(57)【要約】【課題】水蒸気改質を行う改質部１の内側反応室４から外側反応室３に熱を伝達するため、外側反応室３と内側反応室４に伝熱部１０，２３を設けた水蒸気改質装置において、内部伝熱部２３から外部伝熱部１０への伝熱効率を向上し、装置の小型化、高効率化を図る。【構成】ガス流路を形成した耐熱性のハニカム構造体または伝熱フィンを前記外部伝熱部１０，内部伝熱部２３に配置する。【選択図】        図１
2004175580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスを水素リッチな改質ガスに水蒸気改質が行なわれる改質部１を有し、
その改質部１は、伝熱性を有する仕切り板２により外側反応室３と内側反応室４に仕切られ、その内側反応室４から外側反応室３に熱を伝達するため、外側反応室３と内側反応室４に夫々外側伝熱部１０，内側伝熱部２３を設けた水蒸気改質装置において、
ガス流路３１（４１）を形成した耐熱性のハニカム構造体３０または伝熱フィン４０を前記外側伝熱部１０，内側伝熱部２３に配置したことを特徴とする水蒸気改質装置。
【請求項２】
請求項１において、前記ガス流路３１（４１）は、それを流れるガスが仕切り板２側に偏るように構成されていることを特徴とする水蒸気改質装置。
【請求項３】
請求項２において、内側反応室４の内側伝熱部２３に配置したハニカム構造体３０の中心部に、ガス流路３１を形成しない中空部３０ｂを設けたことを特徴とする水蒸気改質装置。
【請求項４】
請求項２において、外側反応室３の外側伝熱部１０に配置したハニカム構造体３０の周辺部に、ガス流路３１を形成しない中空部３０ｂを設けたことを特徴とする水蒸気改質装置。
【請求項５】
請求項２において、外側反応室３または内側反応室４に配置した伝熱フィン４０の周辺部に、ガス流路４１を形成しない充填物４３を配置したことを特徴とする水蒸気改質装置。
【請求項６】
水蒸気改質を行う改質部１を伝熱性で筒状の仕切り板２により外側反応室３と内側反応室４に仕切り、内側反応室４から外側反応室３に熱を伝達するため、外側反応室３と内側反応室４に外側伝熱部１０，内側伝熱部２３を設けた水蒸気改質装置において、
前記外側伝熱部１０，内側伝熱部２３に接する仕切り板２の両面に遠赤外線放射塗料層５０を形成したことを特徴とする水蒸気改質装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、原料ガスを水蒸気と反応させて水蒸気改質を行う装置に関し、特に水蒸気改質を行う改質部に外側反応室と内側反応室を平行に設け、内側反応室から外側反応室に熱を伝達するため、外側反応室と内側反応室に伝熱部を設けた水蒸気改質装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
メタン等の炭化水素、メタノール等の脂肪族アルコール類、或いはジメチルエーテル等のエーテル類などの原料ガスと水蒸気の混合物を水蒸気改質触媒の存在下に水蒸気改質し、水素リッチな改質ガスを生成する装置が従来から知られている。このような水蒸気改質装置は工業用、家庭用または車両搭載用の燃料電池などに水素を供給するために使用できる。
水蒸気改質装置の主要な構成要素である改質反応部には、水蒸気改質反応に必要な熱量を外部から供給する外熱式と、内部の自己酸化熱を利用した内熱式がある。
【０００３】
前者の外熱式は、バーナー等を設けた燃焼部からの燃焼ガスで改質反応部の壁面を外部から加熱し、その壁を通して内部の改質反応に必要な熱を供給するものである。また後者の内熱式は、改質反応部の内部で先ず原料ガスの一部を酸素と反応させ、次いでその酸化熱を改質反応熱として水蒸気改質反応を行うようにしたものである。
