(57)【要約】【課題】  溶剤を基板上の不要な膜に吐出して該膜を溶解除去する装置において、吐出する溶剤の量を低減させる。【解決手段】  上ヘッド６３、下ヘッド６４に、凹部６５と金属製の薄板６６とによって溶剤溜部Ｘを構成する。薄板６６には吐出孔６７が穿設されて形成されている。溶剤供給源７１から溶剤が溶剤溜部Ｘに圧送されると、薄板６６に形成された吐出孔６７から溶剤が基板Ｇ周縁部に吐出され、周縁部の不要なレジスト膜Ｒが溶解除去される。吐出孔６７を通過する際の圧力損失は殆どなく、微小な径の吐出孔６７であっても安定した圧力の下で溶剤を吐出させることができ、使用する溶剤を低減させることができる。【選択図】  図７
2004306035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜が形成された基板の周縁部の不要な膜に対して，当該周縁部の少なくとも一部を覆う溶剤吐出部材から溶剤を吐出させて前記不要な膜を除去する装置であって，
前記溶剤吐出部材には，溶剤供給源から供給される溶剤を溜める溶剤溜部が設けられ，
前記溶剤溜部は，溶剤吐出部材に形成されて開口部が基板に面している凹部と，
当該開口部を液密に閉鎖して基板と平行に対面する金属製の薄板とを有し，
前記溶剤溜部に通ずる吐出孔が前記薄板に穿設されて形成されていることを特徴とする，薄膜除去装置。
【請求項２】
薄板は，溶剤吐出部材に対して着脱自在であることを特徴とする，請求項１に記載の薄膜除去装置。
【請求項３】
薄板における少なくとも基板に面した部分であって，かつ吐出孔を除いた部分の一部又は全部は，樹脂性のカバーで覆われていることを特徴とする，請求項１又は２に記載の薄膜除去装置。
【請求項４】
吐出孔の直径は，２００μｍ以下であることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜除去装置。
【請求項５】
吐出孔は複数形成されていることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜除去装置。
【請求項６】
前記溶剤吐出部材は，基板の周縁に沿って移動する移動機構に設けられていることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜除去装置。
【請求項７】
吐出孔は複数形成されており，これら複数の吐出孔は，移動機構による移動方向前方から後方に向かって所定の間隔で設けられていることを特徴とする，請求項６に記載の薄膜除去装置。
【請求項８】
基板の裏面に対向する裏面洗浄機構を有することを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の薄膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，例えば表面にレジスト膜が形成された矩形のＬＣＤ基板の縁部の不要なレジスト膜を除去するのに使用する薄膜除去装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に，液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては，ガラス製の基板の表面に，例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パターンを形成するために，半導体製造工程の場合と同様，フォトリソグラフィ技術によって所定の処理が施されている。例えば基板の表面にレジスト液を塗布するレジスト液塗布処理や，形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光処理や，露光処理後の基板を現像する現像処理がなされている。
【０００３】
ここでレジスト液塗布処理を行う際には，いわゆるスピンコーティング方法が広く採用されている。この方法は，処理容器内に設けられたスピンチャック上に基板を保持させ，その状態で基板をスピンチャックによって回転させることで，基板表面に供給された溶剤と感光性樹脂からなるレジスト液を遠心力によって拡散させて，基板表面に均一の厚さでレジスト膜を塗布するものである。
