(57)【要約】【課題】基板表面のレジストを高効率かつ均一に剥離することができるレジスト剥離装置及びレジスト剥離方法を提供する。【解決手段】オゾン水を基板の処理面に沿って流すことにより前記基板表面のレジストを除去するレジスト除去装置であって、少なくとも、オゾン水の流れの方向に対して前記基板の処理面が略平行になるように前記基板を固定する固定部と、固定された前記基板の処理面に対向する位置に設けられ、オゾン水の流れの方向を変換する変換部材とからなる反応槽を有するレジスト剥離装置。【選択図】      図３
2004207515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾン水を基板の処理面に沿って流すことにより前記基板表面のレジストを除去するレジスト除去装置であって、
少なくとも、オゾン水の流れの方向に対して前記基板の処理面が略平行になるように前記基板を固定する固定部と、固定された前記基板の処理面に対向する位置に設けられ、オゾン水の流れの方向を変換する変換部材とからなる反応部を有する
ことを特徴とするレジスト除去装置。
【請求項２】
変換部材により変換されたオゾン水の流れの方向が、基板の略全表面に向かう方向であることを特徴とする請求項１記載のレジスト除去装置。
【請求項３】
オゾン水を加圧する手段を有することを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト除去装置。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載のレジスト除去装置を用いることを特徴とするレジスト除去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高い効率で基板表面のレジストを除去することができるレジスト除去装置及びレジスト除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板上に回路を形成する場合や、液晶基板上に色相の異なる複数の着色画素をパターン状に形成する場合には、フォトリソグラフィー工程が必須の工程である。例えば、半導体基板上に回路を形成する場合は、基板上にレジストを塗布し、通常のフォトプロセスにてレジストパターンからなる画像を形成し、これをマスクとしてエッチングした後、不要となったレジストを除去して回路を形成し、次の回路を形成するために、再度レジストを塗布して、画像形成−エッチング−レジストの除去というサイクルを繰り返し行う。
【０００３】
不要となったレジストを除去するレジスト除去工程では、従来、半導体基板のレジスト除去には、アッシャー（灰化手段）や、硫酸や過酸化水素等を用いたＲＣＡ洗浄法が用いられており、液晶基板のレジスト除去には、有機溶媒とアミンとの混合溶液等が用いられていた。しかし、レジストの除去にアッシャーを用いると、高温のため半導体にダメージを与える恐れがあることに加え、無機系の不純物を除去することはできない。また、溶剤や薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、十数バッチごとに新たな薬液に交換しなければならないことから、大量の薬液が必要とされ薬液コストがかさむとともに、大量の廃液が生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大きな不利益があった。
【０００４】
オゾンガスを水に溶解して得られるオゾン水は、オゾンの持つ強い酸化力により殺菌・脱臭・漂白等に優れた効果を発揮し、しかもオゾンガスは時間とともに無害な酸素（気体）に自己分解して残留性がないことから、環境にやさしい殺菌・洗浄・漂白剤等として注目されている。近年、環境への関心が高まる中、上述のレジスト除去方法に代わる方法として、オゾン水を用いたレジスト除去プロセスが注目されている。
【０００５】
オゾン水を用いたレジスト除去装置としては、例えば、オゾン水流の流路内に基板を設置するもの、基板の処理面にシャワー状又は霧状にオゾン水を噴射するもの等が考えられたが、何れも実用的なレジスト除去速度が得られなかったり、基板の全表面にわたって均一にレジストを除去することができなかったりするという問題があった。また、高濃度のオゾン水を大量に製造することは困難であることから、より少量のオゾン水で効率よくレジスト除去を行うという要請もあった。
【０００６】
また、特許文献１には、オゾンを溶解した液体中に被洗浄物を斜めに浸漬し、該被洗浄物に紫外線を照射する方法が開示されており、特許文献２には、オゾンガスを加圧して純水に溶解させて製造したオゾン水を、圧力を保持した状態で被洗浄物を収納した密閉洗浄室に導き、被洗浄物の洗浄を行う方法が開示されている。
