(57)【要約】【課題】光磁気記録媒体の過剰な磁気特性の変化を回避可能なアニール処理方法及び装置を提供する。【解決手段】光磁気記録媒体Ｂ上に所定ピッチで配置された複数の情報トラック間の境界部に光ビームを照射してその境界部の磁気特性を変化させるアニール処理装置において、スポット径が前記情報トラックの配置ピッチよりも大きな光ビームを前記境界部に照射するアニール処理用光ヘッド１を備える。【選択図】    図１
2004362706.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気記録媒体上に所定ピッチで配置された複数の情報トラック間の境界部に光ビームを照射してその境界部の磁気特性を変化させる光磁気記録媒体のアニール処理方法において、
スポット径が前記情報トラックの配置ピッチよりも大きな光ビームを前記境界部に照射することを特徴とする光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項２】
前記光磁気記録媒体が透明基板の表面又は裏面の一方に磁性層が形成された光磁気記録媒体である場合に、前記磁性層が形成されている透明基板の表面側又は裏面側から前記境界部に向けて光ビームを照射する請求項１記載の光磁気記録媒体のアニール処理方法。
【請求項３】
光磁気記録媒体上に所定ピッチで配置された複数の情報トラック間の境界部に光ビームを照射してその境界部の磁気特性を変化させるアニール処理装置において、スポット径が前記情報トラックの配置ピッチよりも大きな光ビームを前記境界部に照射する光学系を備えたことを特徴するアニール処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録媒体に対してアニール処理を施す方法と、その装置に関するものである。ここでアニール処理とは、上記光磁気記録媒体が備える複数の情報トラック間の境界部に高出力の光ビームを照射して磁気特性を変化させ、情報トラックの記録再生特性を良好な状態にせしめる処理のことである。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な高密度記録媒体の一つとして、光ビームの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、記録された情報を光磁気効果によって読み出す光磁気記録媒体がある。近年、上記光磁気記録媒体の記録密度を高めて更に大容量化することが求められている。光ディスク等の光磁気記録媒体の線記録密度は、再生光学系の光ビーム波長及びレンズの開口数に大きく依存する。すなわち、再生光学系の光ビーム波長λとレンズの開口数ＮＡが決まると、光磁気記録媒体に照射される光ビームのスポット径が決まるため、記録マーク再生時の空間周波数は２ＮＡ／λ程度が検出可能な限界となってしまう。従って、光磁気記録媒体の高密度化を実現するためには、再生光学系の光ビーム波長λを短くし、レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。しかしながら、光ビーム波長やレンズの開口数の改善にも限度がある。このため、光磁気記録媒体の構成や読み取り方法を工夫し、記録密度を改善する技術が開発されている。
【０００３】
例えば特許文献１には、図９に示すように、記録マークを保存する記録層Ｃと、記録層に保存されている記録マークが転写される再生層Ｅと、記録層Ｃと再生層Ｄの結合状態をスイッチするスイッチング層Ｉとを有する多層構造の光磁気記録媒体Ｂに高密度で記録された記録マークを読み取る方法の一つとして、いわゆる磁壁移動検出方法（ＤＷＤＤ：Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）が示されている。この方法では、再生用光ビームＡの照射によってスイッチング層Ｉをキュリー温度以上に加熱する。すると、スイッチング層Ｉの交換結合による記録層Ｃと再生層Ｄとの結合が解除され、所定温度領域Ｔｓに達した再生層Ｄの磁壁Ｅは再生層Ｄの温度勾配に対してエネルギー的に安定する位置、すなわち再生用光ビームの照射による温度上昇の線密度方向の最高温度点に瞬時に移動する。これにより、再生用光ビームＡが照射されている再生層Ｄのほぼ全域に亙って磁化が同一になるように再生層Ｄが磁化され、光学系の回折限界以下の高密度で記録されている記録マークによる反射光偏向面の変化を検出することができる。すなわち、この方法によれば、再生信号が矩形状になり、再生信号振幅を低下させることなく光学系の回折限界以下の記録マークが再生可能となり、記録密度及び転送速度が大幅に向上される。
