(57)【要約】【課題】熱圧着フィルム搬送用のコレットからの熱圧着フィルムのリリースが容易に行えるようにする。【解決手段】熱圧着フィルム搬送用のコレット３６の吸着面は、凸面３６ａと、凸面３６ａの頂部を外した側方部のテーパ面３６ｂとから構成され、その吸着面に、フッ素樹脂コーティング、あるいはフッ素樹脂フィルムの貼り付けなどの表面処理部３８が設けられている。また、吸引孔３７は、凸面側方部に設けられている。かかる構成のコレット３６を使用すれば、熱圧着フィルムの移載に際してリリースが容易に行われ、熱圧着フィルムの貼り付きが防止できる。【選択図】　　図３
2004006599.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱圧着フィルムをコレットにより搬送する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記コレットの表面には、前記熱圧着フィルムの貼り付きを防止する表面処理が施されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
熱圧着フィルムをコレットにより搬送する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記コレットの表面には、前記熱圧着フィルムの貼り付きを防止するフッ素樹脂コーティング処理、あるいは、フッ素樹脂フィルムの貼付がなされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
熱圧着フィルムを接合材とするフィルムダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記熱圧着フィルムを搬送するコレットの前記熱圧着フィルムの吸着面は凸面に形成され、前記凸面の頂部を外した側方部に真空吸着用の吸引孔が設けられ、
前記吸着面には、フッ素樹脂コーティング処理、あるいは、フッ素樹脂フィルムの貼付がなされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
熱圧着フィルムを接合材とするフィルムダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記熱圧着フィルムを搬送するコレットの前記熱圧着フィルムの吸着面には、真空吸着用の吸引孔の開口部に通じる通溝が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
接合材としての熱圧着フィルムを、被圧着側に、仮圧着、本圧着の順で接合するフィルムダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記仮圧着に際しては、前記熱圧着フィルムと前記被圧着側との間に形成された空隙が前記熱圧着フィルムの外側に通じるように仮圧着を行い、
前記本圧着に際しては、前記空隙を押しつぶすようにして気泡残りを発生させずに本圧着を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
熱圧着フィルムを接合材とするフィルムダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記熱圧着フィルムを搬送するコレットの吸着面は、多孔性吸着面に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
熱圧着フィルムをコレットにより搬送する機能を有する半導体製造装置であって、
前記コレットの前記熱圧着フィルムの吸着面には、前記熱圧着フィルムの貼り付きを防止する表面処理が施されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
熱圧着フィルムを接合材としてフィルムダイボンディングを行う半導体製造装置であって、
前記熱圧着フィルムを搬送するコレットの前記熱圧着フィルムの吸着面は凸面に形成され、前記凸面の頂部を外した側方部に真空吸着用の吸引孔が設けられ、
前記吸着面には、前記熱圧着フィルムの貼り付きを防止するフッ素樹脂コーティング処理、あるいは、フッ素樹脂フィルムの貼付がなされていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
熱圧着フィルムを接合材としてフィルムダイボンディングを行う半導体製造装置であって、
前記熱圧着フィルムを搬送するコレットの前記熱圧着フィルムの吸着面は凸面に形成され、前記凸面の頂部を外した側方部には真空吸着用の吸引孔が設けられ、前記吸引孔には前記側方部に設けた溝が通じさせられ、
前記吸着面には、前記熱圧着フィルムの貼り付きを防止するフッ素樹脂コーティング処理、あるいは、フッ素樹脂フィルムの貼付がなされていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】
熱圧着フィルムを接合材としてフィルムダイボンディングを行う半導体製造装置であって、
前記熱圧着フィルムを搬送するコレットの前記熱圧着フィルムの吸着面は、多孔性吸着面に形成されていることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体装置の製造工程において、コレットにより搬送される熱圧着フィルムを接合材としてダイパッド上にダイボンディングする際の前記熱圧着フィルムの貼り付き防止技術に適用して有効なものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
半導体装置の製造工程の一つとして、前工程で形成された半導体チップを、リードフレームあるいは基板のダイパッド上に移載して固定するダイボンディング工程がある。チップのダイパッド上への固定には、例えば、ダイパッド上にペースト状の接合用樹脂を吐出し、その上にチップを移載して圧着する樹脂接合法がある。
【０００４】
しかし、かかる樹脂接合法では、チップの圧着時に接合用樹脂がチップ周囲にはみ出すなどの障害が発生する場合が見られる。そこで、かかる障害を回避する方法として、接合用樹脂を両面接着性の熱圧着フィルムに形成し、これを所定の大きさに切断してダイパッド上に供給し、このフィルムを介して熱圧着する方法が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記接合用樹脂フィルムを用いたダイボンディング技術においては、以下の課題があることを本発明者は見出した。
