(57)【要約】【課題】素子の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、従来開示のタイプのものに比べて、耐電圧性が格段と向上させることができる複合電子部品を提供する。【解決手段】素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有し、少なくとも一方の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、抵抗体の一端と外部電極とを接合し、抵抗体の他端と内部電極を接合するように構成する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、
前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、
前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側の略中央に露出する突出部を有し、
前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、
前記素子本体の前記第１外部電極側には、接続電極、抵抗体、および絶縁体が形成されており、
前記接続電極は、前記第１外部電極側の略中央に露出する前記第１内部電極層の突出部を被覆・接続するように形成されており、
前記抵抗体は、前記接続電極に接するとともに、前記素子本体の前記第１外部電極側を覆うように形成されており、
前記絶縁体は、前記抵抗体の外周縁の一部分を残して抵抗体の全面を覆うように形成されており、
前記抵抗体の一部分が前記第１外部電極と接続されてなることを特徴とする複合電子部品。
【請求項２】
前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるようになっている請求項１に記載の複合電子部品。
【請求項３】
前記抵抗体は、前記接続電極に接するとともに、前記素子本体の前記第１外部電極側の少なくとも全面を覆うように形成されてなる請求項１または請求項２に記載の複合電子部品。
【請求項４】
前記抵抗体は、前記素子本体の各側面部の一部分まで延設され、各側面部における抵抗体と誘電体層との間には、側部接続電極が介在されてなる請求項３に記載の複合電子部品。
【請求項５】
素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、
前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、
前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側に露出する接続部を有し、
前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、
前記素子本体の前記第１外部電極側の端面には、接続電極、抵抗体、および絶縁体が形成されており、
前記接続電極は、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部を被覆・接続するように形成されており、
前記抵抗体は、前記接続電極に接しつつ前記素子本体の前記第１外部電極側の全面を覆うとともに、さらに前記素子本体の各側面部の一部分を覆うように延設され、
前記絶縁体は、前記抵抗体の外周縁の一部分を残して抵抗体の全面を覆うように形成されており、
前記抵抗体の一部分が前記第１外部電極と接続されてなることを特徴とする複合電子部品。
【請求項６】
前記接続電極、抵抗体、絶縁体、および第１外部電極は、順次、ディッピング方式により設けられる請求項５に記載の複合電子部品。
【請求項７】
前記抵抗体の実質的な抵抗作用部分は、前記素子本体の各側面部の一部分を覆うように形成された部分であり、実質的な抵抗作用部分が０．２ｍｍ以上である請求項５または請求項６に記載の複合電子部品。
【請求項８】
前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるようになっている請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項９】
素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、
前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、
前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側に露出する接続部を有し、
前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、
前記素子本体の前記第１外部電極側の端面には、接続電極、抵抗体、第１絶縁体、および第２絶縁体が形成されており、
前記接続電極は、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部を被覆・接続するように形成されており、
前記抵抗体は、前記接続電極に接しつつ前記素子本体の前記第１外部電極側の全面を覆うとともに、さらに前記素子本体の各側面部の一部分を覆うように延設された膜体であり、
前記第１絶縁体は、絶縁基板から構成され、当該絶縁基板は、前記抵抗体の膜体の内部に浮遊状態で埋設されており、
前記第２絶縁体は、前記抵抗体の略中央に位置する一部分を除いて前記抵抗体の全面を覆うように形成されており、
前記抵抗体の略中央に位置する一部分が前記第１外部電極と接続されてなることを特徴とする複合電子部品。
【請求項１０】
前記接続電極、抵抗体、第２絶縁体、および第１外部電極は、ディッピング方式により設けられ、
前記第１絶縁体は、ディッピング方式により設けられた抵抗体の膜体中に押し込まれて埋設されてなる請求項９に記載の複合電子部品。
【請求項１１】
前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるようになっている請求項９または請求項１０に記載の複合電子部品。
【請求項１２】
素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、
前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、
前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側に露出する接続部を有し、
前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、
前記素子本体の前記第１外部電極側の端面には、接続電極、絶縁体、抵抗体が形成されており、
前記接続電極は、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部を被覆・接続するように形成されており、
前記絶縁体は、前記接続電極を覆うように形成されるとともに、形成された絶縁体は、その外面から内面側（接続電極に接する側）に向けた膜厚方向に複数の連通孔を備えており、
前記抵抗体は、前記絶縁体を覆うように形成されるとともに前記絶縁体の連通孔内を充填するように形成されて前記接続電極と接するようになっており、さらに、この上に形成された第１外部電極と接続されてなることを特徴とする複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は複合電子部品に係り、特に積層セラミックコンデンサの素子本体内部に抵抗体を付加した複合電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】特開平５−２８３２８３号公報
