(57)【要約】【課題】記録ヘッドにおけるスロートハイトの正確な制御が可能であり、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロン幅の極微細加工が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  第１の磁性層１８の上に第１の磁極１９ａを形成した後、第１の絶縁層２０ａを、第１の磁性層１８上の第１の磁極１９ａの隣接領域に形成する。第１の絶縁層２０ａ上に薄膜コイル２１を少なくとも第１の磁極１９ａと同じ高さとなるように形成し、その後、薄膜コイル２１の巻線間に第２の絶縁層２０ｂを形成する。第１の磁極１９ａおよび薄膜コイル２１の平坦化面上に記録ギャップ層２２を形成した後、記録ギャップ層２２上に第２の磁極を含む第２の磁性層２５”を形成する。【選択図】  図１５
2004192805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦面を有する第１の磁性層上の端部近傍を除く領域に、無機系材料からなる第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の磁性層の上に、前記第１の磁性層の端部近傍領域と磁気的に結合されるように第１の磁極を形成する工程と、
前記第１の絶縁層上に、薄膜コイルを形成する工程と、
前記薄膜コイルの巻線間を埋め込む第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の磁極、前記薄膜コイルおよび前記第２の絶縁層の最表面を平坦化する工程と、
前記第１の磁極および前記薄膜コイルの平坦化面上に記録ギャップ層を形成した後、前記記録ギャップ層上に第２の磁極を含む第２の磁性層を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第１の磁性層の上に前記第１の磁極を形成した後、前記第１の絶縁層を少なくとも前記第１の磁性層上の第１の磁極の隣接領域に形成し、前記第１の絶縁層上に前記薄膜コイルを少なくとも前記第１の磁極と同じ高さとなるように形成し、その後、前記薄膜コイルの巻線間に第２の絶縁層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁層の膜厚を、０．３〜０．６μｍとする
ことを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁層を、前記第１の磁性層上から前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面にかけて延在するように形成する
ことを特徴とする請求項２または３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する面からの長さを記録ヘッドのスロートハイトの長さに等しくする
ことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁層の端部が、前記第１の磁極および前記第２の絶縁層と共に平坦面を構成するようにする
ことを特徴とする請求項４または５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記記録ギャップ層と前記薄膜コイルおよび第２の絶縁層との間に中間絶縁層を介在させる
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
更に、前記第２の磁極を、前記第２の磁性層と分割して形成すると共に、前記第２の磁性層に磁気的に結合させる
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する面に沿った幅を前記第２の磁極よりも広く形成する
ことを特徴とする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の磁極を、前記記録媒体に対向する面から奥側に向けて、前記第１の磁極と同じ長さに形成する
ことを特徴とする請求項８または９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の磁性層を、前記記録媒体に対向する面から後退した位置に形成する
ことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の絶縁層を、更に、前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に沿って形成する
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
更に、第３の絶縁層を、少なくとも、前記第２の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記記録ギャップ層上にかけて連続的に形成する
ことを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第３の絶縁層と前記第２の磁性層との間に薄膜コイルを形成し、前記薄膜コイルを前記第１ないし第３の絶縁層とは異なる他の絶縁層に覆う
ことを特徴とする請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第３の絶縁層および他の絶縁層の表面が、前記第２の磁極の表面と実質的に同一面となるように平坦化する
ことを特徴とする請求項１４に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記第２の磁性層の表面を平坦にする
ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第２の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面側の幅を、前記記録媒体に対向する側の幅よりも広くなるように形成する
ことを特徴とする請求項８乃至１６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面を前記第１の磁性層に対して傾斜させる
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
更に、読み出し用の磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）と記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistive ）と記す。）効果を有するＡＭＲ膜を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と記す。）効果を有するＧＭＲ膜を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
一般的に、ＡＭＲ膜は、ＭＲ効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子ＧＭＲ膜、スピンバルブ膜、グラニュラ膜等が提案されているが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピンバルブ膜が有力である。
【０００４】
