(57)【要約】【課題】１２００℃以下の低温且つ還元性雰囲気中でも安定な焼成が可能であるとともに、Ｑ値、絶縁抵抗値が大きい積層型電子部品を提供する。【解決手段】本発明の積層型電子部品１０は、ＣａＺｒＯ3を主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相を有する誘電体層２と、卑金属からなる内部電極３、４とを積層してなる積層体１と、積層体１の外表面に形成された外部電極５、６とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
2004207629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣａＺｒＯ3系セラミックスを主成分にＳｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相を含有する誘電体層と、卑金属からなる内部電極とを積層してなる積層体と、該積層体の外表面に形成された外部電極とを備えることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
前記誘電体層は、一般式（Ｃａ1-y・ＳｒyＯ）x（Ｚｒ1-Z・ＴｉZ）Ｏ2で表される基本成分１００重量部に対して、１〜５重量部と、０．５〜５重量部のａＳｉＯ2−ｂＬｉＯ2−ｃＢ2Ｏ3のガラス成分から成り、且つ上記ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ及びｃの値（モル換算）が
０．９５≦ｘ≦１．０５、
０＜ｙ≦０．６、
０．０１≦ｚ≦０．１０、
０．３５≦ａ≦０．４５、
０．３５≦ｂ≦０．４５、
０．１≦ｃ≦０．３
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
であることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニッケル等の卑金属を内部電極とする積層型電子部品及びそのための誘電体磁器組成物に関し、詳しくは、温度補償用（ＴＣ系）積層セラミックコンデンサとして好適な積層型電子部品及びそのための誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
代表的な積層型電子部品である積層セラミックコンデンサは、誘電体層と内部電極とが交互に積層されてなる積層体の一対の端面に外部電極が形成されるとともに、一方の外部電極は、積層体の一方の端面に露出する内部電極に電気的に接続され、且つ他方の外部電極は、積層体の他方の端面に露出する内部電極に電気的に接続されている。
【０００３】
従来、内部電極材料として、ＰｄあるいはＡｇ−Ｐｄが用いられてきたが、近年になってＰｄ価格は驚異的な高騰が続いているため、積層数が少なく、比較的Ｐｄ使用量の少ない温度補償用（ＴＣ系）積層セラミックコンデンサにおいても、内部電極の卑金属化が求められてきている。
【０００４】
しかし、誘電体層と内部電極を交互に積層した積層セラミックコンデンサでは、Ｎｉ等の卑金属内部電極と誘電体層を同時に焼成することから、Ｎｉ等の酸化を防止するために、中性（雰囲気：Ｎ2１００％）または還元性雰囲気（雰囲気：Ｎ2＋Ｈ2数％）にて焼成しても、誘電体層が還元されることがない積層セラミックコンデンサの開発が必要となる
そこで、ＣａＺｒＯ3系セラミックスを主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ系、ガラス相を有する誘電体層と、卑金属からなる内部電極とを積層してなる積層体と、積層体の外表面に形成された外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサが特開２０００−３２３３４９号公報に開示されている。
【０００５】
同報によれば、中性または還元性雰囲気での焼成が可能であるため、Ｎｉ等の卑金属内部電極を用いた安価な温度補償用積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【特許文献１】
特開２０００−３２３３４９号公報  （２−３頁、図１）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記積層型電子部品によれば、誘電体層の焼結を十分に進行させるためには、焼成温度を１２００℃以上にする必要があった。このとき、Ｌｉが蒸発しやすいことから、Ｑ値は５０００、絶縁抵抗値は１×１０11（Ω）程度と小さかった。
