(57)【要約】【課題】スパッタリングターゲット表面にノジュールが発生せず、スパッタリング成膜によって得られた非晶質導電膜の抵抗値を小さくできるようなスパッタリングターゲットを用いて低抵抗の非晶質導電膜を提供することである。【解決手段】金属のターゲット１２を、金属酸化物のターゲット１０上に配置し、単一のスパッタリングターゲット１４を構成させる。このスパッタリングターゲット１４を用いて、スパッタリング法によって非晶質透明導電膜を成膜する。その結果、金属の酸素引き抜き効果によって、キャリヤーを増やすことができ、非晶質導電膜の低抵抗化を図ることができる。【選択図】　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物の部位と、金属の部位からなるスパッタリングターゲット。
【請求項２】
該金属の部位の表面積は、該金属酸化物の部位の表面積と該金属の部位の表面積との和である全表面積に対して２０％〜０．１％の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記金属酸化物が、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛のいずれか１種以上の金属酸化物よりなることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記金属酸化物が、酸化スズと酸化インジウムからなることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記金属酸化物が、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶相層状化合物（Ｉｎ２０３・（ＺｎＯ）ｍ）を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。ここでｍは２から２０の整数である。
【請求項６】
前記金属が、酸化インジウムより酸化されやすい金属からなることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
請求項６に記載の金属が、仕事関数が４．６ｅＶ未満である金属であることを特徴とする請求項６に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項８】
前記金属の部位が、亜鉛及び／または亜鉛合金からなることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより導電膜を成膜する方法であって、
スパッタリング時の真空度を１×１０−４Ｐａ未満にすることを特徴とする非晶質導電膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の導電膜の製造方法によって成膜される非晶質導電膜。
【請求項１１】
請求項１０に記載の非晶質導電膜を熱処理することにより結晶化させることを特徴とする導電膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の導電膜の製造方法によって成膜される結晶性導電膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ：液晶表示装置）や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等に用いられる透明導電膜を成膜するスパッタリング法の改良に関する。より詳細に言えば、スパッタリング法で用いられるターゲットの改良に関する。さらに、そのスパッタリング法を用いて成膜した透明導電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＣＤや有機ＥＬの技術進歩が進み、高い表示性能と、高い省エネルギー性を実現する製品が数多く提供されている。これらＬＣＤや有機ＥＬは、小型で薄く作ることができるので、特に携帯電話やＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、パーソナルコンピュータ、ラップトップパソコン（ノート型コンピュータ）、テレビ受像器等の表示機として広く使用されている。これらのＬＣＤや有機ＥＬには、各画素に信号を送るために透明導電膜が用いられている。この透明導電膜は、インジウム・スズ酸化物（以下、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）と呼ぶ）膜が利用される場合が多い。
