(57)【要約】【課題】  半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された梁部とマス部とを有する可動電極を備えた半導体力学量センサであって、生産性の向上が可能な半導体力学量センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  可動電極１３は、格子状部材で構成されたマス１３１とそれを支えている４本の梁部１３２から構成されており、梁部１３２は絶縁膜１２を介してＰ型半導体基板１０上に固定されている。また、各格子の幅は梁部１３２と同じ幅（例えば約４μｍ）となるように形成されている。これにより、製造時において、マス１３１と梁部１３２との下部の犠牲層をエッチングすることで、梁部１３２を可動にするのと同一の時間でマス１３１を可動にできる。従って、必要最小限の時間でエッチングを完了することができるので生産性を向上させることができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能であり、前記可動電極が自身と前記半導体基板との間に形成された犠牲層をエッチング除去することで可動とされた半導体力学量センサであって、
前記可動電極は、力学量の作用によって変位するマス部と、該マス部に連結される梁部とを有し、前記マス部は、該梁部を構成する部材の幅と略同一の幅を有する格子の組み合わせにより形成されることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項２】
半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能であり、前記可動電極が自身と前記半導体基板との間に形成された犠牲層をエッチング除去することで可動とされた半導体力学量センサであって、
前記可動電極は、力学量の作用によって変位するマス部と、該マス部に連結される梁部とを有し、前記マス部は複数の開口部を備えるとともに隣接する開口部の相互間距離が該梁部を構成する部材の幅と略同一に設定されることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項３】
前記マス部は格子状に形成されるとともに、各格子の幅が前記梁部を構成する部材の幅と略同一に設定されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体力学量センサ。
【請求項４】
前記マス部を構成する前記格子は、前記マス部が変位可能な第１方向に沿った複数の第１格子群と、前記半導体基板の表面に平行であって第１方向とは垂直方向の第２方向に沿うとともに前記第１格子群と交差する複数の第２格子群とから構成されており、前記第１格子群の相互間距離が前記第２格子群の相互間距離よりも小さく設定されることを特徴とする請求項３記載の半導体力学量センサ。
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能な半導体力学量センサの製造方法であって、
半導体基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に、格子状に形成されたマス部、及び前記マス部の各格子の幅と略同一の幅を有する部材からなる梁部を形成する工程と、
前記マス部及び前記梁部の下部の前記犠牲層を同時にエッチングすることで前記マス部及び前記梁部を前記半導体基板に対して可動にする工程と
を備えることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能な半導体力学量センサの製造方法であって、
半導体基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に、梁部、及び該梁部に連結され複数の開口部を備えるとともに隣接する開口部の相互間距離が前記梁部を構成する部材の幅と略同一に設定されるマス部を形成する工程と、
前記マス部及び前記梁部の下部の前記犠牲層を同時にエッチングすることで前記マス部及び前記梁部を前記半導体基板に対して可動にする工程と
を備えることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
【請求項７】
前記マス部は格子状に形成されるとともに、各格子の幅が前記梁部を構成する部材の幅と略同一に設定されることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の半導体力学量センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体力学量センサに係り、特に半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された梁部とマス部とを有する可動電極を備え、この可動電極の変位に応じて力学量を検出可能な半導体力学量センサ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来自動車用の力学量（例えば、加速度）センサにおいて検出精度が良く、安価で大量生産に向いている方式として半導体力学量センサが有望視されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、基板上に所定の間隔を隔てて配置された梁部とマス部とを有する可動電極を備え、力学量（この場合、加速度）が可動電極に作用することにより可動電極の変位が変位し、この変位に応じて力学量を検出可能とした半導体力学量（加速度）センサが記載されている。同公報においては、基板上に犠牲層が形成され、この犠牲層上に導電層が形成され、その後犠牲層をエッチング除去することで導電層を梁部と複数の開口部を有するマス部とを有する可動電極としている。