【０００６】
すなわち、ダイパッド上に供給されるフィルムは、コレットに吸着された状態で搬送され、所定位置に搬送された後は、コレットの真空解除によりダイパッド上に押しつけるようにして載置される。
【０００７】
しかし、かかるフィルムの載置に際しては、コレット表面にフィルムが貼り付いて、真空解除してもダイパッド上にフィルムが載置されない場合が発生する。
【０００８】
そこで、フィルムリリース時のコレット表面へのフィルムの貼り付きを防止するため、フィルムがコレットでダイパッド上に押しつけられた際に、フィルムがダイパッド側に、コレット表面への貼り付き力より強く接着されるように、ダイパッドの温度を例えば、１２０℃などのような高温に予熱しておく方法が採用されている。
【０００９】
しかし、ダイパッドをかかる高温に予め加熱しておくと、薄い樹脂成形品であるリードフレームなどのダイパッドでは、熱による歪みが発生し易く、かかる熱歪みは後作業で取り除くことが難しい。
【００１０】
また、ダイパッドに発生した上記熱歪みは、ダイパッドとフィルムとの接着部における気泡（ボイドとも言う）の原因ともなる。例えば、ダイパッドの接着面側に波打ち状の熱歪みが発生した場合には、その上に載置された平坦なフィルムとの間には、波打ち状の熱歪み部分の谷部と平らなフィルム面との間に微小空隙が発生することとなる。
【００１１】
かかる微小空隙を残した状態でフィルムがダイパッドに熱圧着されると、フィルムとダイパッドとは、波打ち状の熱歪み部分の山部分では接着されているものの、谷部分では接着されず微小空隙部分は気泡として残ることとなる。
【００１２】
ダイボンディング工程の後は、それに続いて高温処理がなされるワイヤボンディング工程、モールド工程などが引き続いて設けられているため、いずれの工程でもダイパッドとフィルムとの接着部分は高温雰囲気に曝されることとなる。かかる高温雰囲気では、接着部分に残された気泡が急激に熱膨張して破裂し、チップ破損に至る場合もある。
【００１３】
そこで、本発明者は、フィルムのダイパッド上への移載に際しては、気泡発生の原因となるダイパッドの熱歪みが発生しないように、ダイパッドの予熱を低温に抑えるべく、コレットに吸着させたフィルムのリリースを容易にする技術開発が必要と考えた。
【００１４】
さらに、ダイパッドとフィルムとの接着部における気泡発生に関しては、本発明者は、次のような問題点があることも見出した。
【００１５】
真空吸着によりコレットにフィルムを吸着する際には、フィルムの中央部を吸引吸着できるように、コレットの吸着面の中央に吸引孔が設けられている。しかし、かかる吸引孔によりフィルム面の中央部を吸着されたフィルムは、ダイパッド上に移載されても、それまで吸引されていた箇所が僅かながらお碗を伏せたような山状に変形して内側に空隙を内蔵した吸着痕が残り、その部分が平坦面に戻らない場合がある。
【００１６】
かかる中央に閉じ込められた気泡は、フィルムを上方から押しつけて気泡内の空気を周辺に気散させようとしても、簡単には解消しない。しかし、かかる吸着痕が残っている状態で、フィルムをダイパッド上に熱圧着すると、フィルム中央の吸着痕部分では内部に気泡が閉じ込められた状態で熱圧着されることとなり、接着部中央に比較的に大きな気泡が残ることとなる。かかる気泡は、前記説明の如く、その後の高温雰囲気で破裂したりして製品不良の発生原因の一つとなる。
【００１７】
そこで、本発明者は、フィルムのコレットによる吸着に際しては、ダイパッドとフィルムとの接着部の中央に発生する気泡の原因となる吸着痕が発生しないようにする吸着技術の開発も、併せて必要と考えた。
【００１８】
本発明の目的は、熱圧着フィルムを搬送するコレットへのフィルムの貼り付きを防止することのできる技術を提供することにある。
【００１９】
本発明の目的は、コレットにより搬送した熱圧着フィルムの圧着に際して、圧着部に気泡を発生させないようにする技術を提供することにある。
【００２０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００２２】
すなわち、本発明では、コレットの熱圧着フィルムの吸着面には、フッ素樹脂コーティングあるいはフッ素樹脂フィルムの貼り込みなどの表面処理が施されている。そのため、コレットにより熱圧着フィルムを吸引して搬送する場合に、熱圧着フィルムのコレット表面への貼り付きが防止され、熱圧着フィルムのリリースを容易に行うことができる。
【００２３】
例えば、熱圧着フィルムを接合材として、半導体チップとダイパッドとの接合を行うフィルムダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法に適用すれば、ダイパッド上へ搬送した熱圧着フィルムを、コレット表面への貼り付けを発生させることなく容易にリリースすることができるため、コレット表面への熱圧着フィルムの貼り付き防止のために行っていたダイパッドの予熱温度を低く抑えることができる。
【００２４】
ダイパッドの予熱温度を低く抑えることができるため、ダイパッドの熱歪みの発生を未然に防止して、ダイパッドと熱圧着フィルムとの接着部における気泡の発生を防止することができる。
【００２５】
また、ダイパッドと熱圧着フィルムとの接着部における気泡の発生防止に関しては、コレットの熱圧着フィルムの吸着面を凸面に形成しておき、凸面側方部に真空吸着用の吸引孔を設けておけば、ダイパッドと熱圧着フィルムとの接着部中央に発生する解消しにくい気泡の発生を未然に防止することができる。
【００２６】
熱圧着フィルムの仮圧着を、ダイパッド等の被圧着側との間に形成される空隙が熱圧着フィルムの外側に通じるように行い、その後に、かかる空隙を押しつぶすようにして空隙内のエアを追い出しながら本圧着することにより圧着時の気泡残りを発生させないようにすることができる。あるいは、吸着面を多孔性吸着面に形成しておいても、気泡残りを発生させることなく熱圧着フィルムの圧着を行うことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の半導体装置の製造方法で使用する半導体製造装置１０を、フィルムボンダ１０ａに構成した場合の一例を模式的に示す要部平面図である。図２（ａ）は図１に示すフィルムボンダ１０ａの構成部であるフィルムセット部、仮付け部の構成を、（ｂ）は圧着部の構成を、それぞれ詳細に示した説明図である。
【００２９】
