(57)【要約】【課題】歪の変動を防止できると共に安価に構成できるレーザダイオード装置を提供する。【解決手段】アンクールドタイプのレーザダイオードモジュール１１の温度を一定に保つためのヒータ１２を設け、ヒータ１２を温度制御回路１３によって制御する。温度制御回路１３は、例えば負特性サーミスタによってレーザダイオードモジュール１１の温度を検出し、その検出温度に基づいてヒータ１２の電流を制御し、レーザダイオードモジュール１１を一定の温度に保持する。これによりレーザダイオードモジュール１１で発生する歪を一定に保つことができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を光信号に変換するレーザダイオードモジュールにおいて、前記レーザダイオードモジュールのケース内に設けられ、レーザダイオードチップを加熱するヒータと、前記レーザダイオードチップあるいはチップ近傍の温度を検出する感熱素子とを具備したことを特徴とするレーザダイオードモジュール。
【請求項２】
高周波信号を光信号に変換するレーザダイオードモジュールにおいて、レーザダイオードチップの近傍に正特性サーミスタを用いた定温発熱体を設け、該定温発熱体により前記レーザダイオードチップの温度を一定に保持することを特徴とするレーザダイオードモジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードモジュールを使用し、高周波信号を前記レーザダイオードモジュールにより光信号に変換して光ケーブルに出力することを特徴とする光送信機。
【請求項４】
高周波信号を光信号に変換するレーザダイオードモジュールと、前記レーザダイオードモジュールに外付けされ、該レーザダイオードモジュールの温度を一定に保持する正特性サーミスタを用いた定温発熱体とを具備したことを特徴とするレーザダイオード装置。
【請求項５】
前記定温発熱体は、レーザダイオードモジュールを動作周囲温度より高い一定温度に保持することを特徴とする請求項４に記載のレーザダイオード装置。
【請求項６】
高周波信号を光信号に変換するレーザダイオードモジュールと、前記レーザダイオードモジュールの外部から加熱するヒータと、前記レーザダイオードモジュールの温度を感熱素子により検出し、前記ヒータの発熱量を制御して前記レーザダイオードモジュールの温度を一定に保持する温度制御回路とを具備したことを特徴とするレーザダイオード装置。
【請求項７】
前記温度制御回路は、レーザダイオードモジュールを動作周囲温度より高い一定温度に保持することを特徴とする請求項６に記載のレーザダイオード装置。
【請求項８】
高周波信号を光信号に変換するアンクールドタイプのレーザダイオードモジュールと、前記レーザダイオードモジュールに外付けされ、該レーザダイオードモジュールを冷却又は加熱する冷却／加熱素子と、前記レーザダイオードモジュールの温度を検出する感熱素子と、前記感熱素子の検出信号に基づいて前記冷却／加熱素子を制御して前記レーザダイオードモジュールの温度を一定に保持する温度制御回路とを具備したことを特徴とするレーザダイオード装置。
【請求項９】
請求項４ないし８の何れかに記載のレーザダイオード装置を使用し、高周波信号を前記レーザダイオードモジュールにより光信号に変換して光ケーブルに出力することを特徴とする光送信機。
【請求項１０】
レーザダイオード装置の光出力側で発生する歪みを予め補償する歪み補償回路を、前記レーザダイオード装置の高周波信号入力側に設けた光送信機において、前記歪み補償回路は、前記レーザダイオード装置のレーザダイオードモジュールが保持されている温度で歪み補償を最適化したことを特徴とする光送信機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アンクールドタイプのレーザダイオードモジュールとレーザダイオード装置及びレーザダイオードを用いた光送信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ケーブルテレビジョン等で使用される光送信機においては、光信号発生素子として半導体レーザダイオードを使用している。この半導体レーザダイオードは、レーザダイオードチップの温度によりスロープ効率、歪等の諸特性が大きく変化するため、クーラを内蔵してレーザダイオードチップの温度を２５℃程度の一定値に保つことにより、歪の発生を抑えて動作を安定させている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかし、クーラを内蔵したレーザダイオードは、チップ自体を冷却しているだけであるので、周囲温度の変化により内部のレンズやアイソレータといった光学系のずれにより光出力が変化するという問題があり、また、構造が複雑でパッケージも大きくなり、非常に高価なものとなっている。
