(57)【要約】　　　（修正有）【課題】保護環境中への汚染の導入が大幅に減少するか、完全に起こらなくする移送方法を提供する。【解決手段】保管ボックスを、デバイスまたは装置の密閉された保護環境の壁の開放可能な壁部分２１の上に、保管ボックスの開放可能な蓋部分１２が保護環境の開放可能な壁部分と重なるように取り付けることと、保護環境が不活性気体で充填されるようにまたは真空にされるように構成され、保管ボックスの開放可能な蓋部分および保護環境の開放可能な壁部分を開くことで、保管ボックスの蓋が保護環境の壁の部分を形成し、かつ保管ボックスの内部が保護環境の部分になることと、保管ボックスの内部空間から保護環境の壁の内部空間に、またはその逆に基板またはマスクＭＡの少なくとも１つを移すこととを含む。【選択図】　　　図４
2004006784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保管ボックスで１つまたは複数の基板またはマスクを、前記基板またはマスクを取り扱うか、処理するか、使用するデバイスまたは装置に、またはその逆に移す方法であって、前記保管ボックスが前記デバイスまたは装置から取り外し可能であり、さらに前記保管ボックスが開放可能な蓋部分を有する蓋を備え、
前記保管ボックスを、前記デバイスまたは装置の密閉された保護環境の壁の開放可能な壁部分の上に、前記保管ボックスの前記開放可能な蓋部分が前記保護環境の前記開放可能な壁部分と重なるように取り付けるステップであって、前記保護環境が不活性気体で充填されるように、または真空にされるように構成されているものであるステップと、
前記保管ボックスの前記開放可能な蓋部分および前記保護環境の前記開放可能な壁部分を開くステップであって、これによって、前記保管ボックスの前記蓋が前記保護環境の前記壁の部分を形成し、かつ前記保管ボックスの内部が前記保護環境の部分になるステップと、
前記保管ボックスの内部空間から前記保護環境の前記壁の内部空間に、またはその逆に前記基板またはマスクの少なくとも１つを移すステップとを特徴とする方法。
【請求項２】
前記蓋が、前記保護環境の前記壁に密封するように取り付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記保管ボックスの前記開放可能な蓋と前記保護環境の前記開放可能な壁部分の対向する外側表面が、前記保護環境を前記保管ボックスの前記蓋および前記保護環境の前記壁の外側表面に少なくとも実質的に曝さないように、一緒に開かれながら、接触している、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記対向する表面が実質的に一致する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記対向する表面の間の空間を前記保護環境から密封するように、それらの対向する外側表面の周囲で密封されている、請求項３または請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板および／または前記マスクが、極端紫外放射の投影ビームを使用するリソグラフィ装置で、それぞれ処理および使用するためのものである、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の方法で使用するのに適合した保管ボックス。
【請求項８】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の方法で使用するのに適合したデバイスまたは装置。
【請求項９】
前記装置が、
極端紫外電磁放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
前記投影ビームがマスクで反射するとき、所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン形成するように作用して、パターン形成された投影ビームを作り出す反射マスクを保持するためのマスク・テーブルと、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン形成された投影ビームを前記基板の目標部分に投影するための投影システムとを備えるリソグラフィ投影装置である、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
デバイス製造方法であって、
少なくとも部分的に放射敏感材料の層で覆われた基板を供給するステップと、
放射システムを使用して極端紫外放射の投影ビームを供給するステップと、
パターン形成された放射のビームを供給するために、前記投影ビームの断面にパターンを与えるように反射マスクを使用するステップと、
前記パターン形成された放射のビームを放射敏感材料の前記層の目標部分に投影するステップと、
