(57)【要約】 【課題】  本発明は、アレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相異なった基板上に形成して、アレイ素子の駆動薄膜トランジスタと有機電界発光ダイオード素子の第２電極を別途の電気的連結パターンを通じて連結するデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の提供並びに、非晶質シリコン物質を利用する逆スタッガード型薄膜トランジスタ構造を採用して７マスクデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用基板を製造する工程を提供する。【解決手段】  ゲート配線、データ配線、電力供給配線、スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ及び連結電極からなるアレイ層を有する第１基板と、有機電界発光ダイオード素子を有する第２基板と、前記第１基板及び第２基板間に形成され、前記有機電界発光ダイオード素子と連結電極を電気的に連結させる電気的連結パターンとを含んだ有機電界発光素子。【選択図】  図８Ｇ
2004212994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ層を有する第１基板と有機電界発光ダイオードを有する第２基板を含む有機電界発光素子において、
前記第１基板上に第1方向に形成されたゲート配線と；
前記第１方向と交差する第２方向に形成されたデータ配線と；
前記第２方向に形成され、前記データ配線と離隔されるように配置され、前記ゲート配線と同一工程において同一物質で構成された、前記ゲート配線との交差部では別途の電力供給リンク配線を有する電力供給配線と；
前記ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成され、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された半導体層を有するスイッチング薄膜トランジスタと；
前記スイッチング薄膜トランジスタと電力供給配線間交差地点に形成され、前記スイッチング薄膜トランジスタと同一な物質で構成された半導体層を有する駆動薄膜トランジスタと；
前記駆動薄膜トランジスタと連結して形成された連結電極と；
前記第１基板及び第２基板間に形成され、前記有機電界発光ダイオード素子と連結電極を電気的に連結させる電気的連結パターンとを含む有機電界発光素子。
【請求項２】
前記ゲート配線、データ配線、電力供給配線の一端に配置するゲートパッド、データパッド、電力供給パッドをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記ゲートパッド、電力供給パッドを覆う領域各々に配置した、前記データ配線と同一工程において同一物質で構成された第１ゲートパッド電極、第１電力供給パッド電極をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記データパッド、ゲートパッド電極、電力供給パッド電極を覆う領域各々に配置した、前記連結電極と同一工程において同一物質で構成されたデータパッド電極、第２ゲートパッド電極、第２電力供給パッド電極をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記スイッチング薄膜トランジスタは、前記ゲート配線から分岐したゲート電極と、前記ゲート電極を覆う領域に配置し、非晶質シリコン物質で構成されたアクティブ層及び不純物シリコン物質で構成されたオーミックコンタクト層が順序通り積層された構造の半導体層と、前記半導体層上部で相互に離隔されるように配置するソース電極及びドレイン電極とで構成されており、前記駆動薄膜トランジスタは、前記ドレイン電極と連結する駆動ゲート電極と、前記駆動ゲート電極を覆う位置の駆動半導体層と、前記駆動半導体層上部で相互に離隔されるように配置する駆動ソース電極及びドレイン電極とで構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記駆動ソース電極及び電力供給配線間に配置され、前記連結電極と同一工程において同一物質で構成された、前記駆動ソース電極及び電力供給配線と連結するパワー電極をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記電力供給リンク配線は、前記データ配線と同一工程で同一物質で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
アレイ素子層と有機電界発光ダイオードを相異なった基板に構成して、別途の電気的連結パターンを通じて前記アレイ素子層と有機電界発光ダイオードを電気的に連結させる有機電界発光素子の製造方法において、
第１金属物質を利用した第１マスク工程を通じて基板上にゲート電極、ゲートパッド、電力供給パッドを形成する段階と；
前記ゲート電極、ゲートパッド、電力供給パッドが形成されている基板上に第１絶縁物質を蒸着してゲート絶縁層を形成する段階と；
非晶質シリコン、不純物非晶質シリコンを連続的に蒸着して、蒸着された非晶質シリコン、不純物非晶質シリコンを第２マスク工程を通じてパターニングして前記ゲート電極に対応する前記ゲート絶縁層上部に半導体層を形成する段階と；
第３マスク工程を通じて、前記ゲートパッド及び電力供給パッドを覆う位置のゲート絶縁層に、前記ゲートパッド及び電力供給パッドを一部露出させるゲートパッドコンタクトホール及び電力供給パッドコンタクトホールを各々形成する段階と；
前記半導体層、ゲートパッドコンタクトホール、電力供給パッドコンタクトホールが形成されている基板上に第２金属物質を利用した第４マスク工程を通じて、前記半導体層上部で相互に離隔されるように配置して前記ゲート電極及び半導体層と共に薄膜トランジスタを形成するソース電極及びドレイン電極と、データパッドそして、前記ゲートパッドコンタクトホール及び電力供給パッドコンタクトホールを通じてゲートパッド及び電力供給パッドと各々連結する第１ゲートパッド電極及び第１電力供給パッド電極を形成する段階と；
前記ソース電極及びドレイン電極間離隔区間の不純物シリコンを除去して、前記ソース電極及びドレイン電極間にチャネルを形成する段階と；
前記薄膜トランジスタ、データパッド、第１ゲートパッド電極、第１電力供給パッドが形成されている基板上部に第２絶縁物質を利用した第５マスク工程を通じて各々前記ソース電極、ドレイン電極、データパッド、第１ゲートパッド電極、第１電力供給パッドを一部露出させるソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホール、第１ゲートパッド電極コンタクトホール、第１電力供給パッド電極コンタクトホールを有する保護層を形成する段階と；
電気的連結部に対応する前記保護層上部に第３絶縁物質を利用した第６マスク工程を通じて、前記有機電界発光ダイオードと連結する電気的連結パターンを形成する段階と；
