(57)【要約】【課題】プラズマ成膜装置において、チャンバーのクリーニングに使用するＰＦＣガスの使用量や排出量を低減する。【解決手段】チャンバーのクリーニング時に反応ガスもしくは排気ガスをモニタしてクリーニングの終点を検出し、流量制御装置もしくは除害装置にフィードバックすることにより、反応条件もしくは除害条件の変更を行う。このため、ＰＦＣガスの使用量や排出量を低減すると共に、除害装置を過剰に動作させず、チャンバー内のクリーニングを効率よく確実に行うことができる。【選択図】  図１
2004207466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて成膜処理を行うプラズマ成膜装置であって、
前記処理を行うためのチャンバーと、
前記チャンバー内にＰＦＣ（パーフルオロコンパウンド）を含む反応ガスを供給する流量制御手段と、
前記チャンバー内の前記反応ガスを排気するポンプと、
前記チャンバーから排気される排気ガスを分解する除害手段と、
前記反応ガスまたは前記排気ガスに含まれるＰＦＣ濃度を測定する分析手段と、
前記ＰＦＣ濃度の測定結果に基づいて、前記流量制御手段もしくは前記除害手段を制御する制御手段とを備えていることを特徴とするプラズマ成膜装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記ＰＦＣ濃度の測定結果から前記クリーニングの終点を計算する第１演算部と、
前記第１演算部の計算結果から前記流量制御手段もしくは前記除害手段の設定条件を変更する第２演算部とを備えていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ成膜装置。
【請求項３】
前記除害手段は、燃焼もしくは熱分解を用いて前記排気ガスを分解することを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ成膜装置。
【請求項４】
プラズマを用いて成膜処理を行うプラズマ成膜装置のクリーニング方法であって、
前記チャンバー内にＰＦＣ（パーフルオロコンパウンド）を含む反応ガスを供給する工程と、
前記チャンバー内の前記反応ガスを排気する工程と、
前記チャンバーから排気される排気ガスを燃焼もしくは熱分解を用いて除害する工程と、
前記反応ガスまたは前記排気ガスに含まれるＰＦＣ濃度を測定する工程と、
前記ＰＦＣ濃度の測定結果に基づいて、前記反応ガスの供給流量もしくは前記排気ガスの動作条件を制御する工程とを備えていることを特徴とするプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【請求項５】
前記反応ガスの供給流量を制御する工程は、前記反応ガスに含まれる前記ＰＦＣの供給流量を低減することを特徴とする請求項４に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【請求項６】
前記反応ガスの供給流量を制御する工程は、前記反応ガスの流量比を変更することを特徴とする請求項５に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【請求項７】
前記反応ガスの供給流量を制御する工程は、前記反応ガスの総流量を低減することを特徴とする請求項５に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【請求項８】
前記排気ガスの動作条件を制御する工程は、前記排気ガスの除害効率（燃焼効率または分解効率）を高めることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【請求項９】
前記排気ガスの動作条件を制御する工程は、前記排気ガスの燃焼温度もしくは熱分解温度を高くすることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【請求項１０】
前記排気ガスの動作条件を制御する工程は、前記排気ガスに混合する分解用ガスの供給流量を増加することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【請求項１１】
