(57)【要約】【課題】表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全体に亘って同一にすることにより、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機器を提供する。【解決手段】フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。そして、電極７４，７５上及び凸部７９に透明電極７７が形成されている。【選択図】　図１０
2004006314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続用端子が形成された電気光学装置の製造方法であって、
前記外部接続用端子を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記外部接続用端子には凸状の絶縁膜が形成されてなり、前記凸部によって形成された領域に前記液体材料を塗布することを特徴とする請求項１記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
外部接続用端子が形成された電気光学装置の製造方法であって、
前記外部接続用端子が複数の導電層により形成されてなり、前記複数の導電層うち少なくとも一層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
複数の導電層のうち最上層に形成されてなる導電層を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記液体液体材料をインクジェット法により塗布することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにより形成された電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス材料を備えた電気光学装置及び当該電気光学装置を備える電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、画素電極（陽極）及び陰極の間に、有機蛍光材料等の発光材料からなる発光素子が挟持された構造のカラー電気光学装置、特に発光材料として有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置の開発が行われている。以下、従来の電気光学装置（有機ＥＬ表示装置）について簡単に説明する。
【０００３】
図１３は、従来の電気光学装置の配線構造を示す図である。図１３に示すように、従来の電気光学装置は、複数の走査線９０１と、走査線９０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線９０２と、信号線９０２に並行して延びる複数の発光用電源配線９０３とがそれぞれ配線され、走査線９０１と信号線９０２との各交点毎に、画素領域Ａが設けられている。各信号線９０２は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路９０４に接続されており、各走査線９０１は、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路９０５に接続されている。
【０００４】
また、画素領域Ａの各々には、走査線９０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ９１３と、このスイッチング薄膜トランジスタ９１３を介して信号線９０２から供給される画像信号を保持する保持容量Ｃａｐと、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ９１４と、このカレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３に電気的に接続されたときに発光用電源配線９０３から駆動電流が流れ込む画素電極９１１と、この画素電極９１１と陰極９１２との間に挟み込まれる発光層９１０とが設けられている。陰極９１２は、陰極用電源回路９３１に接続されている。
【０００５】
上記の発光層９１０には、赤色に発光する発光層９１０Ｒ、緑色に発光する発光層９１０Ｇ、青色に発光する発光層９１０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して各発光層９１０Ｒ，９１０Ｇ，９１０Ｂに接続される発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂは、それぞれ発光用電源回路９３２に接続されている。各色毎に発光用電源配線が配線されているのは、発光層９１０の駆動電位が各色毎に異なるためである。
【０００６】
以上の構成において、走査線９０１に走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ９１３がオン状態になると、そのときに信号線９０２に供給されている画像信号に応じた電荷が保持容量Ｃａｐに保持される。この保持容量Ｃａｐに保持された電荷の量に応じて、カレント薄膜トランジスタ９１４のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ９１４を介して発光用電源配線９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂから画素電極９１１に電流が流れ、更に発光層９１０を介して陰極９１２に駆動電流が流れる。このとき、発光層９１０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層９１０から得られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図１３に示した電気光学装置は、走査線９０１、信号線９０２、陰極９１２、発光用電源配線９０３（９０３Ｒ，９０３Ｇ，９０３Ｂ）、走査側駆動回路９０５、及び画素領域Ａがガラス等の透明基板（表示基板）上に形成され、陰極用電源回路９３１、発光用電源回路９３２、及びデータ側駆動回路９０４等の回路が可撓性のあるフレキシブル基板（中継基板）上に配置された構成とされることがある。
【０００８】
かかる構成の場合には、基板に対してフレキシブル基板を固着させ、走査線９０１、信号線９０２、陰極９１２、及び発光用電源配線９０３とフレキシブル基板上に形成された回路とを電気的に導通させる必要がある。基板とフレキシブル基板との固着及び電気的な接続は、基板とフレキシブル基板との間に導電粒子を含む異方性導電膜を配置し、フレキシブル基板を基板に対して圧着させることにより行われる。
【０００９】
上述した電気光学装置に設けられる発光層９１０を安定して発光させるためには、発光用電源配線９０３から画素電極９１１に印加する駆動電流の電位変動をできるだけ少なくすることが要求される。特に、図１３に示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置であり、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を防止するためには、陰極９１２及び発光用電源配線９０３の配線抵抗等による電圧降下を極力抑える必要がある。このため、陰極９１２及び発光用電源配線９０３は、走査線９０１及び信号線９０２よりも幅広に形成されている。
【００１０】
基板とフレキシブル基板と固着させる際には、主として圧着部において生ずる電気的抵抗の均一化を図るために、固着部の全面に亘って圧着条件を同一にしたいという要求がある。この要求を満たすためには、固着部に設けられ、上述した種々の配線が接続される端子の形状を同一にする必要がある。
【００１１】
しかしながら、上述したように、図１３に示した電気光学装置は電流駆動型の電気光学装置であるため、陰極９１２及び発光用電源配線９０３の配線幅を狭くすることは配線抵抗等による電圧降下を考慮すると困難である。また、走査線９０１及び信号線９０２は数が多く、これら全てを配置するためには細線化及び狭ピッチ化する必要があるため、走査線９０１及び信号線９０２の線幅を陰極９１２及び発光用電源配線９０３の線幅と同程度にすることも困難である。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、表示基板と中継基板との圧着条件を固着部全体に亘って同一にすることにより、固着部における電気的抵抗の不均一性を解消することができるとともに、コントラストの低下等の表示上の不具合を生ずることがない電気光学装置、及び当該電気光学装置を備える電子機器を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、外部接続用端子が形成された電気光学装置の製造方法であって、前記外部接続用端子を、導電材料を含有した液体材料を塗布することにより形成する工程を有することを特徴とする。
【００１４】
また、前記外部接続用端子には凸状の絶縁膜が形成されてなり、前記凸部によって形成された領域に前記液体材料を塗布することを特徴とする。
【００１５】
また、前記液体液体材料をインクジェット法により塗布することを特徴とする。
【００１６】
また、上記製造方法を用いて製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【００１７】
さらには上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による電気光学装置及び電子機器について詳細に説明する。尚、以下の説明で参照する各図は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態による電気光学装置を模式的に示す分解斜視図である。図１に示すように、本実施形態の電気光学装置１０は、大別すると表示基板２０と、表示基板２０に接続される中継基板３０とから構成される。表示基板２０は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ装置である。
【００２０】
この表示基板２０には、複数の走査線２１が形成されており、この走査線２１に交差する方向に延びる複数の信号線２２が形成されている。また、表示基板２０には、発光素子が複数形成された表示素子２０ａが設けられている。更に、図１においては図示を省略しているが、表示基板２０には電源線及び陰極が形成されている。また、表示基板２０の一端には、走査線２１、信号線２２、並びに不図示の電源線及び陰極各々に対する外部接続端子２７が形成されている。
【００２１】
尚、図１に示した電気光学装置１０は、あくまでも主要な構成を模式的に示したものであり、実際の走査線２１、信号線２２、及び外部接続端子２７は、極めて狭い間隔をもって多数が表示基板２０上にそれぞれ形成されている点に注意されたい。また、外部接続端子２７と走査線２１との接続状態との接続状態も図１においては図示を省略している。
【００２２】
中継基板３０は、可撓性を有するベース基板３１上に複数の配線３２が形成されており、更に中継基板３０の所定位置に半導体チップ３３を搭載した構成である。配線３２の一端には、表示基板２０に形成された走査線２１及び信号線２２等の配線と電気的に接続するための外部接続端子３４が形成されている。尚、図１では、中継基板３０上に半導体チップ３３のみが実装された構成であるが、半導体チップ３３が実装される部位以外の部位の所定位置に抵抗、コンデンサ、その他のチップ部品を実装しても良い。また、中継基板３０に形成される配線３２及び外部接続端子３４も、その構造の理解を容易にするために、間隔を拡大して模式的に示すとともに、構造を簡略化して図示してある。
【００２３】
図１に示すように、中継基板３０は、異方性導電膜４０を介して表示基板２０に固着される。このとき、中継基板３０の外部接続端子３４は異方性導電膜４０を介して表示基板２０の外部接続端子２７と電気的に接続される。この異方性導電膜４０は、一対の端子間を異方性を持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、例えば、図２に示すように、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂４１ａの中に多数の導電粒子４１ｂを分散させることによって形成される。
【００２４】
