(57)【要約】【課題】はんだバンプの高さを高くしても、その高さのバラツキを抑える。【解決手段】はんだバンプ１０に遠心力Ｆ１を加えつつ、はんだバンプ１０をリフローし、そのまま冷却する（図１［２］）。このとき、溶融はんだ１２が接触するとともに溶融はんだ１２をはじく表面１４１を有する高さ制限プレート１４を、はんだバンプ１０からその高さ方向へ一定距離ｈの位置に設置する。はんだバンプ１０が溶けているときに、はんだバンプ１０が伸びる方向に遠心力Ｆ１を加えると、溶融はんだ１２は、変形して伸び、表面１４１に接触する。しかし、表面１４１は、溶融はんだ１２をはじくので、はんだ付けされない。この状態で溶融はんだ１２を固化させれば、高さｈが一定のはんだバンプ１６が得られる（図１［３］）。【選択図】　　　　図１
2004014959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置に設けられたはんだバンプに重力又は遠心力を加えつつ、当該はんだバンプをリフローし、そのまま冷却することにより、当該はんだバンプの高さを高くする、突起電極の形成方法において、
溶融した前記はんだバンプが接触するとともに当該溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限プレートを、前記はんだバンプからその高さ方向へ一定距離の位置に設置する、
ことを特徴とする突起電極の形成方法。
【請求項２】
前記高さ制限プレートは、前記溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限部材と、前記半導体装置の前記はんだバンプ以外の部分に当接するとともに前記高さ制限部材を支持する支持部材とを備えた、
請求項１記載の突起電極の形成方法。
【請求項３】
半導体装置に設けられたはんだバンプに静電力を加えつつ、当該はんだペーストをリフローし、そのまま冷却することにより、当該はんだバンプの高さを高くする、突起電極の形成方法。
【請求項４】
前記はんだバンプを一方の電極とし、当該はんだバンプに対向する位置に他方の電極を設置し、これらの電極間に直流電圧を印加することにより、前記はんだバンプに静電力を加える、
請求項３記載の突起電極の形成方法。
【請求項５】
前記半導体装置に設けられたはんだバンプを帯電させ、対向する二つの電極間に当該半導体装置を挿入し、これらの電極間に直流電圧を印加することにより、前記はんだバンプに静電力を加える、
請求項３記載の突起電極の形成方法。
【請求項６】
前記直流電圧に交流電圧を重畳させる、
請求項４又は５記載の突起電極の形成方法。
【請求項７】
溶融した前記はんだバンプが接触するとともに当該溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限プレートを、前記はんだバンプから高さ方向へ一定距離の位置に設置する、
請求項３乃至６のいずれかに記載の突起電極の形成方法。
【請求項８】
前記高さ制限プレートは、前記溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限部材と、前記半導体装置の前記はんだバンプ以外の部分に当接するとともに前記高さ制限部材を支持する支持部材とを備えた、
請求項７記載の突起電極の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＦＣ（ｆｌｉｐ　ｃｈｉｐ）やＢＧＡ（ｂａｌｌ　ｇｒｉｄ　ａｒｒａｙ）などの半導体装置に設けられる半球状のはんだバンプ等の、突起電極の形成方法およびその装置に関する。以下、「突起電極の形成方法」を「はんだバンプの製造方法」と言い換えるものとする。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化及び薄型化に伴い、電子部品の高密度実装技術が急速に進展している。この高密度実装を実現する半導体装置として、半球状のはんだバンプを有するものが広く使われている。図５は、このような半導体装置を示す断面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【０００３】
半導体装置８０は、半導体チップ８２上に形成されたパッド電極８４と、パッド電極８４上に形成されたはんだバンプ８８とを備えている。パッド電極８４は、半導体チップ８２上に形成されたアルミニウム電極８４０と、アルミニウム電極８４０上に形成されたニッケル層８４１と、ニッケル層８４１上に形成された金層８４２とからなる。ニッケル層８４１及び金層８４２はＵＢＭ（ｕｎｄｅｒ　ｂａｒｒｉｅｒ　ｍｅｔａｌ）層である。はんだバンプ８８は錫合金からなる。半導体チップ８２上のパッド電極８４以外の部分は、保護膜９０で覆われている。