【０００４】
また、さらに高密度な情報の記録再生を可能とするために、光磁気記録媒体にアニール処理なる前処理を施すことが提案され、実施されている。アニール処理とは、隣接する情報トラック間の境界部に高出力の光ビームを照射して磁気特性を変化させることによって、情報トラックの記録再生特性を改善し、より高密度な情報の記録再生を実現しようとする処理である。もっとも、アニール処理による記録再生特性向上メカニズムの詳細は未だ解明されてないのが現状である。しかし、隣接する情報トラック間の境界部に対してアニール処理という高温処理を施すことによって、境界部の磁気特性が変化し、情報トラックの記録再生ジッタ特性が向上するものと考えられている。
【０００５】
図１０の（ａ）、（ｂ）に示すように、光ディスク等の光磁気記録媒体Ｂは、透明基板Ｆの表面に螺旋状又は同心円状の凹溝（グルーブ部Ｇ）と、同様の凸条（ランド部Ｈ）とが交互に形成され、グルーブ部Ｇ及びランド部Ｈの表面には、記録層Ｃ、スイッチング層Ｉ及び再生層Ｄといった磁気的に結合された２以上の磁性層Ｊが積層されている。そして、グルーブ部Ｇ及びランド部Ｈの双方又は一方が情報トラックとして使用される。ここで、グルーブ部Ｇを情報トラックとして使用する場合には、隣接するグルーブ部Ｇ間の境界部にあたるランド部Ｈに対してアニール処理が施される。一方、ランド部Ｈを情報トラックとして使用する場合には、隣接するランド部Ｈ間の境界部にあたるグルーブ部Ｇに対してアニール処理が施される。さらに、グルーブ部Ｇ及びランド部Ｈの双方を情報トラックとして使用する場合には、隣接するグルーブ部Ｇとランド部Ｈとの間の境界部にあたる斜面部Ｋに対してアニール処理が施される。すなわち、いずれの場合も、隣接する情報トラック間の境界部にアニール処理が施される。
【０００６】
もっとも、アニール処理が施される部位が異なっても処理方法に実質的差異は存在しない。そこで、グルーブ部Ｇのみが情報トラックとして使用される場合、すなわち、ランド部Ｈにアニール処理が施される場合を例にとってアニール処理に関し更に説明する。ここで、図１０の（ａ）、（ｂ）に示す光磁気記録媒体Ｂにおけるグルーブ部Ｇの配置ピッチ（＝情報トラックの配置ピッチ）Ｔｐは０．５４ｍｍであり、情報トラックへの情報の記録又は情報トラックからの情報の再生には、発振波長λが６５０ｎｍの半導体レーザーと、開口数ＮＡが０．６０のレンズとを有する記録再生用光学系が用いられる。
【０００７】
図１１に、図１０の（ａ）、（ｂ）に示す光磁気記録媒体Ｂにアニール処理を施すアニール処理装置の概略を示す。このアニール処理装置は、発振波長λが４０５ｎｍの半導体レーザーと開口数ＮＡが０．８５のレンズとを少なくとも備えるアニール処理用光学系（アニール処理用光ヘッドＬ）と、アニール処理用光ヘッドＬのフォーカス及びトラッキングを制御するサーボ回路Ｍと、上記半導体レーザーを駆動するＬＤドライバＮと、ＬＤドライバＮを制御して半導体レーザーの出力（＝アニールパワー）をコントロールするコントローラＰとを備えている。そして、アニール処理用光ヘッドＬから出射された高出力の光ビームをランド部Ｈ（図１０（ｂ））に照射し、照射された光ビームをランド部Ｈに沿って走査してアニール処理を行う。
【０００８】
尚、アニール処理用光ヘッドＬでは、ランド部Ｈによって回折、反射されて再びレンズに入射してきた光の強度分布がランド部Ｈと光ビームとの相対的位置関係の変化に伴って変化することを利用してサーボ用の差信号（ＰｕｓｈＰｕｌｌ信号）を検出するＰｕｓｈＰｕｌｌ方式のトラッキングサーボが採用されている。但し、上記構成の記録再生用光学系を用いて０．５４ｍｍピッチで配置された情報トラックに情報を記録又は再生する際には、記録再生用光学系の回折光限界により上記ＰｕｓｈＰｕｌｌ信号を検出できない。そこで、光磁気記録媒体Ｂへの情報の記録及び再生時には、散在させたウォブルピットからエラー信号を生成するサンプルサーボ方式によってトラッキングサーボが行われる。
【０００９】
【特許文献１】
