(57)【要約】【課題】チップ形成部における配線及びコンタクト部の異常をより正確に検出することができる半導体装置のモニタパターン及びそのモニタパターンを使用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】仮想線１００に沿って、複数の拡散抵抗１０３と複数の配線（抵抗体）１０６とを交互に配置し、それらをコンタクトビア１０５によって直列接続する。配線１０６と同じ配線層には、配線１０６及び拡散抵抗１０３の形成領域を囲むようにして、ダミーパターン１０７が形成される。このダミーパターン１０７と配線１０６との間隔は、例えばチップ形成部における最小配線間隔に応じて設定する。【選択図】　図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を構成する素子と共に形成されて製造工程に起因する不具合の有無を検出する半導体装置のモニタパターンにおいて、
半導体基板上に形成された抵抗体と、
前記抵抗体と同一の配線層に前記抵抗体に近接して形成されたダミーパターンと
を有することを特徴とする半導体装置のモニタパターン。
【請求項２】
半導体装置を構成する素子と共に形成されて製造工程に起因する不具合の有無を検出する半導体装置のモニタパターンにおいて、
半導体基板に不純物を導入して形成された複数の拡散抵抗と、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成された複数の抵抗体と、
前記絶縁膜に埋め込まれて前記複数の拡散抵抗と前記複数の抵抗体とを直列接続する複数のコンタクトビアと、
前記抵抗体と同一の配線層に前記抵抗体に近接して形成されたダミーパターンと
を有することを特徴とする半導体装置のモニタパターン。
【請求項３】
前記抵抗体及び前記ダミーパターンが、前記半導体装置の素子に接続した配線と同一材料により形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【請求項４】
前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間隔が、設計基準により決まる配線間の最小間隔と同一に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【請求項５】
前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間隔が、チップ形成部の配線間の最小間隔に応じて設定されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【請求項６】
前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間をエッチングするときのアスペクト比（抵抗体材料の厚さ＋マスク材の厚さ／抵抗体とダミーパターンとの距離）が３以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【請求項７】
半導体装置を構成する素子と共に形成されて製造工程に起因する不具合の有無を検出する半導体装置のモニタパターンにおいて、
半導体基板上に形成された複数の第１の抵抗体と、
前記半導体基板上に形成されて前記第１の抵抗体を被覆する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された複数の第２の抵抗体と、
前記層間絶縁膜に埋め込まれて前記複数の第１の抵抗体と前記複数の第２の抵抗体とを直列接続する複数のコンタクトビアと
前記第１の抵抗体及び前記第２の抵抗体の少なくとも一方の抵抗体と同一の配線層に前記抵抗体に近接して形成されたダミーパターンと
を有することを特徴とする半導体装置のモニタパターン。
【請求項８】
半導体装置を構成する素子及び配線の形成と共に、半導体基板のチップ形成部以外の領域に請求項１乃至７のいずれか１項に記載のモニタパターンを形成し、前記モニタパターンを電気的に検査して、前記半導体装置の配線の異常を検出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造工程に起因する配線（コンタクト部を含む）の異常を検出する半導体装置のモニタパターン及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の微細化に伴って、システムＬＳＩの需要が高まっている。システムＬＳＩでは、配線の密度が疎の部分と密の部分とで差が大きいため、疎の部分と密の部分とで製造時の条件が均一でなくなり、配線の細り、コンタクト不良、断線及び短絡等の欠陥が発生しやすい。そこで、配線の密度が疎の部分に電気的に孤立したダミーパターンを設けて、パターンの密度が一定の範囲となるようにしている。
【０００３】
また、半導体基板（ウエハ）にモニタパターンを設けておくこともある。モニタパターンは通常の配線と同時に形成され、パターンの幅が許容範囲を超えていないか否か、及びコンタクトが正常であるか否かを電気的に検査するために用いられる。
【０００４】
図１（ａ）は従来の半導体装置に設けられたモニタパターンの一例を示す上面図、図１（ｂ）は同じくその断面図である。
【０００５】
半導体基板１０には、トランジスタ等の素子を構成する不純物拡散層（図示せず）が形成され、半導体基板１０上には層間絶縁膜を挟んで複数の配線層が形成される。不純物拡散領域及び各配線層の配線は層間絶縁膜に埋め込まれたコンタクトビアを介して接続され、所定の回路が構成される。
【０００６】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、モニタパターンは、第１の層間絶縁膜（図示せず）の上に並んで形成された複数の下層配線１１と、第２の層間絶縁膜１２の上に並んで形成された複数の上層配線１４と、第２の層間絶縁膜１２に埋め込まれたコンタクトビア１３とにより構成される。各下層配線１１は、相互に隣接する上層配線１４の間をコンタクトビア１３を介して電気的に接続している。
【０００７】
一般的に、下層配線１１及び上層配線１４の幅は、設計基準により決まる最小線幅に設定される。例えば、現在使用されているモニタパターンでは、下層配線１１及び上層配線１４の幅を０．３μｍ、長さを０．９μｍ、コンタクトビア１３の数を１００個としたものがある。
【０００８】
図２は、従来のモニタパターンの他の例を示す上面図である。このモニタパターン１６は、何重にも折れ曲がった１本の配線により構成される。配線の幅は設計基準により決まる最小線幅に設定される。従来、この種のモニタパターンとして、例えば幅を０．３μｍ、長さ（総延長）を１００μｍとしたものが使用されている。
【０００９】
これらのモニタパターンは、ウエハのスクライブライン上、すなわちチップ形成部間の領域に形成される。検査装置によりモニタパターンの電気特性（抵抗値等）を測定し、電気特性が所定の範囲内であれば、製造条件が適切であると判断することができる。一方、モニタパターンの電気特性が所定の範囲から外れている場合は、チップ形成部の配線にも、配線の細り、コンタクト不良、短絡及び断線等の不具合が発生している可能性が高い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本願発明者等は、上述した従来のモニタパターンには以下に示す問題点があると考える。
【００１１】
図３（ａ）は横軸にパターン占有率をとり、縦軸に配線に発生するくびれの発生頻度をとって、両者の関係を示す図である。周囲の配線との間隔が大きい場合（スペース大）は、パターン占有率が小さくでも、くびれは発生しない。しかし、周囲の配線との間隔が小さい場合（スペース小）は、パターン占有率が小さいと、図３（ｂ）に示すような配線のくびれ（アンダーカット）２３が発生する。なお、図３（ｂ）において、２１はバリアメタル、２２はＡｌ（アルミニウム）配線である。
【００１２】
これは、以下のように考えることができる。つまり、ドライエッチングにより配線を形成する場合、エッチングに伴って有機物（レジスト膜から遊離した有機物）が配線の側壁を覆い、エッチングガスから配線を保護する。特に、配線材料としてＡｌ（アルミニウム）を使用した場合は、Ａｌがエッチングガス中のＣｌ（塩素）と反応性しやすいため、配線２２の側壁全体を有機物で覆うことが必要となる。
【００１３】
しかし、パターン占有率（配線占有面積）が小さい場合は、レジスト膜からの有機物の供給量が相対的に少なくなるため、Ａｌ配線２２の下部を有機物で覆うことができなくなる。このため、図３（ｂ）に示すように、Ａｌ配線２２の下部にくびれ２３が発生する。
【００１４】
モニタパターンは、スクライブラインのようにチップ形成部から離れた場所に形成されるため、他のパターンとの間隔が大きく、くびれが発生しにくい。一方、チップ形成部では、他のパターンとの間隔が小さいため、くびれが発生しやすい。従って、モニタパターンの電気的検査によって異常が検出されなくても、チップ形成部の配線に異常がないとはいうことはできない。
【００１５】
図４（ａ），（ｂ）は不良が発生しやすいパターンの例を示す上面図、図４（ｃ），（ｄ）は同じくその斜視図である。これらの図に示すように、周囲を他のパターン３２ａ，３２ｂに囲まれたパターン３１ａ，３１ｂでは、図中に丸で囲った部分で、図３（ｂ）に示すようなパターン占有率に依存するくびれが発生しやすい。
【００１６】
最も不良が発生しやすいと考えられる配線構造は、例えば図５に示すように、下層配線（Ａｌ配線）４２と上層配線（Ａｌ配線）４６とをコンタクトビア４４で接続する部分である。通常、下層配線４２の下にはバリアメタル４１が形成され、上には反射防止膜（例えば、ＴｉＮ膜）４３が形成される。また、上層配線４６の下にもバリアメタル４５が形成され、上には反射防止膜４７が形成される。このような部分では、下層配線４２の上部（反射防止膜４３の下）と、上層配線４６の下部（バリアメタル４５の上）とにくびれが発生する。これにより、下層配線４２と上層配線４６とのコンタクト抵抗が上昇し、極端な場合には製品不良となる。
【００１７】
しかし、上述したように、従来のモニタパターンによる電気的な検査ではチップ形成部の配線の異常を検出することができないことがあるため、不良の原因を特定するために断面観察を行うなどの必要が生じる。このため、原因の追求と対策に多大な時間を要し、製造工程へのフィードバックの遅れの原因となっていた。
【００１８】
以上から、本発明の目的は、チップ形成部における配線及びコンタクト部の異常をより正確に検出することができる半導体装置のモニタパターン及びそのモニタパターンを使用した半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置のモニタパターンは、半導体基板上に形成された抵抗体と、前記抵抗体と同一の配線層に前記抵抗体に近接して形成されたダミーパターンとを有することを特徴とする。
【００２０】
本発明においては、抵抗体に近接してダミーパターンを形成する。抵抗体及びダミーパターンは、例えばチップ形成部の配線と同じ材料により形成する。そして、抵抗体とダミーパターンとの間隔を、例えば設計基準により決まる配線間の最小間隔（又は、チップ形成部における配線間の最小間隔）に設定する。これにより、モニタパターンにおけるくびれやコンタクト異常の発生割合がチップ形成部における発生割合と同じになる。従って、モニタパターンを電気的に検査して配線又はコンタクト部の異常が検出された場合は、チップ形成部にも配線又はコンタクト部の異常が発生している可能性が大きく、モニタパターンによりチップ形成部における異常の有無を比較的正確に推測することができる。そして、その結果を製造工程にフィードバックして適正な製造条件を維持することにより、半導体装置の品質が向上し、製造歩留まりも向上する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２２】
（第１の実施の形態）
図６は、本発明の第１の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図７（ａ）は図６のＩ−Ｉ線による断面図、図７（ｂ）は図６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００２３】
半導体基板（ウエハ）１０１は、素子分離膜１０２により複数の素子領域に分離されている。素子領域には、半導体基板１０１に不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が設けられている。また、半導体基板１０１の上には、層間絶縁膜１０４が形成されている。この層間絶縁膜１０４の上には、複数の配線（抵抗体）１０６が形成されている。
【００２４】
これらの拡散抵抗１０３及び配線１０６は、複数回ターン（図では３回）する１本の仮想線１００に沿って交互に配置されている。また、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により配線１０６及び拡散抵抗１０３が電気的に直列接続されている。
【００２５】
更に、層間絶縁膜１０４の上には、これらの配線１０６及び拡散抵抗１０３が形成されている領域を囲むようにして、ダミーパターン１０７が形成されている。このダミーパターン１０７は、配線１０６と同じ配線層に形成されている。但し、モニタパターンの末端に位置する配線１０６は、ダミーパターン１０７の切り欠き部を通ってダミーパターン１０７の外側に延出している。
【００２６】
配線１０６及び拡散抵抗１０３の幅は、設計基準により決まる最小線幅、又はチップ形成部における配線の最小間隔に応じて設定することが好ましい。例えば、配線１０６は、幅が０．３μｍ、長さが０．９μｍとする。また、拡散抵抗１０３は、幅が０．６μｍ、長さが０．９μｍとする。更に、配線１０６とダミーパターン１０７との間隔は、設計基準から決まる配線間の最小間隔とすることが好ましい。この例では、配線１０６とダミーパターン１０７との間隔は０．３μｍとする。
【００２７】
配線１０６及びダミーパターン１０７は、例えば厚さが６０ｎｍのバリアメタル（Ｔｉ：１０ｎｍ＋ＴｉＮ：５０ｎｍ）の上に厚さが５００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、これらの膜をフォトリソグラフィ法によりエッチングして形成される。
【００２８】
なお、配線１０６の長さは、設計基準により決まるコンタクトビア間の最小間隔よりも長くすることが必要である。
【００２９】
また、配線１０６とダミーパターン１０７との間をエッチングするときには、エッチング前のマスク材（例えば、レジスト膜）も含めた配線材料の高さに対してアスペクト比が３以上となるように設定する。くびれの検出感度を上げるときには、配線１０６とダミーパターン１０７との間隔のアスペクト比が４．５以上となるように設定することが好ましい。
