(57)【要約】【課題】ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることがなく、高速度で処理を行えるようにする。【解決手段】平板電極２とロール電極３とかなる対向電極１を用いて、導電層Ｓａを有する被処理体Ｓをプラズマ処理するにあたり、平板電極２とロール電極３との間に被処理体Ｓを、ロール電極３に接触させた状態でかつ導電層Ｓａが平板電極２側となるように配置するとともに、被処理体Ｓの導電層Ｓａを接地する。また、互いに対向する一対のロール電極からなる対向電極を用いて、導電層を有する被処理体をプラズマ処理するにあたり、一対のロール電極の電極間に、導電層を有する被処理体を、それらロール電極対のいずれか一方のロール電極に接触させる。【選択図】図３
2004207146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板電極と前記平板電極に対向するロール電極からなる対向電極を用い、前記平板電極とロール電極との間に電界を印加することにより発生する放電プラズマ中に導電層を有する被処理体を配置してプラズマ処理を行う処理方法において、前記平板電極を電界印加側とし、前記平板電極とロール電極との間に導電層を有する被処理体を、前記ロール電極に接触させた状態でかつ導電層が平板電極側になるように配置するとともに、被処理体の導電層を接地することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
平板電極と前記平板電極に対向するロール電極からなる対向電極を用い、前記平板電極とロール電極との間に電界を印加することにより発生する放電プラズマ中に導電層を有する被処理体を配置してプラズマ処理を行う処理方法において、前記平板電極とロール電極との間に導電層を有する被処理体を、前記ロール電極に接触させた状態でかつ導電層が平板電極側になるように配置するとともに、前記平板電極と被処理体との間に希ガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
平板電極と前記平板電極に対向するロール電極からなる対向電極を用い、前記平板電極とロール電極との間に電界を印加することにより発生する放電プラズマによって導電層を有する被処理体を処理する処理方法において、前記平板電極とロール電極との間に導電層を有する被処理体を、前記ロール電極に接触させた状態でかつ導電層がロール電極側になるように配置することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
互いに対向する一対のロール電極からなる対向電極を用い、その一対のロール電極間に電界を印加することにより発生する放電プラズマ中に導電層を有する被処理体を配置してプラズマ処理を行う処理方法において、前記一対のロール電極のいずれか一方のロール電極に、導電層を有する被処理体を接触させることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理方法において、被処理体が接触しているロール電極によって当該被処理体を搬送することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマ処理方法において、前記平板電極とロール電極との間または一対のロール電極間にパルス電界を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体に、エッチングや洗浄処理等の処理を行うのに適したプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂シートの表面にＣｕ、Ａｕ等からなる回路を配置したＦＰＣや、ガラス基板の上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明導電膜を配置したＩＴＯガラスなどのエッチングや洗浄処理においては、一般に、溶剤や薬液を用いた湿式法が採用されている。しかしながら、湿式法では、処理の精密化・使用済薬液の処理時の問題などがあることから、プラズマ法等の乾式の処理方法への期待が高まっている。
【０００３】
プラズマ法は、一般に、真空または減圧下でプラズマ放電を発生させ、これを被処理体に接触させて処理するものであるが、近年の被処理体の大型化の要求により、真空中や減圧下にするためのコスト・時間の負担が非常に大きなものとなるため、大気圧近傍の圧力下でプラズマ処理を行う技術が期待されている。
【０００４】
