(57)【要約】【課題】磁気記憶装置の記録データを完全ないしはこれに近い状態に消去できる磁気記憶装置の記録データ消去装置、及び同消去方法  を提供する。【解決手段】コンデンサ５の充電電荷をコイル３に放電させ、このコイル３の発生磁界により磁気記憶装置Ｍのデ−タを消去させる磁気記憶装置の記録デ−タ消去装置において、前記放電時に過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回は発生するように、上記コイル３のインダクタンスＨおよび内部抵抗Ｒならびにコンデンサ５の印加電圧Ｖを設定する。これにより、磁気記憶装置Ｍの記憶媒体から記録データが完全ないしはこれに近い状態に消去される。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去装置において、
前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回は発生するように、前記コイルのインダクタンスおよび内部抵抗ならびにコンデンサの印加電圧がそれぞれ適値に設定されていることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去装置。
【請求項２】
所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去方法において、
前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象を、少なくとも一回発生させることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ハードディスク装置や磁気テープカートリッジ等の磁気記憶装置の記憶媒体に記録されたデータを消去するのに用いられる磁気記憶装置の記録データ消去装置、及び同消去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
例えばハードディスク装置を廃棄したり再利用する場合、データの漏洩防止の観点から、ハードディスク装置におけるハードディスクに記録されているデータを消去することが一般に行われている。
【０００３】
このようなハードディスク装置の記録データの消去は、従来、ハードディスクにおける記憶データに上書きデータ、例えば「００」のデータを繰り返して書き込むことにより行われていた。しかし、データの上書きによる消去処理は、大きな作業負担と時間を必要とする。一例を挙げると、２０Ｇバイトの記データを消去するのに１２時間以上もの長時間を費やさなければならなかった。
【０００４】
一方、ハードディスクと同じく記録媒体であるフロッピィディスクや磁気テープ等のデータを消去するための消去装置として、円環状コアの外周面に巻回したトロイダル状のコイルを、消去装置本体のケース内に配置するとともに、このコイルに交流電源を接続したものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特許公報第２５４５４５１号
この消去装置では、例えばフロッピィディスクを装置本体の外面部に配置し、前記コイルに交流電流を通電して交番磁界を発生させ、この磁界によってフロッピィディスクに記録されたデータを消去するものである。
【０００６】
しかしながら、この記録デ−タの消去装置を用いて、例えばハードディスク装置のデータ消去を行おうとしても、ハードディスク装置におけるハードディスクが金属製ケースで収容されているため、消去装置本体の外面部にハードディスク装置をセットして、消去装置の磁界を発生させただけでは、記録データを有効に消去しきれない。
【０００７】
このような事情から従来、装置本体内に配備されたコイルにより強力な磁界（例えば７０００ガウス程度）を発生させ、この磁界での磁力によりハ−ドディスク装置の記録デ−タを消去するようにした磁気記憶装置の記録データ消去装置が提案されている。
【０００８】
この記録データ消去装置は、ハ−ドディスク装置がセットされる部位に磁界を発生させるためのコイルを備え、所定の直流電圧が印加されるコンデンサを前記コイルに並列接続し、このコイルとコンデンサとの間に介挿されたスイッチ素子をＯＮさせることにより、コンデンサに充電された充電電荷をコイルに放電させて該コイルから磁界を発生させ、これにより、該磁界内に置かれたハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記憶データを消去させるものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記提案に係るものは、コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際の過度電圧が図９に示すように非振動的に減衰するので、磁界中のハ−ドディスク装置には一方向の磁力線が流れるだけであり、該ハードディスクが一方向へ磁化された着磁状態となっていた。つまり、完全消磁状態とはならず、結果、デ−タの消去性に劣るという問題がある。
【００１０】
