(57)【要約】【課題】従来、高い絶縁抵抗を得るために非磁性フェライト中の酸化鉄の組成を低減すると、ＺｎＯ，ＣｕＯの析出量が増大し、還元雰囲気にさらされた場合に低抵抗相が析出し、絶縁不良の危険性が増大する。【解決手段】Ｆｅ２Ｏ３とＣｕＯとＺｎＯとを含むフェライトの組成に対して、添加物として酸化チタンを添加することにより、ＣｕＯやＺｎＯの析出が抑制され、安定した高絶縁抵抗を有する非磁性フェライトおよびそれを用いた積層電子部品を実現することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ２Ｏ３とＣｕＯとＺｎＯとを含むフェライトの組成に対して、添加物として酸化チタンが添加されている非磁性フェライト。
【請求項２】
酸化チタンがＴｉＯ，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ４，ＴｉＯ２のうち少なくともいずれか一つである請求項１に記載の非磁性フェライト。
【請求項３】
酸化チタンをＴｉＯ２換算で０．５〜６．０ｗｔ％添加した請求項１に記載の非磁性フェライト。
【請求項４】
フェライト組成がＦｅ２Ｏ３：４２〜４９ｍｏｌ％、ＣｕＯ：６〜１４ｍｏｌ％、残りがＺｎＯと酸化チタンであり、絶縁抵抗が１Ｅ＋９Ω・ｃｍ以上である請求項１に記載の非磁性フェライト。
【請求項５】
磁性絶縁体層と、磁性絶縁体層に挟まれた非磁性絶縁体層と、並列する２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルが磁性絶縁層と非磁性絶縁層の境界もしくは境界に接して内蔵した構造を有する積層電子部品であって、前記非磁性絶縁体層を請求項１〜４のいずれか一つに記載の非磁性フェライトを用いて形成した積層電子部品。
【請求項６】
磁性絶縁体層上に２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、このコイル上に非磁性絶縁体層を設け、この非磁性絶縁体層上に上記と同様の２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、この両コイルを非磁性絶縁体層上に設けたコイルの上に磁性絶縁体層を設け、上記非磁性絶縁体層を請求項１〜５のいずれか一つに記載の非磁性フェライトで構成したコモンモードチョークコイルとしての積層電子部品。
【請求項７】
磁性絶縁体層上に２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、このコイル上に非磁性絶縁体層を設け、この非磁性絶縁体層上に上記と同様の２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、この両コイルを非磁性絶縁体層上に設けたコイルの上に磁性絶縁体層を設け、上記非磁性絶縁体層を請求項１〜５のいずれか一つに記載の非磁性フェライトで構成したチップトランスとしての積層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種電子機器に用いられる非磁性フェライトおよびそれを用いた積層電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、Ｆｅ２Ｏ３とＺｎＯのみを含むＺｎフェライトは非磁性フェライト材料であり、積層トランスあるいは磁気ヘッドの構成材料としてＮｉ−Ｚｎフェライトなどと組み合わせて用いられてきた。
【０００３】
さらに、このＺｎフェライトに数１０ｍｏｌ％以下のＣｕＯを含有させることによって、非磁性の特性を備えたまま９００℃前後までの低温焼成化が可能であることは良く知られている。このような低温焼成化を図ることによって、Ａｇ，Ｃｕなどの導電率の高い電極材料との同時焼結を可能とすることができ、フェライトグリーンシートあるいはフェライトペーストなどと組み合わせることによって、インダクタンス部品あるいはノイズ対策部品などの小型で実装性に優れた積層電子部品を構成することが行われている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平６−７７０２２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような用途で用いられる場合、用いられる磁性層および非磁性層にはＡｇなどの導体に接触する構造となることから高い絶縁抵抗が要求される。