(57)【要約】【課題】色むらの発生を解消でき、製造が容易で輝度の向上を図ることのできる発光装置を提供する。【解決手段】ＬＥＤチップ２の上方（発光観測面側）に半透過性の光反射膜２Ａを設けて青色光Ｌを上方および側面方向に放射させる。側面より放射された青色光Ｌは、カップ１Ｂの反射面で反射されて上方に放射される。これにより、ＬＥＤチップ２の上方だけでなく側面方向に配置された蛍光体に対しても広範囲に均一に青色光Ｌを照射することができ、色むらのない白色光を得ることができる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光面に垂直な方向に放射する光の一部を反射させ、その反射光の少なくとも一部を発光面に水平な方向に放射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を収容し、内壁面を前記光の反射面とする素子収容部と、前記素子収容部に収容された前記半導体発光素子を封止し、前記光によって励起されて前記光の波長と異なった波長の励起光を放射する蛍光体を含んだ透光性樹脂部とを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体によって形成されることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記透光性樹脂部は、前記半導体発光素子から放出される青色光によって励起された前記蛍光体から放射される黄色光と前記青色光との混合に基づく白色光を透過させることを特徴する請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、半透過性を有する光反射膜を表面に有することを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
前記光反射膜は、粗面化された前記表面に設けられることを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子は、前記光を拡散させる光拡散材を混入された光拡散層を表面に有することを特徴する請求項１記載の発光装置。
【請求項７】
前記表面は、前記半導体発光素子の発光観測面側であることを特徴とする請求項４記載又は第６項の発光装置。
【請求項８】
前記表面は、前記半導体発光素子の固定面側であることを特徴とする請求項４又は第６項記載の発光装置。
【請求項９】
前記光反射膜は、前記素子収容部内にフリップチップ接合される前記半導体発光素子の発光観測面側に配置されるサファイア基板に積層された半透過性を有するアルミニウム膜であることを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【請求項１０】
前記光反射膜は、前記素子収容部内にフェイスアップ接合される前記半導体発光素子の発光観測面側に配置されるｐ型半導体層に積層された半透過性を有するｐ側電極であることを特徴とする請求項４記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置に関し、特に、発光ダイオード（Light-Emitting Diode：以下「ＬＥＤ」という。）から放射される光を蛍光体で吸収し、異なる波長の光に波長変換して放射させ、発光ダイオード放射光と波長変換光との混合光を放射させる発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては次のものがある。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−２１６４３４号公報（図２）
図８は、特許文献１に示される発光装置の縦断面を示し、凹断面形状を有するパッケージ１０と、パッケージ１０の凹部１１内に収容されるＬＥＤチップ１２と、パッケージ１０の凹部１１内に収容された透光性樹脂による第１のコーティング部１３および第２のコーティング部１４と、パッケージ１０の外部に露出して設けられる外部電極１５と、外部電極１５とＬＥＤチップ１２とを電気的に接続するボンディングワイヤ１６とによって構成されており、第２のコーティング部１４にはＬＥＤチップ１２の発光に基づく可視光を吸収して波長変換された可視光を放射する蛍光物質１４Ａが含まれている。これにより、ＬＥＤチップ１２の発光に基づく光を波長変換して他の色の可視光を得ることができる。
【０００４】
