(57)【要約】【課題】ＣＯＦボンディング不良をなくし、加熱ツール温度が高く、短時間でボンディングできる絶縁フィルムをＣＯＦテープ基材とした半導体装置用テープキャリアを提供すること。【解決手段】樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材１上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターン１０を形成し、その配線パターンのリード１０ｂに、テープ基材の反対側の面からの加熱ツール９による加圧でリード１０ｂを半導体チップ７に加熱接合するためのめっき１１を施した半導体装置用テープキャリアにおいて、上記テープ基材１を構成する絶縁フィルムに、動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の材料を用いる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードに、テープ基材の反対側の面からの加熱ツールによる加圧でリードを半導体チップに加熱接合するためのめっきを施した半導体装置用テープキャリアにおいて、
上記テープ基材を構成する絶縁フィルムに、動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の材料を用いたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
上記テープ基材を構成する絶縁フィルムの厚さが、１２．５〜５０．０μｍであることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
上記テープ基材を構成する絶縁フィルムが、温度範囲３００〜３５０℃の範囲で動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の材料から成ることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードに、テープ基材の反対側の面からの加熱ツールによる加圧でリードを半導体チップに加熱接合するためのめっきを施した半導体装置用テープキャリアにおいて、
上記テープ基材の加熱ツールで加圧する面に、動的弾性率１．５ＧＰａ以上のポリイミド樹脂フィルムを１〜３μｍ積層したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
上記テープ基材を構成する絶縁フィルムがポリイミド樹脂から成ることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを搭載して半導体パッケージを構成するためのテープキャリアに関する。特に、液晶駆動用のドライバーチップを、直接銅ポリイミド基板上のリードに実装して、液晶パネルに接続する場合のように、小型、軽量で、折り曲げて使用するため極力薄いことが要求されるＣＯＦ用テープとして適した半導体装置用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、薄型化、高精細化の要求に伴い、ＩＣ等の電子部品を搭載する基板の配線は微細化が進行している。なかでも液晶表示素子（ＬＣＤ）の駆動ＩＣはＴＡＢテープを搭載基板とするＴＣＰ（Tape Carrier Package）が好ましく用いられているが、表示の高精細化、駆動ＩＣの多出力化、ＩＣの小型化などの進展に伴い、ＴＣＰに用いられるＴＡＢテープのパターンピッチはファイン化の一途を辿っている。
【０００３】
一般的なＴＣＰは以下のような構成を有している。すなわち、図５において、ポリイミド等の絶縁フィルムから成るテープ基材３１上に銅箔用接着剤３２によって銅箔３３に錫めっき３５を施した回路配線パターン３３ａを形成した三層を成すフィルムテープ（三層基板ＴＡＢテープ３０）に、デバイスホール２０を設ける。そして、このデバイスホール２０内にＬＳＩの半導体チップ７を位置させて、この半導体チップ７の電極（金バンプ６）と配線パターン３３ａのインナーリード３３ｂとを、加熱ステージ５及び加熱ツール９を用いてボンディング接続する。そして、半導体チップ７及びその接続部の周囲を高信頼性樹脂によって封止してＴＣＰデバイスが形成される。但し、図５においては、高信頼性樹脂は省略している。なお、銅リード３３ａは表面の一部をソルダーレジスト３４により被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリード３３ｂに錫めっき３５を施した構造とする。この錫めっき３５はＩＣチップ及び液晶ガラスとの接続の為に施され、またソルダーレジスト３４は絶縁と機械的強度向上の為に設けられる。
