(57)【要約】　　　（修正有）【課題】ＲＩＥ方式におけるスタンパー作製方法で、側壁部分のあれを押さえた製造方法。【解決手段】ＲＩＥで作製されたガラスマスター原盤に２Ｐマスター／２Ｐマザー原盤でレプリカ作製を行う際に、エッチング等の表面処理を行う事で、表面性を改善する。【選択図】　　　　図６
2004014061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク用スタンパーの製造方法において、反応性イオンエッチング法を用いて光ディスクスタンパーを作製する方法で、ガラスマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面の凹凸形状（ランド／グルーブ）を転写して２Ｐマスター原盤を作製する工程、２Ｐマスター原盤に剥離層を形成して剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製する工程、剥離層形成２Ｐマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写し２Ｐマザー原盤を作製する工程、２Ｐマザー原盤表面に導電層を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製する工程、および、導電層形成２Ｐマザー原盤から電鋳によって表面のランド／グルーブ形状を転写し金属スタンパーを作製する工程を有する光ディスク基板用スタンパーの製造方法において、剥離層形成２Ｐマスター原盤または２Ｐマザー原盤で溝側壁形状を変化させ、金属スタンパーの表面のランド／グルーブ形状を調節することを特徴とする光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項２】
前記２Ｐマスター原盤上に剥離層形成する工程において、２Ｐマスター原盤あるいは２Ｐマスター原盤上の剥離層をエッチング等の表面処理によって表面形状を変化させることを特徴とする請求項１記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項３】
前記剥離層形成２Ｐマスター原盤より２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写し２Ｐマザー原盤を作製する工程において、作製された２Ｐマザー原盤をエッチング等の表面処理によって表面形状を変化させることを特徴とする請求項１記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか記載の光ディスクスタンパーの製造方法において、前記光ディスク基板はランド／グルーブ記録可能な基板であることを特徴とする光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項５】
前記光ディスク基板用スタンパーが、８０〜３００ｎｍのグルーブ深さを有することを特徴とする請求項１ないし４いずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項６】
前記光ディスク基板がランド・グルーブ記録方式光ディスク基板であることを特徴とする請求項１ないし５いずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法により製造することを特徴とする光ディスク基板用スタンパー。
【請求項８】
請求項７記載の光ディスク基板用スタンパーを用いて製造したランド・グルーブ記録方式光ディスク基板上に、第１、第２、第３の磁性層が順次積層されている光磁気記録媒体であって、前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において前記第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化層であり、前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層であり、前記第３の磁性層は垂直磁化層であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項８記載の光磁気記録媒体において、ガイド溝の深さが８０〜３００ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項９記載の光磁気記録媒体において、光磁気ディスク再生用ビームの波長をλ、光ディスク基板の屈折率をｎとするとき、前記ガイド溝の深さが、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６のいずれかであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の光磁気記録媒体において、前記ガイド溝の深さが、前記第１から第３の磁性層の合計層厚よりも大きいことを特徴とする光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光ディスク基板用スタンパーの製造方法、該製造方法により製造する光ディスク基板用スタンパーおよび該スタンパーを用いて製造したランド・グルーブ記録方式光ディスク基板上に磁性層を積層した光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクでは記録の高密度化のために様々な試みがなされている。例えば、特開平６−２９０４９６号公報には、磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体の高密度化が提案されている。磁壁移動検出方式では、読み出し光スポットの温度勾配による磁壁の移動現象を利用して、線（トラック）方向に光スポット径で制約される限界を超えた再生分解能を得ることが出来る。