例えば、青色系のＬＥＤチップ１２から放射された青色光を、青色光を吸収して黄色光を放射する蛍光物質１４Ａを含んだ第２のコーティング部１４に通過させると、青色光と波長変換光である黄色光とが混合されて補色による白色光を得ることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の発光装置によると、ＬＥＤチップから放射される光量が全方位に対して均一とはならず、特に、ＬＥＤチップの上方へ放射される光量が側面等の他の方向に放射される光量と比べて大になるため、蛍光物質の光吸収量にばらつきが生じて一律な波長変換性が得られず、その結果、色むらが生じるという問題がある。
【０００６】
特許文献１に開示される発光装置では、第２のコーティング部の中心部分の厚さを周囲の厚さに対して大にすることにより第２のコーティング部を通過するあらゆる方向の光（例えば、中心を通る垂直光と中心を外れる斜めの光）の光路長を等しくして色むらの発生を抑制しているが、蛍光物質を所定の領域に所定の厚さで配置するための高度な樹脂成型性を要するだけでなく、中心部分の光吸収や散乱が大になって輝度の低下を生じるという不都合がある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、色むらの発生を解消でき、製造が容易で輝度の向上を図ることのできる発光装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため、発光面に垂直な方向に放射する光の一部を反射させ、その反射光の少なくとも一部を発光面に水平な方向に放射する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を収容し、内壁面を前記光の反射面とする素子収容部と、前記素子収容部に収容された前記半導体発光素子を封止し、前記光によって励起されて前記光の波長と異なった波長の励起光を放射する蛍光体を含んだ透光性樹脂部とを含むことを特徴とする発光装置を提供する。
【０００９】
このような構成によれば、半導体発光素子から面方向および発光面に水平な方向に光が放射されるので、光が分散し、素子収容部内の透光性樹脂部に光が行きわたるようになり、そのことによって蛍光体が充分に励起されて良好な波長変換性が得られる。
【００１０】
また、本発明の発光装置において、半導体発光素子を窒化ガリウム系化合物半導体、例えば、ＩｎＧａＮで構成すると、Ｉｎの組成比によって青色光の波長を任意に設定することができ、例えば、ＧａＮで構成すると、近紫外光を放射させることができる。
【００１１】
半導体発光素子が青色光を放射するときは、蛍光体として励起によって黄色光を放射するものを使用すると、白色ＬＥＤを得ることができ、また、蛍光体として励起によって赤色光および緑色光を放射するものを使用しても白色ＬＥＤを得ることができる。
【００１２】
また、半導体発光素子が近紫外光（あるいは紫外光）を放射するときは、蛍光体として励起によって赤、緑、及び青の各色の光を放射するものを使用すると白色ＬＥＤを得ることができる。
【００１３】
なお、本発明の発光装置は、白色ＬＥＤに限定されるものではなく、半導体発光素子の発光色と蛍光体の励起光の波長の組み合わせによって各種の色のＬＥＤを得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤチップ２の部分拡大図である。この発光装置は、先端部にメタルステム１ａを有するリードフレーム１Ａと、メタルステム１ａに設けられて内面に光を反射させる反射面を有するカップ１Ｂと、リードフレーム１Ｃと、半透明の光反射膜２Ａを上部に設けられたＬＥＤチップ２と、ＬＥＤチップ２に設けられるＡｕバンプ３Ａおよび３Ｂと、サブマウント素子４と、サブマウント素子４をカップ１Ｂ内に固定するＡｇペースト５と、蛍光体を混入されてカップ１Ｂに注入される透光性樹脂６と、リードフレーム１Ｃとサブマウント素子４とを電気的に接続する金線のボンディングワイヤ７と、透明エポキシ樹脂部８とより構成されている。なお、（ｂ）においては透光性樹脂６の図示を省略している。
【００１５】
ＬＥＤチップ２は、例えば、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体やＺｎＳｅ（セレン化亜鉛）等で４５０ｎｍ〜４８０ｎｍの青色系で発光するように形成されており、光反射膜２Ａと、サファイア基板２Ｂと、ＡｌＮバッファ層２Ｃと、ｎ型半導体層２Ｄと、ｎ側電極２Ｅと、発光する層を有する多層２Ｋと、ｐ型半導体層２Ｆと、ｐ側電極２Ｇと、ＬＥＤチップ２の表面保護および光放射性を付与するための保護膜２Ｉを備え、サブマウント素子４にフリップチップ接合されている。このＬＥＤチップ２は、ｎ側電極２Ｅとｐ側電極２Ｇに駆動電圧を印加することによってｎ型半導体層２Ｄとｐ型半導体層２Ｆ間の多層２Ｋ内で面状に発光する。
