(57)【要約】【課題】  例えば、電子部品の電極上にずれたり脱落したりしないように導電性微粒子を配置することができ、また、複数の導電性微粒子を一括して、確実かつ容易に電子部品の電極に溶着接続することができる導電性微粒子転写シート及び導電性微粒子を電極に接続する方法を提供する。【解決手段】  加熱消滅性接着樹脂層の上に被転写部材が接着していることを特徴とする転写シート、シート状の加熱消滅性接着樹脂上に導電性微粒子が接着し配置されていることを特徴とする導電性微粒子転写シート、電子部品の電極の位置に導電性微粒子が接触又は非接触状態で配置されるように加熱消滅性接着シート上に導電性微粒子が配置されている導電性微粒子転写シートと前記電子部品とを重ねた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性接着シートを消滅させることを特徴とする導電性微粒子を電極に接続する方法等である。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱消滅性接着樹脂層の上に被転写部材が接着していることを特徴とする転写シート。
【請求項２】
シート状の加熱消滅性接着樹脂上に導電性微粒子が接着し配置されていることを特徴とする導電性微粒子転写シート。
【請求項３】
前記導電性微粒子が、前記シート状の加熱消滅性接着樹脂の表面から裏面に貫いて埋め込まれていることを特徴とする請求項２に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項４】
前記導電性微粒子は、電子部品の電極間をバンプ接合するものであって、前記電極上に溶着するものであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項５】
前記電子部品は、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置あるいは配線基板であることを特徴とする請求項４に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項６】
前記導電性微粒子は、少なくとも表面にハンダを有していることを特徴とする請求項２〜５のいずれか一項に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項７】
前記導電性微粒子は、ＢＧＡパッケージのハンダボールバンプを形成することを特徴とする請求項６に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項８】
前記導電性微粒子は、半導体チップ上のバンプを形成することを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項９】
前記加熱消滅性接着樹脂は、ポリオキシアルキレン樹脂を含んで成ることを特徴とする請求項２〜８のいずれか一項に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１０】
前記加熱消滅性接着樹脂は、ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む塗布被膜で形成されていることを特徴とする請求項９に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１１】
前記加熱消滅性接着樹脂は、酸素原子含有量が１５〜５５質量％で、１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより１０分以内に重量の９５％以上が消滅することを特徴とする請求項２、９〜１０のいずれかに記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１２】
前記ポリオキシアルキレン樹脂は、ポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシテトラメチレン又は、ポリオキシプロピレンとポリオキシエチレン及び／もしくはポリオキシテトラメチレンとの混合樹脂であることを特徴とする請求項９または１０記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１３】
前記混合樹脂中のポリオキシプロピレンの含有率が５０質量％以上であることを特徴とする請求項１２記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１４】
前記ポリオキシアルキレン樹脂は、数平均分子量が５０００〜５００万であることを特徴とする請求項９または１０記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１５】
前記加熱消滅性接着樹脂は、分解促進剤を含むことを特徴とする請求項２、９〜１０のいずれか記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１６】
前記分解促進剤は過酸化物であることを特徴とする請求項１５記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１７】
前記分解促進剤はアゾ化合物であることを特徴とする請求項１５記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１８】
前記分解促進剤は酸化錫であることを特徴とする請求項１５記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項１９】
前記加熱消滅性接着樹脂は、分解遅延剤を含むことを特徴とする請求項２、９〜１０のいずれか記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２０】
前記分解遅延剤はメルカプト化合物、アミン化合物、有機錫、有機ホウ素のいずれかであることを特徴とする請求項１９記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２１】
前記加熱消滅性接着樹脂は、酸素を含む雰囲気下で１５０〜３００℃中の所定の温度に加熱することにより消滅する請求項２、９乃至２０のいずれか記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２２】
前記加熱消滅性接着樹脂は、嫌気性雰囲気下で１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより消滅する請求項２、９乃至２０のいずれか記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２３】
前記加熱消滅性接着樹脂は、減圧下で５分以下に１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより消滅する請求項２、９乃至２２のいずれか記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２４】
前記加熱消滅性接着樹脂は、架橋されたポリオキシアルキレン樹脂を含む請求項９に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２５】
前記架橋されたポリオキシアルキレン樹脂は、架橋性官能基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体を架橋剤で架橋したものである請求項２４に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２６】
前記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む溶液は、架橋性官能基を有するポリオキシアルキレングリコールまたはポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体と架橋剤とを含み、２０℃における粘度が１から５００万ｍＰａ・ｓである請求項１０に記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２７】
前記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む溶液は、重合性不飽和基を有する化合物を３０質量％以下含有することを特徴とする請求項２５記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２８】
前記架橋性官能基が、加水分解性シリル基、イソシアネート基、エポキシ基、オキセタニル基、酸無水物基、カルボキシル基、水酸基、重合性不飽和炭化水素基から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項２５または２６記載の導電性微粒子転写シート。
【請求項２９】
電子部品の電極面に導電性微粒子を接続する方法であって、前記電子部品の電極の位置に前記導電性微粒子が接触又は非接触状態で配置されるように加熱消滅性接着シート上に導電性微粒子が配置されている導電性微粒子転写シートと前記電子部品とを重ねた後、前
記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性接着シートを消滅させることを特徴とする導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３０】
電極面が形成された電子部品表面に加熱消滅性接着樹脂からなるペーストを流延して加熱消滅性樹脂層を形成させ、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させることを特徴とする導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３１】
電極面が形成された電子部品表面に加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液を塗布し、この塗布被膜から加熱消滅性樹脂層を形成し、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させることを特徴とする導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３２】
前記加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液を塗布し塗布被膜を形成した後に、前記塗布被膜に紫外線を照射し前記加熱消滅性樹脂層を形成することを特徴とする請求項３１に記載の導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３３】
前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性樹脂層の所定の領域にレーザー光照射で窪みを形成し、前記窪みに前記導電性微粒子を接着し配置することを特徴とする請求項２９〜３２のいずれか一項に記載の導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３４】
前記電子部品は、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置あるいは配線基板であることを特徴とする請求項２９〜３３のいずれか一項に記載の導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３５】
前記導電性微粒子は、少なくとも表面にハンダを有していることを特徴とする請求項２９〜３４のいずれか一項に記載の導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３６】
前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂は、ポリオキシアルキレン樹脂を含んで成ることを特徴とする請求項２９〜３５のいずれか一項に記載の導電性微粒子を電極に接続する方法。
【請求項３７】
前記導電性微粒子は少なくとも表面にハンダを有しており、前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂はポリオキシアルキレン樹脂を含んで成り、前記導電性微粒子の溶着と前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂の消滅とをハンダリフロー温度の加熱で同時に行うことを特徴とする請求項２９〜３５のいずれか一項に記載の導電性微粒子を電極に接続する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種部材を転写するための転写シート、特に、電子部品の電極上にずれたり脱落したりしないように導電性微粒子を配置することができ、また、複数の導電性微粒子を一括して、確実かつ容易に電子部品の電極に接続することができる導電性微粒子転写シート及び導電性微粒子を電極に接続する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣあるいはＬＳＩはますます高集積化し微細化が進んでいるが、それに増して、高密度実装技術は大きく進展している。それに加えて、システム・イン・パッケージのように、複数のＬＳＩ、化合物半導体を用いた光デバイス、高周波デバイス等を含む多様な機能ブロックを集積・システム化する、電子システムインテグレーション技術が強く期待されている。
【０００３】
従来、電子回路基板においてＩＣやＬＳＩなどの半導体チップを接続するためには、半導体チップを樹脂パッケージで被覆し、この樹脂パッケージから露呈するリード先端をプリント基板上にハンダ付けするという方法がとられていたが、この方法は、リード1本1本をハンダ接続しなければならないため生産効率が悪く、また、リードが樹脂パッケージの側面から導出されているため、高密度化には適さないものであった。これらの課題を解決するために、ハンダボールあるいはバンプ等の導電性微粒子で配線基板と半導体チップとを接続するＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等の技術が開発されている。この技術によれば、チップ又は基板の電極に接続された導電性微粒子を高温で溶融しながら基板とチップとを接続することで、高生産性と高接続信頼性とを両立した電子回路を構成することができる。
【０００４】
ところで従来、このような導電性微粒子を電極に接続する方法としては、複数の減圧吸引ノズルを有する吸引パッドで複数の導電性微粒子を吸着させて一度に複数の電極に導電性微粒子を載置し、電極と接続する方法が行われていた。このとき、通常、電子部品の電極面には予め有機酸エステルが塗布されている。有機酸エステルは電極表面に形成された自然酸化膜を除去するとともに導電性微粒子を捕獲しやすくするという効果がある。しかし、このようにして電極に載置された導電性微粒子も、次工程へ搬送中に電極からずれてしまうことがあるという問題があった。
【０００５】