【０００３】
図１（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）を用いて磁壁移動検出方式について簡単に説明する。図１は、磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体およびその再生方法における作用を説明するため模式図である。
【０００４】
図１（ａ）は、光磁気記録媒体の模式的断面図である。この媒体の磁性層は、第１の磁性層１１１、第２の磁性層１１２、第３の磁性層１１３が順次積層されてなる。各層中の矢印１１４は原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁１１５が形成されている。１１６は読み出し用の光スポット、矢印１１８は光磁気記録媒体の光スポットに対する移動方向である。
【０００５】
図１（ｂ）は、光磁気記録媒体上に形成される温度分布を示すグラフである。この温度分布は、再生用に照射されている光スポットによって媒体上に形成され、光スポットの手前側から温度Ｔが上昇し、光スポットの後方に温度のピークが来る。ここで位置ＸＳにおいては、媒体温度が第２の磁性層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓになっている。
【０００６】
図１（ｃ）は、（ｂ）の温度分布に対応する第１の磁性層の磁壁エネルギー密度σの分布を示すグラフである。この様にＸ方向に磁壁エネルギー密度σの勾配があると、位置Ｘに存在する第１の磁性層の磁壁に対して力Ｆ１＝−（∂σ／∂Ｘ）が作用する。
【０００７】
図１（ｄ）にＦ１のＸ方向の分布を示す。この力Ｆ１は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用する。第１の磁性層は、磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きいので、単独では、この力Ｆ１によって容易に磁壁が移動する。しかし、位置ＸＳより手前（図では右側）の領域では、まだ媒体温度がＴｓより低く、磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層と交換結合しているために、第３の磁性層中の磁壁の位置に対応した位置に第１の磁性層中の磁壁も固定されている。
【０００８】
磁壁移動検出方式においては、図１（ａ）に示す様に、磁壁１１５が媒体の位置ＸＳにあると、媒体温度が第２の磁性層のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、第１の磁性層と第３の磁性層との間の交換結合が切断される。この結果、第１の磁性層中の磁壁１１５は、破線矢印１１７で示した様に、より温度が高く磁壁エネルギー密度の小さな領域へと“瞬間的”に移動する。
【０００９】
再生用の光スポット１１６の下を磁壁１１５が通過すると、光スポット内の第１の磁性層の原子スピンは一方向に揃う。そして、媒体の移動に伴って磁壁１１５が位置ＸＳに来る度に、光スポットの下を磁壁１１５が瞬間的に移動し光スポット内の原子スピンの向きが反転して一方向に揃う。この結果、図１（ａ）に示す様に、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔（即ち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題から解放される。磁壁移動の発生は、磁壁移動領域の磁化反転に伴う再生用レーザビームの偏光面の回転として、従来の光磁気ヘッドで検出することが出来る。
【００１０】
図２は、光磁気記録媒体の層構成を示す模式的断面図である。この図においては、基板１２４上に、誘電体層１２３、第１の磁性層１２２、第２の磁性層１２１、第３の磁性層１２０、誘電体層１１９が順次積層されている。矢印１２５は記録再生のための光ビームの入射する方向である。透明基板１２４としてはポリカーボネート、誘電体層１２３としては、ＳＩ３Ｎ４を使用した。ＳＩ３Ｎ４層積層時にはＡｒガスに加えてＮ２ガスを導入し、直流反応性スパッタにより層厚３５ｎｍを積層した。引き続き、第１の磁性層としてＧｄＣｏ層を３０ｎｍ、第２の磁性層としてＤｙＦｅ層を１０ｎｍ、第３の磁性層としてＴｂＦｅＣｏ層を８０ｎｍ順次積層した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して積層した。これら各層は、マグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリングによって被着形成できる。特に各磁性層は、真空を破ることなく連続積層されることで、互いに交換結合をしている。最後に、保護層１１９としてＳＩ３Ｎ４層を同様に８０ｎｍ積層した。
【００１１】
各磁性層の組成は、全て補償組成近傍になるように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が２１０℃以上、第２の磁性層が１２０℃、第３の磁性層が２９０℃程度となるように設定した。このような構成の光磁気記録媒体のトラック上（トラックピッチ＝０．６μｍ）に０．１μｍ間隔で記録された磁区を波長λ＝６８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５５の通常の光ヘッド（光スポット径≒１μｍ）を用いて、磁壁移動検出方式によりキャリアー対雑音電力比（Ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｏ　Ｎｏｉｓｅ　Ｒａｔｉｏ；Ｃ／Ｎ比と表すことがある）４０ｄＢで再生することが出来た。