図２は、異方性導電膜４０により中継基板３０と表示基板２０とが固着される様子を示す断面図である。図２に示すように、表示基板２０に形成された外部接続端子２７と中継基板３０に形成された外部接続端子３４との間に導電粒子４１ｂが挟持されるため、外部接続端子２７と中継配線である外部接続端子３４との間が電気的に接続されることになる。一方、外部接続端子２７及び外部接続端子３４が形成されている部位以外の部位においては、導電粒子４１ｂが挟持されていても、接続端子が存在しないため、導通は取れていない。このようにして、外部接続端子２７及び外部接続端子３４との間のみで導通をとることができる。
【００２５】
異方性導電膜４０を用いて表示基板２０と中継基板３０とを固着させるには、表示基板２０を表面が粗面とされた案内板を有する載置台（何れも図示省略）上に配置し、表示基板２０を真空吸着する。このとき、少なくとも表示基板２０に対して中継基板３０が固着される部位が案内板の上方に位置するように表示基板２０を載置台上に載置する。ここで、表面が粗面とされた案内板を用いるのは、案内板と表示基板２０の接触面積を低減して案内板からの熱放散を抑えることで、表示基板２０に加える温度を低下させるためである。
【００２６】
表示基板２０の載置台上への載置が完了すると、中継基板３０が固着される表示基板２０の部位に異方性導電膜４０を貼付し、更に、半導体チップ３３が搭載された面を下側にして、外部接続端子３４が異方性導電膜４０の上方に位置するように中継基板３０の位置合わせを行う。以上の工程が終了すると、図示しない加熱加圧ヘッドを用いて外部接続端子３４が形成されている面の裏面を加熱・加圧して、外部接続端子３４と表示基板２０に形成されている外部接続端子２７との導通をとるとともに、中継基板３０を表示基板２０に固着させる。このとき、加熱加圧ヘッドから中継基板３０及び表示基板２０に加える温度は百数十〜数百°程度であり、加える圧力は数メガパスカルである。以上の工程を経ることにより、中継基板３０を表示基板２０に固着させることができる。
【００２７】
次に、本実施形態の電気光学装置１０の配線構造の詳細について説明する。図３は、本発明の一実施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。図３に示したように電気光学装置１０は、複数の走査線２１と、走査線２１に対して交差する方向に延びる複数の信号線２２と、信号線２２に並行して延びる複数の発光用電源配線２３とがそれぞれ配線されており、走査線２１及び信号線２２の各交点付近に、画素領域Ａが設けられている。
【００２８】
各信号線２２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３３ａが接続されている。また、各信号線２２には、薄膜トランジスタを備える検査回路２５が接続されている。更に、各走査線２１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路２４が接続されている。
【００２９】
また、画素領域Ａの各々には、スイッチング薄膜トランジスタ５２、保持容量Ｃａｐ、カレント薄膜トランジスタ５３、画素電極５１、発光層５０、及び陰極２６が設けられる。スイッチング薄膜トランジスタ５２は、そのゲート電極に走査線２１が接続されており、走査線２１から供給される走査信号に応じて駆動されてオン状態又はオフ状態となる。保持容量Ｃａｐは、スイッチング薄膜トランジスタ５２を介して信号線２２から供給される画像信号を保持する。
【００３０】
カレント薄膜トランジスタ５３は、そのゲート電極がスイッチング薄膜トランジスタ５２及び保持容量Ｃａｐに接続されており、保持容量Ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される。画素電極５１は、カレント薄膜トランジスタ５３に接続されており、カレント薄膜トランジスタ５３を介して発光用電源配線２３に電気的に接続したときに発光用電源配線２３から駆動電流が流れ込む。発光層５０は画素電極５１と陰極２６との間に挟み込まれている。
【００３１】
上記、発光層５０には、赤色に発光する発光層５０Ｒ、緑色に発光する発光層５０Ｇ、及び青色に発光する発光層５０Ｂの３種の発光素子が含まれ、各発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂがストライプ配置されている。そして、カレント薄膜トランジスタ５３を介して各発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂに接続される発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂがそれぞれ、発光用電源回路３３ｃに接続されている。各色毎に発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂが配線されているのは、発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの駆動電位が各色毎に異なるためである。
【００３２】
また、本実施形態の電気光学装置においては、陰極２６と発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂとの間に静電容量Ｃ１が形成されている。電気光学装置１０が駆動するとこの静電容量Ｃ１に電荷が蓄積される。電気光学装置１０の駆動中に各発光用電源配線２３を流れる駆動電流の電位が変動した場合には、蓄積された電荷が各発光用電源配線２３に放電されて駆動電流の電位変動を抑制する。これにより、電気光学装置１０の画像表示を正常に保つことができる。
【００３３】
尚、この電気光学装置１０においては、走査線２１から走査信号が供給されてスイッチング薄膜トランジスタ５２がオン状態になると、そのときの信号線２２の電位が保持容量Ｃａｐに保持され、保持容量Ｃａｐに保持された電位に応じてカレント薄膜トランジスタ５３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ５３のチャネルを介して、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂから画素電極５１に駆動電流が流れ、更に発光層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを介して陰極２６に電流が流れる。このとき、発光層５０を流れた電流量に応じた量の発光が発光層５０から得られる。
【００３４】
次に、本実施形態の電気光学装置１０の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、本実施形態の電気光学装置の平面模式図であり、図５は、図４のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。図４に示すように、本実施形態の電気光学装置１０は、基板６０、不図示の画素電極群領域、発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）、及び表示画素部６１（図中一点鎖線の枠内）とから概略構成される。
【００３５】
基板６０は、例えばガラス等からなる透明な基板である。画素電極群領域は、図３に示したカレント薄膜トランジスタ５３に接続された画素電極（図示省略）を基板６０上にマトリックス状に配置した領域である。発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）は、図４に示したように、画素電極群領域の周囲に配置され、各画素電極に接続されている。表示画素部６１は、少なくとも画素電極群領域上に位置し、平面視略矩形形状である。この表示画素部６１は、中央部分の実表示領域（又は、有効表示領域ともいう）６２（図中二点鎖線の枠内）と、実表示領域６２の外側に配置されたダミー領域６３（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。
【００３６】
また、実表示領域６２の図中両側には、走査線駆動回路２４が配置されている。この走査線駆動回路２４はダミー領域６３の下層側（基板６０側）に位置して設けられている。更に、ダミー領域６３の下層側には、走査線駆動回路２４に接続される走査線駆動回路用制御信号配線２４ａと走査線駆動回路用電源配線２４ｂとが設けられている。また更に、実表示領域６２の図中上側には、前述の検査回路２５が配置されている。この検査回路２５はダミー領域６３の下層側（基板側２）に位置して設けられており、この検査回路２５により、製造途中や出荷時の電気光学装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００３７】
図４に示すように、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、ダミー領域６３の周囲に配設されている。各発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂは、基板６０の図２中下側から走査線駆動回路用制御信号配線２４ａに沿って図４中上方に延在し、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａが途切れた位置から折曲してダミー領域６３の外側に沿って延在し、実表示領域６２内にある図示略の画素電極に接続されている。また、基板６０には、陰極２６に接続される陰極用配線２６ａが形成されている。この陰極用配線２６ａは、発光用電源配線２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂを囲むように平面視略コ字状に形成されている。
【００３８】
次に、図５に示すように、基板６０上には回路部１１が形成され、この回路部１１上に表示画素部６１が形成されている。また、基板６０には、表示画素部６１を環状に囲む封止材１３が形成されており、更に表示画素部６１上に封止基板１４が備えられている。封止基板１４は、封止材１３を介して基板６０に接合されており、ガラス、金属、又は樹脂等からなるものである。この封止基板１４の裏側には、吸着剤１５が貼付され、表示画素部６１と封止基板１４との間の空間に混入した水又は酸素を吸収できるようになっている。尚、吸着剤１５に代えてゲッター剤を用いても良い。また、封止材１３は、例えば熱硬化樹脂又は紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００３９】
回路部１１の中央部分には、画素電極群領域１１ａが設けられている。この画素電極群領域１１ａには、カレント薄膜トランジスタ５３と、カレント薄膜トランジスタ５３に接続された画素電極５１が備えられている。カレント薄膜トランジスタ５３は、基板６０上に積層された下地保護層２８１、第２層間絶縁層２８３、及び第１層間絶縁層２８４に埋め込まれて形成され、画素電極５１は、第１層間絶縁層２８４上に形成されている。カレント薄膜トランジスタ５３に接続され、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極の一方（ソース電極）には、発光用電源配線２３（２３Ｒ，２３Ｇ，２３Ｂ）が接続されている。尚、回路部１１には、前述した保持容量Ｃａｐ及びスイッチング薄膜トランジスタ５２も形成されているが、図５ではこれらの図示を省略している。更に、図５においては、信号線２２の図示を省略している。
【００４０】
次に、図５において、画素電極群領域１１ａの図中両側には、前述の走査線駆動回路２４が設けられている。図４に示した走査線駆動回路２４には、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型の薄膜トランジスタ２４ｃが備えられ、この薄膜トランジスタ２４ｃは、画素電極５１に接続されていない点を除いて上記のカレント薄膜トランジスタ５３と同様の構造とされている。尚、図５においては、検査回路２５の図示を省略しているが、この検査回路２５にも同様に薄膜トランジスタが備えられている。検査回路２５に備えられている薄膜トランジスタは、後述するダミー画素電極５１′に接続されていない点を除いてカレント薄膜トランジスタ５３と同様の構造とされている。
【００４１】
