(57)【要約】【課題】電子ビームの軌道ずれを防止し、画像品位の向上した画像表示装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】画像表示面を有する第１基板１０と、第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、画像表示面を励起する複数の電子源１８が設けられた第２基板と、を備え、これら第１および第２基板間には、板状のグリッド２４およびこれらの基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサが３０ａ、３０ｂが設けられている。グリッドの第２基板と対向する表面上に絶縁層４０が形成され、この絶縁層上には、スペーサに電気的に接続されスペーサの電荷を逃がす導電層４２が形成されている。【選択図】　図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示面を有した第１基板と、
上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられた第２基板と、
上記第１基板と第２基板との間に配設されているとともに、上記電子源から放出された電子が通過する複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、
上記グリッドに固定されているとともに上記第１基板および第２基板間に配設され、第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、
上記グリッドの上記第２基板と対向する表面上に形成された絶縁層と、
上記絶縁層上に形成されているとともに上記スペーサに電気的に接続され、上記スペーサの電荷を逃がす導電層と、
を備えていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
上記導電層は、それぞれ電子ビーム通過孔の間を延びた複数の細長い帯状の導電層を含み、各帯状の導電層は複数のスペーサに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
上記グリッドは、上記第１基板に対向した第１表面、および上記第２基板に対向しているとともに上記絶縁層および導電層が形成された第２表面を有し、
上記スペーサは、上記グリッドの第１表面上に立設され上記第１基板に当接した複数の第１スペーサと、上記グリッドの第２表面上に立設され上記導電層に接続されているとともに上記第２基板に当接した複数の第２スペーサとを含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記第２スペーサは上記導電層に重ねて上記グリッド上に立設されていることを特徴とする請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記各第１スペーサは、上記電子ビーム通過孔の間で上記グリッドの第１表面上に立設され、上記各第２スペーサは、上記電子ビーム通過孔の間で上記グリッドの第２表面上に立設され、上記第１スペーサと整列していることを特徴とする請求項３又は４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
上記グリッドは、上記電子ビーム通過孔の間に位置した複数のスペーサ開孔を備え、上記第１および第２スペーサはスペーサ開孔に重ねて形成されこのスペーサ開孔を介して互いに連結されていることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
上記導電層は、金、銀、銅、鉄、ニッケルの少なくとも１つの金属で形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項８】
上記電子源は、表面導電型の電子放出素子であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項９】
画像表示面を有した第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出し上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられた第２基板と、上記第１基板および第２基板間に配設されているとともに、上記電子源から放出された電子が通過する複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記第１基板および第２基板間に配設され、第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備えた画像表示装置の製造方法において、
所定寸法の金属板に複数の電子ビーム通過孔を形成してグリッドを構成し、
上記グリッドの上記第２基板と対向する表面に絶縁層を形成し、
上記絶縁層に重ねて導電層を形成し、
上記グリッドに複数のスペーサを一体的に形成するとともに上記導電層に電気的に接続してスペーサアッセンブリを構成し、
上記スペーサアッセンブリを上記第１基板および第２基板間の所定位置に配置した状態で、上記第１基板および第２基板を互いに接合することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
上記導電層の形成は、上記電子ビーム通過孔間を延びた複数の帯状の導電層を上記絶縁層上に形成し、各帯状の導電層に重ねて上記スペーサをグリッド上に形成することを特徴とする請求項９に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、対向配置された基板と、一方の基板の内面に配設された複数の電子源と、を備えた画像表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高品位放送用あるいはこれに伴う高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリーン表示性能については一段と厳しい性能が要望されている。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図る必要がある。
