(57)【要約】【課題】保存寿命特性に優れ、信頼性の高い相変化型光記録媒体を提供する。【解決手段】基板１上に、第１誘電体層２、第１界面層３、記録層４、第２界面層５、第２誘電体層６、光吸収層７、反応防止層１０、反射層８をこの順に積層し、前記各層の外面を保護層９にて覆い、さらに保護層９の外面にダミー基板１１を貼り合わせる。反応防止層１０は、光吸収層７と反射層８との間の化学反応や拡散を防ぐバリア層として機能するものであり、光吸収層７及び反射層８よりも高融点の材料、例えば、Ａｌ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃｒ、Ｔａ，Ｗ等の金属の窒化物、酸化物、窒酸化物をもって構成することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、当該基板上に順次積層された第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、光吸収層及び反射層とを少なくとも有し、前記光吸収層及び前記反射層が、互いに固体状態で接触させかつ前記記録層の結晶化温度まで昇温したときに化学反応又は拡散を生じる材料の組合せよりなる相変化型光記録媒体において、前記光吸収層と前記反射層の間に前記光吸収層及び前記反射層よりも高融点の材料からなる反応防止層を設けたことを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
前記反応防止層が、前記光吸収層を形成する元素の酸化物、窒化物又は窒酸化物若しくは前記反射層を形成する元素の酸化物、窒化物又は窒酸化物よりなることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
前記反応防止層が、融点１０００℃以上の物質よりなることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
前記光吸収層がＧｅを主成分とした合金からなり、光レーザー波長６５０ｎｍ域における光学定数ｎ−ｉｋの屈折率ｎが３．５≦ｎ≦４．７で、吸収係数ｋが１．５≦ｋ≦２．７であることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
前記反射層がＡｌ又はＡｌを主成分とした合金からなることを特徴とする請求項１に記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、光吸収層と反射層とを備えた相変化型光記録媒体に係り、特に、保存寿命特性の改善手段に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、コンピュータ用情報のみならず音声や静止画像、動画像などの情報がディジタル化され、各種電子機器において取り扱う情報の情報量が極めて大きくなってきている。それに伴い、情報を保存するための媒体として、各種の光記録媒体が実用化されている。光記録媒体としては、再生専用光記録媒体、１回のみの記録が可能な追記型光記録媒体及び繰り返し書換が可能な書換型光情報記録媒体がよく知られており、高度情報社会において今後ますます記録の高速化及び大容量化が望まれている。
【０００３】
前記書換型光記録媒体としては、記録層を結晶状態とアモルファス状態とに可逆変化させて情報を記録する相変化型光記録媒体が知られており、記録時は記録層に高レベルのレーザ光を照射してレーザ照射部分を溶解後急冷することによりアモルファス化させて記録マークを形成する。再生時はアモルファス化された部分と結晶状態が維持された部分との反射率差及び位相差を利用して情報を読み出し、消去時はレーザ光の照射パワーを記録層の結晶化温度まで低下させ、徐冷することでアモルファス部分を結晶化し、情報を消去する。
【０００４】
