(57)【要約】【課題】粒子の分散性が良好となる材料により、所望の特性が容易に得られ、小型化が達成できるコンデンサを含む電子部品を提供する。【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子１の表面全部あるいは一部を、誘電体層２により被覆する。被覆粒子を１種類以上樹脂中に分散してなり、かつ金属箔上に塗工して形成され、前記金属箔にパターニングが施された複合誘電体材料を有する。誘電体層２の厚みを０．００５〜２μｍとする。電子部品として、キャパシタ、積層フィルタ、電圧制御発振器、パワーアンプ、重畳モジュールまたはＲＦユニットを構成する。【選択図】　図１
2004006909.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が０．１〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子の表面全部あるいは一部を、誘電体層により被覆し、
該被覆粒子を１種類以上樹脂中に分散してなり、かつ金属箔上に塗工して形成され、前記金属箔にパターニングが施された複合誘電体材料を有するコンデンサを含む
ことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１の電子部品において、
前記誘電体層の厚みが０．００５〜２μｍである
ことを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項１または２の電子部品が、キャパシタ、積層フィルタ、電圧制御発振器、パワーアンプ、重畳モジュールまたはＲＦユニットである
ことを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリプレグや基板を用いたコンデンサを含む電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コンデンサや圧電素子等の樹脂を含む誘電体材料を使用する電子部品は、その材料としてのモールド材（トランスファ成形やインジェクション成形等による成形材料）、キャスティング材（ポッティング等により注型成形のための液状材料）や印刷ペースト等の塗料、圧粉成形粉末材料（加圧して成形するための材料）、プリプレグや基板等を材料として使用する。これらの樹脂系誘電体材料として、従来は誘電体粒子の粉末を樹脂に分散した複合誘電体材料が使用される。この複合誘電体材料を例えば積層基板に使用する場合は、ガラスクロスに前記複合誘電体材料を含浸塗工することで積層基板の中間加工品としてのプリプレグを作る。そしてこのプリプレグに銅箔を貼ることで積層板を作製し、プリント基板の製造工程を経て所望の導体パターンを形成している。この複合誘電体材料に使用する誘電体粉末は、粉末を焼成するか、あるいは焼結した誘電体を粉砕することで得られる。ここで使用する焼結誘電体の特性は、最終的にできあがった複合誘電体材料の特性と密接な関係があるため、誘電率およびｔａｎδ等を考慮して選択される。
【０００３】
コンデンサ、圧電素子等の電子部品は、前記複合誘電体材料の成形体の両面に外部電極を固着して構成される。
【０００４】
磁性材を用いるインダクタやトランス、またはシールド部品等電子部品は、その磁性材料として、フェライト粉末を有機材料中に分散混合してなる。また、この複合磁性材料をガラスクロスに塗工することでプリプレグを作製した後、このプリプレグに銅箔を貼り銅張り積層板を成形している。この積層板に所望のパターンを形成することにより、高周波特性のすぐれたインダクタンス素子を得ていた。
【０００５】
また、多層基板あるいはプリプレグを用いる磁性基板の材料として、特許文献１、２には、磁性金属粒子を樹脂中に分散混合したものがある。また、特許文献２では、球状カーボニル鉄を樹脂に分散した複合磁性材料が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開平８−７８７９８号公報
【特許文献２】特開平１０−７９５９３号公報
【特許文献３】特開平８−２０４４８６号公報。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
（誘電体材料を用いた電子部品について）
従来の複合誘電体材料を使用して構成される電子部品の場合、外部電極間には樹脂中にこれと異なる材料である誘電体粒子が分散して存在する。この場合の合成比誘電率は２種類の材料の体積比率で決定される。
【０００８】
比誘電率の高い誘電体材料を混合してもさほど高い比誘電率が得られない。例えば比誘電率が９０の粉末をエポキシ樹脂に分散させたものでは、６０ｖｏｌ％で合成比誘電率が約２０であり、約１／５に低下する。また、比誘電率が９，０００の粉末をエポキシ樹脂に４０ｖｏｌ％分散したものの比誘電率は約１５であり、一方比誘電率が９０の粉末をエポキシ樹脂に４０ｖｏｌ％分散したものの比誘電率は約１２であって、両者間にそれほど大きな差はない。
【０００９】
ガラスクロスに複合誘電体材料を含浸させる場合、ガラスクロスがない場合よりも、複合誘電体材料の分散粉末の比誘電率の違いがでてこない。これは基板のなかに占めるガラスクロスの体積が無視できなくなり、体積比率で決定される合成比誘電率に、比誘電率が７．０のガラスクロスが影響を与えているためである。
【００１０】
このように、従来の複合誘電体材料で高い比誘電率を得るには、比誘電率９０００の粉末を６０ｖｏｌ％以上とする必要がある。しかし薄い基板を作成するには、銅箔との密着や層間の剥離を考慮すると、複合誘電体材料の含有率を５０ｖｏｌ％以下にしなければならないので、高価な誘電体粉末を混合しても、あまり誘電率の向上が達成できない。また、従来の誘電体粉末は、焼結誘電体の破砕により得ており、凹凸があり、かつ粒径が大きいために分散性が悪く、薄型のコンデンサ、圧電素子等の電子部品や基板の特性を安定させることが困難であるという問題点がある。
【００１１】
（ガラスクロス入りプリプレグおよび銅張り磁性基板を用いた電子部品について）
（ａ）　フェライト粉末を有機材料中に分散混合してなる複合磁性銅張り基板を用い、インダクタンス素子を作製した場合では、高透磁率のフェライト粉末を使用すると高周波特性が悪くなる傾向にあり、逆に高周波特性に優れた低透磁率フェライト材を使用すると当然の事ながら十分な透磁率がとれず、いずれにしても満足のいく特性が得られていなかった。
【００１２】
（ｂ）　フェライト粉末の代わりに金属磁性体たとえばカーボニル鉄のようなものを用いた場合では、比較的高透磁率で、高周波特性のよい複合磁性基板が得られるが、絶縁性が低く、銅箔のパターニング工程において素体（複合磁性材料）の絶縁不良により、パターン以外の部分へもめっきが付着し、パターン間のショートを生じ不具合が発生していた。また、シリコン鉄の場合には、透磁率と飽和磁束密度の高い複合磁性基板が得られるが、高周波域では使用ができない上、絶縁性が低いという問題があった。
