(57)【要約】【課題】高密度化のために波長の短い青色レーザ光を用いた場合においても、カー回転角θｋの低下が無く、マーク形状の安定性が良く、また消去ノイズの増加が無いフロントイルミネーション方式の光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】基板１の上に、熱伝導層２、平坦化層３、反強磁性層４、記録層５、保護層６がこの順に積層される。記録層５を構成するＲＥ−ＴＭ合金の組成をＴＭｒｉｃｈとし、反強磁性層４の形成による表面荒れに対しては反強磁性層４の下地に表面平滑性の良い平坦化層３を形成するものとする。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に熱伝導層、記録層及び保護層がこの順に積層される光磁気記録媒体において、前記熱伝導層及び記録層の間に、熱伝導層の表面を平坦化する平坦化層と、反強磁性層とがこの順に積層されていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記保護層は透明反強磁性体により形成されていることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録層は遷移金属優勢としてある希土類遷移金属合金により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記反強磁性層のネール温度は前記記録層のキュリー温度以上であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】
前記平坦化層は、Ａｇ、Ａｌ若しくはＮｉを主成分としてＰｄ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐ若しくはＣｒの内いずれか一つ以上の元素を含む材料、又は前記熱伝導層の表面張力よりも強い表面張力を有する金属材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至４に記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体に関し、特に基板上に積層された磁性膜等の側から光を入射して情報の記録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に記録層、保護層等を積層し、記録層にレーザ光を入射して情報の記録、再生を行う光磁気記録媒体（以下、記録媒体ともいう）が実現されている。情報量の増大等に伴いこのような記録媒体においても記録密度の向上が求められている。記録媒体の記録密度とレーザ光のスポットサイズとの間には一定の相関があることから、高い記録密度を実現するために、レーザ光のスポットサイズを小さくすることが求められている。記録媒体に入射されるレーザ光（レーザビーム）のスポットサイズをφ、対物レンズの開口数をＮＡ、レーザ光の波長をλとすると、φ＝λ／２ＮＡという関係式が成立する。この関係式から、スポットサイズφを小さくするためには波長λを小さくすること、開口数ＮＡを大きくすることが必要であることがわかる。
【０００３】
波長λを小さくするには、従来用いられている波長６４０ｎｍの赤色レーザ光から波長４０５ｎｍの青色レーザ光に変更すれば良い。他方、開口数ＮＡを大きくすると焦点距離が短くなることから、開口数ＮＡを大きくすればするほど基板の厚さやチルトによる収差が大きくなるので、できるだけ基板の厚さを薄くする必要がある。つまり、従来の基板を介して記録層へ光を入射することにより記録、再生を行ういわゆるバックイルミネーション方式の光磁気記録媒体よりも、基板を介さずに基板上に積層された記録層側からレーザ光を入射して記録、再生を行ういわゆるフロントイルミネーション方式の光磁気記録媒体の方が高密度化を実現する上では好ましい。
