(57)【要約】【課題】検査対象物との接触が繰り返されてもはんだ転写がなく電気的特性の劣化が抑制されたプローブピンおよびプローブピン装置の提供。本発明によれば、はんだ除去作業が省略可能となって、プローブピンの耐久性および検査作業の効率が著しく向上する。【解決手段】Ｐｄを主成分とし、Ｐｄ以外の添加元素を少なくとも１種類以上含むＰｄ合金からなるプローブピンであって、このプローブピンの先端部の角度２θが１°〜１７９°以内の角度であることを特徴とするＰｄ合金系プローブピン、および上記Ｐｄ合金系プローブピンを複数具備したことを特徴とするプローブピン装置。【選択図】　なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐｄを主成分とし、Ｐｄ以外の添加元素を少なくとも１種類以上含むＰｄ合金からなるプローブピンであって、このプローブピンの先端部の角度２θが１°〜１７９°以内の角度であることを特徴とする、Ｐｄ合金系プローブピン。
【請求項２】
Ｐｄ以外の添加元素がＡｕ、Ａｇ、Ｐｔの少なくとも１種以上から選ばれたものである、請求項１に記載のＰｄ合金系プローブピン。
【請求項３】
Ｐｄ以外の添加元素がＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上から選ばれたものである、請求項１または請求項２に記載のＰｄ合金系プローブピン。
【請求項４】
プローブピン先端部の表面粗さＲａが１０μｍ以下の範囲内である、請求項１〜３いずれかに記載のＰｄ合金系プローブピン。
【請求項５】
プローブピンが曲げ加工が施されたものである、請求項１〜４のいずれかに記載のＰｄ合金系プローブピン。
【請求項６】
プローブピンが、その先端部以外の表面の少なくとも一部に絶縁樹脂が被覆されたものである、請求項１〜５のいずれかに記載のＰｄ合金系プローブピン。
【請求項７】
プローブピンの最大直径が０．０１〜１ｍｍである、請求項１〜６のいずれかに記載のＰｄ合金系プローブピン。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のＰｄ合金系プローブピンを複数具備したことを特徴とする、プローブピン装置。
【請求項９】
プローブピンの間隔が１００μｍ以下である、請求項８に記載のプローブピン装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブピンおよびそれを用いたプローブピン装置に関するものである。さらに詳細には、本発明は、パラジウム合金系のプローブピンおよびそれを用いたプローブピン装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ウエハ上に形成された半導体集積回路や液晶表示装置等の電気的特性の検査を行う際には、複数のプローブピンが配列したプローブピン装置（例えば、プローブカード）が用いられている。この検査は、通常、ウエハ上に形成された検査対象物である半導集積回路素子や液晶表示装置等の複数の端子のそれぞれに、プローブピンを接触させることによって行われている。
【０００３】
このようなプローブピンには、信頼性の高い検査結果が得られるように、繰り返し検査に使用されても同様の検査結果が長期間安定して得られることが求められている。さらに、近年半導体装置等の高集積化に伴う端子の狭ピッチ化に対応するため、プローブピンの細線化および各プローブピンの設置間隔（ピンピッチ）を狭めることが求められている。
【０００４】
従来、そのようなプローブピンとしては、レニウムを含有させたタングステン線を利用したものが提案されている（特開昭１０−２２１３６６号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来のプローブピンは、電気特性が良好でかつ細線化しても満足できる強度を有するものであるが、繰り返して検査に使用されると、場合により検査対象物の端子上のはんだがプローブピンに付着することがある。この現象は所謂はんだ転写と呼ばれているものであるが、このはんだ転写が生じると、プローブピンと端子との接触状態や電気抵抗が変動したり、複数のプローブピン間の電気特性に差が生じたりして、正確な検査結果を得ることが困難になることがある。そこで、正確な検査結果を得るために、プローブピンに付着したはんだを除去するための処理、例えばプローブピン先端部の研磨加工等、が必要になる。
