(57)【要約】【課題】多層回路基板を一連のプロセスで短時間で形成しながら、しかも外部接続端子をも一連の工程の中で形成することが可能な多層回路基板を提供する。【解決手段】導電性金属から成るベースメタル１５を用意しておき、このベースメタル１５上にこのベースメタル１５を給電手段として電気メッキによって第１層の配線パターン１７を形成し、この第１層の配線パターン１７上に絶縁層２２を介して導体層２３を接合し、前記導体層２３および前記絶縁層２２の所定の位置に穴２５を開けて前記ベースメタル１５および前記第１層の配線パターン１７を給電手段として前記穴２５の中にスルーホール２６をメッキによって形成し、その後に導体層２３をエッチングして第２層の配線層３２を形成する。【選択図】  図５
2004259776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層の配線層を具備する回路基板において、
厚さ方向に隣接する配線層が該隣接する一方の配線層を給電手段として形成される電気メッキから成るスルーホールによって接続されるとともに、
外側面側の配線層を給電手段として形成される電気メッキから成る突起によって外部接続端子が形成されることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記外部接続端子が形成される外側面側の配線層の外表面上に保護層が形成されるとともに、該保護層から前記外部接続端子が突出することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記保護層が絶縁層を介して前記外側面側の配線層の外表面に形成されることを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
外表面側の配線層の上に前記配線層と同一の金属から成るスルーホールが形成され、しかも該スルーホールの外表面に形成された前記配線層とは異なる材料から成る電気メッキ層を積層することによって前記外部接続端子が形成されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記外部接続端子が形成される外表面とは反対側の配線層の一部によって電極が形成され、該電極が前記外部接続端子が形成されている外表面とは反対側の外表面に露出していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記電極がこの回路基板上に実装される半導体集積回路のベアチップの端子と接続される電極であることを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
この回路基板が半導体集積回路のベアチップを実装して半導体パッケージを形成するインターポーザ基板であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
この回路基板が半導体集積回路のベアチップと他の回路素子とを実装して回路モジュールを形成するモジュール基板であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項９】
この回路基板が単一または複数の半導体集積回路のベアチップを実装して所定のシステムを形成するＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）基板であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
導電性金属から成るベースメタルを用意しておき、
該ベースメタル上にこのベースメタルを給電手段として電気メッキによって第１層の配線パターンを形成し、
前記第１層の配線パターン上に絶縁層を介して導体層を接合し、前記導体層および前記絶縁層の所定の位置に穴を開けて前記ベースメタルおよび前記第１層の配線パターンを給電手段として前記穴の中にスルーホールを電気メッキによって形成し、その後に前記導体層をエッチングして第２層の配線パターンを形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記導体層を接合し、穴に前記スルーホールを形成し、エッチングによって前記配線パターンを形成する工程をｎ−１回繰返し、前記第１層の配線パターンと合せてｎ層の配線パターンを形成することを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
