(57)【要約】【課題】単純層構成で安価に製造可能であり、記録再生波長に大きな制限がなく、記録特性の波長依存性が少なく、比較的高い反射率が得られ、表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応して高密度化が達成でき、更に、変形による記録再生においても、記録マーク長や記録パワーによって記録極性が変化せず一定であり、記録マーク部の再生波形が微分形状を示すことがなく、記録極性がＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録となり易い光記録媒体の提供。【解決手段】変形層と光吸収層を有し、該変形層と、該変形層と接するレーザ光入射側の隣接層との界面を主反射界面とし、レーザ光の照射による光吸収層の発熱によって、変形層がレーザ光の入射方向に変形することで記録マークが形成される追記型光記録媒体。又は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層を有する光記録媒体。【選択図】　　　　図３５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも変形層と光吸収層を有し、該変形層と、該変形層と接するレーザ光入射側の隣接層との界面を主反射界面とし、レーザ光の照射による光吸収層の発熱によって、変形層がレーザ光の入射方向に変形することで記録マークが形成されることを特徴とする追記型光記録媒体。
【請求項２】
変形層と、該変形層と接するレーザ光入射側の隣接層が、記録によって混合しないことを特徴とする請求項１記載の追記型光記録媒体。
【請求項３】
変形層と、レーザ光の入射側から見て変形層の奥側に存在する層との界面近傍に、該奥側に存在する層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の追記型光記録媒体。
【請求項４】
変形層中に、変形層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の追記型光記録媒体。
【請求項５】
光吸収層が有機材料からなることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項６】
光吸収層がＳｉ及び／又はＧｅを含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項７】
少なくとも記録層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであることを特徴とする追記型光記録媒体。
【請求項８】
少なくとも記録層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであり、該記録層と、該記録層と接するレーザ光入射側の隣接層との界面を主反射界面とし、レーザ光の照射による記録層の発熱によって、記録層自身がレーザ光の入射方向に変形することで記録マークが形成されることを特徴とする追記型光記録媒体。
【請求項９】
少なくとも記録層と有機材料層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであることを特徴とする追記型光記録媒体。
【請求項１０】
少なくとも記録層と有機材料層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであり、該記録層と、該記録層と接するレーザ光入射側の隣接層との界面を主反射界面とし、レーザ光の照射による記録層の発熱によって、記録層自身がレーザ光の入射方向に変形することで記録マークが形成されることを特徴とする追記型光記録媒体。
【請求項１１】
記録層と、レーザ光の入射側から見て記録層の奥側に存在する層との界面近傍に、該奥側に存在する層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする請求項７〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１２】
記録層中に、記録層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする請求項７〜１０の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１３】
記録層がＳｉ及び／又はＧｅを含有すること特徴とする請求項７〜１２の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【請求項１４】
波長３５０〜５００ｎｍの青色レーザ光により記録マークが形成できることを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、追記型（ＷＯＲＭ：Ｗｒｉｔｅ　Ｏｎｃｅ　Ｒｅａｄ　Ｍａｎｙ　）光記録媒体に係わり、特に３５０〜５００ｎｍ程度の青色レーザ波長領域の光でも高密度の記録が可能な追記型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来技術】
◎青色レーザ対応の追記型光記録媒体について
超高密度の記録が可能となる青色レーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型光記録媒体の開発が行われている。
従来の追記型光記録媒体では、有機材料からなる記録層にレーザ光を照射し、主に有機材料の分解・変質による屈折率変化を生じさせることで記録ピットを形成させており、記録層に用いられる有機材料の光学定数や分解挙動が、良好な記録ピットを形成させるための重要な要素となっている。
従って、記録層に用いる有機材料としては、青色レーザ波長に対する光学的性質や分解挙動の適切な材料を選択する必要がある。即ち、未記録時の反射率を高め、またレーザの照射によって有機材料が分解し大きな屈折率変化が生じるようにするため（これによって大きな変調度が得られる）、記録再生波長は大きな吸収帯の長波長側の裾に位置するように選択される。
何故ならば、有機材料の大きな吸収帯の長波長側の裾は、適度な吸収係数を有し且つ大きな屈折率が得られる波長領域となるためである。
【０００３】
しかしながら、青色レーザ波長に対する光学的性質が従来並みの値を有する有機材料は未だ見出されていない。これは、青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機材料を得るためには、分子骨格を小さくするか又は共役系を短くする必要があるが、そうすると吸収係数の低下、即ち屈折率の低下を招くためである。
つまり、青色レーザ波長近傍に吸収帯を持つ有機材料は多数存在し、吸収係数を制御することは可能となるが、大きな屈折率を持たないため、大きな変調度を得ることができなくなる。
青色レーザ対応の有機材料としては、例えば、特開２００１−１８１５２４号、特開２００１−１５８８６５号、特開２０００−３４３８２４号、特開２０００−３４３８２５号、特開２０００−３３５１１０号各公報に記載がある。
しかし、これらの公報では、実施例を見ても溶液と薄膜のスペクトルを測定しているのみで、記録再生に関する記載はない。
特開平１１−２２１９６４号、特開平１１−３３４２０６号、特開２０００−４３４２３号各公報では、実施例に記録の記載があるものの、記録波長は４８８ｎｍであり、また記録条件や記録密度に関する記載はなく、良好な記録ピットが形成できた旨の記載があるのみである。
【０００４】
特開平１１−５８９５５号公報では、実施例に記録の記載があるものの、記録波長は４３０ｎｍであり、また記録条件や記録密度に関する記載はなく、良好な変調度が得られた旨の記載があるのみである。
特開２００１−３９０３４号、特開２０００−１４９３２０号、特開２０００−１１３５０４号、特開２０００−１０８５１３号、特開２０００−２２２７７２号、特開２０００−２１８９４０号、特開２０００−２２２７７１号、特開２０００−１５８８１８号、特開２０００−２８０６２１号、特開２０００−２８０６２０号各公報では、実施例に記録波長４３０ｎｍ、ＮＡ０．６５での記録例があるが、最短ピットが０．４μｍという低記録密度条件（ＤＶＤと同等の記録密度）である。
特開２００１−１４６０７４号公報では、記録再生波長は４０５〜４０８ｎｍであるが、記録密度に関する具体的な記載がなく、１４Ｔ−ＥＦＭ信号の記録という低記録密度条件である。
【０００５】
また、従来のＣＤ、ＤＶＤ系光記録媒体と異なる層構成及び記録方法に関して、以下のような技術が公開されている。
特開平７−３０４２５８号公報には、基板／可飽和吸収色素含有層／反射層という層構成で、可飽和吸収色素の消衰係数（本発明でいう吸収係数）の変化により記録を行う技術が開示されている。
特開平８−８３４３９号公報には、基板／金属蒸着層／光吸収層／保護シートという層構成で、光吸収層によって発生した熱によって、金属蒸着層を変色又は変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特開平８−１３８２４５号公報には、基板／誘電体層／光吸収体を含む記録層／反射層という層構成で、記録層の膜厚を変えることにより溝部の深さを変えて記録を行う技術が開示されている。
特開平８−２９７８３８号公報には、基板／光吸収体を含む記録層／金属反射層という層構成で、記録層の膜厚を１０〜３０％変化させることにより記録を行う技術が開示されている。
【０００６】
特開平９−１９８７１４号公報には、基板／有機色素を含有する記録層／金属反射層／保護層という層構成で、基板の溝幅を未記録部に対して２０〜４０％広くすることにより記録を行う技術が開示されている。
特許第２５０６３７４号公報には、基板／中間層／金属薄膜という層構成で、金属薄膜が変形しバブルを形成することにより記録を行う技術が開示されている。
特許第２５９１９３９号公報には、基板／光吸収層／記録補助層／光反射層という層構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特許第２５９１９４０号公報には、基板／光吸収層／多孔質な記録補助層／光反射層、或いは、基板／多孔質な記録補助層／光吸収層／光反射層という層構成で、記録補助層を凹状に変形させると共に、記録補助層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
特許第２５９１９４１号公報には、基板／多孔質な光吸収層／光反射層という層構成で、光吸収層を凹状に変形させると共に、光吸収層の変形に沿って光反射層を凹状に変形させることで記録を行う技術が開示されている。
【０００７】
特許第２９８２９２５号公報には、基板／有機色素を含む記録層／記録補助層という層構成で、記録補助層と有機色素が相溶して、有機色素の吸収スペクトルを短波長側へシフトさせることで記録を行う技術が開示されている。
特開平９−２６５６６０号公報には、基板上に反射層と記録層の機能を有する複合機能層、保護層を順次形成した層構成で、基板と複合機能層がバンプを形成することで記録を行う技術が開示されている。なお、複合機能層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金との規定がある。
特開平１０−１３４４１５号公報には、基板上に金属薄膜層、変形可能な緩衝層、反射層、保護層を順次形成した層構成で、基板と金属薄膜層を変形させ、同時にこの変形部での緩衝層膜厚を薄くさせることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属薄膜層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金との規定がある。また、緩衝層としては、変形し易く適当な流動性を持つ樹脂が用いられ、変形を促進させるために色素を含有させても良いとの記載がある。
【０００８】
