(57)【要約】【課題】小型表示のみならずテレビジョンその他の大型表示パネルに用いられる液晶表示装置に関し、大型であっても良好なカラー画像表示を得ること。【解決手段】カラー表示の画素領域Ｂ内において、複数の能動素子１０の各々に複数の画素電極１２ａ〜１２ｆを電気的に接続し、かつ各能動素子１０に接続される複数の画素電極１２ａ〜１２ｆを隣合わないように分散させるとともに、同じ能動素子１０に接続される複数の画素電極１２ａ〜１２ｆに同じ色のカラーフィルタ２２Ｒ，２３Ｒ，２２Ｇ，２４Ｇ，２３Ｂ，２４Ｂを対向させた構造を含む。【選択図】図１
2004212963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶を封入して形成され、ゲートバスライン及びドレインバスラインによって区画される複数の副画素領域を有する液晶表示装置において、
複数の前記副画素領域のそれぞれに形成される能動素子と、
複数の前記副画素領域のうちの第１副画素領域と第２副画素領域と第３副画素領域において、前記第１副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第２副画素領域の一部と前記第３副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第１副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第１の画素電極と、
前記第２副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第１副画素領域の一部と前記第３副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第２副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第２の画素電極と、
前記第３副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第１副画素領域の一部と前記第２副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第３副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第３の画素電極と、
前記第１の画素電極に対応して分散配置される第１色のフィルタと、
前記第２の画素電極に対応して分散配置される第２色のフィルタと、
前記第３の画素電極に対応して分散配置される第３色のフィルタと
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
複数の前記副画素領域により構成される画素領域において、前記第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極は順に２回又は３回繰り返して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１副画素領域内の前記第１の画素電極と、前記第２副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第１の画素電極とは、別の層に形成された第１の配線を介して互いに電気的に接続され、
前記第２副画素領域内の前記第２の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第２の画素電極とは、別の層に形成された第２の配線を介して互いに電気的に接続され、
前記第３副画素領域内の前記第３の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の少なくとも一方内の前記第３の画素電極とは、別の層に形成された第３の配線を介して電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、前記第３の画素電極は、それぞれ長方形の平面形状を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１副画素領域内の前記第１の画素電極と、前記第２副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第１の画素電極とは、一体化された第１導電パターンであり、
前記第２副画素領域内の前記第２の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第２の画素電極とは、一体化された第２導電パターンであり、
前記第３副画素領域内の前記第３の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の少なくとも一方内の前記第３の画素電極とは、一体化された第３導電パターンである
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１色、第２色及び第３色のフィルタは、前記第１、第２及び第３の副画素領域のそれぞれにおいて、長方形の平面形状を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素領域内で分散配置された前記第１色のフィルタは前記ゲートバスライン、前記ドレインバスラインの少なくとも一方に沿って一体化され、
前記画素領域内で分散配置された前記第２色のフィルタは前記ゲートバスライン、前記ドレインバスラインの少なくとも一方に沿って一体化され、
前記画素領域内で分散配置された前記第３色のフィルタは前記ゲートバスライン、前記ドレインバスラインの少なくとも一方に沿って一体化されている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１色のフィルタ、前記第２色のフィルタ、前記第３色のフィルタは、赤、緑、青のうち互いに異なる色のフィルタであることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１副画素領域、第２副画素領域及び第３副画素領域のうち少なくとも１つの領域に、カラーフィルタと対向しない白表示用の第４の画素電極を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶のモードが、ＩＰＳ（In-Plane Switching）、ＶＡ（Vertically Aligned）、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）及びＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence ）のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、より詳しくは、小型表示のみならずテレビジョンその他の大型表示パネルに用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
広く用いられているアクティブマトリクス駆動の液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子と画素電極と対向電極（共通電極）を有している。そして、ＴＦＴ素子を介して画素電極と対向電極の間に所望の電圧を印加することにより画素電極と対向電極の間の液晶が駆動され、これにより液晶表示パネルに画像が表示される。
【０００３】
カラー表示用の液晶表示装置は、さらに、対向電極が形成される基板上に複数色のカラーフィルタを有しており、各画素に対応して赤、緑、青のフィルタが配置されている。
【０００４】
カラー表示用の画素領域のそれぞれは３つの副画素領域に分けられている。また、３つの副画素領域にはそれぞれ、ＴＦＴ及び画素電極が配置されるとともに、各画素電極に対向する赤、緑、青のフィルタが配置されている。赤、緑、青の３つの副画素（picture element 又はsub-pixel ）で１つの画素（pixel ）が構成される。
【０００５】
画素における３色のフィルタの配置として、小型液晶表示装置、中型液晶装置の一部ではデルタ配置が採用されているが、現在、テレビジョン用も含めて多くの液晶表示装置では赤、緑、青の順に一方向に配置されているものが主流である。
【０００６】
液晶表示装置は、大型化が進んでコンピュータだけでなくテレビジョンの表示装置などに採用されている。しかし、カラー液晶表示装置の大型化に伴って一層高精細化が進み一方、用途によっては、特にテレビジョン用では画素も大きくなり、カラー画像表示が粗くなってきている。
【０００７】
カラーフィルタの配置として、ブラックマトリクスに囲まれた１つの画素領域に、同じ大きさの長方形の赤、緑、青の着色パターンを繰り返して２つずつ配置することが下記の特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２０００−９８１２８号公報（段落番号００２６〜００３４、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来の液晶表示装置においてカラーフィルタを特許文献１のように配置すれば、フィルタのパターンの数だけＴＦＴ素子が必要になる。即ち、画素領域内でフィルタの数が増えるに従ってＴＦＴ素子の数だけでなくバスラインの数も増えることになる。また、文献１記載の技術は、大型化にともなう分割露光時の境界部におけるムラの低減についてのものであり、一見似たものに考えられるが、全く別の技術、設計、構成が必要になるものである。また、ショット境界部においては、ショットムラが発生することがある。
【０００９】
従来の技術により、液晶表示パネルを高精細にすれば、画像表示の粗さはなくなるものの、歩留まりが低下したり、構造が複雑になって価格が上昇するといった問題は避けられない。
【００１０】
本発明の目的は、大型であっても良好なカラー画像表示が得られる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記した課題は、一対の基板間に液晶を封入して形成され、ゲートバスライン及びドレインバスラインによって区画される複数の副画素領域を有する液晶表示装置において、複数の前記副画素領域のそれぞれに形成される能動素子と、複数の前記副画素領域のうちの第１副画素領域と第２副画素領域と第３副画素領域において、前記第１副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第２副画素領域の一部と前記第３副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第１副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第１の画素電極と、前記第２副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第１副画素領域の一部と前記第３副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第２副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第２の画素電極と、前記第３副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第１副画素領域の一部と前記第２副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第３副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第３の画素電極と、前記第１の画素電極に対応して分散配置される第１色のフィルタと、前記第２の画素電極に対応して分散配置される第２色のフィルタと、前記第３の画素電極に対応して分散配置される第３色のフィルタと有することを特徴とする液晶表示装置によって解決される。
【００１２】
本発明によれば、カラー表示の複数の副画素領域内において、複数の能動素子の各々に複数の画素電極を電気的に接続し、かつ各能動素子に接続される複数の画素電極を隣合わないように分離・分散させるとともに、同じ能動素子に接続され且つ分離・分散された画素電極に同じ色のカラーフィルタを対向させている。
【００１３】
同じ能動素子に接続され且つ分離・分散される電極は、異なる副画素領域に配置され、しかも、同じ色の光透過フィルタに対応付けられている。
【００１４】
これにより、カラー画素領域内において複数の色のフィルタはそれぞれ従来よりも密に分離・分散されるので、画素領域内において複数の色のカラーフィルタを透過した各色の光が従来よりも密に融合し合って表示装置から放出される。従って、液晶表示装置の大型化に伴って画素領域が大きくなっても、カラーフィルタの個々の存在は目立たなくなり、画質の粗さが大幅に改善される。
【００１５】
しかも、複数の色のフィルタに対向する画素電極の数よりも能動素子の数を少なくしているので、バスライン、能動素子の数の増加は抑制され、従来と同じ歩留まりを維持することが可能になり、構造が複雑化することが防止される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、カラー表示の画素領域内に形成される複数の能動素子の各々に複数の画素電極を電気的に接続し、かつ各能動素子に接続される複数の画素電極を隣合わないように分散させるとともに、同じ能動素子に接続される複数の画素電極に同じ色のカラーフィルタを対向させているので、カラー画素領域内において複数の色のカラーフィルタはそれぞれ分散され、液晶表示装置の大型化に伴って画素領域が大きくなっても、カラーフィルタの個々の存在を目立たせずに、画質の粗さを大幅に改善できる。
【００１７】
しかも、複数の色のフィルタに対向する画素電極の数よりも能動素子の数を少なくしているので、バスライン、能動素子の数を増やす必要がなくなり、従来と同じ歩留まりを維持することが可能になり、構造の複雑化が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るカラー液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図、図２は、図１に示した画素電極より下方に形成されるバスライン、配線及びＴＦＴの配置を示す平面図である。図３は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の対向基板側に形成されるカラーフィルタを示す平面図である。
【００１９】
