(57)【要約】【課題】この発明は、反射防止処理を基板の成型と同時に施すことで、安定した、しかも低反射率の反射防止材を低コストで提供することを目的とする。【解決手段】この発明の反射防止部材は、透光性基板１の表面に、微細な錐形状の突起１０の連続パターンからなる凹凸面が形成され、前記凹凸面は可視光に対して０次の回折面を構成するとともに、前記凹凸面のパターンは金型のパターンの７０％  以上の転写率で成形されている。この発明は、光学素子を備えた電子機器において、前記光学素子が、透光性基板１の表面に、微細な錐形状の連続パターンからなる凹凸面が形成され、前記凹凸面は可視光に対して０次の回折面を構成するとともに、前記凹凸面のパターンは金型のパターンの７０％以上の転写率で成形されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板の表面に、微細な錐形状の連続パターンからなる凹凸面が形成され、前記凹凸面は可視光に対して０次の回折面を構成するとともに、前記凹凸面のパターンは金型のパターンの７０％以上の転写率で成形されていることを特徴とする反射防止部材。
【請求項２】
金型に形成する微細な錐形状の連続パターンの突起部のアスペクト比が１以上に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の反射防止部材。
【請求項３】
前記凹凸面上に防悪用薄膜を設けたことを特徴とする請求項１に記載の反射防止部材。
【請求項４】
光学素子を備えた電子機器において、前記光学素子は、透光性基板の表面に、微細な錐形状の連続パターンからなる凹凸面が形成され、前記凹凸面は可視光に対して０次の回折面を構成するとともに、前記凹凸面のパターンは金型のパターンの７０％以上の転写率で成形されていることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
前記電子機器は、Ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔであり、更に、液晶表示装置を備えていることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記液晶表示装置は、面状照明装置を備えた反射型液晶表示装置からなり、前記面状照明装置は、光源と導光板とを備え、この導光板の反射液晶表示手段に対向するように前記凹凸面が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記液晶表示装置のフロントカバーに前記凹凸面が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
【請求項８】
前記電子機器はＣＣＤカメラであり、カメラのレンズカバーに前記凹凸面が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【請求項９】
前記電子機器は光ピックアップ装置であり、光ピックアップ装置の回折格子に前記凹凸面が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、分光分析、光エレクトロニクス、光通信、照明装置など種々の光デバイスに用いられ、可視光の如く波長域を有する光の反射防止に好適な反射防止部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ガラス、プラスチックなどの透光性基板を用いた光学素子においては、表面反射による光を減少させるために、基板の光入射面に反射防止膜を設けるなどの表面処理が施されている。可視光の如く波長域を有する光に対する反射防止膜としては、薄膜の誘電体膜を重畳させた多層膜のものが知られている。これら多層膜は、透光性基板表面に真空蒸着等により、金属酸化物等の薄膜を成膜して形成されている。
【０００３】
また、反射を防止するための表面処理の他の方法として、光学素子表面に微細且つ緻密な凹凸形状を形成する方法がある。一般に、光学素子表面に周期的な凹凸形状を設けた場合、ここを光が透過するときには回折が発生し、透過光の直進成分が大幅に減少する。しかし、凹凸形状のピッチが透過する光の波長よりも短い場合には回折は発生せず、例えば凹凸形状を後述するような矩形としたときに、そのピッチや深さ等に対応する単一波長の光に対して有効な反射防止効果を得る事ができる。