前記電気的連結パターンが形成されている基板上部に第３金属物質を利用した第７マスク工程を通じて、前記電気的連結パターンを覆って前記ドレインコンタクトホールを通じてドレイン電極と連結する連結電極と、前記ソースコンタクトホールを通じてソース電極と連結するパワー電極、前記データパッドコンタクトホールを通じてデータパッドと連結するデータパッド電極、前記第１ゲートパッド電極コンタクトホールを通じて第１ゲートパッド電極と連結する第２ゲートパッド電極、前記第１電力供給パッド電極コンタクトホールを通じて第１電力供給パッド電極と連結する第２電力供給パッド電極を形成する段階とを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１マスク工程は、前記ゲート電極と連結するゲート配線と、前記ゲート配線と交差して前記電力供給パッドと連結する電力供給配線を形成する段階を含んでおり、前記第４マスク工程は前記電力供給配線と同一方向に相互に離隔されるようにデータ配線を形成する段階と、前記ゲート配線との交差部に配置する電力供給配線部である電力供給リンク配線を形成する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記パワー電極と電力供給配線を連結させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスタは、有機電界発光ダイオードと電気的に連結する駆動薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記パワー電極と電力供給配線を連結させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）に係り、特に低マスクデュアルパネルタイプ有機電界発光素子（Ａｃｔｉｖｅ−Ｍａｔｒｉｘ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新しい平板ディスプレーのうち一つである有機電界発光素子は、自体発光型であるために液晶表示装置に比べて視野角、対照比などが優秀でバックライトが要らないために軽量薄形化が可能であって、消費電力側面においても有利である。そして直流低電圧駆動が可能であって応答速度が速くて、全部固体であるために外部衝撃に強くて使用温度範囲も広くて、特に製造費用側面においても低廉な長所を有している。
【０００３】
特に、前記有機電界発光素子は、液晶表示装置やＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）と違って工程が非常に単純なために蒸着及び封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）装備が製造設備の殆ど全部ということができる。
特に、アクティブマトリックス方式では、画素に印加された電圧がストレージキャパシター（ＣＳＴ；ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）に充電されていて、その次のフレーム（ｆｒａｍｅ）信号が印加される時まで電源を印加させることによって、ゲート配線数に関係なく一画面期間引続き駆動する。  したがって、アクティブマトリックス方式では、低い電流を印加しても同一な輝度を示すので低消費電力、高精細、大型化が可能な長所を有する。
【０００４】
以下、このようなアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本的な構造及び動作特性について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面である。
図示したように、第１方向に走査線（ｓｃａｎ  ｌｉｎｅ）２が形成されていて、この第１方向と交差する第２方向に、相互に一定間隔離隔された信号線（ｓｉｇｎａｌ  ｌｉｎｅ）４及び電力供給線（ｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙ  ｌｉｎｅ）６が形成されていて、一つの画素領域（ｐｉｘｅｌ  ａｒｅａ）を定義する。
【０００５】
前記走査線２及び信号線４の交差地点にはアドレッシングエレメント（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）であるスイッチング薄膜トランジスタ（；Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ＴＦＴ）ＴＳが形成されていて、このスイッチング薄膜トランジスタＴＳと連結してストレージキャパシターＣＳＴが形成されている。前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及びストレージキャパシターＣＳＴの連結部及び電力供給線６に連結して、電流源エレメント（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｍｅｎｔ）である駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されていて、この駆動薄膜トランジスタＴＤには陽極（ａｎｏｄｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（＋）が連結してあり、この陽極は定電流駆動方式の有機電界発光ダイオード（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｏｄｅ）Ｅを通じて陰極（ｃａｔｈｏｄｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（−）に連結している。
【０００６】
前記有機電界発光ダイオード素子Ｅにより連結した陽極（+）及び陰極（−）は有機電界発光素子を構成する。
前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳは電圧を制御して、ストレージキャパシターＣＳＴは電流源を貯蔵する役割を有する。
【０００７】
以下、前記アクティブマトリックス型有機電界発光素子の駆動原理について説明する。
前記アクティブマトリックス方式では選択信号によって該電極に信号を印加すれば、スイッチング薄膜トランジスタのゲートがオン状態になって、データ信号がこのスイッチング薄膜トランジスタのゲートを通過して、駆動薄膜トランジスタとストレージキャパシターに印加され、駆動薄膜トランジスタのゲートがオン状態になれば、電源供給線から電流が駆動薄膜トランジスタのゲートを通して有機電界発光層に印加されて発光する。
【０００８】
この時、前記データ信号の大きさによって、駆動薄膜トランジスタのゲートの開閉程度が変わって、駆動薄膜トランジスタを通して流れる電流量を調節して階調表示をすることができる。  そして、非選択区間にはストレージキャパシターに充電されたデータが駆動薄膜トランジスタに続けて印加されて、次の画面の信号が印加される時まで持続的に有機電界発光素子を発光させる。
【０００９】
図２は、従来のアクティブマトリックス型有機電界発光素子の一画素部の平面図であって、スイッチング薄膜トランジスタと駆動薄膜トランジスタを各々一つずつ有する２ＴＦＴ構造を一例にして説明する。
【００１０】
図示したように、第１方向にゲート配線３７が形成されていて、このゲート配線３７と交差して、相互に離隔されるようにデータ配線５１及び電力供給配線４１が形成されていて、ゲート配線３７、データ配線５１、電力供給配線４１が相互に交差する領域は画素領域Ｐを定義する。
【００１１】
前記ゲート配線３７及びデータ配線５１が交差する領域にはスイッチング薄膜トランジスタＴＳを配置して、このスイッチング薄膜トランジスタＴＳ及び電力供給配線４１が交差する地点には駆動薄膜トランジスタＴＤを配置して、前記電力供給配線４１とスイッチング薄膜トランジスタＴＳの半導体層３１と一体型パターンを形成するキャパシター電極３４が重なる部分にはストレージキャパシターＣＳＴが形成されている。
