(57)【要約】【課題】生産性および歩留まりを向上させることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィ工程に先立って、被覆成長層１４の上に、ＳｉＯ２膜からなるマスク１６を形成する。機械研磨（ラッピング）によって、突起部１５の高さが例えば１μｍ以下となるように、マスク１６の表面を研磨する。フッ化水素水溶液を用いて、マスク１６を除去する。被覆成長層１４の表面に生じた突起１５が除去されて、被覆成長層１４の表面が平坦となる。後のフォトリソグラフィ工程において、接触型の露光装置を用いてフォトマスクと窒化物半導体層が形成された基板とを接触させたときに、基板１１の表面全体に均等に圧力が加えられるので、基板割れが防止される。【選択図】　　　　図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる基板に異なった処理を行う複数の工程を含む窒化物半導体の製造方法であって、
前記複数の工程のうちの所定の工程に先立って、前記基板の表面に生じた突起を除去する工程を含む
ことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記突起を除去する工程が、前記基板の表面にマスクを形成する工程と、前記マスクが形成された基板の表面を研磨する工程とを含む工程である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項３】
前記突起を除去する工程が、前記基板の表面にエッチングを施す工程である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項４】
酸性のエッチング溶液を用いる
ことを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】
前記酸性のエッチング溶液として、塩酸、硫酸、またはフッ化水素水溶液を用いる
ことを特徴とする請求項４記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項６】
アルカリ性のエッチング溶液を用いる
ことを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項７】
前記アルカリ性のエッチング溶液として、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、またはアンモニア水溶液を用いる
ことを特徴とする請求項６記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項８】
前記基板の表面にマスクを形成し、反応性イオンエッチング法によって、前記マスクを用いて、前記基板の表面に選択的にエッチングを施す
ことを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項９】
前記突起を除去する工程が、前記基板の表面のうち、突起が生じた領域を切り取る工程である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項１０】
前記所定の工程が、リソグラフィ法によって前記基板の表面にパターンを形成する工程である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項１１】
窒化物半導体からなる基板の上に窒化物半導体層を形成する工程と、前記基板に異なった処理を行う複数の工程を含む窒化物半導体素子の製造方法であって、
前記複数の工程のうちの所定の工程に先立って、前記窒化物半導体層の表面に生じた突起を除去する工程を含む
ことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記突起を除去する工程が、前記窒化物半導体層の表面にマスクを形成する工程と、前記マスクが形成された窒化物半導体層の表面を研磨する工程とを含む工程である
ことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記突起を除去する工程が、前記窒化物半導体層にエッチングを施す工程である
ことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
酸性のエッチング溶液を用いる
ことを特徴とする請求項１３記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記酸性のエッチング溶液として、塩酸、硫酸、またはフッ化水素水溶液を用いる