特開平６−２９０４９６号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のアニール処理には次のような問題点があることが判明した。図１１に示すアニール処理用光ヘッドＬを用いてアニール処理が施された光磁気記録媒体Ｂは図１２のグラフに示すような特性を示す。図１２のグラフ中、横軸は記録パワー、縦軸は記録再生特性の信号品位とも言うべき、ある条件下でのジッタ特性（●：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、○：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）を示している。グラフ中、１２．８％に引かれたスレショルドは、アニール処理の是非を判断するべき指標値であり、アニール処理用光ヘッドＬを用いてアニール処理された光磁気記録媒体Ｂは、この条件を満足するものと考えられていた。ところが、検討を進めるにつれて以下のような問題点が浮上してきた。光ディスクのような光磁気記録媒体には、各パラメータにおいて各種マージンがシステム上必要とされる。例えば、それは、情報を再生する際の再生パワーマージンであり、情報を記録する際の記録パワーマージンである。アニール処理用光ヘッドＬを用いてアニール処理された光磁気記録媒体Ｂでは、この記録パワーマージンに問題が発生していることが判明した。記録パワーマージンの決定要素として、狭トラックピッチ化に伴うクロスライト特性、マーク長記録におけるマークエッジ位置の変動を示す再生信号ジッタ特性、マーク長或いはスペース長を示す再生信号デューティ特性等が挙げられる。ここで、問題が判明したのは記録パワー特性におけるデューティ特性の急激な変化である。図１２のグラフ中、横軸にデューティ特性を表す再生信号パルス幅特性（▲：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、△：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）を示す。記録パワーの変化は、記録パワー制御誤差によるもの、記録時の環境条件の変化によるもの、ディスクチルトによるもの、これらを起因とする記録時期の違いによるもの等、多々起こり得る。そのため、再生信号の特性が情報の再生に差し支えないように記録パワーのマージンが要求される。ところが、アニール処理用光ヘッドＬを用いてアニール処理された光磁気記録媒体Ｂは、記録パワーの不特定の値でウインドウの１０％以上の急激なデューティ変化を引き起こすことが判明した。このデューティ変化は、記録マークの極性を考慮しなければ、すなわち、図１３に示すように、Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス／Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス両極性の再生パルスジッタを同時に見れば、ジッタ値の増大に相当する。このような現象の発生メカニズムの詳細は解明されていないが、デューティ変化を発生させる記録パワー及びデューティ変化量は不特定であって予知が難しく、急激なデューティ変化によってウインドマージンが減少し、情報再生のエラーレートが著しく悪化し、情報再生が不可能な状態にまで陥るという重大な課題が存在することは確かである。
【００１１】
本発明は光磁気記録媒体の過剰な磁気特性の変化を回避可能なアニール処理方法及びアニール処理装置を提供し、上記課題を解決することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本件発明者らは上記目的を達成するために研究を重ねた結果、上記課題とアニール処理時における境界部の最高到達温度との間には因果関係が存在し、過剰な温度上昇により過剰な磁気特性の変化が発生し、上記のような異常特性が現れるとの知見を得た。より具体的には、アニール処理が施された情報トラック間の境界部の磁化状態が記録パワーの変化に伴って変化し、磁性層における磁壁の位置そのものが変化するか、境界部の磁化状態の変化が再生時に再生磁界として作用し、再生信号の著しいデューティ変化を引き起こすとの知見を得た。ここで、図１４は、スポット径のみが異なる光ビームを同一距離から同一の境界部に照射した際の境界部表面における温度分布の違いを模式的に示す図である。図１４中、破線は相対的にスポット径の小さな光ビームを照射した場合の温度分布、実線は相対的にスポット径の大きな光ビームを照射した場合の温度分布を示す。この図より、同一幅Ｘの境界部をアニール処理すると考えれば、スポット径の大きな光ビームを照射した場合の方が境界部表面における急激な温度上昇が抑制され、アニール処理に伴う光磁気記録媒体の過剰な磁気特性の変化を回避できることが分かる。そこで本発明は、次のようにして上記課題を解決する。
