(57)【要約】【課題】隣接する画素間での光の混色を防止し、高コントラストで高精細な有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】透明基板３０の表面全体に微細な凹凸３５を形成する。各画素の発光層１６より射出され、直接又は対向電極３３に反射された後に透明基板３０に入射する光のうち、透明基板３０の内面で反射され透明基板３０内を伝わる光は凹凸３５により乱反射されるため、発光層１６からの光が隣接する画素内に漏れることがなく、コントラストの低下を防止することができる。【選択図】      図１
2004362938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に形成される画素電極と、前記画素電極上に形成される発光層と、前記発光層上に前記画素電極に対向して設けられる対向電極と、を有する画素が、前記透明基板の裏面にマトリクス状に配置され、前記画素電極側より前記発光層からの光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記透明基板の表面に凹凸が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
基板上に形成される画素電極と、前記画素電極上に形成される発光層と、前記発光層上に前記画素電極に対向して設けられる透明対向電極と、を有する画素が、前記透明対向電極上に設けられる透明封止部材との間にマトリクス状に配置され、前記透明対向電極側より前記発光層からの光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記透明封止部材の表面に凹凸が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記凹凸は、前記透明基板若しくは前記透明封止部材の表面の隣接する前記画素間に形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記凹凸の深さが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記凹凸を、前記透明基板又は前記透明封止部材の表面をエッチング処理することにより形成することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリクス状に配置した有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものである
。
【従来の技術】
近年、フラットパネルディスプレイとして携帯電話から大型テレビに至るまでＬＣＤが広く用いられている。しかしＬＣＤは自発光型ではないため視野角が狭く、バックライトなどの光源を必要とするため低消費電力化にも限界があった。
そこでＬＣＤに代わる表示装置として、例えば有機ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ（エレクトロルミネッセンス）（以下、有機ＥＬという）を用いた自発光型の表示装置が研究されている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に設けられた有機ＥＬ層に電流を供給することでＥＬ層を発光させる自発光型であり、ＬＣＤのようにバックライトなどが不要であることから、薄型化、小型化、低消費電力化などの観点で優れており、フラットパネルディスプレイの主流として期待されている。
【０００２】
有機ＥＬを用いた表示装置は有機ＥＬ素子を備えた画素をマトリクス状に配置し、各有機ＥＬ素子を駆動して発光させて画像表示を行う。この駆動方式としてアクティブマトリクス方式を用いた場合、各画素に薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を設けて各画素を独立して駆動できるため、高精細で高輝度な表示を得ることができ、さらに高効率な発光特性が得られ、低消費電力化を実現することが可能となる。この表示装置では、画素毎に、一対の電極により発光層を挟み込んだ有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子の一方の電極に電流を供給する駆動用ＴＦＴと、この駆動用ＴＦＴの動作を制御する制御用ＴＦＴを設けている。
【０００３】
従来の有機ＥＬ表示装置の画素構造を図７を参照して説明する。表示領域ではゲート信号線２とソース信号線３がマトリクス状に配線され、ゲート信号線２とソース信号線３で囲まれた部分に画素７が形成される。各画素７内には発光層１６に有機ＥＬを用いた有機ＥＬ素子１が設けられ、この有機ＥＬ素子１に電流供給線４からの電流を供給する駆動用ＴＦＴ５と、駆動用ＴＦＴ５のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御用ＴＦＴ６がそれぞれ形成されている。そして電流供給線４から有機ＥＬ素子１に電流を供給すると発光層１６がそれぞれの色で発光し、電流値を制御することで輝度の調整ができる。
