(57)【要約】【課題】基板に形成した発光部について位置的にむらなく封止することができ、発光部が偏った方向から劣化することを低減することができるエレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器を提供する。【解決手段】少なくとも蛍光性有機分子を含んでなる発光部１１が設けられている基板１０と、基板１０に設けられた発光部１１を封止する封止缶２０と、基板１０と封止缶２０との間に配置される部材であって基板１０と封止缶２０とを接着させる封止部材１３と、基板に設けられたダミー電極３０であって、基板おける封止部材１３が配置される領域に少なくとも配置されたダミー電極３０とを有することを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも蛍光性有機分子を含んでなる発光部が設けられている基板と、
前記基板に設けられた発光部を封止する封止缶と、
前記基板と封止缶との間に配置される部材であって該基板と封止缶とを接着させる封止部材と、
前記基板に設けられたダミー電極であって、該基板おける前記封止部材が配置される領域に少なくとも配置されたダミー電極とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記封止缶は、底面が略四角形の凹部を有する容器形状をしており、
前記基板における前記封止部材が配置される領域は、前記封止缶の外周に近似した外周と基板と接着するための幅とをもつ四角いリング形状をしており、
前記基板には、前記封止部材が配置される領域の四角いリング形状の少なくとも１辺を横断するように、発光動作用電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記ダミー電極は、前記封止缶の中心軸を基準として、前記発光動作用電極の位置と対象となる位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記発光動作用電極は、前記封止部材が配置される領域の四角いリング形状の１辺を横断するように配置されており、
前記ダミー電極は、前記四角いリング形状における前記発光動作用電極が横断する１辺に対向する辺を横断するように配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記ダミー電極は、水分を通しにくい材質からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記ダミー電極は、無機物からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記ダミー電極の厚さは、前記発光動作用電極の厚さと略同一であることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記ダミー電極の厚さは、前記基板と封止缶とを水平に対向させる厚さであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記ダミー電極の材質は、前記発光動作用電極の材質と同じであることを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記ダミー電極と発光動作用電極とは、同じ製造プロセスで形成されることを特徴とする請求項２乃至９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
前記ダミー電極の形状は、前記発光動作用電極の形状と略同一であることを特徴とする請求項２乃至１０のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１２】
前記ダミー電極の形状は、短冊形状であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１３】
前記ダミー電極及び発光動作用電極の配置は、前記封止部材が配置される領域の四角いリング形状の４辺それぞれについて、略同一パターンとなるように配置されていることを特徴とする請求項２乃至１２のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１４】
前記封止缶は、ガラス及びフィルムのいずれかからなることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１５】
少なくとも蛍光性有機分子を含んでなる発光部を基板に形成し、
前記発光部の発光動作に関係する電流を流す発光動作用電極を前記基板に形成し、
前記基板にダミー電極を形成し、
前記発光動作用電極の少なくとも一部及びダミー電極の少なくとも一部の上を通るとともに、前記発光部を取り囲むように、接着機能をもつ封止部材を前記基板に配置し、
前記封止部材を介して前記基板と接合するように、該基板に封止缶を取り付けることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ダミー電極は、前記封止缶の中心軸を基準として、前記発光動作用電極の位置と対象となる位置に形成することを特徴とする請求項１５に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ダミー電極は、前記発光動作用電極の厚さと略同一の厚さに形成することを特徴とする請求項１５又は１６に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ダミー電極は、前記発光動作用電極を形成した材料と同じ材料で形成することを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ダミー電極及び発光動作用電極は、同じ製造プロセスで形成することを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２０】
