(57)【要約】【課題】半透明反射層の耐食性、密着性が改善され、さらに熱伝導率が高いことから記録特性の優れた信頼性の高い多層相変化型情報記録媒体、およびそれを用いた情報の記録再生方法の提供。【解決手段】光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層が複数設けられた光情報記録媒体において、光が入射される側からみてもっとも奥側の情報層〔第Ｎ情報層（Ｎ：２以上の整数）〕以外の情報層が反射層を有する場合において、該反射層はＡｇを主体とし、かつ、酸化物が含有されていることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層が複数設けられた光情報記録媒体において、光が入射される側からみてもっとも奥側の情報層〔第Ｎ情報層（Ｎ：２以上の整数）〕以外の反射層を有する情報層が、該情報層の反射層はＡｇを主体とし、かつ、酸化物が含有されていることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【請求項２】
上記第Ｎ情報層以外の反射層を有する少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順からなる構成であることを特徴とする請求項１に記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項３】
上記の反射層の酸化物が、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＣｄＯ、ＴｉＯ２、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ２、およびＺｎ２ＳｎＯ４よりなる群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項４】
上記の反射層は、酸化物の含量が０．１〜１０ｗｔ．％の範囲であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項５】
上記の反射層の厚さが、３〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項６】
上記反射層を有する情報層の記録層が、ＳｂとＴｅを主体とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐのうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項７】
上記反射層を有する情報層の記録層の厚さが、３〜１５ｎｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項８】
上記反射層を有する情報層の熱拡散層が、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物のいずれか少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項９】
上記の熱拡散層の厚さが、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項２〜８に記載の多層相変化型情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体において、第１基板と第２基板の間に中間層を介して２つの情報層（第１情報層と第２情報層）が設けられ、かつ第１情報層は第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層を含み、第２情報層は、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層を含み、記録・再生のための光が入射される側から、第１基板、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層、中間層、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層、第２基板の順で配置されていることを特徴とする情報の記録・再生が可能な２層相変化型情報記録媒体。
【請求項１１】
上記の第１情報層の光透過率が、波長３５０〜７００ｎｍの光に対して４０〜７０％であることを特徴とする請求項１０記載の２層相変化型情報記録媒体。
【請求項１２】
上記の第１基板と上記の第１下部保護層との間に透明層を設けることを特徴とする請求項１０または１１に記載の２層相変化型情報記録媒体。
【請求項１３】
上記の第１基板の厚さが、１０〜６００μｍであることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の２層相変化型情報記録媒体。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザーなどの光により情報の記録あるいは再生などを行なうのに用いられる多層相変化型情報記録媒体とその記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特許第２７０２９０５号公報
【特許文献２】
特開２０００−２１５５１６号公報
【特許文献３】
特開２０００−２２２７７７号公報
【特許文献４】
特開２００１−２４３６５５号公報
【特許文献５】
特開２００２−１４０８３８号公報
【特許文献６】
特開２０００−３３９７６５号公報
【非特許文献１】
ＯＤＳ２００１  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ  Ｐ２２
【０００３】
ＣＤ−ＲＷなどの相変化型光ディスク（相変化型情報記録媒体）は、一般的にプラスチックの基板の上に、相変化型材料からなる記録層を設け、その上に、記録層の光吸収率を向上させ、かつ熱拡散効果を有する反射層を形成したものを基本構成とするものであり、基板面側からレーザー光を入射して、情報の記録、再生を行なうものである。
相変化型材料は、レーザー光照射による加熱とその後の冷却によって、結晶状態と非晶質状態の間を相変化し、急速加熱後急冷すると非晶質となり、徐冷すると結晶化するものであり、相変化型情報記録媒体は、この性質を情報の記録と再生に応用したものである。
さらに光照射による加熱によっておこる、記録層の酸化、蒸散あるいは変形を阻止する目的で、通常、基板と記録層の間に下部保護層（下部誘電体層ともいう）、および記録層と反射層の間に上部保護層（上部誘電体層ともいう）が設けられている。さらに、これらの保護層は、その厚さを調節することによって、記録媒体の光学特性の調節機能を有するものであり、また下部保護層は、記録層への記録時の熱によって基板が軟化するのを防止する機能を併せ持つものである。
【０００４】
