(57)【要約】【課題】従来の半導体発光素子を実装する光デバイスは、基板にビアホールを形成する必要があるため、加工が難しく、製造工程が多くコストが高かった。【解決手段】放熱を必要とするレーザダイオード２と、前記レーザダイオード２を設置するための成型ガラスに一体成型されたガラス基板１と、前記レーザダイオード２から発生する熱を放熱するための、前記ガラス基板１の縁部１２に設置された金属製のヒートシンク３と、を備え、前記レーザダイオード２の活性層近接面４と前記ヒートシンク３とが対向して配置され、両者が前記ガラス基板１に形成された横溝９を介して導電性ペースト１０で接続される、光デバイス。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱を必要とする半導体素子と、
前記半導体素子を設置するための第１基板と、
前記半導体素子から発生する熱を放熱するための、前記第１基板の縁部に設置された放熱プレートと、を備える光デバイス。
【請求項２】
前記半導体素子は、活性層接合面と、前記活性層接合面に対向する２つの外面とを有する半導体発光素子であり、前記活性層接合面と前記放熱プレートとが対向して配置される、請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記半導体発光素子の、前記放熱プレートに近い外面の大部分が、前記第１基板に形成された溝または孔により、前記放熱プレートと接続される、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記半導体発光素子は、前記放熱プレートに近い外面と前記活性層接合面との距離が、前記放熱プレートから遠い外面と前記活性層接合面との距離よりも小さくなるように配置される、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項５】
前記第１基板が成型ガラスに一体成型された、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項６】
前記放熱プレートが金属製であり、前記半導体素子と前記放熱プレートとが導電性ペーストで接続される、請求項１に記載の光デバイス。
【請求項７】
前記溝または孔が、前記半導体発光素子から前記放熱プレートに向けて広がる形状である、請求項３に記載の光デバイス。
【請求項８】
前記放熱プレートにさらに第２基板が装着された、請求項１に記載の光デバイス。
【請求項９】
ガラス基板に、導波路と、前記導波路に接続される、活性層接合面を有する半導体発光素子を設置するための凹部と、前記凹部から前記ガラス基板の縁部に延びる溝と、前記凹部内において前記半導体発光素子の前記ガラス基板上での水平位置を位置決めする水平位置マーカと、前記凹部内において前記半導体発光素子の垂直位置を位置決めする垂直位置マーカと、を一体成型し、
前記縁部に前記半導体発光素子から発生する熱を放熱するための放熱プレートを設け、
前記凹部に、前記半導体発光素子の活性層接合面を前記ガラス基板に対して実質的に垂直に、前記放熱プレートに対向させて、前記半導体発光素子を配置し、
前記凹部における前記半導体発光素子の位置決めを、前記水平位置マーカおよび前記垂直位置マーカにより行う、光デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記凹部に、前記半導体発光素子の活性層接合面を前記ガラス基板に対して実質的に垂直に、前記放熱プレートに対向させて、前記半導体発光素子を配置する際に、導伝性材料を介して前記半導体発光素子を配置する、請求項９に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項１１】
光出力端子と、
前記光出力端子に接続された請求項２に記載の光デバイスと、
前記光デバイスに接続された電気入力端子と、を備える送信用光モジュール。
【請求項１２】
光入力端子と、
前記光入力端子に接続され、前記半導体発光素子に替えて半導体受光素子を備えた、請求項２に記載の光デバイスと、
前記光デバイスに接続された電気出力端子と、を備える受信用光モジュール。
【請求項１３】
光入出力端子と、
前記光入出力端子に接続され、半導体受光用素子をさらに備えた、請求項２〜８のいずれかに記載の光デバイスと、
前記光デバイスに接続された電気入力端子、および電気出力端子と、を備える送受信用光モジュール。
【請求項１４】
請求項１１に記載の送信用光モジュールと、
前記送信用光モジュールに接続される光ファイバケーブルと、
前記光ファイバケーブルに接続される、請求項１２に記載の受信用光モジュールと、を備える送受信用光伝送システム。
【請求項１５】
請求項１３に記載の送受信用光モジュールと、
前記送受信用光モジュールに接続される光ファイバケーブルと、を備える送受信用光伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路を含んだ基板上に半導体発光素子を実装した光デバイス、その製造方法、光モジュール、光伝送システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１５（ａ）、（ｂ）に、導波路１６１を含んだガラス基板１５１上に半導体発光素子１５２を実装した従来の光送信モジュール１６０を示す。ガラス基板１５１上に実装する半導体発光素子１５２が端面発光型で高速動作が要求される場合、半導体発光素子１５２の活性層接合面（発光部）１５５に対向して活性層接合面１５５からの距離が最も小さい面（すなわち活性層近接面１５４）を上方にして、ガラス基板１５１上に設置する。そして、ビアホール１６２をガラス基板１５１に形成し、このビアホール１６２に充填された導電性ペースト１６３を介してガラス基板１５１の下側に設けられた金属製のヒートシンク１５３に半導体発光素子１５２で発生した熱を放散し、同時に電気的に共通の接地を得ていた。
【０００３】
このとき、半導体発光素子１５２からヒートシンク１５３への放熱効果をよくするためには、半導体発光素子１５２からヒートシンク１５３へ至る熱の経路の熱抵抗を小さく（すなわち熱伝導性を高く）すればよい。すなわち、ビアホール１６２、およびそこに充填された導電性ペースト１６３を熱抵抗体と考えると、ビアホール１６２が形成されるガラス基板１５１の厚みを小さくする（すなわち熱抵抗体の長さを短くする）か、ビアホール１６２の径を大きくする（すなわち熱抵抗体の太さを太くする）かすればよい。しかし、ガラス基板１５１を薄くすることは、ガラス基板１５１自体の強度が低下するために限界がある。また、ビアホール１６２の径を大きくすることもガラス基板１５１の強度が低下するため、やはり限界がある。そこで、図１５に示すように、ビアホール１６２の径を大きくしないで、ガラス基板１５１上にビアホール１６２を多数形成し、複数のビアホール１６２を介して半導体発光素子１５２から発生する熱をヒートシンク１５３に放熱していた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００２−１３１５９３号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のようにガラス基板１５１に高いアスペクト比のビアホール１６２を多数形成することは、加工が難しく、製造工程が増加するためコスト増の要因となっていた。また、ガラス基板１５１上に多数のビアホール１６２を形成しても、半導体発光素子１５２からヒートシンク１５３までの熱抵抗を充分に低下させることができず、半導体発光素子１５２からヒートシンク１５３への放熱が充分でない場合があった。その場合、他の放熱経路からの放熱（例えば周囲空気からの放熱等）に頼らなければならず、また、半導体発光素子１５２からヒートシンク１５３への熱の伝達速度が十分に速くなく、１つの半導体発光素子１５２あたりのヒートシンク１５３を大きくとる必要があり、そのため、１つの光デバイスを作製するためには大きな面積を有するヒートシンク１５３を必要とし、また、それに対応するガラス基板１５１への実装密度を上げることもできなかった。また、ガラス基板１５１にビアホール１６２を多数形成すると、ガラス基板１５１の強度を低下させるため、このことも光デバイスの大型化、それに伴うコスト高に繋がっていた。