【０００４】
このため最近ではクーラを内蔵していないアンクールドタイプのレーザダイオードモジュールが使用されるようになってきている。このアンクールドタイプのレーザダイオードモジュールは、クーラを内蔵していないので、パッケージを小型化できると共に安価であるという利点がある。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−９０６９８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようにアンクールドタイプのレーザダイオードモジュールは、小型で安価であるという利点があるが、動作中に温度が変動し、それに伴って歪量、歪み特性が大きく変動するという欠点がある。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、動作温度を一定に保持して歪の変動を防止できると共に安価に構成できるレーザダイオードモジュールとレーザダイオード装置及び光送信機を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高周波信号を光信号に変換するレーザダイオードモジュールにおいて、前記レーザダイオードモジュールのケース内に設けられ、レーザダイオードチップを加熱するヒータと、前記レーザダイオードチップあるいはチップ近傍の温度を検出する感熱素子とを具備したことを特徴とする。
【０００９】
上記のようにレーザダイオードモジュールのケース内にレーザダイオードチップを加熱するヒータを設けると共に、レーザダイオードチップあるいはチップ近傍の温度を検出する感熱素子を設けることにより、前記感熱素子の検出信号に基づいてヒータを制御してレーザダイオードチップの温度を一定に保持することができる。この結果、レーザダイオードチップで発生する歪を一定に保つことができる。また、この状態でレーザダイオードモジュールと歪み補償回路とを組み合わせることにより、大幅な歪みの改善が可能であり、安価で高性能な光送信機を構成することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るレーザダイオード装置の概略構成を示すブロック図である。図１において、１１はアンクールドタイプのレーザダイオードモジュールで、例えばアナログの高周波信号を光信号に変換して出力する。また、１２は上記レーザダイオードモジュール１１の温度を一定に保つためのヒータである。上記ヒータ１２は、レーザダイオードモジュール１１に直接装着する他、例えばレーザダイオードモジュール１１の保持金具や保持基板等に装着しても良い。この場合、レーザダイオードモジュール１１及びヒータ１２を特定のケース内に設けても良い。
【００１１】
上記ヒータ１２の発熱量は、温度制御回路１３によって制御され、レーザダイオードモジュール１１を周囲温度より高い一定の温度に保持するようになっている。すなわち、温度制御回路１３は、例えばレーザダイオードモジュール１１を使用する装置の動作周囲温度の規格が−２０°〜＋４０°で所要の性能が維持されることを保証している場合、レーザダイオードモジュール１１を上記動作周囲温度の上限値である４０℃より高い温度、例えば６５℃の一定温度に保持するように動作する。そうすることで、レーザダイオードモジュール１１は、周囲温度が上記動作周囲温度の範囲内で変化しても一定温度に保たれる。なお、レーザダイオードモジュール１１としては、上記動作周囲温度より高い温度、この場合には６５℃前後の温度で良好に動作するものを使用する。
上記レーザダイオードモジュール１１及び温度制御回路１３については、詳細を後述する。
【００１２】
そして、上記レーザダイオードモジュール１１には、送信用高周波信号が歪み補償回路１４を介して入力される。この歪み補償回路１４は、例えば特開平１０−１２６２８４号公報、特開平９−１０２７１８号公報で公開されている技術を利用して高周波信号入力の２次及び３次の歪を補償するが、特にレーザダイオードモジュール１１が温度制御回路１３にて保持されている温度で発生する歪みを補償するよう補償特性を設定してある。上記レーザダイオードモジュール１１は、高周波入力信号を光信号に変換し、光ケーブルを介して外部に出力する。