近年、コンピューター等で扱う情報量が増加したことによって、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷのような、光ディスクの信号記録容量が増大し、信号情報の高密度化が進んでいる。現在のＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度で、またＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、さらに高記録密度化の要求が高まることが予想される。
このような相変化型情報記録媒体を用いて高記録密度化するやり方として、例えば使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化すること、あるいは記録再生を行なうピックアップに用いられる対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、光記録媒体に照射されるレーザー光のスポットサイズを小さくすることが提案されている。
【０００５】
情報記録媒体自体を改良して記録容量を高めるやり方として、基板の片面側に少なくとも記録層と反射層からなる情報層を２つ重ねて、これら情報層間を紫外線硬化樹脂等で接着して作成される２層相変化型情報記録媒体が、例えば特許文献１〜４等に提案されている。
この情報層間の接着部分である分離層（本発明においては中間層という）は、２つの情報層を光学的に分離する機能を有するもので、記録再生に用いるレーザー光がなるべく奥側の情報層に到達する必要があるため、その光をなるべく吸収しないような材料から構成されている。
【０００６】
これらの２層相変化型情報記録媒体は、いずれも第１情報層に特徴部を有するもので、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様に、第１保護層と第２保護層が設けられたものである。
この２層相変化型情報記録媒体については、たとえば非特許文献１にもあるように、学会などでも発表されているが、未だ多くの課題が存在している。
例えば、レーザー光照射側から見て手前側にある情報層（第１情報層）をレーザー光が十分に透過しなければ、奥側にある情報層（第２情報層）の記録層に情報を記録しそれを再生できないために、第１情報層を構成する反射層は極薄な半透明反射層としなければならない。
【０００７】
相変化型情報記録媒体による記録は、記録層の相変化型材料にレーザー光を照射させて急冷することによって、結晶を非晶質に変化させてマークを形成して行なわれるため、１０ｎｍ程度の非常に薄い厚さの半透明反射層の場合、熱拡散効果が小さくなるために、非晶質マークを形成することが困難になってしまう。
特にＣＤ−ＲＷなどの相変化型情報記録媒体に一般的に用いられている材料の１つであるＳｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料と比べて、消去比が優れ、また、高感度であるために記録マークのアモルファス部の輪郭が明確であるという点で優れたものとして知られている。しかしながら、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系記録材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ化合物系記録材料に比べて材料の結晶化速度が速いので、非晶質化するには、より単時間で急冷しなければならず、すなわち急冷構造をとることが必要な材料である。
【０００８】
以上のことから、半透明反射層は透過率が高く、かつ熱伝導率が大きいことが要求され、これらを満足する材料であるＡｇが検討されている。しかし、Ａｇは耐食性が弱く、１０ｎｍ程度の薄い膜だと密着性も弱くなることから、２層ディスク用半透明反射層材料としてＡｇ合金が、例えば特許文献５などに提案されている。しかしながら、この公報はＲＯＭディスクのみの記載であり、書き換え型の相変化光ディスクで要求される熱伝導性については検討されていない。また、特許文献６には、高熱伝導率で耐食性に優れたＡｇ合金を用いた相変化型光ディスクを提案しているが、片面１層の光ディスクに関してのみであり、２層にした場合の半透明反射層として用いられる膜厚の薄い領域についての検討はされていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、半透明反射層の耐食性、密着性が改善され、さらに熱伝導率が高いことから記録特性の優れた信頼性の高い多層相変化型情報記録媒体、およびそれを用いた情報の記録再生方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、前記従来技術の問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、前記課題に合致する相変化型情報記録媒体とその製造方法を見出した。すなわち、次の（１）〜（１４）の発明によって解決される。
（１）光の入射によって、結晶状態と非晶質状態との相変化によって情報を記録しうる記録層を有する情報層が複数設けられた光情報記録媒体において、光が入射される側からみてもっとも奥側の情報層〔第Ｎ情報層（Ｎ：２以上の整数）〕以外の情報層が反射層を有する場合において、該反射層はＡｇを主体とし、かつ、酸化物が含有されていることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
（２）上記（１）の多層相変化型情報記録媒体において、第Ｎ情報層以外の反射層を有する少なくとも１層の情報層が、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層、熱拡散層の順からなる構成であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【００１１】
（３）上記（１）または（２）の多層相変化型情報記録媒体において、上記の反射層の酸化物が、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＣｄＯ、ＴｉＯ２、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ２、およびＺｎ２ＳｎＯ４よりなる群から選ばれた少なくとも一種であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
（４）上記（１）〜（３）の多層相変化型情報記録媒体において、上記の反射層の酸化物含量が、０．１〜１０ｗｔ．％の範囲であることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
（５）上記（１）〜（４）の多層相変化型情報記録媒体において、上記の反射層の厚さが、３〜２０ｎｍであることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【００１２】
