(57)【要約】【課題】電極上に保護膜を形成することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることを目的とするものである。【解決手段】保護膜４の凸部の頂部までの高さをｔ、保護膜４と接する基板１の表面から保護膜４の凹部の底部までの高さをｔ１、保護膜４の凸部の頂部から凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、保護膜４の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、保護膜４の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、櫛型電極２の高さをｈ、櫛型電極２の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、櫛形電極２を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、電極指２ａ間の幅をｐ２、櫛型電極２のピッチｐと電極指１本の幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、「ｈ≦ｔ２（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」である。【選択図】  図１
2004207996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、前記櫛型電極の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極のピッチｐと前記電極指１本の幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」
である電子部品。
【請求項２】
１ピッチあたりの保護膜と櫛型電極の隣合う電極指間の幅ｐ２との関係が、
「Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ  かつＬ２＜ｐ２
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
である請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
である電子部品。
【請求項４】
櫛型電極は、前記櫛型電極の高さｈと前記櫛型電極との１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
「ｈ／（２×ｐ）＜０．０５」
である請求項１または３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの幅（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、前記電極指の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極のピッチｐと前記電極指１本の幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」
である電子部品。
【請求項６】
１ピッチあたりの保護膜と櫛型電極の隣合う電極指間の幅ｐ１との関係が、
「Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ  かつＬ１＜ｐ１
（ただし、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
である請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの幅（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記電極指の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
である電子部品。
【請求項８】
櫛型電極は、前記櫛型電極の高さｈと前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
「０．０５≦ｈ／（２×ｐ）」
である、請求項５または７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
基板は、タンタル酸リチウムからなるものであって、このタンタル酸リチウム基板の切出し角度が、Ｘ軸周りにＺ軸方向への回転角度をＤ°とした場合、
「３８°≦Ｄ°」
のＹ板から切り出されたものである請求項１、３、５または７のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項１０】
保護膜は、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さをｔ１としたとき、
「１８％≦ｔ１／（２×ｐ）≦３５％」
である請求項１、３、５または７のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項１１】
保護膜は二酸化シリコンである請求項１、３、５または７のいずれか一つに記載の電子部品。
【請求項１２】
少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路を有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、前記櫛型電極の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極のピッチｐと前記電極指１本の幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」
である電子部品で構成している電子機器。
【請求項１３】
少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路を有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
である電子部品で構成している電子機器。
【請求項１４】
