(57)【要約】【課題】高い寿命特性を実現可能な有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置１は、第１基板１１と、前記第１基板１１の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極２５と、前記第１基板１１の前記主面上に設けられるとともに前記複数の第１電極２５に対応した位置に複数の貫通孔をそれぞれ有する隔壁絶縁層２６と、前記複数の第１電極２５上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層２８を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層上に設けられた第２電極２９と、前記隔壁絶縁層２６上に互いに離間して設けられた複数の柱状部材３１とを具備したことを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、
前記第１基板の前記主面上に設けられるとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の貫通孔をそれぞれ有する隔壁絶縁層と、
前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、
前記複数の有機物層上に設けられた第２電極と、
前記隔壁絶縁層上に互いに離間して設けられた複数の柱状部材とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は前記隔壁絶縁層と前記複数の柱状部材とを被覆していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１基板の前記主面と対向した第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とをさらに具備したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２基板は前記第１基板との対向面に互いに離間した複数の凹部を有し、前記複数の柱状部材は前記複数の凹部間の凸部に対応した位置に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記複数の柱状部材は前記第２基板に接触していることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記複数の柱状部材は弾性体であることを特徴とする請求項３乃至請求項５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記複数の柱状部材はそれぞれ逆テーパ状の断面形状を有していることを特徴とする請求項３乃至請求項６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記複数の柱状部材の側面及び前記第２基板との対向面のうち前記第２基板との対向面に前記第２電極と同一の材料からなる導電層が選択的に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に係り、特には有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる平面表示装置として注目されている。
【０００３】
ところで、有機ＥＬ素子の寿命特性は使用温度の上昇に対して指数関数的に低下する。そのため、有機ＥＬ表示装置は可能な限り低い温度で使用することが望まれる。しかしながら、有機ＥＬ素子に電力を供給すると、その一部は発光に利用されるものの、多くは熱へと変換される。そのため、特に大面積の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子の発熱に起因して高い寿命特性を実現し難いという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高い寿命特性を実現可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、第１基板と、前記第１基板の一方の主面上で互いに離間して配列した複数の第１電極と、前記第１基板の前記主面上に設けられるとともに前記複数の第１電極に対応した位置に複数の貫通孔をそれぞれ有する隔壁絶縁層と、前記複数の第１電極上にそれぞれ設けられるとともにそれぞれ発光層を含んだ複数の有機物層と、前記複数の有機物層上に設けられた第２電極と、前記隔壁絶縁層上に互いに離間して設けられた複数の柱状部材とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。
【０００６】
本発明において、第２電極は隔壁絶縁層と複数の柱状部材とを被覆していてもよい。
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、第１基板の上記主面と対向した第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在してそれらの間に密閉された空間を形成する枠状のシール層とをさらに具備していてもよい。
