(57)【要約】【課題】  光による配向膜の荒れを抑えることができる液晶装置及び投射型表示装置を提供する。【解決手段】  ３板方式からなる投射型表示装置にあって、少なくとも青色を光変調する液晶装置９６１Ｂの配向膜１６の下層に位置して形成される画素電極９ａに、波長４１０ｎｍの光に対する光吸収係数が２０００ｃｍ-1以下のＩＴＯが用いられることを特徴とする。【選択図】      図４
2004192003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
第１基板上に配置された波長４１０ｎｍの光に対する光吸収係数が８０００ｃｍ-1以下であるインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、  前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層と
を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
第１基板と、
第１基板上に配置された比抵抗が１×１０-4Ω・ｃｍ以上のインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、
前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層と
を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
第１基板と、
第１基板上に配置された波長４１０ｎｍの光に対する光吸収係数が８０００ｃｍ-1以下であり、かつ比抵抗が１×１０-4Ω・ｃｍ以上のインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、
前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層と
を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記インジウム・ティン・オキサイドからなる電極の光吸収係数は２０００ｃｍ-1以下であることを特徴とする請求項１または３記載の液晶装置。
【請求項５】
前記電極の比抵抗は３．５×１０-4以上であることを特徴とする請求項２または４に記載の液晶装置。
【請求項６】
第１基板と、
第１基板上に配置されたインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、
前記電極を覆って配設された無機膜と、
前記電極及び前記無機膜を覆って配設された有機物からなる配向膜と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層と
を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
前記無機膜は、窒化膜または酸化膜であることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
第１基板と、
第１基板上に配置されたインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、
前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層と有する液晶装置であって、
前記インジウム・ティン・オキサイドからなる電極の酸素含有量がその膜厚方向に変化していることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
前記酸素含有量は、前記配向膜に近づくに従い高くなることを特徴とする請求項８記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記配向膜はポリイミド膜からなることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
請求項８もしくは９記載のインジウム・ティン・オキサイドからなる電極は、スパッタ成膜時のアルゴンガス中の酸素濃度を変化させながら成膜することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
光源と、
前記光源からの光を赤、青、緑の色光に分離する色分離手段と、
前記色分離手段により分離された色光をそれぞれ変調する各色光に対応する光変調手段と、
前記各光変調手段により変調された色光を合成する色合成手段と、
前記色合成手段により合成された光を投射する投射レンズとを備える投射型表示装置において、
前記光変調手段のうち少なくとも前記青色用の光変調手段は、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１３】
光源と、
前記光源からの光を変調する光変調手段と、
前記光変調手段により変調された光を投射する投射レンズとを備える投射型表示装置において、
前記光変調手段は、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び投射型表示装置の技術分野に属し、特に、光に対する配向膜の劣化を抑える液晶装置及び当該液晶装置を備えた投射型表示装置の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置では、光源から出射される光を赤、緑、青に分離し、各色光を液晶装置により構成される３つのライトバルブにより変調し、変調された後の色光束を再合して投射面に拡大投射している。そして、液晶プロジェクタ等にライトバルブとしては、一般に薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置が用いられる。
【０００３】