【０００４】
図６及び図７は、はんだバンプ８８の製造方法を示す断面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【０００５】
まず、半導体チップ８２上にアルミニウム電極８４０を形成し、アルミニウム電極８４０以外の部分にポリイミド樹脂によって保護膜９０を形成する（図６［１］）。これらは、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成される。続いて、アルミニウム電極８４０表面にジンケート処理を施した後に、無電解めっき法を用いてアルミニウム電極８４０上にニッケル層８４１及び金層８４２を形成する（図６［２］）。ＵＢＭ層（ニッケル層８４１及び金層８４２）を設ける理由は、アルミニウム電極８４０にはんだ濡れ性を付与するためである。最後に、図６［２］に示すパッド電極８４を溶融はんだ９２に接触させることにより、パッド電極８４上にはんだバンプ８８を形成する（図７及び図６［３］）。このようにして得られた半導体装置８０は、はんだバンプ８８を介して、他の半導体チップや配線基板に電気的及び機械的に接続される。
【０００６】
また、半導体チップ８２に設けられたはんだバンプ８８に重力又は遠心力を加えつつ、はんだバンプ８８をリフローし、そのまま冷却することにより、はんだバンプ８８の高さを高くする、はんだバンプ８８の製造方法が知られている（例えば特開平８−１８１１４２号公報）。
【０００７】
はんだバンプ８８が溶融しているときに、はんだバンプ８８が伸びる方向に重力又は遠心力を加えると、溶融はんだは変形して伸びる。この状態で溶融はんだを固化させれば、はんだバンプ８８の高さを高くできる。はんだバンプ８８の高さを十分に高くすると、はんだバンプ８８を介して繋がる半導体チップ８２と他の半導体チップ（図示せず）との接触又は配線基板（図示せず）との接触を防止できる。また、隣接するはんだバンプ８８同士の短絡も防止できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来のはんだバンプ８８の製造方法では、次のような問題があった。
【０００９】
（１）．はんだバンプ８８の高さを高くしても、はんだバンプ８８のはんだ量やパッド電極８４の表面状態などに起因して、その高さのバラツキが大きい。そのため、はんだバンプ８８を介して半導体装置８０を他の半導体チップや配線基板に載置したときに、位置決めの安定性に欠けるため、電気的不良を招くおそれがあった。
【００１０】
（２）．はんだバンプ８８に重力を加える場合は、はんだバンプ８８を下向きにしてリフローするだけであるので、特別な装置は不要である。しかし、はんだバンプ８８に重力を加えても、溶融はんだはほとんど伸びない。近年のはんだバンプ８８は小型化しているため、表面張力に抵抗できるだけの自重が得られないからである。一方、はんだバンプ８８に遠心力を加える場合は、遠心力を加える回転装置（例えば脱水機や遠心分離機に類似の装置）が大きくかつ複雑である、という問題がある。はんだバンプ８８のリフローはベルトコンベア炉で連続的に処理する方法が一般的であるが、はんだバンプ８８に遠心力を加える装置をベルトコンベア炉に組み込むことは実際上無理である。
【００１１】
【発明の目的】
そこで、本発明の第一の目的は、はんだバンプの高さを高くしても、その高さのバラツキを抑えられる、はんだバンプの製造方法を提供することにある。本発明の第二の目的は、重力や遠心力を使わなくても簡単にはんだバンプの高さを高くできる、はんだバンプの製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載のはんだバンプの製造方法は、半導体装置に設けられたはんだバンプに重力又は遠心力を加えつつ、はんだバンプをリフローし、そのまま冷却することにより、はんだバンプの高さを高くするものである。このとき、溶融したはんだバンプが接触するとともに溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限プレートを、はんだバンプから高さ方向へ一定距離の位置に設置する。
【００１３】