図５に示すように、走査線駆動回路２４の図中外側の下地保護層２８１上には、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａが形成されている。また、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの外側の第２層間絶縁層２８３上には、走査線駆動回路用電源配線２４ｂが形成されている。また、走査線駆動回路用電源配線２４ｂの外側には、発光用電源配線２３が形成されている。この発光用電源配線２３は、２つの配線からなる二重配線構造を採用しており、前述したように表示画素部６１の外側に配置されている。二重配線構造を採用することで配線抵抗を軽減できる。
【００４２】
例えば、図５中左側にある赤色用の発光用電源配線２３Ｒは、下地保護層２８１上に形成された第１配線２３Ｒ１と、第２層間絶縁層２８３を介して第１配線２３Ｒ１上に形成された第２配線２３Ｒ２とから構成されている。第１配線２３Ｒ１及び第２配線２３Ｒ２は、図２に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２３Ｒ３により接続されている。このように、第１配線２３Ｒ１は、陰極用配線２６ａと同じ階層位置に形成されており、第１配線２３Ｒ１と陰極用配線２６ａとの間は第２層間絶縁層２８３が配置されている。また、図５に示す通り、陰極用配線２６ａはコンタクトホールを介して第２層間絶縁層２８３上に形成された陰極用配線２６ｂと電気的に接続されおり、いわば陰極用配線２６ａも二重配線構造になっている。よって、第２配線２３Ｒ２は、陰極用配線２６ｂと同じ階層位置に形成されており、第１配線２３Ｒ２と陰極用配線２６ｂとの間は第１層間絶縁層２８４が配置されている。このような構造をとることで、第１配線２３Ｒ１と陰極用配線２６ａとの間、及び、第２配線２３Ｒ２と陰極用配線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ２が形成されている。
【００４３】
同様に、図５の右側にある青色及び緑色用の発光用電源配線２３Ｇ，２３Ｂも二重配線構造を採用しており、それぞれ下地保護層２８１上に形成された第１配線２３Ｇ１，２３Ｂ１と、第２層間絶縁層２８３上に形成された第２配線２３Ｇ２，２３Ｂ２とから構成され、第１配線２３Ｇ１，２３Ｂ１及び第２配線２３Ｇ２，２３Ｂ２は、図４に示すように第２層間絶縁層２８３を貫通するコンタクトホール２３Ｇ３，２３Ｂ３により接続されている。そして、青色の第１配線２３Ｂ１と陰極用配線２６ａの間、及び、青色の第２配線２３Ｂ２と陰極用配線２６ｂとの間に第２の静電容量Ｃ２が形成されている。
【００４４】
第１配線２３Ｒ１と第２配線２３Ｒ２との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６．．．ｍ未満であると、信号線２２及び走査線２１のような異なる電位を有するソースメタルとゲートメタルとの間の寄生容量が増えるため好ましくない。例えば、実表示領域６２内においては、ソースメタルとゲートメタルとが交差する箇所が多く存在し、かかる箇所の寄生容量が多いと画像信号の時間遅延を引き起こす虞がある。その結果として、定められた期間内に画像信号を画素電極５１に書き込む事ができないため、コントラストの低下を引き起こす。第１配線２３Ｒ１及び第２配線２３Ｒ２に挟まれる第２層間絶縁層２８３の材質は、例えばＳｉＯ２等が好ましいが、１．０μｍ以上形成するとＳｉＯ２の応力により基板６０が割れる恐れが生じる。
【００４５】
また、各発光用電源配線２３Ｒの上側には、表示画素部６１から延出した陰極２６が形成されている。これにより、各発光用電源配線２３Ｒの第２配線２３Ｒ２が、第１層間絶縁層２８４を挟んで陰極２６と対向配置され、これにより第２配線２３Ｒ２と陰極２６との間に前述の第１の静電容量Ｃ１が形成される。ここで、第２配線２３Ｒ２と陰極２６との間隔は、例えば、０．６〜１．０μｍの範囲が好ましい。間隔が０．６μｍ未満だと、画素電極及びソースメタルのような異なる電位を有する画素電極とソースメタルとの間の寄生容量が増える為、ソースメタルを用いている信号線の配線遅延が生じる。その結果、定められた期間内に画像信号を書き込む事ができない為、コントラストの低下を引き起こす。第２配線２３Ｒ２と陰極２６に挟まれる第１層間絶縁層２８４の材質は、例えばＳｉＯ２やアクリル樹脂等が好ましい。しかしながら、ＳｉＯ２を１．０μｍ以上形成すると応力により基板６０が割れる恐れが生じる。また、アクリル樹脂の場合は、２．０μｍ程度まで形成することができるが、水を含むと膨張する性質があるため、その上に形成する画素電極を割る恐れがある。
【００４６】
このように、表示基板２０には、発光用電源配線２３と陰極２６との間に第１の静電容量Ｃ１が設けられるので、発光用電源配線２３を流れる駆動電流の電位が変動した場合に第１の静電容量Ｃ１に蓄積された電荷が発光用電源配線２３に供給され、駆動電流の電位不足分がこの電荷により補われて電位変動を抑制することができ、発光装置１の画像表示を正常に保つことができる。特に、発光用電源配線２３と陰極２６とが表示画素部６１の外側で対向しているので、発光用電源配線２３と陰極２６との間隔を小さくして第１の静電容量Ｃ１に蓄積される電荷量を増大させることができ、駆動電流の電位変動をより小さくして画像表示を安定に行うことができる。更に、発光用電源配線２３が第１配線及び第２配線からなる二重配線構造を有し、第１配線と陰極用配線との間に第２の静電容量Ｃ２が設けられているので、第２の静電容量Ｃ２に蓄積された電荷も発光用電源配線２３に供給されるため、電位変動をより抑制することができ、発光装置１の画像表示をより正常に保つことができる。
【００４７】
次に、表示画素部６１の実画素領域６２には、発光層５０及びバンク部（絶縁部）１２２が形成されている。発光層５０は図５に示すように、画素電極５１上の各々に積層されている。また、バンク部１２２は、各画素電極５１及び各発光層５０の間に備えられており、各発光層５０を区画している。バンク部１２２は、基板６０側に位置する無機物バンク層１２２ａと基板６０から離れて位置する有機物バンク層１２２ｂとが積層されて構成されている。尚、無機物バンク層１２２ａと有機物バンク層１２２ｂとの間に遮光層を配置してもよい。
【００４８】
無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂは、画素電極５１の周縁部上に乗上げるまで延出形成されており、また無機物バンク層１２２ａは、有機物バンク層１２２ｂよりも画素電極５１の中央側に延出形成されている。また、無機物バンク層１２２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ等の無機材料からなることが好ましい。また無機物バンク層１２２ａの膜厚は、５０〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。膜厚が５０ｎｍ未満では、無機物バンク層１２２ａが後述する正孔注入／輸送層より薄くなり、正孔注入／輸送層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。また膜厚が２００ｎｍを越えると、無機物バンク層１２２ａによる段差が大きくなって、正孔注入／輸送層上に積層する後述の発光層の平坦性を確保できなくなるので好ましくない。
【００４９】
更に、有機物バンク層１２２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の通常のレジストから形成されている。この有機物バンク層１２２ｂの厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１２２ｂが薄くなり、発光層が上部開口部から溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部による段差が大きくなり、有機物バンク層１２２ｂ上に形成する陰極２６のステップカバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１２２ｂの厚さを２μｍ以上にすれば、陰極２６と画素電極５１との絶縁を高めることができる点でより好ましい。このようにして、発光層５０は、バンク部１２２より薄く形成されている。
【００５０】
また、バンク部１２２の周辺には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１２２ａ及び画素電極５１であり、これらの領域には、酸素を反応ガスとするプラズマ処理によって水酸基等の親液基が導入されている。また、撥液性を示す領域は、有機物バンク層１２２ｂであり、４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理によってフッ素等の撥液基が導入されている。
【００５１】
発光層５０は、画素電極５１上に積層された図示せぬ正孔注入／輸送層上に積層されている。尚、本明細書では、発光層５０及び正孔注入／輸送層を含む構成を機能層といい、画素電極５１、機能層、及び陰極２６含む構成を発光素子という。正孔注入／輸送層は、正孔を発光層５０に注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層内部において輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層を画素電極５１と発光層５０の間に設けることにより、発光層５０の発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層５０では、正孔注入／輸送層から注入された正孔と、陰極２６からの電子とが結合して蛍光を発生させる。発光層５０は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層の３種類を有し、図３及び図４に示すように、各発光層がストライプ配置されている。
【００５２】
次に、図５に示したように、表示画素部６１のダミー領域６３には、ダミー発光層２１０及びダミーバンク部２１２が形成されている。ダミーバンク部２１２は、基板６０側に位置するダミー無機物バンク層２１２ａと基板６０から離れて位置するダミー有機物バンク層２１２ｂとが積層されて構成されている。ダミー無機物バンク層２１２ａは、ダミー画素電極５１′の全面に形成されている。またダミー有機物バンク層２１２ｂは、有機物バンク層１２２ｂと同様に画素電極５１の間に形成されている。そして、ダミー発光層２１０は、ダミー無機物バンク２１２ａを介してダミー画素電極５１′上に形成されている。
【００５３】
ダミー無機物バンク層２１２ａ及びダミー有機物バンク層２１１ｂは、先に説明した無機物、有機物バンク層１２２ａ，１２２ｂと同様の材質、同様の膜厚を有するものである。また、ダミー発光層２１０は、図示略のダミー正孔注入／輸送層上に積層されており、ダミー正孔注入／輸送層及びダミー発光層の材質や膜厚は、前述の正孔注入／輸送層及び発光層５０と同様である。従って、上記の発光層５０と同様に、ダミー発光層２１０はダミーバンク部２１２より薄く形成されている。
【００５４】
ダミー領域６３を実表示領域６２の周囲に配置することにより、実表示領域６２の発光層５０の厚さを均一にすることができ、表示ムラを抑制することができる。即ち、ダミー領域６３を配置することで、表示素子をインクジェット法によって形成する場合における吐出した組成物インクの乾燥条件を実表示領域６２内で一定にすることができ、実表示領域６２の周縁部で発光層５０の厚さに偏りが生じる虞がない。
【００５５】
次に、陰極２６は、実表示領域６２とダミー領域６３の全面に形成されるとともにダミー領域６３の外側にある基板６０上まで延出され、ダミー領域６３の外側、即ち表示画素部６１の外側で発光用電源配線２３と対向配置されている。また陰極２６の端部が、回路部１１に形成された陰極用配線２６ａに接続されている。陰極２６は、画素電極５１の対向電極として発光層５０に電流を流す役割を果たす。この陰極２６は、例えば、フッ化リチウムとカルシウムの積層体からなる陰極層２６ｂと反射層２６ｃとが積層されて構成されている。陰極２６のうち、反射層２６ｃのみが表示画素部６１の外側まで延出されている。反射層２６ｃは、発光層５０から発した光を基板６０側に反射させるもので、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ／Ａｇ積層体等からなることが好ましい。更に、反射層２６ｃ上にＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００５６】