【０００４】
図５は従来の光磁気記録媒体の構成図である。
従来の記録媒体において、１はポリカーボネート等で構成される基板であり、基板１の上には、熱伝導層２、記録層５、保護層６がこの順に形成されている。基板１に積層した保護層６の側から対物レンズＬを介してレーザ光ＬＢを記録層５へ入射するフロントイルミネーション方式の記録媒体である。熱伝導層２は通常Ａｇ等の金属膜で構成され、保護層６の方向から対物レンズＬを介して記録層５に入射されるレーザ光ＬＢを保護層６の側に反射する反射層として機能し、さらに記録層５に形の整った記録マーク（磁区。以下、単にマークともいう）を形成するために放熱機能を要求される。記録層５は希土類遷移金属合金（以下、ＲＥ−ＴＭ合金ともいう）膜により構成され、例えばＴｂＦｅＣｏ膜で構成される。
【０００５】
記録層５から得られるカー回転角θｋは入射されるレーザ光の波長に依存し、青色レーザ光においては、ＲＥ−ＴＭ合金膜のカー回転角は赤色レーザ光におけるカー回転角より約１乃至２割程度低下する。ＲＥ−ＴＭ合金膜のカー回転角は主にＲＥ−ＴＭ合金の電子状態に起因して生じることから、大きいカー回転角θｋを得るためには垂直磁化を示す範囲内においてできるだけ遷移金属の多い組成（以下、ＴＭｒｉｃｈともいう）にすることが望ましい。しかし、記録層５を構成するＲＥ−ＴＭ合金膜は、記録マークの安定性及び記録消去磁場の観点から一般的に補償組成近傍の合金膜とされる。補償組成のＲＥ−ＴＭ合金膜は、室温での飽和磁化Ｍｓが非常に小さいことから、漏洩磁場に起因した消去磁場への影響が小さくなる。また、保磁力Ｈｃも大きいため記録マークの安定性が良い。
【０００６】
カー回転角θｋを向上するためにＲＥ−ＴＭ合金膜をＴＭｒｉｃｈにした場合、特にマーク形成過程の安定性に影響を及ぼし、ノイズの増加及びキャリアの低下の原因となることが知られている。例えば、電気学会マグネティックス研究会資料ＭＡＧ−８７−１７８（１９８７）の第４７ページには、飽和磁化Ｍｓの大きいＴＭｒｉｃｈのＲＥ−ＴＭ合金膜におけるマークの形状は記録磁場により変形しやすいことが記載されている。
【０００７】
つまり、マーク形成過程において、マークの外周部が凹凸に変形すると、磁壁の面積が増加し、磁壁エネルギーＥｗは増加するが、正と負の磁化が近接する領域が増加することから、静磁エネルギーＥｍは減少する。このとき、
磁壁エネルギーの変化ΔＥｗ＞静磁エネルギーの変化｜−ΔＥｍ｜
の関係にあれば、例え磁壁が変形して外周部に凹凸ができても全体の磁気エネルギーは損するので、元に戻ろうとして変形のないマークが形成される。
一方、飽和磁化Ｍｓの値が大きいＴＭｒｉｃｈのＲＥ−ＴＭ合金膜においては、静磁エネルギーＥｍが飽和磁化Ｍｓの２乗に比例して増大し、
磁壁エネルギーの変化ΔＥｗ＜静磁エネルギーの変化｜−ΔＥｍ｜
の関係になることから、マーク外周部に凹凸がある方が全体の磁気エネルギーが得するので変形したマークが形成される。
【０００８】
したがって、青色レーザ光を用いた場合、カー回転角θｋの大きいＴＭｒｉｃｈのＲＥ−ＴＭ合金膜を用いる方が良いが、ＴＭｒｉｃｈのＲＥ−ＴＭ合金膜においては保磁力Ｈｃが低下すること及びマーク形状の安定性が失われることから、保磁力Ｈｃ及びマーク形状の安定性の観点からは補償組成近傍の組成比を用いる方が良く組成比を変更できないという相反する関係がある。
【０００９】
