(57)【要約】【課題】従来の多数個取り配線基板では、分割溝の形成位置がずれた場合に、導通パターンによる高周波信号の損失が大きくなってしまう。【解決手段】母基板の主面に分割線６で区切られた略四角形の配線基板領域が縦横に配列形成され、隣接する配線基板領域の間で分割溝６を横切るように複数の絶縁層１ａ〜１ｃの間に、または絶縁層１ａ〜１ｃの間と母基板の主面とに形成された配線パターン２を有し、分割溝６を跨がって配線パターン２を貫通する貫通孔７’が形成された多数個取り配線基板において、貫通孔７’は、配線パターン２が両方の配線基板領域側でグランド配線Ｇとされている第１の貫通孔７ｂ’と、一方でシグナル配線Ｓとされ、他方でグランド配線Ｇとされている第２の貫通孔７ａ’とからなり、第１の貫通孔７ｂ’は内周面の全面に、第２の貫通孔７ａ’はシグナル配線Ｓとグランド配線Ｇとの間の絶縁層のみの内周面に導体が形成されている。【選択図】　図６
2004006437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスから成る絶縁層を複数積層して成る母基板の主面に分割線で区切られた略四角形の複数の配線基板領域が縦横に配列形成され、隣接する配線基板領域の間で前記分割溝を横切るように複数の前記絶縁層の間に、または前記絶縁層の間と前記母基板の前記主面とに形成された複数の配線パターンを有するとともに、前記分割溝を跨がって前記配線パターンを貫通する貫通孔が形成された多数個取り配線基板において、
前記貫通孔は、それが貫通する前記配線パターンが隣接する両方の前記配線基板領域側でいずれもグランド配線とされている第１の貫通孔と、それが貫通する前記配線パターンが隣接する一方の前記配線基板領域側でシグナル配線とされ、他方の前記配線基板領域側でグランド配線とされている第２の貫通孔とからなり、
前記第１の貫通孔はそれが貫通する全ての前記絶縁層にわたって内周面に導体が形成されており、前記第２の貫通孔は前記シグナル配線と前記グランド配線との間の前記絶縁層のみにおいて内周面に導体が形成されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記第２の貫通孔は、前記内周面に前記導体が形成されている領域の径が他の領域の径より小さいことを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一つの母基板から多数個の配線基板を分割して作製するための多数個取り配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波信号で作動する半導体素子を搭載する配線基板のうち、リードレスチップキャリア（ＬＣＣ）タイプのパッケージに用いたものの分解斜視図を図８に示す。同図に示すように、このＬＣＣタイプの配線基板は、一般に上面に半導体素子１４が載置される載置部１１ｄを有するアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス等のセラミック基板を複数枚積層した基体１１から成る。
【０００３】
この基体１１の第１のセラミック基板１１ａ，第２のセラミック基板１１ｂの側面に溝を設けるとともに、その溝の内面に電解メッキ層等から成る導電部を設ける。そして、外部の実装基板（図示せず）と、配線基板内部に形成されシグナル（Ｓ）ラインとグランド（Ｇ）ラインが形成された配線パターン１２とが、電極パッド（外部接続端子）１７により、電気的に接続される。この電極パッド１７は上記の溝の内面に形成された導電部から成る。
【０００４】
また、基体１１の第３のセラミック基板１１ｃの側面には、蓋体１３との接合面積を大きくして蓋体１３の基体１１に対する接合を強固なものとするために、第１のセラミック基板１１ａ，第２のセラミック基板１１ｂのような溝は形成されておらず、この第３のセラミック基板１１ｃは所謂シールリングとしての機能を有する。
【０００５】
このような配線基板は、非常に小型であるため母基板となる１枚のセラミックグリーンシートに分割溝を設け、これを複数枚積層し焼結してセラミックスとした後に電解メッキを施し、その後分割溝で分割することにより個々の配線基板とするといった所謂多数個取りにより製造するのがよい。この多数個取りにより製造した方が、分割された個々のセラミックグリーンシートを積層し焼結するよりも製造を非常に容易にでき、またコストを低く抑えることができる。
【０００６】
