(57)【要約】【課題】顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを短期間で提供することを可能とすると共に、薄膜磁気ヘッドの歩留りを向上させることを可能とする。【解決手段】下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａは、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置される。下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝内に、ＭＲ素子に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置される。上部シールド層の第１の部分５４ａの上には、絶縁層５８を介して、薄膜コイル５９が配置される。このような素材に対して、ＭＲ素子、このＭＲ素子の上側に配置される上部シールド層の第１の部分、記録ギャップ層、上部磁極層等を形成することで、薄膜磁気ヘッドが完成する。【選択図】　　　　図３
2004030916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生ヘッドと記録ヘッドとを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記再生ヘッドの一部と前記記録ヘッドの一部とを含む薄膜磁気ヘッド用素材を備え、
前記再生ヘッドは、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドする第１および第２のシールド層とを有し、
前記記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有し、
前記第２のシールド層は、前記第１のシールド層に対して同一平面上に互いに絶縁された状態で配置された第１の部分と、前記磁気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると共に前記第１の部分に接続された第２の部分とを有し、且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、
前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシールド層の第１の部分と前記第２の磁性層との間に配設され、
前記薄膜磁気ヘッド用素材は、前記第１のシールド層と、前記第２のシールド層の第１の部分と、前記薄膜コイルの少なくとも一部とを備え、前記第２のシールド層の第２の部分と、前記磁気抵抗素子と、前記第２の磁性層とが加えられることによって薄膜磁気ヘッドを完成させるものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
再生ヘッドと記録ヘッドとを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、前記再生ヘッドの一部と前記記録ヘッドの一部とを含む薄膜磁気ヘッド用素材を備え、
前記再生ヘッドは、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドする第１および第２のシールド層とを有し、
前記記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有し、
前記第２のシールド層は、前記第１のシールド層に対して同一平面上に互いに絶縁された状態で配置された第１の部分と、前記磁気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると共に前記第１の部分に接続された第２の部分とを有し、且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、
前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシールド層の第１の部分と前記第２の磁性層との間に配設され、
前記薄膜磁気ヘッド用素材は、前記第１のシールド層と、前記第２のシールド層の第１の部分と、前記薄膜コイルの少なくとも一部とを備え、
薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前記薄膜磁気ヘッド用素材を製造する第１の工程と、前記第１の工程によって製造された前記薄膜磁気ヘッド用素材に対して前記第２のシールド層の第２の部分と、前記磁気抵抗素子と、前記第２の磁性層とを加えることによって薄膜磁気ヘッドを完成させる第２の工程とを備え、
前記第１の工程は、
前記第１のシールド層と前記第２のシールド層の第１の部分とが、同一平面上に互いに絶縁された状態で配置されるように、前記第１のシールド層と前記第２のシールド層の第１の部分とを形成する工程と、
前記薄膜コイルの少なくとも一部が、前記第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルの少なくとも一部を形成する工程とを備え、
前記第２の工程は、
前記第１のシールド層の上に、絶縁膜を介して、前記磁気抵抗素子を形成する工程と、
前記磁気抵抗素子の上に、絶縁膜を介して、前記第２のシールド層の第２の部分を形成する工程と、
前記第２のシールド層の第２の部分の上に、前記ギャップ層を形成する工程と、
前記ギャップ層の上に、前記第２の磁性層を形成する工程とを備えた
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分は、めっき法により形成されることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
再生ヘッドと記録ヘッドとを備え、
前記再生ヘッドは、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドする第１および第２のシールド層とを有し、
前記記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有し、
前記第２のシールド層は、前記第１のシールド層に対して同一平面上に互いに絶縁された状態で配置された第１の部分と、前記磁気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると共に前記第１の部分に接続された第２の部分とを有し、且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、
前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシールド層の第１の部分と前記第２の磁性層との間に配設された薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材であって、
前記第１のシールド層と、
前記第２のシールド層の第１の部分と、
前記第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁された状態で配置された前記薄膜コイルの少なくとも一部とを備え、
前記第２のシールド層の第２の部分と、前記磁気抵抗素子と、前記第２の磁性層とが加えられることによって薄膜磁気ヘッドを完成させるものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項５】
薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備え、
前記再生ヘッドは、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が前記磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、前記磁気抵抗素子をシールドする第１および第２のシールド層とを有し、
