(57)【要約】【課題】従来より金属箔の厚みを大きくすることなく、反りのばらつきが発生しにくい金属箔付フレキシブル回路基板を提供する。【解決手段】金属箔の一主面上に絶縁層、下地金属層、配線パターンおよび被覆樹脂層が順次積層された金属箔付フレキシブル回路基板であって、配線パターンが、２層〜４層の金属層を総厚みが５０μｍ以下となるように積層されたものであり、絶縁層に隣接して形成される下地金属層の厚みが０．１μｍ以下であることを特徴とする金属箔付フレキシブル回路基板。【選択図】　　図１
2004014975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔の一主面上に絶縁層、下地金属層、導体回路層および被覆樹脂層が順次積層された金属箔付フレキシブル回路基板であって、
導体回路層が、２層〜４層の金属層を総厚みが５０μｍ以下となるように積層されたものであり、絶縁層に隣接して形成される下地金属層の厚みが０．１μｍ以下であることを特徴とする金属箔付フレキシブル回路基板。
【請求項２】
下地金属層が、絶縁層側に配置される第一下地金属層と、導体回路層側に配置される第二下地金属層とからなり、
第一下地金属層がクロムにて形成され、第二下地金属層が銅にて形成されたものである、請求項１に記載の金属箔付フレキシブル回路基板。
【請求項３】
導体回路層が、絶縁層から離反する方向に向かって順に、銅で形成された金属層、ニッケルで形成された金属層および銅で形成された金属層の３層からなるものである、請求項１または２に記載の金属箔付フレキシブル回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属箔付きのフレキシブル回路基板に関し、詳しくは、同一製品内および製品ロットごとの反りのばらつきを低減し得る構造を備える金属箔付フレキシブル回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、サスペンション用フレキシブル回路基板として、金属箔付のフレキシブル回路基板が汎用されている。当該金属箔付フレキシブル回路基板は、金属箔上に順次積層された絶縁層と、下地金属層と、導体回路層と、被覆樹脂層（カバーレイ）とを、基本的に備える。近年、電気機器や電子機器の小型化および高集積化に伴い、これらの機器の配線に使用される金属箔付フレキシブル回路基板についても、製品の反りのばらつきの低減、配線の微細化、構成材料の厚み精度など、要求される品質が高くなってきている。中でも、製品の反りのばらつきは、たとえば、ハードディスクドライブのサスペンション用フレキシブル回路基板の用途においては、ヘッドとディスク間距離のばらつきを発生させるといった悪影響を及ぼすため、その抑制が特に求められている。
【０００３】
上記金属箔付フレキシブル回路基板は、通常、金属箔基板上に絶縁層を形成し、例えばめっき法、フォトリソグラフィーなどの製法で導体回路層を形成し、さらに導体回路層上に被覆樹脂層を形成する、というような手順にて製造される。かかる製造過程において、金属箔は、エッチングなどの方法にて所定の大きさに加工しなければならないが、エッチングを施した後の状態の金属箔は、当該エッチングを施す前の状態と比較して、たとえばウェット処理のためのシャワーや作業者による取扱いなどによってダメージを受けやすく、得られた製品に反りなどのばらつきが発生し易いという問題がある。
【０００４】
また最近では、製品の軽量化などの観点から、比較的厚みの小さな金属箔（１０μｍ〜６０μｍ程度）を使用することが望まれてきている。しかしながら厚みの小さな金属箔を使用すると、当該金属箔付フレキシブル回路基板の剛性が低くなってしまい、このことによっても製品に反りのばらつきが生じ易くなってしまうというような問題もあった。このことから、金属箔を上記程度の厚みよりも大きくすることなく、同一製品内および製品ロットごとの反りのばらつきを低減することのできる金属箔付フレキシブル回路基板の開発が求められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、従来より金属箔の厚みを大きくすることなく、反りのばらつきが発生しにくい金属箔付フレキシブル回路基板を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を行った結果、本発明を完成するに至った。即ち、本発明は以下のとおりである。
