(57)【要約】【課題】レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】リッジ導波路６を有し窒化物系III−Ｖ族化合物半導体（例えばＧａＮ系半導体）の薄膜が積層されて成る第１のレーザ発振部５と絶縁層５とオーミック電極層８とを有する第１の発光素子２と、リッジ導波路１０を有し基板１３上にIII−Ｖ族半導体（ＧａＡｓ等）の薄膜が積層されて成る第２のレーザ発振部９と絶縁層１１とオーミック電極層１２とを有する第２の発光素子３とを備え、オーミック電極層８，１２間で融着した融着金属層４の介在によって、第１のレーザ発振部５と第２のレーザ発振部９が一体に固着させることにより、レーザ発振部５，９間の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置が実現されている。【選択図】      図１
2004207479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置であって、
所定の専有面積を有する第１のレーザ発振部と、
半導体基板上に積層形成され前記第１のレーザ発振部より大きな専有面積を有する第２のレーザ発振部とを備え、
前記半導体基板とは反対側の前記第２のレーザ発振部の面と、前記第１のレーザ発振部の発光部から近い側の面が導電性を有する接着層により接着されており、
前記接着層に固着された第１のレーザ発振部は、アルミニウム(Ａ１)、ガリウム(Ｇａ)、インジウム(Ｉｎ)のうちの少なくとも１種と窒素(Ｎ)とを含む窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の薄膜が積層された積層構造からることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１、第２のレーザ発振部の専有面積の違いに応じて生じる、前記第１のレーザ発振部側から見た前記第２のレーザ発振部の露出面に前記接着層と電気的に接続した導電層を有し、当該導電層が、前記第１、第２のレーザ発振部を駆動させる駆動電流を供給する電流供給部となっていることを特徴とする調求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記導電層は前記第２のレーザ発振部の主面上に沿って前記接着層が延在したものであることをことを特徴とする請求項２に記載の半尊体レーザ装置。
【請求項４】
前記接着層は、第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部との間に介在する前記接着層部分に対し前記露出面部分の導電層が前記半導体基板方向へ段差を有していることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記接着層は前記第２のレーザ発振部上に積層されたオーミミック電極層を介して前記第２のレーザ発振都に固着され、前記導電層は第２のレーザ発振部の主面上に沿ってオーミック電極層が延在したものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体基板は、ＧａＡｓ基板からなり、前記第２のレーザ発振部は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と、砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜が積層された積層構造から成ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
支持基板上に、前記第１のレーザ発振部と、第１のレーザ発振部側に面して露出している前記接着層の部分とが固着されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
支持基板上に、前記第１のレーザ発振部と、前記第１のレーザ発振部側に面して露出している前記オーミック電極層の一部分とが固着されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
互いに異なる波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを有する半導体レーザ装置の製造方法であって、
サファイア基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含む窒化物系III−Ｖ族半導体の薄膜を積層することで前記第１のレーザ発振部を形成すると共に、当該第１のレーザ発振部上に第１の接着層を積層することにより第１の中間生成体を作製する第１の工程と、
ＧａＡｓ基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで、当該薄膜の積層構造より成り前記ＧａＡｓ基板面より突出した第２のレーザ発振部を形成すると共に、前記突出した第２のレーザ発振部上と当該第２のレーザ発振部の形成されていない前記ＧａＡｓ基板上との全面に、第２の接着層を積層することで、第２の発光素子を形成すべき第２の中間生成体を作製する第２の工程と、
第１のレーザ発振部の導波路が第２のレーザ発振部の導波路に近接するように、前記第１の接着層と前記突出した第２のレーザ発振部上の第２の接着層とを合わせて接着させることにより、接着層の介在によって前記第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを固着させた第３の中間生成体を作製する第３の工程と、
前記サファイア基板を透過し窒化物系III−Ｖ族半導体で吸収される光を当該サファイア基板と第１のレーザ発振部との接合部分に照射することにより、第１のレーザ発振部のこの接合部分近傍領域を分解させ、かつ前記第１のレーザ薄膜のうち第１、第２の接着層が接していない領域に対応している部分を破壊させる第４の工程と、
前記サファイア基板を前記第３の中間生成体から剥離することにより、前記第１のレーザ発振部と、前記前記ＧａＡｓ基板上の第２の接着層の部分とを露出させる第５の工程と、
前記サファイア基板を剥離した後の前記第３の中間生成体を劈開すると共に、前記露出した第２の接着層の部分で分割することによって、前記第１のレーザ発振部を有する第１の発光素子と前記第２のレーザ発振部を有する第２の発光素子とを備えた個々の半導体レーザ装置を作製する第６の工程と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１０】
互いに異なる波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを有する半導体レーザ装置の製造方法であって、
サファイア基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで前記第１のレーザ発振部を形成すると共に、当該第１のレーザ発振部上に、レーザ導波路に沿ったレーザ導波路を含む領域にストライプ状に接着層を積層することによって、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、
ＧａＡｓ基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで、第２のレーザ発振部を形成すると共に、前記第２のレーザ発振部上の全面に第２の接着層を積層することにより、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、
前記第１のレーザ発振部の導波路が第２のレーザ発振部の導波路に近接するように、前記第１の接着層と第２の接着層とを合わせて接着させることにより、固化後の接着層の介在によって前記第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを固着させると共に、前記第２の接着層のうち、前記第１のレーザ発振部とは固着しない部分が生じた第３の中間生成体を作製する第３の工程と、
サファイア基板を透過し、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光を当該サファイア基板と第１のレーザ発振部との接合部分に照射することにより、第１のレーザ発振部のこの接合部分近傍領域を分解させ、かつ前記第１のレーザ薄膜のうち前記第１の接着層が形成されていない領域を破壊させる第４の工程と、
前記サファイア基板を前記第３の中間生成体から剥離することにより、前記第１のレーザ発振部と、前記第１のレーザ発振部のうち前記破壊した部分に対応する接着層の部分を露出させる第５の工程と、
前記サファイア基板を剥離した後の前記第３の中間生成体を劈開すると共に、前記露出した接着層の部分で分割することによって、前記第１のレーザ発振部を有する第１の発光素子と前記第２のレーザ発振部を有する第２の発光素子とを備えた個々の半導体レーザ装置を作製する第６の工程と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１１】
互いに異なる波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを有する半導体レーザ装置の製造方法であって、
サファイア基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで前記第１のレーザ発振部を形成すると共に、当該第１のレーザ発振部上に第１の接着層を積層することによって、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、
ＧａＡｓ基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで、第２のレーザ発振部を形成すると共に、前記第２のレーザ発振部上の全面に金属のオーミック電極層を積層し、更に前記オーミック電極層上に、前記第２のレーザ発振部のレーザ導波路に沿ったレーザ導波路を含む領域にストライプ状に接着層を積層することによって、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、
前記第１の接着層と第２の接着層とを合わせて接着させることにより、接着層の介在によって前記第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを固着させた第３の中間生成体を作製する第３の工程と、
サファイア基板を透過し、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光を当該サファイア基板と第１のレーザ発振部との接合部分に照射することにより、第１のレーザ発振部のこの接合部分近傍領域を分解させ、かつ前記第１のレーザ薄膜のうち前記第２の接着層が形成されていない領域に対応する部分を破壊させる第４の工程と、
前記サファイア基板を前記第３の中間生成体から剥離することにより、前記第１のレーザ発振部と、前記第１のレーザ発振部のうち前記破壊した部分に対応するオーミック電極層の部分とを露出させる第５の工程と、
前記サファイア基板を剥離した後の前記第３の中間生成体を劈開すると共に、前記露出したオーミック電極層の部分で分割することによって、前記第１のレーザ発振部を有する第１の発光素子と前記第２のレーザ発振部を有する第２の発光素子とを備えた個々の半導体レーザ装置を作製する第６の工程と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第６の工程に続いて、支持基板上に、前記第１の発振部の露出面と、前記接着層の露出面とを固着する第７の工程を有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第６の工程に続いて、支持基板上に、前記第１の発振部の露出面と、前記オーミック電極の露出面とを固着する第７の工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、波長の異なる複数のレーザ光を出射する多波長レーザと呼ばれる半導体レーザ装置の研究開発が進められている。
【０００３】
例えば、ＣＤ（Compact Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等で代表される光ディスクと称されるストレージ媒体に情報記録又は情報再生を行う情報記録再生装置の分野にあっては、従来より商品化されている各種ＣＤとＤＶＤ等に対してコンパチビリティを有し、且つ、より高密度記録等が可能な新たなストレージ媒体に対しても対応可能な光ピックアップを開発すべく、波長の異なる複数のレーザ光を出射し得る半導体レーザ装置の開発が重要となっている。
【０００４】
こうした半導体レーザ装置として、モノリシック型の半導体レーザ装置で実現することの困難性を解消すべく、ハイブリッド構造によって実現したものが提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
この半導体レーザ装置は、特許文献１中の図１等に開示されているように、第１の基板上に形成された短波長（例えば、波長４００ｎｍ帯）のレーザ光を出射するＧａＮ系のレーザ発振部を有する第１の発光素子と、第２の基板上に並設された長波長（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光を出射するＡｌＧａＩｎＰ系のレーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系のレーザ発振部を有する第２の発光素子とを別々に製造してチップ化し、これらチップ化された第１の発光素子と第２の発光素子とを支持基板（いわゆるサブマウント）上に重ねて取り付けられることで、ハイブリッド構造の半導体レーザ装置となっている。
【０００６】
ここで、ＧａＮ系レーザ発振部が第１の基板と支持基板との間に挟まれるようにして取り付けられることで、第１の発光素子は支持基板上に取り付けられており、更にＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部が第１の基板と第２の基板との間に挟まれるようにして取り付けられることで、第２の発光素子は第１の発光素子上に第１の基板を介して取り付けられている。
【０００７】
したがって、支持基板上に短波長（例えば、波長４００ｎｍ帯）のレーザ光を出射するＧａＮ系レーザ発振部が取り付けられると共に、そのＧａＮ系レーザ発振部に第１の基板を介して、長波長（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光を出射するＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部が取り付けられており、更にそれらＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部上に第２の基板が位置した構造となっている。