【０００４】
さらに、凹凸形状を矩形とするのではなく、山と谷、即ち光学素子材料側と空気側の体積比が連続的に変化するような、後述するいわゆる錐形状にすることにより、広い波長域を有する光に対しても反射防止効果を得ることができる。
【０００５】
このような形状のものを作成する方法としては、エチルシリケートのアルコール溶液に酸化珪素や酸化アルミニウムの微粒子を混合したものを、所望の光学素子表面に塗布した後、その微粒子を除去することによって、凹凸形状の膜を得る方法である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、他の作製する方法としては、成形用型の表面を、可視光線の１／３の波長の深さから、同波長の１／５０までの間の所定の深さの、緻密な鋸状（先端に丸みのあるものも含む）の加工を施し、その型をもってプラスチック成形をするものがある（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
しかし、上述した、光学素子表面上に誘電体薄膜を用いた反射防止膜を成膜する方法では、誘電体薄膜の層数が少ない場合には、波長域を有する光に対して反射防止効果を得ることは難しい。そして、広い波長域で反射防止効果を得るためには、多数の誘電体薄膜を成膜する必要がある。さらに、光の入射角によって反射率が変化することを抑制するためには、より多くの誘電体薄膜を積層する必要があり、要求される性能によっては十数層から数十層になることもある。
【０００８】
また、誘電体薄膜の形成を真空蒸着により行う場合、膜厚がばらつき、性能が安定しないという問題がある。さらには、光学素子となる基板を成型後、別工程で基板表面に誘電体薄膜を形成しなければならないため、歩留まりが悪くなり、しいてはコストアップの要因となっていた。
【０００９】
反射防止膜は、基本的に光の干渉を利用して反射光を打ち消しているため、各誘電体薄膜を成膜する際には、材料の屈折率及び膜厚を高精度に制御する必要があるので、薄膜を積層する層数の増加に伴ってコストアップとなる。また、同じく薄膜を積層する層数が増加するに従い、光学素子である基板の反り等が発生し、歩留まりの低下を招くという問題点がある。
【００１０】
さらに、薄膜形成の場合、分光特性は膜材の物性、特に、屈折率に影響される。成膜条件によって、屈折率がばらつくという問題もある。さらには、膜材も限られており、理想的な分光特性を得ることが難しい。
【００１１】
一方、光学基板上に錐形状の突起を設ける構成が有効である。また、より広い波長域を有する光に対して反射防止効果を得るためには、突起のピッチＰに対する高さの比であるアスペクト比が大きい方が望ましい。ところが、特許文献２に記載されているような構成では、原理的にアスペクト比１以上の錘形状を形成することは困難である。
【００１２】
また、特許文献２に記載されているような構成では、突起の形状が不規則となることにより、入射光に対して乱反射が生じる恐れがあり、効率が悪くなる。
【００１３】
上記した問題を解決するために、光学素子上にドットアレイ状に金属のマスクを形成した後、反応性イオンエッチングを施し、その際金属マスク径が徐々に減少し、ついには消失するまでの間、光学素子をエッチングすることにより、光学素子上に錘形状を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１４】
【特許文献１】
特開平５−８８００１号公報
【特許文献２】
特開昭６２−９６９０２号公報
【特許文献３】
特開２００１−２７２５０５号公報
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献３においては、アスペクト比の大きい錘形状を光学素子上に形成する表面処理方法が提案されているが、この方法では、光学素子にクロム（Ｃｒ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の金属マスクの形成、この金属マスクが消失するまでの間、光学素子を反応性イオンエッチングするなど、工程が複雑になるとともに、コストも嵩むという問題がある。
【００１６】
