(57)【要約】【課題】蒸着層の界面状態を安定化すると共に、蒸着層の厚さ、材料を最適化する。【解決手段】ガラス基板１３０の表面に蒸着マスク１１１を密着させ、２つの蒸着源１４０，１４１をガラス基板１３０の表面に沿って移動させながら、蒸着マスク１１１に設けられた複数の開口部１１２を通して基板１３０の表面に蒸着材料を蒸着することによりパターン形成を行なう。２つの蒸着源１４０，１４１は、それぞれ異なる蒸着材料を備えている。これら蒸着源１４０、１４１を順次にまたは同時に移動させることにより、２つの蒸着層を連続形成する。【選択図】　図１
2004006282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に蒸着マスクを配置し、複数の蒸着源を前記基板の表面に沿って移動させながら、前記蒸着マスクに設けられた複数の開口部を通して前記基板の表面に前記複数の蒸着源から蒸着材料を蒸着することによりパターン形成を行うことを特徴とする蒸着方法。
【請求項２】
前記複数の蒸着源を順次に移動させることを特徴とする請求項１の蒸着方法。
【請求項３】
前記複数の蒸着源を同時に移動させることを特徴とする請求項１の蒸着方法。
【請求項４】
前記蒸着材料は有機ＥＬ材料又は電極材料であることを特徴とする請求項１の蒸着方法。
【請求項５】
絶縁性基板の表面に蒸着マスクを配置し、複数の蒸着源を前記絶縁性基板の表面に沿って移動させながら、前記蒸着マスクの開口部を通して前記絶縁性基板の表面に有機ＥＬ材料の蒸着を行うことにより、有機ＥＬ素子を構成する複数の層の形成を行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記複数の蒸着源を順次に移動させることを特徴とする請求項５の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の蒸着源を同時に移動させることを特徴とする請求項５の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の層は、発光層、電子輸送層、ホール輸送層の中、１つ以上の層を含むことを特徴とする請求項５の表示装置の製造方法。
【請求項９】
Ｒ，Ｇ，Ｂの画素に対応した有機ＥＬ素子のパターン形成を行なう為の第１、第２及び第３の蒸着用チャンバーを準備し、
前記第１の蒸着用チャンバーにおいて、絶縁性基板の表面に第１の蒸着マスクを配置し、異なる有機ＥＬ材料を備えた複数の第１の蒸着源を前記絶縁性基板の表面に沿って移動させながら、前記第１の蒸着マスクの開口部を通して前記絶縁性基板の表面に蒸着を行うことにより、Ｒ画素に対応する有機ＥＬ素子のパターン形成を行う工程と、
前記絶縁性基板を第２の蒸着用チャンバーに移動させ、前記絶縁性基板の表面に第２の蒸着マスクを配置し、異なる有機ＥＬ材料を備えた複数の第２の蒸着源を前記絶縁性基板の表面に沿って移動させながら、前記第２の蒸着マスクの開口部を通して前記絶縁性基板の表面に蒸着を行うことにより、Ｇ画素に対応する有機ＥＬ素子のパターン形成を行う工程と、
前記絶縁性基板を第３の蒸着用チャンバーに移動させ、前記絶縁性基板の表面に第３の蒸着マスクを配置し、異なる有機ＥＬ材料を備えた複数の第３の蒸着源を前記絶縁性基板の表面に沿って移動させながら、前記第３の蒸着マスクの開口部を通して前記絶縁性基板の表面に蒸着を行うことにより、Ｂ画素に対応する有機ＥＬ素子のパターン形成を行う工程と、を具備することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の第１の蒸着源を順次に移動させることを特徴とする請求項９の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の第１の蒸着源を同時に移動させることを特徴とする請求項９の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の第２の蒸着源を順次に移動させることを特徴とする請求項９の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の第２の蒸着源を同時に移動させることを特徴とする請求項９の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の第３の蒸着源を順次に移動させることを特徴とする請求項９の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記複数の第３の蒸着源を同時に移動させることを特徴とする請求項９の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、本発明は蒸着方法及び表示装置の製造方法に関し、特に基板の表面に蒸着マスクを密着させ、蒸着源を基板の全体に渡って移動させながら、蒸着マスクに設けられた複数の開口部を通して基板の表面に蒸着材料を蒸着することによりパターン形成を行なう、蒸着方法及び表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、「ＥＬ」と称する。）素子を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】
