(57)【要約】【課題】太陽電池における電極材料の使用量を低減する。なおかつ、その場合の電極部の形成を１回の工程で行うことができるようにする。【解決手段】太陽電池１ｈは、半導体基板としてのシリコン基板２の表裏の面のうち少なくとも一方である受光面２１に電極部８を備える。電極部８は、線状に延在するメイングリッド８ａと、このメイングリッド８ａから枝分かれして線状に延在するサブグリッド８ｂとを含む。サブグリッド８ｂの厚さはメイングリッド８ａの中央部の厚さより厚い。【選択図】　　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表裏の面のうち少なくとも一方に電極部を備え、前記電極部は、線状に延在するメイングリッドと、前記メイングリッドから枝分かれして線状に延在するサブグリッドとを含み、前記サブグリッドの厚さが前記メイングリッドの中央部の厚さより厚い、太陽電池。
【請求項２】
前記サブグリッドの幅が５０μｍ以上２５０μｍ以下であり、前記メイングリッドの幅が０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記サブグリッドの厚さが前記メイングリッドの中央部の厚さの１．３倍以上である、請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記電極部が焼成銀を含む、請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項５】
開口部および前記開口部を覆うメッシュを有するスクリーンマスク上に配置された導電性ペーストに対して、スキージを移動しながら加圧することにより、前記メッシュを介して前記導電性ペーストを半導体基板の表または裏の面に転写するスクリーン印刷工程を含む太陽電池の製造方法であって、
前記開口部は、線状に延在するメイングリッド用開口パターンと、線状に延在するサブグリッド用開口パターンとを含み、前記メイングリッド用開口パターンの幅は、前記サブグリッド用開口パターンよりも広く、前記メッシュの２５．４ｍｍ当たりのメッシュ数が２００以上であり、線径が３５μｍ以下である、太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記スクリーン印刷工程において、前記スキージの移動方向が前記メイングリッド用開口パターンの長手方向にほぼ直交する、請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記スクリーン印刷工程において、前記スクリーンマスクのなす平面に対する前記スキージの角度が４５°以上８５°以下である、請求項５または６に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記スクリーン印刷工程において、前記スクリーンマスクの開口率が４０％以上６０％以下である、請求項５から７のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記スクリーン印刷工程において、スキージの移動速度が３０ｍｍ／秒以上１２０ｍｍ／秒以下である、請求項５から８のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記スクリーン印刷工程において、導電性ペーストの粘度が１４０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下である、請求項５から９のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池およびその製造方法に関するものである。特に、太陽電池の電極および電極の形成方法に関する。より具体的には、結晶系太陽電池の受光面電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
（構成）