最外層の配線パターン上に絶縁層を介して補強板を接合し、該補強板によってこの回路基板に剛性を付与することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
最外層の配線パターン上に該配線パターンを給電手段として電気メッキによって外部接続端子を形成するとともに、該外部接続端子を前記補強板を貫通させることを特徴とする請求項１２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ベースメタルをエッチングして第１層の配線層の一部によって半導体集積回路のベアチップと接続される電極を形成することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記ベースメタルと前記第１層の配線パターンとの間に異種金属層を形成し、前記ベースメタルのエッチングの際に前記ベースメタルを構成する金属を選択的にエッチングすることにより前記異種金属層を露出させることを特徴とする請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
工程１：  ベースメタル上に第１層目の回路配線層となる導体パターンを電気メッキにより形成し、
工程２：  前記導体パターン上に絶縁性接着シートを挟んで第２層目の導体板を接着し、
工程３：  第２層目の導体板と絶縁性接着シートに所定のスルーホール用の穴を開け、第１層目の導体パターンと第２層目の導体板との間を、ベースメタル板を給電層としてスルーホールメッキによって接続し、
工程４：  第２層目の導体板の表面を平坦化し、その後に第２層目の導体板をエッチングして第２層の配線層を形成し、
工程５：  工程２〜工程４をｎ−１回繰返すことにより、前記第１層目の回路配線と合せてｎ層の回路配線層を形成し、
工程６：  回路配線された最外層の外表面に接着層を挟んで補強板を接着し、
工程７：  前記補強板とそのすぐ下の接着層に所定のスルーホール用の穴を開け、最外層の配線層の上面を露出し、
工程８：  ベースメタル板を電極として最外層の配線層の上面から所定のスルーホールを形成して補強板上にバンプを突出させて外部接続端子を形成する、
ことを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回路基板とその製造方法に係り、とくに多層回路基板であってビルドアップ配線基板のように高密度な多層回路基板とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年半導体素子は、ますます高集積化し、かつ高性能化が進められている。例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）のような表面実装パッケージからＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）に代表される多層配線基板を用いた半導体パッケージが開発されている。
【０００３】
インターポーザ基板を用いたパッケージは、多層の回路基板上に半導体集積回路のベアチップを実装したものである。またこのような多層の回路基板上にＩＣチップ以外に他の回路素子をもマウントすることによって、モジュール基板として回路モジュールを形成することが可能になる。さらには複数の半導体集積回路のベアチップを実装することによって、ＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）基板とすることができる。
【０００４】
このようにパッケージを有しない半導体集積回路のベアチップを直接多層回路基板に実装するベアチップ実装法が提案されている。ベアチップ実装法は多層配線基板上の配線と半導体チップとの間の接続経路を短縮することができるために、小型軽量化は勿論のこと、信号処理の高速化をも期待することが可能になる。そしてこのようなベアチップ実装に使用される多層回路基板は、両面基板をコア基板としてビルドアップされ、その後に外部端子として、例えば半田ボール等が搭載されて形成される。
【０００５】
従来の多層配線基板の製造プロセスと構造とを図６および図７によって説明する。図６Ａに示すように両面に銅箔２が接合された絶縁層１から成る両面基板を用意する。ここで絶縁層１は、優れた電気絶縁性とともに、適度の柔軟性と強度とを有する、例えばポリイミド系絶縁樹脂や、アクリル系絶縁樹脂等の材料を用いて形成される。そしてこの絶縁層１の厚みは、例えば５０〜２００μｍの範囲内で設定される。なお銅箔２としては、例えば圧延銅箔等が用いられ、厚さが１０〜３０μｍの範囲内で設定して上記絶縁層１に接着する。
