(57)【要約】【課題】光磁気記録媒体を再生した時の規格化ジッター特性を改善する。【解決手段】磁壁移動を生じさせる光磁気記録媒体１０又は２０を予め設定した線速度で再生する時に、光磁気記録媒体記録再生装置３０内に設けたイコライザー回路３９により光磁気記録媒体１０又は２０を再生した時の前記線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで予め設定した特定の再生マーク長（例えば１００ｎｍ）に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲を補償しているので、特定の再生マーク長（例えば１００ｎｍ）より小さい再生マーク長に対して規格化ジッター特性を改善することができると共に、Ｓ／Ｎを向上させることができる。【選択図】      図３
2004192761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームの照射側から第１，第２，第３磁性層を順に成膜し、且つ、記録時に前記レーザービームを照射しながら磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第３磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記レーザービームの照射による昇温で前記第２磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体を用い、この光磁気記録媒体を予め設定した線速度で記録再生する光磁気記録媒体記録再生装置において、
前記光磁気記録媒体を再生した時の前記線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで予め設定した特定の再生マーク長に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲を補償するためのイコライザー回路を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体記録再生装置。
【請求項２】
レーザービームの照射側から第１，第２，第３，第４磁性層を順に成膜し、且つ、記録時に前記レーザービームを照射しながら磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第４磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２，第３磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記レーザービームの照射による昇温で少なくとも前記第３磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体を用い、この光磁気記録媒体を予め設定した線速度で記録再生する光磁気記録媒体記録再生装置において、
前記光磁気記録媒体を再生した時の前記線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで予め設定した特定の再生マーク長に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲を補償するためのイコライザー回路を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザービームを照射することにより磁壁移動を生じさせながら情報信号の記録再生を行う光磁気記録媒体記録再生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光磁気記録方式は、フェリ磁性薄膜を局部的にキュリ−点または補償点近傍にまで昇温し、この部分の保磁力を減少させて、記録すべき情報信号に対して外部からの印加記録磁界の方向に磁化の向きを反転させることを基本原理とするものである。磁化の反転した部分すなわち情報ビットは磁区を形成し、それを磁気カ−効果によって読み出す光磁気記録再生においては、記録密度の向上のために、記録ビット長の短縮化すなわち情報信号に応じた記録マークを磁区の形態で記録した場合に磁区の微小化を図ることが必要となる。しかしながら、磁区（情報信号）の再生分解能は、ほとんど再生光学系のレーザー光源の波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数２ＮＡ／λが再生限界となる。そこで、記録密度を上げるためにレーザー光源の波長λを短くすることや、高ＮＡの対物レンズを用いて記録再生装置側のレーザービームのスポット径を小さくすることが考えられる。しかしながら、現在実用レベルにあるレ−ザ−光源の波長は６４０ｎｍ程度にすぎず、また、高ＮＡの対物レンズを用いると焦点深度が浅くなり、対物レンズと光磁気記録媒体（光ディスクや光カード）との距離に精度が要求され、光磁気記録媒体の製造精度が厳しくなる。したがって、対物レンズのＮＡはあまり高くできず、実用化可能な対物レンズのＮＡはせいぜい０．６である。すなわち、レーザー光源の波長λや対物レンズの開口数ＮＡによる記録密度の向上には限界がある。
【０００３】
そこで、この様な再生時の条件から規定される記録密度の問題点を解決するものとして、磁性層を３層構造に構成した磁性記録媒体（＝光磁気記録媒体）を再生する磁性記録媒体の信号再生方法がある（例えば、特許文献１参照）。また、磁性層を４層構造に構成した磁性記録媒体（＝光磁気記録媒体）もある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１１−８６３７２号公報  （第４頁、第１図）
【０００５】
【特許文献２】
特開２０００−１８７８９８号公報  （第３−４頁、第１図）
【０００６】
図９は従来の光磁気記録媒体の一例を説明するための図であり、（ａ）は光磁気記録媒体の層構成を模式的に示し、（ｂ）はレーザービームを照射した時に光磁気記録媒体上の温度分布を示した図、
図１０は従来の光磁気記録媒体の他例を説明するための図であり、（ａ）は光磁気記録媒体の層構成を模式的に示し、（ｂ）はレーザービームを照射した時に光磁気記録媒体上の温度分布を示した図である。
【０００７】
図９（ａ），（ｂ）に示した従来の一例の光磁気記録媒体１１０は上記した特許文献１（特開平１１−８６３７２号公報）に開示されているものであり、また、図１０（ａ），（ｂ）に示した従来の他例の光磁気記録媒体１２０は上記した特許文献２（特開２０００−１８７８９８号公報）に開示されているものであり、ここでは上記した特許文献１，２を参照して簡略に説明する。
【０００８】
