０とパッケージ蓋４１とにより形成される閉空間（封止空間）内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。
【００４７】
パッケージ４０の底面にはベース板４２が固定されており、このベース板４２の上面には、前記ヒートブロック１０と、集光レンズ２０を保持する集光レンズホルダー４５と、マルチモード光ファイバ３０の入射端部を保持するファイバホルダー４６とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ３０の出射端部は、パッケージ４０の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。
【００４８】
また、ヒートブロック１０の側面にはコリメータレンズホルダー４４が取り付けられており、コリメータレンズ１１〜１７が保持されている。パッケージ４０の横壁面には開口が形成され、この開口を通してＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７に駆動電流を供給する配線４７がパッケージ外に引き出されている。
【００４９】
なお、図１３においては、図の煩雑化を避けるために、複数のＧａＮ系半導体レーザのうちＧａＮ系半導体レーザＬＤ７にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ１７にのみ番号を付している。
【００５０】
図１４には、上記コリメータレンズ１１〜１７の取り付け部分の正面形状が示されている。コリメータレンズ１１〜１７の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ１１〜１７は、長さ方向がＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の発光点の配列方向（図１４の左右方向）と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。
【００５１】
一方、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、発光幅が２μｍの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば１０°、３０°の状態で各々レーザビームＢ１〜Ｂ７を発するレーザが用いられている。これらＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、活性層と平行な方向に発光点が１列に並ぶように配設されている。
【００５２】
従って、各発光点から発せられたレーザビームＢ１〜Ｂ７は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ１１〜１７に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向（長さ方向と直交する方向）と一致する状態で入射することになる。
【００５３】
集光レンズ２０は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ１１〜１７の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ２０としては、たとえば、焦点距離ｆ2＝２３ｍｍ、ＮＡ＝０．２のものを採用することが可能である。この集光レンズ２０も、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。
【００５４】
次に、上記露光装置の動作について説明する。
【００５５】
スキャナ１６２の各露光ヘッド１６６において、ファイバアレイ光源６６の合波レーザ光源を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々から発散光状態で出射したレーザビームＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，及びＢ７の各々は、対応するコリメータレンズ１１〜１７によって平行光化される。平行光化されたレーザビームＢ１〜Ｂ７は、集光レンズ２０によって集光され、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの入射端面に収束する。
【００５６】
本例では、コリメータレンズ１１〜１７及び集光レンズ２０によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ３０とによって合波光学系が構成されている。即ち、集光レンズ２０によって上述のように集光されたレーザビームＢ１〜Ｂ７が、このマルチモード光ファイバ３０のコア３０ａに入射して光ファイバ内を伝搬し、１本のレーザビームＢに合波されてマルチモード光ファイバ３０の出射端部に結合された光ファイバ３１から出射する。
