(57)【要約】【課題】特にコイル層等から発生する熱を効率良く磁気抵抗効果素子よりも後方領域からスライダに逃がすことができ再生特性を良好に維持でき、またきれいなＱＳＴカーブを得ることが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。【解決手段】上部シールド層２７の後端面２７ａよりもハイト方向後方に、第１金属層２８を設け、前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内に第１有機絶縁層３０を設ける。これによって前記第１金属層２８に伝わった熱が、前記第１有機絶縁層３０を介して前記上部シールド層２７にまで伝わりにくく、前記有機絶縁層よりも熱伝導率の高い無機絶縁材料からなるギャップ層２５を介して第２金属層２３に伝わりやすい。この結果、磁気抵抗効果素子２６に対する前記熱の影響を低減でき、前記磁気抵抗効果素子の再生特性を良好に保つことができる。【選択図】        図１
2004362656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部シールド層と上部シールド層と、両シールド層間に挟まれた磁気抵抗効果素子とを有する再生用ヘッドが設けられ、前記再生用ヘッド上に下部コア層、上部コア層及びコイル層とを有する記録用ヘッドが積層された薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部シールド層及び／または上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて金属層が設けられ、前記下部シールド層及び／または上部シールド層と前記金属層間は有機絶縁層で埋められていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記金属層の下には無機絶縁層が形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第１金属層が設けられ、前記上部シールド層と前記第１金属層間は第１有機絶縁層で埋められており、前記下部コア層は、前記上部シールド層上に形成された無機絶縁層上から前記第１有機絶縁層上、及び第１金属層上に形成された無機絶縁層上にかけて形成される請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記下部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第２金属層が設けられ、前記下部シールド層と第２金属層間に形成された間隔は、前記上部シールド層と第１金属層間に形成された間隔と、膜厚方向で対向する位置に設けられる請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生用ヘッド上に記録用ヘッドが積層形成された薄膜磁気ヘッドに係わり、特にコイル層等から発生する熱を効率良く磁気抵抗効果素子よりも後方領域からスライダに逃がすことができ、再生特性を良好に維持でき、またきれいなＱＳＴ（Ｑｕａｓｉ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｔｅｓｔ）カーブを得ることが可能な薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は従来における再生用ヘッドと記録用ヘッドとが積層された複合型薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。図示Ｘ方向はトラック幅方向を、図示Ｙ方向はハイト方向を示している。ここで符号１は下部シールド層を、符号２は磁気抵抗効果素子を、符号３はギャップ層を、符号４は上部シールド層を、符号５は分離層を、符号６は下部コア層を、符号７はコイル層を、符号８は絶縁層を、符号９は上部コア層を示している。
【０００３】
図１０における複合型薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層１から上部シールド層４までの各層で再生用ヘッドを構成し、下部コア層６から上部コア層９までの各層で記録用ヘッドを構成し、前記再生用ヘッドと記録用ヘッド間に分離層５が介在するピギーバック型と呼ばれる構造である。
【０００４】
薄膜磁気ヘッドは近年の高記録密度化に伴い小型化が促進されており、そのような中で解決しなければならない課題の一つに放熱性の問題がある。図１０に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層７に記録電流が流れることなどで熱が発生する。従ってこの熱を効率良く、外部に逃がす必要性がある。熱が薄膜磁気ヘッド内に篭ると、薄膜磁気ヘッド内部が高温になり、前記磁気抵抗効果素子２を破壊し再生特性の低下を招いたり、熱膨張率の違いなどで前記記録用ヘッドの部分が他の部分よりも突き出し、これによって薄膜磁気ヘッドが記録媒体上に衝突したりするなど多くの問題を引き起こすからである。
【０００５】
そこで従来から薄膜磁気ヘッドを構成する所定の層を記録媒体との対向面からハイト方向に離れた位置で分離形成し、その分離形成されたハイト側の層を放熱層として使用する試みがなされている。
【０００６】
例えば図１１では、下部コア層６を分離形成したものであり、下部コア層６のハイト側後端面６ａよりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に延びる放熱層１０が設けられている。
【０００７】
しかし図１１に示す構造では、コイル層７から発生した熱が下部コア層６に伝わったとき、この熱は、前記下部コア層６と放熱層１０間に介在する絶縁層１１を一旦、介して放熱層１０に伝達されることになるため、ダイレクトに前記放熱層１０に熱を逃がすことができず、熱の一部は、前記下部コア層６の下にある上部シールド層４にも導かれてしまう。上部シールド層４に熱が伝わると、その下にある磁気抵抗効果素子２が前記熱の影響を受けて前述した再生特性の低下を余儀なくされる。
【０００８】
図１２に示す構造では、前記上部シールド層４を分離形成したものであり、上部シールド層４のハイト側後端面４ａよりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に延びる放熱層１２が設けられている。
【０００９】
そして前記上部シールド層４上からハイト方向に延びる下部コア層６を、前記上部シールド層４と放熱層１２間に屈曲させて介在させるとともに、さらに前記下部コア層６を前記放熱層１２上まで延ばして形成している。
【００１０】
図１２の構造では、図１１のように下部コア層６を分離形成せずに、前記放熱層１２上にまで延ばして形成しているから、下部コア層６に伝わった熱は、前記下部コア層６内をダイレクトにハイト方向後方にまで伝わって前記下部コア層６から放熱層１２に効率良く伝達されるものと期待された。
【００１１】
