(57)【要約】【課題】光軸整列及び固定が容易である光モジュール光軸整列方法を提供する。【解決手段】光モジュール光軸整列方法は、（ａ）半導体レーザーが安着される位置から予め決められた距離だけ離隔した位置にレンズ系を安着させるための溝をサブマウント上に形成する過程と、（ｂ）半導体レーザーをサブマウント上に固定する過程と、（ｃ）レンズ系を溝に安着する過程と、（ｄ）レンズ系と溝の一部をボンディングする過程と、を含むことを特徴とする。【選択図】　図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光モジュール光軸整列方法において、
（ａ）半導体レーザーが安着される位置から予め決められた距離だけ離隔した位置にレンズ系を安着させるための溝をサブマウント上に形成する過程と、
（ｂ）前記半導体レーザーを前記サブマウント上に固定する過程と、
（ｃ）前記レンズ系を前記溝に安着する過程と、
（ｄ）前記レンズ系と前記溝の一部をボンディングする過程と、を含むことを特徴とする光モジュール光軸整列方法。
【請求項２】
前記半導体レーザーは、前記サブマウントの上面に固定される請求項１記載の光モジュール光軸整列方法。
【請求項３】
前記（ｄ）過程は、
前記レンズ系が接する前記溝の一部にエポキシ樹脂を塗布する過程をさらに含む請求項１記載の光モジュール光軸整列方法。
【請求項４】
前記溝は、エッチング及びダイシング方法によって形成される請求項１記載の光モジュール光軸整列方法。
【請求項５】
前記半導体レーザーから出力された光が前記レンズ系の中心を通過することができるように、エッチング及びダイシングによって前記溝の幅及び高さが調節される請求項１記載の光モジュール光軸整列方法。
【請求項６】
前記（ｃ）過程は、
前記溝に前記レンズ系が安着される部分にエポキシ樹脂を塗布して接合する過程をさらに含む請求項１記載の光モジュール光軸整列方法。
【請求項７】
光モジュール光軸整列方法において、
半導体レーザーが安着される位置から予め決められた距離だけ離隔した位置にレンズ系を安着されるための溝をサブマウント上に形成する過程と、
前記半導体レーザーを前記サブマウント上に固定する過程と、
前記レンズ系を前記溝に安着する過程と、
前記溝と前記レンズ系が接する部分に接着剤を塗布する過程と、
溝リッドによって前記レンズ系を覆う過程と、を含むことを特徴とする光モジュール光軸整列方法。
【請求項８】
前記溝リッドは、その下端が開放したボックス形状である請求項７記載の光モジュール光軸整列方法。
【請求項９】
前記溝リッドを前記サブマウントの上面に固定する過程をさらに含む請求項７記載光モジュール光軸整列方法。
【請求項１０】
前記接着剤としてエポキシ樹脂を使用し、前記サブマウントを加熱板上に配置した後、前記加熱板を予め設定された温度まで加熱することによって、エポキシ樹脂を硬化させる過程をさらに含む請求項７記載光モジュール光軸整列方法。
【請求項１１】
前記接着剤としてエポキシ樹脂を使用し、前記サブマウントを予め設定された温度まで加熱することによって、エポキシ樹脂を硬化させる過程をさらに含む請求項７記載光モジュール光軸整列方法。
【請求項１２】
前記サブマウントを加熱するためにサーマルチャンバーを使用する請求項１１記載光モジュール光軸整列方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光素子のパッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方法に係り、特に、フリップチップボンディング（ｆｌｉｐ　ｃｈｉｐ　ｂｏｎｄｉｎｇ）された半導体レーザーと光通信用の光源である光モジュールを有する光学系との光軸整列（ａｌｉｇｎ）方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信システムにおいて、一般的な光送信用の光モジュールは、半導体レーザー、多数の光学素子、及び半導体レーザーから出力された光源を伝送するための光ファイバまたはフェルール（ｆｅｒｒｕｌｅ）を含む。
【０００３】
光ファイバを使用した光通信ネットワークでは、使用波長の分散による光信号の散乱現象または光ファイバ材質自体の材料分散などによって、光信号の長距離伝送時に損失が大きくなる。
