(57)【要約】【課題】電気光学装置において、高いコントラストの維持等高品質な画像を表示するとともに、走査線及びデータ線間において無用な容量カップリングを生じさせない。【解決手段】電気光学装置は、素子基板（２００）上に、一定の方向に延在するように形成されたデータ線（２１２）と、この上に該データ線と交差する方向に形成された走査線（３１２）と、この上に形成された第１絶縁層（９１０）と、該第１絶縁層上でデータ線及び走査線の交差領域に対応するように、かつ、前記走査線と重なり合うように形成された画素電極（２３４）と、前記交差領域に対応するように形成されたＴＦＤ（２２０）とを備えている。このうち走査線、第１絶縁層及び画素電極により保持容量（２９０）が構成される。そして、データ線及び走査線間には、前記第１絶縁層よりも厚膜となる第２絶縁層（９２０）が備えられている。【選択図】　　　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上に形成された導電部と、
前記第２基板上で、
一定の方向に延在するように形成された第１導電線と、
該第１導電線上で該第１導電線に交差する方向に形成された第２導電線と、
該第２導電線上に形成された第１絶縁層と、
該第１絶縁層上で前記第１導電線及び前記第２導電線の交差領域に対応するように、かつ、前記第２導電線と重なり合うように形成された画素電極と、
前記交差領域に対応するように形成されたスイッチング素子とを備えてなり、前記第２導電線、前記第１絶縁層及び前記画素電極は、積層構造を構成していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、二端子型スイッチング素子からなり、
該二端子型スイッチング素子は、前記第１導電線及び前記画素電極間の導通を制御することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記二端子型スイッチング素子は、導電体、絶縁体及び導電体の積層構造を有することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１導電線と前記第２導電線との間に第２絶縁層を更に備え、
該第２絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２導電線は、光反射性材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２導電線には、平面的にみて前記画素電極に対応するように開口部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２導電線は、前記開口部が形成された第１層と、前記開口部を覆うように形成された透明導電性材料からなる第２層とからなることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素電極及び前記第２導電線は透明導電性材料からなり、
前記画素電極に対応するように前記第１導電線と同一層に位置する反射板を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記スイッチング素子の少なくとも一部は、前記反射板と同一層に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記画素電極からなる層、前記第１絶縁層、前記第２導電線からなる層及び前記第２絶縁層の少なくとも一部は、増反射膜の全部又は一部を構成することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記画素電極からなる層、前記第１絶縁層、前記第２導電線からなる層及び前記第２絶縁層により、誘電体ミラーが構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１絶縁層は、前記第２導電線を陽極酸化処理することにより得られた酸化膜を含むことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記画素電極、前記第１絶縁層及び前記第２導電線により形成される保持容量の容量値は、前記スイッチング素子における寄生容量の容量値の１〜２０倍であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板上に導電部を形成する工程と、
前記第２基板上に一定の方向に延在するように第１導電線を形成する工程と、該第１導電線上で該第１導電線に交差する方向に第２導電線を形成する工程と、
該第２導電線上に第１絶縁層を形成する工程と、
該第１絶縁層上で前記第１導電線及び前記第２導電線の交差領域に対応するように、かつ、前記第２導電線と重なり合うように画素電極を形成する工程と、
前記交差領域に対応するようにスイッチング素子を形成する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１導電線を形成する工程の後であって前記第２導電線を形成する工程の前に、
前記第１導電線上に前記第１絶縁層の厚さよりも大きい厚さを有する第２絶縁層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２導電線は光反射性材料を用いて形成され、
前記第２導電線を形成する工程では、該第２導電線には平面的にみて前記画素電極に対応するように開口部が形成されることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２導電線の上に形成される各層は増反射膜の全部又は一部を構成することを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１絶縁層の厚さを決定した後に、画素電極からなる層の厚さを決定することを特徴とする請求項１７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２導電線は透明導電性材料を用いて形成され、
前記第１導電線を形成する工程では、前記画素電極に対応するように該第１導電線と同一の層として反射板が形成されることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２０】
前記反射板の上に形成される各層は増反射膜の全部又は一部を構成することを特徴とする請求項１９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１絶縁層を形成する工程は、前記第２導電線を陽極酸化処理する工程を含むことを特徴とする請求項１４乃至２０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器の技術分野に属し、特に、薄膜ダイオード（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ；以下、適宜「ＴＦＤ」という。）等が画素に対するスイッチング素子としての役割を担う液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
近年、液晶等の電気光学物質の電気光学的変化を利用して、画像を表示することの可能な電気光学装置が、各種の電子機器やテレビなどに広く用いられつつある。これによれば、従来の陰極線管（ＣＲＴ）を用いたテレビ等では達成し得なかった、薄型化、小型化、低消費電力化等といった数多くの特徴を享受することができる。
【０００３】
このような電気光学装置には、既に数多くのタイプが提案されているが、その多くは適当な基準により分類することができる。例えば、駆動方式等による分類が一般的になされ、具体的には、スイッチング素子を用いて画素を駆動するアクティブ・マトリクス型と、スイッチング素子を用いないで画素を駆動するパッシブ・マトリクス型とに大別することができる。このうち、前者のアクティブ・マトリクス型では、スイッチング素子の種類によって更に、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下、適宜「ＴＦＴ」ということがある。）などの三端子型スイッチング素子を用いるタイプと、ＴＦＤなどの二端子型スイッチング素子を用いるタイプとに大別することができる。
【０００４】
このうち後者のＴＦＤ等の二端子型スイッチング素子を用いる電気光学装置は、一の方向に沿って延在するセグメント電極としての複数のデータ線、これに交差する他の方向に沿って延在するコモン電極としての走査線、並びに該データ線及び該走査線間に挟持された液晶等の電気光学物質（以下、「液晶」に代表させる。）を備えている。これにより、例えば、液晶を誘電体とし、データ線に接続された画素電極及び走査線の一部を一対の電極とするコンデンサ、いわゆる液晶容量が構成されることになる。そして、ＴＦＤは、前記のデータ線及び画素電極間に形成され、液晶に電界を印加するか否かのスイッチング素子としての役割を担うことになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＴＦＤをスイッチング素子として用いる電気光学装置においては、次のような問題点があった。すなわち、ＴＦＤに生じる寄生容量によって、表示コントラストを低下させるおそれがあったのである。これは、この寄生容量と前記の液晶容量との比が小さくなればなる程、すなわち寄生容量が大きくなればなる程、顕著に見られる。したがって、従来においては、ＴＦＤそれ自体の大きさを小さくすることで、寄生容量を小さくする試みがなされていた。しかしながら、液晶装置がＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）や携帯電話等のような携帯型電子機器に用いられる場合にあっては、これらの機器は持ち運び可能であることが必要であるから、その画面サイズはいきおい小さくなければならず、これに伴って液晶容量も小さくしなければならない。すると、このような機器において、表示コントラストを低下させないようにするためには、ＴＦＤそれ自体の大きさの更なる小型化が要求されることになる。しかし、このような更なる小型化には、製造上の限界があり実現が困難となってきている。
【０００６】
そこで、従来においても、このような問題点に対処するため、例えば、特開昭６３−２４６７２９号公報や特開昭６２−１３４６２８号公報、あるいは特開平４−２２５３３１号公報等に開示されているように、ＴＦＤに接続された画素電極に保持容量を付設する手段が講じられることがあった。これによれば、液晶容量及び保持容量の和とＴＦＤの寄生容量との比を大きくとることが可能となるから、表示コントラストの低下を効果的に防止することができる。
【０００７】
しかしながら、上記した各公報に開示されている技術では次のような問題点があった。まず、特開昭６３−２４６７２９号公報では、透明導電膜からなる上部電極及び下部電極間に絶縁体層を挟持する構成を採り、これらにより保持容量が形成されるようになっている。また、特開昭６２−１３４６２８号公報では、画素電極が、下部電極に該当する第１リード電極に非線形抵抗素子を介して接続されるとともに、上部電極に該当する第２リード電極に蓄積コンデンサ（すなわち、保持容量）を介して接続される構成を採っている。なお、この場合、画素電極は、液晶層を介して共通電極と対向するように構成されている。しかしながら、これらの場合、前者では、上部電極及び下部電極がいわゆる走査線及びデータ線の役割を兼ね、後者では、第１リード電極及び第２リード電極が走査線及びデータ線の役割を兼ねるような構成を暗黙の前提としている。つまり、両者いずれの場合においても、保持容量を構成する絶縁体と、走査線及びデータ線間の絶縁を図る絶縁体とが、同一の材料及び構成からなっているのである。このような形態では、走査線及びデータ線間に容量カップリングが生じ、画像上の表示特性に悪影響を与えかねない問題点がある。
【０００８】
また、特開平４−２２５３３１号公報に関しては特に、キャパシタラインに接続された複数のキャパシタ用電極のそれぞれに対応して、絶縁膜及び画素電極を形成することにより、各画素電極に対応する保持容量を構成するものとなっている。なお、前記のキャパシタラインは、対向電極と電気的に接続されており、前者及び後者間の電位は同じになるようにされている。しかし、この発明では、共通配線たるキャパシタラインに対して、画素電極の数と同じ数のキャパシタ用電極を形成し、かつ、これらを該キャパシタラインに電気的に接続しなければならならず、製造歩留まりの低下が懸念されるし、該キャパシタ用電極間で形状の差異が生じることにより保持容量のばらつきが生じて表示ムラを発生させる等という問題も生じうる。ちなみに、本公報では、キャパシタラインが、画素電極間に敷設されるような実施形態が開示されているが、これでは開口率の減少を招き、画像の明るさを損なうおそれがあると考えられる。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、保持容量を備えることで高いコントラストの維持等高品質な画像を表示可能であることに加え、互いに交差するよう延在する二つの導電線間において無用な容量カップリング等を生じさせず、かつ、製造容易性・構造簡易性等の特徴をも備えた電気光学装置及びその製造方法並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に形成された導電部と、前記第２基板上で、一定の方向に延在するように形成された第１導電線と、該第１導電線上で該第１導電線に交差する方向に形成された第２導電線と、該第２導電線上に形成された第１絶縁層と、該第１絶縁層上で前記第１導電線及び前記第２導電線の交差領域に対応するように、かつ、前記第２導電線と重なり合うように形成された画素電極と、前記交差領域に対応するように形成されたスイッチング素子とを備えてなり、前記第２導電線、前記第１絶縁層及び前記画素電極は、積層構造を構成している。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、例えば、導電部に所定の共通電圧を供給し、第１導電線に画像信号を含むデータ電圧を、第２導電線に所定の電圧を、それぞれ供給することで、スイッチング素子の導通如何により、導電部及び画素電極間に所定の電位差を生じさせることが可能となる。ここで、例えば、第１導電線及び画素電極間に形成される、スイッチング素子の一例としての二端子型スイッチング素子たる薄膜ダイオードが導通するか否かは、その一端にかかる電圧と他端にかかる電圧との差に応じ、かつ、これらの間には非線形性が示される。これにより、導電部及び画素電極間における電気光学物質の一例としての液晶に電界が印加されることになり、画素毎に液晶分子の配向状態を変更することが可能となる。したがって、この液晶に光を投射すれば、その透過率を変更することが可能となり、画像を表示することが可能となる。