しかし、図１２の構造では、前記下部コア層６は、前記上部シールド層４と放熱層１２間にある空間内に屈曲して入り込んでいるため、この屈曲した部分で前記下部コア層６と上部シールド層４とが距離的に近くなりすぎ、前記下部コア層６からの熱は上部シールド層４へも伝わりやすい。よって結局、磁気抵抗効果素子２が前記熱の影響を受けて再生特性の低下を余儀なくされる。
【００１２】
次に示す図１３の薄膜磁気ヘッドは、以下に示す特許文献１の図９に記載された薄膜磁気ヘッドの構造を簡略化して示した部分縦断面図である。
【００１３】
図１３では、前記上部シールド層４のハイト側後端面４ａからハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に延びる放熱層１３が設けられ、前記上部シールド層４と放熱層１３との間隔Ｄ内は、前記上部シールド層４の上面４ｂを覆う絶縁層（分離層）１４と同じ絶縁層によって埋められている。
【００１４】
前記絶縁層１４の上面１４ａと前記放熱層１３の上面１３ａは同じ平坦化面で形成されており、前記絶縁層１４はアルミナ等で形成されている。
【００１５】
【特許文献１】
特開２００２―２１６３１４
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
図１３に示す構造の薄膜磁気ヘッドでは、前記上部シールド層４と放熱層１３間の間隔Ｄ内に、図１２のように下部コア層６が屈曲して入り込んでおらず、平坦化された絶縁層１４の上面１４ａから前記放熱層１３の上面１３ａにかけて形成されている。
【００１７】
このため下部コア層６に伝わった熱は、図１２の構造に比べて上部シールド層４よりもハイト側にある放熱層１３に逃げやすくなっているが、コイル層７から発生した熱を、下部コア層６―放熱層１３の順に効率良く伝えていくには、前記放熱層１３と上部シールド層４間の間隔Ｄをあまり広くしない方が下部コア層６から放熱層１３への熱伝達経路を短くできて好ましく、前記間隔Ｄはハイト方向へせいぜい２〜６μｍ程度の寸法で形成される。
【００１８】
また前記絶縁層１４はアルミナなどの無機絶縁材料で形成されている。アルミナは絶縁材料であるから金属材料などに比べて当然、熱伝導率は低いが、例えば有機絶縁材料などに比べると熱伝導率は高い。
【００１９】
このため図１３のように、前記間隔Ｄが狭く、且つ絶縁層１４がアルミナで形成されていると、放熱層１３に伝わった熱は、前記放熱層１３から一部、間隔Ｄ内の絶縁層１４を介して上部シールド層４側にも伝わりやすく、効果的に磁気抵抗効果素子２に対する熱の影響を低減できない。
【００２０】
また図１３に示す薄膜磁気ヘッドでは、下部シールド層１も分離形成しており、前記下部シールド層１のハイト側後端面１ａからハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて放熱層１５が形成されている。
【００２１】
ここで図１３に示すように、前記下部シールド層１のハイト方向への長さ寸法Ｌ１は、上部シールド層４のハイト方向への長さ寸法Ｌ２に比べて随分と短くされている。
【００２２】
このように前記下部シールド層１と上部シールド層４とが大きく異なるサイズで形成されていると、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価の一つであるＱＳＴカーブにきれいな波形が出ない。
【００２３】
ＱＳＴカーブとは、磁気抵抗効果素子２のリード端子に定電流を印加するとともに、薄膜磁気ヘッドに対して外部磁場を印加して薄膜磁気ヘッドの出力特性を測定したもので、その測定結果は図１４に示すＲＨ特性グラフとして表現される。
【００２４】
図１４に示すＱＳＴカーブは、模式図的に示したもので、きれいな一本の曲線を描いているが、下部シールド層１と上部シールド層４とのサイズが大きく異なると、例えば複数回、ＲＨ特性測定を行ったときに、各測定時でのＱＳＴカーブにばらつきが発生したり、あるいはなめらかな曲線を描かず上下に大きく変動を繰り返す曲線になるなど、きれいなＱＳＴカーブを得ることができない。
【００２５】
きれいなＱＳＴカーブを得ることができないと出力特性の評価を適切に行うことが困難になり、ときには不良品と判断されてしまうなど歩留まりの低下等を余儀なくされる。
【００２６】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特にコイル層等から発生する熱を効率良く磁気抵抗効果素子よりも後方領域からスライダに逃がすことができ、再生特性を良好に維持でき、またきれいなＱＳＴカーブを得ることが可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に下部シールド層と上部シールド層と、両シールド層間に挟まれた磁気抵抗効果素子とを有する再生用ヘッドが設けられ、前記再生用ヘッド上に下部コア層、上部コア層及びコイル層とを有する記録用ヘッドが積層された薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部シールド層及び／または上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて金属層が設けられ、前記下部シールド層及び／または上部シールド層と前記金属層間は有機絶縁層で埋められていることを特徴とするものである。
【００２８】
上記の構成のように、シールド層と金属層間に有機絶縁層を埋め込み形成したことで、前記シールド層と金属層間の熱伝導率は、前記シールド層と金属層間に無機絶縁層を埋め込み形成した場合に比べて低くなる。このため前記金属層に伝わった熱が、前記有機絶縁層を介して、記録媒体との対向面側にあるシールド層にまで伝わりにくく、この結果、磁気抵抗効果素子に対する前記熱の影響を低減でき、前記磁気抵抗効果素子の再生特性を良好に保つことができる。
【００２９】
また上記構成により熱を前記金属層を介して基板側に逃がしやすくなる。よって記録媒体との対向面からのヘッドの突出量を抑制できる。
【００３０】
本発明では、前記金属層の下には無機絶縁層が形成されていることが好ましい。前記無機絶縁層は前記有機絶縁層よりも熱伝導率は高い。このため前記金属層にまで伝わった熱は、前記有機絶縁層を介してシールド層方向へ導かれるよりも、前記金属層の下にある無機絶縁層を介してその下方にある基板側に導かれやすくなる。このためより効果的に前記磁気抵抗効果素子に対する熱の影響を低減でき再生特性を良好に維持することが可能になる。
【００３１】
本発明では、少なくとも上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第１金属層が設けられ、前記上部シールド層と前記第１金属層間は第１有機絶縁層で埋められており、前記下部コア層は、前記上部シールド層上に形成された無機絶縁層上から前記第１有機絶縁層上、及び第１金属層上に形成された無機絶縁層上にかけて形成されることが好ましい。
【００３２】
