(57)【要約】【課題】小型化、薄型化の要求を満たすことができ、伝送信号の通る伝送回路に半導体スイッチ素子を組込むことなしに送信回路とアンテナとの接続及び受信回路とアンテナとの接続を切換えることのできるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールを提供する。【解決手段】一端がアンテナに接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路、一端がアンテナに接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路、第１送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路、及び第２送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路が設けられ、第１、第２半導体スイッチング回路の各々は送信信号を第１、第２送信回路端子のそれぞれから第１、第２送信用伝送線路のそれぞれを通ってアンテナへ択一的に伝送するように構成される。【選択図】    図１
2004229207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２送信回路とアンテナ端子との接続及び第１、第２受信回路とアンテナ端子との接続を切換えるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
第１送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と、
第２送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と
を有し、
第１、第２半導体スイッチング回路の各々が送信信号を第１、第２送信回路端子のそれぞれから第１、第２送信用伝送線路のそれぞれを通って前記アンテナ端子へ択一的に伝送するように構成されていることを特徴とするデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項２】
第１、第２送信用伝送線路の各々がλ／４線路であることを特徴とする請求項１に記載のデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項３】
第１送信用伝送線路と第１送信回路端子との間に第１低域通過フィルタを設け、また第２送信用伝送線路と第２送信回路端子との間に第２低域通過フィルタを設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載のデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項４】
第１、第２送信用伝送線路の各々が第３低域通過フィルタ、第４低域通過フィルタであることを特徴とする請求項１に記載のデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項５】
第１、第２半導体スイッチング回路の各々がＧａＡｓスイッチ素子と他端子に接続したコンデンサとから成ることを特徴とする請求項１に記載のデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項６】
アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子とを備えた第３半導体スイッチング回路を有し、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成したことを特徴とする請求項１に記載のデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項７】
第３半導体スイッチング回路が単極双投型のＧａＡｓスイッチ素子から成ることを特徴とする請求項６に記載のデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項８】
第１、第２送信回路とアンテナ端子との接続及び第１、第２受信回路とアンテナ端子との接続を切換えるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールにおいて、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
第１送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と、
第２送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と
を有し、
第１、第２半導体スイッチング回路の各々が送信信号を第１、第２送信回路端子のそれぞれから第１、第２送信用伝送線路のそれぞれを通ってアンテナ端子へ択一的に伝送させるＧａＡｓスイッチ素子と前記他端子に接続したコンデンサとから成り、
第１、第２送信用伝送線路、及び第１、第２半導体スイッチング回路のコンデンサが多層基板内に形成され、
また、第１、第２半導体スイッチング回路のＧａＡｓスイッチ素子が多層基板の表面に塔載されることを特徴とするデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【請求項９】
アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子とを備え、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成した第３半導体スイッチング回路を有し、該第３半導体スイッチング回路が多層基板の表面に塔載されることを特徴とする請求項８に記載のデュアルバンド用高周波スイッチモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波分野における携帯用移動無線機、自動車電話等の移動無線通信システムに使用され得るデュアルバンド用高周波スイッチモジュールに関するものであり、特に、複数の異なる無線通信システムに対応した通信装置のフロントエンド部に利用可能なデュアルバンド用高周波スイッチモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話などの通信装置が普及し、通信のための方式、及び規格が多数存在する。例えば、ＴＤＭＡ方式の規格としては、ヨーロッパではＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  ｓｙｓｔｅｍ）やＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）などの規格が存在する。このような通信装置において、最近では、複数の異なる規格に対応した通信装置である、いわゆるデュアルバンド機が提案されている。例えば、ＤＣＳとＧＳＭとのデュアルバンド機は、ＤＣＳの周波数帯とＧＳＭの周波数帯とに対応し、あるときはＤＣＳの周波数帯で通信をし、またある時はＧＳＭの周波数帯で通信をする。このように、複数の規格の周波数帯を扱うことにより、一方の規格の周波数帯で通信が不可能である場合には、他方の規格の周波数帯で通信をすることができる。
【０００３】
【従来の技術】
この種の高周波スイッチモジュールの従来例としてはＧａＡｓスイッチを用いたものがあり、図５にはデュアルバンド用フロントエンドモジュールの回路構成が示され、アンテナＡＮＴと、ＧＳＭとＤＣＳとの分岐又は結合を行う分波器ＤＩＰと、ＧＳＭ用伝送回路に組込まれ、ＧＳＭの送信信号と受信信号とを切換えるＧａＡｓスイッチＳＷ１と、ＤＣＳ用伝送回路に組込まれ、ＤＳＣの送信信号と受信信号とを切換えるＧａＡｓスイッチＳＷ２とを有している。分波器ＤＩＰは、基本的にはインダクタ素子とコンデンサから成っている。そして例えばＧＳＭ用ＧａＡｓスイッチＳＷ１は送信時にはアンテナ側端子とＧＳＭ用の送信回路側Ｔｘとを接続し、受信時にはアンテナ側端子とＧＳＭ用の受信回路側Ｒｘとを接続する。（非特許文献１参照）。
【０００４】
【非特許文献１】
雑誌ＩＥＥＥ  Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｖｏｌ  ２００１  ＰＰ２１３〜２１６、Ｆｉｇ．１、Ｆｉｇ．６
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図５に示すようなＧａＡｓスイッチを用いた従来の高周波スイッチモジュールにおいては、半導体スイッチ素子が伝送回路に組込まれているために、送信又は受信信号が半導体スイッチ素子を通過することになり、そのため、伝送損失すなわち挿入損失が大きくなったり、高調波ノイズ（ハーモニクス）が発生するという問題があった。
【０００６】
また、図５に示すような従来の高周波スイッチモジュールでは、分波器が使用されており、分波器は少なくとも五つのコンデンサと二つのインダクタ素子を備えている。そのため多層基板内に組込むべき構成部品が多くなり、高周波スイッチモジュールの小型化、薄型化の要求を十分に満足できていない。
【０００７】
また、ＰＩＮダイオードを用いた高周波スイッチモジュールも従来種々提案されているが、この場合も構成部品数多く、多層基板内に内層する部品が多くなるので、小型化が困難であるという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、従来技術に伴う上記の問題点を解決して、小型化、薄型化の要求を満たすことができ、送信信号の通る伝送回路に半導体スイッチ素子を組込むことなしに送信回路とアンテナとの接続及び受信回路とアンテナとの接続を切換えることのできるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の発明による、第１、第２送信回路とアンテナ端子との接続及び第１、第２受信回路とアンテナ端子との接続を切換えるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールは、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
第１送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と
第２送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と
を有し、
第１、第２半導体スイッチング回路の各々が送信信号を第１、第２送信回路端子のそれぞれから第１、第２送信用伝送線路のそれぞれを通ってアンテナ端子へ択一的に伝送するように構成されていることを特徴としている。
