(57)【要約】【課題】線スペクトルを持つ連続波において効率的に波長変換を行う。【解決手段】波長変換装置は、複数の異なる波長λ１，λ２の入射光を合波する光合波装置１と、光合波装置１から出射した光のパワー密度を断熱的に高める断熱モード圧縮装置４，５と、断熱モード圧縮装置５の出射光から非線形光学効果を利用して入射光と異なる波長λ３，λ４の電磁波を生成する非線形光学媒体６とを有する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の異なる波長の光を入射光として、これら入射光のいずれとも異なる波長の電磁波を生成する波長変換装置において、
複数の異なる波長の入射光を合波する光合波装置と、
この光合波装置から出射した光のパワー密度を断熱的に高める断熱モード圧縮装置と、
この断熱モード圧縮装置の出射光から非線形光学効果を利用して前記入射光と異なる少なくとも１つの波長の電磁波を生成する非線形光学媒体とを具備することを特徴とする波長変換装置。
【請求項２】
請求項１記載の波長変換装置において、
前記断熱モード圧縮装置は、
前記光合波装置と接続された入射側の第１の光導波路と、前記第１の光導波路よりモードフィールド径が小さい出射側の第２の光導波路と、前記第１の光導波路と前記第２の光導波路との接続部に形成され、前記第２の光導波路側に向かって漸次断面積が大きくなる第１のテーパ部とを有し、
前記第１の光導波路を構成する、シリコンより低い屈折率の物質からなる第１のコアは、アンダークラッド上に形成されたシリコンからなる前記第１のテーパ部を覆うように形成され、前記第２の光導波路を構成するシリコンからなる第２のコアは、前記アンダークラッド上に前記第１のテーパ部の端部と一体に連結して形成されることを特徴とする波長変換装置。
【請求項３】
請求項２記載の波長変換装置において、
前記光合波装置と前記断熱モード圧縮装置との間にさらに、入射側の第１の光ファイバと、この第１の光ファイバよりモードフィールド径が小さく、かつ前記第１の光ファイバとの接続部がＴＥＣ加工された第２の光ファイバとからなる他の断熱モード圧縮装置を具備することを特徴とする波長変換装置。
【請求項４】
請求項２または３記載の波長変換装置において、
前記非線形光学媒体は、前記アンダークラッド上に形成されたシリコンまたは不純物を含有するシリコンからなることを特徴とする波長変換装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかに記載の波長変換装置において、
前記非線形光学媒体と接続された入射側の第３の光導波路と、この第３の光導波路よりモードフィールド径が大きい出射側の第４の光導波路と、前記第３の光導波路と前記第４の光導波路との接続部に形成され、前記第４の光導波路側に向かって漸次断面積が小さくなる第２のテーパ部とを有する断熱モード伸張装置を具備し、
前記第３の光導波路を構成するシリコンからなる第３のコアは、前記アンダークラッド上に形成されたシリコンからなる前記第２のテーパ部の端部と一体に連結して形成され、前記第４の光導波路を構成する、シリコンより低い屈折率の物質からなる第４のコアは、前記アンダークラッド上に前記第２のテーパ部を覆うように形成されることを特徴とする波長変換装置。
【請求項６】
請求項５記載の波長変換装置において、
前記断熱モード伸張装置の後にさらに、前記断熱モード伸張装置と接続された入射側の第３の光ファイバと、この第３の光ファイバよりモードフィールド径が大きく、かつ前記第３の光ファイバとの接続部がＴＥＣ加工された出射側の第４の光ファイバとからなる他の断熱モード伸張装置を具備することを特徴とする波長変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の異なる波長の光を入射光として、入射光のいずれとも異なる波長の電磁波を生成する波長変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光波長変換には、通常２次ないしは３次の非線形光学効果を利用するが、これらの非線形光学効果は電界強度の２乗ないしは３乗に比例して発現し、これに係る非線形定数は極めて小さいのが普通である。このため、非線形光学効果を効率的に発現させるためには、単位面積あたりの高い光パワーを要求される（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