このような液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に液晶層が挟持されて構成され、それぞれの基板の液晶層側の面には、ＴＦＴアレイ基板ではインジウム・ティン・オキサイド（以下、ＩＴＯ）からなる画素電極、対向基板では対向電極が配置されている。画素電極及び対向電極は、それぞれの電極が覆われるように配向膜が配置されており、この配向膜により液晶の初期配向が決定される。そして、液晶装置においては、光源から出射される光が例えば対向基板、液晶層、ＴＦＴアレイ基板の順番で通過していくようになっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このような液晶プロジェクタ等の投射型表示装置の小型化に伴い、そのライトバルブとして用いられる液晶装置も小型化され、その一方で光源から出射される光の強度が強くなり、該液晶装置を通過する各色光の強度が相当強力になっている。
【０００５】
特に、青色のライトバルブとして用いられる液晶装置においては、長時間の光照射により液晶装置の配向膜表面が荒れ、これが液晶の配向不良を引き起こして表示特性が劣化していくという問題が顕著に現れていた。
【０００６】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、光に対する配向膜の劣化を抑えることができる液晶装置及び投射型表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の配向膜表面の荒れの発生理由として、次のことが発明者らにより推測された。すなわち、紫外線波長領域の光を一部有する青色の分光が照射される青色用の液晶装置においては、ＩＴＯが紫外線を吸収することによりキャリアが発生し、このキャリアが、ＩＴＯをインジウム、酸化インジウム、酸素に分解する。
このうち分解されたインジウムが配向膜であるポリイミド膜に入り込むことにより、配向膜表面が荒れると考えた。更に、酸素とポリイミドとが反応して二酸化炭素が発生することも配向膜表面の荒れを生じさせる原因であると考えた。そこで、発明者は、ＩＴＯからなる電極として紫外線吸収量の少ない膜質のものを用いることによって、ＩＴＯの分解を抑え、分解により発生するＩｎが原因となる配向膜の荒れを防止できることを見いだし、本発明がなされた。
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、第１基板と、第１基板上に配置された波長４１０ｎｍの光に対する光吸収係数が８０００ｃｍ-1以下であるインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層とを具備することを特徴とする。更に、前記電極の光吸収数が２０００ｃｍ-1以下であることを特徴とする。
【０００９】
本発明のこのような構成によれば、ＩＴＯからなる電極の紫外線領域の光に対する光吸収係数を限定することにより、ＩＴＯを分解するキャリアの発生を抑えることができる。これにより、従来、分解されて生じていたＩｎによる配向膜の荒れの発生を防止することができるという効果を有する。これにより、配向不良のない表示品位の優れた液晶装置を得ることができる。
【００１０】
また、本発明の他の液晶装置は、第１基板と、第１基板上に配置された比抵抗が１×１０-4Ω・ｃｍ以上のインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層とを具備することを特徴とする。更に、前記電極の比抵抗は１×１０-4Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする。
【００１１】
本発明のこのような構成によれば、ＩＴＯ膜の比抵抗を限定することにより、ＩＴＯ膜中の酸素濃度を増加させて未結合のＩｎを減少させることができるため、未結合のＩｎによる配向膜の荒れを抑制することができるという効果を有する。これにより、配向不良のない表示品位の優れた液晶装置を得ることができる。
【００１２】
また、本発明の他の液晶装置は、第１基板と、第１基板上に配置された波長４１０ｎｍの光に対する光吸収係数が８０００ｃｍ-1以下であり、かつ比抵抗が１×１０-4以上のインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層とを具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、上述の発明よりさらに配向不良のない表示品位の優れた液晶装置を得ることが出来る。
【００１４】
また、本発明の他の液晶装置は、第１基板と、第１基板上に配置されたインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、前記電極を覆って配設された無機膜と、前記電極及び前記無機膜を覆って配設された有機物からなる配向膜と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層とを具備することを特徴とする。更に、前記無機膜は、窒化膜または酸化膜であることを特徴とする。
【００１５】
本発明のこのような構成によれば、配向膜とＩＴＯからなる電極との間に無機膜を介在させることにより、ＩＴＯ膜中の未結合のＩｎが配向膜に入ることを防止することができるという効果を有する。これにより、Ｉｎによる配向膜の荒れを防止することができ、配向不良のない表示品位の優れた液晶装置を得ることができる。また、ＩＴＯの膜質などを調整する必要が特にないため、設計範囲を広げることができる。ここで、無機膜としては、ネサ膜や酸化ケイ素膜などの酸化膜や窒化ケイ素膜などの窒化膜を用いることができ、ＩＴＯ膜中のＩｎが無機膜を通って配向膜中に入ることを防止できるものであれば良い。