少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路を有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの幅（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、前記電極指の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極のピッチｐと前記電極指１本の幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」
である電子部品で構成している電子機器。
【請求項１５】
少なくとも１つのアンテナと、このアンテナに電気的に接続する電気回路を有する電子機器であって、前記電気回路は複数の電子部品を備え、この複数の電子部品の少なくとも一つは、基板と、この基板の上面に設けた櫛型電極と、この櫛型電極を覆うとともに天面に凹凸形状を有する保護膜とを備え、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの幅（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記電極指の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
である電子部品で構成している電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品およびこの電子部品を用いた電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来の電子部品について説明する。
【０００３】
本従来の技術では、電子部品の一例として弾性表面波デバイス（以下、「ＳＡＷデバイス」と記す。）を例にとり説明する。
【０００４】
近年、小型軽量なＳＡＷデバイスは、各種移動体通信端末機器等の電子機器に多く使用されている。特に、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯における携帯電話システムの無線回路部には、タンタル酸リチウム（以下、「ＬＴ」と記す。）基板の切出角度が、Ｘ軸周りのＺ軸方向への回転角度が３６°であるＹ板から切り出された、いわゆる３６°ＹカットＸ伝播のＬＴ（以下、「３６°ＹＬＴ」と記す。）を用いて作成したＳＡＷフィルタが広く用いられてきた。しかし、携帯電話のシステムやその無線回路部におけるフィルタの使用箇所によっては、さらなる通過帯域の低挿入損失化およびフィルタのスカート特性が急峻で、かつ阻止域における抑圧度の高いフィルタ特性が要求されている。この様な要求を満たすため、ＬＴ基板の切出角度が、Ｘ軸周りのＺ軸方向への回転角度が４２°であるＹ板から切り出された、いわゆる４２°ＹカットＸ伝播のＬＴ（以下、「４２°ＹＬＴ」と記す。）基板を用いることで、従来の３６°ＹＬＴ基板を用いるよりも、より低損失かつフィルタのスカート特性が急峻なＳＡＷフィルタを実現する方法が、特許文献１に示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平９−１６７９３６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、４２°ＹＬＴ基板は、従来の３６°ＹＬＴ基板同様、弾性表面波の伝播方向の基板の熱膨張係数が大きく、また弾性定数そのものも温度により変化するため、フィルタの周波数特性も温度の変化に対して約−３５ｐｐｍ／°Ｋと、大きくシフトしてしまうという、温度特性に課題を有していた。例えばアメリカのＰＣＳ用の送信フィルタを例にとって考えた場合、常温で中心周波数１．８８ＧＨｚのフィルタが、常温±５０℃で、約±３．３ＭＨｚつまり約６．６ＭＨｚも変動する。ＰＣＳの場合、送信帯域と受信帯域の間隔は２０ＭＨｚしかなく、製造上の周波数ばらつきも考慮すると、フィルタにとっての送受信間隔は実質１０ＭＨｚ程度しかない。このため、例えば送信帯域を全温度（常温±５０℃）で確保しようとすると受信側の減衰量が十分に取れなくなるという問題を有していた。
【０００７】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、電極上に保護膜を形成することによって温度特性および電気的特性が優れた電子部品を得ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第１の発明は、電子部品に設けた天面に凹凸形状を有する保護膜は、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、前記櫛型電極の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極のピッチｐと前記電極指１本の幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」
であるもので、電極指端面での物理的なＳＡＷの反射面と保護膜凹部の端部での物理的な反射面とのずれを一定範囲に抑え、保護膜が電極を覆うように形成された場合においても、保護膜の凸部の頂部と保護膜の凹部の底部との間で、一定以上の段差を設けることにより十分なＳＡＷの反射係数を確保し、より小型で性能の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
【０００９】
また、第２の発明は、電子部品に設けた天面に凹凸形状を有する保護膜は、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記櫛型電極の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
であるもので、保護膜の凹凸の凸部の頂部の端部と凹部の底部の端部との間において、保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さｔ２を緩やかに変化させることで、保護膜の凹凸の特性への影響を緩和すると同時に、電極指部分と電極指間において、基板にかかる質量に一定以上の差を設けることで、ＳＡＷの反射係数を確保し、保護膜が電極を覆うように形成された場合においても、小型で性能の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
