(57)【要約】【課題】高純度のフッ素ガスを安定的にかつ安全に発生させることのできるフッ素ガス発生装置を提供する。【解決手段】フッ化水素を含む混合溶融塩からなる電解浴２を電気分解して高純度のフッ素ガスを生成するためのフッ素ガス発生装置であって、隔壁１６によって陽極が設けられた陽極室３と陰極が設けられた陰極室４とに分離された電解槽１と、陽極室３と陰極室４内とを大気圧に維持する圧力維持手段と、陽極室３と陰極室４のそれぞれの電解浴２の液面レベルを３段階以上で検知できる液面検知手段５，６と、を備える。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素を含む混合溶融塩からなる電解浴を電気分解して高純度のフッ素ガスを生成するためのフッ素ガス発生装置であって、
隔壁によって陽極が設けられた陽極室と陰極が設けられた陰極室とに分離された電解槽と、
前記陽極室と前記陰極室内とを大気圧に維持する圧力維持手段と、
前記陽極室と前記陰極室のそれぞれの前記電解浴の液面レベルを３以上の段階で検知できる液面検知手段と、を備えたフッ素ガス発生装置。
【請求項２】
前記圧力維持手段が、前記陽極室と前記陰極室にそれぞれ設けられた圧力計と連動して開閉する自動弁と、前記陽極室と前記陰極室にそれぞれ設けられた液面検知手段と連動する自動弁とで構成されている請求項１に記載のフッ素ガス発生装置。
【請求項３】
電解槽内の圧力を大気圧に維持する圧力維持手段の一つである圧力計と連動して開閉する自動弁は、前記電解槽内の圧力が大気圧よりも高くなると開き、前記電解槽内のガスを排出する請求項２に記載のフッ素ガス発生装置。
【請求項４】
前記圧力計と連動して開閉する自動弁の後ろに、コンプレッサー、バキュームジェネレータのうち少なくともいずれか一つ以上が設けられ、前記圧力計と連動して開閉する自動弁の下流のガス排出ラインを減圧状態に維持している請求項１乃至３のいずれかに記載のフッ素ガス発生装置。
【請求項５】
前記液面検知手段が、前記電解浴の各液面レベルを検知できる３個以上の液面センサによって構成されている請求項１に記載のフッ素ガス発生装置。
【請求項６】
前記液面検知手段を有するとともに、電解槽内の圧力を検知できる圧力計を具備した請求項１乃至５に記載のフッ素ガス発生装置。
【請求項７】
前記液面検知手段に連動して開閉する前記自動弁の開閉により電解槽内に供給されるガスが、希ガスまたは窒素ガスである請求項１又は２に記載のフッ素ガス発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オンサイト型のフッ素ガス発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フッ素ガスは、例えば半導体製造分野においては欠くことのできない基幹ガスである。そして、それ自体で用いられる場合もあるが、特にフッ素ガスを基にして三フッ化窒素ガス（以下、ＮＦ３ガスという。）等を合成し、これを半導体製造装置のクリーニングガスやドライエッチング用ガスとしたものは急速に需要が伸びている。また、フッ化ネオンガス（以下、ＮｅＦガスという。）、フッ化アルゴンガス（以下、ＡｒＦガスという。）、フッ化クリプトンガス（以下、ＫｒＦガスという。）等は半導体集積回路のパターニングの際に用いられるエキシマレーザ発振用ガスであり、その原料には希ガスとフッ素ガスの混合ガスが多用されている。
【０００３】
半導体等の製造に使用されるフッ素ガスやＮＦ３ガスは不純物の少ない高純度のガスが要求される。また半導体等の製造現場ではフッ素ガスを充填したガスボンベから必要量のガスを取出して使用している。このためガスボンベの保管場所、ガスの安全性確保や純度維持等の管理が大変重要である。さらにＮＦ３ガスは最近になって需要が急増しているため供給面に問題があり、ある程度の在庫を抱えなければならないという問題もある。これらを考慮すると、高圧のフッ素ガスボンベを扱うよりも、オンデマンド、オンサイトのフッ素ガス発生装置を使用する場所に設置するのが好ましい。
【０００４】
