(57)【要約】【課題】導電性の反応生成物がチャンバ内壁面や導電部に付着・堆積した場合でも、アンテナとチャンバ内壁面との絶縁不良による異常放電の発生を防止できる絶縁部材並びに該絶縁部材を用いたプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】プラズマ生成領域を画定する誘導体本体５と、誘導体本体５内部に設けられているアンテナ４と、誘導体本体５とアンテナ４とを接続し、且つ誘導体本体５と絶縁されている高周波ケーブル３と、を備えているプラズマＣＶＤ装置であって、上記の高周波ケーブル３の表面に接するように周設されている取付け部１１と、上記高周波ケーブル３の表面に接することなく取り囲んでいる縁部１３と、取付け部１１から縁部１３まで連続する形状で形成されており、上記高周波ケーブル３を取り囲むように形成されている凹部を有する筒状部１２とを備えている絶縁部材１が、上記高周波ケーブル３に設けられている。【選択図】　図２
2004011021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁されている第１の領域と第２の領域とを接続する接続部の表面に導電性物質が堆積することにより、第１の領域と第２の領域とが電気的に接続されることを防止する絶縁部材であって、
上記接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、
上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、
取付け部から縁部まで連続する形状で形成されている筒状部とを備えており、
上記筒状部は、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有することを特徴とする絶縁部材。
【請求項２】
プラズマ生成領域を画定する誘導体本体と、誘導体本体内部に設けられているアンテナと、誘導体本体とアンテナとを接続し、且つ誘導体本体と絶縁されている接続部と、を備えているプラズマＣＶＤ装置のプラズマ放電よって発生する反応生成物により誘導体本体とアンテナとが電気的に接続されることを防止する絶縁部材であって、
上記接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、
上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、
取付け部から縁部まで連続する形状で形成されている筒状部とを備えており、
上記筒状部は、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有することを特徴とする絶縁部材。
【請求項３】
プラズマ生成領域を画定する誘導体本体と、誘導体本体内部に設けられているアンテナと、誘導体本体とアンテナとを接続し、且つ誘導体本体と絶縁されている接続部と、を備えているプラズマＣＶＤ装置であって、
上記の接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、取付け部から縁部まで連続する形状で形成されており、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有する筒状部と、を備えている絶縁部材が、上記接続部に設けられていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
上記誘導体本体の外部に高周波電源をさらに備えており、
上記接続部が、上記アンテナと上記高周波電源とを電気的に接続している導電部であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
上記接続部が、上記アンテナを上記誘導体本体内部に固定するアンテナ支持部であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電結合アンテナを備えたプラズマＣＶＤ装置に関し、特に、異常放電を防ぐための絶縁部材並びに該絶縁部材を備えたプラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アンテナに高周波電流を流し、その誘導でプラズマを生成させるプラズマ処理装置は、プラズマエッチングや、蒸着処理、レジスト除去処理、高密度プラズマによるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等に利用されている。
【０００３】