この高い絶縁抵抗を得るためには非磁性フェライト中のＦｅ２Ｏ３の組成比を低減する必要がある。このＦｅ２Ｏ３の組成比を低減していくとＺｎＯ，ＣｕＯの結晶粒界への析出量が増大してくる傾向がある。特に還元雰囲気中にさらされた場合には結晶粒界に析出したＺｎＯ，ＣｕＯが還元されて低抵抗相が析出することが問題であり、この材料を用いて作製した積層電子部品の内層部で絶縁不良が生じる危険性が増大するという課題があった。
【０００７】
本発明の目的はＺｎＯ，ＣｕＯの結晶粒界への析出を抑制し、特性の向上および結晶構造の安定化を図ることができる絶縁抵抗の高い非磁性フェライトおよびそれを用いた積層電子部品を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、Ｆｅ２Ｏ３とＣｕＯとＺｎＯとを含むフェライトの組成に対して、添加物として酸化チタンが添加した非磁性フェライトであり、酸化チタンの添加により、ＣｕＯやＺｎＯの析出が抑制され、還元雰囲気にさらされた場合においても絶縁抵抗の高い非磁性フェライトを実現することができる。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、酸化チタンがＴｉＯ，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ４，ＴｉＯ２のうち少なくともいずれか一つである請求項１に記載の非磁性フェライトであり、絶縁抵抗の高い非磁性フェライトを実現することができる。
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、酸化チタンをＴｉＯ２換算で０．５〜６．０ｗｔ％添加した請求項１に記載の非磁性フェライトであり、還元雰囲気中においても絶縁性に優れた非磁性フェライトを実現することができる。
【００１１】
本発明の請求項４に記載の発明は、フェライトの組成としてＦｅ２Ｏ３：４２〜４９ｍｏｌ％、ＣｕＯ：６〜１４ｍｏｌ％、残りがＺｎＯと酸化チタンであり、絶縁抵抗が１Ｅ＋９Ω・ｃｍ以上である請求項１に記載の非磁性フェライトであり、絶縁性に優れた非磁性フェライトを実現することができる。
【００１２】
本発明の請求項５に記載の発明は、磁性絶縁体層と、磁性絶縁体層に挟まれた非磁性絶縁体層と、磁性絶縁層と非磁性絶縁層の境界もしくは境界に接して内蔵される２条の渦巻き導体コイルとで構成された積層電子部品であって、前記非磁性絶縁体層が請求項１〜４のいずれか一つに記載の非磁性フェライトを用いて形成された積層電子部品であり、絶縁性能に優れ、小型で生産性に優れた積層電子部品を実現することができる。
【００１３】
本発明の請求項６に記載の発明は、磁性絶縁体層上に２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、このコイル上に非磁性絶縁体層を設け、この非磁性絶縁体層上に上記と同様の２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、この両コイルを非磁性絶縁体層上に設けたコイルの上に磁性絶縁体層を設け、上記非磁性絶縁体層を請求項１〜５のいずれか一つに記載の非磁性フェライトで構成したコモンモードチョークコイルとしての積層電子部品であり、絶縁性能に優れ、小型で生産性に優れたコモンモードチョークコイルを実現することができる。
【００１４】
