(57)【要約】【課題】ノイズ対策部品などデジタル機器の小型・薄型化に伴う高密度実装回路に数多く使用されている、積層型セラミックチップインダクタの高インピーダンス化と低導体抵抗化を両立し、かつ低積層化により、信頼性向上と低コスト化を目的とする。【解決手段】電鋳法により形成した巻回コイル状メッキ導体２，５をそれぞれシート状磁性体層１，６に転写するとともに、シート状磁性体層３に設けた貫通孔４を介して、巻回コイル状メッキ導体２と５を接続することにより、低積層化、高インピーダンス化および低導体抵抗化を同時に実現できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の絶縁層と、この少なくとも一対の絶縁層に挟持されたコイル状導体線路を構成する少なくとも１つの導体パターンとを有し、この少なくとも１つの導体パターンは電鋳法により前記絶縁層に直接形成されている積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項２】
少なくとも１つの導体パターンは、転写によって絶縁層に直接形成されている請求項１記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項３】
少なくとも１つの導体パターンと絶縁層との界面には隙間が無い請求項１または２記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項４】
導体パターンを複数有し、この導体パターンの少なくとも２つは印刷により形成された厚膜導体によって電気的に接続されている請求項１〜３のいずれかに記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項５】
少なくとも１つの電鋳導体パターンは蛇行状である請求項１〜３のいずれかに記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項６】
少なくとも１つの電鋳導体パターンは直線状である請求項１〜３のいずれかに記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項７】
少なくとも一対の絶縁層は磁性体からなる請求項１〜３のいずれかに記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項８】
絶縁層は、焼結過程で無収縮あるいは低収縮性を有する粉体からなる請求項１〜３のいずれかに記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項９】
一対の絶縁層と導体パターンは一体焼結してなる請求項１〜３のいずれかに記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項１０】
導電性を有するベース板上に電鋳法により導体パターンを形成する工程と、第１絶縁層に前記電鋳導体パターンを直接転写する工程と、前記電鋳導体パターンを有する前記第１絶縁層の表面上に第２絶縁層を形成する工程とからなる積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１１】
電鋳導体パターンを転写された第１絶縁層を複数形成する工程と、前記複数の電鋳導体パターンを互いに電気的に接続しながら前記複数の第１絶縁層を積層する工程とを包含する請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１２】
複数の第１絶縁層の間に、貫通孔を有する第３絶縁層を挟持する工程を包含する請求項１１記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１３】
複数の第１絶縁層の間に、印刷された厚膜導体で充填された貫通孔を有する第３絶縁層を挟持する工程を包含する請求項１１記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１４】
転写工程は、導電性ベース板の電鋳導体パターンを有する表面上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に熱離型シートを接着する工程と、前記電鋳導体パターンを有する前記第１絶縁層と前記熱離型シートとを前記導電性ベース板から剥離する工程と、前記熱離型シートを加熱によって剥離する工程とを包含する請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１５】
転写工程は、導電性ベース板の電鋳導体パターンを有する表面上に熱離型性を有する発泡シートを接着する工程と、前記熱離型性発泡シートと前記電鋳導体パターンとを前記導電性ベース板から剥離する工程と、前記熱離型性発泡シートの前記電鋳導体パターンを有する表面上に前記第１絶縁層を形成する工程と、前記熱離型性発泡シートを加熱により剥離する工程とを包含する請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１６】
電鋳導体パターンを形成する工程は、導電性ベース板を所望のパターンで露出するように導電性ベース板をホトレジスト膜で覆う工程と、前記ホトレジスト膜を覆うように前記導電性ベース板上に導電性膜を形成する工程とを包含する請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１７】
導電性ベース板は、導電性を有するように離型処理された金属板である請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１８】
導電性ベース板は、ステンレス板である請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項１９】
電鋳導体パターンは、ｐＨが８．５以下のＡｇメッキ浴によって形成される請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２０】
導電性ベース板の表面粗さ（Ｒａ）が０．０５〜１μｍである請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２１】
第１、第２および第３絶縁層は、磁性材料からなる請求項１２記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２２】
第２、第３絶縁層のうち少なくとも一方は、低誘電率材料からなる請求項１２記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２３】
絶縁層の焼結助剤として、有機鉛化合物を添加する請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２４】
シアンを含有しない銀メッキ液を使用し、銀メッキパターンを設ける請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２５】
電鋳導体パターンを第１絶縁層に直接転写する時、接着剤を用いないようにした請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２６】
少なくとも一対の絶縁層は粘着性を有する請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタ。
【請求項２７】
第１絶縁層、電鋳導体パターン、第２絶縁層を一体焼結するようにした請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２８】
第１絶縁層としてグリーンシートを用いた請求項１０記載の積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項２９】
導電性を有するベース板上に電鋳法により導体パターンを形成する工程と、絶縁層に前記電鋳導体パターンを直接転写するとともに、前記絶縁層と前記電鋳導体パターンとを交互に複数枚積層し、前記各電鋳導体パターン間を電気的接続する工程と、前記絶縁層、電鋳導体パターンを一体焼結する工程とを備えた積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【請求項３０】