特開平１１−３０６５９１号公報には、基板上に金属薄膜層、緩衝層、反射層を順次積層した層構成で、基板と金属薄膜層を変形させ、同時にこの変形部での緩衝層膜厚と光学定数とを変化させることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属薄膜層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金が好ましいとの記載がある。また、緩衝層は色素と有機高分子の混合物からなり、記録再生波長近傍に大きな吸収帯を有する色素が用いられる。
特開平１０−１２４９２６号公報には、基板上に金属記録層、バッファ層、反射層を順次積層した層構成で、基板と金属記録層を変形させ、同時にこの変形部でのバッファ層膜厚と光学定数とを変化させることで記録を行う技術が開示されている。なお、金属記録層としては、ニッケル、クロム、チタン等の金属、又はそれらの合金が好ましいとの記載がある。また、バッファ層は色素と樹脂の混合物からなり、記録再生波長近傍に大きな吸収帯を有する色素が用いられる。
【０００９】
以上のように、上記諸々の従来技術は、青色レーザ波長領域での追記型光記録媒体の実現を狙ったものではなく、青色レーザ波長領域で有効となる層構成や記録方法ではない。
特に現在実用化されている青色半導体レーザの発振波長の中心である４０５ｎｍ近傍においては、従来の追記型光記録媒体の記録層に要求される光学定数と同程度の光学定数を有する有機材料が殆んど存在しない。また、４０５ｎｍ近傍で記録条件を明確にし、ＤＶＤよりも高記録密度で記録された例はない。
更に、上記従来技術における実施例の多くは、従来のディスク構成（図４６参照）での実験であり、また、従来のディスク構成と異なる構成も提案されてはいるが、そこに用いられる色素は従来と同じ光学特性と機能が要求されており、青色レーザ波長領域で、有機材料からなる追記型光記録媒体を容易に実現できる層構成や記録原理、記録方式についての有効な提案はない。
【００１０】
また、従来の有機材料を用いた追記型光記録媒体では、変調度と反射率の確保の点から、記録再生波長に対し大きな屈折率と比較的小さな吸収係数（０．０５〜０．０７程度）を持つ有機材料しか使用することができない。
即ち、有機材料は記録光に対して十分な吸収能を持たないため、有機材料の膜厚を薄膜化することが不可能であり、従って、深い溝を持った基板を使用する必要があった（有機材料は通常スピンコート法によって形成されるため、有機材料を深い溝に埋めて厚膜化していた）。そのため、深い溝を有する基板の形成が非常に難しくなり、追記型光記録媒体としての品質を低下させる要因になっていた。更に、従来の有機材料を用いた追記型光記録媒体では、記録再生波長近傍に有機材料の主吸収帯が存在するため、有機材料の光学定数の波長依存性が大きくなり（波長によって光学定数が大きく変動する）、レーザの個体差や環境温度の変化等による記録再生波長の変動に対し、記録感度、変調度、ジッタ、エラー率といったような記録特性や、反射率等が大きく変化するという問題があった。
【００１１】
◎追記型光記録媒体における一般的な記録原理について
一般的に、追記型の光記録媒体においては、記録層に用いられた材料の光学定数変化（記録層材料の複素屈折率実部と膜厚）による記録モードと、基板や反射層等が変形する変形モードが存在し、これらによって記録マークが形成される。例えば、特許第２７１００４０号、特許第２８４０６４３号に追記型光記録媒体における記録原理が記載されている。
しかし、これらの公報では、記載された記録原理（記録モード）が、再生信号にどのように寄与するのかについて具体的な説明及び実験結果が記載されていない。即ち、実施例において、請求項に挙げられた記録原理が主体となって記録が行われているという実証がなされていない。
多層構造の記録媒体で、記録モードを限定（特定）することは非常に困難であるにも拘わらず、ＳＥＭやＡＦＭの観察によって、請求項に挙げられた記録原理で記録された旨の記載があるが、これは請求項に記載された記録原理が存在する可能性があること、及びその原理が再生信号に寄与する可能性があることしか証明できていない。
【００１２】
また、従来の記録原理、他の記録原理に対して、実際どのような再生信号が発生し、どのようなメリットがあるのか全く記載がない（記載があっても、その理由の根拠、裏付けがない）。
記録原理を発明とした出願において、いくつかの公報では、実施の形態という形で実施例が記載されているが、記録原理は明確なものであっても、その記録原理と再生信号の関係は明瞭でないため、記録原理と再生信号の関係を明瞭化した具体的な実施例が必要であり、単に実施の形態という形で記載できるものではない。
また、殆んど全ての公報における実施例において、記録例（記録実験）では単一周期の信号を記録しており、異なる記録マーク長の記録がどうなるのかは全く不明である。即ち、ランダム信号が記録できて、綺麗なアイパターンが得られたという結果がない。
【００１３】
例えば、記録レーザのビーム径よりも十分小さいマークが記録及び再生できるのか、記録極性はどうなるのか、記録波形はどうなるのかについては、最低限記載されるべき筈のものである。
光記録媒体の再生信号は、干渉効果と共に、回折効果によって得られるものであるから、例えば記録マークの高さ、或いは記録領域の深さ（光記録媒体の厚み方向）が記録マーク長に拘わらず一定であると仮定したとしても、記録マーク長によって、レーザ光のビーム径に対する記録マーク長の関係が変わるから、再生信号がどうように変化するか一概には言えない。
単一周期の信号が記録できたとしても、ランダムパターン信号が記録できる場合というのは多くない（逆に希と言っても過言ではない）。
また、記録の結果として変調度のみを記載している例も多いが、変調度のみでは光記録媒体として使用できるものであることを裏付ける結果とはならない。
以上のことについて具体例をもって説明する。
【００１４】
案内溝を有するポリカーボネート基板上に、ＳｉＣを厚さ１０ｎｍ設けた光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対して、パルステック工業製の光ディスク評価装置、ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、基板側から６．０ｍＷのレーザ光を照射して、ランド部（入射レーザ光側から見て、奥側にある溝位置）に、記録周波数６５．４ＭＨｚ、記録線速度６．０ｍ／ｓで３Ｔ〜１４Ｔマークをそれぞれ単独で記録した。
この時、再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図３（ａ）〜（ｄ）に示す。
図３（ａ）中、Ｕｎｒｅｃは未記録時の再生信号（ＲＦレベル）、Ｔｏｐはマーク列を記録した時の最大再生信号レベル（即ちスペース部）、Ｂｏｔｔｏｍはマーク列を記録した時の最小再生信号レベル（即ちマーク部）、更にはＭＡは（Ｔｏｐ−Ｂｏｔｔｏｍ）／Ｔｏｐで計算される変調度を示した。
この図３（ａ）を見ると、変調度はやや小さいものの、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと同等な、再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を示すことが分る。
【００１５】
しかし、この光記録媒体において、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと同様に、ランダムパターンが記録でき、マーク長に応じた再生信号が得られるかというと、そうはならない。
図３（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示し、図３（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示し、図３（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示した。
この結果、図３（ｂ）、図３（ｃ）では、信号の乱れは別として、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと同様な、マーク長に応じた再生信号が得られているが、図３（ｄ）では、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと同様な、マーク長に応じた再生信号は得られていない。即ち、１４Ｔ信号では、マーク中央部のＲＦレベルが大きく上昇し、未記録時のＲＦレベルを超えている。
【００１６】
ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒと同様に、スライスレベルによって再生信号のマーク長を判断するという再生方式では、図３（ｄ）の１４Ｔ信号を正しく再生できないことは明らかである〔例えば、本来１４Ｔと判断されるはずが、（５Ｔマーク）−（４Ｔスペース）−（５Ｔマーク）というパターンとして判断されてしまう〕。つまり、単純に記録が行えたと言っても、実際に光記録媒体として使用できるという訳ではない〔見た目では、図３（ａ）のようにＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ（ハイ・トゥー・ロー）の信号が得られても、マーク長記録が可能ということにはならない〕。
実際、記録が行える材料、層構成は非常に沢山あるが、光記録媒体として使用できるのは、本当にごく僅かである。
従って、従来技術として挙げられる公報中でも、記録が行えたという表現のみの実験結果、巨視的な変調度という値で記録の可否を判断している実験結果、或いは単一周期の記録の実験結果しか記載されていない公報では、発明の効果が本当にあるのかどうかを判断できない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、次のような特性を有する追記型光記録媒体の提供を目的とする。
・単純層構成で、安価に製造可能である。
・記録再生波長に大きな制限がなく、記録特性の波長依存性が少ない。
・比較的高い反射率が得られる。
・変形を用いて記録再生を行う場合であっても、記録マーク長や記録パワーによって記録極性が変化せず一定である。
・変形を用いて記録再生を行う場合であっても、記録マーク部の再生波形が微分形状を示すことがない。
・変形を用いて記録再生を行う場合であっても、記録極性がＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録となり易い。
・表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応でき高密度化が達成できる。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜１４）の発明（以下、本発明１〜１４という）によって解決される。
１）　少なくとも変形層と光吸収層を有し、該変形層と、該変形層と接するレーザ光入射側の隣接層との界面を主反射界面とし、レーザ光の照射による光吸収層の発熱によって、変形層がレーザ光の入射方向に変形することで記録マークが形成されることを特徴とする追記型光記録媒体。
２）　変形層と、該変形層と接するレーザ光入射側の隣接層が、記録によって混合しないことを特徴とする１）記載の追記型光記録媒体。
３）　変形層と、レーザ光の入射側から見て変形層の奥側に存在する層との界面近傍に、該奥側に存在する層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする１）又は２）記載の追記型光記録媒体。
４）　変形層中に、変形層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする１）又は２）記載の追記型光記録媒体。
５）　光吸収層が有機材料からなることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