【００５７】
ファイバアレイ光源６６のレーザ出射部６８には、この通り高輝度の発光点が走査方向と直交する方向に沿って一列に配列されている。単一の半導体レーザからのレーザ光を１本の光ファイバに結合させる従来のファイバ光源は低出力であるため、多数列配列しなければ所望の出力を得ることができなかったが、本実施の形態で使用する合波レーザ光源は高出力であるため、少数列、例えば１列でも所望の出力を得ることができる。
【００５８】
露光パターンに応じた画像データが、ＤＭＤ５０に接続された図示しないコントローラに入力され、コントローラ内のフレームメモリに一旦記憶される。この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を２値（ドットの記録の有無）で表したデータである。
【００５９】
感光材料１５０を表面に吸着したステージ１５２は、図示しない駆動装置により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。ステージ１５２がゲート１６０下を通過する際に、ゲート１６０に取り付けられた検知センサ１６４により感光材料１５０の先端が検出されると、フレームメモリに記憶された画像データが複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出された画像データに基づいて各露光ヘッド１６６毎に制御信号が生成される。そして、ミラー駆動制御部により、生成された制御信号に基づいて各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０のマイクロミラーの各々がオンオフ制御される。
【００６０】
ファイバアレイ光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光が照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、レンズ系５４、５８により感光材料１５０の被露光面５６上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光が画素毎にオンオフされて、感光材料１５０がＤＭＤ５０の使用画素数と略同数の画素単位（露光エリア１６８）で露光される。
【００６１】
そして、感光材料１５０がステージ１５２と共に一定速度で移動されることにより、感光材料１５０がスキャナ１６２によりステージ移動方向と反対の方向に走査され、各露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。
【００６２】
ここで、本実施形態では、ＤＭＤ５０を構成するマイクロミラー６２がグループ化されており、ＳＲＡＭへの画像データの転送タイミングをグループごとにすらすことで、走査方向での解像度を向上させることができる。以下ではこの点を、図１５〜図２２も参照して、実際に画像記録を行う場合の動作に基づいて説明する。
【００６３】
図１５には、本実施形態に対する比較対象として、上記したグループ分けを行なってＤＭＤ５０’が、４行×４列の画素（マイクロミラー６２）をとりだして示されている。この例ではグループ分けがなされていないので、図１６に示すように、１６個すべてのマイクロミラー６２に対応するＳＲＡＭへの画像データの転送が、同一タイミングで行われる。
【００６４】
図１７〜図２２には、図８に示した構成のＤＭＤ５０と、図１６に示した構成のＤＭＤ５０’のそれぞれについての描画の様子が、順に経時的に示されている。各図面において、（Ａ）は図８のＤＭＤ５０に、（Ｂ）は図１６のＤＭＤ５０’にそれぞれ対応し、太線で示す正方形の領域が、描画面での実質的な画素による描画領域ＷＥを示している。時間としては、図９及び図１７に示した時間Ｔ１〜Ｔ６を図１７〜図２２へと順にとっており、ＤＭＤ５０、５０’はいずれも、所定の走査速度で描画面に対し走査方向（図面では下方）に相対移動している。
【００６５】
まず、本実施形態のＤＭＤ５０では、図９から分かるように、第１グループのマイクロミラー６２に対応するＳＲＡＭに対して画像データの転送を行う。そして、図１７（Ａ）に示すように、Ｔ＝Ｔ１では、第１グループのマイクロミラー６２においてミラーリセット（図９においてＲで示す。以下同様）と、描画面への描画が行われる。
【００６６】
これに対し、比較対象のＤＭＤ５０’では、図１６から分かるように、すべての列のマイクロミラーに対応するＳＲＡＭに対して画像データの転送を行っている。そして、Ｔ＝Ｔ１では、図１７（Ｂ）に示すように、すべてのマイクロミラー６２においてミラーリセットと、描画面への描画が行われる。
【００６７】