【０００８】
そして、この半導体レーザ装置を光ピックアップに搭載し、ＧａＮ系レーザ発振部から短波長のレーザ光を出射することで、高密度記録が可能なストレージ媒体に対する情報記録又は情報再生を行い、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部から長波長のレーザ光を出射することで、従来から商品化されている各種ＣＤとＤＶＤ等に対する情報記録又は情報再生を行い、これによってコンパチビリティを有した光ピックアップを実現することとしている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００１−２３０５０２号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで従来の半導体レーザ装置は、上述したように、予め第１の発光素子と第２の発光素子とをそれぞれ別個の半導体チップとして製造し、チップ化された第１の発光素子と第２の発光素子を支持基板（サブマウント）上に重ねて取り付ける構造となっている。このため、例えば光ピックアップ用の半導体レーザ装置を製造すべく、各発光素子の劈開面から各レーザ光を同じ方向に出射させるようにするためには、チップ化されている各発光素子を極めて高い精度で位置合わせして組み付ける必要があり、製造工程が非常に繁雑となるという問題がある。
【００１１】
また、従来の半導体レーザ装置は、支持基板上に第１の発光素子のＧａＮ系レーザ発振部を近接させて取り付け、第１の発光素子に備えられている第１の基板上に、第２の発光素子のＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部が取り付けられている。
【００１２】
しかし、この構造によると、第１の発光素子と第２の発光素子との間に、厚さの大きな第１の基板が介在し、上述の特許文献１にも記載されているように、その第１の基板（ＧａＮ基板）は通常１００μｍ程度の厚さを有しているため、ＧａＮ系レーザ発振部におけるレーザ光の出射位置（発光点の位置）と、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部におけるレーザ光の出射位置（発光点の位置）との間隔が大きく離れてしまうという問題がある。つまり、各レーザ光の発光点間隔が大きくなるという問題がある。
【００１３】
例えば、光ピックアップにこの半導体レーザ装置を搭載して、情報記録又は情報再生を行う場合、光ピックアップを構成している光学系の光軸に対してＧａＮ系レーザ発振部の出射位置（発光点の位置）を光軸合わせすると、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部から出射されるレーザ光の出射方向が、第１の基板の厚さの影響によって光学系の光軸から大きくずれることとなり、収差等の発生原因となる場合がある。
【００１４】
また、例えばＧａＮ系レーザ発振部から出射されるレーザ光と、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ発振部及びＡｌＧａＡｓ系レーザ発振部から出射されるレーザ光とを共に、光ピックアップの光学系の光軸に合わせるべく、第１の基板の厚さによる悪影響を解消するためのプリズム等の他の光学素子を設けることとすると、部品点数が増加する等の問題を生じる。
【００１５】
本発明はこうした従来の問題点に鑑みてなされたものであり、波長の異なる複数のレーザ光を出射すると共に、レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
また、容易に製造することができると共に、レーザ光の発光点間隔が高精度で制御された半導体レーザ装置を量産性良く作製するための製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の半導体レーザ装置の発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置であって、所定の専有面積を有する第１のレーザ発振部と、半導体基板上に積層形成され前記第１のレーザ発振部より大きな専有面積を有する第２のレーザ発振部とを備え、前記半導体基板とは反対側の前記第２のレーザ発振部の面と、前記第１のレーザ発振部の発光部から近い側の面が導電性を有する接着層により接着されており、前記接着層に固着された第１のレーザ発振部は、アルミニウム(Ａ１)、ガリウム(Ｇａ)、インジウム(Ｉｎ)のうちの少なくとも１種と窒素(Ｎ)とを含む窒化物系III−Ｖ族化合物半導体の薄膜が積層された積層構造からることを特徴とする。
【００１８】
請求項９に記載の半導体レーザ装置の製造方法の発明は、互いに異なる波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを有する半導体レーザ装置の製造方法であって、サファイア基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含む窒化物系III−Ｖ族半導体の薄膜を積層することで前記第１のレーザ発振部を形成すると共に、当該第１のレーザ発振部上に第１の接着層を積層することにより第１の中間生成体を作製する第１の工程と、ＧａＡｓ基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで、当該薄膜の積層構造より成り前記ＧａＡｓ基板面より突出した第２のレーザ発振部を形成すると共に、前記突出した第２のレーザ発振部上と当該第２のレーザ発振部の形成されていない前記ＧａＡｓ基板上との全面に、第２の接着層を積層することで、第２の発光素子を形成すべき第２の中間生成体を作製する第２の工程と、第１のレーザ発振部の導波路が第２のレーザ発振部の導波路に近接するように、前記第１の接着層と前記突出した第２のレーザ発振部上の第２の接着層とを合わせて接着させることにより、接着層の介在によって前記第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを固着させた第３の中間生成体を作製する第３の工程と、前記サファイア基板を透過し窒化物系III−Ｖ族半導体で吸収される光を当該サファイア基板と第１のレーザ発振部との接合部分に照射することにより、第１のレーザ発振部のこの接合部分近傍領域を分解させ、かつ前記第１のレーザ薄膜のうち第１、第２の接着層が接していない領域に対応している部分を破壊させる第４の工程と、前記サファイア基板を前記第３の中間生成体から剥離することにより、前記第１のレーザ発振部と、前記前記ＧａＡｓ基板上の第２の接着層の部分とを露出させる第５の工程と、前記サファイア基板を剥離した後の前記第３の中間生成体を劈開すると共に、前記露出した第２の接着層の部分で分割することによって、前記第１のレーザ発振部を有する第１の発光素子と前記第２のレーザ発振部を有する第２の発光素子とを備えた個々の半導体レーザ装置を作製する第６の工程とを備えることを特徴とする。
【００１９】
請求項１０に記載の半導体レーザ装置の製造方法の発明は、互いに異なる波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを有する半導体レーザ装置の製造方法であって、サファイア基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで前記第１のレーザ発振部を形成すると共に、当該第１のレーザ発振部上に、レーザ導波路に沿ったレーザ導波路を含む領域にストライプ状に接着層を積層することによって、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、ＧａＡｓ基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで、第２のレーザ発振部を形成すると共に、前記第２のレーザ発振部上の全面に第２の接着層を積層することにより、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、前記第１のレーザ発振部の導波路が第２のレーザ発振部の導波路に近接するように、前記第１の接着層と第２の接着層とを合わせて接着させることにより、固化後の接着層の介在によって前記第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを固着させると共に、前記第２の接着層のうち、前記第１のレーザ発振部とは固着しない部分が生じた第３の中間生成体を作製する第３の工程と、サファイア基板を透過し、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光を当該サファイア基板と第１のレーザ発振部との接合部分に照射することにより、第１のレーザ発振部のこの接合部分近傍領域を分解させ、かつ前記第１のレーザ薄膜のうち前記第１の接着層が形成されていない領域を破壊させる第４の工程と、前記サファイア基板を前記第３の中間生成体から剥離することにより、前記第１のレーザ発振部と、前記第１のレーザ発振部のうち前記破壊した部分に対応する接着層の部分を露出させる第５の工程と、前記サファイア基板を剥離した後の前記第３の中間生成体を劈開すると共に、前記露出した接着層の部分で分割することによって、前記第１のレーザ発振部を有する第１の発光素子と前記第２のレーザ発振部を有する第２の発光素子とを備えた個々の半導体レーザ装置を作製する第６の工程と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
請求項１１に記載の半導体レーザ装置の製造方法の発明は、互いに異なる波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを有する半導体レーザ装置の製造方法であって、サファイア基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで前記第１のレーザ発振部を形成すると共に、当該第１のレーザ発振部上に第１の接着層を積層することによって、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、ＧａＡｓ基板上に、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体の薄膜を積層することで、第２のレーザ発振部を形成すると共に、前記第２のレーザ発振部上の全面に金属のオーミック電極層を積層し、更に前記オーミック電極層上に、前記第２のレーザ発振部のレーザ導波路に沿ったレーザ導波路を含む領域にストライプ状に接着層を積層することによって、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、前記第１の接着層と第２の接着層とを合わせて接着させることにより、接着層の介在によって前記第１のレーザ発振部と第２のレーザ発振部とを固着させた第３の中間生成体を作製する第３の工程と、サファイア基板を透過し、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光を当該サファイア基板と第１のレーザ発振部との接合部分に照射することにより、第１のレーザ発振部のこの接合部分近傍領域を分解させ、かつ前記第１のレーザ薄膜のうち前記第２の接着層が形成されていない領域に対応する部分を破壊させる第４の工程と、前記サファイア基板を前記第３の中間生成体から剥離することにより、前記第１のレーザ発振部と、前記第１のレーザ発振部のうち前記破壊した部分に対応するオーミック電極層の部分とを露出させる第５の工程と、前記サファイア基板を剥離した後の前記第３の中間生成体を劈開すると共に、前記露出したオーミック電極層の部分で分割することによって、前記第１のレーザ発振部を有する第１の発光素子と前記第２のレーザ発振部を有する第２の発光素子とを備えた個々の半導体レーザ装置を作製する第６の工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２２】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置を、図１ないし図４を参照して説明する。
【００２３】
なお、図１（ａ）は、本半導体レーザ装置１の外部構造を表した斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した半導体レーザ装置１の縦断面構造を表した図、図２ないし図４は、本半導体レーザ装置１の製造工程を表した図である。
【００２４】
図１（ａ）（ｂ）において、この半導体レーザ装置１は、短波長（例えば、波長４００ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第１の発光素子２と、それより長波長（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第２の発光素子３とが接着層としての導電性を有する融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有している。
【００２５】
第１の発光素子２は、ストライプ形状のリッジ導波路６が形成され上述の短波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部５と、リッジ導波路６を除くレーザ発振部５の融着金属層４側の全面を絶縁する絶縁層７と、リッジ導波路６及び融着金属層４に電気的に接着するオーミック電極層８と、レーザ発振部５の表面に形成されたオーミック電極Ｐ１を備えて構成されている。
【００２６】
ここで、レーザ発振部５は、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体（ＧａＮ系半導体）より成る多重量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、融着金属層４側に形成された上述のリッジ導波路６を備えて形成されている。
【００２７】
