(57)【要約】【課題】  ＡｒＦエキシマレーザー光に対する透明性が高く、かつ感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性、密着性が優れた化学増幅型のポジ型レジスト組成物を与える新規な重合体又は共重合体及びその単量体として有用な新規化合物を提供する【解決手段】  一般式【化１】2004339521.tif 000012  （Ｒ1は水素原子又はメチル基、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は低級アルキル基）で表わされる２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンアクリレート又はメタクリレート及びその重合体又は共重合体とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
【化１】
2004339521.tif 000008
（式中のＲ1は水素原子又はメチル基、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は低級アルキル基である）
で表わされる２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンアクリレート又はメタクリレート。
【請求項２】
（Ａ）一般式
【化２】
2004339521.tif 000009
（式中のＲ1は水素原子又はメチル基、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は低級アルキル基である）
で表わされる構成単位を含む重合体又は共重合体。
【請求項３】
（Ａ）一般式
【化３】
2004339521.tif 000010
（式中のＲ1は水素原子又はメチル基、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は低級アルキル基である）
で表わされる構成単位と、（Ｂ）一般式
【化４】
2004339521.tif 000011
（式中のＲ5は水素原子又はメチル基、Ｘはｔｅｒｔ‐ブチル基、シクロヘキシル基、２‐ナフチル基、ベンジル基、２‐テトラヒドロピラニル基、３‐シクロヘキサノニル基、２‐ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、１‐トリシクロ［３．３．１．１3,7］デカニル基又は９‐トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル基である）
で表わされる構成単位とを含む請求項２記載の共重合体。
【請求項４】
構成単位（Ａ）及び構成単位（Ｂ）に加えて、さらに（Ｃ）アクリル酸又はメタクリル酸の中から選ばれる単量体から誘導される構成単位を含む請求項３記載の共重合体。
【請求項５】
構成単位（Ａ）を３０〜７０モル％の割合で含む共重合体である請求項１、２又は３記載の共重合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学増幅型ポジ型レジスト組成物の樹脂成分として用いられるアクリル系重合体又は共重合体及びその製造用単量体となる新規な２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンのアクリレート又はメタクリレートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子や液晶素子などの製造においては、化学増幅型レジスト組成物が使用されるようになってきた。この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤の使用量が少なくてよいという利点を有している。
【０００３】
この化学増幅型レジストにはポジ型とネガ型の２つのタイプがあり、これらは、一般に、酸発生剤と、発生する酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する被膜形成成分とを基本成分としている。
【０００４】
これまで、化学増幅型レジストの被膜形成成分（樹脂成分）としては、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）に対して透明性の高いポリヒドロキシスチレンやその水酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護したものが、主として用いられてきた。
【０００５】
しかしながら、近年、半導体素子の微細化がますます進み、それに伴って、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を用いたプロセスから、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を用いたプロセスに移行し始めている。このＡｒＦエキシマレーザー光を用いたプロセスでは、前記ポリヒドロキシスチレンのようなベンゼン環を有する樹脂では、透明性が不十分であって、ほとんど使用不能であるため、ポリメチルメタクリレートなどのアクリル系樹脂が注目されている。
【０００６】
そして、最近透明性と耐ドライエッチング性をともに満足するアクリル系樹脂として、例えば、エステル部にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステル系樹脂（特許文献１参照）、メントールのようなテルペノイド骨格を有するアクリル酸又はメタクリル酸エステル樹脂（特許文献２参照）などエステル部に脂環式炭化水素基を導入したものが提案されている。
【０００７】
しかしながら、前記のアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステル樹脂やメタクリル酸エステル樹脂は高価である上、得られるレジストは感度が低く、レジストパターン形状も十分なものではないし、メントールのようなテルペノイド骨格を有するアクリル酸又はメタクリル酸エステル樹脂を用いたレジストは、耐ドライエッチング性が不十分であるという欠点がある。