【００１３】
上記レーザダイオードモジュール１１は、図２に示すように構成される。レーザダイオードモジュール１１は、ＬＤ（レーザダイオード）チップ１１１、モニタＰＤ（フォトダイオード）１１２、第１のレンズ１１３、アイソレータ１１４、第２のレンズ１１５からなり、ケース１１６内に収納される。
【００１４】
上記ＬＤチップ１１１は、外部入力される高周波信号をレーザ光に変換して出力するもので、そのレーザ光は、第１のレンズ１１３、アイソレータ１１４、第２のレンズ１１５及び光ファイバ１１７を介して外部に取り出される。
【００１５】
また、上記モニタＰＤ１１２は、ＬＤチップ１１１から出力されるレーザ光を受光して電気信号に変換し、外部に設けられているＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路１５に出力する。このＡＰＣ回路１５は、モニタＰＤ１１２からの信号に基づいてＬＤチップ１１１の駆動回路を制御し、ＬＤチップ１１１の光出力が常に一定となるようにしている。レーザダイオードモジュール１１を定電流駆動させた場合、温度が上昇するとレーザダイオードモジュール１１の光出力は減少し、温度が下降すると光出力は増大する。このため上記したようにＬＤチップ１１１から出力されるレーザ光をモニタＰＤ１１２で検出し、その光出力が一定となるようにＡＰＣ回路１５によりＬＤチップ１１１の駆動回路を制御している。
【００１６】
そして、上記レーザダイオードモジュール１１の外側、すなわちケース１１６の外側にヒータ１２を取り付けると共に、感熱素子例えば負特性サーミスタ（以下、サーミスタと称する）２６を取り付ける。サーミスタ２６は、ヒータ１２と同様にレーザダイオードモジュール１１に直接装着する他、レーザダイオードモジュール１１の保持金具や保持基板等に装着しても良い。
【００１７】
上記サーミスタ２６は、レーザダイオードモジュール１１の温度を検出するための素子で、その検出信号は温度制御回路１３に入力する。この温度制御回路１３は、サーミスタ２６の検出信号に基づいてヒータ１２を制御し、レーザダイオードモジュール１１の温度を例えば６５℃等の一定値に保持する。
【００１８】
上記温度制御回路１３は、図３に示すように構成される。すなわち、直流電源回路（図示せず）から供給されるＶｃｃ電圧がヒータ１２を介してパワートランジスタ２１のコレクタに入力されると共に、抵抗２２を介して電源ライン２３に与えられる。この電源ライン２３と接地間には、定電圧ダイオード２４とコンデンサ２５の並列回路が設けられ、電源ライン２３の電圧を一定に保っている。
【００１９】
また、電源ライン２３と接地間には、上記したサーミスタ２６に対してバイアス抵抗２７、２８を直列に接続した直列回路が設けられ、サーミスタ２６とバイアス抵抗２７との接続点における分圧電圧が増幅用トランジスタ２９のベースに入力される。
【００２０】
また、増幅用トランジスタ２９は、コレクタに電源ライン２３の電圧が負荷抵抗３０を介して入力され、エミッタが接地される。また、増幅用トランジスタ２９のコレクタ電圧は、バイアス抵抗３１を介してパワートランジスタ２１のベースに入力される。このパワートランジスタ２１は、エミッタが接地される。
【００２１】
上記の構成において、レーザダイオードモジュール１１の温度が低い場合、それに伴ってサーミスタ２６の温度も低く、その抵抗値が大きくなるので、サーミスタ２６とバイアス抵抗２７との間の分割電圧が低くなり、増幅用トランジスタ２９のベース電流が低下する。この結果、増幅用トランジスタ２９のコレクタ電圧が高くなり、パワートランジスタ２１のベース電流が増大し、ヒータ１２に大きな電流が流れて、レーザダイオードモジュール１１に対する加熱温度が上昇する。
【００２２】
上記レーザダイオードモジュール１１の温度が高くなると、それに伴ってサーミスタ２６の温度も高くなり、その抵抗値が小さくなるので、サーミスタ２６とバイアス抵抗２７との間の分割電圧が高くなり、増幅用トランジスタ２９のベース電流が増大する。この結果、増幅用トランジスタ２９のコレクタ電圧が低くなり、パワートランジスタ２１のベース電流が減少し、ヒータ１２に流れる電流が減少してレーザダイオードモジュール１１に対する加熱温度が下降する。