この発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたものであり、磁気記憶装置の記憶媒体を完全消磁して、記録デ−タを確実に消去することができる磁気記憶装置の記録データ消去装置を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去装置において、前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回は発生するように、前記コイルのインダクタンスおよび内部抵抗ならびにコンデンサの印加電圧がそれぞれ適値に設定されていることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去装置によって解決される。
【００１２】
この記録データ消去装置では、コンデンサに所定の直流電圧が印加されている状態で、スイッチ素子をＯＮさせると、前記コンデンサの充電電荷がコイルへと放電され、この放電によりコイルから磁界が発生し、この磁界内に置かれた磁気記憶装置に磁力が作用する。
【００１３】
この時、コイルのインダクタンスおよび内部抵抗、さらにはコンデサの印加電圧は、該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際の過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回発生するように、それぞれ適値に設定されていることから、コイルからは最初の放電による一方向の磁界の後に、前記リバウンドに対応して逆向きの磁界が発生し、これらの磁界が磁気記憶装置に作用することから、磁気記憶装置の記憶媒体が着磁せずに完全ないしはこれに近い消磁状態となり、デ−タの消去性が高められる。
【００１４】
また、上記課題は、所定の直流電圧が印加されるコンデンサを磁界発生用のコイルに並列接続し、前記コンデンサとコイルとの間に介挿されたスイッチ素子を制御して該コンデンサの充電電荷をコイルに放電させることにより、該コイルから磁界を発生させて磁気記憶装置の記憶デ−タを消去する磁気記憶装置の記録データ消去方法において、前記コンデンサの充電電荷をコイルに放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象を、少なくとも一回発生させることを特徴とする磁気記憶装置の記録データ消去方法」によっても解決される。
【００１５】
この磁気記憶装置の記録データ消去方法では、コイルのインダクタンスおよび内部抵抗ならびにコンデンサの印加電圧をそれぞれ適値に設定すれば、前記リバウンド現象により、最初の放電による磁界の向きとは逆方向の磁界が発生し、磁気記憶装置のデ−タ消去が確実に行える。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、この発明の一実施形態に係る磁気記憶装置のデータ消去装置を示す一部破断側面図、図２は同じくデータ消去装置を示す分解斜視図である。
【００１８】
図１および図２において、１１は装置本体であり、この装置本体１１は、例えば前端面が開放された箱形ケース１２と、この箱形ケース１２の開口１２ａを開閉可能に閉塞する蓋体１３と、箱形ケース１２の外面側に装着された前端開放の合成樹脂製箱形外装体１４とからなる。なお、少なくとも箱形ケ−ス１２（この実施形態では箱形ケ−ス１２および蓋体１３）は、例えば鉄やニッケル等の磁性材料から構成されており、後述するコイル３により発生した磁界によるコイル内部の磁束密度を増加しかつ均一化してハードディスク装置Ｍに作用させる役目をもっている。
【００１９】
前記箱形ケ−ス１２内には、中空状のコイルスプ−ル１５が配設されており、このコイルスプ−ル１５の外周面には、スプール軸方向へ沿って多数回巻かれたコイル３が巻装されている。このコイル３は、ハードディスク装置Ｍのハ−ドディスク（図示せず）に記憶されたデ−タを消去させるための磁界を発生するものである。
【００２０】
コイルスプ−ル１５の中空部は、前記ハードディスク装置Ｍの挿入用空間Ｓとして構成されている。つまり、この挿入用空間Ｓに挿入されたハ−ドディスク装置Ｍに対して前記コイル３の磁界が作用するようになっている。なお、前記蓋体１３は、前記箱形ケース１２の開口端部側に兆番等を用いてヒンジ止めたりする等の周知の手段により箱形ケース１２に装着すればよい。
【００２１】
また、前記箱形ケース１２からは、後述する商用交流電源接続用の電源コード１７が引き出されている。
【００２２】
次に、上記データ消去装置の電気的構成を図３に基づいて説明する。
【００２３】
図３において、１は商用交流電源であり、この商用交流電源１には、直流電源回路２を介して前記コイル３が接続されている。
【００２４】
前記直流電源回路２は、入力側が商用交流電源１に接続された直流変換部４と、直流変換部４の出力側に並列接続されたコンデサ５と、直流変換部４からコンデンサ５への入力ライン（高電位端側）に介挿されたリアクトル６と、スイッチ素子７とを備えている。
【００２５】