６）　光吸収層がＳｉ及び／又はＧｅを含有することを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
７）　少なくとも記録層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであることを特徴とする追記型光記録媒体。
８）　少なくとも記録層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであり、該記録層と、該記録層と接するレーザ光入射側の隣接層との界面を主反射界面とし、レーザ光の照射による記録層の発熱によって、記録層自身がレーザ光の入射方向に変形することで記録マークが形成されることを特徴とする追記型光記録媒体。
９）　少なくとも記録層と有機材料層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであることを特徴とする追記型光記録媒体。
１０）　少なくとも記録層と有機材料層を有し、該記録層は、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つものであり、該記録層と、該記録層と接するレーザ光入射側の隣接層との界面を主反射界面とし、レーザ光の照射による記録層の発熱によって、記録層自身がレーザ光の入射方向に変形することで記録マークが形成されることを特徴とする追記型光記録媒体。
１１）　記録層と、レーザ光の入射側から見て記録層の奥側に存在する層との界面近傍に、該奥側に存在する層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする７）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１２）　記録層中に、記録層を構成する材料の屈折率低下部、或いは空隙部を形成することで記録マークが形成されることを特徴とする７）〜１０）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１３）　記録層がＳｉ及び／又はＧｅを含有すること特徴とする７）〜１２）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
１４）　波長３５０〜５００ｎｍの青色レーザ光により記録マークが形成できることを特徴とする１）〜１３）の何れかに記載の追記型光記録媒体。
【００１９】
以下、上記本発明について詳しく説明すると共に、本発明に係る記録再生の原理と再生信号の関係を明瞭にし、本発明の正当性と有効性を明確に示す。
本発明者は、記録極性のＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ化、記録マーク長や記録パワーによる記録極性変化、或いは、再生信号波形の微分化が発生し易いのは、次のイ）、ロ）の場合であることを見出した。
イ）　変形する層と、変形する層のレーザ光入射側隣接層との界面に主反射界面があり、該主反射界面が入射レーザ光側（光源側）とは反対方向に変形する場合。
ロ）　イ）の場合であって、特に、変形する層と、変形する層のレーザ光入射側隣接層界面近傍に、屈折率低下部、或いは空隙部が形成される場合。
即ち、変形する層と、変形が起る方向とは反対側に隣接する層の界面近傍には、互いの層の剥離、変形が起る方向とは反対側に隣接する層の体積膨張、或いは、変形が起こる方向とは反対側に隣接する層の溶融、分解・爆発等によって、空隙等の屈折率の低下部が形成され易く、これが、記録極性のＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ化、記録マーク長や記録パワーによる記録極性変化、或いは、再生信号波形の微分化をもたらすことを見出したもので、この記録極性のＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ化、記録マーク長や記録パワーによる記録極性変化、或いは、再生信号波形の微分化を防止するためには、レーザ光入射側から見て、主反射界面の奥側に空隙等の屈折率の低下部が発生するように主反射界面の変形方向を制御すること、或いは記録再生方向を制御することが非常に有効であることを見出した。
【００２０】
従って、本発明では、変形する層（本発明で言う変形層、或いは記録層）を入射レーザ光側（光源側）に変形させる。
これにより、屈折率低下部、或いは空隙が、レーザ光入射側から見て、主反射界面（即ち変形界面）の奥側に形成されるようにすることができ、記録極性のＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ化、記録マーク長や記録パワーによる記録極性変化、或いは再生信号波形の微分化を抑制・防止し、記録極性がＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗで統一でき、良好なマーク長記録・再生を実現させることができる。
なお、一般的にマーク長記録では、記録マークを再生した場合、図４７（ａ）に示すような再生信号（ＲＦ信号）となるのに対し、図４７（ｂ）や（ｃ）のように、記録マークの前後エッジ近傍や記録マークの中心近傍で変極点を持つような信号を、本発明では微分波形（微分波形化）と言う。
【００２１】
本発明で言う「変形層と、該変形層と接する隣接層」とは、例えば基板上に変形層、上引層が順次設けられた光記録媒体構成の場合、基板又は上引層を指す（例えば上引層は空気層であってもよい）。
また、本発明で言う主反射界面とは、再生反射光に寄与する割合が最も高い反射界面を指す。従って、主反射界面は、最も反射係数の大きな界面となるのが一般的である。
しかし、最も大きな反射係数を有する界面であっても、その反射界面より入射光側に複数の層が存在したり、或いはその反射界面よりも入射光側にある層の吸収係数（複素屈折率の虚部）が大きい場合など、この最も大きな反射係数を有する界面にまで十分な光が透過しない場合は、この限りでない。
そこで、再生反射光に寄与する割合が最も高い反射界面を主反射界面と言うことにする。
【００２２】
例えば、複素屈折率の大きな変形層が、変形層よりも複素屈折率の小さな隣接層で挟まれている場合、この変形層と、どちらかの隣接層界面が主反射界面となるが、本発明で言う主反射界面とは、ポインティングベクトルの大きな方の界面を指すことになる。なお、ここでいうポインティングベクトルとは、ポインティングベクトルの時間平均値を示し、光の強さを示す値となる。
具体例として、基板上に有機材料層（複素屈折率を２．０−ｉ０．１、膜厚を６０ｎｍと仮定）、Ｓｉ層（複素屈折率を４．３−ｉ２．０、膜厚を２０ｎｍと仮定）が積層された光記録媒体であって、記録再生が基板側から行われる場合を考えると、主反射界面はＳｉ層のどちらかの隣接層界面にあることになる。
最も反射係数の大きな界面はＳｉ層と空気層の界面、次いで反射係数が大きな界面は有機材料層とＳｉ層の界面となるが、ポインティングベクトルを計算すると、図４８のようになり（横軸の０〜６０が有機材料層、６０〜８０がＳｉ層）、ポインティングベクトルの大きな有機材料層とＳｉ層の界面が本発明で言う主反射界面となる。
【００２３】
また、別の具体例として、基板上に有機材料層（複素屈折率を２．０−ｉ０．１、膜厚を６０ｎｍと仮定）、Ｓｉ層（複素屈折率を４．３−ｉ２．０、膜厚を２０ｎｍと仮定）が積層された光記録媒体であって、記録再生がＳｉ層側から行われる場合を考えると、主反射界面はＳｉ層のどちらかの隣接層界面にあることになる。
最も反射係数の大きな界面はＳｉ層と空気層の界面、次いで反射係数が大きな界面は有機材料層とＳｉ層の界面となるが、ポインティングベクトルを計算すると、図４９のようになり（横軸の０〜２０がＳｉ層、２０〜８０が有機材料層）、ポインティングベクトルの大きなＳｉ層と空気層の界面が本発明で言う主反射界面となる。
【００２４】
本発明で言う変形とは、ある任意の追記型光記録媒体構成層を単純に変形させるもので、その変形界面が明瞭である変形を指す。
例えば従来のＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのように、基板と有機材料層の界面は変形を起すが、記録によって基板や有機材料は溶融や分解を起し、例えば有機材料の基板への拡散等が起きるため、両者はその界面近傍で混合する可能性が高く、明瞭な界面を有しなくなる。この変形界面の不明瞭化は、記録コントラスト（変調度）の低下を招き易い。
そこで本発明では、変形界面を明瞭に保持させるようにする。
そのためには、変形する層（本発明で言う変形層、或いは記録層）は記録によって隣接層と混合しないことが好ましい。
変形する層（本発明で言う変形層、或いは記録層）の変形は、変形する層とは別に設けられた光吸収層の発熱によるものであっても、変形する層自身に光吸収機能があり、変形する層自身の発熱によるものであってもよい。
【００２５】
本発明では、例えば、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層に隣接して、有機材料層を設けた追記型光記録媒体を提供する。
この記録層に隣接して有機材料を設ける理由の１つは、有機材料層に、変形する層の変形量を制御する働きを持たせることができることにある。
これは例えば、基板上にレーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層を設けた追記型光記録媒体では、記録層の変形が、記録層自身の光吸収機能による変形だけでなく、この記録層で発生した熱による基板の膨張に大きな影響を受けるためである。
【００２６】
従って、基板と、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層の間に有機材料層を設けることで、記録層を反基板側（記録層からみて基板と反対側）へ変形させる追記型光記録媒体の場合は、記録層の反基板側への変形に与える基板変形の影響を低下させることができる（本発明では、記録層等の変形層が主反射界面であって、この記録層等の変形層の変形特性が最も重要である）。
或いは、基板と、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層の間に有機材料層を設けることで、記録層を基板側へ変形させる追記型光記録媒体の場合は、記録層の基板側への変形を阻害する基板変形の影響を低下させることができ、良好な変形を生じさせることができる（本発明では、記録層等の変形層が主反射界面であって、この記録層等の変形層の変形特性が最も重要である）。
【００２７】
また、有機材料層には、記録層等の光吸収機能を有する層による熱によって、有機材料が分解・変質等を起し、その光学定数を変化させることで、記録再生特性を向上させる働きを持たせることが可能である。
なお、ここで言う光学定数変化とは、複素屈折率実部の減少又は増加、複素屈折率虚部の減少又は増加、有機材料層膜厚の減少又は増加、或いはこれらの組み合わせを指す。
また、ここで言う記録再生特性とは、未記録時の反射率、ジッタ、変調度、トラッキング特性等を指す。
更に有機材料層は、光吸収層や、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層の光吸収機能を補う働きを持たせることも可能である。
【００２８】
有機材料層に用いられる材料としては、例えば色素が好ましい。
色素としては、ポリメチン系、ナフタロシアニン系、フタロシアニン系、スクアリリウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒドロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系各色素、及び金属錯体化合物などが挙げられる。