図１１に有機ＥＬ表示装置の表示画素付近を示す平面図を示し、図１２（ａ）に図１１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図１２（ｂ）に図１１中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【０００４】
図１１及び図１２に示すように、ゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に表示画素１１５が形成されており、マトリクス状に配置されている。
【０００５】
この表示画素１１５には、自発光素子である有機ＥＬ素子６０と、この有機ＥＬ素子６０に電流を供給するタイミングを制御するスイッチング用ＴＦＴ３０と、有機ＥＬ素子６０に電流を供給する駆動用ＴＦＴ４０と、保持容量５６とが配置されている。なお、有機ＥＬ素子６０は、第１の電極である陽極６１と発光材料からなる発光素子層と、第２の電極である陰極６５とから成っている。
【０００６】
即ち、両信号線５１，５２の交点付近にはスイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０が備えられており、そのＴＦＴ３０のソース３３ｓは保持容量電極線５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、ＥＬ素子駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０のゲート４１に接続されており、第２のＴＦＴのソース４３ｓは有機ＥＬ素子６０の陽極６１に接続され、他方のドレイン４３ｄは有機ＥＬ素子６０に供給される電流源である駆動電源線５３に接続されている。
【０００７】
また、ゲート信号線５１と平行に保持容量電極線５４が配置されている。この保持容量電極線５４はクロム等から成っており、ゲート絶縁膜１２を介してＴＦＴのソース３３ｓと接続された容量電極５５との間で電荷を蓄積して容量を成している。この保持容量５６は、第２のＴＦＴ４０のゲート電極４１に印加される電圧を保持するために設けられている。
【０００８】
図１２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、ガラスや合成樹脂などから成る基板又は導電性を有する基板あるいは半導体基板等の基板１０上に、ＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を順次に積層形成して成る。ただし、基板１０として導電性を有する基板及び半導体基板を用いる場合には、これらの基板１０上にＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁膜を形成した上に第１、第２のＴＦＴ及び有機ＥＬ素子を形成する。いずれのＴＦＴともに、ゲート電極がゲート絶縁膜を介して能動層の上方にあるいわゆるトップゲート構造である。
【０００９】
まず、スイッチング用ＴＦＴである第１のＴＦＴ３０について説明する。
【００１０】
図１２（ａ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質シリコン膜（以下、「ａ−Ｓｉ膜」と称する。）をＣＶＤ法等にて成膜し、そのａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して溶融再結晶化させて多結晶シリコン膜（以下、「ｐ−Ｓｉ膜」と称する。）とし、これを能動層３３とする。
【００１１】
その上に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜の単層あるいは積層体をゲート絶縁膜１２として形成する。更にその上に、Ｃｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極３１を兼ねたゲート信号線５１及びＡｌから成るドレイン信号線５２を備えており、有機ＥＬ素子の駆動電源でありＡｌから成る駆動電源線５３が配置されている。
【００１２】
そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層３３上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が形成されており、ドレイン３３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填したドレイン電極３６が設けられ、更に全面に有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７が形成されている。
【００１３】
