(57)【要約】【課題】可動部を単純構成にでき、しかも、低電圧駆動、高速応答が可能になる光変調素子及び平面表示素子を提供する。【解決手段】静電気力による可動部２５の変位動作と該可動部２５の弾性復帰動作により可動部２５と基板部２３との間に生じる光干渉作用で光変調を行う光変調素子２１において、可動部２５を可動ミラー層３７と可動透明電極３９により構成する。光変調素子２１は、可動ミラー層３７を誘電体多層膜によって構成でき、この場合の誘電体多層膜はＴｉＯ２  層とＳｉＯ２  層が用いられる。さらに、光変調素子２１は、誘電体多層膜である可動ミラー層３７に透明電極としての機能を付与した構成としてもよい。この場合の誘電体多層膜はＩＴＯ層とＳｉＯ２  層から形成することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電気力による可動部の変位動作と該可動部の弾性復帰動作により前記可動部と基板部との間に生じる光干渉作用で光変調を行う光変調素子において、
前記基板部が固定透明電極と固定ミラー層を有し、
前記可動部が可動透明電極と可動ミラー層からなり、前記基板部上に支持されて設けられることを特徴とする光変調素子。
【請求項２】
前記可動ミラー層が、誘電体多層膜からなることを特徴とする請求項１記載の光変調素子。
【請求項３】
前記誘電体多層膜が、ＴｉＯ２  層及びＳｉＯ２  層の積層体であることを特徴とする請求項２記載の光変調素子。
【請求項４】
前記可動ミラー層が導電体層を含むことで、前記可動透明電極を兼ね備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光変調素子。
【請求項５】
前記誘電体多層膜が、ＩＴＯ層及びＳｉＯ２  層の積層体であると共に、該積層体の最外層をＩＴＯ層としたことを特徴とする請求項４記載の光変調素子。
【請求項６】
前記誘電体多層膜が、５層乃至７層の積層体として形成されていることを特徴とする請求項３又は請求項５記載の光変調素子。
【請求項７】
前記基板部上に前記可動部の変位量を規制する光学スペーサが積層されたことを特徴する請求項１〜請求項６のいずれか１項記載の光変調素子。
【請求項８】
請求項１〜請求項８のいずれか１項記載の光変調素子を１次元又は２次元状に配列した光変調素子アレイと、
前記光変調素子アレイの光路前方に対向対置され、前記光変調素子を透過した光によって選択的に発光される複数の蛍光体とを具備したことを特徴とする平面表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電気力により可動部を変位動作させ、また、可動部を弾性復帰動作させることで、特定の波長域の光を光干渉作用により透過又は反射させる光変調素子及び平面表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄型の平面表示装置としては種々のものが提案されており、代表的なものに、例えばプラズマ表示装置等がある。プラズマ表示装置は、ネオン等の希ガスを封入した二枚のガラス板の間に、陽極と陰極に相当する規則的に配列した直交方向の電極を多数配置し、それぞれの対向電極の交点部を単位画素（セル）とした構造を有する。このプラズマ表示装置による表示は、画像情報に基づき、それぞれの交点部を特定する対向電極に選択的に電圧を印加することにより、この交点部を放電発光させ、発生した紫外線により蛍光体を励起発光させて行う。
【０００３】
ところが、プラズマ表示装置は、画素毎にプラズマを発生させるための隔壁形成と高度な真空封止とが要求され、製造コストが高くなると共に大重量となる欠点がある。また、単位画素毎に陽極と陰極に相当する多数の電極を規則的に配列しなければならないため、電極数が多くなると共に、高精細、高輝度の画像が得にくい欠点がある。さらに、駆動電圧が高く、駆動ＩＣが高価な欠点もある。
【０００４】
このような欠点を解消するものに、マイクロマシニングにより作製された可動部を、静電気力により電気機械的動作させることで光変調を行う平面表示素子がある。図１２に平面表示素子の一例を概念的に示した。この平面表示素子１は、図１３に示すように、例えば透明な電極３と絶縁膜等の薄膜層５からなる可動部６を、支持部７を介して導光板９上の固定電極１１に架設した光変調素子１３を、図１２に示す複数の蛍光体１５とバックライト１７とで挟み構成される。
