(57)【要約】【課題】本発明は、安価で大量生産することのできるめっき層を設けた垂直記録用磁気ディスク基板の提供および前述のめっき層を良好に研摩する方法を提案することにある。【解決手段】無電解めっきによりめっきすることのできるＮｉ−低Ｐめっき層を垂直記録用磁気ディスク基板に設け、該Ｎｉ−低Ｐめっき層をｐＨ８以上のアルカリ性研摩材を用いて研摩する方法、および前記方法により得られた磁気ディスク基板。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面をｐＨ８以上のアルカリ性研摩剤を用いて研摩することを特徴とする垂直記録用磁気ディスク基板表面の研摩方法。
【請求項２】
前記磁気ディスク基板がＰ濃度６ｗｔ％以下のＮｉ−Ｐめっきを施されており、該めっき層を研摩することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
表面にＮｉ−Ｐ層を有する垂直記録用磁気ディスク基板であって、前記Ｎｉ−Ｐ層がｐＨ８以上のアルカリ性研摩剤を用いて研摩されていることを特徴とする垂直記録用磁気ディスク基板。
【請求項４】
前記Ｎｉ−Ｐ層のＰ濃度が、６ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項３に記載の垂直記録用磁気ディスク基板。
【請求項５】
基板として請求項３または４に記載の磁気ディスク基板を用い、磁気記録層を少なくとも具えたことを特徴とする垂直記録用磁気ディスク。
【請求項６】
軟磁性裏打ち層と磁気記録層とを少なくとも具えた垂直磁気記録用ディスクにおいて、請求項２に記載の方法により研摩された磁気ディスク基板表面のＰ濃度６ｗｔ％以下のＮｉ−Ｐめっき層の軟磁性裏打ち層としての使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固定磁気ディスク記憶装置に使用される垂直記録用磁気ディスク基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録媒体の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】
特に情報を記録する役割を担う磁気記録層の下側に、磁気ヘッドから発生する磁束を通しやすい軟磁性裏打ち層と呼ばれる軟磁性膜を付与した二層垂直磁気記録媒体は、磁気ヘッドの発生磁界強度とその磁界勾配を増加させ、記録分解能を向上させるとともに媒体からの漏洩磁束も増加させることから、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体として好適であることが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
従来、軟磁性裏打ち層としては、ＮｉＦｅ合金やＣｏを主体とするアモルファス合金等が一般的に用いられている。これらの材料を用いる場合、記録再生特性の観点から０．１μｍ〜数μｍの膜厚が必要とされている。このような比較的厚い膜厚の軟磁性層は、従来の磁気記録媒体の製造に用いられているスパッタ法では、安価に大量生産することが非常に困難であり、無電解めっき法による低コストでの大量生産が課題となっている。これまでのところ、この課題に対し、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ層からなる軟磁性材料膜の無電解めっきによる生産の可能性が開示されている（例えば特許文献２参照）。しかし、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ層を用いた軟磁性裏打ち層は、３元素からなるため、無電解めっき法においてはそのめっき槽の組成等の管理が非常に困難であり、大量生産時にその品質を維持制御することが困難である。さらにめっき液の成分中の硫酸第一鉄が大気に触れると酸化して硫酸第二鉄に除々に変化してしまうことから、一定のめっき液組成に管理することが困難である。
【０００５】
これに対して、出願人らは、より安定して無電解めっきにより大量生産できるめっき膜を検討した。その結果、Ｐ濃度を６ｗｔ％以下にしたＮｉ−Ｐ膜（以下、Ｎｉ−低Ｐ膜）が有望であることがわかった。Ｎｉ−低Ｐ膜は２元素であることから、無電解めっきで作成する場合、３元素からなるめっき液に比べてめっき液が安定し管理が容易でありまた品質も安定しているので、より安定して安価に大量生産することができる。さらに該膜は、Ｐ濃度を６ｗｔ％以下にすることで、軟磁性裏打ち層として十分に機能する軟磁気特性を有し得る。