【００１０】
また、第３の発明は、電子部品に設けた天面に凹凸形状を有する保護膜は、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの幅（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、前記電極指の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２、前記櫛型電極のピッチｐと前記電極指１本の幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηとしたとき、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」
であるもので、電極指端面での電気的なＳＡＷの反射面と保護膜凹部の端部での物理的な反射面とのずれを一定範囲に抑え、かつ、保護膜の凹凸形状の凹凸の程度を一定範囲内に設定することでＳｉＯ2膜の形状のＳＡＷの伝播への影響を抑え、保護膜が電極を覆うように形成された場合においても、性能の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
【００１１】
また、第４の発明は、電子部品に設けた天面に凹凸形状を有する保護膜は、保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凸部の頂部までの高さをｔ、この保護膜と接する前記基板の表面からこの保護膜の凹部の底部までの高さをｔ１、この保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの幅（ｔ−ｔ１）をｔ２とし、この保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりのピッチ幅をＬ、前記保護膜の凹凸形状の１ピッチあたりの凹凸の凸部の頂部の幅をＬ１、凹部の幅をＬ２、前記電極指の高さをｈ、前記櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅をｐ、前記櫛形電極を構成する電極指１本あたりの幅をｐ１、前記電極指間の幅をｐ２としたとき、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」
であるもので、保護膜の凹凸形状の凸の頂部と凹の底部の端部との間で、保護膜の凹凸の程度を一定範囲内に設定し、かつ、保護膜の凸部の頂部からこの保護膜の凹部の底部までの高さｔ２を緩やかに変化させることで、保護膜の凹凸が特性へ与える影響を緩和し、保護膜が電極を覆うように形成された場合においても、性能の良い電子部品を得ることができるという作用を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態における電子部品について、図面を参照しながら説明する。本実施の形態では電子部品の一例としてＳＡＷデバイスを例にして説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの上面図、図１（ｂ）は同断面図である。
【００１４】
同図に示すように本実施の形態１のＳＡＷデバイスは、基板１の上面に櫛型電極２と、この櫛型電極２の両側に反射器３とを備え、少なくともこれら櫛型電極２と反射器３を覆う保護膜４を備えるものである。さらに櫛型電極２には、この櫛型電極と電気的に接続された電気信号の取出しを行うパッド５を有し、ＳＡＷデバイスを構成するものである。
【００１５】
基板１は、Ｘ軸周りにＺ軸方向へ数度回転させたＹ板から切り出したタンタル酸リチウムからなるもので、その回転の角度が３６°である３６°ＹＬＴ基板である。
【００１６】
櫛型電極２はアルミニウム（以下、「Ａｌ」と記述する。）またはＡｌ合金からなるものである。
【００１７】
保護膜４は、好ましくは二酸化シリコン（以下、「ＳｉＯ2」と記述する。）からなるもので、図１（ｂ）に示すように、その天面は凹凸形状を備えている。保護膜４の凸部分４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方およびその近傍に備えている。また、保護膜４の凹部分４ｂは、凸部分４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分に備えている。
【００１８】
ここで、保護膜４が接している基板１の表面から、保護膜４の凸部分４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜４が接している基板１の表面から、保護膜４の凹部分４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜４の凹部分４ｂの底部から凸部分４ａの頂部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とする。
【００１９】
また、保護膜４が接している基板１の表面から、電極指２ａの頂部までを櫛型電極２の高さｈとする。
【００２０】
さらに保護膜４の凸部分４ａ、凹部分４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜４の凸部分４ａの頂部の幅をＬ１とし、保護膜４の凹部分４ｂの底部の幅をＬ２とする。また、保護膜４の１ピッチと同様に、１つの櫛型電極２の電極指２ａおよび一方が隣合う電極指２ａの存在する部分までを櫛型電極２の１ピッチ幅ｐとする。
【００２１】
さらに、電極指２ａの１本あたりの幅をｐ１とし、隣合う電極指間の幅をｐ２（ｐ＝ｐ１＋ｐ２が成り立つこと）とする。
【００２２】
また、ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’、櫛型電極２の１ピッチ幅ｐと電極指１本あたりの幅ｐ１との比ｐ１／ｐをηと定義する。
【００２３】
本発明の実施の形態１においては、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１）の関係を満たすもの」である。
【００２４】
なお、上述した基板１には３６°ＹＬＴを用いたが、この基板１を、Ｘ軸周りにＺ軸方向へＤ°回転させたＹ板から切り出したＬＴとして、その回転の角度Ｄ°が