また、図４に示すように、基板６０の一端には前述した異方性導電膜４０を用いて中継基板３０が固着されている。尚、中継基板３０上に搭載された半導体チップ３３には、図３に示したデータ側駆動回路３３ａ、陰極用電源回路３３ｂ、及び発光用電源回路３３ｃが内蔵されている。図４中の破線で囲った部分は、表示基板２０と中継基板３０との固着部を示している。図６は、図４に示した固着部６５付近の上面図である。尚、図６においては、異方性導電膜４０及び中継基板３０の図示を省略している。
【００５７】
図６に示したように、固着部６５においては、外部接続端子が形成されている。外部接続端子には、線幅の細い配線各々に対して配線の幅と同程度の幅を有する第１外部接続端子が設けられ、幅広の配線に対しては線幅よりも幅の狭い複数の第２外部接続端子が設けられる。例えば、線幅の細い走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの各々に対しては、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａの線幅と同程度の幅を有する第１外部接続端子６７，６８，６９が設けられる。一方、幅が広い発光用電源配線２３Ｒに対しては、発光用電源配線２３Ｒの線幅よりも幅の狭い第２外部接続端子６６ａ，６６ｂ，６６ｃが設けられる。また、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａよりも幅が狭い信号線２２に対しては、信号線２２と同程度の線幅を有する第２外部接続端子７０がそれぞれ設けられる。尚、第１外部接続端子及び第２外部接続端子の数は、基板６０に形成される配線の線幅に応じて適宜設定される。
【００５８】
このように、基板６０に形成された配線の線幅に応じて第１外部接続端子及び第２外部接続端子の数を変えるのは、固着部６５の全面に亘って圧着条件を極力同一にするためである。つまり、図１及び図２を用いて説明したように、表示基板１０と中継基板２０とは異方性導電膜４０により固着されるが、固着条件（例えば、端子の幅、接着面積、圧力の掛かり具合等）が異なると固着部６５内部における電気的抵抗がその位置に応じて異なる。固着部６５における電気的抵抗が位置に応じて異なると、表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を生ずる。このために、固着部６５において、基板６０に形成された配線の線幅に応じて外部接続端子の数を変えることにより圧着条件を極力同一にしている。更に、複数の外部接続端子を設けることにより、接着面積を増大させることができる。即ち、複数の外部接続端子間に異方性導電膜を配置することができるので、強固な接着が可能となる。
【００５９】
次に、固着部６５に形成される外部接続端子の構造について詳細に説明する。図７は、図６中のＢ−Ｂ′線に沿う第２外部接続端子６６ｃ及び第２外部接続端子７０の断面図であり、図８は、図７中の外部接続端子７０の拡大図である。図７及び図８に示すように、基板６０上には下地保護層２８１が形成されており、この下地保護層２８１上にＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層７１が形成されている。このゲート絶縁層７１は、図示しない薄膜トランジスタのチャネル領域とゲート電極とを電気的に絶縁するために形成されるものである。尚、本明細書において、「主体」とする成分とは最も含有率の高い成分のことをいうものとする。
【００６０】
ゲート絶縁層７１上には信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒが形成されており、更に信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒ上に第２層間絶縁層２８３が形成されている。また、発光用電源配線２３、走査線駆動回路用制御信号配線２４ａは、図３に記載の走査線２１と同時に形成される。
【００６１】
上記第２層間絶縁層２８３には、信号線２２及び発光用電源配線２３Ｒの上部位置にコンタクトホールＨが複数形成されている。また、発光用電源配線２３Ｒの上方の第２層間絶縁層２８３上には電極７３が形成され、信号線２２の上方の第２層間絶縁層２８３上には電極７４，７５が形成されている。
【００６２】
これらの電極７３，７４，７５は、コンタクトホールＨを形成した後でスパッタリング法等により形成されるため、コンタクトホールＨの上部にはコンタクトホールＨ内に堆積した金属材料の分だけ表面に凹部Ｂが形成される。このようにして、コンタクトホールＨを介して、第２層間絶縁層２８３に覆われた発光用電源配線２３Ｒと第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７４との導通、及び、第２層間絶縁層２８３に覆われた信号線２２と第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７４，７５の導通がとられる。
【００６３】
また、第２層間絶縁層２８３上に形成された電極７３，７４，７５の端部、側部、及びこれらの電極７３，７４，７５間には、電気的な絶縁を目的としたＳｉＮ等の無機材料からなる第１層間絶縁層２８４が形成されている。電極７３，７４，７５の上部、側部、及び周辺部には、ＩＴＯ等からなる透明電極７７が形成され、更に電極７３，７４，７５の周辺部に形成された透明電極７７及び第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０間にはＳｉＯ２からなる保護層７８が形成されている。尚、電極７３，７４，７５は、図３に記載されているゲート線と同時に形成され、又、透明電極７７は、ＩＴＯにより形成され、画素電極（陽極）と同時に形成される。このとき、ＩＴＯなどの材料をスパッタ等の方法により形成している。
【００６４】
この方法とは別に、インクジェット法により導電材料を含む液体材料を塗布することにより、外部接続端子の最上面に金属層を形成することができる。なお、図９等に示されているように、外部接続端子は複数層の導電層から形成されているため、前述の例の如く最上面に限ることなく、複数層の導電層のうち少なくとも一層にこの手法を適用することができ、また全ての層をインクジェット法により形成することも可能である。
【００６５】
導電膜配線用の液体材料として、本例では導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液（液状体）が用いられ、これは水性であると油性であるとを問わない。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうち少なくとも１種類を含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
【００６６】
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。特に、５ｎｍ以上０．１μｍであることが好ましい。０．１μｍより大きいと、上記液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、５ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００６７】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高い場合には、吐出後に分散媒が急激に蒸発し、良好な膜を形成することが困難となる。また、分散媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であることがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高い場合には、インクジェット法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こりやすい。一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒の場合、乾燥が遅くて膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱・光処理後に良質の導電膜が得られにくい。
【００６８】
上記分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるものであって凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェット法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上の混合物として使用してもよい。
【００６９】
上記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度は１質量％以上８０質量％以下であり、所望の導電膜の膜厚に応じて調整するとよい。なお、８０質量％を超えると凝集をおこしやすく、均一な膜が得にくい。
【００７０】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。
【００７１】
表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００７２】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００７３】
以下に、金微粒子を用いた例を示す。
【００７４】
直径１０ｎｍの金微粒子がトルエン中に分散した金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）にキシレンを添加し、その粘度を３ｃｐとした液体を用いた。その際、凸部の間に形成された領域（端子の平坦な部分）にインクジェット法を用いて前述の液体を塗布した。その際、端子部の平坦部上、及び凸部の表面の少なくとも平坦な領域側に金からなる金属薄膜が形成される。
【００７５】
インクジェット法として用いるインクジェット装置（液体塗布装置ともいう）は、例えば図１４に示した装置を用いることができる。
【００７６】
インクジェット装置は、インクジェットヘッド群１、Ｘ軸方向駆動軸４、Ｙ方向ガイド軸５、制御装置６、載置台７、クリーニング機構部８、基台９及びヒーター１５を備えている。
【００７７】
インクジェットヘッド群は所定の導電性微粒子を含有する液体をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔で基板に付与するインクジェット塗布手段としてのヘッドを備えている。ヘッド群は、複数のノズルが形成されたヘッドが複数個配列されて形成している。この複数個配列しているヘッド群は、図１５のようなレイアウトで構成されている。すなわち、ヘッドの走査方向に対して各ヘッドを傾けて配置された構造となっている。
【００７８】
図示されているように、インクジェット装置に設けられているインクジェットヘッドは複数個配置されている。複数個のインクジェットヘッドを走査方向に対して交差する方向に傾けて配置し、インクジェットによる描画を行うことができる。例えば、走査方向に対して３０度傾けることによってインクジェット装置による描画が可能となる。インクジェットヘッドを走査方向に対して交差する方向に傾けることにより以下の効果が得られる。すなわち、形成するパターンの間隔が狭いときに、ヘッドを傾けることにより見かけ上、ノズル間隔が狭くなる。このようにすることによって、挟ピッチのパターンの描画が可能になり、しかも傾ける角度を変化させることにより、どのようなパターンでも形成することができる。なお、その場合には、インクジェットヘッドを所望の角度に変更、調整できる機能をインクジェット装置に設ける。
【００７９】
以下にインクジェットヘッド、及びユニットについて詳細に説明する。
【００８０】
〔ヘッドユニットの構成〕
次に、ヘッドユニット４２０の構成について説明する。図１５は、液滴吐出処理装置に設けられたヘッドユニットを示す平面図である。図２６は、ヘッドユニットを示す側面図である。図２７は、ヘッドユニットを示す正面図である。図２８は、ヘッドユニットを示す断面図である。
【００８１】
ヘッドユニット４２０は、図１５ないし図２８に示すように、ヘッド本体部４３０と、インク供給部４３１とを有している。また、ヘッド本体部４３０は、平板状のキャリッジ４２６と、このキャリッジ４２６に複数取り付けられた実質的に略同一形状のヘッド装置４３３とを有している。