【０００６】
【特許文献１】
特公昭５８−９１号公報
【０００７】
【特許文献２】
特開平７−６６０３４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の磁気ディスク基板には、Ｐ濃度１２％以上のＮｉ−Ｐめっきアルミ基板が一般的に用いられている。
【０００９】
磁気ディスク装置は、高速回転する記憶媒体（ディスク）上を、ヘッドを僅かに浮上させて操作することによってランダムアクセスを実現しているので、磁気ディスクは超平坦面を必要とし、Ｎｉ−Ｐめっき表面に、研摩加工を施す必要がある。研摩加工は、アルミナスラリによる粗研摩工程とコロイダルシリカによる最終研摩の２工程からなるのが一般的であるが、これら研摩剤には、生産性と表面品質を両立させる為に、エッチング作用のある酸性エッチング剤が添加されている。Ｐ濃度１２％以上の一般的なＮｉ−Ｐめっき層は、酸溶液中での耐食性が高く、この酸性研摩スラリを用いることができる。しかしＰ濃度６％以下のＮｉ−低Ｐめっきを施した基板は耐酸性が低く、表面が不均質に溶出してしまう為、鏡面研摩ができない。さらに腐食が酷い場合には、リン酸Ｎｉが再析出して黒色の被膜を形成してしまう等の問題があった。
【００１０】
本発明の課題は、Ｐ濃度の低いＮｉ−低Ｐめっき膜を良好に研摩する方法を提案し、該方法により垂直記録用磁気ディスク基板を良好に研摩し、低コストで大量生産しうるめっき膜を設けた垂直記録用磁気ディスク基板を提供することである。さらに本発明の別の課題は、本発明の研摩方法で研摩した磁気ディスク基板表面のＮｉ−低Ｐ層を垂直記録媒体における裏打ち層として使用することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明は、ｐＨ８以上のアルカリ性研摩剤を用いて垂直記録用磁気ディスク基板表面を研摩する方法を提案する。
【００１２】
本発明の好ましい実施態様では、Ｐ濃度６ｗｔ％以下のＮｉ−低Ｐめっきが施された垂直記録用磁気ディスク基板を、本発明の研摩方法を用いて良好に研摩することができ、磁気ディスク基板に求められる超平坦面を確保することができる。
【００１３】
また本発明は、Ｎｉ−Ｐ層を有する垂直記録用磁気ディスク基板であって、前記Ｎｉ−Ｐ層がｐＨ８以上のアルカリ性研摩剤を用いて研摩されていることを特徴とする垂直記録用磁気ディスク基板を提供するものである。
【００１４】
本発明の磁気ディスク基板において、前記Ｎｉ−Ｐ層のＰ濃度が、６ｗｔ％以下であることが好ましい。
【００１５】
さらに本発明は、基板として前記磁気ディスク基板を用い、磁気記録層を少なくとも具えたことを特徴とする垂直記録用磁気ディスクを提供するものである。
【００１６】
本発明の一実施形態として、軟磁性裏打ち層と磁気記録層とを具えた垂直磁気記録媒体において、本発明による研摩方法により研摩された磁気ディスク基板表面のＰ濃度６ｗｔ％以下のＮｉ−低Ｐめっき層を、該垂直記録媒体における軟磁性裏打ち層として使用することが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１８】
まず本発明の垂直記録用磁気ディスク基板について説明する。磁気ディスク基板として好ましい構造の断面模式図を図１および図２に示す。ただしこれらは垂直記録用磁気ディスク基板の例示として示すものであり、本発明の垂直記録用磁気ディスク基板をこれに限定するものではない。
【００１９】
図１に示すディスク基板１０は、非磁性基体１、初期反応層２、および軟磁性下地層４を順次積層してなる構造を有する。
【００２０】
非磁性基体１としては、一般的な垂直記録用磁気ディスク基板の基体に用いられる材質、例えばアルミ合金や強化ガラス、結晶化ガラスなどが用いられる。またポリカーボネート、ポリオレフィンおよびその他のプラスチック樹脂を射出成形することで作成した基板を用いることもできる。
【００２１】
次ぎに初期反応層２について述べる。
【００２２】
アルミ合金を用いた基体１上の初期反応層には、ジンケート液（酸化亜鉛および苛性ソーダ水溶液を含む液）に浸漬して形成するＺｎ膜層を用いるのが一般的である。Ｚｎ層の膜厚は、０．１〜０．８μｍであることが望ましいが、該範囲をはずれた膜厚であることも可能である。
【００２３】
