(57)【要約】【課題】バンプの高さや形状を迅速かつ正確に検出できるバンプ検査方法及び装置を提供する。【解決手段】ワークの表面に形成されたバンプを検査するにあたり、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とする。【選択図】　　　図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの表面に形成されたバンプを検査するにあたり、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とするバンプ検査方法。
【請求項２】
前記バンプが、上部が球状のバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該バンプの寸法よりも小さくし、正反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする請求項１記載のバンプの検査方法。
【請求項３】
前記バンプがストレートバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該ストレートバンプの寸法よりも大きくし、乱反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする請求項１記載のバンプの検査方法。
【請求項４】
ワークの表面に形成されたバンプを検査するバンプ検査装置において、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とするバンプ検査装置。
【請求項５】
照射パターンを空間光変調器によって形成するように構成されていることを特徴とする請求項４記載のバンプ検査装置。
【請求項６】
前記スリット光を照射する光学系がシャインプルーフ光学系を構成していることを特徴とする請求項５記載のバンプ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ワークの表面に形成されたバンプ（突起）を検査する方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップの実装において、実装密度の向上、多ピンの接続を目的として、ワイヤボンディングに変わり、バンプを用いることが行われている。バンプ接続の場合には、リード線の接続に比べて実装時間の短縮が図れること、リード線の接続に比べて実装面積が小さくなること、リード線の接続に比べて信号到達時間が短縮できるという利点を有するからである。
ところで、このバンプを用いる実装においては、リードフレーム等の実装基板の対応箇所に多数のバンプを一括接着することから、バンプの表面形状、形成位置、幅、高さが適切であることが要請される。半導体集積回路の高集積化及び微細化が進んだ今日においては、尚更である。
そこで、今日、半導体ウエハや半導体チップ等の半導体基板のバンプを検査するためのバンプ検査システム又はバンプ検査装置が種々提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半導体基板に形成されるバンプの種類としてはボールバンプ、ストレートバンプ等があり、これらバンプの種類に拘わらずバンプの高さや形状を迅速かつ正確に検出できるバンプ検査方法及び装置は存在しなかった。
【０００４】
本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、バンプの高さや形状を迅速かつ正確に検出できるバンプ検査方法及び装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載のバンプ検査方法は、ワークの表面に形成されたバンプを検査するにあたり、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とする。
この場合の「マスク」は反射光を観測する観測光学系の焦平面位置又はその近傍に位置させることが好ましい。また、例えば、正反射成分の光情報を得るには、観測光学系の光軸の近傍部分が透光部、その周辺部分が遮光部であるマスクが使用され、一方、正反射成分の光情報を得るには、観測光学系の光軸の近傍部分が遮光部、その周辺部分が透光部であるマスクが使用される。さらに、スリット光の照射によりバンプ高さ又は形状を検出するには、例えば周知の光切断法が使用される。なお、この場合、各バンプに対して一条のスリット光を照射してもよいが、互いに平行な二条以上のスリット光を照射するようにしてもよい。さらに、バンプ全てにスリット光を一度に照射するようにしてもよい。