また、図４，図５、図６及び図７は、それぞれ、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の断面図であって、図１におけるＩ−Ｉ線、II−II線、III-III 線、IV−IV線から見た断面図である。
【００２０】
図１〜図７に示す画像表示領域おいて、第１の基板１と第２の基板２０とが間隔をおいて対向して配置され、第１の基板１と第２の基板２０の間には液晶１９が封入されている。
【００２１】
次に、第１の基板１及びその上の層構造について説明する。
【００２２】
図１、図２に示すように、ガラス、石英、樹脂フィルム等の光透過絶縁材からなる第１の基板１の上には、直接又は絶縁膜を介して、ｘ方向（図中横方向）に延在するゲートバスライン（スキャンバスライン）２がｙ方向（図中縦方向）に例えば６００μｍの間隔をおいて複数本形成されている。複数のゲートバスライン２は、後述する複数のドレインバスラインとともに略四角形の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 を区画している。ｘ方向とｙ方向は互いに直交する方向である。また、ｘ方向に隣接する３つの副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 は、１つの画素領域Ｂ内に配置される。
【００２３】
なお、本実施形態と以下に述べる他の実施形態において、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 は、縦横にマトリクス状に複数配置される。
【００２４】
ゲートバスライン２のうち副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の一隅寄りの部分には、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内でｙ方向の一方に突出するゲート電極３が形成されている。ゲートバスライン２とゲート電極３は、例えば基板１上に順に形成されたアルミニウム（Al）とチタン（Ti）の積層構造の導電膜をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成されている。
【００２５】
第１の基板１、ゲートバスライン２及びゲート電極３は、図４に示すように、ゲート絶縁膜４により覆われている。ゲート絶縁膜４として、例えば、プラズマ励起型化学気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ）法により形成された厚さ４００ｎｍの窒化シリコンが形成されている。
【００２６】
ゲート絶縁膜４の上において、ゲート電極３及びその周辺の上方には、厚さ２０〜１００ｎｍのアンドープのアモルファスシリコン（半導体）よりなる活性層５が平面形状略四角に形成されている。また、活性層５の上であってゲート電極３の上方には、チャネル保護絶縁膜６が島状に形成されている。チャネル保護絶縁膜６は、ＰＥ−ＣＶＤ法により活性層５及びゲート絶縁膜４の上に形成された厚さ１４０ｎｍ程度の窒化シリコン膜をパターニングして形成される。
【００２７】
また、ゲート絶縁膜４の上には、図１，図２に示すように、ｙ方向に延在して副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 を区画するドレインバスライン（データバスライン）７がｘ方向に例えば２００μｍの間隔をおいて複数本形成されている。
【００２８】
ドレインバスライン７のうちゲートバスライン２との交差部寄りの部分には、図２に示すように、ゲート電極３に向けてドレイン電極８ｄが突出している。ドレイン電極８ｄは、図４に示すようにチャネル保護絶縁膜６の一側方の活性層５とその周辺の上に、コンタクト層９を介して形成されている。
【００２９】
また、チャネル保護絶縁膜６の他側方の活性層５の上には、コンタクト層９を介してソース電極８ｓが形成されている。このようにして、ドレイン電極８ｄとソース電極８ｓはＴＦＴのチャネルを構成している。
【００３０】
コンタクト層９は、リンがドープされたｎ+ 型アモルファスシリコン膜から構成されている。また、ドレインバスライン７、ドレイン電極８ｄ及びソース電極８ｓは、例えば下から順に形成された厚さ２０ｎｍのTi、厚さ７５ｎｍのAl、厚さ８０ｎｍのTiからなる積層構造を有する導電膜から構成されている。ｎ+ 型アモルファスシリコン膜と導電膜は、順に、チャネル保護絶縁膜６、活性層５及びゲート絶縁膜４の上に形成された後に、同じマスクを用いて連続的にパターニングされる。
【００３１】
ドレイン電極８ｄ、ソース電極８ｓ、ゲート絶縁膜４及び活性層５によって薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０が構成される。
【００３２】
以上のＴＦＴは能動素子の一例であってボトムゲート型又は逆スタガード型と呼ばれるものであるが、ゲート電極がソース／ドレイン電極よりも上に形成されるトップゲート型又はスタガード型と呼ばれる構造のものを採用してもよいし、能動素子として他のスイッチング素子を用いてもよい。このことは、以下に述べる他の実施形態でも同様である。
【００３３】
ドレインバスライン７とＴＦＴ１０は、酸化シリコン又は窒化シリコンよりなる保護絶縁膜１１によって覆われている。
【００３４】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のそれぞれにおいて、保護絶縁膜１１の上には第１の画素電極１２ａ，１２ｃ，１２ｅと第２の画素電極１２ｂ，１２ｄ，１２ｆがｘ方向に間隔をおいて形成されている。第１及び第２の画素電極１２ａ〜１２ｆは、例えば厚さ７０ｎｍのＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明導電材から構成される。なお、反射型の液晶表示装置の場合には画素電極１２ａ〜１２ｆはアルミニウムから構成される。
【００３５】
第１の画素電極１２ａ，１２ｃ，１２ｅは、保護絶縁膜１１に形成されるコンタクトホール１１ａ〜１１ｃを通して各副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内のＴＦＴ１０のソース電極８ｓに接続されている。
【００３６】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の第１の画素電極１２ａ，１２ｃ，１２ｅと第２の画素電極１２ｂ，１２ｄ，１２ｆは、それぞれ別の副画素領域の第１、第２の画素電極１２ａ〜１２ｆのいずれかに第１〜第３の配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃを介して接続されている。
【００３７】
第１、第２及び第３の配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、ゲート電極３とゲートバスライン２と同層であり、ｙ方向に互いに間隔をおいてｘ方向に長く形成されている。
【００３８】
第１の配線１３ａは、第２の副画素領域Ａ2 の第１の画素電極１２ｃの下方から第３の副画素領域Ａ3 の第２の画素電極１２ｆの下方に至る範囲に形成されている。また、第２の配線１３ｂは、第１の副画素領域Ａ1 の第２の画素電極１２ｂの下方から第３の副画素領域Ａ3 の第１の画素電極１２ｅの下方に至る範囲に形成されている。さらに、第３の配線１３ｃは、第１の副画素領域Ａ1 の第１の画素電極１２ａの下方から第２の副画素領域Ａ2 の第２の画素電極１２ｄの下方に至る範囲に形成されている。
【００３９】
そして、図１及び図５に示すように、第１の配線１３ａは、ゲート絶縁膜４及び保護絶縁膜１１に形成された第１及び第２のコンタクトホール４ａ，４ｂを通して第２の副画素領域Ａ2 内の第１の画素電極１２ｃと第３の副画素領域Ａ3 内の第２の画素電極１２ｆを互いに電気的に接続している。
【００４０】
また、図１及び図６に示すように、第２の配線１３ｂは、ゲート絶縁膜４及び保護絶縁膜１１に形成された第３及び第４のコンタクトホール４ｃ，４ｄを通して第１の副画素領域Ａ1 内の第２の画素電極１２ｂと第３の副画素領域Ａ3 内の第１の画素電極１２ｅを互いに電気的に接続している。
【００４１】
さらに、図１及び図７に示すように、第３の配線１３ｃは、ゲート絶縁膜４及び保護絶縁膜１１に形成された第５及び第６のコンタクトホール４ｅ，４ｆを通して第１の副画素領域Ａ1 内の第１の画素電極１２ａと第２の副画素領域Ａ2 内の第２の画素電極１２ｄを互いに接続している。
【００４２】
そのような複数の第１、第２の画素電極１２ａ〜１２ｆと保護絶縁膜１１は、樹脂よりなる第１の配向膜１４によって覆われている。
【００４３】
以上の第１の基板１、ＴＦＴ１０、画素電極１２ａ〜１２ｆ等からＴＦＴ基板が構成される。
【００４４】
次に、第２の基板２０とその上の層構造について説明する。
【００４５】
ガラス、石英、樹脂フィルム等の光透過絶縁材からなる第２の基板２０の上にはCrなどの遮光膜よりなるブラックマトリクス２１が形成されている。そのブラックマトリクス２１のうち、上記した副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に対向する領域にはフォトリソグラフィー法により開口部２１ａ〜２１ｃが形成されている。ブラックマトリクス２１はＴＦＴ１０を第２の基板２０側から覆うとともに、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 を囲む形状となっている。
【００４６】
第２の基板２０上のうち第１の副画素領域Ａ1 における遮光膜２１の開口部２１ａ内には、図３に示すように、第１の画素電極１２ａに対向する第１の赤フィルタ２２Ｒと第２の画素電極１２ｂに対向する第１の緑フィルタ２２Ｇとが形成されている。なお、図３は、図１の画素領域Ｂに対応させて描かれており、第２の基板２０のうち第１の基板１に対向しない面から見た配置であり、第２の基板２０は省略されている。
【００４７】
また、第２の基板２０上のうち第２の副画素領域Ａ2 における遮光膜２１の開口部２１ｂ内には、第１の画素電極１２ｃに対向する第１の青フィルタ２３Ｂと、第２の画素電極１２ｄに対向する第２の赤フィルタ２３Ｒとが形成されている。
【００４８】
さらに、第２の基板２０上のうち第３の副画素領域Ａ3 における遮光膜２１の開口部２１ｃ内には、第１の画素電極１２ｅに対向する第２の緑フィルタ２４Ｇと、第２の画素電極１２ｆに対向する第２の青フィルタ２４Ｂとが形成されている。
【００４９】
なお、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のそれぞれにおいて、隣り合い且つ色の異なるフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２３Ｂ，２３Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂは、重なる構造となっている。色の異なるフィルタを重ならせる構造では、フィルタ同士が重なる部分が遮光膜として機能するのでブラックマトリクスを配置しなくてもよい。なお、異なる色のフィルタを重ならせない構造では、フィルタの間をブラックマトリクス２１で覆うことになる。
【００５０】
赤フィルタ２２Ｒ，２３Ｒ、緑フィルタ２２Ｇ，２４Ｇ、青フィルタ２３Ｂ，２４Ｂ及びブラックマトリクス２１の上には、ＩＴＯなどの光透過導電膜が対向電極２５として形成され、さらに対向電極の上には樹脂よりなる第２の配向膜２６が形成されている。
【００５１】
これにより、第２の基板２０とその上の赤、緑、青フィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２３Ｂ，２３Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ、対向電極２５などにより対向基板が構成される。なお、各フィルタは色に応じた光の透過性を有している。
【００５２】
以上のような構造を有する第１の基板１と第２の基板２０は、第１の配向膜１４と第２の配向膜２６を互いに隙間を介して対向させた状態で固定される。また、第１の配向膜１４と第２の配向膜２６の間には液晶１９が封入される。
【００５３】
上記したゲートバスライン２、ドレインバスライン７、ＴＦＴ１０は、図８の回路図に示すように周辺回路に接続される。複数のゲートバスライン２は、走査回路１５に接続されている。また、複数のドレインバスライン７は、データ信号が送られるホールド回路１６に接続されている。そして、上記したようにゲートバスライン２にはＴＦＴ１０のゲート電極３が接続され、ドレインバスライン７にはＴＦＴ１０のドレイン電極８ｄが接続されている。さらに、ＴＦＴ１０のソース電極８ｓには、画素電極１２ａ〜１２ｆ、対向電極２５及び液晶１９から構成される液晶セル１７ａ〜１７ｆと、補助容量１８が接続されている。
【００５４】
なお、補助容量１８を構成する補助容量バスライン（不図示）は、第１の基板１の上でゲートバスライン２の相互間の領域に形成されるが、第１、第２及び第３の配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃもゲートバスライン２に平行に形成されるので、第１、第２及び第３の配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃが補助容量バスラインの形成を妨げることはない。
【００５５】
上記した液晶表示装置において、液晶１９として例えば誘電率異方性が負の垂直配向型液晶材料を適用する。
【００５６】
そして、ゲートバスライン２及びドレインバスライン７の信号に応じて第１の副画素領域Ａ1 内のＴＦＴ１０がオンすると、第１の副画素領域Ａ1 内の第１の画素電極１２ａの電圧が変化してその上の液晶分子を駆動する。これにより、外部からの光が第１の画素電極１２ａ、液晶１９及び第１の赤フィルタ２２Ｒを透過して、第１の副画素領域Ａ1 の一部に赤色が表示される。これと同時に、第２の副画素領域Ａ2 の第２の画素電極１２ｄには、第３の配線１３ｃと第１の副画素領域Ａ1 内の第１の画素電極１２ａ及びＴＦＴ１０を介して、ドレインバスライン７の電圧が印加され、その上の液晶１９を駆動する。これにより、第２の副画素領域Ａ2 の一部にも赤色が表示される。
【００５７】