「３８°≦Ｄ°」
であるＤ°ＹＬＴ基板を用いても同様の効果を奏する。
【００２５】
以上のように構成されるＳＡＷデバイスについて、以下にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図２は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造方法を説明する図である。
【００２７】
まず、図２（ａ）に示すように、ＬＴ基板２１の上面にＡｌまたはＡｌ合金を蒸着またはスパッタ等の方法により櫛型電極または／および反射器となる電極膜２２を成膜する。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、電極膜２２の上面にレジスト膜２３を形成する。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、所望の形状となるように露光・現像技術等を用いてレジスト膜２３を加工する。
【００３０】
次に、図２（ｄ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて電極膜２２を櫛型電極や反射器等、所望の形状に加工した後、レジスト膜２３を除去する。
【００３１】
次に、図２（ｅ）に示すように、電極膜２２を覆うようにＳｉＯ2を蒸着またはスパッタ等の方法により、保護膜２４を形成する。
【００３２】
次に、さらに図２（ｆ）に示すように、保護膜２４の表面にレジスト膜２５を形成する。
【００３３】
次に、図２（ｇ）に示すように、露光・現像技術等を用いてレジスト膜２５を所望の形状に加工する。
【００３４】
次に、図２（ｈ）に示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電気信号取出しのためのパッド２６等、保護膜２４が不要な部分の保護膜を取り除き、その後、レジスト膜２５を除去する。
【００３５】
最後にダイシングにより個々に分割した後、セラミックパッケージにダイボンド等によりマウントし、ワイヤーボンディング後、蓋を溶接し気密封止を行った。
【００３６】
なお発明者らは、上述したＳＡＷデバイスの作成に関して、本実施の形態１においては、櫛型電極２の高さｈと櫛型電極２の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が
「ｈ／（２×ｐ）≦０．０５」
のとき、必要とする保護膜の形状を比較的達成しやすいことも見出している。
【００３７】
以上のようにして作成されたＳＡＷデバイスについて、電気的特性を調べた。その結果、発明者らは良い特性が得られることを確認した。
【００３８】
また、発明者らは温度特性に関しても調べた結果、保護膜としてＳｉＯ2を用い、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さｔ１が
「１８％≦ｔ１／（２×ｐ）≦３５％」
の条件を満たしている場合に良好な温度特性が得られることも合わせて確認した。
【００３９】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００４０】
本実施の形態２においてＳＡＷデバイスは、実施の形態１と同様のＳＡＷデバイスを用いた。図３は本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの断面図である。本図において、実施の形態１で用いた図１（ｂ）と同様の構成は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４１】
図３において保護膜３４は好ましくはＳｉＯ2からなるもので、図３に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜３４の凸部分３４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方およびその近傍に備えている。また、保護膜３４の凹部分３４ｂは、凸部分３４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分に備えている。ここで、保護膜３４の凸部分３４ａ、凹部分３４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜３４の凸部分３４ａの頂部の幅をＬ１とし、保護膜３４の凹部分３４ｂの底部の幅をＬ２とし、ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’とする。また、保護膜３４が接している基板１の表面から、保護膜３４の凸部分３４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜３４が接している基板１の表面から、保護膜３４の凹部分３４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜３４の凹部分３４ｂの底部から凸部分３４ａの頂部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とする。
【００４２】
本実施の形態２と実施の形態１の図１（ｂ）とが相違する点は、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凸部分４ａの形状がほぼ角張っており、その角がおおむね９０°となっているのに対して、本実施の形態２の図３では、保護膜３４の凸部分３４ａの形状は、その角が丸みを帯びている点が相違する。
【００４３】
本発明の実施の形態２においては、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」の関係を満たした上でさらに、
「Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ  かつＬ２＜ｐ２」
の関係を満たすものである。
【００４４】
なお、本実施の形態２における、ＳＡＷデバイスの作成方法は、実施の形態１で説明した方法と同様であるので、説明は省略する。
【００４５】
なお発明者らは、上述したＳＡＷデバイスの作成に関して、本実施の形態２においても、櫛型電極２の高さと櫛型電極２の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が
