(57)【要約】【課題】高輝度発光可能な発光素子、及び高輝度発光可能で、赤色純度に優れ、かつ耐久性に優れた発光素子を提供する。【解決手段】一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数の有機層が形成された発光素子であって、一般式（Ｉ）で表される第一の発光材料と、第一の発光材料より短波発光可能な第二の発光材料とを含有する発光層を有する発光素子。一般式（Ｉ）【化１】
2004006074.tif 000030
式中、Ｒ１及びＲ２は、各々脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｌは共役結合からなる連結基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｌは各々結合して環を形成しても良い。Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は水素原子又は置換基を表す。Ｒｘ及びＲｙは、各々水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数の有機層が形成された発光素子であって、一般式（Ｉ）で表される第一の発光材料と、第一の発光材料より短波発光可能な第二の発光材料とを含有する発光層を有する発光素子。
一般式（Ｉ）
【化１】
2004006074.tif 000028
式中、Ｒ１及びＲ２は、各々脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｌは共役結合からなる連結基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｌは各々結合して環を形成しても良い。Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は水素原子又は置換基を表す。Ｒｘ及びＲｙは、各々水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。
【請求項２】
第二の発光材料が一般式（ＩＩＩ）で表される請求項１記載の発光素子。
一般式（ＩＩＩ）
【化２】
2004006074.tif 000029
式中、Ｒ１は脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は同一又は異なっていてもよく、各々水素原子又は置換基を表す。Ｌは共役結合からなる連結基を表し、Ｒ１、Ｌは結合して環を形成しても良い。Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は水素原子又は置換基を表す。Ｒｘ及びＲｙは、各々水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バックライト、フラットパネルディスプレイ、照明光源、表示素子、電子写真、有機半導体レーザー、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、光通信デバイス等の分野に利用可能な発光素子、特に有機電界発光（ＥＬ）素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子に用いる、緑色より長波に発光材料として、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−（４−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）やその誘導体、ナイルレッド誘導体、Ｅｕ（ＩＩＩ）錯体等の発光材料が開発されているが、色純度が悪い、発光輝度、発光効率が低い、耐久性が低い等の問題があった。
【０００３】
特開平１１−３３５６６１号公報では、環状酸性核を含有する化合物を用いた発光素子は、赤色純度、発光輝度、発光効率、及び耐久性に優れることを開示している。
【０００４】
また、素子の駆動方法には、アクティブマトリックス方式とパッシブマトリックス方式があるが、パッシブマトリックス駆動では、瞬間的に数万カンデラという輝度を必要とする。赤色発光素子の場合、十分な発光輝度が得られず、発光輝度の向上が望まれる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第一の目的は、高輝度発光可能な発光素子を提供にある。本発明の第二の目的は、赤色純度に優れ、かつ高輝度発光可能な発光素子を提供にある。本発明の第三の目的は、耐久性に優れた素子を提供にある。本発明の第四の目的は、素子作製の簡便性に優れた素子を提供にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題は下記手段によって達成される。
（１）一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数の有機層が形成された発光素子であって、一般式（Ｉ）で表される第一の発光材料と、第一の発光材料より短波発光可能な第二の発光材料とを含有する発光層を有する発光素子。
一般式（Ｉ）
【０００７】
【化３】
2004006074.tif 000002
【０００８】
式中、Ｒ１及びＲ２は、各々脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は同一又は異なっていてもよく、各々水素原子又は置換基を表す。Ｌは共役結合からなる連結基を表し、Ｒ１、Ｌは結合して環を形成しても良い。Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は水素原子又は置換基を表す。Ｒｘ及びＲｙは、各々水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。
（２）発光層中における第一の発光材料に対する第二の発光材料の質量比が０．０１質量％以上３０質量％以下である（１）に記載の発光素子。
（３）一対の電極間に発光層又は発光層を含む複数の有機層が形成された発光素子であって、一般式（Ｉ）で表される第一の発光材料と、第一の発光材料より短波発光可能な第二の発光材料とを含有する発光層を有し、第二の発光材料の質量比が発光層全体の質量に対して０．０００１質量％以上１質量％以下である発光素子。
（４）一般式（Ｉ）が一般式（ＩＩ）で表される（１）〜（３）に記載の発光素子。
一般式（ＩＩ）
【０００９】
【化４】
2004006074.tif 000003
【００１０】
