(57)【要約】【課題】青色レーザ光に対する干渉型変調器を得るとともに、青色レーザ光の結合効率を上げ、かつ高速変調を可能にする。【解決手段】ＤＢＲレーザ１とＬｉＮｂＯ３素子２から構成され、ＬｉＮｂＯ３素子２には高調波発生領域３と干渉型変調領域４が形成されている。ＤＢＲレーザ１から出射された赤外レーザ光は、ＬｉＮｂＯ３素子２の高調波発生領域３を導波する。高調波発生領域３には入力光である赤外光波長に合わせて周期状分布反転構造が形成されており、赤外光の波長、高調波光の導波路での波長、及び、分布反転構造の周期が整数比となる。逓倍された高調波光は干渉型変調領域４において複数の光導波路６ａ，６ｂの光路長を、第１の電極８にパワー切り換えの変調信号を印加してＬｉＮｂＯ３素子２の屈折率を変更して有効な前記光路長を変更しこれを合成することによって波長とパワーが変更されたレーザー光が出射される。【選択図】      図１
2004212824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を入射させて干渉させる干渉型変調器であって、
レーザ光の波長を変換する高調波発生領域と、
前記波長変換されたレーザ光を分波する分波部と、
前記分波された各々のレーザ光を導波する複数の光導波路を有する光導波路部と、
前記光導波路部の光導波路を通過した各々のレーザ光を干渉させる合波部と、
前記光導波路の１つを挟む一対の電極とが、１つの非線形光学基板上に設けられたことを特徴とする干渉型変調器。
【請求項２】
半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の導波路に沿って配置された波長変換領域と干渉型変調領域とを有し、前記波長変換領域と前記干渉型変調領域とを同一基板上に有することを特徴とする高調波光源装置。
【請求項３】
前記干渉型変調領域は、
前記半導体レーザ素子から放射されて前記波長変換領域を通過した光を２つに分波する分波部と、
前記分波した各々のレーザ光を導波する２つの光導波路と、
前記分波した各々のレーザ光を干渉させる合波部とを有し、前記光導波路の１つを挟んで一対の第１の電極を設けたことを特徴とする請求項２記載の高調波光源装置。
【請求項４】
レーザ光を入射させて干渉させる干渉型変調器であって、
前記レーザ光を分波する分波部と、
前記分波された各々のレーザ光を導波する複数の光導波路を有する光導波路部と、
前記光導波路部の光導波路を通過した各々のレーザ光を干渉させる合波部と、
前記光導波路の１つを挟む一対の電極と前記合波部から出射するレーザ光の波長を変換する高調波発生領域とが、１つの非線形光学基板上に設けられたことを特徴とする干渉型変調器。
【請求項５】
前記非線形光学基板は、ＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴｉＯ３基板であることを特徴とする請求項１または請求項４記載の干渉型変調器。
【請求項６】
半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子の導波路に沿って配置された干渉型変調領域と波長変換領域とを有し、前記干渉型変調領域と前記波長変換領域とを同一基板上に有することを特徴とする高調波光源装置。
【請求項７】
前記干渉型変調領域は、
前記半導体レーザ素子から放射された光を２つに分波する分波部と、
前記分波した各々のレーザ光を導波する２つの光導波路と、
前記分波した各々のレーザ光を干渉させる合波部とを有し、前記光導波路の１つを挟んで一対の第１の電極を設けたことを特徴とする請求項６記載の高調波光源装置。
【請求項８】
前記２つの光導波路のうちで前記第１の電極が設けられた光導波路とは異なる光導波路に、光導波路との対向面積が前記第１の電極よりも短い一対の第２の電極を設けた請求項３または請求項７記載の高調波光源装置。
【請求項９】
前記２つの光導波路のうちで前記第１の電極が設けられた光導波路に、光導波路との対向面積が前記第１の電極よりも短い一対の第２の電極を設けた請求項３または請求項７記載の高調波光源装置。
【請求項１０】
前記波長変換領域と前記干渉型変調領域とはＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴｉＯ３基板上に形成されたことを特徴とする請求項３または請求項７記載の高調波光源装置。
【請求項１１】
半導体レーザ素子から出射したレーザー光を変調するに際し、