また、減圧吸引ノズルを用いて導電性微粒子を配置させる方法では、減圧吸引ノズルのすべてに導電性微粒子を吸着させることが必要であるが、吸着ミスが発生することがあり確実な方法ではなかった。また、導電性微粒子は吸着されているにすぎないため作業速度を上げようとすると導電性微粒子が脱落する恐れがあった。また、電子部品の電極の位置は電子部品ごとに異なるため、各電子部品にあわせて減圧吸引ノズルを開発しなければならないという問題もあった。
【０００６】
これに対して、予め接着シート上に導電性微粒子が配置された導電性微粒子転写シートを用いて電極に導電性微粒子を配置する方法が提案されている。これは、導電性微粒子転写シートと電子部品とを、導電性微粒子の位置が電極の位置と当接するようにして重ね、導電性微粒子を電極に溶着させた後、接着シートを剥離するという方法である。このとき、接着シートに用いる接着剤として、ある特定のエネルギーを与えることにより接着力を低減できるものを用いれば、いったん電極に溶着した導電性微粒子の接続を破壊することなく接着シートを剥離することができる。このような接着シートとしては、例えば加熱発
泡型粘着シート、熱硬化型粘着シート、光硬化型粘着シート等が提案されている。
【０００７】
しかしながら、実際には、このような接着シートを用いても低減可能な接着力には限界があり、接着シートの剥離の際には一部の導電性微粒子の接続が破壊されたり、導電性微粒子の表面に糊残りが生じてることがあった。とりわけ、作業効率を高めるために剥離速度を上げようとするとこの傾向が顕著に現れた。一方、はじめから接着シートの接着力を低く設定すると、今度は導電性微粒子が脱落してしまうことがあるという問題があった。
【０００８】
一方、電極と対向する位置に導電性微粒子を埋め込んだ接着シートを用いて電極面に導電性微粒子を配置させ接続する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、高温高湿環境や溶剤等に浸漬される場合等の苛酷な条件下に置かれた場合、接着シートを構成する樹脂が劣化したり変形したりするため、埋め込まれた導電性微粒子を電極面と離すような応力が加わることがあり高い接続信頼性を確保するには接着シートを用いない方法が優れているといった状況であった。
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−１６８１２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような高密度実装技術の中にあって最も重要となる要素技術は微細接合技術である。これまで、その代表的な接合技術はバンプ接合技術である。そして、上述した実装技術の進展において、このバンプ接合技術の更なる高精度化が重要な課題になってくる。しかし、従来の技術では上述したように種々の問題があり、特に電子部品の電極上のバンプ形成における高生産性と高接続信頼性とを十分に確保することのできる技術が強く望まれている。
【００１１】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたもので、各種部材、特に電子部品の電極上にずれたり脱落したりしないように導電性微粒子を配置することを目的とする。
また、各種部材を転写するための転写シート、特に、複数の導電性微粒子を一括して、確実かつ容易に電子部品の電極に溶着接続することができる導電性微粒子転写シート及び導電性微粒子を電極に接続する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
即ち、本発明は以下の通りである。
（１）加熱消滅性接着樹脂層の上に被転写部材が接着していることを特徴とする転写シート。
（２）シート状の加熱消滅性接着樹脂上に導電性微粒子が接着し配置されていることを特徴とする導電性微粒子転写シート。
（３）前記導電性微粒子が、前記シート状の加熱消滅性接着樹脂の表面から裏面に貫いて埋め込まれていることを特徴とする前記（２）の導電性微粒子転写シート。
（４）前記導電性微粒子は、電子部品の電極間をバンプ接合するものであって、前記電極上に溶着するものであることを特徴とする前記（２）または（３）の導電性微粒子転写シート。
（５）前記電子部品は、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置あるいは配線基板であることを特徴とする前記（４）の導電性微粒子転写シート。
（６）前記導電性微粒子は、少なくとも表面にハンダを有していることを特徴とする前記（２）〜（５）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
（７）前記導電性微粒子は、ＢＧＡパッケージのハンダボールバンプを形成することを特徴とする前記（６）の導電性微粒子転写シート。
（８）前記導電性微粒子は、半導体チップ上のバンプを形成することを特徴とする前記（
４）〜（６）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
【００１３】
（９）前記加熱消滅性接着樹脂は、ポリオキシアルキレン樹脂を含んで成ることを特徴とする前記（２）〜（８）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
（１０）前記加熱消滅性接着樹脂は、ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む塗布被膜で形成されていることを特徴とする前記（９）の導電性微粒子転写シート。
（１１）前記加熱消滅性接着樹脂は、酸素原子含有量が１５〜５５質量％で、１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより１０分以内に重量の９５％以上が消滅することを特徴とする前記（２）、（９）〜（１０）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
（１２）前記ポリオキシアルキレン樹脂は、ポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシテトラメチレン又は、ポリオキシプロピレンとポリオキシエチレン及び／もしくはポリオキシテトラメチレンとの混合樹脂であることを特徴とする前記（８）または（１０）の導電性微粒子転写シート。
（１３）前記混合樹脂中のポリオキシプロピレンの含有率が５０質量％以上であることを特徴とする前記（１２）の導電性微粒子転写シート。
（１４）前記ポリオキシアルキレン樹脂は、数平均分子量が５０００〜５００万であることを特徴とする前記（９）または（１０）の導電性微粒子転写シート。
【００１４】
（１５）前記加熱消滅性接着樹脂は、分解促進剤を含むことを特徴とする前記（２）、（９）〜（１０）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
（１６）前記分解促進剤は過酸化物であることを特徴とする前記（１５）の導電性微粒子転写シート。
（１７）前記分解促進剤はアゾ化合物であることを特徴とする前記（１５）の導電性微粒子転写シート。
（１８）前記分解促進剤は酸化錫であることを特徴とする前記（１５）の導電性微粒子転写シート。
（１９）前記加熱消滅性接着樹脂は、分解遅延剤を含むことを特徴とする前記（２）、（９）〜（１０）のいずれか記載の導電性微粒子転写シート。
（２０）前記分解遅延剤はメルカプト化合物、アミン化合物、有機錫、有機ホウ素のいずれかであることを特徴とする前記（１９）の導電性微粒子転写シート。
【００１５】
（２１）前記加熱消滅性接着樹脂は、酸素を含む雰囲気下で１５０〜３００℃中の所定の温度に加熱することにより消滅する前記（２）、（９）乃至（２０）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
（２２）前記加熱消滅性接着樹脂は、嫌気性雰囲気下で１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより消滅する前記（２）、（９）乃至（２０）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
（２３）前記加熱消滅性接着樹脂は、減圧下で５分以下に１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより消滅する前記（２）、（９）乃至（２２）のいずれかの導電性微粒子転写シート。
（２４）前記加熱消滅性接着樹脂は、架橋されたポリオキシアルキレン樹脂を含む前記（９）の導電性微粒子転写シート。
（２５）前記架橋されたポリオキシアルキレン樹脂は、架橋性官能基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体を架橋剤で架橋したものである前記（２４）の導電性微粒子転写シート。
【００１６】
（２６）前記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む溶液は、架橋性官能基を有するポリオキシアルキレングリコールまたはポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体と架橋剤とを含み、２０℃における粘度が１から５００万ｍＰａ・ｓである前記（１０）に記載の導電性微粒子転写シート。
（２７）前記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む溶液は、重合性不飽和基を有する化合物を３０質量％以下含有することを特徴とする前記（２６）の導電性微粒子転写シート。
（２８）前記架橋性官能基が、加水分解性シリル基、イソシアネート基、エポキシ基、オキセタニル基、酸無水物基、カルボキシル基、水酸基、重合性不飽和炭化水素基から選択される少なくとも１つであることを特徴とする前記（２５）または（２６）の導電性微粒子転写シート。
【００１７】
（２９）電子部品の電極面に導電性微粒子を接続する方法であって、前記電子部品の電極の位置に前記導電性微粒子が接触又は非接触状態で配置されるように加熱消滅性接着シート上に導電性微粒子が配置されている導電性微粒子転写シートと前記電子部品とを重ねた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性接着シートを消滅させることを特徴とする導電性微粒子を電極に接続する方法。
（３０）電極面が形成された電子部品表面に加熱消滅性接着樹脂からなるペーストを流延して加熱消滅性樹脂層を形成させ、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させることを特徴とする導電性微粒子を電極に接続する方法。
（３１）電極面が形成された電子部品表面に加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液を塗布し、この塗布被膜から加熱消滅性樹脂層を形成し、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させることを特徴とする導電性微粒子を電極に接続する方法。
（３２）前記加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液を塗布し塗布被膜を形成した後に、前記塗布被膜に紫外線を照射し前記加熱消滅性樹脂層を形成することを特徴とする前記（３１）の導電性微粒子を電極に接続する方法。
【００１８】
（３３）前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性樹脂層の所定の領域にレーザー光照射で窪みを形成し、前記窪みに前記導電性微粒子を接着し配置することを特徴とする前記（２９）〜（３２）のいずれかの導電性微粒子を電極に接続する方法。
（３４）前記電子部品は、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置あるいは配線基板であることを特徴とする前記（２９）〜（３３）のいずれかの導電性微粒子を電極に接続する方法。
（３５）前記導電性微粒子は、少なくとも表面にハンダを有していることを特徴とする前記（２９）〜（３４）のいずれか一項に記載の導電性微粒子を電極に接続する方法。
（３６）前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂は、ポリオキシアルキレン樹脂を含んで成ることを特徴とする前記（２９）〜（３５）のいずれかの導電性微粒子を電極に接続する方法。
（３７）前記導電性微粒子は少なくとも表面にハンダを有しており、前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂はポリオキシアルキレン樹脂を含んで成り、前記導電性微粒子の溶着と前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂の消滅とをハンダリフロー温度の加熱で同時に行うことを特徴とする前記（２９）〜（３５）のいずれかの導電性微粒子を電極に接続する方法。
【００１９】
本発明の前記（１）の転写シートによれば、加熱消滅性接着樹脂層の上に被転写部品が接着しているため、転写後、加熱のみで容易にこの加熱消滅性接着樹脂層を消滅させることができる。
本発明の前記（２）の導電性微粒子転写シートは、シート状の加熱消滅性接着樹脂上に導電性微粒子が接着し配置されていることにより、位置ずれのない接続が可能となる。
また、本発明の前記（３）の導電性微粒子転写シートは、前記導電性微粒子が、前記シ
ート状の加熱消滅性接着樹脂の表面から裏面に貫いて埋め込まれていることにより、まず導電性微粒子転写シートの一方の面に半導体チップまたは半導体ウェハを重ねて、この半導体チップまたは半導体ウェハの電極パッドに導電性微粒子の一方の面を当接させ、導電性微粒子表面の溶融温度に加熱することにより、導電性微粒子は、電極パッドに固着され、加熱消滅性樹脂は消失し、導電性微粒子と電極パッドとの位置ずれのない接続を実現することができる。
また、本発明の前記（４）の導電性微粒子転写シートは、前記導電性微粒子は、電子部品の電極にバンプ接合を行うものであって、導電性微粒子が前記電極上に溶着するものであることにより、半田などの接合剤を用いることなく加熱のみで容易に接続可能となる。
また、本発明の前記（５）の導電性微粒子転写シートは、前記電子部品が、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置あるいは配線基板であることにより、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置、配線基板上へのバンプの形成を容易にかつ位置ずれのないものとすることができる。
また、本発明の前記（６）の導電性微粒子転写シートは、前記導電性微粒子が、少なくとも表面にハンダを有していることにより、加熱のみで融着させることができる。
また、本発明の前記（７）の導電性微粒子転写シートは、前記導電性微粒子が、ＢＧＡパッケージのハンダボールバンプを形成することにより、ハンダボールバンプを位置ずれなしに容易に形成することができる。
また、本発明の前記（８）の導電性微粒子転写シートは、前記導電性微粒子が、半導体チップ上のバンプを形成することにより、位置ずれなしにバンプを形成とすることができる。
【００２０】
