(57)【要約】【課題】電流雑音に起因する位相雑音の劣化を小さくできる温度補償型圧電発振器およびそれを用いた電子装置を提供する。【解決手段】可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに接続されたサーミスタネットワーク２と、可変容量ダイオードＶＤ１に電圧を印加して発振周波数を変化させる外部周波数制御端子Ｖｃとを備え、サーミスタネットワーク２の電流出力端子とグランドとの間に抵抗Ｒ４を設け、抵抗Ｒ４のサーミスタネットワーク２側の端部と外部周波数制御端子Ｖｃとの間に抵抗Ｒ５を設ける。【効果】外部周波数制御端子Ｖｃの電圧を分圧する抵抗Ｒ５、Ｒ４から発生する電流雑音が可変容量ダイオードＶＤ１のアノードに印加されないため、発振信号の位相雑音が改善される。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振用の能動素子と、該能動素子に接続された圧電振動子と、該圧電振動子に接続された可変容量ダイオードと、該可変容量ダイオードの一端に接続された温度補償回路と、前記可変容量ダイオードに電圧を印加して発振周波数を変化させる外部周波数制御端子とを備えた温度補償型圧電発振器において、
前記温度補償回路は、電源端子に接続されて直流電流が流入する電流入力端子、グランドに接続されて直流電流が流出する電流出力端子、および前記可変容量ダイオードに接続される電圧出力端子を備えてなり、
前記電源端子と前記電流入力端子の間もしくは前記電流出力端子とグランドとの間に第１の抵抗を備え、該第１の抵抗の前記温度補償回路側の端部と前記外部周波数制御端子との間に第２の抵抗を備えたことを特徴とする温度補償型圧電発振器。
【請求項２】
前記温度補償回路は、抵抗とサーミスタで構成された回路網であることを特徴とする、請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項３】
前記温度補償回路は、温度補償用のデジタルデータをアナログ電圧に変換するＤ／Ａコンバータであることを特徴とする、請求項１に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の温度補償型圧電発振器を用いたことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度補償型圧電発振器およびそれを用いた電子装置、より詳しくは発振周波数を変化させる手段として可変容量ダイオードを採用した温度補償型圧電発振器およびそれを用いた電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７に、従来の温度補償型圧電発振器の１つである温度補償型水晶発振器の回路図を示す。図７では主要部のみを示しているが、温度補償型水晶発振器の全体を示すものとしては、例えば特許文献１に示されるようなものが知られている。
【０００３】
図７において、温度補償型水晶発振器１は、発振用の能動素子であるトランジスタＱ１、共振回路として機能する圧電振動子である水晶振動子Ｘ１、可変容量ダイオードＶＤ１、抵抗とサーミスタで構成した回路網からなるサーミスタネットワーク２、抵抗Ｒ１〜Ｒ６、およびコンデンサＣ１〜Ｃ５を備えている。また、電源端子Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２、外部周波数制御端子Ｖｃ、および出力端子Ｐｏを備えている。
【０００４】
ここで、トランジスタＱ１は、コレクタが電源端子Ｖｃｃ１に接続されるとともにコンデンサＣ４を介してグランドに接続され、エミッタが抵抗Ｒ１とコンデンサＣ２をそれぞれ介してグランドに接続され、ベースが水晶振動子Ｘ１の一端に接続されている。コンデンサＣ４はトランジスタＱ１のコレクタを発振周波数において高周波的に接地させて、トランジスタＱ１をコレクタ接地動作させるために、発振周波数においてインピーダンスが十分に小さくなるように設定されている。トランジスタＱ１のベース・エミッタ間にはコンデンサＣ１が接続されており、トランジスタＱ１、コンデンサＣ２、および水晶振動子Ｘ１とともにコルピッツ発振回路を構成している。トランジスタＱ１のベースは、抵抗Ｒ２を介して電源端子Ｖｃｃ１に接続されるとともに抵抗Ｒ３を介してグランドに接続されている。そして、トランジスタＱ１のエミッタはコンデンサＣ３を介して出力端子Ｐｏに接続されている。
