(57)【要約】      （修正有）【課題】生産収率が向上した高解像度／高開口率構造のアクティブマトリックス型有機電界発光素子を提供する。【解決手段】第１基板１１０の内部面には、サブピクセルＰｓｕｂ単位で形成された複数個の駆動薄膜トランジスタＴＤを含むアレイ素子層１４０が形成されていて、アレイ素子層１４０上部には駆動薄膜トランジスタＴＤと連結して電気的連結パターン１４２が形成され、駆動薄膜トランジスタＴＤはゲート電極１１２、半導体層１１４、ソース電極１１６及びドレイン電極１１８で構成されていて、第２基板１５０内部全面には第１電極１５２が形成されていて、第１電極１５２下部にはサブピクセルＰｓｕｂ単位で反復配列される赤、緑、青の各発光層１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃを含む有機電界発光層１６０が形成されていている。有機電界発光層１６０下部には、サブピクセルＰｓｕｂ単位で第２電極１６２が形成されている。【選択図】図６
2004212996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
離隔されて向かい合っている第１基板及び第２基板と；
前記第２基板の内側面に形成されている有機電界発光ダイオードと；
前記第１基板内側面の第1方向に形成されているゲート配線と；
前記第１方向と交差する第２方向に形成されたデータ配線と；
前記第２方向に前記データ配線と離隔されるように配置されて、前記ゲート配線の形成工程と同一工程において前記ゲート配線と同一物質で構成されていて、前記ゲート配線との交差部では別途の電力供給リンク配線を有する電力供給配線と；
前記ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成され、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された第１半導体層を有するスイッチング用薄膜トランジスタと；
前記スイッチング用薄膜トランジスタと電力供給配線間の交差地点に形成され、非晶質シリコンで構成された第２半導体層を有する駆動用薄膜トランジスタと；
前記駆動用薄膜トランジスタと連結し、前記データ配線の形成工程と同一工程において前記データ配線と同一物質で構成された連結電極と；
前記連結電極領域内に配置された、前記有機電界発光ダイオード素子と連結電極を連結させる電気的連結パターンとを含み、
前記スイッチング用薄膜トランジスタと駆動用薄膜トランジスタは、各々第１ゲート絶縁膜及び第２ゲート絶縁膜をさらに含んでいて、前記第１ゲート絶縁膜は、前記第１半導体層と同一な形態を有し、前記第２ゲート絶縁膜は、前記第２半導体層と同一な形態を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記ゲート配線とデータ配線及び電力供給配線の一端には、ゲートパッドとデータパッド及び電力供給パッドが各々形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記ゲートパッドと電力供給パッド上部に、前記データ配線の形成工程と同一工程において前記データ配線と同一物質で構成されたゲートパッド電極及び電力供給パッド電極を各々さらに含むことを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記ゲートパッドとゲートパッド電極間の第１パターン、及び前記電力供給パッドと電力供給パッド電極間の第２パターンをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記第１パターン及び第２パターンは、絶縁層と半導体物質層を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記第１パターンは、前記ゲートパッドをあらわすゲートパッドコンタクトホールを有し、前記第２パターンは、前記電力供給パッドをあらわす電力供給パッドコンタクトホールを有することを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記ゲートパッド電極と電力供給パッド電極上部に、前記連結電極、データパッド、ゲートパッド電極及び電力供給パッド電極を露出させる第１ないし第４オープン部を有する保護層をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記スイッチング用薄膜トランジスタは、前記ゲート配線から分岐した第１ゲート電極と、前記第１半導体層上部において相互に離隔されるように配置する第１ソース電極及び第１ドレイン電極をさらに含み、前記第１半導体層は、前記第１ゲート電極上に配置されていて、非晶質シリコンで構成されたアクティブ層とドーピングされた非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記駆動用薄膜トランジスタは、前記第１ドレイン電極と連結した第２ゲート電極と、前記第２半導体層上部において相互に離隔されるように配置された第２ソース電極及び第２ドレイン電極をさらに含み、前記第２半導体層は、前記第２ゲート電極上に配置された非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と、ドーピングされた非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
前記連結電極は、前記第２ドレイン電極から延びていることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１１】
前記電力供給配線から延びて前記第２ソース電極と連結するパワー電極をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子。
【請求項１２】
前記電力供給リンク配線は、前記データ配線の形成工程と同一工程において前記データ配線と同一物質で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
第１基板上部のアレイ素子と第２基板上部の有機電界発光ダイオード素子を含む有機電界発光素子において、
前記第１基板上に第１金属物質を形成した後、第１マスク工程により前記第１金属物質をパターニングして、パワー電極、ゲート電極、ゲートパッド及び電力供給パッドを形成する段階と；
前記パワー電極、ゲート電極、ゲートパッド及び電力供給パッドを含む前記第１基板上部に第１絶縁物質、非晶質シリコン及び不純物非晶質シリコンを順序通り形成した後に、第２マスク工程を通じて前記第１絶縁物質、非晶質シリコン及び不純物非晶質シリコンを連続的にエッチングして、ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極上部の半導体層、前記半導体層から延びて前記パワー電極を一部露出させるパワー電極コンタクトホールを有する半導体物質パターン、前記ゲートパッドを一部露出させるゲートパッドコンタクトホールを有する第１パターン及び前記電力供給パッドを一部露出させる電力供給パッドコンタクトホールを有する第２パターンを形成する段階と；
前記半導体層と半導体物質パターン、第１パターン及び第２パターン上部に第２絶縁物質を蒸着した後に第３マスク工程によりパターニングすることによって、前記有機電界発光ダイオード素子に対応する柱状の電気的連結パターンを形成する段階と；
