(57)【要約】【課題】  本発明は、トップエミッション構造を有するエレクトロルミネッセンス装置の基板封止技術に関し、狭額縁化された場合でも水分や酸素を十分に吸収又は除去して表示装置の信頼性を向上できるようにすることを目的とする。【解決手段】  複数の発光部Ａが形成された基板２に、この発光部Ａを収容可能な透明な封止部材６０４を対向配置し、基板２と封止部材６０４との間の空間を密封する。そして、基板２又は封止部材６０４の最表面に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材１３を設ける。この際、このゲッター材１３が平面視で隣接する発光部Ａの間の領域に配置されるようにする。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、発光層を含む機能層と、透明な第２の電極とが下層側から順に積層されてなる発光部が面内に複数設けられた基板と、
上記第１の基板に対向配置され、上記発光部を収容可能な透明な封止部材とを備え、
上記基板と上記封止部材とにより密閉された空間内に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材が設けられ、
上記ゲッター材は、平面視で、隣接する発光部の間の領域に配置されたことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
上記基板は、上記各発光部を仕切る隔壁を有し、
上記ゲッター材は、上記基板の最表面における、上記隔壁の上層側の位置に設けられたことを特徴とする、請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
上記ゲッター材は、上記封止部材の最表面に、上記隣接する発光部の間の領域に対向して設けられたことを特徴とする、請求項１又は２記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
上記ゲッター材は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、シリカゲル、ゼオライト系化合物の内の少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
上記ゲッター材は真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法のいずれかのプロセスにより形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
上記ゲッター材は液体中に分散されインクジェット法により形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
上記各発光部のそれぞれに対応してスイッチング素子が設けられ、
上記スイッチング素子が、低温プロセスにより形成されたポリシリコンＴＦＴであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【請求項９】
基板上に第１の電極を複数形成する工程と、
上記基板上に、上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成する工程と、
インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成する工程と、
上記機能層上に透明な第２の電極を形成する工程と、
上記基板の最表面における、上記隔壁の上層側の位置に酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、
透明な封止部材を上記第２の電極の形成された側の基板面に対向配置し、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えたことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に第１の電極を複数形成し、上記基板上に上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成し、インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成し、上記機能層上に透明な第２の電極を形成する工程と、
透明な封止部材の、上記隔壁の形成領域に対向する位置に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、
上記ゲッター材が平面視で上記隔壁の形成領域内に配置されるように、上記封止部材を上記基板に対して位置合わせし、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えたことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】
上記機能層を、インクジェット法により形成することを特徴とする、請求項９又は１０記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びにこのエレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器に関し、特に、トップエミッション構造を有する表示装置の基板封止技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話やＰＤＡ等の携帯機器やパーソナルコンピュータ等の表示部に、エレクトロルミネッセンス（以下、単にＥＬともいう）表示装置を用いたものが開発されている。
ＥＬ表示装置は、ＥＬ層（発光層）を有する発光部を基板面内に複数備えて構成され、各発光部を独立に駆動制御することで所望の表示を行なっている。このＥＬ表示装置は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、例えば素子基板側から光を取り出すボトムエミッション型と、封止部材側から光を取り出すトップエミッション型のものとに分類できるが、材料選択の自由度等の理由から、これまで主にボトムエミッション型の構造について研究されてきた。
【０００３】
一方、表示装置の分野では、大型化，高精細化，高輝度化に対するニーズが高く、ＥＬ表示装置についても大型化を目指した研究開発が盛んに行なわれている。しかし、上述のボトムエミッション型のＥＬ表示装置を大型化した場合、電極に信号を供給する配線を太くする必要があり、これにより画素の開口率が低下するという課題があった。また、このように開口率が低下した場合、画素の輝度を確保するために発光層に大きな電流を流す結果、製品寿命が短くなるという課題も生じる。このため、近年、画素の開口率が配線等の構造に影響されないトップエミッション型の構造が注目され、盛んに研究されている。
【０００４】
ところで、上述の発光部は酸素や水分により劣化することが知られている。このため、発光部の形成された基板面は、内面にシリカゲル等のゲッター材が配置された封止基板により覆われている。トップエミッション型の表示装置では、封止基板に対して高い透明性が要求されるため、例えば特許文献１，２に示されるように、ゲッター材と表示領域（複数の画素がまとまって配置された領域）とが平面視で重ならないように、ゲッター材を表示領域の外側に配置した構造が提案されている。
【特許文献１】特開２０００−２０８２５２号公報
【特許文献２】特許第２６８６１６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、表示領域周縁部を狭額縁化した場合、ゲッター材を表示領域周囲部に配置する上述の構造では、ゲッター材の設置面積が小さくなり、酸素や水分等を十分に除去できなくなる虞がある。
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、狭額縁化された場合でも水分や酸素を十分に吸収又は除去して表示装置の信頼性を向上できるようにした、トップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びにこの表示装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、第１の電極と、発光層を含む機能層と、透明な第２の電極とが下層側から順に積層されてなる発光部が面内に複数設けられた基板と、上記基板に対向配置され、上記発光部を収容可能な透明な封止部材とを備え、上記基板と上記封止部材とにより密閉された空間内に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材が設けられ、上記ゲッター材が、平面視で、隣接する発光部の間の領域に配置されたことを特徴とする。
