(57)【要約】【課題】従来の配線基板では、接続パッドの配列を微細化すると、配線基板を外部電気回路に実装した後において熱ストレス等に起因して特に配線基板の各角部で接続強度の低下をもたらす恐れが大きい。【解決手段】多数の配線導体を有する絶縁基体１の表面に配線導体とそれぞれ電気的に接続された多数の接続パッド２を設けて成り、多数の接続パッド２は、絶縁基体１の中心部から周辺部にかけて同心円状に配列されている配線基板３である。実装後において熱ストレスとして最も負荷のかかる部位である配線基板３の各角部に接続パッド２が配設されなくなり、また同心円状の配列の最外周に配設される接続パッド２がすべて配線基板３の中心から等間隔で配置されるようになることから、実装後の熱ストレスを均等に分散することができ、配線基板３の接続強度を強くすることができる。【選択図】　図１
2004006623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の配線導体を有する絶縁基体の表面に前記配線導体とそれぞれ電気的に接続された多数の接続パッドを設けて成る配線基板において、前記多数の接続パッドは、前記絶縁基体の中心部から周辺部にかけて同心円状に配列されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁基体がガラスセラミックスから成り、前記接続パッドが銅を主成分とし、ガラス成分を含有するとともに該ガラス成分の含有量が０．１乃至４．０質量％であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基体がガラスセラミックスから成り、前記接続パッドが銅を主成分とし、ガラス成分を含有するとともにその露出した側面の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で１乃至３μｍであることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ＬＳＩ等の半導体素子やコンデンサ・抵抗等の電子部品が搭載され、外部電気回路基板に対して半田等の接合部材を介して実装される配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
デジタルビデオカメラやデジタル携帯電話、さらにノートＰＣの例に代表される携帯用電子機器においては、小型化・薄型化・軽量化に対する要求が強く、それに対して、半導体ＬＳＩ等を実装するための容器・基板として使われる配線基板の表面実装密度をいかに向上させるかが、重要な研究開発上の一つのポイントになっている。
【０００３】
このような傾向にあって、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ：クワッド−フラット−パッケージ）等のパッケージＩＣの実装に代わる、より小型の配線基板としていわゆるＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ　Ｐａｃｋａｇｅ：チップ−スケール−パッケージ）タイプのものが多用されるようになってきている。このＣＳＰタイプの配線基板として一般的なものは、その外寸を搭載する半導体ＬＳＩの外寸に極力近づけた小型の絶縁基体の下面に多数の接続パッドを配列形成し、この接続パッドにボール状半田等の外部接続端子を接続させるようにした構造であり、その接続パッドの配列は例えば０．８ｍｍピッチの格子状、あるいは千鳥格子状とするものが一般的である。
【０００４】
一方、半導体ＬＳＩの高集積度化および多機能化に伴って接続パッドの配設数はますます増加する傾向、いわゆる多ピン化の傾向にあり、小型化が要求されている一方で配線基板のサイズが大きくならざるを得ない状況にある。
【０００５】
このような半導体ＬＳＩの多ピン化に対応した高密度の実装を考えた場合には、接続パッドの配列をより一層微細化、いわゆるファインピッチ化することが必要である。
【０００６】
【特許文献１】
特開２０００−１００９８６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、接続パッドの配列を微細化すると、当然のことながらその端子径も小さくする必要があり、これに応じて接続パッドとボール状半田等の外部接続端子との接続面積が小さくなるため、接続強度の低下を招きやすくなり、配線基板を外部電気回路に実装し接続した後において、熱ストレス等に起因して接続強度の低下をもたらすおそれが大きいという問題点がある。
【０００８】