ここで、本実施形態では、図９から分かるように、Ｔ０／２の時間が経過した時点で、第０グループのマイクロミラー６２に対応するＳＲＡＭに対して画像データの転送を開始する。したがって、Ｔ＝Ｔ２のタイミングまでに、第０グループのマイクロミラー６２に対応するＳＲＡＭへの画像データの転送が完了する。Ｔ＝Ｔ２のタイミングでは、これら第０グループのマイクロミラー６２をリセットし、描画を行うことができる。このとき、図１８（Ａ）から分かるように、Ｔ１からＴ２までの時間ΔＴは、この時間ΔＴで走査距離ΔＬが、１画素の走査方向の長さの半分となるように、走査速度との関係において調整されている。したがって、実質的に走査方向での画素ピッチが１画素の半分の長さになっている。なお、図９に示すように、第１グループのマイクロミラー６２による描画が終了した時点から、これらのマイクロミラー６２による次の描画に備えて画像データの転送が開始されている。
【００６８】
これに対し、比較対象のＤＭＤ５０’では、すべての列に対応するＳＲＡＭに対して同時に画像データを転送する構成であるため、上記したＴ＝Ｔ２のタイミングでは、次の描画に備えてＳＲＡＭへの画像データの転送を行っている途中であり、図１８（Ｂ）に示すように描画は行われない。
【００６９】
そして、図１９に示すように、Ｔ＝Ｔ３のタイミングでは、本実施形態のＤＭＤ５０では、第１グループのマイクロミラー６２によって、描画が行なわれる。このときも、直前の描画を行ったタイミング（Ｔ＝Ｔ２）からΔＴだけ時間が経過しているので、走査距離ΔＬが、１画素の走査方向の長さの半分となっており、走査方向での画素ピッチが１画素の半分になっている。
【００７０】
これに対し、比較対象のＤＭＤ５０’では、Ｔ＝Ｔ３のタイミングで、すべてのマイクロミラー６２において描画が行われる。このときには、直線の描画を行ったタイミング（Ｔ＝Ｔ１）から２×ΔＴの時間が経過しているので、走査距離も２×ΔＬとなる。すなわち、走査方向の画素ピッチが、１画素と同じ長さになっている。
【００７１】
以降、Ｔ＝Ｔ４のタイミングでは、図２０に示すように、本実施形態のＤＭＤ５０では第０グループのマイクロミラー６２で描画が行われるが、比較対象のＤＭＤ５０’では描画は行われない。
【００７２】
Ｔ＝Ｔ５のタイミングでは、図２１に示すように、本実施形態のＤＭＤ５０では第１グループのマイクロミラー６２で描画が行われ、比較対象のＤＭＤ５０’では、すべてのマイクロミラー６２で描画が行われる。
【００７３】
Ｔ＝Ｔ６のタイミングでは、図２２に示すように、本実施形態のＤＭＤ５０では第０グループのマイクロミラー６２で描画が行われるが、比較対象のＤＭＤ５０’では描画は行われない。
【００７４】
図２３には、上記した動作を行った結果、描画された画像が示されている。本実施形態では、図２３（Ａ）から分かるように、走査方向の画素ピッチが１画素の大きさの半分となっている。これに対し、比較対象では、図２３（Ｂ）から分かるように、走査方向の画素ピッチが１画素の大きさと等しい長さになっている。すなわち、本実施形態では、走査速度を低下させることなく、走査方向に高い解像度を有する画像を得ることが可能になっている。
【００７５】
スキャナ１６２による感光材料１５０の走査が終了し、検知センサ１６４で感光材料１５０の後端が検出されると、ステージ１５２は、図示しない駆動装置により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。
【００７６】
なお、本実施形態のように多重露光する構成では、多重露光しない構成と比較して、ＤＭＤ５０のより広いエリアを照射することになる。これにより、露光ビーム５３の焦点深度を長くすることが可能になる。たとえば、１５μｍピッチのＤＭＤ５０を使用し、Ｌ＝２０とすると、１つの分割領域１７８Ｄに対応するＤＭＤ５０の長さ（行方向の長さ）は、１５μｍ×２０＝０．３ｍｍとなる。このような狭いエリアに光を照射するためには、たとえば図５に示すレンズ系６７によって、ＤＭＤ５０に照射されるレーザ光の光束の広がり角を大きくする必要があるので、露光ビーム５３の焦点深度は短くなる。これに対し、ＤＭＤ５０のより広い領域を照射する場合には、ＤＭＤ５０に照射されるレーザ光の光束の広がり角度が小さいので、露光ビーム５３の焦点深度は長くなる。
【００７７】
