(57)【要約】【課題】再生／記録部位に作用する周囲からの浮遊磁界を抑制した磁壁移動型光磁気記録媒体を提供する。【解決手段】室温で希土類元素副格子磁化優勢な組成を持つ磁壁移動層１００１、遮断層１００２、メモリ層１００３を含む磁壁移動型光磁気記録媒体において、室温近傍での浮遊磁界の発生を低減する、室温において鉄族元素副格子磁化優勢な磁化相殺層１００６を設けた。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
室温で希土類元素副格子磁化優勢である、磁壁が移動する磁壁移動層と、記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層とメモリ層間に設けられ前記両層よりキュリー温度が低い遮断層とを含む複数の磁性層を備え、前記メモリ層から磁壁移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させることにより前記記録磁区を拡大し情報の再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体において、室温で鉄族元素副格子磁化優勢な組成を持つ磁化相殺層を有することを特徴とする磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁化相殺層は、多層化された前記磁壁移動層の一部で兼用されていることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁化相殺層は、前記メモリ層の前記遮断層が配置された側と逆側に前記メモリ層と直接交換結合することなく配置されていることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁化相殺層のキュリー温度は、前記磁化相殺層を除く全磁性層のトータル磁化がほぼゼロとなる温度に対して±２０℃の範囲にあることを特徴とする請求項３に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項５】
前記磁化相殺層の膜厚は、前記磁化相殺層を除く全磁性層におけるトータル膜厚に対して１５〜２５％の範囲の厚さであることを特徴とする請求項３に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項６】
複数の記録トラックを有し、前記記録トラックの両側部において、少なくとも前記磁壁移動層における膜面方向の交換相互作用による結合が切断もしくは低減されていることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、再生時に磁壁の移動を利用した超高密度記録に適した磁壁移動型光磁気記録媒体に関するものである。特に、狭トラックピッチ、極微小マークにおける記録再生特性に優れた磁壁移動型光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
書き換え可能な記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザの熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。近年、動画像のデジタル化の動きとあいまって、これらの磁性記録媒体の記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００３】
一般に、光記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザ波長及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザ波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まるとビームウェストの径が決まるため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が限界となってしまう。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザ波長を短くするか、対物レンズの開口数を大きくする必要がある。しかしながら、レーザ波長を短くするのは素子の効率、発熱等の問題で容易ではなく、また、対物レンズの開口数を大きくすると、焦点深度が浅くなる等して機械的精度に対する要求が厳しくなるという問題が生じる。
【０００４】
このため、レーザ波長や対物レンズの開口数を変えずに、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記録密度を改善する高密度化技術が種々開発されている。
【０００５】
例えば、特開平６−２９０４９６号においては、記録マークの境界部に存在する磁壁を温度勾配によって高温側に移動させ、この磁壁移動を検出することにより、再生信号振幅を低下させることなく、光学系の分解能を超えた記録密度の信号を再生することが可能な光磁気記録媒体及びその再生方法が提案されている。この再生方法は、ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）再生方式と呼ばれており、その媒体構成、および、再生方法は図２１に示すように、磁壁抗磁力の小さな第一磁性層１２００１と、キュリー温度の低い第二磁性層１２００２と、磁壁抗磁力の大きな第三磁性層１２００３からなる。文献Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，２２，ｓｕｐｐｌ．Ｎｏ．Ｓ２，ｐｐ．４７−５０（１９９８）にあるように、第一磁性層１２００１は再生時に磁壁移動が起こる磁壁移動層（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）として機能し、第二磁性層１２００２は磁壁移動の開始位置を制御する遮断層（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）として機能し、第三磁性層１２００３は情報を保持するメモリ層（ｍｅｍｏｒｙ  ｌａｙｅｒ）として機能する。
【０００６】
これら磁性膜面上に図２１（ｂ）に示すような温度分布を形成すると、これに伴って図２１（ｃ）に示すように磁壁エネルギー密度の分布が形成され、同図に示すように磁壁をエネルギーの低い高温側へ移動させようとする磁壁駆動力が発生する。しかし、遮断層のキュリー温度より低温の領域では、各磁性層はお互いに交換結合しているため、前述の磁壁駆動力が作用しても、メモリ層の大きな磁壁抗磁力に妨げられて磁壁移動は起こらない。ところが、遮断層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓになる位置では交換結合力が弱まるため、磁壁抗磁力の小さな移動層中の磁壁だけが単独で高温側に磁壁移動する。
