(57)【要約】【課題】熱電素子の角部に熱応力による欠けが生じることを防止することにより、耐久性を向上させることのできる熱電モジュールを提供すること。【解決手段】対向させて配置した下基板１１と上基板１２における対向する両面にそれぞれ下部電極１３と上部電極１４とを設け、その下部電極１３と上部電極１４とにそれぞれ熱電素子１５，１６の端面を鉛フリーハンダを介して固定することにより熱電モジュール１０を形成した。そして、熱電素子１６を熱電モジュール１０の角部に配置するとともに、熱電素子１６における熱電モジュール１０の角部側に斜面１６ａを形成した。斜面１６ａは、直方体からなる熱電素子の角部を取り除くことにより形成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向させて配置した一対の四角板状の絶縁基板における対向する両面の所定箇所に電極を形成し、前記対向する電極にそれぞれ熱電素子の端面を鉛フリーハンダを介して固定することにより、前記一対の絶縁基板間に複数の熱電素子を略格子状に配置して、その外周を前記絶縁基板の外周に沿わせて構成される熱電モジュールにおいて、
前記一対の絶縁基板の角部または角部近傍に配置される前記熱電素子の前記一対の絶縁基板の角部側に、前記一対の絶縁基板の角部を形成する両辺に対して平行も直交もしない斜面を形成するとともに、前記各熱電素子の断面積がすべて略等しくなるようにしたことを特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】
前記一対の絶縁基板の角部または角部近傍に配置される熱電素子の斜面は、直方体からなる熱電素子における前記一対の絶縁基板の角部側の角部を、前記一対の絶縁基板の角部を形成する両辺に対し所定角度をなす平面もしくは曲面をなすように取り除いて形成した請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項３】
前記一対の絶縁基板の角部または角部近傍に配置される熱電素子の斜面を、直方体からなる熱電素子の配置角度を変えることにより形成した請求項１に記載の熱電モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱電気変換を行う熱電モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、熱電気変換の一つであるペルチェ効果を利用して熱変換を行う熱電モジュールが加熱・冷却装置等に用いられている（例えば、特許文献１参照）。この熱電モジュールは、一対の絶縁基板における相対向する内側の面の所定箇所に複数の電極を形成し、この相対向する電極にそれぞれ熱電素子の上下の端面をハンダ付けすることにより、一対の絶縁基板間に複数の熱電素子を固定して構成されている。この場合、一対の絶縁基板は四角板状に形成され、熱電素子は、その一対の絶縁基板間で、複数の熱電素子からなる熱電素子群を、その外周が前記絶縁基板の外周に沿うように、例えば、左右前後に一定間隔を保って格子状に配列されている。
【０００３】
また、このような熱電モジュールでは、通電した際に、熱電素子の角部に熱応力が集中して生じ、角部に亀裂が生じたり角部が欠けてしまったりすることがある。これによって、熱電素子における欠けた部分の断面積が減少して電気抵抗が上昇してしまう。この結果、熱電モジュールの寿命（耐久性）や性能（最大吸熱量）が低下するという問題が生じていた。この問題を回避するために、前述した従来の熱電モジュールでは、各熱電素子の形状を円柱状や多角柱状等にすることにより一部の角部に熱応力が集中することを防止し、角部に亀裂が生じたり角部が欠けたりして熱電モジュールの寿命や性能が低下することを防止している。
【０００４】
【特許文献１】
特開１１−１７７１５１号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
最近では、環境に対して有害性を有することから鉛を含まない鉛フリーのハンダが接着用に用いられている。このような鉛フリーのハンダとして、例えば、Ａｕ―Ｓｎハンダ、Ａｕ−Ｇｅハンダ、Ａｕ−Ｓｉハンダ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｃｕ−Ａｇハンダ、Ｚｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｍｇハンダなどがある。鉛フリーハンダは、錫と鉛からなる従来のハンダよりも硬く、鉛フリーハンダを用いて熱電素子と絶縁基板とを接合したときの熱電モジュールの機械的特性は、従来のハンダを用いた場合に比べると悪くなる。
