(57)【要約】【課題】  ボール状の導電端子を有するＢＧＡ型の半導体装置の歩留まり及び信頼性向上を図る。【解決手段】  反りのある半導体ウエハ１ａを複数のピン２１で支持し、加熱されたステージ２０から離した状態にする。そして、半導体ウエハ１ａの上方に配置したＩＲヒーター４５、半導体ウエハ１ａの側面に対向させたサイドヒーター４７を用いて半導体ウエハ１ａの全体に一様な輻射熱が当てられるようにして加熱する。これにより、半導体ウエハ１ａ上の複数の導電端子９のリフローが均一に行われ、その形状も均一となる。【選択図】図７
2004207701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に複数の導電端子が形成された半導体ウエハを準備し、
前記半導体ウエハの他方の面を加熱ステージから離間させた状態で支持し、
前記半導体ウエハの一方の面に第１のヒーターを対向させて、前記半導体ウエハを加熱することにより、前記複数の導電端子のリフローを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱ステージは、これに接触された加熱プレートにより加熱されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハの側面に対向させた第２のヒーターにより前記半導体ウエハを加熱することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
表面に一対の第１の配線層が形成された半導体ウエハを準備し、
前記半導体ウエハの表面に第１の支持基板を貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面に第２の支持基板を貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面に溝を形成し、前記第１の配線層を部分的に露出させる工程と、
前記第１の配線層の露出部分に接続され、前記第２の支持基板の表面に延在する第２の配線層を形成する工程と、
前記第２の配線層上に加熱流動性を有する導電端子を形成する工程と、
前記半導体ウエハの表面を加熱ステージから立設された複数のピンによって支持すると共に、前記半導体ウエハの裏面に第１のヒーターを対向させることにより、前記導電端子のリフローを行うリフロー工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記リフロー工程において、前記加熱ステージはその下面に接触された加熱プレートにより加熱されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記リフロー工程において、前記半導体ウエハの側面に第２のヒーターを対向させ、この第２のヒーターにより前記半導体ウエハを加熱することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
表面に一対の第１の配線層が形成された半導体ウエハを準備し、
前記半導体ウエハの表面に支持基板を貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面に溝を形成し、前記第１の配線層を部分的に露出させる工程と、
前記第１の配線層の露出部分に接続され、前記半導体ウエハの裏面に延在する第２の配線層を形成する工程と、
前記第２の配線層上に加熱流動性を有する導電端子を形成する工程と、
前記半導体ウエハの表面を加熱ステージから立設された複数のピンによって支持すると共に、前記半導体ウエハの裏面に第１のヒーターを対向させることにより、前記導電端子のリフローを行うリフロー工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記リフロー工程において、前記加熱ステージはその下面に接触された加熱プレートにより加熱されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記リフロー工程において、前記半導体ウエハの側面に第２のヒーターを対向させ、この第２のヒーターにより前記半導体ウエハを加熱することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にボール状の導電端子を有するＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年三次元実装技術として、また新たなパッケージ技術として、ＣＳＰ（Chip Size Package）が注目されている。ＣＳＰとは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージをいう。
