(57)【要約】【課題】従来の結合線路を用いた平衡−不平衡変換器を低コスト化し、小型化する【解決手段】少なくとも同一面に形成された３つの伝送線路により構成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路，第１と第３の伝送線路とが同一面で対向し、かつそれぞれが電磁的に結合していることを特徴とする高周波電子回路部品。あるいは、少なくとも４つの伝送線路により形成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、第３と第４の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、かつ第１と第３の伝送線路が電気的に導通していることを特徴とする高周波電子回路部品。【効果】小型，高性能かつ低コストでバランなどの高周波電子回路部品を提供できる。【選択図】  図１
2004282412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも同一面に形成された３つの伝送線路により構成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路，第１と第３の伝送線路とが同一面で対向し、かつそれぞれが電磁的に結合していることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項２】
少なくとも４つの伝送線路により形成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、第３と第４の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、かつ第１と第３の伝送線路が電気的に導通していることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項３】
請求項１において、伝送線路の周囲が有機絶縁材で覆われ、かつ前記伝送線路と前記有機絶縁材とが絶縁性基板上に形成されていることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項４】
請求項１において、絶縁性基板がガラス基板であることを特徴とする電子回路部品。
【請求項５】
請求項１において、有機絶縁材が感光性有機絶縁材であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項６】
請求項１において、有機絶縁材が一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【化１】
2004282412.tif 000008
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１  は水素、メチル、エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
【請求項７】
請求項１において、有機絶縁材がポリイミド樹脂であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項８】
請求項１において、有機絶縁材がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波電子部品及びその製造技術に関し、特にバラン（平衡−不平衡信号変換器）として用いられる結合線路を用いた高周波電子部品及びその製造に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
結合線路を用いた高周波部品として、例えばバラン（平衡−不平衡変換器）がある。バランとは、例えば平衡伝送線路（バランス伝送線路）の平衡信号と不平衡伝送線路（アンバランス伝送線路）の不平衡信号とを相互に変換するためのものである。なお、平衡伝送線路は、対をなす２つの信号線を備え、信号（平衡信号）が２つの信号線間の電位差として伝搬するものをいう。これに対して、不平衡伝送線路は、信号（不平衡信号）がグランド電位（ゼロ電位）に対する１本の信号線の電位として伝搬するものをいい、例えば同軸線路や基板状のマイクロストリップラインがこれに相当する。
【０００３】
米国特許６，０９７，２７３  号には２つの異なる層で対向する２組のスパイラルを持つバランに関する技術が開示されている。
【０００４】
特開２００１−１４４５１３号公報ではセラミック誘電体シートと印刷法などによる配線形成で得られる高周波部品を構成する技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
ＵＳＰ６，０９７，２７３号公報
【特許文献２】
特開２００１−１４４５１３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
２つの異なる層で対向する２組のスパイラルを持つバランでは、層構成数が多くなり、製造コストの増大につながる。また、２組を並列に並べることで、その大きさも大きくなる。
【０００７】
また、セラミック誘電体シートを用いるいわゆる厚膜積層工程では、伝送線路を構成する金属配線の線幅が５０μｍ程度であり、所望の特性を達成するためには、部品サイズを大きくするか、多層に積層する必要があり、コストの増大につながる。
【０００８】
本発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、バランなどの高周波電子部品を高性能かつ高密度で集積した高周波電子回路部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の請求項１に記載されているように、少なくとも同一面に形成された３つの伝送線路により構成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路，第１と第３の伝送線路とが同一面で対向し、かつそれぞれが電磁的に結合していることで、バランなどの電子部品を高密度で集積した高周波電子回路部品を得ることができる。