同一の基板上に波長変換領域と干渉型変調領域とを直列に配設した非線形光学素子の前記波長変換領域の側から前記レーザー光を入射して前記干渉型変調領域を介して出射させるか、前記干渉型変調領域の側から前記レーザー光を入射して前記波長変換領域を介して出射させるとともに、前記干渉型変調領域を構成する複数の光導波路の電界を変調信号で制御して出射されるレーザー光のパワーを切り換える高調波光源装置の変調方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクシステム等の光情報処理装置に用いられる光ピックアップ光源用の高調波光源装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高密度光ディスク用の光源として、赤色域や、赤外域の光に比べ、光ディスク上での集光スポット系を小さくする事が可能となる短波長域で発光し、光ディスクの記録、再生密度の向上に有効な青色域のレーザ光源が要望されている。青色域のレーザ光を得る有効な手段として、赤外光を第二高調波（Ｓｅｃｏｎｄ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ、以下ＳＨＧという）技術により、青色域の短波長に変換する方法がある。
【０００３】
従来の高調波光源装置としては、例えば（特許文献１）（特許文献２）に示すものが知られている。これら特許文献に示された高周波光源装置の主要部分を図５に示す。
【０００４】
高調波光源装置は、半導体レーザ１０１とＳＨＧ素子１０２から構成される。
半導体レーザ１０１から出射された赤外レーザ光が直接ＳＨＧ素子１０２に入射され、ＳＨＧ素子１０２内で赤外レーザの半分の発振波長に変換され、ＳＨＧ素子１０２から青色域の短波長が出力される。
【０００５】
ＳＨＧ素子１０２として広く用いられているのはＬｉＮｂＯ３に代表される非線形光学材料である。通常、このＬｉＮｂＯ３素子には、入力光である赤外光波長に合わせて、プロトン交換技術により周期状分布反転構造１０３が形成されており、ＳＨＧ導波路での赤外レーザ光の波長、ＳＨＧにより発生した青色レーザ光の導波路での波長、及び、分布反転構造の周期が整数比となるように構成されている。従って、入射光である赤外レーザ光の有効波長はＳＨＧ素子１０２により、狭い範囲内に制限を受ける事になる。このため、入射光源である半導体レーザ１０１には、発振波長選択性が高く、単一縦モード発振し、温度による発振波長の変化も調整可能な分布ブラッグ反射型（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、以下ＤＢＲという）レーザが通常用いられる。図５のような高調波光源の変調を行う際には、通常は半導体レーザ１０１に注入する電流を制御することにより、変調を行っている。
【０００６】
また、従来、干渉型変調器としては、例えば（特許文献３）（特許文献４）に示すものが知られているが、これらは光通信分野に用いられるものであり、青色レーザ光の導波路としての干渉型変調器はまだ実現されていない。
【０００７】
【特許文献１】
特開平９−１８９９２９号公報
【０００８】
【特許文献２】
特開平９−１８９９３０号公報
【０００９】
【特許文献３】
特開平５−１９６９０３号公報
【００１０】
【特許文献４】
特開平１０−２６７４６号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、赤外半導体レーザを直接変調することにより、青色レーザ光の変調を行う際には次のような問題がある。上述したように、ＳＨＧ素子内で赤外レーザ光を高効率に青色に変換するためには、赤外レーザ光の有効波長が狭い範囲内に制限されてしまう。
【００１２】
半導体レーザが定常状態で駆動しているときは発振波長が安定しているため、発振波長をＳＨＧ素子から制限される狭い有効波長範囲内に納めることができる。しかし、変調時には半導体レーザに注入する電流を急激に増減させるため、その際に電位変化や温度変化が生じる。その結果、赤外レーザ光の発振波長が変化してしまい、ＳＨＧ素子から制限される有効波長範囲内からもずれてしまう。補償回路を設けることにより、発振波長のずれを小さくすることは可能であるが、全く無くすことは困難である。このようにわずかに生じる発振波長のずれのため、青色レーザ光の出力が不安定になり、光ディスクへの記録が正常に行われないという課題がある。
【００１３】
また、半導体レーザを直接変調する場合、注入電流を変化させてからレーザ光出力が変調されるまで、半導体レーザ固有の応答時間だけ時間を要するため、高速変調が難しいという課題もある。
【００１４】
また、上記課題を解決する後述の本発明の変調方式を実現するためには、従来からある半導体レーザ、高調波発生素子、変調素子の３つの部品を組み合わせることにより作製することも可能であるが、これには次のような問題がある。