図１０、図１１を参照して、従来の太陽電池１について説明する。図１０は、この太陽電池１の受光面２１側から見たところである。図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に関する矢視断面図を図１１に示す。太陽電池１は、半導体基板としてｐ型のシリコン基板２を基材とし、受光面２１となる表面近傍にｎ型拡散層３が形成されている。さらにその表面を覆うようにＳｉＮまたはＴｉＯ２からなる反射防止膜４が形成されている。受光面２１には銀電極による電極部８が形成されている。電極部８は、図１０に示すように、幅が１．５ｍｍ程度のメイングリッド（「バスバー電極」または「接続用電極」ともいう。）８ａと、幅１５０μｍ程度のサブグリッド（「フィンガー電極」または「集電用電極」ともいう。）８ｂとからなる。サブグリッド８ｂは、メイングリッド８ａと直交する方向に、２ｍｍ程度の間隔で平行に配置されている。このように、幹となる線状の部分から他の方向に向かって平行な多数の枝が分岐しているパターンを以下「魚骨状パターン」というものとする。
【０００３】
図１１に示すように、受光面２１と反対側の面、すなわち裏面２２には、表面近傍にｐ＋型層であるＢＳＦ（Ｂａｃｋ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｆｉｅｌｄ：裏面電界）層５が形成されている。さらにＢＳＦ層５のある領域を覆うようにアルミ電極６が配置されている。裏面２２には、アルミ電極６に設けられた線状の隙間を埋め、アルミ電極６に一部重なるように銀電極７が形成されている。図１１には表れていないが、銀電極７は裏面２２において直線状または魚骨状パターンとなっている。
【０００４】
（製造方法）
太陽電池１は、図１２に示す製造方法に従って製造される。この製造方法について以下説明する。太陽電池用の半導体基板としてのｐ型シリコン基板として、単結晶または多結晶の半導体インゴットからワイヤーソーなどを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍまたは１５５ｍｍ×１５５ｍｍなどの大きさで３００〜３５０μｍの厚さに切り出す。ｐ型のシリコン基板２をエッチング後、受光面２１となるべき片方の主表面にｎ型ドーパントを拡散して、ｎ型拡散層３を形成する。この結果、シリコン基板２の内部にｐｎ接合が形成される。この受光面２１の上に表面反射率を低減させるためにＳｉＮまたはＴｉＯ２膜などの反射防止膜４を形成する。受光面と反対側の面である裏面２２には、アルミ（Ａｌ）ペーストをスクリーン印刷し、１５０℃程度で乾燥させた後、空気中において７００℃程度で焼成する。これにより、ｐ型のシリコン基板２内部へ不純物となるＡｌを拡散させｐ＋型層からなるＢＳＦ層５とアルミ電極６とを同時に形成する。次に、裏面２２に銀（Ａｇ）ペーストをアルミ電極６に一部重なるようにスクリーン印刷し、乾燥させる。一方、受光面２１には銀ペーストを魚骨状パターンになるようにスクリーン印刷し、乾燥させ、酸化性雰囲気下、６００℃程度で焼成する。こうして、受光面２１の電極部８と、裏面２２の銀電極７とが形成される。焼成時に電極部８は反射防止膜４をファイヤースルーしてｎ型拡散層３と接触する。電極部８および銀電極７の表面にはんだ被覆（図示省略）する。こうして太陽電池１を得る。
【０００５】
半導体基板内にｐｎ接合が形成された構造である従来の太陽電池の電極部分の形成に当たっては、低コスト化の観点からスクリーン印刷法による導電性ペーストの塗布および酸化性雰囲気中での焼成が一般的である。ところで、近年、電気的特性、長期信頼性に優れた太陽電池をさらなる低コスト化のもとで生産するために、太陽電池の製造コストの中で大きな部分を占める導電性ペーストとしての銀ペーストの使用量を低減する必要性に迫られている。
【０００６】
図１３〜図１５を参照して、上述した太陽電池の製造方法における銀ペーストのスクリーン印刷工程について説明する。図１３に示すように、メッシュ１２および乳剤１３を一体化させ、電極を形成すべき部位に対応して乳剤１３を欠損させた乳剤欠損部１９を有するスクリーン１１を下地基板１６の上面に重ねる。電極部８の印刷においては、下地基板１６とはシリコン基板のことである。図１４に示すように、スクリーン１１の上側に導電性ペースト１５を配置し、スキージ１４を移動させることによって導電性ペースト１５をメッシュ１２の下側に向けて押し出すように塗布する。その結果、乳剤欠損部１９においては、導電性ペースト１５がメッシュ１２を通過して下地基板１６に塗布される。こうして、図１５に示すように、下地基板１６の表面のうち所望の領域にだけ電極部８が形成される。