本発明の請求項７に記載の発明は、磁性絶縁体層上に２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、このコイル上に非磁性絶縁体層を設け、この非磁性絶縁体層上に上記と同様の２本の電極ラインから構成される螺旋状のコイルを設け、この両コイルを非磁性絶縁体層上に設けたコイルの上に磁性絶縁体層を設け、上記非磁性絶縁体層を請求項１〜５のいずれか一つに記載の非磁性フェライトで構成したチップトランスとしての積層電子部品であり、小型で生産性に優れたチップトランスを実現することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の非磁性フェライトおよびそれを用いた積層電子部品について実施の形態および図面を用いて説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１により請求項１に記載の発明を説明する。
【００１７】
本発明の非磁性フェライトの出発原料である市販のＦｅ２Ｏ３粉とＣｕＯ粉とＺｎＯ粉を（表１）で示した組成比で配合し、これに純水を適量加えてボールミルを用いて混合した後、１２０℃で乾燥して混合粉を得る。この混合粉を８５０℃で仮焼した後、遊星ボールミルを用いて最大粒径が８μｍ以下になるまで粉砕してフェライト仮焼粉を得る。
【００１８】
このフェライト仮焼粉に（表１）に示す添加量のＴｉＯ２の粉末を加え、さらにバインダーとしてブチラール樹脂（ＰＶＢ）、可塑剤（ＢＢＰ）および溶媒である酢酸ブチルを適量加えてボールミルを用いて十分に分散させてセラミックスラリーを得る。
【００１９】
次に、このセラミックスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形して厚み約５０μｍのセラミックグリーンシートを得る。このセラミックグリーンシートを５ｃｍ□のシートに切断し、このシートを用いて約１ｍｍの厚みになるように複数枚重ねて積層して非磁性フェライトの積層成形品を得る。この積層成形品を所望のサイズに個片化したものを９３０℃−２Ｈｒの条件で焼成して非磁性フェライトを得た（本発明品）。
【００２０】
比較のために、フェライト仮焼粉のみからなる組成を有する非磁性フェライトを前記プロセスと同じ方法により作製した（比較品）。
【００２１】
得られた非磁性フェライトの組成と特性の評価結果を比較して（表１）に示す。
【００２２】
なお、ＺｎＯ，ＣｕＯの析出の観察はＸ線回折装置を用いた構造解析により評価した。
【００２３】
また、絶縁抵抗は銀ペーストなどを用いて対向する電極として形成した後測定治具を用いて個片状の非磁性フェライトを挟み込み、１００Ｖの電圧を加えて絶縁抵抗計を用いて測定した。また焼成収縮率は成形品と焼成品の寸法を測り焼成前後での寸法変化から算出した。
【００２４】
【表１】
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【００２５】
（表１）の結果より、比較品はＣｕＯやＺｎＯの析出が認められるが本発明品では焼成収縮率は１５％前後、絶縁抵抗は１Ｅ＋０９Ω・ｃｍ以上でありながら、かつＣｕＯやＺｎＯの析出は認められず、絶縁材料としてＡｇと同時焼成が可能であり、脱バイなどの過程において局部的に還元雰囲気にさらされたときに低抵抗相となるＣｕＯやＺｎＯの析出が防止されていることが分かる。
【００２６】
これは、Ｆｅ２Ｏ３組成が少なくなったことによるＣｕＯもしくはＺｎＯの析出に対して、ＴｉＯ２の添加によりＴｉＯ２がＦｅ２Ｏ３の代わりにＣｕ２＋もしくはＺｎ２＋をスピネル結晶中に固溶させたものと思われる。
【００２７】
一方、比較品は絶縁抵抗の低い個片がかなりの確率で混入していることが分かった。これは個片化した非磁性フェライトを電気炉の中で一括同時に焼成するときなどに脱バイや残留炭素の影響で局部的に雰囲気が還元雰囲気となり、一部の粒界に析出したＣｕＯやＺｎＯが還元されて絶縁抵抗の低い個片ができるものと考えられる。この結果、大気中の焼成であっても一部絶縁抵抗の低い非磁性フェライトができることから生産性の観点で大きな課題を有している。
【００２８】
さらに、電極材料として銅電極を用いる場合には窒素雰囲気焼成が不可欠であり、前記のようなＣｕＯやＺｎＯの析出による低抵抗相の発生はより顕著となり、本発明のＴｉＯ２の添加効果はより効果的となる。
【００２９】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２により請求項２，３，４に記載の発明を説明する。
