(57)【要約】【課題】この発明は、イオン衝撃による不具合を防止でき、使用寿命を延長できる電子放出素子、電子源、および画像表示装置を提供することを課題とする。【解決手段】ＳＥＤのリアプレートの内面上には、多数対のエミッタ１２ａ、１２ｂが形成される。一対のエミッタ１２ａ、１２ｂは、互いにねじれの位置に配置されるように形成される。一方のエミッタ１２ａの電子放出部２５ａから放出される電子が希ガスに衝突して希ガスをイオン化し、イオン化された希ガス粒子がリアプレートに衝突するいわゆるイオン衝撃を生じる。他方のエミッタ１２ｂは、一方のエミッタ１２ａから放出される電子によるイオン衝撃の影響が無い位置に形成される。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性膜と、この導電性膜に亀裂を生じせしめて形成される細長い電子放出部と、この電子放出部に駆動電圧を印加する電極と、を有し、基板上に複数個並べて形成される電子放出素子であって、
各電子放出素子の電子放出部から放出される電子との衝突によってイオン化されたガス粒子が上記基板に向けて加速されて衝突する領域から外れた位置で上記基板上に形成されることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
各電子放出素子の電子放出部からそれぞれ放出される電子の軌道を上記基板に投影した領域から外れた位置に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
対をなす他方の電子放出素子から放出される電子の軌道を上記基板に投影した領域から外れた位置に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項４】
上記他方の電子放出素子に対してねじれの位置に形成されることを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】
上記他方の電子放出素子の電子放出部の長手方向に沿って隣接した位置に形成されることを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電子放出素子を基板上に多数個並べて形成した電子源。
【請求項７】
上記多数の電子放出素子を、上記基板上にマトリックス状に形成した上記電極によって接続したことを特徴とする請求項６に記載の電子源。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電子放出素子をその内面上に多数個並べて形成したリアプレートと、
上記多数の電子放出素子に対応する蛍光体層をその内面に形成したフェースプレートと、
上記リアプレートおよびフェースプレートの周縁部を封着して真空外囲器を形成する枠状の側壁と、
を備えていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
上記電子放出部の長さ、上記リアプレートとフェースプレートとの間のギャップ、上記駆動電圧、および上記リアプレートとフェースプレートとの間に与えられるアノード電圧に基づいて、上記イオン化されたガス粒子が衝突する上記基板上の領域を特定し、この領域から外れた位置に上記電子放出素子を位置決め配置したことを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、蛍光体層を励起発光させるための電子を放出させる電子放出素子、この電子放出素子を多数備えた電子源、およびこの電子源を備えたリアプレートと蛍光体層を備えたフェースプレートを枠状の側壁で封着した画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、画像表示装置として、リアプレート上に複数本のＸ電極およびＹ電極をマトリックス状に配置し、Ｘ、Ｙ電極の交差点から外れた位置に多数の電子放出素子を配置し、蛍光体層を備えたフェースプレートを対向配置せしめたディスプレイ装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特に、近年、電子放出素子として、表面伝導型電子放出素子（以下、単にエミッタと称する）を用いた画像表示装置、すなわちＳｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。
【０００３】
このＳＥＤは、所定のギャップを介して対向配置されたフェースプレートおよびリアプレートを有し、これら２枚のプレートは、矩形枠状の側壁を介して周縁部を互いに接合するとともに内部を真空にすることにより真空外囲器を構成している。フェースプレートの内面には３色の蛍光体層が形成され、リアプレートの内面には、蛍光体層を励起する多数のエミッタが配列されている。各エミッタは、導電性薄膜に亀裂を生じせしめて形成される電子放出部、この電子放出部に駆動電圧を印加する一対の電極等で構成されている。