ことを特徴とする請求項１４記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
アルカリ性のエッチング溶液を用いる
ことを特徴とする請求項１３記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記アルカリ性のエッチング溶液として、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、またはアンモニア水溶液を用いる
ことを特徴とする請求項１６記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記窒化物半導体層にマスクを形成し、反応性イオンエッチング法によって、前記マスクを用いて前記窒化物半導体層に選択的にエッチングを施す
ことを特徴とする請求項１３記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記突起を除去する工程が、前記窒化物半導体層の表面のうち、突起が生じた領域を切り取る工程である
ことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
前記所定の工程が、リソグラフィ法によって前記窒化物半導体層の表面にパターンを形成する工程である
ことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザなどに用いられる窒化物半導体の製造方法、および、窒化物半導体からなる基板の上に窒化物半導体層が形成された窒化物半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
窒化物半導体は、直接遷移の半導体材料であると共に、禁制帯幅が１．９〜６．２ｅＶにわたっているという特徴を有している。従って、この窒化物半導体は可視領域から紫外領域までの発光を得ることができ、半導体レーザ（ｌａｓｅｒ　ｄｉｏｄｅ；ＬＤ）や発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）などの半導体発光素子を構成する材料として注目されている。また、窒化物半導体は、飽和電子速度および破壊電界が大きいことから、電子素子を構成する材料として注目されている。
【０００３】
このような窒化物半導体素子、特に窒化物半導体発光素子では、窒化物半導体からなる基板の表面やこの基板上に形成された窒化物半導体層の表面が平坦であることが、プロセスを行う上で非常に重要である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、窒化物半導体の結晶成長方法では、格子欠陥を取り除くために、成長の基礎となる種結晶部に対して横方向、すなわち形成される層面に対して水平方向に成長する結晶には種結晶部に由来する転位が少ないことを利用した結晶成長法が行われている。このような結晶成長方法によって、基板の上に窒化物半導体の結晶を成長させると、基板のエッジ部において異常成長が起こって、突起が生じる。また、基板の表面で塵が付着した領域の上に結晶成長を行うと、塵を核として結晶が成長して、異常成長が起こり、突起が生じる。更に、塵が基板の表面に付着すると、その塵自体が突起となる。
【０００５】
このように基板の表面に発生した突起の高さが例えば１μｍより大きい場合に、基板に複数のプロセスを施すと、様々な問題が生ずる。特に、突起が存在する基板の表面を所定の平面に接触させてプロセスを行う場合に問題が生ずる。例えば、図１１に示したように、フォトリソグラフィ法によって、接触型の露光装置を用いて、フォトマスク１５１と基板１１１とを接触させてプロセスを行う場合、基板１１１の上から圧力を加えたときに、基板１１１の表面に突起１１５が存在すると、基板１１１の表面全体に均等に圧力が加わらず、基板割れが発生するという虞があった。また、基板の薄膜化工程において土台に貼り付けて基板の裏面の研削を行う場合、基板の上から圧力を加えたときに、基板の裏面に突起が存在すると、フォトリソグラフィ工程の場合と同様に、突起によって基板の裏面全体に均等に圧力が加わらず、基板割れが発生するという問題があった。その結果、窒化物半導体または窒化物半導体素子の製造の生産性および歩留まりが低下するという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、生産性および歩留まりを向上させることができる窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による窒化物半導体の製造方法は、窒化物半導体からなる基板に異なった処理を行う複数の工程を含む構造方法であって、複数の工程のうちの所定の工程に先立って、基板の表面に生じた突起を除去する工程を含むものである。なお、窒化物半導体からなる基板とは、窒化物半導体以外の材料、例えばＡｌ２Ｏ３（サファイア）からなる基板上に、窒化物半導体が成長されたものも含む。