【０００８】
一方、ＡｒＦエキシマレーザー光を用いたプロセスにおいては、０．２μｍ以下の超微細パターンの解像性を目的としているが、このような超微細パターンでは基板に対する密着性が重要であり、密着性不足によるパターン倒れの問題がしばしば生じている。
【０００９】
【特許文献１】特開平４−３９６６５号公報（特許請求の範囲その他）
【特許文献２】特開平８−８２９２５号公報（特許請求の範囲その他）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような事情のもとで、ＡｒＦエキシマレーザー光に対する透明性が高く、かつ感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性、密着性が優れた化学増幅型のポジ型レジスト組成物を与える新規な重合体又は共重合体及びその単量体として有用な新規化合物を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、ＡｒＦエキシマレーザー光に感応する、優れた性質を有するポジ型レジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が変化するアクリル系樹脂として、特定の脂環式基をもつアクリル酸又はメタクリル酸エステルを用いて得られた重合体又は共重合体を用いることにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、一般式
【化１】
2004339521.tif 000002
（式中のＲ1は水素原子又はメチル基、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はそれぞれ水素原子又は低級アルキル基である）
で表わされる２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンアクリレート又はメタクリレート及びその重合体又は共重合体を提供するものである。
【００１３】
上記一般式（Ｉ）中のＲ2、Ｒ3及びＲ4の低級アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基などを挙げることができる。これらは直鎖状のものでもよいし、また枝分れ状のものでもよい。これらの中でＲ2が水素原子のものは、化学増幅型ポジ型レジストのアクリル系樹脂を形成させると酸による解離がしにくいアクリル系樹脂を生成する傾向があるので、Ｒ2としては低級アルキル基のものが好ましい。特に好ましいのは、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がいずれもメチル基のものである。この構成単位はエステルを形成している脂環式アルコールの水酸基の隣接位置にカルボニル基を有するため、これを重合又は共重合してアクリル系樹脂としたとき基板との密着性が高められている。
この一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、いずれも文献未載の新規化合物である。
【００１４】
この一般式（Ｉ）で表わされる新規な化合物は、例えば２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンをテトラヒドロフランのような有機溶剤に溶かし、トリエチルアミンのような有機塩基の存在下でアクリル酸クロリド又はメタクリル酸クロリドと反応させることによって製造することができる。
【００１５】
化学増幅型ポジ型レジストの樹脂成分として用いるアクリル系樹脂は、一般式（Ｉ）で表わされる化合物の単独重合体でもよいが、レジスト組成物を調製したときの透明性、耐ドライエッチング性及び密着性を高いレベルでバランスよく調和させるために、共重合体にするのが有利である。
【００１６】
このような共重合体を形成させるために、前記一般式（Ｉ）で表わされる化合物と共重合させる単量体としては、一般式
【化２】
2004339521.tif 000003
（式中のＲ5は水素原子又はメチル基、Ｘはｔｅｒｔ‐ブチル基、シクロヘキシル基、２‐ナフチル基、ベンジル基、２‐テトラヒドロピラニル基、３‐シクロヘキサノニル基、２‐ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、１‐トリシクロ［３．３．１．１3,7］デカニル基又は９‐トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル基である）
で表わされる化合物が用いられる。
【００１７】
このような化合物の例としては、ｔｅｒｔ‐ブチルアクリレート又はメタクリレート、３‐オキソシクロヘキシルアクリレート又はメタクリレート、アダマンチルアクリレート又はメタクリレート、シクロヘキシルアクリレート又はメタクリレート、トリシクロデカニルアクリレート又はメタクリレートなどを挙げることができる。
【００１８】
本発明の共重合体は、一般式（Ｉ）で表わされる化合物、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物に加え、さらにアクリル酸及びメタクリル酸の中から選ばれる単量体を加えて共重合させたものでもよい。
【００１９】
本発明の重合体又は共重合体は、常法に従い、例えばテトラヒドロフランのような有機溶剤中に、所要の単量体を溶解し、アゾビスイソブチロニトリルのような重合開始剤の存在下で、必要に応じ加熱下にかきまぜながら反応させることによって製造することができる。
【００２０】
このようにして得られる重合体又は共重合体は、（Ａ）一般式
【化３】
2004339521.tif 000004
（式中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は前記と同じ意味をもつ）
で表わされる構成単位、及び場合により（Ｂ）一般式
【化４】
2004339521.tif 000005
（式中のＲ5及びＸは前記と同じ意味をもつ）
で表わされる構成単位、場合によりさらに（Ｃ）アクリル酸又はメタクリル酸の中から選ばれる単量体から誘導される構成単位から構成されている。
