(57)【要約】【課題】  長手方向および幅方向の反りを十分に低減し、高密度実装等の用途に好適に用いることが可能なＴＡＢ用テープ、およびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置を提供する。【解決手段】  本発明にかかるＴＡＢ用テープは、少なくとも有機絶縁フィルムおよび接着剤層とを有している。この有機絶縁フィルムの幅方向における平均線膨張係数は、５０〜２００℃の温度範囲内で１７〜３０ｐｐｍの範囲内となっており、ループスティフネス５０μｍ換算値は、長手方向では０．０４５Ｎ以上、幅方向では０．０３５Ｎ以上となっている。このＴＡＢ用テープでは、銅箔を積層した場合に、銅箔の接着面が外側となるように反った状態となるので、反りのないＴＡＢ用テープ、およびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置を提供することができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも有機絶縁層および接着剤層とを有するＴＡＢ用テープにおいて、
当該有機絶縁層に用いられる有機絶縁フィルムの幅方向における平均線膨張係数が、５０〜２００℃の温度範囲内で１７〜３０ｐｐｍの範囲内となっているとともに、
ループスティフネス５０μｍ換算値が、長手方向では０．０４５Ｎ／ｃｍ以上となっており、幅方向では０．０３５Ｎ／ｃｍ以上となっていることを特徴とするＴＡＢ用テープ。
【請求項２】
上記有機絶縁フィルムの幅方向における平均線膨張係数が、５０〜２００℃の温度範囲内で１９〜２８ｐｐｍの範囲内となっていることを特徴とする請求項１に記載のＴＡＢ用テープ。
【請求項３】
上記有機絶縁フィルムの長手方向のループスティフネスが０．０４５〜０．１４０Ｎ／ｃｍの範囲内となっており、幅方向のループスティフネスが０．０３５〜０．１２０Ｎ／ｃｍの範囲内となっていることを特徴とする請求項１または２に記載のＴＡＢ用テープ。
【請求項４】
上記有機絶縁フィルムが長手方向に延伸されて成形されたものであることを特徴とする請求項１、２または３に記載のＴＡＢ用テープ。
【請求項５】
上記有機絶縁フィルムとして、延伸倍率が１．０５〜１．８０倍の範囲内となるように長手方向に延伸されて成形されたものが用いられていることを特徴とする請求項４に記載のＴＡＢ用テープ。
【請求項６】
上記有機絶縁フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載のＴＡＢ用テープ。
【請求項７】
さらに、保護層を有する請求項１ないし６の何れか１項に記載のＴＡＢ用テープ。
【請求項８】
請求項１ないし６の何れか１項に記載のＴＡＢ用テープを用いてなる銅張り積層板。
【請求項９】
請求項１ないし６の何れか１項に記載のＴＡＢ用テープを用いてなる半導体接続用基板。
【請求項１０】
請求項８に記載の銅張り積層板を用いてなる半導体接続用基板。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の半導体接続用基板を用いてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の実装方式の一つであるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式に用いられるテープ（以下、ＴＡＢ用テープと称する）と、このＴＡＢ用テープを用いてなる銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置に関するものであり、特に、半導体装置の組み立て工程における多ピン化、小型化、あるいは高密度実装を実現する用途に好適なＴＡＢ用テープと、これを用いてなる銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＴＡＢ方式による半導体装置の実装では、ＴＡＢ用テープを用いて種々の加工工程を経ることによりパッケージ化と機器への実装とがなされる。このとき、上記加工工程としては、(i)スリットおよびパンチング工程、(ii)銅箔ラミネーティング工程、(iii)接着剤硬化工程、(iv)パターン形成（レジスト塗布、銅のエッチング、レジスト剥離）工程、(v)メッキ処理工程、(vi)インナーリードボンディング工程、(vii)樹脂封止工程、(viii)パンチング工程、(ix)アウターリードボンディング工程等が含まれる。
【０００３】
なお、上記(iii)の工程がなされた後に得られるものを銅張り積層板と称し、(v)の工程がなされた後に得られるものを半導体接続用基板と称し、(ix)の工程がなされた後に得られるものを半導体装置と称する。
【０００４】
ところで、近年、半導体装置を製造する過程では、多ピン化、小型化、あるいは高密度実装等が要求されているが、このような要求に対応し得るＴＡＢ用テープとして、保護層、接着剤層およびベースフィルムの３層構造からなるＴＡＢ用テープ（便宜上、３層ＴＡＢ用テープと称する）が用いられている。この３層ＴＡＢ用テープを用いた場合、上記(ii)の工程で保護層が除去されるので、(ii)の工程がなされた後には、ベースフィルムと銅箔と接着剤とからなる３層の積層構造が形成される。
【０００５】
ここで、上記ベースフィルムとしては、有機絶縁フィルム、好ましくはポリイミド樹脂を主成分とするポリイミドフィルムが多く用いられるが、このポリイミドフィルムの線膨張係数が小さくなりすぎると、熱による銅箔の伸縮量がポリイミドフィルムの伸縮量よりも大きくなる。そのため、上記(iii)の工程の後に得られる銅張り積層板では、長手方向および幅方向の双方に反りが生じてしまう。
【０００６】
この反りについてより具体的に説明すると、上記(ii)の工程では、３層ＴＡＢ用テープと銅箔とを貼り合わせるときに加熱し、上記(iii)の工程では、貼り合せた後に加熱して接着剤層を硬化させる。このとき、上記(ii)の工程における貼り合わせ温度、または上記(iii)の工程における接着剤層の硬化温度が室温にまで冷却される過程では、銅箔とベースフィルムとの線膨張係数の違いにより、銅張り積層板の長手方向および幅方向に反りやカールが生じる。
【０００７】
そこで、従来では、（１）上記銅張り積層板において反りやカールの発生を回避するために、ベースフィルムの線膨張係数を銅箔の線膨張係数と同等に設定する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００８】
しかしながら、上記のように、銅箔と同等の線膨張係数を有するベースフィルムを用いると、銅張り積層板において反りが無い状態となるのは、実質的に、室温に冷却された直後のみとなる。それゆえ、例えば、上記(iv)の工程にて銅箔にレジストを塗布した後等、加工温度から室温に温度が低下した場合では、銅張り積層板に反りやカールが発生する可能性が生じる。
【０００９】
そこで、最近では、上記反りやカールをより有効に回避するための技術として、（２）絶縁性フィルム層（ベースフィルム）の物性と接着剤層の成分の物性とをそれぞれ最適化したり（特許文献２参照）、（３）加工温度から室温まで温度が低した場合に、有機絶縁フィルム層（ベースフィルム）を収縮させるようにしたり（特許文献３参照）、（４）ベースフィルムとなるポリイミドフィルムを製造した後に、一軸方向にさらに延伸させることで、幅方向の線膨張係数を大きくしたり（特許文献４参照）、（５）特定構造のポリイミド樹脂を用いたり（特許文献５参照）する技術等が提案されている。特に、上記（２）の技術では、絶縁性フィルム層の幅方向における線膨張係数を１７〜３０ｐｐｍの範囲内に設定するとともに、引張り弾性率を６〜１２ＧＰａの範囲内に設定することで、反りを低減させている。