【０００３】
しかしながら、このＩＴＯ膜のエッチングは、いわゆる強酸で行う必要があり、弱酸、特に有機酸でエッチングすることは困難であった。
【０００４】
また、ＩＴＯ膜の生成は、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法で行うが、このスパッタリング成膜中に、ターゲット表面にノジュールと呼ばれる異物が発生する場合があることが知られている。このノジュールは、しばしばスパッタリングの異常放電の原因となる。また、このノジュールは、スパッタリング容器内でしばしば飛散して製品に付着し、製品を汚染してしまったり、その後の工程に悪影響を及ぼす場合があることが知られている。その結果、製品歩留まりが低下してしまうこともあった。
【０００５】
これらの問題点を解決するために、種々の技術が提案されてきた。
たとえば、酸化亜鉛を添加した非晶質透明導電膜により問題を解決する方法が種々提案されている。たとえば、特開平６−２３６７１１号や、特開平７−３２５３１３号、特許第２６９５６０５号等にそのような技術が記載されている。
【０００６】
また、酸化ガリウムを添加した非晶質透明導電膜により問題を解決する方法も種々提案されている。たとえば、特開平　４−２７２６１２号、特開平７−１８２９２４号、特開平９−５０７１１号等にそのような技術が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの技術で得られる膜は非晶質であるため、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）で見られるようないわゆるドーピング効果を期待することはできない。その結果、低抵抗な膜を得ることは困難であった。
【０００８】
非晶質透明導電膜においては、キャリヤー発生の源は酸素欠損（酸素空孔）である。したがって、酸素欠損の量によってキャリヤーの量も変化する。たとえば、成膜時に酸素量を減少させた場合には、キャリヤーの発生量を増すことができるのである。しかしながら、このようにして酸素量を減らしてキャリヤーの発生量を増やすと、一部還元が生じることによってインジウムの亜酸化体（ＩｎＯ）が生成され、この亜酸化体によって膜全体が着色してしまう問題が生じてしまう。
【０００９】
その結果、従来の技術においては、透明導電膜のキャリヤーの発生量には限界があった。言い換えれば、従来のスパッタリング法による製造方法では、非晶質透明導電膜の低抵抗化には限界があったのである。
【００１０】
本発明は、かかる課題に鑑みなされたものであり、その目的は、以下の２個の事項を満足するスパッタリングターゲットを得、このスパッタリングターゲットを用いて低抵抗の非晶質導電膜を提供することである。
【００１１】
・スパッタリングターゲット表面にノジュールが発生しないこと
・スパッタリング成膜によって得られた非晶質導電膜の抵抗値が小さなこと
【課題を解決するための手段】
Ａ　スパッタリングターゲットに関する発明
上記課題を解決するために、本発明は、金属酸化物の部位と、金属の部位からなるスパッタリングターゲットである。
【００１２】
これは、ターゲットの表面のある部位が金属であり、表面の他の部位が金属酸化物からなることを意味する。
たとえば、金属酸化物のターゲット１０上に金属ターゲット１２を１個以上載置し、一体として単一のスパッタリングターゲット１４として利用する態様が考えられる。この様子が図１に示されている。
また、逆に、金属ターゲット上に金属酸化物ターゲットを載置し、一体として単一のスパッタリングターゲットとして利用する態様でもよい。
【００１３】
このようなスパッタリングターゲット１４を使用して成膜した導電膜の組成比率（金属酸化物と金属の組成比率）は、利用したスパッタリングターゲット１４における金属の部位の表面積と金属酸化物の部位の表面積との比に概ね比例する。したがって、成膜したい導電膜の組成比率と同様の表面積比となるように、金属の部位と、金属酸化物の部位の表面積とを調整してスパッタリングターゲット１４を作成することが好ましい。図１に示したような態様を採用する場合には、金属酸化物ターゲット１０上に配置する金属ターゲット１２の個数を調整することによって、表面積比を調整することができる。
