(57)【要約】【課題】ＥＬ表示パネルの経時変化による輝度特性の低下を補償することができる駆動装置を提供すること。【解決手段】例えばガラス製の透明基板１１上に、多数の発光素子２０が積層形成されており、これにより発光素子からの光は透明基板を介して基板面に直交する方向に放射されて表示画像が形成される。前記透明基板１１の基板面もしくは前記透明基板１１に積層状態で配置した導光基板７２の基板面を界面として基板内で反射される前記発光素子２０からの光の一部を受けて電気信号を生成する光電変換手段２３と、前記光電変換手段により得られる前記電気信号に基づいて、前記各発光素子に供給する発光駆動電力を設定する駆動電力設定手段２５とが具備されている。この構成によって、発光素子２０の例えば経時変化による輝度特性の低下を補償することができる。【選択図】　　　図４
2004093648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に電極並びに発光機能層を含む発光素子を積層形成すると共に、前記発光素子からの光を前記透明基板を介して基板面に直交する方向に放射させることで、表示画像を得るように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、
前記透明基板の基板面もしくは前記透明基板に積層状態で配置した導光基板の基板面を界面として基板内で反射される前記発光素子からの光を受けて電気信号を生成する光電変換手段と、前記光電変換手段により得られる前記電気信号に基づいて、前記各発光素子に供給する発光駆動電力を設定する駆動電力設定手段とを具備したことを特徴とする発光表示パネルの駆動装置。
【請求項２】
前記光電変換手段が、前記基板の側端面に対向する位置に配置された受光素子により構成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項３】
前記光電変換手段が、前記基板の基板面に対して所定の角度をもって形成された反射面に対向する位置に配置された受光素子により構成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項４】
前記基板上に形成された溝部の一面を、前記反射面として利用するように構成したことを特徴とする請求項３に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項５】
前記光電変換手段が、前記基板の側端面または基板の一面上に位置する光拡散部材もしくは反射部材に対向するように配置された受光素子により構成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項６】
前記発光素子として発光機能層に有機化合物を用いた有機ＥＬ素子により構成したことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項７】
透明基板上に積層形成された前記有機ＥＬ素子を、前記受光素子として利用したことを特徴とする請求項６に記載の発光表示パネルの駆動装置。
【請求項８】
透明基板上に電極並びに発光機能層を含む発光素子を積層形成すると共に、前記発光素子からの光を前記透明基板を介して基板面に直交する方向に放射させることで、表示画像を得るように構成した発光表示パネルの駆動方法であって、
前記透明基板の基板面もしくは前記透明基板に積層状態で配置した導光基板の基板面を界面として基板内で反射される前記発光素子からの光を受けて電気信号を生成し、前記電気信号に基づいて前記各発光素子に供給する発光駆動電力の設定操作を実行することを特徴とする発光表示パネルの駆動方法。
【請求項９】
前記発光駆動電力の設定操作が、前記発光素子に加える駆動電流の大きさを設定する操作、前記発光素子に加える駆動電流の供給時間を設定する操作、もしくは前記発光素子の寄生容量に対してプリチャージを行うプリチャージ電圧の大きさを設定する操作のうちのいずれかまたは二つ以上を組み合わせて採用することを特徴とする請求項８に記載の発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１０】
前記発光駆動電力の設定操作が、発光表示パネルの点灯駆動開始時または発光表示パネルの表示動作中の定時において、もしくはユーザの操作により実行されることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１１】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色に対応した発光素子からの発光色の合成によりフルカラーを再現するように構成された発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光駆動電力の設定操作が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の各色に対応した発光素子の各々において、発光駆動電力の設定操作を実行させることを特徴とする請求項８乃至請求項１０のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動方法。
【請求項１２】
透明基板上に配列された各発光素子と、当該発光素子からの光を受けて電気信号を生成する受光素子との位置関係に基づく光の減衰特性をパラメータとして利用して、前記発光駆動電力の設定操作を実行することを特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光素子として例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備えた発光表示パネルを駆動する技術に関し、特にＥＬ素子の発光輝度を好適な状態に設定することができる発光表示パネルの駆動装置および駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置に代わる低消費電力および高表示品質、並びに薄型化が可能な表示装置として、ＥＬ表示装置が注目されている。これはＥＬ表示装置に用いられるＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、電気的には図１のような等価回路で表すことができる。すなわち、有機ＥＬ素子は、寄生容量成分Ｃと、この容量成分に並列に結合するダイオード成分Ｅとによる構成に置き換えることができ、有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であると考えられている。この有機ＥＬ素子は、発光駆動電圧が印加されると、先ず、当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖｔｈ）を越えると、電極（ダイオード成分Ｅのアノード側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ初め、この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。
