(57)【要約】【課題】導電膜パターンの形成方法を改善し、より効率よく厚膜化を達成し得る、導電膜パターンとその形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体を提供する。【解決手段】基板１の上方に微小空隙型の受容層２を形成する工程と、導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体（液滴）２２を、受容層２上、又は受容層２上と受容層２中とに設ける工程と、熱処理により、導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は導電性微粒子３と有機金属化合物とを接触させて、導電性パターン４を形成する工程と、を備えた導電膜パターンの形成方法。【選択図】　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に微小空隙型の受容層が設けられ、前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが結合してなることを特徴とする導電膜パターン。
【請求項２】
前記受容層が、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとを含む多孔質層であることを特徴とする請求項１記載の導電膜パターン。
【請求項３】
前記受容層は、材質または構造の異なる複数の層からなることを特徴とする請求項１又は２記載の導電膜パターン。
【請求項４】
前記受容層の膜厚は１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の導電膜パターン。
【請求項５】
基板の上方に微小空隙型の受容層を形成する工程と、
導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体を、前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程と、
熱処理により、前記導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とを接触させて、導電性パターンを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【請求項６】
前記受容層を形成する工程は、材質または構造の異なる複数の層を形成する工程からなることを特徴とする請求項５記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項７】
前記受容層を形成する工程の後でかつ前記液状体を設ける工程の前に、前記受容層表面が前記液状体に対して撥液性となるように表面処理を行う工程を備えてなることを特徴とする請求項５又は６記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項８】
前記受容層を、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとの混合物を塗布することによって形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項９】
前記液状体を前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程には、液滴吐出法を用い、
前記液滴吐出法による液状体の吐出を、着弾後の液滴が互いに接するように行うことを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
前記液状体を前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程を、複数回繰り返して重ね塗りすることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項１１】
前記液状体を前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程を繰り返す間に、前記導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが互いに結合しない温度での熱処理工程を有することを特徴とする請求項１０記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜パターン、あるいは請求項５〜１１のいずれかに記載の形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有することを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
前記受容層と前記導電膜パターンからなる配線とが、該配線に接続する導電性のポストおよび絶縁層を介して複数層重ねられていることを特徴とする請求項１２記載の配線基板。
【請求項１４】
前記絶縁層は、前記微小空隙型の受容層を焼結したものであることを特徴とする請求項１３記載の配線基板。
【請求項１５】
前記導電性のポストは、
前記微小空隙型の受容層上に形成された、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが結合してなる導電性パターンと、
前記微小空隙型の受容層中に形成された、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが結合してなる導電性パターンと、を備えてなることを特徴とする請求項１３又は１４記載の配線基板。
【請求項１６】
請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜パターン、あるいは請求項５〜１１のいずれかに記載の形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項１７】
請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜パターン、あるいは請求項５〜１１のいずれかに記載の形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有することを特徴とする電子機器。
【請求項１８】
請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜パターン、あるいは請求項５〜１１のいずれかに記載の形成方法によって形成された導電膜パターンをアンテナ回路として備えたことを特徴とする非接触型カード媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電膜パターンとその形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子回路または集積回路などに使われる配線の製造には、例えばリソグラフィー法が用いられている。このリソグラフィー法は、予め導電膜を塗布した基板上にレジストと呼ばれる感光材を塗布し、回路パターンを照射して現像し、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで配線を形成するものである。このリソグラフィー法は真空装置などの大掛かりな設備と複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを捨ててしまわざるを得ず、製造コストが高かった。
【０００３】
これに対して、米国特許５１３２２４８号では、導電性微粒子を分散させた液体をインクジェット法にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザー照射を行って導電膜パターンに変換する方法が提案されている。この方法によれば、フォトリソグラフィーが不要となり、プロセスが大幅に簡単なものになると共に、原材料の使用量も少なくてすむというメリットがある。
【０００４】