再生ヘッドの性能を決定する要因としては、パターン幅、特に、ＭＲハイトがある。ＭＲハイトは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。このＭＲハイトは、本来、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。なお、ここにいうエアベアリング面（ＡＢＳ）は薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体に対向する面であり、トラック面ともいう。
【０００５】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのためには、記録ギャップ（write gap)を挟んでその上下に形成された下部磁極（ボトムポール）および上部磁極（トップポール）のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロンオーダーまで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、そのため半導体加工技術が利用されている。
【０００６】
記録ヘッドの性能を決定するその他の要因としては、スロートハイト（Throat Height:TH) がある。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分（磁極部分）の長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００７】
薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、上述のような記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００８】
ここで、図２０（ａ），（ｂ）乃至図２５（ａ），（ｂ）を参照して、従来の薄膜磁気ヘッドの一例として複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を説明する。
【０００９】
まず、図２０に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１０１上に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで形成する。続いて、絶縁層１０２上に例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【００１０】
次に、図２１に示したように、下部シールド層１０３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みで堆積し、シールドギャップ膜１０４を形成する。次に、シールドギャップ膜１０４上に、再生用のＭＲ素子を構成するためのＭＲ膜１０５を数十ｎｍの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。続いて、このＭＲ膜１０５に対するリード端子層１０６をリフトオフ法により形成する。次いで、シールドギャップ膜１０４、ＭＲ膜１０５およびリード端子層１０６上に、シールドギャップ膜１０７を形成し、ＭＲ膜１０５およびリード端子層１０６をシールドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。続いて、シールドギャップ膜１０７上に、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いる磁気材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる膜厚３μｍの上部シールド兼下部磁極（以下，下部磁極と記す。）１０８を形成する。
【００１１】
次に、図２２に示したように、下部磁極１０８上に、絶縁層例えばアルミナ膜よりなる膜厚２００ｎｍの記録ギャップ層１０９を形成する。更に、この記録ギャップ層１０９をフォトリソグラフィによりパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口１０９ａを形成する。続いて、めっき法によりパーマロイ（ＮｉＦｅ）や窒化鉄（ＦｅＮ）からなる磁気材料により磁極先端部（ポールチップ）１１０を形成すると共に、上部磁極と下部磁極との接続部パターン１１０ａを形成する。この接続部パターン１１０ａにより下部磁極１０８と後述の上部磁極層１１６とが接続され、後述のＣＭＰ（Chemical and Mechanical Polishing : 化学的機械研磨）工程後の開口（スルーホール）の形成が容易になる。
【００１２】
次に、図２３に示したように、磁極先端部１１０をマスクとしてイオンミリングによって記録ギャップ層１０９と下部磁極１０８とを約０．３〜０．５μｍ程度エッチングする。下部磁極１０８までエッチングしてトリム構造とすることにより、実効書き込みトラック幅の広がりが防止される（すなわち、データの書き込み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制される）。続いて、全面に、膜厚約３μｍの例えばアルミナからなる絶縁層１１１を形成した後、全面をＣＭＰにより平坦化する。
【００１３】
次に、図２４に示したように、絶縁層１１１上に、例えばめっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を選択的に形成し、更に、絶縁層１１１および薄膜コイル１１２上に、フォトレジスト膜１１３を高精度のフォトリソグラフィで所定のパターンに形成する。続いて、フォトレジスト膜１１３の平坦化および薄膜コイル１１２間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。更に、同様に、フォトレジスト膜１１３上に、第２層目の薄膜コイル１１４およびフォトレジスト膜１１５を形成し、フォトレジスト膜１１５の平坦化および薄膜コイル１１４間の絶縁化のために所定の温度で熱処理する。
【００１４】
次に、図２５に示したように、磁極先端部１１０、フォトレジスト膜１１３，１１５上に、記録ヘッド用の磁気材料、例えばパーマロイからなる上部ヨーク兼上部磁極層（以下、上部磁極層と記す。）１１６を形成する。この上部磁極層１１６は、薄膜コイル１１２，１１４よりも後方の位置において、下部磁極１０８と接触し、磁気的に連結される。続いて、上部磁極層１１６上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面（エアベアリング面）１１８を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００１５】
図２５において、ＴＨはスロートハイトを表し、ＭＲ−ＨはＭＲハイトをそれぞれ表している。また、Ｐ２Ｗはトラック（磁極）幅を表している。
【００１６】
薄膜磁気ヘッドの性能を決定する要因として、スロートハイトＴＨやＭＲハイトＭＲ−Ｈ等の他に、図２５においてθで示したようなエイペックスアングル（Apex Angle）がある。このエイペックスアングルは、フォトレジスト膜１１３，１１５のトラック面側の側面の角部を結ぶ直線と上部磁極層１１６の上面とのなす角度をいう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