前記記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有し、
前記第２のシールド層は、前記第１のシールド層に対して同一平面上に互いに絶縁された状態で配置された第１の部分と、前記磁気抵抗素子を挟んで前記第１のシールド層と対向すると共に前記第１の部分に接続された第２の部分とを有し、且つ、前記第１の磁性層を兼ねており、
前記薄膜コイルの少なくとも一部は、前記第２のシールド層の第１の部分と前記第２の磁性層との間に配設され、
前記薄膜磁気ヘッド用素材は、前記第１のシールド層と、前記第２のシールド層の第１の部分と、前記薄膜コイルの少なくとも一部とを備え、前記第２のシールド層の第２の部分と、前記磁気抵抗素子と、前記第２の磁性層とが加えられることによって薄膜磁気ヘッドを完成させるものであり、
薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法は、
前記第１のシールド層と前記第２のシールド層の第１の部分とが、同一平面上に互いに絶縁された状態で配置されるように、前記第１のシールド層と前記第２のシールド層の第１の部分とを形成する工程と、
前記薄膜コイルの少なくとも一部が、前記第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁された状態で配置されるように、前記薄膜コイルの少なくとも一部を形成する工程と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。
【請求項６】
前記第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分は、めっき法により形成されることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えた複合型の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに上記薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏ　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）２　を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）２　を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
ＡＭＲヘッドは、ＡＭＲ効果を有するＡＭＲ膜を備えている。ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲ膜を、ＧＭＲ効果を有するＧＭＲ膜に置き換えたもので、構造上はＡＭＲヘッドと同様である。ただし、ＧＭＲ膜は、ＡＭＲ膜よりも、同じ外部磁界を加えたときに大きな抵抗変化を示す。このため、ＧＭＲヘッドは、ＡＭＲヘッドよりも、再生出力を３〜５倍程度大きくすることができると言われている。
【０００４】
再生ヘッドの性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜を変える方法がある。一般的に、ＡＭＲ膜は、ＭＲ効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子ＧＭＲ膜、グラニュラ膜、スピンバルブ膜等が提案されているが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピンバルブ膜が有力である。このように、再生ヘッドは、例えば、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変えることで、容易に、性能を向上するという目的を達せられる。
【０００５】
再生ヘッドの性能を決定する要因としては、上述のような材料の選択の他に、パターン幅、特に、ＭＲハイトがある。ＭＲハイトは、ＭＲ素子のエアベアリング面（媒体対向面）側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）を言う。このＭＲハイトは、本来、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００６】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのために、上部磁極を形成する磁性層に対して、半導体加工技術を利用してサブミクロン加工を施して、狭トラック構造の記録ヘッドを実現することや、より高い飽和磁束密度を持つ磁性材料を用いることが望まれていた。
【０００７】
記録ヘッドの性能を決定するその他の要因としては、スロートハイトがある。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分（本出願において磁極部分と言う。）の長さ（高さ）を言う。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００８】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００９】
ここで、図１５ないし図２７を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例として、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図１５ないし図２３において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００１０】
この製造方法では、まず、図１５に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。
【００１１】
次に、図１６に示したように、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【００１２】
次に、図１７に示したように、下部シールド層１０３の上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子１０５を形成する。なお、ＭＲ素子１０５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。
【００１３】
次に、図１８に示したように、下部シールドギャップ膜１０４およびＭＲ素子１０５の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜１０６を形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０６内に埋設する。
【００１４】
次に、図１９に示したように、上部シールドギャップ膜１０６の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極（以下、上部シールド層と記す。）１０７を形成する。
【００１５】
次に、上部シールド層１０７の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０８を形成する。次に、後方（図１９（ａ）における右側）の位置において、磁路形成のために、記録ギャップ層１０８を部分的にエッチングして、コンタクトホールを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０８の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材のパーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなるポールチップ１０９を形成する。ポールチップ１０９は、上部磁極の一部をなす。このとき、同時に、磁路形成のためのコンタクトホールの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。
