(57)【要約】【課題】ＴＡＢテープを用いた半導体装置は、多リード化によりリードの断面積が縮小し、強度が低下するため、リードボンディングの際のストレスにより断線し易かった。【解決手段】透孔１ｂを有する絶縁フィルム１上に多数の導電パターン２を形成し、この導電パターン２の一端を前記透孔１ｂ内に延在させて多数本のインナリード２ａを形成してなるＴＡＢテープ４を用い、前記透孔１ｂ内に配置した半導体ペレット５の電極５ａと中間部に段差を形成したインナリード２ａ先端部とを電気的に接続したＴＡＢ式半導体装置において、上記透孔１ｂ周縁部にインナリード２ａの緩衝部９を形成したことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透孔を有する絶縁フィルム上に多数の導電パターンを形成し、この導電パターンの一端を前記透孔内に延在させて多数本のインナリードを形成してなるＴＡＢテープを用い、前記透孔内に配置した半導体ペレットの電極と中間部に段差を形成したインナリード先端部とを電気的に接続したＴＡＢ式半導体装置において、
上記透孔周縁部にインナリードの緩衝部を形成したことを特徴とするＴＡＢ式半導体装置。
【請求項２】
インナリードの緩衝部が、透孔周縁部と隣接するインナリード基部を湾曲させた湾曲部であることを特徴とする請求項１に記載のＴＡＢ式半導体装置。
【請求項３】
インナリードの緩衝部が、透孔周縁部にインナリードの延在方向と直交する方向に形成した溝であることを特徴とする請求項１に記載のＴＡＢ式半導体装置。
【請求項４】
インナリードの緩衝部が、透孔周縁部を肉薄にした肉薄部であることを特徴とする請求項１に記載のＴＡＢ式半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＴＡＢ式半導体装置に関し、特にインナリードとペレット電極とを接続する際のストレスを緩和させ電気的接続を確実にしたＴＡＢ式半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＴＡＢ式半導体装置は小型化、薄型化が要求される電子回路装置に多用されている。この一例を図１０及び図１１から説明する。図において、１は電気的絶縁性、可撓性、耐熱性を有する例えばポリイミド樹脂からなる絶縁フィルムで、テープ状に成形され、両側に沿って送り用の穴１ａが一定間隔で穿設され、幅方向中間で、長手方向に一定間隔で透孔１ｂが穿設されている。２は絶縁フィルム１上に形成された多数の導電パターンで、各一端部が前記透孔１ｂ内に延在されて互いに近接して平行に延びるインナリード２ａを形成し、中間部乃至外端部は図示省略するが扇状に散開して外端部の間隔を離隔させるようにしている。３は絶縁フィルム１上で導電パターンの要部を除いて被覆したレジスト膜を示し、上記絶縁フィルム１と導電パターン２とでＴＡＢテープ４を構成している。５は透孔１ｂ位置に配置された半導体ペレットで、表面に多数の突起電極５ａが形成されている。インナリード２ａの中間部は略クランク状に屈曲されて、先端部が前記突起電極５ａと電気的に接続されいる。この電気的接続はインナリード２ａと突起電極５ａを重合させ、ボンディングツール（図示せず）を用いて前記重合部を加圧、加熱して熱圧着する方法が一般的である。インナリード２ａの中間部はボンディングツールによって屈曲され、半導体ペレット５の表面とインナリード２ａ下面との対向面間を可及的に離隔させ耐電圧低下や短絡などを生じないようにしている。６は透孔１ｂ内で半導体ペレット表面と前記重合部を被覆して外力や腐食性ガスによる損傷を防止する外装樹脂を示す。図１０に示すＴＡＢ式半導体装置の中間構体７は透孔１ｂ内に外装樹脂６を充填した後、絶縁フィルム１を所定の寸法形状に切断することにより、図１１に示す個々の半導体装置８が製造される。
【０００３】
この種半導体装置は外径寸法を縮小したり、外径寸法は若干大きくなっても複数の半導体装置を一つに集積することにより実質的に小型化への要求に応えている。そのため半導体ペレット５上の電極寸法を縮小し配列間隔を狭小化する必要があり、さらにはインナリード２ａの巾を狭小化し、配列間隔を狭小化する必要がある。
【０００４】