相変化型光記録媒体としては、０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層がこの順に積層され、反射層の上に紫外線硬化樹脂からなる保護層が形成され、保護層上に０．６ｍｍ厚のダミー基板が貼り合せたものが代表的な構造を有するものとして知られているが、第１誘電体層と記録層との間及び記録層と第２誘電体層との間に境界層（本明細書では、これを「界面層」と呼ぶ。）を設けると共に、第２誘電体層と反射層との間に吸収量補正層（本明細書では、これを「光吸収層」と呼ぶ。）を設けて、高速記録性及び書換耐久性の向上を図ったものも従来より提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
界面層は、誘電体層から記録層への原子の拡散を防ぐバリア層として機能するものであって、これを設けることにより書換型光記録媒体の書換耐久性を高めることができる。
【０００６】
一方、光吸収層は、アモルファス部分と結晶部分の光吸収率の差を補正する機能するものであって、これを設けることにより書換後の波形歪みを抑制できて、オーバーライト記録を高速化することができる。即ち、記録層のアモルファス部分の光吸収率は、通常、結晶部分の光吸収率より大きいため、光吸収層を備えないと、アモルファス部分の温度上昇が結晶部分の温度上昇よりも大きくなり、アモルファス部分の記録マーク幅が結晶部分の記録マーク幅よりも大きくなって記録マークの形状が歪み、再生波形に歪みを生じる。第２誘電体層と反射層との間に光吸収層を設けると、光吸収層によって光が吸収されるので、アモルファス部分と結晶部分の光吸収率の差が補正され、書換後の波形歪みが抑制される。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−０７４７３９号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、相変化型光記録媒体は、ＤＶＤ−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＷ等で実用化されており、更なるオーバーライト記録の高速化及び高密度記録化が求められている。
【０００９】
本願発明者等は、基板上に第１誘電体層、第１界面層、記録層、第２界面層、第２誘電体層、光吸収層、反射層がこの順に積層され、反射層上に紫外線硬化樹脂からなる保護層が形成され、保護層上に０．６ｍｍ厚のダミー基板が貼り合わされた相変化型光記録媒体について、オーバーライト記録の高速化及び高密度記録化の研究を進めていたところ、前記構成の相変化型光記録媒体は、初期結晶化工程でディスク全面を結晶化した後に情報の記録再生を高速で繰り返し、次いで環境保存試験にかけると、より高速で記録再生されたものほど環境保存試験前後の記録感度の劣化が大きくなった。
【００１０】
本願発明者等は、鋭意研究の結果、このような記録感度の劣化を生じる主たる原因は、光吸収層と反射層との間に化学反応又は拡散を生じて光吸収層材料と反射層材料との反応生成物や合金が生成され、相変化型光記録媒体の光学定数や熱伝導率が変化するためであるとの知見を得るに至った。
【００１１】
本発明は、かかる知見に基づいてなされたものであり、その目的は、保存寿命特性に優れた信頼性の高い相変化型光記録媒体を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手投】
本発明は、前記の課題を解決するため、基板と、当該基板上に順次積層された第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、光吸収層及び反射層とを少なくとも有し、前記光吸収層及び前記反射層が、互いに固体状態で接触させかつ前記記録層の結晶化温度まで昇温したときに化学反応又は拡散を生じる材料の組合せよりなる相変化型光記録媒体において、前記光吸収層と前記反射層の間に前記光吸収層及び前記反射層よりも高融点の材料からなる反応防止層を設けるという構成にした。
【００１３】
このように、光吸収層と反射層の間にこれら光吸収層及び反射層よりも高融点の材料からなる反応防止層を設けると、記録層をその結晶化温度まで昇温したときにも光吸収層と反射層との間に化学反応又は拡散が生じず、光吸収層材料と反射層材料との反応生成物や合金が生成されないので、相変化型光記録媒体の光学定数や熱伝導率を安定に維持することができ、相変化型光記録媒体の保存寿命特性及び信頼性を高めることができる。
【００１４】