【００１４】
また、金属酸化物ターゲット１０と、金属ターゲット１２とを交互に並べて組み合わせたものをスパッタリングターゲット１４として利用することも好ましい。この様子が図２に示されている。図２は、交互に並べられた状態を上から見た図である。この図２のような状態を入れ子状態と呼ぶ。また、図２で示した例では円形の部材を並べる例を示したが、四角形や六角形の部材を並べてもよい。
【００１５】
金属酸化物の部位と、金属の部位の表面積の比率は、スパッタリングターゲットの全表面積に対する金属の部位の表面積の比率で表現することができる。この比率は２０％以下（金属の部位の表面積の比率）である。好ましくは、１０％以下、より好ましくは５％以下である。
【００１６】
この比率（全表面積に対する金属の部位の表面積の比率）が２０％を超える場合には、金属の部位の表面積が増えすぎてしまい、金属による着色等により導電膜の透明性が低下するおそれがあるからである。
一方、この比率が０．１％以下では、効果が非常に小さくなってしまうことが判明している。
【００１７】
また、本発明は、当該金属酸化物が、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛のいずれか１種以上の金属酸化物よりなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。
【００１８】
さらに、本発明は、当該金属酸化物が、酸化スズと酸化インジウムからなることを特徴とする。
ここで、酸化インジウムに対する酸化スズのドーピング量としては、２から２０ｗｔ％である。そして、ドーピング量は、好ましくは３から１５ｗｔ％、より好ましくは５から１２ｗｔ％である。ドーピング量は、２０ｗｔ％より多くなると、添加効果がかえって薄れるおそれがあり、その一方、２ｗｔ％以下では、添加効果が小さいおそれがある。
【００１９】
さらに、本発明は、当該金属酸化物が、酸化インジウムと酸化亜鉛からなる六方晶相層状化合物（Ｉｎ２０３・（ＺｎＯ）ｍ　ここでｍは２から２０の整数）を含むことを特徴とするスパッタリングターゲットである。
【００２０】
ここで、酸化亜鉛の導入量は２から３０ｗｔ％である。好ましくは、導入量は３から２５ｗｔ％であり、より好ましくは５から１５ｗｔ％である。この導入量が３０ｗｔ％以上では、抵抗が増加するおそれがあり、一方、２ｗｔ％以下では、成膜時に導電膜中に結晶が生じてしまい非晶質透明導電膜を得ることが困難になることが考えられる。
【００２１】
さらに、六方晶相層状化合物「Ｉｎ２０３・（ＺｎＯ）ｍ」のｍは２から２０の整数であるが、好ましくは、ｍは３から８、より好ましくは３から７の間の整数がよい。
【００２２】
また、本発明は、上で述べた各スパッタリングターゲットにおいて、前記金属が、酸化インジウムより酸化されやすい金属からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。本発明において特徴的な事項は、スパッタリングターゲットの金属が、酸化インジウムより酸化されやすい材料からなることである。
【００２３】
酸化インジウムより酸化されにくい金属では、酸化インジウムから酸素の引き抜き効果がなく、本発明の効果（低抵抗化）が希薄になる。一方、　酸化インジウムより酸化されやすい金属では、酸化インジウムから酸素の引き抜き効果が十分に得られ、本発明の効果（低抵抗化）が十分に得られると考えられる。
【００２４】
酸化されやすさの目安として、仕事関数を用いることができる。すなわち、本発明は、前記金属が、仕事関数が４．６ｅＶ（酸化インジウムの仕事関数）未満である金属であることが特徴とする。
【００２５】
仕事関数が４．６ｅＶ以上の金属では、酸化インジウムから酸素の引き抜き効果が小さいと考えられるからである。ここで、仕事関数は、たとえば、紫外光電子分光法によって測定することができる。具体的には、理研科学製のＡＣ−１装置等を用いて測定することができる。
仕事関数が４．６ｅＶ（酸化インジウムの仕事関数）未満の金属の例を挙げれば、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｙｂ、Ｙ、Ｗ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｂｉなどである。これらの中でも好ましくは、Ｚｎ（亜鉛）及びその合金が挙げられる。この合金としては、Ｚｎ５Ｃｅ、ＺｎＮｂ、Ｚｎ３Ｖ、Ｚｎ３Ｔｉ、Ｚｎ２Ｙｂ、ＺｎＹ、Ｚｎ２Ｚｒ、などが挙げられよう。