【０００６】
このため、鉛フリーハンダを用いて熱電素子と絶縁基板とを電極を介して接合した熱電モジュールでは、電気抵抗の上昇が問題となる。また、前述した熱電モジュールでは、すべての熱電素子の形状を円柱状や多角柱状等にしているため、加工に手間がかかりコストアップにつながるという問題がある。
【０００７】
【発明の概要】
本発明は、上記問題に対処するためになされたもので、その目的は、熱電素子の角部に熱応力による欠けが生じることを防止することにより、耐久性を向上させることのできる熱電モジュールを提供することである。
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明にかかる熱電モジュールの構成上の特徴は、対向させて配置した一対の四角板状の絶縁基板における対向する両面の所定箇所に電極を形成し、対向する電極にそれぞれ熱電素子の端面を鉛フリーハンダを介して固定することにより、一対の絶縁基板間に複数の熱電素子を略格子状に配置して、その外周を絶縁基板の外周に沿わせて構成される熱電モジュールにおいて、一対の絶縁基板の角部または角部近傍に配置される熱電素子の一対の絶縁基板の角部側に、一対の絶縁基板の角部を形成する両辺に対して平行も直交もしない斜面に形成するとともに、各熱電素子の断面積がすべて略等しくなるようにしたことにある。
【０００９】
本発明の熱電モジュールでは、四角板状に形成した一対の絶縁基板間に、複数の熱電素子を略格子状に配置するとともに、一対の絶縁基板の角部または角部近傍に配置される熱電素子における外側の角部を、一対の絶縁基板の角部に対して傾斜した斜面に形成している。すなわち、複数の熱電素子からなる熱電素子群全体における角部または角部近傍部分を、一対の絶縁基板の対向する各辺に対して平行も直交もしない所定角度の斜面に形成している。したがって、鉛フリーハンダを用いた熱電素子における熱応力が集中する角部が無くなり、角部に配置される熱電素子に欠けが生じ難くなる。その結果、短期間の使用による電気抵抗の上昇を防止でき、熱電モジュールの寿命や性能の低下を防止できる。
【００１０】
また、各熱電素子の断面積は略等しくなるように設定されているため、各熱電素子の電気抵抗にばらつきがなくなる。この結果、一部の熱電素子が損傷するといったことがなくなり、熱電モジュール全体としての耐久性が向上する。なお、この場合の熱電素子の断面は、一対の絶縁基板と平行する横断面である。また、斜面が形成された熱電素子は、角部または角部近傍にだけ設けられるため、大部分の熱電素子は通常の直方体からなる熱電素子をそのままの状態で使用することができる。その結果、製造が煩雑になることを最小限にとどめることができる。
【００１１】
また、本発明によると、錫と鉛からなるハンダを用いた場合よりも機械的特性が悪くなる鉛フリーハンダを用いた熱電モジュールにおいても短期間の使用による電気抵抗の上昇を防止することができる。また、ハンダに鉛が含まれないため環境上からも好ましい。
【００１２】
本発明にかかる熱電モジュールの他の構成上の特徴は、一対の絶縁基板の角部または角部近傍に配置される熱電素子の斜面は、直方体からなる熱電素子における一対の絶縁基板の角部側の角部を、一対の絶縁基板の角部を形成する両辺に対し所定角度をなす平面もしくは曲面をなすように取り除いて形成したことにある。これによると、簡単な加工で角部が切り欠かれてその部分に斜面が形成された熱電素子を得ることができる。
【００１３】
本発明にかかる熱電モジュールのさらに他の構成上の特徴は、一対の絶縁基板の角部または角部近傍に配置される熱電素子の斜面を、直方体からなる熱電素子の配置角度を変えることにより形成したことにある。これによると、従来からある直方体の熱電素子を備えた熱電モジュールにおける角部または角部近傍の熱電素子の向きを変更するだけですむため、特に熱電素子を加工する必要がなくなり製造が簡単になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図１および図２は、本実施形態による熱電モジュール１０を示している。熱電モジュール１０は、アルミナ製のセラミック板からなる四角板状の下基板１１と上基板１２とからなる一対の絶縁基板を備えている。そして、下基板１１の上面に一定間隔を保って銅の薄膜からなる複数の下部電極１３が取り付けられ、上基板１２の下面に一定間隔を保って銅の薄膜からなる複数の上部電極１４が取り付けられている。