同様にして、第２の副画素領域Ａ2 内のＴＦＴ１０がオンすることにより、第２の副画素領域Ａ2 内と第３の副画素領域Ａ3 内のそれぞれの青フィルタ２３Ｂ，２４Ｂに対向する画素電極１２ｃ，１２ｆの電圧が変化して、その上の液晶１９が駆動されるので、画素電極１２ｃ，１２ｆに入射した光は液晶１９及び青フィルタ２３Ｂ，２４Ｂを透過する。これにより、第２の副画素領域Ａ2 内と第３の副画素領域Ａ3 内のそれぞれの一部には、青色が表示される。また、第３の副画素領域Ａ3 内のＴＦＴ１０がオンすることにより、第３の副画素領域Ａ3 内と第１の副画素領域Ａ1 内のそれぞれの緑フィルタ２３Ｇ，２４Ｇに対向する画素電極１２ｅ，１２ｂの電圧が変化して、それらの画素電極１２ｅ，１２ｂの上の液晶１９が駆動され、画素電極１２ａ，１２ｂを透過した光は液晶１９及び緑フィルタ２３Ｇ，２４Ｇを透過する。これにより、第３の副画素領域Ａ3 内と第１の副画素領域Ａ1 内のそれぞれの一部には、緑色が表示される。
【００５８】
このように１つの画素領域Ｂにおいては、赤、緑、青が２つの領域で透過しこれらが混合されて所望の色が表示される。なお、画素電極に印加されるドレインバスライン７の電圧に応じて色の階調が変化する。
【００５９】
本実施形態では、画素領域Ｂにおいて、異なる色だけでなく同じ色のフィルタ２２Ｒ，２３Ｒ、２２Ｇ，２４Ｇ、２３Ｂ，２４Ｂがそれぞれ空間的に分離及び分割されて１ユニットとして混じり合って、色の混合によりフルカラー表示がなされる。
【００６０】
従って、Ｒ、Ｇ、Ｂの単独色を表示する画素（副画素領域）が目立たなくなって、画質の粗さが大幅に改善される。特に、今後、大型テレビジョン用の液晶表示装置においては、表示品質の改善がなされる。特に、上記したように、赤フィルタ２２Ｒ，２３Ｒ、緑フィルタ２２Ｇ，２４Ｇ、青フィルタ２３Ｂ，２４Ｂはそれぞれ２つに分離、分割されて、各色のフィルタは空間的に分散されているので、従来の１副画素領域に１つのフィルタを配置する構造に比べて、各色フィルタ画素が見える画質の粗さが１／２に改善される。
【００６１】
また、本実施形態では、画素領域Ｂに配置される赤フィルタ、青フィルタ及び緑フィルタをそれぞれ空間的に分散するとともに、各副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内で複数の色のフィルタ２２Ｒ，２３Ｒ，２２Ｇ，２４Ｇ，２３Ｂ，２４Ｂを配置するようにしている。さらに、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内に配置される画素電極１２ａ〜１２ｆが、フィルタ２２Ｒ，２３Ｒ，２２Ｇ，２４Ｇ，２３Ｂ，２４Ｂの色の数に対応して空間的に分離され、さらに、同じ色の複数のフィルタに対向する複数の画素電極１２ａ〜１２ｆ同士は、下方の配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃを介して電気的に接続されている。
【００６２】
従って、画素領域Ｂに空間的に分離された複数の赤フィルタ２２Ｒ，２３Ｒ、複数の緑フィルタ２２Ｇ，２４Ｇ、複数の青フィルタ２３Ｂ，２４Ｂをそれぞれ従来と同じ数のＴＦＴ（能動素子）１０によって駆動している。即ち、１つのＴＦＴ１０によって複数の画素電極を駆動するようにしている。
【００６３】
この結果、能動素子を増加させたりバスラインを増やす必要がなくなり、歩留まりの低下や構造の複雑化が避けられる。
【００６４】
なお、カラーフィルタとしては次の第２実施形態に示される構造を採用してもよい。また、カラーフィルタは、第２基板上ではなく、ＴＦＴ基板側に形成してもよい。即ち、カラーフィルタは、第１、第２、第３の画素電極に対向して分散・配置されていればよい。このことは以下の実施形態でも同様である。
（第２の実施形態）
第１実施形態では、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に配置された画素電極１２ａ〜１２ｆはそれぞれ、配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃを介して、別の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の画素電極１２ａ〜１２ｆの一方に電気的に接続する構造を採用している。
【００６５】
本実施形態では、配線１３ａ，１３ｂ，１３ｃを用いないで、同じ色のカラーフィルタに対応する画素電極１２ａ〜１２ｆ同士を一体に形成する構造について説明する。
【００６６】
図９は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図、図１０は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の対向基板側に形成されるカラーフィルタを示す平面図である。なお、図１０は、第２の基板のうちカラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されない面から見た平面図である。
【００６７】
本実施形態の液晶表示装置において、第１の基板１の上で、第１〜第３の配線１３ａ〜１３ｃ及びコンタクトホール４ａ〜４ｆが形成されない他は、保護絶縁膜１１及びその下の構造は第１実施形態と同じに形成されている。
【００６８】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の保護絶縁膜１１の上には、図９に示すように、透明導電材からなる第１〜第３の画素電極３１ａ〜３１ｃが形成されている。反射型の場合には画素電極３１ａ〜３１ｃはアルミニウムから構成される。
【００６９】
第１の画素電極３１ａは、第１の副画素領域Ａ1 内の一部からゲートバスライン２に沿って第２の副画素領域Ａ2 の一部に引き出されて、平面形状が略Ｕ字状となるように形成されている。第１の画素電極３１ａは、第１の副画素領域Ａ1 内ではＴＦＴ１０に接続されるドレインバスライン７寄りの領域に形成され、さらに、第２の副画素領域Ａ2 内では第３の副画素領域Ａ3 寄りの領域に形成されている。第１の画素電極３１ａは、コンタクトホール１１ａを通して第１の副画素領域Ａ1 内のＴＦＴ１０のソース電極８ｓに接続されている。
【００７０】
第２の画素電極３１ｂは、第２の副画素領域Ａ2 内の一部からゲートバスライン２及びドレインバスライン７に沿って第３の副画素領域Ａ3 に引き出され、平面形状が略Ｓ字状になるように形成されている。第２の画素電極３１ｂは、第２の副画素領域Ａ2 内の第１の画素電極３１ａの外縁に沿って間隔をおきながら第３の副画素領域Ａ3 の一部に引き出されている。また、第２の画素電極３１ｂは、第２の副画素領域Ａ2 内ではコンタクトホール１１ｂを通してＴＦＴ１０のソース電極８ｓに接続されるとともに、第３の副画素領域Ａ3 内では、ＴＦＴ１０から遠ざかるｘ方向の半分の領域に形成されている。
【００７１】
第３の画素電極３１ｃは、第３の副画素領域Ａ3 内の一部からゲートバスライン２に沿って第１の副画素領域Ａ1 の一部に引き出されて、平面形状が略Ｕ字状となるように形成されている。第３の画素電極３１ｃは、第３の副画素領域Ａ3 内ではＴＦＴ１０に接続されるドレインバスライン７寄りの領域に形成され、さらに、第１の副画素領域Ａ1 内では第２の副画素領域Ａ2 寄りの領域に形成されている。第３の画素電極３１ｃは、コンタクトホール１１ｃを通して第３の副画素領域Ａ3 内のＴＦＴ１０のソース電極８ｓに接続されている。
【００７２】
以上のような第１の画素電極３１ａは、保護絶縁膜１１上において、第１実施形態に示した第１の副画素領域Ａ1 内の第１の画素電極１２ａと第２の副画素領域Ａ2 内の第２の画素電極１２ｄとを第１及び第２の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 の縁部に沿った橋渡し電極を介して直接に接続した一体構造となる。
【００７３】
同様に、第３の画素電極３１ｃは、保護絶縁膜１１上において、第１実施形態に示した第３の副画素領域Ａ3 内の第１の画素電極１２ｅと第１の副画素領域Ａ1 内の第２の画素電極１２ｂとを第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の縁部に沿った橋渡し電極により直接に接続した一体構造となる。さらに、第２の画素電極３１ｂは、保護絶縁膜１１上において、第１実施形態に示した第２の副画素領域Ａ2 内の第１の画素電極１２ｃと第３の副画素領域Ａ3 内の第２の画素電極１２ｆとを第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の縁部に沿った橋渡し電極を介して直接に接続した一体構造となる。
【００７４】
また、第２の基板２０上に形成されるカラーフィルタは、第１〜第３の画素電極３１ａ〜３１ｃに対向した形状となっている。例えば、図１０に示すように、赤フィルタ３２Ｒは第１の画素電極３１ａに対向した略Ｕ字状の平面形状を有し、緑フィルタ３２Ｇは第３の画素電極３１ｃに対向した略Ｕ字状の平面形状を有し、さらに、青フィルタ３２Ｂは第２の画素電極３１ｂに対向した略Ｓ字状の平面形状を有している。赤フィルタ３２Ｒ、緑フィルタ３２Ｇ及び青フィルタ３２Ｂは、それぞれの境界部分で重なって遮光領域となっているが、互いに重ならないようにしてもよい。
【００７５】
それらのフィルタ３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂが形成される第２の基板２０上には、フィルタ３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの形成位置に開口部を有するブラックマトリクス３３が形成されている。さらに、ブラックマトリクス３３とフィルタ３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂの上には、対向電極（不図示）と配向膜（不図示）が順に形成されている。
【００７６】
なお、第２の基板２０上のフィルタとして、第１実施形態に係る図３に示した形状のものを用いてもよい。
【００７７】
上記した構成の画素電極３１ａ〜３１ｃと赤、緑及び青フィルタ３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂはそれぞれ、第１実施形態と同様に、空間的に画素領域Ｂ内で空間的に分散しているので、大型テレビジョンの表示パネルのように副画素領域が大きくなっても３色のカラーフィルタが目立たなくなり、大幅に画質が改善される。
【００７８】
しかも、分散した赤、緑及び青フィルタ３２Ｒ，３２Ｇ，３２Ｂに応じて第１〜第３の画素電極３１ａ〜３１ｃも複数の副画素領域に分散させているので、ＴＦＴ１０の数は従来から増えることはない。この場合の分散された画素電極３１ａ〜３１ｃは、第１実施形態と異なり保護絶縁膜１１の上で二次元的に接続しているので、平面形状を工夫する必要があるが、従来の画素形成工程に比べて新たな工程が増えることはない。
（第３の実施形態）
第１、第２実施形態では、画素領域Ｂのそれぞれにおいて、赤、緑及び青フィルタを２つの副画素領域に分散させているが、３以上に分散させることも可能である。そこで、本実施形態では画素領域のそれぞれにおいて、赤、緑及び青フィルタを３つに分散させる構造について説明する。
【００７９】
図１１は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図であり、図１２は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の対向基板側に形成されるカラーフィルタを示す平面図である。図１３は、図１１のＶ−Ｖ線から見た液晶表示装置の断面図である。
【００８０】
本実施形態の液晶表示装置において、第１の基板１の上から保護絶縁膜１１に至る構造は、ゲートバスライン２と同層の配線及びコンタクトホールの形状及び配置を除いて、第１実施形態と同じ構造に形成されている。
【００８１】
まず、ＴＦＴ基板となる第１の基板１の上の構造について説明する。
【００８２】
保護絶縁膜１１の第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のそれぞれの上には、第１の画素電極３３ａ，３３ｄ，３３ｇと第２の画素電極３３ｂ，３３ｅ，３３ｈと第３の画素電極３３ｃ，３３ｆ，３３ｉがｘ方向に間隔をおいて順に形成されている。第１〜第３の画素電極３３ａ〜３３ｉは、例えば厚さ７０ｎｍのＩＴＯなどの透明導電材から構成される。なお、反射型の液晶表示装置の場合には画素電極としてアルミニウムが用いられる。
【００８３】
第１の副画素領域Ａ1 内において第１の画素電極３３ａは、その下で、保護絶縁膜１１のコンタクトホール１１ａを通してＴＦＴ１０のソース電極８ｓに接続されている。また、第２の副画素領域Ａ2 内において第２の画素電極３３ｅは、その下で、保護絶縁膜１１のコンタクトホール１１ｂを通してＴＦＴ１０のソース電極８ｓに接続されている。さらに、第３の副画素領域Ａ3 内において第３の画素電極３３ｉは、その下で、保護絶縁膜１１のコンタクトホール１１ｃを通してＴＦＴ１０のソース電極８ｓに接続されている。
【００８４】
なお、第２の副画素領域Ａ2 においてＴＦＴ１０のソース電極８ｓは、第２の画素電極３３ｅの下に達する長さを有し、また、第３の副画素領域Ａ3 においてＴＦＴ１０のソース電極８ｓは、第３の画素電極３３ｉの下に達する長さを有している。
【００８５】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 において、第１の画素電極３３ａ，３３ｄ，３３ｇは第１の配線３４ａを介して互いに電気的に接続され、また、第２の画素電極３３ｂ，３３ｅ，３３ｈは第２の配線３４ｂを介して互いに電気的に接続され、さらに第３の画素電極３３ｃ，３３ｆ，３３ｉは第３の配線３４ｃを介して互いに電気的に接続されている。
【００８６】
第１、第２及び第３の配線３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、第１の基板１上でｘ方向に長く形成され、互いにｙ方向に間隔をおいて形成されている。なお、第１、第２及び第３の配線３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、ゲート電極３とゲートバスライン２と同じ構造の導電膜から形成される。
【００８７】
第１の配線３４ａは、第１の副画素領域Ａ1 の第３の画素電極３３ｃの下方から第３の副画素領域Ａ3 の第３の画素電極３３ｉの下方に至る範囲に形成されている。また、第２の配線３４ｂは、第１の副画素領域Ａ1 の第２の画素電極３３ｂの下方から第３の副画素領域Ａ3 の第２の画素電極３３ｈの下方に至る範囲に形成されている。さらに、第３の配線３４ｃは、第１の副画素領域Ａ1 の第１の画素電極３３ａの下方から第３の副画素領域Ａ3 の第１の画素電極３３ｇの下方に至る範囲に形成されている。