【０００４】
ところが前記スピンコーティング方式でレジスト液塗布処理を行った場合，塗布直後における膜厚は均一であっても，スピンチャックの回転が停止して遠心力が働かなくなった後や，時間の経過にしたがって表面張力の影響によって基板周縁部のレジスト液が盛り上がるように厚くなったり，レジスト液が基板の下面周縁部まで回り込んで不要な膜が形成されることがある。このように基板の周縁部に不均一な膜が形成されると，回路パターン等の現像時に周縁部のレジストが完全に除去されずに残存することになり，その後の処理に悪影響を与えたり，また搬送中に残存レジストが剥がれてパーティクルが発生するおそれがある。
【０００５】
そのため従来では，レジスト液塗布後にエッジリムーバと呼ばれる基板周縁部の不要な膜を除去する装置を使用して，基板周縁部の不要な膜を除去する処理が行われている。
【０００６】
前記従来の除去装置は，図１２に示したような構成を有していた。この除去装置１０１は，例えばアングル形状の上部ヘッド構成材１０２ａと下部ヘッド構成材１０２ｂとを上下に対向させて，縦断面が略コ字形に形成されたノズルヘッド１０２と，ノズルヘッド１０２の基部側に設けられた吸引口１０３とを有している。そして上部ヘッド構成材１０２ａと下部ヘッド構成材１０２ｂには，図１３に示したように，上部ヘッド構成材１０２ａと下部ヘッド構成材１０２ｂとの間の処理空間Ｓ内に基板Ｇの縁部を位置させた際に，不要な膜を除去する部分に向けて溶剤を吐出するためのニードルノズル１０４が固定されている。これら各ニードルノズル１０４には，別設の例えばタンク１０５などの溶剤供給源から，窒素ガスによる圧送によって溶剤が所定圧の下で供給されるようになっている。
【０００７】
前記従来のニードルノズル１０４は，細い線材の中に吐出口と同径の流通部（図示せず）が形成された中空構造であり，一般的に使用されているニードルノズル１０４の吐出口の直径は約２６０μｍ程度である。そしてタンク１０５に加えられる窒素ガスの圧力は，約１ｋｇ／ｃｍ２程度であり，これによって毎分４０ｃｃ程度の溶剤をニードルノズル１０４から，基板Ｇの表裏面の周縁部に吐出させ，不要なレジスト膜を溶解除去するようにしていたのである。なお吐出された溶剤や溶解したレジスト液は，前記吸引口１０３から吸引されて外部へと排出されるようになっている。
【０００８】
そして実際に基板Ｇ周縁部の不要な膜を除去するにあたっては，図１３に示したように，基板Ｇの４辺の各縁部に各々除去装置１０１を配置し，各辺の長手方向に沿って各々除去装置１０１移動させながら，前記ニードルノズル１０４から溶剤を周縁部に吐出させることで，各辺全ての周縁部の不要な膜を除去するようにしている。
【０００９】
ところで使用する溶剤は揮発性が高く，その蒸気が周囲に拡散してしまうので，安全性の面からなるべく少量に抑える必要がある。また溶剤の使用量を低減することは，ランニングコストの低減にもなり，この点からも望まれることである。
【００１０】
この点従来の技術によって溶剤の使用量を低減させるには，例えば窒素ガスによる加圧の圧力を低くして吐出量を減らすことになるが，従来のニードルノズル１０４では，ニードルノズル１０４内の流路の内部抵抗による圧力損失が大きく，
窒素ガスによる加圧の圧力を低くすると，吐出圧が大幅に低くなり，吸引口１０３からの吸引によって所定の縁部に吐出できなかったり，また当該吸引によって所定の縁部に対して吸引口１０３側に斜めに引かれた格好で吐出して，不要な膜を直角に除去できないおそれがあった。
【００１１】
ニードルノズル１０４内の流通部及び吐出口の径を小さくしようとしても，加工上小さくするにも限界があり，また内部抵抗による圧力損失の問題が依然として残っており，安定した圧力の下で吐出させることは困難であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