【００１２】
そして、本発明では特に、前記第２導電線上には第１絶縁層が、該第１絶縁層上には画素電極が、それぞれ形成されることにより、これら第２導電線、第１絶縁層及び画素電極は積層構造を構成する。すなわち、画素電極に所定の電位を与えると、前述のように該画素電極及び導電部間に所定の電位差が生じるほか、この画素電極と第２導電線との間にもまた所定の電位差が生じることになる。これにより、上述の積層構造はコンデンサ、すなわちいわゆる保持容量を構成することとなる。したがって、本発明によればまず、画素電極における電位保持特性が格段に向上し、画像上のコントラストの低下を招くようなことが殆どない。
【００１３】
しかも、本発明によれば、第２導電線が、前述の保持容量の下に位置するように形成されている。換言すれば、保持容量を構成する絶縁層（つまり、第１絶縁層）とは別に、より下層に位置する第１導電線と、より上層に位置する第２導電線との間の短絡を防止する絶縁層（後述の第２絶縁層）を設けることが可能である。したがって、本発明では、第１導電線及び第２導電線間に容易に容量カップリングが生じるようなことがなく、それを原因とした画像表示上の悪影響を低減することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、第２導電線が、画素電極に隣接するように配置されているのでなく、好ましくは、第２導電線及び画素電極が平面的に見て重なり合うような配置を行うことも可能であるから、画素開口率を高めることが可能となる。また、同じ理由により、画素電極の面積は、可能な限り、換言すれば、隣接しあう画素電極同士が接触しない程度に大型化することが可能となるから、これによっても画素開口率の向上を図ることができる。つまり、本発明の電気光学装置では、より明るい画像を表示することが可能となるのである。
【００１５】
更には、本発明では、第１導電線に交差する方向に形成された第２導電線が、保持容量を構成する一対の電極のうちの一方を構成しているから、背景技術の項で述べたように、各画素電極に対応するキャパシタ用電極を形成する必要がない。つまり、本発明によれば、構造が簡易で製造が容易であることにより製造歩留まりを向上させることが可能となるとともに、各保持容量間でばらつきが生じる可能性は低く、それを原因とする表示ムラ等を発生させるおそれが殆どない。
【００１６】
なお、本発明にいう「導電部」は、第１基板上で、例えば第２導電線と平行な方向に、かつ、ストライプ状に形成することが可能である他、ベタ状に形成することも可能である。
【００１７】
また、上述で例示したように、導電部には共通電圧を供給し、第２導電線には所定の電圧を供給する場合を好適に考えることができるが、これに代えて又は加えて、上述の導電部と第２導電線との間に、適当な導通材を介することにより、両者の電位を常に等しくする、等という態様とすることも可能である。
【００１８】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記スイッチング素子は、二端子型スイッチング素子からなり、該二端子型スイッチング素子は、前記第１導電線及び前記画素電極間の導通を制御する。
【００１９】
この態様によれば、二端子型スイッチング素子の一例としての薄膜ダイオード等を利用することにより、いわゆるアクティブマトリクス駆動を行うことができる。また、二端子型スイッチング素子を用いると、三端子型スイッチング素子を用いた構成と比較して、製造プロセスが簡略化される点などにおいて有利である。
【００２０】
なお、本発明において、第１導電線及び画素電極間には、鉛直的に見て、第２導電線及び第１絶縁層（すなわち、保持容量）が存在するから、例えば、二端子型スイッチング素子を第１導電線と同一層として形成する場合には、該二端子型スイッチング素子と画素電極との間の電気的な接続は、例えばコンタクトホール等によって実現することができる。
【００２１】
この態様では特に、前記二端子型スイッチング素子は、導電体、絶縁体及び導電体の積層構造を有するようにするとよい。
【００２２】
このような構成によれば、いわゆるＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）構造とよばれる二端子型スイッチング素子が構成される。これによれば、前述のうちのいずれかの導電体を、そのまま第１導電線として利用することが可能であり、また、絶縁体は該導電体の表面を酸化することにより形成可能である。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１導電線と前記第２導電線との間に第２絶縁層を更に備え、該第２絶縁層の厚さは、前記第１絶縁層の厚さよりも大きい。
【００２４】
この態様によれば、第１導電線及び第２導電線間に第２絶縁層が更に備えられており、この第２絶縁層の厚さが、前記第１絶縁層、すなわち第２導電線及び画素電極間の絶縁層であって保持容量を構成する絶縁層の厚さよりも大きくされている。これにより、第１導電線及び第２導電線間に容量カップリングを生じさせる可能性をより低く抑えることができる。また、本態様によれば、保持容量の容量値を大きくするべく、第１絶縁層に関する可能な限りの薄膜化が可能であるにもかかわらず、そのようにしたとしても、第１導電線及び第２導電線間に容量カップリングを生じさせる危険性を高めるわけではない。このようなことは、背景技術の項で述べたような、絶縁層の共用が行われている場合には達成し得ない。
【００２５】
なお、本発明にいう「第２絶縁層」、あるいは前記の「第１絶縁層」は、具体的には例えば、感光性アクリル樹脂、タンタル酸化膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなるものとすればよい。このうち第１絶縁層は、保持容量を構成するという観点から、誘電率の大きい材料、例えばタンタル酸化膜やシリコン窒化膜等を使用することが好ましい。また、本態様のように、第２絶縁層を比較的膜厚にすることが必要である場合には、該第２絶縁層を構成する材料として、製造容易という観点から、感光性アクリル樹脂等を用いることが好ましい。このように、第１絶縁層及び第２絶縁層を構成する材料が、相互に異なっていてよい。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２導電線は、光反射性材料からなる。
【００２７】
この態様によれば、第２導電線が、例えば、アルミニウム、銀等、光反射能の高い光反射性材料からなるから、該第２導電線に反射板としての機能を担わせることが可能である。すなわち、本態様に係る電気光学装置では、第１基板の電気光学物質に対向しない側（以下、「第１基板外側」という。）から入射した光は、電気光学物質及び画素電極を透過し、その下に位置する第２導電線で反射することが可能である。そして、この反射光は、画素電極及び電気光学物質を再度透過して第１基板外側から出射することになるから、本態様では、この出射光を、画像を構成する光として利用することができる。つまり、本態様に係る電気光学装置は、反射型表示を行うことが可能である。
【００２８】
また、このような光反射性材料は、上述の例のように、アルミニウム、銀等の低抵抗な材料が含まれることから、第２導電線の低抵抗化を図ることができる。
【００２９】
この態様では特に、前記第２導電線には、平面的にみて前記画素電極に対応するように開口部が形成されているようにするとよい。
【００３０】
このような構成によれば、本発明に係る電気光学装置を、反射半透過型として使用することが可能となる。すなわち、例えば、第２基板外側から光を入射し、この光を電気光学物質を透過させた上で、第１基板外側から出射させようとする場合において、第２導電線に開口部が形成されているから、その光は該開口部を通過することが可能であり、該光の進行が妨げられることがない（透過型表示）。他方、第１基板外側から入射した光は、開口部以外の第２導電線の部分で反射され得るから、該反射光は、電気光学物質を透過し再び第１基板外側に至るという経路を辿りうる。このように第１基板外側から出射した光もまた、画像を構成する光として利用することが可能となる（反射型表示）。
【００３１】
なお、本発明にいう「開口部」の形状は基本的に自由である。例えば、画素電極一つにつき、開口部を一つだけ設ける形態としてよいし、比較的小面積の開口部を複数設ける形態としてもよい。また、このような「開口部」の全体の面積は、対応する画素電極一つの面積に対して、概ね５〜２０％程度とするのが好ましい。ただし、本発明は、このような形態に限定されるものではなく、開口部の面積の調整を通して、反射型表示重視、あるいは透過型表示重視の電気光学装置を実現することができる。
【００３２】
また、このような構成では特に、前記第２導電線は、前記開口部が形成された第１層と、前記開口部を覆うように形成された透明導電性材料からなる第２層とからなるようにするとよい。
【００３３】
このような構成によれば、上述と略同様に、本発明に係る電気光学装置を、反射半透過型として使用することが可能となる。すなわち、例えば、第２基板外側から入射した光は、開口部及び透明導電性材料からなる第２層を透過し、あるいは、開口部以外の第１層の部分で反射することが可能であるから、上述と同様に、透過型表示又は反射型表示が可能となるのである。
【００３４】
そして、本態様では特に、透明導電性材料からなる第２層が、開口部を覆うように形成されているから、次のような作用効果を得ることが可能となる。すなわち、仮に第２導電線が「開口部」のみしか有さない場合を仮定すると、その開口部の形成部分に応じて第２導電線の面積が小さくなることから、保持容量の容量値は小さくなってしまう。しかしながら、本態様においては、このような開口部を覆うように、透明導電性材料からなる第２層が形成されているから、当該開口部の部分においては、画素電極、第１絶縁層及び第２層という保持容量が依然形成された形となっている。
【００３５】
したがって、本態様によれば、開口部が形成されて、反射半透過型表示可能な電気光学装置を構成することが可能であるにもかかわらず、保持容量の容量値を比較的大きく維持することが可能となる。
【００３６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極及び前記第２導電線は透明導電性材料からなり、前記画素電極に対応するように前記第１導電線と同一層に位置する反射板を更に備えている。
【００３７】
この態様によれば、上述と略同様に、本発明に係る電気光学装置を、反射半透過型として使用することが可能となる。ただし、この場合、第２基板外側から入射した光は、すぐ上で述べた態様のように、開口部以外の第１層の部分等で反射するのではなく、第２導電線よりも下層として形成された反射板で反射する点が異なる。そして、この反射板の面積如何で、透過光又は反射光の量のいずれを大きくすべきかを決めることができる。また、場合によっては、本態様の反射板を、画素電極の面積とほぼ同じ面積をもつように形成した後、該反射板に開口部を設けるような形態としてもよい。この場合、この開口部は、上述の第２導電線に開口部を形成する場合と同様に、その形状や個数等について特に限定されないことは言うまでもない。いずれにせよ、反射型表示及び透過型表示のいずれもが可能となる基本的な点に相違はない。
【００３８】
そして、本態様では特に、前記の反射板は、第１導電線と同一層に位置するようにされている。すなわち、これによれば、第１導電線及び反射板を同時に、ないしは同一膜として形成することが可能となり、製造工程の簡略化、ないし製造コストの低廉化を図ることができる。また、この場合特に、例えば、反射板を光反射能の高いアルミニウムで構成する場合においては、第１導電線もまた、アルミニウムで構成されることになるから、その低抵抗化を図ることができる。
【００３９】
この態様では特に、前記スイッチング素子の少なくとも一部は、前記反射板と同一層に形成されているようにするとよい。
【００４０】
このような構成によれば、スイッチング素子の少なくとも一部、例えば該スイッチング素子がＭＩＭ構造を有する薄膜ダイオードである場合には、その下層又は上層に位置する導電体と、第１導電線及び反射板とのいずれもが、同一層に形成されていることになる。したがって、製造工程の簡略化等の作用効果は、上述にも増して、より効果的に奏されることになる。
【００４１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極からなる層、前記第１絶縁層、前記第２導電線からなる層及び前記第２絶縁層の少なくとも一部は、増反射膜の全部又は一部を構成する。
【００４２】
この態様によれば、本発明に係る電気光学装置による反射型表示を、より好適に実現することが可能である。
【００４３】
ここで、本態様にいう「増反射膜」とは、例えば、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで、これらの膜の界面で生じる光の干渉を利用して、特定の波長の光の反射を強くする膜のことをいう。また、これとは別に、単層構造で、いま述べたような作用効果を発揮する膜もまたある。より具体的には、当該増反射膜の屈折率をｎ、その厚さをｄとし、強めたい波長をλとすると、ｎｄ＝（２ｍ＋１）λ／４（ｍは整数）を満たす膜である。すなわち、当該増反射膜の光学的厚さｎｄが、ある光の波長λの奇数倍に比例すれば、この波長λを有する反射光は強められることになる。
【００４４】
そして、このような増反射膜が、例えば、反射板としての機能を有する第２導電線の上に形成されるのであれば、該第２導電線を反射した光のうち特定の波長をもつものは強められることになる。すなわち、上述の態様によれば、第２導電線の上には、第１絶縁層及び画素電極が形成されているから、これらのうちの少なくとも一部が、前述のような増反射膜の構造、すなわち低屈折率膜及び高屈折率膜の積層構造等を備えておればよい。
【００４５】
また、上述のような増反射膜が、前記の「反射板」の上に形成されるのであれば、該反射板を反射した光のうち特定の波長をもつものは強められることになる。この場合、上述の態様によれば、該反射板の上には、第２絶縁層、第２導電線、第１絶縁層及び画素電極が形成されているから、これらのうちの少なくとも一部が、前述のような増反射膜の構造を備えておればよい。
【００４６】
いずれにせよ、このような増反射膜構造を、第１絶縁層等で実現すれば、第２導電線、あるいは反射板等によって反射された特定波長の光の強度を強めることが可能となるから、反射型表示される画像のコントラスト比の向上や、いわゆる映り込みの防止等を図ることができる等、当該反射型表示をより好適に実現することが可能となる。
