(57)【要約】【課題】  半導体ウェハ上にターゲットから材料を堆積するための方法と装置を提供すること。【解決手段】  チャック・ヒータによって加熱されるチャックの上にウェハが配置される。チャックからウェハへと出る放射熱流がウェハのための主な熱源である。したがって、チャック・ヒータの温度を制御することにより、堆積された材料の望ましい特性を達成するように望ましい範囲内にウェハ温度を維持することが可能となる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上に材料を堆積させるための方法であって、ウェハ温度が或る温度範囲内に維持され、
堆積される材料を含むターゲットを供給する工程、
チャック上でウェハを支える工程を含み、そこではウェハがターゲットとチャックの間に配置され、
粒子がターゲットに衝突するのに応答してターゲットからウェハ上に材料を堆積させる工程、および
チャック温度を制御することによってウェハ温度をこの温度範囲内に制御する工程を含む方法。
【請求項２】
ウェハを支える工程がさらに、チャックから間隔を置いた関係でウェハを支える工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ウェハが放射熱流によってチャックに熱的に結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ウェハ温度が放射熱流によって実質的に決定される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
チャック温度がウェハ温度を実質的に決定するようなターゲットからの距離にウェハを配置する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
材料がアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
温度範囲が約２４５℃と２８５℃の間の温度を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ウェハ温度を制御する工程が約３５０℃と４５０℃の間にチャック温度を制御する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
堆積の工程に先立ってウェハの投入時温度を決定する工程をさらに含み、ウェハ温度を制御する工程が、ウェハの投入時温度に応じてチャック温度を制御する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
堆積の工程がさらに、ウェハ上に＜１１１＞の結晶配向で材料を堆積させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
材料の堆積に先立ってウェハ上に下地層を堆積させる工程をさらに含み、下地層が所定の結晶配向を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
下地層が、＜００２＞の結晶配向を有するチタンを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
堆積された材料が望ましい粒子配向を示す、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ウェハを配置する工程がさらに、ターゲットから約４５ｍｍの距離にウェハを配置する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ウェハ上に材料を堆積させるための物理学的蒸着法のチャンバであって、ウェハ温度が或る温度範囲内に維持され、
ウェハ上に堆積される材料から成るターゲット、
ウェハを支えるためのチャック、
チャック・ヒータ、および
ウェハ温度がこの温度範囲内になるようにチャック・ヒータを制御するための制御器を含むチャンバ。
【請求項１６】
チャックからウェハへと出る放射熱流によってウェハが加熱される、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項１７】
ウェハ温度がチャック温度によって実質的に決定される、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項１８】