一方、大気圧近傍の圧力下では放電が安定しにくく、特に、ＦＰＣやＩＴＯガラスのような導電層を含む被処理体を放電空間中に配置して処理（ダイレクト処理）する場合、ストリーマ放電が起こりやすく、導電層がダメージを受けるという問題がある。このような点を解消する技術として、電極間で発生させたプラズマを放電空間外に配置した被処理体に導いてプラズマを接触させるリモート方式のプラズマ処理方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、リモート方式のプラズマ処理では、電極間において一旦プラズマを発生させた後に被処理体に導くので、処理速度が不十分であり、処理に多くの時間を要するという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開平９−５００４０号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はそのような実情に鑑みてなされたもので、ＦＰＣ、ＩＴＯガラスなどの導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理等の処理を行うにあたり、被処理体に形成された導電層にダメージを与えることなく処理を行うことができ、しかも処理速度を高めることが可能なプラズマ処理方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
まず、本出願人らの研究によって、ロール電極を用いることにより、放電空間中に導電層を有する被処理体を配置しても安定な放電を維持できること、及び、ロール電極に被処理体を接触させて電極間距離を短くすることが安定放電と大面積の被処理体の均一処理に有効であることを見出した。さらに、ロール電極に被処理体を接触させるだけでは足らず、特定の構成を採る必要があることを見出した。
【０００９】
本発明は、以上のような点を考慮し、ロール電極を用いたプラズマ処理において、前記したような構成を加えることにより、導電層を有する被処理体であっても安定した放電プラズマ処理を実現する。その具体的な構成を以下に示す。
【００１０】
本発明のプラズマ処理方法は、平板電極とこの平板電極に対向するロール電極からなる対向電極（平板−ロール電極）を用い、前記平板電極とロール電極との間に電界を印加することにより発生する放電プラズマ中に導電層を有する被処理体を配置してプラズマ処理を行う処理方法において、前記平板電極を電界印加側とし、前記平板電極とロール電極との間に導電層を有する被処理体を、ロール電極に接触させた状態でかつ導電層が平板電極側になるように配置するとともに、被処理体の導電層を接地することを特徴としている。
【００１１】
この発明のように、被処理体の導電層を接地することにより、目的とする空間つまり被処理体と平板電極との間に安定した放電プラズマが発生する。その理由を以下に説明する。
【００１２】
まず、平板電極とロール電極との間に導電層を有する被処理体を配置し、その被処理体をロール電極に接触させるとともに、導電性層が平板電極側になるように配置した構成で、被処理体の導電層を接地しない構成の場合、目的とする空間である、被処理体と平板電極との間の空間に放電プラズマは発生せず、ロール電極と被処理体との間の空間つまり処理面の裏面空間（図７参照）に放電プラズマが発生することになる。これに対し、被処理体の導電層を接地すると、被処理体の裏面空間の電界強度比が「０」となり、平板電極とロール電極との間の放電空間における電界強度比が高くなる結果、被処理体と平板電極との間の空間に安定した放電プラズマが発生する。
【００１３】
本発明のプラズマ処理方法は、平板電極とこの平板電極に対向するロール電極からなる対向電極（平板−ロール電極）を用い、前記平板電極とロール電極との間に電界を印加することにより発生する放電プラズマ中に導電層を有する被処理体を配置してプラズマ処理を行う処理方法において、前記平板電極とロール電極との間に導電層を有する被処理体を、ロール電極に接触させた状態でかつ導電層が平板電極側になるように配置するとともに、平板電極と被処理体との間に希ガスを供給することを特徴としている。この発明に用いる希ガスとしては、例えばアルゴン、ヘリウムなどが挙げられる。また、希ガスの供給量は、後述する処理に用いるガスの量に対して、１０〜１００体積％の範囲が好ましい。
【００１４】
この発明のように、平板電極と被処理体との間に希ガスを供給すると、希ガスを供給した空間の絶縁破壊電圧が低くなり、放電が発生しやすくなる。すなわち、目的とする被処理体と平板電極との間の空間に安定した放電プラズマが発生する。
【００１５】
本発明のプラズマ処理方法は、平板電極とこの平板電極に対向するロール電極からなる対向電極（平板−ロール電極）を用い、前記平板電極とロール電極との間に電界を印加することにより発生する放電プラズマによって導電層を有する被処理体を処理する処理方法において、前記平板電極とロール電極との間に導電層を有する被処理体を、ロール電極に接触させた状態でかつ導電層がロール電極側になるように配置することを特徴としている。
【００１６】
この発明では、被処理体の処理面（導電層側）を、放電が発生する裏面空間に向けて配置しているので、被処理体の処理面に放電プラズマを接触させることができる。
【００１７】
