(57)【要約】【課題】複数本のインナリードを複数個のバンプに一括して熱圧着する。【解決手段】複数本のインナリード２５を複数個のバンプ１５に一括して熱圧着するに際して、ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具５１のタッチ速度６１、初期荷重印加速度６４、初期荷重サーチ速度６５、荷重変更速度６８、第二荷重サーチ速度６９、荷重低減速度７３および第二ボンディング工具上昇速度７５を制御する。【効果】インナリードとバンプとの共晶接合強度を高めることができるので、４４４ピンで５０μｍというような多ピンで狭ピッチのＣＯＦ・ＩＣの場合であっても適正にギャングボンディングすることができる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの複数個の電極パッドがキャリアに敷設された複数本のインナリードにボンディング工具によって一括して熱圧着されるボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具のタッチ速度、初期荷重印加速度、荷重低減速度およびリリース速度が制御されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体チップの複数個の電極パッドがキャリアに敷設された複数本のインナリードにボンディング工具によって一括して熱圧着されるボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具のタッチ速度、荷重低減速度およびリリース速度が制御されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体チップの複数個の電極パッドがキャリアに敷設された複数本のインナリードにボンディング工具によって一括して熱圧着されるボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具のタッチ速度、初期荷重印加速度、荷重変更速度、第二荷重サーチ速度、荷重低減速度およびリリース速度が制御されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体チップの複数個の電極パッドがキャリアに敷設された複数本のインナリードにボンディング工具によって一括して熱圧着されるボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具のタッチ速度、初期荷重印加速度、初期荷重サーチ速度、荷重変更速度、第二荷重サーチ速度、荷重低減速度およびリリース速度が制御されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体装置がＣＯＦ・ＩＣであることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術、特に、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた半導体チップ（以下、チップという。）の電極パッドにキャリアに敷設されたインナリードをボンディングするボンディング技術に関し、例えば、チップ・オン・フィルム・パッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ  Ｐａｃｋａｇｅ）を備えた半導体集積回路装置（以下、ＣＯＦ・ＩＣという。）の製造方法に利用して有効なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置のドライバには、フィルム状のキャリアに敷設された複数本のインナリードがチップの複数個の電極パッドにボンディングされたＣＯＦ・ＩＣが、使用されている。
【０００３】
ＣＯＦ・ＩＣの製造方法においてインナリードをチップの電極パッドにボンディングするインナリードボンディング工程を実施するボンディング装置として、多数本のインナリードをチップの多数個の電極パッドにボンディング工具によって一括して接合するインナリードボンディング装置（以下、ダイボンダという。）、がある（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
「電子材料１９９９年１１月号別冊」，株式会社工業調査会，１９９９年１１月２５日，ｐ．１１５−１２０
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したダイボンダにおいて、ＣＯＦ・ＩＣを製造する場合にはテープの熱膨張と熱収縮とによって、電極パッドとインナリードとの圧接強度が低下するという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。
【０００６】
本発明の目的は、インナリードを電極パッドに適正にボンディングすることができるボンディング技術を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【０００９】