ウェハとターゲットが間隔を置かれた関係で配置される、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項１９】
間隔を置かれた関係が約４５ｍｍを含む、請求項１８に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項２０】
チャックの上に被さる台座カバーをさらに含み、台座カバーがその上側表面の上に複数のパッドをさらに含み、ウェハが複数のパッドの上に配置される、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項２１】
材料がアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項２２】
温度範囲が約２４５℃と２８５℃の間である、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項２３】
制御器がチャック温度を約３５０℃と４５０℃の間の範囲で決定する、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項２４】
ウェハ温度を決定するための温度測定装置をさらに含み、制御器がウェハ温度に応答性を有することによってそれに応答してチャック・ヒータを制御する、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項２５】
堆積された材料が実質的に＜１１１＞の結晶配向を有する、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【請求項２６】
堆積された材料が望ましい粒子配向を示す、請求項１５に記載の物理学的蒸着法のチャンバ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、集積回路デバイス用のアルミニウム金属化層の形成に関し、さらに特定すると実質的に＜１１１＞のアルミニウム粒子配向を有するアルミニウム金属化層の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
この出願は、２００３年５月１３日に出願した仮特許出願番号６０／４７０，１２０号の恩典を権利主張するものである。
【０００３】
集積回路デバイス（またはチップ）は、通常、シリコン基板および基板内のドープ領域から形成されるトランジスタのような半導体素子を含む。半導体基板の上に重なる平行層で形成された相互接続が半導体素子間の電気的接続を供給することで電気回路を構成する。通常、集積回路デバイス内でドープ領域と素子を相互接続するためにいくつか（例えば６〜９）の相互接続層（各々が「Ｍ」または金属化層と称される）が必要とされる。上部金属化層は、デバイス回路のオフチップをパッケージ構造のピンまたはリードなどに接続する導電性相互接続（例えばボンディング・ワイヤ）のための取り付け点を供給する。
【０００４】
各々の相互接続構造は複数の実質的に水平の導電性相互接続線もしくはリード、および複数の垂直な導電性ビアもしくはプラグを含む。第１もしくは最も下の段の導電性ビアは下にある半導体素子を上にある相互接続線へと相互接続する。上側の段のビアは下にある相互接続線と上にある相互接続線を接続する。相互接続構造は従来の金属堆積、フォトリソグラフィマスク処理、パターニングおよびエッチング技術を使用して形成される。水平方向の導電性相互接続層に普通に使用される１つの材料はアルミニウムを含む。相互接続線を形成するために、基板の上側表面上に配置された合金の誘電体層の上にアルミニウムが全面堆積され、その後、所望の相互接続線を形成するために従来の技術に従ってパターン化される。導電性ビアの材料は普通ではタングステンを含む。
【０００５】
物理学的蒸着法（ＰＶＤ）としてやはり知られているスパッタリングは合金の誘電体層の上にアルミニウムを全面堆積するために知られている１つの技術である。従来技術のスパッタリング処理のチャンバ１００の１つの範例が図１に例示されており、そこではウェハ装填の位置で、すなわちウェハがチャンバ内に装填される時点での部品類が例示されている。真空に維持されるチャンバ１００は、チャンバ１００の底部付近に配置されたウェハ１０６上に堆積される材料から成るターゲット１０２を封入している。ターゲット１０２は直流電源１１０によって（通常は接地される）チャンバ・シールド１０８に関して負にバイアスされる。従来では、正に帯電したアルゴン・イオン１１６のプラズマを発生させるためにアルゴン分子が入り口１１２を経由してチャンバ１００内に導入され、ターゲット１０２とチャンバ・シールド１０８（すなわちグラウンド）の間の電場によってイオン化される。アルゴン・イオン１１６は、それらが負に帯電したターゲット１０２に向かって加速するときに運動量を得る。