【０００６】
本発明は、上記の課題を考慮し、製造工程が減少し、低コストな光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することを目的とする。
【０００７】
また本発明は、小型で低コストな、光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための第１の本発明は、放熱を必要とする半導体素子（２、４４、７９、８７、８８、８９、９０、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）、と、前記半導体素子（２、４４、７９、８７、８８、８９、９０、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）を設置するための第１基板（１、４１、６４）と、
前記半導体素子（２、４４、７９、８７、８８、８９、９０、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）から発生する熱を放熱するための、前記第１基板（１、４１、６４）の縁部（１２、９７）に設置された放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）と、を備える光デバイスである。
【０００９】
第２の本発明は、前記半導体素子（２、４４、７９、８７、８８、８９、９０、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）は、活性層接合面（５）と、前記活性層接合面（５）に対向する２つの外面とを有する半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）であり、前記活性層接合面（５）と前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）とが対向して配置される、第１の本発明の光デバイスである。
【００１０】
第３の本発明は、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）の、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）に近い外面（４、１０４）の大部分が、前記第１基板（１、４１、６４）に形成された溝または孔（９、５０，９８，９９，１００，１０１，１０９，１１９）により、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）と接続される、第２の本発明の光デバイスである。
【００１１】
第４の本発明は、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）は、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）に近い外面（４、１０４）と前記活性層接合面（５）との距離が、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）から遠い外面と前記活性層接合面（５）との距離よりも小さくなるように配置される、第２の本発明の光デバイスである。
【００１２】
第５の本発明は、前記第１基板（１、４１、６４）が成型ガラスに一体成型された、第２の本発明の光デバイスである。
【００１３】
第６の本発明は、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）が金属製であり、前記半導体素子（２、４４、７９、８７、８８、８９、９０、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）と前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）とが導電性ペースト（１０）で接続される、第１の本発明の光デバイスである。
【００１４】
第７の本発明は、前記溝または孔（９、５０，９８，９９，１００，１０１，１０９，１１９）が、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）から前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）に向けて広がる形状である、第３の本発明の光デバイスである。
【００１５】
第８の本発明は、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）にさらに第２基板（４７、７６、８２）が装着された、第１の本発明の光デバイスである。
【００１６】
第９の本発明は、ガラス基板（１、４１、６４）に、導波路（１１、７１、８３、８５、８６、１２６、１２８、１２９、１３０、１３８、１４１、１４２）と、前記導波路（１１、７１、８３、８５、８６、１２６、１２８、１２９、１３０、１３８、１４１、１４２）に接続される、活性層接合面（５）を有する半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）を設置するための凹部（６、４６）と、前記凹部（６、４６）から前記ガラス基板（１、４１、６４）の縁部に延びる溝（９、５０，９８，９９，１００，１０１，１０９，１１９）と、前記凹部（６、４６）内において前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）の前記ガラス基板（１、４１、６４）上での水平位置を位置決めする水平位置マーカ（１６）と、前記凹部（６、４６）内において前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）の垂直位置を位置決めする垂直位置マーカ（１７）と、を一体成型し、
前記縁部に前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）から発生する熱を放熱するための放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）を設け、