【００８８】
そして、第１の配線３４ａは、ゲート絶縁膜４及び保護絶縁膜１１に形成された第１〜第３のコンタクトホール３５ａ〜３５ｃを通して第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の第３の画素電極３３ｃ，３３ｆ，３３ｉ同士を電気的に接続している。また、第２の配線３４ｂは、ゲート絶縁膜４及び保護絶縁膜１１に形成された第４〜第６のコンタクトホール３５ｄ〜３５ｆを通して第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の第２の画素電極３３ｂ，３３ｅ，３３ｈ同士を電気的に接続している。さらに、第３の配線３４ｃは、ゲート絶縁膜４及び保護絶縁膜１１に形成された第７〜第９のコンタクトホール３５ｇ〜３５ｉを通して第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の第１の画素電極３３ａ，３３ｄ，３３ｇ同士を電気的に接続している。
【００８９】
なお、画素電極３３ａ〜３３ｉと保護絶縁膜１１は、第１実施形態と同様に、樹脂よりなる第１の配向膜１４によって覆われている。
【００９０】
次に、対向基板である第２の基板２０上の層構造について説明する。
【００９１】
ガラス、石英、樹脂フィルム等の光透過絶縁材からなる第２の基板２０の上にはCrなどの遮光膜よりなるブラックマトリクス３６が形成されている。そのブラックマトリクス３６のうち、上記した副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に対向する領域にはフォトリソグラフィー法により開口部３６ａ〜３６ｃが形成されている。ブラックマトリクス３６はＴＦＴ１０の活性層５を空間的に覆うとともに、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 を区画する形状となっている。
【００９２】
第２の基板２０上のうち第１の副画素領域Ａ1 における遮光膜３６の開口部３６ａ内には、第１の画素電極３３ａに対向する第１の赤フィルタ３７Ｒと、第２の画素電極３３ｂに対向する第１の緑フィルタ３７Ｇと、第３の画素電極３３ｃに対向する第１の青フィルタ３７Ｂとが形成されている。同様に、第２の副画素領域Ａ2 における遮光膜３６の第２の開口部３６ｂ内には、第１の画素電極３３ｄに対向する第２の赤フィルタ３８Ｒと、第２の画素電極３３ｅに対向する第２の緑フィルタ３８Ｇと、第３の画素電極３３ｆに対向する第２の青フィルタ３７Ｂとが形成され、また、第３の副画素領域Ａ3 における遮光膜３６の第３の開口部３６ｃ内には、それぞれ第１の画素電極３３ｇに対向する第３の赤フィルタ３９Ｒと、第２の画素電極３３ｈに対向する第３の緑フィルタ３９Ｇと、第３の画素電極３３ｉに対向する第３の緑フィルタ３９Ｂとが形成されている。
【００９３】
なお、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のそれぞれにおいて、隣り合い且つ色の異なるフィルタ３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂ，３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ，３９Ｒ，３９Ｇ，３９Ｂは、重なっている。色の異なるカラーフィルタを重ならせる構造では、フィルタの重なる部分が遮光膜として機能するのでブラックマトリクスを配置しなくてもよい。なお、隣り合い且つ色の異なるフィルタを重ならせない場合には、それらのフィルタの境界にブラックマトリクス３６を配置させる。
【００９４】
そのようなフィルタ３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂ，３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ，３９Ｒ，３９Ｇ，３９Ｂ及びブラックマトリクス３６の上には、ＩＴＯなどの光透過導電膜が対向電極２５として形成され、さらに対向電極の上には樹脂よりなる第２の配向膜２６が形成されている。
【００９５】
上記したゲートバスライン２、ドレインバスライン７、ＴＦＴ１０は、図１４の回路図に示すように周辺回路に接続される。複数のゲートバスライン２は、走査回路１５に接続されている。また、複数のドレインバスライン７は、データ信号が送られるホールド回路１６に接続されている。そして、上記したようにゲートバスライン２にはＴＦＴ１０のゲート電極３が接続され、ドレインバスライン７にはＴＦＴ１０のドレイン電極８ｄが接続されている。さらに、ＴＦＴ１０のソース電極８ｓには、画素電極３３ａ〜３３ｉ、対向電極２５及び液晶１９から構成される液晶セル１７と、補助容量１８が接続されている。
【００９６】
以上のような構造を有する第１の基板１と第２の基板２０は、第１の配向膜１４と第２の配向膜２６を互いに隙間を介して対向させた状態で固定される。また、第１の配向膜１４と第２の配向膜２６の間には液晶１９が封入される。
【００９７】
上記した液晶表示装置において、液晶１９として例えば誘電率異方性が負の垂直配向型液晶材料を適用する。
【００９８】
そして、ゲートバスライン２及びドレインバスライン７の信号に応じて第１の副画素領域Ａ1 内のＴＦＴ１０がオンすると、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の第１の画素電極３３ａ，３３ｄ，３３ｇの電圧が変化してその上の液晶分子を駆動する。これにより、外部からの光が第１の画素電極３３ａ，３３ｄ，３３ｇ、液晶１９及び赤フィルタ３７Ｒ，３８Ｒ，３９Ｒを透過して、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のそれぞれ一部に赤色が表示される。
【００９９】
同様にして、第２の副画素領域Ａ2 内のＴＦＴ１０がオンすることにより、緑フィルタ３７Ｇ，３８Ｇ，３９Ｇに対向する第２の画素電極３３ｂ，３３ｅ，３３ｈの電圧が変化して、その上の液晶１９が駆動され、第２の画素電極３３ｂ，３３ｅ，３３ｈに入射した光は液晶１９及び緑フィルタ３７Ｇ，３８Ｇ，３９Ｇを透過する。これにより、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内のそれぞれの一部には、緑色が表示される。
【０１００】
さらに、第３の副画素領域Ａ3 内のＴＦＴ１０がオンすることにより、青フィルタ３７Ｂ，３８Ｂ，３９Ｂに対向する第３の画素電極３３ｃ，３３ｆ，３３ｉの電圧が変化して、その上の液晶１９が駆動され、第３の画素電極３３ｃ，３３ｆ，３３ｉに入射した光は液晶１９及び青フィルタ３７Ｂ，３８Ｂ，３９Ｂを透過する。これにより、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内のそれぞれの一部には青色が表示される。
【０１０１】
各画素領域Ｂ内の３つの副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 毎に配置された赤、青、緑フィルタ３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂ，３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ，３９Ｒ，３９Ｇ，３９Ｂを透過した光は、各画素領域Ｂ内で混合されて指定された色になる。それぞれ領域における赤、緑、青の各色の輝度はドレインバスライン７の電圧の大きさに応じて変わることになる。
【０１０２】
本実施形態では、各画素領域Ｂにおいて、異なる色だけでなく同じ色のフィルタ３７Ｒ，３７Ｇ，３７Ｂ，３８Ｒ，３８Ｇ，３８Ｂ，３９Ｒ，３９Ｇ，３９Ｂがそれぞれ空間的に分離及び分割されて１ユニットとして混じり合って、色の混合によりフルカラー表示がなされる。
【０１０３】
従って、第１実施形態と同様に、副画素領域内での単独色が目立たなくなって、画質の粗さが大幅に改善される。特に、赤フィルタ３７Ｒ，３８Ｒ，３９Ｒ、緑フィルタ３７Ｇ，３８Ｇ，３９Ｇ、青フィルタ３７Ｂ，３８Ｂ，３９Ｂはそれぞれ３つに分離、分割されて、各色のフィルタは空間的に分散されている。これにより、１副画素領域に１つのカラーフィルタを配置するという構造に比べて、各色フィルタの大きさによる画質の粗さが１／３に改善される。
【０１０４】
また、本実施形態では、各副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内で複数の色のフィルタを配置し、さらに、同じ色の複数のフィルタ３７Ｒ，３８Ｒ，３９Ｒ，３７Ｇ，３８Ｇ，３９Ｇ，３７Ｂ，３８Ｂ，３９Ｂに対向する複数の画素電極３３ａ〜３３ｉ同士は、下方の配線３４ａ，３４ｂ，３４ｃを介して接続されている。
【０１０５】
これにより、ＴＦＴ１０及びバスライン２，７の数を従来よりも増やすことなく、画素領域Ｂで空間的に分離された複数の赤フィルタ３７Ｒ，３８Ｒ，３９Ｒ、複数の緑フィルタ３７Ｇ，３８Ｇ，３９Ｇ、複数の青フィルタ３７Ｂ，３８Ｂ，３９Ｂをそれぞれ従来と同じ数のＴＦＴ（能動素子）１０によって同時に駆動して高画質を表示させることが可能になる。
【０１０６】
この結果、能動素子を増加させたりバスラインを増やす必要がなくなり、歩留まりの低下や構造の複雑化が避けられる。
【０１０７】
なお、カラーフィルタとしては次の第４実施形態に示される構造を採用してもよい。
（第４の実施形態）
第３実施形態では、カラー表示装置の各画素を構成する３つの副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された第１の画素電極３３ａ，３３ｄ，３３ｇ同士を第３の配線３４ｃを介して電気的に接続し、第２の画素電極３３ｂ，３３ｅ，３３ｈ同士を第２の配線３４ｂを介して電気的に接続し、第３の画素電極３３ｃ，３３ｆ，３３ｉ同士を第１の配線３４ａを介して電気的に接続している。
【０１０８】
本実施形態では、第１の画素電極３３ａ，３３ｄ，３３ｇ同士、第２の画素電極３３ｂ，３３ｅ，３３ｈ同士、第３の画素電極３３ｃ，３３ｆ，３３ｉ同士を配線を用いないで、第２実施形態と同様に、直接に接続する構造について説明する。
【０１０９】
図１５は、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図、図１６は、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置の対向基板側に形成されるカラーフィルタを示す平面図である。図１７は、図１５のVI−VI線から見た液晶表示装置の断面図である。
【０１１０】
なお、図１６は、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されない側の基板面から見た配置となっている。
【０１１１】
ガラス、石英、樹脂フィルム等の光透過絶縁材からなる第１の基板１の上には、直接又は絶縁膜を介して、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 をｙ方向に区画するゲートバスライン２と副ゲートバスライン２ａが形成されている。ゲートバスライン２と副ゲートバスライン２ａはそれぞれ交互にｙ方向に複数配置される。
【０１１２】
１列の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 を区画するゲートバスライン２と副ゲートバスライン２ａは、図１４に示した走査回路１５に接続されて同じ信号が印加される。
【０１１３】
また、第１、第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ3 の第１の隅寄りの部分には、第１、第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ3 内でゲートバスライン２からｙ方向に突出するゲート電極３ａが形成されている。また、第２の副画素領域Ａ2 において第１の隅からｙ方向に存在する第２の隅寄りの部分には、第２の副画素領域Ａ2 内で副ゲートバスライン２ａからｙ方向に突出するゲート電極３ｂが形成されている。
【０１１４】
第１の基板１、ゲートバスライン２、副ゲートバスライン２ａ及びゲート電極３ａ，３ｂは、第１実施形態と同様に、ゲート絶縁膜４により覆われている。
【０１１５】
ゲート絶縁膜４の上において、ゲート電極３ａ，３ｂ及びその周辺の上方には、第１実施形態と同様に、アンドープのアモルファスシリコン（半導体）よりなる活性層５が平面形状略四角に形成されている。また、活性層５の上であってゲート電極３ａ，３ｂの上方には、第１実施形態と同様に、チャネル保護絶縁膜６が島状に形成されている。
【０１１６】
また、ゲート絶縁膜４の上には、第１実施形態と同様に、ｙ方向に延在して副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 を区画するドレインバスライン７が間隔をおいて複数本形成されている。
【０１１７】
ドレインバスライン７のうちゲートバスライン２との交差部寄りの部分には、ゲート電極３ａ，３ｂに向けてドレイン電極８ｄが突出している。ドレイン電極８ｄは、チャネル保護絶縁膜６の一側方の活性層５の上にコンタクト層９を介して形成されている。また、チャネル保護絶縁膜６の他側方の活性層５の上には、コンタクト層９を介してソース電極８ｓが形成されている。ドレイン電極８ｄとソース電極８ｓは、その下のコンタクト層９とともに、チャネル保護絶縁膜６の上でスリットを介して分離されている。
【０１１８】
なお、ドレイン電極８ｄ、ソース電極８ｓ、ゲート絶縁膜４及び活性層５によって薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０が構成される。
【０１１９】
ドレインバスライン７とＴＦＴ１０は、酸化シリコン又は窒化シリコンよりなる保護絶縁膜１１によって覆われている。
【０１２０】
保護絶縁膜１１の上では、各画素領域Ｂにおいて第１〜第３の画素電極４１ａ，４１ｂ，４１ｃが形成されている。第１〜第３の画素電極４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内を互いに接触しないように迂回する形状で形成されている。
【０１２１】
