(57)【要約】【課題】プロセスチューブの熱変形を防止する。【解決手段】石英が使用され上端閉塞の円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室３６を形成するプロセスチューブ３５と、プロセスチューブ３５の外部に敷設されたヒータ３３と、プロセスチューブ３５とヒータ３３との間に敷設された均熱チューブ３４と、複数枚のウエハＷを保持し処理室に搬入搬出するボート２１とを備えたホットウオール形熱処理装置１０において、プロセスチューブ３５には自重による熱変形に対して抵抗力を持つ天井部補強リブ５１および胴部補強リブ６１が敷設されている。【効果】プロセスチューブで内部粘性流動が起こる状況になってもプロセスチューブの自重による熱変形を天井部補強リブと胴部補強リブにより防止でき、プロセスチューブの寿命を延長でき、熱処理装置の運用コストを低減できる。【選択図】　　図４
2004014543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強リブが胴部に長手方向に伸びるように敷設されたプロセスチューブを備えていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記補強リブが前記プロセスチューブの下端に突設されたフランジから延設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記プロセスチューブの閉塞壁に補強リブが突設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記補強リブが複数、前記プロセスチューブの胴部に周方向に等間隔に配されていることを特徴とする請求項１、２または３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
複数枚の基板を保持したボートが補強リブ胴部に長手方向に伸びるように敷設されたプロセスチューブの処理室に搬入されるステップと、
前記処理室に搬入された複数枚の基板が前記プロセスチューブ外に敷設されたヒータによって加熱されるステップと、
前記加熱された複数枚の基板を保持したボートが前記処理室から搬出されるステップと、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に関し、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に酸化処理や拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローおよびアニール等の熱処理（ｔｈｅｒｍａｌ　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）を施す熱処理装置（ｆｕｒｎａｃｅ）に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣの製造方法におけるアニール等の熱処理には、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置（以下、ホットウオール形熱処理装置という。）が、広く使用されている。ホットウオール形熱処理装置は、石英が使用されて上端が閉塞した円筒形状に形成されてウエハが搬入される処理室を形成するプロセスチューブと、プロセスチューブの外部に敷設されたヒータと、処理室内の温度の均一化および汚染低減のためにプロセスチューブとヒータとの間に敷設された均熱チューブ（均熱管）と、複数枚のウエハを互いに中心を揃えて整列させた状態で保持し処理室に対して搬入搬出するボートとを備えており、処理室内に炉口から搬入されたボート上のウエハ群をヒータによって加熱することにより、ウエハ群に熱処理を一括して施すように構成されている。
【０００３】
従来のホットウオール形熱処理装置のプロセスチューブは、不純物が少なく汚染源にならないこと、熱膨張係数が小さいこと、透過率が高いこと等の理由から石英が使用されて形成されている。この石英からなるプロセスチューブの天井壁は、図１（ａ）に示されているように平板形状や、図１（ｂ）に示されているように彎曲面形状に形成されている場合が多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、石英からなるプロセスチューブにおいては、熱処理温度が９００℃以上になるとプロセスチューブの内部において粘性流動が始まるため、図２に矢印Ａで示されているように、天井壁が窪んだり、図２に矢印Ｂで示されているように、胴部が膨んだり、図２に矢印Ｃで示されているように、胴部が縮んだりする変形が発生するという問題点がある。このようなプロセスチューブの変形は熱処理温度が高くなるほど顕著になり、１０００℃以上の歪点や徐冷点領域では内部粘性流動が著しくなるため、自重によるクリープ変形を起こす場合がある。また、このような変形は石英の材料の組成にも影響される。一般に、不純物の含有量が天然石英に比べて少ない合成石英が使用されたプロセスチューブは、ＯＨ基の含有量が多くて粘性が高いため、変形が発生し易い。