（６）上記（１）〜（５）の多層相変化型情報記録媒体において、上記反射層を有する情報層の記録層が、ＳｂとＴｅを主体とし、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐのうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【００１３】
（７）上記（１）〜（６）の多層相変化型情報記録媒体において、上記反射層を有する情報層の記録層の厚さが、３〜１５ｎｍであることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【００１４】
（８）上記（２）〜（７）の多層相変化型情報記録媒体において、上記反射層を有する情報層の熱拡散層が、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物のいずれか少なくとも１種を含むことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
（９）上記（２）〜（８）の多層相変化型情報記録媒体において、上記の熱拡散層の厚さが、１０〜２００ｎｍであることを特徴とする多層相変化型情報記録媒体。
【００１５】
（１０）上記（１）〜（９）の多層相変化型情報記録媒体において、第１基板と第２基板の間に中間層を介して２つの情報層（第１情報層と第２情報層）が設けられ、かつ第１情報層は第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層を含み、第２情報層は、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層を含み、記録・再生のための光が入射される側から、第１基板、第１下部保護層、第１記録層、第１上部保護層、第１反射層、第１熱拡散層、中間層、第２下部保護層、第２記録層、第２上部保護層、第２反射層、第２基板の順で配置されていることを特徴とする情報の記録・再生が可能な２層相変化型情報記録媒体。
【００１６】
（１１）上記（１０）の多層相変化型情報記録媒体において、上記の第１情報層の光透過率が、波長３５０〜７００ｎｍの光に対して４０〜７０％であることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。
（１２）上記（１０）または（１１）の２層相変化型情報記録媒体において、上記の第１基板と上記の第１下部保護層との間に透明層を設けることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。
（１３）（１０）〜（１２）のいずれかの２層相変化型情報記録媒体において、上記の第１基板の厚さが、１０〜６００μｍであることを特徴とする２層相変化型情報記録媒体。
【００１７】
（１４）上記（１）〜（１３）のいずれかの多層相変化型情報記録媒体の各情報層に対し、第１情報層側から波長３５０〜７００ｎｍの光ビームを入射させて情報の記録・再生を行なうことを特徴とする多層相変化型情報記録媒体の記録再生方法。
【００１８】
前記（１）の多層相変化型情報記録媒体は、その下部保護層、相変化型材料からなる記録層、上部保護層および熱拡散層については、従来公知の技術が適用可能であるが、本発明の多層相変化型情報記録媒体の特徴とするところは、半透明反射層に特定な材料を用いたことによって前記課題を解決できたことである。
前記多層相変化型情報記録媒体の複数ある情報層のうち、光入射側からみて最も奥側に形成される情報層については、光を透過させる必要はなく、したがって半透明反射層である必要はないので、反射層を構成する材料は上記のようなＡｇを主成分とし、酸化物を含有する材料である必要はない。
なお、前記半透明反射層とは、記録・再生を行う波長での透過率が単膜で５０％以上のようなものをいう。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる光記録媒体について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係わる２層情報記録媒体の概略断面図である。
第１基板（３）の上に、第１情報層（１）、中間層（４）、第２情報層（２）、第２基板（５）を順次蓄積した構造からなるものである。
第１情報層（１）は、第１下部保護層（１１）、第１記録層（１２）、第１上部保護層（１３）、第１反射層（１４）、第１熱拡散層（１５）からなり、第２情報層（２）は、第２下部護層（２１）、第２記録層（２２）、第２上部保護層（２３）、第２反射層（２４）からなる。第１上部保護層（１３）と第１反射層（１４）との間および／又は第２上部保護層（２３）と第２反射層（２４）との間にバリア層（１６）（２５）を設けても構わない。なお、本発明の第１情報層（１）および第２情報層（２）は、上記層構成になんら限定されるものではない。
【００２０】
図２に、本発明の他の実施形態に係わる２層情報記録媒体の概略断面図を示す。図１の２層情報記録媒体の第１基板（３）と第１下部保護層（１１）との間に透明層（６）を設けたものである。このような透明層は、第１基板（３）に厚さの薄いシート状物が用いられ、製法が図１の情報媒体とは相違するときに設けられる。
【００２１】
第１基板（３）は、記録・再生のために照射する光を十分透過するものであることが必要であり、当該技術分野において従来知られているものが適用される。
該第１基板（３）の材料としては、通常ガラス、セラミックスあるいは樹脂等が用いられるが、特に樹脂が成形性、コストの点で好適である。
樹脂としては、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂やポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのアクリル系樹脂が好ましい。
【００２２】
第１基板（３）の情報層を形成する面には、必要に応じて、レーザー光のトラッキング用のスパイラル状または同心円状の溝などであって、通常グルーブ部およびランド部と称される凹凸パターンが形成されていてもよく、これは通常射出成形法またはフォトポリマー法などによって成型される。また第１基板（３）の厚さは、１０μｍ〜６００μｍ程度が好ましい。
【００２３】
第２基板（５）の材料としては、第１基板（３）と同様の材料を用いても良いが、記録再生光に対して不透明な材料を用いても良く、第１基板（３）とは、材質、溝形状が異なっても良い。第２基板（５）の厚さは、特に限定されないが、第１基板の厚さとの合計が１．２ｍｍになるように第２基板（５）の厚さを選択することが好ましい。
【００２４】
