(57)【要約】【課題】低電圧動作が可能且つ効率の向上および部品点数の削減を可能とする電子閃光装置を提供する。【解決手段】ＦＥＴのソース・ドレイン間電圧がある所定値以下になったら、昇圧回路の作成を一次的に停止させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池電源と電池電圧を昇圧するための昇圧回路と放電管と放電管の発光エネルギーを蓄積する主コンデンサと駆動パルス発生手段を有する昇圧回路を制御するための制御回路と電池電流を検出する為の検出回路を含む電子閃光装置において、
前記昇圧回路は前記駆動パルス発生手段からの駆動信号により動作を開始し、前記検出回路の検出出力は昇圧回路の発振素子の動作に同期して行われ、その検出信号は昇圧回路の発振素子の動作電圧が比較電圧以上であることにより発生され、次の駆動パルスが発生するまで発振素子の動作を一時的に停止させることを特徴とする電子閃光装置。
【請求項２】
前記昇圧回路の発振素子は、ＦＥＴであることを特徴とする請求項１に記載の電子閃光装置。
【請求項３】
前記検出回路は、コンパレータを含むことを特徴とする請求項１に記載の電子閃光装置。
【請求項４】
電池電源と電池電圧を昇圧するための昇圧回路と放電管と放電管の発光エネルギーを蓄積する主コンデンサと駆動パルス発生手段を有する昇圧回路を制御するための制御回路と電池電流を検出する為の検出回路と不揮発性メモリとＤ／Ａ変換器を含む電子閃光装置において、
前記昇圧回路は前記駆動パルス発生手段からの駆動信号により動作を開始し、前記検出回路の検出出力は昇圧回路の発振素子の動作に同期して行われ、その検出信号は昇圧回路の発振素子の動作電圧が比較電圧以上であることにより発生され、次の駆動パルスが発生するまで発振素子の動作を一時的に停止させる昇圧回路であって、前記不揮発性メモリに蓄えられた値は前記昇圧回路の１次電流を所定の電流に設定する為のあらかじめ定められた補正のための値であり、その値によりＤ／Ａ変換器を介して前記検出回路の比較電圧を決定することを特徴とする電子閃光装置。
【請求項５】
前記昇圧回路の発振素子は、ＦＥＴであることを特徴とする請求項４に記載の電子閃光装置。
【請求項６】
前記検出回路は、コンパレータを含むことを特徴とする請求項４に記載の電子閃光装置。
【請求項７】
前記不揮発性メモリに蓄えられた補正値は、ＦＥＴのオン抵抗を補正する補正値であり、前記検出回路の比較電圧は前記ＦＥＴのオン抵抗の補正値と前記昇圧回路の１次電流の積で決定することを特徴とする請求項５に記載の電子閃光装置。
【請求項８】
電池電源と電池電圧を昇圧するための昇圧回路と放電管と放電管の発光エネルギーを蓄積する主コンデンサと駆動パルス発生手段を有する昇圧回路を制御するための制御回路と電池電流を検出する為の検出回路と不揮発性メモリとＤ／Ａ変換器と昇圧回路の発振素子の素子温度を検出する為の温度検出手段とメモリとＡ／Ｄ変換器を含む電子閃光装置において、
前記昇圧回路は前記駆動パルス発生手段からの駆動信号により動作を開始し、前記検出回路の検出出力は昇圧回路の発振素子の動作に同期して行われ、その検出信号は昇圧回路の発振素子の動作電圧が比較電圧以上であることにより発生され、次の駆動パルスが発生するまで発振素子の動作を一時的に停止させる昇圧回路であって、前記温度検出回路からの温度データはＡ／Ｄ変換器を介してメモリに蓄えられ、前記不揮発性メモリに蓄えられた値は前記メモリに蓄えられた温度データにより前記昇圧回路の１次電流を温度変化によっても所定の電流に設定する為の発振素子の動作抵抗の温度変化を補正する補正値で、この補正値によりＤ／Ａ変換器を介して検出回路の比較電圧を決定することを特徴とする電子閃光装置の昇圧回路。