【００１６】
次に、ポールチップ１０９をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０８と上部シールド層（下部磁極）１０７をエッチングする。図１９図（ｂ）に示したように、上部磁極（ポールチップ１０９）、記録ギャップ層１０８および上部シールド層（下部磁極）１０７の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Ｔｒｉｍ）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００１７】
次に、図２０に示したように、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１０を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１０を、ポールチップ１０９および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられる。この平坦化により、ポールチップ１０９および磁性層１１９の表面が露出する。
【００１８】
次に、平坦化された絶縁層１１０の上に、フォトレジスト層１１１を、高精度のフォトリソグラフィにより、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。
【００１９】
次に、図２１に示したように、フォトレジスト層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１３の表面を平坦にするために、例えば２５０〜３００°Ｃの温度で熱処理する。
【００２０】
次に、図２２に示したように、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦にするために、例えば２５０〜３００°Ｃの温度で熱処理する。
【００２１】
次に、図２３に示したように、ポールチップ１０９、フォトレジスト層１１１，１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００２２】
完成した状態の薄膜磁気ヘッドを、図２４および図２５に示す。図２４は、エアベアリング面１２０に垂直な薄膜磁気ヘッドの断面を示し、図２５は、磁極部分のエアベアリング面１２０に平行な断面を拡大して示している。図２４において、ＴＨは、スロートハイトを表し、ＭＲ−Ｈは、ＭＲハイトを表している。なお、図２５に示したように、ＭＲ素子１０５の側方には、第１の電極層１２１が設けられている。
【００２３】
薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロートハイトやＭＲハイト等の他に、図２４においてθで示したようなエイペックスアングル（Ａｐｅｘ　Ａｎｇｌｅ）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト層１１１，１１３，１１５で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（以下、エイペックス部と言う。）における磁極側の側面の角部を結ぶ直線と絶縁層１１０の上面とのなす角度をいう。
【００２４】
図２６は、上述のようにして製造される薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図、図２７は、上述のようにして製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。図２６は、下部シールド層１０３、ＭＲ素子１０５および上部シールド層（下部磁極）１０７を形成した後の状態を示している。なお、第１の電極層１２１には、第２の電極層１２２が接続されている。また、図２７では、オーバーコート層１１７を省略している。なお、図１５ないし図２３における（ａ）は、図２７におけるＡ−Ａ′線断面を表し、（ｂ）は、図２７におけるＢ−Ｂ′線断面を表している。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、薄膜磁気ヘッドの特性や性能は、主に、再生ヘッドにおけるＭＲ素子と、記録ヘッドにおける磁極部分によって決定される。より具体的に説明すると、薄膜磁気ヘッドにおける再生ヘッドの特性や性能は、主に、ＭＲ素子の幅に対応した再生ヘッドにおけるトラック幅によって決定され、記録ヘッドの特性や性能は、主に、記録ヘッドにおけるスロートハイトやトラック幅等、磁極部分の形状によって決定される。そのため、薄膜磁気ヘッドの顧客の要求は、再生ヘッドにおけるトラック幅や、記録ヘッドにおけるスロートハイトやトラック幅等、再生ヘッドにおけるＭＲ素子や記録ヘッドにおける磁極部分の形成のプロセスに関わる事項に集中する。
【００２６】
従って、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを量産する場合には、再生ヘッドにおけるＭＲ素子を形成する工程から先の工程を、顧客の要求に対応した工程にして、製品を作る必要がある。
【００２７】
しかしながら、図１５ないし図２７を参照して説明したように、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ＭＲ素子を形成する工程は、薄膜磁気ヘッドを量産するための全工程のうちの初期の工程である。従って、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、ＭＲ素子を形成する工程以降の工程に要する時間が、全工程に要する時間に対して大きな割合を占めていた。そのため、従来は、顧客の注文を受けてから顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを完成させ、出荷するまでの時間、いわゆるサイクルタイムが長く、これは、例えば２０日から２５日程度であり、場合によっては３０日から４０日に及ぶ場合があった。その結果、顧客との間で、早い時期に、薄膜磁気ヘッドの特性等の仕様を取り決めても、実際の製品を出荷するまでに、上記のような多くの日数がかかっていた。
【００２８】
また、昨今の技術進歩の速度と、顧客の要求する記録面密度や再生速度の向上は、目を見張るものがある。それに伴い、数カ月単位で、コンピュータのハードディスクドライブの仕様の変更や改善がなされている。そのため、薄膜磁気ヘッドの顧客は、注文後、短期間で、要求に合った薄膜磁気ヘッドが納入されることを望む。従って、薄膜磁気ヘッドの製造業者は、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを設計し、短期間で、その薄膜磁気ヘッドを量産し、市場に出荷する必要がある。
【００２９】
このような状況にもかかわらず、従来は、上述のようにサイクルタイムが長すぎるため、顧客のニーズに十分応えることが難しいという問題点があった。
【００３０】
また、従来は、薄膜磁気ヘッドの製造の全工程が終了した後に、完成品の薄膜磁気ヘッドに対して良・不良の検査を行っていた。そのため、製造途中で不良品が発生しても、それを取り除くことができず、完成品の歩留りを向上させることが難しいという問題点があった。
