(57)【要約】【課題】半導体素子モジュールを取付台に取り付けた際に、シリコンコンパウンドのはみ出しを防止し、かつ適正量のシリコンコンパウンドを塗布することができる半導体素子モジュールの取付台を提供する。【解決手段】半導体素子モジュール１のベース面１ａを取り付ける取付面１０ａを有する冷却フィン１０において、半導体素子モジュール１を冷却フィン１０に取り付けた際に、半導体素子モジュール１の外周形状１０ｃの内側で、かつ半導体素子モジュール１の外周形状１０ｃとほぼ同一形状となる溝１１を取付面１０ａに形成する。【選択図】　　　　図１
2004014991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子モジュールのベース面を取り付ける取付面を有する取付台において、前記取付面に溝を形成することを特徴とする半導体素子モジュールの取付台。
【請求項２】
前記溝は半導体素子モジュールを取付台に取り付けた際に半導体素子モジュールのベース面の外周よりも内側になるように形成することを特徴とする請求項１記載の半導体素子モジュールの取付台。
【請求項３】
前記溝は半導体素子モジュールのベース面の外周形状とほぼ同一形状にすることを特徴とする請求項１または２記載の半導体素子モジュールの取付台。
【請求項４】
半導体素子モジュールのベース面を取り付ける取付面を有する取付台において、前記取付面の外周に壁を形成することを特徴とする半導体素子モジュールの取付台。
【請求項５】
前記壁は半導体素子モジュールを取付台に取り付けた際に半導体素子モジュールのベース面の外周よりも外側になるように形成することを特徴とする請求項１または２記載の半導体素子モジュールの取付台。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体素子モジュールを取り付ける取付面を有する冷却フィンなどの取付台に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、電動機制御用インバータ装置に適用する半導体素子モジュールは、そのベース面を冷却フィンなどの取付台の取付面に取り付けて放熱を容易にしている。
図３は従来例の構成を示す斜視図であり、図において、１は半導体素子モジュールであり、この半導体素子モジュール１は、パッケージ内にＩＧＢＴなどのパワー素子でフルブリッジ回路を構成したパワー回路、およびプリント基板にパワー素子のドライバ，保護回路などを搭載した制御回路を組み込み、パッケージ上面に外部導出用端子としてパワー回路に接続した主回路用端子，および制御回路に接続した制御回路用端子を配列して構成され、その下面には後述する取付台に取り付けるためのベース面１ａが形成されている。
【０００３】
２は半導体素子モジュール１の取付台としての冷却フィンであり、冷却フィン２は、その下面に複数のフィン部が形成されるとともに、その上面には半導体素子モジュール１を取り付けるための取付面２ａが形成されている。
半導体素子モジュール１の冷却フィン２への取り付けは、まず冷却フィン２の取付面２ａに熱伝導性の良いシリコンコンパウンドを塗布してから、その上に半導体素子モジュール１のベース面１ａを当接し、半導体素子モジュール１のネジ孔１ｂと冷却フィン２のネジ孔２ｂとが一致するように位置合わせを行って図示していないネジにより両者を固定している。
【０００４】
このようにシリコンコンパウンドを塗布することにより、半導体素子モジュール１のベース面１ａと冷却フィン２の取付面２ａとの隙間を無くして放熱能力の向上を図っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体素子モジュール１の取り付けには以下のような問題があった。
シリコンコンパウンドの塗布量が多い場合、半導体素子モジュール１を冷却フィン２に取り付けた際に、シリコンコンパウンドが半導体素子モジュール１や冷却フィン２の側面側表面にはみ出して、このはみ出したシリコンパウンドを除去する作業が必要となる。
【０００６】
また、シリコンパウンドの塗布量が少ない場合、放熱能力が低下し、最悪の場合半導体素子モジュール１を破損することがある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、シリコンコンパウンドのはみ出しを防止し、かつ適正量のシリコンコンパウンドを塗布することができる半導体素子モジュールの取付台を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明の半導体素子モジュールの取付台は、半導体素子モジュールのベース面を取り付ける取付面を有する取付台において、前記取付面に溝を形成するものとする。
また、請求項１に係る発明において、前記溝は半導体素子モジュールを取付台に取り付けた際に半導体素子モジュールのベース面の外周よりも内側になるように形成するものとする。
【０００８】
また、請求項１または２に係る発明において、前記溝は半導体素子モジュールのベース面の外周形状とほぼ同一形状にするものとする。
請求項４に係る発明の半導体素子モジュールの取付台は、半導体素子モジュールのベース面を取り付ける取付面を有する取付台において、前記取付面の外周に壁を形成するものとする。
【０００９】
また、請求項４に係る発明において、前記壁は半導体素子モジュールを取付台に取り付けた際に半導体素子モジュールのベース面の外周よりも外側になるように形成ものとする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明に係る半導体素子モジュールの取付台の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。図１はこの発明の第１の実施の形態の取付台を示す斜視図を示すものである。
