(57)【要約】【課題】空隙を形成するための犠牲層の除去に伴う可動透明電極の膜減りや応力残留を抑え、可動部の変位動作を安定して行い得る光変調素子アレイ、並びに前記光変換素子アレイを得るための製造方法を提供する。【解決手段】透明基板１と、透明電極２とを有する基板と、基板上に空隙５を介在させて設けられ、基板とは反対側の面に透明電極７、更にその上に透光性を有する保護膜４０を有する可撓薄膜からなる可動部８とを備え、両透明電極２，７との間に電圧を印加して静電気力により可動部８を基板側に変位させることにより、光源からの光を可動部８から外部に出射させる光変調素子を２次元マトリクス状に配列してなる光変調素子アレイ。【選択図】      図１
2004212680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明電極を有する基板と、
前記基板上に空隙を介在させて設けられ、基板とは反対側の面に透明電極を有する可撓薄膜からなる可動部とを備え、
前記両透明電極との間に電圧を印加して静電気力により前記可動部を前記基板側に変位させることにより、光源からの光を前記基板及び前記可動部を透過させて外部に出射させる光変調素子を２次元マトリクス状に配列してなる光変調素子アレイにおいて、
前記可動部の透明電極の表面に、透光性を有する保護膜が成膜されていることを特徴とする光変調素子アレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の光変調素子アレイの製造方法であって、
（ａ）前記基板上に犠牲層を形成し、
（ｂ）前記犠牲層を空隙の形状に形成し、
（ｃ）残存犠牲層及び前記基板の露出部分を覆うように、透明電極を最上層として前記可撓薄膜を構成する各層を積層し、
（ｄ）前記透明電極上に透光性を有する保護膜を形成し、
（ｅ）前記残存犠牲層の上方位置にて前記保護膜から前記基板に至る複数の貫通孔を穿設し、
（ｆ）残存保護膜をマスクとし、前記貫通孔を通じてエッチングにより前記残存犠牲層を除去する、
工程を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項３】
光源からの光に対して透光性を有し前記光を導入する透明基板と、透明電極とを有する基板と、前記基板上に空隙を介在させて設けられ、基板とは反対側の面に透明電極を有する可撓薄膜からなる可動部とを備え、前記両透明電極との間に電圧を印加して静電気力により前記可動部を前記基板側に変位させることにより、前記光源からの光を前記基板及び前記可動部を透過させて外部に出射させる光変調素子を２次元マトリクス状に配列してなる光変調素子アレイの製造方法において、
（ａ）前記基板上に犠牲層を形成し、
（ｂ）前記犠牲層を空隙の形状に形成し、
（ｃ）残存犠牲層及び前記基板の露出部分を覆うように、透明電極を最上層として前記可撓薄膜を構成する各層を積層し、
（ｄ）前記透明電極上に透光性を有する保護膜を形成し、
（ｅ）前記残存犠牲層の上方位置にて前記保護膜から前記基板に至る複数の貫通孔を穿設し、
（ｆ）残存保護膜をマスクとし、前記貫通孔を通じてエッチングにより前記残存犠牲層を除去し、
（ｇ）前記残存保護膜を除去する、
工程を含むことを特徴とする光変調素子アレイの製造方法。
【請求項４】
光源からの光に対して透光性を有し前記光を導入する透明基板と、透明電極とを有する基板と、前記基板上に空隙を介在させて設けられ、基板とは反対側の面に透明電極を有する可撓薄膜からなる可動部とを備え、前記両透明電極との間に電圧を印加して静電気力により前記可動部を前記基板側に変位させることにより、前記光源からの光を前記基板及び前記可動部を透過させて外部に出射させる光変調素子を２次元マトリクス状に配列してなる光変調素子アレイの製造方法において、
