(57)【要約】【課題】特にシールド層と金属層間を従来に比べてより簡単で且つ適切な方法で埋めることができるとともに、放熱効果も従来より向上させることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】上部シールド層２７上から間隔Ｔ２内及び第１金属層２８上にかけて無機絶縁材料からなる分離層２９を成膜した後、前記分離層２９上にレジスト層７０を塗布する。次に露光現像によって前記間隔Ｔ２内に埋められたレジスト層７０を残し、それ以外のレジスト層７０を除去する。これによって従来に比べて上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内の埋め込み工程を容易に且つ適切に行うことが可能になる。【選択図】        図７
2004362657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部シールド層と上部シールド層と、両シールド層間に挟まれた磁気抵抗効果素子とを有する再生用ヘッドが設けられ、前記再生用ヘッド上に下部コア層、上部コア層及びコイル層とを有する記録用ヘッドが積層された薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）前記上部シールド層及び／または下部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて金属層を形成する工程と、
（ｂ）前記シールド層と前記金属層間に空けられた間隔内に有機絶縁層を形成する工程と、
（ｃ）前記有機絶縁層を形成する前あるいは後に、前記シールド層上及び金属層上に無機絶縁層を形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程で、前記上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第１金属層を形成し、前記（ｂ）工程で、前記上部シールド層と前記第１金属層間に空けられた間隔内に第１有機絶縁層を形成し、
前記（ｃ）工程の後に、前記上部シールド層上に形成された無機絶縁層上から前記第１有機絶縁層上及び前記第１金属層上に形成された無機絶縁層上にかけて下部コア層を形成する請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記有機絶縁層はレジスト材料であり、前記（ａ）工程で、露光現像により前記シールド層と金属層間の間隔内にレジスト材料からなる有機絶縁層を設ける請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記下部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第２金属層を形成するとともに、前記上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第１金属層を形成するとき、前記下部シールド層と第２金属層間に空けられた間隔と、前記上部シールド層と第１金属層間に空けられた間隔とを膜厚方向で対向させる請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生用ヘッド上に記録用ヘッドが積層形成された薄膜磁気ヘッドの製造方法に係わり、特に、コイル層等から発生する熱を効率良く磁気抵抗効果素子よりも後方領域からスライダに逃がすことができる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は従来における再生用ヘッドと記録用ヘッドとが積層された複合型薄膜磁気ヘッドの縦断面図である。図示Ｘ方向はトラック幅方向を、図示Ｙ方向はハイト方向を示している。ここで符号１は下部シールド層を、符号２は磁気抵抗効果素子を、符号３はギャップ層を、符号４は上部シールド層を、符号５は分離層を、符号６は下部コア層を、符号７はコイル層を、符号８は絶縁層を、符号９は上部コア層を示している。
【０００３】
図１０における複合型薄膜磁気ヘッドは、下部シールド層１から上部シールド層４までの各層で再生用ヘッドを構成し、下部コア層６から上部コア層９までの各層で記録用ヘッドを構成し、前記再生用ヘッドと記録用ヘッド間に分離層５が介在するピギーバック型と呼ばれる構造である。
【０００４】
薄膜磁気ヘッドは近年の高記録密度化に伴い小型化が促進されており、そのような中で解決しなければならない課題の一つに放熱性の問題がある。図１０に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層７に記録電流が流れることなどで熱が発生する。従ってこの熱を効率良く、外部に逃がす必要性がある。熱が薄膜磁気ヘッド内に篭ると、薄膜磁気ヘッド内部が高温になり、前記磁気抵抗効果素子２を破壊し再生特性の低下を招いたり、熱膨張率の違いなどで前記記録用ヘッドの部分が他の部分よりも突き出し、これによって薄膜磁気ヘッドが記録媒体上に衝突したりするなど多くの問題を引き起こすからである。
【０００５】
そこで従来から薄膜磁気ヘッドを構成する所定の層を記録媒体との対向面からハイト方向に離れた位置で分離形成し、その分離形成されたハイト側の層を放熱層として使用する試みがなされている。
【０００６】
例えば図１１では、下部コア層６を分離形成したものであり、下部コア層６のハイト側後端面６ａよりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に延びる放熱層１０が設けられている。
【０００７】
しかし図１１に示す構造では、コイル層７から発生した熱が下部コア層６に伝わったとき、この熱は、前記下部コア層６と放熱層１０間に介在する絶縁層１１を一旦、介して放熱層１０に伝達されることになるため、ダイレクトに前記放熱層１０に熱を逃がすことができず、熱の一部は、前記下部コア層６の下にある上部シールド層４にも導かれてしまう。上部シールド層４に熱が伝わると、その下にある磁気抵抗効果素子２が前記熱の影響を受けて前述した再生特性の低下を余儀なくされる。
【０００８】
図１２に示す構造では、前記上部シールド層４を分離形成したものであり、上部シールド層４のハイト側後端面４ａよりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に延びる放熱層１２が設けられている。
【０００９】
そして前記上部シールド層４上からハイト方向に延びる下部コア層６を、前記上部シールド層４と放熱層１２間に屈曲させて介在させるとともに、さらに前記下部コア層６を前記放熱層１２上まで延ばして形成している。
【００１０】
図１２の構造では、図１１のように下部コア層６を分離形成せずに、前記放熱層１２上にまで延ばして形成しているから、下部コア層６に伝わった熱は、前記下部コア層６内をダイレクトにハイト方向後方にまで伝わって前記下部コア層６から放熱層１２に効率良く伝達されるものと期待された。
【００１１】
