(57)【要約】　　　（修正有）【課題】広いキャビティの半導体パッケージを与えるシステムの提供。【解決手段】本システムは、指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法を包含する。指紋センサダイ３００は、センサアレイの利用可能な部分４０４が最大化されるように、外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤボンディングされるところの１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有する。本方法は、ボンディングワイヤ３０６、３０８の第１端部にボールを形成するステップと、ボールと外部回路の選択された外部コンタクトとの間で電気的な導電性接続を形成するステップと、低いループ高さを有するワイヤループを形成するように、ボンディングワイヤを選択されたダイコンタクトに伸ばすステップと、ボンディングワイヤの第２端部と選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性のステッチ接続を形成するステップより成る。【選択図】　図４
2004006689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法であって、前記指紋センサダイは、センサアレイの利用可能な部分が最大化されるように、外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤボンディングされるところの１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを含み、当該方法は：
ボンディングワイヤの第１端部にボールを形成するステップ；
前記ボールと前記外部回路の選択された外部コンタクトとの間で電気的な導電性接続を形成するステップ；
低いループ高さを有するワイヤループを形成するように、前記ボンディングワイヤを選択されたダイコンタクトに伸ばすステップ；
前記ボンディングワイヤの第２端部と前記選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性のステッチ接続を形成するステップ；及び
前記１つ又はそれ以上のダイコンタクトが、前記外部回路の前記１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤ接続されるまで、上記のステップを反復するステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法であって、前記指紋センサダイは、外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤボンディングされるところの１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを含む上部表面部を有し、当該方法は：
ボンディングワイヤの第１端部と選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性の接続部を形成するステップ；
１．５ミルに実質的に等しい量だけ前記上部表面部の上に伸びるワイヤループを形成するように、前記ボンディングワイヤを選択されたダイコンタクトに伸ばすステップ；
前記ボンディングワイヤの第２端部と前記選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性の接続部を形成するステップ；及び
前記１つ又はそれ以上のダイコンタクトが、前記外部回路の前記１つ又はそれ以上の外部コンタクトに電気的に接続されるまで、上記のステップを反復するステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【請求項３】
外部回路に接続される指紋センサダイを含む指紋センサ装置であって、前記指紋センサダイが、１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを有し、前記外部回路が１つ又はそれ以上の外部コンタクトを含み、当該指紋センサ装置が：
前記ダイコンタクト及び前記外部コンタクトの間に接続された１つ又はそれ以上のボンディングワイヤであって、前記ボンディングワイヤが、実質的に１乃至２ミルの範疇の量だけ前記センサダイの上部表面上に伸びる低い高さを有するワイヤループを形成するところの１つ又はそれ以上のボンディングワイヤ；及び
前記センサアレイのアクセスできない部分を最小化する、前記ボンディングワイヤを被覆し、センサアレイの少なくとも一部周囲のキャビティを形成する封止材料；
を有することを特徴とする指紋センサ装置。
【請求項４】
指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法であって、前記指紋センサダイが、指紋センサアレイの利用可能な部分が最大化するように、前記外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤ接続される１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを含み、当該方法が：
前記指紋センサの表面にダイコンタクトを有する指紋センサダイを、前記外部回路の表面に外部コンタクトを有する外部回路に位置付け、前記指紋センサダイの表面が、前記外部回路の表面よりも高い場所に位置付けられるようにするステップ；
ボンディングワイヤと外部回路の選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性の接続部を形成するステップ；
前記外部回路の外部コンタクトの表面から遠ざかるように、前記外部回路の選択された外部コンタクトからボンディングワイヤを伸ばすステップ；
前記指紋センサダイ表面の選択されたダイコンタクトに向けて前記ボンディングワイヤを伸ばすことで、ボンディングワイヤの低いループ高さのワイヤループを形成するステップ；及び
ボンディングワイヤの第２端部及び前記選択されたダイコンタクトの間に電気的に導電性のステッチ接続部を形成するステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【請求項５】
指紋センサ装置であって：
指紋センサダイの表面にダイコンタクトを有する指紋センサダイ；
外部回路の表面に外部コンタクトを有する外部回路であって、前記外部回路の表面が、前記指紋センサダイの表面よりも低い場所に位置付けられるところの外部回路；及び
前記ダイコンタクト及び外部コンタクトの間に接続された１つ又はそれ以上のボンディングワイヤ；
より成り、前記ボンディングワイヤの一端が、前記ボンディングワイヤの一端に形成されたボールを通じて前記外部回路の選択された外部コンタクトに接続され、前記ボンディングワイヤの他端が選択されたダイコンタクトに接続されることを特徴とする指紋センサ装置。