【００２６】
Ｂ　導電膜の製造方法及びその製造方法で成膜した導電膜に関する発明
本発明は、上記課題を解決するために、上で述べた各発明のスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングにより非晶質透明導電膜を成膜する方法であって、スパッタリング時の真空度を１×１０−４Ｐａ未満にすることを特徴とする非晶質透明導電膜の製造方法である。
また、本発明は、この製造方法によって成膜した非晶質透明導電膜である。
【００２７】
上で述べたように、本発明では、金属と金属酸化物とからなるスパッタリングターゲットを用いている結果、低抵抗の非晶質透明導電膜を成膜することができる。なお、スパッタリングの具体的な方式としては、マグネトロンスパッタリング、ＤＣマグネトロンスパッタリング　、ＲＦマグネトロンスパッタリング　、ＤＣ−ＲＦマグネトロンスパッタリングなどが挙げられよう。
ここで、スパッタリング中の真空度を１×１０−４Ｐａ未満にすることが好ましい。装置内の水分を除去し、水の影響を低減できるため。
【００２８】
さらに、本発明は、上で述べた製造方法で得られた非晶質導電膜を熱処理することにより結晶化させることを特徴とする導電膜の製造方法である。
また、本発明は、この製造方法によって成膜される結晶性導電膜である。
【００２９】
スパッタリングによって得られた非晶質透明導電膜を、熱処理により、結晶化させることによって、キャリアーを発生させ、一層低抵抗化が図ることができる。このように結晶化を行うことによって、既に説明した酸素欠損によるキャリヤー発生に加えて、結晶化によるキャリヤー発生も生じさせることができ、より一層低抵抗な透明導電膜が得られる。
【００３０】
この熱処理は、好ましくは２５０℃〜１５０℃、より好ましくは２３０℃〜１８０℃の温度で処理することが好ましい。もちろん、基板の耐熱性以下の温度に抑えるべきことは言うまでもない。
また、ガラス基板の場合には、４００℃以下に抑えるべきであり、プラスチック基板の場合もその耐熱温度以下にすることが必要であることは言うまでもない。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施例群を図１〜図４に基づき説明する。
【００３２】
Ａ．非晶質導電膜
［実施例１から実施例４］
酸化インジウム・酸化亜鉛からなる六方晶相層状化合物（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ：ｍは３から５までの整数）を含む直径４インチΦ、厚さ５ｍｍ（ｔ）のターゲット（ＺｎＯ含有量：７．５ｗｔ％）１０のエロージョン部分に直径３ｍｍΦの開孔部を５カ所設けて、金属亜鉛のワイヤー（直径３ｍｍΦ、長さ５ｍｍ）１２をその開孔部に挿入し、スパッタリングターゲット１４として用いる。このスパッタリングターゲット１４の様子が図１の説明図に示されている。アルゴン９９％、酸素１％の雰囲気中で、スパッタリングを行った。基板温度を室温、１５０℃、２００℃、２５０℃で変化させて成膜した各透明導電膜の特性を調べた。その結果が図３の表に示されている（実施例１〜実施例４）。
【００３３】
なお、エロージョン部分とは、エロージョン領域とも呼ばれ、スパッタリング現象によってターゲット構成元素がはじき出され、ターゲットが消耗する領域の範囲を意味する。
【００３４】
実施例１は基板温度が室温の例である。実施例１で成膜した導電膜の酸化亜鉛含有量は１０．８ｗｔ％であった。比抵抗は２５０μΩ・ｃｍであり、透明性が８９％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００３５】
実施例２は基板温度が１５０℃で成膜した例である。実施例２で成膜した導電膜の酸化亜鉛含有量は１０．７ｗｔ％であった。比抵抗は２４０μΩ・ｃｍであり、透明性が９０％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００３６】
実施例３は基板温度が２００℃で成膜した例である。実施例３で成膜した導電膜の酸化亜鉛含有量は１０．５ｗｔ％であった。比抵抗は２２０μΩ・ｃｍであり、透明性が９０％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００３７】
