(57)【要約】　　　（修正有）【課題】半導体製造用の処理装置における２つの空間ユニットのうち、汚染粒子に対してより敏感な空間ユニットにおいて、汚染粒子の密度がより小さくなるように低減する構成を提供する。【解決手段】汚染粒子の密度が周囲に比べてそれぞれ低減された、第１の空間ユニット２１および第２の空間ユニット２２を備え、第１の流速を有する第１の層流４１および第２の流速を有する第２の層流４２は、互いに対して平行である。第１の空間ユニット２１と第２の空間ユニット２２との間は、半導体ディスクを移送するように第３の空間ユニット２３により接続され、第３の流速を有する第３の層流４３は第１の層流４１及び第２の層流４２に対して垂直である。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚染粒子の密度が周囲に比べてそれぞれ低減された、第１の空間ユニット（２１）および第２の空間ユニット（２２）を備える処理装置（２）であって、
該第１の空間ユニット（２１）は、該汚染粒子の密度を低減する第１のデバイス（３１）を備え、第１の流速を有する第１の層流（４１）を形成し、
該第２の空間ユニット（２２）は、該汚染粒子の密度を低減する第２のデバイス（３２）を備え、第２の流速を有する第２の層流（４２）を形成し、
該第１の層流（４１）および該第２の層流（４２）は、互いに平行に方向付けられ、該第１の空間ユニット（２１）と該第２の空間ユニット（２２）との間において、少なくとも１つの半導体ディスクを移送するように接続される、処理装置であって、
第３の空間ユニット（２３）は、移送するための接続を形成し、該第１の空間ユニット（２１）および該第２の空間ユニット（２２）への、少なくとも第１の開口部（２４）および第２の開口部（２５）を有し、該第３の空間ユニット（２３）は、空気流入スリット（５１）および空気流出スリット（５２）を有する、汚染粒子の密度を低減する第３のデバイスを備え、第３の流速を有する第３の層流（４３）の形成を可能にする該第３の流速は、実質的に、該第１の気流（４１）および該第２の気流（４２）に対して垂直に方向付けられることを特徴とする、処理装置。
【請求項２】
前記第３の流速は、前記第１の流速よりもわずかに小さく、前記第２の流速よりもわずかに小さく、前記第１の開口部（２４）および前記第２の開口部（２５）の領域において、前記第１の空間ユニット（２１）と前記第３の空間ユニット（２３）との間、および前記第２の空間ユニット（２２）と該第３の空間ユニット（２３）との間に生じる気圧差により、乱流が生じないことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
半導体ディスク（１）は、平坦な表面を有し、
前記処理装置（２９）は、該半導体ディスクを、前記第３の空間ユニット（２３）を介して前記第１の空間ユニット（２１）から前記第２の空間ユニットに移送するデバイスを有し、該デバイスは、該半導体ディスク（１）の平坦な表面が、該第３の空間ユニット内に移送される際に、前記第３の層流（４３）に沿うように構成されるように設定されることを特徴とする、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の開口部（２４）および前記第２の開口部（２５）は、対向して構成されることを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載の装置。
【請求項５】
前記処理装置（２）はリソグラフィクラスタであり、前記第１の空間ユニット（２２’）はリソグラフィ用のトラックの部分であり、前記第２の空間ユニット（２１’）は平坦な半導体ディスク（１）用の照射装置の一部であることを特徴とする、請求項１〜３の１つに記載の装置。
【請求項６】
前記処理装置を動作させる方法であって、
第１の流速を有する第１の層流（４１）を前記第１の空間ユニット（２１）内の前記第１のデバイスによって生成する工程と、