特に、接続パッドのうち、四角形状の配線基板の角部に配設されたものには熱ストレスが集中するため、この角部に配設されたものにおいては接続パッドと外部電気回路基板との接続強度の低下をもたらすおそれが非常に大きいという問題点がある。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、半導体ＬＳＩ等の電子部品の高密度実装や多ピン化を考慮に入れながら、配線基板の外部電気回路に対する接続強度を強くすることが可能な接続パッドの配列を有する配線基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線基板は、多数の配線導体を有する絶縁基体の表面に前記配線導体とそれぞれ電気的に接続された多数の接続パッドを設けて成る配線基板において、前記多数の接続パッドは、前記絶縁基体の中心部から周辺部にかけて同心円状に配列されていることを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明の配線基板は、上記構成において、前記絶縁基体がガラスセラミックスから成り、前記接続パッドが銅を主成分とし、ガラス成分を含有するとともにこのガラス成分の含有量が０．１乃至４．０質量％であることを特徴とするものである。
【００１２】
また本発明の配線基板は、上記構成において、前記絶縁基体がガラスセラミックスから成り、前記接続パッドが銅を主成分とし、ガラス成分を含有するとともにその露出した側面の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で１乃至３μｍであることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の配線基板によれば、多数の接続パッドは、絶縁基体の中心部から周辺部にかけて同心円状に配列されていることから、実装後において熱ストレスとして最も負荷のかかる部位である四角形状の配線基板の各角部に接続パッドが配設されなくなり、また同心円状の配列の最外周に配設される接続パッドがすべて配線基板の中心から等間隔で配置されるようになることから、実装後の熱ストレスを同心円の各円上に配設した全部の接続パッド間で均等に分散させることができ、その結果、配線基板の外部電気回路に対する接続強度を強くすることが可能となる。
【００１４】
また、本発明の多層配線基板において、絶縁基体をガラスセラミックスから成るものとするとともに、接続パッドを銅を主成分としガラス成分を含有するものとし、そのガラス成分の含有量を０．１乃至４．０質量％とした場合には、接続パッドのガラス成分の含有量が適度に少ないものとなることから、接続パッド中の銅成分間の接触がガラス成分で遮られることを効果的に防止するとともに、ガラス成分により接続パッドの絶縁基体に対する焼成時の接合を確保することができ、絶縁基体の比誘電率および接続パッドの接触抵抗等の電気抵抗を低くすることができるとともに、これらの接続パッドと絶縁基体との接合をより一層強固なものとすることができ、低損失かつより高信頼性の多層配線基板を得ることができる。さらに、接続パッドに含有するガラス成分が少ないことで接続パッドの表面に析出するガラス成分も少なくなるため、接続パッドの表面へのガラスの析出や、配線導体の膨れ・発泡等の外観上の欠点・実装信頼性の低下等を抑えることができ、半導体素子・チップ部品等の良好な実装性を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の多層配線基板において、絶縁基体をガラスセラミックスから成るものとするとともに、接続パッドを銅を主成分としガラス成分を含有するものとし、この接続パッドの露出した側面の表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で１乃至３μｍとした場合には、その接続パッドの露出した側面にニッケル・金等のめっき層を欠陥等を生じさせることなく、かつ密着性を良好として被着させることができるため、この接続パッドに対する半導体素子・チップ部品等のより一層良好な実装性を、またこの接続パッドによる外部電気回路基板へのより一層良好な実装性を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の配線基板を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１７】
図１は本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図（下面図）であり、１は絶縁基体、２は接続パッドである。これら絶縁基体１・接続パッド２により半導体ＬＳＩ等の電子部品を搭載する配線基板３が構成される。なお、図１においては、絶縁基体１の表面および／または内部に形成された配線導体については図示を省略している。
【００１８】
絶縁基体１は、半導体ＬＳＩ等の電子部品（図示せず）を搭載する支持基板として機能し、図示しない上面に電子部品の搭載部を有している。
【００１９】
絶縁基体１は、ガラスセラミックス焼結体・酸化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、通常は四角形状の板体である。例えばガラスセラミックス焼結体から成る場合であれば、ホウ珪酸ガラス等のガラス粉末と酸化アルミニウム等のセラミック粉末とから成る原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して泥漿物を作るとともに、この泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってガラスセラミックグリーンシートと成し、しかる後、このガラスセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに、これを必要に応じて複数枚積層し、約１０００℃の温度で焼成することによって作製される。