【０００５】
一方、可変容量ダイオードＶＤ１は、カソードが水晶振動子Ｘ１の他端に接続され、アノードがコンデンサＣ５を介してグランドに接続されている。コンデンサＣ５は可変容量ダイオードＶＤ１のアノードを発振周波数において高周波的に接地させるために、発振周波数においてインピーダンスが十分に小さくなるように設定されている。理想的なコンデンサであればインピーダンスを小さくするためには静電容量は大きい程良いが、実際のコンデンサには寄生のインダクタンス成分などがあるために、その自己共振周波数以上の周波数では必ずしもコンデンサとしては機能しない。そこで、コンデンサＣ５としては、自己共振周波数が温度補償型水晶発振器１の発振周波数の約２０ＭＨｚより大きい１０００ｐＦの積層チップコンデンサを利用している。この場合、発振周波数におけるインピーダンスは約８Ωとなり、可変容量ダイオードＶＤ１のアノードを発振周波数において接地させる機能を果たすことができる。
【０００６】
可変容量ダイオードＶＤ１のアノードはまた、抵抗Ｒ５を介して外部周波数制御端子Ｖｃに接続されるとともに抵抗Ｒ４を介してグランドに接続されている。言い換えれば、外部周波数制御端子Ｖｃの電圧を抵抗Ｒ５とＲ４で分圧したものを可変容量ダイオードＶＤ１のアノードに印加していることになる。
【０００７】
そして、可変容量ダイオードＶＤ１のカソードは抵抗Ｒ６を介してサーミスタネットワーク２に接続されている。サーミスタネットワーク２は抵抗とサーミスタで構成された３端子の回路網であり、１つの端子（電流入力端子）が電源端子Ｖｃｃ１より電圧安定度の高い電源端子Ｖｃｃ２に接続され、もう１つの端子（電流出力端子）がグランドに接続され、最後の１つの端子（電圧出力端子）が上述の抵抗Ｒ６に接続されている。そして、電流入力端子と電流出力端子の間に電源端子Ｖｃｃ２から印加された電圧を抵抗とサーミスタで分圧した電圧が電圧出力端子から出力される。電源端子Ｖｃｃ２とグランドとの間には電源のノイズを除去するためにバイパス用のコンデンサが接続されていてもよい。抵抗Ｒ６の先には水晶振動子Ｘ１と可変容量ダイオードＶＤ１のカソードが接続されているために、抵抗Ｒ６には直流電流は流れない。なお、サーミスタネットワーク２の詳細な回路網構成については発明の主要部ではないので、この後の実施例の中で説明する。また、電源端子Ｖｃｃ１の電圧安定度が十分に高ければ、サーミスタネットワーク２の電流入力端子を電源端子Ｖｃｃ１に接続しても構わない。
【０００８】
このように構成された温度補償型水晶発振器１においては、水晶振動子Ｘ１とコンデンサＣ１およびＣ２と可変容量ダイオードＶＤ１の静電容量でほぼ決定される周波数で発振し、出力端子Ｐｏから発振信号が出力される。発振周波数は可変容量ダイオードＶＤ１の静電容量、換言すれば可変容量ダイオードＶＤ１のカソード・アノード間に印加されるバイアス電圧によって変化する。サーミスタネットワーク２は温度に応じて電圧出力端子から出力する電圧を変化させるので、それによって可変容量ダイオードＶＤ１のカソード電圧が変化し、可変容量ダイオードＶＤ１の静電容量が変化し、その結果として温度補償型水晶発振器１の発振周波数が変化する。このサーミスタネットワーク２の出力電圧の変化が温度変化による水晶振動子Ｘ１の共振周波数の変化をほぼ相殺するようにサーミスタネットワーク２を構成しておくことによって、温度補償型水晶発振器１は温度によらず安定な発振周波数を維持することができる。
【０００９】
可変容量ダイオードＶＤ１のアノード電圧は、外部周波数制御端子Ｖｃに印加される制御電圧を抵抗Ｒ５およびＲ４で分圧したものとなる。そのため、この制御電圧を変えることによっても可変容量ダイオードＶＤ１の静電容量が変化し、温度補償型水晶発振器１の発振周波数が変化する。携帯電話機の基準信号源として用いられる温度補償型水晶発振器においては、この外部周波数制御端子は、基地局との通信時において発振周波数を補正するために用いられる。
【００１０】
【特許文献１】
特開２００２−１３００５３号公報
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、この温度補償型水晶発振器１においては、周波数を変える手段として可変容量ダイオードＶＤ１を利用しているために、次のような問題点を含んでいる。