【００１２】
図３は、図２にて説明した構成の光磁気記録媒体のランド部およびグルーブ部における層構成を示す模式的断面図である。光ビーム１２５の入射方向から遠い記録トラック８をランドトラック、入射方向に近い記録トラック９をグルーブトラックと呼ぶ。ランドトラックおよびグルーブトラックの双方に情報の記録を行うランド・グルーブ記録方式においては、ランドトラックを記録再生する際には、グルーブトラックがトラッキング用のガイド溝となり、グルーブトラックを記録再生する際には、ランドトラックがトラッキング用のガイド溝となって、ランドトラックとグルーブトラックの双方に記録ができるので、トラック方向の記録密度の向上に有効である。
【００１３】
前述したように、磁壁移動検出方式を用いることにより、トラック方向記録密度を向上させることが出来るので、これとランド・グルーブ記録方式を組み合わせることにより、面記録密度を従来の光磁気記録との比較で飛躍的に向上させることが可能である。
【００１４】
さらに、ランド・グルーブ記録方式において、磁壁移動を容易にするための工夫としては、図３に示すような急峻なテーパ部を有する所謂深溝基板（特開平９−１６１３２１号公報参照）を用いることが効果的である。この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を成膜すれば、テーパ部（即ち、ランドトラックとグルーブトラックの間の側壁部）には実質的に磁性膜が堆積しないようにすることが出来る。これより、ランドトラックとグルーブトラック夫々に対して、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成することが可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移動が起こり易くなる。ランドトラック８とグルーブトラック９の機械的距離は、少なくとも磁性膜の合計膜厚（実施例では８０ｎｍ）を超えた８０〜３００ｎｍ程度に選ぶと良い。
【００１５】
加えて、側壁部に磁性膜が堆積しないようにすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロスイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラックからのクロストークを抑制する効果が期待できる。なぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ以上に加熱しないように出来るからである。このため、隣接トラックに記録された磁区では、磁壁移動が起こらず、通常の光磁気再生が行われるが、記録マーク長を光スポットの分解能以下に選択しておけば、大きなクロストークが発生することはない。
【００１６】
前述した磁気的なトラックの分断効果、クロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制効果の相乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の組み合わせは、面記録密度を飛躍的に向上させることが可能である（詳細な説明は、日本応用磁気学会誌Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．２，１９９９，ｐ７６４−７６９，白鳥「磁壁移動検出方式による光磁気ディスクの高密度化」を参照）。
【００１７】
上記の如く矩形に近い溝断面形状が磁壁移動検出方式にとっては優位とされており、その中で要求される深溝基板用スタンパーの作製には、異方性エッチングを用いて光ディスク基盤用スタンパーを製造する方法が提案されている。例えば、特開平７−１６１０８０号公報には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いた光ディスク基板用のスタンパーの製造加工方法が述べられている。図４を用いて、反応性イオンエッチング方式におけるランド／グルーブ記録基板用のスタンパーの製造加工方法について説明する。
【００１８】
図４（１）において、研磨後十分洗浄された合成石英原盤（石英ガラス）１０の表面に、必要に応じてプライマー等の下地処理をし、ポジ型フォトレジスト２を塗布する。その後、原盤をクリーンオーブン等でプリベークする。図４（２）において、Ａｒイオンレーザー等を光源とする露光装置（カッティングマシン）により、所定の領域を記録信号に応じて変調された光ビーム３を用いて露光する。その後、図４（３）にて前記無機アルカリ現像液でスピン現像し、露光部分４を除去する。後処理としての純水シャワー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン内で未露光部分５をポストベークする。
【００１９】
図４（４）ではその後、反応性イオンエッチング装置のチャンバー内に原盤を入れ、真空度１×１０−４Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ３等のガスを導入し反応性イオンエッチング１４を行いガラスマスター１３を得る。
【００２０】
図４（５）にて、濃硫酸と過酸化水素水を混合した剥離液中にガラスマスター１３を浸し、残留レジストを剥離し光ディスク原盤を得ることができる。図中８はランド部、９はグルーブ部となる。図４（６）では洗浄後、ガラスマスター１３の表面にＮｉ導電膜６をスパッタリングすることにより導電化する。図４（７）において、更にＮｉ電鋳を行う。１５はＮｉ電鋳層である。図４（８）でその後、Ｎｉ電鋳面を研磨してから、ガラスマスター１３よりＮｉ電鋳層１５を剥離する。以上のような工程で、スタンパー７を完成する（図４（９））。