強化ガラス、結晶化ガラス、プラスチック等を用いた非導電性の基体１上の初期反応層には、２０〜４０ｇ／ｌの塩酸酸性塩化スズ溶液と０．１〜０．５ｇ／ｌの塩酸酸性塩化パラジウム溶液に順次浸漬して表面にＰｄ核を析出させる活性化処理を行うのが一般的である。尚、スパッタ法やイオンプレーティング法等の物理蒸着法を用いて、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、またはＰｄなどを１ｎｍ〜１０００ｎｍ形成することも可能である。
【００２４】
さらに初期反応層２の上に、Ｎｉ−低Ｐ層からなる軟磁性下地層４を、無電解めっき法により積層する。Ｎｉ−Ｐめっき層の軟磁性特性を実現させるためには、Ｐ濃度は６ｗｔ％以下とし、またＮｉ−低Ｐの膜厚は、０．５μｍ以上７．０μｍ以下であることが望ましい。前記Ｎｉ−低Ｐ層の飽和磁束密度［Ｂｓ］をＶＳＭ（振動試料磁力計）で測定すると、Ｐ濃度２％、膜厚１μｍでは０．４Ｔ、Ｐ濃度６％、膜厚１μｍでは０．１５Ｔ程度の軟磁性特性が得られる。
【００２５】
また別の態様として、図２に示すディスク基板１０では、初期反応層２と軟磁性下地層との間に、非磁性下地層３を設けることができる。非磁性下地層３は無電解めっき法により積層することができる。
【００２６】
非磁性下地層３には、Ｎｉ−高Ｐめっき層を用いることができる。該めっき層は無電解めっき法により積層することができる。Ｎｉ−高Ｐめっき層のＰ濃度は、１０ｗｔ％以上１３ｗｔ％以下が望ましい。またＮｉ−高Ｐめっき層の膜厚としては、０μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
【００２７】
前述のとおりＮｉ−Ｐめっき層は、無電解めっき法により積層することができる。この際、無電解めっき液は、Ｎｉイオン、錯化剤、および還元剤を含む。Ｎｉイオンには、ＮｉＳＯ４、ＮｉＣｌ２などを用いることができる。錯化剤としては、一般的なクエン酸、酒石酸塩などを用いることができる。また還元剤としては、次亜燐酸ナトリウムを一般的に用い、さらにヒドラジン、ホルムアルデヒド、またはホウ水素化ナトリウムなどを併用してもよい。これらを含有するめっき液を８０〜９５℃に調整しためっき槽に、磁気ディスク基板を浸漬し、Ｎｉ−低Ｐめっき層を積層する。また、任意で設けることのできるＮｉ−高Ｐ層も、Ｐ濃度を変えること以外、上述の無電解めっき法と同様の方法でめっきすることができる。
【００２８】
尚、Ｎｉ−Ｐめっき層は、安価大量生産の観点から無電解めっき法により積層することが望ましいが、これに限定されず、求められる特性等により、スパッタ法やイオンプレーティング法等の物理蒸着法等の一般的な他の成膜方法を用いることもできる。
【００２９】
次に、上述のようにして作成した磁気ディスク基板表面を本発明の研摩法により研摩する。
【００３０】
Ｎｉ−低Ｐ層などの耐酸性の低いめっき膜を酸性研摩剤を用いて研摩した場合には、めっき膜表面上の不均質な溶出、腐食によるリン酸Ｎｉの再析出による黒色の被膜形成などが生じる。しかし本発明にしたがって、アルカリ性研摩材で研摩した場合には、上述の問題を阻止することができる。
【００３１】
したがって、まずシリカ、コロイダルシルカ、アルミナ、炭化珪素、ジルコニア、ダイヤモンド等の研摩剤を、ｐＨ８以上に調整する。これらの研磨剤の粒径は、５ｎｍ以上３０００ｎｍ以下であることが望ましい。ｐＨの調整には、カセイソーダなどの一般的なアルカリ溶液を用いてよい。次いで、ｐＨ８以上に調整した研摩剤と研摩パッドを貼った両面研摩盤により、前述の磁気ディスク基板表面のＮｉ−低Ｐ層を研摩する。本工程における研摩量は、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が望ましく、その表面粗さは、Ｒａ＝０．６ｎｍ以下であることが望ましい。
【００３２】
本発明の研摩方法では、上述の研摩を行う前に、任意でＮｉ−低Ｐめっき層の粗研摩を行ってもよい。該粗研摩工程では、前述のアルカリ性研摩剤を用いてもよいし、あるいは一般的な酸性研摩剤を用いてもよい。粗研摩工程では、両面研摩盤などにより、前述の磁気ディスク基板表面のＮｉ−低Ｐ層を研摩する。
【００３３】
尚、本発明の研摩方法は、表面に無電解めっきによるＮｉ−低Ｐめっき層を具える垂直記録用磁気ディスク基板表面だけでなく、例えば電解めっきによる純Ｎｉめっき層を備える垂直記録用磁気ディスク基板表面の研摩にも有効である。
【００３４】
