(57)【要約】【課題】陰極を液相工程で形成する有機ＥＬ装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の特性を実用的なレベルにでき、しかも製造コストの低減効果が高い方法を提供する。【解決手段】イッテルビウム（Ｙｂ）超微粒子の分散液をインクジェット法により滴下して乾燥させることにより、各発光層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ上にイッテルビウムからなる第１陰極８を形成する。第１陰極８の上に金等からなる第２陰極９を形成する。【選択図】      図１
2004207142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する陰極を、希土類元素または希土類元素の合金を含む液状材料を用いて形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記液状材料は、希土類元素または希土類元素の合金からなる粒子を含有する液体である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記粒子の粒径は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、前記液体の液滴を基板上に配置して前記液滴から溶媒を蒸発させることにより、前記基板上に希土類元素または希土類元素の合金からなる陰極を形成する請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記希土類元素はイッテルビウム（Ｙｂ）である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
希土類元素または希土類元素の合金を含む液状材料を用いて形成された陰極である第１陰極の上に、別の材料からなる第２陰極を形成する工程を含む請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１陰極を有機エレクトロルミネッセンス素子の画素領域内に形成し、前記第２陰極を第１陰極形成後の基板面全体に形成する請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
有機エレクトロルミネッセンス素子の画素を基板面にマトリックス状に形成し、前記第１陰極を有機エレクトロルミネッセンスの画素領域内に形成し、前記第２陰極を、有機エレクトロルミネッセンス素子の各画素領域を全て覆う幅で、前記マトリックスの行毎および列毎に前記画素領域を連結する格子状に形成する請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２陰極を液状材料を用いて形成する請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
請求項９の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」と略称する。）装置の製造方法、この方法で製造された有機ＥＬ装置、この方法で製造された有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ素子（陰極と陽極との間に有機発光層を有する構造の素子）を画素に対応させて備える有機ＥＬ表示装置は、高輝度で自発光であること、直流低電圧駆動が可能であること、応答性が高速であること、固体有機膜による発光であることから、表示性能に優れているとともに、薄型化、軽量化、低消費電力化が可能であるため、将来的に液晶表示装置に代わるものとして期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子の発光層材料としては、低分子量の有機材料であるアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）等と、高分子量の有機材料（以下、「高分子材料」と称する。）であるポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）等があるが、高分子材料の場合には、溶液として塗布することで発光層を形成することができる。
特に、多数の画素を形成する必要が有る有機ＥＬ表示装置では、高分子材料を含有する溶液を用いてインクジェット法により発光層の形成を行うことができれば、製造上の利点が大きい。すなわち、インクジェット法を採用すれば、塗布とパターニングが同時にできるため、短時間で精度の高いパターニングができる。しかも、用いる材料が必要最小限で済むため、材料に無駄がなく製造コストを低くするという点でも有効である。
【０００４】
図１０に、発光層（および正孔注入／輸送層）がインクジェット法により形成された有機ＥＬ表示装置の従来例を示す。この有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置であるため、各画素毎に駆動用の薄膜トランジスタ９１３を備えている。
この有機ＥＬ表示装置では、薄膜トランジスタ９１３が形成された状態の基板８０２上に、各画素に対応させたパターンの画素電極（陽極）９１１を、蒸着法によるＩＴＯ薄膜の形成とそのパターニングにより形成した後、絶縁層による隔壁（バンク）９１２を形成して、その中に正孔注入／輸送層９１０ａと発光層９１０ｂをインクジェット法により形成している。その後、隔壁（バンク）９１２および発光層９１０ｂの上面全体に、蒸着法で陰極８１２を形成している。
【０００５】
前記有機ＥＬ表示装置の従来例では、発光層および正孔注入／輸送層を液相工程であるインクジェット法により形成しているが、画素電極（陽極）および陰極をなす薄膜の形成は蒸着法により行っている。蒸着法は真空環境で行われる気相工程であるため製造コストが高い。そのため、画素電極（陽極）および陰極の形成工程でも、蒸着法を採用せずに液相工程で行うことが検討されている。