【０００４】
図２は、このような有機ＥＬ素子の発光特性を示したものである。これによれば、図２（ａ）に示すように有機ＥＬ素子は、駆動電流（Ｉ）にほぼ比例した輝度（Ｌ）で発光し、図２（ｂ）に実線で示すように駆動電圧（Ｖ）が発光閾値電圧（Ｖｔｈ）以上の場合において急激に電流（Ｉ）が流れて発光する。換言すれば、駆動電圧が発光閾値電圧（Ｖｔｈ）以下の場合には、ＥＬ素子には電流は殆ど流れず発光しない。したがってＥＬ素子の輝度特性は、図２（ｃ）に実線で示すように前記閾値電圧（Ｖｔｈ）より大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧（Ｖ）の値が大きくなるほど、その発光輝度（Ｌ）が大きくなる特性を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した有機ＥＬ素子は、長期の使用によって素子の物性が変化し、素子自身の抵抗値が大きくなるという特性を有している。このために、有機ＥＬ素子は図２（ｂ）に示したように実使用時間によって、Ｖ−Ｉ特性が矢印に示した方向（破線で示した特性）に変化し、したがって、輝度特性も低下することになる。また、前記した有機ＥＬ素子は、素子の成膜時における例えば蒸着のバラツキによっても初期輝度にバラツキが発生するという問題も抱えており、これにより、入力映像信号に忠実な輝度階調を表現することが困難になる。
【０００６】
例えば、有機ＥＬ素子によりフルカラーの表示画像を実現するための一つの手段として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の発光をなすことのできる有機材料を、別々に成膜して配列させたパラレル型ＲＧＢ法が提案されている。このようなＲＧＢ法を利用したフルカラー表示装置においては、Ｒ，Ｇ，Ｂの各素子の累積発光時間が異なること、およびＲ，Ｇ，Ｂの各発光画素を構成する各有機ＥＬの発光材料によって、それぞれ輝度低下の速度が異なるために、結局使用時間の経過と共にカラーバランス（ホワイトバランス）がずれるという問題を抱えることになる。
【０００７】
さらに、有機ＥＬ素子の輝度特性は、概ね温度によって図２（ｃ）に破線で示すように変化することも知られている。すなわちＥＬ素子は、前記した発光閾値電圧より大なる発光可能領域においては、それに印加される電圧（Ｖ）の値が大きくなるほどその発光輝度（Ｌ）が大きくなる特性を有するが、高温になるほど発光閾値電圧が小さくなる。したがってＥＬ素子は、高温になるほど小さい印加電圧で発光可能な状態となり、同じ発光可能な印加電圧を与えても、高温時は明るく低温時は暗いといった輝度の温度依存性を有している。
【０００８】
したがって、前記したパラレル型ＲＧＢ法によるフルカラーの表示画像を実現させた場合、環境温度の変化によっても、同様に各Ｒ，Ｇ，Ｂによるカラーバランスがずれるという問題を抱えることになる。
【０００９】
この発明は、前記した技術的な課題に着目してなされたものであり、その目的とするところは、経時変化による輝度特性の変化、あるいは環境温度の変動に伴う発光輝度の変化を効果的に抑制させることができる発光表示パネルの駆動装置および駆動方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は、透明基板上に電極並びに発光機能層を含む発光素子を積層形成すると共に、前記発光素子からの光を前記透明基板を介して基板面に直交する方向に放射させることで、表示画像を得るように構成した発光表示パネルの駆動装置であって、前記透明基板の基板面もしくは前記透明基板に積層状態で配置した導光基板の基板面を界面として基板内で反射される前記発光素子からの光を受けて電気信号を生成する光電変換手段と、前記光電変換手段により得られる前記電気信号に基づいて、前記各発光素子に供給する発光駆動電力を設定する駆動電力設定手段とを具備した点に特徴を有する。
【００１１】
また、前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる発光表示パネルの駆動方法は、透明基板上に電極並びに発光機能層を含む発光素子を積層形成すると共に、前記発光素子からの光を前記透明基板を介して基板面に直交する方向に放射させることで、表示画像を得るように構成した発光表示パネルの駆動方法であって、前記透明基板の基板面もしくは前記透明基板に積層状態で配置した導光基板の基板面を界面として基板内で反射される前記発光素子からの光を受けて電気信号を生成し、前記電気信号に基づいて前記各発光素子に供給する発光駆動電力の設定操作を実行する点に特徴を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる実施の形態を図面に基づいて説明する。まず図３は、この発明を好適に採用することができる発光表示パネル１０の例を断面図で示したものであり、この例においてはＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色を発光する有機ＥＬ発光層を別々に成膜して配列させたパラレル型ＲＧＢ法によるフルカラー表示パネルの例を示している。発光表示パネル１０は図３に示すように、例えば透明なガラス基板１１上に、順にＩＴＯ等による陽極電極１２、発光機能層としての正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、および陰極電極１６が積層されており、これらにより発光素子（有機ＥＬ素子）２０が形成されている。
【００１３】
そして、前記発光層１４にはＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色を発光することができる有機化合物が使用されている。このようにＲ，Ｇ，Ｂの各色をサブピクセルとして用い、前記基板１１を介して基板面に直交する方向にＲ，Ｇ，Ｂの各色の光を放射させることで、フルカラーの表示画像を得ることができる。なお、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置は、前記したようなフルカラーの表示パネルのみに利用されるものではなく、発光層１４に同一の発光色の有機材料を使用したモノクロの発光表示パネル、あるいは表示パネルの領域を別けて異なる発光色が放射されるように構成したマルチカラーの発光表示パネルにも適用することができる。
