(57)【要約】【課題】これまでの４マスク工程をさらに単純化して改善された工程収率を確保して材料費を節減することができるアレー基板製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるアレー基板製造方法は、スリットマスクを用いると同時に、基板の上部に構成する保護膜をプリンティング方式で形成する方法を利用した３マスク工程を用いて、液晶表示装置用アレー基板を製作して工程収率を改善する。【選択図】  図６
2004212933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上にゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と；
前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
前記ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を形成する段階と；
前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を形成する段階と；
前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、データパッド、そしてソース電極及びドレイン電極を形成する段階と；
前記ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階と；
前記画素電極を含む前記第１基板上部に保護膜を形成する段階と；
第２基板上部に共通電極を形成する段階と；
前記画素電極と前記共通電極が向かい合うように前記第１基板及び第２基板を合着する段階と；
前記第１基板及び第２基板間に液晶物質を注入する段階と；そして
前記ゲートパッドと前記データパッドを露出する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ゲートパッドと前記データパッドを露出する段階は、前記液晶表示装置をエッチング液に入れるディッピング工程により実施されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ゲートパッドと前記データパッドを露出する段階は、研磨工程を通して実施されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記研磨工程は、化学的機械的研磨方法を利用することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲートパッドとデータパッドを露出する段階は、乾式エッチング工程を通して実施されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記乾式エッチング工程は、ビームタイプ常圧プラズマを利用することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記乾式エッチング工程は、バータイプ常圧プラズマを利用することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記乾式エッチング工程は、プラズマチャンバー内で実施され、低圧プラズマを利用することを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護膜は、有機物質からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記保護膜は、第１基板の全面に形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記保護膜は、プリンティング方法で形成され、前記ゲートパッドとデータパッドに対応する部分を露出することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記保護膜は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記保護膜をラビングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極を形成する段階は、前記データパッドと接触するデータパッド端子を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記アクティブ層を形成する段階と、オーミックコンタクト層を形成する段階と、そしてデータ配線、データパッド、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階とは、一つのフォトエッチング工程で実施されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記フォトエッチング工程は、透過領域と遮断領域及び半透過領域を含むマスクを利用することを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記半透過領域は、複数のスリットを含むことを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記フォトエッチング工程は、第１厚さと前記第１厚さより薄い第２厚さを有するフォトレジストパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記フォトレジストパターンの第１厚さは、前記マスクの遮断領域に対応していて、前記フォトレジストパターンの第２厚さは前記マスクの半透過領域に対応していることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記フォトレジスト層は、光に露出された部分が現像されて除去される性質を有することを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記アクティブ層は、前記ソース電極及びドレイン電極の間の部分を除いて、前記データ配線、前記ソース電極及びドレイン電極、そして前記データパッドと同一な形態を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記オーミックコンタクト層は、前記データ配線、前記ソース電極及びドレイン電極、そして前記データパッドと同一な形態を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
基板上にゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と；
前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上にゲート絶縁膜を形成する段階と；
前記ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を形成する段階と；
前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を形成する段階と；
前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、データパッド、そしてソース電極及びドレイン電極を形成する段階と；
前記ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階と；