【０００４】
上述したような問題点を解決するために、２つの方法が提案されている。第１の方法は、光通信用の光源として使用される光モジュール内に光信号を集光することのできるレンズ系を実装することによって、光ファイバと半導体レーザーとの間のカップリング効率を向上させる方法である。第２の方法は、光信号が入射される光ファイバの入射面を四角形に切断することによって、その集光効率を向上させる方法である。
【０００５】
特に、レンズ系を実装した光モジュール光軸整列方法としては、レーザー溶接（Ｌｅｓｅｒ　Ｗｅｌｄｉｎｇ）又は半田付け（Ｓｏｌｄｅｒ）によって、金（Ａｕ）がコーティングされたシリカ材質の基板上に非球面レンズ系またはグリン（ｇｒｉｎ）レンズ系をアクティブに整列する方法が用いられている。
【０００６】
上述した光軸整列の誤差範囲は、光モジュールの伝送速度とは関係なく、最適の光結合位置から約１μｍ以内に制限されている。制限された誤差範囲内で光軸を整列する方法は、アクティブアライメント（ａｃｔｉｖｅ　ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方法及びパッシブアライメント（ｐａｓｓｉｖｅ　ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方法の２つのカテゴリーに分類されている。アクティブアライメント方法は、光モジュールが作動している状態で光軸を整列する方法であり、高精度を提供する反面、プロセスが複雑であるため、組立時間とコストが増大するという問題がある。
【０００７】
図１は、従来の光軸整列方法による光モジュールの側面図であり、図２は、図１に示した光モジュールの斜視図である。図１及び図２を参照すると、サブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ）１３０は、半導体レーザー１１１のＹ軸に沿った高さを調節するためのサポート（ｓｕｐｐｏｒｔ）１１２、サポート１１２の上面に設置される半導体レーザー１１１、及び半導体レーザー１１１から予め決められた間隔だけ離隔したレンズ系１２０を含む。
【０００８】
レンズ系１２０は、光信号を収斂するためのレンズ１２２及びレンズ１２２をマウントする金属ハウジング１２１から構成される。
【０００９】
従来の光モジュール光軸整列方法は、サブマウント１３０上に半導体レーザー１１１を固定する第１過程、金属ハウジング１２１及びレンズ１２２を含むレンズ系１２０をサブマウント１３０上に光軸整列する第２過程、及びレーザー溶接（ｌａｓｅｒ　ｗｅｌｄｉｎｇ）によってサブマウント１３０上にレンズ系１２０を固定する第３過程から構成される。
【００１０】
第１過程は、ＫＯＶＡＲ（登録商標）、Ｃｕ−Ｗ合金のサブマウント１３０上に金（Ａｕ）をコーティングした後、サブマウント１３０上にマウントされた誘電体サポート１１２の上面に半導体レーザー１１１をフリップチップボンディング方法によって接合させる。
【００１１】
半導体レーザー１１１から出力された光の進行方向をＺ軸として定義し、このＺ軸を、光モジュールを構成する光学素子間の光軸整列の基準にする。また、Ｚ軸と直角をなす半導体レーザー１１１の高さ方向をＹ軸、半導体レーザー１１１の幅方向をＸ軸として定義する。
【００１２】
第２過程は、光モジュールを構成する半導体レーザー１１１を基準にして、サブマウント１３０上にレンズ系１２０を光軸整列させるための過程である。
【００１３】
レンズ系１２０は、半導体レーザー１１１から出力された光を光ファイバの入力面に収斂させるためのレンズ１２２及びレンズ１２２をマウントする金属ハウジング１２１から構成される。レンズ１２２は、集光形レンズとして使用される平凸（Ｐｌａｎｅ−Ｃｏｎｖｅｘ）面状のグリンまたは非球面レンズを使用することができる。
【００１４】
レンズ系１２０の光軸整列は、半導体レーザー１１１から連続的に光を照射して光軸を整列するアクティブアライメント方法によって遂行され、レンズ系１２０と半導体レーザー１１１との間の距離を変化させながら、Ｘ軸及びＹ軸方向にレンズ系１２０を整列させる。
【００１５】
しかしながら、アクティブアライメント方法は、高精度な光軸整列を提供する反面、その光軸整列に長時間を要するので、コストの上昇を引き起こす。