【０００４】
電流供給線４はそれぞれ画素７のＲ、Ｇ、Ｂに対応して３本設けられ、Ｒ用電流供給線４Ｒは赤色の発光層１６（Ｒ）を有する有機ＥＬ素子１に、Ｇ用電流供給線４Ｇは緑色の発光層１６（Ｇ）を有する有機ＥＬ素子１に、Ｂ用電流供給線４Ｂは青色の発光層１６（Ｂ）を有する有機ＥＬ素子１にそれぞれ接続する。有機ＥＬ素子１は発光材料によって発する色が異なるが、それと同時にその発光効率が異なるため、色毎に電流供給線４を設け、それぞれの色に適した電流を供給することで最適なフルカラー表示が可能になる
これを１つの画素についてみると、図８に示すように、Ｎチャネル型薄膜トランジスタ（以下ＮチャネルＴＦＴという）で構成される制御用ＴＦＴ６のゲート電極１３にはゲート信号線２が接続されている。一方、制御用ＴＦＴ６のソース電極１１はソース信号線３に接続され、ドレイン電極１２はＰチャネルＴＦＴで構成される駆動用ＴＦＴ５に接続されている。そして、この駆動用ＴＦＴ５のソース電極８は電流供給線４に接続され、ドレイン電極９は有機ＥＬ素子１に接続されている。また、駆動用ＴＦＴ５のゲート電極１０には、他端が電流供給線４に接続された保持容量３４が形成されている。
【０００５】
ある特定の画素の有機ＥＬ素子１を発光させるためには、走査信号をゲート信号線２に流し、データ信号をソース信号線３に流すことで、両信号線が平面的に見て交差する部分に配置された制御用ＴＦＴ６のソース電極１１にデータ信号が、ゲート電極１３に走査信号が供給される。このようにして制御用ＴＦＴ６がＯＮすると、このドレイン電極１２にゲート電極１０が接続された駆動用ＴＦＴ５がＯＮになり、電流供給線４から駆動用ＴＦＴ５のソース電極８とドレイン電極９を介して有機ＥＬ素子１に電流が供給されて有機ＥＬ素子１が発光する。
【０００６】
制御用ＴＦＴ６と駆動用ＴＦＴ５の間には保持容量３４が存在し、保持容量３４は一方の電極を電流供給線４で、他方の電極をドレイン電極１２と同時形成される補助電極で形成する。そして走査信号がＬＯＷレベルになって制御用ＴＦＴ６がＯＦＦになっても、駆動用ＴＦＴ５のゲート電位は保持容量３４により所定の時間保持され、有機ＥＬ素子１の発光が続く。
【０００７】
次に有機ＥＬ素子１周辺の構造について説明する。図９は従来の有機ＥＬ表示装置の画素部分の構造を示す断面図（図７のＤ−Ｄ断面図）である。透明基板３０上に、ＳｉＮｘ（窒化シリコン）からなるゲート絶縁膜３１が積層され、ゲート絶縁膜３１上にはソース信号線３が形成される。さらにＳｉＮｘからなる絶縁膜３２がソース信号線３を覆うようにゲート絶縁膜３１上に積層される。絶縁膜３２上にはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）からなる透明電極が積層され、この透明電極をフォトリソグラフィ法によりパターニングして楕円形状の画素電極１４が形成される。１５はＳｉＯ２（酸化シリコン）からなる保護膜であり、絶縁膜３２上に形成され、有機ＥＬ素子１の画素電極１４の周縁部分に重なっている。つまり保護膜１５は画素電極１４の周縁部分を覆っているが、画素電極１４の中央部分を含む大部分で取除かれている。
【０００８】
１７は保護膜１５上に形成されたノボラック樹脂からなるバンク層であり、保護膜１５や絶縁膜３２よりも厚く形成される。このバンク層１７で囲まれた領域内に発光材料である有機ＥＬが塗布されるため、バンク層１７は画素電極１４の外縁に沿って画素電極１４を囲むように形成される。なおバンク層１７は絶縁体であればよく、ノボラック樹脂以外の有機樹脂または無機樹脂で形成してもよい。
【０００９】
画素電極１４上には各画素の色に対応した発光材料がインクジェット方式により塗布され、バンク層１７で囲まれた領域内にたまる。この発光材料には有機ＥＬが用いられ、例えば共役高分子前駆体が用いられる場合、加熱処理により発光材料が高分子化し、画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光層１６が形成される。
【００１０】
３３はＡｌやＣｒから成る対向電極であり、発光層１６上に積層される。対向電極３３は表示領域全体に形成され、所定の電圧が供給されている。この対向電極３３を金属層で構成すれば発光層１６による発光が可能になるため、対向電極３３をＡｌやＣｒ以外の金属で形成してもよいが、この例のように対向電極３３をＡｌやＣｒのような光反射率の高い金属層で構成すれば、発光層１６からの光を効率よく表示に利用することができ、更に高輝度な表示を実現できる。画素電極１４にしきい値以上の電流が供給されると発光層１６が発光し、その光を透明基板３０側から観察することができる。
【００１１】