【００２０】
このような絶縁基体１は、ガラスセラミックス、特に低比誘電率のガラスセラミックスにより形成することが好ましい。
【００２１】
絶縁基体１を低比誘電率のガラスセラミックスで形成することにより、接続パッド２を、後述するように、銅や銀等の低抵抗材料で形成することができ、接続パッド２の接触抵抗等の電気抵抗を低いものとすることができる。
【００２２】
また、絶縁基体１の比誘電率が低いことにより、ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯の高周波の電気信号が接続パッド２や配線導体等を通って伝送されるような場合でも、高周波信号の損失を非常に低く抑えることができる。
【００２３】
このようなガラスセラミックスから成る絶縁基体１は、例えば、次のように作製される。
【００２４】
まず、ガラスおよびフィラー等の原料粉末と、適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤を添加混合してスラリーとするとともに、そのスラリーを従来周知のドクターブレード法やカレンダロール法を採用することによって、絶縁基体１を構成する各絶縁層となるグリーンシートを成形する。
【００２５】
ガラス成分としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）・ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は同一または異なってＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は前記と同じである）・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ，ＮａまたはＫを示す）・ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は前記と同じである）・Ｐｂ系ガラス・Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２６】
また、フィラーとしては、例えばＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物・ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物・Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等が挙げられる。
【００２７】
これらガラスとフィラーとの混合割合は、重量比で４０：６０〜９９：１であるのが好ましい。
【００２８】
この原料粉末に添加混合される有機バインダとしては、従来からセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸・メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体・メタクリル酸エステル共重合体・アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等）・ポリビニルブチラ−ル系・ポリビニルアルコール系・アクリル−スチレン系・ポリプロピレンカーボネート系・セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００２９】
絶縁基体１には、電子部品が搭載される上面から下面にかけて、多数の配線導体（図示せず）が形成されている。
【００３０】
この配線導体は、電子部品の電極と金属バンプやボンディングワイヤ等の導電性接続部材を介して電気的に接続され、これを絶縁基体１の下面に導出する機能を有し、銅や銀・金・タングステン・モリブデン等の金属材料から成り、例えば、銅粉末のペーストを絶縁基体１となるガラスセラミックグリーンシートの表面や貫通孔に所定パターンに印刷塗布しておくことにより形成される。
【００３１】
絶縁基体１の下面には、外部接続用の多数の接続パッド２が多数の配線導体とそれぞれ電気的に接続されるようにして形成されている。
【００３２】
本発明の配線基板３において、この多数の接続パッド２は、絶縁基体１の中心部から周辺部にかけて同心円状に配列されていることが重要である。
【００３３】
このように多数の接続パッド２を絶縁基体１の中心部から同心円状に配列することにより、実装後において熱ストレスとして最も負荷のかかる部位である四角形状の絶縁基体１の各角部に接続パッドが配設されなくなり、また同心円状の配列の最外周に配設される接続パッド２がすべて絶縁基体１の中心から等間隔で配置されるようになることから、実装後の熱ストレスを同心円の各円上に配設した全部の接続パッド２間で均等に分散させることができ、その結果、配線基板３の外部電気回路基板に対する接続強度を強くすることが可能となる。