本発明のプラズマ処理方法は、互いに対向する一対のロール電極からなる対向電極（ロール−ロール電極）を用い、その一対のロール電極間に電界を印加することにより発生する放電プラズマ中に導電層を有する被処理体を配置してプラズマ処理を行う処理方法において、前記一対のロール電極のいずれか一方のロール電極に、導電層を有する被処理体を接触させることを特徴としている。
【００１８】
この発明では、電極形態がロール−ロール電極であるので、目的とする空間つまり被処理体の処理面とロール電極との間の空間に放電プラズマが発生する。なお、この発明において、一対のロール電極のいずれか一方または両方のロール電極を回転させるようにしてもよい。
【００１９】
ここで、以上の各発明のプラズマ処理方法において、被処理体が接触しているロール電極によって被処理体を搬送することが好ましい。このようにすると、ロール電極が搬送ローラを兼ねるため、設備が簡便になるばかりではなく、電極同士の相対位置が固定されることに起因する電流パスの発生を防止することができる。
【００２０】
また、以上の各発明のプラズマ処理方法において、被処理体に接触しているロール電極を接地電極とすることが好ましい。さらに、平板電極とロール電極との電極間または一対のロール電極の電極間に印加する電界はパルス電界であることが好ましい。
【００２１】
＜作用＞
以上述べたように、本発明のプラズマ処理方法によれば、ロール−平板電極、ロール−ロール電極間でプラズマを発生させるので、一般的な平板−平板電極を用いる場合よりも放電を安定させることができる。また、ロール電極に被処理体を接触させているので、電極間の中間位置に被処理体を浮かせて配置する場合よりも電極間距離を狭くすることができ、放電の安定化をはかることができる。さらに、被処理体の大面積化と薄型化による問題つまり被処理体自体の自重による撓みに起因する処理の不均一化も解消できる。
【００２２】
そして、このような特徴をもつ本発明のプラズマ処理方法は、特に、ＦＰＣやＩＴＯガラスのように、絶縁体の上に導電層が存在し、この導電層が回路を形成している被処理体に有効である。すなわち、このような被処理体の表面には回路パターンに従って不均一に導電性物質が存在しているので、そこに電流パスができやすく、また、何らかの集中が起こった場合に回路機能にダメージを受けることになるが、本発明では安定したプラズマを発生させることができるので、回路機能等のダメージを防ぐことができる。
【００２３】
次に、本発明を更に詳しく説明する。
【００２４】
まず、本発明の放電プラズマ処理方法は、どのような圧力下でも用いることができるが、常圧放電プラズマ処理を用いるとその効果を十分に発揮でき、特に、大気圧近傍下の圧力下で用いるとその効果が十分に発揮される。
【００２５】
上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａの範囲が好ましい。
【００２６】
本発明に用いる平板電極、ロール電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等などが挙げられる。平板電極とロール電極または一対のロール電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、放電空間（電極間）の距離が一定となるように配置することが好ましい。
【００２７】
また、本発明に用いる平板電極とロール電極または一対のロール電極は、互いに対向する電極の少なくとも一方の電極対向面に誘電体が配置されている必要がある。この際、誘電体と設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにすることが好ましい。誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからアーク放電が生じやすくなる。
【００２８】
上記誘電体の形状は、シート状もしくはフィルム状のいずれであってもよい。また、誘電体は溶射法等にて電極表面にコーティングされた膜であってもよい。誘電体の厚みは、０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。誘電体の厚みが厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００２９】
上記誘電体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、シュリンクテフロン（登録商標）、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。
【００３０】