このような有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素同士の混色により、表示装置のコントラストが低下してしまうという問題がある。
【００１２】
すなわち、任意の画素を構成する発光層１６から発せられる光が直接又は対向電極３３に反射された後に透明基板３０側に射出される際、透明基板３０に入射した光が内面で反射されて隣接する画素内に漏れることにより混色が発生し、コントラストが低下してしまう。
【００１３】
このような問題点を解決するため、隣接する画素間へ漏れ出てくる光を遮光する方法が提案されており、特許文献１においては、図９に示す画素電極１４の間に絶縁性の光吸収層を設ける方法が開示されている。また、特許文献２においては、隣接する各画素間に遮光部材を配置する方法が開示されている。
【００１４】
【特許文献１】
特開平７―１０６０６７号公報
【００１５】
【特許文献２】
特開２００２―２９９０４４号公報
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献１、２に記載の方法は、いずれも各画素から発せられた光が透明基板に入射する前に遮光するものであるため、透明基板に入射した後の光については有効なものとならない。また光吸収層や遮光部材によって有効表示面積が狭くなり、全体として表示が暗くなってしまう。
【００１７】
本発明は、上記の問題点に鑑み、明るさの低下を伴わずに隣接する画素間での光の混色を防止し、高コントラストで高精細な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するため、本発明は、透明基板上に形成される画素電極と、前記画素電極上に形成される発光層と、前記発光層上に前記画素電極に対向して設けられる対向電極と、を有する画素が、前記透明基板の裏面にマトリクス状に配置され、前記画素電極側より前記発光層からの光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記透明基板の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００１９】
この構成によると、透明基板の内面で反射する光を透明基板の表面に形成される凹凸により乱反射させ、隣接する画素間への漏出を防止するため、画素間に光吸収材や遮光部材を設ける方法に比べて有効表示面積が減少せず、表示装置の明るさを低下させることなく画素間での光の混色を防止し、コントラストを向上させることができる。
【００２０】
また、各画素内に存在する駆動用ＴＦＴ及び制御用ＴＦＴは、隣接する画素からの光がこれらのＴＦＴの半導体層に入射した場合に光リークが生じ、所定の電流を有機ＥＬ素子に供給できなくなる。そのため実際の表示状態が再現しようとする表示信号に応じた表示状態と異なることになり、表示品位が低下してしまうことがあるが、このような光リークによる表示品位の低下も防ぐことができる。
【００２１】
さらに、透明基板の表面に凹凸を設けることにより、外部光の表示装置表面での反射が抑制されるため、任意の角度から表示装置が見やすくなり、視野角を広げる効果も有する。
【００２２】
また、本発明は、基板上に形成される画素電極と、前記画素電極上に形成される発光層と、前記発光層上に前記画素電極に対向して設けられる透明対向電極と、を有する画素が、前記透明対向電極上に設けられる透明封止部材との間にマトリクス状に配置され、前記透明対向電極側より前記発光層からの光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記透明封止部材の表面の少なくとも一部に凹凸が形成されていることを特徴とする。
【００２３】
この構成によると、発光層からの光を対向電極側より射出する構成のエレクトロルミネッセンス表示装置においても、表示装置の明るさを低下させることなく画素間での光の混色や、ＴＦＴの光リークによるコントラストの低下を防止し、表示品位を向上させることができる。
【００２４】
また本発明は、上記構成のエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記凹凸は、前記透明基板若しくは前記透明封止部材の表面の隣接する前記画素間に形成されることとした。
【００２５】
この構成によると、任意の画素を構成する発光層から発せられる光が隣接する画素内に入射することによる画素間での光の混色を、より効果的に防止することができる。
【００２６】
また本発明は、上記構成のエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記凹凸の深さが１００μｍ以下であることとした。
【００２７】
基板表面に形成される凹凸の深さが深くなると、表示装置の視認性に影響を及ぼす可能性があるが、この構成によると、表面の凹凸により表示装置の視認性を低下させずに高コントラスト化が可能となる。