特許文献１及び２に開示されたオゾン水を用いた被洗浄物の洗浄方法では、被洗浄物に紫外線を照射したり、加圧したりすることにより被洗浄物の洗浄能力の向上を図っているが、これらの方法により基板表面のレジストを除去しようとすると、いずれも充分なレジスト除去速度が得られるとはいい難く、また、基板表面のレジストを均一に除去することは非常に困難なものであった。
【０００７】
【特許文献１】
特許第３０１６３０１号公報
【特許文献２】
特開２００１−７９５０２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記現状に鑑み、基板表面のレジストを高効率かつ均一に除去することができるレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、オゾン水を基板の処理面に沿って流すことにより前記基板表面のレジストを除去するレジスト除去装置であって、少なくとも、オゾン水の流れの方向に対して前記基板の処理面が略平行になるように前記基板を固定する固定部と、固定された前記基板の処理面に対向する位置に設けられ、オゾン水の流れの方向を変換する変換部材とからなる反応部を有するレジスト剥離装置である。
以下に本発明を詳述する。
【００１０】
本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を基板の処理面（主たる面）に沿って流すことにより上記基板表面のレジストの除去を行うものである。
本明細書においてオゾン水には、水溶液にオゾンガスを溶解させたもののほか、酢酸又はその誘導体等の有機酸を溶解した水にオゾンガスを溶解させたものも含まれる。
また、上記基板としては特に限定されず、例えば、半導体装置に用いられる各種シリコンウエハ、ディスプレイパネルに用いられるガラス基板、その他樹脂基板等が挙げられる。
【００１１】
本発明のレジスト除去装置は、オゾン水の流れ（以下、オゾン水流ともいう）の方向に対して基板の処理面（主たる面）が略平行になるように基板を固定する固定部と、固定された基板の処理面に対向する位置に設けられた、オゾン水流の方向を変換する変換部材とからなる反応部を有する。このような本発明のレジスト除去装置を用いることにより、均一にしかも高い効率でレジストを除去することができる。
【００１２】
本発明者らが、従来のオゾン水流の流路内に基板を設置するレジスト除去装置を調べたところ、図１１に示すように、基板１００の表面のレジスト１２０は、オゾン水流の流入側の部分については比較的除去されているのに対し、オゾン水流の流出側の部分については、オゾン水濃度がまだ充分に高いにもかかわらずほとんど除去されていないことを見出した。なお、図１１は、従来のレジスト除去装置におけるレジスト除去の様子を示す模式図であり、図１１において、基板１００は天地逆に配置されている。
オゾン水の常温での飽和濃度は６０ｐｐｍ程度の低濃度であり、レジストと反応してすぐにオゾン水濃度が低下してしまう。オゾン水を基板の面方向に対して平行水流として管内に流した場合、流入側でレジストに当たった基板処理面近傍のオゾン水はそこでレジスト除去のためにオゾンが消費されオゾン濃度が低下してしまい、オゾン濃度が低下したオゾン水がそのまま基板の処理面近傍を流れることから、その流出側においては、オゾン水はもはやレジストを除去できるだけのオゾン濃度を有していないと考えられる。一方、比較的基板の処理面から離れた位置を流れるオゾン水は、ほとんどレジスト除去に供されることなく流れ去ってしまうものと考えられる。
【００１３】
本発明のレジスト除去装置の反応部において、オゾン水流の方向に対して略平行になるように固定部に固定された基板の処理面に対向する位置に、オゾン水流の方向を変換する変換部材を設けることにより、オゾン水流の流入側でオゾンが消費されても上記変換部材の攪拌効果によりオゾン水流に乱流が生じ、常に高濃度のオゾン水が基板の処理面全体にあたることから、均一にしかも高い効率でレジストを除去できる。とりわけ、上記変換部材により変換されたオゾン水流の方向が基板の処理面の略全面に向かう方向になるように乱流を生じさせる形状の変換部材を選択した場合には、極めて高い効率でレジストを除去することができる。
【００１４】
上記変換部材の形状としては特に限定されず、例えば、断面が丸や多角形の棒状、メッシュ部材、波板等が挙げられる。なかでも、図１に示す変換部材３のように、オゾン水流の方向に対して斜部を有する波形部３ａがオゾン水流の方向に連続する構造を有するものが好ましい。このような形状の変換部材３を用いれば、基板１の処理面の全体に向かうオゾン水流が効率よく発生することから、高濃度のオゾン水が基板１の処理面全体のレジスト２に到達する機会が増大し、より高い効率でレジスト２の除去を行うことができる。なお、図１は、本発明のレジスト除去装置の反応部の１実施態様を示す模式図である。
