(57)【要約】【課題】有機ＥＬディスプレイパネルなどの自発光パネルをスイッチング素子でデューティ駆動する際、ｏｎ／ｏｆｆ切り替え信号に起因した行間の影響を抑制する。【解決手段】有機ＥＬ素子とスイッチング素子を直列接続させるが、図１には、有機ＥＬ素子に印加される電圧は示していない。上記スイッチング素子にはバイアス電圧Ｖｂが印加されており、当初オフ状態であったものが、最初の走査デューティ時間Ａの時点でオンへの切替信号（Ｖｏｎ）が印加されて電流が立ち上がり、走査周期の間その電流が維持される。次の走査デューティ時間Ｂの時点でオフへの切替信号（−Ｖｏｆｆ）により電流が立ち下がる。ＶｏｎおよびＶｏｆｆは、切り替えの閾値Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２に対し、Ｖｂ＋Ｖｏｎ＞Ｖｔｈ２，Ｖｂ−Ｖｏｆｆ＜Ｖｔｈ１となるよう設定される。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加される電圧が第１の閾値より大きくなった後は導電状態を呈し、第２の閾値より小さくなった後は非導電状態を呈するスイッチング素子と、
複数の行と複数の列よりなるマトリックス構成の交点に発光する画素を備え、行方向には１行毎に順次デューティ駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより、当該画素を電流駆動で発光させる発光パネルと、
を積層してなる表示装置の駆動方法であって、
予め定めたウィンドウ期間中に供給される発光指示信号もしくは消光指示信号に応答して特定の画素を発光もしくは消光させる際に、デューティ駆動される行については所定電圧を印加すると共に、その他の行については、前記ウィンドウ期間中のみ該所定電圧を既定オフセット値だけオフセットさせた電圧を印加する、
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記発光指示信号もしくは前記消光指示信号はパルス状信号であり、前記ウィンドウ期間中に、該当する列に対して該パルス状信号を印加することにより、
前記スイッチング素子を導電状態もしくは非導電状態に遷移させるためのしきい値電圧を超えるように、前記特定の画素を挟み込む行と列との間の電位差を制御する、
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の方法において、
画素の発光／非発光の時間割合に基づいて当該画素の発光強度変調を行う際に、行方向のＮ走査周期（Ｎは正の整数）を一組としてＮ段階の階調表示を行う、ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイパネルなどの自発光パネルに適用可能な、表示装置の駆動方法に関するものである。
【０００２】
さらに詳述すると、本発明は、▲１▼印加される電圧の大きさに応じて導電状態および非導電状態を呈するスイッチング素子と、▲２▼複数の行と複数の列よりなるマトリックス構成の交点に発光する画素を備え、行方向には１行毎に順次デューティ駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより当該画素を電流駆動で発光させる発光パネルと、を積層してなる表示装置の駆動方法に関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
近年、情報機器用のフラットディスプレイ装置として、液晶ディスプレイパネルの普及が目覚ましい。液晶ディスプレイパネルは、液晶が光シャッタとなりバックライトの光をオン／オフ制御し、カラーフィルタにより色彩をつけるものである。これに対して、有機ＥＬディスプレイパネルでは、各画素が個々に発光する（すなわち、自発光する）ので、視野角が広くなる（すなわち、カラーフィルタが不要になる）という利点があるばかりでなく、バックライトが不要であることから薄型化が可能になり、且つフレキシブルな基板上に形成が可能である等、多くの利点を持つっている。これらのことから、次世代のフラットディスプレイ装置として期待されている。