【００３１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを短期間で提供することを可能とすると共に、薄膜磁気ヘッドの歩留りを向上させることを可能とした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法を提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、再生ヘッドの一部と記録ヘッドの一部とを含む薄膜磁気ヘッド用素材を備えている。再生ヘッドは、磁気抵抗素子と、記録媒体に対向する側の一部が磁気抵抗素子を挟んで対向するように配置され、磁気抵抗素子をシールドする第１および第２のシールド層とを有している。記録ヘッドは、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有している。第２のシールド層は、第１のシールド層に対して同一平面上に互いに絶縁された状態で配置された第１の部分と、磁気抵抗素子を挟んで第１のシールド層と対向すると共に第１の部分に接続された第２の部分とを有し、且つ、第１の磁性層を兼ねている。薄膜コイルの少なくとも一部は、第２のシールド層の第１の部分と第２の磁性層との間に配設されている。薄膜磁気ヘッド用素材は、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１の部分と、薄膜コイルの少なくとも一部とを備え、第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とが加えられることによって薄膜磁気ヘッドを完成させるものである。
【００３３】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１の部分と、薄膜コイルの少なくとも一部とを備えた薄膜磁気ヘッド用素材を製造しておき、この素材に対して、顧客の要求に応じて、第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを形成することが可能となる。
【００３４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜磁気ヘッド用素材を製造する第１の工程と、第１の工程によって製造された薄膜磁気ヘッド用素材に対して第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを加えることによって薄膜磁気ヘッドを完成させる第２の工程とを備えている。第１の工程は、第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分とが、同一平面上に互いに絶縁された状態で配置されるように、第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分とを形成する工程と、薄膜コイルの少なくとも一部が、第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルの少なくとも一部を形成する工程とを備えている。第２の工程は、第１のシールド層の上に、絶縁膜を介して、磁気抵抗素子を形成する工程と、磁気抵抗素子の上に、絶縁膜を介して、第２のシールド層の第２の部分を形成する工程と、第２のシールド層の第２の部分の上に、ギャップ層を形成する工程と、ギャップ層の上に、第２の磁性層を形成する工程とを備えている。
【００３５】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１の部分と、薄膜コイルの少なくとも一部とを備えた薄膜磁気ヘッド用素材を製造しておき、この素材に対して、顧客の要求に応じて、第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを形成することが可能となる。
【００３６】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分を、めっき法により形成するようにしてもよい。
【００３７】
本発明の薄膜磁気ヘッド用素材は、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１の部分と、第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁された状態で配置された薄膜コイルの少なくとも一部とを備え、第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とが加えられることによって薄膜磁気ヘッドを完成させるものである。
【００３８】
本発明の薄膜磁気ヘッド用素材によれば、この素材に対して、顧客の要求に応じて、第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを形成して、薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となる。
【００３９】
本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法は、第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分とが、同一平面上に互いに絶縁された状態で配置されるように、第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分とを形成する工程と、薄膜コイルの少なくとも一部が、第２のシールド層の第１の部分の上に絶縁された状態で配置されるように、薄膜コイルの少なくとも一部を形成する工程とを備えている。
【００４０】
本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１の部分と、薄膜コイルの少なくとも一部とを備えた素材を製造しておくことができ、この素材に対して、顧客の要求に応じて、第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを形成して、薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となる。
【００４１】
本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法において、第１のシールド層と第２のシールド層の第１の部分を、めっき法により形成するようにしてもよい。
【００４２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。まず、図１ないし図８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法としての複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。なお、図１ないし図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。また、以下の説明は、本実施の形態に係る磁気ヘッド用素材の製造方法の説明を兼ねている。
【００４３】
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる基板５１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３　）よりなる絶縁層５２を、約５〜１０μｍの厚みで堆積する。
【００４４】
次に、図示しないが、絶縁層５２の上に、下部シールド層と上部シールド層兼下部磁極（以下、上部シールド層と記す。）の一部をめっき法にて形成する際に使用される電極膜としてのシード層を、パーマロイ（ＮｉＦｅ）のスパッタによって形成する。
【００４５】
