(57)【要約】【課題】半田バンプのコーポラナリティを低減できるとともに、コーポラナリティの測定を簡易化できる半田バンプを有する配線基板及びその製造方法及び平坦化治具を提供すること。【解決手段】配線基板３のメッキ済みのパッド１７の上に、パッド１７全体を覆うようにして、３６Ｐｂ−６４Ｓｎの半田共晶ペーストを、メタルマスクを用いて印刷して、ペースト層２１を形成する。次に、平坦化治具２３を、複数のペースト層２１上を一括して覆うように、配線基板３上にセットする。次に、配線基板３に平坦化治具２３を載置した状態で、リフロー炉内に配置して、半田の融点より１０〜４０℃高い温度（例えば２００℃）に加熱し、その後冷却する。これによって、頂部が平坦な半田バンプ１を有する配線基板３を完成した。【選択図】　図２
2004006926.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の接合面に線状又は面状に複数個配置された半田バンプの頂部が平坦であることを特徴とする半田バンプを有する配線基板。
【請求項２】
前記半田バンプのコーポラナリティが、１ｍｍ当り０．５μｍ以下であることを特徴とする前記請求項１記載の半田バンプを有する配線基板。
【請求項３】
前記半田バンプの頂部の平坦面の直径が、半田バンプ下地パッドの直径と略等しいことを特徴とする前記請求項１又は２に記載の半田バンプを有する配線基板。
【請求項４】
前記半田バンプの頂部の平坦面の直径が、半田バンプ下地パッドの直径と略等しく、且つ半田バンプの高さが半田バンプ下地パッドの直径より小さいことを特徴とする前記請求項１又は２に記載の半田バンプを有する配線基板。
【請求項５】
前記請求項１〜４のいずれかに記載の半田バンプを有する配線基板の製造方法において、
基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田材料を載置した後に、該複数の半田材料の上方の所定の高さ規制位置に該接合面と所定間隔を保つ平面を形成する規制部材を配置し、加熱して半田を溶融することにより、該複数のパッド上に形成される半田バンプの高さを一括して規制して、頂部が平坦な複数の半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記請求項１〜４のいずれかに記載の半田バンプを有する配線基板の製造方法において、
基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田バンプを一旦形成した後に、該複数の半田バンプの頂部をその高さが揃うようにプレスして、該頂部が平坦な複数の半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記請求項１〜４のいずれかに記載の半田バンプを有する配線基板の製造方法において、
基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田バンプを一旦形成した後に、該複数の半田バンプの頂部をその高さが揃うように研磨し、該頂部が平坦な複数の半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項８】
配線基板の主面上に載置された半田材料の上方に配置され、該半田材料の加熱溶融の際に、形成される半田バンプの頂部の高さを規制することにより該頂部に平坦面を形成する治具であって、
前記半田バンプの頂部の高さを規制するための平面を有する規制部材と、
該規制部材とは別体に形成され、該規制部材の前記平面側に配置されて、該規制部材を支持するとともに、前記平面の位置を規定する脚部と、
を備えたことを特徴とする平坦化治具。
【請求項９】
前記平坦化治具を配置したときに、
前記規制部材の前記平面が前記配線基板の前記主面と平行になる前記脚部を有することを特徴とする前記請求項８に記載の平坦化治具。
【請求項１０】
前記脚部が、棒材であることを特徴とする前記請求項９に記載の平坦化治具。
【請求項１１】
前記規制部材の前記平面側には、前記脚部が嵌められる溝部が形成されていることを特徴とする前記請求項１０に記載の平坦化治具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ接合用基板やボールグリッドアレイ基板等の半田バンプを有する配線基板及びその製造方法及び平坦化治具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、例えば集積回路チップを集積回路基板に実装する場合には、集積回路チップ及び集積回路基板の接合面に、格子状又は千鳥状に複数の端子を形成し、これによって両者を接合するフリップチップと呼ばれる方式が知られている。
【０００３】
また、集積回路チップを搭載した集積回路基板とプリント基板（マザーボード等）との接合においては、集積回路基板の他方の接合面（集積回路チップを搭載した接合面と反対側の接合面）に、接合用の高融点半田やＣｕ等のボールを用いて格子状に複数の端子を形成し、これによってプリント基板と接合する方式も知られており、このような基板はボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）基板と呼ばれる。
【０００４】
これらの格子状又は千鳥状の面接合端子を備えた集積回路基板等を製造する方法としては、例えばソルダーペースト法等の各種の方法が知られている。
例えばソルダーペースト法とは、図１５（ａ）に示すように、集積回路基板上に形成した下地導電性パッドの上に、印刷によって半田ペーストを配置し、その後、加熱して半田を溶融させることよって、パッド上に半球状又は球状の半田バンプを形成する方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のような方法で半田バンプを形成する場合には、下記のような問題があり、一層の改善が求められている。
▲１▼通常、集積回路基板上に設けられた個々の半田バンプは、集積回路チップやプリント基板との接合性等を高めるために、その高さが揃っていることが好ましいとされている。つまり、図１５（ｂ）に示すように、個々の半田バンプのコーポラナリティは、小さい方が好ましいとされている。
【０００６】
ここで、コーポラナリティ（Ｃｏｐｌａｎａｒｉｔｙ）とは、各半田バンプの頂点Ｐをその間に含むような平行な二つの平面Ｓ１，Ｓ２の間隔ｄで定義され、半田バンプの高さの不均一性を示す指標である。尚、本発明においては、コーポラナリティは、半田バンプの形成された領域の大きさに依存するので、半田バンプ間の最大距離（通常は半田バンプ形成領域の対角距離）で除した単位長さ当りのコーポラナリティも用いる。