【００８２】
（ヘッド装置の構成）
図２９はヘッドユニット４２０に配設されたヘッド装置４３３を示す分解斜視図である。
【００８３】
ヘッド装置４３３は、図２９に示すように、短冊状のプリント基板４３５を有している。このプリント基板４３５には、各種電気部品４３６が実装され図示しない電気配線が設けられている。また、プリント基板４３５には、長手方向の一端側（図６中右側）に位置して窓部４３７が貫通形成されている。さらに、プリント基板４３５には、インクであるフィルタエレメント材料１３が流通可能な流通路４３８が窓部４３７の両側に位置して設けられている。
【００８４】
そして、このプリント基板４３５の一面側（図２９中下面側）には、長手方向の略一端側（図２９中右側）に位置してインクジェットヘッド４２１が取付部材４４０により一体的に取り付けられている。このインクジェットヘッド４２１は、長手矩形状に形成され、長手方向がプリント基板４３５の長手方向に沿う状態で取り付けられる。
【００８５】
なお、各ヘッド装置４３３における各インクジェットヘッド４２１は、実質的に略同一形状、すなわち例えば所定の規格の製品であって、所定の品質に選別されたものなどであればよい。具体的には、これらインクジェットヘッド４２１が同一個数の後述するノズルを有し、ノズルの形成位置が互いに同一であることが、キャリッジ４２６に対してインクジェットヘッド４２１を組み立てる際に効率的となり、また組み立て精度も高まるので、好ましい。さらに、同一の製造・組立工程を経て作られた製品を用いれば、特別な製品を作る必要が無くなり、低コストとすることができる。
【００８６】
また、プリント基板４３５の他面側（図２９中上面側）には、長手方向の略他端側（図２９中左側）に位置してインクジェットヘッド４２１に電気配線４４２にて電気的に接続されるコネクタ４４１が一体的に取り付けられている。これらコネクタ４４１には、ヘッドユニット４２０の移動に影響しないように副走査駆動装置４２７に配線された電気配線４４２（電源配線、信号配線を含む）が接続される。この電気配線４４２は図示しない制御装置とヘッドユニット４２０を接続するものとなる。すなわち、これら電気配線４４２は、図１５および図２８に二点鎖線の矢印で模式的に示すように、副走査駆動装置４２７からヘッドユニット４２０の２列のヘッド装置４３３の配列方向の両側であるヘッドユニット４２０の外周側に配線されてコネクタ４４１に接続され、電気ノイズが生じないようになっている。
【００８７】
さらに、プリント基板４３５の他面側（図２９中上面側）には、長手方向の略一端側（図２９中右側）でインクジェットヘッド４２１に対応してインク導入部４４３が取り付けられている。このインク導入部４４３は、取付部材４４０に設けられプリント基板４３５を貫通する位置決めピン部４４４を嵌合する略円筒状の位置決め筒部４４５と、プリント基板４３５に係止する係止爪部４４６とを有している。
【００８８】
また、インク導入部４４３には、先端先細り形状の略円筒状の連結部４４８が一対突設されている。これら連結部４４８は、プリント基板４３５側となる基端部にプリント基板４３５の流通路４３８に略液密に連通する図示しない開口を有し、先端部にフィルタエレメント材料１３が流通可能な図示しない孔を有している。
【００８９】
さらに、これら連結部４４８には、図２６ないし図２９に示すように、先端側に位置してシール連結部４５０がそれぞれ取り付けられている。これらシール連結部４５０は、内周側に連結部４４８を略液密に嵌着する略円筒状に形成され、先端部にシール部材４４９が設けられている。
【００９０】
次に、本体の構造の説明をする。
【００９１】
載置台７は、この塗布装置によって液滴（液体）を付与される基板１０１を載置させるもので、この基板１０１を基準位置に固定する機構を備える。
【００９２】
Ｘ方向駆動軸４には、Ｘ方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ２は、ステッピングモータ等であり、制御装置６からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸４を回転させる。Ｘ方向駆動軸４が回転させられると、インクジェットヘッド群１がＸ軸方向に移動する。
【００９３】
Ｙ方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。載置台７は、Ｙ方向駆動モータ３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置６からＹ軸方向の駆動信号が供給されると、載置台７をＹ軸方向に移動させる。
【００９４】
制御回路６は、インクジェットヘッド群１の各ヘッドに液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ２にインクジェットヘッド群１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３に載置台７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００９５】
クリーニング機構部８は、インクジェットヘッド群１をクリーニングする機構を備えている。クリーニング機構部８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられる。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構８は、Ｙ方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も、制御装置６によって制御される。
【００９６】
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板１０１を熱処理する手段であり、基板上に塗布された液体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換させる。このヒータの電源の投入及び遮断も制御回路６によって制御される。なお、ヒーターの代わりにホットプレートを用いた熱処理、乾燥炉を用いた熱処理であってもかまわない。
【００９７】
このようなインクジェット装置において、インクジェット装置による描画には、予備吐出、フラッシングが必要となる。
【００９８】
配線パターンとしての外部接続用端子を形成する際、予め基板の外に予備吐出を行う。これは、ノズルの目詰まりを防止し、所定の量の液滴を吐出させるためのものである。予備吐出する液滴の量は約２００〜５０００発であり、インクジェットヘッドに形成されている全ノズルから吐出を行うものである。また、フラッシングも同様であり、全ノズルから液滴を吐出し、吐出安定性を確保する。吐出量は適宜設定されるが、予備吐出と同様の量が吐出される。
【００９９】
このようなインクジェットヘッドにより吐出される液滴は、例えば図１６〜２３のような順番で吐出される。以下、本発明の外部接続用端子を形成する形成方法について図面を参照しながら説明する。図１６は本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【０１００】
ここで、本実施形態では基板上に導電膜配線パターンを形成する場合を例にして説明する。
【０１０１】
図１６において、本実施形態に係るパターンの形成方法は、液体材料の液滴が配置される基板を所定の溶媒等を用いて洗浄する工程（ステップＳ１）と、基板の表面処理工程の一部を構成する撥液化処理工程（ステップＳ２）と、撥液化処理された基板表面の撥液性を調整する表面処理工程の一部を構成する撥液性低下処理工程（ステップＳ３）と、表面処理された基板上に液滴吐出法に基づいて導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を配置して膜パターンを描画（形成）する材料配置工程（ステップＳ４）と、基板上に配置された液体材料の溶媒成分の少なくとも一部を除去する熱・光処理を含む中間乾燥処理工程（ステップＳ５）と、所定の膜パターンが描画された基板を焼成する焼成工程（ステップＳ７）とを有している。なお、中間乾燥処理工程の後、所定のパターン描画が終了したかどうかが判断され（ステップＳ６）、パターン描画が終了したら焼成工程が行われ、一方、パターン描画が終了していなかったら材料配置工程が行われる。
【０１０２】
次に、図１７〜図２３を参照しながら本発明の特徴部分である液滴吐出法に基づく材料配置工程（ステップＳ４）について説明する。
【０１０３】
本実施形態の材料配置工程は、導電膜配線形成用材料を含む液体材料の液滴を液滴吐出装置の液滴吐出ヘッドより基板上に吐出することにより基板上に線状の膜パターン（配線パターン）Ｗである外部接続用端子を形成する工程である。液体材料は導電膜配線形成用材料である金属等の導電性微粒子を分散媒に分散した液状体である。
【０１０４】
図１６において、材料配置工程（ステップＳ４）は、液滴吐出装置の液滴吐出ヘッド１０（前述のヘッド群）の吐出ノズル１０Ａより液体材料の液滴を吐出して基板１１に配置することで、この基板１１上に膜パターンＷの線幅方向中央部（中央パターン）Ｗ１を形成する第１工程（図１６（ａ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して一方の側部（第１側部パターン）Ｗ２を形成する第２工程（図１７（ｂ）参照）と、基板１１に形成された中央パターンＷ１に対して他方の側部（第２側部パターン）Ｗ３を形成する第３工程（図１７（ｃ）参照）とを有している。これら第１、第２、及び第３工程により、図１７（ｃ）に示すような線状の膜パターンＷが形成される。
【０１０５】
第１工程では、図１７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、基板１１上に一定の距離間隔（ピッチ）で配置される。そして、この液滴の配置動作を繰り返すことにより基板１１上における膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の中央部に、この膜パターンＷの一部を構成する線状の中央パターンＷ１が形成される。なお、基板１１の表面はステップＳ２及びＳ３により所望の撥液性に予め加工されているので、基板１１上に配置した液滴の拡がりが抑制される。そのためパターン形状を良好な状態に確実に制御できるとともに厚膜化も容易である。
【０１０６】
ここで、基板１１上に中央パターンＷ１を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。中間乾燥処理は、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他にランプアニールを用いた光処理であってもよい。
【０１０７】
次に、第２工程では、図１７（ｂ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の一方の側に隣接する線状の第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、液滴吐出ヘッド１０は第１側部パターンＷ２を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。
【０１０８】
そして、第２工程においても液滴は基板１１上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の一方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第１側部パターンＷ２が形成され、中央パターンＷ１と第１側部パターンＷ２とが一体化される。
【０１０９】
ここでも、基板１１上に第１側部パターンＷ２を形成するための液滴を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）が行われる。
【０１１０】