【０００６】
画素電極（陽極）を液相工程で行うことについては、溶液を塗布して乾燥させることでＩＴＯ膜を得た例が公知である。また、陰極を液相工程で行うことについては、無電解メッキ法により銀（Ａｇ）からなる陰極を形成したという報告がある（例えば、非特許文献１および２参照）。
【０００７】
【非特許文献１】
Y.Sakuratani et.al.;ThinSolid Film 388,256(2001)
【非特許文献２】
r.k.kasim et.al.;Chem.mater.10,235(1998)
なお、イッテルビウム（Ｙｂ）を有機ＥＬ素子の陰極とした例は公知である（例えば、非特許文献３参照）。
【非特許文献３】
M. Stoβel et.al.;Sythetic.Metals.111-112,(2000)19-24
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、銀（Ａｇ）は仕事関数が大きいため、これを陰極とした有機ＥＬ素子の特性（発光効率、発光輝度、しきい値電圧等）は、実用的なレベルに達していない。また、無電解メッキ法は液相工程ではあるが、インクジェット法と比較すると製造上の利点が小さく、有機ＥＬ素子の特性（例えば、発光効率）が低下することも予想される。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、陰極を液相工程で形成する有機ＥＬ装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の特性を実用的なレベルにでき、しかも製造コストの低減効果が高い方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する陰極を、希土類元素または希土類元素の合金を含む液状材料を用いて形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を提供する。
【００１１】
前記液状材料としては、希土類元素または希土類元素の合金からなる粒子を含有する液体が挙げられる。
本発明の方法の好ましい形態としては、前記粒子の粒径は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、前記液体の液滴を基板上に配置して前記液滴から溶媒を蒸発させることにより、前記基板上に希土類元素または希土類元素の合金からなる陰極を形成することが挙げられる。
【００１２】
希土類元素とは、スカンジウム（Ｓｃ）およびイットリウム（Ｙ）と、以下に示すランタノイド系元素およびアクチノイド系元素との総称である。アクチノイド系元素は第２の希土類元素とも称される。ランタノイド系元素は、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）である。アクチノイド系元素は、アクチニウム（Ａｃ）、トリウム（Ｔｈ）、プロトアクチニウム（Ｐａ）、ウラン（Ｕ）、ネプツニウム（Ｎｐ）、プルトニウム（Ｐｕ）、アメリシウム（Ａｍ）、キュリウム（Ｃｍ）、バークリウム（Ｂｋ）、カリホルニウム（Ｃｆ）、アインスタイニウム（Ｅｓ）、フェルミウム（Ｆｍ）、メンデレビウム（Ｍｄ）、ノーベリウム（Ｎｏ）、ローレンシウム（Ｌｒ）である。
【００１３】
本発明の方法で使用する前記希土類元素としては、ランタノイド系元素が好ましく、ランタノイド系元素のうちの原子番号が大きなものがより好ましく、中でもイッテルビウム（Ｙｂ）が特に好ましい。イッテルビウム（Ｙｂ）は、有機ＥＬ素子の陰極として従来使用されているカルシウム（Ｃａ）よりも、仕事関数が小さく、しかも安定性が高い金属である。そのため、イッテルビウムを陰極とすることで、実用的なレベルの有機ＥＬ素子特性が得られる。
【００１４】
希土類元素からなる粒径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である粒子（以下、「超微粒子」と称する。）、および希土類元素の合金からなる超微粒子は、例えば、ガス中蒸発法により得ることができる。ガス中蒸発法とは、不活性ガスの雰囲気中で金属を蒸発させ、その凝縮によって超微粒子を作製する方法である。蒸発ガスの凝縮法の違いにより溶媒トラップ法とコールドトラップ法がある。
【００１５】
希土類元素または希土類元素の合金からなる粒子を含有する液体が溶液または分散液である場合の溶媒としては、室温で液体である直鎖炭化水素およびその混合物が使用できる。例えば、ミネラルスピリット、トリデカン、ドデシルベンゼン等が挙げられる。
本発明の方法としては、さらに、希土類元素または希土類元素の合金を含む液状材料を用いて形成された陰極である第１陰極の上に、別の材料からなる第２陰極を形成する工程を含む方法が挙げられる。
【００１６】
この方法の具体例としては、▲１▼前記第１陰極を有機エレクトロルミネッセンス素子の画素領域内に形成し、前記第２陰極を第１陰極形成後の基板面全体に形成する方法、▲２▼有機エレクトロルミネッセンス素子の画素を基板面にマトリックス（行列）状に（例えば、格子の各開口位置に）形成し、前記第１陰極を有機エレクトロルミネッセンスの画素領域内に形成し、前記第２陰極を、有機エレクトロルミネッセンス素子の各画素領域を全て覆う幅で、前記マトリックスの行毎および列毎に前記画素領域を連結する格子状に形成する方法、▲３▼前記第２陰極を液状材料を用いて形成する方法が挙げられる。
【００１７】
ここで、▲２▼の方法によれば、▲１▼の方法と比較して、発光層からの光の反射を低減できるため、有機ＥＬ素子のコントラストが向上できるという利点がある。
