(57)【要約】【課題】電界効果ディスプレイ（ＦＥＤ）などの電極として使用するカーボンナノチューブの特性向上を図り、ＦＥＤ電極上に垂直にかつ適正な密度でＣＮＴを配列する。【解決手段】ＣＮＴ３に軟磁性材料５及び低仕事関数材料６を内包させ、電極となる導電層１上にＩｎなどの低融点金属層２を形成し、→印のように導電層に垂直方向の電界を印加して、ＣＮＴに内包する磁性体の磁性を利用して導電層に垂直に起立させ、磁界の下で加熱・冷却して低融点金属層の溶解・凝固によりＣＮＴを導電層上に固着する。また、ＣＮＴを一端に磁性体を配置したセグメントに磁界によって一定方向に揃えて固着することにより、セグメントを磁界によって配列して、ＦＥＤ電極を形成することができ、またＣＮＴ配列密度をセグメントの幅により最適密度に調整することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包させた、電界放出電極用カーボンナノチューブ。
【請求項２】
低仕事関数材料として、Ｂａ、Ｎａ、Ｋ、Ｌａから選択した１種以上を内包させたことを特徴とする請求項１記載の電界放出電極用カーボンナノチューブ。
【請求項３】
軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包したカーボンナノチューブを低融点金属上に垂直に配列して立設固着した電界放出型カソード。
【請求項４】
軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包したカーボンナノチューブを低融点金属上に垂直に配列して立設固着した電界放出型カソードシート。
【請求項５】
基板上の導電層上に低融点金属膜を形成し、
軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包させたカーボンナノチューブをこれらに垂直方向の磁界の下で低融点金属膜上に垂直に起立・配向させると共に、
該低融点金属膜を溶融・凝固させてこれらの垂直に配列したカーボンナノチューブを固定する、
電界放出型カソードの製造方法。
【請求項６】
一端に磁性体を配置した支持体に対して、軟磁性材料を内包するカーボンナノチューブを磁性体の他端方向に向けて配列して固定してなるカーボンナノチューブ電極セグメント。
【請求項７】
一端に磁性体を配置した支持体に対して、軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包するカーボンナノチューブを磁性体の他端方向に向けて配列して固定してなるカーボンナノチューブ電極セグメント。
【請求項８】
基板上にポリイミドなどからなる支持層を形成し、該支持層にフォトリソグラフィを用いたリフトオフにより所定幅の磁性材料層及び低融点金属層を隣接して埋め込み、これら埋め込み層上に軟磁性材料を内包するカーボンナノチューブをこれらの面に平行な磁界の下で配列し、加熱・冷却して低融点金属層を溶解／凝固させてカーボンナノチューブをこれらの面に平行な配列状態で固着させ、次いで支持層を溶解除去することを特徴とする、
請求項６又は７記載のカーボンナノチューブ電極セグメントの製造方法。
【請求項９】
基板上にポリイミドなどからなる支持層を形成し、該支持層にフォトリソグラフィを用いたリフトオフにより所定幅の磁性材料層及び低融点金属層を垂直に順次積層して堆積させて埋め込み、これら埋め込み層上に軟磁性材料を内包するカーボンナノチューブをこれらの面に垂直な磁界の下で配列し、加熱／冷却して低融点金属層を溶解／凝固させてカーボンナノチューブをこれらの面に垂直な配列状態で固着させ、次いで支持層を所定幅で溶解除去することを特徴とする、
請求項６又は７記載のカーボンナノチューブ電極セグメントの製造方法。
【請求項１０】
基板上にポリイミドなどからなる支持層を形成し、該支持層にフォトリソグラフィを用いたリフトオフにより所定幅の磁性材料を埋め込み、これら埋め込み層上に軟磁性材料を内包するカーボンナノチューブをこれらの面に平行な磁界の下で配列し、次いで低融点金属を堆積被覆して後、
加熱／冷却して低融点金属層を溶解／凝固させてカーボンナノチューブをこれらの面に平行な配列状態で固着させ、
次いで所定幅の低融点金属層及び支持層を溶解除去することを特徴とする、