（ａ）前記基板上に犠牲層を形成し、
（ｂ）前記犠牲層を空隙の形状に形成し、
（ｃ）残存犠牲層及び前記基板の露出部分を覆うように、設計膜厚を超える膜厚を有する透明電極を最上層として前記可撓薄膜を構成する各層を積層し、
（ｄ）前記残存犠牲層の上方位置にて前記透明電極に複数の開口部を開口し、
（ｅ）前記透明電極の開口部から前記基板に至る複数の貫通孔をエッチングにより穿設し、
（ｆ）残存透明電極をマスクとし、前記貫通孔を通じてエッチングにより前記残存犠牲層を除去する、
工程を含むことを特徴とする光変調素子アレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロマシニングにより作製され、電気機械動作により光の透過率を変化させる光変調素子アレイ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロマシニングにより作製された可撓薄膜を可動部とし、これを静電気力により機械的動作させることで光変調を行う電気機械的な光変調素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。図３はそのような光変調素子の一例を示す概略断面図であるが、光変調素子１０は、透光性を有する透明基板１に設けられた透明電極（以下、「固定透明電極」と呼ぶ）２の上に、支柱３を介して、透明基板１側より順に透明絶縁膜４、光拡散層６及び透明電極（以下、「可動透明電極」と呼ぶ）７を積層して構成される可動部８を備え、更に両透明電極２，７の間に電源９を接続して概略構成される。また、透明基板１の可動部８とは反対側の面（図では下方）には図示されない光源が配置されており、例えば紫外線等の光Ｌが照射される。
【０００３】
上記光変調素子１０において、光の変調は、固定透明電極２と可動部８とを離反又は接触させることによる導光拡散作用を利用する。即ち、固定透明電極２と可動透明電極７との間に電圧を印加しない状態（ＯＦＦ時）では同図（ａ）に示すように、透明基板１に入射した光Ｌは、透明基板１の屈折率と空隙部５である空気の屈折率との違いから、透明基板１の表裏面での屈折を繰り返しながら伝搬を続けるのみで、可動部８へと透過せず、遮光状態となる。一方、固定透明電極２と可動透明電極７との間に所定の電圧を印加すると（ＯＮ時）、同図（ｂ）に示すように、両透明電極間に静電気力が発生して可動部８が透明基板１に向かって撓み、透明絶縁膜４と固定透明電極２とが接触もしくは十分に接近する。それに伴い、光Ｌは透明基板１の界面から固定透明電極２を通じて透明絶縁膜４へと伝搬し、光拡散層６にて散乱された後、可動透明電極７を通じて外部に出射して導光状態となる。また、この状態から電圧の印加を停止すると、静電気力が作用しなくなり可動部８が弾性復帰して透明絶縁膜４が固定透明電極２から離反し、その結果光Ｌの透過が行われなくなり、遮光状態に戻る。
【０００４】
また、ファブリペロー干渉を利用した同様の光変調素子も知られている。ファブリペロー干渉では、二枚の平面が向かい合わせに平行に配置された状態において、入射光線は、反射と透過を繰り返して多数の光線に分割され、これらは互いに平行光となる。その中で透過光線は、無限遠において重なり合い干渉する。面の垂線入射光線とのなす角をθとすれば、隣り合う光線間の光路差は「ｘ＝ｎＤ・ｃｏｓθ（但し、ｎは二面間の屈折率、Ｄは間隔）」で与えられる。そして、光路差ｘが波長λの整数倍であれば透過線は互いに強め合い、半波長の奇数倍であれば互いに打ち消し合う。即ち、反射の際の位相変化がなければ、「２ｎＤ・ｃｏｓθ＝ｍλ」で透過光最大となり、「２ｎＤ・ｃｏｓθ＝（２ｍ＋１）λ／２」で透過光最小となる。但し、ｍは正整数である。従って、光路差ｘが所定の値となるように、両平面を接近または離反させてその間隔（Ｄ）を透過光最大となる間隔（Ｄｏｎ）または透過光最小となる間隔（Ｄｏｆｆ）に一致させることにより、遮光状態及び導光状態を制御することができる。