本発明の研摩方法により研摩した磁気ディスク基板を用いて、垂直記録用磁気ディスクを作成することができる。本発明の磁気ディスクに好ましい構造の断面模式図を図３に示す。ただし図３に示した磁気ディスクは例示として示すものであり、本発明の磁気ディスクをこれに限定するものではない。
【００３５】
図３に示すディスクは、垂直磁気記録媒体用ディスク基板１０の上に、非磁性シード層２０、磁気記録層３０、および保護層４０を順次積層してなる構造を有する。
【００３６】
垂直磁気記録媒体用ディスク基板１０は、図１または図２に示された本発明のいずれかのディスク基板であって、本発明の研摩方法により研摩されたものを指す。
【００３７】
非磁性シード層２０には、磁気記録層３０の結晶配向や結晶粒径等を好ましく制御するための材料を、特に制限なく用いることができる。例えば、磁気記録層３０がＣｏＣｒ系合金からなる垂直磁化膜であれば、非磁性シード層２０としてはＣｏＣｒ系合金やＴｉ、あるいはＴｉ系合金、Ｒｕ等を使用することができ、磁気記録層３０がＣｏ系合金等とＰｔあるいはＰｄ等を積層した、いわゆる積層垂直磁化膜である場合には、非磁性シード層２０にＰｔやＰｄ等を用いることができる。また、非磁性シード層２０の上や下に更にプレシード層や中間層等を設けることもできる。非磁性シード層２０の膜厚は、１〜５００ｎｍが好ましい。
【００３８】
磁気記録層３０としては、垂直磁気記録媒体としての記録再生を担うことができるいかなる材料をも用いることができる。すなわち、上述のＣｏＣｒ系合金や、Ｃｏ系合金等とＰｔあるいはＰｄ等を積層した膜等のいわゆる垂直磁化膜を用いることができる。磁気記録層３０の膜厚は、１〜５０ｎｍが好ましい。
【００３９】
保護層４０は、例えばカーボンを主体とする薄膜が用いられる。また保護層４０の形成後に、例えばパーフルオロポリエーテル等からなる液体潤滑剤層を塗布してもよい。保護層４０の膜厚は、１〜１０ｎｍが好ましい。
【００４０】
尚、これらの非磁性シード層２０、磁気記録層３０、および保護層４０はスパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、またはめっき法などの薄膜形成に一般的に用いられる方法で形成することが可能である。
【００４１】
【実施例】
以下に本発明の実施例を記す。
【００４２】
（実施例１）
非磁性基体として３．５インチφのＡｌ−５Ｍｇ（ａｔ％）合金を用い、該基体をアルカリ洗浄剤（上村工業製ＡＤ−６８Ｆ）およびエッチング剤（上村工業製ＡＤ−１０１Ｆ）を用いて、アルカリ洗浄及び酸エッチングによって表面を清浄化した。次ぎに該基体を、硝酸３０％溶液に浸漬し、次いでジンケート２５％溶液に浸漬する工程を２回繰り返した。本工程を２回繰り返すことにより、薄く緻密なジンケート層すなわち初期反応層が形成され、前記基体と初期反応層との密着性が向上する。ジンケート剤には、上村工業製ＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘを用いた。
【００４３】
続いて、Ｐ濃度１２．５％のＮｉ−高Ｐめっき液（上村工業製ＨＤＸ）を用いためっき槽を９０℃に調整し、該めっき槽に前述の初期反応槽を積層した基板を浸漬し、Ｐ濃度１２．５％、膜厚２μｍのＮｉ−高Ｐ層を形成した。次ぎに、Ｐ濃度４．５％のＮｉ−低Ｐめっき液（上村工業製ニムデンＬＰＸ）を用いためっき槽を９０℃に調整し、該めっき槽に前述のＮｉ−高Ｐ層を積層した基板を浸漬し、Ｐ濃度４．５％、膜厚１０μｍのＮｉ−低Ｐ層を形成し、Ｎｉ−Ｐ層の総膜厚を１２μｍとした。
【００４４】
次ぎに前述のアルミニウム基板上のＮｉ−低Ｐめっき層表面の粗研摩を行い、２μｍ研摩した。粗研摩工程は、平均粒径０．８μｍ、ｐＨ３．５のアルミナスラリ（ＤＩＳＫＬＩＴＥ−１３１２：フジミインコーポレット製）と発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて行った。
【００４５】
さらに粗研摩された前述の基板の最終研摩を行い、０．５μｍ研摩した。最終研摩工程は、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ１０のコロイダルシリカ（スノーテックス３０：日産化学製）と発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて行った。
【００４６】
（実施例２）