フィルムボンダ１０ａは、図１に示すように、ワークとしてパッケージ用の基板を搬送レール１１上に供給するローダ１２ａ、ローダリフタ１２ｂを有している。
【００３０】
搬送レール１１に沿って、ローダ１２ａの側方には、ボンディングフィルムとしての熱圧着フィルムを供給するフィルムセット部１３と、フィルムセット部１３に相対して、供給された熱圧着フィルムを基板に仮付けする仮付け部１４が設けられている。仮付け部１４の側方には、基板に仮付けした熱圧着フィルムを本圧着する圧着部１５が設けられている。
【００３１】
圧着部１５の側方には、熱圧着フィルムが本圧着された状態の基板を、ダイボンディング前に予熱するプリヒータ１６が設けられている。プリヒータ１６の側方にはウエハリフタ１７が設けられ、ボンディングステージ側にはウエハリフタ１７により取り出されたウエハを支持するウエハリングホルダ１８が設けられている。
【００３２】
ボンディングステージ側には、ウエハリングホルダ１８に支持されたウエハから、個片化されたダイをピックアップして、プリヒータ１６で予熱された基板上の熱圧着フィルム面にダイボンディングするボンディングユニット１９が設けられている。ウエハリングホルダ１８には、ダイのピックアップに際して、ピックアップするダイを、ダイシングされたウエハを貼り付けているウエハテープの下方から押し上げるダイ突上げ部２１が設けられている。
【００３３】
ボンディングユニット１９の側方には、フィルムボンダによりダイがボンディングされた基板を、搬送レール１１から取り上げ、次工程に搬送するために一時的に収納するためのアンローダ２２が設けられている。
【００３４】
かかる構成により、フィルムボンダ１０ａでは、供給された基板が搬送レール１１に沿って搬送されていく間に、接着剤樹脂をフィルム状に形成した熱圧着フィルムのダイパッド上への圧着、熱圧着フィルム上へのダイボンディングが、順次自動的に行われるようになっている。
【００３５】
なお、かかる構成のフィルムボンダの説明においては、基板にダイボンダする場合を例に挙げて説明しているが、基板の代わりにリードフレームを使用しても構わないことは言うまでもない。
【００３６】
次に、上記フィルムボンダ１０ａの構成のうち、フィルムセット部１３、仮付け部１４、圧着部１５の構成について、以下さらに詳細に説明する。
【００３７】
フィルムセット部１３と仮付け部１４とは、図１、２（ａ）に示すように、相対に組み合わせて設けられている。フィルムセット部１３側では、接着用樹脂を両面接着用のフィルム状に形成した熱圧着フィルムＦが、リールに巻かれた状態で準備されている。
【００３８】
リールに巻かれた熱圧着フィルムＦは、テンションローラ３１、フィルムガイド３２、一対のフィルム送りローラ３３を経由してカットステージ３４に漸次送られるようになっている。熱圧着フィルムＦは、ばね３３ａの付勢により所定圧力で一対のフィルム送りローラ３３間に挟持され、カットステージ３４に漸次送られる。
【００３９】
カットステージ３４では、熱圧着フィルムＦの所定の送り量に合わせて、フィルムカッタ３５が上下動して、所定寸法に熱圧着フィルムＦが裁断される。熱圧着フィルムの裁断寸法は、基板Ｂのダイパッドに合わせた大きさである。
【００４０】
仮付け部１４には、図２（ａ）に示すように、カットステージ３４で裁断された熱圧着フィルムＦをピックアップして、搬送レール１１上の仮付けステージまで搬送されてきた基板Ｂのダイパッド上に熱圧着フィルムＦを仮付けするコレット３６が装備されている。
【００４１】
かかるコレット３６による熱圧着フィルムＦのピックアップ、ダイパッド上への熱圧着フィルムＦの仮付けに際しては、図２（ａ）に示すように、フィルムセット部１３に相対して設けられた仮付け部１４が、搬送レール１１側に向けて前後移動することによりピックアップ動作がなされるように構成されている。
【００４２】
かかるコレット３６は、その吸着面が凸状に形成され、図３（ａ）の断面図に示すように、凸面３６ａの頂部は仮付け時に基板Ｂ表面に平行に相対する相対面となるようになっている。凸面３６ａの頂部を外した側方部は、緩やかに斜め上方に向けたテーパ面３６ｂに形成されている。
【００４３】
熱圧着フィルムＦを真空に吸引吸着する吸引孔３７は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、凸面３６ａの頂部を外した側方部のテーパ面３６ｂに開口されている。さらに、コレット３６の吸着面を構成する凸面３６ａ、テーパ面３６ｂの表面には、熱圧着フィルムＦの貼り付きを防止する表面処理部３８が設けられている。かかる表面処理部３８は、例えば、フッ素樹脂コーティングによるコーティング層であってもよいし、あるいは、フッ素樹脂フィルムを貼り付けたフィルム層であっても構わない。
【００４４】
また、吸引孔３７を設ける凸面側方部は、図３（ａ）に示す場合には、コレット３６の吸着面の両端側の２方向をテーパ状に形成する場合を示しているが、例えば、吸着面の周囲に設けるようにしても構わない。
【００４５】
かかるコレット３６により、カットステージ３４からピックアップされた熱圧着フィルムＦは、仮付け用のヒートステージ２３により予め加熱しておいた基板Ｂのダイパッド上に位置合わせされ、その状態でコレット３６の真空解除により吸引孔３７により吸着されていた熱圧着フィルムＦはダイパッド上に移載される。
【００４６】
かかる移載に際しては、コレット３６の吸着面には、上記の如き表面処理が施されているため、熱圧着フィルムＦのリリースが容易に行われ、コレット３６側に貼り付くという不具合が発生しない。
【００４７】
特に、図３（ａ）に示すように、吸着面を凸状に構成して、その側方部に吸引孔３７を設ける構成を採用することにより、熱圧着フィルムＦと基板Ｂとの接合部の中央部に気泡を残さずに接合を行うことができる。
【００４８】
このように熱圧着フィルムＦの基板Ｂへの仮付けを行った後は、基板Ｂは仮付け部１４の側方に設けた圧着部１５に搬送され、図２（ｂ）に示すように、圧着部１５に装備した圧着ヘッド３９の先端面を、仮付けされた熱圧着フィルムＦ面に押しつけて、仮接合部からの気泡の気散と本圧着を行う。
【００４９】
熱圧着フィルムＦのコレット搬送は、より詳細には、図４（ａ）に示すように、コレット３６の凸面側方部に設けた吸引孔３７で吸引吸着されて行われる。コレット搬送された熱圧着フィルムＦは、その後、図４（ｂ）に示すように、基板Ｂのダイパッド上に仮付けされる。仮付け状態では、吸引孔３７に対応した吸着痕に基づく気泡ａが残る場合がある。
