(57)【要約】【課題】導電膜の形成などの加工処理に際して保護される貫通孔を有する回路基板の製造方法であって、上記保護及び該貫通孔への導電膜の付着等を容易に防止し得る回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも１つの電極として導電膜２，３が形成されている基板１を用意し、絶縁性基板１に貫通孔５，６を形成し、加熱消滅性材料を貫通孔５，６に充填し、次に絶縁性基板１を加熱消滅性材料が消滅する温度よりも低い温度雰囲気で加工処理し、加工処理された基板１を加熱消滅性材料７，８が消滅する温度以上に加熱して、加熱消滅性材料７，８を消滅させて貫通孔５，６を露出させる、回路基板の製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電極が設けられている絶縁性基板を用意する工程と、
前記絶縁性基板に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に加熱消滅性材料を充填する工程と、
前記加熱消滅性材料が充填された絶縁性基板を加熱消滅性材料が消滅する温度よりも低い温度雰囲気で加工処理する工程と、
前記加工処理された絶縁性基板を加熱消滅性材料が消滅する温度以上に加熱し、前記加熱消滅性材料を消滅させて前記貫通孔を露出させる工程とを備えることを特徴とする、回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記加工工程に先立ち、前記加熱消滅性材料が充填される貫通孔とは別の第２の貫通孔を形成する工程をさらに備え、
前記加工工程において、前記第２の貫通孔の内周面を覆うように、あるいは前記第２の貫通孔に充填されるように導電性材料が前記第２の貫通孔に付与される、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記加熱消滅性材料が充填される貫通孔が、加熱消滅性材料が除去された後に前記回路基板を固定するためのボルトが挿入されるボルト孔である、請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記回路基板が多層基板である、請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記加熱消滅性材料が、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させてなる樹脂を主成分とすることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の製造方法に関し、より詳細には、製造工程において加工が避けられるべき貫通孔に加熱消滅性材料が充填され、加工後に加熱消滅性材料が除去される工程を含む回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、多層配線基板などの回路基板において、上面と下面の電極を電気的に接続するため、あるいは中間層に形成された電極を電気的に接続するためにスルーホール電極やビアホール電極が用いられている。スルーホール電極やビアホール電極は、絶縁性基板に貫通孔を形成し、該貫通孔に導電膜を形成したり、あるいは貫通孔に導電性材料を充填することにより構成される。
【０００３】
ところで、回路基板では、ビアホール電極やスルーホール電極以外に、ボルトやビスにより回路基板を他のデバイスに固定するためのボルト孔としての貫通孔も形成されることがある。このようなボルト孔と、上記スルーホール電極やビアホール電極とを有する回路基板の製造に際しては、まず基板に、スルーホール電極またはビアホール電極を形成するための第１の貫通孔と、ボルト孔を形成する第２の貫通孔が同時に形成される。なお、第１、第２の貫通孔は別々に形成されることもある。次に、第１の貫通孔にめっき等により導電膜を形成したり、第２の貫通孔に導電性材料を充填する加工工程が行われる。この加工工程において、第２の貫通孔の内面に導電性材料が付着することを防止するために、従来、ゴム栓により第１の貫通孔を閉栓した状態で上記加工が行われていた。しかる後、導電膜を形成後に、ゴム栓が手作業により取り外されていた。
【０００４】
このような回路基板の製造方法は、例えば下記の特許文献１に記載されている。
【０００５】
【特許文献１】
特開平１０−３２６９６４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記回路基板の製造方法では、第１の貫通孔に導電膜を形成したり、導電性材料を充填したりした後に、ゴム栓を手作業で取り外さねばならなかった。そのため、作業工程が煩雑であり、かつ回路基板のコストが高くつかざるを得なかった。
【０００７】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、加工処理されてはならない貫通孔を有する回路基板の製造方法であって、加工処理時に加工の影響を受けないように該貫通孔を保護しておくことができ、かつ加工処理後に容易に貫通孔の保護を解除し得る工程を備えた回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る回路基板の製造方法は、少なくとも１つの電極が設けられている絶縁性基板を用意する工程と、前記絶縁性基板に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に加熱消滅性材料を充填する工程と、前記加熱消滅性材料が充填された絶縁性基板を加熱消滅性材料が消滅する温度よりも低い温度雰囲気で加工処理する工程と、前記加工処理された絶縁性基板を加熱消滅性材料が消滅する温度以上に加熱し、前記加熱消滅性材料を消滅させて前記貫通孔を露出させる工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記加工工程に先立ち、前記加熱消滅性材料が充填される貫通孔とは別の第２の貫通孔を形成する工程がさらに備えられ、前記加工工程において、前記第２の貫通孔の内周面を覆うように、あるいは前記第２の貫通孔に充填されるように導電性材料が前記第２の貫通孔に付与される。
