(57)【要約】【課題】偏った電気の流れによる電流集中を是正できる配線接続構造、その製造方法および、これらの技術を使用して作成された有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体が配置された配線接続構造において、第１の配線層のシート抵抗Ａ、第２の配線層のシート抵抗Ｂ、および接続用抵抗体のシート抵抗Ｃが、Ｂ／Ａ＝５〜２００００，Ｃ／Ｂ＝０．２〜５００を満足するように設定され、第１の配線層と第２の配線層との間における接続用抵抗体に少なくとも２以上の単位領域を想定した場合に、単位領域における形状および／またはシート抵抗Ｃが変化せしめられ、より第２の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値が、より第１の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値よりも大きく、第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体を介して所定以上の電流が通過せしめられるように構成される。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体が配置され、
第１の配線層のシート抵抗Ａ、第２の配線層のシート抵抗Ｂ、および接続用抵抗体のシート抵抗Ｃが、
Ｂ／Ａ＝１〜２００００，Ｃ／Ｂ＝１〜１０００００
を満足するように設定され、
第１の配線層と第２の配線層との間における接続用抵抗体に少なくとも２以上の単位領域を想定した場合に、単位領域における形状および／またはシート抵抗Ｃが変化せしめられ、
より第２の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値が、より第１の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値よりも大きく、
第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体を介して所定以上の電流が通過せしめられるように構成された配線接続構造。
【請求項２】
第１の配線層と第２の配線層との間における接続用抵抗体がほぼテーパー状の外形形状を備え、
第１の配線層から第２の配線層に向かって、単位領域ごとの実効抵抗値が大きくなるように設けられた、請求項１に記載の配線接続構造。
【請求項３】
第１の配線層と第２の配線層とがほぼ直線的に配置され、接続用抵抗体に抜き部が設けられ、第１の配線層から第２の配線層に向かって、接続用抵抗体の抜き部の量が多く設けられた、請求項１または２に記載の配線接続構造。
【請求項４】
接続用抵抗体が同一の材料で形成されてなる、請求項１，２または３に記載の配線接続構造。
【請求項５】
第１の配線層と接続用抵抗体とが同一の材料で形成されてなる、請求項１，２，３または４に記載の配線接続構造。
【請求項６】
第２の配線層にさらに接続される第３の配線層が設けられ、第３の配線層と接続用抵抗体とが同一の材料で形成されてなる、請求項１，２，３または４に記載の配線接続構造。
【請求項７】
第３の配線に用いる材料が透明導電材料である、請求項６に記載の配線接続構造。
【請求項８】
第２の配線層に、Ｍｏ層またはＭｏ合金層が用いられてなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線接続構造。
【請求項９】
第２の配線層に、Ａｌ層またはＡｌ合金層と、Ｍｏ層またはＭｏ合金層との積層が用いられてなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の配線接続構造。
【請求項１０】
接続用抵抗体の実効抵抗値は、第１の配線層の接続部から第２の配線層の接続部に至る略直線方向における単位距離あたりの電気抵抗で近似される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の配線接続構造。
【請求項１１】
接続用抵抗体として異方性導電手段が用いられた配線接続構造において、異方性導電手段の導電物質のシート抵抗が場所によって異なるように形成されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の配線接続構造。
【請求項１２】
第１の配線層と、その長手方向が第１の配線層の長手方向に対してほぼ平行である第２の配線層とがほぼ平面上に配置され、これらの配線層に垂直な方向から見た場合に第１の配線層と第２の配線層とに囲まれる接続用抵抗体領域を有する接続用抵抗体が配置されることにより、第１の配線層と第２の配線層とが接続用抵抗体領域を介して電気的に接続され、
第１の配線層が金属により形成され、
接続用抵抗体が透明導電物質により形成され、
第２の配線層がＭｏおよび／またはＡｌを含む積層構造により形成され、
第１の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｅとし、第２の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｆとした場合に、第１の配線層から見てより遠い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離が、より近い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離より大きくなるように接続用抵抗体領域の構造を形成した、
配線接続構造。
【請求項１３】
第１の配線層と、その長手方向が第１の配線層の長手方向に対してほぼ平行である第２の配線層とがほぼ平面上に配置され、これらの配線層に平面上の垂直な方向から見た場合に第１の配線層と第２の配線層とに囲まれる接続用抵抗体領域を有する接続用抵抗体が配置されることにより、第１の配線層と第２の配線層とが接続用抵抗体領域を介して電気的に接続され、
第１の配線層が金属により形成され、
接続用抵抗体が透明導電物質により形成され、
第２の配線層がＭｏおよび／またはＡｌを含む積層構造により形成され、
第１の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｅとし、第２の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｆとした場合に、第１の配線層から見てより遠い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の抜き部の量が、より近い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の抜き部の量より多くなるように領域Ｄの構造を形成した、
配線接続構造。
【請求項１４】
配線層に垂直な平面上の方向から見た場合に、接続用抵抗体が第２の配線層を超えて延在されている、請求項１２または１３に記載の配線接続構造。
【請求項１５】
接続用抵抗体が、異方性導電フィルムを介して、第１の配線層と積層して接続されている、請求項１２，１３または１４に記載の配線接続構造。
【請求項１６】