従来は、このような高い光パワーを得るために、波長分散を持つ媒質に光パルスを導入してパルス幅を圧縮する光パルス圧縮技術を用いていた（たとえば、非特許文献２参照）。なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
【０００４】
【非特許文献１】
小林孝嘉，「非線形光学計測」，学会出版センター，１９９６年，ｐ．１５
【非特許文献２】
末田正他，「超高速光エレクトロニクス」，培風館，１９９１年，ｐ．１５
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の光パルス圧縮技術では、光通信や光信号処理にもっぱら用いられている連続波が使用できず、また、光スペクトル帯域幅が広がってしまうという問題点があった。さらに、従来の光パルス圧縮技術では、光通信などに良く用いられていて入手もしやすい、連続的に発振する半導体レーザ等を光源として使用することができず、試験研究目的以外での応用的な利用が難しいという問題点があった。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、線スペクトルを持つ連続波において効率的に波長変換が可能な波長変換装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の異なる波長の光を入射光として、これら入射光のいずれとも異なる波長の電磁波を生成する波長変換装置において、複数の異なる波長の入射光を合波する光合波装置と、この光合波装置から出射した光のパワー密度を断熱的に高める断熱モード圧縮装置と、この断熱モード圧縮装置の出射光から非線形光学効果を利用して前記入射光と異なる少なくとも１つの波長の電磁波を生成する非線形光学媒体とを具備するものである。
また、本発明の波長変換装置の１構成例において、前記断熱モード圧縮装置は、前記光合波装置と接続された入射側の第１の光導波路と、前記第１の光導波路よりモードフィールド径が小さい出射側の第２の光導波路と、前記第１の光導波路と前記第２の光導波路との接続部に形成され、前記第２の光導波路側に向かって漸次断面積が大きくなる第１のテーパ部とを有し、前記第１の光導波路を構成する、シリコンより低い屈折率の物質からなる第１のコアは、アンダークラッド上に形成されたシリコンからなる前記第１のテーパ部を覆うように形成され、前記第２の光導波路を構成するシリコンからなる第２のコアは、前記アンダークラッド上に前記第１のテーパ部の端部と一体に連結して形成されるものである。
また、本発明の波長変換装置の１構成例は、前記光合波装置と前記断熱モード圧縮装置との間にさらに、入射側の第１の光ファイバと、この第１の光ファイバよりモードフィールド径が小さく、かつ前記第１の光ファイバとの接続部がＴＥＣ加工された第２の光ファイバとからなる他の断熱モード圧縮装置を具備するものである。
【０００７】
また、本発明の波長変換装置の１構成例において、前記非線形光学媒体は、前記アンダークラッド上に形成されたシリコンまたは不純物を含有するシリコンからなるものである。
また、本発明の波長変換装置の１構成例は、前記非線形光学媒体と接続された入射側の第３の光導波路と、この第３の光導波路よりモードフィールド径が大きい出射側の第４の光導波路と、前記第３の光導波路と前記第４の光導波路との接続部に形成され、前記第４の光導波路側に向かって漸次断面積が小さくなる第２のテーパ部とを有する断熱モード伸張装置を具備し、前記第３の光導波路を構成するシリコンからなる第３のコアは、前記アンダークラッド上に形成されたシリコンからなる前記第２のテーパ部の端部と一体に連結して形成され、前記第４の光導波路を構成する、シリコンより低い屈折率の物質からなる第４のコアは、前記アンダークラッド上に前記第２のテーパ部を覆うように形成されるものである。
また、本発明の波長変換装置の１構成例は、前記断熱モード伸張装置の後にさらに、前記断熱モード伸張装置と接続された入射側の第３の光ファイバと、この第３の光ファイバよりモードフィールド径が大きく、かつ前記第３の光ファイバとの接続部がＴＥＣ加工された出射側の第４の光ファイバとからなる他の断熱モード伸張装置を具備するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお図中の各構成要素の大きさ、形状及び配置関係は本発明が理解できる程度に概略的に示してあるに過ぎず、また、以下に説明する数値的条件は一つの例に過ぎない。図１は本発明の実施の形態となる光波長変換装置の構成を示すブロック図である。図中の矢印は入出力光の進む向きを示している。
