(57)【要約】【課題】液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板を実装する際に可撓性基板が伸張しても、一方の基板のパターン配線の接続箇所と可撓性基板の接続端子との確実な接続を図る。【解決手段】対向する一対の基板間に液晶が狭持された液晶表示パネルＬの一方の基板１に可撓性基板Ｆが実装され、一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａと可撓性基板Ｆの配線の端部に形成される接続端子ＦＦとを導通させるが、可撓性基板Ｆの接続端子ＦＦは、一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａよりも広幅の広幅部分Ｍ２ａを有するとともに、この広幅部分Ｍ２ａを有する接続端子ＦＦが重ならないようにその隣接する接続端子ＦＦがその位置をずらした千鳥状に配され、この広幅部分Ｍ２ａを有する接続端子ＦＦ以外の配線部分が絶縁膜ＦＦｃにより覆われている。【選択図】  図８
2004212587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に液晶が狭持された液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板が実装され、一方の基板のパターン配線の接続箇所と可撓性基板の配線の端部に形成される接続端子とを導通させるが、可撓性基板の接続端子は、一方の基板のパターン配線の接続箇所よりも広幅の広幅部分を有するとともに、この広幅部分を有する接続端子が重ならないようにその隣接する接続端子がその位置をずらした千鳥状に配され、この広幅部分を有する接続端子以外の配線部分が絶縁膜により覆われていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
対向する一対の基板間に液晶が狭持された液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板が実装され、一方の基板のパターン配線の接続箇所と可撓性基板の配線の端部に形成される接続端子とを導通させるが、前記一方の基板のパターン配線の接続箇所は、可撓性基板の接続端子よりも広幅の広幅部分を有するとともに、この広幅部分を有する接続箇所が重ならないようにその隣接する接続箇所がその位置をずらした千鳥状に配され、この広幅部分を有する接続箇所以外の配線部分が絶縁膜により覆われていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
前記可撓性基板の広幅部分を有する接続端子、又は、液晶表示パネルの一方の基板のパターン配線の広幅部分を有する接続箇所が凸状電極として形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記一方の基板に液晶を駆動させる半導体素子が実装され、この半導体素子に突起状の電極であるバンプが形成され、このバンプを有する半導体素子と前記凸状電極を有する可撓性基板とが同じ異方性導電膜を介して加熱圧着により実装されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３記載の前記一方の基板に請求項４記載のバンプを有する半導体素子を実装するとともに、この半導体素子と対向するように可撓性基板を実装するに際し、半導体素子を実装する位置から可撓性基板を配設する位置に亘る幅の一つの異方性導電膜を介して加熱圧着により実装させることを特徴とする液晶表示パネルに使用する可撓性基板の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネル及びこの液晶表示パネルに対する可撓性基板の実装方法に関し、特に液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板をＩＣチップやＬＳＩチップなどの半導体素子と対向するように実装する液晶表示パネル及びこの液晶表示パネルに使用する可撓性基板の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップやＬＳＩチップなどの半導体素子として、突起状の電極であるバンプを有するものが半導体実装用の基板の小型化やモジュールの薄型化などに有利なことから、各種コンピュータや液晶表示パネル（或いは液晶表示装置）などの電子機器に多く用いられている。この突起状の電極であるバンプは、その材質として、半田や、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、鉛（Ｐｂ）、ニッケル（Ｎｉ）などが利用され、フォトリソグラフィとメッキ法による方法、或いは、フォトリソグラフィとメッキ法によって形成したバンプ上にクリーム状半田を印刷して形成する方法や、いわゆる転写バンプ法等で形成する方法が従来からある。
【０００３】
