(57)【要約】【課題】誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路及びその組立方法において、高周波特性の劣化を招く金リボンや金ワイヤーなどの金属導体の接続長を短縮して、実装が容易な構造を実現する。【解決手段】基板パターン２ａ，２ｂ間の基板中１に設けた溝５に高周波用コンデンサ３を埋め込むと共に、該高周波用コンデンサ３の各電極３ａ，３ｂと各基板パターン２ａ，２ｂを金属導体６ａ，６ｂで接続し、その上方に低周波用コンデンサ４を載置して各基板パターン２ａ，２ｂと該低周波用コンデンサ４の各電極４ａ，４ｂをそれぞれ電気的に接続する。【選択図】      図７
2004282171.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該基板パターン間の該基板中に設けた溝に該高周波用コンデンサを埋め込むと共に、該高周波用コンデンサの各電極と各基板パターンを金属導体で接続し、その上方に該低周波用コンデンサを載置して各基板パターンと該低周波用コンデンサの電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
【請求項２】
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該基板パターン間に該高周波用コンデンサの電極間間隔に相当する深さの溝を該基板内に設け、該基板パターンの内の一方を該溝内に設けた溝パターンと接続し、その溝パターンと該高周波用コンデンサの一方の電極が接触するように該高周波用コンデンサを該溝内に埋め込み、該基板パターンの他方と該高周波用コンデンサの他方の電極を金属導体で接続し、さらに該他方の電極と該基板パターンの他方にそれぞれ該低周波用コンデンサの各電極を電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
【請求項３】
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該誘電体基板が第１の層を形成し、該基板パターンの一方をビアで第２の層の誘電体基板上の基板パターンに接続し、該第２の層の基板パターンと該第１の層の基板パターンの他方との間に該第１の層の誘電体基板を挟み込むことにより該高周波コンデンサを形成し、さらに該第１の層の各基板パターン間に低周波用コンデンサを載置して各基板パターンにそれぞれ該低周波用コンデンサの各電極を電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
【請求項４】
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該高周波用コンデンサの一方の電極を複数に分割して各基板パターンにそれぞれ接続し、該高周波用コンデンサを跨ぐように各基板パターン上に設けた金属導体を介して各基板パターンに該低周波コンデンサの各電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
【請求項５】
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路の組立方法において、
該基板パターン間の該基板中に設けた溝に該高周波用コンデンサを埋め込むと共に、該高周波用コンデンサの各電極と各基板パターンを金属導体で接続し、その上方に該低周波用コンデンサを載置して各基板パターンと該低周波用コンデンサの電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路の組立方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、広帯域直流成分除去回路に関し、特に高速の光通信装置、および計測器におけるマイクロ波、ミリ波帯の高周波用コンデンサを低周波用コンデンサと並列に接続して広帯域での直流成分を除去（ＤＣカット）する回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光通信装置における電子回路内での直流成分を除去するためには、誘電体基板上で向き合った２つのパターン間にコンデンサを接続する構造が採られ、図１４の従来例（１）に示す如く、低周波を効率良く伝送するための並行平板型コンデンサ４の電極４ａ，４ｂをそれぞれパターン２ａ，２ｂ間に接続する方法や、図１５の従来例（２）に示す如く高周波用の並行平板コンデンサ３の一方の電極３ｂを一方のパターン２ａ上に載置して接続し、他方のパターン２ｂとコンデンサ３の他方の電極３ａを金リボン、または金ワイヤー９で接続していた。
