(57)【要約】【課題】バンプが容易に形成可能であり、かつ、歩留まりが良好な面発光型発光素子およびその製造方法、該面発光型発光素子の実装構造、ならびに該面発光型発光素子を含む光モジュールおよび光伝達装置を提供する。【解決手段】本発明の面発光型発光素子１００は、化合物半導体基板１０１上に形成された発光素子部１３２を含み、化合物半導体基板１０１と垂直方向に光を出射できる。この面発光型発光素子１００は、少なくとも１つのパッドを含み、前記パッドの表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が５．０×１０−３μｍ以上である。【選択図】　　　　図１
2004014993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体基板上に形成された発光素子部を含み、該基板と垂直方向に光を出射できる面発光型発光素子であって、
少なくとも１つのパッドを含み、
前記パッドの表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が、５．０×１０−３μｍ以上である、面発光型発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記パッドを複数個含み、
前記複数個のパッドのうち少なくとも１つが、前記発光素子部に電流を注入するための電極である、面発光型発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記複数個のパッドのうち少なくとも２つが同一面上に形成されている、面発光型発光素子。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記複数個のパッドのうち２つが、前記発光素子部に電流を注入するための一対の電極であり、
前記一対の電極を構成する前記２つのパッドはいずれも、前記化合物半導体基板表面の上方に設置されている、面発光型発光素子。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記パッドの少なくとも一部が絶縁層上に形成されている、面発光型発光素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記絶縁層は、ポリイミド樹脂からなる、面発光型発光素子。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記パッドの最表面が金で形成されている、面発光型発光素子。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記化合物半導体基板の裏面から光が出射する、面発光型発光素子。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記面発光型発光素子は、面発光型半導体レーザである、面発光型発光素子。
【請求項１０】
請求項９において、
前記面発光型半導体レーザの前記発光素子部は、少なくとも一部に柱状部が形成された共振器と、前記柱状部の側面を覆う絶縁層と、を含み、
前記面発光型半導体レーザはさらに、前記パッドを複数個含み、該複数個のパッドのうち少なくとも１つが前記電極であり、
前記電極の少なくとも一部が、前記絶縁層の上に形成されている、面発光型発光素子。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記複数個のパッドのうち２つが、前記発光素子部に電流を注入するための一対の電極であり、
前記一対の電極を構成する２つのパッドの少なくとも一部が、前記絶縁層の上に形成されている、面発光型発光素子。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記面発光型発光素子は、半導体発光ダイオードである、面発光型発光素子。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記半導体発光ダイオードに含まれる前記発光素子部は、少なくとも一部に活性層を含む柱状部と、前記柱状部の側面を覆う絶縁層と、を含み、
前記半導体発光ダイオードはさらに、前記パッドを複数個含み、該複数個のパッドのうち少なくとも１つが前記電極であり、
前記電極の少なくとも一部が、前記絶縁層の上に形成されている、面発光型発光素子。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の面発光型発光素子と、接続用パッドが形成された基板と、該基板と前記面発光型発光素子とを電気的に接続するバンプと、を含む、面発光型発光素子の実装構造。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記接続用パッドが形成された基板にはさらに電子回路が搭載され、
前記電子回路は、前記面発光型発光素子を駆動させるためあるいは前記面発光型発光素子へ信号を送るために設置されている、面発光型発光素子の実装構造。
【請求項１６】
請求項１４または１５において、
前記バンプは金からなる、面発光型発光素子の実装構造。
【請求項１７】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の面発光型発光素子と、光導波路とを含む、光モジュール。
【請求項１８】
請求項１７に記載の光モジュールを含む、光伝達装置。
【請求項１９】
化合物半導体基板上に形成された発光素子部を含み、該基板と垂直方向に光を出射できる面発光型発光素子の製造方法であって、
（ａ）前記基板上に前記発光素子部を形成し、
（ｂ）少なくとも１つのパッドを形成し、
（ｃ）前記パッドに対して表面処理を行なうことにより、該パッド表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を５．０×１０−３μｍ以上にすること、を含む、面発光型発光素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記（ｃ）において、前記表面処理は、前記パッドに対するプラズマまたはイオンビームの照射である、面発光型発光素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１９において、
前記（ｃ）において、前記表面処理は、前記パッドに対するウエット処理である、面発光型発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光型発光素子およびその製造方法、該面発光型発光素子の実装構造、ならびに該面発光型発光素子を含む光モジュールおよび光伝達装置に関する。
【０００２】
【背景技術】
面発光型半導体レーザに代表される面発光型発光素子は、光通信や光演算、および各種センサの光源として大いに期待されている。この面発光型発光素子は、基板と垂直方向に光を出射するという特徴を有する。この特徴を生かして、例えば特開平７−２８３４８６号公報には、はんだバンプを用いて他の基板と面発光型半導体レーザとを直接接合する方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、面発光型発光素子に設けられた金属パッド上にバンプを形成する場合、一定の過重をかけながら超音波を印加して接合する。多くの面発光型発光素子は、化合物半導体基板上に化合物半導体層が積層されて構成されている。しかしながら、化合物半導体基板は一般に、シリコン基板やサファイア基板と比較して強度が小さい。したがって、このような素子に設けられたパッド上にバンプを形成する場合、化合物半導体基板に印加される過重および超音波によって、前記基板にひびわれが生じる場合がある。一方、化合物半導体基板にこのような損傷が生じるのを回避するために、バンプ形成時に前記基板に印加される過重および超音波を小さくした場合、バンプがパッドに十分に密着しないという問題が生じる場合がある。
【０００４】
本発明の目的は、バンプが容易に形成可能であり、かつ、歩留まりが良好な面発光型発光素子およびその製造方法を提供することにある。
【０００５】
また、本発明の目的は、前記面発光型発光素子の実装構造を提供することにある。
【０００６】
さらに、本発明の目的は、前記面発光型発光素子を含む光モジュールおよび光伝達装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
（面発光型発光素子）
本発明の面発光型発光素子は、
化合物半導体基板上に形成された発光素子部を含み、該基板と垂直方向に光を出射できる面発光型発光素子であって、
少なくとも１つのパッドを含み、
前記パッドの表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が、５．０×１０−３μｍ以上である。
【０００８】
ここで、「パッドの表面の中心線平均粗さ（ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ　ａｖｅｒａｇｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）」とは、前記パッドの表面において、設定した所定の中心線を基準に、ポイントする任意箇所（測定箇所）について基準からの高低差（絶対値）を測定し、その高低差の和を測定箇所の数で割った値をいう。
【０００９】
前記パッドの表面の中心線平均粗さＲａが５．０×１０−３μｍ未満である場合、前記パッド上にバンプを形成する場合、前記パッドの表面と前記バンプとの接合に有効に寄与する面積が少ないため、十分な接合強度を確保できなくなる場合がある。
【００１０】
これに対し、前記パッドの表面の中心線平均粗さＲａが５．０×１０−３μｍ以上である場合、前記バンプ電極と前記バンプとの接合部において、良好な接合状態を確保するために十分な接合面積が得られる。このため、前記接合部において十分な接合強度を確保することができる。
【００１１】
本発明の面発光型発光素子によれば、前記パッド上にバンプを形成する際に、該バンプと該パッドとの接触面積を確保することができるうえ、該パッドの表面の粗さによって、該パッド上に該バンプを固定させることができる。以上により、前記パッドと前記バンプとの密着性を高めることができる。したがって、前記バンプ形成時に前記パッドに加わる負荷を少なくすることができる結果、前記化合物半導体基板に加わる負荷を緩和することができる。