まず、図９（ａ），（ｂ）に示した如く、従来の一例の光磁気記録媒体１１０では、第１〜第３磁性層１１１〜１１３が室温において交換結合して順次積層されており、記録再生用のレーザービームを照射する側に設けられて磁壁移動層となる第１磁性層１１１は、記録層となる第３磁性層１１３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さな磁性膜からなり、第２磁性層１１２は、第１磁性層１１１及び第３磁性層１１３よりもキュリー温度の低い磁性膜からなっている。
【０００９】
より具体的には、上記した第１〜第３磁性層１１１〜１１３は、例えば、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０原子％と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどの鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０原子％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成されている。また、耐食性向上などのために、これらの合金にＣｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｉｎなどの元素を少量添加しても良いと記載されている。
【００１０】
上記のように構成した光磁気記録媒体１１０において、記録時にはレーザービームを第１磁性層１１１側から照射しながら図示しない磁気ヘッドにより情報信号に応じた記録マークを第３磁性層１１３に記録することで、矢印向きの磁化反転領域（以下、磁区と記す）として保存され、更に、記録後でレーザービームの非照射時には、第３磁性層１１３に記録した磁区が第２磁性層１１２を介して第１磁性層１１１に交換結合されている。この際、第１〜第３磁性層１１１〜１１３中の縦矢印ＡＳは原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁ＤＷが形成されている。
【００１１】
ここで、再生時にレーザービームを第１磁性層１１１上に照射すると、レーザービームに対して図示の位置Ｘ１と位置Ｘ２との間で媒体温度が第２磁性層１１２のキュリー温度Ｔｓ以上に達する。これに伴って、位置Ｘ１と位置Ｘ２と間の領域では、第２磁性層１１２がキュリー温度Ｔｓ以上に昇温されているために第２磁性層１１２の磁化が消失されて、第１磁性層１１１と第３磁性層１１３との間の交換結合が切断されており、この領域を結合切断領域という。
【００１２】
そして、結合切断領域内に第１磁性層１１１中に存在する磁壁ＤＷが侵入すると、この磁壁ＤＷが第１磁性層１１１中で矢印に示すように温度のピークに向かって移動するので磁壁移動ＤＷＭが発生し、この磁壁移動ＤＷＭに伴って第１磁性層１１１内で交換結合した磁区が再生用のレーザービームによって拡大して再生マークが読み出される。一方、記録層となる第３磁性層１１３は保磁力（磁壁抗磁力）が十分に大きいので、第３磁性層１１３中の磁壁は移動することなく記録状態を保ったままとなる。これにより、通常の再生分解能では再生不可能な微小な磁区を拡大して再生を行うことで、記録密度の飛躍的な向上を図るものである。
【００１３】
次に、図１０（ａ），（ｂ）に示した如く、従来の他例の光磁気記録媒体１２０は、上記した一例の光磁気記録媒体１１０よりも磁性層を１層増加して成膜することで、とくに、レーザービームの照射により、磁壁移動可能な温度領域のレーザービームの移動方向前方（矢印Ｉ１方向）からの磁壁の移動と、移動方向後方（矢印Ｉ２方向）からの磁壁の移動とが共に生じることなく、移動方向前方（矢印Ｉ１方向）からの磁壁の移動のみをレーザービームのスポットで拡大して読み出すことができるように性能向上を図ったものである。
【００１４】
この光磁気記録媒体１２０では、第１〜第４磁性層１２１〜１２４が室温において交換結合して順次積層されており、再生用のレーザービームを照射する側に設けられて磁壁移動層となる第１磁性層１２１は室温において第２〜第４磁性層１２２〜１２４よりも磁壁抗磁力が小さく、第２磁性層１２２は室温において第１磁性層１２１よりも磁壁エネルギー密度が高く、第３磁性層１１３はキュリー温度が室温よりも高く、第１，第２，第４磁性層１２１，１２２，１２４のキュリー温度よりも低く設定され、第４磁性層１２４が記録層として構成されている。
【００１５】
より具体的には、上記した第１〜第４磁性層１２１〜１２４は、前記した光磁気記録媒体１１０における第１〜第３磁性層１１１〜１１３と略同様に、例えば、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ等の希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０原子％と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０原子％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成されている。また、耐食性向上等のために、これらの合金にＣｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｉｎ等の元素を少量添加しても良いと記載されている。更に、Ｐｔ／Ｃ，Ｐｄ／Ｃｏ等の白金族−鉄族周期構造膜や、白金族−鉄族合金膜、Ｃｏ−Ｎｉ−ＯやＦｅ−Ｒｈ系合金等の反強磁性材料、磁性ガーネット等の材料も使用可能である旨が記載されている。
【００１６】
上記のように構成した光磁気記録媒体１２０において、記録時にはレーザービームを第１磁性層１２１側から照射しながら図示しない磁気ヘッドにより情報信号に応じた記録マークを第４磁性層１２４に記録することで、矢印向きの磁区として保存され、更に、記録後でレーザービームの非照射時には、第４磁性層１２４に記録した磁区が第２，第３磁性層１２２，１２３を介して第１磁性層１２１に交換結合されている。この際、第１〜第４磁性層１２１〜１２４中の縦矢印ＡＳは原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相互に逆向きの領域の境界部には磁壁ＤＷが形成されている。
【００１７】
ここで、再生時にレーザービームを第１磁性層１２１上に照射すると、レーザービームに対して図示の位置Ｘ１と位置Ｘ２との間で媒体温度が第３磁性層１２３のキュリー温度Ｔｓ以上に達する。これに伴って、位置Ｘ１と位置Ｘ２と間の領域では、第３磁性層１１２がキュリー温度Ｔｓ以上に昇温されているために第３磁性層１２３の磁化が消失されて、第１，第２磁性層１２１，１２２と第４磁性層１２４との間の交換結合が切断されており、この領域を結合切断領域という。
【００１８】
