(57)【要約】【課題】  反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板上に形成された第１の電極１３と、その第１の電極１３と離間されて形成された第２の電極１４と、前記第１の電極１３に一方の電極が導電接続され、前記第２の電極１４に他方の電極が導電接続された発光素子１５ａと、その発光素子１５ａの光を反射させる反射体５とを有する発光素子搭載用基板において、前記反射体５は、前記発光素子１５ａが搭載される位置の周囲にエッチングで形成した反射面５ａを有しつつ基板側に積層形成された金属板であることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の電極と、その第１の電極と離間されて形成された第２の電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有し、前記第１の電極及び第２の電極に搭載する発光素子の電極を導電接続して使用する発光素子搭載用基板において、
前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ基板側に積層一体化されていることを特徴とする発光素子搭載用基板。
【請求項２】
請求項１記載の発光素子搭載用基板の前記第１の電極に一方の電極が導電接続され、前記第２の電極に他方の電極が導電接続された発光素子と、前記反射体の反射面の上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズとを備える発光素子搭載基板。
【請求項３】
搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有する発光素子搭載用基板において、前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されていることを特徴とする発光素子搭載用基板。
【請求項４】
前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されている請求項３記載の発光素子搭載用基板。
【請求項５】
前記電極が形成された層より下層側に絶縁層と配線層を有すると共に、前記反射体の下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体が金属同士の接合により積層一体化されている請求項３又は４に記載の発光素子搭載用基板。
【請求項６】
基板上に第１の電極と第２の電極とを含む配線パターンを形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、
前記反射体の形成工程は、少なくとも配線パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層を形成した後、この金属層の前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記反射体の形成工程は、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層を形成する工程と、この保護金属層を被覆する別の金属層を形成する工程と、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成する工程と、前記金属層を選択的にエッチングして前記曲面を形成する工程とを含む請求項６記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
前記反射体の形成工程は、更に前記保護金属層を選択的にエッチングする工程を含む請求項７記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項９】
搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極を形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、
前記反射体の形成工程は、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層と金属同士の接合により積層一体化された金属層に対して、前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に導体パターンを形成する工程を含む請求項９記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に層間接続パターンを形成する工程を含む請求項９記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１２】
発光素子を搭載してこれに給電するための発光素子搭載用基板であって、金属基板と、その金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部と、その金属凸部の周囲の絶縁層と、その金属凸部の近傍に形成された電極とを備える発光素子搭載用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードチップなどの発光素子を基板の表面に搭載するための発光素子搭載用基板及びその製造方法に関し、当該発光素子搭載用基板は、特に小電力の軽薄型照明装置の発光板等として有用である。
【背景技術】
【０００２】
従来、照明装置の発光体としては、蛍光灯などの電灯等が一般には用いられていた。一方、軽薄化および省電力化が可能な発光素子として発光ダイオードが知られており、これを配線基板に複数個実装した照明装置も知られている。具体的には、発光ダイオードの２本のリードを貫通孔に挿入して半田接合して実装する方法が知られていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、図１８〜図１９のように、電極を含む配線パターンを形成した配線基板の表面に発光ダイオードチップを搭載した発光素子搭載基板も知られている。ここで、図１８（ａ）は発光素子搭載基板の平面図を、図１８（ｂ）は矢視断面図を示し、図１９（ａ）〜（ｄ）は、発光素子搭載基板の要部部を示す。
【０００４】
図１８の基板は、金属基板１１を採用することにより、実装される発光ダイオード１５の温度上昇を防止している。電極３０、電極３１との間には、１０枚の電極が形成され、電極３２に発光ダイオードチップ１５ａのカソード電極（またはアノード電極）と成るチップ裏面を固着し、アノード電極（またはカソード電極）と電極３０を金属細線１７で接続している。また、銅箔から成る電極を反射板とするため、表面にはＮｉが被覆され、更には基板全域を実質反射板とするために、右の電極３０から左の電極３１までの１２個の電極で実質完全に覆われるようにパターニングされている。この構造では、より薄型化が可能であり、発光ダイオード１５からの放熱も良好になる（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
また、図１９の基板は、上記の発光素子搭載基板の反射効率を改善すべく、更に、発光素子の周囲を囲み基板に固定された反射手段（カップ）ＲＦを設けたものである。この反射手段により、発光素子の側面から発射される光を上方に反射させることで、上方に発射される光の発光強度を高めることができる。図１９（ａ）〜（ｂ）の基板は、電極１３，１４のうち一方の電極１４を反射手段ＲＦの外側に設けて金属細線１７で接続したものであり、図１９（ｃ）〜（ｄ）の基板は、反射手段ＲＦを分割して電極３０，３１とし、その一方の電極３１に金属細線１７で接続したものである。また、図１９（ａ），（ｃ）の基板では、流れ防止手段２０を形成して透明樹脂を塗布してレンズ２１を形成している（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−２５２６５１号公報（第１頁、図３）
【特許文献２】特開２００１−２０３３９５号公報（第１〜２頁、図８、図１〜２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図１９に示すようにカップ状の反射手段を基板に個別に固定する方法では、個々の反射手段の作製や固定といった製造工程が必要となり、製造コスト的に不利となる。また、金属細線によるボンディング工程を適切な条件で精度よく行わないと、反射手段の離脱などの問題が生じ易く、構造的にも耐久性の面で問題となる。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板、及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