【００４７】
なお、本態様にいう「増反射膜」を実現するためには、全体的に対処するか（すなわち、画素電極、第１絶縁層及び第２絶縁層等の全部で増反射膜構造を構成する。）、あるいは部分的に対処するかは基本的に自由である。また、上述のような基本的構造に加えて、膜の材質、厚さ等の調整を行うこと（例えば、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれらを調整すること等）によっても、特定波長の反射光を強めることが可能である。これらの事項は、経験的、実験的、理論的、あるいはシミュレーション等によって、適宜好適に定めることができる。
【００４８】
なお、上述においては、増反射膜を構成するものとして、反射板としての機能を有する第２導電線の上に形成される、第１絶縁層及び画素電極を考慮の対象にし、あるいは反射板の上に形成される、第２絶縁層、第２導電線、第１絶縁層及び画素電極を考慮の対象にすることについて、それぞれ述べたが、これら第２導電線又は反射板の上に更に、配向膜や電気光学物質としての液晶等が備えられるならば、それらについても考慮の対象としてよいことは言うまでもない。
【００４９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極からなる層、前記第１絶縁層、前記第２導電線からなる層及び前記第２絶縁層により、誘電体ミラーが構成されている。
【００５０】
この態様によれば、第２基板上に形成される各層の材料、厚さ等を適当に調整することにより、いわゆる「誘電体ミラー」が構成されることになるから、高反射率・高透過率の半透過反射型の電気光学装置を実現することができる。ここで「誘電体ミラー」とは、透明材料からなる層を含む積層構造を有するものであり、該積層構造に関する各種調整（例えば、各層の材質、厚さ、積層数等）を通じて、これに入射してくる光の反射と透過との両性質を適当に調整することが可能なものをいう。より具体的には、低屈折率の透明材料からなる層と、高屈折率の透明材料からなる層とが、交互に積層されてなるものを想定することができる。
【００５１】
そして、この態様によれば、前記積層構造を構成する各層の厚さ等の調整を行うことにより、当該電気光学装置の用途に応じ、反射光の強度をより強くしたり、あるいは透過光の強度をより強くしたりすることが可能であるから、反射型表示又は透過型表示のいずれを重視した表示をなすかを決めることができる。ちなみに、反射型表示を重視した電気光学装置を実現するためには、一般的には、前記の積層構造を構成する層数を比較的多数にしなければならない。また、本態様においては、誘電体ミラーが反射板としての機能を保有するから、上述のように、第２導電線を光反射性材料から構成することや、特別に「反射板」等を形成する必要は必ずしもない。
【００５２】
なお、本態様においては、「誘電体ミラー」なる用語を用いて限定を行ったが、これを換言すれば、「透明材料からなる層を含む積層構造」と言い換えることも可能である。
【００５３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１絶縁層は、前記第２導電線を陽極酸化処理することにより得られた酸化膜を含む。
【００５４】
この態様によれば、例えば、第１絶縁層を感光性アクリル樹脂等の材料を用いて形成する場合に比べて、その製造工程の簡略化・製造コストの低廉化を図ることが可能である。
【００５５】
また、この場合においては、第１導電線と画素電極との電気的接続を実現するために、第１絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がなくなる。なぜなら、第１絶縁層は、第２導電線の上にのみ形成されることになり、その間隙の部分については下地の層の表面がいわば裸のまま曝された状態となるからである。より具体的には、第２導電線が、ストライプ状に形成されている場合を想定するとわかりやすい。この場合、第１絶縁層は、ストライプ状に形成された第２導電線の上にのみ形成されることになるから、やはりストライプ状を有することになる。
そして、このストライプ状の間隙には、例えば、前記の第２絶縁層がいわば裸のまま曝された状態となる。したがって、該第２絶縁層に、第１導電線に通ずるコンタクトホールを設け、かつ、このコンタクトホールを覆うように画素電極を形成すれば、第１導電線及び画素電極間の電気的接続を図ることができることになる。これに対して、第１絶縁層が、前記ストライプ状の間隙に位置する場合には、該第１絶縁層に対してもコンタクトホールを設けなければならない点とは異なる。
【００５６】
このように、本態様によれば、第１絶縁層中にコンタクトホールを設けることなく、該第１絶縁層上に画素電極を形成するだけで、画素電極及び第１導電線間の電気的接続を図ることが可能となる。これにより、製造工程の簡略化、製造コストの低廉化を達成することができる。
【００５７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極、前記第１絶縁層及び前記第２導電線により形成される保持容量の容量値は、前記スイッチング素子における寄生容量の容量値の１〜２０倍である。
【００５８】
この態様によれば、保持容量の容量値が、スイッチング素子の一例たる薄膜ダイオードの寄生容量の容量値に対して、１〜２０倍（より好ましくは、５〜１０倍程度とするとよい）と十分に大きいから、画素電極の電位保持特性の向上をより効果的に実現することができる。
【００５９】
なお、本態様にいう１〜２０倍、あるいは前記の括弧内の５〜１０倍というのは、例えば、前述のように導電部及び画素電極間に液晶が挟持されてなり、これらによって液晶容量が形成される場合であれば、該液晶容量の容量値と保持容量のそれとの和が、スイッチング素子の寄生容量の容量値に比べて、１〜２０倍、あるいは５〜１０倍ということであると尚よい。
【００６０】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、電気光学物質からなる層を挟持してなる第１基板及び第２基板を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、前記第１基板上に導電部を形成する工程と、前記第２基板上に一定の方向に延在するように第１導電線を形成する工程と、該第１導電線上で該第１導電線に交差する方向に第２導電線を形成する工程と、該第２導電線上に第１絶縁層を形成する工程と、該第１絶縁層上で前記第１導電線及び前記第２導電線の交差領域に対応するように、かつ、前記第２導電線と重なり合うように画素電極を形成する工程と、前記交差領域に対応するようにスイッチング素子を形成する工程とを備えている。
【００６１】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上述の本発明の電気光学装置を好適に製造することができる。なお、本発明では特に、保持容量を形成するためには、実質的に、第２基板上に、第１導電線が沿うべき一定の方向に交差する方向に延在する第２導電線を形成する工程と、該第２導電線上に第１絶縁層を形成する工程とを実施するのみでよく、背景技術の項で述べたように、画素電極の各々に対して、キャパシタ用電極等を形成する必要がない。したがって、その製造は極めて簡易に行え、また、製造された電気光学装置の信頼性は非常に高い。
【００６２】
なお、本発明にいう「第１絶縁層」は、より具体的には例えば、後述するように、その下に形成された第２導電線の表面を陽極酸化処理することにより得るようにするのが好ましい態様の一例であるが、プラズマＣＶＤ法、スピンコート法等を実施することによって得ることも可能である。
【００６３】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第１導電線を形成する工程の後であって前記第２導電線を形成する工程の前に、前記第１導電線上に前記第１絶縁層の厚さよりも大きい厚さを有する第２絶縁層を形成する工程を更に含む。
【００６４】
この態様によれば、第１導電線及び第２導電線間で容量カップリングの生じる可能性を極めて低く抑えることが可能となる。また、本態様によれば、保持容量の容量値を大きくするべく、第１絶縁層に関する可能な限りの薄膜化が可能であるにもかかわらず、そのようにしたとしても、第１導電線及び第２導電線間に容量カップリングが生じさせる危険性が高まるわけではない。
【００６５】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第２導電線は光反射性材料を用いて形成され、前記第２導電線を形成する工程では、該第２導電線には平面的にみて前記画素電極に対応するように開口部が形成される。
【００６６】
この態様によれば、反射板としての機能を有する第２導電線が形成されることで、最終的に、反射型表示が可能な電気光学装置を製造することができる。また、この第２導電線には、開口部が形成されることにより、透過型表示もまた可能である。つまり、本態様によれば、反射半透過型表示可能な電気光学装置を製造することができる。
【００６７】
この態様では特に、前記第２導電線の上に形成される各層は増反射膜の全部又は一部を構成するようにするとよい。
【００６８】
このような構成によれば、反射半透過型表示が可能な電気光学装置において、反射板としての機能を有する第２導電線の上に形成される、第１絶縁層、画素電極等の各層が増反射膜の全部又は一部を構成することにより、より好適な反射型表示を行うことができる。ここで、かかる増反射膜の構造は、前述の第１絶縁層、画素電極等の材質・厚さ等を調整することによって行うことが可能であり、これは、実験的、経験的、理論的、あるいはシミュレーション等によって、適宜好適に定めることができる。
【００６９】
ここで、本態様のように第２導電線が反射板としての機能を有し、かつ、該第２導電線上に増反射膜を構成する場合においては特に、前記第１絶縁層の厚さを決定した後に、画素電極からなる層の厚さを決定するようにするとよい。このようにすれば、好適な反射型表示に加えて好適な透過型表示を行うことが可能な電気光学装置を製造することができる（後述する発明の実施の形態における「第２実施形態」中、図１０・図１１に関する説明参照。）。
【００７０】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第２導電線は透明導電性材料を用いて形成され、前記第１導電線を形成する工程では、前記画素電極に対応するように該第１導電線と同一の層として反射板が形成される。
【００７１】
この態様によれば、第２導電線を光が透過することが可能であり、また、反射板で光が反射することが可能であるから、反射半透過型表示可能な電気光学装置を構成することができる。そして本態様では特に、第１導電線と同一の層として、前記の反射板が形成されることにより、これら第１導電線及び該反射板は、同時に、あるいは同一膜として形成することが可能である。これにより、製造工程の簡略化ないし製造コストの低廉化等を図ることができる。
【００７２】
この態様では特に、前記反射板の上に形成される各層は増反射膜の全部又は一部を構成するようにするとよい。
【００７３】
このような構成によれば、反射半透過型表示が可能な電気光学装置において、「反射板」の上に形成される、第２絶縁層、第２導電線、第１絶縁層、画素電極等の各層が増反射膜の全部又は一部を構成することにより、より好適な反射型表示を行うことができる。ここで、かかる増反射膜の構造は、前述の第１絶縁層、画素電極等の材質・厚さ等を調整することによって行うことが可能であり、これは、実験的、経験的、理論的、あるいはシミュレーション等によって、適宜好適に定めることができる。
【００７４】
本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記第１絶縁層を形成する工程は、前記第２導電線を陽極酸化処理する工程を含む。
【００７５】
この態様によれば、第１絶縁層を感光性アクリル樹脂等の材料を用いて形成する場合に比べて、その製造工程の簡略化・製造コストの低廉化を図ることができる。
【００７６】
また、この場合においては、第１導電線と画素電極との電気的接続を実現するために、第１絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がなくなる。なぜなら、第１絶縁層は、第２導電線の上にのみ形成されることになり、その間隙の部分については下地の層の表面がいわば裸のまま曝された状態となるからである。
【００７７】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００７８】
本発明の電子機器によれば、上述の本発明の電気光学装置を具備してなるから、保持容量を備えていることにより高コントラストの高品質画像を表示することが可能であることに加え、該電気光学装置の構造が簡易で且つ製造が容易であるということから、その信頼性が高い、投射型表示装置或いはプロジェクタ、液晶テレビ、パソコンやモバイル或いは携帯端末のモニター部、ページャ、携帯電話の表示部、カメラのファインダ部などの各種電子機器を実現できる。
【００７９】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００８０】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下では、本発明の第１の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の第１実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００８１】
＜電気光学装置の概要＞
最初に、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の概要について、図１乃至図５を参照しながら説明する。なお、以下では、電気光学装置の電気的構成及び機械的構成に分けて説明する。
【００８２】
＜電気的構成＞
まず、第１実施形態に係る電気光学装置の電気的構成について、図１を参照しながら説明する。ここに図１は、第１実施形態に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【００８３】