次に、有機ＥＬ素子の駆動用ＴＦＴである第２のＴＦＴ４０について説明する。図１２（ｂ）に示すように、石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、ａ−Ｓｉ膜にレーザ光を照射して多結晶化してなる能動層４３、ゲート絶縁膜１２、及びＣｒ、Ｍｏなどの高融点金属からなるゲート電極４１が順に形成されており、その能動層４３には、チャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側にソース４３ｓ及びドレイン４３ｄが設けられている。
【００１４】
そして、ゲート絶縁膜１２及び能動層４３上の全面に、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５を形成し、ドレイン４３ｄに対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等の金属を充填して駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置されている。更に全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７を備えている。そして、その平坦化絶縁膜１７のソース４３ｓに対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介してソース４３ｓとコンタクトしたＩＴＯから成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子の陽極６１を平坦化絶縁膜１７上に設けている。この陽極６１は各表示画素ごとに島状に分離形成されている。
【００１５】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極から成る陽極６１、ＭＴＤＡＴＡ（４，４−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）
から成る第１ホール輸送層及びＴＰＤ
（４，４，４−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｎｅ）からなる第２ホール輸送層から成るホール輸送層６２、キナクリドン（Ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）誘導体を含むＢｅｂｑ２（１０−ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）から成る発光層６３、及びＢｅｂｑ２から成る電子輸送層６４、マグネシウム・インジウム合金もしくはアルミニウム、もしくはアルミニウム合金から成る陰極６５が、この順番で積層形成された構造である。
【００１６】
有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入されたホールと、陰極６５から注入された電子とが発光層の内部で再結合し、発光層を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明絶縁基板を介して外部へ放出されて発光する。
【００１７】
上述した有機ＥＬ素子６０のホール輸送層６２、発光層６３、電子輸送層６４に用いられる有機ＥＬ材料は、耐溶剤性が低く、水分にも弱いという特性があるため、半導体プロセスにおけるフォトリソグラフィ技術を利用することができない。そこで、いわゆるシャドウマスクを用いた蒸着により有機ＥＬ素子６０のホール輸送層６２、発光層６３、電子輸送層６４のパターン形成を行っている。
【００１８】
次に、係る有機ＥＬ材料の蒸着によるパターン形成方法について図１３〜図１６を参照しながら説明する。まず、図１３おいて、１００は真空蒸着装置、１０１は真空蒸着装置１００に併設された排気系、１１０は真空蒸着装置のチャンバー内に設置された支持台であり、この支持台１１０上に、ニッケル（Ｎｉ）やインバー合金（Ｆｅ６４Ｎｉ３６）等の磁性材料から成るシャドウマスク（蒸着マスク）１１１が載置される。シャドウマスク１１１の所定の位置には開口部１１２が複数設けられている。
【００１９】
支持台１１０上に載置されるシャドウマスク１１１上にはマグネット１２０が上下方向に可動に配置されている。１３０はマグネット１２０とシャドウマスク１１１の間に介挿される、マザーガラスと呼ばれるガラス基板である。１４０はシャドウマスク１１１の下方に配置され、シャドウマスク１１１に沿って左右方向に移動可能な蒸着源である。
【００２０】
図１３において、いま真空蒸着装置１００のチャンバー内は排気系１０１によって真空状態に保たれているとする。そこで、ガラス基板１３０は不図示の搬送機構によってマグネット１２０とシャドウマスク１１１の間に介挿される。そして、図１４に示すように、ガラス基板１３０は搬送機構によりシャドウマスク１１１上に載置される。
【００２１】
次に、図１５に示すように、マグネット１２０をガラス基板１３０の上面と接触する位置まで下方向に移動させる。すると、シャドウマスク１１１はマグネット１２０の磁力を受けてガラス基板１３０の下面、すなわちパターン形成面に密着される。
【００２２】