そして、オーミック電極Ｐ１と融着金属層の露出部４Ｒに形成されているオーミック電極Ｐ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流が融着金属層４中を流れると共に、リッジ導波路６のストライプ形状に沿ってレーザ発振部５中の上述の活性層に、狭窄された電流が流入することで光が発生する。更にリッジ導波路６の長手方向の両端に形成されている劈開面（鏡面）により、レーザ共振器が構成されており、リッジ導波路６のストライプ形状に沿って放出される光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて活性層中を繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起し、誘導放出を行わせることにより、上述の短波長のレーザ光が劈開面から出射される。
【００２８】
第２の発光素子３は、III−Ｖ化合物族半導体（例えばＧａＡｓ系半導体）から成る基板１３上に形成されストライプ形状のリッジ導波路１０を有する第２のレーザ発振部９と、リッジ導波路１０を除くレーザ発振部９の融着金属層４側を絶縁する絶縁層１１と、リッジ導波路１０及び融着金属層４に電気的に接着するオーミック電極層１２と、基板１３の下端に形成されたオーミック電極Ｐ２を備えて構成されている。
【００２９】
ここで、レーザ発振部９は、III−Ｖ族化合物半導体（ＡｌＧａＩｎＰ系半導体）より成る歪量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、融着金属層４側に形成された上述のリッジ導波路１０を備えて形成されている。
【００３０】
そして、オーミック電極Ｐ２とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流が融着金属層４中を流れると共に、リッジ導波路１０のストライプ形状に沿ってレーザ発振部９中の上述の活性層に、狭窄された電流が流入することで光が発生する。更にリッジ導波路１０の長手方向の両端に形成されている劈開面（鏡面）により、レーザ共振器が構成されており、リッジ導波路１０のストライプ形状に沿って放出される光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて活性層中を繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起し、誘導放出を行わせることにより、上述の長波長のレーザ光が劈開面から出射される。
【００３１】
なお、第１，第２の発光素子２，３の片側の劈開端面には、高反射コーティングが施されている。
【００３２】
次に、かかる構造を有する半導体レーザ装置１の製造工程を図２ないし図４を参照して説明する。
【００３３】
まず、図２（ａ）の縦断面図にて示すように、複数個の第１の発光素子２を形成するための中間生成体１００と、図２（ｂ）の縦断面図にて示すように、複数個の第２の発光素子３を形成するための中間生成体２００を予め作製する。
【００３４】
すなわち、図２（ａ）において、ＭＯＣＶＤ法等により、サファイア基板１４上に、例えば組成と膜厚等の異なったＧａＮ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層形成することで、上述した多重量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有した二重ヘテロ構造（ＤＨ）を形成し、更に活性層の上方部分を選択的にエッチング等することでストライプ形状の複数のリッジ導波路６を所定間隔をおいて並設する。
【００３５】
更に、同図に示す如く、リッジ導波路６を除く上面部分に絶縁層７を形成した後、リッジ導波路６と絶縁層７とを含む全面に、蒸着等によって、オーミック電極層８と融着金属層４ａとを順に積層する。
【００３６】
かかる製造工程により、第１の発光素子２を複数個形成することが可能な中間生成体１００を作製する。
【００３７】
次に、図２（ｂ）において、ＭＯＣＶＤ法等により、例えばＧａＡｓから成る基板１３上に、例えば組成と膜厚等の異なるＡｌＧａＩｎＰ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層することで、上述した歪量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有した二重ヘテロ構造（ＤＨ）を形成した後、当該活性層の上方部分を選択的にエッチング等することでストライプ形状の複数のリッジ導波路１０を上述のリッジ導波路６と同じ間隔をおいて並設する。
【００３８】
更に、同図に示す如く、レーザ発振部９として残すべき領域をマスキングし、マスキングしない領域に対して選択的にエッチング等を施すことでＧａＡｓ基板１３の比較的深い部分まで除去することにより、凸状の断面を有する複数個のレーザ発振部９を形成する。
【００３９】
そして、リッジ導波路１０を除く上面部分に絶縁層１１を形成した後、リッジ導波路１０と絶縁層１１とを含む全面に、蒸着等によって、オーミック電極層１２を積層し、更にオーミック電極層１２上に融着金属層４ｂを積層する。
【００４０】
かかる製造工程により、第２の発光素子３を複数個形成することが可能な中間生成体２００を作製すると、基板１３上には、凸状の断面を有する複数個のレーザ発振部９がリッジ導波路１０の間隔をおいて形成されることとなる。更に、融着金属層４ｂは、基板１３より突出しているこれらのレーザ発振部９上において断面が凸形状となり、レーザ発振部９の形成されていない基板１３上においてレーザ発振部９の側部より回り込んで延在するような凹形状となって形成される。
【００４１】
こうして中間生成体１００，２００を予め作製した後、次に、図２（ｃ）に示すように、融着金属層４ａ，４ｂを合わせることで、中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【００４２】
ここで、後述の劈開等をして個々の半導体レーザ装置１に分割する際、個々の半導体レーザ装置１のレーザ発振部５におけるレーザ光の出射端とレーザ発振部９におけるレーザ光の出射端とが近接するように、予め中間生成体１００，２００を組み合わせる。すなわち、分割後の個々の半導体レーザ装置１における発光点間隔が小さくなるように予め調整する。例えば、上述の所定間隔で形成されている夫々のリッジ導波路６とリッジ導波路１０とが対向するように位置合わせして、中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【００４３】
そして、中間生成体１００，２００を所定の付勢力で圧接させた状態で全体を加熱し、融着金属層４ａ，４ｂを融着させた後、除熱する。これにより、図２（ｃ）に示されている融着金属層４ａ，４ｂが一体化した融着金属層４となり、中間生成体１００，２００が固着されることで、一体化した中間生成体３００が作製される。
【００４４】
上述の融着金属層４ａ，４ｂを一体化した融着金属層４にした後、次に、図３（ａ）において、サファイア基板１４を透過すると共に窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光を、サファイア基板１４の背面側から照射する。これによりレーザ発振部５のサファイア基板１４との接合部近傍が加熱され，その熱によって当該部分が分解することでサファイア基板１４とレーザ発振部５との接合力が弱まり、剥離しやすくなる。
【００４５】
更に、融着金属層４の凹凸状の断面形状に応じて融着金属層４の間に隙間Ｒが生じているため、その隙間Ｒに面しているオーミック電極層８と絶縁層７及びレーザ発振部５の一部分が、上述の半導体薄膜の分解で生じるガスの力を受けて、隙間Ｒ内に崩落等する。このため、レーザ発振部５は、隙間Ｒを境にして、複数個のレーザ発振部５に分離される。
【００４６】
次に、サファイア基板１４を中間生成体３００から剥離し、隙間Ｒを境にして分離されている複数個のレーザ発振部５と、隙間Ｒに面した融着金属層４の一部分（凹状の部分）を露出させる。
【００４７】
次に、図４（ａ）の斜視図に示すように、蒸着等によって、各レーザ発振部５の露出面と、基板１３の下端と、融着金属層４の露出部４Ｒに、オーミック電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を夫々形成する。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示すように、リッジ導波路６，１０の長手方向に沿って中間生成体３００を所定長さずつ劈開し、片側の劈開面に高反射コーティングを施す。
【００４９】
更に図４（ｃ）に示すように、融着金属層４の上述の露出端の部分に沿ってスクライブすることにより、個々の半導体レーザ装置１に分割し、図１（ａ）（ｂ）に示した構造を有する半導体レーザ装置１を作製する。
【００５０】
このように本実施形態の半導体レーザ装置１によれば、図１（ａ）（ｂ）に示したように、レーザ発振部５，９を融着金属層４の介在によって固着する構造となっているため、レーザ発振部５におけるレーザ光の出射位置（発光点の位置）とレーザ発振部９におけるレーザ光の出射位置（発光点の位置）との間隔、すなわち発光点間隔を小さくすることができる。
【００５１】
つまり、融着金属層４はレーザ発振部５，９を固着するのに必要な厚さであればよく、従来技術のような基板の厚さに較べて、極めて薄い融着金属層４を設ければレーザ発振部５，９を固着することが可能であることから、発光点間隔を大幅に小さくすることができる。
【００５２】
更に、絶縁層７，１１及びオーミック電極層８，１１の厚さも、それらの機能を考慮すれば小さくすることが可能であることから、発光点間隔を大幅に小さくすることができる。
【００５３】
更に、本実施形態によれば、図１（ａ）（ｂ）に示すように、レーザ発振部５，９を固着している融着金属層４の一部分が、露出部４Ｒとしてそれらレーザ発振部５，９の外側に延在しているので、駆動電流を供給するためのコンタクトを容易にとることができる構成となっている。
【００５４】
また、融着金属層４は、レーザ発振部５，９に駆動電流を供給するためのいわゆる共通電極（コモン電極）としての機能を発揮するので、駆動電流供給用の電極の数を低減することができる。
【００５５】
更に、本実施形態によれば、第１，第２の発光素子２，３とを個々の半導体チップとして予め作製し、それらの発光素子２，３を貼着等するのではなく、第１，第２の発光素子２，３を複数個形成することが可能な中間生成体１００，２００を融着金属層４によって固着することで一体化した中間生成体３００を作製した後、その中間生成体３００を劈開及びスクライビング等によって個々の半導体レーザ装置１に分割する。
【００５６】
このため、半導体製造工程において中間生成体１００，２００とを融着金属層４によって固着する際、その後分割されることとなる個々の半導体レーザ装置１における発光点間隔の最適化制御を一括して行うことができると共に、各発光点の位置合わせを高精度で行うことができる。そして、発光点間隔の最適化制御を一括して行うことができることで、量産性の向上、品質の均一化等を図ることができる。
【００５７】
更に、レーザ発振部５，９のリッジ導波路６，１０側が融着金属層４に近接して設けられており、且つ、融着金属層４の一部が外側へ延在した構造となっているため、レーザ発光に際してレーザ発振部５，９より生じる熱を、外部へ効率良く放熱することができる。
【００５８】
また、本実施形態の半導体レーザ装置１を、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載することとすると、発光点間隔が小さいことから、第１，第２の発光素子２，３の各発光点を共に光ピックアップの光学系の光軸に高精度で位置合わせることができ、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる。
【００５９】
〈第１の実施例〉
次に、第１の実施形態に係る、より具体的な実施例を図５ないし図８を参照して説明する。
【００６０】
図５は、本実施例の半導体レーザ装置の構造を表し、図１（ａ）に対応させて示した縦断面図である。図６ないし図８は、本半導体レーザ装置の製造工程を表した図である。なお、図５ないし図８において、図１ないし図３と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【００６１】
図５において、本実施例の半導体レーザ装置１は、ＧａＮ系レーザ（波長４０５ｎｍ帯レーザ）である第１の発光素子２と、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザ（波長６５０ｎｍ帯レーザ）である第２の発光素子３とが融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有している。
【００６２】
第１の発光素子２は、ストライプ形状のリッジ導波路６を有したレーザ発振部５を備え、第２の発光素子３は、ｎ型ＧａＡｓ基板１３上に形成されると共にストライプ形状のリッジ導波路１０を有したレーザ発振部９を備えている。
【００６３】
また、レーザ発振部５の上端にオーミック電極Ｐ１、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の下端にオーミック電極Ｐ２、融着金属層４の露出部４Ｒにオーミック電極Ｐ３が形成されている。
【００６４】
そして、オーミック電極Ｐ１，Ｐ３を通じて駆動電流を供給すると、第１の発光素子２から波長４０５ｎｍ帯レーザ光が出射され、オーミック電極Ｐ２，Ｐ３を通じて駆動電流を供給すると、第２の発光素子３から波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射される。
【００６５】
第１の発光素子２のレーザ発振部５は、下地層５ｂ、ｎ型クラッド層５ｃ、ｎ型ガイド層５ｄ、活性層５ｅ、電子障壁層５ｆ、ｐ型ガイド層５ｇ、ｐ型クラッド層５ｈ、ｐ側コンタクト層５ｉとがその順番で積層された積層構造を有し、ｐ側コンタクト層５ｉとｐ型クラッド層５ｈの一部がエッチング等によって除去されることで、上述のリッジ導波路６が、紙面前方側から裏面側へ延びたストライプ形状に形成されている。
【００６６】
そして、リッジ導波路６とｐ側コンタクト層５ｉとを除いて、ｐ型クラッド層５ｈの全面に絶縁層７が形成されており、更にｐ側コンタクト層５ｉとリッジ導波路６及び絶縁層７の全面にオーミック電極層８が形成されている。
【００６７】
したがって、リッジ導波路６がｐ側コンタクト層５ｉ及びオーミック電極層８を通じて融着金属層４に電気的に接続されている。
【００６８】
より具体的には、下地層５ｂは、Ｓｉをドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＮから成り、厚さ約５〜１５μｍに形成されている。ｎ型クラッド層５ｃは、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成り、厚さ約０．８μｍに形成されている。
