(57)【要約】【課題】電源配線をより簡単に製造する電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】電源配線をインクジェット法を用いて形成する。【選択図】　図４
2004006313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に発光層が形成されてなる発光素子と、走査信号を供給する走査線と、前記走査線に対して交差する方向に形成されてなる信号線と、発光用電源配線が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記発光用電源配線を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
第１電極と第２電極との間に発光層が形成されてなる発光素子と、走査信号を供給する走査線と、前記走査線に対して交差する方向に形成されてなる信号線と、発光用電源配線が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記発光用電源配線が複数の導電層から形成されてなり、前記複数の配線層のうち少なくとも一層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
複数の導電層のうち最上層に形成されてなる導電層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
陰極と陽極との間に発行層を有する発光素子が複数形成されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記陰極と接続する陰極配線を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
陰極と陽極との間に発行層を有する発光素子が複数形成されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記陰極と接続する陰極配線が複数の導電層から形成されてなり、前記複数の配線層のうち少なくとも一層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
複数の導電層のうち最上層に形成されてなる導電層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記液体液体材料をインクジェット法により塗布することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにより形成された電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置及び電子機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材料を備えた発光装置及び当該発光装置を備える電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画素電極（陽極）及び陰極の間に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持された構造のカラー発光装置、特に発光材料として有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ装置の開発が行われている。以下、従来の発光装置（有機ＥＬ装置）について簡単に説明する。
【０００３】
図１２は、従来の発光装置の配線構造を示す図である。図１２に示したように、従来の発光装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０２に並行して延びる複数の発光用電源配線９０３とがそれぞれ配線され、走査線９０１と信号線９０２との各交点毎に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０２は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続されている。
【０００４】
また、画素領域Ａの各々には、走査線９０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３に電気的に接続されたときに発光用電源配線９０３から駆動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１２との間に挟み込まれる発光層９１０とが設けられている。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１に接続されている。
【０００５】
上記の発光層９１０には、赤色に発光する発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接続される発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂは、それぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光層９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【０００６】
以上の構成において、走査線９０１に走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給されている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂから画素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を介して陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光層９１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１０から得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した発光装置に設けられる発光層９１０を安定して発光させるためには、発光用電源配線９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要求される。しかしながら、図１２に示したように、走査線９０１、信号線９０２、及び発光用電源配線９０３が入り組んで配線されているため、発光用電源配線９０３と走査線９０１及び信号線９０２との間の寄生容量が生じている。この寄生容量が大きいと、定められた期間内に画像信号を画素領域Ａに供給することができず、コントラストの低下が生ずる等の正常な画像表示を行えない虞があるという問題があった。
【０００８】
また、上記の発光装置が携帯性を有する電子機器、例えば携帯電話機の発光装置として用いられる場合には、表示面積の大面積化が求められるとともに、小型・軽量化が求められる。この両方の要求に応えるためには、発光装置の表示面を有効に利用した構成とする必要がある。また、電源配線、陰極配線をより簡単に形成する必要があった。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、配線間の寄生容量を少なくすることにより、画像信号の供給を安定化してコントラスト低下等の画像表示の異常を引き起こすことがなく、表示面の有効利用を図ることができる発光装置及び、当該発光装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、第１電極と第２電極との間に発光層が形成されてなる発光素子と、走査信号を供給する走査線と、前記走査線に対して交差する方向に形成されてなる信号線と、発光用電源配線が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、
前記発光用電源配線を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする。
【００１１】
また、第１電極と第２電極との間に発光層が形成されてなる発光素子と、走査信号を供給する走査線と、前記走査線に対して交差する方向に形成されてなる信号線と、発光用電源配線が形成されてなる電気光学装置の製造方法において、前記発光用電源配線が複数の導電層から形成されてなり、前記複数の配線層のうち少なくとも一層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする。
【００１２】
また、複数の導電層のうち最上層に形成されてなる導電層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成することを特徴とする。
【００１３】
また、前記液体液体材料をインクジェット法により塗布することを特徴とする。
【００１４】
また、上記いずれかにより形成された電気光学装置。
【００１５】
また、電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による発光装置及び電子機器について詳細に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。図１は、本発明の一実施形態による発光装置の配線構造を模式的に示す図である。
【００１７】
図１に示した発光装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。図１に示す本実施形態の発光装置１は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並行して延びる複数の発光用電源配線１０３とがそれぞれ配線されており、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００１８】
各信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、各信号線１０２には、薄膜トランジスタを備える検査回路１０６が接続されている。更に、各走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００１９】
また、画素領域Ａの各々には、スイッチング薄膜トランジスタ（第１のスイッチング素子）１１２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄膜トランジスタ（第２のスイッチング素子）１２３、画素電極（第１電極）１１１、発光層１１０、及び陰極（第２電極）１２とが設けられる。尚、第１のスイッチング素子及び第２のスイッチング素子は、本発明にいうスイッチング素子に相当する。スイッチング薄膜トランジスタ１１２は、そのゲート電極に走査線１０１が接続されており、走査線１０１から供給される走査信号に応じて駆動されてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、スイッチング薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から供給される画像信号を保持する。
【００２０】
カレント薄膜トランジスタ１２３は、そのゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ１１２及び保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３に接続されており、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して発光用電源配線１０３に電気的に接続したときに発光用電源配線１０３から駆動電流が流れ込む。発光層１１０は画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれている。
【００２１】
上記の少なくとも陽極、発光装置、及び陰極によって形成される発光層１１０には、赤色に発光する発光層１１０Ｒ、緑色に発光する発光層１１０Ｇ、及び青色に発光する発光層１１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３を介して各発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂに接続される発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路１３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂが配線されているのは、発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００２２】