本発明はまた、本発明の方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。
本発明はまた、本発明の方法で製造された有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器を提供する。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
図１〜１０を用いて、本発明の一実施形態に相当する有機ＥＬ装置の製造方法を説明する。
ここで製造する有機ＥＬ装置はカラー有機ＥＬ表示装置であり、図１に示すように、赤色発光層７Ｒを有する有機ＥＬ素子、緑色発光層７Ｇを有する有機ＥＬ素子、および青色発光層７Ｂを有する有機ＥＬ素子を、それぞれ画素として多数個、所定配置で基板面内に備えている。
【００１９】
先ず、図２に示すように、ガラス基板１の上に、各画素毎の薄膜トランジスタ２を形成した後、絶縁層３を形成した。次に、この絶縁層３に、各画素用の薄膜トランジスタ２と陽極（画素電極）４とを接続するための配線２４を形成した。次に、各画素位置に対するＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 ）からなる陽極４の形成を、通常のＩＴＯ薄膜形成工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程により行った。これにより、配線２４が形成された後のガラス基板１上の各画素位置に、ＩＴＯからなる陽極４が形成された。
【００２０】
次に、このガラス基板１の上に、各発光領域に対応させた開口部５１ａを有する酸化シリコン製の第１の隔壁５１を、通常の酸化シリコン薄膜形成工程、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により形成した。図２はこの状態を示す。第１の隔壁５１は、開口部５１ａの周縁部が陽極４の外縁部に重なるよう形成されている。
【００２１】
次に、図３に示すように、第１の隔壁５１の上に、各発光領域に対応させた開口部５２ａを有する第２の隔壁５２を形成した。この第２の隔壁５２は、ポリアミド樹脂製とし、ポリアミド樹脂を含有する溶液の塗布工程、塗布された膜の乾燥工程、フォトリソグラフィ工程、およびエッチング工程により形成した。
第２の隔壁５２の開口部５２ａは、基板面に直角な断面が、ガラス基板１側で小さくガラス基板１から離れる側に向けて大きくなるテーパ状に形成されている。また、第２の隔壁５２の開口部５２ａの開口面積は、最もガラス基板１側の位置でも、第１の隔壁５１の開口部５１ａより大きい。これにより、二段構造の開口部５を有する隔壁が形成された。なお、第１の隔壁５１の開口部５１ａにより各画素毎の発光領域が精密に制御される。また、第２の隔壁５２は、開口部５の深さを確保するために所定厚さで、また、滴下された溶液が隔壁５２の上面に乗った場合でも開口部５内に入り易くするためにテーパ状に形成されている。
【００２２】
次に、図４に示すように、各開口部５の真上から各陽極４に向けて、正孔注入／輸送層形成材料を含有する溶液６０を、インクジェット法により滴下した。図４の符号１００は、インクジェットヘッドを示す。これにより、各画素電極４上に前記溶液からなる液滴６１が形成される。
正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT) 等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS) 等の混合物を用いることができる。これらの材料を極性溶媒に溶解させた溶液を、前記溶液６０として用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA) 、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP) 、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI) 及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００２３】
前記溶液６０のより具体的な組成としては、PEDOT/PSS 混合物(PEDOT/PSS=1:20)：１２．５２重量％、PSS ：１．４４重量％、IPA ：１０重量％、NMP ：２７．４８重量％、DMI ：５０重量％のものを例示できる。また、この溶液の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。このような溶液を用いることにより、インクジェットヘッド１００の吐出ノズルに詰まりが生じることなく、安定吐出できる。
【００２４】
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂに対して同じ材料を用いても良いし、各色毎に変えても良い。
次に、乾燥工程を行うことにより、液滴６１から溶媒を蒸発させた。これにより、図５に示すように、各画素電極４上に正孔注入／輸送層６が形成される。ここで、正孔注入／輸送層６は、第１の開口部５１ａ内だけでなく、第１の隔壁５１の開口部周辺の上面５１ｂと第２の開口部５２ａの壁面との角部にも形成される。図５の符号６ａは、この角部に形成された正孔注入／輸送層を示す。
【００２５】
次に、図６に示すように、各開口部５の真上から各正孔注入／輸送層６に向けて、対応する各色の発光材料を含有する溶液７０を、インクジェット法により滴下した。図６の符号１００はインクジェットヘッドを示す。これにより、各正孔注入／輸送層６上に前記溶液からなる液滴７１が形成される。