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の方法に従って、１つまたは複数のマスクまたは基板を移すステップとを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、極端紫外電磁放射の投影ビームをパターン形成するのに適した基板またはマスクを移送する方法、そのような方法で使用するのに適合した保管ボックス、デバイスまたは装置、例えばリソグラフィ投影装置に関し、このリソグラフィ投影装置は、
極端紫外電磁放射の投影ビームを供給するための放射システムと、
投影ビームがマスクで反射するときに、所望のパターンに従って投影ビームをパターン形成するように作用して、パターン形成された投影ビームを作り出す反射マスクを保持するためのマスク・テーブルと、
基板を保持するための基板テーブルと、
パターン形成された投影ビームを基板の目標部分に投影するための投影システムを備える。
【０００２】
【従来の技術】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合、パターン形成手段は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンの像が、感放射線材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコン・ウェーハ）上の目標部分（例えば、１つまたは複数のチップで構成される）に形成される。一般に、単一のウェーハは全体として網の目状の隣接する目標部分を含み、この隣接する目標部分が、投影システムにより、一度に１つずつ、連続的に照射される。マスク・テーブル上のマスクによるパターン形成が使用される現在の装置では、２つの異なる種類の機械を区別することができる。一方の種類のリソグラフィ投影装置では、全マスク・パターンを一括して目標部分に露出させることで、各目標部分が照射される。そのような装置は、通常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。走査ステップ式装置と通常呼ばれる他方の装置では、投影ビームの当たるマスク・パターンを所与の基準方向（「走査」方向）に漸進的に走査し、同時に、同期して、この方向に対して平行または逆平行に基板テーブルを走査することで、各目標部分が照射される。一般に、投影システムは、拡大率Ｍ（一般に、Ｍ＜１）を持つので、基板テーブルが走査される速度Ｖは、マスク・テーブルが走査される速度の因数Ｍ倍となる。ここで説明したようなリソグラフィ装置に関して、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号から、もっと多くの情報を収集することができる。この特許は、参照により本明細書に組み込む。
【０００３】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、感放射線材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板に、パターン（例えば、マスク内の）の像が作られる。この像形成ステップの前に、基板は、下塗り、レジスト被覆、およびソフト・ベークのような様々な手順を経ることができる。露出後に、基板は、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハード・ベーク、および形成された像の特徴の測定／検査のような他の手順を受けることができる。この手順の配列は、デバイス、例えばＩＣの個々の層をパターン形成する基礎として使用される。次に、そのようなパターン形成層は、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械研磨などのような、全て個々の層を仕上げるために意図された、様々なプロセスを経ることができる。いくつかの層が必要な場合には、この全手順またはその変形を、新しい層ごとに繰り返さなければならない。最終的に、デバイスの配列が基板（ウェーハ）上に存在するようになる。次に、ダイシングまたは鋸引きのような方法で、これらのデバイスを互いに分離し、それから、個々のデバイスを、ピンなどに接続されたキャリアに取り付けることができる。そのようなプロセスに関するより多くの情報は、例えば、「Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ　Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ　ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｇｕｉｄｅ　ｔｏ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（マイクロチップの製造：半導体処理への実用的入門書）」、Ｔｈｉｒｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ、ｂｙ　Ｐｅｔｅｒ　ｖａｎ　Ｚａｎｔ、ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ　Ｃｏ．、１９９７、ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４の本から得ることができる。この本を参照により本明細書に組み込む。