【０００７】
ところが、半田バンプ自体の高さは、パッドに付着させた半田のボリュームやパッドの面積等によって異なるので、半田のボリュームやパッドの面積等が異なると、半田バンプの高さが不揃いになる。従って、コーポラナリティが大きくなるという問題があった。また、仮に、半田バンプ自体の高さが揃っていても、基板が反っている場合には、同様に、コーポラナリティが大きくなるという問題があった。
【０００８】
このコーポラナリティが大きくなると、集積回路基板と集積回路チップ又はプリント基板とを接合する際に、向かい合う端子同士の距離が不揃いとなるので、接合不良が発生することがある。また、各半田バンプにプローブを接触させ、配線の導通や配線間の絶縁を検査する場合でも、プローブが同時に所定のあるいは全ての半田バンプに接触するのが難しくなるので、正確に測定できないことがある。
【０００９】
▲２▼また、集積回路基板の接合性等を調べる目的で、半田バンプのコーポラナリティを測定するのに画像認識を利用するが、半田バンプの頂部は曲面であるので、半田バンプの最高点（頂点）を検出するのが難しく、近似的に最高点を求めるにも、レーザ光の照射ポイントを最低３箇所設定しなければならず、大変手間がかかるという問題があった。
【００１０】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、半田バンプのコーポラナリティを低減できるとともに、コーポラナリティの測定を簡易化できる半田バンプを有する配線基板及びその製造方法及び平坦化治具を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための請求項１の発明は、
基板の接合面に線状又は面状に複数個配置された半田バンプの頂部が平坦であることを特徴とする半田バンプを有する配線基板を要旨とする。
【００１２】
尚、ここで半田とは、Ｐｂ−Ｓｎ系の軟ろうの他、例えばバンプ材料として使用されるＡｕ−Ｓｎ系、Ａｕ−Ｓｉ系等、４５０℃以下の低融点を有する広義のろう材を意味する。
また、配線基板とは、▲１▼集積回路チップが実装される基板だけでなく、▲２▼プリント基板と接合される基板、及び▲３▼集積回路チップ自身（即ちフリップチップ）をも意味する。具体的には、▲１▼集積回路チップとの接合（フリップチップ接合）のために一方の面に複数の半田バンプが設けられた基板、▲２▼一方の面にプリント基板との接合用の複数の半田バンプ（この場合は通常ＢＧＡ）を備えた基板、▲３▼複数の半田バンプを有する集積回路チップを意味する。
【００１３】
前記線状の配置としては、例えば四角形の枠状の配置が挙げられる。また、面状の配置としては、例えば格子状又は千鳥状にて所定の領域を占める配置が挙げられる。
請求項２の発明は、
前記半田バンプのコーポラナリティが、１ｍｍ当り０．５μｍ以下であることを特徴とする前記請求項１記載の半田バンプを有する配線基板を要旨とする。
【００１４】
請求項３の発明は、
前記半田バンプの頂部の平坦面の直径が、半田バンプ下地パッドの直径と略等しいことを特徴とする前記請求項１又は２に記載の半田バンプを有する配線基板を要旨とする。
【００１５】
請求項４の発明は、
前記半田バンプの頂部の平坦面の直径が、半田バンプ下地パッドの直径と略等しく、且つ半田バンプの高さが半田バンプ下地パッドの直径より小さいことを特徴とする前記請求項１又は２に記載の半田バンプを有する配線基板を要旨とする。
【００１６】
請求項５の発明は、
前記請求項１〜４のいずれかに記載の半田バンプを有する配線基板の製造方法において、基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田材料を載置した後に、該複数の半田材料の上方の所定の高さ規制位置に該接合面と所定間隔を保つ平面を形成する規制部材を配置し、加熱して半田を溶融することにより、該複数のパッド上に形成される半田バンプの高さを一括して規制して、頂部が平坦な複数の半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプを有する配線基板の製造方法を要旨とする。
【００１７】
前記半田材料としては、半田ペースト、半田プリフォーム、半田ボール、既に半田バンプとして形成されたものなどが挙げられる。
前記規制部材の材質としては、チタンやステンレス等の金属、アルミナや窒化珪素や炭化珪素等のセラミックス、ガラス等が挙げられるが、半田に濡れない又は濡れ難いものが好適である。特に、加工精度や熱による変形が少ない点で、セラミックスが好適である。
【００１８】
この規制部材は、各半田バンプの頂部の高さを同じにしつつ頂部を平坦にするものであるので、例えば平板状部材の両端に脚部を設けてコ字状とすると、この脚部の長さ（高さ）で半田バンプの高さを一括して均一化でき、しかも、作業性が向上し好適である。
【００１９】
前記半田を溶融する温度としては、半田バンプの融点（即ち半田の融点）以上であればよいが、例えば融点の１０〜４０℃高い温度を採用できる。
請求項６の発明は、
前記請求項１〜４のいずれかに記載の半田バンプを有する配線基板の製造方法において、基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田バンプを一旦形成した後に、該複数の半田バンプの頂部をその高さが揃うようにプレスして、該頂部が平坦な複数の半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプを有する配線基板の製造方法を要旨とする。
【００２０】
前記プレスを行う場合には、例えばプレス装置の押圧部分をヒータにより加熱する方法と加熱しない方法とがある。このうち、加熱する場合は、過大な応力をかけることなく、表面が滑らかな半田バンプを形成できるので好適である。尚、この場合、加熱による酸化を防止するために、非酸化性の雰囲気中にてプレスを行うことが好ましい。
【００２１】
請求項７の発明は、
前記請求項１〜４のいずれかに記載の半田バンプを有する配線基板の製造方法において、基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田バンプを一旦形成した後に、該複数の半田バンプの頂部をその高さが揃うように研磨し、該頂部が平坦な複数の半田バンプを形成することを特徴とする半田バンプを有する配線基板の製造方法を要旨とする。
【００２２】
前記研磨を行う手段としては、例えばグラインダーのような回転研磨板を有する研磨装置を採用できる。
請求項８の発明は、