マーク形状の安定性、記録磁場感度の改善をするために、記録層５と反強磁性層とを積層した構成が提案されている。例えば、国際公開番号ＷＯ９７／４８０９４号公報にはバックイルミネーション方式の光磁気記録媒体が開示されており、透明基板上に第１誘電体層、記録層、反強磁性層、第２誘電体層及び反射層をこの順に積層した記録媒体（バックイルミネーション方式の第１従来例）及び透明基板上に第１誘電体層、反強磁性層、記録層、第２誘電体層及び反射層をこの順に積層した記録媒体（バックイルミネーション方式の第２従来例）が記載されている。しかし、これらの記録媒体はバックイルミネーション方式に関するものでありフロントイルミネーション方式の記録媒体に適用することは以下に説明するようにできない。
【００１０】
フロントイルミネーション方式の媒体においては、積層した膜の側からレーザ光を入射することから、入射側に反強磁性層を配置するとカー回転角θｋが低下する。つまり、透明基板側（入射側）に反強磁性層を積層してその上に記録層を積層するバックイルミネーション方式の第２従来例のような積層構成はフロントイルミネーション方式の媒体には適用できない。また、フロントイルミネーション方式の媒体においては、基板と記録膜との間に厚い膜が存在すると、膜の厚さに比例して膜の表面が荒れることから消去ノイズが増加する。つまり、透明基板上に第１誘電体層を積層するバックイルミネーション方式の第１従来例及びバックイルミネーション方式の第２従来例のような積層構成はフロントイルミネーション方式の媒体には適用できない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
従来のフロントイルミネーション方式の記録媒体において高密度化を図るために青色レーザ光を用いる場合には、記録層から得られるカー回転角θｋの低下を生じる。また、記録層の組成をカー回転角θｋが向上するようにするとマーク形状の安定性が悪くなる。さらに、マーク形状の安定性を向上するために反強磁性層を用いると消去ノイズが増加するという問題がある。
つまり、従来のフロントイルミネーション方式の記録媒体において高密度化を図るために青色レーザ光を用いる場合には、カー回転角θｋ、マーク形状の安定性、消去ノイズのいずれの特性をも満たすことはできなかった。
【００１２】
本発明は斯かる事情に鑑みなされたものであり、高密度化のために波長の短い青色レーザ光を用いた場合においても、カー回転角θｋの低下が無く、マーク形状の安定性が良く、また消去ノイズの増加が無いフロントイルミネーション方式の光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
第１発明に係る光磁気記録媒体は、基板上に熱伝導層、記録層及び保護層がこの順に積層される光磁気記録媒体において、前記熱伝導層及び記録層の間に、熱伝導層の表面を平坦化する平坦化層と、反強磁性層とがこの順に積層されていることを特徴とする。
【００１４】
第２発明に係る光磁気記録媒体は、第１発明において、前記保護層は透明反強磁性体により形成されていることを特徴とする。
【００１５】
第３発明に係る光磁気記録媒体は、第１発明又は第２発明において、前記記録層は遷移金属優勢としてある希土類遷移金属合金により形成されていることを特徴とする。
【００１６】
第４発明に係る光磁気記録媒体は、第１発明乃至第３発明のいずれかにおいて、前記反強磁性層のネール温度は前記記録層のキュリー温度以上であることを特徴とする。
【００１７】
第５発明に係る光磁気記録媒体は、第１発明乃至第４発明のいずれかにおいて、前記平坦化層は、Ａｇ、Ａｌ若しくはＮｉを主成分としてＰｄ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐ若しくはＣｒの内いずれか一つ以上の元素を含む材料、又は前記熱伝導層の表面張力よりも強い表面張力を有する金属材料により形成されていることを特徴とする。
【００１８】
