(57)【要約】【課題】簡単、且つ低コストで良好な画像を表示する画像形成装置の製造方法。【解決手段】本発明はアルカリ金属を含有する電子源基板又は電子源基板を有するリヤプレートとフェースプレートを支持枠を介して構成する外囲器の製造方法であって、支持枠を電子源基板に接着した後に支持枠付き電子源基板の洗浄工程を有する事を特徴とした画像形成装置の製造方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属を含有する電子源基板又は電子源基板を有するリヤプレートとフェースプレートを支持枠を介して構成する外囲器の製造方法であって、該電子源基板の全面に帯電防止膜を形成し、支持枠を該電子源基板に接着した後に該電子源基板の洗浄工程を有する事を特徴とした電子源基板の製造方法。
【請求項２】
上記電子源基板の洗浄工程が超音波洗浄、シャワー洗浄、流水洗浄、温水洗浄、煮沸洗浄の中から選ばれる少なくとも一以上の洗浄工程を含む事を特徴とする請求項１記載の電子源基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁性の基体上に、対向する一対の素子電極を形成する工程と、前記一対の素子電極にそれぞれ接続する導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜の一部の構造を変化させて電子放出部を形成する工程と、行および列方向にマトリクス状配線と各配線同士を電気的に隔てる層間絶縁層を形成する工程を有する電子放出素子の製造方法において、前記電子放出素子を請求項１、２記載の製造方法によって作製する事を特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の製造方法により作製された電子放出素子。
【請求項５】
請求項３記載の製造方法により作製された表面伝導型電子放出素子。
【請求項６】
請求項４、５記載の電子放出素子を複数個同一基板上に配置した電子源。
【請求項７】
請求項６記載の電子源と、該電子源から放出された電子により画像が形成される画像形成部材が形成された基板とを支持枠を介して対向配置して外囲器を構成し、該外囲器内を排気してなる外囲器を有する事を特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面伝導型電子放出素子が多数配置された電子源基板を備えた画像形成装置の製造方法、並びにこの製造方法によって製造された画像形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、平面型画像形成装置としては、単純マトリクス液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ／ＬＣＤ）、プラズマディスプレー（ＰＤＰ）、低速電子蛍光表示管（ＶＦＤ）、マルチ電子源フラットＣＲＴ等がある。
【０００３】
これらの平面型画像形成装置の例として、マルチ電子源によって蛍光体を発光させる発光素子及び、この素子を備えた画像形成装置がある。この画像形成装置においては、電子放出素子を用いて蛍光体を発光させる方法がとられている。この方法に用いられる電子放出素子としては、表面伝導型電子放出素子が一般的に知られている。
【０００４】
従来、表面伝導型電子放出素子としては、大別して熱電子放出素子と冷陰極電子放出素子を用いた２種類のものが知られている。
【０００５】
冷陰極電子放出素子には電界放出型（以下、「ＦＥ型」という。）、金属／絶縁層／金属型（以下、「ＭＩＭ型」という。）や表面伝導型電子放出素子等がある。
【０００６】
ＦＥ型の例としてはＷ．Ｐ．Ｄｙｋｅ＆Ｗ．Ｗ．Ｄｏｌａｎ、”Ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ”、Ａｄｖａｎｃｅ  ｉｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、８、８９（１９５６）、あるいは、Ｃ．Ａ．Ｓｐｉｎｄｔ、”Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｃａｔｈｏｄｅｓ  ｗｉｔｈ  ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ  ｃｏｎｅｓ”、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、４７、５２４８（１９７６）等に開示されたものが知られている。
【０００７】
ＭＩＭ型の例としてはＣ．Ａ．Ｍｅａｄ、”Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｕｎｎｅｌ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ”、Ｊ．Ａｐｐｌｙ．Ｐｈｙｓ．、３２、６４６（１９６１）等に開示されたものが知られている。
【０００８】
表面伝導型電子放出素子型の例としては、Ｍ．Ｉ．Ｅｌｉｎｓｏｎ、Ｒａｄｉｏ  Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｈｙｓ．、１０、１２９０、（１９６５）等に開示されたものがある。
【０００９】
表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用するものである。
【００１０】
この表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン等によるＳｎＯ２薄膜を用いたもの、Ａｕ薄膜によるもの［Ｇ．Ｄｉｔｔｍｅｒ：”Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ”、９、３１７（１９７２）］、Ｉｎ２Ｏ３／ＳｎＯ２薄膜によるもの［Ｍ．Ｈａｒｔｗｅｌｌ  ａｎｄ  Ｃ．Ｇ．Ｆｏｎｓｔａｄ：”ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  ＥＤ  Ｃｏｎｆ．”、５１９（１９７５）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他：真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３）］等が報告されている。
【００１１】
これらの表面伝導型電子放出素子の典型的な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構成を図８に模式的に示す。
【００１２】
同図において１は基板であり、また、３は導電性薄膜で、Ｈ型形状のパターンに、スパッタで形成された金属酸化物薄膜等からなり、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部２が形成される。