【０００４】
また、両プレート間には板状のグリッドが配設されている。このグリッドには、エミッタに対して整列した位置関係で多数のビーム通過孔が形成されているとともに、フェースプレートの内面およびリアプレートの内面に当接することでプレート間のギャップを維持するための複数の柱状のスペーサが設けられている。
【０００５】
そして、各エミッタの電子放出部から放出された電子ビームが、スペーサグリッドの対応するビーム通過孔を通り所望の蛍光体層上に収束され、蛍光体が励起発光されて画像が表示されるようになっている。
【０００６】
一般に、良好な表示特性を得るため、ＳＥＤの製造工程において、真空外囲器の内圧を１０−５〜１０−７［Ｐａ］以上の超高真空に保つことが重要とされている。従来、超高真空を保つため、フェースプレート内面に、真空外囲器内の残留ガスを吸着するためのゲッター膜が形成されたり、非蒸発型ゲッター（Ｎｏｎ  Ｅｖａｐｏｒａｔｅ  Ｇｅｔｔｅｒ；以下、ＮＥＧと称する）が真空外囲器内に設置される。
【０００７】
【特許文献１】
ＥＰ  ０  ３５４  ７５０  Ｂ１  （ＦＩＧ．４）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ゲッター膜の材料やＮＥＧとして一般に用いられるＢａゲッターの性能上、Ａｒなどの希ガスは十分に吸着することができなかった。このため、ＳＥＤの駆動時に、真空外囲器内に残留した希ガスが、エミッタから放出される電子の衝突によりイオン化され、このイオン化された粒子がリアプレートに向けて加速されてエミッタに衝突され、いわゆるイオン衝撃によってエミッタが破壊されてしまう問題があった。このようにエミッタが破壊されると、エミッション電流が大きく減少してＳＥＤの寿命が短くなってしまう。
【０００９】
例えば、上述した特許文献１に開示されている装置のように、多数の電子放出部が隣接配置されているタイプのディスプレイ装置では、１つの電子放出部から放出された電子が隣接する他の電子放出部の上方の領域を通過し、この電子が残留ガス等に衝突することによりイオン化され、このイオン化された粒子が隣接する他の電子放出部に向けて加速されて衝突し、隣接する他の電子放出部を破壊してしまうといった不具合が予想される。
【００１０】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、イオン衝撃による不具合を防止でき、使用寿命を延長できる電子放出素子、この電子放出素子を多数備えた電子源、およびこの電子源を備えた画像表示装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の電子放出素子は、導電性膜と、この導電性膜に亀裂を生じせしめて形成される細長い電子放出部と、この電子放出部に駆動電圧を印加する電極と、を有し、基板上に複数個並べて形成され、各電子放出素子の電子放出部から放出される電子の衝突によってイオン化されたガス粒子が上記基板に向けて加速されて衝突する領域から外れた位置で上記基板上に形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の電子源は、上記電子放出素子を基板上に多数個並べて形成される。さらに、本発明の画像表示装置は、上記電子放出素子をその内面上に多数個並べて形成したリアプレートと、上記多数の電子放出素子に対応する蛍光体層をその内面に形成したフェースプレートと、上記リアプレートおよびフェースプレートの周縁部を封着して真空外囲器を形成する枠状の側壁と、を備えている。
【００１３】
上記発明によると、各電子放出素子から放出される電子の衝突によってイオン化されるガス粒子がアノード電圧によって加速されて基板に衝突する際、基板に形成された電子放出素子に衝突して破壊することのないように、ガス粒子が基板に衝突する領域を予め予想してその領域から外れた位置に電子放出素子を配置するようにした。これにより、イオン衝撃による電子放出素子の破壊などの不具合を防止でき、電子放出素子の使用寿命を延長できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】
図１には、この発明の実施の形態に係る画像表示装置としてＳＥＤ１の概略断面図を示してある。
【００１６】
ＳＥＤ１は、それぞれ矩形板状のガラスからなるリアプレート２およびフェースプレート４を有する。これら２枚のプレート２、４は、高精度に位置合わせされた状態で所定のギャップを介して対向配置されている。そして、リアプレート２およびフェースプレート４は、ガラスからなる矩形枠状の側壁６を介して周縁部同士が接合され、内部が極めて高い真空状態に真空引きされ、扁平な真空外囲器を構成している。