【００１６】
光反射膜２Ａは、サファイア基板２Ｂの表面にスパッタリング法、真空蒸着法等の薄膜形成方法によって半透過性を有するアルミニウム膜を薄膜状に形成したものであり、サファイア基板２Ｂの組成や透光性を阻害することがなければ他の方法で形成しても良い。なお、形成される薄膜についてもアルミニウムに限定されることなく、膜厚に応じて光透過性の調整が可能であれば他の金属材料、あるいは金属以外の材料を用いても良い。また、側面方向への青色光の放射性に優れる材料を選択することが好ましい。
【００１７】
ｎ側電極２Ｅは、例えば、Ａｌ、Ｖ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、又はＨｆ等の金属又はこれらの合金を用いて形成することができる。なお、異なる組成の層が積層された二層あるいは多層構造としてもよく、例えば、ＶとＡｌの二層構造としても良い。
【００１８】
ｐ側電極２Ｇは、例えば、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、又はＲｅ等の金属又はこれらの合金を用いて形成することができる。なお、異なる組成の層が積層された二層あるいは多層構造としても良い。
【００１９】
保護膜２Ｉは、例えば、ＳｉＯ2からなり、光透過性および絶縁性を有してＬＥＤチップ２の表面を保護する。なお、保護膜２ＩはＬＥＤチップ２の側面方向に対して青色光Ｌが放射されやすい膜厚で形成されている。
【００２０】
サブマウント素子４は、ｎ型のシリコン基板によって形成され、ＬＥＤチップ２を静電気から保護するためのツェナーダイオードとして動作する。また、Ａｕバンプ３Ａによってｐ側電極２Ｇと接続されるｎ側電極４Ａと、ｐ型半導体層４Ｂと、Ａｕバンプ３Ｂによってｎ側電極２Ｅと接続されるｐ側電極４Ｃと、Ａｇペースト５を介してカップ部１Ｂに電気的に接続されるｎ電極４Ｄと、ｎ型半導体層４Ｅとを有する。
【００２１】
透光性樹脂６は、エポキシ樹脂からなり、蛍光体としてＣｅ：ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）を含有している。なお、透光性樹脂６として固化後に透明となるシリコン樹脂を用いても良い。
【００２２】
このように構成された発光装置において、リードフレーム１Ａおよび１Ｃに電圧を印加すると、ＬＥＤチップ２は多層２Ｋ内で面状に発光して波長４５０〜４８０ｎｍの青色光Ｌを放射する。
【００２３】
光反射膜２Ａは、青色光を反射するとともに半透過させてＬＥＤチップ２の上方に青色光Ｌを放射させる。青色光Ｌの一部は、蛍光体を励起することにより波長５５０〜５８０ｎｍの黄色光に波長変換される。この黄色光と青色光Ｌとが混合されることによって白色光が放射される。
【００２４】
また、光反射膜２Ａで反射された青色光Ｌは、ＬＥＤチップ２の側面より放射される。青色光Ｌの一部は、ＬＥＤチップ２の側方に配置される蛍光体を励起することにより黄色光に波長変換される。この黄色光と青色光Ｌとが混合されることによって白色光が放射される。また、側面より放射された青色光Ｌは、カップ１Ｂの反射面で反射されて上方に放射される。
【００２５】
カップ１Ｂで反射された青色光Ｌの一部は、光路上に配置される蛍光体を励起することにより黄色光に波長変換され、青色光Ｌと混合されることによって白色光を放射する。
【００２６】
上記した第１の実施の形態によると、ＬＥＤチップ２の上方（発光観測面側）に半透過性の光反射膜２Ａを設けて青色光Ｌを上方および側面方向に放射させるようにしたので、ＬＥＤチップ２の上方だけでなく側面方向に配置された蛍光体に対しても均一に青色光Ｌを照射することができ、広範囲にわたって色むらのない白色光を得ることができる。
【００２７】
また、側面方向に放射された青色光Ｌをカップ１Ｂで反射して上方に導くようにしているので、光路上に配置された蛍光体を励起することができ、波長変換効率が向上して白色光の輝度を向上させることができる。
【００２８】
また、青色光Ｌが分散されることによって、蛍光体の濃度を部分的に変化させるといった樹脂組成の調整や、高度な樹脂成形性を必要としないで容易に製造することができ、蛍光体の濃度（使用量）を低減することができる。
【００２９】