一方、ワイヤボンディングを行わずにリフローや導電性ペーストで発光素子を基板の電極に接続する場合や、ワンワイヤボンディングを行う場合など、発光素子を導電接続するための電極より下層に配線層を有する発光素子搭載用基板が、配線を行う上で有利な場合が多い。しかし、下層に配線層を設ける場合、一般的に層間に絶縁層を介在させる必要があり、最下層の金属基板に発光素子の発熱を伝熱（放熱）するのに、絶縁層が妨げとなっていた。
【０００９】
そこで、本発明の別の目的は、反射手段やその下層の金属を介して発光素子の発熱を良好に伝熱することができる発光素子搭載用基板、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的は、下記の如き本発明により達成できる。      
【００１１】
即ち、本発明の発光素子搭載用基板は、基板上に形成された第１の電極と、その第１の電極と離間されて形成された第２の電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有し、前記第１の電極及び第２の電極に搭載する発光素子の電極を導電接続して使用する発光素子搭載用基板において、前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ基板側に金属同士の接合により積層一体化されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の発光素子搭載基板は、この発光素子搭載用基板の前記第１の電極に一方の電極が導電接続され、前記第２の電極に他方の電極が導電接続された発光素子と、前記反射体の反射面の上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズとを備えることを特徴とする。
【００１３】
一方、本発明の別の発光素子搭載用基板は、搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極と、発光素子の光を反射させる反射体とを有する発光素子搭載用基板において、前記反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されていることを特徴とする。
【００１４】
上記において、前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されていることが好ましい。
【００１５】
また、前記電極が形成された層より下層側に絶縁層と配線層を有すると共に、前記反射体の下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体が金属同士の接合により積層一体化されていることが好ましい。本発明において、発光素子が搭載される側を上層側として表現している。
【００１６】
他方、本発明の発光素子搭載用基板の製造方法は、基板上に第１の電極と第２の電極とを含む配線パターンを形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、
前記反射体の形成工程は、少なくとも配線パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層を形成した後、この金属層の前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
上記において、前記反射体の形成工程は、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層を形成する工程と、この保護金属層を被覆する別の金属層を形成する工程と、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成する工程と、前記金属層を選択的にエッチングして前記反射面を形成する工程とを含むことが好ましい。
【００１８】
その際、前記反射体の形成工程は、更に前記保護金属層を選択的にエッチングする工程を含むことが好ましい。
【００１９】
一方、本発明の別の製造方法は、搭載する発光素子の電極を導電接続するための電極を形成する工程と、発光素子の光を反射させる反射体を形成する工程とを含む発光素子搭載用基板の製造方法において、前記反射体の形成工程は、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層と金属同士の接合により積層一体化された金属層に対して、前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２０】
上記において、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に導体パターンを形成する工程を含むことが好ましい。あるいは、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に層間接続パターンを形成する工程を含むことが好ましい。
【００２１】
他方、本発明の別の発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載してこれに給電するための発光素子搭載用基板であって、金属基板と、その金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部と、その金属凸部の周囲の絶縁層と、その金属凸部の近傍に形成された電極とを備えることを特徴とする。
【００２２】
［作用効果］
本発明の発光素子搭載用基板によると、前記反射体が基板側に積層一体化されてエッチングで反射面となる曲面が形成されているため、多数の反射体を個々に接合する必要がなく、また十分な接合強度が得られ易いので反射体の脱落の問題も生じにくい。また、この反射体の発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで反射面となる曲面が形成されているため、多数の反射面を一括形成することができ、製造工程を簡易化、低コスト化することができる。また、エッチングの程度を変えるだけで、反射面の形状・角度をコントロールすることができ、適当な傾斜の凹面状にすることも可能となる。その結果、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の発光素子搭載基板によると、エッチングで形成された反射面の上端縁が、反射体の上面と約９０℃以下の角度となるため、ポッティング等で透明樹脂レンズを形成する際に、流れ防止壁として機能する。このため、透明樹脂レンズを設ける際に、その凸面の外周縁を反射面の上端縁に位置させることで、所望の凸面を形成するのが容易になる。
【００２４】
前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が基板側とメッキで接合されている場合、エッチングで反射体の反射面を形成する際に、保護金属層を設けてあると、エッチング時に下層の配線パターンが保護されるため、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。
【００２５】
一方、本発明の別の発光素子搭載用基板によると、反射体は、前記発光素子が搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有するため、上記の作用効果の如く、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を提供することができる。更に、反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されているため、反射体から基板側への伝熱や、基板側から反射体への伝熱が良好に行えるという効果を奏する（金属の熱伝導係数は、一般に絶縁層樹脂の１００倍以上である）。
【００２６】
また、前記反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、前記反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されている場合、エッチングで反射体の曲面を形成する際に、保護金属層を設けてあるため、エッチング時に下層の導体パターン等が保護されるため、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。また、保護金属層を含めて、反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されているため、反射体から基板側への伝熱や、基板側から反射体への伝熱が良好に行えるという効果を奏する。