【００１２】
本発明の面発光型発光素子は、以下の態様（１）〜（６）をとることができる。
【００１３】
（１）前記パッドを複数個含み、前記複数個のパッドのうち少なくとも１つが、前記発光素子部に電流を注入するための電極であることができる。この構成によれば、前記電極である前記パッド上に前記バンプを接続させる場合、該パッドと該バンプとの密着性を高めることができるため、接触抵抗の低減を図ることができる。
【００１４】
この場合、前記複数個のパッドのうち少なくとも２つが同一面上に形成できる。このように、同一面上に複数のパッドが形成されていることにより、安定した実装が可能になる。また、この場合、前記複数個のパッドのうち２つが、前記発光素子部に電流を注入するための一対の電極であり、前記一対の電極を構成する前記２つのパッドはいずれも、前記化合物半導体基板表面の上方に設置できる。ここで、「前記化合物半導体基板表面の上方に設置」とは、前記化合物半導体基板表面上に直接設置する場合だけでなく、前記化合物半導体基板表面上に他の層を介して設置されている場合を含む。また、「前記化合物半導体基板表面」とは、前記化合物半導体基板において前記発光素子部が形成されている面をいう。この構成によれば、ワイヤ等を介さずに素子を駆動させることができ、いわゆるフェイスダウン構造の実装を達成することができる。
【００１５】
（２）前記パッドの少なくとも一部を絶縁層上に形成できる。この場合、前記絶縁層は、ポリイミド樹脂からなることができる。
【００１６】
（３）前記パッドの最表面を金で形成することができる。これにより、自然酸化膜の影響を極力抑えることができる。
【００１７】
（４）前記化合物半導体基板の裏面から光が出射することができる。ここで、「前記化合物半導体基板の裏面」とは、前記化合物半導体基板の表面と反対側の面をいう。
【００１８】
（５）前記面発光型発光素子は、面発光型半導体レーザであることができる。
【００１９】
この場合、前記面発光型半導体レーザの前記発光素子部は、少なくとも一部に柱状部が形成された共振器と、前記柱状部の側面を覆う絶縁層と、を含み、
前記面発光型半導体レーザはさらに、前記パッドを複数個含み、該複数個のパッドのうち少なくとも１つが前記電極であり、
前記電極の少なくとも一部を、前記絶縁層の上に形成できる。
【００２０】
また、この場合、前記複数個のパッドのうち２つが、前記発光素子部に電流を注入するための一対の電極であり、前記一対の電極を構成する２つのパッドの少なくとも一部を、前記絶縁層の上に形成できる。
【００２１】
（６）前記面発光型発光素子は、半導体発光ダイオードであることができる。
【００２２】
この場合、前記半導体発光ダイオードに含まれる前記発光素子部は、少なくとも一部に活性層を含む柱状部と、前記柱状部の側面を覆う絶縁層と、を含み、
前記半導体発光ダイオードはさらに、前記パッドを複数個含み、該複数個のパッドのうち少なくとも１つが前記電極であり、
前記電極の少なくとも一部を、前記絶縁層の上に形成できる。
【００２３】
（面発光型発光素子の製造方法）
本発明の面発光型発光素子の製造方法は、化合物半導体基板上に形成された発光素子部を含み、該基板と垂直方向に光を出射できる面発光型発光素子の製造方法であって、
（ａ）前記基板上に前記発光素子部を形成し、
（ｂ）少なくとも１つのパッドを形成し、
（ｃ）前記パッドに対して表面処理を行なうことにより、該パッド表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を５．０×１０−３μｍ以上にすること、を含む。
【００２４】
本発明の面発光型発光素子の製造方法によれば、前記パッド上にバンプを形成する場合、前記パッドと前記パッドとの密着性を高めることができる。
【００２５】
この場合、前記（ｃ）において、前記表面処理は、前記パッドに対するプラズマまたはイオンビームの照射であることができる。あるいは、前記（ｃ）において、前記表面処理は、前記パッドに対するウエット処理であることができる。この方法によれば、前記化合物半導体基板に損傷を与えることなく、前記パッドの表面を粗くすることができる。
【００２６】
（面発光型発光素子の実装構造）
本発明の面発光型発光素子の実装構造は、前述した本発明の面発光型発光素子と、接続用パッドが形成された基板と、該基板と前記面発光型発光素子とを電気的に接続するバンプと、を含む。
【００２７】
この場合、前記接続用パッドが形成された基板にはさらに、電子回路が搭載させることができる。この電子回路は、前記面発光型発光素子を駆動させるため、あるいは前記面発光型発光素子へ信号を送るために設置される。
【００２８】
また、この場合、前記バンプは金からなることができる。
【００２９】
（光モジュールおよび光伝達装置）
本発明の面発光型発光素子と、光導波路とを含む光モジュールに適用することができる。また、前記光モジュールを含む光伝達装置に適用することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３１】
［第１の実施の形態］
（デバイスの構造）
図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００を模式的に示す断面図である。図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００を模式的に示す平面図である。図１は、図２のＡ−Ａ線における断面を示す図である。なお、本実施の形態においては、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。この場合、より高速駆動が可能な面発光レーザの特徴を生かすことができる。
【００３２】
本実施の形態の面発光型発光素子１００は、図１に示すように、化合物半導体基板（本実施形態ではｎ型ＧａＡｓ基板）１０１と、化合物半導体基板１０１上に形成された発光素子部１３２とを含む。
【００３３】
この面発光型発光素子１００においては、図１に示すように、化合物半導体基板１０１の表面１０１ａの上方に、第１電極１０７およびパッド１１０の２つのパッドが形成されている。ここで、「化合物半導体基板１０１の表面１０１ａ」とは、化合物半導体基板１０１において発光素子部が形成されている面をいう。
【００３４】
第１電極１０７およびパッド１１０の表面の中心線粗さＲａは５．０×１０−３μｍ以上であることが望ましく、９．０×１０−３μｍ以上であることがより望ましい。Ｒａが５．０×１０−３μｍ未満であると、第１電極１０７またはパッド１１０上にバンプを形成する場合、バンプとの密着性が十分得られないため、パッド１１０上にバンプを設置することができない場合がある。また、Ｒａが９．０×１０−３μｍ以上であれば、シェア強度（後述する）がより改善され、バンプとパッド１１０との間においてより強固な密着性が得られる。
【００３５】
第１電極１０７およびパッド１１０は同じ材質から形成することができる。例えば、第１電極１０７およびパッド１１０の最表面を金で形成することができる。この場合、第１電極１０７やパッド１１０の上に、金からなるバンプを形成することにより、これらのパッドと前記バンプとの密着性を高めることができる。また、この構成によれば、第１電極１０７およびパッド１１０の最表面が金で形成されていることにより、自然酸化膜の影響を極力抑えることができ、より強固な密着性を確保することができる。
【００３６】
また、第１電極１０７は、後述する第２電極１０９とともに、面発光型発光素子１００に電流を注入する機能を有する。
【００３７】
次に、この面発光型発光素子１００の各構成要素について説明する。
【００３８】
発光素子部１３２は、化合物半導体基板１０１上に形成された垂直共振器（以下「共振器」とする）１４０を含む。この共振器１４０は柱状の半導体堆積体（以下「柱状部」とする）１３０を含み、柱状部１３０の側面は絶縁層１０６で覆われている。
【００３９】
共振器１４０には柱状部１３０が形成されている。ここで、柱状部１３０とは、共振器１４０の一部であって、少なくとも上部ミラー１０４を含む柱状の半導体堆積体をいう。この柱状部１３０は絶縁層１０６で埋め込まれている。すなわち、柱状部１３０の側面は絶縁層１０６で取り囲まれている。さらに、柱状部１３０上には第１電極１０７が形成されている。
【００４０】
共振器１４０は、例えば、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「下部ミラー」という）１０２、ＧａＡｓウエル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む活性層１０３、およびｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの分布反射型多層膜ミラー（以下、「上部ミラー」という）１０４が順次積層されて構成されている。なお、下部ミラー１０２、活性層１０３、および上部ミラー１０４を構成する各層の組成および層数はこれに限定されるわけではない。
【００４１】
上部ミラー１０４は、例えばＣがドーピングされることによりｐ型にされ、下部ミラー１０２は、例えばＳｉがドーピングされることによりｎ型にされている。したがって、上部ミラー１０４、不純物がドーピングされていない活性層１０３、および下部ミラー１０２により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００４２】
また、共振器１４０のうち面発光型発光素子１００のレーザ光出射側から下部ミラー１０２の途中にかけての部分が、レーザ光出射側からから見て円形の形状にエッチングされて柱状部１３０が形成されている。なお、本実施の形態では、柱状部１３０の平面形状を円形としたが、この形状は任意の形状をとることが可能である。
【００４３】
さらに、上部ミラー１０４を構成する層のうち活性層１０３に近い領域に、酸化アルミニウムからなる電流狭窄層１０５を形成することができる。この電流狭窄層１０５は、リング状に形成されている。すなわち、この電流狭窄層１０５は、図１におけるＸ−Ｙ平面に平行な面で切断した場合における断面が同心円状である形状を有する。