接続用抵抗体が、異方性導電フィルムおよび第２の配線層と同一の材料よりなる層を介して、第１の配線層と積層して接続されている、請求項１２，１３または１４に記載の配線接続構造。
【請求項１７】
表示部の駆動用電極と外部電極との接続に請求項１〜１６のいずれか１項に記載の配線接続構造が用いられてなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１８】
基板上に透明導電膜を成膜し、第２の配線層と接続用抵抗体とをパターニング形成し、その後、透明導電膜とは異なる導電性材料を用いて、第１の配線層を基板上にパターニング形成し、第１の配線層と接続用抵抗体と第２の配線層とを電気的に接続せしめる配線接続構造の製造方法。
【請求項１９】
接続用抵抗体に抜き部を設けるか、または第１の配線層と第２の配線層との間の距離を変化させるように、接続用抵抗体の外形形状を形成する、請求項１３に記載の配線接続構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はシート抵抗の異なる配線同士を電気的に接続する配線接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来技術における配線接続構造の模式的一例を図７に示す。相対的に低シート抵抗の配線層７１と高シート抵抗の配線層７２とが接続されると、両者のシート抵抗の差と電流路との関係から電流が低抵抗領域を流れるために、接続部の端で図中の太い矢に示すような、偏った電気の流れによる電流集中が生じ、極端な場合には断線等を起こすことがあった。
【０００３】
液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（以下、本明細書では有機ＥＬと称する）表示装置に代表される表示装置は、通常外部駆動回路と表示素子とを電気的に接続することにより表示が可能となるが、この表示素子側の配線と外部駆動回路側の配線とを接続する配線接続構造は、表示画素の高密度化と共に高密度化してきており、上記のように相対的にシート抵抗が異なる二種類の配線層の電気的接続における電流集中の問題は重要度を増してきている。
【０００４】
このような配線接続構造の高密度実装に関しては、外部駆動回路を銅箔配線がパターニングされたポリイミドテープの一方に接続し、他方を異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を介して素子配線端子に接続するＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）実装法を例示することができる（たとえば特許文献１，２参照。）。
【０００５】
図４はＴＣＰ実装配線接続構造の一例の模式的平面図であり、図３２は図４のＡ−Ａ断面図である。図４，３２において、ガラス基板１９上には多数の配線端子１３が形成されており、その上にＡＣＦ１１が貼付され、更にその上からＴＣＰを配線端子１３に対してアライメントして貼り付けてある。
【０００６】
ＴＣＰ実装を利用する場合、配線端子用材料にはＩＴＯ層（インジウム錫酸化物）がよく用いられる。ここで用いられるＩＴＯ層は比抵抗が２００μΩｃｍで膜厚が１００ｎｍ程度であり、そのシート抵抗は２０Ω／□程度である。一方ＴＣＰの駆動側接続配線に用いられる銅箔は比抵抗２．５μΩｃｍで厚さが２５μｍ程度なので、そのシート抵抗は０．００１Ω／□程度となる。
【０００７】
このようにシート抵抗が大きく異なる二つの導体配線をＡＣＦを介して接続する場合には、電気抵抗の小さい銅箔の先端部に電流が集中する。その様子を図６に示す。図中で矢印２２は電気が集中して銅箔の先端部を通って流れる様子を表している。
【０００８】
このような電流の偏在は、この接続構造の信頼性を低下させ、劣化を促進することにつながるため好ましくない。たとえば、ＡＣＦ中の導電性粒子は粒子当たり５ｍＡ程度の電流で焼損してしまう。よって、粒子当たり５ｍＡ程度以上の電流が流れるようになることは深刻な問題となる。
【０００９】
このような問題は、使用する電流量の大きさによって異なる。たとえば、液晶表示装置は電圧駆動型であり、電流量が数十μＡと小さく、問題は小さい。
【００１０】
しかし、有機ＬＥＤ素子の場合は、原理的に電流駆動型の素子であり、他の表示デバイスと比較して大電流が陰極に流れ込むことになり、問題が大きい。たとえば、画素サイズが３００μｍ□で、陽極本数が１００本のパネルを１／６４デューティで駆動する場合、発光効率が０．５ｃｄ／Ａであると、平均輝度３００ｃｄ／ｍ2で点灯させる際に選択期間内に陰極に流れ込む電流は、３４５．６ｍＡとなる。このような大電流を上記のような構造の配線に流す場合には電流が配線端子の一部に集中し、集中した部分のＡＣＦ導電粒子が焼損してしまうことになる。
【００１１】
図６は、駆動側接続配線（ＴＣＰ銅箔配線）１６と、ＡＣＦ１１とＩＴＯ層配線端子１３とからなる配線接続構造を、その断面方向から見た図である。図６において、この配線接続構造を上から見た場合の駆動側接続配線１６と配線端子１３との重なり部分６１の長さＬ1を１．８ｍｍとし、３００ｍＡの電流を流した場合における、重なり部分６１での電流分布のシミュレーション値を図９に示す。横軸は重なり部分上の位置で、駆動側接続配線側を原点としている。
【００１２】
図９に示すようにＴＣＰ銅箔配線の先端部に位置する異方性導電粒子では、大電流が流れるので、焼損が発生することになる。この場合、焼損した導電粒子は高電気抵抗化するので、図６でいえば、電流が流れやすい場所は左の方に移動するが、ここでも電流が局在化することになり、異方性導電粒子が焼損する。このようにして、ＡＣＦの高電気抵抗化が右から左に伝播して行き、結局、重なり部分６１の全域にわたって焼損し、電気的接続が損なわれることになる。
【００１３】
このような配線端子における電流局在を均一にするため、たとえばＩＴＯ層よりなる配線端子接続部を金属に代えることが考えられるが充分な解決策とは言えない。たとえば、金属よりなる補助配線をそのまま配線端子までに延在した場合における配線端子内電流分布のシミュレーション値を図１０に示すと、電流局在は幾分緩和されるものの、依然電流の局在化の程度は大きく、大電流を印加する場合には、従来のＩＴＯ層配線端子と同様、配線端子での焼損が発生してしまうことになる。
【００１４】
【特許文献１】
特開昭６３−１７７４９９号公報（第２頁）
【００１５】
【特許文献２】
特開昭６１−２２８４９０号公報（第２頁，第１図）
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、上記問題を解決し、偏った電気の流れを是正できる配線接続構造、その製造方法および、これらの技術を使用して作成された有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の態様１は、第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体が配置され、
第１の配線層のシート抵抗Ａ、第２の配線層のシート抵抗Ｂ、および接続用抵抗体のシート抵抗Ｃが、
Ｂ／Ａ＝１〜２００００，Ｃ／Ｂ＝１〜１０００００