【請求項６】
指紋センサ装置であって：
指紋センサダイの表面にダイコンタクトを有する指紋センサダイ；
外部回路の表面に外部コンタクトを有する外部回路であって、前記外部回路の表面が、前記指紋センサダイの表面よりも低い場所に位置付けられるところの外部回路；及び
前記ダイコンタクト及び外部コンタクトの間に接続された１つ又はそれ以上のボンディングワイヤ；
より成り、前記ボンディングワイヤが、前記外部回路の選択された外部コンタクトから前記外部回路の表面に垂直な方向に伸び、該垂直に伸びるボンディングワイヤからのループが、前記指紋センサダイの選択されたダイコンタクトに向かうことを特徴とする指紋センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体装置に関連し、特に指紋センサダイと外部回路とを有する装置、及び指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法に関連する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置はディジタルシステムに対する入力装置として益々利用されつつある。例えば、身元確認及びセキュリティの用途において、半導体装置はユーザ身元情報を与えるために使用される。そのような装置の１つに半導体指紋センサ（ｆｉｎｇｅｒｐｒｉｎｔ　ｓｅｎｓｏｒ）がある。
【０００３】
図１は、一般的な半導体指紋センサ１００の一部を示す。概して、そのようなセンサは集積回路（ＩＣ）として与えられる。センサ１００は、接着剤又はエポキシボンド１０６を介して基板１０４に取り付けられたダイ（又はウエハ）１０２を含む。ダイ１０２のセンサ面１０８は、１１０に詳細に示されるような導電性グリッドを有し、これは、センサ面が触られた場合に、その人の指の特徴を検出するための容量回路を形成するために使用される。グリッドは、ダイの表面にて複数のダイコンタクト部材に接続される。
【０００４】
ワイヤボンディングとして知られている技術は、ダイコンタクト部材を、基板材料に位置付けられた基板コンタクト１１４に接続するために利用され、それは通常的には、金属リードフレームより成り又は基板の複数層より成る。典型的には、ワイヤボンディングは、２つのコンタクト領域の間の微小取り付け領域（金又はアルミニウム）を含む。１１６に示されるような毛管状の（ｃａｐｉｌｌａｒｙ）装置は、それらコンタクト間のワイヤを接続するために使用されるのが一般的である。ワイヤをボンディングする際に、毛管状の装置は、先ず、電子フレームオフ（ＥＦＯ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｆｒａｍｅ−Ｏｆｆ）技術を利用することで、ワイヤ１２０の端部にボール１１８を形成する。ボールが形成されると、毛管状の装置は、熱的−音響的プロセスにより、ボール１１８をダイコンタクトパッド１１２に接着する。このプロセスにおいて、そのコンタクトは加熱され、超音波力を利用してコンタクトにてボールを振動させ、ボールを平坦化し、１２２に示されるようなボール及びコンタクト間の相互金属結合（ｉｎｔｅｒ−ｍｅｔａｌｌｉｃ　ｗｅｌｄ）を形成する。
【０００５】
第１の結合が形成された後に、毛管状の装置１１６は、基板コンタクト１１４上でワイヤ１２０を延ばし、そのコンタクトとの結合を形成する。基板コンタクト１１４とワイヤを接続するために、ステッチ結合（ｓｔｉｔｃｈ　ｗｅｌｄ）が形成される。ステッチ結合は、ワイヤを基板コンタクトに接続し、同時にそのワイヤを接続し、毛管状の装置がワイヤの次の場所で新しいボールを形成静止、次のダイコンタクトに進み得るようにする。例えば、ステッチ結合は１２４に示される。
【０００６】
ワイヤ１２６は、上述のワイヤボンディングプロセスの結果物を示す。一般にワイヤはボールの結合からダイコンタクトに至るまでの垂直方向に伸び、ワイヤが基板コンタクトに伸ばされる際にワイヤループが形成される。ワイヤループは、１２８に示されるように、ダイの表面上にある高さを有する。標準的なワイヤボンディングプロセスでは、このループ高さは、１インチの６０００ないし１００００分の１の範疇の間の高さである。以下に説明するように、このループ高さは指紋センサ１００の動作に影響を及ぼす。
【０００７】
ワイヤボンディングが完了し、総てのボンディングワイヤが導入されると、装置は、プラスチックのような材料がボンディングされたワイヤを完全に被覆するところの封止プロセスによって保護される。例えば、成形（ｍｏｌｄｉｎｇ）プロセスは、材料が装置の周辺で成形される場合に行われる。使用され得る他のプロセスは、しずく滴下（ｇｌｏｂ−ｔｏｐ　ｄｉｓｐｅｎｓｅ）であり、材料が装置の最上面に滴下され、装置の横側及び底部に回り込むようにするものである。
【０００８】
図２は、封止プロセスが完了した後の指紋センサ１００を示し、ボンディングワイヤが封止材２０２によって完全に保護されるようにしている。しかしながら、動作時における指紋センサに対しては、人の指がセンサ表面に接触することを可能にするために、センサ表面１０８は封止材料中のキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）によって露出させられる。
【０００９】
ボンディングワイヤを被覆し、センサ表面１０８へのアクセスを与えるために、封止材料中のキャビティは、ボンディングワイヤのループ高さと少なくとも同程度に高いキャビティ壁２０６を有する。キャビティ壁は、２０８に示されるようなペデスタル（ｐｅｄｅｓｔａｌ）高さを有するペデスタルと言及されるものを形成する。不都合なことに、ペデスタル高さに起因して、センサ表面１０８の一部が、人の指では届かなくなってしまう。例えば、２１０及び２１２に示されるようなセンサ表面領域は、人の指ではアクセスすることが困難である。なぜなら、センサ表面とキャビティ壁によって形成される隅（ｃｏｒｎｅｒ）に指を押し込むことは困難だからである。
【００１０】
典型的には指紋センサは、最大数のグリッドポイントが触られた場合に最良の動作を行う。しかしながら、ペデスタル高さに起因して、センサグリッドの一部は到達不可能であり、このためセンサの性能が劣化する。従来の指紋センサに付随する他の問題は、パッケージサイズである。典型的な指紋センサはセンサ表面の一方の側にダイコンタクトを有する。このため、携帯用途に使用するのに不適切な非常に大きなパッケージになり得る。
【００１１】