【００２１】
また、同様に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用い、原盤ガラスとして高価な石英ガラスではなく、従来から使用されているソーダライムなどを主原料とした原盤ガラス上にＳｉＯ２膜等の薄膜を成膜し、ランド／グルーブ記録用基板のスタンパーの製造加工方法も提案されている。例えば特開平１３−２４３６６５号公報では、原盤ガラス上に複数の薄膜を積層し、フォトレジストを塗布し、その後露光、現像した後に反応性イオンエッチングを用いて光ディスク基板用スタンパーを製造加工する方法が述べられている。
【００２２】
以下図５を用いて、原盤ガラス上にＳｉＯ２膜等の無機酸化物薄膜を成膜した原盤ガラスを用いた反応性イオンエッチング方式におけるスタンパーの製造加工方法について説明する。
【００２３】
図５（１）において研磨された原盤ガラス１を十分に洗浄した後、原盤ガラス１上に第一の薄膜層としてＡｌ２Ｏ３膜２１を形成する。
【００２４】
図５（２）において第二の薄膜層としてＳｉＯ２膜２２を１４０ｎｍ程度の厚みにスパッタリングによって形成する。
【００２５】
次に図５（３）にて、ＳｉＯ２膜２２の表面に必要に応じてプライマー等の下地処理をした後、ポジ型フォトレジスト２をスピンコートする。図５（４）にて、Ａｒイオンレーザー等を光源とする露光装置（カッティングマシン）により、所定の領域を記録信号に応じて変調された光ビーム３を用いて露光する。図５（５）にてその後、前記無機アルカリ現像液でスピン現像し、露光部４を除去する。後処理としての純水シャワー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン内でポストベークする。図５（６）において、反応性イオンエッチング装置のチャンバー内に原盤を入れ、真空度１×１０−４Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ３等のガスを導入し反応性イオンエッチング１４を行う。エッチング時間を調整し、所定のグルーブ深さ（第二の薄膜層ＳｉＯ２膜厚２２に相当する分）に達するまでエッチングし、ガラスマスター１３を得る。次に図５（７）において、剥離液に浸し、残留レジストを剥離する。その後図５（８）において、アルカリ性液にガラスマスター１３を浸し、露出部の第一の薄膜層であるＡｌ２Ｏ３膜２１をウェットエッチングし所望の溝深さのガラスマスター１３を得る。図中８はランド部、９はグルーブ部となる。図５（９）洗浄後、ガラスマスター１３の表面に導電膜６をスパッタリングすることにより導電化する。更に図５（１０）にてＮｉ電鋳を行う。１５はＮｉ電鋳層である。その後、図５（１１）においてガラスマスター１３よりＮｉ電鋳層１５を剥離する。
【００２６】
以上のようにして、スタンパー７を完成する（図５（１２））。
【００２７】
また、使用用途によっては、剥離した金属スタンパーをマスタースタンパーとし、表面に不導体膜処理等を行いマザースタンパー／サンスタンパーと言ったスタンパーファミリーを作製することも可能である（図示せず）。
【００２８】
その後、プレス打ち抜き等を行い所望の形状にし、金属スタンパーが完成する。この金属スタンパーを使用して、射出成形法や２Ｐ法によって所望の溝形状の記録信号を有する光ディスク基板を複製する。この後光ディスク基板上にアルミニウム等の金属反射膜や磁性膜を形成して光ディスクを形成する。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は上記ＲＩＥ方式によるスタンパー作製工程のプロセス条件を検討し、磁壁移動検出方式における溝形状の最適化を進めていたが、大きな問題点としてＲＩＥ方式にて作製されたスタンパーは、側壁部が著しく荒れている事が判明した。これは、フォトレジストを現像した際に、ガラス原盤表面と残留レジストとの境目にスカム（微細なカス）が存在する事が要因であり、それによって反応性エッチングを行った後もスカムの影響を受けた形で側壁が形成されるからである。その為、スタンパーになった場合もランド／グルーブと側壁との境目にはスカムの影響を受けた凹凸の波状の形が残ってしまい、そのままの状態のスタンパーから作られた基板に磁壁移動方式の磁性膜をつけた場合では側壁部の荒れによって磁壁移動が阻害され、光磁気ディスクとしては実用性の乏しい結果となった。
【００３０】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ＲＩＥ方式で得られる矩形性の高い溝形状でありながら側壁の粗さの低減が可能な製造方法を提供することにある。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行い、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、次に記載する事項により特定することができる。
【００３２】