【００１３】
尚、図中の素子電極間隔Ｌは０．５〜１ｍｍ、幅Ｗ’は０．１ｍｍで設定されている。
【００１４】
従来、これらの表面伝導型電子放出素子においては、電子放出を行う前に導電性薄膜３を予め通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部２を形成するのが一般的であった。
【００１５】
即ち、通電フォーミングとは、導電性薄膜３の両端に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした昇電圧、例えば１Ｖ／分程度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部２を形成することである。
【００１６】
尚、電子放出部２は導電性薄膜３の一部に亀裂が発生し、その亀裂付近から電子放出が行われる。
【００１７】
このように通電フォーミング処理をした表面伝導型電子放出素子は、導電性薄膜３に電圧を印加して、素子に電流を流すことにより、電子放出部２より電子を放出せしめるものである。
【００１８】
上述の表面伝導型放出素子は、構造が単純で製造も容易であることから、大面積にわたり多数素子を配列形成できる利点がある。
【００１９】
そこで、この特徴を生かせるようないろいろな応用が研究されており、例えば、荷電ビーム源、表示装置等への応用があげられる。
【００２０】
多数の表面伝導型放出素子を配列形成した例としては、後述する様に、並列に表面伝導型電子放出素子を配列し、個々の素子の両端を配線（共通配線とも呼ぶ）で、それぞれ結線した行を多数行配列した電子源があげられる（例えば、特開昭６４−０３１３３２号公報、特開平１−２８３７４９号公報、特開平２−２５７５５２号公報等に開示されている）。
【００２１】
また，特に表示装置等の画像形成装置においては、近年、液晶を用いた平板表示装置が、ＣＲＴに替わって普及してきたが、自発光型でないためバックライトを持たなければならない等の問題点があり、自発光型の表示装置の開発が望まれてきた。
【００２２】
自発光型表示装置としては、表面伝導型放出素子を多数配置した電子源と、電子源より放出された電子によって可視光を発光せしめる蛍光体とを組み合わせた表示装置である画像形成装置があげられる（例えば、ＵＳＰ５０６６８８３）。
【００２３】
薄型画像形成装置においては、上述した電子放出素子は、蛍光体に加速された電子線を入射させて輝度を得る。
【００２４】
これらの電子放出素子は真空中で取り扱われるが、真空中における電子放出特性の不安定性の一要因として、電子放出部近傍に絶縁性基板表面が露出していると、その表面の電位が不安定となり、電子放出が不安定となることを、本出願人は確認している（特開平２−０７２５３４号公報参照）。
【００２５】
これら、真空中での電子放出特性の不安定性、素子の放電劣化を防止するためには、絶縁性の表面が露出しないように適当な導電体の被膜（帯電防止膜）で被覆することが効果的である。
【００２６】
また、特に表面伝導型の電子放出素子を画像形成装置として構成した場合の製造方法では、基板上に多数形成された電子源基板を形成する。この電子源基板は蛍光体を有するフェースプレートと支持枠を介して組み合わされ、真空外囲器内に設置されて画像形成装置を構成する。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来技術の場合には、下記のような問題が生じていた。
【００２８】
特に画像形成装置として構成した場合の表面伝導型の電子放出素子が多数形成されたマトリクス型の電子源基板の製造方法において、マトリクス型配線、導電性薄膜と順次形成の後、真空中での電子放出特性の不安定性、素子の放電劣化を防止するために帯電防止膜を形成する。次いで、電子源基板を蛍光体を有するフェースプレートと組み合わせるための支持枠を電子源基板に形成（以下接着と称する）する。
【００２９】
これら、帯電防止膜形成工程と支持枠形成工程は画像形成装置の製造工程の中で、最も高い温度による焼成工程（仮焼成や本焼成）を含んでいる。
【００３０】
具体的には、帯電防止膜形成工程では帯電防止膜材料をスプレー塗布形成後にクリーンオーブンによる３８０℃  ２０分の大気中における焼成工程。
【００３１】
支持枠形成工程では、電子源基板上に支持枠を接着の後、焼成炉による３６０℃で１０分の仮焼成工程、更にホットプレートにより上下を挟み込んで殆ど大気密閉した状態で４００℃  １０分の本焼成工程が行われる。
【００３２】
このため、それぞれの焼成工程時において、アルカリガラス、例えばソーダライムガラス等のアルカリ含有珪酸塩ガラスからなる基板からアルカリイオン、特にナトリウムが基板の表面上に拡散移動する。これらの現象は基板表面に形成した導電性薄膜の表面上で顕著にナトリウムの析出が起り、数ミクロンから数十ミクロンの大きさで導電性薄膜の表面上、特に膜厚が薄い導電性薄膜のエッジ近傍に多量に析出する。
【００３３】
この析出したナトリウムは、ナトリウムやナトリウムの酸化物であると考えられ、導電性薄膜のシート抵抗の低下及び不安定化、更には導電性薄膜形成形成後に電子源基板全面に形成する帯電防止膜の焼成過程で析出するために、導電性薄膜と帯電防止膜の界面に存在し、帯電防止膜材料との化学的反応や帯電防止膜材料の塗布性、被覆性そして均一性が損なわれる。このような問題は製造工程の画素欠陥や不均一性を引き起こし、その結果、画像品位が低下することがあった。
【００３４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するためになされたものである。すなわち本発明はアルカリ金属を含有する電子源基板又は電子源基板を有するリヤプレートとフェースプレートを支持枠を介して構成する外囲器の製造方法であって、該電子源基板の全面に帯電防止膜を形成し、支持枠を該電子源基板に接着した後に該電子源基板の洗浄工程を有する事を特徴とした電子源基板を備えた画像形成装置の製造方法。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、この発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００３６】
本発明による単純マトリクス配置の電子源について、図１および図２を用いて説明する。
【００３７】
図１は本発明の製造工程を示す説明図であり、図２は単純マトリクスの電子源の支持枠付き基板の一例を示す模式図である。図１中の各図は図２に示す模式図中のＡ−Ａ線に対応する断面図である。
【００３８】