また、本発明は、前記構成の相変化型光記録媒体において、前記反応防止層が、前記光吸収層を形成する元素の酸化物、窒化物又は窒酸化物若しくは前記反射層を形成する元素の酸化物、窒化物又は窒酸化物よりなるという構成にした。
【００１５】
前記基板上に積層される各膜の成膜は、スパッタリング装置により行われる。したがって、反応防止層を記光吸収層を形成する元素の酸化物、窒化物又は窒酸化物若しくは反射層を形成する元素の酸化物、窒化物又は窒酸化物より形成すると、反応防止層の成膜に際して、スパッタリング装置への酸素及び／又は窒素の導入量を調整するだけで光吸収層と反応防止層と反射層とを連続的に形成することができるので、反応防止層を有する相変化型光記録媒体の製造工程の複雑化を防止することができ、この種の相変化型光記録媒体の高コスト化を防止することができる。
【００１６】
また、本発明は、前記構成の相変化型光記録媒体において、前記反応防止層が融点１０００℃以上の物質よりなるという構成にした。
【００１７】
一般に、光吸収層としてはＧｅ合金が用いられ、反射層としてはＡｌ合金が用いられる。そして、Ｇｅの融点は約９５８℃であり、Ａｌの融点は約６６０℃であるので、反応防止層として融点が１０００℃以上の物質よりなるものと用いれば、光吸収層と反射層との間に生じる化学反応や拡散を完全に防止することができ、相変化型光記録媒体の保存寿命特性及び信頼性を高めることができる。
【００１８】
また、本発明は、前記構成の相変化型光記録媒体において、前記光吸収層がＧｅを主成分とした合金からなり、光レーザー波長６５０ｎｍ域における光学定数ｎ−ｉｋの屈折率ｎが３．５≦ｎ≦４．７で、吸収係数ｋが１．５≦ｋ≦２．７であるという構成にした。
【００１９】
Ｇｅ合金は、Ｃｒ酸化物やＡｌ合金等の他の材料よりも光学特性に優れ、かつ結晶部分の光吸収率（Ａｃ）がアモルファス部分の光吸収率（Ａａ）より非常に大きいことから、光吸収層材料として有利である。特に、光レーザー波長６５０ｎｍ域における光学定数ｎ−ｉｋの屈折率ｎが３．５≦ｎ≦４．７で、吸収係数ｋが１．５≦ｋ≦２．７であるものを用いると、結晶部分とアモルファス部分との反射率の差が大きくなり、結晶部分の光吸収率（Ａｃ）がアモルファス部分の光吸収率（Ａａ）より大きくなるように記録層の光吸収率を補正することが可能となる。したがって、光吸収層としてＧｅを主成分とした合金からなり、光レーザー波長６５０ｎｍ域における光学定数ｎ−ｉｋの屈折率ｎが３．５≦ｎ≦４．７で、吸収係数ｋが１．５≦ｋ≦２．７であるものを用いると、記録層におけるアモルファス部分と結晶部分の光吸収率の差を補正することができ、書換後の波形歪みを抑制できて、相変化型光記録媒体のオーバーライト記録を高速化することができる。
【００２０】
また、本発明は、前記構成の相変化型光記録媒体において、前記反射層がＡｌ又はＡｌを主成分とした合金からなるという構成にした。
【００２１】
Ａｌ又はＡｌ合金は、Ａｇ合金等に比べて安価で光学特性及び耐食性に優れている。したがって、反射層をＡｌ又はＡｌ合金にて構成すると、相変化型光記録媒体の低コスト化及び高性能化を図ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明に係る相変化型光記録媒体の断面構造の一例を示す。
【００２３】
この図から明らかなように、本例の相変化型光記録媒体は、基板１上に、第１誘電体層２、第１界面層３、記録層４、第２界面層５、第２誘電体層６、光吸収層７、反応防止層１０、反射層８をこの順に積層し、前記各層の外面を保護層９にて覆い、さらに保護層９の外面にダミー基板１１を貼り合わせてなる。
【００２４】
基板１としては、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィンなどの樹脂材料を射出成形することによって所定サイズのディスク状に形成され、片面に情報の記録トラックが渦巻き状又は同心円状に形成されたものが用いられる。
【００２５】
これに対して、ダミー基板１１は、基板１と同様に、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィンなどの樹脂材料を射出成形することによって基板１と同一サイズのディスク状に形成されるが、相変化型光記録媒体の機械的強度を高めて、その耐久性や取扱性を高めるためのものであるので、表面には情報の記録トラックが形成されない。