【０００６】
次に上記両面基板の両面にドライフィルムレジストあるいは液状レジストによって所定のパターンを露光現像し、両面にレジストパターン３を形成する。
【０００７】
次いで図６Ｃに示すように、上記レジストパターン３をマスクとして、エッチング液によって銅箔２をエッチングする。使用するエッチング液は、塩化鉄溶液や塩化銅溶液等のような銅選択エッチング液である。そしてこの後に図６Ｄに示すように上記レジストパターン３を剥離する。これによって図６Ｄに示すように銅箔２によって所定のパターンが形成される。
【０００８】
図６Ｄに示すような両面基板を図６Ｅに示すように２枚接着する。すなわち上記図６Ａ〜Ｄに示す工程で作成された２枚の両面基板を、例えば新日鉄化学株式会社製のボンディングシート等の接着シート４によって貼合わせる。これによって図７Ｆに示すようになる。
【０００９】
次に図７Ｇに示すように、スルーホールエッチング用レジストパターン５を形成する。すなわち両面基板を２枚接着した後に、４層の配線パターンの側断面が図７Ｈに示すように露出するように、スルーホールエッチングを行なうためのレジストパターン５を形成する。なおここでスルーホールの直径は、４０〜２００μｍの範囲内である。そして上記レジストパターン５を用いてスルーホールエッチングを行ない、スルーホール内の絶縁樹脂層を除去して穴６を形成する。絶縁樹脂層を除去するには、樹脂用のエッチング液やレーザ等が使用される。
【００１０】
次いで図７Ｉに示すように、貫通する穴６内にスルーホールメッキ７を施す。一般に穴６内の絶縁体部に前処理を行ない、無電解メッキの核、例えばパラジウムを形成し、その後無電解による銅のスルーホールメッキを行ない、側断面方向に露出している４層の配線パターンの側部をスルーホールメッキ７によって接続する。
【００１１】
この後に図７Ｊに示すように、この基板の表面の所定の位置に半田ボール８等によって所定の外部接続用端子を形成する。なお半田ボール８がない部分には保護層９を形成することが好適である。これによって従来の多層配線基板が形成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図６および図７に示す製造方法あるいは構造の従来の多層回路基板は、この多層回路基板を形成する場合に１枚の両面基板を図６Ｄに示すように形成してから多層にするために、各層の回路配線が電気的に分断されることになり、互いに分断された回路配線をスルーホールメッキによって接続する必要がある。ところがこのように分断された回路配線は、給電手段がないために電気メッキによってスルーホールを形成することができない。また外部接続用端子を一連のプロセスの中で連続して形成することができず、単独の別工程によって形成する必要がある。
【００１３】
すなわち従来の多層回路基板は、各層の回路配線が互いに電気的に分断されるとともに、電気メッキによってスルーホールを形成することができず、さらに別工程によって外部接続用端子を形成しなければならないという欠点を有している。
【００１４】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、多層回路基板を一連のプロセスで形成することができるとともに、電気メッキによってスルーホールを形成することが可能で、しかも外部接続用端子としてのバンプをも一連の工程の中で形成することが可能な多層回路基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願の主要な発明は、
多層の配線層を具備する回路基板において、
厚さ方向に隣接する配線層が該隣接する一方の配線層を給電手段として形成される電気メッキから成るスルーホールによって接続されるとともに、
外側面側の配線層を給電手段として形成される電気メッキから成る突起によって外部接続端子が形成されることを特徴とする回路基板に関するものである。
【００１６】
