(57)【要約】【課題】溶存窒素濃度が極めて低い純水を製造するための製造装置及び純水の製造方法を提供すること。【解決手段】一次純水製造装置１０１、窒素ガスパージ装置１０４を具備した一次純水貯槽１０３、一次純水を処理する脱気装置を有する二次純水製造装置１０６、窒素ガスパージ装置１０８を具備した二次純水貯槽１０７、二次純水を二次純水導入管１０９及び二次純水供給管１１２を経由してサブシステム１１３に供給する二次純水供給ポンプ１１１を備える純水製造装置において、二次純水導入管１０９と二次純水供給管１１２とが分岐状に配管連結され、サブシステム１１３からユースポイント１１５に供給される純水の一部が二次純水供給管１１２に還流供給されるように配管連結された純水還流管１１４を備え、さらに、二次純水貯槽１０７の上部に付設した二次純水還流管１１０を経由して、二次純水貯槽１０７内の二次純水の表層部を一次純水貯槽１０３に還流する純水製造装置１００。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する貯槽と、
前記貯槽に貯留された前記純水を処理するサブシステムと、
前記貯槽に貯留された前記純水を前記サブシステムに供給する供給管と、を有し、
前記供給管は、前記サブシステムにより処理された純水の一部を還流供給させる還流管が配管連結されていることを特徴とする純水製造装置。
【請求項２】
純水を脱気処理する純水製造装置と、
前記純水製造装置により得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する貯槽と、を有し、
前記純水製造装置は、前記貯槽から溢流させた純水の脱気処理を少なくとも１回行うことを特徴とする純水製造装置。
【請求項３】
前記貯槽は、当該貯槽に貯留された前記純水の表層部を溢流させるための還流管が付設されていることを特徴とする請求項２記載の純水製造装置。
【請求項４】
純水を貯留する一次貯槽と、
前記一次貯槽から供給された純水を処理する純水製造装置と、
前記純水製造装置から得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する二次貯槽と、を有し、
前記二次貯槽は、当該二次貯槽に貯留された純水を溢流させ、前記一次貯槽に還流させる還流管が付設されていることを特徴とする純水製造装置。
【請求項５】
前記還流管は、当該還流管と前記二次貯槽との取り付け位置が、当該二次貯槽に貯留されている前記純水の水面よりも下側になるように当該二次貯槽に取り付けられていることを特徴とする請求項４記載の純水製造装置。
【請求項６】
前記還流管は、前記二次貯槽に貯留されている前記純水の液面に連動して作動する流量調節計が設けられていることを特徴とする請求項４記載の純水製造装置。
【請求項７】
前記還流管は、当該還流管と前記二次貯槽との取り付け位置が、当該二次貯槽に貯留されている前記純水の水面よりも１０〜５０ｃｍ下側に設けられていることを特徴とする請求項４乃至６いずれか１項記載の純水製造装置。
【請求項８】
純水を処理する純水製造装置と、
前記純水製造装置により得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する貯槽と、
前記純水製造装置により得られた純水を前記貯槽に導入する導入管と、
前記純水製造装置により得られた純水を処理するサブシステムと、
前記純水製造装置により得られた純水を前記サブシステムに供給する供給管と、を有し、
前記導入管は、前記供給管に分岐状に配管連結されていることを特徴とする純水製造装置。
【請求項９】
原水を処理して得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する一次貯槽と、
前記一次貯槽から供給された純水を処理する純水製造装置と、
前記純水製造装置により得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する二次貯槽と、
前記純水製造装置により得られた純水を前記二次貯槽に導入する導入管と、
前記純水製造装置により得られた純水を処理するサブシステムと、
前記純水製造装置により得られた純水を前記サブシステムに供給する供給管と、を有し、
前記導入管は、前記供給管に分岐状に配管連結され、
前記供給管は、前記サブシステムにより処理された純水の一部が還流供給される還流管が配管連結され、