薄膜磁気ヘッドの性能を向上させるには、図２５に示したようなスロートハイトＴＨ、ＭＲハイトＭＲ−Ｈ、エイペックスアングルθおよびトラック幅Ｐ２Ｗを正確に形成することが重要である。
【００１８】
特に、近年は、高面密度記録を可能とするため、すなわち、狭トラック構造の記録ヘッドを形成するために、トラック幅Ｐ２Ｗには１．０μｍ以下のサブミクロン寸法が要求されている。そのために半導体加工技術を利用して上部磁極をサブミクロンに加工する技術が必要となる。また、狭トラック構造となるに伴って、磁極にはより高い飽和磁束密度を持った磁性材料の使用が望まれている。
【００１９】
ここで、問題となるのは、フォトレジスト膜（例えば、図２５のフォトレジスト膜１１３，１１５）で覆われて山状に盛り上がったコイル部分（エイペックス部）の上に形成される上部磁極層（トップポール）１１６を微細に形成することが困難であることである。
【００２０】
上部磁極を形成する方法としては、例えば特開平７−２６２５１９号公報に示されるように、フレームめっき法が用いられる。フレームめっき法を用いて上部磁極を形成する場合は、まず、エイペックス部の上に全体的に、例えばパーマロイよりなる薄い電極膜を形成する。次に、その上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりパターニングして、めっきのためのフレーム（外枠）を形成する。そして、先に形成した電極膜をシード層として、めっき法によって上部磁極を形成する。
【００２１】
ところで、上述のエイペックス部では、例えば７〜１０μｍ以上の高低差がある。このエイペックス部上に形成されるフォトレジストの膜厚が最低３μｍ以上必要であるとすると、流動性のあるフォトレジストは低い方に集まることから、エイペックス部の下方では、例えば８〜１０μｍ以上の厚みのフォトレジスト膜が形成されることとなる。前述のように狭トラックを形成するためには、フォトレジスト膜によってサブミクロン幅のパターンを形成する必要がある。従って、８〜１０μｍ以上の厚みのあるフォトレジスト膜によって、サブミクロン幅の微細なパターンを形成する必要が生じるが、これは極めて困難であった。
【００２２】
しかも、フォトリソグラフィの露光時に、露光用の光が、例えばパーマロイよりなる電極膜で反射し、この反射光によってもフォトレジストが感光して、フォトレジストパターンのくずれ等が生じる。その結果、上部磁極の側壁が丸みを帯びた形状になる等、上部磁極を所望の形状に形成できなくなる。このように、従来は、トラックＰ２Ｗを正確に制御して、狭トラック構造とするための上部磁極を精度よく形成することが極めて困難であった。
【００２３】
このようなことから、上述の従来例の図２２〜図２５の工程でも示したように、記録ヘッドの狭トラックの形成に有効な磁極先端部１１０で１．０μｍ以下のトラック幅を形成した後、この磁極先端部１１０とヨーク部を兼ねる上部磁極層１１６とを接続させる方法、すなわち、通常の上部磁極を、トラック幅を決定する磁極先端部１１０と、磁束を誘導するためのヨーク部となる上部磁極層１１６との２つに分割する方法が採用されている（特開昭６２−２４５５０９，特開昭６０−１０４０９号公報参照）。このように上部磁極を２分割することにより、一方の磁極先端部１１０を記録ギャップ層１０９の平坦面上においてサブミクロン幅に微細に加工することが可能になる。
【００２４】
しかしながら、この薄膜磁気ヘッドにおいては、依然、以下のような問題があった。
（１）まず、従来の磁気ヘッドでは、磁極先端部１１０のトラック面１１８から遠い側の端部においてスロートハイトを決定している。しかし、この磁極先端部１１０の幅が狭くなると、フォトリソグラフィーにおいてパターンエッジが丸みを帯びて形成される。そのため、高精度な寸法を要求されるスロートハイトが不均一となり、トラック面の加工，研磨工程において、磁気抵抗効果素子のトラック幅との間のバランスに欠ける事態が発生していた。例えば、トラック幅として０．５〜０．６μｍ必要なときに、磁極先端部１１０のトラック面１１８から遠い側の端部がスロートハイト零の位置からトラック面１１８側にずれ、大きく書き込みギャップが開き、記録データの書き込みができなくなるという問題がしばしば発生していた。
（２）次に、前述のように、従来の磁気ヘッドでは、２分割された上部磁極のうちの一方の磁極先端部１１０により記録ヘッドのトラック幅が規定されるため、他方の上部磁極層１１６は磁極先端部１１０程には微細に加工する必要はないといえる。しかしながら、上部磁極層１１６は磁極先端部１１０の上部にフォトリソグラフィーの位置合わせにより位置が決定されるため、トラック面１１８（図２５）側から見た場合、双方が片側に大きく位置ずれすると、上部磁極層１１６側で書き込みを行う、所謂サイドライトが発生する。そのため実効トラック幅が広くなり、ハードディスクにおいて、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込みが行われる、という不具合が発生する。
【００２５】
また、記録ヘッドのトラック幅が極微細、特に０．５μｍ以下になってくると、上部磁極層１１６においてもサブミクロン幅の加工精度が要求される。すなわち、トラック面１１８（図２５）側から見た場合、磁極先端部１１０と上部磁極層１１６との横方向の寸法差が大き過ぎると、上記と同様に、サイドライトが発生し、本来のデータ記録領域以外の領域においても書き込みが行われる、という不具合が発生する。
【００２６】
このようなことから、磁極先端部１１０だけでなく、上部磁極層１１６もサブミクロン幅に加工する必要があるが、上部磁極層１１６の下のエイペックス部には、依然、前述のような大きな高低差があるため、上部磁極層１１６の微細加工が困難であった。
（３）更に、従来の磁気ヘッドでは磁路長（Yoke Length)を短くすることが困難であるという問題があった。すなわち、コイルピッチが狭い程、磁路長の短いヘッドを実現することができ、特に高周波特性に優れた記録ヘッドを形成することができるが、コイルピッチを限りなく小さくしていった場合、スロートハイト零の位置から、コイルの外周端の距離が磁路長を妨げる大きな要因となっていた。磁路長は、一層のコイルよりは２層のコイルの方が短くできることから、多くの高周波用の記録ヘッドは２層コイルを採用している。しかしながら、従来の磁気ヘッドでは、１層目のコイルを形成した後、コイル間の絶縁膜を形成するために、フォトレジスト膜を約２μｍの厚さで形成している。そのため、１層目のコイルの外周端には丸みを帯びた小さなエイペックス部が形成される。次に、その上に２層目のコイルを形成するが、その際に、エイペックス部の傾斜部では、コイルのシード層のエッチングができず、コイルがショートするため、２層目のコイルを形成することができない。そのため、２層目のコイルは平坦部に形成する必要がある。コイルの厚みが２〜３μｍで、更にコイル間絶縁膜の厚みを２μｍとすると、エイペックスの傾斜が４５〜５５度の場合、コイルの外周端からスロートハイトの零の位置近傍まで４〜５μｍの距離の２倍（上部磁極と下部磁極とのコンタクト部からコイル外周端までの距離も４〜５μｍ必要）の８〜１０μｍが必要であり、これが磁路長の縮小を妨げる要因となっていた。例えばライン／スペースが１．０μｍ／１．０μｍの１１巻コイルを２層で形成する場合、１層目を６巻、２層目を５巻とすると、磁路長のコイルを占める部分の長さは１１μｍである。ここで、上記コイル外周端のエイペックス部に８〜１０μｍが必要なことから、これ以上磁路長の縮小は不可能で、これが高周波特性の改善を妨げていた。