【特許文献１】特開平５−２４９１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載された半導体力学量（加速度）センサにおいては、梁部周辺やマス部の開口部を通してエッチングのエッチャントを犠牲層に到達させ、延いては梁部やマス部の下部の犠牲層を除去すると考えられるが、梁部幅や開口部相互間距離が大きく異なっているために、梁部やマス部の下部の犠牲層を除去し終える時間が基板内で大きく異なる。この場合、梁部幅や開口部相互間距離の大きい部分では犠牲層除去時間が長くかかるので、生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
そこで本発明の目的は、半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された梁部とマス部とを有する可動電極を備えた半導体力学量センサであって、生産性の向上が可能な半導体力学量センサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために構成された第１発明の半導体力学量センサは、半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能であり、前記可動電極が自身と前記半導体基板との間に形成された犠牲層をエッチング除去することで可動とされた半導体力学量センサであって、前記可動電極は、力学量の作用によって変位するマス部と、該マス部に連結される梁部とを有し、前記マス部は、該梁部を構成する部材の幅と略同一の幅を有する格子の組み合わせにより形成されることを特徴としている。
【０００７】
また上記目的を達成するために構成された第２発明の半導体力学量センサは、半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能であり、前記可動電極が自身と前記半導体基板との間に形成された犠牲層をエッチング除去することで可動とされた半導体力学量センサであって、前記可動電極は、力学量の作用によって変位するマス部と、該マス部に連結される梁部とを有し、前記マス部は複数の開口部を備えるとともに隣接する開口部の相互間距離が該梁部を構成する部材の幅と略同一に設定されることを特徴としている。
【０００８】
また上記目的を達成するために構成された第３発明の半導体力学量センサの製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能な半導体力学量センサの製造方法であって、半導体基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に、格子状に形成されたマス部、及び前記マス部の各格子の幅と略同一の幅を有する部材からなる梁部を形成する工程と、前記マス部及び前記梁部の下部の前記犠牲層を同時にエッチングすることで前記マス部及び前記梁部を前記半導体基板に対して可動にする工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
また上記目的を達成するために構成された第４発明の半導体力学量センサの製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて配置された可動電極とを備え、前記可動電極の変位に応じて力学量を検出可能な半導体力学量センサの製造方法であって、半導体基板上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層上に、梁部、及び該梁部に連結され複数の開口部を備えるとともに隣接する開口部の相互間距離が前記梁部を構成する部材の幅と略同一に設定されるマス部を形成する工程と、前記マス部及び前記梁部の下部の前記犠牲層を同時にエッチングすることで前記マス部及び前記梁部を前記半導体基板に対して可動にする工程とを備えることを特徴としている。
【００１０】
上記第１発明又は第２発明においては、梁部を可動にするのと略同一の時間でマス部を可動にできるので生産性を向上させることができる半導体力学量センサを得ることができる。
【００１１】
また、上記第３発明又は第４発明においては、梁部を可動にするのと略同一の時間でマス部を可動にできるので生産性を向上させることができる半導体力学量センサの製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１実施例）
以下に本発明の第１実施例を図面に基づき説明する。
【００１３】
図１は本発明の第１実施例に係るＭＩＳＦＥＴ型の半導体加速度センサを示す図である。図１において可動電極１３は、格子状に形成されたマス１３１（加重手段）とそれを支えている４本の梁部１３２（梁状部，ねじれ防止手段），ゲート電極１３３ａ，１３３ｂ（ゲート電極部）から構成されており、また梁部１３２は絶縁膜１２を介してＰ型シリコン基板１０（半導体基板）上に固定されている。
【００１４】
図２は図１における２−２断面図、図３は図１における３−３断面図を示す図である。図２に示すように、Ｐ型シリコン基板１０の主表面上にはゲート絶縁膜１１が全面に形成され、その上には絶縁膜１２が形成されている。ここでゲート絶縁膜１１は基板表面のリーク電流を低減するとともにトランジスタ特性の経時変化を抑制する。ゲート絶縁膜１１及び絶縁膜１２はＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4等よりなる。また、Ｐ型シリコン基板１０上には絶縁膜１２の無い領域、即ち空隙部１４が形成されている。ゲート絶縁膜１１の上方には、空隙部１４を架設するように絶縁膜１２を介して両持ち梁構造の可動電極１３が配置される構造となっている。この可動電極１３はポリシリコンより成り、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極として働く。ここで、梁部１３２は４本とも梁状部として扱っても良いし、図面に向かって左右の各一本づつの梁部１３２のみを梁状部とし、他の二本はねじれ防止手段として扱っても良い。