前記二次貯槽は、当該二次貯槽に貯留された純水を溢流させ、前記一次貯槽に還流させる還流管が付設されていることを特徴とする純水製造装置。
【請求項１０】
原水を処理して純水を製造する方法において、
前記純水を窒素ガスによりパージ封入した貯槽に貯留する工程と、
前記純水の一部を、前記貯槽に戻さずに還流させる工程と、
前記貯槽に貯留された純水の表層部を溢流させる工程と、
前記純水を少なくとも１回脱気処理する工程と、を有することを特徴とする純水の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は純水製造装置及び純水の製造方法に関し、より詳しくは、特に半導体の製造工程で用いられる、溶存窒素濃度が極めて低い純水を製造するための純水製造装置及び純水の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程で使用される純水は、溶存酸素濃度を極めて低レベルに保持すること（純水）が要望されている。そのために、純水製造装置には各種の脱気装置を備えることが必要である。また、各純水貯槽には、外部からの酸素の溶解を防ぐために窒素ガスパージ装置を具備するとともに、各純水貯槽に純水を供給する際に酸素の同伴を防止する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図３は、従来の純水製造装置の一例を説明するための図である。ここには、各システムで構成された純水製造装置３００が示されている。純水製造装置３００は、原水を脱塩処理して一次純水を製造する一次純水製造装置３０１と、一次純水を貯留するための一次純水貯槽３０３と、一次純水を一次純水貯槽３０３に導入するための一次純水導入管３０２と、一次純水貯槽３０３の上部空間部に窒素ガスをパージ封入するための窒素ガスパージ装置３０４と、脱気装置（図示せず）を備えた二次純水製造装置３０６と、一次純水を二次純水製造装置３０６に導入するための一次純水供給管３０５と、二次純水を貯留するための二次純水貯槽３０７と、二次純水を二次純水貯槽３０７に導入するための二次純水導入管３０９と、二次純水の一部を一次純水貯槽３０３に還流するための二次純水還流管３１０と、二次純水貯槽３０７の上部空間部に窒素ガスをパージ封入するための窒素ガスパージ装置３０８と、二次純水貯槽３０７に貯留された二次純水を供給するための二次純水供給ポンプ３１１と、二次純水をさらに精製するためのサブシステム３１３と、二次純水を二次純水供給ポンプ３１１に供給するための二次純水供給管３１２と、サブシステム３１３により精製された純水の一部を二次純水貯槽３０７に還流するための純水還流管３１４とから構成されている。
【０００４】
図３に示すように、まず原水は、逆浸透膜及び／またはイオン交換等各種の脱塩手段を組み合わせた一次純水製造装置３０１により脱塩処理され、一次純水が製造される。一次純水は、一次純水導入管３０２を経由して一次純水貯槽３０３に送られて貯留される。一次純水導入管３０２は、一次純水貯槽３０３に貯留される一次純水の水面より下部の位置に付設されている。一次純水貯槽３０３に貯留された一次純水は、窒素ガスパージ装置３０４により貯槽の上部空間部を窒素ガスをパージ封入されて、大気中の酸素及び炭酸ガスの溶解が防止される。
【０００５】
次に、一次純水貯槽３０３に貯留された一次純水は、一次純水供給管３０５を経て脱気装置を備えた二次純水製造装置３０６に送られ、微量イオン、コロイダル物質、有機物（ＴＯＣ）及び溶存ガス等が除去された二次純水が製造され、この二次純水は、二次純水導入管３０９を経て二次純水貯槽３０７に貯留される。二次純水貯槽３０７に貯留された二次純水は、窒素ガスパージ装置３０８により貯槽の上部空間部に窒素ガスがパージ封入される。尚、二次純水導入管３０９は、二次純水貯槽３０７に貯留されている二次純水の液面よりも下部の位置に付設されており、二次純水を二次純水貯槽３０７に導入する際に、貯槽の上部空間部をパージ封入している窒素ガスの同伴を防止している。また、二次純水貯槽３０７に受け入れられなかった二次純水の一部は、二次純水導入管３０９から分岐した二次純水還流管３１０を経由して一次純水貯槽３０３に還流される。
【０００６】
次に、二次純水貯槽３０７に貯留された二次純水は、二次純水供給管３１２及び二次純水供給ポンプ３１１を経由してサブシステム３１３に供給され、このサブシステム３１３により、二次純水はさらに精製されてユースポイント３１５に供給される。尚、この純水の一部は、純水還流管３１４により、二次純水貯槽３０７に戻される。