【０００６】
マグネット１１８は磁場を作り出し、それがアルゴン・プラズマを領域１１７に閉じ込め、そこでは増加したプラズマ密度がスパッタリング効果を高める。アルゴン・イオン１１６がターゲット１０２に衝突すると、イオンの運動量がターゲット材料の分子もしくは原子に移され、ターゲット１０２からこれらの分子もしくは原子をスパッタするかまたははじき出す。チャンバ１００内の高密度のアルゴン・イオン１１６は、スパッタされた原子の有意の量がウェハ１０６の上側表面上に凝結することを確実化する。アルミニウムのケースでは、ターゲット材料はいかなる化学的もしくは組成的変化も受けずにウェハ１０６上に堆積される。チャンバの圧力、温度および堆積電力（すなわち電源１１０によってターゲット１０２に供給される電力（電圧と電流の積）の量）を含む様々なスパッタリング処理パラメータは、スパッタされた膜の所望の特性を達成するために変えられる可能性がある。概して、ターゲット電力が高くなるにつれてターゲット堆積速度が増加する。
【０００７】
堆積処理を開始する前に、ロボット・アーム（図１に示していない）がウェハ１０６をチャンバ１００内に輸送し、複数のウェハ・リフト・ピン１２４の上でウェハ１０６を位置決めする。チャック１２６が上方に駆動されてピン１２４をチャック１２６内に引き込むと、ウェハ１０６はチャック１２６の上側表面１２９に被さった台座カバー１２８のパッド１２７の上に留まることになる。
【０００８】
チャック１２６が上方に移動し続けると、ウェハ１０６はウェハ／クランプ位置合わせチューブ・アセンブリ１３２によって支えられたクランプ・アセンブリ１３０（リング状構造）に接触する。チャック１２６は、クランプ１３０、ウェハ１０６、およびチャック１２６が図２に例示した処理位置になるまで上方移動を続ける。その後、堆積処理が開始される。スパッタリング処理中では、クランプとチャック１２６の間に発揮される力がウェハ１０６をパッド１２７に対して定位置に保持する。この最終の処理位置はソース対基板間隔と称され、そこではターゲット１０２がソースであり、ウェハ１０６が基板である。間隔はスパッタリング処理中に最適の堆積均一性を与えるように決定される。
【０００９】
堆積処理が終了すると、上記の工程が逆の順で実行され、それによってウェハ１０６がチャンバ１００から取り出される。ロボット・アームは次の処理工程の実行のためにウェハを次のチャンバへと輸送する。
【特許文献１】仮特許出願番号６０／４７０，１２０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
知られているように、クランプ１３０はウェハの周縁部だけに接触するリング状の構造である。一実施形態では、ウェハの直径は約２００ｍｍであり、約３ｍｍの周縁部エッジの除外領域１４０（図３参照）を備え、そこでは半導体デバイスが加工されない。クランプ１３０はウェハの傾斜エッジ１４２の約１ｍｍ以内の接触点１４１でウェハ１０６と接触する。しかしながら、接触点１４１を越えて延びるクランプ領域１４３がウェハ１０６を陰にする。したがって、エッジの除外領域１４０は約３ｍｍ広い周縁部リング領域を含み、それが使用可能なウェハ面積を減少させる。
【００１１】
ウェハ１０６の表面上にアルミニウムをスパッタリングしている間、アルミニウム堆積物１４４がクランプ１３０の上側表面１４５上に形成されてウェハ１０６上に追加的な陰の効果を作り出す。この陰の効果は３ｍｍのエッジ除外領域１４０を越えて延びる可能性がある。
【００１２】
チャンバ１０８内で堆積処理をしている間は上側表面１４５へのアルミニウムの堆積が続くので、図４に例示したように最終的にアルミニウム堆積物１４４が接触点１４７でウェハ１０６の上側表面１４６に接触する可能性がある。接触点１４７で、ウェハ１０６とクランプ１３０の間に溶接に似た効果が作り出される。これが生じると、アルミニウム堆積処理が完了した後にウェハ１０６がクランプ１３０から分離不可能になる可能性がある。
【００１３】