第１発明においては、熱伝導層の光入射側に平坦化層と反強磁性層を設けることとしたので、高密度化のために波長の短い青色レーザ光を用いた場合においても、カー回転角θｋの低下が無く、マーク形状の安定性が良く、また消去ノイズの増加が無い記録媒体とすることが可能となる。
【００１９】
第２発明においては、保護層を透明反強磁性層にすることとしたので、記録層を反強磁性層で挟む構成となることから、見かけ上の保磁力を向上できＣＮＲ特性をさらに向上することが可能となる。
【００２０】
第３発明においては、記録層を遷移金属優勢とした希土類遷移金属合金により構成することとしたので、カー回転角θｋを大きくすることができる。
【００２１】
第４発明においては、反強磁性層のネール温度を記録層のキュリー温度以上としたので、記録再生時の温度範囲内で記録層の見かけ上の保磁力Ｈｃを大きくできる。
【００２２】
第５発明においては、平坦化層をＡｇ、Ａｌ若しくはＮｉを主成分としてＰｄ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐ若しくはＣｒの内いずれか一つ以上の元素を含む材料により構成することとしたので、確実に精度良く平坦化することが可能となる。また、平坦化層を熱伝導層の表面張力よりも強い表面張力を有する金属材料により構成することとしたので、確実に精度良く平坦化することが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
＜実施の形態１＞
図１は実施の形態１に係る光磁気記録媒体の構成図である。
実施の形態１に係る記録媒体において、１は基板であり、例えばポリカーボネートが用いられる。基板１の上には、熱伝導層２、平坦化層３、反強磁性層４、記録層５、保護層６がこの順に積層される。実施の形態１に係る記録媒体は保護層６の側から対物レンズＬを介してレーザ光ＬＢを記録層５へ入射することにより情報の記録再生を行うフロントイルミネーション方式の記録媒体である。記録層５は希土類遷移金属合金（ＲＥ−ＴＭ合金）で構成され、ここではＴｂＦｅＣｏとした。この他にＲＥ−ＴＭ合金としては、例えばＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等を適用することが可能である。このような構成において、記録層５を構成するＲＥ−ＴＭ合金の組成を遷移金属の多い組成（ＴＭｒｉｃｈ）にして、カー回転角θｋが大きくなるようにする。ＲＥ−ＴＭ合金をＴＭｒｉｃｈにすることに伴うマーク形状の安定性の悪化に対しては反強磁性層４を形成することにより対応している。反強磁性層４の形成による表面荒れに伴う消去ノイズの増加に対しては反強磁性層４の下地に表面平滑性の良い平坦化層３を形成することにより対応している。
【００２４】
（カー回転角θｋの向上）
図２はＴｂＦｅＣｏ記録層におけるＴｂ組成比とカー回転角／保磁力との関係を示すグラフである。記録層５をＴｂＦｅＣｏで構成したＴｂＦｅＣｏ記録層の場合におけるＴｂ組成比とカー回転角θｋとの関係を同図（ａ）に、Ｔｂ組成比と保磁力Ｈｃとの関係を同図（ｂ）に示す。横軸はＴｂ組成比（％）であり、縦軸は（ａ）ではカー回転角θｋ（度）、（ｂ）では保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）である。記録層５の保磁力Ｈｃの値は１００℃での値である。なお、１（Ｏｅ）＝１０００／４π（Ａ／ｍ）である。入射したレーザ光ＬＢは青色レーザ光である。また、レーザ光ＬＢの入射側に位置する保護層６はカー回転角θｋを増強する作用があるので、保護層６は「反射率Ｒ×カー回転角θｋ」の値が最大となる厚さにしてある。
【００２５】