【００１３】
（磁性成形材料を用いた電子部品について）
（１）シート成形材
（ａ）　カーボニル鉄やシリコン鉄等の軟磁性金属粉末を樹脂に分散混合し、シート状に成形しシールド材として使用した場合では、金属粉末表面のカップリング処理、酸化処理等により１０７Ω・ｃｍ程度の体積抵抗は得られるものの、耐電圧を測定してみると厚さ１．０ｍｍで１５０Ｖ程度であり、電圧を印加した場合においては絶縁材料とみなすことができず、電気的なショートの危険を抱えている。
【００１４】
（ｂ）　カーボニル鉄やシリコン鉄等の軟磁性金属粉末の代わりにフェライト粉末を分散させたシールド材では、体積抵抗は高く電気的ショートの可能性はほとんどないが、電界シールドには効果がないばかりか、磁気シールドにおいても低周波数側では効果が少ない。
【００１５】
（２）モールド材
部品が搭載されたプリント配線板の輻射ノイズ対策として、部品搭載面をフェライトが樹脂に混合された複合磁性材料で部品全体を覆うようにモールド材を成形する方法が使用されていた。フェライト粉末を分散させたモールド材では、電界シールドには効果がないばかりか、磁気シールドにおいても低周波数側では効果が少ない。カーボニル鉄やシリコン鉄等の軟磁性金属粉末を分散させたモールド材では、シールド効果は高まるが絶縁性が低く、配線板のパターン間の絶縁不良により特性不良を招いてしまっていた。
【００１６】
（３）複合磁性コア材
チョークコイル、トランス等の磁芯として使用する複合磁性材料は、数百ｎｍから数十μｍの平均粒径のフェライト、もしくは表面を絶縁処理した磁性金属粒子を液晶ポリマー、ＰＰＳ樹脂，エポキシ樹脂等の樹脂材料中に分散させたものを使用していた。それを所望の形に成形し磁芯とするが、フェライトを分散した場合には、飽和磁束密度が小さく、大電流のハイパワー用途には使用が難しく、また、磁性金属材料を用いた場合には絶縁性を十分に確保できず、信頼性上の課題があった。
【００１７】
本発明は、粒子の分散性が良好となる材料により、所望の特性が容易に得られ、かつ小型化が達成できる電子部品を提供することを目的とする。
【００１８】
また、本発明は、絶縁性や耐圧性が高く、かつ腐食発生の問題がなく、高周波特性も良好となる電子部品を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子部品は、平均粒径が０．１〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子の表面全部あるいは一部を、誘電体層により被覆し、
該被覆粒子を１種類以上樹脂中に分散してなり、かつ金属箔上に塗工して形成され、前記金属箔にパターニングが施された複合誘電体材料を有するコンデンサを含む
ことを特徴とする。
【００２０】
ここで、誘電体層とは、樹脂より高い誘電率を持つ物質でなる層を意味し、好ましくは比誘電率が２０以上のものである。このように、金属粒子の表面の全部または一部を誘電体層で被覆した小径の球形の粒子は、例えば特公平３−６８４８４号公報に記載のような噴霧熱分解法により得ることができる。この噴霧熱分解法は、金属塩を含む溶液を噴霧して液滴にし、その液滴を該金属塩の分解温度より高くかつ金属の融点より高い温度で空中で加熱することにより、金属粉末を作る方法である。この金属粉末の表面に誘電体層を形成する場合、例えばチタン酸バリウム層を形成する場合は、バリウム塩やチタニル塩等の化合物を前記ニッケル塩と共に溶解した溶液を噴霧加熱すると共に、これらの誘電体用塩の分解温度よりも高い温度で加熱する。これにより、実質的に単結晶の球形金属粒子の表面に誘電体層が形成される。
【００２１】
この場合、前記粒子が実質的に単結晶であるとする根拠は、透過型電子顕微鏡を使った電子回折結果の回折像からも結晶性が非常に高いことが確認されたことによる。
【００２２】
また、この粒子は、噴霧熱分解法により生成させる場合、粒径の下限は０．０５μｍ、上限は２０μｍ程度である。実質的には、平均粒径が０．１〜１０μｍ程度であり、粒径が０．０５〜２０μｍの粒子が９５ｗｔ％を占めるような粒子の集合体となっている。
【００２３】
このような誘電体被覆金属粒子は、樹脂中に分散混合することにより、従来のように焼結誘電体を破砕して粉末にした片状あるいは凹凸のあるブロック状のものに比較して球形でありかつ小径であるため、樹脂中に分散性よく混合される。このため、加工が容易で所望の特性が得やすくなる。また、この粒子を樹脂に分散させた場合、誘電体層が金属粒子に対して例えば１ｗｔ％の添加量のときは誘電率の向上に寄与することができないが、複合誘電体材料の絶縁抵抗や耐電圧を向上させることができる。誘電体層が金属粒子に対して例えば１ｗｔ％の添加量を越える場合は誘電率の向上に寄与する。また、金属粒子が被覆層により覆われるため、腐食しにくい。
【００２４】
このような誘電体被覆金属粒子は、前記のような噴霧熱分解法で製造できるから、従来のような誘電体の焼結、粉砕等の多数の工程を経る場合に比較して廉価に提供可能となる。
【００２５】
なお、本発明において、複合誘電体材料は、樹脂中に誘電体被覆金属粒子の他に、酸化物誘電体粉末を１種以上さらに含ませたものであっても良い。
【００２６】
本発明において、金属粒子の表面に形成する誘電体層は、その厚みが０．００５〜２μｍであることが好ましい。
【００２７】
誘電体層の厚みが０．００５μｍ以上であれば誘電率あるいは耐電圧の向上に寄与することができる。また、２μｍを超えると、粒子の製造が困難となる。
【００２８】
なお、この場合の厚みとは、被覆の最大厚みを意味し、その被覆は必ずしも金属粒子の表面のすべてを覆っている必要はなく、金属粒子の表面の５０％程度を占めていればよい。
【００２９】
また、前記被覆金属粒子を３０〜９８ｗｔ％樹脂中に混合することが好ましい。被覆金属粒子が３０ｗｔ％未満であると、基板、電子部品、シールド材などを構成した際にそれぞれ所望の特性を得ることが困難となり、一方、９８ｗｔ％を越えるといずれの場合も成形が困難となる。
【００３０】
また、前記金属粒子としては、銀、金、白金、パラジウム、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、モリブデン、タングステンのうちの一種以上のものからなるものを用いることができる。さらに本発明においては、前記金属どうしの合金または他の金属との合金を用いることができる。
【００３１】
また、金属粒子の表面に形成する誘電体層としては、チタン−バリウム−ネオジウム系、チタン−バリウム−スズ系、鉛−カルシウム系、二酸化チタン系、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、アルミナ系、チタン酸ビスマス系、チタン酸マグネシウム系、チタン−バリウム−ストロンチウム系、チタン−バリウム−鉛系、チタン−バリウム−ジルコニウム系、ＢａＴｉＯ３−ＳｉＯ２系、ＢａＯ−ＳｉＯ２系、ＣａＷＯ４系、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系のセラミックス等があげられる。