このようなバンプ付き半導体素子を基板にフェースダウンで実装する方法として種々の方法があるが、半田に代わって異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）を接続端子間に介在させることにより高密度実装を可能にするようになってきている（ファインピッチ化）。異方性導電膜は、絶縁性を有する接着剤中に導電粒子が分散され厚み方向（接続方向）に導電性を有し、面方向（横方向）に絶縁性を有するペースト状又はフィルム状の接着剤である。
【０００４】
一方、液晶表示パネルにおける液晶を駆動させる半導体素子の実装では、液晶を挟持する一対の基板の一方の基板（ガラス基板）にＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）テープを異方性導電膜を介して実装するＴＣＰ実装（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）や、液晶を挟持する一対の基板の一方の基板上のパターン配線の接続箇所（電極端子、接続用電極又は電極パッドとも呼ばれる）に半導体素子を直接接続するＣＯＧ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）実装がある。ガラス基板の代わりにプラスチック製のフレキシブル基板が用いられることもあるが（これをＣＯＦ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｌｅｘｉｂｌｅ）、ＣＯＰ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｐｌａｓｔｉｃ）と呼ぶこともある。）、ＣＯＧ実装は、液晶表示パネルの小型化・薄型化が著しい液晶表示パネルの分野において、ＴＣＰ実装に代わって主流になっている。ＴＣＰ実装やＣＯＧ実装では、上記異方性導電膜を使用して、上記バンプを有する半導体素子を実装することが通常である。なお、近年の半導体素子の高密度化と半導体実装用の基板の更なる小型化に伴って、バンプ配列はピッチが狭くなる傾向にあり（バンプのファインピッチ化）、このためバンプの配列をいわゆる千鳥構成の複数配列とすることが多い。
【０００５】
ＣＯＧ実装では、図１３及び図１４に示すように、液晶表示パネルＬの一方の基板１の実装領域５にバンプを有する半導体素子ＩＣが異方性導電膜１０６Ａを介して実装されるとともに、一方の基板１の外周端縁に可撓性基板（フレキシブル配線板）Ｆが異方性導電膜１０６Ｂを介して配設されている。一方の基板１の実装領域に配線パターンＰ１が成膜形成され、この配線パターンＰ１とフレキシブル配線板Ｆの裏面側に形成される所定の長さの金属製のもので、保護膜ＦＦｃからむき出し状態の接続端子Ｐ３が異方性導電膜中の導電粒子６ｄを介して導通する。ここで、二種類の異方性導電膜１０６Ａ，１０６Ｂは、導通に寄与する接続部分の相違（いわゆるバンプの有無の相違）や価格の相違等の理由から、半導体素子ＩＣの実装に使用されるものの方がフレキシブル配線板Ｆの実装に使用されるものよりも導電粒子の径が小さなものが使用される。通常、異方性導電膜１０６Ａの場合、約３５０００個／ｍｍ２程度の導電粒子が絶縁性を有する接着剤中に含まれ、異方性導電膜１０６Ｂの場合、約５３００個／ｍｍ２程度の導電粒子が絶縁性を有する接着剤中に含まれ、導電粒子６ｄも異方性導電膜６Ａの方が小さい。なお、半導体素子ＩＣが実装されフィルム状に供給されるＴＣＰ実装では、フィルム状の可撓性基板が一方の基板１に対して異方性導電膜１０６Ａを介して実装される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶表示パネルＬの一方の基板１への可撓性基板の実装は、ＴＣＰ実装でもＣＯＧ実装でも、異方性導電膜１０６Ａ，１０６Ｂ等の接着剤を介して加熱圧着させることから、フレキシブル配線板Ｆ等の可撓性基板が伸張して、上記一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所とフレキシブル配線板Ｆ等の可撓性基板の配線Ｐ３の接続端子とが位置ズレを生じて互いの導通不良を生じさせる原因となったり、ショート（短絡）の原因となったりしていた。
【０００７】
特にこの位置ズレの問題は、液晶表示パネルの更なる狭額縁化や薄型・軽量化の要請から、ファインピッチ化や多端子接続の要請による高密度実装に顕著に表れる。半導体素子ＩＣのみならずフレキシブル配線板Ｆ等の可撓性基板も小型化が進んで、フレキシブル配線板Ｆの配線（接続端子）の場合にも高密度実装が行われる傾向にある。
【０００８】
また、液晶表示パネルの狭額縁化を図るものとして、特許文献１に係る技術が開示されている。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−２２９０５５号公報
【００１０】