【０００５】
この平面表示素子１では、両電極３，１１間に所定の電圧Ｖａを印加することで電極３，１１間に静電気力を発生させ、可動部６を図１３（ｂ）に示すように固定電極１１に向かって撓ませる。これに伴って素子自体の光学的特性が変化して、光変調素子１３は光を遮光する。一方、印加電圧をゼロにすることで図１３（ａ）に示すように可動部６が弾性復帰し、光変調素子１３は光を透過させる。
この状態で透過した光は蛍光体１５を発光表示させる。このようにして光変調が行われる。
【０００６】
この平面表示素子では、光変調素子が２次元のマトリクス状に配列され、走査電極信号に従い各画素が選択され、画素電極にデータ信号が与えられて画像が表示される。従って、各画素を構成する光変調素子が静電気力により可動部を電気機械的動作させるので、高真空封止も不要になり、しかも大画面化に対しても低電圧、高速応答を可能にすることができる。
上記構成のような平面表示装置は、例えば次の文献に記載されたものがある。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−２５８５５８号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の光変調素子は、可動部６を変位させることにより光を透過させる光学的特性を付与するために、可動部６の構成を、可撓性を有し且つ絶縁性を有する透明な薄膜層５と、可動部６に電荷を静電誘導させるための透明電極３に加えて、ファブリペロー干渉を利用して光の透過又は反射を実現させる場合には、ミラー層を積層して形成する必要があった。このため、少なくとも異なる材質からなる３層の機能層を積層する必要があり、可動部６が複雑な層構造となり製造工数が大きくなる問題があった。また、透明電極３は可動部６の最上層に形成されるため、可動部６が複雑な多層構造であると可動部６の透明電極３と、固定側の電極である導光板９上の固定電極１１との間の距離が大きくなる。その結果、所望の静電気力を得るための駆動電圧が高くなる問題を生じた。さらに、可動部６が複雑な多層構造であると、重量が増して素子の高速応答性能を低下させることにもなった。
【０００９】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、可動部を単純構成にでき、しかも、低電圧駆動、高速応答が可能になる光変調素子及び平面表示素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る請求項１記載の光変調素子は、静電気力による可動部の変位動作と該可動部の弾性復帰動作により前記可動部と基板部との間に生じる光干渉作用で光変調を行う光変調素子において、前記基板部が固定透明電極と固定ミラー層を有し、前記可動部が可動透明電極と可動ミラー層からなり、前記基板部上に支持されて設けられることを特徴とする。
【００１１】
この光変調素子では、静電気力により可動部が変位動作され又は弾性復帰動作されて、特定の波長域の光が光干渉作用によって透過又は反射されて光変調される。即ち、可動部に可動ミラー層を設け、可動部を支持する基板部に固定ミラー層を設け、可動部の変位動作によりこれらのミラー間の距離を異ならせることで、光源からの光がミラー間の距離に応じて透過又は反射される。このように動作される光変調素子の可動部が、可動ミラー層と可動透明電極とにより構成されることで、可動部が必要最小限の機能層によって形成され、その構成が単純になる。その結果、可動部に静電気力を付与する際に、電圧の印加される可動部の可動透明電極と、可動部を支持する基板部の固定透明電極との間の距離が短くなり、低電圧駆動が可能になり、また可動部が軽量になるため高速応答が可能になる。
【００１２】
請求項２記載の光変調素子は、前記可動ミラー層が、誘電体多層膜からなることを特徴とする。
【００１３】
この光変調素子では、可動部の可動ミラー層が誘電体多層膜からなることにより、固定ミラー層と可動ミラー層との間で繰り返し反射と透過が繰り返されるファブリペロー干渉を用いた光変調方式の場合に、ミラー間の空隙の略整数倍の波長成分の光だけが光変調素子を透過することになる。このように、所望の波長の光に対して所望の反射率（透過率）に設定する反射特性の設定を容易にでき、目的に応じた光変調を容易に行うことができる。