【００１２】
まず、可変容量ダイオードＶＤ１のカソードはサーミスタネットワーク２に接続されている。サーミスタネットワーク２は上述のように抵抗とサーミスタで構成された３端子の回路網であり、電流入力端子と電流出力端子の間に印加された電圧を分圧して可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに印加すべく出力する。この際、抵抗およびサーミスタには直流電流が流れるが、抵抗（サーミスタも含む）に電流が流れると抵抗からは１／ｆの周波数特性を持つ電流雑音が発生し、これが可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに印加される。抵抗に電流が流れることで発生する電流雑音の大きさは抵抗から発生する熱雑音に比べてはるかに大きい。このような電流雑音が可変容量ダイオードＶＤ１に印加されると、この雑音によって発振信号がＦＭ変調され、発振信号の特に低離調周波数における位相雑音が劣化する。
【００１３】
一方、可変容量ダイオードＶＤ１のアノードも抵抗Ｒ５とＲ４の接続点に接続されている。抵抗Ｒ５とＲ４は外部周波数制御端子Ｖｃに印加される電圧を分圧して可変容量ダイオードＶＤ１のアノードに印加するためのものであり、当然ながら直流電流が流れ、サーミスタネットワーク２の場合と同様に電流雑音が発生し、発振信号の位相雑音の劣化の原因となる。なお、可変容量ダイオードＶＤ１のアノードとグランドとの間に接続されているコンデンサＣ５は、発振周波数で十分に低いインピーダンスになるように設定されていて自己共振周波数が位相雑音に影響するような低い周波数よりも高いものであるため、低い周波数における電流雑音をバイパスし低減する役には立たない。
【００１４】
電流雑音は抵抗網の抵抗値とそこに流れる電流に比例するので、抵抗網に印加される電圧に比例するとされている。可変容量ダイオードＶＤ１のカソードには電源端子Ｖｃｃ２の電圧に相当する電流雑音が印加され、アノードには外部周波数制御端子Ｖｃに印加される電圧に相当する電流雑音が印加される。仮に電源端子Ｖｃｃ２の電圧と外部周波数制御端子Ｖｃに印加される電圧が等しいとすると、いずれか一方しかない場合に比べて電流雑音の電力はルート２倍（約１．４倍）になると考えられる。当然ながら、それによって発振信号の位相雑音も劣化することになる。
【００１５】
このように、従来の温度補償型圧電発振器においては、可変容量ダイオードに印加される電流雑音に起因する発振信号の位相雑音の劣化という問題がある。
【００１６】
そこで、本発明は上記の問題点を解決することを目的とするもので、電流雑音に起因する位相雑音の劣化を小さくできる温度補償型圧電発振器およびそれを用いた電子装置を提供する。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の温度補償型圧電発振器は、発振用の能動素子と、該能動素子に接続された圧電振動子と、該圧電振動子に接続された可変容量ダイオードと、該可変容量ダイオードの一端に接続された温度補償回路と、前記可変容量ダイオードに電圧を印加して発振周波数を変化させる外部周波数制御端子とを備えた温度補償型圧電発振器において、前記温度補償回路は、電源端子に接続されて直流電流が流入する電流入力端子、グランドに接続されて直流電流が流出する電流出力端子、および前記可変容量ダイオードに接続される電圧出力端子を備えてなり、前記電源端子と前記電流入力端子の間もしくは前記電流出力端子とグランドとの間に第１の抵抗を備え、該第１の抵抗の前記温度補償回路側の端部と前記外部周波数制御端子との間に第２の抵抗を備えたことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の温度補償型圧電発振器は、前記温度補償回路が、抵抗とサーミスタで構成された回路網であることを特徴とする。あるいは、前記温度補償回路が、温度補償用のデジタルデータをアナログ電圧に変換するＤ／Ａコンバータであることを特徴とする。
【００１９】
そして、本発明の電子装置は、上記のいずれかに記載の温度補償型圧電発振器を用いたことを特徴とする。
【００２０】