【００１６】
また、上述の各液晶装置の配向膜としてはポリイミド膜を用いることができる。
【００１７】
また、本発明の液晶装置は、第１基板と、第１基板上に配置されたインジウム・ティン・オキサイドからなる電極と、前記電極を覆って配設された有機物からなる配向膜と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と第２基板との間隙に挟持された液晶層と有する液晶装置であって、前記インジウム・ティン・オキサイドからなる電極の酸素含有量がその膜厚方向に変化していることを特徴とする。
【００１８】
このようにすることにより、配向膜の荒れを抑制することができる。
【００１９】
さらに、前記酸素含有量は、前記配向膜に近づくに従い高くなることを特徴とする。
【００２０】
このようにすることにより、酸素含有量が高いほど未結合のインジウムの濃度が低くなるので、配向膜に近いほどインジウムの濃度が低くなる。従って、インジウム析出による配向膜の荒れ、配向特性劣化、配向特性ムラを抑制することができる。また、必要なITO膜の導電率は、酸素濃度の比較的低い所であり、配向膜から断面的に離れたところで確保されることとなる。
【００２１】
また、上記インジウム・ティン・オキサイドからなる電極は、スパッタ成膜時のアルゴンガス中の酸素濃度を変化させながら成膜することを特徴とする。  本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を赤、青、緑の色光に分離する色分離手段と、前記色分離手段により分離された色光をそれぞれ変調する各色光に対応する光変調手段と、前記各光変調手段により変調された色光を合成する色合成手段と、前記色合成手段により合成された光を投射する投射レンズとを備える投射型表示装置において、前記光変調手段のうち少なくとも前記青色用の光変調手段は、上述の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明のこのような構成によれば、本来の波長の光の他に３８０ｎｍ〜４１０ｎｍの紫外線領域の波長成分が含まれている青色の色光が照射される液晶装置として、上述の液晶装置を用いることにより、紫外線照射が原因となる配向膜の荒れを防止し、表示品位の高い高寿命の投射型表示装置が得られるという効果を有する。
【００２３】
具体的には、ＩＴＯからなる電極の特定の波長における光吸収係数を限定することにより、ＩＴＯの分解を生じさせるキャリアの発生を抑制することができる。これにより、従来ＩＴＯが分解されて生じていたＩｎによる配向膜の荒れを抑制することができる。また、ＩＴＯからなる電極の比抵抗を限定することにより、ＩＴＯ膜中の未結合のＩｎ濃度を低下させ、Ｉｎによる配向膜の荒れを抑制することができる。また、ＩＴＯと配向膜との間に無機膜を介在させることにより、仮に紫外線波長光がＩＴＯ膜に照射され、キャリアが発生し、このキャリアがＩＴＯ膜を分解してＩｎが生じたとしても、無機膜の存在によりＩｎが配向膜中に入り込むことがなく、配向膜の荒れを防止することができる。
【００２４】
また、本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を変調する光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射レンズとを備える投射型表示装置において、前記光変調手段は、上述の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２５】
このような構成をとることにより、光変調手段に３８０ｎｍ〜４１０ｎｍの紫外線領域の波長成分が含まれている光が照射されるても、紫外線照射が原因となる配向膜の荒れを防止し、表示品位の高い高寿命の投射型表示装置が得られるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（液晶装置の第一実施形態の構成及び作用）
図１は、本発明の第一実施形態に係る液晶装置の画像形成領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
図２は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２７】
図１において、本実施の形態による液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、マトリクス状に複数形成された画素電極９ａと画素電極９aを制御するためのＴＦＴ３０からなり、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。例えば、画素電極９ａの電圧は、データ線に電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現できる。また、このような蓄積容量７０を形成するために、導電性の遮光膜を利用して低抵抗化された容量線３ｂが設けられている。
【００２８】
図２において、液晶装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール５を介してポリシリコン膜等の半導体層１ａのうち後述のソース領域に電気的接続されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的接続されている。また、半導体層１ａのうちチャネル領域（図中右下りの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。