しかし、図１２の構造では、前記下部コア層６は、前記上部シールド層４と放熱層１２間にある空間内に屈曲して入り込んでいるため、この屈曲した部分で前記下部コア層６と上部シールド層４とが距離的に近くなりすぎ、前記下部コア層６からの熱は上部シールド層４へも伝わりやすくなる。よって結局、磁気抵抗効果素子２が前記熱の影響を受けて再生特性の低下を余儀なくされる。
【００１２】
次に示す図１３の薄膜磁気ヘッドは、以下に示す特許文献１の図９に記載された薄膜磁気ヘッドの構造を簡略化して示した部分縦断面図である。
【００１３】
図１３では、前記上部シールド層４のハイト側後端面４ａからハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に延びる放熱層１３が設けられ、前記上部シールド層４と放熱層１３との間隔Ｄ内は、前記上部シールド層４の上面４ｂを覆う絶縁層（分離層）１４と同じ絶縁層によって埋められている。
【００１４】
前記絶縁層１４の上面１４ａと前記放熱層１３の上面１３ａは同じ平坦化面で形成されており、前記絶縁層１４はアルミナ等で形成されている。
【００１５】
図１３に示す薄膜磁気ヘッドの構造では、前記上部シールド層４と放熱層１３間の間隔Ｄ内に、図１２のように下部コア層６が屈曲して入り込んでおらず、平坦化された絶縁層１４の上面１４ａから前記放熱層１３の上面１３ａにかけて形成されている。
【００１６】
このため下部コア層６内に伝わった熱は、図１２の構造に比べて上部シールド層４よりもハイト側にある放熱層１３に逃げやすく、前記熱を前記シールド層よりもハイト方向後方の領域で適切に外部にまで逃がすことができると期待された。
【００１７】
【特許文献１】
特開２００２―２１６３１４
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし図１３に示す構造の薄膜磁気ヘッドでは、製法の面で次のような課題があった。
【００１９】
図１４は、図１３に示す薄膜磁気ヘッドの製造途中の状態を示す一工程図（部分縦断面図）である。
【００２０】
図１４に示すように、ギャップ層３上に、上部シールド層４及び放熱層１３を間隔Ｄを介して分離形成し、その後、前記上部シールド層４及び前記放熱層１３上、さらには前記間隔Ｄ内に絶縁層１４をスパッタ法などで成膜する。この工程で前記間隔Ｄ内が絶縁層１４の成膜によって埋められる。
【００２１】
次に例えばＣＭＰ技術等を用いて前記絶縁層１４及び放熱層１３をＣ―Ｃ線まで削っていく。このとき、前記上部シールド層４の上面が露出しないようにするとともに、前記上部シールド層４の上に設けられる絶縁層１４は前記研削加工によってもある程度の膜厚を保っている必要がある。
【００２２】
前記研削加工によって前記絶縁層１４の上面１４ａと放熱層１３の上面１３ａとは同一平坦化面とされる。
【００２３】
ここで前記上部シールド層４及び放熱層１３はメッキ形成された比較的膜厚の厚い層である。このため前記絶縁層１４を前記間隔Ｄ内に適切にスパッタ法等で埋め込むには、長い成膜時間を要し、また成膜時間が長くなることで前記上部シールド層４及び放熱層１３の上面４ｂ，１３ａに成膜される絶縁層１４の膜厚も厚くなってしまう。
【００２４】
その結果、ＣＭＰ技術で平坦化処理を行うにも前記絶縁層１４をかなりの量削り取ることが必要になり研削工程にも時間がかかった。
【００２５】
またメッキ形成された上部シールド層４及び放熱層１３の各層が全ての領域において均一な膜厚で形成されているかというとそうではなく厚みにばらつきがある。またＣＭＰ工程前における前記上部シールド層４の上面４ｂに成膜された絶縁層１４の上面、放熱層１３の上面１３ａに成膜された絶縁層１４の上面、及び間隔Ｄ内を埋める絶縁層１４の上面は同じ高さではなくうねっている。
【００２６】
しかも上記したように前記上部シールド層４は前記の研削加工でその表面が露出してはならず、また前記上部シールド層４の上には、ある程度厚みのある状態で絶縁層１４が残される必要がある。それは、上部シールド層４と下部コア層６間が磁気的に繋がってしまい、また下部コア層６が吸収した熱が前記上部シールド層４にも伝わりやすくなるからである。
【００２７】
このように各層の膜厚が均一ではなく、様々な制約の下で前記研削工程を施すことが必要になるため高精度な研削工程が要求されるし、また不良品等が出やすく歩留まりの低下にも繋がる。
【００２８】
このため、上部シールド層４と放熱層１３間を絶縁層で埋める際に研削加工が必要でないことが望ましい。
【００２９】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特にシールド層と金属層間を従来に比べてより簡単で且つ適切な方法で埋めることができるとともに、放熱効果も従来より向上させることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に下部シールド層と上部シールド層と、両シールド層間に挟まれた磁気抵抗効果素子とを有する再生用ヘッドが設けられ、前記再生用ヘッド上に下部コア層、上部コア層及びコイル層とを有する記録用ヘッドが積層された薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）前記上部シールド層及び／または下部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて金属層を形成する工程と、
（ｂ）前記シールド層と前記金属層間に空けられた間隔内に有機絶縁層を形成する工程と、
（ｃ）前記有機絶縁層を形成する前あるいは後に、前記シールド層上及び金属層上に無機絶縁層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００３１】
本発明では、上記のようにシールド層よりもハイト方向後方に、前記シールド層と所定の間隔が空けられた位置から金属層を形成し、前記シールド層と金属層間を有機絶縁層で埋める。
【００３２】
そして前記有機絶縁層を形成する前あるいは後に、前記シールド層の上面及び金属層の上面を無機絶縁層で覆う。
【００３３】
上記の製造方法によれば、従来のようにＣＭＰ技術等による研削加工を必要としなくても適切に、前記シールド層と金属層間の間隔内を絶縁層（有機絶縁層）で埋めることができるとともに、前記シールド層の上面及び金属層の上面を絶縁層（無機絶縁層）で覆うことができる。
【００３４】
前記有機絶縁層には例えばレジスト材料が用いられる。レジスト材料を用いれば、レジストの塗布工程と、露光現像工程とによって前記レジストを前記間隔内に適切に埋め込み形成できる。
【００３５】
このため前記シールド層の上面と金属層上面には必要な膜厚だけ無機絶縁層を形成すればよくなる。
【００３６】
従来では、シールド層及び金属層の上面を覆う絶縁層と、前記シールド層と金属層間に空けられた間隔内を埋める絶縁層とに同じ無機絶縁材料を用いるため、どうしても深さの深い間隔内を埋めることを優先し、前記間隔内が埋まるまで無機絶縁層の成膜を行う必要があった。このためシールド層及び金属層の上面に必要な膜厚以上の絶縁層が成膜されてしまう。従来では、シールド層及び金属層の上面に成膜された絶縁層を研削加工によって削ることで、ある所定の膜厚に調整するのであるが、本発明では、前記シールド層と金属層間に空けられた間隔内を無機絶縁層とは異なる有機絶縁層で埋めてしまうため、前記前記シールド層の上面と金属層の上面を覆う無機絶縁層の成膜の際には、前記シールド層と金属層上に必要な膜厚だけを考慮して前記無機絶縁層の成膜を行えばよい。