前記凹部（６、４６）に、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）の活性層接合面（５）を前記ガラス基板（１、４１、６４）に対して実質的に垂直に、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）に対向させて、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）を配置し、
前記凹部（６、４６）における前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）の位置決めを、前記水平位置マーカ（１６）および前記垂直位置マーカ（１７）により行う、光デバイスの製造方法である。
【００１７】
第１０の本発明は、前記凹部（６、４６）に、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）の活性層接合面（５）を前記ガラス基板（１、４１、６４）に対して実質的に垂直に、前記放熱プレート（３、４３、７３、８１、８２）に対向させて、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）を配置する際に、導伝性材料を介して前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）を配置する、第９の本発明の光デバイスの製造方法である。
【００１８】
第１１の本発明は、光出力端子（１２４）と、
前記光出力端子（１２４）に接続された第２の本発明の光デバイスと、
前記光デバイスに接続された電気入力端子（１２０）と、を備える送信用光モジュールである。
【００１９】
第１２の本発明は、光入力端子（１３９）と、
前記光入力端子（１３９）に接続され、前記半導体発光素子（２、４４、７９、８７、８８、１０４、１２７、１３１、１３２、１３３、１３４）に替えて半導体受光素子（７４，１１０，１３７）を備えた、第２の本発明の光デバイスと、
前記光デバイスに接続された電気出力端子（１２４、１３０）と、を備える受信用光モジュールである。
【００２０】
第１３の本発明は、光入出力端子（１４５）と、
前記光入出力端子（１４５）に接続され、半導体受光素子（７４、１１０、１３７）をさらに備えた、第２〜８の本発明のいずれかの光デバイスと、
前記光デバイスに接続された電気入力端子（１２０）、および電気出力端子（１２４、１３０）と、を備える送受信用光モジュールである。
【００２１】
第１４の本発明は、第１１の本発明の送信用光モジュールと、
前記送信用光モジュールに接続される光ファイバケーブルと、
前記光ファイバケーブルに接続される、第１２の本発明の受信用光モジュールと、を備える送受信用光伝送システムである。
【００２２】
第１５の本発明は、第１３の本発明の送受信用光モジュールと、
前記送受信用光モジュールに接続される光ファイバケーブルと、を備える送受信用光伝送システムである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１に本発明の実施の形態１の光デバイスの平面図を示す。
【００２４】
本発明の実施の形態１の光デバイスは、本発明の第１基板の一例であるガラス基板１の長手方向に平行に導波路１１が形成され、そして導波路１１に接続されて本発明の凹部の一例である凹部６が形成され、ガラス基板１の縁部１２には、本発明の放熱プレートである金属製のヒートシンク３が側方からガラス基板１の縁部１２に貼り合わせるようにして接合されている。ここで凹部６は、導波路１１から遠い（以下遠位という）部分においては、壁に囲まれておらず遠位方向に開放している（図１（ａ）、（ｂ）参照）。そして、ヒートシンク３を接合するガラス基板１の側壁１５には、本発明の溝の一例である横溝９が凹部６とヒートシンク３とを接続するように形成されている。図１（ｄ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ断面を示す。本実施の形態において横溝９は、図１（ｄ）に示すようにその断面が矩形状になるように成型されている。
【００２５】
またガラス基板１上には、レーザダイオード２を凹部内に位置決めするための本発明の水平位置マーカの一例である水平位置マーカ１６、本発明の垂直位置マーカの一例である垂直位置マーカ１７が所定の位置に形成されている。導波路１１、凹部６、横溝９、水平位置マーカ１６、垂直位置マーカ１７は、ガラス基板１上に一括して成型されている。そして、横溝９が形成された側壁１５の導波路１１から遠位部分に、配線パタン８が設置され（図３（ａ）、（ｂ）参照）、レーザダイオード２を駆動するために必要な信号線（図示せず）に接続されている。
【００２６】
そして、凹部６には、その側壁１５に本発明の半導体発光素子の一例であるレーザダイオード２が設置されている。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面を示す。レーザダイオード２は、端面発光型であり、図１（ｃ）に示すように、その発光部である本発明の活性層の接合面の一例である活性層接合面５は、レーザダイオード２内の各層（図示せず）に平行に配置されている。そして、活性層接合面５は、本発明の外面の一例である活性層近接面４から間隔ｂが空けられて配置されている。そして、レーザダイオード２は、活性層近接面４をガラス基板１の表面１４と実質的に垂直で、横溝９を介してヒートシンク３と対向する状態で、凹部６の側壁１５に設置されている。このとき、レーザダイオード２の活性層近接面４と活性層接合面５との距離が、レーザダイオード２の活性層近接面４に対向する外面と活性層接合面５との距離よりも小さい。そして横溝９には、本発明の導電性ペーストの一例である導電性ペースト１０が充填され、レーザダイオード２の活性層近接面４とヒートシンク３とが接続されている。このとき、レーザダイオード２の活性層近接面４は、図１（ｄ）の点線に示すように、その大部分が導電性ペースト１０を介してヒートシンク３に接続されている。このような導電性ペーストとしては、例えば、銅、銅タングステン、アルミナ等を成分とするものが使用される。
【００２７】
また、レーザダイオード２は、導波路１１に対して平行方向（すなわち図１（ａ）に示す、ガラス基板１の長手方向であるＹ方向）、および導波路１１と直交する方向（すなわちＹ方向に直交するＸ方向）、および垂直方向（すなわちガラス基板１の厚み方向であるＺ方向）の適切な位置に位置決めがされている（位置決め方法については後述）。そして、配線パタン８とレーザダイオード２は、レーザダイオード２の活性層近接面４と対向する面から凹部内で遠位に延びたワイヤ７によって接続されている。
【００２８】
また、レーザダイオード２は、図１（ｅ）に示すように、活性層近接面４上にレーザ内マーカ２１を有する。レーザ内マーカ２１は、レーザダイオード２を作製するときにパタンの一部として作製され、レーザ内マーカ２１のＹ、Ｚ方向位置は、活性層接合面５に対してＹ、Ｚ方向に所定の間隔を有して、レーザダイオード２を作製するときに正確に制御されて決定されている。
【００２９】
またレーザダイオード２の活性層近接面４から活性層接合面５までの距離（すなわち図１（ｃ）に示す距離ｂ）は、レーザダイオード２を作製するときに正確に制御されている。
【００３０】