【００１０】
本発明に係る回路基板の製造方法の他の特定の局面では、前記加熱消滅性材料が充填される貫通孔が、加熱消滅性材料が除去された後に前記回路基板を固定するためのボルトが挿入されるボルト孔である。
【００１１】
本発明に係る回路基板の製造方法では、上記回路基板は単層の基板であってもよいが、多層基板であってもよい。
本発明に係る回路基板の製造方法では、好ましくは、上記加熱消滅性材料として、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させてなる樹脂を主成分とする材料で構成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施形態を図面を参照しつつ説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１３】
図１（ａ）〜（ｄ）及び図２は、本発明の第１の実施形態に係る回路基板の製造方法を説明するための正面断面図及び正面図である。
本実施形態では、まず、図２に示す絶縁性基板１が用意される。絶縁性基板１の上面及び下面の全面に導電膜２，３が形成されている。絶縁性基板１は、周知の基板材料により構成される。すなわち、基板１は、例えばガラスエポキシ系材料、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの合成樹脂もしくは合成樹脂複合材料、あるいは絶縁性セラミックスなどにより構成され得る。
【００１４】
導電膜２，３は、Ｃｕ、Ａｕなどの金属もしくは合金からなり、導電膜２，３は、蒸着、めっきもしくはスパッタリングまたは導電ペーストの印刷などの適宜の方法により形成され得る。
【００１５】
次に、図１（ａ）に示すように、絶縁性基板１に、第１の貫通孔４と、第２の貫通孔５，６とが形成される。本実施形態では、第１の貫通孔４と、第２の貫通孔５，６とは、作業工程の簡略化を図るために同時に形成されている。
【００１６】
第１の貫通孔４及び第２の貫通孔５，６の形成は、レーザーによる加工、ドリル等の機械的加工装置による加工などの様々な方法で行われ得る。
本実施形態では、第２の貫通孔５，６は、後述するように、最終的に回路基板を他のデバイスに固定するためのボルト孔として設けられている。また、第１の貫通孔４には、以下の工程で示されているように、導電膜が形成され、スルーホール電極が構成される。
【００１７】
次に、図１（ｂ）に示すように、第２の貫通孔５，６に、加熱消滅性材料７，８が充填される。
加熱消滅性材料７，８は、後述の導電膜形成工程、すなわち加工工程の処理温度では消滅しない材料により構成される。また、加熱消滅性材料７，８は、本実施形態では、１５０〜２６０℃の温度で消滅する後述の材料により構成されている。
【００１８】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１の貫通孔４にめっきにより導電膜９が形成される。導電膜９は、第１の貫通孔４の内周面を覆うように、かつ上面の導電膜２と、下面の導電膜３と電気的に接続されるように形成される。めっきに際し、導電膜９が第１の貫通孔４の内周面に付与されるが、第２の貫通孔５，６には、加熱消滅性材料７，８が充填されるため、導電膜９を構成する金属材料は付与されない。しかる後、上記絶縁性基板１が加熱消滅性材料７，８が消滅する温度、すなわち１５０〜２６０℃に加熱される。その結果、図１（ｄ）に示すように、加熱消滅性材料７，８が加熱により消滅し、第２の貫通孔５，６が露出され、本実施形態の回路基板が得られる。
【００１９】
本実施形態では、図１（ｄ）に示すように、第２の貫通孔５，６に、他のデバイスに回路基板を固定するためのボルト１１，１２が挿通される。なお、図１（ｄ）に示すように、ボルト１１，１２と導電膜２，３との絶縁を図るために、ボルト１１，１２のネジ部１１ｂ，１２ｂに外挿されるように、絶縁性材料からなる絶縁筒１３，１４が用いられる。絶縁筒１３，１４は、貫通孔５，６に挿入され得る外径を有するように構成されている。また、ボルト１１，１２のヘッド１１ａ，１２ａと絶縁筒１３，１４との間に絶縁性材料よりなる絶縁ワッシャー１５，１６が配置される。絶縁筒１３，１４及び絶縁ワッシャー１５，１６を用いることにより、ボルト１１，１２と導電膜２，３との電気的絶縁が図られる。
【００２０】
ボルト１１，１２のネジ部１１ｂ，１２ｂは、回路基板１の下面、すなわち導電膜３が形成されている面からさらに下方に突出し、図示しない他のデバイスにねじ込まれ、それによって回路基板１が他のデバイスに固定される。
【００２１】
上記のように、本実施形態では、第１の貫通孔４と、第２の貫通孔５，６を形成し、第１の貫通孔４にのみ導電膜９を形成する加工工程を行うに先立ち、第２の貫通孔５，６に、加熱消滅性材料７，８が充填される。従って、上記導電膜９の形成に際し、確実に貫通孔５，６への導電膜の付着を抑制することができ、しかも１５０〜２６０℃の温度に加熱するだけで、最終的に加熱消滅性材料７，８を容易に除去することができる。