なお、「設計上でのバンプ位置」とは、バンプをワークに形成する際の設計において定められたバンプ位置を言う。
また、バンプ位置を検出したり、バンプ高さ又は形状を検出するための照射パターンの形成はデジタルミラーデバイスや透明液晶を使用することが好ましい。
【０００６】
このようなバンプ検査方法によれば、ワークの表面に照射し、そこで反射した光のうちの正反射成分又は乱反射成分から実際のバンプ位置を検出し、そのバンプ位置を基準にスリット光を照射しているので、バンプ高さ又は形状を正確に検出することができる。また、実際のバンプ位置と設計上でのバンプ位置とのずれが許容範囲内にない場合にはバンプ不良とすることもできる。一方、実際のバンプ位置と設計上でのバンプ位置とのずれが許容範囲内にある場合や、実際のバンプ位置と設計上でのバンプ位置とのずれが許容範囲内にはないが、バンプ形成プロセスの解析のために必要な場合には、実際のバンプ位置にてバンプ高さや形状を検出することができる。
【０００７】
請求項２記載のバンプ検査方法は、請求項１記載のバンプ検査方法において、前記バンプが、上部が球状のバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該バンプの寸法よりも小さくし、正反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする。「上部が球状のバンプ」とは、特に限定はされないが、ボールバンプやマッシュルームバンプ等を言う。
【０００８】
このバンプ検査方法によれば、ワークの表面にその法線方向から光を照射すると、上部が球状のバンプの場合には、反射光のうちの正反射成分は当該バンプの頂部で反射したものとなるので、主に正反射成分の光情報を得ることにより、実際のバンプ位置を正確に検出することができる。
なお、上部が球状のバンプの場合に、光のビーム寸法をバンプの寸法よりも大きくすると、バンプの頂部からの正反射成分の光情報のみならず、ワークの表面からの正反射成分の光情報までが検出されるので、画像処理が煩雑となる。
【０００９】
請求項３記載のバンプ検査方法は、請求項１記載のバンプ検査方法において、前記バンプがストレートバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該ストレートバンプの寸法よりも大きくし、乱反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする。「ストレートバンプ」とは、例えば金バンプのように表面が平らではあるが、ワーク表面よりも粗面となっているバンプを言う。この場合の「光のビーム寸法」はバンプ位置ずれの許容範囲を考慮して定めることが好ましい。例えば、バンプ位置ずれの許容範囲を超えた場合には、バンプの頂部からの正反射成分が検出できないようなビーム寸法としておけば、容易に、バンプ不良かどうかを判定することができる。
【００１０】
このバンプ検査方法によれば、ワークの表面にその法線方向から光を照射すると、ストレートバンプの場合には、反射光のうちの乱反射成分は当該バンプの上面で反射したものとなるので、主に乱反射成分の光情報を得ることにより、実際のバンプ位置を正確に検出することができる。ちなみに、ワークの表面で反射した光は、ワークが半導体ウェーハの場合に正反射成分となる。
【００１１】
請求項４記載のバンプ検査装置は、ワークの表面に形成されたバンプを検査するバンプ検査装置において、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とする。この場合、各バンプに対して一条のスリット光を照射してもよいが、互いに平行な二条以上のスリット光を照射するような構成としてもよい。さらに、バンプ全て（あるいはバンプ不良のものを除いたバンプ全て）にスリット光を一度に照射するようにしてもよい。
【００１２】
このようなバンプ検査装置によれば、ワークの表面に照射し、そこで反射した光のうちの正反射成分又は乱反射成分から実際のバンプ位置を検出し、そのバンプ位置を基準にスリット光を照射しているので、バンプ高さ又は形状を正確に検出することができる。
【００１３】
請求項５記載のバンプ検査装置は、請求項４記載のバンプ検査装置において、照射パターンを空間光変調器によって形成するように構成されていることを特徴とする。ここで「空間光変調器」としては、例えばデジタルミラーデバイスや透明液晶が考えられる。