【０００５】
例えば、図４はこのようなファブリペロー干渉を利用した光変調素子である。以下、この光変調素子を「干渉型光変調素子」と呼び、それに伴い図３に示した光変調素子を「全反射型光変調素子」と呼ぶ。図３に示した全反射型光変調素子１０は、透明基板２１の固定透明電極２２上に誘電体ミラー（以下、「固定誘電体ミラー」と呼ぶ）３０を設け、透明絶縁膜２４及び可動透明電極２７を積層して構成される可動部２８に、更に透明絶縁膜２４の固定誘電体ミラー３０と対向する面に固定誘電体ミラー３０と同一の誘電体ミラー（以下、「可動誘電体ミラー」と呼ぶ）３１を付設して光変調素子２０が構成される。固定誘電体ミラー３０及び可動誘電体ミラー３１は、酸化シリコンや酸化チタン等の誘電体からなる薄膜を複数層に積層して形成され、両誘電体ミラー３０，３１の間隔２５は、電源２９からの導通が無い状態（ＯＦＦ時）で上記の透過光最小を満足する距離（Ｄｏｆｆ）となるように規定されている。また、光Ｌはコリメートされて透明基板２１に垂直に入射する。
【０００６】
この干渉型光変調素子２０では、ＯＦＦ時には同図（ａ）に示すように、両誘電体ミラー３０，３１は上記距離（Ｄｏｆｆ）で離間しており、光Ｌは透明基板２１と固定透明電極２２との界面で反射されて遮光状態となる。そして、ＯＮ時には同図（ｂ）に示すように、静電気力により可動部２８が透明基板２１側に撓んで両誘電体ミラー３０，３１の間隔が狭くなる。この間隔は、上記の透過光最大を満足する距離（Ｄｏｎ）であり、印加電圧を調節して透明絶縁膜２４に作用する静電気力と、透明絶縁膜２４の変形に伴って生じる復元力とをバランスさせることで適切に設定する。そして、可動部２８が撓むことにより、透明基板２１に入射した光Ｌは、固定誘電体ミラー３０から間隔２５を経て可動誘電体ミラー３１へと透過し、引き続き可動部２８を透過して可動透明電極２７から出射して導光状態となる。
【０００７】
以上のように、上記した各光変調素子１０，２０は静電気力の作用により可動部８，２８を変位させることにより、遮光状態及び導光状態を切り替えることができる。
【０００８】
また、図示は省略するが、上記の光変調素子１０，２０を２次元マトリクス状に配置した光変調素子アレイも実用化されている。
【特許文献１】
特開平１１−２５８５５８号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光変調素子１０，２０はマイクロマシングと呼ばれる方法より製造される。ここで、図３に示した全反射型光変調素子１０を例とし、図５を参照してその製造方法を説明する。尚、同図において断面Ａは図３に示した断面に一致し、断面Ｂは断面Ａと直交する方向における断面を示している。
【００１０】
先ず工程（ａ）に示すように、透明基板１の上に固定透明電極２を成膜し、次いで工程（ｂ）に示すように、固定透明電極２の上に犠牲層１５を成膜する。この犠牲層１５は空隙５を形成するために最終的に除去されるもので、例えばレジストや金属等を上記の透過光最小となる間隔（Ｄｏｆｆ）に一致する膜厚で成膜して得られる。次いで工程（ｃ）に示すように、マスク１６を用いて犠牲層１５を空隙５の形状に合わせてパターニングする。次いで工程（ｄ）に示すように、犠牲層１５と同一高さとなるように支柱３を形成する材料を設ける。次いで工程（ｅ）に示すように、可撓薄膜を構成する透明絶縁膜４、光拡散層６及び可動透明電極７を順次成膜する。次いで工程（ｆ）に示すように、マスク１７を用いて、犠牲層１５の上方位置にて可動透明電極７に所定間隔で複数の開口部１８を設ける。次いで工程（ｇ）に示すように、可動透明電極７をマスクとして、エッチングにより開口部１８から固定透明電極２に至る貫通孔１９を穿設する。そして、工程（ｈ）に示すように、犠牲層１５を除去して空隙５を形成し、複数の可動部８を得る。