【０００４】
水蒸気改質により水素リッチな改質ガスを生成するとき、原料ガスとしてメタンを使用した場合の反応式は、
ＣＨ４  ＋  ２Ｈ２  Ｏ  →  ＣＯ２  ＋  ４Ｈ２  （１）
で示すことができ、水蒸気改質反応に必要な温度は７００〜７５０℃の範囲とされる。
【０００５】
また部分酸化反応を行うとき、原料ガスとしてメタンを使用した場合の反応式は、
ＣＨ４  ＋  １／２  ・Ｏ  ２  ＝  ＣＯ  ＋  ２Ｈ２    （２）
で示すことができ、部分酸化反応に必要な温度は２５０℃以上の範囲とされる。
前記内熱式の改質反応部を用いた水蒸気改質装置が知られている（例えば、特許文献１。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００１−１９２２０１号公報
【０００７】
図１７は内熱式の水蒸気改質装置を構成する改質部の模式図であり、図１８はそのＡ−Ａ断面図である。改質部１は容器状に形成され、その外壁１ａの内側には断熱層が形成される。改質部１の内部は伝熱性のよい金属板で筒状に形成した仕切り板２により仕切られた筒状の外側反応室３と内側反応室４が同軸的に配置される。なお、内側反応室が複数間隔を開けて外側反応室内に配置されたものも知られている。
【０００８】
外側反応室３の下部にはガス供給部６が設けられ、そのガス供給部６は原料ガスと水蒸気の混合物を供給する配管５に連通する。また外側反応室３の内部には下から順に多孔性の支持板７，８および９が配置され、支持板７と８の間に外側伝熱部１０、支持板８と９の間に水蒸気改質触媒層１１がそれぞれ設けられる。
【０００９】
内側反応室４の上部は改質部１内において前記外側反応室３の上部と連通されると共に、該上部に酸素含有ガス（通常は空気）供給用の配管１２の先端に設けたノズル部１３が配置される。また内側反応室４の下部にはガス排出部１５が設けられ、そのガス排出部１５は改質ガス移送用の配管１４に連通する。さらに内側反応室４の内部には下から順に多孔性の支持板１６，１７、１８、１９および２０が配置される。
【００１０】
支持板１６と１７の間に低温シフト触媒層２１、支持板１７と１８の間に高温シフト触媒層２２、支持板１８と１９の間に内側伝熱部２３、支持板１９と２０の間に水蒸気改質触媒と酸化触媒を混合した混合触媒層２４がそれぞれ設けられる。
【００１１】
水蒸気改質触媒は原料ガスを水蒸気改質する触媒層であり、例えばＮｉＳ−ＳｉＯ２  ・Ａｌ２  Ｏ３  などのＮｉ系改質反応触媒が望ましい。またＷＳ２  −ＳｉＯ２  ・Ａｌ２  Ｏ３  やＮｉＳ−ＷＳ２  ・ＳｉＯ２  ・Ａｌ２  Ｏ３  などの改質反応触媒も使用できる。
【００１２】
混合触媒層に均一に分散される酸化触媒は、原料ガスと水蒸気の混合物中の原料ガスを酸化反応し、その酸化熱により混合触媒層を水蒸気改質反応温度に昇温度するものであり、例えば白金（Ｐｔ）やパラジウム（Ｐｄ）を使用することができる。水蒸気改質触媒に対する酸化触媒の混合割合は、水蒸気改質すべき原料ガスの種類に応じて１〜５％程度の範囲で選択される。
外側伝熱部１０または内側伝熱部２３には、例えばアルミナボールのような伝熱粒子が充填される。
【００１３】
次に上記改質部１により原料ガスと水蒸気の混合物を改質する方法について説明する。平常運転時には内側伝熱部２３、高温シフト触媒層２２および低温シフト触媒層２１の各部の熱が仕切り板２を介して外側伝熱部１０に伝熱され、それによって外側伝熱部１０に充填された伝熱粒子は例えば下層で３００℃程度、上層で６００℃程度まで昇温する。配管５から２５℃〜１５０℃程度の原料ガスと水蒸気の混合物を外側反応室３のガス供給部６に導入すると、内部を上昇する間に外側伝熱部１０で加熱され、６００℃程度の温度になって水蒸気改質触媒層１１に流入し、そこで原料ガスの一部が水蒸気改質して改質ガスを生成する。