【００１０】
さらに前記目的を達成するため、本発明の請求項２に記載されているように、少なくとも４つの伝送線路により形成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、第３と第４の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、かつ第１と第３の伝送線路が電気的に導通していることで、バランなどの電子部品を高密度で集積した高周波電子回路部品を得ることができる。
【００１１】
さらに前記目的を達成するため、本発明の請求項３に記載されているように、請求項１から２において、伝送線路の周囲が有機絶縁材で覆われ、かつ前記伝送線路と前記有機絶縁材とが絶縁性基板上に形成されていることにより、請求項１から２の効果に加えて、バランなどの電子部品をより高性能に集積することができる。
【００１２】
さらに前記目的を達成するため、本発明の請求項４に記載されているように、請求項１から３において、絶縁性基板にガラス基板を用いることで、ガラス基板の低コスト，高い平滑性，高い絶縁性，低い誘電正接のため、請求項１から３の効果に加え、より低コストで高性能な高周波電子回路部品を得ることができる。
【００１３】
さらに前記目的を達成するため、本発明の請求項５に記載されているように、請求項１から４において、有機絶縁材に感光性有機絶縁材を用いることで、製造時のプロセスが削減され、製造コストが低減できるため、請求項１から４の効果に加え、より低コストな高周波電子回路部品を得ることができる。
【００１４】
さらに前記目的を達成するため、本発明の請求項６に記載されているように、請求項１から４に記載の有機絶縁材が一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物であることにより、前記低誘電正接樹脂組成物の安価で低い誘電率，誘電正接のため、請求項１から４による効果に加え、より高性能で高効率な高周波電子回路部品を安価に得ることができる。
【００１５】
【化１】
2004282412.tif 000003
【００１６】
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１  は水素、メチル、エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
さらに前記目的を達成するため、本発明の請求項７に記載されているように、請求項１から４に記載の有機絶縁材がポリイミド樹脂であることにより、ポリイミドの高い熱安定性のため、請求項１から４による効果に加え、信頼性の高い高周波電子回路部品を得ることができる。
【００１７】
さらに前記目的を達成するため、本発明の請求項８に記載されているように、請求項１から４に記載の有機絶縁材がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であることにより、ＢＣＢの低い誘電率，誘電正接のため、請求項１から４による効果に加え、より高性能で高効率な高周波電子回路部品を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の伝送線路とは、いわゆる誘導性回路要素であれば特に制限はなく、例えば平面に形成されたスパイラル型などが用いられる。
【００１９】
さらに伝送線路の材料は、電気伝導性、および周囲の材料との接着性，形成法などによって適宜選択される。さらにその形成方法も特に制限されるものではない。例えばスパッタ法などを用いてＣｕを形成しても良く、周囲の材料との接着性を考慮してその界面にＴｉ，Ｃｒなどを形成しても良い。更にスパッタ法などで種膜となる薄膜をＣｕ等で形成した後、電解めっき法などで形成してもかまわない。さらに配線およびインダクタ素子のパターンニング法としては、エッチング法，リフトオフ法などの一般の配線パターンニング法を用いることができる。また、Ａｇなどの金属を含有する樹脂ぺーストを用いて印刷法などで形成しても良い。さらに、前記無機誘電体の形成温度が高い場合には、Ｐｔなどの耐酸化性、耐熱性の高い金属を用いることもできる。
【００２０】
本発明の有機絶縁材とは一般に半導体用途に用いられる有機材料であれば特に制限はなく、熱硬化性あるいは熱可塑性いずれであっても良い。例えば、ポリイミド，ポリカーボネート，ポリエステル，ポリテトラフロロエチレン，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリビニリデンフロリド，酢酸セルロース，ポリスルフォン，ポリアクリロニトリル，ポリアミド，ポリアミドイミド，エポキシ，マレイミド，フェノール，シアネート，ポリオレフィン，ポリウレタン及びこれらの化合物を用いることができる。これら化合物にアクリルゴム，シリコーンゴム，ニトリルブタジエンゴムなどのゴム成分や、ポリイミドフィラなどの有機化合物フィラやシリカなどの無機フィラを加えた混合物を用いてもよい。さらには上記材料を含む感光性材料により形成されていてもよい。
【００２１】