上記の問題を克服する１つの手法は、センサ表面の到達不可能な部分をも占める大きなキャビティを設けることである。しかしながら、ダイの幾何学的形状に起因して、ダイの部分を露出させることなしに大きなキャビティを設けることは困難である。仮に、たとえ大きなキャビティが可能になったとしても、封止の高さ全体は望まれないものになる。なぜなら、指紋センサの典型的な用途は、例えばセルラ電話のような、可能な限り小さなサイズであることを必要とする携帯用装置を含む。例えば、ある従来の指紋センサは、約２２×１２×．４ミリメートルの大きさを有し、これは、携帯用途で使用するには不適切な比較的大きなパッケージである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従って、様々な携帯用途に使用され得る可能な限り小さなサイズを与えつつ、指紋センサ表面への最大のアクセス性を与える手法が必要とされている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、本装置を様々な携帯用途に使用され得るようにする可能な最小サイズを与えつつ、指紋センサダイを外部回路に接続し、指紋センサに対する最大のアクセス性を与えるワイヤボンディングシステムを含む。本装置は、封止のペデスタル高さが減少するように、ボンディングワイヤにより形成されるワイヤループの高さを減少させる。ペデスタル高さが低減すると、センサ表面への多大なアクセス性が与えられる。センサ表面への多大なアクセス性を与えることで、より多くのセンサグリッドポイントを使用してセンサ読み出し情報を形成し、より正確なセンサ動作となる。本システムは、静的な指紋センサ及び掃引式の（ｓｗｅｅｐ）指紋センサに等しく適用することが可能である。更に、封止高さを低減させることで、装置パッケージ全体のサイズが小さくなる。このことは、コスト削減になるばかりでなく、様々な小型携帯装置に本装置を集積することを可能にする。
【００１４】
本発明の一態様では、指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法が提供される。指紋センサダイは、センサアレイの利用可能な部分が最大化されるように、外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤボンディングされるところの１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを含む。本方法は、ボンディングワイヤの第１端部にボールを形成するステップ，前記ボールと前記外部回路の選択された外部コンタクトとの間で電気的な導電性接続を形成するステップ，低いループ高さを有するワイヤループを形成するように、前記ボンディングワイヤを選択されたダイコンタクトに伸ばすステップ，前記ボンディングワイヤの第２端部と前記選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性のステッチ接続を形成するステップ，及び前記１つ又はそれ以上のダイコンタクトが、前記外部回路の前記１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤ接続されるまで、上記のステップを反復するステップより成る方法である。
【００１５】
本発明の他の実施例では、携帯式の指紋センサ装置が与えられる。本装置は指紋センサダイを含み、この指紋センサダイは、外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤ接続される１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを包含し、センサアレイの利用可能な部分が最大化される。本装置は、ダイコンタクト及び外部コンタクトの間に接続されたボンディングワイヤより成り、そのボンディングワイヤはセンサアレイ表面上に非常に低いループ高さを有するワイヤループを形成する。本装置は、人がセンサアレイに触れることを可能にするために、センサアレイ周囲にキャビティを形成するところの封止材料で封止される。ループの高さが低いので、キャビティは低いペデスタル高さを形成し、アクセスすることの可能なセンサアレイの面積を最大化させる。１つ又はそれ以上の変形例では、キャビティは、階段状に、傾斜状の、及び／又は面取りされた（ｃｈａｍｆｅｒｅｄ）キャビティ壁を包含し、センサ表面へのアクセス性を更に向上させる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の更なる態様及び付随する効果は、添付図面に関連して行われる以下の詳細な説明により一層明瞭になるであろう。
【００１７】
本発明は、可能な最小サイズを与えつつ指紋センサ表面への最大のアクセス性を提供する、指紋センサダイに対するワイヤ接続を行うシステムを包含する。本システムは、ワイヤボンディングにより形成されるワイヤループ高さを減少させ、封止材料のペデスタル高さを削減する。以下、本発明に包含される様々なシステム例が詳細に説明される。
【００１８】
［実施例］
図３は、本発明によるダイコンタクト３０２及び基板コンタクト３０４間のワイヤ接続を有する指紋センサダイ３００の一例を示す。本発明により、接続ワイヤ３０６，３０８は、非常に低いループ高さ３１０を有することが図示されている。
【００１９】
図３に示されるようなワイヤ接続を形成するために、毛管状装置３１２は、接続ワイヤ３１４の端部にボールを形成し、このボールは基板コンタクト３０４の一方に溶接される。ワイヤ３１４はその後にダイコンタクトに向かって延ばされ、接続ワイヤをダイコンタクトに溶接するようにステッチ溶接が形成される。溶接プロセスは既存の手法で行われるが、その結果は顕著に異なる。なぜなら、接続されたワイヤのループ高さ３１０は、従来の接続ワイヤと比較して、非常に減少するからである。それが可能であるのは、ボール接続部から垂直に伸びる接続ワイヤの部分がセンサ表面３１６下部にあり、そのため、非常に低いループ高さを有するループを形成しながらワイヤがダイコンタクト３０２に伸びることを可能にする。これを利用して、従来の接続技術で形成されるループ高さよりも非常に低い、１−２ミル（ｍｉｌ）のループ高さを達成することが可能になる。
【００２０】
図４は図３の指紋センサダイ３００の封止結果を示す。封止材料４０２は、接続されたワイヤを被覆し、指紋センサがユーザによりアクセスされることを可能にするキャビティ４０４を与える。キャビティ４０４は、接続ワイヤの低いループ高さに起因して、非常に低いペデスタル高さ４０６を有する封止材料のペデスタルで形成される。その低いペデスタル高さに起因して、センサ３１６の非常に小さな領域４０８，４１０が到達不可能になるに過ぎない。
【００２１】
［センサ表面の取り戻し（ｒｅｃｏｖｅｒｙ）］
本発明に包含される１つ又はそれ以上の実施例は、従来のシステムを越えて、センサ表面部分へのアクセス性を増進させるよう機能する。例えば、失われるセンサ領域及び対応するセンサグリッドポイントの量は、所与のセンサ形式、センサ密度及びペデスタル高さに対して計算され得る。
【００２２】