そして、結合切断領域内に第１，第２磁性層１２１，１２２中に存在する磁壁ＤＷが侵入すると、この磁壁ＤＷが第１，第２磁性層１２１，１２２中で矢印に示すように温度のピークに向かって移動するので磁壁移動ＤＷＭが発生し、この磁壁移動ＤＷＭに伴って第１磁性層１２１内で交換結合した磁区が再生用のレーザービームによって拡大して再生マークが読み出される。一方、記録層となる第４磁性層１２４は保磁力（磁壁抗磁力）が十分に大きいので、第４磁性層１２４中の磁壁は移動することなく記録状態を保ったままとなる。これにより、通常の再生分解能では再生不可能な微小な磁区を拡大して再生を行うことで、記録密度の飛躍的な向上を図るものである。
【００１９】
尚、上記した特開２０００−１８７８９８号公報中には、磁壁移動ＤＷＭが第１，第２磁性層１２１，１２２で生じるように記載されているものの、一般的に第２磁性層１２２は極めて薄く成膜されるものであるから第２磁性層１２２が磁壁移動層として機能するか、それとも交換結合を制御する層として機能するかは定かではなく、従って、再生時にレーザービームの照射による昇温で少なくとも第３磁性層１２３の磁化が消失されて第１磁性層１２１内で交換結合した磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせるものと考えれば良いものである。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図９，図１０にそれぞれ示した従来の光磁気記録媒体１１０，１２０において、磁壁移動ＤＷＭによる磁区拡大再生技術は、超高密度記録媒体を実現する上で有効な技術であるものの、磁壁移動再生特有の再生信号の時間軸上のズレ、いわゆるジッター特性悪化の問題があり、１００ｎｍより小さい記録マークを含む記録信号の再生では、規格化ジッターを１０％以下にすることが困難であった。この際、規格化ジッターとは、理論上の最短マーク長に対する再生時の時間軸上でのマークエッジの変動量を示すものであり、
規格化ジッター＝再生時のマークエッジの変動量／理論上の最短マーク長×１００％  となる。
【００２１】
そこで、光磁気記録媒体１１０，１２０を再生する時の規格化ジッターを１０％以下にするために、磁壁移動を行わない一般的な光ディスクを記録再生する一般的な光ディス記録再生装置での再生動作から、とくに、この光ディス記録再生装置内に設けられているイコライザー回路に着目した。
【００２２】
図１１は磁壁移動を行わない一般的な光ディスクを記録再生する一般的な光ディスク記録再生装置を示した構成図、
図１２は磁壁移動を行わない一般的な光ディスクを５．６ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時の記録周波数依存性を示した図、
図１３は磁壁移動を行わない一般的な光ディスクを５．６ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時に、イコライザー回路の周波数特性を示した図である。
【００２３】
図１１に示した一般的な光ディスク記録再生装置２３０では、スピンドルモータ駆動回路２３１によってスピンドルモータ２３２が例えば５．６ｍ／ｓｅｃで線速度一定（ＣＬＶ）に回転駆動可能に設けられている。そして、スピンドルモータ２３２の軸にターンテーブル２３３が固着されており、このターンテーブル２３３上に磁壁移動を生じさせずに情報信号を記録再生する一般的な光ディスク２１０がターンテーブル２３３と一体に回転可能に装着されている。
【００２４】
また、一般的な光ディスク２１０の下面側にはレーザー駆動回路２３５に接続した光ピックアップ２３６が光ディスク２１０の径方向に移動自在に設けられている。
【００２５】
そして、光ディスク２１０を回転させた状態で情報信号を記録する時には、入力データをデータ変調回路２３４内で所定のディスクフォーマットに従って変調して記録データ信号２３４ａを得て、この記録データ信号２３４ａをレーザー駆動回路２３５を介して光ピックアップ２３６内の半導体レーザー２３６ａから記録に適した強いレーザーパワーで記録用レーザー光として出射させ、この記録用レーザー光をビームスプリッタ２３６ｂなどを経た後に対物レンズ２３６ｃで絞り込んだ記録用レーザービームを光ディスク２１０の信号面上に照射して記録している。
【００２６】
一方、記録済みの情報信号を再生する時には、光ディスク２１０を回転させた状態で、レーザー駆動回路２３５によって光ピックアップ２３６内の半導体レーザー２３６ａから弱いレーザーパワーで読取り用レーザー光を出射させ、この読取り用レーザー光をビームスプリッタ２３６ｂなどを経た後に対物レンズ２３６ｃで絞り込んだ再生用レーザービームを、フォーカスコイル２３６ｄ及びトッキングコイル２３６ｅによりフォーカス制御及びトラッキング制御しながら光ディスク２１０の信号面上に照射して、この信号面で反射された戻り光を対物レンズ２３６ｃ，ビームスプリッタ２３６ｂを介して４分割型ホトセンサ２３６ｆで検出して、この検出信号２３６ｆ１をイコライザー回路２３７に送っている。
【００２７】
上記したイコライザー回路２３７は、４分割型ホトセンサ２３６ｆからの検出信号２３６ｆ１に対して周波数特性を補償して、周波数が補償された再生信号２３７ａを２値化回路２３８に送っている。また、上記した２値化回路２３８では、イコライザー回路２３７で周波数が補償された再生信号２３７ａを予め設定した所定の閾値と比較して２値化を行い、得られた２値化信号２３８ａをデータ復調回路２３９とＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋ  Ｌｏｏｐ）回路２４０とに送っている。
【００２８】
上記したＰＬＬ回路２４０では、２値化信号２３８ａの立上がりエッジ及び立ち下がりエッジに同期したクロック信号２４０ａを生成して、このクロック信号２４０ａをデータ復調回路２３９に供給している。
【００２９】
一方、データ復調回路２３９では、ＰＬＬ回路２４０からのクロック信号２４０ａに基づいて２値化信号２３８ａを所定のディスクフォーマットに従って復調して再生データ信号２３９ａを出力している。
【００３０】
ここで、一般的な光ディスク２１０を例えば５．６ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時に、一般的な光ディスク２１０の記録周波数依存性は、図１２に示したように、記録周波数が１ＭＨｚから７ＭＨｚに向かって増加して記録マークが短くなるにつれて次第に再生データ信号値（ＣＮＲ）が小さくなり、光ピックアップ２３６による再生分解能に応じて検出不可能な状態となってゆく。この場合、少しでも使用可能な最短記録マークの限界を広げて、より短い記録マークをデータ復調回路２３９から良好な再生データ信号（再生マーク）２３９ａとして得るために、上記した再生時の線速度５．６ｍ／ｓｅｃに対応してイコライザー回路２３７の周波数特性は、図１３に示すように、記録周波数の増加につれて徐々に低下する再生データ信号２３９ａの周波数特性に呼応して、０〜１３ＭＨｚまでの広い周波数範囲に亘って徐々に信号特性を持ち上げる様に設計されており、実際には光ディスク特性に合わせてこの信号特性中で１０ＭＨｚ以下を用いている。
