(57)【要約】      （修正有）【課題】生産収率が向上したデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の提供。【解決手段】相互に離隔されるように配置された第１基板及び第２基板と；前記第１基板の内側面に形成されたゲート配線と；前記ゲート配線上部から前記第１基板全面を覆う半導体層と；前記ゲート配線と交差するデータ配線と；前記データ配線と同一な形状を有するデータオーミックコンタクト層と；前記データ配線と平行に離隔された電力供給配線と；前記ゲート配線及びデータ配線と連結したスイッチング薄膜トランジスタと；前記スイッチング薄膜トランジスタと電力供給配線と連結した駆動用薄膜トランジスタと；前記駆動用薄膜トランジスタと連結した連結パターンと；前記第２基板の内側面に形成される第１電極と；前記第１電極上部に形成される有機電界発光層と；前記有機電界発光層上部に形成されて前記連結パターンと連結する第２電極とを含むことを特徴とする。【選択図】図６
2004212992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に離隔されるように配置された第１基板及び第２基板と；
前記第１基板の内側面に形成されたゲート配線と；
前記ゲート配線上部から前記第１基板全面を覆う、非晶質シリコンからなる半導体層と；
前記ゲート配線と交差するデータ配線と；
前記データ配線と同一な形状を有して前記データ配線下に形成された不純物非晶質シリコンからなるデータオーミックコンタクト層と；
前記データ配線と平行に離隔されるように配置してある、前記ゲート配線と同一物質で構成される電力供給配線と；
前記ゲート配線及びデータ配線と連結している、前記半導体層をスイッチングアクティブ層として用いるスイッチング薄膜トランジスタと；
前記スイッチング薄膜トランジスタと電力供給配線と連結している、前記半導体層を駆動用アクティブ層として用いる駆動用薄膜トランジスタと；
前記駆動用薄膜トランジスタと連結している、導電性高分子物質からなる連結パターンと；
前記第２基板の内側面に形成される第１電極と；
前記第１電極上部に形成される有機電界発光層と；
前記有機電界発光層上部に形成されて前記連結パターンと連結している第２電極とを含む有機電界発光素子。
【請求項２】
前記データ配線とデータオーミックコンタクト層は、単一のホトリソグラフィ工程で順次的にパターニングされることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に、前記連結パターンと同一物質で構成された第１リンク配線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に、前記データ配線と同一物質で構成された第１リンク配線と、前記連結パターンと同一物質で構成されて、前記第１リンク配線の両端に配置される第２リンク配線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記ゲート配線、データ配線、電力供給配線の一端にはゲートパッド、データパッド、電力供給パッドが各々形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記スイッチング薄膜トランジスタには、前記ゲート配線と連結するスイッチングゲート電極と、前記スイッチングゲート電極上部の前記スイッチングアクティブ層と、前記スイッチングアクティブ層上部に形成されて不純物非晶質シリコンで構成されるスイッチングオーミックコンタクト層と、前記スイッチングオーミックコンタクト層上部に形成されるスイッチングソース電極及びスイッチングドレイン電極を含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記駆動用薄膜トランジスタには、前記スイッチングドレイン電極と連結する駆動用ゲート電極と、前記駆動用ゲート電極上部の前記駆動用アクティブ層と、前記駆動用アクティブ層上部に形成されて不純物非晶質シリコンで構成される駆動用オーミックコンタクト層と、前記駆動用オーミックコンタクト層上部に形成される駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極を含むことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記駆動用ゲート電極と駆動用アクティブ層間のゲート絶縁膜と、前記駆動用薄膜トランジスタ上部に形成されて前記駆動用ソース電極、駆動用ドレイン電極、ゲートパッド、データパッド、電力供給パッドを一部露出させるソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホール、ゲートパッドコンタクトホール、電力供給パッドコンタクトホールを有する保護層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記ゲートパッドコンタクトホールと電力供給パッドコンタクトホールは、前記ゲート絶縁膜、半導体層、保護層が共通的に有するコンタクトホールであることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記保護層上部に前記連結パターンと同一物質で形成され、前記ゲートパッドコンタクトホール、電力供給パッドコンタクトホールを通してゲートパッド及び電力供給パッドと各々連結するゲートパッド電極及び電力供給パッド電極をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記ソースコンタクトホールを通して駆動用ソース電極と連結していて、電力供給配線とも連結する連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
第１マスク工程を通して、第１基板上部に駆動用ゲート電極、ゲート配線、ゲートパッド、電力供給配線、電力供給パッドを形成する段階と；
前記駆動用ゲート電極、ゲート配線、ゲートパッド、電力供給配線、電力供給パッド上部に第１絶縁膜と非晶質シリコンで構成される半導体層を順次的に形成する段階と；
前記半導体層上部に不純物非晶質シリコンで構成される第１層と金属からなる第２層を順次的に形成する段階と；
第２マスク工程を通して、前記第１層及び第２層を順次的にパターニングして、不純物非晶質シリコンで構成される駆動用オーミックコンタクト層と、前記駆動用オーミックコンタクト層上部の駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極と、不純物非晶質シリコンで構成されるデータオーミックコンタクト層と、前記データオーミックコンタクト層上部のデータ配線と、データパッドとを形成する段階と；
第３マスク工程を通して、前記駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極、データ配線と、データパッド上部に前記駆動用ソース電極、駆動用ドレイン電極、データパッド、ゲートパッド、電力供給パッドを各々露出させるソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホール、ゲートパッドコンタクトホール、電力供給パッドコンタクトホールを有する第２絶縁膜とを形成する段階と；
