(57)【要約】【課題】高トラック密度を実現する上で、トラックサイドの読みにじみを低減し、磁気的に安定なヘッドを供給することは非常に重要な課題である。本発明は、上記問題点を克服し、高トラック密度を実現し、高い記録密度の装置を提供することを目的とする。【解決手段】磁気ヘッドにおいて、上部シールドは、自由層のトラック幅方向両端に電気的分離膜を介して位置するように形成され、少なくとも２層の軟磁性膜を導電性分離膜を介して備えたことを特徴とする。これによって、自由層のトラック幅方向両側に磁区構造や磁化の発生がなく軟磁気特性を有する磁気シールドが形成され、サイドリードを低減することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部磁気シールドと、下部磁気シールドと、前記上部シールド及び前記下部シールドに挟まれた、固定層と、トンネル障壁層と、自由層とを備える磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端に位置する電気的分離膜とを有する磁気ヘッドにおいて、前記上部シールドは、前記自由層のトラック幅方向両端に前記電気的分離膜を介して位置するように形成され、少なくとも２層の軟磁性膜を導電性分離膜を介して備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
上部磁気シールドと、下部磁気シールドと、前記上部シールド及び前記下部シールドに挟まれた、固定層と、トンネル障壁層と、自由層とを備える磁気抵抗効果膜と、前記自由層に接して、前記磁気抵抗効果膜の磁区制御を行う磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端に位置する電気的分離膜とを備えた磁気ヘッドにおいて、前記上部シールドは、前記自由層のトラック幅方向両端に前記電気的分離膜を介して位置するように形成され、少なくとも２層の軟磁性膜を導電性分離膜を介して備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
上部磁気シールドと、下部磁気シールドと、前記上部シールド及び前記下部シールドに挟まれた、固定層と、トンネル障壁層と、自由層とを備える磁気抵抗効果膜と、前記自由層に接して、前記磁気抵抗効果膜の磁区制御を行う磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端に位置する電気的分離膜と、前記磁気抵抗効果膜、前記上部シールド及び前記下部シールドに対して前記電気的分離膜を介して、少なくとも２層の軟磁性膜を導電性分離膜を介して備えたサイドシールドとを備えた磁気ヘッド。
【請求項４】
上部磁気シールドと、下部磁気シールドと、前記上部シールド及び前記下部シールドに挟まれた、固定層と、非磁性層と、自由層とを備える磁気抵抗効果膜と、前記自由層に接して、前記磁気抵抗効果膜の磁区制御を行う磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端に位置する電気的分離膜と、前記磁気抵抗効果膜に電流を流す電極膜と、前記磁気抵抗効果膜、前記上部シールド及び前記下部シールドに対して前記電気的分離膜を介して、少なくとも２層の軟磁性膜を導電性分離膜を介して備えたサイドシールドを備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
上部磁気シールドと、下部磁気シールドと、前記上部シールド及び前記下部シールドに挟まれた、固定層と、金属膜と、自由層とを備える磁気抵抗効果膜と、前記自由層に接して、前記磁気抵抗効果膜の磁区制御を行う磁区制御膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向両端に位置する電気的分離膜と、前記磁気抵抗効果膜に電流を流す電極膜と、前記磁気抵抗効果膜、前記上部シールド及び前記下部シールドに対して前記電気的分離膜を介して、少なくとも２層の軟磁性膜を導電性分離膜を介して備えたサイドシールドを備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】