中間層（４）、透明層（６）は、記録・再生のために照射する光の波長における光吸収が小さいことが好ましく、材料としては、樹脂が成形性、コストの点で好適であり、紫外線硬化性樹脂、遅効性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
第２基板（５）、中間層（４）には、第１基板（３）と同様な、射出成形またはフォトポリマー法などによって成形される、グルーブ、案内溝などの凹凸パターンが形成されてもよい。
【００２５】
中間層（４）は、記録再生を行なう際に、ピックアップが第１情報層と第２情報層とを識別して光学的に分離可能とするものであり、その厚さは１０〜７０μｍが好ましい。１０μｍより薄いと、層間クロストークが生じ、また７０μｍより厚いと、第２情報記録層を記録再生する際に、球面収差が発生し、記録再生が困難になる傾向がある。
【００２６】
透明層（６）の厚さは特に限定はされないが、図１のような透明層（６）を設けない製法により作製した光情報記録媒体の最適な第１基板（３）の厚さと、製法の異なる図２のような光情報記録媒体の基板（３）と透明層（６）の厚さの合計が、同程度となるように、第１基板（３）と透明層（６）との厚さを調整する必要がある。例えば、ＮＡ＝０．８５の場合であって、図１に示す光情報記録媒体の第１基板（３）の厚さが１００μｍで良好な記録・消去性能が得られたとすると、図２の光情報媒体の第１基板（３）の厚さが５０μｍならば、透明層の厚さを５０μｍとすることが好ましい。
【００２７】
第１記録層（１２）と第２記録層（２２）の材料としては、光照射による加熱と冷却によって、結晶と非晶質の間を層変化する材料から構成され、特に限定的ではなく、当該技術分野において従来知られているものが適用される。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系などのカルコゲン系合金、およびＳｂ−Ｔｅ共晶系材料薄膜を挙げることができるが、記録（非晶質化）感度・速度、及び消去比の点で、Ｓｂ−Ｔｅ共晶系材料が特に好ましい。
【００２８】
これらの記録層材料にはさらなる性能向上、信頼性向上などを目的にＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｄｙ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓ、Ｂ、Ｃ、Ｐなど他の元素や不純物を添加することができる。
これらの記録層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できるが、なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１記録層（１２）の厚さは、とくに限定されないが、３〜１５ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ以下だと、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、１５ｎｍ以上だと、透過率が低下してしまう傾向がある。第２記録層（２２）の厚さは、とくに限定されないが、３〜２０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ以下だと、均一な膜にするのが困難となる傾向があり、２０ｎｍ以上だと、記録感度が低下してしまう傾向があるので、好ましくない。
【００２９】
第１反射層（１４）は、本発明の特徴部であり、Ａｇを主体とし、酸化物が含有されている材料を用いることによって、半透明反射層としての前記の機能を有し、記録特性、信頼性を向上させることができる。
なぜこのような材料を用いると特性が向上するのかは、現在確認中であるが、酸化物を添加することによって、Ａｇの耐食性が向上し、２０ｎｍ以下の薄い場合でも、高温高湿の雰囲気においても、光学特性の変化が抑制されるからだと考えられる。また、Ａｇの結晶核成長が抑制されるために密着性が向上すると考えられる。さらに、透明誘電材料と呼ばれる酸化物を添加することによって、不純物による熱伝導の低下を最小限にすることができると考えられる。
酸化物としては、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＣｄＯ、ＴｉＯ２、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ２、Ｚｎ２ＳｎＯ４のいずれか又はその混合物であることが好ましい。特にＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３・ＳｎＯ２）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）がより好ましい。また、酸化物の含量は０．１〜１０ｗｔ．％の範囲であることが好ましい。０．１ｗｔ．％より少ないと、本発明の効果が得られなくなる。１０ｗｔ．％よりも多いと、熱伝導率が低下し、マーク形成が困難になりジッター値が上昇する。
【００３０】
第２反射層（２４）は、第１反射層（１４）のように半透明である必要はなく、当該技術分野において従来知られているものが適用される。たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａなど、またはそれらの合金などを用いることができる。また、添加元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｚｎなどが使用される。
このような反射層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００３１】
第１情報層（１）は高い透過率が必要とされるため、第１反射層（１４）は、厚さが、３〜２０ｎｍ程度であることが好ましい。３ｎｍ未満にすると、厚さが均一で緻密な膜を作ることが困難になる。２０ｎｍより厚いと、透過率が減少し、第２情報層（２）の記録再生が困難になる。
また、第２情報層（２）を構成する第２反射層（２４）は、５０〜２００ｎｍ、好適には８０〜１５０ｎｍとするのがよい。５０ｎｍ未満になると繰り返し記録特性が低下し、２００ｎｍより厚くなると感度の低下を生じる傾向があるので、好ましくない。
【００３２】
第１下部保護層（１１）と第２下部保護層（２１）および第１上部保護層（１３）と第２上部保護層（２３）の機能と材質は、単層相変化型情報記録媒体の場合と同様であり、第１記録層（１２）と第２記録層（２２）の劣化変質を防ぎ、接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するものであり、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイアモンドライクカーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。