図４は、従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。この図４に示すように、従来の誘導結合アンテナを備えたプラズマＣＶＤ装置は、高周波ケーブル５３と、アンテナ５４と、チャンバ５５と、被薄膜形成物５６と、高周波電源５７と、石英板５８とを備えている。チャンバ５５は、プラズマ処理を行う処理室を画定している誘電体本体である。石英板５８は、窓を構成するものである。アンテナ５４は、石英板５８の上部に設けられており、高周波ケーブル５３を介して、チャンバ５５の外部に設けられている高周波電源５７と電気的に接続されている。また、高周波電源５７は高周波電流を発生させるものである。高周波電源５７にて発生させた高周波電流は、高周波ケーブル５３を通じてアンテナ５４に流れるようになっており、その誘導によりプラズマを発生させる。この発生させたプラズマにより、被薄膜形成物５６の表面に薄膜を形成させる。
【０００４】
ところが、このような従来のプラズマＣＶＤ装置では、アンテナ５４から発生する電界が強いチャンバ５５内壁面の箇所では高密度のプラズマが生成されるため反応生成物が付着しにくいが、電界が弱いチャンバ５５内壁面の箇所では、プラズマ密度も低く反応生成物が付着しやすく、ゴミの発生を引き起こすという問題がある。なお、反応生成物とはプラズマ発生に伴う反応によって生成されるものをいう。
【０００５】
このような問題を解決するために、チャンバ５５内壁面への反応生成物の付着を抑制するものとして、特開平８−３１６２１０号公報に開示されているプラズマＣＶＤ装置が挙げられる。
【０００６】
前記公報に開示されているプラズマＣＶＤ装置は、真空チャンバを形成する誘電体壁の外側に、高周波電流を流すことのできる高周波アンテナを設けて、クリーニングプロセスを実施するものである。
【０００７】
また、その他にも特開２０００−３２３２９８号公報に開示されているプラズマＣＶＤ装置のように、可変インピーダンスの大きさを調整することで、静電容量結合放電で生成されるプラズマの割合を調整し、真空チャンバ内壁への反応生成物の付着を抑制するものが知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、導電性の高い薄膜を成膜する際には、導電性の反応生成物が高周波ケーブル表面に付着することによって、アンテナとチャンバ内壁面との絶縁不良が引き起こされるという問題がある。
【０００９】
さらに、前記公報に開示されている従来のプラズマＣＶＤ装置は、チャンバ内壁面や導電部への反応生成物の付着を抑制することを目的としている。このため、一旦、反応生成物が付着・堆積してしまった場合には、アンテナとチャンバ内壁面とが導通されてしまうことによる、両者の絶縁不良を防ぐことができないという問題がある。
【００１０】
また、アンテナとチャンバ内壁面との絶縁不良が引き起こされると、異常放電が発生してしまうという新たな問題が発生する。
【００１１】
この異常放電の発生により、薄膜トランジスタ、すなわち薄型トランジスタの半導体不良が発生し、製品の信頼性並びに良品率が低下するという問題があった。さらに、反応生成物が付着・堆積してしまったプラズマＣＶＤ装置を復旧するために、オーバーホールをする必要があり、装置の停止している時間が長くなり、生産性の低下、ひいてはコストの増大に繋がるという問題があった。
【００１２】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、導電性の反応生成物がチャンバ内壁面や導電部に付着・堆積した場合でも、アンテナとチャンバ内壁面との絶縁不良による異常放電の発生を防止できる絶縁部材並びに該絶縁部材を用いたプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る絶縁部材は、上記の課題を解決するために、絶縁されている第１の領域と第２の領域とを接続する接続部の表面に導電性物質が堆積することにより、第１の領域と第２の領域とが電気的に接続されることを防止する絶縁部材であって、上記接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、取付け部から縁部まで連続する形状で形成されている筒状部とを備えており、上記筒状部は、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有することを特徴としている。
【００１４】
上記の構成により、絶縁されている第１の領域と第２の領域とを接続する接続部の表面に、例えば吹き付けられることによって堆積する導電性物質により、第１の領域と第２の領域とが導通されることを防止することができる。
【００１５】
即ち、縁部は接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいるから、導電性物質を当該縁部により分断することができる。このため、接続部とは反対側の面である筒状部の外側面に堆積した導電性物質を介して第１の領域と第２の領域とが導通されることを防止できる。