（１）金属箔の一主面上に絶縁層、下地金属層、導体回路層および被覆樹脂層が順次積層された金属箔付フレキシブル回路基板であって、
導体回路層が、２層〜４層の金属層を総厚みが５０μｍ以下となるように積層されたものであり、絶縁層に隣接して形成される下地金属層の厚みが０．１μｍ以下であることを特徴とする金属箔付フレキシブル回路基板。
（２）下地金属層が、絶縁層側に配置される第一下地金属層と、導体回路層側に配置される第二下地金属層とからなり、
第一下地金属層がクロムにて形成され、第二下地金属層が銅にて形成されたものである、上記（１）に記載の金属箔付フレキシブル回路基板。
（３）導体回路層が、絶縁層から離反する方向に向かって順に、銅で形成された金属層、ニッケルで形成された金属層および銅で形成された金属層の３層からなるものである、上記（１）または（２）に記載の金属箔付フレキシブル回路基板。
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の好ましい一例の金属箔付フレキシブル回路基板１を簡略化して示す断面図である。本発明の金属箔付フレキシブル回路基板１（以下、「回路基板１」ということがある。）は、金属箔２の一主面上に、絶縁層３、下地金属層４、導体回路層５および被覆樹脂層（カバーレイ）６が順次積層された構造を基本的に備える。本発明の回路基板１は、かかる基本構造において、導体回路層５が、その総厚みＤ１が５０μｍ以下となるように積層された２層〜４層の金属層にて形成され、かつ絶縁層に隣接する下地金属層４（図１の例では、絶縁層３側に配置される第一下地金属層４ａ）の厚みＤ２が、０．１μｍ以下に選ばれたものであることを特徴とするものである。図１には、導体回路層５が３層の金属層５ａ，５ｂ，５ｃを有する例を示す。
【０００８】
上述のように本発明の回路基板１は、金属箔２の一主面上に絶縁層３、下地金属層４、導体回路層５および被覆樹脂層６が順次積層されてなる基本構造を有する。本発明においては、このような基本構造において、まず、導体回路層５が、総厚みが５０μｍ以下の２層〜４層の金属層にて形成されることによってバネ性を有するようになり、製品に反りのばらつきを生じにくくできる。また本発明においては、上記基本構造において、絶縁層３に隣接する下地金属層４ａの厚みが０．１μｍ以下であることによって、絶縁層３と下地金属層４ａとの密着力を高めることができる。このような本発明では、金属箔２が１０μｍ〜６０μｍといった比較的小さな厚みであっても、たとえばウェット処理のためのシャワーや作業者による取扱いなどによってダメージを受けにくく、製品の反りのばらつきの小さな金属箔付フレキシブル回路基板を実現することができる。
【０００９】
本発明における金属箔２を形成する材料としては、特に制限はなく、たとえばステンレス鋼、銅、銅−ベリリウム、リン青銅、４２アロイ、チタン合金などの種々の金属材料が挙げられるが、中でも、バネ性、耐腐食性に優れることから、ステンレス鋼が好ましい。
また金属箔２の厚みは、特に制限はされないが、金属箔２は回路基板１の製造過程でエッチングを施す必要があり、加工性に優れることから１０μｍ〜６０μｍであるのが好ましく、１５μｍ〜３０μｍであるのがより好ましい。
【００１０】
本発明における絶縁層３を形成する材料としては、電気絶縁性を有するものであれば特に制限はなく、たとえばポリイミド、アラミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリプロピレン、トリアセチルセルロース、ポリエチレンなどの種々の樹脂材料が挙げられるが、中でも、耐熱性、寸法安定性に優れることから、ポリイミドが好ましい。上記樹脂材料は、感光性を有するもの、感光性を有しないもののいずれであってもよいが、後述するように露光工程を省略できる利点があることから、感光性を有する樹脂材料を用いるのが好ましく、中でも、感光性ポリイミドにて形成するのが特に好ましい。
絶縁層３の厚みは、特には制限されないが、充分な電気絶縁性を有しかつ製造コストを低減するという観点からは、２μｍ〜２０μｍであるのが好ましく、５μｍ〜１５μｍであるのがより好ましい。絶縁層３は、通常、目的とする回路基板の配線に応じた所定のパターンを有するように形成される。
【００１１】