前記画素電極を含む前記基板上部に保護膜を形成する段階と；そして
前記ゲートパッドと前記データパッドを露出する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２４】
前記ゲートパッドと前記データパッドを露出する段階は、前記アレイ基板をエッチング液に入れるディッピング工程により実施されることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２５】
前記保護膜は、第１基板の全面に形成されることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２６】
前記保護膜は、プリンティング方法で形成され、前記ゲートパッドとデータパッドに対応する部分を露出することを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２７】
前記保護膜は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項２６に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２８】
前記保護膜をラビングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項２９】
前記画素電極を形成する段階は、前記データパッドと接触するデータパッド端子を形成する段階を含むことを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３０】
前記アクティブ層を形成する段階と、オーミックコンタクト層を形成する段階と、そしてデータ配線、データパッド、ソース電極及びドレイン電極を形成する段階とは、一つのフォトエッチング工程で実施されることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３１】
前記フォトエッチング工程は、透過領域と遮断領域及び半透過領域を含むマスクを利用することを特徴とする請求項３０に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３２】
前記半透過領域は、複数のスリットを含むことを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３３】
前記フォトエッチング工程は、第１厚さと前記第１厚さより薄い第２厚さを有するフォトレジストパターンを形成する段階を含むことを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３４】
前記フォトレジストパターンの第１厚さは、前記マスクの遮断領域に対応していて、前記フォトレジストパターンの第２厚さは前記マスクの半透過領域に対応していることを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３５】
前記フォトレジスト層は、光に露出された部分が現像されて除去される性質を有することを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３６】
前記アクティブ層は、前記ソース電極及びドレイン電極の間の部分を除いて、前記データ配線、前記ソース電極及びドレイン電極、そして前記データパッドと同一な形態を有することを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項３７】
前記オーミックコンタクト層は、前記データ配線、前記ソース電極及びドレイン電極、そして前記データパッドと同一な形態を有することを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に液晶表示装置及び液晶表示装置用アレイ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
図１は、一般的な液晶表示装置を概略的に示した平面図である。
図示したように、一般的な液晶表示装置１は、ブラックマトリクス６と赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のサブカラーフィルタからなるカラーフィルタ層７、そして前記カラーフィルタ層７の上部に蒸着された透明な共通電極９が形成された上部基板５と、画素領域Ｐ内に形成された画素電極５６、そしてスイッチング素子Ｔを含んだアレー配線が形成された下部基板２２とで構成され、前記上部基板５と下部基板２２間には液晶１５が充填されている。
【０００３】
前記下部基板２２は、アレー基板とも言い、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴをマトリクス状に配置して、このような複数の薄膜トランジスタを交差して経由するゲート配線１２とデータ配線３４が形成される。
前記画素領域Ｐは、前記ゲート配線１２とデータ配線３４が交差して定義される領域である。前記画素領域Ｐ上に形成される画素電極５６はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）のように光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を用いる。
【０００４】
前述したように構成される液晶表示装置は、前記薄膜トランジスタＴと前記薄膜トランジスタに連結された画素電極５６がマトリクス内に存在することによって映像を表示する。
前記ゲート配線１２は、前記薄膜トランジスタＴの第１電極であるゲート電極を駆動するパルス電圧を伝達し、前記データ配線３４は前記薄膜トランジスタＴの第２電極であるソース電極を駆動する信号電圧を伝達する手段である。
【０００５】
前述したような構成を有する液晶パネルの駆動は、液晶の電気光学的効果に起因したものである。
詳細に説明すれば、前記液晶層１５は、自発分極（Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ  Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）特性を有する誘電異方性物質であり、電圧が印加されれば自発分極により双極子（ｄｉｐｏｌｅ）を形成することによって電界の印加方向によって分子の配列方向が変わる特性を有する。
【０００６】
したがって、このような配列状態にしたがって光学的特性が変わることによって電気的な光変調が生じる。
このような液晶の光変調現象により、光を遮断または通過させる方法でイメージを具現する。
【０００７】
図２を参照して前述したアレー基板の構成をさらに詳細に説明する。
図２は、液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示した拡大平面図である。
図示したように、ゲート配線１２とデータ配線３４が直交して画素領域Ｐを定義し、前記ゲート配線１２とデータ配線３４の交差点にスイッチング素子である薄膜トランジスタＴを配置する。
【０００８】
前記ゲート配線１２の一端にはゲートパッド電極１０が構成され、前記データ配線３４の一端にはデータパッド電極３６が構成される。
前記ゲート電極１０及びデータパッド電極３６は、アイランド状の透明電極パターンであるゲートパッド電極端子５８及びデータパッド電極端子６０と各々接触する。