【０００３】
従来、ＣＳＰの一種として、ＢＧＡ型の半導体装置が知られている。このＢＧＡ型の半導体装置は、半田等の金属部材からなるボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列し、パッケージの他の面上に搭載される半導体チップと電気的に接続したものである。
【０００４】
そして、このＢＧＡ型の半導体装置を電子機器に組み込む際には、各導電端子をプリント基板上の配線層パターンに圧着することで、半導体チップとプリント基板上に搭載される外部回路とを電気的に接続している。
【０００５】
このようなＢＧＡ型の半導体装置は、側部に突出したリードピンを有するＳＯＰ（Small Outline Package）やＱＦＰ（Quad Flat Package）等の他のＣＳＰ型の半導体装置に比べて、多数の導電端子を設けることが出来、しかも小型化できるという長所を有する。このＢＧＡ型の半導体装置は、例えば携帯電話機に搭載されるデジタルカメラのイメージセンサチップとしての用途がある。
【０００６】
図１０は従来のＢＧＡ型の半導体装置の概略構成を成すものであり、図１０（Ａ）は、このＢＧＡ型の半導体装置の表面側の斜視図である。また、図１０（Ｂ）はこのＢＧＡ型の半導体装置の裏面側の斜視図である。
【０００７】
このＢＧＡ型の半導体装置１０１は、第１及び第２のガラス基板１０２、１０３の間に半導体チップ１０４がエポキシ樹脂１０５ａ、１０５ｂを介して封止されている。第２のガラス基板１０３の一主面上、即ちＢＧＡ型の半導体装置１０１の裏面上には、ボール状の端子（以下、導電端子１０６と称す）が格子状に複数配置されている。
【０００８】
この導電端子１０６は、第２の配線層１１０を介して半導体チップ１０４へと接続される。複数の第２の配線層１１０には、それぞれ半導体チップ１０４の内部から引き出されたアルミニウム配線層が接続されており、各導電端子１０６と半導体チップ１０４との電気的接続がなされている。
【０００９】
このＢＧＡ型の半導体装置１０１の断面構造について図１１を参照して更に詳しく説明する。図１１はダイシングラインに沿って、個々のチップに分割されたＢＧＡ型の半導体装置１０１の断面図を示している。
【００１０】
半導体チップ１０４の表面に配置された絶縁膜１０８上に第１の配線層１０７が設けられている。この半導体チップ１０４は樹脂１０５ａによって第１のガラス基板１０２と接着されている。また、この半導体チップ１０４の裏面は、樹脂１０５ｂによって第２のガラス基板１０３と接着されている。
【００１１】
そして、第１の配線層１０７の一端は第２の配線層１１０と接続されている。この第２の配線層１１０は、第１の配線層１０７の一端から第２のガラス基板１０３の表面に延在している。そして、第２のガラス基板１０３上に延在した第２の配線層１１０上には、ボール状の導電端子１０６が形成されている。
【特許文献１】特許公表２００２−５１２４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したＢＧＡ型の半導体装置１０１は、上記ダイシング工程前に有機系樹脂を用いて、Ｖ字型の溝ＶＧを有した半導体装置の表面に保護膜１１１を形成している（図１２（Ａ）参照）。当該保護膜１１１を形成する方法として、半導体チップ１０４の裏面側を上に向けて、熱硬化性の有機系樹脂を上方からポッディング（滴下）して、半導体ウエハ自体を回転させることで、その遠心力を利用して、第２の配線層１１０の表面に保護膜１１１を形成する方法をとってきた。
【００１３】
しかし、この方法では図１２（Ａ）に示すようにダイシングライン（図中破線）のＶ字型の溝ＶＧの底部に、当該熱硬化性の有機系樹脂が必要以上に厚く溜まる。これは、当該有機系樹脂が粘性のあるペーストの性質を有するためである。このため、当該保護膜１１