【００２９】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿ってほぼ直線状に伸びる本線部（即ち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第1領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中、上向き）に突出した突出部（即ち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。
【００３０】
そして、図中右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。より具体的には、第１遮光膜１１ａは夫々、画素部において半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴをＴＦＴアレイ基板の側から見て覆う位置に設けられており、更に、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する段側（即ち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重ねられている。この重なった箇所には、第1遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的接続するコンタクトホール１３が設けられている。
【００３１】
次に図３の断面図に示すように、液晶装置は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板の一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６については後で詳述する。
【００３２】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極（共通電極）２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２については後で詳述する。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板１０には、図３に示すように、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【００３４】
対向基板２０には、更に図３に示すように、各画素部の開口領域以外の領域に第２遮光膜２３が設けられている。このため、対向基板２０の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル領域１ａ’やＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１ｂ及び１ｃに侵入することはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。
【００３５】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材（図５及び図６参照）により囲まれた空間に液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態を採る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、二つの基板１０及び２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００３６】
図３に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ３０に各々対向する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１遮光膜１１ａが各々設けられている。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’やＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化することはない。
【００３７】
更に、第１遮光膜１１ａと複数の画素スイッチング用ＴＦＴ３０との間には、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的絶縁するために設けられるものである。更に、第１層間絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。第１層間絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。第１層間絶縁膜１２により、第１遮光膜１１ａが画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防ぐこともできる。
【００３８】
また、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。より詳細には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅが、データ線６ａ及び走査線３ａの下に延設されて、同じくデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って伸びる容量線３ｂ部分に絶縁膜２を介して対向配置されて、第１蓄積容量電極（半導体層）１ｆとされている。特に蓄積容量７０の誘電体としての絶縁膜２は、高温酸化によりポリシリコン膜上に形成されるＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２に他ならないので、薄く且つ高耐圧の絶縁膜とすることができ、蓄積容量７０は比較的小面積で大容量の蓄積容量として構成できる。
【００３９】