ここで前記外部接続端子が形成される外側面側の配線層の外表面上に保護層が形成されるとともに、該保護層から前記外部接続端子が突出することが好ましい。また前記保護層が絶縁層を介して前記外側面側の配線層の外表面に形成されることが好適である。また外表面側の配線層の上に前記配線層と同一の金属から成るスルーホールが形成され、しかも該スルーホールの外表面に形成された前記配線層とは異なる材料から成る電気メッキ層を積層することによって前記外部接続端子が形成されることが好ましい。また前記外部接続端子が形成される外表面とは反対側の配線層の一部によって電極が形成され、該電極が前記外部接続端子が形成されている外表面とは反対側の外表面に露出していることが好ましい。また前記電極がこの回路基板上に実装される半導体集積回路のベアチップの端子と接続される電極であることが好ましい。
【００１７】
またこの回路基板が半導体集積回路のベアチップを実装して半導体パッケージを形成するインターポーザ基板であることが好ましい。またこの回路基板が半導体集積回路のベアチップと他の回路素子とを実装して回路モジュールを形成するモジュール基板であることが好適である。またこの回路基板が単一または複数の半導体集積回路のベアチップを実装して所定のシステムを形成するＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）基板として用いることも可能である。
【００１８】
製造方法に関する主要な発明は、
導電性金属から成るベースメタルを用意しておき、
該ベースメタル上にこのベースメタルを給電手段として電気メッキによって第１層の配線パターンを形成し、
前記第１層の配線パターン上に絶縁層を介して導体層を接合し、前記導体層および前記絶縁層の所定の位置に穴を開けて前記ベースメタルおよび前記第１層の配線パターンを給電手段として前記穴の中にスルーホールを電気メッキによって形成し、その後に前記導体層をエッチングして第２層の配線パターンを形成することを特徴とする回路基板の製造方法に関するものである。
【００１９】
ここで前記導体層を接合し、穴に前記スルーホールを形成し、エッチングによって前記配線パターンを形成する工程をｎ−１回繰返し、前記第１層の配線パターンと合せてｎ層の配線パターンを形成することが好ましい。また最外層の配線パターン上に絶縁層を介して補強板を接合し、該補強板によってこの回路基板に剛性を付与することが好ましい。また最外層の配線パターン上に該配線パターンを給電手段として電気メッキによって外部接続端子を形成するとともに、該外部接続端子を前記補強板を貫通させることが好ましい。また前記ベースメタルをエッチングして第１層の配線層の一部によって半導体集積回路のベアチップと接続される電極を形成することが好ましい。また前記ベースメタルと前記第１層の配線パターンとの間に異種金属層を形成し、前記ベースメタルのエッチングの際に前記ベースメタルを構成する金属を選択的にエッチングすることにより前記異種金属層を露出させることが好ましい。
【００２０】
製造方法に関する別の主要な発明は、
工程１：  ベースメタル上に第１層目の回路配線層となる導体パターンを電気メッキにより形成し、
工程２：  前記導体パターン上に絶縁性接着シートを挟んで第２層目の導体板を接着し、
工程３：  第２層目の導体板と絶縁性接着シートに所定のスルーホール用の穴を開け、第１層目の導体パターンと第２層目の導体板との間を、ベースメタル板を給電層としてスルーホールメッキによって接続し、
工程４：  第２層目の導体板の表面を平坦化し、その後に第２層目の導体板をエッチングして第２層の配線層を形成し、
工程５：  工程２〜工程４をｎ−１回繰返すことにより、前記第１層目の回路配線と合せてｎ層の回路配線層を形成し、
工程６：  回路配線された最外層の外表面に接着層を挟んで補強板を接着し、
工程７：  前記補強板とそのすぐ下の接着層に所定のスルーホール用の穴を開け、最外層の配線層の上面を露出し、
工程８：  ベースメタル板を電極として最外層の配線層の上面から所定のスルーホールを形成して補強板上にバンプを突出させて外部接続端子を形成する、
ことを特徴とする回路基板の製造方法に関するものである。
【００２１】
本願の製造方法に関する発明によれば、ベースメタルを給電層として、電気メッキによってスルーホールを形成しながら直接外部電極部あるいは外部接続用端子を形成することができる。またベースメタルを給電層として電気メッキを行なうようにしているために、スルーホールや外部接続端子を短時間で安定に形成することができる。また一連の工程によって外部接続端子を形成することができるために、外部接続端子、すなわちバンプを独立に形成する工程を省略することが可能になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下本願に含まれる発明を図示の実施の形態によって説明する。図１〜図５は本願に含まれる発明の一実施の形態を製造プロセスの順に示したものである。図１Ａに示すように、銅製のベースメタル１５を用意する。ベースメタル１５は例えば厚さが１０〜２００μｍの範囲内の銅板であってよい。なお銅板以外のベースメタルとしては、ニッケル合金板等を用いることができる。