第１の画素電極４１ａは、ゲートバスライン２に沿う橋渡し部分とドレインバスライン７を横切る橋渡し部分を介して第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の一部に配置される略Ｅ字状の一体形状を有し、第１の副画素領域Ａ1 のＴＦＴ１０のソース電極８ｓにコンタクトホール１１ａを通して接続されている。第２の副画素領域Ａ2 内のＴＦＴ１０は、図１７に示す断面形状を有し第１、第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ3 内のＴＦＴ１０は、第１実施形態と同様な断面形状を有している。
【０１２２】
第３の画素電極４１ｃは、副ゲートバスライン２ａに沿う橋渡し部分とドレインバスライン７を横切る橋渡し部分とを介して第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の一部に配置される略Ｅ字状の一体形状を有し、第３の副画素領域Ａ3 のＴＦＴ１０のソース電極８ｓにコンタクトホール１１ｃを通して接続されている。
【０１２３】
第１の画素電極４１ａは、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内でＴＦＴ１０に接続されるドレインバスライン７寄りの領域に配置されている。また、第３の画素電極４１ｃは、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内でＴＦＴ１０から遠ざかる領域に配置されている。
【０１２４】
第２の画素電極４１ｂは、ドレインバスライン７を横切る橋渡し部分を介して第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 内の一部に蛇行して配置される一体形状を有し、第２の副画素領域Ａ2 内のＴＦＴ１０のソース電極８ｓにコンタクトホール１１ｄを通して接続されている。
【０１２５】
第１〜第３の画素電極４１ａ〜４１ｃは、例えば厚さ７０ｎｍのＩＴＯなどの透明導電材から構成される。なお、反射型の液晶表示装置の場合には画素電極４１ａ〜４１ｃとしてアルミニウムが用いられる。
【０１２６】
そのような画素電極４１ａ〜４１ｃと保護絶縁膜１１は、樹脂よりなる第１の配向膜１４によって覆われている。
【０１２７】
次に、第２の基板２０とその上の層構造について説明する。
【０１２８】
第２の基板２０上に形成されるカラーフィルタ４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂは、第１〜第３の画素電極４１ａ〜４１ｃに対向した形状となっている。例えば、図１６に示すように、赤フィルタ４２Ｒは第１の画素電極４１ａに対向した略Ｅ字状の平面形状を有し、緑フィルタ４２Ｇは第２の画素電極４１ｂに対向して蛇行する平面形状を有し、さらに、青フィルタ４２Ｂは第３の画素電極４１ｃに対向した略Ｅ字状の平面形状を有している。赤フィルタ４２Ｒ、緑フィルタ４２Ｇ及び青フィルタ４２Ｂは、それぞれの境界部分で重なって遮光領域となっているが、互いに重ならないようにしてもよい。
【０１２９】
それらのフィルタ４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの周囲の第２の基板２０には、副画素領域に対向する位置に開口部を有する遮光膜からなるブラックマトリクス４３が形成されている。
【０１３０】
そのような赤フィルタ４２Ｒ、緑フィルタ４２Ｇ、青フィルタ４２Ｂ及びブラックマトリクス４３の上には、ＩＴＯなどの光透過導電膜が対向電極２５として形成され、さらに対向電極の上には樹脂よりなる第２の配向膜２６が形成されている。
【０１３１】
なお、第２の基板２０上でのカラーフィルタは、第３実施形態に係る図１２に示した形状のものを用いてもよい。
【０１３２】
上記した画素電極４１ａ〜４１ｃと赤、緑及び青フィルタ４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂはそれぞれ、第３の実施形態と同様に、空間的に画素領域Ｂ内で空間的に分散しているので、大型テレビジョンの表示パネルのように副画素領域が大きくなっても３色のカラーフィルタが目立たなくなって大幅に画質が改善される。
【０１３３】
しかも、分散した赤、緑及び青フィルタ４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂに応じて１つの画素電極を複数の副画素領域に３つに分散させているので、ＴＦＴ１０の数は従来に比べて増えることはない。この場合の分散された画素電極４１ａ〜４１ｃは、第３実施形態と異なり保護絶縁膜１１の上で二次元的に接続しているので、平面形状を工夫する必要があるが、従来の画素形成工程に比べて新たな工程が増えることはない。
【０１３４】
（第５の実施形態）
以下、第５の実施形態について説明する。第１〜第４の実施形態では、いずれも１つの画素（ピクセル）が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３つの色要素により構成されている。本実施形態では、１つの画素を赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）及び白（Ｗ）の４つの色要素により構成する。
【０１３５】
図１８は本発明の第５の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【０１３６】
一方の基板（ＴＦＴ基板）の上には、第１の実施形態と同様に、ｘ方向に延びるゲートバスライン１０２とｙ方向に延びる第１のドレインバスライン１０７とが形成されている。これらのゲートバスライン１０２及び第１のドレインバスライン１０７により区画される矩形の領域がそれぞれ副画素領域となっている。また、ｘ方向に隣接する３つの副画素領域（第１の副画素領域Ａ1 、第２の副画素領域Ａ2 及び第３の副画素領域Ａ3 ）により１つの画素領域Ｐが構成される。
【０１３７】
本実施形態においては、第３の副画素領域Ａ3 の左側に、第１のドレインバスライン１０７と平行に延びる第２のドレインバスライン１０７ａが形成されている。また、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 には、それぞれ４つの画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗがｘ方向に並んで配置されている。
【０１３８】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 には、ゲートバスライン１０２と第１のドレインバスライン１０７とが交差する部分の近傍に、ＴＦＴ１１０が形成されている。また、ゲートバスライン１０２と第２のドレインバスライン１０７ａとが交差する部分の近傍にはＴＦＴ１１０ａが形成されている。
【０１３９】
ＴＦＴ１１０のゲート電極１０３ｇはゲートバスライン１０２と接続されており、ドレイン電極１０８ｄは第１のドレインバスライン１０７に接続されている。第１の副画素領域Ａ1 のＴＦＴ１１０のソース電極１０８ｓは、コンタクトホール１０９ａを介して第１の副画素領域Ａ1 の画素電極１４１Ｒに電気的に接続されており、第２の副画素領域Ａ2 のＴＦＴ１１０のソース電極１０８ｓはコンタクトホール１０９ｂを介して第２の副画素領域Ａ2 の画素電極１４１Ｇに電気的に接続されており、第３の副画素領域Ａ3 のＴＦＴ１１０はコンタクトホール１０９ｃを介して第３の副画素領域Ａ3 の画素電極１４１Ｂに電気的に接続されている。また、第３の副画素領域Ａ3 のＴＦＴ１１０ａは、コンタクトホール１０９ｄを介して第３の副画素領域Ａ3 の画素電極１４１Ｗに電気的に接続されている。
【０１４０】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｒは、下方に形成された第１の配線１０３ａとコンタクトホール１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃとを介して相互に電気的に接続されている。また、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｇは、下方に形成された第２の配線１０３ｂとコンタクトホール１０４ｄ，１０４ｅ，１０４ｆとを介して相互に電気的に接続されている。更に、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｂは、下方に形成された第３の配線１０３ｃとコンタクトホール１０４ｇ，１０４ｈ，１０４ｉとを介して相互に電気的に接続されている。更にまた、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｗは、下方に形成された第４の配線１０３ｄとコンタクトホール１０４ｊ，１０４ｋ，１０４ｍとを介して相互に電気的に接続されている。
【０１４１】
図１９は本発明の第５実施形態の対向基板側に形成されるカラーフィルタ及びブラックマトリクスを示す平面図である。図２０は、図１８のVII-VII 線から見た液晶表示装置の断面図である。なお、図１９は、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されない側の基板面から見た配置となっている。
【０１４２】
まず、図１８，図２０を参照して第１の基板１０１（ＴＦＴ基板）の層構造について説明する。
【０１４３】
ガラス、石英又は樹脂フィルム等の光透過絶縁材からなる第１の基板１０１の上には、直接又は絶縁膜を介してゲートバスライン１０２、ＴＦＴ１１０、１００ａのゲート電極１０３ｇ及び第１〜第４の配線１０３ａ〜１０３ｄが形成されている。これらのゲートバスライン１０２、ＴＦＴ１１０、１００ａのゲート電極１０３ｇ及び第１〜第４の配線１０３ａ〜１０３ｄは、第１の実施形態と同様に、ゲート絶縁膜１０４により覆われている。
【０１４４】
ゲート絶縁膜１０４の上には、第１のドレインバスライン１０７及び第２のドレインバスライン１０７ａが形成されている。また、ゲート絶縁膜１０４の所定の領域上には、第１の実施形態と同様に、ＴＦＴ１１０，１１０ａの活性層となる半導体層（図示せず）が形成されており、この半導体層の上にはチャネル保護絶縁膜（図示せず）が形成されている。半導体層及びチャネル保護絶縁膜の上には、ＴＦＴ１１０，１１０ａのソース電極１０８ｓ及びドレイン電極１０８ｄが形成されている。ＴＦＴ１１０のドレイン電極１０８ｄは第１のドレインバスライン１０７に接続しており、ＴＦＴ１１０ａのドレイン電極１０８ｄは第２のドレインバスライン１０７ａに接続している。
【０１４５】
これらのＴＦＴ１１０，１１０ａ及びドレインバスライン１０７，１０７ａは、酸化シリコン又は窒化シリコンよりなる保護絶縁膜１１１により覆われている。
【０１４６】
保護絶縁膜１１１の上には、各副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 毎にそれぞれ第１〜第４の画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗが形成されている。
【０１４７】
前述したように、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｒは、保護絶縁膜１１１及びゲート絶縁膜１０４に形成されたコンタクトホール１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを介して第１の配線１０３ａに接続されている。また、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｇは、保護絶縁膜１１１及びゲート絶縁膜１０４に形成されたコンタクトホール１０４ｄ，１０４ｅ，１０４ｆを介して第２の配線１０３ｂに接続されている。更に、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｂは、保護絶縁膜１１１及びゲート絶縁膜１０４に形成されたコンタクトホール１０４ｇ，１０４ｈ，１０４ｉを介して第３の配線１０３ｃに接続されている。更にまた、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ配置された画素電極１４１Ｗは、保護絶縁膜１１１及びゲート絶縁膜１０４に形成されたコンタクトホール１０４ｊ，１０４ｋ，１０４ｍを介して第４の配線１０３ｄに接続されている。
【０１４８】
これらの画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗは、例えば厚さ７０ｎｍのＩＴＯなどの透明導電材から構成される。なお、反射型の液晶表示装置の場合には、画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗがアルミニウムにより形成される。
【０１４９】
画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗ及び保護絶縁膜１１１は、ポリイミド等の樹脂よりなる第１の配向膜１１４によって覆われている。
【０１５０】
次に、図１９及び図２０を参照して第２の基板（対向基板）とその上の層構造について説明する。
【０１５１】
第２の基板１２０の一方の面上には、画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂに対向する位置、及び画素電極１４１Ｗに対向する位置にそれぞれ開口部１２１ａ，１２１ｂが設けられたブラックマトリクス１２１が形成されている。各副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の画素電極１４１Ｒに対向する位置には赤フィルタ１２２Ｒが形成されており、画素電極１４１Ｇに対向する位置には緑フィルタ１２２Ｇが形成されており、画素電極１４１Ｂに対向する位置には青フィルタ１２２Ｂが形成されている。また、画素電極１４１Ｗに対向する位置にはカラーフィルタが設けられていない。但し、画素電極１４１Ｗに対向する部分に、無色の膜又は減光フィルタを形成してもよい。
【０１５２】
赤フィルタ１２２Ｒ、緑フィルタ１２２Ｇ、青フィルタ１２２Ｂ及び開口部１２１ｂの上にはＩＴＯなどの光透過導電膜が対向電極１２５として形成され、更に対向電極１２５の上にはポリイミド等の樹脂よりなる第２の配向膜１２６が形成されている。
【０１５３】
以上のような構造を有する第１の基板１０１と第２の基板１２０は、第１の配向膜１１４と第２の配向膜１２６とを対向させた状態で配置され、第１の基板１０１と第２の基板１２０との間には、例えば誘電率異方性が負の液晶１１９が封入される。
【０１５４】