図１において、電気光学装置は、本発明にいう第１導電線の一例たる複数のデータ線（セグメント電極）２１２が列（Ｙ）方向に延在して形成される一方、本発明にいう第２導電線の一例たる複数の走査線（コモン電極）３１２が行（Ｘ）方向に延在して形成されている。また、本実施形態においては、走査線３１２に平行に延在するように、本発明にいう導電部の一例たる対向電極９００が形成されている。この対向電極９００は、走査線３１２に接続されており、同一行に関してみる限り、両者は常に同じ電位になるようにされている。このうち、前記のデータ線２１２に接続された画素電極２３４（後述）と対向電極９００間には電気光学物質の一例たる液晶が挟持されており、これら画素電極２３４及び対向電極９００を一対の電極、前記液晶を誘電体とする液晶容量１１８が構成されている。そして、データ線２１２と走査線３１２との各交差領域には、液晶に対する電荷の印加を制御する、スイッチング素子としてのＴＦＤ２２０が、該液晶容量１１８に直列に接続されている。なお、図１においては、画素電極２３４は、ＴＦＤ２２０、液晶容量１１８及び保持容量２９０（後述）それぞれから伸びる三つの線が交差するポイントに位置するものとして想定することができる。
【００８４】
一方、第１実施形態においては特に、画素電極２３４及び走査線３１２間には適当な材料からなる絶縁体が設けられており、これら画素電極２３４、絶縁体及び走査線３１２により、保持容量２９０が形成されている。この保持容量２９０は、図１に示すように、ＴＦＤ２２０に直列に、かつ、液晶容量１１８に並列に接続されている。
【００８５】
第１実施形態では、以上述べた画素電極２３４、走査線３１２の一部、液晶容量１１８及びＴＦＤ２２０並びに保持容量２９０によって、画素部１１６が構成されている。また、第１実施形態に係る電気光学装置においては、これら画素部１１６がマトリクス状に配列されてなる領域をもって、画像表示領域１０ａが規定されている。
【００８６】
前記走査線３１２には、走査線駆動回路３５０が接続されており、これにより走査線３１２の各々に対しては、走査信号が供給される。より具体的には、走査線駆動回路３５０は、複数の走査線３１２一本一本を逐次に又は同時に「選択」する作用を担い、選択された走査線３１２に対しては選択電圧が、そうでない走査線３１２に対しては非選択電圧が、それぞれ供給されるようになっている。また、前記データ線２１２には、データ線駆動回路２５０が接続されており、これによりデータ線２１２の各々に対しては、データ信号が供給される。なお、第１実施形態においては、データ線２１２の数及び走査線３１２の数を、それぞれ一般に、ｍ本及びｎ本あるものとする。
【００８７】
一方、制御回路４００は、階調データや各種制御信号、クロック信号などを供給して、上述の走査線駆動回路３５０及びデータ線駆動回路２５０の両者を制御するものである。また、駆動電圧形成回路５００は、電圧＋Ｖｓ、−Ｖｓ、＋Ｖｄ／２及び−Ｖｄ／２を生成する。
【００８８】
第１実施形態においては、これらの駆動電圧＋Ｖｓ、−Ｖｓ、＋Ｖｄ／２及び−Ｖｄ／２により、例えば、走査線３１２及びデータ線２１２を次のように駆動する。すなわちまず、走査線３１２に対しては、１行目の走査線３１２からｎ行目のそれへと順次に、所定のタイミングでもって選択電圧＋Ｖｓを印加していく。この際、他の走査線３１２に対しては非選択電圧＋Ｖｄ／２を印加する（＋Ｖｓ＞＋Ｖｄ／２）。他方、データ線２１２に対しては、そのすべて（１〜ｍ列目）に対して一斉に、階調データに基づくデータ電圧波形（＋Ｖｄ／２又は−Ｖｄ／２からなる）を供給する。この場合の「階調データ」は、ある走査線３１２が選択されている期間中、当該走査線３１２とデータ線２１２との交差領域における各画素部１１６で表示すべき階調（例えば、２５６階調表示のうちの任意の一階調）に基づいて定められ、より具体的には例えば、ｎビットのバイナリーデータ（例えば、２５６階調なら２８ビットのデータ）等として表すことができる。
画素電極２３４には、このような階調データに基づくデータ電圧（すなわち、＋Ｖｄ／２又は−Ｖｄ／２からなる電圧波形）が与えられる結果、画素電極２３４及び対向電極９００間、すなわち液晶容量１１８には所定の電位差がかけられることになる（アクティブ・マトリクス駆動）。これにより、液晶分子の配向状態を画素部１１６毎に変更させることが可能となる。なお、第１実施形態においては、このとき同時に、保持容量２９０に対しても、液晶容量１１８にかけられる電位差と同じ電位差がかけられる（図１参照）。したがって、第１実施形態では、画素電極２３４の電位保持特性を格段に向上させることが可能となり、画像のコントラスト比を非常に高めることが可能となる。
【００８９】
ちなみに、上述においては更に、走査線３１２やデータ線２１２に印加される電圧の極性が適当なタイミングで反転されるようにされている。この極性反転は、例えば、１〜ｎ行目までの走査線３１２の選択が完了した後再び１行目の走査線３１２を選択する際、すなわち１フィールドごとに行ったり、あるいは、１フィールド内における何本かの走査線３１２の選択ごとに行ったりする場合等が考えられる。いずれにせよ、極性反転が行われた場合には、走査線３１２に対する選択電圧は−Ｖｓ、非選択電圧は−Ｖｄ／２となり（−Ｖｓ＜−Ｖｄ／２）、データ電圧の波形パターンもこれに応じて、選択電圧が＋Ｖｓである場合と比較して、プラス・マイナスが逆転する。ここで極性反転とは、液晶に対して印加される電圧の極性がプラスからマイナス、あるいはマイナスからプラスへと逆転することを意味するものであって、走査線またはデータ線に印加される電圧の極性が反転する事は必ずしも意味しない。例えば、走査線とデータ線に印加される電圧は全てプラスであるが、走査線に印加される電圧とデータ線に印加される電圧の差として液晶に対して印加される電圧の極性が反転するといった場合も極性反転に含まれる。
【００９０】
なお、一般に、電気光学装置を駆動する方法としては、上述の他、種々のものが知られているが、本発明は、基本的にどのような駆動方法でもその範囲内に収めるものである。上述した駆動方法の具体例は単なる一例に過ぎない。
【００９１】
＜機械的構成＞
次に、第１実施形態に係る電気光学装置の機械的な構成について、図２乃び図３を参照しながら説明する。ここに図２は、電気光学装置の全体構成を示す斜視図であり、図３は、この電気光学装置をＸ方向に沿って破断した場合の構成を示す部分断面図である。なお、以下で参照する各図面においては、各部材等を認識可能な大きさで表示するため、各部材ごとに縮尺を変更している。
【００９２】
電気光学装置は、図３に示されるように、観察者側に位置する対向基板３００と、その背面側に位置する素子基板２００とが、本発明にいう導通材の一例たる導電性粒子１１４の混入されたシール材１１０によって、一定の間隔を保って貼り合わせられるとともに、この間隙に例えばＴＮ型の液晶１６０が封入された構成となっている。なお、導電性粒子１１４は、素子基板２００及び対向基板３００間のセルギャップを一定に保つスペーサとしての機能を兼ね備える。また、このような導電性粒子１１４としては、例えば銀粉等を利用することが可能である。シール材１１０は、図２に示すように、対向基板３００の内周縁に沿って枠状に形成されるが、その一部には、液晶１６０を封入するための開口部１１２が形成されている。この開口部１１２は、液晶１６０の封入後には、封止材によって封止される。また、図２からわかるように、素子基板２００の外形形状は、対向基板３００のそれよりも若干大きめに形成されており、両者が貼り合わされた状態では、前者が後者より、いわば「張り出す」ような形となる。
【００９３】
対向基板３００の、液晶１６０に対向する側の面（以下、「対向面」という。
）には、行方向に延在して形成される対向電極９００のほか、所定の方向にラビング処理が施された配向膜３０８が形成されている。ここで、対向基板３００に形成された対向電極９００は、図３に示すように、素子基板２００に形成された配線３４２の一端に、シール材１１０に分散された導電性粒子１１４を介して接続されている。すなわち、対向基板３００に形成された対向電極９００は、導電性粒子１１４及び配線３４２を介して、素子基板２００側に引き出された構成となっている。一方、対向基板３００の外側（観察側）には、偏光子１３１が貼り付けられて、その吸収軸が、配向膜３０８へのラビング処理の方向に対応して設定されている。さらに、対向基板３００には、後述する画素電極２３４の形成位置に対応するように、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ及びＣＦＢが設けられるとともに、画素電極２３４の非形成位置に対応するように、遮光膜ＢＭが設けられている。このうちカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ及びＣＦＢは、例えば、画素電極２３４のある列に対しては赤が（図中、符号ＣＦＲ）、隣の列に対しては緑が（図中、符号ＣＦＧ）、そしてその更に隣の列に対して青が（図中、符号ＣＦＢ）というように、ストライプ状に形成される。ただし、これに代えて、画素部１１６ごとに、デルタ（トライアングル）配列、斜めモザイク（ダイヤゴナル）配列等の適宜の配列態様を採用してもよい。これにより、第１実施形態に係る電気光学装置はカラー表示が可能となる。また、前記の遮光膜ＢＭにより、異なる色の間の混色を防止することが可能となり、より高品質なカラー画像を表示することが可能となる。
【００９４】
また、素子基板２００の対向面には、Ｙ方向に延在して形成されるデータ線２１２に対応するように矩形状の画素電極２３４が形成されるほか、所定の方向にラビング処理が施された配向膜２０８が形成されている。一方、素子基板２００の外側（観察側の反対側）には偏光子１２１が貼り付けられて（図２では省略）、その吸収軸が、配向膜２０８へのラビング処理の方向に対応して設定されている。
【００９５】
そして、第１実施形態においては特に、図３に示すように、素子基板２００の対向面側に、図１を参照して述べた保持容量２９０が形成されている。より詳しくは、この保持容量２９０は、前記の画素電極２３４、各対向電極９００の形成方向に平行となるように、かつ、画素電極２３４と重なり合うように形成された走査線３１２、並びにこれら走査線３１２及び画素電極２３４間に挟持された第１絶縁層９１０から構成されている。
【００９６】
このうち走査線３１２は、図３において画素電極２３４の図中下方に形成されることで、該画素電極２３４と重なり合うようにされている。また、この走査線３１２は、その長さがマトリクス状に配列された画素電極２３４中の一行の長さを越えるように、より具体的には、対向電極９００の長さと略同一となるように形成されている。これにより、各画素部１１６につき構成される保持容量２９０は、各画素電極２３４それぞれに対向する走査線３１２の各部分の一つ一つが容量電極を構成することで、形成されるようになっている。つまり、第１実施形態において、走査線３１２は容量電極を含んでいる。さらに、走査線３１２の一端は、図３に示すように、該走査線３１２に通ずるように第１絶縁層９１０に形成されたコンタクトホール９００Ｃを介して、前記の配線３４２と接触している。
これにより、走査線３１２と容量電極９００とは、導電性粒子１１４、配線３４２及びコンタクトホール９００Ｃを介して電気的に接続された状態となっており、同一行に存在する走査線３１２及び対向電極９００に関してみる限り、両者の電位は常に等しくなるようにされている。また、配線３４２は、図示しない右端において、走査線駆動回路３５０に接続されており、これにより、走査線３１２と走査線駆動回路３５０との電気的接続が図られている。
【００９７】
また、第１実施形態における走査線３１２は、アルミニウムあるいはその合金からなり、対向基板３００の外側（図３中上方）から入射してきた光を反射する反射板の機能をも有する。すなわち、第１実施形態に係る電気光学装置では、対向基板３００の外側から入射してきた光は、透明導電性材料からなる対向電極９００、液晶１６０及び透明導電性材料からなる画素電極２３４を透過し走査線３１２に至ってそこで反射し、この反射光は、再び画素電極２３４、液晶１６０及び対向電極９００を透過して、対向基板３００の外側から出射する。第１実施形態では、この出射光を画像を構成する光として利用することが可能であり、反射型表示を行うことが可能となっている。
【００９８】
なお、このように、走査線３１２が反射板としての機能を有している第１実施形態においては、該走査線３１２上に位置する第１絶縁層９１０及び画素電極２３４の少なくとも一部が、いわゆる増反射膜の全部又は一部を構成するような態様としておくのが好ましい。ここで「増反射膜」とは、例えば、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで、これらの膜の界面で生じる光の干渉を利用して、特定の波長の光の反射を強くする膜のことをいう。また、これとは別に、単層構造で、いま述べたような作用効果を発揮する膜もまたある。より具体的には、当該増反射膜の屈折率をｎ、その厚さをｄとし、強めたい波長をλとすると、ｎｄ＝（２ｍ＋１）λ／４（ｍは整数）を満たせばよい。すなわち、当該増反射膜の光学的厚さｎｄが、ある光の波長λの奇数倍に比例すれば、この波長λを有する反射光は強められることになる。
【００９９】
そして、このような増反射膜が、反射板としての機能を有する走査線３１２の上に形成されれば、該走査線３１２を反射した光のうち特定の波長をもつものは強められることになる。これにより、反射型表示される画像のコントラスト比の向上や、いわゆる映り込みの防止等を図ることができる等、当該反射型表示をより好適に実現することが可能となる。なお、この「増反射膜」の点については、後に説明する第２実施形態において、改めて詳細に触れる。
【０１００】
また、上述のような反射板としての機能をよりよく発揮するため、走査線３１２の下層においては、例えば、感光性樹脂材料等からなるブロック様の塊、あるいは凸を複数形成しておくような形態とすると好ましい。このような塊を形成しておけば、該塊の上に直接、あるいは層間絶縁膜等を介して形成される走査線３１２の表面に、塊の存在に起因する凸状部と、塊の不存在に起因する凹状部とを付与させることが可能となる。この場合要するに、走査線３１２の表面は凹凸形状を有することになるが、これにより、反射光には散乱光が含まれることになり、画像の視野角依存性等を極力なくすこと等が可能となる。なお、該走査線３１２を形成する下層の表面や、場合により走査線３１２それ自体の表面を、例えばフッ酸等によって荒らす処理を施すことでも、上述の作用効果は略同様に享受することが可能である。また、このように走査線３１２の表面に凹凸形状を付与する場合においては、その上に形成される配向膜２０８の表面にまで、その凹凸形状が伝達されないように、該配向膜２０８下に平坦化膜を別途設けておけば、液晶１６０の配向不良等を生じさせるおそれがなく好ましい。
【０１０１】
