(57)【要約】【課題】大型のウエハ・基板を使用した場合においても高いダスト除去効果を持ち、一度除去したダストを確実に系外へと排出する手段を持つプラズマプロセス用のプラズマプロセス装置およびダスト除去方法を提供する。【解決手段】プラズマプロセス装置は、プラズマを発生させる第１の電極と、ダストを移動させる第２の電極とを備え、該第１および第２の電極を被処理基板１１の被処理面と平行な方向に並べる。そして、被処理基板１１を保持する基板ホルダ１０に高周波電圧および多相交流電圧を印加してプラズマ処理を行ないながら、多相交流電圧による電位分布が形成する進行波電界を用いてダストを搬送し、排気手段を用いて処理室７内部からダストを除去する。【選択図】        図１
2004259832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマプロセス処理を行なう処理室と、
前記処理室を排気する排気手段と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給手段と、
前記ガスをプラズマ励起するプラズマ発生手段と、
電極部を有し被処理基板が載置される基板ホルダと、
前記電極部に接続された電圧印加手段とを備え、
前記電極部はプラズマに対して電圧を印加する第１の電極およびダストを移動させる第２の電極を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は前記被処理基板の被処理面と平行な方向に並ぶように配置され、前記第１および第２の電極間が絶縁されているプラズマプロセス装置。
【請求項２】
前記第１の電極と前記第２の電極との間に絶縁性の物質または間隙を設けた、請求項１に記載のプラズマプロセス装置。
【請求項３】
前記電圧印加手段は高周波電圧印加手段と多相交流電圧印加手段とを含み、
前記第１の電極は前記高周波電圧印加手段に接続され、
前記第２の電極は前記高周波電圧印加手段および前記多相交流電圧印加手段に接続された、請求項１または請求項２に記載のプラズマプロセス装置。
【請求項４】
前記電圧印加手段は高周波電圧印加手段と多相交流電圧印加手段とを含み、
前記第２の電極はマトリクス状に配置され、
前記第１と第２の電極と前記高周波電圧印加手段および前記多相交流電圧印加手段との接続状態を切り換えるスイッチを備えた、請求項１または請求項２に記載のプラズマプロセス装置。
【請求項５】
前記第１および第２の電極の表面の絶縁性の物質は、陽極酸化法により形成された、請求項２から請求項４のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項６】
前記多相交流電圧は前記基板ホルダの中央部から外周に向かって位相を遅らせて印加される、請求項１から請求項５のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項７】
前記第１および第２の電極は直線形状を含む、請求項１から請求項６のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項８】
前記第１および第２の電極は前記基板ホルダの外周の一部を包囲するように配置される、請求項１から請求項６のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項９】
前記第１の電極は、前記基板ホルダの中央部を包囲するように配置され、
前記第２の電極は、
前記基板ホルダの中央部を包囲するように配置される第１の部分と、
前記基板ホルダの外周に沿って設けられ前記基板ホルダの外周に沿って前記ダストを搬送する第２の部分とを有する、請求項１から請求項６のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項１０】
前記プラズマプロセス装置は前記多相交流電圧印加手段に接続されたコントローラをさらに備え、
前記コントローラはプラズマ処理の開始直後および終了直前の少なくとも一方において前記多相交流電圧印加手段を作動させる、請求項１から請求項９のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項１１】
前記プラズマプロセス装置は前記処理室と前記排気手段との間にバルブを備え、
前記バルブと前記排気手段との間にダストの回収手段を備える、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のプラズマプロセス装置。
【請求項１２】
プラズマプロセス装置の処理室内部のダスト除去方法であって、
プラズマ励起中に基板を保持する基板ホルダに多相交流電圧を印加して、前記多相交流電圧による電位分布が形成する進行波を用いてダストを搬送する工程と、
排気手段を用いて処理室内部から前記ダストを除去する排気工程とを備えたダスト除去方法。
【請求項１３】
前記進行波を前記基板ホルダの中央部から外周に向かって進行させ、
前記ダストを前記基板ホルダの中央部から外周へ搬送する、請求項１２に記載のダスト除去方法。
【請求項１４】
前記進行波を前記基板ホルダ外周の２箇所以下の部分に収束させ、
前記ダストを前記基板ホルダの外周の２箇所以下の部分に搬送する、請求項１２または請求項１３に記載のダスト除去方法。
【請求項１５】
前記排気工程は、前記処理室内部のクヌーセン数が１未満であり、かつプラズマガスの処理室滞在時間が平均１０秒以下の条件で行なわれる、請求項１２から請求項１４のいずれかに記載のダスト除去方法。
【請求項１６】
前記搬送工程および前記排気工程は、前記プラズマ処理の開始直後および終了直前の少なくとも一方において行なわれる、請求項１２から請求項１５のいずれかに記載のダスト除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマプロセス装置およびダスト除去方法に関し、特に、半導体や液晶表示素子などの製造において、電磁波などにより励起されたプラズマを利用した成膜工程、エッチング工程およびアッシング工程などのプラズマプロセスにおけるプラズマプロセス装置およびダスト除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置や半導体装置などの製造工程においては、成膜工程、エッチング工程およびアッシング工程などにおいてプラズマを利用するプラズマプロセス装置が使用されている。このプロセスはウエハや基板を載せるホルダを備えた処理容器内に処理ガスを導入し、たとえば電磁波の形で電力エネルギーをこの処理ガスに供給してプラズマ化することによって行なわれる。