絶縁層上に積層される下地金属層を形成する材料としては、特に制限はなく、銅、クロム、ニッケル、チタン、タンタルおよびそれらの少なくとも２種以上の合金が例示されるが、導体回路層と絶縁層との間の安定した密着力の保持、ならびに製造コストの観点からは、クロムまたは銅が好ましい。下地金属層は、通常、目的とする回路基板の配線に応じた所定のパターンを有するように形成される。
【００１２】
本発明の金属箔付フレキシブル回路基板では、絶縁層に隣接する下地金属層の厚みを０．１μｍ以下に形成する。上記絶縁層に隣接する下地金属層の厚みが０．１μｍを超えると、絶縁層との密着力が低下し（たとえば、クロムにて厚み０．０５μｍの上記下地金属層を形成した場合の密着力：約８００ｇｆ／ｃｍ、同じくクロムにて厚み０．１５μｍの上記下地金属層を形成した場合の密着力：約１５０ｇｆ／ｃｍ）、また生産性が悪くなってしまう不具合があるためである。また、導体回路層の絶縁層へのマイグレーション防止効果の観点からは、上記絶縁層に隣接する下地金属層は、０．０１μｍ以上の厚みを有することが好ましい。
【００１３】
本発明における下地金属層は、上述のように絶縁層に隣接して形成される下地金属層の厚みが０．１μｍ以下であるならば、２層以上形成されていてもよい。特に、図１に示すように、下地金属層４が、絶縁層３側に配置される第一下地金属層４ａと導体回路層５側に配置される第二下地金属層４ｂとの２層で実現され、第一下地金属層４ａがクロムにて形成され、かつ第二下地金属層４ｂが銅にて形成されるのが好ましい。このような構成をとることで、導体回路層と絶縁層との密着力を維持しながら、導体回路層の形成のための電解めっきを容易に行うことができるというような利点がある。
たとえば、上記のようにクロムで形成された第一下地金属層４ａおよび銅で形成された第二下地金属層４ｂにて下地金属層４が実現される場合、絶縁層３との密着力を確保するという観点から、第一下地金属層４ａの厚みは０．０３μｍ〜０．０７μｍであるのが好ましい。また、電解めっきのための表面抵抗および製造コストの観点から、第二下地金属層４ｂの厚みは０．０５μｍ〜０．５μｍであるのが好ましく、０．１μｍ〜０．３μｍであるのがより好ましい。
【００１４】
本発明における導体回路層５は、上記下地金属層４上に２層〜４層形成される。導体回路層５が１層のみであると、基材に大きな反りが発生したり、反りにバラツキが生じる不具合があるためであり、また導体回路層５が５層以上形成されると、効果的には余り向上しないにもかかわらず、製造工程が増えて効率的でないというような不具合があるためである。
【００１５】
また導体回路層５の各金属層を形成する材料としては、後述する電解めっき法にて析出し得る金属材料であれば特に制限はなく、たとえば、ニッケル、クロム、ベリリウム、銅、銀、金、アルミニウム、コバルト、鉄、マンガン、モリブデン、タルタル、タングステン、ならびにこれらのうち少なくとも２種以上の合金が例示される。各金属層５ａ〜５ｃは、いずれも互いに異なる金属材料で形成されたものであってもよく、また少なくとも２層が同じ金属材料で形成されたものであってもよい。導体回路層５は、通常、目的とする回路基板の配線に応じた所定の配線パターンに形成される。
【００１６】
本発明における導体回路層５は、高弾性率材料で形成された金属層と低抵抗率材料で形成された金属層とを少なくとも１層ずつ有するように実現されるのが好ましい。これによって、配線材料としての導電性を有し、たとえばウェット処理のためのシャワーや作業者による取扱いなどによるダメージがあっても元に戻るバネ性を有することで、反りのばらつきがさらに小さい金属箔付フレキシブル回路基板１を実現することができる。なお上記高弾性率材料は、弾性率が１．５×１０１１Ｐａ以上の金属材料を指し、上記例示した金属材料の中ではニッケル、クロム、ベリリウム、コバルト、鉄、マンガン、モリブデン、タンタル、タングステンおよびこれらの少なくとも２種以上の合金が該当する。また上記低抵抗率材料としては、ＪＩＳ　Ｈ　０５０５に準拠して測定された抵抗率が１×１０−７Ω・ｍ以下の金属材料を指し、上記例示した金属材料の中では銅、銀、金、アルミニウムおよびこれらの少なくとも２種以上の合金が該当する。
上記効果を顕著に発揮し得る観点からは、図１に示すように導体回路層が、絶縁層から離反する方向Ａに向かって順に、銅で形成された金属層５ａ、ニッケルで形成された金属層５ｂおよび銅で形成された金属層５ｃの３層からなるように実現されることが、特に好ましい。
【００１７】