【０００４】
この有機ＥＬディスプレイパネルに対する駆動方式は、大別して、２つの種類に分けることができる。第１の駆動方式は、複数の行と列よりなるマトリックスの交点に位置する画素に対し、その画素を発光制御するための信号が行方向には１行ごとに時系列で走査（デューティ駆動）され且つ同一行の各列には同時に付加されるように構成された発光パネルにおいて、各画素には制御素子を設けず、行の走査周期のうち各行のデューティ期間にのみ発光制御するようにした所謂パッシブマトリックス型である（あるいは、デューティ駆動方式，単純マトリックス方式とも呼ばれる）。第２の駆動形式は、各画素ごとに制御素子を持ち、行の走査周期内にわたって発光制御が可能なアクティブマトリックス型と呼ばれるものである。
【０００５】
例えば、１００行×１５０列のパネルの全面を１００ｃｄ／ｍ２で発光させる場合、アクティブマトリックス型では、画素の面積率や各種の損失を考慮しないとすると、各画素は１００ｃｄ／ｍ２で発光すれば良いことになるが、パッシブマトリックス型では各画素における発光時間のデューティ比が１／１００になるので、その発光時間内での発光強度としては１００倍の１００００ｃｄ／ｍ２が必要となる。
【０００６】
一方、有機ＥＬディスプレイパネルの発光強度は電流値により制御されるが、その効率は発光強度が上がると低下してくる。その結果、アクティブマトリックス型の駆動方式に比して、パッシブマトリックス型では消費電力が大きくなり、また発熱等に起因した材料の劣化のため寿命も短くなるという不都合がある。さらに加えて、パッシブマトリックス型での発光時間のデューティ比はパネルの行数の逆数になることから、結果として、パッシブマトリックス型では画素数が制限されてしまい、大面積・高精細度のディスプレイパネルを実現するにはアクティブマトリックス型の駆動方式を用いる必要があった。
【０００７】
しかしながら、アクティブマトリックス型の駆動方式では、画素の制御素子としてポリシリコンを用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられので、種々の解決すべき問題点がある。例えば、▲１▼ポリシリコンのＴＦＴを形成するプロセス温度は少なくとも２５０℃以上の高温が必要であるため、フレキシブルなプラスチック基板を用いることが困難である：▲２▼製造コストが高くなり、ディスプレイパネル全体のコストの５０％以上を占めてしまう：といった問題がある。
【０００８】
こういった従来の有機ＥＬディスプレイパネルが有する種々の問題点に対処するため、特開２００１−１６０４９２号公報には、新しいタイプの有機薄膜ＥＬ素子が開示されている。
【０００９】
この特開２００１−１６０４９２号公報には、“従来の有機薄膜ＥＬ素子とは異なり、発光・非発光状態が過去の印加電圧の加え方に応じたメモリ性を有し、この結果、ＯＮ／ＯＦＦ信号を加えることにより発光・非発光状態を制御できるような新しいタイプの有機薄膜ＥＬ素子とその駆動方法”が記載されている。より具体的に述べると、「有機薄膜と電極の片面又は両面との間に、所定の値以上の電圧を印加することによって絶縁体から導体に転移する物質の薄膜から形成された電流スイッチング層を設ける。電極に所定電圧を印加して、電流スイッチング層を絶縁体から導体に転移させることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の発光状態を出現させ、さらに、電圧を電流スイッチング層が導体から絶縁体に転移するまで減ずることによって有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子の非発光状態を出現させるように駆動する。特に好ましい態様として、該有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子に一定電圧を印加した状態に保持し、この一定電圧に正負のパルス電圧を重畳することにより発光状態と非発光状態をスイッチングするよう駆動することができる。」という点が開示されている。