前記ダミー電極は、前記発光動作用電極の形状と略同一の形状に形成することを特徴とする請求項１５乃至１９のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた表示パネルであるエレクトロルミネッセンス装置が考え出されている。エレクトロルミネッセンス装置の基本構成における発光部は、蛍光性有機分子を含む固体薄膜（発光層）を２枚電極（陰極と陽極）で挟んだものである。その電極に電圧を印加すると、陽極から正孔が陰極から電子が発光層に注入され、その発光層から蛍光が放出される。
【０００３】
そして、エレクトロルミネッセンス装置は、発光層を有する発光部を基板に複数備えて構成され、各発光部を画素として独立に駆動制御することで所望の表示を行っている。このエレクトロルミネッセンス装置は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、例えば基板における発光層が設けられた面側とは反対面側から光を取り出すいわゆるボトムエミッション型と、基板における発光層が設けられた面側から光を取り出すトップエミッション型とに分類される。
【０００４】
表示装置の分野では、大型化、高精細化、高輝度化に対するニーズが高く、エレクトロルミネッセンス装置についても大型化を目指した研究開発が盛んに行なわれている。しかし、上記ボトムエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置を大型化した場合、電極に信号を供給する配線を太くする必要があり、これにより画素の開口率が低下するという課題があった。
【０００５】
また、このように開口率が低下した場合、画素の輝度を確保するために発光層に大きな電流を流す結果、製品寿命が短くなるという課題も生じる。このため、近年、画素の開口率が配線等の構造に影響されないトップエミッション型の構造が注目され、盛んに研究されている。
【０００６】
ところで、上述の発光部は酸素や水分により劣化することが知られている。このため、発光部の形成された基板面は、内面にシリカゲル等のゲッター材が配置された封止基板（封止缶）により覆われている。トップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置では、封止基板に対して高い透明性が要求されるため、例えば特許文献１，２に示されるように、ゲッター材と表示領域（複数の画素がまとまって配置された領域）とが平面視で重ならないように、ゲッター材を表示領域の外側に配置した構造が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−２０８２５２号公報
【特許文献２】
特許第２６８６１６９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のエレクトロルミネッセンス装置では、一般的に、有機ＥＬ素子からなる発光部を封止缶で封止する構造において発光部の電極に接続された取り出し電極（配線）が、その発光部を有する基板と封止缶との接合部分を通り抜けるように形成される。そして、取り出し電極が封止缶における一方端部に偏って設けられている場合、基板平面と封止缶とが平行にならず傾きをもったまま接合されてしまう。この状態について図８を参照して説明する。
【０００９】
図８は、従来のトップエミッション型エレクトロルミネッセンス装置の構造を示す概略断面図である。基板１０の上面には、有機ＥＬ素子からなる発光部１１が形成されている。また、基板１０の上面における一方端側Ｂには、発光部の電極に接続された取り出し電極である発光動作用電極１２が形成されている。基板１０の上面における他方端側Ａには電極は形成されていない。
【００１０】
そして、発光部１１を囲むように、封止缶２０と基板１０とが封止部材１３を介して接合されている。この従来のトップエミッション型エレクトロルミネッセンス装置では、発光動作用電極１２によって、封止缶２０の一方端側Ｂが基板１０の上面から少し持ち上げられているので、基板１０上面と封止缶２０とが平行にならず傾きをもったまま接合されいる。
【００１１】
このように、基板１０上面と封止缶２０とが平行にならず傾きをもったまま接合されると、封止缶２０における持ち上がっている一方端側Ｂすなわち発光動作用電極１２が配置されている側から、封止缶２０内に水分や酸素が侵入し易くなってしまう。そこで、従来のトップエミッション型エレクトロルミネッセンス装置では、基板と封止缶とを平行にすることが困難となる場合が生じ、発光部の有機ＥＬ素子の劣化が偏った方向から進行し、製品寿命の長期化を妨げているという問題点があった。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板に形成した発光部について位置的にむらなく封止することができ、発光部が偏った方向から劣化することを低減することができるエレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、少なくとも蛍光性有機分子を含んでなる発光部が設けられている基板と、前記基板に設けられた発光部を封止する封止缶と、前記基板と封止缶との間に配置される部材であって該基板と封止缶とを接着させる封止部材と、前記基板に設けられたダミー電極であって、該基板おける前記封止部材が配置される領域に少なくとも配置されたダミー電極とを有することを特徴とする。
本発明によれば、基板における封止部材が配置される領域にダミー電極を設けているので、そのダミー電極が基板と封止缶との間に配置され、封止部材を介して、基板と封止缶とを精密な平行に対向させて接合することができる。
例えば、基板に設けられた電極（ダミー電極ではないもの）が基板と封止缶との接合箇所の一部を横切る場合、その電極の厚みによって、封止缶の一方端側が基板面から持ち上げられ、すなわち封止部材全体の厚みが均一でなくなり、その基板平面に対して封止缶が傾いてしまう。本発明によれば、基板平面に対して封止缶が平行となるように、すなわち封止部材全体の厚みが均一となるように、ダミー電極を設けることができる。そこで、本発明によれば、基板平面に対して封止缶を精密に平行とすることができるので、偏った方向から水分などが封止缶内に侵入することなどを低減することができ、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００１４】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記封止缶が底面が略四角形の凹部を有する容器形状をしており、前記基板における前記封止部材が配置される領域は、前記封止缶の外周に近似した外周と基板と接着するための幅とをもつ四角いリング形状をしており、前記基板には、前記封止部材が配置される領域の四角いリング形状の少なくとも１辺を横断するように、発光動作用電極が形成されていることが好ましい。