【００４４】
また、本実施の形態に係る面発光型発光素子１００においては、柱状部１３０の側面ならびに下部ミラー１０２の上面を覆うようにして、絶縁層１０６が形成されている。
【００４５】
この面発光型発光素子１００の製造工程においては、柱状部１３０の側面を覆う絶縁層１０６を形成した後、柱状部１３０の上面および絶縁層１０６の上面に第１電極１０７を、化合物半導体基板１０１の裏面（化合物半導体基板１０１において発光素子部１３２が形成されている面と反対側の面）に第２電極１０９を、それぞれ形成する。これらの電極形成の際には一般的に、アニール処理を約４００℃で行なう（後述する製造プロセスを参照）。したがって、樹脂を用いて絶縁層１０６を形成する場合、このアニール処理工程に耐え得るためには、絶縁層１０６を構成する樹脂は耐熱性に優れたものであることが必要とされる。この要求を満たすためには、絶縁層１０６を構成する樹脂がポリイミド樹脂、フッ素系樹脂、アクリル樹脂、またはエポキシ樹脂等であることが望ましく、特に、加工の容易性や絶縁性の観点から、ポリイミド樹脂であるのが望ましい。
【００４６】
柱状部１３０および絶縁層１０６の上には、第１電極１０７が形成されている。また、図１および図２に示すように、絶縁層１０６にはパッド１１０を形成することができる。第１電極１０７は、例えばＡｕとＺｎの合金とＡｕとの積層膜から形成することができる。また、このパッド１１０は、第１電極１０７と同じ材質で形成することができる。
【００４７】
柱状部１３０上面の中央部には、第１電極１０７が形成されていない部分（開口部）が設けられている。この部分が出射面１０８である。この出射面１０８がレーザ光の出射口となる。すなわち、柱状部１３０の上面のうち第１電極１０７で覆われていない部分が出射面１０８に相当する。
【００４８】
さらに、化合物半導体基板１０１の裏面には、第２電極１０９が形成されている。すなわち、図１に示す面発光型発光素子１００では、柱状部１３０上で第１電極１０７と接合し、かつ、化合物半導体基板１０１の裏面で第２電極１０９と接合している。この第１電極１０７および第２電極１０９によって活性層１０３に電流が注入される。第２電極１０９は、例えばＡｕとＧｅの合金とＡｕとの積層膜から形成することができる。
【００４９】
（デバイスの動作）
本実施の形態の面発光型発光素子１００の一般的な動作を以下に示す。なお、下記の面発光型半導体レーザの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。
【００５０】
まず、第１電極１０７と第２電極１０９とで、ｐｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層１０３において、電子と正孔との再結合が起こり、係る再結合による発光が生じる。そこで生じた光が上部ミラー１０４と下部ミラー１０２との間を往復する際に誘導放出が起こり、光の強度が増幅される。光利得が光損失を上まわると、レーザ発振が起こり、柱状部１３０上面にある出射面１０８から、化合物半導体基板１０１に対して垂直方向（図１に示すＺ方向）にレーザ光が出射される。ここで、「化合物半導体基板１０１に対して垂直方向」とは、化合物半導体基板１０１の表面１０１ａ（図１ではＸ−Ｙ平面と平行な面）に対して垂直な方向（図１ではＺ方向）をいう。
【００５１】
（デバイスの製造プロセス）
次に、本発明を適用した第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００の製造方法の一例について、図３〜図８を用いて説明する。図３〜図８は、図１および図２に示す本実施の形態の面発光型発光素子１００の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図１に示す断面に対応している。
【００５２】
（１）まず、ｎ型ＧａＡｓからなる化合物半導体基板１０１の表面に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、図３に示すように、半導体多層膜１５０を形成する。ここで、半導体多層膜１５０は例えば、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの下部ミラー１０２、ＧａＡｓウエル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層からなり、ウエル層が３層で構成される量子井戸構造を含む活性層１０３、およびｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアの上部ミラー１０４からなる。これらの層を順に化合物半導体基板１０１上に堆層させることにより、半導体多層膜１５０が形成される。なお、上部ミラー１０４を成長させる際に、活性層近傍の少なくとも１層を、ＡｌＡｓ層またはＡｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成が高い層）に形成する。この層は後に酸化され、電流狭窄層１０５となる。また、上部ミラー１０４の最表面の層は、キャリア密度を高くし、電極（後述する第１電極１０７）とのオーミック接触をとりやすくしておくのが望ましい。
【００５３】
エピタキシャル成長を行なう際の温度は、成長方法や原料、化合物半導体基板１０１の種類、あるいは形成する半導体多層膜１５０の種類、厚さ、およびキャリア密度によって適宜決定されるが、一般に、４５０℃〜８００℃であるのが好ましい。また、エピタキシャル成長を行なう際の所要時間も、温度と同様に適宜決定される。また、エピタキシャル成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法や、ＭＢＥ法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法、あるいはＬＰＥ法（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いることができる。
【００５４】
続いて、半導体多層膜１５０上に、フォトレジスト（図示しない）を塗布した後フォトリソグラフィ法により該フォトレジストをパターニングすることにより、所定のパターンのレジスト層Ｒ１００を形成する。ついで、このレジスト層Ｒ１００をマスクとして、例えばドライエッチング法により、上部ミラー１０４、活性層１０３、および下部ミラー１０２の一部をエッチングして、図４に示すように、柱状の半導体堆積体（柱状部）１３０を形成する。以上の工程により、図４に示すように、化合物半導体基板１０１上に、柱状部１３０を含む共振器１４０が形成される。その後、レジスト層Ｒ１００を除去する。
【００５５】
続いて、図５に示すように、例えば４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、上記工程によって共振器１４０が形成された化合物半導体基板１０１を投入することにより、前述の上部ミラー１０４中のＡｌ組成が高い層を側面から酸化して、電流狭窄層１０５を形成することができる。酸化レートは、炉の温度、水蒸気の供給量、酸化すべき層（前記Ａｌ組成が高い層）のＡｌ組成および膜厚に依存する。酸化により形成される電流狭窄層を備えた面発光レーザでは、駆動する際に、電流狭窄層が形成されていない部分（酸化されていない部分）のみに電流が流れる。したがって、酸化によって電流狭窄層を形成する工程において、形成する電流狭窄層１０５の範囲を制御することにより、電流密度の制御が可能となる。
【００５６】
以上の工程により、面発光型発光素子１００のうち、発光素子として機能する部分（出射面１０８および電極１０７，１０９を除く）が形成される。
【００５７】
（２）次いで、柱状部１３０を取り囲む絶縁層１０６を形成する。ここでは、絶縁層１０６を形成するための材料として、ポリイミド樹脂を用いた場合について説明する。まず、例えばスピンコート法を用いて、樹脂前駆体（ポリイミド前駆体）を共振器１４０上に塗布して、樹脂前駆体層（図示せず）を形成する。この際、樹脂前駆体層の膜厚が柱状部１３０の高さより大きくなるように形成する。なお、前記樹脂前駆体層の形成方法としては、前述したスピンコート法のほか、ディッピング法、スプレーコート法、インクジェット法等の公知技術が利用できる。
【００５８】
次いで、この基板を、例えばホットプレート等を用いて加熱して溶媒を除去した後、柱状部１３０の上面１３０ａ（図５参照）を露出させる。柱状部１３０の上面を露出させる方法としては、ＣＭＰ法、ドライエッチング法、ウエットエッチング法などが利用できる。この後、前記樹脂前駆体層を約３５０℃の炉内にてイミド化させることで、絶縁層１０６が形成される。なお、イミド化工程を経てほぼ完全に硬化させた絶縁層をエッチングして、柱状部１３０の上面１３０ａを露出させてもよい。
【００５９】
（３）次に、活性層１０３に電流を注入するための第１電極１０７および第２電極１０９、およびレーザ光の出射面１０８を形成する工程について説明する。
【００６０】
まず、第１電極１０７および第２電極１０９を形成する前に、必要に応じて、プラズマ処理法等を用いて、柱状部１３０の上面を洗浄する。これにより、より安定した特性の素子を形成することができる。つづいて、例えば真空蒸着法により絶縁層１０６および柱状部１３０の上面に、例えばＡｕとＺｎの合金とＡｕとの積層膜（図示せず）を形成する。この場合、最表面にＡｕ層を形成する。次いで、リフトオフ法により、柱状部１３０の上面に、前記積層膜が形成されていない部分を形成する。この部分が出射面１０８となる。なお、前記工程において、リフトオフ法のかわりに、ドライエッチング法を用いることもできる。
【００６１】
また、第１電極１０７を形成する工程と同一の工程にて、リフトオフ法またはドライエッチング法によりパッド１１０を形成することができる。
【００６２】
また、化合物半導体基板１０１の裏面に、例えば真空蒸着法により、例えばＡｕとＧｅの合金とＡｕとの積層膜（図示せず）を形成する。次いで、アニール処理する。アニール処理の温度は電極材料に依存する。本実施形態で用いた電極材料の場合は、通常４００℃前後で行なう。
【００６３】