【００１０】
他に、ポリイミドフィルム層の機械的特性、特に引張り弾性率を向上させる技術としては、ポリイミド前駆体のフィルムを作製し、これを膨潤させて低倍率で延伸する技術が知られている（特許文献６参照）。
【特許文献１】特開平５−７０５９１号公報（平成５（１９９３）年３月２３日公開）
【特許文献２】特開２００２−７６０６２号公報（平成１２（２００２）年３月１５日公開）
【特許文献３】特開２００２−２８５１１０号公報（平成１４（２００２）年１０月３日公開）
【特許文献４】特開平８−１７４６５９号公報（平成８（１９９６）年７月９日公開）
【特許文献５】特開平１０−７０１５７号公報（平成１０（１９９８）年３月１０日）
【特許文献６】特開２００２−１８０４号公報（平成１４（２００２）年１月８日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した従来の技術では、反りの低減が未だ不十分であるという課題を有している。
【００１２】
具体的には、ポリイミドフィルムのような有機絶縁フィルムでは、その線膨張係数および弾性率（反りに関与する物性）は、当該有機絶縁フィルムの一次構造（化学構造）に大きく依存することが知られている。そして、一般には、有機絶縁フィルムの一次構造として、弾性率が大きくなるような化学構造を選択した場合、線膨張係数は小さくなってしまうことも知られている。そのため、有機絶縁フィルムにおいては、化学構造を選択することで弾性率および線膨張係数を調和させることは実質的に困難となっている。したがって、上記（５）の技術のように化学構造を特定する手法では、反りを十分に低減させることが難しい。
【００１３】
また、銅張り積層板や半導体接続用基板を製造する過程では、ＴＡＢ用テープの長手方向については応力がかかるため、反りはある程度緩和することができる。したがって、上記（４）の技術等では、ある程度反りを低減させる効果は得られるものの、ＴＡＢ用テープの長手方向および幅方向には、それぞれ反りが残存しており、特に高密度実装の用途では反りの低減が不十分となっている。
【００１４】
さらに、上記（２）や（３）の技術では、有機絶縁フィルムの物性を制御しており、特に、上記（２）の技術では、ベースフィルムとして、銅箔よりもやや大きい線膨張係数を有するものを用いている。これによって、反りをより有効に低減させることが可能となるが、何れも、形成された銅張り積層板は、銅箔の接着面を内側として反っているため、銅箔を貼り合わせた後の各工程において反りを低減する効果は不十分となっている（詳細については後述）。この点については（４）の技術でも同様である。
【００１５】
本発明は上記の課題に鑑みなされたものであって、その目的は、長手方向および幅方向の反りを十分に低減し、高密度実装等の用途に好適に用いることが可能なＴＡＢ用テープと、このＴＡＢ用テープを用いてなる高品質の銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者は、上記課題を鋭意検討した結果、ベースフィルムとなる有機絶縁フィルムを作製する際に延伸を行うとともに、当該有機絶縁フィルムの平均線膨張係数およびループスティフネスを所定の範囲内に設定することにより、得られるＴＡＢ用テープの幅方向および長手方向の反りが大幅に改善されることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１７】
すなわち、本発明にかかるＴＡＢ用テープは、少なくとも有機絶縁層および接着剤層とを有するＴＡＢ用テープにおいて、当該有機絶縁層に用いられる有機絶縁フィルムの幅方向における平均線膨張係数が、５０〜２００℃の温度範囲内で１７〜３０ｐｐｍの範囲内となっているとともに、ループスティフネス５０μｍ換算値が、長手方向では０．０４５Ｎ／ｃｍ以上となっており、幅方向では０．０３５Ｎ／ｃｍ以上となっていることを特徴としている。
【００１８】
上記ＴＡＢ用テープにおいては、上記有機絶縁フィルムの幅方向における平均線膨張係数は、５０〜２００℃の温度範囲内で１９〜２８ｐｐｍの範囲内となっていることが好ましく、上記有機絶縁フィルムの長手方向のループスティフネスは０．０４５〜０．１４０Ｎ／ｃｍの範囲内となっており、幅方向のループスティフネスは０．０３５〜０．１２０Ｎ／ｃｍの範囲内となっていることが好ましい。
【００１９】
また、上記ＴＡＢ用テープにおいては、上記有機絶縁フィルムが長手方向に延伸されて成形されたものであることが好ましく、上記有機絶縁フィルムとして、延伸倍率が１．０５〜１．８０倍の範囲内となるように長手方向に延伸されて成形されたものが用いられていることがより好ましい。
【００２０】
さらに、上記ＴＡＢ用テープにおいては、上記有機絶縁フィルムがポリイミドフィルムであることが好ましい。また、上記ＴＡＢ用テープは、さらに、保護層を有することが好ましい。
【００２１】
本発明にかかる銅張り積層板は、上記ＴＡＢ用テープを用いてなるものであり、本発明にかかる半導体接続用基板は、上記ＴＡＢ用テープを用いてなるものか、または上記銅張り積層板を用いてなるものである。さらに、本発明にかかる半導体装置は、上記半導体接続用基板を用いてなるものである。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明にかかるＴＡＢ用テープは、有機絶縁フィルムを用いてなり、その平均線膨張係数とループスティフネスとを所定の範囲内に規定している。そのため、銅箔を積層した場合に、銅箔の接着面（接着剤層の面）が外側となるように反った状態となる。これにより、銅箔の貼り合わせで生ずる反りと、その後段で実施されるレジストの塗布で生ずる反りとが互いに相殺することになり、最終的に得られる積層体、すなわち半導体接続用基板の反りを非常に小さいものとすることが可能となる。
【００２３】
その結果、本発明にかかるＴＡＢ用テープ、それを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置では、ベースフィルムの反りをより一層低減することができるので、特に、高密度実装される半導体装置の用途に好適に用いることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施の一形態について説明すれば、以下の通りである。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２５】
本発明にかかるＴＡＢ用テープは、少なくとも有機絶縁フィルムと、接着剤層とからなるＴＡＢ用テープにおいて、当該有機絶縁フィルムの幅方向における平均線膨張係数の５０℃〜２００℃の範囲内において１７〜３０ｐｐｍであり、ループスティフネス５０μｍ換算値が、長手方向では０．０４５Ｎ／ｃｍ以上、幅方向では０．０３５Ｎ／ｃｍ以上となっている。このＴＡＢ用テープでは、銅箔を積層した場合に、銅箔の接着面が外側となるように反った状態となっている。
【００２６】
なお、ここでいう長手方向および幅方向とは、次のように定義する。すなわち、図２に示すように、上記有機絶縁フィルムを用いてサンプルを作製するとき、当該有機絶縁フィルムの長手方向に対向する辺が長くなるように上記サンプルを作製し、この辺を当該サンプルの「長手方向」と称する。同様に、有機絶縁フィルムの幅方向に対向する辺が短くなるように上記サンプルを作製し、この辺を当該サンプルの「幅方向」と称する。
【００２７】
＜ベースフィルム＞
