(57)【要約】      （修正有）【課題】セミアディティブ方式を利用してメッキ引込線なしにワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを電解金メッキするパッケージ基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ａ)ベース基板の全面と貫通孔の内壁を銅メッキして第１銅メッキ層を形成する；ｂ)第１メッキ用レジストを塗布した後、その第１メッキ用レジストを部分的に除去する；ｃ)第２銅メッキ層を形成する；ｄ)第１メッキ用レジストを剥離する；ｅ)第２メッキ用レジストを除去する；ｆ)第１銅メッキ層部分をエッチング除去する；ｇ)第２銅メッキ層部分を電解金メッキして前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを形成する；ｈ)第２メッキ用レジストを除去する；ｉ)第１銅メッキ層部分を、除去する；および、ｊ)全面にソルダレジストを塗布し、前記ワイヤーボンディングパッドを覆っている部分の前記ソルダレジストを除去する段階；を含む。【選択図】図６
2004256908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）複数の導通孔が形成されているベース基板の全面と貫通孔の内壁を銅メッキして第１銅メッキ層を形成する段階；
ｂ）前記第１銅メッキ層上に第１メッキ用レジストを塗布した後、その第１メッキ用レジストを部分的に除去してパターンがメッキされる部位に該当する第１銅メッキ層の部分を露出させる段階；
ｃ）前記第１銅メッキ層の露出部分を銅メッキして第２銅メッキ層を形成する段階；
ｄ）前記第１銅メッキ層に残存する前記第１メッキ用レジストを剥離する段階；
ｅ）前記段階ｄ）の完了後に得られる構造の全面に第２メッキ用レジストを塗布し、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分の前記第２メッキ用レジストを除去する段階；
ｆ）前記第２メッキ用レジストで覆われずに露出された第１銅メッキ層部分をエッチング液を使って除去する段階；
ｇ）前記第２メッキ用レジストで覆われずに露出された第２銅メッキ層部分を電解金メッキ（Ｎｉ−ＡｕＰｌａｔｉｎｇ）して前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを形成する段階；
ｈ）前記構造上に残存する前記第２メッキ用レジストを剥離液を使って除去する段階；
ｉ）前記第２メッキ用レジストが除去された部位に露出された前記第１銅メッキ層部分を、エッチング液を使って除去する段階；および、
ｊ）前記段階ｉ）の完了後に得られる構造の全面にソルダレジストを塗布し、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを覆っている部分の前記ソルダレジストを除去する段階；
を含めてなる、メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１銅メッキ層は、無電解銅メッキされることを特徴とする請求項１記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２銅メッキ層は、パターンが形成される電解銅メッキ層であることを特徴とする請求項１記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２メッキ用レジストは、金メッキ用ドライフィルムであることを特徴とする請求項１記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
【請求項５】
前記電解金メッキされる厚さは、０．５〜１．５μｍであることを特徴とする請求項１記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１銅メッキ層は、前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッドを金メッキするときメッキ引込線の役割をすることを特徴とする請求項１記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
【請求項７】
ａ）多数の導通孔が形成されているベース基板；
ｂ）前記ベース基板上の所定部分と前記導通孔の内壁に銅メッキされている第１銅メッキ層；
ｃ）前記第１銅メッキ層上に形成されて回路パターンを形成するパターンメッキ層；
ｄ）前記ベース基板の上面上の前記パターンメッキ層の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるワイヤーボンディングパッド；
ｅ）前記ベース基板の下面上の前記パターンメッキ層の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるソルダボールパッド；および