【００１５】
まず、部品点数が３点ということで、高調波光源全体の容量が大きくなる。また、それぞれを結合するためには半導体レーザと高調波発生素子、高調波発生素子と変調素子という２箇所を精度良く実装する必要があり、非常に困難である。
更には、精度良く結合させても数％の結合ロスが必然と生じるため、青色レーザ光の出力が限られてしまうという問題がある。
【００１６】
以上の課題を鑑みて本発明は、変調時にも高調波出力が安定し、かつ高速変調が可能で、高調波の高出力化、小型化、実装簡易化、低コスト化を可能とする高調波光源装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１記載の干渉型変調器は、レーザ光を入射させて干渉させる干渉型変調器であって、レーザ光の波長を変換する高調波発生領域と、前記波長変換されたレーザ光を分波する分波部と、前記分波された各々のレーザ光を導波する複数の光導波路を有する光導波路部と、前記光導波路部の光導波路を通過した各々のレーザ光を干渉させる合波部と、前記光導波路の１つを挟む一対の電極とが、１つの非線形光学基板上に設けられたことを特徴とする。
【００１８】
本発明の請求項２記載の高調波光源装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の導波路に沿って配置された波長変換領域と干渉型変調領域とを有し、前記波長変換領域と前記干渉型変調領域とを同一基板上に有することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項３記載の高調波光源装置は、請求項２おいて、前記干渉型変調領域は、前記半導体レーザ素子から放射されて前記波長変換領域を通過した光を２つに分波する分波部と、前記分波した各々のレーザ光を導波する２つの光導波路と、前記分波した各々のレーザ光を干渉させる合波部とを有し、前記光導波路の１つを挟んで一対の第１の電極を設けたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項４記載の干渉型変調器は、レーザ光を入射させて干渉させる干渉型変調器であって、前記レーザ光を分波する分波部と、前記分波された各々のレーザ光を導波する複数の光導波路を有する光導波路部と、前記光導波路部の光導波路を通過した各々のレーザ光を干渉させる合波部と、前記光導波路の１つを挟む一対の電極と前記合波部から出射するレーザ光の波長を変換する高調波発生領域とが、１つの非線形光学基板上に設けられたことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の請求項５記載の干渉型変調器は、請求項１または請求項４において、前記非線形光学基板は、ＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴｉＯ３基板であることを特徴とする。
【００２２】
本発明の請求項６記載の高調波光源装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子の導波路に沿って配置された干渉型変調領域と波長変換領域とを有し、前記干渉型変調領域と前記波長変換領域とを同一基板上に有することを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項７記載の高調波光源装置は、請求項６において、前記干渉型変調領域は、前記半導体レーザ素子から放射された光を２つに分波する分波部と、前記分波した各々のレーザ光を導波する２つの光導波路と、前記分波した各々のレーザ光を干渉させる合波部とを有し、前記光導波路の１つを挟んで一対の電極を設けたことを特徴とする。
【００２４】
本発明の請求項８記載の高調波光源装置は、請求項３または請求項７において、前記２つの光導波路のうちで前記第１の電極が設けられた光導波路とは異なる光導波路に、光導波路との対向面積が前記第１の電極よりも短い一対の第２の電極を設けたことを特徴とする。
【００２５】
本発明の請求項９記載の高調波光源装置は、請求項３または請求項７において、前記２つの光導波路のうちで前記第１の電極が設けられた光導波路に、光導波路との対向面積が前記第１の電極よりも短い一対の第２の電極を設けたことを特徴とする。
【００２６】
本発明の請求項１０記載の高調波光源装置は、請求項３または請求項７において、前記波長変換領域と前記干渉型変調領域とはＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴｉＯ３基板上に形成されたことを特徴とする。