この特許文献１は、半導体素子とフレキシブル配線板（可撓性基板）とを半導体素子を実装する位置からフレキシブル配線板を配設する位置に亘る幅の一つの異方性導電膜（上記一方の異方性導電膜１０６Ａを使用するとして）を介して両方を圧着させる技術である。しかしながら、一つの異方性導電膜により加熱するときでもフレキシブル配線板の伸張による位置ズレは生じる。なお、高密度実装からフレキシブル配線板の配線パターン（上記図１４における符号Ｐ３）の配線ピッチと幅を狭くしたとしても、接続端子の導通面積が長く形成されているために、上記位置ズレによるショートの確率が十分に小さくなるとは言えない。また、上記一方の異方性導電膜１０６Ａを使用すると、上記一方の異方性導電膜１０６Ａは導電粒子の密度が高いことと、フレキシブル配線板の接続端子の導通面積（むき出し状態で所定の長さを有する）が長いことから、導電粒子の連なりによるショートの確率が高くなる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、液晶表示パネルの一方の基板に使用される可撓性基板の高密度実装による配線接続に優れ、液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板を実装する際に可撓性基板が伸張しても、一方の基板のパターン配線の接続箇所と可撓性基板の接続端子との確実な接続を図ることが可能な液晶表示パネル及びこの液晶表示パネルに使用する可撓性基板の実装方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１記載の液晶表示パネルは、対向する一対の基板間に液晶が狭持された液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板が実装され、一方の基板のパターン配線の接続箇所と可撓性基板の配線の端部に形成される接続端子とを導通させるが、可撓性基板の接続端子は、一方の基板のパターン配線の接続箇所よりも広幅の広幅部分を有するとともに、この広幅部分を有する接続端子が重ならないようにその隣接する接続端子がその位置をずらした千鳥状に配され、この広幅部分を有する接続端子以外の配線部分が絶縁膜により覆われていることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板を異方性導電膜等の接着剤を介して実装するとき、可撓性基板がその実装されるときの加熱（熱圧着）により伸張しても、可撓性基板の広幅部分を有する接続端子に一方の基板のパターン配線の接続箇所が接触する確率が高くなる。また、可撓性基板の広幅部分を有する接続端子が重ならないようにその隣接する接続端子がその位置をずらした千鳥状に配されていることから、高密度実装が図られる。そして、接続端子以外の配線部分が絶縁膜により覆われていることから、この広幅部分以外の箇所ではショート（短絡）することがなくなる。
【００１４】
本発明の請求項２記載の液晶表示パネルは、対向する一対の基板間に液晶が狭持された液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板が実装され、一方の基板のパターン配線の接続箇所と可撓性基板の配線の端部に形成される接続端子とを導通させるが、前記一方の基板のパターン配線の接続箇所は、可撓性基板の接続端子よりも広幅の広幅部分を有するとともに、この広幅部分を有する接続箇所が重ならないようにその隣接する接続箇所がその位置をずらした千鳥状に配され、この広幅部分を有する接続箇所以外の配線部分が絶縁膜により覆われていることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、液晶表示パネルの一方の基板に可撓性基板を異方性導電膜等の接着剤を介して実装するとき、可撓性基板がその実装されるときの加熱により伸張しても、一方の基板のパターン配線の広幅部分を有する接続箇所に可撓性基板の接続端子が接触する確率が高くなる。また、一方の基板のパターン配線の広幅部分を有する接続箇所が重ならないようにその隣接する接続箇所がその位置をずらした千鳥状に配されていることから、高密度実装が図られる。そして、この広幅部分を有する接続箇所以外の配線部分が絶縁膜により覆われていることから、この広幅部分を有する接続箇所以外の箇所ではショート（短絡）することがなくなる。
【００１６】
本発明の請求項３記載の液晶表示パネルは、請求項１記載又は請求項１記載の発明を前提として、前記可撓性基板の広幅部分を有する接続端子、又は、液晶表示パネルの一方の基板のパターン配線の広幅部分を有する接続箇所が凸状電極として形成されていることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、可撓性基板の広幅部分を有する接続端子、又は、液晶表示パネルの一方の基板のパターン配線の広幅部分を有する接続箇所が凸状電極として形成され、いわば半導体素子の突起状の電極であるバンプ構成と類似の構成、つまり接続の実装部分を同じようにすることから、異方性導電膜、つまり絶縁性を有する接着剤中に導電粒子が分散された異方性導電膜を介して加熱圧着により実装させる際に、上記凸状電極と一方の基板のパターン配線の接続箇所との間で導電粒子を挟持することになり、安定した導通を図りながら高密度実装することができるようになる。