更に、蓄積容量７０においては、図２及び図３から分かるように、第１遮光膜１１ａは、第２蓄積容量電極としての容量線３ｂの反対側において第１蓄積容量電極１ｆに第１層間絶縁膜１２を介して第３蓄積容量電極として対向配置されることにより（図３の右側の蓄積容量７０参照）、蓄積容量が更に付与されるように構成されている。
【００４０】
また、図３において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）１ｂ及び低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接続されている。ソース領域１ｂ及び１ｄ並びにドレイン領域１ｃ及び１ｅは、半導体層１ａに対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用のドーパントをドープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子である画素スイッチング用ＴＦＴ３０として用いられることが多い。
データ線６ａは、例えばＡｌ等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３ａ、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２の上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されている。このソース領域１ｂへのコンタクトホール５を介して、データ線６ａは高濃度ソース領域１ｄに電気的接続されている。更に、データ線６ａ及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成された第３層間絶縁膜７が形成されている。この高濃度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８を介して、画素電極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気的接続されている。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜７の上面に設けられている。尚、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとは、データ線６ａと同一のＡｌ膜や走査線３ｂと同一のポリシリコン膜を中継しての電気的接続するようにしてもよい。
【００４１】
画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００４２】
次に、上述した画素電極９ａと対向電極２２について更に詳しく説明する。
【００４３】
上述した画素電極９ａ及び対向電極２２としては、ともに４１０ｎｍの波長光の吸収係数が８０００ｃｍ-1以下、ここでは２０００ｃｍ-1以下、比抵抗が１×１０―4Ω・ｃｍ以上、ここでは３．５×１０-4Ωｃｍの特性のＩＴＯ膜を用いている。また、吸収係数の測定は分光エリプソから消衰係数ｋを求め、それを吸収係数に換算した。その時のフィッティングの精度を示すカイ２乗は１０以下であった。分光エリプソを用いたのは通常の透過光から吸収係数を求める方法であると干渉縞が出て正確な評価ができないからである。
【００４４】
本発明においては、液晶装置に用いられる電極として、４１０ｎｍの波長光の吸収係数が８０００ｃｍ-1以下のＩＴＯ膜を用いることにより、紫外線光の波長領域を一部有する光を、長時間、液晶装置に照射しても、配向膜の荒れの発生を防止することができる。ここで、図４は、ＩＴＯ膜における４１０ｎｍの波長光に対する光吸収係数と耐光性寿命との関係の実験結果を示したグラフである。なお、耐光性試験は光源に１２０Ｗ−ＵＨＰを用いて液晶装置を光束密度５０ｌｍ／ｍｍ2にて暴露し、表示不良が発生するまでの時間を寿命として測定した。図４から分かるように、４１０ｎｍの波長に対する吸収係数が８０００ｃｍ-1を境に、吸収係数の値が小さくなるほど、寿命が長くなっていくことがわかる。このように寿命が向上するのは、紫外線領域の波長光によるキャリアの発生を抑え、このキャリアによるＩＴＯ膜の分解が抑えられることによるものと考えられる。
これにより、分解されたＩｎによる配向膜の荒れの発生を防止することができる。
【００４５】
吸収係数２０００ｃｍ-1以下のＩＴＯ膜はスパッタ圧力０．４Ｐａ以下で得られた。その際は図４より明らかに、寿命の格段の増加だけでなくスパッタ時のパーティクル低減（０．６Ｐａの吸収係数６０００ｃｍ-1の膜に対し約１／２）やエッチングの凝りが生じにくい（０．６Ｐａの吸収係数６０００ｃｍ-1の膜に対し約１／３）という特別な効果も得られた。
【００４６】
また、画素電極９ａ及び対向電極２２に用いられる電極の比抵抗としては１×１０―4Ω・ｃｍ以上２×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが望ましい。ＩＴＯ膜の酸素濃度が高くなるほど比抵抗は高くなる傾向にあり、ＩＴＯ膜中の酸素濃度が高ければ、酸素と結合しない未結合のＩｎの濃度を低くすることができる。従って、比抵抗を１×１０―4Ω・ｃｍ以上とすることにより、未結合のＩｎ濃度を低くすることができるので、未結合のＩｎが配向膜中に入り込んで、配向膜を荒らすことを抑えることができる。また比抵抗は２×１０-2Ω・ｃｍ以下であることが望ましく、駆動電圧が低く抑えることができる。
【００４７】
これらの電極は次のような製造方法により形成される。
【００４８】
ＴＦＴアレイ基板１０上に形成される画素電極９ａの形成においては、まず第３層間絶縁膜７まで形成されたＴＦＴアレイ基板１０を用意する。一方、対向基板２０上に形成される対向電極２１の形成においては、まず第２遮光膜２３まで形成された対向基板２０を用意する。画素電極９ａ、対向電極２１はともに後述する同じスパッタ条件にて成膜される。
