(57)【要約】【課題】端面発光型光半導体素子に接続される金属製端子の特性インピーダンスがばらつく。【解決手段】一主面に一端側に光半導体素子Ｓがろう材を介して電気的に接続される配線導体７が形成された回路基板６と、上面の中央部に回路基板６が載置され、この載置部１ａ近傍に上面から下面にかけて形成された貫通孔１ｂを有する金属基板１と、貫通孔１ｂに挿通されて封止材２を介して固定され、上面側の端部が配線導体７の他端部とろう材を介して電気的に接続された金属製端子３とを具備することを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。【選択図】  図１
2004259971.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に一端側に光半導体素子がろう材を介して電気的に接続される配線導体が形成された回路基板と、上面の中央部に前記回路基板が載置され、この載置部の近傍に前記上面から下面にかけて形成された貫通孔を有する金属基板と、前記貫通孔に挿通されて封止材を介して固定され、前記上面側の端部が前記配線導体の他端部とろう材を介して電気的に接続された金属製端子とを具備することを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の光半導体素子収納用パッケージと、前記回路基板に搭載されてその電極が前記配線導体の前記一端部に前記ろう材を介して電気的に接続された光半導体素子とを具備することを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体デバイスに使用する光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信分野で用いられているＶＣＳＥＬ（面発光型レーザ）、ＬＤ（端面発光型レーザ）等の光半導体素子を収納するための光半導体装置を図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。ここで図３（ａ）は、光半導体装置の断面図、図３（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、図３（ａ）の光半導体装置の蓋体を外した状態での上面図、および下面図である。
【０００３】
従来の光半導体装置は、上面の中央部に光半導体素子Ｓ’の載置部１１ａを有するとともにこの載置部１１ａの近傍に上面から下面にかけて形成された直径０．５〜２ｍｍの貫通孔１１ｂを有する、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成る略円板状の金属基板１１と、貫通孔１１ｂに挿通され、下面側の端部が貫通孔１１ｂから突出するように封止材１２を介して固定された、上面側の端部が光半導体素子Ｓ’の電極と電気的に接続された、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成る金属製端子１３と、載置部１１ａに搭載されてその電極が金属製端子１３の上面側の端部と電気的に接続された光半導体素子Ｓ’と、主面にその一辺から対向する辺にかけて形成された直線状の配線導体１４を有し、金属基板１１に配線導体１４と金属製端子１３の下面側に突出した部位とが平行かつ対向して接合するように取着された樹脂系絶縁基板１５とを具備している。
【０００４】
なお、金属基板１１と金属製端子１３との接合は、ソーダガラスやホウ珪酸ガラス等の絶縁ガラスを介して行なわれ、絶縁ガラスによって金属基板１１と金属製端子１３とが電気的に絶縁されている。また、光半導体素子Ｓ’は、補助基台Ｋ’を介して金属基板１１に固定され、光半導体素子Ｓ’の電極がボンディングワイヤ１６を介して金属端子１３に電気的に接続される。
【０００５】
また、金属基板１１の上面には、外周端から幅１ｍｍ以内の外周部に、光半導体素子Ｓ’の保護を目的として、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る第１の蓋体１９ａがＹＡＧレーザ溶接、シーム溶接またはろう付け等により固定され、そして、金属基板１１の上面に第１の蓋体１９ａを、例えばＹＡＧレーザで溶接・接合し、さらに光半導体素子Ｓ’に対向する部位に光ファイバ１８が固定される第２の蓋体１９ｂを接合することにより、製品としての光半導体装置となる。
【０００６】
