(57)【要約】【課題】異物による影響を低減し、吸着状態における被吸着物の被吸着面の平坦度を安定して高める。【解決手段】吸着装置１は、ウエハＷを真空吸着することによりウエハＷを保持する。吸着装置１は、吸着基材２を備える。吸着基材２は、先端面（上面）が同じ高さとなるように形成された複数のピン状の凸部２ａを有し、剛性を持つ。凸部２ａの先端面上には、不織布等からなる軟質層３が付着されている。ウエハＷが吸着された際に、ウエハＷと吸着面との間に異物が介在しても、異物が軟質層３内に埋没する。これにより、ウエハＷの下面の平坦度が高まる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被吸着物を真空吸着することにより前記被吸着物を保持する吸着装置において、先端面が実質的に同じ高さとなるように形成された複数の凸部を有し剛性を持つ吸着基材と、前記複数の凸部の各々の先端面上に付着された弾性層と、を備えたことを特徴とする吸着装置。
【請求項２】
前記複数の凸部がピン状又は凸条をなすように形成されたことを特徴とする請求項１記載の吸着装置。
【請求項３】
前記弾性層は、実質的に前記複数の凸部の各々の先端面上のみに位置することを特徴とする請求項１又は２記載の吸着装置。
【請求項４】
前記弾性層は、前記複数の凸部間の凹部上を跨がるように、全体としてシート状に連続して形成され、
前記弾性層には、前記凹部を前記被吸着物側に連通させる複数の透孔が形成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の吸着装置。
【請求項５】
被吸着物を真空吸着することにより前記被吸着物を保持する吸着装置であって、先端面が実質的に同じ高さとなるように形成された複数の凸部を有し剛性を持つ吸着基材を備えた吸着装置に、用いられる吸着装置用シートであって、
全体としてシート状に連続して形成された弾性層を備え、
使用時に前記複数の凸部の各々の先端面上に前記弾性層の対応箇所が付着されて、前記弾性層の他の箇所が前記複数の凸部間の凹部上を跨るように、構成され、
前記弾性層には、前記凹部を前記被吸着物側に連通させる複数の透孔が形成されたことを特徴とする吸着装置用シート。
【請求項６】
前記複数の凸部がピン状又は凸条をなすように形成されたことを特徴とする請求項５記載の吸着装置用シート。
【請求項７】
研磨体と吸着装置により保持された被研磨物との間に荷重を加えつつ、前記研磨体と前記被研磨物とを相対移動させることにより、前記被研磨物を研磨する研磨装置において、
前記吸着装置が請求項１乃至４のいずれかに記載の吸着装置であることを特徴とする研磨装置。
【請求項８】
請求項７記載の研磨装置を用いて、半導体ウエハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体デバイス製造方法により製造されることを特徴とする半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハやその他の基板などの被吸着物を真空吸着することにより被吸着物を保持する吸着装置、この吸着装置に用いられる吸着装置用シート、前記吸着装置を用いた研磨装置、並びに、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ウエハを真空吸着することにより被吸着物を保持する吸着装置として、吸着面側にピン状又は凸条をなす複数の剛性の凸部がその先端面が同一高さとなるように形成された吸着装置が、知られている（例えば、特許文献１，２）。
【０００３】
この吸着装置では、各凸部の先端面がウエハと接触した状態で凸部間の凹部が負圧に引かれ、ウエハが各凸部の先端面に倣って平坦に保持される。このように、各凸部の先端面がウエハと接触して保持する吸着面となっている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−２１７１４１号公報
【特許文献２】
特開平１０−５０８１０号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ウエハと吸着装置の吸着面との間に異物が介在すると、その箇所付近においてウエハが変形して隆起してしまい、種々の不都合が生ずる。例えば、ウエハを平坦化研磨する場合、異物により隆起した箇所付近が過剰に研磨されてしまい、致命的な欠陥となる。通常はウエハや吸着装置の吸着面は洗浄されるが、前記異物を完全に除去することは不可能である。