図２１は、本実施形態の液晶表示装置の駆動回路を示す回路図である。なお、図２１において、補助容量１５１は、画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗと、図示しない補助容量バスライン（接地ライン）との間に形成される。また、図中のＲ、Ｇ、Ｂ及びＷは、画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗ、対向電極１２５、カラーフィルタ１２２Ｒ，１２２Ｇ，１２２Ｂ、開口部１２１ｂ及び液晶１１９により構成される赤、緑、青及び白の液晶セル（色要素）を示している。
【０１５５】
データ回路１６０は、ＴＶチューナ等の装置から入力されるＲ信号、Ｇ信号及びＢ信号を合成してＷ信号を合成する。Ｗ信号の合成方法は要求される仕様により異なる。例えば、データ回路１６０は、Ｒ信号、Ｇ信号及びＢ信号の輝度成分の平均値を算出し、その結果をｎ（但し、０≦ｎ≦１）倍してＷ信号とする。
【０１５６】
データ回路１６０から出力されたＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号及びＷ信号は、それぞれ所定のドレインバスライン１０７，１０７ａに供給される。一方、走査回路１５０からゲートバスライン１２０へは、所定の周期で走査信号（スキャン信号）が出力される。そして、走査信号が供給されたゲートバスライン１０２に接続されているＴＦＴ１１０，１１０ａがオンになり、画素電極１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１ＷにＲ信号、Ｇ信号、Ｂ信号及びＷ信号が供給される。これにより、画素領域Ｐでは、各副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 を透過した赤、緑、青及び白の光が混合されて、所望の色が表示される。
【０１５７】
本実施形態においては、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に分散して配置された画素電極１４１Ｒに同じ電圧（Ｒ信号）が供給され、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に分散して配置された画素電極１４１Ｇに同じ電圧（Ｇ信号）が供給され、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に分散して配置された画素電極１４１Ｂに同じ電圧（Ｂ信号）が供給され、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に分散して配置された画素電極１４１Ｗに同じ電圧（Ｗ信号）が供給される。つまり、１つの画素領域Ｐ内で赤、緑、青及び白の色要素が空間的に分散しているので、大型テレビジョンの表示パネルのように副画素領域が大きくなっても、各色要素が目立たなくなって、従来に比して画質が大幅に改善される。
【０１５８】
また、１つの画素領域Ｐ内の赤、緑、青及び白の４つの色要素を４つのＴＦＴで駆動するので、従来に比べて１画素領域当たりのＴＦＴの数が１つ増加するだけであり、ＴＦＴの増加量が最小限ですむ。
【０１５９】
更に、本実施形態では、赤、緑及び青の色要素に白の色要素を加えているので、画面の輝度が向上してコントラストが高い表示が可能となるとともに、白色度の調整も容易となる。
【０１６０】
なお、第５の実施形態では３つの副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 にそれぞれ画素電極Ｗを配置しているが、これらの副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 のうちのいずれか１つ又は２つの副画素領域のみに画素電極Ｗを配置してもよい。また、Ｗに相当する副画素領域を、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 と対等に設け、これを第４の副画素領域Ａ4 として第１，第３の実施形態等と同様に、ゲートバスライン、ドレインバスライン及びＴＦＴ等を規則的にレイアウトしてもよい。
【０１６１】
（第６の実施形態）
以下、第６の実施形態について説明する。第１〜第５の実施形態においては、いずれも１つの副画素領域内に色が異なる複数のカラーフィルタを横方向（ｘ方向）に並べている。本実施形態では、１つの副画素領域内に色が異なる複数のカラーフィルタを縦方向（ｙ）に並べて配置する。
【０１６２】
図２２は本発明の第６の実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図、図２３は本発明の第６の実施形態に係る液晶表示装置の対向基板側に形成されるカラーフィルタ及びブラックマトリクスを示す平面図である。
【０１６３】
まず、図２２を参照して、一方の基板（ＴＦＴ基板）の層構造について説明する。
【０１６４】
一方の基板（ＴＦＴ基板）の上には、第１の実施形態と同様に、ｘ方向に延びるゲートバスライン１０２とｙ方向に延びるドレインバスライン１０７とが形成されている。これらのゲートバスライン１０２及びドレインバスライン１０７により区画される矩形の領域がそれぞれ副画素領域となっている。また、ｘ方向に隣接する３つの副画素領域（第１の副画素領域Ａ1 、第２の副画素領域Ａ2 及び第３の副画素領域Ａ3 ）により１つの画素領域Ｐが構成される。
【０１６５】
第１の副画素領域Ａ1 には、画素電極１８１Ｒと画素電極１８１Ｇとが縦方向に並んで形成されている。また、第２の副画素領域Ａ2 には、画素電極１８２Ｂと画素電極１８２Ｒとが縦方向に並んで形成されており、第３の副画素領域Ａ3 には、画素電極１８３Ｇと画素電極１８３Ｂとが縦方向に並んで形成されている。
【０１６６】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 には、ゲートバスライン１０２とドレインバスライン１０７とが交差する部分の近傍に、ＴＦＴ１８０が形成されている。ＴＦＴ１８０のゲート電極１７３ｇはゲートバスライン１０２と接続されており、ドレイン電極１７８ｄはドレインバスライン１０７と接続されている。
【０１６７】
第１の副画素領域Ａ1 のＴＦＴ１８０のソース電極１７８ｓは、コンタクトホール１７９ａを介して画素電極１８１Ｒと電気的に接続されている。また、第２の副画素領域Ａ2 のＴＦＴ１８０のソース電極１７８ｓは、コンタクトホール１７９ｂを介して画素電極１８２Ｂと電気的に接続されている。更に、第３の副画素領域Ａ3 のＴＦＴ１８０のソース電極１７８ｓは、コンタクトホール１７９ｃを介して画素電極１８２Ｇと電気的に接続されている。
【０１６８】
第１の副画素領域Ａ1 の画素電極１８１Ｒは、下方に形成された第１の配線１７５ａとコンタクトホール１７６ａ，１７６ｄとを介して第２の副画素領域Ａ2 の画素電極１８２Ｒと電気的に接続されている。また、第２の画素領域Ａ2 の画素電極１８２Ｂは、下方に形成された第２の配線１７５ｂとコンタクトホール１７６ｂ，１７６ｅとを介して第３の副画素領域Ａ3 の画素電極１８３Ｂと電気的に接続されている。更に、第３の副画素領域Ａ3 の画素電極１８３Ｇは、下方に形成された第３の配線１７５ｃとコンタクトホール１７６ｃ，１７６ｆとを介して第１の副画素領域Ａ1 の画素電極１８１Ｇと電気的に接続されている。
【０１６９】
これらの画素電極１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８２Ｂ，１８２Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂは例えば厚さ７０ｎｍのＩＴＯなどの透明導電材から構成される。また、これらの画素電極１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８２Ｂ，１８２Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂは、ポリイミド等よりなる第１の配向膜によって覆われている。
【０１７０】
次に、図２３を参照して、他方の基板（対向基板）の層構造について説明する。
【０１７１】
第２の基板には、第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に対向する位置にそれぞれ開口部が設けられた遮光膜からなるブラックマトリクス１８５が形成されている。副画素領域Ａ1 の画素電極１８１Ｒ及び画素電極１８１Ｇにそれぞれ対向する位置には、赤フィルタ１８６Ｒ及び緑フィルタ１８６Ｇが配置されている。これらのフィルタ１８６Ｒ，１８６Ｇの境界では２つのフィルタ１８６Ｒ，１８６Ｇが重なり、遮光領域となっている。また、副画素領域Ａ2 の画素電極１８２Ｂ及び画素電極１８２Ｒにそれぞれ対向する位置には、青フィルタ１８７Ｂ及び赤フィルタ１８７Ｒが配置されている。これらのフィルタ１８７Ｂ，１８７Ｒの境界では２つのフィルタ１８７Ｂ，１８７Ｒが重なり、遮光領域となっている。更に、副画素領域Ａ3 の画素電極１８３Ｇ及び画素電極１８３Ｂにそれぞれ対向する位置には、緑フィルタ１８８Ｇ及び青フィルタ１８８Ｂが配置されている。これらのフィルタ１８８Ｇ，１８８Ｂの境界では２つのフィルタ１８８Ｇ，１８８Ｂが重なり、遮光領域となっている。
【０１７２】
これらのフィルタ１８６Ｒ，１８６Ｇ，１８７Ｂ，１８７Ｒ，１８８Ｇ，１８８Ｂの上にはＩＴＯなどの光透過導電膜が対向電極として形成され、更に対向電極の上にはポリイミド等の樹脂よりなる第２の配向膜が形成されている。
【０１７３】
以上のような構造を有するＴＦＴ基板及び対向基板は、配向膜が形成された面を対向させた状態で配置され、両者の間に例えば誘電率異方性が負の液晶が封入される。
【０１７４】
本実施形態においても、第１の副画素領域Ａ1 の画素電極１８６Ｒと第２の副画素領域Ａ2 の画素電極１８７Ｒとに同じ電圧が印加され、第２の副画素領域Ａ2 の画素電極１８７Ｂと第３の副画素領域Ａ3 の画素電極１８８Ｂとに同じ電圧が印加され、第３の副画素領域Ａ3 の画素電極１８８Ｇと第１の副画素領域Ａ1 の画素電極１８６Ｇとに同じ電圧が印加される。つまり、第１〜第５の実施形態と同様に、赤、緑、青の各色要素は１つの画素領域Ｐ内で空間的に分散しているので、大型テレビジョンの表示パネルのように副画素領域のサイズが大きくなっても、各色要素が目立たなくなって、従来に比して画質が大幅に改善される。また、第１〜第４の実施形態と同様に、ＴＦＴ１１０の数が従来に比べて増えることはない。
【０１７５】
（第７の実施形態）
以下、第７の実施形態について説明する。
【０１７６】
図２４は本発明の第７の実施形態に係る液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。また、図２５は本発明の第７の実施形態に係る液晶表示装置の模式断面図である。本実施形態は、本発明をＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）方式の液晶表示装置に適用した例を示しており、図２４，図２５において、図１，図４と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【０１７７】
一方の基板（ＴＦＴ基板）１に設けられた画素電極１２ａ〜１２ｆには、斜め方向に延び、且つ画素電極１２ａ〜１２ｆの縦方向の中心で屈曲する線に沿ってスリット１２ｓが設けられている。これらのスリット１２ｓが設けられた画素電極１２ａ〜１２ｆは、第１の実施形態と同様に、ポリイミド等によりなる配向膜に覆われている。
【０１７８】
また、他方の基板（対向基板）２０の対向電極２５の上（図２５では下側）には、スリット１２ｓと平行に延びるドメイン規制用突起（土手）２６が形成されている。突起２６は、例えばフォトレジストを使用することにより簡単に形成することができる。これらの対向電極２５及び突起２６の表面は、ポリイミド等よりなる配向膜に覆われている。そして、基板１，２０の間には、誘電率異方性が負の液晶１９が封入されている。
【０１７９】
ＭＶＡ方式の液晶表示装置では、上述したように、ドメイン規制用構造物として電極のスリット又は突起が使用される。また、ドメイン規制用構造物として、基板の窪みが使用されることもある。このようなＭＶＡ方式の液晶表示装置では、画素電極に電圧を印加したときに液晶分子が倒れる方向がドメイン規制用構造物の両側で異なるため、いわゆるマルチドメインが達成される。
【０１８０】
例えば、本実施形態のように画素電極１２ａ〜１２ｆにスリット１２ｓを設けた場合、スリット１２ｓの縁部では電界がスリット１２ｓの中心に向けて斜め方向に発生するので、図２５に示すように、スリット１２ｓの両側で液晶分子１９ａの倒れる方向が相違する。
【０１８１】
また、対向電極２５の上に突起２６を設けた場合、電圧を印加しない状態では、突起２６の近傍の液晶分子は突起２６の表面に対し垂直な方向に配向するので、突起２６の両側で液晶分子の配向方向が相違する。この液晶分子の初期配向（電圧オフ）及び電圧印加時の配向の影響により、画素電極１２ａ〜１２ｆと対向電極２５との間に電圧を印加したときには突起２６から離れた位置にある液晶分子１９ａの配向方向が決まる。このように、電圧を印加したときに液晶分子１９ａの配向方向が相互に異なる複数の領域を設けることにより、液晶表示装置の表示性能、特に視野角特性が著しく向上する。
【０１８２】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、１つの画素領域Ｂ内で赤、緑及び青の色要素が空間的に分散しているので、大型テレビジョンの表示パネルのように副画素領域が大きくなっても、各色要素が目立たなくなって、従来に比して画質が大幅に改善されるという効果を奏する。
【０１８３】
（第８の実施形態）
以下、第８の実施形態について説明する。第１〜第７の実施形態では、いずれも一方の基板に画素電極が形成され、他方の基板に対向電極が形成された液晶表示装置について説明した。本実施形態では、一方の基板に画素電極及び対向電極が形成されたＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶表示装置に本発明を適用した例について説明する。
【０１８４】
図２６は、本発明の第８の実施形態に係る液晶表示装置の一方の基板（ＴＦＴ基板）の画素領域を示す平面図である。
【０１８５】
一方の基板（ＴＦＴ基板）の上には、ｘ方向に延びるゲートバスライン２０２とｙ方向に延びるドレインバスライン２０７とが形成されている。これらのゲートバスライン２０２及びドレインバスライン２０７により区画される矩形の領域がそれぞれ副画素領域となっている。また、ｘ方向に隣接する３つの副画素領域（第１の副画素領域Ａ1 、第２の副画素領域Ａ2 及び第３の副画素領域Ａ3 ）により１つの画素領域Ｐが構成される。