【００１６】
また、取付け部と縁部との間に連続する形状で形成されている筒状部には、接続部を取り囲むようにして、すなわち接続部側に凹形状面が位置するようにして凹部が形成されている。このため、導電性物質の吹き付けに対して、凹部は筒状部の外側面により覆われることとなる。従って、接続部と縁部との間から入り込む導電性物質が凹部に堆積することを防ぐことができる。
【００１７】
また、凹部は接続部を取り囲むように形成されているから、筒状部の内側面に堆積した導電性物質は凹部によって分断されることとなる。このため、筒状部の内側面に堆積した導電性物質によって第１の領域と第２の領域とが導通されることを防止することができる。
【００１８】
従って、本発明の絶縁部材を接続部に取付けることにより、接続部に堆積する導電性物質を構造的に分断し、絶縁されている第１の領域と第２の領域とが導通されて、絶縁不良となることを防止できる。
【００１９】
また、本発明に係る絶縁部材は、プラズマ生成領域を画定する誘導体本体と、誘導体本体内部に設けられているアンテナと、誘導体本体とアンテナとを接続し、且つ誘導体本体と絶縁されている接続部と、を備えているプラズマＣＶＤ装置のプラズマ放電よって発生する反応生成物により誘導体本体とアンテナとが電気的に接続されることを防止する絶縁部材であって、上記接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、取付け部から縁部まで連続する形状で形成されている筒状部とを備えており、上記筒状部は、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有することを特徴としている。
【００２０】
上記の構成により、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ放電により発生する反応生成物によって、誘導体本体とアンテナとが電気的に接続されることを防止できる。即ち、プラズマ放電により発生する反応生成物である導電性薄膜を形成する場合に、接続部を覆う導電性薄膜により誘導体本体とアンテナとが導通されて、異常放電が発生することを防ぐことができる。
【００２１】
すなわち、縁部は接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいるから、プラズマ放電により接続部とは反対側の面である筒状部の外側面に形成される導電性薄膜は縁部により分断されることとなる。これにより、絶縁部材の外側面に誘導体本体とアンテナとを導通する導電性薄膜が形成されることを防止することができる。
【００２２】
また、取付け部と縁部との間に形成されている筒状部には、接続部側に凹形状面が位置するようにして、すなわち接続部を取り囲むようにして凹部が形成されている。このため、プラズマ放電により導電性薄膜が形成されるときには、凹部は筒状部の外側面により覆われることとなるから、凹部に導電性薄膜が形成されることを防止できる。したがって、筒状部の内側面に堆積した導電性薄膜は、凹部によって分断されることとなる。このため、筒状部の内側面に堆積した導電性物質により誘導体本体とアンテナとが導通されることを防止できる。
【００２３】
したがって、本発明の絶縁部材を接続部に取付けることにより、接続部に形成される導電性薄膜を構造的に分断し、誘導体本体とアンテナとが導通されることによる異常放電の発生を防止することが可能となる。
【００２４】
また、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、プラズマ生成領域を画定する誘導体本体と、誘導体本体内部に設けられているアンテナと、誘導体本体とアンテナとを接続し、且つ誘導体本体と絶縁されている接続部と、を備えているプラズマＣＶＤ装置であって、上記の接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、取付け部から縁部まで連続する形状で形成されており、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有する筒状部と、を備えている絶縁部材が、上記接続部に設けられていることを特徴としている。
【００２５】
上記の構成によれば、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置を用いて導電性の薄膜を形成する場合、接続部に設けられている絶縁部材によって、上記説明したように、接続部に形成される反応生成物の導電性薄膜を構造的に分断することができる。従って、反応生成物が絶縁部材表面と上記接続部の表面とを連続して覆うことはなくなる。即ち、接続部に付着・堆積した反応生成物を、分断でき、上記誘導体本体とアンテナとの間の絶縁不良を防げる。