【００２７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、記録ヘッドにおけるスロートハイトの正確な制御が可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００２８】
また、本発明の第２の目的は、スロートハイトの正確な制御に加え、磁極先端部だけでなく、上部磁極層のサブミクロン幅の極微細加工が可能であり、記録ヘッドの特性が改善された薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【００２９】
更に、本発明の第３の目的は、スロートハイトの正確な制御に加え、記録ヘッドにおける磁路長の縮小が可能であり、高周波特性の改善された薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法は、平坦面を有する第１の磁性層上の端部近傍を除く領域に、無機系材料からなる第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に、前記第１の磁性層の端部近傍領域と磁気的に結合されるように第１の磁極を形成する工程と、前記第１の絶縁層上に、薄膜コイルを形成する工程と、前記薄膜コイルの巻線間を埋め込む第２の絶縁層を形成する工程と、前記第１の磁極、前記薄膜コイルおよび前記第２の絶縁層の最表面を平坦化する工程と、前記第１の磁極および前記薄膜コイルの平坦化面上に記録ギャップ層を形成した後、前記記録ギャップ層上に第２の磁極を含む第２の磁性層を形成する工程とを含むものである。
【００３１】
具体的には、前記第１の磁性層の上に前記第１の磁極を形成した後、前記第１の絶縁層を少なくとも前記第１の磁性層上の第１の磁極の隣接領域に形成し、前記第１の絶縁層上に前記薄膜コイルを少なくとも前記第１の磁極と同じ高さとなるように形成し、その後、前記薄膜コイルの巻線間に第２の絶縁層を形成するものである。
【００３２】
本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁極が、第１の磁性層に対して突状に形成され、無機系材料により形成された絶縁層が第１の磁極に隣接して形成される。従って、第１の磁極の記録媒体に対向する面からの奥行き方向への長さを、記録ヘッドのスロートハイトの長さに等しくすることにより、スロートハイトが正確に規定される。
【００３３】
本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、上記構成に加えて、更に、以下の態様とすることができる。
【００３４】
すなわち、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の絶縁層の膜厚を、０．３〜０．６μｍとすることが望ましい。また、第１の絶縁層を、前記第１の磁性層上から前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面にかけて延在するように形成する、あるいは、第１の磁極の前記記録媒体に対向する面からの長さを記録ヘッドのスロートハイトの長さに等しくすることが望ましい。
【００３５】
また、前記第１の絶縁層の端部が、前記第１の磁極および前記第２の絶縁層と共に平坦面を構成するようにする、あるいは記録ギャップ層と前記薄膜コイルおよび第２の絶縁層との間に中間絶縁層を介在させる態様とすることが望ましい。更に、前記第２の磁極を、前記第２の磁性層と分割して形成すると共に、前記第２の磁性層に磁気的に結合させることが望ましい。
【００３６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、第１の磁極の前記記録媒体に対向する面に沿った幅を前記第２の磁極よりも広く形成し、あるいは、前記第２の磁極を、前記記録媒体に対向する面から奥側に向けて、前記第１の磁極と同じ長さに形成する、更には、前記第２の磁性層を、前記記録媒体に対向する面から後退した位置に形成することが望ましい。
【００３７】
また、前記第１の絶縁層を、更に、前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する側の端面を除く両側面に沿って形成する、更に、第３の絶縁層を、少なくとも、前記第２の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面から前記記録ギャップ層上にかけて連続的に形成する、あるいは、前記第３の絶縁層と前記第２の磁性層との間に薄膜コイルを形成し、前記薄膜コイルを前記第１ないし第３の絶縁層とは異なる他の絶縁層に覆う態様とすることが望ましい。また、前記第３の絶縁層および他の絶縁層の表面が、前記第２の磁極の表面と実質的に同一面となるように平坦化する、前記第２の磁性層の表面を平坦にする、あるいは、前記第２の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面側の幅を、前記記録媒体に対向する側の幅よりも広くなるように形成することが望ましい。
【００３８】
また、前記第１の磁極の前記記録媒体に対向する側の反対面を前記第１の磁性層に対して傾斜させるようにしてもよく、更に、読み出し用の磁気抵抗効果素子を形成する工程を含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００３９】
以上説明したように本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、第１の磁極を、第１の磁極層と分割すると共に第１の磁極層上に突状に形成するようにしたので、無機材料からなる絶縁層を第１の磁極に隣接した凹部内に埋め込むことができる。よって、第１の磁極のトラック面と反対側の端縁によってスロートハイトが規定され、従来のフォトレジスト膜のように端縁の位置変動およびプロファイル悪化が生じることがなく、スロートハイトの正確な制御が可能になるという効果を奏する。
【００４０】
また、第１の磁極に隣接した凹部内に薄膜コイルを埋め込むようにすれば、その分、エイペックス部の段差を従来構造に比べて低くすることができ、その後の工程において、第２の磁性層をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エイペックス部の上部と下部においてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され、その結果、第２の磁性層のサブミクロン寸法の微細化を図ることが可能になる。よって、記録ヘッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを２層，３層と積層することにより、記録ヘッドの性能を更に向上させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
〔第１の実施の形態〕
図１（ａ），（ｂ）ないし図８（ａ），（ｂ）は、それぞれ、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとしての複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を表すものである。なお、図１ないし図８において、（ａ）はトラック面（ＡＢＳ）に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のトラック面に平行な断面をそれぞれ示している。