【０００７】
ところで、メッシュ１２の程度を表すパラメータのひとつとして「開口率」がある。図１６にスクリーン１１の一部の拡大平面図を示す。図１６ではメッシュ開口部１７の１つにハッチングをつけて示している。開口率とは、スクリーン１１の一定面積の中でメッシュ開口部の合計面積が占める割合を示すものであり、網目状に編まれたメッシュ１２の本数とワイヤの線径１８とによって定まる。１インチ（約２５．４ｍｍ）当たりに含まれるメッシュ１２の本数を「メッシュ数」と呼ぶものとすると、たとえば、メッシュ数が１６５で線径が４５μｍのスクリーンの開口率は約５０％となる。
【０００８】
このように製造された太陽電池１は、図１７、図１８に示すように、複数直列につないで使用することが一般的である。これは、電圧を上げるためであり、複数の太陽電池１間は、インターコネクタ９などの配線材料を用いて接続される。太陽電池１とインターコネクタ９との間の接続には、はんだが用いられる。裏面２２におけるアルミ電極６ははんだ付けが非常に困難であるため、はんだ濡れ性が良好な銀電極７がインターコネクタ９との接続に使用される。受光面２１においては、インターコネクタ９は、メイングリッド８ａと接続される。インターコネクタ９は、メイングリッド８ａと同程度の幅を有している。
【０００９】
メイングリッド８ａは厚みが通常４０μｍ程度と薄く、しかもメイングリッド８ａの材料の焼成銀は銀以外の成分を含むため、純銀の抵抗率よりも１桁程度高い。これに対して、インターコネクタ９は、厚みがはんだ被覆の分も含めると２００μｍ程度と厚く、抵抗率はほぼ純銅並みである。したがって、メイングリッド８ａは実質的に、シリコン基板２とインターコネクタ９との間の接続用の電極としての役割を果たすものとなっており、一方、１つの太陽電池から実質的に電流を集めて隣の太陽電池に送る役割を果たしているのは、主にインターコネクタ９といえる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述の内容から、集電用電極であるサブグリッドと接続用電極であるメイングリッドとの主な役割は異なることがわかる。サブグリッドは太陽電池から発生した光電流をシリコン基板の表面において抵抗損失なく効率よく収集することを目的に形成されており、受光面側に形成する場合には光入射時の影とならないようにすることが好ましいため、できるだけ厚くかつ細く形成することが求められる。仮に抵抗損失および光電流損失のない理想的な状態であったとしたら、限りなく厚くかつ限りなく細くすることが望ましいが、実際には抵抗損失の問題や印刷技術の問題があるので、従来のスクリーン印刷においてサブグリッドとして形成されるものは、２０μｍ程度の厚さで１００〜２００μｍ程度の幅を有するものが一般的である。一方、サブグリッドからの電流を集める役割を果たすのは主にインターコネクタであることから、メイングリッドは、インターコネクタへの接続用としての役割が強く、サブグリッドに比べて厚みは要求されない。メイングリッドの幅については、インターコネクタの厚みと抵抗率とから、抵抗損失と光電流損失を考慮してまずインターコネクタの最適幅が決定されるのでメイングリッドの幅もこれに合わせることが多く、１〜２ｍｍ程度の幅が一般的である。
【００１１】
魚骨状パターンの電極を１回の工程で形成する場合、スクリーン印刷だけでなく蒸着法やメッキ法なども採用可能である。これらの方法では、いずれもメイングリッドとサブグリッドとは同程度の厚さになる。しかし、スクリーン印刷法では、サブグリッドの幅がメイングリッドの幅の１／１０程度と狭いことから、印刷時のペーストの抜け方に差が生じ、印刷条件にもよるがサブグリッドの厚さの方がメイングリッドの厚さ以下、つまり薄くなってしまうことが多い。太陽電池に用いられる材料の中で銀ペーストは最も高価な材料の一つであるのに、サブグリッドに比較して厚さの不要なメイングリッドにおいて厚みがサブグリッドより大きくなっていることは銀ペーストの無駄遣いであり、太陽電池の低コスト化を推進するにあたって大きなハードルとなっている。