本発明にかかるＴＡＢ用テープでは、ベースフィルムとして、上記のように、有機絶縁フィルム、好ましくはポリイミドフィルムが用いられる。この有機絶縁フィルムとは、有機絶縁性の材料でフィルム状に形成されるものであれば特に限定されるものではなく、同様に、ポリイミドフィルムは、少なくともポリイミド樹脂成分を含有する樹脂組成物を用いてフィルム状に形成されるものであれば特に限定されるものではない。ここで、有機絶縁性フィルム（特にポリイミドフィルム）においては、少なくとも、次のＩ・ＩＩの各条件を満たしていることが好ましく、さらに、ＩＩＩおよび／またはＩＶの条件も満たしていることがより好ましい。
Ｉ．上記有機絶縁フィルムの幅方向における平均線膨張係数が、５０〜２００℃の温度範囲内で１７〜３０ｐｐｍの範囲内となっている。
ＩＩ．上記有機絶縁フィルムにおけるループスティフネス５０μｍ換算値が、長手方向では０．０４５Ｎ／ｃｍ（４．５ｇ／ｃｍ）以上となっており、幅方向では０．０３５Ｎ（３．６ｇ／ｃｍ）以上となっている。
ＩＩＩ．上記有機絶縁フィルムが長手方向に延伸されて成形されたものである。
ＩＶ．上記有機絶縁フィルムの厚みが１０〜１２５μｍの範囲内である。
【００２８】
上記条件Ｉにおいては、幅方向の平均線膨張係数が、５０〜２００℃の温度範囲内で１７〜３０ｐｐｍの範囲内であればよいが、１９〜２８ｐｐｍの範囲内となっていることがより好ましい。幅方向の平均線膨張係数が１７ｐｐｍ未満（５０〜２００℃の温度範囲内）であっても、３０ｐｐｍを超えていても、平均線膨張係数が適当でないため、反りの低減効果が得られないことおそれがあり好ましくない。
【００２９】
上記条件ＩＩにおいては、長手方向のループスティフネス５０μm換算値は０．０４５Ｎ／ｃｍ（４．６ｇ／ｃｍ）以上であればよいが、０．０４５〜０．１４０Ｎ／ｃｍ（４．６〜１４．３ｇ／ｃｍ）の範囲内であることが好ましく、０．０４５〜０．１２０Ｎ／ｃｍ（４．６〜１２．２ｇ／ｃｍ）の範囲内であることがより好ましく、０．０６０〜０．１２０Ｎ／ｃｍ（６．１〜１２．２ｇ／ｃｍ）の範囲内であることが特に好ましい。また、幅方向のループスティフネス５０μm換算値は０．０３５Ｎ／ｃｍ（３．６ｇ／ｃｍ）以上であればよいが、０．０３５〜０．１２０Ｎ／ｃｍ（３．６〜１２．２ｇ／ｃｍ）の範囲内であることが好ましく、０．０４０〜０．１１０Ｎ／ｃｍ（４．１〜１１．２ｇ／ｃｍ）の範囲内であることがより好ましい。上記ループスティフネス５０μｍ換算値が、何れも上記下限未満であれば、反りの低減効果が得られないおそれがあり、上記上限を超えるとフィルムの可とう性が失われる場合がある。
【００３０】
なお、ループスティフネスは、所定の幅および長さを有する短冊状フィルムで作製したループの押しつぶしに対する反発力を示すものである。この値が大きいと、フィルムの剛性（腰強度ともいう）が高くなる。本発明におけるループスティフネスの条件は、後述する実施例にて詳細に説明する。
【００３１】
上記条件ＩＩＩにおいては、有機絶縁フィルムの延伸倍率が１．０５〜１．８０倍の範囲内であることが好ましく、１．１０〜１．６０倍の範囲内であることがより好ましい。延伸倍率が１．０５倍未満であると、延伸が十分でないために延伸による反りの低減効果が得られないことがあるため好ましくない。一方、１．８０倍を超えると、得られる有機絶縁フィルムの平坦性が失われることがあるため好ましくない。
【００３２】
上記条件ＩＶにおいては、有機絶縁フィルムの厚みは、１０〜１２５μｍの範囲内であればよいが、２０〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、２５〜７５μｍの範囲内であることがより好ましく、４０〜６０μｍの範囲内であることが特に好ましい。有機絶縁フィルムの厚みが１０μｍ未満であると、薄すぎて機械的強度の低下や加工性の低下が生じる場合がある。一方、ポリイミドフィルムの厚みが１２５μｍを超えると、厚すぎて加工性が低下する場合がある。
【００３３】
本発明にかかるＴＡＢ用テープでは、ベースフィルムとして用いられる有機絶縁フィルム（好ましくはポリイミドフィルム）が上記ＩおよびＩＩの条件を少なくとも満たしていれば、銅箔を積層した場合に、銅箔の接着した面が外側となるように反った状態となる。さらに上記ＩＩＩおよび／またはＩＶの条件を満たしていれば、上記の反った状態をより好ましいものにすることができる。
【００３４】
前述したように、ベースフィルムとして銅箔と同等の線膨張係数を有するものを用いても反りが生じないのは、銅箔を積層した直後、すなわち、積層時の加工温度から室温まで冷却した直後程度である。さらに後段の各工程では、反りやカールが発生する可能性が非常に高い。
【００３５】
ベースフィルムとして用いる有機絶縁フィルムは、銅箔を積層してから室温まで冷却した後に、銅箔の接着面が内側ではなく外側に反った状態となるようにすることが好ましい。具体的には、図３に示すように、有機絶縁フィルムとしてのポリイミドフィルム１２、接着剤層１３、銅箔１４からなる３層構造の銅張り積層板においては、銅箔１４が外側（図中上側）となりポリイミドフィルム１２が内側（図中下側）となるように反らせておくことが好ましい。
【００３６】
銅箔を積層したＴＡＢ用テープにパターン形成工程（前述した(iv)の工程）を行った場合、銅箔の表面にレジストを塗布することで、銅箔の接着面を内側に反らせる力が働くことになる。その結果、銅箔の貼り合わせとレジストの塗布とのそれぞれで生ずる反りが互いに相殺することになり、最終的に得られる積層体（半導体接続用基板）の反りを非常に小さいものとすることが可能となる。
【００３７】
したがって、ポリイミドフィルムが上記ＩおよびＩＩ、好ましくはＩＩＩおよびＩＶの少なくとも一方の条件を満たせば、銅箔を積層した場合に、銅箔の接着した面が外側となるように反った状態となるため、最終的に得られる積層板の反りをより一層低減し、高密度実装が可能な半導体装置として好適に用いることが可能となる。
【００３８】
＜ポリイミドフィルムの製造方法：ポリアミド酸の重合＞
本発明にかかるＴＡＢ用テープのベースフィルム（有機絶縁層）としては、上述したように有機絶縁フィルムが用いられ、中でもポリイミドフィルムが用いられることが好ましい。本発明で有機絶縁層として用いられるポリイミドフィルムは、その具体的な化学構造や製造方法等については特に限定されるものではないが、一例として、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を合成した上で、その有機溶媒溶液（ポリアミド酸溶液）を調製し、これを用いてフィルム状に形成されたものを挙げることができる。
【００３９】
上記ポリアミド酸の合成方法（ポリアミド酸の製造方法）としては、公知の方法を用いることができる。具体的には、通常、次のようなポリアミド酸溶液を得る方法を好ましく用いることができる。
【００４０】
まず、少なくとも１種の酸二無水物と、少なくとも１種のジアミンとを、実質的に等モル量となるように有機溶媒中に溶解させ、得られた溶液を、制御された温度条件下で、上記酸二無水物とジアミンとの重合が完了するまで攪拌する。この方法によって得られるポリアミド酸溶液では、ポリアミド酸の濃度は通常５〜３５重量％、好ましくは１０〜３０重量％の範囲内となっている。この範囲内であれば、得られるポリイミド樹脂の分子量を好ましいものとできるとともに、ポリアミド酸溶液の粘度も好ましいものとすることができる。
【００４１】
上記製造方法において、酸二無水物とジアミンとを重合させる具体的な方法（重合方法）としては、公知の各種方法を用いることができ、特に限定されるものではないが、特に好ましい重合方法として次に示す（１）〜（５）の方法を挙げることができる。
【００４２】
（１）構造中に芳香族を含むジアミン（芳香族ジアミンと称する）を有機極性溶媒中に溶解および／または分散し、さらに構造中に芳香族を含むテトラカルボン酸二無水物（芳香族テトラカルボン酸二無水物と称する）を、上記芳香族ジアミンと実質的に等モルとなるように添加して反応させる。