このように構成することにより、本発明の電圧制御発振器においては、位相雑音の改善を図ることができる。
【００２１】
また、本発明の電子装置においても、本発明の電圧制御発振器を用いることによって、性能の向上を図ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明の温度補償型圧電発振器の一実施例の回路図を示す。図１において、図７と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【００２３】
図１に示した温度補償型圧電発振器１０においては、可変容量ダイオードＶＤ１のアノードがコンデンサを介さず直接グランドに接続されている。そして、サーミスタネットワーク２の電流出力端子が抵抗Ｒ５およびＲ４の接続点に接続されている。そのため、温度補償型圧電発振器１０においては、サーミスタネットワーク２の電流出力端子とグランドとの間には第１の抵抗である抵抗Ｒ４を備え、抵抗Ｒ４のサーミスタネットワーク２側の端部と外部周波数制御端子Ｖｃとの間に第２の抵抗である抵抗Ｒ５を備えることになる。なお、これらの点以外に従来の温度補償型圧電発振器１との違いはない。
【００２４】
このように構成することによって、温度補償型圧電発振器１０においては、温度補償用の電圧に外部周波数制御用の電圧が重畳されて可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに印加されることになる。そこで、この場合のサーミスタネットワークの出力電圧について確認する。
【００２５】
まず、図２に、温度補償型圧電発振器１０において、可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに印加される電圧を発生させる部分のみの回路図を示す。
【００２６】
サーミスタネットワーク２は、ＮＴＣサーミスタであるサーミスタＴＨ１、ＴＨ２、ＴＨ３、および抵抗Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃを備えている。サーミスタＴＨ２、抵抗Ｒｂ、およびサーミスタＴＨ１はこの順で直列に接続されており、サーミスタＴＨ２側が電流入力端子Ｉｉｎに、サーミスタＴＨ１側が電流出力端子Ｉｏｕｔに接続されている。サーミスタＴＨ３、抵抗Ｒｃ、および抵抗Ｒａもこの順で直列に接続されており、サーミスタＴＨ３側が電流入力端子Ｉｉｎに、抵抗Ｒａ側が電流出力端子Ｉｏｕｔに接続されている。抵抗ＲｂおよびサーミスタＴＨ１の接続点は抵抗Ｒｃおよび抵抗Ｒａの接続点に接続されている。そして、サーミスタＴＨ３と抵抗Ｒｃの接続点が電圧出力端子Ｖｏｕｔに接続されている。
【００２７】
さらに、既に説明したように、サーミスタネットワーク２の電流出力端子Ｉｏｕｔとグランドとの間には第１の抵抗である抵抗Ｒ４を備え、抵抗Ｒ４のサーミスタネットワーク２側の端部と外部周波数制御端子Ｖｃとの間に第２の抵抗である抵抗Ｒ５を備える。
【００２８】
このような回路において、Ｖｃｃ２＝３．０Ｖ、Ｒａ＝８．８６ｋΩ、Ｒｂ＝５．２ｋΩ、Ｒｃ＝２．７ｋΩ、ＴＨ１＝２０ｋΩ、ＴＨ２＝１．２ｋΩ、ＴＨ３＝２００ｋΩ、ＮＴＣサーミスタのＢ定数を３９００として温度変化に対する出力電圧の変化を確認した。なお、各サーミスタの抵抗値は２５℃での値である。図３に、その確認結果を示す。特性ａが従来の温度補償型圧電発振器１に相当するもので、抵抗Ｒ４＝０Ω、抵抗Ｒ５＝∞Ωとしたものである。一方、特性ｂが本発明の温度補償型圧電発振器１０に相当するもので、サーミスタネットワーク２の定数を変えずにＶｃ＝１．０Ｖ、Ｒ４＝１ｋΩ、Ｒ５＝１０ｋΩとしたものである。
【００２９】
特性ａは水晶振動子Ｘ１の温度特性に合わせてほぼ３次曲線になるようにあらかじめ各抵抗やサーミスタの値やＢ定数が設定されている。それに対して、特性ｂは３次曲線が少し平坦になっているが、３次曲線である点に変わりはない。そのため、サーミスタネットワークのサーミスタや抵抗の値を最適化することによって希望の温度特性に追い込むことは可能であると考えられる。したがって、本発明の温度補償型圧電発振器１０においても従来の温度補償型圧電発振器１と同様の温度補償機能を果たすことが可能となる。
【００３０】