【０００７】
この磁壁移動は、媒体を温度分布に対して相対的に移動させると、磁壁の空間的間隔に対応した時間間隔で発生することになる。したがって、磁壁移動の発生を検出することで、光学系の分解能とは無関係に信号を再生することが可能になる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のＤＷＤＤ媒体は、再生時の磁壁移動がスムースに行われるよう、即ち、磁壁が移動する再生温度近辺における浮遊磁界による影響を低減する目的で、再生温度となる遮断層のキュリー温度近傍（以下、Ｔｓと称する）で磁壁移動層のトータル磁化がゼロ近傍になるように組成を設計されている。しかし、このような従来の媒体においては、室温から再生温度までの低温領域におけるトータル磁化については何等配慮がなされておらず、Ｔｓ以下の低温領域にある隣接トラック或いはトラック方向前後に存在するランダム磁化からのランダムな浮遊磁界の影響が問題となっていた。特に、狭トラックピッチ化、微小マーク化を図った場合、このランダム浮遊磁界の影響は無視出来なくなり、記録再生特性が悪化してしまうという問題があった。
【０００９】
また、記録マーク長の微小化に際しては、より小さな記録マークが安定に記録保存できるよう、情報を保持するメモリ層には磁気異方性の大きな磁性膜を用いるため、記録時の磁化反転に要するエネルギーもより大きなものとなる。しかし、高密度化に適した磁界変調記録において磁気ヘッドの発生できる磁界強度はせいぜい２００〜３００Ｏｅ程度であり、省電力高速の観点も考慮すると、２００Ｏｅ以下が好ましい。従って、記録温度領域においてメモリ層自体の磁化の大きさを、組成比の調整、或いは、多層化と言った手法によりある程度大きくしておく等の工夫が必要となる。
【００１０】
しかしながら、記録温度領域近傍においてこのような磁化の調整を行った場合、必然的にＴｓ以下の低温領域において磁化が大きなものとなってしまい、再生時における浮遊磁界による影響が一層深刻な問題となる。
【００１１】
更に、ランド／グルーブ基板においては、図２２に示したように、グルーブ部のメモリ層と隣接トラックのランド部における磁壁移動層の高さ位置が同レベルとなり、グルーブ部への記録時に隣接トラックの磁壁移動層からの浮遊磁界の影響で記録磁界感度が悪化してしまう問題があった。
【００１２】
以上のように、ＤＷＤＤ再生方式に用いられる媒体においては、微小マーク化や狭トラックピッチ化などによる面記録密度の向上と記録再生特性の向上との両立は非常に困難なものであった。
【００１３】
本発明は、そのような問題に鑑みなされたものであり、従来のＤＷＤＤ媒体が有していた上記問題を解決し、微小マーク化や狭トラックピッチ化を図った場合においても良好な記録再生特性を得ることが可能な磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の構成は以下の通りである。
【００１５】
室温で希土類元素副格子磁化優勢である、磁壁が移動する磁壁移動層と、記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層とメモリ層間に設けられ前記両層よりキュリー温度が低い遮断層とを含む複数の磁性層を備え、前記メモリ層から磁壁移動層に転写された記録磁区の磁壁を移動させることにより前記記録磁区を拡大し情報の再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体において、室温で鉄族元素副格子磁化優勢な組成を持つ磁化相殺層を有することを特徴とする磁壁移動型光磁気記録媒体。
【００１６】
（作用）
遮断層のキュリー温度Ｔｓ近傍でトータル磁化がゼロ近傍になるように組成設計された磁壁移動層は室温で希土類元素副格子磁化優勢な組成となる。そのため、磁壁移動層内部でのＴｓ以下の低温領域におけるトータル磁化を低減するために室温において鉄族元素副格子磁化優勢な組成を持つ磁化相殺層を設けた。それにより、低温領域における磁壁移動層のトータル磁化が相殺され発生する浮遊磁界を低減できた。また、磁壁移動層だけを考慮するのではなく、全磁性層のトータル磁化を相殺する磁化相殺層を設けるようにしても良い。また、再生／記録部位に作用する最も大きな浮遊磁界を発生する磁性層が磁壁移動層以外の場合には、その磁性層の低温領域におけるトータル磁化を相殺する磁化相殺層を設けるようにしても良い。なお、従来の磁壁移動型光磁気記録媒体は、磁壁移動層に限らず他の磁性層においても再生温度近傍におけるトータル磁化がゼロ近傍になるように組成設計されているため、室温において希土類元素副格子磁化優勢な組成となる。そのため、全磁性層のトータル磁化を相殺する場合や磁壁移動層以外の磁性層のトータル磁化を相殺する場合においても磁化相殺層は室温において鉄族元素副格子磁化優勢な組成である必要がある。
【００１７】
本発明は、上記構成により、浮遊磁界による悪影響を殆ど受けず良好で安定した記録再生が可能となる。また、狭トラックピッチ、極微小マーク下においても高い記録磁界感度、及び、良好な再生特性とが両立した媒体の提供が可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
【００１９】
本発明の特徴は、室温で希土類元素副格子磁化優勢である、磁壁が移動する磁壁移動層と、記録磁区を保持するメモリ層と、前記磁壁移動層とメモリ層間に設けられ前記両層よりキュリー温度が低い遮断層とを含む磁壁移動型光磁気記録媒体において、室温において鉄族副格子磁化優勢な組成を持つ磁性層を設けたことにある。この磁化相殺層は全く新たな層として設けても良いし、従前の層構成の一部に兼用で機能を担わせても良い。また、本願明細書における“トータル磁化”とは対象が単層の場合にはその磁性層の磁化を意味し、対象が多層の場合にはそれら磁性層全体での磁化を意味する。また、“相殺”とは必ずしも相殺後の磁化の大きさがゼロになることを意味するものではなく、そのような状態も含むが、寧ろ磁化の大きさが低減されている状態を意味するものである。
【００２０】
図１に本発明の光磁気記録媒体の模式的断面図を示す。図１は本発明の光磁気記録媒体の基本的な層構成を模式的に示す断面図である。なお、磁化相殺層は配置される積層位置に幾つかのバリエーションがあるため不図示とし、ここでは磁化相殺層を除く本発明を構成する他の磁性層について説明する。
【００２１】