【０００８】
本発明による窒化物半導体素子の製造方法は、窒化物半導体からなる基板の上に窒化物半導体層を形成する工程と、基板に異なった処理を行う複数の工程を含む製造方法であって、複数の工程のうちの所定の工程に先立って、窒化物半導体層の表面に生じた突起を除去する工程を含むものである。
【０００９】
本発明による窒化物半導体の製造方法または窒化物半導体素子の製造方法では、複数の工程のうちの所定の工程に先立って、基板の表面に生じた突起または窒化物半導体層に生じた突起を除去する工程を含むようにしたので、基板または窒化物半導体層の表面が平坦となって、その後の所定の工程、特に、フォトリソグラフィ工程において、接触型の露光装置を用いてフォトマスクと基板とを接触させるようにしても、基板または窒化物半導体層の表面全体に均等に圧力が加えられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
図１〜図９を参照して、本発明の一実施の形態に係る窒化物半導体素子の製造方法としての窒化物半導体レーザの製造方法について説明する。なお、図３は図２の一部分を拡大した概略断面図、図５は図４の一部分を拡大した概略断面図である。また、本発明の窒化物半導体の製造方法は、窒化物半導体素子の製造方法によって具現化されるので、以下併せて説明する。
【００１２】
なお、ここでいう窒化物半導体とは、ガリウム（Ｇａ）と窒素（Ｎ）とを含んだ窒化ガリウム系化合物のことであり、例えばＧａＮ，ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウム・ガリウム）混晶，あるいはＡｌＧａＩｎＮ（窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム）混晶などが挙げられる。これらは、必要に応じてＳｉ（シリコン），Ｇｅ（ゲルマニウム），Ｏ（酸素），Ｓｅ（セレン）などのＩＶ族およびＶＩ族元素からなるｎ型不純物、または、Ｍｇ（マグネシウム），Ｚｎ（亜鉛），Ｃ（炭素）などのＩＩ族およびＩＶ族元素からなるｐ型不純物を含有している。
【００１３】
まず、図１に示したように、例えばＡｌ２Ｏ３からなる基板１１を用意する。基板１１として、その他にもＳｉ（ケイ素）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＧａＡｓ（砒化ガリウム）、ＭｇＡｌ２Ｏ４（マグネシウム・アルミニウム複合酸化物）、ＬｉＧａＯ２（リチウム・ガリウム複合酸化物）およびＧａＮ等を用いることができる。また、基板１１としては、これらの材料からなる基板の上に、前述した窒化物半導体が成長されたものも含まれる。
【００１４】
次に、基板１１の上（例えば（０００１）面）に、例えばＧａＮを成長させ、例えば厚さ２μｍの種結晶層１２を形成する。ところで、本実施の形態においては、窒化物半導体の結晶層の成長は、例えばＭＯＣＶＤ法を用いて行う。その際には、例えば、Ｇａ（ガリウム）の原料ガスとしては（ＣＨ３）３Ｇａ（トリメチルガリウム，ＴＭＧ）、アルミニウムの原料ガスとしては（ＣＨ３）３Ａｌ（トリメチルアルミニウム）、インジウムの原料ガスとしては（ＣＨ３）３Ｉｎ（トリメチルインジウム）、窒素の原料ガスとしてはアンモニアをそれぞれ用いる。また、Ｓｉ（ケイ素）の原料ガスとしてはモノシランを用い、Ｍｇ（マグネシウム）の原料ガスとしては（Ｃ５Ｈ５）２Ｍｇ（ビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム）を用いる。
【００１５】
次に、種結晶層１２の上に、例えば厚さ１μｍのＳｉＯ２（二酸化ケイ素）膜（図示せず）を形成する。なお、ＳｉＯ２膜は、ＳｉＸＮＹ（窒化珪素，ｘ，ｙは任意の値）により形成してもよく、あるいはＳｉＯ２およびＳｉＸＮＹの積層膜として形成してもよい。続いて、リソグラフィ法、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、ストライプ形状を有する種結晶部をマスクに対してポジ形状で形成するために、ＳｉＯ２膜の上に、例えば厚さ１．３μｍのフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００１６】