【０００４】
簡単にするために、投影システムを以下で「レンズ」と呼ぶことがある。しかし、この用語は、例えば、屈折光学システム、反射光学システム、およびカタディオプトリック・システムなどの様々な種類の投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。また、放射システムは、これらの設計方式のいずれかに従って動作して放射の投影ビームを方向付け、整形し、または制御する構成部品を含むことができる。さらに、そのような構成部品もまた、下で一括してまたは単独で、「レンズ」と呼ぶことがある。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスク・テーブル）を有する種類のものであることがある。そのような「マルチ・ステージ」の装置では、追加のテーブルは、並列に使用されることがあり、または、他の１つまたは複数の他のテーブルを露出に使用しながら、１つまたは複数のテーブルで準備ステップが行われることがある。双子ステージ・リソグラフィ装置は、例えば、米国特許第５，９６９，４４１号および国際公開ＷＯ９８／４０７９１に記載されている。これらを両方共参照により本明細書に組み込む。
【０００５】
マスクの概念は、リソグラフィではよく知られており、様々なハイブリッド・マスクの型だけでなく、２値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスクの型も含まれている。放射ビーム中にそのようなマスクを置くことで、マスク上のパターンに従って、マスクに当たる放射の選択的な透過（透過マスクの場合）または選択的な反射（反射マスクの場合）が生じる。マスク・テーブルによって、入射放射ビーム中の所望の位置にマスクを確実に保持することができるようになり、さらに、そのように望む場合は、マスクをビームに対して確実に動かすことができるようになる。
【０００６】
従来、放射が照明システムからマスク、投影システムを通って基板に進むように、マスク・テーブルは位置付けされていた。そのようなマスクは、照明システムからの放射を選択的に通過させて、基板上にパターンを形成するので、透過マスクとして知られている。そのようなマスクは、光がマスクを透過することができるように、支持しなければならない。従来、このことは、大気の空気圧でマスクをマスク・テーブルに押し付けるように、マスクの周囲区域のところのテーブルに真空を使用して実現されていた。
【０００７】
リソグラフィ装置では、ウェーハに像を形成することができる特徴の大きさは、投影放射の波長で制限されている。より高密度のデバイスで、したがってより高い動作速度の集積回路を製造するためには、より小さな特徴の像を形成できることが望ましい。大抵の現在のリソグラフィ投影装置では、水銀ランプまたはエキシマ・レーザで生成される３６５ｎｍ、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍの紫外光が使用されているが、ほぼ１３ｎｍのより短い波長の放射を使用することが提案されている。そのような放射は、極端紫外（ＥＵＶ）放射と呼ばれ、可能な光源には、レーザ生成プラズマ源、放電光源、またはシンクロトロン放射源があり、それらの例は、例えば、ヨーロッパ特許出願ＥＰ１１０９４２７ＡおよびＥＰ１１７０９８２Ａに開示されている。これらの出願は、参照してここに組み込む。
【０００８】
今日までＥＵＶ放射に対して十分に透明な材料は知られていないので、ＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ投影装置は、異なる材料の交互になる層の多層被膜、例えば、モリブデンとシリコンまたは例えばヨーロッパ特許出願ＥＰ１０６５５３２Ａに開示されているような他の材料の５０周期程度の交互になる層、を有する反射マスクを使用することが考えられる。このヨーロッパ特許出願ＥＰ１０６５５３２Ａは、参照してここに組み込む。ＥＵＶリソグラフィで像を形成される特徴の大きさのために、像形成プロセスはマスク上に存在する汚染に対して非常に敏感になる。５０ｎｍ程度の寸法の汚染粒子はどんなものでも、基板に製造されるデバイスに存在する欠陥の原因となると予想される。従来、レチクルのパターン形成された側はいわゆるペリクルで覆われている。それで、どんな汚染もマスク・パターンからある距離を隔てたところにあるペリクル表面に堆積するので、基板に（鮮明に）像が形成されず、ペリクルを有するそのようなマスクは汚染にそれほど敏感でなくなっている。ペリクルは、ＥＵＶ放射に対して十分に透明でないので、ＥＵＶ放射に使用することはできない。したがって、パターンを含んだマスクの反射表面の粒子汚染は、不良デバイスの製造をもたらすので、起こらないようにしなければならない。
【０００９】