【００１２】
そして、前記駆動薄膜トランジスタＴＤと連結して第１電極５８が形成されていて、図面に提示しなかったが、第１電極５８を覆う領域には有機電界発光層及び第２電極が順序通り形成される。
前記第１電極形成部は有機電界発光部Ｉに定義される。
未説明符号である“３２”は駆動薄膜トランジスタＴＤ用半導体層を示しており、“３５、３８”は各々スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及び駆動薄膜トランジスタＴＤのゲート電極を示す。
【００１３】
以下、前記有機電界発光部、駆動薄膜トランジスタ、ストレージキャパシターの積層構造を図面を参照しながら詳細に説明する。
図３は、前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を示した断面図である。
【００１４】
図示したように、絶縁基板１上に半導体層３２、ゲート電極３８、ソース電極５０及びドレイン電極５２で構成される駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されていて、前記ソース電極５０には図示しなかった電源供給配線から分岐したパワー電極４２が連結されており、前記ドレイン電極５２には透明導電性物質で構成された第１電極５８が連結されている。
【００１５】
前記パワー電極４２と対応する下部には絶縁された状態で前記半導体層３２と同一物質で構成されたキャパシター電極３４が形成されていて、パワー電極４２及びキャパシター電極３４が重なった領域はストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
そして、前記第１電極５８の上部には有機電界発光層６４及び不透明金属物質で構成された陰極６６が順に積層されて有機電界発光部Ｉを構成する。
【００１６】
前記有機電界発光部Ｉに配置する絶縁層の積層構造を説明すると、前記絶縁基板１と半導体層３２間で緩衝作用をするバッファー層３０と、前記ストレージキャパシターＣＳＴ用絶縁体に利用される第１保護層４０と、前記ドレイン電極５２とパワー電極４２間の第２保護層４４と、前記第１電極５８とソース電極５０間の第３保護層５４と、前記薄膜トランジスタＴＤと第２電極５８間の第４保護層６０が順序通り積層された構造を有するが、前記第１保護層ないし第４保護層４０、４４、５４、６０には各々各層間の電気的連結のためのコンタクトホール（図示せず）を含む。
【００１７】
以下、図４Ａないし図４Ｉは、前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図であって、感光性物質であるＰＲ（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）を利用した露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）工程を含む写真エッチング工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）によりパターニングする工程により進められるが、以下このような一連のパターニング工程をマスク工程と定義して工程順に説明する。
図４Ａでは、絶縁基板１上に第１絶縁物質を利用してバッファー層３０を基板全面にかけて形成して、このバッファー層３０上部にポリシリコンを利用して、第１マスク工程によりアクティブ層（ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）３２ａ及びキャパシター電極３４を形成する。
【００１８】
次に、図４Ｂでは、前記図４Ａ段階を経た基板上に、第２絶縁物質及び第１金属を連続で蒸着した後、第２マスク工程により前記アクティブ層３２ａの中央部に各々ゲート絶縁膜３６及びゲート電極３８を形成する。
図４Ｃでは、前記図４Ｂ段階を経た基板上に、第３絶縁物質で構成された第１保護層４０を形成して、この第１保護層４０上部に第２金属を蒸着した後、第３マスク工程により前記キャパシター電極３４を覆う位置にパワー電極４２を形成する。
【００１９】
そして、図４Ｄでは、前記図４Ｃ段階を経た基板上に、第３絶縁物質を蒸着した後、第４マスク工程により、前記アクティブ層３２ａの両端部及びパワー電極４２の一部を露出する第１オーミックコンタクトホール４６ａ、第２オーミックコンタクトホール４６ｂ及びキャパシターコンタクトホール４８を有する第２保護層４４を形成する。
【００２０】
前記アクティブ層３２ａの両端部は、今後工程で形成されるソース電極及びドレイン電極と連結するように、左側部はドレイン領域ＩＩｂを形成して、右側部はソース領域ＩＩａを形成する。
この段階では、前記アクティブ層３２ａの露出した両端部をイオンドーピング処理して、このイオンドーピング処理された部分を不純物が含まれたオーミックコンタクト層（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｌａｙｅｒ）３２ｂとして形成して、このアクティブ層３２ａとオーミックコンタクト層３２ｂで構成される半導体層３２を完成する。
【００２１】
次に、図４Ｅ段階では、第３金属を蒸着した後、第５マスク工程により前記キャパシターコンタクトホール（図４Ｄの４８）及び第１オーミックコンタクトホール（図４Ｄの４６ａ）を通じて、パワー電極４２を形成し、さらにソース領域ＩＩａのオーミックコンタクト層３２ｂと連結するソース電極５０と、このソース電極５０と一定間隔離隔され、第２オーミックコンタクトホール（図４Ｄの４６ｂ）を通じてドレイン領域ＩＩｂのオーミックコンタクト層３２ｂと連結するドレイン電極５２を形成する。
【００２２】
この段階では前記半導体層３２、ゲート電極３８、ソース電極５０及びドレイン電極５２を含む駆動薄膜トランジスタＴＤを完成するようになる。
一方、前記パワー電極４２及びキャパシター電極３４は、各々ソース電極５２及び図示しなかったスイッチング薄膜トランジスタの半導体層と電気的に連結され、前記１保護層４０を絶縁体にして、ストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
【００２３】
図４Ｆでは、前記図４Ｅ段階を経た基板上に、第４絶縁物質を蒸着した後、第６マスク工程によりドレインコンタクトホール５６を有する第３保護層５４を形成する。
その次に、図４Ｇ段階では、前記ドレインコンタクトホール（図４Ｆの５６）を通じてドレイン電極５０と連結するように、第４金属を利用して、第７マスク工程により、有機電界発光層領域である有機電界発光部Ｉに第１電極５８を形成する。
【００２４】
図４Ｈでは、前記図４Ｇ段階を経た基板上に第５絶縁物質を蒸着した後、第８マスク工程により前記有機電界発光部Ｉと対応する第１電極５８を露出させる第１電極露出部６２を有する第４保護層６０を形成する。
この第４保護層６０は、駆動薄膜トランジスタＴＤを水分及び異物から保護する役割を有する。
【００２５】
これで、マスク工程が隨伴する製造工程を終え、続いて図４Ｉ段階では前記第１電極露出部（図４Ｈの６２）を通じて第１電極５８と連結する有機電界発光層６４と、この有機電界発光層６４上部に第５金属を利用して第２電極６６を基板全面にかけて形成する。
一例として、前記第１電極５８が陽極として利用される場合、第５金属を構成する物質は、前記有機電界発光層６４から放出される光を第１電極５８に反射させて有機電界発光素子の画面を具現するために、反射特性を有し、電子を容易に放出することが出来るように仕事関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）値が低い金属物質を選択する。