【００３１】
上記したイコライザー回路２３７の周波数特性は、磁壁移動を行わない一般的な光ディスク２１０に対して設計された回路であるので、前記した図９，図１０に示した従来の光磁気記録媒体１１０，１２０にはそのまま適用できないことが実験により判明した。
【００３２】
そこで、磁壁移動を生じさせながら情報信号を記録再生する光磁気記録媒体の性能改善を図りながら、この光磁気記録媒体をジッターなくより一層良好に再生できる光磁気記録媒体記録再生装置が望まれている。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、第１の発明は、レーザービームの照射側から第１，第２，第３磁性層を順に成膜し、且つ、記録時に前記レーザービームを照射しながら磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第３磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記レーザービームの照射による昇温で前記第２磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体を用い、この光磁気記録媒体を予め設定した線速度で記録再生する光磁気記録媒体記録再生装置において、
前記光磁気記録媒体を再生した時の前記線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで予め設定した特定の再生マーク長に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲を補償するためのイコライザー回路を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体記録再生装置である。
【００３４】
また、第２の発明は、レーザービームの照射側から第１，第２，第３，第４磁性層を順に成膜し、且つ、記録時に前記レーザービームを照射しながら磁気ヘッドからの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第４磁性層に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２，第３磁性層を介して前記第１磁性層に交換結合され、再生時に前記レーザービームの照射による昇温で少なくとも前記第３磁性層の磁化が消失されて前記第１磁性層内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得る光磁気記録媒体を用い、この光磁気記録媒体を予め設定した線速度で記録再生する光磁気記録媒体記録再生装置において、
前記光磁気記録媒体を再生した時の前記線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで予め設定した特定の再生マーク長に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲を補償するためのイコライザー回路を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体記録再生装置である。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置の一実施例を図１乃至図８を参照して、＜第１，第２の光磁気記録媒体＞，＜光磁気記録媒体記録再生装置＞の順に詳細に説明する。
【００３６】
＜第１，第２の光磁気記録媒体＞
図１は本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第１の光磁気記録媒体を模式的に示した断面図、
図２は本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第２の光磁気記録媒体を模式的に示した断面図である。
【００３７】
本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置を説明する前に、ここで適用される第１，第２の光磁気記録媒体について、図１，図２を用いて説明する。
【００３８】
まず、図１に示した如く、本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第１の光磁気記録媒体１０は、先に従来技術で説明した一例の光磁気記録媒体１１０（図９）と同様に磁性層を３層構造に構成することで、従来の光磁気記録媒体１１０と同様に磁壁移動を生じさせるものであるが、上記した第１の光磁気記録媒体１０では各磁性層の磁気特性及び組成の制御を従来の光磁気記録媒体１１０よりも厳密化することで、磁壁移動を迅速にし、且つ、記録層となる第３磁性層から磁壁移動層となる第１磁性層に及ぼす浮遊磁界を減少させて規格化ジッターに対して改良を図ったものである。
【００３９】
従って、上記した第１の光磁気記録媒体１０も、先に説明した従来の光磁気記録媒体１１０（図９）と同様に、レーザービームの照射側から第１，第２，第３磁性層１３，１４，１５を順に成膜し、且つ、記録時に前記レーザービームを照射しながら後述する磁気ヘッド３６（図３）からの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第３磁性層１５に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２磁性層１４を介して前記第１磁性層１３に交換結合され、再生時に前記レーザービームの照射による昇温で前記第２磁性層１４の磁化が消失されて前記第１磁性層１３内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得るものである。
【００４０】
即ち、本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第１の光磁気記録媒体１０は、外形が円盤状の光ディスク又はカード状の光カードとして形成されており、情報信号を超高密度に記録再生可能に構成されている。
【００４１】
上記した第１の光磁気記録媒体１０では、透明なガラス板又は透明なポリカーボネイト等を用いて形成した光透過性基板１１上に、保護膜または多重干渉膜となる透明な第１誘電体層１２を介して第１磁性層１３，第２磁性層１４，第３磁性層１５を、真空中で例えば連続スパッタリング等により順次積層して、３層構造の磁性層として成膜している。更に、第３磁性層１５上に非磁性金属膜あるいは誘電体膜よりなる第２誘電体層１６を成膜し、且つ、この第２誘電体層１６上に必要に応じてＵＶ硬化樹脂等による保護層１７を成膜して構成されている。この際、第１の光磁気記録媒体１０へのレーザービームの照射は光透過性基板１１側から第１磁性層１３〜第３磁性層１５に向かって行われている。
【００４２】