【００５０】
かかる仮付け後は、図２（ｂ）、図４（ｃ）に示すように、圧着ヘッド３９により仮圧着面を本格的に押圧する。圧着ヘッド３９の先端部は、図４（ｄ）、（ｅ）に示すように、上記熱圧着フィルムＦ面への押付けに際しては、押付け面がほぼ平らに弾性変形して、仮圧着部に存在している気泡ａの空気が、熱圧着フィルムＦの周囲から強制的に気散される。
【００５１】
圧着ヘッド３９は、上記のように押付け時にほぼ平らに弾性変形して潰れるように、例えば、軟質のゴムで形成しておけばよい。好ましくは、熱圧着フィルムＦが着かないようにフッ素ゴムで形成しておけばよい。より好ましくは、その表面にフッ素樹脂コーティング、フッ素樹脂フィルムの貼付などの表面処理を行って、より確実に熱圧着フィルムＦの貼り付きを防止しておけばよい。
【００５２】
このようにして、熱圧着フィルムＦの仮付け後、圧着ヘッド３９を使用して本圧着することにより、図４（ｆ）に示すように、気泡を残さずに熱圧着フィルムＦを基板Ｂ上に本圧着することができる。
【００５３】
上記本発明の構成では、図５（ａ）のコレット１００に示すように、熱圧着フィルムＦを吸着する吸引孔１１０を、基板面への移載時に基板面と平行に相対する吸着面１００ａに設けた場合に比べて、図５（ｂ）に示すようなフイルム面中央に残る吸着痕１２０が形成されない。そのため、図５（ｃ）に示すような、熱圧着フィルムＦと基板面との接合部１３０に、押し潰しによっても解消し難い中央位置の気泡１４０が残らない。
【００５４】
以上説明してきた構成のフィルムボンダ１０ａを用いて、半導体装置を製造する方法について説明する。なお、半導体装置としては、図６に示すような多段ボンディングされた構成の積層チップ型の構成を有する場合を例に挙げて説明する。
【００５５】
図６に示す例示の積層チップは、上記説明のフィルムボンダ１０ａを用いて１段ダイボンダを行い、併せてそれに対応したワイヤボンディングを行う。その後、１段ダイボンダに２段ダイボンダを、別のフィルムボンダ１０ａを用いて行い、その後これに対応したにワイヤボンディングを行って製造されるものとする。
【００５６】
すなわち、先ず、図１に示すフィルムボンダ１０ａの基板供給用カセット（図示せず）に、１段ダイボンダ用に基板Ｂを供給する。基板Ｂは、ローダ１２ａ、ローダリフタ１２ｂにより基板供給用カセットから一枚ずつ搬送レール１１上に供給される。
【００５７】
搬送レール１１上に供給された基板Ｂは、図示しない搬送手段により、仮付け用のヒートステージ２３まで搬送される。搬送手段としては、例えば、グリップ機構によるものでも、あるいはベルトコンベア方式でも、あるいは、基板Ｂの背後を押す方式などを適宜採用すればよい。
【００５８】
併せて、フィルムセット部１３では、フイルム幅を１段目の基板Ｂの幅に合わせた熱圧着フィルムＦが、テンションローラ３１、フィルムガイド３２、フィルム送りローラ３３を経由して、カットステージ３４に漸次送り出され、１段目の基板Ｂのダイパッドに合わせた送り量で、フィルムカッタ３５により切断される。
【００５９】
切断された熱圧着フィルムＦは、仮付け部１４に装備されたコレット３６により吸引吸着されて、カットステージ３４からピックアップされ、仮付け用のヒートステージ２３に搬送されている基板Ｂ上に移載される。移載に際しては、基板Ｂ上に設定したダイパッド上にコレット３６を位置合わせして、その状態で、コレット３６を鉛直下方に下降させ、ダイパッド上に熱圧着フィルムＦが接触した時点で、真空解除を行い熱圧着フィルムＦを基板のダイパッド領域にリリースする。
【００６０】
かかる移載に際しては、コレット３６の吸着面は、熱圧着フィルムＦの貼り付きが起きないようにフッ素樹脂コーティング、あるいはフッ素樹脂フィルムの貼り付けが行われているので、上記リリースが容易に行われる。
【００６１】
因みに、熱圧着フィルムＦを、熱可塑性ポリイミド樹脂性の熱圧着フィルムに構成する場合には、ヒートステージの予備加熱温度を約１００℃まで低く抑えることができる。本発明の上記構成のコレットを使用しない場合には、コレットからのリリースを確実に行うために、通常１２０℃の予熱温度で基板側をヒートステージで加熱しておく必要があり、熱圧着フィルムのリリースに１秒かかっていた。
【００６２】
上記の如く、本発明の構成を採用することにより、基板などの予熱温度を少なくとも２０℃は低減することができ、熱歪み発生を未然に防止することができる。
【００６３】
また、本発明の構成を採用することにより、コレット３６から熱圧着フィルムＦのリリースが円滑に行われるため、コレット３６によるダイパッド上への熱圧着フィルムのリリースには、０．１秒で十分に行えることが確認された。
【００６４】
なお、上記コレット３６による熱圧着フィルムＦの仮付けに際してのヒートステージ２３における予備加熱温度、およびリリース時間は、使用する熱圧着フィルムの材質により異なるものである。
【００６５】
例えば、Ａｇ含有接合樹脂ペースト材をフィルム状の熱圧着フィルムに構成した場合には、通常はヒートステージの予備加熱温度を少なくとも１６０℃に設定しておく必要がある。しかし、本発明の構成を採用することにより、ヒートステージの予備加熱温度を約１２０℃まで低く抑えることができ、基板などの予熱温度を少なくとも４０℃は低減させて、熱歪み発生を未然に防止することができる。併せて、リリース時間も０．１秒から１秒以内に抑えることができる。
【００６６】
さらに、かかる仮付けに際しては、図３（ａ）に示すように、コレット３６の吸着面が凸状に形成され、その側方部に吸引孔３７が設けられているため、吸引時における吸着痕が発生しても、それは仮付け部の中央側から比較的周辺側に寄った位置に形成されることとなる。
【００６７】
かかる状態で仮付けされた基板Ｂは、圧着部１５側の本圧着用のヒートステージ２４に搬送される。圧着部１５では、装備された圧着ヘッド３９が、図２（ｂ）、図４（ｃ）〜（ｅ）に示すように、所定圧力で、所定温度をかけた状態で熱圧着フィルムＦを押付けて圧着する。かかる圧着に際しては、熱圧着フィルムＦの周辺側に形成された気泡ａなどは、その中の空気が周囲に押し出されて気散し、気泡ａのない本圧着が行われる。
【００６８】
基板Ｂのダイパッド上に熱圧着フィルムＦが圧着された状態で、搬送レール１１の途中に設けたプリヒータ１６内を通過して、ボンディングステージ上に搬送される。
【００６９】