【００２８】
また本発明は、上記構成のエレクトロルミネッセンス表示パネルの凹凸を、前記透明基板又は前記透明封止部材の表面のエッチング処理により形成することとした。
【００２９】
この構成によると、簡単なエッチング処理により透明基板又は透明封止部材の表面に凹凸を形成することができるため、製造コストも低く、高コントラストで表示品位の高いエレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の第１実施形態を図面を参照して説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ素子の構造を示す概略図であり、図９に示す従来の有機ＥＬ素子を改良したものである。図９と同一の部位には同一の符号を付して説明は省略する。なお、ここでは透明基板としてガラス基板を用いている。
【００３１】
本実施形態においては、エッチング処理によって透明基板３０の表面全体に微細な凹凸３５を形成している。このため、各画素の発光層１６より射出され、直接又は対向電極３３に反射された後に透明基板３０に入射する光のうち、透明基板３０の表面内側で反射され透明基板３０内を伝わる光は凹凸３５により乱反射されるため、発光層１６からの光の隣接する画素内への漏れが抑制され、コントラストの低下を防止することができる。
【００３２】
発光層１６より射出された光の透明基板３０内での反射の様子を図２に示す。
なお、ここでは説明の便宜のため透明基板３０のみ示しており、発光層１６、画素電極１４，バンク層１７などは記載を省略する。従来のように透明基板３０の表面に凹凸３５を設けない場合、図２（ａ）に示すように各画素内の発光層１６から射出された光の一部は、透明基板３０の内面で反射を繰り返しながら隣接する画素に入射する。一方、図２（ｂ）に示すように表面に凹凸３５を形成した場合、透明基板３０の内面で反射される一部の光は凹凸３５により乱反射され、隣接する画素に到達することなく透明基板３０から出射し、あるいは隣接する画素に到達するまでに減衰されるため、混色によるコントラスト低下が抑制される。
【００３３】
透明基板３０とゲート絶縁膜３１との境界、及びゲート絶縁膜３１と絶縁膜３２との境界においても、発光層１６から射出される光の反射は生じるが、ゲート絶縁膜３１及び絶縁膜３２の膜厚が透明基板３０に比べて薄いため、これらの反射光は光の干渉により緩和される。したがって、透明基板３０の表面に凹凸を形成するだけで、隣接する画素への反射光の侵入を有効に防止することが可能となる。
【００３４】
また、画素内においては、制御関係の素子や配線が配置される領域をできる限り小さくして有機ＥＬ素子１の発光領域をできる限り大きくとるようにしているため、図７に示すように制御用ＴＦＴ６は隣接する画素７の発光層１６の近傍に配置されている。これにより発光層１６からの光が隣接する画素７の制御用ＴＦＴ６の半導体層に入射しやすくなる。各画素７内に存在する駆動用ＴＦＴ５及び制御用ＴＦＴ６は、隣接する画素７からの光がこれらのＴＦＴの半導体層に入射した場合に光リークが生じ、所定の電流を発光層１６に供給できなくなる。そのため実際の表示状態が再現しようとする表示信号に応じた表示状態と異なることになり、表示品位が低下してしまうことがあるが、透明基板３０の表面に微細な凹凸３５を設けることにより、このような光リークによる表示品位の低下も防ぐことができる。
【００３５】
さらに、有機ＥＬ表示装置においては、対向電極にＡｌ等の光反射率の高い金属を通常用いるために、外光の写り込みが非常に激しくなる。したがって透明基板３０の表面がフラットな場合、表示装置の画面が視認しにくいという問題が生じるが、透明基板の表面の微細な凹凸により表示装置表面に入射する外部光が散乱されるため、表示装置を見やすくする効果も期待できる。
【００３６】
透明基板３０の表面に形成される凹凸３５の形状は、本実施形態においては断面が三角形の溝状としたが、図３（ａ）に示すような微細な凹凸が連続するような形状や、図３（ｂ）に示すような曲面形状であっても良く、透明基板３０の内面で反射される発光層１６からの光を散乱させることができるものであれば任意の形状を選択可能である。
【００３７】
また、凹凸３５の深さについても特に制限はないが、凹凸が深いほど透明基板３０の内面で反射される光を散乱させる効果は大きくなる反面、凹凸により表示装置の視認性が悪くなってしまったり、透明基板３０が割れ易くなったりする恐れがある。したがって凹凸の深さを１００μｍ以下とすることにより、視認性に影響を及ぼすことなく画素間の混色を防止することができるのでより好ましい。
【００３８】