式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なっていても良く、各々脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。Ｌは共役結合からなる連結基を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｌは各々結合して環を形成しても良い。Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は水素原子又は置換基を表す。Ｚ１は５ないし６員環を形成するのに必要な原子群を表す。
（５）第二の発光材料が一般式（ＩＩＩ）で表される（１）〜（３）に記載の発光素子。
一般式（ＩＩＩ）
【００１１】
【化５】
2004006074.tif 000004
【００１２】
式中、Ｒ１は、各々脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は同一又は異なっていてもよく、各々水素原子又は置換基を表す。Ｌは共役結合からなる連結基を表し、Ｒ１、Ｌは結合して環を形成しても良い。Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は水素原子又は置換基を表す。Ｒｘ及びＲｙは、各々水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。
（６）一般式（ＩＩＩ）が一般式（ＩＶ）で表される（５）に記載の発光素子。
一般式（ＩＶ）
【００１３】
【化６】
2004006074.tif 000005
【００１４】
式中、Ｒ１は水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は同一又は異なっていてもよく、各々水素原子又は置換基を表す。Ｌは共役結合からなる連結基を表し、Ｒ１、Ｌは各々結合して環を形成しても良い。Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は水素原子又は置換基を表す。Ｚ１は５ないし６員環を形成するのに必要な原子群を表す。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物について説明する。Ｒ１及びＲ２は同一又は異なっても良く、各々水素原子、脂肪族炭化水素基、アリール基又はヘテロ環基を表す。また、可能な場合はＲ１とＲ２、Ｒ１とＬ、Ｒ２とＬは各々互いに連結して環を形成しても良い。
【００１６】
Ｒ１及びＲ２で表される脂肪族炭化水素基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、更に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えば、メチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、更に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、更に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）である。前記脂肪族炭化水素基は、好ましくはアルキル基、アルケニル基であり、より好ましくはアルキル基である。
【００１７】
Ｒ１、Ｒ２、Ｌと結合して縮合環を形成してもよく、Ｒ１とＲ２で連結して環を形成たものとして、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環等が挙げられる。
【００１８】
Ｒ１及びＲ２で表されるアリール基としては好ましくは炭素数６〜３０の単環又は多環のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、ピレニル等が挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０のフェニル基又は炭素数１０〜２４のナフチル基、炭素数１４〜３０のアントリル基、フェナントリル基であり、更に好ましくは炭素数６〜１２のフェニル基、炭素数１０〜１６のナフチル基、炭素数１４〜２０のアントリル基、フェナントリル基である。Ｒ１とＲ２が連結して５ないし７員環を形成しても良く（例えばカルバゾール、フェノキサジン、フェノチアジン、アゼピン、ベンゾアゼピン等）等が挙げられ、好ましくはカルバゾール、アゼピン、ベンゾアゼピンである。
【００１９】
Ｒ１及びＲ２で表されるヘテロ環基は、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を少なくとも一つ含む３ないし１０員環の飽和もしくは不飽和のヘテロ環基であり、これらは単環であっても良いし、更に他の環と縮合環を形成していても良い。
ヘテロ環基として好ましくは、３ないし１０員環の芳香族へテロ環基であり、より好ましくは５ないし６員環の芳香族へテロ環基である。
【００２０】
上記ヘテロ環の具体例としては、例えばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデン等が挙げられる。ヘテロ環として好ましくは、チオフェン、トリアゾール、オキサゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、キノリンであり、より好ましくはチオフェン、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、更に好ましくはチオフェンである。
【００２１】
Ｒ１、Ｒ２で表される脂肪族炭化水素基、アリール基及びヘテロ環基は、一価の置換基を有していてもよい。一価の置換基を以下に挙げる。なお本明細書において、一価の置換基という用語は下記の説明を意味する。
【００２２】
（一価の置換基）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１２、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジフェニルアミノ、ジベンジルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ等が挙げられる。）、
【００２３】
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数３〜１６、特に好ましくは炭素数４〜１２であり、例えばピリジノオキシ、ピリミジノオキシ、ピリダジノオキシ、ベンズイミダゾリルオキシ等が挙げられる。）シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２０であり、例えばトリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げられる。）、