【００１５】
そして、ビスマス・テルル系の合金からなる複数の熱電素子１５と２個の熱電素子１６とが、それぞれ下端面を下部電極１３にハンダ付けにより固定され、上端面を上部電極１４にハンダ付けにより固定されて下基板１１と上基板１２を一体的に連結している。熱電素子１５は直方体に形成され、熱電素子１６は、直方体の熱電素子における熱電モジュール１０の角部側に位置する角部が取り除かれ、その部分が斜面１６ａに形成された形状に形成されている。
【００１６】
すなわち、斜面１６ａは下基板１１および上基板１２のそれぞれ角部を形成する辺１１ａ，１１ｂおよび辺１２ａ，１２ｂに対して４５度傾いた斜面に形成されている。また、熱電素子１５，１６と下部電極１３および上部電極１４とを接合するハンダとしては、例えば、錫と金の合金からなるＡｕ―Ｓｎハンダが用いられている。Ａｕ―Ｓｎハンダは融点が２５０℃以上の鉛フリーハンダの一つである。
【００１７】
図３は、下部電極１３と熱電素子１５，１６とが取り付けられた下基板１１を上方から見た状態を示しており、図示のように、下部電極１３はすべて長方形に形成されている。そして、下基板１１の四隅の角部のうちの一方側の２個所の角部に設けられた下部電極１３の一方の端部には、リード線１７ａ，１７ｂが接続され、外部から通電可能になっている。また、下基板１１の他方側の２個所の角部に取り付けられた下部電極１３の他方の端部には、それぞれ熱電素子１６が斜面１６ａを外側に向けた状態でその下面が接合され、その他の下部電極１３には、それぞれ２個の熱電素子１５の下端面が接合されている。
【００１８】
また、上部電極１４は、すべて下部電極１３と同形の長方形に形成されており、それぞれ下部電極１３に対して熱電素子１５，１６の略１個分に等しい距離をずらして上基板１２に取り付けられている。そして、熱電素子１５，１６の上端面は、各熱電素子１５，１６、下部電極１３および上部電極１４が直列に接続されるようにして、各上部電極１４に２個づつ接合されている。
【００１９】
また、熱電素子１５，１６は、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子とで構成されており、Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子とが交互に配置されている。Ｐ型熱電素子とＮ型熱電素子とはともにビスマス・テルル系の合金で構成されているが組成は多少異なっている。なお、熱電モジュール１０は、縦の長さ（図３における左右方向の長さ）が８ｍｍ、横の長さ（図３における前後方向の長さ）が６ｍｍ、高さが２ｍｍに設定されている。
【００２０】
また、熱電素子１５は、縦横の幅がともに、０．７５ｍｍで、高さが１．３ｍｍに設定されており、熱電素子１６は、縦横の幅がともに、０．７６ｍｍで、高さが１．３ｍｍに設定された熱電素子の角部における直交する各辺の長さで０．１９ｍｍ分を斜めに切り欠いてその部分に斜面１６ａを形成した形状に設定されている。また、熱電素子１５，１６はともに横断面積および体積が同一になるように形成されている。
【００２１】
熱電素子１５，１６の形成は、例えば、ダイシングソー（図示せず）を用いた切断加工によって行われる。これは、粉末材料を成形した熱電素子ウェハをステージに固定し、円板状のダイシングソーを高速回転させながら、熱電素子ウェハがダイシングソーのブレードに当たるようにステージを移動させて所定の大きさに切断することにより行われる。
【００２２】
また、熱電素子１６の斜面１６ａの形成は、所定の大きさの直方体に切断された熱電素子をステージに固定し、ステージを４５度回転させた状態で、熱電素子の１辺の１／３〜１／４程度の部分にブレードが当たるようにして切断することにより行われる。また、このようにして得られた熱電素子１５，１６は、隣り合った１個のＰ型熱電素子と１個のＮ型熱電素子とを１対として、２３対が１個の熱電モジュール１０に用いられている。
【００２３】