ここで、第１の光磁気記録媒体１０において、３層構造の第１〜第３磁性層１３〜１５の磁性層のうちで、レーザービームの照射側となる第１磁性層１３は、レーザービームの照射によって作られた温度勾配により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００４３】
この第１磁性層１３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用している。ここでは、第１磁性層１３の組成を制御し、磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性を調節する際に、第１磁性層１３中でＣｏの添加量を調節したり、更に、ＡｌやＣｒ等の非磁性元素を添加することで、第１磁性層１３のキュリー温度Ｔｃ１１を調節している。
【００４４】
尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００４５】
次に、第２磁性層１４は、第３磁性層１５から第１磁性層１３に磁区（記録マーク）を転写する時の交換結合力を制御する膜として機能している。この第２磁性層１４も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２磁性層１４のキュリー温度Ｔｃ１２を調節しながら成膜している。
【００４６】
次に、第３磁性層１５は、記録時にレーザービームを照射しながら磁気ヘッド３６（図３）からの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ１３を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００４７】
この第３磁性層１５も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒ等の非磁性元素を添加して第３磁性層１５のキュリー温度Ｔｃ１３を調整している。
【００４８】
そして、上記のように構成した第１の光磁気記録媒体１０に対してレーザービームに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３磁性層１３，１４，１５の各キュリー温度Ｔｃ１１，Ｔｃ１２，Ｔｃ１３は、約５３０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍とすることが望ましい。ここで、第１，第２，第３磁性層１３，１４，１５の各キュリー温度Ｔｃ１１，Ｔｃ１２，Ｔｃ１３は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒ等の非磁性元素の添加量を増加させることでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して上述の各キュリー温度Ｔｃ１１，Ｔｃ１２，Ｔｃ１３をＴｃ１３＞Ｔｃ１１＞Ｔｃ１２になるように設定している。
【００４９】
更に、第１，第２，第３磁性層１３，１４，１５の各膜厚ｔ１１，ｔ１２，ｔ１３は、それぞれ約３０ｎｍ，約１０ｎｍ，約６０〜８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【００５０】
次に、図２に示した如く、本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第２の光磁気記録媒体２０は、先に従来技術で説明した他例の光磁気記録媒体１２０（図１０）と同様に磁性層を４層構造に構成することで、従来の光磁気記録媒体１２０と同様に、レーザービームの照射により、磁壁移動可能な温度領域（約４３０Ｋ〜約４９０Ｋ）のレーザービームの移動方向前方からの磁壁の移動のみを生じさせるものであるが、上記した第２の光磁気記録媒体２０では各磁性層の磁気特性及び組成の制御を従来の光磁気記録媒体１２０よりも厳密化することで、磁壁移動を迅速にし、且つ、記録層となる第４磁性層から磁壁移動層となる第１磁性層に及ぼす浮遊磁界を減少させて規格化ジッターに対して改良を図ったものである。
【００５１】
従って、上記した第２の光磁気記録媒体２０も、先に説明した従来の光磁気記録媒体１２０（図１０）と同様に、レーザービームの照射側から第１，第２，第３，第４磁性層２３，２４，２５，２６を順に成膜し、且つ、記録時に前記レーザービームを照射しながら磁気ヘッド３６（図３）からの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った前記第４磁性層２６に磁区の形態で記録した後に前記磁区が前記第２，第３磁性層２４，２５を介して前記第１磁性層２３に交換結合され、再生時に前記レーザービームの照射による昇温で少なくとも前記第３磁性層２５の磁化が消失されて前記第１磁性層２３内で交換結合した前記磁区を拡大させるように磁壁移動を生じさせて再生マークを得るものである。
【００５２】
即ち、本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第２の光磁気記録媒体２０は、外形が円盤状の光ディスク又はカード状の光カードとして形成されており、情報信号を超高密度に記録再生可能に構成されている。
【００５３】
上記した第２の光磁気記録媒体２０では、透明なガラス板又は透明なポリカーボネイト等を用いて形成した光透過性基板２１上に、保護膜または多重干渉膜となる透明な第１誘電体層２２を介して第１磁性層２３，第２磁性層２４，第３磁性層２５，第４磁性層２６を、真空中で例えば連続スパッタリング等により順次積層して４層構造の磁性層として成膜している。更に、第４磁性層２６上に非磁性金属膜あるいは誘電体膜よりなる第２誘電体層２７を成膜し、且つ、この第２誘電体層２７上に必要に応じてＵＶ硬化樹脂等による保護層２８を成膜して構成されている。この際、第２の光磁気記録媒体２０へのレーザービームの照射は、光透過性基板２１側から第１磁性層２３〜第４磁性層２６に向かって行われている。
【００５４】
ここで、第２の光磁気記録媒体２０において、４層構造の第１〜第４磁性層２３〜２６のうちで、レーザービームの照射側となる第１磁性層２３は、前述した第１の光磁気記録媒体１０に成膜した第１磁性層１３と同様に、レーザービームの照射によって作られた温度勾配により磁壁の移動を容易にするために磁気異方性の小さい膜であり、磁壁移動層として機能している。
【００５５】
この第１磁性層２３は、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｇｄ−Ｆｅ膜又はＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用している。ここでは、第１磁性層２３の組成を制御し、磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性を調節する際に、第１磁性層２３中でＣｏの添加量を調節したり、更に、ＡｌやＣｒ等の非磁性元素を添加することで、第１磁性層２３のキュリー温度Ｔｃ２１を調節している。