ｎ型ガイド層５ｄは、ｎ型ＧａＮから成り、厚さ約０．２μｍに形成されている。
【００６９】
活性層５ｅは、約数十ｎｍの厚さに形成され、組成の異なるＩｎｘＧａ１−ｘＮ（但し、０≦ｘ）、例えばＩｎ０．０８Ｇａ０．９２ＮとＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎから成る井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有している。電子障壁層５ｆは、ＡｌＧａＮから成り、厚さ約０．０２μｍに形成されている。ｐ型ガイド層５ｇは、Ｍｇをドーピングしてｐ型化したｐ型ＧａＮから成り、厚さ約０．２μｍに形成されている。
【００７０】
ｐ型クラッド層５ｈは、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成り、厚さが約０．４μｍに形成されている。ｐ側コンタクト層５ｉは、ｐ型ＧａＮから成り厚さ約０．１μｍに形成されている。
【００７１】
また、オーミック電極層８は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、若しくはＮｉの何れか、又はそれらを組み合わせた合金で形成され、絶縁層７は、ＳｉＯ２等で形成されている。
【００７２】
また、詳細については製造工程の説明において述べるが、融着金属層４は、Ａｕの融着金属層４ａと、Ｓｎの融着金属層４ｂを融着させることで生じる合金により形成されている。
【００７３】
第２の発光素子３のレーザ発振部９は、ｎ型ＧａＡｓ基板１３上に積層されたバッファ層９ａ、ｎ型クラッド層９ｂ、活性層９ｃ、ｐ型クラッド層９ｄ、通電層９ｅ、ｐ側コンタクト層９ｆがその順番で積層された積層構造を有している。
【００７４】
そして、ｐ側コンタクト層９ｆと通電層９ｅ及びｐ型クラッド層９ｄの一部がエッチング等によって除去されることで、上述のリッジ導波路１０が、紙面前方側から裏面側へ延びたストライプ形状に形成されている。更に、リッジ導波路１０の形成後、そのリッジ導波路１０を含んでレーザ発振部９を形成すべき領域をマスキングし、マスキングしない領域をｎ型ＧａＡｓ基板１３の比較的深い部分までエッチング等を施すことで、同図に示すような凸状の断面形状を有するレーザ発振部９が形成されている。
【００７５】
そして、上述のｐ側コンタクト層９ｆと通電層９ｅ及びリッジ導波路１０を除く、レーザ発振部９とｎ型ＧａＡｓ基板１３の全面が絶縁層１１で被覆され、更にｐ側コンタクト層９ｆと絶縁層１１の全面にオーミック電極層１２が積層されることで、ｐ側コンタクト層９ｆと通電層９ｅ及びリッジ導波路１０が、オーミック電極層１２に電気的に接続され、更にオーミック電極層１２を通じて融着金属層４とも電気的に接続されている。
【００７６】
より具体的に述べると、バッファ層９ａは、Ｓｉをドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＡｓから成り、厚さ約０．５μｍに形成されている。ｎ型クラッド層９ｂは、ｎ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成り、厚さ約１．２μｍに形成されている。
【００７７】
活性層９ｃは、約数十ｎｍの厚さに形成され、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰとから成る歪量子井戸構造を有している。ｐ型クラッド層９ｄは、Ｚｎをドーピングしてｐ型化したＡｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成り、厚さ約１．２μｍに形成されている。通電層９ｅは、ｐ型Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐから成り、厚さ約０．０５μｍに形成されている。ｐ側コンタクト層９ｆは、ｐ型ＧａＡｓから成り厚さ約０．２μｍに形成されている。
【００７８】
そして、オーミック電極層１２は、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｕ若しくはＡｕ-Ｚｎの何れか、又はそれらを組み合わせた合金で形成され、絶縁層７は、ＳｉＯ２等で形成されている。
【００７９】
次に、本実施例の半導体レーザ装置１の製造工程を図６、図７、図８を参照して説明する。
【００８０】
まず、複数個の第１の発光素子２を形成するための中間生成体１００を図６（ａ）〜（ｄ）に示す工程に従って作製すると共に、複数個の第２の発光素子３を形成するための中間生成体２００を図７（ａ）〜（ｄ）及び図８（ａ）（ｂ）に示す工程に従って作製する。
【００８１】
図６（ａ）において、単結晶サファイア（０００１）基板１４上に、ＭＯＣＶＤ法により、レーザ発振部５を形成するためのＧａＮ系薄膜を積層し、中間生成体１００を作製する。
【００８２】
すなわち、単結晶サファイア（０００１）基板１４上に、ＧａＮ又はＡｌＮから成る厚さ約数十ｎｍ程度のバッファ層５ａ、Ｓｉをドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＮから成る厚さ約５〜１５μｍの下地層５ｂ、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成る厚さ約０．８μｍのｎ型クラッド層５ｃ、ｎ型ＧａＮから成る厚さ約０．２μｍのｎ型ガイド層５ｄ、Ｉｎ０．０８Ｇａ０．９２ＮとＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎから成る井戸層とバリア層との多重量子井戸構造から成る活性層５ｅ、ＡｌＧａＮから成る厚さ約０．０２μｍの電子障壁層５ｆ、Ｍｇをドーピングしてｐ型化したｐ型ＧａＮから成る厚さ約０．２μｍのｐ型ガイド層５ｇ、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成る厚さ約０．４μｍのｐ型クラッド層５ｈ、ｐ型ＧａＮから成る厚さ約０．１μｍのｐ側コンタクト層５ｉをその順番で積層する。
【００８３】
次に、図６（ｂ）に示すように、中間生成体１００のｐ側コンタクト層５ｉ上に、複数個分のリッジ導波路６（図５参照）の形状に合わせたマスク１０１を形成し、マスク１０１から露出している部分を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって除去する。
【００８４】
ここで、図６（ｃ）に示すように、ｐ型クラッド層５ｈが約０．０５μｍ程度の厚さとなる深さまでエッチングを行うことによって、形成すべき複数のレーザ発振部５の間隔と同じ間隔で、ｐ型クラッド層５ｈから突出するストライプ形状のリッジ導波路６を複数個形成し、そしてマスク１０１を除去する。
【００８５】
次に、図６（ｄ）に示すように、夫々のリッジ導波路６上に残ったｐ側コンタクト層５ｉを除く、中間生成体１００の上面全体にＳｉＯ２の絶縁層７をスパッタリング等によって積層した後、ｐ側コンタクト層５ｉ及び絶縁層７上に、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ，若しくはＮｉの何れか、又はそれらを組み合わせた合金を、約２００ｎｍの厚さで蒸着することでオーミック電極層（ｐ側電極層）８を形成し、更にオーミック電極層８上の全面に、厚さ約２００ｎｍのＡｕから成る融着金属層４ａを蒸着によって形成することで、最終的な中間生成体１００を作製する。
【００８６】
次に、中間生成体２００については、まず、図７（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ（００１）基板１３上に、ＭＯＣＶＤ法により、レーザ発振部９を形成するためのＡｌＧａＩｎＰ系薄膜を積層する。
【００８７】
すなわち、上述のｎ型ＧａＡｓ基板１３上に、Ｓｉをドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＡｓから成る厚さ約０．５μｍのバッファ層９ａ、ｎ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成る厚さ約１．２μｍのｎ型クラッド層９ｂ、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰとから成る歪量子井戸構造の活性層９ｃ、Ｚｎをドーピングしてｐ型化したＡｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成る厚さ約１．２μｍのｐ型クラッド層９ｄ、ｐ型Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐから成る厚さ約０．０５μｍの通電層９ｅ、ｐ型ＧａＡｓから成る厚さ約０．２μｍのｐ側コンタクト層９ｆをその順番で積層する。
【００８８】
次に、図７（ｂ）に示すように、中間生成体２００のｐ側コンタクト層９ｆ上に、図６（ｃ）（ｄ）に示したリッジ導波路６と同じ間隔で、複数個分のリッジ導波路１０（図５参照）の形状に合わせたマスク２０１を形成し、マスク２０１より露出している部分を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって除去する。
【００８９】
ここで、図７（ｃ）に示すように、ｐ型クラッド層９ｄが約０．２μｍ程度の厚さとなる深さまでエッチングを行うことによって、形成すべきレーザ発振部９の間隔と同じ間隔で、ｐ型クラッド層９ｄより突出するストライプ形状のリッジ導波路１０を複数個形成し、そしてマスク２０１を除去する。
【００９０】
次に、複数個分のレーザ発振部９を形成すべき領域Ｗにマスク（図示略）を形成し、当該マスクより露出している部分をウエットエッチングによって除去する。具体的には、マスキングすべき領域Ｗの幅を約２００μｍ程度に設定し、硫酸：過酸化水素水：水の比を４：１：１としたエッチャントでエッチングする。
【００９１】
ここで、図７（ｄ）の斜視図にて示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の比較的深い部分までエッチングして、ｎ型ＧａＡｓ基板１３に〈１１０〉方向に沿った溝部２０２を形成すると共にレーザ発振部９を形成し、上述の領域Ｗに形成したマスク（図示略）を除去する。
【００９２】
次に、図８（ａ）に示すように、リッジ導波路１０上のｐ側コンタクト層９ｆを除く、レーザ発振部９とｎ型ＧａＡｓ基板１３上に、ＳｉＯ２の絶縁層１１をスパッタリング等によって積層する。
【００９３】
次に、図８（ｂ）に示すように、ｐ側コンタクト層９ｆ及び絶縁層１１上に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｕ若しくはＡｕ-Ｚｎの何れか、又はそれらを組み合わせた合金を約２００ｎｍの厚さで蒸着することでオーミック電極層（ｐ側電極層）１２を積層すると共に、厚さ約１μｍのＳｎから成る融着金属層４ｂを更に積層する。
【００９４】
こうして、中間生成体１００，２００を作製すると、図６（ｄ）に示した中間生成体１００は、図２（ａ）に示したのと同様の構造を有し、図８（ｂ）に示した中間生成体２００は、図２（ｂ）に示したのと同様の構造を有することとなる。
【００９５】
つまり、図２（ａ）中、点線のハッチングで表されているレーザー発振部５は、図６（ｄ）に示したＧａＮ系薄膜５ａ〜５ｉとリッジ導波路６を有した構造となり、図２（ｂ）中、点線のハッチングで表されているレーザー発振部９は、図８（ｂ）に示したＡｌＧａＩｎＰ系薄膜９ａ〜９ｆとリッジ導波路１０を有した構造となる。
【００９６】
次に、図６（ｄ）と図８（ｂ）に示した中間生成体１００，２００のリッジ導波路６，１０を向かい合わせるようにして、融着金属層４ａと４ｂとを接触させることで、図２（ｃ）に示したのと同様に、中間生成体１００，２００を組み合わせる。更に、後述の劈開を行った場合に、ＧａＮ系薄膜５ａ〜５ｉの劈開面（１−１００）とＡｌＧａＩｎＰ系薄膜９ａ〜９ｆの劈開面（１１０）が一致するように、中間生成体１００，２００を組み合わせる。更に又、後述の劈開等をして個々の半導体レーザ装置１に分割する際、個々の半導体レーザ装置１のレーザ発振部５におけるレーザ光の出射端とレーザ発振部９におけるレーザ光の出射端とが近接するように、予め中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【００９７】
そして、図２（ｃ）に示したのと同様の状態で、中間生成体１００，２００を所定の付勢力で圧接させ、約３００℃で全体を加熱した後、除熱する。これにより、Ａｕの融着金属層４ａとＳｎの融着金属層４ｂが融着し、ＡｕとＳｎの合金から成る融着金属層４が生成され、更に除熱によって融着金属層４が固化することで、中間生成体１００，２００とが一体に固着した中間生成体３００が作製される。
【００９８】
次に、図３（ａ）に示したのと同様に、サファイア基板１４の背面側より、サファイア基板１４を透過しＧａＮ系化合物半導体で吸収される光を照射する。尚、本実施例では、ＹＡＧレーザの４倍波（波長２６６ｎｍ）を所定の集光レンズで絞り、高エネルギーの光にしてサファイア基板１４の背面側より、レーザ発振部５のサファイア基板１４とレーザ発振部５との接合部近傍の部分へ照射する。
【００９９】
このように光を照射すると、波長２２６ｎｍの光は、サファイア基板１４中で殆ど吸収されずに透過し、上述の接合部近傍において、僅かな浸透深さで吸収される。更に、サファイア基板１４とＧａＮの間に大きな格子不整合があることから、接合部近傍のＧａＮには極めて多くの結晶欠陥が存在する。このため、吸収された光は殆ど熱に変換され、接合部近傍のバッファ層５ａ等が高温に加熱され、ＧａＮが金属ガリウムと窒素に分解する。
【０１００】
ここで、融着金属層４が形成されていない領域に隙間Ｒが生じているため、上述のＧａＮが分解することで生じるガスによって、その隙間Ｒに面しているオーミック電極層１２と絶縁膜１１とレーザ発振部５の一部が、隙間Ｒ等に崩落等する。このため、レーザ発振部５は、隙間Ｒを境にして、複数個のレーザ発振部５に分離される。
【０１０１】
レーザ発振部５と融着金属層４の接している領域では、レーザ発振部５とサファイア基板１４は、金属ガリウムによる弱い結合状態にあるため、ガリウムの融点温度より高い約３０℃の温度で中間生成体３００を加熱することによって、サファイア基板１４を中間生成体３００から剥離する。
【０１０２】
このようにサファイア基板１４を剥離すると、隙間Ｒを境にして分離された個々のレーザ発振部５が、レーザ発振部９側へ貼り替えられると共に、個々のレーザ発振部５の剥離面側が露出する。更に、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の溝部２０２に応じて凹状の断面に形成されている融着金属層４の部分が、レーザ発振部５，９の横側に露出する。別言すれば、融着金属層４のうち隙間Ｒを生じさせる部分が露出する。