前記薄膜トランジスタＴは、前記ゲート配線１２と連結されて走査信号の印加を受けるゲート電極１４と、前記データ配線３４と連結されてデータ信号の印加を受けるソース電極４０、及びこれとは所定間隔離隔されたドレイン電極４２で構成する。
【０００９】
また、前記ゲート電極１４と前記ソース電極４０及びドレイン電極４２間にアクティブ層３２を含む。
また、前記画素領域Ｐ上には、前記ドレイン電極４２と接触する透明な画素電極５６を構成し、前記透明な画素電極５６の一部は前記ゲート配線１２と重畳されている。
【００１０】
前記ゲート配線１２の上部にはアイランド状の金属パターン３８を形成し、前記金属パターン３８は前記ゲート配線の上部に延びた透明画素電極５６と側面で接触する。
このような構成では、前記ゲート配線１２の一部は、第１ストレージ電極の機能をする。
【００１１】
前記画素電極５６と側面で接触する金属パターン３８が第２ストレージ電極の機能をし、前記ストレージ第１電極と前記ストレージ第２電極間に誘電体の役割を有するゲート絶縁膜（図示せず）を配置してストレージキャパシタＣｓｔを形成する。
このとき、図示しなかったが、前記アクティブ層３２とソース電極４０及びドレイン電極４２間にはオーミックコンタクト層（図示せず）が構成され、前記アクティブ層とオーミックコンタクト層を形成する純粹非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層は、パターニングされて前記データ配線３４とデータパッド電極３６の下部に延びた第１パターン３５が形成されると同時に、前記金属パターン３８の下部には第２パターン３９が形成される。
【００１２】
前述したようなアレー基板の構成は、これまでの４マスク工程で製作されたものであり、図面を参照してこれまでの４マスク工程を利用したアレー基板の製造工程を説明する。
【００１３】
図３Ａないし図３Ｇと、図４Ａないし図４Ｇと、図５Ａないし図５Ｇは、各々図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線、ＩＶ−ＩＶ線、Ｖ−Ｖ線に沿って切断してこれまでの４マスク工程順序によって示した工程断面図である。
まず、図３Ａと図４Ａと図５Ａに示したように、透明な絶縁基板２２上に第１金属層を形成した後、第１マスク工程で、一端にゲートパッド１０を含むゲート配線１２と、前記ゲート配線１２から突出して延びたゲート電極１４を形成する。
【００１４】
前記ゲート電極１４を形成する物質は、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）のような多様な導電性金属を用いることができ、特にアルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を用いる場合にはモリブデン（Ｍｏ）やクロム（Ｃｒ）等を用いて二重層で構成する。
前記ゲート配線１２とゲートパッド１０などが形成された基板２２の全面に第１絶縁膜であるゲート絶縁膜１６と、純粹非晶質シリコン層１８と、不純物非晶質シリコン層２０と、第２金属層２４を積層する。
このとき、前記第１絶縁膜１６は、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループ中から選択された一つを蒸着して形成し、前記第２金属層２４はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）などの導電性金属物質中から選択された一つを蒸着して形成する。
【００１５】
次に、図３Ｂと図４Ｂと図５Ｂに示したように、第２金属層２４の上部にはフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ：以下“ＰＲ”と称する）を塗布してＰＲ層２６を形成する。このとき、前記ＰＲ層２６は、光を受けた部分が露光されて現像されるポジティブ型（ｐｏｓｉｔｉＶｅ  ｔｙｐｅ）を用いることにする。
前記ＰＲ層２６が形成された基板２２の上部に透過領域Ａと遮断領域Ｂとスリット領域である半透過領域Ｃで構成されたマスク７０を配置する。
前記半透過領域Ｃは、前記ゲート電極１４の上部に対応して配置するようにする。このとき、前記半透過領域Ｃに対応するＰＲ層２６は、前記透過領域Ａに比べて一部分のみ露光される特性がある。
続いて、前記マスク７０の上部に光を照射する露光工程（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）と、露光された部分を除去する現像工程（ｄｅＶｅｌｏｐ）を進める。
前述したような工程を進めれば、図３Ｃと図４Ｃ、そして図５Ｃに示したように、ＰＲパターン２６ａが形成される。ＰＲパターン２６ａは第１厚さと第２厚さを有し、第１厚さは第２厚さよりさらに厚い。
【００１６】
次に、図３Ｄと図４Ｄと図５Ｄに示したように、前記ＰＲパターン２６ａにより露出された第２金属層（図３Ｃ、図４Ｃ及び図５Ｃの２４）を湿式エッチング方式でエッチングした後、下部の不純物非晶質シリコン層（図３Ｃ、図４Ｃ及び図５Ｃの２０）と純粹非晶質シリコン層１８を乾式エッチングを通して除去する工程を進めて、ソース／ドレイン電極パターン２８と、ソース／ドレイン電極パターン２８に連結されたデータ配線（図２の３４）と、データ配線３４の一端にデータパッド３６を形成する。
同時に、前記ゲート配線１２の一部上部にはアイランド状の金属パターン３８を形成する。
【００１７】
前記パターンされた純粹非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層は、前記ソース／ドレイン電極パターン２８の下部から前記データ配線３４とデータパッド電極３６の下部に延びた第１パターン３５と、前記金属パターン３８の下部にアイランド状に構成された第２パターン３９で形成される。
このとき、ソース／ドレイン電極パターン２８下部には純粹非晶質シリコン層からなるアクティブ層３２、及びアクティブ層３２の上部に不純物非晶質シリコンで構成されて以後オーミックコンタクト層になる不純物非晶質シリコンパターン３０ａが形成される。
【００１８】
次に、図３Ｅと図４Ｅと図５Ｅに示したように、ＰＲパターン２６ａの第２厚さの部分を除去するための除灰工程（ａｓｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）を進める。
前記除灰工程を進めれば、前記ゲート電極１４上部の薄いＰＲパターンが除去される。このとき、前記ＰＲパターン２６ａの縁も削られていって下部の金属層２８、３８、３６も露出される。
【００１９】
続いて、図３Ｆと図４Ｆ及び図５Ｆに示したように、前記ＰＲパターン２６ａにより露出されたソース／ドレイン電極パターン（図３Ｅの２８）及びその下部の不純物非晶質シリコンパターン（図３Ｅの３０ａ）を乾式エッチングを通して除去する工程を進めて下部のアクティブ層３２を露出する。
このとき、ＰＲパターン２６ａ間に露出された金属層２８がモリブデン（Ｍｏ）である場合には、前述したように、乾式エッチングで露出された金属層２８とその下部の不純物非晶質シリコンパターン３０ａを一度に除去することが可能であるが、前記金属層２８がクロム（Ｃｒ）である場合には、前記ＰＲパターン２６ａ間に露出された金属層２８をまず湿式エッチングを通して除去した後、連続して乾式エッチングでその下部の不純物非晶質シリコンパターン３０ａを除去する工程を進める。
【００２０】