【００３０】
例えば、厚さが５６０ｎｍの導電体膜（Ｔｉ：１０ｎｍ＋ＴｉＮ：５０ｎｍ＋Ａｌ：５００ｎｍ）の上に厚さが１μｍのレジスト膜を形成し、導電体膜をエッチングして配線１０６及びダミーパターン１０７を形成する場合、マスク材を含めた配線材料の高さは１．５６μｍ、配線１０６とダミーパターン１０７との間隔が０．３μｍであるので、配線１０６とダミーパターンとの間のアスペクト比は５．２となる。
【００３１】
本実施の形態のモニタパターンは、半導体装置を構成するトランジスタ等の素子及び配線等と同時に形成する。例えば、トランジスタのソース／ドレインを形成する際に、拡散抵抗形成領域にも不純物を導入して拡散抵抗１０３を形成する。また、層間絶縁膜１０４は、トランジスタのゲートを被覆する層間絶縁膜と同時に形成する。更に、コンタクトビア１０５はトランジスタのソース／ドレインと接続するコンタクトビアと同時に形成する。配線１０６は、素子間を接続する配線と同時に形成する。
【００３２】
このようにして半導体装置と同時の本実施の形態のモニタパターンを形成した後、検査装置を用いてモニタパターンの電気的検査を実行し、その結果に応じて異常の有無を判定する。そして、その判定結果を製造工程にフィードバックして適正な製造条件（エッチング条件等）を維持することにより、半導体装置の品質が向上し、製造歩留まりも向上する。
【００３３】
本実施の形態では、モニタパターンを構成する配線１０６の近傍にダミーパターン１０７を配置しているので、くびれの検出感度が向上する。これにより、チップ形成部に高密度に形成された配線に対するくびれの発生の有無をより正確に判定することができる。
【００３４】
図８は、横軸にアスペクト比（エッチング前のマスク材を含めたアスペクト比）をとり、横軸にくびれの発生の割合をとって、くびれの発生の可能性を数値的に評価した結果を示す図である。なお、くびれの発生の割合は、０のときにはくびれの発生の可能性がなく、数値が大きいほどくびれの発生の可能性が大きいことを示し、１以上の場合はくびれが発生している可能性が大きいことを示し、２以上のときにはほぼ確実にくびれが発生していることを示す。この図８からわかるように、アスペクト比が３のときはくびれの発生の割合は１となり、アスペクト比が４．５のときにはくびれの発生の割合は２となる。
【００３５】
このように、配線１０６とダミーパターン１０７との間隔を調整することにより、くびれの発生の検出感度を調整することができる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
図９は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図１０（ａ）は図９のＩ−Ｉ線による断面図、図１０（ｂ）は図９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図９，図１０において、図６，図７と同一物には同一符号を付している。
【００３７】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、半導体基板１０１には不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が設けられている。また、層間絶縁膜１０４の上には、複数の配線（抵抗体）１０６が並んで形成されている。これらの拡散抵抗１０３及び配線１０６は、複数回ターン（図では３回）する１本の仮想線１００に沿って交互に配置されている。また、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により配線１０６及び拡散抵抗１０３が電気的に直列接続されている。
【００３８】
更に、各配線１０６の幅方向の両側には、配線１０６の長さ方向に延びるダミーパターン１１１が形成されている。これらのダミーパターン１１１は、配線１０６と同じ配線層に形成されている。
【００３９】
拡散抵抗１０３、コンタクトビア１０５及び配線１０６は、チップ形成部の素子及び配線と同時に形成する。
【００４０】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、モニタパターンの電気的検査によって、チップ形成部における配線の細り等の欠陥を従来に比べてより確実に検出できるという効果を得ることができる。
【００４１】
なお、本実施の形態において、モニタパターンの折り返し部では、図１１に示すように、ダミーパターン１１１は配線１０６の幅Ｙ１の少なくとも１／２以上の長さＹ２が配線１０６の縁から延出するように配置することが好ましい。これにより、折り返し部における配線の細りをより確実に検出することができる。
【００４２】
（第３の実施の形態）
図１２（ａ）は本発明の第３の実施の形態の半導体装置のモニタパターンの一部（セル）を示す上面図、図１２（ｂ）は同じくその斜視図である。
【００４３】
第２の実施の形態では、配線１０６の幅方向の両側のみにダミーパターン１１１を配置していた。本実施の形態では、配線１０６を囲むようにしてダミーパターン１１２を配置している。なお、本実施の形態においても、第２の実施の形態と同様に、複数の配線１０６が拡散抵抗（図示せず）及びコンタクトビア１０５を介して直列に接続されている。
【００４４】
この場合に、配線１０６とダミーパターン１１２との間隔は、マスク材を含めた配線材料の高さに対してアスペクト比が３以上となるように設定する。くびれに対する検出感度を上げる場合は、配線１０６とダミーパターン１１２との間をエッチングするときのアスペクト比を４．５以上とすることが好ましい。
【００４５】
また、図１３に示すように、ダミーパターン１１２の一部に切り欠きが設けられていてもよい。但し、配線１０６の細りに対する検出感度を維持するためには、配線１０６の端部から切り欠きまでの長さ（オーバーラップ）Ｙ３は、配線１０６の幅Ｙ１の１／２以上とすることが好ましい。
【００４６】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、モニタパターンの電気的検査によって、チップ形成部における配線の細り等の欠陥を従来に比べてより確実に検出できるという効果を得ることができる。
【００４７】
（第４の実施の形態）
図１４は、本発明の第４の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図１５（ａ）は図１４のＩ−Ｉ線による断面図、図１５（ｂ）は図１４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００４８】
半導体基板１０１上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）１２１が形成されている。これらの下層配線１２１は第２の層間絶縁膜１２３に覆われており、第２の層間絶縁膜１２３の上には複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。
【００４９】
これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、複数回ターン（図では３回）する１本の仮想線１００に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜１２３には複数のコンタクトビア１２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１２４により下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
【００５０】
下層配線１２１と同じ配線層には、下層配線１２１及び上層配線１２５が形成されている領域を囲むようにして、下層ダミーパターン１２２が形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層にも、下層配線１２１及び上層配線１２５が形成されている領域を囲むようにして上層ダミーパターン１２６が形成されている。但し、モニタパターンの末端に位置する上層配線１２５は、上層ダミーパターン１２６の切り欠き部から外に延出している。
【００５１】
下層配線１２１及び上層配線１２５の幅は、設計基準により決まる最小線幅に設定することが好ましい。例えば、下層配線１２１及び上層配線１２５は、いずれも幅が０．３μｍ、長さが０．９μｍとする。
【００５２】
また、チップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線１２１と下層ダミーパターン１２２との間隔、及び上層配線１２５と上層ダミーパターン１２６との間隔を設定してもよい。
【００５３】
本実施の形態のモニタパターンも、半導体装置を構成する素子及び配線と同時に形成する。例えば、チップ形成部の下層配線の形成と同時にモニタパターンの下層配線１２１及び下層ダミーパターン１２６を形成し、チップ形成部のコンタクトビアの形成と同時にモニタパターンのコンタクトビア１２４を形成し、チップ形成部の上層配線の形成と同時にモニタパターンの上層配線１２５及び上層ダミーパターン１２６を形成する。
【００５４】
配線１２１，１２５とダミーパターン１２２，１２６との間をエッチングするときには、エッチング前のマスク材（例えば、レジスト膜）も含めた配線材料の高さに対してアスペクト比が３以上となるように設定する。くびれの検出感度を上げるときには、配線１２１，１２５とダミーパターン１２２，１２６との間のアスペクト比が４．５以上となるように設定することが好ましい。
【００５５】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、モニタパターンの電気的検査によって、チップ形成部における配線の細り等の欠陥を従来に比べてより確実に検出できるという効果を得ることができる。そして、その結果を製造工程にフィードバックして適正な製造条件（エッチング条件等）を維持することにより、半導体装置の品質が向上し、製造歩留まりも向上する。
【００５６】
（第５の実施の形態）
図１６は、本発明の第５の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図１７（ａ）は図１６のＩ−Ｉ線による断面図、図１７（ｂ）は図１６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図１６，図１７において、図１４，図１５と同一物には同一符号を付している。
【００５７】
本実施の形態においても第４の実施の形態と同様に、半導体基板１０１上には第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）１２１が形成されている。また、第２の層間絶縁膜１２３上には複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、複数回ターン（図では３回）する１本の仮想線１００に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜１２３には複数のコンタクトビア１２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１２４により下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
【００５８】
下層配線１２１と同じ配線層には、下層配線１２１の幅方向の両側に、下層配線１２１の配列方向に沿って延びる下層ダミーパターン１２７ａが形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層には、下層ダミーパターン１２７ａに沿って上層ダミーパターン１２７ｂが形成されている。但し、モニタパターンが直角に折り返す部分では、上層ダミーパターン１２７ｂに切り欠きが設けられ、上層配線１２６と上層ダミーパターン１２７ｂとが短絡しないようにしている。
【００５９】
モニタパターンの折り返し部では、図１１に示すように下層ダミーパターン１２７ａは下層配線１２１の幅の少なくとも１／２以上の長さが下層配線１２１の縁から延出するように配置することが好ましい。
【００６０】
本実施の形態においても、第４の実施の形態と同様に、モニタパターンの電気的検査によって、チップ形成部における配線の細り等の欠陥を従来に比べてより確実に検出できるという効果を得ることができる。
【００６１】
（第６の実施の形態）
図１８は、本発明の第６の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図１９（ａ）は図１８のＩ−Ｉ線による断面図、図１９（ｂ）は図１８のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図１８，図１９において、図６，図７と同一物には同一符号を付している。
【００６２】
半導体基板１０１には不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が設けられてる。また、層間絶縁膜１０４の上には、複数の配線（抵抗体）１０６が並んで形成されている。更に、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により配線１０６及び拡散抵抗１０３が電気的に直列接続されている。
【００６３】
更にまた、層間絶縁膜１０４上には、各配線１０６をそれぞれ囲むようにして複数のダミーパターン１２８が形成されている。これらのダミーパターン１２８は、配線１０６と同じ配線層に形成されている。
【００６４】
拡散抵抗１０３のサイズは、例えば幅が０．５μｍ、長さが２．５μｍである。配線１０６のサイズは、例えば幅が０．３μｍ、長さが２．５μｍである。また、この配線１０６は、バリアメタル（厚さ２０ｎｍのＴｉ膜＋厚さ５０ｎｍのＴｉＮ膜）と、その上に形成された厚さ５００ｎｍのアルミニウム膜とにより構成されている。また、ダミーパターン１２８は、幅が０．３μｍであり、配線１０６との間隔が０．３μｍである。更に、コンタクトビア１０５の直径は０．３μｍである。
【００６５】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、モニタパターンの電気的検査によって、チップ形成部における配線の細り等の欠陥を従来に比べてより確実に検出できるという効果を得ることができる。
【００６６】
本実施の形態のモニタパターンの場合、コンタクトビア１０５の数が１００個であるとすると、モニタパターンを形成する場合に、幅が１０μｍ、長さが６０μｍの領域が必要となるパッドの１辺の長さが６０μｍとすれば、パッドと同じ面積に本実施の形態のモニタパターンを形成することができる。
【００６７】