本発明における導体回路層５の各金属層５ａ〜５ｃの厚みは、導体回路層５の総厚みＤ１が５０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下であれば、特に制限はない。導体回路層５の総厚みＤ１が５０μｍを超えると、生産性が低下するためである。
各金属層の厚みについては、上記のように総厚みＤ１が５０μｍ以下となるように選ばれるならば、特に制限はされないが、形成する金属材料により以下のような好適な厚みの範囲がある。たとえば低抵抗率材料である銅にて形成された金属層については、配線抵抗などの観点からは２μｍ〜３０μｍであるのが好ましく、５μｍ〜２０μｍであるのがより好ましい。また、たとえば高弾性率材料であるニッケルにて形成された金属層については、反りのばらつきをより低減させる観点からは、０．５μｍ〜２０μｍであるのが好ましく、１μｍ〜１５μｍであるのがより好ましい。
【００１８】
本発明における被覆樹脂層（カバーレイ）６は、上述した絶縁層３上に積層された下地金属層４および導体回路層５を、少なくともその側方において露出し得ないように被覆する。被覆樹脂層を形成する材料としては、上述した絶縁層３を形成する材料と同様のものが挙げられ、特に制限はないが、耐熱性や耐薬品性の観点から、ポリイミドが好ましい。被覆樹脂層６の厚みに特に制限はないが、絶縁性および製造コストの観点からは、１μｍ〜１０μｍであるのが好ましく、２μｍ〜７μｍであるのがより好ましい。
【００１９】
被覆樹脂層６は、導体回路層５の絶縁層３から最も離反した側の金属層５ｃが一部露出し得るように形成され、かかる露出部分には、通常、他の電子部品と電気的に接合するための接合端子として、さらに金属パッド７が積層される。金属パッド７を形成する金属材料としては、特に制限はされないが、上述した低抵抗率材料、たとえば金、銀、銅、ニッケル、アルミニウムおよびこれらの少なくとも２種以上の合金が好ましく、腐食しにくい金が特に好ましい。金属パッド７は、その厚みに特に制限はないが、他部品との接合信頼性および製造コストを考慮すると、たとえばニッケルにて形成する場合には、０．０１μｍ〜５μｍであるのが好ましく、０．３μｍ〜３μｍであるのが好ましい。また、たとえば金にて金属パッド７を形成する場合には、その厚みは０．２μｍ〜５μｍであるのが好ましく、０．５μｍ〜４μｍであるのがより好ましい。
【００２０】
本発明の回路基板１は、下地金属層４および導体回路層５からの被覆樹脂層６への導体金属の拡散を防ぐための拡散防止層８を、下地金属層４および導体回路層５の被覆樹脂層６によって覆われる部分に有することが好ましい。図１には、下地金属層４および導体回路層５の側部の全面および絶縁層３から最も離反した面の一部を覆う拡散防止層８を有する例を示す。
【００２１】
拡散防止層８を形成する金属材料に制限はないが、たとえば、ニッケル、クロム、チタンおよびこれらの２種以上の合金が挙げられ、中でも、拡散防止特性および製造コストの観点からは、ニッケルが特に好ましい。
また拡散防止層８の厚みにも特に制限はないが、たとえばニッケルにて拡散防止層８を形成する場合、上記下地金属層４および導体回路層５からの被覆樹脂層６への導体金属の拡散防止および製造コストに優れることから、０．０２μｍ〜０．５μｍであるのが好ましく、０．０５μｍ〜０．３μｍであるのがより好ましい。
【００２２】
また、必要に応じて、導体回路層５の絶縁層３から最も離反した面と上記金属パッド７との間に、導体回路層５からの金属パッド７への導体金属の拡散を防止するための、第二の拡散防止層が形成されていてもよい（図示せず）。第二の拡散防止層を形成する金属材料としては、特に制限なく、上述の拡散防止層８を形成する金属材料と同様のものを用いることができ、中でも製造コストの観点からはニッケルが好ましい。当該第二の拡散防止層は、その厚みに特に制限はないが、他部材への接合信頼性および製造コストに優れる観点からは、０．０１μｍ〜５μｍであるのが好ましく、０．３μｍ〜３μｍであるのがより好ましい。
【００２３】
以下、本発明の金属箔付フレキシブル回路基板を製造する方法について説明する。図２は、本発明の金属箔付フレキシブル回路基板１を製造する方法を、段階的に示す模式図である。
まず、金属箔２上に、目的とする回路基板の配線に応じた所定のパターンに形成された絶縁層３を積層する（図２（Ａ））。