請求項６又は７記載のカーボンナノチューブ電極セグメントの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等のカソードや接触電極などのカーボンナノチューブを電極として用いる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）がナノレベルの微細構造を有し、また、化学的に安定であって、導電性、耐熱性、電界放出特性などの種々の性質で極めて優れた特性を有することから、その性質を利用した種々のデバイスへの応用が試みられている。
例えば、電流輸送量が約１ＧＡ／ｃｍ２と極めて大きく、その微細でアスペクトレシオの大きい構造から先端の電界が非常に強く、電界放出効果が優れているという特性を電極に利用したフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）等が開発されている。
ＣＮＴをＦＥＤのカソードとしてその特性を発揮するためには、電極に垂直な方向にこれら微細な多数のＣＮＴを整列する必要がある。
このようなハンドリング技術は、ＦＥＤのカソードに限らず、走査型電子顕微鏡のプローブなどの接触電極として利用する場合にも必要であり、これまで種々の手法が試みられている。
【０００３】
このため、化学気相成長法（ＣＶＤ）などによりＦＥＤ電極上に直接ＣＮＴを成長させる方法や合成されたＣＮＴを基板電極上に垂直に配列する方法などが種々試みられている。
このうち、ＣＶＤなどにより電極上に垂直にＣＮＴを成長させる手法は、半導体製造で培われた技術がそのまま適用できる面が多いが、パターニングされた電極基板の基本構造を完成した形態で、ＣＮＴを生成させる必要がある。
ところでＣＮＴは、その製造条件によって導電体から半導体までの幅広い特性を有するものが得られるが、これらの性質を有するＣＮＴをそれぞれ自由に作り分けるには未だ至っていない状況にある。また、これらの電極基板上のＣＮＴの配列密度などについても、それぞれのＣＮＴが独立して電界放出効果を発揮するように、適度の密度で先端を揃えて配列しなければならない。
上記のようにＣＶＤ法による場合、高密度のＣＮＴ電極を形成できることが報告されているが、必ずしも上記のような条件を達成できてはいない。
【０００４】
一方、合成されたＣＮＴを電極上に垂直に配列する手法は、ＣＮＴの物理的、化学的異方性を利用するが、電界放出電極としての特性を発揮するにはその形態、構造上や、特性などに種々の制約がある。
例えば、ＣＮＴを混合・分散した可塑性物質を延伸して、その延伸方向にそろえる方法、電界や磁界を印加してＣＮＴを一定方向に配向させて電極上に垂直に配列させるもの、など種々の方法が提案されている。
【従来技術】
【特許文献１】特開２００１−９３４０４号公報
【特許文献２】特開２００１−１７６３７８号公報
【特許文献３】特開２００１−１９５９７２号公報
【特許文献４】特開２０００−２９４１１９号公報
【特許文献５】特開２００２−１００２８０号公報
【０００５】
上記特許文献１〜５記載の方法は、これらのＣＮＴを一定の方向に配列することを目指しているが、いずれも上記したＦＥＤ電極として実用性を具えるに至っていない。
すなわち、ＦＥＤ電極として用いるには微細な画素に対応する電極上に一定密度でかつ垂直に配列しなければならないが、これらの配列条件と密度をＦＥＤ電極上において実現することは困難である。
また、特許文献４や特許文献５に提案されているような電界や磁界を用いる手法も極めて大きな電界、磁界（特許文献５記載の手法によれば数テスラの極めて大きい磁界が必要となる）が必要であるため実用上困難である。
【０００６】
また、その電界放出効果についても、これらのＣＮＴの先端形状や配列されたＣＮＴの密度などにもよるが、従来の構造に於いては未だ駆動電圧が高く、十分高い電流密度と安定した電圧／電流値を得ることが困難であり、ＦＥＤとして十分な輝度が得られていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ＣＮＴを電界放出電極材料として、基板電極上に垂直に且つ必要な密度（所定の密度）に配列し、低電圧で安定した大電流輸送量を達成する電極構造を実現する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は第１に、軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包させた、電界放出電極用カーボンナノチューブである。（カーボンナノチューブ：ＣＮＴは、単層ナノチューブ：ＳＷＣＮＴ及び多層ナノチューブ：ＭＷＣＮＴいずれでも良い。）