【０００３】
コンデンサ、インダクタ、サーミスタ、バリスタ等の積層セラミック電子部品は、体積が小さいこと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種の電子機器に使用されており、電子機器の小型化に伴い、さらなる小型化、高性能化が求められている。
【０００４】
このような積層セラミック電子部品のうち、例えば、積層セラミックコンデンサは、通常、誘電体層と内部電極層とが交互に積層された積層体と、この積層体の対向する側面に設けられた一対の外部電極を備えるような構造である。このような積層セラミックコンデンサは、例えば、出力平滑化回路を構成する平滑用コンデンサとして用いられている。
【０００５】
しかし、積層セラミックコンデンサは、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が非常に低く、回路内の信号がループし発振現象が生じ、その結果、ノイズを生じるという問題がある。すなわち、平滑用コンデンサとしてＥＳＲの低い積層セラミックコンデンサを使用した場合、２次側平滑回路が等価的にＬとＣ成分のみで構成されてしまい、回路内に存在する位相成分が±９０°および０°のみとなり、位相の余裕がなくなり容易に発振してしまう。
【０００６】
このため、積層セラミックコンデンサに抵抗成分を付加してＥＳＲを高めた複合電子部品（ＣＲ複合素子）が種々提案されている。例えば、特開平５−２８３２８３号公報（特許文献１）には、内部電極層を有するチップ状セラミック誘電体の両端部に内部電極層に電気的に接続させて抵抗層を設け、この抵抗層の表面に外部電極層を設けたＣＲ複合素子、すなわち、抵抗成分を積層セラミックコンデンサの外部電極内に形成したＣＲ複合素子が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来の複合電子部品（特許文献１）に設けられた抵抗層の構造では、抵抗体の実質的な厚みが５μｍ程度と薄いため、耐電圧性が十分とは言えない。また、仮に、抵抗体の実質的な厚みを増大させたとしても、従来の構造では、局部的に抵抗体厚みの小さいところが存在するおそれがあり、やはり耐電圧性が十分とは言えない。
【０００８】
このような実状の基に、本発明は創案されたものであって、その目的は、素子の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、従来開示のタイプのものに比べて、耐電圧性が格段と向上させることができる複合電子部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明は、素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側の略中央に露出する突出部を有し、前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、前記素子本体の前記第１外部電極側には、接続電極、抵抗体、および絶縁体が形成されており、前記接続電極は、前記第１外部電極側の略中央に露出する前記第１内部電極層の突出部を被覆・接続するように形成されており、前記抵抗体は、前記接続電極に接するとともに、前記素子本体の前記第１外部電極側を覆うように形成されており、前記絶縁体は、前記抵抗体の外周縁の一部分を残して抵抗体の全面を覆うように形成されており、前記抵抗体の一部分が前記第１外部電極と接続されてなるように構成される。
【００１０】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるように構成される。
【００１１】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記抵抗体は、前記接続電極に接するとともに、前記素子本体の前記第１外部電極側の少なくとも全面を覆うように形成される。
【００１２】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記抵抗体は、前記素子本体の各側面部の一部分まで延設され、各側面部における抵抗体と誘電体層との間には、側部接続電極が介在されてなるように構成される。
【００１３】
また、本発明は、素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側に露出する接続部を有し、前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、前記素子本体の前記第１外部電極側の端面には、接続電極、抵抗体、および絶縁体が形成されており、前記接続電極は、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部を被覆・接続するように形成されており、前記抵抗体は、前記接続電極に接しつつ前記素子本体の前記第１外部電極側の全面を覆うとともに、さらに前記素子本体の各側面部の一部分を覆うように延設され、前記絶縁体は、前記抵抗体の外周縁の一部分を残して抵抗体の全面を覆うように形成されており、前記抵抗体の一部分が前記第１外部電極と接続されてなるように構成される。
【００１４】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記接続電極、抵抗体、絶縁体、および第１外部電極は、順次、ディッピング方式により設けられる。
【００１５】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記抵抗体の実質的な抵抗作用部分は、前記素子本体の各側面部の一部分を覆うように形成された部分であり、実質的な抵抗作用部分が０．２ｍｍ以上となるように構成される。
【００１６】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるように構成される。
【００１７】
また、本発明は、素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側に露出する接続部を有し、前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、前記素子本体の前記第１外部電極側の端面には、接続電極、抵抗体、第１絶縁体、および第２絶縁体が形成されており、前記接続電極は、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部を被覆・接続するように形成されており、前記抵抗体は、前記接続電極に接しつつ前記素子本体の前記第１外部電極側の全面を覆うとともに、さらに前記素子本体の各側面部の一部分を覆うように延設された膜体であり、前記第１絶縁体は、絶縁基板から構成され、当該絶縁基板は、前記抵抗体の膜体の内部に浮遊状態で埋設されており、前記第２絶縁体は、前記抵抗体の略中央に位置する一部分を除いて前記抵抗体の全面を覆うように形成されており、前記抵抗体の略中央に位置する一部分が前記第１外部電極と接続されてなるように構成される。
【００１８】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記接続電極、抵抗体、第２絶縁体、および第１外部電極は、ディッピング方式により設けられ、前記第１絶縁体は、ディッピング方式により設けられた抵抗体の膜体中に押し込まれて埋設されてなるように構成される。
【００１９】
前記複合電子部品の好ましい態様として、前記第１外部電極と接続される抵抗体の一部分から前記抵抗体が前記接続電極に接する部分までの抵抗体の距離仕様を定めることにより、抵抗の調整がなされるように構成される。
