(57)【要約】【課題】基板処理において、基板Ｗ表面に不要な酸化膜やウォーターマークの発生を抑制するとともに、装置外への排気量を低減することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、気密性の部材に包囲され、その内部空間はさらに気密性の部材により水洗乾燥処理室３と、第１薬液処理室４と、第２薬液処理室５と、基板搬送室６とに仕切られる。各室へ基板Ｗを搬出入するための開口部は密閉手段を備えた開閉機構で開放及び閉鎖を可能としている。このため、処理中の基板Ｗの搬送を、酸素を含む外気と隔離した環境の中で行うことが可能であり、搬送中の基板Ｗ表面に不要な酸化膜やォーターマークが発生することを抑制することができる。また、薬液を含む雰囲気を装置外部へ拡散させないための排気量を低減することができる。【選択図】図１
2004282024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、
基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、
前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、
前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、
前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、
前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、
前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、
前記第１処理室の上方位置及び前記第２処理室の上方位置の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、
前記第３開口部を介して前記第１処理室及び前記第２処理室の間で基板の搬送を行う第２搬送手段と、
前記第１開口部を介して前記第１処理室の上方位置及び前記薬液処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第３搬送手段と、
前記第２開口部を介して前記第２処理室の上方位置及び前記純水処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第４搬送手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、
前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、
基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、
前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、
前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、
前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、
前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、
前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、
前記第１処理室の上方位置及び前記第２処理室の上方位置の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、
前記第１開口部、前記第２開口部、及び前記第３開口部を介して、前記第１処理室の上方位置、前記薬液処理部、前記純水処理部、及び前記第２処理室の上方位置の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段との間で基板の受渡しを行う第２搬送手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、
前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項６から請求項９までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、
基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、
前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、
前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、
前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、
前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、
前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、
前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記第１処理室、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記第２処理室の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、
前記第３開口部を介して前記薬液処理部及び前記純水処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段との間で基板の受渡しを行う第２搬送手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、
前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項１１から請求項１４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、
基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、
前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、
前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、
前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、
前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、
前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、
前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記薬液処理部、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記純水処理部の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、
前記第３開口部を介して前記薬液処理部及び前記純水処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段との間で基板の受渡しを行う第２搬送手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、
前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
請求項１６から請求項１９までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、
基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、
前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、
前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、
前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、
前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、
前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、
前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記第１処理室、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記第２処理室の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、
前記第３開口部を介して前記第１処理室及び前記第２処理室の間で基板の搬送を行う第２搬送手段と、
前記第１処理室内において、前記薬液処理部内及び前記薬液処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第３搬送手段と、
前記第２処理室内において、前記純水処理部内及び前記純水処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第４搬送手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、
前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２３】
請求項２１または請求項２２に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２５】
請求項２１から請求項２４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２６】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、
基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、
前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、
前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、
前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、
前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、
前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、
前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記薬液処理部、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記純水処理部の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、