【００１０】
また、上記のスイッチング素子に関連する従来技術として、有機ＬＥＤの駆動を可能にするための「真空蒸着法によるＣｕ：ＴＣＮＱ錯体薄膜の形成とスイッチング素子」（第４９回応用物理学関係連合講演会　講演予稿集、２００２年３月　東海大学　湘南校舎、第３分冊、２７ａ−Ｍ−５）が知られている。さらに、Ｌ．Ｐ．Ｍａ氏らによる論文「Ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｂｉｓｔａｂｌｅ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ　ｍｅｍｏｒｙ　ｃｅｌｌｓ」（　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　Ｖｏｌ．　８０，　ｎｕｍｂｅｒ　１６，　２２　Ａｐｒｉｌ　２００２，　２００２　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　）には、アミノイミダゾールジカーボネト（ＡＩＤＣＮ）を用いたスイッチング素子を用いて有機ＥＬ素子を２値で駆動しメモリ等への適用可能性を示している。これらの素子は、いずれも、ある電圧に対して２値の抵抗値を持ち、その切り替えは適切なパルスを印加することにより行われるものである。この抵抗値切り替えに要する時間は１０ｎｓｅｃ程度であることから、通常のディスプレイ駆動には充分な応答性が確保できるが、マトリックス構成されたディスプレイ装置を駆動する具体的な方法については、いずれの両文献にも開示されていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
一方、有機ＥＬディスプレイパネルにスイッチング素子を用いる場合、
（１）従来から知られているような単純な制御信号を用いた場合には、マトリックス駆動を行う際、ある行のｏｎ／ｏｆｆ切り替え信号が他の行へ影響を与えてしまうことになる：
（２）画素の発光強度制御が２値であるため、特にカラー画像などで要求される、発光強度の階調性を得ることが困難である：
といった、問題が生じる。
【００１２】
例えば、図１３の特性を有するスイッチング素子を用い、図１４に示すような積層構造の表示画素を形成し、この表示画素を図１５のようなマトリックス状に配列した場合を想定して説明する。
【００１３】
まず単一の画素の場合について述べる。ここで例示したスイッチング素子は、高抵抗特性５１（ｏｆｆ状態）と低抵抗特性５２（ｏｎ状態）の２つの電圧・電流特性を持つものであり（図１３参照）、バイアスＶｂをかけた状態で印加電圧をＶｔｈ２以上にするとｏｆｆ→ｏｎに遷移し、印加電圧をＶｔｈ１以下にするとｏｎ→ｏｆｆへと遷移する、特性を有している。従ってｏｆｆ→ｏｎへの遷移にはＶｔｈ２以上のパルス、ｏｎ→ｏｆｆへの遷移にはＶｔｈ１以下のパルスを印加することにより、抵抗値の切り替えが可能である。
【００１４】
これに対して、マトリックス状に配置された多数の表示画素の場合は、ある行の画素につき上記の制御を行い、次の走査周期までバイアスをＶｔｈ１からＶｔｈ２の範囲に維持することにより、デューティ時間に制限されることなくｏｎ／ｏｆｆいずれか一方の状態を維持することが可能となる。上述した問題点（１）は、このような制御を行った場合に生ずるものである。すなわち、従来のパッシブマトリックス方式では、ある時点でｏｎ状態にあるのは一つの行内の画素だけであり、従って当該行の走査デューティ時間にはその他の行の回路は切られた状態とするため、当該行の状態を切り替えるための信号が他の行に影響を与えることはない。
【００１５】
しかし、上述したようなスイッチング素子（図１４参照）を用いて走査周期中に電圧印加を維持する場合は、常にマトリックス全面の画素に電圧が印加されており、当該行以外の行の回路も接続状態に維持されていることから、一つの行の切り替え信号が他の行全てに印加されることになる。その結果として、従来のパッシブマトリックス型駆動方式では、図１４に示したようなスイッチング素子を用いてマトリックス全面にある画素のｏｎ／ｏｆｆ制御を行うことは困難である。