本発明によれば、封止缶の一方端側が発光動作用電極によって基板平面から持ち上げられた場合、封止缶の他方端側をダミー電極によって基板平面から持ち上げることができる。そこで、本発明によれば、発光動作用電極によって生じる基板平面に対する封止缶の傾きを、ダミー電極によって低減することができる。そこで、本発明によれば、基板平面に対して封止缶を精密に平行とすることができ、偏った方向から水分などが封止缶内に侵入ことなどを低減することができ、従来のものよりも、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００１５】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極が、前記封止缶の中心軸を基準として、前記発光動作用電極の位置と対象となる位置に配置されていることが好ましい。
本発明によれば、ダミー電極が封止缶の中心軸を基準として発光動作用電極の位置と対象となる位置に配置されているので、封止缶の一方端側が発光動作用電極で持ち上げられた分だけ、封止缶の他方端側をダミー電極でより正確に持ち上げることができる。また、本発明によれば、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態も均等にすることができる。そこで、本発明によれば、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができる。
【００１６】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記発光動作用電極が、前記封止部材が配置される領域の四角いリング形状の１辺を横断するように配置されており、前記ダミー電極は、前記四角いリング形状における前記発光動作用電極が横断する１辺に対向する辺を横断するように配置されていることが好ましい。
本発明によれば、封止缶のある１辺が発光動作用電極によって基板平面から持ち上げられた分だけ、その封止缶における１辺に対向する辺をダミー電極によって持ち上げることができる。そこで、本発明によれば、基板平面に対して封止缶を精密に平行とすることができ、従来の有機エレクトロルミネッセンス装置よりも、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００１７】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極が水分を通しにくい材質のものからなることが好ましい。
本発明によれば、水分がダミー電極を通って封止缶内に侵入することを抑制することができるので、その水分によって発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００１８】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極が無機物からなることが好ましい。
本発明によれば、ダミー電極が無機物であるので、水分がダミー電極を通って封止缶内に侵入することを抑制することができるので、その水分によって発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００１９】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極の厚さが、前記発光動作用電極の厚さと略同一であることが好ましい。
本発明によれば、封止缶の一方端側が発光動作用電極によって基板平面から持ち上げられた分だけ、封止缶の他方端側をダミー電極によって基板平面から正確に持ち上げることができる。そこで、本発明によれば、基板平面と封止缶とをより正確に平行とすることができ、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡ってより効果的に抑えることができる。
【００２０】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極の厚さが前記基板と封止缶とを水平に対向させる厚さであることが好ましい。
本発明によれば、基板の所望位置に所望の厚さのダミー電極を設けるだけで、基板平面と封止缶とをより正確に平行とすることができ、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡ってより効果的に抑えることができる。
【００２１】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極の材質が前記発光動作用電極の材質と同じであることが好ましい。
本発明によれば、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態をより均等にすることができる。そこで、本発明によれば、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができる。
【００２２】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極と発光動作用電極とが同じ製造プロセスで形成されたものであることが好ましい。
本発明によれば、ダミー電極の材質と発光動作用電極の材質とを同じものとすることができ、また簡易に、ダミー電極の形状（厚さを含む）と発光動作用電極の形状とを同一にすることができる。そこで、本発明によれば、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態を、簡易に、より均等にすることができる。そこで、本発明によれば、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができ、さらに、低コストで長寿命なエレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極の形状が前記発光動作用電極の形状と略同一であることが好ましい。