【０１０３】
次に、上述のサファイア基板１４を剥離した中間生成体３００を、純水中で超音波洗浄し、崩落等したレーザ発振部５の一部分を除去した後、約３分間、希塩酸中に浸すことで、サファイア基板１４の剥離されたレーザ発振部５の剥離面に残留した金属ガリウムを除去すると共に、中間生成体３００全体を洗浄する。
【０１０４】
次に、上述の洗浄後、図４（ａ）に示したのと同様に、各レーザ発振部５の露出面（ｎ型ＧａＮとなっている面）に、Ｔｉ、Ａｌ若しくはＡｕの何れか、又はそれらを組み合わせた合金から成るオーミック電極Ｐ１を蒸着等によって形成すると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の下端に、ＡｕＧｅ又はＮｉ又はＡｕ若しくはこれらの組み合わせから成るオーミック電極Ｐ２を蒸着等によって形成する。
【０１０５】
次に、図４（ｂ）に示したのと同様に、リッジ導波路６，１０の長手方向に沿って中間生成体３００を所定長さずつ劈開する。ここで、ＧａＮ系薄膜の積層構造を有して形成されているレーザ発振部５の劈開面である（１−１００）面に沿って劈開すると共に、一方の劈開面に誘電体薄膜等の高反射コーティングを施すことによって、レーザ共振器を構成する。
【０１０６】
次に、図４（ｃ）に示したのと同様に、融着金属層４の露出部４Ｒに沿ってスクライブすることにより、図５に示した構造を有する個々の半導体レーザ装置１を作製する。
【０１０７】
このように本実施例の半導体レーザ装置１によれば、図５に示したように、レーザ発振部５，９を厚さの小さい融着金属層４の介在によって固着する構造となっているため、これらレーザ発振部５，６における発光点間隔を小さくすることができる。
【０１０８】
更に、本実施例によれば、融着金属層４の露出部４Ｒがレーザ発振部５，９の外側に延在して露出しているので、駆動電流を供給するためのコンタクトを容易にとることが可能となっている。
【０１０９】
また、融着金属層４は、レーザ発振部５，９に駆動電流を供給するためのいわゆる共通電極（コモン電極）としての機能を発揮するので、駆動電流供給用の電極やリード線の数を低減することができる。
【０１１０】
更に、本実施例の製造方法によれば、第１，第２の発光素子２，３を複数個形成することが可能な中間生成体１００，２００を融着金属層４によって固着した後、劈開及びスクライビング等によって個々の半導体レーザ装置１に分割するので、発光素子２，３の発光点間隔の最適化制御を、中間生成体１００，２００を固着する際に一括して行うことができると共に、高精度で位置合わせすることができる。
【０１１１】
更に、レーザ発振部５，９のリッジ導波路６，１０側が融着金属層４に近接して設けられており、且つ、融着金属層４の一部が外側に延在して露出した構造となっているため、レーザ発振部５，９に生じる熱を効率良く放熱することができる。
【０１１２】
また、本実施例の半導体レーザ装置１を、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載すると、発光点間隔が小さいことから、第１，第２の発光素子２，３の各発光点を共に光ピックアップの光学系の光軸に高精度で位置合わせることができ、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる。
【０１１３】
〈第２の実施例〉
次に、第１の実施形態に係る第２の実施例を図９を参照して説明する。なお、図９は本実施例の半導体レーザ装置の構造を表した縦断面図であり、図５と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【０１１４】
図９において、本半導体レーザ装置は、第１の実施例に対する変形例に相当するものであり、熱伝導率が高く電気的絶縁性を有したセラミック等の支持基板（サブマウント）４００に、図５に示した半導体レーザ装置１を固着した構造となっている。
【０１１５】
支持基板４００は、段差を有する段付き形状に形成され、低位置の端面（以下「第１の端面」という）に融着電極層Ｐ11、高位置の端面（以下「第２の端面」という）に融着電極層Ｐ31が夫々形成されている。
【０１１６】
第１の端面と第２の端面との高さの差は、第１の発光素子２に形成されている下地層５ｂから融着金属層４の露出部４Ｒまでの高さの差とほぼ同じに設定されており、蒸着等によって、導電率及び熱伝導率の高い金属を第１の端面と第２の端面上に積層することにより、上述の融着電極層Ｐ11とＰ31が形成されている。
【０１１７】
更に、下地層５ｂと融着電極層Ｐ11とがＡｕ等から成るオーミック電極層１０２を介して電気的に固着されると共に、融着金属層４の露出部４Ｒと融着電極層Ｐ31とが電気的に固着され、更に融着電極層Ｐ11，Ｐ31の一端に、駆動電流供給用のリード線Ｌ11，Ｌ31が夫々接続されている。
【０１１８】
そして、リード線Ｌ11とＬ31を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流が融着電極層Ｐ11，Ｐ31とオーミック電極層１０２及び融着金属層４を流れると共に、リッジ導波路６によって狭窄された電流がレーザ発振部５中の活性層５ｅに流入することで光が発生し、第１の発光素子２から波長４０５ｎｍ帯のレーザ光が出射される。
【０１１９】
また、リード線Ｌ31と、ＧａＡｓ基板１３上のオーミック電極Ｐ２に接続されているリード線Ｌ２とを通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流が融着電極層Ｐ２と融着金属層４を流れると共に、リッジ導波路１０によって狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層９ｃに流入することで光が発生し、第２の発光素子３から波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射される。
【０１２０】
このように、本実施例の半導体レーザ装置によれば、段差を有する支持基板４００に、第１，第２の発光素子２，３のレーザ発振部５，９が固着されているので、レーザ発振部５，９の発光に際して生じる両者の熱を効率良く放熱することができる。
【０１２１】
特に、レーザ発振部９は熱伝導の低いＡｌＧａＩｎＰ系レーザであり、更に支持基板４００から離れて位置していることから、レーザ発振部９に生じる熱を効率良く放熱する必要があるが、融着金属層４の露出部４Ｒを通じて支持基板４００側へ放熱する第１の放熱経路と、融着金属層４及びレーザ発振部５を通じて支持基板４００側へ放熱する第２の放熱経路との２つの放熱経路によって、レーザ発振部９に生じる熱を効率良く放熱することが可能である。
【０１２２】
つまり、レーザ発振部９のほぼ全体が熱伝導率の良好な融着金属層４に囲まれており、且つ融着金属層４の露出部４Ｒが支持基板４００上の融着金属層Ｐ31に接続されているので、上述の第１の放熱経路によって、レーザ発振部９に生じる熱を支持基板４００側へ効率良く放熱することができる。更に、融着金属層４と支持基板４００の間に存在するレーザ発振部５は極めて薄く、且つレーザ発振部５には従来技術で説明したような基板が設けられてないため、レーザ発振部９に生じる熱を融着金属層４及びレーザ発振部５を通じて（すなわち上述の第２の放熱経路を通じて）、支持基板４００側へ効率良く放熱することができる。
【０１２３】
このように、本実施例の半導体レーザ装置は、図５に示した半導体レーザ装置１を単に支持基板４００に取り付けたというものではなく、優れた放熱効果を実現する構造となっている。
【０１２４】
更に、本実施例によれば、融着金属層４の一部分（すなわち、露出部４Ｒ）がレーザ発振部５，９の外部に露出しているため、支持基板４００と半導体レーザ装置１とを容易に固着することができ、製造工程の簡素化等を実現することができる。
【０１２５】
更に、第１の実施例で説明したのと同様に、第１の発光素子２のレーザ発振部５と第２の発光素子３のレーザ発振部９とを厚さの小さい融着金属層４の介在によって固着する構造となっているため、レーザ発振部５，９の発光点間隔を小さくすることができ、例えばＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに好適な半導体レーザ装置を提供することができる。
【０１２６】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施形態を図１０ないし図１２を参照して説明する。
【０１２７】
図１０（ａ）は、本実施形態の半導体レーザ装置の外部構造を表した斜視図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示した半導体レーザ装置の断面構造を表した図である。図１１と図１２は、本半導体レーザ装置の製造工程を表した図である。なお、図１０ないし図１２において、図１ないし図３と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【０１２８】
図１０（ａ）（ｂ）において、この半導体レーザ装置１は、第１の実施の形態と同様に、青色ないし紫外域（短波長）のレーザ光を出射するレーザ発振部５を有した第１の発光素子２と、それより長波長（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光を出射するレーザ発振部９を有した第２の発光素子３とが融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有している。
【０１２９】
レーザ発振部５は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含む窒化物III−Ｖ族化合物半導体から成り、多重量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを有した二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、融着金属層４側に形成されたリッジ導波路６を備えて形成されている。
【０１３０】
具体的に述べれば、例えばレーザ発振部５は、図５に示したレーザ発振部５と同様の構造を有しており、下地層５ｂ、ｎ型クラッド層５ｃ、ｎ型ガイド層５ｄ、活性層５ｅ、電子障壁層５ｆ、ｐ型ガイド層５ｇ、ｐ型クラッド層５ｈ、ｐ側コンタクト層５ｉとがその順番で積層された積層構造を有し、ｐ側コンタクト層５ｉとｐ型クラッド層５ｈの一部がエッチング等によって除去されることで、ストライプ形状のリッジ導波路６が形成されている。
【０１３１】
そして、レーザ発振部５は絶縁層７とオーミック電極層８を介して融着金属層４に固着され、また、レーザ発振部５の表面にオーミック電極Ｐ１が形成されている。
【０１３２】
レーザ発振部９は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体から成り、歪量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、融着金属層４側に形成されたリッジ導波路１０を備えて形成されている。
【０１３３】
具体的に述べれば、例えばレーザ発振部９は、図５に示したレーザ発振部９と同様の構造を有しており、ｎ型ＧａＡｓ基板１３上に、バッファ層９ａ、ｎ型クラッド層９ｂ、活性層９ｃ、ｐ型クラッド層９ｄ、通電層９ｅ、ｐ側コンタクト層９ｆとがその順番で積層された積層構造を有している。
【０１３４】
そして、ｐ側コンタクト層９ｆと通電層９ｅ及びｐ型クラッド層９ｄの一部がエッチング等によって除去されることでストライプ形状のリッジ導波路１０が形成されている。
【０１３５】
なお、図５に示したレーザ発振部９は、ｎ型ＧａＡｓ基板１３上の一部分に形成されているのに対し、本実施形態のレーザ発振部９は、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１３上の全面に積層された構造となっており、リッジ導波路１０側に積層された絶縁層１１及びオーミック電極層１２を介して融着金属層４に固着されている。
【０１３６】
更に、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、第１の発光素子２の横幅に較べて第２の発光素子３の横幅の方が大きい分、オーミック電極層１２が融着金属層４の外に延在して露出おり、その露出部１２Ｒにオーミック電極Ｐ３が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の下端にはオーミック電極Ｐ２が形成されている。
【０１３７】
そして、オーミック電極Ｐ１とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層１２及び融着金属層４中を流れると共に、リッジ導波路６によって狭窄された電流がレーザ発振部５中の上述の活性層に流入することで光が発生する。更にリッジ導波路６の両端に形成されている劈開面（鏡面）により構成されているレーザ共振器の作用によって、上述の短波長のレーザ光が劈開面から出射される。
【０１３８】
オーミック電極Ｐ２とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層１２中を流れると共に、リッジ導波路１０によって狭窄された電流がレーザ発振部９中の上述の活性層に流入することで光が発生する。更にリッジ導波路１０の両端に形成されている劈開面（鏡面）により構成されているレーザ共振器の作用によって、上述の長波長のレーザ光が劈開面から出射される。
【０１３９】
なお、第１，第２の発光素子２，３の片側の劈開端面には高反射コーティングが施されている。
【０１４０】
次に、かかる構造を有する半導体レーザ装置１の製造工程を図１１及び図１２を参照して説明する。
【０１４１】
まず、図１１（ａ）に示すように、複数個の第１の発光素子２を形成するための中間生成体１００と、図１１（ｂ）に示すように、複数個の第２の発光素子３を形成するための中間生成体２００を予め作製する。
【０１４２】
すなわち、図１１（ａ）において、ＭＯＣＶＤ法等により、例えばサファイア基板１４上にＧａＮ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層形成することで、上述した多重量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有した二重ヘテロ構造（ＤＨ）を形成し、更に活性層より上方に形成したクラッド層の上部を選択的にエッチング等することでストライプ形状の複数のリッジ導波路６を所定間隔をおいて並設する。