次に上記のレーザダイオード２のガラス基板１の凹部６における位置決め方法について説明する。
【００３１】
上記のように形成された凹部６に、配線パタン８と接続されたレーザダイオード２を上記のように配置し、レーザダイオード２とヒートシンク３との間に導電性ペースト１０を充填する。ガラス基板１の凹部６内において、レーザダイオード２の周囲にはＵＶ樹脂（紫外線硬化性樹脂）を充填し、活性層近接面４のＸ方向位置と水平位置マーカ１６のＸ方向位置とが所定の距離を取る（または一致する）ように、レーザダイオード２のＸ方向位置をマニピュレータ（図示せず）を使用して調整する。次に、水位位置マーカ１６のＹ方向位置とレーザ内マーカ２１のＹ方向位置とが所定の距離を取るように、レーザダイオード２のＹ方向位置を調整する。そして、垂直位置マーカ１７のＺ方向位置の基準面がレーザ内マーカ２１のＺ方向の基準点と所定の距離を取る（または一致する）ように、レーザダイオード２のＺ方向位置を同様にマニピュレータを使用して調整する。このようにすれば、活性層接合面５のＸ、Ｙ、Ｚ方向位置を導波路１１に対して正確に位置決めすることができる。
【００３２】
ガラス基板１の凹部６内におけるレーザダイオード２の位置決めが確定すると、導波路１１内に充填されているＵＶ樹脂に紫外線を照射して、あるいは導電性ペースト１０を固形化させてレーザダイオード２を位置決めした位置に固着する。
【００３３】
なお、以上の位置決め方法の説明において、導電性ペースト１０をレーザダイオード２とヒートシンク３との間に充填し、レーザダイオード２の周囲にＵＶ樹脂を充填し、その後、Ｘ方向位置、Ｙ方向位置を決定する、としたが、先に導電性ペースト１０をレーザダイオード２とヒートシンク３との間に充填し、この状態でマニピュレータを使用して上記と同様にレーザダイオード２の位置を調整し、その後、導電性ペースト１０を固形化してもよい。その場合は、導電性ペーストを固形化してレーザダイオード２の位置を確定させた後に、ＵＶ樹脂を凹部６内のレーザダイオード２の周囲に充填すればよい。
【００３４】
また、図１には、レーザダイオードが取り付けられていない面に側壁が存在するが、図１６に示すようにこのような側壁が無くてもよい。このような構成により、上述のマニピュレータの操作、およびワイヤ７の配線パタン８等へのボンディングが容易になる。
【００３５】
次に上記のように構成された光デバイスの動作について説明する。
【００３６】
配線パタン８からワイヤ７を介してレーザダイオード２に所定の電気信号が供給されると、レーザダイオード２の活性層接合面５からレーザ光が放射され、導波路１１内を伝達する。このとき、活性層近接面４から最も多くの熱が発生するが、その熱の大部分は横溝９内の導電性ペースト１０を介して、ヒートシンク３に伝達され放熱される。また、同時に導電性ペースト１０を介して、レーザダイオード２に接地電位が提供される。
【００３７】
上記のようにすれば、ガラス基板１の表面にビアホール１６２を形成する必要が無いので、加工が容易で、少ない製造工程で光デバイスを製造することができる。また、上記のように位置決めすることにより、簡単な調整作業で正確に活性層接合面５を導波路１１に対して位置決めすることができる。
【００３８】
また、レーザダイオード２の最も高温になる面（すなわち活性層近接面４）からヒートシンク３へ放熱することができるので、放熱効果が従来よりも高い。また、レーザダイオード２の活性層近接面４の大部分が導電性ペーストに接続されて、１つの横溝９を介して、活性層近接面４から発生する熱を、ヒートシンク３に放熱することができるので、レーザダイオード２からヒートシンク３に至るまでの熱抵抗が小さく、放熱効果はさらに高い。従って、レーザダイオード２は熱の影響を受けることが無く、その動作を安定化させることができる。このように、レーザダイオード２から発生する熱を十分放熱することができ、ヒートシンクの形状を小さくできるので、また、例えば周囲空気を介しての放熱を考慮する必要が無いので、実施の形態１の光デバイスによれば、光デバイスの大きさを小型化することができる。
【００３９】
なお、上記では、レーザダイオード２は、側壁１５に設置された配線パタン８からワイヤ７を介して接続されている、として説明したが、図２（ａ）、（ｂ）に示すように配線パタン２０が凹部６の底面１９に設置され、配線パタン２０とレーザダイオード２とが導電性ペースト１０により接続されていてもよい。
【００４０】
（実施の形態２）
図４に本発明の実施の形態２の光デバイスの構成を示す。
【００４１】
本実施の形態の光デバイスにおいては、長手形状のガラス基板４１に長手形状の凹部４６が形成され、凹部４６内にレーザダイオード２とともにレーザダイオード２を駆動させるためのドライバＩＣ４４が設置されている。ここでは、実施の形態１と同一の構成要素については、同一の参照番号を付し、その説明は省略し、異なる構成要素についてのみ説明する。
【００４２】
レーザダイオード２に接続されるワイヤ７には、側壁５５上のレーザダイオード２の遠位方向に設置された配線パタン４８が接続されている。そして、側壁５５には、ドライバＩＣ４４が設置され、ドライバＩＣ４４とヒートシンク４３の間には両者を接続するための横溝５０が形成され、横溝５０内にはヒートシンク４３とドライバＩＣ４４を接続するように導電性ペースト１０が充填されている。このときドライバＩＣ４４は、配線パタン４８、および横溝５０の近傍から遠位方向に設置された配線パタン５８に接触した状態で側壁５５に設置されている。
【００４３】
一方、ヒートシンク３には本発明の第２基板の一例である誘電体基板４７が設置され（貼り合わされ）、誘電体基板４７上には、信号接続部４５を介してドライバＩＣ４４に電気信号を供給するための配線パタン（図示せず）が形成されている。また、ヒートシンク４３の遠位部には、孔部４９が形成されている。そして、導電性材料で作製された信号接続部４５が孔部４９に挿入され、配線パタン５８と誘電体基板４７上に形成された上記の配線パタンが接続されている。なお、信号接続部４５をガラス基板１の側壁５５に貫通する孔は、ガラス基板１を成型するときに一括して成型される。
【００４４】
このような構成の光デバイスにおいて、誘電体基板４７、信号接続部４５、配線パタン５８を介してドライバＩＣ４４に必要な電気信号が供給されると、それによりドライバＩＣ４４はレーザダイオード２を駆動するために必要な信号を、配線パタン４８、およびワイヤ７を介してレーザダイオード２に供給する。そして、レーザダイオード２は供給された電気信号に応じた光を導波路１１に放射する。このとき、レーザダイオード２から生じる熱は、横溝９に充填された導電性ペースト１０を介してヒートシンク４３に放熱され、ドライバＩＣから生じる熱は、横溝５０に充填された導電性ペースト１０を介してヒートシンク４３に放熱される。また、同時にレーザダイオード２、およびドライバＩＣ４４の両方に共通の接地電位が提供される。
【００４５】
このように本実施の形態の光デバイスによると、ガラス基板４１に複数の放熱を要する半導体素子が設置された場合でも、実施の形態１の場合と同様にこれらの半導体素子から発生した熱をヒートシンク４３に効果的に放熱することができるので、光デバイスの大きさを小型化することができる。すなわち、ガラス基板４１上の部品の実装密度を上げることができる。また、誘電体基板４７がヒートシンク４３に貼り合わされた場合は、さらに部品の実装密度を上げることができる。このとき、誘電体基板４７をヒートシンク４３に貼り合わせることによって、ヒートシンク４３自体からの放熱効率が低下する場合は、ヒートシンク４３からの放熱が問題とならない面積でまたは場所に誘電体基板４７を貼り合わせればよい。