【００２６】
以下、従来の有機電界発光素子パネルの積層構造を図面を参照しながら詳細に説明する。
図５は、従来の有機電界発光素子の全体断面図であって、有機電界発光部と駆動薄膜トランジスタ連結部を中心にカプセル封じ構造について示した。
図示したように、画面を具現する最小単位であるサブピクセルＳＰ単位で相互に一定間隔離隔されるように第１基板７０、第２基板９０が配置されていて、第１基板７０の内部面にはサブピクセルＳＰ単位で形成された複数個の駆動薄膜トランジスタＴＤを含んだアレイ素子層８０が形成されていて、アレイ素子層８０上部には駆動薄膜トランジスタＴＤと連結してサブピクセルＳＰ単位で第１電極７２が形成されていて、第１電極７２上部にはサブピクセルＳＰ単位で赤、緑、青カラーを発光させる有機電界発光層７４が形成されていて、有機電界発光層７４上部全面には第２電極７６が形成されている。
【００２７】
前記第１電極７２、第２電極７６及び第１電極７２、第２電極７６間に介在した有機電界発光層７４は、有機電界発光ダイオード素子Ｅを形成し、有機電界発光層７４から発光された光は第１電極７２側に発光される下部発光方式であることを特徴とする。
そして、前記第２基板９０はカプセル封じ基板として利用され、このような第２基板９０の内部中央部には凹部９２が形成されていて、凹部９２内には外部からの水分吸収を遮断して有機電界発光ダイオード素子Ｅを保護するための吸湿剤９４が封入されている。
【００２８】
前記吸湿剤９４が封入された第２基板９０内部面と第２電極７６は相互に一定間隔離隔されるように配置する。
そして、前記第１基板７０、第２基板９０の縁部はシールパターン８５によりカプセル封じされている。
【００２９】
このように、既存の下部発光方式有機電界発光素子は、アレイ素子及び有機電界発光ダイオードが形成された基板と別途のカプセル封じ用基板の合着を通じて素子を製作した。こういう場合、アレイ素子の収率と有機電界発光ダイオードの収率の積が有機電界発光素子の収率を決定するために、既存の有機電界発光素子構造では後半工程に該当する有機電界発光ダイオード工程により全体工程収率が大きく制限される問題点があった。例えば、アレイ素子が良好に形成されたとしても、１、０００Å程度の薄膜を用いる有機電界発光層の形成時異物やその他の要素により不良が発生するようになれば、有機電界発光素子は不良等級と判定される。
【００３０】
これによって、良品のアレイ素子を製造するのに必要とした諸般経費及び材料費の損失が招かれて、生産収率が低下する問題点があった。
そして、下部発光方式は、カプセル封じによる安定性及び工程の自由度が高い反面、開口率の制限があって高解像度製品に適用するのは難しい問題点があった。一方、上部発光方式は薄膜トランジスタ設計が容易で開口率向上が可能であるために製品寿命側面で有利であるが、既存の上部発光方式構造では有機電界発光層上部に通常的に陰極を配置することによって材料選択幅が狭いために透過度が制限されて光効率が低下する点と、光透過度の低下を最少化するために薄膜型保護膜を構成しなければならない場合外気を十分に遮断できない問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
前記問題点を解決するために、本発明においては生産収率が向上した高解像度／高開口率構造アクティブマトリックス型有機電界発光素子を提供する。
これのために、本発明においてはアレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相異なった基板上に形成して、アレイ素子の駆動薄膜トランジスタと有機電界発光ダイオード素子の第２電極を別途の電気的連結パターンを通じて連結するデュアルパネルタイプ有機電界発光素子を提供する。
【００３２】
本発明のまた他の目的では、非晶質シリコン物質を利用する逆スタッガード型薄膜トランジスタ構造を採用して、７マスクデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用基板の製造工程を提供する。
逆スタッガード型薄膜トランジスタを含んで工程を進行するようになれば、低温条件下で工程を進行することができて、電気的連結パターンを含んで工程を進行しても既存よりマスク工程数を減少させることができる利点を有する。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
前記目的を達成するために、本発明の第１特徴では、相互に離隔されるように配置された第１基板（アレイ基板）及び第２基板（有機電界発光ダイオード基板）と、前記第１基板、第２基板間に配置し、前記第１基板、第２基板を電気的に連結させるパターン部とを含むデュアルパネルタイプ有機電界発光素子において、前記第１基板上に第1方向に形成されたゲート配線と；前記第１方向と交差する第２方向に形成されたデータ配線と；前記第２方向に形成され、前記データ配線と離隔されるように配置され、前記ゲート配線と同一工程において同一物質で構成された、前記ゲート配線との交差部では別途の電力供給リンク配線を有する電力供給配線と；前記ゲート配線及びデータ配線の交差地点に形成され、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された半導体層を有するスイッチング用薄膜トランジスタと；前記スイッチング用薄膜トランジスタと電力供給配線間交差地点に形成され、前記スイッチング用薄膜トランジスタと同一な物質で構成された半導体層を有する駆動用薄膜トランジスタと；前記駆動用薄膜トランジスタと連結して形成された連結電極と；前記連結電極領域内に配置され、前記有機電界発光ダイオード素子と連結電極を連結させる柱状の電気的連結パターンとを含むデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用アレイ基板を提供する。
【００３４】
前記ゲート配線、データ配線、電力供給配線の一端にはゲートパッド、データパッド、電力供給パッドが各々形成されていて、前記ゲートパッド、電力供給パッドを覆う領域には、前記データ配線と同一工程において同一物質で構成された第１ゲートパッド電極、第１電力供給パッド電極が各々位置し、前記データパッド、ゲートパッド電極、電力供給パッド電極を覆う領域には、前記連結電極と同一工程において同一物質で構成されたデータパッド電極、第２ゲートパッド電極、第２電力供給パッド電極がさらに形成されることを特徴とする。
【００３５】
前記スイッチング用薄膜トランジスタは、前記ゲート配線から分岐したゲート電極と、前記ゲート電極を覆う領域に配置し、非晶質シリコン物質で構成されたアクティブ層及び不純物シリコン物質で構成されたオーミックコンタクト層が順序通り積層された構造の半導体層と、前記半導体層上部で相互に離隔されるように配置するソース電極及びドレイン電極とで構成されており、前記駆動用薄膜トランジスタは、前記ドレイン電極と連結する駆動用ゲート電極と、前記駆動用ゲート電極を覆う位置の駆動用半導体層と、前記駆動用半導体層上部で相互に離隔されるように配置する駆動用ソース電極及びドレイン電極とで構成されている。また、前記駆動用ソース電極及び電力供給配線間区間には、前記連結電極と同一工程において同一物質で構成された、前記駆動用ソース電極及び電力供給配線と連結するパワー電極を配置して、前記電力供給リンク配線は、前記データ配線と同一工程で同一物質で構成された配線であることを特徴とする。