【０００５】
処理の内容にもよるが、概ね、熱処理は１２００℃付近の温度帯域で実施されるため、石英からなるプロセスチューブの内部粘性流動は充分に起こり得る状況になる。そして、自重によるクリープ変形が発生して進行すると、プロセスチューブの強度低下による破損やボートとの干渉による破損が引き起こされる。特に、水素（Ｈ２　）等の爆発性のガスが使用される場合には、プロセスチューブの破損がガス爆発の原因になるため、注意を要する。また、ホットウオール形熱処理装置のタクトタイムを短縮するために、ヒータの内部の温度が急速に上昇されたり降下されたりする場合には、プロセスチューブに大きな熱応力が作用するので、プロセスチューブの強度の低下が問題となる。
【０００６】
なお、プロセスチューブの肉厚は３ｍｍ〜８ｍｍが一般的である。これを厚く設定すると、石英からなるプロセスチューブの自重による熱変形に対しては有利となるが、石英からなるプロセスチューブの処理室における熱の応答性が損なわれるため、ホットウオール形熱処理装置のタクトタイムが長くなってしまうという問題点がある。
【０００７】
本発明の目的は、プロセスチューブの寿命を延長して、ランニングコストを低減することができるとともに、安全性や稼働率が高い半導体製造装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造装置は、補強リブが胴部に長手方向に伸びるように敷設されたプロセスチューブを備えていることを特徴とする。
【０００９】
前記した手段によれば、プロセスチューブに補強リブが敷設されているため、プロセスチューブの内部粘性流動が起こり得る状況になったとしても、プロセスチューブの自重による熱変形が発生するのを防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【００１１】
本実施の形態において、図３および図４に示されているように、本発明に係る半導体製造装置は、ＩＣの製造方法における熱処理工程を実施するホットウオール形熱処理装置（バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置）１０として構成されている。
【００１２】
図３および図４に示されたホットウオール形熱処理装置１０は略立方体の気密室を形成する箱形状に構築された筐体１１を備えており、筐体１１の気密室はボート２１が処理室への搬入搬出に対して待機する待機室１２を構成している。待機室１２にはボート２１を昇降させるボートエレベータ１３が設置されており、ボートエレベータ１３は送りねじ軸装置によって構成されている。すなわち、ボートエレベータ１３は待機室１２に垂直に立脚されて回転自在に支承された送りねじ軸１４と、待機室１２の外部に設置されて送りねじ軸１４を回転駆動するモータ１５と、送りねじ軸１４に噛合されて送りねじ軸１４の回転に伴って昇降する昇降台１６と、昇降台１６に水平に突設された支持アーム１７とを備えている。支持アーム１７の先端部には処理室を閉塞するシールキャップ２０が水平に支持されており、シールキャップ２０はプロセスチューブ３５の外径と略等しい円盤形状に構築されている。シールキャップ２０の中心線上にはボート２１が垂直に立脚されてベース１９を介して支持されるようになっている。
【００１３】
ボート２１は上下で一対の端板２２、２３と、両端板２２と２３との間に架設されて垂直に配設された三本の保持部材２４とを備えており、三本の保持部材２４には多数の保持溝２５が長手方向に等間隔に配されて互いに対向して開口するように刻設されている。ボート２１は三本の保持部材２４の保持溝２５間にウエハＷを挿入されることにより、複数枚のウエハＷを水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。ボート２１とシールキャップ２０との間には内部に断熱材が封入された断熱キャップ部２６が配置されており、断熱キャップ部２６はボート２１をシールキャップ２０の上面から持ち上げた状態に支持することにより、ボート２１の下端を処理室の炉口の位置から適当な距離だけ離間させるように構成されている。
【００１４】
待機室１２の天井壁におけるボート２１の真上にはボート搬入搬出口３０が開設されており、待機室１２の天井壁の上にはスカベンジャ３１がボート搬入搬出口３０を取り囲むように構築されている。スカベンジャ３１の上には上端が閉塞した円筒形状に形成された断熱槽３２が同心円に配置されて垂直に立ち上げられており、断熱槽３２の内周には電気抵抗体からなるヒータ３３が螺旋状に敷設されている。ヒータ３３は温度コントローラによってシーケンス制御およびフィードバック制御されるように構成されている。