波形部３ａの斜部の角度としては特に限定されないが、あまり角度が小さいと基板１の処理面に向かうオゾン水流が発生せず、上述の効果が充分に得られないことがある。
また、上記変換部材は、オゾン水の流路を構成する部材（例えば、基板が納められる容器や仕切り）と一体であってもよいし、別体であってもよい。
【００１５】
本発明のレジスト除去装置において、変換部材と基板の処理面との距離は１．５ｍｍ以下であることが好ましい。１．５ｍｍを超えると、上記変換部材によるオゾン水流の乱流発生の効果が基板の処理面に届きにくくなり、レジスト除去速度が不充分となることがある。より好ましくは０．５ｍｍ以下、更に好ましくは０．３ｍｍである。なお、上記変換部材と基板の処理面との距離は、変換部材と基板の処理面とが最も近い点間の距離を意味する。
【００１６】
上記変換部材を構成する材料としては、耐オゾン性を有するものであれば特に限定されず、例えば、フッ素系樹脂からなるものが好適である。上記フッ素系樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、パーフルオロアルコキシ樹脂（ＰＦＡ）、フッ化エチレンプロピレン樹脂（ＦＥＰ）等の４フッ化エチレン共重合体；フッ素系ゴム等が挙げられる。
【００１７】
また、上記変換部材は、基板の処理面の略全面と対向するように配置されていたり、上記基板の処理面の略全面と対向する大きさであることが好ましい。基板の処理面全体に向かうオゾン水流をより確実に発生させることができ、高い確率でオゾン水が基板の全表面のレジストに到達する機会が増大し、より確実にレジスト除去を行うことができるからである。
【００１８】
本発明のレジスト除去装置において、上記基板は、オゾン水の流れの方向に対して処理面が略平行になるように固定部に固定される。
上記基板をオゾン水の流れの方向に対して処理面が略平行になるように固定部に固定する手段としては特に限定されず、例えば、両面テープ等の接着手段により固定部に固定する方法；基板を載置したホルダー（固定部）をホルダー保持部に嵌合させる方法；真空ポンプで基板を固定部に吸着させるバキュームチャッキング法等が挙げられる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施の形態に則して説明する。
図２は、本発明のレジスト除去装置の１実施態様を示す概略図である。
図２に示す態様のレジスト除去装置は、オゾン発生器４、オゾンガス検出器５、オゾン溶解モジュール６、オゾン水濃度検出器７、反応部８、及び、ポンプ９から構成されている。
【００２０】
オゾン発生器４では、オゾンガスが生成される。オゾン発生器４としては特に限定されず、公知のオゾン発生器を用いることができる。オゾン発生器４で生成されたオゾンガスの濃度はオゾンガス検出器５により測定・監視される。オゾンガス検出器５により測定されたオゾンガス濃度の値がオゾン発生器４にフィードバックされオゾン発生器４で生成されるオゾンガスの濃度が随時調整される。
【００２１】
オゾン発生器４で生成したオゾンガスは、オゾン溶解モジュール６において水に溶解される。
オゾン溶解モジュール６は、非多孔性膜からなるガス透過膜が収容されているものが好ましい。このようなオゾン溶解モジュールを用いれば、一旦レジスト除去に用いたオゾン水を再度循環させて利用しても目詰まりが起こることがない。
オゾン溶解モジュール６において生成したオゾン水は、オゾン水流出口６１から往路管１０に排出されてオゾン水濃度検出器７に送られ、上記オゾン水の溶存オゾンガス濃度が監視・管理される。
【００２２】
得られたオゾン水は、往路管１０を通ってオゾン水流入口８２から反応部８の内部に送られ、この反応部８において基板表面のレジストを除去するために用いられる。なお、反応部８については、後で詳述する。
また、反応部８は、紫外線を照射する手段が付加されていてもよい。基板表面のレジストを除去する際、紫外線を照射することにより、オゾンの分解速度が促進され、それに伴いレジストの除去効果を上げることができる。従って、オゾン水と紫外線照射とを併用することによって、より高いレジスト除去効果を得ることができる。
上記紫外線を照射する手段としては特に限定されず、例えば、ＵＶランプ等が挙げられる。照射される紫外線の波長は、オゾンが吸収する２５４ｎｍ近辺であることが好ましい。
【００２３】
本発明のレジスト除去装置においては、生成したオゾン水を循環させて用いることが好ましい。オゾン水を循環させて用いることにより、必要なオゾン水量を節約できることに加え、より高い濃度のオゾン水を容易に得ることができる。
上記オゾン水を循環させるには、例えば、反応部８のオゾン水流出口８１から復路管１１に排出されたオゾン水を、ポンプ９を用いてオゾン溶解モジュール６のオゾン水流入口６２に送り込めばよい。
