(57)【要約】【課題】Ｐｔ下地層の膜厚を薄くし、ヘッドによるリードライト特性評価の分解能を上げ、高面記録密度あるいは高線記録密度の記録を可能にすること。【解決手段】基板１上に軟磁性層２とＰｔ下地膜４と記録層であるＣｏ／Ｐｔ多層積層体膜５とＣ保護膜６とを順に成膜し、軟磁性層２とＰｔ下地膜４との間にＭｇＯ層３を設けた二層垂直記録媒体である。Ｐｔ下地膜４の下にＭｇＯ層３を設けることによりＰｔ下地膜４が薄くとも高いＨｃが実現できる。ＭｇＯ層３はＰｔ下地膜４のシード層としての効果を奏する。【選択図】　　　　図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に軟磁性層とＰｔ下地膜と記録層（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜とＣ保護膜とを順に成膜し、前記軟磁性層と前記Ｐｔ下地膜との間にＭｇＯ層を設けた二層垂直記録媒体であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記軟磁性層のない基板上に、ＭｇＯ層とＰｔ下地膜と記録層（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜とＣ保護膜とを順に成膜した単層垂直記録媒体であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ＭｇＯ層の膜厚は、１〜２０ｎｍである前記二層垂直記録媒体又は前記単層垂直記録媒体であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記記録層として（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ多層積層膜のＰｔ膜の代わりに、Ｐｄ膜を用いた前記二層垂直記録媒体又は前記単層垂直記録媒体であることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記Ｐｔ下地膜の代わりに、Ｐｄ下地膜を用いた前記二層垂直記録媒体又は前記単層垂直記録媒体であることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記Ｐｔ下地膜の代わりにＰｄ下地膜を用い、さらに（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜のＰｔ膜の代わりにＰｄ膜を用いた二層垂直記録媒体又は単層垂直記録媒体であることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体に関し、より詳細には、固定ディスク装置に用いる二層垂直記録媒体又は単層垂直記録媒体である磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、固定ディスク装置の面記録密度は、向上を続けて約３５Ｇｂ／ｉｎ２の記録密度のものが製品化されている。しかしながら、面記録密度が高くなるにつれ、記録ビットの熱安定性が問題になりつつある。そのため、熱安定性を解決して記録密度を向上できる可能性がある垂直記録媒体の開発が行われている。
【０００３】
垂直記録媒体では、ＮｉＰめっきを施したＡｌあるいはガラス基板上にＴｉあるいはＴｉＣｒなどの下地層、その上にＣｏＣｒ系合金の記録層を積層し、さらに、その上にカーボン保護膜を成膜した単層媒体と、基板と下地層の間に軟磁性層を挿入した二層媒体の開発が行われている。ＣｏＣｒ系合金には、Ｔａ、Ｐｔ、Ｂなどの元素が添加されている。これら各層の成膜は、スパッタリングで行うのが主流となっている。
【０００４】
各層の膜厚は、軟磁性層は３００〜５００ｎｍ前後、下地層は１０〜５０ｎｍ前後、記録層膜厚は３０〜１００ｎｍ前後にするのが通常である。また、下地層、記録層の各層は通常多結晶薄膜であり、軟磁性層はＮｉＦｅ、ＦｅＳｉＡｌ、ＦｅＴａＣなどの多結晶とＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのアモルファスとの両方が用いられている。
【０００５】
ＣｏＣｒ系合金を記録層に用いた媒体は、ＣｏＣｒ系合金薄膜のＫｕ（磁気異方性エネルギー）が小さいことから、ヘッドで書き込んだビットの熱安定性が不足している。このため、（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　あるいは（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎ　多層積層膜を記録層に用いた垂直記録媒体が開発されている。ｎはＣｏ／Ｐｔ膜をＮ回積層したことを示す。
【０００６】
例えば、ｎ＝１０なら、Ｃｏ／Ｐｔ／Ｃｏ／Ｐｔ……Ｃｏ／Ｐｔと１０回積層し、Ｃｏ膜が１０層、Ｐｔ膜が１０層重なった膜であることを示す。この多層積層膜においては、Ｃｏ膜厚は０．１〜０．３ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．６〜１．０ｎｍ程度が用いられている。これらの膜厚により、高いＨｃ（保持力）と高いＳ（角型比）が得られる。
【０００７】
図４は、特開２００１−１０１６４５号公報に示された高密度情報記録媒体の一例を示す構成図で、基板４１上に軟磁性層４２とＭｇＯ層４３とＣｏＰｔ合金膜４４を順次設けた磁気記録媒体を示している。ＭｇＯ層４３を用い、ＣｏＰｔ合金は規則格子合金で、結晶構造はＬ１０型である。この合金はＣｏとＰｔ原子が規則正しく並んでいる。この下地としてＭｇＯを用いている。ＭｇＯによりＬ１０構造の（００１）配向が得られる。これに対して、本発明は、後述するように、Ｃｏ層とＰｔ層の積層膜で、結晶構造はＦＣＣである。また、Ｐｔ下地膜を用いている。
【０００８】
図５は、特開２００１−１５５３２９号公報に示された磁気記録媒体の一例を示す構成図で、基板５１上に軟磁性層５２と（Ｐｔ，Ａｕなど）＋ＭｇＯ層５３とＰｔ下地膜５４とＣｏ／Ｐｔ多層積層体膜５５を順次設けた磁気記録媒体を示している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