前記電気的連結パターンを含む前記第１基板上部に第２金属物質を蒸着して第４マスク工程によりパターニングすることによって、前記半導体層上部に配置されて前記パワー電極コンタクトホールを通じてパワー電極と連結するソース電極と、前記半導体層上部において前記ソース電極と離隔するように配置されるドレイン電極、前記ドレイン電極から延びて前記電気的連結パターンを覆う連結電極、データパッド、前記ゲートパッドコンタクトホールを通じて前記ゲートパッドと連結するゲートパッド電極及び前記電力供給パッドコンタクトホールを通じて前記電力供給パッドと連結する電力供給パッド電極を形成する段階と；
前記ソース電極とドレイン電極、連結電極、データパッド、ゲートパッド電極及び電力供給パッドを含む前記第１基板上部に、第３絶縁物質を形成した次に第５マスク工程によりパターニングすることによって、前記連結電極とデータパッド、ゲートパッド電極及び電力供給パッド電極を各々露出させる第１ないし第４オープン部を有する保護層を形成する段階を含み、前記ゲート電極と半導体層、ソース電極及びドレイン電極は薄膜トランジスタを形成することを特徴とする有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層と同一な形態を有することを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ソース電極及びドレイン電極をエッチングマスクとして前記半導体層を選択的にパターニングして、前記非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と前記不純物非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層とを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１マスク工程は、前記ゲート電極と連結するゲート配線と、前記ゲート配線と交差して前記電力供給パッド及びパワー電極と連結する電力供給配線とを形成する段階を含んでおり、前記第４マスク工程は、前記電力供給配線と平行するように相互に離隔されるデータ配線及び前記ゲート配線との交差部に配置する電力供給リンク配線を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記薄膜トランジスタは、有機電界発光ダイオード素子と連結する駆動用薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）に係り、特にマスキング工程を少なくしたデュアルパネルタイプ有機電界発光素子（ｄｕａｌｐａｎｅｌ  ｔｙｐｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新しい平板ディスプレー構成素子のうちの一つである有機電界発光素子は、自体発光型であるために液晶表示装置に比べて視野角、コントラストなどが優秀であるえ、バックライトが必要でないために軽量薄形化が可能であって、消費電力側面でも有利である。そして、直流低電圧駆動が可能であって応答速度が速く、全部固体であるためにも外部衝撃に強く、使用温度範囲も広いだけでなく、製造費用側面でも低廉な長所を有している。
【０００３】
特に、前記有機電界発光素子は、液晶表示装置やＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）と違って製造工程が非常に単純であり、蒸着及び封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）装備が全工程の殆ど全部ということができる。
【０００４】
また、この有機電界発光素子を用いた表示装置を駆動させる方法としては、一般的に、アクティブマトリックス方式が使用されている。このアクティブマトリックス方式は、画素に印加された電圧がストレージキャパシターＣＳＴに充電されていて、その次にフレーム（ｆｒａｍｅ）信号が印加される時まで電源を印加させることによって、ゲート配線数に関係なく一画面期間中引続き駆動する方式である。
【０００５】
したがって、アクティブマトリックス方式では、低い電流で動作させても均一な輝度を示すので、低消費電力、高精細、大型化が可能な長所を有する。
以下、このようなアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性について図面を参照して詳細に説明する。
【０００６】
図１は、一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面である。
図示したように、第１方向に走査線（ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）２が形成されていて、その第１方向と交差する第２方向に形には、相互に一定間隔離隔された信号線（ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）４及び電力供給線（ｐｏｗｅｒ  ｓｕｐｐｌｙ  ｌｉｎｅ）６が形成されていて、一つの画素領域（ｐｉｘｅｌ  ａｒｅａ）を定義する。
【０００７】
前記走査線２及び信号線４の交差地点にはアドレッシングエレメント（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）であるスイッチング薄膜トランジスタ（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ＴＦＴ）ＴＳが形成されていて、このスイッチング薄膜トランジスタＴＳと連結してストレージキャパシターＣＳＴが形成されている。また、前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及びストレージキャパシターＣＳＴの連結部と電力供給線６との間に、電流源エレメント（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｍｅｎｔ）である駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されている。この駆動薄膜トランジスタＴＤには、定電流駆動方式の有機電界発光ダイオード（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ）Ｅが接続されている。
【０００８】
前記有機電界発光ダイオードＥは陽極（+）及び陰極（−）を含む。
前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳは電圧を制御し、ストレージキャパシタンスＣＳＴは電流源を貯蔵する役割を有する。
以下、前記アクティブマトリックス型有機電界発光素子の駆動原理について説明する。
【０００９】
前記アクティブマトリックス方式では、選択信号によって電極に信号を印加すると、スイッチング薄膜トランジスタＴＳがオン状態になって、データ信号がこのスイッチング薄膜トランジスタＴＳを通して、駆動薄膜トランジスタＴＤとストレージキャパシターＣＳＴに印加される。これにより駆動薄膜トランジスタＴＤがオン状態になると、電源供給線６から電流が駆動薄膜トランジスタＴＤを通して有機電界発光層に印加されて有機電界発光素子は発光する。