【００２１】
このような共重合体の中で、構成単位（Ａ）とともに含ませる構成単位（Ｂ）及び構成単位（Ｃ）としては、特にｔｅｒｔ‐ブチルアクリレート又はメタクリレートとアクリル酸又はメタクリル酸とを組み合わせたものが好ましい。
【００２２】
前記共重合体における各構成単位の含有量としては、化学増幅型ポジ型レジストの樹脂成分として用いたとき耐ドライエッチング性、密着性及び未露光部と露光部のコントラストなどに優れるレジスト組成物を与える点から、一般式（ＩＩＩ）で表わされる構成単位（Ａ）を３０〜７０モル％、特に５０〜６５モル％の範囲にするのが好ましく、前記構成単位（Ｂ）は１０〜６０モル％、特に１５〜３０モル％、前記構成単位（Ｃ）は３０モル％以下、特に１０〜２０モル％の範囲で選ばれるのが好ましい。
【００２３】
本発明のヒドロキシビシクロ［３．１．１］ヘプタノン又はその低級アルキル置換体のアクリル酸又はメタクリル酸エステルから誘導される構成単位（Ａ）を含む重合体又は共重合体は文献未載の新規物質であって、これを酸発生剤と組み合わせて含むポジ型レジストは、ＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ感度、レジストパターン形状及び耐ドライエッチング性が優れ、密着性も優れている。
【００２４】
本発明の重合体又は共重合体を樹脂成分として用いる化学増幅型ポジ型レジストにおいては、これを光により酸を生成する酸発生剤と組み合わせて用いるが、この酸発生剤については特に制限はなく、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられる従来公知のものの中から、任意のものを選択して使用することができる。このような酸発生剤の例としては、ビススルホニルジアゾメタン類例えばビス（ｐ‐トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１‐ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４‐ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタンなど、ニトロベンジル誘導体類例えばｐ‐トルエンスルホン酸２‐ニトロベンジル、ｐ‐トルエンスルホン酸２，６‐ジニトロベンジルなど、スルホン酸エステル類例えばピロガロールトリメシレート、ピロガロールトリトシレートなど、オニウム塩類例えばジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、（４‐メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネートなど、ベンゾイントシレート類例えばベンゾイントシレート、α‐メチルベンゾイントシレートなど、ハロゲン含有トリアジン化合物類例えば２‐（４‐メトキシフェニル）‐４，６‐（ビストリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐（４‐メトキシナフチル）‐４，６‐（ビストリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（２‐フリル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジン、２‐［２‐（５‐メチル‐２‐フリル）エテニル］‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐１，３，５‐トリアジンなど、シアノ基含有オキシムスルホネート化合物類例えば、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐（ｐ‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐（４‐ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニドなどを挙げることができる。
【００２５】
これらの酸発生剤の中では、オニウム塩類及びシアノ基含有オキシムスルホネート化合物が好ましい。
【００２６】
このレジスト組成物においては、この酸発生剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよく、また、その含有量は、（Ａ）成分１００重量部に対して、通常０．５〜２０重量部の範囲で選ばれる。この量が０．５重量部未満では像形成性が不十分であるし、２０重量部を超えると均一な溶液が形成されにくく、保存安定性が低下する傾向がみられる。像形成性及び保存安定性などの面から、この（Ｂ）成分の特に好ましい含有量は、（Ａ）成分１００重量部に対して、１〜１０重量部の範囲である。
【００２７】
レジスト組成物は、その使用に当たっては上記各成分を溶剤に溶解した溶液の形で用いるのが好ましい。このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよい。
【００２８】
レジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加物、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、着色剤、界面活性剤などの慣用されているものを添加含有させることができる。
【００２９】