前記第３開口部を介して前記第１処理室及び前記第２処理室の間で基板の搬送を行う第２搬送手段と、
前記第１処理室内において、前記薬液処理部内及び前記薬液処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第３搬送手段と、
前記第２処理室内において、前記純水処理部内及び前記純水処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第４搬送手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２７】
請求項２６に記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、
前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２８】
請求項２６または請求項２７に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２９】
請求項２８に記載の基板処理装置であって、
前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３０】
請求項２６から請求項２９までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の処理工程においては、種々の処理液に基板を浸漬することにより基板の表面処理を行っている。図１３は、従来の基板処理装置の一例を示す模式図である。
【０００３】
図１３において、基板処理装置１０１は主として、複数の処理槽群と、乾燥室１２０と、基板Ｗを搬送するための搬送機構とを備えている。複数の処理槽としては、エッチング液などの薬液を貯留した薬液槽１１１，１１３と、リンス液である純水を貯留した水洗槽１１２，１１４とが配置されている。搬送機構は、基板Ｗを各処理槽に浸漬するための昇降機構１３１と、各処理槽および乾燥室の間の基板の搬送を行うための横行機構１３２とを備えている。各処理槽１１１，１１２，１１３，１１４および乾燥室１２０は、それぞれ六方をチャンバ１４０に包囲されており、各チャンバ１４０の上面部には、それぞれ開閉扉１４１が配設されている。各開閉扉１４１は、それぞれ通常は閉鎖しており、基板Ｗが各開閉扉１４１を通過するときにのみ、昇降機構１３１と連動して開放するように構成されている。図１４は、１つのチャンバ１４０を上方から見た平面図である。図１４に示すように各開閉扉１４１には、閉鎖した状態においても昇降機構１３１のアーム部分１３１ａの昇降運動を許容する開口が生じる様な切り欠き１４１ａが設けられており、各開閉扉１４１を閉鎖した状態であっても、各チャンバ１４０内は外部空間と完全に遮断された密閉状態となっているわけではない。そこで、各チャンバ１４０の適所には、各チャンバ１４０内部の雰囲気を排気するための排気機構１４２が連結しており、排気機構１４２から常時排気を行うことにより、薬液を含む雰囲気がチャンバ１４０の外部へ拡散することを抑制している。
【０００４】
この基板処理装置１０１において基板Ｗの処理を行う場合には、装置外部から搬入された未処理の基板Ｗを昇降機構１３１および横行機構１３２により搬送し、薬液槽１１１、水洗槽１１２、薬液槽１１３、水洗槽１１４の順で浸漬していき、乾燥室１２０内で乾燥させた後、装置外部へ搬出することになる。
【０００５】
このような従来の基板処理装置の構成は、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６０８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記従来の構成では、以下のような問題が存在する。
【０００８】
まず第１に、従来の構成においては、各処理槽および乾燥室１２０の間で処理中の基板Ｗを搬送する際、酸素を含む外気中を搬送することになるため、基板Ｗ表面に不要な酸化膜が形成されたり、水洗後の基板Ｗ表面にウォーターマークなどの欠陥が発生してしまうという問題が存在する。
【０００９】
第２に、従来の構成においては、各チャンバ１４０内部は外部空間と完全に遮断された密閉状態とはならないため、薬液を含む雰囲気をチャンバ１４０の外部へ拡散させないために、排気機構１４２からは大きな排気量が必要になるという問題が存在する。
【００１０】
第３に、従来の構成においては、各処理槽内の薬液が外部雰囲気と接触することになるため、薬液の寿命が短く、薬液の交換量が多く必要になるという問題が存在する。特に、外気中の酸素と接触することにより酸化しやすい薬液や、揮発性の薬液や、雰囲気中の水分を吸収することにより劣化しやすい薬液などを用いる場合には、この問題が顕著となる。
【００１１】
第４に、従来の構成においては、基板Ｗを搬送する際、昇降機構１３１と横行機構１３２との間で基板Ｗの受渡し動作を行う回数が多いため、受渡し動作に伴う発塵の危険性が高いという問題が存在する。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、基板処理において、基板Ｗ表面に不要な酸化膜やウォーターマークの発生を抑制するとともに、装置外への排気量を低減することができる基板処理装置を提供することを目的とする。また特に、薬液の交換量を低減することができ、発塵の危険性も低減することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、前記第１処理室の上方位置及び前記第２処理室の上方位置の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、前記第３開口部を介して前記第１処理室及び前記第２処理室の間で基板の搬送を行う第２搬送手段と、前記第１開口部を介して前記第１処理室の上方位置及び前記薬液処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第３搬送手段と、前記第２開口部を介して前記第２処理室の上方位置及び前記純水処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第４搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする。
【００１５】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする。
【００１７】
請求項５に係る発明は、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
請求項６に係る発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、前記第１処理室の上方位置及び前記第２処理室の上方位置の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、前記第１開口部、前記第２開口部、及び前記第３開口部を介して、前記第１処理室の上方位置、前記薬液処理部、前記純水処理部、及び前記第２処理室の上方位置の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段との間で基板の受渡しを行う第２搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１９】
請求項７に係る発明は、請求項６に記載の基板処理装置であって、前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする。
【００２０】
請求項８に係る発明は、請求項６または請求項７に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする。
【００２１】
請求項９に係る発明は、請求項８に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする。
【００２２】
請求項１０に係る発明は、請求項６から請求項９までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、をさらに備えることを特徴とする。
【００２３】
請求項１１に係る発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記第１処理室、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記第２処理室の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、前記第３開口部を介して前記薬液処理部及び前記純水処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段との間で基板の受渡しを行う第２搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００２４】
請求項１２に係る発明は、請求項１１に記載の基板処理装置であって、前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする。
【００２５】
請求項１３に係る発明は、請求項１１または請求項１２に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする。
【００２６】
請求項１４に係る発明は、請求項１３に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする。
【００２７】
請求項１５に係る発明は、請求項１１から請求項１４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする。
【００２８】
請求項１６に係る発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記薬液処理部、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記純水処理部の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、前記第３開口部を介して前記薬液処理部及び前記純水処理部の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段との間で基板の受渡しを行う第２搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００２９】
請求項１７に係る発明は、請求項１６に記載の基板処理装置であって、前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする。
【００３０】
請求項１８に係る発明は、請求項１６または請求項１７に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする。
【００３１】
請求項１９に係る発明は、請求項１８に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする。