【００２７】
本発明の請求項１１記載の高調波光源装置の変調方法は、半導体レーザ素子から出射したレーザー光を変調するに際し、同一の基板上に波長変換領域と干渉型変調領域とを直列に配設した非線形光学素子の前記波長変換領域の側から前記レーザー光を入射して前記干渉型変調領域を介して出射させるか、前記干渉型変調領域の側から前記レーザー光を入射して前記波長変換領域を介して出射させるとともに、前記干渉型変調領域を構成する複数の光導波路の電界を変調信号で制御して出射されるレーザー光のパワーを切り換えることを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】    
以下、本発明を各実施の形態に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１と図２は本発明の（実施の形態１）を示す。
【００２９】
図１に示す高調波光源装置は、半導体レーザ素子としてのＤＢＲレーザ１と、非線形光学素子としてのＬｉＮｂＯ３素子２から構成されている。
ＬｉＮｂＯ３素子２には、高調波発生領域３と干渉型変調領域４が形成されている。なお、本発明の高調波光源装置で用いられる半導体レーザとしては、ＳＨＧ素子と高効率結合が可能なコヒーレント性の高いものが用いられるが、本実施の形態で用いたＤＢＲレーザの他には、同様に単一発振波長を有するＤＦＢレーザでも良い。
【００３０】
ＤＢＲレーザ１から出射された赤外レーザ光は、ＬｉＮｂＯ３素子２の高調波発生領域３に入射され、高調波発生領域を導波する。高調波発生領域３には入力光である赤外光波長に合わせて、プロトン交換技術により周期状分布反転構造が形成されており、ＬｉＮｂＯ３素子２の導波路での赤外光の波長、高調波光の導波路での波長、及び分布反転構造の周期が整数比となるように構成されている。
【００３１】
具体的には、ＤＢＲレーザ１から出力される発振波長は８２０ｎｍとし、ＳＨＧ素子に形成した分布反転構造の周期は２．８μｍとした。これにより、高調波発生領域３では４１０ｎｍの青色レーザ光が発生する。
【００３２】
なお、図１においては構成がわかりやすいように高調波発生領域３と干渉型変調領域４の寸法を、実際とは異なって表示されている。この実施の形態の場合の実寸は、ＬｉＮｂＯ３素子２の導波方向の全体長は１３ｍｍとし、高調波発生領域３の導波路方向の長さは１２ｍｍであった。
【００３３】
図１では、これらの構造はＬｉＮｂＯ３のＺ面に形成したが、ＬｉＴｉＯ３のＺ面でも同様に用いることが出来る。周期状反転分布構造はプロトン交換技術の他に、Ｔｉ拡散＋熱処理、ＳｉＯ２装荷＋熱処理、電子ビーム照射、イオン注入法などがある。
【００３４】
高調波発生領域３で生じた波長４１０ｎｍの青色レーザ光は、次に変調領域４を導波する。
干渉型変調領域４は、分波部５と、光導波路部６（それぞれの光導波路を６ａ，６ｂとする）と、合波部７との３領域から構成されている。高調波発生領域３で発生した青色レーザ光は、まず分波部５で二つに分けられる。その際、二つに分けられた各々の光パワーは等しい。その後、光導波路６ａ，６ｂを通過し、合波部７で二つの高調波光が干渉する。そして、干渉された青色レーザ光がＬｉＮｂＯ３素子２から出射される。
【００３５】
ＬｉＮｂＯ３素子２の表面上には、光導波路６ｂを挟んでその両側に一対の第１の電極８ａ，８ｂが形成されている。第１の電極８ａ，８ｂはＴｉ，Ｔａ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ等の金属やその他の導電性材料を、真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、メッキなどの手法で形成する。
【００３６】
光導波路６ａ，６ｂの幾何学的な導波路長は等しく、Ｌとする。第１の電極８ａ，８ｂ間に電界を印加しない場合の光路長は、ＬｉＮｂＯ３素子２の屈折率をｎ１とすると、光導波路６ａおよび光導波路６ｂともｎ１・Ｌとなり、等しくなる。
【００３７】
すなわち、この場合には、合波する部分での青色レーザ光は同位相となり、結果としてＬｉＮｂＯ３素子２から出力される青色レーザ光強度は分波される前のパワーと等しくなる。
【００３８】
実際には、光が分波、合波される際に損失が生じるが、非常に小さい値であるため、無視することにする。
次に、第１の電極８ａ，８ｂの間に電圧Ｅを印加して光導波路６ｂに電界を印加した場合、１次の電気光学効果により、電極間に挟まれた部分の屈折率が変化する。電界を加える前にｎ１であった屈折率は、電界を加えることによりｎ２に変化する。屈折率の変化率は第１の電極８ａ，８ｂ間に印加する電圧Ｅによって発生する電界の大きさによって異なる。電界を印加した結果、導波路６ｂの光路長はｎ２・Ｌとなるため、合波部に到達する二つの光の位相のずれ量は