実施例１で形成したＮｉ−低Ｐ層の代わりに、スルファミン酸ニッケル液（スルファミン酸ニッケル４００ｇ／ｌ、硼酸４０ｇ／ｌ、ｐＨ４．０、５０℃）にて、１０Ａ／ｄｍ２の電流密度で純Ｎｉめっきを１０μｍ（中周部）施しためっき層を形成し、総膜厚を１２μｍにしたこと以外、実施例１と同様にアルミニウム基体上に各層を形成し、アルミニウム基板を形成した。
【００４７】
次いで、実施例１の粗研摩工程に従って、前述のアルミニウム基板上の純Ｎｉめっき層表面を研摩した。
【００４８】
さらに、最終研摩工程として、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ８．５のコロイダルシリカ（スノーテックスＣ：日産化学製）と発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて、前述の基板表面を０．５μｍ研摩した。
【００４９】
（実施例３）
実施例１で形成したＮｉ−低Ｐ層の代わりに、上村工業製無電解めっき液（ニムデンＬＰＲ４）を用いて、Ｐ濃度６．０％、膜厚１０．０μｍのＮｉ−低Ｐ層を形成したこと以外、実施例１と同様にアルミニウム基体上に各層を形成し、アルミニウム基板を形成した。
【００５０】
次いで、実施例１の粗研摩工程に従って、前述のアルミニウム基板上のＮｉ−低Ｐめっき層表面を研摩した。
【００５１】
さらに、最終研摩工程として、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ８．５のコロイダルシリカ（スノーテックスＣ：日産化学製）と発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて、前述の基板表面を０．５μｍ研摩した。
【００５２】
（実施例４）
実施例１で形成したＮｉ−低Ｐ層の代わりに、奥野製薬製めっき液（トップニコロンＬＰＨ）を用いて、Ｐ濃度２．０％、膜厚１０μｍのＮｉ−低Ｐ層を形成したこと以外、実施例１と同様にアルミニウム基体上に各層を形成し、アルミニウム基板を形成した。
【００５３】
次いで、実施例１の粗研摩工程に従って、前述のアルミニウム基板上のＮｉ−低Ｐめっき層表面を研摩した。
【００５４】
さらに、最終研摩工程として、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ１０．０のコロイダルシリカ（スノーテックス３０：日産化学製）をカセイソーダにてｐＨ調整し、ｐＨ１１．０としたスラリと発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて、前述の基板表面を０．５μｍ研摩した。
【００５５】
（実施例５）
実施例１と同様にアルミニウム基体上に各層を形成し、アルミニウム基板を形成した。
【００５６】
次いで、実施例１の粗研摩工程に従って、前述のアルミニウム基板上のＮｉ−低Ｐめっき層表面を研摩した。
【００５７】
さらに、最終研摩工程として、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ１０．０のコロイダルシリカ（スノーテックス３０：日産化学製）をカセイソーダにてｐＨ調整し、ｐＨ１１．０としたスラリと発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて、前述の基板表面を０．５μｍ研摩した。
【００５８】
（比較例１）
Ｎｉ−高Ｐ層の膜厚を１２μｍとしたこと及びＮｉ−低Ｐ層を除いた以外、実施例１と同様にアルミニウム基体上に各層を形成し、アルミニウム基板を形成した。
【００５９】
次いで、実施例１の粗研摩工程に従って、前述のアルミニウム基板上のＮｉ−高Ｐめっき層表面を研摩した。
【００６０】
さらに、最終研摩工程として、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ３．０のコロイダルシリカ（スノーテックス０：日産化学製）と発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて、前述の基板表面を０．５μｍ研摩した。
【００６１】
（比較例２）
実施例１と同様にアルミニウム基体上に各層を形成し、アルミニウム基板を形成した。
【００６２】
次いで、実施例１の粗研摩工程に従って、前述のアルミニウム基板上のＮｉ−低Ｐめっき層表面を研摩した。
【００６３】