前記導電性分離膜がＲｕであることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記軟磁性膜は、前記導電性分離膜を介して積層フェリ結合することを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁区制御膜は、反強磁性膜と軟磁気特性膜とで構成されることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記磁区制御膜は、反強磁性膜で構成されることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録装置の磁気ヘッドに関わるものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報記録及び再生システムにおける情報は、磁性媒体上の磁区の配列として記録される。磁性媒体には、例えば、磁気テープ、ハードディスク、あるいはフレキシブルディスク等がある。磁区は、通常、トラックに添って配置され、トラックの構成として、円環状、渦巻き状、らせん状、あるいは不定長のものがある。
【０００３】
代表的な情報記録および再生装置において、汎用計算機は、ネットワーク、キーボード、スキャナー、もしくはこれらに相当するものとの間にインターフェースをもつ入力装置を介して入力情報を受け取る。計算機は、入力装置への接続に加え、出力装置に出力することが可能である。この出力装置として、計算機とインターフェースとを介して接続する、ネットワーク、プリンタ、表示装置、あるいはモデム等がある。計算機に関連する他の記録装置に加え、計算機は周辺機器である磁気記録装置へ情報を書き込んだり、磁気記録装置から情報を読んだりする。
【０００４】
代表的な磁気記録装置の模式図を図５に示す。磁気記録装置は、円盤状の形状をしており、同心円状に信号が記録されている記録媒体１、浮動型のスライダーに信号の記録及び再生を行う素子を搭載する磁気ヘッド２及び媒体上に磁気ヘッドを位置決めする機構であり、連結アームとボイスコイルモータを用いて、通常ディスクの半径方向に動く位置決め機構３を有する。
【０００５】
近年の磁気記録装置の高密度化に伴って、従来の長手記録では熱減磁の問題により限界があるため、垂直磁気記録が脚光をあびている。垂直磁気記録の方式において、媒体に軟磁性膜である下地膜を備えた垂直磁化媒体を、ヘッドにシングルポールの記録ヘッドをそれぞれ用いたものが有望視されており、国際磁気学会等で報告されている。
【０００６】
また、再生ヘッドにおいては、高いトラック密度によるトラック幅の狭小化とともに、それに対応した高感度化が要求されている。高感度化を達成するための手段として磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドが用いられる。特に、近年ではＴＭＲヘッドやＣＰＰ−ＧＭＲヘッドと呼ばれる構造のものが有望視されている。
【０００７】
ＴＭＲヘッドの従来構造を媒体対向面から見た図を図２に示す。上部シールドＳ１と下部シールドＳ２との間に磁気抵抗効果膜４０が形成されている。磁気抵抗効果膜４０は固定層４３／障壁層４２／自由層４１から構成される。ＴＭＲヘッドは、障壁層４２を通過するトンネル電流が固定層４３と自由層４１との磁化変化角度に依存することを利用しつつ、媒体からの信号磁界の大きさによって抵抗値が変化する現象を用いている。磁気抵抗効果膜４０の膜面内方向に再生電流２０を流すことにより、電圧変化として出力を取り出すことができる。本従来構造は、上部及び下部シールドを電極と兼用している。但し、電極とシールドを積層する構造もある。媒体からの磁界によって磁化角度を変える自由層４１を単磁区化する磁区制御膜５０、一般には永久磁石が、自由層４１のトラック幅方向端部の両側であり、上部シールドＳ２及び下部シールドＳ１に挟まれた位置に導電性の電気的分離膜Ｇ１、Ｇ２を介して設置されている。ここで、トラック幅方向とは図２中に矢印で示された方向を指す。
【０００８】
高いトラック密度に対応したトラック幅の狭小化に伴う課題として、磁気的トラック幅の狭小化の課題がある。特に、サイドリードの問題が重要である。これは、再生ヘッドが媒体から離れていること、センサのトラック幅側面に磁気的なシールドが存在しないことから、媒体からの磁束をトラック端部で検出する際、幾何学的なトラック幅よりも再生実効トラック幅である磁気的なトラック幅が広がってしまうことに起因する。
【０００９】
従来例のオフトラックプロファイルを図３に示す。ここで、サイドリードとはトラック端部での再生出力の大きさであり、オフトラックプロファイルの裾引きとして観察される。図３のように、従来例では裾引きが大きく、実際の装置では隣のトラックからの信号を再生してしまいエラーを生じてしまう。
【００１０】