導電性を有するベース板上に電鋳法により導体パターンを形成する工程と、第１絶縁層に電鋳導体パターンを転写した後前記電鋳導体パターンの上面に他の第１絶縁層を形成することを交互に繰り返しす工程と有し、前記電鋳導体パターンを互いに電気的に接続するようにした積層型セラミックチップインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、磁性体または絶縁体層と導体層からなるシートを複数枚積層し焼成によりコイル状導体線路が構成される積層型セラミックチップインダクタおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　近年、積層型セラミックチップインダクタはノイズ対策部品などデジタル機器の小型・薄型化に伴う高密度実装回路に数多く使用されている。
【０００３】
　以下、従来の積層型セラミックチップインダクタの製造方法について説明する。
【０００４】
　あらかじめ磁性体グリーンシートに１ターン未満の導体線路（導体ペースト）を印刷しておき、導体線路が印刷された各磁性体グリーンシートを積層圧着させ、磁性体グリーンシートに設けられたスルーホールを介して上下の層の間で、導体線路を電気的に接続させて、コイル状導体線路を形成し、積層された磁性体グリーンシートおよびコイル状導体線路を一括焼成する。
【０００５】
　なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】実開昭５９−１４５００９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかしながら、従来の積層型セラミックチップインダクタは、大きなインピーダンス（あるいはインダクタンス）を得ようとすると、コイル状導体線路の巻数を増やす必要があり、これに伴って積層数を増やさなければならなかった。
【０００７】
　ところが、このように積層数が増加すると、積層工程回数が増え、製造コストが増加するという問題があった。さらに各グリーンシート間での導体接続箇所が増加し、接続信頼性も低下するという問題も生じていた。
【０００８】
　これらの課題を解決するため、特開平４−９３００６号公報に示されるように、磁性体シートの磁性体層を用い、同一平面内に１ターン以上の導体層を厚膜印刷技術で形成して、これらを積層し、かつあらかじめ磁性体層に形成されていた貫通孔を介して隣接する上下の各導体層を電気的に接合させることにより、積層数が少なくても比較的大きなインピーダンスを有する積層型セラミックチップインダクタが提案されている。
【０００９】
　しかしながら、このような提案においても、次の２つの欠点を有している。
【００１０】
　（１）厚膜導体印刷技術を用いて、小型の積層型セラミックチップインダクタ（例えば、外形サイズ２．０ｍｍ×１．２５ｍｍや１．６ｍｍ×０．８ｍｍ等）を製造する場合においては、微細な印刷の為、製造上の歩留り等を考慮すると１．５ターン程度以下が実用範囲であり、より大きいインピーダンスを有する積層型セラミックチップインダクタを製造する場合には、高積層化する必要がある。
【００１１】
　（２）印刷厚膜導体層は、同一平面内でターン数を増やすには、厚膜導体幅を細くする必要があるが、導体幅を細くすると導体抵抗が増加するので印刷厚みを厚くする必要がある。ところが、印刷導体幅を細くするにつれ、印刷解像度を保持するには、導体厚みは薄くせざるを得ない（例えば印刷導体幅７５μｍの場合、乾燥厚み１５μｍ程度が限界と思われる）。
【００１２】
　従って、上述のように厚膜印刷導体のターン数を単純に増やす方法は、多少積層数を減じる効果が認められるものの余り実用的なものではない。
【００１３】
　また、導体抵抗値の低減を目指したものとして、特開平３−２１９６０５号公報では、グリーンシートに凹部を形成し、その凹部内に導体ペーストを充填して厚膜導体の膜厚を厚くさせることにより、導体抵抗の低減を目指したものがあるが、グリーンシートに複雑な凹部のパターンを形成することは量産工法的に困難である。
【００１４】
　さらに、もう一つの例として、特開昭６０−１７６２０８号公報では、磁性体層とコイル形成用の約半ターンの導体を交互に積層する積層部品において、コイル形成用の導体として金属箔の打ち抜き導体パターンを用いることで、導体抵抗値の低減を実現したことが開示されている。しかし近年の部品の小型化に対応して、微小な平面部に導体を形成できるように金属箔を精度良く打ち抜くことは極めて困難であり、ましてや１ターン以上巻回する複雑なコイル状パターンを形成することは不可能である。また、打ち抜いた複数の金属箔を精度良くシート状磁性体層上に、一定ピッチで並べることも困難である。更にシート状磁性体層を挟んで上下に隣接する金属箔同士をそのパターンの端部で接続する際、接合技術が低いと接続不良を発生する場合もあり得るのである。
【００１５】
　また、別角度のアプローチとして、特公昭６４−４２８０９号公報、特開平４−３１４８７６号公報にフィルム上に形成された金属薄膜をセラミックグリーンシートに転写することにより、積層セラミックコンデンサを製造する方法が開示されている。
【００１６】
　すなわち、フィルム上に蒸着により形成された離型性を有する金属薄膜上に湿式メッキにより、所望の金属層を得、必要によりエッチング法で余分に形成された金属層を除去し、パターンを形成したものを被転写体（セラミックグリーンシート）に転写するというものである。
【００１７】
　この転写技法の応用により、コイル状導体線路を形成し、これを磁性体グリーンシートに転写することが可能である。
【００１８】
　即ちフィルム上に形成された比較的薄い（例えば１０μｍ以下）転写用金属薄膜をフォトレジスト法でエッチングし、ファインな導体パターン（例えば導体幅４０μｍ、ラインスペース４０μｍ等）を得ることにより、大きなインピーダンスを有するセラミック積層チップ型インダクタを得ることもできる。
【００１９】
　しかしながら上記転写技法では、比較的厚い（例えば１０μｍ以上）転写用金属膜をファインなパターン精度で得ようとすることは困難である。
【００２０】
　何故なら、上記のような湿式メッキを用いた転写技法では、いったんほぼ全面に形成された金属層をエッチング法により余分な金属層を除去するものであるから、金属層の厚みが厚ければ厚いほどファインな導体パターン形成が困難になる。
【００２１】
　また所望の金属パターンはエッチングレジストの下部に残っているので、金属パターンを被転写体に転写する前に必ずエッチングレジストを除去する必要があるが、エッチング用のレジストを剥離する際に、レジストと一緒に金属パターンが、剥離する場合もある。この現象も金属層の厚みが厚くなればなるほど、起こりやすくなる。これは、金属層の厚みが厚くなればなるほど、エッチングに要する時間が長くなり、金属薄膜層がエッチャントに侵されるために生じるものと推定される。
【００２２】
　従って、この技法を用いても、導体抵抗値を低くするという課題を十分解決することはできない。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
　上記課題を解決するために、本発明の積層型セラミックチップインダクタは、磁性体または絶縁体層と導体層とを交互に複数枚積層し、各導体層間を電気的接続することにより、コイル状導体線路を構成する積層型チップインダクタにおいて、前記導体層の少なくとも１つを電鋳法によりパターン形成したメッキ導体層としたものである。
【発明の効果】
【００２４】
　以上のように、本発明の積層型セラミックチップインダクタ及びその製造方法によれば、コイル状導体線路を電鋳（メッキ）技法を用いて形成するので、フォトレジストの解像度次第で数ミクロン以上のパターン幅が高精度に得られるため、微少なチップ部品のエリア内に、印刷技法で導体を形成する場合よりも、より巻数の多いコイル状導体線路を得ることができる。
【００２５】
　従って、低積層数でも大きなインピーダンス値を得ることができる。
【００２６】
　また導体膜厚は、フォトレジストの膜厚とメッキ条件次第でサブミクロン〜数十ミクロン、あるいは条件次第では、数ミリの厚みを実現することが可能であるため、導体抵抗値を容易にコントロールでき、膜厚を厚くすることにより、微細パターンでありながら導体抵抗値を低減することができる。
【００２７】
　一方、厚膜導体のみでコイルパターンを形成する場合と異なり、焼成前から比較的に緻密な膜が得られるため、焼成後の導体厚みの収縮が比較的小さく、磁性体層と導体層とのデラミネーションの発生も皆無である。
【００２８】