【００１１】
上記工程（ｈ）において、犠牲層１５の除去は通常ドライエッチングにより行われ、可動透明電極７の上方から貫通孔１９を通じて、例えば酸素プラズマ等のエッチング媒体を犠牲層１５に作用させている。そのため、犠牲層１５の除去に伴って可動透明電極７もエッチングされ、膜減りして強度低下に陥ったり、応力が残留するなどして可動部８の変位動作に悪影響を及ぼす。
【００１２】
本発明は上記の状況に鑑みてなされたものであり、空隙を形成するための犠牲層の除去に伴う可動透明電極の膜減りや応力残留を抑え、可動部の変位動作を安定して行い得る光変調素子アレイを提供すること、並びに前記光変換素子アレイを得るための製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、透明電極を有する基板と、前記基板上に空隙を介在させて設けられ、基板とは反対側の面に透明電極を有する可撓薄膜からなる可動部とを備え、前記両透明電極との間に電圧を印加して静電気力により前記可動部を前記基板側に変位させることにより、光源からの光を前記基板及び前記可動部を透過させて外部に出射させる光変調素子を２次元マトリクス状に配列してなる光変調素子アレイにおいて、前記可動部の透明電極の表面に、透光性を有する保護膜が成膜されていることを特徴とする光変調素子アレイを提供する。
【００１４】
上記の光変調素子アレイでは、可動透明電極上に保護膜が成膜されているため、犠牲層除去のためのエッチングに対して可動透明電極が保護され、可動部の安定した変位動作を実現する。
【００１５】
また、本発明は、上記の光変調素子アレイを製造するために、
（ａ）前記基板上に犠牲層を形成し、
（ｂ）前記犠牲層を空隙の形状に形成し、
（ｃ）残存犠牲層及び前記基板の露出部分を覆うように、透明電極を最上層として前記可撓薄膜を構成する各層を積層し、
（ｄ）前記透明電極上に透光性を有する保護膜を形成し、
（ｅ）前記残存犠牲層の上方位置にて前記保護膜から前記基板に至る複数の貫通孔を穿設し、
（ｆ）残存保護膜をマスクとし、前記貫通孔を通じてエッチングにより前記残存犠牲層を除去する、
工程を含むことを特徴とする製造方法を提供する（以下、「第１の製造方法」と呼ぶ）。
【００１６】
同様の目的を達成するために本発明は、光源からの光に対して透光性を有し前記光を導入する透明基板と、透明電極とを有する基板と、前記基板上に空隙を介在させて設けられ、基板とは反対側の面に透明電極を有する可撓薄膜からなる可動部とを備え、前記両透明電極との間に電圧を印加して静電気力により前記可動部を前記基板側に変位させることにより、前記光源からの光を前記基板及び前記可動部を透過させて外部に出射させる光変調素子を２次元マトリクス状に配列してなる光変調素子アレイの製造方法において、
（ａ）前記基板上に犠牲層を形成し、
（ｂ）前記犠牲層を空隙の形状に形成し、
（ｃ）残存犠牲層及び前記基板の露出部分を覆うように、透明電極を最上層として前記可撓薄膜を構成する各層を積層し、
（ｄ）前記透明電極上に透光性を有する保護膜を形成し、
（ｅ）前記残存犠牲層の上方位置にて前記保護膜から前記基板に至る複数の貫通孔を穿設し、
（ｆ）残存保護膜をマスクとし、前記貫通孔を通じてエッチングにより前記残存犠牲層を除去し、
（ｇ）前記残存保護膜を除去する、
工程を含むことを特徴とする光変調素子アレイの製造方法を提供する（以下、「第２の製造方法」と呼ぶ）。
【００１７】
上記第２の製造方法によれば、犠牲層除去のためのエッチングを保護膜の存在下で行うために、可動透明電極の膜減りや応力残留が無く、安定した変位動作を行う可動部を有する光変調素子アレイが得られる。