を満足するように設定され、第１の配線層と第２の配線層との間における接続用抵抗体に少なくとも２以上の単位領域を想定した場合に、単位領域における形状および／またはシート抵抗Ｃが変化せしめられ、より第２の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値が、より第１の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値よりも大きく、第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体を介して所定以上の電流が通過せしめられるように構成された配線接続構造を提供する。
【００１８】
電流局在の抑制には、Ｂ／Ａ＝１〜２００００，Ｃ／Ｂ＝１〜１０００００の条件が重要である。Ｂ／Ａ＝１〜１００００，Ｃ／Ｂ＝１０〜１００００が好ましい。Ｃ／Ｂが１０以上であれば抵抗体による電流局在が抑制しやすく、Ｃ／Ｂが１００００以下であれば、抵抗体での電圧降下や発熱を抑制しやすいからである。
【００１９】
本発明の態様２は、第１の配線層と第２の配線層との間における接続用抵抗体がほぼテーパー状の外形形状を備え、第１の配線層から第２の配線層に向かって、単位領域ごとの実効抵抗値が大きくなるように設けられた、上記態様１に記載の配線接続構造を提供する。
【００２０】
本発明の態様３は、第１の配線層と第２の配線層とがほぼ直線的に配置され、接続用抵抗体に抜き部が設けられ、第１の配線層から第２の配線層に向かって、接続用抵抗体の抜き部の量が多く設けられた、上記態様１または２に記載の配線接続構造を提供する。
【００２１】
本発明の態様４は、接続用抵抗体が同一の材料で形成されてなる、上記態様１，２または３に記載の配線接続構造を提供する。
【００２２】
本発明の態様５は、第１の配線層と接続用抵抗体とが同一の材料で形成されてなる、上記態様１，２，３または４に記載の配線接続構造を提供する。
【００２３】
本発明の態様６は、第２の配線層にさらに接続される第３の配線層が設けられ、第３の配線層と接続用抵抗体とが同一の材料で形成されてなる、上記態様１，２，３または４に記載の配線接続構造を提供する。
【００２４】
本発明の態様７は、第３の配線に用いる材料が透明導電材料である、上記態様６に記載の配線接続構造を提供する。
【００２５】
本発明の態様８は、第２の配線層に、Ｍｏ層またはＭｏ合金層が用いられてなる、上記態様１〜７のいずれか１項に記載の配線接続構造を提供する。
【００２６】
本発明の態様９は、第２の配線層に、Ａｌ層またはＡｌ合金層と、Ｍｏ層またはＭｏ合金層との積層が用いられてなる、上記態様１〜７のいずれか１項に記載の配線接続構造を提供する。
【００２７】
本発明の態様１０は、接続用抵抗体の実効抵抗値は、第１の配線層の接続部から第２の配線層の接続部に至る略直線方向における単位距離あたりの電気抵抗で近似される、上記態様１〜９のいずれか１項に記載の配線接続構造を提供する。
【００２８】
本発明の態様１１は、接続用抵抗体として異方性導電手段が用いられた配線接続構造において、異方性導電手段の導電物質のシート抵抗が場所によって異なるように形成されている、上記態様１〜１０のいずれか１項に記載の配線接続構造を提供する。
【００２９】
本発明の態様１２は、第１の配線層と、その長手方向が第１の配線層の長手方向に対してほぼ平行である第２の配線層とがほぼ平面上に配置され、これらの配線層に垂直な方向から見た場合に第１の配線層と第２の配線層とに囲まれる接続用抵抗体領域を有する接続用抵抗体が配置されることにより、第１の配線層と第２の配線層とが接続用抵抗体領域を介して電気的に接続され、第１の配線層が金属により形成され、接続用抵抗体が透明導電物質により形成され、第２の配線層がＭｏおよび／またはＡｌを含む積層構造により形成され、第１の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｅとし、第２の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｆとした場合に、第１の配線層から見てより遠い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離が、より近い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離より大きくなるように接続用抵抗体領域の構造を形成した、配線接続構造を提供する。
【００３０】
本発明の態様１３は、第１の配線層と、その長手方向が第１の配線層の長手方向に対してほぼ平行である第２の配線層とがほぼ平面上に配置され、これらの配線層に平面上の垂直な方向から見た場合に第１の配線層と第２の配線層とに囲まれる接続用抵抗体領域を有する接続用抵抗体が配置されることにより、第１の配線層と第２の配線層とが接続用抵抗体領域を介して電気的に接続され、第１の配線層が金属により形成され、
接続用抵抗体が透明導電物質により形成され、第２の配線層がＭｏおよび／またはＡｌを含む積層構造により形成され、第１の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｅとし、第２の配線層と接続用抵抗体領域との間の境界線を境界線Ｆとした場合に、第１の配線層から見てより遠い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の抜き部の量が、より近い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の抜き部の量より多くなるように領域Ｄの構造を形成した、配線接続構造を提供する。
【００３１】
本発明の態様１４は、配線層に垂直な平面上の方向から見た場合に、接続用抵抗体が第２の配線層を超えて延在されている、上記態様１２または１３に記載の配線接続構造を提供する。
【００３２】
本発明の態様１５は、接続用抵抗体が、異方性導電フィルムを介して、第１の配線層と積層して接続されている、上記態様１２，１３または１４に記載の配線接続構造を提供する。
【００３３】
本発明の態様１６は、接続用抵抗体が、異方性導電フィルムおよび第２の配線層と同一の材料よりなる層を介して、第１の配線層と積層して接続されている、上記態様１２，１３または１４に記載の配線接続構造を提供するを提供する。
【００３４】
本発明の態様１７は、表示部の駆動用電極と外部電極との接続に上記態様１〜１６のいずれか１項に記載の配線接続構造が用いられてなる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【００３５】
本発明の態様１８は、基板上に透明導電膜を成膜し、第２の配線層と接続用抵抗体とをパターニング形成し、その後、透明導電膜とは異なる導電性材料を用いて、第１の配線層を基板上にパターニング形成し、第１の配線層と接続用抵抗体と第２の配線層とを電気的に接続せしめる配線接続構造の製造方法を提供する。
【００３６】
本発明の態様１９は、接続用抵抗体に抜き部を設けるか、または第１の配線層と第２の配線層との間の距離を変化させるように、接続用抵抗体の外形形状を形成する、上記態様１３に記載の配線接続構造の製造方法を提供する。
