(57)【要約】【課題】セラミック成形体中に有機樹脂成分を多量に含む場合においても、反り、変形の小さなセラミック焼成体が得られるセラミック焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】セラミック成分１００質量部に対して有機成分量が２０質量部以上含有するセラミック成形体１１を加熱支持板１２上に載置し、所定温度に加熱処理してセラミック成形体１１中の有機成分を分解除去するセラミック焼結体の製造方法において、加熱支持板１２として、厚みが４ｍｍ以下であり、且つ、孔径が０．１〜５ｍｍの貫通孔１３が形成されており、この加熱支持板１２とセラミック成形体１１との接触面における貫通孔１２の占有総面積を５％以上とすることで反り、変形の小さなセラミック焼結体を得ることが可能になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック成分１００質量部に対して有機成分量が２０質量部以上含有するセラミック成形体を加熱支持板上に載置し、所定温度に加熱処理して前記セラミック成形体中の有機成分を分解除去するセラミック焼結体の製造方法において、前記加熱支持板は厚みが４ｍｍ以下であり、且つ、孔径が０．１〜５ｍｍの貫通孔が形成されており、この加熱支持板とセラミック成形体との接触面における前記貫通孔の占有総面積が５％以上であることを特徴とするセラミック焼結体の製造方法。
【請求項２】
前記有機成分中に、体積収縮する収縮性有機成分を含むことを特徴とする請求項１記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項３】
前記収縮性有機成分が、少なくとも重合開始剤およびモノマーを含み、重合反応により体積収縮することを特徴とする請求項２記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項４】
前記セラミック成形体が、前記加熱処理前に、光および／または熱によって前記収縮性有機成分を体積収縮せしめる工程を具備することを特徴とする請求項２または請求項３記載のセラミック焼結体の製造方法。
【請求項５】
前記加熱処理によって有機成分を分解除去した後、焼成する工程と、を具備することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載のセラミック焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック成形体への要求特性上、成形体中に含まれる有機成分が多くなり、焼結時の収縮率が大きくなった場合でも、反り、変形の小さい焼結体を得ることのできるセラミック焼結体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
セラミック多層配線基板は、そのセラミックスの優れた物性、例えば誘電特性、高絶縁性等から電子機器に広く応用されてきた。また、近年、特に低温焼成基板がその性能の高さから多用されてきている。
【０００３】
低温焼成基板とは、従来から多用されているアルミナ系セラミックスの焼成温度である１４００〜１６００℃よりも低い温度で焼成可能な基板のことを総称したものであり、一般的には８００〜１０５０℃程度の焼成温度で実現可能なものを指す。これはアルミナ系セラミックスで同時焼成されるタングステン系導体と比較して良電導体材料である金、銀及び銅更にはそれらを主成分とした合金を同時焼成用の導体材料として選択できるという特長を有する。この特長は、電子機器の小型化、高速化、高周波化を実現する上で必要不可欠な技術となりつつある。
【０００４】
特に近年の通信機器の小型化はとどまるところがなく、その為に、携帯端末においては、例えば電圧制御発振器、パワーアンプ、アンテナスイッチモジュール等の回路ブロックに対しても低温焼成基板が利用されている。
【０００５】
一方、セラミック多層配線基板は、セラミック、またはガラスセラミックからなる絶縁層を複数積層してなり、絶縁層表面あるいは絶縁層間には配線層が形成され、これら配線層はビアホール導体によって互いに接続されて回路を形成している。配線層やビアホール導体には、タングステン等の高融点金属や、金、銀、銅などの低抵抗導体が用いられている。
【０００６】
このようなセラミック多層配線基板は、セラミック層となるガラス粉末やセラミック粉末を用いてドクターブレード法などによって成形体成形体を作成し、このシートにＮＣパンチや金型などで貫通孔を形成した後、導電性ペーストを配線パターンに印刷したり、前記貫通孔内に充填した後、これらのシートを複数積層して、焼成することによって作製される。
【０００７】
