(57)【要約】【課題】ランド部とグルーブ部との一方がトラック部で他方が隔壁部の光磁気ディスクにおいて、磁性層を隔壁部に積層されている部分のみ良好にレーザアニールする。【解決手段】隔壁部１１４を角部の曲率半径が小さいコ字状の断面形状に形成し、トラック部１１３を角部の曲率半径が大きいＵ字状の断面形状に形成する。レーザアニールによる基板の吸熱が曲率半径の小さい角部に集中するので、隔壁部１１４に積層されている磁性層の変質が顕著となる。【選択図】　図１
2004030817.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクスタンパによりランド部とグルーブ部とが形成されたディスク基板上に磁性層が積層されており、前記ランド部と前記グルーブ部の何れか一方が情報トラック部で他方が隔壁部とされており、前記隔壁部に積層されている前記磁性層が製造時にレーザアニールされており、前記情報トラック部に積層されている前記磁性層が使用時に情報の記録再生に利用される光磁気ディスクにおいて、
前記隔壁部はコ字状の断面形状に形成されており、
前記情報トラック部は角部の曲率半径が前記隔壁部より大きいＵ字状の断面形状に形成されているディスク基板。
【請求項２】
前記隔壁部の角部の曲率半径Ｒ１が
０＜Ｒ１≦２０（ｎｍ）
を満足している請求項１に記載のディスク基板。
【請求項３】
前記情報トラック部の角部の曲率半径Ｒ２が
２０≦Ｒ２≦１２０（ｎｍ）
を満足している請求項１または２に記載のディスク基板。
【請求項４】
前記ランド部と前記グルーブ部との段差Ｈが
１０≦Ｈ≦５０（ｎｍ）
を満足している請求項１ないし３の何れか一項に記載のディスク基板。
【請求項５】
ディスクスタンパによりランド部とグルーブ部とが形成されたディスク基板上に磁性層が積層されており、前記ランド部と前記グルーブ部の何れか一方が情報トラック部で他方が隔壁部とされており、前記隔壁部に積層されている前記磁性層が製造時にレーザアニールされており、前記情報トラック部に積層されている前記磁性層が使用時に情報の記録再生に利用される光磁気ディスクであって、
請求項１ないし４の何れか一項に記載のディスク基板を有している光磁気ディスク。
【請求項６】
前記磁性層が記録保持層とスイッチング層と磁壁移動層からなり、磁界変調記録方式によりデータ記録が実行されるとともに磁壁移動再生方式によりデータ読出が実行される請求項５に記載の光磁気ディスク。
【請求項７】
請求項１ないし４の何れか一項に記載のディスク基板の製造に使用されるディスクスタンパであって、
前記隔壁部を転写する隔壁転写部はコ字状の断面形状に形成されており、
前記情報トラック部を転写するトラック転写部は角部の曲率半径が前記隔壁部より大きいＵ字状の断面形状に形成されているディスクスタンパ。
【請求項８】
請求項７に記載のディスクスタンパの製造に使用されるディスク原盤であって、
前記隔壁転写部を転写する隔壁部はコ字状の断面形状に形成されており、
前記トラック転写部を転写する情報トラック部は角部の曲率半径が前記隔壁部より大きいＵ字状の断面形状に形成されているディスク原盤。
【請求項９】
請求項８に記載のディスク原盤を製造する原盤製造方法であって、
原盤基板の表面に第１レジスト層を成膜し、
前記第１レジスト層の表面に前記第１レジスト層より感光性と溶解性との少なくとも一方が低い第２レジスト層を成膜し、
前記第２レジスト層と前記第１レジスト層とに一様に前記情報トラック部を露光してから現像する原盤製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載のディスク原盤を製造する原盤製造方法であって、
原盤基板の表面に第１レジスト層を成膜し、
前記第１レジスト層の表面に前記第１レジスト層より感光性と溶解性との少なくとも一方が高い第２レジスト層を成膜し、
前記第２レジスト層と前記第１レジスト層とに一様に前記隔壁部を露光してから現像する原盤製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁性層の隔壁部で区分されている情報トラック部で記録再生を実行する光磁気ディスクに関し、特に、磁性層の隔壁部がレーザアニールされている光磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、デジタルデータの記録再生に各種の光磁気ディスクが利用されており、その記録密度の向上が要望されているが、一般に光磁気ディスクの記録密度は記録ビームおよび再生ビームのスポット径に依存する。