【００１０】
この時、前記データ信号の大きさによって、駆動薄膜トランジスタＴＤの開閉程度が変わって、駆動薄膜トランジスタＴＤを通して流れる電流量が調節されるので、階調表示をすることができるようになる。
【００１１】
そして、非選択区間には、ストレージキャパシターＣＳＴに充電されたデータが駆動薄膜トランジスタＴＤに続けて印加されて、次に画面の信号が印加される時まで持続的に有機電界発光素子を発光させる。
【００１２】
図２は、従来のアクティブマトリックス型有機電界発光素子の一画素部についての平面図であって、スイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタを各々一つずつ有する２ＴＦＴ構造を一例にして説明する。
【００１３】
図示したように、第１方向にゲート配線３７が形成されていて、そのゲート配線３７と交差して、相互に離隔されるようにデータ配線５１及び電力供給配線４１が形成されている。これらのゲート配線３７、データ配線５１、電力供給配線４１が相互に交差する領域は画素領域Ｐを定義する。
【００１４】
前記ゲート配線３７及びデータ配線５１が交差する領域にはスイッチング薄膜トランジスタＴＳを配置されており、またスイッチング薄膜トランジスタＴＳ及び電力供給配線４１が交差する地点には駆動薄膜トランジスタＴＤを配置されている。そして電力供給配線４１とスイッチング薄膜トランジスタＴＳの半導体層３１と一体型パターンを形成するキャパシター電極３４が重なる部分においてストレージキャパシターＣＳＴが形成されている。
【００１５】
そして、前記駆動薄膜トランジスタＴＤに連結して第１電極５８が形成されていて、図面に提示しなかったが、第１電極５８を覆う領域には有機電界発光層及び第２電極が順序通り形成される。
【００１６】
前記第１電極形成部は、有機電界発光部Ｌとして定義される。
図中符号”３５”はスイッチング薄膜トランジスタＴＳのゲート電極を示す。
【００１７】
以下、前記有機電界発光部、駆動薄膜トランジスタ、ストレージキャパシタンスの積層構造を図面を参照して詳細に説明する。
図３は、前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を示した断面図である。
【００１８】
図示したように、絶縁基板１上に半導体層３２、ゲート電極３８、ソース電極５０及びドレイン電極５２で構成される駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されている。前記ソース電極５０には、図示しなかった電源供給配線から分岐したパワー電極４２が連結しており、前記ドレイン電極５２には透明導電性物質で構成された第１電極５８が連結されている。
【００１９】
前記パワー電極４２と対応する下部には、絶縁された状態で前記半導体層３２と同一物質で構成されたキャパシター電極３４が形成されていて、パワー電極４２及びキャパシター電極３４が重なった領域はストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
【００２０】
そして、前記第１電極５８の上部には、有機電界発光層６４及び不透明金属物質で構成された陰極６６が順次積層されて有機電界発光部Ｌを構成する。
【００２１】
前記有機電界発光部Ｌに配置する絶縁層等の積層構造を注意して調べてみれば、前記絶縁基板１と半導体層３２間で緩衝作用をするバッファー層３０と、前記ストレージキャパシタンスＣＳＴ用絶縁体として利用される第１保護層４０と、前記ドレイン電極５２とパワー電極４２間の第２保護層４４と、前記第１電極５８とソース電極５０間の第３保護層５４と、前記薄膜トランジスタＴＤと第２電極６６間の第４保護層６０が順序通り積層された構造を有す。前記第１ないし４保護層４０、４４、５４、６０には各々各層間の電気的連結のためのコンタクトホール（図示せず）を含む。
【００２２】
図４Ａないし図４Ｉは、前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図であって、感光性物質であるＰＲ（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）を利用した露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）工程及び現像（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）工程を含むフォトエッチング（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程によりパターニングする工程により進められる。以下このような一連のパターニング工程をマスク工程と定義して工程順に説明する。
【００２３】
図４Ａでは、絶縁基板１上に第１絶縁物質からなるバッファー層３０を基板全面にかけて形成して、このバッファー層３０上部にポリシリコンを用い、第１マスク工程により半導体層（ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）３２及びキャパシター電極３４を形成する。
【００２４】
次に、図４Ｂでは、前記図４Ａ段階を経た基板上に、第２絶縁物質及び第１金属を連続的に蒸着した後、第２マスク工程により前記半導体層３２の中央部に各々ゲート絶縁膜３６及びゲート電極３８をそれぞれ形成する。
【００２５】
図４Ｃでは、前記図４Ｂ段階を経た基板上に、第３絶縁物質で構成された第１保護層４０を形成して、この第１保護層４０上部に第２金属を蒸着した後、第３マスク工程により前記キャパシター電極３４を覆う位置にパワー電極４２を形成する。
【００２６】
そして、図４Ｄでは、前記図４Ｃ段階を経た基板上に、第３絶縁物質を蒸着した後、第４マスク工程により、前記半導体層３２の両端部を露出する第１コンタクトホール４６ａ及び第２コンタクトホール４６ｂ、及びパワー電極４２のキャパシターコンタクトホール４８を有する第２保護層４４を形成する。
【００２７】
この段階では、前記半導体層３２をイオンドーピングして、アクティブ領域３２ａと、そのアクティブ領域３２ａ両側に不純物を含むソース領域３２ｂ及びドレイン領域３２ｃが定義される。
【００２８】
次に、図４Ｅ段階では、第３金属を蒸着した後、第５マスク工程により前記キャパシターコンタクトホール４８及び第１コンタクトホール４６ａを通じて、パワー電極４２及びソース領域３２ｂと連結するソース電極５０と、このソース電極５０と一定間隔離隔され、第２コンタクトホール４６ｂを通じてドレイン領域３２ｃと連結するドレイン電極５２を形成する。
【００２９】
この段階では前記半導体層３２、ゲート電極３８、ソース電極５０及びドレイン電極５２を含む駆動薄膜トランジスタＴＤを完成する。
【００３０】
一方、前記パワー電極４２及びキャパシター電極３４は、各々ソース電極５２及び図示しなかったスイッチング薄膜トランジスタの半導体層と電気的に連結して、前記１保護層４０を絶縁体とするストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
【００３１】
図４Ｆでは、前記図４Ｅ段階を経た基板上に、第４絶縁物質を蒸着した後、第６マスク工程によりドレインコンタクトホール５６を有する第３保護層５４を形成する。