【００２２】
よって、従来、手作業で取り外されていたゴム栓に代えて、上記加熱消滅性材料７，８を用いることにより、回路基板の生産性を飛躍的に高めることができる。
【００２３】
上記加熱消滅性材料７，８としては、導電膜９の形成温度、すなわち加工工程の処理温度で消滅する適宜の加熱消滅性材料を用いることができるが、本実施形態では、上記のように１５０〜２６０℃の温度で消滅する加熱消滅性材料が用いられる。１５０〜２６０℃の比較的低い温度で加熱消滅するため、導電膜２，３，９あるいは絶縁性基板１に加熱による損傷を与え難い。
【００２４】
また、本実施形態では、説明を容易とするために、電極として導電膜２，３，９のみが形成されているが、他の複雑な形状の電極や回路素子が内蔵されている場合には、消滅する処理温度が１５０〜２６０℃と低い温度で消滅する加熱消滅性材料を選択すればよく、回路基板の損傷を抑制する効果はより一層大きくなる。
【００２５】
なお、上記加熱消滅性材料７，８としては、例えば、ポリメチレンマロン酸ジエステル、ポリブチレン、ニトロセルロース、α−メチルスチレンポリマー、プロピレンカーボネートポリマー、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、カルボン酸ジヒドラジドとジイソシアネートを重合させた共重合体、あるいはこれらのポリマーの過酸化物なとからなるものが知られている。また、これらのポリマーに必要に応じて、ジブチルフタレートやジオクチルフタレートなどの可塑剤、キシレンオイル、テルペンオイルもしくはパラフィンワックスなどの軟化剤を加えて粘着性を付与した加熱消滅性材料が知られていた。これらの公知の加熱消滅性材料は、本実施形態においても加熱消滅性材料を消滅させる温度を低減しない場合には用いることができる。これらの加熱消滅性材料は、２７０〜４００℃程度の温度に加熱することにより消滅する。
【００２６】
しかしながら、本実施形態では、上記のように１５０〜２６０℃の比較的低い温度で加熱消滅性材料７，８を消滅させるために特定の加熱消滅性材料が好適に用いられる。このような加熱消滅性材料は、本発明者等により考え出されたものであり、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させてなる樹脂を主成分とする。
【００２７】
上記ポリオキシアルキレン樹脂としては特に限定されず、例えば、ポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシテトラメチレンなどが挙げられる。また、各種ポリオキシアルキレンを複数種組み合わせることにより、加熱消滅温度と、消滅するまでの時間を調整することも可能である。
【００２８】
特に、ポリオキシプロピレンを５０重量％以上含み、ポリオキシエチレンまたはポリオキシテトラメチレンを混合してなる組成物において、上記ポリオキシエチレンまたはポリオキシテトラメチレンの混合割合を調整することにより、加熱消滅温度及び加熱消滅に至るまでの時間を容易に調整することができる。
【００２９】
上記架橋性シリル基としては、例えば、オキシムシリル基、アルケニルオキシシリル基、アセトキシシリル基、ハロゲノシリル基、ビニルシリル基、シラノール基等が挙げられる。なかでも、末端にアルコキシシリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂は、弾性にすぐれたゴム状の架橋樹脂となることから好適である。
【００３０】
上記アルコキシシリル基としては、例えば、メトキシシリル基、エトキシシリル基、プロピルオキシシリル基、イソプロピルオキシシリル基、ブトキシシリル基、ｔｅｒｔ−ブトキシシリル基、フェノキシシリル基、ベンジルオキシシリル基等が挙げられる。なお、ジアルコキシシリル基又はトリアルコキシシリル基の場合、同じアルコキシ基であってもよく、異なるアルコキシ基を組み合わせたものであってもよい。これらの架橋性シリル基は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、ポリオキシアルキレン樹脂の種類や架橋性シリル基が異なる複数種類のポリオキシアルキレン樹脂を併用してもよい。
【００３１】
上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物は、更に、下記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒を含有することが好ましい。これにより、可視光線、紫外線や電子線等の光を照射（以下、光照射ともいう）することでポリオキシアルキレン樹脂組成物を架橋、硬化させることができる。なかでも、光反応性が高く架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂に対する溶解性にも優れていることから、カルボン酸無水物、カルボン酸イミド及びジアシルホスフィンオキサイドが好適である。このような光反応触媒は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
また、ジアシルホスフィンオキサイドを含有する場合は、消滅後の残さが極めて少なく、より好適である。
【００３３】
【化１】
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【００３４】
式（１）中、ｍは２〜５の整数を表し、Ｙ（ｍ）は周期表のＩＶＢ族、ＶＢ族又はＶＩＢ族の原子を表し、Ｚは水素基、炭化水素基、メルカプト基、アミノ基、ハロゲン基、アルコキシル基、アルキルチオ基、カルボニルオキシ基又はオキソ基を表す。