【００３６】
本発明の第２特徴では、アレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相異なった基板に構成して、別途の電気的連結パターンを通じて両素子を電気的に連結させる方式のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法において、基板上に第１金属物質を形成した後に、感光性物質であるＰＲ（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）を利用した写真エッチング工程によりパターニングする一連の工程である第１マスク工程によりゲート電極、ゲートパッド、電力供給パッドを形成する段階と；前記ゲート電極、ゲートパッドを覆う位置に第１絶縁物質、非晶質シリコン物質、不純物シリコン物質を連続的に形成した次に、前記第１絶縁物質はゲート絶縁膜として、第２マスク工程によりゲート電極を覆う位置に半導体層を形成する段階と、第３マスク工程により、前記ゲートパッド及び電力供給パッドを覆う位置のゲート絶縁膜に、前記ゲートパッド及び電力供給パッドを一部露出させるゲートパッドコンタクトホール及び電力供給パッドコンタクトホールを各々形成する段階と；前記半導体層を覆う位置に第２金属物質を利用した第４マスク工程により、前記半導体層上部で相互に離隔されるように配置するソース電極及びドレイン電極と、データパッドそして、前記ゲートパッドコンタクトホール及び電力供給パッドコンタクトホールを通じてゲートパッド及び電力供給パッドと連結する第１ゲートパッド電極及び第１電力供給パッド電極を各々形成し、然る後前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして利用して、前記ソース電極及びドレイン電極間離隔区間の不純物シリコン物質を除去して、その下部層を形成する非晶質シリコン物質領域をチャネルとして構成して、前記半導体層の非晶質シリコン物質はアクティブ層にして、前記不純物シリコン物質はオーミックコンタクト層として構成する段階と；前記ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極は薄膜トランジスタを形成して、前記薄膜トランジスタ及び第１ゲートパッド電極及び第１電力供給パッド電極を覆う位置に第２絶縁物質を利用した第５マスク工程により前記ソース電極、ドレイン電極、データパッド、第１ゲートパッド電極、第１電力供給パッドを一部露出させるソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホール、第１ゲートパッド電極コンタクトホール、第１電力供給パッド電極コンタクトホールを各々有する保護層を形成する段階と；前記保護層上部に第３絶縁物質を利用した第６マスク工程により、前記有機電界発光ダイオード素子と連結する領域に定義される電気的連結部に柱状の電気的連結パターンを形成する段階と；前記電気的連結パターンを覆う領域に第３金属物質を利用した第７マスク工程により、前記ドレインコンタクトホールを通じてドレイン電極と連結して前記電気的連結パターンを覆う領域に配置する連結電極と、前記ソースコンタクトホールを通じてソース電極と連結するパワー電極、前記データパッドコンタクトホールを通じてデータパッドと連結するデータパッド電極、前記第１ゲートパッド電極コンタクトホールを通じて第１ゲートパッド電極と連結する第２ゲートパッド電極、前記第１電力供給パッド電極コンタクトホールを通じて第１電力供給パッド電極と連結する第２電力供給パッド電極を形成する段階を含むデュアルパネルタイプ有機電界発光素子用アレイ基板の製造方法を提供する。
【００３７】
前記第１マスク工程では、前記ゲート電極と連結するゲート配線及び前記ゲート配線と交差して、前記電力供給パッドと連結する電力供給配線を形成する段階を含んでおり、前記第４マスク工程では、前記電力供給配線と同一方向に相互に離隔されるようにデータ配線を形成する段階及び前記ゲート配線との交差部に配置する電力供給配線部である電力供給リンク配線を形成する段階を含んでおり、前記薄膜トランジスタは有機電界発光ダイオード素子と連結する駆動用薄膜トランジスタに該当し、前記第７マスク工程では、前記パワー電極と電力供給配線を連結させる段階を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３８】
以上のように、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法によれば、第一に、アレイ素子と有機電界発光ダイオード素子を相異なった基板上に形成するために生産収率及び生産管理効率を向上させることができて、製品寿命を増やすことができ、第二に、上部発光方式であるために薄膜トランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が可能であって、第三に、非晶質シリコン物質を利用した逆スタッガード型薄膜トランジスタ構造の採用で低温工程が可能であって、別途の電気的連結パターンを追加してもゲートパターン及び電力供給パターンを同一マスク工程で形成することによってマスク数を減らして工程単純化を図ることができる。
【実施例１】
【００３９】
図６は、本発明の実施例１によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の断面図であって、電気的連結構造を中心に概略的に示した。
図示したように、画面を具現する最小単位であるサブピクセルＳＰ単位で第１基板１１０、第２基板１５０が相互に一定間隔を維持し、対向するように配置されている。
【００４０】
前記第１基板１１０の内部面にはサブピクセルＳＰ単位で形成された複数個の駆動薄膜トランジスタＴＤを含むアレイ素子層１４０が形成されていて、アレイ素子層１４０上部には駆動薄膜トランジスタＴＤと連結して電気的連結パターン１４２が形成されている。
前記電気的連結パターン１４２は伝導性物質から選択され、前記電気的連結パターン１４２は厚みがある形で形成されるために絶縁物質を含む多重層として形成することもできて、別途の連結電極を通じて駆動薄膜トランジスタＴＤと連結することもできる。
【００４１】
そして、前記駆動薄膜トランジスタＴＤは、ゲート電極１１２、半導体層１１４、ソース電極１１６及びドレイン電極１１８で構成されていて、実質的に前述した電気的連結パターン１４２はドレイン電極１１８と連結している。
そして、前記第２基板１５０内部全面には第１電極１５２が形成されていて、その第１電極１５２下部にはサブピクセル単位で反復配列される赤、緑、青発光層１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃを含む有機電界発光層１６０が形成されていて、有機電界発光層１６０下部にはサブピクセルＳＰ単位で第２電極１６２が形成されている。
【００４２】
さらに詳細に説明すると、前記有機電界発光層１６０には第１電極１５２下部面と接触される第１キャリア伝達層１５４と、赤、緑、青発光層１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃ下部に配置し、第２電極１６２上部面と接触される第２キャリア伝達層１５８がさらに含まれる。
一例として、前記第１電極１５２が陽極、第２電極１６２が陰極に該当する場合、第１キャリア伝達層１５４は順序通り正孔注入層、正孔輸送層に該当して、第２キャリア伝達層１５８は順序通り電子輸送層、電子注入層に該当する。