図１に示すように、本発明の光磁気記録媒体は、透明な基板６上に誘電体層４、磁性層１０、誘電体層５が順次積層されて構成されている。また、磁性層１０は、基板６側から順に、磁壁が移動する磁壁移動層１と、磁壁移動層と記録層間に設けられこれら各磁性層より低いキュリー温度を有する遮断層２と、情報である記録磁区を記録（蓄積）するメモリ層３とがそれぞれ積層されている。そして、これら磁性層のうち少なくとも磁壁移動層１は、再生温度である遮断層のキュリー温度近傍でトータル磁化がゼロ近傍になる組成となっており、室温で希土類元素副格子磁化優勢な組成となっている。また、これらの磁性層は遮断層２のキュリー温度以下で交換結合している。
【００２２】
基板６としては、例えば、透明なポリカーボネート、ガラス等が用いられている。
【００２３】
実施の形態では、基板越しにレーザ光を照射して再生する光磁気記録媒体の層構成を用いて説明するが、これに限定するものではない。基板に対して膜側からレーザ光を照射する場合は磁性層の順序は逆にすれば良く基板としては不透明な材料を用いても良い。
【００２４】
誘電体層４としては、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２などの透明誘電材料を使用することができる。保護層として再び形成される誘電体層５にも、これと同様の誘電材料を用いることができる。これら各層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被着形成することができる。
【００２５】
また、本実施形態の光磁気記録媒体１の構成に加えて、更に例えばＡｌ、ＡｌＴａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、Ｃｕなどからなる金属層を付加して、熱的な特性を調整可能に構成されてもよい。さらに、高分子樹脂からなる保護コートを付与してもよい。さらに、各層が成膜された基板を貼り合わせた構成としてもよい。
【００２６】
また、本実施形態の光磁気記録媒体１の構成において、各磁性層は、種々の磁性材料によって構成することが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の１種類あるいは２種類以上が１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの鉄族元素の１種類あるいは２種類以上が９０〜６０ａｔ％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成される。また、耐食性向上などのために、これにＣｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｔ、Ｉｎなどの元素を少量添加してもよい。
【００２７】
重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御することが可能である。また、キュリー温度も、組成比により制御することが可能であるが、飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用できる。すなわち、Ｆｅの１ａｔ％をＣｏで置き換えることにより、６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量を調整することができる。また、Ｃｒ、Ｔｉなどの非磁性元素を微量添加することにより、キュリー温度を低下させることも可能である。さらにまた、２種類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整することによってもキュリー温度を制御することができる。
【００２８】
また、上述した基本構成のほかに付加的な磁性層を設けても良い。例えば、再生時における良好な磁壁移動と磁気光学効果を両立させるために、磁壁移動層を多層化、或いは膜厚方向に組成勾配を持つ構成としてもよい。
【００２９】
また、再生ビームスポット内後方端部での余計な磁壁移動（ゴースト信号）を抑制するために磁壁移動層に対して磁壁エネルギー密度が高い制御層を遮断層と磁壁移動層間に設けても良い。この制御層の具体的な材料としては、ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ系などが挙げられる。
【００３０】
また、記録感度を向上させるために外部磁界に対して容易に磁化反転可能な記録補助層をメモリ層に隣接して設けても良い。材料としてはＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ系から成る磁性膜を用いることができる。
【００３１】
これら各層は、再生温度における飽和磁化をゼロ近傍にするために遮断層のキュリー温度近傍に補償組成を持つよう構成される。
【００３２】
また、上述した各磁性層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被着形成できる。特に各磁性層は、真空を破ることなく連続成膜されることで、お互いに交換結合をしている。
【００３３】
磁壁抗磁力や磁壁エネルギー密度は、主として材料元素の選択によって制御するが、下引きされる誘電体層４の状態や、スパッタガス圧等の成膜条件によっても調整可能である。ＴｂやＤｙ系の材料は異方性が大きく磁壁抗磁力や磁壁エネルギー密度が大きく、Ｇｄ系材料は小さい。不純物の添加等によってこれらの物性値を制御することもできる。膜厚は、成膜速度と成膜時間で制御できる。
【００３４】
本発明の光磁気記録媒体へのデータ信号の記録は、磁気記録もしくは熱磁気記録によって、メモリ層の磁化配向状態をデータ信号に対応させることによって行う。熱磁気記録には、媒体を移動させながら、メモリ層がキュリー温度以上になるようなパワーのレーザ光を照射しながら外部磁界を変調する方式と、一定方向の磁界を印加しながらレーザパワーを変調する方式とがある。
【００３５】
図２０に、本実施形態の光磁気記録媒体１に対してデータ信号の記録および再生を行う記録再生装置が備える光学系の一例の模式図を示す。図２０に示すように、光学系は、光路の順に、レーザ光２０を出射するレーザ光源７１と、このレーザ光源７１から出射されたレーザ光を平行光に変換するコリメータレンズ７２と、レーザ光源７１からのレーザ光２０を透過するとともに光磁気記録媒体からの戻り光を反射するビームスプリッタ７３と、このビームスプリッタ７３を透過したレーザ光２０を光磁気記録媒体に集光する対物レンズ７４と、ビームスプリッタ７３に反射された戻り光を受光するディテクタ７６を有する信号検出系７５とを備えている。レーザ光源７１は、記録再生用の光源であって、レーザ光２０の波長が６６０ｎｍである。ビームスプリッタ７３は、レーザ光２０を整形する整形部を有している。
【００３６】