ところで、得られる導電性パターンを配線として使用する場合、その幅（線幅）を所望する寸法内に納める必要がある。線幅を所望する寸法内に納めるためには、例えば基板に親液パターンと撥液パターンとを形成し、インクジェット法で吐出する液滴が親液部のみに配置されるようにする方法や、線幅が広がらないように撥液性基板上に液滴を吐出するようにし、その場合にバルジと呼ばれるふくらみが生じないよう、隣り合った液滴どうしの重なりを制御する方法などが考えられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの方法では、一回のパターン塗布で例えば１μｍ程度の膜厚の導電膜パターンしか形成できない。したがって、さらに厚膜が必要な場合には、パターン塗布の間に乾燥工程を挟み、何度かパターン塗布を繰り返して重ね塗りを行う必要がある。
しかして、このようにパターン塗布と乾燥とを交互に繰り返すのでは非常に時間がかかってしまい、プロセス的に不利となることから生産性を損なう結果となってしまう。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、導電膜パターンの形成方法を改善し、より効率よく厚膜化を達成し得る、導電膜パターンとその形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明の導電膜パターンでは、基板の上方に微小空隙型の受容層が設けられ、前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが結合してなることを特徴としている。
この導電膜パターンによれば、その製造の際、受容層上、又は受容層上と受容層中とに、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体を例えば液滴吐出法によって設けると、その液分が受容層中に染み込み、受容層上には主に導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が残るようになることから、乾燥処理を行うことなく重ね塗りが可能となり、したがってその厚膜化が効率よくなされるものとなる。
【０００８】
また、この導電膜パターンにおいては、前記受容層が、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとを含む多孔質層であるのが好ましい。
このようにすれば、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つを含有する多孔質層が、その粒子間などに形成される微小空隙に液分を速やかに吸い込むことから、この多孔質層からなる受容層上に導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が選択的に残るようになる。
【０００９】
また、この導電膜パターンにおいては、前記受容層が材質または構造の異なる複数の層からなるのが好ましい。
このようにすれば、その製造の際、前記液状体中の液分のみを透過させる層と、液分を吸収させる層とを別々に形成することが可能になり、効率的に液分を取り除くことができる。
【００１０】
また、この導電膜パターンにおいては、前記受容層の膜厚が１μｍ以下であることが好ましい。
このようにすれば、導電性微粒子または有機金属化合物の焼結時における断線が少なくなるとともに、多層配線を形成する場合に、前記受容層を通じてその上下の導通をとるのが容易になる。
【００１１】
本発明の導電膜パターンの形成方法では、基板の上方に微小空隙型の受容層を形成する工程と、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体を、前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程と、熱処理により、前記導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とを接触させて、導電性パターンを形成する工程と、を備えたことを特徴としている。
この導電膜パターンの形成方法によれば、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体を受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設けるので、その液分が受容層中に染み込み、受容層上には主に導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が残るようになる。したがって、乾燥処理を行うことなく重ね塗りを行うことが可能になり、その厚膜化を効率よく行うことができる。
【００１２】
また、前記導電膜パターンの形成方法においては、前記受容層を形成する工程は、材質または構造の異なる複数の層を形成する工程からなるのが好ましい。
このようにすれば、液分のみを透過させる層と液分を吸収させる層を別々に形成することが可能になり、効率的に液分のみを除くことができる。
【００１３】
また、前記導電膜パターンの形成方法においては、前記受容層を形成する工程の後でかつ前記液状体を設ける工程の前に、前記受容層表面が前記液状体に対して撥液性となるように表面処理を行う工程を備えてなるのが好ましい。
このようにすれば、液状体が受容層に吸収される前に広がってしまうことを防ぐことができ、より微細な導電膜パターンを形成することができる。
【００１４】
また、前記導電膜パターンの形成方法においては、前記受容層を、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つとバインダーとの混合物を塗布することによって形成するのが好ましい。
このようにすれば、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つを含有する多孔質層が、その粒子間などに形成される微小空隙に液分を速やかに吸い込むことから、この多孔質層からなる受容層上に導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を選択的に残すことができる。
【００１５】
また、前記導電膜パターンの形成方法においては、前記液状体を前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程に液滴吐出法を用い、前記液滴吐出法による液状体の吐出を、着弾後の液滴が互いに接するように行うのが好ましい。
このようにすれば、前述したように液状体中の液分が受容層中に染み込み、受容層上には主に導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が残るようになるので、単に着弾後の液滴が互いに接するように吐出を行うことにより、部分的に重ね塗りを行うことができる。
【００１６】
また、前記導電膜パターンの形成方法においては、前記液状体を前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程を、複数回繰り返して重ね塗りするのが好ましい。
このようにすれば、受容層上には導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が選択的に残され、液分がほとんど残っていないことから、乾燥工程を経ることなく直接重ね塗りを行うことが可能になり、したがって導電膜パターンの厚膜化をより効率よく行うことができる。
【００１７】
また、前記導電膜パターンの形成方法においては、前記液状体を前記受容層上、又は前記受容層上と前記受容層中とに設ける工程を繰り返す間に、前記導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが互いに結合しない温度での熱処理工程を有するのが好ましい。
このようにすれば、熱処理を行うことによって受容層上にある前記液状体中の液分をより速やかに受容層中に移行させ、あるいは蒸発させて受容層から脱離させることができ、またすでに受容層中に移行した液分についてもその一部を蒸発させ、受容層から脱離させることができる。