【００４９】
スパッタは、インジウム・ティン・オキサイドのターゲットを用いてＤＣマグネトロンスパッタ装置により行われる。スパッタ時の温度は２００℃以上、ここでは２１０℃に設定される。２００℃以上とすることによりＩＴＯの結晶性を向上させ、成膜された膜の未結合のＩｎの濃度を低減させることができる。すなわち、未結合のＩｎ濃度を低くすることができるので、未結合のＩｎが配向膜中に入り込んで、配向膜を荒らすことを抑えることができる。スパッタガスとしては、アルゴンガスに対する酸素ガスの量が０．６ｍｏｌ％以上、更に好ましくは１．１ｍｏｌ％以上のガスが用いられる。このように酸素ガスの流量比を従来の０．１ｍｏｌ％より高く設定することにより、ＩＴＯ膜の酸化率を向上させ、未結合のＩｎ濃度を低くすることができるので、未結合のＩｎによる配向膜の荒れを抑えることができる。また、スパッタガス圧は、０．７Ｐａ以下、更に好ましくは０．４Ｐａ以下に設定される。このように設定されることにより、スパッタされた粒子の平均自由工程が長くなり、結晶性を向上させることができる。ＤＣマグネトロンスパッタ装置の磁束密度は５００ｇａｕｓｓ以上とし、これによりＩＴＯ膜の結晶性を向上することができる。
【００５０】
このようなスパッタ条件下で、対向基板２０上及びＴＦＴアレイ基板１０上に、それぞれ膜厚１２０ｎｍ、８３ｎｍのＩＴＯ膜が成膜される。その後、成膜されたＩＴＯ膜の低抵抗化を目的に、２００℃〜４００℃の温度範囲にてアニール処理を行う。このアニール処理時は、Ｎ2雰囲気中、Ｈ2／Ａｒ雰囲気中、大気中などのいずれかの雰囲気中で行うことができる。アニール処理は、ＩＴＯ膜形成後にＮ2等の水素を含まないガスでアニールし、その後、水素を含むガスでアニールするのが好ましい。また、スパッタ時の基板温度に１００℃を足した温度以下でアニールすのが好ましい。
【００５１】
以上により、対向基板２０上にはＩＴＯからなる対向電極２１が形成される。
一方、ＴＦＴアレイ基板１０においては、成膜されたＩＴＯ膜を所定の形状にパターニングすることにより、複数の画素電極９ａが形成される。
【００５２】
画素電極９ａ、対向電極２１形成後は、対向基板２０、ＴＦＴアレイ基板１０のそれぞれの基板上に、ポリイミドが塗布された後、その表面をラビング処理することにより配向膜２２、１６が形成される。
【００５３】
（液晶装置の第二実施形態の構成及び作用）
本実施形態は、上述の第一実施形態における画素電極９ａ、対向電極２１の電極の膜質が異なる点でのみ相違し、他の構成は第一実施形態と同様のため、以下、相違点のみについて説明する。
【００５４】
本実施形態においては、画素電極９ａ及び対向電極２１は、それぞれＩＴＯから形成されており、その膜厚方向で酸素含有量を変化させており、配向膜１６、２２に近づくに従って酸素含有量が高くなっている。ここで、酸素含有量が高いほど未結合のＩｎ濃度が低くなるので、配向膜に近いほどＩｎ濃度が低くなることによってＩｎによる配向膜の荒れを抑制することができる。このような層構造状態は、言い換えると、ＩＴＯ膜の酸素濃度が高いほど高抵抗となるので、配向膜１６、２２に近いほど電極の比抵抗が高くなる層構造状態となっている。
【００５５】
本実施形態では、例えば、比抵抗が異なる２層構造からなる電極構造とし、配向膜２２、１６と接する電極層の比抵抗を３．５×１０-4Ωｃｍ、膜厚を１２０ｎｍとし、もう一方の電極層の比抵抗を２×１０-4Ωｃｍｍ、膜厚を８３ｎｍとした。このような構成とすることにより、電極全体の抵抗を低抵抗に抑えつつ、Ｉｎによる配向膜の荒れをも抑えることができる。この場合、必要なITO膜の導電率は、酸素濃度の比較的低い所であり、配向膜から断面的に離れたところで確保されることとなる。
【００５６】
このような膜厚方向で段階的に比抵抗値を変える方法としては、ＩＴＯ成膜時のスパッタ条件を変えることにより行うことができる。具体的には、例えばスパッタガスの酸素濃度を変化させればよい。
【００５７】
また、本実施形態では、段階的に比抵抗値が異なる電極層を積層して電極としたが、成膜時に徐々にスパッタガスの酸素濃度を増加させていき、層厚方向に徐徐に酸素濃度が変化させるようにしてもよいし、スパッタアルゴンガス圧力を減少させていき、層厚方向に徐々に結晶性が良くなっていくようにしても良い。
【００５８】
（液晶装置の第三実施形態の構成及び作用）
本実施形態は、上述の第一実施形態と比較して、ＩＴＯからなる画素電極９ａと配向膜１６との間、そしてＩＴＯからなる対向電極２２と配向膜１６との間に、それぞれ保護膜としての無機膜が介在する点で、構造が異なる。その他の構成は第一実施形態と同様のため、以下、相違点のみについて説明する。
【００５９】
本実施形態では、ＩＴＯからなる電極の紫外線吸収係数などの特性については特に限定がなく、公知の製法により形成されたＩＴＯ膜を用いることができ、設計範囲を幅広く取ることができる。無機膜としては、窒化ケイ素膜、酸化ケイ素膜やネサ膜などの酸化膜などを用いることができ、ＩＴＯ膜中の未結合のＩｎが無機膜を通って配向膜中に入ることを防止できるものであれば良い。例えば、ネサ膜（酸化第二スズ膜）は、ＩＴＯ膜と比べ抵抗値が高いが、耐薬品性、耐熱安定性において優れている。成膜方法としては、電極形成後に、酸化第二スズからなるターゲットを用いて、スパッタにより成膜すれば良い。この場合、酸化第二スズ膜の膜厚は１０〜５０ｎｍ位に設定すればよい。また、他の酸化膜としては、スパッタやＣＶＤ等により、ＳｉＯ2膜を形成しても良い。この際、膜厚は、例えば３０〜５０ｎｍ程度とする。
【００６０】
このように配向膜と電極との間に無機膜を介在させることにより、ＩＴＯ中の未結合のＩｎが配向膜中に入ることを防止することができ、配向膜の荒れを防止することができる。
【００６１】