以上のように構成された光学系を備える光ディスク装置では、光磁気記録媒体の記録面のグルーブ（またはランド）上において、レーザ光源７１（波長６５０ｎｍ）からの出射されたレーザ光２０が対物レンズ７４（Ｎ．Ａ．６．０）により集光され、記録再生用のビームスポットが形成される。データ信号の記録は、記録光磁気記録媒体を所望の線速度で移動しながら、記録用のビームスポットを形成しこれと同時に、磁界発生用コイル８０を用いて外部磁界を発生させ、データに応じてこの外部磁界の向きを高周波で変化させ記録磁区を形成する。データ信号の再生は、記録光磁気記録媒体を所望の線速度で移動しながら、再生用のビームスポットを用いて行う。これにより、再生時には、光磁気記録媒体を図２１に示したような温度勾配で加熱することができる。
【００３７】
以下に具体的な実験例をもって本発明を詳細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限りにおいて以下の実験例に限定されるものではない。
【００３８】
（第１実施例）
図２は、本発明による第１実施例における光磁気記録媒体の模式的断面図である。この態様においては、基板６上に、誘電体層４、磁壁移動層１００１、制御層１００４、遮断層１００２、メモリ層１００３、記録補助層１００５、磁化相殺層１００６、及び誘電体層５が順次積層されている。磁化相殺層１００６は、室温において鉄族元素副格子磁化優勢な組成を持ち、本実施例においては新たな磁性層として記録補助層に交換結合するように積層されている。この位置に積層した理由は、記録メカニズムに悪影響を与えないための配慮である。また、磁化相殺層１００６は媒体の熱構造に悪影響を及ぼさないために薄い膜厚で大きな磁化を維持できるよう異方性の大きな磁性膜で構成される。具体的には、ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ系から成る磁性層などを用いることができる。
【００３９】
（実験例１）
直流マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳｉ，及びＧｄ，Ｔｂ，ＦｅＣｒ，ＣｏＣｒの各ターゲットを取り付け、トラッキング用のサーボピットの形成されたトラックピッチ０．５４μｍのポリカーボネート基板を基板ホルダーに固定した後、２×１０−５Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。その後、真空排気したままＡｒガスをチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、ターゲットをスパッタして各層を成膜した。ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ２  ガスを導入することで、直流反応性スパッタを行い成膜した。
【００４０】
まず初に、ＡｒガスとＮ２ガスをチャンバー内に流しコンダクタンス調整により圧力を所望の値とし、誘電体層としてＳｉＮ層を３５ｎｍ成膜した。磁性膜の成膜時にＮ２ガスが混入していると窒化などを起こし磁気特性に影響を与えるため、誘電体層とその他の磁性層は別のチャンバーにて成膜を行った。誘電体層成膜後に、別のチャンバーに基板を搬送しＡｒガスを導入し、コンダクタンス調整により所望の圧力とし、磁壁移動層として組成比の異なるＧｄＦｅＣｏＣｒ層を各々膜厚１８ｎｍ成膜した。次いで、同様にＡｒガスを用い、コンダクタンス調整により所望の圧力とし、制御層としてＴｂＦｅＣｏＣｒを膜厚１８ｎｍ、遮断層としてＴｂＦｅＣｒ層を膜厚１０ｎｍ、メモリ層としてＴｂＦｅＣｏＣｒを膜厚６０ｎｍ形成した。次いで、記録補助層としてＧｄＦｅＣｏＣｒ層を膜厚２０ｎｍ形成した。
【００４１】
その後、スパッタプロセスガスをＡｒからＫｒに切り替え、コンダクタンス調整により所望の圧力とし、磁化相殺層としてＴｂＦｅＣｏＣｒ層を膜厚３０ｎｍ形成した。
【００４２】
そして最後に、誘電体層としてＳｉＮ層を５０ｎｍ、誘電体層形成時と同様直流反応性スパッタにより成膜した。
【００４３】
各磁性層は、Ｇｄ，Ｔｂ，ＦｅＣｒ，ＣｏＣｒの各ターゲットに投入するパワーの比によって組成比を制御した。磁化相殺層以外の各磁性層における組成比は、なるべく補償組成近傍の組成になるように調整した。厳密には、再生温度となる遮断層のキュリー温度近傍の温度で希土類元素と鉄族元素とが補償されるように、室温で希土類元素優勢になるように調整した。
【００４４】
具体的には、磁壁移動層のキュリー温度は２５０℃（遮断層側）〜２９０℃程度（基板側）となるように調整し、制御層のキュリー温度は１７０℃程度、遮断層のキュリー温度は１６０℃程度、メモリ層のキュリー温度は３３０℃、記録補助層のキュリー温度は３８０℃程度となるように調整した。
【００４５】
これら磁壁移動層から記録補助層までの磁性層を積層した場合のトータル磁化の温度依存性を図３に示す。磁化の温度依存性測定は、ガラス基板を用いた別サンプルにて行った。成膜条件は、先の動特性評価用サンプルと同じ条件で行った。この様に作製したサンプルを測定に先立ち、バルクイレーサーにて初期化処理を行った。その後、振動試料型磁力計ＶＳＭにて磁化Ｍｓの温度依存性を測定した。
【００４６】
これより、磁性層のトータル磁化がほぼゼロとなる温度が１６５℃付近であることが分かる。そこで、本実施例における磁化相殺層のキュリー温度は、１７５℃となるように調整した。磁化の温度依存性は図４に示す。
【００４７】
次に、磁壁移動層から磁化相殺層まで本実施例における全磁性層を積層した場合の磁化の温度依存性を図５に示す。これより、再生温度となる遮断層のキュリー温度以下で、特に室温においてトータル磁化が相殺されて非常に小さな値となっていることが分かる。つまり、磁壁移動層の磁壁に作用する周囲からの浮遊磁界（主に室温近傍にある隣接記録トラックの磁化からの浮遊磁界）を抑制でき、磁壁移動をスムースに行うことができる。
【００４８】
こうして作製した実験例１におけるサンプルの動特性評価を図２０の光学系を有する光ディスク記録再生装置を用いて評価した。なお、評価に先立って、レーザ波長４０８ｎｍ、対物レンズのＮ．Ａ．０．８０の装置を用いて、線速４．５ｍ／ｓｅｃで媒体を回転させながら集光されたレーザビームを約６〜９ｍＷの範囲で連続照射して、記録トラック間の磁性膜のみを局所アニール処理した。この処理により、記録トラック間の磁性膜の磁性を劣化させ、この部分では磁壁エネルギーが蓄積しないようにした。このようにレーザパワーを可変してトラック間を局所アニール処理した領域の中から、ジッタ特性の観点から最適な個所を選択し記録再生測定を行った。
【００４９】