【０００７】
【特許文献１】
特許第２９２０８６４号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のような従来の純水製造装置３００においては、純水の溶存酸素濃度を１ｐｐｂ以下に低減することは可能になったものの、ユースポイント３１５における純水中の溶存窒素濃度が上昇するという問題がある。
【０００９】
これは、二次純水貯槽３０７において、二次純水導入管３０９を経て二次純水貯槽３０７に二次純水が導入される際、及び、純水還流管３１４を経由して純水の一部が二次純水貯槽３０７に還流される際に、溶存窒素濃度が飽和状態近くになっている水面付近の二次純水が二次純水貯槽３０７全体に拡散し、その結果、これらの溶存窒素濃度が高い二次純水が、二次純水供給管３１２及び二次純水供給ポンプ３１１を経由してサブシステム３１３に再び供給される二次純水中に、混入するためと考えられる。
【００１０】
純水中に混入したこのような溶存窒素は、不活性なものではあるが、溶存窒素濃度が上昇した純水は、例えば、半導体製造工程におけるウエハ洗浄時に、洗浄効率を高めるために加温されて使用されると、純水中に混入した溶存窒素が原因となる気泡が発生し、その結果、ウエハの洗浄に重大な悪影響をおよぼすおそれがあるために解決策が求められている。
【００１１】
本発明は、このような純水を製造する際に顕在化した問題を解決すべくなされたものであり、本発明の目的は、溶存窒素濃度が極めて低い純水を製造するための製造装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、溶存窒素濃度が極めて低い純水を製造するための製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決する手段】
かくして本発明が適用される純水製造装置は、処理された純水を貯槽に戻さずに還流させる構成、貯留された純水の窒素ガスの溶存濃度が高い表層部を絶えず溢留させる構成を採用している。即ち、本発明が適用される純水製造装置は、純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する貯槽と、貯槽に貯留された前記純水を処理するサブシステムと、貯槽に貯留された純水をサブシステムに供給する供給管と、を有し、この供給管は、サブシステムにより処理された純水の一部を還流供給させる還流管が配管連結されていることを特徴とするものである。この場合の貯槽は、貯槽に貯留される純水の上部空間をパージ封入するための窒素ガスパージ装置を備えていることを特徴とすることができる。
【００１３】
次に、本発明が適用される純水製造装置は、純水を脱気処理する純水製造装置と、この純水製造装置により得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する貯槽と、を有し、純水製造装置は、貯槽から溢流させた純水の脱気処理を少なくとも１回行うことを特徴とするものである。この場合、貯槽は、貯槽に貯留された純水の表層部を溢流させるための還流管が付設されていることを特徴とすることができる。また、貯槽は、貯槽に貯留される純水の上部空間をパージ封入するための窒素ガスパージ装置を備えていることを特徴としている。
【００１４】
さらに、本発明が適用される純水製造装置は、純水を貯留する一次貯槽と、一次貯槽から供給された純水を処理する純水製造装置と、この純水製造装置から得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する二次貯槽と、を有し、二次貯槽は、二次貯槽に貯留された純水を溢流させ、一次貯槽に還流させる還流管が付設されていることを特徴とするものである。この場合、還流管は、還流管と二次貯槽との取り付け位置が、二次貯槽に貯留されている純水の水面よりも下側になるように二次貯槽に取り付けられていることを特徴としている。また、還流管は、二次貯槽に貯留されている純水の液面に連動して作動する流量調節計が設けられていることを特徴とすることができる。さらに、還流管は、還流管と二次貯槽との取り付け位置が、二次貯槽に貯留されている純水の水面よりも１０〜５０ｃｍ下側に設けられていることが好ましい。
【００１５】