通常、フッ素ガスは図３に示すような電解槽によって生成されている。電解槽本体２０１の材質は通常、Ｎｉ、モネル、炭素鋼等が使用されている。さらに、電解槽本体２０１の底部には発生した水素ガスとフッ素ガスが混ざるのを防止するためにポリテトラフルオロエチレン等からなる底板２１２が付設されている。電解槽本体２０１中には、フッ化カリウム−フッ化水素系（以下、ＫＦ−ＨＦ系という。）の混合溶融塩が電解浴２０２として満たされている。そして、モネル等により形成されているスカート２０９によって、陽極室２１０と陰極室２１１に分離されている。この陽極室２１０に収納された炭素またはニッケル（以下、Ｎｉという。）陽極２０３と、陰極室２１１に収納されたＮｉ陰極２０４の間に電圧を印加し、電解することによりフッ素ガスは生成されている。なお、生成されたフッ素ガスは、発生口２０８から排出され、陰極側で発生する水素ガスは、水素ガス排出口２０７から排出される。ところが電解時に発生する四フッ化炭素ガス（以下、ＣＦ４ガスという。）や電解浴より蒸発するフッ化水素ガス（以下、ＨＦガスという。）等の混入により純度の高いフッ素ガスは得られにくいという問題があった。
【０００５】
また、オンデマンド、オンサイトで使用する場合、電解槽本体２０１内の電解浴の液面の自動調整は安全に自動運転を行う上で必要不可欠のものである。例えば、電解液面の変動を制御する技術としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４及び特許文献５中に所謂スタート／ストップ制御（Ｏｎ／Ｏｆｆ制御）が提案されている。しかし、この方法で電解を行うと液面が変動するたびに電解を休止し、電解液面が元の位置に戻るまで電解を再開することができないという問題もある。
【０００６】
【特許文献１】
特表平９−５０５８５３号公報
【特許文献２】
欧州特許第０７２８２２８Ｂ１号明細書
【特許文献３】
欧州特許第０８５２２６７Ｂ１号明細書
【特許文献４】
欧州特許第０９６５６６１Ｂ１号明細書
【特許文献５】
米国特許第５６８８３８４号明細書
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は高純度のフッ素ガスを安定的にかつ安全に発生させることのできるフッ素ガス発生装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための本発明の請求項１に記載のフッ素ガス発生装置は、フッ化水素を含む混合溶融塩からなる電解浴を電気分解して高純度のフッ素ガスを生成するためのフッ素ガス発生装置であって、隔壁によって陽極が設けられた陽極室と陰極が設けられた陰極室とに分離された電解槽と、電解槽内を大気圧に維持する圧力維持手段と、前記陽極室と陰極室それぞれの前記電解浴の液面レベルを３段階以上で検知できる液面検知手段と、を備えたものである。
この構成によると、液面の僅かな変動を検知することができるとともに、圧力維持手段によって、陽極室及び陰極室内を常に大気圧に維持できる。このため、電解浴の液面高さが安定する。これによって、電解時の電解条件の変動を少なくできるので、安定したフッ素ガスの供給が可能となる。また、陽極室及び陰極室内が大気圧に維持されているため、外部からの空気等の流入を防止することができ、高純度のフッ素ガスを安定して発生させることができる。
【０００９】
請求項２に記載のフッ素ガス発生装置は、請求項１において、前記圧力維持手段が、前記陽極室と前記陰極室にそれぞれ設けられた圧力計と連動して開閉する自動弁と、前記陽極室と前記陰極室にそれぞれ設けられた液面検知手段と連動する自動弁とで構成されているものである。
この構成によると、電解槽内の圧力制御が容易にかつ確実に行えるようになる。また、液面検知手段と自動弁とが連動するため、電解浴の液面高さを自動調整することが可能となる。
【００１０】
請求項３に記載のフッ素ガス発生装置は、請求項２において、前記電解槽内の圧力を大気圧に維持する圧力維持手段の一つである自動弁は、前記電解槽内の圧力が大気圧よりも高くなると開き、前記電解槽内のガスを排出するものである。
この構成によると、電解槽内、特に陰極室内を常に大気圧に維持することができる。このため、電解槽内の電解浴の液面高さを常に安定した状態とすることができる。