【００３２】
本発明の電子部品においては、製造工程においては、表面に誘電体層を形成した金属粒子を樹脂中に分散させた複合誘電体材料を、成形材料、圧粉成形粉末材料、塗料、プリプレグ、基板として用いることができる。また、本発明の複合誘電体材料は、誘電体層に圧電材を用いることより、圧電材料として用いることができる。また、本発明の複合誘電体材料は、誘電体層の厚みや粒子の含有率を調整することにより、半導体材料として用いることができる。
【００３３】
このような複合誘電体材料を用いれば、粒子が球形であるために分散性がよく、また、前記噴霧熱分解法により小径の粒子が得られるから、小型にしても特性の良好な電子部品が得られる。また、表面に目的に合致した誘電体層が形成されることにより、誘電体層が有効に働き、高価な誘電体の量を少なくすることができる。
【００３４】
また、コンデンサ材料として前記誘電体被覆金属粒子を用いれば、誘電体層の厚みや粒子の樹脂に対する含有率を変えることにより、種々の誘電率を得ることができる。また、使用する複合誘電体材料は粒子が小径でありかつ球形であるため分散性が良好であり、小型に構成する場合であっても特性が安定する。
【００３５】
また、積層基板に前記複合誘電体材料を用いれば、積層基板内にコンデンサを形成することができ、また、誘電体層の厚みや粒子の樹脂に対する混合率を変えることにより、種々の誘電率の層を得ることができ、特性が異なる種々の受動素子を積層基板内に形成することができる。
【００３６】
また、シールド材として前記複合誘電体材料を用いれば、絶縁性を必要とするシールド製品の成形材として使用できるので、絶縁材を介することなく取付けができ、実装が容易である。
【００３７】
このような球形金属粒子の表面誘電体層を設けて樹脂中に分散混合してなる複合誘電体材料を用いて構成される本発明による電子部品としては、一般的なコンデンサ、積層コンデンサ、円盤コンデンサ、貫通コンデンサ等がある。
【００３８】
このように、金属粒子の表面を絶縁体層で被覆した小径の実質的に単結晶の球状の粒子は、前記特公平３−６８４８４号公報に記載にような噴霧熱分解法より得ることができる。
【００３９】
このような絶縁体被覆金属は、樹脂中に分散混合することにより、従来のフェライトを破砕して粉末にした片状、あるいは凹凸のあるブロック状のものに比較して球状でありかつ小径であるため樹脂中に分散性よく混合される。また、この粒子を樹脂に分散させた場合、絶縁体層が金属粒子に対して１ｗｔ％の少量の添加量であっても絶縁抵抗の向上に寄与することができ、かつ耐電圧をも向上させることができる。
【００４０】
この粒子は、噴霧熱分解法により生成される場合、粒径の下限は０．０５μｍ、上限は２０μｍ程度である。実質的には、平均粒径が０．１〜１０μｍ程度であり、粒径が０．０５〜２０μｍの粒子が９５ｗｔ％を占めるような粒子の集合体となっている。
【００４１】
このように小径でありかつ表面が絶縁体により被覆されていることにより、金属粒子を用いた複合磁性材料でありながら磁性材としての損失のひとつである渦電流損が小さく、高周波特性が良好となる。さらに、小径であることにより薄い電子部品の製造も容易となる。
【００４２】
このような金属粒子または磁性金属粒子の周囲を絶縁体層により覆った複合磁性材料を有する電子部品は、前記絶縁体層の厚みが０．００５〜２μｍであることが好ましい。絶縁体層の厚みが０．００５μｍ以上であれば誘電率、絶縁性および耐電圧性の向上に寄与することができる。また、２μｍを越えると均一な絶縁体層の膜形成が困難となる。
【００４３】
なお、この場合の厚みとは、被覆の最大厚みを意味し、その被覆は必ずしも金属粒子の表面のすべてを覆っている必要はなく、金属粒子の表面の５０％程度を占めていればよい。また、被覆金属粒子の含有率は前記の通り３０〜９８ｗｔ％であることが好ましい。
【００４４】
このように、微小磁性金属粒子を絶縁体層で被覆することにより、絶縁抵抗が高く、耐電圧も高くなる。また、シールド材においては絶縁処理の必要がないので、他の部材との組み合わせが絶縁処理を行うことなく可能となり、構造が簡略化できる。チョークコイルの磁芯の場合でも絶縁処理を行うことなしに巻線することが可能となり、同じく構造の簡略化がはかれる。
【００４５】
また、本発明において、加熱加圧による成形方法をとる電子部品の場合は、被覆金属粒子の樹脂中の含有率は９０〜９８ｗｔ％であることが好ましい。このような加熱加圧による場合は、被覆金属粒子の樹脂材料中への添加量を容易に増やすことができるので、透磁率を高くとることが可能となる。さらに、絶縁体被覆金属粒子を使用していることで絶縁性が高い信頼性の良い電子部品が得られる。また、本発明の複合材料を用いれば、絶縁体層が強固に被覆されているので、加圧の際に該被覆金属粒子が変形されても絶縁体層が破壊されにくくなる。
【００４６】
本発明の電子部品は、前記磁性金属粒子の周囲を絶縁体層により覆った複合磁性材料を印刷等により電子部品の内部または表面に形成したものとして構成することができる。このような絶縁体層被覆金属粒子を用いることにより高周波域まで高い透磁率を得ることができる。また、絶縁体層の被覆により高い絶縁抵抗と高い耐電圧が得られる。
【００４７】
本発明において、プリプレグおよび磁性基板を用いた電子部品を構成する場合、このような微小の絶縁体層被覆金属粒子を用いることにより、高周波域まで高い透磁率を得ることができる。また、絶縁体層の被覆により高い絶縁抵抗と高い耐電圧が得られる。
【００４８】
本発明において、樹脂材料をガラス質の材料に置き換え、成形および焼成にて粒子を結合し、用途に応じた形状とすることも当然の事ながら可能であり、耐熱性を重視した成形材を有する電子部品の実現も可能である。
【００４９】
また、樹脂中に被覆金属粒子のみならずガラス成分を添加するか、あるいは被覆絶縁層をガラス成分とし、成形後、焼成を行い、耐熱性の優れた複合磁性材料とすることも可能である。
【００５０】
本発明において用いる複合材料には、樹脂として、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の双方が使用可能であり、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、メラミン樹脂、シアネートエステル系樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリビニルベンジルエーテル化合物樹脂、液晶ポリマー、フッ素系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂のうちの少なくとも１種類以上のものが単独または混合して使用できる。
