(57)【要約】【課題】保護膜を長期にわたり良好に機能させることができ、しかも記録媒体Ｍの搬送状態を安定させることが可能な高性能のサーマルヘッドを提供する。【解決手段】基板１の上面に、複数の発熱抵抗体３を配列するとともに、該発熱抵抗体３に接続される電極パターン４を被着し、発熱抵抗体３及び電極パターン４を保護膜６で被覆してなるサーマルヘッドにおいて、前記保護膜６上にグランド電位に常時もしくは一時的に保持される導電膜７を被着させるとともに、前記発熱抵抗体３の配列の直上に位置する導電膜７に溝７ａを設け、該溝７ａより保護膜表面を露出させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に、複数の発熱抵抗体を配列するとともに、該発熱抵抗体に接続される電極パターンを被着し、発熱抵抗体及び電極パターンを保護膜で被覆してなるサーマルヘッドにおいて、
前記保護膜の上面に、グランド電位に常時もしくは一時的に保持される導電膜を被着させるとともに、該導電膜のうち、少なくとも発熱抵抗体の配列の直上領域に溝を設け、該溝より保護膜表面を露出させたことを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
前記溝より露出する保護膜表面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０３μｍ以下に設定されていることを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項３】
前記溝内の保護膜及び溝近傍の導電膜が、発熱抵抗体上に配置されるプラテンローラに対して記録媒体を介して接していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサーマルヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のサーマルヘッドと、該サーマルヘッド上に記録媒体を搬送するプラテンローラとを備えたサーマルプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ファクシミリやビデオプリンタ等の印画デバイスとして用いられるサーマルヘッド及びそれを用いたサーマルプリンタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ファクシミリやビデオプリンタ等の印画デバイスとしてサーマルヘッドが用いられている。
【０００３】
かかる従来のサーマルヘッドは、例えば図７に示す如く、アルミナセラミックスからなる基板２１の上面に複数の発熱抵抗体２３及び該発熱抵抗体２３に接続される電極パターン２４を被着するとともに、発熱抵抗体２３及び電極パターン１３を保護膜２６で被覆した構造のものが知られており、感熱紙やインクフィルム等の記録媒体Ｍを、発熱抵抗体２３の真上に配置されるプラテンローラを用いてサーマルヘッドに対して押圧しつつ発熱抵抗体２３上に搬送しながら、多数の発熱抵抗体２３を外部からの画像データに基づいて個々に選択的にジュール発熱させるとともに、記録媒体Ｍを発熱抵抗体２３上の保護膜表面に摺接させ、発熱抵抗体２３の発した熱を、保護膜２６を介して記録媒体Ｍに伝導させることによって印画を形成するようになっている。
【０００４】
なお、前記保護膜２６は、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）やサイアロン（Ｓｉ-Ａｌ-Ｏ-Ｎ）等の耐磨耗性に優れた無機質材料から成り、発熱抵抗体２３や電極パターン２４を記録媒体Ｍの摺接による磨耗や大気中に含まれている水分等の接触による腐食から保護する作用を為す。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１７７１５８号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来のサーマルヘッドにおいて、発熱抵抗体上に記録媒体Ｍが保護膜表面に繰り返し摺接されると、記録媒体Ｍの表面に付着した静電気の一部が保護膜２６上に蓄積され、保護膜２６と発熱抵抗体２３との間で放電を起こして保護膜２６が絶縁破壊してしまう。その結果、保護膜２６としての機能が喪失されてしまう課題を有していた。