この光半導体装置は、外部電気回路（図示せず）から供給される駆動信号によって光半導体素子Ｓ’を光励起させ、励起した光を戻り光防止用の光アイソレータ（図示せず）を介して光ファイバ１８に授受させるとともに光ファイバ１８内を伝達させることによって、大容量の光通信等に使用される。そして、その適応範囲は４０ｋｍ以下の伝送距離、かつ２．５Ｇｂｐｓ（Ｇｉｇａ  ｂｉｔ  ｐｅｒ  ｓｅｃｏｎｄ）以下の伝送容量の範囲で多用されている。なお、一般に１Ｇｂｐｓは１．６ＧＨｚ程度の周波数に相当する。
【０００７】
近年、４０ｋｍ以下の伝送距離での高速通信に対する需要が急激に増加しており、高速大容量伝送に関する研究開発が進められている。とりわけ、光通信装置において光信号を発信する光半導体装置等の光発信装置が注目されており、光信号の高出力化と高速化が伝送容量を向上させるための課題となっている。
【０００８】
なお、従来の光半導体装置の光出力は０．２〜０．５ｍＷ程度であり、光半導体素子は５ｍＷ程度の駆動電力であった。しかし、より大出力の光半導体装置では、光出力が１ｍＷのレベルまで向上してきており、光半導体素子も１０ｍＷ以上の駆動電力が要求されている。また、従来の光半導体素子Ｓ‘はデバイス抵抗が５０Ωで短距離用のＶＣＳＥＬ（面発光型レーザ）と、デバイス抵抗が２５Ωで中・長距離用のＬＤ（端面発光型レーザ）が用いられている。さらに、従来の光半導体装置に用いられていた高周波信号は２．４Ｇｂｐｓ程度であったが、１０Ｇｂｐｓ程度まで向上してきており、より高出力化と高速化が要求されてきている。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−１３０２６６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光半導体素子収納用パッケージに１０ｍＷ以上の駆動電力およびデバイス抵抗が２５Ω、１０ＧＨｚ程度の高周波信号で駆動される光半導体素子を搭載した、光出力が１ｍＷ程度の光半導体装置を構成しようとすると、金属製端子１３から光半導体素子Ｓ’までの特性インピーダンスのばらつきが大きいため、光半導体素子Ｓ’が正常に作動し難く、特に５〜１０ＧＨｚ程度の高周波信号の伝送損失を小さくして円滑に伝送することが困難であるという問題点があった。
【００１１】
これは、金属製端子１３の貫通孔１２ｂの内部に位置する部位のインピーダンスに対し、金属基板１１ａから突出した金属製端子１３の部位とその金属製端子１３と光半導体素子Ｓ’とを接続するボンディングワイヤ１６が大気中に存在してこれらの誘電成分が大きくなるため、金属基板１１から突出した金属製端子１３の部位のインピーダンスが８０Ω程度、ボンディングワイヤのインピーダンスが１２０Ω程度となり、そして光半導体素子Ｓ’のインピーダンスが２５Ω程度であることから、これらのインピーダンスのばらつきが非常に大きくなってしまい、その結果、高周波信号の入出力時における反射損失が大きくなり、光半導体素子Ｓ’の作動性が劣化してしまうことによるものである。
【００１２】
また、光半導体素子が端面発光型光半導体素子の場合は、面発光型光半導体素子に比べインピーダンスのばらつきが大きく、かつインピーダンスがステップ状に変化することにより、高周波信号の反射損失がより大きくなってしまうという問題点を有していた。
【００１３】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、光半導体素子、特に端面発光型光半導体素子に接続される金属製端子と光半導体素子との間のインピーダンスばらつきを抑えることにより、高周波信号の伝送損失を小さくして信号を伝送することができ、光半導体素子を正常に作動させることができる光半導体素子パッケージおよび光半導体装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、一主面に一端側に光半導体素子がろう材を介して電気的に接続される配線導体が形成された回路基板と、上面の中央部に前記回路基板が載置され、この載置部の近傍に前記上面から下面にかけて形成された貫通孔を有する金属基板と、前記貫通孔に挿通されて封止材を介して固定され、前記上面側の端部が前記配線導体の他端部とろう材を介して電気的に接続された金属製端子とを具備することを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の光半導体装置は、上記の光半導体素子収納用パッケージと、前記回路基板に搭載されてその電極が前記配線導体の前記一端部に前記ろう材を介して電気的に接続された光半導体素