【０００６】
しかし、はんだ除去処理のために検査を中断することは検査を効率的に行ううえで好ましくなく、また研磨加工を行うと先端が削られていくためプローブピン寿命の低下が避けられない。
【０００７】
そして、研磨加工等のはんだ除去処理やこの処理のためにプローブピン装置を脱着するときには、プローブピンの変形や破損を避けるために注意深い作業が必要となっている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、はんだ転写が有効に防止され、安定した電気的特性が長期にわたって得られるプローブピンおよびこのプローブピンを具備するプローブピン装置に関するものである。
【０００９】
したがって、本発明によるＰｄ合金系プローブピンは、Ｐｄ（パラジウム）を主成分とし、Ｐｄ以外の元素を少なくとも１種類以上含むＰｄ合金からなるプローブピンであって、このプローブピンの先端部の角度２θが１°〜１７９°以内の角度であること、を特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明によるプローブピン装置は、上記のＰｄ合金系プローブピンを複数具備したこと、を特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
＜プローブピン＞
本発明によるＰｄ合金系プローブピンは、Ｐｄを主成分とし、Ｐｄ以外の添加元素を少なくとも１種類以上含むＰｄ合金からなるプローブピンであって、このプローブピンの先端部の角度２θが１°〜１７９°以内の角度であること、を特徴とするものである。
【００１２】
ここで「Ｐｄを主成分とする」とは、質量％で換算したとき合金を構成する各元素の中で最も存在比率が高い元素がＰｄであるということを意味する。そのため、必ずしもＰｄ含有量が５０質量％以上である必要はない。
【００１３】
Ｐｄ以外の添加元素の好ましい具体例としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔを例示することができる。本発明でのＰｄ合金は、これらの元素の１種または２種以上を含有することができる。
【００１４】
これらの添加元素（Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ）の合金中の含有量は（２種以上含有するときはその総量で）、Ｐｄ合金の３〜５０質量％、好ましくは１０〜４０質量％、である。上記添加元素を上記範囲で含むことによって、プローブピンが酸化され難くなって耐食性が向上し、また電気抵抗値を安定させることができる。上記添加元素の比率が３質量％未満では添加効果が十分でなく、一方５０質量％を超えるとＰｄ量が相対的に少なくなってＰｄ合金の良さが活かされない。
【００１５】
また、本発明によるプローブピンは、上記の添加元素（即ち、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ）以外の他の添加元素を必要に応じて含むことができる。そのような他の添加元素の好ましい具体例としては、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗを例示することができる。これらの元素の合金中の含有量は（２種以上含有するときはその総量で）、Ｐｄ合金の３〜３０質量％、好ましくは１０〜２０質量％、である。これらの添加元素を上記範囲で含むことによって、プローブピンの硬度が向上して、そのため耐摩耗性が向上する。上記元素の比率が３質量％未満では添加効果が十分でなく、一方３０質量％を超えると硬くなりすぎて加工性が悪くなる。
【００１６】
なお、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔから選ばれた１種または２種以上の添加元素と、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた１種または２種以上の添加元素とを併用する場合、これらの添加元素の総量は、Ｐｄ合金の７０質量％以下、好ましくは７５質量％以下、にすることが好ましい。７０質量％以上の場合は、Ｐｄ量が相対的に少なくなってＰｄ合金の良さが活かされないことがある。一方、Ｐｄ以外の添加元素の総量の下限値は１０質量％以上、さらには２０質量％以上である。