【００１４】
請求項３記載の光変調素子は、前記誘電体多層膜が、ＴｉＯ２  層及びＳｉＯ２  層の積層体であることを特徴とする。
【００１５】
この光変調素子では、誘電体多層膜が、ＴｉＯ２  層及びＳｉＯ２  層からなることにより、例えば波長が５５０ｎｍの光に対して反射率０．８６の特性を得ることができる。
【００１６】
請求項４記載の光変調素子は、前記可動ミラー層が導電体層を含むことで、前記可動透明電極を兼ね備えたことを特徴とする。
【００１７】
この光変調素子では、可動ミラー層が導電体層を含むことで可動透明電極としても機能することにより、可動部に可動透明電極を単体で配置することが省略できる。即ち、導電体層を含む可動ミラー層のみによって可動部を構成することで、静電気力による変位動作を行いつつ任意波長に対する反射特性が得られ、構成を一層単純にすることができる。これにより、可動部の軽量化及び高速応答化が可能になる。
【００１８】
請求項５記載の光変調素子は、前記誘電体多層膜が、ＩＴＯ層及びＳｉＯ２  層の積層体であると共に、該積層体の最外層をＩＴＯ層としたことを特徴とする。
【００１９】
この光変調素子では、誘電体多層膜が、ＩＴＯ層及びＳｉＯ２  層からなることにより、可動ミラー層を透明電極としての機能を有する構成にできる。これにより、可動ミラー層だけの構成で可動部を構成することができる。
【００２０】
請求項６記載の光変調素子は、前記誘電体多層膜が、５層乃至７層の積層体として形成されていることを特徴とする。
【００２１】
この光変調素子では、ＴｉＯ２  層とＳｉＯ２  層、又はＩＴＯ層とＳｉＯ２  層とからなる誘電体多層膜が５層乃至７層で積層されることにより、誘電体多層膜の透過率特性を最適に設定することができる。
【００２２】
請求項７記載の光変調素子は、前記基板部上に前記可動部の変位量を規制する光学スペーサが積層されたことを特徴する。
【００２３】
この光変調素子では、基板部上に光学スペーサが積層されることで、可動部が変位動作した際に、可動部が光学スペーサを挟んで基板部と平行に密着される。
つまり、この光学スペーサが可動ミラー層と固定ミラー層とのギャップとなり、可動部の変位量が規制されて正確な間隙が形成される。これにより、可動ミラー層と固定ミラー層とが高精度に平行配置可能となる。また、変位動作時の駆動電圧が過電圧となった場合であっても、高精度な平行状態が安定して得られることになる。
【００２４】
請求項８記載の平面表示素子は、請求項１〜請求項８のいずれか１項記載の光変調素子を１次元又は２次元状に配列した光変調素子アレイと、前記光変調素子アレイの光路前方に対向対置され、前記光変調素子を透過した光によって選択的に発光される複数の蛍光体とを具備したことを特徴とする。
【００２５】
この平面表示素子では、請求項１〜請求項８のいずれか１項記載の光変調素子を１次元又は２次元状に配列した光変調素子アレイの光路前方に蛍光体を対向対置することで、光変調素子を透過した光によってこの蛍光体が選択的に発光される。これにより、光変調素子の可動部が単純構成であるために平面表示素子の構成を簡略化でき、低電圧表示、高速表示を可能にできる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る光変調素子及び平面表示素子の好適な実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明に係る光変調素子の第１の実施の形態を示す斜視図、図２は図１に示した光変調素子の平面図、図３は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００２７】
図１〜図３に示すように、光変調素子２１は、基板部２３と、この基板部２３の上面に空隙２４を隔てて平行に対向配置される可動部２５とを基本構成として有している。可動部２５は、弾性を有して両端部が基板部２３上に接合されて中央部が浮上したブリッジ状に形成されている。この光変調素子２１は、複数の可動部２５が例えば１次元状に配設されてアレイ状に形成される。