前記分解用ガスは、都市ガス（ＣＨ4ガス、Ｃ2Ｈ6ガス、Ｃ3Ｈ8ガス、Ｃ4Ｈ10ガス）、Ｈ2ガス、Ｏ2ガスまたはＡｉｒであることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ成膜装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置製造のためのプラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法に関し、特に、プラズマ成膜装置のチャンバークリーニング工程において、クリーニング性能を低下させずにＰＦＣガスの使用量や排出量を低減させるプラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、地球環境の汚染が問題となっている。環境汚染に対して世界規模での対策がとられており、半導体業界でもさまざまな取り組みが行われている。
【０００３】
地球環境の汚染のひとつとして、温室効果ガスによる地球温暖化があげられる。半導体デバイスの製造工程では、特に、温室効果ガスとしてＰＦＣ（パーフルオロコンパウンド）ガス（ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、ＮＦ3、ＳＦ6など）を多量に使用している。これらのＰＦＣガスは温暖化係数が高いため、ＰＦＣガスの使用量や排出量の低減が必要である。
【０００４】
ＰＦＣガスの排出量の低減を目的とした、従来のプラズマ装置のクリーニング方法としては、チャンバー中の反応ガスを除害後に分析し、ＰＦＣガスの排出量が一定値を越えた場合、プラズマ装置における化学処理を停止させる工程、もしくは除害効率を高める工程を包含しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図９は、従来例のプラズマ装置を示すものである。図９に記載されているプラズマ装置において、チャンバー１内のステージ上に配置された半導体基板の表面に対し、種々の化学的処理を行う。チャンバー１の外周には高周波電源１２に接続された誘導コイル２が設けられており、この誘導コイル２に与えられた高周波電力によってチャンバー１内でプラズマが形成される。ステージには他の高周波電源１１から基板バイアスのための電力が供給される。チャンバー１には、ガスボンベ１４に蓄えられた反応ガスが流量制御装置１３を介して導入される。
【０００６】
また、チャンバー１は配管４を通じて排気ポンプ６に接続されている。チャンバー１と排気ポンプ６との間には圧力制御バルブ５が挿入されており、排気ポンプ６の後段には、排気ポンプ６から排気されるガスを分解するための除害装置７が設けられている。チャンバー１中の反応ガスは除害装置７を介して外部に排気されるが、除害装置７から排気されるガスの一部は質量分析装置１９に採取され、質量分析により、排気ガス中のＰＦＣガスの量を計算される。なお、質量分析装置１９に採取された排気ガスは、第２の排気ポンプ２０によって外部に排気される。
【０００７】
一方、除害装置７の外周にも高周波電源１７に接続された誘導コイル１８が設けられている。除害装置７には、ガスボンベ１０から分解用ガスが流量制御装置９を介して供給され、誘導コイル１８に与えられた高周波電力によってプラズマ化される。このプラズマによって排気ガス中のＰＦＣガス等が分解される。
【０００８】
また、圧力制御バルブ５、流量制御装置９及び１３、高周波電源１１、１２及び１７は、制御装置１５によって制御される。制御装置１５は、電気回路１６を介してもうひとつの制御装置８に接続されている。
【０００９】
従来例では、質量分析装置１９による排気ガス中のＰＦＣガスの分析結果と、あらかじめ設定された基準値とを制御装置８で比較する。排気ガス中のＰＦＣガスが基準値よりも大きい場合、その情報を制御装置８から１５へ伝達し、プロセスを停止させる、もしくは、除害装置７の高周波電力を大きくする命令を制御装置１５から出力する。このようにして、ＰＦＣガスの排出量を一定値以下に抑制する。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００１−２３９６９号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のプラズマ装置のクリーニング方法では、ＰＦＣガスの排出量のみを測定し、一定値を超えた場合に異常として検出し、対応を行う方法である。そのため、プロセスの状態によって柔軟にプロセスの条件を変更することはできなかった。特に、プラズマ成膜装置のクリーニングプロセスでは、チャンバー内の生成物を完全に除去するために、クリーニングの終点以降も余分にクリーニングを行う必要がある。