【００５６】
尚、上述の磁壁移動が実現する温度範囲での磁気特性の調節を行う際、希土類（Ｇｄ）と鉄族（Ｆｅ、Ｃｏ）間の交換エネルギーを小さくする効果を持つ元素を添加することは有効で、その場合の添加元素としては、ＢｉやＳｎなどが適用可能である。
【００５７】
次に、第２，第３磁性層２４，２５は、前述した第１の光磁気記録媒体１０に成膜した第２磁性層１４とは異なって２層に成膜されており、第２，第３磁性層２４，２５のうちで第２磁性層２４を極めて薄膜に成膜することで、この第２磁性層２４は磁壁移動可能な温度領域（約４３０Ｋ〜約４９０Ｋ）のレーザービームの移動方向前方からの磁壁の移動のみを生じさせる機能を備えている。
【００５８】
また、第２，第３磁性層２４，２５のうちで少なくとも第３磁性層２５は、後述する第４磁性層２６に記録された磁区が第２，第３磁性層２４，２５を介して第１磁性層２３に交換結合されている場合に、再生時にレーザービームの照射による昇温で磁化が消失される膜として機能している。この第２，第３磁性層２４，２５も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ膜又はＤｙ−Ｆｅ膜をベースとする材料を用いて、ＡｌやＣｒなどの非磁性元素やＣｏを添加して第２，第３磁性層２４，２５のキュリー温度Ｔｃ２２，Ｔｃ２３をそれぞれ調節しながら成膜している。
【００５９】
次に、第４磁性層２６は、前述した第１の光磁気記録媒体１０に成膜した第３磁性層１５と同様に、記録時にレーザービームを照射しながら磁気ヘッド３６（図３）からの外部磁界によって情報信号に応じた記録マークを垂直な方向に磁化容易軸を持った膜面に磁区（磁化反転領域）の形態で記録した後に、室温において記録した磁区を安定に保持するために充分な保磁力を有し、且つ、情報信号を記録するために適したキュリー温度Ｔｃ２４を持つ膜であることが必要であり、記録層（メモリ層）として機能している。
【００６０】
この第４磁性層２６も、垂直方向（膜面に垂直な方向）に磁化容易方向を持つ膜、いわゆる垂直磁化膜となる重希土類−鉄族金属から成るアモルファス薄膜として成膜されており、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜又はＤｙ−Ｆｅ−Ｃｏ膜をベースとする材料を使用し、更に、ＡｌやＣｒ等の非磁性元素を添加して第４磁性層２６のキュリー温度Ｔｃ２４を調整している。
【００６１】
そして、上記のように構成した第２の光磁気記録媒体２０に対してレーザービームに依る記録および再生時の昇温状態を考慮して、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２４，２５，２６の各キュリー温度Ｔｃ２１，Ｔｃ２２，Ｔｃ２３，Ｔｃ２４は、約５３０Ｋ，約４３０Ｋ，約４２０Ｋ，約５９０Ｋ近傍とすることが望ましい。ここで、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２４，２５，２６の各キュリー温度Ｔｃ２１，Ｔｃ２２，Ｔｃ２３，Ｔｃ２４は、各磁性層中でのＣｏの添加量を増加することでキュリー温度を上昇させることができ、一方、各磁性層の磁性特性を大きく変化させることのないＡｌやＣｒ等の非磁性元素の添加量を増加させることでキュリー温度を低下させることができるので、各磁性層に対してＣｏや非磁性元素の添加量を調節して上述の各キュリー温度Ｔｃ２１，Ｔｃ２２，Ｔｃ２３，Ｔ２４をＴｃ２４＞Ｔｃ２１＞Ｔｃ２２＞Ｔｃ２３になるように設定している。
【００６２】
更に、第１，第２，第３，第４磁性層２３，２４，２５，２６の各膜厚ｔ２１，ｔ２２，ｔ２３，ｔ２４は、それぞれ約３０ｎｍ，約５〜１５ｎｍ，約１０ｎｍ，約６０〜８０ｎｍ近傍に設定することが望ましい。
【００６３】
＜光磁気記録媒体記録再生装置＞
図３は本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置を説明するための構成図、
図４は図１又は図２に示した光磁気記録媒体を１．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時の記録周波数依存性を示した図、
図５は図１又は図２に示した光磁気記録媒体を１．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時に、イコライザー回路の周波数特性を示した図
図６は図１又は図２に示した光磁気記録媒体を２．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時の記録周波数依存性を示した図、
図７は図１又は図２に示した光磁気記録媒体を２．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時に、イコライザー回路の周波数特性を示した図、
図８は図１又は図２に示した光磁気記録媒体を再生した時に、イコライザー回路無しの規格化ジッターと、イコライザー回路有りの規格化ジッターとを比較した図である。
【００６４】
図３に示した如く、本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置３０は、先に図１，図２を用いて説明した第１，第２の光磁気記録媒体１０，２０のいずれも再生可能に構成されている。尚、先に図９，図１０を用いて説明した従来例の光磁気記録媒体１１０，１２０に対しても適用させることができる。
【００６５】
上記した光磁気記録媒体記録再生装置３０では、スピンドルモータ駆動回路３１によってスピンドルモータ３２が所定の線速度として例えば１．５ｍ／ｓｅｃ又は２．５ｍ／ｓｅｃで線速度一定（ＣＬＶ）に回転駆動可能に設けられている。そして、スピンドルモータ３２の軸にターンテーブル３３が固着されており、このターンテーブル３３上に磁壁移動を生じさせながら情報信号を記録再生する第１，第２の光磁気記録媒体１０，２０のいずれか一方がターンテーブル３３と一体に回転可能に装着されている。
【００６６】
また、光磁気記録媒体１０又は２０の上面側には、磁気ヘッド駆動回路３５に接続した磁気ヘッド３６が光磁気記録媒体１０又は２０の径方向に移動自在に設けられていると共に、光磁気記録媒体１０又は２０の下面側には、レーザー駆動回路３７に接続した光ピックアップ３８が光磁気記録媒体１０又は２０を挟んで磁気ヘッド３６と常に対向しながら光磁気記録媒体１０又は２０の径方向に移動自在に設けられている。
【００６７】
そして、光磁気記録媒体１０又は２０を回転させた状態で情報信号を記録する時には、入力データをデータ変調回路３４内で所定のディスクフォーマットに従って変調して記録データ信号３４ａを得て、この記録データ信号３４ａを磁気ヘッド駆動回路３５を介して磁気ヘッド３６に供給し、且つ、光ピックアップ３８からの記録用レーザービームで光磁気記録媒体１０又は２０の信号面を昇温させながら磁気ヘッド３６により記録データ信号（記録マーク）３４ａを光磁気記録媒体１０又は２０の信号面上に記録している。