【００２６】
第１誘電体層２及び第２誘電体層６は、記録時の熱によって基板１や記録層４が損傷されるのを防止するためのものであって、亜鉛硫化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物それにアルミニウム酸化物などの無機誘電体材料、それにこれら各無機誘電体材料の混合物や積層体をもって形成される。
【００２７】
第１界面層３は、第１誘電体層２から記録層４への原子の拡散を防ぐバリア層として機能するものであり、第２界面層５は第２誘電体層６から記録層４への原子の拡散を防ぐバリア層として機能するものであって、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｙ，Ｃｒ，Ｗ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎなどの金属の炭化物、酸化物及び窒化物等をもって形成される。
【００２８】
記録層４は、例えばＧｅＳｂＴｅ合金のように、適度な加熱と冷却とを行うことにより、結晶状態とアモルファス状態とが可逆変化する相変化材料をもって形成される。なお、記録層４としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いる場合には、記録速度の高速化及び消去速度の高速化を図るため、適量のＳｎが添加されたＧｅＳｎＳｂＴｅ合金を用いることもできる。
【００２９】
光吸収層７は、例えばＧｅＣｒなど、Ｇｅを主成分とし、これに他の元素を適量添加してなるＧｅ合金をもって形成される。なお、光吸収層７としては、結晶部分とアモルファス部分との反射率の差が大きく、結晶部分の光吸収率（Ａｃ）がアモルファス部分の光吸収率（Ａａ）より大きくなるように記録層の光吸収率を補正することが可能となることから、光レーザー波長６５０ｎｍ域における光学定数ｎ−ｉｋの屈折率ｎが３．５≦ｎ≦４．７で、吸収係数ｋが１．５≦ｋ≦２．７であるものを用いることが好ましい。
【００３０】
反射層８は、使用する光レーザ波長域に対して高い反射率を有する任意の金属又は合金をもって形成できるが、比較的安価にして反射率が高く、かつ化学的安定性に優れることから、Ａｌ，Ａｇ或いはＡｌ又はＡｇを主成分とする合金を用いることが好ましい。
【００３１】
反応防止層１０は、光吸収層７と反射層８との間の化学反応や拡散を防ぐバリア層として機能するものであり、光吸収層７及び反射層８よりも高融点（例えば、１０００℃以上）の材料をもって形成される。反応防止層１０の構成材料としては、Ａｌ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃｒ、Ｔａ，Ｗ等の金属の窒化物、酸化物、窒酸化物を用いることができるが、光吸収層７及び反射層８との連続成膜を可能とし、相変化型光記録媒体の低コスト化を図るため、光吸収層７又は反射層８を構成する金属材料の窒化物、酸化物又は窒酸化物を用いることが特に好ましい。なお、反応防止層１０の膜厚は、１ｎｍ以下であると光吸収層７と反射層８との反応を防止する効果が無くなるため、１ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００３２】
保護層９は、紫外線硬化性樹脂をもって形成される。
【００３３】
前記第１誘電体層２、第１界面層３、記録層４、第２界面層５、第２誘電体層６、光吸収層７、反射層８及び反応防止層１０は、複数のスパック室をもち、膜厚分布が少なく再現性の高いスパッタ装置を用いて成膜される。また、保護層９は、スピンコート装置を用いて成膜される。
【００３４】
本実施形態例に係る相変化型光記録媒体は、光吸収層７と反射層８との間に、これら光吸収層７及び反射層８よりも高融点の材料からなる反応防止層１０を設けたので、記録層４をその結晶化温度まで昇温したときにも、光吸収層７と反射層８との間に化学反応や拡散を生じることがない。よって、光吸収層材料と反射層材料との反応生成物や合金が生成されないので、相変化型光記録媒体の光学定数や熱伝導率を安定に維持することができ、相変化型光記録媒体の保存寿命特性及び信頼性を高めることができる。