第４マスク工程を通して、前記第２絶縁膜上部に導電性高分子物質で構成され、前記ドレインコンタクトホールを通して駆動用ドレイン電極と連結する連結パターンと、前記ソースコンタクトホールを通して駆動用ソース電極と連結する連結電極と、前記データパッドコンタクトホールを通してデータパッドと連結するデータパッド電極と、前記ゲートパッドコンタクトホールを通してゲートパッドと連結するゲートパッド電極と、前記電力供給パッドコンタクトホールを通して電力供給パッドと連結する電力供給パッド電極とを形成する段階と；
第１電極を第２基板上部に形成する段階と；
前記第１電極上部に有機電界発光層を形成する段階と；
前記有機電界発光層上部に第２電極を形成する段階と；
前記第２電極と連結パターンが接触するように前記第１基板及び第２基板を合着する段階とを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記連結パターンの形成と同時に、前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に第１リンク配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に、前記連結パターンの形成と同時に第１リンク配線を形成する段階と、前記データ配線の形成と同時に第２リンク配線を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記ゲート配線及びデータ配線と連結するスイッチング薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記ゲートパッドコンタクトホールと電力供給パッドコンタクトホールは、前記第１絶縁膜、半導体層、第２絶縁膜が共通的に有するコンタクトホールであることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）に係り、特に少マスク工程のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子（Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新しい平板ディスプレーのうちの一つである有機電界発光素子は、自体発光型であるために液晶表示装置に比べて視野角、対照比などが優秀でバックライトが必要でないので軽量薄形化が可能であって、消費電力側面でも有利である。そして直流低電圧駆動が可能であって応答速度が速くて、全部固体であるために外部衝撃に強くて、使用温度範囲も広くて、特に製造費用側面でも低廉な長所を有している。
【０００３】
特に、前記有機電界発光素子は、液晶表示装置やＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）と違って工程が非常に単純なために、蒸着及び封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）装備が工程装備の殆ど全部ということができる。
【０００４】
特に、アクティブ・マトリクス方式においては、画素に印加された電圧がストレージキャパシター（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）に充電されていて、その次にフレーム（ｆｒａｍｅ）信号が印加される時まで電源が印加されることによって、ゲート配線数に関係なく一画面の期間引続き駆動する。
【０００５】
したがって、アクティブ・マトリクス方式では、低い電流を印加しても同一な輝度を示すので低消費電力、高精細、大型化が可能な長所を有する。
【０００６】
以下、このようなアクティブ・マトリクス型有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性について図面を参照して詳細に説明する。
【０００７】
図１は、一般的なアクティブ・マトリクス型有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面である。
【０００８】
図示したように、第１方向に走査線（ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）２が形成されていて、第１方向と交差する第２方向に形成され、相互に一定間隔離隔された信号線（ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）４及び電力供給線（ｐｏｗｅｒ  ｌｉｎｅ）６が形成されていて、一つの画素領域（ｐｉｘｅｌ  ａｒｅａ）Ｐを定義する。
【０００９】
前記走査線２及び信号線４の交差地点にはアドレッシングエレメント（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）であるスイッチング薄膜トランジスタ（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ＴＦＴ）ＴＳが形成されていて、このスイッチング薄膜トランジスタＴＳと連結してストレージキャパシターＣＳＴが形成されていて、前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及びストレージキャパシターＣＳＴの連結部及び電力供給線と連結して、電流源エレメント（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｍｅｎｔ）である駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されていて、この駆動薄膜トランジスタＴＤには定電流駆動方式の有機電界発光ダイオード（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ；）ＤＥＬの陽極（ａｎｏｄｅ）が連結していて、陽極（+）の反対側は陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）が構成されている。
【００１０】
前記有機電界発光ダイオード素子ＤＥＬは、陽極（+）、陰極（−）及びその間の有機発光層（図示せず）を含む。
【００１１】
前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳは、電圧を制御して、ストレージキャパシターＣＳＴは電圧を貯蔵する役割をする。
【００１２】
以下、前記アクティブ・マトリクス型有機電界発光素子の駆動原理について説明する。
【００１３】
前記アクティブ・マトリクス方式では、選択信号によって該電極に信号を印加すれば、スイッチング薄膜トランジスタのゲートがオン状態になって、データ信号がこのスイッチング薄膜トランジスタを通過して、駆動薄膜トランジスタとストレージキャパシターに印加され、駆動薄膜トランジスタのゲートがオン状態になれば、電源供給線から電流が駆動薄膜トランジスタのゲートを通して有機電界発光層に印加されて発光する。
【００１４】
この時、前記データ信号の大きさによって、駆動薄膜トランジスタのゲートの開閉程度が変わるので、駆動薄膜トランジスタを通して流れる電流量を調節して階調表示をすることができる。