次に、第３工程では、図１７（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から液体材料の液滴が吐出され、これにより中央パターンＷ１の他方の側に隣接する線状の第２側部パターンＷ３が形成される。ここでも、液滴吐出ヘッド１０は第２側部パターンＷ３を形成するに際し、吐出した液滴と基板１１上に形成された中央パターンＷ１との少なくとも一部が重なるように、液滴を吐出する。これにより中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３を形成する液滴とは確実に接続され、形成された膜パターンＷに導電膜配線形成用材料の不連続部が生じることがない。こうして、中央パターンＷ１と第２側部パターンＷ３とが一体化され、３つの線状のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３が一体化されて幅広の膜パターンＷが形成される。そして、第３工程においても液滴は基板上に一定のピッチで配置され、この配置動作を繰り返すことにより、膜パターンＷの形成予定領域Ｗ４の他方の側部にこの膜パターンＷの一部を構成する第２側部パターンＷ３が形成される。
【０１１１】
このとき、第２、第３工程で吐出する液滴の吐出位置（中央パターンＷとの距離）を調整することで最終的な線状の膜パターンＷの線幅を制御することができる。また、第１、第２、及び第３の各工程で形成する複数のパターンＷ１、Ｗ２、及びＷ３の基板１１の表面からの高さ（厚み）を変化させることにより、一体化後の膜パターンＷの膜厚を制御できる。
【０１１２】
なお、パターンの輪郭において凹凸形状が形成された場合には、必要に応じて凹凸部を埋めるように微小液滴を塗布することが好ましい。この微小液滴は、通常塗布する液滴（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３で塗布する液滴を指す）よりも小さい液滴であり、吐出量も通常の液滴よりも少なく設定されている。このように微小液滴を塗布することにより、パターンの輪郭に凹凸がなく、直線的なパターンを形成することができる。
【０１１３】
次に、図１８（ａ）〜（ｃ）を参照しながら、線状の中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する手順について説明する。
【０１１４】
まず、図１８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１０から吐出した液滴Ｌ１が所定の間隔をあけて基板１１上に順次配置される。すなわち、液滴吐出ヘッド１０は基板１１上で液滴Ｌ１どうしが重ならないように配置する（第１配置工程）。本例では、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きくなるように設定されている。これにより基板１１上に配置された直後の液滴Ｌ１どうしは重ならずに（接触せずに）、液滴Ｌ１どうしが合体して基板１１上で濡れ拡がることが防止される。また、液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径の２倍以下となるように設定されている。
【０１１５】
ここで、基板１１上に液滴Ｌ１を配置した後、分散媒の除去を行うために必要に応じて中間乾燥処理（ステップＳ５）を行うことができる。中間乾燥処理は、上述したように、例えばホットプレート、電気炉、及び熱風発生機等の加熱装置を用いた一般的な熱処理の他に、ランプアニールを用いた光処理であってもよい。この場合、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えないが、分散媒をある程度除去できれば十分である。
【０１１６】
次に、図１８（ｂ）に示すように、上述した液滴の配置動作が繰り返される。すなわち図１８（ａ）に示した前回と同様に、液滴吐出ヘッド１０から液体材料が液滴Ｌ２として吐出され、その液滴Ｌ２が一定距離ごとに基板１１に配置される。
【０１１７】
このとき、液滴Ｌ２の体積（１つの液滴あたりの液体材料の量）、及びその配置ピッチＰ２は前回の液滴Ｌ１と同じである。そして、液滴Ｌ２の配置位置は前回の液滴Ｌ１から１／２ピッチだけシフトされ、基板１１上に配置されている前回の液滴Ｌ１どうしの中間位置に今回の液滴Ｌ２が配置される（第２配置工程）。図示されているように、最初に塗布された第１の液滴Ｌ１の間を補完するように第２の液滴Ｌ２を塗布することにより、平坦性に優れた配線パターン（ここでは外部接続用端子）が形成できる。
【０１１８】
前述したように、基板１１上の液滴Ｌ１の配置ピッチＰ１は、基板１１上に配置した直後の液滴Ｌ１の直径よりも大きく且つ、その直径の２倍以下である。そのため、液滴Ｌ１の中間位置に液滴Ｌ２が配置されることにより、液滴Ｌ１に液滴Ｌ２が一部重なり、液滴Ｌ１どうしの間の隙間が埋まる。このとき、今回の液滴Ｌ２と前回の液滴Ｌ１とが接するが、前回の液滴Ｌ１はすでに分散媒が完全に又はある程度除去されているので、両者が合体して基板１１上で拡がることは少ない。
【０１１９】
なお、図１８（ｂ）では、液滴Ｌ２の配置を開始する位置を前回と同じ側（図１８（ａ）に示す左側）としているが逆側（右側）としてもよい。往復動作の各方向への移動時に液滴の吐出を行うことにより、液滴吐出ヘッド１０と基板１１との相対移動の距離を少なくできる。
【０１２０】
液滴Ｌ２を基板１１上に配置した後、分散媒の除去を行うために前回と同様に必要に応じて中間乾燥処理を行うことが可能である。
【０１２１】
こうした一連の液滴の配置動作を複数回繰り返すことにより、基板１１上に配置される液滴どうしの隙間が埋まり、図１８（ｃ）に示すように、線状の連続したパターンである中央パターンＷ１、及び側部パターンＷ２、Ｗ３が基板１１上に形成される。この場合、液滴の配置動作の繰り返し回数を増やすことにより基板１１上に液滴が順次重なり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の膜厚、すなわち基板１１の表面からの高さ（厚み）が増す。線状パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３の高さ（厚み）は最終的な膜パターンに必要とされる所望の膜厚に応じて設定され、この設定した膜厚に応じて上記液滴の配置動作の繰り返し回数が設定される。
【０１２２】
なお、線状パターンの形成方法は図１８（ａ）〜（ｃ）に示したものに限定されない。例えば、液滴の配置ピッチや繰り返しの際のシフト量等を任意に設定可能であり、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の基板Ｐ上での配置ピッチをそれぞれ異なる値に設定してもよい。例えば、中央パターンＷ１を形成する際の液滴ピッチがＰ１である場合、側部パターンＷ２、Ｗ３を形成する際の液滴ピッチをＰ１より広いピッチ（例えばＰ１×２）としてもよい。もちろん、Ｐ１より狭いピッチ（例えばＰ１×０．５）としてもよい。また、パターンＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成する際の液滴の体積をそれぞれ異なる値に設定してもよい。あるいは、第１、第２、及び第３の各工程において基板１１や液滴吐出ヘッド１０が配置される雰囲気である液滴配置雰囲気（温度や湿度等）、すなわち材料配置環境条件を互いに異なる条件に設定してもよい。
【０１２３】
なお、本実施形態では複数の側部パターンＷ２、Ｗ３は１本ずつ形成されるが２本同時に形成されてもよい。ここで、１本ずつ複数のパターンＷ２、Ｗ３を形成する場合と２本同時に形成する場合とでは、乾燥処理の回数の合計が異なる可能性があるため、基板１１の撥液性が損なわれないように乾燥条件を定めるとよい。
【０１２４】
なお、本実施形態では、第１工程で１本の中央パターンＷ１を形成したが、中央パターンＷ１を２本以上の複数形成してもよい。そして、この複数本の中央パターンＷ１の両側部に対して液滴を吐出し、これらを連続させることにより、より広い線幅の膜パターンを容易に形成できる。
【０１２５】
更に、ある１つのノズルから液滴を塗布することも可能であるが、ノズル間における液滴の吐出量のばらつきをできるだけ抑えるために、異なるノズルによって液滴を塗布することも可能である。例えば、液滴Ｌ１の塗布には第１のノズルにより塗布を行い、液滴Ｌ１の間を保管する液滴Ｌ２は第１のノズルとは異なる第２のノズルにより塗布することが好ましい。更に、第１のノズルと第２のノズルは同じヘッドに形成されていても良いが、前述のとおり複数個のヘッドが形成されているので、別のヘッドに形成されていても良い。すなわち、第１のノズルは第１のヘッドに形成され、第２のノズルは第２のヘッドに形成され、所望のパターンを形成する際は、第１のノズル、第２のノズルにより塗布を行う、ことも可能である。
【０１２６】
次に、図１９〜図２２を参照しながら基板上に液滴を吐出する順序の一例について説明する。これらの図に示すように、基板１１上には液体材料の液滴が吐出される格子状の複数の単位領域であるピクセルを有するビットマップが設定されている。液滴吐出ヘッド１０は液滴をビットマップで設定されたピクセル位置に対して吐出する。ここで、１つのピクセルは正方形に設定されている。また、液滴吐出ヘッド１０は基板１１に対してＹ軸方向に走査しながら吐出ノズル１０Ａより液滴を吐出するものとする。そして、図１９〜図２２を用いた説明において、１回目の走査時に吐出された液滴には「１」を付し、２回目、３回目、…、ｎ回目の走査時に吐出された液滴には「２」、「３」…、「ｎ」を付す。また、以下の説明では、図１９のグレーで示す領域（パターン形成予定領域）のそれぞれに液滴を吐出して膜パターンＷを形成するものとする。
【０１２７】
図１９（ａ）に示すように、１回目の走査時において、中央パターンＷ１を形成するために中央パターン形成予定領域に１つ分のピクセルをあけつつ液滴が吐出される。ここで、基板１１に対して吐出された液滴は基板１１に着弾することにより基板１１上で濡れ拡がる。つまり、図１９（ａ）に円で示すように、基板１１に着弾した液滴は１つのピクセルの大きさより大きい直径ｃを有するように濡れ拡がる。ここで、液滴はＹ軸方向において所定間隔（１つ分のピクセル）をあけて吐出されているので、基板１１上に配置された液滴どうしは重ならないように設定されている。こうすることによりＹ軸方向において基板１１上に液体材料が過剰に設けられることを防ぎ、バルジの発生を防止することができる。
【０１２８】
なお、図１９（ａ）では基板１１に配置された際の液滴どうしは重ならないように配置されているが、僅かに重なるように液滴が配置されてもよい。また、ここでは１つ分のピクセルをあけて液滴が吐出されているが、２つ以上の任意の数のピクセル分だけ間隔をあけて液滴を吐出してもよい。この場合、基板１１に対する液滴吐出ヘッド１０の走査動作及び吐出動作を増やして基板上の液滴どうしの間を補間すればよい。
【０１２９】
図１９（ｂ）は２回目の走査により液滴吐出ヘッド１０の吐出ノズル１０Ａから基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図１９（ｂ）において、２回目の走査時で吐出された液滴には「２」を付している。２回目の走査時では、１回目の走査時で吐出された液滴「１」の間を補間するように液滴が吐出される。
【０１３０】
そして、１回目及び２回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、中央パターンＷ１が形成される。
【０１３１】
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが１つのピクセルの大きさ分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板１１に対して−Ｘ方向に１つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は３回目の走査を行う。これにより、図２０（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の−Ｘ側に隣接するように、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」が基板１１上に配置される。ここでも、液滴「３」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後における１回目の走査時（すなわち全体における３回目の走査時）における液滴「３」は、ステップ移動前の１回目の走査時における液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１３２】