【００３７】
なお、上記態様において、金属としてはＣｕ，Ａｌを例示できる。透明導電物質としてはインジウムスズ酸化物，酸化スズを例示できる。Ｍｏおよび／またはＡｌを含む積層構造としてはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を例示できる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。
【００３９】
図５に本発明の基本構成を模式的に示す。相対的にシート抵抗が低い第１の配線層５１と、相対的にシート抵抗が高い第２の配線層５２とを、接続用抵抗体よりなる領域５３を用いて接続する配線接続構造である。第２の配線層５２には、たとえば、透明導電膜などを用いるので、金属のような高い導電性は得られない。
【００４０】
このような場合に、接続用抵抗体領域５３を用いず、第２の配線層５２を第１の配線層５１に接するまで延在させ、図５の接続用抵抗体に相当する部分を形成するようになすと、上記の電流集中の問題が生じる。これを防止する手段として、第２の配線層５２の接続部５４の近傍では、高導電性の補助配線を設け、接続部５４における全体的な抵抗を低くすることができるが、第２の配線層５２の一部である接続部５４のシート抵抗が第１の配線層５１のシート抵抗に比べ相対的に高い場合には、上記の電流集中の問題を完全に避けることはできない。
【００４１】
このような場合に、第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体領域５３を配置した接続構造において、第１の配線層のシート抵抗Ａ、第２の配線層のシート抵抗Ｂ、および接続用抵抗体のシート抵抗Ｃが、
Ｂ／Ａ＝５〜２００００，Ｃ／Ｂ＝０．２〜５００
を満足するように設定し、第１の配線層と第２の配線層との間における接続用抵抗体（以下、第１の配線層と第２の配線層との間における接続用抵抗体を接続用抵抗体領域と呼称する場合がある）に少なくとも２以上の単位領域を想定した場合に、単位領域における形状および／またはシート抵抗Ｃを変化せしめ、より第２の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値を、より第１の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値よりも大きくすると、第１の配線層と第２の配線層との間に接続用抵抗体を介して所定以上の電流が通過せしめられた場合にも、電流集中の問題を回避できる。
【００４２】
ここで、所定以上の電流とは、接続構造が使用される条件によって異なり、具体的なケースに応じて適宜定めることができる。Ｂ／Ａが５未満であると電流集中の問題自体が小さくなる。２００００を超えると本発明を適用したとしても電流集中の問題を回避し得ない場合が生じ得る。Ｃ／Ｂが０．２未満であると、電流集中の回避の程度が不十分となる。また、５００を超えると、接続用抵抗体自体の発熱の問題が生じてくる場合がある。
【００４３】
本発明に係る単位領域とは、図５に例示されるような、接続用抵抗体領域を、第１の配線層から第２の配線層を望む方向に縦列する領域５３Ａ，５３Ｂを意味する。図５の低抵抗単位領域５３Ａと高抵抗単位領域５３Ｂとの関係は、上記の「より第２の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値を、より第１配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値よりも大きくする」ことを模式的に表したものである。単位領域の幅は、相互に同一であれば任意に定めることができる。
【００４４】
本発明に係る接続用抵抗体自身は、図５のように第１の配線層と第２の配線層との間にのみ配置される必要はなく、第１の配線層や第２の配線層と積層した状態で拡がっていてもよい。低抵抗の層と高抵抗の層とが積層した場合、電流は主に低抵抗の層を流れ、接続用抵抗体自身が有効に作用するのは、図５に示したような接続用抵抗体領域のみであるからである。
【００４５】
なお、本図は、配線層の接続構造を配線層面に垂直な方向から見た図であると考えても、配線層に平行する方向から見た多層配線の断面図であると考えてもよい。
【００４６】
前者の場合は、たとえば、第１の配線層と第２の配線層とＩＴＯよりなる接続用抵抗体とが積層し、配線層面に垂直な方向から見た場合に、第１の配線層と第２の配線層との間にＩＴＯよりなる接続用抵抗体の一部が見えるようになっている状態である。
【００４７】
後者の場合は、たとえば、第１の配線層と第２の配線層とＡＣＦよりなる接続用抵抗体とが積層し、配線層面に平行する方向から見た場合に、第１の配線層と第２の配線層との間にＡＣＦの層がある状態である。
【００４８】
図５の模式図をより具体的に表した一例を図８に示す。この図を、配線層の接続構造を配線層面に垂直な方向から見た図とする場合には、接続用抵抗体領域が、実効抵抗値のより小さい帯状の接続用抵抗体５３Ａと実効抵抗値のより大きい帯状の接続用抵抗体５３Ｂとが備えられている状態と理解することができる。上記における「配線層面に垂直な方向」を図８で具体的に説明すると、ほぼ平面上に配置された第１の配線層５１，第２の配線層５２および接続用抵抗体５３の配線層に垂直な方向を意味する。
【００４９】
なお、上記における単位領域は物理的に存在することを必ずしも意味するものではなく、連続的に変化している場合には観念的な領域でよい。この場合、「より第２の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値を、より第１配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値よりも大きくする」とは隣接する単位領域間を比較した場合がその典型例である。ただし、隣接する単位領域間を比較した場合に、この関係にない領域が一部存在しても、接続用抵抗体領域全体を見た場合に、「より第２の配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値を、より第１配線層側に位置する単位領域における実効抵抗値よりも大きくする」関係が成立していれば充分である。具体的に例示すれば、五つに細分した単位領域を考えた場合に、この関係が成立しない単位領域があっても、二つに細分した単位領域を考えた場合に、この関係が成立すれば本発明の要件を充足すると考えることができる。実効抵抗値の変化は連続的なものであっても階段状に変化するものであってもよい。
【００５０】
配線や接続用抵抗体を形成する物質（材料）の非抵抗やシート抵抗は、たとえば四端子法や四探針法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）を用いて測定することができる。
【００５１】
また、接続用抵抗体の実効抵抗値は、その形状から近似的に算定するすることもできる。あるいは、単位領域ごとに対応した等価回路を想定し、設計することもできる。
【００５２】