【請求項９】
前記昇圧回路の発振素子は、ＦＥＴであることを特徴とする請求項８に記載の電子閃光装置。
【請求項１０】
前記検出回路は、コンパレータを含むことを特徴とする請求項８に記載の電子閃光装置。
【請求項１１】
前記不揮発性メモリに蓄えられた値は、前記メモリに蓄えられた温度データをＦＥＴのオン抵抗を補正する補正値で、前記検出回路の比較電圧は前記ＦＥＴのオン抵抗の補正値と前記昇圧回路の１次電流の積で決定することを特徴とする請求項８に記載の電子閃光装置。
【請求項１２】
前記温度検出は、ストロボ充電毎に行われることを特徴とする請求項８に記載の電子閃光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子閃光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、フライバック方式のＤＣ／ＤＣコンバータでは、トランスが磁気飽和をおこさないように１次電流を制限する必要がある。図１０に従来回路例を示す。尚、１００の電子閃光装置と１２０〜１３１に示すカメラ制御回路の動作に関しては、後述する実施例とほぼ同等であり詳細を省略する。ここでは、１００の電子閃光装置の動作に関してのみ説明を行う。１は電源、２は電源スイッチ、３は発振トランスで１次側の一端が発振ＦＥＴ４のドレインに入力され、他方が電源スイッチ２に接続され、２次側がダイオード２０を介して後述の主コンデンサ２７に接続されている。５のコンパレータは正側入力端子が１２の電流検出抵抗と接続され、出力端子が制御回路１１と接続されている。２１はツェナーダイオード、２２は抵抗、２３はトランジスタを示し、ツェナーダイオード２１と抵抗２２で構成した直列回路の端子間にトランジスタ２３のベースが接続されている。２７は主コンデンサ、２５はトリガー回路ブロック、２６は放電管を示し、トリガー回路ブロック２５の出力が放電管２６と接続されている。ａ〜ｄはカメラ制御部との接続ラインでａは制御回路１１に、２４はプルアップ抵抗で出力ラインｂはプルアップ抵抗２４とトランジスタ２３のコレクタとの接続点に、ｃはトリガー回路の起動端子、ｄはコンパレータ５の負側入力端子としてそれぞれ接続されている。
【０００３】
図１０の構成による動作を説明する。充電を開始するため、制御ブロック１２５から端子ａに発振開始信号を与え、端子ａに与えられたこの信号は、制御回路１１に入力される。制御回路１１にはタイマー回路が内蔵されており、一定時間間隔で制御回路１１の出力端子にハイレベル信号を出力する。制御回路１１の出力端子の出力信号により、発振ＦＥＴ４のゲート電位が与えられ、発振ＦＥＴ４は導通する。このため、ドレイン電流が電源１、電源スイッチ２、発振トランス３の１次巻線、発振ＦＥＴ４及び検出抵抗１２を介すループで、発振トランス３の１次巻線に流れる。この時、ドレイン電流により検出抵抗１２に電位が発生し、この電位が制御ブロック１２５により定められたコンパレータ５の比較電圧に達するとコンパレータ５からの出力信号はハイレベルとなる。コンパレータ５から出力されたハイレベルの信号は制御回路１１に入力される。このコンパレータ５で出力された信号から立ち上がりエッジが入力されると、出力端子はロウレベルを出力し、発振ＦＥＴ４のゲートは電位がなくなり、発振ＦＥＴ４は非導通となる。このため、ドレイン電流がなくなり、発振トランス３の１次巻線に逆起電力が発生し、発振トランス３の２次巻線に起電力が発生し、ダイオード２０を介して、主コンデンサ２７にエネルギーが蓄積される。一定時間経過後に制御回路１１のタイマー回路からハイレベル信号が出力され、再び上記の動作を行い、この動作を繰り返すことで主コンデンサ２７にエネルギーが蓄積される。