また、誘電体は、比誘電率が２以上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。比誘電率が２以上の誘電体の具体例としては、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘電率が１０以上の誘電体を用いることが好ましい。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８５００程度のものが知られている。上記比誘電率が１０以上である誘電体としては、例えば、酸化チタニウム５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物被膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化物被膜からなるものを挙げることができる。
【００３１】
上記平板電極とロール電極との電極間または一対のロール電極の電極間には、高周波、パルス波、マイクロ波等の電界を印加することによりプラズマを発生させるが、印加電界としては、パルス電界を印加することが好ましく、特に電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が１０μｓ以下であるパルス電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすくて不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。立ち上がり時間及び立ち下がり時間のより好ましい範囲は５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００３２】
上記パルス電界の電界強度は、１０〜１０００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／ｃｍである。電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００３３】
上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合性のとり易さや取扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００３４】
また、上記パルス電界における１つのパルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、１つのパルス継続時間とは、ＯＮ，ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、１つのパルスの連続するＯＮ時間を言う。
【００３５】
本発明において処理を行う被処理体としては、例えば、樹脂シートの表面にＣｕ、Ａｕ等からなる回路を配置したＦＰＣ、ガラス基板の上にＩＴＯからなる透明導電膜を配置したＩＴＯガラス、あるいは、ＺｎＯガラスまたはＣｒガラスなどが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明によれば、導電層が表面に形成された各種の被処理体の処理に対応することができる。
【００３６】
また、被処理体の基材としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アクリル樹脂等のプラスチック、ガラス、セラミック、金属、シリコンウェハー等が挙げられる。基材の形状としては、板状、フィルム状等のものが挙げられるが、特にこれらに限定されない。
【００３７】
本発明に用いる処理ガスとしては、電界を印加することによってプラズマを発生するガスであれば、特に限定されず、エッチングや洗浄処理等の目的に応じて種々のガスを使用できる。また、常温状態であっても、処理系内で気化できる物質であれば使用可能である。処理ガスとしては、例えば、空気、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ＣＦ4等のフッ素ガス、アルコール等の有機物質、ＴＥＯＭ［テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5)4 ］、チタンテトライソプロポキシド等の金属酸化物の原料（前駆体）となるアルコキシドなどが挙げられる。これらは単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００３８】
なお、本発明の放電プラズマ処理方法によれば、プラズマ発生空間中に存在する気体の種類を問わずグロー放電プラズマを発生させることが可能である。公知の低圧条件下におけるプラズマ処理はもちろん、特定のガス雰囲気下の大気圧プラズマ処理においても、外気から遮断された密閉容器内で処理を行うことが必須であったが、本発明の放電プラズマ処理方法においては、開放系、あるいは、気体の自由な流失を防ぐ程度の低気密系での処理が可能となる。
【００３９】
本発明の放電プラズマ処理方法によると、平板電極とロール電極との間またはた一対のロール電極間において、直接大気圧下で放電を生じせしめることが可能であり、より単純化された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。また、印加電界の周波数、電圧、電極間距離等のパラメータにより処理に関するパラメータも調整できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００４１】