有機ＥＬ素子の発光材料としては、以下に化合物１〜５として示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものを使用することができる。ドープする物質としては、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等が挙げられる。
【００２６】
【化１】
2004207142.tif 000003
【００２７】
【化２】
2004207142.tif 000004
【００２８】
【化３】
2004207142.tif 000005
【００２９】
【化４】
2004207142.tif 000006
【００３０】
【化５】
2004207142.tif 000007
【００３１】
また、赤色発光材料としては例えばＭＥＨ−ＰＰＶ（poly (Methoxy-(2-ethyl)hexyloxy-paraphenylenevinylene)を、青色発光材料としては例えばポリジオクチルフルオレンを、緑色発光材料としては例えばＰＰＶ(paraphenylenevinylene) を用いることができる。
前記発光材料を非極性溶媒に溶解させた溶液を前記溶液７０として使用する。ここで使用する非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層６に対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
【００３２】
次に、乾燥工程を行うことにより、液滴７１から溶媒を蒸発させた。これにより、図７に示すように、各正孔注入／輸送層６上に各色の発光層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂが形成される。
次に、図８に示すように、各開口部５の真上から各色の発光層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂに向けて、イッテルビウム（Ｙｂ）の超微粒子（平均粒径：１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）の分散液８０を、インクジェット法により滴下した。図８の符号１００はインクジェットヘッドを示す。これにより、各発光層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂ上に前記分散液からなる液滴８１が形成される。
【００３３】
イッテルビウム（Ｙｂ）の超微粒子は、ガス中蒸発法により以下の方法（溶媒トラップ法）で得ることができる。ヘリウム圧力０．５Torrの条件下でイッテルビウムを蒸発させ、生成過程のイッテルビウム超微粒子にトリデカンの蒸気を接触させて冷却する。これにより、イッテルビウム超微粒子がトリデカンに分散した分散液が得られる。この分散液を前記分散液８０として使用できる。
【００３４】
次に、乾燥工程を行うことにより、液滴８１から溶媒を蒸発させた。この乾燥工程は、例えば、不活性ガス雰囲気で１５０℃に保持することにより行うことができる。これにより、図９に示すように、各発光層７Ｒ，７Ｇ，７Ｂの上にイッテルビウムからなる陰極層（第１陰極）８が形成される。
次に、図１０に示すように、図９の状態の基板１の上面全体に、導電性微粒子の分散液９０をインクジェット法により滴下した。この分散液９０としては、金または銀からなる微粒子を含有する分散液が使用できる。具体的には、真空冶金（株）製の「パーフェクトゴールド（商品名）」、硝酸銀水溶液にクエン酸ナトリウム水溶液を添加して得られる銀超微粒子分散液が挙げられる。図１０の符号１００はインクジェットヘッドを示す。これにより、各開口部５内の第１陰極層８の上と、第２の隔壁５２の上に前記分散液からなる液状層９１が形成される。
【００３５】
次に、乾燥工程を行うことにより液状層９１から溶媒を蒸発させた。これにより、図１に示すように、基板１上の全面（すなわち、画素領域内に相当する開口部５内の第１陰極８の上と第２の隔壁５２の上）に第２陰極９が形成される。
次に、基板１の上面全体と、基板面の周縁位置にある第２の隔壁５２の外側面とに、エポキシ樹脂系接着剤を所定厚さで塗布し、その上にガラス板を載せた状態でこの接着剤を硬化させた。すなわち、第２陰極９の上面全体をエポキシ樹脂系接着剤で覆った。このようにして封止材とガラス板による封止を行うことで、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示パネルを完成させた。
【００３６】
なお、このパネルを駆動回路等を有する本体に取り付けることで、有機ＥＬ表示装置が得られる。
この実施形態の方法では、有機ＥＬ表示装置の陰極として、カルシウムよりも仕事関数が小さく、しかも安定性が高い金属であるイッテルビウムからなる層を形成しているため、各画素をなす有機ＥＬ素子の特性を実用的なレベルにすることができる。また、イッテルビウムからなる陰極層を、イッテルビウムの超微粒子を含有する分散液をインクジェット法により滴下して乾燥することにより形成しているため、蒸着法で形成する場合と比較して、製造コストを低減することができる。
【００３７】
さらに、活性なイッテルビウムからなる第１陰極を画素内部のみに形成し、その上を第２陰極で覆う構造を有することにより、より安定した特性を得ることができる。
なお、画素電極の形成工程以降を全て液相工程で行うことにより、有機ＥＬ素子の各層が全て液相工程で形成される。この場合、薄膜トランジスタと薄膜トランジスタから各画素電極への配線とが形成された状態の基板を用意しておけば、真空環境での工程無しで有機ＥＬ素子を形成することができる。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ装置は、例えば、図１１に示す各種電子機器に適用することができる。