また、本発明が適用される純水製造装置は、純水を処理する純水製造装置と、この純水製造装置により得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する貯槽と、純水製造装置により得られた純水を前記貯槽に導入する導入管と、純水製造装置により得られた純水を処理するサブシステムと、純水製造装置により得られた純水を前記サブシステムに供給する供給管と、を有し、導入管は、供給管に分岐状に配管連結されていることを特徴とするものである。
【００１６】
さらに、本発明が適用される純水製造装置は、原水を処理して得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する一次貯槽と、一次貯槽から供給された純水を処理する純水製造装置と、この純水製造装置により得られた純水を窒素ガスによりパージ封入して貯留する二次貯槽と、純水製造装置により得られた純水を前記二次貯槽に導入する導入管と、純水製造装置により得られた純水を処理するサブシステムと、純水製造装置により得られた純水をサブシステムに供給する供給管と、を有し、導入管は、供給管に分岐状に配管連結され、且つ、供給管は、サブシステムにより処理された純水の一部が還流供給される還流管が配管連結され、二次貯槽は、二次貯槽に貯留された純水を溢流させ、一次貯槽に還流させる還流管が付設されていることを特徴とするものである。
【００１７】
一方、本発明は、原水を処理して純水を製造する方法において、純水を窒素ガスによりパージ封入した貯槽に貯留する工程と、純水の一部を貯槽に戻さずに還流させる工程と、貯槽に貯留された純水の表層部を溢流させる工程と、純水を少なくとも２回脱気処理する工程と、を有することを特徴とする純水の製造方法として捉えることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて、本実施の形態が適用される純水製造装置及び純水の製造方法について説明する。
図１は、本実施の形態が適用される純水製造装置を説明するための図である。ここに示されている純水製造装置１００は、原水を脱塩処理して一次純水を製造する一次純水製造装置１０１と、一次純水を貯留するための一次純水貯槽１０３と、一次純水を一次純水貯槽１０３に導入するための一次純水導入管１０２と、一次純水貯槽１０３の上部空間部に窒素ガスをパージ封入するための窒素ガスパージ装置１０４と、脱気装置（図示せず）を備えた二次純水製造装置１０６と、一次純水を二次純水製造装置１０６に導入するための一次純水供給管１０５と、二次純水を貯留するための二次純水貯槽１０７と、二次純水を二次純水供給管１１２に導入するための二次純水導入管１０９と、二次純水の一部を一次純水貯槽１０３に還流するための二次純水還流管１１０と、二次純水貯槽１０７の上部空間部に窒素ガスをパージ封入するための窒素ガスパージ装置１０８と、二次純水を供給するための二次純水供給ポンプ１１１と、二次純水をさらに精製するためのサブシステム１１３と、二次純水を二次純水供給ポンプ１１１に導入するための二次純水供給管１１２と、サブシステム１１３により精製された純水の一部を二次純水供給管１１２に還流するための純水還流管１１４とから構成されている。
【００１９】
図１に示すように、まず原水は、逆浸透膜及び／またはイオン交換等各種の脱塩手段を組み合わせた一次純水製造装置１０１により脱塩処理され、一次純水が製造される。一次純水は、一次純水導入管１０２を経由して一次純水貯槽１０３に送られて貯留される。一次純水導入管１０２は、一次純水貯槽１０３に貯留される一次純水の水面より下部の位置に付設されている。一次純水貯槽１０３に貯留された一次純水は、窒素ガスパージ装置１０４により貯槽の上部空間部を窒素ガスをパージ封入されて、大気中の酸素及び炭酸ガスの溶解が防止される。
【００２０】
次に、一次純水貯槽１０３に貯留された一次純水は、一次純水供給管１０５を経て脱気装置（図示せず）を備えた二次純水製造装置１０６に送られ、微量イオン、コロイダル物質、有機物（ＴＯＣ）、溶存ガス、配管材等から溶出した微量の不純物等が除去された二次純水が製造される。この二次純水製造装置１０６には、溶存ガスを除去するために真空脱気、膜脱気等の脱気装置が配設されることが必須である。
【００２１】
次に、二次純水製造装置１０６により製造された二次純水は、二次純水導入管１０９により二次純水供給管１１２に供給される。この二次純水導入管１０９は、二次純水供給管１１２に配管接続されている二次純水供給ポンプ１１１の吸い込み口側の配管に分岐配管接続されている。二次純水導入管１０９から二次純水供給管１１２に供給された二次純水は、二次純水供給ポンプ１１１により、サブシステム１１３に送られ、サブシステム１１３により精製された純水がユースポイント１１５に供給されて使用される。