【０００６】
前記従来の吸着装置では、ウエハと吸着面との接触面積が凸部の先端面の面積に限定されるため、ウエハと吸着面との間にゴミや研磨剤等の異物が介在する確率が大幅に低減され、非常に好ましい。
【０００７】
しかしながら、前記従来の吸着装置においても、ウエハと吸着面との接触面積が小さいとはいえ、その間に異物が介在する可能性を完全になくすことは不可能である。前記従来の吸着装置において、ウエハと凸部の先端面との間に異物が介在すると、やはりその箇所付近においてウエハが変形して隆起してしまい、種々の不都合が生ずることになる。
【０００８】
以上、被吸着物がウエハである例について説明したが、他の被吸着物についても同様である。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、異物による影響を低減し、吸着状態における被吸着物の被吸着面の平坦度を安定して高めることができる吸着装置、及び、これに用いられる吸着装置用シートを提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、部分的な過剰研磨を防止することができる研磨装置を提供することを目的とする。
【００１１】
さらに、本発明は、従来の半導体デバイス製造方法に比べて、歩留りが向上し低コストで半導体デバイスを製造することができる半導体デバイス製造方法、及び低コストの半導体デバイスを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による吸着装置は、被吸着物を真空吸着することにより前記被吸着物を保持する吸着装置において、先端面が実質的に同じ高さとなるように形成された複数の凸部を有し剛性を持つ吸着基材と、前記複数の凸部の各々の先端面上に付着された弾性層と、を備えたものである。
【００１３】
本発明の第２の態様による吸着装置は、前記第１の態様において、前記複数の凸部がピン状又は凸条をなすように形成されたものである。
【００１４】
本発明の第３の態様による吸着装置は、前記第１又は第２の態様において、前記弾性層は、実質的に前記複数の凸部の各々の先端面上のみに位置するものである。
【００１５】
本発明の第４の態様による吸着装置は、前記第１又は第２の態様において、前記弾性層は、前記複数の凸部間の凹部上を跨がるように、全体としてシート状に連続して形成され、前記弾性層には、前記凹部を前記被吸着物側に連通させる複数の透孔が形成されたものである。
【００１６】
本発明の第５の態様による吸着装置用シートは、被吸着物を真空吸着することにより前記被吸着物を保持する吸着装置であって、先端面が実質的に同じ高さとなるように形成された複数の凸部を有し剛性を持つ吸着基材を備えた吸着装置に、用いられるものである。そして、第５の態様による吸着装置用シートは、全体としてシート状に連続して形成された弾性層を備え、使用時に前記複数の凸部の各々の先端面上に前記弾性層の対応箇所が付着されて、前記弾性層の他の箇所が前記複数の凸部間の凹部上を跨るように、構成され、前記弾性層には、前記凹部を前記被吸着物側に連通させる複数の透孔が形成されたものである。
【００１７】
本発明の第６の態様による吸着装置用シートは、前記第５の態様において、前記複数の凸部がピン状又は凸条をなすように形成されたものである。
【００１８】
本発明の第７の態様による研磨装置は、研磨体と吸着装置により保持された被研磨物との間に荷重を加えつつ、前記研磨体と前記被研磨物とを相対移動させることにより、前記被研磨物を研磨する研磨装置において、前記吸着装置が前記第１乃至第４のいずれかの態様による吸着装置であるものである。
【００１９】
本発明の第８の態様による半導体デバイス製造方法は、前記第７の態様による研磨装置研磨装置を用いて、半導体ウエハの表面を平坦化する工程を有するものである。
【００２０】
本発明の第９の態様による半導体デバイスは、前記第８の態様による半導体デバイス製造方法により製造されるものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による吸着装置、吸着装置用シート、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法について、図面を参照して説明する。