【０００７】
本構成では、ゲッター材を、表示に寄与しない非発光領域（隣接する発光部の間の領域）に配置しているため、表示品質を損なうことはない。また、狭額縁化された場合でもゲッター材の配置面積を一定以上に確保できるため、発光部への酸素や水分の浸入を効果的に防いで、表示装置の高輝度化及び超寿命化を図ることができる。なお、機能層は、例えば、発光層と、この発光層に電子や正孔を輸送／注入するための電子輸送／注入層や正孔輸送／注入層等との積層体として構成される。また、発光層単体で機能層を構成してもよい。
【０００８】
このような表示装置としては、例えば、上記基板に上記各発光部を仕切る隔壁を設け、上記ゲッター材を上記基板の最表面における上記隔壁の上層側の位置に設けた構成のものを挙げることができる。
本表示装置は、例えば、基板上に第１の電極を複数形成する工程と、上記基板上に、上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成する工程と、インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成する工程と、上記機能層上に透明な第２の電極を形成する工程と、上記基板の最表面における、上記隔壁の上層側の位置に酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、透明な封止部材を上記第２の電極の形成された側の基板面に対向配置し、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えた方法により製造される。
【０００９】
本表示装置では、ゲッター材をマスクを用いた真空蒸着法あるいはスパッタリング法、ＣＶＤ法等によりパターン形成する方法や、ゲッター材を液体中に分散しインクジェット法により吐出、乾燥させパターン形成する方法を用いることで、その配置の精度を高めることができる。このため、ゲッター材の配置領域と発光領域（発光層の形成された領域）とが、平面視で極力重ならないようにすることで、明るい表示を実現できる。
また、ゲッター材に不透明な材料を用いたりゲッター材を厚く形成した場合、このゲッター材は遮光層として機能し、隣接する発光部から発した着色光同士による色にじみを防止することができる。これにより、高コントラストな表示を実現することができる。
【００１０】
また、ゲッター材を封止部材の最表面に設けてもよい。この場合、ゲッター材を、平面視で、隣接する発光部の間の領域にのみ設ける。
本表示装置は、例えば、基板上に第１の電極を複数形成し、上記基板上に上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成し、インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成し、上記機能層上に透明な第２の電極を形成する工程と、透明な封止部材の、上記隔壁の形成領域に対向する位置に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、上記ゲッター材が平面視で上記隔壁の形成領域内に配置されるように、上記封止部材を上記基板に対して位置合わせし、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えた方法により製造される。この際、基板上に発光素子（第１の電極，機能層，第２の電極の積層体）を形成する工程と、封止部材上にゲッター材を形成する工程とは、どちらを先に行なってもよい。
【００１１】
本表示装置では、真空蒸着法等を用いてゲッター材を形成する際に、発光部にダメージを生じることがなく、信頼性の高い表示装置を実現できる。また、ゲッター材に不透明な材料を用いたりゲッター材を厚く形成することで、着色光同士の色にじみを防止して高コントラストな表示を実現できる。
【００１２】
なお、上記ゲッター材は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、シリカゲル、ゼオライト系化合物の内の少なくとも一つを含むことが好ましい。
アルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物は、水と反応して酸化物に変化することで、脱水材として作用する。同様に、アルカリ土類金属の酸化物は、水と反応して水酸化物に変化することで、脱水材として作用する。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属は、酸素と反応して水酸化物に変化するとともに水と反応して酸化物に変化するため、脱水材としてだけでなく脱酸素材としても作用する。これにより、機能層等の劣化が効果的に防止され、装置の信頼性を高めることができる。
【００１３】
また、上記各発光部は、低温プロセスにより形成されたポリシリコンＴＦＴによりマトリクス駆動されることが好ましい。
さらに、上述した表示装置の製造方法では、機能層はインクジェット法により形成することが好ましい。インクジェット法では、発光層等の材料を溶かした溶液を所望の領域に打ち分けることで薄膜をパターン形成できるため、マスク蒸着にてパターン形成する場合に比べて材料の無駄が少なく、コスト的に有利となる。また、プログラムにより薄膜の形成領域を任意に変更できるため、少量多種生産に対応可能という利点もある。
【００１４】
また、本発明の電子機器は、上述のエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
本構成によれば、信頼性の高い表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態を図面を参照して説明する。なお、図１〜図２１において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものと異なるように表わしている。
【００１６】
図１は本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置の一例である有機ＥＬ表示装置の配線構造を示す平面模式図である。
図１に示すように、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置１には、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線されている。そして、走査線１０１と信号線１０２とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
【００１７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
【００１８】
各画素領域には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極１１１と、この画素電極１１１と陰極１２との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と機能層１１０により発光部Ａが構成され、表示装置１は、この発光部Ａをマトリクス状に複数備えて構成されている。
【００１９】
係る構成によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に機能層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２０】
図２は本表示装置の平面模式図であり、図３は図２をＩ−Ｉ′断面で切った断面模式図である。
図３に示すように、本実施形態の表示装置１は、基板２上に回路素子部１４と表示素子部１０が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部３によって封止された構造を有する。表示素子部１０は、発光層１１０ｂを含む発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とからなる。この陰極１２及び封止部３は透光性を有し、本表示装置１は、発光層から発した表示光が封止部３側から出射される、所謂トップエミッション型の表示装置として構成されている。
【００２１】
基板２には、透明基板（又は半透明基板）又は不透明基板のいずれを用いることもできる。透明又は半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。また、基板２は、図２に示すように、中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｂとに区画されている。