【０００７】
そこで上記課題を解決すべく、保護膜２６上にＴａＳｉＯやＴａＳｉＮＯ等の電気抵抗材料から成る導電膜を被着させ、該導電膜をグランド電位に保持することにより、記録媒体表面に付着した静電気を導電膜を介してグランドに逃がすことが提案されている。
【０００８】
しかしながら、このような導電膜に対して記録媒体Ｍは表面が比較的粗いことから、プラテンローラからの押圧力が最も伝わり易い発熱抵抗体の直上及びその近傍において記録媒体Ｍと導電膜との摩擦力が特に大となり、それ故、かかる摩擦力によって記録媒体Ｍの一部が削れて多量の紙カスが発生し、かかる紙カスに記録媒体Ｍが引っ掛かって搬送状態が不安定となる新たな課題を誘発する。
【０００９】
本発明は、上記２つの課題を同時に解決するために案出されたものであり、その目的は保護膜を長期にわたり良好に機能させることができ、しかも記録媒体Ｍの搬送状態を安定させることが可能な高性能のサーマルヘッド並びにサーマルプリンタを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のサーマルヘッドは、基板の上面に、複数の発熱抵抗体を配列するとともに、該発熱抵抗体に接続される電極パターンを被着し、発熱抵抗体及び電極パターンを保護膜で被覆してなるサーマルヘッドにおいて、前記保護膜上にグランド電位に常時もしくは一時的に保持される導電膜を被着させるとともに、前記発熱抵抗体の配列の直上に位置する導電膜に溝を設け、該溝より保護膜表面を露出させたことを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明のサーマルヘッドは、前記溝より露出する保護膜表面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０３μｍ以下に設定されていることを特徴とするものである。
【００１２】
更に本発明のサーマルヘッドは、前記溝内の保護膜及び溝近傍の導電膜が、発熱抵抗体上に配置されるプラテンローラに対して記録媒体を介して接していることを特徴とするものである。
【００１３】
そして本発明のサーマルプリンタは、上述したサーマルヘッドと、該サーマルヘッド上に記録媒体を搬送するプラテンローラとを備えたことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明のサーマルヘッドによれば、発熱抵抗体を被覆する保護膜上にグランド電位に常時もしくは一時的に保持される導電膜を被着させるとともに、前記発熱抵抗体の配列の直上に位置する導電膜に溝を設け、該溝より保護膜表面を露出させたことから、記録動作時、記録媒体の表面に付着した静電気を、記録媒体が摺接される導電膜を介してグランドに逃がすことができる上に、プラテンローラからのサーマルヘッドに対する押圧力が最も大きくなり易い発熱抵抗体の直上領域で、比較的表面粗さが小さい保護膜表面に記録媒体を直に摺接させ、記録媒体とサーマルヘッドとの摩擦力を効果的に低減させることができる。従って、保護膜の絶縁破壊を有効に防止して保護膜を長期にわたり機能させることができる上、記録媒体の摺接による紙カスの発生を有効に防止して記録媒体を安定的に搬送させることが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドの平面図、図２は図１のサーマルヘッドのＸ−Ｘ線断面図、図３は図２の要部拡大断面図であり、同図に示すサーマルヘッドは、大略的に、基板１の上面に、発熱抵抗体３や電極パターン４、保護膜６、導電膜７、電極配線８を設けた構造を有している。
【００１６】
前記基板１は、アルミナセラミックス等の絶縁材料や、表面に酸化珪素膜あるいは窒化珪素膜が設けられた単結晶シリコン等の半導体材料により矩形状を成すように形成されており、その上面には、複数の発熱抵抗体３や電極パターン４、保護膜６、導電膜７、電極配線８等が設けられ、これらを支持する支持母材として機能する。
【００１７】