以上の点から，前記従来技術のままでは，溶剤の使用量を単純に低減させることは難しかったのである。本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，吸引口からの吸引構成を変えたり，窒素ガスの加圧による供給系自体を変えることなく，溶剤を基板の所定の周縁部に対して直角に吐出でき，しかも溶剤の使用量を大幅に低減できる新規な薄膜除去装置を提供して問題の解決を図ることをその目的としている。
【００１３】
前記従来の技術で大きな問題となっているのは，ニードルノズルを使用することによる圧力損失，及び微小径の吐出孔を形成する加工上の問題である。そこで発明者らは，そのようなニードルノズルを使用せずに，溶剤を吐出させる構成を採用した。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記課題を解決するため，本発明は，薄膜が形成された基板の周縁部の不要な膜に対して，当該周縁部の少なくとも一部を覆う溶剤吐出部材から溶剤を吐出させて前記不要な膜を除去する装置であって，前記溶剤吐出部材には，溶剤供給源から供給される溶剤を溜める溶剤溜部が設けられ，前記溶剤溜部は，溶剤吐出部材に形成されて開口部が基板に面している凹部と，当該開口部を液密に閉鎖して基板と平行に対面する金属製の薄板とを有し，前記溶剤溜部に通ずる吐出孔が前記薄板に穿設されて形成されていることを特徴とする，薄膜除去装置である。
【００１５】
この薄膜除去装置においては，例えば前記したノズルヘッドのような吐出部材自体に溶剤溜部が設けられているので，溶剤供給源から供給された溶剤は，溶剤溜部でバッファされて吐出孔から吐出される。したがって，吐出孔と溶剤溜部との間の距離を短く設定しても，安定した圧力で溶剤が吐出され，圧力損失も大幅に抑えることができる。
【００１６】
また溶剤溜部は，溶剤吐出部材に形成されて開口部が基板に面している凹部と，当該開口部を液密に閉鎖して基板と平行に対面する金属製の薄板とを有し，前記溶剤溜部に通ずる吐出孔が前記薄板に穿設されて形成されているので，簡単に前記作用効果を奏する溶剤溜部を実現できる。しかも吐出孔は薄板に穿設されて形成したものであるから，吐出孔の長さは薄板の厚さ分となり，吐出する際の吐出孔内部での抵抗による圧力損失を殆どなくすことが可能である。しかも吐出孔の形成にあたっては，金属製の薄板に穿設するだけの加工で済むので，吐出孔を形成する加工が容易であり，しかも従来よりも極めて小径の吐出孔を形成することが可能である。したがって，従来の吐出圧の下で吐出孔の径を小さくして溶剤の吐出量を低減させても，吐出された溶剤が吸引口側に引かれてしまうことはない。
なお吐出孔の直径は，これを２００μｍ以下とすれば，本発明の効果をより顕著に享受することが可能である。
【００１７】
また前記薄板を，前記溶剤吐出部材に対して着脱自在とすれば，メンテナンスや交換等が容易になる。
【００１８】
ところでこの種の溶剤は揮発性が高いので，吐出された際にある程度蒸発するが，その際に蒸発潜熱によって周囲の温度を低下させてしまう。そうすると，基板周縁部に温度むらが生じ，その結果当該温度むらによって基板に転写が発生するおそれがある。しかしながら，この場合前記薄板における少なくとも基板に面した部分であって，かつ吐出口を除いた部分の一部又は全部を，樹脂性のカバーで覆うようにすれば，樹脂は金属よりも熱伝導率が低いので，前記蒸発潜熱による吐出口近傍の温度低下を抑えることが可能になる。したがって，前記転写の発生を抑制することが可能になる。
【００１９】
吐出孔を複数形成すれば，すなわち複数の吐出孔を溶剤溜部に連通した構成とすれば，各吐出孔から同一の吐出圧で溶剤を吐出させることができる。したがって，例えばノズルヘッドのような溶剤吐出部材に溶剤溜部を設ける場合，当該溶剤溜部は１つで済む。すなわち１つの溶剤溜部によって複数の吐出孔から同一吐出圧で基板の縁部に対して溶剤を吐出させることができ，より確実に膜を除去することができる。