【００２６】
従って、異常放電の発生による半導体膜の形成不良の発生率を低下させることができる。また、半導体膜を用いた薄型トランジスタ等の形成不良、即ち、膜半導体のトランジスタ不良を防止し、薄型トランジスタを用いた表示装置の製造歩留まりを向上させることが可能となる。さらに、付着・堆積した反応生成物を除去するために、プラズマＣＶＤ装置の運転停止を伴うクリーニングの回数が削減でき、生産効率を向上させ、製造コストの低減に貢献できる。
【００２７】
また、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、上記の構成において、さらに、上記誘導体本体の外部に高周波電源をさらに備えており、上記接続部が、上記アンテナと上記高周波電源とを電気的に接続している導電部であることを特徴としている。
【００２８】
上記の構成によれば、導電性の反応生成物が、上記アンテナと上記高周波電源とを電気的に接続している導電部の表面を連続的に覆うことを防ぐことができる。従って、反応生成物が前記誘電体本体の内壁面に付着・堆積した場合でも、アンテナと誘電体本体との絶縁不良を防ぐことができ、プラズマ反応時に異常放電の発生を防げる。
【００２９】
また、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、上記の構成において、さらに、上記接続部が、上記アンテナを上記誘導体本体内部に固定するアンテナ支持部であることを特徴としている。
【００３０】
上記の構成によれば、誘電体本体とアンテナとを固定するためにアンテナ支持部を用いる場合、導電性の反応生成物が、前記アンテナ支持部の表面を連続的に覆うことを防ぐことができる。従って、反応生成物が前記誘電体本体の内壁面に付着・堆積した場合でも、アンテナと誘電体本体との絶縁不良を防ぐことができ、プラズマ反応時に異常放電の発生を防げる。なお、アンテナ支持部とは、一方の端部で前記誘電体本体と接し、もう一方の端部で前記アンテナと接するもので、アンテナを固定するためのものである。
【００３１】
【発明の実施の形態】
本発明に係るプラズマＣＶＤ装置に関する実施の一形態について以下に説明する。
【００３２】
図３は、本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置（以下本プラズマＣＶＤ装置と呼ぶ）の概略構成を示す断面図である。この図３に示すように、本プラズマＣＶＤ装置は、チャンバ５内部に、絶縁部材１、アンテナ支持部２、高周波ケーブル３、アンテナ４、被薄膜形成物（サンプル）６、高周波電源７を備えている。
【００３３】
チャンバ５は、プラズマ処理を行う処理室を画定している誘電体本体である。本プラズマＣＶＤ装置では、材料名ＳＵＳ３０４からなる容積０．７７ｍ３の処理室がチャンバ５として用いられている。
【００３４】
アンテナ支持部２は、表面は絶縁物で覆われており、一方の端部でアンテナ４と接し、他方の端部でチャンバ５内壁面と接するものであり、アンテナ４を固定するためのものである。また、アンテナ支持部２には、絶縁部材１が取付けられている。本プラズマＣＶＤ装置では、アンテナ支持部２として、直径５ｍｍ、長さ１６０ｍｍであり、材料ＳＵＳ３０４から構成されているものが用いられている。
【００３５】
高周波ケーブル３は、ケーブル内部が導電性の金属等により構成されており、表面は絶縁物で覆われているものである。高周波ケーブル３は、アンテナ４と高周波電源７とを電気的に接続させるものであり、その表面には絶縁部材１が取付けられている。本プラズマＣＶＤ装置では、高周波ケーブル３として、直径１１ｍｍ、長さ２００ｍｍであって、内部は銅線から構成されており、表面は絶縁物である碍子により覆われているケーブルが用いられている。
【００３６】
アンテナ４は、高周波ケーブル３を介して、チャンバ５の外部に設けられている高周波電源５７と接続されている。高周波電源７は、高周波電流を発生させるものである。この高周波電流は高周波ケーブル３を通じてアンテナ４に流れるようになっており、その誘導によりプラズマを発生させる。この発生させたプラズマにより、被薄膜形成物６の表面に薄膜を形成させる。なお、本プラズマＣＶＤ装置では、アンテナ４として、材料ＳＵＳ３０４からなり、サイズは、縦：４５０ｍｍ、横：６００ｍｍ、厚さ：１５ｍｍであるアンテナが用いられている。
【００３７】
また、被薄膜形成物６は、図示しないステージに載置されている。前記ステージは、裏面に加熱部材としてのヒーター（図示しない）を備えている。本プラズマＣＶＤ装置では、ステージとして、材料ＳＵＳ３０４からなり、サイズは、縦：６９５ｍｍ、横：７５５ｍｍ、厚さ：１４０ｍｍであるものが用いられている。