【００３７】
よって本発明では従来のように研削加工が必要ない。
従って本発明では、従来に比べてシールド層と金属層間に空けられた間隔を絶縁層で埋める工程を容易に行うことができるとともに、前記間隔内を適切に絶縁層で埋めることが可能になる。
【００３８】
また前記シールド層と金属層間に空けられた間隔内を有機絶縁層で埋めれば、前記間隔内を無機絶縁層で埋めた場合に比べて、熱が、前記金属層からシールド層へ導かれるのを適切に抑制することができる。前記有機絶縁層は前記無機絶縁層よりも一般的に熱伝導率が低いためである。
【００３９】
また本発明では、前記（ａ）工程で、前記上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第１金属層を形成し、前記（ｂ）工程で、前記上部シールド層と前記第１金属層間に空けられた間隔内に第１有機絶縁層を形成し、
前記（ｃ）工程の後に、前記上部シールド層上に形成された無機絶縁層上から前記第１有機絶縁層上及び前記第１金属層上に形成された無機絶縁層上にかけて下部コア層を形成することが好ましい。
【００４０】
本発明では、次の工程で下部コア層を、前記上部シールド層の上方から前記第１有機絶縁層上、及び第１金属層の上方に長く伸ばして形成しても、上部シールド層と第１金属層間に空けられた間隔内が第１有機絶縁層によって適切に埋められているため、従来（図１２）のように前記下部コア層の一部が前記上部シールド層と第１金属層間に空けられた間隔内に屈曲して入り込むことはない。
【００４１】
このように本発明では、前記上部シールド層と第１金属層間に空けられた間隔内に第１有機絶縁層を埋め込み形成することで、前記下部コア層を前記第１金属層の上方にまで延ばして形成しても、前記間隔付近で前記下部コア層が吸収した熱が前記上部シールド層に伝達されることを適切に抑制でき、また前記下部コア層を前記第１金属層の上方にまで延ばして形成したことで、前記下部コア層から前記第１金属層に適切に熱が導かれるようにでき、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
【００４２】
また本発明では、前記有機絶縁層はレジスト材料であり、前記（ａ）工程で、露光現像により前記シールド層と金属層間の間隔内にレジスト材料からなる有機絶縁層を設けることが好ましい。これによって容易に前記シールド層と金属層間の間隔内を有機絶縁層で埋めることが可能になる。
【００４３】
また本発明では、前記下部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第２金属層を形成するとともに、前記上部シールド層のハイト側後端面よりもハイト方向に所定距離離れた位置からハイト方向に向けて第１金属層を形成するとき、前記下部シールド層と第２金属層間に空けられた間隔と、前記上部シールド層と第１金属層間に空けられた間隔とを膜厚方向で対向させることが好ましい。
【００４４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦面図である。
【００４５】
なお以下では図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼び、図示Ｙ方向をハイト方向と呼ぶ。また図示Ｚ方向は記録媒体（磁気ディスク）の進行方向である。また薄膜磁気ヘッドの前端面（図１に示す最左面）を「記録媒体との対向面」と呼ぶ。さらに各層において「前端面（前端部）」とは図１における左側の面を指し「後端面（後端部）」とは図１における右側の面を指す。
【００４６】
また図面を用いて説明する薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッド部（インダクティブヘッドとも言う）と再生ヘッド部（ＭＲヘッドとも言う）とが複合された薄膜磁気ヘッドである。
【００４７】
符号２０はアルミナチタンカーバイト（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）などで形成されたスライダ（基板）であり、前記スライダ２０上にアンダーレイヤ２１が形成されている。前記アンダーレイヤ２１はＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成される。
【００４８】
図１に示すように、前記アンダーレイヤ２１上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に向けてＮｉＦｅ系合金やセンダストなどで形成された下部シールド層２２が形成されている。
【００４９】
図１に示すように前記下部シールド層２２の後端面２２ａからハイト方向に所定の間隔Ｔ１を置いて前記アンダーレイヤ２１上に形成された第２金属層２３がハイト方向に延びて形成されている。
【００５０】
前記第２金属層２３は前記下部シールド層２２と同様に磁性材料で形成されていてもよいし、非磁性導電材料で形成されていてもよい。前記第２金属層２３は熱をスライダ２０にまで伝える放熱層として機能するため熱伝導率の良い非磁性導電材料で形成されることが好ましい。
【００５１】
前記下部シールド層２２と第２金属層２３は共にメッキ形成されたものである。
【００５２】
図１に示すように前記下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間は、Ａｌ２Ｏ３などで形成された埋め込み層２４によって埋められるとともに、前記下部シールド層２２の上面、前記第２金属層２３の上面及び埋め込み層２４の上面はほぼ同一の平坦化面となっている。
【００５３】
図１に示すように、前記下部シールド層２２、埋め込み層２４、第２金属層２３の上にはＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成された下部ギャップ層や上部ギャップ層からなるギャップ層２５が形成されている。
【００５４】
前記ギャップ層２５内にはスピンバルブ型薄膜素子などのＧＭＲ素子に代表される磁気抵抗効果素子２６が形成されており、前記磁気抵抗効果素子２６の前端面は記録媒体との対向面から露出している。
【００５５】
前記ギャップ層２５上にはＮｉＦｅ系合金などで形成された上部シールド層２７が形成されている。
【００５６】
前記上部シールド層２７は記録媒体との対向面からハイト方向に延びて形成され、前記上部シールド層２７の後端面２７ａよりもハイト方向後方には、前記上部シールド層２７と分離形成された第１金属層２８が形成されている。
【００５７】
前記上部シールド層２７の後端面２７ａと前記第１金属層２８の前端面２８ａとの間に所定の間隔Ｔ２が設けられている。そして前記間隔Ｔ２内からギャップ層２５の表面が露出している。
【００５８】