【０００９】
図１の光波長変換装置は、異なる波長の光を合波する光合波装置（Ａｒｒａｙｅｄ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｇｒａｔｉｎｇ、以下ＡＷＧとする）１と、ＡＷＧ１に異なる波長の光を入射させる入力用光ファイバ２，３と、ＡＷＧ１から出射した光のパワー密度を断熱的に高める断熱モード圧縮装置４と、この断熱モード圧縮装置４の出射光に対して断熱モード圧縮装置４より強い断熱モード圧縮を行う断熱モード圧縮装置５と、この断熱モード圧縮装置５の出射光から非線形光学効果を利用して入射光と異なる少なくとも１つの波長の電磁波を生成する非線形光学媒体６と、非線形光学媒体６から出射した光のパワー密度を断熱的に低める断熱モード伸張装置７と、この断熱モード伸張装置７の出射光に対して断熱モード伸張装置７より弱い断熱モード伸張を行う断熱モード伸張装置８とを備えている。断熱モード圧縮装置５と非線形光学媒体６と断熱モード伸張装置７とは、同一のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板９上に形成される。
【００１０】
なお、断熱モード圧縮とは、導波路のモードフィールド径を徐々に縮小して、光パワー密度を高めることを言う。同様に、断熱モード伸張とは、導波路のモードフィールド径を徐々に拡大して、光パワー密度を低めることを言う。
【００１１】
断熱モード圧縮装置４は、ＡＷＧ１の出射光を導くモードフィールド径が９μｍ程度のシングルモード光ファイバ１０（第１の光ファイバ）と、このシングルモード光ファイバ１０と接続されるモードフィールド径が約４μｍの光ファイバ１１（第２の光ファイバ）と、この光ファイバ１１の光ファイバ１０側の端部に形成された、光ファイバ１０のモードフィールド径から光ファイバ１１のモードフィールド径までモードフィールド径を縮小するＴＥＣ（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ−ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  Ｅｘｐａｎｄｅｄ）加工部１２とから構成される。
【００１２】
図２（ａ）は断熱モード圧縮装置５の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。ＳＯＩ基板９は、バルクシリコン基板１３と、バルクシリコン基板１３上に形成された石英からなるアンダークラッド層１４と、アンダークラッド層１４上に形成されたシリコン層とからなる。
【００１３】
断熱モード圧縮装置５は、アンダークラッド層１４と、アンダークラッド層１４上に後述するシリコンテーパ部１６を覆うように形成された一辺が約３μｍの正方形断面を持つポリマーコア１５と、幅寸法が非線形光学媒体６側に向かって漸次大きくなるように形成された長さ２００μｍのシリコンテーパ部１６と、アンダークラッド層１４上にシリコンテーパ部１６の断面高さ（厚さ）を維持した状態で形成された一辺が０．３μｍの正方形断面を持つ長さ１．１ｍｍのシリコンコア１７と、ポリマーコア１５およびシリコンコア１７を覆うポリマーからなるオーバークラッド層１８とから構成される。アンダークラッド層１４とポリマーコア１５（第１のコア）とオーバークラッド層１８とは、第１の光導波路を構成し、アンダークラッド層１４とシリコンコア１７（第２のコア）とオーバークラッド層１８とは、第２の光導波路を構成している。この第２の光導波路は、第１の光導波路よりも小さいモードフィールド径を有する。
【００１４】
なお、上述したシリコンテーパ部１６およびシリコンコア１７は、ＳＯＩ基板のアンダークラッド層１４上に形成されたシリコン層をフォトリソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングすることによって形成することができる。
【００１５】