図５Ａ−Ｃは、封止部の高さが、どのようにして掃引式指紋センサのセンサ領域の損失に影響するかを示す。図５Ａは、センサ表面５０４を有する掃引式センサダイ５０２、及びダイ５０２に接続される接続ワイヤを被覆する封止部５０６の一部を示す。ユーザの指５０８は、センサ表面５０４を横切って掃引するように示されている。封止部５０６の高さに起因して、５１２で示されるセンサ表面の一部は、ユーザの指で触れることができない。従って、この部分５１２は、センサの出力に対してユーザの指に関する情報を与えず、センサの特性劣化になる。
【００２３】
図５Ｂ及び５Ｃは、高さを変化させた封止部５０６を有する掃引式センサダイ５０２、及びアクセス可能なセンサ表面領域に対する影響を示す。図５Ｂは、高さ５１０より低い高さ５１４を有する封止部５０６を示す。図５Ｃは、高さ５１６より低い高さ５１８を有する封止部５０６を示す。失われるセンサ領域５２０は、５１６に示される損失領域より小さい。従って、封止部の高さが低ければ、より多くのセンサ表面領域がユーザにとってアクセス可能になる。より低い封止部の高さは、本発明による接続ワイヤが取り付けられることで、達成される。
【００２４】
図６は、本発明の一実施例により構築された掃引式指紋センサ６００の一部を示す。ユーザが、選択された方向にセンサ表面を横切って指を掃引する場合に、掃引式指紋センサは読み取り値を取得する。掃引式指紋センサは、センサアレイの一端から、センサアレイの側部に平行な場所まで移動させたダイコンタクト６２０を有し、ダイコンタクトが掃引方向に垂直なラインに沿って並ぶようにする。この形態は、非常に小さなセンサ装置を与えるが、非常に小さな封止高さを要し、さもなくばセンサアレイの大部分が到達不可能になる。本発明によるワイヤ接続は、そのような形態を実現化する。
【００２５】
センサ６００は、センサ表面６０４を有するダイ６０２を有する。センサ表面６０４は、センサアレイの行及び列を形成するグリッドポイント又はセンサピクセル６０６を含む。この特定のセンサに関し、ピッチサイズとして言及されるセンサピクセル間の距離は、約５０ミクロンであることが想定される。また、センサ６００は、キャビティ壁６１０を有する、封止プロセスの間に形成されるペデスタル部分６０８を含む。このペデスタルは、図示されているように、センサ表面６０４上に高さＨを有する。
【００２６】
動作時にあっては、ユーザは、矢線６１２で示される方向に、センサ表面６０４を指が横切るように掃引する。ペデスタルの高さに起因して、キャビティ壁６１０から所定の距離（Ｐｘ）内にあるセンサ表面の部分は、ユーザの指が届かない。この触られない部分は６１４で示され、その領域内のピクセルは、指の掃引の間のセンサ読み出しに何らの情報も与えない。
【００２７】
掃引式指紋センサ６００に関し、ペデスタル高さ（Ｈ）に起因する損失センサ距離（Ｐｘ）は、次式で表現される：
Ｐｘ＝ＨｘＳｗＬＦ
ここで、ＳｗＬＦは、掃引指紋センサに関する掃引損失因子であり、約３．２の値を有する。従来のワイヤボンディングが行われ、３００ｕｍ（約１１．８ミル）のペデスタル高さを有する掃引センサに関し、損失センサ距離は約９６０ｕｍである。５０ミクロンのセンサピッチでは、この損失センサ距離は、近似的にセンサピクセルの１９行分の損失に相当する。しかしながら、本発明によるワイヤボンディングを行った掃引センサでは、３８ｕｍ（約１．５ミル）を達成することが可能であり、これは１２１ｕｍの損失センサ距離となる。従って、５０ミクロンのセンサピッチに関し、センサピクセルの約３行分が失われるにすぎない。本発明によるワイヤボンディングが、掃引方向に垂直なダイコンタクト形態をどのように支援するかが説明される。
【００２８】
図７は、静的な指紋センサ７００の一部を示す。センサ７００は、センサ表面７０４を有するダイ７０２を含む。センサ表面７０４は、センサアレイの行及び列を形成するグリッドポイント又はセンサピクセルを含む。この特定のセンサに関し、ピッチサイズは約５０ミクロンであることが想定される。また、センサ７００は、封止プロセス中に形成されるペデスタル部分７０８，７１０を有する。ペデスタル部分７０８は、キャビティ壁７１２を有し、部分７１０は図７では見えないキャビティ壁を有する。ペデスタル部分の両者は、図示されているようにセンサ表面７０４上に高さ（Ｈ）を有する。
【００２９】
動作時にあっては、ユーザはセンサ表面７０４に指を置く。ペデスタル部分の高さ（Ｈ）に起因して、ペデスタル壁から所定の距離内のセンサ表面の２つの部分には、ユーザの指が届かない。これらの部分は７１４，７１６にて示される距離を有する。これらの領域内のセンサピクセルは、センサ読み出しに何らの情報も与えない。
【００３０】
２つのペデスタルを有する静的なセンサ７００に関し、損失センサ距離Ｐｘは、次式で表現される：
Ｐｘ＝２ｘ（ＨｘＳＬＦ）
ここで、ＳＬＦは静的なセンサの損失因子であり、約１．８の値を有する。したがって、３００ｕｍ（約１１．８ミル）のペデスタル高さを有する静的なセンサに関し、損失センサ距離は約１０８０ｕｍである。５０ミクロンのセンサピッチに関し、この損失センサ距離は、センサピクセルの約２２行分に相当する。しかしながら、本発明によるワイヤ接続の行われた指紋センサでは、３８ｕｍ（約１．５ミル）のペデスタル高さを達成することが可能であり、これは約１３７ｕｍの損失センサ距離（Ｐｘ）になる。従って、５０ミクロンのセンサピッチに関し、約３行分のセンサピクセルが失われるに過ぎない。
【００３１】
従って、本発明によりワイヤボンディングされた指紋センサは、より低い封止ペデスタルとなる低いループ高さを与える。より低いペデスタルは、ユーザの触れることの可能なセンサ表面を多くし、この手法でワイヤ接続されたセンサは、より多くのセンサアレイを利用し、従来方式で接続された指紋センサよりも高精度な読み取りをすることが可能である。より多くのセンサ表面へのアクセス性を与えることで、本発明によるワイヤボンディングは、携帯用セルラ電話機その他の携帯用移動体装置のような、小さなセンサを必要とする用途で、より小さな指紋センサを利用することを可能にする。
【００３２】
［コストセービング］
上述したように、封止高さを削減することは、より多くのセンサ領域を利用可能にする。損失センサ領域の量を削減することで、より少ない材料でより小さなセンサが製造され得る。例えば、センサ及び封止の材料が少なくて済む。大量生産される指紋センサでは、莫大なコスト節約が実現され得る。
【００３３】
［他の実施例］
以下、ペデスタル高さを更に低減させ、ひいては更に小型の指紋センサとなる本発明に包含される他の実施例を説明する。
【００３４】
図８は、本発明により構築された、階段状封止部８０４を有する静的な指紋センサダイ８０２を示す。ダイ８０２は、本発明によるダイコンタクト８０６にステッチ接続された接続ワイヤ８０８を有する。接続ワイヤは、上述したように、低いループ高さを有するワイヤループ（図示せず）を形成する。