【００２０】
また、本発明は、素子本体と、素子本体の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極および第２外部電極とを有する複合電子部品であって、前記素子本体は、誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層されたキャパシタ構成部分を備え、前記第１内部電極層は、前記第１外部電極側に露出する接続部を有し、前記第２内部電極層は、第２外部電極側に露出する接続部を有し、当該接続部は、第２外部電極に接続されており、前記素子本体の前記第１外部電極側の端面には、接続電極、絶縁体、抵抗体が形成されており、前記接続電極は、前記第１外部電極側に露出する前記第１内部電極層の接続部を被覆・接続するように形成されており、前記絶縁体は、前記接続電極を覆うように形成されるとともに、形成された絶縁体は、その外面から内面側（接続電極に接する側）に向けた膜厚方向に複数の連通孔を備えており、前記抵抗体は、前記絶縁体を覆うように形成されるとともに前記絶縁体の連通孔内を充填するように形成されて前記接続電極と接するようになっており、さらに、この上に形成された第１外部電極と接続されてなるように構成される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
〔第１の実施の形態の説明〕
本発明の第１の実施の形態について、図１〜図３を参照しつつ説明する。
図１は本発明の複合電子部品１の一実施形態を示す斜視図であり、図２は図１に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図３は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図１のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００２３】
図１に示されるように、本発明の複合電子部品１は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００２４】
素子本体２０は、図２に示されるように誘電体層７と内部電極層２１、２５とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）とを備えている。
【００２５】
本発明における内部電極層２１、２５は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２１と第２内部電極層２５から構成されている。図２において、誘電体層７と第１内部電極層２１を有するシート体７１と、誘電体層７と第２内部電極層２５を有するシート体７５は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００２６】
積層される第１内部電極層２１は、図２に示されるように前記第１外部電極１１側の略中央に露出する突出部２１ａを有している。この突出部２１ａの位置は後述の説明からも分かるように、抵抗体の抵抗そのものを規定する要素を備えるものであるから、抵抗をバランス良く規定するためには、突出部２１ａは、誘電体層７の幅方向の略中央に位置させることが望ましい。なお、図２に示されるごとく第１内部電極層２１は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は突出部２１ａのみ（より正確には突出部の端部のみ）である。
この一方で、積層される第２内部電極層２５は、図２に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２５ａを有し、この接続部２５ａは第２外部電極１５に接続されている。図２に示されるごとく第２内部電極層２５は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２５ａのみ（より正確には接続部２５ａの端部のみ）である。
【００２７】
このような本発明の第１の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造の形成を図３に基づき説明する。
【００２８】
図３に示される前記第１内部電極層２１の略中央に露出する突出部２１ａは、積層された後、図３の矢印Ｂ方向から見た場合、突出部２１ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２１の突出部２１ａの端面を一体的に覆うように接続電極４１が形成される。図示のごとく接続電極４１の幅は、突出部２１ａの幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２１と接続電極４１の電気的接合がなされる。
【００２９】
次いで、図３に示されるように接続電極４１の上には、抵抗体（膜）５１が形成される。抵抗体５１は、前記接続電極４１に接するとともに、前記素子本体の前記第１外部電極側の少なくとも全面を覆うように形成されることが好ましく、さらに、抵抗体５１は、図示のごとく前記素子本体の各側面部の一部分まで覆うように回り込んで延設・被着された延設部５１ａを備えることが望ましい。そして各側面部における抵抗体の延設部５１ａと誘電体層７との間には、図示のごとく側部接続電極４９が介在されることが望ましい。外部電極１１と抵抗体５１（延設部５１ａ）との電気的接合を確実ならしめるためである。
【００３０】
このような抵抗体５１の上には、抵抗体５１の外周縁の一部分５１ｂを残して抵抗体の全面を覆うように絶縁体６１が形成される。この上に第１外部電極１１が形成され、この第１外部電極１１と、前記抵抗体５１の外周縁の一部分５１ｂとの電気的な接続が図られるようになっている。このような外部電極側の積層構造によって、抵抗体５１は、抵抗体５１の外周縁の一部分５１ｂから接続電極４１に至るまでに、その途中を実質的に誘電体層７と絶縁膜６０とで挟まれて絶縁された形態となっている。そのため、第１外部電極１１と抵抗体５１との電気的接合は、前記抵抗体５１の外周縁の一部分５１ｂから開始され、そして、抵抗体５１の抵抗作用は接続電極４１との接合位置にまで至り、この間の距離が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。
【００３１】
また、例えば、抵抗体５１の大きさ（長さ）を一定としてこの上に形成される絶縁膜６１の大きさ（長さ）を変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５１の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５１およびこれに被着する絶縁体６１の大きさ（長さ）を適宜変えて、抵抗の調整をすることも可能となる。
【００３２】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４１との間で実質的な抵抗体５１による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４１と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００３３】
なお、上記抵抗体５１、絶縁体６１、第１外部電極１１は、順次、ディッピング方式により設けることができる。
【００３４】
〔第２の実施の形態の説明〕
本発明の第２の実施の形態について、図４〜図６を参照しつつ説明する。
【００３５】