本発明によれば、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態を均等にすることができる。そこで、本発明によれば、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができる。
【００２４】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極の形状が短冊形状であることが好ましい。
本発明によれば、例えば、発光動作用電極が短冊形状であって封止缶の一方端側に配置されているとき、その封止缶の他方端側に、発光動作用電極と同一形状のダミー電極を設けることができる。そこで、本発明によれば、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態を均等にすることができ、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができる。
【００２５】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記ダミー電極及び発光動作用電極の配置が、前記封止部材が配置される領域の四角いリング形状の４辺それぞれについて、略同一パターンとなるような配置であることが好ましい。
本発明によれば、本発明によれば、封止缶の４角及び４辺についての封止状態を均等にすることができ、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができる。
【００２６】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、前記封止缶がガラス及びフィルムのいずれかからなることが好ましい。
本発明によれば、ガラスの封止缶のみならずフィルムからなる封止缶についても適用でき、ガラス又はフィルムからなる封止缶をもつエレクトロルミネッセンス装置の寿命を長期化することができる。
【００２７】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、少なくとも蛍光性有機分子を含んでなる発光部を基板に形成し、前記発光部の発光動作に関係する電流を流す発光動作用電極を前記基板に形成し、前記基板にダミー電極を形成し、前記発光動作用電極の少なくとも一部及びダミー電極の少なくとも一部の上を通るとともに、前記発光部を取り囲むように、接着機能をもつ封止部材を前記基板に配置し、前記封止部材を介して前記基板と接合するように、該基板に封止缶を取り付けることを特徴とする。
本発明によれば、基板にダミー電極を設けるだけで、基板と封止缶とを精密な平行状態に対向するように接合することができる。そこで、本発明によれば、低コストで、偏った方向から水分などが封止缶内に侵入ことなどを低減することができ、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００２８】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記ダミー電極を、前記封止缶の中心軸を基準として、前記発光動作用電極の位置と対象となる位置に形成することが好ましい。
本発明によれば、ダミー電極が封止缶の中心軸を基準として発光動作用電極の位置と対象となる位置に配置されているので、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態を均等にすることができる。そこで、本発明によれば、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができる。
【００２９】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記ダミー電極を、前記発光動作用電極の厚さと略同一の厚さに形成することが好ましい。
本発明によれば、基板にダミー電極を設けるだけで、封止缶の一方端側が発光動作用電極によって基板平面から持ち上げられた分だけ、封止缶の他方端側をダミー電極によって基板平面から正確に持ち上げることができる。そこで、本発明によれば、低コストで、基板平面と封止缶とをより正確に平行とすることができ、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡ってより効果的に抑えることができる。
【００３０】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記ダミー電極を、前記発光動作用電極を形成した材料と同じ材料で形成することが好ましい。
本発明によれば、ダミー電極を基板に設けることにより、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態をより均等にすることができる。そこで、本発明によれば、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを、低コストで長期間に渡ってより効果的に抑えることができる。
【００３１】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記ダミー電極及び発光動作用電極を同じ製造プロセスで形成することが好ましい。
本発明によれば、簡易に、ダミー電極の材質と発光動作用電極の材質とを同じものとすることができ、また簡易に、ダミー電極の形状（厚さを含む）と発光動作用電極の形状とを同一にすることができる。そこで、本発明によれば、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態を、簡易に、より均等にすることができる。そこで、本発明によれば、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができ、さらに、低コストで長寿命なエレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。
【００３２】