そのため、基体１１は、図９〜図１１のそれぞれの部分拡大平面図に示す、第１のセラミック基板１１ａ，第２のセラミック基板１１ｂ，第３のセラミック基板１１ｃ用のセラミックグリーンシートを積層し、焼結してセラミックスとした後に電解メッキを施し、その後分割溝１６で分割することにより配線基板用の基体１１として作製される。
【０００７】
第１のセラミック基板１１ａとなるセラミックグリーンシート上には、図９に部分拡大平面図を示すように、半導体素子１４の載置部１１ｄが設けられるとともに貫通孔１７’が設けられ、この貫通孔１７’の略中央部を横断するように跨がって分割溝１６が設けられている。
【０００８】
また、第２のセラミック基板１１ｂとなるセラミックグリーンシートには、図１０の部分拡大平面図および図１２の要部平面図に示すように、分割溝１６と中央部の貫通孔（開口）１１ｂ’とが形成されるとともに、略中央部が分割溝１６を跨るようにして形成され、個々の配線基板に分割された際に電極パッド１７を構成する貫通孔１７’が設けられる。さらに、この貫通孔１７’の分割溝１６に対して両側に接続されるように配線パターン１２が形成される。また、これら貫通孔１７’の内周面と配線パターン１２とに電解メッキを施すために、貫通孔１７’間で分割溝１６を横切るように葛折状に導通パターン１５が形成されている。
【０００９】
また、第３のセラミック基板１１ｃとなるセラミックグリーンシートには、図１１に部分拡大平面図を示すように、図１０および図１２の中央部の貫通孔１１ｂ’よりも若干大きく設けられた貫通孔１１ｃ’が分割溝１６とともに形成されている。
【００１０】
このような電極パッド１７，配線パターン１２および導通パターン１５は、タングステンや銅等の金属粉末メタライズから成り、例えば、タングステン粉末と有機溶剤，バインダとからなる金属ペーストを基体１１となる各セラミックグリーンシートの表面（溝表面を含む）に所定パターンに印刷塗布しておくことにより形成される。
【００１１】
なお、図１３の従来の配線基板の断面図に示すように、第１のセラミック基板１１ａの貫通孔１７’内周面における電解メッキは、第１のセラミック基板１１ａと第２のセラミック基板１１ｂとを積層した際に、それぞれの貫通孔１７’が接触し導通することにより行なわれる。
【００１２】
このように、電解メッキ用の導通パターン１５は、電解メッキする際に全ての貫通孔１７’および配線パターン１２を電気的に接続することができ、さらには、個々の配線基板に分割溝１６で分割した際に分割面で導通パターン１５が切断されるため、各々の配線パターン１２を電気的に短絡させることはない。
【００１３】
このような基体１１は、その載置部１１ｄに半導体素子１４が金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）等の低融点ロウ材や樹脂接着剤で接合されるとともに、配線パターン１２に半導体素子１４の電極がボンディングワイヤ（図示せず）を介して電気的に接続される。さらに、基体１１の上面に、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料や、アルミナセラミックス，窒化アルミニウムセラミックス等のセラミックスから成る蓋体１３が、シーム溶接等による溶接や、金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等の低融点ロウ材による接着により接合される。このようにして半導体素子１４を内部に収納した製品としての半導体装置となる。
【００１４】
このような半導体装置は、その電極パッド１７を介して外部の実装基板に錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田等の低融点半田で電気的に接続され、実装基板との高周波信号の授受により半導体素子１４を作動させる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の多数個取り配線基板では、貫通孔および配線パターン１２を電気的に接続するために導通パターンを設けておく必要があり、個々の配線基板に分割したときに、この導通パターンの切れ端が配線パターン１２から延びたようにして残留するため、特に半導体素子１４の動作周波数がＧＨｚ帯に高周波化したときの信号の迂回伝送による損失が非常に大きくなってしまうという問題点があった。
【００１６】