色素層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、溶剤塗布などの通常の手段によって行なうことができる。塗布法を用いる場合には、上記色素などを有機溶剤に溶解し、スプレー、ローラーコーティング、ディッピング、スピンコーティングなどの慣用のコーティング法で塗布すればよい。
【００２９】
用いられる有機溶剤としては、一般にメタノール、エタノール、イソプロパノールなどアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル類；酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類；クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエタン、四塩化炭素、トリクロルエタンなどの脂肪族ハロゲン化炭素類；ベンゼン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼンなどの芳香族類；メトキシエタノール、エトキシエタノールなどのセロソルブ類；ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの炭化水素類などが挙げられる。
色素層の膜厚は、１００Å〜１０μｍ、好ましくは１００〜２０００Åが適当である。
なお、有機材料層として高分子を用いることも可能である。
【００３０】
本発明で用いる変形層は、記録によって変形しさえすれば何ら制限はない。
但し、本発明では、変形層とその隣接層の界面を主反射界面とするため、隣接層との複素屈折率差の大きな材料を用いることが好ましい。
そのため、一般的に屈折率（複素屈折率実部）の小さな金属（例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｓｎ等）、或いは一般的に屈折率（複素屈折率実部）の大きな材料〔Ｓｉ及び／又はＧｅを含有する材料（例えばＳｉ、Ｇｅ、ＳｉｘＧｅ１−ｘ、Ｍｇ２Ｇｅ、Ｍｇ２Ｓｉ、ＳｉＣ等）；Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｅ、Ｖ等の金属、或いはこれらの金属酸化物（例えばＴａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５等）〕；ＡｌＳｂ、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ＣｄＳｅ、ＧａＳｂ、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の半導体などを用いることができる。
【００３１】
また、変形層と主反射界面を形成する変形層の隣接層が比較的低屈折率である場合（１．８程度以下）、例えばＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢｅＯ、ＺｒＯ２、ＵＯ２、ＴｈＯ２などの単純酸化物系の酸化物；ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＣａＯ・ＳｉＯ２、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２、３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・２Ａｌ２Ｏ３・５ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ・Ａｌ２Ｏ３・４ＳｉＯ２などのケイ酸塩系の酸化物；Ａｌ２ＴｉＯ５、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｃａ１０（ＰＯ４）６（ＯＨ）２、ＢａＴｉＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ（ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺｒＯ３系酸化物）、フェライトなどの複酸化物系の酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＯＺＮ８−Ｚ、ＡｌＮ、ＢＮ、ＴｉＮなどの窒化物系の非酸化物；ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、ＴｉＣ、ＷＣなどの炭化物系の非酸化物；ＬａＢ６、ＴｉＢ２、ＺｒＢ２などのホウ化物系の非酸化物；ＣｄＳ、ＭｏＳ２などの硫化物系の非酸化物；ＭｏＳｉ２などのケイ化物系の非酸化物；アモルファス炭素、黒鉛、ダイアモンド等の炭素系の非酸化物、及びこれらの含有物を使用することができる。
【００３２】
光吸収層としては、記録波長に対して比較的大きな吸収係数（ここで言う吸収係数は複素屈折率の虚部である。例えば０．２以上が好ましい）を有する材料であれば何ら制限はなく、Ｓｉ及び／又はＧｅを含有する材料（例えばＳｉ、Ｇｅ、ＳｉｘＧｅ１−ｘ、Ｍｇ２Ｇｅ、Ｍｇ２Ｓｉ、ＳｉＣ等）；Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｅ、Ｖ等の金属、或いはこれらの金属酸化物（例えばＴａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５等）；ＡｌＳｂ、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ＣｄＳｅ、ＧａＳｂ、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の半導体；Ａｇ等に比べて熱伝導率の低いＮｉ，Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ等の金属；Ｃｕ／Ａｌ、Ｎｉ／Ｆｅ等の合金などを用いることができる。
また、有機材料層に用いられる材料として前述した色素を利用することも可能である。
【００３３】
レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層としては、Ｓｉ及び／又はＧｅを含有する材料（例えばＳｉ、Ｇｅ、ＳｉｘＧｅ１−ｘ、Ｍｇ２Ｇｅ、Ｍｇ２Ｓｉ、ＳｉＣ等）；Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｅ、Ｖ等の金属、或いはこれらの金属酸化物（例えばＴａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５等）；ＡｌＳｂ、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ＣｄＳｅ、ＧａＳｂ、Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、ＩｎＰ、ＧａＰ等の半導体等；Ａｇ等に比べて熱伝導率の低いＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｆｅ等の金属；Ｃｕ／Ａｌ、Ｎｉ／Ｆｅ等の合金などを用いることができる。
【００３４】
なお、本発明では「単純層構成で、安価に製造可能な追記型光記録媒体」を提供できるが、これは変形という最も単純な記録原理を用いるためである。
「記録再生波長に大きな制限がなく、記録特性の波長依存性が少ない追記型光記録媒体」を提供できる理由は、例えばレーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層を用いる場合、このような記録層の材料としては、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅ等のＳｉ及び／又はＧｅ含有物が好ましく用いられるが、これらの材料の複素屈折率は、従来の追記型光記録媒体に用いられる有機材料のような大きな波長依存性を持たないためである。
従って、本発明の追記型光記録媒体は、３５０〜５００ｎｍ程度の青色レーザ波長領域の光でも容易に記録が可能であり、原理的には、更に短波長の光でも記録が可能である。
【００３５】
「比較的高い反射率が得られる追記型光記録媒体」を提供できる理由は、光吸収層、変形層、或いはレーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層には、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅ等のＳｉ及び／又はＧｅ含有物が好ましく用いられ、これらの材料は青色レーザ波長領域以下で大きな複素屈折率を有するためである（この光吸収層、変形層、或いはレーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層と、これらの隣接層との界面の反射係数が高められる）。
「表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応でき、高密度化が達成できる追記型光記録媒体」を提供できる理由は、本発明の記録媒体の構成、及び記録原理上、記録再生方向に制限がないためである（また記録再生方向が何れであっても、それに合わせた層構成が容易に実現できる）。
【００３６】
本発明の実施の形態例は、図３４〜図４５に示す通りである。なお、図中の矢印は記録再生光の入射方向を示すものである。
図３４は、基板上に光吸収層、変形層が順次積層された例である。
図３５は、図３４の追記型光記録媒体であって、変形層と、該変形層の光吸収層側と反対側の隣接層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、光吸収層の発熱によって変形層をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、変形層と光吸収層の界面には、変形層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、変形層と光吸収層の剥離による空隙、或いは光吸収層の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
なお、本発明では、空隙は屈折率低下部に相当すると考えることができる。
【００３７】
図３６は、図３４の追記型光記録媒体であって、変形層と光吸収層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、光吸収層の発熱によって変形層をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、変形層の、光吸収層とは反対側の層（反対層）との界面に、変形層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、変形層と反対層の剥離による空隙、或いは反対層の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
【００３８】
図３７は、基板上に変形層、光吸収層が順次積層された例である。
図３８は、図３７の追記型光記録媒体であって、変形層と光吸収層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、光吸収層の発熱によって変形層をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、変形層と基板の界面には、変形層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、変形層と基板の剥離による空隙、或いは基板の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
なお、図３８では、変形層の変形によって、変形層とは反対側の光吸収層の隣接層界面も変形するように描かれているが、この界面は変形しなくてもよい。
【００３９】