また、本実施形態の発光装置においては、陰極１２と発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂとの間に第１の静電容量Ｃ１が形成されている。発光装置１が駆動するとこの第１の静電容量Ｃ１に電荷が蓄積される。発光装置１の駆動中に各発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用電源配線１０３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、発光装置１の画像表示を正常に保つことができる。
【００２３】
尚、この発光装置１においては、走査線１０１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂから画素電極１１１に駆動電流が流れ、更に発光層１１０Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂを介して陰極１２に電流が流れる。このとき、発光層１１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層１１０から得られる。
【００２４】
次に、本実施形態の発光装置１の具体的な構成について、図２〜図４を参照して説明する。図２は、本実施形態の発光装置の平面模式図であり、図３は、図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。図２に示すように、本実施形態の発光装置１は、基板２、不図示の画素電極群領域、発光用電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）、及び画素部３（図中一点鎖線の枠内）とから概略構成される。
【００２５】
基板２は、例えばガラス等からなる透明な基板である。画素電極群領域は、図１に示したカレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極（図示省略）を基板２上にマトリックス状に配置した領域である。発光用電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）は、図２に示したように、画素電極群領域の周囲に配置され、各画素電極に接続されている。画素部３は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状である。この画素部３は、中央部分の有効発光領域４（図中二点鎖線の枠内）と、有効発光領域４の外側に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００２６】
また、有効発光領域４の図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が配置されている。この走査線駆動回路１０５はダミー領域５の下側（基板２側）に位置して設けられている。更に、ダミー領域５の下側には、走査線駆動回路１０５に接続される走査線駆動回路用制御信号配線１０５ａと走査線駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。また更に、有効発光領域４の図中上側には、前述の検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６はダミー領域５の下側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の発光装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００２７】
図２に示すように、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、ダミー領域５の周囲に配設されている。各発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂは、基板２の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線１０５ｂに沿って図２中上方に延在し、走査線駆動回路用電源配線１０５ｂが途切れた位置から折曲してダミー領域５の外側に沿って延在し、有効発光領域４内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基板２には、陰極１２に接続される陰極用配線１２ａが形成されている。この陰極用配線１２ａは、発光用電源配線１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
【００２８】
また、基板２の一端には、ポリイミドテープ１３０が貼り付けられ、このポリイミドテープ１３０上に制御用ＩＣ１３１が実装されている。この制御用ＩＣ１３１には、図１に示したデータ側駆動回路１０４、陰極用電源回路１３１、及び発光用電源回路１３２が内蔵されている。
【００２９】
次に、図３及び図４に示すように、基板２上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に画素部３が形成されている。また、基板２には、画素部３を環状に囲む封止材１３が形成されており、更に画素部３上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、封止材１３を介して基板２に接合されており、ガラス、金属、又は樹脂等からなるものである。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、画素部３と封止基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３０】
回路部１１の中央部分には、画素電極群領域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ１２３と、カレント薄膜トランジスタ１２３に接続された画素電極１１１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、基板２上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、画素電極１１１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３に接続され、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方（ソース電極）には、発光用電源配線１０３（１０３Ｒ，１０３Ｇ，１０３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ１１２も形成されているが、図３及び図４ではこれらの図示を省略している。更に、図３及び図４においては、信号線１０２の図示を省略している。更に、図４においては、スイッチング薄膜トランジスタ１１２及びカレント薄膜トランジスタ１２３の図示を省略している。
【００３１】
次に、図３において、画素電極群領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路１０５が設けられている。図３に示した走査線駆動回路１０５には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ１０５ｃが備えられ、この薄膜トランジスタ１０５ｃは、画素電極１１１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。尚、図４においては、検査回路１０６の図示を省略しているが、この検査回路１０６にも同様に薄膜トランジスタが備えられている。検査回路１０６に備えられている薄膜トランジスタは、後述するダミー画素電極１１１´に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ１２３と同様の構造とされている。
【００３２】
図３に示すように、走査線駆動回路１０５の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線回路用制御信号配線１０５ａが形成されている。また、図４に示したように、下地保護層２８１上には、走査線１０１が形成されている。更に、走査線回路用制御信号配線１０５ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線回路用電源配線１０５ｂが形成されている。また、走査線回路用電源配線１０５ｂの外側には、発光用電源配線１０３が形成されている。この発光用電源配線１０３は、２つの配線からなる二重配線構造を採用しており、前述したように画素部３の外側に配置されている。二重配線構造を採用することで配線抵抗を軽減できる。
【００３３】
例えば、図３中左側にある赤色用の発光用電源配線１０３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｒ１と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線１０３Ｒ１上に形成された第２配線１０３Ｒ２とから構成されている。第１配線１０３Ｒ１及び第２配線１０３Ｒ２は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｒ３により接続されている。このように、第１配線１０３Ｒ１は、陰極用配線１２ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ１と陰極用配線１２ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。また、図３及び図４に示す通り、陰極用配線１２ａはコンタクトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成された陰極用配線１２ｂと電気的に接続されおり、いわば陰極用配線１２ａも二重配線構造になっている。よって、第２配線１０３Ｒ２は、陰極用配線１２ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線１０３Ｒ２と陰極用配線１２ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。このような構造をとることで、第１配線１０３Ｒ１と陰極用配線１２ａとの間、及び、第２配線１０３Ｒ２と陰極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ２が形成されている。
【００３４】
同様に、図３の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線１０３Ｇ，１０３Ｂも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１配線１０３Ｇ１，１０３Ｂ１と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線１０３Ｇ２，１０３Ｂ２とから構成され、第１配線１０３Ｇ１，１０３Ｂ１及び第２配線１０３Ｇ２，１０３Ｂ２は、図２及び図３に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール１０３Ｇ３，１０３Ｂ３により接続されている。そして、青色の第１配線１０３Ｂ１と陰極用配線１２ａの間、及び、青色の第２配線１０３Ｂ２と陰極用配線１２ｂとの間に第２の静電容量Ｃ２が形成されている。
【００３５】
第１配線１０３Ｒ１と第２配線１０３Ｒ２との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満であると、信号線１０２及び走査線１０１のような異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましくない。例えば、有効発光領域４内においては、ソースメタルとゲートメタルとが交差する箇所が多く存在し、かかる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞がある。その結果として、定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込む事ができないため、コントラストの低下を引き起こす。第１配線１０３Ｒ１及び第２配線１０３Ｒ２に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ２等が好ましいが、１．０μｍ以上形成するとＳｉＯ２の応力により基板２が割れる恐れが生じる。