さらに、最終研摩工程として、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ３．０のコロイダルシリカ（スノーテックス０：日産化学製）と発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて、前述の基板表面を０．５μｍ研摩した。
【００６４】
（比較例３）
実施例１と同様にアルミニウム基体上に各層を形成し、アルミニウム基板を形成した。
【００６５】
次いで、実施例１の粗研摩工程に従って、前述のアルミニウム基板上のＮｉ−低Ｐめっき層表面を研摩した。
【００６６】
さらに、最終研摩工程として、平均粒径２０ｎｍ、ｐＨ３．０のコロイダルシリカ（スノーテックス０：日産化学製）をカセイソーダを用いてｐＨ調整し、ｐＨ５．５としたスラリと発泡ウレタン製パッドを貼った両面研摩盤を用いて、前述の基板表面を０．５μｍ研摩した。
【００６７】
（評価１）
実施例１〜５および比較例１〜３において粗研摩したディスク基板表面の表面粗さを測定した。表面粗さは、触針式粗さ計で測定した。測定結果を表１に示す。測定した全てのめっき層表面上の粗さはほぼ同様の結果を示した。
【００６８】
（評価２）
実施例１〜５および比較例１〜３において最終研摩したディスク基板表面の表面粗さを測定した。測定した結果を表１に示す。該測定は、ＡＦＭにて１０μｍ×１０μｍの表面粗さを測定した。
【００６９】
評価２における測定の結果、表１に示すとおり、比較例１におけるＮｉ−低Ｐ層を有しない一般的なめっき層の表面を酸性研摩剤を用いて研摩した後の表面粗さが、Ｒａ＝０．４ｎｍであった。これに対し実施例１〜５のＮｉ−低Ｐ層により形成されためっき層をアルカリ性研摩剤を用いて研摩した後の表面粗さは、Ｒａ＝０．３ｎｍ〜０．５ｎｍであった。これは比較例１の研摩結果で示された一般的なめっき膜の表面粗さと同程度または同等以上の結果であった。
【００７０】
一方、比較例２および３のＮｉ−低Ｐ層を有するめっき膜を、酸性研摩剤で研摩した後の表面粗さは、それぞれＲａ＝１．８ｎｍおよびＲａ＝１．６ｎｍであった。これは基板としては用いることのできない程度の粗さである。Ｐ濃度の低いめっき層を酸性研摩剤で研摩すると、層表面の腐食によってリン酸Ｎｉが不均質に溶出し基板表面が荒れてしまい、磁気ディスク基板としては使用できない表面粗さになることがわかる。
【００７１】
【表１】
2004259378.tif 000003
【００７２】
以上、評価１および２より、粗研摩工程においては、Ｎｉ−低Ｐ層を従来の酸性研摩剤で研摩をしても、Ｎｉ−高Ｐ層と同様の表面粗さを得ることができることが示された。したがって最終研摩工程においてのみアルカリ性研摩剤を用いれば、Ｎｉ−低Ｐ層に関しても従来からの一般的な表面粗さ以上の値を得ることができることがわかる。
【００７３】
【発明の効果】
本発明のアルカリ性研摩剤を用いた研摩方法により、基板上に施したＮｉ−低Ｐ層を良好に研摩することが可能となった。これにより、垂直記録用磁気ディスク基板上に無電解めっき法による安価で大量生産できるめっき膜を形成することができ、該めっき膜の超平坦面を達成することが可能となった。また本発明のＮｉ−低Ｐめっき膜は、２元素により構成されており、３元素以上のめっき膜に比べて、よりめっき液が安定し、一定のめっき膜組成に管理することが容易であり、形成されためっき膜の品質も安定しているという利点を有する。
【００７４】
さらに、Ｎｉ−低Ｐ膜の軟磁気特性を利用して、垂直記録用磁気ディスクの基板のめっき膜として形成したＮｉ−低Ｐ層を、同時に裏打ち層としても機能させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の垂直記録媒体用磁気ディスク基板のうち、非磁性基体上に初期反応層および軟磁性下地層を形成したディスク基板の断面模式図である。
【図２】本発明の垂直記録媒体用磁気ディスク基板のうち、非磁性基体上に初期反応層、非磁性下地層および軟磁性下地層を形成したディスク基板の断面模式図である。
【図３】本発明による垂直記録媒体用磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【符号の説明】
１    非磁性基体
２    初期反応層
３    非磁性下地層
４    軟磁性下地層
１０  垂直磁気記録用磁気ディスク基板
２０  非磁性シード層
３０  磁気記録層
４０  保護層
【図１】
2004259378.tif 000004
【図２】
2004259378.tif 000005
【図３】
2004259378.tif 000006