このようにして調製した化学増幅型レジスト組成物を使用するには、従来のホトレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられるが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのような支持体上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなどで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに例えばＡｒＦ露光装置などにより、ＡｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して照射し、加熱する。次いでこれを現像液、例えば０．１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液などを用いて現像処理する。この形成方法でマスクパターンに忠実なパターンを得ることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の重合体又は共重合体を樹脂成分とするポジ型レジスト組成物は、化学増幅型であって、ＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ感度、レジストパターン形状、耐ドライエッジング性が優れるとともに、密着性も良好で、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源とする化学増幅型のポジ型レジストとして、超微細加工が要求される半導体素子などの製造に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
次に実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
【実施例１】
【００３２】
２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノン５０ｇ（０．３モル）及びトリエチルアミン６０ｇ（０．６モル）をテトラヒドロフラン２００ミリリットルに溶解し、十分にかきまぜたのち、これにメタクリロイルクロリド６２．４ｇ（０．６モル）を２５℃で１時間かけて滴下した。
【００３３】
次いで、２５℃にて２４時間反応させたのち、反応液をろ過した。そのろ液中の溶媒を留去させたのち、残存生成物をジエチルエーテル３００ミリリットルに溶解し、１０重量％水酸化ナトリウム水溶液で１０回洗浄した。次いで、ｎ‐ヘプタンを溶媒としてカラムクロマトグラフィーにより精製し、無色の液体として、２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンメタクリレート［一般式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4＝メチル基］を得た。
【００３４】
この生成物の1Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：アセトン−ｄ6）を測定した結果、０．９０ｐｐｍ、１．４０ｐｐｍ、１．６０ｐｐｍ、１．８５〜２．９５ｐｐｍ、５．５ｐｐｍ，５．９７ｐｐｍにピークが認められた。
【実施例２】
【００３５】
実施例１で得た２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンメタクリレート１００ｇ（０．４６モル、全モノマーに対して６０モル％）、ｔｅｒｔ‐ブチルメタクリレート２０ｇ（０．１４モル、全モノマーに対して２０モル％）及びメタクリル酸１２ｇ（０．１４モル、全モノマーに対して２０モル％）をテトラヒドロフラン５６０ｇに溶解し、反応開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル４．５ｇを加え、７５℃にて３時間重合反応させた。
【００３６】
反応終了後、反応物をｎ‐ヘプタン２０リットル中に注加して重合体を析出させ、得られた共重合体を室温下で減圧乾燥した。このようにして、２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンメタクリレートとｔｅｒｔ‐ブチルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体を得た。この共重合体の収量は６０ｇであり、重量平均分子量は１１０００で、分散度は１．６であった。
【００３７】
比較例１
実施例２において、２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンメタクリレートの代わりに、式
【化５】
2004339521.tif 000006
で示されるアダマンチルメタクリレートを用いた以外は、実施例２と同様にして、アダマンチルメタクリレートとｔｅｒｔ‐ブチルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体を得た。この共重合体の収量は４５ｇであり、重量平均分子量は９５００で、分散度は１．５であった。
【００３８】
比較例２
実施例２において、２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンメタクリレートの代わりに、式
【化６】
2004339521.tif 000007
で示されるトリシクロデカニルメタクリレート８７ｇ（０．４０モル、全モノマーに対して５９モル％）を用いた以外は、実施例２と同様にして、トリシクロデカニルメタクリレートとｔｅｒｔ‐ブチルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体を得た。この共重合体の収量は７５ｇであり、重量平均分子量は１１５００で、分散度は１．６であった。
【００３９】
比較例３
メチルメタクリレート３０ｇ（０．３４モル、全モノマーに対して６３モル％）、ｔｅｒｔ‐ブチルメタクリレート１５．７ｇ（０．１１モル、全モノマーに対して２０モル％）及びメタクリル酸７．５７ｇ（０．０９モル、全モノマーに対して１７モル％）をテトラヒドロフラン４００ｇに溶解し、反応開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３．２ｇを加え、７５℃にて３時間重合反応させた。
【００４０】
反応終了後、反応物をｎ‐ヘプタン１０リットル中に注加して重合体を析出させ、得られた共重合体を室温下で減圧乾燥した。このようにして、メチルメタクリレートとｔｅｒｔ‐ブチルメタクリレートとメタクリル酸との共重合体を得た。この共重合体の収量は４０ｇであり、重量平均分子量は１２５００で、分散度は１．７であった。
【００４１】
参考例１