図４は本発明の複合電子部品２の一実施形態を示す斜視図であり、図５は図４に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図６は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図４のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００３６】
図４に示されるように、本発明の複合電子部品２は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００３７】
素子本体２０は、図５に示されるように誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）を備えている。
【００３８】
本発明における内部電極層２３、２８は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２３と第２内部電極層２８から構成されている。図５において、誘電体層７と第１内部電極層２３を有するシート体７３と、誘電体層７と第２内部電極層２８を有するシート体７８は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００３９】
積層される第１内部電極層２３は、図６に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する接続部２３ａを有している。図６に示されるごとく第１内部電極層２３は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２３ａのみ（より正確には接続部の端部のみ）である。
【００４０】
この一方で、積層される第２内部電極層２８は、図５に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２８ａを有し、この接続部２８ａは第２外部電極１５に接続されている。図５に示されるごとく第２内部電極層２８は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２８ａのみ（より正確には接続部２８ａの端部のみ）である。
【００４１】
このような本発明の第２の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図６に基づき説明する。
【００４２】
図５に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図５の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａの端面を一体的に覆うように接続電極４２が形成される。図示のごとく接続電極４２の幅は、誘電体膜７の幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２３と接続電極４２の電気的接合がなされる。接続電極４２は、ディッピング方式により形成されることが好ましい。
【００４３】
ついで、このような接続電極４２の上に抵抗体５２が形成される。抵抗体５２は、前記接続電極４２に接しつつ前記素子本体の前記第１外部電極側の全面を覆うとともに、さらに前記素子本体の各側面部の一部分まで覆うように回り込んで延設・被着された延設部５２ａ（側面部の所定域まで覆い被さっている）を備えており、その抵抗体５２の全体形状は、いわゆる四角柱状の容器形態をなしている。このような抵抗体５２は、いわゆるディッピング方式により形成されることが好ましい。
【００４４】
このような抵抗体５２の上には、抵抗体５２の外周縁の一部分５２ｂを残して抵抗体の全面を覆うように絶縁体６２が形成される。絶縁体６２は、ディッピング方式により形成されることが好ましい。このような積層体の上に第１外部電極１１が形成され、この第１外部電極と、前記抵抗体５２の外周縁の一部分５２ｂとの電気的な接続が図られるようになっている。第１外部電極１１は、ディッピング方式により形成されることが好ましい。
【００４５】
このような外部電極側の積層構造によって、抵抗体５２は、抵抗体５２の外周縁の一部分５２ｂから接続電極４２（実質的には端部４２ａ）に至るまでに、その途中を実質的に誘電体層７と絶縁膜６２とで挟まれて絶縁された形態となっている。そのため、第１外部電極１１と抵抗体５２との電気的接合は、前記抵抗体５２の外周縁の一部分５２ｂから開始され、そして、抵抗体５２の抵抗作用は接続電極４２との接合位置（実質的には端部４２ａ）にまで至り、この間の距離Ｈ（図６）が抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。実質的な抵抗作用部分に相当するＨの値は０．２ｍｍ以上、特に、０．４〜１．５ｍｍとすることが好ましい。
【００４６】
また、例えば、抵抗体５２の大きさ（長さ）を一定としてこの上に形成される絶縁膜６２の大きさ（長さ）を変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５２の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。あるいは、抵抗体５２およびこれに被着する絶縁体６２の大きさ（長さ）を適宜変えて、抵抗の調整をすることも可能となる。
【００４７】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４２との間で実質的な抵抗体５２による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４２と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００４８】
上述してきた本発明の第２の実施の形態においては、抵抗体を備える第１外部電極側の積層体を積み上げる際に、すべてディッピング方式によることができ、製造が容易となり、生産性が格段と向上する。
【００４９】
〔第３の実施の形態の説明〕
本発明の第３の実施の形態について、図４、図５および図７を参照しつつ説明する。図４および図５における形態は、前記第２の実施の形態においても本発明の第３の実施の形態においても実質的に同じであるので、図面の重複記載を避けて、双方の図面の共用化を図っている。
【００５０】
図４は（前述した本発明の複合電子部品２と同様に）本発明の複合電子部品３の一実施形態を示す斜視図であり、図５は（前述した本発明の複合電子部品２と同様に）図４に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図４のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００５１】
図４に示されるように、本発明の複合電子部品３は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００５２】
素子本体２０は、図５に示されるように誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）を備えている。
【００５３】
本発明における内部電極層２３、２８は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２３と第２内部電極層２８から構成されている。図５において、誘電体層７と第１内部電極層２３を有するシート体７３と、誘電体層７と第２内部電極層２８を有するシート体７８は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００５４】