【００２２】
［第１の実施の形態］
【００２３】
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態による吸着装置１を示す概略断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）中の一部を拡大した概略断面図である。図２は、図１に示す吸着装置１の概略平面図である。
【００２４】
本実施の形態による吸着装置１は、被吸着物としてのウエハＷを吸着して保持する、いわゆるウエハチャックとして構成されている。
【００２５】
この吸着装置１は、図１及び図２に示すように、円盤状の吸着基材２と、弾性層３とを備えている。
【００２６】
吸着基材２は、例えばセラミック又はステンレスなどで構成され、剛性を有している。吸着基材２の上面側（吸着面側）には、多数のピン状をなす凸部２ａが形成されている。これらの凸部２ａは、吸着基材２の上面の全体に渡って平坦に分布している（平坦度：数μｍ）。また、吸着基材２の上面側には、外周に沿って、円環状の凸条をなす凸部２ｂも形成されている。凸部２ａ，２ｂの上面（先端面）の高さは全て同一とされ、これらの上面は高い精度で同一平面内に位置するようになっている。例えば、凸部２ａ，２ｂの高さは数百μｍ程度、凸部２ａ，２ｂの幅は数ｍｍ程度とされる。
【００２７】
吸着基材２の上面側において、凸部２ａ，２ｂ間の凹部４における複数箇所で、連通口５が開口している。吸着基材２の下面には、接続口６が開口している。
吸着基材２の内部には、これらの連通口５及び接続口６間を連通する通路７が形成されている。なお、図１（ａ）は、図２中のＡ−Ａ’線に沿った断面を示している。ただし、この断面には連通口５、接続口６及び通路７は現れないが、図１（ａ）では、理解を容易にするため、これらも併せて示している。
【００２８】
本実施の形態では、弾性層３として、厚さ数百μｍ程度の不織布が用いられている。もっとも、弾性層３の材料は不織布に限定されるものではなく、例えば、ゴムや樹脂など適当な弾性を有する材料を用いることができる。それらの材料片自体を弾性層３として用いてもよいし、例えば、繊維やゴムや樹脂を細分化したものを多数、接着剤（例えば、ゴム系接着剤、エポキシ系接着剤など）で凸部２ａ，２ｂ上に接着したものを、弾性層３として用いてもよい。
【００２９】
本実施の形態では、弾性層３は、両面接着テープ８で凸部２ａ，２ｂの上面に接着されている。もっとも、両面接着テープ８に代えて、例えば接着剤を用いてもよい。また、本実施の形態では、弾性層３は、実質的に凸部２ａ，２ｂの上面上のみに位置し、凸部２ａ，２ｂと１対１に設けられ、それぞれが分離されている。なお、分離された各弾性層３は、凸部２ａ，２ｂの上面から適宜はみ出してもよい。
【００３０】
次に、本実施の形態による吸着装置１の製造方法の一例について、図３を参照して説明する。図３は、図１に示す吸着装置１の一つの製造工程を模式的に示す概略断面図である。
【００３１】
まず、前述した構造を持つ吸着基材２を用意する。また、弾性層３となるべき不織布（以下の説明では、参照符号３を付す。）として、凸部２ｂの外径にほぼ一致した大きさを持つ円形の不織布を用意する。この不織布３を、それと同じ大きさを持つ両面接着テープ８を用いて、図３に示すように吸着基材２の上面側に接着する。実際に接着される箇所は、各凸部２ａ，２ｂの上面である。
【００３２】
その後、図３に示すように、切断具１１を用いて、不織布３及び両面接着テープ８における凹部４上の部分を切り取る。切断具１１は、基材１２と、刃先が凸部２ａ，２ｂの上面の外周付近に適合するように基材１２上に配置された切刃部１３と、から構成されている。したがって、切断具１１は、図３に示すように、凸部２ａ，２ｂに対する位置合わせを行った上で下方に押圧すると、不織布３及び両面接着テープ８を一括して、各凸部２ａ，２ｂ上の部分と凹部４上の部分とに切り分けることができるようになっている。その切断後に、不織布３及び両面接着テープ８における凹部４上の部分を取り除く。これにより、吸着装置１が完成する。
【００３３】