　また、全く収縮しない金属箔のみでコイルパターンを形成する場合と異なり、焼結時にクラックを発生することは少ない。
【００２９】
　更に、導体のパターン精度、導体の緻密性により、製品特性上の信頼性も高くなるものである。
【００３０】
　以上のように、本発明の積層型セラミックチップインダクタ及びその製造方法によれば、低積層化、高インピーダンス化および低導体抵抗化を同時に実現することができるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
　（実施の形態１）
　以下、本発明の実施の形態１を図面を用いて説明する。
【００３２】
　図１は本発明の実施の形態１における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図である。
【００３３】
　なお、以下図面は都合上１個片分の積層型セラミックチップインダクタのみを図示するが、実際の製造工程では、平面上に複数個同時に形成されており、積層後個片に分割するものとする。
【００３４】
　図１において１，３，６はシート状磁性体層である。２，５は所望のパターンを有するレジスト膜を形成した後メッキにより導体パターンを形成する電鋳法で形成され、それぞれシート状磁性体層１，６に転写される巻回コイル状メッキ導体である。４は巻回コイル状メッキ導体２，５を互いに接続するための貫通孔である。
【００３５】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法を以下に示す。
【００３６】
　まず初めに、電鋳法による転写用の巻回コイル状メッキ導体２，５の作製法を図２を用いて説明する。
【００３７】
　図２に示すように、ベースステンレス板８全面に導電性を有する離型処理層として、ストライクＡｇメッキを施すことにより、厚み０．１μｍ以下のＡｇ離型層９を得る。
【００３８】
　ここで、ストライクＡｇメッキとしては、ごく一般的なアルカリシアン系のＡｇメッキ浴を用いることができる。アルカリシアン系のＡｇメッキ浴の一例として（表１）にメッキ浴の構成を例示する。
【００３９】
【表１】
2004006964.tif 000003
【００４０】
　（表１）のＡｇメッキ浴の場合で、５〜２０秒程度で、約０．１μｍのＡｇ離型層９を得ることができる。
【００４１】
　ところで、Ａｇ離型層９が離型性を有するのは、Ａｇとの密着性が乏しいベースステンレス板８上に、Ａｇ膜をストライク（高速）メッキするので、Ａｇ膜の膜中に歪みが多く発生し、Ａｇ膜がベースステンレス板８と強固に密着できないためと考えられる。
【００４２】
　またＡｇ離型層９とベースステンレス板８の、より最適な離型性を得るため、ベースステンレス板８の表面を表面粗さ（Ｒａ）が約０．０５μｍ〜約１μｍの範囲に調整する（粗す）ことが望ましい。
【００４３】
　表面を粗す方法として、酸処理やブラスト処理等を用いることができる。
【００４４】
　表面粗さ（Ｒａ）が約０．０５μｍ以下の場合、Ａｇ離型層９とベースステンレス板８の密着性が不十分になり、以降の工程の途中でＡｇ離型層９が剥離する場合があり、また表面粗さ（Ｒａ）が約１μｍ以上の場合、Ａｇ離型層９とベースステンレス板８の密着性が良すぎて、Ａｇ離型層９の磁性体層への転写が良好に行えなかったり、メッキレジストパターン１１の解像度が低下する場合がある。
【００４５】
　一方、ベースステンレス板８の表面を適度に粗すことにより、次工程で形成されるメッキレジストパターン１１の密着性を向上させる効果や、メッキレジストパターン１１の剥離工程におけるＡｇ離型層９の離型防止効果が向上するという副次的効果も生じる。
【００４６】
　なお、Ａｇ離型層９は、銀鏡反応を利用して形成することもできる。
【００４７】
　更にベース金属板としては、ステンレス以外の材料を用いて導電性を有するように離型処理することも可能である。主な使用可能材料とその離型処理方法を（表２）に列挙する。
【００４８】
【表２】
2004006964.tif 000004
【００４９】
　また、ベース金属板以外に銅箔をラミネートしたプログラム基板やペットフィルム等に導電性を付与することにより、同様の効果を持たせることも可能であるが、金属板の方が、わざわざ導電性を付与する必要も無く効率的である。
【００５０】
　特にステンレス板は、化学的に安定で、かつ表面にクロム系の酸化膜を有するため、離型性も良く、最も容易に用いることが可能である。
【００５１】
　このように、Ａｇ離型層９を形成した後、Ａｇ離型層９上にドライフィルムレジストをラミネートし、予備乾燥後、２．０×１．２５ｍｍ2サイズの平面内に幅７０μｍ、約２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体形成用のフォトマスクを用いて露光・現像し、厚みＴ＝５５μｍのメッキレジストパターン１１を形成する。
【００５２】
　フォトレジストとしては、各種メッキレジスト（液状、ペースト状、ドライフィルム）が利用できる。ドライフィルムに関しては、レジスト厚みが一定であり、導体膜の厚みを比較的精度良くコントロールできるが、レジスト感度の程度から、導体パターン精度幅が約５０μｍ以上のパターン形成用に用いるのが好ましい。
【００５３】
　液状フォトレジストの場合、数ミクロン幅の導体パターン精度を得ることも可能である。
【００５４】
　最も一般的なペースト状フォトレジストの場合で、４０μｍ程度の導体幅と３０〜４０μｍ程度の厚みの導体パターンを得ることができる。
【００５５】
　この場合、例えば２．０×１．２５ｍｍ2サイズの平面内に５ターン程度の巻回導体パターンを、１．６×０．８ｍｍ2サイズの平面内に３ターン程度のパターンを容易に形成できる。
【００５６】
　また、それぞれのレジストの特性に応じて、レジスト膜のコーティング方法も、印刷、スピンコート、ロールコート、ディップ、ラミネート等の方法を選択することができる。
【００５７】
　露光は、平行光のＵＶ露光器で行い、露光時間、光量等の条件は、各種レジストの特性に合わせれば良い。
【００５８】
　さらに、現像は各種レジストの専用の現像液を用いれば良い。
【００５９】
　また必要により、現像後ＵＶ光の再露光や、ポストキュアを行い、レジスト膜の耐薬品性を向上させることもできる。
【００６０】
　次に、メッキレジストパターン１１を形成した後、Ａｇの電気メッキ浴に浸漬し、必要な厚みｔの転写用のＡｇ導体パターン１０を形成する。本実施例ではｔ＝約５０μｍとなるように形成した。
【００６１】
　この工程における最も注意すべき点は、一般的なアルカリ性のＡｇメッキ浴を用いないということである。
【００６２】
　何故なら、アルカリ浴の場合、メッキレジスト膜の剥離液として機能するため、前工程でパターン作製したメッキレジストパターン１１が破壊されてしまうためである。
【００６３】
　従って、弱アルカリ性（中性）あるいは酸性のＡｇメッキ浴を用いる必要がある。弱アルカリ性（中性）のメッキ浴としては（表３）に示すようなものを用いることができる。
【００６４】
【表３】
2004006964.tif 000005
【００６５】
　ｐＨ調整はアンモニアとクエン酸で行うが、種々の実験の結果、ｐＨが８．５を越えるとほとんどのメッキレジストが剥離する。
【００６６】
　従って、ｐＨを少なくとも８．５以下に設定することが望ましい。
【００６７】
　その他酸性のメッキ浴として、（表４）に示すようなものを用いることができる。
【００６８】
【表４】
2004006964.tif 000006
【００６９】
　このような（表４）に示すＡｇメッキ浴は、酸性のため、メッキレジストの剥離は見られなかった。さらに界面活性剤（メチルイミダゾールチオール、フルフラール、ロート油等）の添加により、Ａｇ光沢を増し表面をさらに平滑にすることもできた。
【００７０】
　本実施例では、（表３）に示す弱アルカリ（中性）浴を用いた。ｐＨは７．３とした。
【００７１】
　但し、メッキ処理における電流密度は１Ａ／ｄｍ2程度とした。
【００７２】
　これは、高速にメッキを行うため、電流密度を大きくすると、Ａｇ導体パターン１０に歪みが大きく生じ、パターンを転写する以前にＡｇ膜が剥離してしまう場合があるからである。
【００７３】
　なお、本実施例においては、厚み約５０μｍのＡｇ導体パターン１０を得るのに約２６０分のメッキ時間を要した。
【００７４】