【０１４３】
更に、リッジ導波路６を除く上面部分の全体に絶縁層７を形成した後、リッジ導波路６と絶縁層７とを含む全面に、蒸着等によって、例えばＰｄ、Ｐｔ若しくはＡｕの何れか又はそれらを組合わせた合金から成るオーミック電極層８を積層し、更にオーミック電極層８上に、Ａｕから成る融着金属層４ａを積層する。
【０１４４】
かかる製造工程により、第１の発光素子２を複数個形成することが可能な中間生成体１００を作製する。
【０１４５】
次に、図１１（ｂ）において、ＭＯＣＶＤ法等により、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１３上にＡｌＧａＩｎＰ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層形成することで、上述した歪量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有した二重ヘテロ構造（ＤＨ）を形成した後、当該活性層より上方部分を選択的にエッチング等することで、ストライプ形状の複数のリッジ導波路１０を上述のリッジ導波路６と同じ間隔をおいて並設する。
【０１４６】
更に、リッジ導波路１０を除く上面部分の全体に絶縁層１１を形成した後、リッジ導波路１０と絶縁層１１とを含む全面に、蒸着等によって、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｕ若しくはＡｕ-Ｚｎの何れか又はそれらを組み合わせた合金から成るオーミック電極層１２を積層し、更にリッジ導波路１０を含む所定幅の領域に、Ｓｎ等から成る融着金属層４ｂをパターニングして積層する。
【０１４７】
かかる製造工程により、第２の発光素子３を複数個形成することが可能な中間生成体２００を作製する。
【０１４８】
こうして中間生成体１００，２００を予め作製した後、次に、図１２（ａ）に示すように、融着金属層４ａ，４ｂを合わせることで、中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【０１４９】
ここで、後述の劈開等をして個々の半導体レーザ装置１に分割する際、個々の半導体レーザ装置１のレーザ発振部５におけるレーザ光の出射端とレーザ発振部９におけるレーザ光の出射端とが近接するように、予め中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【０１５０】
そして、中間生成体１００，２００を所定の付勢力で圧接させた状態で全体を加熱し、融着金属層４ａ，４ｂを融着させた後、除熱する。これにより、融着金属層４ａ，４ｂが一体化した融着金属層４となり、中間生成体１００，２００が固着されることで、一体化した中間生成体３００が作製される。
【０１５１】
次に、図１２（ｂ）において、サファイア基板１４を透過し、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光をサファイア基板１４の背面側から照射する。これによりレーザ発振部５のサファイア基板１４との接合部近傍が加熱され，その熱によって当該接合部近傍の半導体薄膜が分解することでサファイア基板１４とレーザ発振部５との接合力が弱まり、剥離しやすくなる。
【０１５２】
更に、融着金属層４が形成されない領域に隙間Ｒが生じているため、上述の半導体薄膜が分解することで生じるガスによって、その隙間Ｒに面しているオーミック電極層１２と絶縁層１１とレーザ発振部５の一部分が、隙間Ｒ内に崩落等する。このため、レーザ発振部５は、隙間Ｒを境にして、複数個のレーザ発振部５に分離される。
【０１５３】
次に、図１２（ｃ）に示すように、サファイア基板１４を中間生成体３００から剥離する。このようにサファイア基板１４を剥離すると、隙間Ｒを境にして分離された個々のレーザ発振部５がレーザ発振部９側へ貼り替えられると共に、個々のレーザ発振部５の剥離面側が露出し、更に、オーミック電極層１２の一部分が隙間Ｒによって露出する。
【０１５４】
次に、上述のサファイア基板１４を剥離した中間生成体３００を、例えば純水中で超音波洗浄し、崩落等したレーザ発振部５の一部の破片を除去した後、約３分間、希塩酸中に浸すことで、レーザ発振部５とオーミック電極層１２の露出面上の金属ガリウムを除去すると共に、中間生成体３００全体を洗浄する。
【０１５５】
次に、上述の洗浄後、レーザ発振部５の露出している表面に、Ｔｉ、Ａｌ若しくはＡｕの何れか又それらを組み合わせた合金等から成るオーミック電極Ｐ１を蒸着等によって形成すると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の下端に、Ｎｉ、Ａｕ若しくはＡｕ-Ｇｅの何れか又はそれらを組み合わせた合金等から成るオーミック電極Ｐ２を蒸着等によって形成し、更に、オーミック電極層１２の露出部１２Ｒに、Ａｕ等から成るオーミック電極Ｐ３を蒸着等によって形成する。
【０１５６】
次に、上述のオーミック電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を形成した後、リッジ導波路６，１０の垂直方向に中間生成体３００を所定間隔で劈開する。
【０１５７】
ここで、例えばＧａＮ系薄膜の積層構造を有して形成されているレーザ発振部５の劈開面である（１−１００）面に沿って劈開すると共に、片側の劈開面に誘電体薄膜等の高反射コーティングを施すことによって、レーザ共振器を構成する。すなわち、図４（ｂ）に示したのと同様の劈開を行う。
【０１５８】
次に、上述の隙間Ｒに相当する夫々の所定部分、例えば図１２（ｃ）中、２点鎖線にて示す部分に沿って、レーザ発振部９及びｎ型ＧａＡｓ基板１３側をスクライブすることによって分割し、図１０（ａ）（ｂ）に示した個々の半導体レーザ装置１を完成する。
【０１５９】
このように本実施形態の半導体レーザ装置１によれば、図１０（ａ）（ｂ）に示したように、厚さを小さくして形成することが可能な融着金属層４の介在によってレーザ発振部５，９を固着する構造となっているため、発光点間隔を小さくすることができる。そして、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載することにより、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる。
【０１６０】
また、第１の実施形態では、図１（ａ）（ｂ）に示したように、融着金属層４の断面を凹凸形状にすべく、エッチング等によってレーザ発振部９を凸状に形成しているが、本第２の実施形態の半導体レーザ装置１は、図１０（ａ）（ｂ）に示すように、レーザ発振部９をいわゆる平坦形状のままとしているので、より製造工程の簡素化等を実現することができる。
【０１６１】
更に、オーミック電極層１２の一端がレーザ発振部５，９の外側に延在している露出部１２Ｒが存在するため、駆動電流を供給するためのコンタクトを容易にとることが可能となっている。また、オーミック電極層１２は、レーザ発振部５，９に駆動電流を供給するためのいわゆる共通電極（コモン電極）としての機能を発揮するので、駆動電流供給用の電極の数を低減することができる。
【０１６２】
更に、本実施形態の製造方法によれば、中間生成体１００，２００とを融着金属層４によって固着することで一体化した中間生成体３００を作製した後、その中間生成体３００を劈開及びスクライビング等によって個々の半導体レーザ装置１に分割するので、半導体製造工程において中間生成体１００，２００とを融着金属層４によって固着する際、その後分割されることとなる個々の半導体レーザ装置１における発光点間隔の最適化制御を一括して行うことができると共に、各発光点の位置合わせを高精度で行うことができる。そして、発光点間隔の最適化制御を一括して行うことができることで、量産性の向上、品質の均一化等を図ることができる。
【０１６３】
〈第３の実施例〉
次に、第２の実施形態に係る実施例を図１３を参照して説明する。なお、図１３は本実施例の半導体レーザ装置の構造を表した断面図であり、図１０（ａ）（ｂ）と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【０１６４】
図１３において、本半導体レーザ装置は、熱伝導率が高く電気的絶縁性を有したセラミック等の支持基板（サブマウント）５００上に、図１０（ａ）（ｂ）に示した半導体レーザ装置１を固着した構造となっている。
【０１６５】
支持基板５００は、融着電極層Ｐ12が形成された第１の端面と、融着電極層Ｐ32が形成された第２の端面とを有し、第１の端面が第２の端面より低位置となるような段付き形状に形成されている
ここで、上述の第１の端面と第２の端面との高さの差は、図１２（ｃ）に基づいて説明したサファイア基板１４を剥離した際に生じるレーザ発振部５の露出面からオーミック電極層１２の露出面までの高さの差とほぼ同じに設定されており、蒸着等によって、導電率及び熱伝導率の高い金属を第１の端面と第２の端面上に積層することにより、融着電極層Ｐ12とＰ32が形成されている。
【０１６６】
更に、レーザ発振部５の上述の露出面と融着電極層Ｐ12が、Ａｕ等から成るオーミック電極層１０３を介して電気的に固着されると共に、オーミック電極層１２の露出面と融着電極層Ｐ32とが電気的に固着され、更に融着電極層Ｐ12，Ｐ32の一端に、駆動電流供給用のリード線Ｌ12，Ｌ32が夫々接続されている。
【０１６７】
そして、リード線Ｌ12とＬ32を通じて駆動電流を供給すると、リッジ導波路６によって狭窄された電流がレーザ発振部５中の活性層に流入することで光が発生し、第１の発光素子２から青色ないし紫外域のいわゆる短波長（例えば、波長４００ｎｍ帯）のレーザ光が出射される。
【０１６８】
また、リード線Ｌ32と、ＧａＡｓ基板１３上のオーミック電極Ｐ２に接続されているリード線Ｌ２とを通じて駆動電流を供給すると、リッジ導波路１０によって狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することで光が発生し、第２の発光素子３から赤色（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光が出射される。
【０１６９】
このように本実施例の半導体レーザ装置によれば、段付き形状すなわち段差を有する支持基板５００に、第１，第２の発光素子２，３のレーザ発振部５，９が固着されているので、レーザ発振部５，９の発光に際して生じる熱を効率良く放熱することができる。
【０１７０】
特に、レーザ発振部９は熱伝導の低いＡｌＧａＩｎＰ系レーザであり、更に支持基板４００から離れて位置していることから、レーザ発振部９に生じる熱を効率良く放熱する必要があるが、オーミック電極層１２の露出部１２を通じて支持基板４００側へ放熱する第１の放熱経路と、融着金属層４及びレーザ発振部５を通じて支持基板４００側へ放熱する第２の放熱経路との２つの放熱経路によって、レーザ発振部９に生じる熱を効率良く放熱することが可能である。
【０１７１】
更に、第２の実施形態で説明したのと同様に、レーザ発振部５，９を厚さの小さい融着金属層４の介在によって固着する構造となっているため、レーザ発振部５，９の発光点間隔を小さくすることができ、例えばＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに好適な半導体レーザ装置を提供することができる。
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施形態を図１４ないし図１７を参照して説明する。
【０１７２】
図１４（ａ）は、本実施形態の半導体レーザ装置の外部構造を表した斜視図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示した半導体レーザ装置の断面構造を表した図である。図１５と図１６は、本半導体レーザ装置の製造工程を表した図である。図１７は、本実施形態の変形した態様を示した断面図である。
【０１７３】
なお、図１４ないし図１７において、図１ないし図３と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【０１７４】
図１４（ａ）（ｂ）において、この半導体レーザ装置１は、第１の実施の形態と同様に、短波長（例えば、波長４００ｎｍ帯）のレーザ光を出射するレーザ発振部５を有した第１の発光素子２と、それより長波長（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光を出射するレーザ発振部９を有した第２の発光素子３とが融着金属層４によって一体に固着されたハイブリッド構造を有している。
【０１７５】
レーザ発振部５は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と窒素（Ｎ）とを含む窒化物III−Ｖ族化合物半導体から成る多重量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、融着金属層４側に形成されたリッジ導波路６を備えて形成されている。
【０１７６】
具体的に述べれば、例えばレーザ発振部５は、図５に示したレーザ発振部５と同様の構造を有しており、下地層５ｂ、ｎ型クラッド層５ｃ、ｎ型ガイド層５ｄ、活性層５ｅ、電子障壁層５ｆ、ｐ型ガイド層５ｇ、ｐ型クラッド層５ｈ、ｐ側コンタクト層５ｉとがその順番で積層された積層構造を有し、ｐ側コンタクト層５ｉとｐ型クラッド層５ｈの一部がエッチング等によって除去されることで、ストライプ形状のリッジ導波路６が形成されている。
【０１７７】
そして、レーザ発振部５は、絶縁層７とオーミック電極層８を介して融着金属層４に固着され、また、レーザ発振部５の表面にオーミック電極Ｐ１が形成されている。
【０１７８】
レーザ発振部９は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のうち少なくとも１種と砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）のうち少なくとも１種とを含むIII−Ｖ族化合物半導体より成る歪量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、融着金属層４側に形成されたリッジ導波路１０を備えて形成されている。
【０１７９】
具体的に述べれば、例えばレーザ発振部９は、図５に示したレーザ発振部９と同様の構造を有しており、基板１３上に、バッファ層９ａ、ｎ型クラッド層９ｂ、活性層９ｃ、ｐ型クラッド層９ｄ、通電層９ｅ、ｐ側コンタクト層９ｆとがその順番で積層された積層構造を有している。また、ｐ側コンタクト層９ｆと通電層９ｅ及びｐ型クラッド層９ｄの一部がエッチング等によって除去されることでストライプ形状のリッジ導波路１０が形成されている。
