(57)【要約】【課題】チップ・オン・チップ構造でありながら効果的に薄型化できる半導体装置を提供する。【解決手段】親チップ１および子チップ２が活性面１ａ，２ａを対向させた状態で接合される。そして、子チップ２の非活性面２ｂが研削され、さらに、親チップ１の非活性面１ｂが研削される。こうして、チップ・オン・チップ構造に接合された親チップ１および子チップ２がいずれも薄型化されることになる。その後は、親チップ１の外部接続用パッドＰＥがボンディングワイヤ６によってリードフレーム７に接続され、全体がモールド樹脂１０で封止される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非活性面側の一部をそれぞれ除去することにより薄型化された複数の半導体チップがチップ・オン・チップ構造に積層されてモールド樹脂で封止されており、最上段の半導体チップ側の上記モールド樹脂が研削されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
非活性面側の一部をそれぞれ除去することにより薄型化された複数の半導体チップがチップ・オン・チップ構造に積層されてモールド樹脂で封止されており、最上段の半導体チップの非活性面が上記モールド樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
非活性面側の一部を除去することにより薄型化された第１の半導体チップと、
非活性面側の一部を除去することにより薄型化された第２の半導体チップと、
上記第１および第２の半導体チップの活性面側の接続部同士を接合する接合部材と、
上記第１の半導体チップの非活性面側が接合された配線基板と、
この配線基板上に配置され、当該配線基板と実質的に同一平面サイズを有し、上記第１および第２の半導体チップを封止するモールド樹脂とを含むことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、第１の半導体チップと第２の半導体チップとを、活性面同士を対向させて接合して構成されるチップ・オン・チップ構造の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板上に三次元的に素子を形成するのは技術的に困難であり、半導体チップ単体での集積度の向上には限界がある。そこで、複数の半導体チップを重ね合わせて、いわゆるチップ・オン・チップ構造とし、これにより複数の半導体チップを三次元的に実装して、実質的に集積度の向上された半導体装置を実現することが提案されている。
【０００３】
図４は、チップ・オン・チップ構造の半導体装置の構造例を示す図解的な断面図である。この半導体装置は、親チップ５１と子チップ５２とを積層したチップ・オン・チップ構造を有している。親チップ５１と子チップ５２とは、それぞれ活性面同士を対向させて接合されている。
活性面とは、親チップ５１および子チップ５２において、それぞれの基体をなす半導体基板における活性表層領域側の表面である。この活性面には、トランジスタや抵抗などの能動素子および受動素子が形成されている。この活性面には、電気接続のための接続部５１ａ，５２ａが設けられている。接続部５１ａ，５２ａは、内部配線の一部を表面保護膜（図示せず）から露出させたパッド部およびこのようなパッド部上に設けられた金属板隆起部であるバンプなどからなる。
【０００４】
このような接続部５１ａ，５２ａを介して親チップ５１と子チップ５２とが電気的および機械的に接続されている。親チップ５１の活性面の周縁付近には、外部接続のための外部接続パッド５５が設けられている。この外部接続パッド５５は、ボンディングワイヤ５６を介して、リードフレーム５７に接続されている。親チップ５１、子チップ５２、ボンディングワイヤ５６、およびリードフレーム５７の一部は、モールド樹脂６０により封止されている。このモールド樹脂６０からリードフレーム５７が引き出されており、このリードフレーム５７の引き出し部が、実装基板に半田接続されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなチップ・オン・チップ構造の半導体装置では、その高さが必然的に高くなるのが欠点である。そこで、半導体装置全体の薄型化を図るために、モールド樹脂６０を研削することも考えられる。この場合、子チップ５２側から研削を行うとすれば、図４において二点鎖線で示すように、ボンディングワイヤ５６を傷つけることのない位置で、研削を停止しなければならない。
【０００６】
したがって、研削による薄型化には限界があり、結果的に、チップ・オン・チップ構造の半導体装置の薄型化には限界があった。