【０００７】
第２基板は第１基板との対向面に互いに離間した複数の凹部を有していてもよい。この場合、複数の柱状部材はそれら凹部間の凸部に対応した位置に設けられていてもよい。
【０００８】
柱状部材は第２基板に接触していてもよい。或いは、柱状部材は第２基板から離間していてもよい。また、柱状部材は弾性体であってもよい。
柱状部材はそれぞれ逆テーパ状の断面形状を有していてもよい。この場合、柱状部材の側面及び第２基板との対向面のうち第２基板との対向面に第２電極と同一の材料からなる導電層が選択的に設けられていてもよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置のアレイ基板の一部を概略的に示す斜視図である。図３は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の封止基板を概略的に示す平面図である。なお、図２では、陰極を省略している。
【００１１】
図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板２と封止基板３とを備えている。アレイ基板２と封止基板３とは互いに接触しておらず、シール層４を介して対向している。シール層４は封止基板３の周縁に沿って設けられており、それにより、アレイ基板２と封止基板３との間に密閉された空間を形成している。この空間は、Ａｒガスなどの希ガスやＮ２ガスのような不活性ガスで満たされている。また、封止基板３のアレイ基板２との対向面には凹部３ａと凸部３ｂとが設けられており、凹部３ａにはシート状の乾燥剤５が貼り付けられている。
【００１２】
アレイ基板２は、基板１１を有している。基板１１上には、アンダーコート層として、例えば、ＳｉＮｘ層１２とＳｉＯ２層１３とが順次積層されている。アンダーコート層１３上には、チャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層のような半導体層１４、ゲート絶縁膜１５、及びゲート電極１６が順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）２０を構成している。
【００１３】
ゲート絶縁膜１５及びゲート電極１６上には、ＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜２１が設けられている。層間絶縁膜２１上には電極配線（図示せず）及びソース・ドレイン電極２３が設けられており、それらは、ＳｉＮｘなどからなるパッシベーション膜２４で埋め込まれている。なお、ソース・ドレイン電極２３は、層間絶縁膜２１に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ２０のソース・ドレインに電気的に接続されている。
【００１４】
パッシベーション膜２４上には、透明電極（陽極）２５が互いに離間して並置されている。陽極２５は、パッシベーション膜２４に設けられたビアホールを介してドレイン電極２３に電気的に接続されている。
【００１５】
パッシベーション膜２４上には、さらに、絶縁層２６ａが設けられている。絶縁層２６ａは、陽極２５の中央部に対応した位置に貫通孔を有しており、パッシベーション膜２４の陽極２５から露出した部分と陽極２５の周縁部とを被覆している。絶縁層２６ａは、例えば、親水性の無機絶縁層である。
【００１６】
絶縁層２６ａ上には、絶縁層２６ｂが設けられている。絶縁層２６ｂは、陽極２５に対応した位置に陽極２５よりも大きな径の貫通孔を有している。これら貫通孔は陽極２５を取り囲むように設けられている。絶縁層２６ｂは、例えば、撥水性の有機絶縁層である。なお、絶縁層２６ａと絶縁層２６ｂとの積層体は、陽極２５に対応した位置に貫通孔を有する隔壁絶縁層２６を構成している。
【００１７】
隔壁絶縁層２６の貫通孔内で露出した画素電極２５上には、バッファ層２７及び発光層２８が順次積層されている。バッファ層２７は、陽極２５から発光層２８への正孔の注入を媒介する役割を果たす。また、発光層２８は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。
【００１８】
隔壁絶縁層２６上には、隔壁絶縁層２６に接して柱状部材３１が設けられている。柱状部材３１の材料に特に制限はない。例えば、柱状部材３１の材料は、導電体であってもよく、或いは、絶縁体であってもよい。
【００１９】
隔壁絶縁層２６、柱状部材３１、及び発光層２８上には共通電極（陰極）２９が設けられている。陰極２９は、パッシベーション膜２４及び隔壁絶縁層２６に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して電極配線に電気的に接続されている。それぞれの有機ＥＬ素子３０は、これら陽極２５、バッファ層２７、発光層２８、及び陰極２９で構成されている。
【００２０】