【０００３】
しかし、特開平０６−２９０４９６号公報、特開平１１−１９５２５２号公報に開示されているように、磁界変調方式では、記録ビームのスポット径より微細な記録マークを磁性層に書き込むことができ、磁壁移動再生方式では、再生ビームのスポット径より微細な記録マークを読み出すことができる。
【０００４】
この磁壁移動再生方式の光磁気ディスクでは、磁性層が記録保持層とスイッチング層と磁壁移動層からなり、磁界変調方式によりデータ書込を実行するときには、記録ビームを照射したまま印加磁界を変調することで、記録保持層に微細な記録マークが書き込まれる。
【０００５】
スイッチング層はキュリー温度以下では記録保持層の記録マークを磁壁移動層に交換結合力で転写しているが、キュリー温度以上となると交換結合力が消滅する。そこで、磁壁移動方式によりデータ読出を実行するときには、再生ビームにより磁性層を昇温し、スイッチング層の交換結合力を消滅させて磁壁移動層の記録マークを形成する磁壁をエネルギーが小さくなる方向に移動させる。
【０００６】
これで再生ビームの照射されている位置のみ磁壁移動層の記録マークが拡大されるので、再生ビームによりスポット径より微細な記録保持層の記録マークを読み出すことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような磁壁移動方式の光磁気ディスクでは、磁性層のトラック部を区分している隔壁部をレーザアニールにより変質させておくと、記録マークの磁壁が開放されて閉じた磁区とならないので、磁壁抗磁力の作用を軽減して磁壁の移動を容易とすることができる。しかし、光磁気ディスクの記録密度（トラック密度）を向上させるためには隔壁部の幅を狭くしてゆく必要があるが、単純に隔壁部の幅を狭くすると、レーザアニールによる磁性層の分断効果が十分に得られなくなる。
【０００８】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、高トラック密度化を目的に隔壁部の幅を狭くした場合でも良好にレーザアニールを実行できる光磁気ディスクを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の光磁気ディスクは、ディスクスタンパによりランド部とグルーブ部とが形成されたディスク基板上に磁性層が積層されており、ランド部とグルーブ部のいずれか一方が情報トラック部で他方が隔壁部とされており、隔壁部に積層されている磁性層が製造時にレーザアニールされており、情報トラック部に積層されている磁性層が情報の記録再生に利用される光磁気ディスクにおいて、隔壁部はコ字状の断面形状に形成されており、トラック部は角部の曲率半径が隔壁部より大きいＵ字状の断面形状に形成されている。
【００１０】
従って、本発明のディスク基板では、隔壁部の角部の曲率半径が小さいので、レーザを照射することによる吸熱が隔壁部の角部に集中し、この隔壁部上に積層されている磁性層が極めて局所的に変質することになる。一方、情報トラック部の角部は曲率半径が大きいので、ランド部アニール時のレーザ照射による基板吸熱が情報トラック部の角部に集中することがなく、情報トラック部に積層されている磁性層の変質はほとんど無い。
【００１１】
上述のようなディスク基板において、隔壁部の角部の曲率半径Ｒ１が“０＜Ｒ１≦２０（ｎｍ）”を満足していること、トラック部の角部の曲率半径Ｒ２が“１０≦Ｒ２≦１２０（ｎｍ）”を満足していること、ランド部とグルーブ部との段差Ｈが“１０≦Ｈ≦５０（ｎｍ）”を満足していることが好ましい。
【００１２】
なお、本発明の“ランド部”および“グルーブ部”とは、その段差の中間点より上方および下方の部分を各々意味しており、ランド部およびグルーブ部の横幅とは、ランド部とグルーブ部との段差の中間点の位置での横幅を意味している。
【００１３】