【００１３】
本発明のアニール処理方法は、光磁気記録媒体上に所定ピッチで配置された複数の情報トラック間の境界部に光ビームを照射してその境界部の磁気特性を変化させる光磁気記録媒体のアニール処理方法において、スポット径が上記情報トラックの配置ピッチよりも大きな光ビームを上記境界部に照射することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明のアニール処理装置は、光磁気記録媒体上に所定ピッチで配置された複数の情報トラック間の境界部に光ビームを照射してその境界部の磁気特性を変化させるアニール処理装置において、スポット径が上記情報トラックの配置ピッチよりも大きな光ビームを上記境界部に照射する光学系を備えたことを特徴する。
【００１５】
従って、上記本発明によれば、隣接する情報トラック間の境界部にアニール処理を施す際に、光磁気記録媒体表面の急激な温度上昇が抑制され、過剰な磁気特性変化が回避される。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、本発明のアニール処理装置の実施形態１を図１に基づいて詳細に説明する。このアニール処理装置は、処理対象である光磁気記録媒体（光磁気ディスク）Ｂを保持するマグネットキャッチング等の保持手段（不図示）と、その保持手段によって保持されている光磁気ディスクＢを所定の方向へ所定の速度で回転させるスピンドルモータ等の回転手段（不図示）と、上記保持手段によって保持され、上記回転手段によって回転されている光磁気ディクスＢに対してアニール処理用の光ビーム（レーザー光）を照射するアニール処理用光学系（アニール処理用光ヘッド）１と、アニール処理用光ヘッド１を制御する制御手段２とを備えている。光磁気ディスクＢは、その表面に形成されている磁性層Ｊがアニール処理用光ヘッド１と対向する向きで上記保持手段に保持される。尚、光磁気ディクスＢは、図１０の（ａ）、（ｂ）に示す光磁気記録媒体と同一構成を有し、グルーブ部のみが情報トラックとして使用されることも共通である。そこで、本実施形態における光磁気ディスクＢの構成中、図１０の（ａ）、（ｂ）に示す光磁気記録媒体と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００１７】
アニール処理用光ヘッド１は、発振波長λが４０５ｎｍの半導体レーザー３と、開口数ＮＡが０．６０の集光レンズ４と、不図示のビームスプリッタ等から構成され、光磁気ディスクＢ側から入射する光に対して収差がなくなるように設計されている。
【００１８】
制御手段２は、半導体レーザー３を駆動するＬＤドライバ５と、光磁気ディスクＢの線速度制御やアニール半径等に基づいてＬＤドライバ５を制御して半導体レーザー４の出力（＝アニールパワー）をコントロールするコントローラ６と、ＰｕｓｈＰｕｌｌ信号を検出してトラッキング制御信号を出力するサーボ回路７と、サーボ回路７から出力されたトラッキング制御信号に基づいて集光レンズ４をフォーカシング方向及びトラッキング方向に移動させて、半導体レーザー３から出射され集光レンズ４を透過した光が光磁気ディスクＢ上のアニール処理対象部位に沿って走査されると共に、その対象部位の表面上で逐次焦点を結ぶようにする不図示のアクチュエータとを有する。尚、光磁気ディスクＢでは、グルーブ部Ｇのみが情報トラックとして使用されるので、ランド部Ｈが隣接する情報トラック間の境界部にあたり、アニール処理対象部位となる。尚、コントローラ６は、アニール処理開始から終了までの一連の動作を監視する機能をも有し、何らかの異状が発生した際にはアニール処理を中断し、警告を発する。
【００１９】