さて、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、隔壁絶縁層２６は主要な発熱源の１つである有機ＥＬ素子３０に隣接している。また、熱伝導率の高い陰極２９は、発光層２８だけでなく隔壁絶縁層２６も被覆するとともに、外部空間，ここではアレイ基板２と封止基板３とシール層４とに囲まれた空間，と隣接している。さらに、隔壁絶縁層２６上に柱状部材３１を設けているため、アレイ基板２の上記外部空間との接触面積を極めて大きくすることができる。
【００２１】
したがって、本実施形態によると、有機ＥＬ素子３０などで生じた熱を有機ＥＬ素子３０から速やかに外部空間へと放熱させることができる。これにより、高い寿命特性を実現することが可能となる。
【００２２】
また、有機ＥＬ表示装置１が大面積であると、表示装置１の表示面に外光反射防止用の偏光板を貼り付ける際や表示装置を運搬する際などに、アレイ基板２や封止基板３が撓むことがある。この場合、柱状部材３１が設けられていない構造では、封止基板３と陰極２９とが広い面積にわたって接触し易い。そのため、比較的広い面積にわたって陰極２９などの剥離や亀裂を生じ、多くの有機ＥＬ素子３０が破壊されることがある。
【００２３】
これに対し、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、隔壁絶縁層２６上に柱状部材３１を設けているため、アレイ基板２や封止基板３が撓んだとしても、封止基板３の凸部３ｂと接触するのは陰極２９の柱状部材３１上に位置した部分のみである。すなわち、封止基板３と陰極２９とが広い面積にわたって接触することはない。したがって、有機ＥＬ素子３０が破壊されるに至るほどの剥離や亀裂が発生するのを抑制することができる。
【００２４】
本実施形態において、柱状部材３１の数に特に制限はないが、数が多いほど、放熱性や有機ＥＬ素子３０の破壊防止の観点で有利である。例えば、発光色が赤、緑、青色の３つの画素３０に対して１個または２個程度の割合で柱状部材３１を設ければ、極めて高い放熱性を実現できるとともに、有機ＥＬ素子３０の破壊を十分に防止することができる。
【００２５】
本実施形態において、柱状部材３１は、均一な密度で設けてもよく、或いは、アレイ基板２の周縁部よりも中央部でより高い密度となるように設けてもよい。有機ＥＬ素子３０などの発熱による温度上昇は、基板中央部で最も大きい。また、アレイ基板２及び／または封止基板３が撓んだ場合、通常、その変形量は基板中央部で最も大きくなる。したがって、柱状部材３１をアレイ基板２の周縁部よりも中央部でより高い密度となるように設ければ、上述した効果の大きさを基板周縁部と基板中央部とでほぼ等しくすることができる。
【００２６】
本実施形態において、柱状部材３１の隔壁絶縁層２６側の径に対する封止基板側の径の比は、１よりも大きいことが好ましい。放熱性の観点では、陰極２９は柱状部材３１の上面だけでなく側面も被覆していることが有利である。上記比が先の範囲内にあれば、そのような構造を比較的容易に得ることができる。また、柱状部材３１の隔壁絶縁層２６側の径に対する封止基板側の径の比は、約２以下であることが好ましい。この場合、アレイ基板２の上記外部空間との接触面積を大きくするうえで有利である。
【００２７】
本実施形態において、柱状部材３１の高さは、約５μｍ以上であることが好ましい。この場合、アレイ基板２の上記外部空間との接触面積を大きくするうえで有利である。また、柱状部材３１の高さは、約１０μｍ以下であることが好ましい。過剰に高い柱状部材３１は、多くの場合、高い精度で形状や寸法を制御することが難しく、また、それ自体の破損を生じ易い。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図４は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図である。図４に示す有機ＥＬ表示装置１は、陰極２９の柱状部材３１上に位置した部分が封止基板３の凸部３ｂと接触していること以外は図１に示す有機ＥＬ表示装置１と同様の構造を有している。
【００２９】
このような構造を採用すると、有機ＥＬ素子３０などで生じた熱を有機ＥＬ素子３０から基板２，３とシール層４とに囲まれた空間を介することなく封止基板３に伝導させることができる。そのため、第１の実施形態で説明したのと同様の効果が得られるのに加え、より高い放熱性を実現することができる。
【００３０】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図５は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図である。図５に示す有機ＥＬ表示装置１は、柱状部材３１が逆テーパ状の断面形状を有していること以外は図４に示す有機ＥＬ表示装置１と同様の構造を有している。
【００３１】
図４に示す構造では、柱状部材３１と封止基板３とが陰極２９を介して接触しているため、アレイ基板２及び／または封止基板３が撓むと、図１に示す構造に比べ、隔壁絶縁層２６と柱状部材３１と陰極２９との積層体により大きな応力が加わる。この応力から有機ＥＬ素子３０を保護するためには、柱状部材３１は隔壁絶縁層２６に比べて剛性が低い弾性体であること，すなわち、変形することにより上記応力を吸収可能であること，が望まれる。しかしながら、図４に示す構造で柱状部材３１が変形すると、その近傍で陰極２９の剥離や亀裂が生じることがある。
