(57)【要約】【課題】実装後の放熱対策も容易に出来る放熱効果の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッド１と、このダイパッド１の表面に接着された半導体チップ３と、ダイパッド１の周辺に配置されて半導体チップ３の電極と金属細線４により電気的に接続されたリード５、６と、半導体チップ３の表面に熱伝達可能に接続した放熱板９と、この放熱板９が露出するように半導体チップ３および金属細線４が封止された封止樹脂７とを備えている。ダイパッド１の半導体チップ３が接着されている面と反対側の面は封止樹脂７から露出している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、このダイパッドの表面に搭載された半導体チップと、前記ダイパッドの周辺に配置されて前記半導体チップの電極と金属細線により電気的に接続されたリードと、前記半導体チップの表面に熱伝達可能に接続した放熱板と、この放熱板が露出するように前記半導体チップおよび前記金属細線が封止された封止樹脂とを備えた半導体装置。
【請求項２】
ダイパッドの半導体チップが接着されている面と反対側の面が封止樹脂から露出している請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
配線電極を形成した基板と、この基板の表面に搭載された半導体チップと、前記配線電極と前記半導体チップの電極とが電気的に接続された金属細線と、前記半導体チップの表面に熱伝達可能に接続した放熱板と、この放熱板が露出するように前記半導体チップおよび前記金属細線を封止する封止樹脂とを備えた半導体装置。
【請求項４】
放熱板の封止樹脂からの露出面に、凹部が形成されている請求項１または請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
放熱板に複数の貫通穴が設けられている請求項１または請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
放熱板の露出面には複数の溝が設けられている請求項１または請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】
放熱板に形成された凸部が半導体チップと接着されている請求項１または請求項３記載の半導体装置。
【請求項８】
放熱板の表面は絶縁処理されている請求項１または請求項３記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体チップと放熱板とが突起電極により接続されている請求項１または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体チップと放熱板とは、シリコン樹脂により接着されている請求項１または請求項３記載の半導体装置。
【請求項１１】
ダイパッドに半導体チップを搭載する工程と、前記ダイパッドの周囲に配置されたリードと前記半導体チップの電極とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体チップに放熱板を熱伝達可能に接続する工程と、前記ダイパッドおよび前記放熱板が露出するように、少なくとも前記半導体チップおよび前記金属細線を封止樹脂により封止する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
配線電極を形成した基板の表面に半導体チップを搭載する工程と、前記配線電極と前記半導体チップの電極とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体チップに放熱板を熱伝達可能に接続する工程と、前記半導体チップおよび前記金属細線を封止樹脂により封止し、前記放熱板を前記封止樹脂から露出させる工程とを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＤＶＤ、ＣＤ−ＲＯＭ等のモータドライバ用、音声増幅用、電源用、オーディオ用などの発熱量が大きく、なお且つ薄型が必要な半導体チップを搭載するのに適応した半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の多機能化、小型化、高密度化に対応するために、半導体装置などの半導体部品の高密度、高機能化が要求され、それに伴って、半導体部品に対しても薄型で良好な放熱が要望されている。
【０００３】
以下、従来の半導体装置について説明する。
【０００４】