続いて、ＳｉＯ２膜にエッチングを施し、ＳｉＯ２膜を部分的に除去してマスク（図示せず）を形成する。なお、マスクを形成した後、フォトレジスト膜を酸素アッシング、アセトンによる処理などにより除去する。次に、図２，３に示したように、例えばＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）などのドライエッチングを行い、種結晶層１２のマスクに覆われていない部分を除去することにより、互いに離間したストライプ形状の種結晶部１３を形成する。
【００１７】
続いて、同じくマスクを用いて、例えばＲＩＥなどのドライエッチングを行い、基板１１の表面も僅かに、例えば２００ｎｍ程度除去することにより、溝部１１ａを形成する。この溝部１１ａが形成されていると、種結晶部１３からの横方向成長時に成長層が基板１１の表面に接触しないので、応力歪みによる欠陥が層内に発生する虞がなくなる。次いで、フッ酸系溶液、例えばフッ化水素水溶液を用いて、マスクを除去する。
【００１８】
マスクを除去した後、図４，５に示したように、種結晶部１３を基礎としてＧａＮを成長させることにより、被覆成長層１４を形成する。このとき、被覆成長層１４の表面において、前述したように基板１１のエッジ部には種結晶部１３が形成されていないために、異常成長が起こり、例えば高さが１μｍより大きい突起１５が生じる。また、基板１１に塵（図示せず）が付着すると、この塵を核として異常成長が起こり、例えば高さが１μｍより大きい突起１５が生じる。また、被覆成長層１４の表面に塵が付着すると、この塵自体が例えば高さが１μｍより大きい突起１５となる。
【００１９】
次に、図６（Ａ）に示したように、被覆成長層１４の上に、ＳｉＯ２膜からなるマスク１６を形成する。続いて、図６（Ｂ）に示したように、例えば機械研磨（ラッピング）によって、突起１５の高さが例えば１μｍ以下となるように、マスク１６の表面を研磨する。続いて、フッ酸系溶液、例えばフッ化水素水溶液を用いて、マスク１６を除去する。これによって、被覆成長層１４の表面に生じた突起１５が除去されて、被覆成長層１４の表面が平坦となる。なお、マスク１６は、被覆成長層１４の表面のうち、突起１５が生じた領域以外の領域にのみ選択的に形成するようにしてもよい。
【００２０】
ここで、被覆成長層１４の突起１５を除去するために、基板１１にエッチングを施すようにしてもよい。具体的には、酸性のエッチング溶液として、例えば、塩酸（ＨＣｌ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、またはフッ化水素（ＨＦ）水溶液を用いることによって、エッチングを施してもよい。また、アルカリ性のエッチング溶液として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液、またはアンモニア（ＮＨ３）水溶液を用いることによって、エッチングを施してもよい。更に、被覆成長層１４の表面にマスクを形成し、このマスクを用いて、反応性イオンエッチング法によって、エッチングを施して、突起１５を選択的に除去するようにしてもよい。これらのエッチング方法のうち、酸性のエッチング溶液またはアルカリ性のエッチング溶液を用いる手法は、突起１５が非結晶である場合に有効である。
【００２１】
また、被覆成長層１４の突起１５を除去するために、基板１１の表面うち、突起１５が生じた領域、例えば、ダイシングによって、基板１１のエッジ部を切り取ることによって、突起１５を除去するようにしてもよい。以上のように、窒化物半導体層、特に被覆成長層１４を形成した後に突起１５を除去することは、窒化物半導体レーザの製造方法において最も有効である。これについては後で詳述する。
【００２２】
続いて、図７（Ａ）に示したように、表面が平坦である被覆成長層１４の上に、例えばＭＯＣＶＤ法などを用いて、窒化物半導体レーザの縦構造を成長させる。すなわち、ＧａＮ：Ｓｉからなる厚さ１．５μｍのｎ側コンタクト層２１、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎからなる厚さ１．０μｍのｎ型クラッド層２２、続いて、ｎ型ＧａＮからなる厚さ０．１μｍのｎ型ガイド層２３を成長させる。その上に、Ｇａ０．９８Ｉｎ０．０２Ｎ／Ｇａ０．９２Ｉｎ０．０８Ｎ多層膜により多重量子井戸構造の活性層２４を形成する。更にその上に、ｐ型ＧａＮからなる厚さ０．１μｍのｐ型ガイド層２５、ｐ型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮからなる厚さ０．５μｍのｐ型クラッド層２６、ｐ型ＧａＮからなる厚さ０．１μｍのｐ側コンタクト層２７を成長させる。このとき、表面が平坦である被覆成長層１４の上に、窒化物半導体レーザの縦構造としてｎ側コンタクト層２１からｐ側コンタクト層２７までを順次成長させたので、ｐ側コンタクト層２７の表面は平坦となる。