また、本発明で“コ字状”とは、直線状の一辺の両端に二辺が充分に小さい曲率半径の角部を介して略直角に連結されていて、これらの二辺は少なくとも上述の角部の近傍では直線状である形状を意味しており、“Ｕ字状”とは、直線状の一辺の両端に二辺が充分に大きな曲率半径の角部を介して略直角に連結されている形状を意味している。さらに、前述の“充分に小さい”とは、技術的かつ実用的に形成が可能な極小サイズであることを意味しており、“充分に大きい”とは技術的に容易に形成できる任意のサイズであることを意味している。
【００１４】
【発明の実施の形態】
［実施の形態の構成］
本発明の第１の実施の形態を図１〜図５を参照して以下に説明する。図２に示すように、本実施の形態の光磁気ディスク１００は、ポリカーボネート製のディスク基板１０１を有しており、このディスク基板１０１上に磁性層１０２が積層されている。
【００１５】
より詳細には、本形態の光磁気ディスク１００は通常、ディスク基板１０１の裏面から照射されるレーザビームにより記録再生が行なわれる。従って、媒体構成は、ディスク基板１０１上に、第１の誘電体層１０３、磁性層１０２、第２の誘電体層１０７、放熱層１０８、保護コート層１０９、が順番に積層されており、磁性層１０２は、基板側から順に、磁壁移動層１０４とスイッチング層１０５と記録保持層１０６から成る。
【００１６】
第１の誘電体層１０３は膜厚が“９０（ｎｍ）”のＳｉＮ層、磁壁移動層１０４は膜厚が“３０（ｎｍ）”のＧｄＦｅＣｏＡｌ層、スイッチング層１０５は膜厚が“１０（ｎｍ）”のＴｂＦｅＡｌ層、記録保持層１０６は膜厚が“８０（ｎｍ）”のＴｂＦｅＣｏ層、第２の誘電体層１０７は膜厚が“５０（ｎｍ）”のＳｉＮ層、放熱層１０８は膜厚が“３０（ｎｍ）”のＡｌ層、保護コート層１０９は膜厚が“２（μｍ）”の紫外線硬化性樹脂、からなる。
【００１７】
前述のように、記録保持層１０６は、磁界変調方式により記録ビームのスポット径より微細な記録マークが書き込まれ、スイッチング層１０５は、キュリー温度以下では記録保持層１０６の記録マークを磁壁移動層１０４に交換結合力で転写する。しかし、このスイッチング層１０５は、キュリー温度以上となると交換結合力が消滅するので、再生ビームにより光磁気ディスク１００が昇温されると、磁壁移動層１０４は、転写されている記録マークを磁壁の移動により拡大する。
【００１８】
図１に示すように、本形態のディスク基板１０１は、その表面にランド部１１１とグルーブ部１１２とが形成されており、図３に示すように、その上に磁性層１０２が一様に積層されている。本形態の光磁気ディスク１００では、グルーブ部１１２が情報トラック部１１３とされており、ランド部１１１が隔壁部１１４とされている。
【００１９】
磁性層１０２は、情報トラック部１１３に積層されている部分が記録再生に利用され、隔壁部１１４に積層されている部分は磁気的な分断に利用されている。すなわち、情報トラック部１１３に積層されている磁性層１０２の磁気異方性は、ディスク基板１０１に対して垂直であるが、図３に示すように、隔壁部１１４に積層されている磁性層１０２は製造時にレーザアニールされることで磁気異方性が基板に対して平行もしくはゼロ（非磁性）となっている。
【００２０】
本形態の光磁気ディスク１００のディスク基板１０１は、図１に示すように、隔壁部１１４の角部の曲率半径Ｒ１が“０＜Ｒ１≦２０（ｎｍ）”を満足する“２０（ｎｍ）”であり、トラック部１１３の角部の曲率半径Ｒ２が“２０≦Ｒ２≦１２０（ｎｍ）”を満足する“５０（ｎｍ）”である。
【００２１】
さらに、隔壁部１１４の横幅Ｗ１は“０．０５≦Ｗ１≦１．０（μｍ）”を満足する“０．１５（μｍ）”であり、トラック部１１３の横幅Ｗ２は“０．１≦Ｗ２≦１．０（μｍ）”を満足する“０．３９（μｍ）”である。また、ランド部１１１とグルーブ部１１２との段差Ｈは“１０≦Ｈ≦５０（ｎｍ）”を満足する“５０（ｎｍ）”であり、トラック部１１３の配列ピッチＰは“０．５４（μｍ）”であり、トラック部１１３の表面粗度Ｒａは“０＜Ｒａ≦１．２（ｎｍ）”である。
【００２２】
このため、本形態の光磁気ディスク１００のディスク基板１０１は、隔壁部１１４は幅狭のコ字状の断面形状に形成されており、トラック部１１３は幅広のＵ字状の断面形状に形成されている。ここで、このような形状のディスク基板１０１の製造方法を以下に簡単に説明する。