【００１６】
第３過程は、最適の状態で光軸整列されたレンズ系１２０をサブマウント１３０上に固定させるための過程である。
【００１７】
第３過程は、サブマウント１３０の上面とレンズ系１２０の下面との間に挿入された金属材質のレーザー溶接工（ｗｅｌｄｅｒ）１２３に、ヤグ（ＹＡＧ）レーザー溶接のようなレーザービームを照射することによって、サブマウント１３０上にレンズ系１２０を固定させる過程である。
【００１８】
しかしながら、従来の光モジュール光軸整列方法は、光軸整列の後、レーザー溶接工１２３を溶融接合させるための第３過程においてレンズ系１２２の光軸が歪む恐れがあり、金属ケースを使用してハウジングされないレンズ系の場合は、光軸整列及び固定が不可能である。さらに、光軸整列時に光モジュールを作動させた状態で光軸を整列するアクティブアライメント方法は、高精度な光軸整列を提供する反面、その組立時間に長時間を要するので生産性が低下するという問題がある。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、光軸整列及び固定が容易である光モジュール光軸整列方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明の光モジュール光軸整列方法においては、半導体レーザーが安着される位置から予め決められた距離だけ離隔した位置にレンズ系を安着させるための溝をサブマウント上に形成する過程と、半導体レーザーをサブマウント上に固定させる過程と、レンズ系を溝に安着させる過程と、レンズ系と溝の一部をボンディングする過程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
半導体レーザーは、サブマウントの上面に固定されると好ましい。
【００２２】
（ｄ）過程は、レンズ系が接する溝の一部にエポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂を塗布する過程をさらに含むと良い。
【００２３】
溝は、エッチング及びダイシング方法によって形成されるのが好ましい。
【００２４】
半導体レーザーから出力された光がレンズ系の中心を通過することができるように、エッチング及びダイシングによって溝の幅及び高さが調節されるとよい。
【００２５】
（ｃ）過程は、溝にレンズ系が安着される部分にエポキシ樹脂を塗布して接合する過程をさらに含むとなおよい。
【００２６】
また、本発明の光モジュール光軸整列方法においては、半導体レーザーが安着される位置から予め決められた距離だけ離隔した位置にレンズ系を安着されるための溝をサブマウント上に形成する過程と、半導体レーザーをサブマウント上に固定する過程と、レンズ系を溝に安着する過程と、溝とレンズ系が接する部分に接着剤を塗布する過程と、溝リッドによってレンズ系を覆う過程と、を含むことを特徴とする。
【００２７】
溝リッドは、その下端が開放したボックス形状であると好ましい。
【００２８】
溝リッドをサブマウントの上面に固定する過程をさらに含むとよい。
【００２９】
接着剤としてエポキシ樹脂を使用し、サブマウントを加熱板上に配置した後、加熱板を予め設定された温度まで加熱することによって、エポキシ樹脂を硬化させる過程をさらに含むとなお好ましい。
【００３０】
接着剤としてはエポキシ樹脂を使用し、サブマウントを予め設定された温度まで加熱することによって、エポキシ樹脂を硬化させる過程をさらに含むとよい。
【００３１】
サブマウントを加熱するためにサーマルチャンバーを使用するとよい。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な一実施形態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的で、関連した公知機能または構成に関する具体的な説明は省略する。
【００３３】
図３Ａ〜図３Ｅは、本発明の一実施形態による光軸整列過程を示す光モジュールの平面図である。図４Ａは、図３Ｄに示す光モジュールの側面図であり、図４Ｂは、図３Ｅに示す光モジュールの側面図である。特に、図３Ｅ及び図４Ｂは、光軸整列された状態の光モジュールを示す。
【００３４】