【００３２】
その次に、図４Ｇ段階では、前記ドレインコンタクトホール５６を通じてドレイン電極５２と連結するように、第４金属を利用して、第７マスク工程により、有機電界発光層領域である有機電界発光部Ｌに第１電極５８を形成する。
【００３３】
図４Ｈでは、前記図４Ｇ段階を経た基板上に第５絶縁物質を蒸着した後、第８マスク工程により前記有機電界発光部Ｌと対応する第１電極５８を露出させる第１電極露出部６２を有する第４保護層６０を形成する。
【００３４】
この第４保護層６０は、駆動薄膜トランジスタＴＤを水分及び異物から保護する役割を有する。
【００３５】
これで、マスク工程を伴う製造工程を終えて、続いて図４Ｉ段階では前記第１電極露出部（図４Ｈの６２）を通じて第１電極５８と連結する有機電界発光層６４と、この有機電界発光層６４の上部に第５金属を利用して第２電極６６を基板全面にかけて形成する。
【００３６】
一例として、前記第１電極５８が陽極として利用される場合、第５金属を構成する物質は、前記有機電界発光層６４から放出される光を第１電極５８に反射させて有機電界発光素子の画面を具現するために、反射特性を有し、電子を容易に放出することができるように仕事関数（ｗｏｒｋｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が低い金属物質を選択する。
以下、従来の有機電界発光素子パネルの積層構造を図面を参照して詳細に説明する。
【００３７】
図５は、従来の有機電界発光素子の全体断面図であって、有機電界発光部と駆動薄膜トランジスタ連結部を中心にカプセル化構造について示した。
【００３８】
図示したように、画面を具現する最小単位であるサブピクセルＰｓｕｂ単位を包含して相互に一定間隔離隔されるように第１基板７０、第２基板９０が配置されている。第１基板７０の内部面にはサブピクセルＰｓｕｂ単位で形成された複数個の駆動薄膜トランジスタＴＤを含んだアレイ素子層８０が形成されている。アレイ素子層８０上部には駆動薄膜トランジスタＴＤと連結してサブピクセルＰｓｕｂ単位で第１電極７２が形成されている。第１電極７２上部にはサブピクセルＰｓｕｂ単位で赤、緑、青カラーを発光させる有機電界発光層７４が形成されていて、有機電界発光層７４上部全面には第２電極７６が形成されている。
【００３９】
前記第１電極７２、第２電極７６、及び第１電極７２と第２電極７６間に介在した有機電界発光層７４は、有機電界発光ダイオード素子Ｅを形成し、有機電界発光層７４から発光された光は第１電極７２側に発光される下部発光方式であることを特徴とする。
【００４０】
そして、前記第２基板９０は、カプセル化基板として利用され、このような第２基板９０の内部中央部には凹部９２が形成されていて、凹部９２内には外部からの水分吸収を遮断して有機電界発光ダイオード素子Ｅを保護するための吸湿剤９４が封入されている。
【００４１】
前記吸湿剤９４が封入された第２基板９０内部面と第２電極７６は、相互に一定間隔離隔されるように配置する。
そして、前記第１基板７０、第２基板９０の縁部は、シールパターン８５によりカプセル化されている。
【００４２】
このように、既存の下部発光方式有機電界発光素子は、アレイ素子及び有機電界発光ダイオードが形成された基板と別途のカプセル化用基板との合着を通じて素子を製作した。この場合、アレイ素子の収率と有機電界発光ダイオードの収率の積が有機電界発光素子の収率を決定するために、既存の有機電界発光素子構造では後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工程により全体の工程収率が大きく制限されるという問題点があった。例えば、アレイ素子が良好に形成されたとしても、１、０００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時に異物やその他の要素により不良が発生すれば、有機電界発光素子は不良等級と判定される。
【００４３】
これによって、良品のアレイ素子を製造するのに必要とする諸般経費及び材料費損失がもたらされて、生産収率が低下する問題点があった。
そして、下部発光方式は、カプセル化による安全性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限があって高解像度製品に適用するのは難しい問題点があった。一方、上部発光方式は、薄膜トランジスタ設計が容易で開口率向上が可能であるために製品寿命側面で有利であるが、既存の上部発光方式構造では、有機電界発光層上部に通常的に陰極を配置するため、材料選択幅が狭く、透過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低下を最少化するためには薄膜型保護膜を用いなければならないので、外気を十分に遮断できない問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４４】
前記問題点を解決するために、本発明では生産収率が向上した高解像度／高開口率構造のアクティブマトリックス型有機電界発光素子を提供する。
これのために、本発明ではアレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相異なった基板上に形成して、アレイ素子の駆動薄膜トランジスタと有機電界発光ダイオード素子の第２電極を別途の電気的連結パターンを通じて連結するデュアルパネルタイプ有機電界発光素子を提供する。
【００４５】
本発明のまた他の目的では、非晶質シリコン物質を利用する逆スタッガード型薄膜トランジスタ構造を採用して５マスク工程によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用基板の製造工程を提供する。
【００４６】
逆スタッガード型薄膜トランジスタを含んだ工程を進行すれば、低温条件下での工程を進行することができて、電気的連結パターンを含んだ工程を進行してもこれまでよりマスク工程数を減少させることができる利点を有する。
【課題を解決するための手段】
【００４７】
前記目的を達成するために、本発明による有機電界発光素子は、離隔されて向かい合っている第１基板及び第２基板と、前記第２基板の内側面に形成されている有機電界発光ダイオードと、前記第１基板内側面の第1方向に形成されているゲート配線と、前記第１方向と交差する第２方向に形成されたデータ配線と、前記第２方向に前記データ配線と離隔されるように配置され、前記ゲート配線の形成工程と同一工程において前記ゲート配線と同一物質で構成されていて、前記ゲート配線との交差部では別途の電力供給リンク配線を有する電力供給配線と、前記ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成され、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された第１半導体層を有するスイッチング用薄膜トランジスタと、前記スイッチング用薄膜トランジスタと電力供給配線間の交差地点に形成され、非晶質シリコンで構成された第２半導体層を有する駆動用薄膜トランジスタと、前記駆動用薄膜トランジスタと連結し、前記データ配線の形成工程と同一工程において前記データ配線と同一物質で構成された連結電極と、前記連結電極領域内に配置された、前記有機電界発光ダイオード素子と連結電極を連結させる電気的連結パターンとを含み、前記スイッチング用薄膜トランジスタと駆動用薄膜トランジスタは、各々第１ゲート絶縁膜及び第２ゲート絶縁膜をさらに含んでいて、前記第１ゲート絶縁膜は、前記第１半導体層と同一な形態を有し、前記第２ゲート絶縁膜は、前記第２半導体層と同一な形態を有する。