【０１８０】
そして、レーザ発振部９は、絶縁層１１とオーミック電極層１２を介して融着金属層４に固着され、また、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の下端にオーミック電極Ｐ２が積層されている。
【０１８１】
ここで、本実施形態の半導体レーザ装置１は、第１の実施形態の半導体レーザ装置１と次の点で構造が相異している。
【０１８２】
第１の実施形態の半導体レーザ装置１は、図１（ａ）（ｂ）に示したように、基板１３の一部分にレーザ発振部９が形成されると共に、そのレーザ発振部９とレーザ発振部９の形成されていない基板１３上に融着金属層４が形成されることで、融着金属層４の断面が凹凸形状となっている。
【０１８３】
そして、その融着金属層４のうち断面が凹状の部分が、レーザ発振部５，９より外側に延在して露出しており、その露出した部分が露出部４Ｒを形成している。
【０１８４】
これに対し、本実施形態の半導体レーザ装置１は、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、レーザ発振部９が基板１３上の全面に積層され、更に、そのレーザ発振部９の全面上に融着金属層４が積層されている。
【０１８５】
そして、その融着金属層４のうち、レーザ発振部５の外側に張り出すように延在した部分が露出部分４Ｒを形成している。
【０１８６】
このように本実施形態の半導体レーザ装置１は、第１の実施形態の半導体レーザ装置１とは異なった構造を有している。
【０１８７】
そして、オーミック電極Ｐ１とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層８及び融着金属層４中を流れると共に、リッジ導波路６によって狭窄された電流がレーザ発振部５中の上述の活性層に流入することで光が発生する。更にリッジ導波路６の両端に形成されている劈開面（鏡面）により構成されているレーザ共振器の作用によって、上述の短波長のレーザ光が劈開面から出射される。
【０１８８】
オーミック電極Ｐ２とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層１２及び融着金属層４中を流れると共に、リッジ導波路１０によって狭窄された電流がレーザ発振部９中の上述の活性層に流入することで光が発生する。更にリッジ導波路１０の両端に形成されている劈開面（鏡面）により構成されているレーザ共振器の作用によって、上述の長波長のレーザ光が劈開面から出射される。
【０１８９】
なお、図１４（ａ）（ｂ）に表されている第１，第２の発光素子２，３の片側の劈開端面に、高反射コーティングが施されている。
【０１９０】
次に、かかる構造を有する半導体レーザ装置１の製造工程を図１５及び図１６を参照して説明する。
【０１９１】
まず、図１５（ａ）に示すように、複数個の第１の発光素子２を形成するための中間生成体１００と、図１５（ｂ）に示すように、複数個の第２の発光素子３を形成するための中間生成体２００を予め作製する。
【０１９２】
すなわち、図１５（ａ）において、ＭＯＣＶＤ法等により、例えばサファイア基板１４上にＧａＮ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層形成することで、上述した多重量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有した二重ヘテロ構造（ＤＨ）を形成し、更に当該活性層より上方部分を選択的にエッチング等することでストライプ形状の複数のリッジ導波路６を所定間隔をおいて並設する。
【０１９３】
更に、リッジ導波路６を除く上面部分の全体に絶縁層７を形成した後、リッジ導波路６を含む所定幅（レーザ発振部５の横幅に相当する幅）の領域に、蒸着等によって、例えばＰｄ、Ｐｔ若しくはＡｕの何れか、又はそれらを組み合わせた合金のオーミック電極層８とＡｕから成る融着金属層４ａをパターニングして順に積層する。
【０１９４】
かかる製造工程により、第１の発光素子２を複数個形成することが可能であって、オーミック電極層８と融着金属層４ａとが形成されていない領域において絶縁層７が露出した中間生成体１００を作製する。
【０１９５】
次に、図１４（ｂ）において、ＭＯＣＶＤ法等により、例えばｎ型ＧａＡｓ基板１３上にＡｌＧａＩｎＰ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層形成することで、上述した歪量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有した二重ヘテロ構造（ＤＨ）を形成した後、活性層の上側のクラッド層を選択的にエッチング等することで、ストライプ形状の複数のリッジ導波路１０を上述のリッジ導波路６と同じ間隔をおいて並設する。
【０１９６】
更に、リッジ導波路１０を除く上面部分の全体に絶縁層１１を形成した後、リッジ導波路１０と絶縁層１１とを含む全面に、蒸着等によって、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｕ若しくはＡｕ-Ｚｎの何れか又はそれらを組み合わせた合金から成るオーミック電極層１２と、Ｓｎ等から成る融着金属層４ｂを順に積層する。
【０１９７】
かかる製造工程により、第２の発光素子３を複数個形成することが可能な中間生成体２００を作製する。
【０１９８】
このように中間生成体１００，２００を予め作製した後、次に、図１６（ａ）に示すように、融着金属層４ａ，４ｂを合わせることで、中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【０１９９】
ここで、後述の劈開等をして個々の半導体レーザ装置１に分割する際、個々の半導体レーザ装置１のレーザ発振部５におけるレーザ光の出射端とレーザ発振部９におけるレーザ光の出射端とが近接するように、予め中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【０２００】
そして、中間生成体１００，２００を所定の付勢力で圧接させた状態で全体を加熱し、融着金属層４ａ，４ｂを融着させた後、除熱する。
【０２０１】
これにより、絶縁層７が露出している領域を除いて、融着金属層４ａ，４ｂが一体化した融着金属層４となり、中間生成体１００，２００が固着されることで一体化した中間生成体３００が作製される。
【０２０２】
つまり、図１５（ｂ）に示したように、中間生成体２００には融着金属層４ｂがほぼ全体的に形成されているのに対し、中間生成体１００には、図１５（ａ）に示したように、融着金属層４ａが形成されている領域と絶縁層７が露出している領域とが設けられている。
【０２０３】
このため、図１６（ａ）において、融着金属層４ａ，４ｂ同士を圧接させた状態で全体を加熱して除熱すると、絶縁層７とそれに対向している融着金属層４ｂの部分が固着することなく一体化した融着金属層４が生じる。
【０２０４】
次に、図１６（ｂ）において、サファイア基板１４を透過し、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光をサファイア基板１４の背面側から照射する。これによりレーザ発振部５のサファイア基板１４との接合部近傍が加熱され，その熱によって当該部分が分解することでサファイア基板１４とレーザ発振部５との接合力が弱まり、剥離しやすくなる。
【０２０５】
次に、図１６（ｃ）に示すように、サファイア基板１４を中間生成体３００から剥離する。
【０２０６】
このようにサファイア基板１４を剥離すると、上述の絶縁層７が露出していた領域を除いて、レーザ発振部５がレーザ発振部９側へ貼り替えられることとなる。そのため、絶縁層７が露出していた領域を境にしてレーザ発振部５が分離され、更に、融着金属層４のうち、その露出していた絶縁層７に対向していた部分が露出する。
【０２０７】
次に、上述のサファイア基板１４を剥離した中間生成体３００を、例えば純水中で超音波洗浄し、融着金属層４の露出部４Ｒ上に残留しているレーザ発振部５の一部の破片を除去した後、約３分間、希塩酸中に浸すことで、レーザ発振部５の露出面上の金属ガリウムを洗浄すると共に、中間生成体３００全体を洗浄する。
【０２０８】
次に、上述の洗浄後、レーザ発振部５の露出している上端に、Ｔｉ、Ａｌ若しくはＡｕの何れか又はそれらを組み合わせた合金から成るオーミック電極Ｐ１を蒸着等によって形成すると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板１３の下端に、Ｎｉ、Ａｕ若しくはＡｕ-Ｇｅの何れか又はそれらを組み合わせた合金から成るオーミック電極Ｐ２を蒸着等によって形成する。更に、融着金属層４の露出部分に、Ａｕ等から成るオーミック電極Ｐ３を蒸着等によって形成する。
【０２０９】
次に、上述のオーミック電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を形成した後、リッジ導波路６，１０の垂直方向に沿って中間生成体３００を所定間隔で劈開する。
【０２１０】
ここで、例えばＧａＮ系薄膜の積層構造を有して形成されているレーザ発振部５の劈開面である（１−１００）面に沿って劈開すると共に、片側の劈開面に誘電体薄膜等の高反射コーティングを施すことによって、レーザ共振器を構成する。すなわち、図４（ｂ）に示したのと同様の劈開を行う。
【０２１１】
次に、融着金属層４の露出部分、例えば図１６（ｃ）中、２点鎖線にて示す部分に沿って、レーザ発振部９及びｎ型ＧａＡｓ基板１３側をスクライブすることによって分割し、図１４（ａ）（ｂ）に示した個々の半導体レーザ装置１を完成する。
【０２１２】
このように本第３の実施形態の半導体レーザ装置１によれば、厚さを小さくすることが可能な融着金属層４の介在によって、第１の発光素子２のレーザ発振部５と第２の発光素子３のレーザ発振部９との発光点間隔を小さくすることができる。そして、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載することにより、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる。
【０２１３】
また、本実施形態の製造方法によれば、図１（ａ）（ｂ）に示した第１の実施形態の場合のように、レーザ発振部９にエッチング等を施して凹凸状の断面を有する融着金属層４を形成することで、融着金属層４を露出させるといった製造工程を必要とせず、より簡素な製造方法を提供することができる。
【０２１４】
なお、図１７は、熱伝導率が高く電気的絶縁性を有したセラミック等の支持基板（サブマウント）６００上に、図１４（ａ）（ｂ）に示した本実施形態に係る半導体レーザ装置１を固着することで、放熱効果等の向上を図った半導体レーザ装置の構造を示している。
【０２１５】
すなわち、支持基板６００は、融着電極層Ｐ13が形成された第１の端面と、融着電極層Ｐ33が形成された第２の端面とを有し、第１の端面が第２の端面より所定高さだけ低位置となるような段付き形状に形成されている。
【０２１６】
更に、上述のサファイア基板１４を剥離した際に生じるレーザ発振部５の露出面にＴｉ、Ａｌ若しくはＡｕの何れか、又はそれらを組み合わせた合金から成るオーミック電極層１０４が形成されている。
【０２１７】
そして、オーミック電極層１０４と融着電極層Ｐ13とを融着させると共に、融着金属層４と融着電極層Ｐ33とを融着させることで、支持基板６００に半導体レーザ装置１が固着している。
【０２１８】
そして、融着電極層Ｐ13，Ｐ33に接続された各リード線Ｌ13，Ｌ33を通じて駆動電流を供給すると、リッジ導波路６によって狭窄された電流がレーザ発振部５中の活性層に流入することで光が発生し、第１の発光素子２から青色ないし紫外域のいわゆる短波長のレーザ光が出射される。
【０２１９】
また、リード線Ｌ33と、基板１３上のオーミック電極Ｐ２に接続されているリード線Ｌ２とを通じて駆動電流を供給すると、リッジ導波路１０によって狭窄された電流がレーザ発振部９中の活性層に流入することで光が発生し、第２の発光素子３から赤色（例えば、波長６００ｎｍ帯〜７００ｎｍ帯）のレーザ光が出射される。
【０２２０】
〔第４の実施の形態〕
次に、本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ装置を図１８を参照して説明する。なお、図１８は、本実施形態の半導体レーザ装置の構造を表した縦断面図であり、図１（ａ）（ｂ）と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【０２２１】
図１８において、本半導体レーザ装置は、図１（ａ）（ｂ）に示したレーザ発振部５を有する第１の発光素子２と、レーザ発振部９を有する第２の発光素子３の他、レーザ発振部７０１を有する第３の発光素子７００を更に備えた構造となっており、各レーザ発振部５，９，７０１から互いに波長の異なるレーザ光を出射する。
【０２２２】
ここで、レーザ発振部５は、ＧａＮ系レーザから成り、例えば図５を参照して説明したＧａＮ系薄膜５ｂ〜５ｉが積層された積層構造を有している。
【０２２３】
更に、レーザ発振部５のリッジ導波路６側に絶縁層７が積層され、リッジ導波路６と電気的に接続するオーミック電極層８が絶縁層７上に積層されている。
【０２２４】
レーザ発振部９とレーザ発振部７０１は、ＧａＡｓより成る同一の基板１３上に形成されたモノリシック型の半導体レーザとして形成されており、レーザ発振部９は、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザから成り、例えば図５を参照して説明したＡｌＧａＩｎＰ系薄膜９ａ〜９ｆが積層された積層構造を有している。一方、レーザ発振部７０１は、ＡｌＧａＡｓ系レーザから成る。
【０２２５】
更に、レーザ発振部９，７０１と基板１３上には、レーザ発振部９，７０１に夫々形成されているリッジ導波路１０，７０２を除いて絶縁層１１が積層され、更にリッジ導波路１０に電気的に接続するオーミック電極層１２と、リッジ導波路７０２に電気的に接続するオーミック電極層７０３が絶縁層１１上に積層されている。なお、オーミック電極層１２と７０３は電気的に接続されていない。
【０２２６】
そして、レーザ発振部５側に形成されているオーミック電極層８と、レーザ発振部９側に形成されているオーミック電極層９との間に介在する融着金属層４によってレーザ発振部５，９が固着されている。
【０２２７】