実施例４は基板温度が２５０℃で成膜した例である。実施例４で成膜した導電膜の酸化亜鉛含有量は１０．４ｗｔ％であった。比抵抗は１４０μΩ・ｃｍであり、透明性が９０％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００３８】
［実施例５］
酸化インジウム・酸化スズからなるＩＴＯの直径４インチΦ、厚さ５ｍｍ（ｔ）のターゲット（ＳｎＯ２含有量：１０ｗｔ％）１０のエロージョン部分に、直径３ｍｍΦの開孔部を５カ所設け、金属亜鉛のワイヤー（太さ３ｍｍΦ、長さ５ｍｍ）１２をターゲット１０の開孔部に挿入した。これを、スパッタリングターゲット１４として利用する。このスパッタリングターゲット１４の様子も図１の説明図で示されている様子と同様である。このスパッタリングターゲット１４を用いて、アルゴン９９％、酸素１％の雰囲気中で、スパッタリングを行った。基板温度を室温にして、成膜した透明導電膜の特性を調べた。調べた結果を実施例１〜実施例４と同様に図３の表に示す。なお、この実施例５は、金属酸化物が、酸数スズと酸化インジウムからなるスパッタリングターゲットの一例である。
【００３９】
図３の表に示すように、実施例５で成膜した導電膜の酸化亜鉛含有量は３．２ｗｔ％であった。比抵抗は２１０μΩ・ｃｍであり、透明性が９０％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００４０】
［実施例６及び実施例７］
実施例６は、実施例５のターゲット１０の組成を、酸化インジウム・酸化スズから、酸化インジウム単独の組成に変えた例であり、実施例７はターゲット１０を酸化スズ単独の組成に変えた例である。それぞれ成膜した透明導電膜の特性を調べ、その結果を図３の表に示す。
【００４１】
図３の表に示すように、実施例６で成膜した導電膜の酸化亜鉛含有量は３．４ｗｔ％であった。比抵抗は２６０μΩ・ｃｍであり、透明性が９０％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００４２】
実施例７で成膜した導電膜の酸化亜鉛含有量は３．１ｗｔ％であった。比抵抗は２８０μΩ・ｃｍであり、透明性が９１％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００４３】
なお、図４の表に示すように、実施例１から実施例７までのすべての例で作成した導電膜は非晶質である。この結晶性に関してはＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：Ｘ線解析装置）を用いて測定を行った。
【００４４】
以下、本発明の実施例と比較するために従来のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ法で導電膜を成膜した例（比較例１〜５）について紹介し、上記実施例と比較を行う。
【００４５】
［比較例１から比較例４］
酸化インジウム・酸化亜鉛からなる六方晶相層状化合物（Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ：ｍは３から５までの整数）を含む４インチΦ、５ｍｍ（ｔ）のスパッタリングターゲット（ＺｎＯ含有量：１０．８ｗｔ％）を、アルゴン９９％、酸素１％の雰囲気中で、スパッタリングを行った。基板温度を室温、１５０℃、２００℃、２５０℃に変化させて透明導電膜を成膜した（比較例１〜比較例４）。得られた各透明導電膜の特性を調べ、その結果を図４の表に示す。
【００４６】
図４の表に示すように、比較例１は、基板温度が室温で成膜した例であり、成膜した導電膜中の酸化亜鉛含有量は１０．６％であった。比抵抗は、３３０μΩ・ｃｍであり、透明性は８９％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００４７】
比較例２は、基板温度が１５０℃で成膜した例であり、成膜した導電膜中の酸化亜鉛含有量は１０．５％であった。比抵抗は、３３０μΩ・ｃｍであり、透明性は８９％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００４８】
比較例３は、基板温度が２００℃で成膜した例であり、成膜した導電膜中の酸化亜鉛含有量は１０．５％であった。比抵抗は、３２０μΩ・ｃｍであり、透明性は９０％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００４９】