フェースプレート４がリアプレート２に対向する内面４ａには蛍光体スクリーン１１が形成されている。この蛍光体スクリーン１１は、赤、青、緑の蛍光体層、および黒色着色層を並べて構成されている。これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に構成されている。また、蛍光体スクリーン１１上には、アノード電極として機能するアルミニウム等からなるメタルバック（ここでは図示省略）が形成されている。さらに、メタルバック上には、イオン衝撃の原因となる真空外囲器内のガス粒子を吸着して真空外囲器内の真空度を高めるためのゲッター膜（図示せず）が形成されている。
【００１７】
リアプレート２がフェースプレート４に対向する内面２ａには、蛍光体層を励起発光せしめるための電子放出素子として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型電子放出素子（以下、エミッタと称する）１２が設けられている。これらのエミッタ１２は、各画素に対応して複数列および複数行に配列され、ここでは図示しない後述するｘ軸配線およびｙ軸配線によりマトリックス状に接続されている。本実施の形態では、後述するように、１つの画素をｘ軸方向に並んだ２つのエミッタ１２で駆動するツインドライブ方式を採用している。
【００１８】
接合部材として機能する側壁６は、例えば、低融点ガラスからなるフリットガラス１３により、リアプレート２の周縁部とフェースプレート４の周縁部に封着され、リアプレート２とフェースプレート４を接合している。
【００１９】
また、リアプレート２とフェースプレート４との間には、スペーサグリッド１０（図２）が配設されている。スペーサグリッド１０は、金属などの磁性体からなる矩形板状のグリッド８の表裏に、それぞれ上スペーサ１４および下スペーサ１５を所定の間隔をおいて接合配置して形成される。つまり、スペーサグリッド１０は、各スペーサ１４、１５の先端１４ａ、１５ａを各プレート２、４の内面２ａ、４ａに当接させることで、大気圧によるリアプレート２およびフェースプレート４の破壊を防止するよう機能する。
【００２０】
また、グリッド８には、エミッタ１２から放出された電子を蛍光体スクリーン１１に到達させるための多数の電子通過孔１６が設けられている。すなわち、ｘ軸方向に沿って並設した２つのエミッタ１２、電子通過孔１６、および蛍光体スクリーン１１の蛍光体層は、各画素毎に対応して一列に並んでいる。
【００２１】
上記構造のＳＥＤ１により画像を表示する場合、まず、図示しない信号源から入力される画像信号に基づいて、リアプレート２の内面２ａに設けられた複数のエミッタ１２に駆動電圧が選択的に印加され、選択されたエミッタ１２から電子が放出される。エミッタ１２から放出された電子は、リアプレート２とフェースプレート４との間に印加されるアノード電圧によりフェースプレート４に向けて加速される。本実施の形態では、１つの画素に対応して２つ１組のエミッタ１２から同時に電子ビームが放出される。そして、各エミッタ１２から放出された電子ビームが、グリッド８の対応する電子通過孔１６を通過し、対応する蛍光体スクリーン１１に収束される。これにより、蛍光体が励起発光されて画像が表示される。
【００２２】
次に、上記構造のＳＥＤ１の製造方法について、図３に示すフローチャートとともに、図４および図５を参照して説明する。図４には、リアプレート２を内面２ａ側から見た、第１の実施の形態に係る複数のエミッタ１２およびその配線（ｘ軸配線およびｙ軸配線）の状態を部分的に示す平面図を示してある。また、図５には、図４を部分的に拡大した１画素に対応する一対のエミッタ１２ａ、１２ｂを示してある。
【００２３】
ＳＥＤ１を製造する場合、まず、リアプレート２を純水、有機溶剤等を用いて十分に洗浄し、真空蒸着法、スパッタ法により、図４に示すｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２を形成するための配線材料を内面２ａ上に成膜する。配線材料として、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｂ等が用いられる。そして、フォトリソグラフィー技術により、図４に示す形状のｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２をリアプレート２の内面２ａ上に形成する（図３；ステップ１）。
【００２４】