「ｈ／（２×ｐ）≦０．０５」
のとき、必要とする保護膜の形状を比較的達成しやすいことも見出している。
【００４６】
以上のように構成したＳＡＷデバイスについて、発明者らが電気的特性について調べた結果、良い特性が得られることを確認した。また、温度特性についても調べた結果、保護膜としてＳｉＯ2を用い、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さｔ１が
「１８％≦ｔ１／（２×ｐ）≦３５％」
の条件を満たしている場合に良好な温度特性が得られることも合わせて確認した。
【００４７】
（実施の形態３）
以下に本発明の、実施の形態３におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００４８】
本実施の形態３においてＳＡＷデバイスは、実施の形態１と同様のＳＡＷデバイスを用いた。図４は本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの断面図である。本図において、実施の形態１で用いた図１（ｂ）と同様の構成は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４９】
図４において保護膜４４は好ましくはＳｉＯ2からなるもので、図４に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜４４の凸部分４４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方およびその近傍に備えている。また、保護膜４４の凹部分４４ｂは、凸部分４４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分に備えている。ここで、保護膜４４の凸部分４４ａ、凹部分４４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜４４の凸部分４４ａの頂部の幅をＬ１とし、保護膜４４の凹部分４４ｂの底部の幅をＬ２とし、ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’とする。また、保護膜４４が接している基板１の表面から、保護膜４４の凸部分４４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜４４が接している基板１の表面から、保護膜４４の凹部分４４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜４４の凹部分４４ｂの底部から凸部分４４ａの頂部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とする。
【００５０】
本実施の形態３と実施の形態１の図１（ｂ）とが相違する点は、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凸部分４ａの頂部の幅Ｌ１が、電極２ａの幅ｐ１よりも広く、そのため、保護膜４の凸部分４ａが電極２ａの上方およびその近傍に存在するのに対し、本実施の形態３においては、保護膜４４の凸部分４４ａの頂部の幅Ｌ１は、電極２ａの幅ｐ１よりも狭い点が相違する。
【００５１】
本発明の実施の形態３においては、
「ｈ≦ｔ２
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」の関係を満たすものである。
【００５２】
なお、本実施の形態３における、ＳＡＷデバイスの作成方法は、実施の形態１で説明した方法と同様であるので、説明は省略する。
【００５３】
なお発明者らは、上述したＳＡＷデバイスの作成に関して、本実施の形態３においても、櫛型電極２の高さと櫛型電極２の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が
「ｈ／（２×ｐ）≦０．０５」
のとき、必要とする保護膜の形状を比較的達成しやすいことも見出している。
【００５４】
以上のように構成したＳＡＷデバイスについて、発明者らが電気的特性について調べた結果、良い特性が得られることを確認した。また、温度特性に関しても調べた結果は、保護膜としてＳｉＯ2を用い、基板表面から保護膜の凹部までの高さをｔ１とすると、
「１８％≦ｔ１／（２×ｐ）≦３５％」
の条件を満たしている場合に良好な温度特性が得られることも合わせて確認した。
【００５５】
（実施の形態４）
以下本発明の実施の形態４におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００５６】
本実施の形態４においてＳＡＷデバイスは、実施の形態１と同様のＳＡＷデバイスを用いた。図５は本発明の実施の形態４におけるＳＡＷデバイスの断面図である。本図において、実施の形態１で用いた図１（ｂ）と同様の構成は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５７】
図５において保護膜５４は好ましくはＳｉＯ2からなるもので、図５に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜５４の凸部分５４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方およびその近傍に備えている。また、保護膜５４の凹部分５４ｂは、凸部分５４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分に備えている。ここで、保護膜５４の凸部分５４ａ、凹部分５４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜５４の凸部分５４ａの頂部の幅をＬ１とし、保護膜５４の凹部分５４ｂの底部の幅をＬ２とし、ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’とする。また、保護膜５４が接している基板１の表面から、保護膜５４の凸部分５４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜５４が接している基板１の表面から、保護膜５４の凹部分５４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜５４の凹部分５４ｂの底部から凸部分５４ａの頂部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とする。