表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光部Ａによって形成される領域であり、表示領域の外側に非表示領域２ｂが形成されている。そして，非表示領域２ｂには、表示領域２ａに隣接するダミー表示領域２ｄが形成されている。
【００２２】
図３に示すように、回路素子部１４には、前述の走査線、信号線、保持容量、スイッチング用の薄膜トランジスタ、駆動用の薄膜トランジスタ１２３等が備えられており、表示領域２ａに配置された各発光部Ａを駆動するようになっている。
陰極１２は、その一端が発光素子部１１上から基板２上に形成された陰極用配線１２ａに接続しており、この配線の一端部１２ｂがフレキシブル基板５上の配線５ａに接続されている。また、配線５ａは、フレキシブル基板５上に備えられた駆動ＩＣ６（駆動回路）に接続されている（図２参照）。
【００２３】
また、回路素子部１４の非表示領域２ｂには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。
また、表示領域２ａの図２中両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。この走査側駆動回路１０５、１０５はダミー領域２ｄの下側の回路素子部１４内に設けられている。更に回路素子部１４内には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。
更に表示領域２ａの図２中上側には検査回路１０６が配置されている。この検査回路１０６により、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができる。
【００２４】
封止部３は、基板２に塗布された封止樹脂６０３と、封止缶（封止部材）６０４とから構成されている。封止樹脂６０３は、基板２と封止缶６０４を接着する接着剤であり、例えばマイクロディスペンサ等により基板２の周囲に環状に塗布されている。この封止樹脂６０３は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。また、この封止樹脂６０３には酸素や水分を通しにくい材料が用いられており、基板２と封止缶６０４の間から封止缶６０４内部への水又は酸素の侵入を防いで、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層１１０ｂの酸化を防止するようになっている。また、ガラスや樹脂等の透光性部材からなる封止缶６０４は、その内側に表示素子１０を収納する凹部６０４ａが設けられており、封止樹脂６０３を介して基板２に接合されている。
【００２５】
図４に、本表示装置における表示領域２ａの断面構造を拡大した図を示す。この表示装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４と、画素電極１１１と、発光層１１０ｂを含む機能層１１０が形成された発光素子部１１と、陰極１２とが順次積層されて構成されている。
【００２６】
この表示装置においては、発光層１１０ｂから封止部３側に発した光が、封止缶６０４の上側（観察者側）に出射されるとともに、発光層１１０ｂから基板２側に発した光が画素電極１１１により反射されて、封止部３側（観察者側）に出射されるようになっている。このため、陰極１２には、例えば光透過性を妨げない膜厚のＣａやＢａ等の低仕事関数を有する金属にＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明導電性材料を積層した構造が用いられる。また、画素電極１１１には光反射性の導電部材が用いられており、例えば金、銀、銅、クロム、タンタル、チタンなど仕事関数が４．６ｅＶ以上の金属及びそれらの積層膜等からなる高反射率の金属反射膜を用いることが好ましい。これにより、基板２側に発した光を封止部３側に効率的に出射させることができる。また、画素電極１１１は平面視略矩形にパターニングされて形成されており、表示領域２ａ内にマトリクス状に複数設けられている。
【００２７】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコン（ポリシリコン）からなる島状の半導体膜１４１が低温プロセスにより形成されている。尚、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００２８】
更に回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆うゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００２９】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。
【００３０】
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。この薄膜トランジスタ１２３では、半導体膜１４１にポリシリコンを用いているため、高輝度，高精細な表示を実現できる。また、このポリシリコンが低温プロセスにより形成されているため、基板２として安価なガラス基板を用いることができる。
尚、回路素子部１４には、前述した保持容量ｃａｐ及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１４２も形成されているが、図４ではこれらの図示を省略している。
【００３１】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１上の各々に積層された機能層１１０と、各画素電極１１１及び機能層１１０の間に備えられて各機能層１１０を仕切るバンク層１１２とを主体として構成されている。機能層１１０上には陰極１２が配置されており、これら画素電極１１１、機能層１１０及び陰極１２によって発光部Ａが構成されている。
【００３２】
バンク層１１２は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストからなり、画素電極１１１の形成位置に対応して開口部１１２ｄが形成されている。このバンク層１１２の厚さは、例えば０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚よりバンク層１１２が薄くなり、発光層が開口部１１２ｄから溢れるおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、バンク層１１２上に形成する陰極１２のステップカバレッジを確保できなくなるので好ましくない。また、バンク層１１２の厚さを２μｍ以上にすれば、駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点でより好ましい。
【００３３】
なお、バンク層１１２に仕切られた各領域において、画素電極１１１の電極面１１１ａは酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液処理されており、親液性を示す。一方、開口部１１２ｄの壁面及びバンク層１１２の上面１１２ｆは、４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液処理）されており、撥液性を示す。
【００３４】
機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。なお、発光層１１０ｂに隣接してその他の機能を有する他の機能層を更に形成しても良い。例えば、電子輸送層を形成する事も可能である。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を発光層１１０ｂに注入する機能を有するとともに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。この正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。
【００３５】
発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３、の３種類を有し、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。この発光層１１０ｂの材料としては、例えば、［化１］〜［化５］に示す（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００３６】
【化１】
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【００３７】
【化２】
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【００３８】
【化３】
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【００３９】