上記のように前記下部コア層を、上部シールド層上に形成された無機絶縁層上から前記第１有機絶縁層上、さらには第１金属層上に形成された無機絶縁層上にまで長くの延ばして形成しているから、コイル層等から発生した熱が前記下部コア層に伝わった後、前記下部コア層のハイト側後方の下に存在する前記第１金属層に効果的に伝達されやすく、シールド層よりもハイト側の領域に基板にまで伝わる熱伝達経路を効果的に形成できる。その結果、より効果的に、磁気抵抗効果素子に対する前記熱の影響を低減でき、前記磁気抵抗効果素子の再生特性を良好に保つことができる。
【００３３】
また本発明では、前記下部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第２金属層が設けられ、前記下部シールド層と第２金属層間に形成された間隔は、前記上部シールド層と第１金属層間に形成された間隔と、膜厚方向で対向する位置に設けられることが好ましい。
【００３４】
上記の構成により下部シールド層と上部シールド層のハイト方向への長さ寸法をほぼ一致させることができ、きれいなＱＳＴカーブを得ることが可能である。ＱＳＴカーブとは、ＲＨ特性の測定を行った際にＲＨ特性グラフ上にプロットされる曲線を意味し、ＱＳＴカーブは薄膜磁気ヘッドの出力特性を評価するためのものである。ここで「きれいなＱＳＴカーブ」とは、例えば複数回、ＲＨ特性測定を行った際に各ＱＳＴカーブのばらつきが少なく、またＱＳＴカーブが段階的あるいは上下に大きく変動したりせず、ＲＨ特性グラフの横軸と縦軸の中点を中心としてほぼ点対称となる滑らかなカーブであることを意味している。
【００３５】
本発明では、上記のようにきれいなＱＳＴカーブを得ることができるため、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価を容易且つ適切に行ない易く、歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦面図である。
【００３７】
なお以下では図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。また図示Ｚ方向は記録媒体（磁気ディスク）の進行方向である。また薄膜磁気ヘッドの前端面（図１に示す最左面）を「記録媒体との対向面」と呼ぶ。さらに各層において「前端面（前端部）」とは図１における左側の面を指し「後端面（後端部）」とは図１における右側の面を指す。
【００３８】
また図面を用いて説明する薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッド部（インダクティブヘッドとも言う）と再生ヘッド部（ＭＲヘッドとも言う）とが複合された薄膜磁気ヘッドである。
【００３９】
符号２０はアルミナチタンカーバイト（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）などで形成されたスライダ（基板）であり、前記スライダ２０上にアンダーレイヤ２１が形成されている。前記アンダーレイヤ２１はＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成される。
【００４０】
図１に示すように、前記アンダーレイヤ２１上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けてＮｉＦｅ系合金やセンダストなどで形成された下部シールド層２２が形成されている。
【００４１】
図１に示すように前記下部シールド層２２の後端面２２ａからハイト方向に所定の間隔Ｔ１を置いて前記アンダーレイヤ２１上に形成された第２金属層２３がハイト方向に延びて形成されている。
【００４２】
前記第２金属層２３は前記下部シールド層２２と同様に磁性材料で形成されていてもよいし、非磁性導電材料で形成されていてもよい。前記第２金属層２３は熱をスライダ２０にまで伝える放熱層として機能するため熱伝導率の良い非磁性導電材料で形成されることが好ましい。
【００４３】
前記下部シールド層２２と第２金属層２３は共にメッキ形成されたものである。
【００４４】
図１に示すように前記下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間は、Ａｌ２Ｏ３などで形成された埋め込み層２４によって埋められるとともに、前記下部シールド層２２の上面、前記第２金属層２３の上面及び埋め込み層２４の上面はほぼ同一の平坦化面となっている。
【００４５】
図１に示すように、前記下部シールド層２２、埋め込み層２４、第２金属層２３の上にはＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成された下部ギャップ層や上部ギャップ層からなるギャップ層２５が形成されている。
【００４６】
前記ギャップ層２５内にはスピンバルブ型薄膜素子などのＧＭＲ素子に代表される磁気抵抗効果素子２６が形成されており、前記磁気抵抗効果素子２６の前端面は記録媒体との対向面から露出している。
【００４７】
前記ギャップ層２５上にはＮｉＦｅ系合金などで形成された上部シールド層２７が形成されている。
【００４８】
前記上部シールド層２７は記録媒体との対向面からハイト方向に延びて形成され、前記上部シールド層２７の後端面２７ａよりもハイト方向後方には、前記上部シールド層２７と分離形成された第１金属層２８が形成されている。
【００４９】
前記上部シールド層２７の後端面２７ａと前記第１金属層２８の前端面２８ａとの間に所定の間隔Ｔ２が設けられている。そして前記間隔Ｔ２内からギャップ層２５の表面が露出している。
【００５０】
前記第１金属層２８は前記上部シールド層２７と同様に磁性材料で形成されてもよいし、非磁性導電材料で形成されてもよい。前記第１金属層２８は熱をスライダ２０方向へ導く放熱層として機能するので熱伝導率の良い非磁性導電材料で形成されることが好ましい。
【００５１】
前記上部シールド層２７及び第１金属層２８は共にメッキ形成されたものである。
【００５２】
なお上記で説明した前記下部シールド層２２から前記上部シールド層２７までの高さ位置までを再生用ヘッド（ＭＲヘッドとも言う）と呼んでいる。
【００５３】
図１に示すように、前記上部シールド層２７上から前記間隔Ｔ２内に露出したギャップ層２５上、及び第１金属層２８上にかけて分離層２９が形成されている。前記分離層２９はＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料で形成されている。
【００５４】
前記分離層２９は、分離層２９の下に形成された再生用ヘッドと、分離層２９の上に形成された記録用ヘッドとを磁気的に分離するためなどに設けられたものである。
【００５５】
図１に示すように、前記間隔Ｔ２内には、第１有機絶縁層３０が形成されている。前記第１有機絶縁層３０に関しては後で詳細に説明する。
【００５６】
図１に示すように、前記上部シールド層２７上に形成された無機絶縁材料からなる分離層２９上から前記第１有機絶縁層３０上、さらには前記第１金属層２８上に形成された前記分離層２９上にかけて下部コア層３１が形成されている。前記下部コア層３１はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。