【０００３】
さらに、通信速度の高速化に伴い広帯域特性（数ＫＨｚ〜数１０ＧＨｚ）が要求されるに至り、図１６の従来例（３）に示すように、図１４の従来例（１）と図１５の従来例（２）とを組み合わせたり、或いは、図１７の従来例（４）（例えば、特許文献１参照。）に示すように、図１５の従来例（２）の状態でパターン２ａと高周波用コンデンサ３の電極３ａにそれぞれ低周波用コンデンサ４の電極４ａ，４ｂを電気的に接続することにより、高周波用のコンデンサ３と低周波用のコンデンサ４を並列に接続する方法が用いられていた。
【０００４】
さらには、複数の結合コンデンサが搭載される範囲で高周波基板又は裏面の高周波アースの一部分を削除することにより伝達特性を改善したものもある（例えば、特許文献２参照。）。
さらには、高周波特性に優れたチップコンデンサを得るために、凹部を有する基板の上面から凹部にかけて第１の電極を設け、基板の凹部内に誘電体を有し、この誘電体と第２の電極を電気的に接続したものもある（例えば、特許文献３参照。）。
【０００５】
さらには、ベースバンド信号を処理する基底帯域部と高周波信号を処理する高周波部とを１つのモジュールとして形成するために、基板と、基板上に形成される第１電気遮蔽線と、受動素子を有し第１電気遮蔽線の上に形成される受動素子層と、受動素子層の上に形成される第２電気遮蔽線と、受動素子と電気的に連結される連結導線を有し第２電気遮蔽線の上に形成される相互連結層と、相互連結層の上に形成される第３電気遮蔽線と、連結導線と電気的に連結され第３電気遮蔽線の外部に形成される多数のバンパーと、バンパーの上に形成される多数の集積回路または電気素子とを含む多層マルチチップモジュールも提案されている（例えば、特許文献４参照。）。
【０００６】
【特許文献１】
特開平５−２３５６０２号公報（第３頁左欄、図１）
【０００７】
【特許文献２】
特開平６−８５５１１号公報（第２−３頁、図２）
【０００８】
【特許文献３】
特開２０００−２６９０６５号公報（要約、図１）
【０００９】
【特許文献４】
特開２００１−２４４４０２号公報（要約、図１）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来の広帯域直流成分除去回路の構造では、高周波用のコンデンサと誘電体基板上のパターン間を接続する金（Ａｕ）リボン、または金ワイヤーの長さが、並行平板型のコンデンサの高さ以上必要になり、その長さに比例して増加するＬ成分と、接続部分のインピーダンスマッチングがとれなくなってしまい、高周波帯域での損失を大きくしてしまうという問題が生じていた。
【００１１】
また、高周波特性の要求が高くなるにつれて寄生容量の低減が必要となり、素子の小型化、高密度実装化が進んだことにより、並行平板型の高周波用コンデンサの電極の一方に金リボンを接続すると共にこれにさらに、低周波用コンデンサを積層させる必要が出てくるなど、誘電体基板上への実装が困難になるという問題があった。
【００１２】
従って本発明は、誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路及びその組立方法において、高周波特性の劣化を招く金リボンや金ワイヤーなどの金属導体の接続長を従来例と同程度か又は以下に短縮して、実装が容易な構造を実現することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
図１７に示すような低周波用のコンデンサ４と高周波用のコンデンサ３を並列に接続し、コンデンサ３とパターン２ｂ間の接続に金リボン９を用いた場合、この金リボン９の長さは０．３ｍｍ程度になる。
【００１４】
このような構造の等価回路を、図１８に示すような２つのコンデンサＣ１，Ｃ２の並列回路とインダクタンスＬ１とで構成されたＬＣ回路に置き換え、概算で金リボン１ｍｍに対しＬ１＝１ｎＨとして、Ｌ１の値を１００〜４００ｐＨに変化させることにより伝送特性のシミュレーションを行ったところ、図１９の周波数特性（Ｓ２１）に示すように、金リボンなどの接続長を短くすることにより、伝送特性が平坦に近づき向上させることが可能となることが分かった。
【００１５】
そこで、本発明者は以下の通り種々の手段を実現した。