一方、ウエハカセットからは、ウエハリフタ１７によりウエハが引き出され、さらに引き出されたウエハが、ウエハリングホルダに供給される。かかるウエハリングホルダに供給されたウエハは、ウエハの裏面に貼り付けられたウエハテープがエキスパンドされて、既にダイシングされているダイが個片化される。
【００７０】
ボンディングユニット１９では、これに装備されたボンディングヘッド（図示せず）により、上記個片化されているダイ（半導体チップ）Ｄ１がピックアップされ、ダイボンダステージに搬送されている基板Ｂの熱圧着フィルムＦ上に載置され圧着される。このようにして製造された１段ダイボンダは、この状態でアンローダ２２に格納され、次工程のワイヤボンディング工程に搬送される。
【００７１】
ワイヤボンディング工程では、ダイＤ１上の電極パッドと基板Ｂ上のランドとが、Ａｕ線などのボンディングワイヤＷ１で接続される。その状態を、図６（ａ）に、１段ダイボンドとして示した。
【００７２】
次に、このようにして製造された１段ダイボンダに、さらにダイボンダを行って積層型に構成する。ワイヤボンディングが終了した１段ダイボンドを、図１に示す構成の２段ダイボンド用のフィルムボンダ１０ａに供給する。すなわち、１段ダイボンダの上記製造の場合と同様に、カセットに供給された１段ダイボンダを、ローダ１２ａ、ローダリフタ１２ｂにより個別に搬送レール１１上に供給する。
【００７３】
搬送レール１１上に供給された１段ダイボンダを、搬送手段により、仮付け用のヒートステージ２３まで搬送する。
【００７４】
併せて、フィルムセット部１３では、１段ダイボンダを構成するダイＤ１のダイパッド幅に合わせた熱圧着フィルムＦが、テンションローラ３１、フィルムガイド３２、フィルム送りローラ３３を経由して、カットステージ３４に漸次送り出され、ダイＤ１のダイパッドに合わせた送り量で、フィルムカッタ３５により切断される。
【００７５】
切断された熱圧着フィルムＦは、仮付け部１４に装備されたコレット３６により吸引吸着されて、カットステージ３４からピックアップされ、仮付け用のヒートステージ２３に搬送されている１段ダイボンダのダイＤ１上に移載される。移載に際しては、ダイＤ１上に設定したダイパッド上にコレット３６を位置合わせし、その状態で、コレット３６を下方に下降させ、ダイパッド上に熱圧着フィルムＦが接触した時点で、真空解除を行い熱圧着フィルムＦをダイパッド領域に置く。
【００７６】
コレット３６の吸着面には、熱圧着フィルムＦの貼り付きが起きないようにフッ素樹脂コーティング、あるいはフッ素樹脂フィルムの貼り付けが行われているので、リリースが容易に行われる。さらに、コレット３６では、その凸状の吸着面の側方部に吸引孔３７が設けられているため、吸引時における吸着痕が発生しても、それは仮付け部の周辺側に形成されるため、次工程の本圧着時に吸着痕に基づく気泡が容易に排除される。
【００７７】
このようにして１段ダイボンダのダイＤ１上に熱圧着フィルムＦが仮付けされた状態で、圧着部１５側の本圧着用のヒートステージ２４に送られる。圧着部１５では、装備された圧着ヘッド３９が、所定圧力、所定温度をかけた状態で熱圧着フィルムＦを押付けて圧着する。圧着に際しては、熱圧着フィルムＦの周辺に形成された気泡ａなどは、その中の空気が周囲に押し出されて気散し、気泡ａのない本圧着がなされる。
【００７８】
１段ダイボンダのダイＤ１上に熱圧着フィルムＦが熱圧着された状態で、搬送レール１１の途中に設けたプリヒータ１６内を通過して、ボンディングステージ上に搬送される。
【００７９】
一方、ウエハリフタ１７によりウエハカセットから引き出されたウエハが、ウエハリングホルダ１８に供給されている。ウエハリングホルダ１８に供給されたウエハは、ウエハ裏面を貼り付けたウエハテープがエキスパンドされ、すでにダイシングされたダイＤ２が個片化される。
【００８０】
ボンディングユニット１９では、これに装備したボンディングヘッド（図示せず）により、上記個片化されているダイＤ２がピックアップされ、ダイボンダステージに搬送されている１段ダイボンダのダイＤ１上の熱圧着フィルムＦ上に載置され圧着される。この状態で、アンローダ２２に格納され、次工程のワイヤボンディング工程に移され、ダイＤ２の電極パッドと基板ＢのランドとがボンディングワイヤＷ２で、図６（ｂ）に示すように、接続される。
【００８１】
図６（ｂ）に示すように基板Ｂ上にダイＤ１、Ｄ２が、それぞれ熱圧着フィルムＦを接合材として積層され、ダイＤ１、Ｄ２がそれぞれボンディングワイヤＷ１、Ｗ２で基板Ｂに電気的に接続された積層状態で、その後樹脂封止が行われて半導体装置が製造されることとなる。
【００８２】
以上の説明では、２段ダイボンディングする場合を例に挙げて説明したが、３段以上の多段ダイボンディングでも適用できることは言うまでもない。かかる多段ダイボンディングの場合には、一般的には、上段になる程ダイパッド領域は狭くなる構成であるため、ペースト状の接合材を使用する方法では、そのはみ出しが懸念されて使用し難いが、はみ出しの懸念がない熱圧着フィルムのリリースが円滑に行われるコレットを使用する本発明の半導体装置の製造方法は、かかる場合に特に有効に適用することができる。
【００８３】
（実施の形態２）
前記実施の形態１で説明した構成のコレットは、フィルムダイボンディングにおける熱圧着フィルムＦのリリースを良好にし、気泡残りのない圧着を実現することができるため、ペースト状の接合材を用いる場合とは異なり、はみ出しの懸念がなく、小サイズのダイボンディングに有効である。
【００８４】
そこで、本発明者は、かかるコレットの小サイズのダイボンディングへの適用をより詳細に検討した。適用するダイを小サイズにするにしたがって、熱圧着フィルムも当然に小サイズ化し、これに合わせて前記実施の形態１で説明した構成のコレットも小型化してその対応を図った。
【００８５】
かかる小サイズのフィルムダイボンディングへの適用の検討において、熱圧着フィルムのコレットの吸着面に吸着される長さ（以下、簡単に吸着長と言う）Ｌが、例えば、４ｍｍ以下のサイズになると、それまで発生していなかった圧着時の気泡残りが発生する場合があることが分かった。
【００８６】
そこで、吸着長Ｌが４ｍｍを越えるサイズの熱圧着フィルムの圧着過程と、４ｍｍ以下のサイズの熱圧着フィルムの圧着過程とにおける状況を観察した。その結果、コレットの吸引孔を設けるテーパ面が、コレットの小型化を進めるなかで、十分に確保できないことが原因の一つとして挙げられるのではないかと強く推察された。
【００８７】