次に、図２に示したように、シード層の上に、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）を約２〜３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層５３と、上部シールド層の一部（以下、第１の部分と言う。）５４ａとを形成する。なお、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａは、磁性材料をスパッタリングした後、フォトリソグラフィによりパターニングして形成してもよい。下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａは、フォトレジスト膜によって、両者の間に、ＭＲ素子に接続される一対の電極それぞれの少なくとも一部が配置される一対の溝５５が形成されるように、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置されるように形成される。下部シールド層５３は、本発明における第１のシールド層に対応し、上部シールド層は、本発明における第２のシールド層に対応する。
【００４６】
次に、溝５５の部分におけるシード層を、選択的にエッチングして除去する。次に、溝５５内を含めて、下部シールド層５３および上部シールド層の第１の部分５４ａの上に、例えばアルミナよりなる絶縁膜５６を、例えばスパッタにより、約０．５〜１μｍの厚みに形成する。
【００４７】
次に、図３に示したように、絶縁膜５６で覆われた溝５５内に、ＭＲ素子に接続される電極（リード）となる一対の導電層５７を、例えば銅（Ｃｕ）によって形成する。導電層５７は、例えば、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、銅を例えば約３μｍの厚みに、溝５５内に選択的に形成することによって形成する。この他、導電層５７は、スパッタによって形成してもよい。
【００４８】
次に、全面に、例えばアルミナまたはシリコン酸化膜よりなる絶縁層を、２〜３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層を、下部シールド層５３、上部シールド層の第１の部分５４ａおよび導電層５７の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられる。この平坦化により、下部シールド層５３、上部シールド層の第１の部分５４ａおよび導電層５７の表面が露出する。
【００４９】
このように、導電層５７は、５００ｎｍ以上の厚みの絶縁膜５６によって完全に覆われた、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａとの間の溝５５内に、めっき法により正確に埋設されるように形成される。従って、導電層５７と下部シールド層５３および上部シールド層の第１の部分５４ａとの間の絶縁性能は極めて高く、導電層５７と下部シールド層５３および上部シールド層の第１の部分５４ａとの間において、パーティクルや膜のピンホール等による磁気的および電気的な絶縁の不良をなくすことができる。
【００５０】
次に、上部シールド層の第１の部分５４ａの上に、例えばアルミナ膜またはシリコン酸化膜よりなる絶縁膜を、０．５〜１μｍの厚みに形成する。次に、フォトリソグラフィを用いて、絶縁膜を選択的にエッチングして、絶縁層５８を形成する。このとき、絶縁層５８の磁極部分側のエッジにテーパを形成する。次に、絶縁層５８の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる、記録ヘッド用の薄膜コイル５９を、例えばめっき法により形成する。次に、絶縁層５８およびコイル５９の上に、フォトレジストよりなる絶縁層６０を、所定のパターンに形成する。次に、２００°Ｃ程度の温度でキュアを施す。
【００５１】
なお、図３に示した状態に至るまでの製造工程を、以下の変形例のように変更してもよい。この変形例では、図２に示した状態から、同じ工程で、同じ材料を用いて、絶縁膜５６の上にコイル５９を形成すると共に、絶縁膜５６で覆われた溝５５内に導電層５７を形成する。次に、絶縁膜５６およびコイル５９の上に、フォトレジストよりなる絶縁層６０を、所定のパターンに形成する。次に、絶縁層６０をマスクにして、絶縁膜５６をパターンニングして、図３に示した状態とする。この場合には、図３における絶縁層５８が、絶縁膜５６に代わる。この変形例によれば、製造工程を大幅に減少させることができる。
【００５２】
図３に示した状態の半製品、すなわち、下部シールド層５３と、上部シールド層の第１の部分５４ａと、薄膜コイル５９とを備えた半製品が、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用素材となる。
【００５３】
図３に示した状態から、次に、図４に示したように、全面に、スパッタにより、チッ化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、数十ｎｍの厚みに形成して、絶縁層としての下部シールドギャップ膜６１ａを形成する。下部シールドギャップ膜６１ａを形成する際には、予め、後述する電極層と導電層５７とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する部分に、リフトオフを容易に行うことができるように、例えばＴ型のフォトレジストパターンを形成しておき、下部シールドギャップ膜６１ａの形成後、フォトレジストパターンをリフトオフすることにより、コンタクトホールを形成する。なお、コンタクトホールは、フォトリソグラフィを用いて、下部シールドギャップ膜６１ａを選択的にエッチングして形成してもよい。
【００５４】
次に、下部シールドギャップ膜６１ａの上に、再生用のＭＲ素子６２を形成するためのＭＲ膜を、スパッタにより、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、このＭＲ膜の上に、ＭＲ素子６２を形成すべき位置に選択的に、図示しないフォトレジストパターンを形成する。このとき、リフトオフを容易に行うことができるように、例えばＴ型のフォトレジストパターンを形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えば、アルゴン系のイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子６２を形成する。なお、ＭＲ素子６２は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。
【００５５】
次に、下部シールドギャップ膜６１ａの上に、同じフォトレジストパターンをマスクとして、ＭＲ素子６２に電気的に接続される一対の電極層６３を、スパッタにより、数十〜数百ｎｍの厚みに形成する。電極層６３は、例えば、ＴｉＷ，ＣｏＰｔ，ＴｉＷ，Ｔａ，Ａｕを積層して形成される。また、電極層６３は、下部シールドギャップ膜６１ａに形成されたコンタクトホールを介して、導電層５７に対して電気的に接続される。電極層６３および導電層５７が、ＭＲ素子６２に接続される電極を構成する。
【００５６】
次に、全面に、スパッタにより、チッ化アルミニウムやアルミナ等の絶縁材を、数十ｎｍの厚みに形成して、絶縁層としての上部シールドギャップ膜６１ｂを形成して、ＭＲ素子６２をシールドギャップ膜６１ａ，６１ｂ内に埋設する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、ドライエッチングによって、シールドギャップ膜６１ａ，６１ｂを選択的に除去して、後述する上部シールド層の第２の部分と第１の部分５４ａとを接続するためのコンタクトホールと、コイル５９の後方（図４（ａ）における右側）の位置における磁路形成のためのコンタクトホールとを形成する。
【００５７】