【００１２】
本発明の目的は、電極材料の使用量を低減した太陽電池を提供すること、および、そのような太陽電池の電極部の形成を１回の工程で行うことができるような製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池は、半導体基板の表裏の面のうち少なくとも一方に電極部を備える。電極部は、線状に延在するメイングリッドと、上記メイングリッドから枝分かれして線状に延在するサブグリッドとを含む。上記サブグリッドの厚さは上記メイングリッドの中央部の厚さより厚い。この構成を採用することにより、集電用電極としての役割が大きいサブグリッドにおける抵抗損失をできるだけ小さくすることができる一方、接続用電極としての役割が大きいメイングリッドでの材料使用量をできるだけ少なくすることができる。
【００１４】
上記発明において好ましくは、上記サブグリッドの幅が５０μｍ以上２５０μｍ以下であり、上記メイングリッドの幅が０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。さらに好ましくは、上記サブグリッドの厚さが上記メイングリッドの中央部の厚さの１．３倍以上である。この構成を採用することにより、抵抗損失や光電流損失の少ない良好な太陽電池特性を得ることができるとともに太陽電池製造コストの低減化が達成できる。
【００１５】
上記発明において好ましくは、上記電極部が焼成銀を含む。この構成を採用することにより、抵抗損失の小さい太陽電池とすることができる。
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明に基づく太陽電池の製造方法は、開口部および上記開口部を覆うメッシュを有するスクリーンマスク上に配置された導電性ペーストに対して、スキージを移動しながら加圧することにより、上記メッシュを介して上記導電性ペーストを半導体基板の表または裏の面に転写するスクリーン印刷工程を含む太陽電池の製造方法であって、上記開口部は、線状に延在するメイングリッド用開口パターンと、線状に延在するサブグリッド用開口パターンとを含み、上記メイングリッド用開口パターンの幅は、上記サブグリッド用開口パターンよりも広く、上記メッシュの２５．４ｍｍ当たりのメッシュ数が２００以上であり、線径が３５μｍ以下である。この方法を採用することにより、電極部を形成するためのスクリーン印刷工程において良好な印刷をすることができる。
【００１７】
上記発明において好ましくは、上記スクリーン印刷工程において、上記スキージの移動方向が上記メイングリッド用開口パターンの長手方向にほぼ直交する。この方法を採用することにより、スキージがメイングリッドに対応する乳剤欠損部の上を通過する際にスクリーンをたわませやすくなり、メイングリッドの中央部を薄くすることができる。
【００１８】
上記発明において好ましくは、上記スクリーン印刷工程において、上記スクリーンマスクのなす平面に対する上記スキージの角度が４５°以上８５°以下である。さらに好ましくは、上記スクリーン印刷工程において、上記スクリーンマスクの開口率が４０％以上６０％以下である。この方法を採用することにより、電極部を形成するためのスクリーン印刷工程において良好な印刷をすることができる。
【００１９】
上記発明において好ましくは、上記スクリーン印刷工程において、スキージの移動速度が３０ｍｍ／秒以上１２０ｍｍ／秒以下である。この方法を採用することにより、適度な量の導電性ペーストがスクリーンを通過するようになり、かつ、サブグリッドの厚さをメイングリッドの中央部の厚さよりも十分に厚くすることができる。
【００２０】
上記発明において好ましくは、上記スクリーン印刷工程において、導電性ペーストの粘度が１４０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下である。この方法を採用することにより、サブグリッドの厚さがメイングリッドの中央部の厚さよりも十分厚く、また印刷かすれや印刷にじみのないサブグリッドを形成できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