記録は、レーザを直流照射しメモリ層のキュリー温度以上に加熱した後の冷却過程で、磁界の変調に対応した上向き磁化領域と下向き磁化領域とのパターンを、記録補助層から転写することで行った。また、本実施例においては、変調磁界強度は３００Ｏｅとした。
【００５０】
最適な記録パワーの選択は、線速２．４ｍ／ｓｅｃで媒体を回転させながら集光されたレーザビームのパワーを約２〜８ｍＷの範囲で可変し選択した。再生も同様にレーザパワーを約１〜４ｍＷまで可変し、最適値を選択した。
【００５１】
その結果、本実施例における最適値は夫々、アニールパワーが７．４ｍＷ、記録パワーが４．６ｍＷ、再生パワーが２．４ｍＷであった。そこで、これらの最適条件下で、（１−７）ＲＬＬ変調方式を用いて線記録密度０．０８μｍ／ｂｉｔの最短マーク長０．１０７μｍのトーンパターン信号において、両隣接トラックからの浮遊磁界による影響を調べるために、記録トラックの両隣接トラックにＤＣ着磁を施し、その極性の違いによる再生パルス幅の変化を調べた。
【００５２】
その結果、記録トラックの両隣接トラックにおいて着磁方向を正逆（上向き／下向き）と極性を変えて最も浮遊磁界による影響を大きく変化させた場合においても、記録トラックにおける再生パルス幅の変化量は僅かに０．２１ｎｓであり、ウィンドウ幅２２．２２ｎｓに対して約０．９％と非常に小さな値であった。また、この時の再生信号波形の立ち上がりにおけるジッタ値、即ちＰＯＳ極性におけるジッタ値は３．２０ｎｓであった。
【００５３】
更に、（１−７）ＲＬＬ変調方式を用いて線記録密度０．０８μｍ／ｂｉｔのランダムパターン信号記録によるｂＥＲの測定を行った結果、記録トラックの両隣接トラックにおける着磁方向によらず何れの場合も３．０Ｅ−５以下と非常に良好な値であった。
【００５４】
このように本実施例の光磁気記録媒体においては、再生時に両隣接トラックからの浮遊磁界による影響を殆ど受けておらず、再生エラーの起こりにくい低エラーレートで良好な再生動作が行えることが分かった。
【００５５】
（実験例２）
上述の磁化相殺層において、キュリー温度を種々変えて形成した以外は、実験例１と同様にサンプルを作製した。
【００５６】
その結果、前記磁化相殺層のキュリー温度が、前記磁壁移動層から前記記録補助層までの磁性層を積層した場合のトータル磁化がほぼゼロとなる温度に対して±２０℃の温度範囲を逸脱すると、室温から再生温度となる前記遮断層のキュリー温度近傍までの温度領域において全磁性層（磁化相殺層を含む）におけるトータル磁化の相殺が十分に行われず、隣接トラックなどからの浮遊磁界の影響を受けてしまい安定した再生動作が得られないことが分かった。
【００５７】
（実験例３）
上述した磁化相殺層において、膜厚を種々変えて形成した以外は、実験例１と同様にサンプルを作製した。
【００５８】
その結果、前記磁化相殺層の膜厚が、前記磁壁移動層から前記記録補助層までの磁性層を積層した場合のトータル膜厚に対して、２５％を超えてしまうと熱構造の変化によるものと思われる影響でまともな記録再生特性が得られなくなってしまった。また、１５％以上の膜厚を有さないと、室温から再生温度となる前記遮断層のキュリー温度近傍までの温度領域において全磁性層におけるトータル磁化の相殺が十分に行われず、隣接トラックなどからの浮遊磁界の影響を受けてしまい安定した再生動作が得られないことが分かった。
【００５９】
（比較例１）
比較例として、前記磁化相殺層を除いた以外は実験例１と同様にサンプルの作製、並びに、記録再生特性の評価を行った。
【００６０】
その結果、記録トラックの両隣接トラックにおいて着磁方向を正逆（上向き／下向き）と極性を変えて最も浮遊磁界による影響を大きく変化させた場合、記録トラックにおける再生パルス幅の変化量は２．４７ｎｓと、ウィンドウ幅２２．２２ｎｓに対して約１１．１％もの非常に大きな値であった。また、この時の再生信号波形の立ち上がりにおけるジッタ値、即ちＰＯＳ極性におけるジッタ値は３．２５ｎｓであった。
【００６１】
更に、（１−７）ＲＬＬ変調方式を用いて線記録密度０．０８μｍ／ｂｉｔのランダムパターン信号記録によるｂＥＲの測定を行った結果、記録トラックの両隣接トラックにおける着磁方向によらず何れの場合も５．０Ｅ−４程度と非常に悪い値であった。
【００６２】
このように本比較例の光磁気記録媒体においては、再生時に両隣接トラックから浮遊磁界の影響による再生パルス幅変動が生じているため、ｂＥＲ測定ではその値が悪化してしまい、再生時にエラーが起こり易く安定した再生動作が行われないことが分かった。
【００６３】
なお、本比較例の磁性層全層における磁化の温度依存性は、実験例１における図３と同様である。
【００６４】
（比較例２）
また別の比較例として、前記メモリ層の組成変更により記録磁界感度の改善を図った場合の例を述べる。具体的には、前記メモリ層の組成を遷移金属副格子磁化優勢方向にずらすことにより高温領域における磁化の量を増やし、記録磁界感度の改善を図った。それ以外は比較例１と同様にサンプルの作製、並びに、記録再生特性の評価を行った。
【００６５】
図６及び図７に変更前後のメモリ層（比較例１及び２）における磁化の温度依存性を示す。ここから見てとれるように本比較例のメモリ層では、確かに高温領域における磁化の量を増やすことができているが、前述したように再生温度となる遮断層のキュリー温度近傍領域においても磁化の量が増えてしまっていることが分かる。従って、図８に示すように本比較例の磁性層全層を積層した場合においても同様に再生温度近傍で磁化の増加が見られる。このように記録磁界感度を改善された媒体においては、再生温度におけるメモリ層からの浮遊磁界による影響が無視できない状況となってしまう。
【００６６】
その結果、記録の磁界感度（０．１０７μｍトーンパターン信号）においては、比較例１においては２００Ｏｅであったの対して、本比較例では１４０Ｏｅと確かに改善が見られている。
【００６７】
しかし、同時に記録トラックの両隣接トラックにおいて着磁方向を正逆（上向き／下向き）と極性を変えて最も浮遊磁界による影響を大きく変化させた場合、記録トラックにおける再生パルス幅の変化量は３．１１ｎｓであり、ウィンドウ幅２２．２２ｎｓに対して約％１４．０と比較例１より大きな値となってしまっている。
【００６８】
更に、（１−７）ＲＬＬ変調方式を用いて線記録密度０．０８μｍ／ｂｉｔのランダムパターン信号記録によるｂＥＲの測定を行った結果、記録トラックの両隣接トラックにおける着磁方向によらず何れの場合も８．０Ｅ−４程度と非常に悪い値であった。
【００６９】
このように本比較例の光磁気記録媒体においては、比較例１と同様、再生時に両隣接トラックからの浮遊磁界による影響を大きく受けることから、再生時にエラーが起こり易く安定した再生動作が行われないことが分かった。
【００７０】