図３９は、図３７の追記型光記録媒体であって、変形層と基板との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、光吸収層の発熱によって変形層をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、変形層と光吸収層との界面に、変形層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、変形層と光吸収層の剥離による空隙、或いは光吸収層の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
【００４０】
図４０は、基板上に、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層が積層された例である。
図４１は、図４０の追記型光記録媒体であって、記録層と、該記録層の基板側と反対側の隣接層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、記録層の発熱によって記録層自身をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、記録層と基板の界面には、記録層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、記録層と基板の剥離による空隙、或いは基板の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
【００４１】
図４２は、図４０の追記型光記録媒体であって、記録層と基板との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、記録層の発熱によって記録層自身をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、記録層の、基板とは反対側の層（反対層）との界面に、記録層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、記録層と反対層の剥離による空隙、或いは反対層の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
【００４２】
図４３は、基板上に有機材料層、レーザ光に対する光吸収機能と、レーザ光の照射によって溶融又は分解することなく変形を起す変形機能を併せ持つ記録層が順次積層された例である。
図４４は、図４３の追記型光記録媒体であって、記録層と、該記録層の有機材料層側と反対側の隣接層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、記録層の発熱によって記録層をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、記録層と有機材料層の界面には、記録層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、記録層と有機材料層の剥離による空隙、或いは有機材料層の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
【００４３】
図４５は、図４３の追記型光記録媒体であって、記録層と有機材料層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示すものであり、記録層の発熱によって記録層をレーザ光の入射方向に変形させる。
この時、記録層の、有機材料層とは反対側の層（反対層）との界面に、記録層材料の体積膨張による屈折率低下部や空隙、記録層と反対層の剥離による空隙、或いは反対層の体積変化による空隙や屈折率低下部等が形成される。
なお、図４４〜図４５では、記録層の変形が生じた部分の有機材料層は光学定数変化を起していてもよい。
以上の図３４〜図４５では、本発明が有効となる最小限の層構成例を挙げたものであり、実際には、図３４〜図４５の層構成に加えて、下引層、上引層、保護層、接着層、カバー層等が設けられていてもよい。
【００４４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。なお、図１（ａ）〜図８（ａ）及び図２６（ａ）〜図３１（ａ）中の、Ｕｎｒｅｃは未記録時の再生信号（ＲＦレベル）、Ｔｏｐはマーク列を記録した時の最大再生信号レベル（即ちスペース部）、Ｂｏｔｔｏｍはマーク列を記録した時の最小再生信号レベル、ＭＡは（Ｔｏｐ−Ｂｏｔｔｏｍ）／Ｔｏｐで計算される変調度を示す。
◎まず、参考例１〜８により、従来の記録再生方法では、変形による記録原理を主とする光記録媒体に対し、ランダムパターンを記録再生できない可能性が高いことを示す。
【００４５】
参考例１
溝深さ５５ｎｍの案内溝を有するポリカーボネート基板上に、厚さ１０ｎｍのＳｉＣ（光吸収層）を設けた光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対して、パルステック工業製の光ディスク評価装置、ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、基板側から５．０ｍＷのレーザ光を照射して、グルーブ部（入射レーザ光側から見て、手前側にある溝位置）に、記録周波数６５．４ＭＨｚ、記録線速度６．０ｍ／ｓｅｃで３Ｔ〜１４Ｔマークをそれぞれ単独で記録した。
この時、再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図１（ａ）に示す。
図１（ａ）の結果から、記録マーク長によらず、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えている可能性があることが確認できる。
また、図１（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図１（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図１（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔ、４Ｔ、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔとも、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すことが分る。
【００４６】
参考例２
記録パワーを６．０ｍＷとした点以外は参考例１と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図２（ａ）に示す。
図２（ａ）の結果から、記録マーク長によって記録極性が変化、即ち、短マークではＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録であるが、長マークではＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録とＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録が混在したような信号が発生し、マーク長記録が困難となることが分る。
また、図２（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔ、４Ｔは、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すが、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔはマーク中央部のＲＦレベルが大きく上昇した再生信号波形を示し〔６Ｔ、８Ｔでは、再生信号の周期が本来の再生信号の倍に見える。これは図１（ｃ）と比べるとよく分る〕、マーク長記録が困難となることが分る。
【００４７】
参考例３
６．０ｍＷのレーザ光を照射し、ランド部（入射レーザ光側から見て奥側にある溝位置）に記録した点以外は参考例１と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図３（ａ）に示す。
図３（ａ）の結果から、記録マーク長によって記録極性が変化すること、即ち、短マークではＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録であるが、長マークではＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録と、僅かにＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録が混在したような信号が発生する傾向が見られ、マーク長記録が困難となる可能性があることが分る。
また、図３（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図３（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図３（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔ、４Ｔ、６Ｔ、８Ｔは、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すが、１４Ｔはマーク中央部のＲＦレベルが大きく上昇した再生信号波形を示し、マーク長記録が困難となることが分る。
【００４８】
参考例４
７．０ｍＷのレーザ光を照射し、ランド部（入射レーザ光側から見て、奥側にある溝位置）に記録した点以外は参考例１と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図４（ａ）に示す。
図４（ａ）の結果から、記録マーク長によって記録極性が変化、即ち、短マークではＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録であるが、長マークではＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録とＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録が混在したような信号が発生し、マーク長記録が困難となることが分る。
また、図４（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図４（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図４（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔ、４Ｔは、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すが、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔはマーク中央部のＲＦレベルが大きく上昇した再生信号波形を示し〔６Ｔでは、再生信号の周期が本来の再生信号の倍に見える。これは図１（ｃ）と比べるとよく分る〕、マーク長記録が困難となることが分る。
【００４９】
参考例５
溝深さ５５ｎｍの案内溝を有するポリカーボネート基板上に、厚さ２０ｎｍのＳｉ（光吸収層）を設けた光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対して、パルステック工業製の光ディスク評価装置、ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、基板側から５．０ｍＷのレーザ光を照射して、グルーブ部（入射レーザ光側から見て、手前側にある溝位置）に、記録周波数６５．４ＭＨｚ、記録線速度６．０ｍ／ｓｅｃで３Ｔ〜１４Ｔマークをそれぞれ単独で記録した。
この時、再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図５（ａ）に示す。