　ところで、Ａｇ離型層９は、ストライクＡｇメッキ浴（アルカリ性）で形成されたが、上記に示したような弱アルカリ性（中性）または酸性浴中で、最初の数分間のみ電流密度を大きくし、Ａｇ膜の歪みを大きくすることでベースステンレス板８との界面付近のＡｇ膜に離型性を付与することも可能である。
【００７５】
　この場合、図３に示すような構成となり、わざわざＡｇ離型層９を設ける必要は無い。
【００７６】
　次に、メッキレジストパターン１１を剥離し、図４に示すような構造を得る。
【００７７】
　メッキレジストパターン１１の剥離液もメッキレジスト膜専用のものを用いれば良いが、通常はＮａＯＨの約５％溶液（液温約４０℃）に浸漬すれば約１分程度で剥離することができる。
【００７８】
　メッキレジストパターン１１の剥離終了後、約０．１μｍのＡｇ剥離型９を希硝酸（５％）を用いて、ソフトエッチング（エッチング時間は数秒）することにより、図５に示すように独立した巻回コイル状のＡｇ導体パターン１０をベースステンレス板上に得る。このＡｇ導体パターン１０が図１に示す約２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体２，５となるのである。
【００７９】
　Ａｇ離型層９のソフトエッチャントとしては、前述の希硝酸以外に、無水クロム酸の硫酸浴や塩化第２鉄の塩酸浴等も使用できる。
【００８０】
　なお、エッチング時間にして、わずか数秒のソフトエッチング程度で、巻回コイル状メッキ導体パターンの下に位置するＡｇ離型層がエッチングされ巻回コイル状メッキ導体パターンが剥離することはない。
【００８１】
　次に、シート状磁性体層１，３，６の形成方法について述べる。
【００８２】
　まず、ブチラール、アクリル、エチルセルロース等の樹脂をイソプロピルアルコール、ブタノール等の低沸点アルコールまたはトルエン、キシレン等の溶剤とジブチルフタレート等の可塑剤に溶解させたビヒクルとＮｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平均粒径０．５〜２．０μｍ）とを混練してなるペースト（スラリー）状フェライトをドクターブレード法でペットフィルム上に形成し、８０〜１００℃程度で粘着性を少し残した状態になるまで乾燥させる。
【００８３】
　各シート状磁性体層１，３，６の厚みとしては、シート状磁性体層１，６は厚み０．３〜０．５ｍｍ程度になるように形成し、シート状磁性体層３は、厚さ２０〜１００μｍ程度に形成した後、パンチング等により、０．１５〜０．３ｍｍ角程度の貫通孔４を貫通させる。
【００８４】
　次に、各巻回コイル状メッキ導体２，５と各シート状磁性体層１，３，６を転写積層する転写工程について説明する。
【００８５】
　まず、ペットフィルム上に形成されたシート状磁性体層１に、すでに形成済みの巻回コイル状メッキ導体２を押し当て転写する（必要により、加圧、加熱しても良い）。あるいは、シート状磁性体層１を一旦ペットフィルムから離型し、シート状磁性体層１の粘着性を有する可塑剤面側（ペットフィルムと接していた面側）に巻回コイル状メッキ導体２を押し当て転写しても良い。
【００８６】
　このとき巻回コイル状メッキ導体２は、ベースステンレス板８と程良い離型性を有しており、一方シート状磁性体層１に対しては程良い粘着性があり、またコイル状メッキ導体２が、転写プロセスの過程でシート状磁性体層１の圧縮変形により食い込むため、シート状磁性体層１をベースステンレス板８から、引き剥がすことにより、巻回コイル状メッキ導体２は容易にシート状磁性体層１に転写される。
【００８７】
　また、このときシート状磁性体層１のシート強度が不足している場合には、シート状磁性体層１の上に粘着性シートを張り付けることにより、シート状磁性体層の強度不足を補うこともできる。
【００８８】
　さらに同様のプロセスにより、巻回コイル状メッキ導体５をシート状磁性体層６に転写する。
【００８９】
　さらにこうして得た２つの巻回コイル状メッキ導体２，５を転写したシート状磁性体層１，６の間にシート状磁性体層３を配置し、貫通孔４を通じて２つの巻回コイル状メッキ導体２，５が互いに接続されるように積層し、加熱（６０〜１２０℃）・加圧（２０〜５００ｋｇ／ｃｍ2）することで層間の接続を完全にする。
【００９０】
　ただし、２つの巻回コイル状メッキ導体２，５の、電気的接合は厚膜導体を介した方がよりオーミックな接続が得られる場合が多いため、図１３に示すように、好ましくは、シート状磁性体層３の貫通孔４には、予め印刷厚膜導体７を印刷し充填するか、あるいは、貫通孔４と略同じ大きさのバンプ状のメッキ導体７を転写した方が望ましい。
【００９１】
　以上のプロセスにおいては、製造上の効率を向上させるため同時に複数の積層型セラミックチップインダクタを得るため、一枚のシートに複数の導体パターンが形成されるのが一般的である。従って、シートを各個片に切断した後、８５０〜９５０℃、１〜２時間程度で焼成する。また、焼結後に切断しても良い。
【００９２】
　最後に、切断した個片の相対する外片部に内部の巻回コイル状メッキ導体と電気的に接続されるように、銀合金系の取り出し電極を形成し、６００〜８５０℃程度で、焼結させることにより、図６に示す外部電極１２を形成する。さらに必要により、外部電極１２上にＮｉ、ハンダ等のメッキを施すものである。
【００９３】
　このようなプロセスにより、外形２．０×１．２５ｍｍ、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチップインダクタを得た。内部導体は約２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体２および５の２層構造となっており、合計５ターンの巻回コイル状メッキ導体線路を有しているため、周波数１００ＭＨｚでのインピーダンス値は、約７００Ω得ることができた。
【００９４】
　直流抵抗値は、Ａｇ導体厚みが約５０μｍあるため、極めて小さく約０．１２Ωにすることができた。
【００９５】
　また、本実施例による、積層セラミックチップインダクタを切断して観察したところ、Ａｇ導体と磁性体層の界面に特には隙間のようなものは観察されなかった。
【００９６】
　これは、本発明による電鋳法により形成された巻回コイル状メッキ導体は、焼成による収縮率が４０〜６０％である厚膜導体で形成される場合と異なり、焼成による収縮が比較的小さい（５〜１０％）ため、Ａｇ導体の周りに磁性体（焼結収縮率５〜２０％）が緻密に焼結したためと考えられる。
【００９７】
　また、巻回コイル状メッキ導体が金属箔の場合には、金属箔がメッキ膜と比較して緻密であるので、熱膨張し、ほとんど収縮しないため、磁性体の焼結収縮との収縮率の相違によるクラックを生じる場合があるが、本実施例による電鋳法により形成された巻回コイル状メッキ導体の場合はクラックを生じることは少ない。
【００９８】
　（実施の形態２）
　以下、本発明の実施の形態２を図面を用いて、説明する。
【００９９】
　図７は本発明の実施の形態２における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図である。
【０１００】
　図７において１３，１８はシート状磁性体層、１５は貫通孔１６を形成したシート状磁性体層である。１４は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体、１７は貫通孔１６を形成したシート状磁性体層に印刷された厚膜導体である。電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体１４と印刷された厚膜導体１７は、貫通孔１６を介して互いに接続する。
【０１０１】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法を以下に示す。
【０１０２】
　まず初めに、転写用の巻回コイル状メッキ導体１４の作製は、実施の形態１と同様の電鋳法により行うことができる。
【０１０３】
　本実施例では、１．６×０．８ｍｍ2サイズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍのパターンルールで約３．５ターンのパターンを得た。
【０１０４】
　なお、使用したレジストは、印刷可能な高感度ペースト状レジストである。
【０１０５】
　次にシート状磁性体層１３，１５，１８の形成方法について述べる。
【０１０６】