【００４６】
なお、本実施の形態の説明では、レーザダイオード２は、ワイヤ７、側壁５５に設置された配線パタン４８を介してドライバＩＣ４４に接続され、ドライバＩＣ４４は、配線パタン５８を介して信号接続部４５に接続される、として説明したが、図４（ｂ）に示すように、凹部４６の底面５９においてレーザダイオード２とドライバＩＣとの間に配線パタン５６が設置され、レーザダイオード２と配線パタン５６とが導電性ペースト１０で接続され、配線パタン５６とドライバＩＣ４４が導電性ペースト１０で接続され、また、凹部４６の底面５９においてドライバＩＣ４４と信号接続部４５との間に配線パタン５７が設置され、配線パタン５７とドライバＩＣ４４とが導電性ペースト１０で接続されている構成であってもよい。また、ドライバＩＣ４４と配線パタン４８、５８との接続がワイヤであってもよい。
【００４７】
（実施の形態３）
図５に本発明の実施の形態３の光デバイスの構成を示す。
【００４８】
本実施の形態の光デバイスにおいては、凹部４６とヒートシンク４３とに挟まれて形成された側壁６３に、横溝が形成されておらず、レーザダイオード２と側壁６３の間に放熱片６１が設置されている構成をとる。ここで、側壁６３の厚みは、実施の形態１、２で示した側壁１５、５５の厚みより薄く設定されており、放熱片６１は、その一部がレーザダイオード２から遠位方向に延びている。そして凹部４６の底面５９上に、ドライバＩＣ６２が設置され、レーザダイオード２とドライバＩＣ６２の信号出力部（図示せず）との間には配線パタン５６が設置され、配線パタン５６とレーザダイオード２は導電性ペースト１０で接続されている。さらに、底面５９においてドライバＩＣ６２と放熱片６１との間に配線パタン６０が設置され、配線パタン６０は、ドライバＩＣ６２の放熱部（図示せず）に接続され、、配線パタン６０と放熱片６１との間は導電性ペースト１０で接続されている。また、ドライバＩＣ６２は、ガラス基板６４の表面の配線パタン（図示せず）に接続されている。
【００４９】
このような構成の光デバイスによると、レーザダイオード２から発生する熱は、放熱片６１、側壁６３を介してヒートシンク４３に伝達される。また、ドライバＩＣ６２から発生する熱は、配線パタン６０、放熱片６１を介してヒートシンク４３に伝達される。従って本実施の形態によれば、さらに簡単な工程で光デバイスを製造することができる。
【００５０】
（実施の形態４）
図６に本発明の実施の形態４の光デバイスの構成を示す。
【００５１】
本実施の形態は、実施の形態２の応用例である。実施の形態１、２と同一の構成要素については同一の参照番号を付しその説明を省略する。本実施の形態の光デバイスの導波路７１には、波長多重フィルタ（ＷＤＭフィルタ）７２がその長手方向が導波路７１に対して４５°の角度で挿入されている。ここで、波長多重フィルタ７２は、波長λ１の光は透過させるが、波長λ２の光は透過させない（反射させる）ように設定されている。そして、波長多重フィルタ７２の側方のヒートシンク７３、および誘電体基板７６には、孔部７７が形成され、孔部７７内のガラス基板１の縁部１２には波長λ２の光を受光する本発明の受光素子の一例であるフォトダイオード７４が設置されている。フォトダイオード７４は、ワイヤ７５を介して誘電体基板７６の配線パタン（図示せず）と接続されている。また、本実施の形態において、レーザダイオード７９は、波長λ１の光を放射するものが使用されている。
【００５２】
このような構成の光デバイスによれば、波長λ１の光がレーザダイオード７９から放射されると、波長多重フィルタ７２を透過して導波路７１から送信される。そして、導波路７１に入ってきた波長λ２の光は、波長多重フィルタ７２において側方に反射されて、フォトダイオード７４に受光される。従って本実施の形態の光デバイスによれば、波長λ１で送信し、波長λ２で受信する送受信装置を実現することができる。
【００５３】
なお、本実施の形態において、波長多重フィルタ７２はその長手方向が導波路７１に対して４５°以外の角度で挿入されていてもよい。その場合は、波長多重フィルタ７２から反射される光がフォトダイオード７４に受光されるように孔部７７が形成されフォトダイオード７４が配置される。
【００５４】
また、図６においては、フォトダイオード７４は、ヒートシンク７３に接続されていないように示されているが、必要があれば、配線パタン（図示せず）でヒートシンク７３に接続されるか、孔部７７において、フォトダイオード７４の周囲に非導電性で熱伝導性のペースト（図示せず）が充填される、などとしてもよい。
【００５５】
（実施の形態５）
図７に本実施の形態５の光デバイスの構成を示す。
【００５６】
本実施の形態も実施の形態２の応用である。本実施の形態の光デバイスにおいては、ガラス基板１の長手方向にその長手方向を一致させた波長多重フィルタ８４が配置されている。波長多重フィルタ８４の片面側は、導波路８５に接続され、波長多重フィルタ８４の別の片面側は、導波路８６に接続されている。そして、導波路８５、８６は、凹部４６に接続されている。また、導波路８６と波長多重フィルタ８４が接続されている部分には、導波路８３が接続され、導波路８３は、ガラス基板１の端部９６に向かって延びている。ここで、波長多重フィルタ８４は、実施の形態４における波長多重フィルタ７２と同様、波長λ１の光を透過させるが、波長λ２の光を反射させるように設定されている。
【００５７】
本実施の形態の光デバイスのガラス基板１の一方の縁部１２には、ヒートシンク８１が設置され、縁部１２に対向する、別の一方の縁部９７には、ヒートシンク８１が設置されている。そして、凹部４６とヒートシンク８１の間の側壁１０２には、横溝９８、１００が形成され、それぞれ波長λ１の光を放射するレーザダイオード８７、およびドライバＩＣ８９が、実施の形態２におけるレーザダイオード２、ドライバＩＣ４４の場合と同様に側壁１０２に設置されている。そして、実施の形態２の場合と同様に配線パタン９０によりレーザダイオード８７とドライバＩＣ８９とが接続され、配線パタン９２により、ドライバＩＣ８９と信号接続部９４とが接続されている。
【００５８】
また、凹部４６とヒートシンク８２の間の側壁１０１には、横溝９９、１０１が形成され、上記と同様に波長λ２の光を放射するレーザダイオード８８、およびドライバＩＣ９０が側壁１０１に設置されている。この場合、レーザダイオード８８の活性層近接面１０４をヒートシンク８２側に対向させて配置している。また、上記と同様に、配線パタン９１によりレーザダイオード８８とドライバＩＣ９０とが接続され、配線パタン９３により、ドライバＩＣ９０と信号接続部９５とが接続されている。信号接続部９４、９５はそれぞれヒートシンク８１の側方に設置された誘電体基板８２上に形成された配線パタン（図示せず）に接続されている。
【００５９】