【００３０】
実施の形態１と同様な製造プロセスを経て作製した非磁性フェライトの積層成型品を９３０℃−２時間の焼成条件で焼成し、（表２）に示した各種組成の非磁性フェライトを得た。
【００３１】
比較のために、実施の形態１と同じようにフェライト仮焼粉のみからなる組成を有する非磁性フェライトを比較品として作製した（比較品）。
【００３２】
得られた非磁性フェライトの組成と特性を比較して（表２）に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
（表２）の結果より、比較品はＣｕＯやＺｎＯの析出が認められるかもしくはＣｕＯやＺｎＯの析出は認められないが焼成収縮率が１０％未満となり十分に焼結しておらず、絶縁抵抗も１Ｅ＋０９Ω・ｃｍ未満に低下してしまう。
【００３５】
しかしながら、本発明品では焼成収縮率は１５％前後と十分に焼結しており、ＣｕＯやＺｎＯの析出は認められず、その結果として絶縁抵抗も１Ｅ＋０９Ω・ｃｍ以上が得られている。
【００３６】
これらの結果より、非磁性の絶縁材料としてＡｇと同時焼成が可能であり、局部的な還元雰囲気にさらされても低抵抗相の析出が防止されていることが分かる。
【００３７】
なお、ＣｕＯもしくはＺｎＯの析出を防止するためにはＦｅ２Ｏ３組成の不足を補う以上のＴｉＯ２の添加は必要なく、むしろ過剰添加は焼結の阻害要因となり、ＴｉＯ２の添加量が少ないとＣｕＯもしくはＺｎＯの析出を防止する効果は得られないことが分かった。
【００３８】
また、Ｆｅ２Ｏ３組成は４２〜４９ｍｏｌ％の範囲が好ましい。このＦｅ２Ｏ３組成が５０ｍｏｌ％以上ではＦｅ２＋とＦｅ３＋の共存状態を招き、この価数の異なるイオン間で電子の移動が起こることが絶縁抵抗の低下の原因となり、Ｆｅ２Ｏ３組成が４１ｍｏｌ％以下では多くのＴｉＯ２の添加が必要となり、この過剰のＴｉＯ２の添加が焼結を阻害してしまい、Ａｇと同時焼成可能な焼成温度で焼結できなくなるためである。これらの結果よりＴｉＯ２の添加量はＦｅ２Ｏ３組成により０．５〜６ｗｔ％の範囲から最適な量を選択することが好ましい。またこの添加物として用いる酸化チタンはＴｉＯ２である必要はなくＴｉＯ，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ４のうち少なくともいずれか一つを用いることによってもＴｉＯ２と同様の効果を有していることを確認している。
【００３９】
また、ＣｕＯ組成が６ｍｏｌ％未満ではＡｇと同時焼成できる温度で十分に焼結が進行せず、またＣｕＯの組成が１５ｍｏｌ％以上では磁性を示すようになることからＣｕＯの最適な組成比は６〜１４ｍｏｌ％の範囲内であることが望ましい。
【００４０】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３および図１〜図３により請求項５，６，７に記載の発明を説明する。
【００４１】
図１（ａ）は本発明の積層電子部品の一例であるコモンモードチョークコイルの積層成型品の構造図であり、図１（ｂ）はその等価回路を示す回路図である。また図２はその斜視図であり、図３（ａ）は本発明の積層電子部品の他の一例である積層トランスの積層構造図であり、図３（ｂ）はその等価回路を示す回路図である。
【００４２】
次に、積層電子部品の一例であるコモンモードチョークコイルの積層構造について製造方法を説明しながら詳細に説明する。
【００４３】
まず始めに、非磁性フェライトの出発原料である酸化鉄と酸化亜鉛と酸化銅を用いてＦｅ２Ｏ３：ＺｎＯ：ＣｕＯ＝４８：４２：１０ｍｏｌ％の組成比になるように配合し、これに純水を適量加えてボールミルを用いて混合した後、１２０℃で乾燥させて混合粉を得る。
【００４４】
この混合粉を８８０℃で仮焼した後、遊星ボールミルを用いて最大粒径が８μｍ以下になるまで粉砕してフェライト仮焼粉を得る。このフェライト仮焼粉にＴｉＯ２の粉末を加え、さらにブチラール樹脂と酢酸ブチルを適量加えてボールミルを用いて十分に分散させてセラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーをドクターブレード法により約５０μｍの非磁性フェライト用グリーンシート１を得た。