【００１４】
ところで、前記した構成の発光表示パネル１０においては、前記発光層１４からの光はガラス基板１１の基板面に直交する方向に放射されるのみならず、すべての方向に放射される。したがって、発光層１４から放射される一部の光は、基板１１内に所定の角度で入射し、基板面を界面として基板１１内で全反射される現象が発生する。この全反射される光量を後述するような幾つかの手段を採用して計測することにより、発光表示パネルにおけるＥＬ素子の瞬時輝度を把握することができることを本件の発明者等は知見しており、その測定結果についても比較的高い精度が得られることを検証している。
【００１５】
図４は前記した観点に基づいて基板面を界面として基板内で全反射される光量を検出し、この検出値に基づいて発光素子（ＥＬ素子）に供給する発光駆動電力を設定するようにしたこの発明にかかる基本構成を模式図で示したものである。すなわち、図４に示すように発光表示パネル１０を形成するガラス製の透明基板１１の一面には、前記したように発光層１４を含む発光素子２０が形成されている。そして、発光素子２０が形成された基板１１の一面は、例えばステンレス製の封止材２１により封止されている。
【００１６】
この図４に示す構成によると、発光素子２０から放射されて基板１１の板面に対して所定以下の角度で入射する一部の光は、破線で示したように基板面を界面として基板１１内で全反射される。そして、基板１１内で全反射された光は、透明基板１１の端面に達し、当該端面においてはその入射角が所定の角度以上となるために、基板１１の端面を透過する。図４に示す形態においては、発光表示パネル１０を構成する透明基板１１の端面に、光電変換手段２３としての受光素子、例えばＰＩＮダイオードが配置されている。
【００１７】
この構成によって、発光素子２０から放射される瞬時輝度をＰＩＮダイオードによって、電気信号に変換することができる。前記ＰＩＮダイオードによって生成される前記輝度に対応した信号は、駆動電力設定手段２５に供給され、表示パネル１０に形成された発光素子２０に供給する発光駆動電力を適正な値に設定するように制御される。
【００１８】
図５は図４に示された光電変換手段２３、駆動電力設定手段２５と発光表示パネル１０における表示画素の接続構成を示したものであり、この例においては表示パネル１０として、アクティブ駆動型表示パネルが示されている。この実施の形態における表示パネル１０には、図示せぬデータドライバからの映像データに対応した制御信号がそれぞれ供給される多数のデータ電極線３０−１，３０−２，……が列方向に配列されており、また、前記データ電極線に平行して多数の基準電源線３１−１，３１−２，……も配列されている。一方、図示せぬ走査ドライバからの走査信号が供給される多数の走査電極線３２−１，３２−２，……が行方向に配列されると共に、走査電極線に平行して多数の電源制御線３３−１，３３−２，……も配列されている。
【００１９】
そして、単位発光画素に対応する発光素子２０としてのＥＬ素子を含む回路構成においては、制御用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、駆動用ＴＦＴ、キャパシタが具備されている。図５に示された形態においては、制御用ＴＦＴとして第１と第２のＴＦＴ３５ａ，３５ｂが用いられており、これらの各ゲートには行を走査するための走査信号が、走査電極線３２−１を介して与えられる。また、この実施の形態においては第１と第２の制御用ＴＦＴ３５ａ，３５ｂのソース、ドレイン間が直列接続されている。そして、第１の制御用ＴＦＴ３５ａにおけるソースがデータ電極線３０−１に接続され、第２の制御用ＴＦＴ３５ｂにおけるドレインが駆動用ＴＦＴ３６のゲートに接続されると共に、キャパシタ３７の一端に接続されている。
【００２０】
前記キャパシタ３７の他端および駆動用ＴＦＴ３６の例えばドレインは、基準電位線３１−１に接続されており、駆動用ＴＦＴ３６のソースは、ＥＬ素子２０のアノード端子に接続されている。そして、ＥＬ素子２０のカソード端子は電源制御線３３−１に接続されている。以上の構成は、表示パネル１０に配列された各有機ＥＬ素子２０に対応してそれぞれ同様に構成されている。
【００２１】
このような回路が行および列方向に複数配列された表示パネル１０の単位画素の発光制御動作は、アドレス期間において第１および第２の制御用ＴＦＴ３５ａ，３５ｂのゲートにオン電圧が供給される。これにより、直列接続されたＴＦＴ３５ａ，３５ｂの各ソース・ドレインを介して映像データの電圧に対応した電流をキャパシタ３７に流し、これによりキャパシタ３７は充電される。そして、その充電電圧が駆動用ＴＦＴ３６のゲートに供給されて、ＴＦＴ３６はそのゲート電圧と、電源制御線３３−１に供給される制御電圧に対応した電流を、有機ＥＬ素子２０に流し、これによりＥＬ素子２０は発光する。
【００２２】
一方、制御用ＴＦＴ３５ａ，３５ｂのゲート電圧がオフ電圧となると、ＴＦＴ３５ａ，３５ｂはいわゆるカットオフとなる。したがって、駆動用ＴＦＴ３６はキャパシタ３７に蓄積された電荷により、ゲート電圧が保持される。そして、次の走査まで駆動用ＴＦＴ３６による有機ＥＬ素子２０への駆動電流を維持し、これによりＥＬ素子２０の発光も維持される。
【００２３】
一方、図５において光電変換手段２３としての例えばＰＩＮダイオードは、図４に基づいて説明したように表示パネル１０を構成する透明基板１１の端面に配置されている。そして、ＰＩＮダイオードの受光により生成される前記輝度に対応した信号は、図５におけるブロック２５で示した駆動電力設定手段に供給される。この駆動電力設定手段２５は、Ａ／Ｄ変換器４０、演算制御機能として働くＣＰＵ４１、Ｄ／Ａ変換器４２、電圧可変器４３、電圧源４４、およびスイッチ４５により構成されている。
【００２４】
前記した駆動電力設定手段２５を構成する各ブロックの具体的な構成例については後でそれぞれ説明するが、この実施の形態によりなされる駆動電力設定手段２５は、光電変換手段２３としてのＰＩＮダイオードによって生成される光検出電圧に基づいて、電源制御線３３−１，３３−２，……における電圧値を適正に設定するように作用する。その設定操作は、発光表示パネルの点灯駆動開始時または発光表示パネルの表示動作中の定時（所定の経過時間ごと）において、または任意の動作モード時に、もしくはユーザの操作により行うことができる。
【００２５】