はんだバンプが溶融しているときに、はんだバンプが伸びる方向に重力又は遠心力を加える。すると、溶融したはんだは、変形して伸び、高さ制限プレートの表面に接触する。しかし、高さ制限プレートの表面は、溶融したはんだをはじくので、はんだ付けされない。この状態で溶融したはんだを固化させれば、高さが一定のはんだバンプが得られる。
【００１４】
なお、リフローする前のはんだバンプには、半球状に固化したものに限らず、はんだペーストやはんだメッキの状態のものも含まれる。半導体装置には、半導体チップの他に、配線基板やインターポーザも含まれる。
【００１５】
請求項２記載のはんだバンプの製造方法は、高さ制限プレートが、溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限部材と、半導体装置のはんだバンプ以外の部分に当接するとともに高さ制限部材を支持する支持部材とを備えたものである。
【００１６】
支持部材は、高さ制限部材と半導体装置との間に挟まれることによって、重力又は遠心力による高さ制限プレート又は半導体装置の変形を防ぐ。そのため、はんだバンプから高さ制限プレートの表面までの距離が一定に保たれる。
【００１７】
請求項３記載のはんだバンプの製造方法は、半導体装置に設けられたはんだバンプに静電力を加えつつ、はんだペーストをリフローし、そのまま冷却することにより、はんだバンプの高さを高くするものである。
【００１８】
はんだバンプが溶融しているときに、はんだバンプが伸びる方向に静電力を加えると、溶融したはんだは変形して伸びる。静電力は後述するように容易に大きくできるので、重力よりも強い力が回転装置を使うことなく得られる。また、回転部分がないので、ベルトコンベア炉などによる自動化も容易である。
【００１９】
請求項４記載のはんだバンプの製造方法は、請求項３記載のはんだバンプの製造方法において、はんだバンプを一方の電極とし、はんだバンプに対向する位置に他方の電極を設置し、これらの電極間に直流電圧を印加することにより、はんだバンプに静電力を加えるものである。
【００２０】
二枚の平行平板電極間の距離がｄ、誘電率がεであるとき、これらの平行平板電極間に直流電圧Ｖを印加すると、平行平板電極の単位面積当たりに働く静電力Ｆ’（吸引力）は、
Ｆ’＝（εＶ２）／（２ｄ２）
で与えられる。
【００２１】
ここで、はんだバンプが単位面積当たりｎ個で平面状に分布し、他方の電極が平板状であるとする。そして、はんだバンプと他方の電極との距離がｄ、これらの間の誘電率がεであるとき、これらに直流電圧Ｖを印加すると、はんだバンプ一個当たりに働く静電力Ｆは、おおよそ、
Ｆ＝（εＶ２）／（２ｎｄ２）
と見積ることができる。このように、直流電圧Ｖを大きくするほど、又は距離ｄを小さくするほど、静電力Ｆを大きくできる。
【００２２】
請求項５記載のはんだバンプの製造方法は、請求項３記載のはんだバンプの製造方法において、半導体装置に設けられたはんだバンプを帯電させ、対向する二つの電極間にこの半導体装置を挿入し、これらの電極間に直流電圧を印加することにより、はんだバンプに静電力を加えるものである。
【００２３】
二枚の平行平板電極間に電荷ｑを有する物体があり、これらの平行平板電極間の距離がｄであるとき、これらの平行平板電極間に直流電圧Ｖを印加すると、その物体に働く静電力Ｆ’は、
Ｆ’＝（ｑＶ）／ｄ
で与えられる。
【００２４】
ここで、一個当たり電荷ｑを有するはんだバンプを挟む位置にある電極が平行平板であるとし、これらの電極間の距離がｄであるとき、これらの電極間に直流電圧Ｖを印加すると、はんだバンプ一個当たりに働く静電力Ｆは、おおよそ、
Ｆ＝（ｑＶ）／ｄ
と見積ることができる。このように、電荷ｑを大きくするほど、直流電圧Ｖを大きくするほど、又は距離ｄを小さくするほど、静電力Ｆを大きくできる。
【００２５】
請求項６記載のはんだバンプの製造方法は、請求項４又は５記載のはんだバンプの製造方法において、直流電圧に交流電圧を重畳させるものである。
【００２６】
溶融したはんだに対し、直流電圧による静電力に加え、交流電圧による振動する静電力が加えられる。これにより、溶融したはんだは、揺さ振りをかけられるので、更に伸びやすくなる。
【００２７】