一般に高放熱用に用いられる半導体装置は金属板を介して一方向のみの放熱経路となるよう構成されている。図１１は、従来の半導体装置を示す図であり、図１１（ａ）は代表的な半導体装置のダイパッドを露出したパッケージの断面図であり、図１１（ｂ）は代表的な半導体装置の放熱板を内蔵したパッケージの断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、従来の半導体装置はダイパッド１あるいは放熱板８に接着剤２を塗布して、その上に半導体チップ３を固着している。その半導体チップ３には金属細線４が接続され、ダイパッド１あるいは放熱板８の周辺にある複数本のインナーリード５とそれぞれ電気的に接続されている。各インナーリード５と一体的に連結された各アウターリード６は封止樹脂体７から導出され、ダイパッド１あるいは放熱板８、接着剤２、半導体チップ３、金属細線４およびインナーリード５は封止樹脂体７で封止されている。また、封止樹脂体７は４辺形の平板状に形成されているとともに、アウターリード６は封止樹脂体７の４辺からそれぞれ引き出されている。そして、ダイパッド１あるいは放熱板８の露出面（半導体チップ３を搭載した面と反対側の面）は封止樹脂体７から露出している。
【０００５】
この半導体装置は、通常、封止樹脂体７から露出したダイパッド１あるいは放熱板８の露出面はプリント基板（図示せず）に接するように実装される。発熱源である半導体チップ３を搭載したダイパッド１あるいは放熱板８が封止樹脂体７より露出されているため、外気に直接放熱することができ、高い放熱性を保つことができる。
【０００６】
【特許文献】
特開平０６−３４２８７３号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の半導体装置では、半導体チップ３の表面で発生した熱を半導体チップ３、接着剤２、ダイパッド１あるいは放熱板８を介した一方向のみにだけ放熱させる構造になっており、それぞれの熱伝導性に影響され、熱の放熱効率が悪くなっている。
【０００８】
また、その放熱効率の悪さを補うために更にダイパッド１を大きくしたり、放熱板８を厚くしたりする必要があり、小型、薄型化が困難となっている。
【０００９】
更に、ダイパッド１を露出させた半導体装置では、プリント基板への実装時、封止樹脂体７の上下バランスが悪いため、半導体装置に反りが生じ、実装性に影響し放熱性を悪化させる要因となっている。
【００１０】
また、放熱経路が一方向のため、実装後の放熱対策が困難となっている。
【００１１】
本発明は、上述の課題を解決するもので、実装後の放熱対策も容易に出来る放熱効果の高い半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の半導体装置は、ダイパッドと、このダイパッドの表面に搭載された半導体チップと、ダイパッドの周辺に配置されて半導体チップの電極と金属細線により電気的に接続されたリードと、半導体チップの表面に熱伝達可能に接続した放熱板と、この放熱板が露出するように半導体チップおよび金属細線が封止された封止樹脂とを備えたものである。
【００１３】
請求項１記載の半導体装置によれば、半導体チップを搭載したダイパッドと半導体チップの表面に接続した放熱板の露出部からの２方向で直接外部に放熱させるため、高い放熱効果が得られる。したがって、例えばダイパッドの露出面からプリント基板に直接放熱させるだけでなく、実装後にも放熱板を使って、充分な熱対策ができる、品質の優れた半導体装置である。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１において、ダイパッドの半導体チップが接着されている面と反対側の面が封止樹脂から露出しているものである。
【００１５】
請求項２記載の半導体装置によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００１６】
請求項３記載の半導体装置は、配線電極を形成した基板と、この基板の表面に搭載された半導体チップと、配線電極と半導体チップの電極とが電気的に接続された金属細線と、半導体チップの表面に熱伝達可能に接続した放熱板と、この放熱板が露出するように半導体チップおよび金属細線を封止する封止樹脂とを備えたものである。
【００１７】
請求項３記載の半導体装置によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００１８】
請求項４記載の半導体装置は、請求項１または請求項３において、放熱板の封止樹脂からの露出面に、凹部が形成されているものである。
【００１９】
請求項４記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、放熱面積が大きいほど放熱性が良くなる事から、放熱板に凹凸を設けることにより更に放熱効果を向上させ、あわせて封止樹脂体との接合面積が増え、密着性、信頼性が向上する。
【００２０】
請求項５記載の半導体装置は、請求項１または請求項３において、放熱板に複数の貫通穴が設けられているものである。
【００２１】
請求項５記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、半導体チップの表面に接続された放熱板に貫通穴を設ける事により、更に放熱効果および樹脂との密着性が良くなり信頼性が向上する。
【００２２】
請求項６記載の半導体装置は、請求項１または請求項３において、放熱板の露出面には複数の溝が設けられているものである。
【００２３】