次に、図５に示したように、磁極部分側に、磁性材料からなり、ＭＲ素子６２を挟んで下部シールド層５３と対向するように配置され、且つ、上部シールド層の第１の部分５４ａに接続される上部シールド層の第２の部分５４ｂを、例えば約３．５μｍの厚みに形成する。同時に、薄膜コイル５９の後方の位置における磁路形成のためのコンタクトホールの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層６４を、例えば約３．５μｍの厚みに形成する。上部シールド層の第２の部分５４ｂと磁性層６４は、例えば、めっき法によって形成する。
【００５８】
なお、下部シールド層５３や上部シールド層５４ａ，５４ｂは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）を用いて形成してもよいし、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）、センダスト、チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密度材を用いて形成してもよいし、これらの材料を２種類以上重ねて形成してもよい。下部シールド層５３や上部シールド層５４ａ，５４ｂの材料として、高飽和磁束密度材を用いることにより、ＭＲ素子６２に対する、誘導型の記録ヘッドにおけるコイルから発生する磁気等の内部要因やハードディスク装置のモータ等の外部要因によるノイズの影響をより低減することが可能となり、正確な再生出力を得ることができ、しかも高感度な再生ヘッドを形成することが可能となる。
【００５９】
次に、図６に示したように、コイル５９の上側に、フォトレジストよりなる絶縁層６５を、所定のパターンに形成する。次に、２００°Ｃ程度の温度でキュアを施す。本実施の形態において、スロートハイトは、絶縁層６５によって規定される。次に、全体に、アルミナ膜、チッ化アルミニウム膜、シリコン酸化膜等の絶縁膜よりなる記録ギャップ層６６を、例えば３００ｎｍ程度の厚みに形成する。次に、磁性層６４の上側の部分において、記録ギャップ層６６を選択的に除去して、磁路形成のためのコンタクトホールを形成する。
【００６０】
次に、記録ギャップ層６６の上に、誘導型の記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層６７を、約３〜４μｍの厚みに形成する。この上部磁極層６７は、例えば、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％）を用いてめっき法により形成してもよいし、チッ化鉄（ＦｅＮ）やその化合物等の高飽和磁束密度材をスパッタし、パターニングして形成してもよい。なお、上部磁極層６７の材料としては、上記の例の他に、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｚｒのアモルファス等の高飽和磁束密度材を用いても良い。また、上部磁極層６７は、上述の種々の材料を２種類以上重ねて形成してもよい。上部磁極層６７の材料に、高飽和磁束密度材を用いることで、コイル５９で発生した磁束が途中で飽和することなく有効に磁極部分に到達するようになり、効率のよい記録ヘッドを形成することが可能となる。
【００６１】
次に、上部磁極層６７の両側における記録ギャップ層６６をドライエッチングにより除去した後、露出した上部シールド層の第２の部分５４ｂを、上部磁極層６７をマスクとして、イオンミリングによって、例えば約０．５μｍエッチングして、トリム構造とする。
【００６２】
次に、上部磁極層６７の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層６８を、約３０〜４０μｍの厚みに形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６３】
上部シールド層（下部磁極）５４ａ，５４ｂ、磁性層６４、上部磁極層６７と、薄膜コイル５９は、本発明における記録ヘッドに対応する。つまり、上部シールド層（下部磁極）５４ａ，５４ｂおよび磁性層６４は、本発明における記録ヘッドにおける第１の磁性層に対応し、上部磁極層６７は、第２の磁性層に対応する。
【００６４】
図７は、上述のようにして製造される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図、図８は、上述のようにして製造される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、図７は、図３に示した状態に対応している。また、図８では、オーバーコート層６８を省略している。また、この図は、スライダの機械加工を行う前の状態を表している。図８において、符号６９は、上部シールド層の第２の部分５４ｂと第１の部分５４ａとを接続するためのコンタクトホールを示している。なお、図１ないし図６における（ａ）は、図８におけるＣ−Ｃ′線断面を表し、（ｂ）は、図８におけるＤ−Ｄ′線断面を表している。
【００６５】
なお、図８に示したように、本実施の形態において、導電層５７の少なくとも一部をシールドするための電極シールド層７１を設けてもよい。この電極シールド層７１は、導電層５７のうち、上部シールド層の第２の部分５４ｂに対向しない部分を覆うように設けられる。また、電極シールド層７１は、例えば、上部磁極層６７を形成する際に同時に、上部磁極層６７と同じ磁性材料を用いて形成される。
【００６６】
本実施の形態では、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａが、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置されている。そして、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝５５内に、ＭＲ素子６２に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置されている。
【００６７】
ところで、薄膜磁気ヘッドの多くの顧客は、再生ヘッドにおけるトラック幅や、記録ヘッドにおけるスロートハイトやトラック幅を、自社製品に合わせて注文してくる。しかし、注文の後に、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを生産していたのでは、注文から短期間で製品を提供することは困難であった。
【００６８】
本実施の形態によれば、図３に示したように、コイル５９の形成工程まで（本実施の形態では、絶縁層６０の形成までを言うものとする。）で、薄膜磁気ヘッドにおける共通の基体である薄膜磁気ヘッド用素材が完成する。そして、この薄膜磁気ヘッド用素材に続く工程に要する時間は、比較的短い。また、この薄膜磁気ヘッド用素材の段階で、良・不良の検査を行って、不良品を取り除くことができる。
【００６９】
そこで、本実施の形態によれば、コイル５９の形成工程まで経た半製品、すなわち薄膜磁気ヘッド用素材を、多くの在庫が得られるように量産し、顧客に対応が可能なところまで在庫数を増加させた後、それぞれ異なる顧客毎の要求を受け入れて、薄膜磁気ヘッドの仕様を取り決めることができる。従って、本実施の形態によれば、薄膜磁気ヘッドの全製造工程の５０〜６０％以上の工程を既に終了し、しかも、その多くが良・不良の検査により良品とされた半製品を適正の在庫だけ持ち、顧客の期待する仕様の薄膜磁気ヘッドを、注文から短時間で提供することが可能となる。その結果、顧客の注文を受けてから薄膜磁気ヘッドを完成させ、出荷するまでの時間としてのサイクルタイムを、従来では例えば２０日〜４０日程度要していたのに対し、本実施の形態によれば、例えば２週間以内に短縮することが可能となる。
【００７０】
また、本実施の形態によれば、半製品の段階で不良品は既に取り除かれているので、良品の半製品を、顧客の要求に応じて、限りなく早く、製品にすることができ、従来にはない高い品質保証が可能となり、最終製品の歩留りも向上する。
