(57)【要約】【課題】安定した樹脂封止を可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供し、信頼性の高い半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、ディスペンサ５０のノズル５２から樹脂６０を吐出して半導体チップ３０の少なくとも一部を封止すること、及び、吸引器７０を利用してノズル５２の先端部に付着した残存樹脂６２を除去することを含む。【選択図】        図４
2004207302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスペンサのノズルから樹脂を吐出して半導体チップの少なくとも一部を封止すること、及び、
吸引器を利用して前記ノズルの先端部に付着した残存樹脂を除去することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ノズルを前記吸引器に接触させることなく、前記残存樹脂を除去する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記吸引器を前記ディスペンサの待機エリアに配置する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記吸引器は真空吸引機構を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法によって製造されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
【特許文献１】
特開２００１−０６８４８９号公報
【０００４】
【発明の背景】
半導体チップ等を封止するために用いられるディスペンサのノズルの先端及び側面には、封止用の樹脂が残存することがある。しかし、半導体チップなどの安定した樹脂封止を実現するためには、ノズルの先端部に残存した樹脂を除去することが望ましい。また、ディスペンサのノズルは、他の部材に接触させないことが望ましい。
【０００５】
本発明の目的は、半導体チップ等の安定した樹脂封止を可能とする半導体装置の製造方法を提供し、信頼性の高い半導体装置、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
ディスペンサのノズルから樹脂を吐出して半導体チップの少なくとも一部を封止すること、及び、
吸引器を利用して前記ノズルの先端部に付着した残存樹脂を除去することを含む。本発明によれば、残存樹脂は吸引器によってディスペンサのノズルから取り除かれる。吸引器を利用することで、残存樹脂を残さず除去することができ、半導体チップ等の安定した樹脂封止が可能となる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記ノズルを前記吸引器に接触させることなく、前記残存樹脂を除去してもよい。これによれば、ノズルを他の部材に接触させることなく、残存樹脂を除去することができる。そのため、吸引器の性能が劣化すること、及び、ノズルに異物が付着すること、を防止することができ、半導体チップ等の安定した樹脂封止が可能となる。
（３）この半導体装置の製造方法において、前記吸引器を前記ディスペンサの待機エリアに配置してもよい。これによれば、待機エリアで残存樹脂の除去を行うことができるため、ディスペンサの移動距離を短くすることができる。そのため、効率よく半導体装置を製造することができる。
（４）この半導体装置の製造方法において、前記吸引器は真空吸引機構を有してもよい。
（５）本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００８】
図１は、本実施の形態で使用される基板１０の概略図である。基板１０を構成する材料は、有機系又は無機系のいずれの材料であってもよく、これらの複合構造であってもよい。有機系の材料から形成された基板１０として、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＦＰＣ(Flexible Printed Circuit)や、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成された基板１０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。
【０００９】
図１に示すように、基板１０の全体形状はテープ状をなしてもよい。基板１０の端部には複数のスプロケットホール１２が形成されてもよい。この場合、スプロケットホール１２にスプロケットをはめ合わせて、基板１０をリール・トゥ・リールにより搬送することができる。ただし、本実施の形態に係る基板１０の全体形状はテープ状に限定されるものではない。
【００１０】
基板１０は、複数のリード２０を有してもよい。リード２０は後の工程で封止される部分（インナーリード２２）と、インナーリード２２から延設されて封止部６４の外側へ延びる部分（アウターリード２４）とを有してもよい。なお、インナーリード２２の一部はデバイスホール１４の内側に突出していてもよい。また、リード２０をアウターリード２４よりもさらに延長して、テストパッドを設けてもよい（図示せず）。
【００１１】
リード２０は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成してもよい。リード２０を、図示しない接着材料を介して基板１０に貼り付けて、３層基板（又は３層テープ）を構成してもよい。あるいは、リード２０を、接着剤なしで基板に形成して２層基板（２層テープ）を構成してもよい。例えば、スパッタリング等によってリード２０を形成してもよいし、無電解メッキでリード２０を形成するアディティブ法を適用してもよい。
【００１２】
リード２０は、ハンダ、スズ、金、ニッケル等でメッキされていてもよい。基板１０には図示しないメッキリードが形成されていてもよく、メッキリードをリード２０と電気的に接続するように形成してもよい。こうすることで、メッキリードを介してリード２０にメッキ処理を行うことができる。
【００１３】
基板１０には１つ、あるいは複数の半導体チップ３０が搭載されてもよい。半導体チップ３０には集積回路が形成されてもよい。半導体チップ３０の平面形状は矩形であることが一般的であるが、これに限定されるものではない。半導体チップ３０の一方の面に、複数の電極３２が形成されてもよい。電極３２は、半導体チップ３０の面の少なくとも１辺（多くの場合２辺又は４辺）に沿って並んでいてもよい。また、電極３２は、半導体チップ３０の面の端部に並んでいてもよく、中央部に並んでいてもよい。各電極３２は、アルミニウムなどで薄く平らに形成されたパッドと、その上に形成されたバンプとから形成されてもよい。バンプが形成されない場合、パッドを電極３２としてもよい。電極３２の少なくとも一部を避けて半導体チップ３０には、パッシベーション膜（図示せず）が形成されてもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成してもよい。半導体チップ３０は、電極３２を介してリード２０と電気的に接続されてもよい。