【００４３】
（２）芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを有機極性溶媒に添加して溶解する際に、所定量の芳香族テトラカルボン酸二無水物に対して、芳香族ジアミンのモル量を当該芳香族テトラカルボン酸二無水物よりも少なくなるように、芳香族ジアミンを添加する。これにより、両末端に酸無水物基を有するプレポリマーを得る。続いて、最終的に芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとが実質的に等モルとなるように、芳香族ジアミン化合物を添加してプレポリマーと反応させる。
【００４４】
（３）芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを有機極性溶媒に添加して溶解する際に、所定量の芳香族ジアミンに対して、芳香族テトラカルボン酸二無水物のモル量を当該芳香族ジアミンよりも少なくなるように、芳香族ジアミンを添加する。これにより、両末端にアミノ基を有するプレポリマーを得る。続いて、最終的に芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとが実質的に等モルとなるように、芳香族ジアミンを添加してプレポリマーと反応させる。
【００４５】
（４）芳香族テトラカルボン酸二無水物を有機極性溶媒中に溶解および／または分散し、さらに、芳香族ジアミンを上記芳香族テトラカルボン酸二無水物と実質的に等モルとなるように添加して反応させる。
【００４６】
（５）実質的に等モルの芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの混合物を、有機極性溶媒に添加して反応させる。
【００４７】
＜ポリアミド酸の原料１：酸二無水物＞
上述したポリアミド酸の製造方法において用いられる原料（モノマー）のうち、酸二無水物としては、構造中に芳香族を含むテトラカルボン酸二無水物、すなわち芳香族テトラカルボン酸二無水物であればよく、特に限定されるものではない。
【００４８】
上記芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、具体的には、例えば、ピロメリット酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、オキシジフタル酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、エチレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）、ビスフェノールＡビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）等を挙げることができるが、特に限定されるものではなく、例えば、これら酸二無水物の類似化合物であってもよい。
【００４９】
また、必要に応じて、上記芳香族テトラカルボン酸二無水物以外の酸二無水物を組み合わせて用いても構わない。その他の酸二無水物としては、具体的に特に限定されるものではなく、上記芳香族テトラカルボン酸二無水物と組み合わせて用いる場合の混合比率についても特に限定されるものではない。これらの条件等については、当該分野における公知の条件を適用することができる。
【００５０】
上記ポリアミド酸の重合方法では、上記酸二無水物を１種類のみ用いてもよいし、２種類以上を適当な比率で混合して用いてもよい。上述した各化合物の中でも、特に、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル酸無水物）等を用いると、上記Ｉ〜ＩＩＩの条件を満たしたポリイミドフィルムを得やすくなるため好ましい。
【００５１】
＜ポリアミド酸の原料２：ジアミン＞
上述したポリアミド酸の製造方法において用いられる原料のうち、ジアミンとしては、構造中に芳香族を含むジアミン、すなわち芳香族ジアミンであればよく、特に限定されるものではない。
【００５２】
上記芳香族ジアミンとしては、具体的には、例えば、４，４’−オキシジアニリン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、３，３’−ジクロロベンジジン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−オキシジアニリン、３，３’−オキシジアニリン、３，４’−オキシジアニリン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４’−ジアミノジフェニルジエチルシラン、４，４’−ジアミノジフェニルシラン、４，４’−ジアミノジフェニルエチルホスフィンオキシド、４，４’−ジアミノジフェニルＮ−メチルアミン、４，４’−ジアミノジフェニル  Ｎ−フェニルアミン、１，４−ジアミノベンゼン（ｐ−フェニレンジアミン）、１，３−ジアミノベンゼン、１，２−ジアミノベンゼン等を挙げることができるが、特に限定されるものではなく、例えば、これら酸二無水物の類似化合物であってもよい。
【００５３】
また、必要に応じて、上記芳香族ジアミン以外のジアミンを組み合わせて用いても構わない。その他のジアミンとしては、具体的に特に限定されるものではなく、上記ジアミンと組み合わせて用いる場合の混合比率についても特に限定されるものではない。これらの条件等については、当該分野における公知の条件を適用することができる。
【００５４】
上記ポリアミド酸の重合方法では、上記ジアミンを１種類のみ用いてもよいし、２種類以上を適当な比率で混合して用いてもよい。上述した各化合物の中でも、特に、４，４’−オキシジアニリン、ｐ−フェニレンジアミン等を用いると、上記Ｉ〜ＩＩＩの条件を満たしたポリイミドフィルムを得やすくなるため好ましい。
【００５５】
＜ポリアミド酸重合用の溶媒＞
ポリアミド酸を重合するために用いられる溶媒としては、前述したように、有機極性溶媒が好ましく用いられるが、特に、アミド系溶媒が好ましく用いられる。このアミド系溶媒としては、具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等が挙げられるが特に限定されるものではない。
【００５６】
上記ポリアミド酸の重合方法では、上記有機極性溶媒を１種類のみ用いてもよいし、２種類以上を適当な比率で混合して用いてもよい。本発明では、特に、上記アミド系溶媒の中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドをより好ましく用いることができる。
【００５７】
＜ポリイミドフィルムの製造方法：フィルム成形およびイミド化＞
本発明で用いられるポリイミドフィルムは、上記ポリアミド酸溶液をイミド化してフィルム状に成形することにより得ることができる。
【００５８】
ここで、イミド化も含めたポリイミドフィルムの具体的な形成方法としては特に限定されるものではなく、従来公知の方法を用いることができるが、フィルム状に成形する方法としては、例えば、エンドレスベルト、ステンレスドラム、金属箔（後述する実施例のアルミ箔等）等の支持体上に流延する方法が好ましく用いられる。このとき、ポリアミド酸溶液に対して、上述したポリアミド酸や溶媒以外に他の成分を加えることにより、改めて成膜溶液を調製してもよい。他の成分としては特に限定されるものではなく、公知の種々の化合物を挙げることができる。
【００５９】
また、イミド化についても特に限定されるものではないが、一般的には、熱イミド化法と化学イミド化法とが用いられる。
【００６０】