【００２０】
そして前記溶剤吐出部材を，基板の周縁に沿って移動する移動機構に設ければ，移動機構の移動によって基板周縁部の不要な膜を基板の辺と平行に直線状に除去することが可能である。
【００２１】
この場合において，吐出孔を複数形成するときには，前記移動機構に移動方向に沿って複数形成してもよい。すなわち，吐出孔を複数形成すると共に，これら複数の吐出孔を，移動機構による移動方向前方から後方に向かって所定の間隔で設けるようにしてもよい。そうすれば，移動機構によって溶剤吐出部材を基板の周縁に対して出入り移動させることにより，例えばある程度幅のある不要な膜の領域に対して縁部の内側から外側に向けて，これを逐次除去していくことが可能である。もちろん吐出孔が単数の場合でも，そのように溶剤吐出部材の基板の周縁に対する出入り移動によって不要な膜を内側から外側に逐次除去していくことが可能であるが，より確実に除去させることが可能である。
【００２２】
さらに以上の各薄膜除去装置において，基板の裏面に対向する裏面洗浄機構を設ければ，同時にまた個別に基板の裏面も洗浄することが可能である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば，溶剤吐出の際の圧力損失を大幅に抑えることができるから，吐出圧を従来と同一レベルに保ったまま吐出孔を小径にして溶剤の使用量の低減を図ることが可能である。また吐出孔近傍に吸引口があっても，吐出方向が吸引口側に引かれることを抑えることができる。また吐出する際の吐出孔内部での抵抗による圧力損失を殆どなくすことが可能である。そのうえ極めて小径の吐出孔を形成することが容易である。樹脂性のカバーで覆うようにすれば，吐出孔周辺の温度低下を抑えて温度差に基づく転写が基板に発生することを抑えることができる。また１つの溶剤溜部によって複数の吐出孔から同一吐出圧で基板の縁部に対して溶剤を吐出させたり，基板周縁部の不要な膜を基板の辺と平行に直線状に除去することが可能である。
例えば移動機構によって溶剤吐出部材を基板の周縁に対して出入り移動させることで，周縁に沿って幅のある不要な膜を除去することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下，添付図面を参照しながら本発明の好ましい実施の形態を説明する。この実施の形態は，塗布現像処理装置内に組み込まれた塗布・周縁部除去装置内の除去部に設けられている。図１は塗布現像処理装置の外観を，図２は塗布現像処理装置の平面からみた様子をそれぞれ示している。
【００２５】
塗布現像処理装置１は図１，２に示すように，例えば矩形状のＬＣＤ用の基板Ｇを搬入出するローダ部２と，基板Ｇを処理する第１の処理部３と，この第１の処理部３とインターフェイス部４とを介して連設された第２の処理部５と，この第２の処理部５と露光装置（図示せず）との間で基板Ｇを授受するためのインターフェイス部７とを備えている。
【００２６】
ローダ部２にはカセット載置台１０が設けられており，このカセット載置台１０には，例えば未処理の基板Ｇを収納するカセット１１，１１と，処理済みの基板Ｇが収納されるカセット１２，１２とが基板Ｇの出入口を第１の処理部３側に向けて一列に載置自在である。またローダ部２には，基板を搬送自在な副搬送装置１３が備えられている。
【００２７】
副搬送装置１３は搬送レール１３ａに沿った方向（Ｙ方向）と，各カセット１１，１２内の基板Ｇの収納方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動自在であり，かつθ方向にも回転自在となるように構成されている。
【００２８】