ｆ）前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッド以外のベース基板とパターンメッキ層に塗布されるソルダレジスト；
を含み、
前記パターンメッキ層は、前記導通孔周辺を除く第１銅メッキ層部分上にレジストを塗布した後、前記レジストが存在しない部位の第１銅メッキ層部分に第２銅メッキ層をセミアディティブ方式で形成してなることを特徴とする、メッキ引込線なしに電解金メッキされたパッケージ基板。
【請求項８】
前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドは、前記第１銅メッキ層に電流を流して金メッキされた金メッキ層であることを特徴とする請求項７記載のメッキ引込線なしに電解金メッキされたパッケージ基板。
【請求項９】
前記第１銅メッキ層は、前記電解金メッキされるワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを金メッキするときメッキ引込線の役割をすることを特徴とする請求項７記載のメッキ引込線なしに電解金メッキされたパッケージ基板。
【請求項１０】
前記電解金メッキされる厚さは、０．５〜１．５μｍであることを特徴とする請求項７記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板。
【請求項１１】
前記第１銅メッキ層は、無電解銅メッキ層であることを特徴とする請求項７記載のメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板およびその製造方法に関し、さらに詳細には、ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ；以下、‘ＢＧＡ’という）およびＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などのパッケージ基板（ＰａｃｋａｇｅＳｕｂｓｔｒａｔｅ）の電解金メッキにおいて、パッケージ基板に実装される半導体チップと接続されるワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッド（ｓｏｌｄｅｒｂａｌｌ  ｐａｄ）を、セミアディティブ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式を利用してメッキ引込線なしに電解金メッキしてなるパッケージ基板およびその製造方法に関する。
【従来の技術】
近来、集積回路は軽量薄型化しつつあるにもかかわらず、集積回路パッケージから出るリ―ド（ｌｅａｄ）数はむしろ増加する一方である。小型パッケージ用のキャリア上に多数のリ―ドを設置することから起こる問題を解決する方法の一つは、ピングリッドアレイ（ＰｉｎＧｒｉｄ  Ａｒｒａｙ；ＰＧＡ）を有するキャリアを使用することである。しかし、ＰＧＡキャリアは、小型キャリア上に多くのリ―ドを設置することはできるが、ピンまたはリードが弱いので折れやすく、高密度集積に限界がある。
このようなＰＧＡにおける問題を解決するために、最近では、通常、ＢＧＡパッケージ基板を使用しているが、これは、ピン（ｐｉｎ）より微細なソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）を使用して基板の高密度化を容易に実現できるからであり、主として半導体チップを実装するパッケージ基板に適用している。
このような従来のＢＧＡパッケージ基板は、図１に示すように、従来ピン（ｐｉｎ）の代わりにソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）８が形成される構造を持つ。すなわち、銅張積層板（Ｃｏｐｐｅｒ  ＣｌａｄＬａｍｉｎａｔｅ：  以下、‘ＣＣＬ’という）４を多数枚用意し、各ＣＣＬ４上に通常の写真エッチング工程を通じて内層回路を形成し、これら多数ＣＣＬ４を加圧して積層させ、内層回路を導通させるためのビアホール２を加工した後、銅膜３のメッキ作業でビアホール２を導通させ、前記積層されたＣＣＬ構造の外側ＣＣＬ４に半導体チップが接続されるボンドフィンガー（ｂｏｎｄｆｉｎｇｅｒ）１を持つ外層回路６を写真エッチング工程を通じて形成させ、前記外層回路６の反対側のＣＣＬ構造の表面上に、ソルダボールパッド７、ソルダマスク５、ソルダボール８を順に形成させる。
この時、前記半導体チップの接続されるボンドフィンガー１とソルダボール８の接続されるパッド７との電気的な接続状態を向上させるメッキ作業を行うために金メッキ引込線（Ｐｌａｔｉｎｇ  Ｌｅａｄ  Ｌｉｎｅ）を形成する。つまり、各ソルダボール８が接続されるパッド７にそれぞれの金メッキ引込線を連結させると同時に、図示してはいないが、前記パッド７とビアホール２を通じてボンドフィンガー１に連結させる。図２は、従来の技術に係るメッキ引込線によりメッキされたパッケージ基板の平面図であって、ソルダボールパッド８が形成されているパッド７に、メッキ引込線９が連結されている例を示している。ここで、メッキ引込線９の形成される部分は、図１のＡで表される部分である。しかし、これらメッキ引込線により回路の高密度化には制限がある。