【００２４】
また、本発明のレジスト除去装置は、オゾン水を加熱する手段を有することが好ましい。レジスト除去は、レジストとオゾンとの化学反応によりなされるものであることから、温度をかけることによってレジスト除去速度を高めることができる。
更に、本発明のレジスト除去装置は、装置内を加圧する手段を有することが好ましい。装置内を加圧することにより、過飽和のオゾン水を生成させることができ、このような高濃度のオゾン水を用いることにより、更に高い効率でレジスト除去を行うことができる。
【００２５】
図３（ａ）は、図２を用いて説明した本発明のレジスト除去装置における反応部の１実施形態を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す反応部の正面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示す反応部のＡ−Ａ線断面図である。
なお、図３において、変換部材は省略している。
【００２６】
図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態の反応部８は、略円板状の本体部３００から構成されている。
本体部３００の上面には、その中央付近に平面視略長方形で凹状のホルダー保持部３１が設けられるとともに、その外周付近に溝状の流入側貯留部３３と流出側貯留部３７とがホルダー保持部３１を介してホルダー保持部３１の側面に平行に設けられており、更に、流入側貯留部３３とホルダー保持部３１との間に複数の平行な流入溝３２、及び、流出側貯留部３７とホルダー保持部３１との間に複数の平行な流出溝３６が設けられている。
また、本体部３００の内部には、その一端部が本体部３００の流入側貯留部３３付近の側面に露出し、その他端部が流入側貯留部３３の直下部分にまで延設された流入管３５と、その一端部が本体部３００の流出側貯留部３７付近の側面に露出し、その他端部が流出側貯留部３７の直下部分にまで延設された流出管３９とが設けられており、流入管３５の上記他端部付近と流入側貯留部３３とは、断面視Ｖ字型の流入路３４により流通が図られており、流出管３９の上記他端部付近と流出側貯留部３７とは、断面視Ｖ字型の流出路３８により流通が図られている。
【００２７】
上記構造の反応部８において、ホルダー保持部３１には、その表面にレジストを有する基板を保持、固定することができるホルダー（固定部）が嵌合される。
図４（ａ）は、上記ホルダーの一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すホルダーの正面図である。
【００２８】
図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、本発明のレジスト除去装置におけるホルダー４０は、略板状の本体部４２の上面に溝状の保持部４１が設けられており、断面視略Ｕ字形状である。
【００２９】
ホルダー４０は、反応部８の流入溝３２から基板表面のレジスト上へのオゾン水の流入、及び、流出溝３６へのオゾン水の流出をスムーズに行うために、ホルダー４０の保持部４１の溝方向と反応部８の流入溝３２及び流出溝３６の溝方向とが同一方向となるように反応部８のホルダー保持部３１へ嵌合される。
【００３０】
本発明のレジスト除去装置の反応部８では、上記変換部材は、ホルダー保持部３１に嵌合されたホルダー４０の上記基板の処理面に対向する位置に、本体部３００を覆う蓋体で、該蓋体の下面（基板との対向面）に断面３角形の凸条が複数形成された変換部材の上記凸条がオゾン水流の流れと直交するように配設される。
【００３１】
上記構成の反応部８において、オゾン水は、流入管３５から流入路３４を通って流入側貯留部３３に貯留され、流入側貯留部３３を満たした後、流入溝３２を通ってホルダー保持部３１に嵌合されたホルダー４０の保持部４１上に固定された基板の処理面と、上記変換部材との間に均一、かつ、平行に流入される。そして、上記オゾン水は、上記基板表面のレジストを除去した後、流出溝３６から流出側貯留部３７に集められ、流出路３８を通って流出管３９から排出される。なお、流入管３５は、図２におけるオゾン水流入口８２と流通が図られており、流出管３９は、オゾン水流出口８１と流通が図られている。
【００３２】
また、図３には示していないが、反応部８の本体部３００のホルダー保持部３１が設けられた側の面には、ホルダー保持部３１、流入溝３２、流入側貯留部３３、流出溝３６及び流出側貯留部３７をその内部に収納することができる蓋部を取り付けることができるようになっており、上述した基板表面のレジストの除去を上記蓋部の内部で行うことができる。この場合、反応部８は、密閉型反応部となり、本発明のレジスト除去装置内を加圧し、過飽和のオゾン水を用いて基板表面のレジストの除去を行うことができる。