１をベーキング（加熱処理）によって熱硬化させると、Ｖ字型の溝ＶＧに溜まった有機系樹脂が、半導体装置１０１の他の部分を覆う有機系樹脂に比べてより大きく収縮する。その結果、Ｖ字型の溝ＶＧでより大きな収縮が生じて、後に個々の半導体チップとなる半導体ウエハが反ってしまうという問題点があった（図１２（Ｂ）の矢印方向に反りが生じる）。
【００１４】
このような反りがある半導体ウエハでは、その後の製造工程に支障を招いていた。特に、半田のような加熱流動性を有する導電材料から成る導電端子１０６（いわゆるバンプ電極）をリフロー（高温処理）する工程において、半導体ウエハの全体を均一に加熱できず、信頼性に問題が生じるおそれがあった。
【００１５】
例えば、図１３に示すように導電端子１０６をリフローする際に、反った半導体ウエハ１２４をリフロー装置１２０内のステージ１２３上に搭載する。当該リフロー装置１２０は、天井に設けられたＩＲヒーター１２１からの下方への熱輻射線ａと、ステージ１２３下に設けられたホットプレート１２２からの上方への熱輻射線ｂと、によって所定温度に維持される。図１３中の矢印は熱輻射線ａ、熱輻射線ｂを模式的に表現したものである。同図中の破線円は、半導体ウエハ１２４の端部に形成された反りを示し、図１４はその破線円内の拡大図を示す。
【００１６】
図１４に示すように半導体ウエハ１２４は、平坦な箇所（以下、平坦部１２５と称す）と、その端部の反り部（以下、反り部１２６と称す）から成る。平坦部１２５は、下方のステージ１２３と直接接する（以下、直接接触部１２７と称す）。一方、反り部１２６は反っているためステージ１２３とは直接接しない。この状態で、導電端子１０６のリフローを行うと、直接接触部１２７がホットプレート１２２により、必要以上に高い温度に加熱されるおそれがあった。
【００１７】
一方、反り部１２６では、その上方に配置されたＩＲヒーター（赤外線ヒーター）からの熱輻射線ａ１、熱輻射線ａ２が当てられる。熱輻射線ａ１は半導体ウエハ１２４の端部を加熱し、熱輻射線ａ２はそれよりも内側の部分を加熱する。熱輻射線ａ１と熱輻射線ａ２との間には若干の強度差が生じ、半導体ウエハ１２４を均一に加熱することが困難であった。
【００１８】
また、下方からの熱輻射線ｂ１、熱輻射線ｂ２についても若干の強度差が生じる。熱輻射線ｂ１は半導体ウエハ１２４の端部の下方に当てられ、熱輻射線ｂ２は平坦部１２５に近い半導体ウエハ１２４の下方に当てられる。
【００１９】
このため、半導体ウエハ１２４の反り部１２６及び平坦部１２５では温度差が生じてしまう。このように、半導体ウエハ１２４の場所によって温度差が生じると、半導体ウエハ１２４上に、均一な形状を有した複数の導電端子１０６を形成することが困難となり、その結果、半導体装置の歩留まり及び信頼性を著しく低下させていた。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、ＢＧＡ型の半導体装置の製造工程中に生じる半導体ウエハの反りが、導電端子のリフロー工程に与える影響を解消し、半導体装置の歩留まり及び信頼性を向上させるものである。
【００２１】
そこで、本発明は一方の面に複数の導電端子が形成された半導体ウエハを準備し、前記半導体ウエハの他方の面を加熱ステージから離間させた状態で支持し、前記半導体ウエハの一方の面に第１のヒーターを対向させて、前記半導体ウエハを加熱することにより、前記複数の導電端子のリフローを行うものである。
【００２２】
かかる構成によれば、半導体ウエハに反りがあっても、半導体ウエハの全体を均一に加熱することができ、半導体ウエハの全面にわたって、均一な形状を有した複数の導電端子を形成することができる。これにより、ＢＧＡ型の半導体装置の歩留まり及び信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、反りのある半導体ウエハ上の複数の導電端子を均一にリフローすることができる。これにより、ＢＧＡ型の半導体装置の歩留まりや信頼性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図１乃至図５を参照しながら説明する。図１に示すように、半導体ウエハ１ａを用意する。半導体ウエハ１ａは、境界ラインＳ（ダイシングラインまたはスクライブラインと呼ばれる）に沿って、複数の半導体チップ１に分割される。
【００２５】