第１の処理部３には，基板Ｇに対して所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置１５の搬送レール１６を挟んだ両側に配置されている。即ち，搬送レール１６の一側には，各カセット１１，１１から取り出された基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置１７と，基板Ｇに対して現像処理を施す現像処理装置１８とが並んで配置され，搬送レール１６の他側には紫外線オゾン洗浄装置１９と，基板Ｇを冷却処理する冷却処理装置２０，２１と，基板Ｇを加熱処理する加熱処理装置２２とが適宜多段に配置されている。これら各種の処理装置に対する基板Ｇの搬入出は，主搬送装置１５に装備された搬送アーム１５ａにより行われる。なお，かかる第１の処理部３と後述する第２の処理部５との間に形成された前記インターフェイス部４には，基板Ｇを載置自在な受け渡し台２３が備えられている。
【００２９】
第２の処理部５には，主搬送装置２５の搬送レール２６を挟んだ一側に，塗布・周縁部除去装置２７が配置され，この搬送レール２６を挟んだ他側には，基板Ｇに疎水化処理を施す疎水化処理装置２８と，基板Ｇを冷却する冷却処理装置２９と，加熱処理装置３０，３０とが多段に配置されている。なお，上記主搬送装置２５には第２の処理部５に属する各種処理装置に基板Ｇを搬入出する搬送アーム２５ａが装備されている。
【００３０】
インターフェイス部７には塗布現像処理装置１と露光装置（図示せず）とのタクトを調整するために，基板Ｇを一時的に収納して待機させるカセット３１，３１と，基板Ｇを載置自在な受け渡し台３２と，各カセット３１，３１，受け渡し台３２，前記露光装置に対して基板Ｇを搬送自在な副搬送装置３３とが装備されている。
【００３１】
塗布現像処理装置１は以上のように構成されている。次に，塗布・周縁部除去装置２７の詳細について説明する。この塗布・周縁部除去装置２７は，ケーシング２７ａ内にレジスト塗布部４１と，周縁部除去部５１とが隣接して配置されている。レジスト塗布部４１は，処理容器としての回転カップ４２内でスピンチャック４３によって吸着保持した基板Ｇの中心上方にレジストノズル４４を移動させてレジスト液を供給し，基板Ｇをスピンチャック４３で回転させることによって，基板Ｇ上のレジスト液を拡散して塗布する構成を有している。そのようにしてレジスト液が塗布された基板Ｇは，搬送レール４５に沿って移動する一対の搬送アーム４６によって周縁部除去部５１にまで搬送される。
【００３２】
周縁部除去装部５１は，搬送された基板Ｇを載置自在な載置台５２を有し，この載置台５２上に載置された基板Ｇの各角部近傍をホームポジションとするように配置された，本実施の形態にかかる薄膜除去装置６１とを備えている。基本的に各薄膜除去装置６１は，同一の構成を有している。各薄膜除去装置６１は，基板Ｇの対応する各辺，すなわち各周縁部に沿って移動自在な移動機構Ｍに取り付けられている。
【００３３】
本実施の形態にかかる薄膜除去装置６１は，図５に示したように，吸引口６２ａを有する吸引部材６２を上下に挟んで溶剤吐出部材としての略アングル状の上ヘッド６３と下ヘッド６４とを対向させて構成され，上ヘッド６３と下ヘッド６４とによって挟まれた空間が処理空間Ｓを形成している。上ヘッド６３における下面側には，下ヘッド６４との対向面，すなわち後で基板Ｇが挿入される処理空間Ｓに面した部分に開口する凹部６５が形成されている。
【００３４】
前記凹部６５の開口部を液密に閉鎖する金属製，例えばステンレス鋼の薄板６６が上ヘッド６３の下面に取り付けられ，薄板６６の下面側には，薄板６６に形成された吐出孔６７を除いた部分を覆う合成樹脂性のカバー６８が取り付けられている。これら薄板６６，カバー６８は，ボルト６９ａ，埋込ナット６９ｂによって上ヘッド６３に対して固定されているので，薄板６６，カバー６８は，上ヘッド６３に対して着脱自在である。
【００３５】
本実施の形態においては，薄板６６の厚さは０．２ｍｍ，吐出孔６７は，直径が５０μｍの円形の孔を採用している。吐出孔６７の形態は，このような円形の孔に限らず，平面形態が三角，四角，その他の多角形など任意の形態を採用できる。また吐出孔５７は，基板Ｇの辺方向に沿って所定のピッチＤの下で一列，すなわち基板Ｇの周縁部に沿った方向に計４カ所形成されている。本実施の形態では，Ｄ＝４ｍｍに設定した。もちろんこの吐出孔６７の数，ピッチＤは任意に設定できる。