（太陽電池の構成）
図１〜図４を参照して、本発明に基づく実施の形態１における太陽電池１ｈについて説明する。この太陽電池１ｈの受光面２１側から見たところを図１に示す。図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図を図２に示す。図１におけるＺ部を拡大したところを図３に示す。さらに図３のＩＶ−ＩＶ線に関する矢視断面図を図４に示す。図４に明らかなように、太陽電池１ｈにおいては、サブグリッド８ｂの方がメイングリッド８ａより厚くなっている。太陽電池１ｈの他の部分の構成については、従来の太陽電池１（図１０参照）と基本的に同様である。
【００２２】
電極部８の厚さについて具体的に説明する。太陽電池１ｈが、たとえば、１２５ｍｍ×１２５ｍｍまたは１５５ｍｍ×１５５ｍｍのサイズであるとすると、サブグリッド８ｂの幅が５０〜２５０μｍ、メイングリッド８ａの幅が０．５〜２．５ｍｍである。これらの幅の比は約１：１０のオーダーである。この幅の比率において、サブグリッド８ｂの厚さは、メイングリッド８ａの中央部の厚さの１．３倍以上となっている。「メイングリッド８ａの中央部の厚さ」とは、メイングリッド８ａの中心線上における厚さのことである。なお、この電極部８は、従来の太陽電池１におけるものと同様に、低コスト化に有利な方法である、スクリーン印刷法による銀ペーストの塗布および酸化性雰囲気中での焼成によって形成されている。
【００２３】
（作用・効果）
この太陽電池１ｈでは、サブグリッド８ｂの厚さがメイングリッド８ａの中央部の厚さよりも厚くなっているので、集電用電極としての役割が大きいサブグリッド８ｂにおける抵抗損失をできるだけ小さくすることができる一方、接続用電極としての役割が大きいメイングリッド８ａでの材料使用量をできるだけ少なくすることができる。上述の範囲で電極部８の各部位の幅や厚さを設定したのは現行の銀ペーストのスクリーン印刷技術を考慮し、種々の実験結果より導き出されたものであり、これらの範囲設定により、抵抗損失や光電流損失の少ない良好な太陽電池特性を得ることができるとともに太陽電池製造コストの低減化が達成できる。
【００２４】
（実施の形態２）
（太陽電池の製造方法）
本発明に基づく実施の形態２としては、太陽電池の製造方法について説明する。この製造方法は、実施の形態１で説明した太陽電池１ｈを得るためのものである。発明者らは、太陽電池１ｈにおける電極部８のような厚みの変化をスクリーン印刷で実現するためには、スクリーンマスクの仕様が重要であるとともに、スクリーンマスクと太陽電池の設置方法、スキージの仕様、印刷速度などの条件、導電性ペーストの仕様を考慮する必要があることを見出した。そこで、本実施の形態における製造方法は、基本的に、従来の太陽電池１を得るための製造方法と同様であるが、電極部８を形成するためのスクリーン印刷工程については異なる。
【００２５】
図５、図６を参照して、本実施の形態における太陽電池の製造方法で採用するスクリーン印刷工程について説明する。図５は、メイングリッド８ａとなるべき部分の断面図である。図５では、従来技術におけるスクリーン印刷工程（図１４参照）と比較して、スクリーンのメッシュを形成するワイヤの線径を細くしメッシュ数を増やしている。たとえば、従来技術で用いていたスクリーン１１では線径が４５μｍ程度、メッシュ数が１６５程度であったのに対して、本実施の形態で用いるスクリーン１１ｈでは、線径が３０μｍ程度、メッシュ数が２５０程度となっている。
【００２６】
（作用・効果）
このように線径を細くしたことにより、メイングリッド８ａとなる部分に対応する乳剤欠損部１９をスキージ１４が移動する際にはスクリーン１１ｈは大きく下にたわむ。その結果、図６に示すように、メイングリッド８ａの中央部の印刷厚さを従来の半分またはそれ以上に薄くできる。たとえば、メイングリッド８ａの幅が１．５ｍｍ程度の場合、従来技術では中央部の厚さが３０〜４０μｍ程度であったのに対して、本発明を適用することで中央部の厚さを１５〜２０μｍ程度に薄くすることができる。
【００２７】