【００３８】
なお、前記ステージをチャンバ５内部のアンテナ４より上方の位置に設置することにより、被薄膜形成物６への反応生成物の付着を防止でき、歩留まりを向上させることが可能である。
【００３９】
次に、本プラズマＣＶＤ装置の特徴的な部材である、絶縁部材１について図１および図２を用いて詳細に説明する。
【００４０】
図１は、本実施の形態に係る絶縁部材１の概略構成を示す斜視図である。この図１に示すように、絶縁部材１は、上述したように、高周波ケーブル３に取付けられている。また、絶縁部材１の縁部１３は、高周波ケーブル３の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる。なお、絶縁部材１は、セラミック等の絶縁物から構成されている。
【００４１】
図２は、本実施の形態に係る絶縁部材１の概略構成を示す断面図である。この図２に示すように、絶縁部材１は、高周波ケーブル３に接するように周設されている取付け部１１と、取付け部１１から縁部１３まで連続する形状で形成されている筒状部１２とを備えている。同図に示すように、本実施の形態の絶縁部材１は、筒状部１２全体の断面形状がコの字形状になるように形成することにより凹部を形成しているが、凹部はこれに限られず、高周波ケーブル３から距離が、筒状部の縁部１３よりも大きい位置に、高周波ケーブル３を取り囲むように形成されているものであれば良い。
【００４２】
また、図２に示すように、縁部１３と高周波ケーブル３との間には空間（隙間）Ａが設けられており、その空間Ａは、少なくとも２．０〜２．５ｍｍであることが好ましい。さらに、筒状部１２の凹部の空間Ｂは、少なくとも１０〜１５ｍｍであることが好ましい。
【００４３】
上記の構成によれば、図２に示すように、絶縁部材１や高周波ケーブル３の表面に導電性の反応生成物、例えば、ｎ＋アモルファスシリコン膜等が付着・堆積した場合、反応生成物は、領域１に示すように、筒状部１２の縁部１３の凸状構造により分断され、高周波ケーブル３の表面と絶縁部材１の表面とを連続して覆うことはない。
【００４４】
また、反応生成物が筒状部１２の凹部内部へ回り込もうとする場合、領域１に示すように、筒状部１２の縁部１３の凸状構造により、筒状部１２の凹部内部に連続的に反応生成物が付着・堆積することを防げる。
【００４５】
即ち、筒状部１２を凹状構造にすることにより、領域２に示すように、前記空間内部に付着・堆積する反応生成物と絶縁部材１の表面に付着・堆積する反応生成物とを分断させることができる。従って、前記空間内部に付着・堆積した反応生成物と絶縁部材１の表面に付着・堆積した反応生成物とが、一体となって絶縁部材１全体を覆うことはなく、アンテナ４とチャンバ５内壁面との絶縁不良の発生を防ぐことができる。
【００４６】
また、絶縁部材１の表面形状を図１のように、円筒（円柱）状にすることにより、絶縁部材１の表面に覆い被さる反応生成物の膜応力を緩和することができる。従って、反応生成物の膜応力に起因する、付着した反応生成物の膜剥がれを防止でき、剥がれ落ちた反応生成物の被薄膜形成物６への付着並びにゴミの発生を防げる。
【００４７】
また、高周波ケーブル３と縁部１３との間に空間を設けることにより、高周波ケーブル３の取付け不良による、絶縁部材１と高周波ケーブル３との接触が起因となる絶縁不良の発生を防ぐことができる。
【００４８】
また、図２に示すように、筒状部１２の凹部の断面が２つのコの字よりなる構造である必要はなく、より緩やかに弧を描く円形構造であってもよいし、より鋭角に形成された構造であってもよい。また、図２に示すように、凹部は２つ形成されていることは必要でなく、単数であっても３以上の数であってもよい。
【００４９】
なお、ここまで高周波ケーブル３に絶縁部材１が設けられている場合について説明したが、アンテナ支持部２に絶縁部材１が設けられている場合も同様に、アンテナ支持部２表面に付着・堆積する反応生成物を分断させることができ、アンテナ４とチャンバ５内壁面との絶縁不良の発生を防げる。
【００５０】
以上のように、本プラズマＣＶＤ装置は、ｎ＋アモルファスシリコン膜のような導電性の薄膜を被薄膜形成物６の表面に形成する場合、高周波ケーブル３やアンテナ支持部２（以下高周波ケーブル３等と呼ぶ）が絶縁部材１で覆われているため、高周波ケーブル３等の表面を覆う反応生成物を分断することができる。
【００５１】
このため、高周波ケーブル３等の表面に導電性の反応生成物が付着・堆積してしまっても、アンテナ４とチャンバ５とが電気的に接続され、絶縁不良になることを防止できる。即ち、本プラズマＣＶＤ装置は、絶縁部材１により、アンテナ４とチャンバ５内壁面との絶縁性を保ち続けることができ、プラズマ発生時の異常放電の発生を防ぐことができる。
【００５２】