サイドリードの低減を目的としたＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  ｉｎ  ｐｌａｎｅ）型のＧＭＲ構造のヘッドとして特許文献１に記載の磁気ヘッドや、縦型のＧＭＲ構造として図４に示す特許文献２に記載の磁気ヘッドがある。いずれもＧＭＲ素子のトラック幅方向端部にシールドが屈曲した形、あるいは堀込んだ形で備えられている。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００１−４３５１９号公報
【特許文献２】
特開平６−２６７０２７号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献２に開示のシールド形状には問題点がある。図４に示すように、磁性膜の屈曲部や堀込んだ場所には、膜内の磁区構造を安定にしようとする特性上、磁壁６１が生じたり、磁極６２が現れたりする。この磁壁の大きさや形状は再現性の無いものである。そこからの磁界は自由層６０に影響を与え、磁気的な不安定性を導き、また、磁極６２からの磁界も自由層６０に影響を与え、自由層６０の磁区制御力を不安定なものにする。このことから、単にシールドを近づけただけでは、信頼性の高い磁気ヘッドを提供することが出来ないことは明らかである。
【００１３】
また、特許文献２に開示の磁気ヘッドでは、上部／下部のシールドＳ１、Ｓ２に凸凹部が存在するため、磁区形成や磁極の発生が生じることは明らかである。
【００１４】
本発明は上記問題点を克服し、高いトラック密度に対応した信頼性の高い磁気ヘッドを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
磁気ヘッドにおいて、上部シールドは、自由層のトラック幅方向両端に電気的分離膜を介して位置するように形成され、導電性分離膜を介して少なくとも２層の軟磁性膜を備えたことを特徴とする。これによって、自由層のトラック幅方向両側に磁区構造や磁化の発生がなく軟磁気特性を有する磁気シールドが形成され、サイドリードを低減した信頼性の高い磁気ヘッドを実現することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を具体的に説明する。
（実施例１）
図１は本発明の第１の実施例に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。下部シールドＳ１（例えばＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＺｒ等）の上に磁気抵抗効果膜４０が形成される。磁気抵抗効果膜４０は、下部シールド上に、反強磁性膜（例えばＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等）とＮｉＦｅ／Ｒｕ／ＮｉＦｅとからなる積層フェリ構造の固定層４３と、トンネル効果をもたらす障壁層のアルミナ膜４２と、媒体からの磁化量に応じて磁化回転を行う自由層４１とで構成される。磁気抵抗効果膜４０上には、更に自由層４１を磁区制御する磁区制御膜５１（例えばＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等の反強磁性膜）が形成される。尚、ここで保護膜や下地膜等は図示しない。
【００１７】
本実施例では自由層４１の磁区制御方法として、反強磁性膜５１（例えばＰｔＭｎ）による磁気的結合を用いた構造とした。よって、本構造では自由層４１のトラック幅方向両端部に永久磁石が存在しない。磁気抵抗効果膜４０のトラック幅方向両側には導電性の電気的分離膜Ｇ１（例えばＡｌ２Ｏ３）が形成される。上部シールドＳ２（例えばＮｉＦｅ）は、磁気抵抗効果膜４０を被うように形成され、自由層４１の両端部に電気的分離膜Ｇ１を介して位置するように形成される。尚、本実施例では、上部及び下部シールドＳ１・Ｓ２は、電極と兼用している。
【００１８】
上部シールドＳ２は、導電性の分離膜３１（例えばＴａ）を介した多層膜で形成される。多層膜とすることによって、上部シールドＳ２の膜厚を薄くしつつ、上部シールドＳ２同士を整磁結合することができる。この結果、上部シールドＳ２が磁気抵抗効果膜４０を被うことで形成される屈曲部により磁区が発生したり、余分な磁界が自由層４１にかかったりすることを防止することができる。これによって、自由層４１の動きが損なわれたり、異常な磁区が形成されたりすることを防止し、再生出力低下を回避することができる。このように、上部シールドＳ２を、自由層４１のトラック幅方向両端部に形成し、多層膜にすることによって、自由層の両端に磁区構造や磁化の発生がなく軟磁気特性を有する磁気シールドが形成され、サイドリードを低減した信頼性の高い磁気ヘッドを実現することができる。