さらに、反射マスクは、ＥＵＶマスク位置付けの非常に厳しい条件を満すことができるように、マスク支持面に働く静電力によってマスクの裏側をマスク・テーブルに固定することが考えられる。マスクの裏側とマスク・テーブルのマスク支持面の間に存在する汚染粒子は、反射マスク表面のでこぼこの原因となる。反射マスクが使用されるために、投影システムは、物体側でテレセントリックでないので（この問題についてのさらに多くの情報は、ヨーロッパ特許出願ＥＰ１１３９１７６Ａから得ることができる。この出願は、参照してここに組み込む）、反射マスク表面の表面形状の不規則は、基板上に像が形成されるパターンの局部的なシフトにつながる。その結果として、像形成された層は、基板に加工されていた以前の層に揃って並ばないかもしれないので、今度も、不良デバイスの製造をもたらす。したがって、マスクの裏側表面の粒子汚染は、起こらないようにしなければならない。
【００１０】
炭化水素および水のような分子型の汚染もまた、起こらないようにすべきである。そのような汚染は、マスクなどのリソグラフィ装置の光学部品に悪影響を及ぼす。マスクおよび基板の全ての取り扱い手順において、マスクや基板の表面がそのような分子汚染でよごれていない状態のままであるように注意すべきである。真空になっているか、不活性気体が充填されている環境のような保護環境が維持されている保管ボックスを使用して、マスクおよび基板は、様々な種類の装置の間で格納移送することができる。そのような保管ボックスの内壁は、また、汚染されていない状態のままであるべきである。しかし、マスクまたは基板を、そのような保管ボックスから出して、そのような基板またはマスクを処理するか、使用するデバイスまたは装置に移す間に、粒子汚染と分子汚染の両方の汚染が、マスクまたは基板または保護環境の内壁に生じるかもしれない。マスクまたは基板は、中間チャンバ例えばロード・ロック・チャンバを通して、処理または使用のための最終環境に移すことができるが、そのような汚染を中間チャンバから除去する前には、非常に長い時間、例えば、保護環境を真空にするときの非常に長い排気時間を要するかもしれない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、保護環境中への汚染の導入が大幅に減少するか、さらには完全に起こらなくする移送方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この目的および他の目的は、保管ボックスで１つまたは複数の基板またはマスクを、前記の基板またはマスクを取り扱いか、処理するか、使用するするデバイスまたは装置に、またはその逆に移すための方法で、本発明に従って達成される。前記の保管ボックスは開放可能な蓋部分を有する蓋を備え、前記の方法は、
前記の保管ボックスを、前記のデバイスまたは装置の密閉された保護環境の壁の開放可能な壁部分の上に、前記の保管ボックスの前記の開放可能な蓋部分が前記の保護環境の前記の開放可能な壁部分と重なるように取り付けるステップであって、前記の保護環境が不活性気体で充填されるように、または真空にされるように構成されているものであるステップと、
前記の保管ボックスの前記の開放可能な蓋部分および前記の保護環境の前記の開放可能な壁部分を開くステップであって、これによって、前記の保管ボックスの前記の蓋が前記の保護環境の前記の壁の部分を形成し、かつ前記の保管ボックスの内部が前記の保護環境の部分になるステップと、
前記の保管ボックスの内部空間から前記の保護環境の前記の壁の内部空間に、またはその逆に前記の基板またはマスクの少なくとも１つを移すステップとを含む。
【００１３】
本発明のさらに他の態様に従って、上記の方法で使用するための保管ボックスおよびデバイスまたは装置が提供される。
【００１４】
本発明のさらに他の態様にしたがって、
放射敏感材料の層で少なくとも部分的に覆われている基板を供給するステップと、
放射システムを使用して極端紫外放射の投影ビームを供給するステップと、
パターン形成された放射のビームを供給するために、投影ビームの断面にパターンを与えるように反射マスクを使用するステップと、
パターン形成された放射のビームを放射敏感材料の層の目標部分に投影するステップと、上記の方法に従って、１つまたは複数のマスクまたは基板を移すステップとを備えるデバイス製造方法が提供される。
【００１５】
この明細書では、ＩＣの製造で本発明に従った装置を使用することを特に参照するかもしれないが、そのような装置は他の多くの可能な用途を有することは明確に理解すべきである。例えば、集積光システム、磁気ドメイン・メモリの誘導および検出、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッド、その他の製造で使用することができる。当業者は理解するであろうが、そのような他の用途の環境では、この明細書での用語「レチクル」、「ウェーハ」または「チップ」の使用は、より一般的な用語「マスク」、「基板」および「目標部分」でそれぞれ置き換えられるものとして考えるべきである。
【００１６】
本文献において、用語「放射」および「ビーム」は、例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲にある極端紫外（ＥＵＶ）放射を包含するように使用される。
【００１７】