【００３４】
接続パッド２は、銅・銀・タングステン・モリブデン・マンガン等の金属材料から成り、通常は配線導体と同様の材料が用いられる。例えば銅・銀等の金属粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合して得た金属ペーストを、絶縁基体１となるガラスセラミックグリーンシートに、予めスクリーン印刷法等により、配線導体と接続されるようにして所定のパターンに印刷塗布しておくことにより形成される。
【００３５】
このような接続パッド２は、銅を主成分とし、ガラス粉末を含有するものとすることが好ましい。
【００３６】
接続パッド２を、銅を主成分として形成することにより、接続パッド２の接触抵抗等の電気抵抗を非常に低いものとすることができる。
【００３７】
また、ガラス粉末を含有するものとすることにより、銅を主成分とする接続パッド２をガラスセラミックスから成る絶縁基体１に強固に接合させることができ、配線基板３の外部電気回路基板に対する接続強度をより一層確実に強いものとすることができる。
【００３８】
このような、銅を主成分とし、ガラス粉末を含有する接続パッド２は、銅または銅を主成分とする合金から成る金属粉末とガラス粉末とに適当な有機バインダ・溶剤を添加混合した金属ペーストを、絶縁基体１となるガラスセラミックグリーンシートの表面にスクリーン印刷法等で、絶縁基体１の中心部から周辺部にかけて同心円状に配列した所定パターンに印刷することにより形成することができる。
【００３９】
また接続パッド２は、ガラス成分の含有量を０．１乃至４．０質量％とすることが好ましい。
【００４０】
ガラス粉末の含有量を０．１乃至４．０質量％とすることにより、接続パッド２をガラスセラミックスから成る絶縁基体１に強固に接合させることができるとともに、接続パッド２の表面へのガラス析出を抑えることができる。ガラスの含有量が０．１質量％未満の場合には、８００〜１０００℃での焼成に必要なガラスが不足するため、絶縁基体１との強固な接合状態が得られにくい傾向がある。他方、ガラスの含有量が４．０質量％を超えると、接続パッド２の表面へのガラス析出が増加しやすく、膨れや発泡等の外観上の欠陥が生じるとともに、この接続パッド２を半田等を介して外部電気回路に電気的に接続する際の半田の濡れ性や接続強度が劣化しやすい傾向にある。
【００４１】
なお、接続パッド２は、その露出表面にニッケル・銅・金等のめっき層を例えば２〜２０μｍの厚みで被着させておくことが好ましい。これは、接続パッド２の酸化腐食を効果的に防止するためである。
【００４２】
また絶縁基体１の表面に位置する絶縁層に形成された接続パッド２の露出した側面の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で１乃至３μｍであることが好ましい。この接続パッド２の露出した側面の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で１μｍ未満であると、表面に被着させるニッケル・金等のめっき層との密着強度が、表面が平滑であるために十分なアンカー効果を得ることができず、低下する傾向がある。また、３μｍを超えると、表面が粗くなりすぎてしまい、被着させるニッケル・金等のめっき層が接続パッド２を一様に覆うことができずに、めっき層にピンホール等の欠陥が生じて実装性が低下する傾向がある。
【００４３】
なお、接続パッド２の側面へは、通常はガラス成分が多量に析出することがないため、ガラス成分によりめっき層の正常な被着形成が妨げられることはない。
【００４４】
また、接続パッド２を同心円状に配列する際の同心円の半径は、絶縁基体１の中心部から外周部にかけて等間隔で大きくなるようにしてもよく、また、中心部から離れるにつれて間隔が大きくなるようにしても、逆に小さくなるようにしてもよい。
【００４５】
接続パッド２の同心円状の配列の同心円の半径を絶縁基体１の中心部から外周部にかけて等間隔で大きくなるようにした場合は、同心円状の配列で配設される接続パッド２が隣接する同心円間で等間隔で配置されるようになることから、実装後の熱ストレスを同心円の各円上に配設した全部の接続パッド２間で均等に分散させることができ、特定の接続パッド２に熱ストレスが集中しなくなり、その結果、配線基板３の外部電気回路に対する接続強度を強くすることが可能となる。
【００４６】
また、中心部から離れるにつれて間隔が大きくなるようにした場合は、これと併せて絶縁基体１の外周部で接続パッド２の大きさを大きくすることにより、熱ストレスが大きくなる絶縁基体１の外周部で個々の接続パッド２の半田との接合面積を大きくすることができるので、接続パッド２の接続強度を高めることが可能となる。
【００４７】
また、中心部から離れるにつれて間隔が小さくなるようにした場合は、同心円状の配列の外周側に配設される接続パッド２の間隔を狭めることにより、より高密度な接続パッド２の配列を形成することが可能となる。
【００４８】