【００３２】
請求項２０に係る発明は、請求項１６から請求項１９までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする。
【００３３】
請求項２１に係る発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記第１処理室、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記第２処理室の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、前記第３開口部を介して前記第１処理室及び前記第２処理室の間で基板の搬送を行う第２搬送手段と、前記第１処理室内において、前記薬液処理部内及び前記薬液処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第３搬送手段と、前記第２処理室内において、前記純水処理部内及び前記純水処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第４搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００３４】
請求項２２に係る発明は、請求項２１に記載の基板処理装置であって、前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする。
【００３５】
請求項２３に係る発明は、請求項２１または請求項２２に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする。
【００３６】
請求項２４に係る発明は、請求項２３に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする。
【００３７】
請求項２５に係る発明は、請求項２１から請求項２４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする。
【００３８】
請求項２６に係る発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板に薬液による薬液処理を行う薬液処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第１処理室と、基板に純水による純水処理を行う純水処理部及び基板に乾燥処理を行う乾燥処理部を有し、外部との雰囲気の遮断が可能な第２処理室と、前記第１処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第１開口部と、前記第１開口部を開閉する第１シャッタ部材と、前記第２処理室の上部に形成され、基板の通過が可能な第２開口部と、前記第２開口部を開閉する第２シャッタ部材と、前記第１処理室と前記第２処理室との間に形成され、基板の通過が可能な第３開口部と、前記第３開口部を開閉する第３シャッタ部材と、前記第１開口部及び前記第２開口部を介して、前記薬液処理部、前記第１処理室の上方位置、前記第２処理室の上方位置、及び前記純水処理部の間を移動可能であり、基板の搬送を行う第１搬送手段と、前記第３開口部を介して前記第１処理室及び前記第２処理室の間で基板の搬送を行う第２搬送手段と、前記第１処理室内において、前記薬液処理部内及び前記薬液処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第３搬送手段と、前記第２処理室内において、前記純水処理部内及び前記純水処理部外の間で基板の搬送を行うとともに、前記第１搬送手段及び前記第２搬送手段との間で基板の受渡しを行う第４搬送手段と、を備えたことを特徴とする。
【００３９】
請求項２７に係る発明は、請求項２６に記載の基板処理装置であって、前記第１処理室は、前記薬液処理部を含む薬液処理室と、前記開口部を含むとともに前記搬送手段により基板の搬送を行わせる搬送室とを有し、前記薬液処理室と前記搬送室とは互いの雰囲気が遮断可能であることを特徴とする。
【００４０】
請求項２８に係る発明は、請求項２６または請求項２７に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理部は複数の薬液槽を備えることを特徴とする。
【００４１】
請求項２９に係る発明は、請求項２８に記載の基板処理装置であって、前記薬液処理室を、前記複数の薬液槽のそれぞれを含む複数の薬液単位処理室に仕切り、前記複数の薬液単位処理室のそれぞれの雰囲気を遮断可能であることを特徴とする。
【００４２】
請求項３０に係る発明は、請求項２６から請求項２９までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記第１処理室内及び前記第２処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第１処理室内及び前記第２処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００４３】
請求項１〜３０に記載の発明によれば、薬液処理、水洗処理を行う間の基板の搬送を、酸素を含む外気と隔離した処理室の中で行うことが可能であるため、搬送中の基板表面に不要な酸化膜が形成されたり、水洗処理後の基板表面にウォーターマークなどの欠陥が発生してしまうという問題の発生を抑制することができる。また、処理室内は外部空間と遮断された密閉状態となるため、薬液を含む雰囲気を装置外部へ拡散させないための排気量を低減することができる。また、外気中の酸素と接触することにより酸化しやすい薬液を用いる場合においても、薬液の酸化を抑制することができ、揮発性の薬液を用いる場合においても、薬液の揮発量を抑制することができ、外気中の水分を吸収することにより劣化しやすい薬液を用いる場合においても、薬液の劣化を抑制することができるため、薬液の交換量を低減することができる。また、第１処理室内の雰囲気と第２処理室内の雰囲気とを互いに遮断可能であるため、薬液を含む雰囲気を装置外部へ拡散させないための排気量をさらに低減することができる。また、第１処理室の内部雰囲気における水分量を低減することができるため、雰囲気中の水分を吸収することにより劣化しやすい薬液を用いる場合においても、薬液の劣化をより抑制することができ、薬液の交換量をさらに低減することができる。
【００４４】
また、基板の乾燥処理までを酸素を含む外気と隔離した装置内で行うことが可能であるため、薬液を含む雰囲気を装置外部へ拡散させないための排気量を低減することができるとともに、未処理の基板を乾燥状態で基板処理装置内へ搬入し、処理後の基板を乾燥状態で基板処理装置から搬出することが可能となる。すなわち、薬液または水分が基板表面に付着した状態で装置外部を搬送することがなくなるため、基板表面に不要な酸化膜が形成されたり、ウォーターマークなどの欠陥が発生してしまうという問題の発生を抑制することができる。
【００４５】
特に、請求項２，７，１２，１７，２２，２７に記載の発明によれば、薬液を含む雰囲気を装置外部へ拡散させないための排気量をさらに低減することができる。また、薬液処理室内の雰囲気を外部雰囲気からより遮断可能であるため、薬液の寿命をより伸ばすことができ、薬液の交換量をさらに低減することができる。
【００４６】
特に、請求項５，１０，１５，２０，２５，３０に記載の発明によれば、処理室の内部雰囲気を常時不活性ガスで置換することができ、搬送中の基板表面に不要な酸化膜が形成されたり、水洗処理後の基板表面にウォーターマークなどの欠陥が発生してしまうという問題の発生をより抑制することができる。また、外気中の酸素と接触することにより酸化しやすい薬液や、雰囲気中の水分を吸収することにより劣化しやすい薬液などを用いる場合においても、薬液の寿命をより伸ばすことができ、薬液の交換量をさらに低減することができる。
【００４７】
特に、請求項６〜１０，１１〜１５，１６〜２０に記載の発明によれば、基板の受渡し動作を行う回数を減少させることができるため、受渡し動作に伴う発塵の危険性を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００４９】
＜１．基板処理装置１の要部構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部構造を示す縦断面図である。図２，図３は、それぞれ図１におけるＩＩ−ＩＩ位置、ＩＩＩ−ＩＩＩ位置から見た水平断面図である。図４は、基板処理装置１に付帯する配管等の構成を示す概念図である。まず、図１〜図４を参照しつつ基板処理装置１の装置構成について以下に説明する。
【００５０】
基板処理装置１は、複数の基板（以下、「複数の基板」を単に「基板」という。）Ｗを一括して搬送し、基板Ｗに対して薬液処理、水洗処理（純水処理）、および乾燥処理を施す装置であり、大きく薬液処理室（第１処理室）２と水洗乾燥処理室（第２処理室）３とに分かれる。これらの薬液処理室２と水洗乾燥処理室３とは共に気密性の部材に包囲された略筐体となっており、隣接配置され一体化している。薬液処理室２と水洗乾燥処理室３との隣接境界における気密性の部材は、第１仕切部材である。
【００５１】
薬液処理室２の上面には、開閉機構２１により開閉可能な基板搬入口２２が形成されている。基板搬入口２２は、後述する開口部４２の鉛直方向で上方に設けられている。開閉機構２１は、図１中に概念的に示したアクチュエータ２１ａによりスライドドア２１ｂを開閉できる機構となっている。スライドドア２１ｂはＯリング等の密閉手段を備えており、開閉機構２１を閉鎖した状態では薬液処理室２内部の雰囲気と装置外部の雰囲気とを遮断する。一方、開閉機構２１を開放した状態では、基板搬入口２２から基板Ｗの搬入を行う。
【００５２】
水洗乾燥処理室３の上面には、開閉機構３１により開閉可能な基板搬出口３２が形成されている。開閉機構３１は、図１中に概念的に示したアクチュエータ３１ａによりスライドドア３１ｂを開閉できる機構となっている。スライドドア３１ｂはＯリング等の密閉手段を備えており、開閉機構３１を閉鎖した状態では水洗乾燥処理室３内部の雰囲気と装置外部の雰囲気とを遮断する。一方、開閉機構３１を開放した状態では、基板搬出口３２から基板Ｗの搬出を行う。
【００５３】
したがって、開閉機構２１と開閉機構３１とを共に閉鎖することにより、基板処理装置１の内部空間（処理室）は、外部の雰囲気から遮断された空間とすることができる。
【００５４】
薬液処理室２内はさらに、気密性の仕切部材により第１薬液処理室４と、第２薬液処理室５と、基板搬送室６とに分かれている。第１薬液処理室４と第２薬液処理室５とは隣接配置されており、第１薬液処理室４と第２薬液処理室５との上部が基板搬送室６となっている。なお、第１薬液処理室４および第２薬液処理室５と基板搬送室６との境界面における仕切部材は、第２仕切部材であり、第１薬液処理室４と第２薬液処理室５との隣接境界における仕切部材は、第３仕切部材である。
【００５５】
第１薬液処理室４と基板搬送室６との間の仕切部材には、開閉機構４１により開閉可能な開口部４２が形成されている。開閉機構４１は、図１中に概念的に示したアクチュエータ４１ａによりスライドドア４１ｂを開閉する機構となっている。スライドドア４１ｂはＯリング等の密閉手段を備えており、開閉機構４１を閉鎖した状態では第１薬液処理室４内部の雰囲気と基板搬送室６内部の雰囲気とを互いに遮断する。一方、開閉機構４１を開放した状態では、開口部４２を経由して基板Ｗの搬送を行う。