【００１８】
同様の目的を達成するために本発明はまた、光源からの光に対して透光性を有し前記光を導入する透明基板と、透明電極とを有する基板と、前記基板上に空隙を介在させて設けられ、基板とは反対側の面に透明電極を有する可撓薄膜からなる可動部とを備え、前記両透明電極との間に電圧を印加して静電気力により前記可動部を前記基板側に変位させることにより、前記光源からの光を前記基板及び前記可動部を透過させて外部に出射させる光変調素子を２次元マトリクス状に配列してなる光変調素子アレイの製造方法において、
（ａ）前記基板上に犠牲層を形成し、
（ｂ）前記犠牲層を空隙の形状に形成し、
（ｃ）残存犠牲層及び前記基板の露出部分を覆うように、設計膜厚を超える膜厚を有する透明電極を最上層として前記可撓薄膜を構成する各層を積層し、
（ｄ）前記残存犠牲層の上方位置にて前記透明電極に複数の開口部を開口し、
（ｅ）前記透明電極の開口部から前記基板に至る複数の貫通孔をエッチングにより穿設し、
（ｆ）残存透明電極をマスクとし、前記貫通孔を通じてエッチングにより前記残存犠牲層を除去する、
工程を含むことを特徴とする光変調素子アレイの製造方法を提供する（以下、第３の製造方法）と呼ぶ）。
【００１９】
上記第３の製造方法によれば、可動透明電極を設計値よりも厚く成膜することにより、犠牲層除去のためのエッチングによる膜減り分を補償する。また、第１及び第２の製造方法における保護膜が不要であることから、保護膜の成膜、更には除去のための工程が無くなり、工程が簡素で、製造コストの低減にもなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
【００２１】
（第１の製造方法）
図１は本発明の第１の製造方法を示す断面図であり、従来の製造方法を示す図５に対応して示してある。先ず、工程（ａ）に示すように、透明基板１上に固定透明電極２を成膜する。透明基板１は、使用する照射光（例えば紫外線）に対して透過性を有する材料からなる平板であり、例えばガラス板を使用できる。また、固定透明電極２は、同じく照射光に対して透過性を有する導電性材料からなる薄膜であり、電子密度の高いＩＴＯ等の金属酸化物、非常に薄い金属（アルミニウム等）の膜、金属微粒子を透明絶縁体に分散した薄膜、又は高濃度ドープしたワイドバンドギャップ半導体等からなる薄膜を使用できる。
【００２２】
次いで工程（ｂ）に示すように、固定透明電極２の上に犠牲層１５を成膜する。この犠牲層１５は工程（ｈ）において空隙５を形成するために除去されるもので、例えばフォトレジストを使用でき、これを上記の透過光最小となる間隔（Ｄｏｆｆ）に一致する膜厚で成膜して得られる。また、金属膜とすることもできる。
【００２３】
次いで工程（ｃ）に示すように、マスク１６を用いて犠牲層１５を空隙５の形状に合わせてパターニングする。パターニング後、犠牲層１５の形状安定化のためにベーキングを施してもよい。
【００２４】
次いで工程（ｄ）に示すように、犠牲層１５と同一高さとなるように支柱３を形成する材料を設ける。尚、Ｂ断面において、この支柱３は、犠牲層１５の背後に存在する（工程（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）においても同様）。また、この支柱３は省略することができ、その場合は、図示は省略するが、固定透明電極２の上に略アーチ状をなす透明絶縁膜４が直接載架した構造となる。
【００２５】