【００２７】
前記電極が形成された層より下層側に絶縁層と配線層を有すると共に、前記反射体の下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体が金属同士の接合により積層一体化されている場合、最下層の配線層から裏側の金属基板などに伝熱させることが可能なため、金属積層体を介して反射体から裏側の金属基板等まで良好に伝熱を行うことができる。
【００２８】
一方、本発明の製造方法によると、発光素子の光を反射させる反射体の形成工程が、パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層を形成した後、エッチングして反射面となる曲面を形成するものであるため、多数の反射体を個々に接合する必要がなく、十分な接合強度が得られ易いので反射体の脱落の問題も生じにくい。また、多数の反射面をエッチングで一括形成することができ、製造工程を簡易化、低コスト化することができる。更に、エッチングの程度を変えるだけで、反射面の形状をコントロールすることができ、適当な傾斜の凹面状にすることも可能となる。その結果、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を製造することができる。
【００２９】
前記反射体の形成工程は、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層を形成する工程と、この保護金属層を被覆する別の金属層を形成する工程と、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成する工程と、前記金属層を選択的にエッチングして前記反射面を形成する工程とを含む場合、反射面をエッチングで形成する際に、保護金属層が配線パターンを保護するため、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。
【００３０】
特に、前記反射体の形成工程が、更に前記保護金属層を選択的にエッチングする工程を含む場合、保護金属層を予め全面に形成した場合でも配線パターンの短絡を防止することができる。
【００３１】
また、本発明の別の製造方法によると、反射体の形成工程は、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層と金属同士の接合により積層一体化された金属層に対して、前記発光素子が搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含むため、上記の作用効果の如く、反射手段の離脱などの問題が生じにくく、製造コスト的にも有利となる発光素子搭載用基板を製造することができる。更に、反射体が金属同士の接合により基板側と積層一体化されているため、反射体から基板側への伝熱や、基板側から反射体への伝熱が良好に行えるという効果を奏する（金属の熱伝導係数は、一般に絶縁層樹脂の１００倍以上である）。その最、保護金属層を設けてあるため、エッチング時に下層の導体パターン等が保護されるので、反射面の形状をコントロールするのがより容易になる。
【００３２】
また、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に導体パターンを形成する工程を含む場合、この導体パターンを介して基板裏側へ良好な伝熱を行うことができる。特に、この導体パターンが、発光素子が搭載される位置の下方まで連続する場合、当該部分を介して発光素子の発熱を反射体や基板裏側へより良好に伝熱することができる。
【００３３】
あるいは、前記反射体の形成工程に先立って、前記保護金属層の下層に層間接続パターンを形成する工程を含む場合、この層間接続パターンを介して基板裏側へ良好な伝熱を行うことができる。特に、この層間接続パターンが、発光素子が搭載される位置の下方まで連続する場合、当該部分を介して発光素子の発熱を反射体や基板裏側へより良好に伝熱することができる。
【００３４】
他方、本発明の別の発光素子搭載用基板によると、金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置に金属凸部を形成しているため、発光素子から基板側への伝熱を良好に行うことができる。特に、金属基板に金属のみを介して金属凸部が形成されている場合、最も伝熱性が高いものとなる。また、金属凸部がエッチングで形成されているため、金属凸部の一括形成や均一な高さ制御が可能となり、更に、放熱に適した平面視形状にすることも可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図面であり、（ａ）は平面図を、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視断面図を示している。
【００３６】
本発明の発光素子搭載用基板は、図１に示すように、基板上に形成された第１の電極１３と、その第１の電極１３と離間されて形成された第２の電極１４と、その発光素子１５ａの光を反射させる反射体５とを有する。本発明の発光素子搭載用基板は、前記第１の電極１３及び第２の電極１４に、搭載する発光素子１５ａの電極を導電接続して使用することができる。具体的には、前記第１の電極１３に発光素子１５ａの一方の電極が導電接続され、前記第２の電極１４に他方の電極が導電接続される。
【００３７】
上記の基板としては、発光素子１５ａなどからの放熱が良好な金属基板１１を備え、その表面に絶縁層１２が形成されているものが好ましい。絶縁層１２はセラミックスなどで形成したり、セラミックス粒子を含有する樹脂などで形成するのが好ましい。この絶縁層１２はできるだけ薄く形成するのが好ましく、例えば１〜１０μｍ程度にするのが好ましい。上記のような、放熱が良好な金属基板１１を備える構造により、発光素子１５ａの温度上昇を防止できるため、駆動電流をより多く流せ、発光量を増加させることができる。
【００３８】
本発明では、第１の電極１３と第２の電極１４との形成位置、及び発光素子１５ａの搭載位置は、何れでもよいが、発光素子１５ａが規則的に配列されているものが、ワイヤボンディング等の結線を行う上で好ましい。本実施形態では、第１の電極１３と第２の電極１４とが交互に平行に配置され、第１の電極１３の略中央に等間隔で発光素子１５ａが配列されている例を示す。また、本実施形態では、発光素子１５ａへの電流供給が並列に回路形成されているが、第１の電極１３と第２の電極１４とを個々に分割することによって、直列に回路形成することも可能である。
【００３９】
発光素子１５ａを電極１３，１４と導電接続する方法は何れでもよいが、本実施形態では、導電性ペースストや半田による接合などで、下部電極が電極１３に導電接続されるとともに、上部電極が第２の電極１４とワイヤボンディング等で導電接続されている。
【００４０】
本発明における反射体５は、発光素子１５ａが搭載される位置の周囲にエッチングで形成した反射面５ａを有しつつ、基板側に積層一体化されている。積層形成の方法としては、基板側とメッキで接合する方法、接着性シートや接着剤を介して接着する方法など何れでもよいが、メッキで接合する方法や、冷間圧延又は熱間圧延などで接合する方法など、金属同士の接合により積層一体化されているのが好ましい。
【００４１】
反射面５ａの形状と傾斜角度は、エッチングの程度で調整することができるが、側面からの反射効率を高める上で、反射面５ａの上端縁より下端縁が広がった形状が好ましい。特に、発光素子１５ａの上面より高い位置の反射面５ａが上方へ拡径するように傾斜していることが好ましい。
【００４２】
反射体５は、金属基板１１、絶縁層１２、電極１３，１４などに直接メッキで接合されていてもよいが、反射体５を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層２などを介して、反射体５が基板側と接合されていてもよい。
【００４３】
本発明では、発光素子１５ａの搭載面を透明樹脂等で表面を被覆するのが好ましく、反射体５の反射面５ａの上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズ２１を備えることが好ましい。
【００４４】
本発明の発光素子搭載用基板は、本発明の製造方法によって好適に製造することができる。以下、本発明の製造方法について、図１に示す発光素子搭載用基板を製造する場合を例にとり説明する。図２〜図４は、本発明の製造方法の一例を示す工程図である。