図１１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１（ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は前記有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００３９】
図１１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０３は情報処理装置本体、符号７０２は前記有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
図１１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１１（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は前記有機ＥＬ表示装置を用いた表示部を示している。
【００４０】
図１１（ａ）〜（ｃ）に示すそれぞれの電子機器は、前記実施形態の方法で製造された有機ＥＬ表示装置を表示部として備えたものであり、前記実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法の特徴を有する。そのため、これらの電子機器の製造方法が容易になる。
なお、前記実施形態では、イッテルビウム超微粒子の分散液を使用して液相工程によりイッテルビウムからなる陰極層を形成している。本発明の方法は、このように希土類元素の超微粒子の分散液を使用する方法に限定されず、例えば、希土類元素の錯体を含有する液体をインクジェット法等により滴下した後、錯体の配位子を外す処理を行う方法も含まれる。
【００４１】
また、前記実施形態では、有機ＥＬ表示装置について説明しているが、表示装置以外の有機ＥＬ装置、例えば、光源等にも適用可能である。さらに、有機ＥＬ装置の陰極以外の構成部材をなす材料等については、従来より公知のものが使用できる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の方法によれば、陰極を液相工程で形成する有機ＥＬ装置の製造方法において、有機ＥＬ素子の特性を実用的なレベルにでき、しかも製造コストの低減効果が高い方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の方法により製造された、有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図３】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図４】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図５】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図６】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図７】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図８】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図９】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１０】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の有機ＥＬ装置を適用した電子機器の例を示す斜視図である。
【図１２】発光層および正孔注入／輸送層がインクジェット法により形成された有機ＥＬ表示装置の従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
１…ガラス基板、２…薄膜トランジスタ、３…絶縁層、４…陽極（画素電極）、２４…配線、５…二段構造の開口部、５１…第１の隔壁、５１ａ…第１の隔壁の開口部、５１ｂ…第１の隔壁の開口部周辺の上面、５２…第２の隔壁、５２ａ…第２の隔壁の開口部、６…正孔注入／輸送層、６ａ…角部に形成された正孔注入／輸送層、６０…正孔注入／輸送形成材料を含有する溶液、６１…正孔注入／輸送形成材料を含有する溶液の液滴、７Ｒ…赤色発光層、７Ｇ…緑色発光層、７Ｂ…青色発光層、７０…発光材料を含有する溶液、７１…発光材料を含有する溶液からなる液滴、８…イッテルビウムからなる陰極層（第１陰極）、８０…イッテルビウム超微粒子の分散液、８１…イッテルビウム超微粒子の分散液からなる液滴、９…第２陰極、９０…導電性微粒子の分散液、９１…導電性微粒子の分散液からなる液状層、１００…インクジェットヘッド、６００…携帯電話本体、６０１…表示部、７００…情報処理装置、７０１…入力部、７０３…情報処理装置本体、７０２…表示部、８００…時計本体、８０１…表示部、８０２…基板、８１２…陰極、９１１…画素電極（陽極）、９１０ａ…正孔注入／輸送層、９１０ｂ…発光層、９１２…隔壁（バンク）、９１３…薄膜トランジスタ。
【図１】
2004207142.tif 000008
【図２】
2004207142.tif 000009
【図３】
2004207142.tif 000010
【図４】
2004207142.tif 000011
【図５】
2004207142.tif 000012
【図６】
2004207142.tif 000013
【図７】
2004207142.tif 000014
【図８】
2004207142.tif 000015
【図９】
2004207142.tif 000016
【図１０】
2004207142.tif 000017
【図１１】
2004207142.tif 000018
【図１２】
2004207142.tif 000019