【００１８】
本発明の請求項４記載の液晶表示パネルは、請求項３記載の発明を前提として、一方の基板に液晶を駆動させる半導体素子が実装され、この半導体素子に突起状の電極であるバンプが形成され、このバンプを有する半導体素子と前記凸状電極を有する可撓性基板とが同じ異方性導電膜を介して加熱圧着により実装されていることを特徴とする。前記凸状電極の大きさや形状は、上記半導体素子のバンプと同じであることが好ましい。
【００１９】
この発明によれば、一方の基板に液晶を駆動させる半導体素子に突起状の電極であるバンプが形成されていることから、バンプを有する半導体素子を実装する際に使用される異方性導電膜を可撓性基板の実装に使用することができるようになる。そして、前記凸状電極の大きさや形状が上記半導体素子のバンプと同じである場合は、同じ異方性導電膜を使用した場合に、半導体素子と可撓性基板の加熱圧着条件において、上記凸状電極の接続箇所とバンプの接続箇所とで同程度の割合の導電粒子を捕捉できるようになり、従来のように二種類の異方性導電膜を使い分ける必要がなくなる。
【００２０】
本発明の請求項５記載の液晶表示パネルに対する可撓性基板の実装方法は、請求項１ないし請求項３記載の前記一方の基板に請求項４記載のバンプを有する半導体素子を実装するとともに、半導体素子と対向するように可撓性基板を実装するに際し、半導体素子を実装する位置から可撓性基板を配設する位置に亘る幅の一つの異方性導電膜を介して加熱圧着により実装させることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、上記一方の基板に上記半導体素子と可撓性基板を一つの異方性導電膜を介して実装することができるが、上記半導体素子にはバンプが形成され、上記可撓性基板に凸状電極が形成されていることから、上記異方性導電膜中の導電粒子は上記凸状電極とバンプの間に挟持され、それ以外の箇所では、絶縁膜の存在により導電粒子の連なりによるショート（短絡）が生じることがなくなり、異方性導電膜を使用した高密度実装が可能になる。さらに、前記凸状電極の大きさや形状が上記半導体素子のバンプと同じようにする場合は、異方性導電膜の導電粒子を上記凸状電極箇所とバンプの接続箇所とで同程度の割合で捕捉できるようになり、一つの同じ異方性導電膜を使用した高密度実装の実効が図られるようになる。なお、この発明によれば、同じ異方性導電膜を介して半導体素子と可撓性基板とが加熱圧着されているために、液晶表示パネルの構造の簡略化が図られるとともに、液晶表示パネルの狭額縁化にも資することとなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
本実施の形態は、図１及び図２に示すように、液晶表示パネルＬに搭載される半導体素子ＩＣを直接実装するＣＯＧ実装に本発明を適用したもので、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＬを構成する対向配置された一対の基板１，２のうち一方の基板１に半導体素子ＩＣが搭載されている。上下一対の基板１，２は、各々短冊状のもので、下方の第１の基板（ＡＭ基板）１と上方の第２の基板２がほぼ並行に配され、この第１の基板１と第２の基板２との間に液晶３を封入して形成されている。
【００２４】
第１の基板１は、第２の基板２よりも大きく形成され、このため両基板１，２を重ね合わせると、ＡＭ基板１の外周側に一部張り出した半導体素子ＩＣの実装領域５が形成されている。また、第１の基板１の上面にはアルミニウム（Ａｌ）などによる電極Ｐｂ，Ｐｃが形成されている。電極Ｐｂ（図２中右側）は、入力電極であり、電極Ｐｃ（図２中左側）は、出力電極である。半導体素子ＩＣには、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）などを材質とする複数の電極突起（バンプ）Ｂｉ，Ｂｏが形成されている（符号Ｂｉが入力側、符号Ｂｏが出力側）。本実施の形態の液晶表示装置は、第１の基板１の長辺方向（図１中左側）に複数（図１中左側の３個）実装される半導体素子ＩＣは、信号線駆動用ＩＣであり、短辺方向（図１中右側）に複数（図１中の右側の２個）実装される半導体素子ＩＣは、ゲート線駆動用ＩＣである。
【００２５】
第１の基板１の実装領域５には、半導体実装用の配線パターンＰ１が形成されるとともに、複数の半導体素子ＩＣが実装されている。配線パターンＰ１は、半導体素子ＩＣ（駆動ドライバ）への信号の供給や電源供給を行う配線群（バス配線）であり、ＡＭ基板１では、一方の基板１に成膜される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子の成膜工程で同時にパターン形成が可能なものである。本実施の形態の配線パターンＰ１は、アルミニウム製材料をスパッタリングで成膜した後、フォトリソグラフィでパターンニングして形成されている。他方、液晶表示パネルＬ側には、配線パターンＰ２が形成されている。