請求項６記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、半導体チップの表面に接続された放熱板に複数の溝を設ける事により、放熱面積をより広く確保でき、更に放熱効果および樹脂との密着性が良くなり信頼性が向上する。とくに、放熱板の露出面の周縁に沿ってリング状の溝を設ける事により、樹脂封止時に、封止金型と放熱板の露出面との間に樹脂が回り込むのを溝で防止し、放熱板の露出面にできる薄バリの大きさを制約することができる。
【００２４】
請求項７記載の半導体装置は、請求項１または請求項３において、放熱板に形成された凸部が半導体チップと接着されているものである。
【００２５】
請求項７記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果がある。
【００２６】
請求項８記載の半導体装置は、請求項１または請求項３において、放熱板の表面は絶縁処理されているものである。
請求項８記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、放熱板に絶縁処理を施すことにより、金属細線と放熱板とのショートを防止できる。
【００２７】
請求項９記載の半導体装置は、請求項１または請求項３において、半導体チップと放熱板とが突起電極により接続されているものである。
【００２８】
請求項９記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、
請求項１０記載の半導体装置は、請求項１または請求項３において、半導体チップと放熱板とは、シリコン樹脂により接着されているものである。
【００２９】
請求項１０記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、
請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、ダイパッドに半導体チップを搭載する工程と、ダイパッドの周囲に配置されたリードと半導体チップの電極とを金属細線により電気的に接続する工程と、半導体チップに放熱板を熱伝達可能に接続する工程と、ダイパッドおよび放熱板が露出するように、少なくとも半導体チップおよび金属細線を封止樹脂により封止する工程とを含むものである。
【００３０】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、樹脂封止する際の半導体チップにかかる応力を低減しながら高放熱を確保することができ、半導体装置の薄型が可能となる。
【００３１】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、配線電極を形成した基板の表面に半導体チップを搭載する工程と、配線電極と半導体チップの電極とを金属細線により電気的に接続する工程と、半導体チップに放熱板を熱伝達可能に接続する工程と、半導体チップおよび金属細線を封止樹脂により封止し、放熱板を封止樹脂から露出させる工程とを含むものである。
【００３２】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１１と同様な効果がある。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体装置の実施形態について説明する。
【００３４】
図１は、第１の実施形態による半導体装置の上面図（ａ）と断面図（ｂ）である。図１に示すように、第１の実施形態による半導体装置は、ダイパッド１の表面に接着剤２を塗布して、その上に半導体チップ３の裏面を固着している。その半導体チップ３の電極には金属細線４が接続され、ダイパッド１の周辺にある複数本のインナーリード５とそれぞれ電気的に接続されている。更に、半導体チップ３の表面には放熱性に優れた放熱板９の下面に形成された凸部９ａが接着剤１０によって熱伝達可能に固着されている。各インナーリード５と一体的に連結された各アウターリード６は封止樹脂体７から導出され、ダイパッド１、接着剤２、半導体チップ３、金属細線４、放熱板９、接着剤１０およびインナーリード５は封止樹脂体７で封止されている。放熱板９は例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の材料から構成され、接着剤１０は例えば、シリコン樹脂、Ａｇフィラーが混入したペーストから構成され、厚みは１０〜２０[μｍ]である。また、封止樹脂体７は４辺形の平板状に成形されているとともに、アウターリード６は封止樹脂体７の少なくとも２辺、実施の形態では４辺からそれぞれ引き出されている。そして、ダイパッド１および放熱板９のそれぞれ半導体チップ１と反対側の面の露出面は封止樹脂体７から露出されている。
【００３５】
放熱板９の表面は凹凸を含む凹部が施してあり（図示せず）、これにより放熱効果が向上する。また、封止樹脂体７との密着性も上がるので、信頼性も向上する。更に、半導体チップ３の表面と放熱板９を弾力性のある接着剤１０で接続することで、封止時の半導体チップ３への応力を緩和することができる。
【００３６】
図２は、第２の実施形態による半導体装置の上面図（ａ）と断面図（ｂ）である。第２の実施形態は前述の第１の実施形態と殆ど変わらないが、図２にもあるように、放熱板９に凹部として貫通穴１１を設けている点が異なる。これにより、第１の実施形態より更に、封止樹脂体７との密着性が良くなり、信頼性を向上させることができる。また、貫通穴１１は穴径を大きくする（図示せず）ことにより、金属細線４の占める領域を回避でき、更に薄型が可能となる。