【００１４】
この空間光変調器を使用することにより、照射パターンを簡単に変更することが可能となる。
【００１５】
請求項６記載のバンプ検査装置は、請求項５記載のバンプ検査装置において、前記スリット光を照射する光学系がシャインプルーフ光学系を構成していることを特徴とする。
【００１６】
光学系をシャインプルーフ光学系とすることで、ワークの表面全体で焦点を合わせることが可能となり、より正確に、バンプ高さ及び形状を検出することができる。
【００１７】
なお、前記バンプ検査方法又は装置においてスリット光を照射するにあたり、ワークの表面に対して斜め方向から幅広又は幅狭のスリット光を選択的に照射することも可能である。この場合、幅広のスリット光の幅をバンプの幅又は直径よりも大きくなるように設定し、幅狭のスリット光の幅をバンプの幅又は直径よりも小さくなるように設定することが好ましい。さらに、幅狭のスリット光の場合、平行な複数のスリット光を同一のバンプに当てることが好ましい。このようにすることで、同一のバンプの複数箇所を同時に検査できるので、検査時間の短縮と精度の向上が図れる。
【００１８】
このような構成では、バンプの種類に応じてワークの表面に幅広又は幅狭のスリット光を照射するようにする。この場合、幅広のスリット光を当てた場合、バンプの影が形成される。この影の長さ等を計測することにより、バンプ高さを計測することができる。この幅広のスリット光は特に制限はされないがボールバンプを検査する場合に特に有効である。
一方、幅狭のスリット光をバンプ配列部分に当てた場合、バンプ上面に対応する明部とベース面に対応する明部とでは位置がずれることになる。この位置ずれ量はバンプ高さを反映している。この幅狭のスリット光は特に制限はされないがストレートバンプを検査する場合に特に有効である。
【００１９】
また、前記バンプ検査方法又は装置においては、ワークのバンプ配列方向に沿って延びるスリット光を照射することが好ましい。このようにすることで、配列された複数のバンプを同時に検査することができる。
【００２０】
さらに、前記バンプ検査方法又は装置においては、スリット光の反射光を観測する観測光学系は受光部としてラインセンサを含んで構成されていることが好ましい。この場合ラインセンサの延在方向はスリット光の延在方向と直交する方向となっていて、ラインセンサをスリット光の延在方向に移動させてバンプの検査をすることが好ましい。このバンプ検査装置によれば、ラインセンサ（１次元センサ）によって受光しているので、２次元センサを用いる場合に比べて迅速に検査が行えることになる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
１．バンプ測定装置の構成
本発明に係るバンプ測定装置は、図１〜図３に示すように、任意の投射パターンを保持可能なＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）１００と、ＤＭＤ１００を照明するＤＭＤ照明光学系２００と、被検面５００上のバンプ位置を測定するためのバンプ位置測定用光学系３００と、バンプ高さを測定するためのバンプ高さ測定用光学系４００とを備えている。この場合のＤＭＤ１００とＤＭＤ照明用光学系２００は、バンプ位置を求めるバンプ位置検出装置と、バンプ高さを求める装置とで兼用することもできる。この場合には、例えば、ＤＭＤ１００全体の角度を変えるなりして、バンプ位置を求める場合と、バンプ高さを求める場合とで、バンプ位置測定用光学系３００と、バンプ高さ光学系４００との切換えができるような構成とすればよい。
【００２２】
２．ＤＭＤ１００の構成
図１〜図３に示すＤＭＤ１００は、２次元的に配列した各ピクセルが微小なミラーから構成され、各ピクセル毎にメモリ素子による静電界作用によって微小ミラーの傾きが制御可能で、微小ミラーの光の反射角度を変化させることによってオン／オフ状態を作る反射形表示素子であり、任意の投射パターンを保持可能となっている。
【００２３】
３．ＤＭＤ照明用光学系２００の構成
図１に示すＤＭＤ照明用光学系２００は、ランプ２０１、反射鏡２０２、集光レンズ２０３、インテグレータロッド２０４及びコンデンサレンズ２０５を備えている。