また、軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包したＣＮＴを低融点金属上に垂直に配列して立設固着した電解放出型カソードであり、さらに、軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包したＣＮＴを低融点金属上に垂直に配列して立設固着した電解放出型カソードシートである。
また、これらの電界放出電極を製造する方法であって、
基板上の導電層上に低融点金属（インジウム）膜を形成し、
軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包させたカーボンナノチューブをこれらに垂直方向の磁界の下で低融点金属（インジウムなどの）膜上に垂直に起立・配向させると共に、
該低融点金属膜を溶融・凝固させてこれらの垂直に配列したカーボンナノチューブを固定する、
電界放出型カソードの製造方法である。
本発明に於いては、これらの低融点金属はインジウム膜のほかに本デバイスの使用条件によって、比較的高温度で使用する場合には、その温度に耐える融点の金属を使用する必要がある。例えば、
使用温度が、１５０℃以下であれば、インジウム（Ｉｎ融点１５６℃）でよく、
使用温度が、２００℃付近であれば、錫（Ｓｎ融点２３１℃）でよい。
さらに使用温度が、３００℃付近であれば、鉛（Ｐｂ融点４１９℃）で対応し、
使用温度が４００℃付近の高温になれば、亜鉛（Ｚｎ融点４１９℃）で対応する。さらに高温の使用温度によっては、それに合う融点の金属を選定することが可能であり、環境負荷の大きい鉛の使用を避けたり、或いはより詳細に好適な温度の選定や微細な結晶組織を必要する場合などに応じて、適当な組成／組織を有する合金を使用することができる。
【０００９】
また、ＣＮＴを電極として一定方向に配列すると共にその密度を適正なものとしてＣＮＴ電極の電界放出効果を最適に保つため、
一端に磁性材料からなる磁性体を配置した支持体からなり、軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包させたＣＮＴを該支持体に対して、磁性体の他端方向に向けて配列して固定してなるＣＮＴ電極セグメントを提案する。
その製造方法の１は、基板上にポリイミドなどからなる支持層を形成し、該支持層にフォトリソグラフィを用いたリフトオフにより所定幅の磁性材料層及び低融点金属層を隣接して埋め込み、これら埋め込み層上に軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包するＣＮＴをこれらの面に平行な磁界の下で配列し、加熱・冷却して低融点金属層を溶解／凝固させてＣＮＴをこれらの面に平行な配列状態で固着させ、次いで支持層を溶解除去することを特徴とする、
ＣＮＴ電極セグメントの製造方法であり、
その製造方法の２は、基板上にポリイミドなどからなる支持層を形成し、該支持層にフォトリソグラフィを用いたリフトオフにより所定幅の磁性材料層及び低融点金属層を垂直に順次相接して堆積させて埋め込み、これら埋め込み層上に軟磁性材料を内包するＣＮＴをこれらの面に垂直な磁界の下で配列し、加熱／冷却して低融点金属層を溶解／凝固させてＣＮＴをこれらの面に垂直な配列状態で固着させ、次いで支持層を所定幅で溶解除去することを特徴とする、
ＣＮＴ電極セグメントの製造方法であり、
さらにその製造方法の３は、基板上にポリイミドなどからなる支持層を形成し、該支持層にフォトリソグラフィを用いたリフトオフにより所定幅の磁性材料埋め込み、これら埋め込み層上に軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包するＣＮＴをこれらの面に平行な磁界の下で配列し、次いで低融点金属を堆積被覆して後、加熱／冷却して低融点金属層を溶解／凝固させてＣＮＴをこれらの面に平行な配列状態で固着させ、
次いで所定幅の低融点金属層及び支持層を溶解除去することを特徴とする、
ＣＮＴ電極セグメントの製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
請求項１記載のＣＮＴは、その内包する低仕事関数材料により、電界放出特性を著しく向上することが可能であり、同時に内包する軟磁性材料により以下の請求項に規定するように電磁界の下でその方向を揃えるなど、ナノ材料に於いて困難であったハンドリングを容易にするなど、多くの有用性を発揮することができる。