また、図５（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図５（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図５（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔマークを除いて、記録マーク長によらず、Ｌｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録となり、従来との極性の互換性がなくなると共に、有機材料層の複素屈折率変化でＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録となる記録原理（例えば吸収係数の増加）と併用できないことが確認できる。
【００５０】
参考例６
記録パワーを６．０ｍＷとした点以外は参考例５と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図６（ａ）に示す。
また、図６（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図６（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図６（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔマークを除いて、記録マーク長によらず、Ｌｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録となり、従来との極性の互換性がなくなると共に、有機材料層の複素屈折率変化でＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録となる記録原理（例えば吸収係数の増加）と併用できないことが確認できる。
【００５１】
参考例７
５．０ｍＷのレーザ光を照射し、ランド部（入射レーザ光側から見て、奥側にある溝位置）に記録した点以外は参考例５と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図７（ａ）に示す。
また、図７（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図７（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図７（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔマークを除いて、記録マーク長によらず、Ｌｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録となり、従来との極性の互換性がなくなると共に、有機材料層の複素屈折率変化でＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録となる記録原理（例えば吸収係数の増加）と併用できないことが確認できる。
【００５２】
参考例８
６．０ｍＷのレーザ光を照射し、ランド部（入射レーザ光側から見て、奥側にある溝位置）に記録した点以外は参考例５と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図８（ａ）に示す。
また、図８（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図８（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図８（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
これらの結果から、３Ｔマークを除いて、記録マーク長によらず、Ｌｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録となり、従来との極性の互換性がなくなると共に、有機材料層の複素屈折率変化でＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録となる記録原理（例えば吸収係数の増加）と併用できないことが確認できる。
【００５３】
以上、参考例１〜８の結果から、基板上に光吸収層を設けたような単純層構成で、従来のように基板側から記録再生する方式では、マーク長による記録再生が困難である場合が多く、また記録極性がＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ化する場合が多いことが確かめられた。
【００５４】
◎次に、実施例１において、基板上に光吸収層を設けたような単純層構成であっても、マーク長による記録再生が可能であり、記録極性がＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗとなる条件を検討する。
【００５５】
実施例１
基板／光吸収層Ｓｉ（厚さ２０ｎｍ）という層構成で、約３Ｔ（０．７λ）と約８Ｔ（２．０λ）のマーク長を有する記録マーク（但し、３Ｔマークの幅は０．７λ、８Ｔマークの幅は０．８λ、マークの高さ方向の大きさは０．１２５λとした）を、次に示す記録位置、記録マーク変形方向、再生方向の条件を変えて再生した場合に、どのような再生信号が得られるかについて計算した。
・記録位置　　　　　：Ｌａｎｄ　又は　Ｇｒｏｏｖｅ
・記録マーク変形方向：Ｂｕｍｐ　又は　Ｐｉｔ
・再生方向　　　　　：基板側から＝［Ｆｒｏｍ　Ｓｕｂ］　又は、反基板側から＝［Ｆｒｏｍ　Ａｉｒ］
計算上、ここでは、Ｐｉｔとはレーザ光の入射方向とは逆に変形した記録マークを、Ｂｕｍｐとはレーザ光の入射方向に変形した記録マークを指す（図９参照）。なお、基板溝形状は（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ζ）＝（０．２λ、０．８λ、１．０λ、１．８５２５λ、０．１３７５λ）とした。
【００５６】
計算の結果は図１０〜図１７に示す通りであり、図１０はランド部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図１１はランド部にＢｕｍｐが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図１２はグルーブ部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図１３はグルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図１４はランド部にＰｉｔが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の結果、図１５はランド部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の結果、図１６はグルーブ部にＰｉｔが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の結果、図１７はグルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の結果である。
なお、図１０〜図１７の横軸は再生レーザ光の位置、縦軸は再生信号のレベルを示す（再生反射光は４分割素子で検出するが、縦軸はその４分割素子の和信号［Ｓｕｍ　Ｓｉｇｎａｌ］を示す）。
【００５７】
この結果から、一般的には、基板からの記録ではＰｉｔが形成され、空気層側からの記録ではＢｕｍｐが形成されると考えられるので、基板からの記録再生でのＢｕｍｐ条件（図１１、図１３）、及び空気層側からの記録再生でのＰｉｔ条件（図１４、図１６）での計算結果を一般的でないとして除外して考えると、基板側からの記録再生では、記録位置によって記録極性が変わるが、空気層側からの記録再生では記録極性が一定（Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ）であることが分る。同様に、基板からの記録再生でのＢｕｍｐ、及び空気層側からの記録再生でのＰｉｔ条件での計算結果を非一般的であるとして除外して考えると、基板側からの記録再生では、ランド部への記録において微分波形化が起こることが分った（図１０参照）。
【００５８】
ところで、この実施例１の計算結果は、例えば図５〜図８の現象（実際の測定では、ランド部のみならず、グルーブ部でもＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ化と微分波形化が起きている現象）を説明できない。
そこで鋭意検討の結果、記録マークの中央部で、ＲＦレベルが上昇するような再生信号波形が観測されることは、ＳｉＣやＳｉの光吸収層の内部に発生する空隙等の屈折率低下部、或いはＳｉＣやＳｉの光吸収層と基板の間に発生する空隙、或いは基板の膨張部に発生する空隙等の屈折率低下部に原因があると考えた。また、Ｌｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ記録となる場合であっても、短マークはＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録となる場合が多いことから、短マークでは、干渉効果よりも回折効果の影響が大きいと考えられる。
【００５９】
従って、反射光の大部分を、変形した界面（主反射界面）で反射された反射光とし、主反射界面よりも入射レーザ光に対して手前側に空隙等の屈折率低下部を位置させないような構成にすれば、変形部の干渉効果の影響を小さくして、変形による回折効果の影響を高めることができると考えた。
そうすれば、長マークでも、変形による回折効果によって反射光の大部分が作られるため、常にマーク長記録が可能で、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えると考えた。
上記のような考えを実現するために、本発明者は、例えば、基板上に光吸収層を設けた光記録媒体であって、基板と光吸収層の間に空隙が発生する可能性のある光記録媒体に対し、光吸収層側から再生することが非常に有効であることを見出した。
【００６０】
◎そこで次に、基板上に光吸収層を設けた光記録媒体であって、基板と光吸収層の間に空隙が発生する可能性のある光記録媒体に対し、光吸収層側から再生することによって、マーク長記録が可能で、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行える可能性があることをシミュレーションによって明らかにする。
【００６１】
実施例２
基板／光吸収層ＳｉＣ（厚さ１０ｎｍ）、又は基板／光吸収層Ｓｉ（厚さ２０ｎｍ）という層構成で、約８Ｔ（２．０λ）のマーク長を有する記録マーク（但し、マークの幅は０．８５２５λ、マークの高さ方向の大きさは０．３０λとした）を、次に示す記録位置、空隙の有り無し、再生方向の条件を変えて再生した場合に、どのような再生信号が得られるかについて計算した。
・記録位置　　　　　：Ｌａｎｄ　又は　Ｇｒｏｏｖｅ
・空隙の有り無し　　：［Ｎｏ　Ｂｕｂｂｌｅ］　又は　［Ｂｕｂｂｌｅ］
・再生方向　　　　　：基板側から＝［Ｆｒｏｍ　Ｓｕｂ］　又は、反基板側から＝［Ｆｒｏｍ　Ａｉｒ］
基板溝形状は、基板側からの再生の場合（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ζ）＝（０．２λ、１．０５２５λ、１．２５２５λ、１．８５２５λ、０．１３７５λ）とし、反基板側からの再生の場合（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ζ）＝（０．２λ、０．８λ、１．０λ、１．８５２５λ、０．１３７５λ）とした。
【００６２】
計算の結果は図１８〜図２５に示す通りで、図１８〜図２１は基板上にＳｉを設けた場合、図２２〜図２５は基板上にＳｉＣを設けた場合の結果である。
