(57)【要約】【課題】  多層電子デバイス及び多層コンデンサを提供すること。【解決手段】  ウィンドウビアコンデンサ４０ａは、底部層４２と複数の第１及び第２の層１０，１８と遷移層２４とカバー層３０多層構造を有している。第１及び第２の層１０，１８には、電極プレート１４、２０が設けられ、交互に対で設けられている。カバー層３０には、第１及び第２の遷移層電極２６，２８の一部を露出するために、複数の開口３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂが形成され、第１及び第２の遷移層電極２６，２８を覆って設けられている。第１及び第２の周辺終端４４，４６は、多層構造の側面に沿って形成されて、電極層１４と第１の遷移層電極２６及び電極層２０と第２の遷移層電極２８を電気的に接続している。【選択図】  図２Ａ
2004282005.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層と、
第１の表面及び反対側の第２の表面と複数の側面とから定められた多層構造を形成するために、前記複数の誘電体層と交互に配置された複数の電極層と、
前記多層構造の前記第１の表面上に設けられた少なくとも１つのそれぞれの第１及び第２の遷移層電極と、
前記第１及び第２の遷移層電極の一部を露出するために、複数の開口が形成され、前記第１及び第２の遷移層電極を覆って設けられたカバー層と、
前記多層構造の側面に沿って形成され、選択された前記電極層及び前記第１の遷移層電極を電気的に接続する少なくとも１つの第１の周辺終端と、
前記多層構造の側面に沿って形成され、選択された前記電極層及び前記第２の遷移層電極を電気的に接続する少なくとも１つの第２の周辺終端と
を備えたことを特徴とする多層電子デバイス。
【請求項２】
前記複数の電極層と、前記第１及び第２の遷移層電極とは、それぞれ前記多層構造の選択された側面に延在し、かつ前記多層構造の選択された側面に沿って露出された複数の電極タブを含み、前記第１の周辺終端は、前記第１の遷移層電極から選択された電極タブ及び選択された前記電極層を電気的に接続し、前記第２の周辺終端は、前記第２の遷移層電極から選択された電極タブ及び選択された前記電極層を電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の多層電子デバイス。
【請求項３】
前記第１及び第２の遷移層電極は、Ｕ字状または矩形形状であることを特徴とする請求項１に記載の多層電子デバイス。
【請求項４】
多数の前記複数の誘電体層は、前記多層構造の前記第２の表面上に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の多層電子デバイス。
【請求項５】
前記カバー層によって定められた前記開口に形成された複数のビア終端を備えたことを特徴とする請求項１に記載の多層電子デバイス。
【請求項６】
選択された前記複数のビア終端に接続された複数の半田ボールを備えたことを特徴とする請求項５に記載の多層電子デバイス。
【請求項７】
前記複数のビア終端は、金属材料の第１の層と抵抗器ポリマー材料の第２の層と金属材料の第３の層とを備えたことを特徴とする請求項５に記載の多層電子デバイス。
【請求項８】
前記複数のビア終端は、異なる金属材料の多数の層を備え、選択された前記多数の層は、無電解メッキによって形成されたことを特徴とする請求項５に記載の多層電子デバイス。
【請求項９】
選択された前記複数のビア終端と前記第１の周辺終端と前記第２の周辺終端は、露出された電極に直接メッキされたことを特徴とする請求項５に記載の多層電子デバイス。
【請求項１０】
選択された前記電極層と、前記第１及び第２の遷移層電極とは、酸化ルテニウムを含み、等価直列抵抗器の予め決められた値によって特徴付けられることを特徴とする請求項１に記載の多層電子デバイス。
【請求項１１】
前記第１及び第２の周辺終端は、前記多層電子デバイスのそれぞれ選択された側面の実質的に全寸法に沿って延在し、前記それぞれの選択された側面に隣接する少なくとも１つの表面の周りを囲むことを特徴とする請求項１に記載の多層電子デバイス。
【請求項１２】
前記多層構造の前記第２の表面に設けられた少なくとも１つの追加のそれぞれの第１及び第２の遷移層電極と、
該第１及び第２の遷移層電極の一部を露出するために、複数の開口が形成され、前記第１及び第２の遷移層電極を覆って設けられた追加のカバー層とを備え、
前記第１の周辺終端は、選択された前記電極層と、前記多層構造の前記第１の表面に設けられた前記第１の遷移層電極と、前記多層構造の前記第２の表面に設けられた前記少なくとも１つの追加の第１の遷移層電極とを電気的に接続し、
前記第２の周辺終端は、選択された前記電極層、前記多層構造の前記第１の表面に設けたれた前記第２の遷移層電極、及び前記多層構造の前記第２の表面に設けられた前記少なくとも１つの追加の第２の遷移層電極を電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の多層電子デバイス。
【請求項１３】
前記カバー層によって定められた前記開口、及び前記追加のカバー層によって定められた前記開口に形成された複数のビア終端を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の多層電子デバイス。
【請求項１４】
選択された前記複数のビア終端に接続された複数の半田ボールを備えたことを特徴とする請求項１３に記載の多層電子デバイス。
【請求項１５】
複数の誘電体層と、
最上部層及び最底部層と複数の隣接する側面とから形成される、多層化されたアセンブリを形成するために、選択された前記複数の誘電体層と交互に配置されたそれぞれ複数の第１及び第２の電極層と、
前記多層化されたアセンブリの前記最上部層を通して設けられ、１つの前記第１の電極層に電気的に接続された、少なくとも１つの第１のビア終端と、
前記多層化されたアセンブリの前記最上部層を通して設けられ、１つの前記第２の電極層に電気的に接続された、少なくとも１つの第２のビア終端と、
前記多層化されたアセンブリの選択された側面に沿って設けられ、前記複数の第１の電極層を電気的に接続する、少なくとも１つの第１の周辺終端と、
前記多層化されたアセンブリの選択された側面に沿って設けられ、前記複数の第２の電極層を電気的に接続する、少なくとも１つの第２の周辺終端と
を備えたことを特徴とする多層コンデンサ。
【請求項１６】
前記複数の第１の電極層は、それぞれ前記多層化されたアセンブリの選択された側面に延在し、かつ前記多層化されたアセンブリの選択された側面に沿って露出された複数の電極タブを含み、前記第１の周辺終端は、前記複数の第１の電極層から選択された電極タブを電気的に接続し、前記第２の周辺終端は、前記複数の第２の電極層から選択された電極タブを電気的に接続することを特徴とする請求項１５に記載の多層コンデンサ。
【請求項１７】
前記多層化されたアセンブリの前記最底部層は、多数の前記複数の誘電体層を備えたことを特徴とする請求項１５に記載の多層コンデンサ。
【請求項１８】
前記第１のビア終端及び前記第２のビア終端に接続された、複数の半田ボールを備えたことを特徴とする請求項１５に記載の多層コンデンサ。
【請求項１９】
選択された前記第１のビア終端と前記第２のビア終端と前記第１の周辺終端と前記第２の周辺終端は、金属材料の第１の層と、抵抗器ポリマー材料の第２の層と、金属材料の第３の層とを備えたことを特徴とする請求項１５に記載の多層コンデンサ。
【請求項２０】
選択された前記第１のビア終端と前記第２のビア終端と前記第１の周辺終端と前記第２の周辺終端は、異なる金属材料の複数の層を備え、選択された前記複数の層は、メッキ技術によって形成されたことを特徴とする請求項１５に記載の多層コンデンサ。
【請求項２１】
選択された前記第１及び第２の電極層は、酸化ルテニウムを含み、前記多層コンデンサは、等価直列抵抗器の予め決められた値によって特徴付けられることを特徴とする請求項１５に記載の多層コンデンサ。
【請求項２２】
前記第１及び第２の周辺終端は、前記多層コンデンサのそれぞれ選択された側面の実質的に全寸法に沿って延在し、前記それぞれの選択された側面に隣接する少なくとも１つの表面の周りを囲むことを特徴とする請求項１に記載の多層コンデンサ。
【請求項２３】