つぎに、以上のように構成した熱電モジュール１０と、従来例による熱電モジュールとに対してパワーサイクルテストを行った結果について説明する。従来例による熱電モジュール（以下、従来品と記す。）としては、熱電モジュール１０における２個の熱電素子１６に換えて熱電素子１５を用いたこと以外は、すべて熱電モジュール１０と同じ構成からなるものを用いた。
【００２４】
パワーサイクルテストに際しては、まず、熱電モジュール１０と従来品との上下面に、それぞれ厚みが１ｍｍのＣｕＷプレートをハンダ付けした。そして、下部絶縁基板１１等を加熱側として、下部絶縁基板１１等側のＣｕＷプレートの温度を６０℃に保持した状態で行った。そして、熱電モジュール１０および従来品に２．３アンペアの電流を、それぞれ１分間流したのちに、４分間電流を停止させる操作を、２万回繰り返し、そのパワーサイクルテストの前後での熱電モジュール１０および従来品の電気抵抗の変化率を比較した。
【００２５】
熱電モジュール１０等の電気抵抗は、初期の段階では、低くなるように設定されているが、使用や高温加熱等による劣化に応じて大きくなるように変化していく。したがって、長時間の使用や過酷な条件による使用によっても、電気抵抗に変化が生じない、または変化の少ない熱電モジュールほど耐久性の優れたものである。
【００２６】
この場合、テスト後の電気抵抗変化率が３％未満のものを良品、３％以上のものを不良品として、それぞれ２２個のサンプルについてパワーサイクルテストを行った。その結果、熱電モジュール１０については不良品が０であったのに対し、従来品では不良品は３個発生した。この結果から、熱電モジュール１０の方が、従来品よりも耐久性が高いことがわかる。
【００２７】
さらに、比較テストとして、各種の実施例による熱電モジュールとその熱電モジュールに対応する各従来品による熱電モジュールとに対してパワーサイクルテストを行った。実施例による熱電モジュールとしては、熱電ジュール１０と同形同大で、熱電素子と下部電極および上部電極とを接合するハンダをＡｕ―Ｓｎハンダに代えて、それぞれＡｕ−Ｇｅハンダ、Ａｕ−Ｓｉハンダ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｃｕ−Ａｇハンダ、Ｚｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｍｇハンダを用いたものを準備した。また、従来品による熱電モジュールとしては、各実施例による熱電モジュールに斜面を設けず、全ての熱電素子を直方体で構成したものを準備した。
【００２８】
そして、各熱電モジュールのサンプル数を２２個として、前述したパワーサイクルテストと同じ条件でテストを行った。その結果は、Ａｕ−Ｇｅハンダを用いた従来品では３個の不良品が発生し、Ａｕ−Ｓｉハンダを用いた従来品では４個の不良品が発生し、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｃｕ−Ａｇハンダを用いた従来品では５個の不良品が発生し、Ｚｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｍｇハンダを用いた従来品では３個の不良品が発生した。一方、各実施例による熱電モジュールでは不良品は発生しなかった。なお、各ハンダの融点は、Ａｕ―Ｓｎハンダが２８０℃、Ａｕ−Ｇｅハンダが３５６℃、Ａｕ−Ｓｉハンダが３７０℃、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｃｕ−Ａｇハンダが３２９℃、Ｚｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｍｇハンダが３０２℃である。
【００２９】
つぎに、熱電モジュール１０および従来品に対して衝撃テストを行った結果について説明する。衝撃テストに際しては、まず、熱電モジュール１０および従来品の下部絶縁基板１１等を加熱側としてその各面に、厚みが３ｍｍのＣｕＷプレートをハンダ付けした。そして、上部絶縁基板１２等を冷却側としてその各面に、荷重が１０ｇのＣｕＷブロックをハンダ付けした。そして、下部絶縁基板１１等側のＣｕＷプレートを試験台に固定して、熱電モジュール１０および従来品の各面に対して直交する３方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ方向）からそれぞれ１５００Ｇの加速度を各面に対して５回ずつ付与した。そして、衝撃テストの前後での熱電モジュール１０等の電気抵抗変化率を比較した。