【００１８】
本発明の配線基板では、前記の導電膜パターン、あるいは前記の形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有したことを特徴としている。
この配線基板によれば、前述したように導電膜パターンの厚膜化が効率よくなされていることにより、生産性の高い良好なものとなる。
【００１９】
また、前記配線基板においては、前記受容層とこれの上及びこれの中の少なくとも一方に形成された導電膜パターンからなる配線とが、該配線に接続する導電性のポストおよび絶縁層を介して複数層重ねられているのが好ましい。
受容層の上に導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方からなる導電性パターンを形成すれば、受容層中における導電性パターンの直下位置には、その微小空隙に導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が一部入り込み、これによりこの導電性パターンの直下位置が導電性を有するものとなる。したがって、この直下位置と前記の導電性のポストとを介することにより、絶縁層を介して上下に設けられた導電膜パターンからなる配線間が導通し、これにより配線基板は多層配線基板となる。
【００２０】
また、前記配線基板においては、前記絶縁層は、前記微小空隙型の受容層を焼結したものであるのが好ましい。
このようにすれば、微小空隙型の受容層が焼結によって受容層としての機能を失い、単に絶縁膜として機能するようになる。したがって、別の絶縁膜材料を用意する必要がなくなり、多層配線基板を効率的に形成することができる。
【００２１】
また、前記配線基板においては、その導電性のポストが、前記微小空隙型の受容層上に形成された、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが結合してなる導電性パターンと、前記微小空隙型の受容層中に形成された、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とが結合してなる導電性パターンと、を備えてなるのが好ましい。
このようにすれば、導電性のポストと絶縁層を同時に形成できるため、多層配線基板をさらに効率的に形成することができる。
【００２２】
本発明の電子デバイスでは、前記の導電膜パターン、あるいは前記の形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有したことを特徴としている。
この電子デバイスによれば、前述したように導電膜パターンの厚膜化が効率よくなされていることにより、生産性の高い良好なものとなる。
【００２３】
本発明の電子機器では、前記の導電膜パターン、あるいは前記の形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有したことを特徴としている。
この電子機器によれば、前述したように導電膜パターンの厚膜化が効率よくなされていることにより、生産性の高い良好なものとなる。
【００２４】
本発明の非接触型カード媒体では、前記の導電膜パターン、あるいは前記の形成方法によって形成された導電膜パターンをアンテナ回路として備えたことを特徴としている。
この非接触型カード媒体によれば、前述したように導電膜パターンの厚膜化が効率よくなされていることにより、生産性の高い良好なものとなる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
まず、本発明の導電膜パターンの製造方法を説明する。
この製造方法は、基板の上方に微小空隙型の受容層を形成する工程と、導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体を、液滴吐出法によって前記基板の受容層上、又は受容層上と受容層中とに設ける工程と、前記受容層上、又は受容層上と受容層中の液状体を熱処理して導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方どうし、又は前記導電性微粒子と前記有機金属化合物とを接触させ、これら導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方からなる導電性パターンを形成する工程とを備えた方法である。
【００２６】
すなわち、この製造方法では、まず、図１（ａ）に示すように基板１上に微小空隙型の受容層２を形成する。基板１としては、得られる導電性パターンの用途に応じて適宜なものが選択され用いられる。例えば、半導体装置（電子デバイス）における配線として用いる場合にはシリコンなど、液晶表示装置や有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイなどの電気光学装置（電子デバイス）における配線として用いる場合にはガラスなど、多層配線基板の配線として用いる場合にはポリイミドなどと、用途に応じて適宜選択され用いられるのである。なお、この基板１については、その表面に絶縁層などの各種の層や、薄膜トランジスタなどの構成要素がすでに形成されたものであってもよい。
【００２７】
受容層２の形成については、多孔性シリカ粒子、アルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つと、バインダーとの混合物を塗布することにより、形成するのが好ましく、特にアルミナ、アルミナ水和物のうちの少なくとも一つと、多孔性シリカ粒子と、バインダーとの混合物を塗布して形成するのが望ましい。
多孔性シリカ粒子としては、平均粒子直径が２〜５０μｍ、平均細孔直径８〜５０ｎｍ、細孔容積０．８〜２．５ｃｃ／ｇ程度のものが好ましい。多孔性シリカ粒子は、２０重量％以下のボリア、マグネシア、ジルコニア、チタニア等を含有するものであってもよい。
【００２８】
アルミナまたはアルミナ水和物としては、半径３〜１０ｎｍを有する細孔容積の和が０．２〜１．５ｃｃ／ｇを有する多孔質のアルミニウム酸化物やその含水物が挙げられる。細孔物性の測定手段としては、アルミナまたはアルミナ水和物の乾燥固形分が有する細孔の分布を、窒素吸着法（定流量法）により、例えばオミクロンテクノロジー社製オムニソープ１００を使用して測定することができる。そして、半径３〜１０ｎｍを有する細孔容積の和が、０．２〜１．５ｃｃ／ｇである場合はさらに好ましい。
【００２９】
また、これらアルミナまたはアルミナ水和物は、結晶質または非晶質のいずれでもよく、その形態としては不定形粒子、球状粒子等適宜な形態を用いることができる。アルミナゾルを用い、これを乾燥することによって得られるゲル状物は特に好適である。
このようなものの具体例として、凝ベーマイトが挙げられる。これは、本発明に用いられる物質として最適である。特に、ゾルを乾燥して得られる擬ベーマイトゾルが好ましい。
アルミナまたはアルミナ水和物の使用量は、多孔性シリカ粒子に対して５〜５０重量％程度とするのが好ましい。
【００３０】
このような多孔性シリカ粒子及び／又はアルミナまたはアルミナ水和物に混合されるバインダーとしては、主にポリビニルアルコールが好適に用いられるが、その他、カチオン変成、アニオン変成、シラノール変成等の各種変成ポリビニルアルコール、デンプン誘導体およびその変成体、セルロース誘導体、スチレン−マレイン酸共重合体等を、適宜単独あるいは混合して使用することができる。
前記混合物の塗布方法としては、例えばエアナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、ロッドコーター、ロールコーター、グラビアコーター、サイズプレス、スピンコート、液滴吐出法、スクリーン印刷等各種の方法を採用することができる。
【００３１】