図３Ａ〜図４Ｂを参照すると、本発明の一実施形態による光モジュールは、シリカ材質のサブマウント３００上にレンズ系３３０を安着するために形成された溝３２０、予め決められた位置に固定された半導体レーザー３１０、溝３２０に安着されたレンズ系３３０、レンズ系３３０の上面を覆い、下部が開放されているボックス形状の溝リッド（Ｇｒｏｏｖｅ−Ｌｉｄ）３５０、及び半導体レーザー３１０から出力されるレーザーの強度をモニタリングするためのフォトダイオード３６０を含む。サブマウント３００はシリコンオプティカルベンチ（ＳｉＯＢ）である。
【００３５】
以下、図３Ａ〜図３Ｅ、図４Ａ、図４Ｂを参照して、本発明の一実施形態による光モジュールの製作過程を説明する。図６は、本発明の一実施形態による光モジュールの製作過程を示すフローチャートである。図６を参照すると、本発明の一実施形態による光モジュール光軸整列方法は、サブマウント上に溝（Ｖ字状溝が望ましい）を形成する第１過程５１０（ＧＲＯＯＶＥ　ＦＯＲＭＩＮＧ）、半導体レーザーをフリップチップボンディング方法によってサブマウントに接合する第２過程５２０（ＦＬＩＰ　ＣＨＩＰ　ＢＯＮＤＩＮＧ）、及び溝にレンズ系を安着する第３過程５３０（ＬＥＮＳ　ＳＥＴＴＬＩＮＧ）を含む。
【００３６】
半導体レーザー３１０から出力された光の進行方向をＺ軸、半導体レーザー３１０の高さ方向と溝３２０の深さを表すＹ軸、Ｚ軸及びＹ軸と直角をなすサブマウント３００の幅方向をＸ軸として定義する。Ｘ軸及びＹ軸は、レンズ系３３０を光軸整列及び安着させるための基準になる。
【００３７】
図３Ａを参照すると、第１過程５１０は、半導体レーザー３１０が安着される位置から予め決められた距離だけ離隔した位置に、レンズ系３３０を安着させるための溝３２０をサブマウント３００上に形成する過程である。
【００３８】
第１過程５１０は、サブマウント３００の幅及び深さ方向に沿って第１整列溝３２１を形成する過程と、半導体レーザー３１０が安着される位置とレンズ系３３０が安着される位置との間の間隔を調節するための第２整列溝３２２を形成する過程からなる。
【００３９】
第１整列溝３２１は、エッチング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）またはダイシングなどの方法によってＶ字状溝のような多様な形態に成形でき、光源の進行方向に平行に成形される。つまり、▲１▼前記第１整列溝３２１は、サブマウント３００の一端に半導体レーザー３１０が安着される位置から直線に離隔した位置に形成される。▲２▼前記第１整列溝の高さはＹ軸を、前記第１整列溝３２１の幅はＸ軸を示し、前記第１整列溝３２１の高さと幅は、前記レンズ系３３０が前記第１整列溝３２１に安着及び整列された時に半導体レーザー３１０から出力された光が前記レンズ系３３０の中心を通過することができるように成形される。▲３▼つまり、前記レンズ系３３０が安着される高さは、Ｘ軸を示す前記第１整列溝３２１の幅を調節することによって調整されることができる。
【００４０】
第２整列溝３２２は、ダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）またはエッチングなどの方法によって、半導体レーザー３１０が安着される位置から予め決められた距離だけ離隔した位置に成形される。つまり、第２整列溝３２２は、半導体レーザー３１０が安着される位置からレンズ系３３０の焦点距離だけ離隔した位置に成形される。
【００４１】
つまり、溝３２０は、半導体レーザー３１０が安着される位置を基準にしてサブマウント３００上の予め決められた位置に形成される。レンズ系３３０の中心に光が入射されることができるように、エッチングまたはダイシングによって溝３２０の幅及び高さが調節される。溝３２０は、ダイシングまたはエッチング方法によって形成され、Ｖ字状溝（Ｖ−Ｇｒｏｏｖｅ）のような多様な形態に成形できる。
【００４２】
図３Ｂを参照すると、第２過程５２０は、半導体レーザー３１０をサブマウント３００上の溝３２０が形成された位置から予め決められた距離だけ離隔した位置にフリップチップボンディング方法によって固定させる過程である。半導体レーザー３１０の安着位置は、レンズ系３３０からレンズ系３３０の焦点距離だけ離隔した位置に設定される。さらに、半導体レーザー３１０はその発光面が第１整列溝３２１の端にかかるように位置させられるので、半導体レーザー３１０から出力された光が第１整列溝３２１によって反射または散乱させられることが防止される。