【０００３】
以下、図２５および図２６を用いてマイクロ波を利用したプラズマプロセス装置により処理を行なう場合の従来例について説明する。
【０００４】
図２５はマイクロ波励起によるプラズマプロセス装置の断面図である。図２５においては、チャンバー１０２上に上蓋１０１、およびアルミナなどの誘電体からなる誘電体窓１０４が配置され、Ｏリング１０５，１０６により処理室１０７内部を真空状態に維持することが可能である。また、上蓋１０１上には、マイクロ波を処理室１０７内部に供給する矩形導波管１０３が配置されており、矩形導波管１０３は導波管１１２を介して、マイクロ波発振器１１３に接続されている。誘電体窓１０４と、矩形導波管１０３との間には複数のスロット１０９が形成された金属製のスロットアンテナ板１０８が設置されている。ここで、マイクロ波発振器１１３より発振されたマイクロ波は、導波管１１２、矩形導波管１０３、スロット１０９、誘電体窓１０４を介して処理室１０７内部に放射される。処理室１０７内部にマイクロ波が放射されることにより、ガス供給系１１４より処理室１０７内部に導入されている処理ガスが励起されてプラズマが生成し、基板ホルダ１１０上に載置される基板１１１に対して、プラズマプロセス処理が行なわれる。基板ホルダ１１０においては、基板側の表面は図示しない誘電体で覆われている。この基板ホルダ１１０は、上記誘電体の下部に高周波電圧が印加される図示しない下部電極を有する。
【０００５】
プラズマプロセス処理として、たとえばエッチング処理やアッシング処理を行なった場合、プラズマ中の励起したガスと基板表面材料との反応などにより反応生成物が発生する。該反応生成物の大部分は、排気ポンプ１１７により排気口１１５から排気管１１６を通って系外に排出される。しかし、一部の反応生成物は処理室内部１０７に残留し、チャンバー１０２の内壁や誘電体窓１０４の表面に付着し堆積する。たとえばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの成膜プロセスを行なった場合においても、上記と同様にウエハや基板に成膜されなかった分子などがチャンバー１０２の内壁や誘電体窓１０４の表面に付着する。
【０００６】
上記の付着物は経時的に堆積、成長し、プラズマ中のラジカルやイオンなどの壁面への衝突により壁面から剥離する。剥離した付着物はダストとなり、ウエハや基板上に落下する。このようにして落下したダストはたとえばパターニング精度の悪化、絶縁膜の成膜におけるピンホールによる絶縁不良、半導体膜の特性悪化など製品の品質や歩留まりに関する重大な問題を引き起こす要因となる。
【０００７】
上記のような課題に対しては、従来、ウエハや基板、および装置に対する影響が小さい有効な手段として、プラズマ中におけるダストの以下のような挙動が利用されている。
【０００８】
プラズマ処理中は、図２６に示すように誘電体窓１０４と基板１１１との間にバルクプラズマ１４０が存在する。該バルクプラズマ１４０と基板１１１との界面においては、イオンに比べ移動度の大きい電子がバルクプラズマ１４０から基板１１１表面に飛び込むため、基板１１１表面に向かい電位が急激に降下するシース領域１４１が形成される。したがって、基板１１１を接地すると、該基板１１１の被処理面は負の電位となる。プラズマを通過するダストについても、イオンと電子との移動度の差により、上記と同様に負に帯電する。ここで、ダストを基板１１１表面に落下させようとする重力と、シース領域１４１における電界による電気的な反発力とがつりあうことにより、ダストは基板１１１上方のシース領域１４１内に閉じ込められ浮遊する。しかし、マイクロ波など電力エネルギーの供給を絶ちプラズマがなくなると、接地電位へのコンデンサ放電を通じて基板１１１の被処理面の帯電はなくなるため、ダストは基板１１１上に落下する。
【０００９】
上記のようなダストの挙動を利用して捕塵する方法としては、たとえば特公平７−１１１９５９号公報（従来例１）、特開平７−１０６３０７号公報（従来例２）、および特開２０００−０９１２４７号公報（従来例３）に記載されたものなどが挙げられる。
【００１０】
従来例１においては、基板ホルダの基板支持域の周囲部分に凹溝または基板支持域よりも低い部分を形成し、電位差の大きい部分を形成することで、負に帯電した微粒子を捕獲する。
【００１１】
従来例２においては、処理容器内に集塵電極を配設し、集塵電極に直流電圧を印加することで、処理容器内に浮遊している微小な異物が集塵電極に静電気的に引き寄せられて捕捉される。
【００１２】
従来例３においては、半導体ウエハの載置台の周囲にリング体を該載置台の載置面とほぼ同じ高さとなるように設け、該リング体の表面部に電極を埋設する。この電極に正電圧を印加し、パーティクルを電極に引き込む。
【００１３】
一方、帯電した粒子を搬送する従来の方法としては、たとえば特開平１０−２５０８４６号公報（従来例４）や特開２００１−１３９１４４号公報（従来例５）などに示すように、進行波状の電界を利用した方法が挙げられる。
【００１４】
従来例４および従来例５において示す方法は、いわゆる電界カーテンを利用して粒子を搬送する方法であり、多相の交番電圧を印加する電源を線状に形成された電極に対して周期的に接続し、互いに位相の異なる交流電圧（交番電圧）を印加することによって、進行波状の交番電界（進行波電界）を発生させて、帯電した粒子を搬送する。
【００１５】
【特許文献１】
特公平７−１１１９５９号公報
【００１６】
【特許文献２】
特開平７−１０６３０７号公報
【００１７】
【特許文献３】
特開２０００−９１２４７号公報
【００１８】
【特許文献４】
特開平１０−２５０８４６号公報
【００１９】
【特許文献５】
特開２００１−１３９１４４号公報
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来例１から従来例３におけるダストの除去方法は、ダスト捕集機構がいずれも固定状態で設けられているので、ウエハや基板と捕集機構との相対位置は不変であり、除去可能な範囲がダスト捕集機構の設けられている周囲に限定されている。したがって、ダスト捕集機構から離れるほどその効果は薄くなる。特に、たとえばＴＦＴ  （Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）液晶表示装置用のガラス基板などのように基板が大型化した場合、基板全面に対してのダストの除去が不完全となる。