特にポリイミド樹脂は耐熱性や耐薬品性に優れ、感光性を付与されたものは加工性にも優れており好ましい。また、ベンゾシクロブテン樹脂は誘電正接が低く高周波部品として本発明のコンデンサを使用する場合に好ましい。同様に一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物も、伝送ロスが低減され好ましい。この樹脂組成物のスチレン基間を結合する骨格にはメチレン、エチレンなどのアルキレン基を含む炭化水素骨格が好ましい。具体的に１，２−ビス（ｐ−ビフェニル）エタン、１，２−ビス（ｍ−ビフェニル）エタンおよびその類似体、側鎖にビニル基を有するジビニルベンゼンの単独重合体，スチレン等との共重合体等のオリゴマーが挙げられる。
【００２２】
【化１】
2004282412.tif 000004
【００２３】
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１  は水素、メチル、エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
さらに上記有機絶縁材は応力緩衝材としての機能を持たせても良い。具体的にはフッ素ゴム，シリコーンゴム，フッ化シリコーンゴム，アクリルゴム，水素化ニトリルゴム，エチレンプロピレンゴム，クロロスルホン化ポリスチレン，エピクロルヒドリンゴム，ブチルゴム，ウレタンゴムや、ポリカーボネート／アクリロニトリルブタジエンスチレンアロイ，ポリシロキサンジメチレンテレフタレート／ポリエチレンテレフタレート共重合ポリブチレンテレフタレート／ポリカーボネートアロイ，ポリテトラフルオロエチレン，フロリネイテッドエチレンプロピレン，ポリアリレート，ポリアミド／アクリロニトリルブタジエンスチレンアロイ，変性エポキシ，変性ポリオレフィン，シロキサン変性ポリアミドイミド等が挙げられる。さらにその形成法としては、印刷法，インクジェット法，電子写真法等のパターン印刷法や、フィルム貼り付け法，スピンコート法等で有機絶縁材を形成した後フォト工程やレーザ等でパターンを形成する方法や、それらを組み合わせた方法がある。
【００２４】
この他にもエポキシ樹脂，不飽和ポリエステル樹脂，エポキシイソシアネート樹脂，マレイミド樹脂，マレイミドエポキシ樹脂，シアン酸エステル樹脂，シアン酸エステルエポキシ樹脂，シアン酸エステルマレイミド樹脂，フェノール樹脂，ジアリルフタレート樹脂，ウレタン樹脂，シアナミド樹脂，マレイミドシアナミド樹脂等の各種熱硬化性樹脂や上記樹脂を２種以上組み合わせた材料やさらに無機フィラー等を配合した材料でも良い。また、上記樹脂に感光性を付与し所定の露光現像プロセスにより応力緩衝層の形状をコントロールすることも可能である。
【００２５】
本発明の絶縁性基板とは各素子の効率を落とさないよう、絶縁性の高い材料であれば特に制限はない。更に本発明のガラス基板とは各素子の効率を落とさないよう、絶縁性の高いガラス基板であれば特に制限はなく、強度，加工性などを考慮して選択される。特にＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの群から選ばれた少なくとも１種の希土類元素を含有することが望ましい。さらには、希土類元素はＬｎ２Ｏ３（Ｌｎは希土類元素）の酸化物換算で、ガラス全体に対して０．５  〜２０重量％含有し、他の成分としてＳｉＯ２  ：４０〜８０重量％，Ｂ２Ｏ３：０〜２０重量％，Ｒ２Ｏ（Ｒはアルカリ金属）：０〜２０重量％，ＲＯ（Ｒはアルカリ土類金属）：０〜２０重量％，Ａｌ２Ｏ３：０〜１７重量％を含み、かつＲ２Ｏ  ＋ＲＯ：１０〜３０重量％であることが望ましい。こうすることでガラス基板の強度が大幅に向上し加工性も格段に良好となる。
【００２６】
本発明における電子回路部品においては、外部との電気的接続をとるための外部電極が金属端子部上に形成されている必要は特にはないが、必要であれば形成することができる。外部電極は本発明による電子回路部品が搭載される基板及び半導体素子と電気的に接続するための導電体で、例えば具体的には錫，亜鉛，鉛を含む半田合金，銀，銅又は金あるいはそれらを金で被覆しボール状に形成したものが用いられる。これ以外にモリブデン、ニッケル，銅，白金，チタンなどの１つあるいはこれらを２つ以上組み合わせた合金もしくは２つ以上の多重膜とした構造の端子でもよい。また、その形成法もボール上の電極をマスクなどを用いて転写する方法，パターン印刷する方法など、従来公知の方法ならすべて用いることができる。
【００２７】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。なお、本発明を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２８】
（実施例１）
図１は本発明の一実施例である高周波電子回路部品の平面図である。さらに図２は図１のＡ−Ａ′間で切断した断面模式図である。さらに図３から図５は本実施例である図１を各層に分解した平面模式図である。図において１は第１の伝送線路、２は第２の伝送線路、３は第３の伝送線路である。また、４はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍ  である。５，６は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。７は信号入力側の端子、８，９は出力側の端子である。１０，１１はグランドに接地するための端子である。これらの端子は実際には図４に示す有機絶縁層に設けられた導通ビアを通じて図５に示す外部接続用の端子部に配線などを通じて電気的に接続されている。図４の１２から１７は導通ビアであり、図３の端子７は導通ビア１２，配線１８を通じて外部端子１９に接続している。図３の端子８は導通ビア１３，配線２０を通じて外部端子２１に接続している。図３の端子９は導通ビア１４，配線２２を通じて外部端子２３に接続している。図３の端子１０は導通ビア１５，配線２４を通じて外部端子２５に接続している。図３の端子１１は導通ビア１６，配線２６を通じて外部端子２７に接続している。図３の端子１１は導通ビア１７，配線２８を通じてオープンになっている。