【００１７】
本発明のプローブピンにおいて、Ｐｄ合金中に含まれることのある他の元素の具体例としては、例えば不純物元素としてのＳｉ、ＣおよびＯを挙げることができる。これらの各元素は、電気抵抗値を増大させたり抵抗値のバラツキを大きくする場合があるので、その量は合計で０．１質量％未満にすることが好ましい。
【００１８】
以上のようなＰｄを主成分とするＰｄ合金を用いることにより、適度な硬さを具備したＰｄ合金を形成することができる。適度な硬さを具備しているとプローブピンの強度を保ちつつ先端部の加工性をも向上させることができる。具体的には、ビッカース硬度ＨＶを３２０以上、さらには３２０〜５００の範囲にすることができる。ビッカース硬度ＨＶが３２０未満ではプローブピンとしての強度が十分でなく先端加工時の歩留りが低下するおそれがあると共に繰返して使用する検査に耐えられない場合がある。一方、ＨＶ５００を超えるとプローブピンが硬くなりすぎ先端部の加工に時間がかかり製造性が悪くなる。
【００１９】
なお、本発明のビッカース硬度の測定方法は、荷重５００ｇｆでダイヤモンド圧子を１５秒間押し付ける。これにより生じた圧痕の長さをＸおよびＹ方向に測定し、その平均長さからビッカース硬度値に変換する。このような測定を５回行い、その平均値を本発明のビッカース硬度とする。
【００２０】
また、Ｐｄを主成分とすることにより、従来のＷリッチのＲｅ−Ｗ合金と比べてはんだとの濡れ性が悪くなるのではんだ転写（はんだの付着）を抑制することができる。
【００２１】
そして、本発明によるプローブピンは、プローブピンの先端部の角度２θが１°〜１７９°以内の角度であること、を特徴としているものである。先端部の角度２θは、好ましくは３０°〜９０°である。
【００２２】
ここで、先端部の角度２θは、プローブピン先端部における異なる２つの直径（ｄ１およびｄ２）をレーザー顕微鏡で測定し、そのｄ１、ｄ２の値、および両直径間の距離Ｌとから求められたものである。具体的には、図１に示されるように、プローブピン先端部において、一辺を（ｄ２−ｄ１）／２とし、もう一辺をＬとして直角三角形を描き、三角関数によって角度θを求めて、それを２倍することによって先端部の角度２θを求める。このとき、
ｄ１：先端部において直径１０〜３０μｍの範囲における任意の直径の大きさを示す。
【００２３】
Ｌ：ｄ１とした地点から直線的に横に移動した距離を示す（即ち、ｄ１とｄ２との距離）。Ｌの長さは任意であるが、プローブピン先端部の範囲内とする。
【００２４】
ｄ２：Ｌを決めた地点における先端部の直径を示す。
【００２５】
本発明では、Ｌ値を増加させるにつれてｄ２値の増加が認められる部分をプローブピン先端部といい、プローブピンの直径が実質的に一定である部分をプローブピン胴体部という。尚、本発明では、プローブピン胴体部は無くてもよい。
【００２６】
本発明によるプローブピンは、その先端部が、図１および図２（ａ）のようにＬ値の増加に伴うｄ２値の増加が一定であるものの他に、図２（ｂ）および図２（ｃ）のようにＬ値の増加に伴うｄ２値の増加が段階的に変化するもの、図２（ｄ）のようにＬ値の増加に伴うｄ２値の増加が連続的に変化するもの、などを例示することができる。また、ｄ１からプローブピン突端部までの形状も、図３（ａ）のように三角形状（即ち、長さ方向の断面が三角形状であるもの）の他に、図３（ｂ）のようにＲ形状（長さ方向の断面が弧状であるもの）であるもの、図３（ｃ）のように平坦（長さ方向の断面が台形状であるもの）であるもの、等を例示することができる。
【００２７】
プローブピンの最大直径（即ち、通常胴体部の直径。胴体部が存在しないものである場合にはｄ２の最大値）は、０．０１〜１ｍｍが好ましい。最大直径が０．０１ｍｍ未満では先端部に角度をつけた際に必ずしも強度が十分でなく、一方、１ｍｍを超えるとプローブピンが大型化して挟ピッチのプローブピン装置に適していない。プローブピンの全体長さは３〜１０ｍｍが一般的であるが、特に限定されるものではなく任意に調整することができる。