絶縁層３の形成材料として、たとえば感光性ポリイミドを使用する場合、ポリイミド前駆体（イミド化する前のもの）を金属箔２上に塗布し、乾燥した後、これに上記所定のパターンに応じたマスクを介して露光を行う。露光後、さらに現像を行うことで、不要部分のポリイミド前駆体層を除去し、所定のパターンに形成する。その後、ポリイミド前駆体に熱処理を施してこれをイミド化して、絶縁層３が形成される。
【００２４】
また絶縁層３の形成材料として、たとえば感光性を有しないポリイミドを使用する場合、上記所定のパターンに形成する方法としては、ウェットエッチング法とドライエッチング法とがある。
ウェットエッチング法にて上記所定のパターンに形成する場合、ポリイミド前駆体を塗布し金属箔２上に塗布し、乾燥した後、この上にさらにレジスト層を形成する。レジスト層に上記所定のパターンに応じたマスクを介して露光を行い、さらに現像を行う。さらに、不要部分のポリイミド（前駆体）を、たとえば水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ溶液でエッチングし、レジスト剥離することで上記所定のパターンに形成する。
ドライエッチング法にて上記所定のパターンに形成する場合、ポリイミド前駆体を金属箔２上に塗布し、乾燥した後、上記所定のパターンに応じたマスクを介してプラズマなどでエッチングして、所定のパターンに形成する。
これらの方法による場合、ポリイミド前駆体のイミド化は、所定のパターンに形成する前後のいずれであってもよい。
【００２５】
次に、絶縁層３上に下地金属層４を形成する（図２（Ｂ））。下地金属層４は、後述するように電解めっき法にて導体回路層５を形成する際の、めっき析出のための種付け層としての役割を有するものであり、たとえばスパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着、無電解めっきなど、従来公知の種々の薄膜形成方法を用いて形成すればよい。中でも、絶縁層との密着性がよいことから、スパッタリングにより下地金属層４を形成するのが好ましい。下地金属層４は、上述したように絶縁層３に隣接する下地金属層の厚みが０．１μｍ以下であるならば、２層以上（図１に示した例では、絶縁層３側に配置される第一下地金属層４ａと、導体回路層５側に配置される第二下地金属層４ｂの２層）形成されてもよい。
【００２６】
上記電解めっき法以外の方法にて絶縁層３上に下地金属層４を形成した後、これに所定の導体回路層５を形成するため、レジスト層Ｒを形成する（図２（Ｃ））。レジスト層Ｒは液状レジストやドライフィルム状レジストがあるが、製造コストの低減の観点からは、ドライフィルム状レジストを使用するのが好ましい。形成するレジスト層Ｒの厚みは、形成する導体回路層５の総厚みＤ１に依存し、１μｍ〜７０μｍであるのが好ましく、２０μｍ〜４５μｍであるのがより好ましい。形成したレジスト層Ｒに、所定の配線パターンに応じたマスクを介して露光した後、現像を行って、次工程にて電解めっきを施す部分を剥き出しにする。
【００２７】
次に、下地金属層４の上記剥き出しにされた部分に、電解めっき法にて２層〜４層の金属層を積層し、導体回路層５を形成する（図２（Ｄ））。電解めっき法としては、当分野にて一般に行われているようなフルアディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などが挙げられ、特に制限されるものではないが、配線精度や製造コストを考慮するとセミアディティブ法が好ましい。電解めっき法によって、上述したように導体回路層の総厚みが５０μｍ以下となるように、２層〜４層の金属層を形成する。電解めっき法は、通常の条件にしたがって行えばよく、特に制限されるものではない。電解めっきを行った後、不要となったレジストを水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ性の溶液にて剥離する（図２（Ｅ））。
【００２８】
上記レジスト剥離の後、上記下地金属層４を、たとえば銅で形成された下地金属層では硝酸系溶液などを用いて、またたとえばクロムで形成された下地金属層ではフェリシアン化カリウム系溶液などを用いて、適宜ソフトエッチングすることで、下地金属層４を所定のパターンに形成する（図２（Ｆ））。
【００２９】