【００２９】
次に上記の実施例１の高周波電子回路部品について、その製造方法を述べる。
【００３０】
０．５ｍｍ  厚のガラス基板にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し図３に示す伝送線路を形成した。
【００３１】
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て図４に示すビアを形成した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
【００３２】
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し図４に示す配線及び外部接続端子を形成し、有機絶縁材中に図３に示すように形成されたビアの内部にＣｕを形成し、下層の図１に示す伝送線路の端子と図５に示す端子とを電気的に接続した。
【００３３】
この配線及び外部接続端子が形成された面に感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して外部接続端子上にはんだボールを形成するための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
【００３４】
上記外部接続端子表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
【００３５】
最後にダイシング装置を用い個片化して高周波電子回路部品を作成した。
【００３６】
このように、従来は伝送線路を２層で形成していたものが単層で形成できるため、安価に早く製造することができる。
【００３７】
さらには基板に絶縁性の高いガラスを用いることで、各素子の効率の低下を防ぐことができる。
【００３８】
さらに、有機絶縁体にＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
【００３９】
さらに、有機絶縁体に一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、高周波電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
【００４０】
【化１】
2004282412.tif 000005
【００４１】
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１  は水素、メチル、エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
なお、図１から図５は本発明の一実施例であり、各部の配置はこれに限定されるものではない。
【００４２】
（実施例２）
図６は本発明の一実施例である高周波電子回路部品の平面図である。さらに図７は図１のＡ−Ａ′間で切断した断面模式図である。さらに図８から図１４は本実施例である図６を各層に分解した平面模式図である。図において２９は第１の伝送線路、３０は第２の伝送線路、３１は第３の伝送線路、３２は第４の伝送線路である。また、３３はガラス基板（日本電気ガラス，ＢＬＣ）であり、その厚さは０．５ｍｍ  である。３４から３７は有機絶縁材であり、感光性ポリイミド（日立化成，ＨＤ−６０００）を用いている。３８は信号入力側の端子、３９，４０は出力側の端子である。４１，４２はグランドに接地するための端子である。これらの端子は実際には図９，図１１，図１３に示す有機絶縁層に設けられた導通ビアを通じて図８，図１０，図１２，図１４に示す配線，伝送線路，外部接続用の端子部に電気的に接続されている。
【００４３】
次に上記の実施例２の高周波電子回路部品について、その製造方法を述べる。
【００４４】
０．５ｍｍ  厚のガラス基板にスパッタ法でＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを銅めっき給電用種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し図８に示す配線部を形成した。
【００４５】
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て図９に示すビアを形成した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
【００４６】
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し図１０に示す伝送線路を形成し、有機絶縁材中に図９に示すように形成されたビアの内部にＣｕを形成し、下層の図７に示す配線部の端子と図１０に示す伝送線路の端子とを電気的に接続した。
【００４７】
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て図１１に示すビアを形成した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
【００４８】
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し図１２に示す伝送線路を形成し、有機絶縁材中に図１１に示すように形成されたビアの内部にＣｕを形成し、下層の図１０に示す伝送線路の端子と図１２に示す伝送線路の端子とを電気的に接続した。
【００４９】
次に、感光性ポリイミドＨＤ６０００（日立化成製）をスピンコートにより塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経て図１３に示すビアを形成した。このポリイミドを窒素雰囲気中で２５０℃／２時間硬化させ１０μｍの有機絶縁材を形成した。