子とを具備することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置によれば、光半導体素子と金属製端子とが回路基板に形成された配線導体を介して電気的に接続されることから、配線導体の幅を調整することにより配線導体のインピーダンスを容易に調整することができ、その結果、金属製端子と光半導体素子との間のインピーダンスをなだらかに変化させることができるとともに、両者間のインピーダンスを良好に整合することが可能となり、高周波信号の入出力時における反射損失を小さなものとして、光半導体素子の作動性を良好なものとすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置について添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
図１（ａ）は、本発明の光半導体素子収納用パッケージに光半導体素子を搭載して成る光半導体装置の実施の形態の一例を示した断面図であり、図１（ｂ）お（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）に示す光半導体装置の蓋体を外した状態での上面図および下面図である。また、図１（ｄ）は図１（ａ）の要部拡大断面図である。
【００１９】
これらの図において、１は金属基板、２は封止材、３は金属製端子、６は回路基板、７は配線導体であり、主にこれらで本発明の光半導体素子収納用パッケージが構成され、また、主にこの光半導体素子収納用パッケージと光半導体素子Ｓとで本発明の光半導体装置が構成される。
【００２０】
金属基板１は、光半導体素子Ｓを搭載するとともに搭載する光半導体素子Ｓが発生する熱を放散する機能を有し、その形状が円形や円形状・半円形・半円形状・四角形・四角形状等で、厚みが０．５〜２ｍｍの平板状である。また、その上面の中央部は後述する回路基板６を載置する載置部１ａとなっている。なお、回路基板６は載置部１ａに直接、あるいは安定して固定するために補助基台Ｋを用いて接合される。なお、補助基台Ｋは、その形状が半円形、半円形状、四角形、四角形状で、幅が０．２からｍｍ、高さが０．５から２ｍｍである。また、金属基板１は、その載置部１ａの近傍に上面から下面にかけて形成された直径０．５〜２ｍｍの貫通孔１ｂを有する。
【００２１】
このような金属基板１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成り、例えば金属基板１が鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金から成る場合は、このインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。
【００２２】
また、金属基板１の表面には耐食性に優れ、かつろう材との濡れ性に優れた厚みが０．５〜９μｍのニッケル（Ｎｉ）層と厚みが０．５〜５μｍの金（Ａｕ）層をめっき法により順次被着させておくと、金属基板１が酸化腐食するのを有効に防止するとともに各部品を金属基板１に良好にろう付けすることができる。
【００２３】
なお、金属基板１の厚みは０．５ｍｍ以上が好ましく、厚みが０．５ｍｍ未満の場合、後述する第１の蓋体９ａや第２の蓋体９ｂを金属基体１に溶接する際に、溶接の条件（温度等）により金属基板１が曲がったりして変形し易くなる傾向があり、２ｍｍを超えると光半導体素子収納用パッケージや光半導体装置の厚みが不要に厚いものとなり小型化をすることが困難となる傾向がある。従って、金属基体１の厚みは０．５〜２ｍｍが好ましい。
【００２４】
なお、図１（ａ）〜（ｃ）には、半導体素子Ｓを１個搭載し、貫通孔１ｂを１個形成した例を示しているが、複数の半導体素子Ｓを搭載し、複数の貫通孔１ｂを形成してもよい。
【００２５】
金属基板１に形成された貫通孔１ｂには、金属製端子３が封止材２を介して固定されている。金属製端子３は、光半導体素子Ｓが送受信する電気信号を外部電気回路（図示せず）に伝送する機能を有する。なお、金属製端子３は、金属基板１の下面側の端部が貫通孔１ｂから１〜２０ｍｍ程度突出するように、封止材２を介して固定されている。
【００２６】
このような金属製端子３は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属から成り、例えば金属製端子３が鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金から成る場合は、このインゴット（塊）を圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって、長さが１．５〜２２ｍｍ、直径が０．１〜１ｍｍのピン状に製作される。