また、本発明の前記（９）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、ポリオキシアルキレン樹脂を含んで成ることにより、残渣なしに低温で導電性微粒子転写シートの除去が可能となる。
また、本発明の前記（１０）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む塗布被膜で形成されていることにより、導電性微粒子の配置固定が容易となる。
また、本発明の前記（１１）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、酸素原子含有量が１５〜５５質量％で、１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより１０分以内に重量の９５％以上が消滅することにより、容易に残渣なしに加熱消滅性材料を除去することができる。
【００２１】
また、本発明の前記（１２）の導電性微粒子転写シートは、前記ポリオキシアルキレン樹脂は、ポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシテトラメチレン又は、ポリオキシプロピレンとポリオキシエチレン及び／もしくはポリオキシテトラメチレンとの混合樹脂であることにより、凝集力の低いポリオキシプロピレンと凝集力の高いポリオキシエチレン及び／又はポリオキシテトラメチレンを組み合わせることが可能となり、前記加熱消滅性接着樹脂の凝集力を適宜調整することが可能となる。
また、本発明の前記（１３）の導電性微粒子転写シートは、前記混合樹脂中のポリオキシプロピレンの含有率が５０質量％以上であることにより、前記加熱消滅性接着樹脂の消滅する温度と消滅するまでの時間とをより適切に調整することができる。
また、本発明の前記（１４）の導電性微粒子転写シートは、前記ポリオキシアルキレン樹脂は、数平均分子量が５００〜５００万であることにより、前記加熱消滅性接着樹脂の揮発性が強くなり過ぎず、より安定的に扱うことが可能となり、また速やかな消滅がより確実になる。
また、本発明の前記（１５）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、分解促進剤を含むことにより、より低温または短時間のうちに消滅させることができる。
また、本発明の前記（１６）の導電性微粒子転写シートは、前記分解促進剤が過酸化物
であることにより、前記加熱消滅性接着樹脂の分解促進剤に基づく分解残渣をも低く抑えることができる。
また、本発明の前記（１７）の導電性微粒子転写シートは、前記分解促進剤がアゾ化合物であることにより、前記加熱消滅性接着樹脂の促進剤による分解促進と同時に、アゾ化合物の分解で発生する窒素ガスのため、分解物の揮発性を促進することができる。
また、本発明の前記（１９）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、分解遅延剤を含むことにより、前記加熱消滅性接着樹脂の消滅時間および時間を適したものに制御することができる。
また、本発明の前記（２０）の導電性微粒子転写シートは、前記分解遅延剤がメルカプト化合物、アミン化合物、有機錫、有機ホウ素のいずれかであることにより、前記加熱消滅性接着樹脂を構成しているポリオキシアルキレンの分解を遅らせることができる。
【００２２】
また、本発明の前記（２１）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、酸素を含む雰囲気下では分解速度が高まり、より低温下で分解させることができるとともに、残渣の残留を低減することができる。この性質を利用して、この加熱消滅性接着樹脂は、本来の分解温度まで加熱することができない、酸素を含む雰囲気下で１５０〜３００℃中の所定の温度に加熱することで消滅させることができる。
また、本発明の前記（２２）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、嫌気性雰囲気下では、分解速度が低下する。また、嫌気性雰囲気下では分解温度を高くすることができる。また、嫌気性雰囲気下で１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱して消滅させることにより、本来の分解温度では  分解しないようにすることができ、適用範囲を広くすることができる。
すなわち、雰囲気中の酸素濃度を高めていくことにより加熱温度を下げることができる。また、雰囲気中の酸素濃度を低下させれば大気中での加熱温度では分解せずより高い温度で分解を開始するようにさせることができる。したがって、雰囲気中の酸素濃度によって前記加熱消滅性接着樹脂の分解温度を広い範囲で調節することができる。
また、本発明の前記（２３）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、減圧下では、分解による生成物の揮発性が高まるため、残渣を少なくすることができる。また減圧下で５分以下に１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することで消滅することにより、加熱時間を少なくすることができるため、加熱によってダメージを受けやすい導電性微粒子にも適用可能となる。
【００２３】
また、本発明の前記（２４）の導電性微粒子転写シートは、前記加熱消滅性接着樹脂が、架橋されたポリオキシアルキレン樹脂を含むことにより、好適に常温でシート形状を維持することができる。
また、本発明の前記（２５）の導電性微粒子転写シートは、前記架橋されたポリオキシアルキレン樹脂が、架橋性官能基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体を架橋剤で架橋したものであることにより、常用温度での凝集力が著しく増加し、シート状やフイルム状の形態を維持しやすくなり、シート状やフイルム状としての取り扱いが容易になる。
【００２４】
また、本発明の前記（２６）の導電性微粒子転写シートは、前記（１０）の導電性微粒子転写シートにおける前記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む溶液が、架橋性官能基を有するポリオキシアルキレングリコールまたはポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体と架橋剤とを含み、２０℃における粘度が１から５００万ｍＰａ・ｓであることにより、通常の使用温度では劣化や分解が起こり難くペーストの形態を維持し、光等により架橋し硬化物となり、そして、該硬化物が比較的低温で加熱することにより短時間のうちに消滅するものとすることができる。
また、本発明の前記（２７）の導電性微粒子転写シートは、前記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む溶液が、重合性不飽和基を有する化合物を３０質量％以下含有すること
により、前記（２６）のポリオキシアルキレン樹脂組成物を含む溶液の特性を維持しながら、更に速硬化性を得ることができる。
【００２５】
また、本発明の前記（２８）の導電性微粒子転写シートは、前記（２５）及び（２６）の架橋性官能基が、加水分解性シリル基、イソシアネート基、エポキシ基、オキセタニル基、酸無水物基、カルボキシル基、水酸基、重合性不飽和炭化水素基から選択される少なくとも１つであることにより、公知の架橋反応条件を選べるため、容易に架橋反応を制御することができる。
すなわち、加水分解性シリル基の場合、有機錫、有機アルミニウム、有機ホウ素といったルイス酸や、塩酸といった無機酸、トリエチルアミン・アンモニア・水酸化ナトリウムといった公知の架橋剤を用いることができる。
イソシアネート基の場合、多価アルコール、多価アミン、有機錫、一分子中に酸無水物構造を複数個有する化合物といった公知の架橋剤を用いることができる。
エポキシ基の場合、一級アミノ基を複数個有する化合物、三級アミン、カルボキシル基を複数個有する化合物、光酸発生剤、光アミン発生剤、一分子中に酸無水構造を複数個有する化合物といった公知の架橋剤を用いることができる。
オキセタニル基の場合、光酸発生剤といった公知の架橋剤を用いることができる。
酸無水物基の場合、多価アルコール、一級アミノ基を複数個有する化合物といった公知の架橋剤を用いることができる。
カルボキシル基の場合、エポキシ基を複数個有する化合物、水酸基を複数個有する化合物といった公知の架橋剤を用いることができる。
水酸基の場合、イソシアネート基を複数個有する化合物といった公知の架橋剤を用いることができる。
重合性不飽和炭化水素基の場合、有機過酸化物、多価メルカプタン、一級アミノ基を複数個有する化合物といった公知の架橋剤を用いることができる。
【００２６】
また、本発明の前記（２９）の方法は、電子部品の電極の位置に導電性微粒子が接触又は非接触状態で配置されるように加熱消滅性接着シート上に導電性微粒子が配置されている導電性微粒子転写シートと前記電子部品とを重ねた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性接着シートを消滅させることにより、位置精度よくかつ作業性のよい接続を実現することができる。
また、本発明の前記（３０）の方法は、電極面が形成された電子部品表面に加熱消滅性接着樹脂からなるペーストを流延して加熱消滅性樹脂層を形成させ、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させることにより、位置精度よくかつ作業性のよい接続を実現することができる。
また、本発明の前記（３１）の方法は、電極面が形成された電子部品表面に加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液を塗布し、この塗布被膜から加熱消滅性樹脂層を形成し、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させることにより、位置精度よくかつ作業性のよい接続を実現することができる。
また、本発明の前記（３２）の方法は、前記加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液を塗布し塗布被膜を形成した後に、前記塗布被膜に紫外線を照射し前記加熱消滅性樹脂層を形成することにより、光照射によってパターン形成を行うことができ、フォトレジストを使用することなく電極のパターン形成が可能となる。
【００２７】
また、本発明の前記（３３）の方法は、前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性樹脂層の所定の領域にレーザー光照射で窪みを形成し、前記窪みに前記導電性微粒子を接着し配置することにより、導電性微粒子が加熱消滅性シートあるいは加熱消滅性樹脂層の所定の領域にレーザ光照射で窪みを形成し、この窪みに導電性微粒子を接着し配置す
る。このようにすることで、導電性微粒子が加熱消滅性シートあるいは加熱消滅性樹脂層の所定の領域に安定して接着させることができる。
また、本発明の前記（３４）の方法は、前記電子部品が、半導体チップ、樹脂封止のなされた装置あるいは配線基板であることにより、容易にバンプの形成を行うことができる。
また、本発明の前記（３５）の方法は、前記導電性微粒子が、少なくとも表面にハンダを有していることにより、導電性微粒子をハンダ固着する一方で加熱消滅性材料による接合を実現することができる。
また、本発明の前記（３６）の方法は、前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂は、ポリオキシアルキレン樹脂を含んで成ることにより、残渣なしに消滅させることができる。
また、本発明の前記（３７）の方法は、前記導電性微粒子が少なくとも表面にハンダを有しており、前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂はポリオキシアルキレン樹脂を含んで成り、前記導電性微粒子の溶着と前記加熱消滅性接着シートあるいは前記加熱消滅性接着樹脂の消滅とをハンダリフロー温度の加熱で同時に行うことにより、ハンダボールなどの導電性微粒子の基板への接合をリフロー工程の加熱と同時に実現することが可能となる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、各種部材を転写するための転写シート、特に、電子部品の電極上にずれたり脱落したりしないように導電性微粒子を配置することができ、また、複数の導電性微粒子を一括して、確実かつ容易に電子部品の電極に接続することができる導電性微粒子転写シート及び導電性微粒子を電極に接続する方法を提供することができる。
なおここで電子部品とは、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置、これら電子部品を搭載するプリント基板などの実装基板をも含めたものをいうものとする。ただしＣＳＰプロセスなど用いる場合には半導体ウェハ上に導電性微粒子を形成する場合もあり、ここでは半導体ウェハをも含むものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に本発明を詳述する。
（実施の形態１）
次に、本発明の具体例として実施の形態１を図１に基づいて説明する。図１は、上述した導電性微粒子転写シートを用い、ＢＧＡパッケージのハンダボールバンプの形成と配線基板であるマザーボードとの接続を示す工程順の断面図である。ここで、ＢＧＡパッケージには半導体チップが実装されている。
【００３０】
図１（ａ）に示すように、ＢＧＡパッケージ１表面に形成したＣｕ配線層２上にＡｕ箔等で酸化防止層３を形成し、酸化防止層３を覆うようにしてフラックス４を塗布する。そして、図１（ｂ）に示すように、加熱消滅性接着シート５とその表面の所定の領域に接着したハンダボール６とから成る導電性微粒子転写シート７を、ＢＧＡパッケージ１のＣｕ配線層２の位置とハンダボール６の位置とを位置合わせして、ＢＧＡパッケージ１上にラミネートで被着させる。ここで、加熱消滅性接着シート５は、膜厚が５０μｍ程度のポリオキシアルキレン樹脂から構成される。そして、ハンダボール６は、Ｐｂ−Ｓｎ系合金ハンダ、ＰｂフリーハンダであるＳｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｚｎ系ハンダから成り、その径は５００μｍ程度である。
【００３１】
そして、窒素雰囲気において２００℃〜２５０℃の温度でハンダリフローの熱処理を施し、ハンダボール６をＣｕ配線層２に溶着する。このようにして、図１（ｃ）に示すように、ＢＧＡパッケージ１のＣｕ配線層２上にハンダボールバンプ８が形成される。上記熱処理で同時に、導電性微粒子転写シート７の加熱消滅性接着シート５は熱分解し気化して
完全に消滅する。ここで、酸化防止層３のＡｕ原子はハンダボールバンプ８内に溶融し、所定の領域にハンダボールバンプ８を有するＢＧＡパッケージ１に半導体チップを実装した半導体装置９が形成される。なお、通常のＢＧＡパッケージは多層配線基板で構成されている。
【００３２】