上記拡散防止層８を形成する場合には、下地金属層のパターン形成後、下地金属層４および導体回路層５を被覆するような金属層を形成する（図２（Ｇ））。拡散防止層８の形成方法としては、特に制限されるものではなく、たとえばめっき、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着などが例示されるが、中でも導体回路層や被覆樹脂層への密着性、厚み分布の均一性ならびに製造コストの観点からは、無電解めっきが好ましく、ニッケルを用いた無電解めっきによるのが特に好ましい。
【００３０】
その後、下地金属層４および導体回路層５を、少なくともその側面を被覆するように被覆樹脂層６を形成する（図２（Ｈ））。かかる被覆樹脂層６の形成方法は、上述した絶縁層３の形成方法と同様にして行えばよい。通常、被覆樹脂層６は、導体回路層５の絶縁層３から最も離反した側の金属層が露出されるように形成する。
【００３１】
かかる無電解めっきの後、上記拡散防止層８が形成されている場合には、被覆樹脂層６にて被覆しない導体回路層５の部分をエッチングして除去する（図２（Ｉ））。拡散防止層８のエッチングは、上記拡散防止層８がたとえばニッケルで形成されている場合には、硝酸系溶液などを用いてソフトエッチングする。このエッチングによって、たとえば下地金属層４および導体回路層５の側部全面および絶縁層３から最も離反した側の表面の一部（下地金属層４および導体回路層５の被覆樹脂層６にて被覆する部分）が拡散防止層８にて覆われるように形成する。
【００３２】
この露出された部分には、通常、他の電子部品と電気的に接合するための接合端子として、さらに金属パッド７が積層される（図２（Ｊ））。金属パッド７は、当分野で通常行われているように、たとえば電解めっき法によって形成すればよい。
【００３３】
さらに所望の形態に応じて、金属箔にレジスト層を形成し、金属箔や絶縁層にエッチングを施して、最終製品とする（図示せず）。レジスト層は液状レジスト、ドライフィルム状レジスト等限定されないが、上記特性、製造コストを考慮するとドライフィルム状レジストが望ましい。金属箔エッチング用のレジストは上記所定のパターンに応じたマスクを介して露光し、現像を行い、不要な金属箔部分を剥き出しにする。金属箔が例えばステンレスの場合は塩化第二鉄でエッチングし、不要になったレジストを水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液で剥離する。
以上のような方法によって、図１に示した例の本発明の金属箔付フレキシブル回路基板１を製造することができる。
【００３４】
なお、接続端子となる上記金属パッド７には、必要に応じ、他の部材との接合を強固とするための金属ペーストをさらに積層させてもよい。金属ペーストの積層は、たとえばスクリーン印刷などによって形成すればよい。金属ペーストを形成する金属材料に特に限定はないが、半田、銀、銅、およびこれらの２種以上の合金など、低抵抗率材料が好ましく、製造コストの観点からは半田が特に好ましい。
【００３５】
また、本発明の金属箔付フレキシブル回路基板１においては、その裏側（金属箔２の導体回路層５などが積層される側とは反対側）にもパッドが形成されてもよい。かかるパッドを設ける場合、次のような裏側からの加工を要する。
まず、金属箔２をエッチングするためのマスキング層として、レジスト層を金属箔２の裏側に形成する。かかるレジスト層を形成するためのレジストとしては、液状レジスト、ドライフィルム状レジストなどがあるが、レジスト厚みの均一性などの特性や製造コストなどの観点からは、ドライフィルム状レジストを使用するのが好ましい。
上記レジスト層に所定のパターンのマスクを介して露光し、さらに現像を行うことで、エッチングしたい部分を剥き出しにする。エッチングは、金属箔２については、たとえばステンレス鋼で金属箔２が形成されている場合には塩化第二鉄などを用い、また絶縁層３については、たとえばポリイミドで絶縁層３が形成されている場合には水酸化カリウム系溶液等を用いるなどして、形成材料にあわせて適宜選択して行う。このようにして金属箔２および絶縁層３のエッチングを順次行い、下地金属層を裏側に露出させる。その後、不要となった上記レジスト層を水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ性溶液にて剥離する。さらに、拡散防止層の不要な部分を、当該拡散防止層がたとえばニッケルにて形成されてなる場合には、硝酸系溶液などによってソフトエッチングを施す。また下地金属層４が、たとえばクロムにて形成されている場合には、たとえばフェリシアン化カリウム溶液などを用いて、適宜エッチングを施す。