次に、図１６に示すように、蒸着源１４０を不図示の移動機構によりガラス基板１３０左端から右端まで水平方向に移動させながら、シャドウマスク１１１の開口部１１２を通してガラス基板１３０の表面に上記有機ＥＬ材料、陰極６５の材料（例えばアルミニウム）の蒸着を行う。ここで、蒸着源１４０は図１５の紙面の垂直方向に細長く延びたるつぼによって構成され、るつぼ内に収納された蒸着材料はヒーターによって加熱され蒸発される。
【００２３】
蒸着が終了すると、マグネット１２０は上方に移動させる。そして、ガラス基板１３０は搬送機構によりシャドウマスク１１１から持ち上げられ、次工程の作業位置まで搬送される。これにより、有機ＥＬ素子６０のパターン形成を行うことができる。
【００２４】
そして、ＩＴＯから成る陽極６１上に、ホール輸送層６２、発光層６３、電子輸送層６４を形成する場合には、マルチチャンバー方式を用いて、各チャンバー内で、上述した蒸着方法により各層のパターン形成をしていた。
【００２５】
【特許文献１】特開平１１−２８３１８２号公報
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の蒸着方法では、同一チャンバー内で有機ＥＬ素子６０を構成するホール輸送層６２、発光層６３、電子輸送層６４の連続形成ができなかったため、例えば各層の界面にコンタミネーションが付着してしまい、有機ＥＬ素子６０の特性が不安定になったり、劣化するなどの問題があった。
【００２７】
また、フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、Ｒ，Ｇ，Ｂの各表示画素を備えているが、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素毎に上記の各層の厚さや材料を調整することができなかった。
【００２８】
そこで、本発明は材料の異なる複数の蒸着層を連続してパターン形成すること、並びに、蒸着層の厚さ、材料を最適化することができる蒸着方法を提供することを目的としている。
【００２９】
【課題を解決するための手段】
本発明の蒸着方法は、基板の表面に蒸着マスクを密着させ、複数の蒸着源を前記基板の表面に沿って移動させながら、前記蒸着マスクに設けられた複数の開口部を通して前記基板の表面に前記複数の蒸着源から蒸着材料を蒸着することによりパターン形成を行うことを特徴とする。
【００３０】
また、本発明の表示装置の製造方法は、絶縁性基板と蒸着マスクとを密着させ、複数の蒸着源を前記絶縁性基板の表面に沿って移動させながら、前記蒸着マスクの開口部を通して前記絶縁性基板の表面に有機ＥＬ材料の蒸着を行うことにより、有機ＥＬ素子を構成する複数の層の形成を行うことを特徴とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図１〜図７は本発明の第１の実施形態を説明する図である。なお、図１３〜図１６と同一の構成部分については同一の符号を付している。
【００３２】
図１は、真空蒸着装置１００のチャンバー内に、ガラス基板１３０がマグネット１２０とシャドウマスク１１１の間に介挿された状態を示している。また、図２は、図１の真空蒸着装置１００を上面から見た図を示している。
【００３３】
本実施形態では、真空蒸着装置１００のチャンバー内に、移動機構（不図示）によりガラス基板１３０の主面に沿って水平方向に移動可能な、２つの蒸着源１４０，１４１を設けた。蒸着源１４０，１４１はガラス基板１３０の一辺方向に細長く延びた、「るつぼ」によって構成され、その「るつぼ」内に収納された蒸着材料はヒーターによって加熱され蒸発されるように構成されている。
【００３４】
蒸着開始前において、蒸着源１４０はガラス基板１３０の左端の位置に待機しており、蒸着源１４１はガラス基板１３０の右端の位置に待機している。
また、蒸着源１４０には発光層材料、蒸着源１４１には電子輸送層材料がセットされているものとする。
【００３５】
他の構成については、図１２と同様である。なお、ガラス基板１３０のパターン形成面には、図示しないが、ＴＦＴ、層間絶縁膜、平坦化絶縁膜、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｈｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極から成る陽極が予め形成されており、また、陽極上にホール輸送層が従来例で説明した蒸着方法により既に形成されているものとする。
【００３６】
いま、図１において真空蒸着装置１００のチャンバー内は排気系１０１によって真空状態に保たれているとする。そこで、ガラス基板１３０は不図示の搬送機構によってマグネット１２０とシャドウマスク１１１の間に介挿される。
【００３７】
そして、図３に示すように、ガラス基板１３０は搬送機構によりシャドウマスク１１１上に載置される。
【００３８】
次に、図４に示すように、マグネット１２０をガラス基板１３０の上面と接触する位置まで下方向に移動させる。すると、シャドウマスク１１１はマグネット１２０の磁力を受けてガラス基板１３０の下面、すなわちパターン形成面に密着される。
【００３９】