β  ＝  ２π・（ｎ１−ｎ２）・Ｌ  ／  λ
となる。このように合波する２つの位相をずらすことにより、干渉後の光強度は任意の出力で調整できる。例えば、二つの高調波光の位相ずれが  β  ＝  π  となれば、高調波光同士は打ち消し合い、青色レーザ光の出力はゼロとなる。また、β  ＝  π  ／  ２  であれば、出力は分波する前の青色レーザ光の７０％程度の出力となる。合波される二つの高調波光の位相差と青色レーザ出力との関係を図２に示す。
【００３９】
このような変調方法を行うためには、分波、合波するレーザ光のコヒーレント性が優れている必要があるが、高調波発生領域３で発生する青色レーザ光は非常にコヒーレント性が高いため、十分変調が可能である。
【００４０】
したがって、ＤＢＲレーザ１は定常駆動したまま、ＬｉＮｂＯ３素子２の第１の電極８ａ，８ｂに印加する電界を変化させる。そうすることにより、ＤＢＲレーザ１直接変調時に生じる発振波長ゆらぎによる青色レーザ光の出力不安定という問題が生じること無く、任意の青色レーザ出力強度を得ることができる。また、電極に印加する電圧Ｅにより変調が出来るので、高速変調も可能となる。
【００４１】
また、図１で示した高調波光源装置の高調波発生領域３と干渉型変調領域４は単一ＬｉＮｂＯ３素子２内に形成されている。高調波発生部と変調部が別々の素子で形成する場合、数％の結合ロスが生じるが、本発明の高調波光源装置では高調波発生領域と変調領域の結合ロスがほぼゼロに等しい。そのため、青色レーザ光の出力をより大きくすることが出来る。
【００４２】
また、素子点数が従来の３点から２点で作製することが出来るため、実装が容易になり、全体容量を小さくすることも出来、更には低コスト化も可能となる。
ＬｉＮｂＯ３素子２に高調波発生領域３を形成する具体例を説明する。
【００４３】
先ず、ＬｉＮｂＯ３素子２の高調波発生領域３と干渉型変調領域４となるべき位置の導波路に開口が形成されたマスクを使用して、ＬｉＮｂＯ３素子２にチタンを付着させる。この状態でＬｉＮｂＯ３素子２をアニール処理すると、前記チタンはＬｉＮｂＯ３素子２の結晶内に拡散する。
【００４４】
次に、光導波路６の導波路６ｂに第１の電極８ａ，８ｂを蒸着する。そして、高調波発生領域３の導波路における極性を反転させたいところに電極を形成し、高調波発生領域３に強電界を作用させて周期分布反転構造を作成する。この強電界を作用させる場合には、干渉型変調領域４には強電界が作用しないように磁性体などで覆った状態にする。
【００４５】
なお、本実施の形態ではＤＢＲレーザ１から出射されるレーザ光が赤外光で、ＬｉＮｂＯ３素子２での高調波光が青色レーザ光としたが、ＤＢＲレーザ１から出射されるレーザ光として波長約６５０ｎｍ前後の赤色光を用いて、紫外の高調波光を得る場合でも同様の効果が得られる。
【００４６】
（実施の形態２）
図３は本発明の（実施の形態２）を示す。
（実施の形態１）では光導波路６ｂに第１の電極８ａ，８ｂが設けられており、光導波路６ａには電界を制御する電極が設けられていなかったが、図３に示すこの（実施の形態２）では、光導波路６ａに電界を制御する第２の電極９ａ，９ｂが設けられている。その他は（実施の形態１）と同じである。
【００４７】
光導波路６ａを挟んで形成された一対の第２の電極９ａ，９ｂは、光導波路との対向面積が第１の電極８ａ，８ｂよりも短い小さな電極である。
このように第１，第２の電極８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂを設け、２つの光導波路６ａ，６ｂの光路長を精密に制御することができ、第２の電極９ａ，９ｂは面積が小さいので、電界を印加しても屈折率が変化する部分は導波路６ａの全光路長に対して一部分であるため、光路長の変化分は小さく微調整が可能となる。その結果、変調がより容易となり青色レーザ光出力調整もより容易となる。
【００４８】
（実施の形態３）
（実施の形態２）では光導波路６ｂに第１の電極８ａ，８ｂを設け、光導波路６ａに第２の電極９ａ，９ｂを設けたが、光導波路６ａまたは光導波路６ｂの一方の光導波路に第１，第２の電極８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂを設けて構成しても同様の効果を期待できる。
【００４９】
（実施の形態４）
図４は本発明の（実施の形態４）を示す。