【００１１】
請求項４に記載のフッ素ガス発生装置は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記圧力計と連動して開閉する自動弁の後ろに、コンプレッサー、バキュームジェネレータのうち少なくともいずれか一つ以上が設けられ、前記圧力計と連動して開閉する自動弁を減圧状態に維持しているものである。
この構成によると、圧力計と連動して開閉する自動弁の下流側のガス排出ラインが減圧状態となる。このため、陰極室から排出されるガスはより確実に圧力計と連動して開閉する自動弁を通過するようになる。
【００１２】
請求項５に記載のフッ素ガス発生装置は、請求項１において、前記液面検知手段が、前記電解浴の各液面レベルを検知できる３個以上の液面センサによって構成されているものである。
この構成によると、電解槽内の電解浴の液面高さを３段階以上で検知することが可能となるので僅かな液面変動でも感知できるようになる。そして、各液面センサからの信号に合わせて、電解槽に接続されている各ガスライン上の各バルブを開閉しガス流入して加圧あるいは減圧させて液面を上昇をすることが可能となる。このため、特許文献１等に開示されているような電解浴の液面制御（Ｏｎ／Ｏｆｆ制御）により電解を一々停止しなくても、一定のレベルに液面を保った状態での自動運転が可能となる。
【００１３】
請求項６記載の発明は、液面検知手段を有するとともに、電解槽内の圧力を検知できる圧力計を具備したフッ素ガス発生装置である。
この構成によると、差圧により生ずる電解浴の上昇や降下による液面変動をより正確に制御でき、電解浴の飛散等による後段の配管やラインに付設されたフィルターなどの閉塞を防止しうる。この制御で安全且つ安定な操業が確保できるようになる。
【００１４】
請求項７に記載のフッ素ガス発生装置は、請求項１又は２において、前記液面検知手段に連動して開閉する前記電磁弁の開閉により前記陰極室及び前記陽極室に供給されるガスが、希ガスまたは窒素ガスであるものである。
この構成によると、発生したガスを例えば、窒素（Ｎ２）ガス、または、ネオンガス（Ｎｅガス）、アルゴンガス（Ａｒガス）、クリプトンガス（Ｋｒガス）等の希ガスによって希釈することで、任意の混合比の混合ガスとして半導体集積回路のパターニングの際に用いられるエキシマレーザ発振用ガスとして使用することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明に係るフッ素ガス発生装置の実施形態の一例を説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態例のフッ素ガス発生装置の主要部の概略図である。図１において、１は電解槽、２はＫＦ−ＨＦ系混合溶融塩からなる電解浴、３は陽極室、４は陰極室、５は陽極室３の電解浴２の液面レベルを検知する第１液面検知手段、６は陰極室４の液面レベルを５段階で検知する第２液面検知手段である。また、７は陽極室３の圧力を測定する圧力計、８は陰極室４の圧力を測定する圧力計である。そして、９，１０は、これら圧力計７，８の圧力に応じて連動して開閉する自動弁である。また、１１は電解浴２の温度を測定する温度計、１２は温度計１１からの信号によって作動して電解槽１の側面及び底部に設けられているヒータ１３を制御する温度制御手段である。１４は陰極室４から排出される水素とＨＦの混合ガス中からＨＦを吸着する吸着塔であり、１５は陽極室３から排出されるＦ２とＨＦとの混合ガス中からＨＦガスを吸着して高純度のフッ素ガスのみを排出するようにするＮａＦ等を充填したＨＦ吸収塔である。
【００１７】
電解槽１は、Ｎｉ、モネル、純鉄、ステンレス鋼等の金属で形成されている。