次に、上記のようにｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２を形成したリアプレート２上に、図５に拡大して示す導電膜２４ａ、２４ｂを形成するための膜材料を塗布する。膜材料として、Ｐｄ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｂ、Ｃｄ、Ｆｅ、Ｐｂ等が用いられる。そして、この膜材料を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニングし、図５に示す形状（略円形）の導電膜２４ａ、２４ｂを形成する（ステップ２）。尚、膜材料の塗布方法としては、バブルジェット法、インクジェット法、ピエゾジェット法、ディッピング法、スピンナー法等を用いることができる。
【００２５】
さらに、導電膜２４に電子放出部２５を形成するためのフォーミング処理を行う（ステップ３）。フォーミング処理は、通常、ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２に電位差を与えて導電膜２４に通電することにより行う。ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２間に、電圧を印加する事により、導電膜２４内に、ジュール熱が発生し、ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２の中間で導電膜２４に亀裂が生じ、電子放出部２５が形成される。尚、フォーミング処理時における電圧は、パルス波形が望ましい。
【００２６】
上記のようにフォーミング処理を終えたエミッタ１２には活性化処理（ステップ４）を施すのが好ましい。活性化処理とは、例えば、有機物質のガスを含有する雰囲気下で、フォーミング処理と同様に、ｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２間にパルス状の電圧を印加することで実施される。有機物質として、アルカン、アルケン、アルキン等の脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン類、フェノール、カルボン酸、スルホン酸等の有機酸類等が用いられる。
【００２７】
以上のようにリアプレート２の内面２ａ上に複数のエミッタ１２および配線２１、２２が形成された後、フリットガラス１３を介してリアプレート２の周縁部に側壁６が取り付けられる（ステップ５）。そして、上述した蛍光体スクリーン１１およびメタルバックが形成されたフェースプレート４とともに、側壁６を取り付けたリアプレート２が、図示しない真空チャンバ内にセットされる（ステップ６）。このとき、リアプレート２の内面２ａとフェースプレート４の内面４ａが所定のギャップｄ（後述する）を介して対向し、且つ互いに平行に対向するように２枚のプレート２、４が高精度に位置決めして配置される。
【００２８】
さらに、真空チャンバ内が真空引きされて所定の圧力に設定される（ステップ７）。本実施の形態では、真空チャンバ内の圧力は、１０−５〜１０−７［Ｐａ］程度に設定される。
【００２９】
この後、真空チャンバ内に設けた図示しないヒータにより、リアプレート２およびフェースプレート４をベーキングして脱ガス処理をする（ステップ８）。このとき、２００［℃］〜４００［℃］の温度で、０．１［ｈ］〜１０［ｈ］程度、リアプレート２およびフェースプレート４を加熱する。
【００３０】
さらに、この後、各エミッタ１２を接続したｘ軸配線２１およびｙ軸配線２２に所定の電圧を与えて通電し、各エミッタ１２を駆動せしめて電子を放出させてエージング処理を行う（ステップ９）。このエージング処理により、真空チャンバ内に残留したガス、特に希ガスがイオン化されてリアプレート２の内面２ａに吸着され、真空度が高められる。
【００３１】
そして、Ｂａゲッターなどのゲッター材がフェースプレート４のメタルバック上にゲッタリングされる（ステップ１０）。このゲッター膜は、真空外囲器内に残留したガスを吸着して真空度を高めるように機能する。
【００３２】
最後に、ステップ５でリアプレート２の内面２ａに取り付けられた側壁６とフェースプレート４の内面４ａとが、真空チャンバ内で、フリットガラス１３を介して接合され、２枚のプレート２、４の周縁部同士が封着されて真空外囲器が形成される（ステップ１１）。
【００３３】
上記のように構成されるＳＥＤ１において、良好な画像を表示させるためには、真空外囲器内の真空度を１０−５〜１０−７［Ｐａ］以上の超高真空状態に保持することが重要とされている。しかし、上述したように側壁６を介してリアプレート２とフェースプレート４を封着した後、ＳＥＤ１の構成部材、例えば蛍光体スクリーン１１、スペーサグリッド１０、Ｘ軸配線２１、Ｙ軸配線２２、リアプレート２、フェースプレート４などから僅かにガスが放出される。また、ＳＥＤ１を駆動した際、電子ビームが蛍光体スクリーン１１に衝突したとき、その衝撃と発熱により蛍光体からガスが放出される。
【００３４】