第２の流速を有する第２の層流（４２）を前記第２の空間ユニット（２２）内の前記第１のデバイスによって生成する工程と、
第３の流速を有する第１の層流（４３）を前記第１の空間ユニット（２３）内の前記第３のデバイス（３３）によって、該第１の空間ユニット（４１）および該第２の空間ユニット（４２）に対して垂直に生成する工程と
を包含する、請求項１〜５の１つに記載の方法。
【請求項７】
前記第１の空間ユニット（２１）内の第１の気圧が測定され、
前記第２の空間ユニット（２２）内の第２の気圧が測定され、
前記第３の空間ユニット（２３）内の第３の気圧が測定され、
該第３の気圧は、該第２の気圧および該第１の気圧と比較され、
該第３の空間ユニット（２３）内の前記第３の層流（４３）の前記第３の流速は、該比較の結果として調整されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第３の流速は、前記第３の気圧が前記第１の気圧および前記第２の気圧よりも低くなるように調整されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、少なくとも１つの半導体ディスクを加工する処理装置において、汚染粒子の密度が周囲に比べてそれぞれ低減された少なくとも２つの空間ユニットの構成、およびこの構成を動作させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような構成は、工場内のクリーンルーム条件が高度に要求される半導体製造所から公知である。この場合、工場それ自体にも、個々の処理装置にも、温度、湿度、気圧、気流速度、汚染粒子の密度等の遵守に関する厳しい基準が義務付けられている。従って、典型的なクリーンルーム設備システムは、対応するパラメータを測定するセンサを備え、このセンサは、制御系（Ｒｅｇｅｌｋｒｅｉｓｌａｕｆ）において、対応する通気システム、冷却／加熱システム、および循環システム（Ｕｍｗａｅｌｚｓｙｓｔｅｍ）がデータを利用できるようにする。その際、それぞれのパラメータに関する許可される偏差の範囲は大抵、非常に狭い。
【０００３】
例えば、ウェハ等の半導体ディスク上の構造の大きさが小さくなるに従って、ディスク上の集積回路の損傷につながり得る汚染粒子の大きさも益々多様になっている。しかしながら、本明細書中では、汚染粒子とは、空気中から半導体ディスク上の集積回路上に沈降し得る、肉眼で見える粒子のみでなく、溶液、アミンまたは他の反応性物質といった化学物質とも理解される。これらは、多くの場合、高感度の層で覆われたディスクに影響を及ぼし、従って、その表面を化学的に変化させ得る。例えば、リソグラフィ用照射装置において、照射によって酸形成化合物（Ｓａｅｕｒｅｂｉｌｄｎｅｒ）から遊離された酸は、まだ照射されていない後続の半導体ディスクの感光性レジストの表面に影響を及ぼし得、従って、光に対する活性（Ｆｏｔｏａｋｔｉｖｉｔａｅｔ）を不利にも弱め得る。他方、これにより、対物レンズにも影響が及ぼされ得、レンズの劣化をもたらし得るので、レンズは頻繁に洗浄されなければならない（生産性が低くなるという結果をともなう）か、または寿命が比較的短いために、レンズは比較的短い間隔で交換されなければならず、結果として、生産コストが高くなる。
【０００４】
上述の例において、原因は、リソグラフィ用の照射装置自体に含まれる、汚染が低減された空間ユニット内の汚染にある。しかしながら、通常、まさにこのような装置において、汚染の程度、すなわち空間ユニットにおける汚染粒子の密度を、包囲するユニットと比較して、特に小さく保つということが目指される。従って、上述の場合のために、効果的な保護が、上述の空間ユニットにおいて、いわゆる小環境（Ｍｉｎｉ−Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ）を生成するために特に適切な設備だけになされ得る。