複数の第１の層を備え、各第１の層は、縁部によって側方が境界を定められ、かつ第１の電極プレートによって部分的に覆われる誘電体材料のシートを有し、
複数の第２の層を備え、各第２の層は、縁部によって側方が境界を定められ、かつ第２の電極プレートによって部分的に覆われる誘電体材料のシートを有し、
隣接する前記第１及び第２の電極プレートが反対側のコンデンサプレートを形成するように、前記第１及び第２層は、多層化されたアセンブリに交互に積層され、前記多層化されたアセンブリは、第１及び第２の反対側の表面、及び複数の側面によって特徴付けされ、
前記誘電体材料のシートと、該誘電体材料のシート上に設けられた少なくとも１つのそれぞれの第１及び第２の遷移層電極とを有する遷移層を備え、該遷移層は、前記多層化されたアセンブリの前記第１の表面上に設けられ、
前記遷移層を覆って設けられたカバー層を備え、該カバー層は、前記第１及び第２の遷移層電極の一部を露出するために、複数の開口が形成され、
前記第１の電極プレート及び前記第１の遷移層電極は、少なくとも１つの実質的に線形アライメントで、前記多層化されたアセンブリの選択された側面に沿って露出され、前記第１の電極プレート及び前記第１の遷移層電極は、少なくとも１つの第１の周辺終端によって接続され、
前記第２の電極プレート及び前記第２の遷移層電極は、少なくとも１つの実質的に線形アライメントで、前記多層化されたアセンブリの選択された側面に沿って露出され、前記第２の電極プレート及び前記第２の遷移層電極は、少なくとも１つの第２の周辺終端によって接続されることを特徴とする多層コンデンサ。
【請求項２４】
前記第１及び第２の遷移層電極は、Ｕ字状または矩形形状であることを特徴とする請求項２３に記載の多層コンデンサ。
【請求項２５】
前記多層化されたアセンブリの前記第２の表面上に設けられた少なくとも１つの誘電体シートを備えたことを特徴とする請求項２３に記載の多層コンデンサ。
【請求項２６】
前記カバー層によって定められた前記開口に形成された複数のビア終端を備えたことを特徴とする請求項２３に記載の多層コンデンサ。
【請求項２７】
選択された前記複数のビア終端に接続された複数の半田ボールを備えたことを特徴とする請求項２６に記載の多層コンデンサ。
【請求項２８】
前記複数のビア終端は、金属材料の第１の層と、抵抗器ポリマー材料の第２の層と、金属材料の第３の層とを備えたことを特徴とする請求項２６に記載の多層コンデンサ。
【請求項２９】
前記複数のビア終端は、異なる金属材料の複数の層を備え、選択された前記複数の層は、メッキによって形成されたことを特徴とする請求項２６に記載の多層コンデンサ。
【請求項３０】
選択された前記第１及び第２の電極プレートと、前記第１及び第２の遷移層電極とは、酸化ルテニウムを含み、等価直列抵抗器の予め決められた値によって特徴付けられることを特徴とする請求項２３に記載の多層コンデンサ。
【請求項３１】
前記第１及び第２の周辺終端は、前記多層コンデンサのそれぞれ選択された側面の実質的に全寸法に沿って延在し、前記それぞれの選択された側面に隣接する少なくとも１つの表面の周りを囲むことを特徴とする請求項２３に記載の多層コンデンサ。
【請求項３２】
前記誘電体材料のシート、及び前記誘電体材料のシート上に設けられた少なくとも１つのそれぞれの追加の第１及び第２の遷移層電極を有する追加の遷移層を備え、該追加の遷移層は、前記多層化されたアセンブリの前記第２の表面上に設けられ、
前記少なくとも１つの追加の第１及び第２の遷移層電極の一部を露出するために、複数の開口が形成され、前記追加の遷移層を覆って設けられた追加のカバー層を備え、
前記第１の周辺終端は、前記第１の電極プレートと、前記第１の遷移層電極と、前記少なくとも１つの追加の第１の遷移層電極とを電気的に接続し、
前記第２の周辺終端は、各前記第２の電極プレートと、前記第２の遷移層電極と、前記少なくとも１つの追加の第２の遷移層電極とを電気的に接続することを特徴とする請求項２３に記載の多層コンデンサ。
【請求項３３】
前記カバー層によって定められた前記開口、及び前記追加のカバー層によって定められた前記開口に形成された複数のビア終端を備えたことを特徴とする請求項２３に記載の多層コンデンサ。
【請求項３４】
選択された前記複数のビア終端に接続された複数の半田ボールを備えたことを特徴とする請求項３３に記載の多層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層電子デバイス及び多層コンデンサに関し、より詳細には、多層電子構成部品用の改良型終端技術、及び多層コンデンサのためのビア（ｖｉａ）接続技術に関する。任意選択のウィンドウ終端層を有する内部電極層の特定の形成及び配置は、低インダクタンス終端の形成を容易にする。そのような終端は、好ましくは、ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ；ＢＧＡ）及び他のデバイス搭載技術と両立する。
【背景技術】
【０００２】
多くの現代の電子構成部品は、モノリシックデバイスとしてパッケージされ、単一のチップパッケージ内に単一の構成部品または複数の構成部品を備えることができる。そのようなモノリシックデバイスの特定の一例は、多層コンデンサまたはコンデンサアレイであり、開示された技術に関して特に関心のある特定の一例は、交互に配置された内部電極層及び対応する電極タブを有する多層コンデンサである。交互に配置されたコンデンサ（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ；ＩＤＣ）技術の特徴を含む多層コンデンサの例は、米国特許（ＤｕＰｒｅ他）及び米国特許（ＤｕＰｒｅ他）に見出すことができる（例えば、特許文献１、２参照）。他のモノリシック電子構成部品は、複数の受動構成部品を単一チップ構造に集積するデバイスに対応する。そのような集積された受動構成部品は、抵抗器、コンデンサ、インダクタ、及び／又は多層化された構成で形成され、かつモノリシック電子デバイスとしてパッケージされる他の受動構成部品の選択された組み合わせを提供することができる。
【０００３】
選択性の終端は、様々なモノリシック電子構成部品についての電気接続を形成するためにしばしば必要である。複数の終端は、集積されたモノリシックデバイスの異なる電子構成部品への電気接続を提供するために必要である。複数の終端は、また、望ましくないインダクタンスレベルを低減するために、ＩＤＣ及び他の多層アレイとともにしばしば使用される。複数の終端が多層構成部品に形成されるある例示的な方法は、チップ構造の選択された領域を通してビアを穿孔し、かつ電気接続が、デバイスの選択された電極の中に形成されるように、導電材料でビアを充填することである。
【０００４】
終端が、多層電子デバイスのために形成されるさらに他の方法は、半田停止材料で終端ランドの部分を被覆することを含み、したがって、半田ボールまたは他の半田プリフォームを付けることができる、予め決められた領域を形成することを含む。
【０００５】
全ての目的のために参照によって本明細書に組み込まれる、米国特許（Ｌｉｕ）（例えば、特許文献３参照）などのように、小さい構成部品が、比較的大きな回路基板環境への搭載に適合するように、モノリシック電子構成部品についての終端技術が構成されることもできる。これは、印刷回路基板または他の基板上の非常に特定な位置に配置された非常に小さいデバイスを有することがしばしば好ましい、特にコンデンサデバイスについて当てはまる。したがって、内部及び外部構成部品の独特な配置が、構成部品構成及び終端における追加の利点をもたらすことができる。
【０００６】
様々な態様及び他の特徴が、そのためのコンデンサ形成及び終端の分野において知られているが、一般に、本明細書に記載されるような全ての問題を解決するようなものは無かった。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第５，８８０，９２５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，２４３，２５３Ｂ１号明細書
【特許文献３】米国特許第６，３２４，０４８Ｂ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、コンデンサ形成技術、構成部品終端技術及び関連する技術の様々な前述の態様や他の態様を認識して扱うものである。したがって、本発明の目的は、電子構成部品、及び特に多層コンデンサデバイスについての改善された形成及び終端技術を実現することである。