図２０（ｂ）は４回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図２０（ｂ）において、４回目の走査時で吐出された液滴には「４」を付している。４回目の走査時では、３回目の走査時で吐出された液滴「３」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、３回目及び４回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第１側部パターンＷ２が形成される。ここで、ステップ移動後の２回目の走査時（すなわち全体における４回目の走査時）における液滴「４」は、ステップ移動前の２回目の走査時における液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１３３】
次に、液滴吐出ヘッド１０と基板１１とが２つのピクセル分だけＸ軸方向に相対移動する。ここでは液滴吐出ヘッド１０が基板に対して＋Ｘ方向に２つのピクセル分だけステップ移動する。そして、液滴吐出ヘッド１０は５回目の走査を行う。これにより、図２１（ａ）に示すように、中央パターンＷ１の＋Ｘ側に隣接するように、第２側部パターンＷ３を形成するための液滴「５」が基板上に配置される。ここでも、液滴「５」はＹ軸方向に１つ分のピクセルをあけて配置される。ここで、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後である５回目の走査時における液滴「５」は、液滴「１」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１３４】
図２１（ｂ）は６回目の走査により液滴吐出ヘッド１０から基板１１に液滴を吐出した際の模式図である。なお、図２１（ｂ）において、６回目の走査時で吐出された液滴には「６」を付している。６回目の走査時では、５回目の走査時で吐出された液滴「５」の間を補間するように液滴が吐出される。そして、５回目及び６回目の走査及び吐出動作で液滴どうしが連続し、第２側部パターンＷ３が形成される。ここで、６回目の走査時における液滴「６」は、液滴「２」に対してＸ軸について隣接する位置に配置される。
【０１３５】
このように、１つのパターンに対し、同じノズルにより液滴を吐出することが可能であるが、前述の通り異なるノズルにより液滴を吐出することも可能である。異なるノズルで液滴を吐出する場合の吐出方法は前述の通りである。また、ノズルの活用に関しては、以下に記載の例においても、同様に実施可能である。
【０１３６】
図２２は液滴の吐出位置の配置順序を変えた例を示す図である。図２２において、中央パターンＷ１を形成する液滴「１」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において２回目の走査時（全体で４回目の走査時）で吐出された液滴「４」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」のＸ軸について−Ｘ側に隣接する位置には、液滴吐出ヘッド１０のＸ軸方向へのステップ移動後において１回目の走査時（全体で３回目の走査時）で吐出された液滴「３」が配置されている。同様に、液滴「１」のＸ軸について＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で６回目の走査時において吐出された液滴「６」が配置され、一方、中央パターンＷ１を形成する液滴「２」の＋Ｘ側に隣接する位置には、全体で５回目の走査時において吐出された液滴「５」が配置されている。このように、各ラインＷ１、Ｗ２、Ｗ３を形成するに際し、液滴の吐出位置の順序のそれぞれを各ライン毎に異なるように設定してもよい。
【０１３７】
更に、図２３に示す例のように、中央パターンＷ１を形成するための液滴「１」を配置した後、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動し、第１側部パターンＷ２を形成するための液滴「２」を配置し、次いで、液滴吐出ヘッド１０をステップ移動して第２側部パターンＷ２を形成するための液滴「３」を配置するといった順序も可能である。そして、これらを補間するように液滴「４」、「５」、「６」が順次吐出される。このように、中央パターンＷ１を形成した後に側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するに際し、例えば中央パターンＷ１を完全に形成してから側部パターンＷ２、Ｗ３を形成せずに、中央パターンＷ１が未完成の状態で側部パターンＷ２、Ｗ３の形成動作を開始してもよい。
【０１３８】
図２４（ａ）、（ｂ）は、上記第２、第３工程において、中央パターンＷ１の両側部に第１、第２側部パターンＷ２、Ｗ３を形成するための液滴の配置例を示す図である。図２４（ａ）の例では、図１８を参照して説明した吐出条件（配置条件）と同じ条件で中央パターンＷ１が形成される。一方、第２、第３工程の吐出条件（配置条件）は中央パターンＷ１を形成するための吐出条件と異なっている。具体的には、第１工程に比べて液滴Ｌｎの体積が大きく設定されている。すなわち、一度に吐出される液体材料の量が増加されている。なお、本例では、液滴Ｌｎの配置ピッチは第１工程と同じである。液滴Ｌｎの体積を大きくすることにより膜パターンＷ全体の形成時間を短縮でき、スループット向上を図ることができる。なお、液滴の体積が大きくなるとバルジが発生しやすくなるため、液体材料の材料特性に応じてバルジが生じない液滴体積条件を予め求めておき、この求めた条件に基づいて吐出液滴の最大可能体積を設定すればよい。
【０１３９】
図２４（ｂ）の例では、第２、第３工程の吐出条件は第１工程に比べて液滴Ｌｎの配置ピッチを狭くしている。なお、液滴Ｌｎの体積は第１工程と同じでもよく、図２４（ａ）に示したように第１工程に比べて大きくしてもよい。液滴の配置ピッチを狭くすることにより単位面積あたりの液滴の配置量が増え、短時間でパターン形成が可能となる。
【０１４０】
以上のように、各種吐出方法を説明したが、異なるノズルにより液滴を吐出する方法について以下に補足する。
【０１４１】
１つのパターン（ここでは１ライン）を形成する際、複数のノズルを用いて形成することが可能である。例えば、１番目の液滴を第１のノズルにより塗布し、２番目の液滴を第１のノズルとは異なる第２のノズルにより塗布することが可能である。さらには、３番目の液滴を第３のノズルから塗布し、４番目の液滴を第４のノズルから塗布することができる。このような塗布方法とすることにより、ノズルによって吐出量のばらつきがある場合、その差を最小限に抑えることができる。すなわち、同じノズルによって塗布した場合、吐出された液滴の総量に差が生じる。その結果、膜厚の差、更には電極としての抵抗値の差にも影響が出る。そこで、このような問題を改善するために、１つの電極（または１つのパターン）に対し異なるノズルにより液滴を塗布することにより、膜厚の差を最小限に抑えることができ、電極の抵抗もほぼ均一にすることが可能となる。
【０１４２】
＜表面処理工程＞
次に、図１６で示した表面処理工程Ｓ２、Ｓ３について説明する。表面処理工程では、導電膜配線（外部接続用端子）を形成する基板の表面を液体材料に対して撥液性に加工する（ステップＳ２）。
【０１４３】
具体的には、導電性微粒子を含有した液体材料に対する所定の接触角が、６０［ｄｅｇ］以上、好ましくは９０［ｄｅｇ］以上１１０［ｄｅｇ］以下となるように基板に対して表面処理を施す。表面の撥液性（濡れ性）を制御する方法としては、例えば、基板の表面に自己組織化膜を形成する方法、プラズマ処理法、ＵＶ照射をする方法等を採用できる。
【０１４４】
自己組織膜形成法では、導電膜配線を形成すべき基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する。基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖とを備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成する。
【０１４５】
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【０１４６】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【０１４７】
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１４８】
なお、ＦＡＳを用いることにより、基板との密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【０１４９】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【０１５０】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が形成される。なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、基板表面の前処理を施すことが望ましい。
【０１５１】
ＦＡＳ処理を施した後、所望の撥液性に処理する撥液性低下処理が必要に応じて行われる（ステップＳ３）。すなわち、撥液化処理としてＦＡＳ処理を施した際に、撥液性の作用が強すぎて基板とこの基板上に形成した膜パターンＷとが剥離しやすくなる場合がある。そこで、撥液性を低下（調整）する処理が行われる。撥液性を低下する処理としては波長１７０〜４００ｎｍ程度の紫外線（ＵＶ）照射処理が挙げられる。所定のパワーの紫外線を所定時間だけ基板に照射することで、ＦＡＳ処理された基板の撥液性が低下され、基板は所望の撥液性を有するようになる。あるいは、基板をオゾン雰囲気に曝すことにより基板の撥液性を制御することもできる。
【０１５２】
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板に対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、導電膜配線を形成すべき基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等が例示できる。
【０１５３】
なお、基板表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板として用いてもよい。
【０１５４】
このような表面処理を、外部接続用端子を形成する表面に行うことにより、液滴を吐布した際、平坦性に優れ、輪郭に凹凸が少ない配線パターンを形成することができる。なお、電極７３，７４，７５を形成する場合であれば、第２層間絶縁層２８３に上記のような表面処理を施す。また、透明電極７７に相当する位置にインクジェットにより電極を形成する場合には、この下層にあたる電極７３、７４、７５に表面処理を行うことにより最上層にインクジェット方による電極（外部接続用端子）を形成することができる。
【０１５５】
＜中間乾燥工程＞
次に、図１６で示した中間乾燥工程Ｓ５について説明する。中間乾燥工程（熱・光処理工程）では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング材を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する必要がある。
【０１５６】
熱・光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱／光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。
【０１５７】
熱処理には、例えばホットプレート、電気炉等の加熱装置を用いることができる。光処理にはランプアニールを用いることができる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。上記熱・光処理により微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【０１５８】
なお、この際、分散媒の除去だけでなく、分散液を導電膜に変換するまで、加熱や光照射の度合いを高めても差し支えない。ただし、導電膜の変換は、すべての液体材料の配置が終了してから、熱処理・光処理工程においてまとめて行えばよいので、ここでは、分散媒をある程度除去できれば十分である。例えば、熱処理の場合は、通常１００℃程度の加熱を数分行えばよい。また、乾燥処理は液体材料の吐出と並行して同時に進行させることも可能である。例えば、基板を予め加熱しておいたり、液滴吐出ヘッドの冷却とともに沸点の低い分散媒を使用したりすることにより、基板に液滴を配置した直後から、その液滴の乾燥を進行させることができる。