前記直流変換部４は、商用交流電源１の電源電圧を所定電圧の直流に変換するものであり、例えば昇圧チョッパからなる。また、コンデサ５は、前記コイル３に並列接続されており、直流変換部４からの直流電圧が印加される。リアクトル６は、直流変換部４からの直流上のリップル分を除去する機能を有する。
【００２６】
スイッチ素子７は、例えば双方向性のサイリスタ等からなり、前記コンデンサ５とコイル３との間に介挿されており、トリガ信号を受けてＯＮし、コンデンサ５の充電電荷をコイル３に放電させるものである。コイル３は、放電電流が流れることにより、前記ハードディスク装置Ｍがセットされた空所Ｓに磁界を生起するものである。
【００２７】
前記コイル３のインダクタンス（Ｈ）および内部抵抗（Ｒ）並びにコンデンサ５の印加電圧（Ｖ）、あるいはさらにコンデンサ５の容量（Ｆ）は、前記コンデンサ５の充電電荷をコイル３に放電させた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象（図４〜図８参照）が少なくとも一回は発生するように、それぞれ適値が選択して設定されている。例えばコイル３の線径を１．２ｍｍ以上とし、そのインダクタンス（Ｈ）が１００〜２００Ｈ、内部抵抗（Ｒ）が２．５〜５Ωに設定される。また、コンデンサ５の印加電圧（Ｖ）は３００Ｖ以上に設定されている。コンデンサ５の容量（Ｆ）は４７００〜９４００μＦに設定されている。
【００２８】
次に、上記構成による記録データ消去装置の動作について説明する。
【００２９】
直流電源回路２のスイッチ素子７をＯＦＦ（開放）したまま、前記交流商用電源１に接続する。この後、記憶データを消去する必要のあるハードディスク装置Ｍを前記空間Ｓ内に挿入して蓋体１３を閉じる。
【００３０】
一方、この時、前記直流電源回路３におけるコンデンサ５は、直流変換部４からの電力供給を受けて充電されている。この状態で、スイッチ素子７をＯＮ（閉成）すると、コンデンサ５の充電電荷がコイル３へと放電され、この放電によりコイル３の内部空間、つまりハードディスク装置Ｍが配置されている挿入用空所Ｓに磁界が発生し、この磁界による磁力線がハードディスク装置Ｍのアルミニウム製や鉄製の金属製ケースを貫通することにより、記録媒体であるハードディスクに記録されているシリンダ情報等を含むデータが消去される。
【００３１】
上記コンデンサ５の放電電荷がコイル３に流れた際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバンド現象が少なくとも一回（例えば図４では、略４回）は生起される。このため、ハ−ドディスク装置Ｍにおけるハ−ドディスクには、最初の放電による一方向の磁界のみならずこれと逆方向の磁界が作用し、このため完全ないしはこれに近い状態に消磁されることになり、デ−タの消去性が著しく高められる。
【００３２】
所定時間経過後、スイッチ素子７をＯＦＦ（開放）して、次のデータ消去に備える。なお、上記コイル３による磁界を発生させる時間、換言すればスイッチ素子７をＯＮしている時間は、特に限定されることはないが、望ましくは１０ｍｓ以内に設定するのがよい。１０ｍｓを越えてもデータ消去効果は同じであり、むしろエネルギー効率の低下や時間の無駄となる。
【００３３】
上記によりデータを消去されたハードディスク装置Ｍは、前記挿入用空所Ｓから取り出し、必要に応じて廃棄処分されるか、あるいは再利用に供される。
【００３４】
ところで、ハードディスク装置Ｍにおける書き込みデータを消去するには、書き込まれている磁化よりも大きな磁力を作用させる必要がある。この観点からは、挿入用空所Ｓに作用するコイル３による磁界は、大きい程よい。しかし、ハードディスク装置Ｍに内蔵されている制御回路部（図示せず）等が破壊されることなく、再利用を保証する上では、磁界の強さを、磁束密度が６０００〜１５０００ガウスの範囲に設定するのがよい。磁束密度が６０００ガウス未満では、データ消去が不十分となり、１５０００ガウスを超えると、前記制御回路部も破壊してしまうおそれがあり、従って、特に好ましい磁束密度は、８０００〜１３０００ガウスである。
【００３５】
なお、コイル３による磁界の強さは、その巻き数や通電する電流値の変更により容易に調整可能である。
【００３６】
次に、コイル３のインダクタンス（Ｈ）およびその内部抵抗（Ｒ）、コンデンサ５の印加電圧（Ｖ）について、前記記憶デ−タの消去が有効に発揮されるそれぞれの適値を決め、前記過渡電圧と時間との関係からリバウンド現象をそれぞれ測定し、それらのデータ消去性について確かめた実施例を以下に示す。
「実施例１」
コイル３の径を１．２ｍｍ以上とし、その内部抵抗を２．５Ω、コイル３のインダクタンスを１００Ｈ、コンデンサ５の印加電圧を３８０Ｖ、コンデンサ５の容量を４７００μＦに設定した。
【００３７】
この条件下での放電時の過度電圧・時間特性を測定すると、図４に示すように１回の放電について略４回のリバンド現象が発生した。この場合は、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを完璧に消去することができた。