図２０は第６の実施の形態の変形例のモニタパターンを示す平面図、図２１（ａ）は図２０のＩ−Ｉ線による断面図、図２１（ｂ）は図２０のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００６８】
第６の実施の形態では各配線１０６をそれぞれ独立したダミーパターン１２８で囲んでいたが、図２０、図２１に示すように、連続したダミーパターン１２９で囲むようにしてもよい。この場合、図１８，図１９に示すモニタパターンに比べて占有面積を約５０％縮小することが可能になる。
【００６９】
（第７の実施の形態）
図２２は本発明の第７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図２３（ａ）は図２２のＩ−Ｉ線による断面図、図２３（ｂ）は図２２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図２２，図２３において、図１４，図１５と同一物には同一符号を付している。
【００７０】
半導体装置１０１の上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数下層の配線（抵抗体１２１）が形成されている。これらの下層配線１２１は第２の層間絶縁膜１２３に覆われており、第２の層間絶縁膜１２３の上には複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。
【００７１】
これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、直線に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜１２３には複数のコンタクトビア１２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１２４により下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
【００７２】
下層配線１２１と同じ配線層には、各下層配線１２１をそれぞれ囲むようにして複数の下層ダミーパターン１３１が形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層にも、各上層配線１２５をそれぞれ囲むようにして上層ダミーパターン１３２が形成されている。
【００７３】
下層配線１２１及び上層配線１２５は、例えば幅が０．３μｍ、長さが１．５μｍであり、厚さが７０ｎｍのバリアメタル（Ｔｉ膜：２０ｎｍ、ＴｉＮ膜：５０ｎｍ）と、厚さが５００ｎｍのＡｌ膜と、厚さが７８ｎｍの反射防止膜（ＴｉＮ膜：８ｎｍ＋ＴｉＮ膜：７０ｎｍ）とにより構成されている。また、下層配線１２１と下層ダミーパターン１３１との間隔は０．３μｍ、上層配線１２５と上層ダミーパターン１３２との間隔は０．３μｍである。
【００７４】
このようなモニタパターンでは、下層配線１２１の反射防止膜の下の部分、及び上層配線のバリアメタルの上の部分にくびれが発生しやすくなる（図５参照）。これらのくびれによる抵抗の上昇を電気的に検出して、くびれの有無及び程度を知ることができる。
【００７５】
図２４は第７の実施の形態の変形例のモニタパターンを示す上面図、図２５（ａ）は図２４のＩ−Ｉ線による断面図、図２５（ｂ）は図２４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００７６】
第７の実施の形態では、下層配線１２１をそれぞれ独立した下層ダミーパターン１３１で囲み、上層配線１２５をそれぞれ独立した上層ダミーパターン１３２で囲んでいたが、図２４，図２５に示すように、下層配線１２１を連続した下層ダミーパターン１３３で囲み、上層配線１２５を連続したダミーパターン１３４で囲むようにしてもよい。これにより、図２２，図２３に示すモニタパターンに比べて占有面積を約５０％縮小することが可能になる。
【００７７】
（第８の実施の形態）
図２６は本発明の第８の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図２７（ａ）は図２６のＩ−Ｉ線による断面図、図２７（ｂ）は図２６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図２６，図２７において、図６，図７と同一物には同一符号を付している。
【００７８】
本実施の形態においても、半導体基板１０１には不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が設けられている。また、層間絶縁膜１０４の上には複数の配線（抵抗体）１０６が形成されている。これらの拡散抵抗１０３及び配線１０６は、複数回ターン（図では２回）する１本の仮想線１４０に沿って交互に配置されている。　また、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により拡散抵抗１０３及び配線１０６が電気的に直列接続されている。
【００７９】
更に、層間絶縁膜１０４の上には、配線１０６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン１４１が形成されている。このダミーパターン１４１は、配線１０６と同じ配線層に形成されている。また、ダミーパターン１４１と配線１０６との間隔は、例えば０．３μｍに設定されている。
【００８０】
本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、配線１０６の近傍にダミーパターン１４１を形成しているので、くびれ等の有無及び程度を高感度で検出することができる。
【００８１】
（第９の実施の形態）
図２８は本発明の第９の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図２９（ａ）は図２８のＩ−Ｉ線による断面図、図２９（ｂ）は図２８のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図２８，図２９において、図１４，図１５と同一物には同一符号を付している。
【００８２】
半導体基板１０１上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）１２１が形成されている。これらの下層配線１２１は第２の層間絶縁膜１２３に覆われている。
【００８３】
第２の層間絶縁膜１２３の上には、複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、複数回ターン（図では２回）する１本の仮想線１４０に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜１２３には複数のコンタクトビア１２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１２４により下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
【００８４】
下層配線１２１と同じ配線層には、各下層配線１２１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン１４２が形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層には、各上層配線１２５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン１４３が形成されている。但し、モニタパターンの末端に位置する上層配線１２５は、上層ダミーパターン１４３の切り欠き部を通って上層ダミーパターン１４３の外側に延出している。
【００８５】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線１２１及び上層配線１２５と下層ダミーパターン１４２及び上層ダミーパターン１４３との間隔を設定する。これにより、第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
（第１０の実施の形態）
図３０は本発明の第１０の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図３１（ａ）は図３０のＩ−Ｉ線による断面図、図３１（ｂ）は図３０のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図３０，図３１において、図６，図７と同一物には同一符号を付している。
【００８７】
本実施の形態においても、半導体基板１０１には不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が設けられている。また、層間絶縁膜１０４の上には複数の配線（抵抗体）１０６が形成されている。これらの拡散抵抗１０３及び配線１０６は、複数回ターン（図では２回）する１本の仮想線１４０に沿って交互に配置されている。また、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により配線１０６及び拡散抵抗１０３が電気的に直列接続されている。
【００８８】
更に、層間絶縁膜１０４の上には、各配線１０６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン１４５が形成されている。このダミーパターン１４５は、配線１０６と同じ配線層に形成されている。
【００８９】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて配線１０６とダミーパターン１４５との間隔を設定する。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９０】
（第１１の実施の形態）
図３２は本発明の第１１の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図３３（ａ）は図３２のＩ−Ｉ線による断面図、図３３（ｂ）は図３２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図３２，図３３において、図１４，図１５と同一物には同一符号を付している。
【００９１】
半導体基板１０１の上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）１２１が形成されている。これらの下層配線１２１は第２の層間絶縁膜１２３に覆われており、第２の層間絶縁膜１２３の上には複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。
【００９２】
これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、複数回ターン（図では２回）した仮想線１４０に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜１２３には複数のコンタクトビア１２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１２４により下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
下層配線１２１と同じ配線層には、各下層配線１２１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン１４６が形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層には、各上層配線１２５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン１４７が形成されている。
【００９３】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線１２１と下層ダミーパターン１４６との間隔、及び上層配線１２５と上層ダミーパターン１４７との間隔を設定する。これにより、第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９４】
（第１２の実施の形態）
図３４は本発明の第１２の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図３５（ａ）は図３４のＩ−Ｉ線による断面図、図３５（ｂ）は図３４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図３４，図３５において、図６，図７と同一物には同一符号を付している。
【００９５】
半導体基板１０１には不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が形成されている。また、層間絶縁膜１０４の上には、複数の配線（抵抗体）１０６が形成されている。これらの拡散抵抗１０３及び配線１０６は、ジグザグ状の仮想線１５０に沿って交互に配置されている。すなわち、配線１０６はいずれも長手方向を水平方向とし、拡散抵抗１０３はいずれも長手方向を垂直方向として配置されている。また、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により配線１０６及び拡散抵抗１０３が電気的に直列接続されている。
【００９６】
更に、層間絶縁膜１０４の上には、各配線１０６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン１５１が形成されている。
【００９７】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線１２１と下層ダミーパターン１５２との間隔、及び上層配線１２５と上層ダミーパターン１５３との間隔を設定する。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
（第１３の実施の形態）
図３６は本発明の第１３の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図３７（ａ）は図３６のＩ−Ｉ線による断面図、図３７（ｂ）は図３６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図３６，図３７において、図１４，図１５と同一物には同一符号を付している。
【００９９】
半導体基板１０１上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）１２１が形成されている。また、第２の層間絶縁膜１２３の上には、複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、ジグザグ状の仮想線１５０に沿って交互に配置されている。すなわち、上層配線１２５はいずれも長手方向を水平方向とし、下層配線１２１はいずれも長手方向を垂直方向として配置されている。
