(57)【要約】【課題】着色の少ない高純度の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアン（ＢＩＭＤ）を得ることができるＢＩＭＤを含む混合物の精製方法及びＢＩＭＤを工業的に有利に製造する方法を提供する。【解決手段】ＢＩＭＤを含有する混合物を蒸留することによりＢＩＭＤを単離するＢＩＭＤの精製方法であって、前記蒸留前に、ＢＩＭＤを含有する混合物を着色物質除去材で処理する工程を設けてなるＢＩＭＤの精製方法、及び２，５−ビス（アミノメチル）−１，４−ジチアン（ＢＡＭＤ）の無機酸塩のホスゲン化反応を行う工程と、得られたホスゲン化反応生成物を着色物質除去材で処理する工程と、前記着色物質除去材で処理した反応生成物を蒸留してＢＩＭＤを単離する工程を有するＢＩＭＤの製造方法。【選択図】  なし。【特許請求の範囲】
【請求項１】
２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを含有する混合物を蒸留することにより、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを単離する２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法であって、
前記蒸留前に、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを含有する混合物を着色物質除去材で処理する工程を設けたことを特徴とする
２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法。
【請求項２】
１０Ｐａ以下の減圧下に、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを含有する混合物の蒸留を行う
請求項１記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法。
【請求項３】
前記蒸留が分子蒸留であることを特徴とする請求項１又は２に記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法。
【請求項４】
前記蒸留が薄膜蒸留であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法。
【請求項５】
前記蒸留を異なる減圧度で２回以上に分けて行なう請求項１〜４のいずれかに記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法。
【請求項６】
２，５−ビス（アミノメチル）−１，４−ジチアンの無機酸塩のホスゲン化反応を行う工程と、
得られたホスゲン化反応生成物を着色物質除去材で処理する工程と、
前記着色物質除去材で処理した反応生成物を蒸留することにより、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを単離する工程を有する
２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの製造方法。
【請求項７】
１０Ｐａ以下の減圧下に、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを含有する混合物の蒸留を行う請求項６記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの製造方法。
【請求項８】
前記蒸留が分子蒸留であることを特徴とする請求項６又は７に記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの製造方法。
【請求項９】
前記蒸留が薄膜蒸留であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの製造方法。
【請求項１０】
前記蒸留を異なる減圧度で２回以上に分けて行なう請求項６〜９のいずれかに記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの製造方法。
【請求項１１】