上述の各実施形態の電極構造は、それぞれ組み合わせても良く、例えばＩＴＯの紫外線吸収係数を限定し、更にこのＩＴＯからなる電極と配向膜との間に無機膜を介在させても良い。
【００６２】
（液晶装置の全体構成）
以上のように構成された液晶装置の各実施の形態の全体構成を図５及び図６を参照して説明する。尚、図５は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図６は、対向基板２０を含めて示す図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【００６３】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る周辺見切りとしての第２遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画面表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画面表示領域の一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画面表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６ａを櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、周辺見切りとしての第２遮光膜５３の下に隠れてプリチャージ回路（図示せず。）を設けてもよい。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図６に示すように、図５に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００６４】
以上の実施の形態における液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上には更に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。また、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング基板）上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光手段などが所定の方向で配置される。
【００６５】
この実施の形態における液晶装置は、カラー液晶プロジェクタ（投射型表示装置）に適用されるため、３枚の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施の形態における液晶装置を適用できる。更に、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【００６６】
また、各画素に設けられるスイッチング素子としては、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、上記の実施の形態は有効である。
【００６７】
（電子機器）
上記の液晶装置を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置の構成について、図７を参照して説明する。図７において、投射型表示装置１１００は、上述した液晶装置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ及び９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置の光学系の概略構成図を示す。本例の投射型表示装置の光学系には、前述した光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されている。そして、投射型表示装置は、この均一照明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面１００の表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えている。
【００６８】
均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリクス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。従って、均一照明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。
【００６９】
各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイクロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向かう。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出射部９４４からプリズムユニット９１０の側に出射される。
【００７０】
次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２において、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。
【００７１】
色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これらの集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
【００７２】
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これらの液晶装置は、不図示の駆動手段によって画像情報に応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が施される。尚、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライトバルブである。