第１絶縁層９１０は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。保持容量２９０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、第１絶縁層９１０は薄いほどよい。また、この第１絶縁層９１０を構成する好適な材料としては、具体的には例えば、感光性アクリル樹脂、ＴａＯｘ（酸化タンタル）、ＢＳＴ（チタン酸ストロンチウムバリウム）、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸塩）、ＴｉＯ２（酸化チタン）、ＺｉＯ２（酸化ジルコニウム）、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）及びＳｉＮ（窒化シリコン）のうち少なくとも一つを含んでなるものとするとよい。特に、ＴａＯｘ、ＢＳＴ、ＰＺＴ、ＴｉＯ２、ＺｉＯ２及びＨｆＯ２といった高誘電率材料を使用すれば、限られた基板上領域で容量値を増大できる。
【０１０２】
画素電極２３４は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料からなり、素子基板２００上でマトリクス状に形成されている。また、この画素電極２３４は、保持容量２９０を構成する一対の電極の一方としての機能を有する他、データ線２１２とＴＦＤ２２０を介して電気的に接続されて所定のデータ電圧が印加されるようになっており、液晶１６０に対して所定の電界を印加するための電極としての機能をも有する。
【０１０３】
このような走査線３１２、第１絶縁層９１０及び画素電極２３４により構成される保持容量２９０の下には、第１絶縁層９１０の厚さＷ１よりも大きい厚さＷ２を有する第２絶縁層９２０を介してデータ線２１２が形成されている。このデータ線２１２は、図３に示すように、マトリクス状に形成された画素電極２３４群の列に沿うように、かつ、該列ごとに、１本ずつ形成されている。また、このデータ線２１２には、図３では図示されないＴＦＤ２２０が電気的に接続されており、該ＴＦＤ２２０は、画素電極２３４と電気的に接続されている。この点については、後の図４を参照する説明時に改めて触れることとする。なお、上記の第２絶縁層９２０については、その厚さＷ２が比較的大きいことから、具体的には例えば、感光性アクリル樹脂等で構成することが好ましい。このようにすれば、第２絶縁層９２０を製造する際のプロセス負荷を低減することができる。
【０１０４】
さて、他方、表示領域外について説明すると、図２に示すように、対向基板３００から張り出した素子基板２００上の二辺には、データ線２１２を駆動するためのデータ線駆動回路２５０、及び、走査線３１２を駆動するための走査線駆動回路３５０が、それぞれＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）技術により実装されている。
これにより、データ線駆動回路２５０は、データ線２１２にデータ信号を直接的に供給する一方、走査線駆動回路３５０は、配線３４２を介して、走査線３１２に走査信号を間接的に供給する構成となっている。
【０１０５】
また、データ線駆動回路２５０が実装される領域の外側近傍には、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）基板が接合されて、制御回路などによる各種信号や電圧信号などが、走査線駆動回路３５０及びデータ線駆動回路２５０に供給される。
【０１０６】
なお、図１におけるデータ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０は、図２とは異なり、それぞれ電気光学装置の左側及び上側にそれぞれ位置しているが、これは、電気的な構成を説明するための便宜上の措置に過ぎない。また、データ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０を、それぞれ素子基板２００上にＣＯＧ実装する代わりに、例えば、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）技術を用いて、各駆動回路が実装されたＴＣＰを異方性導電膜により電気的に接続する構成としてもよい。
【０１０７】
＜画素部の構成＞
以下では、上述のような外形を備える電気光学装置を構成する画素部１１６の詳細について、図４を参照しながら説明する。ここに図４は、画素部１１６の構成を示す破断斜視図であって、この電気光学装置におけるＴＦＤ２２０、画素電極２３４、走査線３１２及びデータ線２１２間の配置関係を示す斜視図である。なお、図４では、ＴＦＤ２２０、画素電極２３４、走査線３１２及びデータ線２１２間の配置関係を特に示すため、画素部１１６の主要な構成を示すに留まり、これら以外の構成要素、すなわち図３に示されていた配向膜２０８及び３０８、偏光子１２１及び１３１、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ及びＣＦＢ、遮光膜ＢＭ等についての図示は省略している。
【０１０８】
図４において、素子基板２００の対向面には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる矩形状の画素電極２３４がマトリクス状に配列されている。そして、第１実施形態においては特に、これらマトリクス状に配列された画素電極２３４の下に、既に述べたように、第１絶縁層９１０及び走査線３１２が形成されており、保持容量２９０が構成されている。また、該保持容量２９０の下には、同一列に配列されている画素電極２３４に対応するように、第１絶縁層９１０よりも厚い第２絶縁層９２０を介して、データ線２１２が配置されている。より具体的には、図４及び図３に示すように、データ線２１２及び画素電極２３４が平面的にみて重なり合うように配置されている。したがって、相互に隣接しあう画素電極２３４については、その辺同士を可能な限り近づけることが可能となり（すなわち、図４で言えば、距離Ｗを可能な限り小さくすることが可能となり）、画素開口率を高めることが可能となる。
【０１０９】
このようなデータ線２１２には、ＴＦＤ２２０が電気的に接続されている。このＴＦＤ２２０は、より具体的には、基板側からみると、タンタル単体やタンタル合金などから形成され、かつ、データ線２１２からＴ字状に枝分かれした第１の導電体２２２と、この第１の導電体２２２を陽極酸化させた絶縁体２２４と、クロム等の第２の導電体２２６とから構成されて、導電体、絶縁体、導電体のサンドイッチ構造をとる。このため、ＴＦＤ２２０は、電流・電圧特性が正負双方向にわたって非線形となるダイオードスイッチング特性を有することになる。そして、この第２の導電体２２６上には、コンタクトホール９０２Ｃが形成されており、画素電極２３４に電気的に接続されるようになっている。図４においては、１本のデータ線２１２に対して、複数のＴＦＤ２２０及びコンタクトホール９０２Ｃを介して、複数の画素電極２３４が接続されるようになっている。
【０１１０】
一方、対向基板３００の対向面には、ＩＴＯ等からなる対向電極９００が、データ線２１２とは直交する行方向に延在し、かつ、画素電極２３４に対向する位置に配列されている。これにより、対向電極９００は、画素電極２３４の対向電極として機能することになる。したがって、図１における液晶容量１１８は、データ線２１２及び対向電極９００の交差領域において、当該対向電極９００及び画素電極２３４の両者の間に挟持された液晶１６０とによって構成されることになる。
【０１１１】
なお、上述のような構成となる電気光学装置において、ある任意の画素部１１６における保持容量２９０の容量値ＣＣＯと、当該画素部１１６におけるＴＦＤ２２０内の寄生容量の容量値ＣＴＦ、及び液晶容量１１８の容量値ＣＬＯとの間には次のような関係がある。
【０１１２】
ＣＣＯ＋ＣＬＯ≒８ＣＴＦ　…　（１）
すなわち、容量値ＣＣＯとＣＬＯとの和が、ＴＦＤ２２０の寄生容量の容量値ＣＴＦの８倍程度とされている。このようなことを実現するためには、画素電極２３４の面積、第１絶縁層９１０の厚さ及び材質等を適宜調整することにより、比較的容易に実現することができる。具体的には、実験的、経験的、理論的、あるいはシミュレーション等によって、適宜、好適な組み合わせを見つけ、最終的に、上記（１）式が満たされるような形にしておけばよい。
【０１１３】
これにより、第１実施形態においては、ＴＦＤ２２０が有する寄生容量によって、液晶容量１１８における電荷の蓄積状態に不具合が生じる可能性を極めて低く抑えることができるから、高コントラスト等の特質を備えた、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【０１１４】
なお、本発明においては、上記（１）式に代えて、（ＣＣＯ＋ＣＬＯ）が、ＣＴＦの１〜２０倍とされておれば、上述同様の相応の効果を得ることができる。
より好ましくは、５〜１０倍程度とされていればよい。
【０１１５】
以上のような構成となる電気光学装置においては次のような作用効果が奏されることとなる。
【０１１６】
まず、第１実施形態における電気光学装置では、図４等を参照して説明したように、基板側から順に、データ線２１２、第２絶縁層９２０、走査線３１２、第１絶縁層９１０及び画素電極２３４という積層構造をなしており、走査線３１２及びデータ線２１２間の短絡を防止するための絶縁層、すなわち第２絶縁層９２０と、保持容量２９０を構成するための絶縁層、すなわち第１絶縁層９１０とが、別々の層とされている。しかも、第１実施形態では、第２絶縁層９２０の厚さＷ２が、第１絶縁層の厚さＷ１よりも大きくされているから、例えば、保持容量２９０の容量値を増大させるため、第１絶縁層９１０の厚さＷ１をより小さくしたとしても、データ線２１２及び走査線３１２間の寄生容量が増大するという危険性が高まるわけではない。
【０１１７】
以上によりまず、第１実施形態によれば、データ線２１２及び走査線３１２間の寄生容量に起因する表示ムラ等を発生させるおそれを低減することができる。
また、第２絶縁層９２０の厚さが比較的大きくされていることは、この作用効果をより効果的なものとする。
【０１１８】
さらに、第１実施形態においては、マトリクス状に配列された画素電極２３４中、ある行を構成するものの全部についてまとめて、一本の走査線３１２を形成するだけで、当該行に対応する複数の保持容量２９０を一度に構成することが可能となっている。したがって、第１実施形態によれば、構造簡易性・製造容易性等の効果が奏される他、各保持容量２９０にばらつきが生じる可能性は低く、これに起因する表示ムラ等を発生させるおそれが殆どなくなる。この点、従来においては、保持容量を形成するため、キャパシタ用電極等を、各画素電極２３４についてそれぞれ複数形成する必要があったこと等とは大きく異なる。
【０１１９】
なお、上記第１実施形態では、対向基板３００上に形成される対向電極９００は、走査線３１２と同様に、ストライプ状に形成されていたが、本発明ではこれに代えて、該対向電極をベタ状に形成するようにしてもよい。
【０１２０】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施の形態について、図５乃至図９を参照しながら説明する。ここに図５は、走査線に開口部が形成されている態様について示す平面図であり、図６は、開口部の各種変形形態を示す平面図である。また、図７及び図８は、図３と同趣旨の図であって、上記第１実施形態とは異なる形態の構造を示す部分断面図である。このうち図７は、走査線が積層構造を有し、かつ、そのうちの１層につき開口部が形成されている態様について示す部分断面図であり、図８は、走査線が透明導電性材料からなり、かつ、該走査線下に光反射性材料からなる反射板が設けられた態様について示す部分断面図である。さらに、図９は、図４と同趣旨の図であって、図８に示す反射板を備えた構成となる電気光学装置の画素部１１６の構造を示す破断斜視図である。なお、第２実施形態の電気光学装置の電気的構成及び機械的構成等については、上記の第１実施形態におけるのとほぼ同様である。したがって、以下では、重複する部分についての説明は適宜省略乃至簡略化することとし、第２実施形態において特徴的な部分について主に説明を加えることとする。
【０１２１】
まず、図５において、第２実施形態では、走査線３１３には、各画素電極２３４に対応するように開口部９Ｍが複数形成されている。また、走査線３１３それ自体は、上記第１実施形態と同様に、アルミニウム又はその合金からなっている。
【０１２２】
これにより、第２実施形態に係る電気光学装置は、反射半透過型として使用することが可能である。すなわち例えば、素子基板２００の外側から光を入射し、この光を液晶１６０を透過させた上で、対向基板３００から出射させるようとする場合において、第２実施形態では、走査線３１３に開口部９Ｍが形成されていることから、その光は該開口部９Ｍを通過することが可能であり、該光の進行が妨げられることがない。つまり、このように透過してきた光を、画像を構成する光として使用することが可能であるから、第２実施形態にかかる電気光学装置では、まず、透過型表示を行うことができる。なお、この場合においては、素子基板２００に対向するように、適当な光源となるバックライト等を設ける必要がある。
【０１２３】
他方、対向基板２００の外側から入射した光は、開口部９Ｍ以外の走査線３１３の部分で反射されうるから、該反射光は、上記第１実施形態と同様に、画素電極２３４、液晶１６０及び走査線３１２を透過して、対向基板２００の外側に再び至るという経路を辿りうる。このように、第２実施形態に係る電気光学装置では、反射型表示もまた行うことができる。
【０１２４】
以上のように、第２実施形態では、走査線３１３を利用することで、透過型表示及び反射型表示のいずれをも行うことの可能な、反射半透過型の電気光学装置を提供することができる。
【０１２５】
なお、図５においては、開口部９Ｍは四辺形状を有していたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、図６に各種示すように、一つの画素電極２３４について、スリット状の開口部９Ｍ１を複数形成するような形態（図６（ａ））や、円形状の開口部９Ｍ２を複数形成するような形態（図６（ｂ））等としてもよい。
【０１２６】
さらに、上記の図５及び図６に示すように、走査線に開口部を設ける形態であっても、該開口部以外の部分により反射型表示が行われることは、上記第１実施形態と同様であるから、図５及び図６の走査線においても、その表面に上述したような凹凸形状を付与することは有効である。
【０１２７】