【００４３】
フリップチップボンディング方法は、サブマウント３００上面の半導体レーザー３１０を安着させる位置において、半導体レーザー３１０のサイズ及び形状が同一であるパッド（図示せず）をサブマウント３００上に付着する技術である。半導体レーザー３１０はパッド（図示せず）の上面に配置され、高温で溶融接合される。高温溶融の時に、パッドには表面張力が発生し、これによって、付加的な調整を行わずに水平整列誤差が大きく減少される。さらに、フォトダイオード３６０は、半導体レーザー３１０を中心にしてレンズ系３３０に対向するように位置されるので、半導体レーザー３１０から出力される光の強度変化をモニタリングする役割をする。
【００４４】
図３Ｃ及び図３Ｄを参照すると、第３過程５３０は、レンズ系３３０が安着される溝３２０の部分にエポキシ樹脂等の接着剤３４０を塗布することによって、レンズ系３３０を溝３２０に安着させる過程であり、半導体レーザー３１０から出力された光がレンズ系３３０の中心を通過することができるように溝３２０にレンズ系３３０を安着させる。半導体レーザー３１０から出力された光の方向を示す光軸をＺ軸に定義し、サブマウント３００から光への垂直方向をＹ軸に定義し、Ｚ軸とＹ軸に対して垂直に交差する軸をＸ軸に定義する。第３過程５３０は、溝３２０にレンズ系３３０を安着させた後、光軸を微調整することによって、半導体レーザー３１０から出力された光がレンズ系３３０の光軸を最小誤差範囲内で通過することができるように調整する。この時に使用される接着剤３４０としては、熱硬化性エポキシ樹脂を使用し、レンズ系３３０と溝３２０との安着部分及び境界部分に塗布する。
【００４５】
つまり、第１整列溝３２１にレンズ系３３０を安着させた後、半導体レーザー３１０から出力された光がレンズ系３３０の中心を通過することができるようにレンズ系３３０を微調整して固定する。レンズ系３３０は、その端が第２整列溝３２２の端にかかるように整列させられるので、半導体レーザー３１０からその焦点距離だけ離隔した位置に安着される。
【００４６】
図５は、溝リッド３５０で覆われた光モジュールの正面図である。図７は、本発明の一実施形態による光モジュールの光軸整列過程を示すフローチャートである。図５及び図７を参照すると、光モジュール光軸整列方法は、溝を形成する第１過程６１０（ＧＲＯＯＶＥ　ＦＯＲＭＡＩＮＧ）、フリップチップボンディングを遂行する第２過程６２０（ＦＬＩＰ　ＣＨＩＰ　ＢＯＮＤＩＮＧ）、レンズ系を安着させる第３過程６３０（ＬＥＮＳ　ＳＥＴＴＬＩＮＧ）、下端が開放されたボックス形状の溝リッドをサブマウントの上面に固定させる第４過程６４０（ＧＲＯＯＶＥ　ＬＩＤ　ＳＥＴＴＬＩＮＧ）、及び接着剤を硬化させる第５過程６５０（ＨＡＲＤＥＮＩＮＧ）から構成される。
【００４７】
図３Ａを参照すると、第１過程６１０は、サブマウント３００上にレンズ系３３０を安着させるための溝３２０を形成する過程である。図３Ｂを参照すると、第２過程６２０は、半導体レーザー３１０をフリップチップボンディング方法によってサブマウント３００に接合させる過程である。図３Ｃを参照すると、第３過程６３０は、溝３２０にレンズ系３３０が安着される部分にエポキシ樹脂等の接着剤３４０を塗布することによって、レンズ系３３０を溝３２０に安着させる過程である。サブマウント３００はＳｉＯＢである。フォトダイオード３６０は、半導体レーザー３１０を中心にレンズ系３３０に対向するように配置されることによって、半導体レーザー３１０の強度変化をモニタリングする役割をする。
【００４８】
図３Ｄ及び図４Ａを参照すると、第４過程６４０は、下段が開放されたボックス形状の溝リッド３５０でレンズ系３３０を覆うことによって遂行され、溝リッド３５０をサブマウント３００上に固定させる過程である。溝リッド３５０は、レンズ系３３０の上面を挿入できるように下端が開放されたボックス形状であり、サブマウント３００の幅と同一の幅を有する。従って、光軸整列されたレンズ系３３０の整列がくずれることを防止し、レンズ系３３０が溝３２０に安定的に固定されるようにする。
【００４９】