このように、真空外囲器内で不所望に放出されるガスは、通常、フェースプレート４の内面４ａに予め設けたゲッター膜によって取り除かれる。しかし、ゲッター膜の性能上、Ａｒなどの希ガスは十分に取り除くことができない。真空外囲器内にこのような希ガスが残留すると、ＳＥＤ１の駆動時に各エミッタ１２から放出される電子が希ガス粒子に衝突してプラスイオン化し、イオン化されたガス粒子がアノード電圧によってリアプレート２の内面２ａに向けて加速されて内面２ａに衝突するいわゆるイオン衝撃を生じる。このとき、エミッタ１２の導電膜２４にイオン粒子が衝突してイオン衝撃が生じると、導電膜２４が破壊されてエミッタ１２が使えなくなる。
【００３５】
このため、本実施の形態では、このようなイオン衝撃による不具合を考慮して、ＳＥＤ１の駆動時に、電子の衝突によりイオン化された希ガス粒子がリアプレート２に衝突する領域、すなわちイオン衝撃が発生する領域を予め予想し、この領域から外れた位置でリアプレート２の内面２ａに各エミッタ１２の導電膜２４を形成するようにした。これにより、イオン衝撃によるエミッタ１２の破壊を防止し、ＳＥＤ１の使用寿命を延長できる。
【００３６】
ここで、本発明の第１の実施の形態に係るエミッタ１２ａ、１２ｂについて、図５および図６を参照してより詳細に説明する。
【００３７】
図５に示すように、本実施の形態では、１画素を構成する一対のエミッタ１２ａ、１２ｂが互いにねじれの位置に配置されるように、各導電膜２４ａ、２４ｂ、およびＸ、Ｙ軸配線２１、２２をリアプレート２の内面２ａに形成した。より具体的には、図中左側の一方の導電膜２４ａをＸ軸配線２１とＹ軸配線２２との間の中間線Ｍより上方に形成し、図中右側の他方の導電膜２４ｂを中間線Ｍより下方で導電膜２４ａから横にずれた位置に形成した。
【００３８】
これにより、図６に示すように、一対のエミッタ１２ａ、１２ｂに同時に駆動電圧を与えて電子を放出させた際、一方のエミッタ１２ａの電子放出部２５ａから放出された電子が真空外囲器内の残留ガスに衝突してイオン化したガス粒子が他方のエミッタ１２ｂに衝突することを防止でき、且つ他方のエミッタ１２ｂの電子放出部２５ｂから放出された電子が残留ガスに衝突してイオン化したガス粒子が一方のエミッタ１２ａに衝突することを防止できる。尚、このとき、蛍光面に照射される電子ビームの１画素内のスポット位置は、図７に示すように斜めにずれた状態となるが、画素の輝度、色合などに影響を与えることはない。
【００３９】
言い換えると、本実施の形態では、各エミッタ１２ａ、１２ｂから放出される電子の軌道をリアプレート２の内面２ａに投影した領域、すなわちイオン化したガス粒子が衝突する可能性の高い領域から外れた位置に各エミッタ１２ａ、１２ｂを形成するようにした。
【００４０】
つまり、各エミッタ１２ａ、１２ｂから放出される電子は、アノード電極に向けて真っ直ぐに飛び出すのではなく、それぞれ一方の電極から他方の電極に向けてｘ軸方向に飛び出し、アノード電圧Ｖａ［Ｖ］によってフェースプレート４に向けて加速され、図６に示したように曲線軌道を描いて飛翔する。例えば、図６で左側の一方のエミッタ１２ａから放出された電子は、駆動電圧Ｖｆにより、図中右方向に飛び出して曲線を描いて移動距離ｘ［μｍ］だけ離れた位置で蛍光面に到達する。
【００４１】
このため、一方のエミッタ１２ａから放出された電子は、蛍光面に到達するまでにｘ軸方向に所定距離（移動距離ｘ）［μｍ］だけ移動する。この移動距離ｘ［μｍ］は、アノード電圧Ｖａ［Ｖ］、駆動電圧Ｖｆ［Ｖ］、プレート間のギャップｄ［ｍｍ］に依存して変化する。例えば、プレート間のギャップｄを１．６［ｍｍ］に設定し、駆動電圧Ｖｆ１５．５［Ｖ］、パルス幅２０［μｓ］、周波数６０［Ｈｚ］の方形波パルスを通電した場合、電子の移動距離ｘは、アノード電圧Ｖａに依存して図８に示すように変化する。
【００４２】
つまり、一方のエミッタ１２ａの電子放出部２５ａから放出される電子ビームは、電子放出部２５ａの長さに略等しい幅で放出され、移動距離ｘだけ飛翔したところで蛍光面に到達する。また、電子が希ガス粒子に衝突する範囲は、この電子ビームの軌道上になる。このため、電子の衝突によりイオン化したイオン粒子がリアプレート２の内面２ａに衝突する領域は、電子ビームの軌道をリアプレート２の内面２ａに投影した領域となる。
【００４３】
すなわち、このリアプレート２上の領域の幅は、一方のエミッタ１２ａの電子放出部２５ａの長さと略一致し、この領域の長さは、上述した移動距離ｘと略一致する。言い換えると、イオン衝撃を生じる可能性の高いリアプレート２の内面２ａ上の領域は、電子放出部２５ａの長さ、駆動電圧Ｖｆ、アノード電圧Ｖａ、およびプレート間のギャップｄによって略決定される。
【００４４】
このため、このイオン衝撃を生じる領域を予め予想することが可能で、この領域から外れた位置に各エミッタ１２の導電膜２４を形成することができる。
【００４５】