前記第１金属層２８は前記上部シールド層２７と同様に磁性材料で形成されてもよいし、非磁性導電材料で形成されてもよい。前記第１金属層２８は熱をスライダ２０方向へ導く放熱層として機能するので熱伝導率の良い非磁性導電材料で形成されることが好ましい。
【００５９】
前記上部シールド層２７及び第１金属層２８は共にメッキ形成されたものである。
【００６０】
なお上記で説明した前記下部シールド層２２から前記上部シールド層２７までの高さ位置までを再生用ヘッド（ＭＲヘッドとも言う）と呼んでいる。
【００６１】
図１に示すように、前記上部シールド層２７上から前記間隔Ｔ２内に露出したギャップ層２５上、及び第１金属層２８上にかけて分離層２９が形成されている。前記分離層２９はＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料で形成されている。
【００６２】
前記分離層２９は、分離層２９の下に形成された再生用ヘッドと、分離層２９の上に形成された記録用ヘッドとを磁気的に分離するためなどに設けられたものである。
【００６３】
図１に示すように、前記間隔Ｔ２内には、第１有機絶縁層３０が形成されている。前記第１有機絶縁層３０に関しては後で詳細に説明する。
【００６４】
図１に示すように、前記上部シールド層２７上に形成された無機絶縁材料からなる分離層２９上から前記第１有機絶縁層３０上、さらには前記第１金属層２８上に形成された前記分離層２９上にかけて下部コア層３１が形成されている。前記下部コア層３１はＮｉＦｅ系合金などの磁性材料で形成される。
【００６５】
図１に示すように、前記下部コア層３１の上面３１ａは平坦化面となっている。図１に示す実施形態では前記第１有機絶縁層３０の上面が上部シールド層２７や第１金属層２８の上面よりも若干突出しているから、前記第１有機絶縁層３０上に位置する前記下部コア層３１の膜厚は、上部シールド層２７や第１金属層２８上に位置する下部コア層３１の膜厚よりも若干薄くなっている。
【００６６】
図１に示すように、前記下部コア層３１上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法で形成された隆起層３４が形成されている。さらに前記隆起層３４のハイト方向後端面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定距離離れた位置での下部コア層３１上にバックギャップ層３５が形成されている。
【００６７】
前記隆起層３４及びバックギャップ層３５は磁性材料で形成され、前記下部コア層３１と同じ材質で形成されてもよいし、別の材質で形成されていてもよい。また前記隆起層３４及びバックギャップ層３５は単層であってもよいし多層の積層構造で形成されていてもよい。前記隆起層３４及びバックギャップ層３５は前記下部コア層３１に磁気的に接続されている。
【００６８】
図１に示すように、前記隆起層３４とバックギャップ層３５間の下部コア層３１上、及びバックギャップ層３５よりもハイト方向後方にある下部コア層３１上にはコイル絶縁下地層３６が形成され、前記コイル絶縁下地層３６上には、コイル層３７が形成されている。前記コイル層３７は前記バックギャップ層３５を中心として前記コイル絶縁下地層３６上を螺旋状に巻回形成されたものである。前記コイル層３７は例えばＣｕなどの非磁性導電材料で形成される。
【００６９】
図１に示すように、前記コイル層３７上はＡｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層３８で埋められている。図１に示すように前記隆起層３４の上面、コイル絶縁層３８の上面、及びバックギャップ層３５の上面は、同一平坦化面となっている。
【００７０】
図１に示すように前記隆起層３４及びコイル絶縁層３８の平坦化面上には、前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の距離離れた位置からハイト方向に向けてＧｄ決め層３９が形成されている。
【００７１】
また図１に示すように、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め層３９の前端面までの隆起層３４上、前記Ｇｄ決め層３９の後端面よりハイト方向のコイル絶縁層３８上、及び前記バックギャップ層３５上に、下から下部磁極層４０及びギャップ層４１が形成されている。前記下部磁極層４０及びギャップ層４１はメッキ形成されている。なお前記ギャップ層４１のハイト方向への寸法が前記Ｇｄ決め層３９によって決められている。
【００７２】
また図１に示すように前記ギャップ層４１上及びＧｄ決め層３９上には、上部磁極層４２がメッキ形成され、さらに前記上部磁極層４２上には上部コア層４３がメッキ形成されている。
【００７３】
この実施の形態では、前記下部磁極層４０、ギャップ層４１、上部磁極層４２及び上部コア層４３の４層で磁極層４４が構成されている。
【００７４】
図１に示すように前記上部コア層４３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３などの絶縁材料で形成された保護層４５が形成されている。前記保護層４５は前記上部コア層４３の後端面よりもハイト方向に広がるコイル絶縁層３８上にも形成されている。前記保護層４５はＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００７５】
以上説明した下部コア層３１、コイル層３７、隆起層３４、バックギャップ層３５及び磁極層４４を含む各層で記録用ヘッド（インダクティブヘッド）が構成される。
【００７６】
図３は、図１に示す薄膜磁気ヘッドを拡大した部分縦断面図である。図３では下部コア層３１よりも上方にある層は図面上省略されている。図３に示すように、前記上部シールド層２７の後端面２７ａと前記第１金属層２８の前端面２８ａ間には間隔Ｔ２が空けられている。前記間隔Ｔ２は具体的には２μｍ〜６μｍの範囲内で形成されていることが好ましい。この程度の間隔Ｔ２であると、下部コア層３１が吸収した熱が適切に第１金属層２８に伝達されるとともに、前記熱が第１金属層２８から前記間隔Ｔ２を介して上部シールド層２７に伝達されにくい。
【００７７】
図３では前記上部シールド層２７及び第１金属層２８が図面上同じ高さで形成されているが同じ高さで形成される必要はない。前記上部シールド層２７及び第１金属層２８の膜厚は０．８〜２．０μｍ程度で形成される。
【００７８】
図３に示すように前記上部シールド層２７の上面２７ｂから前記間隔Ｔ２内で露出するギャップ層２５の上面２５ａ、及び第１金属層２８の上面２８ｂにかけて無機絶縁材料で形成された分離層２９がスパッタ法などで成膜される。
【００７９】
前記分離層２９は前記上部シールド層２７の上面２７ｂや第１金属層２８の上面２８ｂではある所定の膜厚で形成されるが、それに比べて前記間隔Ｔ２内における上部シールド層２７の後端面２７ａや第１金属層２８の前端面２８ａに付着する分離層２９の膜厚は、シャドー効果によって薄くなり、あるいは付着しない箇所も出てくる。
【００８０】