このような基板１は、アルミナセラミックスからなる場合、例えば、アルミナ・シリカ・マグネシア等のセラミックス原料粉末に適当な有機溶媒・有機溶剤を添加・混合して泥漿状に成すとともに、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等を採用することによりセラミックグリーンシートを得、しかる後、該セラミックグリーンシートを矩形状に打ち抜いた上、高温（約１６００℃）で焼成することによって製作される。
【００１８】
また前記基板１の上面には、ガラス製の部分グレーズ層２が基板１の長手方向に帯状に被着され、その頂部付近には多数の複数の発熱抵抗体３が設けられる。
【００１９】
前記部分グレーズ層２は、例えば曲率半径１ｍm〜４ｍmの断面円弧状をなすように形成されており、その頂部の厚みは２０μm〜１６０μmに設定される。
【００２０】
この部分グレーズ層２は、低熱伝導性（熱伝導率：０．７Ｗ／ｍ・Ｋ〜１．０Ｗ／ｍ・Ｋ）のガラスにより形成されているため、その内部で発熱抵抗体３の発する熱の一部を蓄積してサーマルヘッドの熱応答特性を良好に維持する作用、具体的には、発熱抵抗体３の温度を短時間で印画に必要な所定の温度まで上昇させる蓄熱層としての作用を為す。
【００２１】
前記複数の発熱抵抗体３は、例えば６００ｄｐｉ(dot per inch)の密度で主走査方向に直線状に配列されており、各々がＴａＳｉＯ系、ＴｉＳｉＯ系、ＴｉＣＳｉＯ系等の電気抵抗材料から成っており、個々の発熱抵抗体３は主走査方向の幅が３５μｍ、副走査方向の幅が７０μｍに形成されている。
【００２２】
かかる複数の発熱抵抗体３は、その両端に接続される電極パターン４を介して外部からの電力が供給されるとジュール発熱を起こし、感熱紙に印画を形成するのに必要な温度、例えば１５０℃〜４００℃の温度に発熱する。
【００２３】
また、前記各発熱抵抗体３の両端に接続される電極パターン４は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属材料から成り、発熱抵抗体３の一端側に共通に接続される共通電極パターン４ａと、発熱抵抗体３の他端側に個別に接続される個別電極パターン４ｂとで構成されており、共通電極パターン４ａが所定の電位（例えば２４Ｖ）に保持された電源端子（Ｖｈ１）に、個別電極パターン４ｂがドライバーＩＣ５のスイッチング素子等を介してグランド電位（例えば０Ｖ）に保持した第１グランド端子（ＧＮＤ１）にそれぞれ接続され、ドライバーＩＣ５のスイッチング素子のオン・オフを切り換えることにより発熱抵抗体３への通電が制御される。
【００２４】
前記ドライバーＩＣ５は、各々の回路形成面（下面）に、シフトレジスタやラッチ回路，スイッチング素子，端子等の電子回路が高密度に集積されており、スイッチング素子のオン・オフの切り換えによって複数の発熱抵抗体３を選択的に発熱させる作用を為す。
【００２５】
かかるドライバーＩＣ５としては、例えば、電子回路や端子を下面に有したフリップチップ型ＩＣが用いられ、従来周知のフェースダウンボンディング、即ち、ドライバーＩＣ５の端子を対応する電極パターン４上の端子に半田接合させることによってドライバーＩＣ５が電極パターン４に電気的に接続される。
【００２６】
尚、前記複数の発熱抵抗体３及び一対の電極パターン４は、従来周知の薄膜形成技術、具体的には、スパッタリング、フォトリソグラフィー技術、エッチング技術等を採用することにより所定パターンを成すように基板１の上面に被着・形成される。
【００２７】
また前記ドライバーＩＣ５は、例えば、従来周知のチョコラルスキー法（引き上げ法）を採用することにより、単結晶シリコンからなるインゴット（塊）を形成するとともに、これをダイヤモンドカッター等を用いて板状にスライスし、しかる後、該板体の一主面に従来周知の半導体製造技術を採用することにより、シフトレジスタやラッチ回路等の電子回路を高密度に集積させることによって製作される。
【００２８】
一方、前記発熱抵抗体３及び電極パターン４上には保護膜６が被着されており、該保護膜６によって発熱抵抗体３や一対の電極パターン４が共通に被覆されている。