かかる点について、図７、８に基づいて詳細に説明する。図７（ａ）には、実施の形態１で説明したコレット３６と同様の構成を有し、上記検討に際して使用されたコレット４１を示した。コレット４１は、コレット３６と同様に、凸面４１ａ、テーパ面４１ｂを有し、テーパ面４１ｂには吸引孔４２が設けられた構成を有している。凸面４１ａ、テーパ面４１ｂ両面には、フッ素樹脂コーティングなどの表面処理が施されて熱圧着フィルムＦのリリースが行われ易いように構成されている。
【００８８】
図７（ｂ）には、かかる構成のコレット４１に熱圧着フィルムＦが吸着されている状態を模式的に示した。コレット４１に吸着されている熱圧着フィルムＦは、吸引孔４２側では幾分吸引孔４２内に引き込まれて、凹状の吸引痕４３が形成されている。かかる状態で、熱圧着フィルムＦは基板Ｂ上に移載されて仮圧着される。
【００８９】
移載直後の仮圧着の状態を微視的に観察すると、図７（ｂ）に示すように、コレット４１の凸面４１ａ側に保持されていた熱圧着フィルムＦの凸面被保持部Ｆ１（Ｆ）は基板Ｂ上に設置されて付着した状態となっている。しかし、テーパ面４１ｂ側に保持されていたテーパ面被保持部Ｆ２（Ｆ）側では、全面が基板Ｂ面に接触することはなく、僅かながらでも基板Ｂ面に接触しない部分、すなわち非付着状態の部分が発生している。
【００９０】
図中、熱圧着フィルムＦの凸面被保持部Ｆ１（Ｆ）、テーパ面被保持部Ｆ２（Ｆ）の境界が分かり易いように、境界部に細線ｘを仮想線として入れて示している。
【００９１】
このようにテーパ面被保持部Ｆ２の一部が基板Ｂ面に接触しない状態が発生することにより、テーパ面被保持部Ｆ２の吸引孔４２内側に引き込まれて形成されていた吸引痕４３に囲まれた空間が周囲に対して閉じ状態にされず、かかる空間の一部が外方に連通した状態で仮圧着されることとなる。
【００９２】
この状態で、図７（ｃ）に示すように、本圧着コレット４４が下降して、熱圧着フィルムＦを平らに押しつぶして本圧着する。本圧着の押圧に際しては、吸引痕４３も押しつぶされることとなる。
【００９３】
吸引痕４３は、図７（ｃ）に示すように、その空間の一部が外方に通じた状態であるため、押しつぶしに際しては、吸引痕４３内のエアは外部に逃げて気散し、結果として図７（ｄ）に示すように、気泡残りがない圧着が行われることとなる。すなわち、熱圧着フィルムＦの吸着長Ｌが４ｍｍより大きい（Ｌ＞４ｍｍ）場合には、上記のように、気泡残りの問題がなく圧着が行われるのである。
【００９４】
一方、かかる図７に示す構成のコレット４１を、吸着長Ｌが４ｍｍ以下（Ｌ≦４ｍｍ）の場合、例えば４ｍｍ角以下のサイズの熱圧着フィルムＦに適用すべく小型に構成した場合を、コレット５１として図８（ａ）に示した。コレット５１は、コレット４１と同様に、凸面５１ａ、テーパ面５１ｂ、吸引孔５２を有し、凸面５１ａ、テーパ面５１ｂ両面には、フッ素樹脂コーティングなどの表面処理が施されている。
【００９５】
かかる構成のコレット５１では、コレットサイズが小さくなる分、熱圧着フィルムＦを吸着する吸着面が小さくなり、図８（ａ）に示すように、テーパ面５１ｂが、図７（ａ）に示すコレット４１のテーパ面４１ｂとは異なり、十分に確保されなくなる。
【００９６】
かかる状態で、テーパ面積を確保するためには、テーパ角を大きくすることが必要となるが、しかし、図８（ａ）に示す構成で、テーパ角を余り大きくすると熱圧着フィルムＦの吸着性に支障が発生する。
【００９７】
併せて、吸引孔５２の開口面積は吸着力との関係から極端に小さくすることはできないため、全体として、吸引孔５２の開口面積のテーパ面５１ｂに占める割合が大きくなる。
【００９８】
そのため、コレット５１に吸着された状態の熱圧着フィルムＦでは、図７（ｂ）に示す場合とは異なり、テーパ面被保持部Ｆ２側に形成される吸引痕５３の占める割合が大きくなる。
【００９９】
この状態で、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、基板Ｂ上に熱圧着フィルムＦを移載すると、上記の如く、テーパ面５１ｂが十分に形成されていないので、テーパ面被保持部Ｆ２を、基板Ｂ面に接触させずに圧着時のエアを押し出す逃げを確保することができない。そのため、図７（ｃ）に示す場合とは異なり、吸引痕５３の周囲が基板Ｂ面に接触してしまい、すなわち、吸引痕５３の周囲が閉じてしまい、結果としてエアが吸引痕５３内に閉じ込められた状態となる。
【０１００】
かかる状態で、図８（ｃ）に示すように、本圧着コレット４４で押しつぶして本圧着を行っても、図８（ｄ）に示すように、押しつぶしに際し吸引痕５３内からのエアを逃がすことができず気泡が残る。
【０１０１】
そこで、本発明者は、コレット５１の吸着表面側に、仮圧着時に吸引痕５３に囲まれる空間の一部が外方と連通するように非接着部を残すことができる構成を付加することを思いついた。
【０１０２】
かかる構成を付加すれば、コレット５１において、仮圧着時に吸引痕５３の周囲を基板Ｂ表面に接触させないようにして、かかる非接触部からエアを本圧着時に逃がすことができ、本圧着時の気泡残りを防ぐことができる。
【０１０３】
このように、吸着長Ｌ≦４ｍｍ以下の熱圧着フィルムＦへの適用に際しては、吸着長Ｌ＞４ｍｍにおいて問題無く適用されたコレット４１の構成を単に小型化しただけでは、圧着時の気泡残りの問題に十分に対処できないのである。
【０１０４】
そこで、コレット５１の吸引孔５２に、図９（ａ）に示すように、コレット５１の側面に通じる通溝５２ａを設けた。通溝５２ａは、図９（ｂ）のコレット表面の平面図に示すように、テーパ面５１ｂ上に吸引孔５２の開口部に通じるように設けられている。図９（ｃ）には、コレット５１の側面の様子を示した。
【０１０５】
かかる通溝５２ａは、熱圧着フィルムＦを吸引した状態で、図１０に模式的に示すように、通溝５２ａの溝側に熱圧着フィルムＦが引き込まれて、仮圧着時に吸引痕５３に通じるエアの逃げ道が形成されるように設ける必要がある。
【０１０６】
そのため、溝断面が小さく細過ぎて、熱圧着フィルムＦが実質的に引き込まれることなく仮圧着時に吸引痕５３に通じるエアの逃げ道が形成できない構成では好ましくない。また、過剰に溝断面が大きく太い通溝５２ａでは、熱圧着フィルムＦの吸引時の吸引力が落ちて、不十分な吸着状態となり好ましくない。
【０１０７】
比較のために、図９（ｄ）、（ｅ）に、通溝５２を設けないこれまでの構成の側面図、平面図をそれぞれ示した。なお、図９（ｂ）、（ｅ）の平面図では、凸面５１ａ、テーパ面５１ｂの境を、一点鎖線の仮想線で示した。
【０１０８】