配線基板の主面上に載置された半田材料の上方に配置され、該半田材料の加熱溶融の際に、形成される半田バンプの頂部の高さを規制することにより該頂部に平坦面を形成する治具であって、前記半田バンプの頂部の高さを規制するための平面を有する規制部材と、該規制部材とは別体に形成され、該規制部材の前記平面側に配置されて、該規制部材を支持するとともに、前記平面の位置を規定する脚部と、を備えたことを特徴とする平坦化治具を要旨とする。
【００２３】
前記規制部材を構成する材料としては、チタンやステンレス等の金属、アルミナや窒化珪素や炭化珪素等のセラミックス、ガラス等が挙げられるが、半田に濡れない又は濡れ難いものが好適である。特に、加工精度や熱による変形が少ない点で、セラミックスが好適である。
【００２４】
請求項９の発明は、
前記平坦化治具を配置したときに、前記規制部材の前記平面が前記配線基板の前記主面と平行になる前記脚部を有することを特徴とする前記請求項８に記載の平坦化治具を要旨とする。
【００２５】
請求項１０の発明は、
前記脚部が、棒材であることを特徴とする前記請求項９に記載の平坦化治具を要旨とする。
前記棒材としては、丸棒や角棒等を採用できる。
【００２６】
請求項１１の発明は、
前記規制部材の前記平面側には、前記脚部が嵌められる溝部が形成されていることを特徴とする前記請求項１０に記載の平坦化治具を要旨とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
請求項１の発明では、配線基板の半田バンプの頂部は平坦とされている。
従って、配線基板のコーポラナリティの測定のために照射するレーザ光の照射点を少なくすることができるので（例えば１箇所で済み）、作業能率が大きく向上する。
【００２８】
また、半田バンプの頂部を平坦とするための加工は、後述するように、コーポラナリティーの低減にも寄与するものであるので、例えばこの半田バンプを設けた基板と集積回路チップ又はプリント基板とを向い合わせた場合には、半田バンプは相手の集積回路チップ又はプリント基板のパッド等と完全に接触するか或は半田付けが可能な位置まで近接する。更に、半田バンプを再溶融（リフロー）するとバンプ頂部の高さが高くなる。
【００２９】
これは、図６に示すように、元々球状になろうとする半田をつぶして（又は削って）平坦部を作っているので、接合時に半田が再溶融した時に、再び球状になろうとし、その結果、バンプ高さが上昇する為である。
よって、図７に示すように、本発明の配線基板と接合相手（半導体素子、マザーボード）を接合の為に重ね合わせた時、相手側のパッドのコーポラナリティーが悪くてパッドと本発明の配線基板の半田バンプが接していない場合でも、接合時に半田が再溶融した時に、半田頂部が上昇して相手側パッドに近づいて接触しようとする為、接合不良が発生しにくく、接合性に優れる。尚、接合相手のコーポラナリティーは、半導体素子の場合約１０μｍ、マザーボードの場合約１００μｍ程度あり、接合時に半田バンプの高さがそれ以上上昇できれば確実に接合できることになる。
【００３０】
また、コーポラナリティが小さい場合には、導通検査や絶縁検査においても、プローブは所定のあるいは全ての半田バンプに接触することができ、よって、確実な検査を行うことができる。
・ここで、前記バンプ頂部の平坦な部分（平坦部）の大きさ及びその特性について述べる。
【００３１】
▲１▼平坦部の径は、なるべく大きい方が望ましい。
これは、半田溶融時には、半田が表面張力で球状になろうとするので、平坦部が大きいほど（より下方にバンプが押しつぶされているほど）、接合時の半田再溶融時に半田バンプの頂部の高さが溶融前より大きくなるからである。
【００３２】
図８に、（ａ）平坦化なしのバンプを下方に押しつぶしてできたバンプ頂部が平坦なバンプの例（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、即ち平坦化の程度の異なる例を示す。図８のように、バンプをより下方に押しつぶしてバンプ高さを低くしたものほど、バンプ頂部の平坦部は大きくなる（ａ＜ｂ＜ｃ＜ｄ）。そして、半田再溶融時には、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）とも（ａ）の形状に戻るため、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は（ａ）とのバンプの高さの差だけ、接合時の半田再溶融時にバンプ高さが上昇する（上昇量ａ＜ｂ＜ｃ＜ｄ）。従って、平坦部の径が大きいほど、接合時に半田バンプ頂部が接合対象である相手側のパッド等に大きく近づくから、本発明の配線基板のもつコーポラナリティーや相手側の基板等の表面性が悪くても接合しやすくなる。
【００３３】
▲２▼平坦部の径は、バンプ下地パッドの径×１．５倍以下が望ましい。
これは、下記表１のように、パッド径の１．５倍を上回ると、図９に示すように、接合時の半田再溶融時にパッドからはみ出した半田が分離してこぼれ落ち、できた半田ボールが基板上のパッド間に付着すると、絶縁性の低下の恐れがあるからである。尚、下記表１に、平坦部径と半田ボール発生率の関係を示す。
【００３４】
【表１】
2004006926.tif 000003
【００３５】
▲３▼平坦部の径は、（パッド径十パッド間距離×０．５）以下が望ましい。
これは、平坦化することで、平坦部が場合によってはパッド径よりも外にはみ出すことがあるが、はみ出し過ぎると、下記表２及び図１０に示すように、接合時に隣接するパッドの半田とショートする恐れがあるからである。尚、下記表２に、平坦部径と接合時のパッド間半田ブリッジ（ショート）の発生率を示す。
【００３６】
【表２】
2004006926.tif 000004
【００３７】
▲４▼平坦部の径は、画像処理の観点から、φ５０μｍ以上が好ましい（アライメントマーク使用時）。
これは、画像処理機の差もあるが、おおむねφ５０μｍ以上の平坦部があれば、確実に画像処理機で半田バンプの平坦部を認識可能であり、レーザー３次元測定器によるコーポラナリティーの自動測定が容易となるからである。尚、下記表３に、平坦部径と画像処理機のエラー発生率の関係を示す。
【００３８】
【表３】
2004006926.tif 000005
【００３９】
従って、上記の▲１▼〜▲４▼が許容限界値であることを考慮すると、安全を見込んで、平坦部の径は、パッド径×（０．５〜１．２）の範囲が好適であると言える。具体的には、例えばパッド径１５０μｍ、パッド間距離１００μｍの場合は、許容平坦部サイズは、φ５０〜２００μｍ、最適平坦部サイズは、φ７５〜１８０μｍである。