【００１５】
なお、可動電極１３の下部における絶縁膜１２の空隙部１４は、犠牲層としてゲート絶縁膜１１上一面に絶縁膜を形成し、その後絶縁膜１２の一部を残すようにエッチングすることにより形成されるものである。この犠牲層エッチングの際には、可動電極１３と基板表面を保護するゲート絶縁膜１１はエッチングされず、犠牲層である部分の絶縁膜のみがエッチングされるエッチング液が使用される。例えば、ゲート絶縁膜としてＳｉ3Ｎ4膜を用い、犠牲層としてＳｉＯ2膜を用い、ＨＦ系のエッチング液を用いれば良い。
【００１６】
また、図１に示すように可動電極１３のマス１３１は格子状に形成されており、各格子の幅は梁部１３２と同じ幅（例えば約４μｍ）となるように形成されている。前述のように可動電極１３を形成する場合、Ｐ型シリコン基板１０上にゲート絶縁膜１１を形成し、次にその上に犠牲層である絶縁膜を形成し、可動電極１３を形成させてからエッチングにより空隙部１４を形成するが、その際、本実施例のようにマス１３１を格子状にすることにより、梁部１３２を可動にするのと同一の時間で可動電極１３を可動にできる。従って、必要最小限の時間でエッチングを完了することができるので生産性を向上させることができる。
【００１７】
また図３に示すように、ゲート電極１３３ａ（１３３ｂ）の下方両側には不純物拡散層からなる固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）（ソース・ドレイン部）が形成されている。この固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）はＰ型シリコン基板１０にイオン注入等によりＮ型不純物を導入することにより形成されたものであり、本実施例ではリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）等を１０19〜１０20ｃｍ-3導入する。
【００１８】
このように本実施例では、ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインである固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）と可動電極１３３ａ（１３３ｂ）及びゲート絶縁膜１１，空隙部１４とで、電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）を構成している。従って、可動電極１３及び固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）間に電圧が印加されるとＰ型シリコン基板１０における固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）の間にはチャネル領域１７が形成されるため、固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）間にはドレイン電流が流れることとなる。
【００１９】
また、図１，図２に示すように可動電極１３のゲート電極１３３ａ（１３３ｂ）を除く領域（梁部とマス）に対向したＰ型シリコン基板１０には、高濃度の不純物を添加して下部電極１８が形成されている。この下部電極１８は可動電極１３と同じ電位に保たれており、Ｐ型シリコン基板１０と可動電極１３の間で発生する静電気力を抑えるものである。この領域は、前述の固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）と同時に同じ濃度で形成することが望ましいが、別工程で同じ又は異なった濃度で形成しても良い。
【００２０】
なお、可動電極（両持ち梁）１３の梁部１３２の幅およびマス１３１の格子幅は本実施例の値に限られたものではなく、検出すべき加速度の大小，可動電極１３の所望強度の大小に応じてその値を増減させても良い。また材質もポリシリコンの他にタングステン等の高融点金属を用いても良い。次に上記のように構成されたＭＩＳ型の半導体加速度センサの作動を簡単に説明する。可動電極１３とＰ型シリコン基板１０との間、及び固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）間に電圧をかけると、チャネル領域１７が形成され、固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）間に電流が流れる。ここで本加速度センサが加速度を受けて、図中に示すＺ方向（基板に垂直方向）に可動電極１３が変位した場合には電界強度の変化によってチャネル領域１７のキャリア濃度が増大し、電流が増大する。また、本加速度センサが加速度を受けて図中のＸ方向（基板に水平方向）に変位した場合には、両固定電極間のチャネル領域１７の面積（トランジスタでいうゲート幅）が変わることにより、固定電極１５ａ，１６ａに流れる電流は増加し、逆に固定電極１５ｂ，１６ｂに流れる電流は減少する。このように本加速度センサは、１５ａ，１６ａ間の電流変化と固定電極１５ｂ，１６ｂ間の電流変化の大きさ，位相により二次元の加速度を検出する。
【００２１】
ここで図１に示すように、本実施例の加速度センサは可動電極１３を４本の梁部１３２で保持している。従って可動電極１３に上下左右の加速度が加わった場合においても、常に可動電極１３とＰ型シリコン基板１０を平行に保つことができる。よって固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）に流れる電流の変化を所望の値にでき、極めて正確な加速度検出を行うことができる。