例えば経時変化により、或いは環境温度の変動などにより、光電変換手段２３において受ける光量が予め定められた基準値よりも低い状態になった場合には、駆動電力設定手段２５は結果として電源制御線３３−１，３３−２，……の電圧値をより低下させる（または、より負電圧側に引く）ように制御し、その状態に設定する。これにより、ＥＬ素子２０に流れる駆動電流が増大し、これに対応してＥＬ素子の発光輝度が増大された状態に設定される。また、例えば環境温度の変動などにより光電変換手段２３において受ける光量が基準値よりも増大した場合には、前記と逆の作用が働いてＥＬ素子の発光輝度が減少された状態に設定される。
【００２６】
図６は、光電変換手段２３として前記したようにＰＩＮダイオードを用いた場合おいて、ＰＩＮダイオードによる受光量に基づいて電気信号を生成する一例を示したものである。すなわち、ＰＩＮダイオードにおける出力は、オペアンプＯＰ１　と、帰還抵抗Ｒ１　により構成された負帰還増幅器に供給され、これによりオペアンプＯＰ１　の出力端Ｏｕｔには、ＰＩＮダイオードにおける出力に対応した電圧が、インピーダンス変換されて出力される。
【００２７】
図７は、図６に示したオペアンプＯＰ１　の出力端Ｏｕｔにおける出力を、Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器４０と、前記したＣＰＵ４１による制御構成の一例を示したものである。すなわち、図７におけるＡ／Ｄ変換器４０は、コンパレータＣＰ１　、コレクタ抵抗Ｒ２　を備えたスイッチングトランジスタＴ１　、ＮＡＮＤゲートＮＡ１　、カウンタ５１、パルス発生器５２、鋸歯状波発生器５３より構成されている。そして、ＣＰＵ４１よりパルス発生器５２、および鋸歯状波発生器５３に対してスタート信号が供給されると共に、これに同期してＣＰＵ４１よりカウンタ５１に対してカウンタリセット信号が供給されるように作用する。
【００２８】
これにより、まずカウンタ５１におけるカウンタ値がリセットされる。これに続いて、パルス発生器５２からのパルス出力によって、ＮＡＮＤゲートＮＡ１　よりカウンタ５１に対してカウントアップ出力が供給され、カウンタ５１はカウントアップを開始する。一方、コンパレータＣＰ１　の反転入力端子には図６に示したオペアンプＯＰ１　の出力が供給され、また、コンパレータＣＰ１　の非反転入力端子には、鋸歯状波発生器５３より鋸歯状波が供給される。前記コンパレータＣＰ１　はオペアンプＯＰ１　からのアナログ出力レベルが、鋸歯状波発生器５３からの鋸歯状波のレベルとクロスする時点で、トランジスタＴ１　をスイッチングさせる。これにより、ＮＡＮＤゲートＮＡ１　からカウンタ５１に対してカウントアップ出力が供給されるのを停止させる。
【００２９】
すなわち、カウンタ５１はＣＰＵ４１よりスタート信号が供給されてカウントを開始し、オペアンプＯＰ１　からのアナログ出力レベルが、前記鋸歯状波のレベルとクロスするまでの時間に対応したカウンタ値を、数ビットの出力（図７に示した例においては、４ｂｉｔの出力）としてＣＰＵ４１に供給するように作用する。これにより、光電変換手段２３としてのＰＩＮダイオードによって取得された輝度情報は、ＣＰＵ４１にデジタルデータとして取り込まれる。
【００３０】
ＣＰＵ４１は前記デジタルデータを受けて、後述するようにイニシャル輝度が設定値と一致しているか否かを判定し、一致していないと判定した場合には補正値を出力し、これに基づいてＥＬ素子に与える駆動電力の設定操作が実行される。なお、前記ＣＰＵ４１の演算動作によりＥＬ素子に与える駆動電力の設定操作を行う場合の例については後で詳細に説明する。
【００３１】
図８は、前記したＣＰＵ４１の演算動作により出力された補正値に基づいて、各ＥＬ素子に与える駆動電力の設定動作を行う場合の例を示したものであり、この例においては、前記した図５におけるＤ／Ａ変換器４２、および電圧可変器４３の具体的な組み合わせ構成が示されている。電圧可変器４３においては図８に示すようにｐｎｐトランジスタＴ３　と同じくｐｎｐトランジスタＴ４　とにより定電流回路が構成されている。すなわち、トランジスタＴ３　のエミッタには図５に示した電圧源４４からの定電圧が供給されるように構成されており、そのベースは抵抗Ｒ３　，Ｒ４　を介して電圧源４４に接続されている。また、そのコレクタはベースとの間で抵抗Ｒ５　を介して接続されると共に、抵抗Ｒ６　を介して基準電位点に接続されている。
【００３２】
一方、トランジスタＴ４　はエミッタが前記抵抗Ｒ３　とＲ４　の接続点に接続されており、ベースは前記トランジスタＴ３　のコレクタに接続され、さらにそのコレクタはＤ／Ａ変換器４２として機能する抵抗群Ｒ２１〜Ｒ２４の各一端に接続されている。この構成において、電圧源４４から各抵抗Ｒ３　，Ｒ４　，Ｒ５　，Ｒ６　に電流が流れると、トランジスタＴ４　のベース・エミッタ間に約０．６Ｖの電位が立って、トランジスタＴ４　がオンされる。続いて抵抗Ｒ３　に電流が流れることにより、トランジスタＴ３　のベース・エミッタ間が約０．６Ｖに達してトランジスタＴ３　がオンし、トランジスタＴ４　のベース電流を調節する。
【００３３】
これにより前記トランジスタＴ３　およびＴ４　のベース・エミッタ間の電圧は、いずれも約０．６Ｖにロックされるため、抵抗Ｒ３　には定電流が流れ、この定電流はトランジスタＴ４　のコレクタに接続された抵抗群Ｒ２１〜Ｒ２４に流れる。ここで、前記抵抗群Ｒ２１〜Ｒ２４は、前記したＣＰＵ４１の演算動作により出力された補正値に基づいて、各ＥＬ素子に与える駆動電力を設定するために利用される。すなわち、ＣＰＵ４１によって設定された各ＥＬ素子に与える駆動電力に対応して、抵抗群Ｒ２１〜Ｒ２４の一端が例えば基準電位点に対して選択的に、または組み合わせた状態で接続される。
【００３４】
したがって、図８に示す例においては４ｂｉｔの制御によって、トランジスタＴ４　のコレクタ電位が調整され、このコレクタ電位はバッファアンプとして機能するオペアンプＯＰ２　の出力端Ｏｕｔより出力される。前記オペアンプＯＰ２　の出力端Ｏｕｔに生成される出力電圧は、図５に示すスイッチ４５を介して電源制御線３３−１，３３−２，……に供給され、これにより各ＥＬ素子２０のカソード電位を変更し、結果として各ＥＬ素子２０に流す駆動電流値を変更させて、ＥＬ素子２０が所定の発光輝度となるように調整される。
【００３５】
図９は、以上説明した構成によってなされる各ＥＬ素子に対する駆動電力の設定ルーチンを説明するものである。この図９に示すルーチンは前記したように、表示パネルの点灯駆動開始時または表示パネルの表示動作中の定時（所定の経過時間ごと）において、または任意の動作モード時に、もしくはユーザの操作によりスタートされる。そして、スタート後のステップＳ１１においては、表示パネル１０における予め定められた所定の画素が点灯駆動される。続いて、ステップＳ１２に示すように、受光素子、すなわち前記したＰＩＮダイオードにより、予め定められた所定の画素の点灯に基づく瞬時輝度を検出する操作がなされる。