【化４】
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【００４０】
【化５】
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【００４１】
陰極１２は、透光性を有する導電部材からなり、発光素子部１１の全面に形成されている。そして、画素電極１１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム（Ｃａ）やマグネシウム（Ｍｇ）等の低分子の電子注入性材料からなる層と、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層とが積層された構造を有する。また、マグネシウム層と銀（Ａｇ）層との混合層（又は積層体）と、ＩＴＯ層とが積層された構造であってもよい。また、ＩＴＯ層の代わりにインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）層を積層してもよい。或いは、ＩＴＯ層やＩＺＯ層等を省略して、単にＣａ層と金（Ａｕ）層とを積層した構造であってもよい。
【００４２】
このとき、発光層１１０ｂに近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては、上記発光層側に近い陰極は、発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。なお、Ｃａ等の電子注入陰極の膜厚は５〜１０ｎｍ程度が好ましい。１０ｎｍ以下でないと十分な光透過性を確保できず、又、５ｎｍ以下だと十分な電子注入能力が発揮できない。
【００４３】
また、フッ化リチウムは発光層の材料によっては効率よく発光させるために、発光層１１０と陰極１２との間にＬｉＦを形成する場合もある。尚、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、そのまま陰極１２を形成してもよい。
なお、陰極１２上にＳｉＯ，ＳｉＯ2，ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００４４】
また、陰極１２の上には、バンク層１１２の上層となる位置に、酸素や水分を吸収又は除去するゲッター材１３が形成されている。このゲッター材１３には、Ｌｉ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｃｓ等のアルカリ金属、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、の内の少なくとも一つが含まれることが望ましい。
アルカリ土類金属の酸化物は、水と反応して水酸化物に変化することにより、脱水材として作用する。アルカリ金属や、アルカリ土類金属は、酸素と反応して水酸化物に変化するとともに水と反応して酸化物に変化するため、脱水材としてだけでなく脱酸素材としても作用する。これにより、発光部Ａの劣化が効果的に防止され、装置の信頼性を高めることができる。
【００４５】
また、ゲッター材１３には不透明な材料を用いることが好ましい。或いは、ゲッター材１３を厚く形成して、ゲッター材１３の透光性を低下させることが好ましい。これにより、隣接した発光部Ａから発した光同士による色にじみを防止することができ、表示のコントラストを高めることができる。
【００４６】
次に、本実施形態の表示装置の製造方法を図面を参照して説明する。
本実施形態の表示装置１の製造方法は、例えば、（１）バンク層形成工程、（２）プラズマ処理工程（３）正孔注入／輸送層形成工程（第１液滴吐出工程を含む）、（４）発光層形成工程（第２液滴吐出工程を含む）、（５）陰極、ゲッター材形成工程、及び（６）封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００４７】
（１）バンク層形成工程
バンク層形成工程は、基板２の所定の位置に開口部１１２ｄを有するバンク層１１２を形成する工程である。以下に形成方法について説明する。
まず、図５に示すように、基板２上に走査線，信号線，薄膜トランジスタ１２３等の回路素子部１４を有し、層間絶縁膜１４４ａ，１４４ｂの上に複数の画素電極１１１が形成された素子基板を準備する。
そして、この基板２上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料を塗布し、フォトリソグラフィ技術により、画素電極１１１の配置された領域に開口部１１２ｄを形成する（図６参照）。なお、バンク層１１２の厚さは、０．１〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
【００４８】
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚よりバンク層１１２が薄くなり、発光層１１０ｂが開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、バンク層１１２の厚さを２μｍ以上にすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００４９】
（２）プラズマ処理工程
プラズマ処理工程は、画素電極１１１の表面を活性化すること、更にバンク層１１２の表面を表面処理する事を目的として行われる。特に活性化工程では、画素電極１１１上の洗浄、更に仕事関数の調整を主な目的として行っている。更に、画素電極１１１の表面の親液化処理、バンク層１１２表面の撥液化処理を行う。
このプラズマ処理工程は、例えば（２）−１予備加熱工程、（２）−２活性化処理工程（親液性にする親液化工程）、（２）−３撥液化処理工程、及び（２）−４冷却工程に大別される。なお、このような工程に限られるものではなく、必要に応じて工程を削減、更なる工程追加も行われる。
【００５０】
図７に、プラズマ処理工程で用いられるプラズマ処理装置を示す。
図７に示すプラズマ処理装置５０は、予備加熱処理室５１、第１プラズマ処理室５２、第２プラズマ処理室５３、冷却処理室５４、これらの各処理室５１〜５４に基板２を搬送する搬送装置５５とから構成されている。各処理室５１〜５４は、搬送装置５５を中心として放射状に配置されている。
【００５１】
まず、これらの装置を用いた概略の工程を説明する。
予備加熱工程は予備加熱処理室５１において行われ、バンク層形成工程から搬送された基板２を所定の温度に加熱する。
予備加熱工程の後、親液化工程及び撥液化処理工程を行う。すなわち、基板２を第１，第２プラズマ処理室５２，５３に順次搬送し、それぞれの処理室５２，５３においてバンク層１１２にプラズマ処理を行い親液化する。この親液化処理後に撥液化処理を行う。撥液化処理の後に基板２を冷却処理室に搬送し、冷却処理室５４おいて基板２を室温まで冷却する。この冷却工程後、搬送装置５５により次の工程である正孔注入／輸送層形成工程に基板２を搬送する。
【００５２】
以下に、それぞれの工程について詳細に説明する。
（２）−１  予備加熱工程
予備加熱工程は予備加熱処理室５１により行う。この処理室５１において、バンク層１１２を含む基板２を所定の温度まで加熱する。
基板２の加熱方法は、例えば処理室５１内にて基板２を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごとに基板２を加熱する手段がとられている。なお、これ以外の方法を採用することも可能である。
この予備加熱処理室５１では、基板２は例えば７０℃〜８０℃の範囲で加熱される。この温度は次工程であるプラズマ処理における処理温度であり、次の工程に合わせて基板２を事前に加熱し、基板２の温度ばらつきを解消することを目的としている。
【００５３】
仮に予備加熱工程を加えなければ、基板２は室温から上記のような温度に加熱されることになり、工程開始から工程終了までのプラズマ処理工程中において温度が常に変動しながら処理される事になる。したがって、基板温度が変化しながらプラズマ処理を行うことは、特性の不均一につながる可能性がある。したがって、処理条件を一定に保ち、均一な特性を得るために予備加熱を行うのである。
このため、プラズマ処理工程においては、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージ上に基板２を載置した状態で親液化工程または撥液化工程を行う場合に、予備加熱温度を、親液化工程または撥液化工程を連続して行う試料ステージ５６の温度にほぼ一致させることが好ましい。
【００５４】