積層される第１内部電極層２３は、図５に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する接続部２３ａを有している。図５に示されるごとく第１内部電極層２３は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２３ａのみ（より正確には接続部の端部のみ）である。
【００５５】
この一方で、積層される第２内部電極層２８は、図５に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２８ａを有し、この接続部２８ａは第２外部電極１５に接続されている。図５に示されるごとく第２内部電極層２８は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２８ａのみ（より正確には接続部２８ａの端部のみ）である。
【００５６】
このような本発明の第３の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図７に基づき説明する。
【００５７】
図７に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図７の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａの端面を一体的に覆うように接続電極４２が形成される。図示のごとく接続電極４２の幅は、誘電体膜７の幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２３と接続電極４２の電気的接合がなされる。接続電極４２は、ディッピング方式により形成されることが好ましい。
【００５８】
ついで、このような接続電極４２の上に抵抗体５３が形成される。図７に示されるように、第３実施形態における抵抗体５３は、前記接続電極４２に接しつつ前記素子本体の前記第１外部電極側の全面を覆うとともに、さらに前記素子本体の各側面部の一部分を覆うように延設された膜体（５３）である。接続電極４２の側端部４２ａも覆っている。このような膜体（５３）は、いわゆるディッピング方式により形成される。このような抵抗体５３の膜体の中には、第１絶縁体６３が埋設されている。
【００５９】
すなわち、第１絶縁体６３は、予め所定の形状に成形されたアルミナ基板や、ガラス基板等のセラミック基板などの絶縁基板が用いられる。このような絶縁基板からな第１絶縁体６３は、前記ディッピング方式により形成された抵抗体５３の膜体が乾燥する前に膜中に押し込まれ完全にその形態が見えなくなるまで抵抗体の膜体の内部に浮遊状態で埋設される。この場合、接続電極４２と第１絶縁体６３との間には、抵抗体５３の部分５３ａが層状に介在されていることが必要であり、換言すれば、第１絶縁体６３の周りのどの面にも抵抗体５３が存在するように構成される。
【００６０】
このような抵抗体５３の上には、第２絶縁体６６が形成される。第２絶縁体６６は、図７に示されるごとく、前記抵抗体５３の略中央に位置する一部分５３ｂを除いて抵抗体５３の全面を覆うように形成されている。換言すれば、抵抗体５３の略中央に位置する一部分５３ｂのみを露出させ、残りの抵抗体部分すべてを覆うように形成されている。
【００６１】
このような第２絶縁体６６は、ディッピング方式により形成されることが好ましい。抵抗体５３の略中央に位置する一部分５３ｂのみを露出するように第２絶縁体６６を形成するには、例えば、予め抵抗体５３の形成時に、抵抗体５３の略中央に位置する一部分が隆起するように形成しておき、さらにディッピング方式による第２絶縁体６６を形成した後に、略中央の一部分を研摩する等の方法で一部分５３ｂのみを露出させる。
【００６２】
このように形成された積層構造体を完全に覆うように第１外部電極１１が形成され、前記抵抗体の略中央に位置する一部分５３ｂと第１外部電極１１との電気的な接続が図られるようになっている。第１外部電極１１は、ディッピング方式により形成されることが好ましい。
【００６３】
このような外部電極側の積層構造によって、抵抗体５３は、抵抗体の略中央に位置する一部分５３ｂから接続電極４２に至るまでに、その途中を実質的に第１絶縁体６３と第２絶縁体６６とで挟まれて絶縁された形態となっている。そのため、第１外部電極１１と抵抗体５３との電気的接合は、抵抗体５３の略中央に位置する一部分５３ｂから開始され、そして、抵抗体５３の抵抗作用は接続電極４２との接合位置（実質的には端部４２ａまで）にまで至り、この間の距離が実質的な抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。
【００６４】
また、例えば、抵抗体５３の中に埋設させる第１絶縁体６３の大きさを変えることにより、実質的な抵抗作用をする抵抗体５３の長さを変えることができ、抵抗の調整をすることが可能となる。
【００６５】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４２との間で実質的な抵抗体５３による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され、前記接続電極４２と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００６６】
上述してきた本発明の第３の実施の形態においては、抵抗体を備える第１外部電極側の積層体を積み上げる際に、第１絶縁体６３の抵抗体層中への埋設操作を除けば、すべてディッピング方式により形成することができ、製造が容易となり、生産性が格段と向上する。
【００６７】
〔第４の実施の形態の説明〕
本発明の第４の実施の形態について、図４、図５および図８を参照しつつ説明する。図４および図５における形態は、前記第２の実施の形態においても本発明の第４の実施の形態においても実質的に同じであるので、図面の重複記載を避けて、双方の図面の共用化を図っている。
【００６８】
図４は（前述した本発明の複合電子部品２と同様に）本発明の複合電子部品４の一実施形態を示す斜視図であり、図５は（前述した本発明の複合電子部品２と同様に）図４に示される素子本体２０（積層体２０）の要部を分解して表した概略斜視図である。図８は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面であって、図４のＡ−Ａ方向矢視断面相当図である。
【００６９】
図４に示されるように、本発明の複合電子部品３は、図面上で略直方体形状に示されている素子本体２０と、素子本体２０の対向する両端面に形成された一対の第１外部電極１１および第２外部電極１５とを有している。素子本体２０の大きさは、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜２．５ｍｍ）程度とすることができる。
【００７０】
素子本体２０は、図５に示されるように誘電体層７と内部電極層２３、２８とが交互に積層されたキャパシタ構成部分（Ｃ）を備えている。
【００７１】
本発明における内部電極層２３、２８は、誘電体層７を介して交互に積層された第１内部電極層２３と第２内部電極層２８から構成されている。図５において、誘電体層７と第１内部電極層２３を有するシート体７３と、誘電体層７と第２内部電極層２８を有するシート体７８は、互いに順次繰り返し多層に積層されている。
【００７２】
積層される第１内部電極層２３は、図５に示されるように前記第１外部電極１１側に露出する接続部２３ａを有している。図５に示されるごとく第１内部電極層２３は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２３ａのみ（より正確には接続部の端部のみ）である。
【００７３】