上記熱イミド化法は、脱水剤や触媒等を用いることなく、加熱によってのみイミド化を促進させる方法である。加熱条件は、ポリアミド酸の種類、得ようとするポリイミドフィルムの厚さ等の条件に応じて変動するものであり、特に限定されるものではない。
【００６１】
上記化学イミド化法は、ポリアミド酸溶液に、脱水剤およびイミド化触媒とを作用させてイミド化を促進させる方法である。上記脱水剤は特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、無水酢酸等の脂肪族酸無水物；無水安息香酸等の芳香族酸無水物；等が挙げられる。また、上記イミド化触媒も特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、トリエチルアミン等の脂肪族第３級アミン類；ジメチルアニリン等の芳香族第３級アミン類；ピリジン、ピコリン、イソキノリン等の複素環式第３級アミン類；等が挙げられる。これら化合物の添加量は特に限定されるものではなく、公知の範囲内で添加すればよい。
【００６２】
上記各化合物の中でも、脱水剤としては無水酢酸を用いることが特に好ましく、イミド化触媒としてはイソキノリンを用いることが特に好ましい。また、脱水剤およびイミド化触媒は、硬化によりポリイミド樹脂を得るための添加剤であるため、まとめて硬化剤として取り扱ってもよい。
【００６３】
これら化合物をポリアミド酸溶液に添加する際の添加量は、無水酢酸については、当該ポリアミド酸溶液中のポリアミド酸１モルに対して、モル比で１．０〜４．０の範囲内であればよく、１．２〜３．５の範囲内が好ましく、１．５〜２．５の範囲内であることがより好ましい。イソキノリンについては、当該ポリアミド酸溶液中のポリアミド酸１モルに対して、モル比で０．１〜２．０の範囲内であればよく、０．２〜１．５の範囲内であることが好ましく、０．３〜１．２の範囲内であることがより好ましく、０．３〜１．０の範囲内であることが特に好ましい。脱水剤およびイミド化触媒として、上記化合物を上記の範囲内で添加すれば、より好ましい物性を有するポリイミドフィルムを得ることができる。
【００６４】
＜ポリイミドフィルムの製造方法：フィルム延伸＞
本発明において用いられるポリイミドフィルムは、上記のように、ポリアミド酸溶液を支持体上に流延した後に、乾燥およびイミド化させることにより得られる。ここで、ポリイミドフィルムの成形およびイミド化を行う際に、本発明では、当該ポリイミドフィルムを１．０５〜１．８０倍、好ましくは１．１０〜１．６０倍に延伸する。これによって、上記Ｉの条件が満たされるため、ＴＡＢ用テープのベースフィルムとして適したポリイミドフィルムを得ることができる。
【００６５】
上記ポリイミドフィルムを延伸する具体的な方法としては、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、次に示す２つの方法を代表的な方法として挙げることができる。なお、次の各方法における「グリーンシート」とは、すでに高分子状態にある樹脂が溶媒に溶解された状態で自己支持性を有するフィルム状のものを指す。
（１）上記ポリアミド酸溶液または製膜溶液を支持体上に流延し乾燥してグリーンシートを得て、このグリーンシートを長手方向に延伸した後に、当該シートの両端を固定して熱イミド化する。
（２）上記（１）と同様にして得られたグリーンシートの両端を固定した後、長手方向に延伸する。
【００６６】
上記延伸方法としては、特に限定されるものではなく、公知のどのような方法を用いてもよいが、具体的には、例えば、複数の金属ロールの回転速度差を利用する方法、ピンチロール間の回転速度差を利用する方法、テンター式延伸機を用いる方法等を挙げることができる。
【００６７】
なお、本発明では、得られるポリイミドフィルムに対して、上記ＩおよびＩＩの条件を（好ましくは、ＩＩＩおよびＩＶの少なくとも一方の条件も）与えることができるように、上記グリーンシートを、長手方向だけでなく幅方向に延伸してもよい。
【００６８】
＜接着剤層＞
本発明にかかるＴＡＢ用テープでは、上記ポリイミドフィルム（ベースフィルム）に加えて、少なくとも接着剤層を有している。この接着剤層の主成分は特に限定されるものではなく、接着剤として従来公知の各種化合物を用いることができるが、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ゴム系樹脂等の各種樹脂を好ましく用いることができる。
【００６９】
これら樹脂は単独で用いてもよいし、２種類以上を適当な比率で混合して用いてもよい。これら樹脂は、当該樹脂を混合し得る溶媒に溶解させた樹脂溶液または樹脂組成物溶液として用いることが好ましい。このときの溶媒の具体的な種類や、溶媒の量等の諸条件については特に限定されるものではなく、公知の条件を用いることができる。また、上記樹脂溶液または樹脂組成物溶液には、必要に応じて硬化剤や硬化促進剤等の添加剤を添加してもよい。これら添加剤の具体的な種類についても特に限定されるものではなく、当該分野で公知の各種添加剤を用いることができる。
【００７０】
本発明における接着剤層は、後述する＜ＴＡＢ用テープの製造方法＞の項にて説明するように、上記樹脂溶液または樹脂組成物溶液を、ポリイミドフィルムの表面に塗布して乾燥させることにより形成することができる。
【００７１】
＜保護層＞
本発明にかかるＴＡＢ用テープでは、ベースフィルムとしての有機絶縁フィルム（好ましくは上記ポリイミドフィルム）および接着剤層を少なくとも有していればよいが、さらに、接着剤層を保護する保護層を有していることが好ましい。
【００７２】
この保護層として用いられるフィルム（保護フィルム）としては、保護フィルムとして従来公知の各種樹脂フィルムを用いることができ、接着剤を乾燥させるときに軟化したり変質したりしない程度の耐熱性を有していればどのようなものでもよい。特に、本発明では、例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルフィルム；ポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム；等を好適に用いることができる。
【００７３】
上記保護フィルムの膜厚や強度等の物性については特に限定されるものではなく、接着剤層を保護できるような膜厚や物性となっていればよい。したがって、本発明では、従来公知の膜厚や物性の範囲内となっている保護フィルムを用いればよい。
【００７４】
上記保護層を有していれば、ＴＡＢ用テープの接着剤層を保護することができるので、ＴＡＢ用テープの取扱性を向上させることができる。なお、保護層が無い場合でも、ＴＡＢ用テープを巻き取っていけば、ポリイミドフィルムの間に接着剤層を挟むことになるので、ベースフィルムを保護層代わりにすることも可能である。したがって、本発明にかかるＴＡＢ用テープでは、保護層は必須ではない。
【００７５】
＜ＴＡＢ用テープの製造方法＞
次に、本発明にかかるＴＡＢ用テープの製造方法について具体的に説明する。ＴＡＢ用テープの製造方法は、公知の技術を適用することが可能であり、特に限定されるものではないが、特に、本実施の形態では、次に示す３つの好ましい例を挙げることができる。
【００７６】
まず、第１の例では、前述した製造方法で得られたポリイミドフィルム上に接着剤層を形成する（接着剤層積層工程）。この工程では、接着剤（特に、前記樹脂）と溶媒とを所定の配合で混合した接着剤溶液（樹脂溶液あるいは樹脂組成物溶液）を公知の塗布方法によりポリイミドフィルムの表面に塗布する。このときの塗布条件の詳細は特に限定されないものの、乾燥後の接着剤層の膜厚が、少なくとも５〜４０μｍの範囲内となっていることが非常に好ましい。
【００７７】