そして、前記第１電極１５２、第２電極１６２と第１電極１５２、第２電極１６２間に介在した有機電界発光層１６０は有機電界発光ダイオード素子Ｅに該当する。
【００４３】
本発明においては、前記電気的連結パターン１４２の最上部面が第２電極１６２下部面と連結して、駆動薄膜トランジスタＴＤから供給される電流が電気的連結パターン１４２を通じて第２電極１６２に伝えられることを特徴とする。
そして、前記第１基板１１０、第２基板１５０の縁部にはシールパターン１７０を配置して、前記第１基板１１０、第２基板１５０を合着させている。
【００４４】
本実施例では、有機電界発光ダイオード素子Ｅとアレイ素子層１４０を相異なった基板に形成するが、電気的連結パターン１４２を利用して両素子を連結させる方式のデュアルパネルタイプで構成することを特徴とする。
説明の便宜上、３個のサブピクセルＳＰが一つのピクセルを形成する２ピクセル構造を一例に図示しており、薄膜トランジスタ構造及び電気的連結パターンの連結方式は多様に変更できる。  また、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子は、図面上の発光方向のように上部発光方式であるために、薄膜トランジスタ設計が容易になり高開口率／高解像度具現が可能な長所を有する。
【実施例２】
【００４５】
図７は、本発明の実施例２によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子
の平面図である。
図示したように、第１方向にゲート配線２１２が形成されていて、第１方向と交差する第２方向にデータ配線２３６及び電力供給配線２１３が相互に離隔されるように形成されており、前記ゲート配線２１２及びデータ配線２３６が交差する地点にはスイッチング薄膜トランジスタＴＳが形成されている。前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳにはゲート配線２１２から分岐したゲート電極２１４と、データ配線２３６から分岐したソース電極２２６と、ソース電極２２６と離隔されるように配置されたドレイン電極２３０と、これらのゲート電極２１４、ソース電極２２６及びドレイン電極２３０を覆う領域に半導体層２２２が形成されている。
【００４６】
前記電力供給配線２１３は、ゲート配線２１２と同一工程において同一物質で構成されたことを特徴とする。
そして、前記スイッチング薄膜トランジスタＴＳ及び電力供給配線２１３と連結して駆動薄膜トランジスタＴＤが形成されている。前記駆動薄膜トランジスタＴＤには前記ゲート配線２１２と同一工程において同一物質で構成されて、前記ドレイン電極２３０と連結する駆動用ゲート電極２１６と、前記駆動用ゲート電極２１６の両側と一定間隔重なって相互に離隔されるように配置して、前記データ配線２３６と同一工程において同一物質で構成された駆動用ソース電極２２８及びドレイン電極２３２とが形成され、前記駆動用ゲート電極２１６、駆動用ソース電極２２８及びドレイン電極２３２を覆う領域には駆動用半導体層２２４を配置する。
【００４７】
前記駆動用ソース電極２２８にソースコンタクトホール２４６を通じて連結したパワー電極２７８が形成されていて、このパワー電極２７８の一側は電力供給コンタクトホール２５１を通じて電力供給配線２１３と連結する。
そして、前記駆動用ドレイン電極２３２と連結して電気的連結部ＩＶ領域に連結電極２７６が形成されている。前記パワー電極２７８及び連結電極２７６は同一工程において同一物質で構成される。
前記電気的連結部ＩＶは、図示しなかった有機電界発光ダイオード基板の第２電極と対応する領域範囲に該当する。
【００４８】
図面に提示しなかったが、前記電気的連結部ＩＶには柱状の電気的連結パターンが含まれ、電気的連結パターンに対しては断面積層構造を通じてさらに詳細に説明する。
そして、前記ドレイン電極２３０には前記電力供給配線２１３と重なるように延長形成されたキャパシター電極２３４を含んで、前記キャパシター電極２３４及び電力供給配線２１３が重なった領域はストレージキャパシターＣＳＴを形成する。
前記ゲート配線２１２、データ配線２３６、電力供給配線２１３のそれぞれの一端にはゲートパッド２１８、データパッド２３８、電力供給パッド２１９が形成されており、前記ゲートパッド２１８、電力供給パッド２１９を覆う位置には前記データ配線２３６と同一工程において同一物質で構成された第１ゲートパッド電極２４２、第１電力供給パッド電極２４４が形成されていて、データパッド２３８、第１ゲートパッド電極２４２、第１電力供給パッド電極２４４を覆う領域には連結電極２７６と同一工程において同一物質で構成されたデータパッド電極２８０、第２ゲートパッド電極２８２、第２電力供給パッド電極２８４が形成されている。
【００４９】
特に、本実施例ではゲート配線２１２と電力供給配線２１３を同一工程で形成することによって、ゲート配線２１２と電力供給配線２１３が交差部で短絡することを防止するために、データ配線２３６と同一工程において同一物質で形成された別途の電力供給リンク配線２３９をゲート配線２１２と交差する領域の電力供給配線２１３の連結配線とする。
前記電力供給配線２１３と電力供給リンク配線２３９は、別途のコンタクトホールを通じて相互に電気的に連結する。
この時、前記データパッド２３８及び電力供給パッド２１９は、相異なった信号電圧が印加されるために、図面でのように相互に逆方向一端に形成することが望ましい。
【実施例３】
【００５０】
図８Ａないし図８Ｇ、図９Ａないし図９Ｇ、図１０Ａないし図１０Ｇ、図１１Ａないし図１１Ｇは、前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ、ＩＸ−ＩＸ、Ｘ−Ｘ、ＸＩ−ＸＩに沿って切断されたそれぞれの断面を製造段階別に示した断面図であり、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩは駆動用薄膜トランジスタ部、ＩＸ−ＩＸはデータパッド部、Ｘ−Ｘはゲートパッド部、ＸＩ−ＸＩは電力供給パッド部に対する図面であって、説明の便宜上駆動用ゲート電極、駆動用半導体層、駆動用ソース電極及びドレイン電極はゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極と略称して説明する。
【００５１】
図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａは、基板２１０上に第１金属物質を利用した第１マスク工程によりゲート電極２１６、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２１９を形成する段階である。
図面に提示しなかったが、この段階では前記電力供給パッド２１９と一体型パターンで電力供給配線が形成される。
前記第１金属物質は、抵抗率値が低い金属物質から選択され、望ましくはアルミニウムを含む金属物質から選択するものである。
【００５２】
図面に詳細に提示しなかったが、本発明に利用されるマスク工程は、感光性物質であるフォトレジスト（ＰＲ）を塗布した後に、所望するパターンを有するマスクを配置して露光、現像処理を通じて形成されたＰＲパターンをマスクとして利用して、露出した被エッチング層をエッチングする方法でパターニングする方法に該当する。
【００５３】