【００５１】
本発明の電子部品は、前記複合誘電体材料または／および複合材料を複合化させて備えたものとして構成することができる。このような電子部品としては、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、ＥＭＣフィルタ、電源用フィルタ、電源ユニット、ＤＣ−ＤＣコンバータ、ＤＣ−ＡＣコンバータ、インバータ、ディレイライン、ダイプレクサ等がある。また、携帯電話等の通信機器におけるデュプレクサ、アンテナスイッチモジュール、ＰＬＬモジュール、フロントエンドモジュール、チューナユニット、ダブルバランスドミキサ等に用いることができる。
【００５２】
さらに本発明の電子部品において、前記複合誘電体材料または複合材料が、樹脂中にガラスクロスを埋設した層を少なくとも一層以上含むものからなるものとして構成することができる。このようにガラスクロスを埋設することにより、部品強度を向上させることができる。
【００５３】
【発明の実施の形態】
図１（Ａ）は本発明において用いる金属粒子を示す断面図である。１は金属粒子であり、２はその表面に形成された被覆層である。この被覆金属粒子は噴霧熱分解法によって製造される。噴霧熱分解法とは、図２に示すような装置を使用して実施される。すなわち、外部に加熱装置３を有する炉心管４の上端に噴霧する溶液の導入管５につながる噴霧式ノズル６を配置する。該ノズル６の周囲には、キャリアガスの導入管７につながるガイド筒８が同心状に配置される。炉心管４の下端には、製造粒子の収容部９が設けられる。
【００５４】
この装置において、ノズル６から金属塩と、誘電体層形成のための塩とを含む溶液を噴霧すると同時に、ガイド筒８から酸化性または還元性等目的に応じた特性のキャリアガスを流出させながら、炉心管４内において被覆金属粒子を形成する。
【００５５】
前記金属粒子１、被覆層２の材料としては、誘電体層として被覆層２を形成する場合は、前述した各材料を用いることができる。
【００５６】
また、金属粒子１や被覆層２形成のための塩の種類としては、硝酸塩、硫酸塩、オキシ硝酸塩、オキシ硫酸塩、塩化物、アンモニウム錯体、リン酸塩、カルボン酸塩、金属アルコラート、樹脂酸塩、ホウ酸、珪酸等の熱分解性化合物の１種または２種以上が使用される。
【００５７】
これらの塩等の化合物を、水や、アルコール、アセトン、エーテル等の有機溶剤あるいはこれらの混合液中に溶解する。加熱装置３により設定される加熱温度は、金属粒子１の溶融温度より高い温度に設定される。
【００５８】
図１（Ｂ）に示すように、前記噴霧熱分解法により製造した誘電体被覆金属粒子１を、ボールミル等を使用して樹脂１５中に分散混合することにより、複合誘電体材料を得る。樹脂１５としては、前述した各材料を使用することができる。
【００５９】
前記金属粒子の材料としては、磁性を持つものを用いれば、複合磁性材料となり、磁性電子部品を構成できる。この複合磁性材料を作るための金属として、特に、ニッケル、鉄あるいは鉄と他の金属（ニッケル、モリブデン、珪素、アルミニウム、コバルト、ネオジウム、白金、サマリウム、亜鉛、硼素、銅、ビスマス、クロム、チタン等）のうち１種以上より選択された合金が用いられる。その他にも鉄を含まないものとしてＭｎ−Ａｌ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｃｏ系等の合金も使用できる。
【００６０】
また、被覆層２を絶縁体層形成の目的で設けるための材料としては、絶縁性を有する酸化物組成であれば良く、例えばガラス質を形成するような珪素、硼素、燐、錫、亜鉛、ビスマス、アルカリ金属、アルカリ土類金属ゲルマニウム、銅、亜鉛、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、マンガン、タングステン、鉄、クロム、コバルト、希土類金属、モリブデン等の元素を少なくとも１種類以上含む酸化物がある。
【００６１】
また、複合磁性材料を得る場合であっても、例えば以下に挙げるような誘電性を示す酸化物によって被覆層２を形成しても良い。具体的には、チタン−バリウム−ネオジウム系、チタン−バリウム−錫系、チタン−バリウム−ストロンチウム系、チタン−バリウム−鉛系、チタン−バリウム−ジルコニウム系、鉛−カルシウム系、二酸化チタン系、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸ビスマス系、チタン酸マグネシウム系のセラミックスが挙げられる。さらに、ＣａＷＯ４系、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ３系、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ３系、ＢａＴｉＯ３−ＳｉＯ２系、ＢａＯ−ＳｉＯ２系のセラミックスやアルミナ等が挙げられる。
【００６２】
さらに、複合磁性材料を得る場合の被覆層２は、次に示すような磁性酸化物であっても良い。組成としては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎフェライト、Ｃｏフェライト、Ｌｉフェライト、Ｍｇフェライト、Ｎｉフェライトなどがある。また、Ｂａフェライト等の六方晶フェライトであっても良い。それ以外にもＦｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４等の酸化鉄でも差し支えない。
【００６３】
以上に挙げた塩を水やアルコール、アセトン、エーテル等の有機溶剤あるいは、それらの混合溶液中に溶解する。加熱装置３により設定される加熱温度は、金属粒子１の溶融温度より高い温度に設定される。
【００６４】
以上により得られた複合磁性材料は、その磁気特性を利用して、後述する各電子部品に用いられる。製造においては、各種の成形方法により、ガラスクロス入りプリプレグおよび銅張り磁性基板、磁性成形材料、磁性塗料、圧粉磁性粉末成形材料の形態にする。
【００６５】
また、本発明により得られた複合磁性材料に、被覆されていない金属粒子や偏平化した金属粒子、および酸化物磁性体、酸化物誘電体粒子を目的とする特性に合わせて添加することも可能である。
【００６６】
本発明による電子部品の製造に使用するプリプレグは、図２７または図２８に示すような方法により製造することができる。この場合、図２７の方法は比較的量産に適しており、図２８の方法は、膜厚制御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行えるという特徴を有している。図２７において、（ａ）に示すように、ロール状に巻回されたガラスクロス１０１ａは、このロール９０から繰り出され、ガイドローラ９１を介して塗工槽９２に搬送される。この塗工槽９２には、複合誘電体材料あるいは複合磁性材料がスラリー状に調整されており、この塗工槽９２をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中のすきまが埋められることになる。