　ブチラール、アクリル、エチルセルロース等の樹脂をターピネオール等の高沸点の溶剤とジブチルフタレート等の可塑剤に溶解させたビヒクルとＮｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平均粒径０．５〜２．０μｍ）とを混練してなるペースト状フェライトをメタルマスクを用いて印刷でペットフィルム上に形成する。その後、８０〜１００℃程度で乾燥させ（必要により印刷・乾燥を数回繰り返し）、厚み０．３〜０．５ｍｍ程度になるように形成されたシート状磁性体層１３，１８を得る。
【０１０７】
　あるいは、上記の方法以外に、５０〜１００μｍ程度に印刷・乾燥されたシート状磁性体層を数枚積層することにより各シート状磁性体層１３，１８を得ることもできる。
【０１０８】
　なお、シート状磁性体層１５については、スクリーン印刷にてペットフィルム上に貫通孔１６を有するパターンを形成し、厚みは４０〜１００μｍ程度になるように調整する。
【０１０９】
　まずペットフィルム上に形成されたシート状磁性体層１３に、すでに形成済みの巻回コイル状メッキ導体１４を押し当て転写する。加圧条件は２０〜１００ｋｇ／ｃｍ2、加熱条件は６０〜１２０℃の範囲から選ばれるのが好ましい。
【０１１０】
　このとき巻回コイル状メッキ導体１４は、ベースステンレス板と程良い離型性を有しているとともに、シート状磁性体層１３に対しては程良い粘着性がある。さらに巻回コイル状メッキ導体１４は、パターン幅が４０μｍと比較的狭いため、シート状磁性体層１３に多少食い込む効果も有るので、巻回コイル状メッキ導体１４は容易にシート状磁性体層１３に転写される。
【０１１１】
　なお、実施例１と同様にシート状磁性体層１３の可塑剤面側に巻回コイル状メッキ導体１４を押し当てることにより転写することもできる。
【０１１２】
　続いて、貫通孔１６を有するシート状磁性体層１５に厚膜導体１７を印刷する。
【０１１３】
　さらに、こうして得た巻回コイル状メッキ導体１４を転写したシート状磁性体層１３と厚膜導体１７が印刷されたシート状磁性体層１５を重ね、貫通孔１６を介して、巻回コイル状メッキ導体１４と厚膜導体１７が互いに接続されるように積層し、さらにその上部にシート状磁性体層１８を積層し、加熱・加圧し、一体積層体とする。
【０１１４】
　以上のプロセスにおいては、製造上の効率を向上させるため同時に複数の積層型セラミックチップインダクタを得るため、一枚のシートに複数の導体パターンが形成する。従って、シートを各個片に切断した後、８５０〜９５０℃、１〜２時間程度で焼成する。
【０１１５】
　最後に切断した個片の相対する両端部に内部の巻回コイル状メッキ導体と接続するように、取り出し電極を形成し、６００〜８５０℃程度で、焼結させることにより、図６に示す外部電極１２を形成する。さらに必要により、外部電極１２上にＮｉ、ハンダ等のメッキを施すものである。
【０１１６】
　このようなプロセスにより、外形１．６×０．８ｍｍ2、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチップインダクタを得た。内部導体は約３．５ターンの巻回コイル状メッキ導体１４と貫通孔を介して接続される直線状の厚膜導体１７の、２層構造となっており、合計３．５ターンの巻回コイル状メッキ導体線路を有しているため、１００ＭＨｚにおけるインピーダンスは、約３００Ωとして得ることができた。
【０１１７】
　直流抵抗値は、Ａｇ導体厚みが約３５μｍあるため、約０．１９Ωにすることができた。
【０１１８】
　なお、本実施例では、転写用の巻回コイル状メッキ導体１４と厚膜導体１７の２つの導体のみからなっているが、必要により複数の転写用の巻回コイル状メッキ導体１４と複数の厚膜導体１７とを交互に接続しても構わない。
【０１１９】
　また本実施例のように、厚膜導体と巻回コイル状メッキ導体とを組み合わせることにより、巻回コイル状メッキ導体同士を接続する場合に比べ更に接続信頼性が増すものである。
【０１２０】
　これは、厚膜導体が積層時に変形しやすいため、巻回コイル状メッキ導体との密着性が高まった状態で焼結されるためであると推定される。
【０１２１】
　（実施の形態３）
　以下、本発明の実施の形態３を図面を用いて、説明する。
【０１２２】
　図８は本発明の実施の形態３における積層型セラミックチップインダクタ構造を示す分解斜視図である。
【０１２３】
　図８において１９，２４はシート状磁性体層、２１は貫通孔２２を有するシート状磁性体層である。２０，２３は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体である。２５はシート状磁性体層２１に形成された貫通孔２２を充填するように印刷された厚膜導体である。電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体２０，２３と印刷された厚膜導体２５は、貫通孔２２を介して互いに接続する。
【０１２４】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法を以下に示す。
【０１２５】
　まず初めに、電鋳法による転写用の巻回コイル状メッキ導体２０，２３の作製法は、実施の形態１と同様の電鋳法により行うことができる。
【０１２６】
　本実施例では、１．６×０．８ｍｍ2サイズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍのパターンルールで、転写用の巻回コイル状メッキ導体２０は、約３．５ターン、転写用の巻回コイル状メッキ導体２３として約２．５ターンのパターンを得た。
【０１２７】
　なお、使用したレジストは、印刷可能な高感度ペースト状レジストである。
【０１２８】
　次にシート状磁性体層１９，２１，２４の形成方法について述べる。
【０１２９】
　ブチラール、アクリル、エチルセルロース等の樹脂をターピネオール等の高沸点の溶剤とジブチルフタレート等の可塑剤に溶解させたビヒクルとＮｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平均粒系０．５〜２．０μｍ）とを混練してなるペースト状フェライトをメタルマスクを用いて印刷でペットフィルム上に形成し、８０〜１００℃程度で粘着性を少し残した状態になるまで乾燥させ、厚み０．３〜０．５ｍｍ程度になるように形成されたシート状磁性体層１９，２４を得る。シート状磁性体層２１は、スクリーン印刷にてペットフィルム上に貫通孔２２を有するパターンを形成し、厚みは４０〜１００μｍ程度になるように調整する。
【０１３０】
　さらに貫通孔２２に厚膜導体が充填されるように、厚膜導体２５を印刷する。
【０１３１】
　次にペットフィルム上に形成されたシート状磁性体層１９に、すでに形成済みの転写用の巻回コイル状メッキ導体２０を押し当て転写する（必要により、加圧、加熱する）。
【０１３２】
　同様に、転写用の巻回コイル状メッキ導体２３もシート状磁性体層２４に転写する。
【０１３３】
　このとき、シート状磁性体層２４の代わりにシート状磁性体層２１に転写しても構わない。
【０１３４】
　さらにこうして得た巻回コイル状メッキ導体２０が転写されたシート状磁性体層１９と巻回コイル状メッキ導体２３が転写されたシート状磁性体層２４の間に貫通孔２２を有するシート状磁性体層２１を配置し、貫通孔２２に充填された厚膜導体２５を介して、転写用の巻回コイル状メッキ導体２０と２３とが互いに接続するよう積層し、加熱・加圧し、一体積層体とする。
【０１３５】
　以上のプロセスにおいては、製造上の効率を向上させるため同時に複数の積層型セラミックチップインダクタを得るため、一枚のシートに複数の導体パターンが形成されるのが一般的である。従って、シートを各個片に切断し、その後、８５０〜１０００℃、１〜２時間程度で焼成する。
【０１３６】
　最後に、切断した個片の相対する両端部に内部の巻回コイル状メッキ導体と接続するように、取り出し電極を形成し、６００〜８５０℃程度で焼結させることにより、図６に示す外部電極１２を形成する。さらに、必要により外部電極１２上にＮｉ、ハンダ等のメッキを施すものである。
【０１３７】
　このようなプロセスにより、外形１．６×０．８ｍｍ2、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチップインダクタを得た。内部導体は導体幅約４０μｍ、約３．５ターンの巻回コイル状メッキ導体２０と、貫通孔を介して接続される約２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体２３との２層構造となっており、合計６ターンの巻回コイル状メッキ導体線路を有しているため、１００ＭＨｚにおいてインピーダンスは、約１０００Ω得ることができた。