【００１６】
つぎに、上記の問題点（２）について説明する。従来のパッシブマトリックス型駆動方式では、図１６に示すように各行の階調制御は、その行のデューティ時間内に複数のパルス発光を行い、そのパルス数により階調を制御する方法をとるのが一般的である。すなわち、発光時間により階調を制御している。しかし、発光時間が走査周期全体となると、この方法による階調制御はできなくなる。また、画素への印加電圧を制御して発光強度を変調することは、各行への信号ライン列が共通であることから、各行間での干渉を招来してしまう。
【００１７】
よって本発明の目的は、上述の点に鑑み、有機ＥＬディスプレイパネルなどの自発光パネルをスイッチング素子でデューティ駆動する際、ｏｎ／ｏｆｆ切り替え信号に起因した行間の影響を抑制する、表示装置の駆動方法を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、発光強度の階調性を適切に制御することができる、表示装置の駆動方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る表示装置の駆動方法は、印加される電圧が第１の閾値より大きくなった後は導電状態を呈し、第２の閾値より小さくなった後は非導電状態を呈するスイッチング素子と、複数の行と複数の列よりなるマトリックス構成の交点に発光する画素を備え、行方向には１行毎に順次デューティ駆動し且つ同一行内の該当する列には発光制御のための信号を同時に付加することにより、当該画素を電流駆動で発光させる発光パネルと、を積層してなる表示装置の駆動方法であって、予め定めたウィンドウ期間中に供給される発光指示信号もしくは消光指示信号に応答して特定の画素を発光もしくは消光させる際に、デューティ駆動される行については所定電圧を印加すると共に、その他の行については、前記ウィンドウ期間中のみ該所定電圧を既定オフセット値だけオフセットさせた電圧を印加することを特徴とする。
【００２０】
ここで、前記発光指示信号もしくは前記消光指示信号はパルス状信号であり、前記ウィンドウ期間中に、該当する列に対して該パルス状信号を印加することにより、前記スイッチング素子を導電状態もしくは非導電状態に遷移させるためのしきい値電圧を超えるように、前記特定の画素を挟み込む行と列との間の電位差を制御することができる。
【００２１】
また、画素の発光／非発光の時間割合に基づいて当該画素の発光強度変調を行う際に、行方向のＮ走査周期（Ｎは正の整数）を一組としてＮ段階の階調表示を行うことが可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（実施の形態の概要）
以下に詳述する実施の形態では、複数の行と列よりなるマトリックスの交点に発光する画素を持ち、当該画素の発光が電流駆動によりなされ、その発光制御のための信号が行方向には１行毎に時系列で走査され同一行の各列には同時に印加されるように構成され、当該発光制御が各発光画素に直列に接続されたスイッチング素子によりなされる発光パネルにおいて、当該スイッチング素子のｏｎ／ｏｆｆ状態が、行方向の走査周期内はｏｎ／ｏｆｆいずれかの一方の状態にのみ保たれることにより達成される。
【００２３】
また、１行あたりの走査デューティ時間内に少なくとも２つの時間ウィンドウを有し、そのうちの１つのウィンドウではある１行の発光制御のための正パルス信号を供給し、且つ他の行ではその正パルスと同程度の負バイアスを印加し、さらに、他のウィンドウではある１行の発光制御のための負パルス信号を供給し、且つ他の行ではその負パルスと同程度の正バイアスを印加する。
【００２４】
画素の発光強度変調は発光のｏｎ／ｏｆｆの時間割合でなされ、その時間周期が行方向の走査周期と一致する。
【００２５】
（実施の形態の詳細な説明）