これらの半導体チップ１は、例えばＣＣＤのイメージセンサ用のチップであり、半導体のウエハープロセスにより形成される。半導体ウエハ１ａ上には絶縁膜２が形成されており、この絶縁膜２上に、一対の第１の配線層３が形成される。一対の第１の配線層３は、全面に金属層をスパッタし、この金属層を選択的にエッチングすることで形成される。一対の第１の配線層３の厚さは、約1μｍである。
【００２６】
一対の第１の配線層３は、境界ラインＳの両側に対向して形成される。一対の第１の配線層３は、半導体チップ１のボンディングパッドから、境界ラインＳまで拡張されたパッドである。すなわち、一対の第１の配線層３は外部接続パッドであって、半導体チップ１の図示しない回路と電気的に接続されている。
【００２７】
次に、図２に示すように、第１の配線層３が形成された半導体ウエハ１ａの表面に、約２００μｍの膜厚を有する支持基板としての第１のガラス基板４を透明のエポキシ材からなる樹脂層５ａを接着剤として用いて貼り付ける。そして、半導体ウエハ１ａの裏面をバックグラインドして、チップ厚を約１００μｍと薄くした後、半導体ウエハ１ａをその裏面側から境界ラインＳに沿ってドライエッチングし、絶縁膜２を露出させる。
【００２８】
このドライエッチングで半導体ウエハ１ａはいったん個々の半導体チップ１に分離されるが、これらの半導体チップ１は、第１のガラス基板４によって支持され、全体としては一枚の半導体ウエハ１ａとしての形態を有している。
【００２９】
次いで、図３に示すように、樹脂層５ｂを接着剤として用いて、半導体チップ１の裏面側に約１００μｍの膜厚を有する支持基板としての第２のガラス基板６を貼り付ける。なお、この第２のガラス基板６を貼り付けなくてもよい。なお、支持基板はガラス以外の材質のものでも良い。
【００３０】
次に、図４（Ａ）に示すように、第２のガラス基板６の平坦部の所定位置に、柔軟性を有する感光性有機膜からなる緩衝部材７を形成する。この緩衝部材７は後述する導電端子９に加わる力を吸収し、ガラス基板の割れ等を防止するためのものである。
【００３１】
なお、半導体チップ１の裏面に第２のガラス基板６を貼り付けない場合には、緩衝部材７は、半導体チップ１の裏面に形成される。その後、半導体チップ1の裏面側から境界ラインＳに沿って、ノッチングを行う。このノッチングとは、半導体チップ１の裏面側から鋸状等の器具、例えばブレードを用いて切削加工を施すことである。
【００３２】
このノッチングは、第２のガラス基板６から、第１のガラス基板４に至るまで、この第１のガラス基板４を幾分切削する程度まで行い、第１の配線層３の側面部を露出させる。このノッチングにより、境界ラインＳに沿ってＶ字型の溝ＶＧが形成される。この際にノッチングによって、露出面が汚染される場合があるので、必要に応じてドライエッチング等によって露出面をクリーニングすると良い。
【００３３】
次に、図４（Ｂ）に示すように、前記第２のガラス基板６及びノッチングで形成されたＶ字型の溝ＶＧを覆うように約３μｍの膜厚を有するアルミニウム層をスパッタ法により形成する。その後、このアルミニウム層を所定の配線層パターンにパターニングして、第１の配線層３の露出された側面部と電気的に接続する第２の配線層８を形成する。
【００３４】
この第２の配線層８は、半導体チップ１の裏面の第２のガラス基板６の表面に延在する。この第２のガラス基板６の表面に延在する第２の配線層８上には、後述する導電端子９が形成される。なお、半導体チップ１の裏面に第２のガラス基板６を貼り付けない場合には、第２の配線層８は、半導体チップ１の裏面に延在する。
【００３５】
次に図５に示すように、第２の配線層８上に保護膜１０を形成する。保護膜１０は後のスクリーン印刷工程で、ソルダーマスクとして機能する。当該保護膜１０を形成する方法として、半導体チップ１の裏面側を上に向けて、熱硬化性の有機系樹脂を上方からポッディング（滴下）して、半導体ウエハ１ａを回転させることで、その遠心力を利用して、第２の配線層８の表面に保護膜１０を形成する。これは、従来技術の図１２（Ａ）と同じプロセスである。尚、保護膜１０はレジスト材料で形成してもよい。
【００３６】
その後、当該保護膜１０をベーキング（加熱処理）によって熱硬化させる。このベーキングによって、半導体ウエハはその端部に反りを生じた状態となる。次に、第２のガラス基板６上方の当該保護膜１０の所定位置に後述する導電端子９を形成するために、第２の配線層８が露出するように保護膜１０に開口部を形成する。当該開口部は、緩衝部材７がある場合は当該緩衝部材７と対応する位置に形成する。