【００２３】
まず、図４（ａ）に示すように、原盤２００の表面に、例えば、感光材の濃度が“３％”の第１レジスト層２０１を“３０（ｎｍ）”の膜厚まで成膜し、この第１レジスト層２０１の表面に、例えば、感光材の濃度が“８％”の第２レジスト層２０２を“３０（ｎｍ）”の膜厚まで成膜する。
【００２４】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、これらのレジスト層２０１，２０２のグルーブ部１１２に対応した位置をレーザ露光し、図４（ｃ）に示すように、このレーザ露光したレジスト層２０１，２０２を現像する。すると、第１レジスト層２０１は感光性が低いのでＵ字状の断面形状にエッチングされ、第２レジスト層２０２は感光性が高いのでコ字状の断面形状にエッチングされる。
【００２５】
これでディスク基板１０１と同一形状にランド部２０３とグルーブ部２０４とが形成されたディスク原盤２０５が完成するので、図５（ａ）に示すように、その盤面に電鋳でニッケルからなるディスクスタンパ２１０を形成する。このディスクスタンパ２１０は、ディスク原盤２０５の形状が反転した形状に形成されるので、コ字状の断面形状の隔壁転写部２１１とＵ字状の断面形状のトラック転写部２１２とが形成される。
【００２６】
そこで、図５（ｂ）に示すように、このディスクスタンパ２１０でポリカーボネートを射出成型することにより、図１に示すように、隔壁部１１４がコ字状の断面形状のランド部１１１からなり、トラック部１１３がＵ字状の断面形状のグルーブ１１２からなる、ディスク基板１０１が製造される。
【００２７】
［実施の形態の作用］
上述のような構成において、本実施の形態の光磁気ディスク１００は、ディスク基板１０１のＵ字状の断面形状のグルーブ部１１２が情報トラック部１１３とされており、この情報トラック部１１３に積層されている磁性層１０２に磁界変調方式により微細な記録マークが書き込まれ、この記録マークが磁壁移動再生方式により読み出される。
【００２８】
本形態の光磁気ディスク１００では、ディスク基板１０１のコ字状の断面形状のランド部１１１が隔壁部１１４とされており、この隔壁部１１４に積層されている磁性層１０２により情報トラック部１１３の磁性層１０２が磁気的に分断されている。
【００２９】
そして、情報トラック１１３の幅より幅広のスポット径の記録ビームを用いることにより、この情報トラック部１１３の幅一杯に記録マークを形成することができる。このようにして記録された記録マークは、ジッタ方向（トラック方向）の両端には磁壁が存在するが、記録マークの幅方向（トラッキング方向）の両端はアニールされた隔壁部１１４の存在により磁壁が存在しない。従って、記録マークのジッタ方向の両端に位置する磁壁が磁気的に連結されていないので容易に移動することができ、本形態の光磁気ディスク１００は、磁壁移動方式による読出特性が良好である。
【００３０】
このように磁壁移動方式の読出特性を向上させるためには、隔壁部１１４における磁性層１０２をアニールすることにより、情報トラック間の磁気的結合を良好に分断することが肝要である。
【００３１】
本形態の光磁気ディスク１００では、図１に示すように、ディスク基板１０１の隔壁部１１４の角部の曲率半径を小さく、情報トラック部１１３の角部の曲率半径を大きくすることにより、
図３に示すように、隔壁部１１４の磁性層１０２をレーザアニールするとき、レーザ照射による基板の吸熱が基板の隔壁部１１４の角部に集中し、この隔壁部１１４に積層されている磁性層１０２が変質する。一方、情報トラック部１１３の角部にはランド部アニール時のレーザ照射による基板の熱吸収はほとんど無いので、トラック部１１３に積層されている磁性層１０２は変質しない。
【００３２】
なお、隔壁部１１４の磁性層１０２をレーザアニールする場合、図３に示したように、レーザビームはディスク基板１０１を介して裏側から照射する場合を記してきたが、ディスク基板１０１を介することなく表側から（膜面側から）直接に照射することもできる。なお、表側から直接に照射した方が、ディスク基板１０１によるレーザビームの吸収がなく、磁性層１０２の角部にレーザビームが直接に入射するので、アニールパワーが小さくてすむというメリットもあり、好適である。