【００２９】
前記保護膜６は、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）や酸化珪素（ＳｉＯ2）、サイアロン（Ｓｉ-Ａｌ-Ｏ-Ｎ）等の耐磨耗性に優れた無機質材料から成り、発熱抵抗体３や電極パターン４、後述する電極配線８等を記録媒体Ｍの摺接による磨耗や大気中に含まれている水分等の接触による腐食から保護する作用を為す。
【００３０】
尚、上述した保護膜６は、従来周知の薄膜形成技術、例えばＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition）法やスパッタリング等を採用し、窒化珪素（Ｓｉ3Ｎ4）や酸化珪素（ＳｉＯ2）、サイアロン（Ｓｉ-Ａｌ-Ｏ-Ｎ）等の無機質材料を発熱抵抗体３や電極パターン４、後述する電極配線８等の上面に５μｍ〜１０μｍの厚みに被着させることにより形成される。具体的には、スパッタリングを採用して窒化珪素（Ｓｉ3N4）から成る保護膜６を形成する場合、スパッタリング装置のチャンバー内に、窒化珪素（Ｓｉ3N4）の焼結体から成るターゲット材と、発熱抵抗体３や電極パターン等を被着させた基板１をそれぞれ配置させ、チャンバー内にアルゴンガスを導入しながらターゲット材と基板１との間に所定の電力を印加し、前記ターゲット材を基板１の所定領域にスパッタリングすることにより形成される。このとき、チャンバー内の圧力は０．４Ｐａ〜０．６Ｐａに、基板温度は１５０℃〜２００℃に設定され、これによって保護膜６の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０３μｍ以下に設定される。
【００３１】
そして、前記保護膜６上には、発熱抵抗体３の配列領域にわたって導電膜７が被着されている。
【００３２】
前記導電膜７は、ＴａＳｉＯやＴａＳｉＮＯ等のＳｉ，Ｃ，Ｔａ系の電気抵抗材料等（比抵抗５×１０-4Ω・ｃｍ〜２×１０4Ω・ｃｍ）により主走査方向にわたり帯状に形成されており、また発熱抵抗体３の配列の直上領域には溝７ａが形成され、該溝７ａより保護膜６の表面が露出している。
【００３３】
このような導電膜７は、その一端が電極配線８を介してグランド電位（例えば０Ｖ）に保持される第２グランド端子（ＧＮＤ２）に接続されており、これによって導電膜７はグランド電位に常時保持された状態となっている。
【００３４】
このため、記録動作時、プラテンローラ等を用いて発熱抵抗体３上に搬送される記録媒体Ｍに多量の静電気が蓄積していたとしても、記録媒体Ｍの一部が導電膜７に接触する際に、記録媒体Ｍの表面に付着した静電気が導電膜７を介してグランドに逃がされることとなる。従って、保護膜６に多量の静電気が蓄積することはほとんどなく、保護膜６の絶縁破壊を有効に防止して保護膜６を長期にわたり良好に機能させることができる。
【００３５】
しかも、前記導電膜７には、上述した如く、発熱抵抗体３の配列の直上領域に溝７が形成されており、該溝７より保護膜表面が露出していることから、プラテンローラからのサーマルヘッドに対する押圧力が最も大きくなり易い発熱抵抗体３の直上領域で、比較的表面粗さが小さい保護膜表面（表面粗さ：算術平均粗さＲａで０．０３μｍ以下）に記録媒体Ｍを直に摺接させ、記録媒体Ｍとサーマルヘッドとの摩擦力を効果的に低減させることができる。従って、記録媒体Ｍの摺接による紙カスの発生を有効に防止して記録媒体Ｍを安定的に搬送させることが可能となる。
【００３６】
ここで、溝７ａより露出する保護膜の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０３μｍよりも大きいと、プラテンローラのサーマルヘッドに対する押圧力が特に強い場合、記録媒体Ｍにスティッキングが生ずる場合がある。また保護膜の表面粗さは算術平均粗さＲａで０．００５μｍよりも小さくすることは困難であることから、保護膜の表面粗さは算術平均粗さＲａで０．００５μｍ〜０．０３μｍの範囲に設定しておくことが好ましい。
【００３７】