アニール処理用光ヘッド１とランド部Ｈの表面との間の間隔は、ランド部Ｈの表面において光ビームの光強度がピーク値の１／ｅ＾２となる距離に設定されており、その位置におけるスポット径（Ｗ）が約０．６９μｍとなるように設定されている。換言すれば、ＰｕｓｈＰｕｌｌ信号を検出可能な溝パラメータ対スポットサイズに設定されており、情報トラック（グルーブ部Ｇ）の配置ピッチＴｐ（＝０．５４μｍ）に対して、Ｔｐ＜Ｗなる関係を満たすように設定されている。すなわち、情報トラックのトラック幅を可能な限り広く残し、情報トラック境界における信号品位への悪影響を回避するために、上記境界部に照射される光ビームのスポット径を可及的に小さくすることが従来の常套手段であり、これがアニール処理時の境界部表面における急激な温度上昇を招く一因となっていた。これに対し、上記Ｔｐ＜Ｗなる関係を満たすように設定された本発明によれば、境界部表面における急激な温度上昇が抑制され、アニール処理に伴う光磁気記録媒体の過剰な磁気特性変化が回避される。
【００２０】
また、上記のように、光磁気ディスクＢをその表面に形成されている磁性層Ｊがアニール処理用光ヘッド１と対向する向きで保持手段に保持させる、すなわち、磁性層Ｊが形成されている透明基板Ｆの表面側から光ビームを入射させることによって、次のような好適な作用をも得られる。すなわち、透明基板Ｆの板厚のバラツキによる収差に起因する上昇温度の変化が軽減され、光磁気ディスクＢのチルトに起因する上昇温度の変化も軽減される。尚、光磁気ディスクＢの裏面に磁性層Ｊが形成されている場合は、その裏面がアニール処理用光ヘッド１と対向する向きで保持手段に保持させることは勿論である。もっとも、透明基板Ｆの板厚のバラツキやチルト量に起因する上記問題を特に考慮する必要がない場合には、光磁気ディスクＢを保持する向きを上記のようにする必要はない。
【００２１】
図１に示すアニール処理装置によってアニール処理された光磁気ディスクＢの記録再生特性を以下に説明する。尚、この光磁気光ディスクＢの表面には、アニール処理終了後に紫外線硬化樹脂等の保護コート層Ｑ（図２）が形成されている。
【００２２】
まず、光磁気ディスクＢに情報の記録及び再生を行う記録再生装置に関して簡単に説明する。この記録再生装置は、図２に示すように、光磁気ディスクＢを保持するマグネットチャッキング等の保持手段（不図示）と、その保持手段によって保持されている光磁気ディスクＢを所定の方向へ所定の速度で回転させるスピンドルモータ等の回転手段（不図示）と、保持手段によって保持され、回転手段によって回転されている光磁気ディスクＢに向けて記録再生用の光ビーム（レーザー光）を照射する記録再生用光学系（記録再生用光ヘッド１０）と、光磁気ディスクＢの光ビーム照射部位に変調磁界を印加する磁気ヘッド１１と、記録再生用光ヘッド１０を駆動するＬＤドライバ１２と、磁気ヘッド１１を駆動する磁気ヘッドドライバ１３と、記録再生用光ヘッド１０から出射される光ビームを光磁気ディスクＢの情報トラックに沿ってトラッキングするためのサーボ回路１４と、ＬＤドライバ１２や磁気ヘッドドライバ１３等をコントロールするコントローラ１５とを備えている。
【００２３】
記録再生用光ヘッド１０は、発振波長λが６５０ｎｍの半導体レーザー１６と、開口数ＮＡが０．６０の集光レンズ１７と、ビームスプリッタや偏光ビームスプリッタ等から構成されている。サーボ回路１４は、散在させたサーボピットにより得られるトラッキングエラー信号を基づいて集光レンズ１７を駆動する不図示のアクチュエータにトラッキング制御信号を出力する。コントローラ１５は、光磁気ディスクＢの回転数、記録半径及び記録セクタ情報、さらには環境温度等を入力情報として、記録パワー、記録信号等を出力し、ＬＤドライバ１２や磁気ヘッドドライバ１３等をコントロールする。
【００２４】
情報再生時には、半導体レーザー１６から出射された光ビームが集光レンズ１７を介して、光磁気ディスクＢの情報トラックに照射される。さらに、光磁気ディスクＢで反射された光ビームは集光レンズ１７を介して光磁気ディスクＢの再生層Ｄ（図９）の磁化の極性に応じた偏向方向の違いによって、不図示のセンサに集光され、それらが差動増幅されて光磁気信号が出力される（情報が再生される）。一方、情報記録時には、半導体レーザー１６から出射された光ビームが光磁気ディスクＢの情報トラックに照射されると共に、光磁気ディスクＢを挟んで光ヘッド１０と対向して配置された磁気ヘッド１１によって光ビーム照射部位に記録信号に対応した磁界が印加される。尚、磁気ヘッド１１は光ヘッド１０と連動して光磁気ディスクＢの半径方向に移動し、光ビーム照射部位に逐次磁界を印加する。情報記録時にも、情報再生時にも、集光レンズ１７が不図示のアクチュエータによってフォーカシング方向及びトラッキング方向に移動され、光ビームが光磁気ディスク上の所定の情報トラックに沿ってトラッキングされる。