そして、このように構成された温度補償型圧電発振器１０においては、可変容量ダイオードＶＤ１のカソードはサーミスタネットワーク２に接続されているために、サーミスタネットワーク２で発生する電流雑音は従来と同様に可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに印加される。サーミスタネットワーク２で発生する電流雑音は電源端子Ｖｃｃ２の電圧に相当するものとなるために従来の温度補償型圧電発振器１の場合との違いはない。しかしながら、可変容量ダイオードＶＤ１のアノードは直接グランドに接続されているため、ここに電流雑音が印加されることはない。そのため、温度補償型圧電発振器１０においては温度補償型圧電発振器１に比べて可変容量ダイオードＶＤ１に印加される電流雑音が減少し、その結果として発振信号の位相雑音が改善される。
【００３１】
図４に、本発明の温度補償型圧電発振器の別の実施例の回路図を示す。図４において、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【００３２】
図４に示した温度補償型圧電発振器２０においては、サーミスタネットワーク２の電流出力端子が直接グランドに接続されており、電流入力端子が抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ５の接続点に接続されている。そして、抵抗Ｒ４の抵抗Ｒ５側とは反対側の端部は電源端子Ｖｃｃ２に接続されている。そのため、温度補償型圧電発振器２０においては、サーミスタネットワーク２の電流入力端子と電源端子Ｖｃｃ２との間には第１の抵抗である抵抗Ｒ４を備え、抵抗Ｒ４のサーミスタネットワーク２側の端部と外部周波数制御端子Ｖｃとの間に第２の抵抗である抵抗Ｒ５を備えることになる。なお、これらの点以外に温度補償型圧電発振器１０との違いはない。
【００３３】
このように構成された温度補償型圧電発振器２０においても、温度補償用の電圧に外部周波数制御用の電圧が重畳されて可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに印加されることになる。可変容量ダイオードＶＤ１のアノードは直接グランドに接続されているため、ここに電流雑音が印加されることはない。そのため、温度補償型圧電発振器２０においても、温度補償型圧電発振器１に比べて可変容量ダイオードＶＤ１に印加される電流雑音が減少し、その結果として発振信号の位相雑音が改善される。
【００３４】
図５に、本発明の温度補償型圧電発振器のさらに別の実施例の回路図を示す。図５において、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【００３５】
図４に示した温度補償型圧電発振器３０においては、図１に示した温度補償型圧電発振器１０におけるサーミスタネットワーク２に置き換える形でＤ／Ａコンバータ３１を備えている。Ｄ／Ａコンバータ３１の電源端子すなわち電流入力端子は電源端子Ｖｃｃ２に接続されており、Ｄ／Ａコンバータ３１の接地端子すなわち電流出力端子は抵抗Ｒ４とＲ５の接続点に接続されている。そのため、温度補償型圧電発振器３０においては、Ｄ／Ａコンバータ３１の電流出力端子とグランドとの間には第１の抵抗である抵抗Ｒ４を備え、抵抗Ｒ４のＤ／Ａコンバータ３１側の端部と外部周波数制御端子Ｖｃとの間に第２の抵抗である抵抗Ｒ５を備えることになる。さらに、Ｄ／Ａコンバータ３１には記憶装置３２が接続されており、記憶装置３２には感温素子３３が接続されている。なお、これらの点以外に温度補償型圧電発振器１０との違いはない。
【００３６】
このように構成された温度補償型圧電発振器３０においては、感温素子３３で検知した周囲温度に対応する温度補償用のデジタルデータを記憶装置３２からＤ／Ａコンバータ３１に出力し、Ｄ／Ａコンバータ３１はそれをアナログ電圧に変換して可変容量ダイオードＶＤ１のカソードに印加することによって温度補償動作を行う。なお、感温素子３３で検知する温度情報がアナログデータの場合には、感温素子３３と記憶装置４２の間にはＡ／Ｄコンバータがさらに必要となる。
【００３７】