上記乾燥後の接着剤層の膜厚は、より好ましくは５〜３０μｍの範囲内であり、さらに好ましくは５〜２０μｍの範囲内である。膜厚が５μｍ未満となると、乾燥後の接着剤層が十分な接着能力を発揮できなくなるおそれがあるため好ましくない。一方、膜厚が４０μｍを超えると、発揮できる接着能力に対して接着剤溶液の使用量が増えるだけでなく、得られるＴＡＢ用テープが厚くなり過ぎて、高密度実装に悪影響を及ぼす場合がある。
【００７８】
次に、塗布した接着剤層（未乾燥状態）を所定の加熱条件で乾燥させて、当該接着剤層を半硬化状態（Ｂステージ状態）とする（接着剤層半硬化工程）。このときの加熱条件（乾燥条件）については特に限定されるものではなく、用いる接着剤の種類に適した公知の条件とすればよい。これによって、本発明にかかるＴＡＢ用テープ（保護層無し）を得ることができる。
【００７９】
次に、第２の例では、接着剤層半硬化工程までは上記第１の例と同様であるが、その後、接着剤層に保護フィルムを重ね合わせ、保護フィルム、接着剤層およびポリイミドフィルムを圧着する（保護層積層工程）。このときの圧着の条件については特に限定されるものではなく、用いる接着剤の種類に適した温度や圧力とすればよい。これによって、本発明にかかるＴＡＢ用テープ（保護層付き）を得ることができる。
【００８０】
次に、第３の例では、先に、保護フィルムに接着剤層を形成する（接着剤層積層工程）。この工程も、基本的には第１の例における接着剤層積層工程と同様である。次に、第１の例と同様にして接着剤層を半硬化状態とする（接着剤層半硬化工程）。次に、上記保護フィルムにおける接着剤層とポリイミドフィルムとを重ね合わせて、保護フィルム、接着剤層およびポリイミドフィルムを圧着する（ベースフィルム積層工程）。このときの圧着の条件については特に限定されるものではなく、用いる接着剤の種類に適した温度や圧力とすればよい。これによって、本発明にかかるＴＡＢ用テープ（保護層付き）を得ることができる。
【００８１】
＜銅張り積層板・半導体接続用基板＞
本発明にかかる銅張り積層板および半導体接続用基板は、上記ＴＡＢ用テープを用いてなるものであり、換言すれば、上記ＴＡＢ用テープを含む多層構造の積層体であると表現することができる。
【００８２】
上記銅張り積層板および半導体接続用基板の具体的な構成は特に限定されるものではない。例えば、銅張り積層板の場合、銅箔をＴＡＢ用テープの接着剤層にラミネートして接着剤を完全硬化させることによって得ることができる。上記ＴＡＢ用テープに保護層が積層されている場合には、保護層となる保護フィルムを剥離して接着剤層を露出させ、この接着剤層に銅箔を積層すればよい。上記ラミネート条件は特に限定されるものではなく、用いる接着剤の種類に適した条件とすればよい。
【００８３】
また、半導体接続用基板の場合、銅箔をＴＡＢ用テープの接着剤層にラミネートして接着剤層を完全硬化させた後、銅箔面に対して、公知の方法でパターン形成（前記(iv)の工程）およびメッキ処理（前記(v)の工程）を実施すればよい。これによって、所定のパターンに加工された配線（便宜上、パターン銅配線と称する）を有する半導体接続用基板を得ることができる。このとき、上記パターンの形状は特に限定されるものではなく、半導体接続用基板の用途に応じて適切なパターンを形成すればよい。
【００８４】
また、上記銅張り積層板および半導体接続用基板の何れにおいても、銅箔の厚みも特に限定されるものではなく、用途に応じた公知の厚みとすればよい。さらに、ＴＡＢ用テープの接着剤層には、銅箔以外の金属箔が積層されてもよい。すなわち、用いる用途に応じて適切な材質の金属配線を形成できるように、金属箔の種類を選択すればよい。したがって、上記銅張り積層板の上位概念は、金属箔積層板とすることもでき、上記パターン銅配線も同様に、パターン金属配線とすることができる。
【００８５】
さらに、上述した半導体接続用基板の例からも明らかなように、本発明にかかる半導体接続用基板は、上記ＴＡＢ用テープそのものではなく、当該ＴＡＢ用テープを用いて製造された銅張り積層板を用いて製造されたものであってもよい。このように、本発明にかかる銅張り積層板および半導体接続用基板では、本発明にかかるＴＡＢ用テープを用いて製造されるものであればよく、その詳細な構成については特に限定されるものではない。
【００８６】
このようにして得られた銅張り積層板では、銅箔の接着した面が外側となるように多少反った状態となっていることが好ましい（図３参照）。具体的には、長手方向の反り量は−３．０〜−５．５ｍｍの範囲内であることが好ましく、−３．５〜−５．０ｍｍの範囲内であることがより好ましい。一方、幅方向の反り量は、０〜−３．０ｍｍの範囲内であることが好ましく、−１．０〜−３．０ｍｍの範囲内であることがより好ましく、−１．０〜−２．０ｍｍの範囲内であることがさらに好ましい。反り量が上記範囲内から外れると、銅箔をパターン形成した後であっても、得られる半導体接続用基板では、十分に反りを低減することができなくなる可能性がある。
【００８７】
なお、場合によっては、半導体接続用基板に反りが残存していてもよい。これは、半導体接続用基板の用途によっては、さらにパターン形成された配線に対してソルダレジストを塗布する場合があり得るためである。
【００８８】
ソルダレジストを塗布する場合の反りの変化について説明する。例えば、図４に示すように、図３と同じく、銅張り積層板（半導体接続用基板）が、有機絶縁フィルムとしてのポリイミドフィルム１２、接着剤層１３、銅箔１４からなる３層構造であり、銅箔１４が外側となりポリイミドフィルム１２が内側となるように反っているとする（図４上）。このとき、当該銅箔１４の表面に耐熱性のコーティング剤であるソルダレジスト１５を塗布すると、塗布後のソルダレジスト１５の収縮により、ポリイミドフィルム１２側ではなく銅箔１４側を内側にして銅張り積層板が反ることがある（図４下）。
【００８９】
そこで、半導体接続用基板（銅張り積層板）には、ポリイミドフィルム側を内側とする状態の反りを残存させておき、ソルダレジスト塗布後に生ずる反りを相殺するようにしてもよい。半導体接続用基板にさらにソルダレジストを塗布する場合、当該半導体接続用基板の状態の反り量は、長手方向および幅方向ともに、＋０．５ｍｍ〜−２ｍｍの範囲内であればよいが、０ｍｍ〜−２ｍｍの範囲内であることが好ましく、−０．５ｍｍ〜−２ｍｍの範囲内であることがより好ましい。
【００９０】
＜半導体装置＞
本発明にかかる半導体装置は、上記半導体接続用基板を用いてなるものであれば、その具体的な構成は特に限定されるものではない。例えば、上記半導体接続基板におけるパターン銅配線の上に、半導体集積回路（ＩＣ）を公知のダイボンド材を用いて接着する。その後、公知の条件でダイボンディングした後に、公知の条件でワイヤーボンディングし、公知の封止樹脂により封止する。これによって半導体装置を得ることができる。もちろん、半導体装置の製造例（構成）は上記の例に限定されるものではなく、他の構成であってもよいことは言うまでもない。
【００９１】
以上、本発明の具体的な実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態のみに限定されるものではなく、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者が有する知識に基づいて、種々の改良、変更、修正を加えた態様で実施することができる。
【実施例】
【００９２】
以下、実施例および比較例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例および比較例において得られた有機絶縁フィルムの一例であるポリイミドフィルム、ＴＡＢ用テープ、銅張り積層板、または半導体接続用基板の各種物性は次のようにして測定または評価した。
【００９３】
〔平均線膨張係数〕