次いで工程（ｅ）に示すように、可撓薄膜を構成する透明絶縁膜４、光拡散層６及び可動透明電極７を順次成膜する。透明絶縁膜４は、透明基板１の屈折率と同程度もしくはそれ以上の屈折率を有する材料、例えばポリシリコン等の半導体、シリコン酸化物やシリコン窒化物等のセラミック材料、あるいは樹脂等からなる薄膜を使用できる。光拡散層６は、無機透明材料や有機透明材料の表面に凹凸を形成したもの、マイクロプリズム、マイクロレンズを形成したもの、無機多孔質材料や有機多孔質材料、又は屈折率の異なる微粒子を透明基材に分散したもの等で構成される。また、この光拡散層６は透明絶縁膜４と同一の材料を用いて一体に形成することができ、例えば窒化シリコン膜で透明絶縁膜４を形成し、その可動透明電極７側の表面に凹凸を形成することにより、拡散機能を持たせることができる。可動透明電極７は上記固定透明電極２と同一物とすることができる。
【００２６】
更に、可動透明電極７の上に保護膜４０が成膜される。この保護膜４０は、透光性を有し、犠牲層１５を除去するために使用されるエッチング媒体に対して化学的、物理的に耐性を有する材料で形成する。例えば、犠牲層１５をフォトレジストで形成した場合、工程（ｈ）において酸素プラズマエッチングが一般的に行われるため、保護膜４０として、透光性を有し、かつ酸素プラズマに耐性を有する無機の絶縁膜、金属酸化膜等の薄膜を使用する。
【００２７】
次いで工程（ｆ）に示すように、マスク１７を用いて、パターニングされた犠牲層１５の上方位置にて保護膜４０及び可動透明電極７に所定間隔で開口部１８を開口する。このパターニングは、例えば塩酸系の溶剤を用いたウエットエッチングが適当である。
【００２８】
次いで工程（ｇ）に示すように、保護膜３０及び可動透明電極７をマスクとしてエッチングし、開口部１８から固定透明電極２に至る複数の貫通孔１９を穿設する。このエッチングは、例えばＣＦ４プラズマエッチングが適当である。
【００２９】
そして、工程（ｈ）に示すように、犠牲層１５を除去して空隙５を形成して可動部８を得ることにより、本発明の光変調素子アレイが完成する。犠牲層１５の除去方法は犠牲層１５の形成材料により異なり、例えば上記フォトレジストの場合には酸素プラズマエッチングが適当であり、また金属の場合は塩素系ガス又はフッ化炭素系ガスによるプラズマエッチング、あるいはウエットエッチングが好適に用いられる。ここで、酸素プラズマ等のエッチング媒体は上方から貫通孔１９を通じて犠牲層１５に作用するが、保護膜４０により可動透明電極７にはエッチング媒体が作用せず、膜減りを起こしたり、応力が残留することが無い。
【００３０】
この光変調素子アレイは、工程（ｈ）のＡ断面に示すように、可動透明電極７の上に保護膜４０が形成された構造となる。尚、実際には、犠牲層１５の除去に際して支柱３の露出部も若干エッチングされるため、図示されるように、支柱３は周側面が切削された形状となる。
【００３１】
（第２の製造方法）
本第２の製造方法は、図示は省略するが、上記第１の製造方法の工程（ｈ）の後に保護膜４０を除去する工程を付加して構成される。従って、第２の製造方法においても、第１の製造方法と同様に、犠牲層１５の除去に際して可動透明電極７がエッチングから保護される。但し、第１の製造方法では、工程（ｈ）において保護膜４０の表面が粗面化されることがあり、導光状態において可動透明電極７からの出射光がこの保護膜４０で散乱されて、極端な場合には解像度の低下や光量不足を招くことがある。そこで、犠牲層１５を除去した後に保護膜４０を取り除くことにより、このような不具合を解消することができる。尚、保護膜４０の除去方法は制限されるものではなく、例えばマスクにより貫通孔１９の開口部（１８）を覆い、ドライエッチングにより行うことができる。
【００３２】
（第３の製造方法）
本発明の第３の製造方法は、図５に示した従来の製造方法において、可動透明電極７を設計膜厚よりも厚く成膜して犠牲層除去のためのエッチングを行う。即ち、図２に示すように、工程（ａ）〜（ｄ）に従い、透明基板１の上に固定透明電極２及び犠牲層１５を積層した後、マスク１６を用いて犠牲層１５をパターニングする。