【０００９】
また、本発明の目的は、多層コンデンサに内部電極層を提供することであり、この内部電極層は、交互に配置された方法で形成され、したがって、一般に低い等価直列インダクタンス（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｉｎｄｕｃｔａｎｃｅ、ＥＳＬ）を特徴とする電極構成を提供することである。コンデンサのインダクタンスは、第１層のインダクタンスによって支配され、したがって、本発明によって示される例示的な構成において、コンデンサの全体のインダクタンスは、開示されるように非常に効果的な構造によって低減されることが見出された。
【００１０】
本発明の他の目的は、ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ、ＢＧＡ）搭載技術と両立し、したがって、モノリシックチップデバイスの下に多数のコプレーナ接点を提供するコンデンサ構成部品を提供することである。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、接点を多層デバイスの内部電極層表面に直接にメッキすることができるように、多層デバイスに、上部カバー層に形成されたウィンドウを有する上部カバー層を提供することである。全ての終端接点を、多層デバイス内に単一層に作ることができるように、遷移層も利用することができる。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、多層コンデンサが使用される回路環境において、制御された等価直列抵抗器（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  Ｓｅｒｉｅｓ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）を配置する可能性を含む、改善された多層コンデンサ及び対応する終端技術を提供することである。
【００１３】
本発明の追加の目的及び利点は、本明細書の詳細な説明に示され、または本明細書から当業者には明らかであろう。本明細書に特に例示され、言及され、かつ説明される特徴に対する修正及び変形は、様々な実施形態において、及び本発明への参照によって、開示される技術思想及び技術的範囲から逸脱することなく様々な開示された技術の利用において実施することができることは、当業者ならさらに理解されたい。そのような変形形態は、開示され、参照され、または説明される、等価手段及び特徴または材料の置き換え、及び様々な部品、特徴などの機能的、作動的、または位置的な反転を、それらに限定することなく含むものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の開示された技術の異なる実施形態、ならびに本発明で好ましい異なる実施形態は、本発明で開示された特徴または要素の様々な組み合わせまたは構成、またはそれらの等価物（図に明らかに示されておらず、または詳細な説明に記載されていない、それらの特徴または構成の組み合わせを含む）を含むものである。
【００１５】
本発明に開示された技術のある例示的な実施形態が、複数の電極層で交互に配置された複数の誘電体層から形成された多層化されたアセンブリに対応する。第１及び第２遷移層電極が、多層アセンブリの上面に設けられ、多層アセンブリの上面上に、カバー層が設けられる。カバー層は、第１及び第２の遷移層電極の一部を露出するために、カバー層を通る複数の開口を定めるように形成される。第１及び第２の周辺終端は、コンデンサの多層構成の選択された側部表面に沿って形成され、かつ選択された電極層を、それぞれ第１及び第２の遷移層電極に電気的に接続する。
【００１６】
関連する実施形態において、追加のビア終端は、カバー層によって定められるように形成された開口に形成され、半田ボールは、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）搭載技術と両立する構成部品を容易にするために、ビア終端に接続されることもできる。いくつかの実施形態において多層化された終端であることができるビア終端は、様々なメッキ技術によって形成することができる。
【００１７】
電極層及び／又は第１及び第２の遷移層電極は、ルテニウム酸化物を含む様々な材料から形成することができ、それによって、所定値の等価直列抵抗器（ＥＳＲ）を多層コンデンサに導入する。
【００１８】
本発明の他の例示的な実施形態は、少なくとも１つの底部層と、複数の第１及び第２の層と、遷移層と、カバー層とを含む積層された多層構成に対応することができる、ウィンドウビア（ｗｉｎｄｏｗ  ｖｉａ）コンデンサに関する。そのようなウィンドウビアコンデンサの代わりの変形実施形態は、底部ウィンドウ層と、底部遷移層と、複数の第１及び第２の層と、続く上部ウィンドウ層及び上部カバー層との積層された構成を備えている。
【００１９】
より詳細には、各第１及び第２の層は、好ましくは、誘電体材料のシートの上に設けられた、それぞれ第１または第２の電極プレートを有する誘電体材料のシートを特徴とする。各遷移層は、遷移層電極及び／又はアンカータブを上部に設けることができる、誘電体材料のシートを含むこともできる。隣接する第１及び第２の電極プレートは、多層構成における反対側の能動コンデンサプレートを形成する。各第１及び第２の電極プレートの一部は、ウィンドウビアコンデンサの周辺の選択された側部部分に延在し、かつウィンドウビアコンデンサの周辺の選択された側部部分で露出される。遷移層の電極及び／又はアンカータブ部分は、第１及び第２の電極プレートに対するそれぞれの類似する位置にアライメントされ、周辺終端は、ともに第１の極性の選択された電極、及びともに反対の極性の選択された部分を接続することができる。
【００２０】
いくつかの実施形態において、周辺終端と遷移層の電極との接続は、２つの反対側の終端を単一のプレーナ表面でまとめる。それから、ウィンドウビアは、ウィンドウビアコンデンサの能動構成部品に対する低インダクタンスの電気接続を生じさせるように、カバー層に設けられたウィンドウを介して形成することができる。他の実施形態は、２つの隣接する表面においてウィンドウビア接続を形成するために、カバー層及び遷移層の両方にウィンドウを利用する。例示的なウィンドウビアは、連続的にメッキされた銅、ニッケル、及びスズの層、または金属材料、抵抗器ポリマー材料の連続層、及び金属材料などの、単一または多数の層を含むことができる。半田ボールは、ＢＧＡ搭載技術と両立するウィンドウビアコンデンサを生じるために、そのようなウィンドウビアに適用されることもできる。
【００２１】
本発明のさらに他の例示的な実施形態は、複数の誘電体層と、それぞれの複数の第１及び第２の電極層と、少なくとも１つのそれぞれの第１及び第２のビア終端と、少なくとも１つの第１及び第２のそれぞれの周辺終端とを含む多層コンデンサに対応する。それぞれの複数の第１及び第２の電極層は、最上部表面及び最底部表面によって特徴付けられる多層アセンブリを形成するために、選択された複数の誘電体層で交互に配置される。少なくとも１つの第１のビア終端は、多層化されたアセンブリの最上部層を介して設けられ、かつ第１の電極層の１つに電気接続され、一方、少なくとも１つの第２のビア終端は、多層化されたアセンブリの最上部層を介して設けられ、かつ第２の電極層の１つに電気接続される。少なくとも１つの第１の周辺終端は、アセンブリの選択された側方表面に沿って設けられ、かつ複数の第１の電極層を電気的に接続する。同様に、少なくとも１つの第２の周辺終端は、アセンブリの選択された側面に沿って設けられ、かつ複数の第２の電極層を電気的に接続する。
【００２２】
必ずしもこの要約された部分で表現される必要はないが、本発明の追加の実施形態は、要約された上記目的で言及された特徴または部品、及び／又は本明細書において他の点では説明された特徴または部品の態様の様々な組み合わせを、含みかつ組み込むことができる。
【００２３】
当業者は、本明細書のその他の部分から、そのような実施形態及び他の実施形態の特徴及び態様をより良く理解するであろう。
【００２４】
その最良の実施形態を含む、当業者に向けられた本発明の完全で可能な説明が、添付図面を参照して明細書に示される。