【００２２】
サブシステム１１３で精製された純水の一部は、二次純水供給管１１２の二次純水供給ポンプ１１１の吸い込み口側に分岐配管接続された純水還流管１１４により、再び二次純水供給管１１２に還流され、二次純水供給ポンプ１１１を経由して、再度サブシステム１１３に供給される。
【００２３】
また、二次純水導入管１０９により二次純水供給管１１２に供給された二次純水の一部は、二次純水貯槽１０７に供給されて貯留される。二次純水貯槽１０７に貯留された二次純水は、窒素ガスパージ装置１０８により貯槽の上部空間部を窒素ガスによりパージ封入される。さらに、二次純水貯槽１０７に貯留された二次純水は、一定の容量を超える分は、二次純水還流管１１０を経て一次純水貯槽１０３に還流される。
【００２４】
図２は、二次純水導入管１０９と二次純水供給管１１２及び純水還流管１１４とが分岐配管接続された部分及び二次純水還流管１１０の接続部分を説明するための図である。図２に示すように、二次純水導入管１０９は、二次純水供給管１１２に配管接続されている二次純水供給ポンプ１１１の吸い込み口側の配管に分岐配管接続されている。また、純水還流管１１４は、二次純水供給管１１２の二次純水供給ポンプ１１１の吸い込み口側の、二次純水導入管１０９が分岐配管接続される位置よりも二次純水供給ポンプ１１１に近い側に分岐配管接続されている。また、二次純水供給管１１２の、二次給水ポンプ１１１とは反対側の端部は、二次純水貯槽１０７の下部に配管され、二次純水導入管１０９から二次純水供給管１１２に供給された二次純水の一部が二次純水貯槽１０７に供給されて貯留される。さらに、二次純水貯槽１０７の上部に配管された二次純水還流管１１０の接続部分には、水封管１１６が取り付けられている。
【００２５】
図２に示されたように、純水還流管１１４を、二次純水供給管１１２の二次純水供給ポンプ１１１の吸い込み口側の、二次純水導入管１０９が分岐配管接続される位置よりも二次純水供給ポンプ１１１に近い側に分岐配管接続し、サブシステム１１３により製造された純水を二次純水供給管１１２に還流させることにより、サブシステム１１３により製造された純水が再び二次純水貯槽１０７に供給されることがなくなり、その結果、純水中の溶存窒素濃度の増加が防止される。
【００２６】
また、二次純水供給管１１２の、二次給水ポンプ１１１とは反対側の端部が二次純水貯槽１０７の下部に配管され、二次純水導入管１０９から二次純水供給管１１２に供給された二次純水の一部が二次純水貯槽１０７に供給されることにより、二次純水供給管１１２内には二次純水貯槽１０７へ向かう水流が確保され、そのため、二次純水供給ポンプ１１１に溶存窒素を含んだ二次純水が吸入されることが阻止される。
【００２７】
また、二次純水貯槽１０７の内部では、二次純水貯槽１０７の二次純水供給管１１２の入り口付近に、下部から上部へ向かう二次純水の上昇流が生じ、このため、溶存窒素ガス濃度が高い表面付近の二次純水が下部に向かって拡散することが阻止され、その結果、サブシステム１１３に供給される二次純水への溶存窒素の同伴が防止される。
【００２８】
さらに、二次純水貯槽１０７の上部に二次純水還流管１１０を付設し、二次純水貯槽１０７に貯槽されている二次純水を溢流させ、一次純水貯槽１０３に還流させている。本実施の形態では、二次純水還流管１１０の二次純水貯槽１０７との接続部分に水封管１１６を付設している。二次純水還流管１１０の取り付け位置は、二次純水貯槽１０７に貯留される二次純水の水面下であればよく、通常、水面下１０〜５０ｃｍになるように設けるのが好ましい。また、二次純水が絶えず溢流するように、二次純水還流管１１０には二次純水の液面に連動して作動する流量調節計等を設け、流量調整するのが好ましい。
【００２９】
このように、二次純水貯槽１０７の上部に二次純水還流管１１０を付設することにより、二次純水貯槽１０７に貯槽されている二次純水の、溶存窒素濃度が高い表層部を絶えず溢流させ、それらを一次純水貯槽１０３に還流させることが可能となる。これらの溶存窒素濃度が高い二次純水は、一次純水貯槽層１０３から一次純水供給管１０５を経由して再び二次純水製造装置１０６に供給され、二次純水製造装置１０６の脱気装置により溶存窒素が除去される。その結果、サブシステム１１３に供給される二次純水の溶存窒素濃度が低減される。
【００３０】