この一方で、積層される第２内部電極層２８は、図５に示されるように第２外部電極１５側に露出する接続部２８ａを有し、この接続部２８ａは第２外部電極１５に接続されている。図５に示されるごとく第２内部電極層２８は、誘電体層７との関係で、誘電体層７の外周枠から露出している部分は接続部２８ａのみ（より正確には接続部２８ａの端部のみ）である。
【００７４】
このような本発明の第４の実施の形態では、第１外部電極内に抵抗体が形成されている。以下、第１外部電極側の抵抗体を含む所定構造について図８に基づき説明する。
【００７５】
図８に示される第１内部電極層２３の第１外部電極側の接続部２３ａは、積層された後、図８の矢印Ｂ方向から見た場合、接続部２３ａの接続端面が図面の横線として現われ、この横線が縦方向に順次並んで出現している。そして、これらの第１内部電極層２３の接続部２３ａの端面を一体的に覆うように接続電極４２が形成される。図示のごとく接続電極４２の幅は、誘電体膜７の幅と同程度とされる。これによって、第１内部電極層２３と接続電極４２の電気的接合がなされる。接続電極４２は、ディッピング方式により形成されることが好ましい。
【００７６】
ついで、このような接続電極４２の上に絶縁体６４が形成される。絶縁体６４は、接続電極４２を覆うように形成されるとともに、形成された絶縁体６４は、その外面６４ａ側から内面６４ｂ側（接続電極４２に接する側）に向けた膜厚方向に複数の連通孔６４´を備えている。このような絶縁体６４は、例えば、予め複数の連通孔６４´を有する孔空き成形体として準備されており、このものを接続電極４２の上に貼り付けるようにして形成される。
【００７７】
このような絶縁体６４の上に抵抗体５４が形成される。抵抗体５４は、前記絶縁体６４を覆うように形成されるとともに、前記絶縁体６４の連通孔６４´内を充填するように形成されて接続電極４２と接するようになっている。連通孔６４´内を抵抗体で充填させる方法としては、例えば、抵抗体５４形成用ペーストを絶縁体６４の上に被着させ、そのペーストを絶縁体６４の連通孔６４´内に流し込んで充填させるようにすればよい。
【００７８】
このような形成された積層構造体を完全に覆うように第１外部電極１１が形成され、前記抵抗体５４と第１外部電極１１との電気的な接続が図られるようになっている。連通孔６４´内の抵抗体の長さによって、所望の抵抗を得ることができ、この長さが実質的な抵抗体厚さに相当するために、耐電圧性は格段と向上する。
【００７９】
このような構成のもとに、第１外部電極１１と第２外部電極１５との端子間において、第１外部電極１１と前記接続電極４２との間で実質的な抵抗体５３による抵抗体構成部分（Ｒ）が構成され（実質的な抵抗作用部分は連通孔６４´内の抵抗体５４）、前記接続電極４２と第２外部電極１５との間で実質的なキャパシタ構成部分（Ｃ）が構成される。
【００８０】
連通孔６４´の長さを変えることによって、抵抗の調整をすることが可能となる。
【００８１】
次に、上述してきた本発明の各複合電子部品を構成する部材について説明する。
【００８２】
〔外部電極１１，１５〕
本発明の複合電子部品を構成する外部電極１１，１５は、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用することができる。外部電極の厚みは特に制限されず、例えば、１〜１００μｍ、特に５〜５０μｍ程度とすることができる。
【００８３】
また、外部電極には、導電材の焼結性を向上させること、積層体との接着性を確保することを目的として、ガラスが含有されてもよい。
【００８４】
〔内部電極層２１，２３，２５，２８〕
本発明の複合電子部品を構成する内部電極層に使用される導電材は、特に制限されないが、誘電体層の構成材料に耐還元性を有するものを使用することで、安価な卑金属を用いることができる。導電材として使用する卑金属は、例えば、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ等の１種以上とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。また、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含有されてもよい。内部電極層の厚みは、複合電子部品の用途等に応じて適宜設定することができ、例えば、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度とすることができる。
【００８５】
〔抵抗体５１，５２，５３，５４〕
本発明の複合電子部品を構成する抵抗体は、導電性酸化物と絶縁性酸化物とを含有する材料で形成される。導電性酸化物は、特に制限されるものではなく、例えば、酸化ルテニウム、酸化ルテニウム化合物、黒鉛の少なくとも１種を含有することが好ましい。酸化ルテニウムとしては、例えば、ＲｕＯ２、Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ７、ＳｒＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６、ＢａＲｕＯ３等が挙げられる。また、黒鉛としては、グラファイト・カーボンを使用することができる。
【００８６】
また、絶縁性酸化物は、特に制限されるものではないが、抵抗値の制御および導電材との焼結性、接続部材との接着性を確保するために、ガラスを選択することが好ましい。ガラスの組成は、特に制限する必要はなく、抵抗値の制御の容易性や、必要とする特性を考慮して適宜設定することができる。
【００８７】
また、抵抗値の調整、あるいは、その他の抵抗体に要求される電気特性等を制御するために、抵抗体に金属酸化物を添加することができる。さらに、０．１Ω以下の抵抗を必要とするような場合には、金属と絶縁性酸化物で抵抗体を構成してもよい。
【００８８】
抵抗体における抵抗値の制御は、導電性酸化物と絶縁性酸化物の混合比の調整で行うことができ、また、抵抗体の厚みによっても抵抗値を制御することができる。
【００８９】
〔誘電体層７〕
本発明の複合電子部品を構成する誘電体層に使用する誘電体材料としては、特に制限はなく、種々の誘電体材料を使用することができる。例えば、酸化チタン系、チタン酸系複合酸化物、あるいは、これらの混合物等を使用することができる。酸化チタンとしては、必要に応じてＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２等を総量で０．００１〜３０重量％程度の範囲で含有するＴｉＯ２等が挙げられる。また、チタン酸系複合酸化物としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）等が挙げられる。Ｂａ／Ｔｉの原子比は、０．９５〜１．２０の範囲が好ましく、チタン酸バリウムには、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｍｎ３Ｏ４、Ｙ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、ＳｒＯ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等が総量で０．００１〜３０重量％程度の範囲で含有されてもよい。また、焼成温度、線膨張率の調整等のため、（ＢａＣａ）ＳｉＯ３ガラス等のガラスが含有されていてもよい。
【００９０】
誘電体層の１層当たりの厚みは特に制限されないが、例えば、０．５〜２０μｍ程度に設定することができる。また、誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とすることができる。
【００９１】
〔接続電極４１，４２，４９〕