【００１２】
しかし、プラズマ成膜装置のクリーニングプロセス中は、クリーニングの終点以降、副生成したＰＦＣガス（特に、ＣＦ4ガス）の生成量が急激に増加し、ＰＦＣガスの排出量が増加する。更に、副生成物の除害を目的として過剰に除害装置を動作させ続けると、除害装置の劣化やコストの上昇につながるという課題があった。
【００１３】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、除害装置を過剰に動作させずに、かつ、クリーニングの終点以降、副生成したＰＦＣガスの排出量を増加させず、クリーニングを行うプラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のプラズマ成膜装置は、プラズマを用いて成膜処理を行うプラズマ成膜装置であって、処理を行うためのチャンバーと、チャンバー内にＰＦＣ（パーフルオロコンパウンド）を含む反応ガスを供給する流量制御手段と、チャンバー内の反応ガスを排気するポンプと、チャンバーから排気される排気ガスを分解する除害手段と、反応ガスまたは排気ガスに含まれるＰＦＣ濃度を測定する分析手段と、ＰＦＣ濃度の測定結果に基づいて、流量制御手段もしくは除害手段を制御する制御手段とを備えている。
【００１５】
この構成により、ＰＦＣガスの使用量や排出量を低減すると共に、除害装置を過剰に動作させず、チャンバー内のクリーニングを効率よく確実に行うことができる。
【００１６】
上記のプラズマ成膜装置において、制御手段は、ＰＦＣ濃度の測定結果からクリーニングの終点を計算する第１演算部と、第１演算部の計算結果から流量制御手段もしくは除害手段の設定条件を変更する第２演算部とを備えていることが好ましい。
【００１７】
上記のプラズマ成膜装置において、除害手段は、燃焼もしくは熱分解を用いて排気ガスを分解することが好ましい。
【００１８】
また、本発明のプラズマ成膜装置のクリーニング方法は、プラズマを用いて成膜処理を行うプラズマ成膜装置のクリーニング方法であって、チャンバー内にＰＦＣ（パーフルオロコンパウンド）を含む反応ガスを供給する工程と、チャンバー内の反応ガスを排気する工程と、チャンバーから排気される排気ガスを燃焼もしくは熱分解を用いて除害する工程と、反応ガスまたは排気ガスに含まれるＰＦＣ濃度を測定する工程と、ＰＦＣ濃度の測定結果に基づいて、反応ガスの供給流量もしくは排気ガスの動作条件を制御する工程とを備えている。
【００１９】
この構成により、ＰＦＣガスの使用量や排出量を低減すると共に、除害装置を過剰に動作させず、チャンバー内のクリーニングを効率よく確実に行うことができる。
【００２０】
上記のプラズマ成膜装置のクリーニング方法において、反応ガスの供給流量を制御する工程は、反応ガスに含まれるＰＦＣの供給流量を低減することが好ましい。
【００２１】
上記のプラズマ成膜装置のクリーニング方法において、反応ガスの供給流量を制御する工程は、反応ガスの流量比を変更することが好ましい。
【００２２】
上記のプラズマ成膜装置のクリーニング方法において、反応ガスの供給流量を制御する工程は、反応ガスの総流量を低減することが好ましい。
【００２３】
上記のプラズマ成膜装置のクリーニング方法において、排気ガスの動作条件を制御する工程は、排気ガスの除害効率（燃焼効率または分解効率）を高めることが好ましい。
【００２４】
上記のプラズマ成膜装置のクリーニング方法において、排気ガスの動作条件を制御する工程は、排気ガスの燃焼温度もしくは熱分解温度を高くすることが好ましい。
【００２５】
上記のプラズマ成膜装置のクリーニング方法において、排気ガスの動作条件を制御する工程は、排気ガスに混合する分解用ガスの供給流量を増加することが好ましい。
【００２６】
上記のプラズマ成膜装置のクリーニング方法において、分解用ガスは、都市ガス（ＣＨ4ガス、Ｃ2Ｈ6ガス、Ｃ3Ｈ8ガス、Ｃ4Ｈ10ガス）、Ｈ2ガス、Ｏ2ガスまたはＡｉｒであることが好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
（実施形態１）