例えば、接続パッド２をより高密度で形成しようとする場合には、外周部になるほど円周の長さが長くなるのでより多くの接続パッド２を配設することができることから、同心円状の配列の同心円の半径を、絶縁基体１の外周部に近づくほど間隔が小さくなるようにして形成すればよい。また、絶縁基体１の外周部で接続パッド２の大きさを大きくしてそれらの接続強度を高め、外部電気回路との接続強度・接続信頼性を重視するようにしてもよい。
【００４９】
接続パッド２の同心円状の配列における同心円の隣接間隔は、接続パッド２の直径に対して１倍〜２倍の範囲がよい。これにより、絶縁基体１の電気絶縁性を確保すると同時に接続パッド２を高密度に形成することができるので、接続パッド２の密度および接続信頼性を同時に高いレベルで満足させることができる。
【００５０】
さらに、同心円状の配列の同心円の半径方向における接続パッド２の並びは、絶縁基体１の中心部から外周部に向けて同心円の半径に沿って放射状に並べてもよく、隣接する外側の同心円上の接続パッド２が内側の同心円上の接続パッド２の間に位置するように互い違いに、いわゆる千鳥状に並べてもよく、同心円の円周に沿って等間隔となるようにして配設してもよい。
【００５１】
絶縁基体１の中心部から外周部に向けて同心円の半径に沿って放射状に並べた場合は、同心円状の配列の最外周に配設される接続パッド２がすべて配線基板３の中心から等間隔で配置されるようになることから、実装後の熱ストレスを同心円の各円上に配設した全部の接続パッド２間で均等に分散させることができ、その結果、配線基板３の外部電気回路に対する接続強度を強くすることが可能となる。
【００５２】
また、いわゆる千鳥状に並べた場合は、隣接する接続パッド２の間隔を狭めることにより、高密度な接続パッド２の配列を形成することが可能となる。
【００５３】
また、同心円の円周に沿って等間隔となるように並べた場合は、外周部になるほど円周の長さが長くなるのでより多くの接続パッド２を配設することができることから、接続パッド２の高密度な配設が可能となる。
【００５４】
また、接続パッド２の形状は、通常であればほぼ円形であるが、同心円状の配列の同心円の円周に対して直交する方向に長い楕円形状としてもよい。この場合は、熱ストレスの負荷がかかる方向に接続パッド２の面積を広く確保することができるため、熱ストレス等に対する接続信頼性をより一層優れたものとすることができる。
【００５５】
かくして上述の本発明の配線基板３によれば、絶縁基体１の上面に電子部品を搭載するとともにその電極を配線導体に半田等を介して接続し、必要に応じて電子部品を封止用樹脂または蓋体等で封止することにより製品としての電子装置となり、接続パッド２を外部電気回路基板の接続端子に接続することにより、封止した電子部品が外部電気回路と電気的に接続される。そして、多数の接続パッド２が絶縁基体１の中心部から外周部にかけて同心円状に配列されていることから、配線基板３の外部電気回路基板に対する接続強度を強くすることが可能となり、多ピン化にも容易に対応することが可能となる。
【００５６】
【実施例】
以下、上述の好適な各条件について、具体例を挙げて説明する。
【００５７】
表１は、絶縁基体１の表面に位置する絶縁層に形成された接続パッド２のガラス成分の含有量による外観不具合発生率について検査した結果を示すものである。
【００５８】
絶縁基体１は、ホウケイ酸系ガラスを約５０質量％、アルミナを約４０質量％含有し、残部がマグネシウム等の金属酸化物等の添加材から成るガラスセラミックスを、２ｃｍ×２ｃｍのほぼ正方形状の平板（厚さ１ｍｍ）に形成したものを用いた。形成方法は、上記組成のガラス粉末およびアルミナ粉末を有機溶剤・バインダとともにドクターブレード法でシート状に成形し、機械加工で所定寸法に切断するという一般的な方法を用いた。
【００５９】
接続パッド２は、銅にガラス成分を表１に示す割合で添加したものを用いた。また、今回の評価においては、各絶縁基板１となるグリーンシートの表面に２ｍｍ角で、同心円状に８４個、各組成の銅−ガラスのペーストをスクリーン印刷法で印刷することにより接続パッド２を形成した。なお、接続パッド２の厚みは２０μｍに統一した。
【００６０】
ここで、外観不具合発生率のうちクラックについては、倍率１０倍の双眼顕微鏡で観察する外観検査において、絶縁基体１と接続パッド２との間における隙間の発生の有無の確認をし、そのクラックの発生数量から発生率（％）を算出した。また、膨れについては、接続パッド２上に被着させためっき層の膨れの発生数量から発生率（％）を算出したものである。なお、隙間・膨れが１箇所でも見られたパッドを不具合１個としてカウントした。
【００６１】
【表１】
2004006623.tif 000003
【００６２】
表１に示した結果より分かるように、本発明の配線基板３によれば、接続パッド２のガラス含有量が０．１質量％未満の場合には、８００〜１０００℃での焼成に必要なガラスが不足することとなるため、接続パッド２と絶縁基体１との間に隙間が生じ、両者の接続界面に若干（ガラス含有量が０．０５％のとき発生率が３％）のクラックの発生が見られた。また、このガラスの含有量が４．０質量％を超えると、接続パッド２の表面へのガラス析出が増加したことにより、接続パッド２に膨れが発生し始める（ガラス含有量が５％のとき発生率が２％）傾向が見られた。