【００３６】
前記受光素子による輝度検出出力は、ステップＳ１３に示すようにＡ／Ｄ変換され、そのデジタルデータがＣＰＵ４１に取り込まれる。これは図７に基づいてすでに説明したとおりである。そして、ステップＳ１４に示すようにＣＰＵ４１において演算処理がなされ、イニシャル輝度が設定値と一致しているか否かについての比較判定がなされる。すなわち、前記ＣＰＵ４１には予め定められた設定値（標準輝度データ）が保持されており、ＣＰＵ４１に取り込まれた測定輝度に基づくデジタルデータとの比較が行われる。そして、ステップＳ１４においてイニシャル輝度が設定値と一致していない（Ｎｏ）と判定された場合には、ステップＳ１５に示されたように前記比較結果に対応した補正値が出力される。
【００３７】
この場合、表示パネル１０において点灯駆動される予め定められた画素と、光電変換手段２３としての例えばＰＩＮダイオードとの物理的な位置関係によって、ＣＰＵ４１に取り込まれる輝度に対応するデジタルデータの値が変動する。すなわち、図１０（ａ）に示すように表示パネル１０に形成された画素列がｍ行であり、光電変換手段２３の配置位置がパネル１０における上端部付近（第１行付近）である場合には、表示パネル１０において点灯駆動される画素の位置に対する検出輝度の関係は、図１０（ｂ）に示すような関係となる。
【００３８】
すなわち、図１０（ｂ）に示すように、点灯駆動される画素の位置が、最下行（ｍ行）側になるにしたがって取得される輝度特性は一般的に減衰する。したがって、図９に示すステップＳ１４においてなされる比較判定操作においては、点灯駆動される予め定められた画素の位置と受光素子との位置関係に基づく光の減衰特性をパラメータとして利用して、前記した補正値を出力するように構成されることが望ましい。
【００３９】
なお、図１０に示す例は光電変換手段としての例えばＰＩＮダイオード２３がパネル１０における上端部付近に配置されている場合を示しているが、例えば、図１１に示すように２つのＰＩＮダイオード２３ａ，２３ｂをパネル１０における上端部付近（第１行付近）と下端部付近（第ｍ行付近）とに配置することもできる。この場合、表示パネル１０において点灯駆動される画素の位置に対するそれぞれのＰＩＮダイオード２３ａ，２３ｂによる検出輝度の関係は、図１１（ｂ）において２つの実線で示すような関係となる。
【００４０】
したがって、図１１に示すように例えば２つのＰＩＮダイオード２３ａ，２３ｂを利用する場合においては、それぞれのＰＩＮダイオード２３ａ，２３ｂによる出力の論理和として、図１１（ｂ）に破線で示す減衰特性をパラメータとして利用し、前記した補正値を出力するように構成されることが望ましい。
【００４１】
斯くして、図９に示すステップＳ１５において取得された補正値は、ステップＳ１６に示すようにＤ／Ａ変換がなされる。このＤ／Ａ変換は、すでに図８に基づいて説明した例に示すように、４ｂｉｔの制御によって、トランジスタＴ４　のコレクタ電位が調整される。これにより、バッファアンプとして機能するオペアンプＯＰ２　の出力端Ｏｕｔの電位が調整され、ステップＳ１７に示す駆動電力の設定操作がなされる。
【００４２】
図９に示す制御ルーチンにおいては、ステップＳ１７から再びステップＳ１１に戻り、同様の設定動作が繰り返される。そして、ステップＳ１４においてイニシャル輝度が設定値と一致した（Ｙｅｓ）と判定された場合には、ステップＳ１８に移り、表示パネル１０におけるすべての画素を利用した表示が開始される。
【００４３】
なお、前記したように、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色に対応した発光素子からの発光色の合成によりフルカラーを再現するように構成された発光表示パネルを利用する場合においては、図９に示す各ルーチンを各色ごとの発光素子に対応して実行するようになされる。この場合においては、前記したＣＰＵ４１にＲ，Ｇ，Ｂの各発光素子に対応したそれぞれの標準輝度データを保持させて、駆動電力をそれぞれ調整するようになされる。これにより、経時変化あるいは環境温度の変動に伴うホワイトバランスのくずれを是正することができる。
【００４４】
また、例えば図１１（ａ）に示すように、表示パネル１０の一部に発光素子によるアイコン１０ａ，１０ｂを併設するように配置した構成においては、各アイコン１０ａ，１０ｂにおける輝度の明暗が比較的大きく目立ち、不自然に感ずることも発生する。そこで、前記アイコン１０ａ，１０ｂをそれぞれ形成する発光素子に対応させて図９に示した制御ルーチンをそれぞれ実行し、各アイコン１０ａ，１０ｂにおける発光輝度を調整することで、前記したようなアイコン間の輝度を揃えることができる。
【００４５】
以上の説明による発光素子に対する駆動電力の調整は、図５に示したアクティブ駆動型の表示パネル１０において、電源制御線３３−１，３３−２，……における電圧レベルを適正に設定することで、結果としてＥＬ素子２０に対する発光駆動電流を制御するようにしている。この場合、図５に示した電源制御線３３−１，３３−２，……には固定電位を印加し、基準電源線３１−１，３１−２，……に前記ＣＰＵ４１により演算された設定電圧を印加するようにしてもＥＬ素子２０に対する発光駆動電流を制御することができ、同様の調整結果を得ることができる。
【００４６】
また、図示せぬデータドライバからの映像データに対応した制御信号のレベルを適宜に設定することで、データ電極線３０−１，３０−２，……および制御用ＴＦＴ３５ａ，３５ｂを介してキャパシタ３７に充電される電荷量を制御することができる。したがって、このような制御形態を採用してもＥＬ素子２０に対する発光駆動電流を制御することができ、ＥＬ素子を適正な輝度に制御することができる。さらに後で詳細に説明するように、ＥＬ素子に加える駆動電流の供給時間（点灯時間）を変更することでも、ＥＬ素子の実質的な発光輝度を制御することができる。そして、これらの各手段は二つ以上を組み合わせて採用することもできる。
【００４７】
次に図１２は、この発明をパッシブ駆動型表示パネルの駆動装置に採用した場合の構成を示したものである。このパッシブ駆動方式は、単純マトリクス駆動方式とも呼ばれており、陽極線ドライブ回路５６と陰極線走査回路５７とが具備されている。この単純マトリクス駆動方式における有機ＥＬ素子のドライブ方法には、陰極線走査・陽極線ドライブ、および陽極線走査・陰極線ドライブの２つの方法があるが、図１２に示す形態は、陰極線走査・陽極線ドライブの形態を示している。