【００６７】
塗工槽９２を通過したガラスクロスは、ガイドローラー９３ａ、９３ｂを介して乾燥炉１２０に導入される。乾燥炉に導入された複合誘電体材料あるいは複合磁性材料含浸ガラスクロスは、所定の温度と時間乾燥され、Ｂステージ化されるとともに、ガイドローラー９５により方向転換して巻取ローラ１３０に巻回される。
【００６８】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、ガラスクロス１０１の両面に複合誘電体材料あるいは複合磁性材料１０２が配置されたプリプレグが得られる。
【００６９】
さらに、（ｃ）に示すように、得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔１００を配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は１００〜２００℃の温度、９．８×１０５〜７．８４×１０６Ｐａ（１０〜８０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力とすればよく、このような条件下で０．５〜２０時間程度成形することが好ましい。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００７０】
次に、図２８の製造方法について説明する。図２８において、（ａ）に示すように、複合誘電体材料あるいは複合磁性材料からなるスラリー１０２ａをドクターブレード９６等によってクリアランスを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。
【００７１】
そして、所定の大きさに切断されると、（ｂ）に示すように、金属箔１００の上面に複合誘電体材料あるいは複合磁性材料１０２が配置されたプリプレグが得られる。
【００７２】
さらに、得られたプリプレグを、（ｃ）に示すように、ガラスクロス１０１の上下両面に、それぞれ複合誘電体材料あるいは複合磁性材料１０２側を内面にして配置し、これを加熱・加圧プレスすると、（ｄ）に示すような両面金属箔１００付き基板が得られる。加熱加圧条件は上記と同様でよい。
【００７３】
積層電子部品を構成する基板、およびプリプレグは、上記塗工法以外に材料を混練し、固体状とした混練物を成型することによっても得ることができる。この場合、原料が固体状であるため、厚みをとりやすく、比較的厚みのある基板、プリプレグを形成する方法として適している。
【００７４】
混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化してもよい。
【００７５】
このようにペレット化、粉末化等された混練物を金型を用いて加熱・加圧成型する。成型条件としては、１００〜２００℃、０．５〜３時間、４．９×１０５〜７．８４×１０６Ｐａ（５〜８０ｋｇｆ／ｃｍ２）圧力とすればよい。
【００７６】
この場合に得られるプリプレグの厚みとしては、０．０５〜５ｍｍ程度である。プリプレグの厚みは、所望する板厚、誘電体粉や磁性粉の含有率に応じて適宜調整すればよい。
【００７７】
さらに、上記同様に得られたプリプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・加圧プレスすると両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は１００〜２００℃の温度、９．８×１０５〜７．８４×１０６Ｐａ（１０〜８０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力とすればよく、このような条件下で０．５〜２０時間程度成形することが好ましい。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
【００７８】
本発明において用いるプリプレグは銅箔と重ねて加熱加圧して成形することにより銅箔付基板を形成することができる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μｍ　程度である。このような銅箔付基板には、両面パターンニング基板や多層基板などがある。
【００７９】
図２９、図３０は両面パターンニング基板形成例の工程図である。図２９、図３０に示されるように、所定厚さのプリプレグ１６と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔１７とを重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホール１８をドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成したスルーホール１８に銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜２５を形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔１７にパターニングを施し、導体パターン２６を形成する（工程Ｄ）。その後、図２９に示されるように、外部端子等の接続のためのメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００８０】
図３１、図３２は多層基板形成例の工程図であり、４層積層する例が示されている。図３１、図３２に示されるように、所定厚さのプリプレグ１６と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔１７とを重ねて加圧加熱して成形する（工程ａ）。次に両面の銅箔１７にパターニングを施し、導体パターン２４を形成する（工程ｂ）。このようにして得られた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さのプリプレグ１６と銅箔１７とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する（工程ｃ）。次にスルーホール１８をドリリングにより形成する（工程ｄ）。形成したスルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜１９を形成する（工程ｅ）。さらに両面の銅箔１７にパターニングを施し、導体パターン２４を形成する（工程ｆ）。その後図３１に示されるように、外部端子との接続のためのメッキを施す（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われる。
【００８１】
上記の加熱加圧の成形条件は、１００〜２００℃の温度、９．８×１０５〜７．８４×１０６Ｐａ（１０〜８０ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で、０．５〜２０時間とすることが好ましい。
