(57)【要約】【課題】高周波域に至るまでの広範囲な雑音防止機能を備えたフィルムコンデンサを構成する。【解決手段】雑音防止素子として、フィルム状の誘電体１ａを一対のシート状の電極１ｂ、１ｃで挟んで構成されるフィルムコンデンサ１を用いるにあたり、前記一対の電極１ｂ、１ｃのうち、少なくとも一方である表側の電極１ｂを、１０−４Ωｃｍ以上の電気抵抗率を有したものとし、共振周波数υ０が相対的に高く、かつ、容量が共振周波数υ０に至るまでの周波数に応じて変化するようなフィルムコンデンサ１とし、該フィルムコンデンサ１の一つを、雑音防止素子として例えばホーンＨの回路に設けることにより、低周波域から高周波域に至る広範なノイズを防止する。【選択図】        図１
2004207376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム状の誘電体をシート状の一対の電極で挟んで構成されるコンデンサであって、前記一対の電極のうちの少なくとも一方は、電気抵抗率が１０−４Ωｃｍ以上であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
請求項１において、少なくとも一方の電極は、金属酸化物またはカーボンから選択される少なくとも一つであることを特徴とするコンデンサ。
【請求項３】
請求項２において、金属酸化物としては、酸化インジウムに酸化スズを添加したＩＴＯであることを特徴とするコンデンサ。
【請求項４】
請求項１、２または３において、電気抵抗率が１０−４Ωｃｍ以上の電極は、電気抵抗率が１０−４Ωｃｍよりも小さい集電帯を介してリード線を接続することを特徴とするコンデンサ。
【請求項５】
請求項１、２、３または４において、集電帯の面積調整でコンデンサの共振周波数の調整ができることを特徴とするコンデンサ。
【請求項６】
請求項１、２、３、４または５において、コンデンサは、雑音防止用に用いるものであることを特徴とするコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばホーンにおける雑音を防止する雑音防止素子等として機能するコンデンサの技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、この種電子部品としてのコンデンサのなかには、フィルム状のプラスチック（プラスティックフィルム）で構成された誘電体を、内部電極に相当するシート状の電極（薄膜金属）で挟持した平板状のフィルムコンデンサが知られている。そして、このものでは、内部電極となる薄膜金属にリード線を接続し、該リード線を適宜回路に接続する構成となっており、前記薄膜金属としては、一般には展延性の大きい金属である銀、アルミニウム、鉛、スズ等が用いられている（例えば、非特許文献１参照。）。
ところで、コンデンサは、雑音防止素子として機能することが知られており、このものを例えばホーン（警笛）を構成する回路の、繰返しＯＮ−ＯＦＦ切換え作動する切換え部に接続した場合では、該切換え部に生じるサージ電圧を吸収して雑音防止効果を発揮することが知られている。一方、このようなコンデンサにはインダクタンス成分があり高周波域においてＬＣ直列共振が発生する。このため、前記共振周波数υ０よりも高周波の領域では、コンデンサは、それ自体がインダクタンス成分に相当する。従って、このようなコンデンサを回路に接続して雑音防止をする場合では、共振周波数υ０よりも高周波の領域では雑音防止効果が低減するという問題がある。
【０００３】
【非特許文献１】
「トランジスタ技術」ＣＱ出版、２００１年４月号、Ｐ．２３６〜２３９
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、このようなコンデンサを用いて雑音防止を図る場合に、周辺機器に対する高周波の影響を考慮する必要があることから、高周波域においての雑音防止を図ることが要求される。そして、雑音防止効果を高める条件としては、コンデンサの容量を大きくすること、コンデンサの共振周波数υ０を高くすることが必要になるが、コンデンサの容量を大きくすることは共振周波数υ０を低下させることであり、これらの条件は互いに相反していて従来のコンデンサでは両者を満足させることはできない。