【００２３】
次いで、例えば、アセトンによる処理およびＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅ）オゾン処理を行った後、基板１１の上に形成された窒化物半導体層に導入された不純物原子を活性化させるためにアニーリングを行う。アニーリングを行った後に、水酸化カリウム水溶液やフッ化水素系水溶液による処理を行う。
【００２４】
次に、リソグラフィ法、例えばフォトリソグラフィ法によって、接触型の露光装置を用いて、被覆成長層１４の低欠陥領域、すなわち種結晶部１３間の欠陥が少ない領域に対応した領域に、ストライプ状の電流狭窄部を形成するために、マスクを形成する。具体的には、図７（Ｂ）に示したように、表面が平坦であるｐ側コンタクト層２７の上に、例えばＳｉＯ２膜４１およびフォトレジスト膜４２を順次形成した後、フォトレジスト膜４２の上に開口５１Ａを有するフォトマスク５１を接触させ、開口５１Ａに対してポジ形状でマスク形成するためにフォトマスク５１の上から露光を行う。ここで、先の工程で表面が平坦なｐ側コンタクト層２７の上に、ＳｉＯ２膜４１およびフォトレジスト膜４２を順次形成したので、フォトレジスト膜４２の表面は平坦となっており、そのため、フォトマスク５１をフォトレジスト膜４２の上に接触させたときに、基板１１の表面全体に均等に圧力が加えられる。
【００２５】
フォトレジスト膜４２を選択的に除去した後、図８に示したように、ＳｉＯ２膜４１にエッチングを施すことによって、ＳｉＯ２膜４１を選択的に除去して、マスク４１Ａを形成する。続いて、フォトレジスト膜４２を酸素アッシング、アセトンによる処理などにより除去する。
【００２６】
次に、ｐ側コンタクト層２７およびｐ型クラッド層２６の一部を、例えばＲＩＥなどのドライエッチングを行うことにより細い帯状にパターニングして、リッジ型でストライプ状の電流狭窄部を形成する。ここで、電流狭窄部を低欠陥領域に対応するようにその上部に形成するのは、電流狭窄部の位置に応じて決まる発光領域の位置を活性層２４の低欠陥部分に合わせることによって、素子特性の劣化を防止することができるからである。
【００２７】
続いて、ｐ型クラッド層２６〜ｎ側コンタクト層２１の所定部分をフォトリソグラフィ法などにより除去してｎ側コンタクト層２１を表出させ、ｎ側電極３３の形成領域を設ける。続いて、ｎ側コンタクト層２１からｐ側コンタクト層２７までの表出部分全体を絶縁膜３２で覆うと共に、ｎ側コンタクト層２１上にｎ側電極３３を形成し、ｐ側コンタクト層２７上にｐ側電極３１を形成する。ここで、ｎ側電極３３は、例えば、Ｔｉ、ＰｔおよびＡｕ（金）を真空蒸着法で順次蒸着して形成する。また、ｐ側電極３１は、例えば、Ｐｄ（パラジウム）、ＰｔおよびＡｕを真空蒸着法で順次蒸着して形成する。
【００２８】
次に、被覆成長層１４の突起１５を除去するために用いた手法と同様な手法を行うことによって、基板の１１の裏面に生じた突起（図示せず）を除去する。例えば、ＳｉＯ２膜からなるマスク（図示せず）を形成した後、機械研磨によって、突起の高さが例えば１μｍ以下となるように、マスクの表面を研磨する。これによって、基板１１の裏面に生じた突起が除去されて、基板１１の裏面が平坦となる。
【００２９】
なお、基板１１の裏面の突起を除去するために、酸性のエッチング溶液、または、アルカリ性のエッチング溶液を用いて、基板１１の裏面にエッチングを施す場合には、基板１１の表面に形成されたｐ側電極３１およびｎ側電極３３にマスクを形成する必要がある。
【００３０】
次いで、土台（図示せず）に貼り付けて、基板１１の厚さが例えば８０μｍ程度となるように、基板１１の裏面を研削する。このとき、基板１１の裏面は平坦となっているので、基板１１の裏面全体に均等に圧力が加わり、基板割れが発生することがない。
【００３１】
最後に、基板１１をｐ側電極３１の長さ方向と垂直方向に所定の幅で劈開して、レーザ光を出力する端面に、例えばＡｌ２Ｏ３よりなる反射率が１０％の反射膜（図示せず）、もう一方の端面には、例えばＡｌ２Ｏ３膜とＴｉＯ２（二酸化チタン）膜との積層膜を４層有する、反射率が９６％の反射膜をそれぞれ成膜する。このようにして、図９に示した窒化物半導体レーザ１０が得られる。
【００３２】
この窒化物半導体レーザ１０では、ｐ側電極３１とｎ側電極３３との間に所定の電圧が印加されると、活性層２４に電流が注入され、電子−正孔再結合によって発光が起きる。この光は、図示しない反射鏡膜によって反射されてレーザ発振し、ビームとなって外部に射出される。