かかる構成のコレット５１を用いる場合には、図１１（ａ）に模式的に示すように、熱圧着フィルムＦの周縁Ｃを、通溝５２ａが跨ぐように吸着位置を設定する必要がある。
【０１０９】
この状態で、本圧着を行うと、図１１（ｂ）に示すように、吸引痕５３内のエアが本圧着コレット５４による押しつぶしに際して、エアの逃げ道５３ａからエアが外側に押し出されながら圧着されて、図１１（ｃ）に示す気泡残りのない圧着が行われる。
【０１１０】
このように熱圧着フィルムに接触するコレット表面に、吸引孔５２の開口部に通じる溝を通溝５２ａとして設けることにより、吸引長Ｌが４ｍｍ以下のサイズの小さな熱圧着フィルムでも気泡残りのない熱圧着を行うことができる。
【０１１１】
なお、かかる通溝５２ａの構成は、熱圧着フィルムＦの吸引長Ｌが４ｍｍ以下の場合に適用される小型コレットにのみ限定されるものではなく、当然に、吸引長Ｌが４ｍｍよりも大きいサイズの熱圧着フィルムＦに適用する大型コレットにおいても有効に適用できるものである。
【０１１２】
すなわち、通溝５２ａの構成は、コレットサイズの大小にかかわらず有効に適用できるものであるが、特に、吸引長Ｌが４ｍｍ以下の、例えば、４ｍｍ角以下の小さい熱圧着フィルムＦに適用してより有効なものと言える。熱圧着フィルムＦの形状も、一般的には、正方形、長方形の形状が使用されるが、その他の形状であっても構わない。
【０１１３】
因みに、図１２（ａ）には、図８（ａ）に示す通溝５２ａを設けない構成のコレット５１を使用して、図１１に示すと同様の大きさ（Ｌ≦４ｍｍ）の熱圧着フィルムＦを基板Ｂ面に仮圧着した状態の平面図を示した。この場合には、図１１（ｂ）に示す場合とは異なり、吸引痕５３にはエアの逃げ道５３ａが形成されず、既に仮圧着の状態で気泡残りが発生している。この状態は、その後の本圧着によっても解消せず、図１２（ｂ）に示すように、吸引痕５３内にエアが閉じ込められた気泡が依然として残ることとなる。
【０１１４】
以上のように、通溝５２ａを設けたコレット５１を使用することにより、熱圧着フィルムＦの仮圧着を、ダイパッドや基板等の被圧着側との間に形成される空隙が熱圧着フィルムの外側に通じるように行い、その後に、かかる空隙を押しつぶすようにして空隙内のエアを追い出しながら本圧着することにより圧着時の気泡残りを発生させないようにして、半導体装置を製造することができる。
【０１１５】
そこで、通溝５２ａ以外の構成であっても、熱圧着フィルムＦの仮圧着を、ダイパッドや基板等の被圧着側との間に形成される空隙が熱圧着フィルムの外側に通じるように行うものであれば、気泡残りを発生させることなく熱圧着フィルムを圧着させる工程を有する半導体装置の製造方法に有効に適用することができる。
【０１１６】
例えば、上記説明の構成では、吸引孔５２の開口部に通じる通溝５２ａを、開口部とは別に設ける場合を説明したが、吸引孔５２の開口部をコレットの吸着面の周縁にかかるようにして、吸引孔５２の開口部に通溝５２ａが一体に組み込まれる構成でも有効に使用することができる。
【０１１７】
すなわち、吸引孔５２は、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、その開口部がコレット５４の吸着面の縁に敢えてかかるように長孔に形成されている。そのため、かかるコレット５４に吸着された熱圧着フィルムＦでは、仮圧着時に、ダイパッドや基板等の被圧着側との間に形成される吸引痕としての空隙が熱圧着フィルムの外側に通じるように形成されるので、その後の本圧着コレットによる押しつぶしにより吸引痕内のエアが追い出されて気泡残りのない圧着を行うことができる。
【０１１８】
（実施の形態３）
前記実施の形態１、２に示す構成は、コレットに吸引された熱圧着フィルムに形成される吸引痕に関して、本圧着時に吸引痕内にエアが残存しないようにする構成を示した。すなわち、吸引痕からのエア排出機能をコレットに持たせることで、気泡残りの問題を解決する手段であった。
【０１１９】
しかし、熱圧着フィルムＦは薄いため、吸引孔の開口部を大きく確保して、且つ吸引力を大きくする構成では、吸引痕が多かれ少なかれ発生していた。
【０１２０】
一方、本発明者は、気泡残りが吸引痕に基づき発生するものであるのなら、熱圧着フィルムの吸引時に吸引痕を発生させない方法はないかと考えた。問題点の捉え方の発想の転換を図った。
【０１２１】
これまでのコレットは、簡単な構成で必要な吸着力を確保するために、吸引孔の数を少なく維持して、その開口部を比較的に大きく確保する構成が採用されていた。
【０１２２】
そこで、本発明者は、吸着時に吸引痕ができる程には熱圧着フィルムが引き込まれない小開口面積の吸引孔を、コレットの吸着面に多数設けることを考えた。このようにコレット表面を構成しておけば、コレットに吸着された熱圧着フィルムでは、吸引痕が発生しないため、上記吸引痕に係る気泡残りの障害は発生しない。
【０１２３】
かかる構成のコレット６１は、例えば、図１４（ａ）に示すように、フィルタとして使用されるセラミックガラス等の多孔質体６２ａを多孔性吸着材６２として、吸着材保持部材６３に保持させた状態で、多孔性吸着材６２の背面側を真空吸引することにより、多孔性吸着材６２の表面で熱圧着フィルムＦを吸着させるように構成しておけばよい。
【０１２４】
あるいは、図１４（ｂ）に示すように、微細な目を有した目皿６２ｂを多孔性吸着材６２として、吸着材保持部材６３に保持させて、目皿６２ｂ表面を吸着面として構成し、目皿６２ｂ背面側から吸引するように構成しても構わない。
【０１２５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１２６】
例えば、上記説明では、仮付けコレットの吸着面を凸状に構成し、その吸着面にフッ素樹脂コーティングなどの表面処理を施す場合について説明したが、非凸状に構成した吸着面に上記表面処理を行っても構わない。かかる処理を施さない場合に比べて、熱圧着フィルムの貼り付け防止が図れ、容易にリリースすることができることは言うまでもない。
【０１２７】
通溝を設ける構成として、吸着面を凸状に構成した場合を例に挙げて説明したが、非凸状に構成した吸着面の構成に対しても、吸着面に対して設けた吸引孔開口部に通じる通溝を設けるようにしても有効である。
【０１２８】
熱圧着フィルムの貼り付き防止目的の表面処理としては、フッ素樹脂コーティング、フッ素樹脂フィルムの貼り付け処理を例に挙げて説明したが、熱圧着フィルムの貼り付きが防止できる処理であれば、その他の表面処理を採用しても構わない。