【０１００】
また、第２の層間絶縁膜１２３には複数のコンタクトビア１２４が埋め込まれている。これらのコンタクトビア１２４により、下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
【０１０１】
下層配線１２１と同じ配線層には、各下層配線１２１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン１５２が形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層には、各上層配線１２５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン１５３が形成されている。
【０１０２】
本実施の形態においても、例えば、チップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線１２１と下層ダミーパターン１５２との間隔、及び上層配線１２５と上層ダミーパターン１５３との間隔を設定する。これにより、第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０３】
（第１４の実施の形態）
図３８は本発明の第１４の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図３９（ａ）は図３８のＩ−Ｉ線による断面図、図３９（ｂ）は図３８のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図３８，図３９において、図６，図７と同一物には同一符号を付している。
【０１０４】
半導体基板１０１には不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が設けられている。また、層間絶縁膜１０４の上には、複数の配線（抵抗体）１０６が形成されている。これらの拡散抵抗１０３及び配線１０６は、多数の屈曲部を有する１本の仮想線１６０に沿って交互に配置されている。また、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により配線１０６及び拡散抵抗１０３が電気的に直列接続されている。
【０１０５】
更に、配線１０６と同じ配線層には、各配線１０６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン１６１が形成されている。
【０１０６】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて配線１０６とダミーパターン１６１との間隔を設定する。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態では、拡散抵抗１０３及び配線１０６の向きが単一でないので、水平方向及び垂直方向の位置ずれによる抵抗値の変化を検出することができる。
【０１０７】
（第１５の実施の形態）
図４０は本発明の第１５の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図４１（ａ）は図４０のＩ−Ｉ線による断面図、図４１（ｂ）は図４０のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図４０，図４１において、図１４，図１５と同一物には同一符号を付している。
【０１０８】
半導体基板１０１上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）１２１が形成されている。これらの下層配線１２１は第２の層間絶縁膜１２３に覆われており、第２の層間絶縁膜１２３の上には複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。
【０１０９】
これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、多数の屈曲部を有する１本の仮想線１６０に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜１２３にはコンタクトビア１２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１２４により下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
【０１１０】
下層配線１２１と同じ配線層には、各下層配線１２１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン１６２が形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層にも、各上層配線１２５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン１６３が形成されている。但し、モニタパターンの末端に位置する上層配線１２５は、上層ダミーパターン１６３の切り欠き部を通って上層ダミーパターン１６３の外側に延出している。
【０１１１】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線１２１と下層ダミーパターン１６２との間隔、及び上層配線１２５と上層ダミーパターン１６３との間隔を設定する。これにより、第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態では、下層配線１２１及び上層配線１２５の向きが単一でないので、水平方向及び垂直方向の位置ずれによる抵抗値の変化を検出することができる。
【０１１２】
（第１６の実施の形態）
図４２は本発明の第１６の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図４３（ａ）は図４２のＩ−Ｉ線による断面図、図４３（ｂ）は図４２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図４２，図４３において、図６，図７と同一物には同一符号を付している。
【０１１３】
半導体基板１０１には不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗１０３が設けられている。また、層間絶縁膜１０４の上には、複数の配線（抵抗体）１０６が形成されている。これらの拡散抵抗１０３及び配線１０６は、多数の屈曲部を有する１本の仮想線１７０に沿って交互に配置されている。また、層間絶縁膜１０４には複数のコンタクトビア１０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１０５により配線１０６及び拡散抵抗１０３が電気的に直列接続されている。
【０１１４】
更に、配線１０６と同じ配線層には、各配線１０６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン１７１が形成されている。
【０１１５】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて配線１０６とダミーパターン１７１との間隔を設定する。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１６】
（第１７の実施の形態）
図４４は本発明の第１７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図４５（ａ）は図４４のＩ−Ｉ線による断面図、図４５（ｂ）は図４４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。なお、図４４，図４５において、図１４，図１５と同一物には同一符号を付している。
【０１１７】
半導体基板１０１上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）１２１が形成されている。これらの下層配線１２１は第２の層間絶縁膜１２３に覆われており、第２の層間絶縁膜１２３の上には複数の上層配線（抵抗体）１２５が形成されている。
【０１１８】
これらの下層配線１２１及び上層配線１２５は、多数の屈曲部を有する１本の仮想線１８０に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜１２３にはコンタクトビア１２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア１２４により下層配線１２１及び上層配線１２５が電気的に直列接続されている。
【０１１９】
下層配線１２１と同じ配線層には、各下層配線１２１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン１８１が形成されている。また、上層配線１２５と同じ配線層にも、各上層配線１２５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン１８２が形成されている。但し、モニタパターンの末端に位置する上層配線１２５は、上層ダミーパターン１８２の切り欠き部を通って上層ダミーパターン１８２の外側に延出している。
【０１２０】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線１２１と下層ダミーパターン１８１との間隔、及び上層配線１２５と上層ダミーパターン１８２との間隔を設定する。これにより、第４の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２１】
（第１８の実施の形態）
以下、本発明の第１８の実施の形態について説明する。
【０１２２】
上述した第１〜第１７の実施の形態は、いずれも主にくびれによる異常を検出するためのモニタパターンである。コンタクトビアを有するモニタパターンの抵抗値は、図４６に示すように、コンタクトビアの位置ずれと配線（抵抗体）のくびれの両方の影響を受ける。くびれがなく、かつコンタクトビアの位置ずれもないときには、コンタクトパターンの抵抗が最も低い値となる。位置ずれが発生すると配線とコンタクトビアとの接触面積に応じて抵抗値が変化し、くびれが発生すると抵抗値が全体的に上昇する。
【０１２３】
第１〜第１７の実施の形態では、いずれも抵抗値の上昇がくびれによるものか、又はコンタクトビアの位置ずれによるものかを判別することができない。そこで、本実施の形態においては、一つの半導体基板（ウエハ）上に第１から第３までの３種類のモニタパターンを形成し、各モニタパターンの抵抗値から異常の原因を特定する。
【０１２４】
図４７は第１のモニタパターンの１つのセルを示す上面図、図４８（ａ）は図４７のＩ−Ｉ線による断面図、図４８（ｂ）は図４７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。また、図４９は第２のモニタパターンの１つのセルを示す上面図、図５０（ａ）は図４９のＩ−Ｉ線による断面図、図５０（ｂ）は図４９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。更に、図５１は第３のモニタパターンの１つのセルを示す上面図、図５２（ａ）は図５１のＩ−Ｉ線による断面図、図５２（ｂ）は図５１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。但し、これらの図では、いずれも上層配線の図示を省略している。
【０１２５】
図４７，図４８に示す第１のモニタパターン２１１は、コンタクトビア２０４の位置ずれ（図４７の上下方向の位置ずれ）を検出するためのパターンである。この第１のモニタパターン２１１は、半導体基板２０１の上に第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して形成された複数の下層配線（抵抗体）２０２と、各下層配線２０２をそれぞれ個別に囲むダミーパターン２０３と、これらの下層配線２０２及びダミーパターン２０３を被覆する第２の層間絶縁膜上に形成された上層配線と、下層配線２０２と上層配線とを接続するコンタクトビア２０４とにより構成されている。
【０１２６】
下層配線２０２及び上層配線は、第４の実施の形態（図１４参照）と同様に仮想線に沿って交互に形成される。コンタクトビア２０４は、配線２０２の長手方向の端部から一定の距離だけ内側に入った位置であって、下層配線２０２の幅方向に、例えば下層配線２０２の幅の１／２だけ図４９の紙面上側にずれた位置に配置される。従って、コンタクトビア２０４が図４７の上下方向にずれたときにはコンタクト抵抗が変化し、コンタクトビア２０４が図４７の左右方向にずれたときにはコンタクト抵抗は変化しない。
【０１２７】
図４９，図５０に示す第２のモニタパターン２１２は、コンタクトビア２０４の位置ずれとくびれの両方の影響を検出するためのパターンである。この第２のモニタパターン２１２では、コンタクトビア２０４は下層配線２０２の長手方向の両端部であって、下層配線２０２の幅方向に例えば下層配線２０２の幅の１／２だけずれた位置に配置される。下層配線２０２の端部はくびれの発生しやすい場所である。従って、第２のモニタパターン２１２では、くびれ及びコンタクトビア２０４の位置ずれの少なくとも一方が発生することにより、コンタクト抵抗が上昇する。
【０１２８】
図５１，図５２に示す第３のモニタパターン２１３は、くびれ検出用のパターンである。この第３のモニタパターン２１３では、コンタクトビア２０４は下層配線２０２の長手方向の両端部に整合する位置に配置される。
【０１２９】
本実施の形態においては、第１のモニタパターン２１１の下層配線２０２の幅は０．３μｍ、長さは１．８μｍとする。また、コンタクトビア２０４は、下層配線２０２の両端から０．１５μｍだけ離れ、かつ下層配線２０２の幅方向に０．１５μｍだけずれた位置に配置する。
【０１３０】
第２のモニタパターン２１２の下層配線２０２の幅は０．３μｍ、長さは１．５μｍとする。また、コンタクトビア２０４は、下層配線２０２の幅方向に０．１５μｍだけずれた位置に配置する。第３のモニタパターン２１３の下層配線２０２の幅は０．３μｍ、長さは１．８μｍとする。
【０１３１】
ダミーパターン２０３の幅はいずれも０．３μｍとし、ダミーパターン２０３と下層配線２０２との間隔は０．３μｍとする。
【０１３２】
本実施の形態においては、第１のモニタパターン２１１の５０本の下層配線２０２と５１本の上層配線とを１００個のコンタクトビア２０４で交互に接続する。これと同様に、第２のモニタパターン２１２の５０本の下層配線２０２と５１本の上層配線とを１００個のコンタクトビア２０４で交互に接続し、第３のモニタパターン２１１の５０本の下層配線２０２と５１本の上層配線とを１００個のコンタクトビア２０４で交互に接続する。