すなわち、第１，第２プラズマ処理装置５２，５３内の試料ステージが上昇する温度、例えば７０〜８０℃まで予め基板２を予備加熱することにより、多数の基板にプラズマ処理を連続的に行った場合でも、処理開始直後と処理終了直前でのプラズマ処理条件をほぼ一定にすることができる。これにより、基板２間の表面処理条件を同一にし、バンク層１１２の組成物に対する濡れ性を均一化することができ、一定の品質を有する表示装置を製造することができる。
また、基板２を予め予備加熱しておくことにより、後のプラズマ処理における処理時間を短縮することができる。
【００５５】
（２）−２  活性化処理
第１プラズマ処理室５２では、活性化処理が行われる。活性化処理には、画素電極１１１における仕事関数の調整、制御、画素電極表面の洗浄、画素電極表面の親液化処理が含まれる。
親液化処理として、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。図８は第１プラズマ処理を模式的に示した図である。図８に示すように、バンク層１１２を含む基板２は加熱ヒータ内臓の試料ステージ５６上に載置され、基板２の上側にはギャップ間隔０．５〜２ｍｍ程度の距離をおいてプラズマ放電電極５７が基板２に対向して配置されている。基板２は、試料ステージ５６によって加熱されつつ、試料ステージ５６は図示矢印方向に向けて所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対してプラズマ状態の酸素が照射される。
【００５６】
Ｏ2プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、試料ステージ５６による加熱は、主として予備加熱された基板２の保温のために行われる。
このＯ2プラズマ処理により、図９に示すように、画素電極１１１の電極面１１１ａ、及びバンク層１１２の開口部１１２ｄの壁面ならびに上面１１２ｆが親液処理される。この親液処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親液性が付与される。
図９では、親液処理された部分を一点鎖線で示している。
なお、このＯ2プラズマ処理は、親液性を付与するのみならず、上述の通り画素電極１１１上の洗浄，仕事関数の調整も兼ねている。
【００５７】
（２）−３  撥液処理工程
第２プラズマ処理室５３では、撥液化工程として、大気雰囲気中でテトラフルオロメタン（四フッ化炭素）等のフッ化物含有ガスを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。第２プラズマ処理室５３の内部構造は図８に示した第１プラズマ処理室５２の内部構造と同じである。即ち、基板２は、試料ステージによって加熱されつつ、試料ステージごと所定の搬送速度で搬送され、その間に基板２に対してプラズマ状態の処理ガスが照射される。
【００５８】
ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えば、プラズマパワー１００〜８００ｋＷ、４フッ化メタンガス流量５０〜１００ｍｌ/ｍｉｎ、基板搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０〜９０℃の条件で行われる。なお、加熱ステージによる加熱は、第１プラズマ処理室５２の場合と同様に、主として予備加熱された基板２の保温のために行われる。
なお、処理ガスは、テトラフルオロメタン（四フッ化炭素）に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることができる。
【００５９】
ＣＦ4プラズマ処理により、図１０に示すように、開口部１１２ｄ壁面及びバンク層１１２の上面１１２ｆが撥液処理される。この撥液処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥液性が付与される。図１０では、撥液性を示す領域を二点鎖線で示している。
尚、画素電極１１１の電極面１１１ａもこのＣＦ4プラズマ処理の影響を多少受けるが、濡れ性に影響を与える事は少ない。図１０では、親液性を示す領域を一点鎖線で示している。
【００６０】
（２）−４  冷却工程
冷却工程として、冷却処理室５４を用い、プラズマ処理のために加熱された基板２を管理温度まで冷却する。これは、この以降の工程であるインクジェット工程（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却するために行う工程である。
この冷却処理室５４は、基板２を配置するためのプレートを有し、そのプレートは基板２を冷却するように水冷装置が内蔵された構造となっている。
【００６１】
このようにプラズマ処理後の基板２を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程において、基板２の温度が一定となり、基板２の温度変化が無い均一な温度で次工程を行うことができる。これにより、インクジェット法等の吐出手段により吐出された材料を均一に形成できる。例えば、正孔注入／輸送層を形成するための材料を含む第１組成物を吐出させる際に、第１組成物を一定の容積で連続して吐出させることができ、正孔注入／輸送層を均一に形成することができる。
【００６２】
尚、プラズマ処理工程に用いるプラズマ処理装置は、図８に示したものに限られず、例えば図１１に示すようなプラズマ処理装置６０を用いてもよい。
図１１に示すプラズマ処理装置６０は、予備加熱処理室６１と、第１プラズマ処理室６２と、第２プラズマ処理室６３と、冷却処理室６４と、これらの各処理室６１〜６４に基板２を搬送する搬送装置６５とから構成され、各処理室６１〜６４が、搬送装置６５の搬送方向両側（図中矢印方向両側）に配置されてなるものである。
【００６３】
このプラズマ処理装置６０では、図８に示したプラズマ処理装置５０と同様に、バンク層形成工程から搬送された基板２を、予備加熱処理室６１、第１，第２プラズマ処理室６２，６３、冷却処理室６４に順次搬送して各処理室にて上記と同様な処理を行った後、基板２を次の正孔注入／輸送層形成工程に搬送する。
また，上記プラズマ装置は，大気圧下の装置でなくとも，真空下のプラズマ装
置を用いても良い。
【００６４】
（３）正孔注入／輸送層形成工程
発光素子形成工程では、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出としてたとえばインクジェット装置を用いて、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面１１１ａ上に吐出する（第１液滴吐出工程）。そして、その後、乾燥処理及び熱処理を行ない、画素電極１１１上に正孔注入/輸送層１１０ａを形成する。
この正孔注入／輸送層形成工程を含めこれ以降の工程は、水、酸素の無い雰囲気とする事が好ましい。例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００６５】
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。
図１２に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物１１０ｃを吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各開口部１１２ｄ内に組成物１１０ｃを充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対的に移動させることによっても組成物１１０ｃを充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドＨ１を用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００６６】
インクジェットヘッドＨ１による吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成された吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向して配置し、ノズルＨ２から第１組成物１１０ｃを吐出する。画素電極１１１の周囲にはバンク層１１２が形成されており、このバンク層１１２の開口部１１２ｄ内に位置する電極面１１１ａにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出する。
【００６７】
ここで用いる第１組成物１１０ｃとしては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００６８】
より具体的な第１組成物の組成としては、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ＝１:２０）：１２．５２重量％、ＰＳＳ：１．４４重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。尚、第１組成物の粘度は２〜２０Ｐｓ程度が好ましく、特に４〜１５ｃＰｓ程度が良い。