【００５０】
次に、スパッタ法を用いＣｒを５０ｎｍ成膜し更にＣｕを５００ｎｍ成膜し、これを種膜とした。このＣｕ膜上にネガ型液状レジストＰＭＥＲ−Ｎ−ＣＡ１０００（東京応化製）をスピン塗布し、ホットプレートでプリベークした後、露光，現像工程を経てレジストマスクを形成した。このレジスト開口部に１Ａ／ｄｍの電流密度で電気銅めっきを１０μｍ行った。この後レジストマスクを除去し、銅エッチング液コブラエッチ（荏原電産製）で銅種膜を除去した。更に過マンガン酸系Ｃｒエッチング液を用いＣｒ種膜を除去し図１４に示す配線及び外部端子を形成し、有機絶縁材中に図１３に示すように形成されたビアの内部にＣｕを形成し、下層の図１２に示す伝送線路の端子と図１４に示す配線及び外部端子とを電気的に接続した。
【００５１】
この配線及び外部端子が形成された面に感光性ポリイミド感光性ポリイミドＨＤ６０００（ＨＤＭＳ製）をスピンコートしプリベークした後、露光，現像して外部接続端子上にはんだボールを形成するための開口部を形成し、２５０℃／１ｈ硬化して有機絶縁材を形成した。
【００５２】
上記外部接続端子表面に無電解金めっき処理を施した後、はんだフラックスをメタルマスクにより所定の部分に塗布後、２００μｍ径の鉛フリーはんだボールを配列しリフロー処理により外部電極を形成した。
【００５３】
最後にダイシング装置を用い個片化して高周波電子回路部品を作成した。
【００５４】
このように、従来は伝送線路を２層で形成していたものが単層で形成できるため、安価に早く製造することができる。
【００５５】
さらには基板に絶縁性の高いガラスを用いることで、各素子の効率の低下を防ぐことができる。
【００５６】
さらに、有機絶縁体にＢＣＢを用いることで、回路の導体損失及び誘電損失が小さくなり、信号の通過損失の小さな電子回路部品を得ることができることは言うまでもない。
【００５７】
さらに、有機絶縁体に一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物を用いることで、導体損失及び誘電損失が小さくなり、高周波電子回路を通過する信号の損失を安価に低減することができることは言うまでもない。
【００５８】
【化１】
2004282412.tif 000006
【００５９】
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１  は水素、メチル、エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
なお、図１から図５は本発明の一実施例であり、各部の配置はこれに限定されるものではない。
【００６０】
【発明の効果】
本発明の請求項１に記載されているように、少なくとも同一面に形成された３つの伝送線路により構成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路，第１と第３の伝送線路とが同一面で対向し、かつそれぞれが電磁的に結合していることで、バランなどの電子部品を高密度で集積した高周波電子回路部品を得ることができる。
【００６１】
本発明の請求項２に記載されているように、少なくとも４つの伝送線路により形成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、第３と第４の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、かつ第１と第３の伝送線路が電気的に導通していることで、バランなどの電子部品を高密度で集積した高周波電子回路部品を得ることができる。
【００６２】
本発明の請求項３に記載されているように、請求項１から２において、伝送線路の周囲が有機絶縁材で覆われ、かつ前記伝送線路と前記有機絶縁材とが絶縁性基板上に形成されていることにより、請求項１から２の効果に加えて、バランなどの電子部品をより高性能に集積することができる。
【００６３】
本発明の請求項４に記載されているように、請求項１から３において、絶縁性基板にガラス基板を用いることで、ガラス基板の低コスト，高い平滑性，高い絶縁性，低い誘電正接のため、請求項１から３の効果に加え、より低コストで高性能な高周波電子回路部品を得ることができる。
【００６４】
本発明の請求項５に記載されているように、請求項１から４において、有機絶縁材に感光性有機絶縁材を用いることで、製造時のプロセスが削減され、製造コストが低減できるため、請求項１から４の効果に加え、より低コストな高周波電子回路部品を得ることができる。
【００６５】
本発明の請求項６に記載されているように、請求項１から４に記載の有機絶縁材が一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物であることにより、前記低誘電正接樹脂組成物の安価で低い誘電率，誘電正接のため、請求項１から４による効果に加え、より高性能で高効率な高周波電子回路部品を安価に得ることができる。
【００６６】
【化１】
2004282412.tif 000007
【００６７】
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ１  は水素、メチル、エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
本発明の請求項７に記載されているように、請求項１から４に記載の有機絶縁材がポリイミド樹脂であることにより、ポリイミドの高い熱安定性のため、請求項１から４による効果に加え、信頼性の高い高周波電子回路部品を得ることができる。
【００６８】