次に、図５に示すように、蒸着源１４０を不図示の移動機構によりガラス基板１３０の表面に沿って、その左端から右端まで水平方向に移動させながら、シャドウマスク１１１の開口部１１２を通してガラス基板１３０の表面に、発光層材料の蒸着を行う。この場合、実際には蒸着源１４０はホストとドーパントの２つの蒸着ソースから成っている。これにより、有機ＥＬ素子の発光層が形成される。
【００４０】
そして、図６に示すように蒸着源１４０はガラス基板１３０の右端に停止させ、次に、蒸着源１４１をガラス基板１３０の表面に沿って、左方向に水平移動させながら、同一のシャドウマスク１１１の開口部１１２を通してガラス基板１３０の表面に、電子輸送層材料の蒸着を行う。蒸着源１４１がガラス基板１３０の左端に到達すると蒸着が終了する。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、２つの蒸着源１４０，１４１を順次移動させて蒸着を行うことにより、発光層と電子輸送層とを連続形成している。
そして、マグネット１２０は上方に移動させる。そして、ガラス基板１３０は搬送機構によりシャドウマスク１１１から持ち上げられ、次工程の作業位置まで搬送される。また、発光層と電子輸送層を連続形成するために、２つの蒸着源１４０，１４１を同時に移動させてもよい。
【００４２】
また、蒸着源１４０，１４１の両方に同じ材料（例えば、発光層材料、電子輸送層）をセットしても良い。蒸着源１４０，１４１の両方又はいずれか一方に、陰極材料のような電極材料をセットしても良い。
【００４３】
図７は、上述した蒸着方法により、形成された有機ＥＬ素子の断面図である。１はガラス基板上に形成された平坦化絶縁膜、２はＩＴＯから成る陽極、３はホール輸送層である。ホール輸送層３は全ての画素に共通に、表示領域の全体に形成されており、このホール輸送層３上に、画素毎に、発光層４と第１の電子輸送層５が連続形成されている。更に、第１の電子輸送層５上には、第２の電子輸送層６が全ての画素に共通に、表示領域の全体に形成される。
【００４４】
このように、本実施形態によれば、発光層４と第１の電子輸送層５が連続形成されているので、有機ＥＬ素子の発光特性を向上することができる。また、後述するように、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素毎に、発光層及び電子輸送層の厚さ、材料を変更できるので、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素の有機ＥＬ素子の特性を最適化できるという利点もある。
【００４５】
次に第２の実施形態について、図８及び図９を参照しながら説明する。図８はマルチチャンバー方式の真空蒸着装置３００を示す図である。この真空蒸着装置３００は、５つのチャンバー３０１，３０２，３０３，３０４，３０５を備えており、チャンバー３０１でガラス基板１３０上にホール輸送層３の蒸着が行われる。その後ガラス基板１３０はチャンバー３０２に搬送され、Ｒの画素の発光層及び電子輸送層の蒸着が行われる。その後ガラス基板１３０はチャンバー３０３に搬送され、Ｇの画素の発光層及び電子輸送層の蒸着が行われる。
その後ガラス基板１３０はチャンバー３０４に搬送され、Ｂの画素の発光層及び電子輸送層の蒸着が行われる。そして、ガラス基板１３０は、チャンバー３０５に搬送され、更に電子輸送層が全ての画素に共通に蒸着される。
【００４６】
チャンバー３０１、３０５については、それぞれ蒸着源１５０，１５７が配備されており、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素に対応した３つのチャンバー３０２，３０３，３０４については、それぞれ２つの蒸着源（１５１，１５２）、（１５３，１５４）、（１５５，１５６）が配備されており、第１の実施形態の蒸着方法と同様に、２つの蒸着源を順次に、又は同時に移動させながら、それぞれの画素の発光層及び電子輸送層の蒸着が行われる。
【００４７】
図９は、係る蒸着方法により形成された有機ＥＬ素子の断面図である。図において、簡単のためＲ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の有機ＥＬ素子７０，８０，９０のみを示しており、駆動用のＴＦＴについては図示を省略している。
【００４８】
Ｒ画素の有機ＥＬ素子７０は、陽極７１上に、共通のホール輸送層３を介して、発光層７２及び電子輸送層７３が連続形成されており、その上層に共通の電子輸送層６が形成されている。また、Ｇ画素の有機ＥＬ素子８０は、陽極８１上に、共通のホール輸送層３を介して、発光層８２及び電子輸送層８３が連続形成されており、その上層に共通の電子輸送層６が形成されている。
また、Ｂ画素の有機ＥＬ素子９０は、陽極９１上に、共通のホール輸送層３を介して、発光層９２及び電子輸送層９３が連続形成されており、その上層に共通の電子輸送層６が形成されている。
【００４９】