【００３５】
上記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒は、一般式（１）で表される官能基のうち、異なるものを複数種有していてもよい。
上記一般式（１）で表される官能基を有する光反応触媒としては、例えば、酸素、硫黄、窒素、リン及び炭素からなる群より選択されるＹ（ｍ）で示される原子に対し、カルボニル基が２個結合した化合物であって、Ｙ（ｍ）で示される原子の価数に応じて適宜、Ｚで示される炭化水素基又はオキシド基を有するもの等が挙げられる。
【００３６】
上記炭化水素基としては、例えば、脂肪族系炭化水素基、不飽和脂肪族系炭化水素基、芳香族系炭化水素基等が挙げられる。これらの炭化水素基は、本発明の目的を阻害しない範囲でアミノ基、水酸基、エーテル基、エポキシ基、重合性不飽和基、ウレタン基、ウレア基、イミド基、エステル基等の置換基を有していても良い。また、異なる炭化水素基を組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
上記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒は、環状化合物であってもよい。このような環状化合物としては、例えば、環状鎖の中に１個又は２個以上の同種又は異種の上記一般式（１）で表される官能基を有する化合物等が挙げられる。更に、複数個の同種又は異種の上記環状化合物を適当な有機基で結合した化合物や、複数個の同種又は異種の上記環状化合物をユニットとして少なくとも１個以上含む双環化合物等も用いることができる。
【００３８】
上記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ（ｍ）で表される原子が酸素原子の場合には、例えば、酢酸無水物、プロピオン酸無水物、ブチル酸無水物、イソブチル酸無水物、バレリック酸無水物、２−メチルブチル酸無水物、トリメチル酢酸無水物、ヘキサン酸無水物、ヘプタン酸無水物、デカン酸無水物、ラウリル酸無水物、ミリスチリル酸無水物、パルミチン酸無水物、ステアリル酸無水物、ドコサン酸無水物、クロトン酸無水物、アクリル酸無水物、メタクリル酸無水物、オレイン酸無水物、リノレイン酸無水物、クロロ酢酸無水物、ヨード酢酸無水物、ジクロロ酢酸無水物、トリフルオロ酢酸無水物、クロロジフルオロ酢酸無水物、トリクロロ酢酸無水物、ペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロブチル酸無水物、コハク酸無水物、メチルコハク酸無水物、２，２−ジメチルコハク酸無水物、イソブチルコハク酸無水物、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物、イタコン酸無水物、１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、３，４，５，６−テトラヒドロフタル酸無水物、マレイン酸無水物、２−メチルマレイン酸無水物、２，３−ジメチルマレイン酸無水物、１−シクロペンテン−１，２−ジカルボン酸無水物、グルタル酸無水物、１−ナフチル酢酸無水物、安息香酸無水物、フェニルコハク酸無水物、フェニルマレイン酸無水物、２，３−ジフェニルマレイン酸無水物、フタル酸無水物、４−メチルフタル酸無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物、４，４’−（ヘキサフルオロプロピリデン）ジフタル酸無水物、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸無水物、１，８−ナフタレンジカルボン酸無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸無水物等；マレイン酸無水物とラジカル重合性二重結合を持つ化合物の共重合体として、例えば、マレイン酸無水物と（メタ）アクリレートの共重合体、マレイン酸無水物とスチレンの共重合体、マレイン酸無水物とビニルエーテルの共重合体等が挙げられる。これらのうち市販品としては、例えば、旭電化社製のアデカハードナーＥＨ−７００、アデカハードナーＥＨ−７０３、アデカハードナーＥＨ−７０５Ａ；新日本理化社製のリカシッドＴＨ、リカシッドＨＴ−１、リカシッドＨＨ、リカシッドＭＨ−７００、リカシッドＭＨ−７００Ｈ、リカシッドＭＨ、リカシッドＳＨ、リカレジンＴＭＥＧ；日立化成社製のＨＮ−５０００、ＨＮ−２０００；油化シェルエポキシ社製のエピキュア１３４Ａ、エピキュアＹＨ３０６、エピキュアＹＨ３０７、エピキュアＹＨ３０８Ｈ；住友化学社製のスミキュアーＭＳ等が挙げられる。
【００３９】
上記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ（ｍ）で表される原子が窒素原子の場合には、例えば、コハク酸イミド、Ｎ−メチルコハク酸イミド、α，α−ジメチル−β−メチルコハク酸イミド、α−メチル−α−プロピルコハク酸イミド、マレイミド、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−（２−クロロフェニル）マレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−（１−ピレニル）マレイミド、３−メチル−Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ，Ｎ’−１，２−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−１，３−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−１，４−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４−メチル−１，３−フェニレン）ビスマレイミド、１，１’−（メチレンジ−１，４−フェニレン）ビスマレイミド、フタルイミド、Ｎ−メチルフタルイミド、Ｎ−エチルフタルイミド、Ｎ−プロピルフタルイミド、Ｎ−フェニルフタルイミド、Ｎ−ベンジルフタルイミド、ピロメリット酸ジイミド等が挙げられる。