【００４５】
本発明の製造方法は、図２（１）〜（２）に示すように、基板上に第１の電極１３と第２の電極１４とを含む配線パターンを形成する工程を含む。配線パターンの形成は、エッチングでパターン形成する方法やメッキでパターン形成する方法など何れでもよく、従来公知の方法が何れも利用できる。図示した例では、エッチングでパターン形成している。
【００４６】
その場合、図２（１）に示すように配線パターンとなる金属箔１が基板上に積層一体化したものを使用する。金属箔１の形成は、絶縁層１２となる接着剤又は接着シートを用いて、金属箔１を積層一体化したり、接着性樹脂層を予め形成した金属箔１を使用する方法などが挙げられる。
【００４７】
基板を構成する金属基板１１としては、アルミニウム、銅、ステンレスなどを使用することができる。金属基板１１のの表面には、絶縁性向上のために酸化物を形成してもよい。また、絶縁層１２を無機物で形成してもよく、その表面にメッキ等で金属箔１を形成してもよい。
【００４８】
金属箔１を構成する金属としては、銅、銀、ニッケル、錫、銅合金等が使用できるが、銅、又は銅合金が好ましい。金属箔１の厚みは、例えば１０〜３００μｍのものが使用できる。
【００４９】
エッチングの方法としては、金属箔１を構成する金属のエッチング液を使用すれば良く、その際、配線パターンの形状に応じたドライフィルムレジストを使用すればよい。配線パターンの形状は、少なくとも電極１３，１４を含むものであればよい。
【００５０】
次に、図２（３）に示すように、前記配線パターンを少なくとも被覆する保護金属層２を形成する。保護金属層２を形成する場合、配線パターンのみを被覆するように形成してもよいが、非パターン部を含む全面に保護金属層２を形成するのが好ましい。保護金属層２の形成方法は、無電解メッキや、無電解メッキと電解メッキの組合せ、その他、スパッタ、蒸着と電解メッキの組合せなど何れでもよいが、電解メッキが好ましい。保護金属層２の厚みは、０．５〜１０μｍが好ましい。
【００５１】
保護金属層２を構成する金属としては、銅のエッチング時に耐性を示す金属として、金、銀、亜鉛、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、ロジウム、鉛−錫系はんだ合金、又はニッケル−金合金等が好ましい。。
【００５２】
上記の電解メッキは、周知の方法で行うことができるが、一般的には、対象となる基板をメッキ浴内に浸漬しながら、それを陰極とし、メッキする金属の金属イオン補給源を陽極として、電気分解反応により陰極側に金属を析出させることにより行われる。
【００５３】
一方、無電解メッキには、通常、銅、ニッケル、錫等のメッキ液が使用できる。無電解メッキのメッキ液は、各種金属に対応して周知であり、各種のものが市販されている。一般的には、液組成として、金属イオン源、アルカリ源、還元剤、キレート剤、安定剤などを含有する。なお、無電解メッキに先立って、パラジウム等のメッキ触媒を沈着させてもよい。
【００５４】
次に、図２（４）に示すように、保護金属層２を被覆する別の金属層３を形成する。金属層３の形成は、電解メッキにより行うのが好ましい。金属層３を構成する金属（即ち反射体５を構成する金属）としては、銅、銀、ニッケル、錫、銅合金等が使用できるが、銅、又は銅合金が好ましい。金属層３の厚みは、例えば１００μｍ〜３ｍｍであり、好ましくは、２００〜１０００μｍである。この厚みによって、得られる反射体５の厚みや反射面５ａの幅を調整することができる。
【００５５】
次に、図３（５）に示すように、少なくとも発光素子１５ａが搭載される位置が開口したマスク層４を金属層３に形成する。本実施形態では、細長い長方形の中央線に沿って略等間隔で円形の開口４ａを複数有するマスク層４を使用する例を示す。マスク層４の形成方法としては、各種の印刷法により成形する方法、フォトレジスト用のドライフィルムや感光性樹脂を露光・現像して成形する方法、転写により形成する方法、金属系レジストを用いた方法など何れでもよい。
【００５６】
次に、図３（６）に示すように、金属層３を選択的にエッチングして反射面５ａを形成する。また、同時に電極１４を被覆する金属層３を除去する。金属層３のエッチングには、例えば、金属層３が銅であり、保護金属層２が前述の金属（金属系レジストを含む）の場合、市販のアルカリエッチング液、過硫酸アンモニウム、過酸化水素／硫酸等が使用できる。
【００５７】
以上のようにして、少なくとも配線パターンを形成した基板の表面にメッキにより金属層３を形成した後、この金属層３の発光素子１５ａが搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に反射面５ａを形成する工程によって、発光素子１５ａの光を反射させる反射体５を形成することができる。
【００５８】
次に、図３（７）に示すように、マスク層４を除去する工程と、保護金属層２を選択的にエッチングする工程とを行う。両工程は何れの順で行ってもよく、同時に行っても良い。一方、保護金属層２が配線パターンのみを被覆するように形成れさている場合、保護金属層２のエッチングは不要となる。その場合、保護金属層２が製品に残存し、ニッケル等が電極１４を被覆した状態となり酸化による反射劣化が生じにくいため、底面からの反射効率が向上する。
【００５９】
マスク層４の除去は、薬剤除去、剥離除去など、マスク層４の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。また、ドライフィルムレジストの場合、メチレンクロライドや水酸化ナトリウム等が用いられる。
【００６０】
保護金属層２のエッチングには、例えば前記の金属の組合せの場合、はんだ剥離用として市販されている、硝酸系、硫酸系、シアン系などの酸系のエッチング液等を用いるのが好ましい。
【００６１】
次に、図３（８）に示すように、第１の電極１３に発光素子１５ａの一方の電極（下部電極）を導電接続する。この導電接続は、発光素子１５ａの下部電極を、導電性ペーススト６や半田によって接合する方法などで行うことができる。また、抵抗体を介して両者を接合してもよい。
【００６２】
発光素子１５ａとしては、発光ダイオードチップ（ベアチップ）、パッケージされた表面実装タイプの発光ダイオード（チップＬＥＤ）、半導体レーザチップ等が挙げられる。発光ダイオードチップを用いる場合、その裏面は、カソードタイプとアノードタイプの２種類がある。本実施形態では、カソードタイプの例を示すが、直流電源の向きを変えるだけで、アノードタイプも実現できる。また、本発明では、ベアチップタイプの発光素子１５ａの方が、放熱性、実装面積の点から優れている。
【００６３】
次に、図４（９）に示すように、第２の電極１４に発光素子１５ａの他方の電極（上部電極）を導電接続する。この導電接続は、上部電極と第２の電極１４とを、金属細線１７によるワイヤボンディング等で結線することで行うことができる。ワイヤボンディングとしては、超音波やこれと加熱を併用したものなどが可能である。なお、結線される第２の電極１４の表面には、必要に応じて抵抗体を設けることも可能である。
【００６４】
次に、図４（１０）に示すように、反射体５の反射面５ａの上端縁に、凸面の外周縁が位置する透明樹脂レンズ２１を形成する。これが凸面を有することで、効率良く基板から上方に光を発射させることができる。透明樹脂レンズ２１は着色されたものでもよい。
【００６５】
レンズ２１の材料は、透明樹脂であれば良く、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等が採用できる。どちらも加熱硬化型であるが、加熱硬化時の粘度が小さいため、反射面５ａの上端縁が流れ防止機能を有することで、レンズとして好ましい半球形状に安定して形成できるようになる。レンズ２１の形成は、シリコーン樹脂を凸状に塗布し、レンズ形状を維持しながら、約１００〜１５０℃程度で硬化させればよい。
【００６６】
［他の実施形態］
（１）前述の実施形態では、反射体を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層を介して、反射体が基板側と接合されている例を示したが、本発明では、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、保護金属層を省略することも可能である。
【００６７】