上記では、空間光変調素子としてＤＭＤを備えた露光ヘッドについて説明したがこのような反射型空間光変調素子の他に、透過型空間光変調素子（ＬＣＤ）を使用することもできる。例えば、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）タイプの空間光変調素子（ＳＬＭ；Ｓｐａｃｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子（ＰＬＺＴ素子）や液晶光シャッタ（ＦＬＣ）等の液晶シャッターアレイなど、ＭＥＭＳタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、ＭＥＭＳとは、ＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、そして制御回路を集積化した微細システムの総称であり、ＭＥＭＳタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。さらに、Ｇｒａｔｉｎｇ Ｌｉｇｈｔ Ｖａｌｖｅ（ＧＬＶ）を複数ならべて二次元状に構成したものを用いることもできる。これらの反射型空間光変調素子（ＧＬＶ）や透過型空間光変調素子（ＬＣＤ）を使用する構成では、上記したレーザの他にランプ等も光源として使用可能である。
【００７８】
また、上記の実施の形態では、合波レーザ光源を複数備えたファイバアレイ光源を用いる例について説明したが、レーザ装置は、合波レーザ光源をアレイ化したファイバアレイ光源には限定されない。例えば、１個の発光点を有する単一の半導体レーザから入射されたレーザ光を出射する１本の光ファイバを備えたファイバ光源をアレイ化したファイバアレイ光源を用いることができる。
【００７９】
さらに、複数の発光点が二次元状に配列された光源（たとえば、ＬＤアレイ、有機ＥＬアレイ等）を使用することもできる。これらの光源を使用する構成では、発光点のそれぞれが画素に対応するようにすることで、上記した空間変調措置を省略することも可能となる。
【００８０】
上記の実施形態では、図２４に示すように、スキャナ１６２によるＸ方向への１回の走査で感光材料１５０の全面を露光する例について説明したが、図２５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、スキャナ１６２により感光材料１５０をＸ方向へ走査した後、スキャナ１６２をＹ方向に１ステップ移動し、Ｘ方向へ走査を行うというように、走査と移動を繰り返して、複数回の走査で感光材料１５０の全面を露光するようにしてもよい。
【００８１】
また、上記の実施形態では、いわゆるフラッドベッドタイプの露光装置を例に挙げたが、本発明の露光装置としては、感光材料が巻きつけられるドラムを有する、いわゆるアウタードラムタイプの露光装置であってもよい。
【００８２】
描画素子（マイクロミラー６２）の各行番号を割る自然数Ｎも、２以上で行番号の最大値を超えない範囲であれば特に限定されないが、あまりに大きくするとグループの数も多くなり、ＳＲＡＭへの画像データの転送をより多段階にずらす必要が生じてしまうので、Ｎとしては２〜４程度とすることが好ましい。また、Ｎの値に関わらず、描画の時間間隔Ｔ０に対し、変調状態の変化のタイミングのずれがＴ０／Ｎとなるように制御すれば、走査方向での画素間隔も均等になるので好ましい。
【００８３】
上記の露光装置は、例えば、プリント配線基板（ＰＷＢ；Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ）の製造工程におけるドライ・フィルム・レジスト（ＤＦＲ；Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）の露光、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程におけるカラーフィルタの形成、ＴＦＴの製造工程におけるＤＦＲの露光、プラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）の製造工程におけるＤＦＲの露光等の用途に好適に用いることができる。
【００８４】
また、上記の露光装置には、露光により直接情報が記録されるフォトンモード感光材料、露光により発生した熱で情報が記録されるヒートモード感光材料の何れも使用することができる。フォトンモード感光材料を使用する場合、レーザ装置にはＧａＮ系半導体レーザ、波長変換固体レーザ等が使用され、ヒートモード感光材料を使用する場合、レーザ装置にはＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ（赤外レーザ）、固体レーザが使用される。
【００８５】
また、本発明では、露光装置に限らず、たとえばインクジェット記録ヘッドに同様の構成を採用することが可能である。すなわち、一般にインクジェット記録ヘッドでは、記録媒体（たとえば記録用紙やＯＨＰシートなど）に対向するノズル面に、インク滴を吐出するノズルが形成されているが、インクジェット記録ヘッドのなかには、このノズルを格子状に複数配置し、ヘッド自体を走査方向に対して傾斜させて、高解像度で画像を記録可能なものがある。このような二次元配列が採用されたインクジェット記録ヘッドにおいて、ヘッド自体の実際の傾斜角が理想の傾斜角からずれていても、本発明を採用することで、記録画像に生じるピッチのずれを一定範囲に抑制することができる。