【００２５】
本明細書及び添付図面を通して繰り返し用いられる同じ参照記号は、本発明の同一または類似する構成要素を表わしている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の態様について説明する。  
本発明は、多層コンデンサ及び他の電子構成部品のための改善された構成部品形成及び終端技術に係るものである。「ウィンドウビアコンデンサ」は、内部電極層または任意の遷移層の部分を露出するウィンドウ状の開口を有する少なくとも１つのカバー層を使用し、電気接点は、そのような露出された領域に直接メッキすることができる。半田ボールが、ＢＧＡ搭載技術によって適用することができるように、複数のコプレーナ終端を形成することが望ましい。
【００２７】
ウィンドウビアコンデンサのいくつかの例示的な実施形態は、本発明の重要な態様に代わるために本明細書で示される。図１Ａから図５は、それぞれその第１及び第２の変形実施形態を含む、本発明のウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態の態様を示す図である。図６Ａから図７Ｂは、それぞれ、本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態、ならびに関連する実施態様を示す図である。本発明の第３の例示的な実施形態は、それぞれ図８Ａから図９Ｂに示されている。
【００２８】
本明細書に示される各例示的な実施形態は、開示された技術の限定を示唆するものではないことに留意されたい。ある実施形態の一部として示されまたは記載された特徴は、さらなる実施形態を生み出すために、他の実施形態と組み合わせて使用することができる。さらに、特定の特徴は、同一の、類似する、または等価の機能を実行する、まだ述べられていない同様のデバイスまたは特徴と置き換えらえることができる。
【００２９】
さらに、いくつかのコンデンサが、多層構成部品の選択された上部または底部表面上にだけ端子とともに示されている。ある適用は、構成部品が、上部または底部表面に対して対称であることが好ましい、または必要でさえある可能性があり、それらは、自動化された設備を用いてアセンブリすることができ、または電気フィードスルー接続を可能にするためにアセンブリすることができる。そのような場合において、選択された上部表面を形成する記載された構造は、図２Ｂ及び図４Ｂの例示的な実施形態４０ｂに示されるように、選択された底部表面について使用されることもできる。
【００３０】
以下、開示される本発明の好ましい実施形態に対して説明する。  
図１Ａから図１Ｅは、（図２Ａ及び図２Ｂの分解図に示されるような）第１の例示的なウィンドウビアコンデンサ４０での使用のための連続層の上面図である。図１Ａに示されるような第１の層１０は、部分的に第１の電極プレート１４で覆われた誘電体材料のシート１２ａを備える。電極プレート１４は、電極プレートの一部が、誘電体シート１２ｂの少なくとも１つの縁部１６の全体に延在し、誘電体シート１２ｂの少なくとも１つの縁部１６の全体に沿うように形成することができる。複数の層が、互いに上部で連続的に積層されるとき、したがって、電極プレートの部分が、多層デバイスの選択された側面部分で露出される。
【００３１】
第１の例示的なウィンドウビアコンデンサの形成において使用することができる第２の層１８は、図１Ｂで示されており、図１Ａの第１の層１０と類似している。第２の層１８は、好ましくは、第２の電極プレート２０によって部分的に覆われる誘電体材料のシート１２ｂを備える。電極プレート２０は、電極プレートの一部が、誘電体シート１２ｂの少なくとも１つの縁部２２の全体に延在し、誘電体シート１２ｂの少なくとも１つの縁部２２の全体に沿うように、形成することができる。縁部２２で露出された電極プレート２０の部分及び任意の隣接する露出された部分は、好ましくは、縁部１６によって形成される電極プレート１０の部分の反対側に設けられる。図２Ａ及び図２Ｂを参照してさらに説明するように、第１の層１０及び第２の層１８は、それぞれ電極プレート１４及び２０が、並列プレートコンデンサの反対側の能動プレートを形成するように、互いに隣接して層状の積層状態で設けることができる。
【００３２】
遷移層も、好ましくは、ウィンドウビアコンデンサの第１の例示的な実施形態で使用される。２つの例示的な遷移層２４ａ及び２４ｂは、図１Ｃ及び図１Ｄにそれぞれ示されている。いずれの遷移層の実施形態も、本発明のウィンドウビアコンデンサの実施形態で使用することができる。そのように、遷移層２４に関する本明細書の説明は、そのような例示的な遷移層２４ａ及び２４ｂの両方に関する。同様に、図及び／又は記載された実施形態が、遷移層２４を含むとき、例示的な遷移層２４ａまたは２４ｂ、あるいはそれらのいくつかの他の変形実施形態を使用することができる。部分２６ａ及び／又は２６ｂに対応する参照符号２６、及び部分２８ａ及び／又は２８ｂに対応する参照符号２８について、そのような同じ状況が維持される。
【００３３】
その上面図がそれぞれ図１Ｃ及び図１Ｄに示されている遷移層２４ａ及び２４ｂは、誘電体材料のシート１２ｃを備え、誘電体材料のシート１２ｃの上部に、第１の遷移層電極２６及び第２の遷移層電極２８が備えられる。第１の遷移層電極２６は、好ましくは図１Ａの電極プレート１４が延在する同じ選択された縁部１６に延在し、遷移層電極２８は、好ましくは図１Ｂの電極プレート２０が延在する同じ選択された縁部２２に延在する。遷移層電極は、図１Ｃの部分２６ａ及び２８ａなど一般に矩形形状であることができ、または図１Ｄの部分２６ｂ及び２８ｂなどの一般にＵ字形状構成を有することができる。
【００３４】
電極プレート１４及び２０、及び電極２６及び２８を有する遷移層２４の形成、ならびにその露出された部分の位置は、１つの縁部または多くの縁部に沿うことができることを理解されたい。複数の選択された電極が、第１のアライメントされた周辺位置で露出されたままであり、かつ追加の複数の選択された電極が、少なくとも１つの他の異なる周辺位置で露出されたままである限り、開示された電極プレート及び部分に対する変更は、本発明の技術思想及び技術的な範囲内である。
【００３５】
図１Ｅは、本発明のウィンドウビアコンデンサの実施形態で使用するためのカバー層を示す図である。カバー層３０は、誘電体材料のシート１２ｄを備え、誘電体材料のシート１２ｄは、複数の第１のウィンドウ３２ａ及び３２ｂ（以下、まとめて３２という）、ならびに複数の第２のウィンドウ３４ａ及び３４ｂ（以下、まとめて３４という）を設けるために形成される。本発明のいくつかの実施形態において、カバー層３０は、約１ｍｉｌ（約２５．４×１０−３ｍｍ）の例示的な厚みで特徴付けられる。残りの説明に関してさらに理解されるように、そのようなウィンドウ３２及び３４は、本発明のウィンドウビア終端を形成するために利用される。
【００３６】
誘電体シート１２ａ〜１２ｄは、チタン酸バリウム、酸化亜鉛、難燃性ガラスを備えるアルミナ、または他の適切なセラミックまたはガラスに接合された材料を含む、コンデンサまたは他のタイプの電子構成部品での使用に適した、任意のタイプの半導体またはセラミック材料をそれぞれ含むことができる。本発明のいくつかの実施形態において、誘電体シート１２ａ〜１２ｄは、約５ミクロンから約２５ミクロンの範囲の厚みを有することができる。電極プレート１４及び２０、ならびに遷移層電極２６及び２８は、白金、金、ニッケル、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、他の適した導電材料、または選択された上記で参照された物質の組み合わせあるいは選択された上記で参照された物質の合金など、電極プレートとしての使用に適した任意の導電材料を含むことができる。電極プレート及び／又は電極において、酸化ルテニウムなどの抵抗特性を有する材料を使用することによって、制御された等価直列抵抗器（ＥＳＲ）を、ウィンドウビアコンデンサに導入することができる。
【００３７】
それぞれ図１Ａから図１Ｅに示される層は、ウィンドウビアコンデンサの実施形態を形成するためにともに組み合わせることができる（その変形実施形態が、それぞれ図２Ａ及び図２Ｂに示されている）。そのようなウィンドウビアコンデンサは、底部から上部へ特定の順番及び／又は関係で連続的に積層された層、つまり多層構造である。そのような底部及び上部については、必要に応じて使用されることを理解されたい。底部層は、そのようなコンデンサが回路基板に搭載されるとき、実際に上部層であることができる。
【００３８】
図２Ａのウィンドウビアコンデンサ４０ａを参照して、底部層は、少なくとも１つの誘電体材料のシート４２（２つの誘電体材料のシートが、図２Ａに示されている）を備えることができる。シート４２は、誘電体シート１２ａ〜１２ｃと類似しており、同様の選択された材料を含むことができる。そのような底部層は、第１の実施形態４０ａの多層化された構造、及びそれらの他の層及び能動構成部品についての保護に対する支持体を追加するために提供される。底部層４２を設けた後で、少なくとも１つの第１の層１０及び少なくとも１つの第２の層１８が設けられる。そのような第１及び第２の層は、好ましくは、所定の第１の層１０の電極プレート及び隣接する第２の層１８が、反対側のコンデンサプレートを形成するように、交互に対で設けられる。３つの第１の層１０及び３つの第２の層１８が、例示的に図２Ａに示されているが、任意の数の第１の層１０及び第２の層１８を設けることができる。第１の層１０及び第２の層１８と、遷移層２４とカバー層３０は、それぞれ実施形態４０ａの積層構成に追加される。
【００３９】
図２Ｂは、デバイスの最底部の層を除いて図２Ａに類似するウィンドウビアコンデンサの他の実施形態４０ｂを示す図である。前述したように、いくつかの適用は、構成部品が、上部及び底部表面に関して対称であることが必要である。そのように、図２Ｂの底部層は、好ましくは、遷移層２４及びカバー層３０を備える（上部の２つの層に類似する）。対称性について、底部遷移層２４は、反対の向きに上部遷移層２４に積層されることに留意されたい。このように、底部層が、実際には上部層と同一であるが逆であり、終端の後、搭載のためにどちらの側をユーザが下方に配置するかは重要ではない。
【００４０】
ウィンドウビアコンデンサのための選択された層が、積層されかつともに焼成されると、内側電極プレート及び遷移層電極に対する終端が行われることができる。第１のコンデンサの実施形態４０ａ及び４０ｂ（図３及び図５において実施形態４０としてまとめて参照される）は、ともに第１の極性の全ての電極を接続し、かつ同様にともに反対の極性の全ての電極を接続するように、図３に示されるように端部で終端することができる。周辺終端４４は、好ましくは、電極プレート１４の露出された部分、及び第１の遷移層電極２６に接続される。そのような第１の周辺終端４４は、コンデンサ４０の側部１６全体を横切って延在し、デバイスの隣接する側部の選択された部分の周りを囲むことができる。周辺終端４６は、好ましくは、電極プレート２０の露出された部分、及び第２の遷移層電極２８に接続される。そのような第２の周辺終端４６は、コンデンサ４０の側部１６全体を横切って延在し、デバイスの隣接する側部の選択された部分の周りを囲む。
【００４１】
周辺終端４４及び４６は、銀ペーストまたは銅ペーストなどの「厚いフィルム」の導電終端材料の適用によって形成することができる。周辺終端４４及び４６は、代わりに、選択された露出した電極に対して導電材料の堆積を行うことによって形成することができ、最終的に「メッキされた終端」を形成する。そのようなメッキされた終端は、電気メッキまたは電気化学的な堆積によって形成することができ、露出された電極を有するコンデンサ４０は、電気的バイアスによって特徴付けられる、電解ニッケルまたは電解スズなどのメッキ溶液に曝される。コンデンサ自体は、次に、メッキ溶液の極性とは反対の極性にバイアスされ、メッキ溶液内の導電元素が、コンデンサの選択された露出した電極に引き付けられる。そのような極性バイアスの無いメッキ技術は、無電解メッキと呼ばれ、ニッケルまたは銅イオン性溶液などの無電解メッキ溶液とともに使用することができる。
【００４２】
電気化学的堆積及び無電解メッキ技術によれば、コンデンサ４０は、好ましくは、特定の時間量について適切なメッキ溶液に浸される。本発明の実施形態で、ウィンドウビアコンデンサに沿って選択された露出した電極に堆積するために、十分なメッキ材料に必要なのは、１５分間より長くなく、蓄積は、選択された隣接する露出した電極の中に連続する接続を作るためにメッキ材料を広げるには十分である。
【００４３】
メッキされた終端の形成に従って使用することができる他の技術は、メッキ材料の磁気的な引き付けを含む。例えば、浴槽溶液（ｂａｔｈ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ）内に懸濁されたニッケル粒子は、ニッケルの磁気特性を利用して、コンデンサの選択された露出した同様の導電電極に引き付けることができる。同様の磁気特性を有する他の材料は、メッキされた終端の形成に使用することができる。
【００４４】
ウィンドウビアコンデンサの選択された露出した電極に対する、メッキされた終端材料の適用に関するさらに他の技術は、電気泳動または静電気の原理を含む。そのような例示的な技術に従って、浴槽溶液は、静電気で帯電された粒子を含む。露出された電極を有するウィンドウビアコンデンサは、次に反対の電荷でバイアスすることができ、帯電された粒子が、構成部品上の選択された位置に堆積されるように、浴槽溶液に浸すことができる。この技術は、ガラス、及び他の半導体性または非導電性材料の適用に特に有用である。そのような材料が堆積されると、その後、構成部品に過剰な熱を中間的に適用することによって、堆積された材料を導電材料に変換することができる。
【００４５】
開示された技術に従ったメッキされた終端を形成するための１つの特定の方法は、上記で参照されたメッキ適用技術の組み合わせに関係する。ウィンドウビアコンデンサは、まず、選択された露出した電極を覆って初期の銅層を堆積するために、銅イオン溶液などの無電解メッキ溶液に浸漬することができる。メッキ技術は、そのような構成部品の選択された部分上に、より速い銅の蓄積を可能にする電気化学的なメッキシステムに切り替えることができる。
【００４６】
本発明による、ウィンドウビアコンデンサの選択された露出した電極に対して材料をメッキする異なる利用可能な技術によれば、異なるタイプの材料を、メッキされた終端を作るために使用することができる。例えば、ニッケル、銅、スズなどの金属導体、ならびに適切な抵抗性導体または半導体性材料（バリスタ技術に従って提供される材料など）、及び／又は選択されたこれらの異なるタイプの材料の組み合わせを使用することができる。
【００４７】
本発明によるメッキされた終端は、露出された電極の位置によって案内される。メッキされた終端の形成が、ウィンドウビアコンデンサ上の選択された周辺位置で、露出された金属被覆の構成によって決定されるので、そのような現象は、「自己決定（ｓｅｌｆ−ｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇ）」と呼ばれることがある。完全なメッキ被覆範囲及びメッキされた材料のボンディングをさらに確実にすることは、メッキ溶液に抵抗を低減する添加剤を含ませることによって達成することができる。メッキされた終端を形成する金属堆積の接着性を強化するためのさらに他の機構は、その後、焼成、レーザサブジェクション、ＵＶ露光、マイクロ波露光、アーク溶接などの技術に従って構成部品を加熱することである。
【００４８】
周辺終端４４及び４６の遷移層の電極への接続が、単一のプレーナ表面上に２つの反対側の終端を集める。コンデンサ４０の全ての能動部分に対する電気的な接続は、したがって、１つまたは複数の遷移層のそれぞれの電極に対する接続を介して行われることができる。図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、第１の複数のウィンドウ３２は、第１の遷移層電極２６に対する露出されたアクセスを提供し、第２の複数のウィンドウ３４は、第２の遷移層電極２８に対する露出されたアクセスを提供する。２つのウィンドウだけが、各複数性３２及び３４でそれぞれ示されているが、より多くの数またはより少ない数のウィンドウは、遷移層２４の電極を露出するために提供することができることを理解されたい。ウィンドウは、部品が搭載される基板上の一組の特定の接点に適するように、再配置することができる。
【００４９】