【００４０】
上記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ（ｍ）で表される原子がリン原子の場合には、例えば、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
【００４１】
上記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ（ｍ）で表される原子が炭素原子の場合には、例えば、２，４−ペンタンジオン、３−メチル−２，４−ペンタンジオン、３−エチル−２，４−ペンタンジオン、３−クロロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１−ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルメタン等のジケトン類；ジメチルマロネート、ジエチルマロネート、ジメチルメチルマロネート、テトラエチル１，１，２，２−エタンテトラカルボン酸等のポリカルボン酸エステル類；メチルアセチルアセトナート、エチルアセチルアセトナート、メチルプロピオニルアセテート等のα−カルボニル−酢酸エステル類等が挙げられる。なかでも、消滅後の残さが極めて少ないことから、ジアシルフォスフィンオキシド及びその誘導体が好適である。
【００４２】
上記式（１）で表される官能基を有する光反応触媒の配合量の好ましい下限は、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂１００重量部に対して０．０１重量部、好ましい上限は３０重量部である。０．０１重量部未満であると、光反応性を示さなくなることがあり、３０重量部を超えると、ポリオキシアルキレン樹脂組成物の光透過性が低下して、光を照射しても表面のみが架橋、硬化し、深部は架橋、硬化しないことがある。より好ましい下限は０．１重量部、より好ましい下限は２０重量部である。
【００４３】
上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物は、増感剤を含有してもよい。増感剤を含有することにより、光反応性が向上し、光の照射時間を短くしたり、光の照射エネルギーを低くしたり、表面から深部まで均一に架橋、硬化させたりすることができる。
【００４４】
上記増感剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール誘導体化合物；ハロゲン化ケトン；アシルフォスフィンオキシド；アシルフォスフォナート；２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ  プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキシドビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド；ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス（ペンタフルオロフェニル）−チタニウム、ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピリ−１−イル）フェニル］−チタニウム；アントラセン、ペリレン、コロネン、テトラセン、ベンズアントラセン、フェノチアジン、フラビン、アクリジン、ケトクマリン、チオキサントン誘導体、ベンゾフェノン、アセトフェノン、２−クロロチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００４５】
上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物は、必要に応じてアルキルシラン化合物又はアルコキシシラン化合物を含有してもよい。上記アルキルシラン化合物又はアルコキシシラン化合物としては、例えば、ジメトキシジメチルシラン、シクロヘキシルジメトキシメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシメチルオクチルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、クロロメチル（ジイソプロポキシ）メチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、トリメトキシプロピルシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、（３−クロロプロピル）トリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、トリス（２−メトキシエトキシ）ビニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ジエトキシ（３−グリシドキシプロピル）メチルシラン、クロロトリメトキシシラン、クロロトリエトキシシラン、クロロトリス（１，３−ジメチルブトキシ）−シラン、ジクロロジエトキシシラン、３−（トリエトキシシリル）−プロピオニトリル、４−（トリエトキシシリル）−ブチロニトリル、３−（トリエトキシシリル）−プロピルイソシアネート、３−（トリエトキシシリル）−プロピルチオイソシアネート、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、１，３，５，７−テトラエトキシ−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラプロキシシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトライソプロポキシ−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラブトキシ−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタエトキシ−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、オクタフェニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリシラザン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルシクロテトラシラザン、１，７−ジアセトキシオクタメチルテトラシロキサン、１，７−ジクロロオクタメチルテトラシロキサン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，５−ジクロロトリシロキサン、１，３−ジクロロテトライソプロピルジシロキサン、１，３−ジエトキシテトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシテトラメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジクロロジシロキサン、１，２−ビス（メチルジクロロシリル）エタン、ジアセトキシジフェニルシラン、メチルトリス（エチルメチルケトオキシム）シラン、メチルトリス（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノキシ）シラン、ビス（エチルメチルケトオキシム）メチルイソプロポキシシラン、ビス（エチルメチルケトオキシム）エトキシメチルシラン、トリス（１−メチルビニロキシ）ビニルシラン、メチルトリイソプロペノキシシラン、エチルトリアセトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、ジアセトキシジメチルシラン、トリアセトキシビニルシラン、テトラアセトキシシラン、ジアセトキシメチルフェニルシラン、ジメトキシエチルメチルケトオキシムメチルシラン等が挙げられる。
【００４６】
上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物には、有機過酸化物が含有されていてもよい。有機過酸化物の含有により、加熱消滅性材料の加熱により消滅に至るまでの時間を短縮することができる。
【００４７】
上記有機過酸化物としては、例えば、ｐ−メンタンハイドロキシパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロキシパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロキシパーオキサイド、クメンハイドロキシパーオキサイド、ｔ−ヘキシルハイドロキシパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロキシパーオキサイド等のハイドロキシパーオキサイド；ジクミルパーオキサイド、α、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン）、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３等のジアルキルパーオキサイド；１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｎ−ブチル４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン等のパーオキシケタール；ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−トルイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート等のパーオキシエステル等が挙げられる。
【００４８】
また、低融点の有機酸は、導電膜に対して洗浄作用を有するため、低融点の有機酸を上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物に含有させておいてもよい。それによって、導電膜２，３の表面の酸化膜の除去が可能となり、熱消滅時の加熱による導電膜の酸化を防止することができる。
【００４９】
上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物は、更に、必要に応じて、架橋促進剤、増粘剤、チキソトロープ剤、物性調整剤、増量剤、補強剤、可塑剤、着色剤、難燃剤等の各種添加剤を加えても良い。ただし、不燃性の添加剤は残留残さとなるため注意する必要がある。
【００５０】