【００３５】
センサダイ８０２は、微細部（ｍｉｎｕｔｉａｅ）として言及される微小な山及び谷のような、ユーザの指紋の特徴を検知するために使用されるセンサ表面８１０を含む。階段状の封止部８０４は、ワイヤボンディングにより形成されるワイヤループを被覆し、センサ表面８１０上の最大封止高さが規定される。上述したように、この最大封止高さは、本発明に包含されるワイヤボンディング手法によって、従来のセンサと比較して顕著に減少している。しかしながら、以下に説明するように、階段状の封止部は、より多くの封止高さを効果的に低減させ、センサ表面８１０に対するより多くのアクセス性を与えることを可能にする。
【００３６】
階段状の封止部８０４は、ダイコンタクト８０６に伸びる、ボンディングワイヤの形状に概ね従う段階的なステップ構造を形成する。最後のステップ構造８１４はセンサ表面に最も接近しており、８１６で示されるセンサ表面８１０上のステップ高さが最小化されるようにする。小さなステップ高には、センサ表面への多くのアクセス性を与える効果がある。例えば、小さなステップ高さの結果として、８１８，８２０で示されるアクセスできないセンサ表面の部分は、最小化される。従って、階段状の封止部８０４を利用して、ペデスタル高さを更に低減させ、センサ表面へのユーザのアクセス性を増進することが可能である。
【００３７】
図９は、本発明により構築された傾斜した封止部９０４を有する静的な指紋センサダイ９０２を示す。ダイ９０２は、本発明によりダイコンタクト９０６にステッチ接続された接続ワイヤ９０８を有する。ボンディングワイヤは、上寿写したように低いループ高さを有するワイヤループ（図示せず）を形成する。
【００３８】
センサダイ９０２は、ユーザの指の特徴を検知するためのセンサ表面９１０を有する。傾斜した封止部９０４は、ボンディングワイヤにより形成されたワイヤループを被覆し、センサ表面９１０上の最大封止高さ９１２が規定される。上述したように、最大封止高さは、本発明に包含されるワイヤ接続手法により、従来のセンサに比較して顕著に減少する。しかしながら、以下に説明されるように、傾斜した封止部は、より多くの封止高さを効果的に低減させ、センサ表面９１０への多大なアクセス性を提供することを可能にする。
【００３９】
傾斜した封止部９０４は、ボンディングワイヤを被覆し、センサ表面への最大のアクセス性を与える得る最小の封止高さとなるように傾斜している。その結果、センサ表面の到達不可能な領域９１４，９１６は最小化される。これを達成するために、封止部９０４がボンディングワイヤ及びダイコンタクトを被覆し、且つ封止部がダイ表面９１０周辺に最大限可能なキャビティを形成するように傾斜角（ａ）が選択される。封止部に所望の保護を与え得る任意の所望の傾斜角が選択され得る。
【００４０】
上述した階段状の又は傾斜した封止手法は、静的な形式の及び掃引形式の指紋センサに等しく応用することが可能である。従って、上述した封止手法の何れかと組み合わせた本発明によるワイヤボンディングを行うことで、指紋センサは、様々な携帯用製品に簡易に利用されることの可能な全体的に非常に小さなパッケージを形成しつつ、到達不可能な領域を制限することが可能である。
【００４１】
図１０は、本発明により形成された面取りされた封止部を有する指紋センサ１０００を示す。例えば、指紋センサ１０００は、キャビティ１００４を形成する封止材料１００２を含む。キャビティ壁の端部において、封止材料は１００６に示されるように面取りされている。
【００４２】
指紋センサ１０００は、低い封止ペデスタルとなる低いループ高さを有する、本発明により接続されたボンディングワイヤ１００８を含む。この封止ペデスタルは、１０１０で示される高さを有する。しかしながら、面取り領域１００６は、実効的なペデスタル高さが１０１２に示されるように、ペデスタル高さを更に低減させるよう機能する。減少したペデスタル高さは、面取り部１００６の結果として、その面取りが行われなかった場合よりも小さい、アクセス不可能なセンサ領域１０１４，１０１６を小さくする。
【００４３】
指紋センサパッケージの全体的なサイズを更に小さくするために、付加的な面取り領域１０１８が用意される。この面取り領域は、低い高さのボンディングワイヤに関連して、利用可能なセンサアレイの量を増加させ、素子のパッケージ全体のサイズを小さくするよう機能する。
【００４４】
図１１は、本発明により構築された面取りされた封止部を有する掃引形式の指紋センサ１１００を示す。面取り部分１１０２は、１１０４に示される実効的なペデスタル高さを与え、１１０６で規定される到達不可能なセンサ領域を与える。この領域は、上述の実施例から定められるが、面取り部分１１０２は、その面取り部１１０２が使用されなかった場合よりも、小さな到達不可能領域を与える。例えば、面取り部１１０２が無ければ、１１０８に示されるペデスタル高さが、センサ表面に到達不可能な領域を決定するために使用され、それは１１０６で規定される領域より大きくなるであろう。従って、面取り部は利用可能なセンサ領域を増加させるよう機能する。
【００４５】
図１２ａ−ｄは、本発明により構築された指紋センサ例１２００の平面図、底面図、側面図及び斜視図を示す。指紋センサ１２００は、微細ピッチのボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）センサを表現する。
【００４６】
図１２ａは、センサ１２００の平面図を示し、１ミリメートル（ｍｍ）の寸法を与える。指紋センサ１２００は本発明によるワイヤボンディングを利用するので、センサ全体のサイズは従来のセンサに比較して顕著に小さい。例えば、センサ１２００の幅は約４．３ｍｍであり、約１２−１３ｍｍの幅を有する従来の指紋センサは４倍広い。
【００４７】
図１２ｂは、指紋センサ１２００の底面図を示し、センサに対する電気的なインターフェースに使用されるボールグリッドアレイを示す。図１２ｃは、センサ１２００の側面図を示し、本発明によるワイヤボンディングが、どのようにして低い封止ペデスタル高さを与えるかを示す。例えば、センサ１２００によって、．０７ｍｍの封止高さが達成されるが、これは、．４ｍｍ程度の封止高さを有する従来のセンサよりも極めて低い。最後に、図１２ｄはセンサ１２００の斜視図を示す。
【００４８】
図１３は、ミスアライメントを補償するためにダイコンタクトに設けられたボール補償部１３０２を有する指紋センサダイ１３００の一例を示す。例えば、図１３に示されるように、ダイ１３００は、エポキシ界面１３０６における変動に起因して、基板１３０４上で位置ずれをおこし得る。その結果、基板上のダイの高さが不均一になる。例えば、１３０８に示される高さは１３１０に示される高さより大きくなり得る。
【００４９】