図１は、本実施の形態における、ある画素のスイッチング素子に印加される電圧と電流をモデル的に示した図である。説明を簡単するため、本図では直列に接続された有機ＥＬ素子に印加される電圧は示していない。このスイッチング素子にはバイアス電圧Ｖｂが印加されており、当初ｏｆｆ状態であったものが、最初の走査デューティ時間Ａの時点でｏｎへの切替信号（Ｖｏｎ）が印加されて電流が立ち上がり、走査周期の間その電流が維持される。次の走査デューティ時間Ｂの時点でｏｆｆへの切替信号（−Ｖｏｆｆ）により電流が立ち下がる。ＶｏｎおよびＶｏｆｆは、切り替えの閾値Ｖｔｈ１，Ｖｔｈ２に対し、Ｖｂ＋Ｖｏｎ＞Ｖｔｈ２，Ｖｂ−Ｖｏｆｆ＜Ｖｔｈ１となるよう設定される。
【００２６】
図２は、当該行における走査デューティ時間を詳細に示したものであり、例えば、時間ウィンドウとしてＣとＤを設定し、ｏｎ信号はＣのウィンドウ内に、ｏｆｆ信号はＤのウィンドウ内に出すこととする。当該行以外の行では、図３に示すようにそれぞれのウィンドウ内でのバイアスを−Ｖｃ，Ｖｄだけオフセットさせ、該当行以外の行でスイッチングが起こることを防ぐ。
【００２７】
図３に示した電圧はスイッチング素子に印加される電圧であるが、実際のパネルでの各行，各列に信号を印加する例を以下に示す。
【００２８】
図４は、直列に接続された有機ＥＬ素子およびスイッチング素子に電圧を印加した時の電圧配分を示した説明図である。本図に示すように、スイッチング素子がｏｆｆ状態の時は、等価的には、コンデンサと同等である。したがって、直列に接続された有機ＥＬ素子およびスイッチング素子に印加電圧された電圧のほとんどは、スイッチング素子の両端に印加されている。一方、スイッチング素子がｏｎ態の時は、直列に接続された有機ＥＬ素子およびスイッチング素子に印加電圧された電圧は両方の素子に分担（分圧配分）される。ここで、スイッチング素子に分圧される割合をαとおくと、図示したような電圧が各素子に印加されることになる。従って単体では図１３に示すような特性を持つスイッチング素子を用いた場合で有機ＥＬ素子を直列に接続した場合は、スイッチング素子に付加される電圧と電流は図４のグラフの矢印の両端の位置となる。
【００２９】
図５は、マトリックス駆動における電気信号印加の一例を示す。ここでは説明を簡単化するためにＡ，Ｂ，Ｃ行、１，２，３，４列での駆動を考える。各行の電圧値は通常はアースとするが、本実施の形態におけるウィンドウ内のバイアス電圧Ｖｃ，Ｖｄのオフセット制御は行電極で行われる。いま、Ａ行がデューティ内状態にあり、Ｂ行およびＣ行はデューティ外状態として、各画素での状態を例示したものである。各画素での電圧条件は図５に示した通りであるが、ここでの電圧は、以下の（式１）〜（式４）に集約される。
Ｖｏｎ＞Ｖｔｈ２−Ｖｂ　・・・（式１）
（Ｖｔｈ１／α）＜Ｖｂ＜（（Ｖｔｈ１／α）＋Ｖｏｆｆ）　・・・（式２）
（Ｖｔｈ１／α）＜（Ｖｂ−Ｖｃ）＜（Ｖｔｈ２−Ｖｏｎ）　・・・（式３）
（Ｖｔｈ１／α）＋Ｖｏｆｆ＜（Ｖｂ＋Ｖｏｆｆ）＜Ｖｔｈ２　・・・（式４）
【００３０】
図６〜図１１は、画素３Ａ〜３Ｃ，４Ａ〜４Ｃに印加される電圧と閾値との関連を説明した図である。
【００３１】
図１２は、本実施の形態における階調性付与の方法を示したものである。ある画素での発光状態は一つの走査周期内は一定に維持されるが、例えば走査周期を１／ｎ倍とし、ｎ走査周期を一組とすれば、それぞれの発光の有無によりｎ段階の階調を得ることができる。
【００３２】
【実施例】
実施例１