なお、上記した第１の実施の形態では、青色光と黄色光との混合に基づいて白色光を得る構成について説明したが、白色光を得る構成として、例えば、青色光によって励起されて緑色光を放射する第１の蛍光体と、青色光によって励起されて赤色光を放射する第２の蛍光体とを透光性樹脂６に混合し、赤色光、緑色光、および青色光の混合によって白色光を得るようにしても良い。
【００３０】
また、ＬＥＤチップ２についても青色光を放射するものに限定されず、例えば、近紫外光を放射するＬＥＤチップを用いるようにしても良い。この場合には、近紫外光によって励起されて赤色光、緑色光、および青色光を放射する蛍光体を透光性樹脂６に混合して用いることにより、白色光を得ることができる。
【００３１】
図２は、本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤチップ２を部分的に示し、サファイア基板２Ｂの表面に青色光を拡散させる光拡散材としてＳｉＯ2を混入させた光拡散層２Ｈを設けている。その他、図示しない構成については第１の実施の形態と同じである。
【００３２】
また、光拡散層２Ｈは、サファイア基板２Ｂを透過した青色光Ｌを光拡散材としての酸化チタンやアルミナによって反射および拡散させることにより、図示するようにＬＥＤチップ２の上方、斜め上方、側面方向、およびサファイア基板２Ｂ側に放射させるようにしても良い。
【００３３】
上記した第２の実施の形態によると、サファイア基板２Ｂの表面に光拡散材を混入させた光拡散層２Ｈを設けて青色光Ｌを反射および拡散させるようにしたので、ＬＥＤチップ２の上方だけでなく斜め上方や側面方向に配置された蛍光体に対しても光拡散に基づいて均一な青色光Ｌを照射することができ、広範囲にわたって色むらのない白色光を得ることができる。
【００３４】
図３は、本発明の第３の実施の形態に係るフリップチップ接合型の発光装置を示し、（ａ）はカップ１Ｂの部分断面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤチップ２の部分拡大図である。この発光装置は、サファイア基板２Ｂの表面を粗面化した凹凸面２ｂを形成し、この凹凸面２ｂ上に光反射膜２Ａを設けている。また、ＬＥＤチップ２の表面には前述の保護膜（図示せず）が設けられている。光反射膜２Ａの構成および形成方法については第１の実施の形態で説明したものと同様であるので、重複する説明を省略する。
【００３５】
図３（ｂ）は、光反射膜２Ａにおける青色光Ｌの透過および反射を示し、多層２Ｋ内での発光に基づいて放射される青色光Ｌは、凹凸面２ｂへの入射位置に応じた方向に反射される反射光と、凹凸面２ｂを通過する際に偏光される半透過光となってＬＥＤチップ２の上方および側面方向から放射される。
【００３６】
上記した第３の実施の形態によると、光反射膜２Ａを設けられるサファイア基板２Ｂの表面を粗面化したので、光反射膜２Ａに入射する位置に応じた反射方向への青色光Ｌおよび半透過光を発生させることができ、第１の実施の形態の効果に加えて青色光Ｌの側面方向への拡散性がより高められる。これにより、ＬＥＤチップ２の上方だけでなく斜め上方や側面方向に配置された蛍光体に対しても広範囲に均一に青色光Ｌを照射することができ、色むらのない白色光を得ることができる。
【００３７】
図４は、本発明の第４の実施の形態に係るフェイスアップ接合型の発光装置を示し、ＬＥＤチップ２０は、発光観測面側から順にｐ側電極２Ｇと、ｐ型半導体層２Ｆと、ｎ側電極２Ｅと、ｎ型半導体層２Ｄと、ＡｌＮバッファ層２Ｃと、サファイア基板２Ｂとを備え、光拡散材９Ａを混入されたマウント９によってカップ１Ｂの底面に接着固定されている。また、ｐ側電極２Ｇとｎ側電極２Ｅには金線のボンディングワイヤ７が電気的に接続されており、ｎ側電極２Ｅ側のボンディングワイヤ７はリードフレーム１Ａと電気的に接続される。また、ＬＥＤチップ２０の表面には図示しない保護膜が設けられている。その他、第１および第３の実施の形態と同一の構成を有する部分については同一の引用数字を付しているので、重複する説明を省略する。
【００３８】