シリコンテーパ部１６は、一端が平面視略鋭角に形成され、ポリマーコア１５の端面からコア１５内に挿入された状態でポリマーコア１５により覆われており、ポリマーコア１５の端部付近においてシリコンコア１７と同一の端面形状となって一対に連結されている。このようなシリコンテーパ部１６をポリマーコア１５内に挿入した状態とすることにより、第１の光導波路から第２の光導波路にかけてモードフィールド径を漸次変化させる。シリコンテーパ部１６とポリマーコア１５との位置関係は、軸線同士が一致していることが望ましいが、ポリマーコア１５の幅内にシリコンテーパ部１６が収まる程度の状態であれば良く、厳密な整合性を必要とするものではない。
【００１６】
図３（ａ）は断熱モード伸張装置７の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。断熱モード伸張装置７は、アンダークラッド層１４と、シリコンコア１７と、シリコンコア１７の端部に、コア１７の厚さを維持した状態で幅寸法が断熱モード伸張装置８側に向かって漸次小さくなるように形成された長さ２００μｍのシリコンテーパ部１９と、シリコンテーパ部１９を覆うように形成された一辺が約３μｍの正方形断面を持つポリマーコア２０と、シリコンコア１７およびポリマーコア２０を覆うポリマーからなるオーバークラッド層１８とから構成される。アンダークラッド層１４とシリコンコア１７（第３のコア）とオーバークラッド層１８とは、第３の光導波路を構成し、アンダークラッド層１４とポリマーコア２０（第４のコア）とオーバークラッド層１８とは、第４の光導波路を構成している。
【００１７】
シリコンテーパ部１９は、ポリマーコア２０の端面からコア２０内に挿入された状態でポリマーコア２０により覆われており、ポリマーコア２０の端部付近においてシリコンコア１７と同一の端面形状となって一対に連結されている。シリコンテーパ部１９とポリマーコア２０との位置関係は、軸線同士が一致していることが望ましいが、ポリマーコア２０の幅内にシリコンテーパ部１９が収まる程度の状態であれば良く、厳密な整合性を必要とするものではない。
【００１８】
なお、アンダークラッド層１４は、シリコンコア１７およびポリマーコア１５，２０よりも屈折率が小さい材料であればよく、オーバークラッド層１８も同等の屈折率を持つ材料であればよい。ポリマーコア１５，２０は、アンダークラッド層１４およびオーバークラッド層１８よりも例えば数％程度屈折率が高い材料であればよい。
【００１９】
断熱モード伸張装置８は、断熱モード伸張装置７の出射光を導くモードフィールド径が約４μｍの光ファイバ２１（第３の光ファイバ）と、この光ファイバ２１と接続されるモードフィールド径が９μｍ程度のシングルモード光ファイバ２２（第４の光ファイバ）と、光ファイバ２１の光ファイバ２２側の端部に形成された、光ファイバ２１のモードフィールド径から光ファイバ２２のモードフィールド径までモードフィールド径を拡大するＴＥＣ加工部２３とから構成される。
前述のように、シリコンコア１７は、断熱モード圧縮装置５および断熱モード伸張装置７の一部を構成しているが、同時に非線形光学媒体６を構成している。
【００２０】
次に、以上のような光波長変換装置の動作について説明する。ＡＷＧ１は、光ファイバ２から入射した波長λ１の連続発振光と光ファイバ３から入射した波長λ２（λ１≠λ２）の連続発振光とを合波してシングルモード光ファイバ１０に出力する。シングルモード光ファイバ１０に入射した光は、断熱モード圧縮装置４の主たる構成部分をなすＴＥＣ加工部１２によって閉じ込めが強くなることにより、その光パワー密度が断熱的に高められ、全光パワーを保ったままモードフィールド径約４μｍの光ファイバ１１に入射する。シングルモード光ファイバ１０のモードフィールド径は９μｍ程度なので、光ファイバ１１のコア内の単位面積あたりの光パワーは、シングルモード光ファイバ１０のコア内の光パワーと比較して約５倍（＝（９／４）２  ）となる。
【００２１】
続いて、光ファイバ１１からポリマーコア１５に入射した光は、断熱モード圧縮装置５に導波され、ポリマーコア１５からシリコンテーパ部１６へと伝搬していく際に極めて狭い領域に閉じ込められることにより、その光パワー密度が断熱的に高められ、モードフィールド径が約０．３μｍ程度に圧縮された状態でシリコンコア１７に入射する。
【００２２】
ここで、シリコンをコアとして用いるのは、シリコンは波長が１．１μｍよりも長い領域で透明であり、かつ屈折率が３．５と極めて高いことから、屈折率が１．５前後であるポリマーや石英をクラッドとする場合に、シングルモード条件を満たすコア断面が極めて小さくなり、高密度に光を閉じこめることに適しているからである。