【００３５】
以下に、本発明に係る相変化型光記録媒体のより具体的な実施例を挙げ、本発明の効果を明らかにする。
【００３６】
【実施例１】
直径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍのランド−グルーブ方式のプリフォーマットパターンを有するポリカーボネート基板１のプリフォーマットパターン形成面に、第１誘電体層２として膜厚が１３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物。添字はモル％）、第１界面層３として膜厚が６ｎｍのＣｒ２Ｏ３、記録層４として膜厚が１０ｎｍのＧｅＳｎＳｂＴｅ、第２界面層５として膜厚が２ｎｍのＣｒ２Ｏ３、第２誘電体層６として膜厚が３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物。添字はモル％）、光吸収層７として膜厚が２５ｎｍのＧｅ８０Ｃｒ２０（添字は原子％）、反応防止層１０として膜厚が１ｎｍのＧｅＣｒ−Ｎ、反射層８として膜厚が１００ｎｍのＡｌＴｉをこの順に形成した。なお、反応防止層１０の成膜は、光吸収層７を形成したスパッタ室に全圧に対する窒素分圧が５０％になるように窒素ガスを導入して行った。しかる後に、前記反射層８の外面を覆うように紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成し、当該保護層９の外面に０．６ｍｍ厚のダミー基板を貼り合せて、図１に示す断面構造を有するディスクを作製した。
【００３７】
このディスクに波長が８１０ｎｍでスポットサイズが１×５０μｍの楕円形に整形されたレーザビームを照射して記録層４の全面を初期結晶化した後、このディスクを記録線速度１２・３ｍ／ｓで回転させ、波長が６５０ｎｍで対物レンズの開口数（ＮＡ）が０．６の光学ヘッドを用いて情報のオーバーライト記録及び再生とを１０回繰り返し、ピークパワーマージンを評価した。なお、情報の記録は、バイアスパワーを５．０ｍｗ一定とし、ピークパワーを９ｍｗから１４ｍｗまで変化させたときの２値間で変調した波形を用い、８−１６変調されたランダム信号を記録した。このときの最短マーク長は０．４２μｍとし、記録位置はグルーブとした。
【００３８】
記録再生試験後のディスクを８０℃９０ＲＨ％雰囲気の環境に１００時間保存した後、前記と同様の条件で情報のオーバーライト記録及び再生とを１０回繰り返し、ピークパワーマージンを評価した。図２に、本実施例に係る相変化型光記録媒体及び反応防止層１０を有しない比較例に係る相変化型光記録媒体の保存試験前後のピークパワーマージン評価結果を示す。
【００３９】
図２から明らかなように、本実施例に係る相変化型光記録媒体は、保存試験前後でジッタが９％以下となるピークパワーは１０．５ｍｗから１３．５ｍｗと広い範囲で良好であり、記録感度の変化を抑制できていることがわかる。これに対して、比較例に係る相変化型光記録媒体は、保存試験前はジッタが９％以下となるピークパワーは１０．５ｍｗから１３．Ｏｍｗと広い範囲で良好であるが、保存後はジッタが９％以下となるピークパワーが１２．０ｍｗから１３．５ｍｗと記録感度が１．５ｍｗ程度劣化しており、ピークパワーマージンが狭くなっていることがわかる。
【００４０】
【実施例２】
直径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍのランド−グルーブ方式のプリフォーマットパターンを有するポリカーボネート基板１のプリフォーマットパターン形成面に、第１誘電体層２として膜厚が１３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物。添字はモル％）、第１界面層３として膜厚が６ｎｍのＣｒ２Ｏ３、記録層４として膜厚が１０ｎｍのＧｅＳｎＳｂＴｅ、第２界面層５として膜厚が２ｎｍのＣｒ２Ｏ３、第２誘電体層６として膜厚が３０ｎｍの（ＺｎＳ）８０−（ＳｉＯ２）２０（ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物。添字はモル％）、光吸収層７として膜厚が２５ｎｍのＧｅ８０Ｃｒ２０（添字は原子％）、反応防止層１０として膜厚が１ｎｍのＧｅＣｒ−Ｏ、反射層８として膜厚が１００ｎｍのＡｌＴｉをこの順に形成した。なお、反応防止層１０の成膜は、光吸収層７を形成したスパッタ室に全圧に対する酸素分圧が２０％になるように酸素ガスを導入して行った。しかる後に、前記反射層８の外面を覆うように紫外線硬化樹脂からなる保護層９を形成し、当該保護層９の外面に０．６ｍｍ厚のダミー基板を貼り合せて、図１に示す断面構造を有するディスクを作製した。