【０００７】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、１２００℃以下の低温且つ還元性雰囲気中でも安定な焼成が可能であるとともに、絶縁抵抗値及びＱ値を大幅に向上した積層型電子部品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型電子部品は、ＣａＺｒＯ3系セラミックスを主成分にＳｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相を有する誘電体層と、卑金属からなる内部電極とを積層してなる積層体と、該積層体の外表面に形成された外部電極とを備えるものである。そして、前記誘電体層は、一般式（Ｃａ1-y・ＳｒyＯ）x（Ｚｒ1-Z・ＴｉZ）Ｏ2で表される基本成分１００重量部に対して、１〜５重量部と、０．５〜５重量部のａＳｉＯ2−ｂＬｉＯ2−ｃＢ2Ｏ3のガラス成分から成り、且つ上記ｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ及びｃの値（モル換算）が
０．９５≦ｘ≦１．０５、
０＜ｙ≦０．６、
０．０１≦ｚ≦０．１０、
０．３５≦ａ≦０．４５、
０．３５≦ｂ≦０．４５、
０．１≦ｃ≦０．３
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
であることが望ましい。
【作用】
本発明によれば、焼成後の誘電体層が、ＣａＺｒＯ3系セラミックスを主成分とし、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相を有している誘電体磁器組成物である。即ち、Ｌｉ、Ｂが所定の比率で共存するため、焼成温度が１２００℃未満である場合も、誘電体層の焼結が十分に進行する。しかも、Ｌｉの蒸発を防ぐことができ、絶縁抵抗値及びＱ値を大幅に向上でき、高周波回路での使用が可能となる。ここで、焼成後に誘電体層となる誘電体磁器組成物として、ＣａＺｒＯ3を主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス成分を添加した場合であっても、ガラス成分が焼成後の誘電体層にガラス相として析出しない場合は、焼成温度の低下には限界があり、さらに絶縁抵抗値及びＱ値の向上にも限界がある。
【０００９】
また、焼成温度が１２００℃未満である場合も、安定な焼成が可能であるため、焼成に際してのエネルギーコストの大幅な低減を図ることができる
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の積層型電子部品を図面に基づいて説明する。
【００１１】
代表的な積層型電子部品として、積層セラミックコンデンサを用いて説明する。
【００１２】
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は縦断面図である。
【００１３】
図において、積層セラミックコンデンサ１０は、積層体１と、積層体１の一対の端面に形成した外部電極５、６とから構成されている。この積層体１は、複数の誘電体層２と内部電極３、４とが積層されて構成されている。また、一方の外部電極５は、積層体１の一方の端面に露出する内部電極３に電気的に接続している。また、他方の外部電極６は、積層体１の他方の端面に露出する内部電極４に電気的に接続している。
【００１４】
誘電体層２は、ＣａＺｒＯ3を主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相７を有する。
【００１５】
Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相７は、斑点状で、平均径が２０〜２００μｍ、好ましくは４０〜１８０μｍの範囲にあることが望ましい。
【００１６】
また、焼成後に誘電体層２となる誘電体磁器組成物は、一般式（Ｃａ1-y・ＳｒyＯ）x（Ｚｒ1-Z・ＴｉZ）Ｏ2（但し、ｘ、ｙ及びｚはモル換算で表され、０．９５≦ｘ≦１．０５、ｙ≦０．６、０．０１≦ｚ≦０．１０の範囲の数値）で表される基本成分１００重量部に対して、ＭｎＣＯ3を１〜５重量部と、一般式ａＳｉＯ2−ｂＬｉＯ2−ｃＢ2Ｏ3（但し、ａ、ｂ及びｃはモル換算で表され、０．３５≦ａ≦０．４５、０．３５≦ｂ≦０．４５、０．１≦ｃ≦０．３、ａ＋ｂ＋ｃ＝１の範囲の数値）で表されるガラス成分を０．５〜５重量部とを含有する誘電体磁器組成物であることが望ましい。
【００１７】
主成分である（Ｃａ1-y・ＳｒyＯ）x（Ｚｒ1-Z・ＴｉZ）Ｏ2（但し、ｘ、ｙ及びｚはモル換算で表され、０．９５≦ｘ≦１．０５、ｙ≦０．６、０．０１≦ｚ≦０．１０の範囲の数値）で表されるペロブスカイト型化合物は中性或いは還元性雰囲気中で焼成した際にチタン酸塩を主成分系とした場合と比較すると還元されにくく、その結果本主成分系ではＴｉＯ2の含有量が極めて少ない為に、上記雰囲気中で焼成したとしても安定な電気的特性が得られる。更に組成比を限定した理由は以下の通りである。
【００１８】
基本成分のＣａの比率ｘが０．９５未満では、Ｑ値が低下し、一方、１．０５を越える場合、１１００℃以下では十分に焼結しないため、絶縁抵抗値及びＱ値が低下する。すなわち、ペロブスカイト型化合物のａ／ｂ比は１：１で存在する事が最も好ましく、ａ／ｂ比が上述した範囲内を逸脱する事により問題点が顕在化する。
【００１９】
また、Ｓｒの比率ｙが０．６を越える場合は、誘電率の温度特性の絶対値が３０ｐｐｍより大きくなり、目標とするＣＧ特性を得られない。