図１（ｄ）に示すように、配線基板であるマザーボード１０上のＣｕから成る電極パッド１１とハンダボールバンプ８とを溶融接合させ、半導体装置９をマザーボード１０に実装する。上記実施例において、加熱消滅性接着シート５に低融点有機酸を含ませておけば、それがＣｕ配線層２面の洗浄作用を有するようになるために、上記フラックス４等は不要になる。また、製造の条件等により上記酸化防止層３は省略してもよい。
【００３３】
このように、本発明をＢＧＡパッケージのハンダボールバンプの形成に適用することで、半導体チップを実装する半導体装置の生産性が大幅に向上すると共に、信頼性の高い半導体装置の製造が容易になる。
【００３４】
（実施の形態２）
次に、上記実施の形態１の変形例である実施の形態２を図２，３に基づいて説明する。これらの図において図１と同様のものは同一符号で示している。実施の形態２の実施の形態１との相違は、図１（ｂ）で説明した導電性微粒子転写シート７において、ハンダボール６が加熱消滅性接着シート５に埋め込まれて接着し配置される点にある。
【００３５】
初めに、実施の形態２に用いる導電性微粒子転写シート７について図２に基づいて説明する。図２（ａ）は導電性微粒子転写シート７の平面図であり、図２（ｂ）はＸ1 −Ｘ2 で切断したところの断面図である。図２（ａ）に示すように多数のハンダボール６が加熱消滅性接着シート５に配列されている。そして、上記ハンダボール６は、図２（ｂ）に示しているように加熱消滅性接着シート５に埋め込まれるように取り付けられている。このような取り付けでは、上述したように、レーザービームあるいは電子ビーム等を用い、加熱消滅性接着シート５の所定の位置にハンダボール６の直径よりも孔径の小さな貫通孔を開け、このシート越しに吸引することによりハンダボール６を孔内に引きつける方法を採る。
【００３６】
次に、上述したようにハンダボール６が埋め込まれて配置された導電性微粒子転写シート７を用いて、ＢＧＡパッケージのハンダボールバンプを形成する場合について図１，３を参照して説明する。この説明において、実施の形態１で説明したものと同じところは省略する。実施の形態１と同様にして図１（ａ）の工程を経た後、図３に示すように、図２で説明したところの導電性微粒子転写シート７を、ＢＧＡパッケージ１のＣｕ配線層２とハンダボール６とを位置合わせして、ＢＧＡパッケージ１上にラミネートで被着させる。ここで、例えばピンラミネーション法を用いれば、Ｃｕ配線層２の位置とハンダボール６の正確な位置合わせが可能となる。図３に示すように、ハンダボール６の底部は、埋め込まれ加熱消滅性接着シート５から露出している。このために、上記被着においてハンダボール６はその底部でフラックス４に接着する。
【００３７】
そして、初めに窒素雰囲気において１６０℃〜１８０℃程度のハンダリフロー温度の熱処理を施し、ハンダボール６をＣｕ配線層２に溶着する。この溶着後に、引き続いて窒素雰囲気において２００〜２５０℃の加熱を行い、導電性微粒子転写シート７の加熱消滅性接着シート５を消滅させる。このようにして、図１（ｃ）に示すように、ＢＧＡパッケージ１のＣｕ配線層２上にハンダボールバンプ８を形成する。そして、実施の形態１と同様にしてマザーボードに実装する。
【００３８】
実施の形態２の場合には、ハンダリフローにおいて図１（ｂ）の場合と異なりハンダボ
ール６底部に加熱消滅性接着シート５が存在しないために、上記溶着が短時間でしかも高精度に行える。なお、上記溶着および消滅は、実施の形態１と同様な熱処理で同時に行ってもよいことは当然である。
【００３９】
（実施の形態３）
更に、本発明の具体例として実施の形態３を図４に基づいて説明する。図４は、半導体チップあるいは半導体ウェハ表面にバンプ形成する場合の製造工程順の断面図である。
【００４０】
図４（ａ）に示すように、半導体素子および内部配線（図示せず）が形成されている例えば８インチφの半導体ウェハ２１の表面に、シリコン窒化膜あるいはシリコンオキシナイトライド膜でパッシベーション膜２２を形成し、外部取り出し用配線２３を形成する。ここで、外部取り出し用配線２３は、アルミ（Ａｌ）金属あるいはＣｕ等から成る。
【００４１】
そして、図４（ｂ）に示すように、液状の加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液から成る塗布液を、半導体ウェハ２１表面のパッシベーション膜２２、外部取り出し用配線２３上にスピン塗布する。そして、８０℃程度のベーキング処理を施すことで加熱消滅性接着樹脂層２４を形成する。ここで、加熱消滅性接着樹脂層２４は、膜厚が１μｍ程度のポリオキシアルキレン樹脂で構成される。
【００４２】
次に、図４（ｃ）に示すように、径が２０μ程度のハンダ微粒子２５を、外部取り出し用配線２３上の位置に配置し、外部取り出し用配線２３上部の加熱消滅性接着樹脂層２４表面に接着させる。ここで、多数の減圧吸引ノズルのそれぞれのノズルにハンダ微粒子２５を一度に吸引し、半導体チップ上の全ての外部取り出し用配線２３上の位置にハンダ微粒子２５配置し、その位置の加熱消滅性接着樹脂層２４表面に一度に接着させるようにする。この操作を半導体ウェハ２１の半導体チップの全てで行う。
【００４３】
そして、窒素雰囲気において２００℃程度の温度で熱処理を施し、ハンダ微粒子２５を外部取り出し用配線２３に溶着させる。このようにして、図４（ｄ）に示すように、半導体ウェハ２１の外部取り出し用配線２３上にハンダバンプ２６が形成される。ここで、上記熱処理において同時に、外部取り出し用配線２３上の加熱消滅性接着樹脂層２４は熱分解し完全に消滅する。このようなバンプ形成は、従来では主にメッキ法で形成しているが、本発明により作業性を大幅に向上させ、高い生産性を可能にする。これは、メッキ法では半導体ウェハ２１上にメッキの給電層を形成しなければならず、給電層の形成を含めそれを除去する等の煩雑な工程が必要になるが、本発明では、ハンダ微粒子２５の外部取り出し用配線２３への配置と熱処理の工程で、ハンダバンプ２６が簡便に形成できるようなるからである。
【００４４】
図示しないが、上記ハンダバンプ２６を形成した半導体ウェハはダイシングを通して半導体チップにされ、そして半導体チップは、樹脂封止のなされた半導体装置、配線基板等にフリップチップでバンプ接合される。あるいは、異なる２種の半導体チップが向かい合わせにバンプ接合され、高密度実装のＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）
の１つであるＣＯＣ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ）が簡便に、しかも、高い信頼性のもとに形成される。このようにして、上述したところの実装技術による電子システムインテグレーションが促進される。
【００４５】
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、実施の形態は適宜に変更されうる。上述した実施例では、導電性微粒子として球状のハンダボール、あるいは球状のハンダ微粒子の場合について説明しているが、円柱状のハンダボール、円柱状のハンダ微粒子でも導電性微粒子として同様に適用できる。また、導電性微粒子は、ハンダ以外の低融点の合金でも適用できるものであり、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属
でも可能である。このように、導電性微粒子がハンダのような低融点の合金でない場合には、加熱により加熱消滅性接着樹脂を消滅させ、その後に、導電性微粒子を電子部品の電極に溶着させて導電接続することになる。
【００４６】
以上説明したように、本発明の導電性微粒子転写シートは、加熱消滅性接着樹脂あるいはシート上に導電性微粒子が配置されているものである。本明細書において加熱消滅性接着樹脂（シート）とは、少なくとも、加熱することにより気体に分解するか、又は、分解して気化し、固体形状を失う加熱消滅性接着剤からなる単層のシート又は加熱消滅性接着剤からなる接着層を有する多層シートを意味する。基材の片面又は両面に加熱消滅性接着剤からなる接着層が形成されたサポートタイプの加熱消滅性接着シートである場合は、上記基材は消滅しなくとも加熱消滅性接着剤からなる接着層が消滅すればよい。なお、基材を含めたシート全体が加熱により消滅することが好ましい。
【００４７】
このような加熱消滅性接着剤としては、例えば、ポリメチレンマロン酸ジエステル、ポリブチレン、ニトロセルロース、α−メチルスチレンポリマー、プロピレンカーボネートポリマー、ポリ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、カルボン酸ジヒドラジドとジイソシアネートを重合させた共重合体、これらのポリマーの過酸化物等、及び、これらのポリマーに必要に応じてジブチルフタレートやジオクチルフタレートなどの可塑剤や、キシレンオイル、テルペンオイル、パラフィンワックスなどの軟化剤を加えて粘着性を付与したもの等が知られている。また、ポリブテンやポリメタクリル酸ラウリルも熱消滅性接着剤として用いることができる。
【００４８】
しかしながら、通常、導電性微粒子を電極に接続する方法では、ハンダリフロー工程で導電性微粒子の表面の金属層又は導電性微粒子自身を溶融させて接続を行うことが一般的であることから、リフロー温度である１５０〜２６０℃で消滅し得る接着剤を用いれば、リフロー時に加熱消滅性接着剤を消滅させることができ、大幅に工程を簡略化できる。また、比較的耐熱性の低い電子部品にも用いることができる。従来、１５０〜２６０℃で速やかに消滅し得る接着剤はなかったが、本発明者らは、鋭意検討の結果、ポリオキシアルキレン樹脂を含んで成る接着剤が、１５０〜２６０℃に加熱することで速やかに消滅することに加え、導電性微粒子等の金属や、シリコン材料、プラスチック材料等の幅広い材料に対して優れた接着性を有し、しかも、シート状に成形したときに適度なシート強度を有することを見出した。
【００４９】
上記ポリオキシアルキレン樹脂としては特に限定されないが、酸素原子含有量が１５〜５５質量％で、１５０〜３５０℃中の所定の温度に加熱することにより１０分以内に重量の９５％以上が消滅するものが好ましい。
また、上記ポリオキシアルキレン樹脂とは、未架橋のものと架橋されたものとの双方を纏めて意味するものである。
また、上記ポリオキシアルキレン樹脂としては、特に限定されないが、ポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体等が挙げられる。
【００５０】
上記ポリアルキレングリコールとしては特に限定されないが、例えば、ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレングリコール、ポリオキシテトラメチレングリコール等が挙げられる。なかでも、ポリオキシプロピレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシテトラメチレン又は、ポリオキシプロピレンとポリオキシエチレン及び／もしくはポリオキシテトラメチレンとの混合樹脂として用いることが好ましく、混合樹脂中のポリオキシプロピレンの含有率が５０質量％以上であることがより好ましい。このような混合樹脂を用いれば、樹脂の混合割合を調整することにより、消滅する温度と消滅するまでの時間とを調整することができる。また、固形のポリオキシエチレングリコール及び／又はポリオキシテトラメチレングリコールとの混合樹脂として用いると粘着性がなく、ホットメルト
タイプの樹脂シートから粘着シートまで広く性状を変えることができ好ましい。
【００５１】
また、例えば、ハンダリフローを複数回通過させるような工程に上記加熱消滅性接着シートを用いる場合には、リフローごとに導電接続材料が再溶融するため、再溶融時に電子部品がずれるおそれがある。このように、数回のハンダリフロー工程を通過させるまで電子部品を仮固定したい場合にも好適に用いることができる。
【００５２】
上記ポリオキシアルキレンをセグメントとして含む共重合体におけるポリオキシアルキレンセグメントとは、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を２個以上有するセグメントを意味する。
【００５３】
【化１】
2004207698.tif 000002
【００５４】
式（１）中、ｎは１以上の整数を表し、Ｒ1n、Ｒ2nはｎ番目の置換基であって、水素、アルキル基、アリール基、アルケニル基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、アミド基、エーテル基、エステル基からなる群より選択される１種以上を組み合わせて得られる置換基を表す。
【００５５】
なお、上記一般式（１）で表される繰り返し単位が１個である場合には、本発明の加熱消滅性材料を加熱により完全に消滅させることが難しくなる。また、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を２個以上有するセグメントに架橋点がなく他のセグメントにより架橋されたゲル状樹脂である場合であっても、架橋点間に上記ポリオキシアルキレンセグメントが存在する場合には、本発明の加熱消滅性材料に用いることができる。更に、上記ポリオキシアルキレンをセグメントとして含む共重合体は鎖延長剤を用いて鎖状にセグメントを連結させていてもよい。
【００５６】
上記ポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体としては特に限定されず、例えば、ポリメチレングリコール（ポリアセタール）、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリトリメチレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリブチレングリコール、及び、これら複数のセグメントを含むもの等が挙げられる。また、これより得られる、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド等が挙げられる。また、これら、ポリオキシアルキレンセグメントをグラフト鎖に有する（メタ）アクリルポリマーやポリスチレン等のビニル重合体等が挙げられる。これら、複数の樹脂を組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
上記ポリオキシアルキレン樹脂の数平均分子量は、５０００〜５００万であることが好ましい。該数平均分子量が５０００より低い場合、揮発性が強くなり、本発明に用いる加熱消滅性接着樹脂を安定的に扱うことが困難な場合がある。一方、５００万を超えると凝集力に優れるものの、絡み合い効果により速やかな消滅が困難な場合がある。
詳細には、該数平均分子量は、本発明の導電性微粒子転写シートの使用態様に応じて適宜選択されるものである。
【００５８】
また、本発明の導電性微粒子転写シートに用いる加熱消滅性接着樹脂には、分解促進剤
又は分解遅延剤を含ませることによって、その分解速度及び分解温度を、使用態様等に応じて適宜制御することができる。
分解促進剤としては、特に限定されないが、アゾジカルボンアミドなどのアゾ化合物、硫酸鉄、硝酸ナトリウム、ナフテン酸コバルト等の重金属化合物；シュウ酸、リノレイン酸、アスコルビン酸等のカルボン酸類；ハイドロキノン、過酸化物、酸化錫等が挙げられる。