【０００４】
この様に従来例では検出抵抗１２を挿入し、発振トランス３の１次電流を検出していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の回路では電流検出抵抗の電圧降下のためロスが発生するとともに、比較的ワッテージの大きな抵抗を必要とする為、実装上でも負荷となっていた。
【０００６】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、低電圧動作が可能且つ効率の向上および部品点数の削減を可能とする電子閃光装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本願第１の発明では、
本発明では、電池電源と電池電圧を昇圧するための昇圧回路と放電管と放電管の発光エネルギーを蓄積する主コンデンサと駆動パルス発生手段を有する昇圧回路を制御するための制御回路と電池電流を検出する為の検出回路を含む電子閃光装置において、前記昇圧回路は前記駆動パルス発生手段からの駆動信号により動作を開始し、前記検出回路の検出出力は昇圧回路の発振素子の動作に同期して行われ、その検出信号は昇圧回路の発振素子の動作電圧が比較電圧以上であることにより発生され、次の駆動パルスが発生するまで発振素子の動作を一時的に停止するものである。
【０００８】
上記の構成を有することにより、昇圧回路の１次電流を制御するための検出抵抗がなくとも、前記昇圧回路の１次電流を制御することが可能となる。
【０００９】
また、本発明は、電池電源と電池電圧を昇圧するための昇圧回路と放電管と放電管の発光エネルギーを蓄積する主コンデンサと駆動パルス発生手段を有する昇圧回路を制御するための制御回路と電池電流を検出する為の検出回路と不揮発性メモリとＤ／Ａ変換器を含む電子閃光装置において、前記昇圧回路は前記駆動パルス発生手段からの駆動信号により動作を開始し、前記検出回路の検出出力は昇圧回路の発振素子の動作に同期して行われ、その検出信号は昇圧回路の発振素子の動作電圧が比較電圧以上であることにより発生され、次の駆動パルスが発生するまで発振素子の動作を一時的に停止させる昇圧回路であって、前記不揮発性メモリに蓄えられた値は前記昇圧回路の１次電流を所定の電流に設定する為のあらかじめ定められた補正のための値であり、その値によりＤ／Ａ変換器を介して前記検出回路の比較電圧を決定するものである。
【００１０】
上記の構成を有することにより、前記昇圧回路の発振素子のオン抵抗のばらつきによる電流値補正を行い、昇圧回路の１次電流の制御の精度が向上する。
【００１１】
さらに、本発明では、電池電源と電池電圧を昇圧するための昇圧回路と放電管と放電管の発光エネルギーを蓄積する主コンデンサと駆動パルス発生手段を有する昇圧回路を制御するための制御回路と電池電流を検出する為の検出回路と不揮発性メモリとＤ／Ａ変換器と昇圧回路の発振素子の素子温度を検出する為の温度検出手段とメモリとＡ／Ｄ変換器を含む電子閃光装置において、前記昇圧回路は前記駆動パルス発生手段からの駆動信号により動作を開始し、前記検出回路の検出出力は昇圧回路の発振素子の動作に同期して行われ、その検出信号は昇圧回路の発振素子の動作電圧が比較電圧以上であることにより発生され、次の駆動パルスが発生するまで発振素子の動作を一時的に停止させる昇圧回路であって、前記温度検出回路からの温度データはＡ／Ｄ変換器を介してメモリに蓄えられ、前記不揮発性メモリに蓄えられた値は前記メモリに蓄えられた温度データにより前記昇圧回路の１次電流を温度変化によっても所定の電流に設定する為の発振素子の動作抵抗の温度変化を補正する補正値で、この補正値によりＤ／Ａ変換器を介して検出回路の比較電圧を決定するものである。