上記の第１組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。
なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、各発光層毎に変えても良い。
【００６９】
図１２に示すように、吐出された第１組成物滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ上に広がり、開口部１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、はじかれた第１組成物滴１１０ｃが開口部１１２ｄ内に転がり込む。
電極面１１１ａ上に吐出する第１組成物量は、開口部１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第１組成物滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第１組成物の量は同一でも良く、各回毎に第１組成物を変えても良い。
【００７０】
インクジェットヘッドの構造については、図１５のようなヘッドＨを用いる事ができる。更に、基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１６のように配置することが好ましい。図１５中、符号Ｈ７は前記のインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板であり、この支持基板Ｈ７上に複数のインクジェットヘッドＨ１が備えられている。
【００７１】
インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基板２との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合計３６０ノズル）設けられている。また、このインクジェットヘッドＨ１は、吐出ノズルを基板２側に向けるとともに、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態で略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔をあけて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板２０に複数（図１５では１列６個、合計１２個）位置決めされて支持されている。
【００７２】
また図１６に示すインクジェット装置において、符号１１１５は基板２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中Ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中Ｙ軸方向（副主走査方向）に移動できるようになっている。さらに、ヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。このように、インクジェットヘッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。また、傾き角度調整することにより、どのような画素ピッチに対しても対応させることができる。
【００７３】
図１６に示す基板２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基板２を図中上側に移動させ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。
尚、図１５に示すヘッドＨ及び図１６に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程に用いて良い。
【００７４】
次に、図１３に示すような乾燥工程を行ない、第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させて正孔注入／輸送層形成材料を析出させる。この乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると第１組成物滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。
乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
このように形成された正孔注入／輸送層１１０ａの大部分は、後の工程で塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存する。これにより、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易にし、発光効率を向上させることができる。
【００７５】
（４）発光層形成工程
発光層形成工程は、表面改質工程、発光層形成材料吐出工程（第２液滴吐出工程）および乾燥工程、とからなる。
表面改質工程は、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの密着性や、成膜の均一性を高めるために行なっている。つまり、発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。しかしその一方で、正孔注入／輸送層１１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。このため、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【００７６】
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第２組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
インクジェット法による塗布は、図１４に示すように、インクジェットヘッドＨ３に、表面改質材１１０ｄを充填し、インクジェットヘッドＨ３に形成された吐出ノズルＨ４から表面改質材１１０ｄを吐出する。前述の正孔注入/輸送層形成工程と同様に、吐出ノズルＨ４を基板２（すなわち、正孔注入／輸送層１１０ａが形成された基板２）に対向させ、インクジェットヘッドＨ３と基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ４から表面改質材１１０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出することにより行う。
【００７７】
また、スピンコート法による塗布は、基板２を例えば回転ステージ上に載せ、上方から表面改質材１１０ｄを基板２上に滴下した後、基板２を回転させて表面改質材１１０ｄを基板２上の正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。なお、表面改質材１１０ｄは撥液化処理された上面１１２ｆ上にも一時的に広がるが、回転による遠心力で飛ばされてしまい、正孔注入／輸送層１１０ａ上のみに塗布される。
【００７８】
更にディップ法による塗布は、基板２を例えば表面改質材１１０ｄに浸積させた後に引き上げて、表面改質材１１０ｄを正孔注入／輸送層１１０ａの全体に広げることにより行う。この場合も表面改質材１１０ｄが撥液処理された上面１１２ｆ上に一時的に広がるが、引き上げの際に表面改質材１１０ｄが上面１１２ｆからはじかれて正孔注入／輸送層１１０ａのみに塗布される。
【００７９】
ここで用いる表面改質材１１０ｄとしては、第２組成物の非極性溶媒と同一なものとして例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を例示でき、第２組成物の非極性溶媒に類するものとして例えば、トルエン、キシレン等を例示できる。
特に、インクジェット法により塗布する場合には、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、またはこれらの混合物，特に第２組成物と同じ溶媒混合物等を用いることが好ましく、スピンコート法またはディップ法による場合は、トルエン、キシレン等が好ましい。
【００８０】
次に、図１７に示すように、塗布領域を乾燥させる。乾燥工程は、インクジェット法で塗布した場合はホットプレート上に基板２を載せて例えば２００℃以下の温度で加熱して乾燥蒸発させることが好ましい。スピンコート法またはディップ法による場合は、基板２に窒素を吹き付けるか、あるいは基板を回転させて基板２表面に気流を発生させることで乾燥させることが好ましい。