【００２３】
次いで図１Ｂに示すように、このベースメタル１５の一方の表面にドライフィルムあるいは液状レジストを塗布し、パターンを現像してレジストパターン１６を形成する。このレジストパターン１６は第１層の配線層のパターンである。
【００２４】
この後図１Ｃに示すように、上記レジストパターン１６をマスクとし、下側のベースメタル１５を給電層としてこのベースメタル１５の表面に、２μｍのＮｉ層、１μｍのＡｕ層、２μｍのＮｉ層１８を順次形成し、その後に１０μｍのＣｕ層を電気メッキによって形成する。なお銅製のベースメタル１５の表面に直接Ｃｕ層１７を形成すると、後の工程でベースメタル１５をエッチングする際に、銅の選択エッチング液を用いた場合に、メッキ層１７がエッチングされる可能性があるために、銅以外の材料から成るメッキ層１８を形成しておく必要がある。
【００２５】
この後図１Ｄに示すようにレジストパターン１６を剥離する。そして図１Ｅに示すようにベースメタル１５の表面および第１配線層１７の表面に接着シート２２を接合する。この接着シート２２としては、例えば厚さが３０μｍのポリイミド系の絶縁接着シートが好適に用いられる。そしてこのような接着シート２２を介して銅板２３を積層して熱プレスにより圧着する。ここで銅板２３の厚さは例えば３〜２０μｍの範囲内であることが好適である。
【００２６】
次いで図２Ｆに示すように、スルーホール用のレジストパターン２４を表面に形成する。すなわち第１層配線層１７の上面と銅板２３によって形成される第２配線層との間に銅のスルーホールを形成するために、銅板２３の上面にレジストを塗布し、該レジストを露光現像することによって、スルーホール用レジストパターン２４を形成する。
【００２７】
次に図２Ｇに示すように、銅板２３と接着シート２２とをスルーホールエッチングする。すなわちスルーホール用レジストパターン２４をマスクとし、銅板２３とその下の接着シート２２とをスルーホールエッチングし、これによって第１層配線層１７の上面を露出させる。銅板２３のエッチング液は、例えば塩化銅溶液等の銅選択エッチング液を用いる。またその下側の接着シート２２のエッチング液としては、例えば水酸化カリウム水溶液が用いられる。
【００２８】
次に図２Ｈに示すように、穴２５にスルーホールメッキを施す。すなわち上記レジストパターン２４をマスクとするとともに、ベースメタル１５を給電層として、上記第１層配線層１７と銅板２３の間に例えば硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキによって銅のスルーホールメッキ２６を形成する。このようなスルーホールメッキ２６は、その積層方向の高さを上記銅板２３の上面よりもやや高くすることが好ましい。
【００２９】
この後図２Ｉに示すように、上記スルーホール用レジストパターン２４を剥離する。そしてこの後図２Ｊに示すように、銅板２３の上面であってスルーホールメッキ２６の突部２７を平坦化する。穴２５内に銅メッキを施した後にスルーホール用レジストパターン２４を剥離すると、図２Ｉに示すように銅板２３の上面にスルーホール２６の直径と同じ直径の銅の突起２７ができる。この突起２７を削ることによって、第２層配線層を形成する銅板２３の表面と同じ面になるように平坦にする。上面の平坦化は、より細線化した配線パターンを精度よく銅板２３によって形成するためのものである。
【００３０】
次に図３Ｋに示すように、平坦化された銅板２３の表面に、第２層配線層３２を形成するためのレジストパターン３１を形成する。これはドライフィルムあるいは液状レジストを塗布し、これをパターンによって露光して現像することにより行なう。そしてこのような配線用レジストパターン３１をマスクとして、上記銅板２３を図３Ｌに示すようにエッチングすることによって、第２層の配線層３２を形成する。なおここでも、エッチング液として例えば塩化銅溶液等の銅選択エッチング液を用いるとよい。そしてこの後図３Ｍに示すように、配線用レジストパターン３１を剥離する。
【００３１】