ＣＮＴを電界放出電極として応用する場合、その電界放出特性にはその大きなアスペクトレシオ、導電性などが寄与するが、これらのデバイスとして仕事関数もまた重要なファクターであって、ＣＮＴについては生成工程によって差はあるが、略４．４〜５．１ｅＶという値が報告されている。これら仕事関数は、これらの物質に固有であるが、これらに接する物質によってその界面のエネルギーバンドが変化し、またその表面形状によって強く影響されるため、これらのナノスケールに於けるチューブ構造に低仕事関数の物質を内包させることにより、デバイスとしてのＣＮＴ電極の電界放出の閾値電圧を低下させることが可能となり、安定した電極動作が期待できる。
これら低仕事関数材料としてＢａ（仕事関数：２．２９ｅＶ）などが適しており、電界放出電極として先端から電子を放出する上で閾値電圧を低下させ、駆動電圧を低下させるため、低電圧で電流輸送量を向上することにより、効率を向上することができる。
そのほか、低仕事関数材料として、アルカリ金属のＮａ：２、２７ｅＶ、Ｋ：２．１５ｅＶなど、また、希土類元素では、例えばランタン：Ｌａについて金属単体で３．５ｅＶ、酸化物として２．８ｅＶであるなど低仕事関数を有する元素、酸化物が多く存在し、ＦＥＤ電極の温度、雰囲気（残存酸素）など動作環境に応じてこれらの材料を選べばよい。
これら磁性材料や低仕事関数材料などの材料をＣＮＴに内包させる方法として、以下の特許文献に提案されている、ナノチューブの先端を開口して溶融金属を導入（特許文献６）、金属ハロゲン化物を加えてカーボンナノチューブ形成と同時にＦｅ系、Ｎｉ系合金を内包させる（特許文献７）方法などが、原理的に適用可能であり、材料の性質などに応じて適宜選択すればよい。
【従来技術】
【特許文献６】特開平６−２２７８０６号公報
【特許文献７】特開２００１−８９１１６号公報
また、これらの軟磁性材料を内包するＣＮＴを用いて、電極上に垂直に起立させた電極構造は、その磁性により容易に磁界方向に配列することが可能であり、高密度で高い方向精度によって配列されるため、ＦＥＤ電極として優れた特性を発揮することができる。
【００１１】
一方、請求項６、７記載のＣＮＴ電極セグメント構造は、ＣＮＴの配列密度を調節して電界放出効果を向上する上で効果的であり、特にＣＮＴをパターニング電極上に垂直に起立させた時の各セグメントＣＮＴの間隔をセグメントの幅によって調整できるため、隣接するＣＮＴ電極先端同士の干渉を回避し、最も効率的な電界放出効果を発揮するように調節することができる。
【００１２】
【実施例】
以下に本発明の具体的な構成及び工程を図面を参照して説明する。
図１（１）、（２）は、軟磁性材料及び低仕事関数材料を内包させたＣＮＴをＦＥＤ電極上に垂直に配列する工程を説明する工程図であって、
基板上にＦＥＤの電極などとなる導電層１を形成し、その上にインジウムなどの低融点金属層２を形成する。
【００１３】
軟磁性材料５及び低仕事関数材料６を内包させたＣＮＴをこれらの基板上に堆積し、基板に垂直な方向（→印）の磁場を形成すると図１（１）に示すようにＣＮＴは内包する軟磁性材料のため基板に垂直な方向に起立する。この状態で、低融点金属の融点にまで基板を加熱して低融点金属を溶融・凝固させると、ＣＮＴは起立した状態で低融点金属層に融着２’し、導電層上に垂直に配列した状態で固着される。
【００１４】
Ｉｎの融点は、１５６．６℃であるから、基板底面からのヒーター加熱などにより容易に融解・凝固させることができる。このようにして電極基板上に垂直に立設されたＣＮＴは、ＦＥＤ電極として必要な密度（所定の密度）であること、垂直配向性に優れ、また、内包する低仕事関数材料による電界放出特性向上により、低い駆動電圧で高い電流密度を達成でき、高輝度ＦＥＤを実現することができる。
このＦＥＤ電極としてのＣＮＴ配列方法は、ＦＥＤ電極のパターニング工程の必要により、いくとおりかの工程が可能である。
図２の工程に於いては、絶縁基板４上に導電層１、低融点金属層２を形成し、フォトリソグラフィにより、ＦＥＤ電極の形状にパターニングし（図２（１））、基板に垂直な磁界の下で軟磁性材料を内包するＣＮＴを基板上に堆積させて、磁界方向に配列させ、磁界を負荷した状態で加熱して低融点金属を融解／凝固させてＣＮＴを基板に垂直に起立させた状態で固着させ（３）、ＦＥＤ電極基板とする。
【００１５】