一方、前記外層回路６が形成されたＣＣＬ４にはＩ／Ｃチップが実装されて導線を介して前記外層回路６と連結され、その上側に充填材が塗布されて外部環境から保護され、したがって、ＢＧＡパッケージ基板１０は、ＰＧＡ基板と違い、ピンにより主回路基板と連結されるのではなく、ＣＣＬ４のパッド７にソルダボール８が形成されて主回路基板と導通されるので、ＢＧＡはＰＧＡよりも小型化が容易で、結果として基板１０の高密度化が可能になる。
しかし、このような従来のパッケージ基板１０は、現在回路の高密度化およびこの回路を使用する装置の小型化によって前記ＢＧＡパッケージ基板のソルダボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）８のピッチ（ｐｉｔｃｈ）（ソルダボールどうしの間隔）が極めて微細になるとともに、半導体チップが実装されるボンドフィンガー１周辺の回路が高密度化されることから、ボンドフィンガー１とパッド７の金メッキ作業に使用される金メッキ引込線の高密度化を達成し難いという問題を抱えている。
以下、図３ａないし図３ｉを参照して従来技術によってメッキ引込線により金メッキされるパッケージ基板の製造方法について説明する。
まず、ベース基板１１に複数の導通孔、つまり、ビアホール１２を加工し（図３ａ参照）、次いで、前記ベース基板１１の表面と前記導通孔内壁に無電解銅メッキ層１３を形成する（図３ｂ参照）。
その後、パッケージ基板製品に回路を形成するためにベース基板１１に銅メッキ用レジスト１４を塗布、露光および現像してパターンを形成（Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）し、この時、パターンがメッキされる部分のみを銅メッキ用レジストを除去する（図３ｃ参照）。前記ビアホール１２は、前記ベース基板１１に機械的ドリルを使って多数の導通孔を穿孔して形成する。前記銅メッキ用レジスト１４には、通常、ドライフィルムが使用される。
次いで、前記銅メッキ用レジスト１４が除去された部分に回路パターン１５をメッキした後（図３ｄ参照）、前述のように回路パターン１５がメッキされた前記銅メッキ用レジスト１４を剥離液を使用して除去する（図３ｅ参照）。
次いで、前記剥離液により前記銅メッキ用レジスト１４が除去されて露出された部位である前記ベース基板１１上の無電解銅メッキ層１３部分をエッチング液を使って除去する（図３ｆ参照）。ここで、参照符号１６はエッチング液によりエッチングされた部分を表す。
その後、ソルダレジスト１７を結果構造の全面に塗布し、これを露光および現像して電解金メッキされる部分、すなわちワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部位に該当するソルダレジストは除去する（図３ｇ参照）。
次いで、既に形成されたメッキ引込線を介して電流を印加しながら、それぞれの回路に含まれているワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッドに金膜１８をメッキする。この時のメッキは電解金メッキ（Ｎｉ−Ａｕ  Ｐｌａｔｉｎｇ）であって、メッキされる金の厚さは通常、０．５〜１．０μｍ程度である（図３ｇ参照）。
一般に、半導体チップなどが実装されるパッケージ基板を表面処理（Ｍｅｔａｌ  Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）するために、電解金メッキ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ  Ａｕ  Ｐｌａｔｉｎｇ）が主に適用されている。その理由は、信頼性の側面から、電解金メッキが無電解金メッキ（ＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＡｕ  Ｐｌａｔｉｎｇ）に比べて優れているためである。しかし、電解金メッキのためには、前述のように、メッキ引込線を製品に挿入して設計しなければならないが、これは、回路密集度（ＬｉｎｅＤｅｎｓｉｔｙ）を低下させ、高密集度の回路製品の製造に問題を招く。
その後、ルータ（Ｒｏｕｔｅｒ）やダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）を使って前記メッキ引込線を切断する（図３ｈ参照）。ここで、参照符号１９はダイシングが行われる部分である。すなわち、前記電解金メッキ完了後にルータやダイシングでメッキ引込線を切断するが、この時、メッキ引込線がパッケージ基板に残留し、電気信号伝達に際してノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を誘発し、製品の電気的特性（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ）を劣化させる問題がある。