この後図１Ｅのプロセスに戻り、図１Ｅ〜図３Ｍに示す工程を所定の回数繰返す。これによって所望の階層の多層の回路基板が作成される。すなわちベースメタル１５上に形成される第１層配線層１７の上に、ｎ−１回上記の工程を繰返すと、上記第１層１７を含めてｎ層の多層の回路基板が作成される。
【００３２】
この後図３Ｎに示すように、積層された多層の配線層１７、３２を保護するために、フェノール、エポキシ等の補強板３７によって補強する。すなわち最上層の配線層３２の上に例えば厚さが３０μｍのポリイミド系絶縁接着シート３６を介して上記の補強板３７を熱プレスによって圧着する。この補強板３７は多層の回路基板に対して剛性を付与することになる。
【００３３】
次に図３Ｑに示すように、最外層の配線層３２から外部電極を取出すために、補強板３７と接着シート３６に穴３９を開ける必要がある。そこでこの穴３９を開けるためのスルーホール用レジストパターン３８を図３Ｏに示すように形成する。
【００３４】
そして図４Ｐに示すように、上記補強板３７と接着シート３６とをパターンエッチングする。すなわちこのようなスルーホール用レジストパターン３８をマスクとし、補強板３７と接着層３６とを、水酸化カリウム水溶液等のエッチング液を用いてエッチングし、これによって第２層の配線層３２の所定の上面を図４Ｐに示すように露出させる。
【００３５】
この後に図４Ｑに示すように、スルーホール用レジストパターン３８をマスクとし、ベースメタル１５を給電層として、例えば硫酸銅メッキ浴を用いて電解メッキを行なう。すると穴３９内において配線層３２の上面であって所定の部位から補強板３７の上面とほぼ同じ高さまでスルーホールメッキ４０が形成される。なおこのようなメッキ４０は補強板３７の上面よりも低い高さであってもよい。
【００３６】
そしてこの後図４Ｒに示すように、上記スルーホール用レジストパターン３８をマスクとし、銅のスルーホールメッキ４０の表面に、上記ベースメタル１５を給電層として電解メッキによって、例えば２μｍのＮｉ層と５μｍのＡｕ層とを順次形成する。なおメッキ層４１の構成としては、上記の構成に代えて、２μｍのＮｉ層と、２０〜３０μｍのＳｎ層であってもよい。これらによって突起（バンプ）が形成され、電極となる。そしてその後にスルーホール用レジストパターン３８を図４Ｓに示すように剥離する。
【００３７】
次いで図４Ｔに示すように、外部端子保護用レジスト４５を上面に形成する。これは下側のベースメタル１５の全体をエッチングして除去する際に、上側の電極４０およびメッキ層４１がエッチングされないようにするためであって、電極４０を保護する役目を果す。
【００３８】
この後図５Ｕに示すように、Ｃｕのベースメタル１５の全体を、塩化銅溶液や銅選択エッチング液によってエッチングする。これによってベースメタル１５の上に予め形成されているニッケルメッキ層１８が露出する。すなわち上記のベースメタル１５のエッチングはニッケルメッキ層１８の露出によって停止される。これによって第１層の配線層１７のエッチングが防止され、平滑な配線層１７が露出することになる。
【００３９】
この後に上記の露出したニッケルメッキ層１８の表面に例えば０．１〜０．５μｍの無電解Ａｕメッキを施して図５Ｖに示すようなメッキ層４６とする。この後図５Ｗに示すように保護用レジスト４５を剥離する。これによって図５Ｗに示すような多層の回路基板であってその一方の面にスルーホールメッキから成る電極４０が形成されるとともに、他方の面にはニッケルメッキ層１８の表面にさらにＡｕメッキ層４６を形成した電極が形成される。このような電極４６は図５Ｘに示すように、半導体ベアチップ５１を実装する際の電極となる。すなわち半導体ベアチップ５１の端子を半田ボール５０によって上記メッキ層４６が形成された電極に接続することになる。
【００４０】
このような本実施の形態の回路基板によれば、Ｃｕベースメタル板１５を給電層とし、電気メッキによってスルーホール２６、４０を形成しながら、最終回路配線層３２から直接外部電極部４０を形成することができる。しかもベースメタル１５を給電層として電気メッキを行なっているために、スルーホール２６、４０や外部電極部４０を短時間で安定に形成することができる。またスルーホールメッキ４０から成る電極を独立に後から形成する工程が省略でき、これによって工程の大幅な短縮化が可能になる。
【００４１】