【００３３】
以上のように、本実施の形態では、複数の工程のうちの所定の工程、特にフォトリソグラフィ工程に先立って被覆成長層１４に生じた突起１５を除去する工程を含むようにしたので、被覆成長層１４が平坦となる。従って、その後のフォトリソグラフィ工程において、接触型の露光装置を用いてフォトマスク５１と窒化物半導体層が形成された基板１１とを接触させたときには、基板１１の表面全体に均等に圧力が加えられ、基板割れが発生することを防止することができる。その結果、窒化物半導体レーザ１０の製造の生産性および歩留まりを向上させることができる。
【００３４】
以上実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、被覆成長層１４の上にｎ側コンタクト層２１を形成する工程、および、基板１１の裏面を研磨する工程のそれぞれの前に、突起を除去するようにしたが、窒化物半導体レーザ１０を作製するために行う複数の工程のうちのどの工程の前においても突起を除去するようにしてもよい。
【００３５】
例えば、上記実施の形態では、基板１１上に設けられた種結晶層１２にマスクを形成し、このマスクを用いてエッチングを施すことにより種結晶層１２を選択的に除去した後、マスクを剥離して、種結晶部１３を形成するようにしたが、他の手法でもよい。例えば、図１０に示したように、窒化物半導体よりなる種結晶層１２の上に、例えばＳｉＯ２よりなる成長抑止層６１を形成することにより、種結晶部６２を形成してもよい。なお、成長抑止層６１は開口を有するパターンに形成されると共に、このパターンの開口より種結晶層１２の表出する部分が種結晶部６２となる。このように種結晶部６２を形成した後、上記実施の形態と同様にして被覆成長層１４およびレーザの縦構造を順次形成することにより、図１０に示した窒化物半導体レーザ６０を製造するようにしてもよい。
【００３６】
更に、上記実施の形態では、半導体素子として窒化物半導体レーザを具体例に挙げて説明したが、本発明は、発光ダイオードあるいは高周波デバイスなどの他の窒化物半導体素子についても適用することができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項１０のいずれか１に記載の窒化物半導体の製造方法、または、請求項１１ないし請求項２０のいずれか１に記載の窒化物半導体素子の製造方法によれば、複数の工程のうちの所定の工程に先立って、基板または窒化物半導体層に生じた突起を除去する工程を含むようにしたので、基板または窒化物半導体層が平坦となり、その後の所定の工程において、所定の平面に基板の表面を接触させたときには、基板の表面全体に均等に圧力が加えられ、基板割れが発生することを防止することができる。その結果、窒化物半導体または窒化物半導体素子の製造の生産性および歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る窒化物半導体素子の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。
【図２】図１の工程に続く工程の断面図である。
【図３】図２の一部分を拡大した断面図である。
【図４】図２の工程に続く工程の断面図である。
【図５】図４の一部分を拡大した断面図である。
【図６】図４の工程に続く工程の断面図である。
【図７】図６の工程に続く工程の拡大断面図である。
【図８】図７の工程に続く工程の拡大断面図である。
【図９】窒化物半導体レーザの断面図である。
【図１０】窒化物半導体レーザの変形例の断面図である。
【図１１】従来の窒化物半導体の製造方法での問題を説明するための図である。
【符号の説明】
１０，６０・・・窒化物半導体レーザ、１１・・・基板、１１ａ・・・溝部、１２…種結晶層、１３，６２・・・種結晶部、１４・・・被覆成長層、１５・・・突起、１６，４１Ａ・・・マスク、２１・・・ｎ側コンタクト層、２２・・・ｎ型クラッド層、２３・・・ｎ型ガイド層、２４・・・活性層、２５・・・ｐ型ガイド層、２６・・・ｐ型クラッド層、２７・・・ｐ側コンタクト層、３１・・・ｐ側電極、３２・・・絶縁膜、３３・・・ｎ側電極、４１・・・ＳｉＯ２膜、４２・・・フォトレジスト膜、５１・・・フォトマスク、５１Ａ・・・開口、６１・・・成長抑止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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