【００１４】
生成した改質ガス、および未反応の原料ガスおよび水蒸気は外側反応室３の上部から内側反応室４の上部に流入する。内側反応室４では先ず上部の混合触媒層２４で原料ガスの一部がノズル部１３から供給される酸素含有ガスと反応して自己酸化し、その酸化熱により混合触媒層を改質に必要な温度、例えば７００℃程度の温度に上昇させ、残りの原料ガスを水蒸気改質して水素リッチな改質ガスに変換する。
【００１５】
生成した改質ガスは混合触媒層からその下流側の内側伝熱部２３に流入し、そこで伝熱粒子と熱交換してから高温シフト触媒層２２および低温触媒層２１の順に通過してガス排出部１５から配管１４へ流出する。改質ガスは内側伝熱部２３入口部で７００℃〜６５０度程の高温領域にあり、その熱エネルギーを内側伝熱部２３の伝熱粒子が吸収し、その熱エネルギーを外側反応室４の外側伝熱部１０上部の伝熱粒子に伝達する。また５００℃〜３００℃程度の温度領域になる高温シフト触媒層２２と３００℃〜２００℃程度の温度領域にある低温触媒層２１の各熱エネルギーは外側伝熱部１０下部の伝熱粒子に伝達する。なお高温シフト触媒層２２および低温触媒層２１は、改質ガスに僅かに残存する一酸化炭素をシフト触媒と反応させて低減するものである。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
前記外側伝熱部１０および内側伝熱部２３は熱伝達媒体として直径が数ｍｍ程度の球体からなる伝熱粒子を使用している。しかし球体による熱伝導は球同士の点接触で行われるため熱伝達効率は必ずしもよくない。しかも軽量化を考慮して多孔質の球体を使用した場合にはさらに熱伝導効率が悪くなる。そのため内側反応室４から外側反応室３への単位面積あたりの伝熱量をあまり大きくできないという問題がある。
そこで本発明は水蒸気改質装置における伝熱部における低伝熱効率の問題を解決することを課題とし、その問題を解決した新しい伝熱部を有する水蒸気改質装置の提供を目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明に係る第１の発明は、原料ガスを水素リッチな改質ガスに水蒸気改質が行なわれる改質部１を有し、
その改質部１は、伝熱性を有する仕切り板２により外側反応室３と内側反応室４に仕切られ、その内側反応室４から外側反応室３に熱を伝達するため、外側反応室３と内側反応室４に外側伝熱部１０，内側伝熱部２３を設けた水蒸気改質装置において、
ガス流路３１（４１）を形成した耐熱性のハニカム構造体３０または伝熱フィン４０を前記外側伝熱部１０，内側伝熱部２３に配置したことを特徴とする水蒸気改質装置である（請求項１）。
【００１８】
上記水蒸気改質装置において、前記ガス流路は、それを流れるガスが仕切り板側に偏るように構成でできる（請求項２）。
【００１９】
上記水蒸気改質装置において、内側反応室における伝熱部に配置したハニカム構造体の軸方向中心部に、ガス流路を形成しない中空部を設けることにより、該伝熱部のガス流路における仕切り板側の流体抵抗をその反対側より小さくできる（請求項３）。
【００２０】
上記水蒸気改質装置において、外側反応室における伝熱部に配置したハニカム構造体の周辺部に、ガス流路を形成しない中空部を設けることにより、該伝熱部のガス流路における仕切り板側の流体抵抗をその反対側より小さくできる（請求項４）。
【００２１】