この可動部２５は、静電気力による基板部２３側への吸着力によって弾性変形し、基板部２３上面に密着するように変位される一方、静電気力による吸着力がなくなると、弾性復帰力によって再び中央部が空隙２４を隔てた位置に浮上して配置される。
【００２８】
図４は図１に示した基板部の断面図である。
基板部２３は、ガラス基板２７、固定透明電極２９、絶縁膜３１、固定ミラー層３３、光学スペーサ３５を順次積層した構造となっている。具体的には、蒸着により形成した膜厚２００ｎｍのＩＴＯからなる固定透明電極２９、スパッタにより形成した膜厚５００ｎｍのＳｉＯ２  からなる絶縁膜３１、蒸着により形成した５層〜７層のＴｉＯ２  ／ＳｉＯ２  の誘電体多層膜からなる固定ミラー層３３、蒸着により形成した膜厚１９０ｎｍのＳｉＯ２  からなる光学スペーサ３５となっている。ここで、誘電体多層膜からなる上記固定ミラー層３３は、所謂ハーフミラーとして形成されている。なお、各層の膜厚は一例であってこれに限定されるものではない。
【００２９】
一方、この実施の形態による光変調素子２１は、図３に示すように可動部２５が可動ミラー層３７と可動透明電極３９からなり、基板部２３に対して支持されて設けられている。この光変調素子２１では、静電気力により可動部２５を変位動作させ、また可動部２５を弾性復帰動作させる。これにより可動部２５と基板部２３との間にミラー層による光干渉作用を生じさせている。この光干渉作用により、特定の波長域の光が透過又は反射されることになる。
【００３０】
本光変調素子２１の可動部２５には可動ミラー層３７が設けられ、可動部２５を支持する基板部２３には固定ミラー層３３が設けられる。そして、可動部２５の変位動作によりこれら平行配置された可動ミラー３３，固定ミラー３７間の距離を異ならせ、ミラー間で繰り返し反射させた合成波の強度を変化させることによって光源からの光が透過又は反射される。即ち、ファブリペロー干渉を利用した光変調が行われる。
【００３１】
このように動作される光変調素子２１において、可動部２５が可動ミラー層３７と可動透明電極３９とにより構成されることで、可動部２５が必要最小限の機能層によって形成可能になり、可動部２５の構成が単純になる。その結果、可動部２５に静電気力を付与する際に、電圧の印加される可動部２５の可動透明電極３９と、可動部２５を支持する基板部２３側の固定透明電極２９との間の距離が短くなり、所望の静電気力が低電圧で得ることができ、低電圧駆動が可能になる。また、可動部となる可動部２５が軽量になりことで、高速応答も可能になる。
【００３２】
さらに、光変調素子２１は、基板部２３上に犠牲層によって形成された上記の空隙２４を有して支持され、別部材の支持体を用いない簡素な構造で変位自在に支持されている。これによっても軽量化が可能になっている。
【００３３】
光変調素子２１は、基板部２３の最上層に上記の光学スペーサ３５が積層されている。従って、可動部２５が撓んだ際、可動部２５は光学スペーサ３５を挟んで基板部２３の固定ミラー層３３と平行に密着される。つまり、この光学スペーサ３５が可動ミラー層３７と固定ミラー層３３とのギャップとなる。
ここで、平行ミラー間で繰り返し反射させた合成波の強度を変化させることによって光源からの光を透過又は反射させるファブリペロー干渉の場合、平行ミラー（可動ミラー層３７、固定ミラー層３３）が高精度で平行になることが要求される。本実施形態においては、光学スペーサ３５がギャップとなることにより、可動部２５が撓んだ際に可動ミラー層３７と固定ミラー層３３とが高精度に平行配置される。また、動作時の駆動電圧が過電圧となった場合であっても、高精度な平行状態が安定して得られることになる。
【００３４】
図５は図３に示した誘電体多層膜の積層構造例の説明図、図６は誘電体多層膜が５層の場合の反射特性を表すグラフである。
本実施の形態における可動ミラー層３７は、ＴｉＯ２  層とＳｉＯ２  層とを積層することにより形成された誘電体多層膜からなる。
【００３５】
可動ミラー層３７が、誘電体多層膜からなることにより、平行ミラー間で繰り返し反射と透過が繰り返されるファブリペロー干渉の場合に、空隙の略整数倍の波長のみを光変調素子２１を透過させることができる。可動ミラー層３７は、所望の波長の光に対して所望の反射率（換言すれば透過率）を有することが要求されるが、可動ミラー層３７が誘電体多層膜からなることにより、任意波長に対する透過率特性を容易に設計することができる。