【００３３】
次いで工程（ｅ）に示すように、支柱３、透明絶縁膜４、光拡散層６及び可動透明電極７ａを順次成膜する。このとき、可動透明電極７ａの膜厚（Ｔａ）を設計膜厚よりも厚くする。光変調素子では、可動部の変位を安定かつ正確に行うように透明絶縁膜や光拡散層、可動透明電極のそれぞれの膜厚が設計されており、従来ではこの設計膜厚で可動透明電極を成膜している。しかし、犠牲層除去のためのエッチングに際して可動透明電極もエッチングされるため、最終的な可動透明電極は当初の設計膜厚よりも薄くなる。そこで、第３の製造方法では、可動透明電極７ａの膜厚（Ｔａ）を設計膜厚よりも厚くする。
【００３４】
尚、可動透明電極７ａの膜厚（Ｔａ）の設計膜厚からの増分は、電極材料や犠牲層除去のためのエッチング条件により適宜設定される。例えば、可動透明電極７ａとしてＩＴＯ膜を用い、犠牲層除去のために酸素プラズマエッチングを行う場合、可動透明電極７ａの膜厚（Ｔａ）を設計膜厚の１．１〜２倍程度とすることが好ましい。
【００３５】
次いで工程（ｆ）〜（ｈ）に示すように、固定透明電極７ａの開口部１８の開口及び貫通孔１９を穿設した後、犠牲層１５を除去する。犠牲層１５の除去に伴って可動透明電極７ａも減膜するが、上記の如くこの減膜分を考慮して可動透明電極７ａが成膜されているため、最終的な可動透明電極７ｂは従来の方法に比べて厚い膜厚（Ｔｂ）で残存する。
【００３６】
第３の製造方法によれば、上記した第１及び第２の製造方法における保護膜４０が不要であることから、保護膜４０の成膜、更には除去のための工程が無くなり、工程が簡素で、製造コストが低減される。
【００３７】
上記の第１〜第３の製造方法は、図４に示した干渉型光変調素子アレイにも適用できる。その場合、図示は諸略するが、両製造方法とも工程（ａ）の後に固定透明電極２の上に固定誘電体ミラーを形成する工程を追加し、更に工程（ｄ）の後に可動誘電体ミラ−を形成する工程を追加すればよい。
【００３８】
尚、上記の説明において、透明電極、犠牲層、透明絶縁膜、光拡散層、保護膜及び誘電体ミラーの形成方法に制限は無く、使用する材料に応じて適宜選択される。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、可動透明電極上に保護膜を成膜して犠牲層除去のためのエッチング媒体から可動透明電極を防御するため、もしくは可動透明電極の膜厚を設計膜厚よりも厚く成膜して同様のエッチングによる減膜分を補償するため、従来に比べて可動透明電極が厚く、応力の残量も無く、可動部の変位動作を安定かつ確実に行い得る光変調素子アレイが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光変調素子アレイの第１の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図２】本発明に係る光変調素子アレイの第３の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図３】従来の光変調素子アレイの一例（全反射型）並びにその変調動作を示す断面図である。
【図４】従来の光変調素子アレイの他の例（干渉型）並びにその変調動作を示す断面図である。
【図５】図３に示す光変調素子アレイの製造方法を工程別に示す断面図である。
【符号の説明】
１  透明基板
２  固定透明電極
３  支柱
４  透明絶縁膜
５  空隙
６  光拡散層
７  可動透明電極
８  可動部
１８  開口部
１９  貫通孔
４０  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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