(57)【要約】【課題】精度の高い試料溶液のマイクロアレイチップを得る。【解決手段】本発明のマイクロアレイチップの製造方法は、基板１０の上に電界発生手段によって電界発生部を形成・配列し、その後、試料溶液を滴下させ微小スポットとして配列させるもので、電界発生手段は、微小スポットと同じ配列で形成された微小な穴をもつマスク１６を基板表面に空隙を介して設け、さらにマスクと空隙を介して設けた高電圧電極２５と基板の裏面に接続した低電圧電極２６との間にバイアス電圧２９を印加し、電離プラズマ２２のドリフト作用により基板表面に自己電界発生機能を生成するものである。電離プラズマは、基板面に対して平行に、かつ、基板表面からマスクを介して一定の距離を設けた空間にレーザ光２１を照射して形成するものである。【選択図】　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に電界発生手段によって電界発生部を形成・配列し、その後、試料溶液を滴下させ微小スポットとして配列させるマイクロアレイチップの製造方法において、
前記電界発生手段は、前記微小スポットと同じ配列で形成された微小な穴をもつマスクを前記基板表面に空隙を介して設け、さらに前記マスクと空隙を介して設けた高電圧電極と前記基板の裏面に接続した低電圧電極との間にバイアス電圧を印加し、電離プラズマのドリフト作用により前記基板表面に自己電界発生機能を生成することを特徴とするマイクロアレイチップの製造方法。
【請求項２】
前記電離プラズマは、前記基板面に対して平行に、かつ、基板表面から前記マスクを介して一定の距離を設けた空間にレーザ光を照射して形成することを特徴とする請求項１記載のマイクロアレイチップの製造方法。
【請求項３】
前記自己電界発生機能は、表面電荷またはエレクトレット（分極）であることを特徴とする請求項１または２記載のマイクロアレイチップの製造方法。
【請求項４】
前記基板は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリカーボネート等の高分子材質または樹脂等の非金属材質であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のマイクロアレイチップの製造方法。
【請求項５】
前記低電圧電極は、前記マスクに形成された穴の位置と配列が一致する凹凸部を設けたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のマイクロアレイチップの製造方法。
【請求項６】
前記凹凸部の凸部は、非金属の保護膜を有することを特徴とする請求項５記載のマイクロアレイチップの製造方法。
【請求項７】
前記バイアス電圧は、電界発生部と同極性の直流電圧、または単極性パルス電圧であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のマイクロアレイチップの製造方法。
【請求項８】
配列した微小なマスク穴を有し基板表面に対して空隙を設けて配置したマスクと、前記基板上の空間にレーザ光を発射し電離プラズマを発生させるレーザ装置と、前記レーザ光の照射位置を調整する駆動装置と、前記マスクの反基板側に一定の距離を介して平行に配置した高電圧電極と、前記基板に接続した低電圧電極と、前記高電圧電極と前記低電圧電極との間にバイアス電圧を印加するバイアス電源とを備えたことを特徴とするマイクロアレイチップの製造装置。
【請求項９】
前記マスクと前記基板は、前記電界発生部の位置決めを行う位置検出部が設けられていることを特徴とする請求項８記載のマイクロアレイチップの製造装置。
【請求項１０】
前記位置検出部は、前記マスクに設けた位置検出用のレーザ光を通す位置決め穴と、前記基板に設けた前記レーザ光を反射するマーカとからなることを特徴とする請求項９記載のマイクロアレイチップの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スライドグラス等の基板上に、数百から数万以上の電界発生部を形成し、試料溶液を高密度に配列するマイクロアレイチップの作製方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のバイオテクノロジーの急速な進展により、農作物を始めとしてヒト遺伝子の構造解析が行われており、医療・診断への応用へと展開されつつある。このような遺伝子解析には被検体から抽出した数千から数万種類のＤＮＡまたはｃＲＮＡをスライドグラス等の基板上に微小スポットとして整列固定したＤＮＡマイクロアレイチップが多く用いられている。