また、図３に示す工程は、予めＣＮＴを電極に垂直に配列したシートを作成し、その後必要に応じてＦＥＤ電極のパターニングを行なう場合であって、絶縁性シート８上に導電層１及び低融点金属層２を形成し（１）、これらの面に垂直な方向の磁界の下で軟磁性材料を内包するＣＮＴを堆積させてこれらに垂直な方向に配列させ（２）、続いてこの磁界を負荷した状態で加熱して低融点金属の融解／凝固によりＣＮＴを固着する（３）。このようにして形成されたＦＥＤシートは、電極基板１０に貼着し、ＦＥＤ電極の構造、サイズに応じて切断し、パターニング（４）してＦＥＤ電極とする。
【００１６】
以上のＣＮＴ電極は、軟磁性材料を内包するＣＮＴをＦＥＤ電極となる導電層上に直接起立して配列するが、ＣＮＴ電極密度を調整するため、一定方向に配列したＣＮＴ固定したＣＮＴセグメントの製造方法は以下のとおりである。
図４において、基板１０上に耐熱性のあるポリイミドなどの樹脂からなる支持層１３を形成する。１１は、エッチングストッパーやその後の取り扱いの便のためのバックアップ層であって、必要により省略する。
フォトリソグラフィによりフォトレジスト１４を形成して、カ性アルカリなどのエッチャントにより埋め込み溝１６を形成し（１）、低融点金属層２をスパッタ法などにより堆積して（２）、リフトオフにより埋め込み層を形成する。さらに該低融点金属層２に接して同様の工程により高μパーマロイ合金などの磁性材料層１７をスパッタ法などにより堆積して埋め込み層を形成する（３）〜（４）。
このようにして支持層１３、低融点金属層２及び磁性材料層１７が順次隣接して形成された表面上に磁性材料を内包するＣＮＴを堆積させ、これらの面に平行な磁界により配列させる（５）。
【００１７】
ＣＮＴを配列した状態で加熱して、低融点金属層を融解させると、融解した低融点金属はその表面に堆積したＣＮＴに浸透し、冷却させるとその配列状態で固着２’する（６）。
支持層を溶解すると（７）、基板上には低融点金属２からなる微小な支持体の一側面にＣＮＴが一定方向に配列して固着され、一端に微小なブロック状の磁性材料１７を配置した支持体からなるＣＮＴセグメントが形成される。
ＣＮＴセグメントは、必要により、基板からバックアップシートを溶解し（或いは、上記の埋め込み溝形成の際にポリイミド層を残してもおいても良い）、それぞれ個々のセグメントに分離して、ＦＥＤ電極セグメントなどとする。
セグメントに固着されたＣＮＴは、低融点材料からなる支持体側からＣＮＴの最大長さまで突出するから、電界放出電極としてのセグメントからの突出長は、このＣＮＴ最大長さ以下となる、また、磁性体側に対しても同様であるから、磁性体の長さ（リフトオフ埋め込み層の幅）をこのＣＮＴ最大長さ以上とすれば、ＣＮＴが隣接するセグメントと橋絡する事はなく速やかに分離されると共に、セグメントを磁界の下で垂直に配列する際に邪魔になることはない。
【００１８】
このようにして形成された、ＦＥＤ電極セグメントは、その一端に磁性材料からなる磁性体を有しているため、磁界の下で容易に配列させることができる。
従って、導電層からなるＦＥＤ電極を形成したＦＥＤ電極基板上に基板に垂直な磁界を負荷した状態でこれらのＦＥＤ電極セグメントを配列することにより、ＣＮＴを高密度に配列したＦＥＤ電極を形成することができる。
これらの電極セグメントは、その側面にＣＮＴを配置するが、支持体及び磁性体からなるセグメント幅があり、この幅の間隔でセグメントが配列される。
従って、ＣＮＴはセグメント幅で線状若しくは帯状に配列されるから、セグメント幅を適宜に選択することにより、ＣＮＴの分布、密度を調整することが可能であり、ＣＮＴが過度に密集することによるＣＮＴ先端の電界集中効果の低下を回避して、適切なＣＮＴ電極密度を構成することができる。
【００１９】
これらのＣＮＴ電極セグメントの諸元は、ＣＮＴの特性やディスプレイの構成により異なるため一概に言えないが、例えば、その画素のサイズに対応して、現在のディスプレイ一般として、１画素、１ドットのサイズは、１辺が０．１〜０．２ｍｍ、画素ピッチは、１辺が０．２〜０．４ｍｍ程度であるから、本発明のＣＮＴセグメントは、略０．１ｍｍ×１μｍ×１０μｍとして画素１ドットに対して、数１０セグメンを並列することが可能であり、極めて高精細化が可能である。
【００２０】
図５に示す工程は、セグメントに直接ＣＮＴを立設させる方法を示す。
上記の例と同様に、基板１０上にバックアップ層１１、樹脂（ポリイミド）支持層１３を形成するが、樹脂支持層はセグメントの高さに合わせて厚めとする（１）。
磁性材料層１７及び低融点金属層２を順次形成してリフトオフにより支持層に重ねて埋め込むが、（２）図示のように、埋め込み層の上に若干溝が残るようにする。