【００４０】
請求項２の発明では、半田バンプのコーポラナリティとして、１ｍｍ当り０．５μｍ以下としたので、集積回路チップやプリント基板のパッド等との接合を好適に行うことができるとともに、導通検査や絶縁検査等を正確に行うことができる。
【００４１】
本発明では、コーポラナリティを１ｍｍ当り０．５μｍとしているので、配線基板と集積回路チップやマザーボード等のプリント基板とを接合する場合に、半田バンプと相手側のチップや基板に形成したパッド等とを確実に接合することができる。
【００４２】
請求項３の発明では、半田バンプの頂部の平坦面の直径を、半田バンプ下地パッドの直径と略等しくしている。
つまり、本発明では、頂部が平坦な半田バンプ形状であるので、集積回路チップやプリント基板と接合するため、基板を加熱して半田バンプの半田を再溶融すると、半田が球状になろうとしてその頂部の高さが高くなり、万一、半田バンプの頂部と集積回路チップやプリント基板のパッド等が離れているものがあっても、再溶融時の高さの上昇により、半田が相手方のパッドに接触し、接合が行われる。特に、本発明のように、バンプ下地パッドの直径と略等しい平坦面の直径が得られるまでつぶれた半田バンプにおいては、高さの上昇の程度が大きいので、接合性に優れている。
【００４３】
なお、半田バンプをつぶし過ぎ、平坦部径がバンプ下地パッド径よりも大きくはみ出しすぎると、接合時に、はみ出した半田が分離して半田ボールを形成して絶縁性が低下することや、隣接パッド間で半田ブリッジが発生してショートすることがある。しかし、本発明では、平坦部径をバンプ下地パッド径と略等しくしているので、半田ボール形成や半田ブリッジ発生の不艮がなく、接合性に優れている。
【００４４】
請求項４の発明では、半田バンプの頂部の平坦面の直径を、半田バンプ下地パッドの直径と略等しくし、且つ半田バンプの高さを半田バンプ下地パッドの直径より小さくしている。
つまり、本発明では、頂部が平坦な半田バンプ形状であるので、集積回路チップやプリント基板と接合するため、基板を加熱して半田バンプの半田を再溶融すると、半田が球状になろうとしてその頂部の高さが高くなり、万一、半田バンプの頂部と集積回路チップやプリント基板のパッド等が離れているものがあっても、再溶融時の高さの上昇により、半田が相手側のパッドに接触し、接合が行われる。特に、本発明のように、バンプ下地パッドの直径と略等しい平坦面の直径をもち、且つ半田バンプの高さが半田下地パッドの直径よりも小さい半田バンプにおいては、高さの上昇の程度が大きいので、接合性に優れている。下記表４に、平坦部径と半田下地パッド径が等しい場合の、半田バンプ高さと接合時の半田バンプ高さ上昇量の関係を示す。
【００４５】
【表４】
2004006926.tif 000006
【００４６】
なお、半田バンプをつぶし過ぎ、平坦部径がバンプ下地パッド径よりも大きくはみ出しすぎると、接合時に、はみ出した半田が分離して半田ボールを形成して絶縁性が低下することや、隣接バンプ間で半田ブリッジが発生してショートすることがある。しかし、本発明では、平坦部径をバンプ下地パッド径と略等しくしているので、半田ボール形成や半田ブリッジ発生の不良がなく、接合性に優れている。
【００４７】
前記請求項３又は４の形状の半田バンプを形成する場合、図１１に示すように、以下の式（１）から半田体積を求められるので、半田を塗布する量（印刷法の場合は、メタルマスクの開口径と板厚）を適正値に設定し、希望する半田バンプ高さとなるよう半田バンプをつぶせば容易に形成可能である。また、式（１）と式（２）から、請求項３又は４の形状の半田バンプの高さが、接合時の再溶融時にどれだけ上昇するのか計算で求められるので、どれだけ接合時に半田バンプの高さが上昇する必要があるのかによって、半田バンプの形状を計算で求めることができ、製品設計が容易に行える利点がある。
【００４８】
平坦化時のバンプ体積；Ｓ
Ｓ＝（ｒ２×Ｔ＋Ｔ３／６）×π　　　　　　　　　　…（１）
再溶融時のバンプ体積；Ｓ
Ｓ＝（２×Ｌ３＋３×Ｌ２×ｔ−ｔ３）×π／３　　　　…（２）
ここで、Ｌ２＝ｒ２＋ｔ２、π；円周率、
ｔ；底部から中心までの長さ
Ｌ；再溶融時の半田バンプの半径
ｒ；下地パッド径
請求項５の発明では、基板の接合面上に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田材料を載置した後に、複数の半田材料の上方の所定の高さ規制位置（即ち溶融時に半田バンプの高さを一括して規制する位置）に、接合面と所定間隔を保つ平面を形成する規制部材を配置し、加熱して半田を溶融することにより、頂部が平坦な複数の半田バンプを形成する。
【００４９】
つまり、複数の半田材料上にわたって（形成される半田バンプの）頂部が一定以上の高さにならないように、規制部材のなす平面を配置して、半田材料を加熱して溶融するので、半田バンプの頂部は平坦になるとともに、その高さは等しくなり、コーポラナリティが小さくなる。
【００５０】
この場合、仮に配線基板に多少の反りがあったとしても、それは、規制部材のなす平面で規制された半田バンプの高さによって調整され、基板の反りを吸収することになるので、この点からも、コーポラナリティが小さくなるという利点がある。
【００５１】
従って、構造がシンプルな治具を用い、半田の溶融時に平坦化を同時に行うという簡易な手段によって、作業工程を増やしたり新たな設備投資をすることなく、接合等に関して好適な半田バンプを有する配線基板を製造することができる。
特に、半田バンプの高さの設定に、規制部材として脚部を有するコ字状の平板治具を使用する場合には、半田バンプの高さは脚部の長さで決まるため、安定した状態で作業を行うことができるという利点がある。
【００５２】
また、一般に、半田は酸化し易いが、半田の溶融は通常非酸化雰囲気にて行われるので、酸化の程度が少なく、集積回路チップやプリント基板の接合時に再溶融を行う場合でも、高い接合性を維持することができる。
請求項６の発明では、基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田バンプを一旦形成した後に、複数の半田バンプの頂部をその高さが揃うようにプレスして、頂部が平坦な複数の半田バンプを形成する。
【００５３】
このプレスを行う場合、プレス装置の押圧部分をヒータにより加熱する方法と加熱しない方法とがある。このうち、加熱する場合は、半田バンプを軟化・溶融させることにより、過大な応力を発生させることなく、プレス加工応力による酸化を抑制して、スムーズに半田バンプの頂部を平坦にすることができる。また、冷間にてプレスを行う場合には、加熱のためのヒータが不要であり、容易に半田バンプの頂部を平坦にすることができる。つまり、プレスという簡易な手段で、接合等に関して好適な半田バンプを有する配線基板を製造することができる。