【００３６】
前記凹部６５及び薄板６６で形成された空間は，溶剤溜部Ｘを構成する。そしてこの溶剤溜部Ｘには，外部に設置されているタンクなどの溶剤供給源７１から，窒素ガスやその他の不活性ガスの加圧によって，溶剤が流路７２，溶剤溜部Ｘに通ずる供給部７３通じて所定の圧力の下で供給される。供給部７３は，溶剤溜部Ｘに供給できる場所であれば，上ヘッド６３の任意の位置に設定できる。
【００３７】
下ヘッド６４も上ヘッド６３と全く同一の構成を有しており，凹部６５及び吐出孔６７が形成された薄板６６で溶剤溜部Ｘが形成され，薄板６６は，吐出孔６７を除いてカバー６８で覆われている。溶剤溜部Ｘには，溶剤供給源７１から窒素ガス等で加圧されて流路７２，供給部７３を通じて所定の圧力下で溶剤が送られるようになっている。
【００３８】
なお吸引部材６２は，例えばバキュームジェネレータなどの吸引手段（図示せず）に通じており，該吸引手段による吸引によって，処理空間Ｓ内の雰囲気を吸引口６２ａから吸引排気するようになっている。
【００３９】
以上の構成にかかる４つの薄膜除去装置６１は，既述したように，移動機構Ｍの駆動によって，基板Ｇの各辺の縁部に沿って移動自在であり，さらに上下方向，基板Ｇに対する前後方向へも移動自在である。
【００４０】
本実施の形態にかかる薄膜除去装置６１は以上のように構成されており，次にその動作等について説明すると，まず塗布現像処理装置１におけるカセット載置台１０のカセット１１から，処理すべき基板Ｇが副搬送装置１３によって１枚取り出され，次いでこの基板Ｇは主搬送装置１５の搬送アーム１５ａに移載される。その後この基板Ｇは，紫外線オゾン洗浄装置１９，スクラバ洗浄装置１７，疎水化処理装置２８に順次搬送され，これらの装置において所定の処理が順次施される。そして疎水化処理が終了した基板Ｇは，搬送アーム２５ａによって塗布・周縁部除去装置２７に搬送される。
【００４１】
塗布・周縁部除去装置２７では，まずレジスト塗布部４６において基板Ｇに対してスピンコーティング方法によってレジスト液が塗布される。その後レジスト液による膜，即ちレジスト膜が形成された基板Ｇは，搬送アーム４６によって周縁部除去部５１の載置台５２へと搬送される。
【００４２】
基板Ｇが載置台５２に載置されると，各薄膜除去装置６１は，移動機構Ｍの移動によって，図７に示したように，基板Ｇにおける各辺の縁部の一端を各処理空間Ｓ内に納入するようにして，所定のスタート位置まで移動する。図４に示された手前側の薄膜除去装置６１を例にとって説明すると，図に示したＳＴＡＲＴ位置まで移動する。
【００４３】
その後吸引口６２ａから処理空間Ｓ内の雰囲気が吸引された状態で，溶剤供給源７１から溶剤が溶剤溜部Ｘに所定圧力，例えば１ｋｇ／ｃｍ２の圧力で供給されると，図７，図８に示したように，上ヘッド６３，下ヘッド６４の各吐出孔６７から基板Ｇの周縁部表裏面の不要なレジスト膜に対して溶剤が直角にかつ細い糸状に吐出され，当該不要レジスト膜Ｒを溶解除去する。吐出された溶剤，溶解したレジスト液，各液のミスト等は吸引口６２ａから排出される。そして各薄膜除去装置６１を移動機構Ｍによって基板Ｇの各辺に沿って移動させることにより，基板Ｇの各辺の周縁部の不要なレジスト膜は薄膜除去装置６１に沿って直線状に溶解除去されて行くのである。図４に示した例に即していえば，ＳＴＡＲＴ位置からＥＮＤ位置まで薄膜除去装置６１を周縁部に沿って移動させることで，当該周縁部の不要なレジスト膜Ｒが除去されるのである。
【００４４】
なおレジスト膜の除去は，溶剤の吐出位置を基板Ｇの縁部側にずらしながら前記薄膜除去装置６１を数回往復させることで行っても良い。この場合，図４において，前記薄膜除去装置６１をＳＴＡＲＴ点からＥＮＤ点に移動させることでレジスト膜を切り離した後，溶剤の吐出を図８に点線矢印で示す方向にずらしながら数回，ＳＴＡＲＴ点からＥＮＤ点に移動させる動作を行うようにする。つまりＳＴＡＲＴ点→ＥＮＤ点への移動毎に，適宜前記点線矢印で示す方向に溶剤の吐出位置をずらすのである。この場合，例えば図４中の手前側の薄膜除去装置６１についていえば，Ｘ方向手前側の方に，前記移動毎に薄膜除去装置６１自体をずらす動作を実施すればよい。