また、従来の多数個取り配線基板においては、貫通孔の内壁面全体に一様に導体が被着されていたため、特にシグナル（Ｓ）ラインが形成される貫通孔の露出面積が大きくなり過ぎ、半導体素子１４の動作周波数がＧＨｚ帯に高周波化したときの信号の迂回伝送による損失が非常に大きくなってしまうという問題点があった。
【００１７】
本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、配線パターンのシグナルラインを伝送する高周波信号の伝送特性を円滑なものとすることにより、半導体素子の高周波信号による作動性を良好なものとすることができる配線基板を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の多数個取り配線基板は、セラミックスから成る絶縁層を複数積層して成る母基板の主面に分割線で区切られた略四角形の複数の配線基板領域が縦横に配列形成され、隣接する配線基板領域の間で前記分割溝を横切るように複数の前記絶縁層の間に、または前記絶縁層の間と前記母基板の前記主面とに形成された複数の配線パターンを有するとともに、前記分割溝を跨がって前記配線パターンを貫通する貫通孔が形成された多数個取り配線基板において、前記貫通孔は、それが貫通する前記配線パターンが隣接する両方の前記配線基板領域側でいずれもグランド配線とされている第１の貫通孔と、それが貫通する前記配線パターンが隣接する一方の前記配線基板領域側でシグナル配線とされ、他方の前記配線基板領域側でグランド配線とされている第２の貫通孔とからなり、前記第１の貫通孔はそれが貫通する全ての前記絶縁層にわたって内周面に導体が形成されており、前記第２の貫通孔は前記シグナル配線と前記グランド配線との間の前記絶縁層のみにおいて内周面に導体が形成されていることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の多数個取り配線基板によれば、上記の構成により、配線パターンが隣接する両方の配線基板領域側でいずれもグランド配線とされている第１の貫通孔と、配線パターンが隣接する一方の配線基板領域側でシグナル配線とされ、他方の配線基板領域側でグランド配線とされている第２の貫通孔とからなることから、グランド配線の一部に電解めっき用の導通をとることにより、全てのグランド配線およびシグナル配線に電解めっき用の導通をとることができるため、配線基板に導通用の引き出し配線（導通パターン）を引いておく必要がないので、余分な配線パターン（導通パターン）による信号用の配線パターンを伝搬する高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。
【００２０】
また上記構成において、それが貫通する配線パターンが隣接する一方の配線基板領域側でシグナル配線とされ、他方の配線基板領域側でグランド配線とされている第２の貫通孔は、シグナル配線とグランド配線との間の絶縁層のみにおいて内周面に導体が形成されていることから、余分なシグナル配線の露出が小さなものとなるため、信号用の配線パターンを伝搬する高周波信号の伝送損失をより一層小さくすることができる。
【００２１】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記第２の貫通孔は、前記内周面に前記導体が形成されている領域の径が他の領域の径より小さいことを特徴とするものである。
【００２２】
このように、第２の貫通孔について内周面に導体が形成されている領域の径を他の領域の径より小さくした場合には、余分なシグナル配線の露出が極めて小さなものとなるため、信号用の配線パターンを伝搬する高周波信号の伝送損失をさらに一層小さくすることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の多数個取り配線基板を以下に詳細に説明する。図１は本発明の多数個取り配線基板を分割することにより作製された個々の配線基板の実施の形態の一例を示す分解斜視図、図２〜図４は積層前の各セラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図、図５は本発明の多数個取り配線基板における導通パターンの形成の例を示す要部平面図、図６は本発明の多数個取り配線基板を分割することにより作製された個々の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。これらの図において、１は基体、２は配線パターンである。これらの基体１および配線パターン２により配線基板が形成され、蓋体３等で半導体素子４を気密封止することにより半導体装置が構成される。このような個々の配線基板は、セラミックスから成る一つの母基板に分割後に配線基板となる配線基板領域が分割溝で区切られて縦横に配列された多数個取り配線基板を、分割線に沿って分割することにより製作される。