（４）次いで、第１電極１０７およびパッド１１０の表面を粗くする処理を行なう。これにより、第１電極１０７およびパッド１１０の表面の中心線平均粗さＲａを５．０×１０−３μｍ以上にする。なお、第１電極１０７およびパッド１１０の表面の中心線平均粗さＲａは少なくとも、表面を粗くする処理の際に化合物半導体基板１０１に損傷を与えない程度に形成する。
【００６４】
ここで用いる処理としては、第１電極１０７およびパッド１１０の表面にプラズマまたはイオンビームを照射する方法や、第１電極１０７およびパッド１１０の表面をウエット処理する方法等が挙げられる。図８には、一例として、第１電極１０７およびパッド１１０に対してプラズマ１１２を照射する場合を示す。プラズマやイオンビームを用いる場合、第１電極１０７およびパッド１１０の表面に均一かつ細かい荒れを形成することができる。また、前記ウエット処理としては、例えば、硝酸、塩酸、あるいはこれらの混酸等の強酸溶液に第１電極１０７およびパッド１１０の表面を曝す方法が挙げられる。
【００６５】
また、必要に応じて、前述した表面処理の前に、第１電極１０７およびパッド１１０以外の部分を保護するためにレジストパターニング等の工程を付加してもよい。
【００６６】
以上のプロセスにより、図１および図２に示す面発光型発光素子１００が得られる。
【００６７】
（作用および効果）
本実施の形態に係る面発光型発光素子１００の主な作用および効果を以下に示す。
【００６８】
（１）本実施の形態の面発光型発光素子１００によれば、パッドとして第１電極１０７およびパッド１１０を含み、これらのパッドの表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が、５．０×１０−３μｍ以上であることにより、これらのパッド上にバンプを形成する際に、バンプと該パッドとの接触面積を確保することができるうえ、該パッドの表面の粗さを構成する凹凸によって、該パッド上にバンプを固定させることができる。以上により、これらのパッドとバンプとの密着性を高めることができる。したがって、バンプ形成時にこれらのパッドに加わる負荷を少なくすることができる結果、化合物半導体基板１０１に加わる負荷を緩和することができる。
【００６９】
また、このパッドの表面の凹凸は、バンプ表面の極薄自然酸化膜や有機系付着物等を突き破って、バンプをパッドに密着させる機能を有すると推測される。これにより、本実施の形態のように、パッドが電極（第１電極１０７）として用いられる場合、前記パッド上に前記バンプを接続させる際、該パッドと該バンプとの密着性を高めることができるため、接触抵抗の低減を図ることができる。
【００７０】
（２）パッド（第１電極１０７およびパッド１１０）の少なくとも一部が絶縁層１０６上に形成されている。特に、絶縁層１０６がスピンコート法により形成されたものである場合、一般に、この絶縁層１０６の上面は平坦性が高い。このような平坦性が高い面上にこれらのパッドを形成した場合、該パッドの上面も同様に平坦性が高いものとなる。平坦性が高いこれらのパッドの表面にバンプを形成した場合、バンプと該パッドとの接触面積が十分確保されず、バンプと該パッドとの密着性が十分でないため、バンプと該パッドとの接合に大きな負荷が必要となる場合がある。この場合、化合物半導体基板１０１に大きな負荷が印加される結果、化合物半導体基板１０１に大きな損傷が加わる場合がある。
【００７１】
これに対し、本実施の形態の面発光型発光素子１００によれば、前記パッドの表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が、５．０×１０−３μｍ以上であることにより、絶縁層１０６上に形成されたパッド上にこれらのバンプを形成する場合であっても、バンプと該パッドとの接触面積を確保することができ、かつ、該パッドの表面の粗さを構成する凹凸によって、該パッド上にバンプを固定させることができる。以上により、バンプとこれらのパッドとの密着性を高めることができる。
【００７２】
（３）本実施の形態の面発光型発光素子１００の製造方法によれば、第１電極１０７およびパッド１１０の表面にプラズマまたはイオンビームを照射したり、第１電極１０７およびパッド１１０の表面をウエット処理することにより、第１電極１０７およびパッド１１０の表面処理を行なう。したがって、ＣＭＰ法等の機械的手段を用いる場合と異なり、化合物半導体基板１０１に損傷を与えることなく、第１電極１０７およびパッド１１０の表面を粗くすることができる。
【００７３】
また、本実施の形態においては、面発光型発光素子１００が面発光型半導体レーザである場合について説明したが、本発明は、面発光型半導体レーザ以外の発光素子にも適用可能である。本発明を適用できる面発光型発光素子としては、例えば、半導体発光ダイオードなどが挙げられる。
【００７４】
［第２の実施の形態］
（デバイスの構造）
図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００を模式的に示す断面図である。図１０は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００を模式的に示す平面図である。図９は、図１０のＡ−Ａ線における断面を示す図である。なお、本実施の形態においては、第１の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。
【００７５】
本実施の形態に係る面発光型発光素子２００は、パッド１１０（図１参照）のかわりに、第２電極１１９が第１電極１０７とともに、化合物半導体基板１０１の表面１０１ａの上方に形成されている点以外は、第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００とほぼ同様の構造を有する。第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００と実質的に同じ機能を有する構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００７６】
この面発光型発光素子２００では、化合物半導体基板１０１の表面１０１ａの上方に、第１電極１０７および第２電極１１９の２つのパッドが形成されている。開口部１１１は、図９に示すように、少なくとも下部ミラー１０２まで到達するように形成されている。
【００７７】
第１電極１０７および第２電極１１９の表面の中心線粗さＲａは５．０×１０−３μｍ以上であることが望ましく、９．０×１０−３μｍ以上であることがより望ましい。
【００７８】
（デバイスの製造プロセス）
第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００は、途中の工程まで、第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００の製造工程を用いて形成される。すなわち、前述した第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００の製造工程において、共振器１４０の上に絶縁層１０６を形成した後（図６参照）、絶縁層１０６に開口部１１１（図９参照）を形成する。開口部１１１の形成方法としては、ウエットエッチング法やドライエッチング法等が例示できる。必要に応じて、開口部１１１の底面に相当する下部ミラー１０２の露出面をエッチングしてもよい。
【００７９】
次いで、第１の実施の形態と同様に第１電極１０７を形成する。さらに、開口部１１１の底面から絶縁層１０６の上面にかけて第２電極１１９を形成する。第２電極１１９は、第１の実施の形態の半導体装置１００の第２電極１０９を形成するための材料と同様の材料を用いることができる。また、本実施の形態において、第２電極１１９を形成する場合、例えばリフトオフ法を用いて、開口部１１１の底面に相当する下部ミラー１０２の露出面から絶縁層１０６の上面に至るまでをカバーするようにパターニングを行なう。この後、第１の実施の形態の半導体装置１００の製造工程と同様に、第１電極１０７および第２電極１１９の表面を粗くする処理を行なう。以上の工程により、第２の実施の形態の半導体装置２００を形成することができる。
【００８０】
（デバイスの動作および作用効果）
本実施の形態の面発光型発光素子２００の動作は、第１の実施の形態の面発光型発光素子１００と基本的に同様であるため、説明は省略する。
【００８１】
また、本実施の形態に係る面発光型発光素子２００およびその製造方法は、第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。
【００８２】
さらに、本実施の形態に係る面発光型発光素子２００では、第１電極１０７と第２電極１１９とがいずれも、化合物半導体基板１０１の表面１０１ａの上方に形成されている。これにより、第１電極１０７および第２電極１１９の上にバンプを介して駆動素子等に実装することができる。これにより、ワイヤ等を介さずに素子を駆動させることができ、いわゆるフェイスダウン構造の実装を達成することができる。また、第１電極１０７および第２電極１１９は、同一面上に形成されている。このように、同一面上に複数のパッドが形成されていることにより、安定した実装が可能になる。
【００８３】
［第３の実施の形態］
（デバイスの構造）
図１１は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る面発光型発光素子３００を模式的に示す断面図である。図１２は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る面発光型発光素子３００を模式的に示す平面図である。図１１は、図１２のＡ−Ａ線における断面を示す図である。なお、本実施の形態においては、第１および第２の実施の形態と同様に、面発光型発光素子として面発光型半導体レーザを用いた場合について説明する。
【００８４】
本実施の形態に係る面発光型発光素子３００は、柱状部１１３の上面からではなく、化合物半導体基板１０１の裏面１０１ｂから光が出射する点で、第１および第２の実施の形態に係る面発光型発光素子１００，２００と異なる。
【００８５】