ところが、この製造方法では、セラミック層となる成形体を作製するためのテープ成型工程が必要であること、さらにビアホール導体形成のための貫通孔を穿設する工程が必要となり、穿設に際しては、金型やＮＣパンチを用いることが一般的であり、ＮＣパンチの場合、１つづつの孔を開けなくてはならないため、工数がかかり高価になり、また、微細な貫通孔を形成するにも限界があり、微細回路形成に不向きであった。
【０００８】
これに対して、フォトリソ方式による感光性スラリーを用いてセラミック層を形成する方法が提案されている（特許文献１、２参照）。これは、セラミック材料やガラス材料に、光硬化可能なモノマー、有機バインダ及び有機溶剤とからなるスリップ材を薄層化し乾燥してセラミック成形体を形成し、露光現像処理により内部配線を接続するための微細な貫通孔を一括して形成した後、導電性ペーストの充填、内部配線パターンの印刷を行い、これを繰り返すことにより、積層成形体を作製し、これを焼成するものである。
【０００９】
このフォトリソ方式は、製造工程の簡略化が可能であり、精度よくビアホール導体の貫通孔を形成できるために、高密度回路の形成が可能であり、従来の製造方法の問題を解消できるものである。
【００１０】
一方、セラミック焼結体を作製するにあたり、セラミック粉末に成形用の有機バインダを添加し成形性を高め、これを焼結するにあたり、有機バインダの分解揮散を容易にするために、従来から、セラミック成形体を多孔質の治具の上に載せて焼成することが提案されている（特許文献３〜７参照）。
【００１１】
【特許文献１】
特開平９−１８１４５０号
【特許文献２】
特開平１３−１８５８５８号
【特許文献３】
特開平１１−１２０４７号
【特許文献４】
特開平１１−１２０４７号、
【特許文献５】
特開平６−３００４６５号、
【特許文献６】
特開平６９２７４１号
【特許文献７】
特開平５−２７０９２６号
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記フォトリソ方式による感光性スラリーを用い、露光現像処理により貫通孔を形成するには、紫外線を所定の厚みのセラミック成形体に対して均一に透過させる必要があるため、光硬化可能なモノマー、有機バインダ等の樹脂成分をセラミック成分１００質量部あたり２０質量部以上と多量に含む必要がある。このようなセラミック成形体中の有機成分の増加は、成形体中でのセラミック粉末の充填密度の低下につながり、その結果、セラミック粉末が焼結する際の収縮が大きくなり、それに伴い反り、変形が大きくなる原因になっていた。
【００１３】
即ち、セラミック成形体中に多量の樹脂成分が含まれていると、成形体中におけるセラミック粉末自体の充填率が低いために、脱バインダ処理後の成形体密度が非常に低く、焼成時の収縮量が大きくなり、反り、変形が大きくなるという課題があった。
【００１４】
また、特許文献３〜７に多くの多孔質基板上で有機成分を分解除去することが記載されているが、上記のような有機成分を多量に含有するセラミック成形体に対して、反りや変形の発生を抑制するために、どのような治具を使用すべきかについては十分に検討されていない。
【００１５】
従って、本発明は、セラミック成形体中に樹脂分を多量に含む場合においても、焼結体が反り、変形することなく、緻密な焼結体を製造することができるセラミック焼結体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、樹脂成分を多く含むセラミック成形体の反り、変形の原因を調査した結果、脱バインダ、焼成時にセラミック成形体が収縮する際に加熱用支持板に面した部分とそうでない面とで、脱バインダ性及び焼結の収縮挙動が異なる、つまり、セラミック成形体の表裏面の温度不均一性、分解ガスの透過性などが反り、変形の原因であることを突き止め、これらを解消することが重要であることを見出した。
【００１７】
即ち、本発明のセラミック焼結体の製造方法は、セラミック成分１００質量部に対して有機成分量が２０質量部以上含有するセラミック成形体を加熱支持板上に載置し、所定温度に加熱処理して前記セラミック成形体中の有機成分を分解除去する工程を具備し、かかる工程において、前記加熱支持板は厚みが４ｍｍ以下であり、且つ、孔径が０．１〜５ｍｍの貫通孔が形成されており、この加熱支持板とセラミック成形体との接触面における前記貫通孔の占有総面積が５％以上であることを特徴とするものである。
【００１８】
このように、加熱用支持板の厚みを通常よりも薄くするとともに、セラミック成形体の全表面積に応じて所定の占有面積となるように貫通孔を設けることによって、反り、変形の原因になる加熱処理時のセラミック成形体の表裏面の脱バインダ性、温度不均一を改善でき、最終的に、セラミック成形体の反り、変形することなく焼成できる。