【００２０】
また、Ｔｉの比率ｚが０．０１未満では、誘電率が２５以下となり目標を満足しなくなる。一方、ｚが０．１０を越える場合は、誘電率の温度特性の絶対値が３０ｐｐｍより大きくなり、目標とするＣＧ特性を得られない。
【００２１】
さらに、添加剤であるＭｎは、一方では焼結助剤的な役割と共に、電荷補償の役割となる。これは、磁器生成中の何らかの要因で生成した格子欠陥により空間電荷が形成され、これが要因となって発生する空間電荷分極により、高温、低周波で誘電率、ｔａｎδが増加する現象である。更に詳述すれば、Ｍｎの添加量ｚが１重量部未満では誘電率が低下し、又、ｚが５重量部を超える場合は絶縁抵抗値が劣化する。
【００２２】
ガラス相７は、磁器焼成温度に関し、１２００℃以下の範囲内での低温焼成化を実現する為には必要不可欠であり、磁器中で液相を生じる事により、主成分である（Ｃａ，Ｓｒ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3を低温で焼結する事が可能となる。
【００２３】
ここで、焼成後にガラス相７となるガラス成分において、Ｓｉ成分、すなわちガラス成分中のＳｉＯ2は、焼結を進行させる役割を持つため、その比率ａが０．３５未満では、十分に焼結しない。一方、ａが０．４５を超えると、信頼性が低下する。
【００２４】
また、Ｌｉ2Ｏは低温焼結化には不可欠な役割を持つため、その比率ｂが０．３５未満となると、十分に焼結しない。一方、Ｌｉ2Ｏは軽元素である事から焼成時に蒸発しやすいため、ｂが０．４５を超えると、焼成時の炉内の位置によって、容量バラツキが発生しやすくなる。
【００２５】
さらに、Ｂ2Ｏ3はＬｉ2Ｏ同様に、焼結温度を低下させる役割を持つため、比率ｃが０．１未満となると、１２００℃以下で十分に焼結しない。一方、Ｂ2Ｏ3が過剰に調製されると、Ｌｉ2Ｏ同様に軽元素である事から焼成時に蒸発を引き起こし易く、つまりはｃが０．３を超えると、焼成時の炉内或いは焼成用セッタ内での位置によって、容量バラツキが発生しやすくなる。
【００２６】
ここで、ガラス相７となるガラス成分は、１２００℃以下の比較的低温で、主成分系の焼結を完了するために添加するものであり、基本成分に対する添加量が重量部換算で０．５％を下回るガラス成分の添加量では、誘電体磁器の焼結が不十分となり、結果的には絶縁抵抗値の低下をもたらすととともに、誘電率を著しく劣化してしまう。一方、重量部換算で５％を超えて添加すると、粒界相に過剰に存在するガラス相７が原因となり、更に詳細に述べると、主成分系であるジルコン酸カルシウムの誘電特性が、その粒界相に存在する過剰なガラス相７により阻害されることにより、誘電率の低下を招いてしまう。従って、最も望ましい添加量の範囲は、重量部換算で、１．５％〜２％の範囲である。
【００２７】
また、最も望ましい範囲は０．９８≦ｘ≦１．００、０．２≦ｙ≦０．３、
０．０２≦ｚ≦０．０３、０．３９≦ａ≦０．４１、０．３９≦ｂ≦０．４１、０．１８≦ｃ≦０．２２の範囲である。
【００２８】
内部電極３、４は、Ｎｉ等の卑金属を主成分とする材料から構成され、その厚みは１〜２μｍとしている。
【００２９】
外部電極５、６は、例えばＣｕ、Ｎｉ、あるいはこれらの合金などの卑金属成分及びガラス成分から構成される。さらに、外部電極５、６の表面には、表面メッキ層（図示せず）が形成されている。表面メッキ層は、例えばＮｉメッキ、Ｓｎメッキ、半田メッキなどが例示できる。
【００３０】
以下、本発明の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。なお、図面において、各符号は焼成の前後で区別しないことにする。
【００３１】
炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ3）二酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）を出発原料として用意し、所望の組成となるように夫々秤量する。次に、これらの秤量された原料をポットミルに入れ、さらにアルミナボールと水２．５リットルとを入れ、１５時間湿式撹拌した後、撹拌物をステンレスバットに入れて熱風式乾燥機で１５０℃×４時間乾燥する。次にこの乾燥物を粗粉砕し、この粗粉砕物をトンネル炉にて大気中で１３００℃×２時間の焼成を行い、平均粒径１μｍ程度の基本成分を得る。
【００３２】
一方、ガラス成分を得るために、二酸化珪素（ＳｉＯ2）、炭酸リチウム（Ｌｉ2ＣＯ3）、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）を適宜秤量し、水と共にボールミルに入れ、湿式で十分に撹拌混合して、混合物を得た。次にこの混合物を乾燥した後、白金坩堝に入れて１３００℃に加熱し、溶融した混合物を水中に摘下して急冷しガラスを得た後、このガラスを粉砕して平均粒径１μｍ程度の微粉末にした。
【００３３】