図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂは、前記ゲート電極２１６、ゲートパッド２１８、電力供給パッド２１９を覆う領域に第１絶縁物質、非晶質シリコン物質（ａ−Ｓｉ）、不純物シリコン物質（ｎ+ａ−Ｓｉ）を順序通り形成した後に、前記第１絶縁物質はゲート絶縁膜２２０として、前記非晶質シリコン物質（ａ−Ｓｉ）、不純物シリコン物質（ｎ+ａ−Ｓｉ）は第２マスク工程により、ゲート電極２１６を覆う領域でパターニングされた半導体層２２４としてそれぞれ形成する段階である。
【００５４】
前記半導体層２２４は、非晶質シリコン物質（ａ−Ｓｉ）で構成されたアクティブ層２２４ａと、不純物シリコン物質（ｎ+ａ−Ｓｉ）で構成されたオーミックコンタクト層２２４ｂで構成される。
そして、前記第１絶縁物質は、シリコン絶縁物質から選択されることが望ましく、さらに望ましくはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）にするものである。
【００５５】
図８Ｃ、図９Ｃ、図１０Ｃ、図１１Ｃは、第３マスク工程により、前記ゲート絶縁膜２２０にゲートパッド２１８、電力供給パッド２１９を一部露出させる第１ゲートパッドコンタクトホール２２１、第１電力供給パッドコンタクトホール２２３を形成する段階である。
図８Ｄ、図９Ｄ、図１０Ｄ、図１１Ｄは、前記半導体層２２４、第１ゲートパッドコンタクトホール２２１、第１電力供給パッドコンタクトホール２２３を覆う領域に第２金属物質を形成した次に、第４マスク工程により半導体層２２４上部で相互に離隔されるように配置するソース電極２２８及びドレイン電極２３２と、データパッド形成部ＩＩＩに配置するデータパッド２３８と、第１ゲートパッドコンタクトホール２２１、第１電力供給パッドコンタクトホール２２３を通じてゲートパッド２１８、電力供給パッド２１９と連結する第１ゲートパッド電極２４２及び第１電力供給パッド電極２４４を各々形成する段階である。
【００５６】
図面に提示しなかったが、この段階では第２方向にデータ配線を形成する段階を含んで、前記データパッド形成部ＩＩＩはデータ配線の一端部領域に該当して、望ましくは前記電力供給パッド２１９と相互に逆方向一端部に配置するものである。
前記第２金属物質は、化学的耐蝕性が強い金属物質から選択され、望ましくはモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）のうちいずれか一つから選択するものである。
この段階では、前記ソース電極２２８及びドレイン電極２３２間区間のオーミックコンタクト層２２４ｂを除去して、その下部層を形成するアクティブ層２２４ａを露出させる段階を含み、露出したアクティブ層２２４ａ領域はチャネルｃｈを形成する。  前記ゲート電極２１６、半導体層２２４、ソース電極２２８及びドレイン電極２３２は駆動用薄膜トランジスタＴＤを形成する。
【００５７】
図８Ｅ、図９Ｅ、図１０Ｅ、図１１Ｅは、前記駆動用薄膜トランジスタＴＤ及びデータパッド２３８、第１ゲートパッド電極２４２及び第１電力供給パッド電極２４４を覆う領域に、第２絶縁物質を形成した次に、第５マスク工程により、前記ソース電極２２８、ドレイン電極２３２、データパッド２３８、第１ゲートパッド電極２４２及び第１電力供給パッド電極２４４を各々一部露出させるソースコンタクトホール２４６、ドレインコンタクトホール２４７、データパッドコンタクトホール２５０、第２ゲートパッドコンタクトホール２４８、第２電力供給パッドコンタクトホール２５２を有する保護層２５６を形成する段階である。
【００５８】
前記第２絶縁物質は、有機絶縁物質または無機絶縁物質から選択され、単一層または複数層で構成することができるが、薄膜トランジスタと接する絶縁物質は無機絶縁物質から選択されることが望ましい。
図８Ｆ、図９Ｆ、図１０Ｆ、図１１Ｆは、前記保護層２５６上部に第３絶縁物質を利用して第６マスク工程により、電気的連結部ＩＶに柱状の電気的連結パターン２７４を形成する段階である。
前記電気的連結部ＩＶは、図示しなかった有機電界発光ダイオード素子の第２電極と対応する領域に配置することが望ましい。
【００５９】
前記第３絶縁物質は、厚みを持たせて形成することが容易な有機絶縁物質から選択されることが望ましい。
【００６０】
図８Ｇ、図９Ｇ、図１０Ｇ、図１１Ｇは、前記電気的連結パターン２７４を覆う領域に、第３金属物質を利用した第７マスク工程により、前記ドレインコンタクトホール２４７を通じてドレイン電極２３２と連結して、前記電気的連結パターン２７４を覆う領域に配置する連結電極２７６と、ソースコンタクトホール２４６を通じてソース電極２２８と連結するパワー電極２７８と、データパッドコンタクトホール２５０を通じてデータパッド２３８と連結するデータパッド電極２８０と、第２ゲートパッドコンタクトホール２４８を通じて第１ゲートパッド電極２４２と連結する第２ゲートパッド電極２８２と、第２電力供給パッドコンタクトホール２５２を通じて第１電力供給パッド電極２４４と連結する第２電力供給パッド電極２８４を形成する段階である。
図面に提示しなかったが、前記パワー電極２７８はゲート工程で形成された電力供給配線と別途のコンタクトホールを通じて連結構成される。
しかし、本発明は前記実施例に限定されなくて、本発明の趣旨に外れない限度内で多様に変更して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】一般的なアクティブマトリックス型有機電界発光素子の基本画素構造を示した図面。
【図２】従来のアクティブマトリックス型有機電界発光素子の一画素部に対する平面図。
【図３】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を示した断面図。
【図４Ａ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｂ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｃ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｄ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｅ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｆ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｇ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｈ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図４Ｉ】前記図２の切断線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切断された断面を製造工程段階別に各々示した断面図。
【図５】従来の有機電界発光素子の全体断面図。
【図６】本発明の第１実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する断面図。
【図７】本発明の第２実施例によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子に対する平面図。