【０１２９】
前記説明では、半導体装置として積層型チップ構造を例に挙げて説明したが、本発明の適用は、非積層型チップ構造に適用できることは言うまでもない。
【０１３０】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【０１３１】
すなわち、熱圧着フィルムの搬送に使用するコレットの吸着面に熱圧着フィルムの貼り付き防止処理が施されているため、熱圧着フィルムを移載するに際して、熱圧着フィルムのリリースが容易に行える。
【０１３２】
かかる構成をフィルムボンダに適用すれば、コレット搬送される熱圧着フィルムが移載される側の基板、あるいはリードフレーム側のヒートステージにおける予備加熱を低く抑えることができる。
【０１３３】
ヒートステージ側の予備加熱を低く抑えることができる分、基板、あるいはリードフレームの熱歪みの発生を防止して、熱歪みに起因する接合部の気泡発生を防止することができる。
【０１３４】
コレットの吸着面のテーパ面に吸引孔の開口部を設けたり、開口部に通じる通溝をコレットの吸着面に設けることにより、圧着時の気泡残りを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法で使用する半導体製造装置をフィルムボンダに構成した場合の一例を示す要部平面図である。
【図２】（ａ）は図１に示すフィルムボンダを構成するフィルムセット部と仮付け部の構成を、（ｂ）は圧着部の構成をそれぞれ示す説明図である。
【図３】（ａ）は熱圧着フィルムの搬送に使用するコレットの断面図であり、（ｂ）はその吸着面を示す平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、コレットによる熱圧着フィルムの搬送から、仮付け、本圧着に至るまでの状況を順に示す説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、熱圧着フィルムの吸着用の吸引孔を、凸状に構成した吸着面の側方部に設けない場合の吸着痕に基づく気泡の発生状況を示す説明図である。
【図６】（ａ）は積層型チップの製造に際しての１段ダイボンダを、（ｂ）は（ａ）に示す１段ダイボンダにダイを積層した２段ダイボンダの様子を示す説明図である。
【図７】（ａ）は４ｍｍより大きな熱圧着フィルムに適用する実施の形態１の構成を有するコレットを示す正面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、（ａ）に示すコレットを使用した熱圧着フィルムの基板への熱圧着過程を示す説明図である。
【図８】（ａ）は４ｍｍ以下の小さな熱圧着フィルムに適用する実施の形態１の構成を有するコレットを示す正面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、（ａ）に示すコレットを使用した熱圧着フィルムの基板への熱圧着過程を示す説明図である。
【図９】（ａ）は通溝を設けた構成のコレットを示す正面図であり、（ｂ）はコレットの吸着面側を見た平面図であり、（ｃ）は側面図であり、（ｄ）は通溝を設けない構成のコレットを示す正面図であり、（ｅ）は（ｄ）に示すコレットの吸着面側を見た平面図である。
【図１０】熱圧着フィルムの通溝における吸着状態を示す要部側面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、通溝を設けた構成のコレットによる熱圧着フィルムの基板への熱圧着過程を示す説明図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は、通溝を設けないコレットによる仮圧着時、本圧着時の状況を示す説明図である。
【図１３】（ａ）は、通溝を吸引孔の開口部に兼用させた構成のコレットを示す正面図であり、（ｂ）はそのコレットの吸着面を示す平面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、多孔性吸着材を使用したコレットの変形例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
１０　　半導体製造装置
１０ａ　フィルムボンダ
１１　　搬送レール
１２ａ　ローダ
１２ｂ　ローダリフタ
１３　　フィルムセット部
１４　　仮付け部
１５　　圧着部
１６　　プリヒータ
１７　　ウエハリフタ
１８　　ウエハリングホルダ
１９　　ボンディングユニット
２１　　ダイ突上げ部
２２　　アンローダ
２３　　ヒートステージ
２４　　ヒートステージ
３１　　テンションローラ
３２　　フィルムガイド
３３　　フィルム送りローラ
３３ａ　ばね
３４　　カットステージ
３５　　フィルムカッタ
３６　　コレット
３６ａ　凸面
３６ｂ　テーパ面
３７　　吸引孔
３８　　表面処理部
３９　　圧着ヘッド
４１　　コレット
４１ａ　凸面
４１ｂ　テーパ面
４２　　吸引孔
４３　　吸引痕
４４　　本圧着コレット
５１　　コレット
５１ａ　凸面
５１ｂ　テーパ面
５２　　吸引孔
５２ａ　通溝
５３　　吸引痕
５３ａ　逃げ道
５４　　コレット
６１　　コレット
６２　　多孔性吸着材
６２ａ　多孔質体
６２ｂ　目皿
１００　コレット
１００ａ　吸着面
１１０　吸引孔
１２０　吸着痕
１３０　接合部
１４０　気泡
ａ　　　気泡
ｘ　　　細線
Ｂ　　　基板
Ｃ　　　周縁
Ｄ１　　ダイ
Ｄ２　　ダイ
Ｆ　　　熱圧着フィルム
Ｆ１　　凸面被保持部
Ｆ２　　テーパ面被保持部
Ｌ　　　吸着長
Ｗ１　　ボンディングワイヤ
Ｗ２　　ボンディングワイヤ
【図１】
2004006599.tif 000003
【図２】
2004006599.tif 000004
【図３】
2004006599.tif 000005
【図４】
2004006599.tif 000006
【図５】
2004006599.tif 000007
【図６】
2004006599.tif 000008
【図７】
2004006599.tif 000009
【図８】
2004006599.tif 000010
【図９】
2004006599.tif 000011
【図１０】
2004006599.tif 000012
【図１１】
2004006599.tif 000013
【図１２】
2004006599.tif 000014
【図１３】
2004006599.tif 000015
【図１４】
2004006599.tif 000016