また、このようにして多孔性シリカ粒子及び／又はアルミナまたはアルミナ水和物とバインダーとの混合物を基板１上に塗布したら、混合物中の液分を蒸発させ、バインダーを固化する目的で乾燥処理を行う。このような乾燥処理としては、シリカ粒子やアルミナ粒子が焼結されない温度、例えば５０〜１３０℃程度の温度で加熱処理を行う方法や、減圧処理による方法、さらにはこれら加熱処理と減圧処理とを併用する方法などが採用可能である。このようにして乾燥処理がなされることにより、受容層２を構成する多孔性シリカ粒子またはアルミナまたはアルミナ水和物は、その粒子間などに微小空隙を形成する多孔質層となる。
【００３２】
また、前記のようにして形成される微小空隙形の多孔質層は、さらに材質や構造の異なる複数の層とすることもできる。例えば、多孔性シリカ粒子およびアルミナ水和物とバインダーとの混合物を前記のように塗布、乾燥処理を行なって多孔質層を形成した後、多孔性シリカ粒子およびアルミナとバインダーとの混合物を塗布、乾燥処理を行なうことにより、材質の異なる複数の層からなる受容層を形成することができる。
【００３３】
また、通常のインクジェット印刷で用いられる受容層の膜厚は１０μｍ〜１００μｍ程度であるが、導電性パターンを形成する場合にはより膜厚の小さいものが好ましい。この場合には、例えば、アルミナ、アルミナ水和物のうち少なくとも一つと、バインダーとの混合物を塗布するにあたり、さらに溶剤で希釈してから塗布したり、スピンコートによって塗布を行なえば、膜厚１μｍ以下の受容層を形成することができる。
また、必要であれば、このような受容層を形成するにあたり、基板の全面に塗布するのではなく、必要な部分にのみ選択的に塗布することもできる。これは、例えばスクリーン印刷や、液滴吐出法による塗布を採用することで行なうことができる。また、場合によっては、全面に受容層を塗布した後、さらにレジスト塗布、露光、現像、エッチングを行なうことで不要な部分を除去してもよい。
【００３４】
さらに、前記のようにして形成した受容層の表面を、その上に配置する液状体に対して撥液性となるような表面処理を行なうこともできる。撥液性の表面処理を行なうには、例えばフルオロアルキルシランの単分子膜を形成すればよい。この単分子膜は、たとえば受容層表面に波長２５４ｎｍの紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ２　で１０分間照射して洗浄した４インチ角基板と、パーフルオロ、１、１、２、２、テトラヒドロデシルトリエトキシシラン０．１ｇとを容積１０リットルの密閉容器に入れて、１２０℃にて２時間熱処理を行なうことによって形成される。このような撥液性の表面処理を行なうことにより、液状体の液部分が受容層に吸収される前に横方向に広がってしまうことを防止することができる。
【００３５】
次に、図１（ｂ）に示すように導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体を、液滴吐出法によって前記基板１の受容層２上の所定位置に設ける。
導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液、液体の有機金属化合物、有機金属化合物の溶液、またはそれらの混合物を用いる。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これら導電性微粒子については、分散性を向上させるためその表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーティング剤としては、例えばキシレン、トルエン等の有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出装置のヘッドのノズルの目詰まりが起こりやすく、液滴吐出法による吐出が困難になるからである。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。
【００３６】
また、有機金属化合物としては、例えば金、銀、銅、パラジウムなどを含有する化合物や錯体で、熱分解により金属が析出するものが挙げられる。具体的には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などが挙げられる。
【００３７】
導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液体の分散媒または溶媒としては、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇ以上２００ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上２６６００Ｐａ以下）であるものが好ましい。蒸気圧が２００ｍｍＨｇより高いと、吐出後に分散媒または溶媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるからである。
また、分散媒または溶媒の蒸気圧は０．００１ｍｍＨｇ以上５０ｍｍＨｇ以下（約０．１３３Ｐａ以上６６５０Ｐａ以下）であるのがより好ましい。蒸気圧が５０ｍｍＨｇより高いと、液滴吐出法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難になるからである。
一方、室温での蒸気圧が０．００１ｍｍＨｇより低い分散媒または溶媒の場合には、乾燥が遅くなって膜中に分散媒または溶媒が残留しやすくなり、後工程の熱及び／又は光処理後に良質の導電膜が得られにくくなる。
【００３８】
使用する分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。また、溶媒としては、前記の有機金属化合物を溶解するものであれば特に限定されない。そのような分散媒または溶媒として、具体的には、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、有機金属化合物の溶解性、また液滴吐出法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、さらに好ましい分散媒または溶媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒または溶媒は、単独でも、あるいは２種以上の混合物としても使用することができる。
【００３９】
前記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度としては、１質量％以上８０質量％以下とするのが好ましく、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。８０質量％を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくくなる。また、同様の理由で、前記有機金属化合物の溶液の溶質濃度としても、前記の分散質濃度と同範囲のものが好ましい。
このようにして調整された前記導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体の表面張力としては、０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲とするのが好ましい。液滴吐出法にて液状体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると、ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため、吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるからである。
【００４０】
表面張力を調整するため、前記液状体には、受容層２との接触角を不当に低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
前記液状体は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいても差し支えない。
【００４１】
前記液状体の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。液滴吐出法にて吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【００４２】