これらの多層積層膜においては、ＰｔあるいはＰｄの下地の上に（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　あるいは（Ｃｏ／Ｐｄ）ｎ　多層積層膜を成膜する必要がある。そして、ＰｔあるいはＰｄ下地膜の膜厚は、３ｋＯｅ以上の高いＨｃを得るには、１０ｎｍ以上の膜厚が必要である。
【００１０】
しかしながら、ヘッドによる書き込みと読み出しを行なう時、高い線記録密度を実現するにはヘッドと軟磁性層間の距離を小さくすることが必要である。このため、膜厚の小さなＰｔあるいはＰｄ下地にすることが必要である。また、ＰｔあるいはＰｄは価格の高い金属であり、記録媒体のコストを下げるために、ＰｔあるいはＰｄ下地の膜厚を薄くすることが必要である。
【００１１】
さらに、多層積層膜の配向性を良くすることも高記録密度を実現するために必要である。多層積層膜はＦＣＣ構造の結晶粒からできており、（１１１）配向である。この配向性を良くすることにより、記録ビットを高線記録密度でも明瞭に記録することができるようになる。
【００１２】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、Ｐｔ下地層の膜厚を薄くし、多層積層膜の配向性を向上させることによりヘッドによるリードライト特性評価において分解能を上げ、高面記録密度あるいは高線記録密度の記録が可能になるような磁気記録媒体を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板上に軟磁性層とＰｔ下地膜と記録層（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜とＣ保護膜とを順に成膜し、前記軟磁性層と前記Ｐｔ下地膜との間にＭｇＯ層を設けた二層垂直記録媒体であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記軟磁性層のない基板上に、ＭｇＯ層とＰｔ下地膜と記録層（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜とＣ保護膜とを順に成膜した単層垂直記録媒体であることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記ＭｇＯ層の膜厚は、１〜２０ｎｍである前記二層垂直記録媒体又は前記単層垂直記録媒体であることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１，２又は３に記載の発明において、前記記録層として（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜のＰｔ膜の代わりに、Ｐｄ膜を用いた前記二層垂直記録媒体又は前記単層垂直記録媒体であることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１，２又は３に記載の発明において、前記Ｐｔ下地膜の代わりに、Ｐｄ下地膜を用いた前記二層垂直記録媒体又は前記単層垂直記録媒体であることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１，２又は３に記載の発明において、前記Ｐｔ下地膜の代わりにＰｄ下地膜を用い、さらに（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜のＰｔ膜の代わりにＰｄ膜を用いた二層垂直記録媒体又は単層垂直記録媒体であることを特徴とする。
【００１９】
このような構成により、本発明は、Ｐｔ下地膜の下にＭｇＯシード層を入れることにより、薄い膜厚のＰｔ下地層においても高Ｈｃと高Ｓの磁気特性が得られる。さらに、多層積層膜の配向性も向上する。その結果、Ｐｔ下地層の膜厚を薄くすることが可能になり、ヘッドによるリードライト特性評価において分解能があがり、高面記録密度あるいは高線記録密度の記録が可能になる。さらに、高価なＰｔの膜厚を薄くできることから、Ｐｔ下地材料の使用量が低減でき、コストダウンができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す構成図で、図中符号１は基板で、この基板１上に軟磁性層２とＰｔ下地膜４と記録層であるＣｏ／Ｐｔ多層積層体膜５とＣ保護膜６とを順に成膜し、軟磁性層２とＰｔ下地膜４との間にＭｇＯ層３を設けた二層垂直記録媒体である。
【００２１】
本発明は、このように、Ｐｔ下地膜の下にＭｇＯ層を設けることによりＰｔ下地膜が薄くとも高いＨｃが実現できる。ＭｇＯ層はＰｔ下地膜のシード層としての効果を奏する。
【００２２】
図２は、ＭｇＯ層がある場合とない場合の垂直磁気記録媒体のＨｃとＰｔ膜厚の関係を示す図で、図３は、ＭｇＯ層がある場合とない場合の垂直磁気記録媒体のＳとＰｔ膜厚の関係を示す図である。
【００２３】
ガラス基板にＰｔ下地膜を成膜した後、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜はＣｏ／Ｐｔを１５回積層したことを示す。Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍでＰｔ膜厚は０．２６ｎｍである。また、ガラス基板にＭｇＯ層を成膜してからＰｔ下地膜（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を順に成膜した。ＭｇＯ層、Ｐｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜成膜はスパッタ法で成膜した。ＨｃはＰｔ下地膜の膜厚とともに増大するが、ＭｇＯ層があると薄いＰｔ下地膜厚でも大きいＨｃとなる。すなわち、ＭｇＯ層がないとＰｔ下地膜１０ｎｍ以上でＨｃが３ｋＯｅを超えるが、ＭｇＯ層があるとＰｔ下地膜５ｎｍからＨｃが３ｋＯｅを超える。
【００２４】
さらに、ＳもＭｇＯ層がないとＰｔ下地膜１０ｎｍ以上でほぼ１．０となるが、ＭｇＯ層があるとＰｔ下地２ｎｍの膜厚からＳがほぼ１．０となる。このように、ＭｇＯ層があるとＳもＰｔ膜厚が薄くとも大きい値をとる。Ｓは媒体の逆磁区ノイズを減らすために、大きな値となることが必要であり、１．０に近いことが好ましい。ＭｇＯの膜厚は１ｎｍ以上の膜厚で効果があるが、特に顕著な効果をもつのは２〜２０ｎｍである。図２と図３はＭｇＯ膜厚が３ｎｍの場合である。
【００２５】