【００４８】
前記ゲート配線とデータ配線及び電力供給配線の一端には、ゲートパッドとデータパッド及び電力供給パッドが各々形成されていることができる。
前記ゲートパッドと電力供給パッド上部に、前記データ配線の形成工程と同一工程において前記データ配線と同一物質で構成されたゲートパッド電極及び電力供給パッド電極を各々さらに含むことができる。
【００４９】
前記ゲートパッドとゲートパッド電極間の第１パターン、及び前記電力供給パッドと電力供給パッド電極間の第２パターンをさらに含み、前記第１パターン及び第２パターンは、絶縁層と半導体物質層を含むことができる。前記第１パターンは、前記ゲートパッドをあらわすゲートパッドコンタクトホールを有し、前記第２パターンは前記電力供給パッドをあらわす電力供給パッドコンタクトホールを有することもできる。
【００５０】
前記ゲートパッド電極と電力供給パッド電極上部に、前記連結電極、データパッド、ゲートパッド電極及び電力供給パッド電極を露出させる第１ないし第４オープン部を有する保護層をさらに含むことができる。
【００５１】
前記スイッチング用薄膜トランジスタは、前記ゲート配線から分岐した第１ゲート電極と、前記第１半導体層上部において相互に離隔されるように配置する第１ソース電極及び第１ドレイン電極をさらに含み、前記第１半導体層は、前記第１ゲート電極上に配置されていて、非晶質シリコンで構成されたアクティブ層とドーピングされた非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層を含むことができる。
【００５２】
前記駆動用薄膜トランジスタは、前記第１ドレイン電極と連結した第２ゲート電極と、前記第２半導体層上部において相互に離隔されるように配置された第２ソース電極及び第２ドレイン電極をさらに含み、前記第２半導体層は、前記第２ゲート電極上に配置された非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と、ドーピングされた非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層を含むことができる。
【００５３】
前記連結電極は、前記第２ドレイン電極から延びていることができる。
前記電力供給配線から延びて前記第２ソース電極と連結するパワー電極をさらに含むことができる。  前記電力供給リンク配線は、前記データ配線の形成工程と同一工程において前記データ配線と同一物質で構成されることができる。
【００５４】
本発明の有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法は、第１基板上部のアレイ素子と第２基板上部の有機電界発光ダイオード素子を含む有機電界発光素子において、前記第１基板上に第１金属物質を形成した後、第１マスク工程により前記第１金属物質をパターニングして、パワー電極、ゲート電極、ゲートパッド及び電力供給パッドを形成する段階と、前記パワー電極、ゲート電極、ゲートパッド、電力供給パッドを含む前記第１基板上部に第１絶縁物質、非晶質シリコン及び不純物非晶質シリコンを順序通り形成した後に、第２マスク工程を通じて前記第１絶縁物質、非晶質シリコン及び不純物非晶質シリコンを連続的にエッチングして、ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極上部の半導体層、前記半導体層から延びて前記パワー電極を一部露出させるパワー電極コンタクトホールを有する半導体物質パターン、前記ゲートパッドを一部露出させるゲートパッドコンタクトホールを有する第１パターン及び前記電力供給パッドを一部露出させる電力供給パッドコンタクトホールを有する第２パターンを形成する段階と、前記半導体層と半導体物質パターン、第１パターン及び第２パターン上部に第２絶縁物質を蒸着した後に第３マスク工程によりパターニングすることによって、前記有機電界発光ダイオード素子に対応する柱状の電気的連結パターンを形成する段階と、前記電気的連結パターンを含む前記第１基板上部に第２金属物質を蒸着して第４マスク工程によりパターニングすることによって、前記半導体層上部に配置されて前記パワー電極コンタクトホールを通じてパワー電極と連結するソース電極と、前記半導体層上部において前記ソース電極と離隔するように配置されるドレイン電極、前記ドレイン電極から延びて前記電気的連結パターンを覆う連結電極、データパッド、前記ゲートパッドコンタクトホールを通じて前記ゲートパッドと連結するゲートパッド電極及び前記電力供給パッドコンタクトホールを通じて前記電力供給パッドと連結する電力供給パッド電極を形成する段階と、前記ソース電極とドレイン電極、連結電極、データパッド、ゲートパッド電極及び電力供給パッドを含む前記第１基板上部に、第３絶縁物質を形成した次に第５マスク工程によりパターニングすることによって、前記連結電極とデータパッド、ゲートパッド電極及び電力供給パッド電極を各々露出させる第１ないし第４オープン部を有する保護層を形成する段階を含み、前記ゲート電極と半導体層、ソース電極及びドレイン電極は薄膜トランジスタを形成する。
【００５５】
前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層と同一な形態を有することができる。
前記ソース電極及びドレイン電極をエッチングマスクとして前記半導体層を選択的にパターニングして、前記非晶質シリコンで構成されたアクティブ層と前記不純物非晶質シリコンで構成されたオーミックコンタクト層とを形成する段階をさらに含むことができる。
【００５６】
前記第１マスク工程は、前記ゲート電極と連結するゲート配線と、前記ゲート配線と交差して前記電力供給パッド及びパワー電極と連結する電力供給配線とを形成する段階を含んでおり、前記第４マスク工程は、前記電力供給配線と平行するように相互に離隔するデータ配線及び前記ゲート配線との交差部に配置する電力供給リンク配線を形成する段階を含むことができる。
前記薄膜トランジスタは、有機電界発光ダイオード素子と連結する駆動用薄膜トランジスタである。
【発明の効果】
【００５７】
以上のように、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法によれば、第一にアレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相異なった基板上に形成するために、生産収率及び生産管理効率を向上させることができて、製品寿命を増やすことができる。第二に、上部発光方式であるために薄膜トランジスタ設計が容易になり、高開口率／高解像度の具現が可能である。第三に、非晶質シリコン物質を利用した逆スタッガード型薄膜トランジスタ構造の採用により、低温工程が可能であって、別途の電気的連結パターンを追加してもマスク工程数をこれまでより減らすことができて、工程単純化を通じて生産収率を效果的に高めることができる長所を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明する.