このようにしてインナリード２ａの巾を狭小化すると機械的強度が低下し、ボンディングの際のリード成形時にリードが切断する虞があった。またリードは切断しなくても局部的に引き伸ばされると外装樹脂６が被覆されるまでにＴＡＢテープ４の移動時の湾曲などのストレスによりリード２ａが切断することがあり半導体装置の信頼性が低下するという問題があった。
【０００５】
このような問題を解決するものとして特許文献１には、透孔１ｂの角部に切れ込みを形成し、透孔１ｂ周縁部の変形性を良好にしてインナリード２ａが引っ張られるとそれに追随して透孔１ｂ周縁部が変形するようにしたものである。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−３３５３８１号公報（第３頁、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、インナリード２ａは巾を狭小化するため厚みも薄くしており、リード２ａの断面積が縮小しているため強度が極端に低下し、一本一本のインナリード２ａに局部的に過大な力が加えられると、過大な力によって透孔１ｂ周縁の絶縁フィルム１が変形する前にリード２ａが切断するため、最近の多リードの半導体装置に特許文献１に開示された技術を適用してもインナリード２ａの切断を確実に防止することはできなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題の解決を目的として提案されたもので、透孔を有する絶縁フィルム上に多数の導電パターンを形成し、この導電パターンの一端を前記透孔内に延在させて多数本のインナリードを形成してなるＴＡＢテープを用い、前記透孔内に配置した半導体ペレットの電極と中間部に段差を形成したインナリード先端部とを電気的に接続したＴＡＢ式半導体装置において、上記透孔周縁部にインナリードの緩衝部を形成したことを特徴とするＴＡＢ式半導体装置を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明によるＴＡＢ式半導体装置は、透孔周縁部にインナリードの緩衝部を形成したことを特徴とするが、このインナリードの緩衝部は、透孔周縁部と隣接するインナリード基部を湾曲させた湾曲部により構成することができ、また透孔周縁部にインナリードの延在方向と直交する方向に溝を形成してもよく、さらには透孔周縁部を肉薄にしてもよい。
【００１０】
【実施例】
以下に本発明の実施例を図１から説明する。図において、図１０及び図１１と同一物には同一符号を付し重複する説明を省略する。本発明による半導体装置は、例えばポリイミド樹脂などの電気的絶縁性、可撓性、耐熱性を有するフィルムをテープ状に成形し、両側に沿って一定間隔で送り用の穴１ａを、幅方向中間で、長手方向に一定間隔で透孔１ｂをそれぞれ穿設した絶縁フィルム１上に、多数の導電パターン２を形成し、各導電パターン２の一端部を前記透孔１ｂ内に延在させてインナリード２ａを形成たＴＡＢテープ４を用い、透孔１ｂ位置に半導体ペレット５を配置し、この半導体ペレット５表面に形成した多数の突起電極５ａとインナリード２ａの先端部とを重合させ、重合部を加圧、加熱することにより電気的に接続したもので、インナリード２ａの透孔１ｂ開口周縁と隣接する部分にリードにかかるストレスを緩和する緩衝部、具体的には湾曲部９を形成したことを特徴とする。
【００１１】
この湾曲部９の形成方法の一例を以下に説明する。先ず図２に示すように絶縁フィルム１の図示点線で示す透孔形成予定部に沿って樹脂をスクリーン印刷し、一直線状または環状の微小突起１０を形成する。次に図３に示すように微小突起１０を含む絶縁フィルム１上に導電パターン２を形成する。そして図４に示すように絶縁フィルム１の透孔形成予定部をエッチングして透孔１ｂを形成する。このとき微小突起１０もエッチングされ、インナリード２ａに湾曲部９が形成される。
【００１２】