「実施例２」
コイル３の径を１．２ｍｍ以上とし、その内部抵抗を５Ω、コイル３のインダクタンスを２００Ｈ、コンデンサ５の印加電圧を３８０Ｖ、コンデンサ５の容量を４７００μＦに設定した。
【００３８】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図５に示すように１回の放電について略３回のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを完璧に消去することができた。
「実施例３」
コイル３の径を１．２ｍｍ以上とし、その内部抵抗を５Ω、コイル３のインダクタンスを１００Ｈ、コンデンサ５の印加電圧を１０００Ｖ、コンデンサ５の容量を９４００μＦに設定した。
【００３９】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図６に示すように１回の放電について略２回弱のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを高精度に消去することができた。
「実施例４」
コイル３の径を１．２ｍｍ以上とし、その内部抵抗を５Ω、コイル３のインダクタンスを２００Ｈ、コンデンサ５の両端電圧を８００Ｖ、コンデンサ５の容量を９４００μＦに設定した。
【００４０】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図７に示すように１回の放電について略２回のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを高精度に消去することができた。
「実施例５」
コイル３の径を１．２ｍｍ以上とし、その内部抵抗を５Ω、コイル３のインダクタンスを１００Ｈ、コンデンサ５の両端電圧を３８０Ｖ、コンデンサ５の容量を４７００μＦに設定した。
【００４１】
この条件下での放電時の過渡電圧・時間特性を測定すると、図８に示すように１回の放電について略２回のリバンド現象が発生した。この場合も、ハ−ドディスク装置のハ−ドディスクの記録データを高精度に消去することができた。
【００４２】
上記実施例１〜５から明らかなように、放電時の過渡電圧をリバウンドさせることにより、記録データを良好に消去できることが分かった。とくに、実施例１のように、数回のリバウンドにより、前記データの消去効果が極めて有効に発揮されることが分かった。
【００４３】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、コンデンサの充電電荷を放電させる際に、過渡電圧の極性が変わってコイルに逆向きの電流が流れることにより磁界の向きが切り替わるリバウンド現象が少なくとも一回発生するように構成したことにより、前記リバウンド現象に対応して、最初の放電による磁界とは逆向きの磁界により、磁気記憶装置の記憶媒体を完全ないしはこれに近い状態の消磁状態として、デ−タの消去性の著しく高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る磁気記憶装置の記録データ消去装置を示す一部破断側面図である。
【図２】同じくデータ消去装置を示す分解斜視図である。
【図３】同じくデータ消去装置の電気回路図である。
【図４】実施例１における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図５】実施例２における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図６】実施例３における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図７】実施例４における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図８】実施例４における放電時の過渡電圧・時間特性図である。
【図９】従来の放電時の過渡電圧・時間特性図である
【符号の説明】
３・・・・・・コイル
５・・・・・・コンデンサ
７・・・・・・スイッチ素子
Ｈ・・・・・・コイル３のインダクタンス
Ｍ・・・・・・磁気記憶装置
Ｒ・・・・・・コイルの内部抵抗
Ｖ・・・・・・コンデンサの印加電圧
【図１】
2004192682.tif 000003
【図２】
2004192682.tif 000004
【図３】
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【図４】
2004192682.tif 000006
【図５】
2004192682.tif 000007
【図６】
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【図７】
2004192682.tif 000009
【図８】
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【図９】
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