【００３２】
これに対し、図５に示すように柱状部材３１の断面形状を逆テーパ状とすると、陰極２９の成膜過程で柱状部材３１の側面に陰極材料が堆積するのを防止することができる。したがって、上記応力により柱状部材３１が変形したとしても、その近傍で陰極２９の剥離や亀裂が生じるのを防止することができる。
【００３３】
なお、陰極２９を形成した後に柱状部材３１を形成しても同様の効果を得ることができ、この場合、柱状部材３１の断面形状を逆テーパ状とする必要はない。但し、柱状部材３１と隔壁絶縁層２６との間に陰極２９が介在していると、柱状部材３１と下地との間の密着性が不十分となることがある。したがって、陰極２９を形成した後に柱状部材３１を形成する場合、柱状部材３１と隔壁絶縁層２６とが直接接触できるように陰極２９に開口を設けることが好ましい。
【００３４】
次に、第１乃至第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の主要な構成要素に使用可能な材料などについて説明する。
基板１１としては、その上に形成される構造を保持可能なものであれば、どのようなものを用いてもよい。基板１１としては、ガラス基板のように硬質な基板が一般的であるが、有機ＥＬ表示装置１の用途によっては、プラスチックシートなどのようにフレキシブルな基板を使用してもよい。
【００３５】
有機ＥＬ表示装置１が基板１１側から光を発する下面発光型の場合、陽極２５としては光透過性を有する透明電極を使用する。透明電極の材料としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）等の透明導電材料を使用することができる。透明電極の膜厚は、通常、１０ｎｍ乃至１５０ｎｍ程度である。透明電極は、ＩＴＯ等の透明導電材料を蒸着法やスパッタリング等により堆積し、それにより得られる薄膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得ることができる。
【００３６】
絶縁層２６ａの材料としては、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物のような無機絶縁材料を使用することができる。これら無機絶縁材料からなる絶縁層２６ａは比較的高い親水性を示す。
【００３７】
絶縁層２６ｂの材料としては、例えば、有機絶縁材料を使用することができる。絶縁層２６ｂに使用可能な有機絶縁材料に特に制限はないが、感光性樹脂を使用した場合、貫通孔が設けられた絶縁層２６ｂを容易に形成可能である。絶縁層２６ｂを形成するのに使用可能な感光性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ポリアクリル、ポリアミド樹脂、ポリアミック酸などのアルカリ可溶性の高分子誘導体にナフトキノンジアジドなどの感光性化合物を添加してなり、露光及びアルカリ現像によりポジパターンを与える材料を挙げることができる。また、ネガパターンを与える感光性樹脂としては、化学線の照射により現像液への溶解速度が遅くなる感光性組成物，例えばエポキシ基のように化学線照射により架橋する官能基を有する感光性組成物を挙げることができる。絶縁層２６ｂは、例えば、これら感光性樹脂を基板１１の陽極２５などが形成された面にスピンコート法などにより塗布し、それにより得られた塗膜をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより得られる。
【００３８】
隔壁絶縁層２６の膜厚は、バッファ層２７の膜厚と発光層２８の膜厚との和以上であることが望ましい。なお、バッファ層２７や発光層２８を形成する際には、インクジェット法による溶液塗布時の位置精度向上のため、絶縁層２６ｂの表面を予めＣＦ４・Ｏ２などのプラズマガスで撥水処理しておくことが望ましい。
【００３９】
バッファ層２７の材料としては、例えば、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を使用することができる。ドナー性の高分子有機化合物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴという）のようなポリチオフェン誘導体及び／またはポリアニリンのようなポリアニリン誘導体などを使用することができる。また、アクセプタ性の有機化合物としては、例えば、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳという）などを使用することができる。
【００４０】
バッファ層２７は、隔壁絶縁層２６が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ドナー性の高分子有機化合物とアクセプタ性の高分子有機化合物との混合物を有機溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。バッファ層２７を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。
【００４１】