【００２４】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数４〜１２であり、例えばピリジノチオ、ピリミジノチオ、ピリダジノチオ、ベンズイミダゾリルチオ、チアジアゾリルチオ等が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、
【００２５】
スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含むものであり具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル、アゼピニル等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）等が挙げられる。これらの置換基は更に置換されても良い。
【００２６】
また一価の置換基が二つ以上ある場合は、同一でも異なっていても良い。また、可能な場合には互いに連結して環を形成していても良い。
【００２７】
Ｒ１、Ｒ２が脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基の場合の置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルホニル基、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリル基、芳香族ヘテロ環基である。
【００２８】
Ｒ１、Ｒ２として好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基である。Ｒ１、Ｒ２として特に好ましくはアルキル基、Ｌと連結して環を形成するアルキレン基、アリール基であり、更に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基、Ｌと連結して５ないし６員環を形成するアルキレン基、置換又は無置換のフェニル基である。
【００２９】
Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｒ３〜Ｒ５で表される置換基としては、例えばＲ１、Ｒ２の置換基として挙げたものが適用できる。
【００３０】
Ｒ３として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基であり、さらに好ましくは水素原子である。
【００３１】
Ｒ４として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、Ｒ５と連結して環を形成したものであり、より好ましくは水素原子、アルキル基であり、更に好ましくは水素原子である。
【００３２】
Ｒ５として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、Ｒ４と連結して環を形成したものであり、より好ましくはアルキル基（好ましくは炭素数２以上２０以下のアルキル基、より好ましくは炭素数３以上２０以下の分岐又は環状アルキル基、更に好ましくは炭素数４以上１２以下の４級炭素を持つ分岐又は環状アルキル基、特に好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基である。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２以上３０以下、より好ましくは炭素数３以上２５以下、更に好ましくは炭素数４以上２５以下のアルケニル基である。）、アリール基（好ましくはｏ−位に置換基のあるアリール基、より好ましくは炭素数７以上３０以下のｏ−位に置換基のあるアルキル置換フェニル基、更に好ましくは２，６−ジメチル置換フェニル基、特に好ましくは２，４，６−トリメチルフェニル基である。）であり、特に好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基、２，４，６−トリメチルフェニル基であり、最も好ましくはｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００３３】
Ｙは酸素原子、硫黄原子、Ｎ−ＲＹ１を表し、ＲＹ１は、水素原子又は置換基を表す。Ｙとして好ましくは酸素原子、Ｎ−ＲＹ１であり、より好ましくは酸素原子である。
【００３４】
ＲＹ１で表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、ヘテロ環基等が挙げられ、これら置換基の範囲は、上述の一価の置換基の説明と同じ範囲である。ＲＹ１で表される置換基は好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基である。ＲＹ１で表される置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には連結して環を形成してもよい。
【００３５】
Ｌは共役結合の連結基を表す。Ｌで表される連結基として好ましくは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｇｅ等で形成される共役結合性連結基であり、より好ましくはアルケニレン、アルキニレン、アリーレン、二価の芳香族ヘテロ環（好ましくはアジン、アゾール、チオフェン、フラン環から形成される芳香族へテロ環である。）、アゾ、イミン及びＮとこれらの組み合わせから成る基であり、更に好ましくはアルケニレン、アリーレン、二価の芳香族へテロ環及びＮとこれらの組み合わせから成る基であり、特に好ましくはアルケニレン及び炭素数６〜３０のアリーレン（更に好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２である。）の組合せから成る基である。
Ｌで表される連結基の具体例としては、例えば以下のものが挙げられる。
【００３６】
【化７】
2004006074.tif 000006
【００３７】
【化８】
2004006074.tif 000007
【００３８】
【化９】
2004006074.tif 000008
【００３９】
【化１０】
2004006074.tif 000009
【００４０】
Ｒｘ及びＲｙは、各々同一又は異なってもよく、水素原子又は置換基を表し、少なくとも一方は電子求引性基を表す。また、Ｒｘ、Ｒｙは連結して環を形成してもよい。
【００４１】