すなわち、半導体チップの複数個の電極パッドがキャリアに敷設された複数本のインナリードにボンディング工具によって一括して熱圧着されるボンディング工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具のタッチ速度、初期荷重印加速度、初期荷重サーチ速度、荷重変更速度、第二荷重サーチ速度、荷重低減速度およびリリース速度が制御されることを特徴とする。
【００１０】
前記した手段によれば、インナリードとバンプとの圧接強度を高めることができるので、４４４ピンで５０μｍというような多ピンで狭ピッチの場合であっても適正にギャングボンディングすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に即して説明する。
【００１２】
本実施の形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法はＣＯＦ・ＩＣの製造方法として構成されており、その特徴工程であるインナリードボンディング工程は、図１に示されたチップ１０を図２に示されたキャリアテープ２０にインナリードボンディングする図３に示されたダイボンダ３０によって実施される。
【００１３】
ダイボンダの一方のワークであるチップ１０は、ＣＯＦ・ＩＣの製造方法における所謂前工程において半導体ウエハの状態で集積回路を作り込まれた後に、図１に示されているように、長方形の平板形状に切り出されてダイボンダ３０に供給される。すなわち、チップ１０のサブストレート１１のアクティブエリア側主面（以下、第一主面という。）１２には、集積回路を外部に取り出すための電極パッド１３が複数個、長辺側の両端部において互いに干渉しない適当な間隔をとってそれぞれ配列されて開設されている。チップ１０の第一主面１２の上にはパッシベーション膜１４が、電極パッド（以下、パッドという。）１３をそれぞれ露出させた状態で全体的に均一に被着されている。各パッド１３の上には金系材料（ＡｕまたはＡｕ合金）からなるバンプ１５がそれぞれ突設されている。バンプ１５はワイヤボンディング技術が使用されて略半球形状に形成されており、パッシベーション膜１４から突出した状態になっている。
【００１４】
本実施の形態に係るＣＯＦ・ＩＣの製造方法に使用されるダイボンダ３０には、他方のワークとして図２に示されたキャリアテープ２０が供給される。キャリアテープ２０はＴＣＰ・ＩＣ（テープ・キャリア・パッケージを備えたＩＣ）の製造方法に使用されるＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディング）テープに相当するものである。キャリアテープ２０は同一パターンが長手方向に繰り返されるように構成されているため、その構成の説明および図示は一単位だけについて行う。
【００１５】
図２に示されているように、キャリアテープ２０はポリイミド樹脂等の絶縁性を有する材料が用いられてテープ形状に形成されたテープ本体２１を備えており、テープ本体２１には多数個の送り孔２２が両端辺に沿うように所定の間隔で配列されている。テープ本体２１の中心線上には仮想的に形成された略長方形のボンディングエリア２３が多数個、所定の間隔をもって配列されており、各ボンディングエリア２３は長軸方向がテープ本体２１の中心線に直交されている。ボンディングエリア２３の左右の両脇には左右で一対のアウタリードホール２４、２４が左右対称形にそれぞれ開設されている。テープ本体２１の一方の主面（以下、第一主面とする。）には集積回路を外部に取り出すためのインナリード２５が複数本、互いに電気的に非接続になるように敷設されている。インナリード２５群は複数本宛がボンディングエリア２３の左右に分配されており、左右のインナリード２５、２５の先端部はボンディングエリア２３に突き出してチップ１０のパッド１３と対応するように配列されている。インナリード２５の外側には各アウタリード２６がそれぞれ一体的に形成されており、各アウタリード２６はテープ本体２１の左右のアウタリードホール２４、２４をそれぞれ跨ぐように形成されている。インナリード２５およびアウタリード２６の表面には錫メッキ被膜が部分的または全体的に被着されている。
【００１６】