【０００４】
このように微細配線を有する基板として図５に示すＴＡＢテープ材（三層基板ＴＡＢテープ３０）が適用されているが、このテープ材にはＩＣ搭載部のデバイスホール２０が設けられ、インナーリード３３ｂがデバイスホール２０に突出するフライングリード構造となっている。
【０００５】
しかし、インナーリード３３ｂの配線ピッチが４０μｍを下回るとフライングリードの形成が困難になり、さらにリードピンが曲がり易く、ＩＣチップとの接合が困難になる。この解決策の一つとして、最近、テープ状絶縁フィルム上に所望の配線パターンを形成し、めっき後絶縁テープを介してチップと接合するＣＯＦ（Chip on FilmまたはChip on Flex）と称されるパッケージが適用されている。
【０００６】
このＣＯＦ方式は、図６に示すように、ポリイミドテープから成るテープ基材４１に銅箔２をメタライジング法（ＰＩテープ上にニッケル合金をスパッタリングしてシード層とし、その後銅めっきを施す製法）又はキャスティング法（銅箔にＰＩワニスを塗布しキュアにより硬化させる方法）で接合した二層基板材料（二層基板ＣＯＦテープ４０）を用いるもので、デバイスホールやフライングリードがなく、銅箔による銅リード１０ａ及びインナーリード１０ｂを含む微細配線（配線パターン１０）はポリイミドテープ材（テープ基材４１）に接合された状態で形成される。従って、インナーリード１０ｂの変形は無く、また銅箔２は薄いので４０μｍピッチ以下の超微細配線が可能になる。なお、銅リード１０ａの表面の一部をソルダーレジスト３により被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリード１０ｂに錫めっき１１を施した構造とする点は図５のＴＣＰ方式の場合と同じである。この錫めっき１１はＩＣチップ及び液晶ガラスとの接続の為に施され、またソルダーレジスト３は絶縁と機械的強度向上の為に設けられる。
【０００７】
ＩＣチップとのボンディングは、次のようになされる。搭載基板としてＴＡＢテープを使用するＴＣＰのボンディング方式の場合は、図５に示すように、加熱ステージ５の上に、金バンプ６を形成した半導体チップ７をセットし、ＣＣＤカメラ８でＴＡＢテープの錫めっきを施したフライングリード３３ｂと金バンプ６を位置合わせした後、一定温度の加熱ツール９で一定時間加圧してＡｕ−Ｓｎ共晶接合（加熱接合）する。
【０００８】
これに対し、ＣＯＦのボンディング方式の場合は、図６に示すように、加熱ステージ５の上に、金バンプ６を形成した半導体チップ７をセットし、ＣＣＤカメラ８で、二層基板のテープ基材４１であるポリイミド樹脂を介して、錫めっき１１を施したリード１０ｂと金バンプ６を位置合わせした後、一定温度の加熱ツール９で一定時間加圧してＡｕ−Ｓｎ共晶接合（加熱接合）するので、加熱ツール９は汚れない。
【０００９】
しかし、位置合せはテープ基材４１のポリイミド樹脂を介してリード１０ｂを認識することから、ポリイミド樹脂は薄く透明性であることが要求され、その厚さが１２．５μｍ、２０μｍ、２５μｍ及び３８μｍのものが使用されている。また、ポリイミド樹脂を介しての加熱接合の為、加熱ツール９の熱伝達が阻害されるので、同じＡｕ−Ｓｎ共晶を形成するには、ＴＣＰのボンディング方式に比較して加熱ツール９の温度を高くする必要がある。この為、図７に示すようにＣＯＦ用テープ基材４１の熱変形と熱収縮により、加熱ツール９がＣＯＦ用テープ基材４１にめりこむ。接合が完了した後加熱ツール９の圧力を解除して除去すると、図８に示すように、ＣＯＦテープ４０が加熱ツール９に付着することがある。
【００１０】
この対策として、加熱ツールの温度を下げ、加圧時間を長くしてＡｕ−Ｓｎ共晶が生成する為の熱量を負荷している、この為、生産性が悪くなっている。また、しばしば、接合部分に微少空隙が生成して不良を発生している。
【００１１】