測定装置としては、理学電気製の商品番号ＴＭＡ−８１４０を用いた。測定を行うポリイミドフィルムから長手方向に５ｍｍ、幅方向に１５０ｍｍの試験片を切り取り、窒素気流下にある上記測定装置のサンプル台にセットした。その後、２０℃から４００℃まで昇温（Ａ）を行い、４００℃から２０℃まで冷却（Ｂ）した後、再び２００℃まで昇温（Ｃ）を行った。この昇温（Ｃ）段階における５０〜２００℃の範囲内で線膨張係数を測定し、その平均値を算出した。
【００９４】
〔ループスティフネス〕
ポリイミドフィルムの試験片をループとし、東洋精機社製のループスティフネステスタ（Ｄ型）を用いて、当該ループ部分に一定の変形（押しつぶし距離）を与えた際に、その変形を維持するのに必要な荷重を測定した。このときの試験条件は、ループ長さ５０mm、押しつぶし距離１５mm、押しつぶし速度３．６ｍｍ／ｓとした。サンプル幅については、測定サンプルの厚みによって適宜調整を行った。得られた荷重測定値から、次に示す式により５０μm換算値を算出した。なお、次式では、荷重測定値（単位Ｎ）をＷ、サンプル幅Ｌ、ループ部分における試験片（ポリイミドフィルム）の平均厚み（単位μｍ）をＴ、ループスティフネス５０μm換算値（単位Ｎ／ｃｍ）をＭで示す。
【００９５】
Ｍ＝Ｗ÷Ｌ×(０．００５÷Ｔ)3
〔幅方向における反り〕
反りサンプル（銅張り積層板、銅箔フルエッチング積層板、またはテスト用半導体接続基板）を長手方向に４０mm、幅方向に３５mmの大きさに切り出して反りサンプルとし、湿度６０％ＲＨ、温度２３℃の部屋に７２時間放置した。その後、反りサンプルを平面上に静置し、幅方向の中央部に、底部の面積５０ｍｍ×５ｍｍ、重さ２５ｇの重しを載せ、四隅のうき上がり高さを測定した。これら四隅のうき上がり高さの平均値を算出し、幅方向における反りの評価を行った。なお、接着剤層（または銅箔）を内側とする反りを＋とし、接着剤層（または銅箔）を外側とする反りを−とした。
【００９６】
〔長手方向における反り〕
反りサンプル（銅張り積層板、銅箔フルエッチング積層板、またはテスト用半導体接続基板）を長手方向６０mm、幅方向３５mmの大きさに切り出して反りサンプルとし、湿度６０％ＲＨ、温度２３℃の部屋に７２時間放置した。その後、反りサンプルを平面上に静置し、長手方向の中央部に、底部の面積５０ｍｍ×５ｍｍ、重さ２５ｇの重しを載せ、四隅のうき上がり高さを測定した。これら四隅のうき上がり高さの平均値を算出し、長手方向における反りの評価を行った。なお、接着剤層（または銅箔）を内側とする反りを＋とし、接着剤層（または銅箔）を外側とする反りを−とした。
【００９７】
〔ポリアミド酸の合成例１〕
ピロメリット酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、４，４’−オキシジアニリン、ｐ−フェニレンジアミンをモル比で５０／５０／６０／４０の割合となるように用いるとともに、重合用溶媒としてＤＭＦを用いてポリアミド酸を合成した。得られたポリアミド酸は、固形分が１８重量％のＤＭＦ溶液（ポリアミド酸溶液）となった。
【００９８】
〔ポリアミド酸の合成例２〕
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物およびパラフェニレンジアミンを、それぞれモル比１／１の比率となるように用いるとともに、重合用溶媒としてＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド（沸点１６４．５〜１６６℃）を用いてポリアミド酸を合成した。得られたポリアミド酸は、固形分が１８重量％のＤＭＦ溶液（ポリアミド酸溶液）となった。
【００９９】
〔ポリアミド酸の合成例３〕
ピロメリット酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸モノエステル無水物）、４，４’−オキシジアニリン、ｐ−フェニレンジアミンをモル比で５０／５０／３５／６５の割合となるように用いるととも、重合用溶媒としてＤＭＦを用いて固形分が１８重量％のＤＭＦ溶液（ポリアミド酸溶液）を合成した。
【０１００】
〔実施例１〕
合成例１で得られたポリアミド酸溶液１００ｇに、脱水剤として無水酢酸２０ｇを、イミド化触媒としてイソキノリン１０ｇとを添加して混合・攪拌し、遠心分離により脱泡した後、アルミ箔（金属箔・支持体）上に流延塗布した。攪拌から脱泡までの工程は０℃に冷却しながら行った。このアルミ箔とポリアミド酸溶液との積層体を１２０℃で１５０秒間加熱し、自己支持性を有するグリーンシートを得た。
【０１０１】
このグリーンシートをアルミ箔から剥がし、長手方向に１．５倍の延伸倍率で延伸を行った後、フレームに固定した。このグリーンシートを３００℃、４００℃、５００℃で各３０秒間加熱してポリイミドフィルムを得た。
【０１０２】
また、ポリアミド樹脂（日本リルサン社製、商品名プラタボンドＭ１２７６）５０重量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、商品名エピコート８２８）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂１０重量部、トルエンおよびイソプロピルアルコールを１：１で混合した溶液１５０重量部をそれぞれ混合した溶液に、さらに、ジアミノジフェニルスルホンおよびジシアンジアミドを４：１で混合したものの２０％メチルセロソルブ溶液４５重量部を混合して、接着剤溶液を調製した。
【０１０３】
保護フィルムとして、表面に剥離剤処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、このＰＥＴフィルム上に、上記接着剤溶液を、乾燥後１１μｍになるように塗布した。その後、１２０℃で２分乾燥した後、２７ｍｍ幅にスリットした。これによりＢステージ接着剤付きＰＥＴフィルムを得た。
【０１０４】
さらにその後、上記ポリイミドフィルムを３５ｍｍ幅に加工し、このポリイミドフィルムの中央部に上記Ｂステージ接着剤付きＰＥＴフィルムを張り合わせ、９０℃で９．８Ｎ／ｃｍ2（１ｋｇ／ｃｍ2）の圧力で圧着し、ＴＡＢ用テープを得た。
【０１０５】
次に、このＴＡＢ用テープからＰＥＴフィルムを剥がし、接着剤層に銅箔（三井金属製ＶＬＰ、厚み１８μｍ）を重ね合わせ、ロールラミネート法で張り合わせた。張り合わせの温度は１２０℃、圧力は１９．６Ｎ／ｃｍ2（２ｋｇ／ｃｍ2）とした。その後、上記硬化前テープをコア径１２０ｍｍのリールに、最外径が３００ｍｍとなるように巻きつけた後、熱風循環オーブンに入れ、６０℃で３時間、８０℃で３時間、１２０℃で３時間、１４０℃で３時間、１６０℃で４時間のステップで加熱した後に徐冷することにより接着剤層を硬化させ、銅張り積層板（銅箔付ＴＡＢ用テープ）を得た。
【０１０６】
次に、この銅張り積層板の銅箔をエッチングにより完全に除去することで、銅箔フルエッチング積層板を得た。
【０１０７】
また、上記銅張り積層板に対して、図１に示すようなモデルパターンを用いて感光性レジストによるパターニングを行い、エッチング、レジスト剥離、金メッキを行い、テスト用半導体接続用基板を得た。なお、図１では、部材番号１１がパターン銅配線を示し、部材番号１２がポリイミドフィルムを示す。パターン銅配線の厚みは１００μｍである。また、このモデルパターンでは、同図中、中央から上下左右に向かって、それぞれまとまったパターン銅配線１１の群が形成されており、各群では、中央から外側に向かってパターン銅配線１１が広がるようになっている。なお、パターン銅配線１１の中央側では各配線の間が１００μｍとなっており、外側では各配線の間が１ｍｍとなっている。
【０１０８】