【００５４】
請求項７の発明では、基板の接合面に線状又は面状に配置された複数のパッド上に各々半田バンプを一旦形成した後に、複数の半田バンプの頂部をその高さが揃うように研磨し、頂部が平坦な複数の半田バンプを形成する。
つまり、グラインダーのような研磨機で研磨するだけで、容易に、半田バンプの頂部を平坦にすることができ、接合等に関して好適な半田バンプを有する配線基板を製造することができる。
【００５５】
尚、前記請求項５〜７の発明による半田バンプは、頂部が平坦であることは共通しているが、その表面や断面等を検査することによって、溶融して形成されたものか、プレスして形成されたものか、或は研磨して形成されたものかが分かるので、容易に判別可能である。
【００５６】
請求項８の発明では、平坦化治具は、半田バンプの頂部の高さを規制するための平面を有する規制部材と、これとは別体で規制部材を支持してその平面の位置を規定する脚部とを備えている。
規制部材とその規制部材の平面から突出する脚部とが一体となっている平坦化治具を、例えばセラミックのような難加工材料からなる平板を研削して製造することは容易ではない。特に、平面の平面度を高い水準に保つことは困難である。
【００５７】
そこで、本発明では、規制部材と脚部とを別体にすることにより、その製造を容易にしている。つまり、本発明の場合、規制部材のみを単独で形成できるので、半田バンプの頂部を平坦にする平坦化治具の材料として、（例えば熱膨張率が小さい、半田が付着し難い等の点で）好適なセラミック等を規制部材として用いることができる。しかも、この規制部材には平面から突出する脚部がないので、平面の平面度を高くする加工は容易である。また、脚部に関しても、脚部として必要な特性のみに着目して材料を選択できるので、平坦化治具の製造が容易になるだけでなく、配線基板の製造コストの低減等の利点がある。つまり、脚部は、規制部材のように半田の付着性等を考慮する必要がなく、よってセラミック等で製造する必要はないので、その材料として、例えば加工が容易でコストも低い金属等を用いることができる。
【００５８】
請求項９の発明では、平坦化治具は、規制部材の平面が配線基板の主面と平行になる（別体の）脚部を有している。よって、この規制部材を脚部を介して配線基板上に配置することにより、規制部材の平面が配線基板の主面と平行になるので、半田バンプの頂部には配線基板と平行な平面が形成される。
【００５９】
請求項１０の発明では、平坦化治具の脚部として棒材を採用できるので、脚部の製造が容易である。棒材としては、丸棒材や角棒材を採用でき、特に丸棒材は入手（又は加工）が容易であり、寸法精度の高い丸棒材を得るのも容易である。
請求項１１の発明では、規制部材の平面側には、脚部が嵌められる溝部が形成されている。よって、この溝部に棒材を配置することにより、脚部の位置決めや固定を容易に行うことができる。また、溝部の深さを調節することにより、規制部材と配線基板との間隔（即ち半田バンプの高さ）を設定することができる。
【００６０】
特に、一般に太さの均一で強度のある細線の限度は、約０．３ｍｍまでなので、これより低い半田バンプを形成する場合は、例えばセラミック板に凹みを研削し、この部分に細線をはめ込むことで対応できる。
尚、例えばセラミックに溝を形成する加工は、セラミックに凸部を形成する加工と比べて、特に平面の平面度を高い水準に維持する点や加工面積の点等で容易である。
【００６１】
【実施例】
次に、本発明の半田バンプを有する配線基板及びその製造方法の実施例について説明する。
（実施例１）
本実施例は、半田の溶融時に、半田バンプの頂部の平坦化を行うものである。
【００６２】
尚、ここでは、集積回路チップ実装用の樹脂製の集積回路基板（以下配線基板と称す）、即ち、集積回路チップをフリップチップ法によって接合するための半田バンプを有する配線基板及びその製造方法について述べる。
図１（ａ）に示すように、本実施例の半田バンプ１を有する配線基板３は、外径が約２５ｍｍ角、板厚約１ｍｍの樹脂製の基板である。
【００６３】
▲１▼この配線基板３を製造する場合には、図１（ｂ）に拡大及び破断して示すように、まず、ＢＴコア基板５上にエポキシ樹脂による絶縁層７を形成するとともに、ＢＴコア基板５及び絶縁層７にわたって、無電界Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを用いたセミアディティブ法によってＣｕ内部配線９を形成して積層する。尚、Ｃｕ内部配線９の形成法としては、サブトラクティブ法やフルアディティブ法によってもよい。
【００６４】
▲２▼次に、配線基板３の最表面では、前記Ｃｕ内部配線９と接合されるＣｕ配線１１の耐食のため及び半田との密着性を向上させるために、無電解Ｎｉ−Ｐメッキによって約３μｍのＮｉ−Ｐ層１３を形成し、更にその上に、無電解Ａｕメッキによって約０．１μｍのＡｕ層１５を形成して、Ｎｉ−Ｐ層１３及びＡｕ層１５からなる下地導電性パッド（以下単にパッドと称す）１７を作成する。尚、その他の部位には、アクリルやエポキシ樹脂などにより、ソルダーレジスト層１９を形成する。
【００６５】
尚、上述したメッキ方法は、周知の多層プリント配線板のメッキ方法と同様であるので詳述しない（例えば、「多層プリント配線板ステップ３６５」；藤平・藤森共著；工業調査会；１９８９年発行参照）。
▲３▼次に、図２（ａ）に模式的に示すように、配線基板３の表面（接合面）に形成されたメッキ済みのパッド１７の上に、パッド１７全体を覆うようにして、３６Ｐｂ−６４Ｓｎの半田共晶ペースト（融点約１８３℃）を、図示しないメタルマスクを用いて印刷して、ペースト層２１を形成する。尚、パッド径はφ約１５０μｍであり、メタルマスクの開口径はφ２００μｍ、マスク板厚は７０μｍである。
【００６６】
▲４▼次に、平坦化治具２３を、複数のペースト層２１上を一括して覆うように、配線基板３上にセットする。この平坦化治具２３とは、例えば窒化珪素からなるセラミックス製の治具であり、複数のペースト層２１にわたる長さを有する平板状の規制部材２３ａと、規制部材２３ａの両側に配置された同じ高さを有する脚部２３ｂとを備え、コ字状形態を有している。尚、平坦化治具２３の凹部底面（平面）２３ｃは、精密に研磨され、その平面度は例えば０．１μｍ／ｍｍである。
【００６７】