【００１５】
そして、非選択区間にはストレージキャパシターに充電されたデータが駆動薄膜トランジスタに続けて印加されて、次の画面の信号が印加される時まで持続的に有機電界発光素子を発光させることができる。
【００１６】
図２は、関連技術のアクティブ・マトリクス型有機電界発光素子の一画素部についての平面図であり、スイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタを各々一つずつ有する２ＴＦＴ構造を一例として説明する。
【００１７】
図示したように、第１方向にゲート配線３７が形成されていて、ゲート配線３７と交差して、相互に離隔されるようにデータ配線５１及び電力供給配線４１が形成されていて、ゲート配線３７、データ配線５１、電力供給配線４１が相互に交差する領域は画素領域Ｐを定義する。
【００１８】
前記ゲート配線３７及びデータ配線５１が交差する領域には、スイッチング薄膜トランジスタＴＳが配置され、スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及び電力供給配線４１が交差する地点には駆動薄膜トランジスタＴＤが配置されており、電力供給配線４１とスイッチング薄膜トランジスタＴＳの半導体層３１と一体型パターンを形成するキャパシター電極３４が重なる部分によってストレージキャパシターＣＳＴが形成されている。
【００１９】
そして、前記駆動薄膜トランジスタＴＤと連結して第１電極５８が形成されていて、図面に提示しなかったが、第１電極５８を覆う領域には有機電界発光層及び第２電極が順序通り形成される。
【００２０】
前記第１電極の形成部は、有機電界発光部ＤＥＬに定義される。
【００２１】
以下、前記有機電界発光部、駆動薄膜トランジスタ、ストレージキャパシターの積層構造を図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
図３は、前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を示した断面図である。
【００２３】
図示したように、絶縁基板１上に半導体層３２、ゲート電極３８、ソース電極５０及びドレイン電極５２で構成される駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されていて、前記ソース電極５０には図示しなかった電源供給配線から分岐したパワー電極４２が連結しており、前記ドレイン電極５２には透明導電性物質からなる第１電極５８が連結している。
【００２４】
前記パワー電極４２と対応する下部には、絶縁された状態で前記半導体層３２と同一物質からなるキャパシター電極３４が形成されていて、パワー電極４２及びキャパシター電極３４が重なった領域はストレージキャパシターＣＳＴを構成する。
【００２５】
そして、前記第１電極５８の上部には、有機電界発光層６４及び不透明金属物質からなる陰極６６が順序とおり積層されて有機電界発光ダイオードＤＥＬを構成する。
【００２６】
前記有機電界発光ダイオードＤＥＬに配置する絶縁層の積層構造を注意して調べてみると、前記絶縁基板１と半導体層３２間において緩衝作用をするバッファー層３０と、前記ストレージキャパシターＣＳＴ用絶縁体として利用される第１保護層４０と、前記ソース電極５０とパワー電極４２間の第２保護層４４と、前記第１電極５８とドレイン電極５２間の第３保護層５４と、前記薄膜トランジスタＴと第１電極５８間の第４保護層６０が順序通り積層された構造を有するが、前記第１保護層ないし第４保護層４０、４４、５４、６０には各々各層間の電気的連結のためのコンタクトホール（図示せず）を含む。
【００２７】
以下、図４Ａないし図４Ｉは、前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図であって、感光性物質であるＰＲ（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）を利用した露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）工程を含むフォトリソグラフィ工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程によりパターニングする工程により進行される。以下このような一連のパターニング工程とマスク工程に定義して工程順序とおり説明する。
【００２８】
図４Ａにおいては、絶縁基板１上に第１絶縁物質を利用したバッファー層３０を基板全面にかけて形成して、このバッファー層３０上部にポリシリコンを利用して、第１マスク工程によりアクティブ層（ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）３２及びキャパシター電極３４を形成する。
【００２９】
次に、図４Ｂにおいては、前記図４Ａ段階を経た基板上に、第２絶縁物質及び第１金属を続いて蒸着した後、第２マスク工程により前記アクティブ層３２の中央部に各々ゲート絶縁膜３６及びゲート電極３８を形成する。
【００３０】
図４Ｃにおいては、前記図４Ｂ段階を経た基板上に、第３絶縁物質からなる第１保護層４０を形成して、この第１保護層４０上部に第２金属を蒸着した後、第３マスク工程により前記キャパシター電極３４を覆う位置にパワー電極４２を形成する。
【００３１】
そして、図４Ｄにおいては、前記図４Ｃ段階を経た基板上に、第４絶縁物質を蒸着した後、第４マスク工程により、前記アクティブ層３２の両端部及びパワー電極４２の一部を露出する第１オーミックコンタクトホール４６ａ、第２オーミックコンタクトホール４６ｂ及びキャパシターコンタクトホール４８を有する第２保護層４４を形成する。
【００３２】
前記アクティブ層３２の両端部は、今後の工程で形成されるソース電極及びドレイン電極と連結するように、左側部はドレイン領域３２ｃを形成して、右側部はソース領域３２ｂを形成し、その間のアクティブ層３２はチャンネル領域３２ａを形成する。
【００３３】
この段階では、前記アクティブ層３２の露出された両端部をイオンドーピング処理して、このイオンドーピング処理された部分を不純物が含まれたオーミックコンタクト層（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｌａｙｅｒ）３２ｂ、３２ｃとして形成して、このチャンネル領域３２ａとオーミックコンタクト層３２ｂ、３２ｃで構成されるアクティブ層３２を完成する。
【００３４】
次に、図４Ｅ段階においては、第３金属を蒸着した後、第５マスク工程により前記キャパシターコンタクトホール（図４Ｄの４８）及び第１オーミックコンタクトホール（図４Ｄの４６ａ）を通して、パワー電極４２及びソース領域３２ｂのオーミックコンタクト層３２ｂと連結するソース電極５０と、このソース電極５０と一定間隔離隔され、第２オーミックコンタクトホール（図４Ｄの４６ｂ）を通してドレイン領域３２ａのオーミックコンタクト層３２ｂと連結するドレイン電極５２を形成する。
【００３５】
この段階においては、前記半導体層３２、ゲート電極３８、ソース電極５０及びドレイン電極５２を含む駆動薄膜トランジスタＴＤを完成するようになる。