これらの面に垂直な磁界を印加した状態で磁性体を内包したＣＮＴを分散させると、ＣＮＴはこれらの磁界に沿って移動し、その一部は上記の埋め込み層の凹所に嵌入する。この状態で低融点金属層を加熱溶解すると、埋め込み層上に嵌入したＣＮＴは低融点金属によって固着され、磁界方向に立設した状態で固定される（５）。従って、固定後、ポリイミド支持層を溶解して、（７）図示のセグメントが得られる。
なお、セグメントの幅を調整するためには、フォトリソグラフィにより、図（６’）及び（７’）に示すように、セグメント側面に所定の幅の支持層１３を形成すればよい。
【００２１】
さらに、図６に示す工程も可能である。
図６において、リフトオフによりポリイミドなどからなる支持層１３に磁性体１７の埋め込み層１７を形成する（１）〜（３）。埋め込み層上に軟磁性材料を内包するＣＮＴ３を堆積させ、これらの面に平行な磁界を印加してＣＮＴを配列し、そのうえに低融点金属層２を堆積させる（４）。
加熱して低融点金属層を溶解・凝固させることにより、ＣＮＴを水平に配列した状態で固着させ２’（５）、フォトリソグラフィにより固着層２’の領域の低融点金属層２とポリイミド支持層を除く低融点金属層２及び支持層１３を除去して、ＣＮＴ電極セグメントを分離する（６）、（７）。
以上、これらの工程においては、多くをフォトリソグラフィよっているが、そのエッチング法はウエットプロセス、ドライプロセスいずれでも良い。
ウエットプロセスに於いては、導電層にＡｌ、Ｃｕを用いる場合、それぞれエッチャントとして、リン酸／硝酸／酢酸水溶液、塩酸及び第２塩化鉄／塩酸水溶液などを用い、Ｉｎに対しては塩酸系を用いた。
また、ドライプロセスについては、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、マイクロ波エッチングなどがあり、反応性イオンエッチングが主流とされているほか、一般に環境への負荷の低いことからもドライ化が好適である。
【００２２】
以上の本発明の方法によれば、ＣＮＴを一定方向に配列し、その一端に磁性体を配置するＣＮＴ電極セグメントが得られ、これらのセグメントの構造により、ＦＥＤ電極に垂直に立設したＣＮＴ電極構造を容易に形成することができる。
これらの例では、いずれもエッチングストッパーを兼ねたバックアップシートを形成して最終的に電極セグメントを分離しているが、電極セグメントを形成後バックアップシート上に乗った状態で取り扱うことも中間製品として便宜であり、さらに、図５に示すようなＣＮＴがバックアップシートに垂直に配列される場合には、バックアップシート自体を電極となる金属で構成して、直接電極基板として利用することも可能である。
【００２３】
【発明の効果】
本発明によれば、電界放出効果の優れたＣＮＴ電極材料が得られ、またこれらのＣＮＴ電極材料を用いて効果的なＦＥＤ電極を構成し、かつそれらを容易に製造することができるものであり、新な産業領域を創造し、その発展に寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の低仕事関数材料を内包したＣＮＴとその立設法法を示す工程図。
【図２】本発明のＣＮＴを立設したＦＥＤ電極形成方法を示す工程図。
【図３】本発明のＣＮＴを立設したＦＥＤ電極形成方法を示す他の工程図。
【図４】本発明のＣＮＴを配列したセグメントの製造工程。
【図５】本発明のＣＮＴを配列したセグメントの他の製造工程。
【図６】本発明のＣＮＴを配列したセグメントのさらに他の製造工程。
【符号の説明】
１    導電層
２    低融点金属層
２’    融着低融点金属層
３    カーボンナノチューブ
４    絶縁基板
５    軟磁性材料
６    低仕事関数材料
８    絶縁シート
１０  基板
１１  バックアップ層
１３  樹脂（ポリイミド）層
１４  フォトレジスト層
１６  エッチング埋め込み溝
１７  磁性材料
【図１】
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【図２】
2004259667.tif 000004
【図３】
2004259667.tif 000005
【図４】
2004259667.tif 000006
【図５】
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【図６】
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