【００２３】
上記のようにレーザダイオードモジュール１１の温度が一定となるようにヒータ１２に対する電流制御が行なわれる。上記レーザダイオードモジュール１１に対する設定温度は、バイアス抵抗２７、２８の値によって調整することができる。従って、レーザダイオードモジュール１１が最適温度例えば６５℃に保たれるようにバイアス抵抗２７、２８の値が設定される。
【００２４】
上記のようにヒータ１２及び温度制御回路１３によってレーザダイオードモジュール１１を常に一定の温度に保持することにより、レーザダイオードモジュール１１で発生する歪を一定に保つことができる。この状態でレーザダイオードモジュール１１と歪み補償回路１４とを組み合わせ、レーザダイオードモジュール１１が保持されている温度（例えば６５℃）で歪み補償回路１４による歪み補償を最適化することにより、大幅な歪みの改善が可能である。
【００２５】
また、レーザダイオードモジュール１１の全体の温度を一定に保つことにより、ＬＤチップ１１１だけでなく、第１のレンズ１１３、アイソレータ１１４、第２のレンズ１１５といった光学系のずれを抑えることができ、トラッキングエラーを確実に防止することができる。このためレーザダイオードモジュール１１の出力端における光信号出力を一定に保つことができる。
【００２６】
また、上記レーザダイオードモジュール１１は、クーラ内蔵のレーザダイオードモジュールと比較すると、小型であると共に構造が簡単でパッケージ自体も非常に安価であり、上記実施形態で示したように外付けでヒータ１２を設けたとしても安価に構成することができる。
【００２７】
次に、上記レーザダイオードモジュール１１を使用した光送信機の構成例について、図４を参照して説明する。図４において、４１は高周波入力端子で、この高周波入力端子４１に入力される高周波信号は、増幅器４２で増幅された後、波形整形回路４３により波形整形され、ゲインコントロール回路４４で利得調整される。このゲインコントロール回路４４で利得調整された高周波信号は、増幅器４５、上記歪み補償回路１４、及び増幅器４６を介してレーザダイオードモジュール１１に入力される。上記レーザダイオードモジュール１１は、入力された高周波信号を光信号に変換し、フロントパネル４７に設けられた光コネクタ４８より光ケーブル（図示せず）を介して外部に出力する。
【００２８】
上記レーザダイオードモジュール１１は、上記したようにヒータ１２及び温度制御回路１３によって一定の温度に保持され、かつＡＰＣ回路１５により光出力が常に一定となるように制御される。
【００２９】
上記温度制御回路１３及びＡＰＣ回路１５には、アラーム検知回路５０が接続される。アラーム検知回路５０は、温度制御回路１３及びＡＰＣ回路１５の動作状態を監視し、異常を検知した場合にアラーム信号をＬＥＤドライバ５１に出力する。
【００３０】
上記ＬＥＤドライバ５１は、フロントパネル４７に設けられている複数のステータス表示用のＬＥＤ５２を、上記アラーム検知回路５０からの信号に基づいて点灯制御する。ステータス表示用のＬＥＤ５２は、例えば電源の状態（ＰＯＷＥＲ）、レーザダイオードモジュール１１の温度（ＴＥＰＭ）、光信号の出力状態（ＯＰＴ  ＰＷＲ）、ＡＰＣ回路１５によるＬＤバイアス状態（ＢＩＡＳ）等を表示する。
【００３１】
上記のようにアンクールドタイプのレーザダイオードモジュール１１を使用し、ヒータ１２及び温度制御回路１３によってレーザダイオードモジュール１１の温度を一定に保持することにより、クーラ内蔵のレーザダイオードモジュールを使用することなく、歪の発生を低減できると共に安価で高性能な光送信機を構成することができる。更に、レーザダイオードモジュール１１と歪み補償回路１４とを組み合わせ、レーザダイオードモジュール１１が保持されている温度で歪み補償回路１４による歪み補償を最適化することにより、大幅な歪みの改善が可能である。
【００３２】
（第２実施形態）
次に本発明の第２実施形態について図５を参照して説明する。
この第２実施形態に係るレーザダイオードモジュール装置は、図５に示すようにレーザダイオードモジュール１１のケースに正特性サーミスタを用いて構成した定温発熱体６０を直接装着し、定温発熱体６０を構成する正特性サーミスタに電源例えば交流電源６１を供給し、正特性サーミスタの発熱を利用してレーザダイオードモジュール１１を動作周囲温度より高い温度、例えば６５℃の一定温度に保持するようにしたものである。また、レーザダイオードモジュール１１の歪は、歪み補償回路１４により補償する。