【００３６】
この光変調素子２１では、誘電体多層膜の具体的な材質をＴｉＯ２  とＳｉＯ２  にすることにより、図６に示すように、波長５５０ｎｍの光に対して反射率０．８６の特性が得られることが実証された。なお、この際の積層構造は、図５に示すように、ＴｉＯ２  層とＳｉＯ２  層とが順次積層された（膜厚２７．３ｎｍのＴｉＯ２  層が３層、膜厚９４．８ｎｍのＳｉＯ２  層が２層）５層構造であり、総膜厚が５１４ｎｍであった。また、屈折率はＴｉＯ２  層が２．４０、ＳｉＯ２  層が１．４５であった。
【００３７】
固定透明電極２９と可動透明電極３９には電源Ｖが接続され、電源Ｖは画像情報に基づきそれぞれ所定のものに選択的に電圧を印加できるようになっている。
また、固定透明電極２９と可動透明電極３９は、一般的には微粒子化により透明になされた金属或いは導電性を有する金属酸化物で構成される。この金属しては、金、銀、パラジウム、亜鉛、アルミニウム等を用いることができ、金属化合物としては、酸化イリジウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウム等を用いることができる。具体的には、ＳｎＯ２  膜（ネサ膜）、本実施の形態に用いられるＩＴＯ膜等を挙げることができる。
【００３８】
固定透明電極２９と可動透明電極３９は、ガラス基板２７又は可動ミラー層３７の表面に上述した導電性材料の薄膜を、スパッタリング法や真空蒸着法等により積層し、この薄膜の表面にレジストを塗布して露光、現像を行うことで所望のパターンで形成できる。露光はフォトレジストの上にフォトマスクを配置し、その上から紫外線を照射して行い、現像はフォトレジストの可溶部が除去できる現像液等で処理することにより行う。固定透明電極２９と可動透明電極３９に接続される図示しない電源供給回路も、これらの形成と同時にパターン形成することができる。
【００３９】
図７は図１に示した光変調素子の一製造手順の説明図である。
上記のように構成される光変調素子２１の特に可動部２５の部分は、例えば以下の製造手順によって形成される。
（ａ）犠牲層の塗布・パターニング工程
予め上記した積層構造で形成された基板部２３の上面にレジスト４１をパターニングし、レジスト４１の形成後、高温ベーク処理を行う。この際、レジスト４１の膜厚目標値は、（５／４）λの場合は６８８ｎｍ、（３／４）λの場合は４１２ｎｍとされる。ここで、λは光変調素子２１に入射する光の波長である。
【００４０】
（ｂ）リフトオフ用レジストの塗布・パターニング工程
犠牲層用に形成したレジスト４１上に、リフトオフ用レジスト４３をパターニングする。そして、レジスト４３の形成後、標準ベークを行う。
（ｃ）可動部となる可動部のデポ工程
可動ミラー層３７となる誘電体多層膜（ＴｉＯ２  ／ＳｉＯ２  ）を膜厚５１３．６ｎｍで蒸着形成する。次いで、可動透明電極３９となるＩＴＯを膜厚２５０ｎｍでスパッタリングする。この際の成膜は常温にて行われる。
【００４１】
（ｄ）リフトオフ工程
アセトン溶解により、リフトオフ用レジスト４３を除去する。レジスト除去後、純水洗浄、超音波洗浄処理を行う。
（ｅ）ＩＴＯのアニール処理工程
可動部最上層に成膜されたＩＴＯをアニール処理して結晶化させる。
（ｆ）犠牲層除去工程
犠牲層として工程（ａ）で形成したレジスト４１をＯ２  プラズマエッチングにより除去する。これにより、基板部２３上に空隙２４を隔てて架設される可動部２５が形成される。
【００４２】
次に、光変調素子２１の作用を説明する。
図８は図１に示した光変調素子の動作状態を説明する断面図、図９は図８（ａ）に示した状態における光変調素子の透過特性を表すグラフ、図１０は図８（ｂ）に示した状態における光変調素子の透過特性を異なるギャップ（ａ）（ｂ）別で表すグラフである。
【００４３】