【０００５】
これに対して、典型的な問題は、照射装置の、特に敏感な空間ユニットを包囲する、いわゆるリソグラフィートラックの空間ユニットにおける汚染源である。半導体ディスクは、自動化された運搬ライン上で、ホットプレート、クールプレート、塗布（Ｂｅｌａｃｋｕｎｇ）、プリベーク等の種々のステーションを通過する。その際、一方で、運搬システムの機械的摩擦が汚染作用を及ぼすが、他方、基板の表面を加工することも汚染源として作用する。これらのステーションの多くは、汚染粒子の密度を低減する固有のデバイス、すなわち、それぞれ小環境を取得するための設備を備える固有の空間ユニットを有する。当然、この実施例において、汚染が低減された照射装置の空間ユニットに課せられる要求は、クリーンルームパラメータに関して、極めて高度である。
【０００６】
半導体ディスクを空間ユニットから次の空間ユニットに移送するために、空間ユニット間に直通の開口が必要とされる。それにもかかわらず異なった条件を遵守し得るように、さらに、（例えば、照射装置等）さらに敏感な条件を有する空間ユニットにおいて、隣接する空間ユニット（例えば、上述の例におけるリソグラフィ用のトラックの空間ユニット等）におけるよりも、わずかに大きい圧力が存在するように配慮される。これを前提として、それぞれ、より敏感な空間ユニットから、開口部を通って最小の気流が流れ出すので、さらなる汚染粒子は侵入し得ない。
【０００７】
汚染が低減された空間ユニットにおけるクリーンルームの条件は、特に、層流（ｌａｍｉｎａｒｅ　Ｓｔｒｏｅｍｕｎｇ）を生成する措置によっても保証される。このために、汚染粒子の密度を低減するデバイスは、適切な通風システムを有する。この通風システムは、流速を有する適切な気流を生成する。この流速は、例えば、０．３ｍ／ｓであり、十分に低いので乱流は生じない。これによって、一度生じた汚染粒子は、流れとともに空気流入口（Ｌｕｆｔｅｉｎｌａｓｓｏｅｆｆｕｎｇ）から、空気流出口（Ｌｕｆｔａｕｓｌａｓｏｅｆｆｎｕｎｇ）の方向にドリフトし、そこで、フィルタリングされるか、または他の方法で処理される。ここで重要なのは、気流が、実質的に隣接する空間ユニットに通じる開口部の開口部面と平行に方向付けられることである。従って、空間ユニット間では、層流によって空気の交換が起こらず、圧力均等化（Ｄｒｕｃｋａｕｓｇｌｅｉｃｈ）の結果としての最小の気流のみが生じる。しかしながら、２つの空間ユニット間の最小限のみ許可された気圧差により、気圧または空気の移動が突然起こることにより（例えば、開口部の近傍におけるウェハの運搬の際等）、気流が逆方向に導かれ得るという問題が生じ得る。その結果、汚染粒子は、２つの空間ユニットのうちのより敏感な方に到達する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の課題は、上述の問題を回避する。すなわち、半導体製造用の処理装置における２つの空間ユニットのうち、汚染粒子に対してより敏感な空間ユニットにおいて、汚染粒子の密度がより小さくなるように、有利な態様で低減する構成を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の処理装置は、汚染粒子の密度が周囲に比べてそれぞれ低減された、第１の空間ユニット（２１）および第２の空間ユニット（２２）を備える処理装置（２）であって、該第１の空間ユニット（２１）は、該汚染粒子の密度を低減する第１のデバイス（３１）を備え、第１の流速を有する第１の層流（４１）を形成し、該第２の空間ユニット（２２）は、該汚染粒子の密度を低減する第２のデバイス（３２）を備え、第２の流速を有する第２の層流（４２）を形成し、該第１の層流（４１）および該第２の層流（４２）は、互いに平行に方向付けられ、該第１の空間ユニット（２１）と該第２の空間ユニット（２２）との間において、少なくとも１つの半導体ディスクを移送するように接続される処理装置であって、第３の空間ユニット（２３）は、移送するための接続を形成し、該第１の空間ユニット（２１）および該第２の空間ユニット（２２）への、少なくとも第１の開口部（２４）および第２の開口部（２５）を有し、該第３の空間ユニット（２３）は、空気流入スリット（５１）および空気流出スリット（５２）を有する、汚染粒子の密度を低減する第３のデバイスを備え、第３の流速を有する第３の層流（４３）の形成を可能にする該第３の流速は、実質的に、該第１の気流（４１）および該第２の気流（４２）に対して垂直に方向付けられることを特徴とする、処理装置。