【００４８】
ここで用いられる表示パネルにおいては、ドライブ線としての陽極線Ａ１　〜Ａｎ　と、走査線としての陰極線Ｂ１　〜Ｂｍ　とをマトリクス状に配列し、このマトリクス状に配列された陽極線と陰極線の各交点位置に有機ＥＬ素子２０をそれぞれ接続した構成とされている。そして、陽極線ドライブ回路５６は、各陽極線Ａ１　〜Ａｎ　を介して表示パネルに配列された各有機ＥＬ素子２０のアノードに接続されており、また陰極線走査回路５７は、各陰極線Ｂ１　〜Ｂｍ　を介して表示パネルに配列された各有機ＥＬ素子２０のカソードに接続されている。
【００４９】
陰極線走査回路５７は、スイッチＳＹ１〜ＳＹｍを映像信号の同期信号に対応させて一定時間間隔で順次アース端子側へ切り換えながら走査することにより、陰極線Ｂ１　〜Ｂｍ　に対してアース電位（０Ｖ）が順次与えられる。また、陽極線ドライブ回路５６は、前記陰極線走査回路５７のスイッチ走査に同期して、映像データに基づき各スイッチＳＸ１〜ＳＸｎを電圧源５５によってドライブされる定電流源Ｉ１　〜Ｉｎ　側に接続することにより、所望の交点位置の有機ＥＬ素子に駆動電流を供給するようになされる。
【００５０】
図１２に示す状態においては、陰極線走査回路５７における第２ラインにおけるスイッチＳＹ２のみがアース側に切り換えられ、第２の陰極線Ｂ２　にアース電位が与えられている。この時、陽極線ドライブ回路５６のスイッチＳＸ１〜ＳＸｎを定電流源Ｉ１　〜Ｉｎ　側に接続されることにより、定電流源Ｉ１　〜Ｉｎ　より陽極線Ａ１　〜Ａｎ　を介して、第２陰極ラインのＥＬ素子２０に定電流を印加させることができ、これにより第２陰極ラインのＥＬ素子２０を発光させることができる。
【００５１】
なお、この実施の形態においては走査中の陰極線Ｂ２　以外の他の陰極線には、電圧可変器４３からの出力電圧が供給されるように構成されており、これにより走査中以外のＥＬ素子に対して逆バイアス電圧が印加され、点灯制御されるＥＬ素子以外の素子が、誤発光するのを防止するように構成されている。そして、この様な走査とドライブとを高速で繰り返すことにより、任意の位置の有機ＥＬ素子を発光させると共に、各有機ＥＬ素子があたかも同時に発光しているようになされる。
【００５２】
一方、この種のパッシブ駆動型表示パネルの駆動にあたっては、前記した非走査状態のＥＬ素子に逆バイアス電圧を与える電圧源を利用して、ＥＬ素子の寄生容量に対して瞬時に順方向電圧をプリチャージさせる陰極リセット法と呼ばれる手段が採用されている。この陰極リセット法は、例えば特開平９−２３２０７４号公報に開示されており、これを採用することによりＥＬ素子の発光開始のタイミングを早めることができ、パッシブ駆動型表示パネルの実質的な輝度低下を抑えることができる。
【００５３】
この陰極リセット法を実行するに際しては、各陰極線Ｂ１　〜Ｂｍ　の走査の開始ごとに、各走査スイッチＳＹ１〜ＳＹｍをすべてアースに接続すると共に、陽極線側の各スイッチＳＸ１〜ＳＸｎもすべてアースに接続する操作がなされる。これにより、表示パネルにおけるＥＬ素子の寄生容量に蓄積された電荷はすべてリセットされる。そして、次に走査される走査線以外の各走査線に対応する走査スイッチを、前記した逆バイアス電圧を与える電圧源に接続することにより、次に点灯駆動されるＥＬ素子の寄生容量に対し、他のＥＬ素子の寄生容量をそれぞれ介して前記した逆バイアス電圧を集中的にプリチャージすることができる。
【００５４】
ところで、前記した逆バイアス電圧を与える電圧源を利用して、次に点灯駆動すべきＥＬ素子の寄生容量に対してプリチャージを行う構成によると、前記プリチャージ電圧、すなわち、逆バイアス電圧の値によってＥＬ素子の発光輝度が実質的に変化することを、本件出願の発明者等は認識している。これは、逆バイアス電圧の値に対応して寄生容量へのプリチャージの量が変化し、これに対応してＥＬ素子の発光駆動エネルギーが変化するためであると考えられる。
【００５５】
図１２に示す構成においては、ＥＬ素子の寄生容量に対してプリチャージを行う逆バイアス電圧源の出力レベルを、前記した光電変換手段２３としての例えばＰＩＮダイオードの受光出力により制御するようになされた例を示している。そして、図１２における符号２５で示した駆動電力設定手段は、図５に示したそれとほぼ同一の構成になされており、それぞれに対応するブロックを同一の符号で示している。したがって、符号４０〜４５で示す各ブロックの機能および作用についてはその説明を省略する。
【００５６】
図１２に示す構成によると、光電変換手段２３としてのＰＩＮダイオードによって生成される光検出電圧に基づいて、駆動電力設定手段２５は各陰極線に供給する逆バイアス電圧の値を適正に設定するように動作する。その設定操作は、図９に示した制御ルーチンの説明の冒頭で述べたとおり、発光表示パネルの点灯駆動開始時または発光表示パネルの表示動作中の定時（所定の経過時間ごと）において、または任意の動作モード時に、もしくはユーザの操作により行うことができる。
【００５７】
そして、例えば経時変化により、或いは環境温度の変動などにより、光電変換手段２３において受ける光量が基準値よりも低い状態になった場合には、駆動電力設定手段２５における電圧可変器４３は、逆バイアス電圧の値を上昇させるように制御し、その状態に設定する。これにより、ＥＬ素子２０の寄生容量に対するプリチャージ量が増大し、ＥＬ素子の実質的な発光輝度を上昇させることができる。また、例えば環境温度の変動などにより光電変換手段２３において受ける光量が基準値よりも増大した場合には、前記と逆の作用が働いてＥＬ素子の発光輝度を減少させた状態に設定される。
【００５８】
図１２に示したパッシブ駆動型表示パネルにおいては、ＥＬ素子の発光輝度を制御する手段として、図１２に符号４６で示した定電流可変回路を用いる構成も好適に利用される。この定電流可変回路４６を用いる場合の具体的な構成について、図１３に示されている。この場合、ＣＰＵ４１より、Ｄ／Ａ変換器４２として機能する抵抗群Ｒ２１〜Ｒ２４の一端が、例えば基準電位点に選択的に接続されるように指令を受ける。すなわち、ここにおいては４ｂｉｔの制御によって、定電流可変回路４６を構成するｐｎｐトランジスタＴ５　のコレクタ電流（引き込み電流）が制御される。
【００５９】
一方、前記トランジスタＴ５　のエミッタは抵抗Ｒ１１を介して、図１２に示す電圧源５５の正極端子（＋Ｖ）に接続されている。そして図１２に示した定電流源Ｉ１　〜Ｉｎ　として機能するｐｎｐトランジスタＴ６　〜Ｔｎ　の各ベースは、前記トランジスタＴ５　の各ベースに共通接続され、さらにトランジスタＴ６　〜Ｔｎ　の各エミッタは抵抗ＲＸ１〜ＲＸｎを介して、図１２に示す電圧源５５の正極端子（＋Ｖ）にそれぞれ接続されている。この構成により、前記トランジスタＴ５　コレクタ電流の変更に伴い、トランジスタＴ６　〜Ｔｎ　におけるコレクタ電流、すなわちスイッチＳＸ１〜ＳＸｎを介して各ＥＬ素子２０に対して選択的に供給する駆動電流を制御することができる。