可動部２５を電気機械動作させて光変調させる動作原理としては、上記したファブリペロー干渉を利用することができる。ファブリペロー干渉では、二枚の平面なミラーを平行に向かい合わせた状態において、入射光線が反射と透過を繰り返して多数の光線に分割され、これらが互いに平行となる。透過光線は、無限遠において重なり合い干渉する。ミラー面の垂線と入射光線のなす角をｉとすれば、相隣る二光線間の光路差はｘ＝ｎｔ・ｃｏｓｉで与えられる。但し、ｎは二面間の屈折率、ｔは間隔である。光路差ｘが波長λの整数倍であれば透過線は互いに強め合い、半波長の奇数倍であれば互いに打ち消し合う。即ち、反射の際の位相変化がなければ、
【００４４】
２ｎｔ・ｃｏｓｉ＝ｍλ                      で透過光最大となり、
２ｎｔ・ｃｏｓｉ＝（２ｍ＋１）λ／２        で透過光最小となる。
但し、ｍは正整数である。
【００４５】
従って、光路差ｘが所定の値となるように可動部２５を移動させることにより、一方のミラーから入射させた光を、他方のミラー側へ透過させることが可能となる。即ち、図８に示すように、基板部２３の下方に図示しない光源が設けられ、この光源から出射された光が基板部２３の下面側から光変調素子２１へ入射される場合を例にすれば、光変調素子２１は、可動部２５の変位により透過させた変調光を可動部２５側から出射させることができる。
【００４６】
つまり、図８（ａ）に示すように、可動透明電極３９と固定透明電極２９とに電圧Ｖａが印加されて空隙２４がゼロとなることにより、図９に示すように、λ＝５５０ｎｍの光に対して透過率が最大となる。これにより、特定の波長域の光を光干渉作用により透過させることができる。なお、この際のミラー間距離ｎｄは、光学スペーサ３５の厚み、即ち（１／２）λであるｎｄ＝２７５．０ｎｍ相当となっている。
【００４７】
また、可動透明電極３９と固定透明電極２９への電圧印加が解除される（Ｖ＝０）ことにより、図８（ｂ）に示すように、可動部２５が弾性復帰して空隙２４が形成される。この際の空隙２４が、（３／４）λ、即ち４１２．５ｎｍであると、ミラー間距離ｎｄは光学スペーサ３５の厚み、即ち２７５．０ｎｍとを加えたｎｄ＝６８７．５ｎｍとなり、図１０（ａ）に示すようにλ＝５５０ｎｍの光に対して透過率が最小となる。これにより、特定の波長域の光を光干渉作用により反射させることができる。
【００４８】
なお、空隙２４は、（５／４）λ、即ち６８７．５ｎｍであっても、ミラー間距離ｎｄは光学スペーサ３５の厚み、即ち２７５．０ｎｍとを加えたｎｄ＝９６２．５ｎｍとなり、図１０（ｂ）に示すようにλ＝５５０ｎｍの光に対して透過率が最小となる。
【００４９】
このように、上記の光変調素子２１によれば、静電気力により可動部２５を変位又は弾性復帰させて特定の波長域の光を透過又は反射させる構成において、可動部２５を、可動ミラー層３７と可動透明電極３９とにより形成したので、必要最小限の機能層によって可動部２５を形成することができ、可動部２５の構成を単純にすることができる。これにより、可動部２５に静電気力を付与する際に電圧の印加される可動透明電極３９と固定透明電極２９との間の距離を短くでき、低電圧駆動を可能にできる。また、可動部となる可動部２５が軽量になるので、高速応答を可能にすることができる。
【００５０】
図１１は他の実施の形態に係る誘電体多層膜の積層構造例の説明図である。
この実施の形態では、可動透明電極３９が省略され、且つ誘電体多層膜である可動ミラー層３７ａが透明電極としての機能を有している。この誘電体多層膜は、具体的にはＩＴＯ層６１、ＳｉＯ２  層６３とから製作することができる。
【００５１】
この光変調素子では、誘電体多層膜である可動ミラー層３７ａが透明電極としての機能を有することにより可動透明電極を省略している。具体的には、誘電体多層膜がＩＴＯ層とＳｉＯ２  層の積層体からなり、この積層体の最外層がＩＴＯ層であることにより、可動ミラー層が透明電極としての機能を有する構成としている。前述の可動透明電極３９を別体に形成する構成においては、誘電体多層膜がＴｉＯ２  層とＳｉＯ２  層の積層体からなり、これに可動透明電極３９が加えられるが、ＴｉＯ２  層に代えてＩＴＯ層が用いられても誘電体多層膜を構成することができ、その場合のＩＴＯ層を可動透明電極として使用することが可能になる。これにより、誘電体多層膜のみを用いた可動部が実現可能になる。つまり、誘電体多層膜のみからなる可動部によって、静電動作と任意波長に対する透過又は反射動作が実現可能になる。従って、可動部の構成が一層単純となり、低電圧駆動、可動部となる可動部の軽量化、及び高速応答が可能になる。