このような導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方を含有する液状体を吐出する液滴吐出装置としては、図２（ａ）、（ｂ）に示す液滴吐出ヘッド１０を備えた装置が好適に用いられる。
ここで、液滴吐出ヘッド１０は、図２（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート１２と振動板１３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）１４を介して接合したものである。ノズルプレート１２と振動板１３との間には、仕切部材１４によって複数の空間１５と液溜まり１６とが形成されている。各空間１５と液溜まり１６の内部はインクで満たされており、各空間１５と液溜まり１６とは供給口１７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート１２には、空間１５からインクを噴射するためのノズル孔１８が一列に配列された状態で複数形成されている。一方、振動板１３には、液溜まり１６にインクを供給するための孔１９が形成されている。
【００４３】
また、振動板１３の空間１５に対向する面と反対側の面上には、図２（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）２０が接合されている。この圧電素子２０は、一対の電極２１の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子２０が接合されている振動板１３は、圧電素子２０と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間１５の容積が増大するようになっている。したがって、空間１５内に増大した容積分に相当するインクが、液溜まり１６から供給口１７を介して流入する。また、このような状態から圧電素子２０への通電を解除すると、圧電素子２０と振動板１３はともに元の形状に戻る。したがって、空間１５も元の容積に戻ることから、空間１５内部のインクの圧力が上昇し、ノズル孔１８から基板に向けてインクの液滴２２が吐出される。
なお、液滴吐出ヘッド１０の液滴吐出方式（インクジェット方式）としては、前記の圧電素子２０を用いたピエゾジェットタイプ以外の、公知の方式のものを採用してもよい。
【００４４】
このような構成の液滴吐出ヘッド１０を用いて、本例では図１（ｂ）に示したように受容層２上の所定位置に液状体の液滴２２を所望するパターン状、例えば形成する配線パターン形状に吐出する。このとき、特に限定されないものの、本例では液滴吐出ヘッド１０からの液状体の吐出を、着弾後の液滴２２ａが、隣り合う液滴２２ａどうし互いに接するようにして行う。
このようにして液状体を受容層２上に吐出塗布すると、塗布された液状体中の液分、すなわち分散媒、液体の有機化合物、有機金属化合物の溶液などが受容層２に形成された微小空隙内に染み込み、図１（ｃ）に示すように主に液状体中の導電性微粒子３が、受容層２上に微粒子の集合体（塊）となって残る。また、有機金属化合物を含有した液状体の場合でも、受容層２中に吸収されなかった有機金属化合物は受容層２上に残る。このとき、図１（ｂ）に示した液滴吐出ヘッド１０からの吐出を、着弾後の液滴２２ａが互いに接するようにして行っているので、受容層２上に残った導電性微粒子３の集合体３ａ（有機金属化合物を含んでいてもよい。以下同様）も、隣り合うものどうしが接するようようになる。これにより、結果として全ての集合体３ａが連続して所望のパターン状、例えば形成する配線パターン形状のものとなる。
なお、液状体中に含有された導電性微粒子３にあっても、特にその粒径がより小さいものは、分散媒や溶媒などの液分とともに受容層２の微小空隙内に入り込む。
【００４５】
このようにして液滴２２の吐出を行い、受容層２上に主に導電性微粒子３の集合体３ａからなるパターンを形成したら、熱処理を行い、受容層２に残る導電性微粒子３どうし、すなわちその集合体３ａどうしを焼結によって接触させ、図１（ｄ）に示すようにこれら導電性微粒子３の焼結体からなる導電性パターン４、すなわち本発明の導電膜パターンの一例となるパターン４を形成する。ここで、液状体が有機金属化合物を含有する場合には、熱処理によってこれが分解されることにより、主として金属からなる導電性パターン４が形成される。また、液状体が導電性微粒子及び有機金属化合物を含有する場合には、これらの混合物によって導電性パターン４が形成される。
このように、前記熱処理によって得られる導電性パターン４は分散媒が十分に除去され、また有機金属化合物が良好に分解されてなるものとなる。また、導電性微粒子３の表面に、分散性を向上させるためコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も十分に除去されたものとなる。
【００４６】
また、受容層２においては、その微小空隙内に染み込んだ分散媒または溶媒が除去され、さらにこの微小空隙内に入り込んだ導電性微粒子３ｂは焼結され、微小空隙内に入り込んだ有機金属化合物は分解されたものとなる。また、これと同時に、受容層２を形成するバインダーはその大部分が分解（焼失）する。一方、受容層２を形成する各粒子は焼結され、これにより微小空隙内に導電性微粒子３ｂ及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が入り込んでいない部分（液滴２２が吐出された位置の直下でない部分）は絶縁部となり、微小空隙内に導電性微粒子３ｂ及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が入り込んだ部分（液滴２２が吐出された位置の直下部分）は比較的高抵抗ながら導電部となる。
【００４７】
このような熱処理、すなわち焼結処理としては、通常は大気中で行うが、必要に応じて窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理の処理温度としては、分散媒または溶媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、有機金属化合物の分解温度、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうのが好ましい。
【００４８】
また、この熱処理については、通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は、一般には出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
以上の工程により、得られた導電性パターン４は、これを構成する導電性微粒子３またはその集合体３ａ、及び／又は有機金属化合物の分解生成物が焼結によって連続（接続）していることにより、微粒子３間の電気的接触が確保され、良好な導電性を有する導電膜パターンとなる。
【００４９】
なお、前記例では、液滴吐出ヘッド１０からの液状体の吐出を、着弾後の液滴２２ａが、隣り合う液滴２２ａどうし互いに接するようにして行っているが、このように互いに接する、すなわち重なり合う度合いを、単に隣り合う２個の液滴が接する（重なる）のでなく、連続する３個以上（例えば５個）が互いに接し、部分的に重なり合うようにしてもよい。このようにすれば、重なる度合い、すなわち着弾後の液滴２２ａの直径とこれら液滴２２ａ間の距離とを調整することにより、実質的に重ね塗りをした場合と同じ効果を得ることができる。
すなわち、吐出後の液滴２２ａは、その液分が受容層２中に速やかに染み込み、受容層２上には主に導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が残るようになるので、単に着弾後の液滴２２ａが互いに接するように吐出を行うことにより、バルジを生じることなく部分的に導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方の集合体３ａを重ね合わせることができる。したがって、結果として重ね塗りがなされものと同等の膜厚を有する、パターン４を形成することができるのである。