【００５６】
第２薬液処理室５と基板搬送室６との間の仕切部材には、開閉機構５１により開閉可能な開口部５２が形成されている。開閉機構５１は、図１中に概念的に示したアクチュエータ５１ａによりスライドドア５１ｂを開閉する機構となっている。スライドドア５１ｂはＯリング等の密閉手段を備えており、開閉機構５１を閉鎖した状態では第２薬液処理室５内部の雰囲気と基板搬送室６内部の雰囲気とを互いに遮断する。一方、開閉機構５１を開放した状態では、開口部５２を経由して基板Ｗの搬送を行う。
【００５７】
また、基板搬送室６と水洗乾燥処理室３との間の仕切部材には、開閉機構６１により開閉可能な開口部６２が形成されている。開閉機構６１は、図１中に概念的に示したアクチュエータ６１ａによりスライドドア６１ｂを開閉する機構となっている。スライドドア６１ｂはＯリング等の密閉手段を備えており、開閉機構６１を閉鎖した状態では薬液処理室２内部の雰囲気と水洗乾燥処理室３内部の雰囲気とを互いに遮断する。一方、開閉機構６１を開放した状態では、開口部６２を経由して基板Ｗの搬送を行う。
【００５８】
第１薬液処理室４内部には略筐体のケーシング４３が配置され、ケーシング４３の内部には第１薬液槽４４が収容されている。第１薬液槽４４には、基板Ｗを基板処理装置１内へ搬入した後、最初に浸漬処理を行わせたいエッチング液等の薬液が貯留されている。ケーシング４３の上面部には、基板Ｗが通過可能な大きさの開口部４３ａと、開口部４３ａを開閉可能な扉４３ｂが配設されている。扉４３ｂは、図１中に概念的に示したアクチュエータ４３ｃにより観音開き式に開閉可能となっている。図１では扉４３ｂを閉鎖した状態、図３では扉４３ｂを開放した状態を示している。
【００５９】
第２薬液処理室５内部には略筐体のケーシング５３が配置され、ケーシング５３の内部には第２薬液槽５４が収容されている。第２薬液槽５４には、第１薬液槽４４より後に基板Ｗに対して浸漬処理を行わせたい薬液が貯留されている。ケーシング５３の上面部には、基板Ｗが通過可能な大きさの開口部５３ａと、開口部５３ａを開閉可能な扉５３ｂが配設されている。扉５３ｂは、図１中に概念的に示したアクチュエータ５３ｃにより観音開き式に開閉可能となっている。図１では扉５３ｂを閉鎖した状態、図３では扉５３ｂを開放した状態を示している。
【００６０】
また、水洗乾燥処理室３内部には略筐体のケーシング３３が配置され、ケーシング３３の内部には水洗槽３４が収容されている。水洗槽３４には純水が貯留されている。ケーシング３３の上面部には、基板Ｗが通過可能な大きさの開口部３３ａと、開口部３３ａを開閉可能な扉３３ｂが配設されている。扉３３ｂは、図１中に概念的に示したアクチュエータ３３ｃにより観音開き式に開閉可能となっている。図１では扉３３ｂを閉鎖した状態、図３では扉３３ｂを開放した状態を示している。
【００６１】
上述した各アクチュエータ２１ａ，３１ａ，４１ａ，５１ａ，６１ａ，３３ｃ，４３ｃ，５３ｃは、エアーシリンダ等種々の公知の機構を用いて実現可能である。
【００６２】
基板処理装置１は、基板Ｗを搬送するための機構として２つの搬送機構６５，７０と、３つの昇降機構３５，４５，５５とを備えている。
【００６３】
搬送機構６５は、図２に示すように、基板Ｗの主面と直交する方向にのびる一対の軸６５ａと、軸６５ａを介して取り付けられた一対の保持板６５ｂとを備えており、各保持板６５ｂは軸６５ａの軸心周りに回転可能となっている。一対の保持板６５ｂの内側には基板Ｗの外縁部と嵌合する複数の溝（図示省略）が設けられており、起立姿勢の基板Ｗを両側から挟み込んで保持する。一対の保持板６５ｂおよび軸６５ａは、図２に概念的に示した駆動機構６５ｃにより、基板搬送室６内部を第１薬液槽４４，第２薬液槽５４の配設方向に一体横行することが可能であり、さらに、駆動機構６５ｃが伸長等することによって、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３の内部にまで横行することが可能となっている。すなわち、搬送機構６５は、基板Ｗを保持しつつ、昇降機構５５と基板Ｗの受渡しを行う位置と、昇降機構４５と基板Ｗの受渡しを行う位置と、水洗乾燥処理室３内の昇降機構３５と基板Ｗの受渡しを行う位置との間で、横行可能となっている。
【００６４】
搬送機構７０は、搬送機構６５と同じように、一対の軸とその軸心周りに回転可能な一対の保持板を備えている。そして、一対の保持板の内側に設けられた複数の溝に嵌合するように、起立姿勢の基板Ｗを両側から挟み込んで保持する。また、搬送機構７０は、他装置との間で基板Ｗの搬送を行うとともに、薬液処理室２の上方位置及び水洗乾燥処理室の上方位置の間を移動する。また、搬送機構７０は、基板搬出口３２の上方で後述する昇降機構３５と基板Ｗの受渡しを行うとともに、基板搬入口２２の上方で後述する昇降機構４５と基板Ｗの受渡しを行う。さらに、搬送機構７０は、図示されていない基板搬出入部との間で基板Ｗの受渡しを行う。
【００６５】
昇降機構３５は、図３に示すように、アーム３５ａと、アーム３５ａに固設された３本の保持棒３５ｂとを備えている。各保持棒３５ｂは、基板Ｗの主面と直交する方向にのびている。各保持棒３５ｂは基板Ｗの外縁部と嵌合する複数の溝（図示省略）を備えており、基板Ｗを起立姿勢に載置する。アーム３５ａおよび３本の保持棒３５ｂは、図３に概念的に示した駆動機構３５ｃにより、水洗乾燥処理室３内部を一体昇降することが可能であり、さらに、駆動機構３５ｃまたはアーム３５ａが伸長等することによって、基板搬出口３２を経由して基板搬出口３２の上方にまで上昇することが可能となっている。すなわち、昇降機構３５は、基板Ｗを載置しつつ、水洗槽３４に基板Ｗを浸漬する位置と、基板搬出口３２の上方で搬送機構７０と基板Ｗの受渡しを行うことができる位置との間で、昇降可能となっている。
【００６６】
昇降機構４５は、図３に示すように、アーム４５ａと、アーム４５ａに固設された３本の保持棒４５ｂとを備えている。各保持棒４５ｂは、基板Ｗの主面と直交する方向にのびている。各保持棒４５ｂは基板Ｗの外縁部と嵌合する複数の溝（図示省略）を備えており、基板Ｗを起立姿勢に載置する。アーム４５ａおよび３本の保持棒４５ｂは、図３に概念的に示した駆動機構４５ｃにより、第１薬液処理室４内部を一体昇降することが可能であり、また、駆動機構４５ｃまたはアーム４５ａが伸長等することによって、開口部４２を経由して基板搬送室６内部にまで、さらには基板搬入口２２を経由して基板搬入口２２の上方にまで上昇することが可能となっている。すなわち、昇降機構４５は、基板Ｗを載置しつつ、第１薬液槽４４に基板Ｗを浸漬する位置と、基板搬送室６内の搬送機構６５と基板Ｗの受渡しを行うことができる位置と、基板搬入口２２の上方で搬送機構７０と基板Ｗの受渡しを行うことができる位置との間で、昇降可能となっている。
【００６７】
昇降機構５５は、図３に示すように、アーム５５ａと、アーム５５ａに固設された３本の保持棒５５ｂとを備えている。各保持棒５５ｂは、基板Ｗの主面と直交する方向にのびている。各保持棒５５ｂは基板Ｗの外縁部と嵌合する複数の溝（図示省略）を備えており、基板Ｗを起立姿勢に載置する。アーム５５ａおよび３本の保持棒５５ｂは、図３に概念的に示した駆動機構５５ｃにより、第２薬液処理室５内部を一体昇降することが可能であり、また、駆動機構５５ｃまたはアーム５５ａが伸長等することによって、開口部５２を経由して基板搬送室６内部にまで上昇することが可能となっている。すなわち、昇降機構５５は、基板Ｗを載置しつつ、第２薬液槽５４に基板Ｗを浸漬する位置と、基板搬送室６内の搬送機構６５と基板Ｗの受渡しを行うことができる位置との間で、昇降可能となっている。
【００６８】
昇降機構３５，４５，５５，搬送機構６５の各駆動機構３５ｃ，４５ｃ，５５ｃ，６５ｃは、例えばモータの回転駆動をプーリおよびベルトなどを介して上下運動または横行運動として伝達する機構や、モータの回転駆動をボールネジを介して上下運動または横行運動として伝達する機構など、種々の公知の機構により実現可能である。
【００６９】
搬送機構６５，７０は起立姿勢の基板Ｗを側方から保持し、各昇降機構３５，４５，５５は起立姿勢の基板Ｗを下方から保持するため、搬送機構６５と各昇降機構３５，４５，５５とは、干渉することなく基板Ｗの受渡しを行う。
【００７０】
水洗乾燥処理室３，第１薬液処理室４，第２薬液処理室５，基板搬送室６の各室には、それぞれ不活性ガス供給ノズル３６，４６，５６，６６が配設されている。図４に示すように、各不活性ガス供給ノズル３６，４６，５６，６６には、それぞれ配管３６ａ，４６ａ，５６ａ，６６ａが連通接続しており、各配管３６ａ，４６ａ，５６ａ，６６ａは、それぞれバルブ３６ｂ，４６ｂ，５６ｂ，６６ｂを介して同一の配管１６ａに連通接続している。配管１６ａの他端部は不活性ガス供給源１６に連通接続しており、バルブ３６ｂ，４６ｂ，５６ｂ，６６ｂを開放することにより、水洗乾燥処理室３，第１薬液処理室４，第２薬液処理室５，基板搬送室６のそれぞれの内部空間に窒素ガス等の不活性ガスを供給する。
【００７１】
また、図４に示すように、ケーシング３３，４３，５３および基板搬送室６には、それぞれ排気ダクト３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａが接続されている。各排気ダクト３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａは、それぞれバルブ３７ｂ，４７ｂ，５７ｂ，６７ｂを介して同一の配管１７ａに連通接続している。配管１７ａには排気ポンプ１７が介挿されており、バルブ３７ｂ，４７ｂ，５７ｂ，６７ｂを開放することにより、水洗乾燥処理室３，第１薬液処理室４，第２薬液処理室５，基板搬送室６のそれぞれの内部雰囲気を排気する。
【００７２】
水洗乾燥処理室３には、さらに有機溶剤供給ノズル３８が配設されている。図４に示すように、有機溶剤供給ノズル３８には配管３８ａが連通接続しており、配管３８ａは、バルブ３８ｂを介して有機溶剤供給源１８に連通接続している。したがって、バルブ３８ｂを開放することにより、水洗乾燥処理室３の内部空間にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤の蒸気を供給し、水洗槽３４から引き揚げられた基板Ｗに対して有機溶剤を用いた乾燥処理を施す。
【００７３】
図５は、この基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。マイクロコンピュータ等を含む制御部９は、駆動機構３５ｃ，４５ｃ，５５ｃ，６５ｃを電気的に制御することにより、それぞれ昇降機構３５，４５，５５，搬送機構６５の駆動を操作、調節する。また、制御部９は、駆動機構３５ｃ，４５ｃ，５５ｃ，６５ｃの制御と連動してアクチュエータ２１ａ，３１ａ，４１ａ，５１ａ，６１ａ，３３ｃ，４３ｃ，５３ｃを電気的に制御することにより、それぞれ開閉機構２１，３１，４１，５１，６１，扉３３ｂ，４３ｂ，５３ｂを昇降機構３５，４５，５５または搬送機構６５が通過する時にのみ開放し、その他の時は閉鎖するように開閉操作する。また、制御部９は、バルブ３６ｂ，４６ｂ，５６ｂ，６６ｂ，３８ｂの開閉を電気的に制御することにより、それぞれ不活性ガス供給ノズル３６，４６，５６，６６，有機溶剤供給ノズル３８からの気体の吐出量を調節する。また、制御部９は、バルブ３７ｂ，４７ｂ，５７ｂ，６７ｂの開閉を電気的に制御することにより、それぞれ排気ダクト３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａからの排気量を調節する。