【００２５】
情報の記録に関して図２、図３を参照しながらさらに説明を加える。図３の（ａ）に示すような波形の記録信号を記録する場合、記録動作開始とともに同図の（ｂ）に示すような記録パワーを有する光ビームが図２に示す半導体レーザー１６から出射され、さらに、図３に示す磁気ヘッド１１によって記録信号に基づく変調磁界が印加される。ここでは、印可磁界を記録信号に応じて変調させ、かつ、光ビームを定常周期でパルス状に変調させる所謂パルス磁界変調が採用されている。これら動作により光磁気ディスクＢの冷却過程において同図に示すような記録マーク列が記録層Ｃ（図９）に形成される。尚、記録マーク列における網掛け部と白抜き部は、互いに逆の磁化の向きを持つ磁区を表している。以上に示した磁界変調記録により、光ビームのスポットサイズの制限を受けない極めて高密度の情報記録マーク列を形成することが可能である。以上のようにして記録された情報を磁壁移動検出方法によって再生して図３に示すような再生信号を得る原理に関しては既に説明済みであり、ここでの説明は省略する。
【００２６】
図１に示すアニール処理装置によってアニール処理を施した光磁気ディスクＢに対して、図２に示す記録再生装置を用いて情報の記録及び再生を行った場合の特性の一例を図４のグラフに示す。図４のグラフ中、横軸は記録パワー、縦軸は記録再生特性の信号品位とも言うべき、ある条件下でのジッタ特性（●：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、○：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）を示している。グラフ中の１２．８％にひかれたスレショルドは、アニール処理の是非を判断するべきジッタ値の指標値である。さらに、グラフには、デューティ特性を表す再生信号パルス幅特性（▲：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、△：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）が示されている。このグラフより、図１に示すアニール処理装置によってアニール処理された光磁気ディスクＢでは、先に指摘した記録パワーに伴うパルス幅の変化が現われず、また、再生信号パルス幅のシフト量も５％以内に押さえられることがかわる。以上のように、本発明のアニール処理装置によってアニール処理された磁壁移動型光磁気記録媒体では、記録パワーの変化に伴うパルス幅の急激な変化が抑制されており、システム上破綻のない良好な特性を得ることができる。
【００２７】
（実施の形態２）
本発明のアニール処理装置の実施形態２を図５に基づいて説明する。図５に示すアニール処理装置は、図１に示すアニール処理装置と基本的に同一の構成を有する。そこで、図１に示すアニール処理装置と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略し、相違点に関してのみ以下に説明する。
【００２８】
図５に示すアニール処理装置が図１に示すアニール処理装置と相違する点は、アニール処理用光ヘッド１を構成する半導体レーザー３と、集光レンズ４のみである。具体的には、図５に示すアニール処理用光ヘッド１が備える半導体レーザー３は、発振波長λが６５０ｎｍであり、集光レンズ４の開口数ＮＡは０．８５である。
【００２９】
アニール処理用光ヘッド１と、アニール処理対象部位であるランド部Ｈ（図１０の（ａ）、（ｂ））の表面との間の間隔が、ランド部Ｈの表面において光ビームの光強度がピーク値の１／ｅ＾２となる距離に設定されている点も図１に示すアニール処理装置と同様である。但し、図５に示すアニール処理装置では、光ビームの光強度がピーク値の１／ｅ＾２となる位置（ランド部Ｈの表面）におけるスポット径（Ｗ）が約０．７０μｍに設定されている。もっとも、トラッキング用のＰｕｓｈＰｕｌｌ信号を得ることができる溝パラメータ対スポットサイズとなっていること、情報トラック（グルーブ部Ｇ）の配置ピッチＴｐ（＝０．５４μｍ）に対して、Ｔｐ＜Ｗなる関係を満たすこと、に変わりはない。