【００３６】
一方、前記パワー電極４２及びキャパシター電極３４は、各々ソース電極５２及び図示しなかったスイッチング薄膜トランジスタの半導体層と電気的に連結し、前記第１保護層４０を絶縁体にして、ストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
【００３７】
図４Ｆにおいては、前記図４Ｅ段階を経た基板上に、第５絶縁物質を蒸着した後、第６マスク工程によりドレインコンタクトホール５６を有する第３保護層５４を形成する。
【００３８】
その次に、図４Ｇにおいては、前記ドレインコンタクトホール（図４Ｆの５６）を通してドレイン電極５０と連結するように、第４金属を利用して、第７マスク工程により、有機電界発光層領域である有機電界発光部に第１電極５８を形成する。
【００３９】
図４Ｈにおいては、前記図４Ｇ段階を経た基板上に第６絶縁物質を蒸着した後、第８マスク工程により前記有機電界発光部と対応する第１電極５８を露出させる第１電極露出部６２を有する第４保護層６０を形成する。
【００４０】
この第４保護層６０は、駆動薄膜トランジスタＴＤを水分及び異質物から保護する役割をする。
【００４１】
これで、マスク工程を伴う製造工程は終了し、続いて図４Ｉ段階では前記第１電極露出部（図４Ｈの６２）を通して第１電極５８と連結する有機電界発光層６４と、この有機電界発光層６４上部に第５金属を利用して第２電極６６を基板全面にかけて形成する。
【００４２】
一例として、前記第１電極５８が陽極に利用される場合、第５金属を形成する物質は、前記有機電界発光層６４から放出される光を第１電極５８に反射させて有機電界発光素子の画面を具現するために、反射特性を有していて、電子を容易に放出するように仕事関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が低い金属物質を選択する。
【００４３】
以下、これまでの有機電界発光素子パネルの積層構造を図面を参照して詳細に説明する。
【００４４】
図５は、これまでの有機電界発光素子の全体断面図であって、有機電界発光部と駆動薄膜トランジスタ連結部を中心にカプセル化構造について図示した。
【００４５】
図示したように、画面を具現する最小単位であるピクセル単位で相互に一定間隔離隔されるように第１基板７０、第２基板９０が配置されていて、第１基板７０の内部面にはピクセル単位で形成された多数個の駆動薄膜トランジスタＴＤを含んだアレイ素子層８０が形成されていて、アレイ素子層８０上部には駆動薄膜トランジスタＴＤと連結してサブピクセル単位で第１電極７２が形成されていて、第１電極７２上部にはサブピクセル単位で赤、緑、青カラーを発光させる有機電界発光層７４が形成されていて、有機電界発光層７４上部全面には第２電極７６が形成されている。
【００４６】
前記第１電極７２、第２電極７６及び第１電極７２、第２電極７６間に介在された有機電界発光層７４は、有機電界発光ダイオード素子ＤＥＬを形成し、有機電界発光層７４から発光された光は第１電極７２側に発光される下部発光方式であることを特徴とする。
【００４７】
そして、前記第２基板９０は、カプセル化基板として利用され、このような第２基板９０の内部中央部には凹部９２が形成されていて、凹部９２内には外部からの水分吸収を遮断して有機電界発光ダイオード素子ＤＥＬを保護するための吸湿剤９４が封入されている。
【００４８】
前記吸湿剤９４が封入された第２基板９０内部面と第２電極７６は、相互に一定間隔離隔されるように配置する。
【００４９】
そして、前記第１基板７０、第２基板９０の縁部は、シールパターン８５によりカプセル化されている。
【００５０】
このように、既存の下部発光方式有機電界発光素子は、アレイ素子及び有機電界発光ダイオードが形成された基板と別途のカプセル化用基板の合着を通して素子を製作した。この場合、アレイ素子の収率と有機電界発光ダイオードの収率の掛け算が有機電界発光素子の収率を決定するために、既存の有機電界発光素子構造においては後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工程により全体工程の収率が大きく制限される問題点があった。例えば、アレイ素子が良好に形成されたとしても、１、０００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時に異物やその他の要素により不良が発生するようになれば、有機電界発光素子は不良等級と判定される。
【００５１】
これによって、良品のアレイ素子を製造するのに必要とした諸般経費及び材料費の損失がもたらされて、生産収率が低下する問題点があった。
【００５２】
そして、下部発光方式は、カプセル化による安全性及び工程の自由度が高い反面開口率の制限があり高解像度製品に適用するのは難しい問題点があって、上部発光方式は薄膜トランジスタ設計が容易で開口率向上が可能であるために製品寿命側面で有利であるが、既存の上部発光方式構造においては有機電界発光層上部に通常的に陰極を配置するので、材料選択幅が狭いために透過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低下を最小化するために薄膜型保護膜を構成しなければならない場合に外気を十分に遮断できない問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００５３】
前記問題点を解決するために、本発明においては、生産収率が向上した高解像度／高開口率構造アクティブ・マトリクス型有機電界発光素子を提供する。
【００５４】
このために、本発明ではアレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相互に他の基板上に形成して、アレイ素子の駆動薄膜トランジスタと有機電界発光ダイオード素子の第２電極を別途の電気的連結パターンを通して連結する、デュアルパネルタイプの有機電界発光素子を提供する。
【００５５】
本発明のさらに他の目的では、非晶質シリコン物質を利用する逆スタッガード型薄膜トランジスタ構造を採用して、４マスク工程のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用基板の製造工程を提供する。
【００５６】
逆スタッガード型薄膜トランジスタを含んで工程を進行すれば、低温条件下で工程を進行できて、電気的連結パターンを含んで工程を進行しても既存よりマスク工程数を減少させることができる利点を有する。
【課題を解決するための手段】
【００５７】
前記目的を達成するために、本発明の第１特徴では、相互に離隔されるように配置された第１基板及び第２基板と；前記第１基板の内側面に形成されたゲート配線と；前記ゲート配線上部から前記第１基板全面を覆う、非晶質シリコンからなる半導体層と；前記ゲート配線と交差するデータ配線と；前記データ配線と同一な形状を有して前記データ配線下に形成された不純物非晶質シリコンからなるデータオーミックコンタクト層と；前記データ配線と平行に離隔されるように配置してある、前記ゲート配線と同一物質で構成される電力供給配線と；前記ゲート配線及びデータ配線と連結している、前記半導体層をスイッチングアクティブ層として用いるスイッチング薄膜トランジスタと；前記スイッチング薄膜トランジスタと電力供給配線と連結している、前記半導体層を駆動用アクティブ層として用いる駆動用薄膜トランジスタと；前記駆動用薄膜トランジスタと連結している、導電性高分子物質からなる連結パターンと；前記第２基板の内側面に形成される第１電極と；前記第１電極上部に形成される有機電界発光層と；前記有機電界発光層上部に形成されて前記連結パターンと連結している第２電極を含む有機電界発光素子を提供する。