ランプ２０１としては、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ等が使用される。反射鏡２０２としては、楕円反射鏡が使用され、この楕円反射鏡の一つの焦点にランプ２０１が設けられる。ランプ２０１からの光はこの反射鏡２０２によって反射されて平行光となる。集光レンズ２０３は反射鏡２０２からの光を集光させてインテグレータロッド２０４に導く。インテグレータロッド２０４は光束を平均化させる。コンデンサレンズ２０５はインテグレータロッド２０４からの光を平行光とする。この平行光によってＤＭＤ１００を照明する。
【００２４】
４．バンプ位置測定用光学系３００の構成
図４に示すバンプ位置測定用光学系３００は、投影レンズ３０１、結像レンズ３０２、対物レンズ３０３、ハーフミラー３０４、結像レンズ３０５、全反射ミラー３０６、結像レンズ３０７、マスク３０８、結像レンズ３０９及びＣＣＤ３１０を備えている。
投影レンズ３０１はＤＭＤ１００を光を平行光にして投影するものであり、結像レンズ３０２は投影レンズ３０１からの光を結像させるためのものである。また、対物レンズ３０３は結像レンズ３０２からの光を平行光にして被検面５００に照射すると共に、被検面５００で反射した光を結像するものであり、ハーフミラー３０４は対物レンズ３０３からの光を照射光と分岐するものである。さらに、結像レンズ３０５はハーフミラー３０４からの光を受光するもので、全反射ミラー３０６は結像レンズ３０５からの光の向きを偏向するものである。また、結像レンズ３０７は全反射ミラー３０６からの光を結像させるためのものであり、マスク３０８は結像レンズ３０７からの光の一部を遮断するためのもので結像レンズ３０７の焦点位置（絞り面）に設けられる。さらに、結像レンズ３０９はマスク３０８からの光を平行光にするためのもので、ＣＣＤ３１０は結像レンズ３０９からの光を受光して電気信号に変換するものである。ＣＣＤ３１０は２次元センサとして構成されていることが好ましい。
【００２５】
５．マスク３０８の構成
マスク３０８としては、図４に示すように、ボールバンプ用マスク３０８ａとストレートバンプ用マスク３０８ｂが使用される。ボールバンプ用マスク３０８ａは中心が透光部で周辺が遮光部となっていて、被検面５００での乱反射成分を遮断する。一方、ストレートバンプ用マスク３０８ｂは中心が遮光部で周辺が透光部となっていて、被検面５００での正反射成分を遮断する。この場合、ボールバンプ用マスク３０８ａとストレートバンプ用マスク３０８ｂとの２種のマスクを用意し、これらを必要に応じて切り換えて使用してもよいが、透明液晶板によってマスクパターンを変えることによりボールバンプ用マスク３０８ａとストレートバンプ用マスク３０８ｂとを構成してもよい。
なお、マッシュルームバンプ用マスクの場合はボールバンプ用マスクと同じ構成とすればよい。
【００２６】
６　バンプ位置測定原理
（１）ボールバンプの場合
図５（ａ）に示すように、ボールバンプ６００は上部が球状となっているため、ワーク（例えば半導体ウェーハ）の被検面５００に対してその法線方向から光を当てるとその頂部に当たった光は正反射し、その他の場所に当たった光は乱反射する。したがって、ボールバンプ６００に照射され、そこで反射した光のうち正反射成分のみを観測すれば、ボールバンプ６００の頂部位置ひいてはバンプ位置が検出できることになる。この場合、ボールバンプ６００の大きさ（径乃至は寸法）よりも小さい光束（スポット光）をボールバンプ６００に当てることが好ましい。ボールバンプ６００が形成されている被検面５００の表面は平面であり、比較的に平滑なので、その平面に当たった光が正反射成分として同時に検出されるのを防止するためである。
マッシュルームバンプの場合も同様である。
【００２７】
（２）ストレートバンプの場合
図５（ｂ）に示すように、ストレートバンプ７００の上面はほぼ平面ではあるがその上面は荒れている（粗度が高い）ため、その上面に当たった光は乱反射成分する。一方、被検面５００の表面からの反射光は正反射成分となるので、その境界を検出することでバンプ位置が検出できることになる。この場合は、ストレートバンプ７００の大きさ（寸法）よりも大きい光束（エリア光）をストレートバンプ７００に当てることが好ましい。
【００２８】
７．バンプ高さ測定用光学系４００の構成
図３に示すバンプ高さ測定用光学系４００は、投影レンズ４０１、対物レンズ４０２、結像レンズ４０３及びＣＣＤ４０４を備えている。