【０００３】
上記のような要望を満たす画像表示装置として、例えば、フィールドエミッションディスプレイ（以下ＦＥＤと称する）等の平面型の画像表示装置が注目されている。このＦＥＤは、所定の隙間を置いて対向配置された第１基板および第２基板を有し、これらの基板は、その周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁を介して互いに接合され真空外囲器を構成している。第１基板の内面には蛍光体層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体層を励起して発光させる電子源として複数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
また、第１基板および第２基板に加わる大気圧荷重を支えるため、これら基板の間には支持部材として複数のスペーサが配設されている。そして、このＦＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。
【０００５】
このようなＦＥＤでは、電子放出素子の大きさがマイクロメートルオーダーであり、第１基板と第２基板との間隔をミリメートルオーダーに設定することができる。このため、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）などと比較して、画像表示装置の高解像度化、軽量化、薄型化を達成することが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような画像表示装置において、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上に設定することが望ましい。しかし、第１基板と第２基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性、製造性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。そのため、第２基板から放出された電子が第１基板に形成された蛍光面に衝突する際、２次電子および反射電子が放出され、これらの２次電子、反射電子が基板間に配設されたスペーサに衝突し、その結果、スペーサが帯電してしまう。ＦＥＤにおける加速電圧では、一般にスペーサはプラスに帯電し、電子放出素子から放出されたマイナスの電子ビームはスペーサに引き付けられる。そのため、電子ビームは、本来の軌道からずれ、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生する。その結果、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。
【０００７】
このようなスペーサによる電子ビームの吸引を低減するため、スペーサ表面の全部または一部に導電処理を施して帯電を逃がすことが考えられる。しかしながら、スペーサ自体に導電処理を施した場合、スペーサを介して第１基板から第２基板に流れる無効電流が増加し、温度の上昇や消費電力の増加を引き起こす。
【０００８】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、電子ビームの軌道ずれを防止し、画像品位の向上した画像表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、画像表示面を有した第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられた第２基板と、上記第１基板と第２基板との間に配設されているとともに、上記電子源から放出された電子が通過する複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記グリッドに固定されているとともに上記第１基板および第２基板間に配設され、第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、上記グリッドの上記第２基板と対向する表面上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成されているとともに上記スペーサに電気的に接続され、上記スペーサの電荷を逃がす導電層と、を備えたことを特徴としている。
【００１０】
また、この発明の他の態様に係る画像表示装置の製造方法は、画像表示面を有した第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出し上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられた第２基板と、上記第１基板および第２基板間に配設されているとともに、上記電子源から放出された電子が通過する複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、上記第１基板および第２基板間に配設され、第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備えた画像表示装置の製造方法において、
所定寸法の金属板に複数の電子ビーム通過孔を形成してグリッドを構成し、上記グリッドの上記第２基板と対向する表面に絶縁層を形成し、上記絶縁層に重ねて導電層を形成し、上記グリッドに複数のスペーサを一体的に形成するとともに上記導電層に電気的に接続してスペーサアッセンブリを構成し、上記スペーサアッセンブリを上記第１基板および第２基板間の所定位置に配置した状態で、上記第１基板および第２基板を互いに接合することを特徴としている。
【００１１】