【００３０】
図５に示すアニール処理装置によってアニール処理を施した光磁気ディスクＢに対して、図２に示す記録再生装置を用いて情報の記録及び再生を行った場合の特性の一例を図６のグラフに示す。尚、この光磁気光ディスクの表面にも上記保護コート層が形成されている。
【００３１】
図６のグラフ中、横軸は記録パワー、縦軸は記録再生特性の信号品位とも言うべき、ある条件下でのジッタ特性（●：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、○：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）を示している。グラフ中、１２．８％にひかれたスレショルドは、アニールの是非を判断するべきジッタ値の指標値である。さらに、このグラフには、デューティ特性を表す再生信号パルス幅特性（▲：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、△：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）が示されている。このグラフより、図５に示すアニール処理装置によってアニール処理された光磁気ディスクでも、先に指摘した記録パワーに伴うパルス幅の変化は現われず、また、再生信号パルス幅のシフト量は５％以内に押さえられることがかわる。以上のように、本発明のアニール処理装置によってアニール処理された磁壁移動型光磁気記録媒体では、記録パワーの変化に伴うパルス幅の急激な変化が抑制されており、システム上破綻のない良好な特性を得ることができる。
【００３２】
（実施の形態３）
本発明のアニール処理装置の実施形態３を図７に基づいて説明する。
図７に示すアニール処理装置は、図１に示すアニール処理装置と基本的に同一の構成を有する。そこで、図１に示すアニール処理装置と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略し、相違点に関してのみ以下に説明する。
【００３３】
図７に示すアニール処理装置と図１に示すアニール処理装置との相違点の一つは、アニール処理用光ヘッド１を構成する半導体レーザー３と、集光レンズ４である。具体的には、図７に示すアニール処理用光ヘッド１が備える半導体レーザー３は、発振波長λが４０５ｎｍであり、集光レンズ４の開口数ＮＡは０．６５である。また、相違点の他の一つは、磁性層Ｊが形成されている面とは反対側の面（裏面）がアニール処理用光ヘッド１と対向する向きで光磁気ディスクＢを保持していることである。すなわち、光磁気ディスクＢの裏面側から光ビームが入射されるようにしてあることである。
【００３４】
アニール処理用光ヘッド１と、アニール処理対象部位であるランド部Ｈ（図１０の（ａ）、（ｂ））の表面との間の間隔が、ランド部Ｈの表面において光ビームの光強度がピーク値の１／ｅ＾２となる距離に設定されている点も図１に示すアニール処理装置と同様である。但し、図７に示すアニール処理装置では、光ビームの光強度がピーク値の１／ｅ＾２となる位置（ランド部Ｈの表面）におけるスポット径（Ｗ）が約０．６４μｍに設定されている。もっとも、トラッキング用のＰｕｓｈＰｕｌｌ信号を得ることができる溝パラメータ対スポットサイズとなっていること、情報トラック（グルーブ部Ｇ）の配置ピッチＴｐ（＝０．５４μｍ）に対して、Ｔｐ＜Ｗなる関係を満たすこと、に変わりはない。
【００３５】
図７に示すアニール処理装置によってアニール処理を施した光磁気ディスクＢに対して、図２に示す記録再生装置を用いて情報の記録及び再生を行った場合の特性の一例を図８のグラフに示す。尚、この光磁気光ディスクの表面にも上記保護コート層が形成されている。
【００３６】