【００３３】
［実施の形態の効果］
本形態の光磁気ディスク１００は、上述のようにディスク基板１０１の隔壁部１１４がコ字状の断面形状に形成されていることにより、隔壁部１１４に積層されている磁性層１０２をレーザアニールにより良好に変質させることができるので、トラック部１１３の磁性層１０２を隔壁部１１４の磁性層１０２で良好に磁気分断することができる。
【００３４】
しかも、トラック部１１３の角部の曲率半径が隔壁部１１４より大きいＵ字状の断面形状に形成されていることにより、隔壁部をアニールしている時の基板の発熱の影響が情報トラック部１１３の角部に集中することがないため、情報トラック部の磁壁移動再生動作には影響しない。また、本媒体の基板を用いることにより、同じトラックピッチに対して情報トラック部となるグルーブの幅をできる限り広く確保することが可能となるため、再生信号の品質の劣化を防止できる。また、本形態の光磁気ディスク１００は、良好な記録特性を確保したまま、隔壁部１１４を幅狭として、情報トラック部１１３の密度（トラック密度）を向上させることができるので、その記録容量を増大させることができる。
【００３５】
特に、隔壁部１１４の角部の曲率半径Ｒ１が“０＜Ｒ１≦２０（ｎｍ）”を満足していることで、アニール時のレーザ照射による基板の吸熱を隔壁部１１４の角部に良好に集中させることができ、情報トラック部１１３の角部の曲率半径Ｒ２が“２０≦Ｒ２≦１２０（ｎｍ）”を満足していることで、隔壁部アニール時の基板吸熱をトラック部１１３の角部に集中することを防止できる。なお、１２０（ｎｍ）＜Ｒ２とすると、情報トラック部の平坦な部分の面積が減少するため、再生信号の品質が低下して問題である。
【００３６】
さらに、本形態の光磁気ディスク１００は、ランド部１１１とグルーブ部１１２との段差Ｈが“１０（ｎｍ）≦Ｈ”を満足しているので、レーザアニールのときなどにトラック部１１３を良好にトラッキングすることができる。、“Ｈ≦５０（ｎｍ）”を満足しているので、ディスクスタンパ２１０からディスク基板１０１を良好に剥離させることができる。
本形態のディスク基板１０１を作成するためのディスク原盤２０５を製造する原盤製造方法では、感光性が相違する第１／第２レジスト層２０１，２０２を積層してから一様にトラック部１１３を露光することにより、ディスク基板１０１と同一形状にランド部２０３とグルーブ部２０４とが形成されたディスク原盤２０５を製造することができる。
【００３７】
［実施の形態の変形例］
本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、本実施の形態では、コ字状のランド部２０３とＵ字状のグルーブ部２０４とが形成されたディスク原盤２０５を製造するため、原盤基板２００の表面に感光性が低い第１レジスト層２０１と感光性が高い第２レジスト層２０２とを順番に積層して一度に露光することを例示した。
【００３８】
しかし、溶解性が低い第１レジスト層（図示せず）と溶解性が高い第２レジスト層（図示せず）とを順番に積層することでもディスク原盤２０５を製造することが可能であり、感光性と溶解性とが低い第１レジスト層（図示せず）と感光性と溶解性とが高い第２レジスト層（図示せず）とを順番に積層することでもディスク原盤２０５を製造することが可能である。
【００３９】
また、本実施の形態ではコ字状のランド部１１１を隔壁部１１４とするとともにＵ字状のグルーブ部１１２を情報トラック部１１３としたディスク基板１０１を例示したが、図６に例示するディスク基板３００のように、Ｕ字状の断面形状のランド部３０１を情報トラック部３１１とするとともに、コ字状の断面形状のグルーブ部３０２を隔壁部３１２とすることも可能である。
【００４０】
図７に示すように、このディスク基板３００に磁性層１０２を積層して光磁気ディスク３２０を形成した場合、その隔壁部３１２に積層されている磁性層１０２を製造時にレーザアニールにより変質させることになる。この場合、コ字状の断面形状の隔壁部３１２にレーザ照射による基板の熱吸収が集中するため、その上に積層されている磁性層１０２を良好に変質させることができる。
【００４１】
