(57)【要約】【課題】測定針による突起が原因による歩留まり低下を防止する。【解決手段】反射型液晶表示装置は、半導体基板１上に第１メタル層２〜第４メタル層５とＡ層間膜６〜Ｄ層間膜９とが交互に積層され、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。パッド部２０は、従来と同様に第３メタル層４の位置に、該第３メタル層４の上面より掘り下げて形成されている。パッド部２０は、第３メタル層４より掘り下げて形成されているので、測定針によりパッド部２０に突起１５が形成されても、該突起１５が対向電極１１に接触することはない。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に順次積層されたＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層と、
前記Ｎ層目の金属膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と、
（Ｎ−１）層目の金属膜と同層に、前記（Ｎ−１）層目の金属膜上面より掘り下げて形成された測定評価用パッド部と
を具備することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】
半導体基板上に順次積層されたＮ層の金属層と、
前記Ｎ層目の金属膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と、
（Ｎ−１）―Ｍ（但し、Ｍ＝１〜（Ｎ−２））層目の金属膜と同層に形成された測定評価用パッド部と
を具備することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項３】
半導体基板上にＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層を順次積層するステップと、
（Ｎ−１）層目の金属膜と同層に、前記（Ｎ−１）層目の金属膜上面より掘り下げて測定評価用パッド部を形成するステップと、
前記測定評価用パッド部の上層を除去し、前記測定評価用パッド部を露出するステップと
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上にＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層を順次積層するステップと、
（Ｎ−１）―Ｍ（但し、Ｍ＝１〜（Ｎ−２））層目の金属膜と同層に測定評価用パッド部を形成するステップと、
前記測定評価用パッド部の上層を除去し、前記測定評価用パッド部を露出するステップと
を有することを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射型液晶表示装置および反射型液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反射型液晶表示装置は、図７に示すように、半導体基板上に複数のメタル層（第１〜第４）２〜５と層間膜（Ａ〜Ｄ）６〜９とが交互に積層され（バックプレイン部）、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。該構造において、バックプレイン部と対向電極との間の電界を変化させることにより液晶を駆動するようになっている。
【０００３】
ところで、従来、上記反射型液晶表示装置においては、その基板の特性評価を行なうために、第３メタル層４にアルミニウムなどからなるパッド部１２を形成し、該パッド部１２に測定針を立てて電気的な特性を測定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来技術による反射型液晶装置では、測定針による測定後、パッド部１２の表面には、図８に示すように、測定針により削られることにより、盛り上がった突起１５が残る。この突起１５上に、最上層である第４メタル層５と対向電極１１との間を一定の間隔に保つために撒かれるビーズ１４，…が乗ると、突起１５がビーズ１４を押し上げ、第４メタル層５とわずかな間隔を空けて形成される対向電極１１のギャップが均一にとれなくなり、反射型液晶装置の歩留まりの低下を招く恐れがあるという問題があった。
【０００５】
そこで本発明は、測定針による突起が原因による歩留まり低下を防止することができる反射型液晶表示装置および反射型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的達成のため、請求項１記載の発明による反射型液晶表示装置は、半導体基板上に順次積層されたＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層と、前記Ｎ層目の金属膜上に形成された液晶層と、前記液晶層上に形成された対向電極と、（Ｎ−１）層目の金属膜と同層に、前記（Ｎ−１）層目の金属膜上面より掘り下げて形成された測定評価用パッド部とを具備することを特徴とする。
【０００７】
また、上記目的達成のため、請求項２記載の発明による反射型液晶表示装置は、半導体基板上に順次積層されたＮ層の金属層と、前記Ｎ層目の金属膜上に形成された液晶層と、前記液晶層上に形成された対向電極と、（Ｎ−１）―Ｍ（但し、Ｍ＝１〜（Ｎ−２））層目の金属膜と同層に形成された測定評価用パッド部とを具備することを特徴とする。
【０００８】