図３Ｅ及び図４Ｂを参照すると、第５過程６５０は、光モジュールを予め設定された温度まで加熱することによって溝３２０の基底面とレンズ系３３０の上面に塗布された接着剤３４０を硬化させる過程である。接着剤３４０としては、熱硬化性エポキシ樹脂を使用する。接着剤３４０を硬化させるために、サブマウント３００を加熱板（Ｔｈｅｒｍａｌ　ｐｌａｔｅ）（図示せず）またはサーマルチャンバー（Ｔｈｅｒｍａｌ　ｃｈａｍｂｅｒ）（図示せず）などに置いて予め設定された温度まで加熱することによって接着剤３４０を硬化させる。
【００５０】
図８は、本発明の一実施形態によって製作された溝リッドを使用した光モジュールに熱衝撃テストを遂行した結果を示すグラフである。グラフの水平軸は、−４５℃から＋８５℃までの光モジュールの温度変化過程を繰り返した回数を示し、垂直軸は、その時に測定した光モジュールの光信号損失量を示す。
【００５１】
図８を参照すると、光モジュールの熱衝撃テストは、−４５℃〜＋８５℃の間の光モジュールの温度変化を一定時間間隔の間、繰り返すことことによって実施される。光モジュールの光損失量は、反復回数が１００、２００、３００、４００、５００回である場合に対して測定されている。
【００５２】
熱衝撃テストをパスするために、光モジュールは、１１個のサンプルに対して熱衝撃テストを５００回実施した時、−０．５ｄＢと０．５ｄＢとの間で光損失量を有するべきである。図８のグラフから分かるように、１１個のサンプルに対して５００回の熱衝撃テストが遂行された後でも、光損失量は−０．５ｄＢと＋０．５ｄＢとの間の値である。
【００５３】
上述した如く、本発明の詳細な説明では具体的な一実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明の範囲はその一実施形態によって限られるべきではなく、本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということは、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明らかである。
【００５４】
【発明の効果】
上述してきたように、本発明の光モジール光軸整列方法は、サブマウント上の予め設定された位置にレンズ系を安着させるための溝を形成し、この溝にレンズ系を光軸整列させて接合のためにエポキシ樹脂等の接着剤を塗布する受動光軸整列方法を提供する。本発明は、光軸の整列及び調整が容易であり、コスト及び組立時間を減少させる利点がある。さらに、溝リッドを使用することによって、光モジュールの光軸をより安定的に整列することができ、環境変化による製品の信頼性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の光軸整列方法による光モジュールの側面図。
【図２】図１の光モジュールの斜視図。
【図３】Ａ〜Ｅは、本発明の一実施形態による光モジュール光軸整列過程を示す平面図。
【図４】Ａは、図３Ｄに示す接着剤が塗布された光モジュールの側面図であり、Ｂは、図３Ｅに示す溝リッドで覆われた光モジュールの側面図。
【図５】図４Ｂに示す溝リッドで覆われた光モジュールの正面図。
【図６】本発明の一実施形態による光モジュールの製作過程を示すフローチャート。
【図７】本発明の一実施形態による光モジュールの光軸整列過程を示すフローチャート。
【図８】本発明の一実施形態による溝リッドを使用した光モジュールに熱衝撃テスト実施することによって得られた結果を説明するためのグラフ。
【符号の説明】
３００　サブマウント
３１０　半導体レーザー
３２０　溝
３２１　第１整列溝
３２２　第２整列溝
３３０　レンズ系
３４０　接着剤
３５０　溝リッド
３６０　フォトダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
2004006879.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004006879.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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