この脚部２３ｂの長さ（高さ）は、平面２３ｃがペースト層２１の上面に接するか或は僅かの間隔を有する長さ（ｈ＝例えば５０μｍ）に設定されている。つまり、後述する半田の溶融によって半田バンプを形成する際に、球状となろうとする半田の頂部が平面２３ｃに接することで、半田バンプ１の頂部の高さを所定値に規制するような値に設定されている。
【００６８】
▲５▼次に、配線基板３に平坦化治具２３を載置した状態で、図示しないリフロー炉内に配置して、半田の融点（この場合は１８３℃）より１０〜４０℃高い温度（例えば２００℃）に加熱し、その後冷却する。これによって、前記図１に示すような半田バンプ１を有する配線基板３を完成した。
【００６９】
尚、半田バンプ１の形成された領域は、縦１２ｍｍ×横１７．５ｍｍの長方形で、バンプ間の最大寸法は、対角方向の２１．２ｍｍであった。
そして、上述した方法によって得られた半田バンプ１の平坦とされた頂部の直径（平坦部の直径）は、８０〜１４０μｍであった。また、半田バンプ１のコーポラナリティは、７μｍであり、単位長さ当りでは、０．３３（＝７／２１．２）μｍ／ｍｍであった。
【００７０】
尚、従来のように、平坦化治具２３を使用しない場合は、半田バンプのコーポラナリティは、２１μｍであり、単位長さ当りでは、１．０μｍ／ｍｍである。このように、本実施例によれば、規制部材２３ａ及び脚部２３ｂを有する平坦化治具２３を、ペースト層２１上の所定の位置に配置することにより、半田の溶融時に複数の半田バンプ１の頂部を一括して平坦化することができる。
【００７１】
また、半田バンプ１の頂部の位置検出が容易であるので、コーポラナリティの測定が簡易化されるという効果がある。
その上、全ての半田バンプ１の頂部が、半田の溶融時に１つの平面２３ｃにより平坦化されるので、コーポラナリティーを小さくすることができ、よって、配線基板３と集積回路チップやプリント基板との接合性を高めることができるとともに、導通検査や絶縁検査等も確実に行うことができるという利点がある。
【００７２】
特に、平面２３ｃにより一括して平坦化するので、仮に何らかの理由で配線基板３自身が反っていたとしても、半田の溶融による平坦化の過程で、その反りによるパッド１７の高さの違いを吸収して、平面２３ｃにならった頂部が形成される（図２（ｂ）参照）。従って、その点からも、コーポラナリティーが低減するという顕著な効果を奏する。
【００７３】
実際、本実施例では、半田バンプ１間の最大距離２１．２ｍｍ当り１３μｍ程度の配線基板３の反りが観察された。しかし、半田バンプ１のコーポラナリティは上述のように７μｍに抑えられており、配線基板３の反りを吸収してコーポラナリティを低減できることがわかる。
【００７４】
更に、平坦化治具２３の脚部２３ｂの高さを変えるだけで、半田バンプ１の高さを任意の高さに容易に設定することができる。
尚、上記のように平坦化治具２３を使用して製作した上記配線基板３を、再度加熱して、半田を再溶融（リフロー）したところ、リフローした半田は表面張力で球状になり、頂部の平坦部がなくなると共に、頂部（最高部）の高さが上昇した。その変化は、加熱前は高さが４５〜５５μｍであったところ、加熱後は７５〜１０５μｍとなり、各々３０〜５０μｍの高さの上昇が見られた。
【００７５】
このことは、接合のために、接合相手である集積回路チップやプリント基板と本実施例の配線基板３とを重ね合わせたときに、この配線基板３の相手方に反り等があるために、半田バンプ１と相手方の接合対象（パッド等）とが接触していないものがある場合でも、両者の接合を良好に行いうることを示している。というのも、配線基板３とプリント基板等との接合のために、加熱して半田をリフローさせると、半田バンプ１の頂部の高さが上昇し、相手方のパッドと接触するようになるためである。
【００７６】
従って、上記実施例の場合で言えば、接合相手のパッドの形成されている領域の反りや高さのばらつきが３０μｍ以下であれば、相手方のパッドの高さ方向の位置のばらつきを吸収して接合が可能であり、極めて接合性の優れた配線基板３であることが判る。
【００７７】
半田バンプ１の特性としては、このような頂部の高さの上昇はできるだけ大きな値を示すことが好ましく、また、絶縁性を低下させる半田ボールの形成や半田ブリッジの発生のないことが望ましい。そのためには、半田バンプ１の平坦面の径をパッド１７の径とほぼ等しくすると良く、さらに、半田バンプ高さをパッド１７の直径よりも小さくするとなお良い。
（実施例２）
次に、実施例２について説明する。
【００７８】
本実施例は、圧縮プレスで半田バンプの頂部を平坦化するものである。尚、前記実施例１と同様な部分の説明は、省略又は簡略化する。
▲１▼前記実施例１と同様な材料及び同様な前記▲１▼，▲２▼，▲３▼の工程にて、配線基板上のパッドの上に、半田ペーストを印刷する。
【００７９】
▲２▼そして、この半田ペーストを印刷した配線基板を、従来と同様に、リフロー炉内に配置して、半田の融点より１０〜４０℃高い温度に加熱し、その後冷却する。これによって、図３及び図４（ａ）に示すような略球状の半田バンプ３１を有する配線基板３３を得る。
【００８０】
▲３▼次に、この半田バンプ３１を有する配線基板３３を、断面略コの字状のステンレス製の下治具３５内に収容する。尚、半田バンプ３１の高さは、「下治具３５の凹部３５ａの深さ（例えば１．０５ｍｍ）−配線基板３３の厚み（例えば１．００ｍｍ）」となるので、設定したい半田バンプ３１の高さに応じて側壁３５ｂの高さ又は凹部３５ａの深さを設定しておく。
【００８１】
▲４▼次に、圧縮プレス装置３７のステンレス製のプレス上板３９を下降させて、プレス圧；５ｋｇ／ｃｍ２で１分間にわたり、半田バンプ３１の頂部を押圧して平坦化する。尚、プレス上板３９及び下治具３５の凹部３５ａとも、その平面度は０．１５μｍ／ｍｍである。
【００８２】
これにより、図４（ａ）に示すように、プレス前には、略球状のコーポラナリティが２１μｍであった半田バンプ３１の頂部が押しつぶされて、図４（ｂ）に示すように、コーポラナリティ；１０μｍ、単位長さ当りのコーポラナリティー；０．４７μｍ／ｍｍの半田バンプ３１を有する配線基板３３が得られた。尚、プレスされた半田バンプ３１の頂部の周囲に微細なシワが入るのが、この製造方法の特徴である。
【００８３】
このように、本実施例によれば、一旦半田を溶融して球状化した複数の半田バンプ３１の頂部を加工して一度にプレスすることにより、頂部が平坦な複数の半田バンプ３１を一括して形成することができる。
そのため、前記実施例１と同様に、コーポラナリティの測定が簡易化されるなどの効果がある。尚、配線基板３３に反りがある場合は、押圧により配線基板３３が凹部３５ａの平面にならって平坦になる。すると、プレス上板３９を上方に戻した場合に、配線基板３３の反りが多少戻る場合があるが、それでも従来よりはコーポラナリティーは小さくなるので、配線基板３３の接合性を高めることができ、絶縁検査等も確実に行うことができる。