また、上記目的達成のため、請求項３記載の発明による反射型液晶表示装置の製造方法は、半導体基板上にＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層を順次積層するステップと、（Ｎ−１）層目の金属膜と同層に、前記（Ｎ−１）層目の金属膜上面より掘り下げて測定評価用パッド部を形成するステップと、前記測定評価用パッド部の上層を除去し、前記測定評価用パッド部を露出するステップとを有することを特徴とする。
【０００９】
また、上記目的達成のため、請求項４記載の発明による反射型液晶表示装置の製造方法は、半導体基板上にＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層を順次積層するステップと、（Ｎ−１）―Ｍ（但し、Ｍ＝１〜（Ｎ−２））層目の金属膜と同層に測定評価用パッド部を形成するステップと、前記測定評価用パッド部の上層を除去し、前記測定評価用パッド部を露出するステップとを有することを特徴とする。
【００１０】
この発明では、（Ｎ−１）層目の金属膜と同層に、前記（Ｎ−１）層目の金属膜上面より掘り下げて測定評価用パッド部を形成した。したがって、測定針により測定評価用パッド部に突起が形成されても、該突起に起因する最上層メタル−対向電極間ギャップの不均一が生じることはない。ゆえに、測定針による突起が原因による歩留まり低下を防止することが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
Ａ．第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態による反射型液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、図７に対応する部分には同一の符号を付ける。図において、反射型液晶表示装置は、半導体基板１上に第１メタル層２〜第４メタル層５とＡ層間膜６〜Ｄ層間膜９とが交互に積層され（バックプレイン部）、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。パッド部２０は、従来と同様に第３メタル層４の位置に形成されているが、従来と異なる点は、第３メタル層４の上面より掘り下げて形成されていることにある。
【００１２】
ここで、図２は、本第１実施形態による液晶表示装置の寸法を示す断面図である。第３メタル層４は、０．９μｍ、Ｄ層間膜９は、０．６μｍ、第４メタル層５は、０．１５μｍ、液晶層１０は１．６〜１．７μｍ程度ある。したがって、第３メタル層４の上面から対向電極１１までは、２．４５μｍ程度となる。測定針によるパッド部２０の表面に形成される突起１５は、最大１．０μｍ程度であるので、パッド部２０を第３メタル層４の上面から少なくとも０．２５μｍ程度掘り下げればよいことになる。
【００１３】
次に、図３および図４は、上記液晶表示装置の製造工程を説明するためのプロセス図である。まず、シリコン基板１上にゲート絶縁膜２１を形成し（図３（ａ））、ゲート電極２２を作成する（図３（ｂ））。次に、Ａ層間膜６を形成し（図３（ｃ））、第１コンタクト２４および第１メタル層２を形成する（図３（ｄ））。さらに、Ｂ層間膜７を形成し（図３（ｅ））、第２コンタクト２７および第２メタル層３を形成する（図３（ｆ））。次に、Ｃ層間膜８を形成する（図３（ｅ））。
【００１４】
次に、第３コンタクト３０、第３メタル層４およびパッド部２０を形成する（図４（ａ））。このとき、パッド部２０の層厚を約０．６５μｍ（第３メタル層の約２５〜３０％減）とする。次に、Ｄ層間膜９を形成し（図４（ｂ））、第４コンタクト３４および第４メタル層５を形成する（図４（ｃ））。そして、第４メタル層５およびＤ層間膜９を取り除き、パッド部２０を露出させる（図４（ｄ））。
【００１５】
その後、基板の特性評価を行なうために、パッド部２０に測定針を立てて電気的な特性を測定した後、液晶層１０、対向電極１１を形成する。パッド部２０は、第３メタル層４より掘り下げて形成されているので、測定針によりパッド部２０に突起１５が形成されても、該突起に起因する最上層メタルー対向電極間ギャップの不均一が生じることはない。
【００１６】
Ｂ．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。ここで、図５は、本第２実施形態による反射型液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、図１に対応する部分には同一の符号を付ける。図において、反射型液晶表示装置は、半導体基板１上に第１メタル層２〜第４メタル層５とＡ層間膜６〜Ｄ層間膜９とが交互に積層され（バックプレイン部）、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。従来と異なる点は、パッド部２１を、第２メタル層３の位置に形成していることにある。
【００１７】
上記反射型液晶表示装置は、前述した第１実施形態と同様に、Ｂ層間膜７を形成するところまでは同じである。Ｂ層間膜７の形成後、第２コンタクト２７、第２メタル層３およびパッド部２１を形成する。次に、Ｃ層間膜８を形成した後、第３コンタクト３０、第３メタル層４、Ｄ層間膜９、第４コンタクト３４および第４メタル層５を順次形成する。そして、第４メタル層５、Ｄ層間膜９、第３メタル層４およびＣ層間膜８を取り除き、パッド部２１を露出させる。
【００１８】
その後、基板の特性評価を行なうために、パッド部２１に測定針を立てて電気的な特性を測定した後、液晶層１０、対向電極１１を形成する。パッド部２１は、第２メタル層３と同じ位置に形成されているので、測定針によりパッド部２１に突起１５が形成されても、該突起１５が対向電極１１に接触することはない。
【００１９】