ｐ側電極２Ｇは、Ｃｏ／Ａｕ合金の導電性膜からなり、ｐ型半導体層２Ｆの表面全体を覆うように設けられるとともに、多層２Ｋ内での発光に基づく青色光Ｌを半透過させる膜厚で形成されている。なお、ｐ側電極２Ｇは、上記したＣｏ／Ａｕ合金の他に、例えば、Ｒｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｐｄ、Ｖ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｓｎ、又はＲｅ等の金属又はこれらの合金を用いて形成することができる。中でも、Ｒｈ，Ｐｔは、ＧａＮ系半導体から成る青色ＬＥＤの発光波長に対して高い反射効率を有するため、好適なｐ電極材料として用いることができる。また、異なる組成の層が積層された二層あるいは多層構造としても良い。また、側面方向への青色光の放射性に優れる材料を選択することが好ましい。
【００３９】
マウント９は、扱いが容易で透光性を有するエポキシ樹脂等の樹脂材料を用いて形成されている。このマウント９に用いられる樹脂は、接着性を有すると共に、極めて小さいＬＥＤチップ２の側面にせり上がった場合でも側面で各層間がショートしないよう絶縁性を有することが好ましい。
【００４０】
このように構成された発光装置において、リードフレーム１Ａおよび１Ｃに電圧を印加すると、ＬＥＤチップ２は多層２Ｋ内で面状に発光して波長４５０〜４８０ｎｍの青色光Ｌを放射する。
【００４１】
ｐ側電極２Ｇは、青色光Ｌを半透過させることによってＬＥＤチップ２の上方に青色光Ｌを放射させる。青色光Ｌの一部は、蛍光体を励起することにより波長５５０〜５８０ｎｍの黄色光に波長変換される。この黄色光と青色光Ｌとが混合されることによって白色光が放射される。
【００４２】
また、多層２Ｋ内から下方に放射される青色光Ｌはサファイア基板２Ｂを透過してマウント９に達する。マウント９は、混入された光拡散材９Ａによって青色光Ｌを拡散し、側面あるいは斜め上方に拡散光として放射する。放射された拡散光は、カップ１Ｂの反射面で反射されて上方に放射される。
【００４３】
カップ１Ｂで反射された青色光Ｌの一部は、光路上に配置される蛍光体を励起することにより黄色光に波長変換され、青色光Ｌと混合されることによって白色光を放射する。
【００４４】
上記した第４の実施の形態によると、多層２Ｋ内から上方に放射された青色光Ｌをｐ側電極２Ｇで半透過させるとともに、多層２Ｋ内から下方に放射された青色光Ｌを光拡散材９Ａを混入されたマウント９で拡散させるようにしたので、ＬＥＤチップ２の発光に基づく青色光Ｌを上方、斜め上方、および側面方向に効率良く拡散させることができる。特に、カップ１Ｂの底面付近に充分に青色光Ｌが行きわたることから、カップ１Ｂ内での波長変換効率がより向上して色むらのない白色光を得ることができる。
【００４５】
図５は、本発明の第５の実施の形態に係るフェイスアップ接合型の発光装置を示し、サファイア基板２Ｂの下方に光反射膜２Ａを設けたＬＥＤチップ２０をマウント９によってカップ１Ｂの底面に接着固定している構成について第４の実施の形態と相違し、その他については第４の実施の形態と同一の構成を有している。
【００４６】
上記した第５の実施の形態によると、多層２Ｋ内から上方に放射された青色光をｐ側電極２Ｇで半透過させるとともに多層２Ｋ内から下方に放射された青色光を光反射膜２Ａで反射して側面方向に放射させるようにしたので、第４の実施の形態と同様にＬＥＤチップ２の発光に基づく青色光を上方および側面方向に効率良く拡散させることができ、カップ１Ｂ内での波長変換効率が向上して色むらのない白色光を得ることができる。なお、マウント９に第４の実施の形態で説明した酸化チタン、アルミナ、ＳｉＯ2等の光拡散材９Ａを混入し、光反射膜２Ａを透過した半透過光を光拡散材９Ａに基づいて拡散させるようにしても良い。
【００４７】
また、上記した各実施の形態では、ＬＥＤチップ２の表面もしくは近傍に光放射性を改善する構成を有する発光装置を説明したが、例えば、ＬＥＤチップ２の層中に光放射性を改善する構成を設けても良い。係る構成として、例えば、ＬＥＤチップ２の発光波長に対してブラッグの回析条件を満たすように屈折率の異なる層を交互に積層して構成される分布型ブラッグ反射器（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）を用いることができる。
【００４８】
図６は、本発明の第６の実施の形態に係るフリップチップ接合型の発光装置の部分断面図を示し、ＬＥＤチップ２のｐ側電極２Ｇとｐ型半導体層２Ｆとの間にＤＢＲ２Ｊを有する。その他の構成については第３の実施の形態に係る発光装置と同一の構成を有することから、重複する説明を省略する。
【００４９】