ＤＮＡマイクロアレイチップにＤＮＡをスポットする方法は、Ｑｕｉｌｌ方式、ピン＆リング方式、キャピラリー方式といった物理的接触方法と、インクジェット方式、バブルジェット（登録商標）方式、ピエゾ素子方式といった物理的非接触方法があるが、いずれの方法も各微小スポットの形状ばらつきや各微小スポット間の距離の不安定性があり、遺伝子解析プロセスの中で後工程となる測定・解析工程の不具合や精度の低さにつながる大きな原因となっていた。これらの原因である微小スポットの精度の低い配列性を改善するために、親水性領域と撥水性領域を組合せた手段や、スライドグラス等の基板に突起や凹部を設ける手段などの方法を用いて微小スポットの位置補正手段を講じていた。
その中で、基板の中で試料溶液の微小スポットが形成されるべき部分を、前記試料溶液とは逆極性の帯電状態とさせる電界発生手段を設け、微小スポットを目的とする位置に補正するＤＮＡチップ及びその製造方法の一つとして、電界発生手段を用いてＤＮＡマイクロアレイチップを作製するＤＮＡチップ及びその製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−３４３３８６号公報（第１−８頁、第１６図）
【０００４】
この構成を図７に示す。図において、１０は基板、５０は液滴、５１は微小スポット、５２はｐｏｌｙ−Ｌ−ｌｙｓｉｎｅ膜、５３は共通電極、５４は電極パターン、５５は電源である。
基板１０におけるｐｏｌｙ−Ｌ−ｌｙｓｉｎｅ膜５２の下層の微小スポット５１を形成すべき箇所に対応する部分に、金属膜による多数の電極パターン５４を形成し、更にその下層に各電極パターン５４に共通とされた金属膜による共通電極５３を形成し、共通電極５３と接地間に電源５５を接続し、各電極パターン５４に液滴５０の電荷とは逆極性の電圧を印加して帯電させ、この状態で基板１０に試料溶液である液滴５０を供給して微小スポット５１を形成する。
上記のようなマイクロアレイチップ及びその製造方法では、微小スポット５１の一部が電極パターン５４上に滴下された時（二点鎖線参照）、電界の吸引力によって微小スポット５１が電極パターン５４上に移動し、規定の位置に微小スポット５１の中心を補正することができるようになっている。
また、電界強度を上げれば、液滴５０は基板１０上に達する前に空中でその飛行方向を対応する電極パターン５４に向けて補正され、液滴５０を正確に落下することができるため、液滴移動による痕跡がなく、スポット形状を安定化（均一化）できるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前述のマイクロアレイチップの作製方法及び装置においては、マイクロアレイチップに試料溶液の微小スポットを形成する際に電界発生手段を同時に講じる必要があるため、スポットした後にマイクロアレイチップを移動させる際に微小スポット形状の広がりや崩れが生じる恐れがあった。また、スポット形状を一様化するために余分なｐｏｌｙ−Ｌ−ｌｙｓｉｎｅ膜を形成した基板を使用する必要があった。
そこで、本発明は上記の点を考慮してなされたもので、レーザにより発生する電離プラズマを利用して、試料溶液の微小スポットを正確に所定の位置に配置する高密度な電界発生手段をマスクにより基板上に構成し、精度の高い試料溶液のアレイ状態を保持することができるマイクロアレイチップの作製方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明はつぎの構成にしている。
（１）基板上に電界発生手段によって電界発生部を形成・配列し、その後、試料溶液を滴下させ微小スポットとして配列させるマイクロアレイチップの製造方法において、前記電界発生手段は、前記微小スポットと同じ配列で形成された微小な穴をもつマスクを前記基板表面に空隙を介して設け、さらに前記マスクと空隙を介して設けた高電圧電極と前記基板の裏面に接続した低電圧電極との間にバイアス電圧を印加し、電離プラズマのドリフト作用により前記基板表面に自己電界発生機能を生成するものである。