図１は、本発明によるプラズマ成膜装置の第１の実施形態を示す構成図である。
【００２９】
図示されている装置は、プラズマを用いて成膜処理を行うプラズマ成膜装置であって、前記処理を行うためのチャンバー１を備え、チャンバー１内のステージ上に配置された半導体基板の表面に対して、所望の成膜処理を行う。
【００３０】
チャンバー１の外周には高周波電源１２に接続された誘導コイル２が設けられており、この誘導コイル２に与えられた高周波電力によってチャンバー１内でプラズマが形成される。チャンバー１内のステージには他の高周波電源１１から基板バイアスのための電力が供給される。チャンバー１には、ガスボンベ１４に蓄えられた反応ガスが流量制御装置１３を介して導入される。尚、図１では単一のガスボンベ１４が記載されているが、実際には複数のガスボンベの各々から所定の反応ガスが所定流量でチャンバー１内に導入される。
【００３１】
また、チャンバー１にはチャンバー１内の反応ガスを分析するための分析装置３が設けられ、更に、分析装置３の分析結果に基づいて、チャンバー１、除害装置７及び分析装置３を制御する制御装置８とを備えている。尚、分析装置３としては、例えば、プラズマ発光スペクトル強度を検出するＥＰＤ（エンドポイントディテクター）を用いる。
【００３２】
また、チャンバー１は配管４を通じて排気ポンプ６に接続されている。チャンバー１と排気ポンプ６との間には圧力制御バルブ５が挿入されており、排気ポンプ６の後段には、排気ポンプ６から排気されるガスを分解するための除害装置７が設けられている。チャンバー１中の反応ガスは除害装置７を介して外部に排気される。
【００３３】
一方、除害装置７にはガスボンベ１０から都市ガス（ＣＨ4ガス、Ｃ2Ｈ6ガス、Ｃ3Ｈ8ガス、Ｃ4Ｈ10ガス）、Ｈ2ガス、Ｏ2ガス、Ａｉｒなどのガスが流量制御装置９を介して供給され、これらのガスにより、排気ガス中のＰＦＣガス等が燃焼される。
【００３４】
また、圧力制御バルブ５、流量制御装置９及び１３、高周波電源１１及び１２、除害装置７の動作は、制御装置１５によって制御される。制御装置１５は、電気回路１６を介してもう１つの制御装置８に接続されている。尚、制御装置８及び１５は、１つのコンピュータが両制御装置をかねても良い。図１の例では、プラズマ成膜装置本体と除害装置７との制御に使用される制御装置１５のほかに、プラズマ成膜装置、除害装置７及び分析装置３の制御用の制御装置８が備えられている。
【００３５】
分析装置３による分析結果は、制御装置８によって種々の演算処理を受ける。この演算処理の結果に基づく信号が、電気回路１６を介して制御装置１５に送信され、プラズマ成膜装置本体や除害装置７、分析装置３の動作を調整する。これにより、ＰＦＣガスの使用量や、排気ガス中のＰＦＣガス量を低減することが可能になる。
【００３６】
図２は、燃焼式の除害装置であり、図示されていないプラズマ成膜装置から排気されたガスを燃焼によって分解するため、バーナー３２により排気ガスを燃焼する燃焼炉３１と、燃焼炉３１を通過した排気ガスを冷却する冷却室３３と、スクラバー３４とを備えている。バーナー３２に供給される分解用ガスは図示されていないガスボンベから供給される。温度制御装置３６は、燃焼炉３１の温度を検知する温度センサ３５の出力に基づいて、図示されていないガスボンベより供給される、都市ガス（ＣＨ4ガス、Ｃ2Ｈ6ガス、Ｃ3Ｈ8ガス、Ｃ4Ｈ10ガス）、Ｈ2ガス、Ｏ2ガス、Ａｉｒなどの供給量を調節し、温度制御を行う。尚、このような除害装置７としては熱分解式除害装置でも良く、もしくは、公知の構成を有する除害装置を用いればよい。
【００３７】
（実施形態２）
次に、図３を参照しながら、本発明によるプラズマ成膜装置の第２の実施形態を説明する。
【００３８】
実施形態１ではチャンバー１内の反応ガスをモニタして分析を行っているが、本実施形態では、排気ポンプ６から除害装置７に排気されるガスの一部を採取し、分析を行う。分析後の排気ガスは、除害装置７へ送られる。
【００３９】
すなわち、分析装置３に取り込まれた排気ガスは、排気ポンプ６と除害装置７を接続する配管から排気ガスを採取し、分析した後、再び排気ポンプ６と除害装置７を接続する配管へ排気され、除害装置７へ送られる。分析装置３としては、例えば、ＦＴ−ＩＲを用いる。
【００４０】
（実施形態３）
実施形態１のプラズマ成膜装置による第１のクリーニング方法の実施形態を説明する。