【００１０】
第１、第２送信用伝送線路の各々は、伝送信号の波長をλとしたときλ／４の長さをもつ線路から成り得る。
【００１１】
本発明の第１の発明では、第１送信用伝送線路と第１送信回路端子との間に第１低域通過フィルタが設けられ、また第２送信用伝送線路と第２送信回路端子との間には第２低域通過フィルタが設けられ得る。
【００１２】
本発明の第１の発明では、第１、第２送信用伝送線路の各々は、第３低域通過フィルタと第４低域通過フィルタから成り得る。第３低域通過フィルタと第４低域通過フィルタは、π型の低域通過フィルタであり、１つのインダクタ素子、前記インダクタ素子に並列に接続されたコンデンサ、前記インダクタ素子に接続され片側が接地された２つのコンデンサとで構成される。
【００１３】
第１、第２半導体スイッチング回路の各々は、好ましくは、ＧａＡｓスイッチ素子と他端子に接続したコンデンサとから成り得る。また、上記ＧａＡｓスイッチ素子は単極単投型が用いられる。
【００１４】
また、本発明の第１の発明では、アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子とを備え、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成した第３半導体スイッチング回路が設けられ得る。この場合、第３半導体スイッチング回路は単極双投型のＧａＡｓスイッチ素子から成り得る。
【００１５】
本発明の第２の発明による、第１、第２送信回路とアンテナ端子との接続及び第１、第２受信回路とアンテナ端子との接続を切換えるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールは、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第１送信回路端子に接続された第１送信用伝送線路と、
一端がアンテナ端子に接続され、他端が第２送信回路端子に接続された第２送信用伝送線路と、
第１送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第１送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第１半導体スイッチング回路と、
第２送信回路端子と接地との間に接続され、一端子を第２送信用伝送線路に接続し、他端子を接地した第２半導体スイッチング回路と
を有し、
第１、第２半導体スイッチング回路の各々が送信信号を第１、第２送信回路端子のそれぞれから第１、第２送信用伝送線路のそれぞれを通ってアンテナ端子へ択一的に伝送させるＧａＡｓスイッチ素子と前記他端子に接続したコンデンサとから成り、
第１、第２送信用伝送線路、及び第１、第２半導体スイッチング回路のコンデンサが多層基板内に形成され、
また、第１、第２半導体スイッチング回路のＧａＡｓスイッチ素子が多層基板の表面に塔載されることを特徴としている。
【００１６】
本発明の第２の発明では、アンテナ端子に接続された第１端子と、第１受信回路端子に接続された第２端子と、第２受信回路端子に接続された第３端子とを備え、アンテナ端子からの受信信号を第１、第２受信回路端子のいずれかに択一的に伝送するように構成した第３半導体スイッチング回路が設けられ、該第３半導体スイッチング回路が多層基板の表面に塔載され得る。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１には、本発明の一実施の形態による第１（ＧＳＭ）、第２（ＤＣＳ）送信信号と第１（ＧＳＭ）、第２（ＤＣＳ）受信信号とを扱うデュアルバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成を示す。図１においてＡＮＴはアンテナ端子、Ｔｘ１はＧＳＭ用送信回路端子を成す第１送信回路端子、Ｔｘ２はＤＣＳ用送信回路端子を成す第２送信回路端子、Ｒｘ１はＧＳＭ用受信回路端子を成す第１受信回路端子、Ｒｘ２はＤＣＳ用受信回路端子を成す第２受信回路端子である。
【００１８】
アンテナ端子ＡＮＴと第１送信回路端子Ｔｘ１との間には第１送信用伝送線路１が設けられ、アンテナ端子ＡＮＴと第２送信回路端子Ｔｘ２との間には第２送信用伝送線路２が設けられている。これらの両伝送線路１、２はそれぞれ、受信信号の波長をλとしたときλ／４の長さをもつように構成されている。また第１送信用伝送線路１と第１送信回路端子Ｔｘ１との間には第１低域通過フィルタ３が設けられ、第２送信用伝送線路２と第２送信回路端子Ｔｘ２との間には第２低域通過フィルタ４が設けられ、これらの第１、第２低域通過フィルタ３、４は送信回路に設けられるパワーアンプにより発生する高調波をカットするように作用する。また、後で説明するように、これらの第１、第２低域通過フィルタ３、４は、第１送信用伝送線路１と第２送信用伝送線路２とが、第３低域通過フィルタ及び第４低域通過フィルタで構成される場合には省略することができる。
【００１９】
また、図１において、５、６は第１、第２半導体スイッチング回路を構成している単極単投型（ＳＰＳＴ）のＧａＡｓスイッチ素子で、ＧａＡｓスイッチ素子５の一方の端子は第１低域通過フィルタ３を介して第１送信回路端子Ｔｘ１に接続され、他端子はコンデンサ７を介して接地されている。同様に、ＧａＡｓスイッチ素子６の一方の端子は第２低域通過フィルタ４を介して第２送信回路端子Ｔｘ２に接続され、他端子はコンデンサ８を介して接地されている。