【００２４】
基体１は、その上面に凹部を有するとともに、その外側側面に、内周面に電解メッキが施され電極パッド７となる溝が設けられ、例えば、アルミナセラミックス，窒化アルミニウムセラミックス等の各種セラミックスから成る。また、基体１の凹部の底面に半導体素子４を載置固定する載置部１ｄを有している。このような基体１は、半導体素子４の載置固定部材として機能し、また基体１となるセラミックスから成る母基板用の材質は半導体素子４の電気特性に応じて適宜選定される。
【００２５】
また、この基体１は、例えばアルミナセラミックスから成る場合であれば、以下のようにして作製される。まず、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に有機バインダ，溶剤等を添加混合してペーストを作製する。そのペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用することによって、１枚または複数枚から成る、第１のセラミック基板１ａ，第２のセラミック基板１ｂ，第３のセラミック基板１ｃとなるセラミックグリ−ンシートを作製する。これらのセラミックグリーンシートに、必要に応じて貫通孔７’および各配線基板領域の中央部に設けられる半導体素子４ａを収容する凹部となる貫通孔１ｂ’，１ｃ’を形成するための打ち抜き加工を施し、しかる後、配線パターン２や導通パターン５となる部位や貫通孔７’内周面に、モリブデン（Ｍｏ）−マンガン（Ｍｎ）やタングステン（Ｗ）等の金属ペーストを印刷塗布する。そして、これらを積層するとともに約１６００℃の温度で焼結することにより作製される。
【００２６】
このような基体１の第１のセラミック基板１ａとなる第１のセラミックグリーンシートの一方の主面には、図２の部分拡大平面図に示すように、分割溝６で区切られた長方形等の略四角形の配線基板領域が縦横に配列形成される。この配線基板領域内に半導体素子４の載置部１ｄが設けられる。また、この分割溝６の線上に貫通孔７’が設けられる。即ち、この貫通孔７’の略中央部を横断するように跨がって分割溝６が設けられる。この貫通孔７’は、同じ構成の配線基板を多数形成するために、各配線基板領域同士で分割溝６上の同様の箇所に形成される。
【００２７】
基体１の第２のセラミック基板１ｂとなる第２のセラミックグリーンシートの一方の主面には、図３の部分拡大平面図ならびに図５の要部平面図に示すように、第１のセラミックグリーンシート上の分割溝６に対応する分割溝６で区切られた、半導体素子４を取り囲むための貫通孔１ｂ’が中央に形成された、外形が四角形で枠状の配線基板領域が縦横に配列形成される。各配線基板領域では、分割溝６上に貫通孔７’が形成される。即ち、第２のセラミックグリーンシートの貫通孔７’の略中央部を横断するように跨がって第２のセラミックグリーンシート上に分割溝６が設けられる。
【００２８】
第２のセラミックグリーンシートの貫通孔７’から貫通孔１ｂ’側に延びる配線パターン２を形成するに際し、各配線基板領域において、信号〔シグナル（Ｓ）〕用の配線パターン２と接地〔グランド（Ｇ）〕用の配線パターン２とが、例えば交互に配置されるように形成する。この場合、貫通孔７’がなければ、配線パターン２は互いに隣接する配線基板領域同士の間で分割溝６を横切って形成される。
【００２９】
また貫通孔７’は、隣接する両方の配線基板領域側でグランド配線Ｇとされている第１の配線パターン２を貫通する第１の貫通孔７ｂ’と、隣接する一方の配線基板領域側でシグナル配線Ｓとされ、他方の配線基板領域側でグランド配線Ｇとされている第２の配線パターン２を貫通する第２の貫通孔７ａ’とで形成されている。即ち、第２の貫通孔７ａ’に対して、一方に信号用の配線パターン２が、他方に接地用の配線パターン２が配置されるように形成されるものであり、このように信号用の配線パターン２（シグナル配線Ｓ）と接地用の配線パターン２（グランド配線Ｇ）とを組み合わせて配置することが重要である。
【００３０】
このような組合せとすることにより、配線基板に隣接する配線パターン２間の導通用の引き出し配線（導通パターン）を引いておく必要がないので、余分な配線パターン２が付加されることによる、信号用の配線パターン２を伝搬する高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。