本発明の実施形態は、ここで、単に例として、添付の概略図面を参照して説明する。この図面において、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の特定の実施形態に従ったリソグラフィ投影装置を模式的に示す。本装置は、
ＥＵＶ放射（例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ、ＩＬと（この特定の場合、放射システムは放射源ＬＡも備える）、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのマスク・ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
基板Ｗ（例えば、レジスト被覆シリコン・ウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、かつ要素ＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
マスクＭＡの放射照射部分の像を、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）に形成するための投影システム（「レンズ」）ＰＬとを備える。
【００１９】
ここに示すように、この装置は反射型（すなわち、反射マスクを有する）である。しかし、一般に、装置は例えば透過型（透過マスクを有する）であってもよい。もしくは、装置は、上で言及したようなプログラマブル・ミラー・アレイの型のような、別の種類のパターン形成手段を使用することができる。
【００２０】
放射源ＬＡ（例えば、レーザ生成プラズマ源または放電プラズマ源）は、放射ビームを生成する。このビームは、直接か、例えばビーム拡大器Ｅｘのような条件付け手段を通り抜けた後で、照明システム（照明装置）ＩＬに送られる。照明装置ＩＬは、ビームの強度分布の外側半径範囲および／または内側半径範囲（一般に、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを含むことができる。さらに、照明装置は、一般に、積分器ＩＮおよび集光器ＣＯのような様々な他の部品を含む。このようにして、マスクＭＡに当たるビームＰＢは、その断面に所望の一様性および強度分布を有する。
【００２１】
図１に関して留意すべきことであるが、放射源ＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内にあるかもしれないが（放射源ＬＡが例えば水銀ランプである場合、しばしばそうであるように）、放射源は、また、リソグラフィ投影装置から遠く離れており、それが生成する放射ビームが装置の中に導かれるかもしれない（例えば適切な方向付けミラーを使って）。この後者のシナリオは、放射源ＬＡがエキシマ・レーザである場合に、しばしばそうである。本発明および特許請求の範囲は、これらのシナリオの両方を含む。
【００２２】
ビームＰＢは、その後、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに遮断される。マスクＭＡにより選択的に反射されたビームＰＢは、レンズＰＬを通り抜ける。このレンズＰＬは、基板Ｗの目標部分ＣにビームＰＢを収束させる。第２の位置決め手段ＰＷ（および干渉測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴは、例えば、ビームＰＢの経路内に異なった目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭを使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後で、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）と短行程モジュール（精密位置決め）を使って行われる。これらのモジュールは、図１に明示的に示さない。しかし、ウェーハ・ステッパの場合（走査ステップ式装置に対立するものとして）、マスク・テーブルＭＴは短行程アクチュエータに接続されるだけかもしれないし、または混在しているかもしれない。
【００２３】
図示の装置は、２つの異なるモードで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは基本的に静止したままであり、全マスク像が一括して（すなわち、単一「フラッシュ」で）目標部分Ｃに投影される。次に、異なる目標部分ＣがビームＰＢで照射されるように、基板テーブルＷＴがｘおよび／またはｙ方向に移動される。
２．走査モードでは、基本的に同じシナリオが当てはまるが、ただ、特定の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露出されないことが異なる。代わりに、マスク・テーブルＭＴが、特定の方向（いわゆる「走査方向」、例えば、ｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、投影ビームＰＢはマスク像全体を走査することができるようになる。これと並行して、基板テーブルＷＴが、速度Ｖ＝ｍｖで、同じ方向または反対方向に同時に移動する。ここで、ＭはレンズＰＬの拡大率である（通常は、Ｍ＝１／４または１／５）。このようにして、分解能で妥協する必要なく、比較的大きな目標部分Ｃを露出させることができる。