投影レンズ４０１はＤＭＤ１００からの光を平行光にして被検面５００に照射するものである。ＤＭＤ１００、投影レンズ４０１及び被検面５００はシャインプルーフ光学系を構成する。シャインプルーフ光学系としたのは、ＤＭＤ１００の各部から被検面５００の対応位置までの光路長を合わせるためである。対物レンズ４０２は被検面５００からの光を結像するものであり、結像レンズ４０３は対物レンズ４０２からの光を受光するものである。また、ＣＣＤ４０４は結像レンズ４０３からの光を受光して電気信号に変換するものである。この場合のＣＣＤ４０４はラインセンサとして構成することが好ましい。なお、対物レンズ４０２と結像レンズ４０３との間の絞り位置には絞り４０５が設けられ、これらは両側テレセントリック光学系を構成している。そして、このテレセントリック光学系においては開口角を狭くし、これにより焦点深度を深くしている。
【００２９】
８．バンプの高さ測定原理の一例
バンプ位置測定用光学系３００で得られたバンプ位置データに基づき被検面５００上に形成されているバンプの配列ピッチをコンピュータによる画像処理によって求める。
【００３０】
次いで、バンプの種類に応じて幅広のスリット光にするか、幅狭のスリット光にするかを選択する。具体的にはバンプの種類がボールバンプ又はマッシュルームバンプの場合には幅広のスリット光を選択し、その他の場合、つまりバンプの種類がストレートバンプの場合には幅狭のスリット光を選択する。また、バンプの配列ピッチが既に求められているので、その配列ピッチから１次元センサ（ラインセンサ：ＣＣＤ４０４によって構成されている。）の走査スピードをコンピュータによって演算する。
【００３１】
そして、この場合、幅広のスリット光を選択した場合には、ＤＭＤ１００の制御によりバンプの径の２倍程度の幅広のスリット光を図６に示すように入射角θ（例えば４５°）をもって被検面５００に照射してバンプ高さ測定用光学系４００で反射角θ（例えば４５°）をもって被検面５００の光像を取り込む。この際に１次元センサをスリット光の延在方向に移動させる。
【００３２】
このときの様子が図６及び図７に示されている。ただし、図６及び図７は説明の便宜上ストレートバンプを例に示してある。このときにはバンプ６００に当たった光によってバンプ６００の影ができる。この影の長さからコンピュータによってバンプの高さを求める。なお、バンプがボールバンプ７００の場合には、バンプ７００に当たった光によってバンプ７００の影ができる一方で、バンプ７００の頂点が輝点となるので、影の長さ及び輝点の位置からコンピュータによってバンプの高さを求めることができる。
【００３３】
なお、図７（ａ）はバンプの図７（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、山の部分はバンプ、谷の部分は被検面５００のベース面を示している。
【００３４】
一方、幅狭のスリット光を選択した場合には、ＤＭＤ１００の制御によりバンプ６００の径の４分の１程度の幅狭の光を図８に示すように入射角θ（例えば４５°）をもって被検面５００に照射し、バンプ高さ測定用光学系４００で反射角θ（例えば４５°）をもって被検面５００の光像を取り込む。この際に１次元センサ３２をスリット光の延在方向に移動させる。
【００３５】
このときの様子が図８及び図９に示されている。ただし、図８及び図９は説明の便宜上ストレートバンプ６００を例に示してある。このときには図８及び図９（ｂ）に示すように、スリット光のうちバンプ６００に当たった部分と被検面５００の表面（ベース）に当たった部分とで光像（明部）に位置ずれができ、この位置ずれ量はバンプ高さを反映している。したがって、光像の位置ずれ量を計測することによって、バンプ高さを求めることができる。
【００３６】
なお、図９（ａ）はバンプの図９（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図を示し、谷の部分は被検面５００の表面を示している。
【００３７】
９．バンプの検査プロセスの一例
（１）ボールバンプの場合
まず、設計上でのバンプ位置データをコンピュータに読み込む（Ｓ１）。バンプ位置データに基づいて被検面５００の設計上でのバンプ位置にスポット光を照射する（Ｓ２）。この場合のスポット光の照射パターンはコンピュータの処理装置にてＤＭＤ１００のミラーを制御することによって形成される。そして、被検面５００からの反射光のうち正反射成分の光情報から実際のバンプ位置をコンピュータの処理装置にて求める。次いで、設計上のバンプ位置と実際のバンプ位置とのずれ量をコンピュータの処理装置にて演算してバンプの良、不良を判定する。バンプ不良が発見された場合、ワーク全体を不良とし、そのワークについてバンプ高さの検出を止めてもよいが、良バンプのみの高さを測定してもよい。この場合には、良バンプのバンプ位置データに基づいて被検面５００の良バンプにスリット光を照射する。この場合のスポット光の照射パターンはコンピュータの処理装置にてＤＭＤ１００のミラーを制御することによって形成される。そして、被検面５００からの反射光である光情報からコンピュータの処理装置にてバンプ高さを演算する。