また、前記溝７ａの副走査方向の幅は、発熱抵抗体３の副走査方向の幅に対して３倍〜６倍に設定することが好ましく、前記溝７ａの副走査方向の幅が発熱抵抗体３の副走査方向の幅に対して３倍よりも小さいと、保護膜６が露出する面積が狭いため、プラテンローラのサーマルヘッドに対する押圧力が特に強い場合、記録媒体Ｍとサーマルヘッドとの摩擦力の低減効果が小さくなる傾向にあり、一方、前記溝７ａの副走査方向の幅が発熱抵抗体３の副走査方向の幅に対して６倍よりも大きいと、記録動作時、記録媒体と導電膜７とが接触しにくくなり、記録媒体の静電気を導電膜を介して逃がしにくくなることがある。従って、前記溝７ａの副走査方向の幅を、発熱抵抗体３の副走査方向の幅に対して３倍〜６倍に設定することが好ましい。
【００３８】
また本実施形態において、図４、図５に示す如く、前記溝７’ａの内側面を外側に傾斜させて溝７’ａの開口面積を記録媒体Ｍ側に近づくにつれて漸次大きくなるようにしておけば、記録媒体Ｍが保護膜表面に接触しやすくなり、記録媒体Ｍとサーマルヘッドとの摩擦力低減効果を更に高めることができる上に、溝７’ａと導電膜７’の表面とで形成される角部で記録媒体Ｍが傷つくことが有効に防止されるという利点がある。
【００３９】
しかもこの場合、溝７’ａの内側面と保護膜表面とが段差の少ない連続的な面となるため、記録媒体の摩擦による応力が溝７’ａの内側面と保護膜表面との境界部に集中することが有効に防止され、溝７’ａを起点とした導電膜７の剥離の発生をほとんど無くすことができる。
【００４０】
尚、前記溝７’ａの内側面は、垂直方向（基板１の上面と直交する方向）に対して６０°〜８５°傾斜させることが好ましく、前記溝７’ａの内側面の傾斜角度が上記範囲よりも小さいと、プラテンローラのサーマルヘッドに対する押圧力が特に強い場合に、溝７’ａと導電膜７’の表面とで形成される角部で記録媒体Ｍが傷つくことがあり、また前記溝７’ａの内側面の傾斜角度が上記範囲よりも大きいと、溝７’ａの加工が困難となる。
【００４１】
上述した導電膜７は、前記保護膜６と同様に、従来周知の薄膜形成技術、例えばＣＶＤ法やスパッタリング等を採用し、ＴａＳｉＯやＴａＳｉＮＯ等の電気抵抗材料を保護膜６の上面の所定領域に０．０２μｍ〜０．２μｍの厚みに被着させることにより形成され、しかる後、従来周知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を採用することにより導電膜７の所定領域に溝７ａが形成される。このように形成された導電膜７の表面粗さは算術平均粗さＲａで０．０５μｍ〜０．０８μｍとなる。尚、前記溝７ａの形成は、エッチング技術の他、ラッピングフィルムを導電膜の表面に対して発熱抵抗体の直上領域にわたって研磨することによっても行われる。
【００４２】
一方、前記導電膜７の一端に電極配線８は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属材料により所定パターンに形成されており、導電膜７を第２グランド端子（ＧＮＤ２）に接続して導電膜７をグランド電位に保持する作用を為す。かかる電極配線８は、上述した電極パターン４と同様の方法により同時に形成される。
【００４３】
そして、上述のようなサーマルヘッドが組み込まれるサーマルプリンタは、図６に示す如く、プラテンローラ９と、搬送ローラ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄとを含んで構成されている。
【００４４】
前記プラテンローラ９は、ＳＵＳ等の金属から成る軸芯の外周にブタジエンゴム等を３ｍｍ〜１５ｍｍ程度の厚みに巻きつけた円柱状の部材であり、サーマルヘッドＴの発熱抵抗体３上に回転可能に支持され、記録媒体Ｍを発熱抵抗体３上の保護膜表面に押圧しつつ記録媒体Ｍを副走査方向（図中の矢印方向）に搬送する。
【００４５】
かかるプラテンローラ９は、その表面が前記溝７ａ内の保護膜表面及びその近傍の導電膜表面に対して記録媒体を介して接した状態にあり、これによって記録動作時、記録媒体が保護膜表面及び導電膜に対して同時に接触されることとなり、記録媒体に付着した静電気の除去と記録媒体の紙カスの発生防止とを同時に行うことができる。
【００４６】