このように構成された光デバイスによると、レーザダイオード８７から放射された光は、導波路８５を介し、波長多重フィルタ８４を透過して導波路８３に至り、レーザダイオード１０４から放射された光は、導波路８６を介して、波長多重フィルタ８４で反射されて導波路８３に至る。従って、レーザダイオード８７から放射された波長λ１の光と、レーザダイオード８８から放射された波長λ２の光が混合されて導波路８３に至る。その結果、導波路８３からは、波長λ１、および波長λ２の光が混合されて出力される。
【００６０】
このように本実施の形態による光デバイスによれば、ガラス基板１への実装密度が高く、高機能の光送信モジュールを簡単な製造工程で提供することができる。
【００６１】
（実施の形態６）
図８、９に実施の形態６の光デバイスの構成を示す。
【００６２】
本実施の形態６は、実施の形態１の光デバイスの具体的な実現例である。従って、実施の形態１と同じ構成要素は、同一の参照符号で示し、その説明を省略する。図８に示す光デバイスにおいては、レーザダイオード２から遠位方向に、モニタフォトダイオード１１０が側壁１１３に設置された台座１１２上に設置されている。このとき、モニタフォトダイオード１１０は、レーザダイオード２の活性層接合面５における発光部の延長線１１１からずらされて配置されている。
【００６３】
このような構成の光デバイスによると、モニタフォトダイオード１１０は、レーザダイオード２の発光部の反対側から漏れ出る光を検出することができ、レーザダイオード２の動作をモニタすることができる。モニタフォトダイオード１１０は、レーザダイオード２の発光部の延長線１１１からずらされて配置されているために、レーザダイオード２から漏れ出た光がモニタダイオード１１０で反射されて再びレーザダイオード２に入ることを防ぐことができる。
【００６４】
また、図９に示す光デバイスにおいては、レーザダイオード２の長手軸が、導波路１１に対して、３°程度まで斜めにされた状態で配置されている。このようにレーザダイオード２を配置することにより、導波路１１を進行した光が反射されて再びレーザダイオード２に入射されることを防ぐことができる。
【００６５】
（実施の形態７）
図１０は、実施の形態７の光デバイスの構成を示す。
【００６６】
本実施の形態の光デバイスは、実施の形態５（図７参照）に記載の光デバイスを図１０の左側部分に配置し、その左側部分の左右を反転させた構成の光デバイスを図１０の右側部分に配置した構成である。ここで、レーザダイオード１３１としては、波長λ１の光を放射し、レーザダイオード１３２としては、波長λ２の光を放射するものが選定される。そして、波長多重フィルタ１２１は、波長λ１の光を透過させるが、波長λ２の光を反射するように設定されている。また、レーザダイオード１３３としては、波長λ３の光を放射し、レーザダイオード１３４としては、波長λ４の光を放射するもので選定されている。そして、波長多重フィルタ１２３は、波長λ３の光を透過させるが、波長λ４の光を反射させるように設定されている。
【００６７】
そして、左側部分と右側部分が合流する部分には波長多重フィルタ１２２が挿入されている。そして、波長多重フィルタ１２２の右側には、さらに導波路１３０が形成されている。ここで、波長多重フィルタ１２２は、波長λ１、λ２の光は透過するが、波長λ３、λ４の光は反射するように設定され、導波路１２９を進行してきた光を導波路１３０に反射させる向きに配置されている。
【００６８】
このような構成の光デバイスにおいて、レーザダイオード１３１、１３２から放射された波長λ１、λ２の光は、導波路１２６に混合されて、波長多重フィルタ１２２を透過して導波路１３０に至る。一方、レーザダイオード１３３、１３４から放射された波長λ３、λ４の光は、導波路１２９に混合されて、波長多重フィルタ１２２において反射されて、導波路１３０に至る。
【００６９】
従って、導波路１３０からは、波長λ１、λ２、λ３、λ４の光が混合されて出力される。
【００７０】
（実施の形態８）
以上までの実施の形態に示した光デバイスを使用して光を送信または受信するための本発明の送信用光モジュール、受信用光モジュール、送受信用光モジュールを作製することができる。図１１に本発明の送信用光モジュールの一例である送信用光モジュール１３５の構成例を示す。
【００７１】
図１１に記載の送信用光モジュールは、その入力側に電気入力端子１２０が接続され、その出力側にレーザダイオード１２７が接続されるドライバＩＣ１２５を備えている。そしてレーザダイオード１２７は、導波路１２８に位置決めされ、導波路１２８の端部には光出力端子１２４が接続されている。また、導波路１２８の途中にアイソレータ１２３が挿入されている。
【００７２】
上記の構成の送信用光モジュール１３５を、図４（ａ）の記載の光デバイスと対応付けると、電気入力端子１２０は、信号接続部４５に接続された、誘電体基板４７上に形成された配線パタン（図示せず）に対応し、ドライバＩＣ１２５は、ドライバＩＣ４４に、レーザダイオード１２７は、レーザダイオード２に、導波路１２８は、導波路１１に対応する。また、ドライバＩＣ１２５とレーザダイオード１２７とを接続する配線は、配線パタン４８、ワイヤ７に対応する。また、アイソレータ１２３は、導波路１１の途中に導波路１１と直交してガラス基板４１上に形成された溝（図示せず）に沿って挿入される。そして、光出力端子１２４は、導波路１１の端部にＶ型溝１３（図１５）として接続され、Ｖ型溝１３には、光ファイバケーブル（図示せず）が接続される。
【００７３】
このような構成の送信用光モジュール１３５によれば、電気入力端子１２０に入力された電気信号に応じて、対応する光信号を光出力端子１２４から光ファイバケーブルに出力することができ、製造工程が減少した、小型で、低コストな光モジュールを提供することができる。
【００７４】
次に図１２に本発明の受信用光モジュールの一例である受信用光モジュール１３６の構成例を示す。
【００７５】
図１２に記載の受信用光モジュール１３６は、その出力側に電気出力端子１３０を有するフォトダイオード１３７を備え、フォトダイオード１３７は、導波路１３８の一方に位置決めされて接続され、導波路１３８の他方には光入力端子１３９が接続されている。
【００７６】
上記の構成の受信用光モジュール１３６は、図１に記載の光デバイスにおいて、レーザダイオード２の代わりにフォトダイオード１３７を用いれば実現することができる。この場合、電気出力端子１３０は、配線パタン８に対応し、導波路１３８は、導波路１１に対応する。そして、光入力端子１３９は、導波路１１の端部にＶ型溝１３（図１５）として接続され、Ｖ型溝１３には、光ファイバケーブル（図示せず）が接続される。
【００７７】
このような構成の受信用光モジュール１３６によれば、光入力端子１３９に入力された光信号に応じて、対応する電気信号を電気出力端子１２４から出力することができ、製造工程が減少した、小型で、低コストな光モジュールを提供することができる。
【００７８】
次に図１３に本発明の送受信用光モジュールの一例である送受信用光モジュール１４６の構成を示す。
【００７９】