ダイの異なる高さを補償するために、ワイヤボンディングプロセスに先立って、補償ボール１３０２が各ダイコンタクトに設けられる。例えば、毛管状装置１３１２は、ワイヤ１３１６の端部にてボール１３１４を形成し、そのボールを選択されたダイコンタクトに設ける。このプロセスは各ダイコンタクトに対して反復される。補償ボール１３０２は、その後のワイヤボンディング中に、ダイの高さ変動を補償するために使用される。
【００５０】
図１４は、本発明により取り付けられたボンディングワイヤを有する図１３の指紋センサダイ１３００を示す。ボンディングワイヤは、補償ボール１３０２を通じてダイ１３００に結合される。補償ボール１３０２は、ダイコンタクトに対するボンディングワイヤの接続にて、いくらかの変動を許容する。その結果、エポキシ境界１３０６に起因するダイ高さの変動は補償され、ボンディングワイヤ１４０２は、本発明により非常に低いループ高さ１４０４を有するワイヤループを形成する。従って、補償ボール１３０２は、本発明によるワイヤボンディングを行いつつ、ダイ不整合を補償するよう機能する。
【００５１】
図１５は、本発明により構築された集積指紋センサを有するパーソナルディジタルアシスタント（ＰＤＡ）１５０２及び携帯電話機１５０４を示す。指紋センサのサイズが小さいことに起因して、大きな従来のセンサを組み込むことは不可能であるところの、様々な小型携帯用装置にそれらを組み込むことが可能になる。
【００５２】
一実施例にあっては、指紋センサは、１５０６に示されるようなＰＤＡ１５０２の横側に組み込まれる。他の態様では、指紋センサは１５０８に示されるようなＰＤＡ１５０２の正面に組み込まれる。更なる他の態様では、指紋センサは１５１０に示されるように電話機１５０４のキーパッドに組み込まれる。このように、本発明によるワイヤボンディングによって達成される小さなパッケージサイズに起因して、指紋センサを様々な小型の携帯用装置に組み込むことが可能になる。
【００５３】
本発明は、様々な携帯用製品に装置を使用可能にする可能な最小サイズを与えつつ、指紋センサを外部回路にワイヤボンディングし、指紋センサ表面への最大のアクセス性を与えるシステムを包含する。上述した実施例は、本発明の例示であり、本発明の範囲を上述した具体的な実施例に限定することを意図しない。従って、本発明の１つ又はそれ以上の実施例が図示及び説明されてきたが、その精神及び本質的特徴から逸脱することなしに様々な変更がなされ得ることは理解されるであろう。従って、ここに説明及び開示された内容は、例示であり、特許請求の範囲に記載される発明の範囲を限定するものではない。
【００５４】
以下、本発明により教示される手段を列挙する。
【００５５】
（付記１）　指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法であって、前記指紋センサダイは、センサアレイの利用可能な部分が最大化されるように、外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤボンディングされるところの１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを含み、当該方法は：
ボンディングワイヤの第１端部にボールを形成するステップ；
前記ボールと前記外部回路の選択された外部コンタクトとの間で電気的な導電性接続を形成するステップ；
低いループ高さを有するワイヤループを形成するように、前記ボンディングワイヤを選択されたダイコンタクトに伸ばすステップ；
前記ボンディングワイヤの第２端部と前記選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性のステッチ接続を形成するステップ；及び
前記１つ又はそれ以上のダイコンタクトが、前記外部回路の前記１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤ接続されるまで、上記のステップを反復するステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【００５６】
（付記２）　前記伸ばすステップが、実質的に１ないし２ミルの範疇にある低いループ高さを有するワイヤループを形成するように、前記選択されたダイコンタクトに前記ボンディングワイヤを伸ばすステップより成ることを特徴とする付記１記載の方法。
【００５７】
（付記３）　更に、前記センサアレイの少なくとも一部の周囲にキャビティを形成する封止材料で前記ボンディングワイヤを封止するステップより成り、前記キャビティが、前記センサアレイ上に高さ（Ｈ）のキャビティ壁を有し、前記センサアレイにアクセス困難な部分が、（３．２×Ｈ）で定められる領域に実質的に等しいことを特徴とする付記２記載の方法。
【００５８】
（付記４）　更に、前記センサアレイの少なくとも一部の周囲にキャビティを形成する封止材料で前記ボンディングワイヤを封止するステップより成り、前記キャビティが、前記センサアレイ上に高さ（Ｈ）のキャビティ壁を有し、前記センサアレイにアクセス困難な部分が、（１．８×Ｈ）で定められる領域に実質的に等しいことを特徴とする付記２記載の方法。
【００５９】
（付記５）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁を前記センサアレイに垂直になるように形成するステップより成ることを特徴とする付記３記載の方法。
【００６０】
（付記６）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁が傾斜しているように形成するステップより成ることを特徴とする付記３記載の方法。
【００６１】
（付記７）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁に段差が付けられているように形成するステップより成ることを特徴とする付記３記載の方法。
【００６２】
（付記８）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁が面取りされているように形成するステップより成ることを特徴とする付記３記載の方法。
【００６３】
（付記９）　前記Ｈの値が、実質的に１乃至２ミルの範疇にあることを特徴とする付記３記載の方法。
【００６４】
（付記１０）　指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法であって、前記指紋センサダイは、外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤボンディングされるところの１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを含む上部表面部を有し、当該方法は：
ボンディングワイヤの第１端部と選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性の接続部を形成するステップ；