［１］図１は、本発明の概略図（１）を示し、誘電体基板１上に設けたパターン２ａ，２ｂ間に並行平板型の高周波用コンデンサ３が挿入できる程度の溝５を基板１中に設け、その溝５の中に、両電極３ａ，３ｂに金属導体６ａ，６ｂを設けた高周波用コンデンサ３を埋め込む。
【００１６】
その後、金属導体６ａ，６ｂとパターン２ａ，２ｂをそれぞれ電気的に接続すると共にその上に並行平板型の低周波用コンデンサ（図示せず）を載置して各パターン２ａ，２ｂと該低周波用コンデンサの電極をそれぞれ電気的に接続することにより高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列接続した広帯域直流成分除去回路を実現する。
【００１７】
これにより、高周波用コンデンサ３とパターン２ａ，２ｂ間を接続する金属導体６ａ，６ｂが短くなり、高周波特性を向上させることができる。
［２］図１において、低周波用コンデンサにセラミックコンデンサ、高周波用コンデンサにマイクロチップコンデンサを用い、金属導体６ａ，６ｂとしての金リボンをリボンボンディング等により電極３ａ，３ｂに接続したマイクロチップコンデンサを溝５内に縦方向に挿入するように埋め込み、金リボン６ａ，６ｂの端を両側に開くようにしてパターン２ａ，２ｂに、やはりリボンボンディングにより接続することができる。
【００１８】
［３］図２は、本発明の概略図（２）を示し、パターン２ａ，２ｂ間に高周波用コンデンサ３の電極間間隔に相当する高さの溝５を基板１中に設け、一方のパターン２ｂを溝５内に設けたパターン８と接続し、その溝５内のパターン８上に高周波用コンデンサ３の一方の電極３ｂが接触するようにコンデンサ３を埋め込み、他方のパターン２ａと高周波用コンデンサ３のもう一方の電極３ａを金属導体９である金リボン、または金ワイヤーで接続すると共にさらにその上に低周波用コンデンサ（図示せず）を載置して各パターン２ａ，２ｂと該低周波用コンデンサの各電極をそれぞれ電気的に接続することにより高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列接続した広帯域直流成分除去回路を実現する。
【００１９】
これにより、高周波用コンデンサに接続される金属導体である金リボン、または金ワイヤーを短くし、高周波特性を向上させることができる。
［４］図３は、本発明の概略図（３）を示し、上記［３］と同様の構造において、溝５内のパターン８を基板１内に延長させ、この延長方向の一方のパターン２ｂとパターン８の延長部分とを基板１内に設けたビア７により接続するもので、上記［３］と同様の作用として、高周波用コンデンサに接続される金属導体９である金リボン、または金ワイヤーの長さを短くし、高周波特性を向上させることができる。
【００２０】
［５］図４は、本発明の概略図（４）を示し、この場合の基板１は誘電体多層基板になっている。すなわち、向き合ったパターン２ａ，２ｂの一方２ｂを、第１層の誘電体基板１０に設けたビア７で第２の層の誘電体基板１１上のパターン８に接続し、このパターン８ともう一方の基板パターン２ａとの間に誘電体基板１０を挟み込むことにより高周波用コンデンサを形成する。
【００２１】
そして、その上方のパターン２ａ，２ｂ間に低周波用のコンデンサ（図示せず）を載置することにより、金属導体である金リボン、または金ワイヤーによる接続を無くし、高周波特性の劣化を防ぐとともに、低周波用コンデンサの実装も容易になる。
【００２２】
［６］図５は、本発明の概略図（５）を示し、高周波用の並行平板コンデンサ３の片面の電極を複数に分割して電極３ｂ１，３ｂ２を設け、これらをそれぞれパターン２ａ，２ｂに接続する。そして、さらにこのコンデンサ３を跨ぐようにパターン２ａ，２ｂ上に設けた金属導体を介して低周波用コンデンサ（図示せず）の各電極をパターン２ａ，２ｂにそれぞれ接続する。
【００２３】
これにより、金属導体としての金リボン、または金ワイヤーによる高周波用コンデンサへの接続を無くし、高周波特性の劣化を防ぐことが可能となる。
［７］図６は、本発明の概略図（６）を示し、向き合ったパターン２ａ，２ｂの一方２ａに高周波用コンデンサ３の一方の電極３ｂが接触するようにコンデンサ３をパターン２ａ上に載置し、他方の電極３ａを、金属導体である金リボン９、またはワイヤーで他方のパターン２ｂと電気的に接続し、その上にさらに低周波用のコンデンサ４を金属導体１２ａ，１２ｂを介して積層する。
【００２４】
すなわち、高周波用コンデンサ３と金リボン９を跨ぐように金属導体１２ａ，１２ｂをそれぞれパターン２ａ，２ｂ上に設け、さらに金属導体１２ａ，１２ｂにそれぞれ電極４ａ，４ｂが電気的に接続されるように低周波用コンデンサ４を載置する。