前記分離層２９の膜厚は、前記上部シールド層２７や第１金属層２８の上面２７ｂ，２８ｂに形成される部分で０．２μｍ〜０．４μｍの範囲内である。前記分離層２９は、再生用ヘッドと記録用ヘッド間の磁気的な干渉を抑制等するために設けられたものであるため、前記分離層２９の膜厚を上記の範囲よりも薄くしすぎると磁気的干渉等の問題が生じ、また前記分離層２９が上記の範囲よりも厚すぎると下部コア層３１から第１金属層２８へ熱が導かれにくくなり熱が記録用ヘッド内部に篭りやすくなるので、前記分離層２９は上記の範囲内の膜厚で形成されることが好ましい。
【００８１】
図３に示すように、前記間隔Ｔ２内には第１有機絶縁層３０が埋め込み形成されている。前記第１有機絶縁層３０としては例えばレジスト材料（光感光性樹脂）や感光性ポリイミドなどである。
【００８２】
前記第１有機絶縁層３０は前記間隔Ｔ２では前記分離層２９上に形成されるが、上記のように前記間隔Ｔ２内で前記分離層２９が付着しなかった部分では、前記第１有機絶縁層３０が前記上部シールド層２７の後端面２７ａや第１金属層２８の前端面２８ａ上に直接接して形成されることになる。
【００８３】
図３では、前記第１有機絶縁層３０の上面３０ａは、前記上部シールド層２７の上面２７ｂ及び第１金属層２８の上面２８ｂに形成された分離層２９の上面２９ａよりも高い位置に形成されているが、例えば図３の点線で示すように前記第１有機絶縁層３０の上面３０ｂが、前記分離層２９の上面２９ａより低くなっていてもかまわない。前記第１有機絶縁層３０の上面３０ａ，３０ｂの前記分離層２９の上面２９ａから見た突出量及び凹み量は＋１．５μｍ〜−１．０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００８４】
図３に示す実施形態では、前記第１金属層２８に吸収された熱は、前記第１金属層２８の下にある第２金属層２３に伝わりやすくなっており、一方、前記第１金属層２８から上部シールド層２７へ熱は伝わりにくくなっている。それは前記上部シールド層２７と第１金属層２８間の間隔Ｔ２内が第１有機絶縁層３０で埋められているからである。前記第１有機絶縁層３０は、無機絶縁材料に比べて熱伝導率が一般的に低い。そのため第１金属層２８から熱は第１有機絶縁層３０を介して上部シールド層２７へ伝わるよりも、前記第１金属層２８の下にある、無機絶縁材料のギャップ層２５を介して第２金属層２３へ伝わりやすく、前記第２金属層２３にまで伝わった熱は、無機絶縁材料のアンダーレイヤ２１を介してスライダ２０へ逃げる熱伝達経路を辿る。
【００８５】
上記のように前記上部シールド層２７の後端面２７ａと第１金属層２８の前端面２８ａ間に第１有機絶縁層３０を埋め込み形成することで、前記第１金属層２８へ伝わった熱が、前記第１金属層２８から前記上部シールド層２７へ導かれるのを抑制でき、この結果、前記上部シールド層２７の下にある磁気抵抗効果素子２６に対する熱の影響を抑制でき前記磁気抵抗効果素子２６の再生特性を良好に維持することが可能になる。また記録媒体との対向面からのヘッドの突出量を抑制できる。
【００８６】
図３に示す実施形態では、下部シールド層２２と第２金属層２３とが分離形成されており、前記下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間に間隔Ｔ１が空けられている。この間隔Ｔ１は、前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２と膜厚方向（図示Ｚ方向）で対向する位置に設けられる。
【００８７】
図３に示す実施形態では、前記間隔Ｔ１のハイト方向への長さ寸法が前記間隔Ｔ２のハイト方向への長さ寸法に比べて小さいが、同じ寸法であってもよいし、前記間隔Ｔ１のハイト方向への長さ寸法が間隔Ｔ２のハイト方向への長さ寸法に比べて大きくなっていてもよい。
【００８８】
また前記間隔Ｔ１のハイト方向への長さ寸法は１．５μｍ〜６μｍの範囲内である。上記のように間隔Ｔ２のハイト方向への長さ寸法は１．５μｍ〜８μｍの範囲内であるから、前記間隔Ｔ１，Ｔ２の長さの差は小さく、この結果、下部シールド層２２のハイト方向への長さ寸法と、上部シールド層２７のハイト方向への長さ寸法もほぼ同等のサイズになる。
【００８９】
図２は、前記下部シールド層２２、磁気抵抗効果素子２６及び上部シールド層２７を模式図的に示した部分斜視図である。図２に示すように、下部シールド層２２のハイト方向への長さ寸法はＬ３で具体的には１０μｍ〜３０μｍであり、また上部シールド層２７のハイト方向への長さ寸法はＬ４で具体的には９．５μｍ〜３０μｍであり、前記下部シールド層２２のトラック幅方向への幅寸法はＴ３で具体的には５０μｍ〜１００μｍであり、また上部シールド層２７のトラック幅方向への幅寸法はＴ４で具体的には４９μｍ〜９９μｍであり、前記下部シールド層２２の膜厚はＨ１で具体的には０．８μｍ〜２．０μｍであり、また上部シールド層２７の膜厚はＨ２で具体的には０．８μｍ〜２．０μｍの範囲内である。
【００９０】
このように下部シールド層２２と上部シールド層２７とはほぼ同等のサイズで形成される。この結果、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価の一つであるＱＳＴ（Ｑｕａｓｉ  ｓｔａｔｉｃ  Ｔｅｓｔ）カーブをきれいな波形で得ることができる。
【００９１】
ＱＳＴカーブとは、磁気抵抗効果素子２６のリード端子に定電流を印加するとともに、薄膜磁気ヘッドに対して外部磁場を印加して薄膜磁気ヘッドの出力特性を測定したもので、その測定結果は図１５に示すＲＨ特性グラフとして表現される。
【００９２】
図１５に示すＱＳＴカーブは、模式図的に示したもので、きれいな一本の滑らかな曲線を描いている。本発明はこのようなきれいなＱＳＴカーブを得ることを目指したものであり、きれいなＱＳＴカーブを得るには、下部シールド層２２と上部シールド層２７とがほぼ同等のサイズで形成されることが必要である。
【００９３】
図１５のようなきれいなＱＳＴカーブを得ることができれば、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価を適切に行うことが容易になり、歩留まりの向上を図ることができる。
【００９４】
図４は本発明における別の実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図である。なお図４では、下部コア層３１よりも上に形成される各層が図示されていないが図１と同じ構成であるので省略した。
【００９５】
図４に示す薄膜磁気ヘッドでも、図３に示す薄膜磁気ヘッドと同様に上部シールド層２７の後端面２７ａと第１金属層２８の前端面２８ａ間に第１有機絶縁層３０が埋め込み形成されており、この点において同じである。
【００９６】
図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、さらに下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間に空けられた間隔Ｔ１内に第２有機絶縁層５２が埋め込み形成される。
【００９７】