図３に示されているように、ダイボンダ３０はキャリアテープ２０を一方向に案内する複数個のテープガイド３１を備えており、複数個のテープガイド３１の間に架橋されたキャリアテープ２０は、ピッチ送り装置（図示せず）によって一方向にピッチ送りされるようになっている。所定の位置において隣り合うテープガイド３１、３１の途中にはボンディングステーション３２が設定されており、ボンディングステーション３２にはキャリアテープ２０をクランピングする上クランパ３３Ａおよび下クランパ３３Ｂが設置されている。また、ボンディングステーション３２にはヒートブロック３４が設置されており、ヒートブロック３４の上には第一ボンディング工具３５が設置されている。第一ボンディング工具３５はチップ１０をバンプ１５側が上向きになった状態で保持するように構成されている。ヒートブロック３４は断熱ブロック３６を介してＺテーブル３７に支持されており、Ｚテーブル３７は第一ボンディング工具３５を垂直（Ｚ）方向に昇降させるように構成されている。Ｚテーブル３７はΘテーブル３８に支持されており、Θテーブル３８はＺテーブル３７を水平面内で回転させるように構成されている。Θテーブル３８はＸテーブル３９に支持されており、Ｘテーブル３９はΘテーブル３８を水平面内でキャリアテープ２０の送り方向（Ｙ方向）と直交する方向であるＸ方向に往復移動させるように構成されている。Ｘテーブル３９はＹテーブル４０に支持されており、Ｙテーブル４０はＸテーブル３９を水平面内でキャリアテープ２０の送り方向であるＹ方向に往復移動させるように構成されている。
【００１７】
ボンディングステーション３２の上方には上側Ｙテーブル４１が水平に設置されており、上側Ｙテーブル４１の上には上側Ｘテーブル４２が支持されている。上側Ｙテーブル４１は上側Ｘテーブル４２を水平面内でＹ方向に往復移動させるように構成されている。上側Ｘテーブル４２のボンディングステーション３２に面する側面にはブラケット４３が垂直に支持されており、上側Ｘテーブル４２はブラケット４３を水平面内でＸ方向に往復移動させるように構成されている。ブラケット４３のボンディングステーション３２に面する側面の上端部には、荷重印加装置４４が設置されており、荷重印加装置４４にはロードセル４５、工具平坦度Θｙ調整部４６、工具平坦度Θｘ調整部４７、工具平坦度Θ調整部４８、断熱部４９および保持部５０を介して第二ボンディング工具５１が連結されている。荷重印加装置４４は送りねじ軸装置によって第二ボンディング工具５１に荷重を印加するように構成されており、ロードセル４５は荷重印加装置４４をフィードバック制御するように構成されている。第二ボンディング工具５１はボンディングエリア２３に対応する長方形の棒形状に形成されており、第二ボンディング工具５１にはヒータ（図示せず）が内蔵されている。図示しないが、ブラケット４３には画像認識装置が垂直方向下向きに設置されている。また、各テーブルや荷重印加装置４４はコントローラによって制御されるように構成されている。
【００１８】
以上の構成に係るダイボンダ３０によるＣＯＦ・ＩＣの製造方法におけるインナリードボンディング工程を説明する。
【００１９】
チップ１０がキャリアテープ２０にインナリードボンディングされるに際して、図３に示されているように、一方のワークであるキャリアテープ２０はインナリード２５側の第一主面が下向きに配置された状態で、複数個のテープガイド３１間に張設されて一方向にピッチ送りされる。他方のワークであるチップ１０はバンプ１５側の第一主面を上向きにした状態で第一ボンディング工具３５に保持される。
【００２０】
キャリアテープ２０が間欠停止されて上クランパ３３Ａと下クランパ３３Ｂとによってクランピングされると、図４（ａ）に示されているように、チップ１０のパッド１３に突設されたバンプ１５がキャリアテープ２０のボンディングエリア２３に対向してインナリード２５の先端部に整合されるとともに、第一ボンディング工具３５が上昇される。
【００２１】
この状態で、図４（ｂ）に示されているように、第二ボンディング工具５１が荷重印加装置４４によって下降されると、各バンプ１５は各インナリード２５の先端部に第一ボンディング工具３５と第二ボンディング工具５１とによって一括して熱圧着される。すなわち、インナリード２５の表面に被着された錫メッキ被膜と、金系材料から構成されたバンプ１５との間において、金−錫共晶層が形成されるため、各パッド１３と各インナリード２５とはバンプ１５によって機械的かつ電気的に接続された状態になる。
【００２２】
第一ボンディング工具３５と第二ボンディング工具５１との協働によるギャングボンディングが終了すると、図４（ｃ）に示されているように、第二ボンディング工具５１は上昇される。続いて、図４（ｄ）に示されているように、第一ボンディング工具３５が下降される。
【００２３】
以降、キャリアテープ２０の各単位毎にインナリードボンディングが、前記作動が繰り返されることにより順次実施されて行く。
【００２４】
インナリードボンディング工程が終了すると、図５に示されているように、キャリアテープ２０にチップ１０がバンプ１５によって機械的かつ電気的に接続された組立体２７が製造されたことになる。すなわち、図５に示されているように、チップ１０のパッド１３に突設されたバンプ１５がキャリアテープ２０のボンディングエリア２３に対向してインナリード２５の先端部に機械的かつ電気的に接続されている。
【００２５】
インナリードボンディング工程においてチップ１０がキャリアテープ２０にインナリードボンディングされて成る組立体２７は、樹脂封止体成形工程に供給される。図示しないが、樹脂封止体成形工程において、組立体２７には樹脂封止体がポッティング法によって成形され、成形品が製造される。成形品において、樹脂封止体はチップ１０、インナリード２５群およびバンプ１５群を樹脂封止した状態になっており、樹脂封止体はテープ本体２１およびチップ１０に一体的に連結した状態になっている。