【００２８】
また、本発明によるプローブピンは、プローブピン先端部の表面粗さＲａが１０μｍ以下の範囲内であるものが好ましい。Ｒａが１０μｍを超えると先端部のアンカー効果が大きくなって、はんだが付着しやすくなる。先端部のＲａが小さい方がはんだが付着しにくくなる点では好ましいが、加工の手間を考慮するとＲａの下限値は０．００５μｍが適当である。ここで、Ｒａは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１（１９９４）によるものである。Ｒａを上記範囲内とする方法は任意であって、例えば本発明では、研削加工など任意の方法によって行うことができる。尚、本発明によるプローブピンは、それが半導体回路等の検査に使用された際に、はんだと接触することのない部分、例えばプローブピンの胴体部、の表面粗さＲａは１０μｍ以下である必要はない。つまり、先端部のＲａが１０μｍ以下であることが重要なのである。
【００２９】
そして、本発明によるプローブピンには、検査の際に電気的接触が必要とされない部分、例えば先端部以外の表面、の少なくとも一部に、必要に応じて絶縁性被覆層を設けることができる。そのような絶縁性被覆層は、エポキシ樹脂、テフロン等のフッ素系樹脂、シリコーン樹脂などの絶縁性の高い樹脂によって形成することが好ましい。絶縁性被覆層の厚さは２〜１０μｍが適当である。　２μｍ未満の場合には、プローブピンの屈曲や他のプローブピンとの接触によって被覆層が損傷して絶縁性が保てなくなる場合があり、一方、１０μｍ超過する場合は、挟ピッチのプローブピン装置への適用が困難になり、またプローブピンの柔軟性低下や重量増加によって、検査対象物との接触精度が低下する心配がある。特にプローブピンを複数並列して使用する場合やプローブピン同士の間隔（ピッチ）を１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下と挟ピッチ化する場合は絶縁性被覆層を設けることが好ましい。
【００３０】
また、本発明によるプローブピンは直線状のものであっても、プローブピンの一箇所または複数箇所で屈曲ないし湾曲などの曲げ加工が施されているものであってもよい。本発明では、特に曲げ加工されて、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように屈曲ないし湾曲しているものが好ましい。このような加工によってプローブピンにばね性を持たせることができる。
【００３１】
このようにばね性を持たせることによって、プローブピン装置に組込んで検査に使用する際に、プローブピン先端部の摩耗が低減しかつプローブピン接触時の衝撃が低減して耐久性が向上すると共に、プローブピンと検査対象物との接触状態を安定させることができる。なお、プローブピンの屈曲角度あるいは湾曲の程度は、例えばプローブピンの長さ、太さ、先端部の形状、検査対象物との接触角、プローブピンの配置位置、ならびに検査対象物の大きさ、形状、その端子位置やピッチ等に応じて決定することができる。
【００３２】
このように屈曲ないし湾曲しているプローブピンは、検査対象物との接触の際にたわみが生じて、特に狭ピッチのプローブピン装置の場合には、そのプローブピンと近傍の他のプローブピンとが干渉することがある。前記の絶縁性被覆層が形成されたプローブピンは、プローブピンが干渉し接触した場合にも各プローブピン間の電気的絶縁性が良好に維持されているものである。
【００３３】
＜プローブピン装置＞
本発明によるプローブピン装置は、上記のプローブピンを複数具備したことを特徴とするものである。従って、本発明によるプローブピン装置は、少なくとも２本の前記プローブピンを具備するものである。
【００３４】
図５および図６は、本発明によるプローブピン装置１の好ましい具体例の概要を示すものである。図５には、本発明によるプローブピン２を複数具備するプローブピン装置１の断面が示されている。これらのプローブピン２は、その先端部が鋭角状に加工されかつその胴体部に絶縁性被覆層３を有するものであって、胴体部に曲げ加工による屈曲を有するものである。
【００３５】