発光層２８の材料としては、有機ＥＬ表示装置で一般に使用されているルミネセンス性有機化合物を用いることができる。そのような有機化合物のうち赤色のルミネセンスを発するものとしては、例えば、ポリビニレンスチレン誘導体のベンゼン環にアルキルまたはアルコキシ置換基を有する高分子化合物や、ポリビニレンスチレン誘導体のビニレン基にシアノ基を有する高分子化合物などを挙げることができる。緑色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、アルキルまたはアルコキシまたはアリール誘導体置換基をベンゼン環に導入したポリビニレンスチレン誘導体などを挙げることができる。青色のルミネセンスを発する有機化合物としては、例えば、ジアルキルフルオレンとアントラセンの共重合体のようなポリフルオレン誘導体などを挙げることができる。また、発光層２８には、これらの高分子のルミネセンス性有機化合物に低分子のルミネセンス性有機化合物などをさらに添加してもよい。
【００４２】
発光層２８は、上記の通り、隔壁絶縁層２６が形成する液溜めを、溶液塗布法により、ルミネセンス性有機化合物を溶媒中に溶解してなる溶液で満たし、液溜め内の液膜を乾燥することにより、それら液膜から溶媒を除去することにより得られる。発光層２８を形成するのに利用可能な溶液塗布法としては、例えば、ディッピング、インクジェット、及びスピンコート法などを挙げることができるが、なかでも、インクジェット法を利用することが好ましい。また、上記液膜の乾燥は、熱及び／または減圧のもとで行ってもよく、或いは、自然乾燥により行ってもよい。
【００４３】
発光層２８の膜厚は、使用する材料に応じて適宜設定する。通常、発光層２８全体の膜厚は５０ｎｍ乃至２００ｎｍの範囲内である。
【００４４】
陰極２９は、単層構造を有していてもよく、或いは、多層構造を有していてもよい。陰極２９を多層構造とする場合、例えば、発光層２８上にバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。また、発光層２８上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層と銀やアルミニウムなどを含有した導体層とを順次積層してなる二層構造としてもよい。さらに、発光層２８上にフッ化バリウムなどを含有した非導体層とバリウムやカルシウムなどを含有した主導体層と銀やアルミニウムなどを含有した保護導体層とを順次積層してなる三層構造としてもよい。
【００４５】
柱状部材３１の材料は、先に述べたように、導電体であってもよく、或いは、絶縁体であってもよい。但し、柱状部材３１の材料としては、有機材料を使用することが望ましく、特に感光性樹脂を使用することが望ましい。柱状部材３１の材料として利用可能な感光性樹脂としては、例えば、絶縁層２６ｂの材料として例示したものなどを挙げることができる。
【００４６】
第１乃至第３の実施形態では、封止基板３に乾燥剤５を貼り付けたが、乾燥剤５は必ずしも設ける必要はない。また、第１乃至第３の実施形態では、封止基板３とシール層４とを用いて有機ＥＬ素子３０を封止したが、封止基板３やシール層４は必ずしも設ける必要はない。
【００４７】
さらに、第１乃至第３の実施形態では、陽極２５をパッシベーション膜２４上に設けたが、陽極２５は層間絶縁膜２１上に、つまり信号線と陽極２５とを同一平面上に設けてもよい。また、第１乃至第３の実施形態では有機ＥＬ表示装置１を下面発光型としたが、上面発光型とすることもできる。
【００４８】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
本実施例では、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を以下の方法により作製した。
【００４９】
すなわち、まず、ガラス基板１１のアンダーコート層１２，１３が形成された面に対し、通常のＴＦＴ形成プロセスと同様に成膜とパターニングとを繰り返し、ＴＦＴ２０、層間絶縁膜２１、電極配線（図示せず）、ソース・ドレイン電極２３、及びパッシベーション膜２４を形成した。
【００５０】
次に、パッシベーション膜２４上に、スパッタリング法を用いてＩＴＯ膜を形成した。続いて、このＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより陽極２５を得た。なお、陽極２５は、マスクスパッタリング法により形成してもよい。
【００５１】
次いで、基板１１の陽極２５を形成した面に、各画素の発光部に対応して開口を有する親水性の無機絶縁層２６ａを形成した。続いて、基板１１の陽極２５を形成した面に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜をパターン露光及び現像することにより、各画素の発光部に対応して開口を有する撥水性の有機絶縁層２６ｂを形成した。以上のようにして、絶縁層２６ａと絶縁層２６ｂとを積層してなる隔壁絶縁層２６を得た。
【００５２】