このような工程を通して、相互に離隔されたソース電極４０とドレイン電極４２、そしてその下部のオーミックコンタクト層３０が形成され、相互に離隔されたソース電極４０及びドレイン電極４２間にアクティブ層３２が露出されるので、これは薄膜トランジスタのチャネルになる。
【００２１】
以上のように第２マスク工程を通して、アクティブ層３２とオーミックコンタクト層３０、ソース電極４０及びドレイン電極４２、データ配線３４そしてデータパッド３６が形成される。
【００２２】
続いて、前記ソース電極４０及びドレイン電極４２とデータ配線３４が形成された基板２２の全面にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル（ａｃｒｙｌ）系樹脂（ｒｅｓｉｎ）を含んだ透明な有機絶縁物質グループ中から選択された一つを塗布するか、あるいは、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む無機絶縁物質グループ中から選択された一つを蒸着して、第２絶縁膜である保護膜４６を形成する。
【００２３】
次に、第３マスク工程で前記保護膜４６をゲート絶縁膜１６と一緒にパターニングして、前記ドレイン電極４２の一部を露出するドレインコンタクトホール４８と、前記金属パターン３８の側面を露出するストレージコンタクトホール５０、前記ゲートパッド１０とデータパッド３６の一部を露出するゲートパッドコンタクトホール５２、そしてデータパッドコンタクトホール５４を形成する。
【００２４】
続いて、図３Ｇと図４Ｇと図５Ｇに示したように、前記保護膜４６の上部にインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−亜鉛−オキサイド（ＩＺＯ）を含んだ透明導電性金属物質中から選択された一つを蒸着して第４マスク工程でパターニングして、画素領域Ｐに前記ドレイン電極４２と接触しながら前記金属パターン３８とも接触する透明画素電極５６と、前記ゲートパッド電極１０と接触するゲートパッド電極端子５８と前記データパッド電極３６と接触するデータパッド電極端子６０を形成する。
【００２５】
このように、液晶表示装置用アレー基板は、薄膜を蒸着してマスクを利用してパターニングするフォトエッチング工程を繰り返すことによって形成されるので、用いられるマスクの数が工程数を代表する。マスクの数を減少させるほど製造工程及び費用を減らすことができるので、マスク数を減らしてアレー基板を製造する方法が広く研究されている。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前述した４マスク工程をさらに単純化して改善された工程収率を確保して材料費を節減するために案出されたものであり、本発明によるアレー基板製造方法はスリットマスクを用いると同時に、基板の上部に構成する保護膜をプリンティング方式で形成する方法を利用した３マスク工程で液晶表示装置用アレー基板を製作して工程収率を改善する。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
前記のような目的を達成するために、本発明の液晶表示装置の製造方法は、第１基板上にゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と、前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を形成する段階と、前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、データパッド、そしてソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階と、前記画素電極を含む前記第１基板上部に保護膜を形成する段階と、第２基板上部に共通電極を形成する段階と、前記画素電極と前記共通電極が向かい合うように前記第１基板及び第２基板を合着する段階と、前記第１基板及び第２基板間に液晶物質を注入する段階と、そして前記ゲートパッドと前記データパッドを露出する段階とを含む。
【００２８】
また、本発明による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法は、基板上にゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と、前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッド上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上部にアクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を形成する段階と、前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、データパッド、そしてソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階と、前記画素電極を含む前記基板上部に保護膜を形成する段階と、そして前記ゲートパッドと前記データパッドを露出する段階とを含む。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
【００３０】
−−実施例−−
本発明の特徴は、３マスク工程で液晶表示装置用アレー基板を製作することにある。
図６は、本発明による液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示した平面図である。
【００３１】
図示したように、基板１００上にゲート配線１１２とデータ配線１３４が直交して画素領域Ｐを定義し、前記ゲート配線１１２とデータ配線１３４の交差点にスイッチング素子である薄膜トランジスタＴを配置する。
前記ゲート配線１１２の一端にはゲートパッド電極１１０を構成して、前記データ配線１３４の一端にはデータパッド電極１３６を構成して、前記データパッド電極１３６はアイランド状の透明電極パターンであるデータパッド電極端子１５０と平面的に重ねて構成する。
前記薄膜トランジスタＴは、前記ゲート配線１１２と連結されて走査信号の印加を受けるゲート電極１１４と、前記データ配線１３４と連結されてデータ信号の印加を受けるソース電極１４０、及びこれとは所定間隔離隔されたドレイン電極１４２で構成する。
【００３２】
また、前記ゲート電極１１４と前記ソース電極１４０及びドレイン電極１４２間にアクティブ層１３２を含む。
また、前記画素領域Ｐ上には前記ドレイン電極１４２と接触する透明な画素電極１４６を構成し、前記透明な画素電極１４６の一部は前記ゲート配線１１２と重畳させる。
【００３３】
前記ゲート配線１１２の上部にはアイランド状の金属パターン１３８が形成されている。
このとき、前記画素電極１４６は、ドレイン電極１４２と側面で接触すると同時に、前記金属パターン１３８とも側面で接触する。
このとき、前記ゲート配線１１２の一部は、第１ストレージ電極の機能をして、前記画素電極１４６と接触する金属パターン１３８が第２ストレージ電極の機能をする。したがって、前記ストレージ第１電極と前記ストレージ第２電極間に位置したゲート絶縁膜（図示せず）が誘電体の役割を有する補助容量部Ｃｓｔを構成することができる。
【００３４】
以下、図７Ａないし図７Ｈと、図８Ａないし図８Ｈと、図９Ａないし図９Ｈを参照して本発明による液晶表示装置の製造工程を説明する。