一方、サブグリッド８ｂに対応する部分をスキージ１４が通過する様子を図７、図８に示す。図７では、サブグリッド８ｂに対応する乳剤欠損部１９は、右に長く延びており、既にスキージ１４が通過したため、導電性ペースト１５が充填されている。同じ状況を、これと垂直な向きから見た断面図が図８である。図８では、スキージ１４は、紙面手前から奥に向かって進行している。サブグリッド８ｂに対応する乳剤欠損部１９も紙面手前奥方向に沿って延在している。図８に明らかなように、メイングリッド８ａに対応する乳剤欠損部１９に比べてサブグリッド８ｂに対応する乳剤欠損部１９は幅が狭いので、仮にサブグリッド８ｂに対応する乳剤欠損部１９がスキージ１４の辺と平行な向きに延びていたとしても、スキージ１４がサブグリッド８ｂに対応する部分の上を移動する際にはスクリーン１１ｈはほとんどたわまず、印刷厚さは従来のスクリーン１１による場合に比べて大きく変わらない。図９に、印刷されて形成されるサブグリッド８ｂの例を示す。たとえば、従来技術においてサブグリッド８ｂが２０〜３０μｍ程度の厚さであったものに対して、本発明を適用しても厚さは２０〜３０μｍ程度のまま維持される。
【００２８】
さらに、線径を細くしたことでメッシュ数を増やすことが可能となった。メッシュ数を増やしたことにより、スクリーンパターンをより精密に転写することが可能となった。この結果、１５０μｍ程度の細い線幅を有するサブグリッドであってもパターンをより正確に印刷することが可能となり、印刷かすれや印刷のにじみなどによる抵抗損失や光電流損失のない太陽電池を再現性良く製造することができるようになった。
【００２９】
上述のように本実施の形態では、メッシュ数を増やし線径を細くすることにより、メイングリッドの中央部の厚さを薄くすることができ、サブグリッドの印刷性向上が得られる。このことから、電極材料の使用量を低減し、太陽電池製造原価の低減化を達成できるとともに、太陽電池の高品質化が達成できる。また、そのような太陽電池の電極部の形成を１回の印刷工程で行なえるので、スクリーンの仕様変更のみで従来の製造設備はそのまま使用することができる。
【００３０】
（好ましい条件）
本実施の形態では、スキージの進行方向と電極部の向きとの関係は特に限定しなかったが、図１、図５、図７〜図９に矢印で示すように、スクリーン印刷方向すなわちスキージ１４の移動方向を、サブグリッド８ｂと平行、すなわちメイングリッド８ａと直交する方向にすることが好ましい。このようにすることでスキージ１４がメイングリッド８ａに対応するパターンの乳剤欠損部１９の上に移動してきたときに、図５に示すように乳剤欠損部１９でスクリーンをたわませやすくなる。したがって、サブグリッド８ｂよりも薄い中央部を有するメイングリッド８ａを形成しやすくなる。また、サブグリッド８ｂの幅は１５０μｍ程度であって、これはメイングリッド８ａに比べて１／１０程度と狭いが、上述の方向にスキージ１４を移動させることで、導電性ペースト１５が狭い乳剤欠損部１９を通じて下地基板１６にうまく転写されるようにすることができ、印刷かすれや印刷にじみのないサブグリッド８ｂを形成できる。
【００３１】
また、本実施の形態では、スクリーンの開口率が４０％以上６０％以下であることが好ましい。開口率が４０％より小さくなるとスクリーン印刷時のたわみが小さくなり、結果的にサブグリッドとメイングリッドとの間の厚さの差が小さくなるとともに、サブグリッド上での印刷かすれの問題が生じやすくなる。一方、開口率が６０％より大きくなるとサブグリッド上での印刷にじみが生じやすくなる。したがって、スクリーンの開口率を上記数値範囲内に設定することにより、サブグリッドの厚さをメイングリッドの中央部の厚さよりも十分に厚くでき、また印刷かすれや印刷にじみのないサブグリッドを形成できる。
【００３２】