なお、ＴＡＢテープの寸法変化を小さくするためには、ＴＡＢ用テープのベース材すなわちポリイミドフィルムが応力・温度変化・吸湿度変化による寸法変化が小さいことが必要であるとの観点から、線膨張係数が小さく、弾性率が高く吸湿膨張係数の低いポリイミドフィルムが求められるとして、従来、３００℃以上４００℃以下の温度における貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上であるポリイミドフィルムを有するＴＡＢテープについて提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
【特許文献１】
特開２０００−２９９３５９号
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した特許文献１は、ＣＯＦテープ特有の問題点であるＣＯＦテープが加熱ツール９に付着する不都合を解決しようとするものではない。すなわち、３００℃以上４００℃以下の温度における貯蔵弾性率に言及があるものの、高寸法安定性を目的とするものであって、本発明とは直接の関係はない。
【００１４】
上述したように、ＣＯＦのボンディングは、加熱ツールにより絶縁フィルムを介して加圧してリードをチップに加熱接合する。したがって、ＣＯＦのボンディングにおいては、加熱ツール温度を高くして、短時間で接合する必要があるが、ポリイミドの種類によっては加熱ツールにＣＯＦテープが付着して、加熱接合が適正にできないことがある、という課題がある。
【００１５】
そこで本発明の目的は、上記課題を解決し、ＣＯＦのボンディングにおいて、ＣＯＦボンディング不良をなくし、加熱ツール温度が高く、短時間でボンディングできる絶縁フィルムをＣＯＦテープ基材とした半導体装置用テープキャリアを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１７】
請求項１の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードに、テープ基材の反対側の面からの加熱ツールによる加圧でリードを半導体チップに加熱接合するためのめっきを施した半導体装置用テープキャリアにおいて、上記テープ基材を構成する絶縁フィルムに、動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の材料を用いたことを特徴とする。
【００１８】
請求項２の発明は、請求項１記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、上記テープ基材を構成する絶縁フィルムの厚さが、１２．５〜５０．０μｍであることを特徴とする。
【００１９】
これはテープ基材たる絶縁フィルムの厚さが１２．５μｍより薄いと、フィルムの腰が弱いためスムースなテープ搬送ができなく、ＴＡＢテープの製造ラインに適用することが困難になるなどの問題があり、また５０．０μｍより厚いと、逆に搬送し難い、価格が高い、かさばる、重くなる、といった問題が生じるためである。
【００２０】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、上記テープ基材を構成する絶縁フィルムが、温度範囲３００〜３５０℃の範囲で動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の材料から成ることを特徴とする。
【００２１】
これは、加熱ツールによる加圧加熱接合は通常３００〜３５０℃の温度範囲で行われるからである。
【００２２】
請求項４の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、樹脂製の絶縁フィルムから成るテープ基材上にＣＯＦ接続のためのリードを含む配線パターンを形成し、その配線パターンのリードに、テープ基材の反対側の面からの加熱ツールによる加圧でリードを半導体チップに加熱接合するためのめっきを施した半導体装置用テープキャリアにおいて、上記テープ基材の加熱ツールで加圧する面に、動的弾性率１．５ＧＰａ以上のポリイミド樹脂フィルムを１〜３μｍ積層したことを特徴とする。
【００２３】
これは、上記テープ基材を構成する絶縁フィルムが二層からなり、加熱ツールで加圧する面に動的弾性率１．５ＧＰａ以上のポリイミド樹脂を１〜３μｍ積層した材料を用いた形態を含むものである。