【００２７】
また、封止材２は、金属基板１と金属製端子３との絶縁間隔を確保するとともに、金属製端子３を金属基板１の貫通孔１ｂに固定する機能を有し、通常、ソーダガラスやホウ珪酸ガラス、セラミックスなどの無機材料が用いられる。
【００２８】
なお、金属製端子３は、例えば厚みが金属基板１の厚みと略同等で、外径が貫通孔１ｂの径より小さく、内径が金属製端子３の外径より大きいガラス製のリングを貫通孔１ｂに挿入するとともにリングに金属製端子３を挿入し、しかる後、ガラスを所定の温度で加熱・溶融することにより、金属製端子３の外周面が貫通孔１ｂの内面に気密に固定される。
【００２９】
また、金属基板１の載置部１ａには回路基板６が載置されている。回路基板６は光半導体素子Ｓを金属基板１に実装するとともに、光半導体素子６の各電極と金属製端子３とを電気的に接続する機能を有する。このような回路基板６は、窒化アルミ（ＡｌＮ）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスから成り、従来周知の積層加工方法を施すことにより、長さ・幅が０．３〜５ｍｍ、厚みが０．１〜１ｍｍの板状に製作された絶縁基体に、タングステン等の金属粉末に有機溶剤・溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、あらかじめ主面となるセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法により所定パターンに印刷塗布し、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって配線導体４を被着形成することにより製作される。なお、配線導体７の幅は、０．１〜５ｍｍの範囲であり、この幅を適宜調整することによって、配線導体のインピーダンスを調整することが可能となる。
【００３０】
そして、本発明の光半導体素子収納用パッケージにおいては、配線導体７の一端側に光半導体素子Ｓがろう材を介して電気的に接続され、他端部に金属製端子３の上面側の端部がろう材を介して電気的に接続されており、本発明においてはこのことが重要である。
【００３１】
本発明の光半導体素子収納用パッケージによれば、光半導体素子Ｓと金属製端子３とが回路基板６に形成された配線導体７を介して電気的に接続されることから、配線導体７の幅を調整することにより配線導体７のインピーダンスを容易に調整することができ、その結果、金属製端子３と光半導体素子Ｓとの間のインピーダンスをなだらかに変化させることができるとともに、両者間のインピーダンスを良好に整合することが可能となり、高周波信号の入出力時における反射損失を小さなものとして、光半導体素子Ｓの作動性を良好なものとすることができる。
【００３２】
なお、配線導体７の一端側と光半導体素子Ｓとのろう付け、および配線導体７の他端部と金属製端子３の上面側の端部とのろう付けは、次に述べる方法により行なわれる。まず、回路基板６の配線導体７の光半導体素子Ｓとろう付けされる一端側と金属製端子３の上面側の端部とのろう付けされる他端部とに、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ろう材を従来周知のスクリーン印刷法を用いて印刷塗布する。次に、回路基板６に光半導体素子Ｓを搭載するとともに、光半導体素子Ｓの電極を配線導体７の一端側と低融点ろう材を介して接続する。次に、この回路基板６を金属基板１の載置部１ａに金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）等の低融点ろう材で固定する。しかる後、配線導体７の他端部と金属製端子３の上面側の端部とを低融点ろう材で接続する。この場合、配線導体７の一端側と光半導体素子Ｓとのろう付け、配線導体７の他端部と金属製端子３の上面側の端部とのろう付け、および回路基板６を金属基板１の載置部１ａへろう付けする順番は、順番の変更が可能であれば適宜決めればよい。また、この際、低融点ろう材の溶融温度は、先にろう付けする低融点ろう材の溶融温度を高い温度としておくことが好ましい。