【００１５】
ヒータ３３の内側には均熱チューブ３４が同心円に配されてスカベンジャ３１の上に垂直に立脚されており、均熱チューブ３４の内側にはプロセスチューブ３５が同心円に配置されている。均熱チューブ３４は炭化シリコン（ＳｉＣ）または石英が使用されて外径がヒータ３３の内径よりも小さく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、プロセスチューブ３５にその外側を取り囲むように同心円に被せられている。プロセスチューブ３５はボート搬入搬出口３０に同心円に配置されて筐体１１の待機室１２の天井壁に支持されており、プロセスチューブ３５の下端部と均熱チューブ３４の下端部との間はスカベンジャ３１によって気密封止されている。
【００１６】
プロセスチューブ３５は石英ガラスが使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。プロセスチューブ３５の筒中空部はボート２１によって長く整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入される処理室３６を形成しており、プロセスチューブ３５の下端開口はウエハを出し入れするための炉口３７を構成している。プロセスチューブ３５の内径は取り扱うウエハの最大外径（例えば、三百ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。プロセスチューブ３５の下端部には排気管３８が接続されており、排気管３８は排気装置（図示せず）に接続されて処理室３６を排気し得るようになっている。スカベンジャ３１には原料ガスやキャリアガス等を供給するためのガス供給装置４０に接続されたガス導入管３９が挿入されており、ガス導入管３９はプロセスチューブ３５の側面に沿って上方に敷設されて、プロセスチューブ３５の天井部３５ａの上に形成されたバッファ室４１に連通するように接続されている。プロセスチューブ３５の天井部３５ａにおけるバッファ室４１の内部には、複数個のガス噴出口４２が開設されており、ガス導入管３９からバッファ室４１に導入されたガスはバッファ室４１において拡散し、複数個のガス噴出口４２から処理室３６へシャワー状に吹き出すようになっている。ガス噴出口４２群から処理室３６の上端部に導入されたガスは、プロセスチューブ３５の処理室３６を流下して排気管３８によって排気される。
【００１７】
図５に詳しく示されているように、プロセスチューブ３５には自重による熱変形に対して抵抗力を持つ天井部補強リブ５１および胴部補強リブ６１が敷設されており、天井部補強リブ５１および胴部補強リブ６１はプロセスチューブ３５と同質の石英が使用されて略矩形の平板形状に形成されている。天井部補強リブ５１はプロセスチューブ３５の天井部３５ａの垂れに対して抵抗力を持つように設定されており、天井部３５ａの彎曲面に沿った円弧を有する平板形状に形成されて天井部３５ａの中心を中心とする十文字形状に配置されて、天井部３５ａの表面に略一定幅一定高さをもって直角に溶着されている。胴部補強リブ６１はプロセスチューブ３５の胴部３５ｂの座屈および長手方向の縮みに対して抵抗力を持つように断面二次モーメントが大きく設定されており、四枚の矩形の平板形状に形成されてプロセスチューブ３５の胴部３５ｂの外周における天井部補強リブ５１の四箇所の下端に連続する位置においてプロセスチューブ３５の外周面に直角に溶着されている。胴部補強リブ６１の下端の位置はヒータ３３の下端位置と略対応されている。これは次の理由による。ヒータ３３によって加熱されるプロセスチューブ３５の上部においては粘性流動が発生するのに対して、ヒータ３３によって加熱されないプロセスチューブ３５の下端部においては粘性流動は発生しない。その結果、胴部補強リブ６１が温度差のある部位を跨ぐように敷設されていると、胴部補強リブ６１がプロセスチューブ３５の熱膨張を拘束する状態になるため、プロセスチューブ３５に内部応力を発生させてしまうことになる。このプロセスチューブ３５における内部応力の発生を防止するために、胴部補強リブ６１は温度差のある部位を跨ぐように敷設しないことが望ましい。
【００１８】
次に、前記構成に係るホットウオール形熱処理装置を使用してエピタキシャルウエハの代用品としての無欠陥層（ＤＺ）ウエハ（以下、ＤＺウエハという。）を製造するアニール工程について、図６に即して説明する。
【００１９】
図３に示されているように、これからアニール処理すべき複数枚のウエハＷは待機室１２において待機しているボート２１に図示しないウエハ移載装置（ｗａｆｅｒ　ｔｒａｎｓｆｅｒ　ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　）によって装填される。この際、プロセスチューブ３５の炉口３７はシャッタ１８によって閉塞されているため、処理室３６の熱気が待機室１２に侵入することはない。