（実施の形態１）では、ＤＢＲレーザ１から出射されるレーザ光がＬｉＮｂＯ３素子２の高調波発生領域３に入射し、高調波発生領域３を通過して逓倍されたレーザー光が干渉型変調領域４に入射したが、この（実施の形態４）では、ＬｉＮｂＯ３素子２に形成された干渉型変調領域４にＤＢＲレーザ１から出射されるレーザ光が入射し、干渉型変調領域４で変調してパワーコントロールされたレーザー光がＬｉＮｂＯ３素子２の高調波発生領域３を介して出射される。第１の電極８ａ，８ｂにパワー切換信号を入力して変調する点などは（実施の形態１）と同じである。
【００５０】
このように、（実施の形態１）とは高調波発生領域３と干渉型変調領域４の配置を変更した場合であっても、同様の効果を期待できる。
さらに詳しくは、ＤＢＲレーザ１から出射された赤外レーザ光が、ＬｉＮｂＯ３素子２に入射され、まず干渉型変調領域４を導波する。第１の電極８ａ，８ｂに電界を印加することにより、電界印加部分でＬｉＮｂＯ３素子２の屈折率が変化し、導波路６ａ，６ｂの光路長に差が生じることは実施の形態１と同様である。そのため、合波される２つの赤外レーザ光には位相ずれが生じ、合波後の赤外レーザ光強度が変化する。（実施の形態１）では、高調波光である青色レーザ光の位相をずらすことにより変調を行っていたが、この（実施の形態４）では赤外レーザ光の位相ずれを利用して変調を行う。変調後、高調波発生領域３を通過することにより、赤外レーザ光が青色レーザ光に変換される。
【００５１】
この場合、ＤＢＲレーザ１から出射される赤外レーザ光自体を干渉させて変調を行うため、ＤＢＲレーザ１には図１の形態の場合以上にコヒーレント性が求められる。
【００５２】
以上のように、図４の形態でもＤＢＲレーザ１は定常駆動したまま、ＬｉＮｂＯ３素子２の第１の電極８ａ，８ｂに印加する電界を変化させることにより、変調が可能となる。そのため、ＤＢＲレーザ１の直接変調時に生じる発振波長ゆらぎによる青色レーザ光の出力不安定という問題は生じない。また、電極に印加する電界により変調が出来るので、高速変調も可能となる。
【００５３】
なお、（実施の形態４）の光導波路６ａに（実施の形態２）のように第２の電極９ａ，９ｂを設けて微調整したり、（実施の形態４）の光導波路６ａまたは光導波路６ｂの一方の光導波路に（実施の形態３）のように第１，第２の電極８ａ，８ｂ，９ａ，９ｂを設けて、第２の電極９ａ，９ｂによって微調整するように構成することもできる。
【００５４】
【発明の効果】
以上のように本発明の干渉型変調器によれば、１つの非線形光学基板の上に高調波発生領域と干渉型変調領域とを設けたので、波長変換された青色レーザ光に対する干渉型変調器を得ることでき、その結果、高速変調可能な青色レーザ素子を得ることができる。
【００５５】
また、本発明の高調波光源装置によれば、１つの非線形光学基板の上に高調波発生領域と干渉型変調領域とを設けた干渉型変調器に、半導体レーザ素子を結合しているので、半導体レーザ素子と高調波発生領域と干渉型変調器とを歩留まりよく結合させることができ、高速変調可能な青色レーザ素子の歩留まりが向上する。
【００５６】
さらに、本発明の高調波光源装置の変調方法によれば、同一の基板上に波長変換領域と干渉型変調領域とを直列に配設した非線形光学素子の前記波長変換領域の側から前記レーザー光を入射して前記干渉型変調領域を介して出射させるか、前記干渉型変調領域の側から前記レーザー光を入射して前記波長変換領域を介して出射させるとともに、前記干渉型変調領域を構成する複数の光導波路の電界を変調信号で制御して出射されるレーザー光のパワーを切り換えるので、半導体レーザの直接変調を行う場合よりも、高調波光の出力が安定し、かつ高速変調が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の（実施の形態１）における高調波光源装置の概念的な斜視図
【図２】同実施の形態における２つの高調波光の位相差と青色レーザ光出力の関係図
【図３】本発明の（実施の形態２）における高調波光源装置の概念的な斜視図
【図４】本発明の（実施の形態４）における高調波光源装置の概念的な斜視図
【図５】従来の高調波光源装置を表す図
【符号の説明】
１    ＤＢＲレーザ（半導体レーザ素子）
２    ＬｉＮｂＯ３素子（非線形光学基板）
３    高調波発生領域
４    干渉型変調領域
５    分波部
６    光導波路部
６ａ，６ｂ    光導波路
７    合波部
８ａ，８ｂ        第１の電極
９ａ，９ｂ        第２の電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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