【００１０】
本発明の処理装置は、前記第３の流速は、前記第１の流速よりもわずかに小さく、前記第２の流速よりもわずかに小さく、前記第１の開口部（２４）および前記第２の開口部（２５）の領域において、前記第１の空間ユニット（２１）と前記第３の空間ユニット（２３）との間、および前記第２の空間ユニット（２２）と該第３の空間ユニット（２３）との間に生じる気圧差により、乱流は生じないことを特徴としてもよい。
【００１１】
本発明の処理装置は、半導体ディスク（１）は、平坦な表面を有し、前記処理装置（２９）は、該半導体ディスクを、前記第３の空間ユニット（２３）を介して前記第１の空間ユニット（２１）から前記第２の空間ユニットに移送するデバイスを有し、該デバイスは、該半導体ディスク（１）の平坦な表面が、該第３の空間ユニット内に移送される際に、前記第３の層流（４３）に沿うように構成されるように設定されることを特徴としてもよい。
【００１２】
本発明の処理装置は、前記第１の開口部（２４）および前記第２の開口部（２５）は、対向して構成されることを特徴としてもよい。
【００１３】
本発明の処理装置は、前記処理装置（２）はリソグラフィクラスタであり、前記第１の空間ユニット（２２’）はリソグラフィ用のトラックの部分であり、前記第２の空間ユニット（２１’）は平坦な半導体ディスク（１）用の照射装置の一部であることを特徴としてもよい。
【００１４】
本発明の方法は、前記処理装置を動作させる方法であって、第１の流速を有する第１の層流（４１）を前記第１の空間ユニット（２１）内の前記第１のデバイスによって生成する工程と、第２の流速を有する第２の層流（４２）を前記第２の空間ユニット（２２）内の前記第１のデバイスによって生成する工程と、第３の流速を有する第１の層流（４３）を前記第１の空間ユニット（２３）内の前記第３のデバイス（３３）によって、該第１の空間ユニット（４１）および該第２の空間ユニット（４２）に対して垂直に生成する工程と
を包含する。
【００１５】
本発明の方法は、前記第１の空間ユニット（２１）内の第１の気圧が測定され、前記第２の空間ユニット（２２）内の第２の気圧が測定され、前記第３の空間ユニット（２３）内の第３の気圧が測定され、該第３の気圧は、該第２の気圧および該第１の気圧と比較され、該第３の空間ユニット（２３）内の前記第３の層流（４３）の前記第３の流速は、該比較の結果として調整されることを特徴としてもよい。
【００１６】
本発明の方法は、前記第３の流速は、前記第３の気圧が前記第１の気圧および前記第２の気圧よりも低くなるように調整されることを特徴としてもよい。
【００１７】
本課題は、請求項１に記載の特徴を有する処理装置、および請求項６に記載の処理装置を動作させる方法を用いて、本発明により解決される。
【００１８】
本発明により、従来技術による、第１の空間ユニットと第２の空間ユニットとの間の直通の開口が、第１の空間ユニットおよび第２の空間への開口部がそれぞれ設けられた第３の空間ユニットと置き換えられる。この第３の空間ユニットは、汚染粒子の密度を低減する固有のデバイスを備えており、このデバイスは、第３の空間ユニットに、対応する気流を生成することによって、クリーンルームの条件の固有のパラメータ、特に流速のパラメータを設定し得る。デバイスを適切に取り付けることによって決定される気流の方向は、実質的に、それぞれ、隣接する空間ユニットへの第１の開口部および第２の開口部が形成される面と平行である。隣接し合う空間ユニットの、隣接し合う層流を平行に方向付ける従来技術と異なって、第３の空間ユニットにおける気流の方向は、隣接し合う空間ユニットの第１の気流および第２の気流に対して垂直に方向付けられる。