これらの材料は、単体で保護層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。保護層の融点は記録層よりも高いことが必要である。具体的には、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物が最も好ましいと考えられている。
【００３３】
このような保護層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１下部保護層（１１）と第２下部保護層（２１）の厚さは、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。２０ｎｍ未満であると、記録時の熱によって、第１基板または中間層が変形してしまう恐れがある。２００ｎｍより厚いと、量産性に問題が生じてくる傾向がある。これらの範囲で、最適な反射率になるように、膜厚の設計を行なう。
また、第１上部保護層（１３）と第２上部保護層（２３）の膜厚は、３〜６０ｎｍであることが好ましい。３ｎｍ未満になると記録感度が低下し、６０ｎｍより厚くなると放熱効果が得られなくなる傾向がある。
本発明の多層相変化型情報記録媒体は、上部保護層と反射層との間にバリア層を設けていても構わない。
【００３４】
前述のように、保護層としては、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物が最も好ましいが、反射層にＡｇ、又はＡｇ合金を用いた場合、保護層中の硫黄が反射層のＡｇを腐食させる可能性があり、保存信頼性が低下するおそれがある。この不具合をなくすために、反射層にＡｇ系を用いた場合には、バリア層を設けるのが好ましい。バリア層は、硫黄を含まず、かつ融点は記録層よりも高い必要があり、具体的にはＳｉＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物、あるいは、それらの混合物が挙げられる。これらのバリア層は、レーザー波長での吸収率が小さいことが望まれる。
バリア層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。バリア層の膜厚は、２〜１０ｎｍであることが好ましい。２ｎｍ未満になると、Ａｇの腐食を防止する効果が得られなくなり、保存信頼性が低下する。１０ｎｍより厚くなると、放熱効果が得られなくなる傾向がある。
【００３５】
第１熱拡散層（１５）としては、レーザー照射された記録層を急冷させるために、熱伝導率が大きいことが望まれる。具体的には、３００Ｋでの熱伝導率が、０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。また、奥側の情報層がを記録再生できるよう、レーザー波長での吸収率が小さいことも望まれる。以上のことから、窒化物、酸化物、硫化物、窒酸化物、炭化物、弗化物の少なくとも１種を含むことが好ましい。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）、ＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）、ＢＮなどがあげられる。
また、情報の記録再生に用いるレーザー光の波長において、屈折率は１．６以上であることが好ましい。これより小さいと、第１情報層の透過率を大きくするのが困難になる。情報の記録・再生に用いるレーザー光の波長において、消衰係数が１．０以下であることが好ましい。さらには、０．５以下であるのがより好ましい。１．０より大きいと第１情報層での吸収率が増大し、第２情報層の記録・再生が困難になる。
【００３６】
熱拡散層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
第１熱拡散層（１５）の膜厚は、１０〜２００ｎｍが好ましい。１０ｎｍより薄いと、放熱効果が得られなくなる。２００ｎｍより厚いと、応力が大きくなり、繰り返し記録特性が低下するばかりでなく、量産性にも問題が生じる。
【００３７】
また、本発明の２層相変化型情報記録媒体の第１情報層（１）は、記録・再生に用いるレーザー光波長での光透過率は４０〜７０％であるのが好ましい。さらには４５％〜６０％以下であるのが好ましい。
初期化後に、記録を行なった２層相変化型情報記録媒体では、記録層がアモルファス状態である面積が結晶状態である面積よりも小さいので、アモルファスでの光透過率は結晶状態での光透過率よりも小さくても構わない。
【００３８】
以下、本発明の相変化型情報記録媒体の製造方法について説明する。
本発明の２層相変化型情報記録媒体の製造方法のひとつは、成膜工程、初期化工程、密着工程からなり、基本的にはこの順に各工程を行なう。図３に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、第１基板（３）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
成膜工程としては、第１基板（３）のグルーブが設けられた面に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）のグルーブが設けられた面に第２情報層（２）を形成したものを別途作成する。
第１情報層（１）、第２情報層（２）のそれぞれを構成する各層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成される。
中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。スパッタリング法は、一般にアルゴンなどの不活性ガスを流しながら成膜を行なうが、その際、酸素、窒素などを混入させながら、反応スパッタリングさせてもよい。
【００３９】
初期化工程として、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、すなわち記録層を結晶化させる。
初期化工程の際にレーザー光エネルギーにより膜が浮いてきてしまうおそれがある場合には、初期化工程の前に、第１情報層および第２情報層の上に、ＵＶ樹脂などをスピンコートし紫外線を照射して硬化させ、オーバーコートを施しても良い。
また、次の密着工程を先に行なった後に、第１基板側から、第１情報層、第２情報層を初期化させても構わない。
【００４０】
次に、以上のようにして初期化された、第１基板（３）の面上に第１情報層（１）を形成したものと、第２基板（５）の面上に第２情報層（２）を形成したものとを、第１情報層（１）と第２情報層（２）とを向かい合わせながら、中間層（４）を介して貼り合わせる。
例えば、いずれか一方の膜面に中間層となる紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、膜面同士を向かい合わせて両基板を加圧、密着させた上で、紫外線を照射して樹脂を硬化させることができる。