【００３６】
また、各発光用電源配線１０３Ｒの上側には、画素部３から延出した陰極１２が形成されている。これにより、各発光用電源配線１０３Ｒの第２配線１０３Ｒ２が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極１２と対向配置され、これにより第２配線１０３Ｒ２と陰極１２との間に前述の第１の静電容量Ｃ１が形成される。ここで、第２配線１０３Ｒ２と陰極１２との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込む事ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線１０３Ｒ２と陰極１２に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ２やアクリル樹脂等が好ましい。しかしながら、ＳｉＯ２を１．０μｍ以上形成すると応力により基板２が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むと膨張する性質があるため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
【００３７】
このように、本実施形態の発光装置１は、発光用電源配線１０３と陰極１２との間に第１の静電容量Ｃ１が設けられるので、発光用電源配線１０３を流れる駆動電流の電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ１に蓄積された電荷が発光用電源配線１０３に供給され、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、発光装置１の画像表示を正常に保つことができる。特に、発光用電源配線１０３と陰極１２とが画素部３の外側で対向しているので、発光用電源配線１０３と陰極１２との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ１に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、発光用電源配線１０３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静電容量Ｃ２が設けられているので、第２の静電容量Ｃ２に蓄積された電荷も発光用電源配線１０３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、発光装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００３８】
ここで、カレント薄膜トランジスタ１２３を含む回路部１１の構造を詳細に説明する。図５は、画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。図５に示すように、基板２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が積層され、この下地保護層２８１上には島状のシリコン層２４１が形成されている。また、シリコン層２４１及び下地保護層２８１は、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２により被覆されている。そして、シリコン層２４１上には、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２が形成されている。
【００３９】
尚、図５においては、カレント薄膜トランジスタ１２３の断面構造を示しているが、スイッチング薄膜トランジスタ１１２も同様の構造である。スイッチング薄膜トランジスタ１１２のゲート電極２４２は図４に示した走査線１０１に接続される。また、ゲート電極２４２及びゲート絶縁層２８２は、ＳｉＯ２を主体とする第２層間絶縁層２８３によって被覆されている。尚、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことをいうものとする。
【００４０】
次に、シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を介してゲート電極２４２と対向する領域がチャネル領域２４１ａとされている。また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａの図中左側には低濃度ソース領域２４１ｂ及び高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる。チャネル領域２４１ａの図中右側には低濃度ドレイン領域２４１ｃ及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられており、いわゆるＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造が形成されている。カレント薄膜トランジスタ１２３は、このシリコン層２４１を主体として構成されている。
【００４１】
高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４４を介して、第２層間絶縁層２８３上に形成されたソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、上述した信号線１０２の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第２層間絶縁層２８３とに亙って開孔するコンタクトホール２４５を介して、ソース電極２４３と同一層に形成されたドレイン電極２４４に接続されている。
【００４２】
ソース電極２４３及びドレイン電極２４４が形成された第２層間絶縁層２８３上に第１層間絶縁層２８４が形成されている。そして、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が、この第１層間絶縁層２８４上に形成されるとともに、第１層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール１１１ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。即ち、画素電極１１１は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されている。尚、図３に示すように、画素電極１１１は有効発光領域４に対応する位置に形成されているが、有効発光領域４の周囲に形成されたダミー領域５には、画素電極１１１と同じ形態のダミー画素電極１１１´が設けられる。このダミー画素電極１１１´は、高濃度ドレイン電極２４１Ｄに接続されない点を除き、画素電極１１１と同一の形態である。
【００４３】
次に、画素部３の実画素領域４には、発光層１１０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成されている。発光層１１０は図３〜図５に示すように、画素電極１１１上の各々に積層されている。また、バンク部１２２は、各画素電極１１１及び各発光層１１０の間に備えられており、各発光層１１０を区画している。バンク部１２２は、基板２側に位置する無機物バンク層１２２ａと基板２から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
【００４４】
無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるまで延出形成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バンク層１２２ｂよりも画素電極１１１の中央側に延出形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００４５】
更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク層１２２ｂ上に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と画素電極１１１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。このようにして、発光層１１０は、バンク部１２２より薄く形成されている。
【００４６】
また、バンク部１２２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電極１１１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００４７】
次に、図５に示すように、発光層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａ上に積層されている。尚、本明細書では、発光層１１０及び正孔注入／輸送層１１０ａを含む構成を機能層といい、画素電極１１１、機能層、及び陰極１２含む構成を発光素子という。正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０の間に設けることにより、発光層１１０の発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０では、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２からの電子とが結合して蛍光を発生させる。発光層１１ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図１及び図２に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００４８】
次に、図３及び図４に示したように、画素部３のダミー領域５には、ダミー発光層２１０及びダミーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２１２は、基板２側に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板２から離れて位置するダミー有機物バンク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極１１１´の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極１１１の間に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極１１１´上に形成されている。
【００４９】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０と同様である。従って、上記の発光層１１０と同様に、ダミー発光層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されている。
【００５０】
ダミー領域５を有効発光領域４の周囲に配置することにより、有効発光領域４の発光層１１０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。即ち、ダミー領域５を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物インクの乾燥条件を有効発光領域４内で一定にすることができ、有効発光領域４の周縁部で発光層１１０の厚さに偏りが生じる虞がない。
【００５１】
次に、陰極１２は、有効発光領域４とダミー領域５の全面に形成されるとともにダミー領域５の外側にある基板２上まで延出され、ダミー領域５の外側、即ち画素部３の外側で発光用電源配線１０３と対向配置されている。また陰極１２の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線１２ａに接続されている。陰極１２は、画素電極１１１の対向電極として発光層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極層１２ｂと、反射層１２ｃとが積層されて構成されている。陰極１２のうち、反射層１２ｃのみが画素部３の外側まで延出されている。反射層１２ｃは、発光層１１０から発した光を基板２側に反射させるもので、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層１２ｂ上にＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００５２】