【００８４】
更に、下治具３５の凹部３５ａの深さを変えるだけで、半田バンプ３１の高さを任意の高さに容易に設定することができる。
その上、単にプレスを行うだけで済むので、その作業が容易であるという利点がある。
（実施例３）
次に、実施例３について説明する。
本実施例は、圧縮プレスで半田バンプの頂部を平坦化する点は、前記実施例２と同様であるが、プレスする際に熱を加える点が異なる。尚、前記実施例２と同様な部分の説明は、省略又は簡略化する。また、図の番号は同じものを用いる。
【００８５】
▲１▼前記実施例２の▲１▼，▲２▼，▲３▼の工程を経て、前記図３に示すように、略球状の半田バンプ３１を有する配線基板３３を、下治具３５内に収容する。
▲２▼次に、図示しない断熱材で、圧縮プレス装置３７及び下治具３５の周囲を覆うとともに、その内部に窒素ガスを１００リットル／分の割合で流した状態で、約２２０℃に加熱したプレス上板３９を下降させて、プレス圧；５ｋｇ／ｃｍ２で１分間にわたり、半田バンプ３１の頂部を押圧するとともに加熱軟化（溶融）させて、平坦化する。尚、このプレス上板３９の内部には図示しないヒータが配置されており、このヒータにより、プレス上板３９は、半田の融点より２０〜６０℃高い温度に加熱されている。
【００８６】
これにより、図４（ａ）に示すように、プレス前の略球状の半田バンプ３１の頂部が押しつぶされて、図４（ｃ）に示すように、コーポラナリティ；７μｍ、単位長さ当りのコーポラナリティー；０．３３μｍ／ｍｍの半田バンプ３１を有する配線基板３３が得られた。
【００８７】
尚、プレスされた半田バンプ３１の頂部の周囲は、前記実施例２のような微細なシワが入らず滑めらかなのが、この製造方法の特徴である。
このように、本実施例によれば、一旦半田を溶融して球状化した複数の半田バンプ３１の頂部を、一度に融点以上に加熱したプレス上板３９でプレスすることにより、頂部が平坦で且つシワ等の入らない複数の半田バンプ３１を一括して形成することができる。
【００８８】
そのため、前記実施例２と同様な効果を奏するとともに、たとえ配線基板３３に反りがあっても、本実施例では半田バンプ３１を加熱して平坦化するので、前記実施例１と同様に、コーポラナリティーを極めて小さくすることができる。
また、半田バンプ３１を加熱してプレスして平坦化するので、プレスによる応力の歪に起因する酸化を防止できるとともに、その際に窒素ガス等の不活性ガスを流すので、加熱による酸化も防止することができる。
（実施例４）
次に、実施例４について説明する。
【００８９】
本実施例は、平面研磨によって半田バンプの頂部を平坦化するものである。尚、前記実施例１と同様な部分の説明は、省略又は簡略化する。
▲１▼前記実施例１と同様な材料及び同様な前記▲１▼，▲２▼，▲３▼の工程にて、配線基板上のパッドの上に、半田ペーストを印刷する。
【００９０】
▲２▼そして、この半田ペーストを印刷した配線基板を、従来と同様に、リフロー炉内に配置して、半田の融点より１０〜４０℃高い温度に加熱し、その後冷却する。これによって、図５に示すような略球状の半田バンプ４１を有する配線基板４３を得る。
【００９１】
▲３▼次に、この半田バンプ４１を有する配線基板４３を、多数の連通孔４５を有する真空吸着板４７上に載置し、真空吸着板４７の下面側の気圧を低減して、配線基板４３の真空吸着を行い、配線基板４３の固定を行う。
▲４▼次に、平面研磨を行う研磨盤４９の回転研磨部材５１、具体的には、粗さ；＃１０００、平面度；０．２μｍ／ｍｍの円盤状の研磨板を、回転数；１２０ｒｐｍで回転させつつ、下降速度；０．２ｍｍ／秒で下降させて、半田バンプ４１の頂部を研磨して平坦化する。尚、今回は、基板厚さ１ｍｍに対し、真空吸着板４７から１．０５ｍｍの高さまで、回転研磨部材５１を下降させた。
【００９２】
これにより、プレス前には、略球状のコーポラナリティ；３０μｍの半田バンプ４１の頂部が研磨されて、コーポラナリティ；１０μｍ、単位長さ当りのコーポラナリティー；０．４７μｍ／ｍｍの半田バンプ４１を有する配線基板４３が得られた。
【００９３】
このように、本実施例によれば、一旦半田を溶融して球状化した複数の半田バンプ４１の頂部を一度に表面研磨することにより、頂部が平坦な複数の半田バンプ４１を一括して形成することができる。
そのため、前記実施例２と同様な効果を奏するとともに、単に、回転研磨部材５１の下降位置を設定するだけで、半田バンプ４１の高さや頂部の平坦部の径を容易に変更できるという利点がある。
【００９４】
尚、研磨方式としては、乾式、湿式の両方が使えるが、どちらも研磨クズが基板表面に付着するため、研磨後の洗浄が必要である。
（実施例５）
次に、実施例５について説明する。
【００９５】
本実施例では、半田バンプを有する配線基板の製造の際に使用する平坦化治具についてのみ説明する。尚、前記実施例１と同様な部分の説明は、省略又は簡略化する。
図１２に示すように、本実施例における平坦化治具６１は、平板状の規制部材６３とその下面側に配置された左右一対の脚部６５とから構成されている。
【００９６】
前記規制部材６３は、外径２５ｍｍ角×板厚２ｍｍのアルミナセラミック板であり、片面（半田バンプの頂部を平坦にする面；図１２（ａ）における下方面）を平面研磨されている。この平面研磨された面６３ａには、左右の端から約２ｍｍの場所に、長さ２５ｍｍ×幅０．４ｍｍ×深さ０．２５ｍｍの溝６３ｂがそれぞれ設けられている。
【００９７】
前記脚部６５は、前記溝６３ｂに沿って半埋設状に嵌められた細線であり、直径０．３ｍｍの丸棒状のステンレス線から構成されている。尚、ステンレス線の両端は、図１２（ｃ）に示すように、規制部材６３から外れないように上方内側に向けてコの字状に曲げておくとよい。
【００９８】
この溝６３ｂに嵌められた脚部６５の構成により、脚部６５は平面６３ａよりわずかに（５０μｍ）突き出ており、規制部材６３と配線基板との間隔（即ち半田バンプの高さ）を５０μｍ、即ち０．３ｍｍ（細線の直径）−０．２５ｍｍ（溝の深さ）に設定することができる。
【００９９】
本実施例の平坦化治具６１は、規制部材６３と脚部６５とが別体であるので、難加工材料のアルミナセラミックからなる平板を脚部６５が突出する形状に加工する必要がなく、単に溝６３ｂを削るだけでよく、その加工が容易である。
特に、本実施例の場合は、半田バンプの頂部を押圧する面６３ａは、板材の平面であるので、その面６３ａを平面にする加工が容易であり、しかもその平面度が高い。そのため、半田バンプのコーポラナリティを小さくすることができる。