【００４１】
また、図２に示すような本発明に係る２層相変化型情報記録媒体を製造するための他の方法について説明する。この方法は、第一成膜工程、中間層形成工程、第二成膜工程、基板貼り合わせ工程および初期化工程からなり、基本的にこの順に各工程を行なう。図４に示すのが、この方法により製造した２層相変化型情報記録媒体の概略断面図であり、中間層（４）、第２基板（５）にグルーブが形成されている。
第一成膜工程として、第２基板（５）上の案内溝の設けられた面に第２情報層（２）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
中間層形成工程として、第２情報層（２）上に案内溝を有する中間層（４）を形成する。例えば、第２情報層（２）上に紫外線硬化性樹脂を全面に塗布し、紫外線を透過することのできる材料でつくられたスタンパを押し当てたまま紫外線を照射して硬化させて、溝を形成することができる。
第二成膜工程として、中間層（４）上に第１情報層（１）を成膜する。成膜方法は、前述の通りである。
【００４２】
基板貼り合わせ工程として、第１情報層（１）と第１基板（３）を、透明層（６）を介して貼り合わせる。例えば、第１情報層（１）上、または第１基板（３）上に、透明層（６）の材料である紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、第１情報層（１）と第１基板（３）とを貼り合わせてから、紫外線を照射して硬化させて形成することができる。また、透明層（６）を形成せずに、第１基板（３）の材料である樹脂を第１情報層（１）上に塗布し、硬化させることによって、第１基板（３）を形成してもよい。
初期化工程として、第１基板（３）側から、第１情報層（１）、第２情報層（２）に対して、レーザー光などのエネルギー光を出射することにより全面を初期化、すなわち記録層を結晶化させる。第２情報層（２）に対しては、中間層（４）形成工程直後に初期化を行なってもなんら問題はない。
【００４３】
さらに、図５に示されるような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、つぎのような工程順で行なわれる。
第一成膜工程（第１基板に第１情報層、第２基板に第３情報層を成膜）→中間層形成工程（第２基板の第３情報層の上に第２中間層を形成する）→第二成膜工程（第２基板の第２中間層の上に第２情報層を成膜）→密着工程（第１基板と第２基板を第１情報層と第２情報層を向かい合わせながら、第１中間層を介して貼り合わせる）→初期化工程
なお初期化工程は、各情報層を成膜した直後でもよい。
【００４４】
次に、図６に示されるような、３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体の製造は、つぎのような工程順で行なわれる。
第一成膜工程（第３情報層を成膜）→第１中間層形成工程（第２中間層を形成）→第二成膜工程（第２情報層を成膜）→第２中間層形成工程（第１中間層を形成）→第三成膜工程（第１情報層を成膜）→第１基板貼り合わせ工程（透明層を介して貼り合わせる）→初期化工程
なお、初期化工程は、第３情報層は第一成膜工程後または第二中間層形成直後、第２情報層は第二成膜工程後または第１中間層形成直後、第１情報層は第三成膜工程後でもよい。
【００４５】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
実施例１
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上にＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１下部保護層１２０ｎｍ、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層６ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１上部保護層１５ｎｍ、Ａｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からなる第１反射層１０ｎｍ、ＡｌＮからなる第１熱拡散層４０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。また、同様の基板を第２基板として、第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を１２０ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２上部保護層２０ｎｍ、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２下部保護層１３０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行なった。ここで、第１情報層の波長４０５ｎｍでの光透過率を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは３５μｍとした。
【００４６】
実施例２
実施例１において、第１反射層の材質をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｇ−Ｉｎ２Ｏ３（３ｗｔ．％）に変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００４７】
実施例３
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）１０ｎｍからＡｇ−ＺｎＯ（２ｗｔ．％）１５ｎｍに変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００４８】
実施例４
実施例１において、第１反射層の材質をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｇ−ＣｄＯ（２ｗｔ．％）に変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００４９】
実施例５
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）１０ｎｍからＡｇ−ＴｉＯ２（２ｗｔ．％）１２ｎｍに変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００５０】
実施例６
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｇ−ＣｄＩｎ２Ｏ４（３ｗｔ．％）に変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００５１】
実施例７