【００１９】
さらに、本発明によれば、有機成分を多量に含有するために、成形体の焼成収縮率が大きくなる傾向にあるが、前記有機成分中に、体積収縮する収縮性有機成分を含有せしめ、前記セラミック成形体を前記加熱処理前に、光および／または熱によって前記収縮性有機成分によって体積収縮せしめることによって寸法収縮を抑制することができる。
【００２０】
なお、前記収縮性有機成分としては、少なくとも重合開始剤およびモノマーを含み、重合反応により体積収縮するものであることが望ましい。
【００２１】
また、本発明によれば、前記加熱処理によって有機成分を分解除去した後、焼成する工程と、を具備することによってち密なセラミック焼結体を作製することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明におけるセラミック成形体は、セラミック成分と有機成分によって形成されている。有機成分としては、有機バインダの他、可塑剤、消泡剤、解ごう剤、分散剤、レベリング剤、架橋剤、重合開始剤などが含まれる。
【００２３】
本発明によれば、このような有機成分の含有量がセラミック成分１００質量部に対して、２０質量部以上、特に２５質量部以上、さらには３０質量部以上と非常に多く含む成形体を焼成するのに好適に用いられる。
【００２４】
このように有機成分を多量に含む典型的なものとしては、特許文献１に示されるように、セラミック成形体の貫通孔などの加工を紫外線などの光照射によって樹脂成分を部分的に硬化させ、未硬化部分を除去することによって行う場合が挙げられる。
【００２５】
また、このような有機成分を多量に含有するセラミック成形体においては、有機成分の分解除去後の粉末の充填密度が低下し、高密度化が不十分となったり、体積収縮が大きくなるために寸法精度が悪化するなどの問題がある。
【００２６】
そこで、本発明によれば、この有機成分中に、光や熱によって体積収縮する収縮性有機成分を含むことが望ましく、成形体中に収縮性有機成分を添加することによってセラミック成形体の焼成前の密度、特にセラミック成分の充填密度を高め、最終的に得られる焼結体の密度を高めることが可能になる。
【００２７】
より具体的には、この収縮性有機成分による収縮作用は、セラミック成形体中のセラミック粉末の焼結開始温度よりも低い温度、望ましくは６００℃以下、特に５００℃以下、さらには４００℃以下で収縮を生じせしめることによって、焼結開始時における成形体の密度を高めることができる。焼結体の密度の向上に寄与するためには、焼結開始時において、成形体が１％以上、特に２％以上、さらには３％以上収縮性有機成分によって収縮していることが望ましい。
【００２８】
本発明において用いられる収縮性有機成分としては、重合開始剤と、モノマーによって構成されるが、特に上記のような光硬化性を兼ね備えた有機成分を選択することが望ましい。
【００２９】
このような重合開始剤としては、ビスアシルフォスフォンオキサイド、ビストリメチルペンチルフォスフォンオキシド、ヒドロキシケトン、アセトフェノン系重合開始剤、ジカボニル系光重合開始剤の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００３０】
また、モノマーとしては、トリプロピレングリコールトリアクリレート、ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソオクリルアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレートの群から選ばれる少なくとも１種が好適に挙げられる。成形体中に配合する場合には、モノマーまたはオリゴマーであってもよい。
【００３１】
上記の重合開始剤は、セラミック粉末１００質量部に対し１〜１０質量部の割合で添加することが望ましく、またモノマーは、セラミック粉末１００質量部に対し３〜１０質量部の割合で添加することが望ましい。
【００３２】
また、上記の収縮性有機成分は重合開始剤とモノマーとの合量で、セラミック粉末１００質量部に対して、５質量部以上、特に８質量部以上の割合で含有することが、上記収縮率を得る上で望ましい。ただし、この収縮性有機成分の含有量が２０質量部を超えると、有機成分の分解除去が困難となる場合があるために、収縮性有機成分の上限は、セラミック粉末１００質量部に対して２０質量部以下、特に１８質量部以下であることが望ましい。
【００３３】
さらに、本発明によれば、上記の収縮性有機成分以外に、成形性を高めたり、光硬化後の現像性を付与することを目的とするために、他の有機バインダを含有させることができる。このような成形用有機成分としては、アクリル系樹脂、セルロース系、ブチラール系、群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００３４】