【００１９】
本発明の利点は、本発明による処理装置を動作させる、本発明による方法により、特に明らかになる。３つの隣接し合う空間ユニットにおいて、それぞれ気圧が測定され、その後、第３の気圧が、それぞれ、第１の気圧および第２の気圧と比較される。この比較の結果は、第３の空間ユニットにおいて、汚染粒子を低減するデバイス用の入力として利用される。このデバイスは、より小さい気圧を達成するために、測定された気圧差の結果として、層流の流速を新たに適合させる。ベルヌーイの式によれば、
【００２０】
【数１】
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であり、ここで、ＶＬＵＦＴは気流の流速、ｇは重力加速度およびＰは等方性静的気圧であり、流速が上昇すると、気圧が低下し、流速が低下すると気圧が上昇する。すなわち、気圧全体は、流速によって与えられる動的気圧、および空気の温度特性により与えられる静的気圧、ならびにここで無視され得る気圧の要素から構成される。従って、本発明によれば、汚染粒子を低減するデバイスにより、対応する流速を設定することによって、包囲する空間ユニットと比較して、わずかに低い気圧が生成される。
【００２１】
これによって、有利にも、第１の空間ユニットからの汚染粒子、および第２の空間ユニットからの汚染粒子は第３の空間ユニットに到達し得るが、その逆は起こらない。汚染粒子は、第３の空間ユニットにおける層流を介して、乱流を生成しない最小の気流を介して、第３の空間ユニットで収容され、その第３の空間ユニット内に存在する空気流出スリット（Ｌｕｆｔａｕｓｌａｓｓｓｃｈｌｉｔｚ）に導かれ、ここでフィルタリングアウトされる。特に、その結果、第１の空間ユニットから第２の空間ユニットへの汚染粒子の移動が著しく困難になる。従って、特に、汚染粒子に対して敏感な空間ユニットにおいて、もう一方の空間ユニットと比較して、汚染粒子の密度の好適な低減が達成される。
【００２２】
さらなる実施形態において、第３の流速は、第１の流速および第２の流速よりもわずかに小さく、従って、第１の開口部および第２の開口部の領域において、第１の空間ユニットと第３の空間ユニットとの間、および第２の空間ユニットと第３の空間ユニットとの間に生じる気圧の差により乱流が生じない。
【００２３】
さらなる実施形態において、第３の空間ユニットを介して半導体ディスクを第１の空間ユニットから第２の空間ユニットに移送するデバイスが構成され、半導体ディスクの平坦な表面が、第３の空間ユニット内で、半導体ディスクが移送されるまさにそのときに、第３の空間ユニットにおける層流に沿って配置されるように構成される。一方で、これによって、ディスクの角における乱流が最小化され、他方、表面に沿って流れる気流が、表面に堆積した汚染粒子を除去し得る。
【００２４】
第３の空間ユニットにおける層流は、好適には、細くおよび正確に収束され、ここで、第３の空間ユニットは、好適には、第１の空間ユニットおよび第２の空間ユニットと比較してわずかな広がりを有する。
【００２５】
好適な実施形態において、第３の空間ユニットは、隣接する空間ユニットにおいて加工を待つ半導体ディスク用の中間緩衝域として用いられる。利点は、緩衝中にディスクの表面からはじけ飛ぶ粒子が即座に除去され、さらに加工するための空間ユニットには、もはや到達しないことである。特に、加熱プロセスの後に冷却する半導体ディスクは、ここで、汚染源となり得る。
【００２６】
さらなる実施形態において、第３の空間ユニットにおける第１の開口部および第２の開口部は対向して配置される。一方で、この配置は、ディスクを、第３の空間ユニットを通って第１の空間ユニットから第２の空間ユニットへ運搬することを容易にし、他方、この配置の場合、層流を取得することを良好に保証する。