【００２２】
なおゲート電極１３３ａ（１３３ｂ）の幅は、梁部１３２の幅に制約されるものではないが、前述のエッチング進行速度の理由により梁部１３２の幅と同じ程度とすることが望ましい。その場合、固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）間の幅も増減すれば良い。ここで、固定電極間の幅は小になる程電流が流れやすくなるので、回路の小型化が実現できる。
【００２３】
（第２実施例）
以下に本発明の第２実施例を図面に基づき説明する。図４は本発明の第２実施例に係るＭＩＳＦＥＴ型の半導体加速度センサを示す図である。図４において可動電極１３は、ゲート電極１３３ａ，１３３ｂとマス１３１及びそれを支えている６本の梁部１３２から構成されており、その他の構成は図１と同じである。従って本実施例における加速度センサも第１実施例の加速度センサ同様に、常に可動電極１３とＰ型シリコン基板１０を平行に保つことができる。よって固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）に流れる電流の変化を所望の値にでき、極めて正確な加速度検出を行うことができる。
【００２４】
（第３実施例）
以下に本発明の第３実施例を図面に基づき説明する。図５は本発明の第３実施例に係るＭＩＳＦＥＴ型の半導体加速度センサを示す図である。図５において可動電極１３は、ゲート電極１３３ａ，１３３ｂとマス１３１及びそれを支えている３本の梁部１３２から構成されており、その他の構成は図１と同じである。従って本実施例における加速度センサも第１実施例の加速度センサ同様に、常に可動電極１３とＰ型シリコン基板１０を平行に保つことができる。よって固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）に流れる電流の変化を所望の値にでき、極めて正確な加速度検出を行うことができる。
【００２５】
（第４実施例）
以下に参考例としての第４実施例を図面に基づき説明する。図６は第４実施例に係るＭＩＳＦＥＴ型の半導体加速度センサを示す図であり、図７は図６における７−７断面図である。図６において可動電極１３は、マス１３１とそれを支えている４本の梁部１３２，ゲート電極１３３ａ，１３３ｂから構成されており、梁部１３２は絶縁膜１２を介してＰ型シリコン基板１０上に固定されている。また、Ｐ型シリコン基板１０上に可動電極１３の梁部１３２と所定の間隔を隔ててサイドストッパ１９（可動範囲制限手段）が取り付けられている。
【００２６】
図７に示すようにサイドストッパ１９は所定の間隔Ｌを隔てて絶縁膜１２を介して形成されている。ここでサイドストッパ１９は可動電極１３を形成する際に所定位置にマスクを施してエッチングすることにより同時に形成されるものであるが、可動電極１３と同時に形成せずに、他の角状部材を接着剤等で接着して構成させてもよい。
【００２７】
本実施例の加速度センサにおいては、サイドストッパ１９を設けたことにより可動電極１３の可動範囲を制限することができる。従って可動電極１３に対して水平方向に突発的に大きな加速度が加わっても、梁部１３２が破損したり曲がってしまうことがない。よって耐久性に優れ、常に安定した正確な加速度検出を行うことができる。また前述のように、本実施例のサイドストッパ１９は可動電極１３を形成する過程で同時に形成されるため、サイドストッパ１９を形成するために特別な工程を増加する必要はない。また間隔Ｌを調節することで、検出可能な加速度の範囲を簡単に設定することもできる。
【００２８】
なお図６において、サイドストッパ１９は４本の梁部の外側近傍にそれぞれ一個づつ（計４個）形成されているが、形成する位置，数は任意に変更しても構わず、例えば図８のように４本の梁部の内側近傍にそれぞれ一個づつ（計４個）としたり、図９のように内側と外側にそれぞれ一個づつ（計８個）としたり、図１０のように可動電極１３の変位方向にそれぞれ一個（計２個）としても良い。
【００２９】
本実施例では可動範囲制限手段として、梁部１３２の近傍にサイドストッパ１９を形成したが、この他に図１１に示すようにマス１３１の内部にセンターストッパ１９１を形成させても同様な効果を得ることができる。なお、サイドストッパ１９は図８〜図１１のように絶縁膜上に形成されることに限られたものではなく、直接基板上に形成しても同様な効果が得られる。
【００３０】
（第５実施例）
以下に参考例としての第５実施例を図面に基づき説明する。図１２は第５実施例に係るＭＩＳＦＥＴ型の半導体加速度センサを示す図であり、図１３は図１２における３−３断面図である。図１２において、４本の梁部のそれぞれに可動範囲制限手段であるブリッジ２０が形成されている。このブリッジ２０は可動電極１３を形成した後、半導体プロセスを用いて形成される。ここでブリッジ２０の材質はアルミニウム等の金属、シリコン等の半導体、酸化シリコン等の酸化膜、窒化シリコン等の窒化物等であり、水平方向と垂直方向に所定の間隔を有して形成されている。図１３は垂直方向に間隔が存在することを示す図である。
【００３１】
本実施例の加速度センサにおいては、ブリッジ２０を設けたことにより可動電極１３の可動範囲を制限することができる。従って可動電極１３に対して水平方向だけでなく垂直方向に突発的に大きな加速度が加わっても、梁部１３２が破損したり曲がってしまうことがない。よって耐久性に優れ、常に安定した正確な加速度検出を行うことができる。
【００３２】