図４に示すように、前記下部シールド層２２の上面２２ｂから前記間隔Ｔ１内に露出するアンダーレイヤ２１上、及び第２金属層２３の上面２３ｂにかけて下部ギャップ層５０がスパッタ法などで形成される。この下部ギャップ層５０は、図３で説明した分離層２９と同様に、前記下部シールド層２２の後端面２２ａや第２金属層２３の前端面２３ａではシャドー効果によって膜厚が薄くなったり、あるいは成膜されない箇所もある。
【００９８】
前記第２有機絶縁層５２は、前記間隔Ｔ１内で前記下部ギャップ層５０を介して形成される。前記第２有機絶縁層５２は第１有機絶縁層３０と同様にレジスト材料（光感光性樹脂）等で形成されるものであり、Ａｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料に比べて熱伝導率が低い材料である。
【００９９】
また図４に示すように前記下部ギャップ層５０上に重ねて形成される上部ギャップ層５１は前記第２有機絶縁層５２の部分では、前記第２有機絶縁層５２上に形成される。これは、下部ギャップ層５０―第２有機絶縁層５２―上部ギャップ層５１の順に形成されるからであり、例えば下部ギャップ層５０―上部ギャップ層５１―第２有機絶縁層５２の順の各層を成膜すれば、前記上部ギャップ層５１は前記第２有機絶縁層５２の下に形成されることになる。
【０１００】
図４に示す実施形態では、第１金属層２８に到達した熱は、第１有機絶縁層３０の存在によって上部シールド層２７の方向へは伝達されにくく、一方、前記第１有機絶縁層３０よりも熱伝導率が高い無機材料製のギャップ層２５を介して第２金属層２３の方に伝わりやすい。しかも第２金属層２３に到達した熱は、第２有機絶縁層５２の存在により、第２金属層２３から下部シールド層２２方向に伝わりにくく、一方、前記第２有機絶縁層５２よりも熱伝導率の高い無機絶縁材料のアンダーレイヤ２１を介してスライダ２０に導かれやすくなっている。
【０１０１】
この結果、図４に示す薄膜磁気ヘッドの形態では、より効果的に、熱をシールド層２２，２７よりもハイト方向後方の領域にある金属層２３，２８からスライダ２０へ逃がすことができ、磁気抵抗効果素子２６に対する熱の影響を低減でき再生特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。また記録媒体との対向面からのヘッドの突出量を抑制できる。
【０１０２】
次に、図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図５ないし図９は図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す部分拡大縦断面図である。なお工程図は、アンダーレイヤから下部コア層までの製造方法であり、それよりも上方にある各層の製造方法は省略する。
【０１０３】
図５に示す工程では、アルミナ−チタンカーバイドなどで形成されたスライダ（基板）２０の上に、アンダーレイヤ２１を形成する。前記アンダーレイヤ２１は例えばＡｌ２Ｏ３であるが、他の無機絶縁材料を用いてもよいし、また無機絶縁材料の多層構造であってもよい。
【０１０４】
次に前記アンダーレイヤ２１上にＮｉＦｅ合金等からなるメッキ下地層（図示しない）をスパッタ法や蒸着法で成膜し、前記メッキ下地層の上に下部シールド層２２及び第２金属層２３が形成されるべき位置に空間を有するレジスト層（図示しない）を露光現像により形成し、前記下部シールド層２２が形成されるべき前記空間内に前記下部シールド層２２をメッキ形成する。同様に前記第２金属層２３が形成されるべき位置に前記第２金属層２３をメッキ形成する。前記レジスト層に、前記下部シールド層２２と第２金属層２３とを形成すべき空間部が一緒に形成されている場合には、前記下部シールド層２２と第２金属層２３とを同じ工程時に同じ材料でメッキ形成できるから工程の簡略化に繋がるが、かかる場合、第２金属層２３も磁性材料で形成されるので、前記第２金属層２３を非磁性導電材料で形成する場合には、前記下部シールド層２２の形成用レジストと、第２金属層２３の形成用レジストとを別個に使用し、例えばまず前記下部シールド層２２の形成用レジストを用いて下部シールド層２２をメッキ形成した後、前記下部シールド層形成用レジストを除去し、第２金属層２３の形成用レジストを用いて第２金属層２３をメッキ形成し、前記第２金属層形成用レジストを除去する。
【０１０５】
図５のようにアンダーレイヤ２１の上に下部シールド層２２と第２金属層２３とをメッキ形成した後、前記下部シールド層２２及び第１金属層２３が形成されていないアンダーレイヤ２１上に残るメッキ下地層をエッチング等により除去する。
【０１０６】
図５に示すように、前記下部シールド層２２の後端面２２ａと前記第２金属層２３の前端面２３ａ間には間隔Ｔ１が空けられている。
【０１０７】
次に図５に示すように前記下部シールド層２２の上面２２ｂから前記間隔Ｔ１内に露出したアンダーレイヤ２１の上面、及び前記第２金属層２３の上面２３ｂにかけてＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２から成る無機絶縁材料層６０をスパッタ法や蒸着法によって成膜する。
【０１０８】
図５に示すように前記無機絶縁材料層６０を前記間隔Ｔ１内に埋め込んだ後、図５に示すＡ―Ａ線まで前記無機絶縁材料層６０、下部シールド層２２及び第２金属層２３をＣＭＰ技術等を用いて削り込んで、前記下部シールド層２２及び第２金属層２３の上面２２ｂ，２３ｂを露出させるとともに、前記無機絶縁材料層６０を前記間隔Ｔ１内のみに残す。この削り込み工程によって前記下部シールド層２２の上面２２ｂ、第２金属層２３の上面２３ｂ及び前記間隔Ｔ１内に残された無機絶縁材料層６０の上面は同一の平坦化面となる。なお前記間隔Ｔ１内に残された無機絶縁材料層６０は図１，３に示す埋め込み層２４と同じものである。
【０１０９】
次に図６に示す工程では、前記下部シールド層２２の上面２２ｂ、前記埋め込み層２４の上面２４ｂ及び第２金属層２３の上面２３ｂにかけて無機絶縁材料で形成された下部ギャップ層５０をスパッタ法や蒸着法で成膜する。
【０１１０】
次に前記下部ギャップ層５０上に記録媒体との対向面からハイト方向への所定領域に磁気抵抗効果素子２６を形成し、さらに前記磁気抵抗効果素子２６上から前記下部ギャップ層５０上にかけて無機絶縁材料で形成された上部ギャップ層５１をスパッタ法や蒸着法によって成膜する。
【０１１１】
次に前記上部ギャップ層５１の上に、上部シールド層２７及び第１金属層２８をメッキ形成する。この２つのメッキ層の形成方法は、下部シールド層２２及び第２金属層２３のメッキ形成方法と同じである。
【０１１２】
図６に示すように前記上部シールド層２７は記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さでメッキ形成される。前記第１金属層２８は、上部シールド層２７の後端面２７ａよりもハイト方向に所定の間隔Ｔ２を空けてハイト方向に向けて形成されている。
【０１１３】
前記第１金属層２８は前記上部シールド層２７と同じ磁性材料で形成されてもよいが、前記第１金属層２８の熱伝達効率を向上させるには非磁性金属材料で形成されることが好ましい。前記第１金属層２８を前記上部シールド層２７とは異なる材質で形成する場合の方法も、既に下部シールド層２２と第２金属層２３のメッキ形成方法で説明したので省略する。