上記過酸化物としては、特に限定されず、無機過酸化物であっても有機過酸化物であっても良い。具体的には、無機過酸化物として、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、過塩素酸カリウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸アンモニウム、過ヨウ素酸カリウム等を等を挙げることができる。
【００５９】
有機過酸化物としては特に限定されないが、本発明に用いる加熱消滅性接着樹脂に貯蔵安定性を要する場合には、１０時間半減期温度が１００℃以上であるものが好適である。１０時間半減期温度が１００℃以上の有機過酸化物としては、例えば、Ｐ−メンタンハイドロキシパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロキシパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロキシパーオキサイド、クメンハイドロキシパーオキサイド、ｔ−ヘキシルハイドロキシパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロキシパーオキサイド等のハイドロキシパーオキサイド；ジクミルパーオキサイド、α、α’−ビス（ｔ-ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロピルベンゼン）、２，５−ジメチル−２，５−ビス（
ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３等のジアルキルパーオキサイド；１，１−ビス（ｔ−へキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｎ−ブチル４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２，２−ビス（４,４−ジ−ｔ−ブチル
パーオキシシクロヘキシル）プロパン等のパーオキシケタール；ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−トルイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス−ｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート等のパーオキシエステル等を挙げることができる。
【００６０】
上記アゾ化合物としては、特に限定されないが、具体的には、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２−アゾビス（４―メトキシ−２，４―ジメチルヴァレロニトリル）、２，２−アゾビス（２−シクロプロピルプロピオニトリル）、２，２−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）等を挙げることができる。
なお、上記過酸化物およびアゾ化合物を含有することにより、本発明の加熱消滅性接着樹脂を加熱して消滅させた後の炭化物の残渣の発生も抑制することができる。特に過酸化物のなかでも、灰分残渣の発生を抑制することができることから、有機過酸化物が好ましい。
【００６１】
上記分解遅延剤としては、特に限定されないが、メルカプト化合物、アミン化合物、有機錫、有機ホウ素等が挙げられる。
上記メルカプト化合物としては、特に限定されないが、具体的には、プロパンチオール
、ブタンチオール、ペンタンチオール、１−オクタンチオール、ドデカンチール、シクロペンタンチオール、シクロヘキサンチオール、１，３−プロパンジオール等を挙げることができる。
上記アミン化合物としては、特に限定されないが、具体的には、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、ドデシルアミン、イソプロピルアミン、ヘキサメチレンジアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、アニリン、メチルアニリン等を挙げることができる。
上記有機錫としては、特に限定されないが、具体的には、ジメチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジウラレート、ジブチル錫ジオクテート、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ビス（２，４−ペンタンジオン）、ジラウリル錫ジウラレート等を挙げることができる。
上記有機ホウ素としては、特に限定されないが、具体的には、トリメチルボレート、トリプロピルボレート、トリブチルボレート、トリメトキシボロキシン、トリメチレンボレート等を挙げることができる。
【００６２】
本発明の加熱消滅性接着樹脂における、上記分解促進剤及び分解遅延剤の含有量としては、特に限定されず、その使用用途、使用形態に応じて適宜選択されるものであるが、具体的には、加熱消滅性接着樹脂に対し、１〜１０質量％含有することが好ましい。
【００６３】
また、本発明の加熱消滅性接着樹脂は、酸素を含む雰囲気下では１５０〜３００℃中の所定の温度で、嫌気性雰囲気下では１５０〜３５０℃中の所定の温度で、減圧下では５分以下に１５０〜３５０℃中の所定の温度で、それぞれ加熱することにより消滅する。このような、加熱の際の雰囲気下の違いによって、その分解温度範囲が変化する特性を生かし、様々な態様等に適宜利用できる。
【００６４】
本発明の導電性微粒子転写シートの形態においては、上記加熱消滅性接着樹脂が基材により補強されているものと、基材により補強されていないものがある。
未架橋のポリオキシアルキレン樹脂を用いる場合には、該樹脂は軟らかい樹脂であることから単独ではシート形状を維持することができないことがある。従って、基材により補強されているものであることが好ましい。
例えば、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリイミドシート等の耐熱性樹脂シート；金属フィルム等の基材により補強したサポートタイプとして用いる。また、紙、プラスチック又はガラス等を素材とする織布又は不織布にポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む共重合体を含浸させてシート形状を維持させてもよい。なお、ポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体の多くも、同様に柔らかく単独ではシート形状を維持することができないことから、基材により補強してシート形状とすることが好ましい。
【００６５】
また、架橋されたポリオキシアルキレン樹脂を用いる場合には、単独でもシート形状を維持することができるため、基材により補強されていなくてもよい。
上記架橋されたポリオキシアルキレン樹脂の架橋形態としては特に限定されず、物理架橋であっても、化学架橋であってもよい。
【００６６】
ポリオキシアルキレン樹脂を物理架橋させる方法としては、例えば、重合セグメントとして結晶性セグメントを選択し結晶化させる方法や、高分子量セグメントを用いて分子鎖の絡み合いを増やす方法や、水酸基やアミノ基、アミド基等の官能基を有するセグメントを用いて水素結合を形成させる方法等が挙げられる。
【００６７】
ポリオキシアルキレン樹脂を化学架橋させる方法としては、例えば、架橋性官能基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体を架橋剤で架橋させる方法等が挙げられる。
【００６８】
上記ポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体が有する架橋性官能基としては、特に限定されないが、例えば、加水分解性シリル基、イソシアネート基、エポキシ基、オキセタニル基、酸無水物基、カルボキシル基、水酸基、重合性不飽和炭化水素基等が挙げられる。なかでも、加水分解性シリル基、イソシアネート基、エポキシ基、オキセタニル基、酸無水物基、カルボキシル基、水酸基、重合性不飽和炭化水素基から選択される少なくとも１つであることが好ましく、加水分解性シリル基、エポキシ基、オキセタニル基から選択される少なくとも１つであることがより好ましく、加水分解性シリル基がさらに好ましい。これら架橋性官能基は単独種のもので用いてもよいし、２種以上を併用したものを用いてもよい。
【００６９】
上記、加水分解性シリル基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体のうち市販されているものとしては、例えば、鐘淵化学工業社製の商品名ＭＳポリマーとしてＭＳポリマーＳ−２０３、Ｓ−３０３、Ｓ−９０３等、サイリルポリマーとして、サイリルＳＡＴ−２００、ＭＡ−４０３、ＭＡ−４４７等、エピオンとしてＥＰ１０３Ｓ、ＥＰ３０３Ｓ、ＥＰ５０５Ｓ等、旭硝子社製のエクセスターＥＳＳ−２４１０、ＥＳＳ−２４２０、ＥＳＳ−３６３０等が挙げられる。
【００７０】
上記イソシアネート基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体は、例えば、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート、ＴＤＩ、ＭＤＩ等のジイソシアネートとポリプロピレングリコールとをイソシアネートモル量を水酸基モル量より多めにした条件下でウレタン化反応すること等により得ることができる。
【００７１】
上記エポキシ基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体のうち市販されているものとしては、例えば、共栄社化学社製エポライトシリーズ等が挙げられる。
【００７２】
上記重合性不飽和炭化水素基としては、（メタ）アクリロイル基、スチリル基等が挙げられる。
上記（メタ）アクリロイル基やスチリル基等の重合性不飽和基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体としては、例えば、α，ω−ジ（メタ）アクリロイルオキシポリプロピレングリコール、α，ω−ジ（メタ）アクリロイルオキシポリエチレングリコール、α−（メタ）アクリロイルオキシポリプロピレングリコール、α−（メタ）アクリロイルオキシポリエチレングリコール等が挙げられる。このうち市販されているものとしては、例えば、日本油脂製ブレンマーシリーズ、新中村化学社製ＮＫエステルＭシリーズ、新中村化学社製ＮＫエステルＡＭＰシリーズ、新中村化学社製ＮＫエステルＢＰＥシリーズ、新中村化学社製ＮＫエステルＡシリーズ、新中村化学社製ＮＫエステルＡＰＧシリーズ、東亜合成社製アロニックスＭ−２４０、東亜合成社製アロニックスＭ−２４５、東亜合成社製アロニックスＭ−２６０、東亜合成社製アロニックスＭ−２７０、第一工業製薬製ＰＥシリーズ、第一工業製薬製ＢＰＥシリーズ、第一工業製薬製ＢＰＰシリーズ、共栄社化学社製ライトエステル４ＥＧ、共栄社化学社製ライトエステル９ＥＧ、共栄社化学社製ライトエステル１４ＥＧ、共栄社化学社製ライトアクリレートＭＴＧ−Ａ、共栄社化学社製ライトアクリレートＤＰＭ−Ａ、共栄社化学社製ライトアクリレートＰ−２００Ａ、共栄社化学社製ライトアクリレート９ＥＧ、共栄社化学社製ライトアクリレートＢＰ−ＥＰＡ等が挙げられる。
【００７３】
以下に、前記化学架橋に用いる架橋剤について説明する。
前記化学架橋に用いる架橋剤としては、例えば、前記ポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体が有する架橋性官能基と反応して、そ
れ自体が架橋体の構造中に取り込まれる作用を有するもの（以下、架橋剤（１）とも称する）と、前記ポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体が有する架橋性官能基同士を反応させる触媒しての作用を有するもの（以下、架橋剤（２）とも称する）がある。また、上記の架橋剤（１）と架橋剤（２）の双方の作用を有する架橋剤（３）がある。
【００７４】
架橋剤（１）としては、特に限定されないが、具体的には以下のものが挙げられる。
上記オキセタニル基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体を架橋させる架橋剤であって、例えば、紫外線や可視光により酸が発生する光カチオン開始剤、熱カチオン開始剤である。
【００７５】
上記イソシアネート基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体を架橋させる架橋剤であって、例えば、水酸基を複数個持つ化合物やアミノ基を複数個持つ化合物等の活性水素を複数個持つ化合物が挙げられる。上記水酸基を複数個持つ化合物としては、例えば、エチレングリコール、ブチレングリコール、グリセリン、ネオペンチルグリコール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、ペンタエリスリトール、ポリエステルポリオール等が挙げられる。上記アミノ基を複数個持つ化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、α，ω−ジアミノプロピレングリコール等が挙げられる。
【００７６】
架橋剤（２）としては、特に限定されないが、具体的には以下のものが挙げられる。
上記加水分解性シリル基を架橋させる架橋剤として、例えば、下記式（２）で表される官能基を有する光反応性触媒、紫外線や可視光により酸が発生する光カチオン開始剤、有機金属化合物、アミン系化合物、酸性リン酸エステル、テトラアルキルアンモニウムハライド（ハライド：フルオリド、クロライド、ブロマイド、ヨウダイド）、カルボキシル基等の有機酸、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸等が挙げられる。なかでも、下記式（２）で表される官能基を有する光反応性触媒が好適である。
【００７７】
【化２】
2004207698.tif 000003
【００７８】
式（２）中、ｍは２〜５の整数を表し、Ｙ(m)は周期表のＩＶＢ族、ＶＢ族又はＶＩＢ族
の原子を表し、Ｚは水素基、炭化水素基、メルカプト基、アミノ基、ハロゲン基、アルコキシル基、アルキルチオ基、カルボニルオキシ基又はオキソ基を表す。
【００７９】
上記式（２）で表される官能基を有する光反応触媒は、上記式（２）で表される官能基のうち、異なるものを複数種有していてもよい。
上記一般式（２）で表される官能基としては、例えば、酸素、硫黄、窒素、リン及び炭素からなる群より選択されるＹ(m)で示される原子に対し、カルボニル基が２個結合した
化合物であって、Ｙ(m)で示される原子の価数に応じて適宜、Ｚで示される炭化水素基又
はオキシド基を有するもの等が挙げられる。
【００８０】
上記炭化水素基としては、例えば、脂肪族系炭化水素基、不飽和脂肪族系炭化水素基、芳香族系炭化水素基等が挙げられる。これらの炭化水素基は、本発明の目的を阻害しない範囲でアミノ基、水酸基、エーテル基、エポキシ基、重合性不飽和基、ウレタン基、ウレア基、イミド基、エステル基等の置換基を有していても良い。また、異なる炭化水素基を
組み合わせて用いてもよい。
【００８１】