【００７４】
＜２．基板処理装置１における処理手順＞
図６は、基板処理装置１における基板Ｗの搬送経路を破線で示した図である。図１および図６を参照しつつ、以下に基板処理装置１における処理の手順について説明する。なお、上述したとおり、開閉機構２１，３１，４１，５１，６１，扉３３ｂ，４３ｂ，５３ｂは、それぞれ昇降機構３５，４５，５５または搬送機構６５が通過する時にのみ開放し、その他の時は閉鎖している。また、不活性ガス供給ノズル３６，４６，５６，６６からは常に所定量の不活性ガスが供給されると共に、排気ダクト３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａからは常に所定量の排気がされている。
【００７５】
基板処理装置１において基板Ｗの処理を行うときは、まず搬送機構７０により未処理の基板Ｗを基板搬入口２２の上方の位置Ｐ１まで搬送し、続いて昇降機構４５が開口部４２，基板搬入口２２を経由して位置Ｐ１まで上昇する。搬送機構７０が基板Ｗの保持を解除し、昇降機構４５が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ１において搬送機構７０から昇降機構４５への基板Ｗの受渡しを行う。
【００７６】
基板Ｗを載置した昇降機構４５は、基板搬入口２２，開口部４２を経由して第１薬液槽４４内の位置Ｐ２まで下降し、基板Ｗを第１薬液槽４４内の薬液に浸漬する。昇降機構４５は位置Ｐ２において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【００７７】
第１薬液槽４４における薬液処理中に、搬送機構６５は開口部４２上方の位置Ｐ３まで移動し、位置Ｐ３で待機しておく。第１薬液槽４４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した昇降機構４５は、開口部４２を経由して基板搬送室６内の位置Ｐ３まで上昇する。搬送機構６５が保持板６５ｂを回転し、昇降機構４５に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ３において昇降機構４５から搬送機構６５への基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構６５へ基板Ｗを渡した後、昇降機構４５は搬送機構６５の横行移動を妨げない位置まで下降する。
【００７８】
基板Ｗを保持した搬送機構６５は、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３内の位置Ｐ４まで横行移動し、続いて昇降機構３５が位置Ｐ４まで上昇する。搬送機構６５は保持板６５ｂを回転して基板Ｗの保持を解除し、昇降機構３５が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ４において搬送機構６５から昇降機構３５への基板Ｗの受渡しを行う。
【００７９】
基板Ｗを載置した昇降機構３５は、水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降し、基板Ｗを水洗槽３４内の純水に浸漬する。昇降機構３５は位置Ｐ５において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗの表面に付着した薬液を洗い流す、すなわち水洗処理を施す。
【００８０】
水洗槽３４における所定時間の水洗処理が終了すると、基板Ｗを載置した昇降機構４５は、搬送機構６５が待機する位置Ｐ４まで上昇する。搬送機構６５が保持板６５ｂを回転し、昇降機構３５に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ４において昇降機構３５から搬送機構６５へ基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構６５へ基板Ｗを渡した後、昇降機構３５は搬送機構６５の横行移動を妨げない位置まで下降する。
【００８１】
基板Ｗを保持した搬送機構６５は、開口部６２を経由して基板搬送室６内の開口部５２上方の位置Ｐ６まで横行移動し、続いて昇降機構５５が位置Ｐ６まで上昇する。搬送機構６５は保持板６５ｂを回転して基板Ｗの保持を解除し、昇降機構５５が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ６において搬送機構６５から昇降機構５５への基板Ｗの受渡しを行う。
【００８２】
基板Ｗを載置した昇降機構５５は、開口部５２を経由して第２薬液槽５４内の位置Ｐ７まで下降し、基板Ｗを第２薬液槽５４内の薬液に浸漬する。昇降機構５５は位置Ｐ７において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【００８３】
第２薬液槽５４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した昇降機構５５は、開口部５２を経由して搬送機構６５が待機する位置Ｐ６まで上昇する。搬送機構６５が保持板６５ｂを回転し、昇降機構５５に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ６において昇降機構５５から搬送機構６５への基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構６５へ基板Ｗを渡した後、昇降機構５５は搬送機構６５の横行移動を妨げない位置まで下降する。
【００８４】
基板Ｗを保持した搬送機構６５は、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３内の位置Ｐ４まで横行移動し、続いて昇降機構３５が位置Ｐ４まで上昇する。搬送機構６５は保持板６５ｂを回転して基板Ｗの保持を解除し、昇降機構３５が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ４において搬送機構６５から昇降機構３５への基板Ｗの受渡しを行う。
【００８５】
基板Ｗを載置した昇降機構３５は、水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降し、基板Ｗを水洗槽３４内の純水に浸漬する。昇降機構３５は位置Ｐ５において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗの表面に付着した薬液を洗い流す、すなわち水洗処理を施す。
【００８６】
水洗槽３４における所定時間の水洗処理が終了すると、基板Ｗを載置した昇降機構４５は、有機溶剤供給ノズル３８の側方の位置Ｐ８まで上昇する。そして、有機溶剤供給ノズル３８から有機溶剤の蒸気を供給することによって、基板Ｗに対して乾燥処理を施す。この乾燥処理は、供給された有機溶剤が基板Ｗの表面に凝縮し、基板Ｗ表面の水分と共に気化することにより進行する。
【００８７】
基板Ｗの乾燥処理終了後、基板Ｗを載置した昇降機構４５は、基板搬出口３２を経由して基板搬出口３２の上方の位置Ｐ９まで上昇し、位置Ｐ９に待機する搬送機構７０へ処理後の基板Ｗを渡して、基板処理装置１における一連の処理は終了する。
【００８８】
このように、本実施形態の基板処理装置１においては、薬液処理、水洗処理、乾燥処理を行う間の基板Ｗの搬送を、酸素を含む外気と隔離した水洗乾燥処理室３，第１薬液処理室４，第２薬液処理室５，基板搬送室６の中で行うことが可能であるため、搬送中の基板Ｗ表面に不要な酸化膜が形成されたり、水洗処理後の基板Ｗ表面にウォーターマークなどの欠陥が発生してしまうという問題の発生を抑制することができる。また、基板処理装置１内部は外部空間と遮断された密閉状態となるため、薬液を含む雰囲気を装置外部へ拡散させないための排気ダクト４７ａ，５７ａからの排気量を低減することができる。また、外気中の酸素と接触することにより酸化しやすい薬液を用いる場合においても、薬液の酸化を抑制することができ、揮発性の薬液を用いる場合においても、薬液の揮発量を抑制することができ、外気中の水分を吸収することにより劣化しやすい薬液を用いる場合においても、薬液の劣化を抑制することができるため、薬液の交換量を低減することができる。
【００８９】
また、本実施形態の基板処理装置１においては、気密性の仕切部材により水洗乾燥処理室３と、第１薬液処理室４と、第２薬液処理室５とを包囲しており、各室へ基板Ｗを搬出入するための開口部は密閉手段を備えた開閉機構で閉鎖可能としているため、薬液を含む雰囲気を装置外部へ拡散させないための排気ダクト４７ａ，５７ａからの排気量をさらに低減することができる。また、第１薬液処理室４または第２薬液処理室５の内部雰囲気における水分量を低減することができるため、雰囲気中の水分を吸収することにより劣化しやすい薬液を用いる場合においても、薬液の寿命をより延ばすことができ、薬液の交換量を低減することができる。
【００９０】
特に、本実施形態の基板処理装置１においては、外気と隔離した水洗乾燥処理室３，第１薬液処理室４，第２薬液処理室５，基板搬送室６の内部に、それぞれ不活性ガスを供給する不活性ガス供給ノズル３６，４６，５６，６６を備えると共に、各室の内部雰囲気を排気する排気ダクト３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａを備えるため、各室の内部雰囲気を常時不活性ガスで置換することができ、搬送中の基板Ｗ表面に不要な酸化膜が形成されたり、水洗処理後の基板Ｗ表面にウォーターマークなどの欠陥が発生してしまうという問題の発生をより抑制することができる。また、外気中の酸素と接触することにより酸化しやすい薬液や、雰囲気中の水分を吸収することにより劣化しやすい薬液などを用いる場合においても、薬液の寿命をより延ばすことができ、薬液の交換量を低減することができる。
【００９１】
また、本実施形態の基板処理装置１においては、基板Ｗの乾燥処理までを酸素を含む外気と隔離した装置内で行うことが可能であるため、未処理の基板Ｗを乾燥状態で基板処理装置１内へ搬入し、処理後の基板Ｗを乾燥状態で基板処理装置１から搬出することが可能となる。すなわち、薬液または水分が基板Ｗ表面に付着した状態で装置外部を搬送することがなくなるため、基板Ｗ表面に不要な酸化膜が形成されたり、ウォーターマークなどの欠陥が発生してしまうという問題の発生を抑制することができる。
【００９２】
＜３．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述の例に限定されるものではない。
【００９３】
例えば、上述の実施の形態においては、第１薬液処理室４，第２薬液処理室５内にそれぞれ第１薬液槽４４，第２薬液槽５４を備える場合について説明したが、図７に示すように、１つの薬液処理室８を備え、その内部に１つの薬液槽７４を備える形態であってもよい。また、３つ以上の薬液処理室を備え、その内部にそれぞれ薬液槽を備えていてもよく、洗い流すべき薬液ごとに２つ以上の水洗槽を備える形態でもよい。