前記２，５−ビス（アミノメチル）−１，４−ジチアンの無機酸塩のホスゲン化反応をトルエン溶媒中で行なう請求項６〜１０のいずれかに記載の２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学製品等、特に高屈折率プラスチックレンズの原料として有用な２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法及び製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアン（以下、「ＢＩＭＤ」と略す。）の製造方法としては、例えば、特許文献１には、２，５−ジヒドロキシ−１，４−ジチアンを出発原料として、２，５−ビス（カルボキシメチル）−２，５−ジチアンを３工程で得た後、このものに、クロロギ酸エチルとトリエチルアミンを反応させ、さらにアジ化ナトリウムを反応させて得られる旨が記載されている。
しかしながら、この方法は、反応が煩雑で工程も長く、しかも低収率であるという問題があった。
【０００３】
また、特許文献２には、ｏ−ジクロロベンゼン等の有機溶媒中で、２，５−ビス（アミノメチル）−１，４−ジチアン（以下、「ＢＡＭＤ」と略す。）をホスゲン化してＢＩＭＤを得ることができる旨が記載されている。そして、そこでは、反応液を濃縮後、分子蒸留を行なうことにより高純度のＢＩＭＤを得ることができること、及びＢＩＭＤが熱により分解して着色するのを防止するために、蒸留温度は１５０℃以下が望ましい旨も記載されている。
しかしながら、上記方法により得られる反応生成物は着色している場合があり、１５０℃以下の温度で蒸留を行なっても、完全に脱色することが困難であるという問題があった。
【０００４】
ＢＩＭＤは、主に光学製品、特に高屈折プラスチックレンズの原料として用いられる。したがって、わずかな着色があっても問題となる場合が多く、着色がなく高純度なＢＩＭＤを収率よく得ることができる工業的精製方法及び製造方法の開発が望まれていた。
【０００５】
【特許文献１】
特開平４−１５９２７５号公報
【特許文献２】
特開平１０−１３０２６３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる実状に鑑みてなされたものであり、ＢＩＭＤを含有する混合物を簡便な操作により精製して、着色がなく高純度なＢＩＭＤを得ることができるＢＩＭＤの精製方法、及び着色がなく高純度なＢＩＭＤを工業的に有利に製造する方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、本発明者らはＢＩＭＤを含有する混合物を精製して、高純度かつ着色の少ないＢＩＭＤを得る方法について鋭意検討した結果、ＢＩＭＤを含有する混合物（反応混合物）を着色物質除去材で処理した後に、精密蒸留することにより、高純度かつ着色の少ないＢＩＭＤを得ることができることを見出し、本発明を完成するに到った。
【０００８】
すなわち、本発明は第１に、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを含有する混合物を蒸留することにより、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを単離する２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法であって、前記蒸留前に、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを含有する混合物を着色物質除去材で処理する工程を設けたことを特徴とする２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの精製方法を提供する。
【０００９】
本発明は第２に、２，５−ビス（アミノメチル）−１，４−ジチアンの無機酸塩のホスゲン化反応を行う工程と、得られたホスゲン化反応生成物を着色物質除去材で処理する工程と、前記着色物質除去材で処理した反応生成物を蒸留することにより、２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを単離する工程とを有する２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンの製造方法を提供する。