【００２６】
第１の基板１のパターン配線Ｐ１は、後述するフレキシブル配線板（可撓性基板）Ｆの接続箇所（電極端子、接続用電極又は電極パッドとも呼ばれる）Ｐ１ａが形成されているが、図３と図４に示すように、このパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａは、フレキシブル配線板Ｆ１の接続端子（配線）ＦＦの幅Ｍ２よりも幅広部分Ｍ１ａを有して構成されているとともに、この広幅部分Ｍ１ａを有する接続箇所Ｐ１ａが互いに重ならないようにその隣接するパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａがその位置をずらした千鳥状に配されている。図３は、第１の実施の形態における液晶表示パネルＬの一方の基板１とフレキシブル配線板Ｆの平面図であり、図４は、第１の実施の形態におけるフレキシブル配線板Ｆの断面図である。このような広幅部分Ｍ１ａは、フレキシブル配線板Ｆ１の接続端子ＦＦとの接続される確立を高くするために形成されるもので、図４に示すように、その両側（フレキシブル配線板Ｆ１の長手方向側）に延設するものでも（Ｔ字型）、図５中の左側に示すように、片側のみに延設するもの（Ｆ字型）でも良い。なお、図５中の右側に示すように、片側のみに延設するもの（Ｆ字型）が向かい合うものでも良い。本実施の形態では、フレキシブル配線板Ｆ１の接続端子（配線）ＦＦの幅Ｍ２は５０μｍであり、これよりもパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａの幅広部分Ｍ１ａが広く形成されている。
【００２７】
第１の基板１の外周縁部１ｅには、フレキシブル配線板Ｆ１が配設されている。このフレキシブル配線板Ｆ１は、半導体素子ＩＣに伝送信号又は電源を供給するもので、半導体素子ＩＣとほぼ同じ大きさの長方形状を呈して、その長手方向を液晶表示パネルＬの一方の基板１の外周端１ｅ側に沿うように複数配設され、半導体素子ＩＣと対向するように配されている（図１）。本実施の形態のフレキシブル配線板Ｆ１は、半導体素子ＩＣの各位置に対応するように一つずつ配されているが、一つのフレキシブル配線板Ｆが信号線駆動用ＩＣの位置からゲート線駆動用ＩＣの位置まで、つまり第１の基板１の二辺をＬ字状に囲むように配されているものもある。
【００２８】
フレキシブル配線板Ｆ１は、図４に示すように、ベースフィルムＦＦｃと、ベースフィルムＦＦｂ上に被覆される導電端子としての金属層ＦＦ（Ｐ３）と、金属層ＦＦを被覆する絶縁性の樹脂（ポリイミド等の樹脂）や絶縁性のカバーフィルム（ポリイミド等の樹脂でフィルム状に形成されている）ＦＦｃとからなる多層に形成されている。ベースフィルムＦＦｂもポリイミド等の樹脂でフィルム状に形成されている。ここで、図３中の右側に示すように、千鳥配置のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａに対応させて、フレキシブル配線板Ｆ１の接続端子ＦＦの露出部分を千鳥配置にしても良い。
【００２９】
液晶表示パネルＬのモジュール化工程では、まず、図６（ａ）に示すように、第１の基板１の実装領域５に半導体素子ＩＣが異方性導電膜６Ａの接着剤層側を貼り付けた後、その接着剤６ｃの表面側のセパレータを剥がし、接着剤層６ｃを露出させて、半導体素子ＩＣを圧着させる。次いで、図６（ｂ）に示すように、異方性導電膜６Ｂの接着剤層側を貼り付けた後（第１の基板１の外周端１ｅ側）、その接着剤６ｃの表面側のセパレータを剥がし、接着剤層６ｃを露出させて、フレキシブル配線板Ｆ１を圧着させて配設させる。半導体素子ＩＣの圧着には、液晶表示パネルＬの一辺を多数の圧着ヘッドで同時に圧着する多ヘッド一括圧着や、液晶表示パネルＬの一辺を１個の圧着ヘッドで同時に圧着する一括圧着等があるが、本実施の形態では多ヘッド一括圧着で行うことが可能である。
【００３０】
本実施の形態では、二種類の異方性導電膜６Ａ，６Ｂが使用されている。異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）６Ａ，６Ｂは、各々、絶縁性を有する接着剤６ｃ中に導電粒子６ｄが分散され厚み方向（接続方向）に導電性を有し、面方向（横方向）に絶縁性を有し、その接続は基本的には加熱圧着であり、導電粒子６ｄが電気接続の機能を担当し、接着剤６ｃが圧接状態を保持する機能を担当する。また、本実施の形態では、導電粒子６ｄの表面には絶縁皮膜がコートされ、接続方向では圧着力で破壊され下層の金属薄膜と電極が接触して導通し、横方向では破壊されず導電粒子６ｄ同士が接触しても絶縁性が保たれるようになっている。絶縁皮膜としては、熱可塑性樹脂が多く使用されている。接着剤６ｃとしては、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂が使用されている。導電粒子６ａには、高分子球の表面に金属薄膜をメッキしたものもある。なお、導電粒子６ｄには、表面に絶縁皮膜がコートされていないものもある。