このような多層の回路基板は、例えば図５Ｘに示すように、半導体ベアチップ５１を直接実装するインターポーザ基板として利用することができる。また半導体ベアチップ５１とともに他の部品あるいは回路素子をも実装し、これによって回路モジュールを形成するモジュール基板としても使用可能である。さらには複数の半導体ベアチップ５１を実装し、１つのシステムをその上に形成するＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）基板として用いることが可能である。
【００４２】
以上本願に含まれる発明を図示の実施の形態によって説明したが、本願に含まれる発明は上記実施の形態によって限定されることなく、本願に含まれる発明の技術的思想の範囲内で各種の変更が可能である。例えば配線層１７、３２の階層数や外部接続用電極４０、あるいはメッキ層４１を形成した電極等の配置については任意に変更が可能である。
【００４３】
【発明の効果】
回路基板に関する主要な発明は、多層の配線層を具備する回路基板において、厚さ方向に隣接する配線層が該隣接する一方の配線層を給電手段として形成される電気メッキから成るスルーホールによって接続されるとともに、外側面側の配線層を給電手段として形成される電気メッキから成る突起によって外部接続端子が形成されるようにしたものである。
【００４４】
従ってこのような回路基板は、１枚の基板の両面に配線を施した両面基板を積層して形成するものではなく、隣接する一方の配線層を給電層として形成される電気メッキから成るスルーホールによって厚さ方向に隣接する配線層が接続されることになり、回路配線が電気的に分断されることなく多層の回路基板を形成することができる。しかも外表面側の配線層の上に電気メッキによって形成される突起で外部接続用端子が形成されるために、一連の工程内で外部接続用端子をも形成できるようになる。
【００４５】
製造方法に関する主要な発明は、導電性金属から成るベースメタルを用意しておき、該ベースメタル上にこのベースメタルを給電手段として電気メッキによって第１層の配線パターンを形成し、第１層の配線パターン上に絶縁層を介して導体層を接合し、導体層および絶縁層の所定の位置に穴を開けてベースメタルおよび第１層の配線パターンを給電手段として穴の中にスルーホールを電気メッキによって形成し、その後に導体層をエッチングして第２層の配線パターンを形成するものである。
【００４６】
従ってこのような回路基板の製造方法によれば、ベースメタルを給電手段として電気メッキによってスルーホールを形成しながら、しかも最終配線層から直接外部接続用端子を形成することが可能になる。ここでとくにベースメタルを給電層として電気メッキによってスルーホールや外部接続用電極を形成しているために、製造に要する時間を短縮化することができる。また外部接続用端子を独立に形成する工程を省略することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一実施の形態の回路基板の製造方法を順を追って示す断面図である。
【図２】一実施の形態の回路基板の製造方法を順を追って示す断面図である。
【図３】一実施の形態の回路基板の製造方法を順を追って示す断面図である。
【図４】一実施の形態の回路基板の製造方法を順を追って示す断面図である。
【図５】一実施の形態の回路基板の製造方法を順を追って示す断面図である。
【図６】従来の多層回路基板の製造方法を順を追って示す断面図である。
【図７】従来の多層回路基板の製造方法を順を追って示す断面図である。
【符号の説明】
１‥‥絶縁層、２‥‥銅箔、３‥‥レジストパターン、４‥‥接着シート、５‥‥レジストパターン、６‥‥穴、７‥‥スルーホールメッキ、８‥‥半田ボール、９‥‥保護層、１５‥‥ベースメタル、１６‥‥レジストパターン、１７‥‥第１層配線層（メッキ層）、１８‥‥ニッケルメッキ層、２２‥‥接着シート、２３‥‥銅板、２４‥‥スルーホール用レジストパターン、２５‥‥穴、２６‥‥スルーホールメッキ、２７‥‥突部、３１‥‥配線用レジストパターン、３２‥‥第２層配線層、３６‥‥接着シート、３７‥‥補強板、３８‥‥スルーホール用レジストパターン、３９‥‥穴、４０‥‥スルーホールメッキ（電極）、４１‥‥メッキ層、４５‥‥保護用レジスト、４６‥‥メッキ層、５０‥‥半田ボール、５１‥‥半導体ベアチップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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