各プローブピンの長さ、屈曲角度（屈曲の大きさ）、屈曲方向（屈曲の方向）は、同一であっても異なっていてもよく、それが接触する検査対象物４の端子５との対応関係（検査対象物４の端子５との対応関係は、図５において矢印で示されている）等に応じて適宜決定することができる。例えばプローブピンが平行に配置され、かつプローブピンが狭ピッチで（即ち、プローブピン間距離が短く）配置されているプローブピン装置の場合には、プローブピン同士の干渉（接触）が避けられるように屈曲方向を同一にすることが好ましい。
【００３６】
プローブピン２と端子５との接触は、通常、プローブピン２が設置された基板６（例えばプローブピンカードの基板）と、端子５を有する検査対象物４とを、両者間の平行状態を維持したまま接近させて行う。これらの各プローブピン１の先端部と各端子５との接触によって、プローブピン先端部と端子５とが電気的に接続されると共に各プローブピン２はたわみ、プローブピン２のばね特性によってプローブピン先端部が端子５に押圧されることになる。
【００３７】
図６は、ウエハ上に形成された検査対象物の検査に適したプローブピン装置７の一つの具体例の概要を示す斜視図である。この図６の本発明によるプローブピン装置７では、プローブピン２は、基板８の貫通孔９の縁に平行に配置されている。
【００３８】
この図６に示されるプローブピン装置７は、ウエハ上に形成された多数の集積回路のうち、一列の集積回路を同時に検査するものである。具体的には、このプローブピン装置７は、先ず、ウエハ上の一列の複数の集積回路１０のそれぞれの端子にプローブピンを接触させてこれら一列の集積回路１０の検査を同時に行い、次いでプローブピン装置７を横にずらして、先に検査を行った隣の一列の集積回路１０’の検査を同時に行うことからなる工程を、繰り返すことによって、ウエハ上の全ての集積回路の検査を効率的に行うものである。
【００３９】
本発明によるプローブピン装置において、プローブピンの間隔は任意である。例えば、本発明では１００μｍ以下とすることができる。本発明によるプローブピンの間隔が１００μｍ以下であるプローブピン装置は、高集積化された例えば半導体集積回路や液晶表示装置等の検査に好適なものである。
【００４０】
上記のような本発明によるプローブピン装置は、そのプローブピンが前記の通りにＰｄ合金からなりかつプローブピン先端部が所定の角度を持つものであることから、はんだ付着が有効に防止され、かつプローブピン先端部と検査対象物の端子とが点接触することによって単位面積あたりの押圧が高くまた安定しているものである。このことから、本発明によるプローブピンおよびプローブピン装置は、繰り返し検査に使用されて検査対象物との接触が繰り返されても電気的特性の劣化が抑制されたものである。
【００４１】
よって、本発明によるプローブピン装置は、従来のようなはんだ除去処理を行うまでもなく、安定した検査結果を得ることができるものである。従って、はんだ除去処理の省略あるいははんだ除去作業のサイクルを延ばすことが可能になって、プローブピンの耐久性および検査作業の効率を著しく向上させることができるものである。
【００４２】
＜プローブピン装置の製造法＞
以下に、本発明によるプローブピン装置の製造法の好ましい一例を示す。
先ず、所定の合金組成を満たすように各原料粉末を混合して原料混合粉末を調製する。この原料混合粉末を溶解法によりインゴットを作製し、次いで、線引き加工、圧延加工、鍛造加工などの方法によって所定の直径を具備するＰｄ合金線材を作製する。これを必要な長さに切断した後、先端部となる個所に切削加工等によって所定の角度（２θ）をつける。その後、必要に応じ、胴体部に絶縁樹脂被覆ならびに曲げ加工を施すことによって、本発明によるプローブピンを製造することができる。
【００４３】
上記で得られたプローブピンを所定のピッチ（間隔）で並べて固定することによって、本発明によるプローブピン装置を作製することができる。
【００４４】
【実施例】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
＜実施例１＞
常法に従って、下記の表１に示される組成のＰｄ合金からなる直径７５μｍの直線状の合金線を得た。この合金線から下記表２に示されるように先端部角度（２θ）を有する長さ（全長）６ｍｍのプローブピンを複数作製した。プローブピン先端部の表面粗さＲａは１．０μｍとした。また、Ｓｉ（珪素），Ｃ（炭素），Ｏ（酸素）の不純物元素量は合計で０．１質量％未満のものを用いた。また、ビッカース硬度ＨＶは４００であった。