一方、本発明のセラミック成形体におけるセラミック成分としては、従来から知られるあらゆるセラミックスを使用することができる。例えば、アルミナ、ムライトなどの酸化物セラミックス、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４などの非酸化性セラミックス、ガラスを原料として含むガラスセラミックスなどが挙げられる。
【００３５】
特に、回路を形成する導体材料として銅などの低抵抗金属を用いることが強く望まれていることを考慮すると、８００〜１０５０℃の低温で焼成することができる低温焼成セラミックスが好適に用いられる。
【００３６】
この低温焼成セラミックスとしては、例えば、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、アルカリ珪酸ガラスなどのガラス、またはこれらガラスに対して、アルミナ、ムライト、フォルステライト、石英、石英ガラスなどのフィラー成分を含有せしめたガラス系、ガラス−フィラー複合系からなるもの、あるいはＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、Ｂ２Ｏ３の群から選ばれる複数の酸化物を所定比率で混合した非ガラス系などが挙げられる。
【００３７】
セラミック原料粉末としては、例えば、金属元素として少なくともＭｇ、Ｔｉ、Ｃａを含有する複合酸化物であって、その金属元素酸化物による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ３−ｘＣａＴｉＯ３（但し、式中ｘは質量比を表し、０．０１≦ｘ≦０．１５）で表される主成分１００質量部に対して、硼素含有化合物をＢ２Ｏ３換算で３〜３０質量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１〜２５質量部添加含有してなるものが用いられる。
【００３８】
本発明のセラミック成形体を作製するには、上記のセラミック成分に対して、上記の収縮性有機成分、成形用有機成分などを適宜配合した混合物をプレス成形、鋳込み成形、冷間静水圧成形、ドクターブレード法などのシート成形法などによって成形される。
【００３９】
例えば、ドクターブレード法等においては、上記混合物をこれに適当な溶媒、例えば、イソプロピルアルコールなどのアルコール系、トルエン系、エチルカルビトールアセテートなどのアセテート系、セロソルブ系などの周知の有機溶剤、あるいは水系溶剤を添加してスリップを調製し、これをドクターブレード法によって所定の厚みのシート状の成形体を作製することができる。
【００４０】
次に、かかる上記セラミック成形体を用いてセラミック焼結体を作製するには、図１に示すように、セラミック成形体１１を加熱用支持板１２の上に載せて加熱処理する。
【００４１】
本発明によれば、この加熱用支持板１２が、図２に示すように、貫通孔１３を有するものであって、この貫通孔１３の孔径が０．１〜５ｍｍ、特に２．０〜３．０ｍｍであることが重要である。即ち、孔径が０．１ｍｍよりも小さいと、反り低減の効果がなくなり、孔径が５ｍｍよりも大きいと、加熱支持板の強度が低くなり、加熱支持板の取り扱いが困難となるためである。
【００４２】
また、加熱支持板１２のセラミック成形体１１との接触面において、前記貫通孔の占有総面積が５％以上、特に８％以上、さらには１０％以上であることが重要である。この貫通孔１３の総面積が５％よりも小さいと、反り低減の効果が得られないためである。
【００４３】
また、この加熱支持板１２の厚みが４ｍｍ以下、特に３．５ｍｍ以下、さらには３ｍｍ以下、さらには２．５ｍｍ以下であることも重要である。即ち、厚みが４ｍｍよりも厚いと、熱容量の問題で温度分布が大きくなり、反り低減の効果が得られないためである。
【００４４】
このように本発明によれば、加熱支持板１２の厚みが薄く、且つ所定の量の貫通孔１３を形成することによって、セラミック成形体１１が加熱される際の温度分布の差異を小さくし、且つ、有機成分が飛散する時の脱バンインダー性のムラを小さくすることができる。
【００４５】
つまり、上記の特性を具備しない加熱支持板を用いると、セラミック成形体のの加熱支持板に面した部分とそうでない部分とで、温度ムラと脱バインダ性にムラが生じる結果、得られたセラミック焼結体に反り、変形が発生してしまうのである。
【００４６】
上記のように、所定の加熱支持板１２の上にセラミック成形体１１を載せ、所定の温度で加熱して成形体中の有機成分を分解除去する。この時の加熱処理は、添加した有機成分に応じて適宜選択されるが、およそ２００〜４００℃の温度に加熱される。熱分解工程における雰囲気は、低コストで有機バインダの熱分解を促進させるために大気中で行うことが望ましい。