１．５ミルに実質的に等しい量だけ前記上部表面部の上に伸びるワイヤループを形成するように、前記ボンディングワイヤを選択されたダイコンタクトに伸ばすステップ；
前記ボンディングワイヤの第２端部と前記選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性の接続部を形成するステップ；及び
前記１つ又はそれ以上のダイコンタクトが、前記外部回路の前記１つ又はそれ以上の外部コンタクトに電気的に接続されるまで、上記のステップを反復するステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【００６５】
（付記１１）　前記指紋センサが静的形式の指紋センサであり、当該方法が、更に、前記センサアレイの少なくとも２つの縁部の周囲にキャビティを形成する封止材料で前記ボンディングワイヤを封止するステップより成り、前記キャビティが、前記センサアレイ上に高さ（Ｈ）のキャビティ壁を有し、前記センサアレイにアクセス困難な部分が、（１．８×Ｈ）で定められる領域に実質的に等しいことを特徴とする付記１０記載の方法。
【００６６】
（付記１２）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁を前記センサアレイに垂直になるように形成するステップより成ることを特徴とする付記１１記載の方法。
【００６７】
（付記１３）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁が傾斜しているように形成するステップより成ることを特徴とする付記１１記載の方法。
【００６８】
（付記１４）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁に段差が付けられているように形成するステップより成ることを特徴とする付記１１記載の方法。
【００６９】
（付記１５）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁が面取りされているように形成するステップより成ることを特徴とする付記１１記載の方法。
【００７０】
（付記１６）　前記Ｈの値が、実質的に１乃至２ミルの範疇にあることを特徴とする付記１１記載の方法。
【００７１】
（付記１７）　前記指紋センサが掃引形式の指紋センサであり、当該方法が、更に、前記センサアレイの少なくとも一部の周囲にキャビティを形成する封止材料で前記ボンディングワイヤを封止するステップより成り、前記キャビティが、前記センサアレイ上に高さ（Ｈ）のキャビティ壁を有し、前記センサアレイにアクセス困難な部分が、（３．２×Ｈ）で定められる領域に実質的に等しいことを特徴とする付記１０記載の方法。
【００７２】
（付記１８）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁を前記センサアレイに垂直になるように形成するステップより成ることを特徴とする付記１７記載の方法。
【００７３】
（付記１９）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁が傾斜しているように形成するステップより成ることを特徴とする付記１７記載の方法。
【００７４】
（付記２０）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁に段差が付けられているように形成するステップより成ることを特徴とする付記１７記載の方法。
【００７５】
（付記２１）　前記封止するステップが、前記キャビティ壁が面取りされているように形成するステップより成ることを特徴とする付記１７記載の方法。
【００７６】
（付記２２）　前記Ｈの値が、実質的に１乃至２ミルの範疇にあることを特徴とする付記１７記載の方法。
【００７７】
（付記２３）　外部回路に接続される指紋センサダイを含む指紋センサ装置であって、前記指紋センサダイが、１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを有し、前記外部回路が１つ又はそれ以上の外部コンタクトを含み、当該指紋センサ装置が：
前記ダイコンタクト及び前記外部コンタクトの間に接続された１つ又はそれ以上のボンディングワイヤであって、前記ボンディングワイヤが、実質的に１乃至２ミルの範疇の量だけ前記センサダイの上部表面上に伸びる低い高さを有するワイヤループを形成するところの１つ又はそれ以上のボンディングワイヤ；及び
前記センサアレイのアクセスできない部分を最小化する、前記ボンディングワイヤを被覆し、センサアレイの少なくとも一部周囲のキャビティを形成する封止材料；
を有することを特徴とする指紋センサ装置。
【００７８】
（付記２４）　前記指紋センサが掃引形式の指紋センサであり、前記キャビティが、前記センサアレイ上に高さ（Ｈ）のキャビティ壁を有し、前記センサアレイにアクセス困難な部分が、（３．２×Ｈ）で定められる領域に実質的に等しいことを特徴とする付記２３記載の指紋センサ装置。
【００７９】
（付記２５）　前記指紋センサが静的形式の指紋センサであり、前記キャビティが、前記センサアレイ上に高さ（Ｈ）のキャビティ壁を有し、前記センサアレイにアクセス困難な部分が、（１．８×Ｈ）で定められる領域に実質的に等しいことを特徴とする付記２３記載の指紋センサ装置。
【００８０】
（付記２６）　前記封止材料が、前記センサアレイに垂直になるようなキャビティ壁を形成することを特徴とする付記２４記載の指紋センサ装置。
【００８１】
（付記２７）　前記封止材料が、傾斜した前記キャビティ壁を形成することを特徴とする付記２４記載の指紋センサ装置。
【００８２】
（付記２８）　前記封止材料が、段差の付されたキャビティ壁を形成することを特徴とする付記２４記載の指紋センサ装置。
【００８３】
（付記２９）　前記封止材料が、面取りされたキャビティ壁を形成することを特徴とする付記２４記載の指紋センサ装置。
【００８４】
（付記３０）　前記Ｈの値が、実質的に１乃至２ミルの範疇にあることを特徴とする付記２４記載の指紋センサ装置。
【００８５】
（付記３１）　指紋センサダイを外部回路にワイヤボンディングする方法であって、前記指紋センサダイが、指紋センサアレイの利用可能な部分が最大化するように、前記外部回路の１つ又はそれ以上の外部コンタクトにワイヤ接続される１つ又はそれ以上のダイコンタクトを有するセンサアレイを含み、当該方法が：
前記指紋センサの表面にダイコンタクトを有する指紋センサダイを、前記外部回路の表面に外部コンタクトを有する外部回路に位置付け、前記指紋センサダイの表面が、前記外部回路の表面よりも高い場所に位置付けられるようにするステップ；
ボンディングワイヤと外部回路の選択された外部コンタクトとの間に電気的に導電性の接続部を形成するステップ；