【００５８】
前記データ配線とデータオーミックコンタクト層は、単一のホトリソグラフィ工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  ｐｒｏｃｅｓｓ）で順次的にパターニングされ、前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に、前記連結パターンと同一物質で構成された第１リンク配線をさらに含む。
【００５９】
前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に、前記データ配線と同一物質で構成された第１リンク配線と、前記連結パターンと同一物質で構成されて、前記第１リンク配線の両端に配置される第２リンク配線をさらに含むことができ、前記ゲート配線、データ配線、電力供給配線の一端にはゲートパッド、データパッド、電力供給パッドが各々形成されている。
【００６０】
前記スイッチング薄膜トランジスタには、前記ゲート配線と連結するスイッチングゲート電極と、前記スイッチングゲート電極上部の前記スイッチングアクティブ層と、前記スイッチングアクティブ層上部に形成されて不純物非晶質シリコンで構成されるスイッチングオーミックコンタクト層と、前記スイッチングオーミックコンタクト層上部に形成されるスイッチングソース電極及びスイッチングドレイン電極を含んでおり、前記駆動用薄膜トランジスタには、前記スイッチングドレイン電極と連結する駆動用ゲート電極と、前記駆動用ゲート電極上部の前記駆動用アクティブ層と、前記駆動用アクティブ層上部に形成されて不純物非晶質シリコンで構成される駆動用オーミックコンタクト層と、前記駆動用オーミックコンタクト層上部に形成される駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極を含む。
【００６１】
前記駆動用ゲート電極と駆動用アクティブ層間のゲート絶縁膜と、前記駆動用薄膜トランジスタ上部に形成されて前記駆動用ソース電極、駆動用ドレイン電極、ゲートパッド、データパッド、電力供給パッドを一部露出させるソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホール、ゲートパッドコンタクトホール、電力供給パッドコンタクトホールを有する保護層をさらに含む。
【００６２】
前記ゲートパッドコンタクトホールと電力供給パッドコンタクトホールは、前記ゲート絶縁膜、半導体層、保護層が共通的に有するコンタクトホールであり、前記保護層上部に前記連結パターンと同一物質で形成され、前記ゲートパッドコンタクトホール、電力供給パッドコンタクトホールを通してゲートパッド及び電力供給パッドと各々連結するゲートパッド電極及び電力供給パッド電極をさらに含む。
【００６３】
前記ソースコンタクトホールを通して駆動用ソース電極と連結していて、電力供給配線とも連結する連結電極をさらに含むことができる。
【００６４】
本発明の第２特徴では、第１マスク工程を通して、第１基板上部に駆動用ゲート電極、ゲート配線、ゲートパッド、電力供給配線、電力供給パッドを形成する段階と；前記駆動用ゲート電極、ゲート配線、ゲートパッド、電力供給配線、電力供給パッド上部に第１絶縁膜と非晶質シリコンで構成される半導体層を順次的に形成する段階と；前記半導体層上部に不純物非晶質シリコンで構成される第１層と金属からなる第２層を順次的に形成する段階と；第２マスク工程を通して、前記第１層及び第２層を順次的にパターニングして、不純物非晶質シリコンで構成される駆動用オーミックコンタクト層と、前記駆動用オーミックコンタクト層上部の駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極と、不純物非晶質シリコンで構成されるデータオーミックコンタクト層と、前記データオーミックコンタクト層上部のデータ配線と、データパッドとを形成する段階と；第３マスク工程を通して前記駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極、データ配線と、データパッド上部に前記駆動用ソース電極、駆動用ドレイン電極、データパッド、ゲートパッド、電力供給パッドを各々露出させるソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホール、ゲートパッドコンタクトホール、電力供給パッドコンタクトホールを有する第２絶縁膜とを形成する段階と；第４マスク工程を通して、前記第２絶縁膜上部に導電性高分子物質で構成され、前記ドレインコンタクトホールを通して駆動用ドレイン電極と連結する連結パターンと、前記ソースコンタクトホールを通して駆動用ソース電極と連結する連結電極と、前記データパッドコンタクトホールを通してデータパッドと連結するデータパッド電極と、前記ゲートパッドコンタクトホールを通してゲートパッドと連結するゲートパッド電極と、前記電力供給パッドコンタクトホールを通して電力供給パッドと連結する電力供給パッド電極とを形成する段階と；第１電極を第２基板上部に形成する段階と；前記第１電極上部に有機電界発光層を形成する段階と；前記有機電界発光層上部に第２電極を形成する段階と；前記第２電極と連結パターンが接触するように前記第１基板及び第２基板を合着する段階とを含む有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【００６５】
前記連結パターンの形成と同時に、前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に第１リンク配線を形成する段階をさらに含み、前記ゲート配線と電力供給配線の交差部に、前記連結パターンの形成と同時に第１リンク配線を形成する段階と、前記データ配線の形成と同時に第２リンク配線を形成する段階とをさらに含む。
【００６６】
前記ゲート配線及びデータ配線と連結するスイッチング薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含んでおり、前記ゲートパッドコンタクトホールと電力供給パッドコンタクトホールは前記第１絶縁膜、半導体層、第２絶縁膜が共通的に有するコンタクトホールであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００６７】