上記水蒸気改質装置において、外側反応室または内側反応室に配置した伝熱フィンの周辺部にガス流路を形成しない充填物を配置することにより、それら伝熱部のガス流路における仕切り板側の流体抵抗をその反対側より小さくできる（請求項５）。
【００２２】
前記課題を解決する本発明に係る第２の発明は、水蒸気改質を行う改質部を伝熱性の仕切り板により外側反応室と内側反応室に仕切り、内側反応室から外側反応室に熱を伝達するため、外側反応室と内側反応室に伝熱部を設けた水蒸気改質装置であり、前記伝熱部に接する仕切り板の両面に遠赤外線放射塗料層を形成したことを特徴とする（請求項６）。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明に係る水蒸気改質装置の主要部は図１７に示すものと同じであるが、その伝熱部に特徴がある。従って、図面により主として特徴部分である伝熱部について説明する。
【００２４】
図１は本発明に係る水蒸気改質装置の伝熱部を示す斜視図であり、（ａ）は内側反応室４に設ける内側伝熱部２３、（ｂ）は外側反応室３に設ける外側伝熱部１０である。なお図１７に示す改質部１の構造に合わせて、外側伝熱部１０は内側伝熱部２３より軸方向（図面上下方向）が長く形成される。
また図２は図１（ａ）の内側伝熱部２３を図１（ｂ）の外側伝熱部１０の内側上部に組み込んで改質部１を構成した状態を示す平面図である。
【００２５】
図１（ｂ）に示す外側伝熱部１０は、仕切り板２と外壁１ａの間にセラミック構造体３０を配置（もしくは充填）することにより構成され、図１（ａ）に示す内側伝熱部２３は、仕切り板２の内側に同様なハニカム構造体３０を配置（もしくは充填）することにより構成される。
【００２６】
ハニカム構造体３０は改質反応温度である７００℃以上の耐熱性を有する材料、例えばセラミック材を成形して作られる。このようなセラミック製のハニカム構造体は、従来からガソリンエンジンの三元触媒などに使用されているが、本発明に用いるハニカム構造体もそれと同様な構造を有する。このハニカム構造体３０は軸方向と直交する方向に蜂の巣状のセルが二次元的に連続し、軸各セルの孔部が方向に連通する多数の微細なガス流路３１の集合体を形成する。
【００２７】
上記のように構成した外側伝熱部１０と内側伝熱部２３を組合せることにより、図２に示す改質部１部分が形成される。内側反応室４に配置される内側伝熱部２３に蓄積される熱エネルギーは、その内部に配置したハニカム構造体３０を構成する各セルの熱伝導により伝熱し、次いで仕切り板２に熱伝導により伝熱し、さらに外側反応室３に配置される外側伝熱部１０のハニカム構造体３０を構成する各セルの熱伝導により伝熱する。その際、各セルにおける伝熱は面接触により行われるので、伝熱粒子のような点接触に比べて伝熱効率が著しく高い。
【００２８】
図３は図２の実施の形態の変形例を示す部分的な平面図である。この実施の形態では外側伝熱部１０と内側伝熱部２３の各ハニカム構造体３０に形成したガス流路を流れるガスが、仕切り板２側に偏って流れるように構成したことに特徴があり、そのほかは図２の例と同様に構成される。外側伝熱部１０と内側伝熱部２３のガス流路３をこのように構成すると、内側反応室４から外側反応室３への熱伝導がより効率的に行われる。
【００２９】
ガス流路３１を流れるガス流量を上記のように非対称とするには、仕切り板２側の流体抵抗を仕切り板２と反対側（外壁１ａ側）より小さくする方法がある。ガス流路３１に流体抵抗の小さい領域を形成するには、例えば当該領域のセル密度を小さくしてその空間比率を大きくし、逆に流体抵抗の大きい領域を形成するには、当該領域のセル密度を小さくしてその空間比率を小さくする。
【００３０】