【００３３】
上記正特性サーミスタは、半導体抵抗素子で、温度の上昇に伴って急激に抵抗値が増大する性質を有し、そのスイッチング温度を材料組成によって設定することができる。正特性サーミスタは、低温域では抵抗値が低く大きな電流が流れるが、一定の温度以上になると急激に抵抗値が増大し、殆ど電流を流さない特性を有している。従って、正特性サーミスタは、上記の温度特性を利用して定温発熱体６０の発熱素子として用いることができる。
【００３４】
上記のように正特性サーミスタによる定温発熱体６０を使用してレーザダイオードモジュール１１の温度を一定に保持することにより、温度制御回路を簡略化することができる。上記定温発熱体６０は、レーザダイオードモジュール１１に直接装着する他、例えばレーザダイオードモジュール１１の保持金具や保持基板等に装着しても良い。
【００３５】
また、レーザダイオードモジュール１１を一定の温度に保持し、その温度で歪み補償回路１４による歪み補償を最適化することにより、大幅な歪みの改善が可能である。
【００３６】
なお、上記第２実施形態では、定温発熱体６０をレーザダイオードモジュール１１のケースに外付けして用いた場合について示したが、上記定温発熱体６０をレーザダイオードモジュール１１のケース内、すなわち、ＬＤチップ１１１の近傍に設け、該ＬＤチップ１１１の温度を上記したように６５℃等の一定温度に保持するようにしても良い。この場合、定温発熱体６０は、そのリード線をレーザダイオードモジュール１１のケースから外部に導出し、上記第２実施形態で示したように電源例えば交流電源６１に接続して使用する。
【００３７】
（第３実施形態）
次に本発明の第３実施形態について図６を参照して説明する。
この第３実施形態は、第１実施形態におけるヒータ１２に代えてクーラ素子例えばペルチェ素子７１を設けたものである。レーザダイオードモジュール１１は、第１実施形態の図２に示したものと同様の構成であるので、同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３８】
上記ペルチェ素子７１は、レーザダイオードモジュール１１の外側、すなわちケース１１６の外側にクーラ素子例えばペルチェ素子７１を取り付けると共に、感熱素子例えばサーミスタ２６を取り付ける。この場合、上記ペルチェ素子７１及びサーミスタ２６は、レーザダイオードモジュール１１に直接装着する他、レーザダイオードモジュール１１の保持金具や保持基板等に装着しても良い。
【００３９】
上記サーミスタ２６は、レーザダイオードモジュール１１の温度を検出し、その検出信号を温度制御回路１３に入力する。温度制御回路１３は、サーミスタ２６の検出信号に基づいてペルチェ素子７１を制御し、レーザダイオードモジュール１１の温度を一定値、例えば２５℃に保持するように動作する。
【００４０】
上記温度制御回路１３によってペルチェ素子７１を制御することにより、レーザダイオードモジュール１１の全体の温度を一定に保つことができ、第１実施形態の場合と同様にＬＤチップ１１１だけでなく、光学系のずれを抑えることができ、トラッキングエラーを防止して光信号出力を一定に保つことができる。
【００４１】
また、レーザダイオードモジュール１１は、クーラ内蔵のレーザダイオードと比較すると、構造も簡単でパッケージ自体も非常に安価であり、外付けでペルチェ素子７１を設けたとしても安価に構成することができる。
【００４２】
また、レーザダイオードモジュール１１の温度を一定に保つことにより、該レーザダイオードモジュール１１で発生する歪を一定に保つことができる。従って、上記レーザダイオードモジュール１１を前記第１、第２実施形態と同様に歪み補償回路１４と組み合わせ、その温度で歪み補償回路１４による歪み補償を最適化することにより、大幅な歪みの改善が可能であり、安価で高性能な光送信機とすることができる。
【００４３】
上記レーザダイオードモジュール１１は、温度制御回路１３により通常２５℃程度の温度に保持するが、それ以上の温度、例えば６５℃程度の温度に保持するようにしても良い。
【００４４】
（第４実施形態）
次に本発明の第４実施形態について図７を参照して説明する。