これにより、高周波用コンデンサ３及び金リボン９に対して低周波用コンデンサ４を立体的に配置できるので、組立を容易に行うことが可能となる。
【００２５】
［８］図１において、誘電体基板１上の２つの向き合ったパターン２ａ，２ｂ間の容量結合の際に、並行平板型のコンデンサ３の両電極に金属導体をボンディングにより片側の端を接続し、反対側の端を広げて向い合った２つのパターン２ａ，２ｂに接続すると共にその上に低周波用コンデンサを載置して各パターン２ａ，２ｂと該低周波用コンデンサの各電極をそれぞれ電気的に接続することにより、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列接続した広帯域直流成分除去回路の組立方法を用いることにより、金属導体の接続長を短くすることが可能となる。
【００２６】
同様にして上記［１］〜［７］の概念により、それぞれ本発明による広帯域直流成分除去回路の組立方法を実現することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
実施例（１）
図７は、図１に示した概略図（１）に対応する本発明の実施例（１）を示し、並行平板型の低周波用のコンデンサ４にセラミックコンデンサ、並行平板型の高周波用のコンデンサ３にマイクロチップコンデンサを用いている。
【００２８】
そして、マイクロチップコンデンサ３の両面、すなわち電極３ａ，３ｂに、金リボン６ａ，６ｂをボンディングし、パターン２ａ，２ｂ間にコンデンサ３の縦長部分に相当する高さで基板１中に掘った溝５にコンデンサ３を縦方向に差し込む。その際、必要に応じて溝５の底部でマイクロチップコンデンサ３を接着剤で固定する。
【００２９】
その後、金リボン６ａ，６ｂとパターン２ａ，２ｂをそれぞれボンディングし、セラミックコンデンサ４の電極４ａ，４ｂを金錫（ＡｕＳｎ）でパターン２ａ，２ｂとそれぞれ接続する。
このようにして、金リボン６ａ，６ｂの長さを、マイクロチップコンデンサ３の高さ以下にすることができ、高周波特性が向上する。
【００３０】
実施例（２）
図８は、図２に示した概略図（２）に対応する本発明の実施例（２）を示し、基板１上のパターン２ａ，２ｂ間の基板１中に、高周波用コンデンサとしてのマイクロチップコンデンサ３の電極３ａ，３ｂ間間隔に相当する高さ程度の溝５を堀り、一方のパターン２ｂを溝５の底部に設けたパターン８と溝５の壁部分に沿って接続し、その溝内のパターン８上にマイクロチップコンデンサ３の電極３ｂを金錫で接続し、他方のパターン２ａとマイクロチップコンデンサ３ａの上面の電極３ａを金リボン９で電気的に接続する。
【００３１】
そして、反対側のパターン２ｂとマイクロチップコンデンサ３の上面電極３ａにそれぞれセラミックコンデンサ４の電極４ｂ，４ａを金錫により接続する。
このようにして、マイクロチップコンデンサ３の電極３ａ面と、パターン２ａ，２ｂ面の高さを合わせることができ、それらを接続する金リボン９の長さを、図１６及び１７に示した従来例（３）及び（４）に比べ、マイクロチップコンデンサ３の高さ分だけ短くすることができ、高周波特性が向上する。
【００３２】
実施例（３）
図９は、図３に示した概略図（３）に対応する本発明の実施例（３）を示し、図８の実施例（２）と異なる点は、一方のパターン２ｂと溝５の底部のパターン８との接続を、溝５の壁部分に沿うのではなく、パターン８を誘電体基板１内に延長し、且つこの延長部とその延長方向のパターン２ｂとをビア７により接続したことである。
【００３３】
これにより、図８の場合と同様にマイクロチップコンデンサ３の電極３ａ，３ｂ面と、パターン２ａ，２ｂ面の高さ方向を合わせることができ、それらを接続する金リボン９の長さを、従来に比べ、マイクロチップコンデンサ３の高さ程度短くすることができ、高周波特性が向上する。
【００３４】
実施例（４）
図１０は、図４に示した概略図（３）に対応する本発明の実施例（４）を示し、誘電体基板１０上で向き合ったパターン２ａ，２ｂの一方２ｂをビア７で下の層の誘電体基板１１上のパターン８に接続する。その際、パターン８ともう一方の基板パターン２ａとの間に基板１０による高誘電体物質が介在するので、両パターン８−２ａ間で高周波用コンデンサを形成することになる。そして、表面のパターン２ａ，２ｂ間にセラミックコンデンサ４の電極４ａ，４ｂを金錫で接続する。
【００３５】
