(57)【要約】【目的】ＴＦＴの劣化を進めることなく、且つ、発光時間を半分にすることなく露光時全てに発光素子を点灯しつ続けることをができる露光装置を提供すること。【構成】感光体の移動方向に対する主走査方向に複数配置したＯＬＥＤを発光素子とする発光素子アレイを用いこの発光素子アレイの駆動回路にＴＦＴを用いた露光装置において、所定の発光期間中の各発光素子の発光回数を計測する。ここで、各発光素子駆動用ＴＦＴに露光時に加えたバイアスと同数の逆バイアスを非露光時に加える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体の移動方向に対する主走査方向に複数配置したＯＬＥＤを発光素子とする発光素子アレイを用いこの発光素子アレイの駆動回路にＴＦＴを用いた露光装置において、
所定の発光期間中の各発光素子の発光回数を計測することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
各発光素子駆動用ＴＦＴに露光時に加えたバイアスと同数の逆バイアスを非露光時に加えることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
請求項２記載の動作をスタンバイ時に行うことを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
請求項２記載の動作を紙間時に行うことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項１記載の発光回数をエネルギー量に換算し、加えたバイアスと同一エネルギー量分の逆バイスを非露光時に加えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真複写機等の画像形成装置及びこれに用いる露光装置に関し、特に、複数の感光体を一列に配列し、各々の感光体を独立に用いることによって各感光体毎に対応させて、シアン、マゼンタ、イエロー及び黒色画像を形成し、これらの画像を合成することによってカラー画像を形成する露光装置及び画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図８に示すようなＴＦＴを用いた駆動回路においては、バイアス（＋Ｖ）を加える度に逆バイアス（Ｖ）を加えなければ、ＴＦＴの劣化を防止することができなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の動作をさせていたのでは、発光時間が半分となってしまい、結果として感光体に露光する光量が半分となり、高速印字には適さない問題があった。
【０００４】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、ＴＦＴの劣化を進めることなく、且つ、発光時間を半分にすることなく露光時全てに発光素子を点灯しつ続けることをができる露光装置及び画像形成装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載発明は、感光体の移動方向に対する主走査方向に複数配置したＯＬＥＤを発光素子とする発光素子アレイを用いこの発光素子アレイの駆動回路にＴＦＴを用いた露光装置において、所定の発光期間中の各発光素子の発光回数を計測することを特徴とする。
【０００６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、各発光素子駆動用ＴＦＴに露光時に加えたバイアスと同数の逆バイアスを非露光時に加えることを特徴とする。
【０００７】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の動作をスタンバイ時に行うことを特徴とする。
【０００８】
請求項４記載の発明は、請求項２記載の動作を紙間時に行うことを特徴とする。
【０００９】
請求項５記載の発明は、請求項１記載の発光回数をエネルギー量に換算し、加えたバイアスと同一エネルギー量分の逆バイスを非露光時に加えることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１１】
＜実施の形態１＞
図１は本発明の発光アレイ内の各発光素子の露光時及びスタンバイ時に駆動用ＴＦＴにバイアス（＋Ｖ）及び逆バイアス（Ｖ）を印加した様子を示す図で、１０１ａ〜１０１ｎは発光アレイ内の各発光素子、１０２ａ〜１０２ｎは画像形成時（露光時）にそれぞれの発光素子を発光ため、発光素子に対応した、ＴＦＴにバイアス（＋Ｖ）を印加した回数、１０３ａ〜１０３ｎはスタンバイ時に発光アレイに対応するＴＦＴに逆バイアス（Ｖ）を印加した回数である。
【００１２】
図１は露光時にある発光素子を連続発光させるため、ＴＦＴにバイアス（＋Ｖ）を印加した様子を示す図、図２は１つの発光素子を駆動するための駆動回路を示す図で、２０１は第１のＴＦＴ２０２は第２のＴＦＴ、２０３はキャパシタ、２０４は発光素子を示す。
【００１３】
図３は発光アレイ制御部の詳細を示す図で、３０１は発光アレイ駆動回路、３０２はラスタデータ等を格納するＲＡＭ部、３０３は各種操作等の命令内容を格納するＲＯＭ、３０４は本制御部を制御するＣＰＵ、３０５は本発明の発光アレイ内の発光素子発光回数を計測するカウンタ回路を示す。
【００１４】