【００３７】
図３は、第３の実施形態による半導体装置の上面図（ａ）と断面図（ｂ）である。実施形態は第１および第２の実施形態と殆ど変わらないが、放熱板９の露出面側に凹部として多数の溝１２を設けることにより、放熱面積が広くなり、半導体装置単体でも空気中への熱拡散がより効率よく行われ、更には、実装後の放熱対策にも有効に使用できる。
【００３８】
第３の実施の形態の変形形態として、放熱板９の露出面の周縁に沿ってリング状の溝を設けることにより、樹脂封止時に、封止金型と放熱板の露出面との間に樹脂が回り込むのを溝で防止し、放熱板９の露出面にできる薄バリの大きさを制約することができる。
【００３９】
図４は、第４の実施形態による半導体装置の断面図である。図４にもあるように、半導体チップ３の表面と放熱板９との接続に突起電極例えばＡｕバンプ１３を用いることで、より熱伝達の良い状態を作ることができる。更に、ボンディングパッド１９とインナーリード５とを電気的に接続する工程にて、同時にＡｕバンプ１３を形成することが可能なので、設備が容易に準備できる。また、Ａｕバンプ１３は封止時の放熱板９から半導体チップ３の表面への応力も緩和できるため、信頼性への影響を低減できる。
【００４０】
本実施形態では、ダイパッド１およびインナーリード５がＦｅ等からなるリードフレームから構成されるが、次のような構成であってもよい。すなわち、配線電極を形成した例えば樹脂またはセラミックからなる基板の表面と、半導体チップの裏面とを接着し、基板の表面に形成された配線電極と半導体チップの電極とが金属細線により電気的に接続され、半導体チップおよび金属細線が封止樹脂により封止され、半導体チップの表面と熱伝達可能に接続した放熱板、および基板の裏面の電極群が封止樹脂から露出した構成であってもよい。
【００４１】
次に、図１〜図４に示した半導体装置を製造する方法を図５〜図１０に基づいて説明する。
【００４２】
図５はダイボンディングの前工程を説明するための工程断面図、図６はダイボンディング工程を説明するための工程断面図であり、図７はワイヤーボンディング工程を説明するための工程断面図である。
【００４３】
まず、ダイパッド１と、ダイパッド１の周辺に配置される複数本のインナーリード５と、そのインナーリード５にそれぞれ連結された各アウターリード６とを、金属板を型抜きして構成したリードフレームを準備する。
【００４４】
つぎに、図５に示すように、半導体チップボンディング装置（図示せず）のステージ１５上において、ダイパッド１上に半導体チップ３を固着するための接着剤２を塗布する。接着剤２の塗布はディスペンサ１６を用いて、接着剤２を滴下することにより行う。接着剤２は一例として熱硬化性のエポキシ樹脂にＡｇ粉を混合させたＡｇペーストからなる。
【００４５】
次に、図６に示すように、接着剤２を塗布したダイパッド１上にコレット１７を用いて半導体チップ３を搭載した後、ヒートステージ（図示せず）上で加熱し、接着剤２を硬化させる。一例として、半導体チップ３は、外形寸法が４ｍｍ角、厚さが０．１ｍｍ程度のシリコン単結晶である。また、加熱条件は１８０〜２５０℃、３０秒から６０秒程度である。なお、接着剤２の硬化はキュア炉を用いても良い。
【００４６】
次に、図７に示すように、ダイパッド１に固着された半導体チップ３のボンディングパッド１９とインナーリード５とを金属細線４を用いて電気的に接続する。ワイヤーボンド装置（図示せず）のヒートステージ１８には、ダイパッド１が入る逃がし部が形成されており、インナーリード５のワイヤーボンディング領域外周部を固定治具２０によって固定しながら行う。一例として、金属細線は、直径２０〜３５μｍのＡｕワイヤを用いる。
【００４７】
次に、放熱板９の半導体チップ３への接続工程を説明するための工程断面図である図８、図９に基づき放熱板接続工程について説明する。
【００４８】
まず図８（ａ）に示しているように、接着剤１０を用いて接続を行う場合、前述のダイボンディング工程と同様に、ステージ１５上において、ワイヤーボンディングされた半導体チップ３の表面に放熱板９を固着するための接着剤１０を塗布する。接着剤１０の塗布はディスペンサ１６を用いて、接着剤１０を滴下することにより行う。接着剤１０は、一例として熱硬化性のシリコン樹脂を使用する。
【００４９】
次に別の方法として、図８（ｂ）に示しているように、Ａｕバンプ１３を用いて接続を行う場合、前述のワイヤーボンディング工程と同様に、ヒートステージ１８上において、半導体チップ３の表面に設けられたＡｕバンプ１３用のボンディングパッド（図示せず）上にＡｕバンプ１３を形成する。この方法であれば、ワイヤーボンド工程にて、同時に行うことが可能なため、設備投資せずに製造できるメリットがある。
【００５０】
次に、図９（ａ）に示すように、図８（ａ）で説明した工程にて接着剤１０を塗布した半導体チップ３の表面に放熱板用コレット２１を用いて放熱板９を搭載した後、ヒートステージ（図示せず）上で加熱し、接着剤１０を硬化させる。また、他に放熱板９の半導体チップ３の表面と接続する箇所に、あらかじめ貼り付けされた熱硬化性のＬＥテープ（ダイボンディングテープ）を使用して接続することも可能である。