そこで、広い範囲の高周波域での雑音防止を図るために、容量の異なるコンデンサ、つまり、共振周波数υ０の異なるコンデンサを複数並列接続して、低周波域から高周波域に至る広範囲におけるノイズ吸収がなされるようにすることを提唱しているが、このように複数のコンデンサを用いることは、コスト高になってしまうばかりでなく、装置自体の大型化も招来するという問題があり、ここに本発明が解決しようとする課題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の如き実情に鑑み、これらの課題を解決することを目的として創作されたものであって、フィルム状の誘電体をシート状の一対の電極で挟んで構成されるコンデンサであって、前記一対の電極のうちの少なくとも一方は、電気抵抗率が１０−４Ωｃｍ以上であることを特徴とするものである。
そして、このようにすることにより、コンデンサの共振周波数を相対的に大きくなし得て、高周波域における雑音防止を有効に計ることができる。
このものにおいて、本発明の少なくとも一方の電極は、金属酸化物またはカーボンから選択される少なくとも一つであることを特徴とすることができる。
さらに、このものにおいて、本発明の金属酸化物としては、酸化インジウムに酸化スズを添加したＩＴＯであることを特徴とすることができる。
さらにまた、このものにおいて、本発明の電気抵抗率が１０−４Ωｃｍ以上の電極は、電気抵抗率が１０−４Ωｃｍよりも小さい集電帯を介してリード線を接続することを特徴とすることができる。
また、このものにおいて、本発明の集電帯の面積調整でコンデンサの共振周波数の調整ができることを特徴とすることができ、このようにすることによって、共振周波数を取付け条件に合わせて適宜設定することができる。
さらに、このものにおいて、本発明のコンデンサは、雑音防止用に用いるものであることを特徴とすることができ、このようにすることによって、コンデンサの共振周波数を相対的に高くすることができて、高周波域での雑音防止効果を得ることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図面において、１は、本発明が実施されたフィルムコンデンサであって、該フィルムコンデンサ１は、図１に示すように、フィルム状の誘電体１ａと、該誘電体１ａの表裏を挟持するように一体化されるシート状の電極１ｂ、１ｃとにより三層構造をしたものに形成されている。尚、各電極１ｂ、１ｃの誘電体１ａへの一体化手段としては、接着、蒸着等の一般的に汎用される手段を採用することができる。そして、フィルムコンデンサ１の表裏の電極１ｂ、１ｃの側部にはリード線２が電気的に接続されている。
ここで、前記誘電体１ａは、ポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド等のフィルム材により構成される汎用のものが用いられている。
そして、一対の電極のうち、一方の電極であって、裏面（図１において下面）側に一体化される電極１ｃは、銀、アルミニウム、鉛、スズ等の展延性の大きい通常用いられている金属からなる膜（薄膜金属）で構成されており、略１０−６〜１０−５Ωｃｍ（オームセンチメートル）のオーダーの電気抵抗率を有した電極となっている。因みに、銀の電気抵抗率は１．５９μΩｃｍ（マイクロオームセンチメートル１．５９×１０−６）、アルミニウムの電気抵抗率は２．６５μΩｃｍ、鉛の電気抵抗率は２０．６５μΩｃｍ、スズの電気抵抗率は１１．００μΩｃｍである。
【０００７】
これに対し、他方の電極であって、表面（図１において上面）側の電極１ｂは、裏面側の電極１ｃの電気抵抗率よりも大きく導電性の低い電極であって、電気抵抗率が１０−４Ωｃｍ以上の電極に構成されており、本実施の形態では、カーボン膜（炭素フィルム）で構成されている。因みに、カーボンの電気抵抗率は１３７５．００μ（＝１．３７５×１０−３）Ωｃｍとなっている。
ここで、表面側電極１ｂとしては、１０−４Ωｃｍ以上の金属酸化物、特に酸化インジウムに酸化スズを添加したＩＴＯからなる膜であってもよく、該ＩＴＯの電気抵抗率は１×１０−４〜１×１０−２Ωｃｍとなっている。またさらに電極としては、ＩＴＯとカーボンとの両者を用いた膜でも勿論よく、要は、電気抵抗率を１×１０−４Ωｃｍ以上のものの少なくとも一種類を用いたものであれば本発明を実施することができる。そして、このように、表面側電極１ｂの電気抵抗率を１×１０−４Ωｃｍ以上とすることにより、フィルムコンデンサ１は、表面側電極１ｂが裏面側電極１ｃよりも凡そ１０２〜１０３倍に相当する電気抵抗率を有して、電極自体の導電性が低下するように構成されている。