このＴＡＢテープ１１を用いたインナリード２ａと半導体ペレット５の突起電極５ａとのボンディング状態を図５〜図７から説明する。先ず図５に示すように、半導体ペレット５上の突起電極５ａとインナリード２ａの先端部とを位置合わせし、対向間隔を１００μ程度に保って位置決めする。図中、１２はボンディングツールを示す。次にボンディングツール１２を降下させると、図６に示すようにインナリード２ａの先端部はツール１２の下端に押圧されて先端部下面が突起電極５ａに接触する。この状態からさらにツール１２を降下させるとインナリード２ａの先端部は突起電極５ａとツール１２によって拘束された状態でインナリード２ａの上面がツール１２の下面周縁部によって押圧され、インナリード２ａに引っ張り張力がかかる。最終的に図７に示すようにツール１２の加圧によって突起電極５ａが圧縮されインナリード２ａの下面が突起電極５ａに圧接した状態で３５０℃〜５５０℃の温度に加熱すると、重合部が熱圧着される。
【００１３】
インナリード２ａは絶縁フィルム１と突起電極５ａによって両端が拘束された状態で引っ張り張力がかかっても湾曲部９が図示点線状態から引き伸ばされるため、リードにかかる張力は相殺され、リードの引き伸ばしによる切断が防止される。
【００１４】
図８は本発明の他の実施例を示す。図において、図１０及び図１１と同一物には同一符号を付し重複する説明を省略する。この実施例はインナリード２ａの延在方向と直交する方向、即ち透孔１ｂの周縁に沿う方向に緩衝部を形成したことを特徴とし、この緩衝部は具体的にはノッチ、エッチング、レーザ光照射などの手段により形成した溝１３を示す。この溝１３は、その内周を透孔１ｂに可及的に近接させ、深さは絶縁フィルム１の厚みの１／２以上、好ましくは導電パターン２に到達するように形成する。
【００１５】
これにより、リードボンディング時に絶縁フィルム１はボンディングツールから輻射される熱によって透孔１ｂ周縁が軟化し、インナリード２ａに張力が作用すると溝１３部分から絶縁フィルム１は容易に屈曲して引っ張り応力を緩和させるため、リードの断線を防止することができる。
【００１６】
図９は本発明の他の実施例を示す。図において、図１０及び図１１と同一物には同一符号を付し重複する説明を省略する。この実施例はインナリード２ａの延在する透孔１ｂの内周部分に緩衝部を形成したことを特徴とし、具体的には肉薄にしている。肉薄部１４の厚みは絶縁フィルム１の厚みの１／２以下で、透孔１ｂからの長さは絶縁フィルム１の厚み程度に設定される。
【００１７】
これにより、リードボンディング時に絶縁フィルム１はボンディングツールから輻射される熱によって透孔１ｂ周縁が軟化し、インナリード２ａに張力が作用すると肉薄部１４部分から絶縁フィルム１は容易に湾曲し、引っ張り応力を緩和させ、リードの断線を防止することができる。
【００１８】
尚、上記図８、図９実施例の場合、特許文献１に開示された技術を適用し、透孔１ｂの角部に切り込みを形成することにより、溝１３部分又は肉薄部１４部分の屈曲又は湾曲を一層容易にし、リードにかかる引っ張り応力をより一層緩和することができる。この切り込みは多数本のインナリード２ａの配列方向両端部の最外のインナリードに近接して形成することが望ましい。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば多リード化によりインナリードの厚み、巾が狭小化し断面積が縮小することにより、引っ張り強度が十分でない場合でも、インナリードの断線を防止でき、信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示すＴＡＢ式半導体装置の側断面図
【図２】図１半導体装置に用いられＴＡＢテープの製造工程を示す要部側断面図
【図３】図２工程に続く製造工程を示す要部側断面図
【図４】図３工程に続く製造工程を示す要部即断面図
【図５】図１半導体装置のリードボンディングを示す要部側断面図
【図６】図５工程に続く状態を示す要部側断面図
【図７】図６工程に続く状態を示す要部側断面図
【図８】本発明の他の実施例を示す側断面図
【図９】本発明の他の実施例を示す側断面図
【図１０】従来のＴＡＢ式半導体装置の中間構体を示す平面図
【図１１】従来のＴＡＢ式半導体装置の側断面図
【符号の説明】
１  絶縁フィルム
１ｂ  透孔
２  導電パターン
２ａ  リード
２ａ  インナリード
４  テープ４
５  半導体ペレット
５ａ  突起電極
９  緩衝部（湾曲部）
１１  ＴＡＢテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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