【００２４】
ＥＵＶ放射は、使用される光学部品に保護環境を提供するほとんどの気体で大いに吸収されるので、装置は大部分が真空環境中に含まれており、この真空環境は一般にいくつかの副区画に分割されている。
【００２５】
図２は、マスク保管ボックス１０を示し、このボックス中には、ＥＵＶ反射マスクが、移送、保管および取り扱いの目的のために格納されている。保管ボックス１０は、上部１１および底部１２を備える。マスクＭＡは、例えば、ヨーロッパ特許出願ＥＰ０１３０１８６４．３に開示されているような運動学的に決定される保持機構によって、底板１２の上の保管ボックス１０の内側に保持される。このヨーロッパ特許出願ＥＰ０１３０１８６４．３は、参照してここに組み込む。保管ボックス１０の内部には、例えば周囲圧力より高い圧力で保護（不活性）気体の雰囲気を維持することができる。しかし、保管ボックス１０の内部に真空を維持することもできる。後者の場合、具体的には、底板１２と上部１１の間に十分な封止を設けて、保管ボックスの内部とその周囲環境の間の気体の流れおよび、保管ボックスの結果として生じる汚染された内部環境を防止するのが好ましい。
【００２６】
保管ボックス１０からリソグラフィ投影装置にマスクを移送するために、保管ボックスを、図３に示すいわゆるロード・ロック２０の上に置く。ロード・ロック２０は、弁３０によって図１のリソグラフィ装置の真空環境ＶＣに結合される。この弁３０を図４および５にさらに示す。保管ボックスの底板１２がロード・ロックの開放可能な上部２１と正確に重なるように、保管ボックス１０をロード・ロック２０の上に位置付けする。このために、案内機構（図示しない）を、ロード・ロックおよび／または保管ボックスに設けて、保管ボックスとロード・ロックの開放可能な上部を適切に位置合わせすることができる。保管ボックス１０が適切に位置付けされたときに、保管ボックスをロード・ロックに締め付けるように、締め付け機構（図示しない）を設けるのが好ましい。保管ボックス１０とロード・ロック２０の間に、封止材２２を図式的に示す。封止材２２は、底板１２および開放可能な上部１２に非常に近接して設けるのが好ましい。
【００２７】
保管ボックスの底板１２および開放可能な上部２１は、今や、互いに接触している。図面に垂直な面での底板と開放可能な上部の断面形状は、実質的に同一形状であるように作られる。したがって、両要素の接触面の形状は一致する。封止材２３は、底板１２と開放可能な上部２１の間の周囲に非常に近接して設けるのが好ましい。ポンプＰ１は、底板１２と開放可能な上部２１の間の空間を真空にすることができるように設けるのが好ましい。
【００２８】
ロード・ロック２０の開放可能な上部２１は、開放可能な上部２１を上下に動かすためのエレベータ２５に取り付けられているのが分かる。上部２１が上方にいっぱいに動いてロード・ロック２０の上の壁にぶつかって、この壁の一部を構成するようになったとき、上部２１をロード・ロック２０の上の壁に押し付けて封止するために、封止材２４が設けられる。ベロー２６は、エレベータ２５のまわりで、かつ上部２１とロード・ロック２０の下の壁の間に設ける。エレベータ２５は、それを上下に動かす適切な駆動手段（図示しない）に接続される。別のポンプＰ２が、ロード・ロック２０を真空にするために設けられる。
【００２９】
マスク保管ボックス１０でマスクをロード・ロック２０の中に移すために、次のように始めることができる。最初に、マスクをマスク保管ボックス１０の内部に保持する。ボックス内部に格納されるマスクを汚染しないように、保管ボックスの全ての内壁が非常にきれいであることに気をつける。粒子も分子汚染も両方とも、マスクを、リソグラフィ投影装置で投影ビームをパターン形成するのに役に立たないものにする可能性がある。上で述べたように、真空または不活性気体を保管ボックス内部に与えることができる。
【００３０】
それから、保管ボックス１０は、上で説明したようにロード・ロック２０の開放可能な上部２１の上に位置付けされる。底板１２の汚染された外側表面は、開放可能な上部２１の汚染された外側表面に重なる。その間の空間は、真空ポンプＰ１を使用してエレベータ２５を通して真空にする。
【００３１】
保管ボックス１０の内部の真空空間または気体充填空間に依存して、様々な方法で続けることができる。保管ボックスが真空にされている場合には、上部２１を開く前に、最初に、ポンプＰ２を使用してロード・ロック２０を真空にするのが好ましいと思われる。保管ボックスが気体で充填されている場合には、同じく最初にロード・ロック２０を真空にし、続いて、エレベータ２５を下げて、静かに、または非常に突然に上部２１を開いて続けることができる。そのとき、保管ボックスからロード・ロック中への気体の流れが起こり、保管ボックスの突然の気体の流れおよび排気は、マスクに存在しているかもしれない粒子を取り去って、マスクをきれいにするのに役立つ。他の方法は、最初にロード・ロックに（不活性）気体を充填し、続いて上部２１を下げ、それからポンプＰ２を使用してロード・ロックを真空にすることかもしれない。