【００５７】
図１に示すように、前記下部コア層３１の上面３１ａは平坦化面となっている。図１に示す実施形態では前記第１有機絶縁層３０の上面が上部シールド層２７や第１金属層２８の上面よりも若干突出しているから、前記第１有機絶縁層３０上に位置する前記下部コア層３１の膜厚は、上部シールド層２７や第１金属層２８上に位置する下部コア層３１の膜厚よりも若干薄くなっている。
【００５８】
図１に示すように、前記下部コア層３１上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法で形成された隆起層３４が形成されている。さらに前記隆起層３４のハイト方向後端面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置での下部コア層３１上にバックギャップ層３５が形成されている。
【００５９】
前記隆起層３４及びバックギャップ層３５は磁性材料で形成され、前記下部コア層３１と同じ材質で形成されてもよいし、別の材質で形成されていてもよい。また前記隆起層３４及びバックギャップ層３５は単層であってもよいし多層の積層構造で形成されていてもよい。前記隆起層３４及びバックギャップ層３５は前記下部コア層３１に磁気的に接続されている。
【００６０】
図１に示すように、前記隆起層３４とバックギャップ層３５間の下部コア層３１上、及びバックギャップ層３５よりもハイト方向後方にある下部コア層３１上にはコイル絶縁下地層３６が形成され、前記コイル絶縁下地層３６上には、コイル層３７が形成されている。前記コイル層３７は前記バックギャップ層３５を中心として前記コイル絶縁下地層３６上を螺旋状に巻回形成されたものである。前記コイル層３７は例えばＣｕなどの非磁性導電材料で形成される。
【００６１】
図１に示すように、前記コイル層３７上はＡｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層３８で埋められている。図１に示すように前記隆起層３４の上面、コイル絶縁層３８の上面、及びバックギャップ層３５の上面は、同一平坦化面となっている。
【００６２】
図１に示すように前記隆起層３４及びコイル絶縁層３８の平坦化面上には、前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の距離離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ決め層３９が形成されている。
【００６３】
また図１に示すように、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３９の前端面までの隆起層３４上、前記Ｇｄ決め層３９の後端面よりハイト方向のコイル絶縁層３８上、及び前記バックギャップ層３５上に、下から下部磁極層４０及びギャップ層４１が形成されている。前記下部磁極層４０及びギャップ層４１はメッキ形成されている。なお前記ギャップ層４１のハイト方向への寸法が前記Ｇｄ決め層３９によって決められている。
【００６４】
また図１に示すように前記ギャップ層４１上及びＧｄ決め層３９上には、上部磁極層４２がメッキ形成され、さらに前記上部磁極層４２上には上部コア層４３がメッキ形成されている。
【００６５】
この実施の形態では、前記下部磁極層４０、ギャップ層４１、上部磁極層４２及び上部コア層４３の４層で磁極層４４が構成されている。
【００６６】
図１に示すように前記上部コア層４３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成された保護層４５が形成されている。前記保護層４５は前記上部コア層４３の後端面よりもハイト方向に広がるコイル絶縁層３８上にも形成されている。前記保護層４５はＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００６７】
以上説明した下部コア層３１、コイル層３７、隆起層３４、バックギャップ層３５及び磁極層４４を含む各層で記録用ヘッド（インダクティブヘッド）が構成される。
【００６８】
図１に示す薄膜磁気ヘッドの特徴的部分について以下に説明する。
図１に示す薄膜磁気ヘッドの第１の特徴的部分は、上部シールド層２７と第１金属層２８間に形成された間隔Ｔ２内に第１有機絶縁層３０が埋められている点にある。
【００６９】
図３は、図１に示す薄膜磁気ヘッドを拡大した部分縦断面図である。図３では下部コア層３１よりも上方にある層は図面上省略されている。図３に示すように、前記上部シールド層２７の後端面２７ａと前記第１金属層２８の前端面２８ａ間には間隔Ｔ２が空けられている。前記間隔Ｔ２は具体的には２μｍ〜６μｍの範囲内で形成されていることが好ましい。この程度の間隔Ｔ２であると、下部コア層３１が吸収した熱が適切に第１金属層２８に伝達されるとともに、前記熱が第１金属層２８から前記間隔Ｔ２を介して上部シールド層２７に伝達されにくい。
【００７０】
図３では前記上部シールド層２７及び第１金属層２８が図面上同じ高さで形成されているが同じ高さで形成される必要はない。前記上部シールド層２７及び第１金属層２８の膜厚は０．８〜２．０μｍ程度で形成される。
【００７１】
図３に示すように前記上部シールド層２７の上面２７ｂから前記間隔Ｔ２内で露出するギャップ層２５の上面２５ａ、及び第１金属層２８の上面２８ｂにかけて無機絶縁材料で形成された分離層２９がスパッタ法などで成膜される。
【００７２】
前記分離層２９は前記上部シールド層２７の上面２７ｂや第１金属層２８の上面２８ｂではある所定の膜厚で形成されるが、それに比べて前記間隔Ｔ２内における上部シールド層２７の後端面２７ａや第１金属層２８の前端面２８ａに付着する分離層２９の膜厚は、シャドー効果によって薄くなり、あるいは付着しない箇所も出てくる。
【００７３】
前記分離層２９の膜厚は、前記上部シールド層２７や第１金属層２８の上面２７ｂ，２８ｂに形成される部分で０．２μｍ〜０．４μｍの範囲内である。前記分離層２９は、再生用ヘッドと記録用ヘッド間の磁気的な干渉を抑制等するために設けられたものであるため、前記分離層２９の膜厚を上記の範囲よりも薄くしすぎると磁気的干渉等の問題が生じ、また前記分離層２９が上記の範囲よりも厚すぎると下部コア層３１から第１金属層２８へ熱が導かれにくくなり熱が記録用ヘッド内部に篭りやすくなるので、前記分離層２９は上記の範囲内の膜厚で形成されることが好ましい。
【００７４】
図３に示すように、前記間隔Ｔ２内には第１有機絶縁層３０が埋め込み形成されている。前記第１有機絶縁層３０としては例えばレジスト材料（光感光性樹脂）や感光性ポリイミドなどである。
【００７５】
前記第１有機絶縁層３０は前記間隔Ｔ２では前記分離層２９上に形成されるが、上記のように前記間隔Ｔ２内で前記分離層２９が付着しなかった部分では、前記第１有機絶縁層３０が前記上部シールド層２７の後端面２７ａや第１金属層２８の前端面２８ａ上に直接接して形成されることになる。
【００７６】