【００２１】
また、従来例１から従来例３におけるダストの除去方法は、一度捕集したダストを確実に系外へと排出する機構を備えていない。したがって、捕集されても排出されなかったダストが、プラズマを停止した瞬間や基板の搬送途中で基板上に付着する可能性がある。
【００２２】
さらに、従来例２および従来例３におけるダスト除去手段は、負に帯電したダストを正に帯電した電極表面に付着させる方式であるため、捕集を続けていくと徐々に捕集機構の集塵能力が低下し、電極の交換や電極を取り外してのクリーニングなどのメンテナンスを要する。これは、半導体素子の製造コストの増大を招く要因となる。
【００２３】
また、従来例４および従来例５に記載された進行波状の電界による粒子搬送機構においては、各々の搬送電極に交流電圧のみ、あるいは交流電圧および直流電圧が印加される。一方、プラズマプロセス装置においては、高周波電圧を被処理基板全面に対して印加する必要がある。
【００２４】
ここで、高周波電圧が印加される高周波電極の上に、従来例４および従来例５に記載される搬送電極構造を重ねた場合、高周波電圧が進行波電界にさえぎられるためプラズマプロセス装置として機能しない。また、上記の搬送電極構造の上に、高周波電極を重ねた場合、進行波電界が高周波電圧にさえぎられるためダスト除去機能を有しない。
【００２５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、大型のウエハ・基板を使用した場合においても高いダスト除去効果を持ち、一度除去したダストを確実に系外へと排出する手段を持つプラズマプロセス用のプラズマプロセス装置およびダスト除去方法を提供することにある。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るプラズマプロセス装置は、プラズマプロセス処理を行なう処理室と、処理室を排気する排気手段と、処理室内にガスを供給するガス供給手段と、ガスをプラズマ励起するプラズマ発生手段と、電極部を有し被処理基板が載置される基板ホルダと、電極部に接続された電圧印加手段とを備え、電極部はプラズマに対して電圧を印加する第１の電極およびダストを移動させる第２の電極を有し、第１の電極と第２の電極は被処理基板の被処理面と平行な方向に並ぶように配置され、第１および第２の電極の間が絶縁されている。これにより、被処理基板上に浮遊しているダストを確実に除去することが可能となる。
【００２７】
ここで、第１の電極と第２の電極との間には絶縁性の物質または間隙が設けられていることが好ましい。これにより、被処理基板上に浮遊しているダストを確実に除去することが可能となる。
【００２８】
電圧印加手段は、１つの局面では、高周波電圧印加手段と多相交流電圧印加手段とを含み、第１の電極は高周波電圧印加手段に接続され、第２の電極は高周波電圧印加手段および多相交流電圧印加手段に接続されていることが好ましい。これにより、被処理基板にプラズマ処理を行ないながらダスト除去を行なうことができる。
【００２９】
電圧印加手段は、他の局面では、高周波電圧印加手段と多相交流電圧印加手段とを含み、第２の電極はマトリクス状に配置され、第１と第２の電極と高周波電圧印加手段および多相交流電圧印加手段との接続状態を切り換えるスイッチを備えることが好ましい。これにより、電極配置を変更することなくダストの搬送経路を変更することができる。
【００３０】
第１および第２の電極の表面の絶縁性の物質は、陽極酸化法により形成されていることが好ましい。これにより低コストで容易に絶縁膜を形成し、第１の電極と第２の電極との絶縁性を確保することができる。
【００３１】
多相交流電圧は基板ホルダの中央部から外周に向かって位相を遅らせて印加されることが好ましい。これにより、ダストの搬送距離が短くなり、短時間で効率よくダストの除去を行なうことができる。
【００３２】
第１および第２の電極は直線形状を含むことが好ましい。これにより、ダストを最短距離で基板ホルダの外周に搬送することができる。
【００３３】
また、第１および第２の電極は基板ホルダの外周の一部を包囲するように配置されてもよい。さらに、第１の電極は基板ホルダの中央部を包囲するように配置され、第２の電極は基板ホルダの中央部を包囲するように配置される第１の部分と、基板ホルダの外周に沿って設けられ基板ホルダの外周に沿ってダストを搬送する第２の部分とを有することが好ましい。これにより、搬送させたダストを基板ホルダの外周の一部に集めることができる。
【００３４】
上記のプラズマプロセス装置は多相交流電圧印加手段に接続されたコントローラをさらに備え、コントローラはプラズマ処理の開始直後および終了直前の少なくとも一方において多相交流電圧印加手段を作動させることが好ましい。これにより成膜工程、エッチング工程およびアッシング工程などにおいて、基板上へのダスト落下が最も問題となる時点でダスト除去を行なうことができるため、効率よくダストを除去することができる。
【００３５】
プラズマプロセス装置は処理室と排気手段との間にバルブを備え、バルブと排気手段との間にダストの回収手段を備えることが好ましい。バルブを備えることにより、主としてダストを回収する排気手段側のフィルタ交換時に処理室内部を大気開放してダストの混入を招くことがない。
【００３６】
本発明に係るダスト除去方法は、プラズマプロセス装置の処理室内部のダスト除去方法であって、プラズマ励起中に基板を保持する基板ホルダに多相交流電圧を印加して、多相交流電圧による電位分布が形成する進行波を用いてダストを搬送する工程と、排気手段を用いて処理室内部からダストを除去する排気工程とを備える。これにより、被処理基板上にダストを落下させることなくプラズマ処理を行なうことができる。
【００３７】
ここで、進行波を基板ホルダの中央部から外周に向かって進行させ、ダストを基板ホルダの中央部から外周へ搬送することが好ましい。これにより、ダストの搬送距離が短くなり、短時間で効率よくダストの除去を行なうことができる。
【００３８】
また、進行波を基板ホルダ外周の２箇所以下の部分に収束させ、ダストを基板ホルダの外周の２箇所以下の部分に搬送することが好ましい。これにより、排出口の数を多く設ける必要がなく、ダストの搬出部から排出口への搬送を効率よく行なうことができる。
【００３９】
上記の排気工程は、処理室内部のクヌーセン数が１未満であり、かつプラズマガスの処理室滞在時間が平均１０秒以下の条件で行なわれることが好ましい。これにより、ダストが滞ることなく排気口より排出される。