【００４２】
まず、図８（ａ），（ｂ）を参照して本実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。この磁気ヘッドは、再生用の磁気抵抗効果読み出しヘッド部（以下，再生ヘッド部という）１Ａと、記録用のインダクティブ記録ヘッド部（以下，記録ヘッド部という）１Ｂとを有している。
【００４３】
再生ヘッド部１Ａは、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基板１１上に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム，Ａｌ2 Ｏ3 ）により形成された絶縁層１２、例えば珪化鉄アルミニウム（ＦｅＡｌＳｉ）により形成された下部シールド層１３、例えばアルミナにより形成されたシールドギャップ層１４を順次介して磁気抵抗効果膜（以下，ＭＲ膜という）１５のパターンを形成したものである。また、シールドギャップ層１４上には、例えばタンタル（Ｔａ）やタングステン（Ｗ）等のＭＲ膜に拡散しない材料により形成されたリード端子層１５ａも形成されており、このリード端子層１５ａがＭＲ膜１５に電気的に接続されている。ＭＲ膜１５は、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）やニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金など磁気抵抗効果を有する各種材料により形成されている。ＭＲ膜１５およびリード端子層１５ａの上には例えばアルミナよりなるシールドギャップ層１７が積層されている。つまり、ＭＲ膜１５とリード端子層１５ａとはシールドギャップ層１４，１７間に埋設されている。なお、ＭＲ膜１５には特に限定はなく、ＡＭＲ膜やＧＭＲ膜あるいは他の磁気抵抗効果膜などでもよい。
【００４４】
記録ヘッド部１Ｂは、この再生ヘッド部１Ａ上に、ＭＲ膜１５に対する上部シールド層を兼ねる下部磁極および記録ギャップ層２２を介して上部磁極を形成したものである。
【００４５】
本実施の形態では、下部磁極は、シールドギャップ層１７上に形成された下部磁極層（下部ポール）１８と、トラック面側において下部磁極層１８上に形成された下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａとに２分割して形成されている。同様に、上部磁極も２分割されており、トラック面側において、下部磁極先端部１９ａ上の記録ギャップ層２２上に形成された上部磁極先端部（上部ポールチップ）２３ａと、この上部磁極先端部２３ａに接触すると共に、後述のコイルを含むエイペックス部の上面に沿って形成された、ヨーク部を兼ねる上部磁極層（上部ポール）２５とにより構成されている。上部磁極層２５は、エイペックス部のトラック面と反対側の位置（図８（ａ）において右側）において、上部接続部２３ｂおよび下部接続部１９ｂを介して下部磁極層１８と磁気的に結合されている。
【００４６】
以上の下部磁極層１８、下部磁極先端部１９ａ、下部接続部１９ｂ、上部磁極先端部２３ａ、上部接続部２３ｂおよび上部磁極層２５は、それぞれ、例えば高飽和磁束密度材料（Ｈｉ−Ｂｓ材）、例えばＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％），ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどにより形成されている。
【００４７】
この記録ヘッド部１Ｂでは、上部磁極先端部２３ａに対向する下部磁極先端部１９ａは、その表面部分を一部突状に加工したトリム（Trim）構造となっている。これにより、実効書き込みトラック幅の広がり、すなわち、データの書き込み時において、下部磁極における磁束の広がりが抑制されるようになっている。
【００４８】
なお、本実施の形態においては、下部磁極層１８が本発明の第１の磁性層、下部磁極先端部１９ａが本発明の第１の磁極にそれぞれ対応し、また、上部磁極先端部２３ａが本発明の第２の磁極、上部磁極層２５が本発明の第２の磁性層にそれぞれ対応している。
【００４９】
本実施の形態では、１層目の薄膜コイル２１は、下部磁極層１８上の下部磁極先端部１９ａと下部接続部１９ｂとの間の凹部領域に形成されている。すなわち、凹部領域の内壁面（底面および側壁面）には絶縁層２０ａが形成され、この絶縁層２０ａ上に薄膜コイル２１が形成されている。薄膜コイル２１のコイル間は絶縁層２０ｂにより埋め込まれており、この絶縁層２０ｂの表面と下部磁極先端部１９ａの表面とが同一面を構成するように平坦化されている。よって、この薄膜コイル２１の分だけ、後述の薄膜コイル２４を含むエイペックス部の段差が低くなっている。なお、絶縁層２０ａが本発明の第１の絶縁層、絶縁層２０ｂが本発明の第２の絶縁層にそれぞれ対応している。
【００５０】
平坦化された絶縁層２０ｂおよび薄膜コイル２１上には記録ギャップ層２２が延在している。この記録ギャップ層２２上の上部磁極先端部２３ａと上部接続部２３ｂとの間の凹部領域内には絶縁層２０ｃが形成されている。この絶縁層２０ｃ上に２層目の薄膜コイル２４が形成されている。この薄膜コイル２４は例えばアルミナからなる絶縁層２０ｄにより覆われている。なお、絶縁膜２０ｃが本発明の第３の絶縁層に、絶縁層２０ｄが本発明の他の絶縁層にそれぞれ対応している。
【００５１】
絶縁層２０ｄ上にはヨーク部を兼ねる上部磁極層２５が形成されている。上部磁極層２５はオーバーコート層２６により覆われている。なお、図示しないが、薄膜コイル２１，２４は絶縁層２０ｂと絶縁層２０ｄとの境界面において電気的に接続されている。
【００５２】
この磁気ヘッドでは、再生ヘッド部１Ａにおいて、ＭＲ膜１５の磁気抵抗効果を利用して図示しない磁気ディスクから情報の読み出しが行われると共に、記録ヘッド部１Ｂにおいて、薄膜コイル２１，２４による、上部磁極先端部２３ａと下部磁極先端部１９ａとの間の磁束の変化を利用して磁気ディスクに対して情報が書き込まれる。
【００５３】
次に、上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００５４】
本実施の形態に係る製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）からなる基板１１上に、例えばスパッタ法により例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層１２を、約３〜５μｍ程度の厚みで形成する。次に、絶縁層１２上に、フォトレジスト膜をマスクとして、めっき法にて、パーマロイ（ＮｉＦｅ）を約３μｍの厚みで選択的に形成して、再生ヘッド用の下部シールド層１３を形成する。続いて、例えばスパッタまたはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により約４〜６μｍの厚さのアルミナ膜（図示せず）を形成し、ＣＭＰによって平坦化する。
【００５５】