従って、被薄膜形成物６の表面に形成される導電性の薄膜の形成不良を防止できる。このため、薄膜トランジスタ等の形成不良を防ぐことができ、表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、良品率の向上による表示装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００５３】
さらに、チャンバ５内部に付着・堆積した反応生成物の除去作業という、オーバーホールにかかるメンテナンス時間を大幅に削減することができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００５４】
例えば、本プラズマＣＶＤ装置によれば、８日に１回のメンテナンスから１３日に１回のメンテナンスへと、メンテナンスを行うサイクル期間を長くすることができる。
【００５５】
さらに、本プラズマＣＶＤ装置の構成によれば、アンテナ４は、チャンバ５内部に設けられている。このことにより、アンテナ４の周囲の高密度プラズマ領域で成膜することが可能になり、均一（±５％）の膜厚分布の薄膜が、大面積（縦４００ｍｍ、横５０５ｍｍ）で得られる。さらに、低抵抗な導電性の薄膜を形成できる。
【００５６】
例えば、従来、シート抵抗１００〜３００ｋΩ／□のｎ＋アモルファスシリコン膜を成膜する場合、５００〜６００Åの厚膜にする必要であった。このとき、膜が厚くなると、ｎ＋アモルファスシリコン膜上に形成される膜のカバレッジが悪化するという問題点があり、また、成膜時間が長くなり、生産性の低下にも繋がるという問題点があった。
【００５７】
しかし、本プラズマＣＶＤ装置を用いることで、同程度の低抵抗のｎ＋アモルファスシリコン膜を、３５０Åの膜厚で成膜することができる。即ち、本プラズマＣＶＤ装置によれば、厚さが均一で、より薄い、低抵抗の薄膜を形成することができ、膜のカバレッジ低下を防ぐと共に、成膜時間の短縮による生産性の向上を図ることができる。
【００５８】
また、アンテナ４の設定場所を変更する際に、アンテナ支持部２や高周波ケーブル３の長さを変更する場合にも、絶縁部材１の取付け数を増減させることで、容易に上記の効果が得られる。
【００５９】
また、絶縁部材１を用いることにより、導電性膜の種類や、連続して成膜する薄膜の膜厚（１００〜５０００Å程度）に関係なく、同様の効果が得られる。
【００６０】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００６１】
【実施例】
次に、本プラズマＣＶＤ装置を使って、被薄膜形成物６上に、導電性の薄膜としてｎ＋アモルファスシリコン膜を形成する方法について以下の実施例で説明する。
【００６２】
〔実施例〕
まず、チャンバ５内部に設けられているステージの上に、被薄膜形成物６を載置する。
【００６３】
次に、チャンバ５内部を、圧力１３３Ｐａに減圧する。
【００６４】
次いで、被薄膜形成物６は、ステージに設けられているヒーターによって、２６０℃に加熱される。
【００６５】
次に、チャンバ５内部に、モノシランガス（ＳｉＨ４）を流量７４．６ｓｃｃｍ、水素ガス（Ｈ２）を流量１０５００ｓｃｃｍ、ホスフィンガス（ＰＨ３）を流量０．４ｓｃｃｍにて導入する。
【００６６】
その後、高周波電源７を１０００ｗのパワーに設定し、高周波電流をアンテナ４に流しプラズマを発生させて、９分間プラズマ反応を行う。
【００６７】
以上の工程を経て、被薄膜形成物６の表面に膜厚３５０Åのｎ＋アモルファスシリコン膜が形成される。
【００６８】
このとき、同時に、高周波ケーブル３やアンテナ支持部２にも膜厚３５０Åのｎ＋アモルファスシリコン膜の反応生成物が形成されている。
【００６９】
しかし、高周波ケーブル３およびアンテナ支持部２には、絶縁部材１が取付けられているため、反応生成物を分断でき、チャンバ５内壁とアンテナ４との間の絶縁不良を防止できる。
【００７０】
【発明の効果】
本発明に係る絶縁部材は、以上のように、絶縁されている第１の領域と第２の領域とを接続する接続部の表面に導電性物質が堆積することにより、第１の領域と第２の領域とが電気的に接続されることを防止する絶縁部材であって、上記接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、取付け部から縁部まで連続する形状で形成されている筒状部とを備えており、上記筒状部は、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有するという構成である。
【００７１】