このように構成された表裏それぞれの電極１ｂ、１ｃとリード線２との接続は、表面側電極１ｂについては銀等により構成された集電帯２ａを介して接続（溶着）され、また、裏面側電極１ｂについては従来通りの接続手段（半田付け、圧接、圧着等）により接続されている。そして、これらリード線２の延出端部が、対象となる回路の適宜箇所に接続されるように設定されている。
【０００８】
つぎに、前記フィルムコンデンサ１による雑音防止機能を考察するため、フィルムコンデンサ１を車両用のホーンＨ（本発明の警報装置に相当する）の回路に接続し、その機能の優位性について検討する。
ここで、ホーンＨの基本的な構成と回路構成について説明する。
前記ホーンＨを構成するケーシング３は有底筒状となっているが、筒奥側に細筒部３ａ、開口側に太筒部３ｂが形成されている。そして、細筒部３ａにコイルボビン３が収納、固定されるが、該コイルボビン４は、中央部に貫通孔４ａが開設された外周にコイル５が巻装される構成となっている。そして、コイルボビン４は、外径側に突出形成された取付け片部４ｂを、ケーシング細筒部３ａと太筒部３ｂとのあいだの段差部に螺子止めすることで固定されるが、該固定部には、コイル５への通電をＯＮ−ＯＦＦ切換え（断続切換え）するための固定接点６ａと可動接点７ａとがそれぞれ設けられた固定、可動接点プレート６、７の基端部がそれぞれ絶縁された状態で固定されている。
さらに、ケーシング筒底面３ｃの中央部には、固定鉄心８が筒底面３ｃの内外を貫通する状態で固定されているが、該固定鉄心８は、コイルボビン貫通孔４ａを遊嵌状に挿通し、内側端部が貫通孔４ａの中間位置にまで突出する状態で配されている。
尚、９はコイルボビン４を抜止め状に固定するための固定プレートである。
【０００９】
一方、１０はケーシング３の開口を覆蓋するダイアフラムであって、弾性を有した振動発生用部材であるダイアフラム１０は、外周縁部１０ａがケーシング３の開口側の端縁部３ｄにカシメ固定されている。前記ダイアフラム１０の中央部には前記固定鉄心８に対向する可動鉄心１１が貫通状に固定されているが、可動鉄心１１は、ダイアフラム１０の自然状態で可動鉄心１１先端部と固定鉄心８とのあいだに所定寸法のギャップＧが存するような状態で配設されている。そして、可動鉄心１１は、前記コイル５への通電がなされて固定鉄心８が磁化状態になることに伴い、ダイアフラム１０の弾性力に抗して固定鉄心８側に吸引される（移動する）ように設定されている。
また、可動鉄心１１には大径部１１ａが形成され、該大径部１１ａには前記可動接点プレート７の先端部が係合されており、可動鉄心１１が固定鉄心８側に移動したとき、可動接点プレート７先端部が固定鉄心８側に移動することで、固定接点６ａ、可動接点７ａとの当接（接続）が断たれるように設定されている。因みに、固定鉄心８と可動鉄心１１とのあいだにギャップＧが存する前記自然状態においては、固定接点６ａと可動接点７ａとは当接して、コイル５への通電を許容するように設定されている。
【００１０】
そうして、前記ホーンＨにおいて、図示しない操作具を操作することでホーンＨへの電源供給がなされた場合、固定接点６ａと可動接点７ａとを介してコイル５に通電がなされ、前述したように可動鉄心１１が固定鉄心８側に吸引、移動するが、この状態となると、可動鉄心１１とともに可動接点プレート７が固定鉄心８側に移動するため、固定接点６ａと可動接点７ａとの接続が断たれてコイル５への通電が断たれる。このコイル５への通電が断たれた状態となると、固定鉄心８が消磁されて可動鉄心１１が自然状態の位置に復帰する一方で、可動接点プレート７も自然状態位置に復帰して固定接点６ａと可動接点７ａとが再度接続状態（当接状態）となってコイル５への通電が開始し、磁化状態となった固定鉄心８が可動鉄心１１を吸引して固定接点６ａと可動接点７との接続を断つ。このように、ホーンＨは、固定接点６ａと可動接点７ａとのＯＮ−ＯＦＦ切換え（断続切換え）が繰り返しなされることで、コイル５の励磁−非励磁を繰り返してダイアフラム１０を振動せしめ、これによって警報音が発音するように構成されており、該警報音は、可動鉄心１１の外側に設けられたラッパ状の共鳴部１２において共鳴した状態で外部に放出されるように構成されている。
【００１１】