【００１２】
上記の構成を有することにより、昇圧回路の発振素子の温度によるオン抵抗の変化による電流値補正を行い、前記昇圧回路の１次電流の制御の精度が向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（第１の実施例）
図１に本発明の形態を示す。１は電源、２は電源スイッチ、３は発振トランスで１次側の一端が発振ＦＥＴ４のドレイン及びコンパレータ５の正側入力端子に入力され、他方が電源スイッチ２に接続され、２次側がダイオード２０を介して後述の主コンデンサ２７に接続されている。請求項記載の制御回路は、ＮＯＲ回路７及びフリップフロップ８、基準パルス発生回路６で構成されており、請求項記載の検出回路はコンパレータ５及びＯＲ回路９及びゲート信号を遅延させるためのインバータ１０、抵抗３０，３１で構成されている。前記フリップフロップ８は端子Ｒが基準パルス発生回路６と接続され、出力端子がＮＯＲ回路７の入力端子の一端に接続されている。前記ＮＯＲ回路７は、出力端子が発振ＦＥＴ４のゲート及び前記インバータ１０の入力端子に接続されている。前記ＯＲ回路９は入力の一端が前記コンパレータ５の出力と接続され、他方がインバータ１０の出力端子に接続され、出力がフリップフロップ８のＣＫ端子に接続されている。３０及び３１は抵抗を示し、抵抗３０と抵抗３１の接続端子に前記コンパレータ５の負側入力端子が接続されている。２１はツェナーダイオード、２２は抵抗、２３はトランジスタを示し、ツェナーダイオード２１と抵抗２２で構成した直列回路の端子間にトランジスタ２３のベースが接続されている。２７は主コンデンサ、２５はトリガー回路ブロック、２６は放電管を示し、トリガー回路ブロック２５の出力が放電管２６と接続されている。ａ〜ｃはカメラ制御部との接続ラインでａはＮＯＲ回路７の入力に、ｂは抵抗２４とトランジスタ２３のコレクタとの接続点に、ｃはトリガー回路の起動端子としてそれぞれ接続されている。
【００１４】
カメラ制御部のブロック構成は１２０は定電圧ブロックで、マイクロコンピュータ（以下マイコンと呼ぶ）等からなる制御ブロック１２５からＶＣＣＥＮ端子を介して制御され各回路ブロックに電源であるＶＣＣを供給する。１２１はスイッチ検知回路ブロックで電池（Ｂｂａｔ）またはＶＣＣ電源により作動して各スイッチの状態や変化などを制御ブロック１２５へ伝達する。１２２は温度検出回路ブロック、１２３はフィルム感度及び駒数などの情報を得るフィルム感度検出ブロック、１２６は測距回路ブロック、１２７は測光回路ブロックであり、制御ブロック１２５に各端子を介して必要な情報を伝える。１２４はシャッターを駆動するシャッター駆動回路、１２９はレンズを駆動するためのレンズ駆動回路、１３０はフィルムを給送するためのフィルム駆動回路で、制御ブロック１２５により各動作を行う。１２８は表示回路ブロックであり、例えばＬＣＤ等に必要な情報を表示するものである。１３１はバッテリチェックを行うバッテリチェック回路である。
【００１５】
次に、上記制御回路の動作とともに、図２のフローチャートに従い動作の説明を行う。
【００１６】
ここでは、カメラ制御回路側の電源はすでに投入された状態であり、この状態では制御ブロック１２５のマイコンは低消費モードとなっていて動作が停止しているものとして説明を行う。