上記架橋促進剤としては、例えば、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫オキサイド、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫フタレート、ビス（ジブチル錫ラウリン酸）オキサイド、ジブチル錫ビスアセチルアセトナート、ジブチル錫ビス（モノエステルマレート）、オクチル酸錫、ジブチル錫オクトエート、ジオクチル錫オキサイド等の錫化合物、テトラ−ｎ−ブトキシチタネート、テトライソプロポキシチタネート等のアルキルオキシチタネート等が挙げられる。ただし、これらの架橋促進剤は、必ず残留残さとなることから、必要最小限の添加に止めるべきである。
【００５１】
上記増粘剤は、上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物の粘性特性を調整するために添加するものである。上記増粘剤としては、上記ポリオキシアルキレン樹脂との相溶性の高い高分子化合物から適宜選択され、例えば、アクリル系高分子、メタクリル系高分子、ポリビニルアルコール誘導体、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン誘導体、ポリエステル類、ポリエーテル類、ポリイソブテン、ポリオレフィン類、ポリアルキレンオキシド類、ポリウレタン類、ポリアミド類、天然ゴム、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ＮＢＲ、ＳＢＳ、ＳＩＳ、ＳＥＢＳ、水添ＮＢＲ、水添ＳＢＳ、水添ＳＩＳ、水添ＳＥＢＳ等やこれら共重合体の官能基変成体が挙げられる。これらの増粘剤は単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００５２】
上記チキソトロープ剤は、上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物の粘性特性を調整するために添加するものである。上記チキソトロープ剤としては、例えば、コロイダルシリカ、ポリビニルピロリドン、疎水化炭酸カルシウム、ガラスバルーン、ガラスビーズ等が挙げられる。また、上記チキソトロープ剤は、上記ポリオキシアルキレン樹脂と親和性の高い表面を有するものが好ましい。
【００５３】
上記物性調整剤は、上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を用いた加熱消滅性材料の引張り特性等を改善するために添加するものである。上記物性調整剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］ヘキサエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］ヘキサエチレンジアミン等の各種シランカップリング剤等が挙げられる。これらの物性調整剤は単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００５４】
上記増量剤としては特に限定されないが、上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物のチキソトロープ性等への影響の少ないものが好適であり、例えば、タルク、クレー、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、無水珪素、含水珪素、ケイ酸カルシウム、二酸化チタン、カーボンブラック等が挙げられる。これらの増量剤は単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００５５】
上記可塑剤としては、例えば、リン酸トリブチル、リン酸トリクレジル等のリン酸エステル類、フタル酸ジオクチル等のフタル酸エステル類、グリセリンモノオレイル酸エステル等の脂肪酸−塩基酸エステル類、アジピン酸ジオクチル等の脂肪酸二塩基酸エステル類、ポリプロピレングリコール類等が挙げられる。これらの可塑剤は単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００５６】
上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物は、更に、必要に応じてタレ防止剤、酸化防止剤、老化防止剤、紫外線吸収剤、溶剤、香料、顔料、染料等が添加されてもよい。
【００５７】
上記加熱消滅性材料において、上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を架橋する際の光照射に用いる光源については特に限定されない。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、エキシマーレーザー、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ、ナトリウムランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、蛍光灯、太陽光、電子線照射装置などを用いることができ、これらの光源は単独で用いられてもよく、２種以上を併用されてもよい。
【００５８】
本発明に係る回路基板の製造方法は、様々な基板の製造に適用することができる。図３は、本発明の第２の実施形態に係る回路基板の製造方法を説明するための正面断面図である。第２の実施形態では、回路基板としての多層基板２１が製造される。多層基板２１では、複数の基板本体２２〜２４が接着剤により貼り合わされて積層され、多層基板が構成されている。多層基板２１の製造に対しては、下面に導電膜２５、上面に電極２６が形成された基板本体２２と、上面に電極２７が形成された基板本体２３と、上面の全面に導電膜２８が形成された基板本体２４とが接着剤（図示せず）を用いて貼り合わされる。