【００４５】
上記で作製した各プローブピンに、図４（ａ）のような曲げ加工を施し、これをピッチ５０μｍ間隔で一辺に３０本を平行に並べたプローブピン装置（プローブカード）を作製した。
【００４６】
このプローブピン装置のプローブピン先端部を、ウエハ上に形成された半導体回路の端子に接触させて、はんだ転写の有無を調査した。具体的には、プローブピン先端部と端子との接触を連続的に行い、１０００回接触ごとにプローブピン先端部を観察して、はんだ転写が見られた回数を調査した。
【００４７】
【表１】
2004093355.tif 000002
【表２】
2004093355.tif 000003
以上のように、特にプローブピン先端部の角度２θが３０〜９０°のときに、はんだ転写が最も抑制されることがわかる。
【００４８】
＜比較例１＞
１０質量％Ｒｅ−Ｗ合金（レニウムタングステン合金）を使用した以外は実施例１の試料４（先端部角度２θ＝６０°）と同形状様にして、プローブピンおよびプローブピン装置を作製した。
【００４９】
このプローブピン装置について、実施例１と同様の方法によりはんだ転写の有無を調査した。
【００５０】
【表３】
2004093355.tif 000004
以上のように、本発明プローブピン（実施例１）では、比較例１のプローブピンに比べてはんだ転写が顕著に抑制されていることがわかる。これはＰｄ（実施例）とＷ（比較例）の鉛系はんだとの濡れ性の違いによるものと思われる。
【００５１】
＜実施例２および比較例２＞
下記の表４に示されるＰｄ合金を使用した以外は実施例１の試料４（先端部角度２θ＝６０°）と同様にして、プローブピンおよびプローブピン装置を作製した。
【００５２】
表４中、試料８〜１８は本発明の好ましいを具備するＰｄ合金を示し、試料１９はＰｄ以外の成分量が好ましい範囲より少ないもの、試料２０はＰｄ以外の成分量が好ましい範囲より多いもの、試料２１はＳｉ、ＣおよびＯの合計量が好ましい範囲より多いものとした。
【００５３】
【表４】
2004093355.tif 000005
上記試料８〜２１についてビッカース硬度ＨＶおよび抵抗値の変化を調べた。抵抗値の変化については、１万回検査、７万回検査を行った後のプローブピンの抵抗値と検査前のプローブピンの抵抗値を比較し、変化率が２％未満のもの「良好」、２％〜１０％のものを「普通」、１０％を超えたものを「不良」と表記した。
【００５４】
また、先端部角度（２θ）に研削加工した際の歩留りを測定した。歩留りは、歩留りが８０％以上の場合を「良好」、５０〜８０％未満を「普通」、５０％未満を「不良」と表示した。結果は、表５に示される通りである。
【００５５】
【表５】
2004093355.tif 000006
以上のように、実施例の本発明の好ましい合金組成を具備するプローブピン（試料８〜１８）では、繰返し使用を行ったとしても抵抗値の変化率は小さいことが判明した。
【００５６】
一方、試料１９のようにＰｔ，Ａｕ，Ａｇの少なくとも１種の含有量が３〜５０質量％より少ないものは耐食性が劣ることから繰返し使用していると抵抗値の変化する割合が大きい。また、試料２０のようにＣｏリッチ（Ｃｏが主成分）では硬くなりすぎ先端部に角度を付ける際の歩留りが低下する。
【００５７】
また、試料２１のようにＳｉ、Ｃ、Ｏの総量が１質量％と高いものは各データは普通であるが、素材そのものの抵抗値が高くなることから必ずしもよい材料とは言えない。
【００５８】
以上のことから抵抗値の変化率や歩留りを考慮すると、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇの少なくとも１種を３〜５０質量％含有し、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種を３〜３０質量％含有すると共に、Ｐｄを主成分とするＰｄ合金を用いることが好ましいと言える。特に、表面粗さＲａを１０μｍ以下と研磨加工する場合には強度がＨＶ３２０〜５００程度の範囲になっていることが好ましいと言える。
【００５９】
＜実施例３＞