上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、上記銅張り積層板、銅箔フルエッチング積層板、テスト用半導体接続用基板（これらをまとめて反りサンプルと称する）について、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果（線膨張係数、長手方向・幅方向のループスティフネスサンプルおよびその平均厚み）を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１０９】
〔実施例２〕
グリーンシートをアルミ箔から剥がした後、長手方向に１．２倍の延伸倍率で延伸を行った以外は実施例１と同様にしてポリイミドフィルムおよび反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１１０】
〔実施例３〕
合成例２で得られたポリアミド酸溶液を用いて、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムを得るとともに、実施例１と同様にして反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１１１】
〔実施例４〕
合成例３で得られたポリアミド酸溶液１００ｇを遠心分離により脱泡した後、アルミ箔上に流延塗布した。攪拌から脱泡までの工程は０℃に冷却しながら行った。このアルミ箔とポリアミド酸溶液との積層体を１２０℃で８００秒間加熱し、自己支持性を有するグリーンシートを得た。
【０１１２】
このグリーンシートをアルミ箔から剥がし、長手方向に１．３倍の延伸倍率で延伸を行った後、幅方向に１．１倍の延伸倍率で延伸を行いフレームに固定した。このグリーンシートを３００℃、４００℃、５００℃で各３００秒間加熱して最終的にポリイミドフィルムを得た。
また、実施例１と同様にして反りサンプルを得た。
【０１１３】
上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１１４】
〔実施例５〕
ポリイミドフィルムの厚みが２０μｍとなるように、ポリアミド酸溶液をアルミ箔上に流延塗布した以外は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムを得るとともに、実施例１と同様にして反りサンプルを得た。
【０１１５】
上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１１６】
〔実施例６〕
ポリイミドフィルムの厚みが１２０μｍとなるように、ポリアミド酸溶液をアルミ箔上に流延塗布した以外は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムを得るとともに、実施例１と同様にして反りサンプルを得た。
【０１１７】
上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１１８】
〔比較例１〕
グリーンシートをアルミ箔から剥がした後、長手方向に延伸を行わなかった以外は実施例１と同様にしてポリイミドフィルムおよび反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１１９】
〔比較例２〕
グリーンシートをアルミ箔から剥がした後、長手方向に延伸を行わなかった以外は実施例３と同様にしてポリイミドフィルムおよび反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１２０】
〔比較例３〕
グリーンシートをアルミ箔から剥がした後、長手方向および幅方向に延伸を行わなかった以外は実施例４と同様にしてポリイミドフィルムおよび反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１２１】
〔比較例４〕
合成例３で得られたポリアミド酸溶液を用い、かつ長手方向および幅方向に延伸を行わなかった以外は、実施例１と同様にしてポリイミドフィルムを得るとともに、実施例１と同様にして反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１２２】
〔比較例５〕
グリーンシートをアルミ箔から剥がした後、長手方向に延伸を行わなかった以外は、実施例５と同様にしてポリイミドフィルムおよび反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１２３】
〔比較例６〕
グリーンシートをアルミ箔から剥がした後、長手方向に延伸を行わなかった以外は、実施例６と同様にしてポリイミドフィルムおよび反りサンプルを得た。上記ポリイミドフィルムについて幅方向の線膨張係数、長手方向および幅方向のループスティフネスおよび平均厚みを測定した。また、反りサンプルについて、長手方向および幅方向の反りを測定した。ポリイミドフィルムの測定結果を表１に、反りサンプルの測定結果のうち、長手方向の結果を表２に、幅方向の結果を表３に示す。
【０１２４】
【表１】
2004282052.tif 000002
【０１２５】
【表２】
2004282052.tif 000003
【０１２６】
【表３】
2004282052.tif 000004
【０１２７】
上記各実施例の結果から明らかなように、本発明では、前記ＩおよびＩＩ、好ましくはＩＩＩの条件を満たすことにより、最終的に得られるテスト用半導体接続用基板では、長手方向であっても幅方向であっても、反りの発生を十分抑制できることが分かる。一方、ＩＩＩの条件を満たさない比較例では、最終的に得られるテスト用半導体接続用基板の反りを十分に低減できていないことが分かる。
【０１２８】
特に、銅張り積層板の反りの結果から明らかなように、本発明では、テスト用半導体接続用基板の前段階の過程では、比較例よりも反りが大きい場合もあるが、銅箔フルエッチング積層板では、比較例と反りのレベルは大きく違わず、テスト用半導体接続用基板では、比較例よりも反りが小さくなっている。これは、銅張り積層板の反りが、銅箔の接着面（接着剤層の面）が外側となっている（表中−の値）ことによるものであり、本発明の有効性を示すものとなっている。
【産業上の利用可能性】
【０１２９】
以上のように、本発明では、反りを低減したＴＡＢ用テープ、それを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板および半導体装置を提供することができる。したがって、本発明は、ポリイミドフィルムを用いる樹脂産業に適用できるだけでなく、当該ポリイミドフィルムを用いたＴＡＢ用テープ、銅張り積層板、半導体接続用基板を製造する電子部品関連産業や、これらを用いた半導体産業等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】実施例にて用いられる、半導体接続用基板のパターン銅配線の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明で用いられるポリイミドフィルムの一例を示す概略斜視図である。
【図３】ＴＡＢ用テープにおける反りの状態を模式的に説明する概略断面図である。
【図４】ＴＡＢ用テープにおいて、ソルダレジストを塗布する場合における反りの変化の状態を模式的に説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１１  パターン銅配線
１２  ポリイミドフィルム
１３  接着剤層
１４  銅箔
１５  ソルダレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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