請求項７記載のはんだバンプの製造方法は、請求項３乃至６のいずれかに記載のはんだバンプの製造方法において、溶融したはんだバンプが接触するとともに溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限プレートを、はんだバンプから高さ方向へ一定距離の位置に設置するものである。請求項８記載のはんだバンプの製造方法は、請求項７記載のはんだバンプの製造方法において、高さ制限プレートが、溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限部材と、半導体装置のはんだバンプ以外の部分に当接するとともに高さ制限部材を支持する支持部材とを備えたものである。
【００２８】
請求項７又は８記載のはんだバンプの製造方法は、請求項１又は２記載のはんだバンプの製造方法と同等の作用及び効果を奏する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係るはんだバンプの製造方法の第一実施形態を示す断面図であり、図１［１］〜図１［３］の順に工程が進行する。以下、これらの図面に基づき説明する。ただし、図５乃至図７と同一部分は同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００３０】
まず、図７に示すように溶融はんだ９２にパッド電極８４を接触させることにより、パッド電極８４上にはんだバンプ１０を形成する（図１［１］）。このとき、はんだバンプ１０の形状は、はんだの表面張力と重力との関係で決まる大きさの半球状となる。はんだバンプ１０のはんだ量は、パッド電極８４の表面状態によって左右されるので、図示するようにバラツキも多い。
【００３１】
続いて、はんだバンプ１０に遠心力Ｆ１を加えつつ、はんだバンプ１０をリフローし、はんだバンプ１０が溶けた溶融はんだ１２をそのまま冷却する（図１［２］）。このとき、溶融はんだ１２が接触するとともに溶融はんだ１２をはじく表面１４１を有する高さ制限プレート１４を、はんだバンプ１０からその高さ方向へ一定距離ｈの位置に設置する。
【００３２】
はんだバンプ１０が溶けているときに、はんだバンプ１０が伸びる方向に遠心力Ｆ１を加える。すると、溶融はんだ１２は、変形して伸び、高さ制限プレート１４の表面１４１に接触する。しかし、高さ制限プレート１４の表面１４１は、溶融はんだ１２をはじくので、はんだ付けされない。この状態で溶融はんだ１２を固化させれば、高さｈが一定のはんだバンプ１６が得られる（図１［３］）。
【００３３】
高さ制限プレート１４は、溶融はんだ１２をはじく表面１４１を有する高さ制限部材１４２と、半導体チップ８２のはんだバンプ１０以外の部分に当接するとともに高さ制限部材１４２を支持する支持部材１４３とからなる。支持部材１４３は、高さ制限部材１４２と半導体チップ８２との間に挟まれることによって、遠心力Ｆ１による高さ制限プレート１４又は半導体チップ８２（すなわち半導体ウェーハ）の変形を防ぐ。そのため、はんだバンプ１０から高さ制限プレート１４の表面１４１までの距離ｈが一定に保たれる。また、支持部材１４３は、例えば接着、螺合又は嵌合等の固着手段によって、高さ制限部材１４２に固着されている。なお、一つのブロックの材料を切削することにより、高さ制限部材１４２及び支持部材１４３を一体的に形成してもよい。
【００３４】
高さ制限プレート１４の材料は、溶融はんだ１２をはじく性質すなわちはんだ濡れ性が全くない性質を有するとともに耐熱性にも優れた、金属、セラミックス、合成樹脂などが好ましい。一般の金属は、表面に自然酸化膜が形成されているので、フラックス無しにはんだ付けされることはない。
【００３５】
はんだバンプ１０に遠心力Ｆ１を加える装置は、例えば、鉛直方向に伸びた回転軸１８１、回転軸１８１を駆動するモータ１８２及び減速機１８３等からなる。高さ制限プレート１４及び半導体チップ８２は、図示しない固定冶具によって回転軸１８１に固定され、回転軸１８１とともに回転する。
【００３６】
はんだバンプ１０をリフローする手段は、例えば電熱ヒータ２０である。溶融はんだ１２を冷却する手段は、例えば空冷ファン２２である。なお、電熱ヒータ２０の代わりに赤外線ランプ等を用いてもよい。空冷ファン２２の代わりに、自然放熱を利用してもよいし、水冷装置等を用いてもよい。
【００３７】
図２は、高さ制限プレートをはんだバンプ側から見た平面図であり、図２［１］が第一例、図２［２］が第二例である。
【００３８】
第一例の高さ制限プレート１４は、図１に示したものである。高さ制限部材１４２は平板状であり、支持部材１４３は柱状である。第二例の高さ制限プレート２４は、支持部材１４３が壁状になっている点を除き、第一例の高さ制限プレート１４と同じである。高さ制限プレート２４は、高さ制限プレート１４に比べて、構造が複雑になっているものの強度が向上している。