電解槽１は、Ｎｉまたはモネルからなる隔壁１６によって、陽極室３及び陰極室４とに分離されている。陽極室３には、図示していないが陽極が配置されている。そして、陰極室４には、図示しない陰極が設けられている。なお、陽極には黒鉛成形体から所定の形状に加工してブロック状に形成したものを使用することが好ましい。また、陰極としては、Ｎｉまたは鉄を使用することが好ましい。電解槽１の上蓋１７には、陽極室３及び陰極室４内を大気圧に維持する圧力維持手段の一つであるガスライン１８，１９からのパージガス出入口２０，２１と、陽極室３から発生するフッ素ガスの発生口２２と、陰極室４から発生する水素ガスの発生口２３とが設けられている。これら発生口２２，２３は、ハステロイ等のフッ素ガスに対して耐食性を有した材料で形成された曲折した管を備えており、陽極室３及び陰極室４からの飛沫がガスライン内に侵入することを抑制している。また、上蓋１７には、電解浴２の液面高さが低下した場合にＨＦを供給するＨＦ供給ライン２４からのＨＦ導入口２５と、陽極室３及び陰極室４の液面高さをそれぞれ検知する第１液面検知手段５及び第２液面検知手段６と、圧力計７，８とが設けられている。
【００１８】
また、電解槽１は、電解槽１内を加熱する温度調整手段が設けられている。温度調整手段は、電解槽１本体の周囲に密着して設けられているヒータ１３と、そのヒータ１３に接続され、一般的なＰＩＤ制御が可能な温度制御手段１２と、陽極室３または陰極室４のいずれか一方に設けられている熱電対等の温度計１１と、から構成され、電解槽１内の温度制御をしている。なお、ヒータ１３の周りには断熱材を設けることも可能である。ヒータ１３は、リボンタイプのものや、ニクロム線、あるいは温水等が例示でき、その形態は特に限定されないが、電解槽１の全周を覆うような形状であることが好ましい。
【００１９】
第１液面検知手段５及び第２液面検知手段６は、図２に示すように５本の液面センサＳ１〜Ｓ５を備えている。これら５本の液面センサＳ１〜Ｓ５で電解浴２の液面高さを段階的に検知することができる。
【００２０】
陽極室３及び陰極室４内の圧力を大気圧に維持する圧力維持手段は、加圧用のボンベからのガスを、陽極室３及び陰極室４内の圧力を測定する圧力計７，８の測定結果に連動して開閉する自動弁９，１０と、第１液面検知手段５及び第２液面検知手段６による電解浴２の液面高さの検知結果によって開閉して電解槽１内の陽極室３及び陰極室４それぞれにガスを供給又は排気を行う、自動弁３１〜３４と、この圧力維持手段のガスライン１８，１９等の開閉を行う手動弁３５〜３８と、ガスライン内を通過するガス流量を予め所定の流量に設定することができる流量計３９〜４１とで構成されている。自動弁３１〜３４は、エアアクチュエータ方式のものを使用することが好ましい。これによって、作動時に発熱が小さく、ガスラインへ及ぼす影響を小さくすることができる。この圧力維持手段によって、陽極室３及び陰極室４内の圧力は、大気圧に維持される。これによって、電解槽１内の圧力は大気圧に維持され、電解中の液面高さを安定した状態に維持できる。このため、電解条件の変動が少なく、安定した電解を行うことができる。また、電解されて生成されるフッ素ガスや水素ガスは、電解槽１内から押し出されるようにしてそれぞれの発生口２２，２３から排出される。このように、圧力維持手段は、陽極室３及び陰極室４内の圧力を大気圧に維持することで、電解されて生成されるガスを電解槽１から排出するとともに、電解槽１内への外気の侵入も防止している。
【００２１】
また、圧力維持手段に接続されている電解槽１内にガスを供給するガスとしては、不活性のガスであれば特に限定されない。例えば、Ａｒガス，Ｎｅガス，Ｋｒガス，Ｘｅガス等の希ガスのうち１種類以上を用いると、フッ素ガスとこれら希ガスとの混合ガスを容易に任意の混合比で得ることができる。これによって、例えば、半導体製造分野における集積回路のパターニング用のエキシマレーザ発振用線源として用いることが可能となり、半導体製造分野の製造ライン上に本発明に係るフッ素ガス発生装置を配置することで、オンサイトで、フッ素ガスを必要時に必要量供給することができるようになる。
【００２２】
陰極室４から排出される水素ガス中のＨＦガスを吸着するＨＦ吸着塔１４は、第１吸着塔１４ａと第２吸着塔１４ｂとが並列に設けられている。これら第１吸着塔１４ａ及び第２吸着塔１４ｂは同時に使用することも、いずれか一方を使用することもできる。この吸着塔１４は、フッ素ガス及びＨＦに対して耐食性を有する材料で形成されていることが好ましく、例えば、ステンレス鋼、モネル、Ｎｉ、フッ素系樹脂等で形成され、内部にフッ化ナトリウム、ソーダライムが充填されて、通過するＨＦを吸着することによって、水素ガス中のＨＦを除去している。