このようにして、金リボンによる接続が無くなり、高周波特性が向上する。また、高周波用コンデンサを素子として別途用意する必要がなく組立の工程も削減でき、組立が容易になる。
実施例（５）
図１１は、図５に示した概略図（５）に対応する本発明の実施例（５）を示し、マイクロチップコンデンサ３の下側の電極を、例えば２つの電極３ｂ１，３ｂ２に分割しておく。そして、その電極３ｂ１，３ｂ２をそれぞれ基板１上のパターン２ａ，２ｂに金錫で接続してパターン２ａ，２ｂ間に高周波用のコンデンサ３を接続したことになる。
【００３６】
その後、マイクロチップコンデンサ３の両脇に金属導体としての金ブロック１２ａ，１２ｂを載置し、金錫でパターン２ａ，２ｂにそれぞれ接続する。さらに、金ブロック１２ａ，１２ｂの上面間にセラミックコンデンサ４を積層し、その電極４ａ，４ｂを金錫により接続する。
【００３７】
このようにして、金リボン等を用いることなくマイクロチップコンデンサの電極面を直接パターン接続できるので、高周波特性が向上する。
実施例（６）
図１２は、図６に示した概略図（６）に対応する本発明の実施例（６）を示し、この場合には、一方のパターン２ａの端部にマイクロチップコンデンサ３の電極３ｂの全面を金錫により接続し、その上面の電極３ａを金リボン９で他方のパターン２ｂと接続する。
【００３８】
ここまでは、図１７に示した従来例（４）と同様であるが、本実施例ではさらに、コンデンサ３の両脇に金ブロック１２ａ，１２ｂを載置してそれぞれパターン２ａ，２ｂに金錫で接続し、上記の実施例（５）と同様にその金ブロック１２ａ，１２ｂの上面間にそれぞれセラミックコンデンサ４を積層し、その電極４ａ，４ｂを金錫により接続する。
【００３９】
このようにして、マイクロチップコンデンサ３の一方の電極面に、セラミックコンデンサと金リボンの両方を接続する必要がなくなり、組立が容易になる。
実施例（７）
図１３は、図７に示した概略図（７）に対応する本発明の実施例（７）を示し、ここでは、図１２の金ブロック１２ａ，１２ｂの代わりに、その役割を、セラミックコンデンサ４の延長した電極４ａ，４ｂによって果たそうとするものであり、同様の効果を発揮するものである。
（付記１）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該基板パターン間の該基板中に設けた溝に該高周波用コンデンサを埋め込むと共に、該高周波用コンデンサの各電極と各基板パターンを金属導体で接続し、その上方に該低周波用コンデンサを載置して各基板パターンと該低周波用コンデンサの電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
（付記２）付記１において、
該低周波用コンデンサにセラミックコンデンサ、該高周波用コンデンサにマイクロチップコンデンサを用い、該マイクロチップコンデンサを、その縦長の深さを有する該溝内に縦方向に埋め込むことを特徴とした広帯域直流成分除去回路。
（付記３）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該基板パターン間に該高周波用コンデンサの電極間間隔に相当する深さの溝を該基板内に設け、該基板パターンの内の一方を該溝内に設けた溝パターンと接続し、その溝パターンと該高周波用コンデンサの一方の電極が接触するように該高周波用コンデンサを該溝内に埋め込み、該基板パターンの他方と該高周波用コンデンサの他方の電極を金属導体で接続し、さらに該他方の電極と該基板パターンの他方にそれぞれ該低周波用コンデンサの各電極を電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
（付記４）付記３において、
該溝パターンを該基板中に延長し、該溝パターンの延長部分とその延長方向に存在する該基板パターンの一方との接続を、誘電体基板内に設けたビアにより行うことを特徴とした広帯域直流成分除去回路。
（付記５）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該誘電体基板が第１の層を形成し、該基板パターンの一方をビアで第２の層の誘電体基板上の基板パターンに接続し、該第２の層の基板パターンと該第１の層の基板パターンの他方との間に該第１の層の誘電体基板を挟み込むことにより該高周波コンデンサを形成し、さらに該第１の層の各基板パターン間に低周波用コンデンサを載置して各基板パターンにそれぞれ該低周波用コンデンサの各電極を電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