一方、近来、パッケージ基板メーカー等はメッキ引込線を使用することなく電解金メッキ可能な技術を開発することに力を傾注している。また、前述したような電解金メッキ時、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドの両方とも同厚さ（通常、金厚は０．５〜１．５μｍ）に金をメッキしているが、このようにソルダボールパッド側に適正厚さ（金厚さは０．０３〜０．２５μｍ）以上に厚くメッキされた金のため、ソルダボール接合信頼性に問題が起ってしまう。
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、セミアディティブ方式を適用してパッケージ基板製品の回路配線密集度を向上させる、メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板およびその製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、正常的な電解金メッキを行った後、全てのメッキ引込線を除去してノイズ発生を抑制できるようにしたパッケージ基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によるメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法は、ａ）複数の導通孔が形成されているベース基板の全面と貫通孔の内壁を銅メッキして第１銅メッキ層を形成する段階；ｂ）前記第１銅メッキ層上に第１メッキ用レジストを塗布した後、その第１メッキ用レジストを部分的に除去してパターンがメッキされる部位に該当する第１銅メッキ層の部分を露出させる段階；ｃ）前記第１銅メッキ層の露出部分を銅メッキして第２銅メッキ層を形成する段階；ｄ）前記第１銅メッキ層に残存する前記第１メッキ用レジストを剥離する段階；ｅ）前記段階ｄ）の完了後に得られる構造の全面に第２メッキ用レジストを塗布し、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分の前記第２メッキ用レジストを除去する段階；ｆ）前記第２メッキ用レジストで覆われずに露出された第１銅メッキ層部分をエッチング液を使って除去する段階；ｇ）前記第２メッキ用レジストで覆われずに露出された第２銅メッキ層部分を電解金メッキ（Ｎｉ−ＡｕＰｌａｔｉｎｇ）して前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを形成する段階；ｈ）前記構造上に残存する前記第２メッキ用レジストを剥離液を使って除去する段階；ｉ）前記第２メッキ用レジストが除去された部位に露出された前記第１銅メッキ層部分を、エッチング液を使って除去する段階；および、ｊ）前記段階ｉ）の完了後に得られる構造の全面にソルダレジストを塗布し、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを覆っている部分の前記ソルダレジストを除去する段階；を含む。
ここで、前記第１銅メッキ層は、無電解銅メッキされ、前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッドを金メッキするときメッキ引込線の役割を果たす。
ここで、前記第２銅メッキ層は、パターンが形成される電解銅メッキ層である。
好ましくは、前記第２メッキ用レジストは、金メッキ用ドライフィルムである。
好ましくは、前記電解金メッキされる厚さは、０．５〜１．５μｍである。
また、本発明によるメッキ引込線なしに電解金メッキされたパッケージ基板は、ａ）多数の導通孔が形成されているベース基板；ｂ）前記ベース基板上の所定部分と前記導通孔の内壁に銅メッキされている第１銅メッキ層；ｃ）前記第１銅メッキ層上に形成されて回路パターンを形成するパターンメッキ層；ｄ）前記ベース基板の上面上の前記パターンメッキ層の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるワイヤーボンディングパッド；ｅ）前記ベース基板の下面上の前記パターンメッキ層の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるソルダボールパッド；および、ｆ）前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッド以外のベース基板とパターンメッキ層に塗布されるソルダレジスト；を含み、前記パターンメッキ層は、前記導通孔周辺を除く第１銅メッキ層部分上にレジストを塗布した後、前記レジストが存在しない部位の第１銅メッキ層部分に第２銅メッキ層をセミアディティブ方式で形成してなることを特徴とする。
ここで、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドは、前記第１銅メッキ層に電流を流して金メッキされた金メッキ層であることを特徴とする。
ここで、前記第１銅メッキ層は、前記電解金メッキされるワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを金メッキするときメッキ引込線の役割をすることを特徴とする。