まず、プラズマ処理に用いる対向電極の構成を図１に示す。
【００４２】
図１に示す対向電極１は、上下に配置された平板電極２とロール電極３によって構成されている。これら上部側の平板電極２と下部側のロール電極３とは、互いに平行にかつ所定の電極間距離をあけて対向配置されている。平板電極２の表面及びロール電極３の外周面はそれぞれ誘電体２ａ，３ａにて被覆されている。平板電極２の誘電体２ａには例えばＡｌ2Ｏ3溶射膜が用いられており、また、ロール電極３の誘電体３ａには例えばシュリンクテフロン（登録商標）が用いられている。
【００４３】
平板電極２にはパルス電源４が接続され、ロール電極３は接地に置かれる。ロール電極３は図１に示す矢印の方向に回転するようになっており、このロール電極３上に接触状態で配置された被処理体Ｓ（導電層を含む）を図中矢印の方向に搬送することができる。
【００４４】
プラズマ処理に用いる対向電極の他の例を図２に示す。
【００４５】
図２に示す対向電極２１は、上下一対のロール電極２２，２３によって構成されている。これら上部側のロール電極２２と下部側のロール電極２３とは、互いに平行にかつ所定の電極間距離をあけて対向配置されている。各ロール電極２２，２３の外周面はそれぞれ誘電体２２ａ，２３ａにて被覆されている。誘電体２２ａ，２３ａには例えばシュリンクテフロン（登録商標）が用いられている。
【００４６】
一対のロール電極２２，２３のうち、上部側のロール電極２２にはパルス電源４が接続され、下部側のロール電極２３は接地に置かれる。下部側のロール電極２３は図２に示す矢印の方向に回転するようになっており、このロール電極２３上に接触状態で配置された被処理体Ｓ（導電層を含む）を図中矢印の方向に搬送することができる。なお、上部側の電極２２も回転駆動するようにしてもよい。
【００４７】
次に、本発明の実施形態を説明する。
【００４８】
＜実施形態１＞
図３は本発明のプラズマ処理方法の実施形態を模式的に示す図である。
【００４９】
この実施形態では、図１に示す対向電極（平板−ロール電極）１を用いて、導電層Ｓａを有する被処理体Ｓをプラズマ処理するにあたり、平板電極２とロール電極３との間に被処理体Ｓを、ロール電極３に接触させた状態でかつ導電層Ｓａが平板電極２側となるように配置する点、及び、被処理体Ｓの導電層Ｓａを接地する点に特徴がある。
【００５０】
＜実施形態２＞
図４は、本発明のプラズマ処理方法の他の実施形態を模式的に示す図である。
【００５１】
この実施形態では、図１に示す対向電極（平板−ロール電極）１を用いて、導電層Ｓａを有する被処理体Ｓをプラズマ処理するにあたり、平板電極２とロール電極３との間に被処理体Ｓを、ロール電極３に接触させた状態でかつ導電層Ｓａが平板電極２側となるように配置する点、及び、平板電極２と被処理体Ｓとの間に希ガスを流す点に特徴がある。
【００５２】
この実施形態に用いる希ガスとしては、例えばアルゴン、ヘリウム等が挙げられる。また、希ガスの供給量は、処理に用いるガスの量に対して１０〜１００体積％の範囲とする。
【００５３】
＜実施形態３＞
図５は、本発明のプラズマ処理方法の別の実施形態を模式的に示す図である。
【００５４】
この実施形態では、図１に示す対向電極（平板−ロール電極）１を用いて、導電層Ｓａを有する被処理体Ｓをプラズマ処理するにあたり、平板電極２とロール電極３との間に被処理体Ｓを、ロール電極３に接触させた状態でかつ導電層Ｓａがロール電極３側となるように配置する点に特徴がある。
【００５５】
＜実施形態４＞
図６は、本発明のプラズマ処理方法の更に別の実施形態を模式的に示す図である。
【００５６】
この実施形態では、図２に示す対向電極（ロール−ロール電極）２１を用いて導電層Ｓａを有する被処理体Ｓをプラズマ処理するにあたり、一対のロール電極２２，２３の電極間に被処理体Ｓを、下部側のロール電極２３に接触させた状態でかつ被処理体Ｓの導電層Ｓａが上部側のロール電極２２側になるように配置する特徴がある。
【００５７】
【実施例】
以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
【００５８】
＜実施例１＞
［電極構成］
使用電極：図１（平板−ロール電極）
平板電極２：ＳＵＳ３０４製、１５０ｍｍ×３００ｍｍ×５０ｍｍ、誘電体；Ａｌ2Ｏ3溶射膜（ｔ１．２ｍｍ）
ロール電極３：ＳＵＳ３０４製、φ６０ｍｍ×幅３００ｍｍ、誘電体；シュリンクテフロン（登録商標）（ｔ０．５ｍｍ）
電極間距離：２ｍｍ
［処理形態］
図３の構成（実施形態１、ＩＴＯガラスの透明導電膜（導電層）を接地）
［処理条件］
処理ガス：空気（流れ無し）
印加電界：パルス電界（電圧１０ｋＶｐｐ、周波数１０ｋＨｚ、パルス幅５μｓ、デューティ比１．０）
被処理体の搬送速度：１５００ｍｍ／ｍｉｎ