【００６８】
一方、記録済みの情報信号を再生する時には、光磁気記録媒体１０又は２０を回転させた状態で、レーザー駆動回路３７によって光ピックアップ３８内の半導体レーザー３８ａから弱いレーザーパワーで再生用レーザー光を出射させ、この再生用レーザー光をビームスプリッタ３８ｂなどを経た後に対物レンズ３８ｃで絞り込んだ再生用レーザービームを、フォーカスコイル３８ｄ及びトッキングコイル３８ｅによりフォーカス制御及びトラッキング制御しながら光磁気記録媒体１０又は２０の信号面上に照射して、この信号面で反射された戻り光を対物レンズ３８ｃ，ビームスプリッタ３８ｂを介して４分割型ホトセンサ３８ｆで検出して、この検出信号３８ｆ１をイコライザー回路３９に送っている。
【００６９】
上記したイコライザー回路３９は、４分割型ホトセンサ３８ｆからの検出信号３８ｆ１に対して予め設定した特定の周波数範囲に対して周波数特性を補償して、周波数が補償された再生信号３９ａを２値化回路４０に送っている。また、上記した２値化回路４０では、イコライザー回路３９で周波数が補償された再生信号３９ａを予め設定した所定の閾値と比較して２値化を行い、得られた２値化信号４０ａをデータ復調回路４１とＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋ  Ｌｏｏｐ）回路４２とに送っている。
【００７０】
上記したＰＬＬ回路４２では、２値化信号４０ａの立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジに同期したクロック信号４２ａを生成して、このクロック信号４２ａをデータ復調回路４１に供給している。
【００７１】
一方、データ復調回路４１では、ＰＬＬ回路４２からのクロック信号４２ａに基づいて２値化信号４０ａを所定のディスクフォーマットに従って復調して再生データ信号（再生マーク）４１ａを出力している。
【００７２】
ここで、光磁気記録媒体１０又は２０を例えば１．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時に、光磁気記録媒体１０又は２０の記録周波数依存性は、図４に示したように、略１００ｎｍの再生マーク（＝記録マーク長）に相当する周波数である略７．５ＭＨｚまでは略一定の再生データ信号値（ＣＮＲ）を示し、略７．５ＭＨｚより高い周波数では再生データ信号値（ＣＮＲ）が低下している。
【００７３】
そして、上記のような記録周波数依存性を持った光磁気記録媒体１０又は２０を、先に従来の課題で図１３を用いて説明したような０〜２０ＭＨｚまでの広い周波数範囲に亘って徐々に信号特性を持ち上げる様な周波数特性を持ったイコライザー回路２３７を用いて再生データ信号の特性を改善しようとすると不都合が生じてしまう。即ち、改善したい略７．５ＭＨｚ以上の周波数の信号特性を持ち上げようとしてイコライザー回路２３７を用いると、特性改善の必要のない略７．５ＭＨｚ以下の周波数の信号特性にも影響を与え、必要以上に信号ゲインを上昇させることとなり、過度のゲイン上昇により再生データ信号が飽和し、結果的にノイズの上昇を引き起こし、かえって再生データ信号の品質を低下させてしまうのである。
【００７４】
そこで、図４に示した記録周波数依存性を有する光磁気記録媒体１０又は２０を例えば１．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時には、光磁気記録媒体記録再生装置３０内に設けたイコライザー回路３９の周波数特性を、図５に示したように、光磁気記録媒体１０又は２０を再生した時の前記線速度（１．５ｍ／ｓｅｃ）に対応して得られる再生マーク長のうちで例えば略１００ｎｍの再生マーク長を特定の再生マーク長として予め設定する。そして、予め設定した略１００ｎｍの特定の再生マーク長に相当する周波数である略７．５ＭＨｚからこの特定の再生マーク長よりも小さい略６０ｎｍの再生マーク長に相当する周波数である略１２ＭＨｚに向かって信号特性を徐々に持ち上げ、且つ、信号増幅最大ピークとなる略１２ＭＨｚから略１６ＭＨｚに向かって信号特性を徐々に下げて元に戻すことで、上記した特定の再生マーク長（例えば略１００ｎｍ）に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲（略７．５ＭＨｚ〜略１６ＭＨｚ）を図示したカーブに沿って補償している。従って、特性改善の必要のない略７．５ＭＨｚ以下の周波数及び略１６ＭＨｚ以上の周波数の信号特性に対して何等の悪影響を与えないという特徴を備えている。
【００７５】
また、光磁気記録媒体１０又は２０を例えば２．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時に、光磁気記録媒体１０又は２０の記録周波数依存性は、図６に示したように、略１００ｎｍの再生マーク（＝記録マーク長）に相当する周波数である略１２．５ＭＨｚまでは略一定の再生データ信号値（ＣＮＲ）を示し、略１２．５ＭＨｚより高い周波数では再生データ信号値（ＣＮＲ）が低下している。
【００７６】
そこで、図６に示した記録周波数依存性を有する光磁気記録媒体１０又は２０を略２．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時には、光磁気記録媒体記録再生装置３０内に設けたイコライザー回路３９の周波数特性を、図７に示したように、光磁気記録媒体１０又は２０を再生した時の前記線速度（２．５ｍ／ｓｅｃ）に対応して得られる再生マーク長のうちで例えば略１００ｎｍの再生マーク長を特定の再生マーク長として予め設定する。そして、予め設定した略１００ｎｍの特定の再生マーク長に相当する周波数である略１２．５ＭＨｚからこの特定の再生マーク長よりも小さい略６０ｎｍの再生マーク長に相当する周波数である２０．８ＭＨｚに向かって信号特性を徐々に持ち上げ、且つ、信号増幅最大ピークとなる略２０．８ＭＨｚから略２７ＭＨｚに向かって信号特性を徐々に下げて元に戻すことで、上記した特定の再生マーク長（例えば略１００ｎｍ）に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲（略１２．５ＭＨｚ〜略２７ＭＨｚ）を図示したカーブに沿って補償している。従って、特性改善の必要のない略１２．５ＭＨｚ以下の周波数及び略２７ＭＨｚ以上の周波数の信号特性に対して何等の悪影響を与えないという特徴を備えている。
【００７７】
この際、光磁気記録媒体１０又は２０を再生する時の線速度は、略１．５ｍ／ｓｅｃ〜略４．５ｍ／ｓｅｃの範囲内で適宜な値の線速度を設定し、ここで設定した値の線速度に対応して特定の再生マーク長を予め設定し、この特定の再生マーク長に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲の特性をイコライザー回路３９内で設定している。