上記のように構成された画像表示装置によれば、グリッドに導電層を設け、この導電層にスペーサを接続することにより、スペーサに溜まった電荷をグリッド上の導電層を通して逃がすことができる。それにより、スペーサの帯電に起因する電子ビームの軌道ずれを低減し、画像品位の向上を図ることが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）に適用した実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
図１ないし図３に示すように、このＳＥＤは、透明な絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラスからなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。第２基板１２は、第１基板１０よりも僅かに大きな寸法に形成されている。そして、第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同志が接合され、偏平な矩形状の真空外囲器１５を構成している。
【００１４】
第１基板１０の内面には画像表示面として蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、電子の衝突で赤、青、緑に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および黒色着色層１１を並べて構成されている。これらの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７が形成されている。なお、第１基板１０と蛍光体スクリーンとの間に、例えばＩＴＯからなる透明導電膜あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよい。
【００１５】
第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、第２基板１２の内面には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。
【００１６】
接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、第１基板および第２基板同志を接合している。
【００１７】
また、図２および図３に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２間に配設されたスペーサアッセンブリ２２を備えている。本実施の形態において、スペーサアッセンブリ２２は、板状のグリッド２４と、グリッドの両面に一体的に立設された複数の柱状のスペーサと、を備えている。
【００１８】
詳細に述べると、グリッド２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。そして、グリッド２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６および複数のスペーサ開孔２８が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。また、スペーサ開孔２８は、それぞれ電子ビーム通過孔２６間に位置し所定のピッチで配列されている。
【００１９】
グリッド２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．２５ｍｍに形成され、電子ビーム通過孔２６は、例えば、０．１５〜０．２５ｍｍ×０．１５〜０．２５ｍｍの矩形状に形成されている。スペーサ開孔２８は、例えば径が約０．２〜０．５ｍｍの円形に形成されている。また、グリッド２４の表面には、ガラス、セラミック等からなる絶縁性物質を塗布、焼成した絶縁層４０が形成されている。本実施の形態によれば、グリッド２４の全面および各電子ビーム通過孔２６の壁面が、Ｌｉ系のアルカリホウ珪酸ガラスからなる厚さ約１０μｍの絶縁層４０により被覆されている。
【００２０】
図１ないし図４に示すように、第２基板１０および第１基板１２の長手方向をＸ、幅方向をＹとした場合、グリッド２４に設けられた電子ビーム通過孔２６は、Ｘ方向に沿って所定のピッチで配列され、また、Ｙ方向については、Ｘ方向のピッチよりも大きなピッチで配列されている。第１基板１０に形成された蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および第２基板１２上の電子放出素子１８は、Ｘ方向およびＹ方向についてそれぞれ電子ビーム通過孔２６と同一のピッチで配列され、それぞれ電子ビーム通過孔と対向している。これにより、各電子放出素子１８は、電子ビーム通過孔２６を通して、対応する蛍光体層と対向している。
【００２１】
図３および図４に示すように、グリッド２４の第１表面２４ａには、絶縁層４０に重ねて複数の帯状の導電層４２が形成され、それぞれＸ方向に沿ってグリッド２４の全長に渡って延びている。導電層４２は、Ｙ方向に隣合った電子ビーム通過孔２６の間にそれぞれ形成され、Ｙ方向のピッチは、電子ビーム通過孔２６のＹ方向ピッチの数倍、例えば、２倍に設定されている。また、各導電層４２は、ＳＥＤのグランドに電気的に接続されている。
【００２２】
なお、グリッド２４のスペーサ開孔２８は、Ｙ方向およびＸ方向について、電子ビーム通過孔２６のピッチよりも複数倍大きなピッチで配列されている。本実施の形態によれば、スペーサ開孔２８はそれぞれ導電層４２と重なる位置に設けられ、Ｙ方向については、電子ビーム通過孔２６のピッチの数倍、例えば、２倍のピッチで設けられている。
【００２３】
一方、図２ないし図４に示すように、グリッド２４の第１表面２４ａ上には、それぞれスペーサ開孔２８に重ねて複数の第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、その延出端は、メタルバック１７および蛍光体スクリーン１６の黒色着色層１１を介して第１基板１０に当接している。
【００２４】