本構成によれば、マイクロアレイチップ自身に電界発生手段を有し、試料溶液の微小スポットを配列する際に電界印加等の付帯的な設備が不要であるため、スポット形状の一様化及び広がりの防止を行うことができる。また、マスクを介して電界発生手段を構成するため電離プラズマの局部的な照射手段を必要とせず、設備を簡素化することができる。
（２）前記電離プラズマは、前記基板面に対して平行に、かつ、基板表面から前記マスクを介して一定の距離を設けた空間にレーザ光を照射して形成するものである。
本構成によれば、レーザ光による電離プラズマは他の手法による電離プラズマと比較して極めて極性のバランスがよい中性のプラズマであるため、マスクの帯電を極力抑えることができるとともに、マスクの帯電による電気力線の歪みを防止することができる。また、レーザ光のビーム径に依存せず、マスクの加工径に応じて微小な電界発生部を形成することができる。
（３）前記自己電界発生機能は、表面電荷またはエレクトレット（分極）としたものである。
本構成によれば、電界発生部の寿命を長くすることができる。
（４）前記基板は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリカーボネート等の高分子材質または樹脂等の非金属材質としたものである。
本構成によれば、自己電界発生機能を容易に付加できると共に、液滴を構成する主要液剤の相性に応じて材質を変更することで高分子材質や非金属材質の溶出を抑えることができる。
（５）前記低電圧電極は、前記マスクに形成された穴の位置と配列が一致する凹凸部を設けたものである。
本構成によれば、凹凸面の凸部に電界を集中させることができるため、マスク穴のエッジの曲率に関係なく微小な電界発生部を形成することができる。
（６）前記凹凸部の凸部は、非金属の保護膜を有するものである。
本構成によれば、鋭い凸部片であっても、基板に損傷を与えることなく電界発生部を形成することができる。
（７）前記バイアス電圧を電界発生部と同極性の直流電圧、または単極性パルス電圧としたものである。
本構成によれば、容易に極性を選択できるとともに、パルス電圧を印加することで瞬間的に強い電界場を形成することができるため、電界発生部の表面電位を高くすることができる。
（８）配列した微小なマスク穴を有し基板表面に対して空隙を設けて配置したマスクと、前記基板上の空間にレーザ光を発射し電離プラズマを発生させるレーザ装置と、前記レーザ光の照射位置を調整する駆動装置と、前記マスクの反基板側に一定の距離を介して平行に配置した高電圧電極と、前記基板に接続した低電圧電極と、前記高電圧電極と前記低電圧電極との間にバイアス電圧を印加するバイアス電源とを備えた製造装置である。
本構成によれば、レーザ光による電離プラズマの径に無関係に任意の微小な電界発生部を形成することができる。
（９）前記マスクと前記基板は、前記電界発生部の位置決めを行う位置検出部が設けられたものである。
（１０）前記位置検出部は、前記マスクに設けた位置検出用のレーザ光を通す位置決め穴と、前記基板に設けた前記レーザ光を反射するマーカとからなるものである。
本構成によれば、マスクと基板の位置決め精度を向上させ、基板上の規定位置に電界発生部を構成することができる。また、複数枚の基板に同一の電界発生部を形成する際の再現性を向上することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳述する。
（第１実施例）
本発明の第１実施例について述べる。
図１は本発明のマイクロアレイを作製する作製装置の側断面図、図２はマイクロアレイチップの作製方法を示す斜視図である。図において、共通する部分には同一符号を用いており、１０は基板、１１は電界発生部、１２は電界発生ブロック、１３はマイクロアレイチップ、１６はマスク、１７はマスク穴、１８はマスクブロック、２１はレーザ光、２２は電離プラズマ、２５は高電圧電極、２６は低電圧電極、２９はバイアス電圧、３８は位置検出レーザ、３９は位置決めレーザ光、４０は位置決め穴、４１はマーカである。