【０１８６】
第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 には、ゲートバスライン２０２とドレインバスライン２０７とが交差する部分の近傍に、ＴＦＴ２１０が形成されている。これらのＴＦＴ２１０は、そのゲート電極２０３ｇがゲートバスライン２０２に接続しており、ドレイン電極２０８ｄがドレインバスライン２０７に接続している。
【０１８７】
第１の副画素領域Ａ1 には、３本の棒状の対向電極２４０と棒状の画素電極２４１Ｒ，２４１Ｇとが形成されている。これらの対向電極２４０及び画素電極２４１Ｒ，２４１Ｇはドレインバスライン２０７と平行に配置されており、画素電極２４１Ｒは第１及び第２の対向電極２４０の間に配置され、画素電極２４１Ｇは第２及び第３の対向電極２４０の間に配置されている。
【０１８８】
これと同様に、第２の副画素領域Ａ2 には、３本の棒状の対向電極２４０と棒状の画素電極２４２Ｂ，２４２Ｒとが形成されている。画素電極２４２Ｂは第１及び第２の対向電極２４０の間に配置され、画素電極２４２Ｒは第２及び第３の対向電極２４０の間に配置されている。また、第３の副画素領域Ａ3 には、３本の棒状の対向電極２４０と棒状の画素電極２４３Ｇ，２４３Ｂとが形成されている。画素電極２４３Ｇは第１及び第２の対向電極２４０の間に配置され、画素電極２４３Ｂは第２及び第３の対向電極２４０の間に配置されている。
【０１８９】
第１の副画素領域Ａ1 に形成された画素電極２４１Ｒは、コンタクトホール２０９ａを介してＴＦＴ２１０のソース電極２０８ｓと電気的に接続されている。これと同様に、第２の副画素領域Ａ2 に形成された画素電極２４２Ｂは、コンタクトホール２０９ｂを介してＴＦＴ２１０のソース電極２０８ｓと電気的に接続され、第３の副画素領域Ａ3 に形成された画素電極２４３Ｇは、コンタクトホール２０９ｃを介してＴＦＴ２１０のソース電極２０８ｓと電気的に接続されている。
【０１９０】
これらの第１〜第３の副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に形成された対向電極２４０は、いずれもコンタクトホールＣを介して下方に形成された対向電極バスライン２０４ａに電気的に接続されている。また、第１の副画素領域Ａ1 の画素電極２４１Ｒは、下方に形成された第１の配線２０４ｂとコンタクトホールＣ１，Ｃ２とを介して第２の副画素領域の画素電極２４２Ｒと電気的に接続されている。更に、第２の副画素領域Ａ2 の画素電極２４２Ｂは、下方に形成された第２の配線２０４ｃとコンタクトホールＣ３，Ｃ４とを介して第３の副画素領域Ａ3 の画素電極２４３Ｂと電気的に接続されている。更にまた、第３の副画素領域Ａ3 の画素電極２４３Ｇは、下方に形成された第３の配線２０４ｄとコンタクトホールＣ５，Ｃ６とを介して第１の副画素領域Ａ1 の画素電極２４１Ｇと電気的に接続されている。
【０１９１】
図２７は本発明の第８の実施形態の対向基板側に形成されるカラーフィルタ及びブラックマトリクスを示す平面図である。また、図２８は図２６のVIII−VIII線の位置における模式断面図である。なお、図２７は、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されない側の基板面から見た配置となっている。
【０１９２】
まず、図２６，図２８を参照して第１の基板（ＴＦＴ基板）２０１の層構造について説明する。
【０１９３】
ガラス、石英又は樹脂フィルム等の光透過絶縁材からなる第１の基板２０１の上には、直接又は絶縁膜を介してゲートバスライン２０２、ＴＦＴ２１０のゲート電極２０３ｇ、対向電極バスライン２０４ａ及び第１〜第３の配線２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄが形成されている。これらのゲートバスライン２０２、ＴＦＴ２１０のゲート電極２０３、対向電極バスライン２０４ａ及び第１〜第３の配線２０４ｂ，２０４ｃ，２０４ｄは、第１の実施形態と同様に、ゲート絶縁膜２０３に覆われている。
【０１９４】
ゲート絶縁膜２０３の上には、ドレインバスライン２０７が形成されている。また、ゲート絶縁膜２０３の上の所定の領域には、第１の実施形態と同様に、ＴＦＴ２１０の活性層となる半導体層２１１が形成されており、この半導体層２１１の上には窒化シリコン等の絶縁膜からなるチャネル保護絶縁膜２１２が形成されている。半導体層２１１及びチャネル保護絶縁膜２１２の上には、ＴＦＴ２１０のソース電極２０８ｓ及びドレイン電極２０８ｄが形成されている。ドレイン電極２０８ｄはドレインバスライン２０７に接続している。なお、ソース電極２０８ｓ及びドレイン電極２０８ｄは、半導体層２１１上に形成された高濃度不純物半導体層と、この高濃度不純物半導体層上に形成された金属層との２層構造を有している。
【０１９５】
これらのＴＦＴ２１０及びドレインバスライン２０７は、酸化シリコン又は窒化シリコンよりなる保護絶縁膜２１３に覆われている。
【０１９６】
保護絶縁膜２１３の上には、画素電極２４１Ｒ，２４１Ｇ，２４２Ｂ，２４２Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂ及び対向電極２４０が形成されている。前述したように、第１の副画素領域Ａ1 の画素電極２４１Ｒはコンタクトホール２０９ａを介して第１の副画素領域Ａ1 のＴＦＴ２１０に接続され、第２の副画素領域Ａ2 の画素電極２４２Ｂはコンタクトホール２０９ｂを介して第２の副画素領域Ａ2 のＴＦＴ２１０に接続され、第３の副画素領域Ａ3 の画素電極２４３Ｇはコンタクトホール２０９ｃを介して第３の副画素領域Ａ3 のＴＦＴ２１０に接続されている。また、各副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の対向電極２４０は、いずれもコンタクトホールＣを介して対向電極バスライン２０４ａに接続されている。
【０１９７】
これらの画素電極２４１Ｒ，２４１Ｇ，２４２Ｂ，２４２Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂ及び対向電極２４０は、ポリイミド等の樹脂よりなる第１の配向膜２１４によって覆われている。
【０１９８】
次に、図２７及び図２８を参照して第２の基板（対向基板）とその上の層構造について説明する。
【０１９９】
第２の基板２２０の一方の面上には、各画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 に対応する位置に開口部が設けられたブラックマトリクス２２１が形成されている。また、第１の副画素領域Ａ1 の画素電極２４１Ｒ及びその両側の領域に対応する部分と、第２の副画素領域Ａ2 の画素電極２４２Ｒ及びその両側の領域に対応する部分には赤フィルタ２２２Ｒが形成されており、第１の副画素領域Ａ1 の画素電極２４１Ｇ及びその両側の領域と第３の副画素領域Ａ3 の画素電極２４３Ｇ及びその両側の領域に対応する部分には緑フィルタ２２２Ｇが形成されており、第２の副画素領域Ａ2 の画素電極２４２Ｂ及びその両側の領域と第３の副画素領域Ａ3 の画素電極２４３Ｂ及びその両側の領域に対応する部分には青フィルタ２２２Ｂが形成されている。
【０２００】
赤フィルタ２２２Ｒ，緑フィルタ２２２Ｇ及び青フィルタ２２２Ｂの上にはポリイミド等の樹脂よりなる第２の配向膜２２４が形成されている。
【０２０１】
以上のような構造を有する第１の基板２０１と第２の基板２２０は、第１の配向膜２１４と第２の配向膜２２４とを対向させた状態で配置され、第１の基板２０１と第２の基板との間には例えば誘電率異方性が正の液晶２１９が封入される。
【０２０２】
図２９（ａ），（ｂ）は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の動作を示す模式図である。図中の矢印は、液晶パネルを挟んで配置される２枚の偏光板の偏光軸の方向を示している。また、第１及び第２の配向膜２１４，２２４には、一方の偏光板の偏光軸と同じ方向にラビング処理が施される。
【０２０３】
画素電極２４１と対向電極２４０との間に電圧が印加されていない状態では、液晶分子２１９ａは配向膜２１４，２２４のラビング方向に沿って配向する。この場合、一方の偏光板を通過した偏光光は、振動方向がねじれることなく液晶パネルを通過するので、他方の偏光板により遮断される。すなわち、このときは暗表示となる。
【０２０４】
画素電極２４１と対向電極２４０との間に十分な電圧を印加すると、液晶分子２１９ａは電界Ｅに対し平行な方向に配向する。この場合、一方の偏光板を通過した偏光光は、液晶パネル内の液晶分子２１９ａにより振動方向がねじれて、他方の偏光板を通過するようになる。従って、このときは明表示となる。画素毎に画素電極２４１と対向電極２４０との間に印加する電圧を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像を表示することができる。
【０２０５】
本実施形態においても、１つの画素領域Ｐ内で赤、緑及び青の色要素（カラーフィルタ）が空間的に分散しているので、大型テレビジョンの表示パネルのように副画素領域が大きくなっても、色要素が目立たなくなって、従来に比して画質が大幅に改善される。また、１つの画素領域Ｐ内の赤、緑及び青の３つの色要素を３つのＴＦＴで駆動するので、ＴＦＴの数が従来に比べて増えることはない。
【０２０６】
ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、液晶分子が常に基板面に対し平行であるので、原理的に視野角特性が優れている。しかし、図３０の模式図に示すように、画素電極２４１及び対向電極２４０を屈曲した形状に形成すると、視野角による色変化が更に抑制され、視野角特性がより一層向上する。このようなＩＰＳ方式の液晶表示装置に本発明を適用してもよい。
【０２０７】
以上説明したように、本発明は、カラーフィルタを用いて色を表示する種々の方式の液晶表示装置、例えばＴＮ（Twisted Nematic ）方式の液晶表示装置、ＶＡ（Vertically Aligned）方式の液晶表示装置、ＭＶＡ方式の液晶表示装置、ＩＰＳ方式の液晶表示装置及びＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence ）方式の液晶表示装置に適用できる。
【０２０８】
図３１（ａ），（ｂ）はＯＣＢ方式の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を示す模式図である。図３１（ａ）はオフ状態のときの液晶分子の配向状態を示し、図３１（ｂ）はオン状態のときの液晶分子の配向状態を示している。
【０２０９】
ＯＣＢ方式の液晶表示装置では、一方の基板２５１の上に画素電極２５２が形成されており、他方の基板２７１の上（図３１（ａ），（ｂ）では下側）には対向電極２７３が形成されている。また、基板２５１，２７１の少なくとも一方には光学補償フィルム２７２が形成されている。そして、画素電極２５２と対向電極２７３との間には液晶分子２７９がベント配向しており、画素電極２５２と対向電極２７３との間に印加される電圧により、画素電極２５２及び対向電極２７３の近傍の液晶分子２７９の傾斜角が変化する。
【０２１０】
このＯＣＢ方式の液晶表示装置は、ＭＶＡ方式及びＴＮ方式の液晶表示装置と同様に基板面に対し垂直方向に離隔して配置された一対の電極（画素電極及び対向電極）間に液晶を封入した構造であるので、第１の実施形態で説明した液晶表示装置と基本的な構造は同じである。このため、ＯＣＢ方式の液晶表示装置においても、前述した各実施形態と同様に、本発明を適用することができる。
【０２１１】
なお、上述した第１、第３、第５〜第８実施形態においては、いずれも異なる副画素領域に形成された画素電極間を接続する配線をゲートバスラインと同じ層に形成しているが、これに限定するものではない。例えば、ゲートバスラインの上方又は下方に絶縁膜を介してこれらの配線を形成してもよい。
【０２１２】
また、上述した第１〜第８実施形態ではカラーフィルタとして赤、緑及び青を使用した液晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、カラーフィルタとしてシアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）及びイエロー（Ｙ）のフィルタを使用した液晶表示装置や、その他の色のカラーフィルタを使用した液晶表示装置に適用することもできる。
【０２１３】
更に、上述した各実施形態では、１つの画素領域を構成する３つの副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 の配列をゲートバスラインに沿って一列に配置した。しかし、副画素領域Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 は、例えばデルタ配置してもよい。
【０２１４】
更にまた、上述した各実施形態において、ＴＦＴはボトムゲート型を採用しているが、トップゲート型であってもよい。また、ＴＦＴの製造工程及びＴＦＴの構造においても、同様に、本実施例なる一例に限定されるものではなく、本発明の手段である分散配置された画素電極とカラーフィルタにより、きめ細やかな表示を得るものであり、容易に適用される構造を含むことをことは言うまでもない。
【０２１５】
以上の各実施形態において、第１、第２、第３の画素電極を分散配置し、それに対応してカラーフィルタを分散配置する構造により、従来各カラー画素（赤、緑、青）の寸法に起因した粗い表示をよりなめらかな表示とし、今後、大幅なる市場拡大が見込まれる大型ディスプレイ技術として、非常に重要なものとなる。
【０２１６】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【０２１７】
（付記１）一対の基板間に液晶を封入して形成され、ゲートバスライン及びドレインバスラインによって区画される複数の副画素領域を有する液晶表示装置において、
複数の前記副画素領域のそれぞれに形成される能動素子と、
複数の前記副画素領域のうちの第１副画素領域と第２副画素領域と第３副画素領域において、前記第１副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第２副画素領域の一部と前記第３副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第１副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第１の画素電極と、