実施例２で得た共重合体１００重量部、ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート２重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６８０重量部に溶解してポジ型レジスト溶液を得た。
【００４２】
次いで、このレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で１５０℃にて９０秒間乾燥することにより、膜厚０．５μｍのレジスト層を形成した。次いで、ＡｒＦ露光装置（ニコン社製）により、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を選択的に照射したのち、１１０℃で９０秒間加熱処理後、０．２３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。
【００４３】
このような操作で形成された０．２５μｍのラインアンドスペースが１：１に形成される露光時間を感度としてｍＪ／ｃｍ2（エネルギー量）単位で測定したところ、２５ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００４４】
さらに、このようにして形成された０．２５μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。また、このような操作で０．２０μｍのレジストパターンまで解像され、パターン倒れはなかった。
【００４５】
次に、酸素とテトラフルオロメタンの混合ガスをエッチングガスとして、エッチング装置ＯＡＰＭ−４０６［東京応化工業（株）製］でドライエッチング処理し、耐ドライエッチング性を単位時間当りの膜減り量で評価したところ、ポリヒドロキシスチレンを１．０とした場合、０．９０であった。
【００４６】
参考例２
実施例２で得た共重合体１００重量部、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド３重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６８０重量部に溶解してポジ型レジスト溶液を得た。
次いで、このレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で１００℃で９０秒間乾燥することにより、膜厚０．５μｍのレジスト層を形成した。次いで、ＡｒＦ露光装置（ニコン社製）により、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を選択的に照射したのち、１００℃９０秒間加熱処理し、次いで０．２３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。
次いで、参考例１と同様な定義の感度を求めたところ、２５ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００４７】
また、このようにして形成された０．２５μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により、観察したところ、基板に対して垂直な矩形のレジストパターンであった。
次に、このような操作で０．２０μｍのレジストパターンまで解像され、パターン倒れはなかった。
さらに、テトラフルオロメタンガスをエッチングガスとして、エッチング装置ＯＡＰＭ−４０６［東京応化工業（株）製］でドライエッチングし、耐ドライエッチング性を単位時間当たりの膜減り量で評価し、ポリヒドロキシスチレンを１．０とした場合、１．１５であった。
【００４８】
参考例３
参考例１において、実施例２で得た共重合体の代わりに比較例１で得た共重合体を用いた以外は、参考例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を調製した。次いで、参考例１と同様にして、レジストパターンを形成し、同様な定義の感度を求めたところ、３５ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００４９】
次に、このようにして形成された０．２５μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により観察したところ、台形状であった。
【００５０】
また、０．２０μｍのレジストパターンは、パターン倒れが生じていた。さらに、実施例１と同様にして耐ドライエッチング性を調べたところ、０．９５であった。
【００５１】
参考例４
参考例１において、実施例２で得た共重合体の代わりに比較例２で得た共重合体を用いた以外は、参考例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を調製した。次いで、参考例１と同様にして、レジストパターンを形成し、同様な定義の感度を求めたところ、３５ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００５２】
次に、このようにして形成された０．２５μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により観察したところ、台形状であった。
【００５３】
また、０．２０μｍのレジストパターンは、パターン倒れが生じていた。さらに、参考例１と同様にして耐ドライエッチング性を調べたところ、０．９５であった。
【００５４】
参考例５
参考例１において、実施例２で得た共重合体の代わりに比較例３で得た共重合体を用いた以外は、参考例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を調製した。次いで、参考例１と同様にして、レジストパターンを形成し、同様な定義の感度を求めたところ、３５ｍＪ／ｃｍ2であった。
【００５５】
次に、このようにして形成された０．２５μｍのレジストパターンの断面形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により観察したところ、台形状であった。
さらに、参考例１と同様にして耐ドライエッチング性を調べたところ、１．５であった。