ＩＴＯ付ガラス基板上にポリエチレンジオキシチオフェン膜とポリフェニレンビニレン膜をスピンコートにより順次形成し、その後、カルシウム膜を真空蒸着により成膜して有機ＥＬ層を形成した。各層の厚さは、それぞれ１００ｎｍ、１００ｎｍ、１５０ｎｍとした。ＩＴＯは１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１５列のパターニングが予めなされており、カルシウム蒸着膜は金属マスクを用いて１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行うことにより、１５列，１０行のマトリックスを形成している。これに連続してアルミニウム、Ｃｕ−ＴＣＮＱ錯体（化合物１）、アルミニウムを順次、それぞれ１００ｎｍ、５０ｎｍと１００ｎｍ厚さで真空蒸着成膜することにより、有機ＥＬ部分に直列にスイッチング素子部を形成した。スイッチング素子部は有機ＥＬ層のカルシウム膜の上に形成され、カルシウム膜と同様の、１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行った。
【００３３】
【化１】
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【００３４】
スイッチング素子の性能は、Ｖｔｈ１が−０．１Ｖ、Ｖｔｈ２が５．０Ｖ、バイアス４．０Ｖでのｏｎ状態での電流密度が４０ｍＡ／ｃｍ２、ｏｆｆ状態での電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ２であった。ｏｎ状態での有機ＥＬ素子の電圧降下は３．５Ｖ、発光強度は５０Ｃｄ／ｍ２であり、ｏｆｆ状態での電圧降下、発光は観測されなかった。
【００３５】
パネル全体の走査周波数を６０Ｈｚ、すなわち走査周期を約１６．７ｍｓｅｃとすると、各行あたりの走査デューティ時間は１．６７ｍｓｅｃとなる。前述のウィンドウＣとＤをそれぞれ時間幅０．１ｍｓｅｃ、切替信号のパルス幅を０．０５ｍｓｅｃとし、Ｖｂ＝４．０Ｖ、Ｖｏｎ＝１．５Ｖ、Ｖｏｆｆ＝５．０Ｖ、Ｖｃ＝１．５Ｖ、Ｖｄ＝０．８Ｖと設定することにより、パネルは順調に動作した。ちなみに、ウィンドウ時間の間は発光は中断するが、１．６７ｍｓｅｃのうち少なくともウィンドウ時間を除いた１．４７ｍｓｅｃは発光しており、発光時間比は８８％以上となる。これは、従来の単純なパッシブマトリックスの場合の発光時間比１０％（＝１／１０行）と比較すると、十分大きな値である。
【００３６】
次に、走査周波数を４８０Ｈｚ、すなわち走査周期を約２．０８ｍｓｅｃとした。この時、各行あたりの走査デューティ時間は０．２０８ｍｓｅｃとなる。前述のウィンドウＣとＤをそれぞれ時間幅０．０５ｍｓｅｃ、切替信号のパルス幅を０．０３ｍｓｅｃとすることにより、前述の場合と同様にパネルは順調に動作した。また、８走査を一組として時間分割による８階調の制御を行うことができた。
【００３７】
実施例２
実施例１と同様に有機ＥＬ素子を構成した後、これに連続してアルミニウム、化合物１、アルミニウムを順次、それぞれ１００ｎｍ、７０ｎｍと１２０ｎｍ厚さで真空蒸着成膜することにより、有機ＥＬ素子部分に直列にスイッチング素子部を形成した。スイッチング素子部は実施例１と同様に有機ＥＬ層のカルシウム膜の上に形成され、カルシウム膜と同様の、１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行った。
【００３８】
スイッチング素子の性能は、Ｖｔｈ１が−０．１Ｖ、Ｖｔｈ２が７．０Ｖ、バイアス５．０Ｖでのｏｎ状態での電流密度が１００ｍＡ／ｃｍ２、ｏｆｆ状態での電流密度が０．１ｎＡ／ｃｍ２以下であった。ｏｎ状態での有機ＥＬ素子の電圧降下は４Ｖ、発光強度は１００Ｃｄ／ｍ２であり、ｏｆｆ状態での電圧降下、発光は観測されなかった。
【００３９】
パネル全体の走査周期、各行あたりの走査デューティ時間、ウィンドウＣとＤの時間幅、切替信号のパルス幅は実施例１と同様とし、Ｖｂ＝５．０Ｖ、Ｖｏｎ＝２．５Ｖ、Ｖｏｆｆ＝６．０Ｖ、Ｖｃ＝２．５Ｖ、Ｖｄ＝１．０Ｖと設定することにより、パネルは順調に動作した。
【００４０】
実施例３
実施例１と同様に有機ＥＬ素子を構成した後、これに連続してアルミニウム、ＡＩＤＣＮ（２−アミノ−４，５−イミダゾールジカーボニトリル（化合物２）、アルミニウム、ＡＩＤＣＮ（化合物２）、アルミニウムを順次、それぞれ１００ｎｍ、４０ｎｍ、２０ｎｍ、４０ｎｍ、１２０ｎｍ厚さで合計５層の真空蒸着成膜することにより、有機ＥＬ素子部分に直列にスイッチング素子部を形成した。スイッチング素子部は実施例１と同様に有機ＥＬ層のカルシウム膜の上に形成され、カルシウム膜と同様の、１ｍｍピッチ、幅０．７ｍｍで１０行のパターニングを行った。