カバー層３０に形成されるウィンドウ３２及び３４は、ウィンドウビア４８が形成することができるセラミック半田ダムとして考えることができる。第１の例示的なコンデンサ４０の一部の詳細図が、図５に示され、カバー層３０に形成されたウィンドウ３２ａを示す。ウィンドウ３２ａに関する以下の説明は、本発明の他のウィンドウ及びウィンドウビアに同様に適用できることを理解されたい。カバー層３０の例示的な厚み５０は、約３５ミクロンであり、一方ウィンドウ３２ａの例示的な幅５２は、約５ｍｉｌ（１２７ミクロン）である。
【００５０】
さらに図５を参照すると、ウィンドウビアは、遷移層２４の電極２６の露出された部分に終端を設けるために、ウィンドウ３２ａ（及び他のウィンドウ）に形成することができる。ウィンドウビア４８は、単一の終端層または複数の遷移層を備えることができ、各遷移層は、様々な材料組成及び／又は特定の厚みによって特徴付けることができる。ウィンドウビア４８のある特定の例は、銅の第１のメッキされた層５４、ニッケルの第２のメッキされた層５６と、スズの第３のメッキされた層５８とを含む。ウィンドウビア４８の他の例は、第１のメッキされた金属層と、第２のメッキされた抵抗器ポリマー材料の層と、例えばスズまたは銅製の第３の追加の金属層とを含む。ウィンドウビア４８のさらに他の例は、第１のメッキされた金属層と、第２のメッキされた抵抗性合金の層とを含む。
【００５１】
そのようなメッキされた多層ウィンドウビアは、第１及び第２の周辺終端４４及び４６に関して前に対処された「メッキされた終端」技術に従って形成することができる。任意の様々な材料を、ウィンドウビア４８の形成に使用することができるが、依然として本発明の技術思想及び技術範囲内に留まることを理解されたい。前の段落で説明したように、本明細書で使用される、特定の例示的な多層化されたウィンドウビア構成及び材料の態様は、周辺終端４４及び４６のいくつかの実施形態で使用されることもできることはさらに理解されたい。
【００５２】
図４Ａ及び図４Ｂは、図５に示されたような例示的なウィンドウビアに加えて、及び本発明の技術に従った半田ボールにさらに加えて、図３の切断線Ａ−Ａに沿って取られた、第１の例示的なウィンドウビアコンデンサ４０のそれぞれの変形実施形態の断面図である。図４Ａは、図２Ａの実施形態４０ａに関して示された層にされた構成の追加の態様を示し、一方、図４Ｂは、図２Ｂの実施形態４０ｂに関して示された層にされた構成の追加の態様を示す。例えば、Ｃ４半田バンプなどの半田ボール６０は、カバー層３０に形成されたメッキされたスズ層５８（または、他の上部ウィンドウビア表面）によって形成された、それぞれの接点領域に配置することができる。半田ボール６０は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）接点形成を与えるために、その後リフローすることができる。
【００５３】
図６Ａから図６Ｅは、それぞれ、図７Ａ及び図７Ｂに示されるなどの第２の例示的なウィンドウビアコンデンサ１４０で使用するための例示的な連続層の上面図である。そのような第２の例示的な実施形態１４０に関して示された要素は、第１の例示的な実施形態４０に関して示された要素に類似しているので、同様の参照符号であるが「１００」シリーズの参照符号が、そのような類似の要素を示すために使用される。例えば、参照符号２０を有する第１の実施形態４０における要素は、そのような異なる実施形態における類似の要素を示すために参照符号１２０を有する。第１の例示的な実施形態４０に関して対処された本発明の実施態様は、第２の例示的な実施形態１４０に対して同様に適用することができる。
【００５４】
そのように、図６Ａは、誘電体材料のシートを備える例示的な底部層１４２を示す図である。また、図６Ｂは、第１の電極プレート１１４によって部分的に覆われる、誘電体材料のシート１１２ａに対応する例示的な第１の層１１０を示す図である。第１の電極プレート１１４の一部は、好ましくは、誘電体シート１１２ａの選択された縁部に延在する。電極プレート１１４は、主要部から誘電体シート１１２ａの選択された縁部へ延在する電極タブ１１５を有する主要部を備えることができる。図６Ｃは、第２の電極プレート１２０によって部分的に覆われる、誘電体材料のシート１１２ｂを備える例示的な第２の層１１８を示す図である。第２の電極プレート１２０の一部は、好ましくは、第１の電極プレート１１４の一部が延在する場所とは異なってアライメントされた場所で、誘電体シート１１２ｂの選択された縁部に延在する。電極プレート１２０は、主要部から誘電体シート１１２ｂの選択された縁部へ延在する電極タブ１１９を有する主要部を備えることができる。
【００５５】
本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態１４０をさらに参照すると、図６Ｄは、遷移層電極によって部分的に覆われる誘電体材料のシート１１２ｃを備える、例示的な遷移層１２４を示す図である。第１の遷移層電極１２６及び複数の第１のアンカータブ部分１２７は、好ましくは、第１の電極プレート１１４の一部及びそのタブ１１５と同じ位置にアライメントされる。第１の遷移層電極１２６及び複数の第１のアンカータブ１２７が、遷移層１２４の縁部に沿って露出される場所と同じ第１の層１１０の縁部に沿った場所で、そのような第１の電極プレート１１４及びタブ１１５を露出することによって、周辺終端が、複数のそのような層をともに接続するために使用することができる。同様に、第２の遷移層電極１２８及び複数の第２のアンカータブ部分１２９は、好ましくは、第２の電極プレート１２０の一部及びそのタブ１１９と同じ位置にアライメントされる。第２の遷移層電極１２８及び複数の第２のアンカータブ１２９が、遷移層１２４の縁部に沿って露出される場所と同じ第２の層１１８の縁部に沿った場所で、そのような第２の電極プレート１２０及びタブ１１９を露出することによって、周辺終端を、複数のそのような層をともに接続するために使用することができる。本発明のいくつかの実施形態において、アンカータブ１２７及び１２９は、それぞれ約１０ｍｉｌ（約０．２５ｍｍ）長さでかつ約１５ｍｉｌ（約０．３８ｍｍ）幅であることができる。
【００５６】
図６Ｅは、本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態１４０で使用する例示的なカバー層１３０を示す図である。カバー層１３０は、誘電体材料のシート１１２ｄを備え、この誘電体材料のシート１１２ｄは、それぞれ複数の第１のウィンドウ１３２ａから１３２ｄ（以下、まとめて１３２という）を形成し、ならびにそれぞれ複数の第２のウィンドウ１３４ａから１３４ｄ（以下、まとめて１３４という）を設けるために形成される。複数の第１のウィンドウ１３２は、第１の遷移層電極１２６及び複数の第１のアンカータブ１２７に対する露出されたアクセスを提供する。複数の第２のウィンドウ１３４は、第２の遷移層電極１２８及び複数の第２のアンカータブ１２９に対する露出されたアクセスを提供する。ただ４つのウィンドウだけが、それぞれの複数性１３２及び１３４で示されているが、より多くの数のウィンドウまたはより少ない数のウィンドウは、遷移層１２４の電極を露出するために提供することができることを理解されたい。
【００５７】
図６Ａから図６Ｅに示されるそれぞれの層は、図２Ａ及び図２Ｂで示された分解された積層についての状況とちょうど同じで、所定の積層された構成で層状にされる。少なくとも１つの底部層１４２、複数の交互の第１の層１１０及び第２の層１１８、遷移層１２４、及びカバー層１３０は、図７Ａ及び図７Ｂの第２の実施形態１４０を形成するためにともに積層することができる。各隣接する対の層１１０及び１１８の電極プレート１１４及び１２０は、反対側の能動コンデンサプレートを形成する。底部層１４２の代わりに、より対称的な構成部品を形成するために、他の遷移層１２４及びカバー層１３０を使用することができる。そのように積層された構成を形成しかつ焼成した後、内部電極プレート及び遷移層電極及びアンカータブに対する終端が行われることができる。
【００５８】