図３の実施の形態では、流体抵抗が仕切り板２側の方からその反対側に向かって次第に大きくなる、すなわちセル群の空間比率が反対側に向かって次第に大きくなるようなセル構造になっている。このようにするとガス流路３１を流れるガスはそれに応じた流量分布になって流線も乱れない。
【００３１】
図４は図１（ａ）に示す内側伝熱部２３を構成するハニカム構造体３０の変形例を示す部分的な斜視図である。このハニカム構造体３０はセラミック材を成形して作ることができ、その成形に際して周辺部のみセル群を形成すると共に、中央部の上側部分に閉鎖部３０ａを形成することにより、下側にガス流路３１を形成しない中空部３０ｂを設ける。このようにするとハニカム構造体３０のガス流路３１は、その外面側、すなわち仕切り板２側にガスが偏って流れるので、図３の例と同様な効果を奏することができる。
【００３２】
図５は図４のハニカム構造体３０の変形例を示す部分的な斜視図である。
このハニカム構造体３０もセラミック材を成形して作ることができるが、図４の例と異なりハニカム構造体３０を縦方向に２つに分割して成形し、シール兼隙間調整用の耐熱性のセパレータ３０ｃを介してそれらを組合せる方法を採用することにより製造および組立てを容易にしたことに特徴がある。成形に際しては、各分割体の周辺部のみにセル群を形成し、中央部（対向側）の上下に閉鎖部３０ａ，３０ａを形成することにより、その中間部にガス流路３１を形成しない中空部３０ｂを設ける。そしてこの一対のハニカム構造体３０を筒状の仕切板２内に挿入すると共に、両ハニカム構造体３０の中間にセパレータ３０ｃを介装することにより、隙間なく仕切板２内に一対のハニカム構造体３０を挿入することができる。
【００３３】
このように構成すると、各分割体を組合せたハニカム構造体３０のガス流路３１には、その外面側、すなわち仕切り板２側にガスが偏って流れるので、図３の例と同様な効果を奏することができる。なおハニカム構造体３０は２分割に限らず、３分割以上としてもよい。
【００３４】
図６は図１（ａ）に示す外側伝熱部１０を構成するハニカム構造体３０の変形例を示す部分的な斜視図である。このハニカム構造体３０もセラミック材を成形して作ることができ、成形に際して、内側（仕切り板２側）のみにセル群を形成し、外側（外影１ａ側）には軸方向（図面上下方向）に所定間隔を置いて複数の突条３０ｄを形成することにより、各突条３０ｄ間に周方向のガス流路３１を形成しない中空部３０ｂを設ける。
【００３５】
このように構成すると、ハニカム構造体３０に形成されるガス流路３１は、そこを流れるガスが仕切り板２側に偏って流れるので、図３の例と同様な効果を奏することができる。なお、このハニカム構造体３０を外側反応室３内に配置すると、外壁１ａの内側に設けた耐熱性のウール等によって構成される断熱層１ｂの内側が各突条３０ｄの先端部に接触する。
【００３６】
図７は図２のさらに別の変形例を示す部分的な平面図である。この実施の形態は図２の例と異なり、外側伝熱部１０および内側伝熱部２３を構成する各ハニカム構造体３０の代わりに伝熱フィン４０を使用したことに特徴がある。そして伝熱フィン４０と仕切り板２または外壁１ａとの空間は軸方向（紙面に垂直な方向）に貫通しており、該空間部分にガス流路４１が形成される。
【００３７】
伝熱フィン４０は改質反応温度である７００℃以上の耐熱性を有する伝熱性のよい金属材料、例えば耐熱性を有するステンレス系材料、チタン系材料で作ることが望ましいが、低温部に配置される部分はアルミニウム系材料を使用することもできる。なお伝熱フィン４０は仕切り板２、または仕切り板２と外壁１ａの両者にロウ付けされ、そのロウ付けに使用できるロウ材としてニッケル系のものがある。