【００９４】
また、上述の実施の形態においては、不活性ガス供給ノズル３６，４６，５６，６６からは常に所定量の不活性ガスが供給されると共に、排気ダクト３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａからは常に所定量の排気がされている場合について説明したが、バルブ３６ｂ，４６ｂ，５６ｂ，６６ｂ，３７ｂ，４７ｂ，５７ｂ，６７ｂとして流量調整可能なバルブを用い、開閉機構２１，３１，４１，５１，６１の開閉や基板Ｗの処理段階に応じて排気量や不活性ガスの供給量を調節するように、制御部９が各バルブの開閉を制御する形態でもよい。例えば、外気の進入を防止すべく、不活性ガス供給ノズル６６，３６のそれぞれからの不活性ガスの供給量を、開閉機構２１，３１のそれぞれの開放時には多く、その他の時には少なくする形態でもよい。あるいは、薬液を含む雰囲気の装置外部への拡散を防止すべく、排気ダクト４７ａ，５７ａのそれぞれからの排気量を、開閉機構４１，５１のそれぞれの開放時には多く、その他の時には少なくする形態でもよい。
【００９５】
また、上述の実施の形態においては、有機溶剤を基板Ｗの表面に凝縮し、基板Ｗ表面の水分と共に気化することにより乾燥処理を行う場合について説明したが、他の乾燥処理方式でもよい。例えば、水洗乾燥処理室３内の雰囲気を大気圧以下に減圧することにより乾燥を行う形態でもよく、加熱した不活性ガス等を基板Ｗ表面に吹き付けることにより乾燥を行う形態でもよい。
【００９６】
＜４．他の搬送形態＞
また、上述の実施の形態においては、２つの搬送機構７０（第１搬送手段），６５（第２搬送手段）と３つの昇降機構４５（第３搬送手段），３５（第４搬送手段），５５とによって基板Ｗを搬送する場合について説明したが、上述の形態と同一の搬送経路に沿って基板Ｗを搬送させることができれば、上述の形態と異なる搬送形態であってもよい。以下には、基板Ｗの搬送形態について種々の変形例を説明する。
【００９７】
なお、以下では、図８〜図１２を参照しつつ説明するが、図８〜図１２では図示の便宜上、スライドドア２１ｂ，３１ｂ，４１ｂ，５１ｂ，６１ｂを省略している。これらのスライドドア２１ｂ，３１ｂ，４１ｂ，５１ｂ，６１ｂや扉３３ｂ，４３ｂ，５３ｂは、それぞれ以下に登場する各搬送機構が通過する時にのみ開放し、その他の時は閉鎖している。また、基板Ｗを処理している間、不活性ガス供給ノズル３６，４６，５６，６６からは常に所定量の不活性ガスが供給されており、排気ダクト３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａ（図４参照）からは常に所定量の排気がされている。
【００９８】
＜４−１．第１の他の搬送形態＞
例えば、図８に示したような２つの搬送機構８１（第１搬送手段），８２（第２搬送手段）によって基板Ｗを搬送してもよい。搬送機構８１は、他装置との間で基板Ｗの搬送を行うとともに、薬液処理室２の上方位置及び水洗乾燥処理室３の上方位置の間（図８の実線矢印で示した経路）を移動する。また、搬送機構８２は、基板搬入口２２、基板搬出口３２、及び開口部６２を介して、第１開口部の上方位置、第１薬液槽４４、第２薬液槽５４、水洗槽３４、及び水洗乾燥処理室３の上方位置の間（図８の破線矢印で示した経路）で基板Ｗの搬送を行う。搬送機構８２の昇降及び横行動作は、図示しないレール等を備えた駆動機構によって実現される。なお、搬送機構８１は、上述した搬送機構７０と同じように一対の保持板で起立姿勢の基板Ｗを側方から保持し、搬送機構８２は、上述した昇降機構３５，４５，５５と同じように３本の保持棒で起立姿勢の基板Ｗを下方から保持するため、互いに干渉することなく基板Ｗの受渡しを行うことができる。
【００９９】
このような搬送機構８１，８２を有する基板処理装置において基板Ｗを処理するときには、まず、搬送機構８１により未処理の基板Ｗを基板搬入口２２の上方の位置Ｐ１まで搬送し、続いて搬送機構８２が基板搬入口２２を経由して位置Ｐ１まで上昇する。搬送機構８１が基板Ｗの保持を解除し、搬送機構８２が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ１において搬送機構８１から搬送機構８２への基板Ｗの受渡しを行う。
【０１００】
基板Ｗを載置した搬送機構８２は、基板搬入口２２、開口部４２を経由して第１薬液槽４４内の位置Ｐ２まで下降し、基板Ｗを第１薬液槽４４内の薬液に浸漬する。搬送機構８２は位置Ｐ２において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１０１】
第１薬液槽４４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８２は、開口部４２を経由して基板搬送室６内の位置Ｐ３まで上昇する。そして、搬送機構８２は、基板搬送室６内の開口部５２上方の位置Ｐ６まで横行移動し、さらに、開口部５２を経由して第２薬液槽５４内の位置Ｐ７まで下降して、基板Ｗを第２薬液槽５４内の薬液に浸漬する。搬送機構８２は位置Ｐ７において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１０２】
第２薬液槽５４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８２は、開口部５２を経由して位置Ｐ６まで上昇する。そして、搬送機構８２は、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３内の位置Ｐ４まで横行移動し、さらに、水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降して、基板Ｗを水洗槽３４内の純水に浸漬する。搬送機構８２は位置Ｐ５において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗの表面に付着した薬液を洗い流す、すなわち水洗処理を施す。
【０１０３】
水洗槽３４における所定時間の水洗処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８２は、有機溶剤供給ノズル３８の側方の位置Ｐ８まで上昇する。そして、有機溶剤供給ノズル３８から有機溶剤の蒸気を供給することによって、基板Ｗに対して乾燥処理を施す。この乾燥処理は、供給された有機溶剤が基板Ｗの表面に凝縮し、基板Ｗ表面の水分と共に気化することにより進行する。
【０１０４】
基板Ｗの乾燥処理終了後、基板Ｗを載置した搬送機構８２は、基板搬出口３２を経由して基板搬出口３２の上方の位置Ｐ９まで上昇し、位置Ｐ９に待機する搬送機構８１へ処理後の基板Ｗを渡して、一連の処理は終了する。
【０１０５】
このように、基板Ｗを搬送機構８１から受け取った後再び搬送機構８１へ渡すまでの一連の搬送を、１つの搬送機構８２で行うことにより、基板Ｗの受渡し動作を行う回数を減少させることができる。これにより、基板Ｗの受渡し動作に伴う発塵の危険性を低減することができる。
【０１０６】
＜４−２．第２の他の搬送形態＞
また、図９に示したように２つの搬送機構８３（第１搬送手段），８４（第２搬送手段）によって基板Ｗを搬送してもよい。搬送機構８３は、他装置との間で基板Ｗの搬送を行うとともに、基板搬入口２２及び基板搬出口３２を介して、薬液処理室２、薬液処理室２の上方位置、水洗乾燥処理室３の上方位置、及び水洗乾燥処理室３の間（図９の実線矢印で示した経路）を移動する。また、搬送機構８４は、開口部６２を介して、第１薬液槽４４、第２薬液槽５４、及び水洗槽３４の間（図９の破線矢印で示した経路）で基板Ｗの搬送を行う。搬送機構８３，８４の昇降及び横行動作は、それぞれ図示しないレール等を備えた駆動機構によって実現される。なお、搬送機構８３は、上述した搬送機構７０と同じように一対の保持板で起立姿勢の基板Ｗを側方から保持し、搬送機構８４は、上述した昇降機構３５，４５，５５と同じように３本の保持棒で起立姿勢の基板Ｗを下方から保持するため、互いに干渉することなく基板Ｗの受渡しを行うことができる。
【０１０７】
このような搬送機構８３，８４を有する基板処理装置において基板Ｗを処理するときには、まず、搬送機構８３により未処理の基板Ｗを基板搬入口２２の上方の位置Ｐ１まで搬送し、続いて搬送機構８３が基板搬入口２２を経由して位置Ｐ３まで下降する。位置Ｐ３には予め搬送機構８４が待機しており、搬送機構８３が基板Ｗの保持を解除し、搬送機構８４が基板Ｗを下方から受けることにより、搬送機構８３から搬送機構８４への基板Ｗの受渡しを行う。
【０１０８】
基板Ｗを載置した搬送機構８４は、開口部４２を経由して第１薬液槽４４内の位置Ｐ２まで下降し、基板Ｗを第１薬液槽４４内の薬液に浸漬する。搬送機構８４は位置Ｐ２において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１０９】
第１薬液槽４４における薬液処理中に、搬送機構８３は再び基板搬入口２２を経由して位置Ｐ１まで上昇し、さらに位置Ｐ９まで横行移動して、位置Ｐ９で待機しておく。
【０１１０】
第１薬液槽４４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８４は、開口部４２を経由して基板搬送室６内の位置Ｐ３まで上昇する。そして、搬送機構８４は、基板搬送室６内の開口部５２上方の位置Ｐ６まで横行移動し、さらに、開口部５２を経由して第２薬液槽５４内の位置Ｐ７まで下降して、基板Ｗを第２薬液槽５４内の薬液に浸漬する。搬送機構８４は位置Ｐ７において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１１１】
第２薬液槽５４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８４は、開口部５２を経由して位置Ｐ６まで上昇する。そして、搬送機構８４は、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３内の位置Ｐ４まで横行移動し、さらに、水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降して、基板Ｗを水洗槽３４内の純水に浸漬する。搬送機構８４は位置Ｐ５において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗの表面に付着した薬液を洗い流す、すなわち水洗処理を施す。
【０１１２】
水洗槽３４における所定時間の水洗処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８４は、有機溶剤供給ノズル３８の側方の位置Ｐ８まで上昇する。そして、有機溶剤供給ノズル３８から有機溶剤の蒸気を供給することによって、基板Ｗに対して乾燥処理を施す。この乾燥処理は、供給された有機溶剤が基板Ｗの表面に凝縮し、基板Ｗ表面の水分と共に気化することにより進行する。
【０１１３】
基板Ｗの乾燥処理終了後、基板Ｗを載置した搬送機構８４は位置Ｐ４まで上昇する一方、位置Ｐ９で待機していた搬送機構８３も基板搬出口３２を経由して位置Ｐ４まで下降する。搬送機構８３が保持板を回転し、搬送機構８４に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ４において搬送機構８４から搬送機構８３へ基板Ｗの受渡しを行う。その後、基板Ｗを保持した搬送機構８３は、基板搬出口３２を経由して基板搬出口３２の上方の位置Ｐ９まで上昇し、一連の処理は終了する。