【００５０】
また、特に大きな膜厚を必要とする場合などでは、受容層２上への液滴２２の吐出を、複数回繰り返して重ね塗りするようにしてもよい。このようにすれば、受容層２上には前述したように導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が選択的に残され、液分がほとんど残っていないことから、第１回目の吐出工程から第２回目以降の吐出工程までの工程間で、乾燥工程を経ることなく直接重ね塗りを行うことができ、したがって導電性パターン（導電膜パターン）４の厚膜化をより効率よく行うことができる。
【００５１】
なお、受容層２上への液滴２２の吐出を、複数回繰り返して重ね塗りする場合に、その吐出工程間に熱処理工程（乾燥工程）を設けるようにしてもよい。この熱処理工程としては、液滴２２中の導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が互いに結合しない温度、すなわち焼結しない温度とする。
このように導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が互いに結合しない温度で熱処理を行うと、液滴２２中の液分は、受容層２に染み込んだ分も含めて確実に蒸発し、これにより受容層２上に残った導電性微粒子３及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方の集合体３ａは、液分が十分に除去されたものとなる。また、この集合体３ａ中の各導電性微粒子３は、互いに結合（焼結）していないので、導電性微粒子３間には受容層２における粒子間と同様、微小空隙が形成される。
したがって、このように微小空隙が形成された集合体３ａ上に液滴２２が吐出され、重ね塗りがなされると、先に形成された集合体３ａが受容層２と同様を作用をなし、液滴２２中の液分を速やかに吸い込み、さらにこれを受容層２に染み込ませるようになる。よって、重ね塗りを行う際、吐出工程間に熱処理工程（乾燥工程）を設けることにより、バルジを生じさせることなくより確実に膜厚を増やすことができる。
【００５２】
また、本発明の配線基板は、前記の導電性パターン４（導電膜パターン）を配線として有したものである。図３はこのような配線基板を多層配線基板に適用した場合の一例であり、図３中符号３０は多層配線基板である。この多層配線基板３０は、基板１上に受容層２を介して導電性パターン４（導電膜パターン）からなる配線３１を形成し、さらにこの配線３１上に絶縁層３２、受容層３３、配線３４を形成したものである。
【００５３】
配線３１には、これの上に連続した状態で導電性のポスト３５が形成されている。また、絶縁層３２は、このポスト３５の上面を覆うことなく、このポスト３５の周辺を埋め込む状態で、受容層２上及び配線３１上を覆ったものとなっている。そして、この絶縁層３２およびポスト３５の上面上には、受容層２と同様の構成からなる受容層３３が形成されている。さらに、この受容層３３上には、先の導電性パターン４の形成と同様の方法により、配線３４が形成されている。
【００５４】
ここで、配線３４の形成に際しては、その下側に形成されたポスト３５を介して配線３１に導通させるべく、該配線３４の一部がポスト３５の直上に位置するようにして形成する。すなわち、液滴吐出ヘッド１０より液滴２２をポスト３５の直上位置に吐出し、配線３４を形成するようにする。すると、前述したように吐出され着弾した液滴２２ａは、その導電性微粒子３の一部（より粒径の小さいもの）及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が受容層３３に入り込み、ここに導電部３６を形成する。したがって、形成された配線３４は、その下側に形成された導電部３６およびポスト３５を介して、配線３１に導通したものとなる。
【００５５】
なお、図３においては、便宜上ポスト３５の上を導電部３６としたが、受容層３３中における配線３４の直下位置は全て導電部となる。
また、図３では下層の配線３１と上層の配線３４とからなる２層配線としたが、配線３４上にさらに絶縁層及びポスト、受容層、配線をこの順に積み上げることにより、３層以上の多層配線基板を形成することができる。
【００５６】
また、本発明の電子デバイスは、前記の導電性パターン４（導電膜パターン）を有したものである。具体的には、各種の半導体装置や、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイなどの電気光学装置が挙げられる。
図４は、本発明の電気デバイスをプラズマディスプレイに適用した場合の一例を示す図であり、図３中符号５００はプラズマディスプレイである。このプラズマディスプレイ５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００５７】
放電表示部５１０は、複数の放電室５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
前記（ガラス）基板５０１の上面には所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、それらアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成され、更に誘電体層５１９上においてアドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。なお、隔壁５１５においてはその長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られており（図示略）、基本的にはアドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これら長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成され、これら長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成される。また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域の内側には蛍光体５１７が配置されている。蛍光体５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するもので、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には赤色蛍光体５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体５１７（Ｂ）が各々配置されている。
【００５８】
次に、前記ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数のＩＴＯからなる透明表示電極５１２がストライプ状に所定の間隔で形成されるとともに、高抵抗のＩＴＯを補うために金属からなるバス電極５１２ａが形成されている。また、これらを覆って誘電体層５１３が形成され、更にＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
そして、前記基板５０１とガラス基板５０２の基板２が、前記アドレス電極５１１…と表示電極５１２…を互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、基板５０１と隔壁５１５とガラス基板５０２側に形成されている保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することで放電室５１６が形成されている。なお、ガラス基板５０２側に形成される表示電極５１２は各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。