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｇ−Ｃｄ２ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）に変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００５２】
実施例８
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｇ−ＩＴＯ（５ｗｔ．％）に変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００５３】
比較例１
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｌに変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００５４】
比較例２
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｇに変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００５５】
比較例３
実施例１において、第１反射層をＡｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からＡｇ−ＳｎＯ２（１１ｗｔ．％）に変えたほかは、実施例１の構成と厚さとを全く同様にして２層相変化型情報記録媒体を作製した。
【００５６】
作成された各実施例、比較例のサンプルについて下記条件で記録した。
レーザー波長  ４０５ｎｍ
ＮＡ＝０．６５
線速  ６．０ｍ／ｓ
トラックピッチ  ０．４３μｍ
線密度０．１８μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層のジッターを測定した。さらに保存信頼性を調べるために、初期記録した各サンプルを８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後、第１情報層の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定した。
【００５７】
各サンプルの測定結果を表１に示す。実施例１〜８の本発明に係る２層相変化型情報記録媒体は、いずれも透過率が４０％を越え、１回記録後のジッター値は第１情報層、第２情報層ともに９％以下となり、光ディスクとして優れていることがわかった。オーバーライト特性、保存特性も比較例と比べて良好であった。反射層にＡｌを用いた比較例１のサンプルは、第１情報層の透過率が４０％以下のため、第２情報層の記録が困難であった。反射層にＡｇを用いた、比較例２のサンプルでは、保存試験後の第１情報層のジッター値が上昇し、保存信頼性が低下した。これは、Ａｇの密着性、耐食性が原因だと考えられる。以上の結果から、第１情報層の反射層はＡｇを主体とし、酸化物が含有された材料を用いることが好ましい。また、反射層にＡｇ−ＳｎＯ２（１１ｗｔ．％）を用いた比較例３のサンプルは、熱伝導率が低下したために、第１情報層の初期記録後のジッターが９％を超えてしまい、オーバーライト特性も低下した。他の試作実験からも、酸化物の含量は０．１〜１０ｗｔ．％の範囲であることが好ましいことがわかった。
【００５８】
【表１】
2004259382.tif 000003
【００５９】
また、その他の試作実験からも、第１情報層の記録層膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層が３〜２０ｎｍ、熱拡散層が１０〜２００ｎｍの範囲であると、第１情報層、第２情報層ともに良好な記録再生ができ、また、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
【００６０】
実施例９
実施例９として、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層を１２０ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２上部保護層２０ｎｍ、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第２記録層１２ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２下部保護膜１３０ｎｍの順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第２情報層を形成した。このようにして形成した第２情報層上に、樹脂を塗布し、２Ｐ（ｐｈｏｔｏ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって、連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つ中間層を形成した。中間層の厚さは３０μｍである。さらにその上にＩＺＯからなる第１熱拡散層１２０ｎｍを設け、Ａｇ−ＳｎＯ２（２ｗｔ．％）からなる第１反射層１０ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１上部保護層１５ｎｍ、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層６ｎｍ、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１下部保護層１３０ｎｍ、の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜し、第１情報層を形成した。さらに第１情報層膜面上に直径１２ｃｍ、厚さ５０μｍのポリカーボネートフィルムからなる第１基板を、４５μｍの厚さの両面粘着シートからなる透明層を介して貼り合わせて、２層相変化型情報記録媒体を作成した。また、これとは別に、透過率測定用として、厚さ１．１ｍｍの基板に第１情報層と透明層、第１基板を同様に設け、第１基板側からの光透過率を測定した。
本実施例の第１情報層の波長４０５ｎｍでの透過率は５０％であった。
【００６１】
作成されたメディアについて下記条件で記録した。
レーザー波長：４０５ｎｍ
ＮＡ＝０．８５
線速：６．５ｍ／ｓ
トラックピッチ：０．３２μｍ
線密度０．１６μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、および１０００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層ともに良好に記録再生を行なうことができた。また、初期記録した各サンプルを８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後、第１情報層の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定したところ、９％以下と良好であった。