Ｔｂ（希土類）組成比が小さい（Ｔｂ量が少ない）ほど、つまりＦｅＣｏ（遷移金属）量が多いほどカー回転角θｋが大きくなるので、従来の補償組成（Ｔｂ組成比２４％）近傍からＴｂ量を減少してＲＥ−ＴＭ合金の組成をＴＭｒｉｃｈにする。Ｔｂ組成比２４％の場合のカー回転角θｋは約０．５５（度）であり、Ｔｂ組成比１３％の場合のカー回転角θｋは約０．８８（度）であるから、Ｔｂ組成比を２４％から１３％へ低減すれば、カー回転角θｋを約１．６倍向上することができる。なお、この際の保磁力ＨｃはＴｂ組成比２４％で１５ｋＯｅ、Ｔｂ組成比１３％で２．２ｋＯｅである。反射率ＲはＲＥ−ＴＭ合金の組成に大きく依存しないことから、反射率Ｒが同じでもカー回転角θｋを大きくすることにより再生信号に寄与する「反射率Ｒ×カー回転角θｋ」の値を大きくすることができる。Ｔｂ組成比は補償組成の場合に比較してカー回転角θｋを確実に大きくすることができる範囲（約１２乃至２０程度）とすることが望ましい。また、後述するように保磁力Ｈｃとのバランスを考慮すれば、Ｔｂ組成比は約１３乃至２０程度が望ましく、さらには約１４乃至１７程度とすることがより望ましい。
【００２６】
（マーク安定性の向上）
記録層５の保磁力Ｈｃの低下に伴い、外部磁場に対し影響を受けやすくなる。この対策として、記録層５の下地層として反強磁性層４を設ける。
記録層５の飽和磁化をＭｓ、膜厚をｔ、記録層５と反強磁性層４との間の界面磁壁エネルギー密度をσｗとすると、反強磁性層４と記録層５との間に働く交換結合力Ｈｅｘは、Ｈｅｘ＝σｗ／（２Ｍｓ×ｔ）となる。この交換結合力の作用により、記録層５の磁化反転に必要な外部磁場は「保磁力Ｈｃ＋交換結合力Ｈｅｘ」となるから、見かけ上の保磁力（Ｈｃ＋Ｈｅｘ）を増加することができる。
【００２７】
マークに対して、マークを潰す方向に印加された外部磁場Ｈｒが、
Ｈｗｂ＋Ｈｒ＞Ｈｓｔｒａｙ＋Ｈｅ＋Ｈｃ
の関係を満たす場合、マークは消滅する。Ｈｗｂはマークがあることによりマークの周辺に形成された磁区の磁壁を解消するように働く磁場で、マークの半径をｒとするとＨｗｂ＝σｗｂ／（２Ｍｓ×ｒ）の大きさを有し、マークを潰す方向に加わる。Ｈｓｔｒａｙは記録層５からの漏洩磁場であり、Ｍｓ／ｒに比例した大きさを有する。
他方、漏洩磁場Ｈｓｔｒａｙが大きく、
｜−Ｈｓｔｒａｙ｜＞Ｈｅ＋Ｈｃ−Ｈｗｂ
の関係があると、磁壁エネルギーの変化ΔＥｗよりも静磁エネルギーの変化｜−ΔＥｍ｜の方が大きくなるので、マークが広がる方向に外周部が凸凹に変形する。
【００２８】
すなわち、マークの変形がなく、消滅もしない安定な微小マークが形成されるための条件は、Ｈｒ＜Ｈｓｔｒａｙ＋Ｈｅ＋Ｈｃ−Ｈｗｂであり、かつ｜−Ｈｓｔｒａｙ｜＜Ｈｅ＋Ｈｃ−Ｈｗｂを満たす場合である。例えば、飽和磁化Ｍｓが４００（ｅｍｕ／ｃｃ。なお、１（ｅｍｕ／ｃｃ）＝４π／１００００（Ｗｂ／ｍ３　）＝１．２５７ｍＴ）の記録層５に半径ｒ＝０．１μｍのマークを形成したとき、マークのエッジ部分においてマークを広げる方向に加わる磁場の大きさをシミュレーションにより見積もると、約０．６９ｋＯｅとなるが、見かけ上の保磁力（Ｈｃ＋Ｈｅｘ）を見積もり値（約０．６９ｋＯｅ）以上になるように設計することにより変形のない安定な微小マークを形成できる。
漏洩磁場の影響については、概念的には反強磁性層４内に磁力線が浸透し、磁路を形成するために反強磁性層４がないときよりも影響が少ないと考えることもできる。
【００２９】
記録再生時の温度範囲内で記録層５の見かけ上の保磁力Ｈｃを大きくするために、反強磁性層４のネール温度は記録層５のキュリー温度と同程度かそれより高いものを用いる。また、フロントイルミネーション方式の記録媒体においては、放熱特性が重要であるから熱伝導率が悪くならないように反強磁性層４は金属系の材料を用いる。例えば、ＰｔＭｎ、ＰｔＭｎＣｒ等が適用できる。さらに反強磁性層と記録層とを交互に積層して多層化しても良い。