この第４実施形態は、図７に示すようにアンクールドタイプのレーザダイオードモジュール８０内にヒータ８１を内蔵させた場合について示したもので、レーザダイオードモジュール８０として動作周囲温度より高い温度、例えば６５℃等の温度で良好に動作するものを使用する。
【００４５】
上記レーザダイオードモジュール８０は、ＬＤチップ１１１、モニタＰＤ１１２、第１のレンズ１１３、アイソレータ１１４、第２のレンズ１１５、及び上記ＬＤチップ１１１等を加熱するヒータ８１からなり、ケース１１６内に収納する。また、上記ケース１１６内には、例えばＬＤチップ１１１の近傍に感熱素子例えば負特性のサーミスタ２６を装着し、ＬＤチップ１１１の温度あるいはその近傍の温度を検出する。
【００４６】
上記ＬＤチップ１１１から出力されるレーザ光は、第１のレンズ１１３、アイソレータ１１４、第２のレンズ１１５及び光ファイバ１１７を介して外部に取り出される。
【００４７】
また、上記モニタＰＤ１１２は、ＬＤチップ１１１から出力されるレーザ光を受光して電気信号に変換し、外部に設けられているＡＰＣ回路１５に出力する。ＡＰＣ回路１５は、モニタＰＤ１１２からの信号に基づいてＬＤチップ１１１の光出力が常に一定となるように制御する。
【００４８】
また、上記サーミスタ２６は、レーザダイオードモジュール８０の外部に設けられる温度制御回路１３に接続される。温度制御回路１３は、サーミスタ２６によりケース１１６内の温度、例えばＬＤチップ１１１の温度あるいはその近傍のを検出し、その検出温度に基づいてヒータ８１の発熱量を駆動電流により制御し、レーザダイオードモジュール８０の温度を一定値、例えば６５℃程度に保持するように動作する。
【００４９】
上記レーザダイオードモジュール８０として常温より高い温度で良好に動作するものを使用することにより、レーザダイオードモジュール８０にヒータ８１を内蔵させて温度を一定値に保持することが可能となり、簡単な構成で温度制御をきわめて容易に行なうことができ、コストの低下を図ることができる。
【００５０】
また、上記レーザダイオードモジュール８０を前記第１、第２実施形態と同様に歪み補償回路１４と組み合わせ、その温度で歪み補償回路１４による歪み補償を最適化することにより、大幅な歪みの改善が可能であり、安価で高性能な光送信機とすることができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上詳記したように本発明によれば、アンクールドタイプのレーザダイオードモジュールの温度を一定に保持でき、レーザダイオードモジュールで発生する歪を一定に保つことができる。また、レーザダイオードモジュールと歪み補償回路とを組み合わせることにより、大幅な歪みの改善が可能であり、安価で高性能な光送信機を構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るレーザダイオード装置の概略構成図。
【図２】同実施形態におけるレーザダイオードモジュールを含む主要部の詳細な構成例を示す図。
【図３】同実施形態における温度制御回路の詳細な構成例を示す図。
【図４】同実施形態におけるレーザダイオード装置を用いた光送信機の構成例を示すブロック図。
【図５】本発明の第２実施形態に係るレーザダイオード装置の構成図。
【図６】本発明の第３実施形態に係るレーザダイオード装置の構成図。
【図７】本発明の第４実施形態に係るレーザダイオード装置の構成図。
【符号の説明】
１１…レーザダイオードモジュール
１２…ヒータ
１３…温度制御回路
１４…歪み補償回路
１５…ＡＰＣ回路
２１…パワートランジスタ
２２、２７、２８、３０、３１…抵抗
２３…電源ライン
２４…定電圧ダイオード
２５…コンデンサ
２６…負特性サーミスタ
２９…増幅用トランジスタ
４１…高周波入力端子
４２、４５、４６…増幅器
４３…波形整形回路
４４…ゲインコントロール回路
４７…フロントパネル
４８…光コネクタ
５０…アラーム検知回路
５１…ＬＥＤドライバ
５２…ＬＥＤ
６０…定温発熱体
６１…交流電源
７１…ペルチェ素子
８０…レーザダイオードモジュール
８１…ヒータ
１１１…ＬＤチップ
１１２…モニタＰＤ
１１３…第１のレンズ
１１４…アイソレータ
１１５…第２のレンズ
１１６…ケース
１１７…光ファイバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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