Ｒｘ、Ｒｙで表される置換基としては、例えばＲ１、Ｒ２の置換基として挙げたものが適用できる。Ｒｘ、Ｒｙで表される置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボニル基、チオカルボニル基、オキシカルボニル基、アシルアミノ基、カルバモイル基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、ホスホリル基、イミノ基、シアノ基、ハロゲン原子、シリル基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは、Ｈａｍｍｅｔｔのσｐ値（例えば、シグマパラ値の定義及び値はＣｈｅｍ．　Ｒｅｖ．　１９９１，　１６５−１９５に記載されている）が０．２以上の電子求引性基であり、更に好ましくはアリール基、芳香族ヘテロ環基、シアノ基、カルボニル基、チオカルボニル基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、スルホニル基、イミノ基、ハロゲン原子、及びＲｘ、Ｒｙが連結して電子求引性基の環を形成したものであり、特に好ましくは芳香族ヘテロ環基、カルボニル基、シアノ基、イミノ基、Ｒｘ、Ｒｙが連結して電子求引性基の環を形成したものであり、最も好ましくはシアノ基、Ｒｘ、Ｒｙが連結して電子求引性基の環を形成したものである。
【００４２】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物がより好ましい。一般式（ＩＩ）で表される化合物は、一般式（Ｉ）のＲｘ、Ｒｙが連結して環を形成した化合物であり、Ｚ１は５ないし６員環を形成するに必要な原子群を表し、形成される環としては、通常メロシアニン色素で酸性核として用いられるものが好ましく、その具体例としては例えば以下のものが挙げられる。
【００４３】
（ａ）１，３−ジカルボニル核：例えば１，３−インダンジオン核、１，３−シクロヘキサンジオン、５，５−ジメチル−１，３−シクロヘキサンジオン、１，３−ジオキサン−４，６−ジオン等。
（ｂ）ピラゾリノン核：例えば１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、３−メチル−１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、１−（２−ベンゾチアゾイル）−３−メチル−２−ピラゾリン−５−オン等。
（ｃ）イソオキサゾリノン核：例えば３−フェニル−２−イソオキサゾリン−５−オン、３−メチル−２−イソオキサゾリン−５−オン等。
（ｄ）オキシインドール核：例えば１−アルキル−２，３−ジヒドロ−２−オキシインドール等。
（ｅ）２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核：例えばバルビツル酸又は２−チオバルビツル酸及びその誘導体等。誘導体としては例えば１−メチル、１−エチル等の１−アルキル体、１，３−ジメチル、１，３−ジエチル、１，３−ジブチル等の１，３−ジアルキル体、１，３−ジフェニル、１，３−ジ（ｐ−クロロフェニル）、１，３−ジ（ｐ−エトキシカルボニルフェニル）等の１，３−ジアリール体、１−エチル−３−フェニル等の１−アルキル−１−アリール体、１，３−ジ（２―ピリジル）等の１，３位ジヘテロ環置換体等が挙げられる。（ｆ）２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核：例えばローダニン及びその誘導体等。誘導体としては例えば３−メチルローダニン、３−エチルローダニン、３−アリルローダニン等の３−アルキルローダニン、３−フェニルローダニン等の３−アリールローダニン、３−（２−ピリジル）ローダニン等の３位ヘテロ環置換ローダニン等が挙げられる。
【００４４】
（ｇ）２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン（２−チオ−２，４−（３Ｈ，５Ｈ）−オキサゾールジオン核：例えば３−エチル−２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン等。
（ｈ）チアナフテノン核：例えば３（２Ｈ）−チアナフテノン−１，１−ジオキサイド等。
（ｉ）２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核：例えば３−エチル−２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン等。
（ｊ）２，４−チアゾリジンジオン核：例えば２，４−チアゾリジンジオン、３−エチル−２，４−チアゾリジンジオン、３−フェニル−２，４−チアゾリジンジオン等
（ｋ）チアゾリン−４−オン核：例えば４−チアゾリノン、２−エチル−４−チアゾリノン等。
（ｌ）２，４−イミダゾリジンジオン（ヒダントイン）核：例えば２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル−２，４−イミダゾリジンジオン等。
（ｍ）２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン（２−チオヒダントイン）核：例えば２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン、３−エチル−２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン等。
（ｎ）イミダゾリン−５−オン核：例えば２−プロピルメルカプト−２−イミダゾリン−５−オン等。
（ｏ）３，５−ピラゾリジンジオン核：例えば１，２−ジフェニル−３，５−ピラゾリジンジオン、１，２−ジメチル−３，５−ピラゾリジンジオン等。
（ｐ）ベンゾチオフェンー３−オン核：例えばベンゾチオフェンー３−オン、オキソベンゾチオフェンー３−オン、ジオキソベンゾチオフェンー３−オン等。
（ｑ）インダノン核：例えば１−インダノン、３−フェニルー１−インダノン、３−メチルー１−インダノン、３，３−ジフェニルー１−インダノン、３，３−ジメチルー１−インダノン等。
【００４５】
Ｚ１で形成される環として好ましくは、１，３−ジカルボニル核、ピラゾリノン核、２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、２−チオ−２，４−チアゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−オキサゾリジンジオン核、２−チオ−２，５−チアゾリジンジオン核、２，４−チアゾリジンジオン核、２，４−イミダゾリジンジオン核、２−チオ−２，４−イミダゾリジンジオン核、２−イミダゾリン−５−オン核、３，５−ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー３−オン核、インダノン核であり、より好ましくは１，３−ジカルボニル核、２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）、３，５−ピラゾリジンジオン核、ベンゾチオフェンー３−オン核、インダノン核であり、さらに好ましくは１，３−ジカルボニル核、２，４，６−トリケトヘキサヒドロピリミジン核（チオケトン体も含む）であり、特に好ましくは１，３−インダンジオン核である。