一方、前記ホーンＨの基本回路図を図３に示すが、固定接点６ａと可動接点７ａとで構成される切換え部Ｓは、ホーンＨへの通電が開始されると、前述したように繰り返しＯＮ−ＯＦＦの切換えがなされるとともに、コイル５についても繰り返し励磁−非励磁状態に切換わる。そして、これら繰り返しの作動に伴い、切換え部Ｓとコイル５との各端部間である端子Ａと端子Ｂとのあいだ、あるいは、端子Ｃと端子Ｄとのあいだに、それぞれ交流成分を含むサージ電圧が発生しており、本実施の形態では、端子Ａと端子Ｂとのあいだに発生するサージ電圧について前記フィルムコンデンサ１により吸収し、該吸収状態の結果に基づいてフィルムコンデンサ１による雑音防止機能について検討する。
【００１２】
前記回路のＡ端子とＢ端子とのあいだに接続される前記フィルムコンデンサ１は、表面側電極１ｃの集電帯２ａの面積が２０ｍｍ２になるように設定され、静電容量が１０ｎＦ（ナノファラド）に設定されている。
このように、回路のＡ端子とＢ端子とのあいだにフィルムコンデンサ１を接続した状態において、ホーンＨを駆動（発音）させたときのホーンＨ近傍に放射される放射ノイズ、そして、ホーンＨの電源回路に作用する伝導ノイズとを測定し、該測定結果を、雑音吸収状態が前記実施の形態とは異なる他の条件下におけるホーンＨの放射ノイズ、伝導ノイズを測定した測定結果と比較することにより、本発明のフィルムコンデンサ１の優位性を検討する。
【００１３】
図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれホーンＨ１の近傍の放射ノイズを測定した結果であって、放射ノイズは、周波数（ＭＨｚ：メガヘルツ）に対するノイズレベル（ｄＢ：デシベル）として示されている。これらグラフ図において、放射ノイズは、垂直方向成分と水平方向成分とに分解され、垂直方向成分については鎖線により、水平方向成分については実線によりそれぞれ表示されている。
そして、図４（Ａ）は、前述したホーンＨの回路に雑音防止素子に相当するものが接続されていない状態における放射ノイズの測定結果であり、図４（Ｂ）は、ホーンＨの回路のＡ端子とＢ端子とのあいだに、従来型のフィルムコンデンサ（静電容量：１０ｎＦ、誘電体：ポリエチレンテレフタレート、表裏の電極：アルミニウム）を接続した、所謂従来通りのノイズ（雑音）防止が図られた状態における放射ノイズの測定結果である。そして、図４（Ｃ）は、前記回路のＡ端子とＢ端子とのあいだに、雑音防止素子として本発明が実施された前述のフィルムコンデンサ１が接続されている状態における放射ノイズの測定結果である。
これらを比較すると、図４（Ａ）の雑音防止素子が何ら設けられないものに対し、図４（Ｂ）、（Ｃ）のものは、３０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの全領域においてノイズが減少していること（ノイズ吸収がなされていること）が観測される。さらに詳細には、図５のノイズレベルを平均化して対比させたグラフ図に示すように、通常のコンデンサを用いたもの（図４（Ｂ）のもの）では、雑音防止素子を設けないもの（図４（Ａ）のもの）に対し、前記周波数の領域において略１５ｄＢ程度のノイズ低下が観測され、本発明が実施されたフィルムコンデンサ１を用いたもの（図４（Ｃ）のもの）では、通常のコンデンサを用いたもの（図４（Ｂ）のもの）よりもさらに略５〜１０ｄＢ程度のノイズ低下が観測された。この結果、一方の面の電極１ｂの電気抵抗率を１０−４Ωｃｍ以上として、他方の電極１ｃの電気抵抗率の凡そ１０２〜１０３倍とすることにより、高周波域において効果的な放射ノイズの吸収が実現されたと確認できる。
【００１４】
さらに、図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれホーンＨの電源回路に作用する伝導ノイズを測定した結果であって、伝導ノイズは、周波数（ＭＨｚ）に対するノイズレベル（ｄＢ）で示されている。
そして、図６（Ａ）は、ホーンＨの回路に雑音防止素子が接続されていない状態における伝導ノイズの測定結果であり、図６（Ｂ）は、ホーンＨの回路のＡ端子とＢ端子とのあいだに、従来型のフィルムコンデンサ（静電容量：１０ｎＦ、誘電体：ポリエチレンテレフタレート、表裏の電極：アルミニウム）を接続して雑音防止した状態における伝導ノイズの測定結果である。そして、図６（Ｃ）は、回路のＡ端子とＢ端子とのあいだに、雑音防止素子として本発明が実施されたフィルムコンデンサ１が接続されている状態における伝導ノイズの測定結果である。