【００５２】
なお、上記した二つの実施の形態において、誘電体多層膜は、ＴｉＯ２  層とＳｉＯ２  層、又はＩＴＯ層とＳｉＯ２  層を順次５層又は７層積層して形成することができる。これにより、所望の波長の光に対して所望の透過率特性を有する光学特性を容易に得ることができる。
【００５３】
次に、上記の光変調素子２１を１次元又は２次元状に配列して構成される平面表示素子について説明する。
平面表示素子（図示せず）は、光変調素子２１の光路前方に、複数の蛍光体を対向対置することにより構成される。
この平面表示素子では、固定透明電極２９と可動透明電極３９との間に電源により電圧を印加すると、静電気力によって可動部２５が変位動作する。これにより、基板部２３、可動部２５を透過して出射される光が変調されることになる。
従って、画像情報に基づいた電圧をそれぞれの固定透明電極２９と可動透明電極３９とに選択的に印加することで所望の表示制御が可能となる。
【００５４】
この平面表示素子では、例えばプラズマディスプレイのような高真空構造とする必要がなく、大画面化が軽量且つ安価に実現可能になる。また、光変調素子の可動部が単純構成であるために平面表示素子の構成を簡略化でき、低電圧表示、高速表示を可能にできる。
【００５５】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る光変調素子によれば、静電気力により可動部を変位又は弾性復帰させて特定の波長域の光を光干渉作用により透過又は反射させる光変調素子において、可動部を、可動ミラー層と可動透明電極とにより構成したので、必要最小限の機能層によって可動部を形成することができ、可動部の構成を単純にすることができる。これにより、可動部に静電気力を付与する際に電圧の印加される可動部側の可動透明電極と、可動部を支持する基板部側の固定透明電極との間の距離を短くでき、低電圧駆動を可能にできる。また、可動部となる可動部が軽量になるので、高速応答を可能にすることができる。
【００５６】
本発明に係る平面表示素子によれば、請求項１〜請求項８のいずれか１項記載の光変調素子を１次元又は２次元状に配列し、この光変調素子の光路前方に蛍光体を対向対置し、可動部を透過した光によってこの蛍光体を選択的に発光させるようにしたので、大画面化を軽量且つ安価に実現できる。また、光変調素子の可動部が単純構成であるので、低電圧表示、高速表示を可能にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光変調素子の第１の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示した光変調素子の平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１に示した基板部の断面図である。
【図５】図３に示した誘電体多層膜の積層構造例の説明図である。
【図６】誘電体多層膜が５層の場合の反射特性を表すグラフである。
【図７】図１に示した光変調素子の一製造手順の説明図である。
【図８】図１に示した光変調素子の動作状態を説明する断面図である。
【図９】図８（ａ）に示した状態における光変調素子の透過特性を表すグラフである。
【図１０】図８（ｂ）に示した状態における光変調素子の透過特性を異なるギャップ（ａ）（ｂ）別で表すグラフである。
【図１１】他の実施の形態に係る誘電体多層膜の積層構造例の説明図である。
【図１２】従来の平面表示素子の断面図である。
【図１３】図１２に示した平面表示素子に用いられる光変調素子の動作状態を説明する断面図である。
【符号の説明】
２１  光変調素子
２３  基板部
２４  空隙
２５  可動部
２７  ガラス基板
２９  固定透明電極
３１  絶縁膜
３３  固定ミラー層
３７  可動ミラー層
３９  可動透明電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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