【００２３】
このＨＦ吸着塔１４は、圧力維持手段を構成する一つである自動弁１０の下流側に配置されている。そして、この自動弁１０とＨＦ吸着塔１４との間にはバキュームジェネレータ２６が設けられている。このバキュームジェネレータ２６は、ガスライン２７を通過するガスによるエジェクタ効果によってガスライン２８内の圧力を減圧状態にするものであり、油分を使用することなく、ガスライン２８を減圧状態とすることができ、油分のガスライン及び電解槽１への侵入を防止することができる。
【００２４】
陽極室３から排出されるフッ素ガス中のＨＦを除去するＨＦ吸収塔１５は、前述のＨＦ吸着塔１４と同様に、第１吸収塔１５ａ、１５ｂとが並列に設けられている。そして、内部にＮａＦが充填されており、放出されてくるフッ素ガス中に含まれるＨＦを除去する。このＨＦ吸収塔１５も、ＨＦ吸着塔１４同様に、フッ素ガス及びＨＦに対して耐食性を有する材料で形成されていることが好ましく、例えば、ステンレス鋼、モネル、Ｎｉ等が例示できる。
【００２５】
このＨＦ吸収塔１５の下流側には圧力維持手段を構成する一つである自動弁９が設けられている。陽極室３から発生するガスは、フッ素ガスと同時にＨＦガス、電解浴飛沫が発生する苛酷な環境となる。特にフッ素とＨＦが混在する環境では、強い酸化性雰囲気になる。このため、自動弁９は、ＨＦ吸収塔１５の下流側に設けることで、ＨＦが除去されたフッ素ガスのみの状態にでき、ＨＦガスによる影響を受けることなく開閉動作を行うことが可能となる。なお、これらＨＦ吸着塔１４及びＨＦ吸収塔１５には圧力計３０，２９が設けられており、内部の詰まりを検知することが可能となっている。
【００２６】
なお、これら電解槽１を含むフッ素ガス発生装置は、図示しない１つの筐体からなるキャビネット内に設けられることが好ましい。オンデマンド、オンサイトでの使用が容易になるからである。また、このキャビネットは、フッ素ガスと反応しない材料で形成されていることが好ましい。例えば、ステンレス鋼等の金属や、塩化ビニル等の樹脂を使用することができる。
【００２７】
また、図示していないが、高純度のフッ素ガスが排出される下流側には、バッファタンク等の貯蔵手段が設けられていることが好ましい。これによって必要なときに必要量のフッ素ガスを提供することができ、半導体製造設備の製造ラインに配設することが可能となるオンラインのフッ素ガス発生装置となる。
【００２８】
次に、本実施形態例にかかるフッ素ガス発生装置の作動について説明する。
【００２９】
通常、電解が正常に行われている状態では、電解槽１内は大気圧に維持されており、陽極室３及び陰極室４内の電解浴２の高さは同じ液面高さとなる。ところが、電解中に、例えば電解浴２の飛沫等の蓄積によるフッ素ガスライン（フッ素ガス発生口２２以降のガスライン）の閉塞、あるいは、水素ガスライン（水素発生口２３以降のガスライン）の閉塞等によって電解槽１内の圧力が変動する。このとき、陽極室３及び陰極室４に設けられている圧力計７，８によって圧力が測定され、その圧力の変動によって、各圧力計７，８に連動する自動弁９、１０を開閉し、電解槽１内の圧力を大気圧に維持するように調整する。
【００３０】
このように、自動弁９，１０の開閉によって電解槽１内の圧力が大気圧に維持されている場合は、電解槽１内の陽極室３及び陰極室４内の電解浴２の高さは同じ液面高さとなる。ところが、電解中に、例えば電解浴２の飛沫等が更に蓄積し、自動弁９、１０の開閉によっては電解槽１内の圧力を大気圧に保つことができず、例えば、フッ素ガスライン（フッ素ガス発生口２２以降のガスライン）の閉塞等により、陽極室３内での圧力が高くなる、或いは、陰極室４の圧力が低くなることによって、陽極室３の電解浴２の液面高さが陰極室４の電解浴２の液面高さよりも低くなる場合もある。この場合、陽極室３及び陰極室４に設けられた第１液面検知手段５及び第２液面検知手段６によって、液面高さの異常が検知される。
【００３１】