前記アドレス電極５１１と表示電極５１２は図示略の交流電源に接続され、各電極に通電することで必要な位置の放電表示部５１０において蛍光体５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００５９】
そして、本例では、特に前記アドレス電極５１１とバス電極５１２ａとが、それぞれ先に説明した本発明の導電性パターン４（導電膜パターン）によって形成されたものとなっている。この例では、バス電極５１２ａと表示電極５１２の間に受容層（図示せず）が存在するが、前述のように受容層に浸透した導電性微粒子及び有機金属化合物のうちの少なくとも一方が焼結することにより、バス電極５１２ａの下の部分は高抵抗ながらも導電性となり、表示電極５１２とバス電極５１２ａとの間の電気的接続が確保されている。
したがって、本例のプラズマディスプレイによれば、前述したように導電性パターン４（導電膜パターン）の厚膜化が効率よくなされていることにより、生産性の高い良好なものとなる。
【００６０】
また、本発明の電子機器は、前記の導電性パターン４（導電膜パターン）を有したものであり、具体的には図５に示すものが挙げられる。
図５（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図５（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は前記導電性パターン４（導電膜パターン）を有した表示部を示している。
図５（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図５（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は前記導電性パターン４（導電膜パターン）を有した表示部を示している。
図５（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図５（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は前記導電性パターン４（導電膜パターン）を有した表示部を示している。
図５（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前記の導電性パターン４（導電膜パターン）を有した表示部を備えているので、生産性の高い良好なものとなる。
【００６１】
また、本発明の非接触型カード媒体は、前記の導電性パターン４（導電膜パターン）をアンテナ回路として備えたものである。図６は、このような非接触型カード媒体の一例を示す図であり、図６中符号４００は非接触型カード媒体である。この非接触型カード媒体４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８からなる筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２とを内蔵し、図示しない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により、電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようにしたものである。
【００６２】
本例では、前記アンテナ回路４１２が、先に説明した本発明の導電性パターン４（導電膜パターン）によって形成されたものとなっている。
本例の非接触型カード媒体４００によれば、前記アンテナ回路４１２の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な非接触型カード媒体とすることができ、また、導電性パターン４（導電膜パターン）の厚膜化が効率よくなされていることにより、生産性の高い良好なものとなる。
【００６３】
【実施例】
［実施例１］
図１（ａ）〜（ｄ）に示した方法に基づき、以下のようにして導電膜パターンを形成した。
まず、基板１としてポリイミド基板を用意し、これの上に以下のようにして受容層２を形成した。
平均粒子直径１５μｍ、平均細孔直径１５０Å、細孔容積１．６ｃｃ／ｇを有する球状シリカ粒子１重量部、および固形分濃度７重量％のアルミナゾル（触媒化成社製ＡＳ−３、擬ベーマイト）２５重量部、および、ポリビニルアルコール（クラレ社製、ＰＶＡ１１７）１０％水溶液１０重量部からなる混合物を調製した。次に、この混合物を、バーコーターによって前記基板１上に塗布した。その後、１２５℃で１分間乾燥することにより、受容層２を得た。
【００６４】
また、液滴吐出装置によって吐出する液状体を、以下のようにして用意した。
直径１０ｎｍ程度の金微粒子をトルエン中に分散させた金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」）に、トルエンを添加してこれを希釈し、その粘度を３ｍＰａ・ｓとなるように調整し、前記液状体とした。
また、この液状体を吐出する液滴吐出ヘッドとしては、市販のプリンター（商品名「ＰＭ９５０Ｃ」）のヘッドを使用した。ただし、インク吸入部がプラスチック製であるため、有機溶剤に対して溶解しないよう吸入部を金属製の治具に変更したものを用いた。
このような液滴吐出ヘッドにより、その駆動電圧を２０Ｖにして前記液状体を吐出した。すると、吐出された液滴２２はその体積が４ピコリットルであり、着弾後の液滴２２ａはその直径が約２５μｍとなった。また、着弾後の液滴２２ａは、受容層２によってその分散媒が速やかに吸収され、直径２５μｍで膜厚が２μｍの微粒子堆積膜（微粒子の集合体３ａ）となった。
【００６５】
また、このような吐出条件のもとで、液滴２２の吐出間隔を５μｍごととし、所望のライン状に吐出しパターニングした。すると、このような条件のもとでは、基板に着弾した１個の液滴が２５μｍであることから、隣り合った液滴とは２０μｍずつ重なることになる。したがって、これを連続させてライン状に形成すると、１個の液滴の領域には５個の液滴が部分的に重なることになり、液滴が重ならないような条件（２５μｍ間隔の吐出）で吐出を行い、さらに吐出工程間で乾燥を行うのを合計５回行って重ね塗りした場合と同じ結果を、一度のヘッドのスキャンで得ることができた。すなわち、５μｍの膜厚を得ることができた。
【００６６】
その後、この基板を３００℃で３０分加熱した。すると、受容層２はそのバインダー成分であるポリビニルアルコールが大部分分解し、その膜厚が熱処理前の約半分になった。また、この受容層２においては、直上に導電性微粒子が存在していない部分ではシリカやアルミナの微粒子が固着したことにより、良好な絶縁膜となった。一方、直上に導電性微粒子が存在している部分では、バインダー成分は分解されたものの、受容層２中の微小空隙を埋めるように染み込んでいる導電性微粒子が焼結されたことにより、抵抗値は比較的高いものの電気導電性を有するものとなる。すなわち、受容層２中の微小空隙を埋めるように染み込んだ導電性微粒子が、新たにバインダーとして機能することにより、この導電性微粒子が染み込んだ部分が、導電部として機能するようになるのである。
【００６７】
また、受容層２の上に残された導電性微粒子は、通常の基板上で焼結されたときと全く同様に焼結され、低抵抗の導電性パターン４（導電膜パターン）となった。このようにして形成された導電性パターン４は、前記の受容層２中の導電部と連続的に形成されているため、受容層（導電部）に対して密着力が十分に高くなった。また、受容層２と基板１との間についても、加熱により受容層２中のバインダー成分が固着することにより、その密着力が強固なものとなった。
結果として、基板から加熱前の受容層２の膜厚の半分までを前述した高抵抗の導電部とし、その上に、厚さ約２．５μｍの低抵抗の導電性パターンを形成することができた。
【００６８】
［実施例２］
実施例１で用いた金微粒子分散液（真空冶金社製、商品名「パーフェクトゴールド」をトルエンで希釈し、粘度を３ｍＰａ・ｓに調整した液体）に、有機金属化合物としてさらにクロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）を１０重量％添加して溶解させ、得られた液状体を用いた。その他は実施例１と同様のプロセスで導電性パターンを形成した。
クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）はトルエンに溶解するため、溶剤であるトルエンとともに受容層に容易に吸収され、３００℃での焼成時には熱分解されて金が析出し、液滴を配置した下の受容層の部分は導電部となった。この部分は、実施例１で作製した、導電性微粒子のみが染み込んで導電部となった部分より抵抗値が低くなった。
【００６９】
［実施例３］
実施例１と同様にして、液滴吐出ヘッドより液状体を吐出した後、３００℃で３０分加熱するのに代えて、１００℃以下の熱処理を行った。これは、液滴中の分散媒を除去するためであって、この温度では液滴中の導電性微粒子どうしは結合（焼結）しない。
次に、熱処理によって得られた導電性微粒子からなるライン上に、実施例１と同様にして再度液滴を吐出し、重ね塗りを行った。すると、先に形成した導電性微粒子からなる層（集合体）が受容層として機能するため、同じパターンで膜厚が２倍（１０μｍ）になった。
さらに、同様にして何度か重ね塗りを行い、最後に焼成（焼結）を行うことにより、重ね塗りの回数にほぼ比例した膜厚を有する導電膜パターンを形成することができた。
【００７０】
［実施例４］
実施例１、実施例３の導電膜パターンの形成方法を用いて、多層配線基板を作製した。
実施例３において、重ね塗りのパターンとして、先に形成したライン上の一部に連続した状態で、ポストパターンを形成した。次に、高温焼成を行い、導電性パターン及びこれの上に連続するポストを形成した。
次いで、前記ポストの上面を露出させた状態で、受容層及びこれの上の導電性パターンを覆ってポリイミドを塗布し、さらにこれを硬化させて層間絶縁膜を形成した。ここでのポリイミドの塗布については、ポリイミドの前駆体の溶液を、導電性微粒子を含む液体を吐出したときに用いたのと同じ液滴吐出装置を用いて、前記のポストを避けるようなパターンで塗布を行なった。
【００７１】
次いで、この層間絶縁層上に、実施例１と同様にして再度受容層を形成し、さらにこれの上に実施例１と同様にして二層目の導電性パターンを形成した。このようにして二層目の導電性パターンを形成すると、吐出された液滴（液状体）中の導電性微粒子が二層目の受容層の微小空隙内に染み込み、これを充填することにより、ポリイミドからなる層間絶縁膜表面、およびポストの上面にまで到達する導電部が形成される。なお、必要に応じ、乾燥工程を挟んで二層目を重ね塗りしてもよい。
このようにして二層目の導電性パターンを形成した後、高温焼成、例えば３００℃で３０分の加熱を行った。すると、一層目の配線パターン（導電性パターン）と二層目の配線パターン（導電性パターン）とは、受容層中の導電部とポストとを通じて電気的に導通し、それ以外の部分では絶縁されたものとなる。
そして、さらに一層目の場合と同様にして、二層目のパターンの上にポスト、層間絶縁層、受容層、さらには液状体の吐出によるパターンの形成を繰り返すことにより、多層配線基板を形成した。
【００７２】
［実施例５］
実施例４と同様の多層配線基板を以下のようにして作製した。
まず、実施例２と同じ方法を用い、図７（ａ）に示すように受容層４１の上に一層目の導電膜パターン４２を形成した。このとき、３００℃の熱処理を行なっているため、受容層４１は焼結されており、その上に流動体（液状体）を配置してもその液部を吸収することはなくなり、単に絶縁体としての機能を持っている。また、受容層４１のうち、直上に導電膜パターン４２が形成されている部分は、受容層４１中に染み込んだ導電性微粒子の焼結と、受容層４１に染み込んだ有機金属化合物の熱分解により、高抵抗な導電部４２ａとなっている。
【００７３】
次に、実施例３の導電性ポストの形成に相当する部分を以下のようにして形成した。
まず、実施例２と同様にして、図７（ｂ）に示すように前記受容層４２の全面に受容層４３を形成し、さらに上下導通をとる部分（実施例３でのポストに相当する部分）にのみ、実施例２の方法で導電膜パターン４４を形成した。ここでも３００℃での焼成を行っているため、導電膜パターン４４の下にある受容層４３では、受容層４３中に染み込んだ導電性微粒子の焼結と、受容層４３中に染み込んだ有機金属化合物の熱分解によって高抵抗な導電部４４ａとなり、その下の導電膜パターン４２と電気的に接続されている。したがって、導電膜パターン４４と導電部４４ａとにより、上下の配線を導通させる導電性ポストが形成されることになる。また、受容層４３のうち、上に導電膜パターンが形成されていない部分は、受容層としての機能を失い、単に絶縁膜としての機能を持つようになっている。
これによって、実施例３の導電性ポストと層間絶縁層に相当する部分が同時に形成された。
【００７４】
次いで、再び実施例２と同様にして受容層４３の全面に受容層４５を形成し、図７（ｃ）のように二層目の導電膜パターン４６を形成した。ここでも３００℃での焼成を行なっているため、導電膜パターン４６の下にある受容層４５は高抵抗な導電部４６ａとなり、前述の上下導通をとるためのポストとなる導電膜パターン４４及び導電部４４ａに、電気的に接続されたものとなる。
このようにして、一層目の導電膜パターン４２と二層目の導電膜パターン４６とは、受容層中の高抵抗な導電部４４ａと導電膜パターン４４、さらに導電部４６ａを通じて電気的に導通し、それ以外の部分では絶縁されたものになる。
そして、さらに一層目の場合と同様にして、二層目のパターンの上に受容層を形成し、ポストとなる層間導通部の導電膜パターンの形成、さらに受容層を形成してから三層目のパターンを形成、というプロセスを繰り返すことにより、多層の配線基板を形成することができた。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の導電膜パターンの形成方法によれば、導電性微粒子を含有する液状体を液滴吐出法によって受容層上に設けるので、その液分が受容層中に染み込み、受容層上には主に導電性微粒子が残るようになる。したがって、乾燥処理を行うことなく重ね塗りを行うことができ、その厚膜化を効率よく行うことができる。
したがって、本発明によれば、導電膜パターンの形成方法を改善し、より効率よく厚膜化を達成し得ることにより、その生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）から（ｄ）は本発明の導電膜パターンの形成方法を工程順に説明するための要部側断面である。
【図２】液滴吐出ヘッドの概略構成を説明するための図であり、（ａ）は要部斜視図、（ｂ）は要部側断面図である。
【図３】本発明の配線基板を多層配線基板に適用した場合の一例を示す要部側断面図である。
【図４】本発明の電子デバイスをプラズマディスプレイに適用した場合の一例を示す分解斜視図である。
【図５】本発明に係る電子機器を示す図であり、（ａ）は携帯電話の一例を示す図、（ｂ）は携帯型情報処理装置の一例を示す図、（ｃ）は腕時計型電子機器の一例を示す図である。
【図６】本発明に係る非接触型カード媒体の分解斜視図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板を多層配線基板に適用した場合の製造方法を、工程順に説明するための要部側断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…受容層、３…導電性微粒子、
４…導電性パターン（導電膜パターン）、１０…液滴吐出ヘッド、
２２…液滴（液状体）、３０…多層配線基板、３１…配線、３２…絶縁層、
３３…受容層、３４…配線、３５…ポスト、４１、４３、４５…受容層、
４２、４４、４６…導電膜パターン、４２ａ、４４ａ、４６ａ…導電部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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