図１３に示す送受信用光モジュール１４６は、その送信部に、図１１に示す送信用光モジュール１３５における場合と同様の構成の電気入力端子１２０、ドライバＩＣ１２５、レーザダイオード１２７を有し、その受信部に図１２に示す受信用光モジュール１３６の場合と同様の構成の電気出力端子１３０とフォトダイオード１３７を有する。そして、レーザダイオード１２７は、導波路１４１に対して位置決めして接続され、波長多重フィルタ１４４の一方の面に接続される。波長多重フィルタ１４４の他方の面には、導波路１４２が接続され、導波路１４２にはフォトダイオード１３７が接続され、フォトダイオード１３７には電気出力端子１３０が接続されている。また、導波路１４１の途中にはアイソレータ１２３が接続されている。
【００８０】
上記の構成の送受信用光モジュール１４６を、図６に記載の光デバイスに対応付けると、電気入力端子１２０は、信号接続部４５に接続された、誘電体基板７６上に形成された配線パタン（図示せず）に対応し、ドライバＩＣ１２５はドライバＩＣ４４に、レーザダイオード１２７はレーザダイオード４４に、フォトダイオード１３７はフォトダイオード７４に、導波路１４１は導波路７１に、波長多重フィルタ１４４は、波長多重フィルタ７２に対応する。また、導波路１４２は、波長多重フィルタ７２からフォトダイオード７４までの経路に対応し、電気出力端子１３０は、ワイヤ７５に接続された誘電体基板７６上の配線パタン（図示せず）に対応し、光入出力端子１４５は、導波路７１の端部に接続されるＶ型溝１３に対応する。また、Ｖ型溝１３には、光ファイバケーブル（図示せず）が接続される。
【００８１】
このような構成の送受信用光モジュール１４６によれば、電気入力端子１２０に入力された電気信号に応じて、対応する光信号を光出力端子１２４から光ファイバケーブルに出力することができ、また、光ファイバーブルから入力された光信号に応じて、対応する電気信号を電気出力端子１３０から出力することができ、製造工程が減少した、小型で高機能な、低コストの光モジュールを提供することができる。
【００８２】
また、このような送受信光モジュールを複数用意して、光ファイバケーブルを介して接続すれば、送受信用光伝送システムとして使用することができる。
【００８３】
なお、上記の説明では、送信用光モジュール１３５を図４（ａ）に対応づけて説明したが、送信用光モジュール１３５は、図４（ｂ）、図５、図７、図１０に示すいずれの光デバイスを備えて構成されていてもよい。
【００８４】
また、上記の説明では、受信用光モジュール１３６を図１に記載の光デバイスにおいて、レーザダイオード２の代わりにフォトダイオード１３７を用いて実現することができるとして説明したが、図２、図４、図５、図７、図１０に記載の光デバイスを備えて構成されてもよい。ここで、図４、図５、図７、図１０に示す光デバイスを備える場合は、各ドライバＩＣの代わりに受信フロントエンドＩＣが使用される。また、図７、図１０に示す光デバイスを備える場合は、上記の実施の形態５および７において記載した作用とは逆の作用（すなわち光は逆方向に進行すること）により、２種以上の波長が混合された光が入力されると、各波多重フィルタによって光が分離されて各フォトダイオードにおいて、それぞれの波長を有する光が電気信号に変換される。
【００８５】
また、上記の説明では、送受信用光モジュール１４６は、図６に示す構成に対応づけて説明したが、送受信用光モジュール１４６は、図４（ｂ）、図５、図７、図１０に示すいずれの光デバイスを備えて構成されてもよい。その場合は、実施の形態４において説明したように、各入出力端子が接続される導波路において、各波長多重フィルタが例えば４５°の角度で挿入され、各波長多重フィルタの側方に各フォトダイオードが設置されればよい。
【００８６】
また、上記の説明において、送信用光モジュール１３５、送受信用光モジュール１４６は、アイソレータ１２３を有するとして説明したが、通信速度が２．５Ｇｂｐｓ以下であれば、アイソレータ１２３が無い構成も考えられる。
【００８７】
なお、上記までの各実施の形態の説明において、各ヒートシンクは金属製であるとして説明してきたが、これらは、ダイアモンド、カーボン繊維など熱伝達性、または熱伝導性が高い材質であれば、金属製でなくてもよく、その場合は、各レーザダイオードまたは各ドライバＩＣの接地は、別に取られる。また、その場合は、各レーザダイオードまたは各ドライバＩＣと各ヒートシンクを接続するのは、導電性ペーストである必要はなく、熱伝導性が高い材料であれば、どのような材料でもあってもよい。このような熱伝導性が高い材料としては、例えばシリコン樹脂が挙げられる。
【００８８】
また、上記までの説明においては、各側壁に形成される横溝は、その断面が矩形であるとして説明したが、その断面はＶ型であってもよいし、Ｕ型の断面であってもよく、各ガラス基板に一括して成型できる溝型の形状であれば、どのような形状であっても同様の効果を得ることができる。
【００８９】
また、上記までの説明では、各側壁に形成される各横溝は、各側壁において平行形状に作製される、として図示してきたが、各半導体発光素子の活性層近接面から各ヒートシンクに向けて広がる形状で形成されていてもよい。図１４（ａ）は、側壁１０５に形成された横溝１０９がテーパ形状にレーザダイオード２の活性層近接面４からヒートシンク３に向けて広がっている光デバイスの構造を示す。また、図１４（ｂ）は、側壁１１５に形成された横溝１１９が、レーザダイオード２の活性層近接面４からヒートシンク３に向けて階段状に広がっている光デバイスの構造を示す。これらの場合においては、各横溝内に充填された導電性ペースト１０の、活性層近接面４に接続される面積よりも、ヒートシンク３に接続される面積の方が大きいので、レーザダイオード２の活性層近接面４から放熱される熱は、ヒートシンク３に近づく程ヒートシンク３へ伝達される割合が大きくなる。従って、このような横溝１０９、１１９を形成すると、レーザダイオード２の活性層近接面４から放熱される熱の通りがよくなり、ヒートシンク３への放熱の効率がさらに高くなる。従って、上記の各実施形態で説明した光デバイスよりも、さらに小型化した光デバイスを提供することができる。なおこの場合、各横溝の形状は、テーパ状、階段状以外であっても、各半導体発光素子の活性層近接面から各ヒートシンクに向けて広がる形状であればどのような形状であっても同様の効果を得ることができる。
【００９０】
また、各側壁に形成されるのは溝型の形状のもの（各横溝）ではなく、ホール状（孔状）のものが形成されていてもよい。その場合は、各ガラス基板に一括して成型することができないが、各導波路、各凹部、各マーカ等を一括成型した後、各側壁に本発明の孔の一例として貫通孔を穿孔すればよい。このような場合でも、各レーザダイオードから各ヒートシンクへ放熱する効果は、上記と同様の効果を得ることができる。
【００９１】
また、上記までの説明においては、水平位置マーカ１６、および垂直位置マーカ１７は、各１つずつ各ガラス基板上に形成されているとして説明したが、これらは、複数ずつ存在してもよい。
【００９２】
また、上記までの説明においては、各ガラス基板に各レーザダイオード等が実装されるとして説明したが、ガラス基板に替えて、樹脂製の基板が使用されてもよい。その場合は、各基板はドライエッチング等により一括して形成される。
【００９３】
また、上記までの説明では、放熱を必要とする半導体素子として、レーザダイオード、およびドライバＩＣの例で説明したが、これらに限らず、放熱を必要とする任意の半導体素子に適用することができる。
【００９４】