【００２０】
所定の枚数が装填されると、図６に示されたボートローディングステップにおいて、ボート２１はエレベータ１３によって差し上げられてプロセスチューブ３５の炉口３７から処理室３６に搬入（ボートローディング）され、図４に示されているように、シールキャップ２０に支持されたままの状態で処理室３６に存置される。図６に示されているように、昇温ステップが開始するまでは、処理室３６の温度は予め設定されたスタンバイ温度である６００℃に維持されている。
【００２１】
ボート２１が処理室３６に存置されると、処理室３６はヒータ３３によって加熱されることにより、図６に示された昇温ステップの温度シーケンスをもって昇温されて行く。この際、ヒータ３３のシーケンス制御の目標温度と処理室３６の実際の上昇温度との誤差はフィードバック制御によって補正される。
【００２２】
図６に示されているように、処理室３６の温度がアニール処理の適当な温度として予め設定された高温処理ステップの１２００℃に達すると、処理室３６の温度は１２００℃の一定温度に維持される。この際、プロセスチューブ３５に内部粘性流動が起こったとしても、プロセスチューブ３５には天井部補強リブ５１および胴部補強リブ６１が敷設されているため、プロセスチューブ３５の自重による熱変形の発生は防止されることになる。
【００２３】
図６に示されているように、予め設定された高温処理ステップの処理時間である１２０分が経過すると、処理室３６の温度は図６に示された降温ステップの温度シーケンスをもって降温されて行く。この際、プロセスチューブ３５の熱容量は天井部補強リブ５１および胴部補強リブ６１が敷設された分だけ大きくなっているが、プロセスチューブ３５の外面に敷設された天井部補強リブ５１および胴部補強リブ６１が冷却フィンと同じ働きを果たすため、プロセスチューブ３５の処理室３６の温度を降下させる時間の延長を抑えることができる。
【００２４】
処理室３６の温度が予め設定されたスタンバイ温度である６００℃になると、一定に維持される。処理室３６の温度がスタンバイ温度になると、ボートアンローディングステップにおいて、シールキャップ２０がボートエレベータ１３によって下降されて炉口３７が開口されるとともに、ボート２１に保持された状態で処理済みのウエハＷ群が処理室３６から待機室１２に搬出される。図３に示されているように、ボート２１が待機室１２に搬出されると、処理室３６の炉口３７はシャッタ１８によって閉塞され、処理済みのウエハＷがボート２１からウエハ移載装置によって脱装（ディスチャージング）される。
【００２５】
以上のアニール工程において、図６に示されているように、アルゴン（Ａｒ）ガスがアニールガスとして昇温ステップの開始から降温ステップの終了まで１０〜４０ＳＬＭ（スタンダード・リットル・毎分）をもって流される。
【００２６】
ところで、ＤＺウエハをアニール処理によって製造する方法においては、アニールガスとしては水素ガスまたはアルゴンガスが使用される。水素ガスが使用される場合は、アルゴンガスが使用される場合に比べて無欠陥層の深さを深くすることができる。すなわち、水素は高温下では還元作用があり、ウエハのシリコン（Ｓｉ）や酸化膜および石英の酸素（Ｏ２）と反応してＨ２Ｏになる。また、高温下ではウエハから気相中に酸素が拡散する。このようにシリコン中に固溶している酸素が無くなることにより、ＤＺウエハが製造されることになる。
【００２７】
しかし、次のような理由で、本実施の形態に係るＤＺウエハの製造方法においては、アルゴンガスが使用される。
１）　アルゴンガスによるアニール処理によってもＤＺウエハを製造することができる。
２）　アルゴンガスは水素ガスに比べて設備費用を低減することができる。
３）　アルゴンガスのアニール処理は水素ガスのアニール処理に比べて汚染が少ない。すなわち、石英からなるプロセスチューブが水素ガスの還元作用によって削られることにより、プロセスチューブの石英中の汚染元素が気相（処理室）に出てきてしまい、この出てきた汚染元素がウエハに付着することにより、ウエハが汚染されることになる。これに対して、不活性ガスであるアルゴンガスはウエハと反応しないため、高温になったことによるウエハからの不純物の気相中への拡散によってＤＺウエハが製造されることになる。
【００２８】
本実施の形態によれば、次の効果を得ることができる。
【００２９】
１）　プロセスチューブの外面に天井部補強リブおよび胴部補強リブを敷設することにより、プロセスチューブの機械的強度を高めることができるため、プロセスチューブの内部粘性流動が起こり得る状況になったとしても、プロセスチューブの自重による熱変形の発生を防止することができる。その結果、プロセスチューブの寿命を延長することができ、ひいては、ＩＣの製造方法のランニングコストを低減することができる。