前記電解金メッキされる厚さは、０．５〜１．５μｍが好ましい。
【発明の実施の形態】
以下、添付図面をを参照しつつ、本発明の実施例によるメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板およびその製造方法を詳細に説明する。
図６ａないし図６ｋは、それぞれ本発明の実施例による、セミアディティブ方式でメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造工程を示す図であって、本発明に係るメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板およびその製造方法は、下記の通りとなる。
まず、ベース基板３１上に複数の導通孔３２を形成し（図６ａ参照）、前記ベース基板３１の表面と前記導通孔３２の内壁に第１銅メッキ層３３を形成する（図６ｂ参照）。ここで、前記第１銅メッキ層３３は、無電解銅メッキされ、前記ワイヤーボンディングパッドとソルダホールパッドを金メッキさせるメッキ引込線として機能する。
本発明によるベース基板は、単層のＣＣＬ構造を有するものとして示されているが、多数のＣＣＬが積層される多層基板で構成してもいい。このとき、前記ＣＣＬは、エポキシからなる基板に導電性接着剤として銅箔が一体に接合された構成にしてもいい。前記ベース基板３１にはフィルムエッチング工程により内層回路を形成し、この時、前記内層回路は、通常、接地パターンまたは信号処理パターンに構成される。前記導通孔、つまり、ビアホール３２は、ベース基板３１の回路を電気的に連結させるために形成され、導通孔が形成されると前記回路を電気的に連結するために銅メッキ作業により銅メッキ層が形成される。図示のように、銅メッキ層、つまり、第１銅メッキ層３３はベース基板３１の全面とビアホール３２の内部を覆っている。
その後、ベース基板３１の上・下面を覆っている前記第１銅メッキ層３３部分に第１メッキ用レジスト３４を塗布し、パターンの形成される部分に対してのみ前記第１メッキ用レジスト３４を除去して第１銅メッキ層３３を部分的に露出させる（図６ｃ参照）
次いで、前記露出された第１銅メッキ層３３部分を銅メッキして第２銅メッキ層３５を形成する（図６ｄ参照）。前記第２銅メッキ層３５はパターンが形成される電解銅メッキ層である。
その後、前記第１メッキ用レジスト３４を剥離液を使って剥離（Ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）した後（図６ｅ参照）、第２メッキ用レジスト３７を塗布し、ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分の前記第２メッキ用レジスト３７のみ除去して第２銅メッキ層３５を部分的に露出させる（図６ｆ参照）。前記第２メッキ用レジスト３７は金メッキ用ドライフィルムが好ましい。
次いで、前記第２メッキ用レジスト３７で覆われずに露出された第１銅メッキ層３３をエッチング液を使って除去する（図６ｇ参照）。ここで、参照符号３８は第１銅メッキ層３３の除去によりベース基板３１が露出された領域を表す。その後、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分に該当する露出された第２銅メッキ層３５部分に金メッキ層３９を電解金メッキ（Ｎｉ−ＡｕＰｌａｔｉｎｇ）する（図６ｈ参照）。また、前記電解金メッキされる厚さは０．５〜１．５μｍが好ましい。前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドは前記第１銅メッキ層３３に電流を流して金メッキされた金メッキ層３９である。
その後、前記第２メッキ用レジスト３７を剥離液を使って除去し（図６ｉ参照）、前記第２メッキ用レジスト３７が除去された部位に露出された前記第１銅メッキ層３３をエッチング液を使って除去する（図６ｊ参照）。ここで、参照符号４０は前記第１銅メッキ層３３が除去された部位を表す。
最後に、ソルダレジスト４１を塗布し、前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分３９の前記ソルダレジスト４１は除去する（図６ｋ参照）。すなわち、露光および現像工程で前記ワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドが形成される部分に覆われたソルダレジスト４１を除去する。
要するに、本発明によるメッキ引込線なしに電解金メッキされたパッケージ基板は、ａ）多数の導通孔３２が形成されているベース基板３１；ｂ）前記ベース基板３１上の所定部分と前記導通孔３２内に銅メッキされている第１銅メッキ層３３；ｃ）前記第１銅メッキ層３３上に形成されて回路パターンを形成する第２銅メッキ層（パターンメッキ層）３５；ｄ）前記ベース基板３１の上面上の前記第２銅メッキ層３５の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるワイヤーボンディングパッド；ｅ）前記ベース基板３１の下面上の前記第２銅メッキ層３５の所定部分にメッキ引込線なしに電解金メッキされるソルダボールパッド；および、ｆ）前記ワイヤーボンディングパッドとソルダボールパッド以外のベース基板３１と第２銅メッキ層３５に塗布されるソルダレジスト４１；を含めてなる。