（１）光ディスク用スタンパーの製造方法において、ガラス原盤に石英ガラスもしくはガラス原盤上にＳｉＯ２膜等の薄膜を形成したものをガラス原盤として使用し、ガラス原盤にフォトレジストを塗布して作製したフォトレジスト原盤に光ビームを用いて記録パターンを露光する工程Ａ、露光したフォトレジスト原盤を現像する工程Ｂ、残留したフォトレジストをマスクとしてＣＨＦ系ガスにより、石英原盤もしくは、ＳｉＯ２膜等の薄膜を反応性イオンエッチングを行うことで、ガラスマスター上に微細パターンをエッチングしガラスマスター原盤を作製する工程Ｃ、ガラスマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写して２Ｐマスター原盤を作製する工程Ｄ、２Ｐマスター原盤に剥離層を形成して剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製する工程Ｅ、剥離層形成２Ｐマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写し２Ｐマザー原盤を作製する工程Ｆ、２Ｐマザー原盤表面に導電層を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製する工程Ｇ、および、導電層形成２Ｐマザー原盤から電鋳によって表面のランド／グルーブ形状を転写し金属スタンパーを作製する工程Ｈを有する光ディスク基板用スタンパーの製造方法において、工程Ｅまたは工程Ｇで溝側壁形状を変化させ、金属スタンパーの表面のランド／グルーブ形状を調節することを特徴とする光ディスク基板用スタンパーの製造方法である。
【００３３】
（２）前記工程Ｅにおいて、２Ｐマスター原盤あるいは２Ｐマスター原盤上の剥離層をエッチング等の表面処理によって表面形状を変化させることを特徴とする（１）記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法である。
【００３４】
（３）前記工程Ｇにおいて、２Ｐマザー原盤をエッチング等の表面処理によって表面形状を変化させることを特徴とする（１）あるいは（２）記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法である。
【００３５】
（４）前記光ディスク基板用スタンパーが、８０〜３００ｎｍのグルーブ深さを有することを特徴とする（１）ないし（３）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法である。
【００３６】
（５）前記光ディスク基板がランド・グルーブ記録方式光ディスク基板であることを特徴とする（１）ないし（４）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法である。
【００３７】
（６）（１）ないし（５）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法により製造することを特徴とする光ディスク基板用スタンパーである。
【００３８】
（７）（６）記載の光ディスク基板用スタンパーを用いて製造したランド・グルーブ記録方式光ディスク基板上に、第１、第２、第３の磁性層が順次積層されている光磁気記録媒体であって、前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において前記第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化層であり、前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層であり、前記第３の磁性層は垂直磁化層であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００３９】
（８）（７）記載の光磁気記録媒体において、ガイド溝の深さが３０〜３００ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００４０】
（９）（８）記載の光磁気記録媒体において、光磁気ディスク再生用ビームの波長をλ、光ディスク基板の屈折率をｎとするとき、前記ガイド溝の深さが、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６のいずれかであることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００４１】
（１０）（８）ないし（９）のいずれかに記載の光磁気記録媒体において、前記ガイド溝の深さが、前記第１から第３の磁性層の合計層厚よりも大きいことを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００４２】
以上、本発明を整理して要約すれば以下の構成に集約できる。
【００４３】
（１）光ディスク用スタンパーの製造方法において、反応性イオンエッチング法を用いて光ディスクスタンパーを作製する方法で、ガラスマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面の凹凸形状（ランド／グルーブ）を転写して２Ｐマスター原盤を作製する工程、２Ｐマスター原盤に剥離層を形成して剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製する工程、剥離層形成２Ｐマスター原盤から２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写し２Ｐマザー原盤を作製する工程、２Ｐマザー原盤表面に導電層を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製する工程、および、導電層形成２Ｐマザー原盤から電鋳によって表面のランド／グルーブ形状を転写し金属スタンパーを作製する工程を有する光ディスク基板用スタンパーの製造方法において、剥離層形成２Ｐマスター原盤または２Ｐマザー原盤で溝側壁形状を変化させ、金属スタンパーの表面のランド／グルーブ形状を調節することを特徴とする光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【００４４】
（２）前記２Ｐマスター原盤上に剥離層形成する工程において、２Ｐマスター原盤あるいは２Ｐマスター原盤上の剥離層をエッチング等の表面処理によって表面形状を変化させることを特徴とする前記（１）記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【００４５】