【００３１】
異方性導電膜６Ａ，６Ｂは、第１の基板１に貼り付ける前は両面テープのようなフィルム状の構成で供給され、第１の基板１に接着剤層６ｃ側を貼り付けた後、セパレータを剥がし接着剤層６ｃを露出させる。このような異方性導電膜６Ａ，６Ｂとしては、接着剤６ｃ中に、導電粒子６ｄと導電粒子６ｄ間の短絡を防止するために、絶縁粒子も分散されてなるものもある。  本実施の形態の異方性導電膜６Ａ，６Ｂは、フィルム状のもので、樹脂剤６ｃの表面に保護シートとしての役割を有するセパレータが設けられ、半導体素子ＩＣやフレキシブル配線板Ｆ１を実装する直前に剥離される。そして、異方性導電膜６Ａの場合、約３５０００個／ｍｍ２程度の導電粒子が絶縁性を有する接着剤中に含まれ、異方性導電膜６Ｂの場合、約５３００個／ｍｍ２程度の導電粒子が絶縁性を有する接着剤中に含まれ、導電粒子６ｄも異方性導電膜６Ａの方が小さい。
【００３２】
上述したようにフレキシブル配線板Ｆ１を第１の基板１に実装すると、一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａに、フレキシブル配線板Ｆ１の接続端子（配線）ＦＦの幅Ｍ２よりも幅広部分Ｍ１ａが形成されていることから、液晶表示パネルＬの一方の基板１にフレキシブル配線板Ｆ１を異方性導電膜６Ｂを介して実装するとき、図７（ａ）に示すように、フレキシブル配線板Ｆ１がその実装されるときの加熱により伸張しても、一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａの広幅部分Ｍ１ａにフレキシブル配線板Ｆ１の接続端子ＦＦが異方性導電膜６Ａの導電粒子６ｄを介して接触する確率が高くなり、両者（接続箇所Ｐ１ａの広幅部分Ｍ１ａと接続端子ＦＦ）の接続が確実なものになる。なお、図７（ｂ）は、パターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａに幅広部分Ｍ１ａが形成されていない場合を図７（ａ）と比較して示すもので、この場合は、フレキシブル配線板Ｆ１が伸張すると、一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａと対応する位置に配置される確率は少ない。
【００３３】
（第２の実施の形態）
本実施の形態は、図８及び図９に示すように、上記フレキシブル配線板Ｆ２の広幅部分Ｍ２ａを有する接続端子ＦＦ（Ｐ３）が重ならないようにその隣接する接続端子ＦＦがその位置をずらした千鳥状に配されている。図８は、第２の実施の形態における液晶表示パネルＬの一方の基板１とフレキシブル配線板Ｆ２の平面図であり、図９は、第２の実施の形態におけるフレキシブル配線板Ｆ２の断面図である。すなわち、第１の実施の形態のパターン配線Ｐ１の広幅部分Ｍ１ａを有する接続箇所Ｐ１ａのように、上記フレキシブル配線板Ｆ２の接続端子ＦＦに広幅部分Ｍ２ａが設けられている。そして、上記金属層ＦＦｂの端部側、つまり第１の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａ側に、凸状電極ＦＦａが形成されている（図２の符号ＦＦａ参照）。この凸状電極ＦＦａは、実装部分のみを半導体素子ＩＣのバンプＢｉ，Ｂｏと同じような突起状の構成にして、配線の高密度実装を図るためのもので、カバーフィルムＦＦｃ側に突出して形成されている。凸状電極ＦＦａとしては、カバーフィルムＦＦｃの表面に至らない厚さでも（図９（ａ））或いはカバーフィルムＦＦｃの厚さよりも厚くして突出するようにしても良い（図９（ｂ））。本実施の形態の凸状電極ＦＦａは、金属製の広幅部分Ｍ２ａを有し、金属層ＦＦｂの幅よりも広幅で（図８）、パターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａよりも幅広になっている。また、広幅部分Ｍ２ａを有する凸状電極ＦＦａ以外の箇所は、絶縁性の樹脂（ポリイミド等の樹脂）やカバーフィルムＦＦｃで被覆されている。したがって、第１の実施の形態のように、高密度実装が図られるとともに、液晶表示パネルＬの一方の基板１に可撓性基板（フレキシブル配線板）Ｆを異方性導電膜６Ａを介して実装するとき、その加熱によりフレキシブル配線板Ｆ２が伸張しても、可撓性基板Ｆ２の広幅部分Ｍ２ａを有する接続端子ＦＦ、つまり凸状電極Ｆａに上記一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａが接触する確率が高くなる（図１０）。つまりバンプＢｉ，Ｂｏを有する半導体素子ＩＣのように異方性導電膜６Ａを介して一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａとの確実な電気的な接続が図られる。
【００３４】
また、凸状電極ＦＦａ以外の箇所が絶縁膜ＦＦｃにより覆われていることから、凸状電極ＦＦａ以外の配線部分ではショート（短絡）することがなくなる。なお、一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａを上記凸状電極ＦＦａのように形成しても良い。