【００８２】
本発明では、前記例に限らず、種々の基板を形成することができる。例えば、成形材料としての基板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを接着層として多層化することも可能である。
【００８３】
また、プリプレグや成形材料としての基板と銅箔とを接着する態様において、前述の複合誘電体材料や複合磁性材料と、必要により難燃剤と樹脂とブチルカルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得られた複合誘電体材料や複合磁性材料ペーストをパターニングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。
【００８４】
このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせることにより、後述のような積層電子部品を得ることができる。
【００８５】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
＜実施例１＞
図３、図４は、本発明の第１の実施例であるキャパシタ（コンデンサ）を示した図であり、図３は透視斜視図、図４は断面図である。図において、キャパシタ２０は本発明の複合誘電体材料を有する構成層２０ａ〜２０ｇと、この構成層２０ｂ〜２０ｇ上に形成されている内部導体（内部電極パターン）２３と、この内部導体２３とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成された端子電極２２とそれから僅かに上下面方向に形成された導体パターン２１とから構成されている。
【００８６】
このキャパシタ２０の構成層２０ａ〜２０ｇは、実質的に単結晶で球形の平均粒径が０．１から１０μｍの金属粒子の表面を誘電体でなる被覆層で被覆し、その１種以上の被覆金属粒子を樹脂中に分散混合してなる複合誘電体材料によって構成される。
【００８７】
図３のコンデンサの等価回路を図６（ａ）に示す。図６（ａ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２を有する電子部品（コンデンサ）となっている。
【００８８】
＜実施例２＞
図５は本発明の第２の実施例であるキャパシタを示した透視斜視図である。この例では、実施例１において単独で構成されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて４連とした例である。実施例２の層構成方法、使用材料、端子構成方法は実施例１と同じである。図５において、図３と同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。その等価回路を図６（ｂ）に示す。図６（ｂ）に示されるように、等価回路ではキャパシタ３２ａ〜３２ｄが４連装された電子部品（コンデンサ）となっている。このようにキャパシタが複数内蔵された構造とすれば、セットの小型化、部品点数削減に役立つ。
【００８９】
実施例１、２のように、球形金属粒子を誘電体層で被覆したものを樹脂中に分散混合した複合誘電体材料を誘電体の構成層として用いることにより、セラミック破砕粉を樹脂中に分散した場合に比較し、小型で、高容量のチップコンデンサを得ることができる。また、樹脂中に分散される粒子が球形の金属粒子であるため、分散性が良好であり、加工性がよい。また、金属粒子が誘電体層によって覆われているため、絶縁性、耐電圧が向上する。
【００９０】
＜実施例３＞
図７〜図９は、本発明の第３の実施例の積層フィルタを示している。ここで図７は斜視図、図８は分解斜視図、図９は等価回路図である。なお、この積層型フィルタは２ポールとして構成されている。
【００９１】
図７〜９において、積層型フィルタ６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に一対のストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。コンデンサ導体６７は下部構成層群６０ｄ上に形成され、ストリップ線路６８はその上の構成層６０ｃ上に形成されている。構成層６０ａ〜６０ｅの上下端部にはＧＮＤ導体６５が形成されていて、前記ストリップ線路６８とコンデンサ導体６７とを挟み込むようになっている。ストリップ線路６８と、コンデンサ導体６７と、ＧＮＤ導体６５とはそれぞれ端面に形成された端部電極（外部端子）６２とそれから僅かに上下面方向に形成されたランドパターン６１と接続されている。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向に形成されたＧＮＤパターン６６はＧＮＤ導体６５と接続されている。
【００９２】
ストリップ線路６８は、図９の等価回路図に示されるλｇ　／４長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路７４ａ、７４ｂであり、コンデンサ導体６７は入出力結合容量Ｃｉを構成する。また、それぞれのストリップ線路７４ａ、７４ｂ間は、結合容量Ｃｍおよび結合係数Ｍにより結合されている。
【００９３】
この積層フィルタ６０の構成層６０ａ〜６０ｅは、球形金属粒子を誘電体層で被覆したものを樹脂中に分散混合した複合誘電体材料により構成されている。
【００９４】
このような積層型フィルタを設計するにあたっても、小型化を考慮すると誘電率は高い方が良い。本発明によれば、前述のように、高い誘電率が得られる前記複合誘電体材料により構成層を構成しているので、小型で高特性の積層フィルタを提供可能となる。
【００９５】
＜実施例４＞
図１０〜図１２は、本発明の第４の実施例の積層フィルタを示している。ここで図１０は斜視図、図１１は分解斜視図、図１２は等価回路図である。なお、この積層フィルタは４ポールとして構成されている。
【００９６】
図１０〜１２において、積層フィルタ６０は、構成層６０ａ〜６０ｅが積層された積層体のほぼ中央に４つのストリップ線路６８と、一対のコンデンサ導体６７とを有する。その他の構成要素は実施例３と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００９７】
＜実施例５＞
図１３〜図１５は、本発明の第５の実施例のＶＣＯ（電圧制御発振器）を示している。ここで図１３は透過斜視図、図１４は断面図、図１５は等価回路図である。
【００９８】
図１３〜１５において、ＶＣＯは、構成層２１０ａ〜２１０ｇが積層された積層体２１０の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品２６１と、この構成層２１０ａ〜２１０ｇ中およびその上下面に形成されている導体パターン２６２、２６３、２６４を有する。
【００９９】