第２のコンデンサ実施形態１４０は、第１の極性の全ての電極をともに接続し、同様に反対極性の全ての電極をともに接続するために、図７Ａ及び図７Ｂに示されるように、多層デバイスの選択された側部上で終端することができる。周辺終端１４４は、好ましくは、電極プレート１１４の選択された露出した部分を、第１の遷移層電極１２６に接続する。周辺終端１４５ａ及び１４５ｂ、ならびにコンデンサ１４０の反対側の２つの他の周辺終端（図７Ｂには示されていない）は、好ましくは、電極プレート１１４の追加の露出した部分（すなわち電極タブ１１５）を、遷移層アンカータブ１２７に接続する。周辺終端１４６は、好ましくは、電極プレート１２０の選択された露出した部分を、第２の遷移層電極１２８に接続する。周辺終端１４７ａ及び１４７ｂ、ならびにコンデンサ１４０の反対側の２つの他の周辺終端（図７Ｂには示されていない）は、好ましくは、電極プレート１２０の追加の露出した部分（すなわち電極タブ１１９）を、遷移層アンカータブ１２９に接続する。周辺終端１４４及び１４６は、電気テストに使用することができ、したがって、テストプロセスを簡単にする。さらに、周辺終端１４４及び１４６は、ウィンドウ内の露出された電極表面に対する簡単な接点も提供することができ、したがって、それらは電気メッキすることができる。
【００５９】
図７Ａ及び図７Ｂをさらに参照すると、周辺終端１４４、１４６、１４５ａ、１４５ｂ、１４７ａ、及び１４７ｂの遷移層１２４の電極への接続は、２つの反対側の終端を単一のプレーナ表面上にまとめる。コンデンサ１４０の全ての能動部分に対する電気的な接続は、したがって、遷移層１２４のそれぞれの電極への接続を介して行われることができる。そのような電気的な接続は、ウィンドウ１３２及び１３４内に形成されたウィンドウビア１４８によって行われることができる。前述したように、本発明に従って形成されたウィンドウビアは、材料の任意の組み合わせ及び任意の特定の厚みで形成することができる。ウィンドウビア１４８は、一般に、半田ボール１６０が、配置されかつリフローすることができる半田付け可能な丸いパッドに対応することができる。半田ボール１６０は、ウィンドウビアコンデンサ１４０の全ての能動部分への電気的な接続を提供し、一方、コンデンサ１４０をＢＧＡ搭載技術で終端する。
【００６０】
本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態１４０についての例示的な寸法は、図７Ａに示される。いくつかの実施形態において、コンデンサ１４０は、約４０ｍｉｌ（約１．０ｍｍ）の厚み１７０、約８０ｍｉｌ（約２．０ｍｍ）の幅１７２、及び約１２０ｍｉｌ（約３．０ｍｍ）の長さ１７４によって特徴付けることができる。隣接するウィンドウビア１４８間の例示的な幅のピッチ１７６は、約６０ｍｉｌ（約１．５ｍｍ）であることができ、隣接するウィンドウビア１４８間の例示的な長さのピッチ１７８は、約３０ｍｉｌ（約０．７６ｍｍ）であることができる。
【００６１】
それぞれ図８Ａから図８Ｅは、図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、第３の例示的なウィンドウビアコンデンサ２４０で使用する例示的な連続層の上面図を示す。そのような第３の例示的な実施形態２４０に関する示された要素は、第１の例示的な実施形態４０及び第２の例示的な実施形態１４０に関して示された要素に類似しているので、同様の参照符号であるが「２００」シリーズの参照符号が、そのような類似する要素を示すために用いられる。例えば、参照符号２０を有する第１の実施形態４０における要素は、そのような第３の例示的な実施形態における類似の要素を示すために、参照符号２２０を有する。第１の実施形態４０に関して、及び／又は第２の実施形態１４０に関して対処された本発明の態様は、第３の実施形態２４０に対して同様に適用可能であることができる。
【００６２】
そのように、図８Ａは、誘電体材料のシートを備える例示的な底部層２４２を示す図である。図８Ｂは、第１の電極プレート２１４によって部分的に覆われる誘電体材料のシート２１２ａに対応する例示的な第１の層２１０を示す図である。第１の電極プレート２１４の一部は、好ましくは、誘電体シート２１２ａの選択された縁部に延在する。電極プレート２１４は、主要部から誘電体シート２１２ａの選択された縁部に延在する電極タブ２１５を有する主要部を備えることができる。図８Ｃは、第２の電極プレート２２０によって部分的に覆われる誘電体材料のシート２１２ｂを備える例示的な第２の層２１８を示す図である。第２の電極プレート２２０の一部は、好ましくは、第１の電極プレート２１４の一部が延在する場所とは異なってアライメントされた場所で、誘電体シート２１２ｂの選択された縁部に延在する。電極プレート２２０は、主要部から誘電体シート２１２ｂの選択された縁部に延在する電極タブ２１９を有する主要部を備えることができる。
【００６３】
本発明のウィンドウビアコンデンサの第３の実施形態をさらに参照すると、図８Ｄは、遷移層電極によって部分的に覆われる誘電体材料のシート２１２ｃを備える、例示的な遷移層２２４を示す図である。第１の遷移層電極２２６は、第１の電極プレート２１４と一般に同様の形状であることができる。第１の遷移層電極２２６が、遷移層２２４の縁部に沿って露出される場所と同じ第１の層２１０の縁部に沿った場所で、各第１の電極プレート２１４及びタブ２１５を露出することによって、周辺終端を、複数のそのような層をともに接続するために使用することができる。
【００６４】
図８Ｄの例示的な遷移層２２４をさらに参照すると、誘電体シート２１２ｃは、第２の層２１８の下の電極プレート２２０の一部を露出することができる、複数の遷移層ウィンドウ２２５を画定するために形成することができる。
【００６５】
図８Ｅは、本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態２４０で使用する例示的なカバー層２３０を与える図である。カバー層２３０は、誘電体材料のシート２１２ｄを備え、この誘電体材料のシート２１２ｄは、それぞれ複数の第１のウィンドウ２３２ａから２３２ｄ（以下、まとめて２３２という）を画定し、ならびにそれぞれ複数の第２のウィンドウ２３４ａから２３４ｄ（以下、まとめて２３４という）を画定するために形成される。複数の第１のウィンドウ２３２は、第１の遷移層電極２２６に対する露出されたアクセスを提供する。複数の第２のウィンドウ２３４は、遷移層２２４のウィンドウ２２５とともに、上部の第２の層２１８の上部の第２の電極プレート２２０に対する露出されたアクセスを提供する。ただ４つのウィンドウだけが、それぞれの複数性２２５、２３２及び２３４で示されているが、より多くの数のウィンドウまたはより少ない数のウィンドウは、遷移層２２４及び第２の層２１８の電極を露出するために提供することができることを理解されたい。さらに、これらのウィンドウは、部品が搭載される基板の特定のパターンに適合するように調整することができる。
【００６６】
図８Ａから図８Ｅに示されるそれぞれの層は、一例が図９Ａ及び図９Ｂで示された、所定の積層された構成で層状にされる。少なくとも１つの底部層２４２、複数の交互の第１の層２１０及び第２の層２１８、遷移層２２４、及びカバー層２３０は、図９Ａ及び図９Ｂの第３の例示的な実施形態２４０を形成するためにともに積層することができる。各隣接する対の層２１０及び２１８の電極プレート２１４及び２２０は、反対側の能動コンデンサプレートを形成する。そのような第１及び第２の層は、好ましくは、それぞれ等しい数で配置され、第２の層２１８が上部に提供され、かつ続く遷移層２２４及びカバー層２３０の提供が、それらに電気的な接続を作るために適切な電極を露出する。
【００６７】
示されてはいないが、底部層２４２の代わりに、他の遷移層２２４及びカバー層２３０を、図９Ｂに示されている構成部品より対称的な構成部品（例示的な実施形態４０ｂにおけるように）を形成するために使用することができる。
【００６８】
図８Ａから図８Ｅにそれぞれ示される層の積層された構成の形成及び焼成の後、内側電極プレート及び遷移層電極に対する終端が行われることができる。第３のコンデンサ実施形態２４０は、ともに第１の極性の全ての電極を接続し、かつ同様にともに反対の極性の全ての電極を接続する、周辺終端を有する（図示されていない）多層デバイスの選択された側部で終端することができる。その後、ウィンドウビアは、コンデンサ２４０についての追加の終端特徴を提供することができる。第３の例示的な実施形態２４０に従った選択されたそのようなウィンドウビアは、２つの層でウィンドウを介して延在することができるが、結果としてのコンデンサ２４０は、比較的低いインダクタンスの終端及び低い全体ＥＳＬを特徴とする。
【００６９】