【００４６】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｙ、及びＬは、各々一般式（Ｉ）におけるそれらと同様であり、また好ましい範囲も同じである。
【００４７】
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物について説明する。一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、一般式（Ｉ）のＲ２が水素原子で表される化合物である。一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｙ、ＲＸ、ＲＹ、及びＬは、各々一般式（Ｉ）におけるそれらと同様であり、また好ましい範囲も同じである。
【００４８】
一般式（ＩＶ）で表される化合物について説明する。一般式（ＩＶ）で表される化合物は、一般式（ＩＩ）のＲ２が水素原子で表される化合物である。一般式（ＩＶ）中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｙ、Ｚ１、及びＬは、各々一般式（ＩＩ）におけるそれらと同様であり、また好ましい範囲も同じである。
【００４９】
一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物（本明細書において、本発明の化合物として定義する）は低分子であっても良いし、残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）もしくは、一般式（Ｉ）又は一般式（ＩＶ）で表される化合物を主鎖に持つ高分子量化合物（好ましくは質量平均分子量１０００〜５００００００、より好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）であっても良い。高分子量化合物の場合はホモポリマーであっても良いし、他のポリマーとの共重合体であっても良く、共重合体である場合はランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であっても良い。本発明で用いる化合物としては、好ましくは低分子量化合物である。
【００５０】
一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）で表される化合物は金属キレートを形成した状態で含有されてもよく、その互変異性体であっても良い。
【００５１】
以下に、一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５２】
【化１１】
2004006074.tif 000010
【００５３】
【化１２】
2004006074.tif 000011
【００５４】
【化１３】
2004006074.tif 000012
【００５５】
【化１４】
2004006074.tif 000013
【００５６】
【化１５】
2004006074.tif 000014
【００５７】
【化１６】
2004006074.tif 000015
【００５８】
【化１７】
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【００５９】
【化１８】
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【００６０】
【化１９】
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【００６１】
【化２０】
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【００６２】
【化２１】
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【００６３】
【化２２】
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【００６４】
本発明の一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６５】
【化２３】
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【００６６】
【化２４】
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【００６７】
【化２５】
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【００６８】
【化２６】
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【００６９】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、種々の合成法により合成することができるが、例えば、ジ置換アニリン骨格のアリール基をホルミル化した後、活性メチレン化合物と無塩基下もしくは塩基存在下反応させる方法等が適用できる。例えば特開平１１−３３５６６１号、特開平１１−２９２８７５号、特開平１１−３３５３６８号、特開２０００―３５１７７４号、特開２００１―８１４５１号等に記載の方法を参考にして合成できる。
【００７０】
一般式（ＩＩＩ）で表されるモノ置換アニリン骨格も一般式（Ｉ）と同様の方法で合成することができる。また、メチル置換アニリン体をシリカゲルカラム処理することにより、脱メチル化したり、メチル置換アニリン体を高温で昇華することにより、脱メチル化し、モノ置換アニリン体を合成できる。
【００７１】
以下に、本発明の発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は一般式（Ｉ）からの発光を利用するものである。発光層中に一般式（Ｉ）で表される第一の発光材料と該発光材料より短波発光可能な第二の発光材料を含有する。第二の発光材料の第一の発光材料に対する質量比は、０．０１質量％以上３０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上２５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１０質量％以下がさらに好ましく、１質量％以上５質量％以下が特に好ましい。
【００７２】
本発明の発光素子は、第一の発光材料と該発光材料より短波発光可能な第二の発光材料は同一の発光層に存在することが好ましい。発光層中の第二の発光材料の質量比が発光層全体に対して、０．０００１質量％以上１質量％以下であり、好ましくは０．０００１質量％以上０．５質量％以下であり、より好ましくは０．０００１質量％以上０．１質量％以下である。