【００７１】
また、本実施の形態によれば、顧客の要求が短期間で変化しても、速やかに対応することができ、製品の無駄を防止することが可能となる。
【００７２】
また、本実施の形態によれば、半製品の段階で良・不良の検査を行うことができるので、不良が発生している半製品については、その後の工程を省くことができるので、従来に比べて、薄膜磁気ヘッドの製造コストを低減することができる。
【００７３】
また、本実施の形態によれば、半製品の段階と、薄膜磁気ヘッドの完成後の段階の双方で、良・不良の検査を行うことにより、製品について極めて高い品質保証が可能となる。
【００７４】
また、本実施の形態によれば、半製品の段階と、薄膜磁気ヘッドの完成後の段階の双方で、良・不良の検査を行うことにより、問題のある工程を発見しやすく、また、その問題のある工程を改善を速やかに行うことが可能となり、大きな問題の発生を防止することが可能となる。
【００７５】
また、本実施の形態によれば、コイル５９を形成した後に、ＭＲ素子６２を形成するので、コイルの形成の際におけるフォトレジストに対する熱処理やその際に発生する水分等の影響によるＭＲ素子６２の特性劣化を防止することが可能となる。この効果は、特に、ＭＲ素子６２として、感度の高いＧＭＲ素子を用いる場合に顕著である。
【００７６】
また、本実施の形態によれば、ＭＲ素子６２を形成した後の工程が、従来に比べて短くなるため、ハンドリング等によるＭＲ素子６２の静電気破壊等の破損を、極めて少なくすることが可能となる。この効果は、特に、ＭＲ素子６２として、複数の極めて薄い（１〜５ｎｍ程度）の層からなるＧＭＲ素子を用いる場合に顕著である。
【００７７】
また、本実施の形態では、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａが、同一平面上に、互いに絶縁された状態で配置されている。そして、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａの間に形成された溝５５内に、ＭＲ素子６２に接続される電極を構成する導電層５７の一部が、絶縁膜５６によって、下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに対して絶縁された状態で配置されている。従って、本実施の形態によれば、導電層５７と、下部シールド層５３および上部シールド層の第１の部分５４ａとの間の絶縁性能を極めて高くすることができる。また、導電層５７の一部は、下部シールドギャップ膜６１ａおよび上部シールドギャップ膜６１ｂを介して上部シールド層の第２の部分５４ｂと対向するが、大部分は上部シールド層５４ａ，５４ｂと対向しない構造であるため、導電層５７と上部シールド層５４ａ，５４ｂとの間の絶縁性能を極めて高くすることができる。
【００７８】
以上のことから、本実施の形態によれば、導電層５７と、下部シールド層５３および上部シールド層５４ａ，５４ｂとの間の絶縁性能を極めて高くすることができ、導電層５７と、下部シールド層５３および上部シールド層５４ａ，５４ｂとの間の磁気的および電気的な絶縁の不良をなくすことができる。
【００７９】
また、本実施の形態によれば、導電層５７が下部シールドギャップ膜６１ａと上部シールドギャップ膜６１ｂとの間に介挿された構造ではないので、導電層５７が下部シールドギャップ膜６１ａ、上部シールドギャップ膜６１ｂを介して下部シールド層５３、上部シールド層５４ａ，５４ｂと広い面積で対向することがない。従って、下部シールドギャップ膜６１ａ、上部シールドギャップ膜６１ｂを薄くしても、導電層５７と下部シールド層５３および上部シールド層５４ａ，５４ｂとの間の絶縁性能を高く維持することができる。
【００８０】
このように本実施の形態によれば、下部シールドギャップ膜６１ａおよび上部シールドギャップ膜６１ｂを厚くすることなく、ＭＲ素子６２に接続される電極と下部シールド層５３および上部シールド層５４ａ，５４ｂとの間の絶縁性能を向上させることができる。
【００８１】
また、本実施の形態によれば、サーマルアスピリティ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｓｐｅｒｉｔｙ）を改善するために、下部シールドギャップ膜６１ａおよび上部シールドギャップ膜６１ｂを十分薄くすることが可能となり、再生ヘッドの性能を向上させることができる。なお、サーマルアスピリティとは、再生時における再生ヘッドの自己発熱による再生特性の劣化を言う。
【００８２】
また、本実施の形態によれば、導電層５７を十分厚く形成することができるので、ＭＲ素子６２に接続される電極の配線抵抗をより低くすることができる。これにより、ＭＲ素子６２における微小な抵抗変化に対応する微小な出力信号変化を感度よく検出することが可能となり、この点からも再生ヘッドの性能を向上させることができる。
【００８３】
また、本実施の形態では、導電層５７のうち、ＭＲ素子６２に近く、溝５５内に配置された部分は、両側から下部シールド層５３と上部シールド層の第１の部分５４ａに挟み込まれてシールドされ、上面側が上部シールド層の第２の部分５４ｂによってシールドされる構造となっている。従って、ＭＲ素子６２に対する、誘導型の記録ヘッドにおけるコイルから発生する磁気等の内部要因やハードディスク装置のモータ等の外部要因によるノイズの影響を低減することができる。この点からも、再生ヘッドの性能を向上させることができる。
【００８４】
また、電極シールド層７１を設けることにより、導電層５７のうち、上部シールド層の第２の部分５４ｂに対向しない部分の上面側を、電極シールド層７１によってシールドすることができるので、導電層５７に対するノイズの影響をより低減することができる。
【００８５】
また、本実施の形態では、薄膜コイル５９は、上部シールド層の第１の部分５４ａと上部磁極層６７との間であって、上部シールド層の第２の部分５４ｂの面に沿った方向の側方に配置されている。そのため、エイペックス部、すなわち、山状に盛り上がったコイル部分の高さを低くでき、記録ヘッドのトラック幅を決定する磁極（上部磁極層６７）を微細に形成することが可能となる。これにより、記録密度を高め、記録ヘッドの性能を向上させることが可能となる。
【００８６】
また、本実施の形態によれば、互いに対向するコイル５９と上部シールド層の第１の部分５４ａとの間に、厚い絶縁層５８を形成できるので、コイル５９と上部シールド層５４ａ，５４ｂとの間に、大きな絶縁耐圧を得ることができると共に、コイル５９からの磁束の漏れを低減することができる。
【００８７】
また、本実施の形態によれば、記録ヘッドにおける上部磁極が、１層の上部磁極層６７によって形成され、ポールチップと上部磁極層による２層構造になっていないので、ポールチップよりも幅の大きい上部磁極層がエアベアリング面において露出することがない。従って、実効トラック幅が大きくなったり、記録媒体上において本来データを記録すべき領域以外の領域にデータを書き込んでしまうような不具合を防止することができる。
【００８８】
また、本実施の形態によれば、ポールチップと上部磁極層による２層構造の場合に、ポールチップと上部磁極層との接触部で生じる磁束の飽和がなくなり、磁束立ち上がり時間（Ｆｌｕｘ　Ｒｉｓｅ　Ｔｉｍｅ）等の書き込み特性を向上させることが可能となる。
【００８９】
次に、図９を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面に垂直な断面を示す断面図である。なお、図９は、スライダの機械加工を行う前の状態を表している。