【００５８】
本実施の形態４と実施の形態１の図１（ｂ）とが相違する点は、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凹部分４ｂの底部から凸部分４ａの頂部までの高さｔ２が、櫛型電極２の高さｈ以上としたのに対して、本実施の形態４の図５では、保護膜５４の凹部分５４ｂの底部から凸部分５４ａの頂部までの高さｔ２が櫛型電極２の高さｈよりも低いとした点が相違する。
【００５９】
本実施の形態４においては、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」の関係を満たすものである。
【００６０】
なお、本実施の形態４においては、櫛型電極の高さｈとこの櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
「０．０５≦ｈ／（２×ｐ）」
であることが、特性上より好ましい。
【００６１】
本実施の形態４における、ＳＡＷデバイスの作成方法は、実施の形態１で説明した方法と同様であるので、説明は省略する。
【００６２】
以上のように構成したＳＡＷデバイスについて、発明者らが電気的特性について調べた結果、良い特性が得られることを確認した。また、温度特性についても調べた結果、保護膜としてＳｉＯ2を用い、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さｔ１が、
「１８％≦ｔ１／（２×ｐ）≦３５％」
の条件を満たしている場合に良好な温度特性が得られることも合わせて確認した。
【００６３】
（実施の形態５）
以下、本発明の実施の形態５におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００６４】
本実施の形態５においてＳＡＷデバイスは、実施の形態１と同様のＳＡＷデバイスを用いた。図６は本発明の実施の形態５におけるＳＡＷデバイスの断面図である。本図において、実施の形態１で用いた図１（ｂ）と同様の構成は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００６５】
図６において保護膜６４は好ましくはＳｉＯ2からなるもので、図６に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜６４の凸部分６４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方およびその近傍に備えている。また、保護膜６４の凹部分６４ｂは、凸部分６４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分に備えている。ここで、保護膜６４の凸部分６４ａ、凹部分６４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜６４の凸部分６４ａの頂部の幅をＬ１とし、保護膜６４の凹部分６４ｂの底部の幅をＬ２とし、ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’とする。また、保護膜６４が接している基板１の表面から、保護膜６４の凸部分６４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜６４が接している基板１の表面から、保護膜６４の凹部分６４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜６４の凹部分６４ｂの底部から凸部分６４ａの頂部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とする。
【００６６】
本実施の形態５と実施の形態１の図１（ｂ）とが相違する点は、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凸部分４ａの形状がほぼ角張っており、その角がおおむね９０°となっているのに対して、発明の実施の形態の図６では、保護膜６４の凸部分６４ａの形状は、その角が丸みを帯びている点が相違する。更に、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凹部分４ｂの底部から凸部分４ａの頂部までの高さｔ２が、櫛型電極２の高さｈ以上としたのに対して、本実施の形態の図５では、保護膜６４の凹部分６４ｂの底部から凸部分６４ａの頂部までの高さｔ２が櫛型電極２の高さｈよりも低いとした点が相違する。
【００６７】
本発明の実施の形態５においては、
「０＜ｈ＜ｔ２
（ただし、η’−０．３＜η≦η’、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐ、Ｌ１＞ｐ１の関係を満たす）」の関係を満たした上でさらに、
「Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ  かつＬ２＜ｐ２」
の関係を満たすものである。
【００６８】
なお、本実施の形態５においても、櫛型電極の高さｈとこの櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
「０．０５≦ｈ／（２×ｐ）」
であることが、特性上より好ましい。
【００６９】
本実施の形態５における、ＳＡＷデバイスの作成方法は、実施の形態１で説明した方法と同様であるので、説明は省略する。
【００７０】
以上のように構成したＳＡＷデバイスについて、発明者らが電気的特性について調べた結果、良い特性が得られることを確認した。
【００７１】
また、温度特性についても調べた結果、保護膜としてＳｉＯ2を用い、基板表面から前記保護膜の凹部までの高さｔ１が
「１８％≦ｔ１／（２×ｐ）≦３５％」
の条件を満たしている場合に良好な温度特性が得られることも合わせて確認した。
【００７２】
（実施の形態６）
以下に本発明の実施の形態６におけるＳＡＷデバイスについて図面を参照しながら説明する。
【００７３】