【００７８】
そして、図８に示したように、光磁気記録媒体１０又は２０を再生する時に、イコライザー回路を用いない場合と、光磁気記録媒体１０又は２０を再生した時の線速度に対応して周波数を補償する範囲を設定したイコライザー回路３９を用いた場合とで、光磁気記録媒体１０又は２０を再生した時の線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで、再生マーク長が例えば１１０ｎｍ，１００ｎｍ，９０ｎｍ，８０ｎｍ，７０ｎｍに対する規格化ジッター（％）を比較して、光磁気記録媒体１０又は２０の記録再生特性のジッター評価を行った。
【００７９】
図８から明らかなように、イコライザー回路３９を用いた場合には、予め設定した略１００ｎｍの特定の再生マーク長より小さい再生マーク長での再生信号の規格化ジッター特性が充分に改善されていることがわかる。これに伴って、再生信号のＳ／Ｎも改善されている。
【００８０】
上記のように、磁壁移動を生じさせる光磁気記録媒体１０又は２０を予め設定した線速度で再生する時に、光磁気記録媒体記録再生装置３０内に設けたイコライザー回路３９により光磁気記録媒体１０又は２０を再生した時の前記線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで予め設定した特定の再生マーク長（例えば１００ｎｍ）に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲を補償しているので、特定の再生マーク長（例えば１００ｎｍ）より小さい再生マーク長に対して規格化ジッター特性を改善することができると共に、Ｓ／Ｎを向上させることができる。
【００８１】
【発明の効果】
以上詳述した本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置によれば、磁壁移動を生じさせる光磁気記録媒体を予め設定した線速度で再生する時に、光磁気記録媒体記録再生装置内に設けたイコライザー回路により光磁気記録媒体を再生した時の前記線速度に対応して得られる再生マーク長のうちで特定の再生マーク長（例えば１００ｎｍ）に相当する周波数よりも高い所定の周波数範囲を補償しているので、特定の再生マーク長（例えば１００ｎｍ）より小さい再生マーク長に対して規格化ジッター特性を改善することができると共に、Ｓ／Ｎを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第１の光磁気記録媒体を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置に適用される第２の光磁気記録媒体を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明に係る光磁気記録媒体記録再生装置を説明するための構成図である。
【図４】図１又は図２に示した光磁気記録媒体を１．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時の記録周波数依存性を示した図である。
【図５】図１又は図２に示した光磁気記録媒体を１．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時に、イコライザー回路の周波数特性を示した図である。
【図６】図１又は図２に示した光磁気記録媒体を２．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時の記録周波数依存性を示した図である。
【図７】図１又は図２に示した光磁気記録媒体を２．５ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時に、イコライザー回路の周波数特性を示した図である。
【図８】図１又は図２に示した光磁気記録媒体を再生した時に、イコライザー回路無しの規格化ジッターと、イコライザー回路有りの規格化ジッターとを比較した図である。
【図９】従来の光磁気記録媒体の一例を説明するための図であり、（ａ）は光磁気記録媒体の層構成を模式的に示し、（ｂ）はレーザービームを照射した時に光磁気記録媒体上の温度分布を示した図である。
【図１０】従来の光磁気記録媒体の他例を説明するための図であり、（ａ）は光磁気記録媒体の層構成を模式的に示し、（ｂ）はレーザービームを照射した時に光磁気記録媒体上の温度分布を示した図である。
【図１１】磁壁移動を行わない一般的な光ディスクを記録再生する一般的な光ディスク記録再生装置を示した構成図である。
【図１２】磁壁移動を行わない一般的な光ディスクを５．６ｍ／ｓｅｃの線速度で再生した時の記録周波数依存性を示した図である。
【図１３】磁壁移動を行わない一般的な光ディスクを５．６ｍ／ｓｅｃの線速度で再生する時に、イコライザー回路の周波数特性を示した図である。
【符号の説明】
１０…第１の光磁気記録媒体、
１１…光透過性基板、１２…第１誘電体層、
１３…第１磁性層、１４…第２磁性層、１５…第３磁性層、
１５ａ…Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜、１５ｂ…Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜、
１６…第２誘電体層、１７…保護層、
２０…第２の光磁気記録媒体、
２１…光透過性基板、２２…第１誘電体層、
２３…第１磁性層、２４…第２磁性層、２５…第３磁性層、
２６…第４磁性層、
２６ａ…Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜、２６ｂ…Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ膜、
２７…第２誘電体層、２８…保護層、
３０…光磁気記録媒体記録再生装置、
３１…スピンドルモータ駆動回路、３２…スピンドルモータ、
３３…ターンテーブル、３４…データ変調回路、３４ａ…記録データ信号、
３５…磁気ヘッド駆動回路、３６…磁気ヘッド、
３７…レーザー駆動回路、
３８…光ピックアップ、
３８ａ…半導体レーザー、３８ｂ…ビームスプリッタ、３８ｃ…対物レンズ、
３８ｄ…フォーカスコイル、３８ｅ…トッキングコイル、
３８ｆ…４分割型ホトセンサ、３８ｆ１…検出信号、
３９…イコライザー回路、３９ａ…再生信号、
４０…２値化回路、４０ａ…２値化信号、
４１…データ復調回路、４１ａ…再生データ信号
４２…ＰＬＬ回路、４２ａ…クロック信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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