【００２６】
その後に、成形品が左右のアウタリード２６、２６とテープ本体２１の樹脂封止体の前後両脇において切断されると、ＣＯＦ・ＩＣが製造された状態になる。ＣＯＦ・ＩＣにおいて、チップ１０の上面には複数個のパッド１３が二列に整列されており、インナリード２５の先端部はボンディングエリア２３においてパッド１３にそれぞれバンプ１５を介してギャングボンディングされて機械的かつ電気的に接続されており、樹脂封止体によって樹脂封止されている。
【００２７】
ところで、ＣＯＦ・ＩＣにおいてパッドおよびインナリードの多ピン化や狭ピッチ化が進むと、複数本のインナリードを複数個のパッドにギャングボンディングするための印加荷重および加熱温度は増大する。例えば、４４４ピンでピッチが５０μｍになると、荷重は４９０Ｎになり、加熱温度は第一ボンディング工具３５側で５００℃、第二ボンディング工具５１側で２００℃になる。このようにチップ１０の加熱温度が高くなると、ボンディング加熱保持中のテープの熱膨張と加熱保持開放時のテープの熱収縮力とによって、加熱接合されたパッドからインナリードが引っ張られる形となり、パッドとインナリードとの圧接強度が低下するという問題点があることが本発明者によって明らかにされた。すなわち、ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間とを制御して、４４４ピンで５０μｍのインナリードおよびバンプを一括して熱圧着しそれぞれ金−錫共晶接合した後に、キャリアテープ２０を固定してチップ１０を引っ張っる実験を実施したところ、インナリード２５とバンプ１５との金−錫共晶接合部において剥離が発生してしまった。なお、インナリード２５とバンプ１５との金−錫共晶接合部の共晶接合強度が適正である場合には、これよりも接合（接着）強度が低いアウタリード２６とテープ本体２１との間で剥離が発生する。
【００２８】
そこで、本実施の形態においては、前述したインナリードボンディング工程において、ボンディング荷重の制御シーケンスを図６に示されているように設定することにより、パッドとインナリードとの共晶接合強度を高めるものとした。
【００２９】
以下、図６に示された本発明の一実施の形態であるインナリードボンディング工程におけるボンディング荷重の制御シーケンスを説明する。図６において、横軸は時間（秒）を示し、縦軸は印加荷重（Ｎ）を示している。ボンディング時の加熱温度は、第一ボンディング工具３５側が５００℃であり、第二ボンディング工具５１側が２００℃である。
【００３０】
図６において、６１は第二ボンディング工具５１が下降してチップ１０に荷重が印加され始める際のタッチ速度での検出荷重直線を示している。本実施の形態におけるタッチ速度は８ｍｍ／秒であり、タッチ速度はチップ１０を衝撃等による破損から防止するために低速に設定されている。
【００３１】
図６において、６２は着地検出荷重を示しており、ロードセル４５が予め設定された荷重を検出した際のチップ１０に印加されている荷重値であり、本実施の形態においては２０Ｎである。ロードセル４５は予めチップ１０に印加される荷重値と相関が取られている。６３は着地した時の衝撃波である。
【００３２】
その後、検出された着地検出荷重６２から初期ボンディング荷重６６の近くまで初期荷重印加速度（単位時間当たりの印加荷重。以下、荷重印加速度について同じ。）６４をもって荷重が印加され、そこから続いて、初期荷重サーチ速度６５をもって荷重が印加される。本実施の形態において、初期荷重印加速度６４は２００Ｎ／秒であり、初期ボンディング荷重６６の値は７０Ｎである。このようにして初期荷重印加速度６４を制御することにより、バンプ１５の幅方向への広がりを抑制することができるために、接合面積を増大させることができ、バンプ１５とインナリード２５との共晶接合強度を高めることができる。また、初期ボンディング荷重６６を制御することにより、バンプへのインナリードの押し込み量を制御することができる。
【００３３】
次いで、初期ボンディング荷重ホールド時間６７が経過した後に、初期ボンディング荷重６６から第二ボンディング荷重７０の近くまで荷重変更速度６８をもって荷重が印加され、続いて、第二荷重サーチ速度６９をもって荷重が印加される。本実施の形態において、初期ボンディング荷重ホールド時間６７は０．２５秒であり、荷重変更速度６８は１０Ｎ／秒であり、第二ボンディング荷重７０の値は５８Ｎである。
【００３４】
第二ボンディング荷重７０の値が検出された時から第二ボンディング荷重ホールド時間７１が経過した後に、印加荷重が荷重低減速度７３をもって速度切替荷重７４まで低減される。本実施の形態において、第二ボンディング荷重ホールド時間７１は１．２５秒であり、荷重低減速度７３は１５０Ｎ／秒であり、速度切替荷重７４の値は２５Ｎである。なお、初期ボンディング荷重ホールド時間６７の最初から第二ボンディング荷重ホールド時間７１の最後までのボンディング荷重ホールドトータル時間７２は２秒である。このように荷重低減速度７３を制御することにより、荷重低減時に共晶接合強度を高めることができる。