【００１９】
尚、本実施例では、３層構造の上部シールドＳ２を示したが、少なくとも２層あれば効果がある。また、上部シールドＳ２の分離膜３１の膜厚はＴａ膜を１ｎｍ程度とすることで効果がみられるが、ＣｒやＷ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｒｕ  等の導電性材料によっても同様の効果がある。
【００２０】
図３は、本実施例と従来例とのオフトラックプロファイルを比較したものである。図３のように、本実施例のプロファイルは、従来例と比較して半値幅と共に裾の幅が大幅に低減されている。これにより、本実施例の構造が、半値幅で定義される再生実効トラック幅を狭くでき、従来例と比較してサイドリードを低減できることから、高トラック密度に対し優れていることがわかる。
【００２１】
図１３は従来構造の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図である。磁気抵抗効果型ヘッドの図面左側端はエアベアリング表面（ＡＢＳ表面）であり、黒い矢印は媒体からの磁束の流れを示す。ＡＢＳ表面から図面右側の素子奥行き側端部では素子厚さよりも上部シールドと下部シールドの間隔が広くなる。そのため媒体からの磁束の流れは、素子の奥行き側端部に向かうにつれて漏れが多くなり、素子奥行きまで有効に利用できず出力が低くなる。
【００２２】
図１４は本実施例の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図である。ＡＢＳ面から素子奥行き側端部では素子厚さよりも上部シールドと下部シールドの間隔が狭くなっている。そのため媒体からの磁束の流れは、素子奥行き側端部からの漏れが少なくなるので、素子奥行きまで有効に利用でき、出力が高くなる。
（実施例２）
図７は本発明の第２の実施例に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。本実施例に係る磁気ヘッドは、上部シールドＳ２の分離膜３２としてＲｕを用いて積層フェリ結合を図ったものである。これによって、トラック幅方向端部のシールドＳ２の屈曲部は、各膜の磁化の方向が反平行となるように結合しているので、磁気的に安定な状態になる。したがって、自由層４１のトラック幅方向両側に磁区構造や磁化の発生がなくなり、軟磁気特性を有する磁気シールドが形成され、サイドリードを低減することができる。尚、Ｒｕの膜厚によっては各層の磁化方向を平行とすることも可能である。
（実施例３）
図８は本発明の第３の実施例に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。本実施例に係る磁気ヘッドは、反強磁性膜５２と軟磁気特性膜５３とを交換結合させ、軟磁気特性膜５３のトラック幅方向端部から発生する磁界によって自由層４１の磁区制御を行う構造としている。
【００２３】
実施例１及び実施例２に記載の自由層４１の磁区制御方法では、反強磁性膜５２が直接的または間接的に自由層４１に接するので、自由層４１全体に磁界が影響を及ぼすのに対し、本実施例の磁区制御方法では、自由層４１のトラック幅方向両端部に強い磁界を与えて磁区制御を行う一方、中心部分で磁区制御磁界の影響は小さいことから、中心部分で感度低下が防止され、高出力化を期待できる。本実施例の磁区制御方式に本発明のシールド構造を組み合わせることで、狭トラックにおいてもサイドリードが無く、高出力な磁気ヘッドが提供できる。
（実施例４）
図９は本発明の第４の実施例に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。本実施例に係る磁気ヘッドは、自由層４１の磁区制御方法として、反強磁性膜５１（例えばＰｔＭｎ）による磁気的結合を用いた構造としている。したがって、本実施例では自由層４１の両端部に永久磁石が存在しない。自由層４１のトラック幅方向両端部であり、上部シールドＳ２及び下部シールドＳ１に挟まれる位置に、電気的分離膜Ｇ１及びＧ２を介して、軟磁気特性を有するサイドシールドＳＳ１とを形成する。サイドシールドＳＳ１は導電性の分離膜３２を介した多層膜で形成された構造となっている。
【００２４】
これによって、磁気抵抗効果膜４０のトラック幅方向端部近傍で、サイドシールドＳＳ１に磁区が形成され、余分な磁界が自由層４１にかかってしまうことを防止することができる。尚、サイドシールドＳＳ１は電気的に上部シールドＳ２あるいは下部シールドＳ１のいずれかと接続していればよい。