以上のように、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法によると、第一に、アレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相互に他の基板上に形成するために生産収率及び生産管理効率を向上させることができて、製品寿命を増やすことができ、第二に、上部発光方式であるために薄膜トランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度の具現が可能であって、第三に、非晶質シリコン物質を利用した逆スタッガード型薄膜トランジスタ構造の採用で低温工程が可能であって、別途の電気的連結パターンを追加してもこれまでよりマスク工程数を減らすことができて、工程単純化を通して生産収率をさらに效果的に高めることができる長所を有する。
【００６８】
以下、本発明による望ましい実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
【実施例１】
【００６９】
図６は、本発明の第１実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の断面図であって、電気的連結構造を中心に概略的に図示した。
【００７０】
図示したように、画面を具現する最小単位であるピクセル単位で第１基板１１０、第２基板１５０が相互に一定間隔を維持し、対向して配置されている。
【００７１】
前記第１基板１１０の内部面にはピクセル単位で形成された多数個の駆動薄膜トランジスタＴＤを含むアレイ素子層１４０が形成されていて、アレイ素子層１４０上部には駆動薄膜トランジスタＴＤと連結して電気的連結パターン１４２が形成されている。
【００７２】
前記電気的連結パターン１４２は、導電性物質から選択され、前記電気的連結パターン１４２は厚さ感あるように形成されるために絶縁物質を含む多重層で形成することもできて、別途の連結電極を通して駆動薄膜トランジスタＴＤと連結することができる。
【００７３】
そして、前記駆動薄膜トランジスタＴＤは、駆動ゲート電極１１２、駆動半導体層１１４、駆動ソース電極１１６及び駆動ドレイン電極１１８で構成されており、実質的に前述した電気的連結パターン１４２は駆動ドレイン電極１１８と連結している。
【００７４】
そして、前記第２基板１５０の内部全面には第１電極１５２が形成されていて、第１電極１５２下部にはピクセル単位で反復配列される赤、緑、青の発光層１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃを含む有機電界発光層１６０が形成されていて、有機電界発光層１６０下部にはピクセル単位で第２電極１６２が形成されている。
【００７５】
さらに詳細に説明すれば、前記有機電界発光層１６０には、第１電極１５２下部面と接触される第１キャリア伝達層１５４と、赤、緑、青の発光層１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃ下部に配置し、第２電極１６２上部面と接触される第２キャリア伝達層１５８がさらに含まれる。
【００７６】
一例として、前記第１電極１５２が陽極、第２電極１６２が陰極に該当する場合、第１キャリア伝達層１５４は順序通り正孔注入層、正孔輸送層に該当して、第２キャリア伝達層１５８は順序通り電子輸送層、電子注入層に該当する。
【００７７】
そして、前記第１電極１５２、第２電極１６２と第１電極１５２、第２電極１６２間に介在された有機電界発光層１６０は、有機電界発光ダイオード素子ＤＥＬに該当する。
【００７８】
本発明では、前記電気的連結パターン１４２の最上部面が第２電極１６２下部面と連結して、駆動薄膜トランジスタＴＤから供給される電流が電気的連結パターン１４２を通して第２電極１６２に伝えられることを特徴とする。
【００７９】
そして、前記第１基板１１０、第２基板１５０の縁部にはシールパターン１７０を配置して、前記第１基板１１０、第２基板１５０を合着させている。
【００８０】
本実施例では、有機電界発光ダイオード素子ＤＥＬとアレイ素子層１４０を相互に他の基板に形成するが、電気的連結パターン１４２を利用して両素子を連結させる方式のデュアルパネルタイプで構成することを特徴とする。
【００８１】
説明の便宜上、３個のピクセルが各々Ｒ、Ｇ、Ｂを表現する構造を一例として図示しており、薄膜トランジスタ構造及び電気的連結パターンの連結方式は多様に変更できる。
【００８２】
また、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子は、図面上のエミッション方向のように上部発光方式であるために、薄膜トランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が可能な長所を有する。
【実施例２】
【００８３】
図７は、本発明の第２実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の平面図である。
【００８４】
図示したように、第１方向にゲート配線２１２が形成されていて、第１方向と交差する第２方向にデータ配線２４０及び電力供給配線２２０が相互に離隔されるように形成されており、前記ゲート配線２１２及びデータ配線２４０が交差する地点にはスイッチング薄膜トランジスタＴＳが形成されている。前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳにはゲート配線２１２から分岐したスイッチングゲート電極２１４と、データ配線２４０から分岐したスイッチングソース電極２３２と、スイッチングソース電極２３２と離隔されるように配置されたスイッチングドレイン電極２３６と、スイッチングソース電極２３２及びスイッチングドレイン電極２３６の離隔区間を含んで、スイッチングソース電極２３２及びスイッチングドレイン電極２３６と対応するパターン構造を有するスイッチング半導体層２２８が形成されている。
【００８５】
前記電力供給配線２２０は、ゲート配線２１２と同一工程において同一物質で構成されたことを特徴とする。
【００８６】
そして、前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及び電力供給配線２２０と連結して駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されている。前記駆動薄膜トランジスタＴＤには、前記ゲート配線２１２と同一工程において同一物質で構成された、前記スイッチングドレイン電極２３６と連結する駆動用ゲート電極２１６と、前記駆動用ゲート電極２１６の両側と一定間隔重なって相互に離隔されるように配置してあり、前記データ配線２４０と同一工程において同一物質で構成された駆動用ソース電極２３４及び駆動用ドレイン電極２３８と、前記駆動用ソース電極２３４及び駆動用ドレイン電極２３８間の離隔区間を含んでいて、駆動用ソース電極２３４及び駆動用ドレイン電極２３８と対応するパターン構造を有する駆動用半導体層２３０とが形成されている。
【００８７】
前記駆動用ソース電極２３４とソースコンタクトホール２４８を通して連結したパワー電極２６２が形成されていて、パワー電極２６２の一側は電力供給コンタクトホール２４６を通して電力供給配線２２０と連結する。
【００８８】
そして、前記駆動用ドレイン電極２３８と連結して電気的連結部Ｃ領域に電気的連結パターン２６０が形成されている。前記パワー電極２６２及び電気的連結パターン２６０は同一工程において同一物質で構成され、導電性高分子物質から選択されることを特徴とする。
【００８９】