【００４０】
上記の搬送工程および排気工程は、プラズマ処理の開始直後および終了直前の少なくとも一方において行なわれることが好ましい。これにより成膜工程、エッチング工程およびアッシング工程などにおいて、基板上へのダスト落下が最も問題となる時点でダスト除去を行なうことができるため、効率よくダストの除去を行なうことができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に基づくプラズマプロセス装置およびダスト除去方法の実施の形態について説明する。
【００４２】
（実施の形態１）
図１から図５は、実施の形態１におけるプラズマプロセス装置およびダスト除去方法について示した図である。
【００４３】
本実施の形態に係るダスト除去方法は、プラズマプロセス装置の処理室７内部のダスト除去方法であって、被処理基板１１を保持する基板ホルダ１０に高周波電圧および多相交流電圧を印加してプラズマ処理を行ないながら、もしくはプラズマ励起中に多相交流電圧のみを印加して、多相交流電圧による電位分布が形成する進行波を用いてダストを搬送する工程と、排気手段としての排気ポンプ３５を用いてダストを処理室７内部から除去する排気工程とを備える。これにより、被処理基板１１上にダストを落下させることなくプラズマ処理を行なうことができる。
【００４４】
図１は、本実施の形態に係るプラズマプロセス装置の断面図である。
図１に示すように、プラズマプロセス装置は、プラズマプロセス処理を行なう処理室７と、処理室７を排気する排気手段としての排気ポンプ１７，３５と、処理室７内にガスを供給するガス供給手段としてのガス供給系１４と、ガスをプラズマ励起するプラズマ発生手段としてのマイクロ波発振器１３と、電極部２６を有し被処理基板１１が載置される基板ホルダ１０と、電極部２６に接続された電圧印加手段としての多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃおよび高周波電源２４とを備える。
【００４５】
チャンバー本体２上には、上蓋１がＯリング６を介して処理室７内部を真空封止するよう設置されている。チャンバー本体２の底面には、上蓋１と対向して基板ホルダ１０が設置されており、基板ホルダ１０上には被処理基板１１が載置される。上蓋１には、アルミナなどの誘電体から成る誘電体窓４が埋設されており、上蓋１と誘電体窓４との間には、処理室７内部を真空封止するためにＯリング５が設置されている。
【００４６】
上蓋１上には、アルミ材からなる矩形導波管３が配置され、該矩形導波管３は、導波管１２を介してマイクロ波発振器１３と接続されている。また、誘電体窓４と、矩形導波管３との間には複数のスロット９が形成されたアルミ材の薄板から成るスロットアンテナ板８が設置されている。スロットアンテナ板８は、矩形導波管３内に導入されたマイクロ波などの高周波を分配して、処理室７内部に供給する。
【００４７】
また、基板ホルダ１０は、被処理基板１１載置側表面に誘電体２３を有し、その反対側に基板ホルダ下部２７を有し、その中間に電極部２６を有する。
【００４８】
マイクロ波発振器１３より発振されたマイクロ波は、導波管１２、矩形導波管３、スロット９を通り、誘電体窓４を介して処理室７内部に導入され、ガス供給系１４より導入した反応ガスをプラズマ化する。プラズマ化された反応ガスは被処理基板１１に到達し、ラジカルの反応促進効果や、電子やイオンの物理的衝突によりエッチングやアッシングを進行させる。また、ＣＶＤの場合にはプラズマによりガスを分解し、シリコンなどの薄膜を堆積する。
【００４９】
なお、図１においてはマイクロ波プラズマプロセス装置を前提としているが、上記装置の基本的な構造については、たとえばＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）、リモートプラズマなどのプラズマ方式による装置や、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置などにおいても同様である。
【００５０】
チャンバー本体２の下面には排気口１５が設けられている。排気口１５（圧力調整用）は、排気管１６を介して排気ポンプ１７に接続される。また、該本体２の側壁に設けられた排気口３０（ダスト除去用）は、排気管３１を介して排気ポンプ３５に接続される。ここで、排気管３１の壁面は加熱が可能な構造となっている。該排気管３１には、処理室７側から順に、フィルタ３３（逆流防止用）、排気バルブ３４、フィルタ３２（ダスト除去用）が設置される。
【００５１】
プラズマ処理中は、イオンに比べ移動度の大きい電子がバルクプラズマから被処理基板１１表面に飛び込むため、イオンが過剰なシース領域４１が形成されると同時に、被処理基板１１の被処理面が負に帯電する。また、処理室７内のダストについても基板と同様のメカニズムによって負に帯電し、ダストに作用する重力と、被処理基板１１およびダスト間に作用する電気的な反発力とがつりあうこととなる。したがって、プラズマ処理中は、シース領域４１内にダストが閉じ込められる。
【００５２】
次にシース領域４１内に閉じ込められたダストの搬送工程について説明する。
図２および図３は基板ホルダおよびその上方に浮遊するダストの断面図である。（図２および図３においては被処理基板１１を図示しない。）図２および図３に示すように、誘電体２３の下部に形成された電極部２６は、プラズマに対して電圧を印加する第１の電極２０およびダストを移動させる第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃを有し、第１の電極２０と第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃとは被処理基板１１の被処理面と平行な方向に並ぶように配置されている。該電極部２６は第１の電極２０と第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃとが交互に配置されているが、この配置態様に限らずたとえば２つ連続する第１の電極２０と隣接して第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃが設置される配置でもよい。
【００５３】