また、凹凸３５を形成する方法としては、エッチング処理の他、物理的に透明基板３０の表面に微細な傷をつける方法なども可能であるが、透明基板３０がガラス製の場合、製造面の容易さやコスト等を考慮すると、エッチング処理が好ましい。エッチング処理の方法としては、ウエットエッチング及びドライエッチングのいずれも用いることができ、エッチング液やエッチングガスも、ガラスをエッチング可能なものであれば任意に選択可能である。
【００３９】
次に本発明の第２実施形態を図面を参照して説明する。図４は本実施形態の有機ＥＬ素子の構造を示す概略図である。従来例である図９と同一の部位には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４０】
本実施形態においては、第１実施形態とは異なり、凹凸３５は透明基板３０の全面ではなく、マトリクスの行方向に隣接する画素間のみに形成されている。図７に示すような画素構造の場合、有機ＥＬ素子１の列方向には駆動用ＴＦＴ５や電流供給線４等が存在するため、画素７は列方向に比べ行方向に隣接する画素７とより接近している。よって、発光層１６からの光は行方向に隣接する画素７に漏れやすく、凹凸３５も行方向の隣接する画素７間に形成するのが好ましい。
【００４１】
この場合、凹凸３５は透明基板３０の表面全体に形成されないため、凹凸の深さを１００μｍ以上としても表示装置の視認性に影響を与えることなく効果的に光の混色を防止することができる。このような透明基板３０は、ガラス基板をエッチング処理する場合、基板を所望のパターンにマスキングすることにより凹凸３５を形成しない部分を残して製造することができる。
【００４２】
なお、本実施形態においては、凹凸３５はマトリクスの行方向に隣接する各画素間に形成されることとしたが、マトリクスの列方向に隣接する各画素間のみに形成しても良く、マトリクス状に配置された各画素間に格子状に形成しても良い。凹凸３５を格子状に形成した場合は、行方向及び列方向に隣接する各画素への光の漏れを防ぐことができるため、混色によるコントラスト低下をより効果的に防止できる。
【００４３】
また、第１実施形態においても、凹凸３５の深さが視認性に影響を及ぼすのは、主に凹凸３５が各画素上に存在する場合であるため、各画素上に形成する凹凸３５の深さと、隣接する画素間に形成する凹凸３５の深さを変えることによって、混色を効果的に防止し、且つ視認性にも優れた表示装置とすることができる。
図５は本発明の第３実施形態である有機ＥＬ素子の構造を示す概略図であり、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素間に形成する凹凸３５の深さを各画素上に形成する凹凸３５の深さよりも深く形成している。
【００４４】
このような透明基板３０は、ガラス製の場合以下のようにして製造される。すなわち、ガラス基板の表面の各画素に対応する位置をマトリクス状にマスキングし、隣接する画素間を格子状にエッチング処理を行う。その後、マスキングを除去してガラス基板の表面全体を再度エッチング処理することにより、隣接する画素間に形成する凹凸３５の深さを各画素上に形成する凹凸３５の深さよりも深く形成し、混色の防止効果と視認性を兼備させる。この場合、各画素上に形成する凹凸３５の深さは１００μｍ以下とするのが好ましい。
【００４５】
次に本発明の第４実施形態を図面を参照して説明する。図６は本実施形態の有機ＥＬ素子の構造を示す概略図である。本実施形態においては、対向電極を透明電極により形成し、対向電極上に透明封止部材を設け、発光層からの光を対向電極側より射出する構成となっている。従来例である図９と同一の部位には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４６】
図６において、対向電極３３の上にはエポキシ樹脂等からなる接着樹脂層３６が積層され、さらに裏面を形成するガラス製の透明封止部材３７で覆われている。本実施形態においては、対向電極３３は発光層１６から発せられる光を透過する必要があるため、ＩＴＯやＩＺＯからなる透明電極が用いられる。透明封止部材３７の表面全体には微細な凹凸３５が形成されており、図２と同様の原理により各画素の発光層１６より射出され、対向電極３３を透過して透明封止部材３７に入射する光のうち、透明封止部材３７の内面で反射され透明封止部材３７内を伝わる光は凹凸３５により乱反射されるため、発光層１６からの光が隣接する画素内に漏れることがなく、コントラストの低下を防止することができる。
【００４７】
また、第１実施形態と同様に凹凸３５の形状は特に制限はなく、図３に示すような形状を任意に選択可能である。凹凸３５の深さについても１００μｍ以下とすることにより、視認性に影響を及ぼすことなく画素間の混色を防止することができる。
【００４８】
また、本実施形態においては凹凸３５を透明封止部材３７の表面全体に形成したが、図４と同様にマトリクスの行方向又は列方向に隣接する画素間のみに形成しても良く、マトリクス状に配置された各画素間に格子状に形成しても良い。この場合、凹凸３５の深さについては第１実施形態と同様に視認性に影響を与えない範囲で任意に設定可能である。さらに第３実施形態のように隣接する画素間に形成される凹凸３５を各画素上に形成される凹凸３５よりも深く形成することも可能である。