ここで、Ｄ／Ａコンバータ３１に注目すると、これが例えばラダー抵抗方式のＤ／Ａコンバータであれば、ＭＳＢ抵抗に電圧を印加する端子をＤ／Ａコンバータ３１の電流入力端子とし、ＬＳＢ抵抗の接地端子をＤ／Ａコンバータ３１の電流出力端子としている。これによって、Ｄ／Ａコンバータ３１は温度補償型圧電発振器１０におけるサーミスタネットワーク２とほぼ同一の機能を果たす。そのため、温度補償型圧電発振器３０においても温度補償型圧電発振器１０と同様に可変容量ダイオードＶＤ１に印加される電流雑音が減少し、その結果として発振信号の位相雑音が改善される。
【００３８】
温度補償型圧電発振器３０においては温度補償型圧電発振器１０におけるサーミスタネットワーク２をＤ／Ａコンバータ３１で置き換えているが、もちろん温度補償型圧電発振器２０におけるサーミスタネットワーク２をＤ／Ａコンバータ３１で置き換えても構わないもので、同様の作用効果を奏するものである。
【００３９】
なお、上記の各実施例においては、可変容量ダイオードＶＤ１のアノードを直接グランドに接続しているが、電流の流れる抵抗にさえ接続されなければ別の構成でも構わない。例えば、アノードをコンデンサや抵抗を介してグランドに接続したり、コンデンサとグランドの両方を順に介してグランドに接続するような構成でも構わないものである。
【００４０】
また、上記の各実施例においては、圧電振動子として水晶振動子を用いていたが、これに限定されるものではなく、圧電セラミックスを用いた振動子など、他の圧電振動子を用いても構わないもので、同様の作用効果を奏するものである。
【００４１】
図６に、本発明の電子装置の一実施例の斜視図を示す。図６において、電子装置の１つである携帯電話１００は、筐体１０１と、その中に配置されたプリント基板１０２と、プリント基板１０２上に基準信号源として実装された本発明の電圧制御発振器である温度補償型水晶発振器１０を備えている。
【００４２】
このように構成された携帯電話１００においては、温度補償型水晶発振器１０を用いているため、基準信号源の位相雑音を高い状態に維持でき、性能の向上を図ることができる。
【００４３】
なお、図６においては電子装置として携帯電話を示したが、電子装置としては携帯電話に限るものではなく、本発明の温度補償型圧電発振器を用いたものであれば何でも構わないものである。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の電圧制御圧電発振器によれば、可変容量ダイオードの一端を温度補償回路に接続し、電源端子と温度補償回路の電流入力端子の間もしくは温度補償回路の電流出力端子とグランドとの間に第１の抵抗を備え、第１の抵抗の温度補償回路側の端部と外部周波数制御端子との間に第２の抵抗を備え、温度補償用の電圧に外部周波数制御用の電圧が重畳されて可変容量ダイオードの一端に印加されるように構成することによって、可変容量ダイオードに印加される電流雑音を低減し、発振信号の位相雑音を改善することができる。
【００４５】
また、本発明の電子装置によれば、本発明の温度補償型圧電発振器を用いることによって性能の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の温度補償型圧電発振器の一実施例を示す回路図である。
【図２】図１の温度補償型圧電発振器における可変容量ダイオードのカソードに印加される電圧を発生させる部分の回路図である。
【図３】図２の回路における温度変化に対する出力電圧の変化を示す特性図である。
【図４】本発明の温度補償型圧電発振器の別の実施例を示す回路図である。
【図５】本発明の温度補償型圧電発振器のさらに別の実施例を示す回路図である。
【図６】本発明の電子装置の一実施例を示す斜視図である。
【図７】従来の温度補償型圧電発振器を示す回路図である。
【符号の説明】
１０、２０、３０…温度補償型水晶発振器（温度補償型圧電発振器）
２…サーミスタネットワーク
３１…Ｄ／Ａコンバータ
３２…記憶装置
３３…感温素子
Ｑ１…トランジスタ（能動素子）
Ｘ１…水晶振動子（共振回路）
ＶＤ１…可変容量ダイオード
Ｃ１〜Ｃ４…コンデンサ
Ｒ１〜Ｒ６…抵抗
Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２…電源端子
Ｖｃ…外部周波数制御端子
Ｐｏ…出力端子
１００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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