本実施の形態６においてＳＡＷデバイスは、実施の形態１と同様のＳＡＷデバイスを用いた。図７は本発明の実施の形態６におけるＳＡＷデバイスの断面図である。本図において、実施の形態１で用いた図１（ｂ）と同様の構成は同一符号を付し、その説明は省略する。
【００７４】
図７において保護膜７４は好ましくはＳｉＯ2からなるもので、図７に示すように、その上面は凹凸形状を備えている。保護膜７４の凸部分７４ａは、基板１の上面の櫛型電極２を有する部分の上方およびその近傍に備えている。また、保護膜７４の凹部分７４ｂは、凸部分７４ａ間の櫛型電極２が基板１の上面に存在しない部分に備えている。ここで、保護膜７４の凸部分７４ａ、凹部分７４ｂ各々１つを１ピッチとし、この１ピッチあたりのピッチ幅をＬとし、保護膜７４の凸部分７４ａの頂部の幅をＬ１とし、保護膜７４の凹部分７４ｂの底部の幅をＬ２とし、ピッチ幅Ｌと（Ｌ−Ｌ２）との比（Ｌ−Ｌ２）／Ｌをη’とする。また、保護膜７４が接している基板１の表面から、保護膜７４の凸部分７４ａの頂部までの高さをｔとし、保護膜７４が接している基板１の表面から、保護膜７４の凹部分７４ｂの底部までの高さをｔ１とし、保護膜７４の凹部分７４ｂの底部から凸部分７４ａの頂部までの高さ（ｔ−ｔ１）をｔ２とする。
【００７５】
本実施の形態６と実施の形態１の図１（ｂ）とが相違する点は、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凸部分４ａの頂部の幅Ｌ１が、電極２ａの幅ｐ１よりも広く、そのため、保護膜４の凸部分４ａが電極２ａの上方およびその近傍に存在するのに対し、本実施の形態６においては、保護膜７４の凸部分７４ａの頂部の幅Ｌ１は、電極２ａの幅ｐ１よりも狭い点が相違する。更に、実施の形態１の図１（ｂ）の保護膜４の凹部分４ｂの底部から凸部分４ａの頂部までの高さｔ２が、櫛型電極２の高さｈ以上としたのに対して、本実施の形態の図７では、保護膜７４の凹部分７４ｂの底部から凸部分７４ａの頂部までの高さｔ２が櫛型電極２の高さｈよりも低いとした点が相違する。
【００７６】
本発明の実施の形態６においては、
「０＜ｔ２＜ｈ
（ただし、Ｌ１＋Ｌ２＜Ｌ、Ｌ２＜ｐ２、Ｌ１≦ｐ１、Ｌ≒ｐ、ｐ１＋ｐ２≒ｐの関係を満たす）」の関係を満たすものである。
【００７７】
なお、本実施の形態６においても、櫛型電極の高さｈとこの櫛型電極の１ピッチあたりのピッチ幅ｐとの関係が、
「０．０５≦ｈ／（２×ｐ）」
であることが、特性上より好ましい。
【００７８】
本実施の形態６における、ＳＡＷデバイスの作成方法は、実施の形態１で説明した方法と同様であるので、説明は省略する。
【００７９】
以上のように構成したＳＡＷデバイスについて、発明者らが電気的特性について調べた結果、良い特性が得られることを確認した。
【００８０】
また、温度特性に関しても調べた結果は、保護膜としてＳｉＯ2を用い、基板表面から保護膜の凹部までの高さｔとすると、
「１８％≦ｔ／（２×ｐ）≦３５％」
の条件を満たしている場合に良好な温度特性が得られることも合わせて確認した。
【００８１】
（実施の形態７）
以下に本発明の実施の形態７における電子機器について図面を参照しながら説明する。
【００８２】
本実施の形態では、電子機器の一例として携帯電話を例にとり説明する。
【００８３】
図８（ａ）は本発明の実施の形態７における携帯電話の概観図、図８（ｂ）は同内部の要部電気回路図である。
【００８４】
同図に示すように本実施の形態７の携帯電話は、アンテナ８１およびこのアンテナ８１に接続されたアンテナ共用器８２を有している。このアンテナ共用器８２は、送信用ＪＳＡＷフィルタ８２ａ、受信用ＳＡＷフィルタ８２ｂおよび移相回路８２ｃにより構成する。
【００８５】
本実施の形態における送信用ＳＡＷフィルタ８２ａおよび受信用ＳＡＷフィルタ８２ｂは、実施の形態１〜６で説明した何れかのＳＡＷデバイスを用いるものである。
【００８６】
以上のように構成した携帯電話に対して、発明者らは、その感度を−２５℃から８５℃の環境下で測定したところ、温度変化に対して、感度の変化が少ないことを確認した。
【００８７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように保護膜を形成し、かつその保護膜の形状や厚さを特定の範囲に設定することによって温度特性および電気的特性が優れるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における電子部品の構成を示す上面図
（ｂ）同断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品の製造方法を説明する図
【図３】本発明の実施の形態２における電子部品の断面図
【図４】本発明の実施の形態３における電子部品の断面図
【図５】本発明の実施の形態４における電子部品の断面図
【図６】本発明の実施の形態５における電子部品の断面図
【図７】本発明の実施の形態６における電子部品の断面図
【図８】（ａ）本発明の実施の形態７における電子機器の概観図
（ｂ）同内部の要部電気回路図
【符号の説明】
１  基板
２  櫛型電極
２ａ  電極指
３  反射器
４  保護膜
４ａ  保護膜の凸部分
４ｂ  保護膜の凹部分
５  パッド
２１  基板
２２  電極膜
２３  レジスト膜
２４  保護膜
２５  レジスト膜
２６  パッド
３４  保護膜
３４ａ  保護膜の凸部分
３４ｂ  保護膜の凹部分
４４  保護膜
４４ａ  保護膜の凸部分
４４ｂ  保護膜の凹部分
５４  保護膜
５４ａ  保護膜の凸部分
５４ｂ  保護膜の凹部分
６４  保護膜
６４ａ  保護膜の凸部分
６４ｂ  保護膜の凹部分
７４  保護膜
７４ａ  保護膜の凸部分
７４ｂ  保護膜の凹部分
８１  アンテナ
８２  アンテナ共用器
８２ａ  送信用ＳＡＷフィルタ
８２ｂ  受信用ＳＡＷフィルタ
【図１】
2004207996.tif 000003
【図２】
2004207996.tif 000004
【図３】
2004207996.tif 000005
【図４】
2004207996.tif 000006
【図５】
2004207996.tif 000007
【図６】
2004207996.tif 000008
【図７】
2004207996.tif 000009
【図８】
2004207996.tif 000010