なお、本実施の形態に係る面発光型発光素子３００において、ここで指摘する点以外については、第２の実施の形態に係る面発光型発光素子１００とほぼ同様の構造を有する。第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００と実質的に同じ機能を有する構成要素には同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００８６】
この面発光型発光素子３００に含まれる活性層１０３は、第１の実施の形態の欄で説明したように、ＡｌＧａＡｓ系の材料で形成されている。この活性層１０３よって得られるレーザ光の発振波長は７７０〜８７０ｎｍであり、この波長帯の光は、ＧａＡｓ基板からなる化合物半導体基板１０１により吸収されてしまう。このため、化合物半導体基板１０１には、化合物半導体基板１０１の裏面１０１ｂからレーザ光を取り出すための開口部１１３が形成されている。なお、開口部１１３を設けるかわりに、例えば、化合物半導体基板１０１そのものをＣＭＰ法等により薄膜化する方法や、ＧａＡｓ基板ではなく例えばＡｌＧａＡｓ基板等のようにどの波長帯の光も吸収しない基板を用いて化合物半導体基板１０１を形成する方法により、化合物半導体基板１０１の裏面１０１ｂからレーザ光を出射させることができる。また、活性層にＩｎＧａＡｓ系材料またはＧａＩｎＮＡｓ系材料を用いることにより、発振波長が９００ｎｍ以上のレーザ光を発生させる場合、ＧａＡｓ基板はこの波長帯域の光を吸収しない。したがって、この場合において、ＧａＡｓ基板からなる化合物半導体基板１０１を用いて面発光型発光素子を形成する場合、化合物半導体基板１０１の裏面を加工する必要はない。
【００８７】
この面発光型発光素子３００では、第１電極１１７は、柱状部１３０の上面全体を覆うように形成されている。一方、第２電極１１９は、第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００と同様に、化合物半導体基板１０１の表面１０１ａの上方に形成されている。
【００８８】
また、この面発光型発光素子３００では、化合物半導体基板１０１の表面１０１ａの上方に、第１電極１１７および第２電極１１９の２つのパッドが形成されている。開口部１１１は、図１１に示すように、少なくとも下部ミラー１０２まで到達するように形成されている。
【００８９】
第１電極１１７および第２電極１１９の表面の中心線粗さＲａは５．０×１０−３μｍ以上であることが望ましく、９．０×１０−３μｍ以上であることがより望ましい。
【００９０】
（デバイスの製造プロセス）
第３の実施の形態に係る面発光型発光素子３００は、化合物半導体基板１０１の裏面１０１ｂに開口部１１３を形成する点、および柱状部１３０の上面を全て覆うようにパターニングして第１電極１１７を形成する点以外は、第２の実施の形態の面発光型発光素子２００の製造工程と同様の製造工程を用いて形成される。開口部１１３は、第１および第２電極１１７，１１９を設置する前、あるいは後に、例えばウエットエッチング法を用いて形成することができる。
【００９１】
（デバイスの動作および作用効果）
本実施の形態の面発光型発光素子３００の動作は、化合物半導体基板１０１に設けられた開口部１１３の底面（出射面３０８）から、図１１に示す−Ｚ方向へと光が出射する点を除いて、第１の実施の形態の面発光型発光素子１００と基本的に同様である。このため、詳細な説明は省略する。
【００９２】
また、本実施の形態に係る面発光型発光素子３００およびその製造方法は、第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有する。さらに、本実施の形態に係る面発光型発光素子３００においては、第１および第２電極１１７，１１９の上にバンプを形成し、該バンプを介して、例えばＳｉ基板からなるＩＣ基板やガラス基板等の他の基板と接合することができる。この場合、バンプが形成される面と反対側の面（本実施の形態においては出射面３０８）からレーザ光を取り出すことができる。これにより、ＩＣ基板等の他の基板を、素子３００から出射されるレーザ光が該他の基板を透過可能か否かに関わらず、素子３００に接合して利用することができる。
【００９３】
［第４の実施の形態］
（デバイスの構造）
図１３は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る面発光型発光素子４００を模式的に示す断面図である。図１４は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る面発光型発光素子４００を模式的に示す平面図である。図１３は、図１４のＢ−Ｂ線における断面を示す図である。なお、本実施の形態においては、面発光型発光素子として半導体発光ダイオードを用いた場合について説明する。
【００９４】
この実施の形態の面発光型発光素子４００は、図１３に示すように、例えばｎ型ＧａＡｓ基板からなる化合物半導体基板４０１と、化合物半導体基板４０１上に形成された発光素子部４３２とを含む。この面発光型発光素子４００においては、この発光素子部４３２によって光が発生する。
【００９５】
発光素子部４３２は、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板からなる化合物半導体基板４０１上に形成され、ｎ型ＧａＡｓ層からなるバッファ層４２２、ｎ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４２３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層４２４、ＧａＡｓ層を少なくとも１層含み、発光層として機能する活性層４２５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層４２６、およびｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４２７が順次積層されて構成されている。
【００９６】
ｎ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４２３、不純物がドーピングされていない活性層４２５、およびｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４２７により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００９７】
また、発光素子部４３２のうち出射面４０８側からコンタクト層４２３の途中にかけての部分が、出射面４０８側からから見て円形の形状にエッチングされて柱状部４３０が形成されている。本実施の形態においては、柱状部４３０とは、発光素子部４３２の一部を構成する柱状の半導体堆積体をいう。なお、柱状部４３０の平面形状は任意の形状をとることが可能である。
【００９８】
絶縁層４０６は、柱状部４３０の側面ならびにコンタクト層４２３の上面を覆うように形成されている。したがって、柱状部４３０の側面は絶縁層４０６で取り囲まれている。
【００９９】
さらに、柱状部４３０の上面から絶縁層４０６の表面にかけては、第１電極４０７が形成されている。柱状部４３０の上面には出射面４０８が設置されており、この出射面４０８から光が出射する。すなわち、柱状部４３０の上面のうち第１電極４０７で覆われていない部分が出射面４０８に該当する。また、絶縁層４０６の一部が除去されてコンタクト層４２３が露出しており、この露出したコンタクト層４２３の表面に接触する形で第２電極４１９が形成されている。
【０１００】
絶縁層４０６、ならびに第１および第２電極４０７，４１９としては、前述した第１の実施の形態の面発光型発光素子１００を構成する絶縁層１０６、ならびに第１および第２電極１０７，１０９と同様の材料を用いて形成することができる。
【０１０１】
第１電極４０７および第２電極４１９の表面の中心線粗さＲａは５．０×１０−３μｍ以上であることが望ましく、９．０×１０−２μｍ以上であることがより望ましい。
【０１０２】
（デバイスの動作）
本実施の形態の面発光型発光素子４００の一般的な動作を以下に示す。なお、下記ＬＥＤの駆動方法は一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変更が可能である。
【０１０３】
まず、第１電極４０７と第２電極４１９とで、ｐｉｎダイオードに順方向の電圧を印加すると、活性層４２５において、電子と正孔との再結合が起こり、係る再結合による発光が生じる。この光は、柱状部４３０上面にある出射面４０８から出射する。
【０１０４】
（デバイスの製造プロセス）
次に、本発明を適用した第４の実施の形態に係る面発光型発光素子４００の製造方法の一例について説明する。この面発光型発光素子４００は、前述の第１の実施の形態の面発光型発光素子１００と類似する工程にて形成することができる。
【０１０５】
（１）まず、ｎ型ＧａＡｓ基板４０１の表面に、ｎ型ＧａＡｓ層からなるバッファ層４２２、ｎ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４２３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層４２４、ＧａＡｓ層を少なくとも１層含み、発光層として機能する活性層４２５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるクラッド層４２６、およびｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４２７からなる多層膜（図示せず）を結晶成長させる。結晶成長の方法としては、ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法が例示できる。この際、ｎ型の層を形成する際には例えばＳｉを、ｐ型の層を形成する際には例えばＣをそれぞれドープする。あるいは、ｎ型の層を形成する際にＳｅを、ｐ型の層を形成する際にはＺｎを用いてドープすることもできる。
【０１０６】
次いで、例えばドライエッチング法により、ｐ型コンタクト層４２７からｎ型コンタクト層４２３の途中にかけてエッチングを行ない、柱状部４３０を形成する。
【０１０７】