次に、図２に示したように、下部シールド層１３上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みでスパッタ法により堆積し、シールドギャップ層１４を形成する。続いて、シールドギャップ層１４上に、再生用のＭＲ素子等を構成するためのＭＲ膜１５を、数十ｎｍの厚みに形成し、高精度のフォトリソグラフィで所望の形状とする。続いて、このＭＲ膜１５に対するリード端子層１５ａをリフトオフ法により形成する。次いで、シールドギャップ層１４、ＭＲ膜１５およびリード端子層１５ａ上に、シールドギャップ層１７を形成し、ＭＲ膜１５およびリード端子層１５ａをシールドギャップ層１４，１７内に埋設する。
【００５６】
続いて、シールドギャップ膜１７上に、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部シールドを兼ねた下部磁極層（下部ポール）１８を、約１．０〜１．５μｍの厚みで形成する。
【００５７】
次に、図３に示したように、下部磁極層１８上に、下部磁極先端部（下部ポールチップ）１９ａおよび下部接続部１９ｂを約２．０〜２．５μｍの厚みで形成する。ここで、下部磁極先端部１９ａは、そのトラック側の先端部がＭＲ（ＧＭＲ）ハイト零の位置の近辺になるように成形し、同時に、トラック面の反対側がスロートハイト零の位置となるようにする。なお、この下部磁極先端部１９ａおよび下部接続部１９ｂは、前述のようにＮｉＦｅ等のめっき膜により形成してもよく、ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどのスパッタ膜により形成してもよい。
【００５８】
続いて、全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．３〜０．６μｍの絶縁層２０ａを形成する。
【００５９】
次に、図４に示したように、下部磁極先端部１９ａと下部接続部１９ｂとの間に形成された凹部領域に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の１層目の薄膜コイル２１を１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。
【００６０】
次に、図５に示したように、全面に、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚３．０〜４．０μｍの絶縁層２０ｂ形成した後、例えばＣＭＰ法により表面を平坦化し、下部磁極先端部１９ａの表面を露出させる。このとき、本実施の形態では、薄膜コイル２１の表面も同時に露出するが、薄膜コイル２１の後述する２層目の薄膜コイル２４との接続部以外の表面部分は露出しなくてもよい。
【００６１】
次に、図６に示したように、スパッタ法により絶縁材料、例えばアルミナよりなる膜厚０．２〜０．３μｍの記録ギャップ層２２を形成する。記録ギャップ層２２は、アルミナの他、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコン酸化物系、シリコン窒化物系の材料などにより形成するようにしてもよい。続いて、この記録ギャップ層２２をフォトリソグラフィーによりパターニングし、上部磁極と下部磁極との接続用の開口２２ａを形成する。
【００６２】
続いて、記録ギャップ層２２上に記録ヘッドのトラック幅を決定するための上部磁極先端部（上部ポールチップ）２３ａをフォトリソグラフィーにより形成する。すなわち、記録ギャップ層２２上に、例えばスパッタ法により高飽和磁束密度材料（Ｈｉ−Ｂｓ材）、例えばＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％），ＦｅＮ，ＦｅＺｒＮＰ，ＣｏＦｅＮなどからなる、膜厚２．５〜３．５μｍの磁極層を形成する。続いて、この磁極層を、フォトレジストマスクを用いた例えばＡｒ（アルゴン）のイオンミリングによって選択的に除去し、上部磁極先端部２３ａを形成すると共に、上部磁極と下部磁極とを磁気的に接続させるための上部接続部２３ｂを形成する。上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂはフォトレジストマスクの代わりにアルミナ等の無機系絶縁層によるマスクを用いてエッチングするようにしてもよく、また、このようなフォトリソグラフィーによらず、その他、めっき法、スパッタ法などによって形成するようにしてもよい。
【００６３】
続いて、上部磁極先端部２３ａをマスクとして、その周辺の記録ギャップ層２２および下部磁極先端部１９ａを自己整合的にエッチングする。すなわち、上部磁極先端部２３ａをマスクとした塩素系ガス（Ｃｌ2 ，ＣＦ4 ，ＢＣｌ2 ，ＳＦ6 等）によるＲＩＥ（Reactive Ion Etching) により、記録ギャップ層２２を選択的に除去した後、露出した下部磁極先端部１９ａを、再び、例えばＡｒのイオンミリングによって約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、トリム構造の記録トラックを形成する。
【００６４】
続いて、全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約０．３〜０．６μｍの例えばアルミナからなる絶縁層２０ｃを形成する。続いて、この絶縁層２０ｃ上に、例えば電解めっき法により、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の２層目の薄膜コイル２４を１．５〜２．５μｍの厚みで形成する。
【００６５】
次に、図７に示したように、全面に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、膜厚約３〜４μｍの例えばアルミナからなる絶縁層２０ｄを形成する。なお、この絶縁層２０ｄや絶縁層２０ｃは、アルミナに限らず、二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）や、窒化珪素（ＳｉＮ）等の他の絶縁材料により形成してもよい。続いて、例えばＣＭＰ法により、上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂの表面が露出するように絶縁層２０ｄおよび絶縁層２０ｃをエッチングし、絶縁層２０ｃ，２０ｄの表面と上部磁極先端部２３ａおよび上部接続部２３ｂの各表面とが同一面を構成するように平坦化する。
【００６６】
次に、図８に示したように、例えば上部磁極先端部２３ａと同じ材料を用いて、例えば電解めっき法やスパッタ法などの方法により、上部磁極層２５を約３〜４μｍの厚みに形成する。この上部磁極層２５は、トラック面側から見て、薄膜コイル２１，２４よりも後方の位置（図８（ａ）において右側）において、上部接続部２３ｂを介して、下部接続部１９ｂと接触し、下部磁性層１８と磁気的に連結される。最後に、上部磁極層２５上に、例えばスパッタ法によりアルミナよりなる膜厚約３０μｍのオーバーコート層２６を形成する。その後、スライダの機械加工を行い、記録ヘッドおよび再生ヘッドのトラック面（ＡＢＳ）を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００６７】
図９は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図である。なお、この図は、スライダの機械加工を行う前の状態を表している。これらの図において、ＴＨはスロートハイトを表しており、このスロートハイトＴＨは、絶縁層２０ａの磁極部分側の端縁、すなわち下部磁極先端部１９ａのトラック面と反対側の端縁によって規定される。なお、２１ａは薄膜コイル２１のリード線を表している。