（３）前記剥離層形成２Ｐマスター原盤より２Ｐ樹脂を用いて表面のランド／グルーブ形状を転写し２Ｐマザー原盤を作製する工程において、作製された２Ｐマザー原盤をエッチング等の表面処理によって表面形状を変化させることを特徴とする前記（１）記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【００４６】
（４）前記（１）ないし（３）いずれか記載の光ディスクスタンパーの製造方法において、前記光ディスク基板はランド／グルーブ記録可能な基板であることを特徴とする光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【００４７】
（５）前記光ディスク基板用スタンパーが、８０〜３００ｎｍのグルーブ深さを有することを特徴とする前記（１）ないし（４）いずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【００４８】
（６）前記光ディスク基板がランド・グルーブ記録方式光ディスク基板であることを特徴とする前記（１）ないし（５）いずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法。
【００４９】
（７）前記（１）ないし（６）のいずれかに記載の光ディスク基板用スタンパーの製造方法により製造することを特徴とする光ディスク基板用スタンパー。
【００５０】
（８）前記（７）記載の光ディスク基板用スタンパーを用いて製造したランド・グルーブ記録方式光ディスク基板上に、第１、第２、第３の磁性層が順次積層されている光磁気記録媒体であって、前記第１の磁性層は、周囲温度近傍の温度において前記第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化層であり、前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層および第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層であり、前記第３の磁性層は垂直磁化層であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００５１】
（９）前記（８）記載の光磁気記録媒体において、ガイド溝の深さが８０〜３００ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００５２】
（１０）前記（９）記載の光磁気記録媒体において、光磁気ディスク再生用ビームの波長をλ、光ディスク基板の屈折率をｎとするとき、前記ガイド溝の深さが、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６のいずれかであることを特徴とする光磁気記録媒体。
【００５３】
（１１）前記（９）または（１０）に記載の光磁気記録媒体において、前記ガイド溝の深さが、前記第１から第３の磁性層の合計層厚よりも大きいことを特徴とする光磁気記録媒体。
【００５４】
【発明の実施の形態】
次に実施例を用いて、本発明を更に詳細に説明する
（実施例１）
図６は本発明の光ディスク基板用スタンパーの製造方法の概要を示す図である。
【００５５】
また表面観察は、電子線走査型顕微鏡（ＳＥＭ）、Ｓ−４０００（日立製作所製、商品名）を用いて観察した。
【００５６】
まず、図６（１）に示すように、外形２００ｍｍ、厚さ６ｍｍで、粗度５ｎｍ以下に研磨された原盤ガラス１を用意し、その表面に第一の薄膜層としてＡｌ２Ｏ３膜２１を２０ｎｍ成膜した。次いで図６（２）に示すように、その上に第二の薄膜層としてＳｉＯ２膜２２を１６０ｎｍ成膜した。次いで図６（３）に示すように、その上にシランカップリング材をスピンコートして下地処理を行った後、ポジ型フォトレジスト２を同じくスピンコートし、フォトレジスト２膜厚を１００ｎｍとなるようにした。次いで図６（４）に示すように、原盤ガラス１上のフォトレジスト２へ光ビーム３による露光を行った。次いで図６（５）に示すように、現像によって露光部分４を除去した。
【００５７】
次いで図６（６）に示すように、現像によって露出したＳｉＯ２膜２２の表面を反応性イオンエッチング１４によってエッチングし、溝深さ１６０ｎｍのガラスマスター１３を作製した。具体的には、反応性イオンエッチング装置のチャンバー内に原盤ガラス１を入れ、真空度１×１０−４Ｐａまで排気し、ＣＨＦ３ガスを導入しＳｉＯ２層２２に反応性イオンエッチング１４を行った。このとき、ガス流量６ｓｃｃｍ、ガス圧力０．３Ｐａ、ＲＦ電力１００Ｗの条件で、エッチングレートは２０ｎｍ／ｍｉｎ程度であった。ＣＨＦ３ガスは、ＳｉＯ２層２２はエッチングするが、Ａｌ２Ｏ３層２１に対しては反応性が極めて低くほとんどエッチングしない（エッチング選択比はＡｌ２Ｏ３：ＳｉＯ２＝１：２０〜３０程度）。したがって、エッチング時間を厳密に調整しなくても、Ａｌ２Ｏ３層２１が露出した段階でエッチングが自動的に停止する。つまり、Ａｌ２Ｏ３層２１はストッパ層として機能するので、エッチングする深さとエッチングレートより算出される時間より、幾分過剰にエッチングを行えば、エッチングチャンバー内の雰囲気の変動や不均一などが多少発生しても、常に所定のグルーブ深さに場所むらなくエッチングが達成される。
【００５８】