ここで、図４に示すように、下地保護層２８１上に形成されている走査線１０１は、ダミーバンク部２１２、更にはバンク部２１２の下方に位置するように配置されている。これは、走査線１０１をダミーバンク部２１２及びバンク部２１２の下方に配置することで、走査線１０１と陰極１２との間隔を広げることにより、走査線１０１と陰極１２との間の寄生容量を小さくするためである。
【００５３】
本実施形態においては、走査線１０１と陰極１２との間に、複数の層間絶縁層（第２層間絶縁層２８３及び第１層間絶縁層２８４）及びバンク部２１２が配置されており、走査線１０１と陰極１２との間隔を広げることができるため、走査線１０１と陰極１２との間の寄生容量を小さくする上で極めて好適である。この寄生容量が小さくなることにより、走査線１０１に供給される走査信号の時間的遅延を抑えることができるため、定められた期間内に画像信号を画素電極１１１に書き込むことができるようになり、コントラストの低下を防止することができる。
【００５４】
次に、本実施形態の発光装置１の製造方法について説明する。図６〜図９は、本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。まず、図６〜図８を参照して、基板２上に回路部１１を形成する方法について説明する。尚、図６〜図８に示す各断面図は、図２中のＡ−Ａ´線に沿う断面に対応している。また、以下の説明において、不純物濃度は、いずれも活性化アニール後の不純物として表される。
【００５５】
まず、図６（ａ）に示すように、基板２上に、シリコン酸化膜などからなる下地保護層２８１を形成する。次に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層を形成した後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層５０１とする。その後、ポリシリコン層５０１をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、図６（ｂ）に示すように島状のシリコン層２４１，２５１，２６１を形成し、更にシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。
【００５６】
シリコン層２４１は、有効発光領域４に対応する位置に形成されて画素電極１１１に接続されるカレント薄膜トランジスタ１２３（以下、「画素用ＴＦＴ」と表記する場合がある）を構成するものであり、シリコン層２５１，２６１は、走査線駆動回路１０５内のＰチャネル型及びＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と表記する場合がある）をそれぞれ構成するものである。
【００５７】
ゲート絶縁層２８２の形成は、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法等により、各シリコン層２４１，２５１，２６１及び下地保護層２８１を覆う厚さ約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜を形成することにより行う。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１，２５１，２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。チャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０１２ｃｍ−２のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１，２５１，２６１は、不純物濃度が約１×１０−１７ｃｍ−３の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００５８】
次に、図６（ｃ）に示すように、シリコン層２４１，２６１の一部にイオン注入選択マスクＭ１を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５ｃｍ−２のドーズ量でイオン注入する。その結果、イオン注入選択マスクＭ１に対してセルフアライン的に高濃度不純物が導入され、シリコン層２４１，２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓ，２６１Ｓ及び高濃度ドレイン領域２４１Ｄ，２６１Ｄが形成される。
【００５９】
その後、図６（ｄ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ１を除去した後に、ゲート絶縁層２８２上にドープドシリコン、シリサイド膜、或いはアルミニウム膜やクロム膜、タンタル膜といった厚さ約２００ｎｍ程度の金属膜を形成し、更にこの金属膜をパターニングすることにより、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２５２、画素用ＴＦＴのゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴのゲート電極２６２を形成する。また、上記パターニングにより、走査線駆動回路用信号配線１０５ａ、発光用電源配線の第１配線１０３Ｒ１，１０３Ｇ１，１０３Ｂ１、陰極用配線１２ａの一部を同時に形成する。更に、これらのゲート電極２４２，２５２，２６２等を形成するときに、図４に示した走査線１０１を同時に形成する。なお、このときインクジェット法を用い、導電性微粒子（金属微粒子）を含有する液体材料を塗布することにより、陰極用配線１２ａの一部、電源配線（Ｒ，Ｇ，Ｂ用）を形成することも可能である。インクジェット法による形成方法は後述する。
【００６０】
更に、ゲート電極２４２，２５２，２６２をマスクとし、シリコン層２４１，２５１，２６１に対してリンイオンを約４×１０１３ｃｍ−２のドープ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２，２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図６（ｄ）に示すように、シリコン層２４１，２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂ，２６１ｂ、及び低濃度ドレイン領域２４１ｃ，２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓ，２５１Ｄが形成される。
【００６１】
次に、図７（ａ）に示すように、ゲート電極２５２の周辺を除く全面にイオン注入選択マスクＭ２を形成する。このイオン注入選択マスクＭ２を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５ｃｍ−２のドープ量でイオン注入する。結果として、ゲート電極２５２もマスクとして機能し、シリコン層２５２中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。これにより２５１Ｓ及び２５１Ｄがカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域及びドレイン領域となる。
【００６２】
そして、図７（ｂ）に示すように、イオン注入選択マスクＭ２を除去した後に、基板２の全面に第２層間絶縁層２８３を形成し、更にフォトリソグラフィ法により第２層間絶縁層２８３をパターニングして、各ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極並びに陰極用配線１２ａに対応する位置にコンタクトホール形成用の孔Ｈ１を設ける。次に、図７（ｃ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタル等の金属からなる厚さ約２００ｎｍないし８００ｎｍ程度の導電層５０４を形成することにより、先に形成した孔Ｈ１にこれらの金属を埋め込んでコンタクトホールを形成する。更に導電層５０４上にパターニング用マスクＭ３を形成する。
【００６３】
次に、図８（ａ）に示すように、導電層５０４をパターニング用マスクＭ３によってパターニングし、各ＴＦＴのソース電極２４３，２５３，２６３、ドレイン電極２４４，２５４、各発光用電源配線の第２配線１０３Ｒ２，１０３Ｇ２，１０３Ｂ２、走査線回路用電源配線１０５ｂ、及び陰極用配線１２ａを形成する。上記のように、第１配線１０３Ｒ１及び１０３Ｂ１を陰極用配線１２ａと同じ階層に離間して形成するとともに、第２配線１０３Ｒ２及び１０３Ｂ２を陰極用配線１２ｂと同じ階層に離間して形成することで、第２の静電容量Ｃ２が形成される。
【００６４】
なお、この工程においてもインクジェット法を用いることができる。すなわち、導電性微粒子（金属微粒子）を含有する液体材料を塗布することにより、陰極用配線１２ｂの一部、電源配線（Ｒ，Ｇ，Ｂ用）を形成することが可能となる。インクジェット法による形成方法については後述する。
【００６５】
以上の工程が終了すると、図８（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２８３を覆う第１層間絶縁層２８４を、例えばアクリル系などの樹脂材料によって形成する。この第１層間絶縁層２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成されることが望ましい。次に、図８（ｃ）に示すように、第１層間絶縁層２８４のうち、画素用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分をエッチングによって除去してコンタクトホール形成用の孔Ｈ２を形成する。このとき、同時に陰極用配線１２ａ上の第１層間絶縁層２８４も除去する。このようにして、基板２上に回路部１１が形成される。
【００６６】
次に、図９を参照して、回路部１１上に画素部３を形成することにより発光装置１を得る手順について説明する。図９に示す断面図は、図２中のＡ−Ａ´線に沿う断面に対応している。まず、図９（ａ）に示すように、基板２の全面を覆うようにＩＴＯ等の透明電極材料からなる薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより、第１層間絶縁層２８４に設けた孔Ｈ２を埋めてコンタクトホール１１１ａを形成するとともに、画素電極１１１及びダミー画素電極１１１´を形成する。画素電極１１１は、カレント薄膜トランジスタ１２３の形成部分のみに形成され、コンタクトホール１１１ａを介してカレント薄膜トランジスタ１２３（スイッチング素子）に接続される。尚、ダミー電極１１１´は島状に配置される。
【００６７】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層２８４、画素電極１１１、及びダミー画素電極１１１´上に無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａを形成する。無機物バンク層１２２ａは、画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー無機物バンク層２１２ａはダミー画素電極１１１´を完全に覆うように形成する。ここで、無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、図２中のＢ−Ｂ´線に沿う断面において走査線１０１の上方に形成される点に注意されたい。無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａは、例えばＣＶＤ法、ＴＥＯＳ法、スパッタ法、蒸着法等によって第１層間絶縁層２８４及び画素電極１１１の全面にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機物膜を形成した後に、当該無機物膜をパターニングすることにより形成する。
【００６８】
更に、図９（ｂ）に示すように、無機物バンク層１２２ａ及びダミー無機物バンク層２１２ａ上に、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを形成する。有機物バンク層１２２ｂは、無機物バンク層１２２ａを介して画素電極１１１の一部が開口する態様にて形成し、ダミー有機物バンク層２１２ｂはダミー無機物バンク層２１２ａの一部が開口する態様にて形成する。このようにして、第１層間絶縁層２８４上にバンク部１２２を形成する。
【００６９】