【００５９】
なお、電極２６，２７は、基板本体２２〜２４に構成された他の回路部分（図示せず）に電気的に接続されており、かつ電極２６，２７は、グラウンド電位に接続される端子電極を構成している。
【００６０】
他方、導電膜２５，２８もグラウンド電位に接続される導電膜であり、多層基板２１の上面及び下面間の構造を電磁シールドする機能をも果たしている。
多層基板２１の製造に際しては、上記基板本体２２〜２４が貼り合わされた積層体が得られた後、第１の貫通孔２９及び第２の貫通孔３０，３１が形成される。第１の貫通孔２９には、めっき工程により導電膜３２が形成される。そして、導電膜３２の形成に先立ち、第２の貫通孔３０，３１には、第１の実施形態の場合と同様に加熱消滅性材料が充填される。そして、導電膜３２を形成した後に、第１の実施形態の場合と同様に、加熱消滅性材料が消滅する温度に加熱されて、第２の貫通孔３０，３１が露出される。
【００６１】
本実施形態においても、導電膜３２の形成に際しては、第２の貫通孔３０，３１が加熱消滅性材料で充填されているため、第２の貫通孔３０，３１への導電膜の付着を防止することができる。
【００６２】
そして、最終的に第２の貫通孔３０，３１に、第１の実施形態と同様にボルトが挿通され、多層基板２１が他のデバイスに固定される。
なお、導電膜３２は、上述した電極２６，２７に電気的に接続され、かつ導電膜２５，２８にも電気的に接続される。すなわち、導電膜３２は、電極２６，２７をグラウンド電位に接続される導電膜２５，２８に電気的に接続する接続電極として機能する。
【００６３】
なお、多層基板２１では、導電膜３２は、上記のように多層基板２１内に構成された回路部分の内のグラウンド電位に接続される端子電極としての電極２６，２７を外部に引き出す機能を果たしているが、半田ペースト３３を介して、半田ボール３４を導電膜３２に接合し、それによって放熱効果を高めるように構成してもよい。すなわち、本発明において、第１の貫通孔に形成される導電膜は、内部の電極を電気的に接続する機能だけでなく、放熱効果を高めるための熱媒体として形成されるものであってもよい。
【００６４】
また、本発明において製造される回路基板の電極の配置及びパターンは、目的とする回路基板に応じて適宜変更することができ、上記第１，第２の実施形態の構造に限定されるものではない。さらに、第１，第２の実施形態では、加熱消滅性材料が充填される第２の貫通孔はボルト孔であったが、ボルト孔以外の用途に用いられるものであってもよい。すなわち、導電膜の形成等の加工処理に際してブロックすべき貫通孔を有する回路基板の製造方法を一般に本発明を適用することができる。また、上記加熱消滅性材料で貫通孔をブロックした状態で行われる加工工程についても、導電膜の形成に限らず、抵抗膜の形成等の様々な加工工程を含むものとする。
【００６５】
【発明の効果】
本発明に係る回路基板の製造方法では、貫通孔に加熱消滅性材料を充填した後に、加熱消滅性材料が消滅する温度よりも低い温度雰囲気で加工処理が行われ、しかる後、加工処理された回路基板が加熱消滅性材料が消滅する温度以上に加熱される。従って、加熱消滅性材料が加熱により消滅し、上記貫通孔が露出する。よって、従来手作業で取り外されていたゴム栓に代えて、上記加熱消滅性材料を用いることにより、回路基板の製造工程の生産性を飛躍的に高めることが可能となり、回路基板のコストを低減することができる。
【００６６】
本発明において、加熱消滅性材料が充填される貫通孔と別の第２の貫通孔が形成され、加工工程において、第２の貫通孔の内周面を覆うように、あるいは第２の貫通孔に充填されるように導電性材料が第２の貫通孔に付与される場合には、本発明に従って、スルーホール電極やビアホール電極を有する回路基板を容易に得ることができる。
【００６７】
本発明において、加熱消滅性材料が充填される貫通孔が、回路基板を固定するためのボルト孔である場合には、本発明に従って、他のデバイスに容易に固定し得る回路基板を高い生産性で製造することが可能となる。
【００６８】
本発明において、上記加熱消滅性材料として、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させてなる樹脂を主成分とする材料を用いた場合には、１５０〜２６０℃の低い温度で加熱消滅性材料を消滅させることができる。従って、回路基板の製造に際し、他の部分に熱による損傷や劣化を与えることなく、回路基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る回路基板の製造方法の各正面断面図。
【図２】第１の実施形態で用いられる回路基板の処理前の状態を示す正面図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る回路基板の製造方法を説明するための正面断面図。
【符号の説明】
１…絶縁性基板
２，３…導電膜
４…第１の貫通孔
５，６…第２の貫通孔
７，８…加熱消滅性材料
９…導電膜
１１，１２…ボルト
２１…多層基板
２２〜２４…基板本体
２５，２８…導電膜
２６，２７…電極
２９…第１の貫通孔
３０，３１…第２の貫通孔
３２…導電膜
３３…半田ペースト
３４…半田ボール
【図１】
2004259999.tif 000004
【図２】
2004259999.tif 000005
【図３】
2004259999.tif 000006