（付記６）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該高周波用コンデンサの一方の電極を複数に分割して各基板パターンにそれぞれ接続し、該高周波用コンデンサを跨ぐように各基板パターン上に設けた金属導体を介して各基板パターンに該低周波コンデンサの各電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
（付記７）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路において、
該基板パターンの一方の上に該高周波用コンデンサを載置してその一方の電極を接続し、他方の電極を金属導体により該基板パターンの他方と接続し、さらに該高周波用コンデンサ及び該金属導体を跨ぐように各基板パターン上に設けた金属導体を介して該基板パターンに該低周波用コンデンサの各電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路。
（付記８）付記１から７のいずれか１つにおいて、
該金属導体が、金リボン又は金ワイヤであることを特徴とした広帯域直流成分除去回路。
（付記９）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路の組立方法において、
該基板パターン間の該基板中に設けた溝に該高周波用コンデンサを埋め込むと共に、該高周波用コンデンサの各電極と各基板パターンを金属導体で接続し、その上方に該低周波用コンデンサを載置して各基板パターンと該低周波用コンデンサの電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路の組立方法。
（付記１０）付記９において、
該低周波用コンデンサにセラミックコンデンサ、該高周波用コンデンサにマイクロチップコンデンサを用い、該マイクロチップコンデンサを、その縦長の深さを有する該溝内に縦方向に埋め込むことを特徴とした広帯域直流成分除去回路の組立方法。
（付記１１）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路の組立方法において、
該基板パターン間に該高周波用コンデンサの電極間間隔に相当する深さの溝を該基板内に設け、該基板パターンの内の一方を該溝内に設けた溝パターンと接続し、その溝パターンと該高周波用コンデンサの一方の電極が接触するように該高周波用コンデンサを該溝内に埋め込み、該基板パターンの他方と該高周波用コンデンサの他方の電極を金属導体で接続し、さらに該他方の電極と該基板パターンの他方にそれぞれ該低周波用コンデンサの各電極を電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路の組立方法。
（付記１２）付記１１において、
該溝パターンを該基板中に延長し、該溝パターンの延長部分とその延長方向に存在する該基板パターンの一方との接続を、誘電体基板内に設けたビアにより行うことを特徴とした広帯域直流成分除去回路の組立方法。
（付記１３）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路の組立方法において、
該誘電体基板が第１の層を形成し、該基板パターンの一方をビアで第２の層の誘電体基板上の基板パターンに接続し、該第２の層の基板パターンと該第１の層の基板パターンの他方との間に該第１の層の誘電体基板を挟み込むことにより該高周波コンデンサを形成し、さらに該第１の層の各基板パターン間に低周波用コンデンサを載置して各基板パターンにそれぞれ該低周波用コンデンサの各電極を電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路の組立方法。
（付記１４）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路の組立方法において、
該高周波用コンデンサの一方の電極を複数に分割して各基板パターンにそれぞれ接続し、該高周波用コンデンサを跨ぐように各基板パターン上に設けた金属導体を介して各基板パターンに該低周波コンデンサの各電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路の組立方法。
（付記１５）
誘電体基板上で間隔を置いて向き合った基板パターン間に、共に並行平板型の高周波用コンデンサと低周波用コンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路の組立方法において、