基板１０は、厚さ１ｍｍ、縦横７６．２ｍｍ×２５．４ｍｍ（３インチ×１インチ）のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）板とし、レーザ光２１としてＮｄ：ＹＡＧレーザ（３倍波、λ＝３５５ｎｍ）を用いた。雰囲気ガスは室空気とし、圧力を大気圧（〜０．１ＭＰａ）とした。マスク１６は、穴径０．３ｍｍ、間隔０．５ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのアルミ製で、穴数２２５（１５列×１５列）のマスクブロック１８を３つ構成した。高電圧電極２５と低電圧電極２６との距離は３０ｍｍで、基板１０の上面とマスク１６下面との距離は０．８ｍｍとし、レーザ照射位置はマスク１６の上面から１．０ｍｍとした。マーカ４１は、金の蒸着膜を基板１０の３隅に設けている。
次に、本実施例の動作について説明する。
▲１▼　基板１０を、接地した低電圧電極２６に接触させて配置し、マスク１６を低電圧電極２６に対して浮かせた状態（非導通状態）で保持する。
▲２▼マスク１６と基板１０の位置補正を行う。
位置検出用レーザ３８によって照射される位置決めレーザ光３９をマスク１６に形成した位置決め穴４０を介して照射し、マーカ４１の反射光によりマスク１６と基板１０の位置補正を行う。
▲３▼　所定のギャップ長を介して高電圧電極２５を低電圧電極２６に対して平行に所定のギャップ長を有する状態で配置する。
▲４▼高電圧電極２５と低電圧電極２６間に１０〜２５ｋＶの単極性のバイアス電圧２９を印加する。
▲５▼　つぎに、マスク１６の上面に対して１．０ｍｍの距離を有した位置に、発振されたレーザ光２１をマスク１６面と平行に照射する。
好ましくは、照射されるレーザ光２１は集光レンズにより集光させることで、集光レンズの焦点近傍に電離プラズマ２２を発生させる。
バイアス電圧２９が印加されているため、レーザ光２１により発生する電離プラズマ２２中の荷電粒子は、バイアス電圧により形成される電界によりドリフト作用が引き起こされる。このドリフト作用によりバイアス電圧２９と同極性の荷電粒子が低電圧電極２６に向けて移動する。移動する荷電粒子はマスク穴１７を通過し、マスク穴１７に対して垂直方向の基板１０表面に蓄積され、マスク１６と同形状の電界発生部１１が形成される。
▲６▼　電離プラズマ２２はレーザ光２１軸付近にのみ生成されるため、レーザ光２１を光軸方向に対して垂直方向に、かつマスク１６表面と平行に移動させることで、必要な数の電界発生部１１を形成する。レーザ光２１の照射回数を変更することで電界発生部１１面積や表面電位を調整することができ、ビーム径１ｍｍのレーザ光２１を一箇所に付き１０回照射し、１ｍｍ間隔でレーザ光２１を移動させることで基板１０表面に電界発生部１１を形成した。
このようにして作製したマイクロアレイチップ１３の状態を調べた。すなわち、電界発生部の状態は、ダストフィギュアにより視覚的に観測し、ＤＮＡスポットの位置補正は、蛍光色素を有したｃＤＮＡをＱｕｉｌｌ法およびインクジェット法によりマイクロアレイチップ１３に微小スポットを形成し、蛍光分析装置で微小スポットの配列状態を確認した。その結果、微小スポットは所定の位置に正常に配列していることが分った。
【０００８】
（第２実施例）
本発明の第２実施例について述べる。
図３は本発明の第２実施例のマイクロアレイ作製装置を示す側断面図である。図において、２７は低電圧電極２６に設けた凹凸部であり、他の構造は第１実施例と同じである。
基板１０および雰囲気ガスの条件は、第１実施例と同じである。マスク１６は、穴径０．１ｍｍ、間隔０．２ｍｍ、厚さ０．１５ｍｍのアルミ製で、穴数２５００（５０列×５０列）のマスクブロックを４つ構成したもので、低電圧電極２６面上の凹凸部２７に対応させている。高電圧電極と低電圧電極の距離、基板１０とマスク１６下面の距離およびレーザ照射位置は第１実施例と同じである。
本実施例の動作については、▲１▼から▲６▼まで第１実施例と同じである。
ただし、▲５▼工程のレーザ照射については、レーザ出力を５０ｍＪ／ｐｕｌｓｅ、ビーム径を４ｍｍとし、レーザ光２１を一箇所に付き１０回照射し、３ｍｍ間隔で移動させることで基板１０表面に電界発生部１１を形成した。
このようにして作製したマイクロアレイチップ１３の状態を、第１実施例と同様に調べた結果、電界発生部の状態および微小スポットの配列状態は極めて良好であることが分った。