【００３５】
（第３の実施の形態）
本実施の形態は、図１１に示すように、第１及び第２の実施の形態が二種類の異方性導電膜６Ａ，６Ｂを使用していたのに対して、上記半導体素子ＩＣとフレキシブル配線板Ｆ１（或いはＦ２）とを一つの異方性導電膜６Ａを介して両方を圧着させる点が異なる。具体的には、一つの異方性導電膜６Ａを半導体素子ＩＣを実装する位置からフレキシブル配線板Ｆ１（Ｆ２）を配設する位置に亘る幅に、つまり半導体素子ＩＣとフレキシブル配線板Ｆ１（Ｆ２）の両方を実装し得る幅に一つの異方性導電膜６Ａを塗布（貼着）する。そして、第２の実施の形態のフレキシブル配線板Ｆ２の広幅部分Ｍ２ａを有する凸状電極ＦＦａを、半導体素子ＩＣの突起状の電極であるバンプＢｉ，Ｂｏと類似の構成として実装する。
【００３６】
上記凸状電極ＦＦａは、上記半導体素子ＩＣのバンプＢｉ，Ｂｏと同じ大きさ、同じ形状や同じ材質等に形成されていることが望ましい。例えば、上記半導体素子ＩＣのバンプＢｉ，Ｂｏの実装面が四角形である場合は、凸状電極ＦＦａも同じ四角形にし、上記半導体素子ＩＣのバンプＢｉ，Ｂｏの材質が金（Ａｕ）である場合は、凸状電極ＦＦａも同じ金（Ａｕ）にし、又、上記半導体素子ＩＣのバンプＢｉ，Ｂｏが二段突起のバンプ形状である場合（二段突起のバンプ形状は転写される異方性導電膜の保持機能を一定に保つ機能を有する）は、凸状電極ＦＦａも同じ二段突起の形状にし、更に、上記半導体素子ＩＣのバンプＢｉ，Ｂｏが台形や円錐台形である場合は、凸状電極ＦＦａも同じ台形や円錐台形にする等である。本実施の形態では、バンプＢｉ，Ｂｏの実装面は５０μｍ×５０μｍの正方形であり、上記凸状電極ＦＦａの実装面は、これと同じ５０μｍ×５０μｍの正方形であり、同じ材質の金（Ａｕ）により設けられている。ただし、広幅部分Ｍ１ａを有するパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａと、広幅部分Ｍ２ａを有するフレキシブル配線板Ｆ２とは、上記第１又は第２の実施の形態の関係で形成されている。
【００３７】
したがって、本実施の形態では、一種類の異方性導電膜（異方性導電膜）６Ａのみが使用されているが（図１１）、液晶表示装置のモジュール化工程では、第１の基板（液晶表示パネル）１の実装領域５に半導体素子ＩＣが異方性導電膜６Ａの接着剤層側を貼り付けた後、接着剤６ｃの表面側のセパレータを剥がし、接着剤層６ｃを露出させて、半導体素子ＩＣを圧着させた後、フレキシブル配線板Ｆ２を同じ異方性導電膜６Ａを介して実装する。本実施の形態では、フレキシブル配線板Ｆ２の接続端子ＦＦを上記半導体素子ＩＣの入力側のバンプＢｉ，Ｂｏと同じ構成として設けられていることから、一つの異方性導電膜６Ａを使用することで、この一つの異方性導電膜６Ａによる半導体素子ＩＣとフレキシブル配線板Ｆ２の最適な熱圧着条件が出しやすくなる。すなわち、フレキシブル配線板Ｆ２の凸状電極ＦＦａと半導体素子ＩＣのバンプＢｉ，Ｂｏの大きさがほぼ同じであり、しかも、同じ異方性導電膜６Ａを使用することから、導電粒子６ｄの潰れ方や凸状電極ＦＦａとバンプＢｉ，Ｂｏとの実装面の凹状化（めり込み）が同じ条件となり、また、導電粒子ｄを捕捉する率（個数）も同じにできるなど、熱圧着条件が出し易くなり、加熱ツールを使用した実装の効率化が図られる。
【００３８】
本実施の形態によれば、従来の二工程による異方性導電膜６Ａ，６Ｂの塗布作業を一回塗布するだけで済み、しかも、異方性導電膜６Ａのみ使用することで半導体素子ＩＣの位置にフレキシブル配線板Ｆ２を近接させた状態で配設することができ、液晶表示パネルＬの狭額縁化が図られる。なお、半導体素子ＩＣとフレキシブル配線板Ｆ２との間隔Ｈ１は、０．４〜０．５ｍｍ程度であり、フレキシブル配線板Ｆ２が上記一方の基板１に掛かる領域Ｈ２は１．４ｍｍ程度である。
【００３９】
（第４の実施の形態）
本実施の形態は、ＴＣＰ実装に本発明を適用したもので、図１２に示すように、配線パターンが形成された可撓性基板Ｆ３に半導体素子ＩＣが実装されたもの（リールにロール状に巻かれたＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）テープをリール・ツー・リールで連続処理する）を異方性導電膜６Ａを介して上記一方の基板１のパターン配線の接続箇所に実装するものである。ＴＣＰ実装ではベース基材にポリイミドフィルムなどの可撓性のプラスチック材料を使用して、モジュール構造のフレキシブルな設計を可能にする。なお、ＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）はＴＣＰパッケージ製法を本来指す言葉であるが、現在では、ＴＡＢは製法及びＴＣＰに使用されるベース基材を指し、これにより生産された半導体素子ＩＣの実装されたパッケージをＴＣＰと称しているもので、本明細書中でもこの意味で使用する。可撓性基板Ｆ３は、四角形状、長方形状やその他の形状の場合もあり、断面Ｕ字状に折り曲げて使用される場合もある。