【図８Ａ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｂ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｃ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｄ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｅ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｆ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図８Ｇ】前記図７の切断線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿って切断された駆動用トランジスタ部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ａ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたデータパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｂ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたデータパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｃ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたデータパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｄ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたデータパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｅ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたデータパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｆ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたデータパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図９Ｇ】前記図７の切断線ＩＸ−ＩＸに沿って切断されたデータパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１０Ａ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたゲートパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１０Ｂ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたゲートパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１０Ｃ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたゲートパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１０Ｄ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたゲートパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１０Ｅ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたゲートパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１０Ｆ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたゲートパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１０Ｇ】前記図７の切断線Ｘ−Ｘに沿って切断されたゲートパッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１１Ａ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断された電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１１Ｂ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断された電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１１Ｃ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断された電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１１Ｄ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断された電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１１Ｅ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断された電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１１Ｆ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断された電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【図１１Ｇ】前記図７の切断線ＸＩ−ＸＩに沿って切断された電力供給パッド部の断面を製造段階別に示した断面図。
【符号の説明】
【００６２】
２１０：基板
２１６：ゲート電極
２２４ａ：アクティブ層
２２４ｂ：オーミックコンタクト層
２２４：半導体層
２２８：ソース電極
２３２：ドレイン電極
２４６：ソースコンタクトホール
２４７：ドレインコンタクトホール
２５６：保護層
２７４：電気的連結パターン
２７６：連結電極
２７８：パワー電極
ｃｈ：チャネル
ＴＤ：駆動用薄膜トランジスタ
【図１】
2004212994.tif 000003
【図２】
2004212994.tif 000004
【図３】
2004212994.tif 000005
【図４Ａ】
2004212994.tif 000006
【図４Ｂ】
2004212994.tif 000007
【図４Ｃ】
2004212994.tif 000008
【図４Ｄ】
2004212994.tif 000009
【図４Ｅ】
2004212994.tif 000010
【図４Ｆ】
2004212994.tif 000011
【図４Ｇ】
2004212994.tif 000012
【図４Ｈ】
2004212994.tif 000013
【図４Ｉ】
2004212994.tif 000014
【図５】
2004212994.tif 000015
【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【図１１Ｇ】
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