クランプ１３０の使用はまた、ウェハ１０６上で欠陥粒子の形成を引き起こす可能性がある。図１に戻ると、ウェハ／クランプ位置合わせチューブ・アセンブリ１３２はウェハ１０６に関してクランプ１３０を位置合わせするように調節可能である。しかしクランプ１３０とウェハ／クランプ位置合わせチューブ・アセンブリ１３２の間の金属−金属接触は、上側表面１４６上に落下してウェハ欠陥の可能性を作り、かつ処理の収率を下げる可能性のある粒子の発生源である。
【００１４】
クランプ１３０の使用に付随する一定の不具合を克服するための静電チャックが知られている。静電チャックはウェハ１０６とチャックの間に形成される電場によって発生する静電力でウェハ１０６を安定に、間隔を置いた位置に保持する。しかしながら、脱チャック処理中に、すなわちチャンバ１００からウェハ１０６を取り出すときに裏面の粒子を発生することによって、この電場が材料の堆積処理に悪影響を及ぼすことが知られている。また、静電チャックを横切って無視できない程度の熱的勾配もあり、その結果、ウェハ１０６にわたってアルミニウム粒子にばらつきが生じる。特に、裏面粒子の程度の増大および粒子配向の変化が、特にウェハの中央部付近で観察された。静電チャックはウェハ・クランプ・システムよりもかなり高価であり、かつ短い使用期限を有する。
【００１５】
クランプおよび静電チャックの両方で、望ましいウェハ温度を維持するために埋め込みヒータがチャックを所定の温度（例えば約３００℃）に加熱する。両方のチャック・タイプで、ウェハ温度をチャック温度に維持するようにチャック１２６をウェハ１０６に熱的に結合させるためにウェハ１０６の裏でガス（普通はアルゴン）が流される。ガスはチャック１２６内のオリフィス１４９を通してウェハ裏側へと導入される。図１および２を参照されたい。スパッタされた原子の衝突による摩擦力がウェハの温度をチャック温度以上に上げる可能性があるので、ガス（裏側冷却と称する）はウェハ１０６とチャック１２６の間を流れるときにウェハ１０６を冷却する。ガスからの熱伝達で、チャックはヒート・シンクとしてもやはり役立つことが可能である。裏側冷却ガスは、チャンバの真空を維持するように動作可能なクライオジェニック・ポンプ（図示せず）によってチャンバ１０８から引き抜かれる。もしも裏側冷却ガスがウェハ底面にわたって均等に配分されない場合、堆積層にホット・スポットとそれに付随するアルミニウムの欠陥が現れる可能性がある。裏側冷却ガスが無いとウェハ温度が時間と共に上昇し、プラズマ温度に近づくことが観察された。そのような過剰なウェハ温度は堆積したアルミニウムの欠陥の原因となる可能性があり、またウェハを破損する可能性もある。したがって、裏側冷却の使用と共に堆積処理中にチャック温度（およびクランプ・タイプのチャックではクランプ）を制御することが、材料の堆積処理を向上させるようにウェハ温度の制御を供給することが知られている。
【００１６】
エレクトロマイグレーションは集積回路デバイスのアルミニウムの相互接続リードに関して知られている問題である。長く、薄いアルミニウム・リードによって搬送される電流はリード内で入力側から出力側に大きさが減少する電場を発生する。また、リード内を流れる電流によって生じる熱が熱的勾配を確立する。導体中のアルミニウム原子は移動性となって２つの勾配の方向で導体内を拡散する。第１に観察される効果は薄肉化であり、極端なケースでは導体は開回路に進展し、デバイスは機能を停止する。
【００１７】
銅、シリコンおよびアルミニウムの合金を含むアルミニウム合金の使用がエレクトロマイグレーション効果を低減させることが可能であることは知られている。しかしながら、これらのアルミニウム合金は堆積装置と方法に関して増大した複雑さを呈し、純アルミニウムとは異なるエッチング速度を示し、所望のエッチング効果を達成するために処理の変更を必要とする。純アルミニウムと比較すると、合金は増大した膜の抵抗率、したがって増大したリードの抵抗率を有する可能性がある。
【００１８】
集積回路デバイス内の相互接続リードはまた、動作時に熱的に誘導される膨張と収縮のせいでかなりの機械的応力下にある可能性がある。これらの効果は、相互接続金属が分離して空隙を形成する応力空隙故障メカニズムの原因となる。
【００１９】