図中、１は基板、４と５は素子電極、３は電子放出部を含む導電性薄膜、２は電子放出部、６は帯電防止膜、７３はＸ方向配線、７２はＹ方向配線であり、８１は層間絶縁層であり、１０２は支持枠である。
【００３９】
ここで、図２に示すような表面伝導型電子放出素子を複数配置させて構成される電子源においては、複数の電子放出素子の対向する素子電極４、５に各々接続された、Ｘ方向配線７３およびＹ方向配線７２がマトリクス状に形成され、このＸ方向配線７３およびＹ方向配線７２が層間絶縁層８１により電気的に隔てられた構造である。
【００４０】
図１又は図２を用いて製造工程について述べる。
【００４１】
１）基板１を洗剤、純水および有機溶剤等を用いて十分に洗浄し、真空蒸着法、スパッタ法等により素子電極材料を堆積後、例えばフォトリソグラフィー技術を用いて素子電極４、５を形成する（図１（ａ））。
【００４２】
２）素子電極４、５を設けた基板１上に、素子電極５に接するようにＸ方向配線７３を、印刷法、真空蒸着法、スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で形成する（図１（ｂ））。
【００４３】
対向する素子電極４、５の材料としては、一般的な導体材料を用いることができる。これは例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属あるいは合金およびＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ２、Ｐｄ−Ａｇ等の金属或は金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２等の透明導電体およびポリシリコン等の半導体材料等から適宜選択することができる。
【００４４】
素子電極間隔Ｌ、素子電極幅Ｗ等は、応用される形態等を考慮して、設計される。素子電極間隔Ｌは、好ましくは、数百ｎｍから数百μｍの範囲とすることができ、より好ましくは、数μｍから数十μｍの範囲とすることができる。
素子電極幅Ｗは、電極の抵抗値、電子放出特性を考慮して、数μｍから数百μｍの範囲とすることができる。素子電極４、５の膜厚ｄは、数十ｎｍから数μｍの範囲とすることができる。
【００４５】
３）少なくともＹ方向配線７２とＸ方向配線７３の交差部となる部分に、両者を電気的に分離できるよう層間絶縁層８１が設けられており、層間絶縁層８１は、印刷法、真空蒸着法、スパッタ法等を用いて形成されたＳｉＯ２、ＰｂＯ等で構成される。特に交差部の電位差に耐え得るように、膜厚、材料、製法が適宜設定されている（図２参照）。本実施態様では、Ｙ方向配線７２とＸ方向配線７３の交差部のみに層間絶縁層を形成した。
【００４６】
４）Ｘ方向配線７３を、層間絶縁層８１上でＹ方向配線７２と交差し、かつ素子電極４に接するように、印刷法、真空蒸着法、スパッタ法等を用いて形成された導電性金属等で形成する（図２参照）。
【００４７】
５）次いで、金属元素を含有する溶液よりなる液滴を液滴付与装置（インクジェット記録装置）より吐出させ（以上についてはあらためて図示せず）、導電性薄膜３が素子電極４、５に接するように形成する（図１（ｃ））。
【００４８】
液滴付与装置７の具体例を挙げるならば、任意の液滴を形成できる装置であればどのような装置を用いても構わないが、特に、十数ｎｇから数十ｎｇ程度の範囲で制御が可能でかつ１０ｎｇ程度から数十ｎｇの微小量の液滴が容易に形成できるインクジェット方式の装置がよい。
【００４９】
インクジェット方式の装置としては、圧電素子等を用いたインクジェット噴射装置、熱エネルギーによって液体内に気泡を形成させてその液体を液滴として吐出させる方式（以下、バブルジェット（Ｒ）方式と称する）によるインクジェット噴射装置などが挙げられる。
【００５０】
導電性薄膜３を構成する材料は、前述の通り、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＰｂＯ、Ｓｂ２Ｏ３等の酸化物、ＨｆＢ２、ＺｒＢ２、ＬａＢ６、ＣｅＢ６、ＹＢ４、ＧｄＢ４等の硼化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体、カーボン等が挙げられ、液滴の基になる溶液は、上述した導電性薄膜３の構成材料を水や溶剤等に溶かしたものや有機金属溶液等が挙げられるが、液滴を生じさせる粘度のものであることが必要である。
【００５１】
これらの材料からなる導電性薄膜は微粒子膜である。ここで述べる微粒子膜とは、複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造は、微粒子が個々に分散配置した状態あるいは微粒子が互いに隣接、あるいは重なり合った状態（いくつかの微粒子が集合し、全体として島状構造を形成している場合も含む）をとっている。
【００５２】
微粒子の粒径は、０．１ｎｍの数倍から数百ｎｍの範囲、好ましくは、１ｎｍから２０ｎｍの範囲である。
【００５３】
６）最後に基板１の全面に帯電防止膜６を形成する（図１（ｄ））。
【００５４】
なお図においては、導電性薄膜３が形成される部分を含む全てに形成しているが、例えばＸ方向配線７３やＹ方向配線７２上にはあえて形成する必要はない。
【００５５】
ここで帯電防止膜６の材料としては、容易にかつ大面積に均一な膜が得られるものが好ましく、例えば、ＡＴＯ金属酸化物を用いることができる。
【００５６】
帯電防止膜６の形成方法としては、スプレー塗布法が最も好適である。
スプレー塗布法は安定した帯電防止膜が安価且つ短時間で容易に得られる。なお、詳細な成膜については、下記の実施例で述べる。
【００５７】
７）次に支持枠１０２を基板１に例えばフリットガラス等を用いて接着接合する（図１（ｅ））。
【００５８】
支持枠１０２を接着するための焼成工程が終了した後に、支持枠が形成された基板１を洗浄する。ここでは超純水の流水をシャワーノズル７から放出するシャワー洗浄を行った（図１（ｆ））。
【００５９】
この洗浄に用いる洗浄液は素子電極や基板、その他の基板を構成する部材に影響を与えなければ特に限定されないが、超純水を用いることが望ましい。
【００６０】
また、洗浄液の温度も限定されないが、素子電極や基板、その他の基板を構成する部材に影響を与えない範囲に設定される。
【００６１】
更に洗浄方法としては、基板を洗浄液と接触させる方法であれば制限されないが、超音波洗浄、温水洗浄、煮沸洗浄、流水洗浄、シャワー洗浄等があげられ、洗浄液との組み合わせで行う事が望ましい。
【００６２】
上記洗浄工程の後、超純水を窒素ブロー等を行う事はもちろん、水分を完全に除去するために、必要に応じて基板のベークを行っても良い。
このようにして作製された単純マトリクス配置の電子源を用いて構成した画像形成装置について、図３および４を用いて説明する。
【００６３】