そこで、この発明においては、反射防止処理を基板の成型と同時に施すことで、安定した、しかも低反射率の反射防止材を低コストで提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、透光性基板の表面に、微細な錐形状の連続パターンからなる凹凸面が形成され、前記凹凸面は可視光に対して０次の回折面を構成するとともに、前記凹凸面のパターンは金型のパターンの７０％  以上の転写率で成形されていることを特徴とする。
【００１８】
ここで、０次の回折とは、光がそのまま直進することをいい、光の回折が発生しないことをいう。また、転写率とは、理想的な形状に対する実際の形状の割合をいう。
【００１９】
また、この発明は、前記金型に形成する微細な錐形状の連続パターンの突起部のアスペクト比が１以上に設定されていることを特徴とする。
【００２０】
上記した構成によれば、基板の表面に基板の成型と同時に反射防止パターンを形成することで、安定した分光特性が得られる。しかも、金型の７０％以上の転写率で成型され、金型に形成する微細な錐形状の連続パターンの突起部のアスペクト比が１以上に設定することで可視光領域に亘り低反射率の分光特性を実現できる。
【００２１】
また、この発明は、上記凹凸面上に埃がつきにくいＩＴＯ膜や、光触媒作用を有するＴｉＯ２などの防悪用薄膜を設けるように構成しても良い。
【００２２】
この発明は、光学素子を備えた電子機器において、前記光学素子は、透光性基板の表面に、微細な錐形状の連続パターンからなる凹凸面が形成され、前記凹凸面は可視光に対して０次の回折面を構成するとともに、前記凹凸面のパターンは金型のパターンの７０％  以上の転写率で成形されていることを特徴とする。
【００２３】
前記電子機器は、Ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔであり、更に、液晶表示装置を備えていることを特徴とする。そして、前記液晶表示装置は、面状照明装置を備えた反射型液晶表示装置からなり、前記面状照明装置は、光源と導光板とを備え、この導光板の反射液晶表示手段に対向するように前記凹凸面が設けられていることを特徴とする。
【００２４】
また、前記液晶表示装置のフロントカバーに前記凹凸面を設けると良い。
【００２５】
また、前記電子機器としてはＣＣＤカメラがあり、カメラのレンズカバーに前記凹凸面を設けると良い。
【００２６】
また、前記電子機器は光ピックアップ装置があり、光ピックアップ装置の回折格子に前記凹凸面を設けると良い。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明を利用した反射防止部材の表面の概略形状を示す斜視図、図２は、パターン断面形状を示す模式図である。
【００２８】
図１に示すように、透光性基板１の表面に微細な錐形状の突起１０が連続して形成された連続パターンからなる凹凸面が形成されている。実施形態における突起１０のパターン形状は四角錐形状であるが、この発明は、六角錐形状でも円錐形状でも良い。
【００２９】
図２に示すパターンピッチｐに対するパターン高さＤの比Ｄ／ｐをアスペクト比と定義する。
【００３０】
図３は、四角錐パターンの断面形状を示す概略図である。（ａ）が理想的な形状であって、金型を用いてパターンを転写させると、（ｂ）に示すように、実際には山と谷が鈍った形状となる。今、図３（ｂ）の理想的な形状Ａに対する実際の形状Ｂの割合を転写率と定義する。
【００３１】
図４は、四角錐パターンにおいて、アスペクト比を変化させたときの分光特性のシミュレーション結果を示すものである。このシミュレーションにおいては、アスペクト比を０．６、０．８、０．９、１、１．５、１．７、２、３とした８種類のアスペクト比のものを用いた。これらのシミュレーションにおいては、パターンピッチｐはそれぞれ３００ｎｍとしている。
【００３２】
図４に示す分光特性においては、アスペクト比が１を境に、アスペクト比が小さくなると長波長側での反射率の上昇が見られる。アスペクト比が１の場合、分光特性においてピークとボトムが見られる。４７０ｎｍあたりにピークがあり、６２０ｎｍあたりにボトムが見られる。バランスがよい分光特性を示す。
【００３３】
更にアスペクト比が大きくなると、ピークとボトムとがわかりづらくなり、反射率も低くなり、反射による干渉色が無色に近づく。
【００３４】
これに対して、アスペクト比が１より小さくなると長波長側の反射率が上昇し、反射による赤の干渉色が強くなってくる。アスペクト比が１より小さくなると分光特性もバランスが悪くなっていることがわかる。