【００３７】
その後、スクリーン印刷工程で熱流動性を有する材料、例えば半田から成る導電端子９を形成し、次工程のリフロー工程へ移る。リフロー工程を図６乃至図８を参照しながら説明する。導電端子９は、以下に説明するリフロー工程によって高温処理を施すことで、流動化された状態となる。これは、導電端子９の表面張力を利用して、それを球形に加工するために行うものである。
【００３８】
図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ステージ２０を用意し、このステージ２０上に複数のピン２１を立設する。これらのピン２１の先端上に、その表面側が接するように半導体ウエハ１ａを搭載する。これらのピン２１は、いずれも等しい長さを有しており、半導体ウエハ１ａをその縁に沿って支持している。図６（Ａ）はその状態を示す斜視図であり、図６（Ｂ）は正面図である。これにより、半導体ウエハ１ａは、ピン２１の長さ分だけ、ステージ２０から離され、ステージ２０から発せされる熱が直接半導体ウエハ１ａに加わることが防止される。ピン２１の長さは、１ｍｍ程度が適当である。
【００３９】
次に図７（Ａ）に示すように、図６（Ａ）、（Ｂ）の半導体ウエハ１ａを搭載したステージ２０は、リフロー装置３０のリフロー処理ボックス４０内へと搬送される。ここで、リフロー処理ボックス４０の下方に回転ベルト３１が設けられ、この回転ベルト３１を回転させるために一対のプーリ（ベルト車）３２が設けられている。このベルト３１上に半導体ウエハ１ａが搭載されたステージ２０が乗せられる。そしてプーリ３２を駆動することで、半導体ウエハ１ａを搭載したステージ２０は、回転ベルト３１によってリフロー処理ボックス４０内へと搬送される。
【００４０】
このフロー処理ボックス４０は、加熱ゾーン４１と冷却ゾーン４２から成る。当該加熱ゾーン４１の天井には、ＩＲヒーター（赤外線ヒーター）４５が複数配置されている。また、ベルト３１下には、ホットプレート４６が複数配置されている。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）を矢印Ｘ側から見た側面図であり、リフロー処理ボックス４０の内部の拡大図である。
【００４１】
図７（Ｂ）に示すように、サイドヒーター４７が、リフロー処理ボックス４０の両側面に複数配置されている。サイドヒーター４７は、半導体ウエハ１ａの側面に対向している。冷却ゾーン４２は、加熱ゾーン４１で加熱された半導体ウエハ１ａを冷却するためのゾーンであり、ＩＲヒーター４５、ホットプレート４６、サイドヒーター４７は設けられていない。
【００４２】
ここで、半導体ウエハ１ａは複数のピン２１と一体となって搬送される例を開示したが、これらのピン２１は、加熱ゾーン４１内に設置されたものでもよい。この場合、半導体ウエハ１ａがリフロー処理ボックス４０の外部から搬送され、ピン２１上の位置に来ると、ピン２１が上昇して、半導体ウエハ１ａを持ち上げる。そして、半導体ウエハ１ａはピン２１上で持ち上げられた状態で、加熱ゾーン４１内で加熱される。その後、ピン２１が下降して半導体ウエハ１ａはピン２１から離れて、冷却ゾーン４２に搬送される。
【００４３】
次に、リフロー装置３０を用いたリフロー工程について述べる。図７（Ａ）、（Ｂ）に示したように、ステージ２０上にピン２１を介して搭載された半導体ウエハ１ａは、図中の矢印Ｘの方向からベルト３１上に搭載され、リフロー処理ボックス４０内へ搬送される。
【００４４】
これにより、半導体ウエハ１ａは、リフロー処理ボックス４０の加熱ゾーン４１にて、天井に設けられたＩＲヒーター４５、ベルト３１下に設けられたホットプレート４６、サイドヒーター４７の３種類のヒーターにより３方向から加熱されることになる。ここで、ステージ２０は、ベルト３１上を搬送されるが、その下方に配置されたホットプレート４６によって加熱される。ステージ２０が加熱ゾーン４１を通過する時間は、１分程度であり、その加熱温度は２２０℃程度である。
【００４５】
加熱ゾーン４１を通過した後に、冷却ゾーン４２によって半導体ウエハ１ａは冷却される。このとき、冷却ゾーン４２では、積極的に冷却する装置、例えば空冷装置を設けてもよい。その後、リフロー処理ボックス４０から半導体ウエハ１ａは、搬出され、次にダイシング工程へと移される。
【００４６】