図３では、前記第１有機絶縁層３０の上面３０ａは、前記上部シールド層２７の上面２７ｂ及び第１金属層２８の上面２８ｂに形成された分離層２９の上面２９ａよりも高い位置に形成されているが、例えば図３の点線で示すように前記第１有機絶縁層３０の上面３０ｂが、前記分離層２９の上面２９ａより低くなっていてもかまわない。前記第１有機絶縁層３０の上面３０ａ，３０ｂの前記分離層２９の上面２９ａから見た突出量及び凹み量は＋１．５μｍ〜−１．０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７７】
図３に示すように下部コア層３１は、上部シールド層２７の上方のみならず、前記上部シールド層２７よりもハイト側に設けられた第１金属層２８の上方にまで延出して形成されている。このため下部コア層３１と第１金属層２８とは膜厚方向（図示Ｚ方向）で対向する位置関係にあり、前記下部コア層３１が吸収した熱が第１金属層２８に伝わりやすくなっている。
【００７８】
特に前記下部コア層３１から前記第１金属層２８に効率良く熱を伝えるには、前記第１金属層２８が前記上部シールド層２７よりも熱伝導率に優れた材質で形成されることが好ましい。例えば前記第１金属層２８はＣｕ，Ａｕなどの非磁性導電材料で形成される。
【００７９】
図３に示す実施形態では、前記第１金属層２８に吸収された熱は、前記第１金属層２８の下にある第２金属層２３に伝わりやすくなっており、一方、前記第１金属層２８から上部シールド層２７へ熱は伝わりにくくなっている。それは前記上部シールド層２７と第１金属層２８間の間隔Ｔ２内が第１有機絶縁層３０で埋められているからである。前記第１有機絶縁層３０は、無機絶縁材料に比べて熱伝導率が低い材料である。そのため第１金属層２８から熱は第１有機絶縁層３０を介して上部シールド層２７へ伝わるよりも、前記第１金属層２８の下にある、無機絶縁材料のギャップ層２５を介して第２金属層２３へ伝わりやすく、前記第２金属層２３にまで伝わった熱は、無機絶縁材料のアンダーレイヤ２１を介してスライダ２０へ逃げる熱伝達経路を辿る。
【００８０】
上記のように前記上部シールド層２７の後端面２７ａと第１金属層２８の前端面２８ａ間に第１有機絶縁層３０を埋め込み形成することで、前記第１金属層２８へ伝わった熱が、前記第１金属層２８から前記上部シールド層２７へ導かれるのを抑制でき、この結果、前記上部シールド層２７の下にある磁気抵抗効果素子２６に対する熱の影響を抑制でき前記磁気抵抗効果素子２６の再生特性を良好に維持することが可能になる。また記録媒体との対向面からのヘッドの突出量を抑制できる。
【００８１】
特に前記第１金属層２８の下には無機絶縁材料で形成されたギャップ層２５が形成されているから前記第１金属層２８に到達した熱は、前記第１有機絶縁層３０よりも熱伝導率の高いギャップ層２５を介して第２金属層２３に導かれやすくなっている。このため、第１金属層２８から上部シールド層２７に熱が流れるのをより効果的に抑制でき、磁気抵抗効果素子２６に対する熱の影響を低減でき再生特性を良好に維持できる。
【００８２】
図３に示す実施形態では、下部シールド層２２と第２金属層２３とが分離形成されており、前記下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間に間隔Ｔ１が空けられている。この間隔Ｔ１は、前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２と膜厚方向（図示Ｚ方向）で対向する位置に設けられる。
【００８３】
図３に示す実施形態では、前記間隔Ｔ１のハイト方向への長さ寸法が前記間隔Ｔ２のハイト方向への長さ寸法に比べて小さいが、同じ寸法であってもよいし、前記間隔Ｔ１のハイト方向への長さ寸法が間隔Ｔ２のハイト方向への長さ寸法に比べて大きくなっていてもよい。
【００８４】
また前記間隔Ｔ１のハイト方向への長さ寸法は１．５μｍ〜６μｍの範囲内である。上記のように間隔Ｔ２のハイト方向への長さ寸法は１．５μｍ〜８．０μｍの範囲内であるから、前記間隔Ｔ１，Ｔ２の長さの差は小さく、この結果、下部シールド層２２のハイト方向への長さ寸法と、上部シールド層２７のハイト方向への長さ寸法もほぼ同等のサイズになる。
【００８５】
図２は、前記下部シールド層２２、磁気抵抗効果素子２６及び上部シールド層２７を模式図的に示した部分斜視図である。図２に示すように、下部シールド層２２のハイト方向への長さ寸法はＬ３で具体的には１０μｍ〜３０μｍであり、また上部シールド層２７のハイト方向への長さ寸法はＬ４で具体的には９．５μｍ〜３０μｍであり、前記下部シールド層２２のトラック幅方向への幅寸法はＴ３で具体的には５０μｍ〜１００μｍであり、また上部シールド層２７のトラック幅方向への幅寸法はＴ４で具体的には４９μｍ〜９９μｍであり、前記下部シールド層２２の膜厚はＨ１で具体的には０．８μｍ〜２．０μｍであり、また上部シールド層２７の膜厚はＨ２で具体的には０．８μｍ〜２．０μｍの範囲内である。
【００８６】
このように下部シールド層２２と上部シールド層２７とはほぼ同等のサイズで形成される。この結果、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価の一つであるＱＳＴカーブをきれいな波形で得ることができる。
【００８７】
ＱＳＴカーブとは、磁気抵抗効果素子２６のリード端子に定電流を印加するとともに、薄膜磁気ヘッドに対して外部磁場を印加して薄膜磁気ヘッドの出力特性を測定したもので、その測定結果は図１４に示すＲＨ特性グラフとして表現される。
【００８８】
図１４に示すＱＳＴカーブは、模式図的に示したもので、きれいな一本の滑らかな曲線を描いている。本発明はこのようなきれいなＱＳＴカーブを得ることを目指したものであり、きれいなＱＳＴカーブを得るには、下部シールド層２２と上部シールド層２７とがほぼ同等のサイズで形成されることが必要である。
【００８９】
図１４のようなきれいなＱＳＴカーブを得ることができれば、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価を適切に行うことが容易になり、歩留まりの向上を図ることができる。
【００９０】
また図１のように下部シールド層２２と第２金属層２３とを分離形成することで、前記下部シールド層２２の面積を小さくでき、これによって前記磁気抵抗効果素子２６を形成する際の露光ビームの曲がりを抑制することができ、前記磁気抵抗効果素子２６を所定形状で形成できるといった効果もある。
【００９１】
ところで図３に示す実施形態では、下部シールド層２２と第２金属層２３間の間隔Ｔ１内は無機絶縁材料による埋め込み層２４が埋め込み形成されており、前記下部シールド層２２の上面、埋め込み層２４の上面及び第２金属層２３の上面が同一平坦化面で形成されるとともに、前記平坦化面上に下部ギャップ層５０と上部ギャップ層５１から成る無機絶縁材料のギャップ層２５が成膜されているが、図４のように前記間隔Ｔ１内に有機絶縁層を埋め込むことも可能である。
【００９２】