前記第２副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第１副画素領域の一部と前記第３副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第２副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第２の画素電極と、
前記第３副画素領域内の一部に配置されるとともに前記第１副画素領域の一部と前記第２副画素領域の一部の少なくとも一方内に配置され、且つ前記第３副画素領域内の前記能動素子に電気的に接続される第３の画素電極と、
前記第１の画素電極に対応して分散配置される第１色のフィルタと、
前記第２の画素電極に対応して分散配置される第２色のフィルタと、
前記第３の画素電極に対応して分散配置される第３色のフィルタと
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【０２１８】
（付記２）複数の前記副画素領域により構成される画素領域において、前記第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極は順に２回又は３回繰り返して配置されていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０２１９】
（付記３）前記第１副画素領域内の前記第１の画素電極と、前記第２副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第１の画素電極とは、別の層に形成された第１の配線を介して互いに電気的に接続され、
前記第２副画素領域内の前記第２の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第２の画素電極とは、別の層に形成された第２の配線を介して互いに電気的に接続され、
前記第３副画素領域内の前記第３の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の少なくとも一方内の前記第３の画素電極とは、別の層に形成された第３の配線を介して電気的に接続されている
ことを特徴とする付記１又は付記２に記載の液晶表示装置。
【０２２０】
（付記４）前記第１の配線、前記第２の配線、前記第３の配線は、それぞれ前記ゲートバスラインと同層であって互いに間隔をおいて形成され、且つそれぞれ前記ゲートバスラインと同じ方向に延在していることを特徴とする付記３に記載の液晶表示装置。
【０２２１】
（付記５）前記第１の画素電極は分離されて前記第１及び第２副画素領域内のそれぞれに形成され、前記第２の画素電極は分離されて前記第２及び第３副画素領域内のそれぞれに形成され、前記第３の画素電極は分離されて前記第１及び第３副画素領域内のそれぞれに形成されていることを特徴とする付記３に記載の液晶表示装置。
【０２２２】
（付記６）前記第１副画素領域、前記第２副画素領域及び前記第３副画素領域内にはそれぞれ前記第１の画素電極、第２の画素電極及び第３の画素電極が分離されて配置されていることを特徴とする付記３に記載の液晶表示装置。
【０２２３】
（付記７）前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、前記第３の画素電極は、それぞれ長方形の平面形状を有することを特徴とする付記１乃至付記６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【０２２４】
（付記８）前記第１副画素領域内の前記第１の画素電極と、前記第２副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第１の画素電極とは、一体化された第１導電パターンであり、
前記第２副画素領域内の前記第２の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第３副画素領域の少なくとも一方内の前記第２の画素電極とは、一体化された第２導電パターンであり、
前記第３副画素領域内の前記第３の画素電極と、前記第１副画素領域及び前記第２副画素領域の少なくとも一方内の前記第３の画素電極とは、一体化された第３導電パターンである
ことを特徴とする付記１又は付記２に記載の液晶表示装置。
【０２２５】
（付記９）前記第１導電パターンは前記第１の副画素領域の一部から前記第２副画素領域の一部に至る形状を有し、前記第２導電パターンは前記第２の副画素領域の一部から前記第３副画素領域の一部に至る形状を有し、前記第３の画素電極は前記第３の副画素領域から前記第１の副画素領域の一部に至る形状を有することを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。
【０２２６】
（付記１０）前記第１導電パターン、前記第２導電パターン及び前記第３導電パターンは、それぞれ迂回しあって、第１、第２及び第３の副画素領域のそれぞれに配置されていることを特徴とする付記８に記載の液晶表示装置。
【０２２７】
（付記１１）前記第１色、第２色及び第３色のフィルタは、前記第１、第２及び第３の副画素領域のそれぞれにおいて、長方形の平面形状を有していることを特徴とする付記１乃至付記１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
【０２２８】
（付記１２）前記画素領域内で分散配置された前記第１色のフィルタは前記ゲートバスライン、前記ドレインバスラインの少なくとも一方に沿って一体化され、
前記画素領域内で分散配置された前記第２色のフィルタは前記ゲートバスライン、前記ドレインバスラインの少なくとも一方に沿って一体化され、
前記画素領域内で分散配置された前記第３色のフィルタは前記ゲートバスライン、前記ドレインバスラインの少なくとも一方に沿って一体化されている
ことを特徴とする付記１乃至付記１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
【０２２９】
（付記１３）前記第１色のフィルタ、前記第２色のフィルタ、前記第３色のフィルタは、赤、緑、青のうち互いに異なる色のフィルタであることを特徴とする付記１乃至付記１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
【０２３０】
（付記１４）前記第１副画素領域、第２副画素領域及び第３副画素領域のうち少なくとも１つの領域に、カラーフィルタと対向しない白表示用の第４の画素電極を有することを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０２３１】
（付記１５）前記一対の基板のうちの少なくとも一方に、マルチドメインを達成するドメイン規制用構造物が設けられていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０２３２】
（付記１６）前記ドメイン規制用構造物が、突起、前記電極のスリット、及び前記基板の窪みのいずれかであることを特徴とする付記１５に記載の液晶表示装置。
【０２３３】
（付記１７）前記液晶のモードが、ＩＰＳ（In-Plane Switching）、ＶＡ（Vertically Aligned）、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）及びＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence ）のいずれかであることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【０２３４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板上の画素領域を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域のバスライン、配線及びＴＦＴの配置を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の対向電極側に形成されたカラーフィルタを示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図（その１）である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図（その２）である。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図（その３）である。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の画素領域の断面図（その４）である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の回路図である。
【図９】図９は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の対向基板側に形成されるカラーフィルタを示す平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の画素領域を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の回路図である。
【図１５】図１５は、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【図１７】図１７は、本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置の画素領域を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第５実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【図１９】図１９は、本発明の第５実施形態の対向基板側に形成されるカラーフィルタ及びブラックマトリクスを示す平面図である。
【図２０】図２０は、図１８のVII-VII 線から見た液晶表示装置の断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の第５実施形態の液晶表示装置の駆動回路図である。
【図２２】図２２は、本発明の第６実施形態に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の画素領域を示す平面図である。
【図２３】図２３は、本発明の第６実施形態に係る液晶表示装置の対向基板側に形成されるカラーフィルタ及びブラックマトリクスを示す平面図である。
【図２４】図２４は、本発明の第７実施形態に係る液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。
【図２５】図２５は、本発明の第７実施形態に係る液晶表示装置の模式断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第８実施形態に係る液晶表示装置の画素領域を示す平面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第８の実施形態の対向基板側に形成されるカラーフィルタ及びブラックマトリクスを示す平面図である。
【図２８】図２８は、図２６のVIII−VIII線の位置における模式断面図である。
【図２９】図２９（ａ），（ｂ）は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の動作を示す模式図である。
【図３０】図３０は、画素電極及び対向電極を屈曲した形状にしたＩＰＳ方式の液晶表示装置を示す模式図である。
【図３１】図３１（ａ），（ｂ）はＯＣＢ方式の液晶表示装置の液晶分子の配向状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【０２３５】
１，１０１，２０１…第１の基板、
２，１０２，２０２…ゲートバスライン、
３，１０３ｇ，１７３ｇ，２０３ｇ…ゲート電極、
４，１０４，２０３…ゲート絶縁膜、
５…活性層、
６，２１２…チャネル保護絶縁膜、
７，１０７，１０７ａ，２０７…ドレインバスライン、
８ｄ，１０８ｄ，１７８ｄ，２０８ｄ…ドレイン電極、
８ｓ，１０８ｓ，１７８ｓ，２０８ｓ…ソース電極、
９…コンタクト層、
１０，１１０，１１０ａ，１８０，２１０…ＴＦＴ、
１１，１１１，２１３…保護絶縁膜、
１２ａ〜１２ｆ，３１ａ〜３１ｃ，３３ａ〜３３ｉ，３４ａ〜３４ｃ，１４１Ｒ，１４１Ｇ，１４１Ｂ，１４１Ｗ，１８１Ｒ，１８１Ｇ，１８２Ｂ，１８２Ｒ，１８３Ｇ，１８３Ｂ，２４１Ｒ，２４１Ｇ，２４２Ｂ，２４２Ｒ，２４３Ｇ，２４３Ｂ，２５２…画素電極、
１２ｓ…スリット、
１３ａ〜１３ｃ，１０３ａ〜１０３ｄ，１７５ａ〜１７５ｃ，２０４ａ〜２０４ｄ…配線、
１４，２６，１１４，１２６，２１４，２２４…配向膜、
１５，１５０…走査回路、
１６…ホールド回路、
１７ａ〜１７ｆ…液晶セル、
１８，１５１…補助容量、
１９，１１９，２１９…液晶、
２０，１２０，２２０…第２の基板、
２１，３６，１２１，１８５，２２１…ブラックマトリクス、
２２Ｒ，２３Ｒ，２４Ｒ，３２Ｒ，３７Ｒ，３８Ｒ，３９Ｒ，１２２Ｒ，１８６Ｒ，１８７Ｒ，２２２Ｒ…赤フィルタ、
２２Ｇ，２３Ｇ，２４Ｇ，３２Ｇ，３７Ｇ，３８Ｇ，３９Ｇ，１２２Ｇ，１８６Ｇ，１８８Ｇ，２２２Ｇ…緑フィルタ、
２２Ｂ，２３Ｂ，２４Ｂ，３２Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂ，３９Ｂ，１２２Ｂ，１８７Ｂ，１８８Ｂ，２２２Ｂ…青フィルタ、
２５，１２５，２４０，２７３…対向電極、
２６…突起、
３５ａ〜３５ｉ，１０９ａ〜１０９ｄ，１０４ａ〜１０４ｋ，１０４ｍ，１７６〜１７６ｆ，１７９ａ〜１７９ｃ，２０９ａ〜２０９ｃ，Ｃ，Ｃ１〜Ｃ６…コンタクトホール、
１６０…データ回路、
２０４ａ…対向電極バスライン、
Ａ1 ，Ａ2 ，Ａ3 …副画素領域、
Ｂ，Ｐ…画素領域。
【図１】
2004212963.tif 000003
【図２】
2004212963.tif 000004
【図３】
2004212963.tif 000005
【図４】
2004212963.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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