【００５１】
また、図９（ｂ）に示すように、図８（ｂ）で説明した工程を経てＡｕバンプ１３が形成された半導体チップ３の表面に、ワイヤーボンド工程と同様に、ヒートステージ１８上において、放熱板用コレット２１を用いて放熱板９を搭載する。この工程も、前述のＡｕバンプ形成工程同様、同時に行うことが可能なため、設備投資せずに製造できるメリットがある。
【００５２】
このようにして、各単位のリードフレーム毎にダイボンディング、ワイヤーボンディング、放熱板接続が施された後、単位リードフレーム群を一括して樹脂封止して封止樹脂体７群が同時成形される。
【００５３】
次に、樹脂封止工程を説明するための工程断面図である図１０を参照しながら、樹脂封止工程について説明する。
【００５４】
図１０は、トランスファ成形装置を示しており、シリンダ装置（図示せず）によって型締めされる一対の上型２３と下型２４とを備えており、キャビティ上２５とキャビティ下２６とで、キャビティ単体を形成するように、それぞれ複数組み埋設されている。上型２３の合わせ面にはポット２７が開設されており、ポット２７にはシリンダ装置（図示せず）により進退されるプランジャ２８が成形材料としての樹脂を送給し得るように挿入されている。下型２４の合わせ面にはカル２９がポット２７と対向位置に配されて埋設されているとともに、ランナ３０がポット２７とそれぞれ接続されている。更に各ランナ３０の他端部はキャビティ下２６にそれぞれ接続されており、その接続部にはゲート３１が樹脂をキャビティ内に注入し得るよう形成されている。また、下型２４の合わせ面には、逃がし部３２がリードフレーム重合体２２におけるリードフレーム１４の厚み分を逃げ得るように、その外形も若干大きめの長方形で、その厚さよりも若干浅い深さに成形されている。このような構成のトランスファ成形装置を用いて、樹脂封止は以下の方法で行われる。
【００５５】
１８０℃程度に加熱されたトランスファ装置の封止金型の逃がし部３２にリードフレーム重合体２２を装着し封止金型を型締めする。このようにリードフレームのアウターリードを封止金型に型締めする事によって、ダイパッドおよび放熱板の露出面を封止金型の底部および頂部に押し付ける。
【００５６】
次に、円錐形に打錠された樹脂（図示せず）をポット２７に挿入し、プランジャ２８により樹脂がカル２９、ランナ３０、ゲート３１を通じて各キャビティに圧入される。注入後、樹脂が熱硬化されて封止樹脂体７が形成されると、上型２３および下型２４は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）により封止樹脂体７群が離型され、樹脂成形されたリードフレーム重合体２２はトランスファ成形装置から脱装される。
【００５７】
このようにして、樹脂成形された封止樹脂体７の内部には、ダイパッド１、接着剤２、半導体チップ３、金属細線４、インナーリード５、接着剤１０及び放熱板９が樹脂封止されることとなる。
【００５８】
次に、樹脂成形されたリードフレーム重合体２２の封止樹脂体７以外の部分に半田外装めっきを施す（図示せず）。リードフレーム１４の少なくとも半導体装置の完成品となる部分にＰｄめっきが施されている場合は、半田外装めっきは必要としない。
【００５９】
半田外装めっきを経た後、あるいは半田外装めっきされる前の樹脂成形されたリードフレーム重合体２２を、切断装置（図示せず）によって、各単位リードフレーム毎に順次、ダムバー（図示せず）を切断する。
【００６０】
次に、リード成形装置（図示せず）によって、アウターリード６に先端と内枠の一部を切断した後、アウターリード６をガルウイング形状に屈曲成形し、内枠の一部を切断し、半導体装置を外枠から切り離す。
【００６１】
以上のようにして、図１〜図４に示す半導体装置を完成することができる。
【００６２】
上記本発明の半導体装置の製造方法では、ダイスボンド設備およびワイヤーボンド設備を活用し、放熱板の接続を行える事が特徴で、新たに設備投資の必要が無く、用途に応じ放熱板の形状や製造方法を変えることもできる。
【００６３】
またダイパットに代えて、電極を有するセラミックなどの基板に半導体チップを搭載する半導体装置の製造方法も、上記製造方法と同様に行うことができる。
【００６４】
なお、放熱板９の表面は絶縁処理することができる。
【００６５】
【発明の効果】
請求項１記載の半導体装置によれば、半導体チップを搭載したダイパッドと半導体チップの表面に接続した放熱板の露出部からの２方向で直接外部に放熱させるため、高い放熱効果が得られる。したがって、例えばダイパッドの露出面からプリント基板に直接放熱させるだけでなく、実装後にも放熱板を使って、充分な熱対策ができる、品質の優れた半導体装置である。
【００６６】
請求項２記載の半導体装置によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００６７】
請求項３記載の半導体装置によれば、請求項１と同様な効果がある。