図４は本発明における別の実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。なお図４では、下部コア層３１よりも上に形成される各層が図示されていないが図１と同じ構成であるので省略した。
【００９３】
図４に示す薄膜磁気ヘッドでも、図３に示す薄膜磁気ヘッドと同様に上部シールド層２７の後端面２７ａと第１金属層２８の前端面２８ａ間に第１有機絶縁層３０が埋め込み形成されており、この点において同じである。
【００９４】
図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、さらに下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間に空けられた間隔Ｔ１内に第２有機絶縁層５２が埋め込み形成される。
【００９５】
図４に示すように、前記下部シールド層２２の上面２２ｂから前記間隔Ｔ１内に露出するアンダーレイヤ２１上、及び第２金属層２３の上面２３ｂにかけて下部ギャップ層５０がスパッタ法などで形成される。この下部ギャップ層５０は、図３で説明した分離層２９と同様に、前記下部シールド層２２の後端面２２ａや第２金属層２３の前端面２３ａではシャドー効果によって膜厚が薄くなったり、あるいは成膜されない箇所もある。
【００９６】
前記第２有機絶縁層５２は、前記間隔Ｔ１内で前記下部ギャップ層５０を介して形成される。前記第２有機絶縁層５２は第１有機絶縁層３０と同様にレジスト材料（光感光性樹脂）等で形成されるものであり、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料に比べて熱伝導率が低い材料である。
【００９７】
また図４に示すように前記下部ギャップ層５０上に重ねて形成される上部ギャップ層５１は前記第２有機絶縁層５２の部分では、前記第２有機絶縁層５２上に形成される。これは、下部ギャップ層５０―第２有機絶縁層５２―上部ギャップ層５１の順に形成されるからであり、例えば下部ギャップ層５０―上部ギャップ層５１―第２有機絶縁層５２の順の各層を成膜すれば、前記上部ギャップ層５１は前記第２有機絶縁層５２の下に形成されることになる。
【００９８】
図４に示す実施形態では、第１金属層２８に到達した熱は、第１有機絶縁層３０の存在によって上部シールド層２７の方向へは伝達されにくく、一方、前記第１有機絶縁層３０よりも熱伝導率が高い無機材料製のギャップ層２５を介して第２金属層２３の方に伝わりやすい。しかも第２金属層２３に到達した熱は、第２有機絶縁層５２の存在により、第２金属層２３から下部シールド層２２方向に伝わりにくく、一方、前記第２有機絶縁層５２よりも熱伝導率の高い無機絶縁材料のアンダーレイヤ２１を介してスライダ２０に導かれやすくなっている。
【００９９】
この結果、図４に示す薄膜磁気ヘッドの形態では、より効果的に、熱をシールド層２２，２７よりもハイト方向後方の領域にある金属層２３，２８からスライダ２０へ逃がすことができ、磁気抵抗効果素子２６に対する熱の影響を低減でき再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。また記録媒体との対向面からのヘッドの突出量を抑制できる。
【０１００】
なお前記第２有機絶縁層５２の上面５２ａは、第１有機絶縁層３０の上面３０ａ、３０ｂと同様に下部ギャップ層５０の上面から（あるいは前記上部ギャップ層５１が前記第２有機絶縁層５２よりも先に形成される場合には、前記上部ギャップ層５１の上面から）突出していても凹んでいてもどちらでもよい。
【０１０１】
以下、図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図５ないし図９は図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す部分拡大縦断面図である。なお工程図は、アンダーレイヤから下部コア層までの製造方法であり、それよりも上方にある各層の製造方法は省略する。
【０１０２】
図５に示す工程では、アルミナ−チタンカーバイドなどで形成されたスライダ（基板）２０の上に、アンダーレイヤ２１を形成する。前記アンダーレイヤ２１は例えばＡｌ２Ｏ３であるが、他の無機絶縁材料を用いてもよいし、また無機絶縁材料の多層構造であってもよい。
【０１０３】
次に前記アンダーレイヤ２１上にＮｉＦｅ合金等からなるメッキ下地層（図示しない）をスパッタ法や蒸着法で成膜し、前記メッキ下地層の上に下部シールド層２２及び第２金属層２３が形成されるべき位置に空間を有するレジスト層（図示しない）を露光現像により形成し、前記下部シールド層２２が形成されるべき前記空間内に前記下部シールド層２２をメッキ形成する。同様に前記第２金属層２３が形成されるべき位置に前記第２金属層２３をメッキ形成する。前記レジスト層に、前記下部シールド層２２と第２金属層２３とを形成すべき空間部が一緒に形成されている場合には、前記下部シールド層２２と第２金属層２３とを同じ工程時に同じ材料でメッキ形成できるから工程の簡略化に繋がるが、かかる場合、第２金属層２３も磁性材料で形成されるので、前記第２金属層２３を非磁性導電材料で形成する場合には、前記下部シールド層２２の形成用レジストと、第２金属層２３の形成用レジストとを別個に使用し、例えばまず前記下部シールド層２２の形成用レジストを用いて下部シールド層２２をメッキ形成した後、前記下部シールド層形成用レジストを除去し、第２金属層２３の形成用レジストを用いて第２金属層２３をメッキ形成し、前記第２金属層形成用レジストを除去する。
【０１０４】
図５のようにアンダーレイヤ２１の上に下部シールド層２２と第２金属層２３とをメッキ形成した後、前記下部シールド層２２及び第１金属層２３が形成されていないアンダーレイヤ２１上に残るメッキ下地層をエッチング等により除去する。
【０１０５】
図５に示すように、前記下部シールド層２２の後端面２２ａと前記第２金属層２３の前端面２３ａ間には間隔Ｔ１が空けられている。
【０１０６】
次に図５に示すように前記下部シールド層２２の上面２２ｂから前記間隔Ｔ１内に露出したアンダーレイヤ２１の上面、及び前記第２金属層２３の上面２３ｂにかけてＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２から成る無機絶縁材料層６０をスパッタ法や蒸着法によって成膜する。
【０１０７】
図５に示すように前記無機絶縁材料層６０を前記間隔Ｔ１内に埋め込んだ後、図５に示すＡ―Ａ線まで前記無機絶縁材料層６０、下部シールド層２２及び第２金属層２３をＣＭＰ技術等を用いて削り込んで、前記下部シールド層２２及び第２金属層２３の上面２２ｂ，２３ｂを露出させるとともに、前記無機絶縁材料層６０を前記間隔Ｔ１内のみに残す。この削り込み工程によって前記下部シールド層２２の上面２２ｂ、第２金属層２３の上面２３ｂ及び前記間隔Ｔ１内に残された無機絶縁材料層６０の上面は同一の平坦化面となる。なお前記間隔Ｔ１内に残された無機絶縁材料層６０は図１，３に示す埋め込み層２４と同じものである。
【０１０８】