したがって、本実施形態によれば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素毎に、発光層と電子輸送層とを連続形成して、発光特性を向上させるとともに、それらの厚さ、材料を任意に適宜変更して、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素に最適な条件に設定することができる。
【００５０】
なお、上記実施形態では２つの蒸着源を設け、２層を連続形成する場合について説明したが、これに限定されることなく、３つ以上の蒸着源を設け、３層以上の層を連続形成することもできる。例えば、図１０（ａ）に示すように、３つの蒸着源１４０，１４１，１４２を設け、これらの蒸着源を順次に、または同時に移動させながら３層を連続形成する。この場合、２つの蒸着源１４０，１４１に発光層材料をセットし、残りの蒸着源１４２に電子輸送層材料をセットする。あるいは、蒸着源１４０にホール輸送層材料をセットし、蒸着源１４１に電子輸送層材料をセットし、残りの蒸着源１４２に発光層材料をセットする。
【００５１】
また、図１０（ｂ）に示すように、４つの蒸着源１４０，１４１，１４２，１４３を設け、これらの蒸着源を順次に、または同時に移動させながら４層を連続形成してもよい。例えば、白色発光素子を形成する場合、蒸着源１４０にホール輸送層材料をセットし、蒸着源１４１に電子輸送層材料をセットし、蒸着源１４２にオレンジ色用の発光層材料をセットし、蒸着源１４３に青色用の発光層材料をセットする。この白色発光素子では、白色発光を得るために、オレンジ色用の発光層と青色用の発光層とがホール輸送層上に積層される。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の蒸着方法によれば、複数の蒸着源を順次移動させながら、基板上に材料の異なる複数の蒸着層を連続してパターン形成しているので、蒸着層の界面状態を安定化することができる。また、蒸着層の厚さ、材料を最適化することができる。
【００５３】
特に、この蒸着方法を有機ＥＬ素子の製造に適用することにより、発光特性を安定させることができる。また、有機ＥＬ素子を構成するホール輸送層、発光層、電子輸送層をＲ、Ｇ、Ｂの各画素毎に最適化することができるようになり、ＥＬ表示装置の品位を向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る蒸着方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図１の真空蒸着装置を上面から見た図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る蒸着方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る蒸着方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る蒸着方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る蒸着方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る蒸着方法により形成された、有機ＥＬ素子の断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る真空蒸着装置を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る真空蒸着方法により形成された有機ＥＬ素子の断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る蒸着方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１１】従来のＥＬ表示装置の平面図である。
【図１２】図１１中のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図１３】有機ＥＬ材料の蒸着によるパターン形成方法を示す図である。
【図１４】有機ＥＬ材料の蒸着によるパターン形成方法を示す図である。
【図１５】有機ＥＬ材料の蒸着によるパターン形成方法を示す図である。
【図１６】有機ＥＬ材料の蒸着によるパターン形成方法を示す図である。
【符号の説明】
１　平坦化絶縁膜　　２　陽極　　３　ホール輸送層　　４　発光層
５　第１の電子輸送層　　６　第２の電子輸送層　　１０　絶縁性基板
７０，８０，９０　有機ＥＬ素子　　７１　陽極　　７２　発光層
７３　電子輸送層　　８１　陽極　　８２　発光層　　８３　電子輸送層
９１　陽極　　９２　発光層　　９３　電子輸送層　　１００　真空蒸着装置
１０１　排気系　　１１０　支持台　　１１１　シャドウマスク
１１２　開口部　　１２０　マグネット　　１３０　ガラス基板
１４０，１４１　蒸着源　　１５１〜１５７　蒸着源
３０１〜３０５　チャンバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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