また、本発明のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記ダミー電極を、前記発光動作用電極の形状と略同一の形状に形成することが好ましい。
本発明によれば、封止缶の両端部（例えば４角又は４辺）の封止状態を、簡便に均等にすることができる。そこで、本発明によれば、低コストで、発光部の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡ってより効果的に抑えることができる。
【００３３】
本発明の電子機器は、前記エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、長寿命であってコンパクトな表示部を備える電子機器を低コストで提供することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス装置について図面を参照して説明する。
図１は本発明の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス装置を示す概略断面図である。図２は図１に示すエレクトロルミネッセンス装置の概略平面図である。本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス装置は、基板１０と封止缶２０とを備えたトップエミッション型エレクトロルミネッセンス装置である。
【００３５】
基板１０の上面には、蛍光性有機分子を含む固体薄膜からなる発光層を陰極と陽極とで挟んだ有機ＥＬ発光素子（画素）が碁盤の目のように配置された発光部１１が設けられている。そして、発光部１１から図面上方に向かって放射された光は、透明な封止缶２０を透過して外部に放射される。封止缶２０は、ガラス又はフィルムなどで構成する。
【００３６】
封止缶２０は、基板１０の上面に設けられた発光部１１を封止するものであり、図１及び図２に示すように、底面が略四角形の凹部を有する容器形状をしている。基板１０と封止缶２０とは、接着剤として機能する封止部材１３を介して接合されている。基板１０における封止部材１３が配置される領域は、基板１０と封止缶２０との接合領域であり、封止缶２０の外周に近似した外周と封止缶２０の幅とをもつ四角いリング形状をしている。
【００３７】
そして、基板１０の上面における一方端側Ｂには、発光部１１の陽極又は陰極に接続された取り出し電極である発光動作用電極１２が形成されている。発光動作用電極１２は、封止部材１３が配置されている領域の四角いリング形状の１辺（一方端側Ｂの辺）を横断するように、形成されている。また、発光動作用電極１２は複数本形成され、短冊形状となっている。
【００３８】
さらに、基板１０の上面における他方端側Ａには、ダミー電極３０が形成されている。ダミー電極３０は、封止部材１３が配置されている領域の四角いリング形状の１辺（一方端側Ａの辺）を横断するように、形成されている。すなわち、封止部材１３が配置されている領域の四角いリング形状のうちで、発光動作用電極１２が横断する辺と、ダミー電極３０が横断する辺とは互いに対向する辺である。
【００３９】
したがって、ダミー電極３０は、図２に示すように、封止缶２０の中心軸を基準として、発光動作用電極１２の位置と対象となる位置に配置されている。そしてダミー電極３０の形状は、発光動作用電極１２の形状と略同一となっている。すなわちダミー電極３０は、複数本形成され、短冊形状となっている。ここで、ダミー電極３０は、発光動作用電極１２の構成材料と同じ材料からなることが好ましい。また、ダミー電極３０の構成材料は、水分を通しにくい材料からなるものとしてもよく、例えば無機物としてもよい。
【００４０】
ダミー電極３０の厚さは、発光動作用電極１２の厚さと略同一であることが好ましい。また、ダミー電極３０の厚さは、基板１０と封止缶２０とを水平に対向させる厚さとしてもよい。例えば、基板１０において発光動作用電極１２の設けられている部分（一方端側Ｂ）が他の部分（一方端側Ａ）に比べて若干凹んでいる場合、その凹みの分だけ、ダミー電極３０の厚さを発光動作用電極１２の厚さよりも薄くすることで、基板１０に対して封止缶２０を平行にすることができる。
【００４１】
これらにより、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置によれば、ダミー電極３０を基板１０上面の一方端側Ａに設けているので、基板１０と封止缶２０とを精密に平行にすることができる。そこで、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置は、偏った方向から水分及び酸素などが封止缶２０内に侵入することなどを低減することができ、発光部１１の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００４２】
上記実施形態では、図２に示すように、ダミー電極３０は封止部材１３が配置されている領域の四角いリング形状の１辺（一方端側Ｂの辺）を横断するように形成されているが、その四角いリング形状の４辺のうち発光動作用電極１２が設けられている辺以外の３辺それぞれについて横断するように形成してもよい。
【００４３】
また、ダミー電極３０及び発光動作用電極１２は、封止部材１３が配置される領域の四角いリング形状の４辺それぞれについて、ダミー電極３０又は発光動作用電極１２によるパターンが略同一パターンとなるように配置されていることとしてもよい。このようにすると、封止缶２０の４角及び４辺について封止状態を均等にすることができ、発光部１１の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って、より効果的に抑えることができる。
【００４４】
（製造方法）
次に、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法について図１及び図２を参照して説明する。先ず基板１０上に発光部１１、発光動作用電極１２及びダミー電極３０を形成する。ここで、発光動作用電極１２とダミー電極３０とは、同じ一つの製造プロセスで形成することが好ましい。このようにすると、ダミー電極３０の材質と発光動作用電極１２の材質とを同じものとすることができ、また簡易に、ダミー電極３０の形状及び厚さを発光動作用電極１２の形状とを同一にすることができる。