【００１７】
スイッチ検知回路ブロック１２１内の電源スイッチが投入されると、制御ブロック１２５内のマイコンが作動を開始する。制御ブロック１２５は定電圧回路ブロック１２０にＶＣＣＥＮ端子を介して信号を与え、定電圧ブロック１２０は各回路ブロックに電源Ｖｃｃを供給する。
【００１８】
ここで図２のフローチャートに従えば、制御ブロック１２５のマイコンに必要な初期設定を行う（Ｓ１）。スイッチ検知回路ブロック１２１を作動させ（Ｓ２）、撮影準備を行う為のレリーズボタンの半押し状態であるＳＷ１の入力待ちを行う（Ｓ３）。スイッチ信号が発生すると、バッテリーチェックを行って（Ｓ４）、カメラの撮影に必要な電源状態にあるか無いかを判断し（Ｓ５）、充分で無い場合はＳ２に戻り、電源が充分と判断されると測距回路ブロック１２６を作動させて被写体までの距離を測距する（Ｓ６）。続いて、被写体の輝度を測定する（Ｓ７）。そして、この輝度データから被写体輝度が所定輝度より明るいか暗いかを判定し（Ｓ８）、輝度が低い場合にはストロボの充電を行う（Ｓ９）。
【００１９】
図１で、端子ａに与えられたロウレベル信号は、ＮＯＲ回路７に入力される。基準パルス発生回路６はロウレベル信号を発生するが、前記基準パルス発生回路６から発生したロウレベル信号は、フリップフロップ８の端子Ｒに入力される。前記フリップフロップ８は端子Ｒからロウレベル信号が入力されると、出力端子にロウレベル信号を出力する。フリップフロップ８の出力端子から出力されたロウレベルの信号はＮＯＲ回路７の入力端子に入力される。この時、ＮＯＲ回路７の出力はハイレベルとなり、発振ＦＥＴ４のゲート電位が与えられ、発振ＦＥＴ４は導通する。このため、ドレイン電流が電源１、電源スイッチ２、発振トランス３の１次巻線及び発振ＦＥＴ４を介すループで、発振トランス３の１次巻線に流れる。同時に、詳しくは後述するがゲート信号を遅延するためのインバータ１０を介して、ＯＲ回路９の入力にロウレベルの信号が入力される。また、ドレイン電流により発振ＦＥＴ４のドレインは電位が発生し、抵抗３０と抵抗３１により定められるコンパレータ５の比較電圧に達するとコンパレータ５からの出力信号はロウレベルからハイレベルとなる。この時、コンパレータ５から出力されたハイレベルの信号はＯＲ回路９に入力され、ＯＲ回路９の出力はロウレベルからハイレベルに切り替わる。フリップフロップ８は端子ＣＫから立ち上がりエッジが入力されると、出力端子にハイレベルを出力する。フリップフロップ８の出力端子から出力されたハイレベルの信号はＮＯＲ回路７の入力端子に入力され、ＮＯＲ回路７の出力はロウレベルとなり、発振ＦＥＴ４のゲートは電位がなくなり、発振ＦＥＴ４は非導通となる。同時に、インバータ１０を介して、ＯＲ回路９にハイレベルの信号が入力される。この時、ＯＲ回路９の出力は常にハイレベルとなり、コンパレータ５の出力に影響されず、そのためＯＲ回路９の出力は発振ＦＥＴ４の動作に同期している。
【００２０】
また発振ＦＥＴ４が非導通となるため、ドレイン電流がなくなり、発振トランス３の１次巻線に逆起電力が発生し、発振トランス３の２次巻線に起電力が発生し、ダイオード２０を介して、主コンデンサ２７にエネルギーが蓄積される。一定時間経過後に再び基準パルス発生回路６からロウレベル信号が出力され、再び上記の動作を行い、この動作を繰り返すことで主コンデンサ２７にエネルギーが蓄積される。
【００２１】