第１の電極２０の周囲には絶縁性の物質としての絶縁膜２５が形成され、第１の電極２０と第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃとは絶縁されている。この絶縁膜２５は第１の電極２０の表面に対して陽極酸化を行なうことにより形成されている。陽極酸化法を用いることにより、低コストで容易に絶縁膜を形成することができる。また、上記絶縁膜は、第２の電極の表面、あるいは第１および第２の電極の両方の表面に形成されていてもよい。ここで、図２および図３においては、説明のため絶縁膜２５の厚さを誇張して記している。
【００５４】
また、第１の電極２０は高周波電源２４に接続され、第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃは高周波電源２４および多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃに接続されている。プラズマ処理中は第１及び第２の電極の両方に高周波電圧を印加することにより、基板ホルダ全面からプラズマに対して電圧を印加することができ、プラズマプロセス処理を基板面内で均一に行なうことができる。また、第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃには、交番交流電圧と高周波電圧が重畳して印加することができる。（図２および図３においては高周波電源２４は図示しない。）ここで、多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、互いに位相の異なった交番電圧を印加する。
【００５５】
多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃにより印加される交番電圧は、各々１２０度ずつ位相がずらされている。たとえば、電源２２ｂによる交番電圧は、電源２２ａによる交番電圧に対して位相が１２０度遅れている。また、電源２２ｃによる交番電圧についても同様に、電源２２ｂによる交番電圧に対して位相が１２０度遅れるように調整されている。すなわち、多相交流電圧は基板ホルダ１０の中央部から外周に向かって位相を遅らせて印加されており、各電源電圧は次のように表される。
Ｖ１＝Ｖｍ１・ｓｉｎωｔ
Ｖ２＝Ｖｍ２・ｓｉｎ（ωｔ−２π／３）
Ｖ３＝Ｖｍ３・ｓｉｎ（ωｔ−４π／３）
ここで、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３はそれぞれ電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃの交番電圧である。Ｖｍ１，Ｖｍ２，Ｖｍ３は各電源電圧の最大値であり、通常はＶｍ１＝Ｖｍ２＝Ｖｍ３である。
【００５６】
上記のような交番電圧の印加により図３に示す矢印方向に進行波状の交番電界（進行波電界）が形成される。
【００５７】
このとき、負に帯電したシース領域４１のダスト４２が上記の進行波状の交番電界中に存在すると、第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃ表面の強電界部（電圧が高い位置にある下部電極の直上）に吸引される。
【００５８】
ここで、電位のピークは時間的に進行波を形成するので、負に帯電したダスト４２は各相において電圧の最も高い電源（図２に示す位相における電源２２ａ、図３に示す位相における電源２２ｂ）に接続された電極（図２に示す位相における電源２１ａ、図３に示す位相における電源２１ｂ）に向かって移動する。このようにして、ダスト４２は被処理基板１１の直上の空間を遷移し、図３に示す矢印方向に搬送される。
【００５９】
以上の構成および作用により、プラズマ処理を行なうための高周波電圧を高周波電源２４によって基板ホルダ１０全面から印加することができると同時に、シース領域４１内に閉じ込められたダスト４２を所定の方向に搬送することができる。
【００６０】
ここで、多相交流電圧は、条件によって、高周波電圧を印加している間に印加する場合と、高周波電圧を停止してから印加する場合の両方が考えられる。
【００６１】
プラズマプロセス処理を行なう際に、物理的な反応を主の目的として行なう場合は、プラズマ中のイオンを基板表面に対して引き込み、物理的な衝突を進めるために高周波電圧を高くする。一方、化学的な反応を主の目的として行なう場合は、高周波電圧を低くする。
【００６２】
ここで、物理的な反応を目的とするプラズマプロセスを行なう場合は、高周波電圧を停止した後に多相交流電圧を印加することが好ましい。これにより、プラズマプロセスに影響を与えることがない。
【００６３】
一方、化学的な反応を目的とするプラズマプロセスを行なう場合は、高周波電圧を停止した後に多相交流電圧を印加してダストを除去すると、その間に反応が進行することになる。よって、化学的な反応を目的とするプラズマプロセスを行なう場合は、高周波電圧を印加している間に多相交流電圧を印加して、ダスト除去を行なうのが好ましい。
【００６４】
多相交流電圧の波形については、パルス波形もしくは正弦波形の一方、またはその組み合わせのいずれを用いてもよい。また、ここで言う多相とは少なくとも３相以上の交流とする。本実施の形態においては、交流電圧の相数を３相とし、各々の交流電圧の位相のずれを１２０度としたが、これらは必ずしも上記の値に限定されるものではない。
【００６５】
次に、上記の搬送工程を行なうタイミングについて説明する。
エッチングやアッシングなどの表面加工または表面改質プロセスにおいては、プラズマ処理終了後の基板上へのダスト落下が問題となる。これを防ぐためには、プラズマ処理終了直前にダスト除去作業を行なうことが最も効率がよく好ましい。またＣＶＤなどの成膜プロセスにおいては、プラズマ処理終了後のダスト落下に加えて、膜中への不純物混入を防ぐため、プラズマ処理開始直後とプラズマ処理終了直前の両方においてダスト除去作業を行なうことが好ましい。
【００６６】
これに対し、本実施の形態におけるプラズマプロセス装置は、図１に示すように、多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃに接続されたコントローラとしての演算処理部５２と、該演算処理部５２に接続されプラズマによる発光を認識することが可能な光学センサ５１とを備える。演算処理部５２はプラズマ処理の開始直後および終了直前の少なくとも一方において多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃを作動させ、ダストの搬送工程および排気工程を行なう。
【００６７】