一方、不良バンプのバンプ高さをも検出する場合には、不良バンプの実際のバンプ位置データに基づいて被検面５００の不良バンプにスリット光を照射する。この場合のスポット光の照射パターンはコンピュータの処理装置にてＤＭＤ１００のミラーを制御することによって形成される。そして、被検面５００からの反射光である光情報からコンピュータの処理装置にてバンプ高さを演算する。
なお、ボールバンプではなくてマッシュルームバンプの場合にも同様にしてバンプ検査を行う。
【００３８】
（２）ストレートバンプの場合
ストレートバンプの場合も、スポット光の代わりにエリア光が照射される点を除いて、ほぼ同様なプロセスでバンプ検査が行われる。
【００３９】
９．バンプ検査システムの一例の構成
図１０には、前記バンプ測定装置が組み込まれたバンプ検査システムが示されている。
このバンプ検査システムは、バンプ位置測定装置８００とバンプ高さ測定装置９００とを備えている。このバンプ検査システムにおいては、バンプ位置測定装置８００及びバンプ高さ測定用光学系９００のＤＭＤ１００はＤＭＤコントローラ２１００、２２００を介してホストコンピュータ１０００によって制御されるようになっている。また、ＣＣＤ３１０、４０４はＣＣＤコントローラ１１００、１２００を介して画像処理ユニット１３００に接続され、画像処理ユニット１３００はホストコンピュータ１０００に接続されている。同図において、符号１４００はＸＹθステージであり、ＸＹθステージコントローラ１５００を介してホストコンピュータ１０００に接続されている。また、符号１６００はＸＺステージであり、ＸＺステージコントローラ１７００を介してホストコンピュータ１０００に接続されている。また、符号１８００はモニタであり、符号１９００はＣＲＴである。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるものでなく、その要旨を変更しない範囲で、種々の変形が可能であることはいうまでもない。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の代表的なものの効果を説明すれば、バンプ位置を求めて、その後にバンプ高さを求めているので、バンプ高さを正確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態に係るＤＭＤ照明用光学系の構成図である。
【図２】実施形態に係るバンプ位置測定用光学系の構成図である。
【図３】実施形態に係るバンプ高さ測定用光学系の構成図である。
【図４】実施形態に係るマスクの構成図である。
【図５】実施形態に係るバンプ位置測定原理を示す図である。
【図６】幅広のスリット光を当てた場合の作用を示す図である。
【図７】幅広のスリット光を当てた場合のバンプの影の出方を説明するための図である。
【図８】幅狭のスリット光を当てた場合の作用を示す図である。
【図９】幅狭のスリット光を当てた場合の光像を説明するための図である。
【図１０】バンプ検査システムの構成図である。
１００　　ＤＭＤ
２００　　ＤＭＤ照明用光学系
３００　　バンプ位置測定用光学系
４００　　バンプ高さ測定用光学系
５００　　被検面
６００　　ボールバンプ
７００　　ストレートバンプ
【図１】
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【図２】
2004006504.tif 000004
【図３】
2004006504.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004006504.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004006504.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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