上記一般式（２）で表される官能基を有する光反応触媒は、環状化合物であってもよい。このような環状化合物としては、例えば、環状鎖の中に１個又は２個以上の同種又は異種の上記一般式（２）で表される官能基を有する化合物等が挙げられる。更に、複数個の同種又は異種の上記環状化合物を適当な有機基で結合した化合物や、複数個の同種又は異種の上記環状化合物をユニットとして少なくとも１個以上含む双環化合物等も用いることができる。
【００８２】
上記一般式（２）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ(m)で表される原
子が酸素原子の場合には、例えば、酢酸無水物、プロピオン酸無水物、ブチル酸無水物、イソブチル酸無水物、バレリック酸無水物、２−メチルブチル酸無水物、トリメチル酢酸無水物、ヘキサン酸無水物、ヘプタン酸無水物、デカン酸無水物、ラウリル酸無水物、ミリスチリル酸無水物、パルミチン酸無水物、ステアリル酸無水物、ドコサン酸無水物、クロトン酸無水物、アクリル酸無水物、メタクリル酸無水物、オレイン酸無水物、リノレイン酸無水物、クロロ酢酸無水物、ヨード酢酸無水物、ジクロロ酢酸無水物、トリフルオロ酢酸無水物、クロロジフルオロ酢酸無水物、トリクロロ酢酸無水物、ペンタフルオロプロピオン酸無水物、ヘプタフルオロブチル酸無水物、コハク酸無水物、メチルコハク酸無水物、２，２−ジメチルコハク酸無水物、イソブチルコハク酸無水物、１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物、ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物、イタコン酸無水物、１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、３，４，５，６−テトラヒドロフタル酸無水物、マレイン酸無水物、２−メチルマレイン酸無水物、２，３−ジメチルマレイン酸無水物、１−シクロペンテン−１，２−ジカルボン酸無水物、グルタル酸無水物、１−ナフチル酢酸無水物、安息香酸無水物、フェニルコハク酸無水物、フェニルマレイン酸無水物、２，３−ジフェニルマレイン酸無水物、フタル酸無水物、４−メチルフタル酸無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物、４，４’−（ヘキサフルオロプロピリデン）ジフタル酸無水物、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸無水物、１，８−ナフタレンジカルボン酸無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸無水物等；マレイン酸無水物とラジカル重合性二重結合を持つ化合物の共重合体として、例えば、マレイン酸無水物と（メタ）アクリレートの共重合体、マレイン酸無水物とスチレンの共重合体、マレイン酸無水物とビニルエーテルの共重合体等が挙げられる。これらのうち市販品としては、例えば、旭電化社製のアデカハードナーＥＨ−７００、アデカハードナーＥＨ−７０３、アデカハードナーＥＨ−７０５Ａ；新日本理化社製のリカシッドＴＨ、リカシッドＨＴ−１、リカシッドＨＨ、リカシッドＭＨ−７００、リカシッドＭＨ−７００Ｈ、リカシッドＭＨ、リカシッドＳＨ、リカレジンＴＭＥＧ；日立化成社製のＨＮ−５０００、ＨＮ−２０００；油化シェルエポキシ社製のエピキュア１３４Ａ、エピキュアＹＨ３０６、エピキュアＹＨ３０７、エピキュアＹＨ３０８Ｈ；住友化学社製のスミキュアーＭＳ等が挙げられる。
【００８３】
上記一般式（２）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ(m)で表される原
子が窒素原子の場合には、例えば、コハク酸イミド、Ｎ−メチルコハク酸イミド、α，α−ジメチル−β−メチルコハク酸イミド、α−メチル−α−プロピルコハク酸イミド、マレイミド、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−（２−クロロフェニル）マレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−（１−ピレニル）マレイミド、３−メチル−Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ，Ｎ’−１，２−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−１，３−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−１，４−フェニレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−（４−メチル−１，３−フェニレン）ビスマレイミド、１，１’−（メチレンジ−１，４−フェニレン）ビスマレイミド、フタルイミド、Ｎ−メチルフタルイミド、Ｎ−エチルフタルイミド、Ｎ−プロピルフ
タルイミド、Ｎ−フェニルフタルイミド、Ｎ−ベンジルフタルイミド、ピロメリット酸ジイミド等が挙げられる。
【００８４】
上記一般式（２）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ(m)で表される原
子がリン原子の場合には、例えば、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
【００８５】
上記一般式（２）で表される官能基を有する光反応触媒としては、Ｙ(m)で表される原
子が炭素原子の場合には、例えば、２，４−ペンタンジオン、３−メチル−２，４−ペンタンジオン、３−エチル−２，４−ペンタンジオン、３−クロロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１−ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルメタン等のジケトン類；ジメチルマロネート、ジエチルマロネート、ジメチルメチルマロネート、テトラエチル１，１，２，２−エタンテトラカルボン酸等のポリカルボン酸エステル類；メチルアセチルアセトナート、エチルアセチルアセトナート、メチルプロピオニルアセテート等のα−カルボニル−酢酸エステル類等が挙げられる。
【００８６】
上記一般式（２）で表される官能基を有する光反応触媒のなかでも、ジアシルフォスフィンオキシド又はその誘導体は、消滅後の残渣が極めて少ないことから特に好適に用いられる。
【００８７】
上記一般式（２）で表される官能基を有する光反応触媒の配合量の好ましい使用量としては、上記加水分解性シリル基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体１００重量部に対して０．０１重量部、好ましい上限は３０重量部である。０．０１重量部未満であると、光反応性を示さなくなることがあり、３０重量部を超えると、加水分解性シリル基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体を含有する組成物の光透過性が低下して、光を照射しても表面のみが架橋、硬化し、深部は架橋、硬化しないことがある。より好ましい下限は０．１重量部、より好ましい下限は２０重量部である。
【００８８】
上記有機金属化合物として、例えば、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫オキサイド、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫フタレート、ビス（ジブチル錫ラウリン酸）オキサイド、ジブチル錫ビスアセチルアセトナート、ジブチル錫ビス（モノエステルマレート）、オクチル酸錫、ジブチル錫オクトエート、ジオクチル錫オキサイド等の錫化合物、テトラ−ｎ−ブトキシチタネート、テトライソプロポキシチタネート等のアルキルオキシチタネート等が挙げられる。
【００８９】
上記重合性不飽和基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体を架橋させる架橋剤として、例えば、過酸化物、アゾ化合物等の熱ラジカル型開始剤；紫外線や可視光による光ラジカル開始剤；熱又は光ラジカル開始剤とメルカプト基を複数個持つ化合物を組み合わせてなる開始剤系等が挙げられる。
【００９０】
上記熱ラジカル開始剤としては、例えば、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、キュメンハイドロパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類、α,α’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルペ
ルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン、ジキュミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルキュミルパ
ーオキサイド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３等のジアルキルパーオキサイド類；ケトンパーオキサイド類、パーオキシケタール類、ジアシルパーオキサイド類、パーオキシジカーボネート類、パーオキシエステル類等の有機過酸化物、又は、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、１，１’−（シクロヘキサン−1−カルボニトリル）、２，２’−アゾビ
ス（２−シクロプロピルプロピオニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物等が挙げられる。
【００９１】
上記光ラジカル開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール誘導体化合物；ハロゲン化ケトン；アシルフォスフィンオキシド；アシルフォスフォナート；２−メチル−１−[４−（メチルチオ）フェニル]−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキシドビ
ス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド；ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス（ペンタフルオロフェニル）−チタニウム、ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス[２，６−ジフルオロ−３−（１
Ｈ−ピリ−１−イル）フェニル]−チタニウム；アントラセン、ペリレン、コロネン、テ
トラセン、ベンズアントラセン、フェノチアジン、フラビン、アクリジン、ケトクマリン、チオキサントン誘導体、ベンゾフェノン、アセトフェノン、２−クロロチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよいし、２種以上併用されてもよい。
【００９２】
上記エポキシ基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体を架橋させる架橋剤として、例えば、紫外線や可視光により酸が発生する光カチオン開始剤、熱カチオン開始剤、アミン化合物系硬化剤、アミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、メルカプト系硬化剤、ケチミンやＤＩＣＹ等の熱潜在性硬化剤、カルバモイルオキシイミノ基等を有する光アミン発生剤等が挙げられる。
【００９３】
上記光カチオン触媒としては、例えば、鉄−アレン錯体化合物、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルホニウム塩、ピリジニウム塩、アルミニウム錯体／シラノール塩、トリクロロメチルトリアジン誘導体等が挙げられる。このうち、オニウム塩やピリジニウム塩の対アニオンとしては、例えば、ＳｂＦ6-、ＰＦ6-、ＡｓＦ6-、ＢＦ4-、テトラキス（ペンタフルオロ）ボレート、トリフルオロメタンスルフォネート、メタンスルフォネート、トリフルオロアセテート、アセテート、スルフォネート、トシレート、ナイトレート等が挙げられる。これらの光カチオン触媒のうち市販されているものとしては、例えば、イルガキュアー２６１（チバガイギー社製）、オプトマーＳＰ−１５０（旭電化工業社製）、オプトマーＳＰ−１５１（旭電化工業社製）、オプトマーＳＰ−１７０（旭電化工業社製）、オプトマーＳＰ−１７１（旭電化工業社製）、ＵＶＥ−
１０１４（ゼネラルエレクトロニクス社製）、ＣＤ−１０１２（サートマー社製）、サンエイドＳＩ−６０Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ−８０Ｌ（三新化学工業社製）、サンエイドＳＩ−１００Ｌ（三新化学工業社製）、ＣＩ−２０６４（日本曹達社製）、ＣＩ−２６３９（日本曹達社製）、ＣＩ−２６２４（日本曹達社製）、ＣＩ−２４８１（日本曹達社製）、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ  ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ  ２０７４（ローヌ・プーラン社製）、ＵＶＩ−６９９０（ユニオンカーバイド社製）、ＢＢＩ−１０３（ミドリ化学社製）、ＭＰＩ−１０３（ミドリ化学社製）、ＴＰＳ−１０３（ミドリ化学
社製）、ＭＤＳ−１０３（ミドリ化学社製）、ＤＴＳ−１０３（ミドリ化学社製）、ＮＡＴ−１０３（ミドリ化学社製）、ＮＤＳ−１０３（ミドリ化学社製）等が挙げられる。これらの光カチオン触媒は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００９４】
上記熱カチオン硬化剤としては、例えば、アルキル基を少なくとも１個有するアンモニウム塩、スルホニウム塩、ヨウドニウム塩、ジアゾニウム塩、三フッ化ホウ素・トリエチルアミン錯体等が挙げられる。これらの塩類の対アニオンとしては、例えば、ＳｂＦ6-、ＰＦ6-、ＡｓＦ6-、ＢＦ4-、テトラキス（ペンタフルオロ）ボレート、トリフルオロメタンスルフォネート、メタンスルフォネート、トリフルオロアセテート、アセテート、スルフォネート、トシレート、ナイトレート等のアニオンが挙げられる。
【００９５】
上記光アミン発生剤としては、例えば、カルバモイルオキシイミノ基を有する化合物、コバルトアミン錯体、カルバミン酸−ｏ−ニトロベンジル、ｏ−アシルオキシム等が挙げられる。
【００９６】
架橋剤（３）としては、特に限定されないが、α，ω−ジアミノポリオキシプロピレン等が挙げられる。
【００９７】
架橋されたポリオキシアルキレン樹脂を用い、加熱消滅性接着シートの形態とするには、本発明の目的を阻害しない範囲において、架橋性官能基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体と同じ反応性中間体を経由する官能基を有する化合物を共重合性又は共架橋性成分として含有してもよい。また、架橋性官能基を有するポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体とは異なる反応性中間体を経由する架橋性又は重合性官能基を有する化合物を共重合性又は共架橋性成分として含有してもよい。更に、これらの２種類の官能基を同時に併せ持つ化合物を含有してもよい。