【００４１】
このディスクに波長が８１０ｎｍでスポットサイズが２×９０μｍの楕円形に整形されたレーザビームを照射して記録層４の全面を初期結晶化した後、実施例１と同様の方法で、保存試験前後の相変化型光記録媒体のピークパワーマージンを評価した。図３に、本実施例に係る相変化型光記録媒体及び反応防止層１０を有しない比較例に係る相変化型光記録媒体の保存試験前後のピークパワーマージン評価結果を示す。
【００４２】
図３から明らかなように、本実施例に係る相変化型光記録媒体は、保存試験前後でジッタが９％以下となるピークパワーは１０．５ｍｗから１３．５ｍｗと広い範囲で良好であり、記録感度の変化を抑制できていることがわかる。これに対して、比較例に係る相変化型光記録媒体は、保存試験前はジッタが９％以下となるピークパワーは１０．５ｍｗから１３．Ｏｍｗと広い範囲で良好であるが、保存後はジッタが９％以下となるピークパワーが１２．０ｍｗから１３．５ｍｗと記録感度が１．５ｍｗ程度劣化しており、ピークパワーマージンが狭くなっていることがわかる。
【００４３】
反応防止層１０として、Ａｌ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃｒ、Ｔａ，Ｗの窒化物、酸化物及び窒酸化物を用いた場合にも、実施例１，２と同様の結果が得られた。
【００４４】
比較例に係る相変化型光記録媒体について記録感度の劣化を生じる原因としては、記録層４を結晶化温度まで昇温させたとき、光吸収層７は光を吸収するために記録層４の結晶化温度以上に昇温され、反射層８と溶融反応を起こして、該部における光学定数及び熱伝導率に変化が生じるためであると推測される。実施例１及び実施例２に係る相変化型光記録媒体においては、光吸収層７と反射層８との間に高融点の反応防止層１０が設けられているため、光吸収層７と反射層８との溶融反応を起こさず、良好な記録感度が維持される。
【００４５】
なお、本発明は、光吸収層７と反射層８との間に高融点の反応防止層１０を設けたことを特徴とするものであって、反応防止層１０以外の構成、即ち、基板１や基板上に積層された反応防止層１０以外の層の材質、基板１のサイズ、基板１上に積層される他の薄膜の追加及び記録再生の条件等については、前記実施形態例に関わりなく、任意に変更することができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、光吸収層と反射層の間にこれら光吸収層及び反射層よりも高融点の材料からなる反応防止層を設けたので、記録層をその結晶化温度まで昇温したときにも光吸収層と反射層との間に化学反応又は拡散を生じず、光吸収層材料と反射層材料との反応生成物や合金が生成されることがない。よって、相変化型光記録媒体の光学定数や熱伝導率を安定に維持することができ、相変化型光記録媒体の保存寿命特性及び信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例に係る相変化型光記録媒体の断面構造を示す断面図である。
【図２】第１実施例に係る相変化型光記録媒体の効果を示す表図である。
【図３】第２実施例に係る相変化型光記録媒体の効果を示す表図である。
【符号の説明】
１  基板
２  第１誘電体層
３  第１界面層
４  記録層
５  第２界面層
６  第２誘電体層
７  光吸収層
８  反射層
９  保護層
１０  反応防止層
１１  ダミー基板
【図１】
2004192730.tif 000003
【図２】
2004192730.tif 000004
【図３】
2004192730.tif 000005