【００２３】
断熱モード圧縮装置４，５により光パワー密度が高められた結果、シリコンコア１７内の単位面積あたりの光パワーは、シングルモード光ファイバ１０のコア内の光パワーと比較して約９００倍（＝（９／０．３）２  ）となる。このような光パワー密度の上昇により、シリコンコア１７では非線形光学効果が発現して、入射光の波長λ１，λ２に基づく新たな波長λ３，λ４の光が発生する。なお、非線形光学効果については前述の非特許文献１に記載されている。
【００２４】
非線形光学効果で生じた新たな波長λ３，λ４を持つ光は、波長λ１，λ２の入射光と共に、断熱モード伸張装置７のシリコンテーパ部１９に入射する。シリコンテーパ部１９に入射した光は、シリコンテーパ部１９内を伝搬するにつれて閉じこめが弱くなることから、ポリマーコア２０に漏れだし、その光パワー密度が断熱的に低くなる。そして、ポリマーコア２０から光ファイバ２１に入射した光は、断熱モード伸張装置８の主たる構成部分をなすＴＥＣ加工部２３によって閉じ込めが弱くなることから、その光パワー密度が断熱的に低くなり、シングルモード光ファイバ２２から出射する。
【００２５】
シリコンコア１７を伝搬する光はモードフィールドの極めて狭い領域に閉じ込められているため、開口数（ＮＡ）が大きく、そのままでは光ファイバ等との結合が困難である。このため、断熱モード伸張装置７は、シリコンコア１７で発生した光を効率的に取り出すことができるように断熱モード伸張を行う。
【００２６】
図４はＡＷＧ１の出力端での光スペクトル強度分布を示す図、図５は光波長変換装置の出力端（シングルモード光ファイバ２２の出力端）での光スペクトル強度分布を示す図である。図４、図５の例では、シングルモード光ファイバ１０の入力端での全光パワーを１１ｄＢｍとしている。図５によれば、図４では観察されていない、新しい波長λ３およびλ４の発生を示すピークが明瞭に示されている。
【００２７】
以上のように、本実施の形態によれば、断熱的に光パワー密度を高めることにより、高い光パワー密度を得ることが容易となるので、非線形光学媒体６を使用して効果的に非線形光学効果を発現させることが可能となる。波長λ３，λ４の光は、例えば長距離通信において光クロスコネクトを行う際に波長変換を行う必要があり、このような場合に使用することができる。
【００２８】
なお、本実施の形態では、ＴＥＣ加工部１２および光ファイバ１１を介してシングルモード光ファイバ１０と断熱モード圧縮装置５のポリマーコア１５とを接続しているが、ＴＥＣ加工部１２および光ファイバ１１を省略して、シングルモード光ファイバ１０とポリマーコア１５とを直接接続することも可能である。ただし、直接接続する場合には、ポリマーコア１５とシングルモード光ファイバ１０とのモード不整合による損失が発生することを受容するか、あるいはポリマーコア１５の断面形状を大きくしてモードフィールド径をシングルモード光ファイバ１０と同程度まで大きくする必要がある。
【００２９】
同様に、光ファイバ２１およびＴＥＣ加工部２３を省略して、断熱モード伸張装置７のポリマーコア２０とシングルモード光ファイバ２２とを直接接続することも可能である。ただし、直接接続する場合には、ポリマーコア２０とシングルモード光ファイバ２２とのモード不整合による損失が発生することを受容するか、あるいはポリマーコア２０の断面形状を大きくしてモードフィールド径をシングルモード光ファイバ２２と同程度まで大きくする必要がある。
【００３０】
また、本実施の形態では、異なる波長の光の合成にＡＷＧを用いたが、ＡＷＧの代わりに方向性結合器やＹ字分岐回路等の他の合分波装置を用いることもできる。また、ＡＷＧ１、断熱モード圧縮装置４，５、断熱モード伸張装置７，８をそれぞれ１つずつ設けているが、これらを複数設けてもよい。シリコンコア１７により構成される非線形光学媒体６は、シリコンと同程度の屈折率を持つものであれば不純物を含むシリコンでも構わないし、他の単体半導体、化合物半導体、あるいはこれらの混合物を用いることができる。
【００３１】
シリコンコア１７およびシリコンテーパ部１６，１９の表面には、入射する光の波長に対して十分に薄いものであれば、加工の途中で生じた石英等の透明薄膜が付着していてもかまわない。ポリマーコア１５，２０およびオーバークラッド層１８は、ポリイミドやエポキシ、シリコーン樹脂等、使用帯域において透明である他のポリマー素材でも構わないし、石英等の無機素材でも構わないのは当然である。