【００４０】
図１２は、異方性導電膜６Ａを使用してＴＣＰ実装した場合の図である。本実施の形態のモジュール化工程は、上記第１の基板１の外周端１ｅに異方性導電膜６Ａを使用して可撓性基板Ｆ３を実装した場合の例である。ここで、異方性導電膜は一つで二つでも良い。なお、可撓性基板Ｆ３とフレキシブル配線板Ｆ１，Ｆ２との導通に際しては、上記第１及び第２の実施の形態のフレキシブル配線板Ｆ１，Ｆ２を使用して、可撓性基板Ｆ３に上記一方の基板１のパターン配線Ｐ１の接続箇所Ｐ１ａのような接続箇所を形成して、異方性導電膜６Ａを介して互いに導通させることも可能である。
【００４１】
以上、各実施の形態では、ＣＯＧ実装、ＦＯＧ実装やＴＣＰ実装を例に説明したが、凸状電極ＦＦａを有する可撓性基板又はフレキシブル配線基板Ｆ１等は、回路基板一般にも適用可能である。
【００４２】
【発明の効果】
本発明に係る液晶表示パネル及びこの液晶表示パネルに対する可撓性基板の実装方法によれば、一方の基板のパターン配線の接続箇所と可撓性基板の接続端子の少なくとも一方が広幅部分を有することから、液晶表示パネルの一方の基板に半導体素子と可撓性基板を対向させるように実装するとき、可撓性基板がその実装されるときの加熱により伸張しても、一方の基板のパターン配線の接続箇所は広幅部分を有するフレキシブル配線板の配線のいずれかに接触する確率が高くなり、両者の確実な接続により安定した導通が可能になる。また、凸状電極を形成し、この凸状電極以外の配線部分が絶縁樹脂により覆われているという、いわば半導体素子の突起状の電極であるバンプ構成を採用することから、上記凸状電極以外の箇所で一方の基板のパターン配線の接続箇所との電気的に接続され、高密度実装が図られ、それ以外の箇所ではショート（短絡）することがなく、さらに、上記半導体素子と可撓性基板を一つの同じ異方性導電膜を介して同じような熱圧着条件で実装することができることから、可撓性基板が小型・薄型のもので、かつ、配線のファインピッチが強く要求されるものでも高密度実装の向上が図られる。
【００４３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルを示す斜視図である。
【図２】上記第１の実施の形態の液晶表示パネルを示す断面図である。
【図３】上記第１の実施の形態における液晶表示パネルの一方の基板とフレキシブル配線板の平面図である。
【図４】上記第１の実施の形態におけるフレキシブル配線板の断面図である。
【図５】上記一方の基板の他の例の平面図である。
【図６】上記第１の実施の形態の半導体素子とフレキシブル配線板の実装工程を説明する図である。
【図７】上記第１の実施の形態のフレキシブル配線板が伸張した状態を従来例と比較して説明する断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の液晶表示パネルの平面図である。
【図９】上記第２の実施の形態の他の例を示すの平面図である。
【図１０】上記第２の実施の形態のフレキシブル配線板が伸張した状態を説明する断面図である。
【図１１】上記第３の実施の形態の半導体素子とフレキシブル配線板の実装工程を説明する図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態の液晶表示パネルの平面図である。
【図１３】従来の液晶表示パネルの平面図である。
【図１４】従来の液晶表示パネルの断面図である。
【符号の説明】
１                一方の基板（第１の基板）、
２                他方の基板（第２の基板）、
３                液晶、
５                実装領域、
６Ａ            異方性導電膜、
６Ｂ            異方性導電膜、
６ｃ            接着剤、
６ｄ            導電粒子、
Ｆ，Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３    可撓性基板（フレキシブル配線板）、
Ｂｉ，Ｂｏ      半導体素子のバンプ、
ＩＣ            半導体素子、
ＦＦ（Ｐ３）    金属層（配線、接続端子）、
ＦＦａ          配線の凸状電極、
ＦＦｂ          ベースフィルム、
ＦＦｃ          カバーフィルム、
Ｐ１            第１の基板のパターン配線、
Ｐ１ａ          パターン配線の接続箇所、
Ｐ３（ＦＦ）    フレキシブル配線板のパターン配線、
Ｍ１ａ          パターン配線の接続箇所の広幅部分、
Ｍ２ｂ          接続端子の広幅部分、
Ｌ              液晶表示パネル、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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