図８のグラフ中、横軸は記録パワー、縦軸は記録再生特性の信号品位とも言うべき、ある条件下でのジッタ特性（●：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、○：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）を示している。グラフ中、１２．８％にひかれたスレショルドは、アニールの是非を判断するべきジッタ値の指標値である。さらに、このグラフには、デューティ特性を表す再生信号パルス幅特性（▲：Ｐｏｓｉｔｉｖｅパルス、△：Ｎｅｇａｔｉｖｅパルス）が示されている。このグラフより、図７に示すアニール処理装置によってアニール処理された光磁気ディスクでも、先に指摘した記録パワーに伴うパルス幅の変化は現われず、また、再生信号パルス幅のシフト量は数％以内に押さえられることがかわる。以上のように、本発明のアニール処理装置によってアニール処理された磁壁移動型光磁気記録媒体では、記録パワーの変化に伴うパルス幅の急激な変化が抑制されており、システム上破綻のない良好な特性を得ることができる。
【００３７】
これまでに示したアニール処理用光ヘッド１における半導体レーザー３の発振波長λと、集光レンズ４の開口数ＮＡは一例であり、情報トラックの配置ピッチＴｐと光ビームのスポット径Ｗとが、Ｔｐ＜Ｗなる関係を満たす波長λ及び開口数ＮＡでありさえすればよい。例えば、情報トラックの配置ピッチＴｐが０．５０μｍ≦Ｔｐ≦０．５６μｍである場合、波長λが４００ｎｍ≦λ≦４１０ｎｍ、開口数ＮＡが０．５５≦ＮＡ≦０．６５であれば、上記関係が満たされる。また、情報トラックの配置ピッチＴｐが０．５０μｍ≦Ｔｐ≦０．５６μｍである場合、波長λが６３０ｎｍ≦λ≦６９０、開口数ＮＡが０．８５≦ＮＡ０．９５である場合も、上記関係が満たされる。
【００３８】
【発明の効果】
本発明のアニール処理方法は、光磁気記録媒体上に所定ピッチで配置された複数の情報トラック間の境界部に光ビームを照射してその境界部の磁気特性を変化させる光磁気記録媒体のアニール処理方法において、スポット径が前記情報トラックの配置ピッチよりも大きな光ビームを前記境界部に照射する。また、本発明のアニール処理装置は、上記本発明のアニール処理を実施可能な光学系を備えている。従って、本発明によれば、アニール処理の際における上記境界部の過剰な温度上昇が抑制され、ジッタ特性、クロスライト特性等の特性を特に犠牲にすることなく、記録パワーの変化に伴う再生信号デューティの極端な変化が抑制された良好な光磁気記録媒体が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアニール処理装置の一例を示す構成図である。
【図２】記録再生装置の一例を示す構成図である。
【図３】光磁気記録媒体に対する記録再生動作タイミングを示す波形図である。
【図４】図１に示すアニール処理装置によってアニール処理された光磁気記録媒体の特性を示す図である。
【図５】本発明のアニール処理装置の他例を示す構成図である。
【図６】図５に示すアニール処理装置によってアニール処理された光磁気記録媒体の特性を示す図である。
【図７】本発明のアニール処理装置のさらに他例を示す構成図である。
【図８】図７に示すアニール処理装置によってアニール処理された光磁気記録媒体の特性を示す図である。
【図９】磁壁移動検出方法による記録再生動作原理を示す説明図である。
【図１０】（ａ）は光磁気記録媒体の一例を示す模式的斜視図であり、（ｂ）は（ａ）に示す光磁気記録媒体の模式的部分拡大断面図である。
【図１１】従来のアニール処理装置の一例を示す構成図である。
【図１２】従来のアニール処理装置にアニール処理された光磁気記録媒体の特性を示す図である。
【図１３】デューティ変化がジッタ値の増大に相当することを示す説明図である。
【図１４】スポット径の違いに起因する温度分布の違いを示す説明図である。
【符号の説明】
１  アニール処理用光ヘッド
２  制御手段
３  半導体レーザー
４  集光レンズ
５  ＬＤドライバ
６  コントローラ
７  サーボ回路
１０  記録再生用光ヘッド
１１  磁気ヘッド
１２  ＬＤドライバ
１３  磁気ヘッドドライバ
１４  サーボ回路
１５  コントローラ
１６  半導体レーザー
１７  集光レンズ
Ｂ  光磁気記録媒体（光磁気ディスク）
Ｃ  記録層
Ｄ  再生層
Ｇ  グルーブ部
Ｈ  ランド部
Ｊ  磁性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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