これらを比較すると、図６（Ａ）の雑音防止素子が何ら設けられないものに対し、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）のものでは、それぞれ１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの領域においてノイズ吸収が観測され、図７のノイズレベルを平均化して対比させたグラフ図に示すように、従来のフィルムコンデンサが設けられたもの（図６（Ｂ）のもの）では、雑音防止素子を設けないもの（図６（Ａ）のもの）に対し、前記周波数の領域において略１０ｄＢ程度のノイズ低下が観測され、さらに、本発明が実施されたフィルムコンデンサ１を設けたもの（図６（Ｃ）のもの）では、従来のフィルムコンデンサを設けたもの（図６（Ｂ）のもの）に対して略１０ｄＢ程度のさらなるノイズ低下が観測された。この結果、一方の面の電極１ｂの電気抵抗率を１０−４Ωｃｍとして、他方の電極１ｃの電気抵抗率の１０２〜１０３倍とすることにより、高周波域において効果的な伝導ノイズの吸収が実現されたと確認された。
【００１５】
つぎに、前記実施の形態において説明したフィルムコンデンサ１（誘電体：ポリエチレンテレフタレート、表の電極：カーボン、裏の電極：アルミニウム、静電容量１０ｎＦ）の周波数特性を汎用のネットワークアナライザーにより測定し、その結果を、図８（Ａ）、（Ｂ）のグラフ図に示す。
図８（Ａ）は、フィルムコンデンサ１のインピーダンス（フィルムコンデンサ１における等価抵抗）の周波数特性を示すグラフ図であり、図８（Ｂ）は、フィルムコンデンサ１の容量の周波数特性を示すグラフ図である。
これら各グラフ図より、本発明が実施されたフィルムコンデンサ１の共振周波数υ０は１０４ＭＨｚであることが確認された。
【００１６】
これに対し、前記フィルムコンデンサ１と同容量の従来型のフィルムコンデンサ（誘電体：ポリエチレンテレフタレート、表裏の電極：アルミニウム、静電容量１０ｎＦ）の周波数特性をネットワークアナライザーにより測定し、その結果を、図９（Ａ）、（Ｂ）のグラフ図に示す。
これら図９（Ａ）、（Ｂ）は、前記図８（Ａ）、（Ｂ）と同様に、前記従来型のフィルムコンデンサのインピーダンス（フィルムコンデンサにおける等価抵抗）の周波数特性と、コンデンサの容量の周波数特性を示すグラフ図である。これらのグラフ図から、従来型のフィルムコンデンサの共振周波数υ０は１４ＭＨｚであることが確認された。
【００１７】
つぎに、前記図８、９の結果に基づいて本発明が実施されたフィルムコンデンサ１と従来型のフィルムコンデンサとを比較すると、両者ともに静電容量が等しいものでありながら、本発明が実施された形態のフィルムコンデンサ１は共振周波数υ０が１０４ＭＨｚと大きくなっている。しかも、図８（Ｂ）に示すように、フィルムコンデンサ１の容量は、１ＭＨｚの周波数に対して８ｎＦ、１０ＭＨｚの周波数に対して１．３ｎＦ、そして、９０ＭＨｚの周波数に対して０．９ｎＦ、・・・というように、各周波数に対してそれぞれ変化している。このことから、フィルムコンデンサ１の容量は、共振周波数υ０（１０４ＭＨｚ）に至るまでの各周波数に対応して適宜変化しており、これによって、共振周波数υ０に至るまでのあいだの各周波数に対応したノイズ吸収を行い、もって、フィルムコンデンサ１を一つを設けるだけで、幅広い周波数におけるノイズを防止することができる。
因みに、図５、７に示すように、本発明が実施されたフィルムコンデンサ１を用いた場合、共振周波数υ０を越える高周波数域のノイズも低下しているが、これは、低周波域における任意の特定周波数の雑音を吸収することにより、該任意の特定周波数を基本周波数とし、共振周波数υ０よりも大きい周波数を有した高調波の発生が抑えられるからであり、これによって、高周波域に至る幅広い領域でのノイズ低下を果すことができる。
【００１８】
このように、フィルムコンデンサの少なくとも一方の電極の電気抵抗率を、通常の電極の電気抵抗率の１００倍以上と大きくすることで、予め設定される同じ静電容量を有した従来型のフィルムコンデンサに対し、相対的に共振周波数υ０を大きくすることができ、しかも、該大きくなった共振周波数υ０に至るまでのあいだで、周波数に対応した容量に変化する。このことから、低周波域から高周波域に至る広い周波数範囲においてノイズ防止を行う場合に、容量の異なる（共振周波数υ０の異なる）コンデンサの複数を並列に接続することなく、一つのフィルムコンデンサ１を用いることで低周波域から高周波域に至る広範囲におけるノイズ防止効果を得ることができ、コストダウンを計ることができるばかりでなく、装置の小型化を計ることができる。
【００１９】