【００３９】
図３は、本発明に係るはんだバンプの製造方法の第二実施形態を示す断面図であり、図３［１］〜図３［３］の順に工程が進行する。以下、これらの図面に基づき説明する。ただし、図１と同一部分は同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４０】
セラミックス又は合成樹脂からなる配線基板２４に、銅箔等からなるパッド電極２６が設けられている。まず、図７に示すように溶融はんだ９２にパッド電極２６を接触させることにより、パッド電極２６上にはんだバンプ１０を形成する（図３［１］）。このとき、はんだバンプ１０の形状は、はんだの表面張力と重力との関係で決まる大きさの半球状となる。はんだバンプ１０のはんだ量は、パッド電極２６の表面状態によって左右されるので、図示するようにバラツキも多い。
【００４１】
続いて、はんだバンプ１０に静電力Ｆ２を加えつつ、はんだバンプ１０をリフローし、はんだバンプ１０が溶けた溶融はんだ１２をそのまま冷却する（図３［２］）。このとき、はんだバンプ１０が溶けた溶融はんだ１２が接触するとともに溶融はんだ１２をはじく表面２８１を有する高さ制限プレート２８を、はんだバンプ１０からその高さ方向へ一定距離ｈの位置に設置する。
【００４２】
はんだバンプ１０が溶けているときに、はんだバンプ１０が伸びる方向に静電力Ｆ２を加える。すると、溶融はんだ１２は、変形して伸び、高さ制限プレート２８の表面２８１に接触する。しかし、高さ制限プレート２８の表面２８１は、溶融はんだ１２をはじくので、はんだ付けされない。この状態で溶融はんだ１２を固化させれば、高さｈが一定のはんだバンプ１６が得られる（図３［３］）。
【００４３】
高さ制限プレート２８は、溶融はんだ１２をはじく表面２８１を有する高さ制限部材２８２と、配線基板２４のはんだバンプ１０以外の部分に当接するとともに高さ制限部材２８２を支持する支持部材２８３とからなる。支持部材２８３は、高さ制限部材２８２と配線基板２４との間に挟まれることによって、静電力Ｆ２による高さ制限プレート２８又は配線基板２４の変形を防ぐ。そのため、はんだバンプ１０から高さ制限プレート２８の表面２８１までの距離ｈが一定に保たれる。また、支持部材２８３は、例えば接着、螺合又は嵌合等の固着手段によって、高さ制限部材２８２に固着されている。
【００４４】
高さ制限部材２８２は、後述するように電極を兼ねているので、耐熱性及び導電性に優れた、例えば金属などが好ましい。高さ制限部材２８２の表面２８１は、溶融したはんだをはじく性質、耐熱性、及び絶縁性を兼ね備えた、例えば金属酸化膜が好ましい。例えば、高さ制限部材２８２をアルミニウムにすれば、そのアルミニウムを酸化するだけで、酸化アルミニウムの表面２８１を容易に形成できる。
【００４５】
はんだバンプ１０に静電力Ｆ２を加える装置は、例えば、溶融はんだ１２を一方の電極とし、溶融はんだ１２に対向する位置に他方の電極としての高さ制限部材２８２を設置し、溶融はんだ１２と高さ制限部材２８２との間に直流電圧を印加することにより、溶融はんだ１０に静電力Ｆ２を加えるものである。具体的には、直流電圧電源３０１、交流電圧電源３０２、電流制限用抵抗器３０３、スイッチ３０４等の直列回路からなる。一般に、配線基板２４の表面に形成されたはんだバンプ１０は、配線基板２４の裏面にパッド電極又は端子（図示せず）として取り出されているので、溶融はんだ１２を一方の電極とすることは容易である。
【００４６】
また、直流電圧電源３０１に交流電圧電源３０２が直列に接続されているので、直流電圧に交流電圧が重畳される。そのため、溶融はんだ１２は、直流電圧による静電力に加え、交流電圧による振動する静電力が加えられることにより、揺さ振りをかけられるので、更に伸びやすくなる。
【００４７】
なお、はんだバンプ１０に対向する電極を別に設ければ、高さ制限プレート２８は必ずしも必要ではない。
【００４８】
図４は、本発明に係るはんだバンプの製造方法の第三実施形態を示す断面図であり、図４［１］〜図４［３］の順に工程が進行する。以下、これらの図面に基づき説明する。ただし、図３と同一部分は同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４９】