本発明によれば、前記導通孔３２周辺を除く第１銅メッキ層３３上にメッキ用レジスト３４を塗布した後、前記メッキ用レジスト３４が存在しない部位の第１銅メッキ層３３上にセミアディティブ（Ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式で前記第２銅メッキ層３５（パターンメッキ層）が形成される。前記セミアディティブ方式については後述するものとする。
一方、図４は、本発明による、メッキ引込線なしにメッキされたパッケージ基板の平面図であって、本発明によるパッケージ基板は、従来技術による図２のパッケージ基板とは違い、ソルダボールパッド２０に連結されるメッキ引込線を使用していない。
図５は、本発明によるメッキ引込線なしにメッキされたパッケージ基板に、電流を流す方式を例示する図であって、前述したように、無電解銅メッキ層３３に電流を流してワイヤーボンディングパッドおよびソルダボールパッドを金メッキする例を示している。
以下、図７ないし図１０を参照して、通常のサブトラクティブ方式および本発明によるセミアディティブ方式を利用する金メッキ方法をそれぞれ説明する。
まず、図７ａないし図７ｆはそれぞれ、通常のサブトラクティブ方式で製造されるプリント配線板の工程を例示する図であり、図８ａおよび図８ｂは通常のサブトラクティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル（Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｐｒｏｆｉｌｅ）断面を示す図である。
まず、通常のサブトラクティブ方式でプリント配線板を製造するために、ベース基板コア５１の両面に１２μｍ程の銅箔５２を形成して構成されるベース基板を用意し（図７ａ参照）、前記ベース基板を機械式ドリルを使って複数個の導通孔５３を形成する（図７ｂ参照）。この時、前記１２μｍ程の銅箔５２を３〜７μｍ程に薄くするエッチング工程が行われてもいい。
その後、前記ベース基板の全面および導通孔５３の内壁に０．５μｍ程度の無電解銅箔層５４を形成し（図７ｃ参照）、再び１５μｍ程度の電解銅箔層５５を前記無電解銅箔層５４上に形成する（図７ｄ参照）。
次いで、１５μｍ程度のドライフィルム５６を積層して前記導通孔５３が形成された上部および下部をテンティング（ｔｅｎｔｉｎｇ）し（図７ｅ参照）、露光および現像工程により前記ドライフィルム５６が積層された部分以外の前記無電解銅箔層５４および電解銅箔層５５をエッチング液を使って除去する（図７ｆ参照）。
図８ａおよび図８ｂは、前述の図７ａないし図７ｆの工程で製造されるプリント配線板の側断面をそれぞれ示すが、図８ａはベース基板コア５１、約５μｍの銅箔５２、約０．５μｍの無電解銅メッキ層５４、約１５μｍの電解銅メッキ層５５および約１５μｍのドライフィルム５６が積層される構造を示しており、図８ｂは、図８ａの積層構造に対して側壁エッチング（ｓｉｄｅｅｔｃｈ）が行われた状態を示し、図８ｂに示すように、側壁エッチングが深いので微細回路が形成し難い。
一方、図９ａないし図９ｆはそれぞれ、本発明によるセミアディティブ方式で製造されるプリント配線板の製造工程を例示する図であり、図１０ａおよび図１０ｂはそれぞれ、本発明によるセミアディティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル断面を示す図である。
本発明によるセミアディティブ方式でプリント配線板を製造するために、ベース基板コア６１を含むベース基板を用意し（図９ａ参照）、前記ベース基板に機械式ドリルを使って複数個の導通孔６２を形成する（図９ｂ参照）。
その後、前記ベース基板の全面および導通孔６２の内壁に０．５μｍ程度の無電解銅箔層６３を形成し（図９ｃ参照）、前記導通孔６２周辺を除く無電解銅箔層６３の上部にドライフィルム６４を塗布し、これを露光および現像する（図９ｄ参照）。次いで、１５μｍ〜２０μｍ程度の電解銅箔層６５を、前記ドライフィルム６４が形成された部位以外の無電解導箔層６３部位に形成し（図９ｅ参照）、次いで、露光および現像工程により前記ドライフィルム６４が積層された部分を除く前記無電解銅箔層６３および電解銅箔層６５を剥離液を使って剥離しフラッシュエッチングする（図９ｆ参照）。
前述の図７ａないし図７ｆのサブトラクティブ方式で製造されるプリント配線板では、無電解銅メッキ層５４上に電解銅メッキ層５５を形成し、その後、ドライフィルム５６を積層しエッチングを行うが、図９ａないし図９ｆのセミアディティブ方式で製造されるプリント配線板は、無電解銅メッキ層６３上にドライフィルム６４を積層し、その後、電解銅メッキ層６５を形成しフラッシュエッチングを行う。