図３は画像形成装置の表示パネルの一例を示す模式図であり、図４は図３の画像形成装置に使用される蛍光膜の模式図である。
【００６４】
図３において、１は電子放出素子を複数配した電子源基板、１０１は電子源基板１を固定したリアプレート、１０６はガラス基板１０３の内面に蛍光膜１０４とメタルバック１０５等が形成されたフェースプレートである。
【００６５】
１０２は支持枠であり、この支持枠１０２には、リアプレート１０１、フェースプレート１０６が低融点のフリットガラスなどを用いて、接合される。
【００６６】
７３、７２は、電子放出素子の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線７３及びＹ方向配線が７２ある。
【００６７】
外囲器１０８は、上述の如く、フェースプレート１０６、支持枠１０２、リアプレート１０１で構成される。
【００６８】
リアプレート１０１は、主に基板１の強度を補強する目的で設けられるため、基板１自体で十分な強度を持つ場合は、別体のリアプレート１０１は不要とすることができる。
【００６９】
即ち、基板１に直接支持枠１０２を封着し、フェースプレート１０６、支持枠１０２および基板１で外囲器１０８を構成しても良い。
【００７０】
一方、フェースプレート１０６とリアプレート１０１との間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器１０８を構成することもできる。
【００７１】
図４は、蛍光膜を示す模式図である。
蛍光膜１０４は、モノクロームの場合は蛍光体のみから構成することができる。
【００７２】
カラーの蛍光膜の場合は、蛍光体の配列によりブラックストライプ（図４（ａ））あるいはブラックマトリクス（図４（ｂ））などと呼ばれる黒色導電材１１１と蛍光体１１２とから構成することができる。
【００７３】
ブラックストライプやブラックマトリクスを設ける目的は、カラー表示の場合に、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体１１２間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと、蛍光膜１０４における外光反射によるコントラストの低下を抑制することにある。
【００７４】
ブラックストライプの材料としては、通常用いられている黒鉛を主成分とする材料の他、導電性があり、光の透過及び反射が少ない材料を用いることができる。
【００７５】
ガラス基板１０３に蛍光体を塗布する方法は、モノクローム、カラーによらず、沈澱法、印刷法等が採用できる。
【００７６】
また、蛍光膜１０４の内面側には、通常メタルバック１０５が設けられる。
【００７７】
メタルバックを設ける目的は、蛍光体の発光のうち内面側への光をフェースプレート１０６側へ鏡面反射させることにより輝度を向上させること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させること、外囲器１０８内で発生した負イオンの衝突によるダメージから蛍光体を保護すること等である。
【００７８】
メタルバックは、蛍光膜作製後に、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常、「フィルミング」と呼ばれる。）を行い、その後Ａｌを、真空蒸着等を用いて堆積させることで作製できる。
【００７９】
フェースプレート１０６には、更に蛍光膜１０４の導電性を高めるため、蛍光膜１０４の外面側に透明電極（不図示）を設けてもよい。
【００８０】
前述の封着を行う際には、カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させる必要があり、十分な位置合わせが不可欠となる。
【００８１】
図３に示した画像形成装置の製造方法の一例を以下に説明する。
【００８２】
図５はこの工程に用いる装置の概要を示す模式図である。
【００８３】
画像形成装置１２１は、排気管１２２を介して真空チャンバー１２３に連結され、さらにゲートバルブ１２４を介して排気装置１２５に接続されている。
【００８４】
真空チャンバー１２３には、内部の圧力及び雰囲気中の各成分の分圧を測定するために、圧力計１２６、四重極質量分析器１２７等が取り付けられている。
【００８５】
画像表示装置１２１の外囲器１０８内部の圧力などを直接測定することは困難であるため、該真空チャンバー１２３の圧力などを測定し、処理条件を制御する。
【００８６】
真空チャンバー１２３には、さらに必要なガスを真空チャンバー内に導入して雰囲気を制御するため、ガス導入ライン１２８が接続されている。
【００８７】
該ガス導入ライン１２８の他端には導入物質源１３０が接続されており、導入物質がアンプルやボンベなどに入れて貯蔵されている。
【００８８】
ガス導入ラインの途中には、導入物質を導入するレートを制御するための導入制御手段１２９が設けられている。
【００８９】
該導入量制御手段としては具体的には、スローリークバルブなど流す流量を制御可能なバルブや、マスフローコントローラーなどが、導入物質の種類に応じて、それぞれ使用が可能である。
【００９０】
図５の装置により外囲器１０８の内部を排気し、フォーミングを行う。
【００９１】
この際、例えば図６に示すように、Ｙ方向配線７２を共通電極１３１に接続し、Ｘ方向配線７３の内の一つに接続された素子に電源１３２によって、同時に電圧パルスを印加して、フォーミングを行うことができる。
【００９２】
また、複数のＸ方向配線に、位相をずらせたパルスを順次印加（スクロール）することにより、複数のＸ方向配線に接続された素子をまとめてフォーミングする事も可能である。
【００９３】
図中１３３は電流測定用抵抗を、１３４は、電流測定用のオシロスコープを示す。
【００９４】
フォーミング終了後、活性化工程を行う。外囲器１０８内は、十分に排気した後有機物質がガス導入ライン１２８から導入される。
【００９５】
あるいは、個別素子の活性化方法として記述のように、まず油拡散ポンプやロータリーポンプで排気し、これによって真空雰囲気中に残留する有機物質を用いても良い。
【００９６】
また、必要に応じて有機物質以外の物質も導入される場合がある。
【００９７】
この様にして形成した、有機物質を含む雰囲気中で、各電子放出素子に電圧を印加することにより、炭素あるいは炭素化合物、ないし両者の混合物が電子放出部に堆積し、電子放出が行われる。
【００９８】
このときの電圧の印加方法は、上記フォーミングの場合と同様の結線により、一つの方向配線につながった素子に、同時に電圧パルスを印加すればよい。
【００９９】
活性化工程終了後は、安定化工程を行うことが好ましい。
【０１００】
この工程は真空容器内の有機物質を排気する工程である。
【０１０１】