素子の接合の際には、接合の確実性を担保するために、接続電極用部材（接合部材）が用いられる。本発明で用いられる接続電極の部材は、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用することができる。また、接続部材には、導電材の焼結性を向上させること、積層体や抵抗体との接着性を確保することを目的として、ガラスが含有されてもよい。接続部材の厚みは特に制限されず、例えば、０．５〜３０μｍ、特に５〜２０μｍ程度とすることができる。
【００９２】
〔絶縁体（膜）６１，６２，６３，６６，６４を構成する絶縁部材〕
本発明における絶縁体（膜）を構成する絶縁部材は、従来から複合電子部品に使用されるような絶縁材料を使用して形成することができる。例えば、外部電極や接続部材の導電材との焼結性、接着性を確保するために、ガラス、低温焼成セラミック材料を選択することができる。使用するガラスの組成は、特に制限する必要はなく、必要とする絶縁特性を考慮して適宜設定することができる。第３の実施形態で説明したごとく、絶縁基板を絶縁体として用いてもよい。さらに第４の実施形態で説明したごとく、所定の連通孔を備えるように成形された絶縁基板を絶縁体として用いてもよい。
【００９３】
複合電子部品の製造方法
次に、複合電子部品の一般的製造方法について簡単に説明する。
複合電子部品は、例えば、まず、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により抵抗体を含むグリーンチップ体を作製して積層体とする（素子本体の形成）。次に、積層体の外部電極側の両端面に、必要に応じて、接続電極、抵抗体、絶縁体、外部電極を印刷、転写、貼り付け、ディッピング等で形成する。しかる後、焼成することにより複合電子部品を製造することができる。
【００９４】
以下、一般に使用されるペーストの組成例について説明しておく。
＜誘電体層用ペースト＞
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練分散したものを使用することができる。
【００９５】
誘電体原料の組成は、製造する複合電子部品の用途を考慮して適宜選択することができる。例えば、チタン酸系複合酸化物としてチタン酸バリウムを使用する場合、水熱合成法等により合成したＢａＴｉＯ３に、副成分原料を混合する方法を用いることができる。また、ＢａＣＯ３とＴｉＯ２と副成分との混合物を仮焼成して固相反応させる乾式合成法を用いてもよく、水熱合成法を用いてもよい。また、共沈法、ゾル・ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法等により得た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼成して合成してもよい。尚、副成分原料には、酸化物や、焼成により酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等の少なくとも１種を用いることができる。
【００９６】
誘電体原料の平均粒径は、目的とする誘電体層の平均結晶粒径に応じて決定することができ、通常、平均粒径０．１〜５μｍ程度の粉末を使用する。また、誘電体層用ペースト中の誘電体原料の含有量は、通常、３０〜８０重量％程度とする。
【００９７】
誘電体層用ペーストに使用する有機ビヒクルは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。バインダとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラールとメタクリル酸エステルとの共重合体、アクリル酸エステル系共重合体等の公知の樹脂バインダを使用することができる。また、バインダを溶解するための有機溶剤として、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の有機溶剤を使用することができる。このようなバインダや有機溶剤の誘電体層用ペースト中の含有量は特に制限はなく、通常、バインダは１〜５重量％程度、有機溶剤は１０〜５０重量％程度とすることができる。
【００９８】
＜内部電極層用ペースト＞
内部電極層用ペーストは、上述の各種導電性金属や合金、あるいは、焼成後に上述のような導電材となる各種酸化物、有機金属化合物等と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
【００９９】
＜外部電極用ペースト＞
外部電極用ペーストは、導電材としてＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の金属の少なくとも１種、あるいは、これらの合金を使用し、上記の内部電極層用ペーストと同様にして調製する。
【０１００】
上述の各種ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択された添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
ディッピング用の組成も略同様である。
【０１０１】
＜抵抗体用ペースト＞
抵抗体用ペーストは、上述の各種導電性酸化物および絶縁性酸化物と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。
ディッピング用の組成も略同様である。
【０１０２】
＜絶縁部材用ペースト＞
絶縁部材用ペーストは、上述の各種絶縁性材料と、上記のような有機ビヒクルとを混練分散して調製する。ペーストの代わりに、絶縁基板をそのまま用いることもできる。
ディッピング用の組成も略同様である。
【０１０３】
＜接続電極用ペースト＞
上記外部電極用ペーストに準じて形成すればよい。
ディッピング用の組成も略同様である。
【０１０４】
［グリーンチップ体（素子本体）の作製］
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペースト、および内部電極層用ペーストを、ポリエチレンテレフタレート等の支持体上に積層印刷する。このとき、第１および第２の内部電極層は、それぞれ各実施の形態に示されているように、誘電体層用ペーストの外枠に対して所定の形態が得られるように印刷する。順次積層印刷した後、所定形状に切断してチップ化し、支持体から剥離してグリーンチップ体とする。
【０１０５】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを用いて上記と同様に印刷したものを積層し、所定形状に切断して、グリーンチップ体とする。
【０１０６】
［脱バインダ処理工程］
上記のようにして作製されたグリーンチップ体は、焼成前に脱バインダ処理が施されることが好ましい。この脱バインダ処理の条件は、使用した材料等を考慮して適宜設定することができ、例えば、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
【０１０７】
脱バインダ処理条件
昇温速度    ：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間
保持温度    ：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃
温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間
雰囲気      ：空気中
【０１０８】
［焼成工程］