図５（ａ）に示す発光素子搭載用基板は、ハーフエッチングによって反射面５ａを形成する例である。まず、絶縁層１２の表面に反射体の厚みに対応する厚みの金属層を形成した後、エッチングによって電極１３と電極１４とを分割する。このとき、後にハーフエッチングを行う反射面５ａの形成部分はマスクしておく。次に、反射面５ａの形成部分だけを開口したマスク層を用いて、ハーフエッチングを行って、反射面５ａの形成と発光素子１５ａを接合するための電極面を形成する。その他の工程は前述の実施形態と同様にして行うことができる。
【００６８】
このように、電極１４の高さが高いと、金属細線１７による結線が行い易いという利点があるが、前述の実施形態でも、金属層３を選択的にエッチングする際のマスク層４として、電極１４の上部の金属層３を被覆するものを使用すれば、反射体５と同じ高さの電極を形成することができる。
【００６９】
（２）前述の実施形態では、発光素子の上部電極と第２の電極とを、金属細線で結線する例を示したが、図５（ｃ）に示すように、金属細線を用いずに発光素子１５ａの電極と第２の電極１４とを導電接続してもよい。その場合、反射体５を分割して各々が電極１３と１４と導通するようにしてもよいが、反射効率を維持する上では、反射体５を分割しない構造が有利となる。例えば、図５（ｃ）に示すように、絶縁層１２を貫通して金属基板１１と導電接続する電極１４を反射体５の内側に配置し、発光素子１５ａの底面の電極の一方をこれに導電接続すればよい。また、発光素子１５ａの上部電極を反射体５の内側に配置した電極１４とワイヤボンディング等で結線してもよい。
【００７０】
（３）本発明では、電極１３からの反射効率を高めるために、電極１３の表面にはＮｉ等を被着してもよい。これはＣｕの酸化防止、およびＣｕの酸化により光反射効率が低下するのを防止するためであり、比較的酸化されにくく、光反射性に優れ、また金属細線とのボンディング性が考慮され、光沢性のあるＮｉが好ましい。
【００７１】
（４）前述の実施形態では、発光素子搭載用基板が発光素子搭載と電極とで構成されている例を示したが、本発明では、その他の電子回路を同じ基板上に形成してもよい。例えば、発光ダイオードの駆動回路などを形成するのが好ましい。
【００７２】
この場合、基板の周辺、特に角部およびその近傍に配線、ランド、ボンデイング用のパッド、外部との電気的接続パッド等がパターニングされ、配線間はチップコンデンサ、チップ抵抗および印刷抵抗等の部品、トランジスタ、ダイオード、ＩＣ等を設ければよい。
【００７３】
（５）前述の実施形態では、配線層が単層である配線基板に対して発光素子を搭載する例を示したが、本発明では、配線層が２層以上の多層配線基板に対して発光素子を搭載してもよい。その場合、図５（ｃ）の電極１４に相当するような配線層間の導電接続構造を図２（２）〜図３（７）に示す反射体５の形成工程と同様の工程で形成することも可能である。このような導電接続構造の形成方法の詳細は、国際公開公報ＷＯ００／５２９７７号に記載されており、これらをいずれも適用することができる。このような製造方法により得られる発光素子搭載用基板の例を図６〜図７に示す。
【００７４】
図６（ａ）〜（ｂ）に示す発光素子搭載用基板は、電極１３，１４が形成された層より下層側に絶縁層４４と配線層４３を有する。ここで図６（ｂ）は図６（ａ）のＩ−Ｉ断面図を示す。配線層４３は層間接続体によって電極１３，１４と導電接続されている。この例では、配線層４３を少なくとも被覆する保護金属層４２を形成する工程と、この保護金属層４２を被覆する別の金属層４１を形成する工程と、その金属層４１の少なくとも層間接続体を形成する表面にマスク層を形成する工程と、前記金属層４１を選択的にエッチングして層間接続体を形成する工程とを含む製造方法により、層間接続体が形成されている。保護金属層４２を全面に形成する場合には、更に前記保護金属層４２を選択的にエッチングする工程を含む。
【００７５】
また、反射体５は保護金属層２を介して金属同士の接合により基板側の導体パターン４６と積層一体化されている。導体パターン４６の下層にと層間接続パターン４７、保護金属層４２、導体パターン４８を有している。その結果、反射体５の下層から最下層の配線層４３の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体５が金属同士の接合により積層一体化された構造となる。なお、２つの配線層４３および導体パターン４８は、離間して形成されており、複数の発光素子を直列接続できるようになっている。
【００７６】
図７（ａ）〜（ｂ）に示す発光素子搭載用基板は、図６に示すものと殆ど同じ構造であるが、最下層の配線層４３の一方が導体パターン４８と連続している例である。ここで図７（ｂ）は図７（ａ）のＩ−Ｉ断面図を示す。この例では、電極１３、層間接続パターン４７、保護金属層４２、及び導体パターン４８が、反射体５の下方から発光素子が搭載される位置の下方まで連続している。このため、反射体５の発熱が、電極１３、層間接続パターン４７、保護金属層４２、及び導体パターン４８で構成され、金属同士の接合により積層された金属積層体を介して、最下層の配線層４３の位置まで伝熱し、しかもその伝熱面積を大面積にできるため、反射体５の発熱を基板裏側の金属基板１１まで効率よく伝熱することができる。この実施形態では、図７（ｂ）に示すような導体パターン４８の形状を、反射体５の配列に応じて正方形や正三角形にすることで、より伝熱面積を拡大することができる。
【００７７】
（６）前述の実施形態では、反射体が１段構造の例を示したが、本発明における反射体は２段構造又はそれ以上の多段構造であってもよい。それによって、厚みのより大きい発光素子に好適に対応することができる。
【００７８】
反射体を２段以上の構造にする場合、まず、図３（７）に示すような１段構造の反射体５を形成し、これを少なくとも被覆する保護金属層を形成した後、この保護金属層を被覆する別の金属層を更に形成し、少なくとも前記発光素子が搭載される位置が開口したマスク層を前記金属層に形成してから、前記金属層を選択的にエッチングして、２段目の反射面を形成すればよい。
〔積層板を使用する実施形態〕
以下、積層板を使用する実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００７９】
（１）図８〜図１１は、本発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図である。本発明の別の製造方法は、反射体５１ａの形成工程として、反射体５１ａを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層５２と金属同士の接合により積層一体化された金属層５１に対して、発光素子１５ａが搭載される位置を少なくともエッチングしてその周囲に曲面を形成する工程を含む。また、反射体５１ａの形成工程に先立って、保護金属層５２の下層に導体パターン５３ａを形成する工程を含む。
【００８０】
本発明の別の製造方法は、例えば以下の（ａ）〜（ｉ）工程を含むものである。本実施形態では、第１保護金属層及び第２保護金属層をエッチングして除去する（ｉ）工程を第２絶縁層６６の形成に先立って行う例を示すが、（ｉ）工程を第２絶縁層６６の形成の後に行ってもよい。
【００８１】
本発明の（ａ）工程は、図８（１）〜（２）に示すように、反射体５１ａを形成するための第１金属層５１と、これと別の金属からなる第１保護金属層５２とを有する積層体の当該第１保護金属層５２側に、これと別の金属からなる導体パターン５３ａを形成するものである。その際、パターン形成の方法はいずれでもよく、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルメッキ法や、パターンメッキ用レジストを使用してメッキで形成するパターンメッキ法等が挙げられる。
【００８２】
まず、図８（１）に示すような、第１金属層５１と第１保護金属層５２と、導体パターン５３ａを形成するための金属層５３とが積層された積層板ＳＰを用意する。積層板ＳＰは、何れの方法で製造したものでもよく、例えばメッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、冷間圧延又は熱間圧延などで得られたクラッド材などが何れも使用可能である。積層板ＳＰの各層の厚みについては、例えば、第１金属層５１の厚みは、３０〜１０００μｍ、第１保護金属層５２の厚みは、１〜２０μｍ、金属層５３の厚みは１〜１００μｍである。
【００８３】