【０１１４】
上記のように前記下部シールド層２２の後端面２２ａと第２金属層２３の前端面２３ａ間には間隔Ｔ１が空けられているが、前記間隔Ｔ１は、前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２と膜厚方向（図示Ｚ方向）で対向する位置に形成されることが好ましい。これにより前記下部シールド層２２の記録媒体との対向面からハイト方向への長さ寸法と、前記上部シールド層２７の記録媒体との対向面からハイト方向への長さ寸法をほぼ同等にすることができ、前記上部シールド層２７と下部シールド層２２の平面形状のサイズをほぼ一致させることが可能になる。その結果、きれいなＱＳＴカーブを得ることができ、薄膜磁気ヘッドの出力特性の評価を容易且つ適切なものにすることができ歩留まりの向上を図ることが可能である。
【０１１５】
次に図７に示す工程では、前記上部シールド層２７の上面２７ｂから、前記上部シールド層２７の後端面２７ａ上、前記間隔Ｔ２内に露出する上部ギャップ層５１の上面、前記第１金属層２８の前端面２８ａ上、及び前記第１金属層２８の上面２８ｂにかけてＡｌ２Ｏ３やＳｉＯ２などの無機絶縁材料で形成された分離層２９をスパッタ法や蒸着法などで成膜する。
【０１１６】
前記分離層２９は、前記上部シールド層２７の上面２７ｂや第１金属層２８の上面２８ｂで０．２μｍ〜０．４μｍの膜厚で形成される。一方、前記分離層２９は、前記上部シールド層２７の後端面２７ａ上や前記第１金属層２８の前端面２８ａ上ではシャドー効果によって膜厚が薄くなり、あるいは成膜されない箇所も出てくる。
【０１１７】
前記分離層２９を成膜した後、前記分離層２９上全体にレジスト層７０を塗布する。このレジスト層７０は、凹んだ前記間隔Ｔ２内を適切に埋める。
【０１１８】
図８に示す工程では、露光現像処理によって前記レジスト層７０のうち、ちょうど前記間隔Ｔ２内を埋めているレジスト層７０ｂが残るようにし、それ以外のレジスト層７０ａを除去する。残された前記レジスト層７０ｂは図１における第１有機絶縁層３０となる。
【０１１９】
残された前記レジスト層７０ｂの上面７０ｂ１は、前記上部シールド層２７の上面２７ｂ及び第１金属層２８の上面２８ｂに形成された分離層２９の上面２９ａよりも若干高いか、あるいは若干低くなっている。前記レジスト層７０ｂの上面７０ｂ１は、前記分離層２９の上面２９ａに比べて高低差が、＋１．５μｍ〜−１．０μｍの範囲内となるように調整されることが好ましい。この調整は、図７工程でのレジスト層７０の塗布量を調整したり、図８のように間隔Ｔ２内にレジスト層７０ｂが残るように露光現像処理を行った後、前記レジスト層７０ｂに対して熱処理等を施して行われる。熱処理を施すとレジスト層７０ｂの表面はなだらかになり、図８に示すレジスト層７０ｂよりも若干高さ寸法を低くできる。
【０１２０】
本発明では、前記上部シールド層２７の後端面２７ａと第１金属層２８の前端面２８ａ間に空けられた間隔Ｔ２内に、レジスト層７０ｂを埋め込み、前記間隔Ｔ２を前記レジスト層７０ｂで塞いでしまうことに特徴点がある。
【０１２１】
このように前記上部シールド層２７の後端面２７ａと前記第１金属層２８の前端面２８ａ間に空けられた間隔Ｔ２内にレジスト層７０ｂを埋め込むことで、従来のように、ＣＭＰ技術等による研削加工を施さなくても、前記上部シールド層２７の上面２７ｂ、第１金属層２８の上面２８ｂ及び前記間隔Ｔ１を適切に且つ容易に絶縁層で覆うことが可能になり、製造工程の簡略化を図ることが可能である。
【０１２２】
図１３に示す従来にあっては、図１４工程に示すように、まず無機絶縁材料からなる絶縁層１４を、上部シールド層４上、放熱層１３上及び間隔Ｄ内にスパッタ法等で成膜する。
【０１２３】
しかしこのとき、前記間隔Ｄは、前記上部シールド層４及び放熱層１３がメッキ形成されたものであるため比較的深い寸法であり、この間隔Ｄ内を前記絶縁層１４で適切に埋めるには、かなり長い成膜時間を必要とした。
【０１２４】
その結果、前記上部シールド層４及び放熱層１３上に成膜される絶縁層１３の膜厚も必要以上に厚いものとなってしまう。このため従来では、上部シールド層４及び放熱層１３の上面に成膜された絶縁層１４を所定膜厚になるまで研削加工によって削ることが必要になる。
【０１２５】
一方、本発明では、図７工程において前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内を無機絶縁材料ではなくレジスト層７０で埋めてしまうため、前記前記上部シールド層２７の上面２７ｂと第１金属層２８の上面２８ｂを覆う分離層（無機絶縁層）２９の成膜の際には、前記上部シールド層２７と第１金属層２８上に必要な膜厚だけを考慮して前記分離層２９の成膜を行えばよい。よって本発明では従来のように研削加工が必要なくなる。
【０１２６】
このように本発明では、従来に比べて上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内の埋め込み工程を容易に且つ適切に行うことが可能になっている。
【０１２７】
また前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内をレジスト層７０ｂで埋めれば、前記間隔Ｔ２内を無機絶縁層で埋めた場合に比べて、前記第１金属層２８から上部シールド層２７へ熱が導かれるのをより効果的に抑制できる。よって本発明では従来に比べて磁気抵抗効果素子２６に熱の影響が少ない放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１２８】
本発明では、図８工程後、図９工程を施す。図９工程では、前記分離層２９の上面２９ａ及びレジスト層７０ｂの上面７０ｂ１に図示しないメッキ下地層を形成した後、下部コア層３１をメッキによりパターン形成する。
【０１２９】
図９のように前記レジスト層７０ｂの上面７０ｂ１は、無機絶縁材料で形成された分離層２９の上面２９ａより若干高くなっているため、前記レジスト層７０ｂと膜厚方向（図示Ｚ方向）で対向する位置にある下部コア層３１の上面３１ａは、前記上部シールド層２７及び第１金属層２８と膜厚方向で対向する位置にある下部コア層３１の上面３１ｂに比べて若干高くなる。
【０１３０】
次に前記下部コア層３１の周囲を前記下部コア層３１の上面と同じ高さ位置まで埋めるための絶縁層８０を前記下部コア層３１が形成されていない位置での分離層２９の上面及び前記下部コア層３１の上面にスパッタ成膜した後、前記絶縁層８０及び下部コア層３１をＢ―Ｂ線までＣＭＰ技術等により研削加工して、前記下部コア層３１の上面と前記下部コア層３１の周囲を埋める絶縁層８０の上面とを同一平坦化面にする。
【０１３１】