なお、本実施例では、エッチングガスにＣＨＦ３を用いたが、これにＣＦ４ガスを加えても良いし、ＣＦ４ガスにＨ２ガスを加えて使用しても良好な結果が得られる。また、本実施例では反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いたが、本発明はこれに限定されず、ドライエッチングのうち異方性エッチングが可能な方法であればよく、例えばスパッタエッチング（ＳＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、スパッタイオンビームエッチング（ＳＩＢＥ）なども用いることができる。
【００５９】
次いで図６（７）に示すように、ガラスマスター１３上の残留フォトレジスト５をアセトンにより溶解洗浄し、さらに酸素プラズマアッシングを行い残留フォトレジスト５を除去した。次いで図６（８）に示すように、Ａｌ２Ｏ３膜２１を除去するために、無機アルカリ液（日本応化社製：ＮＭＤ−Ｗ）に１０分間浸漬することによって、ウェットエッチングを行いガラスマスター原盤を作製した。
【００６０】
上記ガラスマスター原盤を用いて、図６（９）にて２Ｐマスター原盤８１を作製した。２Ｐマスター原盤８１の作製に際しては、ガラスマスター原盤の作製に使用したのと同じガラス原盤１を用いたが、表面荒さ、材質、大きさ等は、特に規定されるものでは無く、ランド／グルーブの凹凸パターンが転写可能であればどのようなものでも問わない。２Ｐマスタ原盤８１となるガラス原盤１の表面にはフォトレジスト原盤作製時と同様にシランカップリング剤などにより、プライマー処理を施した。その後光重合樹脂（２Ｐ樹脂と表すことがある）８０をガラスマスター原盤上に適量、滴下し泡やごみの混入に細心の注意を払いながら、２Ｐマスター原盤８１となるガラス原盤１を乗せた。ガラス原盤１が位置ずれを起こさぬ様、ＵＶオゾン照射装置内へ入れ、硬化した後に、ガラスマスター原盤を剥離し、図６（１０）に示す２Ｐマスター原盤８１を得た。
【００６１】
図６（１１）に示すように、２Ｐマスター原盤８１の表面に、剥離層８３としてＳＩ３Ｎ４層を形成し剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製した。この時の層厚は１０〜２０ｎｍになるような条件とした。剥離層８３としてはＳＩ３Ｎ４層に限定されるものではなく、他にもＮｉ、ＴｉＮ層等でも同様の効果を得ることができ、緻密な薄層を形成できれば特に材質を問わない。剥離層の層構成としては１層に限定されるものではない。その後剥離層表面にＡｒプラズマエッチング処理９０を行った。使用した装置は酸素プラズマアッシング装置を使用し、別の配管系よりＡｒを導入した。この時の条件はガス流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧は５．０Ｐａ、ＲＦ電力は１００Ｗ、電極間距離１５０ｍｍ、エッチング時間は５．０分に設定し、剥離層８３の表面が５ｎｍエッチングされた。
【００６２】
剥離層形成２Ｐマスター原盤からのレプリカ品を、ＳＥＭ観察を行った。プラズマエッチングを行う事で剥離層形成２Ｐマスター原盤上の、側壁部の凹凸が緩やかになった事が確認された。これはプラズマエッチングを行う事で側壁部の、凸部の形状が削られた為と思われる。
【００６３】
また、本実施の形態では、プラズマエッチング装置を用いて行ったが、イオンエッチング、ウェットエッチング等他のエッチング方法においても同様の効果が得られている。
【００６４】
その後、図６（１１）に示した剥離層形成２Ｐマスター原盤８１を用い、図６（１２）に示すように２Ｐマスター原盤を作製するのと同じ方法で図６（１３）に示す２Ｐマザー原盤８２を作製した。
【００６５】
図６（１４）に示すように２Ｐマザー原盤８２上に、導電層６を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製した。スパッタリングによって１００ｎｍの層厚のＮｉ導電層を形成し、図６（１５）に示すようにＮｉ電鋳を３００μｍ行った。このときのＮｉ導電層の形成条件は、従来条件とし、スパッタ圧力：４×１０−３Ｐａ、スパッタ時間：２分、スパッタ電力：１００Ｗにて行った。
【００６６】
Ｎｉ電鋳層１５を剥離し、図６（１６）にて所望の形状に打ち抜き金属スタンパー７を得た。これをスタンパーＡとした。このように作製されたスタンパーＡ７から、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド／グルーブ記録方式光ディスク基板を作製した。光ディスク基板の作製には、紫外線硬化樹脂（日本化薬製：ＩＮＣ−１１８、商品名）を用い、直径８６．０ｍｍのガラス基板へ２Ｐ法によりスタンパーＡのパターンをガラス基板へと転写作製した。これを基板Ａとした。
【００６７】
基板ＡをＳＥＭで観察したところ、該剥離層形成２Ｐマスター原盤のレプリカＳＥＭ観察と比較し両方共に側壁部の荒れが抑えられている事が確認できた。
【００６８】
なお、基板特性の確認のために、上記基板Ａを用いて磁壁移動検出方式の光磁気媒体を作製した。上記基板上に磁壁移動検出方式の光磁気媒体の誘電体層であるＳＩ３Ｎ４層を厚さ３５ｎｍ形成し、次に第１の磁性層（磁壁移動層）としてＧｄＦｅＣｏ層を厚さ３６ｎｍ、第２の磁性層（スイッチング層）としてＴｂＦｅ層を厚さ１０ｎｍ、第３の磁性層（メモリ層）としてＴｂＦｅＣｏ層を厚さ６０ｎｍ、順次スパッタリングにより形成した。最後に誘電体層（保護層）としてＳＩ３Ｎ４層を厚さ５０ｎｍ形成した。上記の各層を形成した後、紫外線硬化型樹脂（大日本インキ：ＥＸ−７３０、商品名）により前記保護層面にハードコートを形成して光磁気記録媒体サンプルＡを作製した。ここで使用された紫外線硬化型樹脂は特に限定されるものではない。このようにして作製した光磁気記録媒体を波長６８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６のドライブ装置によって評価した。評価は第１の磁性層からの反射光量信号をオシロスコープへ取り込み、ランドトラック、グルーブトラック各々のノイズレベルを測定することによって行った。