図４にこの時の各部波形を示す。図４において、Ａは基準パルス発生回路６から発生する電圧、Ｂは発振トランス３の１次巻線に流れる電流、Ｃは発振ＦＥＴ４のドレイン電圧、ＤはＯＲ回路９の出力電圧、Ｅはフリップフロップ８の出力端子の出力電圧、Ｆは発振ＦＥＴ４のゲート電圧を示している。フリップフロップ８の出力端子は、Ａからロウレベルの信号が入力された時にロウレベルになり、ＤのＯＲ回路９の出力から立ち上がりパルスが入力された時にハイレベルとなる。また、発振ＦＥＴ４のゲートがオンからオフに切り替わるときに発振ＦＥＴ４のドレイン電圧がハイレベルからロウレベルになるのが遅れるため、インバータ１０により前記ドレイン電圧がロウレベルになるまで、ＯＲ回路へのゲート信号の入力を遅延させている。
【００２２】
図５にゲート電圧が十分である場合のソース・ドレイン間電圧とドレイン電流の特性を示す。ソース・ドレイン間電圧とドレイン電流は比例関係にあるため、ＦＥＴは検出抵抗として動作が可能である。ＦＥＴのオン抵抗は各素子ごとにばらつきがあるが、ばらつき中心をＲ０とするとオン抵抗はＲｍａｘからＲｍｉｎまでばらつく。このとき、ドレイン電流はＩｍｉｎからＩｍａｘまでばらつく。しかし、Ｉｍａｘの場合は発振トランス３が磁気飽和を起こさないように、Ｉｍｉｎの場合は発振トランス３が十分に電力を供給できるような範囲でコンパレータ５の比較電圧を決めてやれば問題はない。なお、コンパレータ５にはオフセット電圧があるが、この調整を行っておくことは言うまでもない。
【００２３】
図６にＦＥＴのオン抵抗とＦＥＴの素子温度の特性を示す。オン抵抗Ｒ０時の素子温度をＴ０とする。ストロボ充電が連続して行われるような場合、発振ＦＥＴ４の素子温度がＴ０からＴ１まで上昇し、オン抵抗はＲ０からＲ１となるが、発振トランス３が十分に電力を供給できるようなドレイン電流であれば問題はない。
【００２４】
やがて、主コンデンサ２７の電圧が上昇していき、主コンデンサ２７の電位がツェナーダイオード２１の逆降伏電圧を越えると、ツェナーダイオード２１及び抵抗２２に電流が流れ、抵抗２２には電位が発生する。この電位により、トランジスタ２３は導通するとともに、接続端子ｂにロウレベルが入力される。
【００２５】
ここで、図３のストロボ充電時のフローチャートに戻って説明すると、ツェナーダイオード２１、抵抗２２，２４及びトランジスタ２３からなる充電電圧検出回路から制御ブロック１２５の接続端子ｂにロウレベルの信号が入力されているか否かを判別する（Ｓ４３）。接続端子ｂに充電完了を示すロウレベルの信号が入力されると、制御ブロック１２５の端子ａをハイレベルとして充電を終了する（Ｓ４４）。そして、充電完了を示すフラグをたてる（Ｓ４５）。また、充電タイマ期間中に充電完了レベルにならないと（Ｓ４６）、同様に充電を停止（Ｓ４７）させ、未充電完了としてフラグをリセットする（Ｓ４８）。その後、充電タイマをリセット（Ｓ４９）して、ストロボの充電フローを終了し、図１のシーケンスに戻る。
【００２６】
次に、ストロボ充電のＳ４５，Ｓ４８でのフラグを確認し、充電が完了していないＮＧの場合はＳ２に戻り、ＯＫで有ればＳ１１へ進む（Ｓ１２）。次にＳＷ１がオン状態でＳＷ２（全押し操作）が入力されるのを待つ（Ｓ１３，Ｓ１４）。ＳＷ２の入力により、Ｓ６での測距データに基づきレンズ駆動回路ブロック１２９を制御して焦点調整を行う（Ｓ２１）。さらに、Ｓ７で得られた被写体の輝度とフィルム感度データからの条件によりシャッター開口をシャッター駆動回路ブロック１２４を介して制御すると共に、輝度が低く電子閃光装置が必要な場合には測距データとフィルム感度によりシャッター制御を行い適正な絞り値で電子閃光装置を発光させる（Ｓ２２）。
【００２７】