なお、上述のような形状のディスク基板３００を形成するためには、原盤基板２００の表面に感光性または溶解性が高い第１レジスト層と感光性または溶解性が低い第２レジスト層とを順番に積層してディスク原盤を製造することが好適である（図示せず）。
【００４２】
また、上述のようなディスク基板３００も、例えば、隔壁部３１２の角部の曲率半径Ｒ１を“１５（ｎｍ）”、トラック部３１１の角部の曲率半径Ｒ２を“７０（ｎｍ）”、ランド部３０１とグルーブ部３０２との段差Ｈを“３０（ｎｍ）”、などとすることが可能である。
【００４３】
［発明の実施例］
ここで、本発明者による実験結果を実施例として以下に説明する。
【００４４】
［第１の実施例］
まず、本発明者は第１の実施例として前述の形状のディスク基板１０１を実際に試作し、その形状をＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）とＦＥ−ＳＥＭ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　−　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）とで測定して確認した。
【００４５】
つぎに、ディスク基板１０１上に各層１０３〜１０９を積層して第１の実施例の光磁気ディスク１００を試作し、その隔壁部１１４の磁性層１０２を基板の裏側（磁性層が無い側）からレーザアニールした。この第１の実施例では、レーザアニールのレーザビームは、波長を“４００（ｎｍ）”、ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ　Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を“０．６５”アニールパワーを“４．２（ｍＷ）”、相対速度を１．５（ｍ／ｓｅｃ）とし、後述する記録再生用のレーザより短波長かつ大出力とした。した。
【００４６】
次に、この光磁気ディスク１００の情報トラック部１１３の磁性層１０２に磁界変調方式により微細な記録マークを書き込んで、磁壁移動再生方式により再生した。
【００４７】
このとき、記録／再生ビームの波長は“６５０（ｎｍ）”、ＮＡを“０．６”、媒体の線速度を“２．７（ｍ／ｓｅｃ）”、最短マーク長を“０．１（μｍ）”とした。また、記録パワーを“５．０（ｍＷ）”かつ再生パワーを“２．４（ｍＷ）”としたとき、ジッタδは最小の“３．４（ｎｓ）”となった。さらに、ビットエラーレートは“１．５×１０−５”となり、これらは実用上十分に問題のないレベルであった。
【００４８】
さらに、クロスライト特性とクロストーク特性も測定したが、実用上問題なく、第１の実施例の光磁気ディスク１００は、隔壁部１１４が情報トラック部１１３より極端に幅狭であるにもかかわらず、隔壁部１１４により情報トラック部１１３を良好に磁気分断できることが確認された。
【００４９】
さらに、本発明者は第１の実施例の光磁気ディスク１００の情報トラック部１１３の磁性層１０２に記録された記録マークの磁区形状を、ＭＦＭ（Ｍａｇｎｅｔ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）により観察した。なお、常温では磁性層１０２の漏れ磁界は微少であるため、実験では漏れ磁界が増大する観察用の膜を光磁気ディスク１００に追加した。
【００５０】
すると、磁性層１０２の情報トラック部１１３に対応した位置には、記録マークが明瞭に記録されており、隣接する情報トラック部１１３の記録マークが相互に影響しておらず、隔壁部１１４に対応した位置は良好に磁気分断されていることが確認された。
【００５１】
［第２の実施例］
また、本発明者は第２の実施例として、隔壁部１１４の角部の曲率半径Ｒ１を“１５（ｎｍ）”、トラック部１１３の角部の曲率半径Ｒ２を“７０（ｎｍ）”、ランド部１１１とグルーブ部１１２との段差Ｈを“３０（ｎｍ）”、とした光磁気ディスク１００′（図示せず）を試作した。この第２の実施例の光磁気ディスク１００′のディスク基板１０１′に対応したディスク原盤２０５′は、原盤基板２００の表面に第１／第２レジスト層２０１，２０２を“２０（ｎｍ）”の膜厚まで各々成膜することで形成できた。
【００５２】