次に、プラズマ処理の開始直後および終了直前の判定方法について説明する。
光学センサ５１はプラズマの発光によりプラズマ処理の開始を認識し、その結果を演算処理部５２にフィードバックしてダスト除去開始の判定に利用する。
【００６８】
エッチング処理を行なう場合は、エッチングの終点を認識するＥＰＤ（ＥｎｄＰｏｉｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）をプラズマ処理終了直前のダスト除去開始の判定に利用することができる。該ＥＰＤは、エッチングで使用するガスがプラズマ状態に励起される際に発する特定の波長の光強度を検知するものであり、エッチング終了により使用されるガスの消費量が減少して、上記の光強度が変化するのを検知することでエッチングの終点を認識できる。
【００６９】
本実施の形態においては、ＥＰＤによるエッチングの終点判定後に数秒間のオーバーエッチングを行ない、さらに終点判定結果を演算処理部５２にフィードバックすることで、ダストの除去をオーバーエッチングと同時に行なう。
【００７０】
また、演算処理部５２は、マイクロ波発振器１３およびガス供給系１４とも接続されており、予め条件を入力しておくことにより、プラズマ処理開始時にマイクロ波を印加すると同時に多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃを作動させたり、処理室７内部に供給するガスを変更すると同時に多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃを作動させることが可能である。
【００７１】
なお、ガスを変更する際にプラズマを停止しなければ、ダストの除去を行なう際のプラズマの維持に用いるガスは、たとえばＡｒなどの不活性ガスに変更してもよい。
【００７２】
次に、搬送されたダストを処理室７から排出する排気工程について説明する。
上記の搬送工程により搬送されたダストは、粘性を有するガスに吸着され、ガスとともに図１に示す排気口３０より排出される。この排気工程は、処理室７内部のクヌーセン数Ｋｕが１未満であり、かつプラズマガスの処理室滞在時間τが平均１０秒以下の条件で行なわれることが好ましい。これにより、ダストが滞ることなく排気口より排出される。なお、クヌーセン数Ｋｕおよびプラズマガスの処理室滞在時間τは小さいほど好ましいが、現状の技術水準に鑑みると、Ｋｕについては２．０×１０−３程度、τについては０．８程度が下限値と考えられる。
【００７３】
ここで、たとえば気体（Ｎ２）の平均自由行程はλ（ｍ）＝６．６×１０−３／Ｐ（Ｐａ）、１（ＳＣＣＭ）＝１．６９×１０−３（Ｐａ・ｍ３／ｓ）であるから、容積Ｖ＝０．３００（ｍ３）の処理室に対して直径Ｌ＝０．２００（ｍ）の排気口が設けられており、処理圧力Ｐ＝２．０（Ｐａ）、ガス流量Ｑ＝５０（ＳＣＣＭ）である場合、
Ｋｕ＝λ／Ｌ＝０．０１６５＜１
τ＝Ｐ・Ｖ／Ｑ＝７．０９＜１０
となり、上記の条件を満たす。
【００７４】
また、ポンプの排気量に着目すると、容積Ｖ＝０．３００（ｍ３）の処理室に対して、排気速度Ｖ０＝６．００×１０−２（ｍ３／ｓ）のポンプを設置した場合、τ＝Ｖ／Ｖ０＝５．００＜１０
となり、上記の条件を満たす。
【００７５】
上記のように、処理室の容積とその容積に応じた排気能力（処理圧力、ガス流量および排気速度）をもつ排気ポンプを選択することで、ダストが滞ることなく排気口より排出される。
【００７６】
ここで、排気口３０の上下方向の設置位置については、被処理基板１１上を浮遊しているダストの上下方向の位置と、第１および第２の電極の面積とを考慮して決定されるが、通常は被処理基板１１の被処理面よりやや下方に設けられる。平面方向の設置位置については、ダストが基板ホルダの領域外へ搬出される搬出部に対応して設けられる。搬出部から排気口の間に、さらにダストを集める補助搬送機構を設けてもよい。これにより、進行波電界により搬送されるダストをより確実に系外へと排出することができ、また排気ポンプ３５による吸引力を最も効果的に活用することができる。
【００７７】
排気口３０より排出されたダスト４２は、図１に示す排気管３１を通過し、フィルタ３２（ダスト除去用）により回収される。ここで、排気管３１の内壁面は加熱されているので、排出されたダストが付着することを防止することができる。
【００７８】
プラズマプロセス装置は、処理室７と排気ポンプ３５との間に排気バルブ３４を備え、処理室７と排気バルブ３４との間および排気バルブ３４と排気ポンプ３５との間の両方にダストの回収手段としてのフィルタ３２，３３を備える。ここで、ダスト除去を行なう際は、フィルタ３３（逆流防止用）は挿入されていない。
【００７９】
排気バルブ３４を備えることにより、排気ポンプ３５側のフィルタ３２の交換時にも処理室７内部を大気開放してダストの混入を招くことがない。
【００８０】
また、排気バルブ３４の両側にフィルタ３２，３３を備えることにより、排気バルブ３４を隔てて処理室７内部側と排気ポンプ３５側に圧力差があり、排気バルブ３４をオープンにした際、フィルタ３２（ダスト除去用）にトラップされているダストや排気管３１の内壁に付着しているダストが、処理室７内部に侵入する可能性がある場合に、フィルタ３３（逆流防止用）を挿入して逆流してくるダストを回収することができる。このような逆流防止用のフィルタ３３を状況に応じて挿入することは、排気ポンプ３５側からの逆流が考えられる場合に対し有効である。
【００８１】
また、排気バルブ３４の開閉を行なう際のみならず、ダスト除去を行なう際にもフィルタ３２とフィルタ３３とを併用してもよい。その場合、フィルタ３２、３３の種類は状況に応じ適切なものを選択する必要があるが、たとえばＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ  Ａｉｒ）フィルタとＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ  Ｌｏｗ  Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ  Ａｉｒ）フィルタとの組み合わせなどを用いることができる。すなわち、処理室７側のフィルタ３３に比較的粗いＨＥＰＡフィルタを用いて大きなダストをトラップし、排気ポンプ３５側のフィルタ３２にＵＬＰＡフィルタを用いてＨＥＰＡフィルタを通過したダストをトラップさせる。これにより、フィルタ３２，３３のメンテナンスサイクルを長くしながら、細かいダストをトラップすることができる。