【００２０】
さらに、図１の回路構成において、アンテナ端子ＡＮＴと第１受信回路端子Ｒｘ１及び第２受信回路端子Ｒｘ２との間には、単極双投型（ＳＰＤＴ）のＧａＡｓスイッチ素子から成る第３半導体スイッチング回路９が設けられ、第３半導体スイッチング回路９の第１端子９ａはアンテナ端子ＡＮＴに接続され、第２端子９ｂは第１受信回路端子Ｒｘ１に接続され、また第３端子９ｃは第２受信回路端子Ｒｘ２に接続されている。第３半導体スイッチング回路９は、アンテナ端子ＡＮＴからの受信信号を第１、第２受信回路端子Ｒｘ１、Ｒｘ２のいずれかに択一的に伝送するように構成されている。
【００２１】
このように構成した図１に示す高周波スイッチモジュールの回路の動作モードを下表１に示す。
【００２２】
【表１】
2004229207.tif 000003
【００２３】
すなわち、ＧＳＭの送信信号を、第１送信回路端子Ｔｘ１から第１送信用伝送線路１を介してアンテナ端子ＡＮＴへ伝送する場合には、第１ＧａＡｓスイッチ素子５はオフ状態にされ、第２ＧａＡｓスイッチ素子６はオン状態にされ、そして第３ＧａＡｓスイッチ素子９はオフ状態にされる。これにより、第１送信用伝送線路１のみが導通状態となり、第１送信回路端子Ｔｘ１からアンテナ端子ＡＮＴへＧＳＭの送信信号を送信することができる。
【００２４】
ＧＳＭの受信信号を、アンテナ端子ＡＮＴから第１受信回路端子Ｒｘ１へ伝送する場合には、第１、第２ＧａＡｓスイッチ素子５、６はオン状態にされ、第３ＧａＡｓスイッチ素子９の端子９ｂはオン状態にされる。これにより、第１、第２送信用伝送線路１、２は遮断状態となり、アンテナ端子ＡＮＴからのＧＳＭの受信信号を第１受信回路端子Ｒｘ１で受信することができる。
【００２５】
ＤＣＳの送信信号を、第２送信回路端子Ｔｘ２から第２送信用伝送線路２を介してアンテナ端子ＡＮＴへ伝送する場合には、第１ＧａＡｓスイッチ素子５はオン状態にされ、第２ＧａＡｓスイッチ素子６はオフ状態にされ、そして第３ＧａＡｓスイッチ素子９はオフ状態にされる。これにより、第２送信用伝送線路２のみが導通状態となり、第２送信回路端子Ｔｘ２からアンテナ端子ＡＮＴへＤＣＳの送信信号を送信することができる。
【００２６】
ＤＣＳの受信信号を、アンテナ端子ＡＮＴから第２受信回路端子Ｒｘ２へ伝送する場合には、第１、第２ＧａＡｓスイッチ素子５、６はオン状態にされ、第３ＧａＡｓスイッチ素子９の端子９ｃはオン状態にされる。これにより、第１、第２送信用伝送線路１、２は遮断状態となり、アンテナ端子ＡＮＴからのＤＣＳの送信信号を第２受信回路端子Ｒｘ２で受信することができる。
【００２７】
下表２には、図示実施の形態による高周波スイッチモジュールの挿入損失を従来の回路構成のものと比較して示す。
【００２８】
【表２】
2004229207.tif 000004
【００２９】
表２から挿入損失は従来の回路構成の場合に比べて向上していることがわかる。なお、各送信端子及び各受信端子における周波数を下記に例示す。
2004229207.tif 000005
【００３０】
図２には、本発明の別の実施の形態による、第１（ＧＳＭ）、第２（ＤＣＳ）送信信号と第１（ＧＳＭ）、第２（ＤＣＳ）受信信号とを扱うデュアルバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成を示す。図２において図１に示した実施形態と異なる点は、第１送信用伝送線路１と第２送信用伝送線路２とが、第３低域通過フィルタ１１と第４低域通過フィルタ１２とで構成され、第１低域通過フィルタと第２低域通過フィルタとが省略されている点である。
【００３１】
第３低域通過フィルタ１１と第４低域通過フィルタ１２は、それぞれπ型の低域通過フィルタで構成されている。第３低域通過フィルタ１１は、インダクタ素子１Ｌと該インダクタ素子１Ｌに並列に接続される１Ｃ１と片側が接地され片側が前記インダクタ素子１Ｌ１に接続されるコンデンサ１Ｃ２と１Ｃ３とで構成される。第４低域通過フィルタ１２も、同様に、インダクタ素子２Ｌと該インダクタ素子２Ｌに並列に接続される２Ｃ１と片側が接地され片側が前記インダクタ素子２Ｌ１に接続されるコンデンサ２Ｃ２と２Ｃ３とで構成される。
【００３２】
前記第３低域通過フィルタ１１のインダクタンス素子及びコンデンサは、ＧＳＭ及びＤＣＳの受信信号に対して高いインピーダンスとなるように適宜選択されている。また、前記第４低域通過フィルタ１２ののインダクタンス素子及びコンデンサは、ＧＳＭ及びＤＣＳの受信信号に対して高いインピーダンスとなるように適宜選択されている。
【００３３】
図３には、図２に示すような回路構成からなる高周波スイッチモジュールの積層体に形成した構造を概略分解斜視図で示す。図示した高周波スイッチモジュールは６層の誘電体基板２１、２２、２３、２４、２５、２６で構成される多層基板２７に形成されている。第１の誘電体基板２１の表面には接地電極Ｇ１が形成され、第２の誘電体基板２２の表面には、コンデンサ７の一方の電極７ａ、及びコンデンサ８の一方の電極８ａが形成されている。また、第３低域通過フィルタ１１を構成するコンデンサ１Ｃ１、１Ｃ２の一方の電極７ｂ、また、第４低域通過フィルタ１２を構成するコンデンサ２Ｃ１、２Ｃ２の一方の電極８ｂも形成されている。第３の誘電体基板２３の表面には、接地電極Ｇ２とコンデンサ１Ｃ２、１Ｃ３の一方の電極１１ａ、コンデンサ２Ｃ１、２Ｃ３の一方の電極１２ａが形成され、第４、第５の誘電体基板２４、２５の表面には、第３低域通過フィルタ１１を構成するインダクタ素子１Ｌ及び第４低域通過フィルタ１２を構成するインダクタ素子２Ｌが二層に分けて形成されている。