アルミニウム粒子の配向と粒子のサイズがアルミニウム相互接続リードのエレクトロマイグレーションと応力空隙特性に影響を与えることが示された。特に、＜１１１＞面に沿ったアルミニウム粒子配向が最小のエレクトロマイグレーション効果を作り出すことは知られている。従来技術によると、アルミニウムが典型的な積層構造であるチタン／窒化チタン積層の上に堆積されるとき、アルミニウム粒子の配向は下にあるチタンの配向によって支配される。窒化チタンの配向もやはりチタンの配向によって支配される。したがって、もしもチタンの配向が正しい場合（例えば＜００２＞）、上に重なるアルミニウムは高い確率で＜１１１＞配向を有するであろう。従来技術によると、ウェハ温度はアルミニウムの粒子サイズだけに影響を与え、粒子の配向には与えない。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は半導体ウェハ上に材料を堆積させるための方法を教示しており、そこではウェハ温度は望ましい温度範囲内に維持される。本方法は堆積される材料のターゲットを供給する工程を含む。ウェハはチャック上に支持されてターゲットから距離を置いてターゲットとチャックの間に配置され、チャック温度が実質的にウェハ温度を決定する。ターゲット材料はターゲットに衝突する粒子に応答してウェハ上に堆積される。チャック温度は堆積処理中にウェハ温度を望ましい温度範囲内に維持するように制御される。
【００２１】
本発明はさらにウェハ上に材料を堆積するための物理学的蒸着法のチャンバを含み、そこではウェハ温度は所定の温度範囲内に維持される。このチャンバはウェハ上に堆積される材料から成るターゲットおよびウェハを支持するためのチャックを含む。ウェハを所定の温度範囲内に加熱するために制御器がチャック・ヒータを制御する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の前述およびその他の特徴は、添付の図面に具体的に示したような本発明のさらに特定した以下の説明から明らかになるであろう。そこでは同様の参照番号は様々な図面を通じて同じ部品に関する。図面は必ずしも縮尺通りではなく、本発明の原理を具体的に示すことに重点が置かれている。
【００２３】
本発明による特定の最適化されたスパッタリング処理を詳細に説明する前に、本発明が複数の構成要素と処理工程の新規でかつ決まりきったものでない組み合わせにあることに気付くべきである。したがって、構成要素は図中で従来の構成要素で表されており、当業者にとって容易に明白となる詳細で本開示を分かりにくくしないように、ここで説明する利点を有して適切な本発明に対する特異的な詳細のみを示す。
【００２４】
図５は本発明の一実施形態による物理学的蒸着法のチャンバに使用するためのクランプ無しのチャック１５０を例示している。図５で、複数の構成要素はウェハ充填の位置で例示されている。図６は堆積処理の位置で同じ構成要素を例示している。ウェハの重さが下方向に向けて力を発揮し、それが台座カバー１２８のパッド１２７に対してウェハ１０６を保持する。ウェハの裏側冷却は本発明の教示によって不要である。したがって、裏側冷却が無い場合、ウェハ１０６の底面に対して向けられる冷却剤流体の力は存在せず、クランプの使用によるような冷却剤流体の力に耐えるための付加的な下方向への力を必要としない。都合のよいことに、クランプの使用を避けると従来技術のクランプ１３０によって隠されるウェハのエッジの除外領域１４０に半導体デバイスを加工することが可能となる。
【００２５】
本発明によって、ウェハ温度がアルミニウムの粒子サイズと粒子配向の両方に影響を与えることが決定された。下にある材料層は、スパッタされたアルミニウムが好ましい配向で成長するような所定の配向でなければならない。粒子配向に与えるウェハ温度の影響は下地層（例えばチタン）の配向ほど重要ではない可能性はあるが、ウェハが所定の温度範囲内に維持されるとき、＜１１１＞の結晶配向を示すアルミニウム原子の数は増加する。望ましい温度にウェハを維持することはアルミニウム材料層の適切な成長に必要な熱的特性を提供する。もしも堆積の熱的特性が適切に維持されない場合、アルミニウム合金はアルミニウム粒界に不純物を凝結させ、それがアルミニウム膜の成長に有害な効果を有するであろう。アルミニウム膜のそのような変質はアルミニウム原子の配向に直接影響を与える。
【００２６】
さらに、約２４５℃と２８５℃の間のウェハ温度が＜１１１＞の結晶面の実質的に大部分の粒子を備えた都合のよいアルミニウム粒子サイズ（約０．８ミクロン）を作り出すことも決定された。本発明の教示によって、チャック温度、ウェハ温度、およびウェハ温度とチャック温度の間の関数的依存性に影響を与える様々なチャンバと処理のパラメータを考慮にいれながら、チャック温度はこの範囲のウェハ温度を達成するように制御される。
【００２７】