接続用抵抗体に抜き部を設けるか、または第１の配線層と第２の配線層との間の距離を変化させるように、接続用抵抗体の外形形状を形成することによって、本発明に係る配線接続構造を製造することができる。
【００５３】
第１の配線層と第２の配線層との間の距離を変化させるように接続用抵抗体の外形形状を形成する場合、接続用抵抗体領域がほぼテーパー状の外形形状を備え、第１の配線層から第２の配線層に向かって、単位領域ごとの実効抵抗値が大きくなるように設けられた配線接続構造であることが好ましい。
【００５４】
この場合の具体例を、配線接続構造の配線層面に垂直な方向から見た図である図１３，１４に示す。図１３，１４において、配線層１０１が第１の配線層、配線層１０２が第２の配線層、配線層１０１の側部と配線層１０２とに囲まれる領域１０４が接続用抵抗体領域部分である。
【００５５】
本例では、配線層１０１と配線層１０２とはほぼ直線状にある。すなわち、配線層１０１の長手方向と配線層１０２の長手方向とはほぼ平行である。ただし、この条件は必須ではなく、両者の長手方向がほぼ平行でない場合にも適用し得る場合がある。また、両者の長手方向が実質的に一致している場合にも適用し得る。
【００５６】
「接続用抵抗体領域がほぼテーパー状の外形形状を備え、第１の配線層から第２の配線層に向かって、単位領域ごとの実効抵抗値が大きくなるように設けられた」とは、配線層１０１と領域１０４との間の境界線を境界線１０５とし、配線層１０２と領域１０４との間の境界線を境界線１０６とし、領域１０４の幅方向の両端の辺を図１３におけるようにＸ，Ｙとした場合に、境界線１０５と境界線１０６との間の距離が、よりＹ側がよりＸ側より長くなることを意味する。これにより、電流を図１３の紙面上でより左側に流れやすくすることができる。
【００５７】
すなわち図１３の紙面上では、接続用抵抗体領域部分が左から右に向かってテーパー状に拡がっている。この場合に、接続用抵抗体領域が同一のシート抵抗を有していれば、第１の配線層から第２の配線層に向かって、単位領域ごとの実効抵抗値が大きくなる。
【００５８】
これを図１５を使用してさらに説明する。図１５は領域１０４の拡大図である。この図において、二つの単位領域１０７と１０８とを想定した場合、接続用抵抗体領域が同一のシート抵抗を有していれば、図１５における紙面の上下方向の実効抵抗値は、単位領域１０８の方が単位領域１０７より大きくなるのである。
【００５９】
なお、領域１０４を含む接続用抵抗体が、境界線１０５，１０６を越えて広がっていてもよいのは、先に説明したとおりである。図１４は、接続用抵抗体が境界線１０５を越えて広がっている様子を示している。従って、配線層１０１と領域１０４との間の境界線１０５は配線層１０１の尽きる位置で定まり、配線層１０２と領域１０４との間の境界線１０６は配線層１０２の尽きる位置で定まる。
【００６０】
模式図を使用して一般的に説明すると、図１６の平面図と図１７の側断面図のように配線層２６１，２６２が重なり合っている場合、配線層２６１のシート抵抗が配線層２６２のシート抵抗より低ければ、線２６３を境界線と、配線層２６２のシート抵抗が配線層２６１のシート抵抗より低ければ、線２６４を境界線と考えることができる。シート抵抗の高い層と低い層とが相接して積層している場合には、電気は、シート抵抗の低い方の層を優先的に流れ、従って境界線の位置はシート抵抗の低い方の層によって決まるからである。
【００６１】
接続用抵抗体の実効抵抗値は、接続用抵抗体に抜き部を設けることによっても変更できる。抜き部とは、接続用抵抗体中にあって、接続用抵抗体を構成する材料の存在しない空間部を意味する。層状の接続用抵抗体の場合には、その開口部を例示できる。接続用抵抗体に抜き部を設ける場合には、第１の配線層と第２の配線層とがほぼ直線的に配置され、第１の配線層から第２の配線層に向かって、接続用抵抗体の抜き部の量が多く設けられることが好ましい。
【００６２】
このようにすると、図１３，１４における領域１０４の形状とは独立して、領域１０４の幅方向に実効抵抗値を変化させることが可能である。抜き部の形状は、円形、長方形等任意に定めることができる。図１１は、第１の配線層と接続用抵抗体とを同一の材料で成膜し、抜き部５５を設けることにより接続用抵抗体を形成した例であり、図１２は、第１の配線層と接続用抵抗体とを別個の材料で別々に成膜し、抜き部５５を設けた例である。
【００６３】
この場合の抜き部の量とは、領域１０４における開口部の面積を意味する。図１２，１３では、同じ大きさ、形状の抜き部を多数設ける場合には紙面左から右に向かって、所定面積あたりの数を増大させることにより、第１の配線層から第２の配線層に向かって、接続用抵抗体の抜き部の量が多く設けられる状態とすることができる。また、同一形状で所定面積あたりの数が同一である場合には、その形状を紙面左から右に向かって、次第に大きくすることにより、第１の配線層から第２の配線層に向かって、接続用抵抗体の抜き部の量が多く設けられる状態とすることができる。
【００６４】
上記の配線接続構造を実際に作製するに当たっては、基板上に透明導電膜を成膜し、第２の配線層と接続用抵抗体とをパターニング形成し、その後、透明導電膜とは異なる導電性材料を用いて、第１の配線層を基板上にパターニング形成し、第１の配線層と接続用抵抗体と第２の配線層とを電気的に接続せしめる方法が好ましい。たとえば、パターニングの際、接続用抵抗体に抜き部を作製すれば、この配線接続構造を容易に作製できるからである。
【００６５】
なお、材料に関して言えば、接続用抵抗体が同一の材料で形成されていることが好ましい。蒸着法等により接続用抵抗体を作製するのが容易であり、上記のような適切な形状を選択して、所期の目的を達成しやすいからである。
【００６６】
また、第１の配線層と接続用抵抗体とが同一の材料で形成されてなることが好ましい場合がある。蒸着法等により第１の配線層と接続用抵抗体とを同時に作製するのが容易であり、またその際抜き部を形成する等により適切な形状を選択して、所期の目的を達成しやすいからである。
【００６７】
また、第２の配線層にさらに接続される第３の配線層が設けられ、第３の配線層と接続用抵抗体とが同一の材料で形成されてなることが好ましい場合がある。たとえば、比較的高導電性の補助配線を、上記図５の場合に説明したような相対的にシート抵抗が高い第２の配線層として設け、これに接続される第３の配線層を接続用抵抗体と同じＩＴＯ等で設けた場合を想定する。本発明による電流集中抑制効果と比較的高導電性の補助配線により全体的な抵抗の低下による電流集中抑制効果とをともに利用することが可能となるからである。また、製造の観点からは、蒸着により接続用抵抗体と第３の配線層とを同時に形成できる利点が得られる。用途の観点からは、第３の配線層を透明電極として使用する場合には、有機ＥＬ表示装置等の透明電極を必要とする用途に有用である。
【００６８】
有機ＥＬ表示装置等への応用を考えた場合、第２の配線層に、Ｍｏ層またはＭｏ合金層が用いられてなる配線接続構造が高い有用性を有する。より具体的には、第２の配線層に、Ａｌ層またはＡｌ合金層と、Ｍｏ層またはＭｏ合金層との積層が用いられてなる配線接続構造である。このような配線接続構造は、上記に示す、Ａ，Ｂ，Ｃの関係式を満たすことが多く、電流集中回避の効果が明確に得られ、有機ＥＬ表示装置等の透明電極を必要とする用途に有用であるからである。