【００７３】
前記第二の発光材料は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物が好ましく、一般式（ＩＶ）で表される化合物が好ましい。
【００７４】
本発明の発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、転写法、電子写真法等の方法が用いられ、特性面、製造面を考えると抵抗加熱蒸着、コーティング法が好ましい。
【００７５】
本発明の化合物を発光素子用材料として用いた場合、ホール注入・輸送層、電子注入・輸送層、発光層のいずれに用いても良いが、発光層に用いることが好ましい。
【００７６】
本発明の発光素子は、陽極、陰極の一対の電極間に発光層、もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層等を有してもよく、またこれらの各層は各々他の機能を備えたものであっても良い。各層の形成には各々種々の材料を用いることができる。
【００７７】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物等を用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物、又は積層物、ヨウ化銅、留化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物等が挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高伝導性、透明性等の観点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７８】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板等の上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカ等のバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは機械的強度を保つのに充分な厚みであれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法等）、ＩＴＯの分散物の塗布等の方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理等が効果的である。
【００７９】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層等の陰極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）又はそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）又はそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、又はそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金、又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、又はそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金、又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、又はそれらの混合金属等である。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【００８０】
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００８１】
発光層の材料は、少なくとも一組の発光材料及びホスト材料からなり、また、本発明の一般式（Ｉ）、又は一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の他の発光材料を併用してもよく、電界印加時に陽極又は正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極又は電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであればなんでも良い。発光層に用いる化合物としては励起一重項から発光するもの、励起三重項から発光するもののいずれでもよく、例えば本発明の化合物の他、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ペリレン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノールの金属錯体、有機金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体や上記の誘導体、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。
【００８２】
発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００８３】
発光層は単数でも複数であってもよい。また、複数の発光層が各々異なる発光色で発光し白色等を発してもよく、単一の発光層が白色発光してもよい。
【００８４】
発光層の形成方法は特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップ法等）、ＬＢ法、インクジェット法、印刷法、転写法、電子写真法等の方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着法、コーティング法である。
【００８５】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、カルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー及びポリマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー及びポリマー、カーボン膜や上記の誘導体等が挙げられる。
【００８６】
正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は材質により特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。
【００８７】