【００６０】
したがって、パッシブ駆動型表示パネルを採用した場合においては、図１３に示した制御形態を採用してもＥＬ素子２０に対する発光駆動電流を制御することができ、ＥＬ素子を適正な輝度に制御することができる。さらに後で詳細に説明するように、ＥＬ素子に加える駆動電流の供給時間（点灯時間）を変更することでもＥＬ素子の発光輝度を制御することができる。そして、これらの各手段は二つ以上を組み合わせて採用することもできる。
【００６１】
図１４（ａ）は、パッシブ駆動型表示パネルを採用した場合において、ＥＬ素子に加える駆動電流の供給時間（点灯時間）を変更することで、ＥＬ素子の実質的な発光輝度を制御する例を示したものである。すなわち、この手段は図１２におけるＣＰＵ４１から、陽極線ドライブ回路５６におけるスイッチＳＸ１〜ＳＸｎ、および陰極線走査回路５７におけるスイッチＳＹ１〜ＳＹｍを時分割駆動することで実現される。すなわち、図１４（ａ）に示すように表示の１ラインを示すラインシンクＬｓに同期して、前記した陰極リセット動作Ｒｓが実行されると共に、陰極リセット動作Ｒｓに続く残りの期間において輝度制御（階調制御）が実行される。
【００６２】
ここで、前記した階調制御を示すＤＲｎとしての制御期間においては、図１４（ａ）に示すようにＥＬ素子は時分割によって点灯制御するようになされる。すなわち、表示の１ライン期間における点灯可能期間が０〜６３に分割されており、これらの期間を選択的に点灯駆動することで、６ｂｉｔにより６４階調を表現することができる。したがって、このような手段を利用することで、表示パネルの適正な発光制御を実現させることができる。
【００６３】
また、図１４（ｂ）は、アクティブ駆動型表示パネルを採用した場合において、ＥＬ素子に加える駆動電流の供給時間（点灯時間）を変更することで、ＥＬ素子の実質的な発光輝度を制御する例を示したものである。すなわち、この例においてはフレーム同期信号Ｌｓによって定められる１フレーム期間を、期間が異なる６つのサブフレーム（ＳＦ１〜ＳＦ６）に分割し、各サブフレームにおいて斜線部分で示すように、時間比として１：２：４：８：１６：３２の長さの点灯期間（サスティン期間とも言う）を設定した構成とされている。したがって、これらの点灯期間を適宜または組み合わせて選択することで、６ｂｉｔにより６４階調の表現を行うことができる。なお、各サブフレームにおける白抜き部分は、アドレス期間を示している。
【００６４】
この場合においても同様に、表示パネルの適正な発光制御を実現させることができる。また、例えば図３に示したようにパラレル型ＲＧＢ法を利用したフルカラー表示パネル適用した場合においては、Ｒ，Ｇ，Ｂのそれぞれに対応する発光素子について、輝度設定を行うことで、カラーバランスを整えることができる。
【００６５】
次に図１５は、表示パネル１０を構成する透明基板１１内で反射される光量を検出する第２の形態を断面図で示したものである。なお、この図１５においてはすでに説明した図４における同一機能部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。この図１５に示す形態においては、透明基板１１の基板面に対して所定の角度をもって反射面６１が形成されており、基板面を界面として全反射される破線で示す光は、この反射面６１によって基板１１の裏面側に反射される。
【００６６】
したがって、この構成によると、光電変換手段２３としての例えばＰＩＮダイオードを、表示パネル１０を構成する透明基板１１の裏面側に配置することで反射面６１によって反射された光量を検出することができる。なお、この場合、必要に応じて前記反射面６１に反射材料６２を施すことも考えられる。
【００６７】
また図１６は、同じく透明基板１１内で反射される光量を検出する第３の形態を断面図で示したものである。この図１６に示す形態においては、透明基板１１の端部近傍に沿って、その断面形状がＶ字状に構成された溝部６３が施されている。そして、溝部の一面を反射面６１として利用するように構成されている。この構成においても図１５に示した例と同様に、光電変換手段２３としての例えばＰＩＮダイオードを、表示パネル１０を構成する透明基板１１の裏面側に配置することで反射面６１によって反射された光量を検出することができる。
【００６８】
図１７は、同じく透明基板１１内で反射される光量を検出する第４の形態を断面図で示したものである。この図１７に示す形態においては、透明基板１１の端部にプリズム部材６４が配置されており、このプリズム部材６４を介して透明基板１１内で反射される破線で示す光を、基板１１の裏面側に導出するように構成している。この構成においても、例えばＰＩＮダイオードを表示パネル１０を構成する透明基板１１の裏面側に配置することでプリズム部材６４によって反射された光量を検出することができる。
【００６９】
なお、図１７に示す構成においては、プリズム部材６４に代えて乳白色の材料により同形状に形成された光拡散部材を配置しても、同様に光量を検出することができる。また、光拡散部材を利用する場合においては、例えば図１８に示すように、平板状に形成された光拡散部材６５を透明基板１１の一面に沿って配置することで、同様に透明基板１１内で反射される光量を検出することができる。
【００７０】
なお、以上説明した実施の形態においては、光電変換手段としての受光素子を表示パネルとは別に備えた構成になされていが、表示パネルの基板上に積層形成されたＥＬ素子を、前記した受光素子として利用することもできる。図１９はその一例を断面図で示したものであり、表示機能として利用しない受光用のＥＬ素子Ｅｘが利用される。すなわち、この図１９に示す実施の形態においては、基板１１の一面に発光用のＥＬ素子２０を成膜によって形成させると同時に、受光用のＥＬ素子Ｅｘも形成させることができる。
【００７１】
そして、図１６に示した例と同様に、基板１１の端部近傍に沿ってその断面形状がＶ字状に構成された溝部６３を施し、溝部の一面を反射面６１として利用することにより受光用ＥＬ素子Ｅｘに対して、破線で示す反射光を導入することができる。ここで、有機ＥＬ素子は所定の定電流を順方向に印加した場合には、当該ＥＬ素子が受ける外来光に応じて、順方向電圧が変化するという特性を有している。この場合、ＥＬ素子が受ける光量が大になるにしたがって、素子の順方向電圧が低くなるという特性を呈する。
【００７２】