前記電気的連結部Ｃは、図示しなかった有機電界発光ダイオード基板の第２電極と対応する領域範囲に該当する。
【００９０】
そして、前記ドレイン電極２３６には前記電力供給配線２２０と重なるように延長形成されたキャパシター電極２４４を含んでいて、前記キャパシター電極２４４及び電力供給配線２２０が重なった領域はストレージキャパシターＣＳＴを構成する。
【００９１】
前記データ配線２４０、ゲート配線２１２、電力供給配線２２０のそれぞれの一端にはデータパッド２４２、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２２２が形成されており、データパッド２４２、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２２２を覆う領域には、前述した電気的連結パターン２６０と同一工程において同一物質で構成されたデータパッド電極２６４、ゲートパッド電極２６６、電力供給パッド電極２６８が各々形成されている。
【００９２】
そして、前記データ配線２４０、データパッド２４２、キャパシター電極２４４の下部層には、相互に対応するパターン構造を形成し、前記半導体層２２８及び駆動用半導体層２３０のオーミックコンタクト層（図示せず）と同一な物質からなる不純物シリコン層２２４ｂが存在することを特徴とする。
【００９３】
特に、本実施例ではゲート配線２１２と電力供給配線２２０を同一工程において同一物質で形成するによって、ゲート配線２１２と電力供給配線２２０が交差部で短絡されることを防止するために、データ配線２４０と同一工程において同一物質で構成された電力供給第１リンク配線２４１ａをゲート配線２１２と交差する領域の電力供給配線２２０の連結配線とする。
【００９４】
さらに詳細に説明すれば、前記電力供給第１リンク配線２４１ａの両側には、電気的連結パターン２６０と同一工程において同一物質で構成された電力供給第２リンク配線２４１ｂを各々配置して、電力供給第２リンク配線２４１ｂを通して電力供給配線２２０と実質的に連結する。
【００９５】
一方、図示しなかったが本発明のさらに他の実施例では、電気的連結パターン２６０と同一工程において同一物質で構成された電力供給第２リンク配線だけを利用して電力供給配線２２０を連結することができる。
【００９６】
この時、前記データパッド２４２及び電力供給パッド２２２は、相互に他の信号電圧が印加されるために、図面のように相互に逆方向の一端に形成することが望ましい。
【実施例３】
【００９７】
図８Ａないし図８Ｄ、図９Ａないし図９Ｄは、前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ、ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩは駆動薄膜トランジスタ部、ＩＸ−ＩＸはデータパッド部、ゲートパッド部、電力供給パッド部に対する図面である。説明の便宜上、駆動用ゲート電極はゲート電極、駆動用半導体層は半導体層、駆動用ソース電極及びドレイン電極はソース電極及びドレイン電極とそれぞれ略称して説明する。
【００９８】
図８Ａ及び図９Ａは、基板２１０上に第１金属物質を利用した第１マスク工程によりゲート電極２１６、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２２２を形成する段階である。
【００９９】
図面に提示しなかったが、この段階では前記電力供給パッド２２２と一体型パターンに電力供給配線が形成される。
【０１００】
前記第１金属物質は、抵抗率値が低い金属物質から選択され、望ましくはアルミニウムを含む金属物質から選択するものである。
【０１０１】
図面に詳細に提示しなかったが、本発明に利用されるマスク工程は、感光性物質であるＰＲを塗布した後に、所望のパターンを有するマスクを配置してから露光、現像処理を通して形成されたＰＲパターンをマスクとして利用して、露出された被エッチング層をエッチングする方法でパターニングする方法に該当する。
【０１０２】
図８Ｂ及び図９Ｂは、前記ゲート電極２１６、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２２２を覆う領域に第１絶縁物質、非晶質シリコン物質（ａ−Ｓｉ）、不純物シリコン物質（ｎ+ａ−Ｓｉ）、第２金属物質を順序通り形成した後に、前記第１絶縁物質、非晶質シリコン物質（ａ−Ｓｉ）はゲート絶縁膜２２３及び非晶質シリコン層２２４ａとして残して、第２マスク工程により前記第２金属物質、不純物シリコン物質（ｎ+ａ−Ｓｉ）を連続的にエッチングして、ゲート電極２１６を覆う領域に配置する半導体層２３０と、前記半導体層２３０と対応するパターン構造を有し、前記半導体層２３０上部で相互に離隔されるように配置するソース電極２３４及びドレイン電極２３８と、データ形成部Ｄのデータパッド２４２とを形成する段階である。
【０１０３】
前記半導体層２３０は、非晶質シリコン物質で構成されたアクティブ層２３０ａと、不純物非晶質シリコン物質で構成されたオーミックコンタクト層２３０ｂが順序通り積層された構造で形成される。
【０１０４】
また、前記ソース電極２３４及びドレイン電極２３８間の離隔区間で露出されたアクティブ層２３０ａ領域はチャンネルｃｈを形成する。
【０１０５】
図面に提示しなかったが、この段階では第２方向にデータ配線を形成する段階を含んでいて、前記データパッド形成部Ｄはデータ配線の一端部領域に該当しており、望ましくは前記電力供給パッド２２２と相互に逆方向の一端部に配置するものである。
【０１０６】
前記ゲート電極２１６、半導体層２３０、ソース電極２３４及びドレイン電極２３８は駆動用薄膜トランジスタＴＤを構成する。
【０１０７】
前記データパッド２４２の下部には、前記データパッド２４２と対応したパターン構造を有し、前記半導体層２３０のオーミックコンタクト層２３０ｂと同一な物質からなる不純物シリコン物質層２２４ｂが存在する。
【０１０８】
前記第１絶縁物質は、シリコン絶縁物質から選択されることが望ましく、さらに望ましくはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）とするものであって、前記第２金属物質は化学的耐蝕性が強い金属物質から選択され、望ましくはモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）のうちいずれか一つから選択するものである。
【０１０９】
図８Ｃ及び図９Ｃは、前記駆動用薄膜トランジスタＴＤ及びデータパッド２４２、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２２２を覆う領域に、第２絶縁物質を形成した後に、第３マスク工程により、前記ソース電極２３４、ドレイン電極２３８、データパッド２４２、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２２２を各々一部露出させるソースコンタクトホール２４８、ドレインコンタクトホール２５０、データパッドコンタクトホール２５２、ゲートパッドコンタクトホール２５４、電力供給パッドコンタクトホール２５６を有する保護層２５８を形成する段階である。
【０１１０】