【００４７】
また本発明によれば、セラミック成形体中に収縮性有機成分を含有する場合、上記の加熱処理前、または加熱処理と同時に上記の成形体を収縮性有機成分によって収縮させる。収縮させる方法としては、光照射でもよい（以下、収縮工程という。）。そして、焼成前の段階、具体的には、焼結開始温度よりも低い温度で収縮させ、焼結開始温度到達時に１％以上、特に２％以上、さらには３％以上収縮させる。この処理時の雰囲気としては、体積収縮は雰囲気の影響は受けにくいために、酸化性雰囲気、非酸化性雰囲気のいずれでもよい。
【００４８】
その後、この成形体を焼成する（以下、焼成工程という。）。焼成条件は、成形体中のセラミック成分の種類によって適宜最適な焼成温度、焼成雰囲気で焼成される。
【００４９】
本発明によれば、上記の一連の製造方法によって、有機成分を多量に含有する成形体であっても、脱バインダ時の不均一、焼結時の不均一を改善でき、結果として反り、変形の小さいセラミック焼結体を得ることが可能になる。
【００５０】
次に、本発明のセラミック成形体およびセラミック焼結体の製造方法を具体的な製品に応用した場合について説明する。この例では、セラミック回路基板を光硬化性を有する収縮性有機成分を含む成形体を用いて製造する方法について図３をもとに説明する。
【００５１】
本発明のセラミック回路基板の製造方法によれば、まず、上述のセラミック成分と収縮性有機成分および成形用有機成分を含有する混合物に、適当な溶剤を添加し、混合してスリップ材を調製する。そして、図３（ａ）に示すように、支持基板１上に、スリップ材をドクターブレード法によって塗布後、乾燥して、セラミック層成形体２ａを形成する。ここで、支持基板１としては、マイラーフイルムやＰＥＴフィルムなどの有機フィルムなどが用いられる。なお、この支持基板１は、焼成工程前に取り外される。そして、貫通孔３ａの形成のために、このセラミック層成形体２に、露光処理を行う。
【００５２】
露光処理は、セラミック層成形体２ａに、貫通孔３ａが形成される領域が遮光されるようなフォトターゲット（図示せず）を載置して、例えば、超高圧水銀灯等を光源として用いて露光を行なう。
【００５３】
これにより、貫通孔３ａが形成される領域のセラミック層成形体２ａにおいては、光硬化可能なモノマーの光重合反応がおこらず、貫通孔３ａが形成される領域以外のセラミック層成形体２ａにおいては、光重合反応が起こる。ここで光重合反応が起こった部位を不溶化部といい、光重合反応が起こらない部位を溶化部という。また、この露光による光硬化によって収縮性有機成分の体積収縮をすべてまたは一部進行させる。
【００５４】
次に、露光後のセラミック層成形体２ａを現像する。現像処理は、セラミック層成形体２ａの溶化部を現像液で除去するもので、具体的には、例えば、トリエタノールアミン水溶液を現像液として用いてスプレー現像を行う。この現像処理により溶化部が除去され、図３（ｂ）に示すように、セラミック層成形体２ａに貫通孔３ａを形成することができる。
【００５５】
そして、この貫通孔３ａへ導電性ペーストを充填し、乾燥して、図３（ｃ）に示すように、ビアホール導体４ａを形成する。
【００５６】
また、必要に応じて、図３（ｄ）に示すように、ビアホール導体４ａが形成されたセラミック層成形体２ａの表面に、前記導電性ペーストをスクリーン印刷等によって内部導体層５を形成する。
【００５７】
さらに、このセラミック層成形体２ａの表面に、上記（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返すことによって、図３（ｅ）に示すようなセラミック層成形体２ａ〜２ｄを積層形成することができる。
【００５８】
このようにして作製された積層成形体を、必要に応じて、プレスで形状を整えた後、支持基板１を除去し、積層成形体の底面に導体層６を形成して、図３（ｅ）の積層成形体を形成する。また、必要に応じて、積層成形体の表面に、個々の回路基板単位に分割するための分割溝を形成してもよい。
【００５９】
この後、図１に示すように、前述したような加熱支持板１２を用いて、この積層成形体（セラミック成形体）１１を加熱処理して、成形体中の有機成分を分解除去する。この加熱支持板のセット方法としては、加熱支持板１２の上に成形体１１を直接、接するようにセットする。この時、成形体１１の加熱用支持板１２が触れていない側には、必要に応じて、成形体１１に触れないように、加熱用支持板１２と同様な材質で覆い（フタ）を設けても構わない。
【００６０】