続いて、バンク部１２２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域を形成する。本実施形態においてはプラズマ処理工程により、各領域を形成するものとしている。具体的に、このプラズマ処理工程は、画素電極１１１、無機物バンク層１２２ａ、及びダミー無機物バンク層２１２ａを親液性にする親液化工程と、有機物バンク層１２２ｂ及びダミー有機物バンク層２１２ｂを撥液性にする撥液化工程とを少なくとも有している。
【００７０】
即ち、バンク部１２２を所定温度（例えば７０〜８０°程度）に加熱し、次いで親液化工程として大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。続いて、撥液化工程として大気雰囲気中で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、プラズマ処理のために加熱されたバンク部１２２を室温まで冷却することで、親液性及び撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００７１】
更に、画素電極１１１上及びダミー無機物バンク層２１２ａ上にそれぞれ、発光層１１０及びダミー発光層２１０をインクジェット法により形成する。発光層１１０並びにダミー発光層２１０は、正孔注入／輸送層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥した後に、発光層材料を含む組成物インクを吐出・乾燥することにより形成される。尚、この発光層１１０及びダミー発光層２１０の形成工程以降は、正孔注入／輸送層及び発光層の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００７２】
次に、図９（ｃ）に示すように、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２１０を覆う陰極１２を形成する。陰極１２は、バンク部１２２、発光層１１０、及びダミー発光層２１０上に陰極層１２ｂを形成した後に、陰極層１２ｂを覆って基板２上の陰極用配線１２ａに接続される反射層１２ｃを形成することにより得られる。このように、反射層１２ｃを陰極用配線１２ａに接続させるべく反射層１２ｃを画素部３から基板２上に延出させることにより、反射層１２ｃが第１層間絶縁層２８４を介して発光用電源線１０３に対向配置され、反射層１２ｃ（陰極）と発光用電源線１０３との間に第１の静電容量Ｃ１が形成される。最後に、基板２にエポキシ樹脂等の封止材１３を塗布し、この封止材１３を介して基板２に封止基板１４を接合する。このようにして、図１〜図４に示すような発光装置１が得られる。
【００７３】
このようにして製造された発光装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１０に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図１０は、本発明の一実施形態による発光装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、図１０において６０１は筐体であり、６０２は発光装置であり、６０３はキーボードである。図１１は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図１１に示した携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、発光装置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。
【００７４】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【００７５】
ここで、本発明によるインクジェット法により導電材料を含む液体材料を塗布し、発光用電源配線、陰極と接続する陰極配線を形成する形成方法について以下に説明する。
【００７６】
発光用電源配線、陰極と接続する陰極配線（以下、導電膜配線ともいう）の液体材料として、本例では導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液状体）が用いられ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうち少なくとも１種類を含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
【００７７】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。特に、５ｎｍ以上０．１μｍであることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００７８】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００７９】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
【００８０】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
【００８１】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
【００８２】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００８３】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００８４】
以下に、金微粒子を用いた例を示す。
【００８５】
直径１０ｎｍの金微粒子がトルエン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）にキシレンを添加し、その粘度を３ｃｐとした液体を用いた。その際、凸部の間に形成された領域（端子の平坦な部分）にインクジェット法を用いて前述の液体を塗布した。その際、端子部の平坦部上、及び凸部の表面の少なくとも平坦な領域側に金からなる金属薄膜が形成される。
【００８６】
インクジェット法として用いるインクジェット装置（液体塗布装置ともいう）は、例えば図１３に示した装置を用いることができる。
【００８７】
インクジェット装置は、インクジェットヘッド群１、Ｘ軸方向駆動軸４、Ｙ方向ガイド軸５、制御装置６、載置台７、クリーニング機構部８、基台９及びヒーター１５を備えている。
【００８８】
インクジェットヘッド群は所定の導電性微粒子を含有する液体をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔で基板に付与するインクジェット塗布手段としてのヘッドを備えている。ヘッド群は、複数のノズルが形成されたヘッドが複数個配列されて形成している。この複数個配列しているヘッド群は、図１４のようなレイアウトで構成されている。すなわち、ヘッドの走査方向に対して各ヘッドを傾けて配置された構造となっている。
【００８９】
載置台７は、この塗布装置によって液滴（液体）を付与される基板１０１を載置させるもので、この基板１０１を基準位置に固定する機構を備える。
【００９０】
Ｘ方向駆動軸４には、Ｘ方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ２は、ステッピングモータ等であり、制御装置６からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸４を回転させる。Ｘ方向駆動軸４が回転させられると、インクジェットヘッド群１がＸ軸方向に移動する。
【００９１】
Ｙ方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。載置台７は、Ｙ方向駆動モータ３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置６からＹ軸方向の駆動信号が供給されると、載置台７をＹ軸方向に移動させる。
【００９２】
制御回路６は、インクジェットヘッド群１の各ヘッドに液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ２にインクジェットヘッド群１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３に載置台７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００９３】
クリーニング機構部８は、インクジェットヘッド群１をクリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられる。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も、制御装置６によって制御される。
【００９４】
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板１０１を熱処理する手段であり、基板上に塗布された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換させる。このヒータの電源の投入及び遮断も制御回路６によって制御される。なお、ヒーターの代わりにホットプレートを用いた熱処理、乾燥炉を用いた熱処理であってもかまわない。
【００９５】
ここで図１４に記載したような構造について説明する。
【００９６】
図示されているように、インクジェット装置に設けられているインクジェットヘッドは複数個配置されている。複数個のインクジェットヘッドを走査方向に対して交差する方向に傾けて配置し、インクジェットによる描画を行うことができる。例えば、走査方向に対して３０度傾けることによってインクジェット装置による描画が可能となる。インクジェットヘッドを走査方向に対して交差する方向に傾けることにより以下の効果が得られる。すなわち、形成するパターンの間隔が狭いときに、ヘッドを傾けることにより見かけ上、ノズル間隔が狭くなる。このようにすることによって、挟ピッチのパターンの描画が可能になり、しかも傾ける角度を変化させることにより、どのようなパターンでも形成することができる。なお、その場合には、インクジェットヘッドを所望の角度に変更、調整できる機能をインクジェット装置に設ける。
【００９７】
〔ヘッドユニットの構成〕
次に、ヘッドユニット４２０の構成について説明する。図２５は、液滴吐出処理装置に設けられたヘッドユニットを示す平面図である。図２６は、ヘッドユニットを示す側面図である。図２７は、ヘッドユニットを示す正面図である。図２８は、ヘッドユニットを示す断面図である。
【００９８】
ヘッドユニット４２０は、図２５、図２６〜図２９に示すように、ヘッド本体部４３０と、インク供給部４３１とを有している。また、ヘッド本体部４３０は、平板状のキャリッジ４２６と、このキャリッジ４２６に複数取り付けられた実質的に略同一形状のヘッド装置４３３とを有している。
【００９９】
（ヘッド装置の構成）
図２８はヘッドユニット４２０に配設されたヘッド装置４３３を示す分解斜視図である。
【０１００】
ヘッド装置４３３は、図２８に示すように、短冊状のプリント基板４３５を有している。このプリント基板４３５には、各種電気部品４３６が実装され図示しない電気配線が設けられている。また、プリント基板４３５には、長手方向の一端側に位置して窓部４３７が貫通形成されている。さらに、プリント基板４３５には、インクであるフィルタエレメント材料１３が流通可能な流通路４３８が窓部４３７の両側に位置して設けられている。
【０１０１】
そして、このプリント基板４３５の一面側（図２８中下面側）には、長手方向の略一端側（図２８中右側）に位置してインクジェットヘッド４２１が取付部材４４０により一体的に取り付けられている。このインクジェットヘッド４２１は、長手矩形状に形成され、長手方向がプリント基板４３５の長手方向に沿う状態で取り付けられる。
【０１０２】
なお、各ヘッド装置４３３における各インクジェットヘッド４２１は、実質的に略同一形状、すなわち例えば所定の規格の製品であって、所定の品質に選別されたものなどであればよい。具体的には、これらインクジェットヘッド４２１が同一個数の後述するノズルを有し、ノズルの形成位置が互いに同一であることが、キャリッジ４２６に対してインクジェットヘッド４２１を組み立てる際に効率的となり、また組み立て精度も高まるので、好ましい。さらに、同一の製造・組立工程を経て作られた製品を用いれば、特別な製品を作る必要が無くなり、低コストとすることができる。
【０１０３】