外囲器１０８を加熱して、８０〜２５０℃に保持しながら、イオンポンプ、ソープションポンプなどのオイルを使用しない排気装置１２５により排気管１２２を通じて排気し、有機物質の十分少ない雰囲気にした後、排気管１２２をバーナーで熱して溶解させて封じきる。
【０１０２】
外囲器１０８の封止後の圧力を維持するために、ゲッター処理を行なうこともできる。
【０１０３】
これは、外囲器１０８の封止を行う直前あるいは封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱等を用いた加熱により、外囲器１０８内の所定の位置（不図示）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。
【０１０４】
ゲッターは通常はＢａ等が主成分であり、該蒸着膜の吸着作用により、外囲器１０８内の雰囲気を維持するものである。
【０１０５】
次に、単純マトリクス配置の電子源を用いて構成した表示パネルに、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づいたテレビジョン表示を行う為の駆動回路の構成例について、図７を用いて説明する。
【０１０６】
図７において、１４１は画像表示パネル、１４２は走査回路、１４３は制御回路、１４４はシフトレジスタ、１４５はラインメモリ、１４６は同期信号分離回路、１４７は変調信号発生器、ＶｘおよびＶａは直流電圧源である。
【０１０７】
表示パネル１４１は、端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍ、端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎ、および高圧端子Ｈｖを介して外部の電気回路と接続している。
【０１０８】
端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍには、表示パネル内に設けられている電子源、即ち、ｍ行ｎ列の行列状にマトリクス配線された表面伝導型電子放出素子群を一行（ｎ素子）づつ順次駆動する為の走査信号が印加される。
【０１０９】
端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎには、前記走査信号により選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加される。
【０１１０】
高圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、例えば１０ｋＶの直流電圧が供給されるが、これは表面伝導型電子放出素子から放出される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。
【０１１１】
走査回路１４２について説明する。
【０１１２】
同回路は、内部にｍ個のスイッチング素子を備えたもので（図中、Ｓ１ないしＳｍで模式的に示している）ある。
【０１１３】
各スイッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは０Ｖ（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、表示パネル１４１の端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍと電気的に接続される。
【０１１４】
Ｓ１ないしＳｍの各スイッチング素子は、制御回路１４３が出力する制御信号Ｔｓｃａｎに基づいて動作するものであり、例えばＦＥＴのようなスイッチング素子を組み合わせることにより構成することができる。
【０１１５】
直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には表面伝導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧Ｖｔｈ）に基づき、走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出しきい値電圧Ｖｔｈ以下となるような一定電圧を出力するよう設定されている。
【０１１６】
制御回路１４３は、外部より入力する画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作を整合させる機能を有する。
【０１１７】
制御回路１４３は、同期信号分離回路１４６より送られる同期信号Ｔｓｙｎｃに基づいて、各部に対してＴｓｃａｎおよびＴｓｆｔおよびＴｍｒｙの各制御信号を発生する。
【０１１８】
同期信号分離回路１４６は、外部から入力されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度信号成分とを分離する為の回路で、一般的な周波数分離（フィルター）回路等を用いて構成できる。
【０１１９】
同期信号分離回路１４６により分離された同期信号は、垂直同期信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上Ｔｓｙｎｃ信号として図示した。
【０１２０】
前記テレビ信号から分離された画像の輝度信号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と表した。
【０１２１】
該ＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ１４４に入力される。
【０１２２】
シフトレジスタ１４４は、時系列的にシリアルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制御回路１４３より送られる制御信号Ｔｓｆｔに基づいて動作する（即ち、制御信号Ｔｓｆｔは、シフトレジスタ１４４のシフトクロックであるということもできる。）。
【０１２３】
シリアル／パラレル変換された画像１ライン分（電子放出素子ｎ素子分の駆動データに相当）のデータは、Ｉｄ１ないしＩｄｎのｎ個の並列信号として前記シフトレジスタ１４４より出力される。
【０１２４】
ラインメモリ１４５は、画像１ライン分のデータを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であり、制御回路１４３より送られる制御信号Ｔｍｒｙに従って適宜Ｉｄ１ないしＩｄｎの内容を記憶する。
【０１２５】
記憶された内容は、Ｉ’ｄ１ないしＩ’ｄｎとして出力され、変調信号発生器１４７に入力される。
【０１２６】