【００４５】
次いで、基板１０と封止缶２０との接着に用いるＵＶ硬化樹脂を、基板１０上面の所定領域に塗布する。このＵＶ硬化樹脂が封止部材１３となるものである。そして、ＵＶ硬化樹脂の塗布は例えばディスペンサによって行う。次いで、立方体の側面の縁を残した内側を長方形状にえぐりとり封止缶２０を作る。この封止缶２０の作製は予め行っておいてもよい。
【００４６】
そして、封止缶２０を基板１０の上面に置く。ここで、上記基板１０に塗布されたＵＶ硬化樹脂の上に封止缶２０の縁が当たるように、封止缶２０を基板１０の上面に置く。次いで、封止缶２０を基板１０に押し付けるように圧力をかけつつ、ＵＶ硬化樹脂にＵＶを照射して硬化させて封止部材１３とする。これらにより、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置が完成する。
【００４７】
このエレクトロルミネッセンス装置における一方端側Ａと一方端Ｂとで封止部材１３の厚みを測定すると、例えば一方端側Ａでは５．３μｍであり、一方端側Ｂでは５．２μｍであった。したがって、エレクトロルミネッセンス装置における一方端側Ａと一方端Ｂとで封止部材１３の厚みがほぼ同一であるので、基板１０と封止缶２０とが精密に平行になっていることがわかる。
【００４８】
さらに、このエレクトロルミネッセンス装置について、発光部１１の寿命試験を行ったところ、その発光部１１について偏った部分からの劣化は観測されなかった。
【００４９】
また、封止缶２０の代わりに、板状のプラスチック又はガラス基板を用いて上記のようにエレクトロルミネッセンス装置を製造した場合も、上記と同様の試験結果が得られた。
【００５０】
一方、上記エレクトロルミネッセンス装置の製造方法においてダミー電極３０を基板１０に形成しなかった場合、すなわち図８に示すような従来のエレクトロルミネッセンス装置を製造した場合について、一方端側Ａと一方端Ｂとで封止部材１３の厚みを測定した。すると、例えば一方端側Ａでは３．１μｍであり、一方端側Ｂでは１５．７μｍであった。
【００５１】
これにより、一方端側Ｂでは基板１０と封止缶２０との間に大きな隙間が生じていた。この従来のエレクトロルミネッセンス装置について、発光部１１の寿命試験を行ったところ、その発光部１１における一方端側Ｂより発光が弱くなる現象、すなわち偏った部分からの劣化が観測された。
【００５２】
次に、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置の詳細構造について図３及び図４を参照して説明する。図３は本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス装置の詳細構造の一例を示す部分断面図である。図４は本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス装置の配線構造を示す平面模式図である。
【００５３】
本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置は、基板１０上に回路素子部５４と、発光部１１を含む表示素子部５０とが順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止缶２０によって封止された構造を有する。表示素子部５０は、発光層１１０ｂを含む発光素子部５１と、発光素子部５１上に形成された陰極５２とからなる。この陰極５２及び封止缶２０は透光性を有し、本エレクトロルミネッセンス装置は、発光層から発した表示光が封止缶２０側から出射される、所謂トップエミッション型の表示装置として構成されている。
【００５４】
基板１０には、透明基板（又は半透明基板）又は不透明基板のいずれを用いることもできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、基板１０は、図３に示すように、中央に位置する表示領域である発光部１１と、基板１０の周縁に位置して発光部１１を囲む非表示領域６２ｂとに区画されている。
発光部１１は、マトリックス状に配置された画素部ａ（図４参照）によって形成される領域であり、表示領域の外側に非表示領域６２ｂが形成されている。そして，非表示領域６２ｂには、発光部１１に隣接するダミー表示領域６２ｄが形成されている。
【００５５】
図３及び図４に示すように、回路素子部５４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ等が備えられており、発光部１１に配置された各画素部ａを駆動するようになっている。
【００５６】
また、回路素子部５４の陰極５２の一端は、基板１０の上面における一方端側Ｂに設けられた発光動作用電極１２に接続されている。発光動作用電極１２の一端はフレキシブル基板（図示せず）上の配線に接続されている。この配線は、フレキシブル基板上に備えられた駆動ＩＣ（駆動回路）に接続されている。
また、基板１０の上面における一方端側Ａにはダミー電極３０が設けられている。ダミー電極３０の厚みは、発光動作用電極１２の厚みと略同一であることが好ましい。
【００５７】
また、回路素子部５４の非表示領域６２ｂには、電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。また、発光部１１の図中両側には、走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部５４内に設けられている。更に回路素子部５４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
【００５８】
なお、回路表示素子５４の非表示領域６２ｂには、製造途中や出荷時において本ＥＬ装置の品質検査及び欠陥検査を行うときに用いられる検査回路を設けておくことが好ましい。
【００５９】
封止缶２０は、基板１０に塗布された封止部材１３によって基板１０の上面に接着されている。封止部材１３は、基板１０と封止缶２０を接着する接着剤であり、例えばマイクロディスペンサ等により基板１０の周囲に環状に塗布されている。この封止部材１３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。