（実施例５）
図１０は本発明の実施例５に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。本実施例に係る磁気ヘッドは、実施例４のサイドシールドＳＳ１の分離膜３２としてＲｕによる積層フェリ結合を用いたものである。Ｒｕ等の材料により、サイドシールドＳＳ１における軟磁気特性を有する磁性膜を交換結合させて、積層フェリ結合とすることにより、サイドシールドＳ３における磁気的な安定性が単独の磁性膜の場合より大幅に向上する。したがって、サイドシールドＳＳ１の磁気抵抗効果膜４０近傍の端部での磁区の形成が無く、再生出力への影響も無くなり、安定な磁気ヘッドを提供できる。
（実施例６）
図１１は、本発明の第６の実施例に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。本実施例に係る磁気ヘッドは、本発明をＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  ｉｎ  ｐｌａｎｅ）構造のＧＭＲヘッドに適用したものである。上部シールドＳ２／下部シールドＳ１の間に磁気抵抗効果膜７０及び磁区制御膜５１が形成され、そのトラック幅方向両側にはサイドシールドＳＳ１として多層膜の軟磁気特性膜、及び電流を流す電極膜２１が形成されている。磁気抵抗効果膜７０は、反強磁性膜（例えばＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等）とＮｉＦｅ／Ｒｕ／ＮｉＦｅとからなる積層フェリ構造の固定層４３と、非磁性層４４と、媒体からの磁化量に応じて磁化回転を行う自由層４１とで構成される。
【００２５】
ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  ｉｎ  ｐｌａｎｅ）構造の磁気ヘッドでは、トラック端部に電流を流すための電極膜が存在し、その厚さの分、上下のシールドＳ１・Ｓ２間隔が広がるので、トラックのサイドからの磁界の侵入が大きくなる。そのため、サイドシールドＳＳ１を備えることで、サイドからの磁界の侵入を防ぎ、高トラック密度を実現することができる。
（実施例７）
図１２は本発明の第７の実施例に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。本実施例に係る磁気ヘッドは、実施例６のサイドシールドＳＳ１の分離膜３２としてＲｕによる積層フェリ結合を用いたものである。Ｒｕ等の材料を用いて、サイドシールドＳＳ１を構成する磁性膜を積層フェリ結合とすることにより、サイドシールドを磁気的に安定化させることができ、再生出力の安定した磁気ヘッドを提供することができる。
（実施例８）
図１５は本発明の第８の実施例に係る磁気ヘッドを媒体対向面から見た図である。本実施例に係る磁気へッドは、第１の実施例に係る磁気ヘッドをＣＰＰ−ＧＭＲヘッドに適用したものである。
【００２６】
したがって、本実施例に係る構造は、第１実施例に係る磁気ヘッドの構造と基本的に同じだが、上部シールドＳ２／下部シールドＳ１の間に形成される磁気抵抗効果膜８０は、下部シールドＳ１上に、反強磁性膜（例えばＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等）とＮｉＦｅ／Ｒｕ／ＮｉＦｅとからなる積層フェリ構造の固定層４３と、例えばＣｕのような金属膜８１と、媒体からの磁化量に応じて磁化回転を行う自由層４１と、更に自由層４１を磁区制御する磁区制御膜５１（例えばＰｔＭｎ、ＩｒＭｎ等）とで構成される。尚、ここで保護膜や下地膜等は図示しない。
【００２７】
また、膜電極と磁気シールドとを併用するＣＰＰ構造に於いては、電気的分離膜Ｇ１は導電性であることが不可欠である。
【００２８】
以上のように、ＣＰＰ−ＧＭＲ磁気ヘッドにおいても、本発明を適用することができる。
【００２９】
実施例１に記載の磁気ヘッドを適用した垂直磁気記録媒体及び磁気ヘッドの構造を図６に示す。尚、実施例１と同様、実施例２乃至実施例８のいずれかの実施例についても、図６に示すような垂直記録方式の磁気抵抗効果型ヘッドに、本発明を適用することができる。
【００３０】
ヘッドはエアベアリング表面（ＡＢＳ）を形成するためにラップ仕上げされ、ＡＢＳはエアベアリングにより記録媒体の表面から一定の間隔を維持する。再生ヘッドは、基板９上に、上部シールドＳ１と下部シールドＳ２間に挟まれた磁気抵抗効果膜４０を有している。
ここで上部シールドＳ２は、導電性分離膜３１を介して少なくとも２層の軟磁性膜で構成される。
【００３１】