本実施の形態による吸着装置１では、ウエハＷを吸着して保持する場合には、ウエハＷが弾性層３の上面上に載置される。そして、接続口６に接続した接続路を介して接続された真空ポンプ（図示せず）により、凹部４の空間が負圧に引かれる。その結果、図４に示すように、ウエハＷが真空吸着されて弾性層３上に保持される。図４は、図１に示す吸着装置１の、ウエハＷを吸着した状態を模式的に示す概略断面図である。図４（ａ）はウエハと吸着面との間に異物２０がない場合、図４（ｂ）はその間に異物２０がある場合をそれぞれ示している。
【００３４】
このとき、図４（ａ）に示すように、ウエハＷと弾性層３との間に異物２０が介在していない場合、ウエハＷの下面が平坦に保持される。これは、弾性層３が上面の高さの揃った剛性を有する凸部２ａ，２ｂによって支持されているためである。また、図４（ｂ）に示すように、ウエハＷと弾性層３との間に例えばμｍオーダーの異物２０が介在している場合にも、ウエハＷの下面が平坦に保持される。これは、弾性層３が有する弾性によって、異物２０が弾性層３内に埋没するためである。
【００３５】
ここで、本実施の形態による吸着装置１と比較される比較例による吸着装置について説明する。この比較例は、図１に示す吸着装置１において接着テープ８及び弾性層３を除去した吸着装置であり、前述した従来技術に相当している。図５は、この比較例による吸着装置の、ウエハＷを吸着した状態を模式的に示す概略断面図であり、ウエハＷと吸着面との間に異物２０がある場合を示している。
【００３６】
この比較例では、ウエハＷと凸部２ａ，２ｂ（図示の例では、凸部２ａ）との間に異物２０が介在すると、凸部２ａ，２ｂが剛性を有しているため、図５に示すように、異物２０が存する箇所付近において、ウエハＷが変形して隆起してしまう。
【００３７】
このように、前記比較例では、ウエハＷと吸着面との間に異物２０が介在すると、その箇所付近においてウエハＷが変形して隆起してしまうのに対し、本実施の形態では、ウエハＷと吸着面との間に異物２０が介在しても、ウエハＷが異物２０によって変形することがなく、ウエハＷの下面（被吸着面）を平坦にすることができる。このように、本実施の形態によれば、異物２０による影響を低減し、吸着状態におけるウエハＷの被吸着面の平坦度を安定して高めることができる。
【００３８】
［第２の実施の形態］
【００３９】
図６は、本発明の第２の実施の形態による吸着装置２１を示す概略平面図である。図６において、図１及び図２中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００４０】
本実施の形態による吸着装置２１が前記第１の実施の形態による吸着装置１と異なる所は、吸着基材２の上面側には、ピン状をなす凸部２ａに代えて、複数の円環状の凸条をなす凸部２ｃが形成されている点と、これに応じて連通口５の数及び配置が変更されている点である。複数の凸部２ｃは、外周部に配置された円環状の凸条をなす凸部２ｂと同心となるように、配置されている。なお、本実施の形態では、凸部２ａの場合と同様に、凸部２ｃの上面には弾性層３が付着されている。
【００４１】
本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００４２】
なお、吸着基材２上の凸部のパターンは、吸着装置１，２１のパターンに限定されるものではない。例えば、図６に示す凸部２ｃを、円周方向の途中（例えば、９０゜ずつの位置）で途切れるようなパターンで形成してもよい。
【００４３】
［第３の実施の形態］
【００４４】
図７（ａ）は、本発明の第３の実施の形態による吸着装置３１を示す概略断面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）中の一部を拡大した概略断面図である。図８は、図７に示す吸着装置３１の概略平面図である。ただし、図８では、理解を容易にするため、弾性層３及び両面接着テープ８の図示を省略し、それらにそれぞれ形成された透孔３ａ，８ａを黒丸で示している。なお、図７は、図８中のＢ−Ｂ’線に沿った断面を示している。ただし、この断面には連通口５、接続口６、通路７及び透孔３ａ，８ａは現れないが、図７では、理解を容易にするため、これらも併せて示している。
【００４５】
図７及び図８において、図１及び図２中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。本実施の形態による吸着装置３１が前記第１の実施の形態による吸着装置１と異なる所は、以下に説明する点のみである。