【００６９】
なお、本発明における接続用抵抗体の実効抵抗値は、第１の配線層の接続部から第２の配線層の接続部に至る略直線方向における単位距離あたりの電気抵抗で近似することができる。ここで、「第１の配線層の接続部から第２の配線層の接続部に至る略直線方向」とは、図１３で言えば、境界線１０５から境界線１０６を望む方向である。第１の配線層の接続部が境界線１０５に、第２の配線層の接続部が境界線１０６に該当する。具体的には、実効抵抗値は、単位領域を想定し、その両端（境界線１０５と境界線１０６と）の電気抵抗を測定することで近似できる。
【００７０】
図５は上記のように本発明の基本的構成を模式的に表したものである。また、図５を配線層に平行する方向から見た多層配線の断面図であると考えた場合には、接続用抵抗体として異方性導電手段が用いられた配線接続構造において、異方性導電手段の導電粒子（導電物質）のシート抵抗が場所によって異なるように形成されていることが好ましい態様である。上記の種々の態様は、接続用抵抗体としてＡＣＦ等の異方性導電手段を使用した場合にも適用可能である場合が多く、多層配線でコンパクトに本発明の目的を達成し得るからである。
【００７１】
このような後者の場合を含め、表示部の駆動用電極と外部電極との接続に本発明に係る配線接続構造を有機ＥＬ表示装置に適用することは有用性が大きい。コンパクトな構造で、所期の目的を達成し得るからである。
【００７２】
たとえば有機ＥＬ表示素子では、表示用配線材料には、シート抵抗が０．１Ω／□程度のＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ三層構造が、配線端子用材料にはシート抵抗が２０Ω／□程度のＩＴＯ層が、ＴＣＰの駆動側接続配線にはシート抵抗が０．００１Ω／□程度の銅箔がよく用いられるが、このような構造では、駆動側接続配線の長手方向と表示用配線の長手方向とがほぼ平行であり、駆動側接続配線を第１の配線層と、表示用配線またはその補助配線を第２の配線層と、ＩＴＯ層の一部を接続用抵抗体領域として考えることができる。
【００７３】
このような場合を考慮すると、第１の配線層の長手方向と第２の配線層の長手方向とがほぼ平行である場合には、第１の配線層から見てより遠い位置における接続用抵抗体領域の幅方向の所定区分あたりの境界線Ｅと境界線Ｆとの間の電気抵抗が、より近い位置における接続用抵抗体領域の幅方向の所定区分あたりの境界線Ｅと境界線Ｆとの間の電気抵抗より大きくなるように接続用抵抗体領域の構造を形成することが好ましいと言える。なお、第１の配線層から見てより遠い位置とは、たとえば図１３では、より右側を意味する。図１３の境界線１０５，１０６が境界線Ｅ，境界線Ｆに該当する。
【００７４】
より具体的には、第１の配線層から見てより遠い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離が、より近い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離より大きくなるように接続用抵抗体領域の構造を台形に形成することが好ましく、また、第１の配線層から見てより遠い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の抜き部が、より近い位置における境界線Ｅと境界線Ｆとの間の抜き部より大きくなるように接続用抵抗体領域の構造を形成することが好ましいのは先に述べたとおりである。なお、これらの変化は単調変化である必要はなく、一部途中で逆転する場合があってもよい。
【００７５】
なお、ＴＣＰの駆動側接続配線では、駆動側接続配線と配線端子との間にＡＣＦが存在するが、本発明に係る配線接続構造面に垂直な方向から見た場合、ＡＣＦの内導電性を有する部分は駆動側接続配線と重複しており、その部分では配線接続構造面に垂直な方向に電気が流れるため、第１の配線層と接続用抵抗体領域と第２の配線層との相互関係を考える上では、ＡＣＦを第１の配線層の一部であると考えればよい。このように、接続用抵抗体領域をその一部として含むＩＴＯ層が第１の配線層と積層する部分が、第１の配線層と異方性導電フィルムを介して接続される構造も本発明に係る配線接続構造の範疇に含まれる。
【００７６】
【実施例】
次に本発明の実施例および比較例を詳述する。例１，２，３は実施例、例４は比較例である。なお、本発明との関係では、実施例中、電気抵抗体パターン２ｂが接続用抵抗体領域に、コンタクトパターン２ａと電気抵抗体パターン２ｂとを含むパターン（ＩＴＯ層）が接続用抵抗体に、周辺配線３ａと引き出し配線３ｂとが第２の配線層に、駆動側配線１６が第１の配線層に、側部２４と末端２５とが境界線Ｅ，Ｆに該当する。
【００７７】
［例１］
図１は、本例で作製された有機ＥＬ表示装置における実装配線端子の内ＩＴＯ層を設けた状態の模式的平面図、図２４は、有機ＥＬ表示装置における実装配線端子の模式的平面図、図２５は実装配線端子にＴＣＰを実装したときの模式的平面図、図２６は図２５のＡ−Ａ断面図、図２７は図２５の部分拡大図である。
【００７８】
まず、透明ソーダライムガラス基板（厚さ０．７ｍｍ）１の上にＤＣスパッタ法により、ＩＴＯ層２を１５０ｎｍ厚で成膜した。このときＩＴＯ層のシート抵抗は１０Ω／□程度であった。その後、フォトリソグラフィによりレジストをパターニングし、その後塩酸および硝酸の混合水溶液を用いて、ＩＴＯ層をエッチング、レジスト剥離し、ＩＴＯ層で形成されたコンタクトパターン２ａと電気抵抗体パターン２ｂとを含むパターンを得た。
【００７９】
図１はこのＩＴＯ層２の模式的平面図である。この段階では、コンタクトパターン２ａも電気抵抗体パターン２ｂも他の領域と区別されておらず、連続した単一の材料であるＩＴＯ層２の一部である。なお、基板露出領域２３は基板が露出した部分である。
【００８０】
その後、ＤＣスパッタ法により、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏを積層成膜した。ここでＡｌは比抵抗が３．５μΩｃｍと低く、周辺配線の電気抵抗を下げるために用いたものである。下層のＭｏは、Ａｌが直接ＩＴＯ層と接触することによる酸化を防止するため、また、上層のＭｏは、金属積層膜上のレジストを現像する際にＡｌが表面に露出しているとそのピンホールを介してＩＴＯ層が腐食することを防止するために成膜されたものである。
【００８１】
膜厚は、上下のＭｏ膜を１００ｎｍ，Ａｌ膜を３５０ｎｍとした。このとき金属積層膜のシート抵抗は０．１Ω／□であった。その後、フォトリソグラフィによりレジストをパターニングし、燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液を用いて、前記積層金属膜を一括エッチングし、レジストを剥離した。これにより、周辺配線３ａおよび引き出し配線３ｂが形成された。コンタクトパターン２ａと電気抵抗体パターン２ｂと周辺配線３ａと引き出し配線３ｂとが、有機ＥＬ表示装置における実装配線端子を構成する。
【００８２】