【００３０】
（消去ノイズの低減）
反強磁性層４と記録層５との間に作用する交換結合力Ｈｅｘへの効果を高めるために反強磁性層４の膜厚を厚くすることが考えられるが、厚くしすぎると反強磁性層４の膜表面が荒れ、消去ノイズを増加させることになる。例えば、反強磁性層４を３０ｎｍ以上形成して膜表面の表面粗さがＲａ＝０．９ｎｍを越えると、１０ＭＨｚ以下の低周波数領域の消去ノイズが増加する。反強磁性層４の膜表面の平滑性を改善するために、反強磁性層４の下地層として平坦化層３を形成する。
【００３１】
図３は本発明の熱伝導層及び平坦化層の表面形状説明図である。同図（ａ）は熱伝導層の表面形状を示し、（ｂ）は平坦化層の表面形状を示す。基板１においてレーザ光ＬＢ（不図示）が入射する側に熱伝導層２が形成される。この熱伝導層２は、Ａｇ、Ａｌ等の金属の固体ターゲットを用いて、ＤＣスパッタ法により成膜され、膜厚を２０乃至４０ｎｍにされる。基板１の表面粗さＲａは０．３ｎｍ程度と小さいが、熱伝導層２はスパッタ成膜の過程で表面に凹凸が発生し、表面粗さＲａは０．５乃至１．０ｎｍ程度に大きくなる。この表面粗さＲａを相殺して、その表面を平坦化された平坦化層３が形成される。
【００３２】
平坦化層３はＡｇ、Ａｌ若しくはＮｉを主成分として、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐ若しくはＣｒの内いずれか一つ以上の元素を所定量（数％程度）含む材料をＤＣスパッタ法で形成される。約５ｎｍ程度の膜厚で成膜すれば、熱伝導層２の表面の凹凸を埋めることができ、熱伝導層２の表面を十分に平坦化することができる。
【００３３】
平坦化層３の形成方法としてはこの他に、熱伝導層２の表面張力より大きい表面張力を有する金属単体を低ガス圧で成膜することもできる。金属単体としては表面張力の大きいＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ等を用いることができる。この成膜の際、膜厚が２ｎｍ以下と薄いか、又は成膜ガス圧が高いと逆に表面に微細な構造の凹凸が形成されるので、例えば、０．２Ｐａ以下で５ｎｍ程度成膜するのが良い。表面平滑性が良い平坦化層３の表面に反強磁性層４を形成すると、記録層５（強磁性体）との交換結合力Ｈｅｘが向上し、表面が荒れている時よりも大きなＨｅｘが得られ、見かけ上の保磁力が向上する。熱伝導層２を例えばＡｇとした場合には、Ａｇの表面張力は３０℃で１０５２（ｍＮ／ｍ）であるから、これより表面張力の大きいＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ等を用いることができる。なお、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌの表面張力は３０℃で各々２８８７、３０２３、３４７１、２６１０、２５９０、２３１９、２２９０、２０９６、２０８０、１６７７、１４２２、１１３５（ｍＮ／ｍ）である。
【００３４】
（実施例１）
実施の形態１の詳細な具体例を実施例１として説明する。
各層の構成（材料、膜厚等）を次に示す。
熱伝導層２：Ａｇ、３５ｎｍ
平坦化層３：ＡｇＰｄＣｕＳｉ、５ｎｍ
反強磁性層４：ＰｔＣｒＭｎ、１０ｎｍ
記録層５：ＴｂＦｅＣｏ（組成比Ｔｂ：Ｆｅ：Ｃｏ＝１３：６８：１９）、２５ｎｍ
保護層６：ＳｉＮ、５０ｎｍ
なお、保護層６の膜厚５０ｎｍは、青色レーザ光の波長４０５ｎｍで反射率Ｒ×カー回転角θｋが最大となる値を適用した。このとき、反射率Ｒ＝０．３、カー回転角θｋ＝０．８８度であり、反射率Ｒ×カー回転角θｋ＝０．２６４である。