図１０ａおよび図１０ｂは、前述した図９ａないし図９ｆの工程で製造されるプリント配線板の側断面を示すが、図１０ａは、ベース基板コア６１、０．５μｍ程度の無電解銅メッキ層６３、２５μｍ程度のドライフィルム６４、および前記ドライフィルムの間に積層される２０μｍ程度の電解銅メッキ層６５の積層構造を示しており、図１０ｂは、図１０ａの積層構造に対して剥離およびフラッシュエッチングが施された例を示す。ここでは、図１０ｂに示すように、側壁エッチングが発生しないので微細回路の形成が可能となる。
つまり、通常のサブトラクティブ方式におけるトレース幅（Ｔｒａｃｅ  Ｗｉｄｔｈ）の誤差範囲は±１５μｍとなるに対し、本発明によるセミアディティブ方式におけるトレース幅の誤差範囲は±５μｍ程度となるので、エッチング厚さを薄く形成することができる。
要するに、本発明によるメッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板およびその製造方法は、前述したようなセミアディティブ方式を使用することから、回路の密集度を向上させることができる。
図１１ａおよび図１１ｂは、従来の技術および本発明における回路の密集度を比較するための図である。図１１ａに示す従来の技術では、パッケージ基板７１上に形成されたソルダボールパッド７２ａどうしの中心間のボールパッドピッチはＡで表され、参照符号７３はメッキ引込線を表している。また、図１１ｂに示す本発明では、パッケージ基板７１上に形成されたソルダボールパッド７２ｂどうしの中心間のボールパッドピッチはＢとなり、前記従来技術におけるボールパッドピッチＡに比べて約０．１ないし０．１５μｍも縮まったことがわかる。つまり、図１１ａにおけるメッキ引込線７３が省略されたため、同一面積のパッケージ基板上にさらに多いソルダボールパッドを形成することができ、回路密集度が向上されたことがわかる。
したがって、本発明は、ＢＧＡおよびＣＳＰなどのパッケージ基板の電解金メッキ時、メッキ引込線なしに金メッキすることによって、信号ノイズ発生を防止してパッケージ基板の電気的特性を向上させることができる。また、本発明は、メッキ引込線が要らないので、回路の設計自由度が向上されるし、ボールパッドピッチ（Ｐｉｔｃｈ）を、従来の技術によるボールパッドピッチに比べて約０．１〜０．１５μｍも縮められるため、高密集回路製品の作製が可能となる。
以上では本発明を特定の実施例に上げて説明したが、特許請求の範囲によって定められた本発明の思想や要旨をはずれない範囲内でさまざまに改造および変化できることは当業者にとって自明である。
【発明の効果】
本発明によれば、電解金メッキ用引込線の残留による信号ノイズ発生を防ぐことができるため、パッケージ基板の電気的特性が向上される。
また、本発明によれば、メッキ引込線が要らないため、回路の設計自由度が向上され、かつ、高集積回路を有する製品の作製に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術に係るＢＧＡパッケージ基板を例示する図である。
【図２】従来の技術に係るメッキ引込線によりメッキされたパッケージ基板の平面図である。
【図３】従来の技術に係るメッキ引込線によりメッキされるパッケージ基板の製造工程をそれぞれ示す図である。
【図４】本発明に係るメッキ引込線無しにメッキされたパッケージ基板の平面図である。
【図５】本発明係るメッキ引込線無しにメッキされたパッケージ基板に電流を流す方式を例示する図である。
【図６】本発明の実施例に係るメッキ引込線無しにメッキされるパッケージ基板の製造工程をそれぞれ示す図である。
【図７】通常のサブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）方式で製造されるプリント配線板の工程をそれぞれ示す図である。
【図８】通常のサブトラクティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル断面を示す図である。
【図９】本発明に係るセミアディティブ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ）方式で製造されるプリント配線板の工程をそれぞれ示す図である。
【図１０】本発明によるセミアディティブ方式で製造されたプリント配線板のエッチングプロファイル断面をそれぞれ示す図である。
【図１１】従来技術および本発明における回路の密集度を例示する図である。
【符号の説明】
３１：ベース基板
３２：導通孔
３３：第１メッキ層（無電解銅メッキ層）
３４：第１レジスト（銅メッキ用）
３５：第２メッキ層（パターンメッキ層）
３７：第２レジスト（金メッキ用）
３９：金メッキ層
４１：ソルダレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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