ＭｇＯ層をシード層として用いると、Ｘ線回折のＰｔ下地膜（１１１）ピークと（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　（１１１）ピークの高さが大きく（２〜４倍）増大することがわかった。これは、ＭｇＯ層により、Ｐｔ下地膜の結晶性がまず、向上する。
次に、結晶性の向上したＰｔ下地膜により、（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　膜の結晶性も向上しているものと考えられる。
【００２６】
また、ＭｇＯ層があっても（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　膜の結晶粒径はほとんど増加していない。このため、ＭｇＯ層は、主に粒径を増加させるのではなく結晶性（配向性）を良くすることで高Ｈｃと高Ｓをもたらしている。
【００２７】
あらかじめガラス基板上に軟磁性層を成膜してから、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　膜を引き続き成膜し、二層垂直記録媒体の構成としても同じことが成り立つ。
【００２８】
また、Ｐｔ下地膜とＰｔ膜の代わりに少なくとも一方にＰｄを用いてもよい。
また、（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　膜の積層回数によらず、ＭｇＯ層の効果が得られる。また、（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　膜のＣｏ膜、Ｐｔ膜あるいはＰｄ膜の少なくとも一方の膜に酸素、ホウ素などを添加したものでも良い。
【００２９】
［実施例１及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は２ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは０．７ｋＯｅ、Ｓは０．４８であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは２．４ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３０】
［実施例２及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは１．９ｋＯｅ、Ｓは０．７２であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．５ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３１】
［実施例３及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は１２ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。この垂直記録媒体のＨｃは３．３ｋＯｅ、Ｓは０．９８であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは４．１ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３２】
［実施例４及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は２０ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。この垂直記録媒体のＨｃは４．０ｋＯｅ、Ｓは０．９８であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは４．７ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３３】
［実施例５及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは１．９ｋＯｅ、Ｓは０．７２であった。これに対して、ＭｇＯ層２ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．３ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３４】
［実施例６及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは１．９ｋＯｅ、Ｓは０．７２であった。これに対して、ＭｇＯ層５ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．６ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３５】
［実施例７及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。この垂直記録媒体のＨｃは１．９ｋＯｅ、Ｓは０．７２であった。これに対して、ＭｇＯ層１０ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．５ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３６】
［実施例８及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。この垂直記録媒体のＨｃは１．９ｋＯｅ、Ｓは０．７２であった。これに対して、ＭｇＯ層２０ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．２ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３７】
［実施例９及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にあらかじめＦｅＴａＣ軟磁性層を成膜してから、ガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）２０　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。この二層垂直記録媒体のＨｃは２．２ｋＯｅ、Ｓは０．６９であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．９ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３８】