【００３４】
第６の誘電体基板２６の表面の中央部には、第１、第２、第３ＧａＡｓスイッチ素子５、６、９を塔載するためのパッドＰが形成され、そして第６の誘電体基板２６の表面の周囲部には、第１、第２ＧａＡｓスイッチ素子５、６とコンデンサ７、８の一方の電極７ａ、８ａとの接続端子７ｔ、８ｔ、第１、第２ＧａＡｓスイッチ素子５、６と第３、第４低域通過フィルタとの接続端子７ｇ、８ｇ、第３ＧａＡｓスイッチ素子の端子９ａとアンテナ端子ＡＮＴとの接続端子１３、第３ＧａＡｓスイッチ素子の端子９ｂと第１受信回路端子Ｒｘ１との接続端子１４、第３ＧａＡｓスイッチ素子の端子９ｃと第２受信回路端子Ｒｘ２との接続端子１５、第１、第２、第３ＧａＡｓスイッチ素子５、６、９の駆動電力供給端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３と接地端子を構成するパッドが形成されている。
【００３５】
誘電体基板２１、２２、２３の側面に形成された凹部には、第１、第２送信回路端子Ｔｘ１、Ｔｘ２、第１、第２受信回路端子Ｒｘ１、Ｒｘ２、アンテナ端子ＡＮＴが形成されている。
【００３６】
また、各基板に形成された回路素子は図３に点線で略示するようにビアホール（図示していない）により所定の基板間で接続されている。そして第１、第２、第３ＧａＡｓスイッチ素子５、６、９と第６の誘電体基板２６の表面上のそれぞれのパッドとの接続はワイヤーボンディングによって行われる。各基板は図３に示すように積層され、積層構造体となる。
【００３７】
第１送信用伝送線路と、第２送信用伝送線路とが、それぞれ低域通過フィルタで構成された場合を例示したが、λ／４線路で形成した場合であっても同様に多層基板に内層することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明してきたように本発明の第１の発明によるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールにおいては、伝送信号が半導体スイッチング回路を通過しないように構成しているので、伝送損失を低く抑えることができ、また歪みを低く抑えることができ、すなわち高調波の発生を抑えることができる。また分波器を使用してないので構成部品数を大幅に低減でき、製造コストを低減できる。
【００３９】
第１送信用伝送線路と第１送信回路端子との間に第１低域通過フィルタを設け、また第２送信用伝送線路と第２送信回路端子との間に第２低域通過フィルタを設けた場合には、高調波をカットできるので、高調波の発生を更に一層抑えることができる。
【００４０】
また、半導体スイッチング回路にＧａＡｓスイッチ素子を使用した場合には、従来のＰＩＮダーオードを使用したものでは消費電流が７〜８ｍＡであったものを０．１ｍＡ以下の消費電流に低減でき、長期間安定して作動させることができる。
【００４１】
本発明の第２の発明によるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールにおいては、従来構造のものに比べて使用する回路素子数を少なくできるので、実装面積を小さくでき、その結果従来構成では４．５ｍｍ×３．２ｍｍ程度であったものを３．２ｍｍ×２．５ｍｍと小型化することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成を示す概略ブロック図。
【図２】本発明の別の実施の形態によるデュアルバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成を示す概略ブロック図。
【図３】図２に示すデュアルバンド用高周波スイッチモジュールにおける積層構造体の構成を示す概略分解斜視図。
【図４】図３の積層構造体の概略斜視図。
【図５】従来のデュアルバンド用高周波スイッチモジュールの回路構成の一例を示すブロック図。
【符号の説明】
ＡＮＴ  ：アンテナ端子
Ｔｘ１  ：第１送信回路端子
Ｔｘ２  ：第２送信回路端子
Ｒｘ１  ：第１受信回路端子
Ｒｘ２  ：第２受信回路端子
１      ：第１送信用伝送線路
２      ：第２送信用伝送線路
３      ：第１低域通過フィルタ
４      ：第２低域通過フィルタ
５      ：第１ＧａＡｓスイッチ素子
６      ：第２ＧａＡｓスイッチ素子
７      ：コンデンサ
８      ：コンデンサ
９      ：第３ＧａＡｓスイッチ素子
１１    ：第３低域通過フィルタ
１２    ：第４低域通過フィルタ
【図１】
2004229207.tif 000006
【図２】
2004229207.tif 000007
【図３】
2004229207.tif 000008
【図４】
2004229207.tif 000009
【図５】
2004229207.tif 000010