【００３５】
印加荷重が速度切替荷重７４まで低減されたことがロードセル４５によって確認され、第二ボンディング工具５１がリリース速度としての第二ボンディング工具上昇速度７５をもって上昇される。本実施の形態において、第二ボンディング工具上昇速度７５は５ｍｍ／秒である。このように第二ボンディング工具上昇速度７５を制御することにより、テープの熱収縮速度を制御し、溶融共晶接合部の冷却固着力とのバランスを管理することができるので、ボンディング後のキャリアテープ２０の縮み力による共晶接合部の剥離を防止することができる。チップ１０の熱膨張への対策としてキャリアテープ２０をフォーミングによって予め引き伸ばしてボンディング（熱圧着）を実施した場合においては、熱圧着後の第一ボンディング工具３５のリリースに伴うキャリアテープ２０の縮み力が大きくなるので、この縮み力発生速度を抑えるのに特に有効である。
【００３６】
以上のようにして複数本のインナリード２５を複数個のバンプ１５に一括して熱圧着するに際して、ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具の被ボンディング部へのタッチ速度、初期荷重印加速度６４、初期荷重サーチ速度６５、荷重変更速度６８、第二荷重サーチ速度６９、荷重低減速度７３および第二ボンディング工具上昇速度７５を制御することにより、インナリード２５とバンプ１５との共晶接合強度を高めることができるので、４４４ピンで５０μｍというような多ピンで狭ピッチの場合であっても適正にギャングボンディングすることができる。すなわち、本実施の形態により、４４４ピンで５０μｍのインナリード２５およびバンプ１５を一括して熱圧着し金−錫共晶接合した後に、キャリアテープ２０を固定してチップ１０を引っ張っる実験を実施したところ、インナリード２５とバンプ１５との金−錫共晶接合部において剥離は全く発生せずに、これよりも接合（接着）強度の低いアウタリード２６とテープ本体２１との間で剥離が発生した。
【００３７】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３８】
１）  複数本のインナリードを複数個のバンプに一括して熱圧着するに際して、ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具の被ボンディング部へのタッチ速度、初期荷重印加速度、初期荷重サーチ速度、荷重変更速度、第二荷重サーチ速度、荷重低減速度および第二ボンディング工具上昇速度を制御することにより、インナリードとバンプとの共晶接合強度を高めることができるので、４４４ピンで５０μｍというような多ピンで狭ピッチのＣＯＦ・ＩＣの場合であっても適正にギャングボンディングすることができる。
【００３９】
２）  二列に並んだパッドをインナリードにボンディング工具によって同時にギャングボンディングすることにより、高密度および狭ピッチのパッドを有するＣＯＦ・ＩＣであっても一括してインナリードボンディングすることができるため、シングルポイントボンディングによって実施する場合や、ギャングボンディングとシングルポイントボンディングとを併用する場合に比べて、インナリードボンディング工程の作業時間を大幅に短縮することができる。
【００４０】
３）  ＣＯＦ・ＩＣのキャリアテープは所謂フライングインナリードが無いことにより、インナリードの多ピン化や狭ピッチ化が容易であるので、ＣＯＦ・ＩＣの多ピン化や狭ピッチ化およびシュリンク化を促進することができ、また、インナリードの成形や取り扱いの観点から歩留り的に有利であるので、ＣＯＦ・ＩＣの製造コストを低減することができる。
【００４１】
図７は本発明の第二の実施の形態であるボンディング荷重の制御シーケンスを示すグラフである。
【００４２】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、初期荷重サーチ速度６５および初期ボンディング荷重ホールド時間６７が設定されていない点である。本実施の形態においては、初期ボンディング荷重６６に機構上による高低のばらつきが若干発生するが、トータルボンディング時間を短縮することができるという利点を得ることができる。
【００４３】
図８は本発明の第三の実施の形態であるボンディング荷重の制御シーケンスを示すグラフである。
【００４４】
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、荷重変更速度６８、第二荷重サーチ速度６９および第二ボンディング荷重ホールド時間７１が設定されていない点である。なお、前記実施の形態において、初期荷重印加速度６４、初期荷重サーチ速度６５および初期ボンディング荷重ホールド時間６７を設定しない場合にも図８と同様のボンディング荷重のシーケンスとなる。本実施の形態によれば、接合強度が若干低下するものの短いボンディング時間で一定した接合強度のボンディングが可能になる。