【０１３８】
　直流抵抗値は、巻回コイル状メッキ導体の厚みが約３５μｍあるため、約０．３２Ωにすることができた。
【０１３９】
　（実施の形態４）
　以下、本発明の実施の形態４を図面を用いて説明する。
【０１４０】
　図９は本発明の実施の形態４における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図である。
【０１４１】
　図９において２６，３１はシート状磁性体層、２８は貫通孔２９を有するシート状磁性体層、２７，３０は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体である。
【０１４２】
　電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体２７，３０は、貫通孔２９を介して互いに接続する。
【０１４３】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法は、実施の形態１と同じであるので省略する。
【０１４４】
　本実施例により、外形２．０×１．２５ｍｍ2、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチップインダクタを得た。内部導体は導体幅約４０μｍ、約５．５ターンの巻回コイル状メッキ導体２７と貫通孔２９を介して接続される約２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体３０の２層構造となっており、合計８ターンの巻回コイル状メッキ導体線路を有しているため、１００ＭＨｚにおけるインピーダンスは、約１４００Ω得ることができた。
【０１４５】
　直流抵抗値は、巻回コイル状メッキ導体厚みが約３５μｍあるため、約０．４７Ωにすることができた。
【０１４６】
　（実施の形態５）
　以下、本発明の実施の形態５を図面を用いて、説明する。
【０１４７】
　本実施例における積層型セラミックチップインダクタは実施の形態２と同じ構造を有しているので、図７を用いて説明する。
【０１４８】
　図７において１３，１８はシート状磁性体層、１５は貫通孔１６を有するシート状磁性体層、１４は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体、１７は貫通孔１６を有するシート状磁性体層に印刷された厚膜導体で、電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体１４と印刷された厚膜導体１７とは、貫通孔１６を介して互いに接続する。
【０１４９】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法を以下に示す。
【０１５０】
　まず、実施の形態２と同様に、１．６×０．８ｍｍ2サイズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍのパターンルールで約３．５ターンのパターンの転写用の巻回コイル状メッキ導体１４を得た。
【０１５１】
　次に図１０を用いて、シート状磁性体層１３の形成方法について述べる。
【０１５２】
　ブチラール、アクリル、エチルセルロース等の樹脂をターピネオール等の高沸点の溶剤とジブチルフタレート等の可塑剤に溶解させたビヒクルとＮｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系のフェライト粉末（平均粒系０．５〜２．０μｍ）とを混練してなるペースト状フェライトをメタルマスクを用いてＡｇ導体パターン３４の形成されているベースステンレス板３２上に印刷し、８０〜１００℃程度で乾燥させ（必要により、印刷・乾燥を繰り返し）、厚み０．３〜０．５ｍｍ程度になるようにシート状磁性体層３３を形成する。
【０１５３】
　次にこのシート状磁性体層３３の上層から熱離型性シート３５を粘着させ（必要により加熱、加圧しても良い）、この熱離型性シート３５とともに、Ａｇ導体パターン３４とシート状磁性体層３３を同時にベースステンレス板３２から離型する。
【０１５４】
　このようにして巻回コイル状メッキ導体１４がシート状磁性体層１３上に形成されたグリーンシートを得ることができる。
【０１５５】
　また、必要により、シート状磁性体層３３を印刷形成する前に、Ａｇ導体パターン３４が形成されたベースステンレス板３２上に実施例１で図２に示すようなＡｇ離型層９を設けることもできる。
【０１５６】
　このようなＡｇ離型層により、シート状磁性体層３３とベースステンレス板３２との離型性をより良くすることができる。なお、Ａｇ離型層としては液状のフッ素系カップリング剤（パーフルオロデシルトリエトキシシラン等）をディップコートし、２００℃程度で乾燥形成できる。離型層の厚みは０．１μｍ程度が好適である。
【０１５７】
　一方、シート状磁性体層１５は、スクリーン印刷にてペットフィルム上に貫通孔１６を有するパターンに形成される。厚みは４０〜１００μｍ程度になるように調整され、このシートを巻回コイル状メッキ導体１４上に積層する。
【０１５８】
　積層時の加圧条件は２０〜５００ｋｇ／ｃｍ2、加熱条件は８０〜１２０℃の範囲から選ばれるのが好ましい。
【０１５９】
　本実施例においては、巻回コイル状メッキ導体１４は、シート状磁性体層１３に食い込んでおり、凹凸が少ないため、シート状磁性体層１５はシート状磁性体層１３上に容易に転写される。
【０１６０】
　次にシート状磁性体層１５上に貫通孔１６を介して巻回コイル状メッキ導体層１４と接続するように厚膜導体１７が印刷される。
【０１６１】
　さらにその上部にシート状磁性体層１８を積層し、加熱・加圧し、一体積層体とする。この場合シート状磁性体層１８を直接印刷積層しても構わない。
【０１６２】
　残りの工程（グリーンシートの切断、焼成、端面電極形成等）は、実施の形態２と全く同様である。
【０１６３】
　また本実施例における積層型セラミックチップインダクタの電気特性も実施の形態２と等価である。
【０１６４】
　（実施の形態６）
　以下、本発明の実施の形態６を図面を用いて、説明する。
【０１６５】
　本実施例は実施の形態２及び５と同じ構造を有しており、図７及び図１１を用いて説明する。
【０１６６】
　図７において１３，１８はシート状磁性体層、１５は貫通孔１６を有したシート状磁性体層である。１４は電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体、１７は貫通孔１６を有するシート状磁性体層に印刷された厚膜導体である。電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体１４と印刷された厚膜導体１７とは、貫通孔１６を介して互いに接続する。
【０１６７】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法において、転写用の巻回コイル状メッキ導体１４をシート状磁性体層１３に転写する工程を図１１を用いて以下に示す。
【０１６８】
　実施の形態２と同様に、１．６×０．８ｍｍ2サイズの平面内に幅約４０μｍ、厚さ３５μｍのパターンルールで約３．５ターンのＡｇ導体パターン３８（転写用の巻回コイル状メッキ導体１４と一致する）をベースステンレス板３６上に得た。Ａｇ導体パターン３８とベースステンレス板３６の間には導電性のＡｇ離型層（ストライクＡｇメッキ層）３７が形成される（図１１（ａ））。
【０１６９】
　次にＡｇ導体パターン３８の上部から加熱発泡することにより、ベースステンレス板３６からの熱離型性を有する発泡シート３９を貼り付ける（必要により、加熱、加圧しても良い）（図１１（ｂ））。
【０１７０】
　発泡シート３９は、粘着力が強いので、発泡シート３９をベースステンレス板３６から引き剥がすと、Ａｇ導体パターン３８及びＡｇ離型層３７が発泡シート３９に転写される（図１１（ｃ））。
【０１７１】
　予め、ペットフィルム等に印刷等の技法で形成されたシート状磁性体層４０（厚み５０μｍ〜５００μｍ）を、発泡シート３９上に転写されているＡｇ導体パターン３８上のＡｇ離型層３７の上部に積層する。この場合、シート状磁性体層４０の可塑剤面側をＡｇ離型層３７に接するように積層し、シート状磁性体層４０の総厚が０．３〜０．５ｍｍ程度になるまで積層を繰り返す（図１１（ｄ））。