さて、第２実施形態では、上述の図５のような態様の他、図７に示すような形態とすることが可能である。図７において、走査線３１４は、図中上下の二層構造を有している。このうち、より画素電極２３４に遠い側には、図５と同様に、アルミニウム又はその合金等からなり、開口部９Ｍが形成された第１層３１４ａが配置され、より画素電極２３４に近い側には、前記開口部９Ｍを覆うように形成された透明導電性材料からなる第２層３１４ｂが配置されている。なお、これを平面的にみれば、図５とほぼ同様な図となる（すなわち、図５中、符号「３１３」を、「３１４」あるいは「３１４ａ」と読み替え、透明導電性材料からなる第２層３１４ｂは図示されないと考えればよい。）。
【０１２８】
このような構成を有する電気光学装置にあっても、上述と同様に、反射半透過型表示を行うことができる。すなわち、反射型表示を行う場合においては、対向基板３００の外側から入射した光は、開口部９Ｍ以外の第１層３１４ａの部分で反射することが可能であり、また、素子基板２００の外側から入射した光は、第１層３１４ａの開口部９Ｍ及び第２層３１４ｂを透過することが可能である。
【０１２９】
そして、このような態様では特に、透明導電性材料からなる第２層３１４ｂが、開口部９Ｍを覆うように形成されているから、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、図５のように走査線３１３が「開口部９Ｍ」のみしか有さないと、その開口部９Ｍの形成部分に応じて容量電極の面積が小さくなることから、保持容量２９０の容量値は小さくなってしまう。しかしながら、本態様においては、このような開口部９Ｍを覆うように、透明導電性材料からなる第２層３１４ｂが形成されているから、当該開口部９Ｍの部分においては、画素電極２３４、絶縁層９１０及び第２層３１４ｂという保持容量が依然形成された形となっている。これにより、本態様に係る電気光学装置では、反射半透過型の画像表示を行うことが可能であるにもかかわらず、保持容量２９０の容量値を比較的大きく維持することが可能となる。
【０１３０】
なお、図７においては、図中下層に開口部９Ｍが形成された第１層３１４ａ、図中上層に透明導電性材料からなる第２層３１４ｂが配置される構成について示したが、これらの層を逆転した配置としてもよいことは勿論である。
【０１３１】
さらに、第２実施形態では、上述の図５及び図７のような態様の他、図８及び図９に示すような形態とすることが可能である。図８及び図９において、走査線３１５は、ＩＴＯ等の透明導電性材料から構成されており、上述とは異なって開口部が形成されていない。ただし、この走査線３１５の下、より具体的にはデータ線２１２と同一の層には、各画素電極２３４に対応するように、例えばアルミニウムや銀等の光反射能の高い材料からなる反射板９Ｒが形成されている。なお、これを平面的にみれば、図５と略同様となる。ただし、図５において、符号「３１３」を「３１５」と読み替え、開口部を表す符合「９Ｍ」を反射板を表す符合「９Ｒ」と読み替える必要がある。
【０１３２】
このような構成を有する電気光学装置にあっても、上述と同様に、反射半透過型表示を行うことができる。すなわち、反射型表示を行う場合においては、対向基板３００の外側から入射した光は、反射板９Ｒが形成されている部分で反射することが可能であり、また、素子基板２００の外側から入射した光は、反射板９Ｒが形成されている部分以外の走査線３１５を透過することが可能である。
【０１３３】
そして、このような態様では特に、図８及び図９に示すように、反射板９Ｒがデータ線２１２と同一の層に構成されていることにより、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、これら反射板９Ｒ及びデータ線２１２の形成は同時に、ないしは同一膜として形成することが可能であるから、製造工程の簡略化、ないし製造コストの低廉化を図ることができる。また、図８及び図９における反射板９Ｒは、光反射能の高いアルミニウム・銀等からなるから、データ線２１２もまた、このような材料から構成することが可能となり、その低抵抗化を図ることができる。さらには、図８及び図９に示すような形態では、反射板９Ｒは、ＴＦＤ２２０の一部、すなわち第１の導電部２２２若しくは第２の導電部２２６と同時に、あるいは同一膜として形成することが可能であるから、これにより、更なる製造工程の簡略化、ないし製造コストの低廉化等を図ることができる。
【０１３４】
なお、図８及び図９においては、反射板９Ｒの面積は、画素電極２３４の面積よりも小さくなるように形成されていたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、反射板９Ｒを、画素電極２３４の面積と略同一になるように形成し、かつ、該反射板９Ｒに対して、図５及び図７に示したような開口部を形成するような形態としてもよい。このような形態であっても、反射半透過型の画像表示が行えることは明白である。
【０１３５】
＜増反射膜＞
以上述べたように、第２実施形態では、図５、図７及び図８・図９と各種例示したように、反射半透過型表示を行うことが可能であるが、第２実施形態では、これに加えて、増反射膜を備えた構成を採ることが可能である。すなわち、図５及び図７では、反射板としての機能を有する走査線３１３及び３１４上に形成される第１絶縁層９１０及び画素電極２３４等が増反射膜を構成し、あるいは図８では、反射板９Ｒの上に形成される、第２絶縁層９２０、走査線３１２、第１絶縁層９１０及び画素電極２３４等が増反射膜を構成することが、それぞれ可能である。これにより、反射型表示される画像のコントラスト比の向上や、いわゆる映り込みの防止等を図ることができる。
【０１３６】
第２実施形態では、このような増反射膜を構成する第１絶縁層９１０等の各層の材質、厚さ等を、実験的、経験的、理論的、あるいはシミュレーション等によって好ましく調整することで、該増反射膜の性能をどの程度とするかを、適宜自由に、あるいは最適に決定することができる。これにより、例えば、当該電気光学装置の用途に応じて、反射光の強度を透過光の強度よりも大きくすることで、反射型表示を重視した電気光学装置を構成するとか、あるいはその逆に構成するとか等を適宜決定することができる。
【０１３７】
以下では、より具体的に、上述したような増反射膜の構成ないし性能の決定事例を、図１０乃至図１９等を参照しながら、より詳しく説明する。
【０１３８】
ここにまず、図１０及び図１１は、素子基板２００外側から対向基板３００外側へ透過する光の割合（すなわち、透過型表示を行う場合の光の透過率）、及び、対向基板３００外側から入射し再び同位置に反射する光の割合（すなわち、反射型表示を行う場合の光の反射率）が、第１絶縁層９１０の厚さの変化に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【０１３９】
なお、図１０及び図１１は、図５のように、光反射性材料から構成された走査線３１３に開口部９Ｍが形成された形態を前提としている。また、図１０及び図１１に示す結果は、下記表１に示すように、可視光４００〜７００ｎｍの中心波長５５０ｎｍを基準とした光の屈折率ｎ及び消衰係数ｋに基づいており、したがって、図１０及び図１１は、この中心波長５５０ｎｍで評価された透過光の割合及び反射光の割合をそれぞれ示している。加えて、表１において、画素電極２３４はＩＴＯ、走査線３１３はアルミニウム、第１絶縁層及び第２絶縁層９１０及び９２０は感光性アクリル樹脂から、それぞれ構成されていることを前提としている。
【０１４０】
【表１】
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【０１４１】
表１のような前提の下、図１０においては、透過光の割合、すなわち素子基板２００外側から入射した光のうち、各層及び開口部９Ｍを通り抜けて、対向基板３００の外側にまで至るものの割合は、第１絶縁層９１０の厚さの変化に無関係であることがわかる。また、この場合の透過光の割合は、画素電極２３４の厚さに応じて不規則に変化しているようにみえるが、これは、該厚さに応じて光路長ｎｄと波長λとの関係に相違が生じ、透過光量が変化するからである。以上、図１０では、透過光の割合が最大になるのは、画素電極２３４の厚さが１４０ｎｍの場合であることがわかる。
【０１４２】
他方、図１１においては、反射光の割合、すなわち対向基板３００外側から入射した光のうち、走査線３１３の開口部９Ｍ以外の部分等で反射して、再び対向基板３００の外側に至るものの割合は、第１絶縁層９１０の厚さの変化に応じて、一定の周期をもって変化することがわかる。より具体的には、第１絶縁層９１０の厚さが、概ね８０ｎｍ、２５０ｎｍ、４２０ｎｍ、…等である場合において、最大反射率９０％程度が得られる。また、この場合の反射光の割合は、画素電極２３４の厚さに応じた変化もしているが、いずれの厚さについても、前記の周期的変化は同じようにみられることがわかる。ただし、該厚さが１４０ｎｍである場合における周期的変化の振幅は、他の厚さ（３５ｎｍ、７０ｎｍ及び１０５ｎｍ）の場合のそれに比べて大きくないということがいえる。
【０１４３】
以上のような結果から、例えば、次のようなことが言える。すなわち、まず、図１１を用いて、最大反射率が得られる第１絶縁層９１０の厚さを、８０ｎｍ、２５０ｎｍ、４２０ｎｍ、…等として決定する。これにより、反射型表示を比較的重視した電気光学装置の構成がまず可能となる。次に、図１０を用いて、画素電極２３４の厚さを決定する。この場合、第１絶縁層９１０の厚さは透過光の割合に全く影響しないことに注意して、透過型表示を軽視するならば、画素電極２３４の厚さとしては、反射率になるべく影響を及ぼさないもの、すなわち３５ｎｍ、７０ｎｍ及び１０５ｎｍの中から一つを選択すればよい。他方、反射型表示が多少犠牲になっても、透過型表示について比較的重点をおきたいと考えるならば、画素電極２３４の厚さとして、１４０ｎｍを選択すればよい。
【０１４４】
より具体的には例えば、画素電極の厚さを７０ｎｍとするとともに、第１絶縁層９１０の厚さを８０又は２４０ｎｍ等と決定したり（反射型表示重視）、画素電極の厚さを１４０ｎｍとするとともに、第１絶縁層９１０の厚さを８０又は２５０ｎｍ等と決定すること（透過型表示重視）が可能となる。図１２及び図１３には特に、前者の反射型表示を重視する構成を採った場合に、透過率及び反射率が、入射する光の波長λに応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を表すグラフを示す。このうち図１３における中心波長５５０ｎｍについてみればわかるように、反射率は９０％程度と高い値を示し、当該電気光学装置では、好適な反射型表示が可能であることがわかる。また、このように構成された電気光学装置では、図１２に示されるように、透過率も９５％以上と大きな値を示しており、透過型表示もまた好適に行うことが可能であることがわかる。
【０１４５】
このように、第２実施形態においては、第１絶縁層９１０及び画素電極２３４の厚さをシミュレーション等によって好ましく決定することで、好適な増反射膜を構成することができ、もって、反射型表示重視の、あるいは透過型表示重視の、更には、反射型表示及び透過型表示いずれをも相応に重視する、等といった各種の電気光学装置を好適に構成することが可能となる。
【０１４６】
さて、このような増反射膜の好適な構成手法は、図８及び図９を参照して説明した、反射板９Ｒを備える形態の電気光学装置に関しても、例えば図１４及び図１５等を使用することにより同様に行うことができる。ここに、図１４及び図１５は、図１０及び図１１と同趣旨となるものの、図８及び図９のような反射板９Ｒを備える形態を前提とした、透過光の割合及び反射光の割合のシミュレーション結果を示すグラフである。なお、これら図１４及び図１５についても、上記の表１とほぼ同様の前提の下、シミュレーションを行っている。ただし、この場合においては、走査線３１５がＩＴＯからなること、及び、その厚さが１４０ｎｍとされていることが、表１とは相違されている。
【０１４７】
図１４においては、透過光の割合、すなわち素子基板２００外側から入射した光のうち、各層及びＩＴＯからなる走査線３１５を通り抜けて、対向基板３００外側にまで至るものの割合は、第１絶縁層９１０の厚さの変化に応じて、一定の周期をもって変化することがわかる。より具体的には、第１絶縁層９１０の厚さが、概ね１２０ｎｍ、３１０ｎｍ、…等である場合において、最大透過率９７％程度が得られる。また、この場合の透過光の割合は、画素電極２３４の厚さに応じた変化もしているが、いずれの厚さについても、前記の周期的な変化は同じようにみられることがわかる。ただし、該厚さが１４０ｎｍである場合における周期的変化の振幅は、他の厚さ（３５ｎｍ、７０ｎｍ及び１０５ｎｍ）の場合のそれに比べて大きくないということがいえる。
【０１４８】
他方、図１５においては、反射光の割合、すなわち対向基板３００外側から入射した光のうち、各層を通り抜けつつ反射板９Ｒの形成部分等で反射して、再び対向基板３００外側に至るものの割合は、第１絶縁層９１０の厚さの変化に無関係であることがわかる（ただし、これは第２絶縁層９２０の厚さＷ２が十分に大きいためであり、該厚さＷ２が比較的小さければ、反射率は第１絶縁層の厚さに依存する。）。また、この場合の反射光の割合は、画素電極２３４の厚さの変化に対しても、全く変化しないことがわかる。つまり、図８及び図９のような形態にあっては、常に一定の反射率（図１５では、約８７％程度）が得られることがわかる。
【０１４９】
以上のような結果から、例えば、次のようなことが言える。すなわち、まず、図１５の結果から、第１絶縁層９１０及び画素電極２３４の厚さを決定するに際して、反射光についての配慮は必要ない。第１絶縁層９１０及び画素電極２３４の厚さをどのように決定しようとも、反射率は何ら変化しないからである。次に、図１４を用いて、画素電極２３４の厚さを決定する。この場合、透過光の割合が、周期的に変化することに注意して、透過型表示を重視したいのならば、第１絶縁層９１０の厚さとしては、１２０ｎｍ、３１０ｎｍ、…等の中から一つを選択すればよい。
【０１５０】
より具体的には例えば、画素電極２３４の厚さを７０ｎｍとするとともに、第１絶縁層９１０の厚さを１４０ｎｍ又は３００ｎｍ等と決定したり、画素電極の厚さを１４０ｎｍとするとともに、第１絶縁層９１０の厚さを１５５ｎｍ又は３００ｎｍ等と決定することが可能となる。図１６・図１７並びに図１８・図１９は、それぞれ、前者及び後者の構成を採った場合、透過率及び反射率が入射する光の波長λに応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を表すグラフを示している。このうちまず、図１６及び図１８における中心波長５５０ｎｍについてみればわかるように、透過率はそれぞれ、９８％程度及び１００％近くといずれも高い値を示し、当該電気光学装置では、好適な透過型表示が可能であることがわかる。また、このように構成された電気光学装置では、図１７及び図１９に示されるように、反射率も比較的大きな値（８７％程度）を示しており、反射型表示もまた好適に行うことが可能であることがわかる。