このような伝熱フィン４０は、ハニカム構造体３０と同様に熱伝導による伝熱が面接触により行われるので、伝熱粒子のような点接触と比べて伝熱効率が著しく高い。
【００３８】
図８は図７の変形例を示す部分的な平面図である。この実施の形態は図７の例と異なり、外側伝熱部１０と内側伝熱部２３の伝熱フィン４０をそれぞれ複数列設けたことに特徴がある。外側伝熱部１０には２列の伝熱フィン４０を設け、その隣接部を中間板４２にロウ付けし、端部を仕切り板２または外壁１ａにロウ付けしている。また内側伝熱部２３には３列の伝熱フィン４０を設け、その隣接部を２つの中間板４２にロウ付けし、端部を仕切り板２にロウ付けしている
このように構成すると、熱伝導に寄与する面接触部がより増加するので、伝熱効率をさらに向上させることができる。
【００３９】
図９は図７の別の変形例を示す部分的な平面図である。この実施の形態は図７の例と異なり、外側伝熱部１０と内側伝熱部２３に配置した伝熱フィン４０の片側などに耐熱性のウール等の充填物４３を配置したことに特徴がある。すなわち外側伝熱部１０内側と、内側伝熱部２３の外側とに各伝熱フィン４０を配置し、それ以外の部分には伝熱フィンを配置しない。外側伝熱部１０ではその伝熱フィン４０が存在しない外周部分に充填物４３が充填され、内側伝熱部２３では伝熱フィン４０の存在しない中央部分に充填物４３が充填される。
このようにすると、軸方向に連通するガス通路４１のガスが仕切り板２側に偏って流れるようにでき、図３の例と同様な効果を奏することができる。
【００４０】
図１０は伝熱フィン４０の種々の形態を示す部分的な斜視図である。図１０の（ａ）はフィンが滑らかな波形に形成され、（ｂ）は矩形の波形に形成され、（ｃ）はオフセットの波形に形成された例であり、いずれのフィン形も前記伝熱フィン４０として使用できる。
【００４１】
図１１は外側伝熱部１０と内側伝熱部２３を仕切り板２に形成した実施の形態を示す斜視図である。仕切り板２の外側にバジル加工などにより細長い板状の伝熱フィン４０を設けており、伝熱フィン４０の外側には軸方向（図面上下方向）に平行に整列する空間が設けられ、その片面側の空間が外側伝熱部１０のガス流路４１を形成し、多面側の空間が内側伝熱部２３のガス流路４１を形成する。
このように内側伝熱部２３側の伝熱フィン４０を省略すると、部品数が減少して構造が簡単になり、コスト的に有利になる。
【００４２】
図１２は図１１の変形例を示す部分的な斜視図である。この実施の形態は図１１の例と異なり、仕切り板２の内側に突出する伝熱フィン４０を形成したこと特徴がある。このような伝熱フィンは仕切り板２にスプール加工やエンボス加工して形成することができ、この伝熱フィン４０の間に内側伝熱部２３側のガス流路４１が形成される。この実施の形態も図１１の例と同様に、部品数が減少し構造が簡単になり、コスト的にも有利になる。
【００４３】
図１３は図１１の変形例の内部を示す斜視図である。この実施の形態は図１１の例と異なり、仕切り板２にバジル加工などにより波型の伝熱フィン４０を形成し、その内側に配置した筒体４４の内部に耐熱性のウール等の充填物４３を充填したことに特徴がある。
このようにすると、内側伝熱部２３におけるガス通路４１に流れるガスを仕切り板２側に偏らせることができ、図３の例と同様な効果を奏することができる。さらに内側伝熱部２３側にも伝熱フィン４０を設けた場合に近い効果が得られる。
【００４４】
図１４は図１１の変形例の内部を示す斜視図である。この実施の形態は図１１の例と同様に、仕切り板２にバジル加工などにより波型の伝熱フィン４０を形成するが、それに対向する外壁１ａ部分をスプール加工またはエンボス加工などにより内側に突出させたことに特徴がある。このようにすると外側伝熱部１０におけるガス通路４１に流れるガスを仕切り板２側に偏らせることができ、図３の例と同様な効果を奏することができる。