また、溶解した溶存窒素は二次純水貯槽１０７の上部液面からやや下に設けられた二次純水還流管１１０から一次純水貯槽１０３へ常時排出させるため、二次純水貯槽１０７の下部の二次純水には窒素ガスパージにより溶解した窒素の影響をほとんど受けることがない。このため、たとえ、一時的にユースポイント１１５で純水の使用量が過大になり、バランスがくずれることにより、二次純水貯槽１０７から二次純水供給管１１２を経て二次純水供給ポンプ１１１の吸い込み口側への流れが発生しても、溶解した窒素の影響をほとんど受けることがない。この結果、半導体製造工程における加熱処理によって純水中に溶存窒素の気泡が発生するおそれが消失し、ウエハ洗浄等における問題も解決することが可能となる。
【００３１】
【実施例】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本実施の形態は実施例に限定されるものではない。
（実施例）
図１に示すフローと配管で構成される純水製造装置により、原水(水質：電気伝導率１５０〜１５６μＳ／ｃｍ，２５℃、溶存窒素濃度；飽和状態、溶存酸素濃度；飽和状態)を用いて純水を製造した。主要装置の構成仕様は下記の通りである。
▲１▼処理量：１８．４ｍ3／ｈ
▲２▼一次純水装置：逆浸透膜式
・逆浸透膜モジュール（日東電工（株）製ＮＴＲ-７５９ＨＲ-Ｓ８）
▲３▼脱気装置：膜脱気式
・（一次）膜脱気モジュール（大日本インキ（株）製ＥＦ-０４０Ｐ）
▲４▼二次純水装置：逆浸透膜装置―紫外線式有機物酸化装置―非再生式イオン交換装置―二次脱気装置
・逆浸透膜装置（日東電工（株）製ＥＳ１０-Ｕ８）
・紫外線式有機物酸化装置（日本フォトサイエンス（株）製）
・非再生式イオン交換装置（日本錬水（株）製）
・（二次）膜脱気モジュール（大日本インキ（株）製ＥＦ-０４０Ｐ）
▲５▼サブシステム：非再生式イオン交換装置−限外濾過膜装置
・限外濾過膜装置（旭化成（株）製ＯＬＴ―６０３６Ｇ）
【００３２】
この純水製造装置１００で得られた純水の溶存窒素濃度および溶存酸素濃度を測定した。尚、これらの測定は、溶存窒素及び溶存酸素連続測定システム（オービスフェアーラボラトリーズジャパン製  商品名：システム３６２１シリーズ  Ｎ2／Ｏ2分析計（ＣＯ2パージバージョン））を用いて測定した。結果を表１に示す。
【００３３】
（比較例）
比較のために、実施例で用いた純水製造装置の配管を図３に示すフローになるように配管変更を行い、実施例と同様な条件により表１の原水を用いて純水を製造した。結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
表１の結果から、図１に示すフローと配管で構成される純水製造装置（実施例）により製造した純水は、電気伝導率が、１８MΩ・cm(25℃)以上に増大し、溶存酸素濃度が１ｐｐｂに低減されるとともに、溶存窒素濃度が１ｐｐｍ以下に低減していることが分かる。これに対して、図３に示すフローと配管で構成される純水製造装置（比較例）により製造した純水は、電気伝導率が、１８MΩ・cm(25℃)以上に増大し、溶存酸素濃度が１ｐｐｂに低減されているものの、溶存窒素濃度が２〜４ｐｐｍの数値を示し、溶存窒素が増大していることが分かる。
【００３６】
【発明の効果】
かくして本発明によれば、溶存窒素濃度が極めて低い純水を製造する純水製造装置及び純水の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態が適用される純水製造装置を説明するための図である。
【図２】二次純水導入管と二次純水供給管及び純水還流管とが分岐配管接続された部分及び二次純水還流管の接続部分を説明するための図である。
【図３】従来の純水製造装置の一例を説明するための図である。
【符号の説明】
１０１，３０１…一次純水製造装置、１０２，３０２…一次純水導入管、１０３，３０３…一次純水貯槽、１０４，３０４，１０８，３０８…窒素ガスパージ装置、１０５，３０５…一次純水供給管、１０６，３０６…二次純水製造装置、１０７，３０７…二次純水貯槽、１０９，３０９…二次純水導入管、１１０，３１０…二次純水還流管、１１１，３１１…二次純水供給ポンプ、１１２，３１２…二次純水供給管、１１３，３１３…サブシステム、１１４，３１４…純水還流管、１１５，３１５…ユースポイント、１１６…水封管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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