さらに、本発明ではスキージの移動速度が３０ｍｍ／秒以上１２０ｍｍ／秒以下であることが好ましい。図５においてスキージ１４を上記数値範囲より速く移動させると、それだけスキージ通過後にスクリーン１１ｈが下地基板１６の表面から遠ざかる速度も速くなる。そうなると、スクリーン１１ｈを通過して下地基板１６の表面にとどまる導電性ペースト１５の量が多くなる。つまりスクリーンのたわみの効果が小さくなる。また、サブグリッドのような比較的細い線幅を有するパターン上では、印刷厚さや幅が不均一になりやすい。その結果、サブグリッドとメイングリッドの中央部との間の厚さの差が小さくなりやすい。逆にスキージの移動速度を上記数値範囲より遅くすることは、転写される導電性ペーストの量の減少をもたらし、これに伴って電極部８の厚さが不足しやすくなるとともに、製造工程におけるタクトタイム（製品１つ当たりの印刷時間）が延び、製造効率が悪化する。したがってスキージの移動速度を上記数値範囲内に設定することにより、サブグリッドの厚さがメイングリッドの中央部の厚さよりも十分に厚くすることができ、また正確に印刷されたサブグリッドを形成できる。
【００３３】
本発明のスクリーン印刷工程で使用する導電性ペーストについては、その粘度が１４０Ｐａ・ｓ以上２００Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。粘度については、たとえば、リオン（株）製の回転粘度計ＶＴ−０４において２号ローターを使用し測定した粘度である。粘度が上記数値範囲よりも低くなると、サブグリッドなどのようにメイングリッドと比較して細い線幅を有するパターン上では、スクリーン印刷後の印刷のにじみが生じやすくなるとともに、印刷厚さが薄くなって幅が広がってしまう。したがって、結果的にサブグリッドとメイングリッドとの間の厚さの差が小さくなりやすい。一方、粘度が上記数値範囲よりも高くなると、サブグリッドのような比較的細い線幅を有するパターン上では、スクリーン印刷後の印刷かすれが生じやすくなる。したがって導電性ペーストの粘度を上記数値範囲内に設定することにより、サブグリッドの厚さがメイングリッドの中央部の厚さよりも十分厚く、また印刷かすれや印刷にじみのないサブグリッドを形成できる。
【００３４】
（実施例）
以下に、本発明の具体的な実施例を説明する。
【００３５】
１２５ｍｍ×１２５ｍｍの大きさで、半導体基板として厚さ３３０μｍのｐ型のシリコン基板２をエッチングし、この後、のちに受光面２１となるべき片側表面に９００℃でリン（Ｐ）の熱拡散を行なった。こうして面抵抗値が約５０Ωのｎ型拡散層３が形成された。その上に反射防止膜４としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約６０ｎｍのシリコン窒化膜を形成した。次に、裏面２２にアルミペーストをスクリーン印刷し、１５０℃で乾燥した後、ＩＲ焼成炉に入れ、空気中において７００℃で焼成し、ＢＳＦ層５およびアルミ電極６を形成した。さらに、裏面に銀ペーストをパターン状にスクリーン印刷し、乾燥させた。ここで、受光面２１への印刷用のスクリーンとして、２種類を用意した。１つは、メッシュ数２５０、線径３０μｍのスクリーンであり、もうひとつは、メッシュ数１６５、線径４５μｍのスクリーンである。この２通りのスクリーンのうち、前者を用いた例を本発明の実施例１として、後者を用いた例を従来例として、比較実験を行なった。複数用意した基板の各受光面２１に対してこれら２通りのスクリーンで銀ペーストをそれぞれ魚骨状パターンになるようにスクリーン印刷し、乾燥後、酸化性雰囲気下、６００℃で２分間焼成して銀電極７および電極部８を形成した。最後に銀電極７および電極部８をはんだ層（図示省略）でコーティングすることにより、それぞれ太陽電池を得た。
【００３６】
受光面２１のスクリーン印刷は、図１に示すように、メイングリッド８ａと直交する方向にスキージ１４（図５参照）を移動させて行なった。この時のスクリーンの仕様や印刷条件を比較した結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
2004014566.tif 000003
【００３８】
実施例１によって得られた受光面側のメイングリッド８ａは、図６に示すような断面を有し、メイングリッド８ａの中央部の厚さがサブグリッド８ｂの厚さより薄くなった。表１の条件で印刷し、焼成した後の電極の厚さの測定結果を表２に示す。
【００３９】
【表２】
2004014566.tif 000004
【００４０】