【００２４】
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、上記テープ基材を構成する絶縁フィルムがポリイミド樹脂から成ることを特徴とする。
【００２５】
＜発明の要点＞
本発明は、ＣＯＦパッケージ用フィルムキャリアにおけるボンディング性向上のために、そのＣＯＦテープ基材の絶縁フィルムを提案するものである。ＣＯＦのボンディングは、テープ基材を介して接合部に熱を伝達して行われるので、Ａｕ−Ｓｎ共晶接合の熱容量確保の為に加熱ツールの温度を高くする必要がある。この条件を満足するため、本発明では、テープ基材としての樹脂製絶縁フィルムに、動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の材料、好ましくはポリイミド樹脂を採用し、これによりＣＯＦテープの加熱ツールへの付着を防止する。
【００２６】
本発明者等は、各種ポリイミド材質でＣＯＦテープを製造し、パルスツール実験装置を用い、加熱ツールへのテープ付着状況を確認した。その結果、ポリイミド樹脂の種類により加熱ツールへ付着する温度が異なることが分かった。その原因を調査した結果、ポリイミド樹脂の種類により動的弾性率が異なり、しかもその温度プロファイルも異なることが分かった。すなわち、ＣＯＦのボンディングで一般に実施されている加熱ツールの温度３００〜３５０℃以上で動的弾性率が急激に低下し、しかも１．５ＧＰａ未満のポリイミドは加熱ツールに付着し易くなる。
【００２７】
したがって、ＣＯＦの場合はポリイミドの材質を適切に選定しないと、ボンディング作業において加熱ツールにＣＯＦテープが付着してＡｕ−Ｓｎ共晶接合が形成されず剥離する。また、接合したとしても接合部分に微少空隙が生成して信頼性が低下しボンディング不良となる。
【００２８】
よって、ＣＯＦボンディング性の向上の為には、動的弾性率が１．５ＧＰａ以上のポリイミド樹脂をテープ基材として用いるのが最適であることが分かった。
【００２９】
また、加熱ツールの接触する範囲はテープ裏面の深さ１μｍ以下のため、この部分に動的弾性率１．５ＧＰａ以上のポリイミド樹脂を接着した二層構造とした場合でも、加熱ツールへのＣＯＦテープの付着を防止することができることを確認した。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【００３１】
図１は、本発明の半導体装置用テープキャリアの実施形態に係るＣＯＦテープと、これに半導体チップを接合しＣＯＦ構造の半導体パッケージとするボンディング工程を示した断面図である。
【００３２】
この図１の半導体装置用テープキャリアも、その基本的構造は従来の図６の場合と同様であり、樹脂製の透明な絶縁フィルムから成るテープ基材１に、銅箔２をメタライジング法によって接合した二層基材（二層構造基板のテープ材料）を用い、その銅箔２をパターニングして銅リード１０ａを含む配線パターンを形成し、銅リード１０ａの表面の一部を絶縁膜であるソルダーレジスト３により被覆して保護し、これから露出したインナーリード１０ｂに半導体チップ７の金バンプ６と共晶接続するための錫めっき層１１を施した構造のＣＯＦフィルムキャリアテープ（二層基板ＣＯＦテープ４）となっている。従って、デバイスホールが存在せず、インナーリード１０ｂ（図３）はフライングリードとはなっていない。
【００３３】
しかし、図６のＣＯＦテープと大きく異なり、このＣＯＦテープ４では、樹脂製の透明な絶縁フィルムから成るテープ基材１には、３００〜３５０℃の範囲での動的弾性率が１．５ＧＰａ以上のポリイミド樹脂フィルムが用いられている。
【００３４】
［実施例１〜２］
本発明のＣＯＦテープ基材絶縁フィルム及び従来のＣＯＦテープ基材絶縁フィルムの加熱ツール温度と加熱ツールへのテープ付着実験結果を表１に示す。表１に示すように、本発明例１（実施例１）は、３００〜３５０℃の範囲での動的弾性率が１２．５〜１０ＧＰａの樹脂フィルムの場合（図２）を、本発明例２（実施例２）は、３００〜３５０℃の範囲での動的弾性率が１．５ＧＰａの樹脂フィルムの場合（図３）を示す。従来例Ｎｏ１〜２（従来例１〜２）は、３００〜３５０℃の範囲での動的弾性率がそれぞれ−３．０〜１．０ＧＰａ未満の樹脂フィルムの場合（図４）を、また、従来例Ｎｏ３〜４（従来例３〜４）は、３００〜３５０℃の範囲での動的弾性率がそれぞれ−５．０〜１．５ＧＰａ未満の樹脂フィルムの場合（図４）を示す。加熱ツール付着判定の表記は、○；付着無し、△；少し付着、×；付着、××；付着大、×××；固着テープ破損とした。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