電子閃光装置の発光は図１の端子ｃにハイレベル信号を与えて行う。制御ブロック１２５の端子ｃからハイレベル信号が与えられ、このハイレベル信号により、トリガー回路ブロック２５の出力端子には高圧パルスが発生する。この高圧パルスにより放電管２６のトリガ電極を介して放電管２６は励起状態となり、放電管２６のインピーダンスは急激に低下し、主コンデンサ２７の充電電荷が一瞬にして放電し、放電管２６はこのエネルギーを光エネルギーに変換し、発光する。
【００２８】
シャッターが閉成されると、焦点位置にあったレンズを初期位置に戻す（Ｓ２３）。そして、１コマのフィルムが巻き上げられる（Ｓ２４）。ストロボが使用されたか否かを判別し（Ｓ２５）、ストロボが使用された場合Ｓ９と同様なフローで充電を行う（Ｓ２６）。また、ストロボが使用されなかった場合はＳ２６をスキップしてＳ２に戻り一連のシーケンスを終了する。
【００２９】
（第２の実施例）
第２の実施例は第１の実施例の改良を示す物で、図７に本発明の第二の実施形態を示す。図１の構成及び同等の機能を有する部品等は同一の記号にて示した。図７の構成で異なる部分は、制御ブロック１２５の中に不揮発性メモリとＤ／Ａ変換器を有することとコンパレータ５の比較電圧となる負側入力端子が制御ブロック１２５の接続端子ｄに接続されていることである。このような構成でのストロボ充電のフローチャート及びストロボ充電の動作は第１の実施例と同等であるので省略して、比較電圧に関わる部分についてのみ説明する。
【００３０】
基準となるオン抵抗を例えばばらつき中心Ｒ０とし、このオン抵抗Ｒ０とそのときのコンパレータ５の基準電圧Ｖ０は不揮発性メモリに書き込まれているとする。各素子ごとのＦＥＴのオン抵抗の補正値Ｒｘは、あらかじめ工場出荷以前に、ＦＥＴにある一定電流を流し、そのときのドレイン電圧を電圧計等を用いて測定し、そのドレイン電圧を一定電流で割ることで得られる。この補正値Ｒｘを不揮発性メモリに書き込み、各素子ごとの比較電圧Ｖ′は、Ｖ’＝（Ｒｘ／Ｒ０）Ｖ０と設定されればよい。
【００３１】
これは、発振ＦＥＴ４のオン抵抗のばらつきが無視できない場合、つまり発振トランス３が磁気飽和を起こす場合やその逆に十分に電力が供給されない場合に、発振トランス３に流れる電流を一定に制御するようにする物である。
【００３２】
図２のフローチャートに従えば、制御ブロック１２５のマイコンに必要な初期設定を行う（Ｓ１）。コンパレータ５の比較電圧は、前記初期設定の一部として行われ、前記比較電圧はあらかじめ不揮発性メモリに記憶させておいた各素子ごとのオン抵抗の補正値により得られる値で、この値を制御ブロック１２５内でＤ／Ａ変換し、端子ｄに出力される。以下カメラ制御部の動作は、第一の実施例と同様であるため、省略する。
【００３３】
（第３の実施例）
第３の実施例は第１の実施例の改良を示す物で、図８に本発明の第３の実施形態を示す。図７の構成及び同等の機能を有する部品等は同一の記号にて示した。図８の構成で異なる部分は、発振ＦＥＴ４の素子温度を検出するための温度センサー１３３を用いているところのみであるため、図７の構成と同一の記号にて示した。図７とストロボ装置１００は同等の構成であり省略した。このような構成でのストロボ充電のフローチャートを図９に示すが、図３とほぼ同等であるので詳しい説明は省略し、変更部分のみを説明する。
【００３４】
温度信号Ｔ１は、温度補正回路ブロック１２２の素子温度検出センサー１３３から出力され、前記温度信号Ｔ１は制御ブロック１２５のマイコンに入力される。
【００３５】