尚、本発明は前記実施の形態に限定されないことは勿論であって、フィルムコンデンサの一対の電極を両者とも電気抵抗率の大きいもの、例えば両電極ともカーボン膜のもの、両電極ともＩＴＯ膜のもの、あるいは、一方の電極がカーボン膜で他方の電極がＩＴＯ膜のものに構成してもよく、このようにしたものでも相対的に共振周波数υ０を大きくすることができ、このような構成の場合でも、ホーン等の雑音防止を図る場合に、高周波域において効果的に機能させることができる。
図１０（Ａ）、（Ｂ）に、第二の実施の形態におけるフィルムコンデンサをネットワークアナライザーによりインピーダンスと容量との周波数特性を測定した結果のグラフ図を示す。該第二の実施の形態のフィルムコンデンサは、一対の電極を両者ともにカーボン（Ｃ）膜で構成したものとなっており、静電容量は６ｎＦ、誘電体はポリエチレンテレフタレートで構成され、表裏の電極に設けられる銀による集電帯面積はそれぞれ２０ｍｍ２になっている。そして、このものにおいて、共振周波数υ０は１２３ＭＨｚであることが測定され、この場合でも共振周波数υ０が相対的に大きくなっていることが確認された。
図１１（Ａ）は、第二の実施の形態のフィルムコンデンサを雑音防止素子として前記ホーンＨの電源回路に接続した場合における放射ノイズ（垂直方向成分および水平方向成分）の周波数に対するノイズレベル（ｄＢ）を示すグラフ図であって、第一の実施の形態と同様に、雑音防止素子を接続しない場合のノイズ状態（図４（Ａ））に比して、３０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの全域にわたって略２０〜２５ｄＢ程度のノイズ低減が観測される。
また、図１１（Ｂ）は、第二の実施の形態のフィルムコンデンサを雑音防止素子として前記ホーンＨの電源回路に接続した場合における伝導ノイズの周波数に対するノイズレベル（ｄＢ）を示すグラフ図であって、第一の実施の形態と同様に、図６（Ａ）に示すノイズ状態に比して、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ周波数域にわたって略１０〜２０ｄＢ程度のノイズ低減が観測される。
【００２０】
さらに、図１０（Ｃ）、（Ｄ）に、第三の実施の形態におけるフィルムコンデンサをネットワークアナライザーによりインピーダンスと容量との周波数特性を測定した結果のグラフ図を示す。該第三の実施の形態のフィルムコンデンサは、一対の電極を両者ともにＩＴＯ膜（金属酸化膜であって、インジウム酸化膜に酸化スズを添加したもの）で構成したものとなっており、静電容量は１０ｎＦ、誘電体はポリエチレンテレフタレートで構成され、表裏の電極に設けられる銀による集電帯面積はそれぞれ１７０ｍｍ２になっている。そして、このものにおいて、共振周波数υ０は１６５ＭＨｚであることが測定され、この場合でも共振周波数υ０が相対的に大きくなっていることが確認された。
図１２（Ａ）は、第三の実施の形態のフィルムコンデンサを雑音防止素子として前記ホーンＨの電源回路に接続した場合における放射ノイズ（垂直方向成分および水平方向成分）の周波数に対するノイズレベル（ｄＢ）を示すグラフ図であって、前記第二の実施の形態と同様に、雑音防止素子を接続しない場合のノイズ状態（図４（Ａ））に比して、３０ＭＨｚ〜１０００ＭＨｚの全域にわたって略２０〜２５ｄＢ程度のノイズ低減が観測される。
また、図１２（Ｂ）は、第二の実施の形態のフィルムコンデンサを雑音防止素子として前記ホーンＨの電源回路に接続した場合における伝導ノイズの周波数に対するノイズレベル（ｄＢ）を示すグラフ図であって、第一の実施の形態と同様に、図６（Ａ）に示すノイズ状態に比して、１ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ周波数域にわたって略１０〜２０ｄＢ程度のノイズ低減が観測され、特に、前記第一の実施の形態のものに比べて、３０ＭＨｚ以上の周波数域においてよりノイズ低減がなされていることがわかる。
【００２１】