【００４６】
前記第１の実施の形態では、弾性層３が凸部２ａ，２ｂの上面上のみに位置するのに対し、本実施の形態では、弾性層３は、図７及び図８に示すように、弾性層３が凸部２ａ，２ｂの上面上に位置するだけでなく、凸部２ａ，２ｂ間の凹部４上を跨るように、全体としてシート状に連続して形成されている。そして、弾性層３には、凹部４を上側（ウエハＷ側）に連通させる複数の透孔３ａが形成されている。これらの透孔３ａは、吸着基材２の上面側の全体に渡って略々均等に分布している。また、両面接着テープ８は、弾性層３の下面の全体に付着されている。両面接着テープ８には、弾性層３の透孔３ａと一致する透孔８ａが形成されている。
【００４７】
本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。なお、ウエハＷの吸着時に、弾性層３における凹部４上の部分とウエハＷとの間に異物が介在しても、この異物はウエハＷの下面の平坦性に何ら影響を与えない。
これは次の理由による。弾性層３における凹部４上の部分とウエハＷとの間に介在した異物は、弾性層３における凸部２ａ，２ｂ上の部分とウエハＷとの間に介在した異物２０の場合と同様に弾性層３の弾性に従って弾性層３に埋没するだけでなく、弾性層３における凹部４上の部分は凸部２ａ，２ｂにより支持されていないことから、より十分に当該異物が下方へ逃げ得るからである。
【００４８】
また、本実施の形態によれば、弾性層３は、各凸部２ａ，２ｂに１対１に対応してそれぞれ分離されているのではなく、全体としてシート状に連続して形成されている。このため、例えば図９に示すような吸着装置用シート４１を用意することにより、本実施の形態による吸着装置３１の製造や弾性層３の交換を、より簡単に行うことができる。
【００４９】
図９（ａ）は吸着装置用シート４１を示す概略平面図、図９（ｂ）はその一部拡大断面図である。図９に示す吸着装置用シート４１は、図７及び図８中の弾性層３と両面接着テープ８との組み合わせ体と、両面接着テープ８の下面に付着された剥離紙４２とから構成されている。図９に示す吸着装置用シート４１は本発明による吸着装置用シートの一例である。
【００５０】
この吸着装置用シート４１は、例えば、次のような工程で製造することができる。まず、ある程度広い面積の弾性層３となるべき不織布を用意する。この不織布の一方の面に両面接着テープ８を接着し、更に、両面接着テープ８の露出面上に剥離紙４２を付着する。次いで、この一体化された不織布、両面接着テープ８及び剥離紙４２に対して一括して穴あけ加工を施すことで、前記透孔３ａ，８ａ，４２ａを同時に穿設する。最後に、一体化され更に透孔３ａ，８ａ，４２ａが穿設された不織布、両面接着テープ８及び剥離紙４２から、吸着基材２の凸部２ｂの径とほぼ同じ径の円形部分を切り取る。これにより、図９に示す吸着装置用シート４１が完成する。
【００５１】
本実施の形態による吸着装置３１を製造したり弾性層３を交換する場合には、吸着装置用シート４１から剥離紙４２を剥離し、剥離紙４２が取り除かれた吸着装置用シート４１を、その露出した両面接着テープ８を利用して吸着基材２の上面側に接着すればよい。このようにして、極めて容易に吸着装置３１を製造したり交換したりすることができる。
【００５２】
また、吸着基材２に相当するもので構成されかつ弾性層３及び両面接着テープ８に相当するものを有していない既存の吸着装置に合わせて、図９に示す吸着装置用シート４１を作製しておけば、その既存の吸着装置を、極めて簡単に本発明による吸着装置に変えることができ、前述した利点を簡単に得ることができる。
したがって、この点からも、図９に示すような吸着装置用シート４１の技術的な意義は顕著である。
【００５３】
なお、前記第１の実施の形態を変形して本実施の形態を得たのと同様の変形を、前記第２の態様に適用することもできる。
【００５４】
［第４の実施の形態］
【００５５】
図１０は、本発明の第４の実施の形態による研磨装置を模式的に示す概略構成図である。
【００５６】
本実施の形態による研磨装置は、研磨工具５１と、研磨工具５１の下側に被研磨物としてのウエハＷを保持するウエハチャック５２と、研磨工具５１に形成した供給路（図示せず）を介してウエハＷと研磨工具５１との間に研磨剤（スラリー）を供給する研磨剤供給部（図示せず）と、備えている。