導体パターン５３ａを構成する金属としては、通常、銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用できる。第１保護金属層５２を構成する金属としては、第１金属層５１及び導体パターン５３ａとは別の金属が使用され、これらの金属のエッチング時に耐性を示す別の金属が使用できる。
【００８４】
また、第１金属層５１を構成する金属としては、第１保護金属層５２とは別の金属が使用され、例えば銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用できる。本発明では、導体パターン５３ａを構成する金属と第１金属層５１を構成する金属とが同じであることが好ましく、特に銅を使用することが好ましい。
【００８５】
次に、図８（２）に示すように、エッチングレジスト５４を用いてパターン形成を行う。エッチングレジスト５４は、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）などが使用できる。なお、第１金属層５１が金属層５３と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材５５を設けるのが好ましい。エッチングの方法としては、第１保護金属層５２及び金属層５３を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。エッチング後には、エッチングレジスト５４が除去される。
【００８６】
本発明の（ｂ）工程は、図８（３）に示すように、少なくともその導体パターン５３ａを被覆する第２保護金属層６１を形成するものである。本実施形態では、導体パターン５３ａの非パターン部を含めた略全面を第２保護金属層６１で被覆する例を示す。
【００８７】
第２保護金属層６１を構成する金属としては、第２層間接続体６４ａをエッチングで形成する際に、耐性を示す別の金属が使用できる。第２保護金属層６１の厚みは、例えば１〜２０μｍであり、１〜１０μｍが好ましい。
【００８８】
本発明の（ｃ）工程は、図８（４）に示すように、その第２保護金属層６１とは別の金属からなる第２金属層６４を更に形成するものである。第２金属層６４の形成は、電解メッキ、無電解メッキなどが利用できるが、電解メッキにより行うのが好ましい。第２金属層６４の厚みは、例えば３０〜１０００μｍである。
【００８９】
第２金属層６４を構成する金属としては、例えば銅、銅合金、ニッケル、錫等が使用できる。本発明では、導体パターン５３ａを構成する金属と第２金属層６４を構成する金属とが同じであることが好ましい。
【００９０】
本発明の（ｄ）工程は、図９（５）に示すように、その第２金属層６４の第２層間接続体６４ａを形成する表面部分に第２マスク層６５を形成するものである。第２マスク層６５の形成は、感光性樹脂の塗布後またはドライフィルムレジストのラミネート後に、露光・現像する方法、あるいはスクリーン印刷などにより行うことができる。
【００９１】
第２マスク層１５の個々の大きさ（面積又は外径等）は、第２層間接続体６４ａの大きさに対応して決定され、配線層間の導電接続（ビア）のための第２層間接続体６４ａの外径としては、例えば５０〜１０００μｍ、また、放熱構造のための第２層間接続体６４ａの外径としては、１０００μｍ以上の外径を有するものも可能である。第２マスク層６５の形状は何れでもよく、円形、楕円形、四角形、多角形、パターン形状等が挙げられ、当該形状に応じた第２層間接続体６４ａを形成することができる。
【００９２】
本発明の（ｅ）工程は、図９（６）に示すように、第２マスク層６５を形成した第２金属層６４を選択的にエッチングして第２層間接続体６４ａを形成するものである。その際、エッチングによる浸食量が多過ぎると、形成される第２層間接続体６４ａが小径化（アンダーカットの増大）して、後の工程に支障をきたす場合が生じ、逆に、浸食量が少な過ぎると、非パターン部に第２金属層６４が残存して、短絡の原因となる場合が生じる。エッチングの方法としては、第２金属層６４及び第２保護金属層６１を構成する各金属の種類に応じた、各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。
【００９３】
本発明の（ｉ）工程は、図９（７）に示すように、第１保護金属層５２及び第２保護金属層６１の少なくとも非パターン部を、同時に又は別々に、選択的にエッチングして除去するものである。本実施形態では、第１保護金属層５２と第２保護金属層６１とを同じ金属で形成しておき、前記（ｉ）工程で第１保護金属層５２及び第２保護金属層６１を同時に選択的にエッチングして除去する例を示す。両者が異なる金属の場合には、順次エッチングして除去することができる。
【００９４】
エッチングの方法としては、（ｅ）工程とは異なるエッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。エッチングで露出したパターン部に対しては、黒化処理などの表面処理を行って、絶縁層との密着性を高めておくのが好ましい。これは、他の導体パターンについても同様である。
【００９５】
次に、図９（８）に示すように、第２マスク層６５の除去を行うが、これは薬剤除去、剥離除去など、第２マスク層６５の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。このとき同時に、マスク材５５を除去してもよい。
【００９６】
本発明の（ｆ）工程は、図１０（９）に示すように、第２層間接続体６４ａの形成面に第２絶縁層６６を形成するものである。その際、第２層間接続体６４ａは第２絶縁層６６から露出させることが好ましい。本実施形態では、絶縁層形成材を積層後に層間接続体６４ａを露出させる例を示す。
【００９７】
まず、絶縁材の塗布を行うが、絶縁材としては、例えば絶縁性が良好で安価な液状ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の反応硬化性樹脂を用いることができる。これを各種方法で、第２層間接続体６４ａの高さよりやや厚くなるように塗布した後、加熱又は光照射等により硬化させればよい。塗布方法としては、カーテンコーターなどの各種コーターを使用できる。また、反応硬化性樹脂等を含有する接着性シート、プリプレグ等を用いて、ホットプレスや真空ラミネート等する方法でもよい。
【００９８】
次に、硬化した絶縁材を研削・研磨等することにより、第２層間接続体６４ａの高さと略同じ厚さを有する絶縁層６６を形成する。研削の方法としては、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法が挙げられ、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００９９】
次に、図１０（１０）に示すように、両面に金属層６８をメッキ等で形成する。
【０１００】
本発明の（ｇ）工程は、図１０（１１）に示すように、第１金属層５１の反射体５１ａを形成する表面部分に第１マスク層５７を形成するものである。第１マスク層５７の形成については、第２マスク層６５の形成（（ｄ）工程）と同様に行うことができる。また、第１マスク層５７の裏面にも同様にマスク層５７を形成することで、配線パターン６８ａを形成することができる。
【０１０１】
本発明の（ｈ）工程は、図１０（１２）に示すように、第１マスク層５７を形成した第１金属層５１を選択的にエッチングして反射体５１ａを形成するものである。第１金属層５１のエッチングは、第２金属層６４のエッチング（（ｅ）工程）と同様に行うことができる。
【０１０２】
次いで、図１１（１３）〜（１４）に示すように、熱伝導性の絶縁層７０と金属基板７１を順次形成する。これに代えて、予め金属基板７１に絶縁層７０を形成しておき、これを絶縁層６６に接着してもよい。
【０１０３】
以上のような本発明の製造方法によって、図１１（１４）に示すように、導体パターン５３ａの上下両面に、これとは別の金属からなる第１保護金属層５２及び第２保護金属層６１が形成され、更に第１保護金属層５２の上面にはこれとは別の金属からなる反射体５１ａが、第２保護金属層６１の上面にはこれとは別の金属からなる第２層間接続体６４ａが各々形成された発光素子搭載用基板を製造することができる。この構造では、搭載する発光素子１５ａの電極を導電接続するための電極と、発光素子１５ａの光を反射させる反射体５１ａとを有し、この反射体５１ａは、発光素子１５ａが搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されている。
【０１０４】
そして、反射体５１ａを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層５２を介して、反射体５１ａが金属同士の接合により基板側と積層一体化されている。