【００８２】
次に、基板ホルダ１０における第１および第２の電極の平面的な配置について説明する。
【００８３】
図４は基板ホルダ１０の平面図である。図４に示すように、第１の電極２０および第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃは直線形状を有し、全て平行に配列されている。ここで、基板ホルダ１０の一辺の長さ、および該基板ホルダ１０内部に設置された第１および第２の電極の長さについては、被処理物である基板の一辺の長さ、またはウエハの直径よりも大きくなるように設計されている。上記の構成により、ダストを最短距離で基板ホルダの外周に搬送することができる。
【００８４】
より具体的には、図４に示す基板ホルダ１０に対し、上記の多相交流電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加すると、該多相交流電圧は基板ホルダ１０の中央部から外周に向かって位相を遅らせて印加される。その結果、進行波電界は基板ホルダ１０の中央部から外周に向かって進行し、ダストを基板ホルダ１０の中央部から外周に搬送する。
【００８５】
図５は、図４に示す基板ホルダ１０に多相交流電圧Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３を印加してダスト４２を除去している際の平面図である。中央部から外側に向かって位相を遅らせて電圧を印加することにより、ダストの搬送距離が短くなり、短時間で効率よくダストの除去を行なうことができる。また、ダストは左右に分かれて搬送されるので、被処理基板１１の外周から排気口３０へのダストの搬送を効率よく行なえる。また、左右の搬送開始位置は、ダストの搬送漏れがないように、基板の中央部に位置する電極から開始するようにしている。
【００８６】
（実施の形態２）
図６は、実施の形態２における基板ホルダの断面図である。実施の形態１においては、第１の電極と第２の電極との間で絶縁性をとる方法として、絶縁性の物質としての絶縁膜を用いたが、絶縁性を確保する方法としては必ずしもこれに限るものではない。本実施の形態においては、図６に示すように、第１の電極と第２の電極は被処理基板の被処理面と平行な方向に並ぶように、かつ各電極間に間隙を設けて配置されている。ここで、図６においては、説明のため間隙４３の幅を誇張して記している。間隙４３の幅については、第１および第２の電極の両方に高周波電圧を印加してプラズマプロセスを行なう際に、基板全面で処理が均一に行なうことができるように調整するのが望ましい。
【００８７】
（実施の形態３）
図７から図１０は、実施の形態３における第１および第２の電極の配置を示した平面図である。図７から図１０に示す矢印は、それぞれダストの搬送方向を示す。
【００８８】
本実施の形態におけるダスト除去方法は、進行波を基板ホルダ１０外周の２箇所以下の部分に収束させ、ダストを基板ホルダ１０の外周の２箇所以下の部分に搬送する。
【００８９】
図７および図８においては、第１および第２の電極は基板ホルダ１０の外周の一部を包囲するように配置されている。
【００９０】
図７においては、電極が湾曲して基板ホルダ１０の左右の外周の中央部を取り囲むことにより、ダストの搬送方向が調整され、左右の外周の中央部にダストを集めることができる。
【００９１】
また、図８においては、基板ホルダ１０の左右の外周の中央部を囲むようにコの字状の電極を配置し、該コの字の開口部へ向かってダストを搬送することにより、基板ホルダ１０の左右の外周の中央部にダストを集めることができる。
【００９２】
また、図９および図１０においては、第１および第２の電極は基板ホルダ１０の中央部を包囲するように配置される第１の部分と、基板ホルダ１０の外周に沿って設けられ、該基板ホルダ１０の外周に沿ってダストを搬送する第２の部分とを有する。
【００９３】
ここで、被処理基板１１が最外周に形成されている環状電極に達しない大きさの場合は、該最外周に沿って配置された電極部（第２の部分）には高周波電圧を印加する必要がない。したがって、当該部分には第１の電極を配置せず、第２の電極のみで構成してもよい。
【００９４】
図９においては、略ひし形状の電極を中心に配し、その外周を取り囲むように環状の電極を連ねて配置し、環状電極の最外周からのダストを左右の外周の中央部に集めるように電極が配置されている。
【００９５】
図１０においては、矩形状の電極を中心に配し、その外周を取り囲むように環状の電極を連ねて配置し、環状電極の最外周に沿ってダストを搬送し、１箇所に集めるように電極が配置されている。
【００９６】
本実施の形態においては、以上のような電極配置とすることにより、いずれの場合も搬送したダストを基板ホルダの外周の限定された搬出部へ集め、ダストの収集効率を高めることができる。これにより、排出口の数を多く設ける必要がなく、より効率的にダストの除去を行なうことが可能となる。
【００９７】
（実施の形態４）
図１１から図２２は、実施の形態４における電極の配置および接続と、ダストの搬送方向とを示した平面図である。
【００９８】
本実施の形態に係るプラズマプロセス装置においては、第２の電極はマトリクス状に配置され、第１および第２の電極と高周波電源２４および多相交流電源２２ａ，２２ｂ，２２ｃとの接続状態を切り換えるスイッチを備える。
【００９９】
図１１に示すように、電極の形状はたとえば矩形形状であり、該電極はマトリクス状に配置される。さらに、所望のタイミングで電極に電圧が印加できるように、スイッチ下台２８（固定式）を接続する。ここで、スイッチ下台に代わりスイッチ回路（非固定式）を用いてもよい。
【０１００】
図１２は、スイッチの操作により、高周波電圧を印加する第１の電極２０と高周波電圧に加えて多相交流電圧を印加する第２の電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃとをそれぞれ直線状に形成したのと等価な状態とし、それらを交互に並列に配置した平面図を示す。これにより、実施の形態１と同様のダスト除去効果を得ることができる。
【０１０１】
本実施の形態においては、電極に同一のものを使用した場合にも、スイッチ回路の切り換え、もしくはスイッチ下台の取り替えにより、ダスト除去の搬送の方向を変更することができる。
【０１０２】