【００３３】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージにおいては、配線導体７の他端部は金属製端子３の金属基板１の上面から０．５ｍｍ以下突出した部位に接続されることが好ましい。配線導体７の他端部が金属製端子３の金属基板１の上面から０．５ｍｍを超えて突出した部位に接続されると、金属製端子３の金属基板１の上面から突出した部位の誘電成分が大きくなり、特性インピーダンスのばらつきが無視できないものとなり、その結果、高周波入出力時における反射損失が大きくなり、光半導体素子Ｓの作動性が劣化してしまう危険性がある。
【００３４】
また、金属製端子３と配線導体７の他端部とは、両者が平行になるように接続されることが好ましい。金属製端子３と配線導体７の他端部とが直交するように接続されると、直交した接続部分で信号の全反射が発生し、反射損失が大きくなる傾向がある。従って、金属製端子３と配線導体７の他端部とは、両者が平行になるように接続されることが好ましい。
【００３５】
また、本発明の光半導体装置は、上述の光半導体素子収納用パッケージの載置部１ａに光半導体素子Ｓを金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）の低融点ろう材を介して実装し、しかる後、その電極を回路基板６の配線導体７と低融点ろう材により電気的に接続することにより製作される。
【００３６】
本発明の光半導体装置によれば、上述の光半導体素子収納用パッケージと、回路基板６に搭載されてその電極が配線導体７の一端部にろう材を介して電気的に接続された光半導体素子Ｓとを具備することから、配線導体７の幅を調整することにより配線導体７のインピーダンスを容易に調整することができ、その結果、金属製端子３の金属基板１から突出した部位と光半導体素子Ｓとの間のインピーダンスをなだらかに変化させることができるとともに、両者間のインピーダンスを良好に整合することが可能となり、高周波信号の入出力時における反射損失を小さなものとして、光半導体素子Ｓの作動性が良好な光半導体装置とすることができる。
【００３７】
なお、このような光半導体装置は、通常、金属基板１上面の外周端から幅１ｍｍ以内の外周部に、光半導体素子Ｓの保護を目的として、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る第１の蓋体９ａがＹＡＧレーザ溶接、シーム溶接またはろう付け等により固定され、そして、金属基板１の上面に第１の蓋体９ａを、例えばＹＡＧレーザで溶接・接合し、さらに第１の蓋体９の外周部（鍔状部）に、光ファイバ８と戻り光防止用の光アイソレータ（図示せず）とが樹脂接着剤で接着された第２の蓋体９ｂをＹＡＧレーザ溶接等で接合することによって、製品としての光半導体装置となる。
【００３８】
なお、図１（ａ）に断面図で示すように、金属基板１の下面側に、主面にその一辺から対向する辺にかけて被着された直線状の配線導体層４を有する四角平板状の絶縁基板５を、配線導体層４を金属製端子３の下面側に突出した部位に平行に接合させて金属基板１に取着させて光半導体装置としてもよい。
【００３９】
かくして、本発明の光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置によれば、一主面に一端側に光半導体素子Ｓがろう材を介して電気的に接続される配線導体７が形成された回路基板６と、上面の中央部に回路基板６が載置され、この載置部１ａの近傍に上面から下面にかけて形成された貫通孔１ｂを有する金属基板１と、貫通孔１ｂに挿通されて封止材２を介して固定され、上面側の端部が配線導体７の他端部とろう材を介して電気的に接続された金属製端子３とを具備することから、配線導体７の幅を調整することにより配線導体７のインピーダンスを容易に調整することができ、その結果、金属製端子３の金属基板１から突出した部位と光半導体素子Ｓとの間のインピーダンスをなだらかに変化させることができるとともに、両者間のインピーダンスを良好に整合することが可能となり、高周波信号の入出力時における反射損失を小さなものとして、光半導体素子Ｓの作動性を良好なものとすることができる。
【００４０】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００４１】
【実施例】
本発明の光半導体装置を、次に述べる評価用の試料と比較用の試料を作成して評価した。
【００４２】
本発明の光半導体装置を以下のように構成した。まず、厚み０．１５ｍｍ×縦１．２ｍｍ×横１ｍｍの回路基板６に配線導体７となるパターンを作製した。回路基板６は、比誘電率が８．９、配線導体７の幅は０．７ｍｍ、長さが１．２ｍｍ、厚みが０．００３ｍｍであった。