次に図６に示す工程では、前記下部シールド層２２の上面２２ｂ、前記埋め込み層２４の上面２４ｂ及び第２金属層２３の上面２３ｂにかけて無機絶縁材料で形成された下部ギャップ層５０をスパッタ法や蒸着法で成膜する。
【０１０９】
次に前記下部ギャップ層５０上に記録媒体との対向面からハイト方向への所定領域に磁気抵抗効果素子２６を形成し、さらに前記磁気抵抗効果素子２６上から前記下部ギャップ層５０上にかけて無機絶縁材料で形成された上部ギャップ層５１をスパッタ法や蒸着法によって成膜する。
【０１１０】
次に前記上部ギャップ層５１の上に、上部シールド層２７及び第１金属層２８をメッキ形成する。この２つのメッキ層の形成方法は、下部シールド層２２及び第２金属層２３のメッキ形成方法と同じである。
【０１１１】
図６に示すように前記上部シールド層２７は記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さでメッキ形成される。前記第１金属層２８は、上部シールド層２７の後端面２７ａよりもハイト方向に所定の間隔Ｔ２を空けてハイト方向に向けて形成されている。
【０１１２】
前記第１金属層２８は前記上部シールド層２７と同じ磁性材料で形成されてもよいが、前記第１金属層２８の熱伝達効率を向上させるには非磁性金属材料で形成されることが好ましい。前記第１金属層２８を前記上部シールド層２７とは異なる材質で形成する場合の方法も、既に下部シールド層２２と第２金属層２３のメッキ形成方法で説明したので省略する。
【０１１３】
上記のように前記下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間には間隔Ｔ１が空けられているが、前記間隔Ｔ１は、前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２と膜厚方向（図示Ｚ方向）で対向する位置に形成される。これにより前記下部シールド層２２の記録媒体との対向面からハイト方向への長さ寸法と、前記上部シールド層２７の記録媒体との対向面からハイト方向への長さ寸法をほぼ同等にすることができ、前記上部シールド層２７と下部シールド層２２の平面形状のサイズをほぼ一致させることが可能になる。その結果、きれいなＱＳＴカーブを得ることができ、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価を容易且つ適切なものにすることができ歩留まりの向上を図ることが可能である。
【０１１４】
次に図７に示す工程では、前記上部シールド層２７の上面２７ｂから、前記上部シールド層２７の後端面２７ａ上、前記間隔Ｔ２内に露出する上部ギャップ層５１の上面、前記第１金属層２８の前端面２８ａ上、及び前記第１金属層２８の上面２８ｂにかけてＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料で形成された分離層２９をスパッタ法や蒸着法などで成膜する。
【０１１５】
前記分離層２９は、前記上部シールド層２７の上面２７ｂや第１金属層２８の上面２８ｂで０．２μｍ〜０．４μｍの膜厚で形成される。一方、前記分離層２９は、前記上部シールド層２７の後端面２７ａ上や前記第１金属層２８の前端面２８ａ上ではシャドー効果によって膜厚が薄くなり、あるいは成膜されない箇所も出てくる。
【０１１６】
前記分離層２９を成膜した後、前記分離層２９上全体にレジスト層７０を塗布する。このレジスト層７０は、凹んだ前記間隔Ｔ２内を適切に埋める。
【０１１７】
図８に示す工程では、露光現像処理によって前記レジスト層７０のうち、ちょうど前記間隔Ｔ２内を埋めているレジスト層７０ｂが残るようにし、それ以外のレジスト層７０ａを除去する。残された前記レジスト層７０ｂは図１における第１有機絶縁層３０となる。
【０１１８】
残された前記レジスト層７０ｂの上面７０ｂ１は、前記上部シールド層２７の上面２７ｂ及び第１金属層２８の上面２８ｂに形成された分離層２９の上面２９ａよりも若干高いか、あるいは若干低くなっている。前記レジスト層７０ｂの上面７０ｂ１は、前記分離層２９の上面２９ａに比べて高低差が、＋１．５μｍ〜±−１．０μｍの範囲内となるように調整されることが好ましい。この調整は、図７工程でのレジスト層７０の塗布量を調整したり、図８のように間隔Ｔ２内にレジスト層７０ｂが残るように露光現像処理を行った後、前記レジスト層７０ｂに対して熱処理等を施して行われる。熱処理を施すとレジスト層７０ｂの表面はなだらかになり、図８に示すレジスト層７０ｂよりも若干高さ寸法を低くできる。
【０１１９】
本発明では、前記上部シールド層２７の後端面２７ａと第１金属層２８の前端面２８ａ間に空けられた間隔Ｔ２内に、レジスト層７０ｂを埋め込み、前記間隔Ｔ２を前記レジスト層７０ｂで塞いでしまうことで放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造できる。
【０１２０】
加えて、図１３に示す従来の薄膜磁気ヘッドに比べて製法的な利点もある。図１３に示す従来例では、上部シールド層４と放熱層１３との間の間隔Ｄを無機絶縁材料の絶縁層１４が占め、この絶縁層１４は前記上部シールド層４上にも設けられ、前記絶縁層１４の上面１４ａと放熱層１３の上面１３ａとが同じ平坦化面で形成されている。
【０１２１】
このような平坦化面を形成するには、既に説明した図５工程と同様の工程を用い、前記上部シールド層４と放熱層１３とをメッキ形成した後、前記上部シールド層４上、放熱層１３上及び上部シールド層４と放熱層１３間の間隔Ｄ内に絶縁層１４を形成し、ＣＭＰ技術を用いて前記絶縁層１４及び放熱層１３をある所定値まで削り込むことで前記絶縁層１４の上面１４ａと放熱層１３の上面１３ａとを同じ平坦化面とすることができる。
【０１２２】
しかし上記の製造方法では、次のような不利な点がある。それは、まず上部シールド層４及び放熱層１３はメッキ形成された比較的膜厚の厚い層で形成される。このため前記絶縁層１４を前記間隔Ｄ内に適切にスパッタ法等で埋め込むには、長い成膜時間を要し、また成膜時間が長くなることで前記上部シールド層４及び放熱層１３の上面４ｂ，１３ａに成膜される絶縁層１４の膜厚も厚くなるから、ＣＭＰ技術で平坦化処理を行うにも前記絶縁層１４をかなりの量削り取ることが必要になり研削工程にも時間がかかった。
【０１２３】
またメッキ形成された上部シールド層４及び放熱層１３の各層が全ての領域において均一な膜厚で形成されているかというとそうではなく厚みにばらつきがあり、またＣＭＰ工程前における前記上部シールド層４の上面４ｂに成膜された絶縁層１４の上面、放熱層１３の上面１３ａに成膜された絶縁層１４の上面、及び間隔Ｄ内を埋める絶縁層１４の上面は同じ高さではなくうねっているため、このように場所によって異なる各層の膜厚の違いを考慮しながら前記研削工程を施すことが必要になり、よって研削工程が煩雑化し、またきれいに前記絶縁層１４の上面１４ａと放熱層１３の上面１３ａとを同一平坦化面に揃えるには研削加工精度が高精度なものである必要性があった。
【０１２４】