図６は、本発明の実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の断面図であって、電気的連結構造を中心に概略的に示した。
【００５９】
図示したように、画面を具現する最小単位であるサブピクセルＰｓｕｂ単位を伴う第１基板１１０、第２基板１５０が相互に一定間隔を維持し、対向するように配置されている。
【００６０】
前記第１基板１１０の内部面には、サブピクセルＰｓｕｂ単位で形成された複数個の駆動薄膜トランジスタＴＤを含むアレイ素子層１４０が形成されていて、アレイ素子層１４０上部には駆動薄膜トランジスタＴＤと連結して電気的連結パターン１４２が形成されている。
【００６１】
前記電気的連結パターン１４２は、伝導性物質から選択され、前記電気的連結パターン１４２は厚みがあるように形成されるために、絶縁物質を含む多重層で形成する事もでき、別途の連結電極を通じて駆動薄膜トランジスタＴＤと連結することができる。
【００６２】
そして、前記駆動薄膜トランジスタＴＤはゲート電極１１２、半導体層１１４、ソース電極１１６及びドレイン電極１１８で構成されていて、実質的に前述した電気的連結パターン１４２はドレイン電極１１８と連結している。
【００６３】
そして、前記第２基板１５０内部全面には第１電極１５２が形成されていて、第１電極１５２下部にはサブピクセルＰｓｕｂ単位で反復配列される赤、緑、青の各発光層１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃを含む有機電界発光層１６０が形成されていている。有機電界発光層１６０下部には、サブピクセルＰｓｕｂ単位で第２電極１６２が形成されている。
【００６４】
さらに詳細に説明すれば、前記有機電界発光層１６０には、第１電極１５２の下部面と接触する第１キャリア伝達層１５４と、赤、緑、青の各発光層１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃの下部に配置し、第２電極１６２の上部面と接触する第２キャリア伝達層１５８がさらに含まれる。
【００６５】
一例として、前記第１電極１５２が陽極、第２電極１６２が陰極に該当する場合、第１キャリア伝達層１５４は順序通り正孔注入層、正孔輸送層に該当し、第２キャリア伝達層１５８は順序通り電子輸送層、電子注入層に該当する。
【００６６】
そして、前記第１電極１５２、第２電極１６２と第１電極１５２、第２電極１６２間に介在した有機電界発光層１６０は有機電界発光ダイオード素子Ｅに該当する。
【００６７】
本発明では、前記電気的連結パターン１４２の最上部面が第２電極１６２の下部面と連結されて、駆動薄膜トランジスタＴＤから供給される電流が電気的連結パターン１４２を通じて第２電極１６２に伝えられることを特徴とする。
【００６８】
そして、前記第１基板１１０、第２基板１５０の縁部にはシールパターン１７０を配置して、前記第１基板１１０、第２基板１５０を合着させている。
本実施例では、有機電界発光ダイオード素子Ｅとアレイ素子層１４０を相異なった基板に形成するが、電気的連結パターン１４２を利用して両素子を連結させる方式のデュアルパネルタイプで構成することを特徴とする。
【００６９】
説明の便宜上、３個のサブピクセルが一つのピクセルを形成する２ピクセル構造を一例として図示しており、薄膜トランジスタ構造及び電気的連結パターンの連結方式は多様に変更できる。
【００７０】
また、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子は、図面上の発光方向のように上部発光方式であるために、薄膜トランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が可能な長所を有する。
図７は、本発明の実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の平面図である。
【００７１】
図示したように、第１方向にゲート配線２１４が形成されていて、その第１方向と交差する第２方向にデータ配線３１４及び電力供給配線２３０が相互に離隔されるように形成されている。前記ゲート配線２１４及びデータ配線３１４が交差する地点にはスイッチング薄膜トランジスタＴＳが形成されている。前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳには、ゲート配線２１４から分岐した第１ゲート電極２１８と、データ配線３１４から分岐した第１ソース電極２８２と、前記第１ソース電極２８２と離隔されるように配置された第１ドレイン電極２９０と、前記第１ゲート電極２１８、第１ソース電極２８２及び第１ドレイン電極２９０と重なる第１ゲート絶縁膜２５０及び第１半導体層２５４が相互に対応するパターンで形成されている。
【００７２】
前記電力供給配線２３０は、ゲート配線２１４と同一工程において同一物質で構成されたことを特徴とする。
【００７３】
そして、前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及び電力供給配線２３０と連結して駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されている。前記駆動薄膜トランジスタＴＤには、前記ゲート配線２１４の形成固定と同一工程において前記ゲート配線と同一物質で構成された、前記第１ドレイン電極２９０と連結する第２ゲート電極２２２と、前記第２ゲート電極２２２の両側と一定間隔重なって相互に離隔されるように配置してあり、前記データ配線３１４の形成工程と同一工程において前記データ配線と同一物質で構成された、第２ソース電極２８６及び第２ドレイン電極２９４と、前記第２ゲート電極、第２ソース電極２８６及び第２ドレイン電極２９４と重なる、第２ゲート絶縁膜２５１、第２駆動用半導体層２５８が順序通り形成されている。
【００７４】
前記電力供給配線２３０には、前記第２ソース電極２８６とパワー電極コンタクトホール２７１を通じて連結するパワー電極２３２が分岐している。
そして、前記駆動用ドレイン電極２９４と一体型パターンに電気的連結部Ａの連結電極３０６が形成されている。
【００７５】
前記電気的連結部Ａは、図示しなかった有機電界発光ダイオード基板の第２電極に対応する領域範囲に該当する。
図面に提示しなかったが、前記電気的連結部Ａには柱状の電気的連結パターンが含まれるが、前記の電気的連結パターンについては断面積層構造を通じてさらに詳細に説明する。
【００７６】
そして、前記第１ドレイン電極２９０と連結して前記電力供給配線２３０と重なるように延長形成されたキャパシター電極２９８を配置し、前記キャパシター電極２９８及び電力供給配線２３０が重なった領域はストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
【００７７】
前記データ配線３１４、ゲート配線２１４及び電力供給配線２３０のそれぞれの一端にはデータパッド３１０、ゲートパッド２２６及び電力供給パッド２３４が形成されており、前記ゲートパッド２２６、電力供給パッド２３４を覆う領域には、前記データパッド３１０と同一工程において同一物質で構成されたゲートパッド電極３１８、電力供給パッド電極３２２が各々形成されている。そして、前記連結電極３０６の主領域及びデータパッド３１０、ゲートパッド電極３１８、電力供給パッド電極３２２を一部露出させる領域には、第１ないし第４オープン部３２６、３３０、３３４、３３８が各々形成されている。