【００３５】
図５、図６、図７は、四角錐パターンにおいて、転写率を変化させたときの分光特性のシミュレーション結果を示すものである。図５は、アスペクト比１の場合、図６はアスペクト比２の場合、図７はアスペクト比３の場合をそれぞれ示す。これらの図において、転写率１００％とは、理想的な形状のものでのシミュレーションである。
【００３６】
これら図５、図６、図７に示す分光特性においては、転写率が悪くにつれて、反射率が高くなるとともに、ピークとボトムが見られる。転写率が７０％未満では、ピークとボトムが現れ、特にアスペクト比が高くなるとその傾向が強くなる。このことから転写率は、アスペクト比に関わらず７０％にすると良く、より好ましくは７５％以上にすると良い。このように転写率を設定することで、バランスがよい分光特性を示す。
【００３７】
パターンピッチｐに関しては、光の波長よりも小さいピッチがよい。この実施形態においては３００ｎｍとしている。パターンピッチｐが可視の波長に近い場合、例えば、５５０ｎｍとした場合、光の回折現象が発生する。回折した場合、本来の反射防止効果が損なわれる。一方、可視の波長より小さい場合は、０次回折と呼ばれ、光の回折は発生しない。このため、透明基板１の表面に形成する連続パターンは可視光に対して０次の回折面を構成するように構成する。
【００３８】
尚、反射防止部材として、上記したような錐状のパターンを表面に設けると、このパターン面に埃が付着する虞がある。このため、この凹凸面上に埃がつきにくいＩＴＯ膜や、光触媒作用を有するＴｉＯ２などの防悪用薄膜を設けるように構成しても良い。
【００３９】
上記したように、パターンピッチｐに関しては、光の波長よりも小さいピッチがよい。この実施形態においては３００ｎｍとしているが、パターンピッチｐを小さくすればするほど成型が困難になる。成型等を考慮すると１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。最近の半導体の最小微細ピッチは１００ｎｍとなっており、レーザ露光用光源として、Ｆ２レーザが波長λ＝１００ｎｍ代の波長１５７ｎｍも研究されている。加工精度、分解能はλで決定される。このようなことを考慮すると、最小微細パターンピッチｐは１００ｎｍ以上にする。
【００４０】
次に、上記した反射防止部材を形成するための金型の製造方法の一例につき説明する。図８Ａ乃至図８Ｆ、図９Ａ及び図９Ｂに従いこの発明に用いられる金型の製造方法を説明する。まず、図８Ａ乃至図８に示すように、反射防止部材のマスタとなる基板を形成する。図８Ａに示すように、石英或いは耐熱ガラス等よりなる基板８１上に、ポジ型のフォトレジスト８２を約３０００オングストロームの厚さでスピンコートにより塗布する。その後、電子ビーム、２光束干渉露光などにより、露光し直径１２５ｎｍ、ピッチ２５０ｎｍの円形を描画する。
【００４１】
続いて、図８Ｂに示すように、現像して露光した部分を除去し、表面にレジスト８２の凹凸構造を形成する。次に、図８Ｃに示すように、クロム（Ｃｒ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の金属を基板８１及びレジスト８２の上に蒸着して金属層８３を形成する。この金属層８３は、例えば約５００オングストロームの厚さで蒸着する。金属層８３はレジスト８２とレジスト８２が除去された基板８１上に設けられる。そして、図８Ｄに示すように、リフトオフによりレジスト１８を全て除去すると、金属層８３のみ残る。これを金属マスク８３ａとして用いる。この金属マスク８３ａは上面から見ると金属がドットアレイ状に配列された状態となっている。
【００４２】
この金属マスク８３ａのピッチは、１００ｎｍから３００ｎｍの間で調整する。そして、この金属マスク８３ａをマスクとして反応性イオンエッチングによりエッチングを行う。図８Ｅに示すように、このエッチングにより、基板８１と共に金属マスク８３ａもエッチングされる。エッチングが進むと、金属マスク８３ａの径が減少して行き、金属マスクがなくなるまでエッチングを行うと、錐形状となる。そして、図８Ｆに示すように、基板８１の表面に反射防止膜の微細パターンが形成されたマスタ８５が形成される。
【００４３】