また、プリント基板４３５の他面側（図２８中上面側）には、長手方向の略他端側（図２８中左側）に位置してインクジェットヘッド４２１に電気配線４４２にて電気的に接続されるコネクタ４４１が一体的に取り付けられている。これらコネクタ４４１には、ヘッドユニット４２０の移動に影響しないように副走査駆動装置４２７に配線された電気配線４４２（電源配線、信号配線を含む）が接続される。この電気配線４４２は図示しない制御装置とヘッドユニット４２０を接続するものとなる。すなわち、これら電気配線４４２は、図２５および図２８に二点鎖線の矢印で模式的に示すように、副走査駆動装置４２７からヘッドユニット４２０の２列のヘッド装置４３３の配列方向の両側であるヘッドユニット４２０の外周側に配線されてコネクタ４４１に接続され、電気ノイズが生じないようになっている。
【０１０４】
さらに、プリント基板４３５の他面側（図２８中上面側）には、長手方向の略一端側（図２８中右側）でインクジェットヘッド４２１に対応してインク導入部４４３が取り付けられている。このインク導入部４４３は、取付部材４４０に設けられプリント基板４３５を貫通する位置決めピン部４４４を嵌合する略円筒状の位置決め筒部４４５と、プリント基板４３５に係止する係止爪部４４６とを有している。
【０１０５】
また、インク導入部４４３には、先端先細り形状の略円筒状の連結部４４８が一対突設されている。これら連結部４４８は、プリント基板４３５側となる基端部にプリント基板４３５の流通路４３８に略液密に連通する図示しない開口を有し、先端部にフィルタエレメント材料１３が流通可能な図示しない孔を有している。
【０１０６】
さらに、これら連結部４４８には、図２５ないし図２８に示すように、先端側に位置してシール連結部４５０がそれぞれ取り付けられている。これらシール連結部４５０は、内周側に連結部４４８を略液密に嵌着する略円筒状に形成され、先端部にシール部材４４９が設けられている。
【０１０７】
また、インクジェット装置による描画には、予備吐出、フラッシングが必要となる。
【０１０８】
発光用電源配線、陰極と接続する陰極配線を形成する際、予め基板の外に予備吐出を行う。これは、ノズルの目詰まりを防止し、所定の量の液滴を吐出させるためのものである。予備吐出する液滴の量は約２００〜５０００発であり、インクジェットヘッドに形成されている全ノズルから吐出を行うものである。また、フラッシングも同様であり、全ノズルから液滴を吐出し、吐出安定性を確保する。吐出量は適宜設定されるが、予備吐出と同様の量が吐出される。
【０１０９】
このようなインクジェットヘッドにより吐出される液滴は、例えば図１５〜２２のような順番で吐出される。以下、本発明の発光用電源配線、陰極と接続する陰極配線を形成する形成方法について図面を参照しながら説明する。なお、パターン形成図のみを掲載し、実際には図１〜図９に説明した発光用電源配線や陰極と接続する陰極配線を示すものである。
【０１１０】
図１５は本発明のパターン（すなわち、発光用電源配線、陰極と接続する陰極配線）の形成方法に関し、一実施形態を示すフローチャート図である。
【０１１１】
図１５において、本実施形態に係るパターンの形成方法は、液体材料の液滴が配置される基板を所定の溶媒等を用いて洗浄する工程（ステップＳ１）と、基板の表面処理工程の一部を構成する撥液化処理工程（ステップＳ２）と、撥液化処理された基板表面の撥液性を調整する表面処理工程の一部を構成する撥液性低下処理工程（ステップＳ３）と、表面処理された基板上に液滴吐出法に基づいて導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を配置して膜パターンを描画（形成）する材料配置工程（ステップＳ４）と、基板上に配置された液体材料の溶媒成分の少なくとも一部を除去する熱・光処理を含む中間乾燥処理工程（ステップＳ５）と、所定の膜パターンが描画された基板を焼成する焼成工程（ステップＳ７）とを有している。なお、中間乾燥処理工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
【０１１２】
次に、図１６〜図２２を参照しながら本発明の特徴部分である液滴吐出法に基づく材料配置工程（ステップＳ４）について説明する。
【０１１３】
本実施形態の材料配置工程は、導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより基板上に吐出することにより基板上に線状の膜パターン（配線パターン）Ｗである外部接続用端子を形成する工程である。液体材料は導電膜配線形成用材料である金属等の導電性微粒子を分散媒に分散した液状体である。
【０１１４】
図１６において、材料配置工程（ステップＳ４）は、液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１０（前述のヘッド群）の吐出ノズル１０Ａより液体材料の液滴を吐出して基板１１に配置することで、この基板１１上に膜パターンＷの線幅方向中央部（中央パターン）Ｗ１を形成する第１工程（図１６（ａ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して一方の側部（第１側部パターン）Ｗ２を形成する第２工程（図１６（ｂ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して他方の側部（第２側部パターン）Ｗ３を形成する第３工程（図１６（ｃ）参照）とを有している。これら第１、第２、及び第３工程により、図１６（ｃ）に示すような線状の膜パターンＷが形成される。
【０１１５】
第１工程では、図１６（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、基板１１上に一定の距離間隔（ピッチ）で配置される。そして、この液滴の配置動作を繰り返すことにより基板１１上における膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の中央部に、この膜パターンＷの一部を構成する線状の中央パターンＷ１が形成される。なお、基板１１の表面はステップＳ２及びＳ３により所望の撥液性に予め加工されているので、基板１１上に配置した液滴の拡がりが抑制される。そのためパターン形状を良好な状態に確実に制御できるとともに厚膜化も容易である。
【０１１６】
ここで、基板１１上に中央パターンＷ１を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。中間乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他にランプアニールを用いた光処理であってもよい。
【０１１７】
次に、第２工程では、図１６（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の一方の側に隣接する線状の第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、液滴吐出ヘッド１０は第１側部パターンＷ２を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。
そして、第２工程においても液滴は基板１１上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の一方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第１側部パターンＷ２が形成され、中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２とが一体化される。
【０１１８】
ここでも、基板１１上に第１側部パターンＷ２を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。
【０１１９】
次に、第３工程では、図１６（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の他方の側に隣接する線状の第２側部パターンＷ３が形成される。ここでも、液滴吐出ヘッド１０は第２側部パターンＷ３を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。こうして、中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３とが一体化され、３つの線状のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３が一体化されて幅広の膜パターンＷが形成される。そして、第３工程においても液滴は基板上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の他方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第２側部パターンＷ３が形成される。
【０１２０】
このとき、第２、第３工程で吐出する液滴の吐出位置（中央パターンＷとの距離）を調整することで最終的な線状の膜パターンＷの線幅を制御することができる。また、第１、第２、及び第３の各工程で形成する複数のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３の基板１１の表面からの高さ（厚み）を変化させることにより、一体化後の膜パターンＷの膜厚を制御できる。
【０１２１】
なお、パターンの輪郭において凹凸形状が形成された場合には、必要に応じて凹凸部を埋めるように微小液滴を塗布することが好ましい。この微小液滴は、通常塗布する液滴（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３で塗布する液滴を指す）よりも小さい液滴であり、吐出量も通常の液滴よりも少なく設定されている。このように微小液滴を塗布することにより、パターンの輪郭に凹凸がなく、直線的なパターンを形成することができる。
【０１２２】
次に、図１７（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、線状の中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する手順について説明する。
【０１２３】
まず、図１７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から吐出した液滴Ｌ１が所定の間隔をあけて基板１１上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド１０は基板１１上で液滴Ｌ１どうしが重ならないように配置する（第１配置工程）。本例では、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板１１上に配置された直後の液滴Ｌ１どうしは重ならずに（接触せずに）、液滴Ｌ１どうしが合体して基板１１上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径の２倍以下となるように設定されている。
【０１２４】
ここで、基板１１上に液滴Ｌ１を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）を行うことができる。中間乾燥処理は、上述したように、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他に、ランプアニールを用いた光処理であってもよい。この場合、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分である。
【０１２５】
次に、図１７（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作が繰り返される。すなわち図１７（ａ）に示した前回と同様に、液滴吐出ヘッド１０から液体材料が液滴Ｌ２として吐出され、その液滴Ｌ２が一定距離ごとに基板１１に配置される。
このとき、液滴Ｌ２の体積（１つの液滴あたりの液体材料の量）、及びその配置ピッチＰ２は前回の液滴Ｌ１と同じである。そして、液滴Ｌ２の配置位置は前回の液滴Ｌ１から１／２ピッチだけシフトされ、基板１１上に配置されている前回の液滴Ｌ１どうしの中間位置に今回の液滴Ｌ２が配置される（第２配置工程）。図示されているように、最初に塗布された第１の液滴Ｌ１の間を補完するように第２の液滴Ｌ２を塗布することにより、平坦性に優れた配線パターン（ここでは外部接続用端子）が形成できる。
【０１２６】
前述したように、基板１１上の液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は、基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、その直径の２倍以下である。そのため、液滴Ｌ１の中間位置に液滴Ｌ２が配置されることにより、液滴Ｌ１に液滴Ｌ２が一部重なり、液滴Ｌ１どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板１１上で拡がることは少ない。