本発明の請求項８に記載されているように、請求項１から４に記載の有機絶縁材がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であることにより、ＢＣＢの低い誘電率，誘電正接のため、請求項１から４による効果に加え、より高性能で高効率な高周波電子回路部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例をあらわす平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例をあらわす略断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の中の第１の層である、伝送線路をあらわす平面図である。
【図４】本発明の第１の実施例の中の第２の層である有機絶縁層に形成された導通ビアをあらわす平面図である。
【図５】本発明の第１の実施例の中の第３の層である、配線及び外部端子をあらわす平面図である。
【図６】本発明の第２の実施例をあらわす平面図である。
【図７】本発明の第２の実施例をあらわす断面図である。
【図８】本発明の第２の実施例の中の第１の層である、配線部をあらわす平面図である。
【図９】本発明の第２の実施例の中の第２の層である有機絶縁層に形成された導通ビアをあらわす平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施例の中の第３の層である、伝送線路をあらわす平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施例の中の第４の層である有機絶縁層に形成された導通ビアをあらわす平面図である。
【図１２】本発明の第２の実施例の中の第５の層である、伝送線路をあらわす平面図である。
【図１３】本発明の第２の実施例の中の第６の層である有機絶縁層に形成された導通ビアをあらわす平面図である。
【図１４】本発明の第２の実施例の中の第７の層である、配線及び外部端子をあらわす平面図である。
【符号の説明】
１…第１の伝送線路、２…第２の伝送線路、３…第３の伝送線路、４…ガラス基板、５，６…有機絶縁材、７…信号入力側の端子、８，９…出力側の端子、１０，１１…端子、１２〜１７…導通ビア、１８，２０，２２，２４，２６，２８…配線、１９，２１，２３，２５，２７…外部端子。
【図１】
2004282412.tif 000009
【図２】
2004282412.tif 000010
【図３】
2004282412.tif 000011
【図４】
2004282412.tif 000012
【図５】
2004282412.tif 000013
【図６】
2004282412.tif 000014
【図７】
2004282412.tif 000015
【図８】
2004282412.tif 000016
【図９】
2004282412.tif 000017
【図１０】
2004282412.tif 000018
【図１１】
2004282412.tif 000019
【図１２】
2004282412.tif 000020
【図１３】
2004282412.tif 000021
【図１４】
2004282412.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月6日(2004.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも同一面に形成された３つの伝送線路により構成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路、第１と第３の伝送線路とが同一面で対向し、かつそれぞれが電磁的に結合していることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項２】
少なくとも４つの伝送線路により形成される高周波電子回路部品において、第１と第２の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、第３と第４の伝送線路が同一面で対向しかつ電磁的に結合しており、かつ第１と第３の伝送線路が電気的に導通していることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項３】
請求項１又は２において、伝送線路の周囲が有機絶縁材で覆われ、かつ前記伝送線路と前記有機絶縁材とが絶縁性基板上に形成されていることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項４】
請求項３において、絶縁性基板がガラス基板であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項５】
請求項３において、有機絶縁材が感光性有機絶縁材であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項６】
請求項３において、有機絶縁材が一般式（化１）で示される複数のスチレン基を有する架橋成分を含み、更に重量平均分子量５０００以上の高分子量体を含有する低誘電正接樹脂組成物であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【化１】
2004282412.tif 000023
（但し、Ｒは置換基を有していても良い炭化水素骨格を現わし、Ｒ1 は水素、メチル、エチルの何れかを現わし、ｍは１から４、ｎは２以上の整数を現わす。）
【請求項７】
請求項３において、有機絶縁材がポリイミド樹脂であることを特徴とする高周波電子回路部品。
【請求項８】
請求項３において、有機絶縁材がＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）であることを特徴とする高周波電子回路部品。