【０１１４】
このように、基板Ｗの搬送を２つの搬送機構８３，８４で行うことにより、基板Ｗの受渡し動作を行う回数を減少させることができる。これにより、基板Ｗの受渡し動作に伴う発塵の危険性を低減することができる。
【０１１５】
＜４−３．第３の他の搬送形態＞
また、図１０に示したように２つの搬送機構８５（第１搬送手段），８６（第２搬送手段）によって基板Ｗを搬送してもよい。搬送機構８５は、他装置との間で基板Ｗの搬送を行うとともに、基板搬入口２２及び基板搬出口３２を介して、第１薬液槽４４、薬液処理室２の上方位置、水洗乾燥処理室３の上方位置、及び水洗槽３４の間（図１０の実線矢印で示した経路）を移動する。また、搬送機構８６は、開口部６２を介して、第１薬液槽４４、第２薬液槽５４、及び水洗槽３４の間（図１０の破線矢印で示した経路）で基板Ｗを搬送する。搬送機構８５，８６の昇降及び横行動作は、それぞれ図示しないレール等を備えた駆動機構によって実現される。なお、搬送機構８５は、上述した搬送機構７０と同じように一対の保持板で起立姿勢の基板Ｗを側方から保持し、搬送機構８６は、上述した昇降機構３５，４５，５５と同じように３本の保持棒で起立姿勢の基板Ｗを下方から保持するため、互いに干渉することなく基板Ｗの受渡しを行うことができる。
【０１１６】
このような搬送機構８５，８６を有する基板処理装置において基板Ｗを処理するときには、まず、搬送機構８５により未処理の基板Ｗを基板搬入口２２の上方の位置Ｐ１まで搬送し、続いて搬送機構８５が基板搬入口２２及び開口部４２を経由して、第１薬液槽４４内の位置Ｐ２まで下降する。位置Ｐ２には予め搬送機構８６が待機しており、搬送機構８５が基板Ｗの保持を解除し、搬送機構８６が基板Ｗを下方から受けることにより、搬送機構８５から搬送機構８６への基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構８６へ基板Ｗを渡した後、搬送機構８５は、再び開口部４２及び基板搬入口２２を経由して位置Ｐ１まで上昇し、さらに位置Ｐ９まで横行移動して、位置Ｐ９において待機しておく。第１薬液槽４４内で基板Ｗを載置した搬送機構８６は、位置Ｐ２において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１１７】
なお、第１薬液槽４４への薬液の貯留は、搬送機構８５から搬送機構８６への基板Ｗの受渡しが完了し、搬送機構８５が第１薬液槽４４から上方へ脱出した後に行われることが望ましい。これは、搬送機構８５は後に処理後の基板Ｗを搬送するので、搬送機構８５の保持板に薬液を付着させないためである。
【０１１８】
第１薬液槽４４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８６は、開口部４２を経由して基板搬送室６内の位置Ｐ３まで上昇する。そして、搬送機構８６は、基板搬送室６内の開口部５２上方の位置Ｐ６まで横行移動し、さらに、開口部５２を経由して第２薬液槽５４内の位置Ｐ７まで下降して、基板Ｗを第２薬液槽５４内の薬液に浸漬する。搬送機構８６は位置Ｐ７において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１１９】
第２薬液槽５４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８６は、開口部５２を経由して位置Ｐ６まで上昇する。そして、搬送機構８６は、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３内の位置Ｐ４まで横行移動し、さらに、水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降して、基板Ｗを水洗槽３４内の純水に浸漬する。搬送機構８６は位置Ｐ５において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗの表面に付着した薬液を洗い流す、すなわち水洗処理を施す。
【０１２０】
水洗槽３４における所定時間の水洗処理が終了すると、位置Ｐ９で待機していた搬送機構８５は、基板搬出口３２を経由して水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降する。搬送機構８５が保持板を回転し、搬送機構８６に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ５において搬送機構８６から搬送機構８５へ基板Ｗの受渡しを行う。なお、搬送機構８５の水洗槽３４内へ侵入は、水洗槽３４から純水の排水を完了させた後に行うことが望ましい。これは、洗浄に使用した後の水滴を搬送機構９２の保持板に付着させないためであり、これによって基板Ｗの乾燥処理を効率よく行うことができる。
【０１２１】
基板Ｗを保持した搬送機構８５は、有機溶剤供給ノズル３８の側方の位置Ｐ８まで上昇する。そして、有機溶剤供給ノズル３８から有機溶剤の蒸気を供給することによって、基板Ｗに対して乾燥処理を施す。この乾燥処理は、供給された有機溶剤が基板Ｗの表面に凝縮し、基板Ｗ表面の水分と共に気化することにより進行する。
【０１２２】
基板Ｗの乾燥処理終了後、基板Ｗを保持した搬送機構８５は、基板搬出口３２を経由して基板搬出口３２上方の位置Ｐ９まで上昇し、一連の処理は終了する。
【０１２３】
このように、基板Ｗの搬送を２つの搬送機構８５，８６で行うことにより、基板Ｗの受渡し動作を行う回数を減少させることができる。これにより、基板Ｗの受渡し動作に伴う発塵の危険性を低減することができる。
【０１２４】
＜４−４．第４の他の搬送形態＞
また、図１１に示したような５つの搬送機構８７（第１搬送手段），８８（第２搬送手段），８９（第３搬送手段），９０（第３搬送手段），９１（第４搬送手段）によって基板Ｗを搬送してもよい。搬送機構８７は、他装置との間で基板Ｗの搬送を行うとともに、基板搬入口２２及び基板搬出口３２を介して、薬液処理室２、薬液処理室２の上方位置、水洗乾燥処理室３の上方位置、及び水洗乾燥処理室３の間（図１１の実線矢印で示した経路）を移動する。また、搬送機構８８は、開口部６２を介して、薬液処理室２及び水洗乾燥処理室３の間（図１１の破線矢印ＡＲ８で示した経路）で基板Ｗを搬送する。また、搬送機構８９は、薬液処理室２内において、第１薬液槽４４内及び第１薬液槽４４外の間（図１１の破線矢印ＡＲ９で示した経路）で基板Ｗを搬送する。また、搬送機構９０は、薬液処理室２内において、第２薬液槽５４内及び第２薬液槽５４外の間（図１１の破線矢印ＡＲ０で示した経路）で基板Ｗを搬送する。また、搬送機構９１は、水洗乾燥処理室３内において、水洗槽３４内及び水洗槽３４外の間（図１１の破線矢印ＡＲ１で示した経路）で基板Ｗを搬送する。搬送機構８７の昇降及び横行動作は、それぞれ図示しないレール等を備えた駆動機構によって実現される。なお、搬送機構８７，８８は、上述した搬送機構７０と同じように一対の保持板で起立姿勢の基板Ｗを側方から保持し、搬送機構８９，９０，９１は、上述した昇降機構３５，４５，５５と同じように３本の保持棒で起立姿勢の基板Ｗを下方から保持するため、搬送機構８７，８８と搬送機構８９，９０，９１との間では、互いに干渉することなく基板Ｗの受渡しを行うことができる。
【０１２５】
このような搬送機構８７，８８，８９，９０，９１を有する基板処理装置において基板Ｗを処理するときには、まず、搬送機構８７により未処理の基板Ｗを基板搬入口２２上方の位置Ｐ１まで搬送し、続いて搬送機構８７が基板搬入口２２を経由して、薬液処理室２内の位置Ｐ３まで下降する。位置Ｐ３には予め搬送機構８９が待機しており、搬送機構８７が基板Ｗの保持を解除し、搬送機構８９が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ３において搬送機構８７から搬送機構８９への基板Ｗの受渡しを行う。
【０１２６】
基板Ｗを載置した搬送機構８９は、開口部４２を経由して第１薬液槽４４内の位置Ｐ２まで下降し、基板Ｗを第１薬液槽４４内の薬液に浸漬する。搬送機構８９は位置Ｐ２において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１２７】
第１薬液槽４４における薬液処理中に、搬送機構８７は再び基板搬入口２２を経由して位置Ｐ１まで上昇し、さらに、位置Ｐ９まで横行移動して、位置Ｐ９で待機しておく。
【０１２８】
一方、第１薬液槽４４における薬液処理中に、搬送機構８８は開口部４２上方の位置Ｐ３まで移動し、位置Ｐ３で待機しておく。第１薬液槽４４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構８９は、開口部４２を経由して基板搬送室６内の位置Ｐ３まで上昇する。搬送機構８８が保持板６５ｂを回転し、搬送機構８９に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ３において搬送機構８９から搬送機構８８への基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構８８へ基板Ｗを渡した後、搬送機構８９は搬送機構８８の横行移動を妨げない位置まで下降する。
【０１２９】
基板Ｗを保持した搬送機構８８は、基板搬送室６内の開口部５２上方の位置Ｐ６まで横行移動し、続いて搬送機構９０が位置Ｐ６まで上昇する。搬送機構８８は保持板を回転して基板Ｗの保持を解除し、搬送機構９０が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ６において搬送機構８８から搬送機構９０への基板Ｗの受渡しを行う。
【０１３０】
基板Ｗを載置した搬送機構９０は、開口部５２を経由して第２薬液槽５４内の位置Ｐ７まで下降し、基板Ｗを第２薬液槽５４内の薬液に浸漬する。搬送機構９０は位置Ｐ７において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１３１】
第２薬液槽５４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構９０は、開口部５２を経由して搬送機構８８が待機する位置Ｐ６まで上昇する。搬送機構８８が保持板を回転し、搬送機構９０に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ６において搬送機構９０から搬送機構８８への基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構８８へ基板Ｗを渡した後、搬送機構９０は搬送機構８８の横行移動を妨げない位置まで下降する。
【０１３２】
基板Ｗを保持した搬送機構８８は、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３内の位置Ｐ４まで横行移動し、続いて搬送機構９１が位置Ｐ４まで上昇する。搬送機構８８は保持板を回転して基板Ｗの保持を解除し、搬送機構９１が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ４において搬送機構８８から搬送機構９１への基板Ｗの受渡しを行う。
【０１３３】