【０１７２】
　勿論、必要により、積層時に加圧・加熱を適当な条件で行っても良い。
【０１７３】
　次に、前記シート状磁性体層４０、Ａｇ導体パターン３８、Ａｇ離型層３７、発泡シート３９からなる一体物を約１２０℃、１０分加熱し、発泡シート３９を発泡離型させることにより、Ａｇ導体パターン３８（図７の巻回コイル状メッキ導体１４に相当）と一体化したシート状磁性体層４０（図７のシート状磁性体層１３に相当）を得ることができる（図１１（ｅ））。
【０１７４】
　次に図７に示すように貫通孔１６を有するシート状磁性体層１５を巻回コイル状メッキ導体１４上に積層または印刷技法を用いて形成し、さらにシート状磁性体層１５上に貫通孔１６を介して巻回コイル状メッキ導体層１４と接続するように厚膜導体１７を積層または印刷する。
【０１７５】
　さらにその上部にシート状磁性体層１８を積層し、加熱・加圧し、一体積層体とする。この場合シート状磁性体層１８も直接印刷積層しても構わない。
【０１７６】
　残りの工程（グリーンシートの切断、焼成、端面電極形成等）は、実施例２と全く同様である。
【０１７７】
　また本実施例における積層型セラミックチップインダクタの電気特性も実施の形態２と等価であった。
【０１７８】
　なお、本実施例では蛇行したコイル状メッキ導体を用いたが、直線上の導体パターンを組合わせてコイルを形成しても良い。
【０１７９】
　（実施の形態７）
　以下、本発明の応用例として実施の形態７を図面を用いて、説明する。
【０１８０】
　図１２は本発明の実施の形態７における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図である。
【０１８１】
　図１２において４１，４３はシート状磁性体層、４２は電鋳法で形成された転写用の蛇行型コイル状メッキ導体である。
【０１８２】
　電鋳法で形成された転写用の蛇行型コイル状メッキ導体４２は積層型セラミックチップインダクタのチップの両端部に引き出されるように配置される。
【０１８３】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法は、実施の形態１と同様であるので省略する。
【０１８４】
　本実施例により、外形２．０×１．２５ｍｍ2、厚み０．８ｍｍの積層型セラミックチップインダクタを得た。内部導体は導体幅約５０μｍ、蛇行したコイル状メッキ導体が磁性体層の長手方向を貫通する構造となっており、１００ＭＨｚにおけるインピーダンスは、約１２０Ω得ることができた。
【０１８５】
　直流抵抗値は、蛇行型コイル状メッキ導体４２の厚みが約３５μｍで、約０．０８Ωにすることができた。
【０１８６】
　本実施例では蛇行したコイル状メッキ導体を用いたが、直線状のメッキ導体パターンを用いることも可能である。
【０１８７】
　以上の７つの実施例において、転写用の各巻回あるいは蛇行型コイル状メッキ導体として、すべてＡｇを用いたが、価格的なこと、固有抵抗値、耐酸化性を考慮しなければ、Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等、及びその合金も適宜使用することができる。
【０１８８】
　また、積層体はすべて、Ｎｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系磁性体からなる例のみ列挙したが、その他Ｎｉ・Ｚｎ系、Ｍｎ・Ｚｎ系等の磁性体や各種低誘電率の絶縁材料等を用いて、空心コイル特性を有する積層型セラミックチップインダクタを形成することも可能であることは言うまでもない。
【０１８９】
　（比較例）
　次に、上記各実施例に対する比較例を図面を用いて、説明する。
【０１９０】
　図１４は上記比較例における積層型セラミックチップインダクタの製造方法を示す斜視図である。
【０１９１】
　図１４において１０１，１１１はシート状磁性体層、１０２，１０４，１０６，１０８，１１０は、約半ターンの巻回コイル状メッキ導体を形成するための厚膜導体層である。
【０１９２】
　１０３，１０５，１０７，１０９は前記約半ターンの厚膜導体を積層するための絶縁層の役割を行うシート状磁性体層であって、約半ターンの導体層の縁端部のみ導体が露出されるように配置、積層されるものである。
【０１９３】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタの製造方法を以下に示す。
【０１９４】
　まず初めに、図１４（ａ）に示すように、フェライトペーストを矩形に印刷し、シート１０１を得る。次に、シート１０１上に導電ペーストを約１／２ターン印刷し、導体線路１０２を形成する（図１４（ｂ））。
【０１９５】
　さらに、導体線路１０２の一部を隠すように、フェライトペーストを印刷することにより、シート１０３を形成する（図１４（ｃ））。
【０１９６】
　そして、導体線路１０２端部に接続されるように、Ａｇ導電ペーストを印刷することにより、約１／２ターンの厚膜導体層１０４を形成する（図１４（ｄ））。
【０１９７】
　以下同様に、図１４（ｅ）〜（ｋ）に示すように印刷積層し、高温焼結し、合計２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体線路を有するセラミック積層体を得る。
【０１９８】
　本比較例では、１．６×０．８ｍｍサイズの平面内に幅約１５０μｍ、印刷乾燥厚さ１２μｍのパターンルールで導体パターンを得た。
【０１９９】
　内部導体は２．５ターンの巻回コイル状メッキ導体を有しているため、１００ＭＨｚにおけるインピーダンスは、約１５０Ω得ることができた。
【０２００】
　直流抵抗値は、焼結後の巻回コイル状メッキ導体厚みが約８μｍとなり、約０．１６Ωであった。
【０２０１】
　本比較例では計１１層もの積層構造でありながら、巻回コイル状メッキ導体は２．５ターンしか得られず、このため積層数の割りには、インピーダンスが小さく、また導体抵抗値もインピーダンス値に対して大きい。
【０２０２】
　また工程が煩雑で、各導体層間での接続信頼性にも乏しい。
【０２０３】
　ところで本比較例においても、各厚膜導体層を本実施例における電鋳法によるメッキ導体パターンを転写することにより形成して、導体抵抗値を下げることは可能であるが、積層数の低減、インピーダンス値の増加等の効果は期待できるものではない。
【０２０４】
　（実施の形態８）
　以下、本発明の実施の形態８を図面を用いて、説明する。
【０２０５】
　図１５は本発明の実施の形態８における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図である。
【０２０６】
　図１５において、２０１，２０６はシート状磁性体層、２０３は略中心部に貫通孔２０７を形成したシート状磁性体層、２０２，２０５は電鋳法により蛇行状に形成された転写用巻回コイル状メッキ導体、２０４はシート状磁性体層２０３の貫通孔２０７内に電鋳法で形成されたバンプ状メッキ導体で、電鋳法で形成された転写用の巻回コイル状メッキ導体２０２，２０５は貫通孔２０７に転写されたバンプ状メッキ導体２０４を介して電気的に接続されている。
【０２０７】
　以上のように構成された積層型セラミックチップインダクタについて、以下にその製造方法を示す。まず、電鋳法による転写用の巻回コイル状メッキ導体２０２，２０５及び前記巻回コイル状メッキ導体２０２，２０５をそれぞれ接続するバンプ状メッキ導体２０４の作製法を図１６を用いて説明する。図１６（ａ）に示すようにベースステンレス板２１０上に液状レジストをスクリーン印刷し、約１００℃で乾燥させ約２５μｍのレジスト膜２１１を得る。次に、レジスト膜２１１を所定の条件で平行光露光し、炭酸ソーダ水溶液を用いて直ちに現像を行う。次に、現像後、十分水洗し、さらにＨ2ＳＯ4５％溶液に０．５〜１ｍｍ浸漬させて酸活性処理し、大和化成製のシアンを含有しない中性タイプのストライク銀メッキを行い銀離型層２１２を得る。このストライク銀メッキの時間は、約１分（電流密度０．３Ａ／ｄｍ2）でメッキ膜厚約０．１μｍである。
【０２０８】
　次に、市販のシアンを含有しないＡｇメッキ液（大和化成）を使用し、ｐＨは約１．０で酸性浴で、電流密度１Ａ／ｄｍ2で約２０分のメッキ条件で、約２０μｍの厚みのＡｇメッキ膜２１３を作製する。
【０２０９】