【００６８】
以上の本実施の形態では、次のような効果を得ることができる。
【００６９】
（１）まず、本実施の形態では、下部磁極を、下部磁極先端部１９ａと下部磁極層１８とに２分割し、下部磁極先端部１９ａを、下部磁極層１８の平坦面上に形成するようにしたので、無機材料からなる絶縁層２０ａ，２０ｂを下部磁極先端部１９ａと下部接続部１９ｂとの間の凹部内に埋め込むことができる。従って、絶縁層２０ａの下部磁極先端部１９ａ側の端縁（すなわち下部磁極先端部１９ａのトラック面と反対側の端縁）によってスロートハイトが規定される。よって、従来のフォトレジスト膜のように、端縁の位置変動（パターンシフト）およびプロファイル悪化が生じることがなく、スロートハイトの正確な制御が可能になる。更に、ＭＲハイトの正確な制御や、エイペックスアングルの正確な制御も可能となる。
【００７０】
（２）また、本実施の形態では、図１１に示したように、各パターンを真上から見た場合、下部磁極先端部１９ａの幅を上部磁極先端部２３ａの幅よりも広くしているために、上部磁極先端部２３ａがハーフミクロン幅の狭トラックであっても、下部磁極先端部１９ａの近傍において磁束が飽和することがない。
【００７１】
（３）更に、本実施の形態では、薄膜コイル２１と上部シールドを兼ねた下部磁極層１８との間には無機系の絶縁膜２０ａ，２０ｂ、また、薄膜コイル２１，２４間には記録ギャップ膜２２および絶縁層２０ｃが設けられていため、各絶縁層の厚さを調整することにより、薄膜コイル２１，２４、上部シールドとの間にそれぞれ大きな絶縁耐圧を得ることができ、絶縁性を保持することができると共に薄膜コイル２１，２４からの磁束の漏れを低減できる。
【００７２】
（４）また、本実施の形態では、上部磁極を、上部磁極先端部２３ａと上部磁極層２５とに２分割し、上部磁極先端部２３ａを、下部磁極先端部１９ａ上の平坦面に形成するようにしたので、記録トラック幅を規制する上部磁極先端部２３ａをサブミクロン寸法に精度良く形成することができる。加えて、本実施の形態では、１層目の薄膜コイル２１が絶縁層２０ｂによって下部磁極先端部１９ａに隣接した凹部領域内に埋め込まれると共に、絶縁層２０ｂの表面が下部磁極先端部１９ａの表面と同一面を形成する程度に平坦化されている。すなわち、２層目の薄膜コイル２４を含むエイペックス部の段差が、１層目の薄膜コイル２１の分だけ、従来構造に比べて低くなる。従って、上部磁極先端部２３ａに部分的に接触する上部磁極層２５をフォトリソグラフィーにより形成する際に、エイペックス部の上部と下部においてフォトレジスト膜の厚さの差が低減され、その結果、上部磁極層２５のサブミクロン寸法の微細化を図ることが可能になる。よって、本実施の形態により得られる薄膜磁気ヘッドでは、記録ヘッドによる高面密度記録が可能となり、コイルを２層，３層と積層して記録ヘッドの性能を更に向上させることができる。なお、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極層２５のフォトリソグラフィーの際に、フォトレジストの代わりに無機系絶縁層をマスクとすることにより、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極層２５の微細化を、より高精度に実現することが可能になる。また、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極層２５をフォトリソグラフィー以外のスパッタ等により形成する場合においても、同様に、エイペックス部の段差の影響が低減されるため、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極層２５の微細化を図ることができる。
【００７３】
（５）更に、本実施の形態では、従来例のようにフォトレジストパターンの傾斜部が存在しないため、第１および第２層目の薄膜コイル２１，２４を共に平坦部に形成することができ、傾斜部によるコイル外周部端とスロートハイト零の位置までの距離が磁路長縮小の妨げとはならない。従って、本実施の形態では、磁路長を短くすることができ、記録ヘッドの高周波特性を著しく向上させることができる。ちなみに、本実施の形態では、フォトリソグラフィーの位置合わせ誤差の０．１μｍ〜．０．２μｍで設計できるため、従来例の５０％以下に磁路長を縮小することが可能になる。
【００７４】
（６）また、本実施の形態では、上部磁極先端部２３ａ，上部磁極層２５等の磁性層は高飽和磁束密度（Ｈｉ−Ｂｓ）材により形成されているので、トラック幅が狭くなっても、薄膜コイル２１，２４に発生した磁気が途中で飽和することなく、有効に上部磁極先端部２３ａおよび下部磁極先端部１９ａに到達し、これによって磁気損失のない記録ヘッドを実現できる。
【００７５】
（７）更に、本実施の形態では、トラック幅を決定する上部磁極先端部２３ａの上に形成された上部磁極層２５が、トラック面に露出していないため、上部磁極層２５によってサイドライトが発生することがない。
【００７６】
以下、本発明の他の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、第１の実施の形態と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。
〔第２の実施の形態〕
図１０（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの構成を表すものである。第１の実施の形態では、上部磁極層２５をトラック面から後退した位置に設けるようにしたが、本実施の形態では、磁極先端部１９ａと共に上部磁極層２５′もトラック面に露出させている。ここでは、磁極先端部２３ａの厚みを例えば２〜３μｍとすることより、上部磁極層をトラック面から後退させる構造（リセス構造）としなくても、サイドライトが発生する不具合を解消することができる。その他の作用効果は第１の実施の形態と同様である。なお、図１１は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの平面図を表している。
〔第３の実施の形態〕
本実施の形態は、図１２（ａ），（ｂ）に示したように、２層目の薄膜コイル２４を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様であるが、その後、フォトレジスト膜３０により薄膜コイル２４を覆い、続いて、このフォトレジスト膜３０上に上部磁極層２５を、その先端部がトラック面に露出しないように形成する。本実施の形態では、第１の実施の形態とは異なり、２層目の薄膜コイル２４を形成した後にＣＭＰによる平坦化は行わない。従って、その分、第１の実施の形態に比べて製造コストは低減される。なお、２層目の薄膜コイル２４は５巻とし、６巻の１層目の薄膜コイル２１の平坦化された部分に形成されるため、薄膜コイル２４の外周端からスロートハイト零の位置までの距離が磁路長の妨げとなることはない。その他の作用効果は第１の実施の形態と同様である。
〔第４の実施の形態〕