図１８はランド部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図１９はグルーブ部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図２０はランド部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の結果、図２１はグルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の結果、図２２はランド部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図２３はグルーブ部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の結果、図２４はランド部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉＣ側から再生した場合の結果、図２５はグルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉＣ側から再生した場合の結果である。
なお、図１８〜図２５の横軸は再生レーザ光の位置、縦軸は再生信号のレベルを示す（再生反射光は４分割素子で検出するが、縦軸はその４分割素子の和信号［Ｓｕｍ　Ｓｉｇｎａｌ］を示す）。
【００６３】
以上のシミュレーション結果から、実際に観測された再生信号が発生するためには、ＳｉＣやＳｉの光吸収層と基板の間に空隙（屈折率低下部）が発生する必要があることが分った。即ち、実際の記録において、ＳｉＣやＳｉの光吸収層と基板の間に空隙（屈折率低下部）が発生する可能性があることが裏付けられた。なお、本実施例２では、光吸収層と基板の間に空隙が発生する（剥離する）として計算を行ったが、光吸収層の内部に空隙等の屈折率低下部が発生する場合、或いは基板中に空隙等の屈折率低下部が発生する場合も同様な計算結果となる。従って、実際の記録において、ＳｉＣやＳｉからなる光吸収層と基板の間、光吸収層中、或いは基板中に、空隙（屈折率低下部）が発生する可能性があることが裏付けられた。
また、基板側からの再生では（図１８、図１９、図２２、図２３）、空隙の有り無しで再生信号波形が大きく変わることが分り、空隙が存在すると記録極性のＬｏｗ　ｔｏ　Ｈｉｇｈ化と微分波形化が起き易いが、光吸収層側からの再生では（図２０、図２１、図２４、図２５）、空隙の有り無しで再生信号波形は大きく変わらず、微分波形化がなく、記録極性がＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗの信号が得られることが分った。
【００６４】
◎上記シミュレーション結果を基に、本発明の光記録媒体によれば、マーク長記録が可能で、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えることを、次の実施例３〜８により実際に証明する。
【００６５】
実施例３
溝深さ５５ｎｍの案内溝を有するポリカーボネート基板上に、厚さ１０ｎｍのＳｉＣからなる光吸収層を設けた光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対して、パルステック工業製の光ディスク評価装置、ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、ＳｉＣ側から８．０ｍＷのレーザ光を照射し、ランド部（入射レーザ光側から見て、手前側にある溝位置）に、記録周波数６５．４ＭＨｚ、記録線速度６．０ｍ／ｓｅｃで３Ｔ〜１４Ｔマークをそれぞれ単独で記録した。
この時、再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図２６（ａ）に示す。
図２６（ａ）の結果から、記録マーク長によらず、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えている可能性があることが確認できる。
また、図２６（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２６（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２６（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
この結果から、３Ｔ、４Ｔ、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔとも、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すことが分る。
【００６６】
実施例４
記録パワーを９．０ｍＷとした点以外は実施例３と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図２７（ａ）に示す。
図２７（ａ）の結果から、記録マーク長によらず、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えている可能性があることが確認できる。
また、図２７（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２７（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２７（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
この結果から、３Ｔ、４Ｔ、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔとも、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すことが分る。
【００６７】
実施例５
７．０ｍＷのレーザ光を照射して、グルーブ部（入射レーザ光側から見て、奥側にある溝位置）に記録した点以外は実施例３と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図２８（ａ）に示す。
図２８（ａ）の結果から、記録マーク長によらず、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えている可能性があることが確認できる。
また、図２８（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２８（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図２８（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
この結果から、３Ｔ、４Ｔ、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔとも、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すことが分る。
【００６８】
実施例６
８．０ｍＷのレーザ光を照射して、グルーブ部（入射レーザ光側から見て、奥側にある溝位置）に記録した点以外は実施例３と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図２９（ａ）に示す。
図２９（ａ）の結果から、記録マーク長によらず、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えている可能性があることが確認できる。
また、図２９（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
この結果から、最短及び最長マークとも、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すことが分る。
【００６９】
実施例７
溝深さ５５ｎｍの案内溝を有するポリカーボネート基板上に、厚さ２０ｎｍのＳｉ（光吸収層）を設けた光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対して、パルステック工業製の光ディスク評価装置、ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、Ｓｉ側から６．０ｍＷのレーザ光を照射し、ランド部（入射レーザ光側から見て、手前側にある溝位置）に、記録周波数６５．４ＭＨｚ、記録線速度６．０ｍ／ｓｅｃで３Ｔ〜１４Ｔマークをそれぞれ単独で記録した。
この時、再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図３０（ａ）に示す。
図３０（ａ）の結果から、記録マーク長によらず、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えている可能性があることが確認できる。
また、図３０（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図３０（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図３０（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
この結果から、３Ｔ、４Ｔ、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔとも、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すことが分る。
【００７０】
実施例８
記録パワーを７．０ｍＷとした点以外は実施例７と全く同様の実験を行った。
再生信号（ＲＦレベル）の記録マーク長（Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ）依存性を測定した結果を図３１（ａ）に示す。
図３１（ａ）の結果から、記録マーク長によらず、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行えている可能性があることが確認できる。
また、図３１（ｂ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図３１（ｃ）には、６Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを、図３１（ｄ）には、３Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
この結果から、３Ｔ、４Ｔ、６Ｔ、８Ｔ、１４Ｔとも、マーク長記録が可能な再生信号波形を示すことが分る。
【００７１】
以上、実施例３〜実施例８に示したように、基板上に光吸収層を設けただけの単純な光記録媒体であって、基板と光吸収層の間、或いは光吸収層自身や基板の内部に空隙が発生する可能性のある光記録媒体に対し、光吸収層側から再生することによって、マーク長記録が可能で、Ｈｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗ記録が行える可能性があることが実験によって証明された。
【００７２】
◎最後に、実施例９〜１０により本発明の追記型光記録媒体の特性を明確にする。
【００７３】
実施例９
溝深さ５５ｎｍの案内溝を有するポリカーボネート基板上に、下記〔化１〕と〔化２〕のＣｏ金属錯体からなる色素層を厚さ約６０ｎｍ、更にその上にＳｉＣを厚さ１０ｎｍ設けた光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対して、パルステック工業製の光ディスク評価装置、ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、ＳｉＣ側から９．０ｍＷのレーザ光を照射して、ランド部（入射レーザ光側から見て、手前側にある溝位置）に、記録周波数６５．４ＭＨｚ、記録線速度６．０ｍ／ｓｅｃで８−１６変調の信号を記録した。