通常、電解槽１内の圧力が自動弁９，１０の開閉によって大気圧に保たれ、正常に電解がされている場合の電解浴２の液面高さは、第１液面検知手段５及び第２液面検知手段６の５本の液面センサＳ１〜Ｓ５のうち、液面センサＳ２とＳ４の間に位置している。ところが、前述のように、陰極室４の電解浴２の液面高さが陽極室３の電解浴の液面高さよりも高くなった場合、すなわち、陰極室４の液面高さが第２液面検知手段の液面センサＳ２よりも高くなった場合は、自動弁３１及び自動弁３４を閉鎖する。これで、陰極室４の電解浴２の液面高さが正常に戻った場合は、自動弁３１及び自動弁３４を開放し、引き続き電解を行う。一方、自動弁３１及び自動弁３４を閉鎖した場合であっても、陰極室４の電解浴２の液面高さが上昇し、液面センサＳ１よりも高くなった場合は、自動弁３３及び自動弁３２も閉鎖し、電解を中断する。
【００３２】
電解が中断すると、自動弁３２が短時間開かれ、陽極室３内のフッ素ガスが電解槽１の上蓋１７に設けられているフッ素ガスの発生口２３から放出される。これと同時に、自動弁３３も短時間開かれて、陰極室４内にパージガスが導入される。これによって、電解浴２の陽極室３及び陰極室４の液面高さが同じに戻れば、電解が再開される。
【００３３】
以上のように、本実施形態例に係るフッ素ガス発生装置は、電解槽１内の圧力を測定する圧力計７，８とこれらに連動する自動弁９，１０によって電解槽１内の圧力を調整し、電解槽１内を大気圧に維持して電解浴２の液面高さを制御する。また、これら自動弁９，１０の開閉による液面高さ制御で電解槽１内の電解浴２の液面高さを同レベルに維持できない場合は、陽極室３及び陰極室４に設けられた第１液面検知手段５及び第２液面検知手段６と、これらと連動して開閉する自動弁３１〜３４によって電解槽１内を大気圧に維持する。このように、２段階の制御方式で、電解槽１内を大気圧に維持し、電解浴２の液面高さを安定した高さに維持することができる。これによって、電解中の電解条件を変更する必要がなくなり、安定したフッ素ガスの生成を行うことができる。
【００３４】
なお、本発明に係るフッ素ガス発生装置は、前述の実施形態例に限定されるものではなく、例えば、以下のようなものであっても良い。
【００３５】
例えば、電解槽本体を陰極として電解浴を電解し、この際、電解浴の液面高さを検知する液面検知手段は、１つのみを使用して電解浴の液面高さを制御するようにすることもできる。また、自動弁の位置、数等についても特に本発明の実施形態に限定されるものではない。
【００３６】
【発明の効果】
本発明は以上のように構成されており、電解槽内を大気圧に維持し、電解浴の液面高さを圧力計及び液面検知手段の２系統で検知、制御する。このため、電解浴の液面高さを常に一定の高さに保つことが可能となり、電解条件を安定させ、フッ素ガスの安定した生成、供給が可能となる。また、フッ素ガスに他のガス、例えば、希ガスを混合する手段を設けたので所望する混合比の希ガスとフッ素ガスとの混合ガスを得ることができ、エキシマレーザ発振用線源等半導体製造分野で利用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフッ素ガス発生装置の主要部の模式概略図である。
【図２】本発明に係るフッ素ガス発生装置に用いられる液面検知手段の一例の模式概略図である。
【図３】従来使用していたフッ素ガス発生装置の模式図である。
【符号の説明】
１　電解槽
２　電解浴
３　陽極室
４　陰極室
５　第１液面検知手段
６　第２液面検知手段
７、８　圧力計
９、１０　自動弁
１１　温度計
１２　温度制御手段
１３　ヒータ
１４　ＨＦ吸着塔
１５　ＨＦ吸収塔
１６　隔壁
１７　上蓋
１８、１９　ガスライン
２０、２１　パージガス出入口
２２、２３　ガス発生口
２４　ＨＦ供給ライン
２５　ＨＦ導入口
２６　バキュームジェネレータ
２７，２８　ガスライン
２９，３０　圧力計
３１〜３４　自動弁
３５〜３８　手動弁
３９〜４１　流量計
４２　コンプレッサーユニット
Ｓ１〜Ｓ５　液面センサ
【図１】
2004052105.tif 000003
【図２】
2004052105.tif 000004
【図３】
2004052105.tif 000005