尚、表面改質材１１０ｄの塗布を、正孔注入／輸送層入層形成工程の乾燥処理の後に行い、塗布後の表面改質材を乾燥させた後に、正孔注入／輸送層形成工程の熱処理を行っても良い。
【００８１】
このような表面改質工程を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａの表面が非極性溶媒になじみやすくなり、この後の工程で、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａに均一に塗布することができる。
尚、上記の表面改質材１１０ｄに、正孔輸送性材料として一般に用いられる前記の化合物２等を溶解して組成物とし、この組成物をインクジェット法により正孔注入／輸送層上に塗布して乾燥させることにより、正孔注入／輸送層１１０ａ上に極薄の正孔輸送層を形成しても良い。
正孔注入／輸送層１１０ａの大部分は、後の工程で塗布する発光層１１０ｂに溶け込むが、一部が正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂの間に薄膜状に残存し、これにより正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとの間のエネルギー障壁を下げて正孔の移動を容易にし、発光効率を向上させることができる。
【００８２】
次に、発光層形成工程として、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出し、その後乾燥処理して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
図１８に、インクジェットによる吐出方法を示す。図１８に示すように、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドＨ５に形成された吐出ノズルＨ６から各色（たとえばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する第２組成物１１０ｅを吐出する。
【００８３】
吐出の際には、開口部１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら、正孔注入／輸送層１１０ａ上に第２組成物を吐出する。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。
【００８４】
発光層形成材料としては、［化１］〜［化５］に示すポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。
このような非極性溶媒を発光層１１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層１１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【００８５】
図１８に示すように、吐出された第２組成物１１０ｅは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって開口部１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは第１組成物滴１１０ｅが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第２組成物滴１１０ｅで濡れることがなく、第２組成物滴１１０ｅが開口部１１２ｄ内に転がり込む。
【００８６】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する第２組成物量１１０ｅは、開口部１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、第２組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。
また、第２組成物１１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物１１０ｅの液量を変えても良い。
【００８７】
次に、第２の組成物を所定の位置に吐出し終わったら、吐出後の第２組成物滴１１０ｅを乾燥処理し、第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発させる。これにより、発光層形成材料が析出し、図１９に示すような青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図１９においては青に発光する発光層が１つのみ図示されているが、図２やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（青色に対応）が形成されている。
続けて、図２０に示すように、前述した青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３の場合と同様の工程を用い、赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１を形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２を形成する。
【００８８】
なお、発光層１１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
また、発光層の第２組成物の乾燥条件は、青色１１０ｂ３の場合、例えば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度として５〜１０分行う条件とする。圧力が低すぎると第２組成物１１０ｅが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、非極性溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
【００８９】
また緑色発光層１１０ｂ２、および赤色発光層１１０ｂ１の場合、発光層形成材料の成分数が多いために素早く乾燥させることが好ましく、例えば、４０℃で窒素の吹き付けを５〜１０分行う条件とするのがよい。
その他の乾燥の手段としては、遠赤外線照射法、高温窒素ガス吹付法等を例示できる。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００９０】
（５）陰極、ゲッター材形成工程
対向電極、ゲッター材形成工程では、図２１に示すように、まず、発光層１１０ｂ及びバンク層１１２の全面に陰極１２を形成する。なお，陰極１２は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側（基板側）よりも仕事関数が高い材料を用いる事もできる。
【００９１】
これらの陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。
また、フッ化リチウムは、発光層１１０ｂ上のみに形成しても良く、更に所定の色に対応して形成する事ができる。例えば、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２には、カルシウムからなる上部陰極層１２ｂが接することとなる。
【００９２】
次に、対向電極１２上の、バンク層１１２の上層となる位置に、対向電極１２上にＬｉ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｃｓ等のアルカリ金属、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、の内の少なくとも一つを含むゲッター材１３を形成する。ゲッター材は蒸着法スパッタリング法、ＣＶＤ法等によりマスクパターニングされる。このゲッター材１３は不透明な材料とすることが好ましい。或いは、ゲッター材１３を厚く形成してゲッター材１３の透光性を低下させることが好ましい。
【００９３】
（６）封止工程
封止工程は、発光素子が形成された基板２の前面に封止缶６０４を配置し、基板２と封止缶６０４の周縁部を封止樹脂６０３により封止する工程である。この工程により基板２上に封止部３を形成する。
封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００９４】
更に、図２，図３に例示した基板２の配線５ａに陰極１２を接続するとともに、駆動ＩＣ６に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の表示装置１が得られる。
【００９５】