【００４５】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４６】
バンプはチップのパッド側に配設するに限らず、キャリアテープのインナリード側に配設してもよい。
【００４７】
また、バンプはワイヤボンディング法によって突設する所謂スタッドバンプを使用するに限らず、メッキ法等によって突設するバンプを使用してもよい。
【００４８】
ＣＯＦ・ＩＣは分断して出荷してもよいし、テープの形態で出荷してもよい。
【００４９】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である液晶表示装置のドライバに使用されるＣＯＦ・ＩＣの製造方法に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、ＴＣＰ・ＩＣの製造方法にも適用することができるし、液晶表示装置のドライバに使用されるＣＯＦ・ＩＣやＴＣＰ・ＩＣの製造方法に限らず、システムＬＳＩのように他の用途に使用されるＣＯＦ・ＩＣやＴＣＰ・ＩＣ、トランジスタアレーおよび電子部品等の半導体装置の製造方法全般に適用することができる。
【００５０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００５１】
複数本のインナリードを複数個のバンプに一括して熱圧着するに際して、ボンディング温度とボンディング荷重と荷重ホールド時間以外のファクタとして、ボンディング工具のタッチ速度、初期荷重印加速度、初期荷重サーチ速度、荷重変更速度、第二荷重サーチ速度、荷重低減速度およびリリース速度を制御することにより、インナリードとバンプとの圧接強度を高めることができるので、４４４ピンで５０μｍというような多ピンで狭ピッチの場合であっても適正にギャングボンディングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＣＯＦ・ＩＣの製造方法に使用されるチップを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大断面図である。
【図２】同じくキャリアテープを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態であるＣＯＦ・ＩＣの製造方法に使用されるダイボンダを示す正面図である。
【図４】作用を説明するための各拡大正面図であり、（ａ）は整合ステップ、（ｂ）は熱圧着ステップ、（ｃ）は第二ボンディング工具の上昇ステップ、（ｄ）は第一ボンディング工具の下降ステップを示している。
【図５】インナリードボンディング工程後を示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態であるボンディング工程のボンディング荷重の制御シーケンスを示すグラフである。
【図７】本発明の第二の実施の形態であるボンディング荷重の制御シーケンスを示すグラフである。
【図８】本発明の第三の実施の形態であるボンディング荷重の制御シーケンスを示すグラフである。
【符号の説明】
１０…チップ（半導体チップ）、１１…サブストレート、１２…第一主面（アクティブエリア側主面）、１３…電極パッド、１４…パッシベーション膜、１５…バンプ、２０…キャリアテープ、２１…テープ本体、２２…送り孔、２３…ボンディングエリア、２４…アウタリードホール、２５…インナリード、２６…アウタリード、２７…組立体、３０…ダイボンダ（ボンディング装置）、３１…テープガイド、３２…ボンディングステーション、３３Ａ…上クランパ、３３Ｂ…下クランパ、３４…ヒートブロック、３５…第一ボンディング工具、３６…断熱ブロック、３７…Ｚテーブル、３８…Θテーブル、３９…Ｘテーブル、４０…Ｙテーブル、４１…上側Ｙテーブル、４２…上側Ｘテーブル、４３…ブラケット、４４…荷重印加装置、４５…ロードセル、４６…工具平坦度Θｙ調整部、４７…Θｘ調整部、４８…Θ調整部、４９…断熱部、５０…保持部、５１…第二ボンディング工具、６１…タッチ速度での検出荷重直線、６２…着地検出荷重、６３…衝撃波形、６４…初期荷重印加速度、６５…初期荷重サーチ速度、６６…初期ボンディング荷重、６７…初期ボンディング荷重ホールド時間、６８…荷重変更速度、６９…第二荷重サーチ速度、７０…第二ボンディング荷重、７１…第二ボンディング荷重ホールド時間、７２…ボンディング荷重ホールドトータル時間、７３…荷重低減速度、７４…速度切替荷重、７５…第二ボンディング工具上昇速度（リリース速度）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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