図２０は、ＥＬ素子Ｅｘが受ける照度に対応する順方向電圧の依存性を利用して、光電変換回路を構成した一例を示している。すなわち、ＥＬ素子Ｅｘのアノードには定電流源７０を介して一定の電流が供給されるように構成されている。そして、そのアノードはオペアンプＯＰ３　の非反転入力端子に接続され、カソードはアース接続されている。なお、前記オペアンプＯＰ３　は、出力端子から反転入力端子に対して帰還抵抗Ｒ７　が接続された周知の負帰還バッファーを構成しており、したがってオペアンプＯＰ３　の出力端子には、ＥＬ素子Ｅｘの順方向電圧に対応する直流電圧がもたらされる。
【００７３】
したがって、図２０に示すオペアンプＯＰ３　の出力電圧を利用して、例えば図７に示すＡ／Ｄ変換器に対して信号を入力させることで、すでに説明したようにＥＬ素子に対して与える発光駆動電力を適正に設定させることができる。
【００７４】
以上説明した実施の形態においては、発光素子としての例えば有機ＥＬ素子を積層形成させた透明基板１１を利用して、その基板面を界面として基板内で反射される発光素子からの光を受けて電気信号を得るようになされている。しかしながら、例えば図２１に示すように前記透明基板１１に対してさらに積層された導光基板を利用し、その基板面を界面として反射される発光素子からの光を受けて電気信号を得るように構成することもできる。
【００７５】
すなわち、図２１においては、すでに説明した例えば図４と同一機能部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。この図２１に示す形態においては、発光素子としての例えば有機ＥＬ素子２０を積層形成させた透明基板１１の前面に、さらに導光基板７２が積層された状態で取り付けられている。そして、導光基板７２の基板面に対して所定の角度をもって反射面７３が形成されており、導光基板７２の基板面を界面として全反射される破線で示す光は、この反射面７３によって、導光基板７２および透明基板１１を介して基板１１の裏面側に反射される。
【００７６】
したがって、この構成によると、光電変換手段２３としての例えばＰＩＮダイオードを、表示パネル１０を構成する透明基板１１の裏面側に配置することで、導光基板７２に形成された反射面７３によって反射された光量を検出することができる。このように導光基板７２を利用した構成によると、フィルム状のディスプレイに対しても、この発明を容易に適用することができる。
【００７７】
なお、前記したように導光基板７２を利用する構成においては、図２１に示すように導光基板７２の基板面に対して所定の角度をもって反射面７３を形成する構成に限らず、すでに説明した図４、図１６〜図１８にそれぞれ示した光電変換の構成を適宜採用することができる。また、図１９に示したように光電変換素子として、表示パネルの基板上に積層形成されたＥＬ素子Ｅｘを、受光素子として利用する構成を併用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機ＥＬ素子を等価的に表した電気回路図である。
【図２】有機ＥＬ素子の諸特性を示した特性図である。
【図３】この発明を好適に採用することができる発光表示パネルの一例を示した断面図である。
【図４】基板内で反射される光量を検出する第１の実施の形態を示した断面図である。
【図５】この発明をアクティブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した一例を示す結線図である。
【図６】基板内で反射される光量を電気信号として取り出す光電変換回路の一例を示した結線図である。
【図７】図５に示すＡ／Ｄ変換器の一例を示した結線図である。
【図８】図５に示すＤ／Ａ変換器並びに電圧可変器の一例を示した結線図である。
【図９】各ＥＬ素子に対する駆動電力を設定するルーチンを説明するフローチャートである。
【図１０】表示パネルにおいて点灯駆動される画素と、光電変換手段の配置関係によって得られる輝度情報について説明する模式図である。
【図１１】表示パネルにおいて点灯駆動される画素と、光電変換手段の他の配置関係によって得られる輝度情報について説明する模式図である。
【図１２】この発明をパッシブ駆動型表示パネルの駆動装置に適用した一例を示す結線図である。
【図１３】図１２における定電流可変手段の具体的な一例を示した結線図である。
【図１４】発光素子に加える駆動電流の供給時間を変更することで、実質的な発光輝度を制御する例を示したタイミング図である。
【図１５】基板内で反射される光量を検出する第２の実施の形態を示した断面図である。
【図１６】同じく、第３の実施の形態を示した断面図である。
【図１７】同じく、第４の実施の形態を示した断面図である。
【図１８】同じく、第５の実施の形態を示した断面図である。
【図１９】同じく、第６の実施の形態を示した断面図である。
【図２０】図１９に示した構成において利用される光電変換回路の一例を示した結線図である。
【図２１】基板内で反射される光量を検出する第７の実施の形態を示した断面図である。
【符号の説明】
１１　　　　　　　　　透明基板
２０　　　　　　　　　発光素子（ＥＬ素子）
２３，２３ａ，２３ｂ　光電変換手段（受光素子）
２５　　　　　　　　　駆動電力設定手段
３０−１，３０−２　　　　データ電極線
３１−１，３１−２　　　　基準電源線
３２−１，３２−２　　　　走査電極線
３３−１，３３−２　　　　電源制御線
３５ａ，３５ｂ　　　　制御用ＴＦＴ
３６　　　　　　　　　駆動用ＴＦＴ
３７　　　　　　　　　キャパシタ
４０　　　　　　　　　Ａ／Ｄ変換器
４１　　　　　　　　　ＣＰＵ
４２　　　　　　　　　Ｄ／Ａ変換器
４３　　　　　　　　　電圧可変器
４４　　　　　　　　　電圧源
４６　　　　　　　　　定電流可変回路
５５　　　　　　　　　電圧源
５６　　　　　　　　　陽極線ドライブ回路
５７　　　　　　　　　陰極線走査回路
６１　　　　　　　　　反射面
６２　　　　　　　　　反射材料
６３　　　　　　　　　溝部
６４　　　　　　　　　プリズム部材
６５　　　　　　　　　光拡散部材
７２　　　　　　　　　導光基板
７３　　　　　　　　　反射面
Ａ１　〜Ａｎ　　　　　　　陽極ドライブ線
Ｂ１　〜Ｂｍ　　　　　　　陰極走査線
Ｅｘ　　　　　　　　　受光用のＥＬ素子
Ｉ１　〜Ｉｎ　　　　　　　定電流源
ＳＸ１〜ＳＸｎ　　　　　　陽極ドライブスイッチ
ＳＹ１〜ＳＹｍ　　　　　　陰極走査スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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