本発明によれば、上記の処理によって積層成形体中に含まれるセラミック成分によって焼成収縮が開始する温度に達した時点で、成形体が１％以上、特に２％以上体積収縮していることが望ましい。セラミック成分が十分に焼成が進行する条件で焼成することによって、緻密質な焼結体を作製することができる。
【００６１】
また、必要に応じて、この焼結体の表面に、厚膜抵抗膜や厚膜保護膜の印刷・焼きつけ、メッキ処理、さらにＩＣチップを含む電子部品の実装を行うことによってセラミック回路基板を得ることができる。
【００６２】
【実施例】
セラミック成分として、ＭｇＴｉＯ３：９５質量％、ＣａＴｉＯ３：５質量％で表される主成分１００質量部に対して、ＢをＢ２Ｏ３換算で１０質量部、ＬｉをＬｉＣＯ３換算で５質量部添加したものを用いた。
【００６３】
このセラミック成分１００質量部に重合開始剤としビスアシルフォスフォンオキサイドを、モノマー（オリゴマー）としてポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレートからなる収縮性有機成分を表１に示す比率（質量部）で添加した。
【００６４】
さらに、セラミック成分１００質量部に対して、成形用有機成分として、主にポリアクリルメタクリレートを表１に示す比率（質量部）で添加した。
【００６５】
そして、上記混合物に溶媒としてエチルカルビトールアセテートをセラミック成分１００質量部に対して６０質量部の比率で混合し、これをボールミルで混練して作製してスリップを調製した。そして、このスリップをガラス台板上に貼ったマイラーフィルムの表面に、１層１００μｍの厚みに成るようにスリップを塗布、乾燥した後、所望の露光処理を行った。この露光面に前記と同様のスリップを塗布乾燥、露光する。これを繰り返して厚みが１ｍｍ、１００ｍｍ□の形状の積層成形体を作製した。
【００６６】
その後、加熱支持板に載せて加熱処理をするが、この加熱支持板としては、アルミナ質の基材を用いて、厚みが２〜５ｍｍであり、約２ｍｍφの貫通孔を、成形体との接触面での貫通孔の占有総面積が表１となるように形成した種々の加熱支持板を用いた。
【００６７】
この積層成形体を１５０℃の温度で１時間、熱収縮処理を行った後、さらに３００℃の大気雰囲気中で４時間熱分解処理を行い、９００℃の大気雰囲気中で２時間焼成処理を施した。
【００６８】
この試料の反りは、非接触式の表面粗さ計を用いて１００ｍｍ□のエリアを測定して、最も反りの大きな値を、この試料の反り量とした。
【００６９】
また、上記の製造過程で体積収縮率を測定した。まず、収縮処理前の成形体の寸法を測定し、さらに収縮処理後、焼結開始温度到達時に一旦冷却して寸法を測定した。そして、焼成後の寸法を測定し、収縮処理前の成形体の寸法に対する収縮率（体積変化量／処理前の体積）を算出した。
【００７０】
また、焼結体密度は、焼結体をアルキメデス法により測定した。焼結体の密度の目標値は、用いているセラミック原料粉末の特性が満たされる３．５０ｇ／ｃｍ３である。
【００７１】
【表１】
2004175631.tif 000003
【００７２】
この表１から、本発明の範囲外の加熱支持板を用いた場合では、セラミック焼成体の反りが大きくなることが判る。また、本発明に基づいた加熱支持板を用いることで反りを小さくできることが判る。
【００７３】
また、収縮性有機成分の添加効果について、有機成分の合計量が同じ試料Ｎｏ．１と、Ｎｏ．１０とを比較すると、有機成分として収縮性有機成分を含有しない試料Ｎｏ．１０では、焼結開始温度到達時の成形体は０．１％程度しか収縮しておらず、焼成後の収縮率も１８％であり、焼結体密度は３．４７ｇ／ｃｍ３であったのに対して、本発明に基づき収縮性有機成分を含有した試料Ｎｏ．１では、焼結開始温度到達時に成形体は１％以上収縮しており、また、焼成後で２０％以上収縮し、その結果、焼結体密度は３．５０ｇ／ｃｍ３以上に高めることができた。
【００７４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、セラミック成形体に多量の有機成分を含み、焼成時の収縮量が大きくなった場合でも、反り、変形の小さなセラミック焼成体を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における加熱支持板を用いた加熱処理時の説明図である。
【図２】本発明における加熱支持板の平面図である。
【図３】本発明におけるセラミック回路基板の工程図である。
【符号の説明】
１  支持基板
２ａ〜２ｄ  セラミック層成形体
３ａ  貫通孔
４ａ  ビアホール導体
５  内部導体層
１１  セラミック成形体
１２  加熱支持板
１３  貫通孔
【図１】
2004175631.tif 000004
【図２】
2004175631.tif 000005
【図３】
2004175631.tif 000006