（２）続いて、柱状部４３０の周囲に絶縁層４０６を形成する。この絶縁層４０６は、第１の実施形態における絶縁層１０６と同様の工程にて形成することができる。なお、この工程において、第２電極４１９をコンタクト層４２３の上に形成するために、絶縁層４０６をコンタクト層４２３の一部が露出する形状に形成する。
【０１０８】
（３）次いで、例えば真空蒸着法により、第１および第２電極４０７，４１９を形成する。また、この工程において、柱状部４３０の上面に出射面４０８が形成される。なお、この工程においては、リフトオフ法を用いて所望の表面形状を得ることができる。あるいは、ドライエッチング法を用いて第１および第２電極４０７，４１９を形成してもよい。これらの電極を形成後、アニール処理を行ない、オーミックコンタクトを形成する。
【０１０９】
（４）第１および第２電極４０７，４１９の表面を粗くする処理を行なう。この処理は、第１の実施の形態の欄で説明した方法と同様の方法を用いることができる。この工程により、第１および第２電極４０７，４１９の表面の中心線平均粗さＲａを５．０×１０−３μｍ以上にする。
【０１１０】
以上の工程により、図１３および図１４に示す面発光型発光素子４００が得られる。
【０１１１】
（作用および効果）
本実施の形態に係る面発光型発光素子４００およびその製造方法は、第１および第２の実施の形態に係る面発光型発光素子１００，２００およびその製造方法と実質的に同じ作用および効果を有するため、説明は省略する。
【０１１２】
［第５の実施の形態］
図１５は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る面発光型発光素子の実装構造を模式的に説明する図である。
【０１１３】
本実施の形態の面発光型発光素子の実装構造として、構造体１３００を図１５に示す。この構造体１３００においては、第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００と基板９００とが、バンプ９１０を介して電気的に接続されている。すなわち、面発光型発光素子２００と基板９００とがいわゆるフェースダウン構造を構成する。
【０１１４】
基板９００は、面発光型発光素子２００から出射した光を通過させる性質を有する材質からなる。例えば、基板９００としてガラス基板を用いることができる。この基板９００には、ＭＯＳＦＥＴ回路等の電子回路９１４が搭載されている。この電子回路９１４は、面発光型発光素子２００を駆動させるために基板９００に搭載されている。基板９００にはパッド９１８が形成され、このパッド９１８上にバンプ９１６が形成されている。具体的には、この電子回路９１４は、面発光型発光素子２００から出射される光の伝播を妨げないような位置に形成される。例えば、図１５に示すように、電子回路９１４は、面発光型発光素子２００と同様に、フリップチップボンディングによって基板９００に搭載されている。すなわち、電子回路９１４の表面に形成されたパッド９１７と、基板９００のパッド９１８とが、バンプ９１６を介して電気的に接続されている。面発光型発光素子２００の電極と電子回路９１４の電極とは配線パターン（図示せず）によって電気的に接続されている。
【０１１５】
また、基板９００には、面発光型発光素子２００の第１および第２電極１１７，１１９に対応する位置にパッド９１２が予め設置されている。また、この基板９００には、金属配線パターン（図示せず）が施されており、この金属配線とパッド９１２が電気的に接続されている。
【０１１６】
面発光型発光素子２００の第１および第２電極１１７，１１９は、バンプ９１０によって基板９００のパッド９１２と電気的に接続されている。
【０１１７】
また、バンプ９１０は、金、金合金、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｕ等から形成することができる。また、面発光型発光素子２００の第１および第２電極１１７，１１９の最表面は金で形成されている。この場合、バンプ９１０は金からなるのが好ましい。このように、最表面が金で形成されている第１および第２電極１１７，１１９の上に、金からなるバンプ９１０が形成されていることにより、これらの電極１１７，１１９とバンプ９１０との密着性を高めることができる。
【０１１８】
構造体１３００においては、電子回路９１４からの信号によって、パッド９１２を通じて、面発光型発光素子２００に対して電流が注入される。この電流の注入によって、面発光型発光素子２００が駆動する。その結果、出射面１０８からレーザ光が出射される。このレーザ光は基板９００を通過して、図１５に示す矢印の方向へと伝播する。
【０１１９】
［第６の実施の形態］
図１６は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る面発光型発光素子の実装構造を模式的に説明する図である。
【０１２０】
本実施の形態の面発光型発光素子の実装構造として、構造体１４００を図１６に示す。この構造体１４００においては、第３の実施の形態に係る面発光型発光素子３００と、例えばＳｉ基板からなる基板９０２とが、バンプ９１０を介して電気的に接続されている。すなわち、面発光型発光素子３００と基板９０２とがいわゆるフェースダウン構造を構成する。また、レーザ光は、面発光型発光素子３００の出射面３０８から出射される。前述した第５の実施の形態の構造体１３００では、基板９００は面発光型発光素子２００から出射した光を通過する材質から形成されているのに対し、構造体１４００においては、図１６に示すように、面発光型発光素子３００が基板１０１の裏面１０１ｂから光を出射するため、基板９０２の材質は特に限定されない。また、構造体１４００においては、前述した第５の実施の形態の構造体１３００とは異なり、基板９０２に電子回路９１４が組み込まれている。すなわち、構造体１４００においては、基板９０２がＳｉ基板からなる場合、電子回路１４００を基板９０２に組み込むことができるため、電子回路を別途実装する必要がない。
【０１２１】
この他の構成は、第５の実施の形態の面発光方発光素子の実装構造と同様であるため、詳しい説明は省略する。
【０１２２】
［第７の実施の形態］
図１７は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る光モジュールを模式的に説明する図である。本実施の形態に係る光モジュールは、構造体１０００（図１７参照）を含む。この構造体１０００は、第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００（図１参照）、プラットフォーム１１２０、第１の光導波路１１３０およびアクチュエータ１１５０を有する。また、この構造体１０００は、第２の光導波路１３０２を有する。第２の光導波路１３０２は、基板１３０８の一部をなす。第２の光導波路１３０２には、接続用光導波路１３０４を光学的に接続してもよい。接続用光導波路１３０４は、光ファイバであってもよい。また、プラットフォーム１１２０は、樹脂１３０６によって基板１３０８に固定されている。
【０１２３】
本実施の形態の光モジュールでは、面発光型発光素子１００（出射面１０８・図１参照）から光が出射した後、第１および第２の光導波路１１３０，１３０２（および接続用光導波路１３０４）を通して、受光素子（図示せず）にこの光が受光される。
【０１２４】
［第８の実施の形態］
図１８は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置を説明する図である。本実施の形態では、第１の光導波路１１３０と受光素子２１０との間に、複数の第３の光導波路１２３０，１３１０，１３１２を有する。また、本実施の形態に係る光伝達装置は、複数（２つ）の基板１３１４，１３１６を有する。
【０１２５】
本実施の形態では、面発光型発光素子１００側の構成（面発光型発光素子１００、プラットフォーム１１２０、第１の光導波路１１３０、第２の光導波路１３１８、アクチュエータ１１５０を含む。）と、受光素子２１０側の構成（受光素子２１０、プラットフォーム１２２０、第３の光導波路１２３０，１３１０を含む。）との間に、第３の光導波路１３１２が配置されている。第３の光導波路１３１２として、光ファイバなどを使用して、複数の電子機器間の光伝達を行なうことができる。
【０１２６】
例えば、図１９において、光伝達装置１１００は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器１１０２を相互に接続するものである。電子機器１１０２は、情報通信機器であってもよい。光伝達装置１１００は、光ファイバ等の第３の光導波路１３１２を含むケーブル１１０４を有する。光伝達装置１１００は、ケーブル１１０４の両端にプラグ１１０６が設けられたものであってもよい。それぞれのプラグ１１０６内に、面発光型発光素子１００，受光素子２１０側の構成が設けられる。いずれかの電子機器１１０２から出力された電気信号は、発光素子によって光信号に変換され、光信号はケーブル１１０４を伝わり、受光素子によって電気信号に変換される。電気信号は、他の電子機器１１０２に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置１１００によれば、光信号によって、電子機器１１０２の情報伝達を行なうことができる。
【０１２７】
図２０は、本発明を適用した実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝達装置１１１０は、電子機器１１１２間を接続する。電子機器１１１２として、液晶表示モニター又はディジタル対応のＣＲＴ（金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。）、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ディジタルＴＶ、小売店のレジ（ＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ　ｏｆ　Ｓａｌｅ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ）用）、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンタ等が挙げられる。
【０１２８】