【００７８】
特に、本実施例ではゲート配線２１４と電力供給配線２３０を同一工程で形成することによって、ゲート配線２１４と電力供給配線２３０の交差部で短絡するのを防止するために、ゲート配線２１４との交差部では、別途の電力供給リンク配線３１６を通じて電力供給配線２３０と電力供給パッド２３４を連結させる構造を有する。
【００７９】
前記電力供給リンク配線３１６は、データ配線３１４と同一工程で形成されるもので、電力供給リンク配線３１６に対応するパターン構造により絶縁層２３８及び第１半導体物質層２４２を順序通り配置する。
【００８０】
そして、前記電力供給リンク配線３１６は、電力供給コンタクトホール２７２を通じて電力供給配線２３０と電気的に連結する。
この時、前記データパッド３１０及び電力供給パッド２３４は、相異なった信号電圧が印加されるために、図面のように相互に逆方向の一端に形成することが望ましい。
【００８１】
図８Ａないし図８Ｅ、図９Ａないし図９Ｅ、図１０Ａないし図１０Ｅ、図１１Ａないし図１１Ｅは、前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ、ＩＸ−ＩＸ、Ｘ−Ｘ、ＸＩ−ＸＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線は駆動用薄膜トランジスタ部、ＩＸ−ＩＸ線はデータパッド部、Ｘ−Ｘ線はゲートパッド部、ＸＩ−ＸＩ線は電力供給パッド部に対する図面であって、説明の便宜上、駆動用ゲート電極、駆動用半導体層、駆動用ソース電極及びドレイン電極はそれぞれゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極と略称して説明する。
【００８２】
図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａは、基板２１０上に第１マスク工程により第１金属物質からなるパワー電極２３２、ゲート電極２２２、ゲートパッド２２６及び電力供給パッド２３４を形成する段階である。
【００８３】
図面に提示しなかったが、この段階では前記パワー電極２３２と連結して電力供給配線が形成される。
前記第１金属物質は、抵抗率値が低い金属物質から選択され、望ましくはアルミニウムを含む金属物質から選択するものである。
【００８４】
図面に詳細に提示しなかったが、本発明に利用されるマスク工程は、感光性物質であるＰＲを塗布した次に、所望するパターンを有するマスクを配置て、次に露光、現像処理を通じて形成されたＰＲパターンをマスクとして利用して露出された被エッチング層をエッチングする方法でパターニングする方法である。
【００８５】
図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂは、前記パワー電極２３２、ゲート電極２２２、ゲートパッド２２６及び電力供給パッド２３４を覆う領域に第１絶縁物質、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）及び不純物シリコン（ｎ+ａ−Ｓｉ）を順序通り蒸着またはコーティングして絶縁層２３８と、第１半導体物質層２４２及び第２半導体物質層２４６で構成される半導体物質層２４８を形成する段階と、第２マスク工程により前記絶縁層２３８及び半導体物質層２４８を連続的にエッチングして、前記パワー電極２３２を覆う絶縁層２３８、半導体物質層２４８にパワー電極２３２を一部露出させるパワー電極コンタクトホール２７１を形成する段階と、前記ゲートパッド２２６を覆う領域の第１パターン２６２及び電力供給パッド２３４を覆う領域の第２パターン２６６にパターニングする段階とを含む。そして、前記ゲート電極２２２を覆う領域Ｂでパターニングされた絶縁層２３８及び半導体物質層２４８はゲート絶縁膜２５０及び半導体層２５８を形成する。
【００８６】
前記半導体層２５８はアクティブ層２５８ａと、オーミックコンタクト層２５８ｂで構成されており、前記絶縁層２３８と半導体物質層２４８を同一マスク工程で連続エッチング処理することによって、前記第１パターン２６２及び第２パターン２６６は、絶縁層２３８、半導体物質層２４６が順序通り積層された構造に形成される。前記第１パターン２６２、第２パターン２６６は、ゲートパッド２２６及び電力供給パッド２３４を一部露出させるゲートパッドコンタクトホール２７０及び電力供給パッドコンタクトホール２７４を各々有する。
【００８７】
そして、前記第１絶縁物質は、シリコン絶縁物質から選択されることが望ましく、さらに望ましくはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）にするものである。
図８Ｃ、図９Ｃ、図１０Ｃ、図１１Ｃは、前記半導体層２５８及び第１パターン２６２、第２パターン２６６を覆う領域に第２絶縁物質を形成した後に、第３マスク工程により電気的連結部Ａに配置する電気的連結パターン２７８を形成する段階である。
【００８８】
前記第２絶縁物質は、厚みがあるように形成するのに容易な有機絶縁物質から選択されることが望ましい。
前記電気的連結部Ａは、図示しなかった有機電界発光ダイオード素子の第２電極と対応する領域に配置することが望ましい。
【００８９】
図８Ｄ、図９Ｄ、図１０Ｄ、図１１Ｄは、前記電気的連結パターン２７８を覆う領域に第２金属物質を形成した後に、第４マスク工程により半導体層２５８上部において相互に離隔されるように配置するソース電極２８６及びドレイン電極２９４と、データパッド形成部Ｃに配置するデータパッド３１０と、ゲートパッドコンタクトホール２７０を通じてゲートパッド２２６と連結するゲートパッド電極３１８と、電力供給パッドコンタクトホール２７４を通じて電力供給パッド２３４と連結する電力供給パッド電極３２２を各々形成する段階である。
【００９０】
前記ソース電極２８６の一側は、パワー電極コンタクトホール２７１を通じてパワー電極２３２と連結構成される。
また、この段階では、前記ドレイン電極２９４と一体型パターンを形成し、前記電気的連結パターン２７８を覆う領域を含んだ電気的連結部Ａに配置する連結電極３０６を形成する段階をさらに含む。
【００９１】
図面に提示しなかったが、この段階では第２方向にデータ配線を形成する段階を含んでおり、前記データパッド形成部Ｃはデータ配線の一端部領域に該当している。望ましくは前記電力供給パッド２３４と相互に逆方向の一端部に配置するものである。
【００９２】
この段階では、前記ソース電極２８６とドレイン電極２９４との区間のオーミックコンタクト層２５８ｂを除去して、その下部層を形成するアクティブ層２５８ａを露出させる段階を含み、露出されたアクティブ層２５８ａ領域はチャネルＣＨを形成する。
【００９３】
前記ゲート電極２２２、半導体層２５８、ソース電極２８６及びドレイン電極２９４は駆動用薄膜トランジスタＴＤを形成する。
前記チャネルＣＨを形成する段階では、前記パワー電極２３２と連結するソース電極２８６が一種のマスクの役割を有していて、駆動用薄膜トランジスタＴＤ以外の領域に露出された第２半導体物質層（前記図８Ｃの２４６）は除去される。
【００９４】
前記第２金属物質は、化学的耐蝕性が強い金属物質から選択され、望ましくはモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）のうちいずれか一つから選択するものである。
【００９５】