続いて、図９Ａに示すように、マスタ８５の表面にニッケル（Ｎｉ）をスパッタリングし、数１００オングストロームのニッケル層を形成する。そして、このニッケル層を電極として用いて、メッキを数１００μｍから数ｍｍの厚みで行い金属層８６形成する。その後、この金属層８６を剥離して、図９Ｂに示す金型８７が形成される。この金属層８７の剥離時に微細パターンが破壊されないように、メッキ条件の最適化を行う。必要に応じて、この金型８７を金属ベースに接着し、強度を持たせても良い。このようにして、この発明の反射部材を形成する金型が得られる。
【００４４】
後述するが、上記した金型を用いた反射防止部材を形成する方法としては、ＵＶ硬化樹脂を用いた２Ｐ成形、ホットプレス成形、樹脂のインジェクションがある。実験結果から、転写率はＵＶ硬化樹脂を用いた２Ｐ成形では９０％以上、ホットプレス成形では８０〜９０％、インジェクションは最高で７０％であった。
【００４５】
次に、この発明の反射防止部材を適用する具体例につき説明する。図１０は、反射型液晶表示装置の面光源装置に用いられる導光板にこの発明を適用した例を示す模式図である。
【００４６】
図１０の模式的断面図に示すように、反射型液晶表示手段５１側にフロントライトとして面状照明装置５２が配置され、この照明装置５２は、線状光源３５、導光板５４、視認性を高めるために導光板５４の裏面に反射液晶表示手段５１に対向するように設けられたこの発明にかかる反射防止部材５５と、備える。この反射防止部材５５は、後述するように、導光板５４を成形する際に一体に形成される。そして、この反射防止部材５５は、例えば、パターンピッチｐが３００ｎｍ、アスペクト比１の突起を連続して形成した凹凸面からなる。尚、この突起を底面側より頂点（入射光側）の方に向かって連続的に小さくなるように屈折率に分布を持たせることもできる。
【００４７】
前記線状光源５３には、線状の発光管を用いるものもあるが、低消費電力化を図るために、発光ダイオードなどの点光源と、この点光源からの光を分散して出射する線状又は棒状の導光体を備えるものが多用されている。
【００４８】
導光板５４の表面には、線状光源５３より導光板５４の一端面、すなわち入射面に入射した光を分散して裏面に反射する反射面５６と、液晶表示手段５１で反射され、導光板５４の裏面に入射した光を導光板５４の表面側に透過させる透光面５７とが交互に形成されている。
【００４９】
線状光源５３から発光された光は導光板５４の反射面５６にて反射され、液晶表示手段５１に与えられる。この液晶表示手段５１にて、光変調され、反射された光は、導光板５４の反射防止部材５５により反射を防止され且つ、可視光は回折されずに導光板５４内に入射する。そして、導光板５４より透過し視認される。
【００５０】
上記した導光板の形成方法の一例につき図１１に従い説明する。図１１に示す形成方法は、ＵＶ硬化樹脂を用いた２Ｐ成形法を用いたものである。図に示すように、フロントライトを構成する導光板のフロント側の反射面と透過面とを形成するためのパターンが設けられたフロントライト金型６１と、反射防止部材５５の連続パターンが形成された反射防止部材用金型６２を用意する。尚、フロントライト金型６１は光透過性部材で形成されている。
【００５１】
そして、両金型６１、６２の間にＵＶ硬化樹脂６３を充填し、加圧する。そして、紫外線（ＵＶ）光を照射して、ＵＶ硬化樹脂を硬化させる。その後、金型６１、６２を外すことにより、反射防止部材５５が導光板５４を成形する際に一体に形成することができる。
【００５２】
上記方法によれば、金型のパターンの転写率を極めて高くして形成することができる。
【００５３】
上記した導光板の形成方法の他の例につき図１２に従い説明する。この図１２に示す形成方法も、ＵＶ硬化樹脂を用いた２Ｐ成形法を用いたものである。図に示すように、フロントライトを構成する導光板のフロント側の反射面と透過面とを形成するためのパターンが設けられたフロントライト金型６１と、反射防止部材５５の連続パターンが形成された反射防止部材用金型６２を用意する。尚、フロントライト金型６１は光透過性部材で形成されている。
【００５４】
そして、両金型６１、６２の間に透光性基板６４を配置し、この基板６４の両面にＵＶ硬化樹脂６３を充填し、加圧する。そして、紫外線（ＵＶ）光を照射して、ＵＶ硬化樹脂を硬化させる。その後、金型６１、６２を外すことにより、基板の両面に反射防止部材５５とフロントライトのパターン面がそれぞれ形成されたが導光板を一体成形することができる。
【００５５】
上記方法によれば、金型のパターンの転写率を極めて高くして形成することができる。