【００４１】
まず、プラズマ成膜装置の制御装置１５に、通常のクリーニング条件（以下、クリーニング条件１と言う）と、ＰＦＣガスの排出量を低減するクリーニング条件（以下、クリーニング条件２と言う）の入力を行う。成膜プロセスの終了後、クリーニング条件１によるクリーニングを開始させると同時に、分析装置３に分析を開始させる。分析装置３がクリーニングの終点を検出すると、クリーニング条件をクリーニング条件１からクリーニング条件２に変更する。
【００４２】
クリーニングの終点以降にクリーニング条件、除害条件などのプロセス条件を変更する必要がある理由について、Ｃ3Ｆ8ガスを用いた例で説明する。図４は、チャンバークリーニング中の排気ガスのＰＦＣ濃度をモニタした結果である。これより、クリーニングの終点以降、Ｃ3Ｆ8ガスから副生成されるＣＦ4ガスの濃度が急激に増加していることがわかる。これは、クリーニングの終点以降、フッ素ラジカルが余ってくるためである。
【００４３】
しかし、クリーニングを終点でやめると、チャンバー内を確実にクリーニングすることができない。そのため、クリーニングの終点以降、副生成したＰＦＣガス（特にＣＦ4ガス）を低減することが重要となる。
【００４４】
図５は、クリーニングによって生成されるＳｉＦ4の、クリーニング時間による累積排出量のグラフである。ＰＦＣガス／Ｏ2ガスの流量比を０．３及び０．５として、チャンバー内生成物のクリーニング量を比較した。これより、ＰＦＣガス／Ｏ2ガスの流量比を変化させても、クリーニング終了時におけるチャンバー内生成物のクリーニング量に差はなく、クリーニング性能に影響はないことがわかる。
【００４５】
また、図６は、ＰＦＣガス／Ｏ2ガス流量比を変化させたときの、ＣＦ4ガスの生成率である。これより、ＰＦＣガス／Ｏ2ガス流量比を小さくすると、ＣＦ4ガスの生成率が減少することがわかる。
【００４６】
これらの結果より、ＰＦＣガス／Ｏ2ガスの流量比を小さくすると、ＰＦＣガスの使用量を低減することができ、また、ＰＦＣガスの排出量を低減することにもつながる。更に、ＣＦ4ガスの生成率も減少するため、更なるＰＦＣガスの排出量の低減も可能となる。したがって、ＰＦＣガスの排出量を低減できる第１のクリーニング条件は、ＰＦＣガス／Ｏ2ガスの流量比を小さくした条件である。
【００４７】
また、図７は、クリーニング時のＰＦＣガス、Ｏ2ガスの総ガス流量によるクリーニング終点の変動のグラフである。これより、総ガス流量を減少させても、クリーニング性能に影響しないことがわかる。総ガス流量を減少させるため、ＰＦＣガスの使用量を低減することができ、また、ＰＦＣガスの排出量を低減することにもつながる。したがって、ＰＦＣガスの排出量を低減できる第２のクリーニング条件は、総ガス流量を減少させた条件である。
【００４８】
上記のクリーニング条件はＰＦＣガスの使用量を低減することができるため、コストの削減にもつながる。
【００４９】
（実施形態４）
実施形態１のプラズマ成膜装置による第２のクリーニング方法の実施形態を説明する。
【００５０】
まず、除害装置７を制御する制御装置１５に、通常の除害条件（以下、除害条件１と言う）と、除害効率を高くした除害条件（以下、除害条件２と言う）の入力を行う。成膜プロセスの終了後、除害条件１によりクリーニングを開始させると同時に、分析装置３に分析を開始させる。分析装置３がクリーニングの終点を検出すると、除害条件を除害条件１から除害条件２に変更する。
【００５１】
図８は、ＣＦ4ガスとＣ3Ｆ8ガスの、温度による分解効率のグラフである。Ｃ3Ｆ8ガスは１０５０℃以上でほぼ１００％の分解効率であるのに対し、ＣＦ4ガスは１２００℃以上で９５％程度の分解効率であり、温度による分解効率が異なる。
【００５２】
クリーニングの終点以前においては、ＣＦ4ガスの生成率が低いため、除害条件１はＣ3Ｆ8ガスの分解効率が充分に高い、燃焼温度が１０５０℃程度とする。クリーニングの終点以降においては、ＣＦ4ガスの生成率が高くなるため、除害条件２はＣＦ4ガスの分解効率が充分に高い、１２００℃程度の燃焼温度とする。これにより、ＣＦ4ガスの生成率が高くなっても、確実に除害を行うことができ、ＰＦＣガス排出量の低減につながる。
【００５３】
また、ＣＦ4ガスの生成率が高くなってから除害条件を変更するため、コストの削減及び除害装置の劣化防止につながる。
【００５４】