この段階でも、コンタクトパターン２ａは他の領域と区別されていないため、点線で示されている。一方、電気抵抗体パターン２ｂは後述するように、ＩＴＯ層と接して配置される駆動側配線１６の側部２４とＩＴＯ層と接する周辺配線３ａの末端２５とに囲まれる領域である。
【００８３】
なお、コンタクトパターン２ａと電気抵抗体パターン２ｂとを含むＩＴＯ層２のうち、コンタクトパターン２ａと電気抵抗体パターン２ｂ以外の部分は、電気抵抗体パターン２ｂと周辺配線３ａとの電気的接続が取れている限り、どのような形状をとっていてもよく、存在しなくてもよい。
【００８４】
図２４は、この段階を表している。なお基板露出領域２３では基板が依然露出している。このような露出部分は、たとえば図２４に示す矢印のように電気が流れると、電気の流れの偏りが大きくなるため、これを防止するために設けられたものである。従って、図２４で矢印のような電気の流れを防止できる限りその形状は任意である。なお、基板露出領域２３の存在を考慮すると、図２４は、図１３の角部分を設けた配線接続の一種と見ることができる。
【００８５】
その後実装配線端子上に、図２５に示す位置関係でＡＣＦ１１を仮圧着した。ＡＣＦはたとえば日立化成製アニソルム７１０６Ｕを使用できる。仮圧着温度は８０℃、圧着圧力は１．０ＭＰａ、圧着時間は５秒とした。ついで駆動回路が内蔵されたＴＣＰ１２を実装配線端子に本圧着した。本圧着温度は１７０℃、圧着圧力は２．０ＭＰａ、圧着時間は２０秒とした。この操作により、この配線を上から見た場合に、ＴＣＰ１２の駆動側配線１６と重なり合う部分のＡＣＦ１１中の導電粒子同士が接触して潰され、導電性を示すようになり、駆動側配線１６とその下のＩＴＯ層部分との電気的接触が完成した。このＩＴＯ層部分がコンタクトパターン２ａであり、この段階で形状が確定する。
【００８６】
また、電気抵抗体パターン２ｂは、接続用抵抗体領域の定義に従って、図２５の部分拡大図である図２７に示すように、本発明に係るＩＴＯ層内において、ＩＴＯ層と接する駆動側配線１６の側部２４とＩＴＯ層と接する周辺配線３ａの末端２５とに囲まれる領域であり、この段階で形状が確定する。本例の場合にはＩＴＯ層は他の層に比べシート抵抗が大きいので、電気抵抗体パターン２ｂの形状は、側部２４と末端２５とによって決まる台形部分と考えればよいのである。その他のＩＴＯ層は存在していてもいなくてもよい。
【００８７】
ＴＣＰ実装後の図２７に示すＷ1（ＴＣＰの接続配線１６と周辺配線３ａの左端での距離、すなわち電気抵抗体パターン２ｂの台形形状の上底の距離）は１５μｍ、Ｗ2（同右端の距離、すなわち電気抵抗体パターン２ｂの台形形状の下底の距離）は４５μｍ、Ｌ2（接続用抵抗体領域の幅、すなわち電気抵抗体パターン２ｂの台形形状の高さ）は１．５ｍｍであった。
【００８８】
なお、図２５の配線接続構造をＡ−Ａ断面方向から見た図が図２６である。図２６の左方は、ＴＣＰ１２の駆動側配線１６がＡＣＦ１１を介してＩＴＯ層２の一部であるコンタクトパターン２ａと電気的に接続している様子を示している。また、図２６の右方は、引き出し配線３ｂがＩＴＯ層２上に設けられている様子を示している。この引き出し配線３ｂ下のＩＴＯ層２では、基板露出領域２３の存在により、図２４の矢印方向の電気の流れが阻止されている。
【００８９】
このようにして作成された配線接続構造に電流を印加して、配線端子が破壊される電流値を評価した。この結果、１５０ｍＡで始めて異方性導電膜が焼損し、例４に示す従来の配線接続構造に比べて、電流局在化が大幅に緩和されていることが判明した。
【００９０】
［例２］
図２は本例で作製された実装配線端子の模式的平面図、図２８は図２中の電気抵抗体パターン２b1〜２b5の詳細パターン、図２９は実装配線端子にＴＣＰを実装したときの模式的平面図、図３０は図２９のＡ−Ａ断面図である。
【００９１】
電気抵抗体の形状を変えた以外は例１と同様にして、ＩＴＯ層を形成し、図２８に示す電気抵抗体パターン２b1〜２b5を得た。電気抵抗体パターン２b1〜２b5は、引き出し側に向かって抜き部が多くなるように、すなわち抜き部の面積が大きくなるように形成されている。ここでは２b1が抜き部なしのパターンで形成され、２b2〜２b5が２b1に対してＩＴＯ層の実効抵抗値が、同一幅で３倍、５倍、７倍、９倍になるように形成されている。すなわち、本発明における、接続用抵抗体領域の幅方向の所定区分あたりの境界線Ｅと境界線Ｆとの間の実効抵抗値が、接続用抵抗体領域の幅方向に、図２８中、２b1〜２b5の順に増大するように接続用抵抗体領域の構造を形成した。
【００９２】
その後、例１と同様のＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの金属積層膜により、周辺配線３ａおよび引き出し配線３ｂと共に、コンタクトパターン２ａに重なる層２ｄを同一マスクで形成して図２の平面構造を得、ついで駆動回路が内蔵されたＴＣＰ１２を実装した。これにより、配線接続構造の平面構造は図２９、断面構造は図３０のようになった。
【００９３】
実装後の図２９に示すＷは４５μｍ、Ｌ2は１．５ｍｍであった。このようにして作成された配線端子に電流を印加して、配線端子が破壊される電流値を評価した。この結果、配線接続構造では４００ｍＡで始めて異方性導電膜が焼損し、例４に示す従来の配線接続構造に比べて、電流局在化が大幅に緩和されていることが判明した。なお、例１より高電流まで異方性導電膜が焼損しなかったのは、上記抜き部パターンの採用とコンタクトパターン２ａに重なる層の形成とによる効果であろうと考えられる。
【００９４】
［例３］
図３は本例で作製された実装配線端子の模式的平面図、図３１は図３中の電気抵抗体パターン２ｂ6〜２ｂ10の詳細パターンを示す。
【００９５】
電気抵抗体の形状を変えた以外は例１と同様にして、ＩＴＯ層２を形成し、配線端子電気抵抗体パターン２ｂ6〜２ｂ10を得た。図３１に電気抵抗体パターン２ｂ6〜２ｂ10の詳細を示す。電気抵抗体パターン２ｂ6〜２ｂ10は、素子側に向かって、境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離が大きくなり、かつ抜き部が多くなるように形成されており、境界線Ｅと境界線Ｆとの間の距離の変化と抜き部の変化との組み合わせにより、電気抵抗体パターンの実効抵抗値のより大きな変化が可能となっている。ここでは２ｂ6が抜き部なしのパターンで形成され、２ｂ7〜２ｂ10が２ｂ6に対してＩＴＯ層の実効抵抗値が、同一幅で５倍、１６倍、３４倍、５８倍になるように形成されている。
【００９６】
その後、ＤＣスパッタ法により、ＭｏＮｂ（１０原子％）、Ａｌ、ＭｏＮｂ（１０原子％）の順番で成膜した。例１のＭｏの代わりにＭｏＮｂを用いたのは、耐食性を改善することができるためである。膜厚はＭｏＮｂが１００ｎｍ、Ａｌが３５０ｎｍ程度とした。その後、フォトリソグラフィによりレジストをパターニングし、燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液を用いて、前記積層金属膜をエッチングし、レジスト剥離した。これにより、周辺配線３ａおよび引き出し配線３ｂと共に、コンタクトパターン２ａに重なる層２ｄを同一マスクで形成した。これにより、周辺配線３ａ、引き出し配線３ｂ、層２ｄの位置関係を精度よく形成することができた。