（実験例）
次に、実験例について説明する。
【０１００】
この実験は、本実施例のように、規制部材（アルミナセラミック製）と脚部（ステンレス細線）とが別体の平坦化治具（図１２参照）を製造すると共に、比較例として、規制部材と脚部とが一体の平坦化治具（アルミナセラミック製；図１３参照）を製造し、実際に半田バンプの頂部の平坦化を行ったものである。
【０１０１】
この実験によれば、本実施例の平坦化治具の場合は、平面度；０．０５μｍ／ｍｍ、製作日数；３日、半田バンプのコーポラナリティ；０．２μｍ／ｍｍと、その製造が容易でコーポラナリティも小さく好適であったが、比較例の場合は、平面度；０．１０μｍ／ｍｍ、製作日数；６日、半田バンプのコーポラナリティ；０．４μｍ／ｍｍであり、その製造が困難でコーポラナリティも大きく好ましくない。しかも、比較例の場合は、本実施例よりその費用（平坦化治具の製造コスト）が倍程度かかった。
【０１０２】
尚、上述した実施例では、規制部材の溝を形成して脚部を嵌め込んだが、脚部の高さがある程度高いもの（例えば０．３ｍｍ以上）の場合は、図１４に示すように、溝を設けないで、規制部材７１の図中下面側にそのまま細線を配置して脚部７３としてもよい。
【０１０３】
この場合は、溝を形成する必要がないので、一層平坦化治具の形成が容易である。尚、この細線の直径を変えることにより、半田バンプの高さを自由に設定することができる。
本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【０１０４】
（１）例えば、配線基板の材料としては、プラスチック（樹脂）以外に、アルミナ等のセラミックスや、樹脂とガラス繊維等との複合材、樹脂とセラミックス等との複合材などを採用することもできる。
（２）前記実施例では、フリップチップ法により、基板に集積回路チップを接合するための半田バンプを形成した場合について述べた。しかし、本発明は、これに限らず、基板とマザーボード等のプリント基板とを接合するための半田バンプを形成する場合にも適用でき、半田バンプを格子状あるいは千鳥状に配列したＢＧＡ基板にも適用するのが好ましい。
【０１０５】
（３）使用する半田の材質としては、用途に応じて、Ｐｂ９０％半田などの高融点半田や、ＡｇやＩｎ入り半田等どれでも使用可能である。また、半田に含まれるフラックスの種類も、（還元性の小さなものから）Ｒタイプ、ＲＭＡタイプ、ＲＡタイプのどれでも使用できる。尚、ここでは、バンプ材料として、通常、半田と称されるＰｂ−Ｓｎ系のろう材以外に、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｕ−Ｓｉ系等の合金も使用できる。
【０１０６】
（４）パッド上への半田材料の付与方法としては、上述した半田ペーストの印刷による方法以外に、ディスペンサーを用いて半田ペーストを滴下する方法、プリフォーム、ペレット、又は半田球を搭載する方法等を採用することができる。
【０１０７】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜４の発明の半田バンプを有する配線基板は、その半田バンプの頂部が平坦である。従って、半田バンプのコーポラナリティを低減できるので、配線基板の接合性を向上できる。また、絶縁検査等の検査性も向上でき、更に、コーポラナリティの測定を簡易化することもできるという顕著な効果を奏する。
【０１０８】
また、請求項５〜７の発明の半田バンプを有する配線基板の製造方法では、上述した優れた特性を有する配線基板を、規制部材を配置して行う半田の溶融、溶融・冷却後のプレス、溶融・冷却後の研磨などの簡易な手段により、容易に製造することができるという効果を奏する。
【０１０９】
特に規制部材を配置して行う半田の溶融の場合は、コーポラナリティの低減、製造工程の簡易化、半田バンプの酸化防止等の優れた利点がある。
更に、請求項８〜１１の発明の平坦化治具は、材料として（半田バンプの頂部の平坦化には好適であるが）難加工材料を使用する場合でも、その製造が容易であるので、半田バンプを有する配線基板を製造する際に、製造コストを低減することができる。また、規制部材の平面化が容易であるので、平坦化治具の製造コストを低減できると共に、半田バンプのコーポラナリティを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の半田バンプを有する配線基板を示し、（ａ）はその斜視図、（ｂ）はその一部を拡大して示す断面図である。
【図２】実施例１の半田バンプの製造方法を示し、（ａ）はその製造工程の説明図、（ｂ）はその製造方法よって得られた効果を示す説明図である。
【図３】実施例２及び実施例３の半田バンプの製造方法を示す説明図である。
【図４】半田バンプの形状を示し、（ａ）はプレス前の半田バンプの形状を示す断面図、（ｂ）は実施例２によるプレス後の半田バンプの形状を示す断面図、（ｃ）は実施例３によるプレス後の半田バンプの形状を示す断面図である。
【図５】実施例４の半田バンプの製造方法を示す説明図である。
【図６】本発明の作用のうち半田再溶融時の上昇を示す説明図である。
【図７】本発明の作用のうち接合相手との接合状態を示す説明図である。
【図８】本発明の作用のうち頂部の平坦化の程度の違いを示す説明図である。
【図９】本発明の作用のうち半田ボールの発生状態を示す説明図である。
【図１０】本発明の作用のうち半田ブリッジの発生状態を示す説明図である。
【図１１】半田バンプ体積の算出法を示す説明図である。
【図１２】実施例５における平坦化治具を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は側面図である。
【図１３】比較例の平坦化治具を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は側面図である。
【図１４】その他の平坦化治具を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図１５】従来技術を示す説明図である。
【符号の説明】
１，３１，４１…半田バンプ
３，３３，４３…配線基板
１７…パッド
２３，６１…平坦化治具
２３ａ，６３，７１…規制部材
２３ｂ，６５，７３…脚部
３５…下治具
３７…プレス装置
４９…研磨盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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