プローブピン先端部の表面粗さＲａを下記表６のように代える以外は実施例１の試料４（先端部角度２θ＝６０°）と同様にして、プローブピンおよびプローブピン装置を作製した。
【００６０】
このプローブピン装置について、実施例１と同様の方法によりはんだ転写の有無を調査した。
【００６１】
【表６】
2004093355.tif 000007
以上のように表面粗さＲａは０．００５〜１０μｍが好ましい。また、加工性（加工し易さ）を考慮すると、Ｒａは０．１〜１０μｍが好ましいことが判る。
【００６２】
＜実施例４＞
プローブピンの直径を下記表７のように代える以外は実施例１の試料４（先端部角度２θ＝６０°）と同様にして、プローブピンおよびプローブピン装置を作製した。
【００６３】
このプローブピン装置について、実施例１と同様の方法で１０万回接触させた時のはんだ転写の有無を調査した。
【００６４】
【表７】
2004093355.tif 000008
以上のように、本発明によるプローブピンは、直径が３００μｍ以下、さらには２０〜１００μｍと細い場合においても効果的に機能する。このように、直径が小さいプローブピンであっても本発明の効果が認められるので、本発明は挟ピッチのプローブピン装置に適用できる。
【００６５】
＜実施例５＞
エポキシ樹脂を被覆した以外は実施例１の試料４（先端部角度２θ＝６０°）と同様にしてプローブピンおよびプローブピン装置を作製した。
【００６６】
このプローブピン装置について、実施例１と同様の方法で１０万回接触させた時の、隣接する他のプローブピンとの接触不良の有無を確認した。
【００６７】
【表８】
2004093355.tif 000009
以上のように絶縁樹脂被覆を施すことにより、隣接するピンの間隔（ピッチ）が１００μｍ以下と挟ピッチ化した場合であっても十分機能することが分かった。
【００６８】
＜実施例６＞
曲げ加工を施さない以外は実施例１の試料４（先端部角度２θ＝６０°）と同様にしてプローブピンおよびプローブピン装置を作製した。
【００６９】
このプローブピン装置について、実施例１と同様の方法で２０万回接触させた時の、ピンの接合部にクラックが入るなどの不具合が発生したかどうかを確認した。
【００７０】
【表９】
2004093355.tif 000010
以上のように曲げ加工を施すことによってプローブピン装置の耐久性が向上することが判明した。これは曲げ加工を施すことにより、プローブピンのばね性が向上し、コンタクト時にプローブヒンの接合部分に加わる応力が緩和されたためである。
【００７１】
【発明の効果】
本発明によるプローブピンは、Ｐｄ合金からなりかつプローブピン先端部が所定の角度を持つものであることから、はんだ付着が有効に防止されたものである。このことから、本発明によるプローブピンおよびプローブピン装置は、繰り返し検査に使用されて、検査対象物との接触が繰り返されても電気的特性の劣化が抑制されたものである。
【００７２】
よって、従来のようなはんだ除去処理を行うまでもなく、安定した測定結果を得ることができるので、はんだ除去処理の省略あるいははんだ除去作業のサイクルを延ばすことが可能になって、プローブピンの耐久性および検査作業の効率を著しく向上させることができる。
【００７３】
さらに、プローブピンの細線化および各プローブピンの設置間隔（ピンピッチ）を狭めることが可能なので、近年半導体装置等の高集積化に伴う端子の狭ピッチ化に対応することが容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプローブピンの先端部角度２θを示す断面図。
【図２】本発明のプローブピンの先端部形状を示す断面図。
【図３】本発明のプローブピンの先端部形状を示す断面図。
【図４】本発明の曲げ加工されたプローブピンの断面図。
【図５】本発明のプローブピン装置の断面図。
【図６】本発明のプローブピン装置の斜視図。
【符号の説明】
１、７　プローブピン装置
２　プローブピン
３　絶縁性被覆層
４、１０，１０’　検査対象物
５　端子
６、８　基板
９　貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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