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、チップ・オン・チップ構造でありながら効果的に薄型化できる半導体装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、非活性面側の一部をそれぞれ除去することにより薄型化された複数の半導体チップがチップ・オン・チップ構造に積層されてモールド樹脂で封止されており、最上段の半導体チップ側の上記モールド樹脂が研削されていることを特徴とする半導体装置半導体装置である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、非活性面側の一部をそれぞれ除去することにより薄型化された複数の半導体チップがチップ・オン・チップ構造に積層されてモールド樹脂で封止されており、最上段の半導体チップの非活性面が上記モールド樹脂から露出していることを特徴とする半導体装置である。
請求項３記載の発明は、非活性面側の一部を除去することにより薄型化された第１の半導体チップと、非活性面側の一部を除去することにより薄型化された第２の半導体チップと、上記第１および第２の半導体チップの活性面側の接続部同士を接合する接合部材と、上記第１の半導体チップの非活性面側が接合された配線基板と、この配線基板上に配置され、当該配線基板と実質的に同一平面サイズを有し、上記第１および第２の半導体チップを封止するモールド樹脂とを含むことを特徴とする半導体装置である。
【０００９】
この発明によれば、チップ・オン・チップ構造に積層される半導体チップはいずれも非活性面側の一部が除去されていてそれぞれ薄型化されている。したがって、このチップ・オン・チップ構造をモールド樹脂で封止した半導体装置は、図４の従来のものに比較して、全体として極めて薄型化されたものとなる。
なお、非活性面側の除去には、非活性面側を機械的に削り取る研削または研磨のほか、化学的機械的研磨や、化学的なエッチングによる表層部の除去などが含まれるものとする。
【００１０】
なお、第１および第２の半導体チップを接合する上記接合部材は、第１および第２の半導体チップの内部回路同士を電気接続するための電気接続部であることが好ましい。この電気接続部は、内部配線を表面表面保護膜から露出させたパッドや、このようなパッド上に隆起して形成されたバンプなどを含む。
また、上記第１および第２の半導体チップの少なくともいずれか一方は、外部接続部を有していることが好ましく、このような外部接続部は、ワイヤボンディングによって配線基板に接続されていてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成およびその製造工程を説明するための断面図である。この半導体装置は、図１（ｄ）に示すように、それぞれ非活性面１ｂ，２ｂが研削されて薄型化された第１および第２の半導体チップとしての親チップ１および子チップ２を備えている。
【００１２】
親チップ１および子チップ２は、たとえばいずれもシリコン半導体チップである。これらの親チップ１および子チップ２は、それぞれの活性面１ａ，２ａを互いに対向させた状態で接合されて、チップ・オン・チップ構造をなしている。
活性面１ａ，２ａは、親チップ１および子チップ２の基体をなす半導体基板において、トランジスタなどの素子が形成された活性表層領域側の表面である。これらの活性面１ａ，２ａにおいては、親チップ１および子チップ２の内部回路と電気接続されたパッドが表面保護膜から露出させられている（いずれも図示せず）。そして、上記パッド上にバンプＢ１，Ｂ２がそれぞれ形成されている。これらのバンプＢ１，Ｂ２を互いに圧接して接合することにより、親チップ１および子チップ２の電気的および機械的結合が達成されている。
【００１３】
土台側となる親チップ１は、リードフレーム７のアイランド部７ａにダイボンドされている。リードフレーム７は、このアイランド部７ａと、外部接続のための端子部７ｂとを有している。親チップ１の活性面の周縁部には、外部接続用のパッドＰＥ（外部接続部）が複数個設けられており、この外部接続用のパッドＰＥは、ボンディングワイヤ６を介してリードフレーム７の端子部７ｂに接続されている。
【００１４】
このような状態で、親チップ１および子チップ２、リードフレーム７のアイランド部７ａ、ボンディングワイヤ６、ならびにリードフレーム７の端子部７ｂの一部が、モールド樹脂１０内に封止されている。
次に製造工程について説明すると、まず、図１（ａ）のように、親チップ１と子チップ２とが、バンプＢ１，Ｂ２同士を接合することにより、活性面１ａ，２ａ同士を対向させて接合される。このとき、親チップ１および子チップ２は、いずれも図１（ｄ）に示す最終形態の場合よりもそれぞれ大きな厚みを有している。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、親チップ１の非活性面１ｂを粘着テープ１５に貼り付けた状態で、子チップ２の非活性面２ｂ側が、たとえばグラインダを用いて研削される。これにより、子チップ２の薄型化が達成される。