また、この第２の実施例の光磁気ディスク１００′をレーザアニールするときは、放熱層１０８と保護コート層１０９とを成膜していない状態で、ディスク基板１０１′を介することなく表側（膜面）から直接にレーザビームを照射し、このレーザアニールの完了後に放熱層１０８と保護コート層１０９とを成膜した。
【００５３】
この場合は前述のようにディスク基板１０１を介してレーザビームを照射したときよりレーザアニールの処理効率が良好なので、レーザビームの出力は“３．７（ｍＷ）”に軽減した。次に、レーザアニールした光磁気ディスク１００の情報トラック部１１３の磁性層１０２に、磁界変調方式により微細な記録マークを書き込んで、磁壁移動再生方式により再生した。
【００５４】
この場合、記録パワーを“４．７（ｍＷ）”、再生パワーを“２．１（ｍＷ）”としたとき、ジッタδは最小の“３．４（ｎｓ）”、ビットエラーレートは“１．５×１０−５”となり、これらは良好に低減されていることが確認された。さらに、クロスライト特性とクロストーク特性も測定したが実用上問題なく、記録マークの磁区形状も良好であることが確認された。
【００５５】
ただし、この第２の実施例の光磁気ディスク１００′では、第１の実施例の光磁気ディスク１００と比較して、磁区形状がより鮮明で、かつ磁壁の直線性も良好であった。さらに、第２の実施例の光磁気ディスク１００′では、ランド部１１１とグルーブ部１１２との段差Ｈが“３０（ｎｍ）”と削減されているが、これでも実用上問題ないことが確認された。
【００５６】
［第３の実施例］
さらに、本発明者は第３の実施例として、前述の光磁気ディスク３２０を実際に試作し、実施例１と同一条件で、基板の裏面側（磁性層の無い側）からレーザアニールした後、磁界変調方式により微細な記録マークを書き込んで磁壁移動再生方式により読み出したところ、記録パワーを“５．０（ｍＷ）”、再生パワーを“２．４（ｍＷ）”としたとき、ジッタδは最小の“３．９（ｎｓ）”となった。さらに、ビットエラーレートは“１．８×１０−５”となり、これらは良好に低減されていることが確認された。
【００５７】
さらに、クロスライト特性とクロストーク特性も測定したが、実用上問題なく、第３の実施例の光磁気ディスク３００も、隔壁部３１２が情報トラック部３１１より極端に幅狭であるにもかかわらず、隔壁部３１２によりトラック部３１１を良好に磁気分断できることが確認された。
【００５８】
［第１の比較例］
さらに、本発明者は第１の比較例として、前述の第１の実施例の形状のディスク基板１００に出力が“４０（ｍＷ／ｃｍ２）”のＵＶ（Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）ビームを約８分間照射することにより、図８に示すように、隔壁部４０１の角部の曲率半径Ｒ１が“５０（ｎｍ）”、トラック部４０２の角部の曲率半径Ｒ２が“５０（ｎｍ）”、トラック部４０２と隔壁部４０１との段差Ｈが“４５（ｎｍ）”、のディスク基板４００を製作した。
【００５９】
この第１の比較例のディスク基板４００から第１の比較例の光磁気ディスクを製作し（図示せず）、第１の実施例と同一条件で、レーザアニールを実行してから磁界変調方式による微細な記録マークの書き込みと磁壁移動再生方式による読み出しとを実行したところ、ジッタδは“４．７（ｎｓ）”となり、第１の実施例の“３．４（ｎｓ）”より悪化していることが確認された。さらに、ビットエラーレートは“０．９×１０−４”となり、これも第１の実施例の“１．５×１０−５”より悪化していることが確認された。また、クロスライト特性とクロストーク特性も悪化しており、第１の比較例の光磁気ディスクは、隔壁部４０１により情報トラック部４０２を良好に磁気分断できないことが推測された。
【００６０】
さらに、ＭＦＭを用いて、第１の比較例の光磁気ディスクの記録マークの磁区形状を観察したところ、大幅に湾曲した円弧状であることが確認された。すなわち、アニールによる磁気分断が十分ではないことが確認された。（磁界変調方式ではビームスポットの後部で記録マークが書き込まれ、磁壁移動再生方式ではビームスポットの前部で記録マークが読み取られる。従って、記録マークが本比較例の様に円弧状の場合、記録と再生のビット形状の不一致が記録再生特性の劣化に影響する。）
【００６１】
［第２の比較例］