【００４９】
上記の各実施形態においては、透明基板及び透明封止部材にガラスを用いる例についてのみ説明したが、透明基板及び透明封止部材の材料はガラスに限定されるものではなく、透明樹脂などの光を透過する任意の材料を使用できるのはもちろんである。透明樹脂を用いた場合には、樹脂を成型する過程において表面に凹凸を形成することも可能である。
【００５０】
また、本発明は、光吸収材や遮光部材を用いる他の混色防止手段と併用することも可能である。
【００５１】
また、カラー化の方式として、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）３色の発光層を形成する方式や、白色発光層を形成しカラーフィルタをつける方式等いずれの方式のものであってもよい。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によると、透明基板上に形成される画素電極と、前記画素電極上に形成される発光層と、前記発光層上に前記画素電極に対向して設けられる対向電極と、を有する画素が、前記透明基板の裏面にマトリクス状に配置され、前記画素電極側より前記発光層からの光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記透明基板の表面に凹凸が形成されているため、画素間に光吸収材や遮光部材を設ける方法に比べ、表示装置の明るさを低下させることなくコントラストを向上させることができる。
【００５３】
また、各画素内に存在する駆動用ＴＦＴ及び制御用ＴＦＴの光リークによる表示品位の低下も防ぐことができる。さらに、透明基板の表面に凹凸を設けることにより表示装置表面での外部光の反射が防止されるため、任意の角度から表示装置を見やすくなり、視野角が広くなる。
【００５４】
また、本発明によると、基板上に形成される画素電極と、前記画素電極上に形成される発光層と、前記発光層上に前記画素電極に対向して設けられる透明対向電極と、を有する画素が、前記透明対向電極上に設けられる透明封止部材との間にマトリクス状に配置され、前記透明対向電極側より前記発光層からの光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記透明封止部材の表面に凹凸が形成されているため、発光層からの光を対向電極側から射出する構成のエレクトロルミネッセンス表示装置においても、表示装置の明るさを低下させることなくコントラストを向上させることができる。
【００５５】
また、前記凹凸を、前記透明基板若しくは前記透明封止部材の表面の隣接する前記画素間に形成することとしたので、隣接する画素への光の漏れをより効果的に防止することができる。
【００５６】
また、前記凹凸の深さが１００μｍ以下であることとしたので、表面の凹凸により表示装置の視認性を低下させずに高コントラスト化が可能となる。
【００５７】
また、前記凹凸を、透明基板又は透明封止部材の表面をエッチング処理することにより形成することとしたので、製造コストも低く、高コントラストで表示品位の高いエレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態である有機ＥＬ表示装置の画素部分の構成を示す概略断面図である。
【図２】発光層からの光が透明基板内面で反射される様子を示す模式図である。
【図３】本実施形態の透明基板上に形成される凹凸の他のパターンを示す模式図である。
【図４】本発明の第２実施形態である有機ＥＬ表示装置の画素部分の構成を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態である有機ＥＬ表示装置の画素部分の構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態である有機ＥＬ表示装置の画素部分の構成を示す概略断面図である。
【図７】従来の有機ＥＬ表示装置の画素部分の構成を示す概略平面図である。
【図８】有機ＥＬ表示装置の画素部分の回路図である。
【図９】従来の有機ＥＬ表示装置の画素部分の構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１．  有機ＥＬ素子
４．  電流供給線
５．  駆動用ＴＦＴ
６．  制御用ＴＦＴ
７．  画素
１４．画素電極
１６．発光層
１７．バンク層
３０．透明基板
３３．対向電極
３５．凹凸
３６．接着樹脂層
３７．透明封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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