記録ヘッドは、絶縁層Ｉ１とＩ３間に挟まれた、コイル層Ｃと絶縁層Ｉ２とを有し、また絶縁層Ｉ１及びＩ３は、上部シールドＳ２に対して絶縁層９０を介して形成される第１磁極片Ｐ１と第２磁極片Ｐ２に挟まれている。第３ギャップＧ３は、第１磁極片Ｐ１と第２磁極片Ｐ２とのＡＢＳに隣接した先端間に挟まれ、磁気ギャップを形成する。
【００３２】
記録の際には、信号電流がコイル層Ｃを通して導かれ、かつ磁束がエアベアリング表面で漏洩する。漏洩した磁束は、記録媒体の下部軟磁性膜１３を経由して磁気ヘッドに帰還する。この磁束により、記録操作の際に磁性媒体上の周回トラックを垂直方向に磁化する。
【００３３】
再生の際には、回転する磁性媒体の磁化された領域が、磁束を再生ヘッドの磁気抵抗効果膜１に注入されて、磁気抵抗効果膜４０の内部で抵抗変化が起こる。この抵抗変化は磁気抵抗効果膜４０の電圧変化として検出される。
図１６は、実施例１に記載の磁気ヘッドを適用した面内磁気記録方式の磁気ヘッドを示す。尚、実施例１と同様、実施例２乃至実施例８のいずれかの実施例についても、図１６に示すような面内記録方式の磁気抵抗効果型ヘッドに、本発明を適用することができる。
【００３４】
面内記録方式は、図１６のように、記録の際に、下部磁極Ｐ１から漏洩した磁束が、磁性媒体上の周回トラックを面内方向に磁化する点で垂直記録方式と相違する。
【００３５】
再生の際には、垂直記録方式と同様、回転する磁性媒体の磁化された領域が、磁束を再生ヘッドの磁気抵抗効果膜１に注入されて、磁気抵抗効果素子４０内部で抵抗変化が起こる。この抵抗変化が、磁気抵抗効果膜４０の電圧変化として検出される。このように、垂直記録方式と同様、面内記録方式においても、本発明を適用できる。
【００３６】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、高いトラック密度に対応した信頼性の高い磁気ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図２】従来構造のＴＭＲヘッドを示す図である。
【図３】本実施例と従来例とのオフトラックプロファイルを比較したものである。
【図４】従来構造のＧＭＲヘッドを示す図である。
【図５】代表的な磁気記録装置の模式図である。
【図６】本発明の垂直磁気記録方式の磁気ヘッドを示す図である。
【図７】本発明の第２の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図８】本発明の第３の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図９】本発明の第４の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図１０】本発明の第５の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図１１】本発明の第６の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図１２】本発明の第７の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図１３】従来例の磁気ヘッドの断面図を示す図である。
【図１４】本発明の磁気ヘッドの断面図を示す図である。
【図１５】本発明の第８の実施例に係る磁気ヘッドを示す図である。
【図１６】本発明の面内磁気記録方式の磁気ヘッドを示す図である。
【符号の説明】
１  記録媒体、２  磁気ヘッド、３位置決め機構、２０センス電流、２１電極膜、３１分離膜、３２  Ｒｕを用いた分離膜、４０  磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ）、４１  自由層、  ４２  障壁層、  ４３  固定層、４４  非磁性層、４５  金属膜、５０  永久磁石層、５１  磁区制御膜、６０  自由層、６１磁壁、７０磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ）、８０磁気抵抗効果膜（ＣＰＰ−ＧＭＲ）、９０絶縁層、ＳＳ１  サイドシールド、Ｐ１  第１磁極片、Ｐ２  第２磁極片、Ｃ  コイル層、Ｓ１  下部磁気シールド、Ｓ２  上部磁気シールド、Ｇ１電気的分離膜、Ｇ２電気的分離膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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