さらに、本発明者は第２の比較例として、感光性の高いレジスト層２０２のみを膜厚“６０（ｎｍ）”に成膜してディスク原盤（図示せず）を形成することにより、図９に示すように、隔壁部４１１の角部の曲率半径Ｒ１が“１５（ｎｍ）”、トラック部４１２の角部の曲率半径Ｒ２が“１５（ｎｍ）”、のディスク基板４１０を製作した。
【００６２】
この第２の比較例のディスク基板４１０から第２の比較例の光磁気ディスクを製作し（図示せず）、第１の実施例と同一条件で、レーザアニールを実行してから磁界変調方式による微細な記録マークの書き込みと磁壁移動再生方式による読み出しとを実行したところ、ジッタエδは“５．１（ｎｓ）”となり、第１の実施例の“３．４（ｎｓ）”より悪化していることが確認された。さらに、ビットエラーレートは“０．８×１０−４”であり、これも第１の実施例の“１．５×１０−５”より悪化していることが確認された。ただし、クロスライト特性とクロストーク特性は実用上問題ないレベルであった。
【００６３】
さらに、第２の比較例の光磁気ディスクの記録マークの磁区形状を観察したところ、実施例１と比較して、記録マークが半径方向に小さくなり、アニール領域が半径方向に拡がっていることが確認された。これはレーザアニールによる基板の吸熱が、隔壁部４１１の角部だけでなくトラック部４１２の角部にも集中したためであり、実効的な情報トラック幅が狭くなって、記録再生特性が劣化したと推測される。
【００６４】
【発明の効果】
本発明のディスク基板では、隔壁部の角部の曲率半径が小さいことにより、レーザアニールによる基板の吸熱を隔壁部の角部に集中させることができるので、この隔壁部上に積層されている磁性層を良好に変質させることができ、一方、情報トラック部の角部の曲率半径が大きいことにより、隔壁部アニール時の余熱が情報トラック部の角部に集中することを防ぎ、情報トラック部を最大幅に確保することが出来る。すなわち、狭い隔壁部を有効に磁気分断に利用することが可能となり、トラック密度を画期的に向上させることが可能となる。
【００６５】
上述のようなディスク基板において、隔壁部の角部の曲率半径Ｒ１が“０＜Ｒ１≦２０（ｎｍ）”を満足していることにより、アニール時のレーザ照射による基板の吸熱が隔壁部の角部に良好に集中する。また、トラック部の角部の曲率半径Ｒ２が“２０≦Ｒ２≦１２０（ｎｍ）”を満足していることにより、隔壁部をアニールする際の余熱が情報トラック部の角部に集中しない。また、ランド部とグルーブ部との段差Ｈが“１０≦Ｈ≦５０（ｎｍ）”を満足していることにより、スタンパによる形成が容易であり、かつ、レーザアニールするときにトラッキングが容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のディスク基板を示す断面図である。
【図２】実施の形態の光磁気ディスクを示す断面図である。
【図３】光磁気ディスクの磁性層をレーザアニールする状態を示す模式図である。
【図４】ディスク原盤の製造工程を示す工程図である。
【図５】ディスク基板の製造工程を示す工程図である。
【図６】実施の形態の変形例のディスク基板を示す断面図である。
【図７】変形例の光磁気ディスクの磁性層をレーザアニールする状態を示す模式図である。
【図８】第１の比較例のディスク基板を示す断面図である。
【図９】第２の比較例のディスク基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１００，３２０　　光磁気ディスク
１０１，３００　　ディスク基板
１０２　　磁性層
１０４　　磁壁移動層
１０５　　スイッチング層
１０６　　記録保持層
１１１，３０１　　ランド部
１１２，３０２　　グルーブ部
１１３，３１１　　情報トラック部
１１４，３１２　　隔壁部
２００　　原盤基板
２０１　　第１レジスト層
２０２　　第２レジスト層
２０３　　ランド部
２０４　　グルーブ部
２０５　　ディスク原盤
２１０　　ディスクスタンパ
２１１　　隔壁転写部
２１２　　トラック転写部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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