図４はＯＬＥＤ発光原理を示す図で、４０１はガラス基板、４０２は透明陽極、４０３，４０４はホール輸送層及び電子輸送層、４０５は陰極、４０６は電源を示す。ＯＬＥＤは陽極と接触する有機ホール注入及び移動帯と、有機ホール注入及び移動帯と接合を形成する電子注入及び移動帯とから成る。ホール注入及び移動帯は単一の材料又は複数の材料から形成され、陽極及びホール注入層と電子注入及び移動帯の間に介装される連続的なホール移動層と接触するホール注入層から成る。同様に電子注入及び移動帯は単一材料又は複数の材料から形成され、陽極及び電子注入層とホール注入及び移動帯の間に介装される連続的な電子移動層と接触する電子注入層から成る。
【００１５】
ホールと電子の再結合とルミネセンスは電子注入及び移動帯とホール注入及び移動帯の接合に隣接する電子注入及び移動帯内で発生する。ＯＬＥＤを形成する化合物は典型的には蒸着により堆積されるが、他の従来技術により堆積され得る。
【００１６】
図５は電子写真方式の露光を示す図で、５０１は発光アレイ、５０２はロットレンズアレイ、５０３は感光ドラムを示す。
【００１７】
図７は本発明の露光装置を用いた画像形成装置を示す図で、７０１ａ〜７０１ｄは現像手段、７０２ａ〜７０２ｄは帯電手段、７０３ａ〜７０３ｄはロッドレンズアレイ、７０４ａ〜７０４ｄは転写手段、７０５は用紙搬送手段、７０６ａ，７０６ｂは用紙給紙手段、７０７は記録用紙、７０８ａ〜７０８ｄは本発明に係る露光装置を用いた発光アレイ、７１０ａ〜７１０ｄは感光ドラムを示す。
【００１８】
次に、動作を説明すると、１つの発光素子の露光動作に注目すると、図１に示すように、１０１ａの発光素子が１０２ａに示す通り一連の露光時に発光回数をカウントされたとする。この発光素子駆動用ＴＦＴはここに示す回数のバイアス（＋Ｖ）が印加されたことになる。ＴＦＴの劣化を防止するため、この装置のスタンバイ時に１０３ａで示す逆バイアス（Ｖ）を加えることにより、結果として当該ＴＦＴはバイアス（＋Ｖ）と逆バイアス（Ｖ）が同数となり、ＴＦＴの劣化は防止することができる。露光時に発光した発光アレイの光は、５０２のロットレンズアレイを通し、５０３の感光体に露光される。以降、図７に示す電子写真方式の記録装置の感光体７１０ａ〜７１０ｄに露光し、現像、転写等の各プロセスを経て記録が完了する。
【００１９】
スタンバイ時に露光時と同じ数の逆バイアスをそれぞれのＴＦＴに印加することにより、露光時の発光素子を最大時間発光させることができ、より高速な画像形成装置の露光装置を提供することができる。
【００２０】
＜実施の形態２＞
次に、本発明の実施の形態２について説明する。
【００２１】
図６に示すように、前記実施の形態１にて実施した発光アレイ内の各発光素子を駆動するＴＦＴへの逆バイアス（Ｖ）印加動作をスタンバイ時でなく、画像形成時の紙間で行う。これにより、画像画形成装置がスタンバイ時にならず連続動作していたとしても、常にＴＦＴの劣化は防止することができる。以下の動作は実施の形態１と同一のため省略する。
【００２２】
＜実施の形態３＞
次に、本発明の実施の形態３について説明する。
【００２３】
各ＴＦＴに加える逆バイアス（Ｖ）を発光のために加えたバイアス（＋Ｖ）と同様となるエネルギー換算をすることによりバイアス（＋Ｖ）と逆バイアス（Ｖ）の印加回数を同一とすることなくＴＦＴの劣化を防止することができる。即ち、或るＴＦＴに露光時にバイアス（＋Ｖ）を４回印加したとすれば、逆バイアスとして２Ｖを２回加えることにより、同一の効果が得られる。これにより、逆バイアス印加時間が短縮できる。
【００２４】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、発光アレイ内の各発光素子駆動用にＴＦＴを用いた場合でも、発光デュウティーを落とすことなく発光素子を連続発光させることができるとともに、ＴＦＴの劣化も防止できる。このことにより、より高速な画像形成装置にも本発明の発光素子アレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光アレイ内の各発光素子に印加する露光時のバイアスとスタンバイに加える逆バイアスを示す図である。
【図２】発光素子と駆動用ＴＦＴを示す図である。
【図３】発光アレイ制御部の詳細を示す図である。
【図４】ＯＬＥＤ発光原理を示す図である。
【図５】電子写真方式の露光を示す図である。
【図６】発光アレイ内の各発光素子に印加する露光時のバイアスと紙間時に加える逆バイアスを示す図である。
【図７】本発明の露光装置を用いた画像形成装置を示す図である。
【図８】従来のＴＦＴ印加バイアスタイミングを示す図である。
【符号の説明】
１０１ａ〜１０１ｎ  発光素子
１０２ａ〜１０２ｎ  画像形成時のＴＦＴ印加バイアス回数
１０３ａ〜１０３ｎ  スタンバイ時のＴＦＴ逆バイアス印加回数
２０１，２０２    ＴＦＴ
４０１        ガラス基板
４０２        透明陽極
４０３，４０４    ホール輸送層及び電子輸送層
４０５        陰極
５０２        ロットレンズアレイ
５０３        感光ドラム
５０４        発光アレイ
６０２ａ〜６０２ｎ  画像形成時のＴＦＴ印加バイアス回数
６０３ａ〜６０３ｎ  紙間時のＴＦＴ逆バイアス印加回数
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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