【０１３３】
この場合、位置ずれ及びくびれがないときの第３のモニタパターン２１３の抵抗値を０．２３Ωとすると、第１及び第２のモニタパターン２１１，２１２の抵抗値は０．３Ωとなる。
【０１３４】
例えば、コンタクトビア２０４が下層配線２０２の長手方向に位置ずれした場合（但し、位置ずれ量は０．１５μｍ以下）、第１のモニタパターン２１１の抵抗値は変化せず、第２のモニタパターン２０２では抵抗値が例えば０．３９Ω程度上昇し、第３のモニタパターン２１３では抵抗値が０．３Ω程度上昇する。
【０１３５】
コンタクトビア２０４が下層配線２０２の幅方向に位置ずれした場合は、第１〜第３のモニタパターン２１１，２１２，２１３の抵抗値は、いずれも位置ずれ量に応じて変化する。
【０１３６】
また、くびれ発生により、第２及び第３のモニタパターン２１２，２１３の抵抗値は上昇する。例えば、第２のモニタパターン２１２の抵抗値が４４０Ω、第３のモニタパターン２１３の抵抗値が３６０Ωとなる。第１のモニタパターン２１１では、コンタクトビア２０４が配線２０４の端部から離れた位置に配置されているので、第２及び第３のモニタパターン２１２，２１３でくびれが発生しても、第１のモニタパターン２１１ではくびれの発生が回避される。
【０１３７】
従って、検査装置によって抵抗値の異常を検出した場合に、これらの第１〜第３のモニタパターン２１１，２１２，２１３の抵抗値から、異常の原因がコンタクトビアの位置ずれにあるのか、くびれの発生にあるのかを推測することができる。
【０１３８】
（第１９の実施の形態）
図５３は本発明の第１９の実施の形態の半導体装置のモニタパターン２１４の１つのセルを示す平面図、図５４（ａ）は図５３のＩ−Ｉ線による断面図、図５４（ｂ）は図５３のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図５４（ｃ）は図５３のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。なお、この図５３，図５４に示すモニタパターンは、第１８の実施の形態で説明した第２のモニタパターン（図４９，図５０参照）に対応するものであり、半導体基板２０１上には第１８の実施の形態で説明した第１及び第３のモニタパターンも形成する。
【０１３９】
本実施の形態においては、下層配線２０２の一端側のコンタクトビア２０４は、図５３の紙面上側に下層配線２０２の幅の１／２だけずれた位置に配置される。また、下層配線２０２の他端側のコンタクトビア２０４は、図５３の紙面下側に下層配線２０２の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１４０】
本実施の形態においては、コンタクトビア２０４の上下方向の位置ずれだけでなく、回転方向（図５３に矢印で示す方向）の位置ずれを検出することができる。
【０１４１】
（第２０の実施の形態）
図５５は本発明の第２０の実施の形態の半導体装置のモニタパターンの１つのセルを示す平面図、図５６（ａ）は図５５のＩ−Ｉ線による断面図、図５６（ｂ）は図５５のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図５６（ｃ）は図５５のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。なお、この図５５，図５６に示すモニタパターン２１５は、第１８の実施の形態で説明した第１のモニタパターン（図４７，図４８参照）に対応するものであり、半導体基板２０１上には第１８の実施の形態で説明した第２及び第３のモニタパターンも形成する。
【０１４２】
本実施の形態においては、下層配線２０２の一端側のコンタクトビア２０４は、配線２０２の一端から一定の距離だけ離れた位置であって、図５５の紙面上側に下層配線２０２の幅の１／２だけずれた位置に配置される。また、下層配線２０２の他端側のコンタクトビア２０４は、配線２０２の他端から一定の距離だけ離れた位置であって、図５５の紙面下側に下層配線２０２の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１４３】
本実施の形態においても、コンタクトビア２０４の上下方向の位置ずれだけでなく、回転方向（図５５に矢印で示す方向）の位置ずれを検出することができる。
【０１４４】
（第２１の実施の形態）
以下、本発明の第２１の実施の形態について説明する。本実施の形態においても、半導体基板に第１から第３までの３種類のモニタパターンを形成する。
【０１４５】
図５７は本発明の第２１の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターン２３１を示す上面図、図５８（ａ）は図５７のＩ−Ｉ線による断面図、図５８（ｂ）は図５７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１４６】
半導体基板２０１は、素子分離膜２２２により複数の素子領域に分離されている。素子領域には、半導体基板２０１に不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗２２３が設けられている。また、半導体基板２０１の上には、層間絶縁膜２２４が形成されている。この層間絶縁膜２２４の上には、複数の配線（抵抗体）２２６が形成されている。
【０１４７】
これらの拡散抵抗２２３及び配線２２６は、直線に沿って交互に配置されている。また、層間絶縁膜２２４には複数のコンタクトビア２２５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア２２５により配線２２６及び拡散抵抗２２３が電気的に直列接続されている。
【０１４８】
更に、層間絶縁膜２２４の上には、各配線２２６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン２２７が形成されている。このダミーパターン２２７は、配線２２６と同じ配線層に形成されている。
【０１４９】
第１のモニタパターン２３１においては、コンタクトビア２２５は、配線２２６の長手方向の端部から一定の距離だけ内側に入った位置であって、配線２２６の幅方向に配線２２６の幅の１／２だけ図５７の紙面上側にずれた位置に配置される。
【０１５０】
この第１のモニタパターン２３１は、コンタクトビア２２５の位置ずれ（図５７の上下方向の位置ずれ）を検出するためのパターンである。
【０１５１】
図５９は本実施の形態の第２のモニタパターン２３２を示す上面図、図６０（ａ）は図５９のＩ−Ｉ線による断面図、図６０（ｂ）は図５９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１５２】
第２のモニタパターン２３２も、拡散抵抗２２３と、配線（抵抗体）２２６と、コンタクトビア２２５と、ダミーパターン２２７とにより構成される。コンタクトビア２２５は、配線２２６の長手方向の両端部であって、配線２２６の幅方向に配線２２６の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１５３】
この第２のモニタパターン２３２は、コンタクトビア２２５の位置ずれとくびれの両方の影響を検出するためのパターンである。
【０１５４】
図６１は本実施の形態の第３のモニタパターン２３３を示す上面図、図６２（ａ）は図６１のＩ−Ｉ線による断面図、図６２（ｂ）は図６１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１５５】
第３のモニタパターン２３３も、拡散抵抗２２３と、配線（抵抗体）２２６と、コンタクトビア２２５と、ダミーパターン２２７とにより構成される。コンタクトビア２２５は、配線２２６の長手方向の両端部に整合する位置に配置される。この第３のモニタパターン２３３は、くびれ検出用のパターンである。
【０１５６】
これらの第１〜第３のモニタパターン２３１〜２３３において、拡散抵抗２２３は例えばトランジスタのソース／ドレインとなる不純物拡散層と同時に形成する。また、コンタクトビア２２５は素子形成部のコンタクトビアと同時に形成し、配線２２６及びダミーパターン２２７は素子形成部の配線と同時に形成する。更に、配線２２６とダミーパターン２２７との間隔は、例えばチップ形成部における配線の最小間隔に応じて設定する。
【０１５７】
本実施の形態においても、検査装置によって抵抗値の異常を検出した場合に、これらの第１〜第３のモニタパターン２３１，２３２，２３３の抵抗値から、異常の原因がコンタクトビアの位置ずれにあるのか、くびれの発生にあるのかを推測することができる。
【０１５８】
（第２２の実施の形態）
以下、本発明の第２２の実施の形態について説明する。本実施の形態においても、半導体基板に第１から第３までの３種類のモニタパターンを形成する。
【０１５９】
図６３は本発明の第２２の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターン２５１を示す上面図、図６４（ａ）は図６３のＩ−Ｉ線による断面図、図６４（ｂ）は図６３のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１６０】
半導体基板２０１上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）２４１が形成されている。これらの下層配線２４１は第２の層間絶縁膜２４３に覆われており、第２の層間絶縁膜２４３の上には複数の上層配線（抵抗体）２４５が形成されている。
【０１６１】
これらの下層配線２４１及び上層配線２４５は仮想線に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜２４３には複数のコンタクトビア２４４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア２４４により下層配線２４１及び上層配線２４５が電気的に直列接続されている。但し、第１のモニタパターン２５１では、コンタクトビア２４４は、図６３に示すように、下層配線２４１と上層配線２４５との重なり部分よりも下層配線２４１の内側に下層配線２４１の幅の１／２だけずれた位置であって、図６３の紙面上側に下層配線２４１の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１６２】
下層配線２４１と同じ配線層には、各下層配線２４１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン２４２が形成されている。また、上層配線２４５と同じ配線層にも、各上層配線２４５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン２４６が形成されている。
【０１６３】
この第１のモニタパターン２５１は、コンタクトビア２４４の位置ずれを検出するためのパターンである。
【０１６４】
図６５は本実施の形態の半導体装置の第２のモニタパターン２５２を示す上面図、図６６（ａ）は図６５のＩ−Ｉ線による断面図、図６６（ｂ）は図６５のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１６５】
第２のモニタパターン２５２も、下層配線２４１と、上層配線２４５と、コンタクトビア２４４と、下層ダミーパターン２４２と、上層ダミーパターン２４６とにより構成される。コンタクトビア２４４は、下層配線２４１の両端部であって、下層配線２４１の幅の１／２だけ図６５の紙面上側にずれた位置に配置される。
【０１６６】
この第２のモニタパターン２５２は、コンタクトビア２４４の位置ずれとくびれの両方の影響を検出するためのパターンである。
【０１６７】
図６７は本実施の形態の半導体装置の第３のモニタパターン２５３を示す上面図、図６８（ａ）は図６７のＩ−Ｉ線による断面図、図６８（ｂ）は図６７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１６８】
第３のモニタパターン２５３も、下層配線２４１と、上層配線２４５と、コンタクトビア２４４と、下層ダミーパターン２４２と、上層ダミーパターン２４６とにより構成される。コンタクトビア２４４は、下層配線２４１の両端部に整合する位置に配置される。この第３のモニタパターン２５３は、くびれ検出用のパターンである。
【０１６９】
これらの第１〜第３のモニタパターン２５１〜２５３において、下層配線２４１及び下層ダミーパターン２４２はチップ形成部の下層配線と同時に形成し、コンタクトビア２４４はチップ形成部のコンタクトビアと同時に形成し、上層配線２４５及び上層ダミーパターン２４６はチップ形成部の上層配線と同時に形成する。
【０１７０】
本実施の形態においても、検査装置によって抵抗値の異常を検出した場合に、これらの第１〜第３のモニタパターン２５１，２５２，２５３の抵抗値から、異常の原因がコンタクトビアの位置ずれにあるのか、くびれの発生にあるのかを推測することができる。
【０１７１】
（第２３の実施の形態）
以下、本発明の第２３の実施の形態について説明する。本実施の形態においても、半導体基板に第１から第３までの３種類のモニタパターンを形成する。
【０１７２】
図６９は本発明の第２３の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターン２６１を示す上面図、図７０（ａ）は図６９のＩ−Ｉ線による断面図、図７０（ｂ）は図６９のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図７０（ｃ）は図６９のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。なお、これらの図において、図５７，図５８と同一物には同一符号を付している。
【０１７３】
第１のモニタパターン２６１は、半導体基板２０１に形成された拡散抵抗２２３と、半導体基板２０１上に形成された配線（抵抗体）２２６と、層間絶縁膜２２４に埋め込まれたコンタクトビア２２５と、各配線２２６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン２２７とにより構成される。
【０１７４】
配線２２６の一端側のコンタクトビア２２５は、配線２２６の一端から内側に一定の距離だけ離れた位置であって、図６９の紙面上側に配線２２６の幅の１／２だけずれた位置に配置される。また、配線２２６の他端側のコンタクトビア２２５は、配線２２６の他端から内側に一定の距離だけ離れた位置であって、図６９の紙面下側に配線２２６の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１７５】