【００３０】
この場合も、テスト後の電気抵抗変化率が３％未満のものを良品、３％以上のものを不良品として、それぞれ２２個のサンプルについて衝撃テストを行った。その結果、熱電モジュール１０については不良品が０であったのに対し、従来品では不良品は２個発生した。この結果から、熱電モジュール１０の方が、従来品よりも耐衝撃性が高いことがわかる。このように本実施形態による熱電モジュール１０は耐久性、耐衝撃性ともに、従来品よりも優れている。
【００３１】
さらに、比較テストとして、前述した各種の実施例による熱電モジュールとその熱電モジュールに対応する各従来品による熱電モジュールとに対して衝撃テストを行った。この場合も、各熱電モジュールのサンプル数は２２個として、前述した衝撃テストと同じ条件でテストを行った。その結果は、Ａｕ−Ｇｅハンダを用いた従来品では４個の不良品が発生し、Ａｕ−Ｓｉハンダを用いた従来品では３個の不良品が発生し、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｃｕ−Ａｇハンダを用いた従来品では４個の不良品が発生し、Ｚｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｍｇハンダを用いた従来品では３個の不良品が発生した。一方、各実施例による熱電モジュールでは不良品は発生しなかった。
【００３２】
本実施形態にかかる熱電モジュール１０では、下基板１１および上基板１２の四隅の角部のうちの一方の２個の角部には、熱電素子１５は設けられてなく、他方の２個の角部には、斜面１６ａを有する熱電素子１６が設けられている。このように、熱電モジュール１０の中で最も熱応力により剥離や破壊が生じ易い四隅部分に熱電素子１５が配置されていないか、または斜面１６ａの形成によって熱応力の集中を防止できる熱電素子１６が設けられている。
【００３３】
したがって、最も剥離や破壊が生じ易い熱電素子１６に剥離や破壊が生じ難くなり、熱電モジュール１０の耐久性が向上する。この熱電素子１６と、従来例の角部の熱電素子とに発生する熱応力をシミュレーションにより試算したところ、熱電素子１６に発生する熱応力は、従来例の熱電素子に発生する熱応力よりも１５％程度低いものであった。この場合の試算は、加熱側の温度を１００℃、冷却側の温度を０℃とし、温度差ΔＴを１００℃として行った。
【００３４】
図４は、本発明の他の実施形態による熱電モジュールの下基板２１に取り付けられた下部電極２３と熱電素子２５，２６とを上方から見た状態を示している。この熱電モジュールにおいては、下基板２１の四隅の角部のうちの一方の２個所の角部に設けられた下部電極２３の一方の端部にはそれぞれリード線２７ａ，２７ｂが取り付けられ、他方の２個所の角部に取り付けられた下部電極２３の他方の端部にはそれぞれ斜面２６ａを備えた熱電素子２６が設けられている。斜面２６ａは、熱電モジュール２６の外側の角部に形成された曲面からなっている。
【００３５】
この熱電モジュールにおいても、熱電素子２５，２６の断面積と体積は同一に設定されている。また、この熱電モジュールにおけるそれ以外の部分の構成については、熱電モジュール１０と同一である。このように構成したことにより、熱電素子２６の斜面２６ａが、熱応力が生じ易い角部が全くない曲面になるため、より熱電モジュールの耐久性を向上させることができる。この熱電モジュールのそれ以外の作用効果については、前述した熱電モジュール１０と同様である。また、この熱電モジュールに対して前述したパワーサイクルテストと衝撃テストを同じ条件で行ったところ、パワーサイクルテスト、衝撃テストともに不良品の発生は無かった。
【００３６】
図５は、本発明のさらに他の実施形態による熱電モジュールの下基板３１に取り付けられた下部電極３３と熱電素子３５，３６とを上方から見た状態を示している。この熱電モジュールにおいては、下基板３１の四隅の角部のうちの一方の２個所の角部に設けられた下部電極３３の一方の端部にはそれぞれリード線３７ａ，３７ｂが取り付けられ、他方の２個所の角部に取り付けられた下部電極３３の他方の端部にはそれぞれ斜面３６ａを備えた熱電素子３６が設けられている。熱電素子３６は熱電素子３５と同一の構成からなっており、斜面３６ａは、熱電素子３６の設置方向を熱電素子３５の設置方向に対して４５度回転させた方向にすることにより、熱電素子３６の一側面で構成されている。