図７Ａないし図７Ｈと、図８Ａないし図８Ｈ、そして図９Ａないし図９Ｈは各々図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線、ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線及び図ＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【００３５】
図７Ａと図８Ａと図９Ａに示したように、基板１００上にアルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）等の導電性金属を蒸着してパターニングして、第１マスク工程でゲート配線１１２と前記ゲート配線から１方向に所定面積突出延長されたゲート電極１１４とゲート配線１１２の一端にゲートパッド１１０を形成する。
このとき、アクティブ・マトリクス液晶表示装置の作動に重要なゲート電極１１４物質は、ＲＣディレイ（ｄｅｌａｙ）を小さくするために抵抗が小さいアルミニウムで構成することが主流をなしているが、純粹アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱くて、後続の高温工程でヒロック（ｈｉｌｌｏｃｋ）形成による配線欠陥問題を引き起こすので、アルミニウム配線の場合は合金の形態で使われたり、図示したように積層構造が適用される。
【００３６】
次に、前記ゲート配線１１２とゲート電極１１４とゲートパッド１１６が形成された基板１００の全面に酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等の無機絶縁物質を蒸着してゲート絶縁膜１１６を形成する。場合によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂のような有機絶縁物質を利用して形成することもできる。
【００３７】
続いて、前記ゲート絶縁膜１１６上部に純粹非晶質シリコン層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１１８と不純物非晶質シリコン層（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）１２０と第２金属層１２４を形成する。
前記第２金属層１２４は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）などの導電性金属グループ中から選択された一つを蒸着して形成する。
【００３８】
次に、図７Ｂ、図８Ｂ及び図９Ｂに示したように、前記第２金属層１２４が形成された基板１００の全面にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ：以下“ＰＲ”と称する）を塗布してＰＲ層１２６を形成する。
前記ＰＲ層１２６が形成された基板１００の上部にマスク１６０を配置する。
前記マスク１６０は、透過領域Ｅと遮断領域Ｆ、そしてスリットを含む半透過領域Ｇで構成されており、前記半透過領域Ｇは前記ゲート電極１１４の上部に対応して配置する。半透過領域Ｇは複数のスリットを含むことができる。
【００３９】
次に、前記マスク１６０の上部から光を照射する露光工程（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）と、それに続く現像工程（ｄｅＶｅｌｏｐ）を進めて図７Ｃ、図８Ｃ及び図９Ｃに示したように、相異なる高さを有するＰＲパターン１２６ａを形成する。前記ＰＲパターン１２６ａは第１厚さ及び第２厚さを有するが、前記第１厚さは第２厚さより厚い。
【００４０】
続いて、図７Ｄ、図８Ｄ及び図９Ｄに示したように、前記ＰＲパターン１２６ａにより露出された第２金属層（図７Ｃ、図８Ｃ及び図９Ｃの１２４）を湿式エッチング方式でエッチングした後、下部の不純物非晶質シリコン層（図７Ｃ、図８Ｃ及び図９Ｃの１２０）と純粹非晶質シリコン層（図７Ｃ、図８Ｃ及び図９Ｃの１２８）を乾式エッチングを通して除去する工程を進めて、ソース／ドレイン電極パターン１２８と、ソース／ドレイン電極パターン１２８に連結されているデータ配線（図７の１３４）と、データ配線１３４の一端に配置するデータパッド１３６を形成する。
【００４１】
同時に、前記ゲート配線１１２の一部上部にはアイランド状の金属パターン１３８を形成する。
前記パターンされた純粹非晶質シリコン層と不純物非晶質シリコン層は、前記ソース／ドレイン電極パターン１２８の下部から前記データ配線１３４とデータパッド電極１３６の下部に延びた第１パターン１３５と、前記金属パターン１３８の下部にアイランド状で構成された第２パターン１３９で形成される。
このとき、ソース／ドレイン電極パターン１２８下部には、純粹非晶質シリコン層からなるアクティブ層１３２、及びアクティブ層１３２の上部に不純物非晶質シリコンで構成されて以後オーミックコンタクト層になる不純物非晶質シリコンパターン１３０ａが形成される。
【００４２】
次に、図７Ｅ、図８Ｅ及び図９Ｅに示したように、第２厚さのＰＲパターン１２６ａを除去するための除灰工程（ａｓｈｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）を進める。
前記除灰工程を進めれば、前記ゲート電極１１４上部の第２フォトレジストパターン１２６ａが除去される。このとき、前記フォトレジストパターン１２６ａの縁も削られていって下部の金属層１２８、１３８、１３６も露出される。
【００４３】
続いて、図３Ｆ、図８Ｆ及び図９Ｆに示したように、前記ＰＲパターン１２６ａにより露出されたソース／ドレイン電極パターン（図７Ｅの１２８）及びその下部の不純物非晶質シリコンパターン（図７Ｅの１３０ａ）を乾式エッチングを通して除去する工程を進めて下部のアクティブ層１３２を露出する。
このとき、ＰＲパターン１２６ａ間に露出された金属層１２８がモリブデン（Ｍｏ）である場合には、前述したように、乾式エッチングで露出された金属層１２８とその下部の不純物非晶質シリコンパターン１３０ａを一度に除去することが可能であるが、前記金属層１２８がクロム（Ｃｒ）である場合には、前記ＰＲパターン１２６ａ間に露出された金属層１２８をまず湿式エッチングを通して除去した後、連続して乾式エッチングでその下部の不純物非晶質シリコンパターン１３０ａを除去する工程を進める。
【００４４】
このような工程を通して、相互に離隔されたソース電極１４０とドレイン電極１４２そしてその下部のオーミックコンタクト層１３０が形成され、相互に離隔されたソース及びドレイン電極４０、４２間にアクティブ層１３２が露出されるので、これは薄膜トランジスタのチャネルになる。
【００４５】
以上のように第２マスク工程を通して、アクティブ層１３２とオーミックコンタクト層３０、ソース電極１４０及びドレイン電極１４２、データ配線１３４そしてデータパッド１３６を形成することができる。
【００４６】
続いて、ソース電極１４０及びドレイン電極１４２などが形成された基板１００の全面にインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−亜鉛−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明導電性金属物質を蒸着した後、第３マスク工程を通してパターニングして、前記ドレイン電極１４２と接触しながら前記金属パターン１３８とも接触する透明な画素電極１４６と、前記データパッド電極１３６と平面的に重ねて形成されるアイランド状のデータパッド電極端子１５０を形成する。