【００３３】
本発明のレジスト剥離装置において、基板表面のレジストを除去する際のオゾン水の流量としては特に限定されず、基板の大きさや温度、変換部材と基板との距離や変換部材の模様等の条件により適宜決定されるが、好ましい下限は０．７Ｌ／分であり、好ましい上限は１．０Ｌ／分である。オゾン水の流量が０．７Ｌ／分未満であると、効率よくレジストを除去することができず、基板表面のレジストを完全に除去するのに長時間を要することがある。一方、流量が１．０Ｌ／分を超えると、もはやオゾン水の流量を増やしてもレジスト除去速度は向上せず、オゾン水の使用量に対するレジスト除去の効率が低下することがある。より好ましい下限は０．９Ｌ／分である。
【００３４】
反応部８を構成する材料としては、耐オゾン性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、上記変換部材と同様のフッ素系樹脂からなるものが好適である。
【００３５】
本発明のレジスト除去装置における反応部は、図３に示した反応部８のように略円板状に限定されることはなく、例えば、板状等任意の形状が挙げられる。また、ホルダー４０の保持部４１の深さを調整することにより、基板の処理面上を流れるオゾン水の水深を調整することができる。
なお、本発明のレジスト除去装置における反応部の構造は、その表面にレジストを有する基板を固定部に保持、固定し、該基板の処理面に対向する位置に上述した変換部材を配設することができ、上記基板の処理面と上記変換部材との間にオゾン水を流通させることができる構造であれば特に図３に示す構造に限定されない。
【００３６】
図５は、本発明のレジスト除去装置における反応部の別の一例を模式的に示す部分断面斜視図である。
図５に示す反応部５０は、円板状の支持台と基板５２を固定する真空チャックとからなる固定部５４とその中心に筒状のオゾン水供給管５５が嵌挿されたドーナツ状の変換部材５３とが対向するように構成されており、変換部材５３の固定部５４側の面には、図１に示した波形部と略同形状の波形部５３ａが同心円状に形成されている。
基板５２は、固定部５４の変換部材５３側の面上に保持、固定されるようになっており、変換部材５３は、基板５２の処理面と波形部５３ａとの間が所定の間隔となる位置に固定される。
【００３７】
このような反応部５０において、オゾン水は、オゾン水供給管５５から変換部材５３と基板５２の処理面との間の基板５２の中心付近に供給された後、基板５２の外縁方向へ広がるように流れる。その際、オゾン水流には、変換部材５３の波形部５３ａにより乱流が生じるため、基板５２の外縁部分付近であっても、常に高濃度のオゾン水が当たることとなり、均一にしかも高い効率で基板表面のレジストを除去することができる。
【００３８】
反応部５０を構成する、変換部材５３及び固定部５４等を構成する材料としては、図３及び図４に示した反応部８の変換部材及び固定部と同様の材料を挙げることができる。
【００３９】
このような反応部５０は、その大きさを基板の大きさと略同じとすることができるため、大口径の基板表面のレジストを除去する場合であっても、レジスト除去装置の大型化を抑制することができるとともに、高効率でかつ均一に大口径の基板表面のレジストを除去することができる。
また、上記構造の反応部は、通常、開放型（オープン）反応部として使用するが、上記構造の反応部を密閉容器中に設置して密閉型反応部としてもよい。
【００４０】
本発明のレジスト除去装置を用いることにより、高い効率でレジスト除去を行うことができる。本発明のレジスト除去装置を用いるレジスト除去方法もまた、本発明の１つである。
【００４１】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００４２】
（実施例１）
図６（ａ）及び（ｂ）に示したような、３０ｍｍ×３０ｍｍの範囲に、４５°の角度の斜部を有する高さ１．７ｍｍの波形部が１０連続する構造の変換部材を作製した。なお、図６（ａ）は、実施例１に係る反応部における変換部材の一部を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。
この変換部材を用いて図２〜図４に示した構成の反応部を作製した。ここで、変換部材とウエハとの距離は０．３ｍｍとした。
なお、ウエハとしては、予めレジスト液（富士フィルムアーチ社製、ＨＰＲ−２０４ＬＴ）を塗布し、スピンコーター（ミカサ社製、１Ｈ−ＤＸ２型）にて２０００ｒｐｍ、３０秒間処理した後、更に９０℃２０分間乾燥して、厚さ約１．０μｍのレジストがコートし、３０ｍｍ×３０ｍｍの大きさにカットしたものを用いた。
【００４３】