【００６９】
ノイズレベルの評価の最も良い部分で光磁気記録媒体サンプルＡのランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。また上記ドライブ装置に乗せ、信号評価としてＣ／Ｎ比の測定を行ったところ、４３ｄｂであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００７０】
（実施例２）
実施例１と同様にスタンパー７、基板および光磁気記録媒体の作製を行った。但し、プラズマエッチング処理は２Ｐマスター原盤上に行い、その後剥離層の形成を行った。プラズマエッチング処理条件は実施例１と同じであるが、時間を２分で行った。
【００７１】
このようにして作製したスタンパー７をスタンパーＢとし、基板を基板Ｂとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＢとした。
【００７２】
実施例１と同様に、光磁気記録媒体サンプルＢの評価を行った。
【００７３】
なお光磁気記録媒体サンプルＢのノイズレベルの評価は、もっとも良い部分でランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。実施例１と同様に信号評価としてＣ／Ｎ比の測定を行ったところ、４１ｄｂであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００７４】
（実施例３）
実施例２と同様にスタンパー７、基板および光磁気記録媒体の作製を行った。但し、酸素プラズマエッチングを２Ｐマザー原盤に行った。このようにして作製したスタンパー７をスタンパーＣとし、基板を基板Ｃとし、光磁気記録媒体サンプルを光磁気記録媒体サンプルＣとした。
【００７５】
実施例１と同様にして、光磁気記録媒体サンプルの評価を行った。
【００７６】
光磁気記録媒体サンプルＣのノイズレベルの評価は、最も良い部分でランドトラックでは０．１ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．３ｖ（反射光量信号ＤＣ成分）＝４．３％となり、グルーブトラックでは０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。実施例１と同様、信号評価としてＣ／Ｎ比の測定を行ったところ、４３ｄｂであり実使用上十分に改善された結果となり、磁壁の移動も阻害される事は無かった。
【００７７】
このスタンパーで作製した基板を用いて調製した光磁気記録媒体は、いずれも磁壁移動が円滑であった。
【００７８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係るＲＩＥ方式による光ディスク基板用スタンパーの製造方法は、２Ｐマスター原盤に剥離層を形成して剥離層形成２Ｐマスター原盤を作製する工程または２Ｐマザー原盤表面に導電層を形成し導電層形成２Ｐマザー原盤を作製する工程において、各々の原盤あるいは層を形成する際にエッチング等の表面処理を行う事により、側壁部の荒さを低減することが可能であり、磁壁移動検出方式に最適なランド／グルーブ形状を作製することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁壁移動検出方式の光磁気記録媒体およびその再生方法における作用を説明するため模式図、（ａ）は光磁気記録媒体の模式的断面図、（ｂ）は光磁気記録媒体上に形成される温度分布を示すグラフ、（ｃ）は（ｂ）の温度分布に対応する第１の磁性層の磁壁エネルギー密度σの分布を示すグラフ、（ｄ）はＦ１のＸ方向の分布を示す図
【図２】光磁気記録媒体の層構成を示す模式的断面図
【図３】図２にて説明した構成の光磁気記録媒体のランド部およびグルーブ部における層構成を示す模式的断面図
【図４】（１），（２），（３），（４），（５），（６），（７），（８），（９）　従来技術に基づく光ディスク基板用スタンパーの製造方法例の説明図
【図５】（１），（２），（３），（４），（５），（６），（７），（８），（９），（１０），（１１），（１２）　従来技術に基づく光ディスク基板用スタンパーの製造方法例の説明図
【図６】（１），（２），（３），（４），（５），（６），（７），（８），（９），（１０），（１１），（１２），（１３），（１４），（１５），（１６）　本発明の光ディスク基板用スタンパーの製造方法の概要を示す図
【符号の説明】
１　ガラス原盤
２　フォトレジスト
３　露光用光ビーム
４　露光部
５　未露光部
６　Ｎｉ導電層
７　スタンパー
８　ランドトラック
９　グルーブトラック
１０　石英ガラス
１３　ガラスマスター
１４　反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
１５　ＮＩ電鋳層
２１　Ａｌ２Ｏ３膜
２２　ＳｉＯ２膜
８０　２Ｐ樹脂
８１　２Ｐマスター原盤
８２　２Ｐマザー原盤
８３　剥離層
９０　エッチング処理
１１１　第１の磁性層
１１２　第２の磁性層
１１３　第３の磁性層
１１４　原子スピン
１１５　磁壁
１１６　読み出し用光スポット
１１７　磁壁の移動方向
１１８　基板移動方向
１１９　誘電体層
１２０　第３の磁性層
１２１　第２の磁性層
１２２　第１の磁性層
１２３　誘電体層
１２４　基板
１２５　記録再生用光ビーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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