【００４３】
次に配線導体４および接地導体となるパターンをＣｕメッキした、厚み１．０ｍｍ×縦３０ｍｍ×横１５ｍｍのポリイミド樹脂からなる樹脂系絶縁基板５を作成した。このとき、厚み０．１５ｍｍの所に厚さ０．００３ｍｍの接地導体を入れた。樹脂系絶縁基板５は比誘電率が４．１、配線導体４の幅は０．７ｍｍ、長さが１８．８ｍｍ、厚みが０．００３ｍｍであった。なお、使用した光半導体素子Ｓのインピーダンスは２５Ωであった。
【００４４】
次に、金属基板１の中央付近には、打ち抜き加工により金属製端子３を気密封止するための円形の貫通孔１ａを形成した。さらに金属基板１の表面には、厚みが２μｍのＮｉ層と厚みが２μｍのＡｕ層をめっき法により順次被着した。
【００４５】
そして、金属基板１の貫通孔３ａに金属製端子３を挿入し、封止材２であるガラスで接合することにより、気密封止した。その後、光半導体素子ＳとなるＬＤと回路基板６の配線導体７上をＡｕ−Ｓｎにてろう付けして、金属基板１の載置部１ａ中央付近にその回路基板６をＡｕ−Ｓｎにてろう付けし、回路基板６の配線導体７と金属製端子３を、Ａｕ−Ｓｎにてろう付けした。
【００４６】
そして、金属基板１の下面側から突出している金属製端子３と樹脂系絶縁基板５の配線導体４を並行になるように、半田を用いて接合した。
【００４７】
そして、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る第１の蓋体９ａを金属基板１の上面の外周部にシーム溶接により接合し気密封止し、しかる後、この第１の蓋体９ａの外周端部に、光ファイバ８と光アイソレータとを樹脂接着剤で接着した第２の蓋体９ｂをＹＡＧレーザ溶接により接合し、評価用の光半導体装置を作製した。
【００４８】
次に、比較用の試料は、上述の評価用の試料の金属製端子３をボンディングワイヤができるように金属製端子の上側０．２ｍｍの側面を平坦にし、光半導体素子と金属製端子とを直接ボンディングワイヤにて電気的に接続した。
【００４９】
評価用および比較用の試料について、周波数を変化させて反射損失Ｓ１１を測定した結果を図２に示す。なお、図２において、横軸は周波数、縦軸は反射損失Ｓ１１である。
【００５０】
図２より、本発明の光半導体装置は、５〜１０ＧＨｚでの特性インピーダンスのばらつきによる反射損失Ｓ１１を−１５ｄＢ以下に抑制できることが判った。一方、比較例である従来の光半導体装置は、５〜１０ＧＨｚにおいて特性インピーダンスのばらつきにより反射損失Ｓ１１が−１５ｄＢを超えることがわかった。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置によれば、光半導体素子と金属製端子とが回路基板に形成された配線導体を介して電気的に接続されることから、配線導体の幅を調整することにより配線導体のインピーダンスを容易に調整することができ、その結果、金属製端子の金属基板から突出した部位と光半導体素子との間のインピーダンスをなだらかに変化させることができるとともに、両者間のインピーダンスを良好に整合することが可能となり、高周波信号の入出力時における反射損失を小さなものとして、光半導体素子の作動性を良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の光半導体素子収納用パッケージに光半導体素子を実装して成る光半導体装置の実施の形態の一例の断面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、（ａ）の蓋体を外した状態での上面図および下面図である。また、（ｄ）は（ａ）の要部拡大断面図である。
【図２】本発明の半導体装置および従来の半導体装置における周波数と反射損失Ｓ１１との関係を示した図である。
【図３】（ａ）は、従来の光半導体装置の断面図であり、（ｂ）および（ｃ）は、（ａ）の蓋体を外した状態での上面図および下面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・・金属基板
１ａ・・・・・・載置部
１ｂ・・・・・・貫通孔
２・・・・・・・封止材
３・・・・・・・金属製端子
６・・・・・・・回路基板
７・・・・・・・配線導体
Ｓ・・・・・・・光半導体素子
【図１】
2004259971.tif 000003
【図２】
2004259971.tif 000004
【図３】
2004259971.tif 000005