【００３１】
また、図６の断面図に示すように、配線パターン２が隣接する一方の配線基板領域側でシグナル配線Ｓとされ、他方の配線基板領域側でグランド配線Ｇとされている第２の貫通孔７ａ’は、シグナル配線Ｓとグランド配線Ｇとの間の絶縁層１のみにおいて内周面に導体が形成されていることから、余分なシグナル配線Ｓの露出が小さなものとなるため、信号用の配線パターン２を伝搬する高周波信号の伝送損失をより一層小さくすることができる。
【００３２】
さらに、図７の断面図に示すように、配線パターン２が隣接する一方の配線基板領域側でシグナル配線Ｓとされ、他方の配線基板領域側でグランド配線Ｇとされている第２の貫通孔７ａ’は、シグナル配線Ｓとグランド配線Ｇとの間の絶縁層１のみにおいて内周面に導体が形成されるようにしておくとともに、その内周面に導体が形成された領域の径を他の領域の径よりも小さいものとしておくと、余分なシグナル配線Ｓの露出が極めて小さなものとなるため、信号用の配線パターン２を伝搬する高周波信号の伝送損失をさらに一層小さくすることができる。
【００３３】
この場合、第２の貫通孔７ａ’の内周面に導体が形成された領域の径は、他の領域の径よりも、１／５乃至３／４となるように、小さくしておくことが好ましい。
【００３４】
第２の貫通孔７ａ’の内周面に導体が形成された領域の径が、他の領域の径の１／５未満の場合は、第２の貫通孔７ａ’の内周面に導体が形成された領域の孔が微細になりすぎてしまい、後述するように第２の貫通孔７ａ’の内周面にニッケル（Ｎｉ）メッキ，金（Ａｕ）メッキ等の耐食性に優れた電解メッキを施す際に、めっき液が十分に第２の貫通孔７ａ’内を循環しないことにより、内周に形成された導体上に無メッキ等の不具合が発生するおそれがある。
【００３５】
また、３／４を超える場合は、余分なシグナル配線Ｓの露出が小さく高周波信号の伝送損失を小さくすることはできるものの、さらに一層の伝送損失の低減を図ることは困難となり、さらに高周波の信号を伝搬させた場合、伝送損失を効果的に低減することが困難となる傾向がある。
【００３６】
なお、シグナルラインは、配線パターン２とそれに接続された電極パッド７の導体とで構成される高周波信号の伝送路であり、グランドラインは、配線パターン２とそれに接続された電極パッド７の導体とで構成される接地電位の導電路である。
【００３７】
このような配線パターン２自体の構成は、信号用と接地用とで特に区別されるものではないが、シグナルラインの左右両隣にグランドラインを形成しておく方が、インピーダンス特性を良好なものとできる。
【００３８】
第３のセラミック基板１ｃとなる第３のセラミックグリーンシートの主面には、図４に示すように、第２のセラミックグリーンシート上の分割溝６に対応する分割溝６で区切られた、中央部に貫通孔１ｃ’が形成された外形が四角形で枠状の基板領域が縦横に配列形成されている。また、図４の部分拡大平面図に示すように、図３および図５の貫通孔１ｂ’よりも開口幅が若干大きく形成された貫通孔１ｃ’が形成される。これは、図１に示すように、基体１の凹部を下方に向かって段階的に狭くする構成とするためである。
【００３９】
この第３のセラミック基板１ｃは、その上面が、半導体素子４を封止するための蓋体３がシーム溶接等による溶接や金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等の低融点ロウ材による接着により強固に接合されるシール部材、所謂シールリングとして機能する。また、その枠の幅は接合強度を維持するような適度な大きさとされる。
【００４０】
なお、図６および図７の断面図に示すように、第１のセラミック基板１ａの貫通孔７’内周面における電解メッキは、第１のセラミック基板１ａと第２のセラミック基板１ｂとを積層した際に、それぞれの貫通孔７’が接触し導通することにより行なわれる。また、積層し焼結した後にニッケル（Ｎｉ）メッキ，金（Ａｕ）メッキ等の耐食性に優れた電解メッキを施す際に、全ての貫通孔７’および配線パターン２がを電気的に接続されるが、個々の配線基板に分割した際には、分割面で貫通孔７’が切断されるため、各々の配線パターン２を電気的に短絡させることはない。
【００４１】