そしてゲートパッド電極１１０上には前記透明導電性物質が蒸着された後再び除去されて相変らずゲート絶縁膜１１６が残っている。
【００４７】
続いて、図７Ｇ、図８Ｇ及び図９Ｇに示したように、ソース電極１４０、ドレイン電極１４２及び画素電極１４６、及び露出されたアクティブ層１３２とデータパッド電極端子１５０、及びゲート絶縁膜１１６が形成された絶縁基板１００全面に無機絶縁物質や有機絶縁物質を蒸着または塗布して保護膜１５４を形成する。
ここで、前記保護膜１５４は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機絶縁物質を蒸着したり、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）または配向膜として使われるポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの有機絶縁物質を塗布して形成できる。保護膜１５４を有機膜で形成する場合にプリンティング方式で塗布でき、この場合にゲートパッド電極１１０及びデータパッド電極１３６上部には保護膜１５４が形成できない場合がある。保護膜１５４をポリイミドで形成する場合、保護膜１５４の表面をラビングして配向膜として用いることができる。
【００４８】
次に、図７Ｈ、図８Ｈ及び図９Ｈに示したように、電気的信号を印加するためにゲートパッド電極１１０上部のゲート絶縁膜１１６と保護膜１５４、及びデータパッド電極端子１５０上部の保護膜１５４を除去して、ゲートパッド電極１１０及びデータパッド電極端子１５０を露出させる。このような工程は液晶パネルを完成した後実施できる。
すなわち、前記保護膜１５４が形成された基板であるアレイ基板と、カラーフィルター工程を進行して製作されたカラーフィルター基板（図示せず）とを合着して、その間に液晶層を介在して液晶パネルを形成する。ここで、カラーフィルター基板はアレイ基板よりその大きさが小さいために、アレイ基板のゲートパッド部及びデータパッド部が露出される。続いて、前記ゲートパッド電極１１０及びデータパッド電極端子１５０を露出させるために、前記データパッド電極端子１５０上部に積層された保護膜１５４と、ゲートパッド電極１１０上部のゲート絶縁膜１１６及びその上の保護膜１５４を除去する工程を進行する。これについて、以下図１０を参照して第１方法を提案する。
【００４９】
図１０は、本発明により形成されたアレイ基板とカラーフィルター基板とを合着した液晶パネル１７０から露出したアレイ基板の一部を湿式エッチングする形態を概略的に図示したものである。カラーフィルター基板には共通電極（図示せず）が形成されている。
【００５０】
図示したように、複数のゲートパッド電極が位置するゲートパッド部１７２、及び複数のデータパッド電極が位置するデータパッド部１７４、を有するアレイ基板１７０ａがカラーフィルター基板１７０ｂより大きく形成される。したがって、ゲートパッド部１７２及びデータパッド部１７４は露出される。
前記合着された液晶パネル１７０のゲートパッド部１７２及びデータパッド部１７４を、液状のエッチング液１７６に浸してエッチングするディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）方式などの湿式エッチング工程を進行して、データパッド部（１７６）の保護膜（図９Ｇの１５４）とゲートパッド部１７２の保護膜（図９Ｇの１５４）及びゲート絶縁膜（図９Ｇの１１６）を除去して、図８Ｈ及び図９Ｈに示したようにデータパッド電極端子１５０とゲートパッド電極１１０を露出させる。
【００５１】
図１０に示したように、前記ディッピング方式は、液晶パネル１７０のゲートパッド部１７２及びデータパッド部１７４のように、一定部分を液状のエッチング液に浸して湿式エッチングするものである。
前記湿式エッチングを行う過程において、ゲートパッド電極１１０の上部にはゲート絶縁膜１１６と保護膜１５４が形成されていて、データパッド電極端子１５０上部には保護膜１５４だけが形成されている。したがって、ゲートパッド部１７２とデータパッド部１７４に対する湿式エッチングにおいて、エッチングに使われる溶液や時間は相異なるはずである。そして、ゲートパッド部１７２におけるゲート絶縁膜１１６と保護膜１５４が相互に他の性質や物質である場合にも湿式エッチング溶液は相異なるはずである。
【００５２】
前述したように製作された液晶パネルにおいて、前記アレイ基板の補助容量Ｃｓｔ領域は図７Ｈに示したような積層構造を持っている。しかし、補助容量Ｃｓｔ領域は図７Ｈとは違った積層構造を有することができる。すなわち、図１１に示したように、ゲート配線１１２上部にゲート絶縁膜１１６が形成されて、その上に画素電極１４６が形成されて、ゲート配線１１２と画素電極１４６だけで補助容量Ｃｓｔが形成される。
このような構造は、次のような方法で形成される。
【００５３】
図７Ｂにおいて、補助容量Ｃｓｔが形成される領域のゲート配線１１２に対応する第２マスク１６０部分を透過領域Ｅに置けば、この領域では図７Ｃに示したフォトレジストパターン１２６ａが形成されない。したがって、以後のエッチング過程でゲート配線１１２上部の第２金属層１２４と不純物非晶質シリコン層１２０及び純粋非晶質シリコン層１１８はエッチングされて、ゲート絶縁膜１１６だけが残される。続いて、画素電極１４６と保護膜１５４がゲート配線１１２上部のゲート絶縁膜１１６上に積層される。
【００５４】
図１１の構成による補助容量Ｃｓｔは、図７Ｈの構成による補助容量Ｃｓｔと比較した時、容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）において差が出るが、機能においては殆ど差異がない。
【００５５】
＜第２実施例＞
本発明の第２実施例は、ゲートパッド電極とデータパッド電極の端子上部の絶縁膜を除去する場合において、化学的機械的研磨方法を用いる。
【００５６】
図１２は、本発明の第２実施例による研磨工程を示した平面図である。
図示したように、ゲートパッド部１７２及びデータパッド部１７４を有するアレイ基板１７０ａがカラーフィルター基板１７０ｂより大きく形成される。
前記合着された液晶パネル１７０のゲートパッド部１７２及びデータパッド部１７４を、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ、以下ＣＭＰという）などの研磨工程を進行して、先に図８Ｇと図９Ｇに示したデータパッド部１７４の保護膜１５４と、ゲートパッド部１７２の保護膜１５４、及びゲート絶縁膜１１６をエッチングして、先に図８Ｈと図９Ｈに示したように、データパッド電極端子１５０とゲートパッド電極１１０を露出させる。
【００５７】
前記ＣＭＰ工程は、ウエーハ表面の突出された部分を除去して平坦にするか、既存の乾式エッチングではパターン形成が難しい物質をパターニングするためのものである。前記ＣＭＰ工程は、研磨剤による機械的な研磨効果に、酸または塩基溶液による化学的反応効果を結合してエッチングするものである。
【００５８】