次に、粘着テープ１５から親チップ１を剥がし、図１（ｃ）に示すように、子チップ２の研削後の非活性面２ｂを粘着テープ１６に貼り付ける。これにより、親チップ１および子チップ２のチップ・オン・チップ構造を粘着テープ１６上に保持する。この状態で、親チップ１の非活性面１ｂ側が、たとえばグラインダーを用いて研削される。これにより、親チップ１が薄型化される。
【００１６】
この親チップ１の研削工程においては、すでに薄型化された子チップ２により、チップ・オン・チップ構造を粘着テープ１６上に保持することになる。そこで、その保持が不安定になるようであれば、必要に応じて治具２０を用いて、親チップ１を側方から支持するようにしてもよい。
治具２０は、たとえば図２に示すように、帯状の剛性板体に親チップ１を嵌合し得る嵌合孔２１が形成されたものであってもよい。この場合に、嵌合孔２１を複数個配列して形成しておいてもよい。これにより、粘着テープ１６上に複数個のチップ・オン・チップ構造を保持し、かつ、治具２０に形成された複数個の嵌合孔２１でそれぞれのチップ・オン・チップ構造を保持することができるから、複数個のチップ・オン・チップ構造に対する研削処理を一括して行うことができる。
【００１７】
親チップ１および子チップ２の各非活性面側の研削が終了した後には、図１（ｄ）に示すように、親チップ１の非活性面１ｂをリードフレーム７のアイランド部７ａにダイボンドする。そして、親チップ１の活性面１ａに設けられた外部接続用パッドＰＥを、ボンディングワイヤ６でリードフレーム７の端子部７ｂに接続する。その後に、モールド樹脂１０で親チップ１および子チップ２などを封止することによって、リードフレーム７の端子部７ｂがモールド樹脂１０外に引き出された構造の半導体装置を得ることができる。
【００１８】
以上のようにこの実施形態によれば、親チップ１の外部配線接続やモールド樹脂１０によるパッケージングに先だって、親チップ１および子チップ２の非活性面１ｂ，２ｂ側を研削するようにしているので、親チップ１および子チップ２がいずれも薄型化されたチップ・オン・チップ構造を得ることができる。これにより、全体が極めて薄型化された半導体装置を実現することができる。
図３は、この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この半導体装置は、たとえば、シリコンチップからなる第１〜第４の半導体チップ３１〜３４を積層して構成されたチップ・オン・チップ構造の装置である。
【００１９】
より具体的には、第１および第２の半導体チップ３１，３２は、上述の第１の実施形態における親チップ１および子チップ２と同様の接合形態で、互いに接合されている。すなわち、第１および第２の半導体チップ３１，３２は、それぞれの活性面同士を対向させて接合されている。また、第３および第４の半導体チップ３３，３４もまた、上述の第１の実施形態における親チップ１および子チップ２と同様の形態で、活性面同士を互いに対向させて接合されている。
【００２０】
このような一対のチップ・オン・チップ構造が、さらに積層されている。すなわち、第２の半導体チップ３２の非活性面と第３の半導体チップ３３の非活性面とが、例えば接着剤によって接合されている。
第１および第２の半導体チップ３１，３２で構成されるチップ・オン・チップ構造は、上述の第１の実施形態における図１（ａ）〜（ｃ）の各工程と同様の工程を経て作成されている。同様に、第３および第４の半導体チップ３３，３４で構成されるチップ・オン・チップ構造も、図１（ａ）〜（ｃ）の各工程と同様の工程を経て作成されている。したがって、第１〜第４の半導体チップ３１〜３４は、いずれも、非活性面側の研削によって薄型化されている。そのため、この４層構造の半導体装置は、全体として、極めて薄型に構成されている。
【００２１】
第１の半導体チップ３１は、配線基板４０上にたとえば接着剤によって接合されている。そして、第１の半導体チップ３１の活性面には、外部接続用のパッドＰＥ１がその周縁領域に形成されている。この外部接続用パッドＰＥ１は、ボンディングワイヤ３６によって配線基板４０上の導体パターンに接続されている。同様に、第３の半導体チップ３３の周縁部にも、外部接続用パッドＰＥ２が設けられている。そして、この外部接続用パッドＰＥ２は、ボンディングワイヤ３７を介して、配線基板４０上の導体パターンに接続されている。
【００２２】