表1から明らかなように、従来例Ｎｏ１〜４のＣＯＦ用絶縁フィルムは、いずれの場合も２７０℃以上で加熱ツールに付着するが、本発明例Ｎｏ１及び２のＣＯＦ用絶縁フィルムは、３７０℃までは加熱ツールに付着し無い。特に本発明例Ｎｏ１の場合は４００℃でも付着し無いことを見出した。また、ＣＯＦのボンディングは、一般に加熱ツール温度を３５０〜３７０℃で行うので、本発明のＣＯＦテープ絶縁フィルムは充分適用できる。
【００３７】
本発明のＣＯＦテープ基材絶縁フィルムの動的弾性率は表１に示すように０．５〜１２．５ＧＰａで、図２、図３に示すように３００〜３５０℃の動的弾性率の温度プロファイルからも分かるように、動的弾性率の低下は、図４に示す従来例Ｎｏ１〜４に比較して、その低下傾向が小さい。
【００３８】
次に、上記した本発明例と従来例のＣＯＦテープ絶縁フィルムを用いて、図１の二層基板ＣＯＦテープ４を作製し、そのボンディング不良率（テープ剥れ、フィレット不良、接合部ボイド不良）について調べた。
【００３９】
ここで二層基板ＣＯＦテープ４は次のようにして作製した。テープ基材１として、３００〜３５０℃の範囲での動的弾性率が１０．０〜１２．５ＧＰａの厚さ３８μｍのポリイミド（商品名；ユピセルＳ）を用い、これをプラズマ表面処理し、スパッタリングによりシード層を付けた後、電解めっきで銅（銅箔２）を８μｍめっきしたＣＯＦ用テープに、導体パターン（配線パターン１０）をエッチングで形成し、さらに無電解錫めっき（錫めっき層１１）を施した。得られたＣＯＦフィルムキャリアテープにＩＣチップ（半導体チップ７）をボンディングした。ボンディング条件は、加熱ツール温度；３５０℃、加熱ステージ温度；４２５℃、接合時間；１秒で実施した。
【００４０】
表２に本発明及び従来のＣＯＦ絶縁フィルムを用いた場合のボンディングによる不良割合を示す。ボンディング不良の内訳は、テープ剥れ、フィレット不良、接合部ボイド不良である。ここで「テープ剥れ」は、チップの金バンプに錫めっきしたＣＯＦテープのリードを高温加熱圧着した後リードがバンプから剥れる現象である。この現象が発生するとチップとの導通が取れないので、重大な不良となる。「フィレット不良」は、チップの金バンプに錫めっきしたＣＯＦテープのリードを高温加熱圧着した際、フィレットがリード周辺に盛り上がらないで落ち込みが発生する現象である。この現象が発生するとリードの接着強度（ピール強度）が低下する。「接合ボイド不良」は、チップの金バンプに錫めっきしたＣＯＦテープのリードを高温加熱圧着した際、バンプとリード間にボイド（空隙）が発生する現象である。この現象が発生するとリードの接着強度（ピール強度）が低下する。
【００４１】
【表２】
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【００４２】
本発明例Ｎｏ１、Ｎｏ２では、加熱ツールへの付着が発生しないので、ほとんどボンディング不良が発生しない。すなわち、本発明例Ｎｏ１で０％（０／１０Kpcs（キロピース））、Ｎｏ２で０．１％（１０／１０Kpcs）である。これに対し、従来例１〜４のＣＯＦテープ基材絶縁フィルムの場合は、加熱ツールへのテープ付着が発生するので、２０％（２Kpcs／１０Kpcs）〜４０％（４Kpcs／１０Kpcs）のボンディング不良が発生している。不良の内訳は、表２に示すとおり、テープ剥れ、フィレット不良、接合部ボイド不良である。
【００４３】