【００９８】
上記共重合性又は共架橋性成分としては、例えば、ラジカル重合性不飽和基を有する化合物が挙げられる。このようなラジカル重合性不飽和基を有する化合物としては、例えば、スチレン、インデン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、ジビニルベンゼン等のスチリル基を持つ化合物；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ブトキシエチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシヘキシル
（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシ−３−メチルブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、２−［（メタ）アクリロイルオキシ］エチル２−ヒドロキシエチルフタル酸、２−［（メタ）アクリロイルオキシ］エチル２−ヒドロキシプロピルフタル酸、下記式（３）で表される化合物、下記式（４）で表される化合物等の（メタ）アクリロイル基を持つ化合物等が挙げられる。
【００９９】
【化３】
2004207698.tif 000004
【０１００】
上記共重合性又は共架橋性成分としては、また、例えば、エポキシ基を有する化合物が挙げられる。このようなエポキシ基を有する化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ
系エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール型エポキシ樹脂、脂肪族環式エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、ウレタン変成エポキシ樹脂、グリシジルエステル系化合物、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化ＳＢＳ（ＳＢＳはポリ（スチレン−ｃｏ−ブタジエン−ｃｏ−スチレン）共重合体を示す）等が挙げられる。
【０１０１】
上記共重合性又は共架橋性成分としては、また、例えば、イソシアネート基を有する化合物が挙げられる。このようなイソシアネート基を有する化合物としては、例えば、キシリレンジイソシアネート、トルイレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート、ジイソシアン酸フェニルメタン等が挙げられる。
【０１０２】
架橋されたポリオキシアルキレン樹脂を用いる場合は、基材のないノンサポートタイプであってもよく、離型処理された又はされていない基材の片面又は両面にポリアルキレングリコール又はポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体からなる層が形成されたサポートタイプであってもよい。
【０１０３】
前記未架橋または架橋されたポリオキシアルキレン樹脂を用いる加熱消滅性接着シートは、粘着性〜非粘着性までの広い性状に調整することができる。例えば、ポリプロピレングリコールが主成分であれば粘着性が高くなり、また、固形のポリエチレングリコール又はポリテトラメチレングリコールの含有量が高くなると粘着性が低くなる。更に、架橋度によっても粘着性を調整することができる。
【０１０４】
加熱消滅性接着シートを製造する方法としては特に限定されず、例えば、溶剤キャスト法、押出塗工法、カレンダー法、ＵＶ塗工重合法等の公知の方法を用いることができる。
【０１０５】
加熱消滅性接着シートを溶剤キャスト法により製造する方法としては、例えば、溶剤に原料となる樹脂、必要に応じて架橋剤やフィラー等の添加剤を溶解・分散させ、得られた溶液を離型処理したフィルムにキャストし、溶剤を乾燥除去する方法等が挙げられる。
【０１０６】
加熱消滅性接着シートをホットメルト塗工法により製造する方法としては、例えば、原料となる樹脂、必要に応じて架橋剤やフィラー等の添加剤を加熱混合・分散させ、Ｔダイ等を通してホットメルト塗工する方法等が挙げられる。
【０１０７】
加熱消滅性接着シートをＵＶ塗工重合法により製造する方法としては、例えば、光架橋性官能基を有する原料樹脂、架橋性官能基に応じて選ばれる開始剤又は架橋剤と必要に応じて充填材等の各種添加剤を混合した組成物を、塗工しながら光開始剤を活性出来る光を照射する方法等を挙げることができる。
【０１０８】
上記光照射に用いられるランプとしては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ等が用いられる。この場合において、光カチオン重合開始剤に感光する波長領域の光が含まれる場合は、適宜フィルター等によって、その光をカットして照射することもできる。
【０１０９】
また、加熱消滅性接着シートをＵＶ塗工重合法により製造する場合には、予め原料組成物に増感剤を添加してもよい。上記増感剤としては、例えば、アントラセン誘導体、チオキサントン誘導体等が挙げられる。
【０１１０】
また、加熱消滅性接着シートを熱重合法により製造する方法としては、例えば、熱架橋
性官能基を有する原料樹脂、架橋性官能基に応じて選ばれる開始剤又は架橋剤と必要に応じて充填材等の各種添加剤を混合した組成物を、塗工しながら加熱して重合又は架橋する方法等が挙げられる。この場合の加熱方法としては、例えば、ホットプレート、加熱プレス装置、乾燥オーブン、ヒートガン、赤外線加熱装置、誘電加熱装置、誘導加熱装置、超音波加熱装置等を挙げることができる。なお、用いる架橋性官能基が目的に応じて複数に渡る場合には、複数の製造方法を組み合わせて用いてもよい。
【０１１１】
本発明の導電性微粒子転写シートに用いるシート状の加熱消滅性接着樹脂を作成する場合には、加熱消滅性接着樹脂からなるペーストを流延して加熱消滅性樹脂層を形成させるか、加熱消滅性接着樹脂組成物を含む塗布被膜を形成することが好ましい。
上記の熱消滅性接着樹脂からなるペースト、及び、加熱消滅性接着樹脂組成物を含む溶液（以下単に、ペースト及び溶液とも称する）としては、常温では適度な流動性・粘性を有し、光等により架橋し硬化物となる形態のものが好ましい。
上記ペースト及び溶液としては、架橋性官能基を有するポリオキシアルキレングリコールまたはポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体と架橋剤とを含み、２０℃における粘度が１から５００万ｍＰａ・ｓのものが好ましい。
上記ペースト及び溶液における、ポリオキシアルキレングリコールまたはポリオキシアルキレンをセグメントとして含む重合体、それが有する架橋性官能基、および架橋剤については、前記と同様のものである。
但し、上記ペースト及び溶液における、２０℃における粘度が１から５００万ｍＰａ・ｓ等の、常温でペースト及び溶液の形態を維持するためには、架橋性官能基を有するポリオキシアルキレングリコールまたはポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体の数平均分子量は５０００以下であることが好ましい。
【０１１２】
また、上記ペースト及び溶液は、重合性不飽和基を有する化合物を３０質量％以下含有することにより、速硬化性が付与される。
重合性不飽和基を有する化合物の重合性不飽和基としては、特に限定されないが、例えば、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニルエステル基、ビニロキシ基等を挙げることができる。
【０１１３】
上記スチリル基を持つ化合物として、特に限定されないが、例えば、スチレン、インデン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−クロロメチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−tert−ブトキシスチレン、ジビニルベンゼン等を挙げることができる。
【０１１４】
上記アクリル基又はメタクリロイル基を持つ化合物として、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ブトキシエチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシアク
リレート、ポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、５−ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシ−３−メチルブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、２−［（メタ）アクリロイルオキシ］エチル−２−ヒドロキシエチル−フタル酸、２−［（メタ）アクリロイルオキシ］エチル−２−ヒドロキシプロピル−フタル酸、等を挙げることができる。
【０１１５】
上記ビニルエステル基を持つ化合物として、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、カプロン酸ビニル、安息香酸ビニル、珪皮酸ビニル等を挙げることができる。
【０１１６】
上記ビニロキシ基を有する化合物として、例えば、ｎ−プロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、tert−アミルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、２−クロロエチルビニルエーテル、エチレングリコールブチルビニルエーテル、トリエチレングリコールメチルビニルエーテル、安息香酸（４−ビニロキシ）ブチル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ブタン−１，４−ジオール−ジビニルエーテル、ヘキサン−１，６−ジオール−ジビニルエーテル、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール−ジビニルエーテル、イソフタル酸ジ（４−ビニロキシ）ブチル、グルタル酸ジ（４−ビニロキシ）ブチル、コハク酸ジ（４−ビニロキシ）ブチルトリメチロールプロパントリビニルエーテル、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、６−ヒドロキシヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサン−１，４−ジメタノール−モノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、３−アミノプロピルビニルエーテル、２−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）エチルビニルエーテル、ウレタンビニルエーテル、ポリエステルビニルエーテル等を挙げることができる。
【０１１７】
上記ペースト及び溶液は、２０℃における粘度が１０〜５００万mPa・ｓと常温下では
、ペースト又は溶液状態を維持するが、架橋化のためのエネルギーの付与等を行うことにより、架橋硬化して、架橋硬化物が得られる。
上記ペースト及び溶液を架橋硬化させるには、熱による熱架橋や、光による光架橋が挙げられる。
但し熱架橋の場合、過熱により、上記ペースト及び溶液中のポリオキシアルキレン樹脂が分解消失することがあるため注意を要する。このような理由から、上記ペースト及び溶液の架橋硬化には光架橋が好ましい。
【０１１８】
上記ペースト及び溶液を光架橋により架橋硬化させる場合には、該ペースト及び溶液の架橋反応を活性化できる光を照射する方法等を挙げることができる。
【０１１９】
上記光照射に用いられるランプとしては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ等が用いられる。この場合において、光カチオン重合開始剤に感光する波長領域の光が含まれる場合は、適宜フィルター等によって、その光をカットして照射することもできる。
また、上記ペースト及び溶液を光架橋により架橋硬化させる場合には、該加熱消滅性材料に増感剤を添加してもよい。上記増感剤としては、例えば、アントラセン誘導体、チオ
キサントン誘導体等が挙げられる。
【０１２０】
また、上記ペースト及び溶液を熱架橋により架橋硬化させる場合には、該加熱消滅性材料を加熱する方法、装置等を挙げることができる。この場合の加熱方法、装置としては、例えば、ホットプレート、加熱プレス装置、乾燥オーブン、ヒートガン、赤外線加熱装置、誘電加熱装置、誘導加熱装置、超音波加熱装置等を挙げることができる。
【０１２１】
また、上記ペースト及び溶液は、含まれている、架橋性官能基を有するポリオキシアルキレングリコールまたはポリオキシアルキレンをセグメントとして含む架橋性官能基を有する重合体を架橋剤を用いて、部分的に架橋させ、マイクロゲル状の形態とすることができる。
【０１２２】
また、本発明の加熱消滅性接着樹脂は、液状樹脂を含有していてもよい。液状樹脂を含有することにより、本発明の加熱消滅性接着樹脂の消滅開始温度を下げることができ、１５０℃以上で速やかに消滅させることができる。上記液状樹脂としては、加熱消滅性接着樹脂の形状維持、消滅温度を考慮して沸点が１００℃以上の化合物であれば特に限定されず、例えば、ポリエチレングリコールオリゴマー、ポリプロピレンオリゴマー、ポリテトラメチレングリコールオリゴマー、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、グリセリンモノオレイル酸エステル等が挙げられる。
【０１２３】
また、本発明の加熱消滅性接着樹脂は、酸化チタン、アルミナ、コロイダル炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、シリカ、表面処理シリカ、珪酸カルシウム、無水珪素、含水珪素、マイカ、表面処理マイカ、タルク、クレー、表面処理タルク、窒化ホウ素、窒化アルミナ、窒化炭素、カーボンブラック、ホワイトカーボン、ガラス短繊維、ガラスビーズ、ガラスバルーン、シラスバルーン、アクリルビーズ、ポリエチレンビーズ等のフィラー類を含有してもよい。これらを含有することにより、シート、または硬化物の凝集力が向上する。ただし、これらは必ず無機残渣となるものであることから、その含有量は必要最小限に抑えるべきである。
【０１２４】
さらに、本発明の加熱消滅性接着樹脂は、シランカップリング剤を含有してもよい。
上記シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ,Ｎ’−ビス−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］ヘキサエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］ヘキサエチレンジアミン等が挙げられる。
【０１２５】