その後、基板１１の隔壁絶縁層２６を形成した面に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、得られた塗膜をパターン露光及び現像することにより、断面形状が順テーパ形状の柱状部材３１を形成した。ここでは、柱状部材３１の底部の直径は６０μｍとし、頂部の直径は６４μｍとし、高さは１０μｍとした。
【００５３】
次に、基板１１の隔壁絶縁層２６などを形成した面に対して、反応性イオンエッチング装置により反応性フッ素含有ガスを用いた表面処理を施し、隔壁絶縁層２６及び陽極２５の表面を改質した。次いで、隔壁絶縁層２６が形成するそれぞれの液溜めに、インクジェット法によりバッファ層形成用インクを吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を加熱することによりバッファ層２７を得た。
【００５４】
その後、赤、緑、青色の画素に対応したバッファ層２７上に、それぞれ、赤、緑、青色の発光層形成用インクをインクジェット法により吐出して液膜を形成した。続いて、これら液膜を加熱することにより発光層２８を得た。
【００５５】
次いで、基板１１の発光層２８を形成した面にバリウムを真空蒸着し、続いてアルミニウムを蒸着することにより陰極２９を形成した。これにより、ＴＦＴアレイ基板２を完成した。
【００５６】
その後、封止基板３の一方の主面の周縁部に紫外線硬化型樹脂を塗布してシール層４を形成した。ここでは、封止基板３として、図３に示すように一方の主面に凹部３ａと凸部３ｂとが設けられたガラス基板を使用し、凹部３ａにはシート状の乾燥剤５を貼り付けた。次いで、封止基板３とアレイ基板２とを、封止基板３のシール層４を設けた面とアレイ基板２の陰極２９を設けた面とが対向するようにＮ２ガス中で貼り合せた。さらに、紫外線照射によりしてシール層を硬化させることにより、図１に示す有機ＥＬ表示装置１を完成した。
【００５７】
（実施例２）
本実施例では、図４に示す有機ＥＬ表示装置１を上記実施例１で説明したのと同様の方法により作製した。なお、本例では、柱状部材３１の底部の直径は６０μｍとし、頂部の直径は５４μｍとし、高さは７μｍとした。また、本例では、柱状部材３１と封止基板３とを陰極２９を介して接触させた。
【００５８】
（実施例３）
本実施例では、図５に示す有機ＥＬ表示装置１を上記実施例１で説明したのとほぼ同様の方法により作製した。なお、本例では、柱状部材３１の形成条件を変更することにより、その断面形状を逆テーパ状とした。また、本例では、柱状部材３１の底部の直径は６０μｍとし、頂部の直径は６４μｍとし、高さは７μｍとした。さらに、本例では、柱状部材３１と封止基板３１とを陰極２９を介して接触させた。
【００５９】
（比較例）
柱状部材３１を設けなかったこと以外は上記実施例１で説明したのと同様の方法により有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６０】
次に、上記実施例１乃至実施例３及び比較例に係る有機ＥＬ表示装置１について、同一条件で連続点灯を行い、その温度変化について調べた。その結果、実施例１乃至実施例３に係る有機ＥＬ表示装置１では、比較例に係る有機ＥＬ表示装置ほど高い温度になることはなかった。特に、実施例２に係る有機ＥＬ表示装置１では、温度上昇が最も少なかった。
【００６１】
また、上記実施例１乃至実施例３及び比較例に係る有機ＥＬ表示装置１について、基板面に垂直な方向に応力を加え、陰極２９や有機ＥＬ素子３０などの破損状況を調べた。その結果、比較例に係る有機ＥＬ表示装置では、広い面積にわたり陰極２９などの剥離や亀裂を生じ、多くの有機ＥＬ素子３０が破壊された。これに対し、実施例１乃至実施例３に係る有機ＥＬ表示装置１では陰極２９などの剥離や亀裂は殆ど生じず、特に、実施例３に係る有機ＥＬ表示装置１では陰極２９などの剥離や亀裂は全く生じなかった。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、隔壁絶縁層上に複数の柱状部材を互いに離間して設ける。そのため、高い放熱性を実現することができ、したがって、優れた寿命特性を実現することが可能となる。
すなわち、本発明によると、高い寿命特性を実現可能な有機ＥＬ表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置のアレイ基板の一部を概略的に示す斜視図。
【図３】図１に示す有機ＥＬ表示装置の封止基板を概略的に示す平面図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
１…有機ＥＬ表示装置
２…アレイ基板
３…封止基板
４…シール層
１１…基板
１２…アンダーコート層
１３…アンダーコート層
１４…半導体層
１５…ゲート絶縁膜
１６…ゲート電極
２０…ＴＦＴ
２１…層間絶縁膜
２３…ソース・ドレイン電極
２４…パッシベーション膜
２５…陽極
２６…隔壁絶縁層
２６ａ，２６ｂ…絶縁層
２７…バッファ層
２８…有機発光層
２９…陰極
３０…有機ＥＬ素子
３１…柱状部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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