上記「テープ剥れ不良」の原因は、加熱ツールでテープの上から加圧してバンプの金とリードにめっきした錫で金−錫の共晶合金を形成して接合する際に、従来のＣＯＦテープは動的弾性率が小さい為、加熱ツールがテープに貼り付き、金−錫の共晶を形成する前にツールと一緒にテープが持ち上がり、リードが剥れることによる。また、「フィレット不良」の原因は、加熱ツールでテープの上から加圧してバンプの金とリードにめっきした錫で金−錫の共晶合金を形成して接合する際に、従来のＣＯＦテープは動的弾性率が小さい為、加熱ツールがテープに貼り付き、金−錫の共晶を完全に形成する前に若干ツールと一緒にテープ及びリードが持ち上がり、フィレットがリードとバンプの隙間に引き込まれることによる。さらにまた、「接合ボイド不良」の原因は、加熱ツールでテープの上から加圧してバンプの金とリードにめっきした錫で金−錫の共晶合金を形成して接合する際に、従来のＣＯＦテープは動的弾性率が小さい為、加熱ツールがテープに貼り付き、金−錫の共晶を完全に形成する前にツールと一緒にテープ及びリードが持ち上がりリードとバンプ間にボイド（空隙）が発生することによる。これらの原因の裏づけは、表１、図２〜図４に示した通りである。
【００４４】
上記表２の結果から、本発明のＣＯＦテープ基材に動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の絶縁フィルムを用いたＣＯＦフィルムキャリアテープは、ボンディング不良を大幅に改善できることが分かる。また、本発明により産業界への寄与が大きい。
【００４５】
［実施例３］
上記実施例１〜２では、ＣＯＦテープ基材の絶縁フィルムが単層の実施形態について説明したが、他の実施形態として、従来例のＣＯＦテープを応用し、そのテープ基材の加熱ツール側の面（少なくとも加熱ツールの当接する面）に、加熱ツールの付着し難い動的弾性率１．５ＧＰａ以上の薄いテープを接合し、二層ＣＯＦテープとすることもでき、これによっても、上記したボンディング不良の生じない半導体装置用テープキャリアを得ることができる。
【００４６】
そのような実施形態の製作例（実施例３）として、従来のＣＯＦテープ（図６の二層基板ＣＯＦテープ４０）の加熱ツール接合面に、動的弾性率が１．５ＧＰａ以上の厚さ３μｍのユーピレックスＳ（宇部興産株式会社の商品名）を接合した樹脂フィルムを用いてＣＯＦテープを製造して、前述の実施例１〜２と同じようにボンディングした。その結果、本実施例３のボンディング不良率は０％（０／１０Kpcs）であった。
【００４７】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の半導体装置用テープキャリアによれば、動的弾性率１．５ＧＰａ以上の絶縁フィルムをＣＯＦフィルムキャリアのテープ基材に適用しているので、これによりＣＯＦボンディング不良を０％にすることができ、品質に優れたＣＯＦパッケージ用のテープキャリアを提供することができる。また、本発明の半導体装置用テープキャリアを用いた場合、ＣＯＦのボンディングにおいて加熱ツール温度を高くし、短時間でボンディングすることができることから、産業の発展に寄与する点が大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置用テープキャリア及びそのボンディング方式を示した図である。
【図２】本発明の実施例１（本発明例Ｎｏ１）に係るＣＯＦテープ基材の絶縁フィルムの動的弾性率温度プロファイルを示した図である。
【図３】本発明の実施例２（本発明例Ｎｏ２）に係るＣＯＦテープ基材の絶縁フィルムの動的弾性率温度プロファイルを示した図である。
【図４】従来例のＣＯＦテープ基材の絶縁フィルムの動的弾性率温度プロファイルを示した図である。
【図５】従来のＴＡＢテープによるＴＣＰの構造とボンディング方式を示した図である。
【図６】従来のＣＯＦテープの構造とボンディング方式を示した図である。
【図７】ＣＯＦテープにおけるボンディング時の加熱ツール接着不具合を示す模式図である。
【図８】ＣＯＦテープにおける加熱ツールへのテープ付着を示す模式図である。
【符号の説明】
１  テープ基材
２  銅箔
３  ソルダーレジスト
４  二層基板ＣＯＦテープ
５  加熱ステージ
６  金バンプ
７  半導体チップ
８  ＣＣＤカメラ
９  加熱ツール
１０  配線パターン
１０ａ  銅リード
１０ｂ  インナーリード
１１  錫めっき層
２０  デバイスホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2004207550.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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