基板Ｗを載置した搬送機構９１は、水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降し、基板Ｗを水洗槽３４内の純水に浸漬する。搬送機構９１は位置Ｐ５において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗの表面に付着した薬液を洗い流す、すなわち水洗処理を施す。
【０１３４】
水洗槽３４における所定時間の水洗処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構９１は、有機溶剤供給ノズル３８の側方の位置Ｐ８まで上昇する。そして、有機溶剤供給ノズル３８から有機溶剤の蒸気を供給することによって、基板Ｗに対して乾燥処理を施す。この乾燥処理は、供給された有機溶剤が基板Ｗの表面に凝縮し、基板Ｗ表面の水分と共に気化することにより進行する。
【０１３５】
基板Ｗの乾燥処理終了後、基板Ｗを載置した搬送機構９１は、位置Ｐ４まで上昇する一方、位置Ｐ９で待機していた搬送機構８７も基板搬出口３２を経由して位置Ｐ４まで下降する。搬送機構８７が保持板を回転し、搬送機構９１に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ４において搬送機構９１から搬送機構８７へ基板Ｗの受渡しを行う。その後、基板Ｗを保持した搬送機構８７は、基板搬出口３２を経由して基板搬出口３２の上方の位置Ｐ９まで上昇し、一連の処理は終了する。
【０１３６】
＜４−５．第５の他の搬送形態＞
また、図１２に示したような５つの搬送機構９２（第１搬送手段），９３（第２搬送手段），９４（第３搬送手段），９５（第３搬送手段），９６（第４搬送手段）によって基板Ｗを搬送してもよい。搬送機構９２は、他装置との間で基板Ｗの搬送を行うとともに、基板搬入口２２及び基板搬出口３２を介して、第１薬液槽４４、薬液処理室２の上方位置、水洗乾燥処理室３の上方位置、及び水洗槽３４の間（図１２の実線矢印で示した経路）を移動する。また、搬送機構９３は、開口部６２を介して、薬液処理室２及び水洗乾燥処理室３の間（図１２の破線矢印ＡＲ３で示した経路）で基板Ｗを搬送する。また、搬送機構９４は、薬液処理室２内において、第１薬液槽４４内及び第１薬液槽４４外の間（図１２の破線矢印ＡＲ４で示した経路）で基板Ｗを搬送する。また、搬送機構９５は、薬液処理室２内において、第２薬液槽５４内及び第２薬液槽５４外の間（図１２の破線矢印ＡＲ５で示した経路）で基板Ｗを搬送する。また、搬送機構９６は、水洗乾燥処理室３内において、水洗槽３４内及び水洗槽３４外の間（図１２の破線矢印ＡＲ６で示した経路）で基板Ｗを搬送する。搬送機構９２の昇降及び横行動作は、それぞれ図示しないレール等を備えた駆動機構によって実現される。なお、搬送機構９２，９３は、上述した搬送機構７０と同じように一対の保持板で起立姿勢の基板Ｗを側方から保持し、搬送機構９４，９５，９６は、上述した昇降機構３５，４５，５５と同じように３本の保持棒で起立姿勢の基板Ｗを下方から保持するため、搬送機構９２，９３と搬送機構９４，９５，９６との間では、互いに干渉することなく基板Ｗの受渡しを行うことができる。
【０１３７】
このような搬送機構９２，９３，９４，９５，９６を有する基板処理装置において基板Ｗを処理するときには、まず、搬送機構９２により未処理の基板Ｗを基板搬入口２２上方の位置Ｐ１まで搬送し、続いて搬送機構９２が基板搬入口２２及び開口部４２を経由して、第１薬液槽４４内の位置Ｐ２まで下降する。位置Ｐ２には予め搬送機構９４が待機しており、搬送機構９２が基板Ｗの保持を解除し、搬送機構９４が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ２において搬送機構９２から搬送機構９４への基板Ｗの受渡しを行う。そして、搬送機構９２は、再び開口部４２及び基板搬入口２２を経由して位置Ｐ１まで上昇し、さらに位置Ｐ９まで横行移動して、位置Ｐ９において待機しておく。第１薬液槽４４内で基板Ｗを載置した搬送機構９４は、位置Ｐ２において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１３８】
なお、第１薬液槽４４への薬液の貯留は、搬送機構９２から搬送機構９４への基板Ｗの受渡しが完了し、搬送機構９２が第１薬液槽４４から上方へ脱出した後に行われることが望ましい。これは、搬送機構９２は後に処理後の基板Ｗを搬送するので、搬送機構９２の保持板に薬液を付着させないためである。
【０１３９】
一方、第１薬液槽４４における薬液処理中に、搬送機構９３は開口部４２上方の位置Ｐ３まで移動し、位置Ｐ３で待機しておく。第１薬液槽４４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構９４は、開口部４２を経由して基板搬送室６内の位置Ｐ３まで上昇する。搬送機構９３が保持板を回転し、搬送機構９４に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ３において搬送機構９４から搬送機構９３への基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構９３へ基板Ｗを渡した後、搬送機構９４は搬送機構９３の横行移動を妨げない位置まで下降する。
【０１４０】
基板Ｗを保持した搬送機構９３は、基板搬送室６内の開口部５２上方の位置Ｐ６まで横行移動し、続いて搬送機構９５が位置Ｐ６まで上昇する。搬送機構９３は保持板を回転して基板Ｗの保持を解除し、搬送機構９５が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ６において搬送機構９３から搬送機構９５への基板Ｗの受渡しを行う。
【０１４１】
基板Ｗを載置した搬送機構９５は、開口部５２を経由して第２薬液槽５４内の位置Ｐ７まで下降し、基板Ｗを第２薬液槽５４内の薬液に浸漬する。搬送機構９５は位置Ｐ７において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗに対して薬液処理を施す。
【０１４２】
第２薬液槽５４における所定時間の薬液処理が終了すると、基板Ｗを載置した搬送機構９５は、開口部５２を経由して搬送機構９３が待機する位置Ｐ６まで上昇する。搬送機構９３が保持板を回転し、搬送機構９５に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ６において搬送機構９５から搬送機構９３への基板Ｗの受渡しを行う。搬送機構９３へ基板Ｗを渡した後、搬送機構９５は搬送機構９３の横行移動を妨げない位置まで下降する。
【０１４３】
基板Ｗを保持した搬送機構９３は、開口部６２を経由して水洗乾燥処理室３内の位置Ｐ４まで横行移動し、続いて搬送機構９６が位置Ｐ４まで上昇する。搬送機構９３は保持板を回転して基板Ｗの保持を解除し、搬送機構９６が基板Ｗを下方から受けることにより、位置Ｐ４において搬送機構９３から搬送機構９６への基板Ｗの受渡しを行う。
【０１４４】
基板Ｗを載置した搬送機構９６は、水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降し、基板Ｗを水洗槽３４内の純水に浸漬する。搬送機構９６は位置Ｐ５において所定時間静止あるいは揺動し、基板Ｗの表面に付着した薬液を洗い流す、すなわち水洗処理を施す。
【０１４５】
水洗槽３４における所定時間の水洗処理が終了すると、位置Ｐ９で待機していた搬送機構９２は、基板搬出口３２を経由して水洗槽３４内の位置Ｐ５まで下降する。搬送機構９２が保持板を回転し、搬送機構９６に載置された基板Ｗを保持することにより、位置Ｐ５において搬送機構９６から搬送機構９２へ基板Ｗの受渡しを行う。なお、搬送機構９２の水洗槽３４内へ侵入は、水洗槽３４から純水の排水を完了させた後に行うことが望ましい。これは、洗浄に使用した後の水滴を搬送機構９２の保持板に付着させないためであり、これによって基板Ｗの乾燥処理を効率よく行うことができる。
【０１４６】
その後、基板Ｗを保持した搬送機構９２は、有機溶剤供給ノズル３８の側方の位置Ｐ８まで上昇する。そして、有機溶剤供給ノズル３８から有機溶剤の蒸気を供給することによって、基板Ｗに対して乾燥処理を施す。この乾燥処理は、供給された有機溶剤が基板Ｗの表面に凝縮し、基板Ｗ表面の水分と共に気化することにより進行する。
【０１４７】
基板Ｗの乾燥処理終了後、基板Ｗを保持した搬送機構９２は、基板搬出口３２を経由して基板搬出口３２の上方の位置Ｐ９まで上昇し、一連の処理は終了する。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部構造を示す縦断面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ位置から見た水平断面図である。
【図３】図１におけるＩＩＩ−ＩＩＩ位置から見た水平断面図である。
【図４】基板処理装置１に付帯する配管等の構成を示す概念図である。
【図５】基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図６】基板処理装置１における基板Ｗの搬送経路を破線で示した図である。
【図７】１つの薬液処理室を備え、その内部に１つの薬液槽を備える場合の基板処理装置の概略を示す図である。
【図８】第１の他の搬送形態を示す図である。
【図９】第２の他の搬送形態を示す図である。
【図１０】第３の他の搬送形態を示す図である。
【図１１】第４の他の搬送形態を示す図である。
【図１２】第５の他の搬送形態を示す図である。
【図１３】従来の基板処理装置の一例を示す模式図である。
【図１４】１つのチャンバ１４０を上方から見た平面図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１    基板処理装置
２    薬液処理室（第１処理室）
３    水洗乾燥処理室（第２処理室）
４    第１薬液処理室
５    第２薬液処理室
６    基板搬送室
９    制御部
２１，３１，４１，５１，６１    開閉機構
２２    基板搬入口
３２    基板搬出口
３４    水洗槽
３５，４５，５５    昇降機構
３６，４６，５６，６６    不活性ガス供給ノズル
３７ａ，４７ａ，５７ａ，６７ａ    排気ダクト
３８    有機溶剤供給ノズル
４２，５２，６２    開口部
４４    第１薬液槽
５４    第２薬液槽
６５，７０，８１〜９６    搬送機構
Ｗ    基板
【図１】
2004282024.tif 000003
【図２】
2004282024.tif 000004
【図３】
2004282024.tif 000005
【図４】
2004282024.tif 000006
【図５】
2004282024.tif 000007
【図６】
2004282024.tif 000008
【図７】
2004282024.tif 000009
【図８】
2004282024.tif 000010
【図１１】
2004282024.tif 000011
【図１２】
2004282024.tif 000012
【図１３】
2004282024.tif 000013
【図１４】
2004282024.tif 000014
【図９】
2004282024.tif 000015
【図１０】
2004282024.tif 000016