【００９７】
なお、本例では、層２ｄがコンタクトパターン２ａとの重なりを越える部分を有している。このような重なりを越える部分は、基板露出領域２３によって、層２ｄが引き出し配線３ｂと遮断されており、電気抵抗体パターン２ｂ上に及んでいない限り、第１の配線層と第２の配線層との間の電気の流れに悪影響はなく、しかも、ＡＣＦで接続されるＴＣＰ接続配線のアライメントが容易になるため好都合である。
【００９８】
上記の構造の配線接続構造を組み込んで、有機ＥＬ表示装置を作製し、配線端子に電流を印加して、配線端子が破壊される電流値を評価した。この結果、１５００ｍＡで始めて異方性導電膜が焼損し、例４に示す従来の配線接続構造に比べて、電流局在化が大幅に緩和されていることが判明した。
【００９９】
なお、この様子をシミュレーションした結果を図１８〜２０に示す。図１８は、図３で示した実装配線端子にＴＣＰ接続配線２１を実装した状態を表す図２１についての、ＴＣＰ内位置または端子内位置における電位分布のシミュレーション結果を示すグラフである。電位分布の偏りが大きい方が電流の偏りが大きいことを意味する。図１９は、これに対し、図２２に示すように、接続用抵抗体領域を設けず、ＩＴＯ配線の一方の端部（ＩＴＯ端子）には直接ＴＣＰ接続配線を実装し、他の端部は金属配線に接続した場合である。また、図２０は、図２３に示すように、接続用抵抗体領域を設けず、金属配線の一方の端部（メタル端子）には直接ＴＣＰ接続配線を実装し、他の端部はＩＴＯ配線に接続した場合である。これらの図の比較からも、本発明に係る配線接続構造を採用した場合は、電流の偏りが小さくなることが理解できる。なお、ＴＣＰ内位置と端子内位置とにおける０．０ｍｍと２．０ｍｍとの位置を図２１〜２３に示してある。
【０１００】
［例４］
例１の配線接続構造において、図１，２４，２５に示すような接続用抵抗体領域や基板露出領域２３を設けず、ＩＴＯ層２を周辺配線３ａの層で覆うようにする配線接続構造を採用した。配線端子に電流を印加して、配線端子が破壊される電流値を評価した結果、７５ｍＡ程度で異方性導電膜が焼損した。
【０１０１】
上記例の比較から、本発明に係る配線接続構造では、偏った電気の流れを是正でき、大電流に対する耐性が向上する。従って、この配線接続構造を使用すれば、高輝度、高デューティマトリクスの有機ＬＥＤ素子を作製することができる。
【０１０２】
さらに本発明は、大電流密度を必要とする、その他の電子デバイス、たとえば、プラズマディスプレー（ＰＤＰ）装置、フィールドエミッションディスプレー（ＦＥＤ）装置、ＩＴＯヒータ等に適用することができる。
【０１０３】
【発明の効果】
本発明により、偏った電流による電流集中を是正できる配線接続構造、その製造方法および、これらの技術を使用して作成された有機ＥＬ表示装置が提供される。本発明により、高輝度、高デューティマトリクスの有機ＬＥＤ素子を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬ表示装置における実装配線端子の内ＩＴＯ層を設けた状態の模式的平面図。
【図２】実装配線端子の模式的平面図。
【図３】実装配線端子の模式的平面図。
【図４】ＴＣＰ実装配線接続構造の一例の模式的平面図。
【図５】本発明に係る配線接続構造の一例の模式図。
【図６】シート抵抗が大きく異なる二つの導体配線をＡＣＦを介して接続する場合における電気の流れを表した模式図。
【図７】従来技術における配線接続構造の一例の模式図。
【図８】図５の模式図をより具体的に表した図。
【図９】図６の重なり部分６１での電流分布のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図１０】補助配線をそのまま配線端子までに延在した場合における電流分布のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図１１】第１の配線層と接続用抵抗体とを同一の材料で成膜し、抜き部を設けた例を示す模式図。
【図１２】第１の配線層と接続用抵抗体とを別個の材料で別々に成膜し、抜き部を設けた例を示す模式図。
【図１３】第１の配線層と第２の配線層との間にほぼテーパー状の外形形状を備えた接続用抵抗体領域（領域１０４）を設けた模式図。
【図１４】第１の配線層と第２の配線層との間にほぼテーパー状の外形形状を備えた接続用抵抗体領域を設けた他の模式図。
【図１５】領域１０４の拡大図。
【図１６】境界線のきまり方を説明するための配線接続構造の模式的平面図。
【図１７】図１６の配線接続構造の側断面図。
【図１８】実装配線端子にＴＣＰ接続配線を実装した状態における電位分布のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図１９】実装配線端子にＴＣＰ接続配線を実装した状態における電位分布のシミュレーション結果を示す他のグラフ。
【図２０】実装配線端子にＴＣＰ接続配線を実装した状態における電位分布のシミュレーション結果を示す他のグラフ。
【図２１】図３で示した実装配線端子にＴＣＰ接続配線を実装した状態を表す模式図。
【図２２】接続用抵抗体領域を設けず、ＩＴＯ配線に直接ＴＣＰ接続配線を実装した状態を表す模式図。
【図２３】接続用抵抗体領域を設けず、金属配線に直接ＴＣＰ接続配線を実装した状態を表す模式図。
【図２４】有機ＥＬ表示装置における実装配線端子の模式的平面図。
【図２５】実装配線端子にＴＣＰを実装したときの模式的平面図。
【図２６】図２５のＡ−Ａ断面図。
【図２７】図２５の部分拡大図。
【図２８】図２中の電気抵抗体パターン２ｂ1〜２ｂ5の詳細パターン。
【図２９】実装配線端子にＴＣＰを実装したときの模式的平面図。
【図３０】図２９のＡ−Ａ断面図。
【図３１】図３中の電気抵抗体パターン２ｂ6〜２ｂ10の詳細パターン。
【図３２】図４のＡ−Ａ断面図。
【符号の説明】
１      基板
２      ＩＴＯ層
２ａ    コンタクトパターン
２ｂ    電気抵抗体パターン
２ｂ1〜２ｂ10
電気抵抗体パターン
２ｄ    コンタクトパターン２ａに重なる層
３ａ    周辺配線
３ｂ    引き出し配線
１１    ＡＣＦ
１２    ＴＣＰ
１３    配線端子
１５    導電粒子
１６    駆動側接続配線
１７    ポリイミドテープ
１８    駆動ＩＣチップ
１９    ガラス基板
２１    ＴＣＰ接続配線
２２    矢印
２３    基板露出領域
２４    側部
２５    末端
５１    第１の配線層
５２    第２の配線層
５３    接続用抵抗体領域
５４    接続部
５５    抜き部
７１    第１の配線層
７２    第２の配線層
１０１  配線層
１０２  配線層
１０４  領域
１０５  境界線
１０６  境界線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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