【０１５１】
なお、上述では、シミュレーションによって、増反射膜の具体的構成を決定しているが、これに代えて、実験的に当該決定をなすようにしもてよい。また、上述した設計手法（例えば、図１０及び図１１において、図１１を参照して第１絶縁層９１０の厚さを決定した後、図１０を用いて画素電極２３４の厚さを決定する等）は一例示に過ぎず、その他、種々の設計手法を採ることができることは言うまでもない。
【０１５２】
また、上述の図１０〜図１９のシミュレーション結果は、既に述べたように、可視光波長４００〜７００ｎｍの中心波長５５０ｎｍで評価されたものである。
しかしながら、増反射膜が構成されるか否かは、基本的に、既述のｎｄ＝（２ｍ＋１）λ／４（ｍは整数）なる式に従うから、波長λに依存することになる。したがって、例えば上述の各図に示したようなシミュレーション結果等を参考にして、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ及びＣＦＢ（図３等参照）ごと、すなわち波長ごとに、第１絶縁層９１０及び画素電極２３４等の厚さを異ならしめる等というように、同一基板上で相異なる構成を採る増反射膜を構成することも可能である。このようにすれば、各波長に応じた最適な増反射効果を得ることが可能となる。
【０１５３】
さらに、ここで述べた増反射膜は、第１実施形態、すなわち、アルミニウム等の光反射性材料からなり、開口部が設けられていない走査線３１２が設けられることで、反射型表示のみが可能な電気光学装置に対しても全く同様に適用することが可能である。このような形態であっても、特定の波長を有する光の反射強度を強めることにより、上述したようなコントラスト比の向上、あるいは映り込み防止等のメリットが得られる点は全く変わりがない。
【０１５４】
（第３実施形態）
以下では、本発明の第３の実施の形態について、図２０及び図２１を参照しながら説明する。ここに図２０及び図２１は、第１絶縁層９１０等の各層によって誘電体ミラーを構成した場合に、該誘電体ミラーに入射する光の反射率及び透過率が、波長の変化に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。なお、第３実施形態の電気光学装置の電気的構成及び機械的構成等については、上記の第１実施形態におけるのとほぼ同様である。したがって、以下では、重複する部分についての説明は適宜省略乃至簡略化することとし、第３実施形態において特徴的な部分について主に説明を加えることとする
第３実施形態では、上記の第２実施形態において、走査線３１３を光反射性材料で構成しつつ開口部９Ｍを設けることにより、あるいは、走査線３１５を透明導電性材料で構成しつつ該走査線３１５下に反射板９Ｒを設けること等により、反射半透過型表示可能な電気光学装置を構成していたのに代えて、画素電極２３４、第１絶縁層９１０、走査線３１２及び第２絶縁層９２０等により誘電体ミラーを構成することによって、反射半透過型表示可能な電気光学装置を構成する態様に関する。
【０１５５】
ここで「誘電体ミラー」とは、透明材料からなる層を含む積層構造を有するものであり、該積層構造に関する各種調整（例えば、各層の材質、厚さ、積層数等）を通じて、これに入射してくる光の反射と透過との両性質を適当に調整することが可能なものをいう。より具体的には、低屈折率の透明材料からなる層と、高屈折率の透明材料からなる層とが、交互に積層されてなるものを想定することができる。
【０１５６】
例えば、下記表２に示すような構成を採ることにより、画素電極２３４、第１絶縁層９１０及び第２絶縁層９２０等によって誘電体ミラーを構成することが可能である。なお、表２においては、図３及び図４等で示した構成のほか更に、第２絶縁層９２０の下に、タンタル酸化膜（Ｔａ酸化膜）が設けられている。このタンタル酸化膜の屈折率ｎは２．１４となり、他の層のそれに比べて比較的大きいことがわかる。また、表２における「走査線」は、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなるため、上述の図８で使用した符号「３１５」を便宜上付して示している。さらに、表２では、素子基板２００たるガラスについての光学定数についても示した。
【０１５７】
【表２】
2004093929.tif 000004
【０１５８】
このような構成によれば、図２０に示されるような反射及び透過性能が得られる。ここに図２０は、表２の構成となる誘電体ミラーに対して入射する光の波長に応じて、該光の透過率及び反射率がどのように変化するかを示すグラフである。これによれば、波長５５０ｎｍの光の入射に対して、反射率１４．８％、透過率８５．２％を得ることが可能となり、当該電気光学装置は、反射半透過型表示を行うことができることがわかる。そして、この場合においては、反射率が相応に大きいことから、当該電気光学装置においては、反射型表示もそれなりに好適に行うことができる。
【０１５９】
これに対して、下記表３に示すような構成を採ることにより、誘電体ミラーを構成する場合においては、図２１に示されるような反射及び透過性能が得られることになる。これによれば、波長５５０ｎｍの光の入射に対して、反射率７．９％、透過率９２．１％を得ることが可能となり、当該電気光学装置においても、反射半透過型表示を行うことが可能である。しかしながら、この場合においては、反射率が極めて低いため、反射型表示による画像の認識は困難なものとなり、したがって、当該電気光学装置は透過型表示に重点を置いた構成であることがわかる。
【０１６０】
【表３】
2004093929.tif 000005
【０１６１】
なお、表２及び表３間では、画素電極２３４よりも下に位置する各層の厚さに相違を生じさせており、それらの値は、表２に比べて表３の方がいずれも大きくされていることがわかる。
【０１６２】
このように、第３実施形態によれば、第１絶縁層９１０等の各層の材質・厚さ等を調整することにより、誘電体ミラーを構成し、もって反射半透過型表示を行うことが可能な電気光学装置を構成できる。そして、これによっても、第１絶縁層９１０等の厚さ・材質等を適当に選択することにより、反射型表示重視の、あるいは透過型表示重視の、更には、反射型表示及び透過型表示いずれをも相応に重視する、等といった各種の電気光学装置を好適に構成することが可能となる。
【０１６３】
＜製造方法＞
以下では、上記第２実施形態における図８及び図９に示した態様となる電気光学装置（すなわち、反射板９Ｒを備えた電気光学装置）の製造方法について、図２２及び図２３を参照しながら説明する。ここに、図２２及び図２３は、上述に係る電気光学装置の製造工程を順を追って示す製造工程断面図である。なお、これら図２２及び図２３は、図８と略同視点の部分断面図として示してある。
【０１６４】
まず、図２２の工程（１）に示すように、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等の素子基板２００を用意する。次に、この素子基板２００の上に、データ線２１２を形成する。具体的には、素子基板２００の全面に、タンタル単体やタンタル合金などを用いたスパッタリング法等により、厚さ１０〜２００ｎｍ程度の膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって、後に形成する走査線３１５とは交差する方向に延在するようなストライプ状を有するようにパターニングを実施する（図４等参照）。なお、このパターニングは、データ線２１２からＴ字状に枝分かれした部分を含むように実施することにより、後にＴＦＤ２２０の第１の導電体２２２となるべき部分を同時に形成しておく。ただし、本発明においては、このＴＦＤ２２０の第１の導電体２２２となるべき部分とデータ線２１２部分とで、材料を異ならしめるようにしてもよい。
【０１６５】
次に、図２２の工程（２）に示すように、データ線２１２に対して所定の電圧を印加することにより陽極酸化処理を実施し、該データ線２１２上に絶縁体２２４を形成する。この場合、前記の工程（１）において同時に形成されていた第１の導電部２２２上にも、絶縁体２２４が形成されることとなるのは言うまでもない。
【０１６６】
次に、図２２の工程（３）に示すように、データ線２１２からＴ字状に飛び出した部分の上に第２の導電体２２６を形成しつつ、後に形成される画素電極２３４に対応するように反射板９Ｒを形成する。つまり、第２の導電体２２６及び反射板９Ｒは同一膜として同時に形成されることになる。すなわち、クロム・アルミニウム等の材料を用いてスパッタリング法等により、厚さ１０〜３００ｎｍ程度の膜を成膜した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することによって、当該Ｔ字状に飛び出した部分の上、及び、画素電極２３４に対応するようにマトリクス状に、クロム・アルミニウム等の膜が残存するようにパターニングを実施する。なお、第２の導電部２２６及び反射板９Ｒを構成する材料としては、上述のクロムの他、チタン、モリブデン、ニッケル、タンタル及びアルミニウム等を利用してもよい。これにより、第１の導電体２２２、絶縁体２２４及び第２の導電体２２６のサンドイッチ構造を有するＴＦＤ２２０が形成されることになる。また、これと同時に、反射板９Ｒも同時に形成されることになるから、本実施形態においては、製造工程の簡略化、ないし製造コストの低廉化等が図られることになる。
【０１６７】
次に、図２２の工程（４）に示すように、前記のデータ線２１２、ＴＦＤ２２０及び反射板９Ｒを覆うように、第２絶縁層９２０を形成する。具体的には、スピンコート法等により、感光性アクリル樹脂等を用いて形成する。なお、この第２絶縁層９２０は、本実施形態において、後述する第１絶縁層９１０よりも厚くする必要があるため、比較的肉厚に形成する必要がある。
【０１６８】
次に、図２３の工程（５）に示すように、第２絶縁層９２０の上に、容量電極を含む走査線３１５を形成する。具体的には、素子基板２００上の全面に、ＩＴＯ等の透明導電性材料を用いたスパッタリング法等により、厚さ１０〜５００ｎｍ程度の膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって、ストライプ状を有するようにパターニングを実施することで（図４等参照）、走査線３１５を形成することができる。
【０１６９】
次に、図２３の工程（６）に示すように、走査線３１５の上に、プラズマＣＶＤ法等により、ＴａＯｘ膜等からなる第１絶縁層９１０を形成する。この第１絶縁層９１０は、その厚さＷ１が、前述の第２絶縁層９２０の厚さＷ２よりも小さくなるように形成する（図８・図３等参照）。なお、この第１絶縁層９１０は、素子基板２００の全面を覆うように形成したままとしてよい。ただし、該第１絶縁層９１０の所定の位置には、エッチング等によって比較的浅いコンタクトホール９００Ｃを形成しておく。この所定の位置とは、より具体的には、図８・図３等に示したように、配線３４２の形成位置に概ね対応し（後の工程（７）参照）、該配線３４２と走査線３１５との電気的接続が実現できるような位置のことをいう。また、該コンタクトホール９００Ｃには、適当な導電性材料を詰め込んでおく。また、この第１絶縁層９１０の形成後には、該第１絶縁層９１０、走査線３１５及び第２絶縁層９２０を貫通して第２の導電体２２６に通ずるように、コンタクトホール９０２Ｃをドライエッチング等によって形成する（図４参照）。
なお、図２３において、このコンタクトホール９０２Ｃは図示されない。
【０１７０】
次に、図２３の工程（７）に示すように、上述の第１絶縁層９１０の上に、前記の走査線３１５を覆うように、マトリクス状に画素電極２３４を形成する。具体的には、素子基板２００の全面を覆うように、ＩＴＯ等を用いたスパッタリング法等により、厚さ５０〜２００ｎｍ程度のＩＴＯ膜を成膜した後、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施することによって、マトリクス状となるようなパターニングを実施する。この際、本実施形態においては、データ線２１２が既に別の層として形成されており、画素電極２３４と同一の層として形成されるわけではないから、隣接しあう画素電極２３４の辺同士は可能な限り近づけることが可能である。したがって、本実施形態によれば、高い画素開口率を達成することができる。なお、この画素電極２３４の形成段階においては、配線３４２もまた同時に形成してよい。
【０１７１】
この時点において、画素電極２３４、第１絶縁層９１０及び走査線３１５からなる保持容量２９０が形成されることとなる。なお、画素電極２３４と同時に形成される配線３４２は、工程（６）において形成済みのコンタクトホール９００Ｃと接触することとなり、これにより、配線３４２及び走査線３１５が電気的に接続されることになる。また、この画素電極２３４の形成時には、前記のコンタクトホール９０２Ｃとの間で電気的接触が図られることにより、画素電極２３４とデータ線２１２とは、コンタクトホール９０２Ｃ及びＴＦＤ２２０を介して電気的に接続されることとなる。なお、この場合、コンタクトホール９０２Ｃの断面形状がテーパ状等とされるときには、画素電極２３４の形成時に使用されるＩＴＯ等の材料が、該コンタクトホール９０２Ｃ内に充填されるように形成されることで、画素電極２３４及び第２の導電体２２６との間の電気的接続を直接的に採ることが可能となる。この点については、上述のコンタクトホール９００Ｃについても全く同様にいえる。
【０１７２】
最後に、前述までに形成済みの画素電極２３４上に配向膜２０８を塗布・焼成し、かつ、所定の方向にラビング処理を実施することで、素子基板２００側の製造が完了する（図８又は図３参照）。
【０１７３】
他方、対向基板３００側においては、図示はしないが、図８等をみるとわかるように、ガラス等の材料からなる対向基板３００上に、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ及びＣＦＢ並びに遮光膜ＢＭを形成した後、これらの上にストライプ状の容量電極９００を形成するとともに、該容量電極９００上に配向膜３０８を塗布・焼成し、かつ、所定の方向にラビング処理を実施する。そして、このように製造された素子基板２００及び対向基板３００の少なくとも一方の上に、走査線３１５及び容量電極９００のいずれか一方に導電性粒子１１４が電気的に接触するように、該導電性粒子１１４が混入されたシール材１１０を塗布した後、素子基板２００及び対向基板３００を、容量電極９００及び画素電極２３４が互いに向かい合わせになるように貼り合わせる。この際、両基板２００及び３００の貼り合わせは、容量電極９００の延在方向と、走査線３１５の延在方向とが一致するように行う。また、該貼り合わせは、前記の導電性粒子１１４が容量電極９００及び走査線３１５のいずれか他方に電気的に接触するように行う。これにより結局、容量電極９００及び走査線３１５間は、導電性粒子１１４、配線３４２及びコンタクトホール９００Ｃを介して、相互に電気的に接続される状態が現出されることになる。