この時、前記ゲートパッドコンタクトホール２５４及び電力供給パッドコンタクトホール２５６は、ゲートパッド２１８及び電力供給パッド２２２を覆う領域のゲート絶縁膜２２３、非晶質シリコン層２２４ａ、保護層２５８が共通的に有するそれぞれのコンタクトホールに該当する。
【０１１１】
前記ドレインコンタクトホール２５０は、図示しなかった有機電界発光ダイオード素子の第２電極と対応する領域に定義される電気的連結部（図７のＣ）に配置することを特徴とする。
【０１１２】
図８Ｄ及び図９Ｄは、前記保護層２５８上部に導電性高分子物質を形成した後に、第４マスク工程により、前記ドレインコンタクトホール２５０を通してドレイン電極２３８と連結する電気的連結パターン２６０と、前記ソースコンタクトホール２４８を通してソース電極２３４と連結するパワー電極２６２と、データパッドコンタクトホール２５２、ゲートパッドコンタクトホール２５４、電力供給パッドコンタクトホール２５６を通してデータパッド２４２、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２２２と連結するデータパッド電極２６４、ゲートパッド電極２６６、電力供給パッド電極２６８を各々形成する段階である。
【０１１３】
しかし、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の趣旨に外れない限度内で多様に変更して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】一般的なアクティブ・マトリクス型有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面。
【図２】関連技術のアクティブ・マトリクス型有機電界発光素子の一画素部に対する平面図。
【図３】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を示した断面図。
【図４Ａ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｂ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｃ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｄ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｅ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｆ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｇ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｈ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｉ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図５】関連技術の有機電界発光素子の全体断面図。
【図６】本発明の第１実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する断面図。
【図７】本発明の第２実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する平面図。
【図８Ａ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用薄膜トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｂ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用薄膜トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｃ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用薄膜トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｄ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用薄膜トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ａ】前記図７の切断部ＩＸ−ＩＸに沿って切断された、データパッド部、ゲートパッド部、電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｂ】前記図７の切断部ＩＸ−ＩＸに沿って切断された、データパッド部、ゲートパッド部、電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｃ】前記図７の切断部ＩＸ−ＩＸに沿って切断された、データパッド部、ゲートパッド部、電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｄ】前記図７の切断部ＩＸ−ＩＸに沿って切断された、データパッド部、ゲートパッド部、電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【符号の説明】
【０１１５】
２１０：基板
２１６：ゲート電極
２１８：ゲートパッド
２２２：電力供給パッド
２２３：ゲート絶縁膜
２３０ａ：アクティブ層
２３０ｂ：オーミックコンタクト層
２３０：半導体層
２４８：ソースコンタクトホール
２５０：ドレインコンタクトホール
２５８：保護層
２６２：パワー電極
２６０：電気的連結パターン
ｃｈ：チャンネル
ＴＤ：駆動用薄膜トランジスタ
【図１】
2004212992.tif 000003
【図２】
2004212992.tif 000004
【図３】
2004212992.tif 000005
【図４Ａ】
2004212992.tif 000006
【図４Ｂ】
2004212992.tif 000007
【図４Ｃ】
2004212992.tif 000008
【図４Ｄ】
2004212992.tif 000009
【図４Ｅ】
2004212992.tif 000010
【図４Ｆ】
2004212992.tif 000011
【図４Ｇ】
2004212992.tif 000012
【図４Ｈ】
2004212992.tif 000013
【図４Ｉ】
2004212992.tif 000014
【図５】
2004212992.tif 000015
【図６】
2004212992.tif 000016
【図７】
2004212992.tif 000017
【図８Ａ】
2004212992.tif 000018
【図８Ｂ】
2004212992.tif 000019
【図８Ｃ】
2004212992.tif 000020
【図８Ｄ】
2004212992.tif 000021
【図９Ａ】
2004212992.tif 000022
【図９Ｂ】
2004212992.tif 000023
【図９Ｃ】
2004212992.tif 000024
【図９Ｄ】
2004212992.tif 000025