【００２７】
特に有利な実施形態において、処理装置はリソグラフィクラスタであり、ここで、第１の空間ユニットは、リソグラフィ用のトラックの部分であり、第２の空間ユニットは、平坦な半導体ディスクのためのリソグラフィ用の照射装置である。このような処理装置において、一方で、クリーンルーム条件に対する高度な絶対的要求が、汚染粒子に対して敏感な空間ユニット、すなわち照射装置に課せられる、他方、ここでは、リソグラフィ用のトラックにおける多数の化学的処理および熱処理により、隣接する空間ユニットとの要求の相違が特に大きい。
【００２８】
本発明は、ここで、例示的実施形態を参照して、図面を用いてさらに詳細に説明される。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１において、従来技術による、処理装置２における２つの空間ユニット１１、１２の構成が示される。この構成は、半導体ウェハ１を移送する開口部１３を空間ユニット間に有する。空間ユニット１１、１２は、空間的に遮断されており、これらの周囲に比べて汚染粒子の密度が低減されている。周囲は、例えば、半導体製造のクリーンルーム領域であり得る。３００ｍｍ技術が導入されたとき、半導体ウェハが、主に、包囲するクリーンルームに比べて粒子密度が低減されたボックス（いわゆるＦＯＵＰ）内で保管されるようになった。好適には、これらのＦＯＵＰは、処理装置に直接的に結合され、ＦＯＵＰの小環境は、処理装置２の空間ユニット１１または１２と直接的に接続される。このようにして、半導体ウェハ１は、処理装置２に直接的に供給され得る。ＦＯＵＰ自体が、本発明による空間ユニット１１または１２であることも考えられ得る。
【００３０】
図２において、２つの空間ユニット２１および２２、ならびに第３の空間ユニット２３の、本発明による構成を有する処理装置２が示される。この第３の空間ユニットは、従来技術による開口部１３の代わりに、２つの空間ユニット２１と２２との間に配置される。空間ユニット２３は、第１の空間ユニット２１および第２の空間ユニット２２それぞれへの２つの開口部を有する。これらは、半導体ウェハ１を、第１の空間ユニット２１から第３の空間ユニット２３へ、および第３の空間ユニット２３から第２の空間ユニット２２に移送するために利用される。
【００３１】
空間ユニット２１および２２の機能は、従来技術による空間ユニット１１および１２の機能に対応する。この機能は、小環境、すなわち汚染粒子の密度が低減された、気圧および温度等が一定の領域を取得するために利用され、半導体ウェハ１の緩衝領域（Ｐｕｆｆｅｒｂｅｒｅｉｃｈｅ）、プロセス室の帯電または非帯電領域（Ｂｅｌａｄｅ−ｕｎｄ　Ｅｎｔｌａｄｅｂｅｒｅｉｃｈｅ）であるか、またはプロセス室それ自体である。ＦＯＵＰ、または類似の態様で遮断されたウェハ容器を空間ユニット２１、２２とする場合は、ともに本発明に含まれる。
【００３２】
図３は、図２の構成を平面上に投影された、斜視図で模式的に示す。ここでは、矢印による表示を用いて、汚染粒子を低減するデバイスにより生成された層流４１、４２、４３の気流の方向が記入される。第１の空間ユニット２１においてデバイス３１により生成された層流４１は、空間ユニット２２におけるデバイス３２により生成された層流４２と平行である。
【００３３】
図３に図示されないデバイス３３により、層流４３が生成される。この層流４３は、空間ユニット２１および２２の層流４１および４２に対して垂直である。しかしながら、３つの空間ユニットにおける３つのすべての層流は、開口部２４および２５の開口部面と平行に方向付けられる特性を有し、層流が開口部２４、２５を通り抜けないようにする。
【００３４】