【００３２】
また、本実施の形態では、波長λ１，λ２の入射光から波長λ３，λ４の光を生成する場合について説明しているが、これに限るものではなく、光以外の波長の電磁波を生成するようにしてもよい。また、シリコンコア１７において非線形光学効果によって生じた電磁波を光ファイバを介さずに取り出す場合、光ファイバ２１、シングルモード光ファイバ２２およびＴＥＣ加工部２３は不要であり、それに加えてシリコンテーパ部１９およびポリマーコア２０も必要としない場合がある。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、光合波装置から出射した光のパワー密度を断熱的に高める断熱モード圧縮装置を設けることにより、線スペクトルを持つ連続波においても高い光パワー密度を得ることが容易となるので、通常、連続波を用いた方法では非線形光学効果を発現しない非線形光学媒体を使用して効果的に非線形光学効果を発現させることが可能となる。その結果、連続的に発振する半導体レーザ等を光源として使用して波長変換を効率的に行うことができ、試験研究目的以外での応用的な利用が容易となる。
【００３４】
また、光合波装置と接続された入射側の第１の光導波路と、第１の光導波路よりモードフィールド径が小さい出射側の第２の光導波路と、第１の光導波路と第２の光導波路との接続部に形成され、第２の光導波路側に向かって漸次断面積が大きくなる第１のテーパ部とを設けることにより、断熱モード圧縮装置を容易に実現することができる。
【００３５】
また、光合波装置と断熱モード圧縮装置との間にさらに、入射側の第１の光ファイバと、この第１の光ファイバよりモードフィールド径が小さく、かつ第１の光ファイバとの接続部がＴＥＣ加工された第２の光ファイバとからなる他の断熱モード圧縮装置を設けることにより、光パワー密度をより高めることができる。
【００３６】
また、シリコンまたは不純物を含有するシリコンを用いることにより、非線形光学媒体を実現することができる。
【００３７】
また、非線形光学媒体と接続された入射側の第３の光導波路と、この第３の光導波路よりモードフィールド径が大きい出射側の第４の光導波路と、第３の光導波路と第４の光導波路との接続部に形成され、第４の光導波路側に向かって漸次断面積が小さくなる第２のテーパ部とを有する断熱モード伸張装置を設けることにより、非線形光学媒体で発生した電磁波を効率的に取り出すことができる。
【００３８】
また、断熱モード伸張装置の後にさらに、断熱モード伸張装置と接続された入射側の第３の光ファイバと、この第３の光ファイバよりモードフィールド径が大きく、かつ第３の光ファイバとの接続部がＴＥＣ加工された出射側の第４の光ファイバとからなる他の断熱モード伸張装置を設けることにより、非線形光学媒体で発生した電磁波をより効率的に取り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態となる光波長変換装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態における断熱モード圧縮装置の平面図および断面図である。
【図３】本発明の実施の形態における断熱モード伸張装置の平面図および断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における光合波装置の出力端での光スペクトル強度分布を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態における光波長変換装置の出力端での光スペクトル強度分布を示す図である。
【符号の説明】
１…光合波装置、２、３…入力用光ファイバ、４、５…断熱モード圧縮装置、６…非線形光学媒体、７、８…断熱モード伸張装置、９…ＳＯＩ基板、１０、２２…シングルモード光ファイバ、１１、２１…光ファイバ、１２、２３…ＴＥＣ加工部、１３…バルクシリコン基板、１４…アンダークラッド層、１５、２０…ポリマーコア、１６、１９…シリコンテーパ部、１７…シリコンコア、１８…オーバークラッド層。
【図１】
2004212575.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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