図７１は第２のモニタパターン２６２を示す上面図、図７２（ａ）は図７１のＩ−Ｉ線による断面図、図７２（ｂ）は図７１のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図７２（ｃ）は図７１のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【０１７６】
第２のモニタパターン２６２も、拡散抵抗２２３と、配線２２６と、コンタクトビア２２５と、ダミーパターン２２７とにより構成されている。
【０１７７】
配線２２６の一端側のコンタクトビア２２５は、図７１の紙面上側に配線２２６の幅の１／２だけずれた位置に配置される。また、配線２２６の他端側のコンタクトビア２２５は、図７１の紙面下側に配線２２６の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１７８】
第３のモニタパターンは、図６１，図６２に示したものと同一であるので、ここでは説明を省略する。
【０１７９】
本実施の形態においては、第２１の実施の形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、回転方向のコンタクトビアのずれを検出できるという効果が得られる。
【０１８０】
（第２４の実施の形態）
以下、本発明の第２４の実施の形態について説明する。本実施の形態においても、半導体基板に第１から第３までの３種類のモニタパターンを形成する。
【０１８１】
図７３は本発明の第２４の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターン２７１を示す上面図、図７４（ａ）は図７３のＩ−Ｉ線による断面図、図７４（ｂ）は図７３のＩＩーＩＩ線による断面図、図７４（ｃ）は図７３のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。なお、これらの図において、図６３，図６４と同一物には同一符号を付している。
【０１８２】
第１のモニタパターン２７１は、半導体基板２０１上に形成された下層配線（抵抗体）２４１と、層間絶縁膜２４３上に形成された上層配線（抵抗体）２４５と、層間絶縁膜２４３に埋め込まれたコンタクトビア２４４と、下層配線２４１と同一の配線層に形成されて各下層配線２４１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン２４２と、上層配線２４５と同一の配線層に形成されて各上層配線２４５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン２４６とにより構成さる。
【０１８３】
下層配線２４１の一端側のコンタクトビア２４４は、下層配線２４１の一端から内側に一定の距離だけ離れた位置であって、図７３の紙面上側に下層配線２４１の幅の１／２だけずれた位置に配置される。また、下層配線２４１の他端側のコンタクトビア２４４は、下層配線２４１の他端から内側に一定の距離だけ離れた位置であって、図７３の紙面下側に下層配線２４１の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１８４】
図７５は第２のモニタパターン２７２を示す上面図、図７６（ａ）は図７５のＩ−Ｉ線による断面図、図７６（ｂ）は図７５のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図７６（ｃ）は図７５のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【０１８５】
第２のモニタパターン２７２も、下層配線２４１と、上層配線２４５と、コンタクトビア２４４と、下層ダミーパターン２４２と、上層ダミーパターン２４６とにより構成される。
【０１８６】
下層配線２４１の一端側のコンタクトビア２４４は、図７６の紙面上側に下層配線２４１の幅の１／２だけずれた位置に配置される。また、下層配線２４１の他端側のコンタクトビア２４４は、図７６の紙面下側に下層配線２４１の幅の１／２だけずれた位置に配置される。
【０１８７】
第３のモニタパターンは、図６７，図６８に示したものと同一であるので、ここでは説明を省略する。
【０１８８】
本実施の形態においては、第２２の実施の形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、回転方向のコンタクトビアのずれを検出できるという効果が得られる。
【０１８９】
（第２５の実施の形態）
図７７は本発明の第２５の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図７８（ａ）は図７７のＩ−Ｉ線による断面図、図７８（ｂ）は図７７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１９０】
本実施の形態においては、図５７〜図６２に示す第１〜第３のモニターパターン２３１〜２３３のセルを組み合わせて１つのモニタパターンを構成している。すなわち、半導体基板３０１は、素子分離膜３０２により複数の素子領域に分離されている。素子領域には、半導体基板３０１に不純物を高濃度に導入して形成された複数の拡散抵抗３０３が設けられている。また、半導体基板３０１の上には層間絶縁膜３０４が形成されている。この層間絶縁膜３０４の上には、複数の配線３０６が形成されている。
【０１９１】
これらの拡散抵抗３０３及び配線３０６は、多数の屈曲部を有する１本の仮想線３００に沿って交互に配置されている。また、層間絶縁膜３０４には複数のコンタクトビア３０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア３０５により配線３０６及び拡散抵抗３０３が電気的に直列接続されている。但し、本実施の形態においては、第２１の実施の形態で説明した第１〜第３のモニタパターン２３１〜２３３を組み合わせて一つのモニタパターンとしている。
【０１９２】
（第２６の実施の形態）
図７９は本発明の第２６の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図８０（ａ）は図７９のＩ−Ｉ線による断面図、図８０（ｂ）は図７９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１９３】
本実施の形態においては、図６３〜図６８に示す第１〜第３のモニターパターン２５１〜２５３のセルを組み合わせて１つのモニタパターンを構成している。すなわち、半導体基板４０１上には、第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）４２１が形成されている。これらの下層配線４２１は第２の層間絶縁膜４２３に覆われており、第２の層間絶縁膜４２３の上には複数の上層配線（抵抗体）４２５が形成されている。
【０１９４】
これらの下層配線４２１及び上層配線４２５は、複数の屈曲部を有する１本の仮想線４２０に沿って交互に配置されている。また、第２の層間絶縁膜４２３には複数のコンタクトビア４２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア４２４により下層配線４２１及び上層配線４２５が電気的に直列接続されている。但し、本実施の形態においては、第２２の実施の形態で説明した第１〜第３のモニタパターン２５１〜２５３を組み合わせて一つのモニタパターンとしている。
【０１９５】
下層配線４２１と同じ配線層には、各下層配線４２１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン４２２が形成されている。また、上層配線４２５と同じ配線層は、各上層配線４２５をそれぞれ個別に囲む格子状の上層ダミーパターン４２６が形成されている。但し、モニタパターンの末端に位置する上層配線４２５は、上層ダミーパターン４２６の切り欠き部から上層ダミーパターン４２６の外側に延出している。
【０１９６】
（第２７の実施の形態）
以下、本発明の第２７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンについて説明する。
【０１９７】
例えば、第６の実施の形態ではセルを直線状に配列させてモニタパターンを構成している。これに対し、本実施の形態では、図８１にセルの上面図を示すように、モニタパターンの延出方向に対し角度θだけセルを傾けて配置する。
【０１９８】
図８２は本発明の第２７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図８３（ａ）は図８２のＩ−Ｉ線による断面図、図８３（ｂ）は図８２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０１９９】
半導体基板５０１は素子分離膜５０２により複数の素子領域に分離されている。素子領域には、半導体基板５０１に不純物を高濃度に導入して形成された拡散抵抗５０３が設けられている。また、半導体基板５０１の上には層間絶縁膜５０４が形成されている。この層間絶縁膜５０４の上には複数の配線（抵抗体）５０６が形成されている。
【０２００】
これらの拡散抵抗５０３及び配線５０６は、ジグザグに屈曲しながらモニタパターンの延出方向に延びる１本の仮想線５００に沿って交互に配置されている。なお、相互に隣り合う配線５０６は、それらの中心線が９０°の角度で交わるように配置されている。また、層間絶縁膜５０４には複数のコンタクトビア５０５が埋め込まれており、これらのコンタクトビア５０５により配線５０６及び拡散抵抗５０３が電気的に直列接続されている。
【０２０１】
更に、層間絶縁膜５０４の上には、各配線５０６をそれぞれ個別に囲む格子状のダミーパターン５０７が形成されている。このダミーパターン５０７は、配線５０６と同じ配線層に形成されており、配線５０６との間隔が例えば０．３μｍに設定されている。
【０２０２】
本実施の形態においても、拡散抵抗５０３はチップ形成部のトランジスタのソース／ドレインと同時に形成し、コンタクトビア５０５はチップ形成部のコンタクトビアと同時に形成し、配線５０６及びダミーパターン５０７はチップ形成部の配線と同時に形成する。
【０２０３】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて配線５０６とダミーパターン５０７との間隔を設定する。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０２０４】
（第２８の実施の形態）
図８４は本発明の第２７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図、図８５（ａ）は図８４のＩ−Ｉ線による断面図、図８５（ｂ）は図８４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【０２０５】
半導体基板５０１の上には第１の層間絶縁膜（図示せず）を介して複数の下層配線（抵抗体）５２１が形成されている。これらの下層配線５２１は第２の層間絶縁膜５２３に覆われており、第２の層間絶縁膜５２３の上には複数の上層配線（抵抗体）５２５が形成されている。
【０２０６】
これらの下層配線５２１及び上層配線５２５は、ジグザグに屈曲しながらモニタパターンの延出方向に延びる１本の仮想線５２０に沿って交互に配置されている。なお、相互に隣り合う下層配線５２１は、それらの中心線が９０°の角度で交わるように配置されている。
【０２０７】
第２の層間絶縁膜５２３には複数のコンタクトビア５２４が埋め込まれており、これらのコンタクトビア５２４により下層配線５２１及び上層配線５２５が電気的に直列接続されている。
【０２０８】
下層配線５２１と同じ配線層には、各下層配線５２１をそれぞれ個別に囲む格子状の下層ダミーパターン５２２が形成されている。また、上層配線５２５と同じ配線層には、各上層配線５２５をそれぞれ個別に囲む上層ダミーパターン５２６が形成されている。但し、モニタパターンの末端に位置する上層配線５２５は、上層ダミーパターン５２６の切り欠き部を通って上層ダミーパターン５２６の外側に延出している。
【０２０９】
本実施の形態においても、下層配線５２１及び下層ダミーパターン５２２はチップ形成部の下層配線と同時に形成し、コンタクトビア５２４はチップ形成部のコンタクトビアと同時に形成し、上層配線５２５及び上層ダミーパタン５２６はチップ形成部の上層配線と同時に形成する。
【０２１０】
本実施の形態においても、例えばチップ形成部の配線間の最小間隔に応じて下層配線５２１と下層ダミーパターン５２２との間隔、及び上層配線５２５と上層ダミーパターン５２６との間隔を設定する。これにより、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０２１１】
（付記１）半導体装置を構成する素子と共に形成されて製造工程に起因する不具合の有無を検出する半導体装置のモニタパターンにおいて、半導体基板上に形成された抵抗体と、前記抵抗体と同一の配線層に前記抵抗体に近接して形成されたダミーパターンとを有することを特徴とする半導体装置のモニタパターン。
【０２１２】
（付記２）半導体装置を構成する素子と共に形成されて製造工程に起因する不具合の有無を検出する半導体装置のモニタパターンにおいて、半導体基板に不純物を導入して形成された複数の拡散抵抗と、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成された複数の抵抗体と、前記絶縁膜に埋め込まれて前記複数の拡散抵抗と前記複数の抵抗体とを直列接続する複数のコンタクトビアと、前記抵抗体と同一の配線層に前記抵抗体に近接して形成されたダミーパターンとを有することを特徴とする半導体装置のモニタパターン。
【０２１３】
（付記３）前記抵抗体及び前記ダミーパターンが、前記半導体装置の素子に接続した配線と同一材料により形成されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２１４】
（付記４）前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間隔が、設計基準により決まる配線間の最小間隔と同一に設定されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２１５】
（付記５）前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間隔が、チップ形成部の配線間の最小間隔に応じて設定されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２１６】