【００３２】
また、ロード・ロックの全ての内側表面が非常にきれいであることに気をつける。上記のように進むことによって、ロード・ロックおよび保管ボックスの結合された内部空間に対して生じる汚染された表面積の量は非常に限られたものになる。そのような汚染表面によって、マスクに汚染が導入されるかもしれないが、また、ＥＵＶ投影リソグラフィのために必要な分圧（例えば、水および炭化水素の）までの排気時間が劇的に増すかもしれない。
【００３３】
図４は、マスク保管ボックスから下ろされたマスクを示す。この図は、さらに、ロード・ロックを投影装置の真空システムの別の部分に結合する側部弁３０を示す。開いた位置の弁３０によって、マスクを持ち上げ、必要に応じて内部ライブラリ、マスク・テーブルまたは他の場所に運ぶためにグリッパー４０の利用が可能になる。グリッパーは、先に言及したＥＰ０１３０１８６４．３に開示されている。
【００３４】
投影装置からマスク保管ボックス中にマスクを取り出すために、ロード・ロックおよび保管ボックスの内部空間が真空にされている間に、グリッパー４０は、最初に、マスクＭＡを、エレベータ２５で下ろされている底板１２の上に載せる。その後で、弁３０を閉めることができる。それから、エレベータが上げられて、底板１２がボックスを閉めたときに、マスクを保管ボックスの中に置き、さらに保管ボックス内部の真空空間を維持することができる。ボックス内部にきれいな（不活性）気体の雰囲気を保持するために、ロード・ロックおよび保管ボックスの空間をそのような気体でパージし、その後で、エレベータ２５を上げて、マスクＭＡを保管ボックスの中に置き、ボックスの底部分の所定の位置に底板１２を入れて保管ボックスを閉じる。
【００３５】
図５は、本発明のさらに他の実施形態を示す。この図は図４と全く同じであるが、ただ、ロード・ロック２０の上にあるときのマスク保管ボックスを覆ってカバーを設けたことが異なっている。保管ボックスは、ボックスの内部が真空にされ、かつボックスの周囲環境が真空にされないときに生じる圧力に耐えるように特に設計されていないかもしれない。保管ボックスを覆ってカバー５０を設け、さらに、保管ボックス内部の空間およびカバー５０と保管ボックスの間の空間の両方を真空にすることで、保管ボックスに対して生じる圧力は全くないか無視できる程度になる。ポンプＰ３は、カバー５０と保管ボックスの上部部分１１の間の空間を真空にするために示す。
【００３６】
本発明は、単に例として、リソグラフィ投影装置に関して説明した。本発明は、マスクを取り扱い、さらに、上記のように、マスクをマスク保管ボックスから装填し、かつマスク保管ボックス中に取り出す必要のあるどのような他の種類の装置にも使用することができ、例えば、マスク描画装置、マスク検査装置、多層堆積装置、マスク清浄装置などに関しても使用できる。マスク保管ボックスは、専用ホルダで２以上のマスクを含むことができる。
【００３７】
さらに、本発明は、処理済みまたは未処理の半導体ウェーハのような基板を、基板用の保管ボックスに搬入し、またそこから搬出する際にも使用することができる。
【００３８】
マスクが運ばれる保護環境は、真空環境である必要はなく、乾燥空気、窒素、アルゴン、その他種々のような不活性気体で充填された環境であってもよい。
【００３９】
本発明の特定の実施形態を上で説明したが、本発明は、説明したようなものとは別の方法で実施できることが理解されよう。この説明は本発明を制限する意図ではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に従ったリソグラフィ投影装置を図式的に示す図である。
【図２】マスクが格納される保管ボックスを図式的に示す図である。
【図３】図１のリソグラフィ装置の真空チャンバに取り付けられたロード・ロック・チャンバ上の保管ボックスを図式的に示す図である。
【図４】マスクがロード・ロック・チャンバの中に下ろされている状態の、図３のロード・ロック・チャンバ上の保管ボックスを図式的に示す図である。
【図５】追加の蓋が保管ボックスを覆っている状態の、図４に従った保管ボックスおよびロード・ロック・チャンバを図式的に示す図である。
【符号の説明】
ＬＡ　放射源
ＩＬ　照明装置
ＩＬ　放射システム
ＰＬ　投影システム
ＭＡ　マスク（レチクル）
ＭＴ　マスク・テーブル
Ｃ　目標部分
ＰＢ　投影ビーム
Ｗ　基板
ＷＴ　基板テーブル
１０　保管ボックス
１１　保管ボックスの上部
１２　底板
２０　ロード・ロック
２１　開放可能な上部
２２、２３、２４　封止材
２５　エレベータ
２６　ベロー
３０　弁
５０　カバー
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３　ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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製造方法

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