【００１４】
基板１０には、デバイスホール１４が形成されてもよく、デバイスホール１４の内側に半導体チップ３０が配置されてもよい。このとき、半導体チップ３０はインナーリード２２に接合されてもよい。すなわち、半導体チップ３０はデバイスホール１４の内側に配置され、リード２０（インナーリード２２）によって基板１０に保持されてもよい。
【００１５】
基板１０はアウターリードホール（図示せず）を有してもよい。アウターリードホールは半導体チップ３０の配置位置の周囲に形成されてもよい。基板１０がデバイスホール１４を有する場合、アウターリードホールをデバイスホール１４の周囲に形成してもよい。デバイスホール１４が矩形をなす場合に、矩形の各辺に平行に延びる長穴のアウターリードホールを形成してもよい。アウターリードホール上をまたいでリード２０を形成し、リード２０におけるアウターリードホール上の部分を外部端子との接続部分（アウターリード２４）として使用してもよい。
【００１６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法においては、基板１０に搭載された半導体チップ３０等を樹脂封止するためのポッティング工程を行う。ポッティング工程は、ディスペンサ５０のノズル５２から樹脂６０を吐出して半導体チップ３０の少なくとも一部を封止する工程と、吸引器７０を利用してノズル５２の先端部に付着した残存樹脂６２を除去する工程とを含んでもよい。
【００１７】
図２（Ａ）〜図３は半導体チップ３０を封止する工程を説明するための図である。図２（Ａ）に示すように、基板１０をリール・トゥ・リール搬送しながら半導体チップ３０の封止を行ってもよい。なお、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の一部拡大図である。図２（Ｂ）に示すように、ディスペンサ５０のノズル５２から樹脂６０を吐出して、半導体チップ３０やリード２０（詳しくはインナーリード２２）を封止してもよい。例えば、ノズル５２から樹脂６０を吐出しながらディスペンサ５０を移動させることで、半導体チップ３０等を封止することができる。なお、ディスペンサ５０として、既に公知となっているいずれのディスペンサを利用してもよい。
【００１８】
図３は、樹脂封止後の基板１０とディスペンサ５０（ノズル５２）とを示す図である。図中に示すように、半導体チップ３０等を封止した後のノズル５２の先端部には残存樹脂６２が付着することがある。ノズル５２に残存樹脂６２が付着した状態では、樹脂６０の吐出量の精密な制御が困難となり、安定した樹脂封止を実現することができない場合があった。そこで、次の工程で残存樹脂６２を除去してもよい。これにより、半導体チップ３０等の安定した樹脂封止を実現することができる。
【００１９】
図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、ノズル５２の先端部から残存樹脂６２を除去する工程を示す図である。本実施の形態では、吸引器７０を利用して残存樹脂６２を除去してもよい。例えば、はじめにディスペンサ５０と吸引器７０との位置あわせを行い（図４（Ａ）参照）、次に、吸引器７０によって残存樹脂６２を吸引して（図４（Ｂ）参照）、ノズル５２の先端部から残存樹脂６２を除去してもよい（図４（Ｃ）参照）。吸引器７０を利用することで、残存樹脂６２は一定の方向へ応力を受けることになる。そのため、残存樹脂６２を残さず除去することができ、半導体チップ３０等の安定した樹脂封止が可能となる。また、吸引することによって残存樹脂６２を除去することから、残存樹脂６２が飛び散ることがなく、残存樹脂６２が他の部材に付着することを防止することができる。なお、ノズル５２を吸引器７０に接触させることなく、残存樹脂６２を除去してもよい。これにより、吸引器７０のクリーニング性能が劣化することを防止することができる。また、ノズル５２を他の部材に接触させることなく残存樹脂６２を除去することができるため、ノズル５２に異物が付着することを防止することができる。
【００２０】
図５に示すように、ポッティングエリア８２で１つの半導体チップ３０を封止した後、ディスペンサ５０を待機エリア８０に移動させてもよい。そして、基板１０をリール・トゥ・リール搬送によって搬送し、次の半導体チップ３０をポッティングエリア８２に移動させてから、ディスペンサ５０をポッティングエリア８２に移動させて、次の半導体チップ３０を封止してもよい。以上の工程を繰り返して、複数の半導体チップ３０を封止してもよい。このとき、吸引器７０を待機エリア８０に配置してもよい。これによると、待機エリア８０で残存樹脂６２を除去することができるため、ディスペンサ５０の移動距離を短くすることができ、効率よく半導体装置を製造することができる。なお、１つの半導体チップ３０を封止する度に残存樹脂６２を除去してもよいが、２つ以上の複数の半導体チップ３０を封止する度に残存樹脂６２を除去してもよい。
【００２１】
本実施の形態で利用する吸引器７０は既に公知となっているいずれの吸引機構を有してもよい。例えば、吸引器７０は真空吸引機構を有してもよい。
【００２２】
以上の工程により封止部６４を形成することができる（図３参照）。その後、基板１０を切断し、アウターリード２４をフォーミングする等の工程を経て半導体装置１を製造することができる。図６には、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造されてなる半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。なお、回路基板１０００には配線パターン１００が形成されてもよく、半導体装置１のアウターリード２４は配線パターン１００と電気的に接続されてもよい。
【００２３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図３】本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【符号の説明】
５０  ディスペンサ、  ５２  ノズル、  ６２  残存樹脂、  ７０  吸引器
【図１】
2004207302.tif 000003
【図２】
2004207302.tif 000004
【図３】
2004207302.tif 000005
【図４】
2004207302.tif 000006
【図５】
2004207302.tif 000007
【図６】
2004207302.tif 000008