また、本発明に係る絶縁部材は、プラズマ生成領域を画定する誘導体本体と、誘導体本体内部に設けられているアンテナと、誘導体本体とアンテナとを接続し、且つ誘導体本体と絶縁されている接続部と、を備えているプラズマＣＶＤ装置のプラズマ放電よって発生する反応生成物により誘導体本体とアンテナとが電気的に接続されることを防止する絶縁部材であって、上記接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、取付け部から縁部まで連続する形状で形成されている筒状部とを備えており、上記筒状部は、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有するという構成である。
【００７２】
また、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、プラズマ生成領域を画定する誘導体本体と、誘導体本体内部に設けられているアンテナと、誘導体本体とアンテナとを接続し、且つ誘導体本体と絶縁されている接続部と、を備えているプラズマＣＶＤ装置であって、上記の接続部の表面に接するように接続部に周設されている取付け部と、上記接続部の表面に接することなく接続部を取り囲んでいる縁部と、取付け部から縁部まで連続する形状で形成されており、上記接続部を取り囲むように形成されている凹部を有する筒状部と、を備えている絶縁部材が、上記接続部に設けられているという構成である。
【００７３】
それゆえ、上記の構成によれば、本発明のプラズマＣＶＤ装置を用いて、導電性の薄膜を形成する場合、前記アンテナと誘電体本体とを接続させている導電部に付着・堆積した反応生成物を分断させることができる。このため、反応生成物が前記誘電体本体の内壁面に付着・堆積した場合でも、誘電体本体とアンテナとの絶縁を保つことが可能である。よって、プラズマ反応時の異常放電の発生を防げるという効果を奏する。
【００７４】
従って、異常放電の発生による半導体膜の形成不良の発生率を低下させることができるという効果を奏する。また、半導体膜を用いた薄型トランジスタ等の形成不良を防止し、薄型トランジスタを用いた表示装置の製造歩留まりを向上させることが可能となるという効果を奏する。さらに、反応生成物の堆積物を除去するためのプラズマＣＶＤ装置の運転停止を伴うクリーニングの回数が削減でき、生産効率を向上させ、製造コストの低減に貢献できるという効果を奏する。
【００７５】
また、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、上記の構成において、さらに、上記誘導体本体の外部に高周波電源をさらに備えており、上記接続部が、上記アンテナと上記高周波電源とを電気的に接続している導電部であるという構成である。
【００７６】
上記の構成によれば、上記アンテナと上記高周波電源とを電気的に接続している導電部に、導電性の反応生成物が前記導電部の表面を連続的に覆うことを防ぐことができる。従って、反応生成物が前記誘電体本体の内壁面に付着・堆積した場合でも、アンテナと誘電体本体との絶縁不良を防ぐことができ、プラズマ反応時に異常放電の発生を防げるという効果を奏する。
【００７７】
また、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、上記の構成において、さらに、上記接続部が、上記アンテナを上記誘導体本体内部に固定するアンテナ支持部であることを特徴としている。
【００７８】
上記の構成によれば、誘電体本体とアンテナとを固定するためにアンテナ支持部を用いる場合、導電性の反応生成物が前記アンテナ支持部の表面を連続的に覆うことを防ぐことができる。従って、反応生成物が前記誘電体本体の内壁面に付着・堆積した場合でも、アンテナと誘電体本体との絶縁不良を防ぐことができ、プラズマ反応時に異常放電の発生を防げるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る絶縁部材の要部の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る絶縁部材の要部の構成を示す断面図である。
【図３】本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１　　絶縁部材
２　　アンテナ支持部（接続部）
３　　高周波ケーブル（接続部、導電部）
４　　アンテナ（第１の領域）
５　　チャンバ（誘電体本体、第２の領域）
６　　被薄膜形成物
７　　高周波電源
１１　　取付け部
１２　　筒状部（凹部）
１３　　縁部
【図１】
2004011021.tif 000003
【図２】
2004011021.tif 000004
【図３】
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【図４】
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