ＣＭＰ工程において、前記酸または塩基溶液に研磨剤が含まれた液状スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）（図示せず）をＣＭＰ装置１７８内に注入して、研磨剤による機械的研磨とスラリーによる化学的作用で、アレイ基板上のゲートパッド電極１１０を露出させる。データパッド部１７４に対しても前記のような工程を行う。
前記研磨を行なう過程において、ゲートパッド電極１１０の上部にはゲート絶縁膜１１６と保護膜１５４が形成されていて、データパッド電極端子１４８上部には保護膜１５４が形成されている。したがって、ゲートパッド部１７２とデータパッド部１７４において、研磨に使われる液状スラリーや時間は相異なるはずである。そして、ゲートパッド部１７２に対してゲート絶縁膜１１６と保護膜１５４が相互に他の性質や物質である場合に、研磨に使われる液状スラリーや時間も相異なるはずである。
【００５９】
＜第３実施例＞
本発明の第３実施例は、ゲートパッド電極とデータパッド電極の端子上部の絶縁膜を除去する場合において、プラズマを利用した乾式エッチング方法を用いる。
【００６０】
以下、図１３ないし図１５を参照して本発明の第３実施例によるエッチング工程を説明する。
本発明の第３実施例による乾式エッチング工程は、図１３に示したようにビームタイプ常圧プラズマ（ｂｅａｍ  ｔｙｐｅ  ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  （ＡＰ）  ｐｌａｓｍａ）方式、図１４に示したようにバータイプ常圧プラズマ（ｂａｒ  ｔｙｐｅ  ＡＰ  ｐｌａｓｍａ）方式、図１５に示したようにバッチ・タイプ低圧プラズマ（ｂａｔｃｈ  ｔｙｐｅ  ｌｏｗ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  （ＬＰ）  ｐｌａｓｍａ）方式などを例に挙げることができる。
【００６１】
前記乾式工程について図面を参照して説明する。
図１３に示したように、ビームタイプ常圧プラズマ方式は、プラズマ・ガン（ｐｌａｓｍａ  ｇｕｎ）１８０から放出されたプラズマビーム（ｐｌａｓｍａ  ｂｅａｍ）をゲートパッド部１７２に選択的に走査（ｓｅｌｅｃｔｉＶｅ  ｓｃａｎｎｉｎｇ）するものである。これによって、図８Ｇに示した、ゲートパッド部１７２に形成された保護膜１５４及びゲート絶縁膜１１６が除去される。データパッド部１７４に対しても前記のような工程を行う。
【００６２】
図１４に示したように、バータイプ常圧プラズマ方式は、バー形態の長いプラズマ・ガン１８２から放出されたプラズマビームをゲートパッド部１７２に選択的に走査するものである。これによって、図８Ｇに示した、ゲートパッド部１７２に形成された保護膜１５４及びゲート絶縁膜１１６は除去される。前記プラズマ・ガン１８２は図１３に示したプラズマ・ガン１８０をバー形態で長く形成したり、前記プラズマ・ガン１８０を並列的に連結してバー形態に形成できる。データパッド部１７４に対しても前記のような工程を行う。
【００６３】
図１５に示したように、バッチ・タイプ低圧プラズマ方式は、液晶パネル１７０を一定の間隔で並列的に多数個配列した液晶パネルグループ１７１をプラズマチャンバー（ｐｌａｓｍａ  ｃｈａｍｂｅｒ）１８４内に配置させて、低圧の状況下でプラズマを利用して、ゲートパッド部１７２に形成された保護膜１５４及びゲート絶縁膜１１６とデータパッド部１７４に形成された保護膜１５４を除去するものである。露出されたアレイ基板に対してだけプラズマの影響を及ぼすことができるために、液晶パネル１７０セル内部はプラズマによる影響を受けない。したがって、図８Ｈと図９Ｈに示したように、ゲートパッド部１７２及びデータパッド部１７４から選択的にゲートパッド電極１１０及びデータパッド電極端子１５０が露出される。
【００６４】
図１３ないし図１５に示したように、乾式エッチングを行う過程において、ゲートパッド電極１１０の上部にはゲート絶縁膜１１６と保護膜１５４が形成されていて、データパッド電極端子１５０上部には保護膜１５４だけが形成されている。したがって、ゲートパッド部１７２とデータパッド部１７４において乾式エッチングに使われる工程条件は相異なるはずである。そして、ゲートパッド部１７２でゲート絶縁膜１１６と保護膜１５４が相互に他の性質や物質である場合に、乾式エッチングに使われる工程条件も相異なるはずである。
このように、３マスク工程で本発明による液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明による３マスク工程でアレイ基板を製作すると、材料費を節減すると同時に工程時間を短縮できるだけでなく、多数の工程のうち発生する工程誤差を最大限減らすことができるために、工程収率を改善できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な液晶パネルの一部分解斜視図。
【図２】従来のアレイ基板を示した平面図。
【図３Ａ】図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図３Ｂ】図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図３Ｃ】図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図３Ｄ】図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図３Ｅ】図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図３Ｆ】図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図３Ｇ】図２の  ＩＩＩ−  ＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図４Ａ】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図４Ｂ】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図４Ｃ】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図４Ｄ】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図４Ｅ】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図４Ｆ】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図４Ｇ】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図５Ａ】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図５Ｂ】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図５Ｃ】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図５Ｄ】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図５Ｅ】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図５Ｆ】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図５Ｇ】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図６】本発明によるアレイ基板を示した平面図。