また、上記までの説明では、各半導体発光素子の活性層近接面のみが各基板の縁部に設置されたヒートシンクに接続される、として説明してきたが、各半導体発光素子の活性層近接面が各基板の縁部に設置された１つのヒートシンクに接続され、各半導体発光素子の各活性層近接面の反対側の厚み方向の外面が、各基板の別の縁部に設置されたヒートシンクに接続される構成であってもよい。その場合は、各ヒートシンクへの接続のうち、一方が導電性材料（導電性ペースト、カーボン繊維等）によってなされて同時に接地電位が提供され、他方が非導電性材料（ダイヤモンド等）によりなされる、などとすればよい。
【００９５】
また、上記までの説明では、各半導体素子の本発明の外面のうち、各活性層近接面が各ヒートシンクに接続される、として説明してきたが、各活性層近接面が各ヒートシンクに接続される代わりに、各半導体発光素子の本発明の外面のうち各活性層近接面と対向する外面が各ヒートシンクに接続される構成であってもよい。この場合、各ヒートシンクに近い外面と活性層接合面５との距離が、活性層接合面５と各ヒートシンクから遠い活性層近接面４との距離よりも大きくなる。
【００９６】
また、上記までの説明では、各活性層近接面は、各ヒートシンクの面に平行して対向しているように示しているが、各ヒートシンクに対して対向して配置されていればよく、この場合各活性層近接面は各ヒートシンクに対して斜めに配置されていてもよく、垂直以外の任意の状態で対向していることも考えられる。
【００９７】
また、以上までの説明では、各ヒートシンクおよび各活性層近接面は、各基板に対して垂直に取り付けられる、としてきたが、平行以外の任意の角度で取り付けられてもよい。
【００９８】
さらに、各半導体発光素子の活性層接合面は、各活性層近接面に平行して配置されている、として説明したが、各半導体発光素子の活性層接合面が、各ヒートシンクと対向する状態で配置されていれば、どのような状態で配置されていてもよい。
【００９９】
また、上記までの説明では、各半導体発光素子の活性層接合面５は、各ヒートシンクと対向して配置されるとして説明したが、各半導体発光素子の活性層接合面５が各基板の底面に面して配置され、各活性層近接面が配線パタン等により各ヒートシンクに接続される構成であってもよい。この場合も、各基板にビアホールを形成する必要が無いので、製造工程が減少し低コストの光デバイスを得ることができる。
【０１００】
また、上記までの説明では、各ヒートシンクは、各基板の縁部に設置されている、として説明してきたが、各基板の縁部に加えて、各基板の底部にもヒートシンクが設置されていてもよい。その場合は、各基板の縁部に設置された各ヒートシンクが各基板の底部に設置されたヒートシンクと接続され、各半導体素子からの熱が、各基板の縁部に設置されたヒートシンクを介して放熱される構造であれば、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
【発明の効果】
本発明によれば、製造工程が減少し、低コストの光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することができる。
【０１０２】
また、半導体発光素子の活性層接合面と放熱プレートとが対向して配置される場合は、小型で低コストの光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することができる。
【０１０３】
また、半導体発光素子の厚み方向の外面の大部分が基板に形成された溝または孔により接続される場合は、さらに小型で低コストの光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することができる。
【０１０４】
また、半導体発光素子の厚み方向の外面が、活性層接合面が放熱プレートに近接して配置される場合は、さらに小型で低コストの光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することができる。
【０１０５】
また、基板が成型ガラスに一体成型される場合は、さらに製造工程が減少し低コストの光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することができる。
【０１０６】
また、放熱プレートが金属製である場合は、さらに低コストの光デバイス、その製造方法、光モジュール、または光伝送システムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１の光デバイスの構造を示す図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１の光デバイスの構造を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１の光デバイの製造過程における構造を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２の光デバイスの構造を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態３の光デバイスの構造を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態４の光デバイスの構造を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態５の光デバイスの構造を示図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態６の光デバイスの構造を示す図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態６の光デバイスの構造を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態７の光デバイスの構造を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態８の送信用光モジュールの構成を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態８の受信用光モジュールの構成を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態８の送受信用光モジュールの構成を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態１〜６の光デバイスの変形例を示す図である。
【図１５】図１５は、従来技術の光デバイスの平面、および側面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態１の光デバイスの構造の変形例を示すである。
【符号の説明】
１ガラス基板
２レーザダイオード
３ヒートシンク
４活性層近接面
５活性層接合面
６凹部
８配線パタン
９横溝
１０導電性ペースト
１１導波路
１５側壁
１６水平位置マーカ
１７垂直位置マーカ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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