（実施形態５）
実施形態２のプラズマ成膜装置による第１のクリーニング方法の実施形態を説明する。
【００５５】
実施形態２のプラズマ成膜装置の場合、まず、プラズマ成膜装置の制御装置１５に、通常のクリーニング条件（以下、クリーニング条件１と言う）、ＰＦＣガスの排出量を低減するクリーニング条件（以下、クリーニング条件２と言う）、及び排気ガス中のＣＦ4ガス濃度の設定値を入力する。成膜プロセスが開始されると、分析装置３の分析精度を向上させるため、バックグラウンドデータを取得させる。成膜プロセスの終了後、クリーニング条件１によるクリーニングを開始させると同時に、分析装置３による分析を開始させる。
【００５６】
排気ガスの分析より、排気ガス中のＣＦ4ガス濃度が、設定値を超えた場合、クリーニング条件をクリーニング条件１からクリーニング条件２に変更する。クリーニングの終点付近ではフッ素ラジカルが余ってくるため、ＣＦ4ガスの発生が増加する。これより、ＣＦ4ガスの発生量が増加しているところがクリーニングの終点であるといえる。
【００５７】
（実施形態６）
実施形態２のプラズマ成膜装置による第２のクリーニング方法の実施形態を説明する。
【００５８】
実施形態２のプラズマ成膜装置の場合、まず、除害装置７を制御する制御装置１５に、通常の除害条件（以下、除害条件１と言う）と、除害効率を高くした除害条件（以下、除害条件２と言う）、及び排気ガス中のＣＦ4ガス濃度の設定値を入力する。成膜プロセスが開始されると、分析装置３の分析精度を向上させるため、バックグラウンドデータを取得させる。成膜プロセスの終了後、除害条件１によるクリーニングを開始させると同時に、分析装置３による分析を開始させる。排気ガスの分析より、排気ガス中のＣＦ4ガス濃度が設定値を超えた場合、除害条件を除害条件１から除害条件２に変更する。
【００５９】
尚、上記実施形態では分析装置としてＥＰＤやＦＴ−ＩＲを用いているが、分析装置は、ＥＰＤ、ＦＴ−ＩＲに限らず、チャンバー内の状態を分析してクリーニングの終点を検出できるものであれば良い。
【００６０】
また、上記実施形態では熱分解式の除害方式を用いているが、除害装置は熱分解式に限らず、燃焼式などでもよい。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のプラズマ成膜装置及びそのクリーニング方法によれば、チャンバーのクリーニング時に反応ガスもしくは排気ガスをモニタしてクリーニングの終点を検出し、流量制御装置もしくは除害装置にフィードバックすることにより、反応条件もしくは除害条件の変更を行う。このため、ＰＦＣガスの使用量や排出量を低減すると共に、除害装置を過剰に動作させず、チャンバー内のクリーニングを効率よく確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるプラズマ装置の第１の実施形態を示す構成図
【図２】燃焼式除害装置の構成図
【図３】本発明によるプラズマ装置の第２の実施形態を示す構成図
【図４】チャンバークリーニング中の排気ガスのＰＦＣ濃度を示す図
【図５】ＰＦＣガス／Ｏ2ガスの流量比によるチャンバー内生成物の量を示す図
【図６】ＰＦＣガス／Ｏ2ガスの流量比によるＣＦ4ガスの生成率を示す図
【図７】ＰＦＣガス、Ｏ2ガスの総ガス流量によるクリーニング終点の変動を示す図
【図８】ＣＦ4ガスとＣ3Ｆ8ガスの温度による分解効率を示す図
【図９】従来のプラズマ装置の構成図
【符号の説明】
１  チャンバー
２  誘導コイル
３  分析装置
４  配管
５  圧力制御バルブ
６  排気ポンプ
７  除害装置
８  制御装置
９  流量制御装置
１０  ガスボンベ
１１  高周波電源
１２  高周波電源
１３  流量制御装置
１４  ガスボンベ
１５  制御装置
１６  電気回路
【図１】
2004207466.tif 000003
【図２】
2004207466.tif 000004
【図３】
2004207466.tif 000005
【図４】
2004207466.tif 000006
【図５】
2004207466.tif 000007
【図６】
2004207466.tif 000008
【図７】
2004207466.tif 000009
【図８】
2004207466.tif 000010
【図９】
2004207466.tif 000011