このＶＣＯは図１５に示すような等価回路により構成されているため、共振器、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【０１００】
この例では、共振器を構成する構成層２１０ｆ、２１０ｇには共振周波数に適した誘電率に調整した複合誘電体材料を用い、コンデンサ構成層２１０ｃ〜２１０ｅには誘電率が５〜４０となるような複合誘電体材料を用いる。また、配線、およびインダクタ構成層２１０ａ、２１０ｂには、前記コンデンサより誘電率が低い複合誘電体材料を用いる。
【０１０１】
そして、上記構成層２１０ａ〜２１０ｇの表面には、内部導体であるストリップライン２６３、ＧＮＤ導体２６２、コンデンサ導体２６４，配線インダクタ導体２６５、および端子導体２６６を構成する。また、それぞれの内部導体はビアホール２１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品２６１が搭載されて図１５の等価回路に示すようなＶＣＯが形成される。
【０１０２】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【０１０３】
＜実施例６＞
図１６〜図１８は、本発明の第６の実施例のパワーアンプ（電力増幅部）を示している。ここで図１６は各構成層の分解平面図、図１７は等価回路図、図１８は断面図である。
【０１０４】
図１６〜１８において、パワーアンプは、構成層３００ａ〜３００ｅが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品３６１と、この構成層３００ａ〜３００ｅ中およびその上下面に形成されている導体パターン３１３，３１５を有する。３１４は内部導体間を接続するビアホールである。
【０１０５】
このパワーアンプは図１７に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラインＬ１１〜Ｌ１７、コンデンサＣ１１〜Ｃ２０、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【０１０６】
この例では、ストリップラインを構成する構成層３００ｄ，３００ｅには使用周波数に適した誘電率に調整した複合誘電体材料を使用する。また、コンデンサ構成層３００ａ〜３００ｃには、誘電率が５〜４０となるような複合誘電体材料を用いる。
【０１０７】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【０１０８】
＜実施例７＞
図１９〜図２１は、本発明の第７の実施例の光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図１９は各構成層の分解平面図、図２０は断面図、図２１は等価回路図である。
【０１０９】
図１９〜２１において、重畳モジュールは、構成層４００ａ〜４００ｋが積層された積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品４６１と、この構成層４００ａ〜４００ｋ中およびその上下面に形成されている導体パターン４１３，４１５を有する。この重畳モジュールは図２１に示すような等価回路により構成されているため、インダクタＬ２１、Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２７、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【０１１０】
この例では、コンデンサ構成層４００ｄ〜４００ｈには、誘電率が１０〜４０となるように調整された複合誘電体材料を用いる。また、インダクタなどを構成する構成層４００ａ〜４００ｃ，４００ｊ〜４００ｋには、比較的誘電率が低い材料を用いる。そして、ベース材料４００ａ〜４００ｋの表面には、内部導体４１３、ＧＮＤ導体４１５等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール４１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品４６１が搭載されて図２１の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。
【０１１１】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した材料を層毎に構成しているので、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【０１１２】
＜実施例８＞
図２２〜図２６は、本発明の第８の実施例のＲＦユニットを示している。ここでＲＦユニットは携帯電話等の無線通信機器に使用されるもので、図２２は斜視図、図２３は外装部材を外した状態での斜視図、図２４は各構成層の分解斜視図、図２５は断面図、図２６はブロック図ある。ＲＦユニットは図２６に示すように、ＰＬＬ回路５２０、ＶＣＯ５２１、ハイブリッド回路５２２、ミキサー５２３、バンドパスフィルタ５２４、アンプ５２５とカプラ５２６とアイソレータ５２７とからなるパワーアンプモジュール５２９、アンテナ５３０、ローパスフィルタと５３１とデュプレクサ５３２とからなるフロントエンドモジュール５３３、アンプ５３４〜５３６、バンドパスフィルタ５３７、５３８、ミキサー５３９、５４０、弾性表面波フィルタ５４１を備えている。
【０１１３】
図２２〜２５において、ＲＦユニットは、構成層５００ａ〜５００ｉが積層された積層体５００の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電子部品５６１と、この構成層５００ａ〜５００ｉ中およびその上下面に形成されている導体パターン５１３、５１５、５７２と、アンテナパターン５７３を有する。このＲＦユニットは、上記のように、アンテナ、フィルタ、インダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効率的である。ここで示す構成はその一例であり、他の構成例もある。
【０１１４】
この例では、アンテナ構成、ストリップライン構成および配線層５００ａ〜５００ｄ、５００ｇには、使用周波数に合わせて調整された誘電率の複合誘電体材料を使用する。コンデンサ構成層５００ｅ〜５００ｆには、誘電率が１０〜４０程度に高く調整された複合誘電体材料を使用する。電源ライン層５００ｈ〜５００ｉには、透磁率が３〜２０程度に調整された前記被覆磁性金属粒子を樹脂中に分散混合した複合磁性材料を用いる。
【０１１５】
そして、これらの構成層５００ａ〜５００ｉの表面には、内部導体５１３、ＧＮＤ導体５１５、アンテナ導体５７３等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール５１４により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品５６１が搭載されてＲＦユニットが形成される。