【００４５】
一方、磁性フェライトの出発原料である酸化鉄と酸化ニッケルと酸化亜鉛と酸化銅をＦｅ２Ｏ３：ＮｉＯ：ＺｎＯ：ＣｕＯ＝４８：２１：２１：１０ｍｏｌ％の組成比になるよう配合し、前記非磁性フェライト用グリーンシート１と同様なプロセスを経て磁性フェライト用グリーンシート３を得た。それぞれのグリーンシート１，３を多数個取りとするために５ｃｍ□に切断した。
【００４６】
次に、５ｃｍ□に切断された磁性フェライト用グリーンシート３を複数枚積層して厚み４００μｍとし、さらにこの上にＡｇを主成分とする線幅３０μｍ、線間幅２５μｍの並列する２本の電極ラインから構成されるコイルパターン２−１，２−２として形成した。
【００４７】
その後、この上に層間のコイルパターン２−１，２−２を接続するビア５を形成した非磁性フェライト用グリーンシート１を積層した後、この上にＡｇを主成分とする線幅３０μｍ、線間幅２５μｍの並列する２本の電極ラインから構成される上層のコイルパターン２−１，２−２として印刷し、非磁性フェライト用グリーンシート１のビア５を介して接続された２本の螺旋状のコイルを形成した。
【００４８】
この２本の螺旋状のコイルはコイルパターン２−１と２−２が磁性フェライト用グリーンシート３の上面にほぼ並行な渦巻き状に設けられるとともに、さらに非磁性フェライト用グリーンシート１を挟むようにして非磁性フェライト用グリーンシート１の上部に設けられたコイルパターン２−１と２−２は非磁性フェライト用グリーンシート１に設けられたビア５を介して接続されてほぼ並行な渦巻き状に設けられた構成となっている。
【００４９】
次に、この上に磁性フェライト用グリーンシート３を複数枚積層して厚み約１ｍｍの積層成形品を得た。
【００５０】
その後、この積層成形品を１２８個のコモンモードチョークコイルの個片に切断した後９３０℃−２時間で焼成し、その後端面部に表出した引出電極部２−１ａ，２−１ｂ，２−２ａ，２−２ｂにＡｇあるいはＣｕの端面電極４を厚膜プロセスあるいはめっきプロセスにより形成することにより図２に示すような１．２×１．０×０．８ｍｍの１２８個のコモンモードチョークコイルを得ることができた（本発明品９）。
【００５１】
この得られたコモンモードチョークコイルの電気的な特性は結合係数が０．９以上、コモンモードインピーダンスが９０Ω以上であった。
【００５２】
以上説明してきた本発明によるコモンモードチョークコイルは内蔵する２つのコイルを形成するコイルパターン２−１，２−２の間の少なくとも一部に非磁性フェライト１が介在し、この非磁性フェライト１がコイル近傍に周回する磁束を断ち切り、２つのコイル間の磁気的な結合を強化する作用を有する構造を実現している。
【００５３】
その結果、このコモンモードチョークコイルは結合係数が大きくなり、コモンモードノイズフィルターとしてコモンモードノイズを効率良く除去することが可能となる。
【００５４】
また、２つのコイル間の絶縁不良はノイズ以外に伝送すべき信号レベルを低下させてしまうために二つのコイル間の絶縁抵抗は少なくとも１Ｅ＋０９Ω以上が必要であることが分かった。
【００５５】
また、非磁性フェライト用グリーンシート１は薄いほど結合係数の大きなコモンモードチョークコイルが得られるが、特に厚さ５０μｍ以下が望ましく、結合係数が０．９以上の優れたコモンモードチョークコイルを得ることができた。
【００５６】
また、比較のためにＴｉＯ２を添加しない非磁性フェライトを用いて同様なプロセスを経て得たコモンモードチョークコイル（比較品１６）を作製した。
【００５７】
得られたコモンモードチョークコイルの特性を比較して（表３）に示す。
【００５８】
【表３】
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【００５９】