また前記搬送ローラ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄは、その外周部が金属やゴム等によって形成されており、サーマルヘッドＴに対し記録媒体Ｍの搬送方向上流側（ドライバーＩＣ５側）と下流側（発熱抵抗体３側）に分かれて配設され、これらの搬送ローラ１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄと前述のプラテンローラ９とで記録媒体Ｍの走行を支持している。
【００４７】
そして、これと同時に多数の発熱抵抗体３をドライバーＩＣ５の駆動に伴い選択的にジュール発熱させ、これらの熱を保護膜６や導電膜７を介し記録媒体Ｍに伝導させることによって所定の印画が形成される。
【００４８】
尚、本発明は上述の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更・改良が可能である。
【００４９】
例えば、上述の実施形態においては、前記導電膜７を常時、グランド電位に保持するようにしたが、これに代えて、前記導電膜７を一時的にグランド電位に保持するようにしても良い。
【００５０】
また上述の実施形態において、前記導電膜７を発熱抵抗体３と同一材料により形成するようにしても良し、多層構造体にしても良く、後者の場合、最下層の比抵抗を１×１０7Ω・ｃｍ以上に成しておけば、導電膜の下地となる保護膜にピンホール等が多く発生していたとしても、導電膜と電極との間で電気的短絡を極めて良好に防止できる。
【００５１】
更に上述の実施形態において、前記保護膜６を２層以上の多層構造にしてもよいことは言うまでもない。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のサーマルヘッドによれば、発熱抵抗体を被覆する保護膜上にグランド電位に常時もしくは一時的に保持される導電膜を被着させるとともに、前記発熱抵抗体の配列の直上に位置する導電膜に溝を設け、該溝より保護膜表面を露出させたことから、記録動作時、記録媒体の表面に付着した静電気を、記録媒体が摺接される導電膜を介してグランドに逃がすことができる上に、プラテンローラからのサーマルヘッドに対する押圧力が最も大きくなり易い発熱抵抗体の直上領域で、比較的表面粗さが小さい保護膜表面に記録媒体を直に摺接させ、記録媒体とサーマルヘッドとの摩擦力を効果的に低減させることができる。従って、保護膜の絶縁破壊を有効に防止して保護膜を長期にわたり機能させることができる上、記録媒体の摺接による紙カスの発生を有効に防止して記録媒体を安定的に搬送させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るサーマルヘッドの平面図である。
【図２】図１のサーマルヘッドのＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】図２の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係るサーマルヘッドの断面図である。
【図５】図４の要部拡大断面図である。
【図６】図１のサーマルヘッドを用いて構成されたサーマルプリンタの概略図である。
【図７】従来のサーマルヘッドの断面図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２・・・部分グレーズ層
３・・・発熱抵抗体
４・・・電極パターン
４ａ・・・共通電極パターン
４ｂ・・・個別電極パターン
５・・・ドライバーＩＣ
６・・・保護膜
７，７’・・・導電膜
７ａ，７’ａ・・・溝
８・・・電極配線
９・・・プラテンローラ
１０ａ,１０ｂ,１０ｃ,１０ｄ・・・搬送ローラ
ＧＮＤ１・・・第１グランド端子
ＧＮＤ２・・・第２グランド端子
Ｖｈ１・・・電源端子
Ｖｈ２・・・第２電源端子
Ｔ・・・サーマルヘッド
ＳＷ・・・スイッチング手段
Ｍ・・・記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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