【００６８】
請求項４記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、放熱面積が大きいほど放熱性が良くなる事から、放熱板に凹凸を設けることにより更に放熱効果を向上させ、あわせて封止樹脂体との接合面積が増え、密着性、信頼性が向上する。
【００６９】
請求項５記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、半導体チップの表面に接続された放熱板に貫通穴を設ける事により、更に放熱効果および樹脂との密着性が良くなり信頼性が向上する。
【００７０】
請求項６記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、半導体チップの表面に接続された放熱板に複数の溝を設ける事により、放熱面積をより広く確保でき、更に放熱効果および樹脂との密着性が良くなり信頼性が向上する。とくに、放熱板の露出面の周縁に沿ってリング状の溝を設ける事により、樹脂封止時に、封止金型と放熱板の露出面との間に樹脂が回り込むのを溝で防止し、放熱板の露出面にできる薄バリの大きさを制約することができる。
【００７１】
請求項７記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のがある。
【００７２】
請求項８記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、放熱板に絶縁処理を施すことにより、金属細線と放熱板とのショートを防止できる。
【００７３】
請求項９記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、
請求項１０記載の半導体装置によれば、請求項１または請求項３と同様な効果のほか、
請求項１１記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１と同様な効果のほか、樹脂封止する際の半導体チップにかかる応力を低減しながら高放熱を確保することができ、半導体装置の薄型が可能となる。
【００７４】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項１１と同様な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、（ａ）は半導体装置の上面図、（ｂ）は半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、（ａ）は半導体装置の上面図、（ｂ）は半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置を示す図であり、（ａ）は半導体装置の上面図、（ｂ）は半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図５】第１の実施の形態から第４の実施の形態のダイボンディング工程の前工程を説明するための工程断面図である。
【図６】第１の実施の形態から第４の実施の形態のダイボンディング工程を説明するための工程断面図である。
【図７】第１の実施の形態から第４の実施の形態のワイヤーボンディング工程を説明するための工程断面図である。
【図８】第１の実施の形態から第４の実施の形態の放熱板を接続する工程の前工程を説明するための図であり、（ａ）は接着剤を使用する場合の工程断面図、（ｂ）はＡｕバンプを使用する場合の工程断面図である。
【図９】第１の実施の形態から第４の実施の形態の放熱板を接続する工程を説明するための図であり、（ａ）は接着剤を使用する場合の工程断面図、（ｂ）はＡｕバンプを使用する場合の工程断面図である。
【図１０】第１の実施の形態から第４の実施の形態の樹脂封止工程を説明するための工程断面図である。
【図１１】従来の半導体装置を示す図であり、（ａ）はダイパッドを露出する半導体装置の断面図、（ｂ）は放熱板を内蔵する半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１      ダイパッド
２      接着剤
３      半導体チップ
４      金属細線
５      インナーリード
６      アウターリード
７      封止樹脂体
９      放熱板
１０    接着剤
１１    貫通穴
１２    溝
１３    Ａｕバンプ
１４    リードフレーム
１５    ステージ
１６    ディスペンサ
１７    コレット
１８    ヒートステージ
１９    ボンディングパッド
２０    固定治具
２１    放熱板用コレット
２２    リードフレーム重合体
２３    上型
２４    下型
２５    キャビティ上
２６    キャビティ上
２７    ポット
２８    プランジャ
２９    カル
３０    ランナ
３１    ゲート
３２    逃がし部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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