【００８６】
【発明の効果】
本発明は上記構成としたので、走査速度を低下させることなく走査方向の解像度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の露光装置の外観を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態の露光装置のスキャナの構成を示す斜視図である。
【図３】（Ａ）は感光材料に形成される露光済み領域を示す平面図であり、（Ｂ）は各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態の露光ヘッドの概略構成を示す斜視図である。
【図５】（Ａ）は図４に示す露光ヘッドの構成を示す光軸に沿った走査方向の断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【図６】本発明の一実施形態の露光ヘッドに係るデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の一実施形態の露光ヘッドに係るＤＭＤの動作を説明するための説明図である。
【図８】本発明の一実施形態の露光ヘッドにおいて、ＤＭＤのマイクロミラーを部分的に取り出して示す説明図である。
【図９】本発明の一実施形態の露光ヘッドに対する画像データの転送とミラーリセットとのタイミングを示す説明図である。
【図１０】（Ａ）はファイバアレイ光源の構成を示す斜視図であり、（Ｂ）は（Ａの部分拡大図であり、（Ｃ）及び（Ｄ）はレーザ出射部における発光点の配列を示す平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る合波レーザ光源の構成を示す平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係るレーザモジュールの構成を示す平面図である。
【図１３】図１２に示すレーザモジュールの構成を示す側面図である。
【図１４】図１２に示すレーザモジュールの構成を示す部分側面図である。
【図１５】比較対象の露光ヘッドにおいて、ＤＭＤのマイクロミラーを部分的に取り出して示す説明図である。
【図１６】比較対象の露光ヘッドに対する画像データの転送とミラーリセットとのタイミングを示す説明図である。
【図１７】露光ヘッドによって描画される描画面の様子を示す説明図であり、（Ａ）は本実施形態の場合、（Ｂ）は比較対象の場合である。
【図１８】露光ヘッドによって描画される描画面の様子を示す説明図であり、（Ａ）は本実施形態の場合、（Ｂ）は比較対象の場合である。
【図１９】露光ヘッドによって描画される描画面の様子を示す説明図であり、（Ａ）は本実施形態の場合、（Ｂ）は比較対象の場合である。
【図２０】露光ヘッドによって描画される描画面の様子を示す説明図であり、（Ａ）は本実施形態の場合、（Ｂ）は比較対象の場合である。
【図２１】露光ヘッドによって描画される描画面の様子を示す説明図であり、（Ａ）は本実施形態の場合、（Ｂ）は比較対象の場合である。
【図２２】露光ヘッドによって描画される描画面の様子を示す説明図であり、（Ａ）は本実施形態の場合、（Ｂ）は比較対象の場合である。
【図２３】露光ヘッドによって描画された画像を拡大して示す説明図であり、（Ａ）は本実施形態の場合、（Ｂ）は比較対象の場合である。
【図２４】スキャナによる１回の走査で感光材料を露光する露光方式を説明するための平面図である。
【図２５】（Ａ）及び（Ｂ）はスキャナによる複数回の走査で感光材料を露光する露光方式を説明するための平面図である。
【符号の説明】
ＬＤ１〜ＬＤ７  ＧａＮ系半導体レーザ
１０  ヒートブロック
１１〜１７  コリメータレンズ
２０    集光レンズ
３０    マルチモード光ファイバ
５０    ＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス、空間光変調素子）
５３    反射光像（露光ビーム）
５４、５８    レンズ系
５６    走査面（被露光面）
６４    レーザモジュール
６６    ファイバアレイ光源
６８    レーザ出射部
７３    組合せレンズ
１５０    感光材料
１５２    ステージ（移動手段）
１６２    スキャナ
１６６    露光ヘッド
１６８    露光エリア（二次元像）
１６８Ｄ  分割領域
１７０    露光済み領域
１７８    露光エリア（二次元像）
１７８Ｄ  分割領域
θ    理想の傾斜角
θ’  実際の傾斜角
【図１】
2004212471.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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