【０１０５】
図１２は、この発光素子搭載用基板の平面図であるが、リング状の反射体５１ａがジグザグに配列され、電極に相当する第１保護金属層５２同士が隣り合う反射体５１ａ間で配線パターン６８ａを介して導電接続されている。これは、発光素子１５ａを直列に導電接続する場合の例であるが、並列に導電接続する場合は、配線パターンを変えればよい。
【０１０６】
一方、図６に示す実施形態のように、反射体５１ａの下層に、第１保護金属層５２、導体パターン５３ａ、第２保護金属層６１、第２層間接続体６４ａ、及び配線パターン６８ａを形成して、反射体５１ａの下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体５１ａが金属同士の接合により積層一体化された構造としてもよい。
【０１０７】
また、図７に示す実施形態のように、最下層の配線層の一方を反射体５１ａの下層の金属積層体と連続させてもよい。この構造によると、反射体５１ａの発熱が、電極となる第１保護金属層５２を含む金属積層体を介して、最下層の配線層の位置まで伝熱し、しかもその伝熱面積を大面積にできるため、反射体５１ａの発熱を基板裏側の金属基板７１まで効率よく伝熱することができる。
【０１０８】
（２）図８〜図１１に示す実施形態では、反射体５１ａの下層に第１保護金属層５２を介して導体パターン５３ａが形成されているが、図１３〜図１５に示すように、反射体５１ａの下層に第１保護金属層５２を介して第２層間接続体６４ａを形成してもよい。
【０１０９】
まず、図１３（１）に示すような、第１金属層５１と第１保護金属層５２と、第２層間接続体６４ａを形成するための金属層６４とが積層された積層板ＳＰを用意する。積層板ＳＰは、何れの方法で製造したものでもよく、例えばメッキ、スパッタリング、蒸着などを利用して製造したものや、冷間圧延又は熱間圧延などで得られたクラッド材などが何れも使用可能である。金属層６４の厚みは、例えば３０〜１０００μｍである。金属層６４、第１金属層５１、第１保護金属層５２については、前述の通りである。
【０１１０】
次に、図１３（２）に示すように、第２金属層６４の第２層間接続体６４ａを形成する表面部分に第２マスク層６５を形成する。なお、第１金属層５１が金属層６４と同時にエッチングされる場合、これを防止するためのマスク材５５を設けるのが好ましい。
【０１１１】
次に、図１３（３）に示すように、第２マスク層６５を形成した第２金属層６４を選択的にエッチングして第２層間接続体６４ａを形成する。これにより、反射体５１ａを形成するための第１金属層５１と、これと別の金属からなる第１保護金属層５２とを有する積層体の当該第１保護金属層５２側に、これと別の金属からなる第２層間接続体６４ａが形成される。
【０１１２】
次に、図１３（４）に示すように、第１保護金属層５２を選択的にエッチングして除去するものである。この前後の工程において、第２マスク層６５を除去することができる。
【０１１３】
次に、図１４（５）に示すように、エッチングで露出した第１金属層５１及び第２層間接続体６４ａに対して、黒化処理８０などの表面処理を行うのが好ましい。これによって、後に形成する絶縁層６６との密着性を高めることができる。
【０１１４】
次に、図１４（６）に示すように、第２層間接続体６４ａの形成面に第２絶縁層６６を形成するが、樹脂付き銅箔を使用して絶縁層と金属層とを同時に形成してもよい。
【０１１５】
まず、図１４（６）に示すように、樹脂付き銅箔をプレス面により加熱プレスして、第２層間接続体６４ａに対応する位置に凸部を有し表面に金属層６８が形成された積層体を得る。このとき、プレス面と第２層間接続体６４ａが形成された被積層体との間に、少なくとも、凹状変形を許容するシート材を配置しておくのが好ましい。また、第２層間接続体６４ａに対応する位置に凹部を有するプレス面を使用してもよい。
【０１１６】
上記の樹脂付き銅箔は、各種のものが市販されており、それらをいずれも使用できる。また、金属層形成材と絶縁層形成材とは各々を別々に配置してもよい。この工程では、シート材が、第２層間接続体６４ａの存在によって加熱プレス時に凹状変形するため、それに対応する凸部が積層体に形成される。
【０１１７】
加熱プレスの方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス）などを用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力など条件等は、絶縁層形成材と金属層形成材の材質や厚みに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、０．５〜３０ＭＰａが好ましい。
【０１１８】
絶縁層形成材としては、積層時に変形して加熱等により固化すると共に、配線基板に要求される耐熱性を有するものであれば何れの材料でもよい。具体的には、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂や、それとガラス繊維、セラミック繊維、アラミド繊維等との複合体（プリプレグ）などが挙げられる。
【０１１９】
シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体、などが挙げられる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体などの、弾性変形可能なものが好ましい。
【０１２０】
なお、シート材と共に離型シートを追加配置してもよい。離型シートとしては、フッ素樹脂フィルム、シリコーン樹脂フィルム、各種の離型紙、繊維補強フッ素樹脂フィルム、繊維補強シリコーン樹脂フィルムなどが挙げられる。
【０１２１】
シート材の厚みは、第１層間接続体１ａの高さの半分より厚いのが好ましく、第１層間接続体１ａの高さより厚いのが好ましい。シート材の厚みや硬さを調整することによって、加熱プレスによって形成される積層体の凸部の高さや形状を制御することができる。一般に、シート材の厚みを小さく、また硬さを硬くすると、形成される積層体の凸部の高さや体積は小さくなる。
【０１２２】
次いで、図１４（７）に示すように、この積層体の凸部を除去して、第２層間接続体６４ａを露出させる。その際、積層体の金属層６８の上面より第２層間接続体６４ａの上面が高くなる分を、同時に除去して平坦化してもよい。
【０１２３】
凸部の除去方法としては、研削や研磨による方法が好ましく、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダ、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品などを用いる方法などが挙げられる。研削装置を使用すると、当該硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、上面を平坦化することができる。また、研磨の方法としては、ベルトサンダ、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。本発明のように積層体に凸部が形成されていると、その部分のみを研削するのが容易になり、全体の平坦化がより確実に行える。
【０１２４】
次いで、図１４（８）に示すように、露出した第２層間接続体６４ａと、絶縁層６６を隔てて近接する金属層６８とを導電接続するが、例えば第２層間接続体６４ａの上面を含む金属層６８の略全面に対し、メッキにより導電体層６９を形成すればよい。
【０１２５】
メッキによる導電体層６９の形成は、無電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの組合せ、スパッタリングや蒸着と電解メッキの組合せなどにより行うことができる。但し、導電接続の信頼性を高める上で無電解メッキと電解メッキの組合せで形成するのが好ましい。導電体層６９の厚みは１〜３０μｍが好ましい。なお、導電体層６９を形成する際に、裏面側にも導電体層を形成してもよい。  次いで、図１５（９）に示すように、第１金属層５１の反射体５１ａを形成する表面部分にマスク層５７を形成するが、同時に導電体層６９にマスク層５７を形成して、パターン形成してもよい。
【０１２６】
次いで、図１５（１０）に示すように、マスク層５７を形成した第１金属層５１を選択的にエッチングして反射体５１ａを形成することができる。その際、金属層６８及び導電体層６９をエッチングして、導体パターン層６９ａを形成することができる。
【０１２７】