【００３５】
各層の成膜はＤＣマグネトロンスパッタ法により、順次成膜した。各層の成膜時のガス圧、ターゲット供給電力等を次に示す。
熱伝導層２：０．１５Ｐａ、Ａｇターゲット０．５ｋＷ
平坦化層３：０．１５Ｐａ、ＡｇＰｄＣｕターゲット０．５ｋＷ、Ｓｉターゲット０．３２ｋＷ
反強磁性層４：０．５Ｐａ、Ｐｔターゲット０．５ｋＷ、Ｃｒターゲット０．１ｋＷ、Ｍｎターゲット０．３ｋＷ
記録層５：１．５Ｐａ、Ｔｂターゲット０．０８ｋＷ、ＦｅＣｏターゲット０．２５ｋＷ
保護層６：０．３Ｐａ、ＳｉＮターゲット０．５ｋＷ
【００３６】
実施例１の記録媒体にマークを光変調記録し、ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏＮｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ。信号対雑音比）を測定した。青色レーザ光の波長λ＝４０５ｎｍ、対物レンズＬの開口数ＮＡ＝０．８５の光学系を用い、線速７．５ｍ／ｓ、記録パワー８ｍＷ、再生パワー３ｍＷの条件で、マーク長０．２μｍに対し４７ｄＢのＣＮＲ、マーク長０．１６μｍに対し４５ｄＢのＣＮＲを得た。
【００３７】
（比較例１）
実施例１と比較するために、平坦化層３、反強磁性層４を設けない記録媒体を実施例１と同一の条件で作成し、熱伝導層２（Ａｇ、４０ｎｍ）、記録層５（ＴｂＦｅＣｏ、２５ｎｍ）、保護層６（ＳｉＮ、５０ｎｍ）の構成とした。実施例１と同一の条件で記録再生しようとしたが、記録磁場に対するマージンが無く、０乃至５０Ｏｅの範囲でのみマーク長０．２μｍで４０ｄＢのＣＮＲが得られた。反強磁性層４が無いことから、マークが外部磁場により変形してノイズが増加した結果である。
【００３８】
（比較例２）
実施例１と比較するために、平坦化層３が無く、反強磁性層４が少し厚い構成の記録媒体を実施例１と同一の条件で作成し、熱伝導層２（Ａｇ、４０ｎｍ）、反強磁性層４（ＰｔＣｒＭｎ、３０ｎｍ）、記録層５（ＴｂＦｅＣｏ、２５ｎｍ）、保護層６（ＳｉＮ、５０ｎｍ）の構成とした。実施例１と同一の条件で記録再生したところ、マーク長０．２μｍで４５ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例１より２ｄＢ低い値となった。これは、表面平滑性がそれほど高くないＡｇ熱伝導層２に厚めの反強磁性層４を積層したことで記録層５の表面が下地層である反強磁性層４を反映して荒れ、消去ノイズが増加したためである。記録磁場に対しては、２５０ＯｅまでＣＮＲの劣化は見られなくなり、反強磁性層４の効果が多少見られるが、実施例１ほどの記録磁場マージンは無い。これは、反強磁性膜４の膜表面の荒れにより記録層５と反強磁性層４との交換結合力が弱くなっているためと考えられる。
【００３９】
（実施例２）
実施例１の平坦化層３の構成を膜厚５ｎｍのＴａ、つまり熱伝導層２より表面張力の大きい金属としたものを実施例２として説明する。平坦化層３の成膜条件はガス圧０．１５Ｐａ、ターゲット電力０．５ｋＷである。その他の構成、成膜条件は実施例１と同一とした。実施例１と同一の評価条件で同一のＣＮＲが得られた。記録磁場に対しては、＋５００ＯｅでもＣＮＲの低下は見られなかった。平坦化層３の表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下になりＡｇＰｄＣｕＳｉのときよりも強い交換結合力が働いて微小マークが安定したためと思われる。
【００４０】
＜実施の形態２＞