【００３７】
この熱電モジュールにおけるそれ以外の部分の構成については、熱電モジュール１０と同一である。この熱電モジュールの場合、熱電素子３６の配置の方向を換えるだけで、全く同じ部材を用いることができるため従来の熱電モジュールと比較しても同様の加工数で耐久性の優れた熱電モジュールを得ることができる。この熱電モジュールのそれ以外の作用効果については、前述した熱電モジュール１０と同様である。また、この熱電モジュールに対して前述したパワーサイクルテストと衝撃テストを同じ条件で行ったところ、パワーサイクルテスト、衝撃テストともに不良品の発生は無かった。
【００３８】
図６は、本発明のさらに他の実施形態による熱電モジュールの下基板４１に取り付けられた下部電極４３と熱電素子４５，４６とを上方から見た状態を示している。この熱電モジュールにおいては、下基板４１の四隅の角部のうちの一方の２個所の角部に設けられた下部電極４３の一方の端部にはそれぞれリード線４７ａ，４７ｂが取り付けられ、各角部および角部の近傍に取り付けられた下部電極４３のにはそれぞれ斜面４６ａを備えた熱電素子４６が設けられている。
【００３９】
熱電素子４５は熱電モジュール１０の熱電素子１５と同じもので構成され、熱電素子４６は熱電素子１６と同じもので構成されている。そして、熱電素子４５は下基板４１の中央部分に集中して設けられ、熱電素子４６は下基板４１の角部および角部の近傍に、それぞれ斜面４６ａを下基板４１の角部側に向けて設けられている。その個数は、熱電素子４５が２４個で、熱電素子４６が２２個になっている。
【００４０】
この熱電モジュールにおけるそれ以外の部分の構成については、熱電モジュール１０と同一である。このように構成したことにより、熱電モジュールの角部に位置する熱電素子４６だけでなく、角部の熱電素子４６に続いて熱応力が集中し易い角部近傍の熱電素子４６も斜面４６ａの形成によって熱応力が一部に集中することを防止される。これによって、熱電モジュールの耐久性をさらに向上させることができる。この熱電モジュールのそれ以外の作用効果については、前述した熱電モジュール１０と同様である。また、この熱電モジュールに対して前述したパワーサイクルテストと衝撃テストを同じ条件で行ったところ、パワーサイクルテスト、衝撃テストともに不良品の発生は無かった。
【００４１】
また、前述した各実施形態においては、下基板１１等の絶縁基板を、アルミナで構成しているが、この絶縁基板はアルミナに限定されず、窒化アルミ、炭化珪素、窒化珪素、表面が絶縁処理されたアルミニウムなどの金属基板等で構成してもよい。また、ハンダとしては、Ａｕ―Ｓｎハンダに限らず、錫と銀との合金からなるＡｇ―Ｓｎハンダなどの前述したハンダを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による熱電モジュールを示す斜視図である。
【図２】図１に示した熱電モジュールの正面図である。
【図３】図１に示した熱電モジュールの下基板に下部電極と熱電素子を取り付けた状態を示す平面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による熱電モジュールの下基板に下部電極と熱電素子を取り付けた状態を示す平面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態による熱電モジュールの下基板に下部電極と熱電素子を取り付けた状態を示す平面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態による熱電モジュールの下基板に下部電極と熱電素子を取り付けた状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１０…熱電モジュール、１１，２１．３１，４１…下基板、１２…上基板、１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ…辺、１３，２３，３３，４３…下部電極、１４…上部電極、１５，１６，２５，２６，３５，３６，４５，４６…熱電素子、１６ａ，２６ａ，３６ａ，４６ａ…斜面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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