次に、上記基本成分の粉末１００重量部に対して、ガラス成分の粉末及びＭｎ化合物を所定量加え、分散剤、分散媒と共に湿式混合にて約２０時間撹拌混合し、原料スラリーを調整した。このスラリーに、アクリル酸エステルポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液から成る有機バインダーを、基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量％となるように添加し、可塑剤を加え、十分攪拌後、真空脱泡機に入れて脱泡した。このスラリーをドクターブレード法により、厚さが約２５μｍである誘電体層となるセラミックグリーンシート２に成形した。このセラミックグリーンシート２は、長尺なものであるが、これを１７ｃｍ角の正方形に打ち抜いて使用する。
【００３４】
このセラミックグリーンシート２に、内部電極３、４用に調整したＮｉペーストをスクリーン印刷法等により印刷した後、ダミー層を加えて積層し、熱圧着後格子状に切断し、未焼成状態の積層体１を得る。
【００３５】
次に、この未焼成状態の積層体１を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、大気雰囲気中で１００℃／ｈの速度で３００℃まで昇温して２時間保持し、有機バインダーを燃焼させる。しかる後、炉の雰囲気を大気からＨ2２体積％＋Ｎ2９８体積％の雰囲気に変える。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気とした状態を保って、積層体の加熱温度を６００℃から焼成温度まで１００℃／ｈの速度で昇温して、所定の焼成温度で２時間保持した後、１００℃／ｈの速度で６００℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）におきかえて、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して焼成後の積層体１を作製する。このとき、積層体１内の誘電体層２は、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相７を有する。
【００３６】
次に、内部電極３、４が露出する積層体１の端面にＣｕとガラスフリットとビヒクルとから成る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で８００〜９００℃の温度で１５分間焼付け、Ｃｕ下地導体膜を形成し、この上にＮｉを無電解メッキで被着させ、さらにこの上に電気メッキ法でＳｎ或いは半田層を設けて、一対の外部電極５、６を形成する。
【００３７】
これにより、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が得られる。
【００３８】
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更・改良を加えることは何ら差し支えない。
【００３９】
例えば、誘電体層２がガラス相７と略同一色になるようにしても良い。
【００４０】
また、ガラス相７として、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ−Ｃａ系ガラスを用いても良い。
【００４１】
本発明者は、上記製造方法により、表１に示す組成で、ＣａＺｒＯ3を主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相７を有する誘電体層２と、卑金属からなる内部電極３、４とを積層してなる積層体１と、積層体１の外表面に形成された外部電極５、６とを備えた積層セラミックコンデンサ１０を作製した。比較例として、誘電体層２がＣａＺｒＯ3を主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ系ガラス相７を有する積層セラミックコンデンサ１０も作製した。なお、この積層セラミックコンデンサ１０の寸法は２．０ｍｍ×１．２５ｍｍであり、積層仕様は１５μｍ×４０層とした。
【００４２】
次に、完成した積層セラミックコンデンサ１０の静電容量Ｃａｐ、比誘電率εs、温度係数ＴＣ、容量バラツキ（ＣＶ値）、Ｑ値、絶縁抵抗ρを測定した。
【００４３】
なお、上記電気的特性は次の要領で測定した。
（１）比誘電率εsは、温度２５℃、周波数１ＭＨｚ、交流電圧〔実効値〕１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この測定値と一対の内部電極層の対向面積１．５ｍｍ2と誘電体層の厚さ０．０１ｍｍから計算で求めた。静電容量Ｃａｐも同様の方法で求めた。
（２）静電容量バラツキ（ＣＶ値）＝（標準偏差×１００）／（Ｃａｐ平均値）で算出した。
（３）温度係数（ＴＣ）＝（（Ｃ85−Ｃ25）×１０6）／Ｃ25×（Ｃ85−Ｃ25）
で算出した。Ｃ85は８５℃における誘電率であり、Ｃ25は２５℃における誘電率である。