図４は実施の形態２に係る光磁気記録媒体の構成図である。実施の形態１における保護層６を透明反強磁性層６ａに置き換え、記録層５を反強磁性層４と透明反強磁性層６ａとにより挟む構成にすることでさらに見かけ上の保磁力Ｈｃを大きくすることができる。透明反強磁性層６ａを透明にするのは、レーザ光の入射側に配置することになるからである。透明反強磁性層６ａに適用できる材料としては例えば、ＮｉＯ、Ｃｒ（２原子）Ｏ（３原子）、α−Ｆｅ（２原子）Ｏ（３原子）等がある。
【００４１】
（実施例３）
実施の形態２の詳細な具体例を実施例３として説明する。実施の形態１における保護層６を透明反強磁性層６ａに置き換えた点が異なるのみであり、実施例１の保護層６（ＳｉＮ）をＮｉＯで構成された透明反強磁性層６ａとするものである。透明反強磁性層６ａ（ＮｉＯ）は微量酸素を導入したガス圧０．３ＰａのＡｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタ法により、４６ｎｍ成膜した。その他の各層の構成、成膜条件等は実施例１と同一である。実施例３の記録媒体のＣＮＲは、マーク長０．２μｍ、０．１６μｍに対して、共に実施例１と同一の特性を示した。しかし、記録磁場に対しては、実施例１では＋４５０Ｏｅを越えると０．５ｄＢ程度のＣＮＲの低下が見られるのに対し、ＮｉＯを用いた実施例３においては、＋５００Ｏｅの記録磁場でもＣＮＲの低下は見られなかった。
（実施例４）
実施例３の透明反強磁性層６ａを構成するＮｉＯの成膜を、ＮｉＯターゲットを用いてＲＦマグネトロンスパッタ法によりガス圧０．３ＰａのＡｒ雰囲気中で成膜した。他の各層の構成、成膜条件等は実施例３と同一である。実施例４の記録媒体のＣＮＲは、マーク長０．２μｍで４７．３ｄＢと実施例１に対しわずかに向上した。透明反強磁性層６ａを構成するＮｉＯの表面がＡｒ酸素ガスでＤＣマグネトロンスパッタ法により成膜したときよりも平滑になり散乱光が減少したためと考えられる。
【００４２】
【発明の効果】
以上詳述したように、第１発明にあっては、フロントイルミネーション方式の記録媒体において、熱伝導層の光入射側に平坦化層と反強磁性層を設けることにより、高密度化のために波長の短い青色レーザ光を用いた場合においても、カー回転角θｋの低下が無く、マーク形状の安定性が良く、また消去ノイズの増加が無い記録媒体とすることが可能となる。
【００４３】
第２発明にあっては、保護層を透明反強磁性層にすることにより、見かけ上の保磁力を向上でき一層ＣＮＲ特性の良い記録媒体とすることが可能となる。
【００４４】
第３発明にあっては、記録層の希土類遷移金属合金を遷移金属優勢とするので、カー回転角を大きくでき、ＣＮＲ特性の良い記録媒体とすることが可能となる。
【００４５】
第４発明にあっては、記録再生時の温度範囲内で記録層の見かけ上の保磁力Ｈｃを大きくできる、ＣＮＲ特性の良い記録媒体とすることが可能となる。
【００４６】
第５発明にあっては、平坦化層を確実に平坦化でき、ＣＮＲ特性の良い記録媒体とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１に係る光磁気記録媒体の構成図である。
【図２】ＴｂＦｅＣｏ記録層におけるＴｂ組成比とカー回転角／保磁力との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の熱伝導層及び平坦化層の表面形状説明図である。
【図４】実施の形態２に係る光磁気記録媒体の構成図である。
【図５】従来の光磁気記録媒体の構成図である。
【符号の説明】
１　基板
２　熱伝導層
３　平坦化層
４　反強磁性層
５　記録層
６　保護層
６ａ　透明反強磁性層
Ｌ　対物レンズ
ＬＢ　レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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