この反応部に２１℃、５０ｐｐｍの濃度のオゾン水を１．０Ｌ／ｍｉｎの流速で流し、膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いて、経時的にレジストの厚さを測定して、レジスト除去速度を算出した。
この結果を表１に示した。
また、膜厚計（大塚電子社製、ＦＥ−３０００型）を用いて得られたデータから測定開始２０秒後のレジストの厚さを示す３次元図を図８に示した。なお、図８に示した矢印は、オゾン水流の流れの方向を示す。
【００４４】
（実施例２）
オゾン水の流量を１．９Ｌ／ｍｉｎとした以外は実施例１と同様にしてレジスト除去を行った。
結果を表１及び図９に示した。なお、図９に示した矢印は、オゾン水流の流れの方向を示す。
【００４５】
（比較例１）
図７に示したような、変換部材を設置しない構成の反応部を作製した。これを用いた以外は実施例１と同様にしてレジスト除去を行った。なお、図７は、比較例１に係る反応部を模式的に示す断面図であり、７０は反応部を示し、７１はウエハを示し、７２はレジストを示している。
結果を表１及び図１０に示した。なお、図１０に示した矢印は、オゾン水流の流れの方向を示す。
【００４６】
【表１】
2004207515.tif 000003
【００４７】
表１より、実施例１、２の方が比較例１に比べて高いレジスト除去速度が得られることがわかった。
また、図８〜１０より、実施例１、２ではオゾン水流の方向に関わらず略均一にレジストが除去されていたのに対して、比較例１ではオゾン水流の流入側と流出側とでレジストの除去に著しい差があった。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、基板表面のレジストを高効率かつ均一に除去することができるレジスト除去装置及びレジスト除去方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のレジスト除去装置の反応部の一実施態様を示す断面図である。
【図２】本発明のレジスト除去装置の１実施形態を示す概略図である。
【図３】（ａ）は、本発明のレジスト除去装置の反応部の一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す反応部の断面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示す反応部のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】（ａ）は、図３に示す反応部のホルダー保持部に嵌合させるホルダーの一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すホルダーの正面図である。
【図５】本発明のレジスト除去装置における反応部の別の一例を模式的に示す斜視図である。
【図６】（ａ）は、実施例１及び２で用いた変換部材の一部を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。
【図７】比較例１で用いた反応部を模式的に示す断面図である。
【図８】実施例１における測定開始２０秒後のレジストの厚さを示す３次元図である。
【図９】実施例２における測定開始２０秒後のレジストの厚さを示す３次元図である。
【図１０】比較例１における測定開始２０秒後のレジストの厚さを示す３次元図である。
【図１１】従来のレジスト除去装置におけるレジスト除去の様子を示す模式図である。
【符号の説明】
１、５１  基板
２  レジスト
３、５３  変換部材
３ａ、５３ａ  波形部
４  オゾン発生器
５  オゾンガス検出器
６  オゾン溶解モジュール
６１  オゾン水流出口
６２  オゾン水流入口
７  オゾン水検出器
８、３０、５０  反応部
９  循環ポンプ
１０  往路管
１１  復路管
３１  ホルダー保持部
３２  流入溝
３３  流入側貯留部
３４  流入路
３５  流入管
３６  流出溝
３７  流出側貯留部
３８  流出路
３９  流出管
４０  ホルダー
４１  保持部
４２  本体部
５４  固定部材
５５  オゾン水供給管
８１  オゾン水流出口
８２  オゾン水流入口
３００  本体部
【図１】
2004207515.tif 000004
【図２】
2004207515.tif 000005
【図３】
2004207515.tif 000006
【図４】
2004207515.tif 000007
【図５】
2004207515.tif 000008
【図６】
2004207515.tif 000009
【図７】
2004207515.tif 000010
【図８】
2004207515.tif 000011
【図９】
2004207515.tif 000012
【図１０】
2004207515.tif 000013
【図１１】
2004207515.tif 000014