（実験例４）
室温において希土類副格子磁化が優勢で磁化相殺層よりキュリー温度が高い磁化相殺補助層を設けた以外は比較例２と同様にサンプルを作製した。
【００７１】
具体的には、磁化相殺補助層のキュリー温度は２３０℃程度となるように調整した。磁化の温度依存性を図９に示す。また、磁壁移動層から磁化相殺補助層までの磁性層を積層した場合のトータル磁化の温度依存性を図１０に示す。
【００７２】
これより、磁性層のトータル磁化がほぼゼロとなる温度が１６０℃付近であることが分かる。そこで、本実施例における磁化相殺層のキュリー温度は、１６０℃となるように調整した。磁化の温度依存性は図１１に示す。また、磁壁移動層から磁化相殺層までの磁性層を積層した場合の磁化の温度依存性を図１２に示す。これより、再生温度となる遮断層のキュリー温度近傍及び室温から該キュリー温度までの温度領域において磁化が相殺されて非常に小さな値となっていることが分かる。つまり、本実施例の形態では、磁化相殺補助層が再生温度近傍におけるトータル磁化（主にメモリ層の磁化）を相殺するように作用し、磁化相殺層が室温から再生温度近傍までのトータル磁化を相殺するように作用するのである。
【００７３】
こうして作製した実験例４におけるサンプルの動特性評価を、実験例１と同様に行った。
【００７４】
その結果、記録トラックの両隣接トラックにおいて着磁方向を正逆と極性を変えて最も浮遊磁界による影響を大きく変化させた場合においても、記録トラックにおける再生パルス幅の変化量は僅かに０．２８ｎｓであり、ウィンドウ幅２２．２２ｎｓに対して約１．３％と非常に小さな値であった。また、この時の再生信号波形の立ち上がりにおけるジッタ値、即ちＰＯＳ極性におけるジッタ値は３．２８ｎｓであった。
【００７５】
更に、（１−７）ＲＬＬ変調方式を用いて線記録密度０．０８μｍ／ｂｉｔのランダムパターン信号記録によるｂＥＲの測定を行った結果、記録トラックの両隣接トラックにおける着磁方向によらず何れの場合も２．０Ｅ−５程度と非常に良好な値であった。
【００７６】
このように本実施例の光磁気記録媒体においては、再生時に両隣接トラックからの浮遊磁界による影響を殆ど受けておらず、再生エラーの起こりにくい低エラーレートで良好な再生動作が行えることが分かった。
【００７７】
（実験例５）
上述した磁化相殺層及び磁化相殺補助層において、キュリー温度を種々変えて形成した以外は、実験例４と同様にサンプルを作製した。
【００７８】
その結果、磁化相殺補助層のキュリー温度が前記磁壁移動層のキュリー温度以下から前記遮断層層のキュリー温度以上までの温度範囲、かつ、磁化相殺層のキュリー温度が前記磁壁移動層から磁化相殺補助層までの磁性層を積層した場合におけるトータル磁化がほぼゼロとなる温度に対して±２０℃の温度範囲を逸脱すると、再生温度となる前期遮断層のキュリー温度近傍領域において全磁性層におけるトータル磁化の相殺が十分に行われず、隣接トラックなどからの浮遊磁界の影響を受けてしまい安定した再生動作が得られないことが分かった。
【００７９】
（実験例６）
上述した磁化相殺層及び磁化相殺補助層において、膜厚を種々変えて形成した以外は、実験例４と同様にサンプルを作製した。
【００８０】
その結果、前記磁化相殺層の膜厚が、前記磁壁移動層から前記記録補助層までの全磁性層におけるトータル膜厚に対して１５％以上でないと、磁化の相殺が十分に行えず両隣接トラックの着磁状態依存性が大きく出てしまった。また、２５％以上の膜厚では、媒体の熱構造の変化によるものと思われる影響で、良好な記録再生特性が得られなくなってしまうことが分かった。
【００８１】
以上、本発明における実施例、及び、比較例を述べたが、これ以外に、本発明の磁性記録媒体は、磁気光学効果による偏光面の変化に限らず、磁壁の移動によって生ずる別の変化を検出して再生してもよい。更には、各磁性層の界面は必ずしも明瞭急峻である必要はなく、膜厚方向に徐々に特性の変化している構成であってもよい。
【００８２】
（第２実施例）
上述の第１実施例では、磁化相殺層を新たな層として設けた形態を示したが、本実施例では、多層化された磁壁移動層の一部に磁化相殺層の機能を担わせた形態を示す。本実施例における磁化相殺層は、磁壁移動層の本質な機能を損なうことなく、磁壁移動層の少なくとも室温、好適には室温から遮断層のキュリー温度に至る温度領域全域における磁化の大きさを相殺するように作用し、室温において鉄族元素副格子磁化優勢な組成に構成されている。この場合、磁化が相殺されるのは磁壁移動層のみであるが、再生部位に近接した磁性層であるため十分な効果を発揮することが可能である。また、記録時においても図２２に示されるランド／グルーブ記録方式においては隣接するランド部上の磁壁移動層からの浮遊磁界の影響を低減できるため十分な効果を発揮することが可能である。
【００８３】
（実験例７）
図１３は本発明の第２実施例の光磁気記録媒体の基本的な層構成を模式的に示す断面図である。本実施例では基板６として、ランド幅が０．６μｍ、グルーブ幅が０．４μｍ、溝深さ１４０ｎｍのポリカーボネート基板を用い、ランド／グルーブ記録を行った。誘電体層４としては、Ａｒガス流量１９ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス流量１２．７ｓｃｃｍ、スパッタリング圧力０．２Ｐａの条件下で、Ｓｉターゲットを用いた反応性スパッタリングによりＳｉＮ３５ｎｍを形成した。
【００８４】
磁壁移動層を組成の異なる３層の積層構成にした。磁性層１００１ａとしてキュリー温度は２９０℃、室温で希土類元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｏＣｒを１２ｎｍ、磁性層１００１ｂとしてキュリー温度は２４０℃、補償温度は１９０℃となるような室温で希土類元素副格子磁化優性なＧｄＦｅＣｒを１２ｎｍ、磁性層１００１ｃとしてキュリー温度は１８０℃となるような室温で鉄族元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｒを１２ｎｍ形成した。図１４は本実施例の磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示す。このように磁壁移動層の組成を膜厚方向に変化させることで室温での磁壁移動層のトータル磁化を低減できる。
【００８５】
遮断層１００２は磁壁移動層１００１、メモリ層１００３に比べてキュリー温度が１５０℃程度と最も低い垂直磁化膜ＴｂＦｅＣｒを１０ｎｍ、メモリ層１００３としてはＴｂＦｅＣｏＣｒを６０ｎｍ、記録補助層１００５としてはＧｄＦｅＣｏＣｒを２０ｎｍ形成した。誘電体層５としては誘電体層４と同様の成膜条件でＳｉＮ５０ｎｍ形成した。
【００８６】