　なお、本実施例で用いたシアンを含有しない銀メッキ液は毒性が全くなく、作業安全性、排液の処理の簡便化が図れ、作業効率の向上と製造コストの低減を可能とするものである。
【０２１０】
　次に、図１６（ｂ）に示すように、ＮａＯＨ５％溶液に浸漬することでレジスト膜２１１を剥離した。以上の方法で、１６０８サイズで巾３５μｍ、スペース２５μｍ、厚み２０μｍ、約２．５ターン相当の巻回コイル状メッキ導体２０２，２０５とシート状磁性体層２０３の貫通孔２０７の直径が０．１の貫通孔充てん用バンプ状Ａｇメッキパターン２０４を設けるものである。
【０２１１】
　次にシート状磁性体層２０１，２０３，２０６の形成方法について述べる。
【０２１２】
　まず、Ｎｉ・Ｚｎ・Ｃｕ系フェライトの高温仮焼粉（８００〜１１００℃）とブチラール、アクリル、エチルセルロース等の樹脂とトルエン、キシレン等の低沸点溶媒とジブチルフタレート等の可塑剤及び少量の添加剤とをポット混合して得られるスラリーをドクターブレード装置で成膜し、約１００μｍ及び４０μｍのグリーンシートを得る。
【０２１３】
　さらに約１００μｍのグリーンシートを４枚ラミネートし、約４００μｍのグリーンシート２０１，２０６を得る。一方、４０μｍのグリーンシートにパンチャー（金型ピンを用いて機械的に穴を開ける装置）を用いて直径０．１の貫通孔を開孔したグリーンシート２０３を作製する。
【０２１４】
　このようにして得られた、グリーンシート２０１，２０６を巻回コイル状メッキ導体２０２，２０５にそれぞれ熱プレスし、グリーンシート２０１，２０６をベースステンレス板より離形することで巻回コイル状メッキ導体の転写されたシート状磁性体層２０１，２０６を得る。また、同様にバンプ状Ａｇメッキパターン２０４を直径０．１の貫通孔を有するグリーンシート２０３を位置合わせのうえ転写することにより、バンプ状Ａｇメッキパターンの転写されたシート状磁性体層２０３を得る。
【０２１５】
　この時熱転写条件は１００℃、７０ｋｇ／ｃｍ2、５ｓｅｃであり、図１７（ａ）に示すように、各グリーンシートにメッキ導体が食い込むように転写される。
【０２１６】
　このようにして得たシート状磁性体層２０１，２０３，２０６をそれぞれが電気的に接続され、１つのコイルとして形成されるように位置合わせのされるように順次積層してこの積層体を９００〜９２０℃で焼成し、外形サイズ１．６×０．８厚み約０．８の積層体を得る。
【０２１７】
　なお一般にフェライト粉末は焼結緻密性を増すため、７００〜８００℃で仮焼された、フェライト微粉末（０．２〜１．０μｍ）を用い、焼結過程に於いて１５〜２０％程度収縮させるのが普通であるが、本実施例では８００〜１１００℃の高温仮焼粉（１〜３μｍ）を用い焼結収縮を２〜１０％程に抑制した。これは、Ａｇメッキ導体が、焼結過程で、わずかしか収縮しないため、極力収縮率をマッチングさせ焼結後の内部歪を減少させるためである。
【０２１８】
　但し、一般に粉体の仮焼温度を上げていくと、収縮率は低下するが、反面磁気特性を劣化させる。従って、磁気特性の劣化を極力おさえる添加剤を加えることが重要である。
【０２１９】
　研究の結果、収縮率を維持したまま磁気特性劣化を抑制する添加剤としてオクチル酸鉛等の有機鉛化合物を微量（フェライトの０．１〜１．０％）添加することが有効であることを見い出した。
【０２２０】
　これは有機鉛化合物はフェライトスラリー中に極めて良く分散するため、フェライト粉末の粒界に焼成過程で熱分解した原子状の原子金属Ｐｂまたは原子状のＰｂＯが効率良く効果的に溶け込み焼結性を向上させるためと考えられる。
【０２２１】
　一方ＰｂＯ等の粉末は比重が重いため、スラリー中でフェライトと分離しやすく、分散性が悪い。更にフェライト粉反応性も、有機鉛化合物の熱分解により生じた物質（原子状の金属鉛または原子状のＰｂＯ）より劣る。従って、ＰｂＯ等の酸化物粉末の添加はあまり効果はない。
【０２２２】
　また、高温化燃料のかわりに無収縮フェライトを導入することも有効である。
【０２２３】
　これは、Ｎｉ・Ｚｎ・ＣｕフェライトのＦｅ2Ｏ3となる部分Ｆｅ2Ｏ3をあらかじめ減らして仮焼した粉体を作製しておき、別途金属Ｆｅ粉及び未反応のＮｉＯ，ＺｎＯ，ＣｕＯを加えることで焼結過程で、金属Ｆｅ粉がＦｅ2Ｏ3と酸化され膨張する割合といわゆる一般の焼結収縮の割合を調節することにより、焼結収縮を無くしたものである。具体例は（表５）に述べる。
【０２２４】
【表５】
2004006964.tif 000007
【０２２５】
　（表５）に示すように低収縮フェライト粉または無収縮フェライト粉を用いて、チップビーズを作製することも容易である。
【０２２６】
　さらに最終工程として、チップのバリ取りや外部電極形成及び外部電極メッキ（Ｎｉ、ハンダ）を行うことにより、チップビーズが完成する。なお、電気特性は使用する材料により多少異なるため（表６）に示す。なお焼結温度は９１０℃で、１時間ｋｅｅｐした場合のデータを示すものとする。
【０２２７】
【表６】
2004006964.tif 000008
【産業上の利用可能性】
【０２２８】
　本発明に係る積層型セラミックチップインダクタおよびその製造方法は、低積層数でも大きなインピーダンス値を得ることができ、ノイズ対策部品などデジタル機器の小型・薄型化に伴う高密度実装回路等の用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０２２９】
【図１】本発明の第１の実施例における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
【図２】同第１の実施例における積層型セラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図
【図３】同実施例における積層型セラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図
【図４】同実施例における積層型セラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図
【図５】同実施例における積層型セラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図
【図６】同各実施例における積層型セラミックチップインダクタの外観斜視図
【図７】同第２、第５および第６の実施例における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
【図８】同第３の実施例における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
【図９】同第４の実施例における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
【図１０】同第５の実施例における積層型セラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図
【図１１】同第６の実施例における積層型セラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図
【図１２】同第７の実施例における積層型セラミックチップインダクタの構造を示す分解斜視図
【図１３】本発明の第１の実施例における積層セラミックチップインダクタの構造の他の一例を示す部分斜視図
【図１４】同各実施例に対する比較例としての積層型セラミックチップインダクタの製造工程を示す説明図
【図１５】同第８の実施例における積層型セラミックインダクタの構造を示す分解斜視図
【図１６】同工程を説明する図
【図１７】同工程を説明する図
【符号の説明】
【０２３０】
　１，３，６，１３，１５，１８，１９，２１，２４，２６，２８，３１，３３，４０，４１，４３　シート状磁性体層
　２，５，１４，２０，２３，２７，３０　巻回コイル状メッキ導体
　４，１６　貫通孔
　８，３２，３６　ベースステンレス板
　９，３７　Ａｇ離型層
　１０，３４，３８　Ａｇ導体パターン
　１１　メッキレジストパターン
　１２　外部電極
　１７，２５　厚膜導体
　３９　発泡シート
　４２　蛇行型コイル状メッキ導体
【図１】
2004006964.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2004006964.tif 000024
【図１７】
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