【０１２７】
なお、図１７（ｂ）では、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を前回と同じ側（図１７（ａ）に示す左側）としているが逆側（右側）としてもよい。往復動作の各方向への移動時に液滴の吐出を行うことにより、液滴吐出ヘッド１０と基板１１との相対移動の距離を少なくできる。
【０１２８】
液滴Ｌ２を基板１１上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて中間乾燥処理を行うことが可能である。
【０１２９】
こうした一連の液滴の配置動作を複数回繰り返すことにより、基板１１上に配置される液滴どうしの隙間が埋まり、図１７（ｃ）に示すように、線状の連続したパターンである中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３が基板１１上に形成される。この場合、液滴の配置動作の繰り返し回数を増やすことにより基板１１上に液滴が順次重なり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の膜厚、すなわち基板１１の表面からの高さ（厚み）が増す。線状パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の高さ（厚み）は最終的な膜パターンに必要とされる所望の膜厚に応じて設定され、この設定した膜厚に応じて上記液滴の配置動作の繰り返し回数が設定される。
【０１３０】
なお、線状パターンの形成方法は図１７（ａ）〜（ｃ）に示したものに限定されない。例えば、液滴の配置ピッチや繰り返しの際のシフト量等を任意に設定可能であり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の基板Ｐ上での配置ピッチをそれぞれ異なる値に設定してもよい。例えば、中央パターンＷ１を形成する際の液滴ピッチがＰ１である場合、側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する際の液滴ピッチをＰ１より広いピッチ（例えばＰ１×２）としてもよい。もちろん、Ｐ１より狭いピッチ（例えばＰ１×０．５）としてもよい。また、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の体積をそれぞれ異なる値に設定してもよい。あるいは、第１、第２、及び第３の各工程において基板１１や液滴吐出ヘッド１０が配置される雰囲気である液滴配置雰囲気（温度や湿度等）、すなわち材料配置環境条件を互いに異なる条件に設定してもよい。
【０１３１】
なお、本実施形態では複数の側部パターンＷ２、Ｗ３は１本ずつ形成されるが２本同時に形成されてもよい。ここで、１本ずつ複数のパターンＷ２、Ｗ３を形成する場合と２本同時に形成する場合とでは、乾燥処理の回数の合計が異なる可能性があるため、基板１１の撥液性が損なわれないように乾燥条件を定めるとよい。
【０１３２】
なお、本実施形態では、第１工程で１本の中央パターンＷ１を形成したが、中央パターンＷ１を２本以上の複数形成してもよい。そして、この複数本の中央パターンＷ１の両側部に対して液滴を吐出し、これらを連続させることにより、より広い線幅の膜パターンを容易に形成できる。
【０１３３】
更に、ある１つのノズルから液滴を塗布することも可能であるが、ノズル間における液滴の吐出量のばらつきをできるだけ抑えるために、異なるノズルによって液滴を塗布することも可能である。例えば、液滴Ｌ１の塗布には第１のノズルにより塗布を行い、液滴Ｌ１の間を保管する液滴Ｌ２は第１のノズルとは異なる第２のノズルにより塗布することが好ましい。更に、第１のノズルと第２のノズルは同じヘッドに形成されていても良いが、前述のとおり複数個のヘッドが形成されているので、別のヘッドに形成されていても良い。すなわち、第１のノズルは第１のヘッドに形成され、第２のノズルは第２のヘッドに形成され、所望のパターンを形成する際は、第１のノズル、第２のノズルにより塗布を行う、ことも可能である。
【０１３４】
次に、図１８〜図２２を参照しながら基板上に液滴を吐出する順序の一例について説明する。これらの図に示すように、基板１１上には液体材料の液滴が吐出される格子状の複数の単位領域であるピクセルを有するビットマップが設定されている。液滴吐出ヘッド１０は液滴をビットマップで設定されたピクセル位置に対して吐出する。ここで、１つのピクセルは正方形に設定されている。また、液滴吐出ヘッド１０は基板１１に対してＹ軸方向に走査しながら吐出ノズル１０Ａより液滴を吐出するものとする。そして、図１８〜図２２を用いた説明において、１回目の走査時に吐出された液滴には「１」を付し、２回目、３回目、…、ｎ回目の走査時に吐出された液滴には「２」、「３」…、「ｎ」を付す。また、以下の説明では、図１８のグレーで示す領域（パターン形成予定領域）のそれぞれに液滴を吐出して膜パターンＷを形成するものとする。
【０１３５】
図１８（ａ）に示すように、１回目の走査時において、中央パターンＷ１を形成するために中央パターン形成予定領域に１つ分のピクセルをあけつつ液滴が吐出される。ここで、基板１１に対して吐出された液滴は基板１１に着弾することにより基板１１上で濡れ拡がる。つまり、図１８（ａ）に円で示すように、基板１１に着弾した液滴は１つのピクセルの大きさより大きい直径ｃを有するように濡れ拡がる。ここで、液滴はＹ軸方向において所定間隔（１つ分のピクセル）をあけて吐出されているので、基板１１上に配置された液滴どうしは重ならないように設定されている。こうすることによりＹ軸方向において基板１１上に液体材料が過剰に設けられることを防ぎ、バルジの発生を防止することができる。
【０１３６】
なお、図１８（ａ）では基板１１に配置された際の液滴どうしは重ならないように配置されているが、僅かに重なるように液滴が配置されてもよい。また、ここでは１つ分のピクセルをあけて液滴が吐出されているが、２つ以上の任意の数のピクセル分だけ間隔をあけて液滴を吐出してもよい。この場合、基板１１に対する液滴吐出ヘッド１０の走査動作及び吐出動作を増やして基板上の液滴どうしの間を補間すればよい。
【０１３７】
図１８（ｂ）は２回目の走査により液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズル１０Ａから基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図１８（ｂ）において、２回目の走査時で吐出された液滴には「２」を付している。２回目の走査時では、１回目の走査時で吐出された液滴「１」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、１回目及び２回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、中央パターンＷ１が形成される。
【０１３８】
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが１つのピクセルの大きさ分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板１１に対して−Ｘ方向に１つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は３回目の走査を行う。これにより、図１９（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の−Ｘ側に隣接するように、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」が基板１１上に配置される。ここでも、液滴「３」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後における１回目の走査時（すなわち全体における３回目の走査時）における液滴「３」は、ステップ移動前の１回目の走査時における液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１３９】
図１９（ｂ）は４回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図１９（ｂ）において、４回目の走査時で吐出された液滴には「４」を付している。４回目の走査時では、３回目の走査時で吐出された液滴「３」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、３回目及び４回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、ステップ移動後の２回目の走査時（すなわち全体における４回目の走査時）における液滴「４」は、ステップ移動前の２回目の走査時における液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１４０】
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが２つのピクセル分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板に対して＋Ｘ方向に２つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は５回目の走査を行う。これにより、図２０（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の＋Ｘ側に隣接するように、第２側部パターンＷ３を形成するための液滴「５」が基板上に配置される。ここでも、液滴「５」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後である５回目の走査時における液滴「５」は、液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１４１】
図２０（ｂ）は６回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図２０（ｂ）において、６回目の走査時で吐出された液滴には「６」を付している。６回目の走査時では、５回目の走査時で吐出された液滴「５」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、５回目及び６回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第２側部パターンＷ３が形成される。ここで、６回目の走査時における液滴「６」は、液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１４２】
このように、１つのパターンに対し、同じノズルにより液滴を吐出することが可能であるが、前述の通り異なるノズルにより液滴を吐出することも可能である。異なるノズルで液滴を吐出する場合の吐出方法は前述の通りである。また、ノズルの活用に関しては、以下に記載の例においても、同様に実施可能である。
【０１４３】
図２１は液滴の吐出位置の配置順序を変えた例を示す図である。図２１において、中央パターンＷ１を形成する液滴「１」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において２回目の走査時（全体で４回目の走査時）で吐出された液滴「４」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において１回目の走査時（全体で３回目の走査時）で吐出された液滴「３」が配置されている。同様に、液滴「１」のＸ軸について＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で６回目の走査時において吐出された液滴「６」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」の＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で５回目の走査時において吐出された液滴「５」が配置されている。このように、各ラインＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成するに際し、液滴の吐出位置の順序のそれぞれを各ライン毎に異なるように設定してもよい。