第１実施例に比べて微小スポットが小さくかつ配列状態が良好な理由は、電離プラズマによるドリフト作用が、基板１０が接している凸面先端に向けて集中的に移動することでマスク１６と同形状もしくは小さいサイズの電界発生部１１が形成されることによるものと考えられる。
【０００９】
（第３実施例）
図４は本発明の第３実施例のマイクロアレイ作製装置を示す側断面図である。図において、３４は加熱装置であり、低電圧電極２６の裏面に密着させて設けている。低電圧電極２６の凹凸部２７の凸部には非金属のコーティング部を設けている。マスク１６は、図５に示すような全面にマスク穴１７を設けたものを用いた。他の構造および基板１０や雰囲気ガスなどの条件についても、第２実施例と同じである。
本実施例では、加熱装置３４を用いて基板１０の温度を軟化温度よりも低い温度に加熱することにより、熱エレクトレット化（分極）を付加している。
効果については、熱エレクトレット化により、電界発生部１１の寿命を長くすることができ、また、凹凸部２７の凸部が鋭い形状であっても、基板１０に損傷を与えることなく電界発生部１１を形成できる。その他の効果については、第２実施例と同じである。
なお、本実施例ではマスク１６の材質として、アルミニウムを用いたが、これに限らず、ステンレス、真鍮、銅、タングステン等の金属材料であればよい。これにより、マスク１６自身の帯電を抑制することができるため、電気力線を基板１０表面に対して垂直方向に形成することができる。また、電界発生部１１の形成後、基板１０を移動させる際にマスク１６の帯電による基板１０面の火花放電を防止し、マスク１６の再利用を容易にすることができる。
マスク１６と基板１０、凹凸部２７を有する低電圧電極２６の位置補正は、実施例で用いたレーザによる位置検出手段を用いるだけではなく、磁化特性を利用したマグネットの利用、溝とつめ等を利用した物理的な接触位置補正を行っても同様の位置補正効果が得られる。
以上述べたように、いずれの実施例においても、図４に示される装置構成により、目的とする電界発生部１１を有するマイクロアレイチップ１３を作製することができる。また、基板１０表面からレーザ光２１を照射する位置までの距離、レーザのパワー密度、照射回数、およびバイアス電圧２９を調整することにより、電離プラズマ２２発生部のプラズマ幅、電界発生部１１の帯電量及びサイズを容易に調整することができる。特に凹凸部２７の形成により、マスク穴１７のエッジ精度に依存せずに電界発生部１１の形状の一様性を保つことができる。
レーザ光２１により生成される電離プラズマ２２は、プラズマ中で発生する電荷量が極性的にほぼ等しいため、電界発生部１１形成時に基板１０表面へのダストの付着を抑制することができる。
マイクロアレイチップ１３の作製雰囲気は空気である必要はなく、圧力は低気圧（真空）から大気圧以上の高気圧でもよく、前記処理雰囲気は気体であればレーザ光２１による電離プラズマ２２の生成が可能である。また、電界発生部１１の形成はレーザによる電離プラズマ２２を利用しているため、放電電極を用いた場合に発生する電極のスパッタや酸化等による腐食によって発生する放電くずが基板１０表面に影響を与えることはない。
なお、本実施例では基板１０として有機材質であるポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）板を用いたが、他の有機材質および無機材質においても同様の効果が得られる。また、レーザ光２１の照射位置は実施例に示される値に設定する必要は無く、ガス圧力や電界発生部数や幅等に応じて任意に設定することで、希望する電界発生部１１を有するマイクロアレイチップ１３を作製することができる。
本発明により作製されるマイクロアレイチップは、Ｑｕｉｌｌ法を始めとする物理的接触方式と、インクジェット法やピエゾ素子法を始めとする物理的非接触方式のいずれの試料溶液供給方式にも用いることが可能であり、図６に示されるような試料溶液の位置ずれの補正とスポット形状の安定性（均一性）を向上することができる。
【００１０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のマイクロアレイチップの作製方法及び装置によれば、次の効果がある。