なお、図１９および図２０に示す光伝達装置において、面発光型発光素子１００のかわりに、面発光型発光素子２００（図９参照），３００（図１１参照），４００（図１３参照）を用いた場合でも、同様の作用および効果を奏することができる。
【０１２９】
［第９の実施の形態］
図２１は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る光モジュールを模式的に説明する図である。本実施の形態に係る光モジュールは、構造体１００１（図２１参照）を含む。この構造体１００１は、第２の実施の形態に係る面発光型発光素子２００（図１参照）、プラットフォーム１１２０、第１の光導波路１１３０およびアクチュエータ１１５０を有する。また、この構造体１００１は、第５の実施の形態の構造体１３００と同様の構造を含む。すなわち、面発光型発光素子２００は、バンプ９１０を介して、例えばガラス等からなる基板９００上に設置されている。この基板９００にはさらに、駆動用ＩＣ１１１４が設置されている。この他の構成は、第７の実施の形態の光モジュールとほぼ同様であるため、詳しい説明は省略する。
【０１３０】
本実施の形態の光モジュールでは、面発光型発光素子２００（出射面１０８・図９参照）から光が出射した後、基板９００を通過してから第１の光導波路１１３０へと入射し、さらに第２の光導波路１３０２（および接続用光導波路１３０４）を通して、受光素子（図示せず）にこの光が受光される。
【０１３１】
図２２に、図２１に示す構造体１００１を適用した光伝達装置を示す。図２２に示す光伝達装置では、第８の実施の形態に係る光伝達装置（図１８参照）と同様に、第１の光導波路１１３０と受光素子２１０との間に、複数の第３の光導波路１２３０，１３１０，１３１２を有し、複数（２つ）の基板１３１４，１３１６を有する。なお、図２２に示す光伝達装置は、図１８に示す光伝達装置と同様の作用効果を有するため、詳しい説明は省略する。
【０１３２】
［第１０の実施の形態］
図２３は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る光伝達装置を説明する図である。本実施の形態では、光伝達装置がＩＣチップ間光インターコネクション装置２０００である場合を例にとり説明する。
【０１３３】
（デバイスの構造）
本実施の形態の光インターコネクション装置２０００は、複数のＩＣチップが積層されて形成されている。本実施の形態の光インターコネクション装置２０００では、図２３に示すように、ＩＣチップが２つ積層されている例を示したが、積層されるＩＣチップの数はこれに限定されるわけではない。
【０１３４】
この光インターコネクション装置２０００は、積層されたＩＣチップ５０１，５０２間でレーザ光５２１，５２２が伝送され、データのやり取りが行われる。ＩＣチップ５０１，５０２はそれぞれ、基板（例えばシリコン基板）５１１，５１２と、この基板５１１，５１２にそれぞれ形成されたＩＣ領域５３１，５３２とを含む。ＩＣチップ５０１，５０２としては、ＣＰＵやメモリ、ＡＳＩＣなどの各種のＩＣが例示できる。
【０１３５】
ＩＣチップ５０１においては、基板５１１上に、第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００および光検出器５４１が設置されている。同様に、ＩＣチップ５０２においては、基板５１２上に、第３の実施の形態に係る面発光型発光素子３００および光検出器５４２が設置されている。なお、本実施の形態においては、第１の実施の形態に係る面発光型発光素子１００を基板５１１に設置し、第３の実施の形態に係る面発光型発光素子３００を基板５１２上に設置した場合について示したが、面発光型発光素子１００，３００の一方および両方について、第２および第４の面発光型発光素子２００，４００をかわりに設置することもできる。
【０１３６】
（デバイスの動作）
次に、この光インターコネクション装置２０００の動作について、図２３を参照して説明する。
【０１３７】
この光インターコネクション装置２０００において、ＩＣチップ５０１のＩＣ領域５３１で電気的に処理された信号は、面発光型発光素子１００の共振器１３０（図１参照；図２３では図示せず）でレーザ光パルス信号に変換された後、ＩＣチップ５０２の光検出器５４２へと送られる。光検出器５４２は、受信したレーザ光パルスを電気信号へと変換してＩＣ領域５３２へ送る。
【０１３８】
一方、ＩＣチップ５０２に形成された面発光型発光素子３００から光検出器５４１へとレーザ光を送る場合も同様に動作する。すなわち、この光インターコネクション装置２０００において、ＩＣチップ５０２のＩＣ領域５３２で電気的に処理された信号は、面発光型発光素子３００の共振器１３０（図１３参照；図２３では図示せず）でレーザ光パルス信号に変換された後、ＩＣチップ５０１の光検出器５４１へと送られる。光検出器５４１は、受信したレーザ光パルスを電気信号へと変換してＩＣ領域５３１へ送る。こうしてＩＣチップ５０１、５０２はレーザ光を介してデータのやり取りを行なう。
【０１３９】
なお、基板５１１，５１２がシリコン基板からなる場合、面発光型発光素子１００〜３００の共振器の発振波長または面発光型発光素子４００の発光波長を１．１μｍ以上にすることにより、面発光型発光素子から出射する光が基板（シリコン基板）５１１，５１２を通過することができる。
【０１４０】
ところで、処理速度の高速化および高周波化に伴い、電気的接続によるＩＣチップ間の信号伝送においては一般に、次のような課題が生じるようになる。
・配線間の信号伝達タイミングのズレ（スキュー）が発生する
・高周波電気信号の伝送における消費電力が増大する
・配線レイアウトの設計が困難になる
・インピーダンスのマッチングが必要となる
・アースノイズ遮断対策が必要となる
これに対して、本実施の形態の光インターコネクション装置２０００のように、ＩＣチップ間の信号伝送を光信号で行なうことにより、上記課題を解決することができる。
【０１４１】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【０１４２】
例えば、上記実施の形態では、柱状部を一つ有する面発光型発光素子について説明したが、基板面内で柱状部が複数個設けられていても本発明の形態は損なわれない。また、複数の面発光型発光素子がアレイ化されている場合でも、同様の作用および効果を有する。
【０１４３】
また、例えば、上記実施の形態において、各半導体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。上記実施の形態では、ＡｌＧａＡｓ系のものについて説明したが、発振波長に応じてその他の材料系、例えば、ＧａＩｎＰ系、ＺｎＳＳｅ系、ＩｎＧａＮ系、ＡｌＧａＮ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＧａＩｎＮＡｓ系、ＧａＡｓＳｂ系の半導体材料を用いることも可能である。
【０１４４】
さらに、上記実施形態では、化合物半導体基板としてＧａＡｓ基板を用いた場合を示したが、他の基板、例えば、ＧａＮ基板、ＡｌＮ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＰ基板、ＺｎＳｅ基板、ＺｎＳ基板、ＣｄＴｅ基板、ＺｎＴｅ基板、ＣｄＳ基板等の化合物半導体基板を用いることもできる（御確認願います）。
【０１４５】
［実験例］
次に、本発明の一実験例について説明する。本実験例では、本発明の面発光型発光素子のパッドに表面処理を行なって、中心線平均租さＲａを所定の値に形成した。具体的には、前述した第１の実施の形態の面発光型発光素子１００の第１電極１０７に対して表面処理を行ない、第１電極１０７の表面の中心線平均租さＲａが表１に示す値となるように形成した。この場合において、第１電極１０７上に金バンプを形成した際の第１電極１０７と金バンプとの密着性を測定した。なお、用いた第１電極１０７の膜厚は３５０ｎｍであり、そのうち最表面の金層の膜厚は２００ｎｍであった。
【０１４６】
第１電極１０７の表面の中心線平均粗さＲａはプラズマ照射エネルギーを変えることで調整した。また、表面処理はアルゴンを主成分としたプラズマを第１電極１０７の表面に照射することにより行なった。その結果を表１に示す。表１においては、パワー５０Ｗのプラズマを３分間照射した実験例とともに、プラズマを照射していない比較例１と、パワー１０Ｗのプラズマを３分間照射した比較例２との実験結果を併記している。
【０１４７】
また、実験例、比較例１および比較例２における第１電極１０７の表面におけるＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ　ｆｏｒｃｅ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）測定の結果を図２４〜図２６に示す。図２４は実験例（Ｒａが９．４×１０−３μｍの場合）、図２５は比較例１（Ｒａが１．６×１０−３μｍの場合）、図２６は比較例２（Ｒａが４．１×１０−３μｍの場合）における、第１電極１０７の表面をそれぞれ示す顕微鏡写真である。また、表１の「条件１」および「条件２」それぞれにおける過重、温度および超音波出力の各条件を表２に示す。
【０１４８】
また、表１における各パラメータは、以下の通りである。
【０１４９】
（ａ）中心線平均粗さ（Ｒａ）
Ｒａの定義は、課題を解決するための手段の欄で説明した通りである。なお、本実験例では、ＲａはＪＩＳ（Ｂ０６０１−１９９４改正）に準拠して測定および算出を行なった。
【０１５０】
（ｂ）形成歩留まり
形成歩留まりとは、第１電極１０７の上に金バンプを設置した場合に、第１電極１０７上に金バンプが良好に形成できたものの占める割合である。すなわち、「形成歩留まり（％）＝金バンプが第１電極１０７上に良好に形成されたサンプル数／全サンプル数×１００」である。
【０１５１】
ここで、第１電極１０７の上に金バンプ１８０を設置する方法を以下に示す。この金バンプ１８０は、金ワイヤ１８６でボールを形成した後、第１電極１０７上にボールボンディングし、次いで金ワイヤ１８６を、超音波を印加して切断することにより設置される。
【０１５２】