【００１０】
本発明の精製方法及び製造方法においては、１０Ｐａ以下の減圧下で２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを含有する混合物の蒸留を行なうのが好ましく、蒸留は分子蒸留であるのがより好ましく、薄膜蒸留であるのがさらに好ましい。
また、本発明の製造方法においては、２，５−ビス（アミノメチル）−１，４−ジチアンの無機酸塩のホスゲン化反応は、トルエン溶媒中で行なうのが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の対象となるＢＩＭＤを含有する混合物としては、ＢＩＭＤを主に含有するものであれば特に制限はないが、ＢＡＭＤと無機酸を有機溶媒中で反応させて得られるＢＡＭＤの無機酸塩に、さらにホスゲンを有機溶媒中で反応させて得られる反応生成物が好適である（下記反応式参照）。
【００１２】
【化１】
2004256398.tif 000002
【００１３】
上記反応に用いられる無機酸としては、ＢＡＭＤと塩を形成するものであれば特に制限はない。例えば、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、硫酸、硝酸、リン酸等を挙げることができる。これらの中でも、取扱い性及び収率よく目的物が得られる観点から、塩化水素が好ましい。
【００１４】
ＢＡＭＤに無機酸を反応させる方法としては、▲１▼有機溶媒にＢＡＭＤを溶解させ、そこへ無機酸を添加する方法、▲２▼有機溶媒中に無機酸を溶解又は懸濁させておき、そこへＢＡＭＤ又はその溶液を添加する方法等が挙げられるが、反応を効率よく行う観点から、▲１▼の方法が好ましい。特に、無機酸として塩化水素を用いる場合は、ＢＡＭＤの有機溶媒溶液に塩化水素ガスを吹き込むことにより、ＢＡＭＤの塩酸塩を効率よく得ることができる。反応は通常０〜１５０℃の温度範囲で円滑に進行し、通常１〜１００時間で完結する。なお、無機酸に水を含む場合には、反応させながら系外に水を追い出しながら行なうのが好ましい。
【００１５】
用いられる有機溶媒としては、反応に不活性な有機溶媒であれば特に制限はない。例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、オルソジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン化芳香族炭化水素；ジオキサン等のエーテル系溶媒；酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類；等が挙げられる。これらの溶媒は、１種単独あるいは２種以上を混合して用いることができる。溶媒の使用量は多くても特に問題はないが、ＢＡＭＤに対して、通常５倍重量以上であり、上限は取扱い性や経済性等の観点から適宜定めることができる。
【００１６】
次に、得られたＢＡＭＤの無機酸塩に、有機溶媒中でホスゲンを反応させる。無機酸塩とホスゲンとの反応（「ホスゲン化反応」という。）は、無機酸塩を単離した後に行っても、単離することなく連続的に行ってもよい。本発明においては、作業効率を向上させ、高収率で目的物を得ることができる観点から、単離することなくホスゲン化反応を行うのが好ましい。
【００１７】
ホスゲン化反応の方法としては、（ｉ）無機酸塩の有機溶媒懸濁液中にホスゲンガスを吹き込む方法、（ｉｉ）予め有機溶媒にホスゲンを溶解させておき、そこへ無機酸塩又はその溶液を添加する方法等が挙げられるが、反応を効率よく行う観点から、（ｉ）の方法が好ましい。
【００１８】
ホスゲン化反応に用いられる溶媒としては、ホスゲン及びＢＩＭＤに対して不活性なものであれば特に制限はないが、沸点が８０〜２００℃の溶媒を用いるのが好ましく、沸点が１００〜２００℃の溶媒を用いるのがより好ましい。沸点が８０℃以下の溶媒では、生成したカルバミルクロリドの脱塩酸の進行が遅くなり、副反応も進行することから高品質のＢＩＭＤが得られなくなるおそれがある。一方、沸点があまりに高い溶媒では着色が著しくなり、蒸留により着色のない高品質のＢＩＭＤを得ることが困難となる。
【００１９】