変調信号発生器１４７は、画像データＩ’ｄ１ないしＩ’ｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素子の各々を適切に駆動変調する為の信号源であり、その出力信号は、端子Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて表示パネル１４１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。
【０１２７】
前述したように、本発明を適用可能な電子放出素子は放出電流Ｉｅに対して以下の基本特性を有している。
【０１２８】
即ち、電子放出には明確なしきい値電圧Ｖｔｈがあり、Ｖｔｈ以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。
【０１２９】
電子放出しきい値以上の電圧に対しては、素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化する。
【０１３０】
このことから、本素子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出しきい値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが、電子放出しきい値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力される。
【０１３１】
その際、パルスの波高値Ｖｍを変化させる事により出力電子ビームの強度を制御することが可能である。
【０１３２】
また、パルスの幅Ｐｗを変化させることにより出力される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能である。
【０１３３】
従って、入力信号に応じて、電子放出素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方式等が採用できる。
【０１３４】
電圧変調方式を実施するに際しては、変調信号発生器１４７として、一定長さの電圧パルスを発生し、入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いることができる。
【０１３５】
パルス幅変調方式を実施するに際しては、変調信号発生器１４７として、一定の波高値の電圧パルスを発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いることができる。
【０１３６】
シフトレジスタ１４４やラインメモリ１４５は、デジタル信号式のものをもアナログ信号式のものをも採用できる。
【０１３７】
画像信号のシリアル／パラレル変換や記憶が所定の速度で行なわれれば良いからである。
【０１３８】
デジタル信号式を用いる場合には、同期信号分離回路１４６の出力信号ＤＡＴＡをデジタル信号化する必要があるが、これには同期信号分離回路１４６の出力部にＡ／Ｄ変換器を設ければ良い。
【０１３９】
これに関連してラインメモリ１４５の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、変調信号発生器１４７に用いられる回路が若干異なったものとなる。
【０１４０】
即ち、デジタル信号を用いた電圧変調方式の場合、変調信号発生器１４７には、例えばＤ／Ａ変換回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付加する。
【０１４１】
パルス幅変調方式の場合、変調信号発生器１４７には、例えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数する計数器（カウンタ）および計数器の出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器（コンパレータ）を組み合わせた回路を用いる。
【０１４２】
必要に応じて、比較器の出力するパルス幅変調された変調信号を表面伝導型電子放出素子の駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付加することもできる。
【０１４３】
アナログ信号を用いた電圧変調方式の場合、変調信号発生器１４７には、例えばオペアンプなどを用いた増幅回路を採用でき、必要に応じてレベルシフト回路などを付加することもできる。
【０１４４】
パルス幅変調方式の場合には、例えば、電圧制御型発振回路（ＶＣＯ）を採用でき、必要に応じて表面伝導型電子放出素子の駆動電圧まで電圧増幅するための増幅器を付加することもできる。
【０１４５】
このような構成をとり得る本発明を適用可能な画像表示装置においては、各電子放出素子に、容器外端子Ｄｏｘ１ないしＤｏｘｍ、Ｄｏｙ１ないしＤｏｙｎを介して電圧を印加することにより、電子放出が生ずる。
【０１４６】
高圧端子Ｈｖを介してメタルバック１０５、あるいは透明電極（不図示）に高圧を印加して、電子ビームを加速する。
【０１４７】
加速された電子は、蛍光膜１０４に衝突し、発光が生じて画像が形成される。
【０１４８】
ここで述べた画像形成装置の構成は、本発明を適用可能な画像形成装置の一例であり、本発明の技術思想に基づいて種々の変形が可能である。
【０１４９】
入力信号については、ＮＴＳＣ方式を挙げたが入力信号はこれに限られるものではなく、ＰＡＬ、ＳＥＣＡＭ方式など他、これよりも、多数の走査線からなるＴＶ信号（例えば、ＭＵＳＥ方式をはじめとする高品位ＴＶ）方式をも採用できる。
【０１５０】
（実施例１）
以下、より具体的な例を基に説明する。
【０１５１】
本発明による単純マトリクス配置の電子源について、図１および図２を用いて説明する。
【０１５２】
図１は本発明の製造工程を示す説明図であり、図２は単純マトリクスの電子源の支持枠付き基板の一例を示す模式図である。図１中の各図は図２に示す模式図中のＡ−Ａ線に対応する断面図である。
【０１５３】
図中、１は基板、４と５は素子電極、３は電子放出部を含む導電性薄膜、２は電子放出部、６は帯電防止膜、７３はＸ方向配線、７２はＹ方向配線であり、８１は層間絶縁層であり、１０２は支持枠である。
【０１５４】
尚、図では構造を解りやすくするために部材の一部を消去してある。
【０１５５】
以下、図１を参照しながら順をおって製造方法について説明する。
【０１５６】
［工程１］
青板ガラス上に厚さ１μｍのシリコン酸化膜をＣＶＤ法で形成した基板１を洗剤と純水により洗浄した後、素子電極４，５と素子電極間ギャップＬとなるべきパターンをホトレジスト（ＲＤ−２０００Ｎ−４１  日立化成社製）形成し、真空蒸着法により、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ１００ｎｍのＰｔを順次堆積した。
【０１５７】
そして、ホトレジストパターンを有機溶剤で溶解し、Ｐｔ／Ｔｉ堆積膜をリフトオフし、素子電極間隔Ｌを２０μｍ、素子電極幅Ｗを２００μｍ、となるような素子電極４、５を形成した（図１（ａ））。