図８Ｅ、図９Ｅ、図１０Ｅ、図１１Ｅは、前記駆動用薄膜トランジスタＴＤ、連結電極３０６、ゲートパッド電極３１８、電力供給パッド電極３２２を覆う領域に、第３絶縁物質を形成した次に、第５マスク工程により前記連結電極３０６、データパッド３１０、ゲートパッド電極３１８、電力供給パッド電極３２２を各々オープンさせる第１ないし第４オープン部３２６、３３０、３３４、３３８を有する保護層３４２を形成する段階である。
【００９６】
前記第３絶縁物質は、有機絶縁物質または無機絶縁物質から選択され、単一層または複数層で構成することができるが、薄膜トランジスタと接する絶縁物質は無機絶縁物質から選択されることが望ましい。
【００９７】
図面に提示しなかったが、前記第１オープン部３２６は、図示しなかった対向基板の有機電界発光ダイオード素子の第２電極と電気的連結パターン３０６を連結させる領域であって、第２ないし第４オープン部３３０、３３４、３３８は外部回路と該パッドまたはパッド電極を連結させるためのオープン部に該当する。
しかし、本発明は前記実施例に限定されないで、本発明の趣旨に外れない限度内で多様に変更して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面。
【図２】従来のアクティブマトリックス型有機電界発光素子の一画素部についての平面図。
【図３】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を示した断面図。
【図４Ａ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｂ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｃ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｄ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｅ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｆ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｇ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｈ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｉ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図５】従来の有機電界発光素子の全体断面図。
【図６】本発明の実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する断面図。
【図７】本発明の第２実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する平面図。
【図８Ａ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線は駆動用薄膜トランジスタ部に対する図面。
【図８Ｂ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線は駆動用薄膜トランジスタ部に対する図面。
【図８Ｃ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線は駆動用薄膜トランジスタ部に対する図面。
【図８Ｄ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線は駆動用薄膜トランジスタ部に対する図面。
【図８Ｅ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線は駆動用薄膜トランジスタ部に対する図面。
【図９Ａ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＩＸ−ＩＸ線はデータパッド部に対する図面。
【図９Ｂ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＩＸ−ＩＸ線はデータパッド部に対する図面。
【図９Ｃ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＩＸ−ＩＸ線はデータパッド部に対する図面。
【図９Ｄ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＩＸ−ＩＸ線はデータパッド部に対する図面。
【図９Ｅ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＩＸ−ＩＸ線はデータパッド部に対する図面。
【図１０Ａ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、Ｘ−Ｘ線はゲートパッド部に対する図面。
【図１０Ｂ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、Ｘ−Ｘ線はゲートパッド部に対する図面。
【図１０Ｃ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、Ｘ−Ｘ線はゲートパッド部に対する図面。
【図１０Ｄ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、Ｘ−Ｘ線はゲートパッド部に対する図面。
【図１０Ｅ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、Ｘ−Ｘ線はゲートパッド部に対する図面。
【図１１Ａ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＸＩ−ＸＩ線は電力供給パッド部に対する図面。
【図１１Ｂ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＸＩ−ＸＩ線は電力供給パッド部に対する図面。
【図１１Ｃ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＸＩ−ＸＩ線は電力供給パッド部に対する図面。
【図１１Ｄ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＸＩ−ＸＩ線は電力供給パッド部に対する図面。
【図１１Ｅ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＸＩ−ＸＩ線は電力供給パッド部に対する図面。
【符号の説明】
【００９９】
２１０：基板
２２２：ゲート電極
２２６：ゲートパッド
２３４：電力供給パッド
２３８：絶縁層
２４２：第１半導体物質層
２４６：第２半導体物質層
２４８：半導体物質層
２５０：第１ゲート絶縁膜
２５１：第２ゲート絶縁膜
２５８ａ：アクティブ層
２５８ｂ：オーミックコンタクト層
２５８：半導体層
２７１：パワー電極コンタクトホール
２７８：電気的連結パターン
２８６：ソース電極
２９４：ドレイン電極
３２６：第１オープン部
３４２：保護層
Ａ：電気的連結部
ＣＨ：チャネル
ＴＤ：駆動用薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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