【００５６】
上記した導光板の形成方法の更に他の例につき図１３に従い説明する。この図１３に示す方法は、ホットプレスを用いたものである。図に示すように、フロントライトを構成する導光板のフロント側の反射面と透過面とを形成するためのパターンが設けられたフロントライト金型６１ａと、反射防止部材５５の連続パターンが形成された反射防止部材用金型６２ａを用意する。そして、両金型６１ａ、６２ａを加圧板６６、６７にセットする。この加圧板６６、６７は、金型６１ａ、６２ａを所定の温度に加熱するためのヒータ（図示せず）を備える。金型６１ａ、６２ａの間にホットプレス材料としての透光性基板６５が配置される。この透光性基板６５の材料は、例えばアクリル（ＰＭＭＡ）が用いられる。
【００５７】
金型６１ａ、６２ａをこの透光性基板６５のガラス転移温度の温度に加熱する。この例では、上下の金型６１ａ、６２ａとも１５０℃から１８０℃の温度に保つ。そして、透光性基板６５を加圧する。その後、冷却して硬化させると、金型６１ａ、６２ａのパターンが透光性基板６５に転写され、導光板が得られる。
【００５８】
上記した導光板の形成方法の更に異なる例につき、図１４Ａ乃至図１４Ｃに従い説明する。この図１４に示すものは、インジェクションによるものである。フロントライトを構成する導光板のフロント側の反射面と透過面とを形成するためのパターンが設けられたフロントライト金型６１ｂと、反射防止部材５５の連続パターンが形成された反射防止部材用金型６２ｂを用意する。図１４Ａに示すように、これら金型６１ｂ、６２ｂは射出成形装置の可動ベース７０、固定ベース７１にそれぞれ固定され、キャビティの準備が行われる。図１４Ｂに示すように、キャビティ内にアクリル（ＰＭＭＡ）などを可塑化した基板材料７２を充填する。図１４Ｃに示すように、キャビティ内に圧縮力を加えて成形することで、金型６１ｂ、６２ｂのパターンが転写された導光板が得られる。基板材料としては、アクリルまたはポリカーボネートの透明樹脂を用いることができる。例えば、ポリメタアクリル酸メチル、ポリアクリル酸メチル等のアクリル酸エステル、またはメタアクリル酸メチル等のアクリル酸エステル、またはメタアクリル酸エステルの単独若しくは共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリスチルペンテン等熱可塑性樹脂、或いは紫外線または電子線で架橋した多官能のウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート、不飽和ポリエステル等の透明樹脂を用いることができる。
【００５９】
この発明は上記した導光板以外に種々の光デバイスに適用することができる。例えば、光ピックアップ対物レンズなどのレンズの球面部や回折格子、半導体レーザ、ＬＥＤのカバーガラス、携帯電話などのＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｄｉｇｉｔａｌ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）デバイスの液晶表示面の樹脂カバーやタッチパネル、太陽電池装置の光入射面などにもこの発明は適用できる。
【００６０】
図１５は、透過型液晶表示装置のフロントカバーにこの発明の反射防止部材を適用した例を示す模式図である。図１５の模式的断面図に示すように、バックライトとしての照明装置７５の光照射側に透過型液晶パネル７６が配置される。透過型液晶パネル７６上に透明樹脂からなるフロントカバー７７が配置される。このフロントカバー７７の表裏面にこの発明に係る反射防止部材７７ａ、７７ｂが設けられている。
【００６１】
照明装置７５は、導光板７５１の側方に線状光源７５２を配置し、反射ケース７５６、導光板７５１、レンズシート７５４，７５３を順次積層して形成されている。線状光源７５２の周囲はリフレクタ７５５で囲われている。
【００６２】
このような構成の透過型液晶表示装置のフロントカバー７７の両面にこの発明の反射防止部材７７ａ、７７ｂを設けることで、液晶パネル７６を透過した映像光を無駄な反射なく視認することができる。
【００６３】