なお、本実施例のブリッジ２０の形状，構成位置，数等は任意に変更することができ、例えば図１４のように二箇所のみとしても良いし、図１５のようにマス１３１全体を覆う構造としても良い。さらに形状はコの字状に限定する必要はなく、たとえば逆Ｕ，逆Ｖ，逆Ｊ，逆Ｌ，Ｔ字状としても良い。また、ブリッジ２０の形成方法は半導体プロセスに限らず、可動電極１３を形成後、部材を接着材等で接着しても良い。
【００３３】
（第６実施例）
以下に本発明の第６実施例を図面に基づき説明する。図１６は本発明の第６実施例に係るＭＩＳＦＥＴ型の半導体加速度センサを示す図である。図６において可動電極１３は、格子状に形成されたマス１３１とそれを支えている２本の梁部１３２（梁状部），ゲート電極１３３ａ，１３３ｂから構成されており、また梁部１３２は絶縁膜１２を介してＰ型シリコン基板１０上に固定されている。また可動電極１３とＰ型シリコン基板１０の間には、可動電極１３のねじれを防止するねじれストッパ２１（ねじれ防止手段）が形成されている。
【００３４】
このような構成で、可動電極１３はＰ型シリコン基板１０に水平方向の加速度を検出する。その際、ねじれストッパ２１があることで可動電極１３の上下方向のねじれを防止することができる。従って本実施例における加速度センサも第１実施例の加速度センサ同様に、常に可動電極１３とＰ型シリコン基板１０を平行に保つことができる。よって固定電極１５ａ，１６ａ（１５ｂ，１６ｂ）に流れる電流の誤差が少なくなり、極めて正確な加速度検出を行うことができる。なお、本実施例において、図６に示したサイドストッパ１９または図１２に示したブリッジ２０を取り付けることにより、さらに正確な加速度検出をすることができる。
【００３５】
上記第１から第５実施例では、梁部１３２をすべて梁状部として扱ってきたが、梁部１３２を可動電極１３を支えるのに最低限必要な数（例えば１本）のみとし、残りの梁部１３２をねじれ防止手段として扱っても良い。またこれにより梁部１３２は３〜６本に限られた訳ではなく、本発明においては梁部は２本または７本以上でも良く、これにより１本の梁部で保持する場合に比べて可動電極とＰ型シリコン基板の間を平行に保つことができる。
【００３６】
さらに上記実施例ではＰ型シリコン基板を用いた半導体加速度センサを用いて本発明を説明したが、逆にＮ型シリコン基板を用いても良い。その場合、固定電極，下部電極としてドープされるドーパントは、ボロン（Ｂ）等とすれば良い。そして半導体基板自体も、シリコンに限られる物ではなく他の半導体基板を用いても良い。なお、本発明はゲート電極が変位することで加速度を検出する加速度センサに限られた訳ではなく、逆に半導体基板もしくはソース・ドレイン部側が変位する加速度センサにも適応できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施例におけるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図２】図１に示したＭＩＳＦＥＴ型加速度センサの２−２断面図を示す図である。
【図３】図１に示したＭＩＳＦＥＴ型加速度センサの３−３断面図を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例におけるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図５】本発明の第３実施例におけるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図６】参考例としての第４実施例におけるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図７】図６に示したＭＩＳＦＥＴ型加速度センサの７−７断面図を示す図である。
【図８】参考例としてのＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図９】参考例としてのＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図１０】参考例としてのＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図１１】参考例としてのＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図１２】参考例としての第５実施例におけるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図１３】図１２に示したＭＩＳＦＥＴ型加速度センサの３−３断面図を示す図である。
【図１４】参考例としてのＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図１５】参考例としてのＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【図１６】本発明の第６実施例におけるＭＩＳＦＥＴ型加速度センサを示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０  Ｐ型シリコン基板（半導体基板）
１１  ゲート絶縁膜
１２  絶縁膜
１３  可動電極
１３１  マス
１３２  梁部（梁状部）
１３３ａ，１３３ｂ  ゲート電極（ゲート電極部）
１４  空隙部
１５ａ，１５ｂ  固定電極（ソース・ドレイン部）
１６ａ，１６ｂ  固定電極（ソース・ドレイン部）
１７  チャネル領域
１８  下部電極
１９  サイドストッパ（可動範囲制限手段）
１９１  センターストッパ（可動範囲制限手段）
２０  ブリッジ（可動範囲制限手段）
２１  ねじれストッパ（ねじれ防止手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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