【０１５８】
［工程２］
次いで、金属成分としてＡｇを含むペースト材料（ＮＰ−４０２８Ａ；ノリタケ（株）製）を用い、スクリーン印刷法によりＸ方向配線７３のパターンを形成し、印刷後、１１０℃で２０分乾燥し、次いで熱処理装置によりピーク温度５８０℃ピーク保持時間８分間の条件で上記ペーストを焼成してＸ方向配線７３を形成した（図１（ｂ））。
【０１５９】
［工程３］
次に、ＰｂＯを主成分とするペーストを用い、層間絶縁層８１のパターンを印刷して工程２と同様の条件で焼成し、層間絶縁層８１を形成した（図２参照）。
【０１６０】
この層間絶縁層８１は、少なくともＸ方向配線７３とＹ方向配線７２の交差部に配置する必要がある。
【０１６１】
［工程４］
工程２と同様の方法で、Ｙ方向配線７２を形成（図２参照）し、配線を形成した。
【０１６２】
［工程５］
次いで、導電性薄膜３を形成した。
【０１６３】
具体的には、有機パラジウム含有溶液（奥野製薬（株）製、ｃｃｐ−４２３０）を、バブルジェット（Ｒ）方式のインクジェット噴射装置を用いて、導電性薄膜３の幅Ｗ’が１００μｍになるように、液滴付与を行った。
【０１６４】
液滴は素子電極４，５の凹部に収まり、基板上で不規則な形状に広がることなく、安定した形状となった。
【０１６５】
その後、３５０℃で１０分間の加熱処理を行って、パラジウム微粒子から成る微粒子膜を得た（図１（ｃ））。
【０１６６】
［工程６］
次いで、帯電防止膜６を基板１のほぼ表面全体をスプレー塗布装置による３回塗布を行い全面形成した。
【０１６７】
ここで帯電防止膜６の材料としては、容易に均一塗布形成が可能な液相材料である、アンチモンをドーピングしたアンチモンドープ酸化錫の酸化物微粒子からなる固形成分を溶媒中に分散させた分散液からなる代表的なＡＴＯ溶液を用いた。
【０１６８】
すなわち、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、エタノールの混合溶液に酸化アンチモンをドープした酸化錫超微粒子を分散させた分散液である。
【０１６９】
次にこの分散液を加圧式の２流体ヘッドによるスプレー塗布装置により全面に塗布形成を行った。主な噴霧条件は液圧力０．０３ＭＰａ、エア圧力１．５ｋｇｆ／ｃｍ、噴霧量３５ｍｌ／分、ノズル高さ５０ｍｍ、ノズル送りピッチ８．７５ｍｍ、ノズルスピード５０ｃｍ／秒であった。これを第１層＝１回塗布として、本実施例では３回繰り返して第３層まで積層し、３回塗布を行った。
【０１７０】
その後、クリーンオーブンによる３８０℃で２０分の熱処理を行い特性の安定化を行った（図１（ｄ））。
【０１７１】
［工程７］
続いて、本発明の電子源基板を有するリヤプレートとフェースプレートで構成する外囲器を作製するための支持枠を接着形成する。接着工程は先ず、支持枠にガラスフリットをディスペンサーによって枠の接着面に沿って塗布形成する。
【０１７２】
次に、１２０℃で１５分の乾燥を行う。続いて、ガラスフリット付の支持枠をリヤプレートに固定し、焼成炉により大気中で３６０℃で１０分の仮焼成を行った。
【０１７３】
更に、仮焼成後のリヤプレートをホットプレートにより、上下を挟み込んで殆ど大気密閉した状態で４１０℃で１０分の本焼成工程を行った（図１（ｅ））。
【０１７４】
［工程８］
続いて、支持枠を接着形成した電子源基板を洗浄した。洗浄は超純水によるシャワー洗浄をシャワーノズル７により５分間行い、窒素ブローの後、１２０℃で３０分のベークを行った（図１（ｆ））。
【０１７５】
なお、フォーミング以降の工程については、以下の実施例において外囲器を形成した後行うものとした。
【０１７６】
以上のようにして作成した電子源を用いて表示装置を構成した例を、図３を用いて説明する。
【０１７７】
上記のようにして、多数の表面伝導型電子放出素子を作製した基板１をリアプレート１０１上に固定した後、基板１の４ｍｍ上方に、フェースプレート１０６（ガラス基板１０３の内面に蛍光膜１０４とメタルバック１０５が形成されて構成される）を、支持枠１０２を介して配置し、フェースプレート１０６、支持枠１０２、リアプレート１０１の接合部にフリットガラスを塗布し、真空中あるいは窒素雰囲気中で４００℃ないし５００℃で１０分間以上焼成することで封着した（図３）。
【０１７８】
また、リアプレート１０１への基板１の固定もフリットガラスで行った。
【０１７９】
なおリアプレート１０１、支持枠１０２およびフェースプレート１０６は基板１と同じ材質の青板ガラスで形成されている。
【０１８０】
なお、図３において、７４は電子放出素子、７３，７２はそれぞれＹ方向及びＸ方向配線である。
【０１８１】
蛍光膜１０４は、モノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、本実施例では、蛍光体はマトリクス形状を採用し、先にブラックマトリクスを形成し、その間隙部に各色蛍光体を塗布し、蛍光膜１０４を作製した。
【０１８２】
ブラックマトリクスの材料としては、通常良く用いられている黒鉛を主成分とする材料を用いた。
【０１８３】
ガラス基板１０３に蛍光体を塗布する方法はスラリー法を用いた。
【０１８４】
また、蛍光膜１０４の内面側には、通常メタルバック１０５が設けられる。
【０１８５】
メタルバックは、蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通常フィルミングと呼ばれる）を行い、その後、Ａｌを真空蒸着することで作製した。
【０１８６】
フェースプレート１０６には、更に蛍光膜１０４の導電性を高めるため、蛍光膜１０４の外面側に透明電極（不図示）が設けられる場合もあるが、本実施例では、メタルバックのみで十分な導電性が得られたので省略した。
【０１８７】
前述の封着を行う際、カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないため、十分な位置合わせを行った。
【０１８８】
以上のようにして完成した外囲器１０８を、図５に示す装置に接続し、外囲器１０８内の雰囲気を、排気管１２２を通じ排気装置１２５にて排気し、十分な圧力に達した後、図３に示すように、容器外端子Ｄｘｏ１ないしＤｏｘｍとＤｏｙ１ないしＤｏｙｎを通じて、電子放出素子７４の電極４、５間に電圧を印加して、導電性薄膜３をフォーミング処理することにより、電子放出部２を作成した（不図示）。
【０１８９】
このように作成された電子放出部２は、パラジウム元素を主成分とする微粒子が分散配置された状態となり、その微粒子の平均粒径は３ｎｍであった。
【０１９０】
次に、パネルの排気管より、アセトンを、スローリークバルブを通してパネル内に導入し、０．１Ｐａを維持した。
【０１９１】