したがって、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置では、ゲッター材１３を表示領域２ａ内に設けているため、狭額縁化により非表示領域２ｂの面積が小さくなった場合でもゲッター材１３の配置面積を一定以上に確保することができる。これにより、発光部Ａへの酸素や水分の侵入を効果的に防止でき、表示装置の高輝度化及び長寿命化を図ることができる。また、ゲッター材１３は、表示に寄与しない発光部Ａ間の領域（非発光領域）に配置されるため、このゲッター材１３によって表示品質が損なわれることはない。
【００９６】
また、ゲッター材１３は、マスクパターニング法により、上記非発光領域に精度よく配置できるため、ゲッター材１３の配置領域と発光層１１０ｂの形成された発光領域とが平面的に重なる領域を極力小さくでき、明るい表示を実現することができる。
さらに、非発光領域に透明性の低いゲッター材１３が配置されているため、このゲッター材１３が遮光層として機能し、隣接する発光部Ａから発した着色光同士の色にじみを防止することができる。これにより、コントラストの高い表示を実現できる。
【００９７】
また、本実施形態では、正孔注入／輸送層１１０ａや発光層１１０ｂをインクジェット法により形成しているため、材料の無駄が少なく低コストで表示装置を製造できる。つまり、インクジェット法では、所定の材料を溶かした溶液を所望の領域に打ち分けることで上記材料からなる薄膜をパターン形成できるため、蒸着法等を用いてパターン形成する場合に比べて、材料の無駄が少なく、コスト的に有利である。また、プログラムにより薄膜の形成領域を任意に変更できるため、少量多種生産に対応できる利点もある。
【００９８】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下の説明では、上記第１実施形態と同様の部位については同じ符号を付し、その説明を一部省略する。
本実施形態は、上記第１の実施形態におけるゲッター材１３の形成位置を変形したものであり、ゲッター材が封止部側に形成された構成となっている。つまり、ゲッター材６０５は、封止缶６０４の内面側における、上記非発光領域に対向する位置に設けられている。
このゲッター材６０５は、Ｌｉ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｃｓ等のアルカリ金属、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、の内の少なくとも一つを含む材料からなり、フォトリソグラフィ技術やマスクを用いた真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法等を用いて、封止缶６０４の最表面にパターン形成されている。
そして、これ以外は上記第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００９９】
したがって、本実施形態のエレクトロルミネッセンス装置でも、表示品質を損なうことなくゲッター材の配置面積を一定以上に確保することができる。また、本表示装置では封止部３側にゲッター材６０５を設けているため、ゲッター材６０５を形成する工程において発光部Ａにダメージを与えることはない。
【０１００】
［電子機器］
次に、上述のエレクトロルミネッセンス装置を備えた電子機器の例について説明する。
図２３は、上述した実施形態に係る表示装置を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータ（情報処理装置）の構成を示す斜視図である。同図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、上述したエレクトロルミネッセンス装置１１０６を備えた表示装置ユニットとから構成されている。このため、信頼性の高い表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【０１０１】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記実施形態では、ゲッター材を基板２側又は封止部３側のいずれかに設けた構成を例示したが、基板２及び封止部３の双方にゲッター材を配置することも可能である。
また、上記実施形態では、ゲッター材を表示領域２ａ内の非発光領域にのみ形成しているが、ゲッター材は非発光領域及び非表示領域２ｂの双方に設けてもよい。
さらに、上記実施形態では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各発光層１１０ｂをストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、様々な配置構造を採用することができる。例えば図２４（ａ）に示すようなストライプ配置の他、図２４（ｂ）に示すようなモザイク配置や、図２４（ｃ）に示すようなデルタ配置とすることもできる。
【０１０２】
また、上記実施形態では、発光層１１０ｂに有機ＥＬ材料を用いた例を示したが、発光層１１０ｂに無機ＥＬ材料を用いたもの（即ち、無機ＥＬ表示装置）に対して本発明を適用することも勿論可能である。
さらに、上記実施形態では、隔壁１１２に仕切られた領域に各発光部Ａを形成したが、各発光部Ａを仕切る隔壁は必ずしも必要ではなく、このような隔壁１１２を設けない場合には、ゲッター材は、平面視で、隣接する発光部Ａの間の領域に配置されていればよい。
また、上記実施形態では、本発明のエレクトロルミネッセンス装置を表示装置とした例を示したが、本発明はそれ以外の用途、例えば、液晶表示装置の光源用のエレクトロルミネッセンス装置や、光書き込み型のレーザープリンタ及び光通信に用いる光源等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の第１の実施形態の表示装置の配線構造を示す図である。
【図２】同、表示装置の平面図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ′断面図である。
【図４】同、表示装置の要部を示す断面図である。
【図５】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図７】同、表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置を示す図である。
【図８】図６に示したプラズマ処理装置の第１プラズマ処理室の内部構造を示す模式図である。
【図９】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１０】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１１】同、表示装置の製造に用いるプラズマ処理装置の別の例を示す平面模式図である。
【図１２】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１３】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１４】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１５】同、表示装置の製造に用いるヘッドを示す平面図である。
【図１６】同、表示装置の製造に用いるインクジェット装置を示す平面図である。
【図１７】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１８】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図１９】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図２０】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図２１】同、表示装置の製造方法を説明する工程図である。
【図２２】本発明の第２の実施形態の表示装置を示す断面図である。
【図２３】本発明の電子機器の一例を示す図である。
【図２４】発光層の配置を示す平面模式図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１・・・エレクトロルミネッセンス装置、２・・・基板、２ａ・・・表示領域、２ｂ・・・非表示領域、３・・・封止部、１２・・・陰極（第２の電極）、１３，６０５・・・ゲッター材、１１０・・・機能層、１１０ｂ・・・発光層、１１１・・・画素電極（第１の電極）、１１２・・・バンク層（隔壁）、１２３・・・薄膜トランジスタ（スイッチング素子）、６０４・・・封止缶（封止部材）、Ａ・・・発光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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