【００４１】
スイッチング素子の性能は、Ｖｔｈ１が０．０Ｖ、Ｖｔｈ２が４．５Ｖ、バイアス３．５Ｖでのｏｎ状態での電流密度が３０ｍＡ／ｃｍ２、ｏｆｆ状態での電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ２であった。ｏｎ状態での有機ＥＬ素子の電圧降下は３．４Ｖ、発光強度は２０Ｃｄ／ｍ２であり、ｏｆｆ状態での電圧降下、発光は観測されなかった。
【００４２】
パネル全体の走査周期、各行あたりの走査デューティ時間、ウィンドウＣとＤの時間幅、切替信号のパルス幅は実施例１と同様とし、Ｖｂ＝３．５Ｖ、Ｖｏｎ＝１．５Ｖ、Ｖｏｆｆ＝４．０Ｖ、Ｖｃ＝１．５Ｖ、Ｖｄ＝０．８Ｖと設定することにより、パネルは順調に動作した。
【００４３】
【化２】
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【００４４】
（実施の形態による効果）
有機ＥＬパネルを制御するにあたり、２値で動作するスイッチング素子を用いて、ｏｎ／ｏｆｆ切り替え信号の行間の影響を抑制し、かつ、発光強度の階調性を得る手段を提供することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、有機ＥＬディスプレイパネルなどの自発光パネルをスイッチング素子でデューティ駆動する際、ｏｎ／ｏｆｆ切り替え信号に起因した行間の影響を抑制することができる。さらに本発明によれば、発光強度の階調性を適切に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態におけるスイッチング素子に印加される電圧と電流の波形例（走査周期）を示す線図である。
【図２】本実施の形態におけるスイッチング素子に印加される電圧波形（当該デューティ行：デューティ時間内）を例示した説明図である。
【図３】本実施の形態におけるスイッチング素子に印加される電圧波形（当該デューティ以外の行：デューティ時間内）を例示した説明図である。
【図４】直列に接続された有機ＥＬ素子およびスイッチング素子に電圧を印加した時の電圧配分を示す説明図である。
【図５】マトリックス駆動における電気信号印加の一例を示す説明図である。
【図６】画素３Ａに印加される電圧と閾値との関連を説明した図である。
【図７】画素３Ｂに印加される電圧と閾値との関連を説明した図である。
【図８】画素３Ｃに印加される電圧と閾値との関連を説明した図である。
【図９】画素４Ａに印加される電圧と閾値との関連を説明した図である。
【図１０】画素４Ｂに印加される電圧と閾値との関連を説明した図である。
【図１１】画素４Ｃに印加される電圧と閾値との関連を説明した図である。
【図１２】本実施の形態における階調性付与の原理を示す説明図である。
【図１３】スイッチング素子の電圧・電流特性を示す図である。
【図１４】有機ＥＬ素子とスイッチング素子を直列接続（積層）した構成例を示す断面図である。
【図１５】ディスプレイ装置用のマトリックス構成を例示した説明図である。
【図１６】従来のパッシブマトリックスにおける階調性制御のための電圧波形を示す説明図である。
【符号の説明】
１１　　スイッチング素子をｏｆｆからｏｎへ切り替える電圧パルス（Ｖｏｎ）
１２　　スイッチング素子をｏｎからｏｆｆへ切り替える電圧パルス（Ｖｏｆｆ）
１３　　スイッチング素子へのバイアス電圧（Ｖｂ）
２１　　スイッチング素子の電流
Ｃ　　時間ウィンドウＣ
Ｄ　　時間ウィンドウＤ
５１　　スイッチング素子の高抵抗状態（ｏｆｆ状態）
５２　　スイッチング素子の低抵抗状態（ｏｎ状態）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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