グリーンチップ体の焼成は、誘電体用ペースト中の誘電体原料、内部電極層用ペースト中の電極材料の種類等を考慮して適宜設定することができ、例えば、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気はＮ２を主成分とし、Ｈ２含有量が１〜１０容量％、１０〜３５℃における水蒸気圧によって得られるＨ２Ｏガスを混合したものが好ましい。そして、酸素分圧は、１０−３〜１０−８Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が上記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が上記範囲を超えると、内部電極層が酸化することがある。
【０１０９】
焼成時の温度は、１１００〜１４００℃、特に１２００〜１３００℃とすることが好ましい。保持温度が１１００℃未満であると緻密化が不十分であり、１４００℃を超えると内部電極層が途切れ易くなる。また、焼成時の温度保持時間は、０．５〜８時間、特に１〜３時間が好ましい。
【０１１０】
［アニール工程］
還元雰囲気で焼成した場合、積層体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗の加速寿命を著しく長くすることができる。
【０１１１】
アニール雰囲気の酸素分圧は、１０−３Ｐａ以上、特に１０−３〜１０−１Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が上記範囲未満であると、誘電体層の再酸化が困難であり、また、酸素分圧が上記範囲を超えると、内部電極層が酸化することがある。
【０１１２】
アニールの保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保持温度が５００℃未満であると誘電体層の再酸化が不十分となり、絶縁抵抗の加速寿命が短くなり、１１００℃を超えると内部電極層が酸化し、静電容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応し、加速寿命も短くなる。尚、アニール工程は昇温および降温だけから構成してもよい。この場合、温度保持時間をとる必要はなく、保持温度は最高温度と同義である。また、温度保持時間は、０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。雰囲気ガスにはＮ２と加湿したＨ２ガスを用いることが好ましい。
【０１１３】
尚、上述の脱バインダ処理、焼成、および、アニールの各工程において、Ｎ２、Ｈ２や混合ガス等を加湿するには、例えば、ウエッター等を使用することができる。この場合の水温は、５〜７５℃程度が好ましい。
【０１１４】
脱バインダ処理、焼成、および、アニールの各工程は、連続して行っても、独立して行ってもよい。これらの工程を連続して行う場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の保持温度まで昇温して焼成を行い、次いで、冷却し、アニール工程での保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行うことが好ましい。
【０１１５】
また、これらの工程を独立して行う場合、脱バインダ処理工程は、所定の保持温度まで昇温し、所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際、脱バインダ雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとする。さらに、アニール工程は、所定の保持温度にまで昇温し、所定時間保持した後、室温にまで降温する。その際のアニール雰囲気は、連続して行う場合と同様とする。また、脱バインダ工程と、焼成工程とを連続して行い、アニール工程だけを独立して行うようにしてもよく、あるいは、脱バインダ工程だけを独立して行い、焼成工程とアニール工程を連続して行ってもよい。
【０１１６】
［接続電極の形成］
必要に応じて積層体の外部電極側の片側端面に露出している内部電極層の突出部や接続部を接続するように接続電極用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、接続電極を形成する。ディッピングにより塗布後、焼成して、接続電極を形成することもできる。
【０１１７】
［抵抗体の形成］
抵抗体用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、抵抗体（膜）を形成する。ディッピングにより塗布後、焼成して、形成することもできる。
【０１１８】
［絶縁体（膜）の形成］
絶縁部材（絶縁膜）用ペーストを印刷あるいは転写後、焼成して、絶縁膜を形成する。絶縁性を高めるために、必要に応じて絶縁基板をそのまま使用してもよい。また、ディッピングにより塗布後、焼成して、形成することもできる。
【０１１９】
［外部電極形成］
上記のように作製したチップ体（積層体）の対向する両端面側に外部電極用ペーストを印刷あるいは転写する。その後、焼成して、外部電極電極を形成する。また、ディッピングにより塗布後、焼成して、形成することもできる。
【０１２０】
外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、Ｎ２とＨ２の混合ガス等の還元性雰囲気中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。
【０１２１】
このように製造される本発明の複合電子部品は、必要に応じてリード線が設けられ、ハンダ付け等によりプリント基板上等に実装され使用される。
【０１２２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の複合電子部品は、素子の外部電極側に抵抗体を有する複合電子部品であって、従来開示のタイプのものに比べて、耐電圧性が格段と向上させることができるという優れた効果が発現する。さらに、実質的な抵抗作用をする抵抗体の長さを製造段階で容易に変えることができ、抵抗の調整が容易に行なえるという優れた効果が発現する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図２は図１に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図３】図３は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図４】図４は図１は本発明の複合電子部品の一実施形態を示す斜視図である。
【図５】図５は図４に示される素子本体の要部を分解して表した概略斜視図である。
【図６】図６は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図７】図７は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【図８】図８は本発明における第１外部電極側の内部の所定構造を説明するための図面（断面図）である。
【符号の説明】
１，２，３，４…複合電子部品
７…誘電体層
１１，１５…外部電極
２０…素子本体
２１，２３，２５，２８…内部電極層
４１，４２，４９…接続電極
５１，５２，５３，５４…抵抗体
６１，６２，６３，６６，６４…絶縁体
【図１】
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【図２】
2004259735.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2004259735.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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