かくして、本発明の多数個取り配線基板は、基体１の略中央部に設けられる貫通孔１ｂ’，１ｃ’と、基体１の外側側面に設けられ、貫通孔７’を縦方向に分割して形成された溝から成り外部との電気的接続を行なう電極パッド７となる溝と、第１，第２，第３の各セラミックグリーンシートに設けられた貫通孔７’の上端開口の略中央部を横断する分割溝６と、第２のセラミックグリーンシートに設けられた貫通孔７’の分割溝６に対して両側に接合され、半導体素子４との電気的接続を行なう配線パターン２とを有する配線基板領域が縦横に形成された構造を有する。
【００４２】
図１に示す例の場合、各配線基板は、貫通孔１ｂ’，１ｃ’と、貫通孔７’と、分割溝６と、配線パターン２とが設けられた、第１〜第３のセラミックグリーンシートを積層し焼結し電解メッキを施した後、第１，第２，第３の各セラミックグリーンシートを上下方向で重なるように対応する分割溝６で分割することにより作製される。その結果、この配線基板の上面には凹部が形成され、この凹部底面に半導体素子４を載置する載置部１ｄを有する基体１を有するものとなる。
【００４３】
即ち、上面に半導体素子４を載置する載置部１ｄを有する第１のセラミック基板１ａと、第１のセラミック基板１ａ上面に積層され、半導体素子４と外部との電気的接続を行なう枠状の第２のセラミック基板１ｂと、第２のセラミック基板１ｂ上面に積層され、上面に半導体素子４を封止する蓋体３を接合するための枠状の第３のセラミック基板１ｃとから成る基体１を具備した配線基板と成る。
【００４４】
また、本発明の多数個取り配線基板により形成される個々の配線基板は、図１のような基体１の上面に凹部を形成したものに限らず、平板状の基体の上面の周縁部にキャップ状の蓋体を接合させたものであってもよい。
【００４５】
このように、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、焼結し電解メッキが施されて成る各セラミック基板１ａ，１ｂ，１ｃを分割溝６で分割し基体１と成した後、載置部１ｄに半導体素子４を金（Ａｕ）−ゲルマニウム（Ｇｅ）等の低融点ロウ材や樹脂接着剤を介して載置固定し、半導体素子４の電極を配線パターン２にボンディングワイヤを介して電気的に接続する。その後、基体１の上面に鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，鉄−ニッケル合金等の金属材料や、アルミナセラミックス，窒化アルミニウムセラミックス等のセラミックスから成る蓋体３が、シーム溶接等による溶接や金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田等の低融点ロウ材による接着により接合され、半導体素子４を内部に収納した製品としての半導体装置となる。
【００４６】
このような半導体装置は、その電極パッド７を介して外部の実装基板に錫（Ｓｎ）−鉛（Ｐｂ）半田等の低融点半田で竜気的に接続され、実装基板との高周波信号の授受により半導体素子４を作動させる。
【００４７】
なお、本発明は上記の実施の形態の例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行なうことは何等支障ない。
【００４８】
例えば、高周波信号で作動する発光素子の一種である半導体レーザ（ＬＤ）等の光素子を収納する光半導体素子収納用パッケージを形成するための配線基板の場合においても、本発明を適用できる。
【００４９】
また、母基板を形成する絶縁材料や配線パターン２を形成する導体材料には、セラミックスや金属ペーストの他にも、多数個取り配線基板に使用できる種々の絶縁材料や導体材料を用いることができる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の多数個取り配線基板によれば、セラミックスから成る絶縁層を複数積層して成る母基板の主面に分割線で区切られた略四角形の複数の配線基板領域が縦横に配列形成され、隣接する前記配線基板領域の間で前記分割溝を横切るように複数の前記絶縁層の間に、または前記絶縁層の間と前記母基板の前記主面とに形成された複数の配線パターンを有するとともに、前記分割溝を跨がって前記配線パターンを貫通する貫通孔が形成された多数個取り配線基板において、前記貫通孔は、それが貫通する前記配線パターンが隣接する両方の前記配線基板領域側でいずれもグランド配線とされている第１の貫通孔と、それが貫通する前記配線パターンが隣接する一方の前記配線基板領域側でシグナル配線とされ、他方の前記配線基板領域側でグランド配線とされている第２の貫通孔とからなることから、グランド配線の一部に電解めっき用の導通をとることにより、全てのグランド配線およびシグナル配線に電解めっき用の導通をとることができるため、配線基板に導通用の引き出し配線（導通パターン）を引いておく必要がないので、余分な配線パターン（導通パターン）による信号用の配線パターンを伝搬する高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。