【００４５】
かかる溶解除去において，吐出される溶剤は，溶剤溜部Ｘから薄板６６に形成された吐出孔６７を通じて基板Ｇのレジスト膜に対して直角方向に吐出されているが，従来のような圧力損失は殆どないので安定した前記所定の圧力で吐出されている。したがって，吸引口６２ａからの雰囲気の吸引があっても，ほぼ垂直に吐出されているから，不要なレジスト膜Ｒを好適な形状で溶解除去できる。
【００４６】
しかも溶剤溜部Ｘがヘッダとしても機能しているので，上ヘッド６３，下ヘッド６４に各々４カ所形成されている各吐出孔６７からは，同一の圧力で同一量の溶剤が吐出されている。したがって，この点からも好適な不要レジスト膜Ｒの溶解除去作業が実施できる。
【００４７】
そのうえ，前記吐出孔６７の径は５０μｍと従来よりも大幅に小径に形成されているから，当然のことながら従来と同一吐出圧の下で吐出する溶剤の量を低減させている。発明者らの知見によれば，直径が２６０μｍの従来のニードルノズルを用いた場合，１ｋｇ／ｃｍ２の吐出圧で４０ｃｃ／ｍｉｎの溶剤を吐出していたが，本実施の形態のように５０μｍ径の吐出孔６７によれば，同じく１ｋｇ／ｃｍ２の吐出圧で約１／１０の量にまで吐出する溶剤の量を低減することができた。
【００４８】
ところで本実施の形態においては，薄板としてステンレス鋼を使用しているので，極めて微小な径の吐出孔６７を形成することが可能であるが，ステンレス鋼は熱伝達率が高いので，揮発性の溶剤が蒸発するときの蒸発潜熱で冷却されやすく，時として処理空間Ｓ内における周囲の雰囲気を冷却して，大気との温度差を生じ，当該温度差によって基板Ｇに転写を発生させることが考えられる。しかしながら，本実施の形態では，合成樹脂性のカバー６８が薄板６６を覆っているので，かかる蒸発潜熱による温度差に基づく転写は防止される。
【００４９】
また薄板６６，及びカバー６６は，ボルト６９で固定されているので，上ヘッド６３，下ヘッド６４に対してこれらは着脱自在であり，メンテナンス，洗浄，交換等が容易に行える。その他，構造的にみても上ヘッド６３，下ヘッド６４に凹部６５を形成し，開口部を吐出孔６７が穿設された薄板６６で液密に閉鎖するだけで溶剤溜部Ｘを簡単に構成することができるので，製造も容易である。
【００５０】
本発明は，もちろん以上の実施の形態に限られるものではなく，その要旨を変更しない範囲で，種々の実施の形態を提案できる。
例えば，上記実施の形態では，図６に示すように，前記吐出孔６７は薄膜除去装置６１の移動方向に沿う直線上に所定の間隔で設けられていたが，これに限定されるものではなく，例えば図９に示すような構成であっても良い。
【００５１】
すなわち図９に示す構成においては，複数の第１〜第４の吐出孔６７ａ〜６７ｄが，薄膜除去装置６１の進行方向前方から後方に行くに従って次第に基板Ｇの外縁７４に近づくように設けられていている。このような構成では，まず，第１の吐出孔６７ａからの溶剤の吐出でレジスト液膜を切り，次に，第２〜第４の吐出孔６７ａ〜６７ｄからの溶剤の吐出で基板Ｇの外縁７４に向かって除去していくことができる。すなわちＳＴＡＲＴ点→ＥＮＤ点への１回の移動によって，幅のある不要なレジスト膜を一括して除去することが可能になる。
【００５２】
このような構成によれば，同じ箇所にのみ溶剤が吹き付けられることがないから，残留レジスト膜の縁部が膨潤により盛り上がる現象を防止することができる。すなわち，ＬＣＤ基板Ｇの場合のようにレジスト液膜から溶剤が蒸発しづらい場合において，同じ箇所に溶剤を吹き付け続けるとこの部分のレジスト液膜に溶剤が吸収されこれにより盛り上がりが生じることがある。これに対し，上記構成では，このような現象が生じることを防止することができる。また既述した実施の形態のように，薄膜除去装置６１自体を基板Ｇの辺と直交する方向に移動させる必要はない。