次いで、上記フォーミング処理で使用した三角波を矩形波に変えて、波高１４Ｖで、素子電流Ｉｆ，放出電流Ｉｅを測定しながら、活性化処理をおこなった。
【０１９２】
以上のようにフォーミング、活性化処理を行い、電子放出部２を形成し、電子放出素子７４を作製した。
【０１９３】
次に、１０−６Ｐａ程度の圧力まで排気し、排気管をガスバーナーで熱することで溶着して外囲器の封止を行った。
【０１９４】
最後に封止後の真空度を維持するために、高周波加熱法でゲッター処理を行った（図示せず）。
【０１９５】
以上のように完成した本実施例の画像表示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ，Ｄｙ１ないしＤｙｎを通じ、走査信号及び変調信号を不図示の信号発生手段より、それぞれ印加することにより、電子放出させて、高圧端子Ｈｖを通じて、メタルバック１０５、あるいは透明電極（不図示）に数ｋＶ以上の高圧を印加して電子ビームを加速し、蛍光膜１０４に衝突させて励起・発光させることで画像を表示した。
【０１９６】
ここで、本実施例においては、層間絶縁層８１上の絶縁性表面にも帯電防止膜６が形成してあり、この部分の帯電も効果的に防止されている。
【０１９７】
その結果、画素欠陥も無く、安定した画像を表示し、電子ビームの偏向等もおきず、放電による破壊等も見られなかった。
【０１９８】
また、帯電防止膜の均一性も良好であった。
【０１９９】
（実施例２）
次に支持枠の接着形成前に電子源基板を洗浄した例を以下、より具体的な例を基に説明する。
【０２００】
はじめに、実施例１の［工程１］から［工程６］と同様に全面に帯電防止膜を形成した電子源基板を作成した（図１（ｄ））。
【０２０１】
続いて、帯電防止膜が形成された電子源基板を洗浄した。洗浄は超純水によるシャワー洗浄をシャワーノズルにより５分間行い、窒素ブローの後、１２０℃で３０分のベークを行った。
【０２０２】
次に、本発明の電子源基板を有するリヤプレートとフェースプレートで構成する外囲器を作製するための支持枠を接着形成する。接着工程は先ず、支持枠にガラスフリットをディスペンサーによって枠の接着面に沿って塗布形成する。
【０２０３】
次に、１２０℃で１５分の乾燥を行う。続いて、ガラスフリット付の支持枠をリヤプレートに固定し、焼成炉により大気中で３６０℃で１０分の仮焼成を行った。
【０２０４】
更に、仮焼成後のリヤプレートをホットプレートにより、上下を挟み込んで殆ど大気密閉した状態で４１０℃で１０分の本焼成工程を行った（図１（ｅ））。続いて実施例１と同様にして画像形成装置を作製した。
【０２０５】
実施例１と同様にして画像を表示させたところ、画像には画素欠陥もなく、安定した画像を表示することができた。
【０２０６】
（実施例３）
支持枠を接着形成した基板の洗浄を超純水中での超音波洗浄を１０分間行い、洗浄工程以外は実施例１と同様にして画像形成装置を作製した。
【０２０７】
実施例１と同様にして画像を表示させたところ、画像には画素欠陥もなく安定した画像を表示することができた。
【０２０８】
（実施例４）
支持枠を接着形成した基板の洗浄を弱アルカリ水溶液でシャワー洗浄を行い、更に超純水の流水中での超音波洗浄を５分間行い、洗浄工程以外は実施例１と同様にして画像形成装置を作製した。
【０２０９】
実施例１と同様にして画像を表示させたところ、画像には画素欠陥もなく安定した画像を表示することができた。
【０２１０】
【発明の効果】
以上説明したように、アルカリ金属を含有する電子源基板又は電子源基板を有するリヤプレートとフェースプレートを支持枠を介して構成する外囲器の製造方法において、該電子源基板の全面に帯電防止膜を形成し、支持枠を該電子源基板に接着した後に該電子源基板の洗浄を行うことで、アルカリ含有基板からの熱処理工程によるナトリウムの析出による導電性薄膜のシート抵抗の低抵抗化を無くし、安定化を図ることができた。また、導電性薄膜上を含む基板全面に形成する帯電防止膜の被覆性、均一性を向上させる事ができた。
【０２１１】
その結果、このような方法で製造した電子源基板を備えた画像形成装置を作製したところ、画像には画素欠陥も無く、安定した画像を表示することができ、電子ビームの偏向等も起きず、放電による破壊等も見られなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る製造工程を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る単純マトリクスの電子源の支持枠付基板の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る画像形成装置の概略構成斜視図である。
【図４】蛍光膜の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る画像表示装置のフォーミング、活性化工程を行うための真空排気装置の模式図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る画像形成装置のフォーミング、活性化工程を行うための結線方法を示す模式図である。
【図７】画像形成装置にＮＴＳＣ方式のテレビ信号に応じて表示を行なうための駆動回路の一例を示すブロック図である。
【図８】従来技術に係る電子放出素子の平面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  電子放出部
３  導電性薄膜
４  素子電極
５  素子電極
６  帯電防止膜
７  シャワーノズル
７２  Ｙ方向配線
７３  Ｘ方向配線
７４  電子放出素子
８１  層間絶縁層
１０１  リアプレート
１０２  支持枠
１０３  ガラス基板
１０４  蛍光膜
１０５  メタルバック
１０６  フェースプレート
１０８  外囲器
１１１  黒色導電材
１１２  蛍光体
１２１  画像表示装置
１２２  排気管
１２３  真空チャンバー
１２４  ゲートバルブ
１２５  排気装置
１２６  圧力計
１２７  四重極質量分析器
１２８  ガス導入ライン
１２９  導入量制御手段
１３０  導入物質源
１３１  共通電極
１３２  電源
１３３  電流測定用抵抗
１３４  オシロスコープ
１４１  表示パネル
１４２  走査回路
１４３  制御回路
１４４  シフトレジスタ
１４５  ラインメモリ
１４６  同期信号分離回路
１４７  変調信号発生器
Ｖｘ，Ｖａ  直流電圧源
【図１】
2004192810.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2004192810.tif 000009
【図８】
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