【００９０】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおけるフォトレジストよりなる絶縁層６５内に、第２層目の薄膜コイル７２を形成したものである。この場合には、コイル５９の上側にフォトレジストよりなる絶縁層６５を、所定の厚みだけ形成した後、コイル７２を、例えばめっき法により形成し、更に、このコイル７２を覆うように絶縁層６５を形成するようにする。なお、本実施の形態において、スロートハイトは、絶縁層６５によって規定される。
【００９１】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９２】
次に、図１０ないし図１４を参照して、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、コイル５９の形成工程までは、第１の実施の形態と同様である。そして、この工程まで経た半製品を量産し、良・不良のチェックを行って、良品の半製品を適正量だけ確保しておく。
【００９３】
本実施の形態では、顧客の要求に応じて製品を完成される場合には、顧客の要求に応じて、ＭＲ素子の選択（ＡＭＲ素子とするかやＧＭＲ素子とするか等）や、シールドギャップ膜の材料（アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等）の選択を行うと共に、再生ヘッドにおけるトラック幅や、記録ヘッドにおけるスロートハイトやトラック幅を決定し、上記半製品に対して、図１０に示したように、シールドギャップ膜６１ａ，６１ｂ、ＭＲ素子６２および電極層６３を形成する。次に、上部シールド層の第２の部分５４ｂと磁性層６４とを形成する。次に、全体に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層８１を、３〜４μｍの厚みに形成する。そして、上部シールド層の第２の部分５４ｂおよび磁性層６４の表面が露出するように、全体を例えばＣＭＰによって平坦化する。
【００９４】
次に、図１１に示したように、上部シールド層の第２の部分５４ｂおよび絶縁層８１の上に、例えばアルミナ膜よりなり、記録ヘッドのスロートハイトを規定するための絶縁層８２を形成する。次に、この絶縁層８２の上に、第２層目の薄膜コイル８３を形成する。次に、絶縁層８２およびコイル８３の上に、フォトレジストよりなる絶縁層８４を、所定のパターンに形成する。次に、アルミナ膜等の絶縁膜よりなる記録ギャップ層８５を形成する。次に、磁性層６４の上側の部分において、記録ギャップ層８５を選択的に除去して、磁路形成のためのコンタクトホールを形成する。
【００９５】
次に、図１２に示したように、記録ギャップ層８５の上に、誘導型の記録ヘッドのトラック幅を決定する上部磁極層８６を形成する。次に、上部磁極層８６の両側における記録ギャップ層８５を、反応性イオンエッチング等のドライエッチングにより除去した後、露出した上部シールド層の第２の部分５４ｂを、上部磁極層８６をマスクとして、イオンミリング等によってエッチングして、トリム構造とする。
【００９６】
次に、上部磁極層８６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層８７を、約３〜５μｍの厚みに形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９７】
図１３は、上述のようにして製造される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図、図１４は、上述のようにして製造される本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。また、図１４では、オーバーコート層８７を省略している。また、この図は、スライダの機械加工を行う前の状態を表している。図１４において、符号６９は、上部シールド層の第２の部分５４ｂと第１の部分５４ａとを接続するためのコンタクトホールを示している。なお、図１０ないし図１２における（ａ）は、図１４におけるＥ−Ｅ′線断面を表し、（ｂ）は、図１４におけるＦ−Ｆ′線断面を表している。
【００９８】
なお、図１４に示したように、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、導電層５７の少なくとも一部をシールドするための電極シールド層７１を設けてもよい。この電極シールド層７１は、導電層５７のうち、上部シールド層の第２の部分５４ｂに対向しない部分を覆うように設けられる。また、電極シールド層７１は、例えば、上部磁極層８６を形成する際に同時に、上部磁極層８６と同じ磁性材料を用いて形成される。
【００９９】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１００】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されない。例えば、上記各実施の形態では、記録ヘッドにおける上部磁極を、１層の上部磁極層によって形成するようにしたが、本発明は、ポールチップと上部磁極層の２層によって上部磁極を形成する場合にも適用することができる。
【０１０１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッドの製造方法、薄膜磁気ヘッド用素材もしくは薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、第１のシールド層と、第２のシールド層の第１の部分と、薄膜コイルの少なくとも一部とを備えた薄膜磁気ヘッド用素材を製造しておき、この素材に対して、顧客の要求に応じて、第２のシールド層の第２の部分と、磁気抵抗素子と、第２の磁性層とを形成することで、薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となるので、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを短期間で提供することが可能となると共に、素材の段階で良・不良の検査を行って、良品の素材のみを用いて薄膜磁気ヘッドを製造することが可能となるので、薄膜磁気ヘッドの歩留りを向上させることを可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面に垂直な断面を示す断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を説明するための断面図である。
【図１７】図１６に続く工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図である。
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドにおけるエアベアリング面に垂直な断面を示す断面図である。
【図２５】従来の薄膜磁気ヘッドにおける磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示す断面図である。
【図２６】従来の薄膜磁気ヘッドにおける製造途中の状態のものを示す平面図である。
【図２７】従来の薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【符号の説明】
５１…基板、５２…絶縁層、５３…下部シールド層、５４ａ…上部シールド層の第１の部分、５４ｂ…上部シールド層の第２の部分、５６…絶縁膜、５７…導電層、５８…絶縁層、５９…薄膜コイル、６０…絶縁層、６１ａ…下部シールドギャップ膜、６１ｂ…上部シールドギャップ膜、６２…ＭＲ素子、６３…電極層、６４…磁性層、６６…記録ギャップ層、６７…上部磁極層、６８…オーバーコート層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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