（付記６）前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間をエッチングするときのアスペクト比（抵抗体材料の厚さ＋マスク材の厚さ／抵抗体とダミーパターンとの距離）が３以上であることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２１７】
（付記７）前記ダミーパターンが、前記抵抗体の先端から前記抵抗体の幅の１／２以上延出していることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２１８】
（付記８）前記ダミーパターンが、前記複数の抵抗体を個別に囲む格子状に形成されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２１９】
（付記９）前記ダミーパターンが、前記抵抗体の先端部を三方から囲む形状に形成され、前記抵抗体と前記ダミーパターンとのオーバーラップが前記抵抗体の幅の１／２以上であることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２０】
（付記１０）前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部に配置されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２１】
（付記１１）前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部から内側に一定の距離だけ離れた位置に配置されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２２】
（付記１２）前記コンタクトビアが、前記抵抗体の中心線よりも前記抵抗体の幅方向にずれた位置に配置されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２３】
（付記１３）前記ダミーパターンが、前記コンタクトビアが前記抵抗体の端部から内側に一定の距離だけ離れ、且つ前記抵抗体の中心線よりも前記抵抗体の幅方向にずれた位置に配置された第１のセルと、前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部であって前記抵抗体の中心線よりも前記抵抗体の幅方向にずれた位置に配置された第２のセルと、前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部に配置された第３のセルとにより構成されていることを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２４】
（付記１４）前記抵抗体の中心線が、モニタパターンの延出方向に対し斜めに交差することを特徴とする付記２に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２５】
（付記１５）半導体装置を構成する素子と共に形成されて製造工程に起因する不具合の有無を検出する半導体装置のモニタパターンにおいて、半導体基板上に形成された複数の第１の抵抗体と、前記半導体基板上に形成されて前記第１の抵抗体を被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された複数の第２の抵抗体と、前記層間絶縁膜に埋め込まれて前記複数の第１の抵抗体と前記複数の第２の抵抗体とを直列接続する複数のコンタクトビアと前記第１の抵抗体及び前記第２の抵抗体の少なくとも一方の抵抗体と同一の配線層に前記抵抗体に近接して形成されたダミーパターンとを有することを特徴とする半導体装置のモニタパターン。
【０２２６】
（付記１６）前記第１及び第２の抵抗体並びに前記ダミーパターンが、前記半導体素子に接続した配線と同一材料により形成されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２７】
（付記１７）前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間隔が、設計基準により決まる配線間の最小間隔と同一に設定されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２８】
（付記１８）前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間隔が、チップ形成部の配線間の最小間隔に応じて設定されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２２９】
（付記１９）前記抵抗体と前記ダミーパターンとの間をエッチングするときのアスペクト比（抵抗体材料の厚さ＋マスク材の厚さ／抵抗体とダミーパターンとの距離）が３以上であることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３０】
（付記２０）前記ダミーパターンが、前記抵抗体の先端から前記抵抗体の幅の１／２以上延出していることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３１】
（付記２１）前記ダミーパターンが、前記複数の抵抗体を個別に囲む格子状に形成されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３２】
（付記２２）前記ダミーパターンが、前記抵抗体の先端部を三方から囲む形状に形成され、前記抵抗体と前記ダミーパターンとのオーバーラップが前記抵抗体の幅の１／２以上であることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３３】
（付記２３）前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部に配置されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３４】
（付記２４）前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部から内側に一定の距離だけ離れた位置に配置されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３５】
（付記２５）前記コンタクトビアが、前記抵抗体の中心線よりも前記抵抗体の幅方向にずれた位置に配置されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３６】
（付記２６）前記ダミーパターンが、前記コンタクトビアが前記抵抗体の端部から内側に一定の距離だけ離れ、且つ前記抵抗体の中心線よりも前記抵抗体の幅方向にずれた位置に配置された第１のセルと、前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部であって前記抵抗体の中心線よりも前記抵抗体の幅方向にずれた位置に配置された第２のセルと、前記コンタクトビアが、前記抵抗体の端部に配置された第３のセルとにより構成されていることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３７】
（付記２７）前記抵抗体の中心線が、モニタパターンの延出方向に対し斜めに交差することを特徴とする付記１５に記載の半導体装置のモニタパターン。
【０２３８】
（付記２８）半導体装置を構成する素子及び配線の形成と共に、半導体基板のチップ形成部以外の領域に付記１乃至２７のいずれか１項に記載のモニタパターンを形成し、前記モニタパターンを電気的に検査して、前記半導体装置の配線の異常を検出することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２３９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置のモニタパターンによれば、抵抗体と同一の配線層に抵抗体に近接してダミーパターンを配置しているので、モニタパターンにおけるくびれやコンタクト異常の発生割合がチップ形成部における発生割合と同じになる。従って、モニタパターンの電気的検査により、チップ形成部における配線又はコンタクト部の異常を精度よく検出することができる。また、その結果を製造工程にフィードバックして適正な製造条件（エッチング条件等）を維持することにより、半導体装置の品質の向上及び製造歩留の向上という効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は従来の半導体装置に設けられたモニタパターンの一例を示す上面図、図１（ｂ）は同じくその断面図である。
【図２】図２は、従来のモニタパターンの他の例を示す上面図である。
【図３】図３（ａ）はパターン占有率とくびれの発生頻度との関係を示す図、図３（ｂ）は配線のくびれ（アンダーカット）を示す模式断面図である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は不良が発生しやすいパターンの例を示す上面図、図４（ｃ）、（ｄ）は同じくその斜視図である。
【図５】図５は、最も不良が発生しやすいと考えられる配線構造の例を示す模式断面図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図７】図７（ａ）は図６のＩ−Ｉ線による断面図、図７（ｂ）は図６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図８】図８は、くびれの発生の可能性をアスペクト比に関連付けて数値的に評価した結果を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図１０】図１０（ａ）は図９のＩ−Ｉ線による断面図、図１０（ｂ）は図９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図１１】図１１は、モニタパターンの折り返し部におけるダミーパターンと配線との好ましい関係を示す模式図である。
【図１２】図１２（ａ）は本発明の第３の実施の形態の半導体装置のモニタパターンの一部（セル）を示す上面図、図１２（ｂ）は同じくその斜視図である。
【図１３】図１３は、第３の実施の形態の変形例を示す上面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第４の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図１５】図１５（ａ）は図１４のＩ−Ｉ線による断面図、図１５（ｂ）は図１４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第５の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図１７】図１７（ａ）は図１６のＩ−Ｉ線による断面図、図１７（ｂ）は図１６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第６の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図１９】図１９（ａ）は図１８のＩ−Ｉ線による断面図、図１９（ｂ）は図１８のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図２０】図２０は、第６の実施の形態の変形例のモニタパターンを示す平面図である。
【図２１】図２１（ａ）は図２０のＩ−Ｉ線による断面図、図２１（ｂ）は図２０のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図２２】図２２は本発明の第７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図２３】図２３（ａ）は図２２のＩ−Ｉ線による断面図、図２３（ｂ）は図２２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図２４】図２４は、第７の実施の形態の変形例のモニタパターンを示す上面図である。
【図２５】図２５（ａ）は図２４のＩ−Ｉ線による断面図、図２５（ｂ）は図２４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第８の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図２７】図２７（ａ）は図２６のＩ−Ｉ線による断面図、図２７（ｂ）は図２６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の第９の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図２９】図２９（ａ）は図２８のＩ−Ｉ線による断面図、図２９（ｂ）は図２８のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３０】図３０は、本発明の第１０の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図３１】図３１（ａ）は図３０のＩ−Ｉ線による断面図、図３１（ｂ）は図３０のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３２】図３２は本発明の第１１の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図３３】図３３（ａ）は図３２のＩ−Ｉ線による断面図、図３３（ｂ）は図３２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３４】図３４は、本発明の第１２の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図３５】図３５（ａ）は図３４のＩ−Ｉ線による断面図、図３５（ｂ）は図３４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３６】図３６は、本発明の第１３の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図３７】図３７（ａ）は図３６のＩ−Ｉ線による断面図、図３７（ｂ）は図３６のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図３８】図３８は、本発明の第１４の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図３９】図３９（ａ）は図３８のＩ−Ｉ線による断面図、図３９（ｂ）は図３８のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図４０】図４０は、本発明の第１５の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図４１】図４１（ａ）は図４０のＩ−Ｉ線による断面図、図４１（ｂ）は図４０のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図４２】図４２は、本発明の第１６の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図４３】図４３（ａ）は図４２のＩ−Ｉ線による断面図、図４３（ｂ）は図４２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図４４】図４４は、本発明の第１７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図４５】図４５（ａ）は図４４のＩ−Ｉ線による断面図、図４５（ｂ）は図４４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図４６】図４６は、位置ずれの程度とくびれの有無による抵抗値の変化を示す図である。