【００６３】
次に、表２に、絶縁基体１の表面に位置する絶縁層に形成された接続パッド２の側面の各水準の表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））における接続パッド２のメタライズ導体に対するめっき層の被着強度（めっき／メタライズ強度）およびメタライズ導体に被着しためっき層上の外観ピンホール発生率について測定・検査した結果を示す。
【００６４】
また、評価サンプルは表１と同様に、絶縁基体１には、ホウケイ酸系ガラスを約５０質量％、アルミナを約４０質量％含有し、残部がマグネシウム等の金属酸化物等の添加材から成るガラスセラミックスを、２ｃｍ×２ｃｍのほぼ正方形状の平板（厚さ１ｍｍ）に形成したものを用いた。形成方法は、上記組成のガラス粉末およびアルミナ粉末を有機溶剤・バインダとともにドクターブレード法でシート状に成形し、機械加工で所定寸法に切断するという一般的な方法を用いた。
【００６５】
接続パッド２は、銅にガラス成分を表１に示す割合で添加したものを用いた。また、今回の評価においては、各絶縁基板１となるグリーンシートの表面に２ｍｍ角で、同心円状に８４個、各組成の銅−ガラスのペーストをスクリーン印刷法で印刷することにより接続パッド２を形成した。なお、接続パッド２の厚みは２０μｍに統一した。
【００６６】
また、メタライズ導体に被着しためっき層上の外観ピンホール発生率（％）は、接続パッド２上に被着させためっき層の膨れを倍率１０倍の双眼顕微鏡で観察しその発生数量から発生率を算出した。
【００６７】
【表２】
2004006623.tif 000004
【００６８】
表２に示した結果より分かるように、絶縁基体１の表面に位置する絶縁層に形成された接続パッド２の側面の表面粗さが算術平均粗さ（Ｒａ）で１μｍ未満であると、表面が平滑であるために十分なアンカー効果を得ることができずに、めっき／メタライズの強度が１９．６Ｎを下回り低下してしまう。また、３μｍを超えると、表面が粗くなりすぎてしまい、被着させるニッケル・金等のめっき層が接続パッド２を一様に覆うことができずに、めっき層に外観で認められるピンホールが発生しやすくなる。
【００６９】
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、接続パッド２の形状は、図１では円形状であったが、接続強度を高めるために絶縁基体１の外周側を面積の広い領域としたいわゆる涙滴形状としてもよい。
【００７０】
【発明の効果】
本発明の配線基板によれば、多数の接続パッドは、絶縁基体の中心部から周辺部にかけて同心円状に配列されていることから、実装後において熱ストレスとして最も負荷のかかる部位である四角形状の配線基板の各角部に接続パッドが配設されなくなり、また同心円状の配列の最外周に配設される接続パッドがすべて配線基板の中心から等間隔で配置されるようになることから、実装後の熱ストレスを同心円の各円上に配設した全部の接続パッド間で均等に分散させることができ、その結果、配線基板の外部電気回路に対する接続強度を強くすることが可能となる。
【００７１】
また、本発明の多層配線基板において、絶縁基体をガラスセラミックスから成るものとするとともに、接続パッドを銅を主成分としガラス成分を含有するものとし、そのガラス成分の含有量を０．１乃至４．０質量％とした場合には、接続パッドのガラス成分の含有量が適度に少ないものとなることから、接続パッド中の銅成分間の接触がガラス成分で遮られることを効果的に防止するとともに、ガラス成分により接続パッドの絶縁基体に対する焼成時の接合を確保することができ、絶縁基体の比誘電率および接続パッドの接触抵抗等の電気抵抗を低くすることができるとともに、これらの接続パッドと絶縁基体との接合をより一層強固なものとすることができ、低損失かつより高信頼性の多層配線基板を得ることができる。さらに、接続パッドに含有するガラス成分が少ないことで接続パッドの表面に析出するガラス成分も少なくなるため、接続パッドの表面へのガラスの析出や、配線導体の膨れ・発泡等の外観上の欠点・実装信頼性の低下等を抑えることができ、半導体素子・チップ部品等の良好な実装性を得ることができる。
【００７２】
また、本発明の多層配線基板において、絶縁基体をガラスセラミックスから成るものとするとともに、接続パッドを銅を主成分としガラス成分を含有するものとし、この接続パッドの露出した側面の表面粗さを算術平均粗さ（Ｒａ）で１乃至３μｍとした場合には、その接続パッドの露出した側面にニッケル・金等のめっき層を欠陥等を生じさせることなく、かつ密着性を良好として被着させることができるため、この接続パッドに対する半導体素子・チップ部品等のより一層良好な実装性を、またこの接続パッドによる外部電気回路基板へのより一層良好な実装性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１・・・絶縁基体
２・・・接続パッド
３・・・配線基板
【図１】
2004006623.tif 000005