【図７Ａ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図７Ｂ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図７Ｃ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図７Ｄ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図７Ｅ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図７Ｆ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図７Ｇ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図７Ｈ】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ａ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ｂ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ｃ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ｄ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ｅ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ｆ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ｇ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図８Ｈ】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ａ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ｂ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ｃ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ｄ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ｅ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ｆ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ｇ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図９Ｈ】図６のＩＸ−ＩＸ線に沿って切断して工程順序によって示した工程断面図。
【図１０】本発明の第１実施例によって液晶パネルを湿式エッチングする工程を示した図面。
【図１１】本発明による他のアレイ基板を示した断面図。
【図１２】本発明の第２実施例によって液晶パネルをポリシングする工程を示した図面。
【図１３】本発明の第３実施例によって液晶パネルを乾式エッチングする工程を示した図面。
【図１４】本発明の第３実施例によって液晶パネルを乾式エッチングする工程を示した図面。
【図１５】本発明の第３実施例によって液晶パネルを乾式エッチングする工程を示した図面。
【符号の説明】
１００：基板
１１０：ゲートパッド電極
１１２：ゲート配線
１１４：ゲート電極
１３９：第２パターン
１３２：アクティブ層
１３４：データ配線
１３８：金属パターン
１３６：デートパッド電極
１４０：ソース電極
１４２：ドレイン電極
１４６：画素電極
【図１】
2004212933.tif 000003
【図２】
2004212933.tif 000004
【図３Ａ】
2004212933.tif 000005
【図３Ｂ】
2004212933.tif 000006
【図３Ｃ】
2004212933.tif 000007
【図３Ｄ】
2004212933.tif 000008
【図３Ｅ】
2004212933.tif 000009
【図３Ｆ】
2004212933.tif 000010
【図３Ｇ】
2004212933.tif 000011
【図４Ａ】
2004212933.tif 000012
【図４Ｂ】
2004212933.tif 000013
【図４Ｃ】
2004212933.tif 000014
【図４Ｄ】
2004212933.tif 000015
【図４Ｅ】
2004212933.tif 000016
【図４Ｆ】
2004212933.tif 000017
【図４Ｇ】
2004212933.tif 000018
【図５Ａ】
2004212933.tif 000019
【図５Ｂ】
2004212933.tif 000020
【図５Ｃ】
2004212933.tif 000021
【図５Ｄ】
2004212933.tif 000022
【図５Ｅ】
2004212933.tif 000023
【図５Ｆ】
2004212933.tif 000024
【図５Ｇ】
2004212933.tif 000025
【図６】
2004212933.tif 000026
【図７Ａ】
2004212933.tif 000027
【図７Ｂ】
2004212933.tif 000028
【図７Ｃ】
2004212933.tif 000029
【図７Ｄ】
2004212933.tif 000030
【図７Ｅ】
2004212933.tif 000031
【図７Ｆ】
2004212933.tif 000032
【図７Ｇ】
2004212933.tif 000033
【図７Ｈ】
2004212933.tif 000034
【図８Ａ】
2004212933.tif 000035
【図８Ｂ】
2004212933.tif 000036
【図８Ｃ】
2004212933.tif 000037
【図８Ｄ】
2004212933.tif 000038
【図８Ｅ】
2004212933.tif 000039
【図８Ｆ】
2004212933.tif 000040
【図８Ｇ】
2004212933.tif 000041
【図８Ｈ】
2004212933.tif 000042
【図９Ａ】
2004212933.tif 000043
【図９Ｂ】
2004212933.tif 000044
【図９Ｃ】
2004212933.tif 000045
【図９Ｄ】
2004212933.tif 000046
【図９Ｅ】
2004212933.tif 000047
【図９Ｆ】
2004212933.tif 000048
【図９Ｇ】
2004212933.tif 000049
【図９Ｈ】
2004212933.tif 000050
【図１０】
2004212933.tif 000051
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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