また、レーザ発振部５の表面と、基板１３の下端と、融着電極層４の露出部４Ｒと、オーミック電極層７０３の一端に、オーミック電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４がそれぞれ形成されている。
【０２２８】
そして、オーミック電極Ｐ１とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流が融着金属層４を通じてレーザ発振部６に流れ、リッジ導波路６で狭窄される電流がレーザ発振部６中の活性層に流入することでレーザ発振が行われ、波長４０５ｎｍ帯のレーザ光が出射される。
【０２２９】
また、オーミック電極Ｐ２とＰ３を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流が融着金属層４及び基板１３を通じてレーザ発振部９に流れ、リッジ導波路１０で狭窄される電流がレーザ発振部１０中の活性層に流入することでレーザ発振が行われ、波長６５０ｎｍ帯のレーザ光が出射される。
【０２３０】
また、オーミック電極Ｐ２とＰ４を通じて駆動電流を供給すると、その駆動電流が基板１３を通じてレーザ発振部７０１に流れ、リッジ導波路７０２で狭窄される電流がレーザ発振部７０１中の活性層に流入することでレーザ発振が行われ、波長７８０ｎｍ帯のレーザ光が出射される。
【０２３１】
本実施形態の半導体レーザ装置は、次のようにして作製されている。なお、第１の実施形態に係る製造方法を説明するのに引用した図２、図３、図４を参照して説明する。
【０２３２】
まず、図２（ａ）（ｂ）に示したのと同様に、複数個の第１の発光素子２を形成することが可能な中間生成体１００と、複数個の第２，第３の発光素子３，７００を形成することが可能な中間生成体２００を予め作製する。
【０２３３】
ただし、中間生成体２００については、基板１３上に、ＭＯＣＶＤ、エッチングその他の半導体製造プロセスによって、ＡｌＧａＩｎＰ系レーザを積層して成るレーザ発振部９と、ＡｌＧａＡｓ系レーザを積層して成るレーザ発振部７０１とを形成したモノリシック型半導体装置として作成する。ここで、レーザ発振部９と７０１は交互に位置している。
【０２３４】
例えば、図２（ｂ）において、同図中の右側に位置するレーザ発振部９をレーザ発振部７０１とすることで、左側に位置しているレーザ発振部９とそのレーザ発振部７０１を交互に形成する。更に、レーザ発振部９とレーザ発振部７０１の間の基板１３に、図２（ｂ）に示すような溝部を形成した後、リッジ導波路１０，７０２を除いたレーザ発振部９，７０１と当該溝部との全面に絶縁層１１を積層する。
【０２３５】
そして、リッジ導波路１０と電気的に接続するオーミック電極層１２及び融着金属層４ｂを、レーザ発振部９と上述の溝部上に積層されている絶縁層１１上に蒸着等で形成する。更に、リッジ導波路７０１と電気的に接続するオーミック電極層７０３を、オーミック電極層１２に電気的に接続しないようにして、レーザ発振部７０１に積層されている絶縁層７０３上に蒸着等で形成する。
【０２３６】
かかる製造工程により、レーザ発振部９上には、絶縁層１１とオーミック電極層１２と融着金属層４ｂが積層されており、レーザ発振部７０１上には、絶縁層１１とオーミック電極層７０１が積層され、融着金属層４ｂが積層されていない中間生成体２００を予め作製する。また、レーザ発振部９が上述の溝部よりも突出して形成されるので、レーザ発振部９と上述の溝部とによって生じる段差に応じて、融着金属層４ｂの断面形状は凹凸状になる。
【０２３７】
一方、中間生成体１００については、図２（ａ）に示したのと同様に、サファイア基板１４上に、リッジ導波路６を有するレーザ発振部５を形成する。ただし、中間生成体２００のレーザ発振部９に対応するリッジ導波路６のみを形成し、レーザ発振部７０１に対応するリッジ導波路は形成しない。
【０２３８】
例えば、図２（ａ）において、同図中の左側に位置しているリッジ導波路６は形成し、右側に位置しているリッジ導波路６は形成しないこととする。
【０２３９】
そして、リッジ導波路６を除くレーザ発振部５の全面に絶縁層７を形成した後、リッジ導波路６に電気的に接続するオーミック電極層８と融着金属層４ａを順に積層する。
【０２４０】
次に、こうして中間生成体１００，２００を予め作製した後、図２（ｃ）に示したのと同様に、中間生成体２００に形成されている融着電極層４ｂと中間生成体１００に形成されている融着電極層４ａとを、レーザ発振部９とレーザ発振部５とが対向するようにして合わせることで、中間生成体１００，２００を組み合わせる。
【０２４１】
更に、中間生成体１００，２００を所定の付勢力で圧接させた状態で加熱してから除熱することによって、融着電極層４ａ，４ｂを融着させ、一体化した融着電極層４を生じさせる。その結果、レーザ発振部９とレーザ発振部５とが融着電極層４の介在によって固着される。
【０２４２】
ただし、図２（ｃ）には、２つずつのレーザ発振部５とレーザ発振部９とが融着金属層４によって固着されている状態を示しているが、本実施形態の中間生成体１００，２００を組み合わせて固着すると、図２（ｃ）中の右側に位置しているレーザ発振部９はレーザ発振部７０１であり、更にそのレーザ発振部７０１上には融着電極層４ｂが形成されていないので、レーザ発振部７０１上には隙間が生じることとなる。
【０２４３】
次に、図３（ａ）に示したのと同様に、サファイア基板１４を透過し、窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で吸収される光をサファイア基板１４の背面側から照射する。これによりレーザ発振部５のサファイア基板１４との接合部近傍が加熱され，その熱によって当該部分が分解することでサファイア基板１４とレーザ発振部５との接合力が弱まり、剥離しやすくなる。
【０２４４】
更に、図３（ａ）中の右側に位置しているレーザ発振部９はレーザ発振部７０１であり、更にそのレーザ発振部７０１上には融着電極層４ｂが形成されていないので、隙間が生じており、更に融着電極層４の断面が凹状となっていることにより生じる隙間（図３（ａ）中の符号Ｒで示している隙間）も生じている。
【０２４５】
このため、これらの隙間に面しているレーザ発振部５の部分が、上述の照射される光によって加熱されることで分解され崩落等する。
【０２４６】
次に、図３（ｂ）に示されているのと同様に、サファイア基板１４を剥離する。これにより、レーザ発振部５がレーザ発振部９側へ貼り替えられると共に、レーザ発振部７０１側と、融着電極層４の断面が凹状となっている部分とが露出する。
【０２４７】
つまり、本実施形態の中間生成体３００では、図４（ａ）中に示されている右側のレーザ発振部９はレーザ発振部７０１となるため、そのレーザ発振部７０１に対応する融着電極層４とレーザ発振部５は存在しない構造となる。
【０２４８】
次に、所定の洗浄処理を行った後、レーザ発振部５におけるサファイア基板１４の剥離された端面と、基板１３の下端と、融着電極層４の断面が凹状となっている露出部４Ｒに、オーミック電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を夫々形成する。
【０２４９】
次に、図４（ｂ）に示したのと同様に、リッジ導波路６，１０，７０２の垂直方向において所定の間隔で中間生成体３００を劈開し、更にレーザ共振器を構成すべく劈開面に所定の誘電体薄膜をコーティングする。
【０２５０】
次に、図４（ｃ）に示したのと同様に、中間生成体３００の所定の部分をスクライブすることで、個々の半導体レーザ装置に分割する。
【０２５１】
ただし、互いに隣り合うレーザ発振部１０，７０１を一組とし、それらレーザ発振部１０，７０１の両側の位置（基板１３に形成されている溝部の位置）でスクライブすることによって、個々の半導体レーザ装置に分割し、オーミック電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を形成することで、図１８に示した本実施形態の半導体レーザ装置を完成する。
【０２５２】
このように本実施形態によれば、互いに波長の異なる３つのレーザ光を出射する半導体レーザ装置を提供することができる。
【０２５３】
更に、本実施形態の半導体レーザ装置によれば、モノリシック型の半導体装置として形成される第２，第３のレーザ発振部９，７０１の少なくとも一方に、厚さを小さくすることが可能な融着金属層４の介在によって第１のレーザ発信部５が固着されているので、それらのレーザ発振部５と９におけるレーザ発光点間隔を小さくすることができる。
【０２５４】
更に、本実施形態の製造方法によれば、図１８に示したように、レーザ発振部５，９を固着する融着金属層４の一部分を、レーザ発振部５，９より外側に露出させて形成することができるため、その露出部４Ｒに駆動電流供給用のコンタクトを容易にとることができる。
【０２５５】
なお、本実施形態の半導体レーザ装置は、図１８に示した構造に限られるものではない。例えば、図１０に示した構造の半導体レーザ装置１に、本実施形態で説明した第３の発光素子７００を備えた構造のものや、図１４に示した構造の半導体レーザ装置１に、本実施形態で説明した第３の発光素子７００を備えた構造のものであってもよい。
【０２５６】
そして、図１０に示した構造の半導体レーザ装置１又は図１４に示した構造の半導体レーザ装置１に、第３の発光素子７００を備える場合、本実施形態の製造方法によれば、第２の発光素子３のレーザ発振部９と第３の発光素子７００のレーザ発振部９とをモノリシック型の半導体装置（中間生成体２００）として作成し、中間生成体１００に形成されている第１の発光素子２のレーザ発振部５を、融着金属層４を介してレーザ発振部９側へ張り替えることができる。
【０２５７】
よって、図１０に示した構造の半導体レーザ装置１又は図１４に示した構造の半導体レーザ装置１に第３の発光素子７００を備える構造とした場合にも、発光点間隔を小さくすることが可能である。
【０２５８】
また、以上の本実施形態の説明では、第２の発光素子３のレーザ発振部９側に、融着金属層４を介して第１の発光素子２のレーザ発振部５を張り替える場合を述べたが、第３の発光素子７００のレーザ発振部７０１側に、融着金属層４を介して第１の発光素子２のレーザ発振部５を張り替える構造にしてもよい。
【０２５９】
また、上述の各実施例において、Ａｕ-Ｓｎ、Ｐｄ-Ｉｎ等からなる融着金属層４からＳｎ、Ｉｎ等がオーミック電極７を通ってレーザ発振部５との界面まで拡散し、レーザ発振部５とオーミック電極７の接触抵抗が上昇するのを防ぐために、第１のレーザ発振部５に形成される融着金属層４ａとオーミック電極層７との間に、Ｐｔ、ＴｉＮ又はＩｒ等の拡散防止膜を形成することが望ましい。
【０２６０】
また、上述の各実施例において、第２のレーザ発振部９に形成されるオーミック電極層１２と融着金属層４ｂとの間にも、Ｐｔ、ＴｉＮ又はＩｒ等の拡散防止膜を形成することが望ましい。
【０２６１】
また、上述の各実施例において、レーザ発振部５側にＡｕ等から成る融着金属層４ａ、レーザ発振部９側にＳｎ等から成る融着金属層４ｂを形成しておいて、これらの融着金属層４ａ，４ｂを合金化させることとしているが、レーザ発振部５側にＳｎ等から成る融着金属層４ａ、レーザ発振部９側にＡｕ等から成る融着金属層４ｂを形成しておいて、これらの融着金属層４ａ，４ｂを合金化させるようにしてもよい。
【０２６２】
また、上述の融着金属層４ａ，４ｂとしては、ＡｕとＳｎの組み合わせでなくともよく、ＡｕとＩｎの組み合わせや、ＰｄとＩｎの組み合わせであってもよい。これらの組み合わせで融着させることで金属間化合物の融着金属層４を生じさせると、各レーザ発振部に駆動電流を注入する際の電流注入の妨げとならず、且つレーザ発光時に生じる熱を効率良く発散させることができる。
【０２６３】
また、上述した各オーミック電極層及びオーミック電極は、列記した材料に限定されるものではなく、各半導体表面に対してオーミック接触が得られる材料であればよい。
【０２６４】
また、以上の実施形態等の説明では、接着層として融着金属層４ａ，４ｂを用い、融着によって上述の中間生成体の接着を行っているが、これらの接着層を溶融温度以下での固相拡散を利用して接着するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の外部構造と断面構造を表した図である。
【図２】図１に示した半導体レーザ装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く製造工程を説明するための斜視図である。
【図５】第１の実施例に係る半導体レーザ装置の構造を表した断面図である。
【図６】図５に示した半導体レーザ装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く製造工程を説明するための断面図及び斜視図である。
【図８】図７に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図９】第２の実施例に係る半導体レーザ装置の構造を表した断面図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の外部構造と断面構造を表した図である。
【図１１】図１０に示した半導体レーザ装置の製造工程を説明するための斜視図である。
【図１２】図１１に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図１３】第３の実施例に係る半導体レーザ装置の構造を表した断面図である。
【図１４】第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の外部構造と断面構造を表した図である。
【図１５】図１４に示した半導体レーザ装置の製造工程を説明するための斜視図である。
【図１６】図１５に続く製造工程を説明するための断面図である。
【図１７】第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置のより具体的な実施例の構造を表した断面図である。
【図１８】第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を表した断面図である。
【符号の簡単な説明】
１…半導体レーザ装置
２…第１の発光素子
３…第２の発光素子
４，４ａ，４ｂ…融着金属層
５…第１のレーザ発振部
７…絶縁層
９…第２のレーザ発振部
１２…オーミック電極層
１３…基板
１４…サファイア基板
１００，２００，３００…中間生成体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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