【００５３】
また，この膨潤を防ぐには，図１０に示すように，レジスト塗布部４１と周辺部除去部５１との間に減圧乾燥装置８０（ＤＶ）を設けることも有効である。この減圧乾燥装置８０は，前記レジスト塗布部４１からアーム４６を介してレジスト液が塗布されたＬＣＤ基板Ｇを受け取り，このＬＣＤ基板Ｇの周囲の雰囲気を減圧することによってレジスト液に含まれる溶剤を揮発させ，このレジスト液を乾燥させる機能を有する
【００５４】
この減圧乾燥装置８０によって減圧乾燥された基板Ｇは，前記アーム４６によって前記周辺部除去部５１に受け渡される。この基板Ｇ上のレジスト膜は，既にある程度乾燥されているから，前記薄膜除去装置６１を用いてレジスト膜の除去を行う場合に，膨潤が生じることが少なくなる効果がある。
【００５５】
また前記した実施の形態では，上下ヘッド６３，６４は同じ形状に形成されていたが，そのように上下ヘッド６３，６４を同一形状に構成する必要はない。例えば，図１１で示すように，下ヘッド６４のみがより長く突き出すように形成し，突き出した側に吐出孔８３，８４を追加しても良い。このような構成によれば，より広い範囲で基板Ｇの裏面を洗浄することが可能になる。
【００５６】
また，上ヘッド６３，下ヘッド６４から各々同じタイミングで溶剤を吐出しなくてもよく，例えば裏面洗浄については，汚れの激しい縁部のみを重点的に洗えるように，図４におけるＳＴＡＲＴ点，ＥＮＤ点付近でのみ下ヘッド６４から溶剤を基板Ｇの裏面に向けて吐出するようにしてもよい。
【００５７】
なお前記実施の形態は，ＬＣＤ用の基板の周縁部の不要なレジスト膜を除去する装置として具体化されていたが，本発明はこれに限らず他の種類の基板に形成されている各種薄膜を，溶剤，すなわち該薄膜を溶解する溶解液の吐出によって除去させる装置に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本実施の形態にかかる薄膜除去装置が採用されている塗布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の平面図である。
【図３】本実施の形態にかかる薄膜除去装置を有する塗布・周縁部除去装置の内部の様子を示す平面図である。
【図４】本実施の形態にかかる薄膜除去装置の動きを説明する周縁部除去部の斜視図である。
【図５】本実施の形態にかかる薄膜除去装置の縦断面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線断面図である。
【図７】基板上の不要なレジスト膜を除去しているときの本実施の形態にかかる薄膜除去装置の縦断面図である。
【図８】図７の薄膜除去装置の要部拡大縦断面図である。
【図９】各吐出孔の位置を薄膜除去装置の移動方向前方から後方に従って，基板の縁部側にずらせた例を示す説明図である。
【図１０】減圧乾燥装置を有する周縁部除去装置の内部の様子を示す平面図である。
【図１１】下ヘッドが上ヘッドよりも突き出た構造の薄膜除去装置の縦断面の説明図である。
【図１２】従来技術にかかる薄膜除去装置の縦断面図である。
【図１３】従来技術にかかる薄膜除去装置の動きを説明する説明図である。る。
【符号の説明】
【００５９】
１    塗布現像処理装置
２７    塗布・周縁部除去装置
５１    周縁部除去部
６１    薄膜除去装置
６２    吸引部材
６２ａ  吸引口
６３    上ヘッド
６４    下ヘッド
６５    凹部
６６    薄板
６７    吐出孔
６８    カバー
６９    ボルト
７１    溶剤供給源
７２    流路
７３    供給部
Ｇ    基板
Ｓ    処理空間
Ｘ    溶剤溜部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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