【図４７】図４７は、本発明の第１８の実施の形態における第１のモニタパターンの１つのセルを示す上面図である。
【図４８】図４８（ａ）は図４７のＩ−Ｉ線による断面図、図４８（ｂ）は図４７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図４９】図４９は、第１８の実施の形態における第２のモニタパターンの１つのセルを示す上面図である。
【図５０】図５０（ａ）は図４９のＩ−Ｉ線による断面図、図５０（ｂ）は図４９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図５１】図５１は、第１８の実施の形態における第３のモニタパターンの１つのセルを示す上面図である。
【図５２】図５２（ａ）は図５１のＩ−Ｉ線による断面図、図５２（ｂ）は図５１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図５３】図５３は、本発明の第１９の実施の形態の半導体装置のモニタパターンの１つのセルを示す平面図である。
【図５４】図５４（ａ）は図５３のＩ−Ｉ線による断面図、図５４（ｂ）は図５３のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図５４（ｃ）は図５３のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図５５】図５５は、本発明の第２０の実施の形態の半導体装置のモニタパターンの１つのセルを示す平面図である。
【図５６】図５６（ａ）は図５５のＩ−Ｉ線による断面図、図５６（ｂ）は図５５のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図５６（ｃ）は図５５のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図５７】図５７は、本発明の第２１の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターン２３１を示す上面図である。
【図５８】図５８（ａ）は図５７のＩ−Ｉ線による断面図、図５８（ｂ）は図５７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図５９】図５９は、第２１の実施の形態の第２のモニタパターンを示す上面図である。
【図６０】図６０（ａ）は図５９のＩ−Ｉ線による断面図、図６０（ｂ）は図５９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図６１】図６１は、第２１の実施の形態の第３のモニタパターンを示す上面図である。
【図６２】図６２（ａ）は図６１のＩ−Ｉ線による断面図、図６２（ｂ）は図６１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図６３】図６３は、本発明の第２２の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターンを示す上面図である。
【図６４】図６４（ａ）は図６３のＩ−Ｉ線による断面図、図６４（ｂ）は図６３のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図６５】図６５は、第２２の実施の形態の半導体装置の第２のモニタパターンを示す上面図である。
【図６６】図６６（ａ）は図６５のＩ−Ｉ線による断面図、図６６（ｂ）は図６５のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図６７】図６７は、第２２の実施の形態の半導体装置の第３のモニタパターンを示す上面図である。
【図６８】図６８（ａ）は図６７のＩ−Ｉ線による断面図、図６８（ｂ）は図６７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図６９】図６９は、本発明の第２３の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターンを示す上面図である。
【図７０】図７０（ａ）は図６９のＩ−Ｉ線による断面図、図７０（ｂ）は図６９のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図７０（ｃ）は図６９のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図７１】図７１は、第２３の実施の形態の第２のモニタパターンを示す上面図である。
【図７２】図７２（ａ）は図７１のＩ−Ｉ線による断面図、図７２（ｂ）は図７１のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図７２（ｃ）は図７１のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図７３】図７３は、本発明の第２４の実施の形態の半導体装置の第１のモニタパターンを示す上面図である。
【図７４】図７４（ａ）は図７３のＩ−Ｉ線による断面図、図７４（ｂ）は図７３のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図７４（ｃ）は図７３のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図７５】図７５は第２４の実施の形態の第２のモニタパターンを示す上面図である。
【図７６】図７６（ａ）は図７５のＩ−Ｉ線による断面図、図７６（ｂ）は図７５のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図７６（ｃ）は図７５のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。
【図７７】図７７は、本発明の第２５の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図７８】図７８（ａ）は図７７のＩ−Ｉ線による断面図、図７８（ｂ）は図７７のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図７９】図７９は、本発明の第２６の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図８０】図８０（ａ）は図７９のＩ−Ｉ線による断面図、図８０（ｂ）は図７９のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図８１】図８１は、本発明の第２７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンのセルを示す上面図である。
【図８２】図８２は、第２７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図８３】図８３（ａ）は図８２のＩ−Ｉ線による断面図、図８３（ｂ）は図８２のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図８４】図８４は、本発明の第２７の実施の形態の半導体装置のモニタパターンを示す上面図である。
【図８５】図８５（ａ）は図８４のＩ−Ｉ線による断面図、図８５（ｂ）は図８４のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【符号の説明】
１０，１０１，２０１，３０１，４０１，５０１…半導体基板（ウエハ）、
１１，４２，１２１，２０２，２４１，４２１，５２１…下層配線（抵抗体）、
１２，１０４，１２３，２２４，２４３，３０４，４２３，５０４，５２３…層間絶縁膜、
１３，４４，１０５，１２４，２０４，２２５，２４４，３０５，４２４，５０５，５２４…コンタクトビア、
１４，４６，１２５，２４５，４２５，５２５…上層配線（抵抗体）、
２１，４１，４５…バリアメタル、
２２…Ａｌ配線、
４３，４７…反射防止膜、
１０２，２２２，３０２，５０２…素子分離膜、
１０３，２２６，３０３，５０３…拡散抵抗、
１０６，２２６，３０６，５０６…配線（抵抗体）
１０７，１１１，１１２，１２８，１２９，１４１，１４５，１５１，１６１，１７１，２０３，２２７，５０７…ダミーパターン
１２２，１２７ａ，１３１，１３３，１４２，１４６，１５２，１６２，１８１，２４２，４２２，５２２…下層ダミーパターン、
１２６，１２７ｂ，１３２，１３４，１４３，１４７，１５３，１６３，１８２，２４６，４２６，５２６…上層ダミーパターン、
２１１，２１５，２３１，２５１，２６１，２７１…第１のモニタパターン、２１２，２１４，２３２，２５２，２６２，２７２…第２のモニタパターン、
２１３，２３３，２５３…第３のモニタパターン。
【図１】
2004014581.tif 000003
【図２】
2004014581.tif 000004
【図３】
2004014581.tif 000005
【図４】
2004014581.tif 000006
【図５】
2004014581.tif 000007
【図６】
2004014581.tif 000008
【図７】
2004014581.tif 000009
【図８】
2004014581.tif 000010
【図９】
2004014581.tif 000011
【図１０】
2004014581.tif 000012
【図１１】
2004014581.tif 000013
【図１２】
2004014581.tif 000014
【図１３】
2004014581.tif 000015
【図１４】
2004014581.tif 000016
【図１５】
2004014581.tif 000017
【図１６】
2004014581.tif 000018
【図１７】
2004014581.tif 000019
【図１８】
2004014581.tif 000020
【図１９】
2004014581.tif 000021
【図２０】
2004014581.tif 000022
【図２１】
2004014581.tif 000023
【図２２】
2004014581.tif 000024
【図２３】
2004014581.tif 000025
【図２４】
2004014581.tif 000026
【図２５】
2004014581.tif 000027
【図２６】
2004014581.tif 000028
【図２７】
2004014581.tif 000029
【図２８】
2004014581.tif 000030
【図２９】
2004014581.tif 000031
【図３０】
2004014581.tif 000032
【図３１】
2004014581.tif 000033
【図３２】
2004014581.tif 000034
【図３３】
2004014581.tif 000035
【図３４】
2004014581.tif 000036
【図３５】
2004014581.tif 000037
【図３６】
2004014581.tif 000038
【図３７】
2004014581.tif 000039
【図３８】
2004014581.tif 000040
【図３９】
2004014581.tif 000041
【図４０】
2004014581.tif 000042
【図４１】
2004014581.tif 000043
【図４２】
2004014581.tif 000044
【図４３】
2004014581.tif 000045
【図４４】
2004014581.tif 000046
【図４５】
2004014581.tif 000047
【図４６】
2004014581.tif 000048
【図４７】
2004014581.tif 000049
【図４８】
2004014581.tif 000050
【図４９】
2004014581.tif 000051
【図５０】
2004014581.tif 000052
【図５１】
2004014581.tif 000053
【図５２】
2004014581.tif 000054
【図５３】
2004014581.tif 000055
【図５４】
2004014581.tif 000056
【図５５】
2004014581.tif 000057
【図５６】
2004014581.tif 000058
【図５７】
2004014581.tif 000059
【図５８】
2004014581.tif 000060
【図５９】
2004014581.tif 000061
【図６０】
2004014581.tif 000062
【図６１】
2004014581.tif 000063
【図６２】
2004014581.tif 000064
【図６３】
2004014581.tif 000065
【図６４】
2004014581.tif 000066
【図６５】
2004014581.tif 000067
【図６６】
2004014581.tif 000068
【図６７】
2004014581.tif 000069
【図６８】
2004014581.tif 000070
【図６９】
2004014581.tif 000071
【図７０】
2004014581.tif 000072
【図７１】
2004014581.tif 000073
【図７２】
2004014581.tif 000074
【図７３】
2004014581.tif 000075
【図７４】
2004014581.tif 000076
【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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