【００５７】
研磨工具５１は、アクチュエータとして電動モータ等を用いた図示しない機構によって、図１０中の矢印ａ，ｂ，ｃで示すように、回転、上下動及び左右に揺動（往復動）できるようになっている。ウエハチャック５２は、アクチュエータとして電動モータ等を用いた図示しない回転テーブル５３によって、図１０中の矢印ｔで示すように、回転できるようになっている。図面には示していないが、ウエハチャック５２の接続口６（図１参照）は、回転テーブル５３内の通路を経由して真空ポンプ（図示せず）に接続されている。研磨工具５１は、研磨パッド等からなる研磨体５４と、研磨体５４における研磨面（図１０中の下面）と反対側の面（図１０中の上面）を支持する基材５５とを有している。
【００５８】
そして、本実施の形態では、ウエハチャック５２として、前述した第１乃至第３の実施の形態による吸着装置１，２１，３１のうちのいずれかが用いられる。
【００５９】
ここで、本実施の形態によるウエハＷの研磨について説明する。研磨工具５１は、回転しながら揺動しつつ、研磨工具５１の研磨体５４がウエハチャック５２上のウエハＷの上面に所定の圧力（荷重）で押し付けられる。回転テーブル５３によりウエハチャック５２を回転させてウエハＷも回転させ、ウエハＷと研磨工具５１との間で相対運動を行わせる。この状態で、研磨剤が研磨剤供給部からウエハＷと研磨体５４との間に供給され、その間で拡散し、ウエハＷの被研磨面を研磨する。すなわち、研磨工具５１とウエハＷの相対運動による機械的研磨と、研磨剤の化学的作用が相乗的に作用して良好な研磨が行われる。
【００６０】
本実施の形態によれば、ウエハチャック５２として、前述した吸着装置１，２１，３１のうちのいずれかが用いられているので、図４（ｂ）に示すように、ウエハＷと弾性層３との間にゴミや研磨剤や研磨粉などの異物２０が介在している場合にも、ウエハＷの下面が平坦に保持され、異物２０の箇所付近においてウエハＷが隆起しない。したがって、ウエハＷの異物２０の箇所付近が過剰に研磨されるようなことがなく、ウエハＷを適切に研磨することができる。前述した図５に示すようにウエハＷが異物２０により隆起してしまうと、その箇所付近が過剰に研磨されてしまい、当該ウエハＷは不良品となる。よって、本実施の形態によれば、ウエハＷの部分的な過剰研磨を防止することができ、ウエハＷの歩留りが向上する。
【００６１】
［第５の実施の形態］
【００６２】
次に、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施の形態について説明する。図１１は、半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。半導体デバイス製造プロセスをスタートして、まずステップＳ２００で、次に挙げるステップＳ２０１〜Ｓ２０４の中から適切な処理工程を選択する。選択に従って、ステップＳ２０１〜Ｓ２０４のいずれかに進む。
【００６３】
ステップＳ２０１はシリコンウエハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップＳ２０２はＣＶＤ等によりシリコンウエハ表面に絶縁膜を形成するＣＶＤ工程である。ステップＳ２０３はシリコンウエハ上に電極膜を蒸着等の工程で形成する電極形成工程である。ステップＳ２０４はシリコンウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。
【００６４】
ＣＶＤ工程（Ｓ２０２）もしくは電極形成工程（Ｓ２０３）の後で、ステップＳ２０９に進み、ＣＭＰ工程を行うかどうかを判断する。行わない場合はステップＳ２０６に進むが、行う場合はステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５はＣＭＰ工程であり、この工程では、本発明に係る研磨装置又は本発明に係る研磨方法を用いて、層間絶縁膜の平坦化や、半導体デバイスの表面の金属膜の研磨によるダマシン（ｄａｍａｓｃｅｎｅ）の形成等が行われる。
【００６５】