【００６０】
また、この封止部材１３には酸素や水分を通しにくい材料が用いられており、基板１０と封止缶２０の間から封止缶２０内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極５２または発光素子部５１内に形成された発光層１１０ｂの酸化を防止するようになっている。また、ガラスや樹脂等の透光性部材からなる封止缶２０は、その内側に表示素子５０を収納する凹部が設けられており、封止部材１３を介して基板１０に接合されている。
【００６１】
そして、発光動作用電極１２は、基板１０の上面における一方端側Ｂにおいて封止部材１３を横断するように設けられている。ダミー電極３０は、基板１０の上面における一方端側Ａにおいて封止部材１３を横断するように設けられている。そして、封止缶２０の４辺それぞれにについて、発光動作用電極１２又はダミー電極３０が等間隔で短冊形状に配置されているようにしてもよい。
【００６２】
本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置には、図４に示すように、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線されている。そして、走査線１０１と信号線１０２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。上記発光動作用電極１２は、走査線１０１、信号線１０２及び電源線１０３のうちのいずれかの取り出し線とすることができ、それら全てにについて取り出し線としてもよい。
【００６３】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００６４】
各画素領域には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、この画素電極１１１と陰極５２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。電極１１１と対向する陰極５２と機能層１１０により画素部ａが構成され、本エレクトロルミネッセンス装置は、この画素部ａをマトリクス状に複数備えて構成されている。
【００６５】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極５２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００６６】
これらにより、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置は、図３に示すように基板１０の上面において一方端側Ｂに発光動作用電極１２を設け、また基板１０の上面において一方端側Ａにダミー電極３０を設けたので、その一方端側Ｂにおける封止部材１３の厚みと一方端側Ａにおける封止部材１３の厚みとを略同一にすることができ、基板１０と封止缶２０とを正確に平行にすることができる。
【００６７】
そこで、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置によれば、封止缶２０内に偏った方向から水分及び酸素などが侵入することなどを低減することができ、発光部１１が偏った方向から劣化することを低減することができる。したがって、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置によれば、発光部１１の有機ＥＬ素子が劣化することを長期間に渡って効果的に抑えることができる。
【００６８】
（電子機器）
上記実施形態のエレクトロルミネッセンス装置（表示装置）を備えた電子機器の例について説明する。
図５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図５において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記エレクトロルミネッセンス装置を用いた表示部を示している。
【００６９】
図６は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記エレクトロルミネッセンス装置を用いた表示部を示している。
【００７０】
図７は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図７において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記エレクトロルミネッセンス装置を用いた表示部を示している。
【００７１】
図５から図７に示す電子機器は、上記実施形態のエレクトロルミネッセンス装置を備えているので、長寿命であってコンパクトな表示部を備える電子機器を低コストで提供することができる。
【００７２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るエレクトロルミネッセンス装置の概略断面図である。
【図２】同上のエレクトロルミネッセンス装置の概略平面図である。
【図３】同上のエレクトロルミネッセンス装置の詳細断面図である。
【図４】同上のエレクトロルミネッセンス装置の配線図である。
【図５】本発明の実施形態に係る電子機器の一例を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る電子機器の一例を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る電子機器の一例を示す図である。
【図８】従来のエレクトロルミネッセンス装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０…基板、１１…発光部、１２…発光動作用電極、１３…封止部材、２０…封止缶、３０…ダミー電極、Ａ…一方端側、Ｂ…一方端側
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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