図１３から図１６は、図１２に対する電極配置の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。ここで、図１３は図７と、図１４は図８と、図１５は図９と、図１６は図１０とそれぞれ同様の電極の配置およびダストの搬送方向を示している。いずれの場合も搬送したダストを基板ホルダの外周の限定された搬出部へ集めることができる。
【０１０３】
本実施の形態においては、以上のような構成とすることにより、実施の形態３と同様にダストの収集効率を向上させることができる。これにより、排出口の数を多く設ける必要がなく、より効率的にダストの除去を行なうことが可能となる。
【０１０４】
図１７から図２２は、本実施の形態における第２の電極のマトリクス状配置のさらに他の変形例である。
【０１０５】
本実施の形態における電極のマトリクス状配置としては、たとえば図１７から図２１に示すように、六角形（図１７）、２方向の三角形（図１８）、十字形（図１９）、３方向の菱形（図２０）、１つの四角形とその周りを囲む４つの台形を組にした四角形（図２１）などをマトリクス状に配置した形態としてもよい。また、たとえば図２２に示すように、第１の電極の広がりの中に円形や多角形などの第２の電極をマトリクス状に配置した形態としてもよい。
【０１０６】
（実施の形態５）
図２３は実施の形態５に係るプラズマプロセス装置を備えたプラズマプロセス装置の断面図である。
【０１０７】
図２３においては、ダスト除去用の排気口３０および排気ポンプ３５などの排気系をチャンバー本体２のダスト搬送方向両側に設けている。これは、搬送されたダストをより効率よく、確実に系外に排出するためである。なお、上記以外の構成は実施の形態１と同様である。
【０１０８】
（実施の形態６）
図２４は実施の形態６に係るプラズマプロセス装置を備えたプラズマプロセス装置の断面図である。
【０１０９】
図２４においては、排気ポンプ３５がダスト除去用の排気ポンプと圧力調整用の真空ポンプとを兼用し、装置構成がシンプルなものとなっている。なお、上記以外の構成は実施の形態１と同様である。
【０１１０】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【０１１１】
【発明の効果】
本発明によれば、プラズマ処理を行ないながら、被処理基板上に浮遊しているダストを効率よく、かつ確実に排出することが可能なプラズマプロセス装置およびダスト除去方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るプラズマプロセス装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る基板ホルダおよびその上方に浮遊するダストを示す拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る基板ホルダおよびその上方に浮遊するダストの他の位相における状態を示す拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る基板ホルダの平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係るダスト除去時の処理室内部の平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る基板ホルダを示す拡大図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る電極の配置とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る電極の配置とダストの搬送方向の変形例を示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る電極の配置とダストの搬送方向のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る電極の配置とダストの搬送方向のさらに他の変形例を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係る電極の配置と回路を示した基板ホルダの平面図である。
【図１２】図１１に示す基板ホルダにおいて形成可能な電極の形態例を示した平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態４に係る電極の接続の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態４に係る電極形態のさらに他の変形例とダストの搬送方向を示す平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態５に係るプラズマプロセス装置を備えたプラズマプロセス装置の断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態６に係るプラズマプロセス装置を備えたプラズマプロセス装置の断面図である。
【図２５】従来のプラズマプロセス装置の断面図である。
【図２６】従来のプラズマプロセス装置におけるプラズマ生成時の処理室内部の断面図である。
【符号の説明】
１，１０１  上蓋、２，１０２  チャンバー本体、３，１０３  矩形導波管、４，１０４  誘電体窓、５，６，１０５，１０６  Ｏリング、７，１０７  処理室、８，１０８  スロットアンテナ板、９，１０９  スロット、１０，１１０  基板ホルダ、１１，１１１  被処理基板、１２，１１２  導波管、１３，１１３マイクロ波発振器、１４，１１４  ガス供給系、１５，１１５  排気口（圧力調整用）、１６，１１６  排気管、１７，１１７  排気ポンプ（圧力調整用）、２０  第１の電極（高周波電源用）、２１  第２の電極（多相交流電源用）、２２  多相交流電源、２３  誘電体、２４  高周波電源、２５  絶縁膜、２６  電極部、２７  基板ホルダ下部、２８  スイッチ下台、３０  排気口（ダスト除去用）、３１  排気管、３２  フィルタ（ダスト除去用）、３３  フィルタ（逆流防止用）、３４  排気バルブ、３５  排気ポンプ（ダスト回収用）、４１，１４１  シース領域、４２  ダスト、４３  間隙、５１  光学センサ、５２  演算処理部、１４０  バルクプラズマ。
【図１】
2004259832.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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