図９Ａ及び図９Ｂをさらに参照すると、コンデンサ２４０の全ての能動部分に対する電気的な接続は、したがって、遷移層２２４のそれぞれの電極及び上部の第２の層２１８への接続を介して行われることができる。そのような電気的な接続は、ウィンドウビア２４８ａ及び２４８ｂによって行われることができる。ウィンドウビア２４８ａは、好ましくは、遷移層電極２２６へウィンドウ２３２を介して延在し、一方、ウィンドウビア２４８ｂは、好ましくは、上部の第２の電極プレート２２０へウィンドウ２３４及び下のウィンドウ２２５を介して延在する。前述したように、本発明に従って形成されたウィンドウビアは、材料の任意の組み合わせ及び任意の特定の厚みで形成することができる。図９Ｂに示されるように、その後、ビア２４８ａ及び２４８ｂの選択された端部に半田ボール２６０をリフローすることができ、したがって、ウィンドウビアコンデンサ２４０の全ての能動部分への電気的な接続を提供し、一方、コンデンサ２４０をＢＧＡ搭載技術で終端する。
【００７０】
本発明は、その特定の実施形態に関して詳細に説明したが、当業者は、前述の理解を得ることで、そのような実施形態に対する代替実施形態、変形実施形態、及び等価実施形態を容易に適合することができることが理解される。したがって、本発明の開示の技術的範囲は、限定の目的よりむしろ例示の目的であり、その開示は、当業者には容易に明らかであるように、本発明に対してそのような修正実施形態、変形実施形態、及び／又は追加の実施形態を含むことを妨げない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１Ａ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その１）である。
【図１Ｂ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その２）である。
【図１Ｃ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その３）である。
【図１Ｄ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その４）である。
【図１Ｅ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その５）である。
【図２Ａ】それぞれ図１Ａから図１Ｅに示されたような層を有する、ウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態の第１の変形例の上部斜視図を含む側面分解図である。
【図２Ｂ】それぞれ図１Ａから図１Ｅに示されたような層を有する、ウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態の第２の変形例の上部斜視図を含む側面分解図である。
【図３】本発明のウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態の上部斜視図を含む側面図である。
【図４Ａ】本発明のさらに追加の特定の例示的な搭載技術（この場合、半田ボール）を有する、図３の切断線Ａ−Ａに沿った、ウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態の第１の変形例の側面断面図である。
【図４Ｂ】本発明のさらに追加の特定の例示的な搭載技術（この場合、半田ボール）を有する、図３の切断線Ａ−Ａに沿った、ウィンドウビアコンデンサの第１の実施形態の第２の変形例の側面断面図である。
【図５】本発明のウィンドウビアコンデンサにおける例示的なウィンドウビアの拡大された側面断面図である。
【図６Ａ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その１）である。
【図６Ｂ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その２）である。
【図６Ｃ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その３）である。
【図６Ｄ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その４）である。
【図６Ｅ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その５）である。
【図７Ａ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態の上部斜視図を含む側面図である。
【図７Ｂ】本発明の特定の例示的な搭載技術（この場合、半田ボール）を有する、ウィンドウビアコンデンサの第２の実施形態の側面図である。
【図８Ａ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第３の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その１）である。
【図８Ｂ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第３の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その２）である。
【図８Ｃ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第３の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その３）である。
【図８Ｄ】本発明のウィンドウビアコンデンサのだい３の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その４）である。
【図８Ｅ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第３の実施形態で利用するための例示的な連続層の上面図（その５）である。
【図９Ａ】本発明のウィンドウビアコンデンサの第３の実施形態の側面図である。
【図９Ｂ】本発明の特定の例示的な搭載技術（この場合、半田ボール）を有する、ウィンドウビアコンデンサの第３の実施形態の上部斜視図を含む側面分解図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０、１１０、２１０  第１の層
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、４２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ、２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃ、２１２ｄ  誘電体シート
１４、１１４、２１４  第１の電極プレート
１６、２２  縁部
１８、１１８、２１８  第２の層
２０、１２０、２２０  第２の電極プレート
２４、２４ａ、２４ｂ、１２４、２２４  遷移層
２６、２６ａ、２６ｂ、１２６、２２６  第１の遷移層電極
２８、２８ａ、２８ｂ、１２８  第２の遷移層電極
３０、１３０、２３０  カバー層
４０、４０ａ、４０ｂ、１４０、２４０  ウィンドウビアコンデンサ
４４、４６、１４４、１４５ａ、１４５ｂ、１４６、１４７ａ、１４７ｂ  周辺終端
４８、１４８、２４８ａ、２４８ｂ  ウィンドウビア
５０、１７０  厚み
５４  第１のメッキされた層
５６  第２のメッキされた層
５８  第３のメッキされた層
６０、１６０  半田ボール
１１５、１１９、２１５、２１９  電極タブ
１２７  第１のアンカータブ部分
１２９  第２のアンカータブ部分
３２、３２ａ、３２ｂ、１３２、１３２ａ〜１３２ｄ、２３２、２３２ａ〜２３２ｄ  第１のウィンドウ
３４、３４ａ、３４ｂ、１３４、１３４ａ〜１３４ｄ、２３４、２３４ａ〜２３４ｄ  第２のウィンドウ
１４２、２４２  底部層
１７２  幅
１７４  長さ
１７６  幅のピッチ
１７８  長さのピッチ
２２５  遷移層ウィンドウ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【外国語明細書】
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