図８は、図７（Ｂ）の破線円内（半導体ウエハ１ａの反りのある端部）を拡大した図である。同図の矢印は、半導体ウエハ１ａが３種類のヒーターから加熱される状態を模式的に示したものである。図８に示すように、加熱ゾーン４１では、半導体ウエハ１ａの端部に熱輻射線Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅが当てられる。熱輻射線Ａはボックス４０の上方に設置したＩＲヒーターから放射され、熱輻射線Ｂ、熱輻射線Ｃはサイドヒーター４７から放射され、熱輻射線Ｄは、ホットプレート４６で加熱されたステージ２０から放射される。また、熱輻射線Ｅは、サイドヒーター４７から発せられた熱輻射線が、ステージ２０やベルト３１によって反射したものである。
【００４７】
本実施形態では、リフロー処理ボックス４０の両側面にサイドヒーター４７を設けることで半導体ウエハ１ａの反り部の表面は、熱輻射Ｃ（図７（Ｂ）中の右側のサイドヒーター４７）によって加熱される。同様に、半導体ウエハ１ａの裏面は、熱輻射線Ｂ（図７（Ｂ）中の左側のサイドヒーター４７）及び熱輻射線Ｄ（図７（Ｂ）中の下側のホットプレート４６）によって加熱される。
【００４８】
半導体ウエハ１ａの反り部の裏面側は、図７（Ｂ）中の左側のサイドヒーター４７から発せられた熱輻射線Ｂがステージ２０に反射した熱輻射線Ｅによって加熱される。この部分は、従来では、半導体ウエハ１ａの平坦部と同様な加熱をすることが困難であったが、熱輻射線Ｅを利用することで、それが可能になる。
【００４９】
このように、本実施形態では、半導体ウエハ１ａをステージ２０から離して、反りのある半導体ウエハ１ａの全体に一様な輻射熱が当てられるようにしたことで、半導体ウエハ１ａの全体が均一の温度になるように加熱される。これにより、半導体ウエハ１ａの全面にわたって形成される導電端子９のリフローが均一に行われ、その形状も均一となる。
導電端子９のリフロー工程後は、図９に示すように境界ラインＳに沿ってダイシングを行い、個々の半導体チップ１に分割する。これより、ＢＧＡ型の半導体装置が完成する。
【００５０】
本発明の実施形態によれば、導電端子９をスクリーン印刷で形成した後、リフロー（高熱処理）工程を実施する際に、リフロー装置３０のステージ２０上に複数のピン２１を配置し、半導体ウエハ１ａをこれらのピン２１で支持した状態で加熱する。
【００５１】
これにより、半導体ウエハ１ａがステージ２０下のホットプレート４６によって直接加熱されることはなくなり、半導体ウエハ１ａの加熱状態を均一にすることができる。また
、リフロー装置３０のリフロー処理ボックス４０の両側面にサイドヒーター４７を配置することで、半導体ウエハ１ａの端部の反り部の表面側と裏面側を均一に加熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係るリフロー装置の斜視図及び側面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るリフロー装置の側面図である。
【図８】本発明の実施形態に係るリフロー装置による加熱状態を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を示す斜視図である。
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】従来の半導体装置のリフロー装置の加熱状態を示す断面図である。
【図１４】従来の半導体装置のリフロー装置を示す拡大断面図である。
【図１】
2004207701.tif 000003
【図２】
2004207701.tif 000004
【図３】
2004207701.tif 000005
【図４】
2004207701.tif 000006
【図５】
2004207701.tif 000007
【図６】
2004207701.tif 000008
【図７】
2004207701.tif 000009
【図８】
2004207701.tif 000010
【図９】
2004207701.tif 000011
【図１０】
2004207701.tif 000012
【図１１】
2004207701.tif 000013
【図１２】
2004207701.tif 000014
【図１３】
2004207701.tif 000015
【図１４】
2004207701.tif 000016