空間ユニット２３において、デバイス３３により、層流４３の速度は、層流４１および４２の流速よりも大きくなるように設定され、ベルヌーイの式により、空間ユニット２３における静的気圧が、包囲する空間ユニット２１および２２におけるよりも少なくなるようにされる。しかしながら、この静的気圧の差は、非常にわずかであるので、開口部２４および２５において乱流が生じない。これに対して、気圧の差異を調整するために、最小の気流４４が層流４１、４２から分岐し、この最小の気流は、開口部２４、２５を通って第３の空間ユニット２３に流入し、ここで、乱流を形成することなく層流４３と一緒になって流れる。
【００３５】
図４ａは、汚染粒子の密度を低減するデバイスにより生成された層流４３用の空気流入スリット５１および空気流出スリット５２を有する空間ユニット２３を模式的に示す。第３の空間ユニット２３における、本発明による、半導体ウェハ１の運搬の取り扱いが図４ｂに示される。平坦な半導体ディスク１は、層流に対する抵抗が可能な限り小さいように、空間ユニット２３の層流４３を通って移動させられる。本発明によると、これは、半導体ディスクを層流４３に対して平行に方向付けることにより可能になる。ウェハを空間ユニット２１から第２の空間ユニット２２に移送する自動ハンドリングシステムは、これに対応して調整される。第１の空間ユニット２１から第３の空間ユニット２３に移送する際に、半導体ディスクの低速回転移動を実行し、乱流を回避するために、このディスクを層流４１および４３と常に平行に方向付けられるようにすることも可能である。
【００３６】
図５において、リソグラフィクラスタに関する、本発明による例示的実施例が示される。この図において、５つの連続する空間ユニット８６、８５、８４、２２’、２１’の構成が見出され得る。これらには、さらに、本発明により、第３の空間ユニット２３が割り当てられる。乱流を回避するために、層流は、これらの空間ユニットの各々において、空間ユニット２３における層流を除いて、平行に方向付けられる。空間ユニット２３における層流は、図５の図面レベルから垂直に突き出す。空間ユニット２１’は、半導体ウェハ１の光学投影用の照射装置に対応する。ここでは、クリーンルームの仕様に対する最も高度な要求が当てはまる。空間ユニット８６、８５、８４、２２’は、リソグラフィートラックの空間ユニットである。これらのリソグラフィートラックにおいて、照射装置２１’において、例えば、塗布（Ｂｅｌａｃｋｕｎｇ）、種々のベーキング工程、現像工程（Ｅｎｔｗｉｃｋｌｅｒｓｃｈｒｉｔｔｅ）または冷却工程等、ウェハを照射する前の前処理、または照射した後の後処理が行なわれる。空間ユニット間には、次のプロセス工程へ半導体を移送する開口部が位置する。
【００３７】
小環境が益々要求されることを考慮して、空間ユニット２１’と空間ユニット２２’との間に第３の空間ユニット２３が設けられる。空間ユニット２１’と比較して、汚染された空間ユニット２２’内の気流は、本発明による空間ユニット２３の構成により、気圧が変動した際、または半導体ウェハを移送する際に空間ユニット２１’に到達することが妨げられる。
【００３８】
空間ユニット２１’、２２’および２３において、気圧および温度を測定するセンサがそれぞれ取り付けられる。このセンサは、制御系において現在測定された値を汚染粒子３１、３２、３３の密度を低減するそれぞれのデバイスに応答する。これらのデバイスは、それぞれ、一定のクリーンルーム条件を取得する。しかしながら、これらのデバイスは、さらに、信号ライン１００を介して互いに結合されているので、デバイス３３は、空間ユニット２３と、隣接する空間ユニットとの間で気圧および温度の比較を行なう。これに対する応答として、デバイス３３は、より高い流速により比較的わずかな静的気圧が存在するように層流４３を適合し得る。
【００３９】
空間ユニット８６に関して、例示として、空間ユニット２３への転用可能な実施形態が図示される。空気流出スリットを通って出ていく層流９２は、この場合、包囲する室内を換気（Ｈａｌｌｅｎｂｅｌｕｅｆｔｕｎｇ）するために移送される。しかしながら、層流９３の別の部分は、再循環され、層流を生成するために、フィルタシステムを介して再びデバイス９１に供給される。