ＣＭＰ工程（Ｓ２０５）または酸化工程（Ｓ２０１）の後でステップＳ２０６に進む。ステップＳ２０６はフォトリソグラフィ工程である。この工程では、シリコンウエハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるシリコンウエハへの回路パターンの焼き付け、露光したシリコンウエハの現像が行われる。さらに次のステップＳ２０７は、現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離を行い、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。
【００６６】
次にステップＳ２０８で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップＳ２００に戻り、先のステップを繰り返して、シリコンウエハ上に回路パターンが形成される。ステップＳ２０８で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。
【００６７】
本発明に係る半導体デバイス製造方法では、ＣＭＰ工程において本発明に係る研磨装置を用いているため、半導体デバイスを歩留り良く低コストで製造することができる。また、本発明による半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイスでは、歩留りが高く、かつ、安価な半導体デバイスとなる。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのＣＭＰ工程に本発明による研磨装置を用いても良い。
【００６８】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６９】
例えば、本発明による吸着装置は、投影露光装置（ステッパー）やその他の種々の装置において用いることができる。また、本発明による吸着装置の被吸着物がウエハに限定されるものではなく、ウエハ以外の種々の基板やその他の被吸着物を吸着するように構成してもよい。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、異物による影響を低減し、吸着状態における被吸着物の被吸着面の平坦度を安定して高めることができる吸着装置、及び、これに用いられる吸着装置用シートを提供することができる。
【００７１】
また、本発明によれば、部分的な過剰研磨を防止することができる研磨装置を提供することができる。
【００７２】
さらに、本発明によれば、従来の半導体デバイス製造方法に比べて、歩留りが向上し低コストで半導体デバイスを製造することができる半導体デバイス製造方法、及び低コストの半導体デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による吸着装置を示す概略断面図とその一部拡大断面図である。
【図２】図１に示す吸着装置の概略平面図である。
【図３】図１に示す吸着装置の一つの製造工程を模式的に示す概略断面図である。
【図４】図１に示す吸着装置の、ウエハを吸着した状態を模式的に示す概略断面図である。
【図５】比較例による吸着装置の、ウエハを吸着した状態を模式的に示す概略断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態による吸着装置を示す概略平面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態による吸着装置を示す概略断面図である。
【図８】図７に示す吸着装置の、一部を省略した概略平面図である。
【図９】本発明の一実施の形態による吸着装置用シートを示す図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態による研磨装置を模式的に示す概略構成図である。
【図１１】半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１，２１，３１  吸着装置
２  吸着基材
２ａ，２ｂ，２ｃ  凸部
３  弾性層
３ａ，８ａ，４２ａ  透孔
４  凹部
５  連通口
６  接続口
７  通路
８  両面接着テープ
２０  異物
４１  吸着装置用シート
５１  研磨工具
５２  ウエハチャック
Ｗ  ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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