【００４５】
図１５は図１１の変形例を示す部分的な平面図である。この実施の形態は図１１の例と異なり、仕切り板２にスプール加工やエンボス加工などにより波型の伝熱フィン４０を形成し、その伝熱フィン４０を外側伝熱部１０，内側伝熱部２３に共用としたことに特徴がある。このようにすると外側伝熱部１０，内側伝熱部２３の両方に伝熱フィン４０を独立して設けた場合と同様な効果が得られと共に、部品数が減少して構造が簡単になり、コスト的に有利になる。
【００４６】
図１６は本発明に係る水蒸気改質装置の別の伝熱部を示す部分平面図である。この実施の形態において、図示の外側伝熱部１０は図１７に示す改質部１の外側反応室３側に配置され、図示の内側伝熱部２３はその内側反応室４側に配置される。そして外側伝熱部１０と内側伝熱部２３を区分する仕切り板２の両面に遠赤外線放射塗料層５０がそれぞれ形成される。
【００４７】
遠赤外線放射塗料層５０は金属板の表面に耐熱性を有する遠赤外線塗料を塗布することにより形成できる。遠赤外線放射塗料層５０に被加熱体から遠赤外線を輻射すると、それを層内に熱エネルギーとして蓄積し、それによって温度上昇した遠赤外線放射塗料層５０から、その熱が再び遠赤外線放射として外部に放出される。
本発明に使用できる遠赤外線塗料としては、例えばオキツモ株式会社から市販されている型式「Ｗ−５００」、「Ｗ−６００」がある。
【００４８】
外側伝熱部１０，２３を形成する部分の仕切り板２に上記のように遠赤外線放射塗料層５０を形成することにより、内側伝熱部２３における高温状態の物質から輻射した遠赤外線を内側反応室４側の遠赤外線放射塗料層５０が吸収し、それを熱エネルギーとして蓄積する。その蓄積した熱エネルギーは外側伝熱部１０側の遠赤外線放射塗料層５０に熱伝導により伝達してその温度を上昇させる。すると温度上昇した遠赤外線放射塗料層５０から遠赤外線が外側伝熱部１０側に放射し、そこを流れる原料ガスと水蒸気の混合物を加熱する。従って仕切り板２に遠赤外線放射塗料層５０を形成することにより、内側伝熱部２３から外側伝熱部１０への伝熱効率を向上することができる。
【００４９】
なお、外側伝熱部１０や内側伝熱部２３に図１〜図６のようなハニカム構造体３０や図７〜図９、図１１〜図１５のような伝熱フィン４０を設ける場合も、図１６のようにその仕切り板２の両面に遠赤外線放射塗料層５０を形成してもよく、その場合には前記両方の効果を発揮させることが可能になる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の第１の発明に係る水蒸気改質装置は、前記のようにガス流路を形成した耐熱性のハニカム構造体または伝熱フィンを伝熱部に配置したことを特徴とする。そのため内側伝熱部から外側伝熱部への熱伝導による熱伝導効率または熱交換効率が向上し、装置の小型化、高効率化を計ることができる。
【００５１】
上記水蒸気改質装置において、前記ガス流路は、それを流れるガスが仕切り板側に偏るように構成できる。このようにすると内側伝熱部から外側伝熱部への熱伝導による熱伝導効率または熱交換効率がさらに向上する。
【００５２】
上記水蒸気改質装置において、内側反応室の伝熱部に配置したハニカム構造体の軸方向中心部にガス流路を形成しない中空部を設けることにより、該伝熱部のガス流路を流れるガスを仕切り板側に偏らせることができる。このように構成すると内側反応室側のハニカム構造体使用の伝熱部から外側反応室側のハニカム構造体使用の伝熱部への熱伝導による熱伝導効率または熱交換効率がさらに向上する。