【００４０】
さらなる実施形態において、空間ユニット２３は、空間ユニット２１’を有する照射装置用の緩衝ステーションとして機能する。この際、さらに、複数の半導体ウェハ１が空間ユニット２３において同時に留まり得る。ウェハ表面を横切る収束された気流は、ここで、さらなる清浄効果をもたらす。
【００４１】
空間ユニット２１’、２２’および２３における例示的流速は、それぞれ０．３ｍ／ｓであり、相対湿度はそれぞれ４０％、リソグラフィートラックおよび空間ユニット２３における温度２２℃、照射装置における温度は２３℃である。
【００４２】
半導体ウェハ（１）を製造する処理装置（２）において、小環境を生成する２つの空間ユニット（２１、２２）間に第３の空間ユニット（２３）が構成される。上記第３の空間ユニットは、上記空間ユニット（２１、２２）の層流（４１、４２）に対して垂直の層流（４３）を有し、わずかにより大きい流速で動作される。ベルヌーイの式によれば、これにより、上記第３の空間ユニット（２３）における静的気圧は、上記包囲する空間ユニット（２１、２２）におけるよりも低い。従って、有利にも、汚染は、より大きい負荷の空間ユニット（２２）から、より少ない負荷の空間ユニット（２１）へと移動しない。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の処理装置によって、半導体製造用の処理装置における２つの空間ユニットのうちの汚染粒子に対してより敏感な空間ユニット内に、汚染粒子の密度がより小さくなるように低減できる装置構成を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来技術による、汚染が低減された２つの空間ユニットを示す。これらの空間ユニットは、開口部を通じて互いに直接的に接続される。
【図２】図２は、本発明による、汚染が低減された２つの空間ユニットを示す。これらの空間ユニットは、それぞれ１つの開口部を有する第３の空間ユニットを介して互いに接続される。
【図３】図３は、本発明による、３つの空間ユニットにおける層流の方向を斜視図で示す。
【図４ａ】図４ａは、第３の空間ユニットにおいて、半導体ディスクをともなわない第３の空間ユニットにおける、空気流入スリットから空気流出スリットへの層流の方向を示す。
【図４ｂ】図４ｂは、第３の空間ユニットにおいて、半導体ディスクをともなう第３の空間ユニットにおける、空気流入スリットから空気流出スリットへの層流の方向を示す。
【図５】図５は、本発明による、複数の従来の空間ユニット、および、２つの従来の空間ユニット間のエアロック（Ｓｃｈｌｅｕｓｅ）としての、空間ユニットを有するリソグラフィ用のクラスタの例示的実施例を示す。
【符号の説明】
１　半導体ディスク
２　処理装置
１１　従来技術の第１の空間ユニット
１２　従来技術の第２の空間ユニット
１３　半導体ディスクを移送する開口部
２１　第１の空間ユニット
２２　第２の空間ユニット
２３　第３の空間ユニット
３１　低減された汚染密度を生成する第１のデバイス
３２　低減された汚染密度を生成する第２のデバイス
３３　低減された汚染密度を生成する第３のデバイス
４１　第１の層流
４２　第２の層流
４３　第３の層流
４４　最小の気流、乱流なし
５１　空気流入スリット
５２　空気流出スリット
８４　さらなる空間ユニット
８５　さらなる空間ユニット
８６　さらなる空間ユニット
９１　さらなるデバイス
９２　クリーンルームにおける空気の排気
９３　フィルタによる空気の再利用
１００　第３の層流を制御するデバイスの接続
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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