［実施例１０及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にあらかじめＣｏＴａＺｒ軟磁性層を成膜してから、ガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）２０　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。この二層垂直記録媒体のＨｃは２．０ｋＯｅ、Ｓは０．７２であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．７ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００３９】
［実施例１１及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｄ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜を成膜した。Ｐｄ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは２．１ｋＯｅ、Ｓは０．７８であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは３．８ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００４０】
［実施例１２及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｄ）１５　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．２６ｎｍ、Ｐｄ膜厚は０．８０ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｄの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｄ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは２．３ｋＯｅ、Ｓは０．８０であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは４．２ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００４１】
［実施例１３及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｄ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｄ）１５　膜を成膜した。Ｐｄ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．２６ｎｍ、Ｐｄ膜厚は０．８０ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｄの積層回数は１５回である。スパッタガス圧は、Ｐｄ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｄ）１５　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは２．５ｋＯｅ、Ｓは０．８１であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは４．３ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００４２】
［実施例１４及び比較例］
スパッタ装置でガラス基板上にガラス基板加熱をしないでＰｔ下地膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）２０　膜を成膜した。Ｐｔ下地膜厚は６ｎｍ、Ｃｏ膜厚は０．４４ｎｍ、Ｐｔ膜厚は０．２６ｎｍである。Ｃｏ／Ｐｔの積層回数は２０回である。スパッタガス圧は、Ｐｔ下地膜と（Ｃｏ／Ｐｔ）２０　膜ともに５６ｍｔｏｒｒである。
この垂直記録媒体のＨｃは２．５ｋＯｅ、Ｓは０．８５であった。これに対して、ＭｇＯ層３ｎｍを入れたものは、Ｈｃは４．５ｋＯｅ、Ｓは０．９８である。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、Ｐｔ下地膜の下にＭｇＯシード層を入れることにより、薄い膜厚のＰｔ下地層においても高Ｈｃと高Ｓの磁気特性が得られる。その結果、Ｐｔ下地層の膜厚を薄くすることが可能になり、ヘッドによるリードライト特性評価において分解能があがり、高面記録密度あるいは高線記録密度の記録が可能になる。さらに、高価なＰｔの膜厚を薄くできることから、Ｐｔ下地材料の使用量が低減でき、コストダウンができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施例を示す構成図である。
【図２】ＭｇＯ層がある場合とない場合の垂直磁気記録媒体のＨｃとＰｔ膜厚の関係を示す図である。
【図３】ＭｇＯ層がある場合とない場合の垂直磁気記録媒体のＳとＰｔ膜厚の関係を示す図である。
【図４】従来の高密度情報記録媒体の一例を示す構成図である。
【図５】従来の磁気記録体の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
１　基板
２　軟磁性層
３　ＭｇＯ層
４　Ｐｔ下地膜
５　（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜
６　Ｃ保護膜
４１　基板
４２　軟磁性層
４３　ＭｇＯ層
４４　ＣｏＰｔ合金膜
５１　基板
５２　軟磁性層
５３　（Ｐｔ，Ａｕなど）＋ＭｇＯ層
５４　Ｐｔ下地膜
５５　（Ｃｏ／Ｐｔ）ｎ　多層積層膜
【図１】
2004030755.tif 000003
【図２】
2004030755.tif 000004
【図３】
2004030755.tif 000005
【図４】
2004030755.tif 000006
【図５】
2004030755.tif 000007