【０１５９】
前述の通り、塗布後、過熱処理を加えることもある。すなわち、微粒子分散液２１が所定パターンに塗布された基板１０１は、溶媒を除去し、微粒子間の電気的接触をよくするために、熱処理に供される。熱処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。上記の熱処理の処理温度は溶媒の沸点（蒸気圧）、圧力および微粒子の熱的挙動により適宜定めればよく、特に限定されるものではないが室温以上３００°Ｃ以下で行なうことが望ましい。プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００°Ｃ以下で行なうことが好ましい。
【０１６０】
熱処理は通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
【０１６１】
図７及び図８に示すように、本実施形態の電気光学装置に設けられる第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の表面には複数の凹部Ｂが形成されされており、この凹部Ｂにより、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０を複数の電極として分割した構成となっている。図６に示したように、発光用電源配線２３Ｒ及び信号線２２の線幅に応じて外部接続端子の数を変えることにより、固着部６５における固着条件の均一化を図っているが、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の表面に複数の凹部Ｂが形成されているため、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０は更に複数の電極に分割されたものとなり、固着条件の均一化を図る上で極めて好適である。
【０１６２】
また、電極７３，７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４を形成することにより、第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の端部に凸部７９が形成される。この凸部７９は、異方性導電膜４０を用いて表示基板１０と中継基板２０とを固着する際に、異方性導電膜４０に含まれる導電粒子４１ｂが第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０の側部にはみ出るのを防止するように作用する。その結果、より多くの導電粒子４１ｂが第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０上に配置されることになるため、固着部６５における電気的抵抗を低減する極めて優れた構造である。
【０１６３】
以上説明した本実施形態の表示基板２０は、固着部６５において圧着条件を均一化するための構成が設けられているため、固着部６５に固着される中継基板３０に形成される外部接続端子３４は、図６に示す発光用電源配線２３Ｒ及び走査線駆動回路用制御信号配線２４ａ等と同様の線幅で形成されていても良い。しかしながら、より均一な圧着条件下で中継基板３０と表示基板２０とを固着するには、固着部６５に形成された第２外部接続端子６６ｃ，７０，７０等と同様のパターンであることが好適である。
【０１６４】
ところで、図５に示した第２層間絶縁層２８３上に形成された各種配線と、実表示領域６２及びダミー領域６３の上部（基板６０側に対する反対側）を覆うように形成されている陰極２６との間の寄生容量を低減して表示ムラ及びコントラスト低下等の表示上の不具合を極力低減するために、第１層間絶縁層２８４の厚みを厚くする傾向がある。
【０１６５】
図９は、第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成された第２外部接続端子７０，７０の拡大図である。図９に示すように、電極７４，７５間の第１層間絶縁層２８４の厚みが厚くなると、第１外部接続端子７０，７０の端部に形成されている凸部７９の高さが、図８に示した凸部７９の高さよりも高く形成される。尚、図７及び図８においては、第１層間絶縁層２８４がＳｉＮから形成されていたが、図９では、第１層間絶縁層２８４をＳｉＯ２を用いて形成している。
【０１６６】
図９に示すように、第１層間絶縁層２８４の厚みを増すことにより、電極７４，７５の端部に形成される凸部７９の高さが高くなって、電極７４，７５と透明電極７７との間の厚みが共に薄くなる。また、第２層間絶縁層２８３及び電極７４，７５上に直接第１層間絶縁層２８４を形成すると、電極７４，７５の端部に形成された凸部７９は、電極７４，７５に対してのみならず第１外部接続端子７０，７０間における第１層間絶縁層２８４の表面に対しても突出した形状になって平坦性が損なわれ、異方性導電膜４０を用いて中継基板３０を固着するときに不具合が生ずる虞がある。
【０１６７】
かかる不具合を防止すべく、本実施形態では電極７４，７５により形成される凹凸を平坦化するための平坦化膜を設けている。図１０は、第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成され、且つ電極７４，７５間に平坦化膜が設けられた第１外部接続端子７０，７０の拡大図である。この平坦化膜８０は第１層間絶縁層２８４を形成する前に、電極７４及び電極７５等の電極が形成された部位以外の部位に形成される。
【０１６８】
図１０を参照すると、平坦化膜８０を形成した後で第１層間絶縁層２８４を形成することにより、第１外部接続端子７０，７０間における第１層間絶縁層２８４の表面と凸部７９との高低差（段差）が小さくなることが分かる。よって、異方性導電膜４０を用いて中継基板３０を固着する際も不具合が生じない。
【０１６９】
以上、本発明の一実施形態による電気光学装置について説明したが、前述に示した有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置以外にも、この端子構造は液晶表示装置、図２５に示すようなプラズマディスプレイ装置、無機ＥＬ装置、電気泳動装置、等のディスプレイに適用できる。
【０１７０】
更に、ディスプレイに形成される実装端子を例にとって示したが、実装端子に実装されるテープ側を本発明のようなプロセスにすることも可能である。すなわち、ディスプレイの外部接続端子は従来通りの構造とし、テープ（明細書では中継基板）を前述のようなプロセスとすることも可能である。
【０１７１】
また、以上に説明した電気光学装置、ＣＰＵ（中央処理装置）等を備えたマザーボード、キーボード、ハードディスク等の電子部品を筐体内に組み込むことで、例えば図１１に示すノート型のパーソナルコンピュータ６００（電子機器）が製造される。図１１は、本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。尚、図９において６０１は筐体であり、６０２は液晶表示装置であり、６０３はキーボードである。図１２は、他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。図１２に示した携帯電話機７００は、アンテナ７０１、受話器７０２、送話器７０３、液晶表示装置７０４、及び操作釦部７０５等を備えて構成されている。
【０１７２】
また、上記実施形態では、電子機器としてノート型コンピュータ及び携帯電話機を例に挙げて説明したが、これらに限らず、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することが可能である。
【０１７３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、第１端子間、第２端子間、及び第１端子と第２端子との間に平坦化膜が設けられ、この平坦化膜上、第１端子の端部、及び第２端子の端部に絶縁膜を形成した構成であるため、絶縁層の厚みを厚くしたとしても第１端子の端部及び第２端子の端部に形成される絶縁層の高さが、平坦化膜上に形成される絶縁層の表面に対してさほど高くならずに平坦性を確保することができるという効果がある。その結果として、第１端子及び第２端子と接続される配線の接続不良を生ずることがないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による電気光学装置を模式的に示す分解斜視図である。
【図２】異方性導電膜４０により中継基板３０と表示基板２０とが固着される様子を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による電気光学装置の配線構造を模式的に示す図である。
【図４】本実施形態の電気光学装置の平面模式図である。
【図５】図４のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
【図６】図４に示した固着部６５付近の上面図である。
【図７】図６中のＢ−Ｂ′線に沿う第２外部接続端子６６ｃ及び第２外部接続端子７０の断面図である。
【図８】図７中の外部接続端子７０の拡大図である。
【図９】第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成された第２外部接続端子７０，７０の拡大図である。
【図１０】第１層間絶縁層２８４の厚みが厚く形成され、且つ電極７４，７５間に平坦化膜が設けられた第１外部接続端子７０，７０の拡大図である。
【図１１】本発明の一実施形態による電気光学装置を備える電子機器の一例を示す図である。
【図１２】他の電子機器としての携帯電話機を示す斜視図である。
【図１３】従来の電気光学装置の配線構造を示す図である。
【図１４】塗布装置の構造を示す図である。
【図１５】ヘッドユニットを示す平面図を示す図である。
【図１６】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示すフローチャート図である。
【図１７】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図１８】本発明のパターンの形成方法の一実施形態を示す模式図である。
【図１９】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図２０】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図２１】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子を示す模式図である。
【図２２】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子の他の実施例を示す模式図である。
【図２３】基板上に設定されたビットマップデータに基づいて液滴が配置される様子の他の実施例を示す模式図である。
【図２４】本発明のパターンの形成方法の他の実施形態を示す模式図である。
【図２５】本発明の電気光学装置の一実施形態を示す図であってプラズマ型表示装置に適用した例を示す分解斜視図である。
【図２６】ヘッドユニットを示す側面図である。
【図２７】ヘッドユニットを示す正面図である
【図２８】ヘッドユニットを示す断面図である。
【図２９】ヘッドユニットを示す射視図である。
【符号の説明】
１０．．．電気光学装置
２２．．．信号線（第１配線）
２３，２３Ｒ．．．発光用電源配線（第２配線、電源線）
２４ａ．．．走査線駆動回路用制御信号配線（第１配線）
３０．．．中継基板
４０．．．異方性導電膜
５０．．．発光素子
５３．．．スイッチング素子
６６ａ，６６ｂ，６６ｃ．．．電極（第２端子）
６７，６８，６９，７０．．．電極（第１端子）
２８４．．．第１層間絶縁層（絶縁層）
７９．．．凸部
８０．．．平坦化膜
Ｂ．．．凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2004006314.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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