また、その他の試作実験からも、ＮＡ＝０．８５ピックアップで記録再生を行なう場合でも、第２情報層を良好に記録再生するためには、第１情報層の透過率が４０％以上必要であることが確認された。
以上のことから、本発明の光ディスクは、記録再生を行なう対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、第１基板の厚さを１０μｍ〜６００μｍの範囲で調整することによって、良好に記録再生を行なうことが出来る。
【００６２】
実施例１０
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面に連続溝によるトラッキングガイドの凹凸を持つポリカーボネート樹脂からなる第１基板上にＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第１下部保護層（５０ｎｍ）、Ｇｅ５Ａｇ１Ｉｎ２Ｓｂ７０Ｔｅ２２からなる第１記録層（６ｎｍ）、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・Ｓｉ０２（２０ｍｏｌ％）からなる第１上部保護層（１５ｎｍ）、第１反射層（１０ｎｍ）、ＩＺＯからなる第１熱拡散層（６０ｎｍ）の順にＢａｌｚｅｒｓ社製枚葉スパッタ装置を用いてＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で製膜した。第１反射層は、実施例１と同様のターゲットを用いて成膜した。また、同様の基板を第２基板として、第２基板上にＡｌ−Ｔｉからなる第２反射層（８０ｎｍ）、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２上部保護層（２０ｎｍ）、Ｇｅ４Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ６７Ｔｅ２５からなる第２記録層（１２ｎｍ）、ＺｎＳ（８０ｍｏｌ％）・ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）からなる第２下部保護層（８０ｎｍ）の順にＡｒガス雰囲気中のスパッタ法で成膜した。ここで、第１情報層の波長６６０ｎｍでの光通過量を、ＳＨＩＭＡＤＺＵ製分光光度計を用いて第１基板側から測定した。次に、第１情報層、第２情報層に対して、それぞれ第１基板側、第２情報層膜面側からレーザー光を照射させ、初期化処理を行なった。ここでまた、第１情報層の波長６６０ｎｍでの透過率を測定した。次に、第１情報層の膜面上に紫外線硬化樹脂を塗布し、第２基板の第２情報層面側を貼り合わせてスピンコートし、第１基板側から紫外線光を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させて中間層とし、２つの情報層を有する２層相変化型情報記録媒体を作成した。中間層の厚さは５０μｍとした。
本実施例の第１情報層の初期化前の波長６６０ｎｍでの透過率は５６％、初期化後の透過率は５０％であった。
作成された２層光ティスクについて下記条件で記録した。
レーザー波長６６０ｎｍ
ＮＡ＝０．６５
線速３．４９ｍ／ｓ
トラックピッチ０．７４μｍ
線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔでの第１情報層、第２情報層のジッター、および１００回オーバーライト後の第１情報層、第２情報層のジッターを測定したところ、第１情報層、第２情報層ともに良好に記録再生を行なうことができた。また、初期記録した各サンプルを８０℃８５％ＲＨで３００時間保存した後、第１情報層の初期記録マークの３Ｔ再生信号のジッターを測定したところ、９％以下と良好であった。
【００６３】
【発明の効果】
１．請求項１〜４
オーバーライト特性が優れ、かつ保存信頼性の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
２．請求項５〜９
それぞれの層の反射率、記録感度、および透過率（第Ｎ層をのぞく）を、記録、再生条件に合わせて最適化することができ、全情報層に対して記録再生特性の優れた多層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
３．請求項１０
中間層によって、第１情報層と第２情報層とを光学的に分離することができる。
４．請求項１１
第１情報層、第２情報層ともに感度がよく、記録再生特性の優れた２層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
５．請求項１２
第１基板の厚さが薄い場合でも容易に製造可能な２層相変化型情報記録媒体を提供することができる。
６．請求項１３
対物レンズの開口数ＮＡが変化した場合でも、良好に記録・再生を行なうことが出来る。
７．請求項１４
請求項１〜１３の多層相変化型情報記録媒体を用いて大容量の記録・再生を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る２層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示す図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る２層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示す図である。
【図３】第１基板および第２基板にグルーブが設けられた２層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示す図である。
【図４】第１基板および中間層にグルーブが設けられた２層相変化型情報記録媒体の概略断面図を示す図である。
【図５】本発明に係る３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体を示す図である。
【図６】本発明に係る他の３つの情報層を有する相変化型情報記録媒体を示す図である。
【符号の説明】
１  第１情報層
２  第２情報層
３  第１基板
４  中間層
５  第２基板
６  透明層
１１  第１下部保護層
１２  第１記録層
１３  第１上部保護層
１４  第１反射層
１５  第１熱拡散層
２１  第２下部保護層
２２  第２記録層
２３  第２上部保護層
２４  第２反射層
【図１】
2004259382.tif 000004
【図２】
2004259382.tif 000005
【図３】
2004259382.tif 000006
【図４】
2004259382.tif 000007
【図５】
2004259382.tif 000008
【図６】
2004259382.tif 000009