（４）抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤＣ５０Ｖを１分間印加した後に一対の外部電極間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて計算で求めた。
（５）Ｑ値は温度２５℃において、周波数１ＭＨｚ、電圧〔実効値］０．５Ｖの交流でＱメータにより測定した。
【００４４】
また、各条件について、焼成温度を９５０℃、１０５０℃、１１５０℃、１２５０℃と変化させ、最適な焼成温度を求めた。すなわち、表１に記載した焼成温度は、上記Ｑ値及び絶縁抵抗値が最も良好である焼成温度とし、またＱ値及び絶縁抵抗値が同レベルである場合は、最も低い焼成温度とした。
【００４５】
判定の基準は、Ｑ値が８０００以上、絶縁抵抗値が１×１０12（Ω）以上、最適な焼成温度が１２００℃未満である試料を良品として丸印、Ｑ値が８０００未満、絶縁抵抗値が１×１０12（Ω）未満、最適な焼成温度が１２００℃以上である試料を不良品としてバツ印とした。また、良品の内、Ｑ値が１００００以上、絶縁抵抗値が１×１０13（Ω）以上、静電容量Ｃａｐが９５０〜１０５０ｐＦ、比誘電率εsが２８〜３３、ＣＶ値が２．０％以下、誘電率の温度係数ＴＣが±３０ｐｐｍ以内、最適な焼成温度が１０００℃未満である試料を二重丸印とした。
【００４６】
これらの結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
2004207629.tif 000003
【００４８】
その結果、誘電体層２が、ＣａＺｒＯ3系セラミックスを主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相を有する本実施例（試料番号１〜３２）では、Ｑ値は８０００以上、絶縁抵抗値は１×１０12（Ω）以上となった。また、このときの最適な焼成温度は、１１５０℃以下だった。
【００４９】
特に、誘電体層２が、一般式（Ｃａ1-y・ＳｒyＯ）x（Ｚｒ1-Z・ＴｉZ）Ｏ2（但し、ｘ、ｙ及びｚはモル換算で表され、０．９５≦ｘ≦１．０５、ｙ≦０．６、０．０１≦ｚ≦０．１０の範囲の数値）で表される基本成分１００重量部に対して、ＭｎＣＯ3を１〜５重量部と、一般式ａＳｉＯ2−ｂＬｉＯ2−ｃＢ2Ｏ3（但し、ａ、ｂ及びｃはモル換算で表され、０．３５≦ａ≦０．４５、０．３５≦ｂ≦０．４５、０．１≦ｃ≦０．３、ａ＋ｂ＋ｃ＝１の範囲の数値）で表されるガラス成分を０．５〜５重量部とを含有する場合（試料番号２〜５、７〜８、１１〜１３、１６〜１９、２２〜２３、２６〜２７、３０〜３１）、Ｑ値は１００００以上、絶縁抵抗値は１×１０13〜１×１０14（Ω）、静電容量Ｃａｐが９５０〜１０５０ｐＦ、比誘電率εsが２８〜３３、ＣＶ値が２．０％以下、誘電率の温度係数ＴＣが±３０ｐｐｍ以内となった。さらに、このときの最適な焼成温度は、９５０℃だった。
【００５０】
ここで、ＥＰＭＡにより、焼成後の積層体１の断面を調べたところ、本発明の積層セラミックコンデンサ１０は、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相７が検出された。
【００５１】
これに対し、誘電体層２が、ＣａＺｒＯ3系セラミックスを主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ系ガラス相を有する比較例（試料番号３３）では、Ｑ値は５２００、絶縁抵抗値は１．１１×１０11（Ω）と小さくなった。また、このときの最適な焼成温度は、１２５０℃だった。
【００５２】
また、焼成後に誘電体層２となる誘電体磁器組成物として、ＣａＺｒＯ3を主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス成分を添加した場合も、ガラス成分が焼成後の誘電体層２にガラス相７として析出しない場合、Ｑ値を１００００以上、絶縁抵抗値を１×１０13（Ω）以上、焼成温度を１０００℃以下にすることはできなかった。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の積層型電子部品によれば、ＣａＺｒＯ3を主成分とするとともに、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｂ系ガラス相を有する誘電体層と、卑金属からなる内部電極とを積層してなる積層体と、積層体の外表面に形成された外部電極とを備えるため、１２００℃以下の低温且つ還元性雰囲気中でも安定な焼成が可能で、且つＱ値及び絶縁抵抗値を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型電子部品である積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）外観斜視図、（ｂ）縦断面図である。
【符号の説明】
１０    積層セラミックコンデンサ
１      積層体
２      誘電体層
３、４  内部電極
５、６  外部電極
７      ガラス相
【図１】
2004207629.tif 000004