図１において、１０は半導体素子モジュール１（図３参照）の取付台としての冷却フィンであり、冷却フィン１０は、その下面に複数のフィン部が形成されるとともに、その上面には半導体素子モジュール１を取り付けるための取付面１０ａが形成されている。１０ｂは半導体素子モジュール１を固定するためのネジ孔であり、１１は冷却フィン１０の取付面１０ａに形成された溝である。
【００１１】
半導体素子モジュール１の冷却フィン１０への取り付けは、従来の技術と同様に、まず冷却フィン１０の取付面１０ａに熱伝導性の良いシリコンコンパウンドを塗布してから、その上に半導体素子モジュール１のベース面１ａ（図３参照）を当接し、半導体素子モジュール１のネジ孔１ｂ（図３参照）と冷却フィン１０のネジ孔１０ｂとが一致するように位置合わせを行って図示していないネジにより両者を固定している。
【００１２】
ここで、一点鎖線で示す１０ｃは、半導体素子モジュール１を冷却フィン１０に取り付けた際の半導体素子モジュール１の外周形状を示すものである。図１に示すように溝１１は、半導体素子モジュール１の外周形状１０ｃの内側で、かつ半導体素子モジュール１の外周形状１０ｃとほぼ同一形状となるように取付面１０ａの表面に形成されている。すなわち、溝１１の形状は半導体素子モジュール１の外周形状１０ｃを若干縮小したものとほぼ同一形状となっている。
【００１３】
図１の実施の形態によれば、冷却フィン１０の取付面１０ａに溝１１を形成することにより、半導体素子モジュール１を冷却フィン１０に取り付けた際に、シリコンコンパウンドの塗布量が多い場合でも、余分なシリコンコンパウンドは溝１１に落とし込むことができ、シリコンコンパウンドが半導体素子モジュール１や冷却フィン１０の側面側表面にはみ出すことがなくなるため、はみ出したシリコンパウンドの除去作業を省略することができる。
【００１４】
また、溝１１の形状を半導体素子モジュール１の外周形状１０ｃとほぼ同一形状とすることにより、シリコンコンパウンドは溝１１に合わせて（例えば、溝１１の内側に）塗布すればよいので、取付面１０ａへのシリコンコンパウンドの塗布領域が明確になり、適正量のシリコンコンパウンドを塗布することができるため、シリコンコンパウンドの塗布量が多すぎたり、少なすぎたりすることがなくなる。
【００１５】
なお、図１の実施の形態では、ネジ孔１０ｂの内部にシリコンコンパウンドが入り込むのを防止するために、溝１１はネジ孔１０ｂを回避してネジ孔１０ｂの内側となるよう形成しているが、溝１１をネジ孔１０ｂの外側になるように形成して半導体素子モジュール１の外周形状１０ｃと同一形状になるようにしてもよい。
【００１６】
図２はこの発明の第２の実施の形態の取付台を示す斜視図を示すものである。図２において、２０は半導体素子モジュール１（図３参照）の取付台としての冷却フィンであり、冷却フィン２０は、その下面に複数のフィン部が形成されるとともに、その上面には半導体素子モジュール１を取り付けるための取付面２０ａが形成されている。２０ｂは半導体素子モジュール１を固定するためのネジ孔である。２１は冷却フィン２０の取付面２０ａの上面よりも上方へ突出し、取付面２０ａの外周を囲むように形成された壁であり、その１面には図示していない端子台が取り付けられるように開放部２１ａを設けている。
【００１７】
半導体素子モジュール１の冷却フィン２０への取り付けは、従来の技術と同様に、まず冷却フィン２０の取付面２０ａに熱伝導性の良いシリコンコンパウンドを塗布してから、その上に半導体素子モジュール１のベース面１ａ（図３参照）を当接し、半導体素子モジュール１のネジ孔１ｂ（図３参照）と冷却フィン２０のネジ孔２０ｂとが一致するように位置合わせを行って図示していないネジにより両者を固定している。
【００１８】
ここで、壁２１は、半導体素子モジュール１を冷却フィン２０に取り付けた際に半導体素子モジュール１のベース面１ａの外周形状よりも若干大きめに形成され、ベース面１ａの外周を囲うように形成されている。
図２の実施の形態によれば、冷却フィン２０に壁２１を形成することにより、半導体素子モジュール１を冷却フィン２０に取り付けた際に、シリコンコンパウンドの塗布量が多い場合でも、余分なシリコンコンパウンドは壁２１に阻まれて冷却フィン２０の側面側表面にはみ出すことがなくなるため、はみ出したシリコンパウンドの除去作業を省略することができる。
【００１９】
また、シリコンコンパウンドは壁２１の内側に塗布すればよく、取付面２０ａへのシリコンコンパウンドの塗布領域が明確になり、適正量のシリコンコンパウンドを塗布することができるため、シリコンコンパウンドの塗布量が多すぎたり、少なすぎたりすることがなくなる。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明に係る半導体素子モジュールの取付台によれば、その取付面に溝または壁を設けることにより、シリコンコンパウンドのはみ出しを防止し、かつ適正量のシリコンコンパウンドを塗布することができるので、半導体素子モジュールを取付台に取り付けた際にはみ出したシリコンパウンドの除去作業を省略することができ、品質の向上とコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態の取付台を示す斜視図である。
【図２】この発明の第２の実施の形態の取付台を示す斜視図である。
【図３】従来例の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０，２０　　冷却フィン
１１　　　　　溝
２１　　　　　壁
【図１】
2004014991.tif 000003
【図２】
2004014991.tif 000004
【図３】
2004014991.tif 000005