図９工程では、前記上部シールド層２７と第１金属層２８間に空けられた間隔Ｔ２内にレジスト層７０ｂが埋め込み形成されているから、前記上部シールド層２７の上方から前記第１金属層２８の上方にかけて下部コア層３１を形成する際に、前記下部コア層３１が前記間隔Ｔ２内に屈曲して入り込むことはなく、よって前記間隔Ｔ２付近で前記上部シールド層２７と下部コア層３１とが距離的に近づくことはなく、前記下部コア層３１が吸収した熱が前記間隔Ｔ２付近で前記上部シールド層２７に伝達されることを適切に抑制できる。特に前記間隔Ｔ２内はレジスト層７０ｂによって埋められているため、従来に比べて前記間隔Ｔ２内の熱伝導率は低く、前記間隔Ｔ２付近で前記下部コア層３１から上部シールド層２７に熱が伝わることをより効果的に抑制できる。
【０１３２】
また前記レジスト層７０の上面７０ｂ１は例えば前記分離層２９の上面２９ａよりも若干高くなっているなど、前記レジスト層７０の上面７０ｂ１と分離層２９の上面２９ａとが同一平面で形成されなくても、各上面間の高低差は小さく、前記下部コア層３１の形成に支障をきたすということはない。また図９に示すように、たとえ下部コア層３１の形成時に、前記下部コア層３１表面にうねりがあっても結局、研削加工により前記下部コア層３１の上面を平坦化面に加工するから、前記下部コア層３１上に形成される各層の成膜精度に悪影響を及ぼすといったこともない。
【０１３３】
図９工程後、図１に示す隆起層３４、バックギャップ層３５、コイル層３７、磁極層４４等を既存の製造方法を用いて形成する。
【０１３４】
図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法では、図５工程で下部シールド層２２及び第２金属層２３をメッキ形成した後、前記下部シールド層２２の上面２２ｂから間隔Ｔ１内、及び第２金属層２３の上面２３ｂにかけて無機絶縁材料の下部ギャップ層５０をスパッタ成膜した後、図７及び図８工程と同様の工程を用いて、前記間隔Ｔ１内をレジスト層７０ｂで埋め、その後、磁気抵抗効果素子２６を形成し、無機絶縁材料からなる上部ギャップ層５１を前記磁気抵抗効果素子２６上から前記下部ギャップ層５０上及びレジスト層７０ｂ上にかけてスパッタ成膜する。
【０１３５】
前記磁気抵抗効果素子２６の形成は、レジスト層７０ｂの形成前でもよく、また下部ギャップ層５０、磁気抵抗効果素子２６及び上部ギャップ層５１の形成後に、前記間隔Ｔ１内にレジスト層７０ｂを埋め込み形成してもよい。その後は、図６工程以降の工程と同様の工程を施す。
【０１３６】
上記のように、上部シールド層２７と第１金属層２８間の間隔Ｔ２のみならず、下部シールド層２２と第２金属層２３間の間隔Ｔ１内にもレジスト層７０ｂを埋め込み形成してしまうことで、図５工程で説明した研削加工が必要なくなり、より製造工程の簡略化に繋がる。
【０１３７】
なお、図７工程では、上部シールド層２７上から前記間隔Ｔ２内及び前記第１金属層２８上にかけて無機絶縁材料からなる分離層２９を形成した後、前記レジスト層７０の形成を行っているが、逆にレジスト層７０の形成を行ない、前記間隔Ｔ２内をレジスト層７０ｂで埋めた後、前記上部シールド層２７の上面２７ｂから前記レジスト層７０ｂの上面７０ｂ１及び第１金属層２８の上面２８ｂにかけて前記分離層２９を成膜してもよい。
【０１３８】
また、図７ではレジスト層７０を用いたが、他の有機絶縁材料を用いて前記間隔Ｔ２内の埋め込みを行ってもよい。
【０１３９】
また図１及び図３に薄膜磁気ヘッドでは、上部シールド層２７と第１金属層２８間に形成された間隔Ｔ２内にのみ、図４に示す薄膜磁気ヘッドでは、前記間隔Ｔ２内と、前記下部シールド層２２と第２金属層２３間に形成された間隔Ｔ１内の双方に有機絶縁層を埋め込み形成するといったものであったが、前記下部シールド層２２と第２金属層２３間に形成された間隔Ｔ１内にのみ有機絶縁層を埋め込み形成した薄膜磁気ヘッドであってもよい。
【０１４０】
以上、詳述した本発明における薄膜磁気ヘッドは、例えばハードディスク装置などに搭載される磁気ヘッド装置に内蔵される。前記薄膜磁気ヘッドは浮上式磁気ヘッドあるいは接触式磁気ヘッドのどちらに内蔵されたものでもよい。また前記薄膜磁気ヘッドはハードディスク装置以外にも磁気センサ等に使用できる。
【０１４１】
【発明の効果】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、シールド層よりもハイト方向後方に、前記シールド層と所定の間隔が空けられた位置から金属層を形成し、前記シールド層と金属層間を有機絶縁層で埋める。そして前記有機絶縁層を形成する前あるいは後に、前記シールド層の上面及び金属層の上面を無機絶縁層で覆う。
【０１４２】
上記の製造方法によれば、従来のようにＣＭＰ技術等による研削加工を必要としなくても適切に、前記シールド層と金属層間の間隔内を絶縁層（有機絶縁層）で埋めることができるとともに、前記シールド層の上面及び金属層の上面を絶縁層（無機絶縁層）で覆うことができる。
【０１４３】
よって本発明では、従来に比べてシールド層と金属層間に空けられた間隔内の埋め込み工程を容易に且つ適切に行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦断面図、
【図２】図１に示す上部シールド層、磁気抵抗効果素子及び下部シールド層のみを模式図的に示した部分斜視図、
【図３】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分拡大縦断面図、
【図４】本発明の第２実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分拡大縦断面図、
【図５】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図６】図５の次に行われる一工程図、
【図７】図６の次に行われる一工程図、
【図８】図７の次に行われる一工程図、
【図９】図８の次に行われる一工程図、
【図１０】従来の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１１】図１０とは異なる構成の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１２】図１０，図１１とは異なる構成の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１３】図１０ないし図１２とは異なる構成の薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１４】図１３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１５】ＱＳＴカーブについて説明するためのＲＨ特性グラフ、
【符号の説明】
２０  スライダ
２１  アンダーレイヤ
２２  下部シールド層
２３  第２金属層
２５  ギャップ層
２６  磁気抵抗効果素子
２７  上部シールド層
２８  第１金属層
２９  分離層
３０  第１有機絶縁層
３１  下部コア層
３４  隆起層
３５  バックギャップ層
３７  コイル層
４４  磁極層
５２  第２有機絶縁層
７０、７０ａ，７０ｂ  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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