また、第四の実施の形態として、フィルムコンデンサを、前記第二の実施の形態と同様に一対の電極を両者ともにカーボン（Ｃ）膜で構成し、該フィルムコンデンサの静電容量を６ｎＦ、誘電体はポリエチレンテレフタレート、各電極とリード線との接続部となる集電帯をカーボンよりも電気抵抗率が小さい銀としたものであるが、その面積については、第二の実施の形態のものよりも小さい３ｍｍ２に設定したものに構成されている。そして、このものにおいて、ネットワークアナライザーによりインピーダンスと容量との周波数特性を測定すると、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように２００ＭＨｚ以上の共振周波数となっていることが観測された。つまり、前記第二の実施の形態のフィルムコンデンサ（集電帯面積が２０ｍｍ２）の共振周波数υ０が１２３ＭＨｚであるのに対し、第四の実施の形態のフィルムコンデンサの共振周波数υ０は２００ＭＨｚ以上と大きくなっており、このことから、電気抵抗率の小さい集電帯の面積を適宜調整（変化）させることで、共振周波数υ０の大きさを調整（変化）できることが確認され、このようにすることで、予め必要とされる共振周波数υ０を有したフィルムコンデンサを適宜調整することができる。
尚、電極とリード線との接続材である集電帯としては、前記銀の他に、金（電気抵抗率：２．３５×１０−６Ωｃｍ）、銅（電気抵抗率：１．６７×１０−６Ωｃｍ）等を用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】フィルムコンデンサの断面図である。
【図２】ホーンの断面図である。
【図３】ホーンの基本回路を説明する回路図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれフィルムコンデンサをホーンの電源回路に接続したときのホーン近傍の放射ノイズの測定グラフ図である。
【図５】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）のデータをそれぞれ平均化したグラフ図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれフィルムコンデンサをホーンの電源回路に接続したときの伝導ノイズの測定グラフ図である。
【図７】図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）のデータをそれぞれ平均化したグラフ図である。
【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ本発明が実施されたフィルムコンデンサにおけるインピーダンスの周波数特性、容量の周波数特性を示すグラフ図である。
【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ従来型のフィルムコンデンサにおけるインピーダンスの周波数特性、容量の周波数特性を示すグラフ図である。
【図１０】図１０（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ第二の実施の形態のフィルムコンデンサにおけるインピーダンスの周波数特性、容量の周波数特性を示すグラフ図、図１０（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ第三の実施の形態のフィルムコンデンサにおけるインピーダンスの周波数特性、容量の周波数特性を示すグラフ図である。
【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ第二の実施の形態のフィルムコンデンサをホーンの電源回路に接続したときの放射ノイズを測定したグラフ図、伝導ノイズを測定したグラフ図である。
【図１２】図１２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ第三の実施の形態のフィルムコンデンサをホーンの電源回路に接続したときの放射ノイズを測定したグラフ図、伝導ノイズを測定したグラフ図である。
【図１３】図１３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ第四の実施の形態のフィルムコンデンサにおけるインピーダンスの周波数特性、容量の周波数特性を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１    フィルムコンデンサ
１ａ    誘電体
１ｂ    電極
２    リード線
２ａ    集電帯
７ａ    可動接点
１０    ダイアフラム
１１    可動鉄心
Ｈ    ホーン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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