ホンゲン化反応に用いられる溶媒の具体例としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、オルソジクロロベンゼン、クロロトルエン等の塩素化芳香族炭化水素；ジオキサン等のエーテル系溶媒；酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類；等が挙げられる。これらの溶媒は、１種単独あるいは２種以上を混合して用いることができる。これらの中でも、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素；又はクロロベンゼン、オルソジクロロベンゼン、クロロトルエン等の塩素化芳香族炭化水素の使用が好ましく、トルエン又はモノクロロベンゼンの使用がより好ましく、トルエンの使用が特に好ましい。
【００２０】
溶媒の使用量は特に制限なく、多くても特に問題はないが、無機酸塩に対して、通常５倍重量以上であり、上限は取扱い性や経済性等の観点から適宜定めることができる。
【００２１】
ホスゲン化反応はスラリー状で進行し、反応の進行とともにスラリー濃度が小さくなり、完結時にはわずかな沈殿物を含むほとんど透明な状態になる。また、反応は通常９０〜１８０℃、好ましくは９０〜１３０℃の範囲で円滑に進行するが、反応を１００〜１１０℃の温度範囲で行なった場合には、着色の少ない生成物を得ることができる。反応は、通常１〜１００時間、好ましくは１０〜４０時間で完結する。
【００２２】
ホスゲン化反応終了後は、必要に応じて反応液に窒素ガスを吹き込むか、又は減圧下に未反応のホスゲンガスの除去を行う（脱ガス）。脱ガス後、反応液から不溶物をろ別し、溶媒を留去することにより、ＢＩＭＤを含有する反応混合物を得ることができる。
【００２３】
得られたＢＩＭＤを含有する混合物には、ＢＩＭＤの他に着色の原因と考えられる副生成物やＢＩＭＤの分解物等の不純物が含まれている。これらの不純物は微量であっても着色の原因となるため、蒸留するだけでは、完全に脱色することが困難である場合がある。
本発明は、蒸留を行う前に、ＢＩＭＤを含有する混合物を、着色物質除去材で処理する工程を設けることを特徴とする。
【００２４】
着色物質除去材としては、着色物質を除去（又は吸着）でき、ＢＩＭＤに対して不活性なものであれば特に制限はなく、公知の吸着剤、脱色剤等が挙げられ、例えば、活性炭、中性アルミナ、ゼオライト、合成ゼオライト（モレキュラーシーブス等）、シリカゲル、活性白土、酸性白土、活性アルミナ、酸化マグネシウム等を用いることができる。
【００２５】
本発明においては、これらの中でも、入手容易性、コスト等の観点から活性炭を用いるのが好ましい。活性炭としては、通常の脱色、脱臭、不純物除去等に用いられる公知のものを用いることができる。活性炭は、例えば、木炭、ヤシがら、石炭チャー等の原料を十分に炭化した後、水蒸気による高温処理又は塩化亜鉛等の水溶液で処理・乾留等の方法で賦活させて製造されるもので、一般的には比面積８００〜１２００ｍ２／ｇ、細孔容積０．２〜２ｃｍ３／ｇ、細孔径１〜４ｎｍのものである。活性炭の形状は特に制限なく、粉末、粒状（破砕状、球状、円柱状、繊維状、ハニカム状等に造粒されたものを含む）のもの等、どのような形状のものも用いることができる。また、活性炭は、用いる直前に不活性ガス雰囲気下に加熱処理等により活性化処理したものを使用するのが好ましい。
【００２６】
ＢＩＭＤを含有する混合物を着色物質除去材で処理する方法としては、例えば、ＢＩＭＤを含有する混合物に所定量の着色物質除去材を添加し、所望により加熱下に十分に撹拌した後、活性炭をろ別する方法等が挙げられる。また、この場合、ＢＩＭＤを含有する混合物を適当な低沸点の不活性溶媒に希釈した後に、着色物質除去材で処理することもできる。
【００２７】
着色物質除去材の使用量は、ＢＩＭＤを含有する混合物中の不純物の量に依存するが、ＢＩＭＤ１００重量部に対して、通常０．１〜２０重量部、好ましくは１〜５重量部である。なお、着色物質除去材による処理は、必要に応じて複数回繰り返すこともできる。
【００２８】
次いで、着色物質除去材で処理したのち、ＢＩＭＤを含有する混合物を蒸留することによって、高純度かつ着色の少ないＢＩＭＤを得ることができる。