図１６は、光ピックアップの回折格子にこの発明の反射防止部材を適用した例を示す模式図である。図１６に示すように、レーザダイオード１０１から出たレーザ光は回折格子１０２を通ってディスク１０６の情報を読み取るメインスポットとその両側に２個発生するサイドスポットに振り分けられる。この回折格子１０２の光出射側にこの発明に係る反射防止部材１０２ａが設けられる。回折格子１０２で振り分けられたスポット光が偏向ビームスプリッタ１０４で反射され、１／４波長板１０７を通り、対物レンズ１０５でディスク１０５上に焦点を合わせてスポット照射される。ディスク１０６で反射した光は、対物レンズ１０５、１／４波長板１０７、偏向ビームスプリッタ１０４を通り、ディテクタ１０３でその情報が読み取られる。
【００６４】
尚、上記した対物レンズ１０５等にもこの発明に係る反射防止部材を設けても良い。
【００６５】
図１７Ａ及び図１７Ｂに、携帯電話の液晶表示面の樹脂カバー及びＣＣＤカメラのレンズ部分にこの発明の反射防止部材を設けた例を示す。図１７Ａはこの発明の反射防止部材を用いた携帯電話の正面図、図１７Ｂは背面図である。携帯電話本体２００はヒンジ２１１にて２つ折りに折りたためるように構成している。電話機本体２００は、液晶表示部２０３を備える第１の本体部２０１と、プッシュボタン操作部２０４を備える第２の本体部２０２とからなり、ヒンジ２１１で折りたたみ可能に構成されている。第１の本体部２０１には、スピーカ２０５が、第２の本体部２０２にはマイク２０６が設けられている。
【００６６】
そして、この液晶表示部２０３の樹脂カバーに、図１５に示したフロントカバーと同様な反射防止部材が設けられる。
【００６７】
また、第１の本体部２０１の背面側には、ＣＣＤカメラ２１０が設けられている。このレンズカバーにも反射防止部材が設けられている。
【００６８】
【発明の効果】
以上、説明したように、この発明によれば、基板の表面に基板の成型と同時に反射防止パターンを形成することで、歩留まりよく安定した分光特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明を利用した反射防止部材の表面の概略形状を示す斜視図である。
【図２】パターン断面形状を示す模式図である。
【図３】四角錐パターンの断面形状を示す概略図であり、（ａ）が理想的な形状、（ｂ）金型を用いてパターンを転写させた時の形状を示す。
【図４】四角錐パターンにおいて、アスペクト比を変化させたときの分光特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図５】アスペクト比１の場合の四角錐パターンにおいて、転写率を変化させたときの分光特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図６】アスペクト比２の場合の四角錐パターンにおいて、転写率を変化させたときの分光特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図７】アスペクト比３の場合の四角錐パターンにおいて、転写率を変化させたときの分光特性のシミュレーション結果を示す図である。
【図８】この発明の反射防止部材のマスタとなる基板を製造する方法を工程別に示した模式的断面図である。
【図９】この発明の反射防止部材のマスタとなる基板を用いて金型を製造する方法を工程別に示した模式的断面図である。
【図１０】この発明を適用した導光板を用いた照明装置を示す模式的断面図である。
【図１１】この発明を適用した導光板の形成方法を示す模式的断面図である。
【図１２】この発明を適用した導光板の他の形成方法を示す模式的断面図である。
【図１３】この発明を適用した導光板の更に他の形成方法を示す模式的断面図である。
【図１４】この発明を適用した導光板の更に異なる形成方法を示す模式的断面図である。
【図１５】透過型液晶表示装置のフロントカバーにこの発明の反射防止部材を適用した例を示す模式図である。
【図１６】光ピックアップの回折格子にこの発明の反射防止部材を適用した例を示す模式図である。
【図１７】携帯電話の液晶表示面の樹脂カバー及びＣＣＤカメラのレンズ部分にこの発明の反射防止部材を設けた例を示し、図１７Ａはこの発明の反射防止部材を用いた携帯電話の正面図、図１７Ｂは背面図である。
【符号の説明】
１  基板
１０  突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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