第１〜第４の半導体チップ３１〜３４およびボンディングワイヤ３６，３７は、配線基板４０上に配置されるモールド樹脂４５により封止されている。モールド樹脂４５は、配線基板４０とともに切断されるので、図３に示されているとおり、実質的に配線基板４０と同一平面サイズを有している。
配線基板４０は、たとえば、多層配線構造を内部に有していて、半導体チップ３１とは反対側の表面には、上記多層配線構造を介してボンディングワイヤ３６，３７にそれぞれ接続された外部接続端子（図示せず）が複数個設けられている。この外部接続端子は、導体パターンを露出させたランドであってもよいし、このようなランド上に配置された半田ボールなどであってもよい。
【００２３】
以上のように、この第２の実施形態においても、第１〜第４の半導体チップ３１〜３４が、非活性面側の研削によってそれぞれ薄型化されているので、４層構造のチップ・オン・チップ型半導体装置であるにもかかわらず、全体として極めて薄型化することができる。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態でも実施することができる。たとえば、上述の第１および第２の実施形態においては、親チップ１および子チップ２ならびに第１〜第４の半導体チップ３１〜３４は、全体がモールド樹脂１０，４５内に収容されている。しかし、たとえば、図１（ｄ）の構成においては、子チップ２の非活性面２ｂは、モールド樹脂１０外に露出していてもその特性に支障はない。そこで、図１（ｄ）において仮想線で示すように、モールド樹脂１０を子チップ２の非活性面２ｂが露出するまで研削して、半導体装置のさらなる薄型化を図ってもよい。ただし、この研削は、ボンディングワイヤ６を傷つけることがない位置で停止されなければならない。この場合には、図１（ｂ）に示す研削工程を省略し、モールド樹脂１０の研削時に、子チップ２の非活性面２ｂを同時に研削してもよい。
【００２４】
図３に示された第２の実施形態においても同様である。すなわち、モールド樹脂４５を研削して、最上段の半導体チップ３４の非活性面を露出させるようにしてもよい。
むろん、最上段の半導体チップの非活性面を必ずしも露出させる必要はなく、このような非活性面が露出しない程度までモールド樹脂１０，４５の研削が行われてもよい。
【００２５】
また、上述の実施形態においては、親チップ１および子チップ２ならびに第１ないし第４の半導体チップ３１〜３４がいずれもシリコンチップからなっていることとしたけれども、半導体チップ１，２；３１〜３４の半導体材料としてシリコン以外の材料を適用してもよい。このような他の半導体材料には、ゲルマニウム半導体や、ガリウム燐またはガリウム砒素に代表される化合物半導体材料を例示することができる。
【００２６】
さらに、１つの半導体装置を構成する半導体チップ１，２；３１〜３４は、全て同一半導体材料からなっている必要はなく、異なる半導体材料からなる複数の半導体チップがチップ・オン・チップ構造に積層されて同一モールド樹脂パッケージ内に収容されてもよい。
また、上述の実施形態では、半導体チップの非活性面側の除去をグラインダーを用いた機械的な研削により行っているが、化学的機械的研磨により非活性面側の除去を行ってもよいし、化学的なエッチングによって非活性面側の表層部を除去するようにしてもよい。
【００２７】
その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るチップ・オン・チップ構造の半導体装置の構成およびその製造工程を説明するための図解的な断面図である。
【図２】半導体チップの研削の際に必要に応じて使用される治具の構成例を説明するための部分斜視図である。
【図３】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図４】活性面同士を対向させて接合したチップ・オン・チップ構造の半導体装置の従来の構成例を説明するための図解的な断面図である。
【符号の説明】
１　　　　親チップ
１ａ　　　活性面
１ｂ　　　非活性面
２　　　　子チップ
２ａ　　　活性面
２ｂ　　　非活性面
６　　　　ボンディングワイヤ
７　　　　リードフレーム
７ａ　　　アイランド部
７ｂ　　　端子部
１０　　　モールド樹脂
１５　　　粘着テープ
１６　　　粘着テープ
２０　　　治具
２１　　　嵌合孔
３１〜３４　半導体チップ
３６　　　ボンディングワイヤ
３７　　　ボンディングワイヤ
４０　　　配線基板
４５　　　モールド樹脂
Ｂ１，Ｂ２　バンプ
ＰＥ　　　外部接続用パッド
ＰＥ１　　外部接続用パッド
ＰＥ２　　外部接続用パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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