蒸留は、ＢＩＭＤが熱分解しやすいため、極力低温で、すなわち減圧下に行う。蒸留の減圧度は、好ましくは１０Ｐａ以下、より好ましくは５Ｐａ以下であり、蒸留の温度は、通常１８０℃以下、好ましくは１５０℃以下である。
【００２９】
減圧下で行う蒸留方法としては、いわゆる減圧蒸留法（減圧度：数ｈＰａ〜数Ｐａ）、分子蒸留法（数Ｐａ以下）等が挙げられるが、分子蒸留によるのが好ましい。分子蒸留は、数Ｐａ以下（１０−２Ｔｏｒｒ以下）の高真空下で行なう蒸留であり、分子の蒸発面と凝集面との距離を蒸気分子の平均自由行路以下として、蒸発面を飛出した分子がその飛行を続けるのに障碍となるような衝突をする機会をできるだけ少なくし、かつ、蒸発面と凝集面との温度差を十分大きく保って凝集面からの再蒸発を抑えることができる。この特徴により、分子蒸留は、ＢＩＭＤのごとく熱により分解しやすい物質を単離するのに好適である。本発明においては、分子蒸留の中でも、蒸留効率の観点から、蒸発面（固定板又は回転盤）上に蒸留物の薄膜を形成させて蒸留を行なう薄膜蒸留を行なうのがより好ましい
【００３０】
分子蒸留の方式としては、例えば、塔頂から原料が供給される流下薄膜式、回転面中央部から原料が供給される遠心式等が挙げられる。また、分子蒸留を行なう蒸留装置としては、例えば、カスケード式、薄膜流下式、濡れ壁式、短経路式、ポット式、遠心式（回転薄膜式）、テンシメータ式、薄膜移動式等の各種分子蒸留装置を用いることができる。本発明においては、これらに限定されることなく、種々の方式の分子蒸留装置を用いることができる。
【００３１】
また、本発明においては、より高純度のＢＩＭＤを得るために、蒸留を異なる減圧度で２回以上に分けて行なうのが好ましい。例えば、１００〜１５０℃、１０〜５０Ｐａで１回目の蒸留を行ない揮発分を留去したのち、未揮発分のみを１〜１０Ｐａで２回目の蒸留を行なう方法、０．５〜１０Ｐａで蒸留を行なったのち、さらに減圧度を下げて再蒸留を行なう方法等が挙げられる。また、同じ減圧度で蒸留を複数回繰り返すこともできる。これらの方法により、着色の少ない高純度のＢＩＭＤを得ることができる。
【００３２】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
還流冷却機、温度計、ガス吹込管及び撹拌機を備えた３リットル（Ｌ）のフラスコに、脱水したトルエン２．５Ｌ及びＢＡＭＤ１８３．８ｇを仕込んだ。次いで、撹拌下、９５℃まで昇温したのち、９５〜１０１℃の温度を保ちながら、塩化水素ガス９５ｇを１９０分かけて吹き込んだ。塩化水素の吹き込み終了後、１時間かけて１１０℃まで昇温した。その後、１０６〜１０８℃の温度に保ちながら、ホスゲンガスを８１ｇ／時間で６時間、さらに、５４ｇ／時間で１２時間、３６ｇ／時間で１２時間吹き込んだ（トータルでホスゲン化反応時間は３０時間）。反応終了後ろ過し、ろ液を濃縮して粗ＢＩＭＤ２１４ｇを得た。このときのＢＩＭＤの純度は９６．６％であり、純分収率は９４％であった。
【００３３】
次に、得られた粗ＢＩＭＤ２０６ｇに加熱処理した活性炭を６．２ｇ（３重量％）添加して、６０℃で２時間撹拌した後、活性炭をろ別してろ液１８８ｇを得た。また、活性炭に付着したＢＩＭＤはトルエン２００ｇで処理し、１７ｇのＢＩＭＤを回収した。このろ液１７６ｇを１３０℃、３０〜４０Ｐａで真空薄膜蒸留し、揮発分９．９ｇを除き、未揮発分１６３．７ｇを得た。この未揮発分を再度１３０℃、５Ｐａで薄膜蒸留し、留出分として１２４．２ｇのＢＩＭＤを得た（トータル収率６６％）。また、残渣は４１．７ｇだった。
得られたＢＩＭＤは純度９９．６％の無色透明液体であり、ＡＰＨＡ（色相：ハーゼンＮｏ．）は３０であった。
【００３４】
（実施例２）
還流冷却機、温度計、ガス吹込管及び撹拌機を備えた３Ｌのフラスコに、脱水したモノクロロベンゼン２．５Ｌ及びＢＡＭＤ１６５．０ｇを仕込んだ。次に、撹拌下、９５℃まで昇温した後、９５〜１０１℃に保持しながら、撹拌下、塩化水素ガス８６ｇを１７０分かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、１１８℃まで１時間かけて昇温した。その後、１１８〜１２６℃に保持しながら、ホスゲンガスを８５ｇ／時間で７時間、６０ｇ／時間で７時間及び４０ｇ／時間で９時間（トータルホスゲン化反応時間：２３時間）吹き込んだ。反応終了後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮することにより、粗ＢＩＭＤ２０９．６ｇを得た。このものの純度は９５．１％、純分収率は９６．０％であった。