また、グリッド２４の第２表面２４ｂ上には、それぞれ導電層４２およびスペーサ開孔２８に重ねて複数の第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、その延出端は、第２基板１２に当接している。ここで、各第２スペーサ３０ｂの延出端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に位置している。
【００２５】
第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、各第１スペーサ３０ａはグリッド２４側に位置した基端の径が約０．４ｍｍ、延出端の径が約０．３ｍｍ、高さが約０．６ｍｍに形成されている。また、各第２スペーサ３０ｂはグリッド２４側に位置した基端の径が約０．４ｍｍ、延出端の径が約０．２５ｍｍ、高さが約０．８ｍｍに形成されている。このように、第１スペーサ３０ａの高さは、第２スペーサ３０ｂの高さよりも低く形成され、第２スペーサの高さは、第１スペーサの高さに対し約４／３倍以上に設定されている。
【００２６】
各スペーサ開孔２８、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置し、第１および第２スペーサはこのスペーサ開孔２８を介して互いに一体的に連結されている。これにより、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、グリッド２４を両面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体に形成されている。また、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、導電層４２に電気的に接続され、この導電層を介してＳＥＤのグランドに接続されている。
【００２７】
上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２は第１基板１０および第２基板１２間に配設されている。そして、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００２８】
図２に示すように、ＳＥＤは、グリッド２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、グリッド２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。すなわち、グリッド２４に印加する電圧は、第１基板１０に印加する電圧よりも高く設定されている。
【００２９】
そして、このＳＥＤでは、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧を印加し、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【００３０】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。スペーサアッセンブリ２２を製造する際、まず、所定寸法のグリッド２４を用意する。この場合、Ｆｅ−Ｎｉ５０％からなる板厚０．１２ｍｍの薄板を脱脂・洗浄・乾燥した後、エッチングにより多数の電子ビーム通過孔２６およびスペーサ開孔２８を形成しグリッド２４とする。
【００３１】
その後、グリッド２４の第１表面２４ａ、第２表面２４ｂおよび各電子ビーム通過孔２６の壁面上に、Ｌｉ系のアルカリホウ珪酸ガラスを主成分としたコート液を塗布し、乾燥する。そして、コート液が乾燥した後、焼成することにより、グリッド２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面に約１０μｍの絶縁層４０を形成する。
【００３２】
続いて、グリッド２４の第２表面２４ｂに、導電性物質として銀ペースを帯状にスクリーン印刷し、膜厚約１０μｍの導体パターンを形成した後、４５０℃で６０分焼成する。これにより、絶縁層４０上に複数の導電層４２を形成する。導電性物質としては、銀の他、金、銅、鉄、ニッケル等を用いることができる。
【００３３】
次に、グリッド２４とほぼ同一の寸法を有した図示しない矩形板状の第１および第２金型を用意する。これら第１および第２金型は、それぞれスペーサ成形用の多数の透孔を有している。そして、第１金型を、各透孔がグリッド２４のスペーサ開孔２８と対向するように位置決めした状態でグリッドの第１表面２４ａに密着させる。同様に、第２金型を、各透孔がグリッド２４のスペーサ開孔２８および導電層４２と対向するように位置決めした状態でグリッドの第２表面２４ｂに密着させる。そして、これら第１金型、グリッド２４、および第２金型を図示しないクランパ等を用いて互いに固定する。
【００３４】
その後、例えば、第１金型の外面側からペースト状のスペーサ形成材料を供給し、第１金型の透孔、グリッド２４のスペーサ開孔２８、および第２金型の透孔にスペーサ形成材料を充填する。スペーサ形成材料としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。
【００３５】
続いて、充填されたスペーサ形成材料に対し、第１および第２金型の外面側から放射線として紫外線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料をＵＶ硬化させる。この後、必要に応じて熱硬化を行なってもよい。次に、熱処理により第１および第２金型の各透孔に塗布された樹脂を熱分解し、スペーサ形成材料と金型の間にすき間を作り、第１および第２金型をグリッド２４から剥離する。
【００３６】
更に、スペーサ形成材料が充填されたグリッド２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサアッセンブリ２２が得られる。
【００３７】
一方、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。また、高さ緩和層３１を形成するためのインジウム粉末を各第１スペーサ３０ａの延出端に塗布する。