【００５１】
また、本発明の多数個取り配線基板によれば、上記構成において、それが貫通する前記配線パターンが隣接する一方の前記配線基板領域側でシグナル配線とされ、他方の前記配線基板領域側でグランド配線とされている第２の貫通孔は前記シグナル配線と前記グランド配線との間の前記絶縁層のみにおいて内周面に導体が形成されていることから、余分なシグナル配線の露出が小さなものとなるため、信号用の配線パターンを伝搬する高周波信号の伝送損失をより一層小さくすることができる。
【００５２】
さらに、本発明の多数個取り配線基板によれば、上記構成において、第２の貫通孔について内周面に導体が形成されている領域の径を他の領域の径より小さくした場合には、余分なシグナル配線の露出が極めて小さなものとなるため、信号用の配線パターンを伝搬する高周波信号の伝送損失をさらに一層小さくすることができる。
【００５３】
以上により、本発明によれば、配線パターンのシグナルラインを伝送する高周波信号の伝送特性を円滑なものとすることにより、半導体素子の高周波信号による作動性を良好なものとすることができる配線基板を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多数個取り配線基板を分割することにより作製された個々の配線基板の実施の形態の一例を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の多数個取り配線基板における第１のセラミック基板となる積層前の第１のセラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図である。
【図３】本発明の多数個取り配線基板における第２のセラミック基板となる積層前の第２のセラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図である。
【図４】本発明の多数個取り配線基板における第３のセラミック基板となる積層前の第３のセラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図である。
【図５】本発明の多数個取り配線基板における配線パターンの形成の一例を示す第２のセラミックグリーンシートの要部平面図である。
【図６】本発明の多数個取り配線基板を分割することにより作製された個々の配線基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図７】本発明の多数個取り配線基板を分割することにより作製された個々の配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図８】従来の配線基板を示す分解斜視図である。
【図９】従来の多数個取り配線基板における第１のセラミック基板となる積層前のセラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図である。
【図１０】従来の多数個取り配線基板における第２のセラミック基板となる積層前のセラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図である。
【図１１】従来の多数個取り配線基板における第３のセラミック基板となる積層前のセラミックグリーンシートを示す部分拡大平面図である。
【図１２】図１０の導通パターンを示すセラミックグリーンシートの要部平面図である。
【図１３】従来の配線基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１：基体
１ａ：第１のセラミック基板
１ｂ：第２のセラミック基板
１ｃ：第３のセラミック基板
２：配線パターン
３：蓋体
４：半導体素子
６：分割溝
７’：貫通孔
７ａ’：第２の貫通孔
７ｂ’：第１の貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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