表２に示すように、本発明の適用例である実施例１で得られた電極部８の厚さは、メイングリッド８ａにおいて従来比で７３％低減することができ、銀ペーストの使用量を少なくすることができた。なお、実施例１で得られた電極部において、はんだ被覆性（濡れ性）および接着強度については従来と同等であった。また、メッシュ数を増やしサブグリッドを微細線化することにより、約１％の出力向上を確認できた。
【００４１】
本発明に基づく太陽電池の製造方法によって太陽電池を製造するには、従来技術における導電性ペーストの印刷用スクリーンを交換するのみでよく、新たな工程を増やす必要はない。なお、上述した実施の形態においては、受光面へのスクリーン印刷について本発明を適用した場合について説明したが、本発明の適用はこれに限られず、裏面の電極への適用、または両面が受光面となるような結晶系太陽電池にも適用することができる。
【００４２】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、サブグリッドの厚さを十分厚くすることによって、集電用電極としての役割が大きいサブグリッドにおける抵抗損失をできるだけ小さくすることができる一方、メイングリッドの中央部の厚さを薄くすることによって、メイングリッドでの材料使用量をできるだけ少なくすることができ、導電性ペーストの使用量を削減することができる。その結果、太陽電池の製造コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における太陽電池の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。
【図３】図１のＺ部の拡大平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に関する矢視断面図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態２における太陽電池の製造方法で用いるスクリーン印刷工程の第１の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における太陽電池の製造方法のスクリーン印刷工程で得られるメイングリッドの断面図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における太陽電池の製造方法で用いるスクリーン印刷工程の第２の説明図である。
【図８】図７を９０度違う向きから見た断面図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２における太陽電池の製造方法で印刷されて得られるサブグリッドの斜視図である。
【図１０】従来技術に基づく太陽電池の平面図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ線に関する矢視断面図である。
【図１２】従来技術に基づく太陽電池の製造方法のフローチャートである。
【図１３】従来技術に基づく太陽電池の製造方法で用いるスクリーン印刷工程の第１の説明図である。
【図１４】従来技術に基づく太陽電池の製造方法で用いるスクリーン印刷工程の第２の説明図である。
【図１５】従来技術に基づく太陽電池の製造方法のスクリーン印刷工程で得られる電極部の断面図である。
【図１６】一般的なスクリーンの開口率の説明図である。
【図１７】従来技術に基づく太陽電池の使用例の平面図である。
【図１８】従来技術に基づく太陽電池の使用例の側面図である。
【符号の説明】
１，１ｈ　太陽電池、２　シリコン基板、３　ｎ型拡散層、４　反射防止膜、５　ＢＳＦ層、６　アルミ電極、７　銀電極、８　電極部、８ａ　メイングリッド、８ｂ　サブグリッド、９　インターコネクタ、１１，１１ｈ　スクリーンマスク、１２，１２ｈ　メッシュ、１３　乳剤、１４　スキージ、１５　導電性ペースト、１６　下地基板、１７　メッシュ開口部、１８　線径、１９　乳剤欠損部、２１　受光面、２２　裏面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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