【００３８】
次に、上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２を第２基板１２上に位置決め配置する。この際、第２スペーサ３０ｂの延出端がそれぞれ配線２１上に位置するようにスペーサアッセンブリ２２を位置決めする。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサアッセンブリ２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。同時に、第１スペーサ３０ａの延出端に配置されたインジウム粉末を溶融させ、第１基板１０で押しつぶし高さを補正する。これにより、スペーサアッセンブリ２２を備えたＳＥＤが製造される。
【００３９】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、グリッド２４に導電層４２を設け、この導電層に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂを接続することにより、第１および第２スペーサに溜まった電荷を導電層を通して逃がすことができ、スペーサの帯電に起因する電子ビームの軌道ずれを低減することができる。
【００４０】
すなわち、電子放出素子１８から放出された電子ビームにより蛍光体層を励起する際、蛍光層で発生した２次電子及び反射電子が第１および第２スペーサに衝突する。この時、ＳＥＤで使用される加速電圧によってスペーサ表面での２次電子放出係数が１以上となり、第１および第２スペーサはプラスに帯電し、マイナスの電子ビームをスペーサ側へと引き付ける事になる。
【００４１】
しかしながら、本実施の形態に係るＳＥＤによれば、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂに溜まった電荷をグリッド２４上の導電層４２を通してグランドに逃がすことができる。これにより、電子放出素子１８から放出された電子ビームは、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂからの引き付けに起因する軌道ずれが低減し、蛍光体スクリーン１６の目標とする蛍光体層に到達することができる。従って、電子ビームのミスランディングによる色純度劣化を低減し、画像品位の向上したＳＥＤが得られる。
【００４２】
本発明者等は、本実施の形態に係るＳＥＤ、およびグリッド上の導電層を持たないＳＥＤを用意し、各ＳＥＤにおいて、第１基板に６ｋＶ、グリッドに４ｋＶの電圧を印加して電子ビームのランディング位置をそれぞれ測定した。その結果、導電層を持たないＳＥＤでは、電子ビームが最大１５０μｍだけスペーサ側に変位した。これに対し、本実施の形態に係るＳＥＤでは、電子ビームの変位量は大幅に減少し約１０μｍであった。
【００４３】
また、本実施の形態に係るＳＥＤによれば、第１基板１０と第２基板１２との間にグリッド２４が配置されているとともに、第１スペーサ３０ａの高さは、第２スペーサ３０ｂの高さよりも低く形成されている。これにより、グリッド２４は第２基板１２よりも第１基板１０側に接近して位置している。そのため、第１基板１０側から放電が生じた場合でも、グリッド２４により、第２基板１２上に設けられた電子放出素子１８の放電破損を抑制することが可能となる。従って、放電に対する耐圧性に優れ画像品位の向上したＳＥＤを得ることができる。
同時に、グリッド２４に印加する電圧を第１基板１０に印加する電圧より大きくした場合でも、電子放出素子１８から発生した電子を蛍光体スクリーン側へ確実に到達させることができる。
【００４４】
なお、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、絶縁層は、グリッドの第１表面、第２表面、および各電子ビーム通過孔の壁面に形成する構成としたが、少なくともグリッドの第２表面に形成されていれば上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。グリッドに設けられた導電層は帯状に限らず、電荷を逃がす構造を有していれば良い。
【００４５】
また、この発明において、スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は必要に応じて適宜選択可能である。各スペーサは柱状に限らず、細長い板状としても良い。電子源は、表面導電型の電子放出素子に限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等、種々選択可能である。更に、この発明は、ＳＥＤに限定されることなく、ＦＥＤ、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）等の種々の画像表示装置にも適用可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、電子ビームの軌道ずれを防止し、画像品位の向上した画像表示装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した上記ＳＥＤの斜視図。
【図３】上記ＳＥＤを拡大して示す断面図。
【図４】上記ＳＥＤにおけるグリッドの第２表面側を示す平面図。
【符号の説明】
１０…第１基板
１２…第２基板
１４…側壁
１５…真空外囲器
１６…蛍光体スクリーン
１８…電子放出素子
２２…スペーサアッセンブリ
２４…グリッド
２４ａ…第１表面
２４ｂ…第２表面
２６…電子ビーム通過孔
２８…スペーサ開孔
３０ａ…第１スペーサ
３０ｂ…第２スペーサ
４０…絶縁層
４２…導電層
５０…電圧供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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