【００３６】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
実施例１
まず、厚み２０μｍの金属箔２（ＳＵＳ３０４製）上に、感光性ポリイミドのポリイミド前駆体を塗布し、乾燥した後、これに所定のパターンに応じたマスクを介して露光し、現像を行った。不要部分のポリイミド前駆体層を除去し、所定のパターンを形成した後、ポリイミド前駆体を熱処理によりキュア（イミド化）して、厚み１０μｍの絶縁層３を形成した。
上記絶縁層３に、クロムをスパッタリングした後、銅をスパッタリングして、絶縁層３上に、クロムにて形成された厚み３００Å（オームストロング）の第一下地金属層４ａと、銅にて形成された厚み７００Åの第二下地金属層４ｂとを順次積層した。
ドライフィルム状レジストを用いて第二下地金属層４ｂ上にレジスト層Ｒを形成し、これに所定のパターンに応じたマスクを介して露光した後、現像を行い不要なレジスト層を除去して、電解めっきを施す部分を剥き出しにした。この剥き出しになった部分に、電解銅めっき、電解ニッケルめっき、電解銅めっきを順次行い、銅にて形成された金属層５ａ（厚み：５μｍ）、ニッケルにて形成された金属層５ｂ（厚み：５μｍ）および銅にて形成された金属層５ｃ（厚み：５μｍ）を積層した。その後、レジスト層を水酸化ナトリウム溶液にて剥離して、導体回路層５を形成した。
レジスト剥離後、第一下地金属層４ａおよび第二下地金属層４ｂにソフトエッチングを施し、所定のパターンに形成した。ソフトエッチングは、クロムで形成された第一下地金属層４ａについてはフェリシアン化カリウム系溶液を、銅で形成された第二下地金属層４ｂについては硝酸系溶液を用いて行った。
その後、無電解ニッケルめっきを行い、厚み０．１μｍのニッケル層（後の拡散防止層）を形成し、上記の絶縁層３の形成と同様にして感光性ポリイミドのポリイミド前駆体にて、絶縁層３から最も離反した側の上記ニッケル層が露出されるように被覆し、露光、現像の後キュアを行って、厚み３μｍの被覆樹脂層（カバーレイ）６を形成した。上記被覆樹脂層６より露出したニッケル層を硝酸系溶液にてソフトエッチングして除去し、下地金属層４および導体回路層５の側部を覆う拡散防止層８を形成した。その後、金属箔２および絶縁層３に、フォトリソグラフィーおよびウェットエッチングを施して、最終製品の所望の形状に加工した。
上述の被覆樹脂層６から露出させた絶縁層３から最も離反した側の金属層５ｃに、電解金めっきを施して、厚み２μｍの金属パッド７を形成して、図１に示した例の金属箔付フレキシブル回路基板１のサンプルを作製した。
【００３７】
比較例１
導体回路層を、銅にて形成された厚み１５μｍの金属層の１層のみとした以外は実施例１と同様にして、金属箔付フレキシブル回路基板のサンプルを作製した。
【００３８】
〔評価試験〕
上記各サンプルについて、以下の手順にて評価試験を行った。
まず、測長顕微鏡（ＱＵＩＣＫ　ＶＩＳＩＯＮ、ミツトヨ社製）を用い、初期の反りＳ１を測定したところ、実施例１については０．３３９（度）、比較例１については０．１１６（度）であった。
上記測定後、各サンプルのパターン面に、ダメージとして水洗シャワー（圧力：２ｋｇｆ／ｃｍ２）を１分間あてた後、同様にして反りＳ２を測定したところ、実施例１については０．３６２（度）、比較例１については０．３５４（度）であった。
これらの値より、反り変化率（＝（Ｓ２−Ｓ１）／Ｓ１）をそれぞれ算出したところ、実施例１は０．０７、比較例１は２．０４であった。
【００３９】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、従来より金属箔の厚みを大きくすることなく、反りのばらつきが発生しにくい金属箔付フレキシブル回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい一例の金属箔付フレキシブル回路基板１を簡略化して示す断面図である。
【図２】本発明の金属箔付フレキシブル回路基板１を製造する方法を、段階的に示す模式図である。
【符号の説明】
１　　　　金属箔付フレキシブル回路基板
２　　　　金属箔
３　　　　絶縁層
４　　　　下地金属層
５　　　　導体回路層
６　　　　被覆樹脂層
【図１】
2004014975.tif 000003
【図２】
2004014975.tif 000004