前記外部回路の外部コンタクトの表面から遠ざかるように、前記外部回路の選択された外部コンタクトからボンディングワイヤを伸ばすステップ；
前記指紋センサダイ表面の選択されたダイコンタクトに向けて前記ボンディングワイヤを伸ばすことで、ボンディングワイヤの低いループ高さのワイヤループを形成するステップ；及び
ボンディングワイヤの第２端部及び前記選択されたダイコンタクトの間に電気的に導電性のステッチ接続部を形成するステップ；
より成ることを特徴とする方法。
【００８６】
（付記３２）　指紋センサ装置であって：
指紋センサダイの表面にダイコンタクトを有する指紋センサダイ；
外部回路の表面に外部コンタクトを有する外部回路であって、前記外部回路の表面が、前記指紋センサダイの表面よりも低い場所に位置付けられるところの外部回路；及び
前記ダイコンタクト及び外部コンタクトの間に接続された１つ又はそれ以上のボンディングワイヤ；
より成り、前記ボンディングワイヤの一端が、前記ボンディングワイヤの一端に形成されたボールを通じて前記外部回路の選択された外部コンタクトに接続され、前記ボンディングワイヤの他端が選択されたダイコンタクトに接続されることを特徴とする指紋センサ装置。
【００８７】
（付記３３）　前記ボンディングワイヤの他端が、選択されたダイコンタクト各自に位置付けられたボールを通じて選択されたダイコンタクトに接続されることと特徴とする付記３２記載の指紋センサ装置。
【００８８】
（付記３４）　指紋センサ装置であって：
指紋センサダイの表面にダイコンタクトを有する指紋センサダイ；
外部回路の表面に外部コンタクトを有する外部回路であって、前記外部回路の表面が、前記指紋センサダイの表面よりも低い場所に位置付けられるところの外部回路；及び
前記ダイコンタクト及び外部コンタクトの間に接続された１つ又はそれ以上のボンディングワイヤ；
より成り、前記ボンディングワイヤが、前記外部回路の選択された外部コンタクトから前記外部回路の表面に垂直な方向に伸び、該垂直に伸びるボンディングワイヤからのループが、前記指紋センサダイの選択されたダイコンタクトに向かうことを特徴とする指紋センサ装置。
【００８９】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、指紋センサダイへの典型的な電気接続を示す。
【図２】図２は、指紋センサダイに関して典型的な封止された利用形態を示す。
【図３】図３は、本発明によりワイヤ接続された指紋センサダイの一実施例を示す。
【図４】図４は、図３の指紋センサの封止結果を示す。
【図５】図５Ａ−Ｃは、封止部がどのようにしてセンサ領域の損失に影響するかを示す。
【図６】図６は、封止ペデスタルの高さに起因するセンサ領域損失を示す掃引指紋センサを示す。
【図７】図７は、封止ペデスタルの高さに起因するセンサ領域損失を示す静的な指紋センサを示す。
【図８】図８は、本発明により構成された階段状の封止部を示す。
【図９】図９は、本発明により構成された傾斜した封止部を示す。
【図１０】図１０は、本発明により構成された面取りされた封止部を有する指紋センサを示す。
【図１１】図１１は、本発明により構成された面取りされた封止部を有する掃引式指紋センサを示す。
【図１２】図１２は、本発明により構成された指紋センサ例の平面図、底面図、側面図及び斜視図を示す。
【図１３】図１３は、ダイの不整合を補償するためにダイコンタクトに設けられたボール補償部を有する指紋センサダイの一例を示す。
【図１４】図１４は、本発明により取り付けられたボンディングワイヤを有する図１３の指紋センサダイを示す。
【図１５】図１５は、本発明により構成された指紋センサを有するＰＤＡ及び携帯電話機を示す。
【符号の説明】
１００　半導体指紋センサ
１０２　ダイ
１０４　基板
１０６　エポキシ接着剤
１０８　センサ表面
１１０　グリッド
１１２　ダイコンタクト
１１４　基板コンタクト
１１６　毛管状装置
１１８　ボール
１２０，１２６　ワイヤ
１２８　ループ高さ
２０２　封止材料
２０６　キャビティ壁
２０８　ペデスタル高さ
２１０，２１２　アクセス不可能な領域
３０２　ダイコンタクト
３０４　基板コンタクト
３０６，３０８　接続ワイヤ
３１０　ループ高さ
３１２　毛管状装置
３１４　ワイヤ
３１６　センサ表面
４０２　封止材料
４０４　キャビティ
４０６　ペデスタル高さ
４０８，４１０　到達不可能な領域
５０２　ダイ
５０４　センサ表面
５０６　封止部
５０８　指
５１０，５１４，５１８　封止部の高さ
５１２，５１６，５２０　到達不可能な領域
６００　センサ
６０２　ダイ
６０４　センサ表面
６０６　センサピクセル
６０８　ペデスタル
６１０　キャビティ壁
６１４　触れられない領域
６２０　ダイコンタクト
７００　指紋センサ
７０２　ダイ
７０４　センサ表面
７０８，７１０　ペデスタル部分
７１２　キャビティ壁
７１４，７１６　到達不可能な領域
８０２　ダイ
８０４　階段状封止部
８０６　ダイコンタクト
８０８　接続ワイヤ
８１０　センサ表面
８１４　ステップ
８１６　ステップ高さ
８１８，８２０　アクセスできない部分
９０２　指紋センサダイ
９０４　封止部
９０６　ダイコンタクト
９０８　接続ワイヤ
９１０　センサ表面
９１２　最大封止高さ
９１４，９１６　到達不可能な領域
１０００　指紋センサ
１００２　封止部
１００４　キャビティ
１００６　面取り部
１００８　接続ワイヤ
１０１０　封止部の高さ
１０１２　実効的な封止部の高さ
１０１４，１０１６　到達不可能な領域
１０１８　面取り部
１１００　指紋センサ
１１０２　面取り部
１１０４　実効的なペデスタル高さ
１１０６　到達不可能な領域
１１０８　ペデスタル高さ
１２００　指紋センサ
１３００　指紋センサダイ
１３０２　ボール補償部
１３０４　基板
１３０６　エポキシ界面
１３０８，１３１０　高さ
１３１２　毛管状装置
１３１４　ボール
１３１６　ワイヤ
１４０２　接続ワイヤ
１４０４　ループ高さ
１５０２　ＰＤＡ
１５０４　携帯電話機
【図１】
2004006689.tif 000003
【図２】
2004006689.tif 000004
【図３】
2004006689.tif 000005
【図４】
2004006689.tif 000006
【図５】
2004006689.tif 000007
【図６】
2004006689.tif 000008
【図７】
2004006689.tif 000009
【図８】
2004006689.tif 000010
【図９】
2004006689.tif 000011
【図１０】
2004006689.tif 000012
【図１１】
2004006689.tif 000013
【図１２】
2004006689.tif 000014
【図１３】
2004006689.tif 000015
【図１４】
2004006689.tif 000016
【図１５】
2004006689.tif 000017