基準温度Ｔ０とこのときのオン抵抗Ｒ０及びコンパレータ５の比較電圧Ｖ０が不揮発性メモリに書き込まれているとする。図６において、ＦＥＴの素子温度はオン抵抗とほぼ比例関係にあり、温度係数はあらかじめ求めておくことが可能であり、その温度係数をＫとすると、ある温度Ｔ１でのオン抵抗Ｒｘは、Ｒｘ＝Ｋ（Ｔ１−Ｔ０）＋Ｒ０により得られ、メモリに蓄えられる。コンパレータ５の比較電圧Ｖ′は、Ｖ’＝（Ｒｘ／Ｒ０）Ｖ０と設定されればよい。この値は制御ブロック１２５内でＤ／Ａ変換され、端子ｄに出力される（Ｓ５２）。以下、ストロボ充電のフローチャート及び回路動作は、フローチャートのシーケンス番号が異なるのみで機能は同等であるため省略する。
【００３６】
これは、発振ＦＥＴ４の素子温度上昇によるオン抵抗の変化が無視できない場合、つまり発振トランス３に十分に電力が供給されない場合に、発振トランス３に流れる電流を一定に制御するようにする物である。
【００３７】
なお、第３の実施例は第２の実施例と組み合わせて使用することも可能である。
【００３８】
（発明と実施の形態との対応）
発振トランス３及び発振ＦＥＴ４を有する回路は本願の各請求項記載の発明である昇圧回路に相当し、発振ＦＥＴ４は本願発明の昇圧回路の発振素子に相当し、コンパレータ５及びＯＲ回路９、インバータ１０を有する回路は本願発明の電池電流を検出する為の検出回路に相当し、基準パルス発生回路６は本願発明の駆動回路に相当し、ＮＯＲ回路７、フリップフロップ８を有する回路は本願発明の制御回路に相当し、温度検出センサー１３３を有する回路は本願発明の温度検出手段に相当する。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明により、電池電源と電池電圧を昇圧するための昇圧回路と放電管と放電管の発光エネルギーを蓄積する主コンデンサと駆動パルス発生手段を有する昇圧回路を制御するための制御回路と電池電流を検出する為の検出回路を含む電子閃光装置において、前記昇圧回路は前記駆動パルス発生手段からの駆動信号により動作を開始し、前記検出回路の検出出力は昇圧回路の発振素子の動作に同期して行われ、その検出信号は昇圧回路の発振素子の動作電圧が比較電圧以上であることにより発生され、次の駆動パルスが発生するまで発振素子の動作を一時的に停止させることで、昇圧回路の１次電流を制限するための検出抵抗をなくすことができ、そのため低電圧動作が可能となるとともに、効率の向上及び部品点数の削減が可能となる。
【００４０】
また、昇圧回路の発振素子のオン抵抗のばらつきによる電流値補正や昇圧回路の発振素子の温度によるオン抵抗の変化による電流値補正を行うことで、より精度の高い１次電流の制御が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施例である電子閃光装置の回路図を示す。
【図２】本発明の動作を示すフローチャートである。
【図３】本発明の第一・第二の実施例であるストロボ充電のフローチャートを示す。
【図４】本発明を説明するための各部波形を示す波形図である。
【図５】本発明を説明するための図である。
【図６】本発明を説明するための図である。
【図７】本発明の第二の実施例である電子閃光装置の回路図を示す。
【図８】本発明の第三の実施例である電子閃光装置の回路図を示す。
【図９】本発明の第三の実施例であるストロボ充電のフローチャートを示す。
【図１０】本発明の従来例である電子閃光装置の回路図を示す。
【符号の説明】
３　発振トランス
４　発振ＦＥＴ
５　コンパレータ
１２５　制御ブロック
１３３　温度検出センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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