【０１７４】
後は、素子基板２００及び対向基板３００間に液晶１６０を封入するとともに、シール材１１０の硬化処理を実施することで、電気光学装置の概略・外形は完成をみる。なお、上述のような工程の他、偏光子１２１及び１３１等の貼着、あるいは素子基板２００上の所定の位置に対する、外付けＩＣとしてパッケージ化されて用意されたデータ線駆動回路２５０及び走査線駆動回路３５０の貼り付け等を実施することにより、電気光学装置は完成する。なお、走査線駆動回路３５０の貼り付けにあたっては、その外面等に設けられた端子と、前記の配線３４２とが接触するように行う。これにより、走査線駆動回路３５０から供給される信号電圧（選択電圧又は非選択電圧）が、ある行に位置する容量電極９００及び走査線３１５に着目する限り、全く同じに供給されることになる。
【０１７５】
以上のように、本実施形態における電気光学装置の製造方法においては、まず、保持容量２９０を形成するにあたり、ストライプ状の走査線３１５を形成することと、素子基板２００全面に第１絶縁層９１０を形成することを除いて、その製造に関し、特段注意を払うべき点がない。すなわち、従来のキャパシタ用電極のように、画素電極２３４毎にこれらの形状や性質等を一定に保たなければならない等といった製造上の注意を特に払う必要がないのである。
【０１７６】
また、容量電極９００と走査線３１５との電気的接続は、導電性粒子１１４により図られているから、本実施形態においては、該電気的接続を実現するための特別な部材を必要とすることがなく、相応分の製造コストを低減することができるし、また、製造容易・構造簡易な電気光学装置を製造することができる。
【０１７７】
なお、上述では、図２３の工程（６）において、プラズマＣＶＤ法等により第１絶縁層９１０を形成する方法について述べたが、場合によっては、走査線を陽極酸化処理することにより、第１絶縁層を形成してもよい。この場合においては、最終的に製造される電気光学装置の態様は、図２４に示すような構造となる。
ここに図２４は、図４と同趣旨の図であって、第１絶縁層９１０´を走査線３１２´の表面を陽極酸化処理することによって得る場合における、画素部１１６の構成を示す破断斜視図である。
【０１７８】
図２４において、第１絶縁層９１０´は、走査線３１２´の表面が陽極酸化処理されることによって得られる酸化膜を含んでいる。また、図２４では、走査線３１２´の幅が、図４等と比べて若干小さめになるように形成されており、該走査線３１２´間においては、平面的にみると、下地の層、すなわち第２絶縁層９２０の表面がいわば裸のまま曝された状態とされることになる（ただし、画素電極２３４が未形成の段階）。したがって、上述した図２３の工程（６）においては、第１絶縁層９１０をも含めて、コンタクトホール９０２Ｃを形成する必要があったが、本形態では、第２絶縁層９２０についてのみコンタクトホール９０２Ｃ´を形成すればよいことになる。なお、データ線２１２及び画素電極２３４間の電気的接続は、コンタクトホール９０２Ｃ´を覆うように画素電極２３４を形成するだけで実現することができる。
【０１７９】
このように、本形態によれば、まず、比較的薄い膜で十分である第１絶縁層９１０´を、走査線３１２´の陽極酸化処理を実施することにより形成するため、第１絶縁層をプラズマＣＶＤ法等によって形成する場合に比べて、製造コストの低減が可能となる。また、本形態では、第１絶縁層９１０´にコンタクトホールを形成する必要がないから、それによっても、相応分の製造工程の簡略化ないし製造コストの低廉化を図ることができる。
【０１８０】
また、上述では、図２２の工程（３）において、ＴＦＤ２２０を構成する第２の導電体２２６及び反射板９Ｒを同時に形成する形態について述べたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、ＴＦＤ２２０を構成する第１の導電体２２２及び反射板９Ｒを同時に形成する形態としてもよい。この場合においては、データ線２１２もまた同時に形成されることになる。これによっても、製造工程の簡略化・製造コストの低廉化が同様に図れることになるのは言うまでもない。
【０１８１】
（電子機器）
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を電子機器に用いた例について説明する。
【０１８２】
＜モバイル型コンピュータ＞
まず、上述し電気光学装置を、パーソナルコンピュータの表示部に適用した例について説明する。図２５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。この図において、コンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部として用いられる表示装置１００とを備えている。
なお、表示装置１００として透過型液晶表示装置を用いる場合には、暗所での視認性を確保するため、背面にバックライト（図示略）が設けられる。
【０１８３】
＜携帯電話＞
次に、上述した電気光学装置を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図２６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。この図において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置を表示装置１００として備えるものである。なお、表示装置１００として、液晶装置を用いる場合には、暗所での視認性を確保するため、透過型や半透過半反射型であればバックライトが、反射型であればフロントライト（いずれも図示省略）がそれぞれ設けられる。
【０１８４】
＜デジタルスチルカメラ＞
次に、上述した電気光学装置を、ファインダに用いたデジタルスチルカメラについて説明する。図２７は、このデジタルスチルカメラの背面を示す斜視図である。通常の銀塩カメラは、被写体の光像によってフィルムを感光させるのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤなどの撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここでデジタルスチルカメラにおけるケース１３０２の背面には、上述した電気光学装置が表示装置１００として設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行うようになっている。
このため、表示装置１００は、被写体を表示するファインダとして機能することになる。また、ケース１３０２の前面側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んで受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１８５】
ここで撮影者が、表示装置１００に表示された被写像を確認して、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１８６】
また、デジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に外部表示を行うために、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入力端子１３１４とが設けられている。
【０１８７】
なお、電子機器としては、これらの他、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーションシステム、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【０１８８】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【０１８９】
また、本発明は、２端子スイッチング素子であるＴＦＤ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｉｏｄｅ）以外に、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）といった３端子スイッチング素子を用いたアクティブマトリクス型パネルに対しても適用可能である。さらに、液晶以外の電気光学材料、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、或いは、プラズマ発光や電子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】同電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図３】同電気光学装置をＸ方向に破断した場合の構成を示す部分断面図である。
【図４】同電気光学装置の要部構成を示す部分破断斜視図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係り、走査線に開口部が形成されている態様について示す平面図である。
【図６】開口部の各種変形形態を示す平面図である。
【図７】図３と同趣旨の図であって、当該図とは、走査線が積層構造を有し、かつ、そのうちの１層につき開口部が形成されている態様について示す部分断面図である。
【図８】図３と同趣旨の図であって、当該図とは、走査線が透明導電性材料からなり、かつ、該走査線下に光反射性材料からなる反射板が設けられた態様について示す部分断面図である。
【図９】図４と同趣旨の図であって、図８に示す反射板を備えた構成となる電気光学装置の画素部の構造を示す破断斜視図である。
【図１０】図５に示す構造を備える電気光学装置において、透過率が、第１絶縁層の厚さに応じて、どのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１１】図５に示す構造を備える電気光学装置において、反射率が、第１絶縁層の厚さに応じて、どのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１２】図１０及び図１１のシミュレーション結果に基づき、反射型表示を重視する構成を採用した場合に、透過率が、入射する光の波長に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１３】図１０及び図１１のシミュレーション結果に基づき、反射型表示を重視する構成を採用した場合に、反射率が、入射する光の波長に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１４】図８及び図９に示す構造を備える電気光学装置において、透過率が、第１絶縁層の厚さに応じて、どのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１５】図８及び図９に示す構造を備える電気光学装置において、反射率が、第１絶縁層の厚さに応じて、どのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図１６】図１４及び図１５のシミュレーション結果に基づき、透過率が、入射する光の波長に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフ（第１絶縁層の厚さが１４０ｎｍ及び３００ｎｍである場合）である。
【図１７】図１４及び図１５のシミュレーション結果に基づき、反射率が、入射する光の波長に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフ（第１絶縁層の厚さが１４０ｎｍ及び３００ｎｍである場合）である。
【図１８】図１４及び図１５のシミュレーション結果に基づき、透過率が、入射する光の波長に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフ（第１絶縁層の厚さが１５５ｎｍ及び３００ｎｍである場合）である。
【図１９】図１４及び図１５のシミュレーション結果に基づき、反射率が、入射する光の波長に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフ（第１絶縁層の厚さが１５５ｎｍ及び３００ｎｍである場合）である。
【図２０】表２に示す構成を有する誘電体ミラーに入射する光の反射率及び透過率が、波長の変化に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２１】表３に示す構成を有する誘電体ミラーに入射する光の反射率及び透過率が、波長の変化に応じてどのように変化するかのシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２２】図８及び図９に示す反射板を備えた電気光学装置の製造方法を、順を追って示す製造工程断面図（その１）である。
【図２３】図８及び図９に示す反射板を備えた電気光学装置の製造方法を、順を追って示す製造工程断面図（その２）である。
【図２４】図２３の工程（６）において、第１絶縁層を、走査線を陽極酸化処理する結果得る場合における電気光学装置の画素部の構造を示す破断斜視図である。
【図２５】実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図２６】同電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図２７】同電気光学装置を適用した電子機器の一例たるディジタルスチルカメラの背面構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１１６…画素部
１１８…液晶容量
１６０…液晶
２００…素子基板
２１２…データ線
２２０…ＴＦＤ
２２２…第１の導電体
２２４…絶縁体
２２６…第２の導電体
２９０…保持容量
２３４…画素電極
９１０、９１０´…第１絶縁層
３１２、３１２´、３１３、３１４、３１５…走査線
３１４ａ…第１層
３１４ｂ…第２層
９Ｍ、９Ｍ１、９Ｍ２…開口部
９Ｒ…反射板
９２０…第２絶縁層
９００Ｃ、９０２Ｃ、９０２Ｃ´…コンタクトホール
３００…対向基板
９００…対向電極
２５０…データ線駆動回路
３５０…走査線駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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