ウェハ温度を制御するために、ウェハ温度に影響を与える様々な制御されない処理の影響は最小限にされるべきである。図６の構成で、ウェハ１０６はターゲット１０２から約４５ｍｍの距離となるように間隔を置かれ、プラズマおよび衝突する堆積粒子の摩擦力によって生じる熱はウェハ１０６にとって支配的な熱源ではない。そうではなく、温度制御器１５８の制御下にあるチャック・ヒータ１５６によって加熱されるとき、ウェハ温度は主としてチャック１５０から出る放射熱流によって決定される。ウェハ１０６はチャック１２６と直接物理的に接触せず、台座カバー１２８のパッド１２７の高さ（通常、パッド１２７は約２ｍｍの高さである）でそこから離れているので、ウェハ１０６とチャック１５０の間に存在するのは最小限の伝導熱流である。
【００２８】
約３５０℃と４５０℃の間のチャック温度が約２４５℃と２８５℃の間のウェハ温度を生じさせることが決定された。約４５０℃のチャック温度でこのクランプ無しの処理のウェハ温度は従来技術のクランプ処理のウェハの温度と合致し、堆積された膜の特性はクランプのあるチャックで観察されたそれらと実質的に同様になる。
【００２９】
チャック温度は主として制御可能なチャック・ヒータ１５６によって実質的に決定されるが、チャック１２６とウェハ１０６の間の熱伝達もやはりＰＶＤチャンバ１００の一定の特性によって影響を受ける。例えば、チャック１２６からウェハ１０６へと向かう熱流はウェハ１０６とチャック１２６の上側表面１２９の間の距離、すなわち台座カバー１２８上のパッド１２７の高さによって決まる。ウェハ温度はまた、堆積処理の継続時間すなわちウェハ１０６が高温の堆積プラズマおよびスパッタされた粒子の摩擦力に晒される時間によっても決まる。
【００３０】
付け加えると、一実施形態では、ＰＶＤチャンバ１００内に入ったウェハの温度は（一実施形態では光学的パイロメータを使用して）測定されることが可能であり、チャック温度を設定することで判断されることが可能である。投入時の温度はウェハが受けた前の処理、および前のチャンバからチャンバ１００へとウェハ１０６を移すのに要する時間によって決まる。或る種の処理ツールでは、ウェハがツールのチャンバ間を移動する間にウェハ温度が約０．５℃／秒低下することが知られている。したがって、一実施形態では、温度制御器１５８によって制御されるときのチャック温度もやはり初期のウェハ温度に対して敏感であり、それによって約２８５℃のウェハ温度が本発明のＰＶＤ処理を通して維持される。
【００３１】
さらに別の実施形態では、堆積処理中にウェハ温度が決定され、それに応答してチャック・ヒータ１５６を制御するために温度値が温度制御器１５８へとフィードバックされる。
【００３２】
好ましい実施形態を参照して本発明を説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく様々な変形が為され、かつ同等の構成要素がそれらの構成要素に置き換えられることが可能であることは当業者によって理解されるであろう。本発明の範囲はさらに、ここに述べた様々な実施形態から由来する構成要素のいかなる組み合わせも含む。付け加えると、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく特定の状況を本発明の教示に合わせるように改造が為されることが可能である。したがって、本発明は、本発明を実施するために考慮される最良のモードとして開示した特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明が添付の特許請求項の範囲に入るすべての実施形態を含むことを意図する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来技術の物理学的蒸着法のチャンバを例示する図である。
【図２】従来技術の物理学的蒸着法のチャンバを例示する図である。
【図３】従来技術のウェハ・クランプとウェハの間の接触を例示する図である。
【図４】従来技術のウェハ・クランプとウェハの間の接触を例示する図である。
【図５】本発明の一実施形態の教示に従った物理学的蒸着法のチャンバを例示する図である。
【図６】本発明の一実施形態の教示に従った物理学的蒸着法のチャンバを例示する図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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