図１３（ａ），（ｂ）は本発明の第４の実施の形態を表すものである。本実施の形態は、上部磁極を２分割しない構成としたものである。すなわち、上部磁極先端部を形成することなく、記録ギャップ層２２上に２層目の薄膜コイル２４を形成し、その後、フォトレジスト膜３０により薄膜コイル２４を覆い、続いて、このフォトレジスト膜３０上に、上部磁極層２５′′を、その先端部（磁極部分）がトラック面に露出するように形成したものである。本実施の形態では、第１の実施の形態とは異なり、２層目の薄膜コイル２４を形成した後にＣＭＰによる平坦化は行わないため、その分、第１の実施の形態に比べて製造コストは低減される。その他の作用効果は第１の実施の形態と同様である。
〔第５の実施の形態〕
図１４（ａ），（ｂ）は本発明の第５の実施の形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドを表すものである。この磁気ヘッドは、コイル部を薄膜コイル２１の１層構造とすると共に薄膜コイル２１を上記実施の形態よりも狭いピッチで形成し、その薄膜コイル２１上に例えば膜厚１．０μｍのフォトレジストからなる絶縁層２０ｅを形成し、記録ギャップ層２２を形成した後、上部磁極先端部を形成することなく上部磁極層２５′′をトラック面に露出するように形成したものである。本実施の形態では、上部磁極層２５′′を略平坦化された面上に直接に形成することができ、上記実施の形態よりも、更に記録ヘッドのトラック幅の微細化を図ることができる。
【００７７】
なお、図１５（ａ），（ｂ）に示したように、絶縁層２０ｅ（図１４（ａ））を形成しないで、下部磁極先端部１９ａおよび薄膜コイル２１の上に記録ギャップ層２２を形成し、上部磁極層２５′′を形成した後、上部磁極層２５′′の表面を例えばＣＭＰ法により平坦化した場合においても、上記の効果と同様の効果が得られる。
〔第６の実施の形態〕
図１６（ａ），（ｂ）は本発明の第６の実施の形態を示している。本実施の形態は、第１の実施の形態（図８）において、第１層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層２０ｂにより埋め込む構成としたものである。本実施の形態による効果は実質的に第１の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
〔第７の実施の形態〕
図１７（ａ），（ｂ）は本発明の第７の実施の形態を示している。本実施の形態は、第２の実施の形態（図１０）において、第１層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層２０ｂにより埋め込む構成としたものである。本実施の形態による効果も実質的に第２の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
〔第８の実施の形態〕
図１８（ａ），（ｂ）は本発明の第８の実施の形態を示している。本実施の形態は、第３の実施の形態（図１２）において、第１層目のコイル形成部分の全体を例えばアルミナからなる絶縁層２０ｂにより埋め込む構成とし、且つ、２層の薄膜コイル２４，２４ａをフォトレジスト膜３０により覆う構造としたものである。本実施の形態による効果は実質的に第３の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【００７８】
以上実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態において、上部磁極先端部２３ａおよび上部磁極層２５等は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：５０重量％，Ｆｅ：５０重量％），ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）の他、ＦｅＮ，ＦｅＣｏＺｒ等の高飽和磁束密度材を用いる例について説明したが、これらの材料を２種類以上積層した構造としてもよい。
【００７９】
また、第１ないし第５の実施の形態では、下部磁極先端部１９ａに隣接して形成された凹部内に埋め込まれる薄膜コイルを１層としたが、２層以上のコイルを埋め込む積層構造としてもよい。
【００８０】
更に、上記実施の形態では、下部磁極先端部１９ａを、その側壁が下部磁極層１８に対して垂直な形状としたが、図１９に示したように、側壁に、コイルの厚さに応じて例えばθ＝５０〜７０度程度の傾斜面（テーパ）３１を設けるようにしてもよい。このような構成とすることにより、下部磁極層１８と下部磁極先端部１９ａとの接続部における磁束の飽和が抑制され、磁束の流れが滑らかになる。
【００８１】
加えて、上記実施の形態では、絶縁層２０ｂおよび絶縁層２０ｄをアルミナ，二酸化珪素あるいは窒化珪素を用いて形成する場合について説明したが、これらはＳＯＧ（Spin On Glass ）膜を用いて形成してもよい。
【００８２】
また、上記各実施の形態では、複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、本発明は、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや記録・再生兼用の薄膜磁気ヘッドの製造にも適用することができる。また、本発明は、記録用の素子と再生用の素子の積層の順序を入れ換えた構造の薄膜磁気ヘッドの製造にも適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態によって製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態によって製造される薄膜磁気ヘッドの平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の第５の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の第７の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の第８の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための断面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を説明するための断面図である。
【図２０】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を説明するための断面図である。
【図２３】図２２に続く工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２３に続く工程を説明するための断面図である。
【図２５】図２４に続く工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１１…基板、１８…上部シールド兼下部磁極（下部磁極層）（第１の磁性層）、１９ａ…下部磁極先端部（第１の磁極）、２２…記録ギャップ層、２３ａ…上部磁極先端部（第２の磁極）、２０ａ…絶縁層（第１の絶縁層）、２０ｂ…絶縁層（第２の絶縁層）、２０ｃ…絶縁層（第３の絶縁層）、２０ｄ…絶縁層（他の絶縁層）、２１，２４…薄膜コイル、２５，２５′，２５′′…上部磁極層（第２の磁性層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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