【００３５】
次に、得られた粗ＢＩＭＤ１９９ｇに加熱処理した活性炭５．９７ｇ（３重量％）を添加して、６０℃で２時間撹拌した。このものをろ過し、活性炭処理された粗ＢＩＭＤ１８１．６ｇを得た。このものの１７０ｇを、１３０℃、３０〜４０Ｐａの減圧下に真空薄膜蒸留して揮発分１１．０ｇを除き、未揮発分１５８．０ｇを得た。この未揮発分を１３０℃、５Ｐａの減圧下で薄膜蒸留して留出分としてＢＩＭＤ１１３．６ｇを得た（トータル収率６３．９％）。また、残渣は４２．５ｇであった。
得られたＢＩＭＤの純度は９９．６％の無色透明液体であり、ＡＰＨＡは３０であった。
【００３６】
（比較例１）
還流冷却機、温度計、ガス吹込管及び撹拌機を備えた３Ｌのフラスコに、脱水したモノクロロベンゼン２．３Ｌ及びＢＡＭＤ１６０．５ｇを仕込んだ。次に、撹拌下、１０５℃まで昇温した後、１０５〜１１５℃に保持しながら、撹拌下、塩化水素ガス９９ｇを１３０分かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、１２０℃まで１時間かけて昇温した。その後、１１８〜１２３℃に保持しながら、ホスゲンガスを８５ｇ／時間で６時間、６０ｇ／時間で７時間及び４０ｇ／時間で７時間（トータルホスゲン化反応時間：２０時間）吹き込んだ。反応終了後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮することにより、粗ＢＩＭＤ２０２．８ｇを得た。このものの純度は９６．２％、純分収率は９４．１％であった。
【００３７】
次に、得られた粗ＢＩＭＤ１９２．０ｇを、１３０℃、２０〜３０Ｐａの減圧下に真空薄膜蒸留して揮発分１４．８ｇを除き、未揮発分１７４．５ｇを得た。この未揮発分を１３０℃、４〜５Ｐａの減圧下で薄膜蒸留して留出分としてＢＩＭＤ１３１．８ｇを得た（トータル収率６４％）。また、残渣は３９．０ｇであった。得られたＢＩＭＤの純度は９９．２％の淡黄色透明液体であり、ＡＰＨＡは２００であった。
【００３８】
（比較例２）
還流冷却機、温度計、ガス吹込管及び撹拌機を備えた３Ｌのフラスコに、脱水したモノクロロベンゼン２．３Ｌ及びＢＡＭＤ１５６．８ｇを仕込んだ。次に、撹拌下、９５℃まで昇温した後、９５〜１０１℃に保持しながら、撹拌下、塩化水素ガス８１．３ｇを１７０分かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、１１８℃まで１時間かけて昇温した。その後、１１８〜１２６℃に保持しながら、ホスゲンガスを８５ｇ／時間で７時間、６０ｇ／時間で８時間及び４０ｇ／時間で８時間（トータルホスゲン化反応時間：２３時間）吹き込んだ。反応終了後、反応液をろ過し、ろ液を濃縮することにより、粗ＢＩＭＤ１９９．２ｇを得た。このものの純度は９５．１％、純分収率は９６．０％であった。
【００３９】
次に、得られた粗ＢＩＭＤ１９２．８ｇを、ヴィグリュー管付き蒸留装置により加熱温度１７０〜１８５℃、５０〜２３０Ｐａの減圧下に真空蒸留して、初留分２７．１ｇ、本留分１２４．１ｇ、残渣３７．８ｇを得た。本留分がＢＩＭＤであり、そのＡＰＨＡは６０であった。
【００４０】
次いで、本留分を加熱温度１７１〜１９１℃、２０〜４０Ｐａで再度真空蒸留し、初留分２０．０ｇ、本留分８８．２ｇ及び残渣１１．１ｇを得た。本留分のＢＩＭＤは、純度９９．５％の無色透明液体であり、ＡＰＨＡは１０〜２０であった。１４．８ｇを除き、未揮発分１７４．５ｇを得た。また、トータル収率は４３．７％であった。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の精製方法によれば、従来の製造方法に大幅な変更を加えることなく簡便な操作により、着色の少ない高純度な２，５−ビス（イソシアナトメチル）−１，４−ジチアンを単離・精製することができる。
また、本発明の製造方法によれば、高純度かつ着色の少ない２，５−ビス（イソシアナト２メチル）−１，４−ジチアンを工業的に有利に製造することができる。