また、本発明の加熱消滅性接着樹脂は、チタンカップリング剤を含有してもよい。
上記チタンカップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピル−ｎ−ドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルピロホシフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトライソプロピルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリドデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ
−アミノエチル−アミノエチル）チタネート等が挙げられる。
【０１２６】
さらに、本発明の加熱消滅性接着樹脂は、粘着性を高める目的でロジン系、ロジンエステル系、不均化ロジンエステル系、水添ロジンエステル系、重合ロジンエステル系、テルペン樹脂系、テルペンフェノール樹脂系、芳香族変性テルペン樹脂系、Ｃ５・Ｃ９石油樹脂系、水添石油樹脂系、フェノール樹脂系、クマロン−インデン樹脂系、ケトン樹脂系、キシレン樹脂系等の粘着付与樹脂を含有してもよい。
【０１２７】
また、本発明の加熱消滅性接着樹脂は、更に、用途、用法に応じて、タレ防止剤、酸化防止剤、老化防止剤、紫外線吸収剤、溶剤、香料、顔料、染料等を含有してもよい。
【０１２８】
また、本発明の導電性微粒子転写シートに好適に用いられるポリオキシアルキレン樹脂としては、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させた樹脂が好ましい。
【０１２９】
上記架橋性シリル基としては、例えば、オキシムシリル基、アルケニルオキシシリル基、アセトキシシリル基、ハロゲノシリル基、ビニルシリル基、シラノール基等が挙げられる。なかでも、末端にアルコキシシリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂は、弾性にすぐれたゴム状の架橋樹脂となることから好適である。上記アルコキシシリル基としては、例えば、メトキシシリル基、エトキシシリル基、プロピルオキシシリル基、イソプロピルオキシシリル基、ブトキシシリル基、ｔｅｒｔ−ブトキシシリル基、フェノキシシリル基、ベンジルオキシシリル基等が挙げられる。なお、ジアルコキシシリル基又はトリアルコキシシリル基の場合、同じアルコキシ基であってもよく、異なるアルコキシ基を組み合わせたものであってもよい。これらの架橋性シリル基は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。また、ポリオキシアルキレン樹脂の種類や架橋性シリル基が異なる複数種類のポリオキシアルキレン樹脂を併用してもよい。
【０１３０】
上記架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させるには、上記式（２）で表される官能基を有する光反応性触媒を用いることが好ましい。これにより、可視光線、紫外線や電子線等の光を照射（以下、光照射ともいう）することで上記架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋、硬化させることができる。なかでも、光反応性が高く架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂に対する溶解性にも優れていることから、カルボン酸無水物、カルボン酸イミド及びジアシルホスフィンオキサイドが好適である。このような光反応触媒は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１３１】
また、上記架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させるには、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂組成物に増感剤を含有してもよい。増感剤を含有することにより、光反応性が向上し、光の照射時間を短くしたり、光の照射エネルギーを低くしたり、表面から深部まで均一に架橋、硬化させたりすることができる。
【０１３２】
上記増感剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール誘導体化合物；ハロゲン化ケトン；アシルフォスフィンオキシド；アシルフォスフォナート；２−メチル−１−[４−（メチルチオ）フェニル]−２−モルフォリノ  プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキシドビス−（２，
６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド；ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス（ペンタフルオロフェニル）−チタニウム、ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス[２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピリ−
１−イル）フェニル]−チタニウム；アントラセン、ペリレン、コロネン、テトラセン、
ベンズアントラセン、フェノチアジン、フラビン、アクリジン、ケトクマリン、チオキサントン誘導体、ベンゾフェノン、アセトフェノン、２−クロロチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【０１３３】
本発明の導電性微粒子転写シートでは、上記加熱消滅性接着樹脂（シート）上の所定の位置に導電性微粒子が配置されている。上記導電性微粒子としては、ハンダリフローにより接続可能なものであれば特に限定されず、例えば、ハンダ等の比較的低温度で溶融し得る金属からなる微粒子；金属、樹脂等からなるコア粒子の表面にハンダ等の比較的低温度で溶融し得る金属からなる金属層が形成された微粒子等が挙げられる。
【０１３４】
上記導電性微粒子を上記加熱消滅性接着樹脂（シート）上に配置する方法としては特に限定されず、例えば、上記加熱消滅性接着樹脂（シート）の所定の位置に導電性微粒子を接着することにより配置する方法が挙げられる。この場合、例えば、減圧吸引ノズルで導電性微粒子を吸引してシート上に配置すればよい。
【０１３５】
また、上記導電性微粒子は、上記加熱消滅性接着樹脂（シート）の所定の位置に埋め込んで配置してもよい。埋め込んで配置することにより、転写前にはずれたり位置がずれてしまったりすることがない。本発明の導電性微粒子転写シートを用いれば、導電性微粒子が深く埋め込まれていても、また、導電性微粒子の高さが揃っていなくとも、確実に転写することができる。この場合、導電性微粒子を配置する方法としては、例えば、所定の位置に配置した導電性微粒子の周りに上記加熱消滅性接着剤を流延した後、架橋、硬化してシート状にする方法；上記加熱消滅性接着樹脂（シート）の所定の位置にＵＶレーザー、ＣＯ2 レーザー、エキシマレーザー、電子ビーム等を用いて導電性微粒子の直径よりも孔径の小さな窪みである貫通孔を開け、このシート越しに吸引することにより導電性微粒子を孔内に引きつける方法等が挙げられる。ここで、上記窪みは貫通孔である必要はなく導電性微粒子の一部が入り込めるような形状であってもよい。
【０１３６】
本発明の導電性微粒子転写シートを用いれば、導電性微粒子を電子部品の電極に接続した後、加熱により加熱消滅性接着樹脂（シート）が消滅することから、いったん接続した導電性微粒子の接続を破壊したり糊残りを生じたりすることなく加熱消滅性接着樹脂（シート）を除くことができる。
【０１３７】
本発明の導電性微粒子転写シートを用いて導電性微粒子を電極に接続する方法としては特に限定されないが、例えば、電子部品の電極の位置に導電性微粒子が接触又は非接触状態で配置されるように加熱消滅性接着樹脂（シート）上に導電性微粒子が配置されている導電性微粒子転写シートと電子部品とを重ねた後、導電性微粒子を電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性接着樹脂（シート）を消滅させる方法が挙げられる。
【０１３８】
このような導電性微粒子を電極に接続する方法もまた、本発明の１つである。なお、本発明の導電性微粒子を電極に接続する方法により導電性微粒子を接続する電子部品としては特に限定されず、フレキシブルプリント基板、リジット基板等の配線基板、半導体チップ、樹脂封止のなされた半導体装置等が挙げられる。
【０１３９】
本発明の導電性微粒子を電極に接続する方法では、まず、電子部品の電極の位置に導電性微粒子が配置されるように電子部品と本発明の導電性微粒子転写シートとを重ねる。このとき、導電性微粒子が直接電極に接するように重ねてもよい。従来転写シートを用いた方法では導電性微粒子が直接電極に接するように重ねた場合、転写シートが電極周辺に接着してしまい剥離が困難になるという問題があったが、本発明の方法では、このような問題も生じない。
【０１４０】
また、導電性微粒子と電極との間に加熱消滅性接着樹脂（シート）を介するようにして重ねてもよい。この場合、本発明の導電性微粒子転写シートに低融点の有機酸エステル等のフラックスを含有させておけば、導電性微粒子を電極に接続する際に電極の酸化膜を効率よく除去することもできる。
【０１４１】
本発明の導電性微粒子を電極に接続する方法では、次いで、上記導電性微粒子を電子部品の電極に溶着させて導電接続し、また、加熱により加熱消滅性接着樹脂（シート）を消滅させる。加熱することにより導電性微粒子が電極面に溶着して、導電性微粒子が電子部品の電極に導電接続される。更に、加熱することにより加熱消滅性接着樹脂（シート）を消滅させることができる。
【０１４２】
あるいは、本発明の導電性微粒子を電極に接続する方法では、次いで、加熱により上記加熱消滅性接着樹脂（シート）を消滅させる。更に、加熱することにより上記導電性微粒子を電子部品の電極に溶着させて導電接続することができる。
【０１４３】
また、加熱消滅性接着樹脂として上記ポリオキシアルキレン樹脂組成物を架橋させたものを用いる場合には、一般的なハンダリフロー温度である１５０〜２６０℃で消滅することから、別に高温加熱工程を設ける必要がなく、ハンダリフロー時に加熱消滅性接着剤を消滅させることができる。
【０１４４】
なお、架橋性シリル基を有するポリオキシアルキレン樹脂を架橋させた加熱消滅性接着剤は、窒素雰囲気中では少なくとも２００℃以上に加熱しなければ消滅しないが、酸素雰囲気中では１５０℃程度の温度で消滅させることができる。従って、加熱時の雰囲気ガスに含まれる酸素濃度を調整することによっても加熱消滅性接着剤を消滅させる時間を調整することができる。
【０１４５】
本発明の導電性微粒子を電極に接続する方法によれば、複数の導電性微粒子を一度の操作により電子部品の電極に接続することができる。更に、ハンダリフロー工程を経て導電接続が行われた後には加熱消滅性接着剤が消滅して、糊残りや接続を破壊することなくシートを容易に除去することができる。
【０１４６】
また、導電性微粒子を電極に接続する方法としては、電極面が形成された半導体チップ又は半導体ウェハ表面に加熱消滅性接着樹脂からなるペーストを流延して加熱消滅性樹脂層を形成させ、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させる方法も好適である。
【０１４７】
また、電極面が形成された電子部品表面に加熱消滅性接着樹脂の組成物を含む溶液を塗布し、この塗布被膜から加熱消滅性樹脂層を形成し、前記加熱消滅性樹脂層を介して前記電極面に導電性微粒子を配置し接着させた後、前記導電性微粒子を前記電子部品の電極に溶着させて接続し、また、加熱により加熱消滅性樹脂層を消滅させる方法も好適である。
【０１４８】
実際の工程では、導電性微粒子を配置後にその位置をチェックし、問題がある場合には
再度配置工程をやり直すことがあるが、これらの工程の間でも、電極上の導電性微粒子がずれたりはずれたりすることがない。このような導電性微粒子を電極に接続する方法もまた、本発明の１つである。
【実施例】
【０１４９】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【０１５０】
（実施例１）
架橋性シリル基を有するポリオキシプロピレン樹脂（商品名「ＭＳポリマーＳ３０３」、鐘淵化学工業社製）１００重量部にジアシルフォスフィンオキシド化合物（商品名「イルガキュア８１９」、チバスペシャルティーケミカル社製）３重量部を加えた液状樹脂組成物をシート状に流延し紫外線を照射して硬化させて樹脂シートを得た。得られた樹脂シートはゲル状でゴム弾性があり粘着性を示す接着シートであった。
【０１５１】
導電性微粒子（商品名「ミクロパールＳＯＬ」、積水化学工業社製）を多数の減圧吸引口を有する吸引パッドを用いて吸い付け、接着シートの上に導電性微粒子を接着して配置して導電性微粒子転写シートを得た。
【０１５２】
次いで、導電性微粒子転写シートと、多数の電極が設けられた半導体チップパッケージとを、半導体チップパッケージの電極の位置と導電性微粒子の位置とが一致し、導電性微粒子が電極に直接接するように重ねた。これをハンダリフロー装置にかけたところ、導電性微粒子は電極に溶着しており、また、接着シートは消滅していた。
【産業上の利用可能性】
【０１５３】
以上説明してきたように本発明の転写シートは、各種部材、特に、導電性微粒子を過熱消滅性シート上の所定位置に維持し、加熱によってシートそのものは消滅するため、半導体チップなどの電子部品上へのバンプやハンダボールなどの接合に有効であるに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本発明の実施の形態１を説明するためのＢＧＡパッケージのハンダボールバンプの形成工程順の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に使用する導電性微粒子転写シートの平面図と断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２のハンダボールバンプ形成における一工程断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３を説明するための半導体ウェハ上バンプの形成工程順の断面図である。
【符号の説明】
【０１５５】
１  ＢＧＡパッケージ
２  Ｃｕ配線層
３  酸化防止層
４  フラックス
５  加熱消滅性接着シート
６  ハンダボール
７  導電性微粒子転写シート７
８  ハンダボールバンプ
９  半導体装置
１０  マザーボード
１１  電極パッド
２１  半導体ウェハ
２２  パッシベーション膜
２３  外部取り出し用配線
２４  加熱消滅性接着樹脂層２４
２５  ハンダ微粒子
２６  ハンダバンプ
【図１】
2004207698.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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