次いで、図１５（１１）に示すように、第１保護金属層５２をエッチング等で除去するが、第１保護金属層５２がニッケルのように、酸化され易い金属の場合、これを除去した後に、貴金属等のメッキ層を形成するのが好ましい。
【０１２８】
貴金属等のメッキ層を形成する際、図１５（１２）に示すように、第１保護金属層５２を除去して凹状になった部分が平坦になるように、メッキ層８１を形成するのが好ましい。このとき、反射効率を高める上で、反射体５１ａに対しても貴金属等のメッキ層８２を形成するのが好ましい。
【０１２９】
次いで、前述の実施形態と同様に、熱伝導性の絶縁層と金属基板を形成してもよい。これによって放熱効果をより高めることができる。
【０１３０】
以上のような本発明の製造方法によって、搭載する発光素子１５ａの電極を導電接続するための電極と、発光素子１５ａの光を反射させる反射体５１ａとを有し、この反射体５１ａは、発光素子１５ａが搭載される位置の周囲にエッチングで形成した曲面を有しつつ金属同士の接合により基板側と積層一体化されている発光素子搭載用基板を製造することができる。この構造では、反射体５１ａを構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層５２を介して、反射体５１ａが金属同士の接合により基板側と積層一体化されている。
【０１３１】
（３）一方、図６に示す実施形態のように、反射体５１ａの下層に、第１保護金属層５２、第２層間接続体６４ａ、及び配線パターン６８ａを形成して、反射体５１ａの下層から最下層の配線層の位置まで金属同士の接合により積層された金属積層体を有し、その金属積層体に前記反射体５１ａが金属同士の接合により積層一体化された構造としてもよい。
【０１３２】
また、図７に示す実施形態のように、最下層の配線層の一方を反射体５１ａの下層の金属積層体と連続させてもよい。この構造によると、反射体５１ａの発熱が、電極となる第１保護金属層５２を含む金属積層体を介して、最下層の配線層の位置まで伝熱し、しかもその伝熱面積を大面積にできるため、反射体５１ａの発熱を基板裏側の金属基板まで効率よく伝熱することができる。
【０１３３】
（４）更に、本発明では、発光素子を搭載してこれに給電するための発光素子搭載用基板であって、金属基板と、その金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部と、その金属凸部の周囲の絶縁層と、その金属凸部の近傍に形成された電極とを備える発光素子搭載用基板とすることも可能である。このような発光素子搭載用基板には、図６（ａ）、図７（ａ）、図１１（１４）、図１５（１２）に示すものも例示される。
【０１３４】
この発光素子搭載用基板によると、金属基板に伝熱可能なように発光素子の搭載位置に金属凸部を形成しているため、発光素子から基板側への伝熱を良好に行うことができる。特に、金属基板に金属のみを介して金属凸部が形成されている場合、最も伝熱性が高いものとなる。また、金属凸部がエッチングで形成されているため、金属凸部の一括形成や均一な高さ制御が可能となり、更に、金属凸部を放熱に適した平面視形状にすることも可能になる。
【０１３５】
具体的な例を追加して述べると、図１６に例示する発光素子搭載用基板では、金属基板１１と、その金属基板１１に別の金属層８２（保護金属層と同様）を介して伝熱可能なように、発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部８０と、その金属凸部８０の周囲の絶縁層４４と、その金属凸部８０の近傍に形成された電極１３，１４とを備えている。金属凸部８０は、金属基板１１と別の金属層８２と表面金属層８１との積層体を用いて、表面金属層８１を選択的にエッチングすることで形成できる。このとき、別の金属層８２は、表面金属層８１のエッチング時に耐性を示す別の金属からなり、金属基板１１を保護することができる。
【０１３６】
また、反射体５を構成する金属のエッチング時に耐性を示す別の金属からなる保護金属層２などを介して、反射体５が電極１３，１４と接合されていてもよい。金属凸部８０の上面には、ボンディング材８３によって発光素子１５ａが搭載され、金属細線１７による結線が行われている。
【０１３７】
一方、図１７に例示する発光素子搭載用基板では、金属基板１１と、その金属基板１１に別の金属層８２を介して伝熱可能なように、発光素子の搭載位置にエッチングで形成された金属凸部８０と、その金属凸部８０の周囲の絶縁層４４と、その金属凸部８０の近傍に形成された電極１３，１４と、前記金属凸部８０の上面に形成され電極１３，１４と略同じ高さの放熱パターン８４とを備えている。この実施形態では、図示したように、金属細線１７による結線を行ってもよいが、電極１３，１４と略同じ高さの放熱パターン８４を備えるため、表面実装タイプの発光ダイオードであって、電極とボンデイング部とを下面に備えるものを用いて、電極同士の接合と、放熱パターン８４と発光素子の下面との接合を行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】本願発明の発光素子搭載用基板の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視断面図
【図２】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例を示す工程図
【図３】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例を示す工程図
【図４】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の一例を示す工程図
【図５】本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図
【図６】本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視平面図
【図７】本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はＩ−Ｉ矢視平面図
【図８】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図
【図９】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図
【図１０】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図
【図１１】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図
【図１２】本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す平面図
【図１３】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図
【図１４】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図
【図１５】本願発明の発光素子搭載用基板の製造方法の他の例を示す工程図
【図１６】本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図
【図１７】本願発明の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図
【図１８】従来の発光素子搭載用基板の一例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は矢視断面図
【図１９】従来の発光素子搭載用基板の他の例を示す要部断面図
【符号の説明】
【０１３９】
２          保護金属層
３          金属層
４          マスク層
４ａ        開口
５          反射体
５ａ        反射面
１１          金属基板
１３          第１の電極
１４          第２の電極
１５          発光ダイオード  
１５ａ        発光素子
２１          透明樹脂レンズ
５１ａ        反射体
５２          第１保護金属層
５７          マスク層
６６          絶縁層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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