その点、本発明のように上部シールド層２７と第１金属層２８間の間隔Ｔ２を第１有機絶縁層３０で埋めるようにすれば、特に前記間隔Ｔ２内に埋められる第１有機絶縁層３０の膜厚を考慮すればよいだけであり、無機絶縁材料による絶縁層１４を用いた場合に必要な研削工程が必要なく、非常に簡単に且つ確実に前記上部シールド層２７と第１金属層２８間を第１有機絶縁層３０で埋めることが可能になり製造工程の簡略化を図ることができる。
【０１２５】
本発明では、図８工程後、図９工程を施す。図９工程では、前記分離層２９の上面２９ａ及びレジスト層７０ｂの上面７０ｂ１に図示しないメッキ下地層を形成した後、下部コア層３１をメッキによりパターン形成する。
【０１２６】
図９のように前記レジスト層７０ｂの上面７０ｂ１は、無機絶縁材料で形成された分離層２９の上面２９ａより若干高くなっているため、前記レジスト層７０ｂと膜厚方向（図示Ｚ方向）で対向する位置にある下部コア層３１の上面３１ａは、前記上部シールド層２７及び第１金属層２８と膜厚方向で対向する位置にある下部コア層３１の上面３１ｂに比べて若干高くなる。
【０１２７】
次に前記下部コア層３１の周囲を前記下部コア層３１の上面と同じ高さ位置まで埋めるための絶縁層８０を前記下部コア層３１が形成されていない位置での分離層２９の上面及び前記下部コア層３１の上面にスパッタ成膜した後、前記絶縁層８０及び下部コア層３１をＢ―Ｂ線までＣＭＰ技術等により研削加工して、前記下部コア層３１の上面と前記下部コア層３１の周囲を埋める絶縁層８０の上面とを同一平坦化面にする。
【０１２８】
その後、図１に示す隆起層３４、バックギャップ層３５、コイル層３７、磁極層４４等を既存の製造方法を用いて形成する。
【０１２９】
図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図５工程で下部シールド層２２及び第２金属層２３をメッキ形成した後、前記下部シールド層２２の上面２２ｂから間隔Ｔ１内、及び第２金属層２３の上面２３ｂにかけて無機絶縁材料の下部ギャップ層５０をスパッタ成膜した後、図７及び図８工程と同様の工程を用いて、前記間隔Ｔ１内をレジスト層７０ｂで埋め、その後、磁気抵抗効果素子２６を形成し、無機絶縁材料からなる上部ギャップ層５１を前記磁気抵抗効果素子２６上から前記下部ギャップ層５０上及びレジスト層７０ｂ上にかけてスパッタ成膜する。
【０１３０】
前記磁気抵抗効果素子２６の形成は、レジスト層７０ｂの形成前でもよく、また下部ギャップ層５０、磁気抵抗効果素子２６及び上部ギャップ層５１の形成後に、前記間隔Ｔ１内にレジスト層７０ｂを埋め込み形成してもよい。その後は、図６工程以降の工程と同様の工程を施す。
【０１３１】
なお図１及び図３に薄膜磁気ヘッドでは、上部シールド層２７と第１金属層２８間に形成された間隔Ｔ２内にのみ、図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記間隔Ｔ２内と、前記下部シールド層２２と第２金属層２３間に形成された間隔Ｔ１内の双方に有機絶縁層を埋め込み形成するといったものであったが、前記下部シールド層２２と第２金属層２３間に形成された間隔Ｔ１内にのみ有機絶縁層を埋め込み形成した薄膜磁気ヘッドであってもよい。
【０１３２】
以上、詳述した本発明における薄膜磁気ヘッドは、例えばハードディスク装置などに搭載される磁気ヘッド装置に内蔵される。前記薄膜磁気ヘッドは浮上式磁気ヘッドあるいは接触式磁気ヘッドのどちらに内蔵されたものでもよい。また前記薄膜磁気ヘッドはハードディスク装置以外にも磁気センサ等に使用できる。
【０１３３】
【発明の効果】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層及び／または上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて金属層が設けられ、前記下部シールド層及び／または上部シールド層と前記金属層間が有機絶縁層で埋められている構成を有する。
【０１３４】
上記の構成のように、シールド層と金属層間に有機絶縁層を埋め込み形成したことで、前記シールド層と金属層間の熱伝導率は、前記シールド層と金属層間に無機絶縁層を埋め込み形成した場合に比べて低くなる。このため前記金属層に伝わった熱が、前記有機絶縁層を介して、記録媒体との対向面側にあるシールド層にまで伝わりにくく、この結果、磁気抵抗効果素子に対する前記熱の影響を低減でき、前記磁気抵抗効果素子の再生特性を良好に保つことができる。
【０１３５】
また本発明では、上部シールド層と、そのハイト方向後方に設けられた第１金属層との間に空けられた間隔Ｔ２と、下部シールド層と、そのハイト方向後方に設けられた第２金属層との間に空けられた間隔Ｔ１とが膜厚方向で対向する位置に設けられることが好ましい。上記の構成により下部シールド層と上部シールド層のハイト方向への長さ寸法をほぼ一致させることができ、きれいなＱＳＴカーブを得ることが可能である。よって本発明では、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価を容易且つ適切に行ない易く、歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦断面図、
【図２】図１に示す上部シールド層、磁気抵抗効果素子及び下部シールド層のみを模式図的に示した部分斜視図、
【図３】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図、
【図４】本発明の第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分拡大縦断面図、
【図５】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図６】図５の次に行われる一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１１】図１０とは異なる構成の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１２】図１０，図１１とは異なる構成の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１３】図１０ないし図１２とは異なる構成の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１４】ＱＳＴカーブについて説明するためのＲＨ特性グラフ、
【符号の説明】
２０  スライダ
２１  アンダーレイヤ
２２  下部シールド層
２３  第２金属層
２５  ギャップ層
２６  磁気抵抗効果素子
２７  上部シールド層
２８  第１金属層
２９  分離層
３０  第１有機絶縁層
３１  下部コア層
３４  隆起層
３５  バックギャップ層
３７  コイル層
４４  磁極層
５２  第２有機絶縁層
７０、７０ａ，７０ｂ  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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