本実施形態は、配線基板２４に設けられたはんだバンプ１０を帯電させ、対向する高さ制限部材２８２と電極２２との間に配線基板２４を挿入し、高さ制限部材２８２と電極３２との間に直流電圧を印加することにより、溶融はんだ１２に静電力Ｆ３を加えるものである。高さ制限部材２８２と電極３２とは、それぞれ平板であり、かつ平行に配置されている。電極２２は、例えばアルミニウムなどの金属板である。はんだバンプ１０を帯電させる手段としては、例えば、はんだバンプ１０をコンデンサとして充電する方法を用いてもよく、電子写真プリンタで使われているコロトロンやスコロトロンなどの帯電器を流用してもよい。本実施形態も第二実施形態と同様の作用及び効果を奏する。
【００５０】
なお、本発明は、言うまでもないが、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、遠心力の代わりに重力を用いてもよいし、重力又は遠心力と同時に静電力を用いてもよい。
【００５１】
【発明の効果】
請求項１、２、７又は８記載のはんだバンプの製造方法によれば、半導体装置に設けられたはんだバンプに重力、遠心力又は静電力を加えつつ、はんだバンプをリフローし、そのまま冷却する際に、溶融して伸びたはんだバンプが高さ制限プレートの表面ではじかれるので、高さが均一なはんだバンプを得ることができる。したがって、はんだバンプの高さを高くしても、その高さのバラツキを抑えることができる。
【００５２】
請求項２又は８記載のはんだバンプの製造方法によれば、溶融したはんだバンプをはじく表面を有する高さ制限部材と、半導体装置のはんだバンプ以外の部分に当接するとともに高さ制限部材を支持する支持部材とを備えたことにより、支持部材が重力、遠心力又は静電力による高さ制限プレート又は半導体装置の変形を防ぐので、はんだバンプから高さ制限プレートの表面までの距離を一定に保つことができる。したがって、高さ制限プレート又は半導体装置の強度を向上できるとともに、はんだバンプの高さのバラツキを更に抑えることができる。
【００５３】
請求項３乃至８記載のはんだバンプの製造方法は、半導体装置に設けられたはんだバンプに静電力を加えつつ、はんだペーストをリフローし、そのまま冷却することにより、重力や遠心力を使わなくても簡単にはんだバンプの高さを高くできる。すなわち、静電力は容易に大きくできるので、回転装置を使うことなく重力よりも強い力を得ることができる。また、回転部分がないので、ベルトコンベア炉などによる自動化も容易に実現できる。
【００５４】
請求項６記載のはんだバンプの製造方法によれば、静電力を発生させる直流電圧に交流電圧を重畳させることにより、溶融したはんだに対し、直流電圧による静電力に加え、交流電圧による振動する静電力を加えることができるので、溶融したはんだに揺さ振りをかけて更に伸ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るはんだバンプの製造方法の第一実施形態を示す断面図であり、図１［１］〜図１［３］の順に工程が進行する。
【図２】本発明に係るはんだバンプの製造方法で用いる高さ制限プレートを、はんだバンプ側から見た平面図であり、図２［１］が第一例、図２［２］が第二例である。
【図３】本発明に係るはんだバンプの製造方法の第二実施形態を示す断面図であり、図３［１］〜図３［３］の順に工程が進行する。
【図４】本発明に係るはんだバンプの製造方法の第三実施形態を示す断面図であり、図４［１］〜図４［３］の順に工程が進行する。
【図５】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図６】従来のはんだバンプの製造方法を示す断面図であり、図６［１］〜図６［３］の順に工程が進行する。
【図７】図５のはんだバンプの製造方法における一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０，１６　はんだバンプ
１２　溶融はんだ
１４，２４，２８　高さ制限プレート
１４１，２８１　高さ制限プレートの表面
１４２，２８２　高さ制限部材
１４３，２４３，２８３　支持部材
２６　パッド電極
３２　電極
Ｆ１　遠心力
Ｆ２，Ｆ３　静電力
【図１】
2004014959.tif 000003
【図２】
2004014959.tif 000004
【図３】
2004014959.tif 000005
【図４】
2004014959.tif 000006
【図５】
2004014959.tif 000007
【図６】
2004014959.tif 000008
【図７】
2004014959.tif 000009