被処理体：ＩＴＯガラス（厚み０．７ｍｍ）
以上の条件で、平板電極２とロール電極３との間にパルス電界を印加したところ、ＩＴＯガラスの処理面（透明導電膜側）と平板電極２との間に安定した放電プラズマが発生した。
【００５９】
＜実施例２＞
［電極構成］
使用電極：図１（平板−ロール電極）
平板電極２：ＳＵＳ３０４製、１５０ｍｍ×３００ｍｍ×５０ｍｍ、誘電体；Ａｌ2Ｏ3溶射膜（ｔ１．２ｍｍ）
ロール電極３：ＳＵＳ３０４製、φ６０ｍｍ×幅３００ｍｍ、誘電体；シュリンクテフロン（登録商標）（ｔ０．５ｍｍ）
電極間距離：２ｍｍ
［処理形態］
図４の構成（実施形態２、平板電極２と被処理体Ｓとの間に希ガスを供給）
［処理条件］
処理ガス：空気＋電極間に希ガス供給（アルゴン）
希ガス流量（濃度）：８０体積％
印加電界：パルス電界（電圧１０ｋＶｐｐ、周波数１０ｋＨｚ、パルス幅５μｓ、デューティ比１．０）
被処理体の搬送速度：１５００ｍｍ／ｍｉｎ
被処理体：ＩＴＯガラス（厚み０．７ｍｍ）
以上の条件で、平板電極２とロール電極３との間にパルス電界を印加したところ、ＩＴＯガラスの処理面（透明導電膜側）と平板電極２との間に安定した放電プラズマが発生した。
【００６０】
＜実施例３＞
［電極構成］
使用電極：図１（平板−ロール電極）
平板電極２：ＳＵＳ３０４製、１５０ｍｍ×３００ｍｍ×５０ｍｍ、誘電体；Ａｌ2Ｏ3溶射膜（ｔ１．２ｍｍ）
ロール電極３：ＳＵＳ３０４製、φ６０ｍｍ×幅３００ｍｍ、誘電体；シュリンクテフロン（登録商標）（ｔ０．５ｍｍ）
電極間距離：２ｍｍ
［処理形態］
図５の構成（実施形態３、ＩＴＯガラス表面の透明導電膜（導電層）をロール電極３側に配置）
［処理条件］
処理ガス：空気（流れ無し）
印加電界：パルス電界（電圧１０ｋＶｐｐ、周波数１０ｋＨｚ、パルス幅５μｓ、デューティ比１．０）
被処理体の搬送速度：１５００ｍｍ／ｍｉｎ
被処理体：ＩＴＯガラス（厚み０．７ｍｍ）
以上の条件で、平板電極２とロール電極３との間にパルス電界を印加したところ、ＩＴＯガラスの処理面（透明導電膜側）とロール電極３との間に放電プラズマが発生し、その放電プラズマがＩＴＯガラスの処理面に接触することが確認できた。
【００６１】
＜実施例４＞
［電極構成］
使用電極：図２（ロール−ロール電極）
ロール電極２２，２３：ＳＵＳ３０４製、φ６０ｍｍ×幅３００ｍｍ、誘電体；シュリンクテフロン（登録商標）（ｔ０．５ｍｍ）
電極間距離：２ｍｍ
［処理形態］
図６の構成（実施形態４、下部側のロール電極２３にＩＴＯガラスを接触）
［処理条件］
処理ガス：空気（流れ無し）
印加電界：パルス電界（電圧１０ｋＶｐｐ、周波数１０ｋＨｚ、パルス幅５μｓ、デューティ比１．０）
被処理体の搬送速度：１５００ｍｍ／ｍｉｎ
被処理体：ＩＴＯガラス（厚み０．７ｍｍ）
以上の条件で、一対のロール電極２２，２３の電極間にパルス電界を印加したところ、ＩＴＯガラスの処理面（透明導電膜側）と上部側のロール電極２２との間に安定した放電プラズマが発生した。
【００６２】
＜比較例１＞
実施例１において、ＩＴＯガラスの透明導電膜を接地しないこと以外は、実施例１と同じとして平板電極２とロール電極３との間にパルス電界を印加したところ、ＩＴＯガラスの処理面の裏面側空間に放電が立ち（図７参照）、ＩＴＯガラスの処理面と平板電極２との間には放電が発生しなかった。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のプラズマ処理方法によれば、導電層を有する被処理体にエッチングや洗浄処理などの処理を行うにあたり、放電プラズマを安定して発生させることができるので、被処理体の導電層にダメージを与えることがなく処理を行うことができる。しかも、放電空間中に被処理体を配置して処理を行う方式であるので処理速度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマ処理に用いる対向電極の一例（平板−ロール電極）を模式的に示す図である。
【図２】プラズマ処理に用いる対向電極の他の例（ロール−ロール電極）を模式的に示す図である。
【図３】本発明のプラズマ処理方法の実施形態を模式的に示す図である。
【図４】本発明のプラズマ処理方法の他の実施形態を模式的に示す図である。
【図５】本発明のプラズマ処理方法の別の実施形態を模式的に示す図である。
【図６】本発明のプラズマ処理方法の更に別の実施形態を模式的に示す図である。
【図７】平板−ロール電極を用いたプラズマ処理にて導電層を有する被処理体を処理する場合の問題点の説明図である。
【符号の説明】
１  対向電極
２  平板電極
３  ロール電極
２ａ，３ａ  誘電体
２１  対向電極
２２，２３  ロール電極
２２ａ，２３ａ  誘電体
Ｓ  被処理体
Ｓａ  導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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