以上のように、本実施の形態によると、ＳＥＤ１の駆動時に、イオン衝撃が発生する領域を、エミッタ１２の電子放出部２５の長さ、駆動電圧Ｖｆ、アノード電圧Ｖａ、およびプレート間のギャップｄから略特定することができ、この領域から外れた位置でエミッタ１２をリアプレート２の内面２ａ上に形成するができる。これにより、イオン化した粒子が各エミッタ１２の導電膜２４に衝突してエミッタ１２を破壊することを防止でき、エミッタ１２、多数のエミッタ１２をリアプレート２の内面２ａ上に形成した電子源、およびＳＥＤ１の使用寿命を延長できる。
【００４６】
図９には、上述した本発明の方法により製造した３６インチディスプレイパネル、および従来の方法により製造した３６インチディスプレイパネルのエミッション電流保持率の経時変化を比較して示してある。このときのライフ条件は、駆動電圧Ｖｆ＝１５．０［Ｖ］、方形パルス印加、パルス幅＝２０［μｓ］、周波数＝６０［Ｈｚ］、アノード電圧Ｖａ＝１０［ｋＶ］とした。これによると、本発明によりエミッション電流の保持率の減少率が大きく改善され、長寿命化を実現できていることが分る。
【００４７】
また、表示パネルの寿命を示す指標となるエミッション電流が初期状態から３０［％］減少するまでの時間は、本発明の方法により製造した３６インチパネルでは３００００［ｈ］以上であり、従来の３６インチパネルの１５０００［ｈ］と比較して、表示パネルの使用寿命が約２倍程度に延びていることが分る。
【００４８】
尚、この発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。
【００４９】
例えば、上述した第１の実施の形態では、１つの画素を駆動する２つのエミッタ１２ａ、１２ｂをねじれの位置に配置した場合について説明したが、これに限らず、図１０および図１１に示す第２の実施の形態のように、一対のエミッタ１２ａ、１２ｂを、その電子放出部２５ａ、２５ｂの長手方向に沿って隣接する位置関係に配置しても良い。本実施の形態では、一対のエミッタ１２ａ、１２ｂを、その電子放出部２５ａ、２５ｂが略一直線になる位置関係に配置した。
【００５０】
この第２の実施の形態においても、上述した第１の実施の形態と同様の効果を奏することができるが、この場合、一対のエミッタ１２ａ、１２ｂから放出される電子ビームが、Ｙ軸方向に沿って同じ方向に同じ距離だけシフトするため、フェースプレート４の内面４ａの蛍光面に到達する位置がＹ軸方向にこの分だけシフトする。このため、第２の実施の形態では、その分、フェースプレート４をＹ軸方向に予めずらしてリアプレート２に対向させる必要がある。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の電子放出素子、電子源、および画像表示装置は、上記のような構成および作用を有しているので、イオン衝撃による不具合を防止でき、使用寿命を延長できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す断面図。
【図２】図１のＳＥＤに組み込まれるスペーサグリッドを示す斜視図。
【図３】図１のＳＥＤを製造する方法を説明するためのフローチャート。
【図４】この発明の第１の実施の形態に係るエミッタおよび配線を示す平面図。
【図５】図４の一部を拡大して示す部分拡大図。
【図６】図５のエミッタを駆動したときの電子ビームの状態を説明するための図。
【図７】図６の電子ビームの蛍光面におけるスポットを示す図。
【図８】アノード電圧Ｖａを変化させたときの電子の移動距離ｘを示す図。
【図９】ディスプレイパネルのエミッション電流保持率の経時変化を従来のパネルと比較して示す図。
【図１０】この発明の第２の実施の形態に係るエミッタおよび配線を示す平面図。
【図１１】図１０の一部を拡大して示す部分拡大図。
【符号の説明】
１…ＳＥＤ、
２…リアプレート、
２ａ、４ａ…内面、
４…フェースプレート、
６…側壁、
１０…スペーサグリッド、
１２…エミッタ、
２１…Ｘ軸配線、
２２…Ｙ軸配線、
２４…導電膜、
２５…電子放出部。
【図１】
2004259592.tif 000003
【図２】
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【図３】
2004259592.tif 000005
【図４】
2004259592.tif 000006
【図５】
2004259592.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004259592.tif 000009
【図８】
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【図９】
2004259592.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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