以上のような構成の光磁気記録媒体について、図２０に示した光学系を用いて、波長λを６５０ｎｍ、対物レンズ７４の開口数ＮＡを０．６、記録時の線速を２．４ｍ／ｓとして、磁界発生用コイル８０を用いて、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調で記録磁界感度の評価を行った。その結果、本実施形態の光磁気記録媒体は、ランド部は外部磁界が２００Ｏｅ（エールステッド［ＣＧＳ単位系］）で記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。グルーブ部は外部磁界が２２０Ｏｅで記録特性が飽和し４Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。後述する比較例３に示す光磁気記録媒体と比較してグルーブ部の記録磁界感度が大幅に改善された。
【００８７】
（実験例８）
図１５は第２実施例の他の形態を示す断面図である。ここでは、磁壁移動層の構成を変えた以外は実験例７の光磁気記録媒体と同一構成とした。磁壁移動層１００１は組成の異なる２層の積層構成にし、磁性層１００１ｄとしてキュリー温度は２９０℃、室温で希土類元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｏＣｒを１８ｎｍ、磁性層１００１ｅとしてキュリー温度は２００℃、補償温度は２０℃となる室温で鉄族元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｒを１８ｎｍ形成した。図１６は本実験例の磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示す。このように本実験例では室温における磁壁移動層のトータル磁化を低減できる。
【００８８】
この光磁気記録媒体について、実験例７と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調での記録磁界感度は、ランド部は実験例７と同様に外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し５Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。グルーブ部では外部磁界が２５０Ｏｅで記録特性が飽和し５Ｅ−５のビットエラーレートがえられ後述する比較例３の光磁気記録媒体と比較しグルーブ部の磁界感度が改善された。
【００８９】
（比較例３）
比較例３の光磁気記録媒体は、磁壁移動層の構成を変えた以外は実験例８の光磁気記録媒体と同一構成とした。磁性層１００１ａとしてキュリー温度は２９０℃、室温において希土類元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｏＣｒを１８ｎｍ、磁性層１００１ｂとしてキュリー温度は２１０℃、室温において希土類元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｒを１８ｎｍ形成した。図１８は本比較例３の磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示す。このように本比較例では室温における磁壁移動層のトータル磁化が実験例７及び８に比べ大きくなった。
【００９０】
比較例３の光磁気記録媒体について、実験例７の場合と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調での記録磁界感度は、ランド部は実験例７と同様に外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し１Ｅ−４のビットエラーレートが得られた。グルーブ部では外部磁界が３５０Ｏｅで記録特性が飽和し１Ｅ−４のビットエラーレートがえられ、グルーブ部の磁界感度が悪化した。このように本比較例の光磁気記録媒体においては、グルーブ部への記録時に隣接トラックのランド部の磁壁移動層からの浮遊磁界による影響を受け記録磁界感度が悪化してしまう。
【００９１】
（実験例９）
本実験例の光磁気記録媒体は、磁壁移動層の組成及び膜厚を変えた以外は実験例７の光磁気記録媒体と同一構成とした。磁性層１００１ａとしてキュリー温度は２９０℃、室温で希土類元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｏＣｒを１０ｎｍ、磁性層１００１ｂとしてキュリー温度は２９０℃、補償温度は２３５℃となるようなＧｄＦｅＣｒを１０ｎｍ、磁性層１００１ｃとしてキュリー温度は１８０℃となるような室温において鉄族元素副格子磁化優勢なＧｄＦｅＣｒを１６ｎｍ形成した。図１７は本実験例の磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示す。このように本実験例では室温における磁壁移動層のトータル磁化を低減できた。
【００９２】
実験例９の光磁気記録媒体について、実験例７と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調での記録磁界感度は、ランド部は実験例７と同様に外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し５Ｅ−５のビットエラーレートが得られた。グルーブ部では外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し５Ｅ−５のビットエラーレートがえられ、記録磁界感度が実験例７の光磁気記録媒体と比較してさらに改善した。
【００９３】
（実験例１０）
実験例１０の光磁気記録媒体は、基板としては、トラックピッチが０．５５μｍ、グルーブ幅が０．４μｍ、溝深さ４０ｎｍのポリカーボネート基板を用いグルーブ部のみを記録トラックとした。また、このトラックピッチは光学系の回折限界を超えているため、トラッキングサーボとして公知のサンプルサーボ法を採用した。膜構成は実験例７の光磁気記録媒体１と同一構成とした。次に記録トラック間の交換結合を切断するために、記録トラックであるグルーブとグルーブの間のランド部を高出力のレーザ光でアニール処理を施す。図１９に示した光学系を用いて、アニール用のレーザ１０１の波長λを４０８ｎｍ、対物レンズ１０４の開口数ＮＡを０．８５、アニール時の線速を４．５ｍ／ｓとして、膜１０８側からランド部にレーザ５１を集光させ、成膜後の光磁気記録媒体に、レーザパワー７．２ｍＷの条件でアニール処理を施した。
【００９４】