【０１４４】
更に、図２２に示す例のように、中央パターンＷ１を形成するための液滴「１」を配置した後、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動し、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「２」を配置し、次いで、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動して第２側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」を配置するといった順序も可能である。そして、これらを補間するように液滴「４」、「５」、「６」が順次吐出される。このように、中央パターンＷ１を形成した後に側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するに際し、例えば中央パターンＷ１を完全に形成してから側部パターンＷ２、Ｗ３を形成せずに、中央パターンＷ１が未完成の状態で側部パターンＷ２、Ｗ３の形成動作を開始してもよい。
【０１４５】
図２３（ａ）、（ｂ）は、上記第２、第３工程において、中央パターンＷ１の両側部に第１、第２側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するための液滴の配置例を示す図である。図２３（ａ）の例では、図１７を参照して説明した吐出条件（配置条件）と同じ条件で中央パターンＷ１が形成される。一方、第２、第３工程の吐出条件（配置条件）は中央パターンＷ１を形成するための吐出条件と異なっている。具体的には、第１工程に比べて液滴Ｌｎの体積が大きく設定されている。すなわち、一度に吐出される液体材料の量が増加されている。なお、本例では、液滴Ｌｎの配置ピッチは第１工程と同じである。液滴Ｌｎの体積を大きくすることにより膜パターンＷ全体の形成時間を短縮でき、スループット向上を図ることができる。なお、液滴の体積が大きくなるとバルジが発生しやすくなるため、液体材料の材料特性に応じてバルジが生じない液滴体積条件を予め求めておき、この求めた条件に基づいて吐出液滴の最大可能体積を設定すればよい。
【０１４６】
図２３（ｂ）の例では、第２、第３工程の吐出条件は第１工程に比べて液滴Ｌｎの配置ピッチを狭くしている。なお、液滴Ｌｎの体積は第１工程と同じでもよく、図２３（ａ）に示したように第１工程に比べて大きくしてもよい。液滴の配置ピッチを狭くすることにより単位面積あたりの液滴の配置量が増え、短時間でパターン形成が可能となる。
【０１４７】
以上のように、各種吐出方法を説明したが、異なるノズルにより液滴を吐出する方法について以下に補足する。
【０１４８】
１つのパターン（ここでは１ライン）を形成する際、複数のノズルを用いて形成することが可能である。例えば、１番目の液滴を第１のノズルにより塗布し、２番目の液滴を第１のノズルとは異なる第２のノズルにより塗布することが可能である。さらには、３番目の液滴を第３のノズルから塗布し、４番目の液滴を第４のノズルから塗布することができる。このような塗布方法とすることにより、ノズルによって吐出量のばらつきがある場合、その差を最小限に抑えることができる。すなわち、同じノズルによって塗布した場合、吐出された液滴の総量に差が生じる。その結果、膜厚の差、更には電極としての抵抗値の差にも影響が出る。そこで、このような問題を改善するために、１つの電極（または１つのパターン）に対し異なるノズルにより液滴を塗布することにより、膜厚の差を最小限に抑えることができ、電極の抵抗もほぼ均一にすることが可能となる。
【０１４９】
＜表面処理工程＞
次に、図１５で示した表面処理工程Ｓ２、Ｓ３について説明する。表面処理工程では、導電膜配線（外部接続用端子）を形成する基板の表面を液体材料に対して撥液性に加工する（ステップＳ２）。
【０１５０】
具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、６０［ｄｅｇ］以上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上１１０［ｄｅｇ］以下となるように基板に対して表面処理を施す。表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法、ＵＶ照射をする方法等を採用できる。
【０１５１】
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【０１５２】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【０１５３】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【０１５４】
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【０１５５】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【０１５６】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板表面の前処理を施すことが望ましい。
【０１５７】
ＦＡＳ処理を施した後、所望の撥液性に処理する撥液性低下処理が必要に応じて行われる（ステップＳ３）。すなわち、撥液化処理としてＦＡＳ処理を施した際に、撥液性の作用が強すぎて基板とこの基板上に形成した膜パターンＷとが剥離しやすくなる場合がある。そこで、撥液性を低下（調整）する処理が行われる。撥液性を低下する処理としては波長１７０〜４００ｎｍ程度の紫外線（ＵＶ）照射処理が挙げられる。所定のパワーの紫外線を所定時間だけ基板に照射することで、ＦＡＳ処理された基板の撥液性が低下され、基板は所望の撥液性を有するようになる。あるいは、基板をオゾン雰囲気に曝すことにより基板の撥液性を制御することもできる。
【０１５８】
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板に対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等が例示できる。
【０１５９】
なお、基板表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
【０１６０】
このような表面処理を、外部接続用端子を形成する表面に行うことにより、液滴を吐布した際、平坦性に優れ、輪郭に凹凸が少ない配線パターンを形成することができる。なお、電極７３，７４，７５を形成する場合であれば、第２層間絶縁層２８３に上記のような表面処理を施す。また、透明電極７７に相当する位置にインクジェットにより電極を形成する場合には、この下層にあたる電極７３、７４、７５に表面処理を行うことにより最上層にインクジェット方による電極（外部接続用端子）を形成することができる。
【０１６１】
＜中間乾燥工程＞
次に、図１５で示した中間乾燥工程Ｓ５について説明する。中間乾燥工程（熱・光処理工程）では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
【０１６２】
熱・光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱／光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【０１６３】
熱処理には、例えばホットプレート、電気炉等の加熱装置を用いることができる。光処理にはランプアニールを用いることができる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。上記熱・光処理により微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【０１６４】
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。ただし、導電膜の変換は、すべての液体材料の配置が終了してから、熱処理・光処理工程においてまとめて行えばよいので、ここでは、分散媒をある程度除去できれば十分である。例えば、熱処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えばよい。また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板を予め加熱しておいたり、液滴吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。
【０１６５】
このように製造した電気光学装置は、前述に示した有機ＥＬ装置以外にも、この端子構造は液晶表示装置、図２４に示すようなプラズマディスプレイ装置、無機ＥＬ装置、電気泳導装置、等のディスプレイに適用できる。また、携帯機器、モバイル系の電子機器、カーナビ等のモニターにも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による発光装置の配線構造を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による発光装置の平面模式図である。
【図３】図２のＡ−Ａ´線に沿う断面図である。
【図４】図２のＢ−Ｂ´線に沿う断面図である。
【図５】画素電極群領域１１ａの要部を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図８】本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図９】本発明の一実施形態による発光装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】本発明の一実施形態による発光装置を備える電子機器の一例を示す図である。
【図１１】他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。
【図１２】従来の発光装置の配線構造を示す図である。
【図１３】塗布装置の構造を示した図である。
【図１４】ヘッドユニットを示す平面図を示す図である。
【図１５】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図１６】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図１７】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図１８】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図１９】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図２０】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図２１】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子の他の実施例を示す模式図である。
【図２２】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子の他の実施例を示す模式図である。
【図２３】本発明のパターンの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図２４】本発明の電気光学装置の一実施形態を示す図であってプラズマ型表示装置に適用した例を示す分解斜視図である。
【図２５】ヘッドユニットを示す側面図である。
【図２６】ヘッドユニットを示す正面図である
【図２７】ヘッドユニットを示す断面図である。
【図２８】ヘッドユニットを示す射視図である。
【符号の説明】
４．．．有効発光領域
５．．．ダミー領域
１２．．．陰極（第２電極）
１０１．．．走査線
１０２．．．信号線
１０３．．．発光用電源配線
１１０．．．発光素子
１１０ａ．．．正孔注入／輸送層
１１０ｂ．．．発光層
１１１．．．画素電極（第１電極）
１１２．．．スイッチング薄膜トランジスタ（第１のスイッチング素子）
１２２．．．バンク部（絶縁部）
１２３．．．カレント薄膜トランジスタ（第２のスイッチング素子）
２１２．．．ダミーバンク部（バンク）
２８３．．．第２層間絶縁層
２８４．．．第１層間絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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