【０１１６】
このように構成することにより、それぞれの機能に適した材料を層毎に用いることにより、高性能化、小型化、薄型化が可能となる。
【０１１７】
これらの他、アイソレータ、サーキュレータも多層化された小型のものを作成することが可能である。また、前記した各実施例の部品を適宜に複合化することにより、より集積化、小型化が可能となる。例えばアンテナを含むフロントエンドモジュール５３３、アイソレータ５２７を含むパワーアンプモジュール５２９等の製品も、本発明の複合誘電体材料あるいは複合磁性材料を用いることにより、小型化、集積化が可能となる。
【０１１８】
以上の各実施例において、必要によりハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機材料等の難燃剤を各構成層中に添加してもよい。また、各実施例において、必要に応じて、構成層中に前記ガラスクロスが埋設される。また、すべての層は同じ材質である必要はなく、それぞれの層のうち、一部の層または全部の層をそれぞれ異なる材質により構成しても良い。
【０１１９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、平均粒径が０．１〜１０μｍで、ほぼ球形の金属粒子の表面全部あるいは一部を、誘電体層または絶縁体層により被覆し、該被覆粒子を１種類以上樹脂中に分散してなり、かつ金属箔上に塗工して形成され、前記金属箔にパターニングが施された複合誘電体材料またｈ複合材料を有する構成としたので、小型で加工性が良く、比重が軽い柔軟性のある電子部品が提供できる。また、金属粒子の表面を絶縁体層により覆っているので、絶縁抵抗と耐圧性が高くなる。
【０１２０】
また、磁性金属粒子の表面を絶縁体層により被覆して磁性体を構成した場合には、樹脂中に金属粒子を分散混合した磁性体に比較し、高周波特性の優れた電子部品が提供できる。
【０１２１】
また、異なった材料により多層化しても、セラミックに比較して柔軟性が高いため、クラック、はがれ、そり等の問題がおきにくく、高性能の電子部品を得ることができる。
【０１２２】
また、焼成や厚膜印刷等の工程がないため、製造しやすく、不具合の起きにくいライン設計が可能となる。また、基体にガラスクロスを埋設すれば、強度の高い電子部品が得られる。また、難燃剤を添加すれば、難燃性の高い電子部品が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は本発明において用いる粒子の断面図、（Ｂ）は本発明において用いる複合材料の一例を示す断面図である。
【図２】本発明において噴霧熱分解法による粒子生成に用いる装置の一例を示す構成図である。
【図３】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図４】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図５】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパシタを示す図である。
【図６】本発明の積層電子部品の構成例であるキャパシタを示す等価回路図である。
【図７】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図８】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図９】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図１０】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図１１】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す図である。
【図１２】本発明の積層電子部品の構成例である積層フィルタを示す等価回路図である。
【図１３】本発明の積層電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図１４】本発明の積層電子部品の構成例であるＶＣＯを示す図である。
【図１５】本発明の積層電子部品の構成例であるＶＣＯを示す等価回路図である。
【図１６】本発明の積層電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図１７】本発明の積層電子部品の構成例であるパワーアンプを示す等価回路図である。
【図１８】本発明の積層電子部品の構成例であるパワーアンプを示す図である。
【図１９】本発明の積層電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図２０】本発明の積層電子部品の構成例である重畳モジュールを示す図である。
【図２１】本発明の積層電子部品の構成例である重畳モジュールを示す等価回路図である。
【図２２】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユニットを示す図である。
【図２３】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユニットを示す図である。
【図２４】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユニットを示す図である。
【図２５】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユニットを示す図である。
【図２６】本発明の積層電子部品の構成例であるＲＦユニットを示すブロック図である。
【図２７】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図２８】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図２９】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。
【図３０】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。
【図３１】多層基板の形成例を示す工程図である。
【図３２】多層基板の形成例を示す工程図である。
【符号の説明】
１：金属粒子
２：被覆層
２０　　キャパシタ
２０ａ〜２０ｇ　　構成層
２１　　導体パターン
２２　　貫通ビア
２３　　内部導体（内部電極パターン）
４３　　内部導体
４５　　ＧＮＤ導体
６０　　積層フィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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