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、インクジェット法、印刷法、転写法、電子写真法、前記正孔注入材料、正孔輸送材料を溶媒に溶解、又は分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
【００８８】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、トリアゾール、トリアジン、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレンペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体や上記の誘導体等が挙げられる。
【００８９】
電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。
【００９０】
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、インクジェット法、印刷法、転写法、前記電子注入材料、電子輸送材料を溶媒に溶解、又は分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入・輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００９１】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入る事を抑止する機能を有しているものであれば良い。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【００９２】
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシー）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、インクジェット法、印刷法、転写法を適用できる。
【００９３】
【実施例】
実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００９４】
比較例１
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄後、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）約４０ｎｍ、赤色発光材料（Ｄ−１４）及びＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）を各々蒸着速度０．００４ｎｍ／秒、０．４ｎｍ／秒で膜厚約４０ｎｍとなるように共蒸着した。さらに電子輸送材料（Ｅ−１）約２０ｎｍを順に１０−３〜１０−４Ｐａの真空中で、基板温度室温の条件下蒸着した。さらに有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなる）を装着し、フッ化リチウムを５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを５００ｎｍを蒸着し、引き続き素子を封止しＥＬ素子を作製した（素子Ｎｏ．１０１）。
【００９５】
実施例１
比較例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、ＴＰＤ約４０ｎｍ蒸着した後、赤色発光材料（Ｄ−１４）と（Ｆ−９）の３：１の混合比で、及びＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）を各々蒸着速度０．００４ｎｍ／秒、０．４ｎｍ／秒で膜厚約４０ｎｍとなるように共蒸着した。さらに電子輸送材料（Ｅ−１）約２０ｎｍを順に蒸着し、次いで実施例１と同様に陰極を蒸着、封止しＥＬ素子を作製した（素子Ｎｏ．１０２）
【００９６】
実施例２
赤色発光材料（Ｄ−１４）と（Ｆ−９）の混合比を１００：１としたものを用い実施例１と同様にしてＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ．１０３）。
【００９７】
実施例３
赤色発光材料（Ｄ−１４）をクロロホルムに溶解したものにクロマト用シリカゲル単体を添加し２時間攪拌した。シリカゲル単体を濾過にて除去後、エタノールを添加し、濃縮しクロロホルムを留去することにより、結晶を得た。
この結晶の成分をＨＰＬＣにて確認したところ、赤色発光材料（Ｄ−１４）と（Ｆ−９）の１００：２の混合物であることが判った。この混合物を用い、実施例１と同様にしてＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ．１０４）。
【００９８】
実施例４
比較例１と同様の操作で赤色発光材料（Ｄ−１４）及びＡｌｑの共蒸着時の減圧度を８×１０−２〜１０−３Ｐａと低下させ、ボートの加熱温度を上げて蒸着し、ＥＬ素子を作成した（素子Ｎｏ．１０５）。作成した素子中の赤色発光材料の含有比を定量したところＤ−１４：Ｆ−９は１００：２であった。
【００９９】
測定方法
東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧（０〜２１Ｖ）をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。下記表に結果を示す。なお、発光材料含率は質量％を意味し、下記表では二者の質量比を示している。
【０１００】
【表１】
2004006074.tif 000026
【０１０１】
【化２７】
2004006074.tif 000027
【０１０２】
表１は、赤色発光材料（Ｄ−１４）と、（Ｄ−１４）より短波発光可能な（Ｆ−９）とを混合させることにより、赤色色純度に優れ、かつ高輝度発光の発光素子が作成できることを示している。また、Ｆ−９の含率の高いもの（２５％）は黄色味を帯びて、色純度が悪化するが（素子Ｎｏ．１０２）、含率を低くすることにより、発光素子の高輝度発光と赤色色純度とが両立できる。同様に、本発明の素子は駆動耐久性にも優れる。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明によれば、一般式（Ｉ）で表される第一の発光材料と、該発光材料より短波発光可能な第二の発光材料とを含有する発光層を有する発光素子は、高輝度発光が可能である。また発光層中の第一の発光材料に対する第二の発光材料の質量比を調整することで、赤色色純度に優れ、かつ高輝度発光の発光素子が作成できる。
アニリン骨格にメチル基を有する化合物（実施例４）は、蒸着時に脱メチル化が進行する。第一の発光材料と第二の発光材料（モノアルキル置換体）とを混合させる工程（共蒸着等）を用いないで、所望の混合組成の膜を得ることができる。また特別な工程を経ないため、素子作成の簡便性にも優れる。