まず、図２７（ａ）に示すように、ステージ（図示せず）上に面発光型発光素子１００を設置した後、キャピラリ１８２を第１電極１０７の上方に配置する。このキャピラリ１８２は中央に開孔１８３を有し、この開孔１８３の先端近傍にはヒータ（図示せず）が設置されている。このヒータにより金がスパークされて球状となり、金ボール１８４が形成される。
【０１５３】
次いで、図２７（ｂ）に示すように、キャピラリ１８２によって金ボール１８４を第１電極１０７上に押圧して金ボール１８４を変形させる。これにより、金ボール１８４を第１電極１０７上に接合させる。
【０１５４】
続いて、図２７（ｃ）に示すように、キャピラリ１８２を動かして金ワイヤ１８６を破断させ、第１電極１０７上に金バンプ１８０を形成する。ここで、金ワイヤ１８６を破断させる際に超音波を印加すると、金ボール１８４と金ワイヤ１８６の接続部分に超音波が集中するため、金ワイヤ１８６の付け根で金ボール１８４を切断することができる。
【０１５５】
前述した金バンプ１８０の形成工程のうち、金ワイヤ１８６を破断する工程（図２７（ｃ）参照）において、超音波を印加しない場合あるいは超音波の出力が弱い場合、金ワイヤ１８６が途中で切れてしまったり、金ワイヤ１８６が切れずに金ボール１８４が第１電極１０７から剥れたりすることがある。一方、超音波の出力が大きすぎる場合、超音波によって基板にクラックが生じることがある。この原因として、面発光型発光素子１００が化合物半導体基板（ＧａＡｓ基板１０１）からなり、化合物半導体基板の強度が、シリコン基板やサファイア基板等の他の基板の強度と比較して小さいことが挙げられる。したがって、第１電極１０７の表面のＲａの値を調整することによって、金バンプ１８０と第１電極１０７との密着性が十分得られ、かつ基板に影響を及ぼさない程度の出力の超音波で金ワイヤ１８６を破断して、第１電極１０７上に金バンプ１８０を形成することができる。
【０１５６】
（ｃ）シェア強度
第１電極１０７の上に形成された金バンプ１８０（図２７（ｃ）参照）の側面から過重を徐々にかけていき、金バンプ１８０が脱離したときの過重をシェア強度とした。したがって、シェア強度が大きいほど強固な密着性を有するといえる。
【０１５７】
【表１】
2004014993.tif 000003
【０１５８】
【表２】
2004014993.tif 000004
【０１５９】
実験例および比較例１，２における、第１電極１０７の表面のＲａと形成歩留まりとの関係を図２８に示す。なお、図２８において、「○」は条件１における値を、「△」は条件２における値をそれぞれ示している。図２８によれば、条件１および２のいずれにおいても、Ｒａが５．０μｍ以上である場合、ほぼ１００％の形成歩留まりが得られると推測される。
【０１６０】
本実験例によれば、比較例１および２では、条件１および条件２のいずれの場合においても、形成歩留まりおよびシェア強度のいずれにおいても十分な値が得られなかった。これに対し、実験例では、条件１および条件２のいずれの場合においても、形成歩留まりが良好で、かつ十分なシェア強度が得られた。
【０１６１】
また、表１に示す結果より、Ｒａが大きいほどシェア強度が大きくなり、第１電極１０７と金バンプ１８０との間の密着性が高くなるという結果が得られた。特に、表１に示す実験例の結果から、Ｒａが９．０×１０−３μｍである場合、シェア強度がさらに改善され、第１電極１０７と金バンプ１８０との間の密着性が非常に高いと推測される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した第１の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明を適用した第１の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す平面図である。
【図３】図１および図２に示す面発光型発光素子の一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４】図１および図２に示す面発光型発光素子の一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】図１および図２に示す面発光型発光素子の一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図６】図１および図２に示す面発光型発光素子の一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図７】図１および図２に示す面発光型発光素子の一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図８】図１および図２に示す面発光型発光素子の一製造工程を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明を適用した第２の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す断面図である。
【図１０】本発明を適用した第２の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す平面図である。
【図１１】本発明を適用した第３の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明を適用した第３の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す平面図である。
【図１３】本発明を適用した第４の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す断面図である。
【図１４】本発明を適用した第４の実施の形態に係る面発光型発光素子を模式的に示す平面図である。
【図１５】本発明を適用した第５の実施の形態に係る面発光型発光素子の実装構造を模式的に示す断面図である。
【図１６】本発明を適用した第６の実施の形態に係る面発光型発光素子の実装構造を模式的に示す断面図である。
【図１７】本発明を適用した第７の実施の形態に係る光モジュールを模式的に示す図である。
【図１８】本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図１９】本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。
【図２０】本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。
【図２１】本発明を適用した第９の実施の形態に係る光モジュールを模式的に示す図である。
【図２２】本発明を適用した第９の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図２３】本発明を適用した第１０の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図２４】本発明を適用した一実験例におけるパッドのＡＦＭ写真である。
【図２５】比較例１におけるパッドのＡＦＭ写真である。
【図２６】比較例２におけるパッドのＡＦＭ写真である。
【図２７】図２７（ａ）〜図２７（ｃ）は、本発明を適用した一実験例における金バンプの形成方法を説明する図である。
【図２８】実験例および比較例１，２における、第１電極の表面のＲａの値と、形成歩留まりの値との関係を示す図である。
【符号の説明】
１００，２００，３００，４００　面発光型発光素子
１０１　化合物半導体基板
１０１ａ　半導体基板の表面
１０１ｂ　半導体基板の裏面
１０２　下部ミラー
１０３，４２５　活性層
１０４　上部ミラー
１０５　酸化狭窄層
１０６，４０６　絶縁層
１０７，１１７，４０７　第１電極
１０８，３０８，４０８　出射面
１０９，１１９，４１９　第２電極
１１０　パッド
１１１　開口部
１１２　プラズマ
１１３　開口部
１３０，４３０　柱状部
１３０ａ　柱状部１３０の上面
１３２，２３２，３３２，４３２　発光素子部
１４０　共振器
１５０　半導体多層膜
１８０　金バンプ
１８２　キャピラリ
１８３　開孔
１８４　金ボール
１８６　金ワイヤ
２１０　受光素子
４０１　化合物半導体基板
４０１ａ　化合物半導体基板の表面
４０１ｂ　化合物半導体基板の裏面
４２２　バッファ層
４２３　コンタクト層
４２４　クラッド層
４２６　クラッド層
４２７　コンタクト層
５０１，５０２　ＩＣチップ
５１１，５１２　基板
５２１，５２２　レーザ光
５３１，５３２　ＩＣ領域
５４１，５４２　光検出器
９００，９０２　基板
９１０，９１６　バンプ
９１２，９１７，９１８　パッド
９１４　電子回路
１０００，１３００　構造体
１１００，１１１０　光伝達装置
１１１０，１１１２　電子機器
１１０４　ケーブル
１１０６　プラグ
１１１４　駆動用ＩＣ
１１２０，１２２０　プラットフォーム
１１３０　第１の光導波路
１１５０　アクチュエータ
１１５２　クッション
１１５４　エネルギー供給源
１２３０，１３１０，１３１２　第３の光導波路
１３０２，１３１８　第２の光導波路
１３０４　接続用光導波路
１３０６　樹脂
１３０８　基板
１３１４，１３１６　基板
２０００　光インターコネクション装置
Ｒ１００　レジスト層
【図１】
2004014993.tif 000005
【図２】
2004014993.tif 000006
【図３】
2004014993.tif 000007
【図４】
2004014993.tif 000008
【図５】
2004014993.tif 000009
【図６】
2004014993.tif 000010
【図７】
2004014993.tif 000011
【図８】
2004014993.tif 000012
【図９】
2004014993.tif 000013
【図１０】
2004014993.tif 000014
【図１１】
2004014993.tif 000015
【図１２】
2004014993.tif 000016
【図１３】
2004014993.tif 000017
【図１４】
2004014993.tif 000018
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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