【００７３】
導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライトバルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３とから構成されている。集光レンズ９４６から出射された青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂに導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したがって、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制することができる。
【００７４】
各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そして、この色合成プリズム９１０によって合成された光が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投射面１００の表面に拡大投射されるようになっている。
【００７５】
本例では、液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂのうち、青色の色光に対応する液晶装置として、上述の各実施形態の液晶装置を用いることができる。いずれの実施形態の液晶装置を用いても、青色の分光が照射されることによる配向膜の荒れの発生を抑えることができる。
【００７６】
青色の色光に対応する液晶装置９６２Ｂに入光する青色の色光には本来の波長の光の他に３８０ｎｍ〜４１０ｎｍの紫外線領域の波長に成分が含まれている。
この紫外線を、ＩＴＯ電極が吸収することによりＩＴＯ膜中にキャリアが発生し、このキャリアが、ＩＴＯをインジウム、酸化インジウム、酸素に分解する。このうち分解されたインジウムが配向膜であるポリイミド膜に入り込むことにより、配向膜表面が荒れると考えられる。
【００７７】
上述の第１実施形態の液晶装置を用いた場合では、ＩＴＯ膜の紫外線吸収係数を特定することにより、紫外線吸収によるＩＴＯ膜中のキャリアの発生を防止できる。その結果、ＩＴＯ膜は分解されないので、分解物として未結合のＩｎが発生せず配向膜を荒らすことがない。更に、ＩＴＯ膜の比抵抗を限定することにより、ＩＴＯ膜中の酸素濃度を増加させて未結合のＩｎを減少させることができるため、未結合のＩｎによる配向膜の荒れを抑制することができる。これらの紫外線吸収係数の限定、ＩＴＯ膜の比抵抗の限定は、いずれか一方の条件が満たされていれば、配向膜の荒れを防止するという効果が得られるが、双方の限定条件を満たしていれば、更に効果が向上することはいうまでもない。
【００７８】
また、上述の第２実施形態の液晶装置を用いた場合では、電極を低抵抗に保ちつつ、配向膜側の電極表面付近のＩＴＯ膜中の未結合のＩｎ量を減少させることができるため、未結合のＩｎによる配向膜の荒れを抑制することができる。
【００７９】
また、上述の第３実施形態の液晶装置を用いる場合では、配向膜とＩＴＯからなる電極との間に無機膜を介在させることにより、ＩＴＯ膜中の未結合のＩｎが配向膜に入ることを防止することができ、第１及び第２実施形態のようにＩＴＯ膜の膜質を調整しなくても良い。
【００８０】
このように本実施形態では、青色の色光に対応する液晶装置９６２Ｂの配向膜表面の荒れを抑えて配向膜の寿命を延ばすことができ、表示品位の高い投射型表示装置を実現できる。
【００８１】
尚、本実施形態では、特に青色の色光に対応する液晶装置９６２Ｂに、上述の各実施形態の液晶装置を用いたが、赤色の色光に対応する液晶装置９６２Ｒ、緑色の色光に対応する液晶装置９６２Ｇにも用いることができるのはいうまでもない。
【００８２】
また、赤色、緑色の色光に対応する液晶装置においては、ＩＴＯ電極の紫外線吸収係数や比抵抗などを調整したり、無機膜を配向膜と電極との間に介在させる必要もないため、通常の液晶装置を用いることができる。この場合、例えば、本発明の構成を有する液晶装置の製造コストがかかるようなときには、青色に対応する液晶装置のみ本発明の液晶装置の構造とすればよく、投射型表示装置全体の製造コストを下げることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置における画像形成領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】ＩＴＯ膜における４１０ｎｍの波長光に対する光吸収係数と耐光性寿命との関係の実験結果を示したグラフである。
【図５】液晶装置の実施の形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図６】図５のＨ−Ｈ’断面図である。
【図７】液晶装置を用いた電子機器の一例である投射型表示装置の構成図である。
【符号の説明】
【００８４】
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１６…配向膜
２１…対向電極
２２…配向膜
２０…対向基板
５０…液晶層
１００…投射面
９０６…投射レンズユニット
９１０…色合成プリズム
９２０…光源装置
９２４…色分離光学系
９２５Ｒ…ライトバルブ
９２５Ｇ…ライトバルブ
９２５Ｂ…ライトバルブ
９６２Ｒ…液晶装置
９６２Ｇ…液晶装置
９６２Ｂ…液晶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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