【００５３】
上記水蒸気改質装置において、外側反応室の伝熱部に配置したハニカム構造体の軸方向周辺部にガス流路を形成しない中空部を設けることにより、該伝熱部のガス流路を流れるガスが仕切り板側に偏るように構成できる。このように構成することによって、内側反応室側のハニカム構造体使用の内側伝熱部から外側反応室側のハニカム構造体使用の外側伝熱部への熱伝導による熱伝導効率または熱交換効率がさらに向上する。
【００５４】
上記水蒸気改質装置において、外側反応室または内側反応室に配置した伝熱フィンの軸方向周辺部に、ガス流路を形成しない充填物を配置し、それによってそれら伝熱部のガス流路を流れるガスが仕切り板側に偏るようにすることができる。このように構成することによって、内側反応部側の伝熱フィン使用の内側伝熱部から外側反応部側の伝熱フィン使用の外側伝熱部への熱伝導による熱伝導効率または熱交換効率がさらに向上する。
【００５５】
また、本発明の第２の発明に係る水蒸気改質装置は、前記のように伝熱部に接する仕切り板の両面に遠赤外線放射塗料層を形成したことを特徴とする。そのため内側反応室側の内側伝熱部から外側反応室側の外側伝熱部への熱伝導による熱伝導効率または熱交換効率が向上し、装置の小型化、高効率化を計ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る水蒸気改質装置の各伝熱部を示す斜視図。
【図２】図１（ａ）の内側伝熱部２３を図１（ｂ）の外側伝熱部１０の内側上部に組み込んで改質部１を構成した状態を示す平面図。
【図３】図２の実施の形態の変形例を示す部分的な平面図。
【図４】図１（ａ）に示す内側伝熱部２３を構成するハニカム構造体３０の変形例を示す部分的な斜視図。
【図５】図４のハニカム構造体３０の変形例を示す部分的な斜視図。
【図６】図１（ａ）に示す外側伝熱部１０を構成するハニカム構造体３０の変形例を示す部分的な斜視図。
【図７】図２のさらに別の変形例を示す部分的な平面図。
【図８】図７の変形例を示す部分的な平面図。
【図９】図７の別の変形例を示す部分的な平面図。
【図１０】伝熱フィン４０の種々の形態を示す部分的な斜視図。
【図１１】外側伝熱部１０と内側伝熱部２３を仕切り板２に形成した実施の形態を示す斜視図。
【図１２】図１１の変形例を示す部分的な斜視図。
【図１３】図１１の変形例の内部を示す斜視図。
【図１４】図１１の変形例の内部を示す斜視図。
【図１５】図１１の変形例を示す部分的な平面図。
【図１６】本発明に係る水蒸気改質装置の別の伝熱部を示す部分平面図。
【図１７】内熱式の水蒸気改質装置を構成する改質部の模式図。
【図１８】図１７のＡ−Ａ断面図。
【符号の説明】
１  改質部
１ａ  外壁
１ｂ  断熱層
２  仕切り板
３  外側反応室
４  内側反応室
５  配管
６  ガス供給部
７，８，９    支持板
１０  外側伝熱部
１１  水蒸気改質触媒層
１２  配管
１３  ノズル部
１４  配管
１５  ガス排出部
１６，１７，１８，１９，２０  支持板
２１  低温シフト触媒層
２２  高温シフト触媒層
２３  内側伝熱部
２４  混合触媒層
３０  ハニカム構造体
３０ａ  閉鎖部
３０ｂ  中空部
３０ｃ  セパレータ
３０ｄ  突条
３１  ガス流路
４０  伝熱フィン
４１  ガス流路
４２  固定板
４３  充填物
４４  筒体
５０  遠赤外線放射塗料層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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