（表３）の結果より、比較品１６の絶縁不良率が６．２５％であったのに対して、本発明品９では絶縁不良率が０％であることがわかる。このことはＴｉＯ２の添加が脱脂後の残留炭素や大量焼成などに起因する焼成工程における局所的な還元雰囲気の発生にもかかわらず、非磁性フェライト中のＣｕＯもしくはＺｎＯの析出を抑制することにより還元雰囲気中にて発生するＣｕＯもしくはＺｎＯの低抵抗相の出現を防止して二つのコイル間の絶縁抵抗を確保し、量産性の安定化に有効であることを示唆している。
【００６０】
なお、絶縁不良率は全数１２８個に対して、平行ライン間に１５Ｖの電圧を加えたときの絶縁抵抗が１Ｅ＋０９Ω未満の積層電子部品の比を算出して表した。
【００６１】
また、コモンモードチョークコイルのコイルパターン２−１，２−２は所望するインダクタンス特性やクロストーク特性によってさまざまな形態を取ることができるが、非磁性フェライト１が２つのコイルで形成するコイルパターン２−１，２−２に接触している限り、いずれの場合も同様な効果を得ることができ、特に２つのコイルパターン２−１，２−２間が狭くなるほど効果は大きくなる。
【００６２】
次に、図３（ａ）、図３（ｂ）を用いて本発明の積層電子部品の他の一例である積層型のチップトランスの例を示す。
【００６３】
図３（ａ）に示す本発明による積層型のチップトランスは磁性フェライト３０で挟まれた内蔵する一次コイル２１（引出電極部２１ａ、引出電極部２１ｂ）と二次コイル２２（引出電極部２２ａ、引出電極部２２ｂ）を形成するコイル間の少なくとも一部に非磁性フェライト１０が非磁性フェライト１０のビア５を介して接続された２本のＡｇを主成分とする線幅３０μｍ、線間幅２５μｍの並列する電極ラインから構成される螺旋状の一次コイル２１、二次コイル２２を形成することを特徴とし、その結果としてそれぞれのコイルの近傍に周回する磁束を断ち切り、２つのコイル間２１，２２の磁気的な結合を強化することかできる。
【００６４】
その結果、積層型のチップトランスの結合係数が大きくなり、トランスとして高効率なエネルギーの授受が可能となる。また本発明による非磁性フェライト１０を用いることにより、高絶縁抵抗を安定して得ることができることからエネルギー損失の小さな優れた結合係数を有する小型の積層トランスを得ることができる。
【００６５】
なお、磁性フェライト３０は六方晶フェライトを用いた場合においても同様の効果が認められた。
【００６６】
また、本発明に用いる磁性フェライト用グリーンシート３は所望する厚さの積層電子部品になるように複数枚積層するが、厚みの厚いグリーンシートを用いるならば一枚でもよい。
【００６７】
また、すべてのコイルパターン２−１，２−２，２１，２２の形成方法はスクリーン印刷でもよく、さらにファインパターンを形成するためには、めっき転写、凹版転写工法が有効であり、これらの技術と組み合わせることにより直流抵抗の小さな小型のコモンモードチョークコイルあるいは積層チップトランスを実現することができる。
【００６８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、Ｆｅ２Ｏ３とＣｕＯとＺｎＯとを含むフェライトの組成に対して、さらに酸化チタンが添加されている非磁性フェライトおよびそれを用いて積層電子部品であり、絶縁抵抗の高い非磁性フェライトおよび絶縁不良の抑制された積層電子部品を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態３におけるコモンモードチョークコイルの一例を示す構成図
（ｂ）同等価回路図
【図２】同斜視図
【図３】（ａ）同本発明の積層電子部品の他の一例である積層型のチップトランスの構成図
（ｂ）同等価回路図
【符号の説明】
１  非磁性フェライト用グリーンシート
２−１  コイルパターン
２−２  コイルパターン
２−１ａ，２−１ｂ  引出電極部
２−２ａ，２−２ｂ  引出電極部
３  磁性フェライト用グリーンシート
４  端面電極
５  ビア
１０  非磁性フェライト
２１  一次コイル
２１ａ，２１ｂ  引出電極部
２２  二次コイル
２２ａ，２２ｂ  引出電極部
【図１】
2004339016.tif 000006
【図２】
2004339016.tif 000007
【図３】
2004339016.tif 000008