該基板パターンの一方の上に該高周波用コンデンサを載置してその一方の電極を接続し、他方の電極を金属導体により該基板パターンの他方と接続し、さらに該高周波用コンデンサ及び該金属導体を跨ぐように各基板パターン上に設けた金属導体を介して該基板パターンに該低周波用コンデンサの各電極をそれぞれ電気的に接続したことを特徴とする広帯域直流成分除去回路の組立方法。
（付記１６）付記９から１５のいずれか１つにおいて、
該金属導体が、金リボン又は金ワイヤであることを特徴とした広帯域直流成分除去回路の組立方法。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、高周波用のコンデンサと低周波用のコンデンサを並列に接続した広帯域直流成分除去回路及びその組立方法において、高周波損失の増加の原因となる金リボンや金ワイヤーなどの金属導体の長さを短くすることができ、高周波特性を向上させることができると共に、回路の組立を容易に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の概略図（１）を示した断面図である。
【図２】本発明の概略図（２）を示した断面図である。
【図３】本発明の概略図（３）を示した断面図である。
【図４】本発明の概略図（４）を示した断面図である。
【図５】本発明の概略図（５）を示した断面図である。
【図６】本発明の概略図（６）を示した断面図である。
【図７】本発明の実施例（１）を示した斜視外観図である。
【図８】本発明の実施例（２）を示した斜視外観図である。
【図９】本発明の実施例（３）を示した斜視外観図である。
【図１０】本発明の実施例（４）を示した斜視外観図である。
【図１１】本発明の実施例（５）を示した斜視外観図である。
【図１２】本発明の実施例（６）を示した斜視外観図である。
【図１３】本発明の実施例（７）を示した斜視外観図である。
【図１４】積層コンデンサを誘電体基板上のパターン間に接続した従来例（１）を示した斜視外観図である。
【図１５】並行平板コンデンサを一方の基板パターン上に接続し、電極と基板パターンを金リボンにより接続した従来例（２）を示した斜視外観図である。
【図１６】基板パターン間を横方向に並列に配置した積層コンデンサと並行平板コンデンサにより接続した従来例（３）を示した斜視外観図である。
【図１７】並行平板コンデンサを金属導体でパターン間に接続し、並行平板コンデンサと他方のパターンをセラミックコンデンサで接続することにより両コンデンサを並列接続した従来例（４）を示した斜視外観図である。
【図１８】広帯域直流成分除去回路の簡略化した等価回路図である。
【図１９】図１８の等価回路における伝送特性のシミュレーション結果を示したグラフ図である。
【符号の説明】
１  誘電体基板
２ａ，２ｂ  基板上パターン
３  高周波用コンデンサ
３ａ，３ｂ，３ｂ１，３ｂ２  電極
４  低周波用コンデンサ
４ａ，４ｂ  電極
５  溝
６，９  金属導体（金リボン、金ワイヤー）
７  ビア
８  溝内パターン
１２ａ，１２ｂ  金属導体
１２ａ，１２ｂ  金ブロック
１０，１１  高誘電体層
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【図１】
2004282171.tif 000003
【図２】
2004282171.tif 000004
【図３】
2004282171.tif 000005
【図４】
2004282171.tif 000006
【図５】
2004282171.tif 000007
【図６】
2004282171.tif 000008
【図７】
2004282171.tif 000009
【図８】
2004282171.tif 000010
【図９】
2004282171.tif 000011
【図１０】
2004282171.tif 000012
【図１１】
2004282171.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2004282171.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2004282171.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2004282171.tif 000021