Ｃ．第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態について説明する。ここで、図６は、本第３実施形態による反射型液晶表示装置の構造を示す断面図である。なお、図１に対応する部分には同一の符号を付ける。図において、反射型液晶表示装置は、半導体基板１上に第１メタル層２〜第４メタル層５とＡ層間膜６〜Ｄ層間膜９とが交互に積層され（バックプレイン部）、最上層に液晶層１０と対向電極（透明）１１とを形成することで構成されている。従来と異なる点は、パッド部２２を、第１メタル層２の位置に形成していることにある。
【００２０】
上記反射型液晶表示装置は、前述した第１実施形態と同様に、Ａ層間膜６を形成するところまでは同じである。Ａ層間膜６の形成後、第１コンタクト２４、第１メタル層２およびパッド部２２を形成する。次に、Ｂ層間膜７、第２コンタクト２７、第２メタル層３およびパッド部２１、Ｃ層間膜８、第３コンタクト３０、第３メタル層４、Ｄ層間膜９、第４コンタクト３４および第４メタル層５を順次形成する。そして、第４メタル層５、Ｄ層間膜９、第３メタル層４、Ｃ層間膜８、第２メタル層３およびＢ層間膜７を取り除き、パッド部２２を露出させる。
【００２１】
その後、基板の特性評価を行なうために、パッド部２２に測定針を立てて電気的な特性を測定した後、液晶層１０、対向電極１１を形成する。パッド部２２は、第１メタル層２と同じ位置に形成されているので、測定針によりパッド部２２に突起１５が形成されても、該突起１５が対向電極１１に接触することはない。
【００２２】
上述した第１ないし第３実施形態によれば、突起の形成を気にすることなく、測定針をパッド部に接触させて測定することができ、測定ミスの発生を防止することが可能となる。また、測定針により形成される突起の対向電極との接触を低減することができる。
【００２３】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、（Ｎ−１）層目の金属膜と同層に、前記（Ｎ−１）層目の金属膜上面より掘り下げて測定評価用パッド部を形成するようにしたので、測定針により測定評価用パッド部に突起が形成されても、該突起に起因する最上層メタル−対向電極間ギャップの不均一が生じることはなく、ゆえに、測定針による突起が原因による歩留まり低下を防止することができるという利点が得られる。
【００２４】
また、請求項２記載の発明によれば、（Ｎ−１）―Ｍ（但し、Ｍ＝１〜（Ｎ−２））層目の金属膜と同層に測定評価用パッド部を形成するようにしたので、測定針により測定評価用パッド部に突起が形成されても、該突起に起因する最上層メタル−対向電極間ギャップの不均一が生じることはなく、ゆえに、測定針による突起が原因による歩留まり低下を防止することができるという利点が得られる。
【００２５】
また、請求項３記載の発明によれば、半導体基板上にＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層を順次積層し、（Ｎ−１）層目の金属膜と同層に、前記（Ｎ−１）層目の金属膜上面より掘り下げて測定評価用パッド部を形成し、前記測定評価用パッド部の上層を除去し、前記測定評価用パッド部を露出するようにしたので、測定針により測定評価用パッド部に突起が形成されても、該突起に起因する最上層メタル−対向電極間ギャップの不均一が生じることはなく、ゆえに、測定針による突起が原因による歩留まり低下を防止することができるという利点が得られる。
【００２６】
また、請求項４記載の発明によれば、半導体基板上にＮ（但し、Ｎ＝１，２，…；整数）層の金属層を順次積層し、（Ｎ−１）―Ｍ（但し、Ｍ＝１〜（Ｎ−２））層目の金属膜と同層に測定評価用パッド部を形成し、前記測定評価用パッド部の上層を除去し、前記測定評価用パッド部を露出するようにしたので、測定針により測定評価用パッド部に突起が形成されても、該突起に起因する最上層メタル−対向電極間ギャップの不均一が生じることはなく、ゆえに、測定針による突起が原因による歩留まり低下を防止することができるという利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態による反射型液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図２】本第１実施形態による液晶表示装置の寸法を示す断面図である。
【図３】本第１実施形態による液晶表示装置の製造工程を説明するためのプロセス図である。
【図４】本第１実施形態による液晶表示装置の製造工程を説明するためのプロセス図である。
【図５】本第２実施形態による反射型液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図６】本第３実施形態による反射型液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図７】従来の反射型液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図８】測定針による突起の状態を示す模式図である。
【符号の説明】
１……半導体基板、２……第１メタル層（金属層）、３……第２メタル層（金属層）、４……第３メタル層（金属層）、５……第４メタル層（金属層）、６……Ａ層間膜、７……Ｂ層間膜、８……Ｃ層間膜、９……Ｄ層間膜、１０……液晶層、１１……対向電極、１５……突起、２０，２１，２２……パッド部（測定評価用パッド部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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