実験例１０の光磁気記録媒体について、０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調の最短マーク長０．１０７μｍのトーンパターン信号において、両隣接トラックからの浮遊磁界による影響を調べるために、記録トラックの両隣接トラックにＤＣ着磁を施し、その極性の違いによる再生パルス幅の変化を調べた。
【００９５】
その結果、記録トラックの両隣接トラックにおいて着磁方向を正逆（上向き／下向き）と極性を変えて最も浮遊磁界による影響を大きく変化させた場合においても、記録トラックにおける再生パルス幅の変化量は僅かに０．２１ｎｓであり、ウィンドウ幅２２．２２ｎｓに対して約０．９％と非常に小さな値であった。また、この時の再生信号波形の立ち上がりにおけるジッタ値、即ちＰＯＳ極性におけるジッタ値は３．２０ｎｓであった。
【００９６】
更に、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調での記録磁界感度は、外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し、記録トラックの両隣接トラックにおける着磁方向によらず何れの場合も３．０Ｅ−５以下と良好なビットエラーレートが得られた。
【００９７】
このように本実施例の光磁気記録媒体においては、再生時に両隣接トラックからの浮遊磁界による影響を殆ど受けておらず、再生エラーの起こりにくい低エラーレートで良好な再生動作が行えることが分かった。
【００９８】
（比較例４）
比較例４の光磁気記録媒体は、比較例３の膜構成を実験例１０で用いたものと同形状の基板上に作成した。比較例４の光磁気記録媒体について、実験例９と同様の記録再生信号評価を行った。その結果、その結果、記録トラックの両隣接トラックにおいて着磁方向を正逆（上向き／下向き）と極性を変えて最も浮遊磁界による影響を大きく変化させた場合、記録トラックにおける再生パルス幅の変化量は２．４４ｎｓと、ウィンドウ幅２２．２２ｎｓに対して約１１％もの非常に大きな値であった。また、この時の再生信号波形の立ち上がりにおけるジッタ値、即ちＰＯＳ極性におけるジッタ値は３．２４ｎｓであった。
【００９９】
更に、記録密度０．０８０ｕｍ／ｂｉｔの（１−７）変調での記録磁界感度は、外部磁界が２００Ｏｅで記録特性が飽和し、記録トラックの両隣接トラックにおける着磁方向によらず何れの場合も５．０Ｅ−４程度と非常に悪いビットエラーレートが得られた。
【０１００】
このように本比較例の光磁気記録媒体においては、再生時に両隣接トラックから浮遊磁界の影響による再生パルス幅変動が生じているため、ビットエラーレート測定ではその値が悪化してしまい、再生時にエラーが起こり易く安定した再生動作が行われないことが分かった。
【０１０１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、室温において少なくとも磁壁移動層のトータル磁化を低減する磁化相殺層を設けたことにより、低温領域から再生／記録部位に印加される浮遊磁界を低減させることが可能になった。その結果、再生記録時の浮遊磁界などによる悪影響を低減することが可能となり良好で安定した再生記録特性が得られる。よって、狭トラックピッチ、極微小マーク下においても高い記録磁界感度、および、再生特性に優れた、従来よりも面記録密度が向上された記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の基本層構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１実施例の光磁気記録媒体の層構成を示す模式図である。
【図３】本発明の実験例１における、磁壁移動層から記録補助層までの磁性層を積層した場合のトータル磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図４】本発明の実験例１における、磁化相殺層の磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図５】本発明の実験例１における、磁壁移動層から磁化相殺層までの磁性層を積層した場合のトータル磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図６】本発明の比較例１における、メモリ層の磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図７】本発明の比較例２における、メモリ層の磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図８】本発明の比較例２における、全磁性層を積層した場合のトータル磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図９】本発明の実験例４における、磁化相殺補助層の磁化の温度依存性を示したグラフである。
【図１０】本発明の実験例４における、磁壁移動層から磁化相殺補助層までの磁性層を積層した場合のトータル磁化の温度依存性を示したグラフである。
【図１１】本発明の実験例４における、磁化相殺層の磁化の温度依存性を示したグラフである。
【図１２】本発明の実験例４における、全磁性層を積層した場合のトータル磁化の温度依存性を示したグラフである。
【図１３】本発明の実験例７の光磁気記録媒体の層構成を示す模式図である。
【図１４】本発明の実験例７における磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図１５】本発明の実験例８の光磁気記録媒体の層構成を示す模式図である。
【図１６】本発明の実験例８における磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図１７】本発明の実験例９における磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図１８】比較例３における磁壁移動層のトータル磁化の温度依存性を示すグラフである。
【図１９】本発明の実験例１０で用いたアニール装置の光学系を示す図である。
【図２０】本発明の記録再生評価に用いる光ディスク装置を示すである。
【図２１】ＤＷＤＤ再生方式の概念を模式的に示した図である。
【図２２】ランド／グルーブ基板における記録時の浮遊磁界の影響を説明する図である。
【符号の説明】
４，５  誘電体層
６  基板
１００１  磁壁移動層
１００２  遮断層
１００３  メモリ層
１００４  制御層
１００５  記録補助層
１００６  磁化相殺層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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