【００３０】
２）　高温下におけるプロセスチューブの熱変形の発生を防止することにより、純度が高くウエハに対する汚染レベルが低いにもかかわらず従来は粘性が高いために高温に不向きとされている合成石英をプロセスチューブへの使用を実現させることができる。その結果、熱処理の精度を高めることができ、ひいては、ＩＣの製造方法の歩留りやスループットを高めることができる。
【００３１】
３）　プロセスチューブの外面に敷設された天井部補強リブおよび胴部補強リブが冷却フィンと同じ働きを果たすことにより、プロセスチューブの処理室の温度を降下させる時間を短縮することができるため、熱処理工程全体のタクトタイムを短縮することができる。
【００３２】
４）　プロセスチューブの外面に天井部補強リブおよび胴部補強リブに敷設することにより、プロセスチューブの内側表面と外側表面との温度差による熱応力に対してプロセスチューブの剛性を高めることができるため、冷却ユニットによってヒータの内部（断熱層と均熱チューブとの間の空間）を強制的に排気して急速冷却させて、プロセスチューブの処理室の温度を降下させる時間を短縮することができ、熱処理工程全体のタクトタイムをより一層短縮することができる。
【００３３】
５）　プロセスチューブの熱変形の発生を未然に防止することにより、プロセスチューブの破損や変形によるボートへの干渉等を防止することができるため、それら破損や干渉による二次災害の発生を回避することができ、ホットウオール形熱処理装置およびその操業による熱処理工程の安全性を高めることができる。
【００３４】
６）　胴部補強リブの下端の位置をヒータの下端位置と略対応させることにより、ヒータによって加熱されるプロセスチューブの上部とヒータによって加熱されないプロセスチューブの下端部との間に温度差が発生したとしても、胴部補強リブがプロセスチューブの熱膨張を拘束する状態になるのを回避してプロセスチューブに内部応力を発生させてしまうのを防止することができるため、胴部補強リブを敷設したことによるプロセスチューブの破損等の弊害の発生を防止することができる。
【００３５】
なお、プロセスチューブに敷設する補強リブは前記実施の形態のように構成するに限らず、例えば、図７以降に示されているように構成してもよい。
【００３６】
図７に示された第二の実施の形態に係るプロセスチューブ３５Ａが第一の実施の形態と異なる点は、胴部補強リブ６１の枚数が二枚に減少されている点、二枚の胴部補強リブ６１の軸方向の中間部に円形リング形状の胴部補強リブ（以下、補強フランジという。）６２が二枚、軸方向に間隔をとって水平に連結されている点である。二枚の補強フランジ６２はプロセスチューブの胴部３５ｂの膨らみを防止する役目を果たすとともに、垂直方向に伸びた二枚の胴部補強リブ６１の横倒れを防止する役目を果たす。
【００３７】
図８に示された第三の実施の形態に係るプロセスチューブ３５Ｂが第一の実施の形態と異なる点は、胴部補強リブ６１の枚数が六枚に増加されている点、天井部補強リブ５１が省略されている点である。
【００３８】
図９に示された第四の実施の形態に係るプロセスチューブ３５Ｃが第一の実施の形態と異なる点は、胴部補強リブ６１の枚数が六枚に増加されている点、六枚の胴部補強リブ６１の下端がプロセスチューブの下端に突設されたフランジ３５ｃに連結されている点、天井部補強リブ５１が省略されている点である。六枚の胴部補強リブ６１は下端に連結されたプロセスチューブのフランジ３５ｃによって横倒れを防止される。
【００３９】
図１０図に示された第五の実施の形態に係るプロセスチューブ３５Ｄが第一の実施の形態と異なる点は、胴部補強リブ６１の枚数が二枚に減少されている点、二枚の胴部補強リブ６１の軸方向の中間部に補強フランジ６２が水平に連結されている点、天井部３５ａが水平に形成されている点、天井部補強リブ５１が省略されている点である。
【００４０】
図１１図に示された第六の実施の形態に係るプロセスチューブ３５Ｅが第一の実施の形態と異なる点は、胴部補強リブ６１の枚数が二枚に減少されている点、二枚の胴部補強リブ６１の下端がプロセスチューブのフランジ３５ｃに連結水平に連結されている点、二枚の胴部補強リブ６１の軸方向の中間部に補助フランジ６２が水平に連結されている点、天井部３５ａが水平に形成されている点、天井部補強リブ５１が省略されている点である。
【００４１】
図１２図に示された第七の実施の形態に係るプロセスチューブ３５Ｆが第一の実施の形態と異なる点は、胴部補強リブ６１およびバッファ室４１が省略されている点である。
【００４２】
図１３図に示された第八の実施の形態に係るプロセスチューブ３５Ｇが第一の実施の形態と異なる点は、胴部補強リブ６１およびバッファ室４１が省略されている点、天井部３５ａが水平に形成されている点、略矩形の平板形状の天井部補強リブ５２が二枚、互いに平行に敷設されている点である。