上記した第６の実施の形態によると、多層２Ｋに対してサブマウント素子４側にＤＢＲ２Ｊを設けることにより、多層２Ｋ内から放射された青色光がＤＢＲ２Ｊで拡散されてサファイア基板２Ｂ方向に反射されるようになり、ＬＥＤチップ２の上方および斜め上方への光放射性を高めることができる。なお、ＬＥＤチップ２については上記したフリップチップ接合型に限定されず、例えば、フェイスアップ接合型であっても良い。
【００５０】
図７は、本発明の第７の実施の形態に係るフェイスアップ接合型の発光装置の部分断面図を示し、ＬＥＤチップ２０のＡｌＮバッファ層２Ｃとｎ型半導体層２Ｄとの間にＤＢＲ２Ｊを有する。その他の構成については第４の実施の形態に係る発光装置と同一の構成を有することから、重複する説明を省略する。
【００５１】
上記した第７の実施の形態によると、多層２Ｋに対してサファイア基板２Ｂ側にＤＢＲ２Ｊを設けることにより、多層２Ｋ内から放射された青色光がＤＢＲ２Ｊで拡散されてｐ側電極２Ｇ方向に反射されるようになり、ＬＥＤチップ２の上方および斜め上方への光放射性を高めることができる。なお、この構成によれば、第４の実施の形態でマウント９に混入していた光拡散材９Ａを用いなくても、第４の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５２】
なお、上記した各実施の形態で説明した構成は、白色に限定されることなく複数の光を混合して所望の発光色を得る発光装置に適用可能であり、特に、ＬＥＤを発光源とする発光装置に有効である。
【００５３】
また、上記した各実施の形態では、半導体発光素子としてｐ層とｎ層よりなるホモ接合型発光素子を採用した構成を説明したが、これに代わるものとして発光層の両側にｐ型およびｎ型のクラッド層を配置したダブルヘテロ型発光素子を採用できることは当然のことである。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の発光装置によると、カップ内に収容されたＬＥＤチップから放射される青色光を反射又は拡散に基づいて上方だけでなく斜め上方や側面方向にも放射させるようにしたため、色むらの発生を解消でき、製造が容易で輝度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は縦断面図、（ｂ)は（ａ）のＬＥＤチップの部分拡大図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係るＬＥＤチップの部分拡大図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置を示し（ａ）はカップの部分断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＬＥＤチップの部分拡大図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図６】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図７】本発明の第７の実施の形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図８】特許文献１（特開２０００−２１６４３４号）に示される発光装置の縦断面図である。
【符号の説明】
１Ａ，リードフレーム  １Ｂ，カップ部  １Ｃ，リードフレーム
１ａ，メタルステム  ２，ＬＥＤチップ  ２Ａ，光反射膜
２Ｂ，サファイア基板  ２Ｃ，バッファ層  ２Ｄ，ｎ型半導体層
２Ｅ，ｎ側電極  ２Ｆ，ｐ型半導体層  ２Ｇ，ｐ側電極  ２Ｈ，光拡散層
２Ｉ，保護膜  ２Ｊ，ＤＢＲ  ２Ｋ，多層  ３Ａ，バンプ  ３Ｂ，バンプ
４，サブマウント素子  ４Ａ，ｎ側電極  ４Ｂ，ｐ型半導体層  ４Ｃ，ｐ側電極４Ｄ，ｎ電極  ４Ｅ，ｎ型半導体層  ５，Ａｇペースト  ６，透光性樹脂
７，ボンディングワイヤ  ８，透明エポキシ樹脂部  ９，マウント
９Ａ，光拡散材  １０，パッケージ  １１，凹部  １２，チップ
１３，コーティング部  １４，コーティング部  １４Ａ，蛍光物質
１５，外部電極  １６，ボンディングワイヤ  ２０，ＬＥＤチップ
【図１】
2004207519.tif 000003
【図２】
2004207519.tif 000004
【図３】
2004207519.tif 000005
【図４】
2004207519.tif 000006
【図５】
2004207519.tif 000007
【図６】
2004207519.tif 000008
【図７】
2004207519.tif 000009
【図８】
2004207519.tif 000010