比較例４は、基板温度が２５０℃で成膜した例であり、成膜した導電膜中の酸化亜鉛含有量は１０．４％であった。比抵抗は、３２０μΩ・ｃｍであり、透明性は９０％（波長：５５０ｎｍ）であった。
【００５０】
［比較例５］
酸化インジウム・酸化スズからなるＩＴＯの４インチΦ、５ｍｍ（ｔ）のスパッタリングターゲット（ＳｎＯ２含有量：１０ｗｔ％）で、スパッタリングを行った。基板温度を室温にして、成膜した透明導電膜の特性を、比較例１〜４と同様に図４の表に示した。
【００５１】
この比較例５は、基板温度が室温で成膜した例であり、成膜した導電膜中の酸化亜鉛含有量は０％であった。比抵抗は、４５０μΩ・ｃｍであり、透明性は８９％（波長：５５０ｎｍ）であった。
なお、比較例１〜４は、いずれも非晶質の導電膜であるが、比較例５は微結晶となった。
【００５２】
以上述べたように、比較例１〜５と、本発明の実施例１〜７とを比較した場合、実施例１〜７は、比較例１〜５に比べて比抵抗が小さく、透明性も高いことが理解されよう。
【００５３】
以上述べたように、本実施の形態によれば、金属亜鉛を同一ターゲット内に配置することにより、スパッタリング成膜時に薄膜中の酸化インジウムの酸素と反応して酸素欠損を発生させ、非晶質透明導電膜のキャリヤー量が増加することにより低抵抗化が可能となった。
また、金属亜鉛の酸素引き抜き効果により、酸化インジウムは見かけ上還元されるが、引き抜かれた酸素は、元の酸化インジウム近傍に存在するため、亜酸化体までの還元は免れる。これにより、酸素欠損によるキャリヤー発生量を増大することと共に、亜酸化体の発生を抑えることができ、非晶質透明導電膜の低抵抗化が可能となった。
【００５４】
Ｂ．結晶性導電膜
上記Ａ．の実施の形態では、非晶質の導電膜について説明したが、ここで成膜した非晶質の導電膜を熱処理することによって結晶化させ、一層低抵抗化を図ることができる。
【００５５】
熱処理により、結晶化させることにより、結晶化によってキャリヤーを発生させ一層低抵抗化を図ることができる。この熱処理の際の温度は、好ましくは２５０℃〜１５０℃、より好ましくは２３０℃〜１８０℃である。
また、ガラス基板では４００℃以下の温度で熱処理を行うことが好ましく、プラスチック基板では、そのプラスチックの耐熱温度以下の温度で熱処理を行うことが好ましい。
【００５６】
実施例５で得られた非晶質膜を２３０℃で１％Ｈ２ガスを含むＮ２ガス中で１時間処理した。得られた膜はＸ線解析により結晶質であることがわかった。また、抵抗は、１９０μΩ・ｃｍと低抵抗であった。
【００５７】
このように本実施の形態によれば、熱処理による結晶化によって、キャリヤーを発生させ、一層低抵抗化を図ることができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、単一のスパッタリングターゲットに、金属の部位と、金属酸化物の部位とを存在させ、このターゲットを用いてスパッタリング法により成膜すれば、金属の酸素引き抜き効果によって、金属酸化物は見かけ上還元され、酸素欠損が生じる。その結果、キャリヤーの量が増加することになり、導電膜の低抵抗化が可能となる。
さらに、本発明によれば、熱処理によって、結晶化を行っているので、一層キャリヤーの増大を図ることができ、導電膜をより低抵抗化することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で用いるスパッタリングターゲットの様子を示す説明図である。
【図２】本発明で用いるスパッタリングターゲットの他の様子を示す説明図である。
【図３】実施例１から実施例７までの導電性薄膜の特性を表す表である。
【図４】比較例１から比較例５までの導電性薄膜の特性を表す表である。
【符号の説明】
１０　金属酸化物のターゲット
１２　金属のターゲット
１４　スパッタリングターゲット
２０　（金属酸化物の）ターゲット
２２　金属亜鉛のワイヤー
２４　スパッタリングターゲット
【図１】
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【図２】
2004030934.tif 000004
【図３】
2004030934.tif 000005
【図４】
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