その結果、変調度が約７０％で、記録極性がＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗであり、図３２に示すような、非常に明瞭なアイパターンが得られ、ジッタ（σ／Ｔｗ）は８．５％であった。
【００７４】
【化１】
2004030864.tif 000003
【化２】
2004030864.tif 000004
【００７５】
実施例１０
溝深さ５５ｎｍの案内溝を有するポリカーボネート基板上に、上記〔化１〕で示される色素層を厚さ約４０ｎｍ、更にその上にＳｉＣを厚さ１０ｎｍ設けた光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対して、パルステック工業製の光ディスク評価装置、ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、ＳｉＣ側からレーザ光を照射して、ランド部（入射レーザ光側から見て、手前側にある溝位置）に、記録周波数６５．４ＭＨｚ、記録線速度６．０ｍ／ｓｅｃで８−１６変調の信号を記録パワーを変化させて記録した。
その結果、記録極性がＨｉｇｈ　ｔｏ　Ｌｏｗであり、図３３に示すような良好なジッタと変調度が得られた。
【００７６】
【発明の効果】
本発明１〜１４によれば、次のような特性を有する追記型光記録媒体を提供できる。
・単純層構成で、安価に製造可能である。
・記録再生波長に大きな制限がなく、記録特性の波長依存性が少ない。
・比較的高い反射率が得られる。
・変形を用いて記録再生を行う追記型光記録媒体であるが、記録マーク長や記録パワーによって記録極性が変化せず一定である。
・変形を用いて記録再生を行う追記型光記録媒体であるが、記録マーク部の再生波形が微分形状を示すことがない。
・変形を用いて記録再生を行う追記型光記録媒体であるが、記録極性がＨｉｇｈｔｏ　Ｌｏｗ記録となり易い。
・表面記録、或いは高ＮＡレンズによる記録に対応でき高密度化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例１の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図２】参考例２の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図３】参考例３の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図４】参考例４の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図５】参考例５の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図６】参考例６の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図７】参考例７の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図８】参考例８の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図９】溝パラメータの説明図。
（ａ）　変形した記録マークを説明するための図（Ｆｒｏｍ　Ｓｕｂ）。
（ｂ）　変形した記録マークを説明するための図（Ｆｒｏｍ　Ａｉｒ）。
【図１０】実施例１の、ランド部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１１】実施例１の、ランド部にＢｕｍｐが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１２】実施例１の、グルーブ部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１３】実施例１の、グルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１４】実施例１の、ランド部にＰｉｔが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１５】実施例１の、ランド部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１６】実施例１の、グルーブ部にＰｉｔが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１７】実施例１の、グルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１８】実施例２の、基板上にＳｉを設けた場合であって、ランド部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図１９】実施例２の、基板上にＳｉを設けた場合であって、グルーブ部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図２０】実施例２の、基板上にＳｉを設けた場合であって、ランド部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図２１】実施例２の、基板上にＳｉを設けた場合であって、グルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図２２】実施例２の、基板上にＳｉＣを設けた場合であって、ランド部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図２３】実施例２の、基板上にＳｉＣを設けた場合であって、グルーブ部にＰｉｔが形成された記録部を基板側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図２４】実施例２の、基板上にＳｉＣを設けた場合であって、ランド部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉＣ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図２５】実施例２の、基板上にＳｉＣを設けた場合であって、グルーブ部にＢｕｍｐが形成された記録部をＳｉＣ側から再生した場合の計算結果を示す図。
【図２６】実施例３の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図２７】実施例４の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図２８】実施例５の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図２９】実施例６の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図３０】実施例７の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図３１】実施例８の記録結果を示す図。
（ａ）　記録マーク長と再生信号（ＲＦレベル）及び変調度の関係を示す。
（ｂ）　３Ｔマーク、４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｃ）　６Ｔマーク、８Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び、未記録時の再生信号レベルを示す。
（ｄ）　３Ｔマーク、１４Ｔマークを連続して記録した場合の再生信号、及び未記録時の再生信号レベルを示す。
【図３２】実施例９のアイパターンを示す図。
【図３３】実施例１０のジッタと変調度を示す図。
【図３４】基板上に光吸収層と変形層を有する本発明の実施の形態例を示す図。
【図３５】図３４の追記型光記録媒体であって、変形層と、該変形層の光吸収層側と反対側の隣接層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図３６】図３４の追記型光記録媒体であって、変形層と光吸収層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図３７】基板上に変形層と光吸収層を有する本発明の実施の形態例を示す図。
【図３８】図３７の追記型光記録媒体であって、変形層と光吸収層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図３９】図３７の追記型光記録媒体であって、変形層と基板との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図４０】基板上に記録層を有する本発明の実施の形態例を示す図。
【図４１】図４０の追記型光記録媒体であって、記録層と、該記録層の基板側と反対側の隣接層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図４２】図４０の追記型光記録媒体であって、記録層と基板との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図４３】基板上に有機材料層と記録層を有する本発明の実施の形態例を示す図。
【図４４】図４０の追記型光記録媒体であって、記録層と、該記録層の有機材料層と反対側の隣接層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図４５】図４０の追記型光記録媒体であって、記録層と有機材料層との界面が主反射界面である場合の記録例（変形例）を示す図。
【図４６】従来のディスクの層構成を示す図。
【図４７】マーク長記録の記録マークを再生した場合の再生信号の波形を説明する図。
（ａ）　一般的な場合
（ｂ）　記録マークの前後エッジ近傍で変極点を持つ微分波形
（ｃ）　記録マークの中心近傍で変極点を持つ微分波形
【図４８】基板上に有機材料層、Ｓｉ層が積層された光記録媒体であって、記録再生が基板側から行われる場合の、ポインティングベクトルの計算結果を示す図。
【図４９】基板上に有機材料層、Ｓｉ層が積層された光記録媒体であって、記録再生がＳｉ層側から行われる場合の、ポインティングベクトルの計算結果を示す図。
【符号の説明】
Ｍａｒｋ　Ｌｅｎｇｔｈ　マーク長
Ｔ　基準クロック
ＲＦ　Ｌｅｂｅｌ（Ｖ）　ＲＦ（再生信号）レベル（ボルト）
Ｍｏｄｕｌａｔｅｄ　ａｍｐｌｉｔｕｄｅ　変調度
Ｕｎｒｅｃ　未記録時の再生信号（ＲＦ）レベル
Ｔｏｐ　マーク列を記録した時の最大再生信号レベル（即ちスペース部）
Ｂｏｔｔｏｍ　マーク列を記録した時の最小再生信号レベル（即ちマーク部）
ＭＡ　（Ｔｏｐ−Ｂｏｔｔｏｍ）／Ｔｏｐで計算される変調度
Ｔｉｍｅ０．５（μｓ／ｄｉｖ）　時間（１メモリ０．５マイクロ秒）
Ｓｕｍ　Ｓｉｇｎａｌ　和信号（再生信号）
Ｂｅａｍ　Ｐｏｓｉｔｉｏｎ（μｍ）　ビーム位置（マーク中心からのビーム中心のズレ量（マイクロメートル）
Ａ　基準点から隣接するランド又はグルーブの近い方の端部までの幅
Ｂ　基準点から隣接するランド又はグルーブの遠い方の端部までの幅
Ｃ　基準点から次のグルーブ又はランドの近い方の端部までの幅
Ｄ　基準点から次のグルーブ又はランドの遠い方の端部までの幅
ζ　グルーブ底部からランド上面までの高さ
Ｐｉｔ　レーザ光の入射方向とは逆に変形した記録マーク
Ｂｕｍｐ　レーザ光の入射方向に変形した記録マーク
Ｆｒｏｍ　Ｓｕｂ　基板側から
Ｆｒｏｍ　Ａｉｒ　反基板側から
σ／Ｔｗ　ジッタ
Ｚ　ｐｏｓｉｔｉｏｎ　層方向の位置（有機材料層とＳｉ層の厚さを示す）
Ｙ　ポインティングベクトル（ポインティングベクトルの時間平均値）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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