【００４３】
本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００４４】
例えば、アニールガスとしては、アルゴンガスを使用するに限らず、水素ガスを使用してもよい。
【００４５】
また、ＤＺウエハを製造するのに使用するに限らず、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハを製造するのに使用してもよい。
【００４６】
本発明は、バッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置に限らず、縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置等の熱処理装置全般に適用することができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プロセスチューブの寿命を延長して、ランニングコストを低減することができるとともに、安全性や稼働率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のプロセスチューブを示す各正面図であり、（ａ）は天井部が平板形状のプロセスチューブを示しており、（ｂ）は天井部が彎曲面形状のプロセスチューブを示している。
【図２】従来のプロセスチューブの熱変形を示す正面断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態であるホットウオール形熱処理装置のボートローディングステップ前を示す正面断面図である。
【図４】その熱処理ステップを示す正面断面図である。
【図５】プロセスチューブの第一の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図６】本発明の一実施の形態であるＩＣの製造方法におけるアニール工程の温度シーケンスを示すグラフである。
【図７】プロセスチューブの第二の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図８】プロセスチューブの第三の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図９】プロセスチューブの第四の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図１０】プロセスチューブの第五の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図１１】プロセスチューブの第六の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図１２】プロセスチューブの第七の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図１３】プロセスチューブの第八の実施形態を示しており、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ（基板）、１０…ホットウオール形熱処理装置（半導体製造装置）、１１…筐体、１２…待機室、１３…ボートエレベータ、１４…送りねじ軸、１５…モータ、１６…昇降台、１７…支持アーム、１８…シャッタ、１９…ベース、２０…シールキャップ、２１…ボート、２２、２３…端板、２４…保持部材、２５…保持溝、２６…断熱キャップ部、３０…ボート搬入搬出口、３１…スカベンジャ、３２…断熱槽、３３…ヒータ、３４…均熱チューブ、３５、３５Ａ〜３５Ｇ…プロセスチューブ、３５ａ…天井部、３５ｂ…胴部、３５ｃ…フランジ、３６…処理室、３７…炉口、３８…排気管、３９…ガス導入管、４０…ガス供給装置、４１…バッファ室、４２…ガス噴出口、５１…天井部補強リブ、５２…矩形の平板形状の天井部補強リブ、６１…胴部補強リブ、６２…補強フランジ（胴部補強リブ）。
【図１】
2004014543.tif 000003
【図２】
2004014543.tif 000004
【図３】
2004014543.tif 000005
【図４】
2004014543.tif 000006
【図５】
2004014543.tif 000007
【図６】
2004014543.tif 000008
【図７】
2004014543.tif 000009
【図８】
2004014543.tif 000010
【図９】
2004014543.tif 000011
【図１０】
2004014543.tif 000012
【図１１】
2004014543.tif 000013
【図１２】
2004014543.tif 000014
【図１３】
2004014543.tif 000015