（１）電界発生手段として、微小スポットと同じ配列で形成された微小な穴をもつマスクを基板表面に空隙を介して設け、さらにマスクと空隙を介して設けた高電圧電極と基板の裏面に接続した低電圧電極との間にバイアス電圧を印加し、電離プラズマのドリフト作用により基板表面に自己電界発生機能を生成するようにしたので、試料溶液の微小スポットを配列する際に電界印加等の付帯的な設備が不要となり、スポット形状の一様化及び広がりの防止を行うことができる。また、マスクを介して電界発生手段を構成するため電離プラズマの局部的な照射手段を必要とせず、設備を簡素化できる。
（２）電離プラズマは、基板面に対して平行に、かつ基板表面からマスクを介して一定の距離を設けた空間にレーザ光を照射して形成するので、マスクの帯電を抑えることができるとともに、マスクの帯電による電気力線の歪みを防止することができる。また、レーザ光のビーム径に依存せず、マスクの加工径に応じて微小な電界発生部を形成することができる。
（３）自己電界発生機能を表面電荷またはエレクトレット（分極）としたので、電界発生部の寿命を長くすることができる。
（４）基板を高分子材質または樹脂等の非金属材質により構成したので、自己電界発生機能を容易に付加できると共に、液滴を構成する主要液剤の相性に応じて材質を変更することで高分子材質や非金属材質の溶出を抑えることができる。
（５）低電圧電極は、マスクに形成された穴の位置と配列が一致する凹凸部を設けたので、凸部に電界を集中させることができ、マスク穴のエッジの曲率に関係なく微小な電界発生部を形成することができる。
（６）凹凸部の凸部に非金属の保護膜を設けたので、鋭い凸部片であっても、基板に損傷を与えることなく電界発生部を形成することができる。
（７）バイアス電圧を電界発生部と同極性の直流電圧、または単極性パルス電圧としたので、容易に極性を選択できるとともに、瞬間的に強い電界場を形成することができるため、電界発生部の表面電位を高くすることができる。
（８）配列した微小なマスク穴を有し基板表面に対して空隙を設けて配置したマスクと、基板上の空間にレーザ光を発射し電離プラズマを発生させるレーザ装置と、レーザ光の照射位置を調整する駆動装置と、マスクの反基板側に一定の距離を介して平行に配置した高電圧電極と、基板に接続した低電圧電極と、高電圧電極と低電圧電極との間にバイアス電圧を印加するバイアス電源とを備えた製造装置としたので、レーザ光による電離プラズマの径に無関係に任意の微小な電界発生部を形成することができる。
（９）マスクに設けた位置検出用のレーザ光を通す位置決め穴と、基板に設けたレーザ光を反射するマーカとからなる位置検出部を設けたので、マスクと基板の位置決め精度を向上させ、基板上の規定位置に電界発生部を構成することができる。また、複数枚の基板に同一の電界発生部を形成する際の再現性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示すマイクロアレイ作製装置の側断面図。
【図２】本発明の第１実施例を示すマイクロアレイチップ作製方法の斜視図。
【図３】本発明の第２実施例を示すマイクロアレイ作製装置の側断面図。
【図４】本発明の第３実施例を示すマイクロアレイ作製装置の側断面図。
【図５】図４で用いたマスクの斜視図。
【図６】本発明のマイクロアレイチップによる微小スポットの位置補正概念図。
【図７】従来のマイクロアレイチップ作製装置を示す側断面図。
【符号の説明】
１０　基板
１１　電界発生部
１２　最小スポットブロック
１３　マイクロアレイチップ
１６　マスク
１７　マスク穴
１８　マスクブロック
２０　レーザ装置
２１　レーザ光
２２　電離プラズマ
２３　集光レンズ
２４　ステージ
２５　高電圧電極
２６　低電圧電極
２７　凹凸部
２８　バイアス電源
２９　バイアス電圧
３４　加熱装置
３５　駆動装置
３６　筐体
３７　光透過窓
３８　位置検出レーザ
３９　位置決めレーザ光
４０　位置決め穴
４１　マーカ
５０　液滴
５１　微小スポット
５２　ｐｏｌｙ−Ｌ−ｌｙｓｉｎｅ層
５３　共通電極
５４　電極パターン
５５　電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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